【手続補正書】
【提出日】令和2年11月27日(2020.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソレノイド（１００，１００ａ〜１００ｈ）であって、
通電により磁力を発生するコイル（２０）と、
前記コイルの内側に配置されて軸方向（ＡＤ）に摺動する柱状のプランジャ（３０）と、
前記軸方向に沿った側面部（１２）と、前記軸方向と交差する方向に形成され前記プランジャの基端面（３４）と対向する底部（１４）と、を有し、前記コイルと前記プランジャとを収容するヨーク（１０）と、
ステータコア（４０，４０ｄ，４０ｅ，４０ｇ）であって、
前記軸方向において前記プランジャの先端面（３２）と対向して配置されて前記コイルが発生する磁力により前記プランジャを磁気吸引する磁気吸引コア（５０）と、
前記プランジャに対して径方向外側に配置された筒状のコア部（６１，６１ｄ）と、前記底部と対向する前記コア部の端部（６２，６２ｄ）から径方向外側に向かって形成され、前記コア部を介して前記ヨークと前記プランジャとの間における磁束の受け渡しを行なう第１磁束受渡部（６５，６５ｄ，６５ｅ）と、を有する摺動コア（６０，６０ｄ，６０ｅ）と、
前記摺動コアと前記磁気吸引コアとの間における磁束の通過を抑制する磁束通過抑制部（７０，７０ｇ，７０ｈ）と、
を有するステータコアと、
前記磁気吸引コアにおける前記軸方向の端部であって前記プランジャ側とは反対側の端部（５４）の径方向外側に配置され、前記磁気吸引コアと前記側面部との間における磁束の受け渡しを行なう第２磁束受渡部（１８）と、
を備え、
前記第１磁束受渡部は、前記側面部と前記底部とのうちの少なくとも一方に圧接され、
前記コア部と前記第１磁束受渡部とは単一部材より一体に形成されている、
ソレノイド。
【請求項２】
ソレノイド（１００，１００ａ〜１００ｈ）であって、
通電により磁力を発生するコイル（２０）と、
前記コイルの内側に配置されて軸方向（ＡＤ）に摺動する柱状のプランジャ（３０）と、
前記軸方向に沿った側面部（１２）と、前記軸方向と交差する方向に形成され前記プランジャの基端面（３４）と対向する底部（１４）と、を有し、前記コイルと前記プランジャとを収容するヨーク（１０）と、
ステータコア（４０，４０ｄ，４０ｅ，４０ｇ）であって、
前記軸方向において前記プランジャの先端面（３２）と対向して配置されて前記コイルが発生する磁力により前記プランジャを磁気吸引する磁気吸引コア（５０）と、
前記プランジャに対して径方向外側に配置された筒状のコア部（６１，６１ｄ）と、前記底部と対向する前記コア部の端部（６２，６２ｄ）から径方向外側に向かって形成され、前記コア部を介して前記ヨークと前記プランジャとの間における磁束の受け渡しを行なう第１磁束受渡部（６５，６５ｄ，６５ｅ）と、を有する摺動コア（６０，６０ｄ，６０ｅ）と、
前記摺動コアと前記磁気吸引コアとの間における磁束の通過を抑制する磁束通過抑制部（７０，７０ｇ，７０ｈ）と、
を有するステータコアと、
前記磁気吸引コアにおける前記軸方向の端部であって前記プランジャ側とは反対側の端部（５４）の径方向外側に配置され、前記磁気吸引コアと前記側面部との間における磁束の受け渡しを行なう第２磁束受渡部（１８）と、
を備え、
前記第１磁束受渡部は、前記側面部と前記底部とのうちの少なくとも一方に圧接され、
前記第１磁束受渡部は、前記側面部への圧入と、前記側面部の径方向外側からのかしめ固定とのうちの少なくとも一方により、前記側面部に圧接されている、
ソレノイド。
【請求項３】
ソレノイド（１００，１００ａ〜１００ｈ）であって、
通電により磁力を発生するコイル（２０）と、
前記コイルの内側に配置されて軸方向（ＡＤ）に摺動する柱状のプランジャ（３０）と、
前記軸方向に沿った側面部（１２）と、前記軸方向と交差する方向に形成され前記プランジャの基端面（３４）と対向する底部（１４）と、を有し、前記コイルと前記プランジャとを収容するヨーク（１０）と、
ステータコア（４０，４０ｄ，４０ｅ，４０ｇ）であって、
前記軸方向において前記プランジャの先端面（３２）と対向して配置されて前記コイルが発生する磁力により前記プランジャを磁気吸引する磁気吸引コア（５０）と、
前記プランジャに対して径方向外側に配置された筒状のコア部（６１，６１ｄ）と、前記底部と対向する前記コア部の端部（６２，６２ｄ）から径方向外側に向かって形成され、前記コア部を介して前記ヨークと前記プランジャとの間における磁束の受け渡しを行なう第１磁束受渡部（６５，６５ｄ，６５ｅ）と、を有する摺動コア（６０，６０ｄ，６０ｅ）と、
前記摺動コアと前記磁気吸引コアとの間における磁束の通過を抑制する磁束通過抑制部（７０，７０ｇ，７０ｈ）と、
を有するステータコアと、
前記磁気吸引コアにおける前記軸方向の端部であって前記プランジャ側とは反対側の端部（５４）の径方向外側に配置され、前記磁気吸引コアと前記側面部との間における磁束の受け渡しを行なう第２磁束受渡部（１８）と、
を備え、
前記第１磁束受渡部は、前記側面部と前記底部とのうちの少なくとも一方に圧接され、
前記側面部の端部であって前記底部側とは反対側の端部（１７）は、前記軸方向に沿って前記底部側へとかしめ固定され、
前記底部は、前記かしめ固定の荷重により弾性変形して前記第１磁束受渡部と圧接されている、
ソレノイド。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のソレノイドにおいて、
前記第１磁束受渡部は、前記コア部と別体に形成され、貫通孔（６６ｄ）を有し、
前記コア部は、前記貫通孔に挿入されて前記第１磁束受渡部と一体化されている、
ソレノイド。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のソレノイドにおいて、
前記軸方向において前記コイルと前記第１磁束受渡部との間に配置され、前記第１磁束受渡部を前記底部側へと付勢する弾性部材（４１０，４１０ｂ）をさらに備える、
ソレノイド。
【請求項６】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のソレノイドにおいて、
前記軸方向において前記コイルと前記第２磁束受渡部との間に配置され、前記コイルと前記第１磁束受渡部とを前記底部側へと付勢する弾性部材（４１０，４１０ｂ）をさらに備える、
ソレノイド。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載のソレノイドにおいて、
前記弾性部材は、ウェーブワッシャーにより構成されている、
ソレノイド。
【請求項８】
請求項５または請求項６に記載のソレノイドにおいて、
前記弾性部材は、ゴム材料により構成されている、
ソレノイド。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載のソレノイドにおいて、
前記磁束通過抑制部は、非磁性体により形成されて前記磁気吸引コアと前記摺動コアとを物理的に接続する接続部（７２ｇ，７２ｈ）を含む、
ソレノイド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本開示の一形態によれば、ソレノイド（１００，１００ａ〜１００ｈ）が提供される。このソレノイドは、通電により磁力を発生するコイル（２０）と；前記コイルの内側に配置されて軸方向（ＡＤ）に摺動する柱状のプランジャ（３０）と；前記軸方向に沿った側面部（１２）と、前記軸方向と交差する方向に形成され前記プランジャの基端面（３４）と対向する底部（１４）と、を有し、前記コイルと前記プランジャとを収容するヨーク（１０）と；ステータコア（４０，４０ｄ，４０ｅ，４０ｇ）であって；前記軸方向において前記プランジャの先端面（３２）と対向して配置されて前記コイルが発生する磁力により前記プランジャを磁気吸引する磁気吸引コア（５０）と；前記プランジャに対して径方向外側に配置された筒状のコア部（６１，６１ｄ）と、前記底部と対向する前記コア部の端部（６２，６２ｄ）から径方向外側に向かって形成され、前記コア部を介して前記ヨークと前記プランジャとの間における磁束の受け渡しを行なう第１磁束受渡部（６５，６５ｄ，６５ｅ）と、を有する摺動コア（６０，６０ｄ，６０ｅ）と；前記摺動コアと前記磁気吸引コアとの間における磁束の通過を抑制する磁束通過抑制部（７０，７０ｇ，７０ｈ）と；を有するステータコアと；前記磁気吸引コアにおける前記軸方向の端部であって前記プランジャ側とは反対側の端部（５４）の径方向外側に配置され、前記磁気吸引コアと前記側面部との間における磁束の受け渡しを行なう第２磁束受渡部（１８）と；を備え；前記第１磁束受渡部は、前記側面部と前記底部とのうちの少なくとも一方に圧接され、前記コア部と前記第１磁束受渡部とは単一部材より一体に形成されている。
また、本開示の他の形態によれば、ソレノイド（１００，１００ａ〜１００ｈ）が提供される。このソレノイドは、通電により磁力を発生するコイル（２０）と；前記コイルの内側に配置されて軸方向（ＡＤ）に摺動する柱状のプランジャ（３０）と；前記軸方向に沿った側面部（１２）と、前記軸方向と交差する方向に形成され前記プランジャの基端面（３４）と対向する底部（１４）と、を有し、前記コイルと前記プランジャとを収容するヨーク（１０）と；ステータコア（４０，４０ｄ，４０ｅ，４０ｇ）であって；前記軸方向において前記プランジャの先端面（３２）と対向して配置されて前記コイルが発生する磁力により前記プランジャを磁気吸引する磁気吸引コア（５０）と；前記プランジャに対して径方向外側に配置された筒状のコア部（６１，６１ｄ）と、前記底部と対向する前記コア部の端部（６２，６２ｄ）から径方向外側に向かって形成され、前記コア部を介して前記ヨークと前記プランジャとの間における磁束の受け渡しを行なう第１磁束受渡部（６５，６５ｄ，６５ｅ）と、を有する摺動コア（６０，６０ｄ，６０ｅ）と；前記摺動コアと前記磁気吸引コアとの間における磁束の通過を抑制する磁束通過抑制部（７０，７０ｇ，７０ｈ）と；を有するステータコアと；前記磁気吸引コアにおける前記軸方向の端部であって前記プランジャ側とは反対側の端部（５４）の径方向外側に配置され、前記磁気吸引コアと前記側面部との間における磁束の受け渡しを行なう第２磁束受渡部（１８）と；を備え；前記第１磁束受渡部は、前記側面部と前記底部とのうちの少なくとも一方に圧接され、前記第１磁束受渡部は、前記側面部への圧入と、前記側面部の径方向外側からのかしめ固定とのうちの少なくとも一方により、前記側面部に圧接されている。
また、本開示の他の形態によれば、ソレノイド（１００，１００ａ〜１００ｈ）が提供される。このソレノイドは、通電により磁力を発生するコイル（２０）と；前記コイルの内側に配置されて軸方向（ＡＤ）に摺動する柱状のプランジャ（３０）と；前記軸方向に沿った側面部（１２）と、前記軸方向と交差する方向に形成され前記プランジャの基端面（３４）と対向する底部（１４）と、を有し、前記コイルと前記プランジャとを収容するヨーク（１０）と；ステータコア（４０，４０ｄ，４０ｅ，４０ｇ）であって；前記軸方向において前記プランジャの先端面（３２）と対向して配置されて前記コイルが発生する磁力により前記プランジャを磁気吸引する磁気吸引コア（５０）と；前記プランジャに対して径方向外側に配置された筒状のコア部（６１，６１ｄ）と、前記底部と対向する前記コア部の端部（６２，６２ｄ）から径方向外側に向かって形成され、前記コア部を介して前記ヨークと前記プランジャとの間における磁束の受け渡しを行なう第１磁束受渡部（６５，６５ｄ，６５ｅ）と、を有する摺動コア（６０，６０ｄ，６０ｅ）と；前記摺動コアと前記磁気吸引コアとの間における磁束の通過を抑制する磁束通過抑制部（７０，７０ｇ，７０ｈ）と；を有するステータコアと；前記磁気吸引コアにおける前記軸方向の端部であって前記プランジャ側とは反対側の端部（５４）の径方向外側に配置され、前記磁気吸引コアと前記側面部との間における磁束の受け渡しを行なう第２磁束受渡部（１８）と；を備え；前記第１磁束受渡部は、前記側面部と前記底部とのうちの少なくとも一方に圧接され、前記側面部の端部であって前記底部側とは反対側の端部（１７）は、前記軸方向に沿って前記底部側へとかしめ固定され、前記底部は、前記かしめ固定の荷重により弾性変形して前記第１磁束受渡部と圧接されている。