(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的接続を形成する半導体処理方法であって、該方法は、
電通が望まれるコンタクトパッドを有する導電ランナを、半導体基板の外表面の上に形成する過程と、
前記コンタクトパッドに横方向に近接する導電プラグを形成する過程と、
前記コンタクトパッド及び前記導電プラグの上に絶縁材料を形成する過程と、
前記コンタクトパッドの少なくとも一部分及び前記導電プラグの少なくとも一部分を前記絶縁材料を通して外方に露出させる過程と、
前記コンタクトパッドおよび前記導電プラグの間に電気的接続を形成する過程と、
からなることを特徴とする電気的接続を形成する半導体処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体処理方法であって、
前記導電ランナは、基板外表面の外方に導電ランナの高さを画定する最外面を含み、
前記導電プラグを形成する過程は、該プラグを基板外表面から前記導電ランナの高さより小さい距離で外方に延びるように形成することを含む、
ことを特徴とする電気的接続を形成する半導体処理方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体処理方法であって、
前記導電ランナは、基板外面の外方に導電ランナの高さを画定する最外面を含み、
前記導電プラグを形成する過程は、該プラグを基板外表面から前記導電ランナの高さより大きい距離で外方に延びるように形成することを含む、
ことを特徴とする電気的接続を形成する半導体処理方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体処理方法であって、前記導電プラグが前記導電ランナの最外面と重なる部分を含む、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体処理方法であって、前記導電プラグを形成する過程が、前記コンタクトパッドに横方向に近接する、前記コンタクトパッドのどちらかの側に位置する他の導電プラグを形成することを含む、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体処理方法であって、
前記導電ランナは、基板外表面の外方に導電ランナの高さを画定する最外面を含み、
前記導電プラグを形成する過程は、該プラグを基板外表面からそれぞれ前記導電ランナの高さより大きい距離で外方に延びるように形成することを含む、
ことを特徴とする電気的接続を形成する半導体処理方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体処理方法であって、前記導電プラグの少なくとも一つが前記導電ランナの最外面と重なる部分を含む、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体処理方法であって、前記導電プラグの両方が前記導電ランナの最外面と重なる部分を含む、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項９】
導電ランナにコンタクト用開口を形成する方法であって、
半導体基板の上に外側コンタクト用開口目標領域を有する導電ランナを形成する過程と、
絶縁材料の中に、ランナ目標領域に横方向に隣接する少なくとも一つの導電プラグを形成する過程であって、該プラグが、前記導電ランナから横方向に延びる線に沿う二つの位置で半導体基板においておよびそれに対して実質的に自己整合したコンタクト用開口の中に形成される、導電プラグを形成する過程と、
前記ランナおよびプラグを覆う絶縁材料を通して、前記ランナ目標領域に対しておよびそれに重なり合うコンタクト用開口をエッチングする過程と、
からなることを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項１０】
請求項９記載のコンタクト用開口を形成する方法であって、
前記導電ランナは、基板外表面の外方に導電ランナの高さを画定する最外面を含み、
前記導電プラグを形成する過程は、該プラグを基板外表面から前記導電ランナの高さより小さい距離で外方に延びるように形成することを含む、
ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項１１】
請求項９記載のコンタクト用開口を形成する方法において、自己整合の位置の一つは前記導電ランナによって画定される、ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項１２】
請求項１１記載のコンタクト用開口を形成する方法において、自己整合の位置のもう一方の位置は次に隣接する導電ランナによって画定される、ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項１３】
請求項９記載のコンタクト用開口を形成する方法であって、
前記導電ランナは、基板外表面の外方に導電ランナの高さを画定する最外面を含み、
前記導電プラグを形成する過程は、該プラグを基板外表面から前記導電ランナの高さより大きい距離で外方に延びるように形成することを含む、
ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項１４】
請求項１３記載のコンタクト用開口を形成する方法において、前記導電プラグが前記目標領域と重なる部分を含む、ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項１５】
請求項９記載のコンタクト用開口を形成する方法であって、前記導電プラグを形成する過程が、絶縁材料の中に前記ランナ目標領域と横方向に隣接する他の導電プラグを形成することを含み、前記導電プラグが前記ランナ目標領域のどちらかの側に位置する、ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項１６】
請求項１５記載のコンタクト用開口を形成する方法において、各導電プラグのそれぞれの自己整合の位置の一つは前記導電ランナによって画定され、自己整合の他の位置は次に隣接するそれぞれの導電ランナによって画定される、ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項１７】
請求項１６記載のコンタクト用開口を形成する方法であって、
前記導電ランナは、基板外表面の外方に導電ランナの高さを画定する最外面を含み、
前記導電プラグを形成する過程は、両方のプラグを基板外表面から前記導電ランナの高さより大きい距離で外方に延び、前記目標領域に重なるように形成することを含む、
ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項１８】
請求項１６記載のコンタクト用開口を形成する方法であって、
前記導電ランナは、基板外表面の外方に導電ランナの高さを画定する最外面を含み、
前記導電プラグを形成する過程は、両方のプラグを基板外表面から前記導電ランナの高さより小さい距離で外方に延びるように形成することを含む、
ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項１９】
導電ラインにコンタクト用開口を形成する半導体処理方法であって、該方法は、
基板外表面の上に導電ラインを形成する過程であって、該導電ラインは一つの位置において第１ライン幅を有し、他の位置において前記第１ライン幅と異なる第２ライン幅を有し、前記第２ライン幅の少なくとも一部は電気的接続が望まれるコンタクトパッドを画定する、導電ラインを形成する過程と、
前記コンタクトパッドに横方向に近接する導電プラグを形成する過程であって、前記導電プラグおよびコンタクトパッドが、前記第２ライン幅より大きい有効コンタクトパッド幅を有する有効コンタクトパッドを画定する導電プラグを形成する過程と、
前記導電プラグを形成した後に、前記導電ラインおよびプラグの上に存在する絶縁材料を通して少なくとも有効コンタクトパッドの一部分までコンタクト用開口をエッチングする過程とを含む、
ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体処理方法において、前記第２ライン幅が前記第１ライン幅より大きい、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２１】
請求項１９記載の半導体処理方法において、前記有効コンタクトパッドが一般的に非平面な最外面を含む、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の半導体処理方法において、前記導電プラグは、前記コンタクトパッドによって画定される最外面の領域より立面的に高い高さを有する最外面の領域を画定する、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２３】
請求項２１記載の半導体処理方法であって、前記導電プラグを形成する過程が、前記コンタクトパッドに横方向に近接する他の導電プラグを形成する過程を含み、前記導電プラグが前記コンタクトパッドのどちらかの側に位置し、前記有効コンタクトパッドを共に画定する、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の半導体処理方法において、少なくとも一つの前記導電プラグは、前記コンタクトパッドによって画定される最外面の領域より立面的に高い高さを有する最外面の領域を画定する、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の半導体処理方法において、両方の前記導電プラグは、前記コンタクトパッドによって画定される最外面の領域より立面的に高い高さを有するそれぞれの最外面の領域を画定する、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２６】
電気的相互接続を形成する半導体処理方法であって、該方法は、
基板の外表面の上に、電通が望まれるコンタクトパッドをそれぞれ有する複数の導電ラインを形成する過程と、
そのうちの一部分が、あるコンタクトパッドとその隣の導電ラインに横方向に隣接し又はそれらの間に設けられる導電プラグを形成する過程と、
前記コンタクトパッドおよび導電プラグの上に絶縁材料を形成する過程と、
前記コンタクトパッドおよび導電プラグの上に絶縁材料を通して開口を形成する過程と、
前記開口の中に導電材料を形成する過程と、
からなることを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２７】
請求項２６記載の半導体処理方法において、
前記導電ラインは、前記基板外表面の外方に導電ラインの高さを画定する最外面を含み、
前記導電プラグを形成する過程が、導電ラインの高さより高くない高さに立面的に延びるプラグを形成することを含む、
ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２８】
請求項２６記載の半導体処理方法において、
前記導電ラインは、前記基板外表面の外方に導電ラインの高さを画定する最外面を含み、
前記導電プラグを形成する過程が、導電ラインの高さを超えて立面的に延びるプラグを形成することを含む、
ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２９】
請求項２８記載の半導体処理方法において、前記導電プラグは、前記導電ラインの最外面と重なる部分を含む、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３０】
請求項２８記載の半導体処理方法において、前記導電プラグは、次に隣接する部分と重なる部分を含む、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３１】
請求項２６記載の半導体処理方法において、
前記導電プラグを形成する過程が、他の導電プラグを形成することを含み、少なくともその他の導電プラグの一部分が前記コンタクトパッドと他の次に隣接する導電ラインとに横方向に隣接しその間に位置し、前記導電プラグが前記コンタクトパッドのどちらかの側に位置する、
ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３２】
請求項３１記載の半導体処理方法において、
前記導電ラインは、前記基板外表面の外方に導電ラインの高さを画定する最外面を含み、
前記導電プラグを形成する過程が、導電ラインの高さより高い高さに立面的に延びるプラグを形成することを含み、前記プラグの少なくとも一つは導電ラインの最外面と重なる部分を含む、
ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３３】
電気的相互接続を形成する半導体処理方法であって、該方法は、
基板の外表面の上に、個々の導電ラインがそれぞれの第１位置にそれぞれの第１ライン幅を有し、それぞれの第２位置にそれぞれの第１ライン幅とは異なる第２ライン幅を有する、複数の導電ラインを形成する過程であって、それぞれの前記第２ライン幅の少なくとも一部分は前記第１ライン幅より大きく、電通が望まれるそれぞれのコンタクトパッドを画定する導電部分を有し、少なくとも一つの導電ラインの第２ライン幅部分は次の隣接ラインの少なくとも一つの導電ラインの第１ライン幅部分と横方向に隣接して位置する、複数の導電ラインを形成する過程と、
前記少なくとも一つの導電ラインの第２ライン幅部分および隣接ラインの前記少なくとも一つの導電ラインの第１ライン幅部分の間に第１導電材料を形成する過程と、
基板の上に絶縁材料を形成する過程と、
前記絶縁材料を通して且つ少なくとも一つのコンタクトパッドの上に開口をエッチングする過程と、
前記開口の中に前記少なくとも一つのコンタクトパッドと電気的に接続する第２導電材料を形成する過程と、
を含むことを特徴とする電気的相互接続を形成する半導体処理方法。
【請求項３４】
請求項３３記載の半導体処理方法において、前記第１導電材料を形成する過程が、一つの導電ライン幅に横方向に近接するコンタクトパッドを画定する前記第２ライン幅の部分と重なる前記導電材料を形成することを含む、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３５】
請求項３３記載の半導体処理方法であって、該方法が、前記第１導電材料を形成する前に、さらに、
基板の上に絶縁材料を形成する過程と、
前記絶縁材料を通して、前記第１導電ラインの第２ライン幅部分および関連する隣接ラインの第１ライン幅部分に対して実質的に自己整合するコンタクト用開口を形成する過程とを含む、
ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３６】
請求項３３記載の半導体処理方法において、
一つの導電ラインの第２ライン幅部分は、異なる隣接ラインの一対の導電ラインの第１ライン幅部分に横方向に近接し且つそれらの間に位置し、
第１導電材料を形成する過程は、一つの導電ラインの第２ライン幅部分および対の導電ラインの第１ライン幅部分の間に導電材料を形成することを含む、
ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３７】
請求項３６記載の半導体処理方法において、第１導電材料の形成過程は、対のそれぞれ個々のプラグの一対の導電プラグが、一つの導電ラインの第２ライン幅部分と個々のそれぞれの導電ラインの第１ライン幅部分との間に、対のそれぞれ個々のプラグの一対の導電プラグが位置して、少なくとも一つのプラグが一つの導電ラインの第２ライン幅部分と重なるように形成することを含む、ことを特徴とする半導体処理方法。
【請求項３８】
導電ラインにコンタクト用開口を形成する方法であって、該方法は、
半導体基板の上に、第１ライン幅および電通が望まれる目標領域を有する導電ラインを形成する過程と、
導電ラインの何れかの側において前記目標領域に横方向に近接する一対の導電プラグを形成する過程であって、前記導電プラグは前記目標領域と共に有効に広くした目標領域を画定し、前記導電プラグは前記導電ラインに隣接する基板に対して自己整合する、一対の導電プラグを形成する過程と、
少なくとも有効に広くした目標領域の上に絶縁材料層を形成する過程と、
前記絶縁材料層を通して、広くした目標領域の少なくとも一部分を外方に露出させる過程と、
を含むことを特徴とする導電ラインにコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項３９】
請求項３８記載のコンタクト用開口を形成する方法において、対の導電プラグを形成する過程が、前記導電ラインと次の隣接する導電ラインとの間に少なくとも一つの導電プラグを形成することを含む、ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項４０】
請求項３８記載のコンタクト用開口を形成する方法において、対の導電プラグを形成する過程が、前記導電ラインと次の隣接する導電ラインとの間に導電プラグを形成することを含む、ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項４１】
請求項３８記載のコンタクト用開口を形成する方法において、対の導電プラグを形成する過程が、前記目標領域と重なる少なくとも一つのプラグを形成することを含む、ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項４２】
請求項３８記載のコンタクト用開口を形成する方法において、対の導電プラグを形成する過程が、前記目標領域と重なるプラグを形成することを含む、ことを特徴とするコンタクト用開口を形成する方法。
【請求項４３】
集積回路であって、該回路は、
外表面を有する半導体基板と、
前記外表面の上に位置する第１および第２導電ランナと、
前記第１導電ランナの一部分を含むコンタクトパッドと、
前記コンタクトパッドおよび前記第２導電ランナに横方向に近接しそれらの間における外表面の上に位置する導電プラグであって、該導電プラグは、二つの位置で半導体基板においてあるいはそれに対して実質的に自己整合しており、二つの位置のうちの一つは前記第２導電ランナによって画定される導電プラグと、
を具備することを特徴とする集積回路。
【請求項４４】
請求項４３記載の集積回路において、前記第１導電ランナは導電ランナの高さを画定する最外面を有し、
前記導電プラグが前記第１導電ランナの高さより大きい距離で基板外表面から延びている、
ことを特徴とする集積回路。
【請求項４５】
請求項４４記載の集積回路において、導電プラグはその一部分が導電ランナの最外面と重なっている、ことを特徴とする集積回路。
【請求項４６】
請求項４４記載の集積回路であって、該回路は更に、
前記第１導電ランナに隣接して前記外表面の上に位置する第３導電ランナと、
前記コンタクトパッドと前記第３導電ランナとの間において横方向に近接する前記外表面の上に位置する第２導電プラグであって、該導電プラグは、二つの位置で半導体基板においてあるいはそれに対して実質的に自己整合しており、二つの位置のうちの一つは前記第３導電ランナによって画定される第２導電プラグと、
を含むことを特徴とする集積回路。
【請求項４７】
請求項４６記載の集積回路において、前記導電プラグが前記第１導電ランナの高さより大きい距離で基板外表面から延びる、ことを特徴とする集積回路。
【請求項４８】
請求項４７記載の集積回路において、前記第２導電プラグが、導電ランナの最外面と重なる部分を含む、ことを特徴とする集積回路。
【請求項４９】
集積回路であって、該回路は、
外表面を有する半導体基板と、
前記外表面の上に位置し、電気接続が望まれるコンタクトパッドを画定する導電部分を有する導電ラインと、
前記コンタクトパッドに横方向に近接して位置し、前記コンタクトパッドの部分の高さ方向の上に位置するプラグ部分を有する少なくとも一つの導電プラグと、
前記コンタクトパッドの上に位置し、前記導電プラグの少なくとも一部分と電通する導電材料と、
を含むことを特徴とする集積回路。
【請求項５０】
集積回路であって、該回路は、
外表面を有する半導体基板と、
前記外表面の上に位置し、一つの位置における第１ライン幅と、他の位置において前記第１ライン幅と異なる第２ライン幅を有し、第２ライン幅の少なくとも一部分がそれと電気接続が望まれるコンタクトパッドを画定する導電ラインと、
前記コンタクトパッドに横方向に近接して位置し、そこに、前記コンタクトパッドと共に前記第２ライン幅より大きい有効コンタクトパッド幅を有する有効コンタクトパッドを画定する導電プラグと、
前記有効コンタクトパッドの上に位置し、前記導電プラグの少なくとも一部分と電気接続する導電材料と、
を含むことを特徴とする集積回路。
【請求項５１】
集積回路であって、該回路は、
外表面を有する半導体基板と、
前記外表面の上に位置し、導電ライン幅および電通が望まれる目標領域を有する導電ラインと、
前記目標領域に横方向に近接し、前記導電ラインに隣接する基板に自己整合する導電ラインのどちらかの側の上で前記外表面の上に位置する一対の導電プラグであって、該プラグおよび目標領域が有効に広くなった目標領域を画定する一対の導電プラグと、
その上に位置し、前記導電ライン目標領域を含む有効に広くなった目標領域の少なくとも一部分と電通する導電材料と、
を含むことを特徴とする集積回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンタクト用開口を形成する半導体処理方法、電気的接続及び相互連結を形成する方法、及びそのようなコンタクト用開口、電気的接続、相互連結を含んでなる集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１及び図２を参照すると、半導体ウェーハ片は一般的に参照番号１０で示され、半導体基板１２を含む。この明細書においては、“半導体基板”と言う用語は、半導体材料を含む如何なる構造を画定するものであって、半導体ウェーハ（単独にでもあるいはその上に他の材料を含む組立体としても）のようなバルク半導体材料に限定されることなくそれを含み、半導体材料層（単独にでもあるいはその上に他の材料を含む組立体）を含むものである。“基板”と言う用語は、上記の半導体基板に限定されることなくそれを含み、如何なる支持構造体をも意味するものである。基板１２は、その上に複数の導電ランナあるいは導電ライン１６，１８及び２０が形成される外部表面１４（図２参照）を有するフィールド酸化物領域１３を含む。図示の導電ラインあるいはランナは、導電部分および絶縁部分を含む。例示の導電部分は、この例においては、各ポリシリコン層２２及びその上に横たわるシリサイド層２４から構成される。ランナあるいはラインの絶縁部分は、その上に横たわる各キャップ２６および関連の側壁スペーサー２８から構成される。絶縁部分の例示材料は酸化物および窒化物を含む。
【０００３】
ボロフォスフォシリケイトグラスのような絶縁層３０は、ランナ１６，１８および２０の上に形成され、コンタクト用開口３２は、シリサイド層２４の部分を外方に露出させるよう層３０をマスクエッチングすることによって形成される。その後、導電性にドープされたポリシリコンのような導電材料が、導電ライン１８に導電コンタクト３４を提供するためにコンタクト用開口３２の中に形成される。メタル層３６がその上に設けられ、導電ライン１８との電気的接続が形成される。
【０００４】
半導体産業界において典型的に行われていることは、導電ラインあるいはランナに広くしたランディングパッドを設け、コンタクト用開口を形成するときに起こるマスクのずれを調整することである。例示の広くしたランディングパッドは図１及び図２において参照番号３８で示される。広くしたランディングパッドを設けることによって、コンタクト用開口３２は、基板と望ましくない接触を起こすことなく、図１及び図２に示す位置に対してある程度左右にシフトすることができる。この説明の目的のためには、ランディングパッド３８は、導電ライン１８の導電部分および絶縁部分を含む。そして導電ライン１８の導電部分はそれと電通が望まれるコンタクトパッドを画定する。従って、図示の例においては、コンタクトパッドは、導電ライン１８のポリシリコン層２２及びシリサイド層２４によって画定される。コンタクトパッドは、コンタクト用開口を内側に形成するのに望ましい目標領域Ａを画定する。コンタクト用開口３２を通しての電気接続は、目標領域Ａの何処にでも形成することができ、しかも導電コンタクトパッドと望ましい接続を有効に行う。従って、目標領域は、図示の望ましいコンタクト用開口のどちらの側にもコンタクトマスクのずれを許容する。マスクずれ許容が改善されることと交換的に、導電ラインおよび他の集積回路素子を支持するために使用可能なウェーハ領域（面積）が減少する。これは、主として、部分的には、広くしたランディングパッド３８によって占められる広げられた領域によるものである。これは、また、望ましい最低のスペースを導電ラインに隣接して達成できないように導電ラインのスペースに悪い影響を及ぼす。従って、集積回路は、広くしたランディングを使用した場合には、ウェーハの上に望まれる密度にパックすることができない。
【０００５】
本発明は、集積回路を支持するために使用可能なウェーハ領域の効率を向上することについての関心から生まれた。また、この発明は、それによって導電ラインに対して接触が得られる改善された方法および構造についての関心から生まれた。
【０００６】
【発明の実施の形態】
図３を参照すると、実施例で適切な限り同じ参照番号が使用され、違う場合は添え字“a”を付して表示又は違う数字で区別している。従って、複数の導電ランナあるいはライン１６ａ，１８ａ及び２０ａは、外表面１４の上に形成され、そして酸化物絶縁領域４０の上に形成されてもよい。例示的な酸化物絶縁領域は、浅いトレンチ絶縁領域あるいはＬＯＣＯＳ技術によって形成されたフィールド酸化物領域を含む。導電ラインは、外表面１４の外に各々の導電ラインの高さｈを画定する各々の最外表面４４部分を含む。拡散領域４２は導電ラインの間に設けることができ、好ましくは、１×１０１８ｃｍ−３濃度のドーピングを有するｎ−領域を含む。拡散領域は別のドーピング段階において設けられてもよく、あるいは後述においてより明らかになる導電性材料からのドーパントの外側拡散（拡散流出）によって設けられてもよい。外コンタクト用開口目標領域Ｂは、導電ライン１８ａによって画定される。
【０００７】
図４に示すように、絶縁材料層４６は基板１２の上に形成される。例示的材料はボロフォスフォシリケイトグラスである。
【０００８】
図５に示すように、少なくとも一つ、好適には一対のコンタクト用開口４８，５０が、層４６を通して形成され、そして、好ましくは、外表面１４の各々の部分を外に露出させる。コンタクト用開口は、層４６を適当にマスクしたエッチングによって形成することができる。好適には、個々のコンタクト用開口は、導電ランナあるいはライン１８ａから横方向に延びる線に沿って、それぞれ二つの位置４８ａ，４８ｂ及び５０ａ，５０ｂにおいて、基板においてあるいは対して実質的に自己整合する。好適実施例においては、個々のコンタクト用開口のための二つの位置のうちの一つは、導電ランナ１８aによって画定される。より好適には、二つの位置のうちの他方は、各々の次の隣接導電ライン１６ａ，２０ａによって画定される。
【０００９】
図６に示される第１実施例によると、第１導電材料５２，５４は、図示の導電ラインの間で、導電ライン１８ａによって画定されるコンタクトパッドに横方向に近接あるいは隣接するコンタクト用開口４８，５０の中に形成される。例示する好適な第１導電材料は、導電性にドープされたポリシリコンであって、領域４２のための外部拡散ドーパントのソースとして機能する。ポリシリコンは、基板の上に化学気相堆積され、その後で、導電プラグ５６，５８を提供するように従来処理により除去される。そのような従来処理には、各々のコンタクト用開口内で導電材料を隔離・絶縁する平坦化処理が含まれ、そしてそれに続いてそのコンタクト用開口内の導電材料に適当な時間の時限エッチングを行って凹部を設ける技術が含まれる。図示の例においては、導電プラグは導電ライン１８ａの両側に形成される。しかし、導電ライン１８ａのどちらかの側に導電プラグを一つだけ形成することも可能である。個々の導電プラグは、その中に各々が形成されるコンタクト用開口と同じ位置において基板に実質的に自己整合する。
【００１０】
図６をさらに参照すると、例示の導電プラグは、導電ランナの高さｈより大きい距離で外表面１４から外方に延びるように形成されることが好ましい。この例におけるプラグは、導電ラインがその上に形成される同じ面（外表面１４）の上に形成されるので、各々のプラグは導電ラインの高さを超える高さで延びる。しかし、そのようなプラグは、外表面１４から、導電ランナの高さより低いか、又はそれより高くない距離で延びるように形成されても良い。これは、例えば、図６のプラグを形成するのに適する時間より長い時間の時限エッチングを行うことによって形成することができる。例示的な構造は図７に示される。
【００１１】
一つの実施例においては、個々の導電プラグは、導電ライン１８ａの部分とそれぞれの次の隣接する導電ライン１６ａ，２０ａと重なる部分を含む。好適な実施例においては、それぞれのプラグは、各々が隣接して形成される導電ラインの最外面と重なる。従って、少なくとも一つの、好ましくは両方の導電プラグの部分は目標領域Ｂに重なることが可能である。全体的に、導電プラグ５６，５８の導電材料および導電ライン１８ａの導電材料は、有効に広げられた目標領域Ａ’を画定する最外面６０を有する有効コンタクトパッドを画定する。広げられた目標領域は、上記の先行技術の広げられたランディングパッド（図１及び図２参照）によって以前には必要とされたウェーハ領域を減少する。
【００１２】
別の面から見ると、有効コンタクトパッドの最外面６０は、一般的に平面でない面を画定する。好ましい実施例においては、導電プラグの少なくとも一つ、好ましくは両方は、ライン１８ａのコンタクトパッドによって画定される領域より地勢的に高い高さを有する。
【００１３】
図８を参照すると、絶縁材料の層６２は、基板および有効コンタクトパッドの上に形成される。コンタクト用開口６４は、外方に有効コンタクトパッドの一部分を露出させるように、層６２を通してエッチング又は形成される。好適には、ライン１８ａのコンタクトパッドは、導電プラグ５６，５８の片方又は両方の整合ずれが導電材料を露出させる結果になるように露出する。その後、第２導電材料６６は、コンタクト用開口６４の中に、コンタクトパッドの少なくとも一部と、あるいは、露出していれば導電プラグの関係部分と電通可能に形成される。続いて、ビットライン６８は、基板の上に材料６６と電通可能に形成することができる。
【００１４】
図９を参照すると、導電ライン１６ａ，１８ａ及び２０ａは、それぞれの第１位置にそれぞれ第１ライン幅ｗ１を、またそれぞれの第２位置にそれぞれ第２ライン幅ｗ２を有する。なお、例示の第２ライン幅と位置はライン１８ａについて示されている。第２ライン幅は、コンタクト用開口６４の少なくとも一部分が形成されるライン位置に対応する。一実施例においては、第１ライン幅および第２ライン幅は実質的に同一か均等である。これは、上述の導電プラグ５６，５８（図９及び図１０において点線で示される）が図１の広いランディングの要求を、たとえ排除できないとしても削減することができるからである。図示の例の導電プラグは、第２ライン幅ｗ２より大きい有効コンタクトパッド幅を提供し、導電部分、例えば、ライン１８ａのコンタクトパッドの上に高さ方向に重なって延びる第１ライン幅ｗ１に近接するそれぞれの部分を含む。また、プラグは、導電ライン１６ａ，２０ａの対応部分に重なる部分を含むこともできる。これは、上述の各導電プラグの一つを通して望まれる接続が得られることにより、コンタクト用開口の整合ずれを補償する。
【００１５】
図１０に示す他の実施例によれば、離れた第１及び第２ラインの幅はそれぞれ異なって、第２ライン幅ｗ２は第１ライン幅ｗ１より大きい。この例では、第２ライン幅は、図１のランディングパッドの寸法より小さいランディングパッドの一部分を画定する。それぞれの導電プラグ５６，５８に横方行に近接する導電ラインの部分１６ｂ及び２０ｂはテーパしていてもよく、あるいはある程度広いランディングパッドを収容する構成にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、先行技術半導体ウェーハ片およびそこに支持される複数の導電ラインの上面図である。
【図２】  図２は、続く処理工程での図１の線２−２に沿った断面図である。
【図３】  図３は、本発明の一つの実施例に従った一つの処理段階における半導体ウェーハ片の略断面図である。
【図４】  図４は、他の処理段階における図３のウェーハ片の図である。
【図５】  図５は、他の処理段階における図３のウェーハ片の図である。
【図６】  図６は、他の処理段階における図３のウェーハ片の図である。
【図７】  図７は、図６に類似の図で、本発明の他の実施例に従った代替実施例を示す。
【図８】  図８は、他の処理段階における図３のウェーハ片の図である。
【図９】  図９は、本発明の手法従って処理された半導体ウェーハ片の上面図である。
【図１０】  図１０は、本発明の手法従って処理された半導体ウェーハ片の上面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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