(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体配線が絶縁性樹脂層を介して多層に形成されて成る多層基板本体の一面側が、搭載される半導体素子の電極端子と接続される半導体素子用パッドが形成された半導体素子搭載面であり、且つ前記多層基板本体の他面側が、外部接続端子用パッドが形成された外部接続端子装着面である半導体装置用パッケージにおいて、
該外部接続端子装着面と半導体素子搭載面との各々には、補強板が接合されており、且つ前記外部接続端子装着面に接合された補強板が、外部接続端子用パッドの各々に対応するように形成された貫通孔の内壁面を含む全表面に絶縁処理が施された絶縁性金属板であることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
絶縁性金属板が接着剤によって接合されており、前記接着剤が、前記絶縁性金属板と外部接続端子装着面とを押圧した際に、前記絶縁性金属板の貫通孔内に接着剤が押し出されないように、両者間に所定の間隙を形成し得る径の粒子が配合されている請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項３】
絶縁性金属板が、複数個の貫通孔が形成されたアルミニウム板であって、前記貫通孔の各々の内壁面を含む全表面にアルマイト処理が施されている請求項１又は請求項２記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項４】
半導体素子搭載面に設けられた補強板が、金属製の枠体である請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項５】
半導体素子搭載面に接合された補強板が、金属製の枠体であって、
前記金属製の枠体が、多層基板本体を一面側に形成した金属板の半導体素子用パッドが形成された領域と対応する部分をエッチングで除去して形成された枠体である請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項６】
半導体素子用パッドが、その先端部が多層基板本体の半導体素子搭載面から突出するバンプ状の半導体素子用パッドである請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項７】
導体配線が絶縁性樹脂層を介して多層に形成されて成る多層基板本体の一面側が、搭載される半導体素子の電極端子と接続される半導体素子用パッドが形成された半導体素子搭載面であり、且つ前記多層基板本体の他面側が、外部接続端子用パッドが形成された外部接続端子装着面である半導体装置用パッケージにおいて、
該外部接続端子装着面と半導体素子搭載面との各々には、補強板が接合されており、且つ前記外部接続端子装着面に接合された補強板が、前記外部接続端子用パッドの各々から離れた位置に接合された金属製の枠体であることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置用パッケージに関し、更に詳細には導体配線が絶縁性樹脂層を介して多層に形成されて成る多層基板本体の一面側が、搭載される半導体素子の電極端子と接続される半導体素子用パッドが形成された半導体素子搭載面であり、且つ前記多層基板本体の他面側が、外部接続端子用パッドが形成された外部接続端子装着面である半導体装置用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開２０００−３２３６１３には、図１１に示す半導体装置用パッケージが提案されている。図１１に示す半導体装置用パッケージ１００には、導体配線１０２、１０２・・がポリイミド樹脂やポリフェニレンエーテル等の樹脂から成る絶縁層１０４、１０４・・を介して多層に配されて成る多層基板本体１０５が形成されている。かかる多層基板本体１０５の一面側は、搭載する半導体素子１０６の電極端子１０８を接続する半導体素子用パッド１２０ａ，１２０ａ・・が形成された半導体素子搭載面であり、多層基板本体１０５の他面側は、外部接続端子としてのはんだボール１２２、１２２・・を装着する外部接続端子用パッド１２４、１２４・・が形成された外部接続端子装着面である。
この多層基板本体１０５の半導体素子搭載面及び外部接続端子装着面には、半導体素子用パッド１２０ａ及び外部接続端子用パッド１２４を除き、ソルダレジスト１２６、１２６によって覆われている。
【０００３】
この様な多層基板本体１０５において、絶縁層１０４、１０４・・の各層の両面に形成された導体配線１０２及び／又は半導体素子用パッド１２０ａ等のパッド１２０は、絶縁層１０４を貫通して形成されたヴィア１２８によって電気的に接続されている。かかるヴィア１２８は、絶縁層１０４の外部接続端子装着面側に開口されていると共に、半導体素子搭載面側に形成された導体配線１０２又はパッド１２０の面によって底面が形成された凹部１３０内に形成されている。
更に、半導体装置用パッケージ１００の搬送等の取扱性等を向上すべく、多層基板本体１０５の周縁部に所定の強度を有する金属製の枠体１１７を別体に形成して接合している。
かかる図１１に示す半導体装置用パッケージ１００は、図１２及び図１３に示す様に、半導体素子搭載面が形成された半導体素子搭載層から外部接続端子装着面が形成された外部接続端子装着層の方向に順次導線配線及び絶縁層を形成して製造できる。
先ず、金属板としての銅板１４０の一面側にシードレイヤ１４２を形成する〔図１２（ａ）〕。このシードレイヤ１４２は、銅板１４０の面に直接接触するクロム（Ｃｒ）層１４１ａと、クロム（Ｃｒ）層１４１ａ上に形成した銅（Ｃｕ）層１４１ｂとから成る。
【０００４】
銅板１４０の一面側に形成したシードレイヤ１４２上に形成したフォトレジスト層にパターニングを施し、半導体素子用パッド１２０ａ等を形成する部分のシードレイヤ１４２を露出させた後、シードレイヤ１４２、特に銅層１４１（ｂ）を給電層とする電解めっきによって半導体素子１０６の電極端子１０８が接続される銅から成る半導体素子用パッド１２０ａ，１２０ａ・・を形成する〔図１２（ｂ）〕。
更に、半導体素子用パッド１２０ａ，１２０ａ・・を覆うように、熱硬化性樹脂であるポリイミド樹脂を印刷等によって塗布し硬化して絶縁層１０４を形成した後〔図１２（ｃ）〕、絶縁層１０４にＹＡＧレーザや炭酸ガスレーザ等のレーザ光によってヴィア形成用の凹部１３０を形成する〔図１２（ｄ）〕。
【０００５】
形成された凹部１３０の内壁面を含む絶縁層１０４の全表面に、クロム（Ｃｒ）層１４１ａと銅（Ｃｕ）層１４１ｂとから成るシードレイヤ１４２ａを形成した後〔図１２（ｅ）〕、シードレイヤ１４２ａ上にフォトリソグラフィ法によってパターニングを施し、露出したシードレイヤ１４２ａの部分に電解銅めっきによりヴィア１２８と導体配線１０２とに相当する部分を形成する。
その後、ヴィア１２８と導体配線１０２とに相当する部分以外のシードレイヤ１４２ａをエッチングして除去することにより、図１２（ｆ）に示す様に、絶縁層１０４の表面にヴィア１２８，１２８・・及び導体配線１０２，１０２・・を形成できる。
更に、図１２（ｃ）〜（ｆ）の工程を繰り返すことによって、半導体素子搭載面を具備する半導体素子搭載層側から外部接続端子装着面を具備する外部接続端子装着層の方向に順次導体配線及び絶縁層を形成し、図１３に示す中間体１００ａを得ることができる。得られた中間体１００ａの多層基板本体１０５の一面側には、半導体素子用パッド１２０ａ，１２０ａ・・が形成された半導体素子搭載面に、シードレイヤ１４２を介して銅板１４０が接合され、多層基板本体１０５の他面側には、外部接続端子用パッド１２４，１２４・・が形成されている。かかる銅板１４０は、多層基板本体１０５等の補強板としての役割を奏し、中間体１００ａ等の搬送等の取扱を容易にできる。
【０００６】
最終的に図１１に示す半導体装置用パッケージ１００を得るためには、銅板１４０をエッチングによって除去することが必要である。
この銅版１４０のエッチングの際に、シードレイヤ１４２に銅板１４０のエッチング液にエッチングされないクロム（Ｃｒ）層１４１ａを形成しておくことによって、エッチングがシードレイヤ１４２のクロム（Ｃｒ）層１４１ａに到達したとき、エッチングの進行を阻止できる。このため、シードレイヤ１４２のクロム（Ｃｒ）層１４１ａの全面が露出した時点で銅板１４０のエッチングが終了する。
次いで、クロム（Ｃｒ）層１４１ａをエッチングで除去することによって、半導体素子用パッド１２０ａの表面が露出し、図１１に示す半導体装置用パッケージ１００を得ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図１１〜図１３に示す半導体装置用パッケージ１００によれば、半導体素子が搭載される搭載面が可及的に平坦で且つ厚さも可及的に薄い半導体装置用パッケージとすることができる。
しかしながら、本発明者等の検討によれば、半導体装置用パッケージ１００は、図１１に示す様に、多層基板本体１０５の半導体素子搭載面に金属製の枠体１１７を接合して補強しても、金属製の枠体１１７と樹脂製の多層基板本体１０５との熱膨張率差に起因する反りが発生し易いこと、その製造工程においても、中間体１００ａには、銅板１４０と樹脂製の多層基板本体１０５との熱膨張率差に起因する反りが発生し易いことも判明した。
かかる反りの発生を防止すべく、厚い金属製の枠体１１７を接合すると、薄く且つ軽量の半導体装置用パッケージ１００の特性が失われる。
そこで、本発明の課題は、半導体素子が搭載される搭載面が可及的に平坦で且つ厚さも可及的に薄くでき、構成部材間の熱膨張率差に起因する反りを防止できる半導体装置用パッケージを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記課題を解決するには、主として樹脂から成る多層基板本体１０５を金属製の枠体１１７と金属板とで挟み込むことが有効と考え検討した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、導体配線が絶縁性樹脂層を介して多層に形成されて成る多層基板本体の一面側が、搭載される半導体素子の電極端子と接続される半導体素子用パッドが形成された半導体素子搭載面であり、且つ前記多層基板本体の他面側が、外部接続端子用パッドが形成された外部接続端子装着面である半導体装置用パッケージにおいて、該外部接続端子装着面と半導体素子搭載面との各々には、補強板が接合されており、且つ前記外部接続端子装着面に接合された補強板が、外部接続端子用パッドの各々に対応するように形成された貫通孔の内壁面を含む全表面に絶縁処理が施された絶縁性金属板又は前記外部接続端子用パッドの各々から離れた位置に接合された金属製の枠体であることを特徴とする半導体装置用パッケージにある。
また、本発明は、導体配線が絶縁性樹脂層を介して多層に形成されて成る多層基板本体の一面側が、搭載される半導体素子の電極端子と接続される半導体素子用パッドが形成された半導体素子搭載面であり、且つ前記多層基板本体の他面側が、外部接続端子用パッドが形成された外部接続端子装着面である半導体装置用パッケージにおいて、該外部接続端子装着面と半導体素子搭載面との各々には、補強板が接合されており、且つ前記外部接続端子装着面に接合された補強板が、前記外部接続端子用パッドの各々から離れた位置に接合された金属製の枠体であることを特徴とする半導体装置用パッケージでもある。
【０００９】
かかる本発明において、絶縁性金属板として、複数個の貫通孔が形成されたアルミニウム板であって、前記貫通孔の各々の内壁面を含む全表面にアルマイト処理が施されて絶縁性金属板を好適に用いることができる。
この絶縁性金属を外部接続端子装着面に接着する際に、接着剤として前記絶縁性金属板と外部接続端子装着面とを押圧した際に、前記絶縁性金属板の貫通孔内に接着剤が押し出されないように、両者間に所定の間隙を形成し得る径の粒子が配合されている接着剤を用いることにより、外部接続端子の装着を容易に行うことができる。
また、補強板としては、金属製の枠体が好ましく、特に、多層基板本体を一面側に形成した金属板の半導体素子用パッドが形成された領域と対応する部分をエッチングで除去して形成された枠体を補強板として用いることにより、半導体装置用パッケージの製造工程においても反りの発生を防止できる。
尚、半導体素子用パッドを、その先端部が多層基板本体の半導体素子搭載面から突出するバンプ状の半導体素子用パッドとすることにより、端面が平坦面に形成された半導体素子の電極端子でも、対応する半導体素子用パッドとの接合を容易に行うことができる。
【００１０】
かかる本発明によれば、導体配線が絶縁性樹脂層を介して多層に形成された多層基板本体は、その半導体素子が搭載される搭載面を可及的に平坦で且つ厚さも可及的に薄くできる。
しかも、主として樹脂から成る多層基板本体は、絶縁性金属板又は金属製の枠体と補強板とにより挟み込まれているため、両者間に熱膨張率差を有しても、半導体装置用パッケージが反ることを防止できる。
更に、多層基板本体が剛性を有する絶縁性金属板又は金属製の枠体と補強板とにより挟み込まれているため、半導体装置用パッケージの運搬等の取り扱いを容易とすることもできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明に係る半導体装置用パッケージの一例を図１に示す。図１に示す半導体装置用パッケージ５０は、導体配線２６，２６が絶縁性樹脂層２０ａ，２０ａを介して多層に形成されて成る多層基板本体２０が、表面にニッケル膜１２が形成された銅製の枠体１０と絶縁性金属板３０とによって挟み込まれている。この銅製の枠体１０と絶縁性金属板３０とは、多層基板本体２０の補強材としての役割を有する。
かかる銅製の枠体１０は、半導体素子３９の電極端子と接続される半導体素子用パッドとしてのはんだ層２４，２４・・が形成された半導体素子搭載面に接合されており、中央部に形成された開口部には、図２に示す様に、半導体素子３９が挿入される。
枠体１０の開口部に挿入された半導体素子３９の各電極端子は、図１に示す様に、多層基板本体２０の半導体素子搭載面に形成された半導体素子用パッドとしてのはんだ層２４，２４・・に接合される。
また、絶縁性金属板３０は、多層基板本体２０の外部接続端子用パッド３３，３３・・が形成された外部接続端子装着面に接着されている。
この絶縁性金属板３０は、図３に示す様に、外部接続端子用パッド３３，３３・・に外部接続端子としてのはんだボール３８，３８・・が装着される貫通孔２８，２８・・が穿設されたアルミニウム板３４であって、貫通孔２８，２８・・の各々の内壁面を含む全表面に絶縁処理としてのアルマイト処理が施され、絶縁層としてのアルマイト（Ａｌ２Ｏ３）層３６が形成されている。
【００１２】
この絶縁性金属板３０と多層基板本体２０との接着は、絶縁性微粒子３７，３７・・が配合されている接着剤３２によって行われている。接着剤３２に配合した絶縁性微粒子３７，３７・・は、絶縁性金属板３０を多層基板本体２０の最上層の絶縁性樹脂層２０ａに接着した際に、絶縁性金属板３０を押圧しても、絶縁性金属板３０と絶縁性樹脂層２０ａとの間に所定の隙間を形成し、接着剤３２が貫通孔２８内にはみ出すことを防止する。従って、絶縁性微粒子３７，３７・・の径は、接着剤３２が貫通孔２８内にはみ出すことを防止し得る間隙を、絶縁性金属板３０と絶縁性樹脂層２０ａの上面との間に形成し得る径である。
尚、絶縁性金属板３０としては、貫通孔２８，２８・・の各々の内壁面を含む全表面に絶縁性樹脂膜を形成した絶縁性金属板を用いてもよく、接着剤３２が貫通孔２８内にはみ出すことを防止し得る間隙を実験的に確認し、絶縁性金属板３０を絶縁性樹脂層２０ａに接着する場合は、絶縁性微粒子３７，３７・・を配合しなくてもよい。
【００１３】
図１に示す半導体装置用パッケージ５０によれば、多層基板本体５０が導体配線２６，２６が絶縁性樹脂層２０ａ，２０ａを介して多層に形成されているため、半導体素子３９が搭載される搭載面を可及的に平坦に形成でき、厚さも可及的に薄く形成できる。
しかも、主として樹脂から成る多層基板本体２０は、絶縁性金属板３０と金属製の枠体１０とにより挟み込まれているため、両者間に熱膨張率差を有していても、半導体装置用パッケージ５０が反ることを防止できる。
更に、多層基板本体２０が剛性を有する絶縁性金属板３０と金属製の枠体１０とにより挟み込まれているため、半導体装置用パッケージ５０の運搬等の取り扱いを容易とすることもできる。
【００１４】
図１に示す半導体装置用パッケージ５０を製造する際には、二枚の金属板を用い、金属板の一方の他面側に他方の金属板の他面側を貼り合わせて一体化した複合金属板の両面側の各々に、金属板にエッチングを施すエッチング液に実質的にエッチングされない金属から成る半導体素子用パッドとしてのはんだ層２４，２４・・が形成された半導体素子搭載面を形成した後、半導体素子搭載面側から絶縁性樹脂層２０ａ，２０ａ・・を介して順次導体配線２６，２６・・を形成した多層基板本体２０の外部接続端子装着面に、外部接続端子用パッド３３，３３・・に対応する位置に貫通孔２８，２８・・が形成された絶縁性金属板３０を接着する。
次いで、複合金属板の貼り合せ面から分離し、一枚の金属板の一面側に多層基板本体２０が形成された中間体を得た後、多層基板本体２０の半導体素子用パッドとしてのはんだ層２４，２４・・が露出されるように、はんだ層パッド２４，２４・・に対応する金属板の部分を、その他面側からエッチングで除去して枠体１０を形成することによって、図１に示す半導体装置用パッケージ５０を得ることができる。
【００１５】
かかる図１に示す半導体装置用パッケージ５０の製造方法を、図４〜図８に示す。
先ず、金属板として、厚さ０．３ｍｍ程度の銅板１１を用い、銅板１１の片側面に金属膜としてのニッケル膜１２を形成する。このニッケル膜１２は、銅板１１にエッチングを施すエッチング液にエッチングされ難い金属膜である。かかるニッケル膜１２は、めっきやスパッタ等によって形成できる。
この様に、片面にニッケル膜１２が形成された二枚の銅板１１，１１を、ニッケル膜１２，１２が内側となるように貼り合わせて一体化して複合金属板１４を形成する［図４（ａ）］。
図４（ａ）に示す複合金属板１４は、図５に示す様に、銅板１１の周縁近傍（端縁から点線１６までの間）を接着剤で接着して一体化したものである。図５に示す複合金属板１４を、後述する様に、一枚の銅板１１に分離する際には、接着剤で接着した近傍の一点鎖線１８の個所を切断することにより、各銅板１１，１１に容易に分離できる。
【００１６】
図４（ａ）に示す複合金属板１４の両面側には、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂又は感光性樹脂を印刷等によって塗布し硬化して絶縁性樹脂層２０ａ，２０ａを形成した後、絶縁性樹脂層２０ａ、２０ａにＹＡＧレーザや炭酸ガスレーザ等のレーザ光又はフォトリソグラフィティ法によってヴィア形成用の凹部２２，２２・・を形成する。かかる絶縁性樹脂層２０ａは、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂から成るフィルムを接着して形成してもよい。
この凹部２２，２２・・の各底面には、銅板１１が露出しており、銅板１１を給電層とする電解めっきによって、凹部２２，２２・・の各底面にはんだ層２４を形成する〔図４（ｂ）〕。
或いは銅板１１の半導体素子接続用パッドを形成する部分に、はんだ層２４，２４・・を形成した後、絶縁性樹脂層２０ａを形成し、次いで、絶縁性樹脂層２０ａにレーザ光又はフォトリソグラフィ法によってはんだ層２４が底面に露出する凹部２２，２２・・を形成してもよい。
はんだ層２４は、銅板１１にエッチングを施すエッチング液に実質的にエッチングされない金属から成る層であって、半導体素子用パッドを形成する。
複合金属板１４の両面側に、半導体素子用パッドを形成するはんだ層２４を形成した後、公知の方法で絶縁性樹脂層２０ａ，２０ａ・・を介して順次導体配線２６，２６・・を形成し、多層基板本体２０，２０を形成する［図４（ｃ）］。
ここで、多層基板本体２０．２０を形成する公知の方法としては、例えばはんだ層２４を底部に形成された凹部２２を含む絶縁性樹脂層２０ａの全面に、めっきやスパッタ等で銅層を形成した後、この銅層上にフォトリソグラフィ法によってパターニングを施し、露出した銅層の部分に電解銅めっきによりヴィアを含む導体配線２６に相当する部分を形成する。
その後、ヴィアを含む導体配線２６に相当する部分以外の銅層をエッチングして除去することにより、ヴィアを含む導体配線２６を形成できる。
更に、形成した導体配線２６上にポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁性樹脂層２０ａを形成し、絶縁性樹脂層２０ａにＹＡＧレーザ等によりヴィア形成用の凹部２２を形成した後、先に形成した導体配線２６が底面に露出する凹部２２を含む絶縁性樹脂層２０ａの全面に、めっきやスパッタ等で銅層を形成した後、この銅層上にフォトリソグラフィ法によってパターニングを施し、露出した銅層の部分に電解銅めっきによりヴィアを含む導体配線２６に相当する部分を形成する
その後、ヴィアを含む導体配線２６に相当する部分を接続する銅層をエッチングして除去することにより、先に形成した導体配線２６上に絶縁性樹脂層２０ａを介してヴィアを含む導体配線２６を形成できる。
【００１７】
次に、複合金属板１４の両面側に形成した多層基板本体２０，２０の各々を構成する最上層の絶縁性樹脂層２０ａの上面には、外部接続端子用パッド３３，３３・・を除いて図６に示す絶縁性金属板３０を接着する［図４（ｄ）］。
かかる絶縁性金属板３０には、図６（ａ）に示す様に、外部接続端子用パッド３３，３３・・に外部接続端子としてのはんだボールが装着される貫通孔２８，２８・・が穿設されており、その一面側には、図６（ｂ）に示す様に、接着剤３２が塗布されている。
かかる絶縁性金属板３０としては、図７に示す様に、貫通孔２８，２８・・が穿設されたアルミニウム板３４に陽極酸化が施され、貫通孔２８の内壁面を含むアルミニウム板３４の全表面に、絶縁層としてのアルマイト（Ａｌ２Ｏ３）層３６が形成されている。この絶縁層としては、絶縁性樹脂膜であってもよい。
この絶縁性金属板３０の一面側に塗布されている接着剤３２には、絶縁性金属板３０を多層基板本体２０の最上層の絶縁性樹脂層２０ａに接着した際に、絶縁性金属板３０を押圧しても、絶縁性金属板３０と絶縁性樹脂層２０ａとの間に隙間を形成し、接着剤３２が貫通孔２８内にはみ出すことを防止すべく、所定径の絶縁性微粒子３７，３７・・が配合されている。
尚、予め接着剤３２が貫通孔２８内にはみ出すことを防止し得る間隙を実験的に確認し、絶縁性金属板３０を絶縁性樹脂層２０ａの上面に接着する場合は、絶縁性微粒子３７，３７・・を配合しなくてもよい。
【００１８】
この様に、複合金属板１４の両面側に多層基板本体２０，２０を形成すると、金属板１０と主として樹脂から成る多層基板本体２０とが熱膨張率差を有していても、一枚の銅板１１に比較して複合金属板１４の強度が向上されていると共に、銅板１１と多層基板本体２０との熱膨張率差による反り方向は複合金属板１４の両面側で反対方向である。
したがって、図４（ａ）〜（ｄ）の工程では、複合金属板１４及び多層基板２０，２０に反りが発生せず、絶縁性樹脂層２０ａにＹＡＧレーザ等によりヴィア形成用の凹部２２を形成する際や絶縁性金属板３０を絶縁性樹脂層２０ａの上面に接着する際には、その位置決めを確実に且つ容易に行うことができる。
図４に示す製造方法では、図４（ｅ）に示す様に、両面側に多層基板２０，２０が形成された複合金属板１４を貼り合せ面で分離することにより、一枚の銅板１１の一面側に多層基板本体２０が形成された中間体３４，３４を得ることができる。
かかる複合金属板１４の分離は、図５に示す様に、銅板１１，１１を接着した銅板１１の周縁近傍（端縁から点線１６までの間）の内側に位置する一点鎖線１８に沿って切断することにより容易に分離できる。
得られた中間体３４は、樹脂製の多層基板本体２０が銅板１１と絶縁性金属板３０とによって挟まれているため、中間体３４に熱が加えられたとしても反りの発生を防止できる。
【００１９】
得られた中間体３４には、図８（ａ）に示す様に、銅板１１の片側面に形成された金属膜としてのニッケル膜１２にパターニングを施し、多層基板本体２０の半導体素子用パッド用として形成したはんだ層２４，２４・・に対応する銅板１１の中央部分を露出する。
更に、銅板１１の周縁部分に残ったニッケル膜１２をマスクにし、露出した銅板１１の部分にエッチングを施して除去することにより、多層基板本体２０の半導体素子搭載面に銅製の枠体１０が接合された半導体装置用パッケージ５０を得ることができる［図８（ｂ）］。かかる銅板１１にエッチングを施す際には、多層基板本体２０の外部接続端子用パッド３３，３３・・を形成した外部接続端子装着面には、マスク板を装着する。
この銅板１１のエッチングに用いるエッチング液は、銅板１１をエッチングするものの、はんだ層２４をエッチングしないエッチング液である。
形成された半導体装置用パッケージ５０では、銅製の枠体１０が絶縁性金属板３０と共に半導体装置用パッケージ５０の補強板として作用し、その強度を向上できる。
特に、図４に示す製造方法で得られた半導体装置用パッケージ５０は、枠状の銅板１０と絶縁性金属板３０とによって主として樹脂から成る多層基板１０が挟まれているため、更に一層強度を向上できる。
かかる半導体装置用パッケージ５０には、図１に示す様に、外部接続端子用パッド３３，３３・・に外部接続端子としてのはんだボール３８，３８・・を装着し、多層基板本体２０の半導体素子用パッド用として形成したはんだ層２４，２４・・に半導体素子３９の電極端子を当接してリフローすることによって、半導体装置を得ることができる。
【００２０】
図６〜図８に示す半導体装置用パッケージの製造方法では、片側面に金属膜としてのニッケル膜１２が形成された銅板１１，１１を、ニッケル膜１２，１２が内側となるように貼り合わせて一体化して複合金属板１４を形成していたが、ニッケル膜１２，１２を形成することなく銅板１１，１１を一体化して複合金属板１４としてもよい。
この場合、中間体３４を構成する銅板１１のはんだ層２４，２４・・に対応する部分をエッチングによって除去する際に、銅板１１にエッチングを施さない部分には、エッチングレジスト膜を形成又はマスク板を押圧してエッチングを施すことが必要となる。
【００２１】
また、複合金属板１４の両面に形成した絶縁性樹脂層２０ａ，２０ａを形成した後、絶縁性樹脂層２０ａ、２０ａにヴィア形成用の凹部２２，２２・・を形成する際に、図９（ａ）に示す様に、絶縁性樹脂層２０ａに形成した凹部の底面に露出する銅板１１にエッチング又はレーザ加工を施し、絶縁性樹脂層２０ａを貫通して銅板１１内に底部が形成された凹部２２としてもよい。
かかる図９（ａ）に示す凹部２２，２２・・の銅板１０内の底部に、図９（ｂ）に示す様に、銅板１０を給電層とする電解めっきによって、半導体素子接続用パッド用としてのはんだ層２４，２４・・を形成した後［図９（ｂ）］、公知の方法で導体配線２６を形成する［図９（ｃ）］。
この図９に示す方法で形成した半導体装置用パッケージ５０では、はんだ層２４，２４・・が絶縁性樹脂層２０ａの表面から突出したバンプ状の半導体素子接続用パッドを形成できる。
かかるバンプ状の半導体素子用パッド２４，２４・・が形成された半導体装置用パッケージ５０では、端面が平坦面に形成された半導体素子３９の電極端子を対応する半導体素子用パッド２４に直接接合できる［図９（ｄ）］。
【００２２】
以上、図１〜図９に示す半導体装置用パッケージ５０では、その外部接続端子装着面には、外部接続端子用パッド３３，３３・・の各々に対応するように形成された貫通孔２８の内壁面を含む全表面に絶縁処理が施された絶縁性金属板３０が接合されているが、半導体装置用パッケージ５０の補強材としては半導体素子搭載面に接合したと同様な金属製の枠体１０［図１０（ａ）］であってもよく、帯状の補強部が襷状に設けられた枠体１０［図１０（ｂ）］であってもよい。かかる枠体１０は、金属製であっても、外部接続端子用パッド３３，３３・・から離れている位置に接合するならば、絶縁処理も不要である。
この枠体１０を多層基板本体２０の外部接続端子装着面に接合したとき、枠体１０の開口部には、複数個の外部接続端子用パッド３３，３３・・が位置している。
また、図１〜図９に示す半導体装置用パッケージ５０に形成するヴィアとしては、凹部２２内にめっきにより金属を充填して形成してもよい。
更に、金属板として用いる銅板１１に複数個の多層基板本体２０，２０・・を形成し、多数個の半導体装置用パッケージ５０を一度に形成してもよい。
【００２３】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体装置用パッケージを薄く且つ軽く形成できる。しかも、半導体装置用パッケージの構成部材間の熱膨張率差に起因する反りを防止でき、最終的に得られる半導体装置の信頼性を向上できる。
更に、本発明に係る半導体装置用パッケージは、その強度を向上でき、運搬等の取り扱いを容易化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置用パッケージの一例を説明するための部分断面図である。
【図２】図１に示す枠体１０の正面図である。
【図３】図１に示す絶縁性金属板３０の拡大部分断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置用パッケージ５０の製造方法の一例を説明する部分工程図である。
【図５】図４（ａ）に示す工程の内容を説明する説明図である。
【図６】図４（ｄ）に示す絶縁性金属板３０の正面図及び断面図である。
【図７】図６に示す絶縁性金属板３０及び接着剤３２を説明する拡大部分断面図である。
【図８】図１に示す半導体装置用パッケージ５０の製造方法の一例を説明する部分工程図である。
【図９】図１に示す半導体装置用パッケージ５０の製造方法の他の例を説明する部分工程図である。
【図１０】半導体装置用パッケージの外部接続端子装着面に接合する他の補強材を説明する正面図である。
【図１１】従来の半導体装置用パッケージの部分断面図である。
【図１２】従来の半導体装置用パッケージの製造方法を説明する部分工程図である。
【図１３】図１２に示す半導体装置用パッケージの製造方法で得られた中間体の部分断面図である。
【符号の説明】
１０  枠体
１１  銅板（金属板）
１２  ニッケル膜（金属膜）
１４  複合金属板
２０ａ  絶縁性樹脂層
２０  多層基板本体
２４  はんだ層（半導体素子用パッド）
２６  導体配線
２８  貫通孔
３０  絶縁性金属板
３２  接着剤
３３  外部接続端子用パッド
３４  中間体
３６  アルマイト層（絶縁層）
３７  絶縁性微粒子
３８  はんだボール（外部接続端子）
３９  半導体素子
４０  ソルダーレジスト
５０  半導体装置用パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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