Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月16日(2020.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体と、
前記誘電体を貫通するように設けられるＮ個（Ｎは２以上の整数）の差動信号ビアの対と、
前記誘電体の第一面上に設けられるＮ個の第一ストリップ導体対と、
前記誘電体の内部に設けられて前記Ｎ個の第一ストリップ導体対および前記誘電体とそれぞれＮ個の第一差動伝送線路を構成する第一接地導体層と、
前記誘電体の第二面上に設けられるＮ個の第二ストリップ導体対と、
前記誘電体の内部に設けられて前記Ｎ個の第二ストリップ導体対および前記誘電体とそれぞれＮ個の第二差動伝送線路を構成する第二接地導体層と、
を有し、
前記Ｎ個の第一ストリップ導体対と第二ストリップ導体対は前記Ｎ個の差動信号ビアの対を介して各々が接続され、
前記第一接地導体層は、前記Ｎ個の差動信号ビアの対と絶縁するための単一の第一開口を備え、と前記第二接地導体層は、前記Ｎ個の差動信号ビアの対と絶縁するための単一の第二開口を備え、
前記Ｎ個の差動信号ビアの対は、前記単一の第一及び第二開口を貫通するとともに、前記第一及び第二開口内で一の方向に沿って配置される、
プリント回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント回路基板であって、
前記Ｎ個の差動信号ビアの対のそれぞれを取り囲むように配置される（２Ｎ+２）個の接地導体ビアをさらに有し、
前記（２Ｎ+２）個の接地導体ビアのうちの２個の接地導体ビアは、前記Ｎ個の差動信号ビアの対のうちの隣接する２つの差動信号ビアの対との間に、前記第一及び第二開口を挟んで対向するよう配置され、
前記（２Ｎ+２）個の接地導体ビアは前記第一及び第二開口の外側において前記第一及び第二接地導体層に接続する、
ことを特徴とするプリント回路基板。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント回路基板であって、
前記Ｎ個の差動信号ビアの対のうち、隣接する二つの差動信号ビアの対の中心間距離Ｄ１、前記隣接する二つの差動信号ビアの対に接続される隣接する二つの第一差動伝送線路の中心間距離Ｐとする場合、（Ｄ１，Ｐ）は、（０．６ｍｍ，１．２ｍｍ）、（０．９ｍ
ｍ，１．６ｍｍ）、（１．２ｍｍ，２．２ｍｍ）、（０．６ｍｍ，２．２ｍｍ）を頂点と
する四角形の辺上又は該四角形の範囲の側に位置する、
ことを特徴とするプリント回路基板。
【請求項４】
誘電体と、
前記誘電体を貫通するように設けられるＮ個（Ｎは２以上の整数）の差動信号ビアの対と、
前記誘電体の第一面上に設けられるＮ個の第一ストリップ導体対と、
前記誘電体の内部に設けられて前記Ｎ個の第一ストリップ導体対および前記誘電体とそれぞれＮ個の第一差動伝送線路を構成する第一接地導体層と、
前記誘電体の第二面上に設けられるＮ個の第二ストリップ導体対と、
前記誘電体の内部に設けられて前記Ｎ個の第二ストリップ導体対および前記誘電体とそれぞれＮ個の第二差動伝送線路を構成する第二接地導体層と、
を有し、
前記Ｎ個の第一ストリップ導体対と第二ストリップ導体対は前記Ｎ個の差動信号ビアの対を介して各々が接続され、
前記Ｎ個の差動信号ビアの対のうち、隣接する二つの差動信号ビアの対の中心間距離Ｄ１、前記隣接する二つの差動信号ビアの対に接続される隣接する二つの第一差動伝送線路の中心間距離Ｐとする場合、（Ｄ１，Ｐ）は、（０．６ｍｍ，１．２ｍｍ）、（０．９ｍ
ｍ，１．６ｍｍ）、（１．２ｍｍ，２．２ｍｍ）、（０．６ｍｍ，２．２ｍｍ）を頂点と
する四角形の辺上又は該四角形の範囲の側に位置する、
ことを特徴とするプリント回路基板。
【請求項５】
請求項４に記載のプリント回路基板であって、
前記第一接地導体層は、前記Ｎ個の差動信号ビアの対と絶縁するための単一の第一開口を備え、と前記第二接地導体層は、前記Ｎ個の差動信号ビアの対と絶縁するための単一の第二開口を備え、
前記Ｎ個の差動信号ビアの対は、前記単一の第一及び第二開口を貫通するとともに、前記第一及び第二開口内で一の方向に沿って配置される、
ことを特徴とするプリント回路基板。
【請求項６】
請求項４に記載のプリント回路基板であって、
前記Ｎ個の差動信号ビアの対のそれぞれを取り囲むように配置される（２Ｎ+２）個の接地導体ビアをさらに有し、
前記（２Ｎ+２）個の接地導体ビアのうちの２個の接地導体ビアは、前記Ｎ個の差動信号ビアの対のうちの隣接する２つの差動信号ビアの対との間に、前記第一及び第二開口を挟んで対向するよう配置され、
前記（２Ｎ+２）個の接地導体ビアは前記第一及び第二開口の外側において前記第一及び第二接地導体層に接続する、
ことを特徴とするプリント回路基板。
【請求項７】
請求項１または４に記載のプリント回路基板を備える光送受信器。
【請求項８】
請求項７に記載の光送受信器であって、
光信号を出力する光送信サブアセンブリと、
入力される光信号を電気信号に変換する光受信サブアセンブリと、
Ｎ個の第三差動伝送線路が形成されたフレキシブル基板と、
ＩＣと、
前記プリント回路基板、前記光受信サブアセンブリ、前記フレキシブル基板、そして前記ＩＣを格納するケースと、をさらに備え、
前記電気信号は、前記フレキシブル基板の前記第三差動伝送線路を介して前記プリント回路基板の前記第一差動伝送線路に接続される、
ことを特徴とする光送受信器。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月12日(2021.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予測対象地点を含む地域の時刻の異なるメッシュ降水量の実況値及び予測値のデータ群を畳み込みニューラルネットワークでの畳み込み処理の適用可能な形式に変換することにより当該予測対象地点の下水道管渠内水位を予測する当該畳み込みニューラルネットワークに供される予測用入力データを作成する予測入力データ生成部と、
前記予測用入力データと前記予測対象地点の近傍測定点の下水道管渠内水位データとから前記畳み込みニューラルネットワークにより当該予測対象地点の下水道管渠内水位を予測する水位予測値算出部と
を備えたことを特徴とする下水道管渠内水位予測装置。
【請求項２】
下水道管渠内水位データ及び降水量データに基づき前記畳み込みニューラルネットワークの学習に供される学習用入力データを生成する学習入力データ生成部と、
前記学習用入力データに基づき前記畳み込みニューラルネットワークのモデルパラメータを更新するモデルパラメータ更新部と
をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の下水道管渠内水位予測装置。
【請求項３】
前記モデルパラメータ更新部は、前記畳み込みニューラルネットワークから出力される水位予測値と当該畳み込みニューラルネットワークに入力される下水道管渠内水位データとの誤差を最小化するバックプロパゲーション処理により前記モデルパラメータを更新することを特徴とする請求項２に記載の下水道管渠内水位予測装置。
【請求項４】
前記水位予測値算出部は、前記メッシュ降水量の実況値及び予測値のデータ群の各時刻に対応するデータが時間チャネルの対応するチャネルに入力されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の下水道管渠内水位予測装置。
【請求項５】
前記水位予測値算出部は、前記メッシュ降水量の実況値及び予測値の畳み込み処理結果を示す領域に対し、最大となる領域のメッシュ値を抽出するMaxPooling処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の下水道管渠内水位予測装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の下水道管渠内水位予測装置としてコンピュータを機能させることを特徴とする下水道管渠内水位予測プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】下水道管渠内水位予測装置及び下水道管渠内水位予測プログラム
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月29日(2021.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷ジョブを受け付ける受付手段と、
前記受付手段によって受け付けられた印刷ジョブの印刷を実行可能な実行手段であって、印刷ジョブの印刷を妨げる特定要因が解消されないまま設定時間以上が経過した状態で前記受付手段によって受け付けられた印刷ジョブの印刷を自動的にキャンセルする機能を有する実行手段と、
を有する印刷装置であって、
前記特定要因が解消されていない前記印刷装置の現在の状態が、前記受付手段によって新規に受け付けられる印刷ジョブが、前記キャンセルする機能によって自動的にキャンセルされる状態であるということを示す情報を通知する通知手段をさらに有することを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
前記通知手段は、前記特定要因が解消されないまま前記設定時間が経過する前は、前記情報を通知せず、前記特定要因が解消されないまま前記設定時間が経過した後は、前記情報を通知することを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】
前記通知手段は、前記印刷装置の備える表示部に、前記情報を表示することを特徴とする請求項１または２に記載の印刷装置。
【請求項４】
前記通知手段は、前記印刷装置と通信する外部装置に前記情報を通知することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項５】
前記キャンセルする機能は、前記情報が表示されている状態で前記受付手段が受け付けた印刷ジョブの印刷を、当該印刷ジョブが受け付けられてから前記設定時間が経過する前にキャンセルすることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項６】
前記キャンセルする機能は、前記特定要因が解消されないまま前記設定時間以上が経過した時点で前記受付手段によってすでに受け付けられている印刷ジョブの印刷を自動的にキャンセルし、かつ、前記特定要因が解消されないまま前記設定時間以上が経過した状態で前記受付手段によって新規に受け付けられた印刷ジョブの印刷を自動的にキャンセルする機能であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項７】
ユーザから印刷ジョブの印刷の実行指示を受け付ける手段をさらに有し、
前記受付手段は、前記受け付ける手段によって前記実行指示が受け付けられると、印刷ジョブを新規に受け付け、
前記通知手段は、前記印刷装置の状態が前記キャンセルされる状態であるときに前記実行指示が受け付けられると、印刷ジョブの印刷が自動的にキャンセルされることをさらに通知することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項８】
印刷ジョブの印刷を自動的にキャンセルするとは、当該印刷ジョブの印刷を、当該印刷ジョブに対するユーザからのキャンセル指示なしにキャンセルすることであることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項９】
前記実行手段は、
印刷ジョブのリストを管理し、
前記受付手段によって受け付けられた印刷ジョブを前記リストに登録し、
前記印刷ジョブを前記リストから削除することで前記印刷ジョブの印刷をキャンセルすることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項１０】
印刷装置は、用紙を搬送し、当該搬送されたシートにトナーを用いて画像を印刷する手段を有し、
前記特定要因は、用紙詰まり、または、トナー不足であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項１１】
印刷ジョブを受け付ける受付工程と、
前記受付工程によって受け付けられた印刷ジョブの印刷を実行可能な実行工程と、
印刷ジョブの印刷を妨げる特定要因が解消されないまま設定時間以上が経過した状態で前記受付工程によって受け付けられた印刷ジョブの印刷を自動的にキャンセルする工程と、を有する印刷装置の制御方法であって、
前記特定要因が解消されていない前記印刷装置の現在の状態が、前記受付工程によって新規に受け付けられる印刷ジョブが、前記キャンセルする工程によって自動的にキャンセルされる状態であるということを示す情報を通知する通知工程をさらに有することを特徴とする印刷装置の制御方法。
【請求項１２】
前記通知工程は、前記特定要因が解消されないまま前記設定時間が経過する前は、前記情報を通知せず、前記特定要因が解消されないまま前記設定時間が経過した後は、前記情報を通知することを特徴とする請求項１１に記載の印刷装置の制御方法。
【請求項１３】
前記通知工程は、前記印刷装置の備える表示部に、前記情報を表示することを特徴とする請求項１１または１２に記載の印刷装置の制御方法。
【請求項１４】
コンピュータを請求項１乃至１０の何れか１項に記載の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月2日(2021.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末装置であって、
基地局装置から移動履歴情報を要求するメッセージを受信する受信部と、
前記メッセージに基づき、移動履歴情報を前記基地局装置に通知する送信部とを備え、
前記移動履歴情報は、第１の無線アクセス技術の第１のセルの識別子情報と、第２の無線アクセス技術の第２のセルの識別子情報とを含むリストを含み、
前記移動履歴情報は、さらに、前記第１のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報、および、前記第２のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報を含む、
端末装置。
【請求項２】
基地局装置であって、
端末装置に移動履歴情報を要求するメッセージを送信する送信部と、
移動履歴情報を前記端末装置から受信する受信部とを備え、
前記移動履歴情報は、第１の無線アクセス技術の第１のセルの識別子情報と、第２の無線アクセス技術の第２のセルの識別子情報とを含むリストを含み、
前記移動履歴情報は、さらに、前記第１のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報、および、前記第２のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報を含む、
基地局装置。
【請求項３】
端末装置に適用される通信方法であって、
基地局装置から移動履歴情報を要求するメッセージを受信するステップと、
前記メッセージに基づき、移動履歴情報を前記基地局装置に通知するステップとを含み、
前記移動履歴情報は、第１の無線アクセス技術の第１のセルの識別子情報と、第２の無線アクセス技術の第２のセルの識別子情報とを含むリストを含み、
前記移動履歴情報は、さらに、前記第１のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報、および、前記第２のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報を含む、
通信方法。
【請求項４】
基地局装置に適用される通信方法であって、
端末装置に移動履歴情報を要求するメッセージを送信するステップと、
移動履歴情報を前記端末装置から受信するステップとを含み、
前記移動履歴情報は、第１の無線アクセス技術の第１のセルの識別子情報と、第２の無線アクセス技術の第２のセルの識別子情報とを含むリストを含み、
前記移動履歴情報は、さらに、前記第１のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報、および、前記第２のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報を含む、
通信方法。
【請求項５】
端末装置に実装される集積回路であって、
基地局装置から移動履歴情報を要求するメッセージを受信する機能と、
前記メッセージに基づき、移動履歴情報を前記基地局装置に通知する機能とを前記端末装置に対して発揮させ、
前記移動履歴情報は、第１の無線アクセス技術の第１のセルの識別子情報と、第２の無線アクセス技術の第２のセルの識別子情報とを含むリストを含み、
前記移動履歴情報は、さらに、前記第１のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報、および、前記第２のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報を含む、
集積回路。
【請求項６】
基地局装置に実装される集積回路であって、
端末装置に移動履歴情報を要求するメッセージを送信する機能と、
移動履歴情報を前記端末装置から受信する機能とを前記基地局装置に対して発揮させ、
前記移動履歴情報は、第１の無線アクセス技術の第１のセルの識別子情報と、第２の無線アクセス技術の第２のセルの識別子情報とを含むリストを含み、
前記移動履歴情報は、さらに、前記第１のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報、および、前記第２のセルにおける前記端末装置の滞在時間情報を含む、
集積回路。
【請求項７】
前記移動履歴情報は、さらに、前記第１の無線アクセス技術のネットワークの外かつ前記第２の無線アクセス技術のネットワークの外における前記端末装置の滞在時間情報を含む、
請求項１に記載の端末装置。
【請求項８】
前記移動履歴情報は、さらに、前記第１の無線アクセス技術のネットワークの外かつ前記第２の無線アクセス技術のネットワークの外における前記端末装置の滞在時間情報を含む、
請求項２に記載の基地局装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月12日(2021.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
研削装置１は、といし軸４０と、コラム４１と、基板吸着装置１０と、テーブル２０と、制御盤５０と、を有する。といし軸４０は、コラム４１に支持されており、上下方向に移動可能に設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
制御盤５０は、各種情報を入力するための入力部や各種情報を表示するモニター、各種演算等を行う演算部等を有する。制御盤５０は、入力された情報に基づき、各種演算を実行し、研削装置１全体における加工の監視及び制御等を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
１     研削装置
１０   基板吸着装置
１１   貼付ハウジング
１２   本体部
１３   シート支持部
１４   シート
１５   真空ライン
１６   吸引口
１８   外周シール
２０   テーブル
２１   真空チャック
２１ａ 上面
２１ｂ 段差面
２１ｃ 上面
２２   真空ライン
２３   吸引口
２４   内周シール
３０   往復動装置
４０   といし軸
４１   コラム
５０   制御盤
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月25日(2021.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像から所定の物体を検出する検出手段と、
検出された前記物体の属性を判別する判別手段と、
前記物体の属性を提示する提示方法を決定する決定手段と、
前記決定手段で決定した前記提示方法に基づいて、前記物体の属性と前記画像とを出力する出力手段と、を備えることを特徴とする、
情報処理装置。
【請求項２】
前記決定手段 は、前記画像に対する前記物体の属性を示す情報を提示する領域の面積が所定の閾値より大きい場合に、前記物体の属性を示す情報を提示する領域をより小さくするように前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記画像に対する前記物体の属性を示す情報を提示する領域の面積の比率に基づいて、前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１又は２記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記決定手段は、検出された前記物体の画像の領域と前記物体の属性を示す情報を提示する領域との重複に基づいて、前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１又は２記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記決定手段は、検出された前記物体の検出数に基づいて、前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１又は２記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記検出手段により複数の物体が検出された場合に、前記決定手段は、検出された前記複数の物体間で共通する属性に基づいて、前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１又は２記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記決定手段は、前記物体の属性を提示する提示方法を変更するか否かを判定し、前記提示方法を変更すると判定した場合に、新たな提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１〜６のいずれか１項記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記提示方法は、表示手段に前記物体の属性と前記画像とを表示する位置を示すことを特徴とする、
請求項１〜７のいずれか１項記載の情報処理装置。
【請求項９】
所定の提示条件に基づいて、前記属性の中から提示する属性を選択する選択手段をさらに備え、
前記決定手段は、前記選択された属性を有する物体の前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１〜８のいずれか１項記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記決定手段は、前記物体の属性をグラフ、文字、数字、色、及びこれらの組み合わせで表現して前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１〜９のいずれか１項記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記決定手段は、前記物体の属性を示す情報を前記画像に重ねて表示するように前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１〜１０のいずれか１項記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記決定手段は、前記画像の枠外に前記物体の属性を示す情報を表示するように前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１〜１０のいずれか１項記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記検出手段により複数の物体が検出された場合に、前記決定手段は、前記画像の枠外に前記複数の物体についての前記属性の統計量を表示するように前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１２記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記決定手段は、前記属性の統計量を個数または割合で表示するように前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１３記載の情報処理装置。
【請求項１５】
前記決定手段は、前記属性の統計量をグラフまたはシンボルで表示するように前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１３又は１４記載の情報処理装置。
【請求項１６】
前記決定手段は、前記画像の枠外に前記複数の物体についての前記属性の統計量を表示するとともに、前記複数の物体のうち指定された物体と対応付けて当該物体の属性を前記画像と重ねて表示するように前記提示方法を決定することを特徴とする、
請求項１３〜１５のいずれか１項記載の情報処理装置。
【請求項１７】
前記所定の物体は人物であり、前記属性は性別または年齢を含むことを特徴とする、
請求項１〜１６のいずれか１項記載の情報処理装置。
【請求項１８】
画像から所定の物体を検出するステップと、
検出した前記物体の属性を判別するステップと、
前記物体の属性を提示する提示方法を決定するステップと、
決定した前記提示方法に基づいて、前記物体の属性と前記画像とを出力するステップと、を含むことを特徴とする、
画像表示方法。
【請求項１９】
コンピュータを、
画像から所定の物体を検出する検出手段、
検出された前記物体の属性を判別する判別手段、
前記物体の属性を提示する提示方法を決定する決定手段、
前記決定手段で決定した前記提示方法に基づいて、前記物体の属性と前記画像とを出力する出力手段、
として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項２０】
請求項１９に記載のコンピュータプログラムを記憶する、コンピュータにより読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の情報処理装置は、画像から所定の物体を検出する検出手段と、検出された前記物体の属性を判別する判別手段と、前記物体の属性を提示する提示方法を決定する決定手段と、前記決定手段で決定した前記提示方法に基づいて、前記物体の属性と前記画像とを出力する出力手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月28日(2021.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
第１の面及び前記第１の面と交差する側面を有し、前記第１の面が前記絶縁層から露出した接続端子と、
を有し、
前記絶縁層に、前記側面の少なくとも一部に沿った空隙が形成されており、
前記接続端子の直径は、前記第１の面から離間するにつれて減少していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記空隙は、前記側面の全周にわたって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の面が前記絶縁層の表面より深い位置にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層内に設けられ、前記接続端子に接続された導電層を有し、
前記導電層は、前記絶縁層の前記接続端子を露出する面とは反対側の面から露出していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記配線基板に実装された半導体チップと、
を有し、
前記半導体チップは、前記接続端子に接続された電極パッドを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁層にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内に、第１の面及び前記第１の面と交差する側面を有し、前記第１の面が前記絶縁層から露出する接続端子を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記側面の少なくとも一部に沿った空隙を形成する工程と、
を有し、
前記接続端子の直径は、前記第１の面から離間するにつれて減少することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
レーザ光の照射により前記空隙を形成することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
配線基板の一態様は、絶縁層と、第１の面及び前記第１の面と交差する側面を有し、前記第１の面が前記絶縁層から露出した接続端子と、を有し、前記絶縁層に、前記側面の少なくとも一部に沿った空隙が形成されており、前記接続端子の直径は、前記第１の面から離間するにつれて減少している。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月24日(2020.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕパッドと、
前記Ｃｕパッドを覆い、前記Ｃｕパッド上に開口部が形成された絶縁層と、
前記開口部内で前記Ｃｕパッド上に形成され、前記Ｃｕパッドよりも弾性率が高い第１の金属層と、
前記第１の金属層上に形成され、前記開口部内から前記絶縁層の上面より上方まで突出する接続端子と、
を有し、
前記接続端子は、
前記第１の金属層上に形成されたシード層と、
前記シード層上に形成された第２の金属層と、
を有し、
前記第１の金属層及び前記接続端子の積層体は、前記第１の金属層の厚さ方向の中間に断面積が最小となる括れ部を有し、
前記シード層は、前記第１の金属層の上から前記絶縁層の上面まで延びるように、前記第１の金属層の上面と、前記開口部の壁面と、前記絶縁層の上面とに形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２の金属層はＣｕめっき層を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の金属層はＮｉめっき層を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１の金属層の前記括れ部よりも前記Ｃｕパッド側の部分の上面は、外縁に向かって下方に傾斜していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記Ｃｕパッドの表面に窪みが形成されており、
前記第１の金属層の前記括れ部より下の部分が前記窪み内にあることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記絶縁層はソルダレジスト層であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記配線基板に実装された電子部品と、
を有し、
前記電子部品は、前記接続端子に接続された接続端子を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項８】
Ｃｕパッドを覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に前記Ｃｕパッドの一部を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部を通じて前記Ｃｕパッドのウェットエッチングを行うことにより、前記Ｃｕパッドの表面に窪みを形成する工程と、
前記開口部の下端よりも上面が上方に位置する第１の金属層を前記窪み及び前記開口部内に形成する工程と、
無電解めっき法により、前記第１の金属層の上から前記絶縁層の上面まで延びるように、前記第１の金属層の上面と、前記開口部の壁面と、前記絶縁層の上面とにシード層を形成する工程と、
電解めっき法により前記シード層上に第２の金属層を形成する工程と、
有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
配線基板の一態様は、Ｃｕパッドと、前記Ｃｕパッドを覆い、前記Ｃｕパッド上に開口部が形成された絶縁層と、前記開口部内で前記Ｃｕパッド上に形成され、前記Ｃｕパッドよりも弾性率が高い第１の金属層と、前記第１の金属層上に形成され、前記開口部内から前記絶縁層の上面より上方まで突出する接続端子と、を有し、前記接続端子は、前記第１の金属層上に形成されたシード層と、前記シード層上に形成された第２の金属層と、を有し、前記第１の金属層及び前記接続端子の積層体は、前記第１の金属層の厚さ方向の中間に断面積が最小となる括れ部を有し、前記シード層は、前記第１の金属層の上から前記絶縁層の上面まで延びるように、前記第１の金属層の上面と、前記開口部の壁面と、前記絶縁層の上面とに形成されている。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月27日(2021.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物の処理方法であって、
前記被加工物は、ルテニウム膜と、前記ルテニウム膜上に設けられたマスクとを有し、
前記処理方法は、
プラズマ処理により前記ルテニウム膜をエッチングする工程と、
原子堆積法により前記被加工物に保護膜を形成する工程であり、前記保護膜は前記マスクの側壁面に沿って延在する第１領域及び前記ルテニウム膜上に延在する第２領域を含む、前記工程と、
前記第１領域を残しつつ前記第２領域を除去するように前記保護膜をエッチングする工程と、
を備え、
前記ルテニウム膜をエッチングする工程は、
酸素含有ガスを用いたプラズマ処理により前記ルテニウム膜をエッチングする第１工程と、
塩素含有ガスを用いたプラズマ処理により前記ルテニウム膜をエッチングする第２工程と、
を含み、
前記第１工程と前記第２工程とは交互に実行される、
被加工物の処理方法。
【請求項２】
保護膜は、金属膜、酸化膜、窒化膜及び有機膜からなる群から選択された膜である、請求項１に記載の被加工物の処理方法。
【請求項３】
前記保護膜を形成する前記工程は、
前記被加工物上に前記保護膜の原料を含有する前駆体を堆積させるために、前記保護膜の前記原料を含有する前駆体ガスを前記被加工物に供給する工程と、
前記被加工物上の前記前駆体に活性種を供給するためにプラズマを生成する工程と、
を各々が含む複数回のサイクルを実行する、請求項１に記載の被加工物の処理方法。
【請求項４】
前記保護膜は有機膜であり、
前記保護膜を形成する前記工程は、
前記被加工物上に電子供与性の置換基を含むガスを供給する工程と、
前記被加工物上に電子吸引性の置換基を含むガスを供給する工程と、
を各々が含む複数回のサイクルを実行する、請求項１に記載の被加工物の処理方法。
【請求項５】
前記マスクの寸法の面内分布データを取得する工程と、
前記保護膜の堆積量と前記被加工物の温度との予め取得された関係と、前記マスクの寸法の面内分布データとに基づいて、前記マスクの寸法が設計値となるように、前記被加工物の各位置での目標温度を決定する工程と、
を含み、
前記保護膜を形成する工程においては、前記決定された前記被加工物の各位置での目標温度となるように前記被加工物の温度分布を制御する、
請求項１〜４の何れか一項に記載の被加工物の処理方法。
【請求項６】
前記ルテニウム膜の厚さの面内分布データを取得する工程と、
前記第１工程と前記第２工程とをセットとした１サイクル当たりのエッチング量と前記被加工物の温度と各工程の処理時間との予め取得された関係と、前記ルテニウム膜の厚さの前記面内分布データと、前記各工程の目標処理時間とに基づいて、前記ルテニウム膜の厚さが平坦となるように、前記被加工物の各位置の目標温度を決定する工程と、
を含み、
前記第１工程の目標処理時間はルテニウムと酸素との反応が飽和する処理時間以下であり、及び／又は、前記第２工程の目標処理時間はルテニウムと塩素との反応が飽和する処理時間以下であり、
前記第１工程及び前記第２工程においては、前記決定された前記被加工物の各位置での目標温度となるように前記被加工物の温度分布を制御する、
請求項１〜５の何れか一項に記載の被加工物の処理方法。
【請求項７】
前記第１工程と前記第２工程とをセットとした１サイクル当たりのエッチング量と前記被加工物の温度と各工程の処理時間との関係を取得する工程と、
前記関係と、前記関係に対応する温度範囲に設定された目標温度とに基づいて、前記各工程の目標処理時間を決定する工程と、
を含み、
前記第１工程の目標処理時間はルテニウムと酸素との反応が飽和する処理時間以上に、及び／又は、前記第２工程の目標処理時間はルテニウムと塩素との反応が飽和する処理時間以上に設定する、
請求項１〜４の何れか一項に記載の被加工物の処理方法。
【請求項８】
前記第１工程及び／又は前記第２工程後に、排気工程を備える、請求項１〜７の何れか一項に記載の被加工物の処理方法。
【請求項９】
前記ルテニウム膜をエッチングする工程の後に、前記第１工程と前記第２工程とをセットとしたサイクルの実行サイクル数が、前記保護膜を形成するタイミングを判定するために予め定められた閾値である指定サイクル数と等しいか否かを判定する工程を備える、請求項１〜８の何れか一項に記載の被加工物の処理方法。
【請求項１０】
前記実行サイクルが前記指定サイクル数と等しいか否かを判定する工程において、前記実行サイクル数が前記指定サイクル数と等しいと判定した場合に、前記保護膜を形成する工程を実行する、請求項９に記載の被加工物の処理方法。
【請求項１１】
前記実行サイクルが前記指定サイクル数と等しいか否かを判定する工程において、前記実行サイクル数が前記指定サイクル数と等しくないと判定した場合に、又は、前記保護膜を形成する工程の実行後に、前記実行サイクル数が、予め設定された目標サイクル数と等しいか否かを判定する工程をさらに備える、請求項９又は１０に記載の被加工物の処理方法。
【請求項１２】
前記実行サイクルが前記目標サイクルと等しいか否かを判定する工程において、前記実行サイクルが前記目標サイクルと等しいと判定した場合には、前記処理方法を終了し、前記実行し来るが前記目標サイクルと等しくないと判定した場合には、前記ルテニウム膜をエッチングする工程及び前記実行サイクルが前記指定サイクル数と等しいか否かを判定する工程を再度実行する、請求項１１に記載の被加工物の処理方法。
【請求項１３】
前記第１工程と前記第２工程とをセットとした１サイクル当たりのエッチング量と前記被加工物の温度と各工程の処理時間との関係を取得する工程と、
前記関係に基づいて、前記各工程の目標温度及び目標処理時間を決定する工程と、
を含む、
請求項１〜４の何れか一項に記載の被加工物の処理方法。
【請求項１４】
前記第１工程と前記第２工程とをセットとした１サイクル当たりのエッチング量と前記被加工物の温度と各工程の処理時間との関係を取得する工程と、
前記ルテニウム膜の厚さの面内分布データを取得する工程と、
前記関係と、前記面内分布データとに基づいて、前記各工程の目標温度及び目標処理時間を決定する工程と、
を含む、
請求項１〜４の何れか一項に記載の被加工物の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月18日(2021.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
上記配管１６５、１６６、および１６７の一端は、ガス流路１１３に接続されている。Ｂ２Ｈ６ガス供給源１６８は、ボロン含有ガスであるＢ２Ｈ６ガスを供給するものであり、配管１６５に接続されている。Ａｒガス供給源１６９は、希ガスであるＡｒガスを供給するものであり、配管１６６に接続されている。Ｈｅガス供給源１７０は、希ガスであるＨｅガスを供給するものであり、配管１６７に接続されている。これらガス供給源１６８、１６９、１７０から配管１６５、１６６、１６７およびガス流路１１３を介してＢ２Ｈ６ガス、Ａｒガス、Ｈｅガスがシャワーヘッド１１０のガス拡散空間１１１に至り、ガス吐出孔１１２からチャンバ１０１内のウエハＷに向けて吐出される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
成膜装置２００は、制御部１５０を有している。制御部１５０は、ボロン系膜形成装置２００の各構成部、例えばバルブ類、流量制御器、ヒーター電源、高周波電源１０７、１０９等を制御する。制御部１５０は、ＣＰＵを有する主制御部と、入力装置、出力装置、表示装置、および記憶装置を有している。記憶装置には、成膜装置２００で実行される処理を制御するためのプログラム、すなわち処理レシピが格納された記憶媒体がセットされ、主制御部は、記憶媒体に記憶されている所定の処理レシピを呼び出し、その処理レシピに基づいて成膜装置２００に所定の処理を行わせるように制御する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
載置台１０２の温度を５００℃以下、好ましくは６０〜５００℃、例えば３００℃に設定する。ＡｒガスおよびＨｅガスをチャンバ１０１内に供給してチャンバ１０１内の圧力を、好ましくは０．６７〜１３３．３Ｐａ（５〜１０００ｍＴｏｒｒ）、例えば５０ｍＴｏｒｒ（６．７Ｐａ）に調圧する。そして、Ｂ２Ｈ６ガスを所定流量でチャンバ１０１内に供給しつつ、プラズマ生成用高周波電源１０７から載置台１０２にプラズマ生成用の第１の高周波電力を印加する。これにより、上部電極であるガスシャワーヘッド１１０と下部電極である載置台１０２との間に高周波電界を形成し、容量結合プラズマを生成してプラズマＣＶＤにより、初期ボロン系膜として、厚さ２ｎｍ以下の初期ボロン膜を成膜する。このとき、バイアス電圧印加用高周波電源１０９からのバイアス電圧（高周波バイアス）は印加しないことが好ましい。このときのガス流量は、第１の例の装置の場合と同様の範囲に設定すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
初期ボロン膜の成膜が終了後、Ｂ２Ｈ６ガスを停止し、チャンバ１０１内を排気しつつＨｅガスおよびＡｒガスを導入してチャンバ１０１内のパージを行う。そして、ガスをＡｒガスのみとし、初期ボロン膜の成膜の際と同様、容量結合プラズマを生成してＡｒプラズマ処理を行う。このとき、バイアス電圧印加用高周波電源１０９から５０〜５００Ｗ（７１〜７１０ｍＷ／ｃｍ２）、例えば３００Ｗ（４２０ｍＷ／ｃｍ２）の高周波バイアスを印加してＡｒイオンの作用を高めることが好ましい。このＡｒプラズマによる処理により、例えばＳｉ−Ｂ−Ｏからなる界面密着層を形成する。このとき圧力は、２６．７〜１３３．３Ｐａ（２００〜１０００ｍＴｏｒｒ）の範囲が好ましい。また、この際の温度は、初期ボロン膜成膜の際と同一であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月27日(2021.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバを提供するチャンバ本体と、
前記チャンバ内に設けられ、静電チャックを有するステージと、
前記静電チャックの上面に伝熱ガスを供給するように構成されたガス供給機構と、
前記静電チャックに電圧を印加するように構成された直流電源と、
前記チャンバ内のガスのプラズマを生成するための高周波を前記チャンバ内に設けられた電極に供給するように構成された高周波電源と、
前記直流電源を制御するように構成されたコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、プラズマに応じて発生する自己バイアス電圧の絶対値が大きくなるほど小さい値を出力する第１関数の出力と、前記ガス供給機構により前記静電チャックの上面に供給される前記伝熱ガスの圧力が大きくなるほど大きい値を出力する第２関数の出力と、を結合させて導出される電圧を、前記静電チャックに印加するように前記直流電源を制御する、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記静電チャックに保持された被加工物の温度、又は、前記被加工物の温度と相関のある温度を検出する検出器を備え、
前記コントローラは、前記検出器により検出された温度に基づいて、前記直流電源による電圧印加タイミングを制御する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記高周波電源により前記電極に前記高周波が印加された後であって、前記検出器により検出された温度が予め定められた温度閾値以上となる第１タイミング、前記被加工物の温度が予め定められた温度閾値以上となる予想時間が経過した第２タイミング、又は、前記第１タイミング及び前記第２タイミングの何れか早い方のタイミングになったときに、前記静電チャックへの電圧の印加が開始されるように前記直流電源を制御する、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記直流電源による電圧印加と同じタイミングで又は予め定められた時間経過後に前記伝熱ガスの供給が開始されるように、前記ガス供給機構をさらに制御する、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記コントローラは、前記高周波電源により前記電極に前記高周波が印加された後であって、かつ、前記直流電源による電圧印加が開始された後において、前記検出器により検出された温度が予め定められた温度閾値以上となる第３タイミング、前記被加工物の温度が予め定められた温度閾値以上となる予想時間が経過した第４タイミング、又は、前記第３タイミング及び前記第４タイミングの何れか早い方のタイミングになったときに、前記伝熱ガスの供給が開始されるように前記ガス供給機構をさらに制御する、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記コントローラは、前記伝熱ガスの圧力が時間経過とともに増大するように前記ガス供給機構をさらに制御する、請求項１〜５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記コントローラは、前記伝熱ガスの圧力が所定の伝熱ガス閾値以下となるように前記ガス供給機構をさらに制御する、請求項１〜６の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記コントローラは、Ｖｄｃを前記自己バイアス電圧、ｆ（｜Ｖｄｃ｜）を前記第１関数、Ｐを前記伝熱ガスの圧力、ｆ（Ｐ）を前記第２関数、α及びβを定数とした場合に、
Ｖ＝α・ｆ（｜Ｖｄｃ｜）＋β・ｆ（Ｐ）
で表される結合を行うことによって導出される電圧を、前記静電チャックに印加するように前記直流電源を制御する、請求項１〜７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記温度閾値は、予めレシピデータとして記憶された前記被加工物の目標温度に所定定数を乗算して得られる値である、請求項３〜５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
プラズマ処理装置のプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
チャンバを提供するチャンバ本体と、
前記チャンバ内に設けられ、静電チャックを有するステージと、
前記静電チャックの上面に伝熱ガスを供給するように構成されたガス供給機構と、
前記静電チャックに電圧を印加するように構成された直流電源と、
前記チャンバ内のガスのプラズマを生成するための高周波を前記チャンバ内に設けられた電極に供給するように構成された高周波電源と、
を備え、
プラズマに応じて発生する自己バイアス電圧の絶対値が大きくなるほど小さい値を出力する第１関数の出力と、前記ガス供給機構により前記静電チャックの上面に供給される前記伝熱ガスの圧力が大きくなるほど大きい値を出力する第２関数の出力と、を結合させて、前記静電チャックに印加される電圧を決定する工程と、
前記決定する工程にて決定された電圧を前記静電チャックに印加する工程と、
を有する、プラズマ処理方法。
【請求項１１】
前静電チャックに印加される電圧を決定する工程は、前記静電チャックに保持された被加工物の温度に基づいて、前記電圧を印加するタイミングをさらに決定し、
前記決定された電圧を前記静電チャックに印加する工程は、前記タイミングで前記決定された電圧を前記静電チャックに印加する、
請求項１０に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記ガス供給機構により前記静電チャックの上面に前記伝熱ガスを供給する工程を備える、請求項１０又は１１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１３】
前記伝熱ガスを供給する工程は、前記静電チャックに保持された被加工物の温度に基づいて決定されたタイミングで、前記伝熱ガスを供給する、請求項１２に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月30日(2021.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を含侵可能な素材により形成されるセパレータと、
前記セパレータに包み込まれたマグネシウムを含むマグネシウム板と、
導体により形成されかつ前記マグネシウム板に電気的に接続される回転軸と、
を備え、
前記回転軸が、前記マグネシウム板の中心付近に貫通して配置され、
前記マグネシウム板が、前記回転軸を中心として回転する、
マグネシウム燃料体。
【請求項２】
前記マグネシウム板が円盤状に形成されている、請求項１に記載のマグネシウム燃料体。
【請求項３】
複数の前記マグネシウム板が、前記回転軸を共用しかつ前記回転軸を中心として回転するように配置されている、請求項１に記載のマグネシウム燃料体。
【請求項４】
マグネシウム板が円盤状に形成され、そして複数の前記マグネシウム板が、前記回転軸を共用しかつ回転軸を中心として回転するように、複数の前記マグネシウム板が配置されている、請求項１に記載のマグネシウム燃料体。
【請求項５】
前記回転軸のための駆動装置を、更に、備える、請求項１に記載のマグネシウム燃料体。
【請求項６】
前記回転軸のための駆動装置を、更に、備え、
複数の前記マグネシウム板が、前記回転軸を共用しかつ前記回転軸を中心として回転するように、複数の前記マグネシウム板が配置されている、
請求項１に記載のマグネシウム燃料体。
【請求項７】
前記回転軸のための駆動装置を、更に、備え、
前記マグネシウム板が、円盤状に形成されていて、そして
複数の前記マグネシウム板が、前記回転軸を共用しかつ前記回転軸を中心として回転するように、複数の前記マグネシウム板が配置されている、
請求項１に記載のマグネシウム燃料体。
【請求項８】
前記回転軸のための駆動装置を、更に、備え、
前記駆動装置が、弾性体の周りに渦巻き状に巻いた、ぜんまいを備える、
請求項１に記載のマグネシウム燃料体。
【請求項９】
前記回転軸のための駆動装置を、更に、備え、
前記駆動装置が、弾性体の周りに渦巻き状に巻いた、ぜんまいを備え、
複数の前記マグネシウム板が、前記回転軸を共用しかつ前記回転軸を中心として回転するように、複数の前記マグネシウム板が配置されている、
請求項１に記載のマグネシウム燃料体。
【請求項１０】
前記回転軸のための駆動装置を、更に、備え、
前記駆動装置が、弾性体の周りに渦巻き状に巻いた、ぜんまいを備え、
前記マグネシウム板が、円盤状に形成されていて、そして
複数の前記マグネシウム板が、前記回転軸を共用しかつ前記回転軸を中心として回転するように、複数の前記マグネシウム板が配置されている、
請求項１に記載のマグネシウム燃料体。
【請求項１１】
液体を含侵可能な素材により形成されるセパレータと、
前記セパレータに包み込まれたマグネシウムを含むマグネシウム板と、
導体により形成され、かつ前記マグネシウム板に電気的に接続され、前記マグネシウム板の中心付近に貫通して配置されている回転軸であって、前記マグネシウム板が、前記回転軸を中心として回転する、回転軸と、
前記マグネシウム板および前記セパレータを上下から挟むことにより、前記マグネシウム板と前記セパレータに接触するように配置されるカソードと、
内部に電解液を保持する電解液保持部と、
を備えるマグネシウム電池であって、
燃料となる前記マグネシウム板が、前記回転軸による回転により移動しそして前記電解液保持部内において電解液を含浸し、前記カソードに挿入された前記マグネシウム板が、起電力を発生させるための燃料となり、
前記マグネシウム板の挿入によって反応が起きた後、未反応の前記マグネシウム板が前記カソードに挿入されると同時に、前記マグネシウム板が、前記カソードから引き出される、
マグネシウム電池。
【請求項１２】
前記カソードが扇形に形成されている、請求項１１に記載のマグネシウム電池。
【請求項１３】
複数のカソードを、更に、備える、請求項１１に記載のマグネシウム電池。
【請求項１４】
複数のカソードを、備え、前記複数のカソードのうちの各カソードが、扇形に形成されている、請求項１１に記載のマグネシウム電池。
【請求項１５】
前記マグネシウム板が円盤状に形成されている、請求項１１に記載のマグネシウム電池。
【請求項１６】
複数の前記マグネシウム板が、前記回転軸を共用しかつ前記回転軸を中心として回転するように、複数の前記マグネシウム板が配置されている、請求項１１に記載のマグネシウム電池。
【請求項１７】
前記マグネシウム板が、円盤状に形成されていて、そして複数の前記マグネシウム板が、前記回転軸を共用しかつ前記回転軸を中心として回転するように、複数の前記マグネシウム板が配置されている、請求項１１に記載のマグネシウム電池。
【請求項１８】
前記回転軸のための駆動装置を、更に、備え、
前記駆動装置が、弾性体の周りに渦巻き状に巻いた、ぜんまいを備える、
請求項１１に記載のマグネシウム電池。
【請求項１９】
前記回転軸のための駆動装置を、更に、備え、
前記駆動装置が、弾性体の周りに渦巻き状に巻いた、ぜんまいを備え、
複数の前記マグネシウム板が、前記回転軸を共用しかつ前記回転軸を中心として回転するように、複数の前記マグネシウム板が配置されている、
請求項１１に記載のマグネシウム電池。
【請求項２０】
前記回転軸のための駆動装置を、更に、備え、
前記駆動装置が、弾性体の周りに渦巻き状に巻いた、ぜんまいを備え、
前記マグネシウム板が、円盤状に形成されていて、そして
複数の前記マグネシウム板が、前記回転軸を共用しかつ前記回転軸を中心として回転するように、複数の前記マグネシウム板が配置されている、
請求項１１に記載のマグネシウム電池。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月5日(2021.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズを有するカメラ部と、
前記レンズの光入射面と対向する開口部を有して前記カメラ部を支持し、間隙を隔てて前記カメラ部を包囲する筐体部と、
前記レンズに離間して前記開口部に取り付けられ、前記筐体部を密閉する透光性のカバー部と、
前記間隙に配置され、前記間隙の空気を前記カバー部との間で循環させるファンと、
前記筐体部に穿設され、前記間隙を外部へ開放する通気口と、
前記通気口を塞ぐ防水通気膜と、を備え、
前記防水通気膜は、前記ファンから吹き出された空気が前記カバー部へ向かって流れる流路に配置される、
監視カメラ。
【請求項２】
前記通気口および前記防水通気膜が複数設けられる、
請求項１に記載の監視カメラ。
【請求項３】
前記通気口および前記防水通気膜の一つは、前記ファンから吹き出された空気が前記カバー部へ向かって流れる流路に配置され、前記通気口および前記防水通気膜の一つは、前記カバー部から前記ファンへの還流側の流路に配置される、
請求項２に記載の監視カメラ。
【請求項４】
前記間隙に面して設けられ、前記空気を加熱するヒータ、をさらに備える、
請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の監視カメラ。
【請求項５】
前記ヒータは、第１ヒータと、前記第１ヒータよりも発熱量の小さい第２のヒータとを有する、
請求項４に記載の監視カメラ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月29日(2021.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上チャック１１１の上面側には、上チャック１１１を鉛直下方に押圧する加圧機構１２０が設けられている。加圧機構１２０は、上チャック１１１を鉛直下方に移動させることにより、被処理基板Ｗを支持基板Ｓに接触させて加圧する。かかる加圧機構１２０は、上下一対の支持板１２１、１２２（下側の支持板を１２１とし、上側の支持板を１２２とする。）と、支持板１２１、１２２の間において被処理基板Ｗと支持基板Ｓを覆うように設けられた圧力容器１２３と、圧力容器１２３の内部に流体、例えば圧縮空気を供給する流体供給管１２４と、内部に流体を貯留し、流体供給管１２４を介して圧力容器１２３に流体を供給する流体供給源１２５とを有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
その後、図６（ｂ）に示すようにチャック１６０を上昇させ、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎがカバー１６３の当接面１６３ａに当接する。そして、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを所定の圧力で押圧して、被処理基板Ｗの形状と支持基板Ｓの形状をそれぞれ適切に維持する。