(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または２以上のビアホール穿設部位を有するショットエリアにおいて，ビアホール穿設部位１個所に対して１ショットずつ，ワーク基板に対してレーザーを巡回ショットして，該巡回ショットを複数回サイクル行ってビアホールの穴明けを行う穴明け方法であって，
上記ショットエリア内のビアホール穿設数に応じてショット速度を制御し，上記巡回ショットの１サイクルに要する時間を０．０５秒以上にすることを特徴とするビアホールの穴明け方法。
【請求項２】
請求項１において，上記１サイクルに要する時間は，１秒以下であることを特徴とするビアホールの穴明け方法。
【請求項３】
請求項１において，上記１サイクルに要する時間は，０．２８秒以上であることを特徴とするビアホールの穴明け方法。
【請求項４】
請求項１において，上記ショットエリア内の穴明けが完了した後には，ワーク基板における次のショットエリアにおいて，上記ビアホールの穴明けを行うことを特徴とするビアホールの穴明け方法。
【請求項５】
ワーク基板に対してレーザーをショットすることによりビアホールを穴明けするビアホール穴明け装置において，
該ビアホール穴明け装置は，レーザーを発振するレーザー発振器と，ワーク基板の平面方向にレーザーショット位置をショットエリア内で移動させるガルバノミラーと，ワーク基板を載置するとともにショットエリア内でのレーザーショットが完了した後にワーク基板を平面方向に移動させるテーブルとからなり，
上記ビアホール穴明け装置は，上記ショットエリアにおいて，ビアホール穿設部位１個所に対して１ショットずつ，ワーク基板に対してレーザーを巡回ショットして，該巡回ショットを複数回サイクル行ってビアホールの穴明けを行い，かつ上記巡回ショットの１サイクルに要する時間が０．０５秒以上になるように，
上記ショットエリア内のビアホール穿設数に応じて，上記ガルバノミラーの上記移動及び上記レーザー発振器のレーザー発振の時間間隔を制御する制御装置を有することを特徴とするビアホール穴明け装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は，レーザーを用いたビアホールの穴明け方法及びビアホール穴明け装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来，例えば，図３に示すごとく，プリント配線板７としては，ワーク基板７１の両面に導体パターン７２１，７２１を形成し，両者間をビアホール７３により電気的導通を行う構造を有するものがある。
【０００３】
そして，近年，ビアホール７３を形成するにあたり，レーザーの照射により穴明けする技術が開発されている。図４に示すごとく，レーザー１１を利用して形成されるビアホール７３としては，底部が導体パターン７２１により被覆されたブラインドビアホールがある。レーザー１１は，その高いエネルギーにより，ワーク基板７１を順次焼失していき，底部の導体パターン７２１に達するとそこで穴明けが停止する。
【０００４】
また，このレーザー穴明け法では，図５に示すごとく，多数のプリント配線板を連ねた大型のワーク基板７１に対してレーザーショットが行われる。そして，ビアホール及びパターン形成，並びに後工程終了後に，ワーク基板を個片化して，図３に示すプリント配線板７を得る。
【０００５】
そして，図６に示すごとく，ビアホール７３は，プリント配線板に多数穿設されており，またその深さも多様であることから，その穿設方法には，種々の方法がある。
たとえば，図７に示すごとく，ビアホール（７３）１穴に対して，必要回数（ｎ１〜ｎ５回）レーザー１１を連続してショットし，１のビアホールの穴明けを完了しその後，次のビアホール穿設部の穴明けを行うバーストモード法がある。
【０００６】
また，図８に示すごとく，ショットエリア７５ａ内に存在するビアホール穿設部位１個所に対して１ショットずつ，順に巡回ショットをしていき，ビアホール７３が所定深さになるまで，巡回ショットをしていくサイクルモード法がある。
このサイクルモード法では，ショットエリア７５ａ内での穿設が完了すると，ワーク基板７１を動かして，次のショットエリア７５ｂの穿設を行い，かかる巡回ショットをその他のすべてのショットエリア７５ｃ，ｄ，ｅについても行う。
【０００７】
【解決しようとする課題】
しかしながら，上記バーストモード法では，穴明けの高速化を実現できるが，１ショットの時間的間隔が非常に短い。そのため，図４に示すごとく，ビアホール７３内に高エネルギー７４が蓄積されて，ビアホール７３底部の導体パターン７２１にダメージを与えることがある。
【０００８】
また，上記サイクルモード法では，図８に示すごとく，ショットエリア７５内を１サイクルをする間の時間が比較的大きいためビアホール７３底部の導体パターン７２１にダメージを与えることは少ないが，穿設すべきワーク基板７１の最後のショットエリア７５（例えば７５ｅ）にきたとき，同一ビアホールに対するショット間隔が短くなり，ビアホール内に高エネルギーが蓄積され，ビアホール内部にダメージを与える。また，ビアホール７３の底部の導体パターン７２１にダメージを与える場合がある。
【０００９】
本発明はかかる従来の問題点に鑑み，ビアホールの穴明けを効率よく迅速に行うことができ，かつビアホール内部へのダメージを抑制できるビアホールの穴明け方法及びビアホール穴明け装置を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題の解決手段】
本発明は，１または２以上のビアホール穿設部位を有するショットエリアにおいて，ビアホール穿設部位１個所に対して１ショットずつ，ワーク基板に対してレーザーを巡回ショットして，該巡回ショットを複数回サイクル行ってビアホールの穴明けを行う穴明け方法であって，
上記ショットエリア内のビアホール穿設数に応じてショット速度を制御し，上記巡回ショットの１サイクルに要する時間を０．０５秒以上にすることを特徴とするビアホールの穴明け方法である。
【００１１】
本発明は，サイクルモード法を利用して効率よく穴あけを行う方法である。即ち，ショットエリア内のビアホール穿設位置に対して１個所に対して１ショットずつレーザーを巡回ショットしていき，１サイクル終了後に，２度目の巡回ショットを繰り返す。これを，必要回数繰り返して，所望深さのビアホールの穴明けを行う。
【００１２】
ここに注目すべきことは，巡回ショットの１サイクルに要する時間を０．０５秒以上になるようにコントロールしていることである。このため，１サイクル終了後，同一のビアホール穿設位置をショットする時間は０．０５秒以上となる。
この０．０５秒間は，レーザー照射により熱せられたビアホール穿設部位の冷却に十分な時間であり，この時間内に，ビアホール穿設部位は，十分に冷却されるため，ビアホール内部にダメージが発生することはない。また，ビアホール底部に導体パターンが形成されている場合にも，導体パターンにダメージが発生しない程度に十分に冷却される。
【００１３】
また，ショットエリア内に存在するビアホールの数の多少にかかわらず，常に一定時間内に１サイクルのショットを完了できる。即ち，ビアホールの数が多い場合には，ショット速度を速くして，１サイクル０．０５秒以上になるようにコントロールする。逆に，ビアホールの数が少ない場合には，ショット速度を遅くして，１サイクル０．０５秒以上になるようにコントロールする。このように，１サイクルに要する速度を，ショットエリア内のビアホール穿設数に応じてコントロールすることにより，効率よく，迅速にビアホールの穴明けを行うことができる。
【００１４】
また，上記１サイクルに要する時間は，１秒以下であることが好ましい。これにより，効率よく迅速に穴明けを行うことができる。一方，１秒を超える場合には，穴明けに無駄な時間がかかることになり，迅速な穴明けが困難となる。
【００１５】
さらに，上記１サイクルに要する時間は，０．２８秒以上であることが好ましい。これにより，ビアホール内部への穴明けによるダメージを更に抑制できる。
【００１６】
上記ショットエリア内の穴明けが完了した後には，ワーク基板における次のショットエリアにおいて，上記ビアホールの穴明けを行うことが好ましい。これにより，ショットエリアよりも大きいワーク基板に対して連続的に効率よく穴明けを行うことができる。
【００１７】
また，ビアホールの穴明けを行うビアホール穴明け装置としては，例えば，ワーク基板に対してレーザーをショットすることによりビアホールを穴明けするビアホール穴明け装置において，
該ビアホール穴明け装置は，レーザーを発振するレーザー発振器と，ワーク基板の平面方向にレーザーショット位置をショットエリア内で移動させるガルバノミラーと，ワーク基板を載置するとともにショットエリア内でのレーザーショットが完了した後にワーク基板を平面方向に移動させるテーブルとからなり，
上記ビアホール穴明け装置は，上記ショットエリアにおいて，ビアホール穿設部位１個所に対して１ショットずつ，ワーク基板に対してレーザーを巡回ショットして，該巡回ショットを複数回サイクル行ってビアホールの穴明けを行い，かつ上記巡回ショットの１サイクルに要する時間が０．０５秒以上になるように，
上記ショットエリア内のビアホール穿設数に応じて，上記ガルバノミラーの上記移動及び上記レーザー発振器のレーザー発振の時間間隔を制御する制御装置を有することを特徴とするビアホール穴明け装置がある。
【００１８】
このビアホール穴明け装置は，ビアホール穿設位置を有するショットエリア内においてレーザーを巡回ショットしてビアホールの穴明けを行う装置である。この穴明け装置は，巡回ショットの１サイクルに要する時間が０．０５秒以上になるように，移動速度制御装置によりレーザーショット位置の移動速度が制御され，かつショット間隔制御装置によりレーザーのショット時間間隔が制御されている。
【００１９】
そのため，上記穴明け方法と同様に，１サイクルの間に，レーザー照射により熱せられたビアホール穿設部位は十分に冷却される。したがって，ビアホール内部へのダメージを抑制できる。また，ショットエリア内に存在するビアホールの数の多少にかかわらず，常に一定時間内に１サイクルの巡回ショットを完了できるため，効率よく，迅速にビアホールの穴明けを行うことができる。
【００２０】
また，上記ビアホール穴明け装置においても，上記ビアホール穴明け方法と同様の理由により，上記１サイクルに要する時間は，１秒以下であることが好ましい。また，さらに，上記１サイクルに要する時間は，０．２８秒以上であることが好ましい。
【００２１】
上記ショットエリア内の穴明けが完了した後には，ワーク基板を載置したテーブルを平面方向に移動する。移動後，ワーク基板における次のショットエリアにおいて，上記ビアホールの穴明けを行う。これにより，ショットエリアよりも大きいワーク基板に対して連続的に効率よく穴明けを行う。
【００２２】
ガルバノミラーは，例えば，入射されたレーザーをワーク基板のＸ方向に移動させるＸ方向移動手段と，入射されたレーザーをワーク基板のＹ方向に移動させるＹ方向移動手段とからなる。このＸ方向移動手段とＹ方向移動手段とを組み合わせることにより，ショットエリアの任意の位置にレーザーをショットできる。また，ワーク基板を載置したテーブルを移動させるに当たっては，例えば，テーブルの位置を，制御装置（ＮＣ）の数値データに基づき移動させる機械的移動手段がある。
【００２３】
【発明の実施の形態】
実施形態例１
本発明の実施形態例に係るビアホールの穴明け方法及びビアホール穴明け装置について，図１〜図６，図８を用いて説明する。
本例では，図１に示すごとく，レーザー照射により，ワーク基板７１に複数のビアホール７３を穴明けしている。
【００２４】
ビアホールの穴明けを行うに当たって，図１に示すビアホール穴明け装置１を用いる。
即ち，ビアホール穴明け装置１は，図１に示すごとく，レーザー１１を発振するレーザー発振器１２と，ワーク基板７１の平面方向にレーザー１１のショット位置をショットエリア内で移動させるガルバノミラー１３と，ワーク基板７１を載置するとともにショットエリア内でのビアホールの穴明けが完了した後にワーク基板７１を平面方向に移動させるテーブル１４とからなる。
【００２５】
そして，ビアホール穴明け装置１は，レーザー１１の移動速度を制御するようにガルバノミラー１３に指示を与えるとともにレーザー１１の発振の時間間隔を制御するようにレーザー発振器１２に指示を与える制御装置１０を有する。この制御装置１０は，ＮＣコンピュータであり，ショットエリアにおいて，ビアホール穿設部位１個所に対して１ショットずつ，ワーク基板に対してレーザーを巡回ショットして，ビアホールの穴明けを行い，かつ上記巡回ショットの１サイクルに要する時間が０．０５秒以上になるようにプログラムされている。
【００２６】
ガルバノミラー１３は，入射されたレーザー１１をワーク基板７１のＸ方向に移動させるＸ方向移動手段１３１と，入射されたレーザー１１をワーク基板７１のＹ方向に移動させるＹ方向移動手段１３６とからなる。Ｘ方向移動手段１３１は，レーザー１１を反射させる反射板１３２と，反射板１３２を回転させる回転軸１３３と，レーザー１１のＸ方向の移動距離に応じて回転軸１３３を回転させる駆動装置１３４とからなる。また，Ｙ方向移動手段１３６は，レーザー１１を反射させる反射板１３７と，反射板１３７を回転させる回転軸１３８と，レーザー１１のＹ方向の移動距離に応じて回転軸１３８を回転させる駆動装置１３９とからなる。
【００２７】
このＸ方向移動手段１３１とＹ方向移動手段１３６とを組み合わせることにより，ワーク基板７１におけるショットエリアの任意の位置にレーザーをショットできる。
テーブル１４は，図示しない駆動装置を用いて，支持台１４１に対して，平面方向に移動可能に装着されている。
【００２８】
また，テーブル１４の上には，ワーク基板７１のアライメント用レンズ１４２が設けられている。アライメント用レンズ１４２は，ワーク基板７１における穿設すべきビアホールの立体的パターン情報を読み取り，該立体的パターン情報を制御装置１０に入力する役目を果たしている。
【００２９】
また，ビアホール穴明け装置１は，レーザー発振器１２とガルバノミラー１３との間に，レーザー発振器１２から発振されたレーザー１１を，所望の光束径に調整するための光束調整器１５を設けている。光束調整器１５は，微孔１５１を有するマスク１５２を設けている。微孔１５１は，所望の光束径のレーザー１１を通過させるための微孔である。
また，ビアホール穴明け装置１は，レーザー１１が，ワーク基板７１に対して垂直にショットするようにレーザーのショット角度を調整するｆ−θレンズ１６を設けている。
【００３０】
次に，上記ビアホール穴明け装置１を用いてビアホールを有するプリント配線板の製造方法について説明する。
【００３１】
▲１▼ワーク基板の準備
まず，ワーク基板として，ガラスエポキシ基板，ガラスビスマレイミドトリアジン基板，ガラスポリイミド基板などの絶縁性基板を準備する。ワーク基板７１は，図８に示すごとく，複数のプリント配線板７を形成できるような大きさである。図６に示すごとく，ワーク基板７１の内部には，予め導体パターン７２１を形成しておく。
【００３２】
次いで，ワーク基板７１の両面に銅箔７２を貼着する。次いで，ワーク基板７１の上面に貼着した銅箔７２に，そのビアホール形成部分にエッチングにより開口孔７２０をあける（図４参照）。
次いで，図１に示すごとく，ワーク基板７１を，ビアホール穴明け装置１のテーブル１４の上に載置する。
【００３３】
▲２▼レーザーショットによる穴明け
次に，図２に示すフローチャートに示すごとく，テーブル移動指令データ及びレーザーショット指令データを作成し，これに基づき，図１に示すごとく，レーザーショットを行う。
【００３４】
即ち，まず，Ｓ（ステップを意味する。以下，同様）２００において，図１に示すごとく，アライメント用レンズ１４２より，制御装置１０に，ワーク基板７１における，穿設すべきビアホールの立体的パターン情報を入力する。入力手段としては，Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ａｉｄｅｄ  Ｄｅｓｉｇｎ（ＣＡＤ）データを移殖する手段等がある。
【００３５】
上記ビアホールパターンは，図５，図６，図８に示すごとく，ワーク基板７１の全領域に形成すべきビアホール７３の立体的パターンであり，具体的には，プリント配線板７に形成すべきビアホール７３の平面的位置及び深さのデータがプリント配線板７単位で繰り返されている。
【００３６】
次に，Ｓ２０１において，制御装置１０にショットエリアを入力する。ショットエリアは，固定したワーク基板において，ガルバノミラーの動きによりレーザーショットが可能な範囲である。ショットエリアの入力手段は，例えば，メインコンピュータから制御装置（ＮＣ）１０への転送手段である。
次に，Ｓ２０６において，制御装置１０に，レーザー発振速度及びレーザー強度からなるレーザー初期情報を入力する。本例においては，レーザー発振速度は３０００回／秒とし，またレーザー強度は５〜７０ｍＪ／ｍｍ2 とする。
【００３７】
次に，Ｓ２０２において，図１に示すごとく，制御装置１０において，入力されたビアホールパターンを，ショットエリアごとに分画する。
次に，Ｓ２０３において，制御装置１０において，ビアホールパターンを分画したショットエリアのいずれかを選択する。選択されるショットエリアは，まだビアホールの穴明けが完了していないショットエリアである。まず第１は，図８に示すショットエリア７５ａを選択する。
【００３８】
次に，Ｓ２０４において，制御装置１０において，選択したショットエリアに応じてテーブルを移動させるための移動データを作成し，移動データをテーブル駆動装置に送る。移動データは，移動前の選択したショットエリアの位置から，ガルバノミラーの動きによりレーザーショット可能な位置までの移動量である。
【００３９】
次いで，Ｓ２０５において，制御装置１０において，Ｓ２０１において入力されたビアホールパターンに基づき，ショットエリア内において初回のショットサイクルで加工すべきビアホールの数を計算する。図６に示すごとく，ビアホールパターンはワーク基板７１の厚み方向の位置で異なるため，ショットサイクルが第何回目かにより，加工すべきビアホール数は異なってくる。
【００４０】
次に，Ｓ２０７において，制御装置１０において，Ｓ２０５で求めたビアホール数と，Ｓ２０６で入力されたレーザー初期情報とから，ショットエリア内の全ビアホール穿設位置に対して１ショットを完了するために要する時間を計算する。なお，ショットエリア内の全ビアホール穿設位置に対して１ショットをすることを１サイクルといい，１サイクル内では，後述のようにショットエリア内のビアホール数分のレーザー発振が行われる。
【００４１】
次に，Ｓ２０８において，１サイクル所要時間が，０．０５秒以上か否かを判断する。０．０５秒間以上の場合には，Ｓ２０９に進み，そこで，Ｓ２０６で入力されたレーザー初期情報，ショットエリア内のビアホールパターン及びビアホール数に基づきレーザーショット指令データＡ１を作成する。この指令データＡ１は，レーザー初期情報と，レーザー発振回数と，レーザー発振速度及びショットエリア内のビアホールパターンに基づき作成されたＸ方向及びＹ方向の反射板回転速度とからなる。
【００４２】
レーザー初期情報とレーザー発振回数とは，レーザー発振器１２に送られる。一方，Ｘ方向の反射板回転速度はＸ方向移動手段１３１の駆動装置１３４に送られ，Ｙ方向の反射板回転速度はＹ方向移動手段１３６の駆動装置１３９に送られる。
これらの送付手段は，例えば，メインコンピュータから制御装置（ＮＣ）１０に転送する手段である。
【００４３】
一方，１サイクル所要時間が０．０５秒未満の場合には，Ｓ２１０において，１サイクル所要時間が０．０５秒になるように，レーザー発振速度を計算する。即ち，１サイクル所要時間０．０５秒をショットエリア内のビアホール数で徐することにより，１サイクル所要時間を算出する。次いで，再度Ｓ２０７に戻り，再度１サイクル所要時間を計算し，Ｓ２０８において０．０５秒以上であることを確認した後に，Ｓ２０９においてレーザーショット指令データＡ２を作成・出力する。
【００４４】
上記レーザーショット指令データＡ１又はＡ２がレーザー発振器１２に送られると，レーザー発振器１２は，そのデータに基づき，１サイクル分のレーザー１１を発振する。また，上記指令データＡ１又はＡ２がＸ方向・Ｙ方向移動手段１３１，１３６の駆動装置１３４，１３９に送られると，回転軸１３３，１３８が所要速度で回転して，反射板１３２，１３７の向きが変わり，これらによって反射されたレーザー１１は，その進行路が変えられる。そして，ｆ−θレンズ１６を通過して垂直方向に，ワーク基板７１のビアホール穿設位置にショットする。これにより，ビアホール穿設位置が，所定深さに加工される。なお，加工量は，レーザー１ショットあたりほぼ同じである。
このようにして，ショットエリア内の１サイクルショットが完了する。
【００４５】
次に，１サイクルのレーザーショットが完了した後に，制御装置１０においては，Ｓ２１１において，ショットエリア内のビアホール穴明けは完了したか否かを判断する。ビアホール穴明けが完了したか否かは，ショットエリア内の深さ方向の所定のビアホールパターンと同様の深さに，ビアホールが穴明けされたか否かを基準に判断する。
【００４６】
そして，ショットエリア内のすべてのビアホールの穴明けが完了した場合には，Ｓ２１３に進む。
【００４７】
一方，上記Ｓ２１１において，１つのビアホールでも，深さ方向のビアホールパターンに応じた深さまで加工がされていないものがある場合には，ビアホール穴明けが完了していないと判断する。この場合には，Ｓ２１２において，次回に加工すべきビアホール数を計算する。そして，Ｓ２０７に戻り，Ｓ２０７〜Ｓ２０９において，上記と同様に１サイクル所要時間が０．０５秒以上になるようにレーザーショット指令データを作成・出力する。
【００４８】
次に，Ｓ２１３に進んだ場合には，ここでワーク基板の全ショットエリアのビアホール穴明けが完了したか否かを判断する。完了した場合には，レーザーショットは終了する。
【００４９】
一方，全ショットエリアのビアホール穴明けが完了していない場合には，Ｓ２１４に進み，ここで，穴明けしていないショットエリアを選択する。例えば，次回のショットエリアとして，図８に示す７５ｂのショットエリアを選択する。そして，Ｓ２０４に戻り，ここでテーブル移動データを作成・出力し，続くＳ２０５〜Ｓ２１１において，選択したショットエリア内のビアホールの穴明けを完了する。
以上により，ワーク基板７１に対して，レーザーによるビアホールの穴明けが終了する。
【００５０】
▲３▼パターン形成
ワーク基板における全ビアホールの穿設が完了した後には，化学銅めっき及び電気銅めっき処理を行い，図３に示すごとく，ビアホール７３の内壁に金属めっき膜７２１を形成する。次いで，銅箔のエッチングを行い，ワーク基板７１の両面に導体パターン７２１，７２２を形成する。なお，ビアホール７３の底部に位置する導体パターン７２１又は銅箔７２はビアホールに導通性を付与するため，そのまま残しておく。
【００５１】
▲４▼後工程
次に，ワーク基板を切削又はせん断による加工法により切断し，各プリント配線板７に個片化する。
以上により，プリント配線板７が得られる。
【００５２】
次に，本例の作用及び効果について説明する。
本例は，サイクルモード法を利用して効率よく穴あけを行う方法である。即ち，ショットエリア内のビアホール穿設位置１個所に対して１ショットずつレーザーを巡回ショットしていき，巡回ショットの１サイクル終了後に，２度目のショットを繰り返す。これを，必要回数繰り返して，図６に示すごとく，所望深さのビアホール７３の穴明けを行う。
【００５３】
ここに注目すべきことは，図２に示すごとく，Ｓ２０８において，１サイクルに要する時間を０．０５秒以上になるようにコントロールしていることである。このため，１サイクル終了後，同一のビアホール穿設位置をショットする時間は０．０５秒以上となる。この０．０５秒間は，レーザー照射により熱せられたビアホール穿設部位の冷却に十分な時間である，この時間内に，ビアホール穿設部位は，底部の導体パターン７２１又は銅箔７２にダメージが発生しない程度に十分に冷却される。したがって，本例によれば，ビアホール７３内部及びビアホール底部の導体パターン７２１へのダメージを抑制できる。
【００５４】
また，ショットエリア内に存在するビアホールの数の多少にかかわらず，常に一定の時間内に１サイクルのショットを完了できる。即ち，図８のショットエリア７５ａ〜７５ｄに示すごとく，ビアホール７３の数が多い場合には，ショット速度を速くして，１サイクル０．０５秒以上になるようにコントロールする。逆に，図８のショットエリア７５ｅに示すごとく，ビアホールの数が少ない場合には，ショット速度を遅くして，１サイクル０．０５秒以上になるようにコントロールする。このように，１サイクルに要する速度を，ショットエリア内のビアホール穿設数に応じてコントロールすることにより，効率よく，迅速にビアホールの穴明けを行うことができる。
【００５５】
実施形態例２
本例においては，表１に示すごとく，１サイクルに要する時間を種々に変えて，ビアホール底部の導体パターンへのダメージの有無について測定した。
導体パターンへのダメージの有無は，外観目視観察により検査した。
【００５６】
レーザーショット方法は，１サイクルの所要時間を除いて，実施形態例１と同様に行った。その結果を表１に示した。
同表より知られるように，１サイクル所要時間が０．０５〜１秒の場合には，ビアホール底部の導体パターンにダメージはなかった。一方，０．０５秒未満の場合には，導体パターンに銅の溶融，変形という不具合が生じた。また，１秒を超える場合には，生産性が著しく低下するという問題が生じた。
以上より，１サイクルの所要時間は，０．０５〜１秒が好ましいことがわかる。
【００５７】
【表１】
0003709707.tif 000002
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば，ビアホールの穴明けを効率よく迅速に行うことができ，かつビアホール内部へのダメージを抑制できるビアホールの穴明け方法及びビアホール穴明け装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例１における，ビアホール穴明け装置を示す説明図。
【図２】実施形態例１における，レーザーショット指令データを作成するフローチャートを示す説明図。
【図３】プリント配線板の断面図。
【図４】ビアホールの穴明け方法を示す説明図。
【図５】多数のビアホールを有するワーク基板の平面図。
【図６】多数のビアホールを有するワーク基板の断面図。
【図７】従来例におけるバーストモード法によるレーザー穴明け方法を示す説明図。
【図８】サイクルモード法によるレーザー穴明け方法を示す説明図。
【図９】従来例におけるサイクルモード法における問題点を示す説明図。
【符号の説明】
１．．．ビアホール穴明け装置，
１０．．．制御装置，
１１．．．レーザー，
１２．．．レーザー発振器，
１３．．．ガルバノミラー，
１４．．．テーブル，
１５．．．光束調整器，
１６．．．ｆ−θレンズ，
７．．．プリント配線板，
７１．．．ワーク基板，
７２．．．銅箔，
７２１，７２２．．．導体パターン，
７３．．．ビアホール，
【図１】
0003709707.tif 000003
【図２】
0003709707.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003709707.tif 000009
【図８】
0003709707.tif 000010
【図９】
0003709707.tif 000011