(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル本体に吐出液が通過する液流路が形成され、該液流路に配置された吐出電極への電圧の印加に伴って発生した静電気力により、前記吐出液が液流路の先端の液吐出口から吐出される静電誘引式液滴ノズルにおいて、
前記吐出電極は、チップ本体と、該チップ本体の表面から突出した針部とを有する陽極化成によって作製されたエミッタチップで、
前記針部は、前記液吐出口から針先を突出させた状態で、ゆとりをもって液流路に収納され、
該液流路の先端部は、前記針部の外周に沿って徐々に先細り化された静電誘引式液滴ノズル。
【請求項２】
前記液吐出口の形成部には、該液吐出口から離間した液吐出方向の所定位置に、絶縁性を有した電極保持体を介してゲート電極が突設され、該ゲート電極には、吐出された前記吐出液が通過する開口部が形成された請求項１に記載の静電誘引式液滴ノズル。
【請求項３】
ノズル本体に吐出液が通過する液流路を有し、該液流路に配置された吐出電極への印加に伴って発生した静電気力により、前記吐出液が液流路の先端の液吐出口から吐出される静電誘引式液滴ノズルの製造方法において、
フッ酸溶液との接触面側の一部にｎ型のシリコン領域が形成されたｐ型のシリコン基板に陽極化成を施し、前記ｎ型のシリコン領域を主体として、チップ本体と、該チップ本体の表面から突出する針部とを有したエミッタチップからなる吐出電極を作製する吐出電極作製工程と、
該吐出電極を、前記針部とは反対側の面を貼り合わせ面として、前記ノズル本体に貼り合わせる電極貼り合わせ工程と、
前記ノズル本体の吐出電極の貼り合わせ側に、該吐出電極を含めて絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
該絶縁膜のノズル本体とは反対側に、前記液流路の外壁となる液流路外壁用膜を形成する外壁形成工程と、
前記針部を被覆した絶縁膜の隆起部および液流路外壁用膜の隆起部の各先端部をそれぞれ除去し、前記針部の針先を露出するとともに、前記液吐出口を形成する液吐出口形成工程と、
該液吐出口の形成後、前記絶縁膜のうち、前記隆起部を含む一部分を除去し、前記液流路を形成する液流路形成工程とを備えた静電誘引式液滴ノズルの製造方法。
【請求項４】
前記ノズル本体が、シリコン基板である請求項３に記載の静電誘引式液滴ノズルの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜がシリコン酸化膜で、
前記液流路形成工程では、前記絶縁膜の一部分をフッ酸溶液によりエッチングする請求項３または請求項４に記載の静電誘引式液滴ノズルの製造方法。
【請求項６】
前記液吐出口形成工程では、
前記液流路外壁用膜のノズル本体とは反対側に、少なくとも前記針部が埋没する厚さのレジスト膜を形成し、
続いて、該レジスト膜の表層を、両隆起部の先端部とともにドライエッチングする請求項３〜請求項５のうち、何れか１項に記載の静電誘引式液滴ノズルの製造方法。
【請求項７】
前記液流路外壁用膜の液流路とは反対側に、絶縁層と導電層とを順次形成し、
該導電層のうち、前記液吐出口と対峙部分の一帯に、該液吐出口から吐出された吐出液が通過する開口部をエッチングしてゲート電極を形成し、
その後、前記絶縁層のうち、前記開口部と対峙する部分に、該開口部と液吐出口とを連通する内部空間をエッチングして電極保持体を形成する請求項３〜請求項６のうち、何れか１項に記載の静電誘引式液滴ノズルの製造方法。
【請求項８】
ノズル本体に吐出液が通過する液流路を有し、該液流路に配置された吐出電極への印加に伴って発生した静電気力により、前記吐出液が液流路の先端の液吐出口から吐出される静電誘引式液滴ノズルの製造方法において、
フッ酸溶液との接触面側の一部にｎ型のシリコン領域が形成されたｐ型のシリコン基板に陽極化成を施し、前記ｎ型のシリコン領域を主体として、チップ本体と、該チップ本体の表面から突出する針部とを有したエミッタチップからなる吐出電極を作製する吐出電極作製工程と、
該吐出電極を、前記針部とは反対側の面を貼り合わせ面として、前記ノズル本体に貼り合わせる電極貼り合わせ工程と、
ダミー基板の平坦な表面に有機エラストマー層を形成するエラストマー層形成工程と、
該有機エラストマー層に、その表裏面を貫通して、前記吐出電極をゆとりをもって挿入可能な貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
該貫通孔に吐出電極を挿入し、前記ノズル本体の吐出電極側の面に有機エラストマー層を貼り合わせるエラストマー貼り合わせ工程とを備えた静電誘引式液滴ノズルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は静電誘引式液滴ノズルおよびその製造方法、詳しくは静電気力により、インクジェット液滴吐出装置に搭載され、吐出液が液流路の先端の液吐出口から吐出される静電誘引式液滴ノズルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイおよびコンピュータ関連機器の分野においては、製造装置の簡素化、製造自由度の拡大および省資源化などが要望されている。これを受けて、現在、液滴を吐出するインクジェット式ノズルを使用し、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）材をシリコン基板に直接吐出して有機ＥＬディスプレイを作製する方法、導電性粒子を含む溶液をプリント回路基板などに吐出して配線パターンを直接描画する方法などが検討されている。
【０００３】
このような直接描画を行う従前のインクジェット式ノズルとして、例えばピエゾ素子を利用した圧電式液滴ノズル、液滴の膜沸騰を利用したサーマル式液滴ノズルなどが知られている。
両方式のノズルを使用すると、液流路の吐出口に吐出液の目詰まりが発生し易い。これにより、ノズル径が制約され、吐出される液滴の最小径（以下、最小液滴径）は、２０μｍが限界であった。
【０００４】
そこで、これを解消する従来のインクジェット式ノズルとして、例えば特許文献１に記載されたような静電誘引式ノズルが知られている。
以下、図２８および図２９を参照して、従来の静電誘引式液滴ノズルを具体的に説明する。
図２８および図２９に示すように、従来の静電誘引式液滴ノズル１００は、ノズル本体１０１と、このノズル本体１０１の内部に形成され、インク（吐出液）が通過する液流路１０２と、液流路１０２の両側部に一対配置された吐出電極１０３と、両吐出電極１０３を被覆する被覆部材１０４と、液流路１０２に配置されて、鋭角な先端部が、液流路１０２の先端の液吐出口１０５から外方に突出した平板な針形状（以下、針板形状）を有する吐出部材１０６と、吐出部材１０６を液流路１０２に固定する絶縁性材からなる補助部材１０７と、液吐出口１０５から離間した位置に配され、吐出されたインクが通過する開口部１０８が形成されたグリッド電極（ゲート電極）１０９とを備えている。
また、両吐出電極１０３には、バイアス電源１１２とパルス電源１１３とがそれぞれ接続されている。さらに、開口部１０８から離間した液吐出方向の所定位置には、静電誘引式液滴ノズル１００に対向した平板形状の対向電極１１０が配設されている。
対向電極１１０の静電誘引式液滴ノズル１００側の面（以下、ノズル側の面）には、例えば有機ＥＬディスプレイ用のシリコン基板１１１が当接されている。対向電極１１０には、液滴加速用電源１１４が接続されている。
【０００５】
この静電誘引式液滴ノズル１００にあっては、まず対向電極１１０のノズル側の面に、有機ＥＬディスプレイ用のシリコン基板１１１を、その裏面を当接面として配置する。
また、図示しないインクタンクから供給されたインクにより、液流路１０２の路面を濡らしておく。その後、吐出電極１０３に１．５〜２．０ｋＶのバイアス電圧を印加する。すると、液流路１０２内のインク中に含まれる有機ＥＬ材の微粒子に対して、液吐出口１０５に向かう電界が作用する。
これにより、微粒子は針板形状を有する吐出部材１０６に沿って液吐出口１０５方向に流動しながら徐々に濃縮され、液吐出口１０５付近で液滴を形成する。このとき、液滴中の微粒子には静電反発力が作用し、対向電極１１０に向かって微粒子が飛び出そうとする。
【０００６】
しかしながら、バイアス電圧による静電反発力は、あらかじめインクの表面張力より小さく設定されている。そのため、微粒子は液滴の表面から飛び出せない。
そして、この状態のまま微粒子の吐出量に応じて３００〜５００Ｖ程度のパルス電圧をバイアス電圧に重畳する。
その結果、静電反発力が液滴の表面張力を上回り、微粒子が液吐出口１０５から吐出し、グリッド電極１０９の開口部１０８を通過して対向電極１１０に向かって飛翔する。その際、このグリッド電極１０９に対して、対向電極１１０より電位が大きい電圧を印加すると、微粒子はグリッド電極１０９と対向電極１１０との間でも電界による力を受ける。
これにより、微粒子の吐出の安定化を図ることができる。
【特許文献１】特開２０００−２５５０６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の静電誘引式液滴ノズル１００では、板針形状を有した吐出部材１０６の幅が１４０μｍと大きく、しかも吐出部材１０６の先端の曲率半径も１０μｍと大きかった。
これにより、インクの最小液滴径を、有機ＥＬディスプレイへの直接描画が可能な１μｍ以下まで小さくすることは困難であった。
また、従来の静電誘引式液滴ノズル１００では、ノズル先端に作用する電界が小さいので、液滴（微粒子）を吐出させるには高い電圧を必要とした。
【０００８】
そこで、これを解消するため、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などの半導体微細加工を一種であるドライエッチングを応用し、シリコン基板に対して、その表面側から基板の厚さ方向に向かってドライエッチングを施すことが考えられる。
しかしながら、シリコン基板に孔形状の液流路を穿つドライエッチングの深さは、例えば数百μｍと深い。ＲＩＥなどのドライエッチングによるシリコン基板のアスペクト比は、Ｒ１０〜Ｒ１００程度である。
そのため、液流路にエッチング不良としてのボーイングが発生し易かった。
ボーイングとは、液流路を形成する途中において側面方向のエッチングが進行し、液流路の側壁が断面凹形となる状態である。
これにより、流路全長にわたって断面積が一定した液流路を作製することは難しかった。その結果、最小液滴径が１μｍ以下の液滴を吐出させることはできなかった。
【０００９】
この発明は、最小液滴径が１μｍ以下の吐出液を吐出させることができ、しかも低電圧による駆動が可能な静電誘引式液滴ノズルおよびその製造方法を提供することを、その目的としている。
また、この発明は、液滴の吐出の安定化を図ることができる静電誘引式液滴ノズルおよびその製造方法を提供することを、その目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
参考例として示す静電誘引式液滴ノズルは、ノズル本体に吐出液が通過する液流路が形成され、該液流路に配置された吐出電極への電圧の印加に伴って発生した静電気力により、前記吐出液が液流路の先端の液吐出口から吐出されるものにおいて、前記ノズル本体は、第１の基板と、該第１の基板に貼り合わされる第２の基板とを有し、前記第１の基板と第２の基板のうち、少なくとも一方の基板の貼り合わせ側の面に、前記液流路の一部分を構成する液流路用溝が、ドライエッチングにより形成される。
【００１１】
この静電誘引式液滴ノズルによれば、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせてノズル本体を形成する際、両基板の貼り合わせ面間において、ドライエッチングにより形成された液流路用溝を主体として液流路を形成する。
この場合、液流路用溝は、選出された基板の貼り合わせ面にドライエッチングされる際、エッチング方向を溝の長さ方向ではなく、溝の幅方向に向けてエッチングされる。その結果、エッチング量が小さくなる。
したがって、アスペクト比がＲ１０〜Ｒ１００となるドライエッチングであっても、液流路にボーイングが発生し難い。これにより、半導体微細加工を利用し、流路全長にわたって断面積が一定となった液流路を作製することが可能になる。
その結果、最小液滴径が１μｍ以下の吐出液の液滴を吐出させることができるとともに、従来より低電圧であっても、静電誘引式液滴ノズルを有したインクジェット式液滴吐出装置を駆動することができる。
【００１２】
静電誘引式液滴ノズルの方式は限定されない。例えば、常に吐出液を吐出し続けるパーマネント・フロー式でもよい。また、必要時に必要な量だけ吐出液を吐出するドロップ・オン・デマンド式でもよい。
ノズル本体の素材としては、例えば単結晶シリコン、多結晶シリコン、ガラスなどを採用することができる。要は、半導体微細加工法の一種であるドライエッチングにより、第１の基板および第２の基板のうち、少なくとも液流路用溝が形成される側の基板が、微細加工可能な素材であればよい。
ノズル本体を構成する第１の基板と第２の基板とは同じ素材でもよい。また、異なる素材でもよい。
ノズル本体の形状としては、例えば平面視して矩形状、円形状、楕円形などを採用することができる。
【００１３】
吐出液とは、所定の溶媒中に所定量の微粒子を添加したものである。溶媒としては、例えばオイル、水、有機溶媒などを採用することができる。
微粒子の素材としては、例えば各種の有機ＥＬ材、各種の顔料、各種の導電性素材などを採用することができる。
微粒子の粒径は１〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍである。１ｎｍ未満では微粒子の製造が困難になる。
また、２００ｎｍを超えると液滴の制御が困難になる、溶媒を除去する際の体積変化が大きくなるなどの不都合が生じる。微粒子の添加量は、例えば１０〜１０００重量部である。
【００１４】
液流路の断面形状としては、例えば円形、楕円形、三角形、四角形以上の多角形などを採用することができる。
液流路の幅は０．５〜５０μｍ、好ましくは０．５〜５μｍである。
０．５μｍ未満では加工が難しくなる、液体の目詰まりが生じ易くなるという不都合が生じる。また、５０μｍを超えると液滴の精密制御が困難になる。液流路の長さは限定されない。
吐出電極の素材としては、例えばＰｏｌｙＳｉ、ＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ、ＴｉＳｉ2 、Ｗなどを採用することができる。
静電誘引式液滴ノズルは、インクジェット式液滴吐出装置に搭載し、吐出電極と平板形状を有する対向電極との間に電圧を印加することで、吐出液の液滴（微粒子）を、対向電極側に配置された例えばシリコン基板の表面に吐出することができる。
【００１５】
液流路用溝は、第１の基板の貼り合わせ面に形成してもよい。また、第２の基板の貼り合わせ面に形成してもよい。
さらには、両基板の貼り合わせ面に形成してもよい。
液流路用溝の断面形状としては、例えば円形、楕円形、三角形または四角形以上の多角形などを採用することができる。
ドライエッチングとは、半導体微細加工技術の一種で、所定のエッチングガスを使用し、選出された基板の貼り合わせ面に液流路用溝を形成する。
【００１６】
また、前記静電誘引式液滴ノズルにおいては、前記吐出電極は、鋭角に形成された先端部を、前記液吐出口から突出させた針状電極である。
【００１７】
この静電誘引式液滴ノズルによれば、吐出電極として、先端部が鋭角な針状電極を採用したので、吐出液に含まれた微粒子が静電気力により液流路内で液吐出口側に流動する際、吐出電極の鋭角な先端部に沿って、微粒子が徐々に濃縮されながら、吐出電極の微細な先端に集中し、液滴を形成する。
その結果、より低電圧であっても、静電誘引式液滴ノズルが組み込まれたインクジェット式液滴吐出装置を駆動することができる。
【００１８】
吐出電極の鋭角な先端部の角度は、例えば１０〜５０度である。
針状電極である吐出電極の直径は０．１〜４０μｍ、好ましくは０．１〜３μｍである。
０．１μｍ未満では加工が困難になる。また、４０μｍを超えると液滴の精密制御が困難になる。
吐出電極の先端曲率半径は１０〜５００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍである。
１０ｎｍ未満では加工が困難になる、静電力で破壊され易くなるという不都合が生じる。
また、５００ｎｍを超えると高い電圧が必要となる、液滴の精密制御が困難になるという不都合が生じる。
【００１９】
また、前記静電誘引式液滴ノズルにあって、前記液吐出口の形成部には、該液吐出口から離間した液吐出方向の所定位置に、絶縁性を有した電極保持体を介してゲート電極が突設され、該ゲート電極には、吐出された前記吐出液が通過する開口部が形成されている。
【００２０】
また、この静電誘引式液滴ノズルによれば、液吐出口から吐出された微粒子は、ゲート電極の開口部を通過した後、液吐出方向の所定位置に配置された対向電極に向かって飛翔する。
このとき、ゲート電極に対して、対向電極より電位が大きい電圧を印加すると、吐出された液滴中の微粒子は、ゲート電極と対向電極との間においても電界による力を受ける。
これにより、吐出液（微粒子）の吐出の安定化を図ることができる。
【００２１】
電極保持体と液吐出口との間の距離は限定されない。例えば、１〜２０μｍである。
電極保持体の素材としては、例えば酸化シリコン、ポリイミド、窒化シリコンなどを採用することができる。
電極保持体の厚さとしては、例えば１〜１０μｍである。
ゲート電極の素材としては、例えばＰｏｌｙＳｉ、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、Ｗなどを採用することができる。
ゲート電極の形成方法としては、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法などを採用することができる。
開口部の形状としては、例えば平面視して円形、楕円形、三角形または四角形以上の多角形などを採用することができる。
開口部の大きさとしては、例えば直径１〜２０μｍである。
【００２２】
この静電誘引式液滴ノズルの製造方法は、ノズル本体に形成された吐出液が通過する液流路には吐出電極が配置され、該吐出電極への電圧の印加に伴って発生した静電気力により、前記吐出液が液流路の先端の液吐出口から吐出される静電誘引式液滴ノズルの製造方法において、互いに貼り合わされる第１の基板および第２の基板のうち、少なくとも一方の基板の貼り合わせ側の面に、前記液流路の一部分を構成する液流路用溝を、ドライエッチングにより形成する溝形成工程と、該溝形成後、第１の基板および第２の基板のうち、少なくとも一方の基板に前記吐出電極を形成する吐出電極形成工程と、該吐出電極形成後、前記第１の基板と第２の基板とを貼り合わせてノズル本体を形成すると同時に、前記液流路用溝を含む液流路を形成する貼り合わせ工程とを備えている。
【００２３】
この製造方法によれば、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせてノズル本体を形成する際、両基板の貼り合わせ面間において、ドライエッチングにより形成された液流路用溝を主体として液流路を形成する。
この場合、液流路用溝は、選出された基板の貼り合わせ面にドライエッチングされる際、エッチング方向を溝の長さ方向ではなく、溝の幅方向に向けてエッチングされる。
その結果、エッチング量が小さくなる。したがって、アスペクト比がＲ１０〜Ｒ１００となるドライエッチングであっても、液流路にボーイングが発生し難い。
これにより、半導体微細加工を利用し、流路全長にわたって断面積が一定となった液流路を作製することが可能になる。
その結果、最小液滴径が１μｍ以下の吐出液の液滴を吐出させることができるとともに、従来より低電圧であっても、静電誘引式液滴ノズルを有したインクジェット式液滴吐出装置を駆動することができる。
【００２４】
第１の基板と第２の基板との貼り合わせ方法は限定されない。例えば、両基板が同じシリコン素材の場合、ファン・デル・ワールス力により、互いの貼り合わせ面を重ね合わせるだけで両基板を一体化できる。
また、両基板が異なる素材の場合には、例えば陽極接合により両基板を貼り合わせることができる。貼り合わせ後、貼り合わせ強度を増強するため、貼り合わせ熱処理を施してもよい。
ドライエッチングの種類は限定されない。例えば、ＲＩＥ、プラズマエッチング、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング、イオンビームエッチング、光励起エッチングなどを採用することができる。
吐出電極の形成方法としては、例えばＣＶＤ法、スパッタリング法などを採用することができる。
【００２５】
請求項１に記載の発明は、ノズル本体に吐出液が通過する液流路が形成され、該液流路に配置された吐出電極への電圧の印加に伴って発生した静電気力により、前記吐出液が液流路の先端の液吐出口から吐出される静電誘引式液滴ノズルにおいて、前記吐出電極は、チップ本体と、該チップ本体の表面から突出した針部とを有する陽極化成によって作製されたエミッタチップで、前記針部は、前記液吐出口から針先を突出させた状態で、ゆとりをもって液流路に収納され、該液流路の先端部は、前記針部の外周に沿って徐々に先細り化された静電誘引式液滴ノズルである。
【００２６】
さらに、請求項１に記載の静電誘引式液滴ノズルによれば、吐出電極であるエミッタチップに電圧を印加すると、液流路内で吐出液に含まれた微粒子がエミッタチップの針部に沿って、液吐出口側に流動する。
このとき、液流路の先端部は、陽極化成により得られたエミッタチップの微細な針部（例えば直径２μｍ、ノズル先端の曲率半径２００ｎｍ）の外周に沿って、徐々に先細り化されている。
これにより、吐出口から最小液滴径が１μｍ以下の吐出液を吐出させることができる。
しかも、低電圧であっても静電誘引式液滴ノズルが組み込まれたインクジェット式液滴吐出装置を駆動させることができる。
【００２７】
エミッタチップの素材はシリコンである。チップ本体と針部とは一体形成される。
チップ本体の縦横の寸法は限定されない。例えば、一辺が５〜５０μｍの正方形である。チップ本体の厚さは、例えば０．１〜５μｍである。
針部の長さは、例えば１〜５０μｍである。
針部の直径は０．１〜１０μｍ、好ましくは１μｍ前後である。
０．１μｍ未満では機械的強度が弱まり寿命が短くなる。また、１０μｍを超えると針先の径を小さくするのが困難になる。
針先の直径は１０〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ前後である。１０ｎｍ未満では液吐出に伴う破壊が生じ易くなる。
また、２００ｎｍを超えると高電圧が必要となる、液滴の精密制御が困難になるという不都合が生じる。陽極化成の詳細については、後述する。
【００２８】
液吐出口から突出する針先の長さは、例えば１〜５０μｍである。
液吐出口と針部の周側面との隙間は０．１〜５μｍ、好ましくは０．１〜１μｍである。
０．１μｍ未満では液の目詰まりが生じ易くなる。また、１μｍを超えると、液滴の精密制御が困難になる。
【００２９】
請求項２に記載の発明は、前記液吐出口の形成部には、該液吐出口から離間した液吐出方向の所定位置に、絶縁性を有した電極保持体を介してゲート電極が突設され、該ゲート電極には、吐出された前記吐出液が通過する開口部が形成された請求項１に記載の静電誘引式液滴ノズルである。
【００３０】
請求項２に記載の静電誘引式液滴ノズルによれば、液吐出口から吐出された微粒子は、ゲート電極の開口部を通過した後、液吐出方向の所定位置に配置された対向電極に向かって飛翔する。
このとき、ゲート電極に対して、対向電極より電位が大きい電圧を印加すると、吐出された液滴中の微粒子は、ゲート電極と対向電極との間においても電界による力を受ける。
これにより、吐出液（微粒子）の吐出の安定化を図ることができる。
【００３１】
請求項３に記載の発明は、ノズル本体に吐出液が通過する液流路を有し、該液流路に配置された吐出電極への印加に伴って発生した静電気力により、前記吐出液が液流路の先端の液吐出口から吐出される静電誘引式液滴ノズルの製造方法において、フッ酸溶液との接触面側の一部にｎ型のシリコン領域が形成されたｐ型のシリコン基板に陽極化成を施し、前記ｎ型のシリコン領域を主体として、チップ本体と、該チップ本体の表面から突出する針部とを有したエミッタチップからなる吐出電極を作製する吐出電極作製工程と、該吐出電極を、前記針部とは反対側の面を貼り合わせ面として、前記ノズル本体に貼り合わせる電極貼り合わせ工程と、前記ノズル本体の吐出電極の貼り合わせ側に、該吐出電極を含めて絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、該絶縁膜のノズル本体とは反対側に、前記液流路の外壁となる液流路外壁用膜を形成する外壁形成工程と、前記針部を被覆した絶縁膜の隆起部および液流路外壁用膜の隆起部の各先端部をそれぞれ除去し、前記針部の針先を露出するとともに、前記液吐出口を形成する液吐出口形成工程と、該液吐出口の形成後、前記絶縁膜のうち、前記隆起部を含む一部分を除去し、前記液流路を形成する液流路形成工程とを備えた静電誘引式液滴ノズルの製造方法である。
【００３２】
請求項３に記載の静電誘引式液滴ノズルの製造方法によれば、吐出電極であるエミッタチップに電圧を印加すると、液流路内で吐出液に含まれた微粒子がエミッタチップの針部に沿って、液吐出口側に流動する。
このとき、液流路の先端部は、陽極化成により得られたエミッタチップの微細な針部（例えば直径２μｍ、ノズル先端の曲率半径２００ｎｍ）の外周に沿って、徐々に先細り化されている。
これにより、吐出口から最小液滴径が１μｍ以下の吐出液を吐出させることができる。しかも、低電圧であっても静電誘引式液滴ノズルが組み込まれたインクジェット式液滴吐出装置を駆動させることができる。
【００３３】
エミッタチップの製造方法としては、例えば陽極化成法を採用することができる。
陽極化成法とは、フッ酸溶液中でのシリコン基板を陽極とした電解エッチングにおいて、低電流密度の条件で行われるエッチングで、シリコン基板が部分的に除去されて多孔質層が形成される。
この陽極化成では、シリコン基板を陽極とし、フッ酸溶液とシリコン基板との界面には、ポテンシャル障壁が存在することから、ｐ型シリコン基板の場合には、順方向にバイアスされたショットキー特性を示す。
一方、ｎ型シリコン基板では逆方向にバイアスされたショットキー特性を示す。多孔質シリコンは低電流密度の条件で形成される。
【００３４】
具体的なエミッタチップの製造にあっては、例えばＲＩＥによりｐ型の単結晶シリコン基板の裏面の一部分をメサ型形状に加工する。
その後、このメサ型領域にリン（Ｐ）イオンを注入し、これをｎ型領域とする。
次いで、前記シリコン基板をＨＦ溶液（フッ酸濃度２５〜４９％）入りの陽極化成槽の開口された底面に装着し、蓋止めする。
そして、ＨＦ溶液の液面下にはカソード電極を挿入し、シリコン基板の裏面のｎ型領域にはアノード電極を接続する。
その後、電流密度５〜５０ｍＡ／ｃｍ2で両電極間に１０〜４００分間、通電する。
これにより、シリコン基板のｐ型のシリコン領域（カソード側）が多孔質化する一方、アノード側となるｎ型の領域は多孔質化しない。
その結果、多孔質化されないｎ型領域の一帯には、三角錐状または針状のエミッタチップが形成される。
【００３５】
ノズル本体の素材は、エミッタチップと同じシリコン系素材が好ましい。
ファン・デル・ワール力により、エミッタチップをノズル本体に重ね合わせるだけで両部材を一体化することができる。
貼り合わせ前、ノズル本体には親水処理を施した方が好ましい。
具体的には、ＲＣＡ洗浄後、ノズル本体をフッ酸溶液（フッ酸濃度１〜１０％）によって１〜５分間エッチングし、表面の自然酸化膜を除去する。それから、ノズル本体を５〜１０分間純水に浸す。
貼り合わせ後は、湿度４０〜６０％、大気中で１０〜６０分間乾燥させる。それから、接合強度の強化および多孔質シリコン層の酸化のための熱処理を、例えば１０００℃、２時間、酸素雰囲気中で行う。
次に、ＨＦ：Ｈ2Ｏ2＝１：５のエッチング液により、酸化多孔質シリコン層をエッチングし、ノズル本体と一体化したエミッタチップを取り出す。
【００３６】
絶縁膜形成工程で使用される絶縁膜としては、例えばシリコン酸化膜などを採用することができる。絶縁膜の厚さは、任意とする。絶縁膜の形成方法としては、例えばＣＶＤ法、スパッタリング法などを採用することができる。
液流路外壁用膜としては、例えば窒化シリコン膜、ＷＳｉ2，Ｔａなどを採用することができる。液流路外壁用膜の厚さは、例えば０．５〜２μｍである。液流路外壁用膜の形成方法としては、例えばＣＶＤ法、スパッタリング法などを採用することができる。
【００３７】
絶縁膜および液流路外壁用膜の各隆起部の先端部を除去する方法は限定されない。
例えば、ＲＩＥ、プラズマエッチングなどのドライエッチングを採用することができる。その他、化学機械研磨などでもよい。
この除去により露出される針部の針先部分の長さは、例えば０．１〜１μｍである。
液吐出口の直径は０．１〜５μｍ、好ましくは０．２〜２μｍである。
０．１μｍ未満では液体の目詰まりが生じ易い。また、２μｍを超えると液滴の精密制御が困難になる。
絶縁膜のうち、隆起部を含む一部分を除去して液流路を形成する方法は限定されない。例えば、絶縁膜の素材に応じたウエットエッチング採用することができる。例えば、絶縁膜が酸化シリコンの場合には、ＨＦ溶液を使用したエッチングとなる。
【００３８】
請求項４に記載の発明は、前記ノズル本体が、シリコン基板である請求項３に記載の静電誘引式液滴ノズルの製造方法である。
シリコン基板としては、例えば単結晶シリコン基板、シリコン酸化膜が形成された単結晶シリコン基板などを採用することができる。
【００３９】
請求項５に記載の発明は、前記絶縁膜がシリコン酸化膜で、前記液流路形成工程では、前記絶縁膜の一部分をフッ酸溶液によりエッチングする請求項３または請求項４に記載の静電誘引式液滴ノズルの製造方法である。
フッ酸溶液には、例えばフッ酸濃度１０〜４９％のものを使用する。
【００４０】
請求項６に記載の発明は、前記液吐出口形成工程では、前記液流路外壁用膜のノズル本体とは反対側に、少なくとも前記針部が埋没する厚さのレジスト膜を形成し、続いて、該レジスト膜の表層を、両隆起部の先端部とともにドライエッチングする請求項３〜請求項５のうち、何れか１項に記載の静電誘引式液滴ノズルの製造方法である。
少なくとも針部が埋没するレジスト膜の厚さとは、ノズル本体の吐出電極の貼り合わせ面を基準面とし、絶縁膜の厚さと、液流路外壁用膜の厚さと、レジスト膜の厚さとを加算した値が、針部の高さより大きいことを意味する。
ドライエッチングとしては、例えばＲＩＥなどを採用することができる。
【００４１】
請求項７に記載の発明は、前記液流路外壁用膜の液流路とは反対側に、絶縁層と導電層とを順次形成し、該導電層のうち、前記液吐出口と対峙部分の一帯に、該液吐出口から吐出された吐出液が通過する開口部をエッチングしてゲート電極を形成し、その後、前記絶縁層のうち、前記開口部と対峙する部分に、該開口部と液吐出口とを連通する内部空間をエッチングして電極保持体を形成する請求項３〜請求項６のうち、何れか１項に記載の静電誘引式液滴ノズルの製造方法である。
【００４２】
この絶縁層は、液流路が形成される層である。
絶縁層の素材としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、ポリイミドなどを採用することができる。
絶縁層の厚さは１〜５０μｍ、好ましくは５〜２０μｍである。１μｍ未満では流路が目詰まりを起こしやすい。
また、５０μｍを超えると製造が困難になるという不都合が生じる。
導電層（ゲート電極）の素材としては、ＰｏｌｙＳｉ、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、Ｗなどを採用することができる。
絶縁層と導電層との形成方法としては、例えばＣＶＤ法、スパッタリング法などを採用することができる。
【００４３】
導電層に形成される開口部の大きさは、対峙する液吐出口より大きければよい。
開口部の形状としては、例えば円形、楕円形、三角形以上の多角形などを採用することができる。
導電層用のエッチング液は、導電層の素材に応じて適宜選択される。
絶縁層は、電極保持体が形成される層である。内部空間の形状および大きさは、前記開口部の形状および大きさと略同じとなる。
絶縁層用のエッチング液は、絶縁層の素材に応じて適宜選択される。
【００４４】
請求項８に記載の発明は、ノズル本体に吐出液が通過する液流路を有し、該液流路に配置された吐出電極への印加に伴って発生した静電気力により、前記吐出液が液流路の先端の液吐出口から吐出される静電誘引式液滴ノズルの製造方法において、フッ酸溶液との接触面側の一部にｎ型のシリコン領域が形成されたｐ型のシリコン基板に陽極化成を施し、前記ｎ型のシリコン領域を主体として、チップ本体と、該チップ本体の表面から突出する針部とを有したエミッタチップからなる吐出電極を作製する吐出電極作製工程と、該吐出電極を、前記針部とは反対側の面を貼り合わせ面として、前記ノズル本体に貼り合わせる電極貼り合わせ工程と、ダミー基板の平坦な表面に有機エラストマー層を形成するエラストマー層形成工程と、該有機エラストマー層に、その表裏面を貫通して、前記吐出電極をゆとりをもって挿入可能な貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、該貫通孔に吐出電極を挿入し、前記ノズル本体の吐出電極側の面に有機エラストマー層を貼り合わせるエラストマー貼り合わせ工程とを備えた静電誘引式液滴ノズルの製造方法である。
【００４５】
請求項８に記載の発明によれば、ノズル本体に有機エラストマーを形成材料とした有機エラストマー層を形成し、この有機エラストマー層に液流路を作製する。
これにより、液流路を容易かつ高精度に作製することができる。
【００４６】
ダミー基板としては、例えばシリコン（単結晶または多結晶）基板、ガラス基板、アクリル基板、塩化ビニル基板、金属基板などを採用することができる。
エラストマーとしては、例えば、米国ダウコーニング社製ＳＹＬＧＡＲＤ１８４（（登録商標）、ＰＤＭＳ；ポリジメチルシキロサン）などを採用するこができる。
このうち、流路を容易にかつ数ミクロンの高精で作製でき、しかもノズルとの密着性がよく、吐出液の浸透性がよいという理由で、ＰＤＭＳが好ましい。有機エラストマー層の厚さは、１〜２０００μｍである。
１μｍ未満では、流路が小さすぎて吐出液が流路に浸透しにくい。
また、２０００μｍを超えると、対抗電極を設置しても、電極間の距離が長いため、液吐出のための十分な電界を得にくい。
有機エラストマー層の好ましい厚さは、２０〜１００μｍである。この範囲であれば、吐出液の供給に最適な流路の高さ１０μｍが得られ、微細な液滴の吐出を実現可能な適量で、吐出液を供給することができる。
ダミー基板に有機エラストマー層を形成する方法は限定されない。例えば、スピンコート法などを採用することができる。
また、有機エラストマー層に貫通孔を形成する方法としては、例えば機械加工法、レーザー加工法、スパッタ加工法、トランスデカヒドロナフタレンなどで溶解する方法を採用することができる。
ダミー基板から有機エラストマー層を剥離する方法としては、例えば、先端が平坦で、真空吸着機能を有した金属治具などを有機エラストマーに接触吸着し、その後、引張応力を印加してダミー基板より剥離する方法などを採用することができる。
有機エラストマー層をノズル本体に貼り合わせる方法としては、例えば、アライナーによりノズルと貫通孔とを位置合わせし、その後、応力を印加することにより自己密着させる方法などを採用することができる。
【発明の効果】
【００４７】
また、請求項２に記載の静電誘引式液滴ノズルおよび請求項７に記載のその製造方法によれば、液吐出口から吐出された微粒子は、ゲート電極の開口部を通過した後、液吐出方向の所定位置に配置された対向電極に向かって飛翔する。
このとき、ゲート電極に対向電極より電位が大きい電圧を印加すると、吐出された吐出液中の微粒子は、ゲート電極と対向電極との間においても電界による力を受ける。これにより、微粒子の吐出の安定化を図ることができる。
【００４８】
さらに、請求項１、請求項２に記載の静電誘引式液滴ノズルおよび請求項３〜請求項７に記載のその製造方法によれば、吐出電極であるエミッタチップに電圧を印加すると、液流路内で吐出液がエミッタチップの針部に沿って、液吐出口側に流動する。
このとき、液流路の先端部は、陽極化成により得られた微細な針部の外周に沿って、徐々に先細り化されている。
液滴ノズルと対向電極間との距離を近づけて行くと、電界に引きつけられた液体が液滴ノズルの表面に薄く濡れる。
さらに、ヘッド先端の近傍の電界が、帯電した吐出液に及ぼす力によって、吐出液およびＳｉの表面張力と吐出液の粘度および導電率とにより合成された力に比べて大きくなった時、テイラーコーンと呼ばれるメニスカスが形成される。
これにより、大きさ１μｍ以下の液滴がノズル先端より吐出する。
その結果、吐出口から最小液滴径が１μｍ以下の吐出液を吐出させることができる。
しかも、低電圧であっても静電誘引式液滴ノズルが組み込まれたインクジェット式液滴吐出装置を駆動させることができる。
【００４９】
請求項８に記載の発明によれば、ノズル本体に有機エラストマーを形成材料とした有機エラストマー層を形成し、有機エラストマー層に液流路を作製するので、液流路を容易かつ高精度に作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。まず、図１〜図６を参照して、参考例を説明する。
【００５１】
図１において、１０はこの発明の参考例に係る静電誘引式液滴ノズルである。
この静電誘引式液滴ノズル１０は、帯電した有機ＥＬ材の微粒子を溶媒中に所定量だけ添加して得られた吐出液（特殊なインク）を、直接、有機ＥＬディスプレイ作製用のシリコン基板１１に吐出するインクジェット式液滴吐出装置に組み込まれている。
具体的には、静電誘引式液滴ノズル１０は、インクジェット式液滴吐出装置のインクジェット式ヘッド１２のうち、吐出液を貯留するインクタンク１３のインク吐出口に連通されている。有機ＥＬ材には、ポリフェニビニレンを採用している。溶媒には、有機溶媒を採用している。
【００５２】
以下、この静電誘引式液滴ノズル１０を詳細に説明する。
静電誘引式液滴ノズル１０は、ノズル本体１４に吐出液が通過する液流路１５を有し、液流路１５に配置された吐出電極１６への印加に伴って発生した静電気力により、吐出液が液流路１５の先端の液吐出口１５ａから吐出されるノズルである。
ノズル本体１４は、平面視してそれぞれ矩形状を有する下側配置の第１の基板１７と、上側配置の第２の基板１８とを主材としている。
第１の基板１７は単結晶シリコン製である。その寸法は長さ１０ｍｍ、幅５ｍｍ、厚さ５００μｍである。
第２の基板１８の寸法はガラス製である。その寸法は長さ１０ｍｍ、幅５ｍｍ、厚さ５００μｍである。
【００５３】
このうち、第１の基板１７の貼り合わせ側の面（上面）には、その先端部を除いて、液流路１５の一部分を構成する４本の液流路用溝１９が、ノズル幅方向に向かって一定ピッチ（５μｍ）でそれぞれ平行に形成されている。
各液流路用溝１９は断面矩形状を有している。溝幅は５μｍ、溝長さは５０μｍである。
第１の基板１７の元部には、各液流路用溝１９の形成部分を含めた露出面の全域に、アルミニウム製の吐出電極１６が形成されている。
吐出電極１６には、バイアス電源２０とパルス電源２１とが接続されている。両電源２０，２１は、接地されている。
【００５４】
第１の基板１７の先端部には、各液流路用溝１９の先端との間に所定幅の空隙を介在して、枠板形状を有する対向電極２２が固定されている。
この第１の基板１７の先端部と対向電極２２との固定面間には、図示しないシリコン酸化膜が介在されている。よって、第１の基板１７の先端部が絶縁性を有した電極保持体２３となる。
対向電極２２には、液滴加速用電源２４が接続されている。この対向電極２２も接地されている。
対向電極２２のノズル側の面には、前記有機ＥＬディスプレイ用のシリコン基板１１が、その裏面を当接面として配置される。
【００５５】
次に、静電誘引式液滴ノズル１０の部分図を示す図２および図３を参照して、参考例の静電誘引式液滴ノズル１０の製造方法を説明する。
まず、第１の基板１７をＲＣＡ系の洗浄液により洗浄する（図２（ａ））。
次いで、第１の基板１７の上面に、マスク用のＮｉ（ニッケル）膜２５をスパッタリング法により成膜する（図２（ｂ））。
Ｎｉ膜２５の膜厚は、０．５〜１μｍである。Ｎｉ膜２５の成膜条件は、直流スパッタリングである。
【００５６】
それから、Ｎｉ膜２５の上面にレジスト２６を塗布し、その後、レジスト２６の一部を残して露光、現像を施し、液流路用溝１９の形成用の窓部を４つ形成する（図２（ｃ））。
次に、各窓部を通し、リン酸溶液によりＮｉ膜２５の一部をエッチングにより除去する（図２（ｄ））。
その後、レジスト膜２６を無機系または有機系のレジスト剥離液により剥離する（図２（ｅ））。
それから、Ｎｉ膜２５の窓部より露出した第１の基板１７の上面の一部分を、ＲＩＥによりドライエッチングする。
その結果、４本の液流路用溝１９が、第１の基板１７の上面にそれぞれ形成される（図２（ｆ））。
エッチング条件は、エッチングガスとしてＳＦ6：Ｏ2：Ａｒ＝４：６：４を使用する。
【００５７】
液流路用溝１９の寸法は、長さ５０μｍ、幅５μｍ、深さ１２μｍである。
その後、第１の基板１７をリン酸溶液に浸漬し、基板上面に残存したＮｉ膜２５を除去する（図３（ａ））。
それから、公知のリソグラフィー技術を利用し、第１の基板１７の元部の露出面だけに、厚さ１μｍのアルミニウムをスパッタリングして吐出電極１６を形成される（図３（ｂ））。
そして、陽極接合により、第１の基板１７の上面に第２の基板１８を貼り合わせる。
これにより、両基板の貼り合わせ面間に、液流路用溝１９を主体とした４本の液流路１５を有する静電誘引式液滴ノズル１０が作製される。
陽極接合の条件は、４００℃に第１の基板１７を加熱し、第２の基板１８に−１０００Ｖを加える。
【００５８】
次に、参考例の静電誘引式液滴ノズル１０を有したインクジェット式液滴吐出装置の使用方法を説明する。
図１に示すように、まず対向電極２２のノズル側の面に、有機ＥＬディスプレイ用のシリコン基板１１を、その裏面を当接面として配置する。
また、インクタンク１３内から供給された吐出液（特殊なインク）により、各液流路１５の路面を濡らしておく。
その後、吐出電極１６に２ｋＶのバイアス電圧を印加する。すると、各液流路１５内の吐出液中に含まれる有機ＥＬ材の微粒子には、液吐出口１５ａに向かう電界が作用する。
これにより、微粒子は液吐出口１５ａに徐々に集中し、吐出液の液滴を形成する。
このとき、液滴中の微粒子には、静電反発力が作用し、液吐出口１５ａよりインク吐出方向の外方に配された対向電極２２に向かって微粒子が飛び出そうとする。
しかしながら、バイアス電圧による静電反発力は、吐出液の表面張力より小さく設定されている。そのため、微粒子は液滴の表面から飛び出せない。
その後、微粒子の吐出量に応じて１００〜３００Ｖ程度のパルス電圧をバイアス電圧に重畳する。
これにより、静電反発力が液滴の表面張力を上回り、微粒子が液吐出口１５ａから吐出される。飛び出した微粒子は、表面に付着した溶媒により纏まっている。そのため、飛翔中の微粒子群は、微細な液滴とも言える。
【００５９】
このように、参考例では、ノズル本体１４を第１の基板１７と第２の基板１８とから分割して構成し、第１の基板１７の貼り合わせ面に、ＲＩＥにより液流路用溝１９を形成するように構成している。
しかも、第１の基板１７の貼り合わせ面に液流路用溝１９をドライエッチングする際、エッチング方向を液流路用溝１９の長さ方向ではなく、液流路用溝１９の幅方向としたので、エッチング量が０．２μｍ程度と小さくなる。
その結果、アスペクト比がＲ１０〜Ｒ１００程度のドライエッチングであっても、液流路用溝１９、ひいては液流路１５にボーイングが発生し難い。
これにより、半導体微細加工を利用し、流路全長にわたって断面積が一定した液流路１５を作製することができる。
よって、最小液滴径が１μｍ以下の吐出液を吐出させることができる。
しかも、従来の静電誘引式液滴ノズルの場合より低電圧であっても、インクジェット式液滴吐出装置の駆動が可能となる。
【００６０】
また、図４に示すように、前記対向電極２２に代えて、第１の基板１７の先端部に、一部に開口部２７が形成されたゲート電極２８を配置するとともに、ゲート電極２８より液吐出方向の所定位置に、前記対向電極２２を配置するようにしてもよい。
この場合、液吐出口１５ａから吐出された微粒子は、ゲート電極２８の開口部２７を通過した後、対向電極２２に向かって飛翔して行く。
その際、ゲート電極２８に対向電極２２より電位が大きい電圧を印加すると、微粒子はゲート電極２８と対向電極２２との間においても電界による力を受ける。その結果、微粒子の吐出の安定化を図ることができる。
【００６１】
さらに、図５に示すように、吐出電極１６として、鋭角に形成された先端部を、液吐出口１５ａから突出させた平板な針状電極を採用してもよい。
この実施形態の場合、吐出液が静電気力により液流路１５内で液吐出口１５ａ側に流動する際、吐出電極１６の鋭角な先端部に沿って、吐出液に含まれた微粒子が濃縮されながら、吐出電極１６の微細な先端に集中する。
しかも、液吐出口１５ａの開口幅は、先細り化された吐出電極１６の先端部に合わせて、１対の前壁片２９により狭められている。
その結果、より低電圧であっても、インクジェット式液滴吐出装置の駆動が可能になる。
そして、図６に示すように、板針状の吐出電極１６だけではなく、ゲート電極２８を有するものを採用してもよい。
このように構成すれば、板針状の吐出電極１６を設けたことによる効果と、ゲート電極２８を設けたことによる効果との両方を同時に得ることができる。
【００６２】
次に、図７〜図１２を参照して、この発明の実施例２を説明する。
図７に示すように、実施例２の静電誘引式液滴ノズル４０は、インクジェット式液滴吐出装置に組み込まれたインクジェット式ヘッド１２のインクタンク１３内に収納されている。インクタンク１３は直方体の容器である。
インクタンク１３の液吐出側（以下、前方側）の板には、外周部を除き、大口径の開口部１３ａが形成されている。
また、インクタンク１３の開口部１３ａとは反対側（以下、後方側）の板には、吐出液の供給口１３ｂが一部に形成されている。
静電誘引式液滴ノズル４０は、ノズル本体１４と、ノズル本体１４の吐出液吐出側の面に所定ピッチで配置された３つの吐出電極１６と、前記開口部１３ａをインクタンク１３の内側から塞ぎ、各吐出電極１６との対向部分に、液吐出口１５ａを先端に有する３つの隆起部３０ａが形成された液流路外壁用膜３０とを備えている。
【００６３】
ノズル本体１４は、前記インクタンク１３の液吐出側の板よりも縦横の寸法が若干小さい平面視して矩形状のシリコン基板からなる。
これにより、ノズル本体１４の両側面とインクタンク１３の両側板との間に、吐出液がノズル本体１４内に形成される液流路１５に流れ込むための隙間が形成される。
ノズル本体１４とインクタンク１３の供給口１３ｂ側の板との空間は、吐出液の貯液部分となっている。
実施例２における吐出電極１６は、陽極化成法により作製されたエミッタチップである（図８）。説明の都合上、エミッタチップに吐出電極１６と同じ番号を符す。陽極化成法の詳細については後述する。
【００６４】
エミッタチップ１６は、平面視して正方形状のチップ本体１６ａ（縦２０μｍ×横２０μｍ）と、チップ本体１６ａの表面の中央部から突出した針部１６ｂ（長さ１０〜２０μｍ、直径２μｍ程度、針先曲率半径５０〜２００ｎｍ）とを有している。
針部１６ｂは、液吐出口１５ａから針先を突出させた状態で、対応する隆起部３０ａの内部空間にゆとりをもって収納されている。
隆起部３０ａは、針部１６ｂの外周に沿って徐々に先細り化された円錐筒形状を有している。隆起部３０ａの内部空間は、液流路１５の一部分を構成している。
また、液吐出方向の所定位置には、平板形状を有する対向電極２２が配置されている。対向電極２２のノズル側の面には、基板裏面を接触させた状態で、有機ＥＬディスプレイ用のシリコン基板１１が配置されている。
【００６５】
次に、図９および図１０を参照して、陽極化成法によるエミッタチップ１６の作製方法を説明する。
まず、ｐ型で表面の面方位が（１００）のシリコン基板４１（抵抗率２〜５Ωｃｍ）をＲＩＥ装置の反応炉に挿入する。
そして、ウェーハ裏面の表層部分を、ＲＩＥによりメサ型形状にドライエッチングする（図９（ａ））。エッチング量は１μｍである。
ＲＩＥによるエッチング条件は、ＣＦ4を用いて高周波電力４００Ｗ、時間５分である。
その後、シリコン基板４１の裏面のメサ型領域４１ａに、公知のリソグラフィーによりレジスト４２を形成する。
そして、シリコン基板４１をスパッタリング装置の反応炉に挿入する。続いて、シリコン基板４１の裏面に厚さ１μｍのアルミニウム製の金属マスク４３をスパッタリングにより成膜する。
【００６６】
それから、メサ型領域４１ａのレジスト４２を所定のレジスト剥離液により剥離する。これにより、金属マスク４３のうち、メサ型領域４１ａに窓部が形成され、外部に露出される（図９（ｂ））。
その後、シリコン基板４１をイオン注入炉に挿入し、露出されたメサ型領域４１ａにリンイオン（Ｐ+ ）をイオン注入し、この部分を厚さ０．５μｍのｎ型領域（ｎ型のシリコン領域）４４とする（同じく、図９（ｂ））。
イオン注入条件は、リンイオンの加速電圧１００ｋｅＶ、イオン注入量１×１０14ｃｍ-2である。
次いで、金属マスク４３を所定のマスク除去溶液に浸漬して除去する。そして、イオン注入後のシリコン基板４１に、活性化のための熱処理を施す。熱処理条件は、窒素雰囲気中、処理温度８００℃、処理時間３０分間である。
【００６７】
次に、図１０に示すように、ｎ型領域４４を有するシリコン基板４１を、ＨＦ溶液（フッ酸濃度２５％）が貯液された陽極化成槽４５の開口された底面に装着する。
シリコン基板４１と陽極化成槽４５ａの底部との間には、バイトンＯリング４６ａが介在される。
その後、ＨＦ溶液の液面下にカソード電極４６を挿入し、シリコン基板４１のｎ型領域４４にアノード電極４７を接続する。
その後、直流電源３８から電流密度１５ｍＡ／ｃｍ2で３０分間、電流を流す。その際、電流値は電流計３９によって測定する。これにより、シリコン基板４１のうち、ｐ型のシリコン領域（カソード側）の大半が多孔質化し、多孔質シリコン層４１ａが形成される。
一方、アノード側となるｎ型領域４４は多孔質化しない。その結果、ｎ型領域４４の一帯に、このｎ型領域４４をチップ本体１６ａとし、ｎ型領域４４の内面（シリコン基板４１の内部側の面）の中央部に針部１６ｂを突設したエミッタチップ１６が形成される（図９（ｃ））。
このとき、チップ本体１６ａの裏面部分は、シリコン基板４１の裏面より若干外方に突出している。
【００６８】
次に、こうして作製されたエミッタチップ１６は、シリコン基板４１の内部から取り出される。
すなわち、チップ本体１６ａの露出した裏面を、単結晶シリコン製のノズル本体１４の表面に、ファン・デル・ワールス力により貼り合わせる（図９（ｄ））。これにより、貼り合わせ基板４５が形成される。
ノズル本体１４には、貼り合わせ前に親水処理が施される。具体的には、ＲＣＡ洗浄後、フッ酸溶液（フッ酸濃度１％）により１分間だけノズル本体１４をエッチングし、ノズル本体１４の表面の自然酸化膜を除去する。それから、ノズル本体１４を１０分間純水に浸す。
貼り合わせ後は、湿度５０％の大気中で乾燥する。
続いて、接合強度の強化および多孔質シリコン層４１ａの酸化のための熱処理を、１０００℃、２時間、酸素雰囲気中で行う（図９（ｅ））。その際、多孔質シリコン層４１ａは熱酸化され、酸化多孔質シリコン層４１ｂとなる。
次に、貼り合わせ基板を、ＨＦ：Ｈ2Ｏ2＝１：５のエッチング液により、酸化多孔質シリコン層４１ｂをエッチングし、ノズル本体１４と一体化したエミッタチップ１６を取り出す（図９（ｆ））。
【００６９】
次に、図１１および図１２を参照して、ノズル本体１４への液流路１５の形成方法を説明する。
まず、ノズル本体１４のエミッタチップ１６の貼り合わせ側に、プラズマＣＶＤ法により、エミッタチップ１６を含めて、二酸化シリコン製の絶縁膜４９を成膜する（図１１（ａ））。
この成膜は、加熱温度３００℃、酸素雰囲気となった反応炉内に、０．０５リットル／分の流速でＳｉＨ4ガスを２０分間供給することで行われる。絶縁膜４９の厚さは１μｍである。
それから、絶縁膜４９のノズル本体１４とは反対側に、窒化シリコン製の液流路外壁用膜３０を、プラズマＣＶＤ法により成膜する（図１１（ｂ））。液流路外壁用膜３０の膜厚は、１μｍである。
液流路外壁用膜３０の成膜時には、加熱温度３００℃、ＮＨ3ガス雰囲気の反応炉内に、０．０５リットル／分の流速でＳｉＨ4ガスを２０分間供給する。
これにより、積層された絶縁膜４９および液流路外壁用膜のうち、吐出電極１６の針部１６ｂとの対向領域には、下層から順に、絶縁膜４９の隆起部４９ａおよび液流路外壁用膜３０の隆起部３０ａがそれぞれ形成される。
【００７０】
その後、液流路外壁用膜３０のノズル本体１４とは反対側に、液流路外壁用膜３０が完全に埋没する厚さ、具体的には２μｍのレジスト膜５１をスピンコートにより塗布する（図１１（ｃ））。
続いて、レジスト膜５１の表層を、絶縁膜４９の隆起部４９ａおよび液流路外壁用膜３０の隆起部３０ａの各先端部とともにＲＩＥによりドライエッチングする（図１２（ａ））。
これにより、針部１６ｂの針先が露出し、液吐出口１５ａが露出する。液吐出口１５ａの直径は５μｍ程度である。
このとき、液吐出口１５ａは絶縁膜４９により塞がっている。ＲＩＥのエッチング条件は、ＣＦ4と酸素との混合ガスを用い高周波電力４００Ｗで５分間とする。
【００７１】
その後、レジスト膜５１を所定のレジスト剥離液により剥離する（図１２（ｂ））。それから、液流路外壁用膜３０において、各隆起部３０ａを結んだ仮想線上に沿って、複数本のガイド溝３０ｂをＲＩＥによりドライエッチングする（図１２（ｃ），（ｃ１））。
また、仮想線の両端側のガイド溝３０ｂは、液流路外壁用膜３０の両端まで達している。各ガイド溝３０ｂの幅は１０μｍ、深さ２μｍである。ＲＩＥの条件は、ＣＦ4ガスを用い高周波電力５００Ｗで２０分間とする。
次いで、ノズル本体１４をフッ酸溶液（フッ酸濃度１０％）に５分間浸漬する。
これにより、各液吐出口１５ａおよび各ガイド溝３０ｂを介して、フッ酸溶液が絶縁膜４９のうち、各隆起部３０ａの一帯、および、各ガイド溝３０ｂの一帯をそれぞれウエットエッチングする。その結果、前記仮想線に沿って、前記液流路１５が形成される（図１２（ｄ），（ｄ１））。
【００７２】
次に、実施例２の静電誘引式液滴ノズル４０を有したインクジェット式液滴吐出装置の使用方法を説明する。
図７に示すように、まずインクタンク１３内の貯液部分に吐出液を貯液するとともに、バイアス電源２０からの電圧をエミッタチップ１６に印加する。
これにより、前記貯液部分に貯液された吐出液は、ノズル本体１４の両側の隙間を通って液流路１５の両端から液流路１５内に流入される。
その後、吐出液は、液流路１５を通って各隆起部３０ａの内部空間に到達する。これらの隆起部３０ａ内では、吐出液が、エミッタチップ１６の針部１６ｂに沿って徐々に微粒子を濃縮しながら、対応する液吐出口１５ａまで流動していく。こうして、液吐出口１５ａに直径１μｍ程度の液滴が形成される。
続いて、パルス電源２１からの電圧をエミッタチップ１６に重畳する。
これにより、各液吐出口１５ａを通過し、液吐出口１５ａの液滴内の微粒子が、対向電極２２側に配置された有機ＥＬディスプレイ用のシリコン基板１１に向かって吐出される。
【００７３】
このように、エミッタチップ１６に電圧を印加すると、隆起部３０ａの内部空間において、吐出液が針部１６ｂに沿って、液吐出口１５ａ側に流動する。
このとき、液流路１５の先端部は、陽極化成により得られた微細な針部１６ｂ（直径２μｍ、針先の曲率半径２００ｎｍ）の外周に沿って、徐々に先細り化している。
そのため、液吐出口１５ａからは、最小液滴径が参考例のときよりも小さい液滴を吐出させることが可能になる。
その結果、参考例の場合よりも低電圧で、インクジェット式液滴吐出装置を駆動させることができる。
その他の構成、作用、効果は、参考例から推測できる範囲であるので、説明を省略する。
【００７４】
次に、図１３〜図１５を参照して、この発明の実施例３に係る静電誘引式液滴ノズルを説明する。
図１３に示すように、実施例３の静電誘引式液滴ノズル６０は、液流路外壁用膜３０の各隆起部３０ａの周辺に、絶縁性を有する電極保持体６１を介してゲート電極２８をそれぞれ形成したものである。
以下、図１４および図１５を参照して、このゲート電極２８の形成方法を詳細に説明する。
まず、前記液流路外壁用膜３０の外面側に、レジストを厚肉に塗布して絶縁層６２を形成する（図１４（ａ））。絶縁層６２の厚さは３０μｍである。
したがって、各液吐出口１５ａから突出した針部１６ｂの先端は、絶縁層６２の表面下に埋没する。
次に、図示しないフォトマスクを介して、光源からの光を絶縁層６２に照射し、絶縁層６２の液吐出口１５ａとの対峙部分の一帯を露光する（同じ図１４（ａ））。
【００７５】
続いて、絶縁層６２の表面に、ＰｏｌｙＳｉ製の導電層６３をスパッタリングにより成膜する（図１４（ｂ））。導電層６３の厚さは１μｍである。導電層６３の成膜条件は、直流スパッタリング法である。
その後、導電層６３の表面に薄くレジスト６４を塗布し、このレジスト６４に露光、現像を施す。
その結果、レジスト６４のうち、ゲート電極２８の形成領域を除いた部分に、窓部が形成される。
続いて、導電層６３を混酸液に浸漬する。これにより、レジスト６４の窓部を通して、導電層６３の不要な部分が酸エッチングされる。
よって、絶縁層６２の表面の所定位置において、開口部２７を内側に有したゲート電極２８が形成される（図１４（ｃ））。その後、レジスト６４を、所定のレジスト剥離液により剥離する。
次に、レジスト製の絶縁層６２を現像する。その結果、絶縁層６２の露光部分が除去される。
これにより、前記開口部２７と対峙した部分に、開口部２７と液吐出口１５ａとを連通する内部空間を有した環状の電極保持体６１が形成される（図１４（ｄ））。
【００７６】
次に、図１５を参照して、電極保持体６１の素材を二酸化シリコンに変更した場合のゲート電極２８の形成方法を詳細に説明する。
まず、液流路外壁用膜３０の外面側に、プラズマＣＶＤ法により絶縁層６２Ａ用の二酸化シリコンを厚肉（３０μｍ）に成長させる（図１５（ａ））。
成膜時には、酸素雰囲気、炉内温度３５０℃の反応炉内に、ＳｉＨ4のソースガスを０．０５リットル／分で６０分間供給する。
ソースガスは、ＳｉＨ4ガスに代えて、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4ガスを使用してもよい。
次に、二酸化シリコンの表面に、ＰｏｌｙＳｉからなる導電層６３をプラズマＣＶＤ法によって、厚さ１μｍだけ成膜する（図１５（ｂ））。その成膜時には、炉内温度６００℃の反応炉内に、ＳｉＨ4ガスを３０分間供給する。
【００７７】
それから、導電層６３の表面にレジスト６４を２μｍ塗布し、レジスト６４に対して、ゲート電極２８の形成領域を除く部分に露光、現像を施す。
その結果、ゲート電極２８の形成領域を除き、レジスト６４に窓部が形成される。
続いて、導電層６３の不要な部分を、混酸液により酸エッチングする。
その結果、二酸化シリコンの表面の所定位置に、開口部２７を内側に有したゲート電極２８が形成される（図１５（ｃ））。
続いて、ゲート電極２８を含めた二酸化シリコンの表面にレジスト６４を塗布する。
このレジスト６４に対しては、開口部２７と液吐出口１５ａとを連通する内部空間の形成領域を除いた部分に、露光および現像を施す。
これにより、その内部空間の形成領域を除き、レジスト６４に窓部が形成される。
次に、この窓部を通して、絶縁層６２Ａの一部分をＨＦ溶液（フッ酸濃度１０％）により、ウエットエッチングする。
こうして、二酸化シリコンの不要な部分が除去される。
その結果、前記開口部２７と対峙した部分に内部空間を有した環状の電極保持体６１が形成される（図１５（ｄ））。
【００７８】
このように、液流路外壁用膜３０の各隆起部３０ａとの対向部分に、電極保持体６１を介してゲート電極２８をそれぞれ形成したので、液吐出口１５ａから吐出された液滴は、ゲート電極２８の開口部２７を通過した後、液吐出方向の所定位置に配置された対向電極２２に向かって飛び出す。
その際、ゲート電極２８に対向電極２２より電位が大きい電圧を印加すれば、吐出された液滴中の微粒子は、ゲート電極２８と対向電極２２との間においても電界による力を受ける。
これにより、液滴（微粒子）の吐出の安定化が図れる。
その他の構成、作用および効果は、実施例２と同様であるので、説明を省略する。
【００７９】
次に、図１６を参照して、実施例４である、液流路をノズル本体に形成する方法として、有機エラストマー層を利用した静電誘引式液滴ノズル７０の製造方法を詳細に説明する。
まず、厚さ５００μｍの単結晶シリコン製で表面が平坦なダミー基板７１に、高さ１０μｍ程度、幅１０μｍ、長さは任意としたレジスト構造体７２をフォトリソ技術により作製する（図１６（ａ））。
その後、ダミー基板７１の表面に、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）１００重量部に対してキュアリング剤を１０重量部混ぜたものを、スピンコータにより厚さ３０μｍで均一に塗布する。
その後、１００℃、１時間でキュアリングし、有機エラストマー層７３を形成する（図１６（ｂ））。
それから、有機エラストマー層７３の所定の位置に、レーザー加工法により、レジスト構造体７２まで達した貫通孔７３ａを形成する（図１６（ｃ））。
貫通孔７３ａの直径は１０μｍである。レーザー加工では、レーザー光を凸レンズに通して貫通孔７３ａを開ける位置に収束させ、出力１００ｍＪで０．５秒間、レーザー光を照射する。
【００８０】
次に、真先端が平坦で、かつ真空吸着機能を有した金属治具を有機エラストマー層７３に接触吸着し、その後、引張応力を印加し、ダミー基板７１から有機エラストマー層７３を剥離する（図１６（ｄ））。
これにより、貫通孔７３ａが、有機エラストマー層７３の表裏面を貫通した所望の形状となる。
【００８１】
その後、貫通孔７３ａに吐出電極１６を挿入した状態で、剥離した有機エラストマー層７３をノズル本体１４の吐出電極側の面にアライナー７４を利用し、位置合わせして貼り合わせる（図１６（ｅ））。
具体的には、ノズル本体１４および有機エラストマー層７３をそれぞれ真空吸着し、有機エラストマー層７３中の貫通孔７３aがノズル本体１４上の針部１６ｂ上に位置した時、ノズル本体１４を上昇させ、有機エラストマー層７３に接触させて応力を印加する。
【００８２】
これにより、有機エラストマー層７３は、接着剤などを使用せず、ノズル本体１４に自己密着させることがきる。
このように、ノズル本体１４に有機エラストマーを形成材料とした有機エラストマー層７３を形成し、有機エラストマー層７３に液流路１５を作製するようにしたので、液流路１５を容易かつ高精度に作製することができる。
しかも、ＰＤＭＳは、シリコン製のノズル本体１４との密着性が高まる。
さらに、液吐出口１５ａが形成される有機エラストマー層７３をＰＤＭＳ製としたので、液流路１５の親水性が高く、吐出液の液流路１５に対する浸透性が高まる。
その他の構成、作用および効果は、実施例２と同様であるので、説明を省略する。
【００８３】
次に、図１７および図１８を参照して、実施例５の有機エラストマー層をノズル本体４に形成した静電誘引式液滴ノズル７０Ａの製造方法を詳細に説明する。
ここでは、実施例４において、有機エラストマー層７３のダミー基板７１からの離型性を高めるため、レジスト構造体７２の作製後、ＣＦ４をプラズマ処理し、シリコン製のダミー基板７１の表面およびレジスト構造体７２の表面を微細な凹凸面に改質するとともに、表面をＦ（フッ素）で終端させる。
ＣＦ４の代わりに、ＣＨＦ３、ＳＦ６などのフッ化ガス、またはフッ化ガスとＯ２との混合ガスを採用してもよい。
プラズマ処理の条件は、電力２００Ｗ、圧力５０ Ｐａで６０秒間程度である。
その他の構成、作用および効果は、実施例４と同様であるので、説明を省略する。
【００８４】
次に、図１９を参照して、実施例６である、ノズル本体に有機エラストマー層を形成した静電誘引式液滴ノズル７０Ｂの製造方法を詳細に説明する。
ここでは、実施例５において、有機エラストマー層７３のダミー基板７１からの離型性を高めるため、ダミー基板７１の表面全域に厚さ１μｍのレジスト膜７５を形成する。
レジスト構造体７２は、レジスト膜７５の表面に形成される。レジストの代わりに、有機性の樹脂を塗布してもよい。
その他の構成、作用および効果は、実施例４と同様であるので、説明を省略する。
【００８５】
次に、図２０および図２１を参照して、実施例７のノズル本体１４に有機エラストマー層７３を形成した静電誘引式液滴ノズル７０Ｃの製造方法を詳細に説明する。
ここでは、実施例６において、有機エラストマー層７３のダミー基板７１からの離型性を高めるため、レジスト膜７５の作製後、ＣＦ４をプラズマ処理し、レジスト膜７５の表面およびレジスト構造体７２の表面を微細な凹凸面に改質する。ＣＦ４の代わりに、ＣＨＦ３、ＳＦ６などのフッ化ガス、またはフッ化ガスとＯ２との混合ガスを採用してもよい。
その他の構成、作用および効果は、実施例４と同様であるので、説明を省略する。
【００８６】
次に、図２２および図２３を参照して、実施例８のノズル本体１４に有機エラストマー層７３を形成した静電誘引式液滴ノズル７０Ｄの製造方法を詳細に説明する。
ここでは、実施例４における貫通孔７３ａの他の形成方法として、マスキングを利用したプラズマ処理を採用している。
すなわち、有機エラストマー層７３に対する貫通孔７３ａの形成方法において、有機エラストマー層７３の貫通孔形成部を除いた部分を、フォトリソ技術を利用してＳｉ３Ｎ４などを原料としたマスキング膜７６によりマスクする。
【００８７】
その後、Ｏ２プラズマ処理して開口部７６ａを開ける。
Ｓｉ３Ｎ４の代わりに、フォトレジスト、ＳｉＯ２、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＷＳｉ２などを採用してもよい。
また、Ｏ２の代わりには、ＣＦ４、ＳＦ６などのフッ化ガス、ハロゲン化ガスを使用してもよい。さらに、Ｏ２とフッ化ガス、またはハロゲン化ガスの混合ガスを使用してもよい。
その後、この開口部７６ａを利用して貫通孔７３ａを形成する。
その他の構成、作用および効果は、実施例４と同様であるので、説明を省略する。
【００８８】
次に、図２４および図２５を参照して、実施例９のノズル本体１４に有機エラストマー層７３を形成した静電誘引式液滴ノズル７０Ｅの製造方法を詳細に説明する。
ここでは、実施例４において、有機エラストマー層７３の高強度化およびダミー基板７１からの離型性を高めるため、有機エラストマー層７３の素材として、ＳｉＣフィラー７７をＰＤＭＳ中に分散させる。
【００８９】
また、均一に分散させるため、超音波を印加する。
ＳｉＣフィラー７７とは、ＳｉＣを主とした高強度、高弾性率、高耐熱性の複合強化繊維材である。
例えば、東海カーボン株式会社製のトーカウィスカー（（登録商標）、炭化けい素ウィスカー）等を採用することができる。
ＳｉＣフィラー７７の添加量は、ＰＤＭＳ１００重量部に対して３重量部である。
ＳｉＣフィラー７７の代わりに、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、ＣａＣＯ３（炭酸カルシウム）、タルク（４ＳｉＯ２３ＭｇＯＨ２Ｏ）、Ａｌ２Ｏ３２ＳｉＯ２２Ｈ２Ｏ（カオリン）、ＳｉＯ２（シリカ）、Ｋ２Ａｌ４（Ｓｉ３Ａｌ）２Ｏ２０（ＯＨ）４（マイカ）、ＣａＯＳｉＯ２（ウオラストナイト）、Ｋ２ＯｎＴｉＯ２（チタン酸カリウム、ウィスカー）、６ＣａＯ６ＳｉＯ２Ｈ２Ｏ（ゾノトナイト）、ＭｇＳＯ４５ＭｇＯ８Ｈ２Ｏ（塩基性硫酸マグネシウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、９Ａｌ２Ｏ３２Ｂ２Ｏ３（硼酸アルミニウム、ウィスカー）などでもよい。
その他の構成、作用および効果は、実施例４と同様であるので、説明を省略する。
【００９０】
次に、図２６および図２７を参照して、実施例１０のノズル本体１４に有機エラストマー層７３を形成した静電誘引式液滴ノズル７０Ｆの製造方法を詳細に説明する。
ここでは、液吐出の低電圧化を図るため、実施例４の有機エラストマー層７３を吐出電極１６の長さより厚肉とし、その貫通孔７３ａの形成部周辺にゲート電極７８を形成した例である。
ゲート電極７８は、Ａｌ、ＰｏｌｙＳｉなどを使用する。
静電誘引式液滴ノズル７０Ｆは、吐出電極１６と対向電極２２との間に所定のバイアス電圧を印加し、ゲート電極７８に所定のパルス電圧を印加してこのパルス電圧をバイアス電圧に重畳することで、吐出液の液滴を、液吐出方向の所定位置に配置されたシリコン基板１１の表面に吐出することができる。
その他の構成、作用および効果は、実施例４と同様であるので、説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】この発明の参考例に係る静電誘引式液滴ノズルの使用状態を示す要部斜視図である。
【図２】この発明の参考例に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法を示すフローシートである。
【図３】図２のフローシートの続きである。
【図４】この発明の参考例の他の形態に係る静電誘引式液滴ノズルを示す要部斜視図である。
【図５】この発明の参考例の別の形態に係る静電誘引式液滴ノズルを示す要部斜視図である。
【図６】この発明の参考例のまた別の形態に係る静電誘引式液滴ノズルを示す要部斜視図である。
【図７】この発明の実施例２に係る静電誘引式液滴ノズルの使用状態を示す要部断面図である。
【図８】この発明の実施例２に係る静電誘引式液滴ノズルに組み込まれたエミッタチップの斜視図である。
【図９】この発明の実施例２に係る静電誘引式液滴ノズルに組み込まれたエミッタチップの陽極化成による作製方法を示すフローシートである。
【図１０】この発明の実施例２に係る静電誘引式液滴ノズルに組み込まれたエミッタチップの作製に用いられる陽極化成装置の模式図である。
【図１１】この発明の実施例２に係る静電誘引式液滴ノズルの一部を構成する液流路の形成方法を示すフローシートである。
【図１２】図１１の実施例２に係る静電誘引式液滴ノズルの一部を構成する液流路の形成方法を示すフローシートの続きである。
【図１３】この発明の実施例３に係る静電誘引式液滴ノズルの要部断面図である。
【図１４】この発明の実施例３に係る静電誘引式液滴ノズルの一部を構成する液流路の形成方法を示すフローシートである。
【図１５】この発明の実施例３に係る静電誘引式液滴ノズルの一部を構成する別の液流路の形成方法を示すフローシートである。
【図１６】この発明の実施例４に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法を示すフローシートである。
【図１７】この発明の実施例５に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法フローシートの続きである。
【図１８】図１７の実施例５に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法フローシートの続きである。
【図１９】この発明の実施例６に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法を示すフローシートである。
【図２０】この発明の実施例７に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法を示すフローシートである。
【図２１】図２０の実施例７に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法フローシートの続きである。
【図２２】この発明の実施例８に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法を示すフローシートである。
【図２３】図２０の実施例８に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法を示すフローシートである。
【図２４】この発明の実施例９に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法を示すフローシートである。
【図２５】図２４の実施例９に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法を示すフローシートである。
【図２６】この発明の実施例１０に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法を示すフローシートである。
【図２７】図２６の実施例１０に係る静電誘引式液滴ノズルの製造方法を示すフローシートである。
【図２８】従来手段に係る静電誘引式液滴ノズルの使用状態を示す断面図である。
【図２９】従来手段に係る静電誘引式液滴ノズルの要部拡大斜視図である。
【符号の説明】
【００９２】
１０，４０，６０，７０，７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄ，７０Ｅ，７０Ｆ  静電誘引式液滴ノズル、
１４  ノズル本体、
１５  液流路、
１５ａ  液吐出口、
１６  吐出電極（エミッタチップ）、
１６ａ  チップ本体、
１６ｂ  針部、
１７  第１の基板、
１８  第２の基板、
１９  液流路用溝、
２３  電極保持体、
２７  開口部、
２８，７８  ゲート電極、
３０ａ  隆起部、
４１  シリコン基板、
４９  絶縁膜、
４９ａ  隆起部、
３０  液流路外壁用膜、
５１  レジスト膜、
６１  電極保持体、
６２  絶縁層、
６３  導電層、
７１  ダミー基板、
７３  有機エラストマー層、
７３ａ  貫通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003680855.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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