(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の画像表示領域に配置された表示用電極と、
前記画像表示領域の周囲を規定し、前記基板に対向配置された対向基板に設けられた額縁遮光膜と、
前記額縁遮光膜に対して光の出射側の前記基板上において、前記表示用電極に画素スイッチング用の第１トランジスタを介して接続又は直接接続されると共に、前記額縁遮光膜の領域内に設けられた前記第１トランジスタに接続される配線及び第２トランジスタを含む回路素子からなるパターン部と、
前記額縁遮光膜の領域に重なるように、前記画像表示領域の外周から周辺側に至る領域に形成され、前記パターン部を光の出射側から覆う前記基板上の下側遮光膜とを備え、
前記下側遮光膜のうち少なくとも前記第２トランジスタの下側に積層された部分には、前記下側遮光膜のうち前記第２トランジスタのソース電極に対向する部分と、前記下側遮光膜のうち前記第２トランジスタのドレイン電極に対向する部分とを分離するようにスリットが設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板上の画像表示領域に配置された表示用電極と、
前記画像表示領域の周囲を規定し、前記基板に対向配置された対向基板に設けられた額縁遮光膜と、
前記額縁遮光膜に対して光の出射側の前記基板上において、前記表示用電極に画素スイッチング用の第１トランジスタを介して接続又は直接接続されると共に、前記額縁遮光膜の領域内に設けられた前記第１トランジスタに接続される配線及び第２トランジスタを含む回路素子からなるパターン部と、
前記額縁遮光膜の領域に重なるように、前記画像表示領域の外周から周辺側に至る領域に形成され、前記パターン部を光の出射側から覆う前記基板上の下側遮光膜とを備え、
前記下側遮光膜のうち少なくとも前記第２トランジスタの下側に積層された部分は、前記下側遮光膜のうち前記第２トランジスタのソース電極に対向する部分と前記下側遮光膜のうち前記第２トランジスタのドレイン電極に対向する部分とを相互分離するように島状に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記下側遮光膜は、前記基板の平坦な表面上に、直に又は平坦な下地絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１トランジスタの少なくともチャネル領域の下側に前記下側遮光膜と同一膜が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記下側遮光膜は、光吸収膜からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記光吸収膜は、ポリシリコン膜及び高融点金属膜のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記下側遮光膜は、導電膜からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記下側遮光膜は、少なくとも部分的に固定電位が供給されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置の技術分野に属し、特に画像表示領域を規定する額縁遮光膜を備えた電気光学装置及びそのような電気光学装置を備えた電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
この種の電気光学装置は、画素電極やストライプ状電極などの表示用電極、データ線や走査線などの各種配線、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称する）や薄膜ダイオード（以下適宜、ＴＦＤと称する）などのスイッチング素子等が形成された素子アレイ基板と、ストライプ状や全面的に形成された対向電極、遮光膜等が形成された対向基板とが対向配置されている。これら一対の基板間で、液晶等の電気光学物質がシール材により包囲されており、このようにシール材が存在するシール領域よりも中央寄り（即ち、液晶等に面する基板上領域）に、表示用電極が配置された画像表示領域が位置している。ここで特に、平面的に見て（即ち、画像表示領域に対して対向する方向から見て）シール領域の内側輪郭に沿って額縁形に、画像表示領域の額縁領域が、例えば前述の如く対向基板に設けられた遮光膜と同一膜により規定されている。
【０００３】
また、額縁領域及びその周辺に位置する周辺領域における素子アレイ基板上に、走査線駆動回路、データ線駆動回路、サンプリング回路、検査回路等の周辺回路が作り込まれている、所謂周辺回路内蔵型の電気光学装置も一般化している。例えば、特許文献１参照。
【０００４】
従って、額縁領域内には、画像表示領域から周辺領域に引き出される配線が存在する。更にこのような配線に接続されたサンプリング回路等の周辺回路の一部を額縁領域内に作り込む場合には、額縁領域内には、当該周辺回路の一部を構成する回路素子が存在する。即ち、額縁領域内には、配線や回路素子からなるパターン部が存在する。
【０００５】
このように構成された電気光学装置は、画像表示領域に対応する表示窓が設けられた遮光性の実装ケース内に、額縁領域の中心線付近に表示窓の縁が位置するように収容される。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−４０４８６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した電気光学装置によれば、素子アレイ基板上における額縁領域に存在する配線や回路素子からなるパターン部は、Ａｌ膜等の導電膜がパターニングされてなる。このため、特にプロジェクタ用途などのように入射光が強力であり且つ斜め成分を大量に含む場合には、入射光がパターン部の反射率に応じてその表面で反射すると共に入射光がパターン部の隙間を通過する。そして、このようにパターン部で反射した光が、対向基板上のＣｒ（クロム）等からなる額縁遮光膜により、反射されたりする。更に、(i)このように額縁遮光膜で反射された内面反射光やパターン部を透過した光が、素子アレイ基板の裏面で反射してなる反射光、(ii)同じくこのように額縁遮光膜で反射された内面反射光やパターン部を透過した光が、電気光学装置の出射側に取り付けられた偏光板、位相差板、防塵ガラスなどの光学要素で反射してなる反射光、(iii)複数の電気光学装置をライトバルブとして組み合わせて複板式プロジェクタとした場合における他の電気光学装置から出射されて合成光学系を突き抜けて来る戻り光が、パターン部や額縁遮光膜等で反射する事により生じる内面反射光などが、最終的に出射光に混じって当該電気光学装置から出射する。
【０００８】
これらの結果、パターン部における反射や透過に応じた明暗パターン（例えば、配線が複数配列されている場合には、縞模様等の明暗パターン）が表示画像の縁付近に映し出されてしまうという問題点がある。加えて、配線や回路素子からなるパターン部の表面は、その下地面の凹凸に応じて且つそのパターン形状自体に応じて、凹凸が存在するため、係る凹凸表面で反射する内面反射光は、光の干渉作用によっても明暗パターンを持つので、最終的に出射光に混じる明暗パターンは、パターン部の構造によっては一層顕著となる。
【０００９】
逆に、このような配線の内面反射により映し出される明暗パターンを隠すためには、隠すべきパターン部が占める基板上領域よりもかなり広く額縁領域を規定するように幅広の額縁遮光膜を形成する必要が生じてしまう。この結果、限られた基板上領域においてなるべく広い画像表示領域を確保するという当該電気光学装置における基本的要請に応えることが困難となる。しかも、戻り光や内面反射光が、額縁遮光膜の素子アレイ基板に向いた側の面で反射して最終的に明暗パターンを有する光として出射光に混ざることを鑑みれば、このように額縁遮光膜を単純に大きくすることで明暗パターンを完全に隠すことは理論上も困難である。
【００１０】
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、額縁領域に設けられた配線や回路素子からなるパターン部に起因した明暗パターンが表示画像の外側に映し出されることを防止可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる各種電子機器を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域に配置された表示用電極と、前記画像表示領域の周囲を規定し、前記基板に対向配置された対向基板に設けられた額縁遮光膜と、前記額縁遮光膜に対して光の出射側の前記基板上において、前記表示用電極に画素スイッチング用の第１トランジスタを介して接続又は直接接続されると共に、前記額縁遮光膜の領域内に設けられた前記第１トランジスタに接続される配線及び第２トランジスタを含む回路素子からなるパターン部と、前記額縁遮光膜の領域に重なるように、前記画像表示領域の外周から周辺側に至る領域に形成され、前記パターン部を光の出射側から覆う前記基板上の下側遮光膜とを備え、前記下側遮光膜のうち少なくとも前記第２トランジスタの下側に積層された部分には、前記下側遮光膜のうち前記第２トランジスタのソース電極に対向する部分と、前記下側遮光膜のうち前記第２トランジスタのドレイン電極に対向する部分とを分離するようにスリットが設けられていることを特徴とする。
また、本発明の第２電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域に配置された表示用電極と、前記画像表示領域の周囲を規定し、前記基板に対向配置された対向基板に設けられた額縁遮光膜と、前記額縁遮光膜に対して光の出射側の前記基板上において、前記表示用電極に画素スイッチング用の第１トランジスタを介して接続又は直接接続されると共に、前記額縁遮光膜の領域内に設けられた前記第１トランジスタに接続される配線及び第２トランジスタを含む回路素子からなるパターン部と、前記額縁遮光膜の領域に重なるように、前記画像表示領域の外周から周辺側に至る領域に形成され、前記パターン部を光の出射側から覆う前記基板上の下側遮光膜とを備え、前記下側遮光膜のうち少なくとも前記第２トランジスタの下側に積層された部分は、前記下側遮光膜のうち前記第２トランジスタのソース電極に対向する部分と前記下側遮光膜のうち前記第２トランジスタのドレイン電極に対向する部分とを相互分離するように島状に設けられていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第１または第２の電気光学装置によれば、例えばデータ線、走査線等の配線が画像表示領域から引き出されて額縁遮光膜の領域（以下、額縁領域という）内に配置される。或いは、これに代えて又は加えて、引き出された配線に接続された周辺回路の少なくとも一部を構成するトランジスタ或いはＴＦＴ、ＴＦＤ等の回路素子が額縁領域内に配置される。そしてこのように額縁領域内に設けられた配線や回路素子を介して画像信号等を、画素電極等の表示用電極にＴＦＴ等の画素スイッチング用素子を介して或いは直接供給することにより、アクティブマトリクス駆動やパッシブマトリクス駆動などが可能となる。
【００１３】
この際、特にプロジェクタ用途などのように入射光が強力であり且つ斜め成分を大量に含む場合に、例えばＡｌ膜等の導電膜がパターニングされてなるパターン部の反射率に応じて、その表面で入射光が反射したり、入射光がパターン部の隙間を通過する。しかるに本発明では、額縁領域の一部において、下側遮光膜により、配線や回路素子からなるパターン部は、少なくとも部分的に基板側から覆われている。従って、このようにパターン部で反射したりパターン部の隙間を透過した入射光のうち内面反射を経た後或いは直接に表示用の出射光に最終的に混ざる光量は、当該下側遮光膜で吸収又は反射される分だけ減少する。より具体的には、パターン部で反射した光が、対向基板上の額縁遮光膜により反射されることにより、額縁領域の付近で基板側に向けて進行しても、下側遮光膜で吸収又は反射される分だけ、表示用の出射光に混ざる光量が減少する。額縁遮光膜で反射された内面反射光やパターン部を透過した光が、素子アレイ基板の裏面や偏光板、位相差板、防塵ガラスなどの光学要素で反射してなる反射光についても、下側遮光膜で吸収又は反射される分だけ、表示用の出射光に混ざる光量が減少する。更に、複板式プロジェクタの場合における戻り光が、パターン部や額縁遮光膜等で更に反射してなる内面反射光についても、下側遮光膜で吸収又は反射される分だけ、これが最終的に表示用の出射光に混ざる量が減少する。
【００１４】
特に、配線や回路素子からなるパターン部の表面は、その下地面の凹凸に応じて或いはそのパターン形状自体に応じて凹凸が存在するため、係る凹凸表面で反射する内面反射光は光の干渉作用によっても明暗パターンを持つものの、下側遮光膜による吸収又は反射によって、このような明暗パターンを低減できる。
【００１５】
以上のように本発明の電気光学装置によれば、額縁領域に設けられた配線や回路素子からなるパターン部に起因して、表示画像の外側に映し出される明暗パターンを低減できる。従って、表示画像の縁付近に映し出される、明暗パターンを隠すために額縁遮光膜を幅広にする必要も無くなり、限られた基板上領域において広い画像表示領域を確保することも可能となる。
【００１６】
加えて本発明の電気光学装置によれば、下側遮光膜は、額縁領域全体ではなく、パターン部に対向する一部に設けられるので、額縁領域全体に形成する場合と比較して、応力の発生を低減できる。
また、本発明の第１の電気光学装置によれば、下側遮光膜のうちソース電極に対向する部分と、下側遮光膜のうちドレイン電極に対向する部分とが、スリットにより相互分離されるので、下側遮光膜及びソース電極間における寄生容量並びに下側遮光膜及びドレイン電極間における寄生容量による、ソース電極及びドレイン電極間の容量カップリングを低減できる。従って、当該第２トランジスタでは高いトランジスタ特性が得られる。
また、本発明の第２の電気光学装置によれば、下側遮光膜の島状部分により、下側遮光膜のうちソース電極に対向する部分と、ドレイン電極に対向する部分とが、相互分離されるので、下側遮光膜及びソース電極間における寄生容量並びに下側遮光膜及びドレイン電極間における寄生容量による、ソース電極及びドレイン電極間の容量カップリングを低減できる。従って、当該第２トランジスタでは高いトランジスタ特性が得られる。
【００１９】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記下側遮光膜は、前記基板の平坦な表面上に、直に又は平坦な下地絶縁膜を介して形成されている。
【００２０】
この態様によれば、下側遮光膜は、基板の平坦な表面上に、直に又は平坦な下地絶縁膜を介して形成されているので、下側遮光膜の表面には殆ど凹凸が生じていない。このため、基板の裏面側からの戻り光や内面反射光の一部が、仮に下側遮光膜で反射された後に、最終的に表示用の出射光に混ざったとしても、当該平坦な下側遮光膜で反射された光は、干渉を殆ど伴わないので、干渉作用に起因した明暗パターンを低減可能となる。
【００２３】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記第１トランジスタの少なくともチャネル領域の下側に前記下側遮光膜と同一膜が設けられている。
【００２４】
この態様によれば、画素電極に接続された画素スイッチング素子としての第１トランジスタのチャネル領域は、下側遮光膜により下側から覆われているので、戻り光が、当該チャネル領域に入射することにより光リーク電流が発生して、第１トランジスタの特性が変化してしまう事態を効果的に防止できる。尚、第１トランジスタのチャネル領域に上側から入射しようとする入射光については、基板上に別途作り込まれた内蔵遮光膜、Ａｌ膜等の遮光膜からなる配線、対向基板に設けられた遮光膜などにより、遮光すれば特に問題は生じない。そして特に、このように画素部における第１トランジスタを遮光するための下側遮光膜と、額縁領域における明暗パターンの発生防止用の下側遮光膜とは、同一膜からなり、同一製造工程により同時に形成できるので、基板上における積層構造及び製造プロセスの簡略化を図れる。
【００２５】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記下側遮光膜は、光吸収膜からなる。
【００２６】
この態様によれば、戻り光が、下側遮光膜の基板側の表面に入射すると、光吸収作用によりその反射光は減衰する。従って、この反射光が最終的に表示用の出射光に混ざったとしても、当該反射光に基づく明暗パターンを減衰することが可能となる。
【００２７】
この態様では、前記光吸収膜は、ポリシリコン膜及び高融点金属膜のうち少なくとも一方を含んでもよい。
【００２８】
このように構成すれば、比較的簡単に光吸収作用に優れた光吸収膜をパターン部の下側に作り込むことが可能となる。
【００３１】
本発明の第１又は第２の電気光学装置の他の態様では、前記下側遮光膜は、導電膜からなる。
【００３２】
この態様によれば、下側遮光膜は、導電膜からなるので、遮光膜としてのみならず、配線等としても利用可能となる。
【００３３】
この下側遮光膜が導電膜からなる態様では、前記下側遮光膜は、少なくとも部分的に固定電位が供給されているように構成してもよい。
【００３４】
このように構成すれば、額縁領域内において配線や回路素子に対して、下側遮光膜の電位変動が悪影響を及ぼす事態を未然防止できる。
【００８０】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備してなる。
【００８１】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、額縁領域に設けられた配線や回路素子からなるパターン部に起因した明暗パターンが表示画像内に映し出されることがなく、高品位の画像表示を行なうことが可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００８２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００８３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００８４】
（第１実施形態）
先ず、本発明の第１実施形態における電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００８５】
図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００８６】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００８７】
シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてもよい。
【００８８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００８９】
本実施形態では特に、額縁遮光膜５３の下側に、下側遮光膜５０１が部分的に形成されている。下側遮光膜５０１は、画像表示領域１０ａの外周から周辺側に至る額縁遮光膜５３下に部分的に形成されている。下側遮光膜５０１の構成及び遮光作用については後に詳述する。
【００９０】
画像表示領域１０ａの周辺に広がる領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また図１に示すように、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００９１】
本実施形態では特に、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号をサンプリングするサンプリング回路３０１が、額縁遮光膜５３からなる額縁領域内に配置されている。即ち、サンプリング回路３０１を構成する後述のＴＦＴ等の回路素子が額縁領域内に配置されている。更に、画像表示領域１０ａ内に配線されたデータ線からサンプリング回路３０１に至る配線部分、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路３０１に至る配線部分、画像表示領域１０ａ内に配線された走査線から走査線駆動回路１０４に至る配線部分等の各種配線部分も、額縁領域内に配置されている。
【００９２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００９３】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路３０１等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００９４】
次に以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について図３を参照して説明する。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路と周辺回路とを示すブロック図である。
【００９５】
図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００９６】
画像表示領域１０ａの外側に設けられる周辺領域には、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２のドレインに接続されている。他方、画像信号線１１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２のソースに接続されている。データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４は、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２のゲートに接続されている。そして、画像信号線１１５を介して供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００９７】
このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００９８】
また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線３ａに並行して、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容量線３００が設けられている。
【００９９】
次に、図１及び図２に示した額縁遮光膜５３の設けられた額縁領域及び周辺領域における電気光学装置の詳細構成について、額縁領域に設けられた下側遮光膜５０１の構成及び遮光作用を中心として、図４から図７を参照して説明する。ここに図４は、図２におけるＣＲ部分付近を拡大して示す部分断面図であり、図５は、比較例におけるＣＲ部分付近に対応する個所を拡大して示す部分断面図である。図６は、図４に示した部位のうち額縁遮光膜５３、データ線６ａの引き出し配線２０６及び下側遮光膜５０１を抜粋して部分的に示す図式的な部分斜視図であり、図７は、比較例における額縁遮光膜５３及びデータ線６ａの引き出し配線２０６を抜粋して部分的に示す図式的な部分斜視図である。
【０１００】
図４に示すように、本実施形態では、額縁遮光膜５３下にある額縁領域には、パターン部の一例として、データ線６ａの引き出し配線２０６等の各種配線やサンプリング回路を構成するＴＦＴ等の各種回路素子が、配置されている。そして、このように額縁領域内に設けられた引き出し配線２０６等の下側には、下側遮光膜５０１が設けられている。
【０１０１】
図５に示すように比較例では、このような下側遮光膜５０１が設けられていない。
【０１０２】
従って、図６に示すように、本実施形態では、特にプロジェクタ用途などのように図中上側から入射される入射光Ｌ１が強力であり且つ斜め成分を大量に含む場合に、例えばＡｌ膜等の導電膜がパターニングされてなる、引き出し配線２０６等の反射率に応じて、その表面で入射光Ｌ１が反射したり、入射光Ｌ１が引き出し配線２０６等の隙間を通過する。ここで、引き出し配線２０６等は、下側遮光膜５０１によりＴＦＴアレイ基板１０側（図中、下側）から覆われている。従って、額縁領域付近即ち画像表示領域１０ａの外周付近において、引き出し配線２０６等で反射したり引き出し配線２０６等の隙間を透過した入射光Ｌ１のうち内面反射を経た後或いは直接に、表示用の出射光Ｌｏｕｔに最終的に混ざる光Ｌ３の光量は、下側遮光膜５０１で吸収又は反射される分だけ顕著に減少する。
【０１０３】
より具体的には、図４及び図６に示すように、引き出し配線２０６等で反射した光が、額縁遮光膜５３の内面により反射されることにより、額縁領域５３の付近でＴＦＴアレイ基板１０側に向けて進行しても、下側遮光膜５０１で吸収又は反射される分だけ、表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざる光量が減少する。額縁遮光膜５３で反射された内面反射光や引き出し配線２０６等を透過した光が、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面や、これに外付けされた偏光板、位相差板、防塵ガラスなどで反射してなる戻り光Ｌ２についても、下側遮光膜５０１で吸収又は反射される分だけ、表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざる光量が減少する。更に、複板式プロジェクタの場合における戻り光Ｌ２が、引き出し配線２０６や額縁遮光膜５３等で更に反射してなる内面反射光についても、下側遮光膜５０１で吸収又は反射される分だけ、これが最終的に表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざる量が減少する。
【０１０４】
尚、電気光学装置は、樹脂等からなる遮光性の実装ケース８００に収容されており、実装ケース８００内に漏れる光については、その内面により吸収されるので特に問題とはならない。
【０１０５】
これに対して、図５及び図７に示すように、下側遮光膜５０１が設けられていない比較例の場合には、額縁領域付近即ち画像表示領域１０ａの外周付近において、引き出し配線２０６等で反射したり引き出し配線２０６等の隙間を透過した入射光Ｌ１のうち内面反射を経た後或いは直接に、表示用の出射光Ｌｏｕｔに最終的に混ざる光量は、下側遮光膜５０１がある本実施形態の場合と比較して、顕著に増加する。加えて、この比較例の場合には、額縁領域付近即ち画像表示領域１０ａの外周付近において、戻り光Ｌ２についても、引き出し配線２０６等で反射したり引き出し配線２０６等の隙間を透過して、更に額縁遮光膜等による内面反射を経て最終的に表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざる光量は、下側遮光膜５０１がある本実施形態の場合と比較して、顕著に増加する。
【０１０６】
このように本実施形態によれば、引き出し配線２０６等からなるパターン部の下側に下側遮光膜５０１を備えているので、画像表示領域１０ａの外周付近における表示用の出射光Ｌｏｕｔにパターン部の明暗や光の干渉に起因して発生する明暗パターンを有する光の発生を低減できる。このため、表示画像の外側付近における、パターン部に起因した明暗パターンの発生を効果的に防止できる。
【０１０７】
本実施形態では好ましくは、下側遮光膜５０１は、ＴＦＴアレイ基板１０の平坦な表面上に直に、又は平坦なＴＦＴアレイ基板１０上に成膜された平坦な下地絶縁膜の上に形成される。このようにすれば、下側遮光膜５０１の表面には殆ど凹凸が生じない。従って、図５及び図７に示した入射光Ｌ１や戻り光Ｌ２の一部が、仮に下側遮光膜５０１で反射された後に、最終的に表示用の出射光Ｌｏｕｔに混ざったとしても、平坦な下側遮光膜５０１で反射された光は、干渉を殆ど伴わないので、干渉作用に起因した明暗パターンを顕著に低減できる。
【０１０８】
尚、下側遮光膜５０１は例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。そして、このような下側遮光膜５０１は好ましくは、上述の如き画像表示領域１０ａにおける画素スイッチング用のＴＦＴ３０のチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜と同一膜から形成される。これにより、画素スイッチング用のＴＦＴ３０に対する遮光用の下側遮光膜と、額縁領域における明暗パターンの発生防止用の下側遮光膜５０１とを、同一製造工程により同時に形成でき、ＴＦＴアレイ基板１０上における積層構造及び製造プロセスの簡略化を図れる。
【０１０９】
下側遮光膜５０１は、主に光反射により遮光を行なってもよいし、主に光吸収により遮光を行なってもよく、これらの両者により遮光を行なってもよい。主に光吸収により遮光を行なうように構成すれば、額縁領域付近で入射光Ｌ１や戻り光Ｌ２が下側遮光膜５０１をなす光吸収膜に入射する都度に、この光を減衰できる。特に戻り光Ｌ２が問題となる場合には、下側遮光膜５０１を、ＴＦＴアレイ基板１０上において、光吸収層をＴＦＴアレイ基板１０側（下側）に有すると共に反射膜をその反対側（上側）に有するように二層或いは多層に構成してもよい。或いは、入射光Ｌ１が問題となる場合には、下側遮光膜５０１を、ＴＦＴアレイ基板１０上において、光吸収層を対向基板２０側（上側）に有すると共に反射膜をその反対側（下側）に有するように二層或いは多層に構成してもよい。このような光吸収層は、例えばポリシリコン膜及び高融点金属膜のうち少なくとも一方を含んでなる。
【０１１０】
更に下側遮光膜５０１は好ましくは、適当な大きさ単位に、島状に分断形成される。このように島状に分断形成することで、特に額縁領域の全域に下側遮光膜を形成する場合と比べて、下側遮光膜５０１の存在による応力の発生を緩和できる。
【０１１１】
尚、本実施形態では、図４に示したように、下側遮光膜５０１を、画像表示領域１０ａの外周から周辺側に至る領域に重なり幅ΔＷで形成する。この重なり幅ΔＷは、額縁領域に照射される入射光Ｌ２の入射角度に応じて適切な値に予め設定可能である。拡大投影するプロジェクタ用途ではこのような入射角度は一般に大きくなり、それに応じて、上述の明暗パターンを発生させないために重なり幅ΔＷを増加させる必要がある。このような所定幅は、実際の装置仕様に鑑み、実験的、経験的、シミュレーション等により個別具体的に設定すればよい。
【０１１２】
次に、本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示領域における構成について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図９は、図８のＥ−Ｅ’断面図である。尚、図９においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【０１１３】
図８において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【０１１４】
また、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【０１１５】
図８及び図９に示すように、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【０１１６】
容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図８中上下に突出している。このような容量線３００は好ましくは、膜厚５０ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と、膜厚１５０ｎｍ程度の高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持つように構成される。このように構成すれば、第２膜は、容量線３００或いは蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能を持つ。
【０１１７】
本実施形態では特に、容量線３００は、走査線３ａ及びデータ線６ａ間に積層されているので、平面的に見て走査線３ａやデータ線６ａと重なる領域に容量を作り込むことにより、蓄積容量７０の増大が図られている。
【０１１８】
他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【０１１９】
そして、図８中縦方向に夫々伸びるデータ線６ａと図８中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相交差して形成されること及び格子状に形成された下側遮光膜１１ａにより、各画素の開口領域を規定している。
【０１２０】
図８及び図９に示すように、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。尚、上述した中継層７１と同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び２つのコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度ソース領域１ｄとを電気的に接続してもよい。
【０１２１】
また容量線３００は好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａ（図１参照）からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域１０ａからその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【０１２２】
画素電極９ａは、中継層７１を中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【０１２３】
図８及び図９において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【０１２４】
図９に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【０１２５】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【０１２６】
対向基板２０には、各画素の非開口領域に対応して格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く非開口領域を規定する容量線３００やデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、このような対向基板２０上の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、このような対向基板２０上の遮光膜は、両基板の貼り合わせずれによって各画素の開口領域を狭めないように、非開口領域の内側に細めに形成するのが好ましい。このように細めに形成しても、冗長的な遮光を行うと共に入射光による電気光学装置内部の温度上昇を防ぐ効果は発揮される。
【０１２７】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
【０１２８】
更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【０１２９】
図９において、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【０１３０】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【０１３１】
第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【０１３２】
第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【０１３３】
本実施形態では、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層５０における液晶の配向不良を低減する。
【０１３４】
以上説明したように第１実施形態によれば、下側遮光膜５０１を設けているので、額縁領域に設けられたデータ線の引き出し配線２０６等の各種配線やＴＦＴ２０２等の各種回路素子からなるパターン部に起因して、表示画像の外側付近に映し出される明暗パターンを低減できる。従って、このような明暗パターンを隠すために額縁遮光膜５３を幅広にする必要も無くなり、画像表示領域１０ａを大きく構成することが可能となる。
【０１３５】
加えて第１実施形態によれば、下側遮光膜５０１は、額縁領域全体ではなく、額縁領域に設けられたデータ線の引き出し配線２０６等の各種配線やＴＦＴ２０２等の各種回路素子からなるパターン部に対向する一部に設けられるので、額縁領域全体に形成する場合と比較して、応力の発生を低減できる。
【０１３６】
なお以上説明した実施形態では、図９に示したように多数の導電層を積層することにより、画素電極９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化することで緩和しているが、これに代えて或いは加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２或いは第３層間絶縁膜４３に溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第２層間絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨することにより、或いは有機又は無機ＳＯＧを用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
【０１３７】
次に、以上のように構成される下側遮光膜５０１の平面形状の各種具体例に係る第２から第４実施形態及びその変形形態について説明する。これらの実施形態においては夫々、下側遮光膜５０１は、高融点金属膜等の導電性の遮光膜からなる。従って、これらの実施形態は夫々、額縁領域内に配置される下側遮光膜５０１における電気的な状態或いは電位変動が、同じく額縁領域内に配置されるＴＦＴ２０２等の回路素子の動作に対して及ぼす悪影響を低減するのに適している下側遮光膜５０１の具体的な形状に係るものである。
【０１３８】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態における電気光学装置について、図１０及び図１１を参照して説明する。ここに図１０は、第２実施形態における額縁領域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴの拡大平面図であり、図１１は、そのＡ−Ａ’断面図である。尚、図１０及び図１１において、図１から図９に示した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１３９】
図１０及び図１１に示すように、相補型ＴＦＴ２０２ａは、Ｐチャネル領域３２０ｐ及びＮチャネル領域３２０ｎを含む半導体層３２０を備えており、配線３１６の先端部をゲート電極（入力側）とし、低電位配線３２１及び高電位配線３２２の先端部を夫々ソース電極とし、配線３０６の先端部をドレイン電極（出力側）とする、Ｐチャネル型ＴＦＴ２０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ２０２ｎが組み合わされて構成されている。尚、このようなＰチャネル型ＴＦＴ２０２ｐ及びＮチャネル型ＴＦＴ２０２ｎは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０と同様にＬＤＤ構造を有してもよい。第２実施形態では特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮光膜５０１ａは、分断形成されており、少なくとも相補型ＴＦＴ２０２ａを下側から覆う島状部分は、フローティング電位とされている。その他の構成については、図１から図９を参照して説明した第１実施形態の場合と同様である。
【０１４０】
従って、第２実施形態によれば、下側遮光膜５０１ａの電位変動はフローティング電位とされているので、その電位変動が相補型ＴＦＴ２０２ａの特性に悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
【０１４１】
尚、第２実施形態では、下側遮光膜５０１ａにおける相補型ＴＦＴ２０２ａに対向配置される島状部分を除く部分については、画像表示領域１０ａ内にある下側遮光膜１１ａの場合と同様に固定電位が供給されるように構成してもよい。
【０１４２】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態における電気光学装置について、図１２及び図１３を参照して説明する。ここに図１２は、第３実施形態における額縁領域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴの拡大平面図であり、図１３は、そのB−B’断面図である。尚、図１２及び図１３において、図１から図９に示した第１実施形態並びに図１０及び図１１に示した第２実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１４３】
図１２及び図１３に示すように、第３実施形態では特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮光膜５０１ｂは、第２実施形態のように分断形成されておらず、相補型ＴＦＴ２０２ｂの二つのゲート電位極に夫々沿って、二つのスリットが設けられている。その他の構成については、図１０及び図１１を参照して説明した第２実施形態の場合と同様である。
【０１４４】
従って、第３実施形態によれば、下側遮光膜５０１ｂ及びソース電極間における寄生容量並びに下側遮光膜５０１ｂ及びドレイン電極間における寄生容量による、相補型ＴＦＴ２０２ｂにおけるソース電極及びドレイン電極間の容量カップリングを低減できるので、下側遮光膜５０１ｂの電位変動が、相補型ＴＦＴ２０２ｂの特性に悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
【０１４５】
このような下側遮光膜５０１ｂのスリットとしては、例えば、１μｍ程度の幅を有すればよい。また、このようにスリットを形成しても、例えば導電性のポリシリコン膜等からなるゲート電極自体が、ある程度の光吸収性を示すので、スリットの存在により生じ得る明暗パターンは比較的小さくて済む。
【０１４６】
尚、第３実施形態では、このようにスリットを有する下側遮光膜５０１ｂがその延設部５０２を介して、画像表示領域１０ａ内にある下側遮光膜１１ａの場合と同様に固定電位が供給されるように構成してもよい。
【０１４７】
（第４実施形態）
本発明の第４施形態における電気光学装置について、図１４及び図１５参照して説明する。ここに図１４は、第４施形態における額縁領域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴの拡大平面図であり、図１５は、そのＣ−Ｃ’断面図である。尚、図１４及び図１５において、図１から図９に示した第１実施形態並びに図１０及び図１１に示した第２実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１４８】
図１４及び図１５に示すように、第４実施形態では特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮光膜５０１ｃは、第１実施形態のように相補型ＴＦＴの半導体層３２０を一つの単位として大きな島状に分断形成されておらず、相補型ＴＦＴ２０２ｃの半導体層３２０におけるソース領域と、ドレイン領域とを夫々一つの単位として、より小さな島状に分断形成されている。その他の構成については、図１０及び図１１を参照して説明した第２実施形態の場合と同様である。
【０１４９】
従って、第４実施形態によれば、下側遮光膜５０１ｃ及びソース電極間における寄生容量並びに下側遮光膜５０１ｃ及びドレイン電極間における寄生容量による、相補型ＴＦＴ２０２ｃにおけるソース電極及びドレイン電極間の容量カップリングを低減できるので、下側遮光膜５０１ｃの電位変動が、相補型ＴＦＴ２０２ｃの特性に悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。
【０１５０】
このような下側遮光膜５０１ｃの間隙としては、例えば、１μｍ程度であればよい。また、このように間隙が存在しても、例えば導電性のポリシリコン膜等からなるゲート電極自体が、ある程度の光吸収性を示すので、間隙の存在により生じ得る明暗パターンは比較的小さくて済む。
【０１５１】
尚、第４実施形態では、下側遮光膜５０１ｃにおける相補型ＴＦＴ２０２ｃに対向配置される島状部分を除く部分については、画像表示領域１０ａ内にある下側遮光膜１１ａの場合と同様に固定電位が供給されるように構成してもよい。
【０１５２】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態における電気光学装置について、図１６及び図１７を参照して説明する。ここに図１６は、第５実施形態における額縁領域に形成される回路素子の一例たる相補型ＴＦＴの拡大平面図であり、図１７は、そのＤ−Ｄ’断面図である。尚、図１６及び図１７において、図１から図９に示した第１実施形態並びに図１０及び図１１に示した第２実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１５３】
図１６及び図１７に示すように、第５実施形態では特に、高融点金属膜等の導電膜からなる下側遮光膜５０１ｄは、第２実施形態のように相補型ＴＦＴの半導体層３２０を一つの単位として分断された大きな島状部分がフローティング電位とされておらず、コンタクトホール５０３を介して配線３１６の先端部にあるゲート電極（入力側）に接続されて、ゲート電極と同電位とされている。その他の構成については、図１０及び図１１を参照して説明した第２実施形態の場合と同様である。
【０１５４】
従って、第５実施形態によれば、下側遮光膜５０１ｄの島状部分によりバックチャネルを形成することができるので、相補型ＴＦＴ２０２ｄにおけるトランジスタの特性向上を図れる。
【０１５５】
尚、第５実施形態では、下側遮光膜５０１ｄにおける相補型ＴＦＴ２０２ｄに対向配置される島状部分を除く部分については、画像表示領域１０ａ内にある下側遮光悪１１ａの場合と同様に固定電位に落とされているように構成してもよい。
【０１５６】
以上図１から図１７を参照して説明した各実施形態では、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１５７】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態における電気光学装置について、図１８乃至図２０を参照して説明する。ここに図１８は、第６実施形態に係る、図１の符号Ａを付した部分付近を拡大して示す平面図であり、図１９は、比較例に係る図１の符号Ａを付した部分付近を拡大して示す平面図である。また、図２０は、第６実施形態に係る、図２の符号ＣＲを付した部分付近を拡大して示す部分断面図である。尚、図１８乃至図２０において、図１から図９に示した第１実施形態並びに図１０及び図１１に示した第２実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付しそれらの説明は省略する。
【０１５８】
まず、図１８において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、上述の第１実施形態で説明したように、データ線６ａの引き出し配線２０６が形成されており、この引き出し配線２０６の一端には図３に説明したサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２ａが接続されている。さらに、この図においては、走査線３ａの引き出し配線２０８（本発明にいう「パターン部」の一例に該当する。）が形成されている。この引き出し配線２０８の図示しない延長端には、走査線駆動回路（図１参照）が接続されている。また、この図においては、対向基板２０上の対向電極を所定の電位を供給するため等の目的で設置された各種の配線２１０及び２１２が形成されている（図１における上下導通材１０６参照）。さらに、前記の引き出し配線２０６、或いはＴＦＴ２０２ａに対しては、上記の各種実施形態と同様に、これらを少なくとも部分的にＴＦＴアレイ基板１０側から覆う下側遮光膜５０１及び５０１ａが形成されている（図４若しくは図６又は図１０若しくは図１１等参照）。なお、前記の配線２１０及び２１２は、第６実施形態において、「第２パターン部」の一例に該当する。
【０１５９】
そして、第６実施形態では特に、前述の下側遮光膜５０１及び５０１ａのほかに、画像表示領域１０ａ内に形成された画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ３０を、やはりＴＦＴアレイ基板１０側から覆う下側遮光膜１１ａ（図９等参照）と、更には、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のすべてを覆うかのように形成された領外遮光膜５０１Ａが形成されている。以上の三種の遮光膜は、すべて同一膜として、すなわち製造工程段階において同時に形成されている。
【０１６０】
このうち領外遮光膜５０１Ａ等の構成を、図１８に即してより詳しく見ると次のようになっている。
【０１６１】
まず、当該図の左上部分においては、引き出し配線２０６を覆うように下側遮光膜５０１が形成されている（図４又は図６参照）。また、図１８中下方においては、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２ａを覆うように下側遮光膜５０１ａが形成されている（図１０又は図１１参照）。加えて、この図においては、走査線３ａから引き出された引き出し配線２０８を覆うように下側遮光膜５０１ｚが設けられている。これらは、上記各種実施形態における各種の下側遮光膜と同種の目的を有し、また同様な作用を発揮する。
【０１６２】
そして、第６実施形態に係る領外遮光膜５０１Ａは、前述の下側遮光膜５０１、５０１ａ及び５０１ｚの形成領域以外の領域Ｒ１に、これらと一体的に形成された第２下側遮光膜５０１Ａａを含む。すなわち、この第２下側遮光膜５０１Ａａは、額縁領域（図１８中太線参照）内における前記の引き出し配線２０６、或いはＴＦＴ２０２ａ等の形成領域以外の領域Ｒ１にも形成されていることになる。加えて、領外遮光膜５０１Ａは、額縁領域外の領域Ｒ２に設けられた配線２１０及び２１２間の間隙に形成された真正領外遮光膜５０１Ａｂを含む。なお、配線２１０下、及び、配線２１２下に、真正領外遮光膜５０１Ａｂは形成しなくてもよい。すなわち、真正領外遮光膜５０１Ａｂは分断形成されるようになっている。
【０１６３】
以上要するに、第６実施形態においては、配線２１０又は２１２等に関するように、各種の配線或いは回路素子が形成されている領域で形成されていない場合があるにしても、領外遮光膜５０１Ａは、ＴＦＴアレイ基板１０のほぼ全面を覆うようかのように形成されていることになる。
【０１６４】
このような領外遮光膜５０１Ａには、図１８に示すように、その適所において切れ目が設けられている、即ち、該領外遮光膜５０１Ａは島状に分断形成されていることがわかる。そして、第６実施形態において、島状に形成された領外遮光膜５０１Ａの島間の距離は、２μｍ以下となるようにされている、このような形状は、当該領外遮光膜５０１Ａを形成する際において適当なパターニング処理を行うようにしておけば、簡単に形成することができる。
【０１６５】
このような領外遮光膜５０１Ａの存在により、次のような作用効果が奏される。すなわち、比較例たる図１９に示すように、第６実施形態に係る領外遮光膜５０１Ａが形成されていない場合においては、その部分はＴＦＴアレイ基板１０の面がいわば裸のまま曝された状態にある（もっとも、各種の層間絶縁膜１２、４１、４２及び４３等は当然に形成されている。）。したがって、当該部分については、入射光が「そのまま」通過する可能性があり、この光が、画像を構成する光Ｌｏｕｔ（図４又は図６参照）に混入することによって、画像表示に影響を及ぼす可能性がある。例えば、前述したような戻り光が、領域Ｒ１を通過して額縁遮光膜５３で反射し、再び領域Ｒ１を通過するなどという場合、この光は、画像を構成する光Ｌｏｕｔに混入する蓋然性が高いから、画像の縁近傍にぼんやりした光の像を表させる可能性があるのである。
【０１６６】
しかるに、第６実施形態においては、上述のように、領域Ｒ１及びＲ２を含め、第２下側遮光膜５０１Ａａ及び真正領外遮光膜５０１Ａｂを含む領外遮光膜５０１Ａが形成されていることから、上述のような事象は殆ど発生し得ない。したがって、第６実施形態によれば、画像の縁近傍にぼんやりした光の像が発生するなどという事態を未然に回避することができ、見栄えのよい、またより高品質な画像を表示することが可能となる。
【０１６７】
また、第６実施形態における領外遮光膜５０１Ａは、上述のように分断形成されており、或いは配線２１０及び配線２１２間の間隙に形成された真正領外遮光膜５０１Ａｂのように、場所に応じて大きく分断形成されていることにより、このような遮光膜をベタ状に形成する場合と比較して、相対的にその内部応力を低減することができる。これにより、当該領外遮光膜５０１Ａが自身の内部応力によって破壊するに至ったり、或いはその周囲の構成（例えば、下地絶縁膜１２等）にクラックを生じさせたりというような事態は殆ど生じなくなり、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【０１６８】
ちなみに、領域Ｒ１等における領外遮光膜５０１Ａが分断形成されているという場合における、各島間の間隔は２μｍ以下とされていることから、当該隙間を通過した光が、その背後に控える額縁遮光膜５３等によって反射した後、再び当該隙間を通過するという事象は殆ど生じ得ない。したがって、このような光が画像を構成する光Ｌｏｕｔに混入するおそれはきわめて小さく、当該隙間が、画像表示に与える影響はきわめて小さい。このように、第６実施形態においては、上述した島状形成による作用効果、即ち内部応力の低減という作用効果を得ながらも、領外遮光膜５０１Ａそれ本来の作用効果、即ち画像周囲における光の像の発生防止という作用効果をも遜色なく享受することができる。
【０１６９】
なお、このような第６実施形態にかかる領外遮光膜５０１Ａに関し、上述では、「ＴＦＴアレイ基板１０のほぼ全面を覆うかのように」形成されると述べたが、本発明の観点からは、該領外遮光膜５０１Ａが、字義どおり、ＴＦＴアレイ基板１０の「全面」に形成される必要は勿論ない。事実、図１８及び図１９においても既に、領外遮光膜５０１Ａは適所適所で分断形成されており、このことからしても、該領外遮光膜５０１Ａが「全面」に形成される必要がないことは明らかである。
【０１７０】
さらに積極的にいえば、本発明に係る領外遮光膜は、例えば図２０において示す部分ＷＷの領域に関してのみ形成するようにすればよい。この図において、当該部分ＷＷは、即ち実装ケース８００に形成された表示窓の縁部分８０１ａと、下側遮光膜５０１の縁部分との間の部分である。なぜなら、このような部分ＷＷ以外の部分においては、実装ケース８００の存在により光の進行が遮られることから、上述した、「そのまま」の光通過という事象は、実質的に、該部分ＷＷにおいてのみ発生すると考えることができるからである。したがって、領外遮光膜は、図２０に示すように当該部分ＷＷにおいてのみ形成されていれば十分である（符号５０１Ｂ参照、また、光ＬＡの進行参照。）。
【０１７１】
そして、このような形成態様によれば、効果的に遮光を実現することができ、また、この場合における領外遮光膜５０１Ｂは、適切且つ必要な面積だけ形成すればよくなるから、当該遮光膜内部における内部応力に起因した前記のような不具合の発生をより抑制的にすることができることになる。
【０１７２】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【０１７３】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図２１は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１７４】
図２１において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１７５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【０１７６】
また、本発明の電気光学装置は、電気泳動装置やＥＬ装置等にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】  図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】  本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を、周辺回路を共に示すブロック図である。
【図４】  図２におけるＣＲ部分付近を拡大して示す部分断面図である。
【図５】  比較例におけるＣＲ部分付近に対応する個所を拡大して示す部分断面図である。
【図６】  図４に示した部位のうち額縁遮光膜、データ線の引き出し配線及び下側遮光膜を抜粋して部分的に示す図式的な部分斜視図である。
【図７】  比較例における額縁遮光膜及びデータ線の引き出し配線を抜粋して部分的に示す図式的な部分斜視図である。
【図８】  実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図９】  図８のＥ−E’断面図である。
【図１０】  本発明の第２実施形態における周辺回路を構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
【図１１】  図１０のＡ−Ａ’断面図である。
【図１２】  本発明の第３実施形態における周辺回路を構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
【図１３】  図１２のB−Ｂ’断面図である。
【図１４】  本発明の第４実施形態における周辺回路を構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
【図１５】  図１４のＣ−Ｃ’断面図である。
【図１６】  本発明の第５実施形態における周辺回路を構成する相補型トランジスタの拡大平面図である。
【図１７】  図１６のＤ−Ｄ’断面図である。
【図１８】  本発明の第６実施形態における図２の符号Ａを付した部分付近を拡大して示す平面図である。
【図１９】  比較例における図２の符号Ａを付した部分付近を拡大して示す平面図である。
【図２０】  本発明の第６実施形態における図２の符号ＣＲを付した部分付近を拡大して示す部分断面図である。
【図２１】  本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層、１ａ’…チャネル領域、１ｂ…低濃度ソース領域、１ｃ…低濃度ドレイン領域、１ｄ…高濃度ソース領域、１ｅ…高濃度ドレイン領域、２…絶縁膜、３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１ａ…下側遮光膜、１２…下地絶縁膜、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２２…配向膜、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、５３…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、７１…中継層、８１、８３、８５…コンタクトホール、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、１１４…サンプリング回路駆動信号線、１１５…画像信号線、１１６…引き出し配線、２０２…ＴＦＴ、２０２ａ〜２０２ｄ…相補型ＴＦＴ、２０６…引き出し配線、３００…容量線、３０１…サンプリング回路、３０２…ＴＦＴ、５０１…下側遮光膜
【図１】
0003669351.tif 000002
【図２】
0003669351.tif 000003
【図３】
0003669351.tif 000004
【図４】
0003669351.tif 000005
【図５】
0003669351.tif 000006
【図６】
0003669351.tif 000007
【図７】
0003669351.tif 000008
【図８】
0003669351.tif 000009
【図９】
0003669351.tif 000010
【図１０】
0003669351.tif 000011
【図１１】
0003669351.tif 000012
【図１２】
0003669351.tif 000013
【図１３】
0003669351.tif 000014
【図１４】
0003669351.tif 000015
【図１５】
0003669351.tif 000016
【図１６】
0003669351.tif 000017
【図１７】
0003669351.tif 000018
【図１８】
0003669351.tif 000019
【図１９】
0003669351.tif 000020
【図２０】
0003669351.tif 000021
【図２１】
0003669351.tif 000022