(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体通路に介設され、非通電時に両端が共に非接地状態とされるコイルの一端から他端への通電により前記流体通路を閉塞する状態から開放する状態に変移し、前記コイルの他端から一端への通電により前記流体通路を開放する状態から閉塞する状態に変移し、前記コイルへの通電が停止した後、該コイルに再度通電されるまでの間、前記流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうち前記通電停止時の状態を保持する帯磁可能な弁部材を有する双方向遮断弁における、前記コイルの非通電時に前記弁部材が前記流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうちいずれか一方から他方へ変移する異常開閉を検出する装置であって、
前記コイルの一端の電位の増加により第１状態から第２状態に出力が変化する第１フリップフロップ回路を有し、前記コイルの一端の電位の変化を検出する第１電位変化検出手段と、
前記コイルの他端の電位の増加により第１状態から第２状態に出力が変化する第２フリップフロップ回路を有し、前記コイルの他端の電位の変化を検出する第２電位変化検出手段と、
前記コイルへの通電に伴い前記第１状態から前記第２状態に出力が変化した前記第１及び第２フリップフロップ回路を、前記コイルへの通電に伴い前記第１状態に出力が復帰するようにリセットさせる強制リセット手段とを備え、
前記コイルの非通電時において、前記第１及び第２電位変化検出手段のうちいずれか一方が、前記コイルの一端及び他端のうち対応するいずれか一方の電位の変化を検出した時に、前記弁部材の前記異常開閉を検出したものとするようにした、
ことを特徴とする流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置。
【請求項２】
前記第１状態から前記第２状態に出力が変化した前記第１及び第２フリップフロップ回路を、前記第１状態に出力が復帰するようにリセットする補助リセット手段をさらに備える請求項１記載の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置。
【請求項３】
前記第１フリップフロップ回路が前記第２フリップフロップ回路を兼ねている請求項１又は２記載の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置。
【請求項４】
前記弁部材の前記異常開閉を検出した際に、前記コイルの一端及び他端のうち一方から他方に通電させて、前記異常開閉を起こす前の状態に前記弁部材を復帰させる弁復帰手段をさらに備える請求項１、２又は３記載の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コイルの一端及び他端のうち一方から他方への通電により流体通路を開放、遮断する双方向遮断弁の、コイルへの通電以外による異常な開閉を検出する方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、家屋のガスメータには、内部の流量計が微少流量を長時間連続して検出しガス漏れと判定した際等に、屋内へのガス通路を自動的に遮断する遮断弁が設けられることがあり、その一種として、ソレノイドコイルへの通電方向を変えることで弁部材の開閉動作を行う双方向遮断弁がある。
【０００３】
この双方向遮断弁は、例えば、図８に説明図で示すように、ガス通路（図示せず）に対して進退する帯磁可能な金属製の弁部材１と、この弁部材１をガス通路に対する進退方向に移動させるための磁束を発生させるコイル３と、ガス通路から退避した弁部材１に磁着可能に配置された永久磁石５と、この永久磁石５に磁着した弁部材１を、該永久磁石５の磁着力よりも小さい力で永久磁石５から離間しガス通路に進出する方向に付勢するばね部材７を有している。
【０００４】
前記各ばね部材７の一端は、永久磁石５の両側の非磁性体からなる支持片５ａ，５ａにそれぞれ取着されており、弁部材１が永久磁石５に磁着してガス通路を開放した状態で、各ばね部材７の他端が弁部材１の両側の非磁性体からなる支持片１ａ，１ａにそれそれ弾接して各ばね部材７が収縮し、弁部材１が永久磁石５から離間しガス通路を閉塞した状態で、各ばね部材７が若干弾発するように構成されている。
尚、前記各ばね部材７の付勢力は、弁部材１が永久磁石５に磁着した状態で、各ばね部材７の付勢力の合計が永久磁石５の磁着力よりも小さくなるように設定され、且つ、弁部材１がガス通路を閉塞した位置で止まり、しかも、コイル３に通電されていない状態で、各ばね部材７の付勢力の合計がこの位置の弁部材１に及ぶ永久磁石５の磁力よりも大きくなるように設定されている。
【０００５】
前記双方向駆動弁を駆動する従来の駆動回路は、図９に示すように、定電圧源Ｖccからの給電を受けて作動するマイクロコンピュータ（以下、マイコンと略記する）９を有しており、コイル３の一端３ａ及び他端３ｂは、マイコン９からの通電信号がベースに入力されることで導通する第１及び第２スイッチングトランジスタＴＲ１，ＴＲ３のエミッタにそれぞれ接続され、これら第１及び第２スイッチングトランジスタＴＲ１，ＴＲ３のコレクタは、前記定電圧源Ｖccにそれぞれ接続されている。
【０００６】
また、前記コイル３の一端３ａ及び他端３ｂは、第３及び第４スイッチングトランジスタＴＲ５，ＴＲ７のコレクタ−エミッタを介してそれぞれ接地され、第３スイッチングトランジスタＴＲ５のベースは、第１バイアス抵抗Ｒａを介して第２スイッチングトランジスタＴＲ３のエミッタに接続され、第４スイッチングトランジスタＴＲ７のベースは、第２バイアス抵抗Ｒｂを介して第１スイッチングトランジスタＴＲ１のエミッタに接続されている。
【０００７】
上述した構成の前記駆動回路では、マイコン９からの通電信号により第１スイッチングトランジスタＴＲ１が導通すると、第２バイアス抵抗Ｒｂを介してバイアス電圧がベースにかかって第４スイッチングトランジスタＴＲ７が導通し、これにより、コイル３の他端３ｂが接地されてコイル３の一端３ａから他端３ｂに向かう電流の流れが発生し、これに伴いコイル３に生じる磁束により、不図示のガス通路に進出してこれを閉塞している弁部材１が、ばね部材７の付勢力に抗して、図８に示すように、永久磁石５に接近する方向に移動しガス通路から退避してこれを開放する。
そして、マイコン９から第１スイッチングトランジスタＴＲ１へ通電信号が出力されなくなると、その後は、弁部材１が永久磁石５に磁着して、ガス通路から退避した開放位置に保持される。
【０００８】
また、この状態で、マイコン９からの通電信号により第２スイッチングトランジスタＴＲ３が導通すると、第１バイアス抵抗Ｒａを介してバイアス電圧がベースにかかって第３スイッチングトランジスタＴＲ５が導通し、これにより、コイル３の一端３ａが接地されてコイル３の他端３ｂから一端３ａに向かう電流の流れが発生し、これに伴いコイル３に生じる磁束により、不図示のガス通路から退避してこれを開放している弁部材１が、永久磁石５の磁力に抗してばね部材７の付勢力により、図１０に示すように、永久磁石５から離間する方向に移動し、ガス通路に進出してこれを閉塞する。
そして、マイコン９から第２スイッチングトランジスタＴＲ３へ通電信号が出力されなくなると、その後は、弁部材１がばね部材７の付勢力により、ガス通路から退避した開放位置に保持される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した双方向遮断弁の弁部材１は、駆動回路により移動してガス通路を開閉する他に、地震等の振動を受けた際に、永久磁石５の磁力やばね部材７の付勢力に抗して、開放位置から閉塞位置に、或は、その反対に移動してしまうことがあり得る。
しかしながら、このような、マイコン９が第１及び第２スイッチングトランジスタＴＲ１，ＴＲ３に対して通電信号を出力していない状態での、地震等の振動に伴う弁部材１の開閉動作を検出するための構成を、上述した従来の駆動回路は全く有していないため、本来ガス通路を閉塞していなければならないはずの弁部材１が振動等によりガス通路を開放している場合や、ガス通路を開放していなければならないはずの弁部材１が振動等によりガス通路を閉塞している場合に、そのような状態を解消するような対策を迅速に講じることができないという不具合があった。
【００１０】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、ガス等の流体通路に介設され、コイルへの通電方向を変えることで、流体通路を開放する位置から閉塞する位置に、或は、その逆に、弁部材を移動できる流体通路用双方向遮断弁において、コイルへの通電に無関係な弁部材の異常な開閉を確実に検出できる流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため請求項１に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置は、図１の基本構成図に示すように、流体通路に介設され、非通電時に両端３ａ，３ｂが共に非接地状態とされるコイル３の一端３ａから他端３ｂへの通電により前記流体通路を閉塞する状態から開放する状態に変移し、前記コイル３の他端３ｂから一端３ａへの通電により前記流体通路を開放する状態から閉塞する状態に変移し、前記コイル３への通電が停止した後、該コイル３に再度通電されるまでの間、前記流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうち前記通電停止時の状態を保持する帯磁可能な弁部材１を有する双方向遮断弁における、前記コイル３の非通電時に前記弁部材１が前記流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうちいずれか一方から他方へ変移する異常開閉を検出する装置であって、前記コイル３の一端３ａの電位Ｖａの変化を検出する第１電位変化検出手段１７Ａと、前記コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂの変化を検出する第２電位変化検出手段１７Ｂとを備え、前記コイル３の非通電時において、前記第１及び第２電位変化検出手段１７Ａ，１７Ｂのうちいずれか一方が、前記コイル３の一端３ａ及び他端３ｂのうち対応するいずれか一方の電位Ｖａ，Ｖｂの変化を検出した時に、前記弁部材１の前記異常開閉を検出したものとするようにしたことを特徴とする。
【００１３】
そして、請求項１に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置はさらに、前記第１電位検出手段１７Ａが、前記コイル３の一端３ａの電位Ｖａの増加により第１状態から第２状態に出力が変化する第１フリップフロップ回路１３を有しており、前記第２電位検出手段１７Ｂが、前記コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂの増加により第１状態から第２状態に出力が変化する第２フリップフロップ回路１３を有しており、前記コイル３への通電に伴い前記第１状態から前記第２状態に出力が変化した前記第１及び第２フリップフロップ回路１３を、前記コイル３への通電に伴い前記第１状態に出力が復帰するようにリセットさせる強制リセット手段１５Ａをさらに備えるものとした。
【００１４】
また、請求項２に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置は、前記第１状態から前記第２状態に出力が変化した前記第１及び第２フリップフロップ回路１３を、前記第１状態に出力が復帰するようにリセットする補助リセット手段１５Ｂをさらに備えるものとした。
【００１５】
さらに、請求項３に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置は、前記第１フリップフロップ回路１３が前記第２フリップフロップ回路１３を兼ねているものとした。
また、請求項４に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置は、前記弁部材１の前記異常開閉を検出した際に、前記コイル３の一端３ａ及び他端３ｂのうち一方から他方に通電させて、前記異常開閉を起こす前の状態に前記弁部材１を復帰させる弁復帰手段１５Ｃをさらに備えるものとした。
【００１６】
請求項１に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置によれば、本来ならば、流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうちいずれか一方から他方への弁部材の変移が起こるはずのないコイルの非通電時に、このコイルの両端が共に非接地状態とされるにも拘らず、コイルの一端及び他端のうちいずれか一方の電位が変化したのであれば、帯磁可能な弁部材が、流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうちいずれか一方から他方に移動し、これに伴って、コイルの一端及び他端のうちいずれか一方に誘導起電力が発生したことに他ならない。
従って、この誘導起電力の発生に伴うコイルの一端及び他端のうちいずれか一方の電位の変化を基に、コイルの非通電時に弁部材が流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうちいずれか一方から他方へ変移する異常開閉を検出することが可能となる。
【００１７】
また、請求項１に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置によれば、コイル３の一端３ａ及び他端３ｂのうちいずれか一方の電位Ｖａ，Ｖｂが変化したのに伴って、第１及び第２フリップフロップ回路１３の出力が第１状態から第２状態に変化した際、それがコイル３への通電に伴う通常の変化である場合に、第１及び第２フリップフロップ回路１３の出力状態の変化の監視結果から、振動等によりコイル３の非通電時に弁部材１が異常開閉したものと誤って検出するのを防止することが可能となる。
【００１８】
さらに、請求項２に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置によれば、振動等によりコイル３の非通電時に弁部材１が異常開閉し、これに伴って、コイル３の一端３ａ及び他端３ｂのうちいずれか一方の電位Ｖａ，Ｖｂが変化し、これにより、第１及び第２フリップフロップ回路１３の出力が第１状態から第２状態に変化した際に、弁部材１の異常開閉状態が解消されるのに応じて、弁部材１が異常開閉したか否かを第１及び第２フリップフロップ回路１３の出力状態の変化の監視結果から検出できる状態に、改めて戻すことが可能となる。
【００１９】
また、請求項３に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置によれば、コイル３の非通電時に振動等により起こる弁部材１の異常開閉では、コイル３の一端３ａ及び他端３ｂの両方の電位が同時に変化することはないので、第１フリップフロップ回路１３が第２フリップフロップ回路１３を兼ねる構成とし、２つのフリップフロップ回路を用いるのに比べて、弁部材１の異常開閉を検出するための構成を簡略化、ひいては、低コスト化することが可能となる。
【００２０】
さらに、請求項４に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置によれば、コイル３の非通電時に弁部材１が流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうちいずれか一方から他方へ変移する異常開閉を検出した際に、弁復帰手段１５Ｃによるコイル３への通電により、その異常開閉が起こる前の状態に弁部材１が復帰させられるので、振動等による弁部材１の異常な開閉状態を早急に、しかも、自動的に解消させることが可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置を、図面を参照して説明する。
【００２２】
図２は本発明の一実施形態に係る流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置を採用した、図８に示す流体通路用双方向遮断弁に適用可能な駆動回路であり、図２中図９に示す部材、箇所には、図９で付したものと同一の引用符号を付して説明する。
【００２３】
そして、本実施形態の駆動回路は、定電圧源Ｖccからの給電を受けて作動するマイクロコンピュータ（以下、マイコンと略記する）１５を有しており、コイル３の一端３ａ及び他端３ｂは、マイコン１５からの通電信号がベースに入力されることでコレクタ−エミッタ間が導通する第１及び第２スイッチングトランジスタＴＲ１，ＴＲ３のエミッタにそれぞれ接続され、これら第１及び第２スイッチングトランジスタＴＲ１，ＴＲ３のコレクタは、前記定電圧源Ｖccにそれぞれ接続されている。
【００２４】
また、前記コイル３の一端３ａ及び他端３ｂは、第３及び第４スイッチングトランジスタＴＲ５，ＴＲ７のコレクタ−エミッタを介してそれぞれ接地され、第３スイッチングトランジスタＴＲ５のベースは、第１バイアス抵抗Ｒａを介して第２スイッチングトランジスタＴＲ３のエミッタに接続され、第４スイッチングトランジスタＴＲ７のベースは、第２バイアス抵抗Ｒｂを介して第１スイッチングトランジスタＴＲ１のエミッタに接続されている。
【００２５】
さらに、本実施形態の駆動回路では、コンデンサＣ１及び抵抗Ｒｃからなり、コイル３の一端３ａの電位Ｖａが増加した際にワンショットパルス状の微分信号ΔＶａを出力する第１微分回路１９Ａを介して、コイル３の一端３ａが第５スイッチングトランジスタＴＲ９のベースに接続されており、同様に、コンデンサＣ３及び抵抗Ｒｄからなり、コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂが増加した際にワンショットパルス状の微分信号ΔＶｂを出力する第２微分回路１９Ｂを介して、コイル３の他端３ｂが第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のベースに接続されている。
【００２６】
また、前記第５及び第６スイッチングトランジスタＴＲ９，ＴＲ１１のエミッタはそれぞれ接地され、コレクタは、プルアップ抵抗Ｒｅ，Ｒｆを介して定電圧源Ｖccにそれぞれ接続され、第１及び第２微分回路１９Ａ，１９Ｂがそれぞれ微分信号ΔＶａ，ΔＶｂを出力することで、対応する第５及び第６スイッチングトランジスタＴＲ９，ＴＲ１１のコレクタ−エミッタ間が導通するように構成されている。
【００２７】
さらに、本実施形態の駆動回路では、第５及び第６スイッチングトランジスタＴＲ９，ＴＲ１１のコレクタが、排他的論理和回路（ＥＸ−ＯＲ）１１の２つの入力端子にそれぞれ接続され、この排他的論理和回路１１にはＲＳフリップフロップ回路１３が接続され、排他的論理和回路１１の出力がＲＳフリップフロップ回路１３にＳ入力として入力され、後述する動作によりマイコン１５が出力するリセット信号がＲＳフリップフロップ回路１３にＲ入力として入力され、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力が、弁部材１の異常開閉検出信号としてマイコン１５に入力されるように構成されている。
【００２８】
次に、前記マイコン１５のハードウェア構成について、図３のブロック図を参照して説明する。
【００２９】
前記マイコン１５は、ＣＰＵ（Central Processing Unit 、中央処理装置）１５ａと、ＲＡＭ（Random Access Memory）１５ｂと、ＲＯＭ（Read-Only Memory）１５ｃとで構成されている。
【００３０】
前記ＣＰＵ１５ａには、前記ＲＡＭ１５ｂ及びＲＯＭ１５ｃと、第１及び第２スイッチングトランジスタＴＲ１，ＴＲ３のベースと、ＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子と、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力端子と、ガス流量計１７がそれぞれ接続されている。
【００３１】
前記ＲＡＭ１５ｂは、図４にメモリエリアマップで示すように、各種データ記憶用のデータエリア及び各種処理作業に用いるワークエリアを有しており、このワークエリアには、ガス漏れ検出中フラグエリア等が設けられている。
前記ＲＯＭ１５ｃには、ＣＰＵ１５ａに各種処理動作を行わせるための制御プログラムが格納されている。
【００３２】
次に、前記ＲＯＭ１５ｃに格納された制御プログラムに従いＣＰＵ１５ａが行う処理を、図５のフローチャートを参照して説明する。
【００３３】
弁部材１が前記不図示のガス通路を開放しているものとして、定電圧源Ｖccからの電圧の供給によりマイコン１５が起動してプログラムがスタートすると、ＣＰＵ１５ａは初期設定を行う（ステップＳ１）。
前記ステップＳ１の初期設定では、ＲＡＭ１５ｂのガス漏れ検出中フラグエリアのフラグＦを「０」に設定すると共に、ＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子にリセット信号を出力する。
【００３４】
前記ステップＳ１の初期設定が済んだならば、次に、ＲＡＭ１５ｂのガス漏れ検出中フラグエリアのフラグＦが「０」であるか否かを確認し（ステップＳ３）、フラグＦが「０」でない場合は（ステップＳ３でＮ）、後述するステップＳ１７に進み、フラグＦが「０」である場合は（ステップＳ３でＹ）、ガス流量計１７により計測されるガス通路のガス流量を基に、ガス通路中にガス漏れがあるか否かを確認する（ステップＳ５）。
ガス通路中にガス漏れがある場合は（ステップＳ５でＹ）、後述するステップＳ１３に進み、ガス漏れがない場合は（ステップＳ５でＮ）、弁部材１の異常開閉検出信号として入力されるＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がハイレベルであるか否かを確認する（ステップＳ７）。
【００３５】
ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がハイレベルでない場合は（ステップＳ７でＮ）、ステップＳ３にリターンし、Ｑ出力がハイレベルである場合は（ステップＳ７でＹ）、ＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子にリセット信号を出力し（ステップＳ９）、第１スイッチングトランジスタＴＲ１のベースに通電信号を出力した後（ステップＳ１１）、後述するステップＳ２９に進む。
【００３６】
また、ステップＳ５においてガス通路中にガス漏れがある場合（Ｙ）に進むステップＳ１３では、ガス漏れ検出中フラグエリアのフラグＦを「１」に設定し、次に、第２スイッチングトランジスタＴＲ３のベースに通電信号を出力した後（ステップＳ１５）、ステップＳ２９に進む。
さらに、ステップＳ３においてガス漏れ検出中フラグエリアのフラグＦが「０」でない場合（Ｎ）に進むステップＳ１７では、ステップＳ５と同様に、ガス通路中にガス漏れがあるか否かを確認し、ガス漏れがある場合は（ステップＳ１７でＹ）、後述するステップＳ２３に進み、ガス漏れがない場合は（ステップＳ１７でＮ）、ガス漏れ検出中フラグエリアのフラグＦを「０」に設定し（ステップＳ１９）、次に、第１スイッチングトランジスタＴＲ１のベースに通電信号を出力した後（ステップＳ２１）、ステップＳ２９に進む。
【００３７】
また、ステップＳ１７においてガス通路中にガス漏れがある場合（Ｙ）に進むステップＳ２３では、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がハイレベルであるか否かを確認し、Ｑ出力がハイレベルでない場合は（ステップＳ２３でＮ）、ステップＳ３にリターンし、Ｑ出力がハイレベルである場合は（ステップＳ２３でＹ）、ＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子にリセット信号を出力し（ステップＳ２５）、第２スイッチングトランジスタＴＲ３のベースに通電信号を出力した後（ステップＳ２７）、ステップＳ２９に進む。
【００３８】
ステップＳ２９では、ステップＳ１１、ステップＳ１５、ステップＳ２１、並びに、ステップＳ２７で出力した通電信号が立ち下がったか否かを確認し、立ち下がっていない（出力中である）場合は（ステップＳ２９でＮ）、立ち下がるまでステップＳ２９をリピートし、立ち下がった場合（出力が停止した）場合は（ステップＳ２９でＹ）、ＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子にリセット信号を出力した後（ステップＳ３１）、ステップＳ３にリターンする。
【００３９】
以上の説明からも明らかなように、本実施形態では、請求項中の第１電位変化検出手段１７Ａが、第１微分回路１９Ａと、第５スイッチングトランジスタＴＲ９と、プルアップ抵抗Ｒｅと、排他的論理和回路１１と、ＲＳフリップフロップ回路１３とで構成されており、第２電位変化検出手段１７Ｂが、第２微分回路１９Ｂと、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１と、プルアップ抵抗Ｒｆと、排他的論理和回路１１と、ＲＳフリップフロップ回路１３とで構成されている。
【００４０】
即ち、本実施形態では、排他的論理和回路１１とＲＳフリップフロップ回路１３は、第１電位変化検出手段１７Ａと第２電位変化検出手段１７Ｂに兼用され、特に、ＲＳフリップフロップ回路１３は、第１電位変化検出手段１７Ａの第１フリップフロップ回路と、第２電位変化検出手段１７Ｂの第２フリップフロップ回路を兼ねている。
そして、本実施形態では、請求項中の第１及び第２フリップフロップ回路１３の出力の第１状態が、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力のローレベルに相当し、第１及び第２フリップフロップ回路１３の出力の第２状態が、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力のハイレベルに相当している。
【００４１】
また、本実施形態では、請求項中の強制リセット手段１５Ａが、図５のフローチャートにおけるステップＳ２９で構成され、補助リセット手段１５Ｂが図５中のステップＳ９及びステップＳ２５で構成され、弁復帰手段１５Ｃが、図５中のステップＳ１１及びステップＳ２７で構成されている。
【００４２】
次に、上述のように構成された本実施形態の駆動回路の動作（作用）について説明する。
【００４３】
まず、マイコン１５への電源の供給が開始されると、マイコン１５からＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子にリセット信号が出力されて、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルにリセットされる。
この状態で、ガス流量計１７により計測されるガス通路のガス流量を基に、ガス通路中にガス漏れがあるか否かの判定がマイコン１５で行われ、ガス漏れがあると判定されていない間は、弁部材１がばね部材７の付勢力に抗して前記不図示のガス通路から退避し、永久磁石５に磁着してガス通路を開放する開放位置にある。
【００４４】
ここで、地震等の振動が流体通路用双方向遮断弁に加わって、弁部材１が磁力に抗して永久磁石５から離間すると、弁部材１がばね部材７の付勢力により、ガス通路に進出してこれを閉塞する閉塞位置に保持されると共に、永久磁石５に磁着していた際に弁部材１に発生していて永久磁石５からの離間により失われる、永久磁石５と同じ向きの磁束を補おうとする、この磁束と反対向きの磁束がコイル３に発生し、これに伴って、コイル３の一端３ａに誘導起電力が生じて、図６（ａ）に示すように、コイル３の一端３ａの電位Ｖａが上がる。
これに伴って、第１微分回路１９Ａから、図６（ｂ）に示すように、微分信号ΔＶａが出力され、この微分信号ΔＶａが出力されている間、微分信号ΔＶａがバイアス電圧となってベースにかかる第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタ−エミッタ間が導通し、これに応じて、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタの電位が、図６（ｃ）に示すように、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルから、接地電位に相当するローレベルに変わる。
【００４５】
このとき、コイル３の他端３ｂには、弁部材１の移動に伴って誘導起電力が発生せず、コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂには変動が生じないことから、第２微分回路１９Ｂからの微分信号ΔＶｂの出力はなく、従って、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタ−エミッタ間は非導通状態のままで、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタの電位は、図６（ｄ）に示すように、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルのままである。
従って、排他的論理和回路１１の出力が、図６（ｅ）に示すように、ローレベルからハイレベルに変移し、このハイレベルの出力がＳ入力端子に入力されるＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力が、図６（ｆ）に示すように、ローレベルからハイレベルに変移し、このハイレベルのＱ出力が入力されたマイコン１５により、ガス漏れ検出中フラグエリアのフラグＦの状態を基に、弁部材１が振動により開放位置から閉塞位置に移動したことが検出される。
【００４６】
すると、所定の時間が経過した後、マイコン１５からＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子に、図６（ｇ）に示すように、リセット信号が出力されて、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルにリセットされると共に、マイコン１５から第１スイッチングトランジスタＴＲ１のベースに通電信号が出力され、これに伴って、第１スイッチングトランジスタＴＲ１のコレクタ−エミッタ間が導通し、このコレクタ−エミッタ間における電圧降下が殆どないことから、コイル３の一端３ａの電位Ｖａが定電圧源Ｖccの電圧と略一致する高さに上がる。
これに伴って、第４スイッチングトランジスタＴＲ７のベースにバイアス電圧がかかって第４スイッチングトランジスタＴＲ７のコレクタ−エミッタ間が導通し、この第４スイッチングトランジスタＴＲ７のコレクタ−エミッタを介してコイル３の他端３ｂが接地される。
【００４７】
これにより、コイル３の一端３ａから他端３ｂに向かう電流の流れが発生し、これに伴いコイル３に生じる磁束により、不図示のガス通路に進出してこれを閉塞している弁部材１が、ばね部材７の付勢力に抗して、図８に示すように、永久磁石５に接近する方向に移動しガス通路から退避してこれを開放し、弁部材１が永久磁石５に磁着する。
そして、マイコン１５から第１スイッチングトランジスタＴＲ１へ通電信号が出力されなくなると、その後は、弁部材１が永久磁石５の磁力によりガス通路から退避した開放位置に保持される。
【００４８】
このようにして、流体通路用双方向遮断弁に加わった振動により、開放位置の弁部材１が閉塞位置に移動すると、マイコン１５によるコイル３への通電に伴い、振動により閉塞位置に移動する前に弁部材１が位置していた開放位置に復帰させられる。
【００４９】
また、マイコン１５から第１スイッチングトランジスタＴＲ１のベースへの通電信号の出力に伴い、コイル３の一端３ａの電位Ｖａが定電圧源Ｖccの電圧と略一致する高さに上がると、第１微分回路１９Ａから微分信号ΔＶａが出力され、この微分信号ΔＶａが出力されている間、微分信号ΔＶａがバイアス電圧となってベースにかかる第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタ−エミッタ間が導通し、これに応じて、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタの電位が、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルから、接地電位に相当するローレベルに変わる。
【００５０】
このとき、第２スイッチングトランジスタＴＲ３のコレクタ−エミッタ間は、マイコン１５からの通電信号が入力されず非導通状態であり、コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂに変動が生じないことから、第２微分回路１９Ｂからの微分信号ΔＶｂの出力はなく、従って、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタ−エミッタ間は非導通状態のままである。
よって、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタの電位は、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルのままであり、一方、先に述べたように、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタの電位がハイレベルからローレベルに変わることから、排他的論理和回路１１の出力がローレベルからハイレベルに変移し、これに伴って、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルからハイレベルに変移する。
そして、マイコン１５から第１スイッチングトランジスタＴＲ１のベースへの通電信号の出力が停止すると、マイコン１５からＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子にリセット信号が出力されて、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルにリセットされる。
【００５１】
次に、弁部材１が永久磁石５に磁着してガス通路を開放する開放位置にある状態で、ガス流量計１７により計測されるガス通路のガス流量を基に、ガス通路中にガス漏れがあると判定されると、マイコン１５から第２スイッチングトランジスタＴＲ３のベースに通電信号が出力され、これに伴って、第２スイッチングトランジスタＴＲ３のコレクタ−エミッタ間が導通し、このコレクタ−エミッタ間における電圧降下が殆どないことから、コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂが定電圧源Ｖccの電圧と略一致する高さに上がる。
これに伴って、第３スイッチングトランジスタＴＲ５のベースにバイアス電圧がかかって第３スイッチングトランジスタＴＲ５のコレクタ−エミッタ間が導通し、この第３スイッチングトランジスタＴＲ５のコレクタ−エミッタを介してコイル３の一端３ａが接地される。
【００５２】
これにより、コイル３の他端３ｂから一端３ａに向かう電流の流れが発生し、これに伴いコイル３に生じる磁束により、不図示のガス通路から退避してこれを開放している弁部材１が、永久磁石５の磁力に抗してばね部材７の付勢力により、図１０に示すように、永久磁石５から離間する方向に移動し、ガス通路に進出してこれを閉塞する。
そして、マイコン１５から第２スイッチングトランジスタＴＲ３へ通電信号が出力されなくなると、その後は、弁部材１がばね部材７の付勢力により、ガス通路に進出した閉塞位置に保持される。
【００５３】
また、マイコン１５から第２スイッチングトランジスタＴＲ３のベースへの通電信号の出力に伴い、コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂが定電圧源Ｖccの電圧と略一致する高さに上がると、第２微分回路１９Ｂから微分信号ΔＶｂが出力され、この微分信号ΔＶｂが出力されている間、微分信号ΔＶｂがバイアス電圧となってベースにかかる第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタ−エミッタ間が導通し、これに応じて、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタの電位が、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルから、接地電位に相当するローレベルに変わる。
【００５４】
このとき、第１スイッチングトランジスタＴＲ１のコレクタ−エミッタ間は、マイコン１５からの通電信号が入力されず非導通状態であり、コイル３の一端３ａの電位Ｖａに変動が生じないことから、第１微分回路１９Ａからの微分信号ΔＶａの出力はなく、従って、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタ−エミッタ間は非導通状態のままである。
よって、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタの電位は、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルのままであり、一方、先に述べたように、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタの電位がハイレベルからローレベルに変わることから、排他的論理和回路１１の出力がローレベルからハイレベルに変移し、これに伴って、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルからハイレベルに変移する。
そして、マイコン１５から第２スイッチングトランジスタＴＲ３のベースへの通電信号の出力が停止すると、マイコン１５からＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子にリセット信号が出力されて、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルにリセットされる。
【００５５】
また、弁部材１がガス通路に進出した閉塞位置に保持された状態で、地震等の振動が流体通路用双方向遮断弁に加わって、弁部材１がばね部材７の付勢力に抗して永久磁石５に接近すると、弁部材１が永久磁石５に磁着して、この永久磁石５の磁力により、ガス通路から退避してこれを開放する開放位置に保持されると共に、永久磁石５に磁着する際に弁部材１に発生する、永久磁石５と同じ向きの磁束を打ち消そうとする、この磁束と反対向きの磁束がコイル３に発生し、コイル３の他端３ｂに誘導起電力が生じて、図７（ａ）に示すように、コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂが上がる。
これに伴って、第２微分回路１９Ｂから、図７（ｂ）に示すように、微分信号ΔＶｂが出力され、この微分信号ΔＶｂが出力されている間、微分信号ΔＶｂがバイアス電圧となってベースにかかる第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタ−エミッタ間が導通し、これに応じて、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタの電位が、図７（ｄ）に示すように、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルから、接地電位に相当するローレベルに変わる。
【００５６】
このとき、コイル３の一端３ａには、弁部材１の移動に伴って誘導起電力が発生せず、コイル３の一端３ａの電位Ｖａには変動が生じないことから、第１微分回路１９Ａからの微分信号ΔＶａの出力はなく、従って、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタ−エミッタ間は非導通状態のままで、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタの電位は、図７（ｃ）に示すように、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルのままである。
従って、排他的論理和回路１１の出力が、図７（ｅ）に示すように、ローレベルからハイレベルに変移し、このハイレベルの出力がＳ入力端子に入力されるＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力が、図７（ｆ）に示すように、ローレベルからハイレベルに変移し、このハイレベルのＱ出力が入力されたマイコン１５により、ガス漏れ検出中フラグエリアのフラグＦの状態を基に、弁部材１が振動により閉塞位置から開放位置に移動したことが検出される。
【００５７】
すると、所定の時間が経過した後、マイコン１５からＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子に、図７（ｇ）に示すように、リセット信号が出力されて、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルにリセットされると共に、マイコン１５から第２スイッチングトランジスタＴＲ３のベースに通電信号が出力され、これに伴って、第２スイッチングトランジスタＴＲ３のコレクタ−エミッタ間が導通し、このコレクタ−エミッタ間における電圧降下が殆どないことから、コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂが定電圧源Ｖccの電圧と略一致する高さに上がる。
これに伴って、第３スイッチングトランジスタＴＲ５のベースにバイアス電圧がかかって第３スイッチングトランジスタＴＲ５のコレクタ−エミッタ間が導通し、この第３スイッチングトランジスタＴＲ５のコレクタ−エミッタを介してコイル３の一端３ａが接地される。
【００５８】
これにより、コイル３の他端３ｂから一端３ａに向かう電流の流れが発生し、これに伴いコイル３に生じる磁束により、不図示のガス通路から退避してこれを開放している弁部材１が、永久磁石５の磁力に抗してばね部材７の付勢力により、図１３に示すように、永久磁石５から離間する方向に移動し、ガス通路に進出してこれを閉塞する。
そして、マイコン１５から第２スイッチングトランジスタＴＲ３へ通電信号が出力されなくなると、その後は、弁部材１がばね部材７の付勢力により、ガス通路に進出した閉塞位置に保持される。
【００５９】
このようにして、流体通路用双方向遮断弁に加わった振動により、閉塞位置の弁部材１が開放位置に移動すると、マイコン１５によるコイル３への通電に伴い、振動により開放位置に移動する前に弁部材１が位置していた閉塞位置に復帰させられる。
【００６０】
また、マイコン１５から第２スイッチングトランジスタＴＲ３のベースへの通電信号の出力に伴い、コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂが定電圧源Ｖccの電圧と略一致する高さに上がると、第２微分回路１９Ｂから微分信号ΔＶｂが出力され、この微分信号ΔＶｂが出力されている間、微分信号ΔＶｂがバイアス電圧となってベースにかかる第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタ−エミッタ間が導通し、これに応じて、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタの電位が、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルから、接地電位に相当するローレベルに変わる。
【００６１】
このとき、第１スイッチングトランジスタＴＲ１のコレクタ−エミッタ間は、マイコン１５からの通電信号が入力されず非導通状態であり、コイル３の一端３ａの電位Ｖａに変動が生じないことから、第１微分回路１９Ａからの微分信号ΔＶａの出力はなく、従って、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタ−エミッタ間は非導通状態のままである。
よって、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタの電位は、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルのままであり、一方、先に述べたように、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタの電位がハイレベルからローレベルに変わることから、排他的論理和回路１１の出力がローレベルからハイレベルに変移し、これに伴って、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルからハイレベルに変移する。
そして、マイコン１５から第２スイッチングトランジスタＴＲ３のベースへの通電信号の出力が停止すると、マイコン１５からＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子にリセット信号が出力されて、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルにリセットされる。
【００６２】
次に、ガス流量計１７により計測されるガス通路のガス流量を基に、ガス通路中にガス漏れがあるとマイコン１５により判定されて、弁部材１がガス通路を開放する開放位置からガス通路を閉塞する閉塞位置に移動した後で、ガス流量計１７により計測されるガス通路のガス流量を基に、ガス通路中のガス漏れが解消したと判定されると、マイコン１５から第１スイッチングトランジスタＴＲ１のベースに通電信号が出力され、これに伴って、第１スイッチングトランジスタＴＲ１のコレクタ−エミッタ間が導通し、このコレクタ−エミッタ間における電圧降下が殆どないことから、コイル３の一端３ａの電位Ｖａが定電圧源Ｖccの電圧と略一致する高さに上がる。
これに伴って、第４スイッチングトランジスタＴＲ７のベースにバイアス電圧がかかって第４スイッチングトランジスタＴＲ７のコレクタ−エミッタ間が導通し、この第４スイッチングトランジスタＴＲ７のコレクタ−エミッタを介してコイル３の他端３ｂが接地される。
【００６３】
これにより、コイル３の一端３ａから他端３ｂに向かう電流の流れが発生し、これに伴いコイル３に生じる磁束により、不図示のガス通路に進出してこれを閉塞している弁部材１が、ばね部材７の付勢力に抗して、図８に示すように、永久磁石５に接近する方向に移動しガス通路から退避してこれを開放し、弁部材１が永久磁石５に磁着する。
そして、マイコン１５から第１スイッチングトランジスタＴＲ１へ通電信号が出力されなくなると、その後は、弁部材１が永久磁石５の磁力によりガス通路から退避した開放位置に保持される。
【００６４】
また、マイコン１５から第１スイッチングトランジスタＴＲ１のベースへの通電信号の出力に伴い、コイル３の一端３ａの電位Ｖａが定電圧源Ｖccの電圧と略一致する高さに上がると、第１微分回路１９Ａから微分信号ΔＶａが出力され、この微分信号ΔＶａが出力されている間、微分信号ΔＶａがバイアス電圧となってベースにかかる第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタ−エミッタ間が導通し、これに応じて、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタの電位が、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルから、接地電位に相当するローレベルに変わる。
【００６５】
このとき、第２スイッチングトランジスタＴＲ３のコレクタ−エミッタ間は、マイコン１５からの通電信号が入力されず非導通状態であり、コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂに変動が生じないことから、第２微分回路１９Ｂからの微分信号ΔＶｂの出力はなく、従って、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタ−エミッタ間は非導通状態のままである。
よって、第６スイッチングトランジスタＴＲ１１のコレクタの電位は、非導通時の定電圧源Ｖccの電圧に相当するハイレベルのままであり、一方、先に述べたように、第５スイッチングトランジスタＴＲ９のコレクタの電位がハイレベルからローレベルに変わることから、排他的論理和回路１１の出力がローレベルからハイレベルに変移し、これに伴って、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルからハイレベルに変移する。
そして、マイコン１５から第１スイッチングトランジスタＴＲ１のベースへの通電信号の出力が停止すると、マイコン１５からＲＳフリップフロップ回路１３のＲ入力端子にリセット信号が出力されて、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルにリセットされる。
【００６６】
このように本実施形態によれば、マイコン１５からの通電信号により、第１スイッチングトランジスタＴＲ１か第２スイッチングトランジスタＴＲ３のコレクタ−エミッタを導通させて、コイル３の一端３ａか他端３ｂを定電圧源Ｖccに接続させると共に、第４スイッチングトランジスタＴＲ７か第３スイッチングトランジスタＴＲ５のコレクタ−エミッタを導通させてコイル３の他端３ｂか一端３ａを接地させることで、双方向遮断弁の弁部材１を、ガス通路を閉塞する閉塞位置からこのガス通路を開放する開放位置に移動させ、或は、弁部材１を開放位置から閉塞位置に移動させる駆動回路において、コイル３の一端３ａ及び他端３ｂのうちいずれか一方の電位Ｖａ，Ｖｂが誘導起電力の発生により上がるのを、排他的論理和回路１１により捕らえて、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力をローレベルからハイレベルに変化させる構成とした。
【００６７】
このため、マイコン１５が第１及び第２スイッチングトランジスタＴＲ１，ＴＲ３のいずれのベースにも通電していない状態で、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルからハイレベルに変化したか否かを監視することで、地震等の振動により弁部材１が閉塞位置と開放位置とのうち一方から他方に移動したか否かを確実に検出することができる。
【００６８】
尚、本実施形態の駆動回路において採用した、ガス流量計１７により計測されるガス通路のガス流量を基に、ガス通路中にガス漏れがあると判定され、或は、ガス通路のガス漏れが解消したと判定されて、マイコン１５から出力される通電信号によりコイル３に通電させて弁部材１を元の位置に復帰させるのに伴って、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルからハイレベルに変化した際に、そのＱ出力をローレベルにリセットするためのリセット信号をマイコン１５から出力させるための構成には、次のような効果がある。
【００６９】
即ち、このような構成を採用することで、振動等による弁部材１の開放位置から閉塞位置への、或は、その反対への移動に伴って、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルからハイレベルに変化した際に、コイル３に通電して弁部材１を正常に移動させることでＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力が変化したものと誤って認識するのを防止することができる。
【００７０】
また、本実施形態の駆動回路において採用した、振動等による弁部材１の開放位置から閉塞位置への、或は、その反対への移動に伴って、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力がローレベルからハイレベルに変化した際に、そのＱ出力をローレベルにリセットするためのリセット信号をマイコン１５から出力させるための構成は、省略してもよい。
しかし、このような構成を採用することで、弁部材１の異常開閉を検出した後に、ＲＳフリップフロップ回路１３のＱ出力を、早急に、しかも、自動的にローレベルに戻し、弁部材１に異常開閉が発生したか否かを検出できる状態にいち早く戻すことができる。
【００７１】
さらに、本実施形態において、単一のＲＳフリップフロップ回路１３にて構成した第１及び第２フリップフロップ回路は、それぞれ個別のフリップフロップ回路で構成してもよいが、両者を兼用としフリップフロップ回路を単一化することで、部品コスト及び製造コストの低減や、構成の簡略化を実現することができる。
【００７２】
また、本実施形態において採用した、振動等により開放位置から閉塞位置に、或は、その反対に移動した弁部材１を、元の位置に復帰させるための構成は、省略してもよいが、この構成を持たせることで、弁部材１の異常開閉により本来の開閉状態ではなくなったガス通路を元の状態に復帰させて、異常開閉の状態をいち早く、しかも、自動的に解消させることができる。
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置によれば、流体通路に介設され、非通電時に両端３ａ，３ｂが共に非接地状態とされるコイル３の一端３ａから他端３ｂへの通電により前記流体通路を閉塞する状態から開放する状態に変移し、前記コイル３の他端３ｂから一端３ａへの通電により前記流体通路を開放する状態から閉塞する状態に変移し、前記コイル３への通電が停止した後、該コイル３に再度通電されるまでの間、前記流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうち前記通電停止時の状態を保持する帯磁可能な弁部材１を有する双方向遮断弁における、前記コイル３の非通電時に前記弁部材１が前記流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうちいずれか一方から他方へ変移する異常開閉を検出する装置であって、前記コイル３の一端３ａの電位Ｖａの変化を検出する第１電位変化検出手段１７Ａと、前記コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂの変化を検出する第２電位変化検出手段１７Ｂとを備え、前記コイル３の非通電時において、前記第１及び第２電位変化検出手段１７Ａ，１７Ｂのうちいずれか一方が、前記コイル３の一端３ａ及び他端３ｂのうち対応するいずれか一方の電位Ｖａ，Ｖｂの変化を検出した時に、前記弁部材１の前記異常開閉を検出したものとする構成とした。
【００７５】
このため、本来ならば、流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうちいずれか一方から他方への弁部材の変移が起こるはずのないコイルの非通電時における、弁部材が流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうちいずれか一方から他方へ変移する異常開閉を、誘導起電力の発生に伴うコイルの一端及び他端のうちいずれか一方の電位の変化を基に確実に検出することができる。
【００７６】
そして、請求項１に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置によればさらに、前記第１電位検出手段１７Ａが、前記コイル３の一端３ａの電位Ｖａの増加により第１状態から第２状態に出力が変化する第１フリップフロップ回路１３を有しており、前記第２電位検出手段１７Ｂが、前記コイル３の他端３ｂの電位Ｖｂの増加により第１状態から第２状態に出力が変化する第２フリップフロップ回路１３を有しており、前記コイル３への通電に伴い前記第１状態から前記第２状態に出力が変化した前記第１及び第２フリップフロップ回路１３を、前記コイル３への通電に伴い前記第１状態に出力が復帰するようにリセットさせる強制リセット手段１５Ａをさらに備える構成とした。
【００７７】
このため、コイル３の一端３ａ及び他端３ｂのうちいずれか一方の電位Ｖａ，Ｖｂが変化したのに伴って、第１及び第２フリップフロップ回路１３の出力が第１状態から第２状態に変化した際、それがコイル３への通電に伴う通常の変化である場合に、第１及び第２フリップフロップ回路１３の出力状態の変化の監視結果から、振動等によりコイル３の非通電時に弁部材１が異常開閉したものと誤って検出するのを防止することができる。
【００７８】
また、請求項２に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置によれば、前記第１状態から前記第２状態に出力が変化した前記第１及び第２フリップフロップ回路１３を、前記第１状態に出力が復帰するようにリセットする補助リセット手段１５Ｂをさらに備える構成とした。
このため、振動等によりコイル３の非通電時に弁部材１が異常開閉し、これに伴って、コイル３の一端３ａ及び他端３ｂのうちいずれか一方の電位Ｖａ，Ｖｂが変化し、これにより、第１及び第２フリップフロップ回路１３の出力が第１状態から第２状態に変化した際に、弁部材１の異常開閉状態が解消されるのに応じて、弁部材１が異常開閉したか否かを第１及び第２フリップフロップ回路１３の出力状態の変化の監視結果から検出できる状態に、改めて戻すことができる。
【００７９】
さらに、請求項３に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置によれば、前記第１フリップフロップ回路１３が前記第２フリップフロップ回路１３を兼ねている構成としたので、コイル３の非通電時に振動等により起こる弁部材１の異常開閉で、コイル３の一端３ａ及び他端３ｂの両方の電位が同時に変化することがないのを利用して、第１及び第２の２つのフリップフロップ回路を共用化し、個別とするのに比べて、弁部材１の異常開閉を検出するための構成を簡略化、ひいては、低コスト化することができる。
【００８０】
また、請求項４に記載した本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置によれば、前記弁部材１の前記異常開閉を検出した際に、前記コイル３の一端３ａ及び他端３ｂのうち一方から他方に通電させて、前記異常開閉を起こす前の状態に前記弁部材１を復帰させる弁復帰手段１５Ｃをさらに備える構成とした。
このため、コイル３の非通電時に弁部材１が流体通路を開放する状態と閉塞する状態とのうちいずれか一方から他方へ変移する異常開閉を検出した際に、弁復帰手段１５Ｃによるコイル３への通電により、その異常開閉が起こる前の状態に弁部材１が復帰させられるので、振動等による弁部材１の異常な開閉状態を早急に、しかも、自動的に解消させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置の基本構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る流体通路用双方向遮断弁の異常開閉検出装置を採用した流体通路用双方向遮断弁の駆動回路の構成を示す回路図である。
【図３】図２のマイクロコンピュータのハードウェア構成を示すブロック図である。
【図４】図３に示すＲＡＭのメモリエリアマップである。
【図５】図３に示すＲＯＭに格納された制御プログラムに従いＣＰＵが行う処理を示すフローチャートである。
【図６】開放位置の弁部材が振動により閉塞位置に移動した際に図２の駆動回路上で発生する信号等のレベルで、図６（ａ）はコイルの一端の電位、図６（ｂ）は第１微分回路の出力、図６（ｃ）は第５スイッチングトランジスタのコレクタ電位、図６（ｄ）は第６スイッチングトランジスタのコレクタ電位、図６（ｅ）は排他的論理和回路の出力、図６（ｆ）はＲＳフリップフロップ回路のＱ出力、図６（ｇ）はリセット信号をそれぞれ示す。
【図７】閉塞位置の弁部材が振動により開放位置に移動した際に図２の駆動回路上で発生する信号等のレベルで、図７（ａ）はコイルの他端の電位、図７（ｂ）は第２微分回路の出力、図７（ｃ）は第５スイッチングトランジスタのコレクタ電位、図７（ｄ）は第６スイッチングトランジスタのコレクタ電位、図７（ｅ）は排他的論理和回路の出力、図７（ｆ）はＲＳフリップフロップ回路のＱ出力、図７（ｇ）はリセット信号をそれぞれ示す。
【図８】一般的な流体通路用双方向遮断弁における弁部材がガス通路を開放した状態を示す説明図である。
【図９】図８の流体通路用双方向遮断弁の弁部材を開閉させる従来の駆動回路の構成を示す回路図である。
【図１０】図８の流体通路用双方向遮断弁における弁部材がガス通路を閉塞した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１  弁部材
３  コイル
３ａ  コイル一端
３ｂ  コイル他端
１３  第１（第２）フリップフロップ回路
１５Ａ  強制リセット手段
１５Ｂ  補助リセット手段
１５Ｃ  弁復帰手段
１７Ａ  第１電位変化検出手段
１７Ｂ  第２電位変化検出手段
Ｖａ  コイル一端電位
Ｖｂ  コイル他端電位
【図１】
0003709944.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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