(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを被処理物の表面に吹付け、該表面を処理する装置において、
一方向に延在する孔列をその延在方向と交差する方向に等ピッチで複数並設してなる孔列群を有し、各孔列から処理ガスを吹出す処理部と、
前記処理部を被処理物に対し、前記並設方向と交差する方向に相対移動させる移動機構とを備え、
前記処理部が、等ピッチで並設された複数の電極部材を有し、隣接する電極部材どうし間に前記孔列としてスリット状の隙間が形成され、前記複数の電極部材による隙間によって前記孔列群が構成されており、
各隙間に被処理物をプラズマ処理するための処理ガスが通されることを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記相対移動方向が、各孔列の延在方向に沿っていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記孔列の各々の延在方向と互いの並設方向とが直交し、前記相対移動方向が、前記延在方向に沿っていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項４】
処理ガスを被処理物の表面に吹付け、該表面を処理する装置において、
一方向に延在する孔列をその延在方向と交差する方向に等ピッチで複数並設してなる孔列群を有し、各孔列から処理ガスを吹出す処理部と、
前記処理部を被処理物に対し、前記並設方向と交差する方向に相対移動させる移動機構とを備え、
前記孔列が、前記相対移動方向に対し斜めにそれぞれ延在していることを特徴とする表面処理装置。
【請求項５】
処理ガスを被処理物の表面に吹付け、該表面を処理する装置において、
一方向に延在する孔列をその延在方向と交差する方向に等ピッチで複数並設してなる孔列群を有し、各孔列から処理ガスを吹出す処理部と、
前記処理部を被処理物に対し、前記並設方向と交差する方向に相対移動させる移動機構とを備え、
前記孔列が、前記相対移動方向に対し斜めにそれぞれ延在するとともに、前記相対移動方向と直交する方向に互いに並設されていることを特徴とする表面処理装置。
【請求項６】
処理ガスを被処理物の表面に吹付け、該表面を処理する装置において、
一方向に延在する孔列をその延在方向と交差する方向に等ピッチで複数並設してなる孔列群を有し、各孔列から処理ガスを吹出す処理部と、
前記処理部を被処理物に対し、前記並設方向と交差する方向に相対移動させる移動機構とを備え、
前記孔列が、前記相対移動方向に対し斜めにそれぞれ延在するとともに、この延在方向と直交する方向に互いに並設されていることを特徴とする表面処理装置。
【請求項７】
前記孔列のうち１の孔列の延在方向の一端部と、所定の整数個隣りの孔列の延在方向の他端部とが、前記相対移動方向に沿う同一直線上に位置していることを特徴とする請求項４〜６の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項８】
前記ピッチが、前記孔列と被処理物との間の距離を有効範囲の上限近傍としたときの有効処理幅と略等しくなるように設定されていることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項９】
前記処理部を被処理物に対し前記相対移動方向と交差する方向に相対揺動させる揺動機構を更に備えたことを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項１０】
前記処理部が、前記孔列群を前記延在方向に複数段有し、隣り合う孔列群の孔列どうしが、前記並設方向にずれていることを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項１１】
前記ずれの大きさが、前記ピッチのｎ分の１（ｎは、前記孔列群の段数）であることを特徴とする請求項１０に記載の表面処理装置。
【請求項１２】
前記処理部が、前記孔列群を前記延在方向に複数段有しており、
隣り合う孔列群の一方に対応する第１揺動機構と、他方に対応する第２揺動機構を更に備え、これら第１、第２揺動機構が、それぞれ対応孔列群を互いに同一方向、かつ被処理物に対し前記相対移動方向と交差する方向に相対揺動させ、しかも第１揺動機構の揺動位相と第２揺動機構の揺動位相が、互いにずれていることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項１３】
前記処理部が、等ピッチで並設された複数の電極部材を有し、隣接する電極部材どうし間に前記孔列としてスリット状の隙間が形成され、前記複数の電極部材による隙間によって前記孔列群が構成されており、
各隙間に被処理物をプラズマ処理するための処理ガスが通されることを特徴とする請求項４〜７の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項１４】
前記処理部が、前記並設方向に分離可能に連結された複数の電極モジュールを有し、
各電極モジュールが、等ピッチで並設された複数の電極部材を含み、前記孔列群の一部を構成していることを特徴とする請求項１３に記載の表面処理装置。
【請求項１５】
隣り合う２つの電極モジュールにおいて、互いの対向端に配置された電極部材どうしが、重ね合わされ、１の合体電極部材を構成し、
この合体電極部材が、前記隣り合う２つの電極モジュールの他の各電極部材と等厚であることを特徴とする請求項１４に記載の表面処理装置。
【請求項１６】
前記処理部が、処理ガスを均一化する整流路を有し、この整流路に複数の孔列が分岐するようにして連なっていることを特徴とする請求項１〜１５の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項１７】
前記処理部が、前記並設方向に分離可能に連結された複数のモジュールユニットを有し、各モジュールユニットが、前記電極モジュールと、この電極モジュールに接続された整流モジュールを備え、この整流モジュールが、処理ガスを均一化する整流路を有し、この整流路に同じモジュールユニットの電極モジュールの孔列が分岐するようにして連なっていることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の表面処理装置。
【請求項１８】
等ピッチで並設された複数の電極部材を有し、隣接する電極部材どうし間に前記並設方向と交差する方向に延在された孔列としてスリット状の隙間が形成され、この隙間が互いに等ピッチで並設された処理部を、被処理物に対し前記並設方向と交差する方向に相対移動させながら、処理ガスを各隙間に通して吹出して被処理物の表面に吹付け、該表面のプラズマ処理を行うことを特徴とする表面処理方法。
【請求項１９】
被処理物を、前記孔列の延在方向に沿って相対移動させながら、前記処理ガスの吹出しを行なうことを特徴とする請求項１８に記載の表面処理方法。
【請求項２０】
一方向に延在され互いに等ピッチで並設された複数の孔列を有する処理部における前記孔列の延在方向に対し、被処理物を斜めに相対移動させながら、処理ガスを各孔列から吹出して被処理物の表面に吹付け、該表面の処理を行なうことを特徴とする表面処理方法。
【請求項２１】
前記ピッチを、前記孔列と被処理物との間の距離を有効範囲の上限近傍としたときの有効処理幅と略等しくなるように設定しておき、前記距離が前記有効範囲の上限近傍になるようにして処理を行なうことを特徴とする請求項１８〜２０の何れかに記載の表面処理方法。
【請求項２２】
前記処理部が、前記等ピッチをなす孔列からなる孔列群を前記延在方向に複数段配置することにより構成され、しかも隣り合う段の孔列群どうしが前記並設方向にずれており、
前記相対移動を、前記複数段の孔列群について一体に行うことを特徴とする請求項１８〜２１の何れかに記載の表面処理方法。
【請求項２３】
前記処理部を、被処理物に対し前記相対移動方向と交差する方向に更に相対揺動させながら、前記処理ガスの吹出しを行うことを特徴とする請求項１８〜２１の何れかに記載の表面処理方法。
【請求項２４】
前記処理部が、前記等ピッチをなす孔列からなる孔列群を前記延在方向に複数段配置することにより構成されており、
前記相対移動と併行して、隣り合う段の孔列群どうしを、被処理物に対し前記相対移動方向と交差する方向に、位相を互いにずらして相対揺動させることを特徴とする請求項１８〜２１の何れかに記載の表面処理方法。
【請求項２５】
前記揺動の振幅を、前記ピッチの２分の１又は２分の１強とすることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の表面処理方法。
【請求項２６】
前記揺動の周期を、被処理物が孔列の長さ分の距離だけ相対移動する時間の整数分の１に設定することを特徴とする請求項２３〜２５の何れかに記載の表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマＣＶＤを始めとするプラズマ処理や熱ＣＶＤなどの、処理ガスを被処理物に吹付けて成膜やエッチング等の表面処理を行なう装置及び方法に関する。特に、プラズマ処理においては、被処理物を電極間空間の外部に配置し、これに向けて電極間で形成したプラズマを吹出す所謂リモート式のプラズマ処理装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、表面処理装置としてリモート式のプラズマ処理装置が記載されている。装置は、垂直をなす電極板を横に複数並設してなるプラズマ処理部を有している。これら電極板のうち１つ置きの電極板が高周波電源に接続され、他の１つ置きの電極板が接地されている。隣り合う電極板間に形成されたスリットには、上方から処理ガスが導入される。併行して、電源から上記１つ置きの電極板への高周波給電によって、隣り合う電極板間のスリット内に高周波電界が印加される。これによって、処理ガスがプラズマ化される。このプラズマ化されたガスが、上記スリットの下端から吹出され、下方に配置された被処理物に当てられる。これにより、被処理物のプラズマ表面処理がなされるようになっている。
特許文献２には、電極板の延び方向ひいては隣り合う電極板間のスリットの延び方向と直交する方向に被処理物を移動させながらプラズマを吹付けることが記載されている。電極板ひいてはスリットを被処理物の全幅に渡る長さにすることにより、被処理物の全体を一度に処理できる。
特許文献３に記載の装置では、電極板の対を左右に複数並設するとともに、被処理物を電極板間のスリットの延び方向に沿って相対移動させるようになっている。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２２６２５８号公報（第１頁）
【特許文献２】特開２００２−１４３７９５号公報（第１頁）
【特許文献３】特開２００３−２４９４９２号公報（第１頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上掲の特許文献１、２の装置では、被処理物が大面積になればなるほど、スリットひいては電極板を長大にしなければならなかった。そうすると、電極板が自重、クーロン力、熱応力等によって湾曲しやすくなってしまう。スリットや電極板の寸法精度の確保も容易でない。また、処理部全体の重量が電極板の枚数に応じて指数的に増大してしまう。特許文献３の装置では、電極板の対ひいてはそれらの間のスリットを等ピッチに配置する構成になっておらず、処理間隔が一定にならない。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、プラズマ表面処理をはじめ熱ＣＶＤなども含む成膜やエッチング等の表面処理において、処理ガスを吹出す各スリット（孔列）を短小にしても、大面積の被処理物を効率良く表面処理でき、更に処理間隔を一定にできるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明に係る表面処理装置は、処理ガスを被処理物（ワーク）の表面に吹付け、該表面を処理する装置において、一方向に延在する孔列をその延在方向と交差する方向に等ピッチで複数並設してなる孔列群を有し、各孔列から処理ガスを吹出す処理部と、前記処理部を被処理物に対し、前記並設方向と交差する方向に相対移動させる移動機構とを備えたことを特徴とする。
これによって、各孔列を短くでき、その一方、被処理物が大面積であっても、効率良く表面処理することができ、処理間隔を一定にすることもできる。
ここで、孔列は、１つのスリット（細長い隙間）にて構成されていてもよく、複数の小孔や短めのスリットを一列に並べることにより構成されていてもよい。
【０００７】
前記相対移動方向が、各孔列の延在方向に沿っていてもよい。この場合、前記孔列の各々の延在方向（すなわち前記相対移動方向）と互いの並設方向とは、直交しているのが望ましいが、斜めに交差していてもよい。また、前記ピッチが、前記孔列と被処理物との間の距離すなわちワーキングディスタンスを有効範囲（許容範囲）の上限近傍としたときの有効処理幅と略等しくなるように設定されていることが望ましい。これによって、各孔列からのプラズマによって処理される領域を前記並設方向に連続させることができる。ここで、前記孔列と被処理物との間の距離の有効範囲とは、被処理物上の或る点における処理レートを有効な一定値以上に維持出来る範囲を言う（図４参照）。また、有効処理幅とは、１つの孔列から吹出されたプラズマによって表面処理がなされる範囲のうち、その処理が有効な範囲の幅寸法を言い、処理が有効な範囲とは、当該１つの孔列に対応する処理レートが、最大値の所定割合（例えば、１５％〜２５％）以上となる範囲を言う。
【０００８】
前記孔列が、前記相対移動方向に対し斜めにそれぞれ延在していてもよい。これによって、表面処理の均一性を向上できる。
この斜設構造において、前記孔列が、前記相対移動方向に対し斜めにそれぞれ延在するとともに、前記相対移動方向と直交する方向に互いに並設されていてもよく、或いは、前記孔列が、前記相対移動方向に対し斜めにそれぞれ延在するとともに、この延在方向と直交する方向に互いに並設されていてもよい。この斜設構造においても、前記ピッチが、前記孔列と被処理物との間の距離を有効範囲の上限近傍としたときの有効処理幅と略等しくなるように設定されていてもよい。
【０００９】
上記斜設構造において、前記孔列のうち１の孔列の延在方向の一端部と、所定の整数個隣りの孔列の延在方向の他端部とが、前記相対移動方向に沿う同一直線上に位置していることが望ましい。これによって、表面処理の均一性を一層向上できる。
【００１０】
前記処理部を被処理物に対し前記相対移動方向と交差する方向に相対揺動させる揺動機構を更に備えてもよい。これによって、表面処理の一層の均一化を図ることができる。前記揺動方向は、前記並び方向に沿っているか、前記延在方向と直交する方向に沿っているのが望ましい。
【００１１】
前記処理部が、前記孔列群を前記延在方向に複数段有していてもよい。これによって、表面処理を十分に行うことができる。
隣り合う段の孔列群の孔列どうしは、前記並設方向にずれていることが望ましい。これによって、表面処理の均一化を図ることができる。特に、前記孔列の延在方向と前記相対移動方向が平行である場合に、縞状のムラが出来るのを有効に防止できる。
【００１２】
前記ずれの大きさは、前記ピッチのｎ分の１（ｎは、前記孔列群の段数）であることが望ましい。これによって、表面処理の均一性をより一層向上できる。
【００１３】
前記複数段構成において、隣り合う孔列群の一方に対応する第１揺動機構と、他方に対応する第２揺動機構を更に備え、これら第１、第２揺動機構が、それぞれ対応孔列群を互いに同一方向、かつ被処理物に対し前記相対移動方向と交差する方向に相対揺動させ、しかも第１揺動機構の揺動位相と第２揺動機構の揺動位相が、互いにずれていてもよい。これによって、表面処理の均一性を一層向上させることができる。
【００１４】
前記表面処理装置は、処理ガスを孔列群から吹出して被処理物に当てるものであり、プラズマ処理装置の他、熱ＣＶＤ装置も含む。
プラズマ処理装置の場合には、前記処理部が、等ピッチで並設された複数の電極部材を有し、隣接する電極部材どうし間に前記孔列としてスリット状の隙間が形成され、前記複数の電極部材による隙間によって前記孔列群（スリット状の孔列の群、すなわちスリット群）が構成されており、各隙間に被処理物をプラズマ処理するための処理ガスが通されるようになっているのが望ましい。このように本発明をプラズマ処理装置に適用した場合には、電極部材の小型化・軽量化を図ることができ、機械的強度を高めて湾曲しないようにすることができる。また、寸法精度の確保も容易になる。さらに、大面積の被処理物に対しては、電極部材の並設数を増やすことにより対応でき、個々の電極部材を大型化する必要がない。前記電極部材は、例えば板状をなしている。
隣接する電極部材どうしは、例えば互いに逆の極性を付与されており、各隙間がプラズマ化空間となり、これに通された処理ガスがプラズマ化されて吹出されるようになっている。プラズマＣＶＤ等においては、１つの電極部材に対し、片側に隣接する電極部材とは互いに逆の極性になる一方、反対側に隣接する電極部材とは互いに同極になるようにし、逆極性の電極部材どうし間には前記処理ガスとしてプラズマで励起される反応性ガスを通し、同極性の電極部材どうし間には前記処理ガスとして膜の原料ガスを通す等してもよい。
【００１５】
前記プラズマ処理装置において、前記処理部が、前記並設方向に分離可能に連結された複数の電極モジュールを有し、各電極モジュールが、等ピッチで並設された複数の電極部材を含み、前記孔列群（スリット群）の一部を構成していてもよい。これによって、電極モジュールの連結数を調節することにより、孔列群全体の大きさを被処理物の大きさに柔軟に対応させることができる。
【００１６】
隣り合う２つの電極モジュールにおいて、互いの対向端に配置された電極部材どうしが、重ね合わされ、１の合体電極部材を構成し、この合体電極部材が、前記隣り合う２つの電極モジュールの他の各電極部材と等厚であることが望ましい。これによって、２つの電極モジュールの連結部分においてもスリット状孔列のピッチを他の部分と等しくすることができる。
【００１７】
前記処理部が、処理ガスを均一化する整流路を有し、この整流路に複数の孔列が分岐するようにして連なっていることが望ましい。また、前記プラズマ処理装置において、前記処理部が、前記並設方向に分離可能に連結された複数のモジュールユニットを有し、各モジュールユニットが、前記電極モジュールと、この電極モジュールに接続された整流モジュールを備え、この整流モジュールが、処理ガスを均一化する整流路を有し、この整流路に同じモジュールユニットの電極モジュールの孔列が分岐するようにして連なっていることが望ましい。これによって、１つの整流路で均一化した処理ガスを複数の孔列に通すことができ、これら複数の孔列に対応する処理を一層均一に行なうことができる。
【００１８】
本発明に係る表面処理方法は、互いに等ピッチで並設された複数の孔列を有する処理部を、被処理物に対し前記並設方向と交差する方向に相対移動させながら、処理ガスを各孔列から吹出して被処理物の表面に吹付け、該表面の処理を行うことを特徴とする。これによって、各孔列を短くでき、その一方、被処理物が大面積であっても、効率良く表面処理することができる。
【００１９】
被処理物を、前記孔列の延在方向に沿って相対移動させながら、前記処理ガスの吹出しを行なってもよく、被処理物を、前記孔列の延在方向に対し斜めに相対移動させながら、前記処理ガスの吹出しを行なってもよい。
前記ピッチを、前記孔列と被処理物との間の距離を有効範囲の上限近傍としたときの有効処理幅と略等しくなるように設定しておき、前記距離が前記有効範囲の上限近傍になるようにして処理を行なうことが望ましい。
【００２０】
前記処理部が、前記等ピッチをなす孔列からなる孔列群を前記延在方向に複数段配置することにより構成され、しかも隣り合う段の孔列群どうしが前記並設方向にずれており、前記相対移動を、前記複数段の孔列群について一体に行うことが望ましい。これによって、表面処理の均一性を向上させることができる。
【００２１】
前記処理部を、被処理物に対し前記相対移動方向と交差する方向に更に相対揺動させながら、前記処理ガスの吹出しを行うことにしてもよい。これによって、表面処理の一層の均一化を図ることができる。
【００２２】
前記処理部が、前記等ピッチをなす孔列からなる孔列群を前記延在方向に複数段配置することにより構成されており、前記相対移動と併行して、隣り合う段の孔列群どうしを、被処理物に対し前記相対移動方向と交差する方向に、位相を互いにずらして相対揺動させることにしてもよい。
【００２３】
前記揺動の振幅は、被処理物の相対移動の距離と比べると十分に小さいのが望ましい。また、前記揺動の振幅を、前記ピッチの２分の１又は２分の１強とすることが望ましい。これによって、表面処理の均一性を確実に確保することができる。
【００２４】
前記揺動の周期を、被処理物が孔列の長さ分の距離だけ相対移動する時間の整数分の１に設定することが望ましい。これによって、表面処理の均一性を一層確実に確保することができる。
【００２５】
本発明は、例えば、略常圧（大気圧近傍の圧力）の環境下でのプラズマ処理に適用される。本発明における略常圧とは、１．０１３×１０4〜５０．６６３×１０4Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡易化を考慮すると、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａが好ましく、９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａがより好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、各孔列を短くでき、その一方、被処理物が大面積であっても効率良く表面処理することができ、処理間隔を一定にすることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１及び図２は、本発明の基本構造に係る第１実施形態を示したものである。表面処理装置としての常圧プラズマ処理装置Ｍは、プラズマ処理ヘッド１（処理部）と、処理ガス供給源２と、電源３と、移動機構４を備えている。プラズマ処理装置Ｍ１は、液晶用ガラス基板や半導体ウェハー等の大面積のワークＷを被処理物とし、その表面を略常圧下（大気圧近傍下）でプラズマ処理するものである。
【００２８】
処理ガス供給源２は、１または複数の処理ガス成分を気相や液相で貯えるとともに、液相のものは気化させ、複数成分の場合は適量ずつ混合して、処理目的に応じた処理ガスを生成するようになっている。
【００２９】
電界印加手段としての電源３は、処理ヘッド１でのプラズマ形成用の電圧として、例えばパルス電圧を出力するようになっている。このパルスの立上がり時間及び／又は立下り時間は、１０μｓ以下、パルス継続時間は、２００μｓ以下、後記電極間のスリット１０ａでの電界強度は１〜１０００ｋＶ／ｃｍ、周波数は０．５ｋＨｚ以上であることが望ましい。
なお、電源３は、パルス電圧に限らず、正弦波状の高周波交流電圧を出力するものであってもよく、直流電圧を出力するものであってもよい。
【００３０】
移動機構４には、水平なワークセットテーブル５（図２にのみ図示）が接続されている。このワークセットテーブル５の上にワークＷが水平にセットされるようになっている。移動機構４は、ワーク台５ひいてはワークＷを前後方向（図１の矢印方向）に搬送する。これによって、ワークＷが処理ヘッド１の下方に通され、プラズマ表面処理されるようになっている。なお、ワークＷは、往復移動の他、往方向または復方向に１回移動されるだけで処理が完了しワーク台５から取り出されるようになっていてもよい。勿論、ワークＷが位置固定される一方、移動機構４が、処理ヘッド１に接続され、処理ヘッド１を移動させるようになっていてもよい。移動機構４としてローラコンベア等を用いてもよい。ローラコンベアの場合、その上にワークＷを直接的にセットでき、したがって、ワークセットテーブル５が不要になる。
【００３１】
図２に示すように、装置Ｍのワークセットテーブル５には、ヒータ等のワーク温調装置５Ｈ（被処理物温調手段）が付設されている。このワーク温調装置５ＨによってワークＷを処理に適した温度になるように加熱または冷却するようになっている。ワーク温調装置５Ｈは、ワークセットテーブル５の外部に配置されていてもよい。
【００３２】
プラズマ処理装置Ｍの処理ヘッド１について説明する。
図２に示すように、処理ヘッド１は、ワークセットテーブル５ひいてはその上にセットされたワークＷより上側に位置するようにして、図示しない架台にて支持されている。処理ヘッド１は、１つのモジュールユニット１Ｘにて構成されている。モジュールユニット１Ｘは、電極モジュール１０と、この電極モジュール１０の上側に設置された整流モジュール２０を有している。電極モジュール１０は、プラズマ放電部を構成し、整流モジュール２０は、整流部を構成している。
【００３３】
整流モジュール２０には、受容れポート２１と整流路が形成されている。受容れポート２１に、前記処理ガス供給源２からの管２ａが接続されている。整流路は、整流チャンバー２０ａやスリット状（ないしスポット状）の整流孔２３ａ等にて構成されている。ガス整流モジュール２０の下端部に整流孔形成部材として整流板２３が設けられている。この整流板２３に、複数の整流孔２３ａが左右に等ピッチで形成されている。各整流孔２３ａは、前後方向（図２の紙面と直交する方向）に延びるスリット状をなしているが、これに代えて、前後に分散配置された多数のスポット状の孔にしてもよい。整流孔２３ａは、後記電極板間のスリット１０ａと一対一に対応するようにして連なっている。すなわち、１つの整流路に複数のスリット１０ａが分岐するようにして連なっている。なお、整流板２３を上下に複数設け、これにより整流チャンバーを複数に仕切るようにしてもよい。供給源２の処理ガスは、管２ａを経、ガス整流モジュール２０の受容れポート２１に受容れられ、チャンバー２０ａや整流孔２３ａ等からなる整流路により整流・均一化された後、電極モジュール１０へ導入されるようになっている。
【００３４】
図１および図２に示すように、処理ヘッド１の電極モジュール１０は、絶縁性のケーシング１９と、このケーシング１９内に収容された電極アレイ（電極列）とを有している。ケーシング１９は、上下に開放されるとともに、ワークＷの移動方向と直交する左右方向に延びる平面視長方形状をなしている。ケーシング１９の左右方向の長さは、ワークＷの左右方向の幅寸法より大きい。
【００３５】
ケーシング１９内に収容された電極アレイは、複数（図では１２個）の第１、第２電極板１１，１２（板状の電極部材）にて構成されている。これら電極板１１，１２は、互いに同一形状、同一寸法の導電金属製の四角い平板で構成される。この電極板１１，１２が、それぞれ前後方向に沿う垂直をなし、互いに左右に等ピッチで並設されている。各電極板１１，１２の前後両端部が、ケーシング１９の前後の長壁にそれぞれ固定され支持されている。
【００３６】
上記電極板の極性は、並設方向に沿って互い違いになっている。すなわち、図１に示すように、電源３からの給電線３ａが複数に分岐して、処理ヘッド１の１つ置きの電極板１１にそれぞれ接続されている。これら電極板１１は、電界印加電極（ホット電極）となっている。処理ヘッド１の他の１つ置きの電極板１２は、接地線３ｂを介して接地され、接地電極（アース電極）となっている。電源３からのパルス電圧によって、隣り合う電極板１１，１２どうし間にパルス電界が形成されるようになっている。
なお、詳細な図示は省略するが、各電極板１１，１２の表面には、アルミナなどの固体誘電体層が溶射にて被膜されている。
【００３７】
隣り合う電極板１１，１２どうしの間には、スリット状の隙間１０ａが形成されている。この隙間すなわちスリット１０ａは、垂直をなして前後方向（ワークＷの移動方向）に延在している。１つのスリット１０ａが、「一方向に延在する孔列」を構成している。複数の電極間スリット１０ａの左右方向の幅は、互いに等しい。各電極スリット１０ａの上端部は、上記整流モジュール２０のスリット状整流孔２３ａのうち対応するものにそれぞれ連なっている。整流孔２３ａは、電極間スリット１０ａへの処理ガスの導入路となっている。電極間スリット１０ａは、処理ガスを通す通路となるとともに、上記電源３から電極板１１への給電により電界が印加されてグロー放電の起きる放電空間となり、これにより、処理ガスがプラズマ化されるプラズマ化空間となっている。
【００３８】
各電極スリット１０ａの下端部は、それぞれ開放され、前後方向に延びる処理ガス吹出し口となっている。
なお、ケーシング１９の下端部に、吹出し口形成部材として底板を別途設けて電極板１１，１２の下端面に宛がうとともに、この底板に各電極間スリット１０ａとストレートに連なるスリット状の吹出し口を形成することにしてもよい。この場合、電極間スリット１０ａ及びそれに連なるスリット状吹出し口によって、「１つの孔列」が構成される。底板は、セラミックなどの絶縁材料で構成するとよい。
【００３９】
処理ヘッド１において、左右に並設されたスリット１０ａによって、スリット群１００すなわち「スリット状の孔列からなる孔列群」が構成されている。スリット群１００は、ワークＷの左右幅より長く延在されている。
【００４０】
ここで、処理ヘッド１のスリット１０ａの下端部（吹出し口）と、ワークＷとの間の距離、すなわちワーキングディスタンスＷＤ（図２）は、有効範囲内の上限近傍の値ＷＤ０（以下、設定ワーキングディスタンスＷＤ０という。）に設定されている。図４に示すように、ワーキングディスタンスＷＤの有効範囲とは、ワークＷ上の或る地点で測定した処理レートが有効な一定の値以上に維持されている範囲を言う。ワーキングディスタンスが、この有効範囲を超えると、上記測定点での処理レートが、急激に低下する。すなわち、上記設定ワーキングディスタンスＷＤ０は、この急激な低下が起きる直前のワーキングディスタンスである。ここでは、例えば、ＷＤ０＝６ｍｍである。
【００４１】
図３に示すように、電極板１１，１２のピッチＰは、上記設定ワーキングディスタンスＷＤ０における、各スリット１０ａからのプラズマ化された処理ガス（以下、適宜「プラズマガス」という。）による有効処理幅と略等大になるように設定されている。有効処理幅とは、１つのスリット１０ａから吹出されたプラズマガスによって表面処理がなされる範囲Ｓのうち、その処理が有効な範囲Ｓ０の幅寸法を言う。有効処理範囲Ｓ０とは、当該１つのスリット１０ａからのプラズマガスによる処理レートをＲとし、その最大値をＲｍａｘとすると、この最大値Ｒｍａｘに対し、処理レートＲが所定の割合α以上となる範囲を言う。すなわち、Ｒ≧α×Ｒｍａｘを満たす範囲を言う。例えば、α＝１５％〜２５％である。なお、Ｒ＝Ｒｍａｘとなる地点は、通常、スリット１０ａの中心の直下である。処理範囲Ｓ及び有効処理範囲Ｓ０は、上記Ｒ＝Ｒｍａｘとなる地点を中心にして左右に広がっている。
【００４２】
処理範囲Ｓひいては有効処理範囲Ｓ０の幅は、ワーキングディスタンスに依存する。ワーキングディスタンスが有効範囲内すなわちＷＤ≦ＷＤ０を満たす範囲内では、ワーキングディスタンスが大きくなればなるほど、有効処理範囲Ｓ０の幅すなわち有効処理幅が広くなる。したがって、本実施形態の装置Ｍにおいては、ワーキングディスタンスＷを上限近傍値ＷＤ０とすることにより、有効処理幅を可能な限り大きくし、この有効処理幅に電極ピッチＰを合わせることにより、電極ピッチＰを可能な限り大きく設定している。
【００４３】
上記構成の常圧プラズマ処理装置Ｍの動作を説明する。
処理ガス供給源２からの処理ガスは、処理ヘッド１のガス整流モジュール２０で整流された後、各電極間スリット１０ａに均一に導入される。これと併行して、電源３からのパルス電圧が、電極モジュール１０の１つ置きの電極板１１に印加される。これによって、各電極間スリット１０ａにパルス電界が形成されてグロー放電が起き、処理ガスがプラズマ化（励起・活性化）される。このプラズマ化された処理ガスが、下方へ均一に吹出される。同時に、移動機構４によってワークＷが処理ヘッド１の下方を前後方向すなわちスリット１０ａと平行方向に通される。このワークＷに各スリット１０ａからの処理ガスが吹き付けられる。これによって、成膜、エッチング、洗浄等の表面処理を行うことができる。
【００４４】
１つの整流路で均一化した処理ガスを複数のスリット１０ａに導くことができ、これらスリット１０ａ内における処理ガス流を互いに均等にすることができ、ひいては、これらスリット１０ａに対応する処理を互いに均等に行なうことができる。
図３に示すように、スリット１０ａのピッチＰと有効処理幅との上記関係により、１つのスリット１０ａからのプラズマガスによって有効に表面処理される範囲と、その隣のスリット１０ａからのプラズマガスによって有効に表面処理される範囲とを連続させることができる。また、各電極板１１，１２の真下においては、図３の破線に示すように、両側のスリット１０ａからのプラズマガスによる処理レートが重なり合うことになる。したがって、同図の実線に示すように、実際の処理レートを倍増させることができる。これによって、ワークＷを左右方向に万遍なく処理することができる。しかも、スリット群１００がワークＷの左右幅より長く延在されているので、ワークＷの左右全幅を一度に処理することができる。そして、移動機構４にてワークＷを前後に移動させることにより、ワークＷの全面を効率よく処理することができる。
【００４５】
大面積（左右幅広）のワークに対しては、電極板１１，１２ひいては電極間スリット１０ａの並設数を増やすことにより対応できる。各電極板１１，１２の寸法は、ワークＷの大きさに拘わらず短小にすることができる。したがって、寸法精度の確保が容易になるだけでなく、軽量化を図ることができ、自重、クーロン力、熱応力等による電極板１１，１２の撓み量を小さくできる。なお、左右両端以外の電極板１１，１２には、両側から逆方向のクーロン力が作用し、全体としてクーロン力が相殺されるため、湾曲を一層確実に防止することができる。
【００４６】
更に、常圧プラズマ処理装置Ｍにおいては、ワーキングディスタンスをなるべく大きくとり、有効処理幅ひいてはピッチＰを大きくとっているので、電極板１１，１２を十分に厚肉にすることができる。これによって、電極板１１，１２の強度を高めることができ、撓みを一層確実に防止することができる。
【００４７】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の実施形態と同様の構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を簡略化する。
【００４８】
図５〜図１３は、本発明の具体構造に係る第２実施形態を示したものである。はじめに、図５にしたがって、第２実施形態の概略を説明する。
第２実施形態に係る常圧プラズマ処理装置の処理ヘッド１は、モジュールユニット１Ｘを多数（複数）備えている。これらモジュールユニット１Ｘは、前側（図５において上側）と後側（図５において下側）に２段をなし、各段において左右に複数個並べられ、前後左右に当接するものどうしが、互いに分離可能に連結されている。各モジュールユニット１Ｘは、第１実施形態と同様に、電極モジュール１０と、その上側に設置された整流モジュール２０（図７参照）とで構成されている。したがって、処理ヘッド１において、複数の電極モジュール１０は、前側と後側に２段をなして左右に並べられ、前後左右に当接するものどうしが、互いに分離可能に連結されている。隣り合う２つの電極モジュール１０，１０のうち一方を、「第１電極モジュール」とすると、他方が、「第２電極モジュール」となる。同様に、処理ヘッド１において、複数の整流モジュール２０は、前側と後側に２段をなして左右に並べられている。処理ヘッド１を構成する全てのモジュールユニット１Ｘの整流モジュール２０（図７参照）によって「整流部」が構成され、全ての電極モジュール１０によって「プラズマ放電部」が構成されている。
【００４９】
図５に示すように、各電極モジュール１０は、所定数の電極板１１，１２を左右に一定ピッチＰで並べることによって構成されている。（なお、図５では、簡略化のために、各電極モジュール１０の電極板数を図６〜図１１の具体構造図より少なく図示してある。）  前側の段の全ての電極モジュール１０の電極板１１，１２によって、前段の電極アレイが構成され、ひいては前段のスリット群１００が構成されている。後側の段の全ての電極モジュール１０の電極板１１，１２によって、後段の電極アレイが構成され、ひいては後段のスリット群１００が構成されている。すなわち、処理ヘッド１には、スリット群１００が、前後２段設けられている。また、各電極モジュール１０は、スリット群１００の一部を構成している。
【００５０】
前後の各段において左右に隣り合う２つの電極モジュール１０における、互いの対向端の電極板１２，１２（後述の通り、これら電極板を符号１２Ｒ，１２Ｌで表記する。）どうしは、重なり合い、１つの合体電極板１２Ｘ（合体電極部材）を構成している。合体電極板１２Ｘは、他の電極板１１，１２と等厚になっている。これによって、前後各々のスリット群１００のスリットピッチが、２つの電極モジュールの連結部分においても他の部分と等しくなり、スリット群１００全体にわたって等ピッチＰになっている。
【００５１】
次に、第２実施形態の詳細構造を、図６〜図１３にしたがって説明する。
図７に示すように、各モジュールユニット１Ｘの整流モジュール２０は、前後方向（図７の左右方向）に細長く延びるハウジング２９と、このハウジング２９内に設けられた２枚（複数）の整流板２３Ｕ，２３Ｌを有している。ハウジング２９の上面には、前後一対の受容れポート２１が設けられている。処理ガス供給源２からの供給管２ａが、各ユニット２０ごとに分岐し、各受容れポート２１に接続されている。
【００５２】
図７および図８に示すように、ハウジング２９内の２つの整流板２３Ｕ，２３Ｌは、上下に離間配置されている。これら整流板２３Ｕ，２３Ｌによって、ハウジング２９の内部が、上下３段（複数段）のチャンバー２０ａ，２０ｂ，２０ｃに仕切られている。上段のチャンバー２０ａに、受容れポート２１が連なっている。
【００５３】
図１３に示すように、整流板２３Ｕ，２３Ｌは、それぞれ多孔板にて構成されている。これら整流板２３Ｕ，２３Ｌの孔２３ｃ，２３ｄを介して上下のチャンバー２０ａ，２０ｂ，２０ｃどうしが連通されている。各整流板２３Ｕ，２３Ｌの孔２３ｃ，２３ｄは、例えば１０ｍｍ〜１２ｍｍ間隔で格子点状に整列配置されている。ただし、上段の整流板２３Ｕにおける受容れポート２１の真下位置には、孔が設けられていない。これら孔２３ｃ，２３ｄは、下側の整流板のものほど小孔になっている。例えば、上段の整流板２３Ｕの孔２３ｃの直径は、３ｍｍであり、下段の整流板２３Ｌの孔２３ｄの直径は、２ｍｍである。
各整流モジュール２０のチャンバー２０ａ，２０ｂ，２０ｃ及び孔２３ｃ，２３ｄによって、「整流路」が構成されている。
【００５４】
図８に示すように、ハウジング２９の底板２４の上面には、４つ（複数）の支柱２６が設けられている。支柱２６は、ハウジング２９の全長にわたって前後（図８の紙面と直交する方向）に細長く延び、互いに左右に離れて配置されている。これら支柱２６によって下段の整流板２３Ｌが支持されている。また、隣り合う支柱２６どうしの間に下段のチャンバー２０ｃが形成されている。すなわち、下段チャンバーが、支柱（隔壁）２６によって５つ（複数）に分割されている。各分割チャンバー２０ｃは、前後に細長く延びている。このチャンバー２０ｃが、底板２４のガス導入孔２４ａを介して電極モジュール１０の電極間スリット１０ａの上端部に連なっている。１つのチャンバー２０ｃは、隣り合う２つの電極間スリット１０ａと対応している。すなわち、各整流モジュール２０の整流路に複数のスリット１０ａが分岐するようにして連なっている。
【００５５】
処理ガス供給源２からの処理ガスは、供給管２ａおよび整流モジュール２０の前後一対の受容れポート２１を経て、上段チャンバー２０ａに導入される。そして、整流板２３Ｕの多数の孔２３ｃから中段のチャンバー２０ｂに流れ込む。ここで、各受容れポート２１の直下には孔２３ｃが設けられていないため、処理ガスを上段チャンバー２０ａ内の全体に十分に拡散させたうえで、中段チャンバー２０ｂに送ることができる。その後、処理ガスは、整流板２３Ｌの多数の孔２３ｄから下段の各分割チャンバー２０ｃに流れ込む。そこからハウジング底板２４の導入孔２４ａを経て、電極モジュール１０の各電極間スリット１０ａへ導かれる。
【００５６】
図６に示すように、第２実施形態の各電極モジュール１０は、左右に一定ピッチＰで並べられた複数（例えば１１枚）の電極板１１，１２と、これら電極板１１，１２の前後両端に設けられた端壁１５（支持部）とを有し、前後に細長く延びている。
【００５７】
図６および図７に示すように、前後両端の壁１５は、それぞれ内壁部材１６と、この内壁部材１６の外側面にボルト締めされた外壁部材１７とを有している。内壁部材１６の外側面には、後述する冷媒溜め用の大きな凹部１６ｆ（図１２）が形成されている。外壁部材１７は、この凹部１６ｆを塞ぐ蓋の役目を担っている。外壁部材１７は、ステンレス等の金属にて構成されているのに対し、内壁部材１６は、樹脂にて構成されている。これは、後記金属ボルト５１から金属製外壁部材１７に放電が飛ばないようにするためである。内壁部材１６の内側面には、後記外側壁以外の電極板数に対応する数の樹脂製の詰めブロック１４が設けられている。詰めブロック１４は、縦長状をなすとともに、互いに前後に隙間無く並べられている。
【００５８】
図６〜図８に示すように、電極モジュール１０の各電極板１１，１２は、例えばアルミニウムやステンレス等の導電金属にて構成され、長さ方向を前後に向け、厚さ方向を左右に向け、幅方向を垂直に向けて配置されている。図６、図８に示すように、ホット電極を構成する第１電極板１１と、アース電極を構成する第２電極板１２は、左右に交互に並べられている。左右両端には、それぞれアース電極である第２電極板１２が配置されている。この左右両端の電極板１２によって、電極モジュール１０の左右の外側壁が構成されている。左端の電極板１２を他と区別するときは、符号１２に「Ｌ」を添えて表記し、右端の電極板１２を他と区別するときは、符号１２に「Ｒ」を添えて表記し、左右両端以外の第２電極板１２を他と区別するときは、符号１２に「Ｍ」を添えて表記する。
【００５９】
左右に隣り合う２つの電極モジュール１０，１０のうち左側のものを「第１電極モジュール」とし、右側のものを「第２電極モジュール」とすると、左側の電極モジュール１０における右端電極板１２Ｒが、「第１端電極部材」となり、右側の電極モジュール１０における左端電極板１２Ｌが、「第２端電極部材」となる。逆に、右側の電極モジュール１０を「第１電極モジュール」とし、左側の電極モジュールを「第２電極モジュール」とすると、右側の電極モジュール１０における左端電極板１２Ｌが、「第１端電極部材」となり、左側の電極モジュール１０における右端電極板１２Ｒが、「第２端電極部材」となる。
【００６０】
電極モジュール１０における両端以外の９枚の電極板１１，１２Ｍは、互いに等厚の平板状をなしている。これら電極板１１，１２Ｍの前後方向の長さは、例えば３０００ｍｍであり、左右方向の厚さは、例えば９ｍｍであり、上下方向の幅は、例えば６０ｍｍである。図６に示すように、各電極板１１，１２Ｍの前後の端面には、詰めブロック１４が、それぞれ宛てがわれ、金属ボルト５１にて固定されている。
【００６１】
電極モジュール１０の外側壁を兼ねた両端の電極板１２Ｌ，１２Ｒは、内側の電極板１１，１２Ｍより前後に長く延出し、左右両端の詰めブロック１４と内壁部材１６の左右端面に宛がわれるとともに、外壁部材１７に突き当てられ、ボルト締めされている。
【００６２】
図６〜図９に示すように、電極板１１，１２Ｍの両側面には、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等からなる固体誘電体の板１３が、それぞれ宛てがわれている。左端の電極板１２Ｌの平坦な右側面と、右端の電極板１２Ｒの平坦な左側面にも、同様の固体誘電体板１３が、それぞれ宛てがわれている。これら固体誘電体板１３の厚さは、例えば１ｍｍである。なお、板１３を宛がうのに代えて、固体誘電体の溶射等で被膜することにしてもよい。
【００６３】
図６、図８、図９に示すように、隣り合う電極板１１，１２どうしの間（正確にはそれらの固体誘電体板１３どうしの間）には、狭い隙間すなわち電極間スリット１０ａが形成されている。１つの電極モジュール１０全体では、１０個の電極間スリット１０ａが形成されている。これら電極間スリット１０ａのピッチＰは、上記電極板１１，１２のピッチと等しい。
【００６４】
図６、図９、図１０に示すように、各電極間スリット１０ａを挟んで対向する２枚の固体誘電体板１３の前側の端部どうし間、及び後側の端部どうし間には、スペーサ１８が介在されている。これによって、各固体誘電体板１３が電極板１１，１２に押し当てられるとともに、電極間スリット１０ａの左右方向の厚さが所定に維持されている。電極間スリット１０ａの厚さは、例えば１ｍｍである。
上述したように、各電極間スリット１０ａの上端部は、整流モジュール２０の導入孔２４ａに連なっている（図８）。
【００６５】
図８、図１１（ａ）に示すように、各電極モジュール１０の左端の電極板１２Ｌの上側部と下側部は、他の電極板１１，１２Ｍより薄肉となり、上下一対の第１薄肉部１２ｇ，１２ｇを構成している。左端電極板１２Ｌの上下方向の中央部は、隣の電極モジュール１０に向けて突出する凸状をなし、上記第１薄肉部１２ｇより厚肉の第１厚肉部１２ｆを構成している。図６に示すように、これら薄肉部１２ｇ及び厚肉部１２ｆは、左端電極板１２Ｌの全長にわたって前後に延びている。第１厚肉部１２ｆの厚さは、例えば７ｍｍであり、第１薄肉部１２ｇの厚さは、例えば２ｍｍである。
【００６６】
一方、図８、図１１（ａ）に示すように、各電極モジュール１０の右端の電極板１２Ｒの上下方向の中央部には、外側面に凹部が形成されている。これにより、右端電極板１２Ｒの上下方向の中央部は、第２薄肉部１２ｈを構成し、上側部と下側部は、薄肉部１２ｈより厚肉の第２厚肉部１２ｋを構成している。図６に示すように、これら薄肉部１２ｈ及び厚肉部１２ｋは、右端電極板１２Ｒの全長にわたって前後に延びている。右端電極板１２Ｒの第２薄肉部１２ｈの厚さは、例えば２ｍｍであり、第２厚肉部１２ｋの厚さは、例えば７ｍｍである。
【００６７】
図１１（ｂ）、図１２に示すように、プラズマ処理ヘッド１の前後の各段において左右に隣接する２つの電極モジュール１０，１０のうち、左側のモジュール１０の凹状をなす第２薄肉部１２ｈに、右側のモジュール１０の凸状をなす第１厚肉部１２ｆが嵌め込まれている。また、左側のモジュール１０の凸状をなす第２厚肉部１２ｋが、右側のモジュール１０の凹状をなす第１薄肉部１２ｇに嵌め込まれている。このようにして、左側のモジュール１０の右端電極板１２Ｒと右側のモジュール１０の左端電極板１２Ｌとが重ね合わされ、これら電極板１２Ｒ，１２Ｌによって、真平らな１つの合体電極板１２Ｘが構成されている。合体電極板１２Ｘは、アース電極を構成している。
【００６８】
合体電極板１２Ｘの厚さは、他の電極板１１，１２Ｍと同じ（９ｍｍ）である。これによって、図１１（ｂ）に示すように、電極板ピッチが、左右に隣接する２つの電極モジュール１０の連結部分においてもそれ以外の部分と等しい大きさＰ（例えばＰ＝１２ｍｍ）になっている。すなわち、左側のモジュール１０の電極板１１，１２Ｍと、合体電極板１２Ｘと、右側のモジュール１０の電極板１１，１２Ｍが、互いに等ピッチをなしている。これによって、スリット群１００の全体にわたって、スリット１０ａのピッチが、一定の大きさＰに揃えられている。
【００６９】
図８に示すように、電極モジュール１０の下端部には、底板１０Ｌが設けられている。底板１０Ｌは、セラミック等の絶縁材料からなり、電極板１１，１２Ｍの下面に宛がわれている。底板１０Ｌには、吹出しスリット１０ｂが複数形成されている。これら吹出しスリット１０ｂは、各々前後に延びるとともに、互いに左右に等ピッチＰで並設されている。上記電極間スリット１０ａと同様に、吹出しスリット１０ｂのピッチは、左右に隣接する２つの電極モジュール１０の連結部分でも他の部分と等しい。この結果、左右の電極モジュール１０の連結部分で処理が不均一になるのを防止できる。
【００７０】
各吹出しスリット１０ｂの下側部には段差が形成され、そこより上側が幅広になっており、そこに、電極間スリット１０ａを挟んで対向する２枚の固体誘電体板１３，１３の下端部が挿入されている。これら２枚の固体誘電体板１３，１３の間の電極間スリット１０ａが、吹出しスリット１０ｂの段差より下側部に連なっている。吹出しスリット１０ｂの下端部は、底板１０Ｌの下面に開口し、処理ガスの吹出し口になっている。１つの電極間スリット１０ａとそれに連なる吹出しスリット１０ｂの下端部によって、「１つの孔列」が構成されている。
【００７１】
図５、図９に示すように、第２実施形態の前段のモジュールユニット１Ｘと後段のモジュールユニット１Ｘどうしは、上記ピッチＰの半分だけ左右にずれている。よって、前段の電極モジュール１０と後段の電極モジュール１０は、左右に半ピッチ（Ｐ／２）だけずれている。これによって、前段のスリット群１００と後段のスリット群１００は、左右に半ピッチ（Ｐ／２）だけずれている。
【００７２】
この半ピッチのずれによって、図１４の二点鎖線に示すように、前段のスリット群１００からの処理ガスによる処理の谷間の部分に、同図の破線に示すように、後段のスリット群１００からの処理ガスによる処理の山の部分を重ね、前側の山の部分に後側の谷に部分を重ねることができる。この結果、同図の実線に示すように、処理レートを左右方向に均すことができ、処理ムラを抑えることができる。しかも、スリット群１００が、左右の電極モジュール１０，１０どうしの連結部分でも所定ピッチＰになっているので、処理の均一性を一層向上することができる。
【００７３】
第２実施形態のモジュールユニット１Ｘにおける電極板１１，１２の給電構造について説明する。
図７および図８に示すように、整流モジュール２０の前側部には、それを垂直に貫通する給電ピン３１が、左右に並んで５本（複数）設けられている。これら給電ピン３１の上端部は、ホット線（給電線）３ａを介して電源３に接続され、下端部は、第１電極板１１にそれぞれ埋め込まれている。同様にして、整流モジュール２０の後側部には、接地ピン３２が設けられ、その上端部がアース線（接地線）３ｂを介して接地され、下端部が第２電極板１２にそれぞれ埋め込まれている。
【００７４】
第２実施形態の電極モジュール１０には、電極板１１，１２の冷却手段（温調手段）が設けられている。
詳述すると、図７および図８に示すように、各電極板１１，１２Ｍの内部には、温調路として上下に離れて３つ（複数）の冷媒路１０ｃ，１０ｄ，１０ｅが形成されている。各冷媒路１０ｃ〜１０ｅは、電極板１１，１２Ｍの全長にわたって前後に延びている。
【００７５】
図７に示すように、電極板１１，１２Ｍの前後両端面に宛てがわれた詰めブロック１４には、上下に離れて３つの通路１４ａ，１４ｂ，１４ｃが形成されている。図９に示すように、各通路１４ａ〜１４ｃは、前後に延びる路部分１４ｅと、これと左右に交差する路部分１４ｆとを有し、平面視Ｔ字状をなしている。上段の通路１４ａの路部分１４ｅが、対応電極板１１，１２Ｍの上段の冷媒路１０ｃに連なり、中段の通路１４ｂの路部分１４ｅが、中段の冷媒路１０ｄに連なり、下段の通路１４ｃの路部分１４ｅが、下段の冷媒路１０ｅに連なっている。
【００７６】
なお、図１０に示すように、電極板１１，１２Ｍの各冷媒路１０ｃ〜１０ｅと詰めブロック１４の通路１４ｅとの連結部分には、円筒状のコネクタブッシュ６５が設けられている。コネクタブッシュ６５の外周面と前後両端面との角は、面取りされ、そこにＯリング６６が設けられている。このＯリング６６は、ボルト５１（図７）をねじ込むことによって圧潰されるようになっている。
【００７７】
図９に示すように、左右に並べられた詰めブロック１４における同一高さの通路１４ａ〜１４ｃの左右方向の路部分１４ｆどうしは、互いに左右一直線に連なっている。
【００７８】
図８および図９に示すように、各電極モジュール１０の左端電極板１２Ｌの厚肉部１２ｆには、冷媒路１２ｂが形成されている。冷媒路１２ｂは、左端電極板１２Ｌのほぼ全長にわたって前後に延びている。この冷媒路１２ｂの前後両端の近傍部分に、左端詰めブロック１４の中段通路１４ｂの左右路部分１４ｆが連なっている。
【００７９】
図９および図１２に示すように、各電極モジュール１０において、冷媒路１２ｂの前後両端部は、それぞれ前後の内壁部材１６の左側部の通路１６ｂを介して冷媒溜め１６ｆに連なっている。
【００８０】
同様に、右端電極板１２Ｒの上側の厚肉部１２ｋには、冷媒路１２ａが形成され、下側の厚肉部１２ｋには、冷媒路１２ｃが形成されている。これら冷媒路１２ａ，１２ｃは、右端電極板１２Ｒのほぼ全長にわたって前後に延びている。上段の冷媒路１２ａの前後両端の近傍には、右端詰めブロック１４の上段通路１４ａの左右路部分１４ｆ（図７）が連なり、下段の冷媒路１２ｃの前後両端の近傍には、下段通路１４ｃの左右路部分１４ｆ（図７）が連なっている。各冷媒路１２ａ，１２ｃの前後両端部は、それぞれ前後の内壁部材１６の右側部の通路１６ａ，１６ｃを介して冷媒溜め１６ｆに連なっている。
【００８１】
図７に示すように、電極モジュール１０の前側の内壁部材１６の上面には、冷媒溜め１６ｆに連なる冷媒インレットポート６１が設けられている。冷媒供給源６から延びる冷媒供給管６ａが、冷媒インレットポート６１に連なっている。
一方、電極モジュール１０の後側の内壁部材１６の上面には、冷媒溜め１６ｆに連なる冷媒アウトレットポート６２が設けられている。このポート６２から冷媒排出管６ｂが延びている。
【００８２】
供給源６からの冷水等の冷媒は、管６ａを経て、インレットポート６１から前側内壁部材１６の冷媒溜め１６ｆに一旦溜められた後、３つの通路１６ａ〜１６ｃに分流される。右側の上段通路１６ａを経た冷媒は、右端電極板１２Ｒの上段冷媒路１２ａに入り、一部がそのまま後方へ流れるとともに、残りが、前側のブロック上段通路１４ａに流れ込み、そこから各電極板１１，１２Ｍの上段冷媒路１０ｃに分流し、後方へ流れる。また、左側の中段通路１６ｂを経た冷媒は、左端電極板１２Ｌの冷媒路１２ｂに入り、一部がそのまま後方へ流れるとともに、残りが、前側のブロック中段通路１４ｂに流れ込み、そこから各電極板１１，１２Ｍの中段冷媒路１０ｄに分流し、後方へ流れる。さらに、右側の下段通路１６ｃを経た冷媒は、右端電極板１２Ｒの下段冷媒路１２ｃに入り、一部がそのまま後方へ流れるとともに、残りが、前側のブロック下段通路１４ｃに流れ込み、そこから各電極板１１，１２Ｍの下段冷媒路１０ｅに分流し、後方へ流れる。これによって、電極板１１，１２を全体的に冷却（温度調節）できるようになっている。
【００８３】
各電極板１１，１２Ｍの冷媒路１０ｃ〜１０ｅの後端部に達した冷媒は、それぞれ後側のブロック通路１４ａ〜１４ｃを経て、電極板１２Ｌ，１２Ｒの冷媒路１２ａ〜１２ｃの後端部に合流する。そして、後側の内壁通路１６ａ〜１６ｃを経て、後側冷媒溜め１６ｆに溜められる。その後、アウトレットポート６２から管６ｂを経て排出される。
【００８４】
ワーキングディスタンス及び有効処理幅を可及的に大きくとり、ひいてはピッチＰを大きくすることにより、電極板１１，１２を可及的に厚肉にすることができる。これにより、冷媒路１０ａ〜１０ｃを容易に形成できる。
左右両端の端電極板１２Ｌ，１２Ｒは、厚肉部１２ｆ，１２ｋを有しているので、この厚肉部１２ｆ，１２ｋに冷媒路１２ａ〜１２ｃを開穿することができ、冷媒路の確保が容易である。
【００８５】
第２実施形態において、左右幅の大きなワークＷを処理する場合には、モジュールユニット１Ｘを継ぎ足すことにより、スリット群１００を簡単に長くすることができる。勿論、左右幅の小さなワークＷの場合には、一部のモジュールユニット１Ｘを抜き取ることにより、スリット群１００を簡単に短くすることができる。これによって、ワークＷの大きさに柔軟に対応することができる。
左右に隣合う２つの電極モジュール１０，１０どうしにおいて、一方の凸状をなす厚肉部１２ｆ（１２ｋ）を他方の凹状をなす薄肉部１２ｈ（１２ｇ）に嵌め込むことにより、両者の対向端電極板１２Ｒ，１２Ｌどうしをしっかりと連結、合体化できる。分離の操作も容易である。
【００８６】
図１５は、第２実施形態の変形態様を示したものである。
図１５（ｂ）に示すように、この変形態様では、左右に隣り合う２つの電極モジュール１０で作る合体電極板１２Ｘが、上下に４つの部分電極板１２ｐ（すなわち複数の板状をなす部分電極部材）に分割されている。各部分電極板１２ｐは、他の電極板１１，１２Ｍと同じ左右方向の厚さを有するとともに、図１５の紙面と直交する前後方向に延びる角柱形状をなしている。図１５（ａ）に示すように、これら部分電極板１２ｐのうち上から１段目と３段目のものが、左側の電極モジュール１０の右端部に取り付けられ、左側の電極モジュール１０の右端電極板１２Ｒを構成し、２段目と４段目のものが、右側の電極モジュール１０の左端部に取り付けられ、右側の電極モジュール１０の左端電極板１２Ｌを構成している。詳細な図示は省略するが、各部分電極板１２ｐの長手方向の両端部は、対応電極モジュール１０の端壁１５（図６参照）にそれぞれ連結され、支持されている。
【００８７】
左側の電極モジュール１０に取り付けられた１段目と３段目の部分電極板１２ｐ，１２ｐと、右側の電極モジュール１０に取り付けられた２段目と４段目の部分電極板１２ｐ，１２ｐとが、互いに噛み合わされ、これにより、１つの合体電極板１２Ｘが構成されている。
【００８８】
図１５の変形態様によれば、端電極板１２Ｌ，１２Ｒに凹凸を形成する必要が無く、製造が極めて容易であり、平面精度の確保も容易である。これにより、固体誘電体板１３に確実に面接触させることができる。しかも、端電極板１２Ｌ，１２Ｒを構成する部分電極板１２ｐが、他の電極板１１，１２Ｍと同じ厚さであり、上記第２実施形態の厚肉部１２ｆ，１２ｋより厚くなっており、かつ、薄肉部１２ｇ，１２ｈが無い。したがって、剛性を十分に確保でき、撓みを抑えることができる。これによって、各端電極板１２Ｌ，１２Ｒと、それに宛がわれるべき固体誘電体板１３との間に隙間が形成されるのを確実に防止できる。この結果、安定したプラズマを得ることができる。更には、スリット群１００を、左右の電極モジュール１０の連結部分においても確実に所定ピッチＰに維持することができ、表面処理の均一性をより向上できる。
また、端電極板１２Ｌ，１２Ｒを構成する部分電極板１２ｐの製造が容易で加工工数が少なく、しかも、すべての部分電極板１２ｐを互いに同一形状にすることができる。これによって、部材コストを安価にすることができる。
【００８９】
なお、各部分電極板１２ｐには、冷媒路１０ｆ（温調路）が形成されている。詳細な図示は省略するが、これら冷媒路１０ｆは、端壁１５の冷媒溜め１６ｆ（図９参照）にそれぞれ連なっている。また、端電極板１２Ｌ，１２Ｒ以外の電極板１１，１２Ｍの冷媒路１０ｃ，１０ｄ，１０ｅは、冷媒路１０ｆを介さずに冷媒溜め１６ｆに連なっている。
【００９０】
図１６は、本発明の第３実施形態を示したものである。第３実施形態は、本発明の基本構造に係る第１実施形態（図１及び図２）の変形態様である。
第３実施形態では、上記第１実施形態と同様に、処理ヘッド１のケーシング１９が左右に延び、ケーシング１９内の各電極板１１，１２が、左右方向すなわちワークＷの移動方向と直交する方向に並設されている。
【００９１】
一方、第３実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、電極板１１，１２が、その並設方向すなわち左右方向に対し角度θ（θ＜（π／２））になるように傾けられている。ワークＷの移動方向（前後方向）に対しては角度（（π／２）−θ）だけ傾けられている。したがって、電極間スリット１０ａの延び方向も、ワークＷの移動方向に対し角度（（π／２）−θ）だけ傾けられている。なお、第３実施形態では、電極板１１，１２及び電極間スリット１０ａが、前方（図１６において上）に向かって右に傾いているが、左に傾いていてもよい。
【００９２】
図１６の一点鎖線Ｌ１に示すように、１の電極間スリット１０ａの前端部（図１６において上端）と、その直ぐ右隣りの電極間スリット１０ａの後端部（図１６において下端）とは、ワークＷの移動方向すなわち前後方向に沿う同一直線上に位置している。換言すると、１の電極間スリット１０ａの前端部の左右方向の位置と、その隣の電極間スリット１０ａの後端部の左右方向の位置が、互いに揃えられている。したがって、第３実施形態のプラズマ処理装置Ｍ１では、スリット群１００が、次式の関係を満たしている。
Ｌ×ｃｏｓθ＝（ｔ＋ｄ）×ｃｏｓｅｃθ      …（式１）
ここで、Ｌは、電極間スリット１０ａの長さであり、ｔは、各電極板１１，１２の厚さ（隣り合う電極間スリット１０ａどうし間の間隔）であり、ｄは、電極間スリット１０ａの幅（隣接する電極板１１，１２間の間隔）である。
【００９３】
なお、図示は省略するが、電極モジュール１０の上側に設けられる整流モジュール２０のスリット状整流板２３ａ（図２参照）も、前記電極間スリット１０ａに合わせて斜めになっており、対応する電極間スリット１０ａの上端開口の全長にわたってストレートに連なっている。
【００９４】
上記構成において、各電極間スリット１０ａでプラズマ化された処理ガスが、ワークＷに吹付けられる。同時に、移動機構４によってワークＷが前後に移動される。この時、ワークＷの各ポイントは、電極間スリット１０ａの真下と、電極板１１，１２の真下を斜めに横断する。これによって、プラズマガスの曝露量を平均化することができる。しかも、隣接する電極間スリット１０ａの前後逆側の端部どうしが同一の前後方向直線上に位置しているので、ワークＷをひと通り通すと、ワークＷ上のすべてのポイントにおいてプラズマガス曝露量を等量にすることができる。これによって、ワークＷの全体にわたって表面処理を確実に均一に行なうことができ、縞状のムラが出来るのを確実に防止することができる。特に、略常圧環境ではガスが拡散しにくくムラが出来やすいところ、これを効果的に防止することができる。
各電極板１１，１２は、上記第１実施形態と同様に、ワークＷの大きさに拘わらず短小にでき、湾曲を確実に防止できる。
【００９５】
前後逆側の端部どうしが同一の前後方向直線Ｌ１上に揃えられるべき２つの電極間スリット１０ａ，１０ａは、直ぐ隣のものどうしに限られず、１つ置き又は複数個置きに隣り合うものどうしであってもよい（複数個隣のものどうしであってもよい）。すなわち、スリット群１００が、上記式１を一般化した次式を満たしていればよい。
Ｌ×ｃｏｓθ＝ｎ×（ｔ＋ｄ）×ｃｏｓｅｃθ      …（式２）
ここで、ｎは、１以上の整数である。図１６（１つ隣のものどうしの場合）においては、ｎ＝１である。
【００９６】
図１７は、上記式２においてｎ＝２の場合を満たした電極モジュール１０を示したものである。この電極モジュール１０では、各電極板１１，１２ひいては電極間スリット１０ａが、図１６のものより大きく傾けられている。そして、１の電極間スリット１０ａの前端部と、それと１つ置きに隣り合う（すなわち２つ隣の）電極間スリット１０ａの後端部とが、同一の前後方向直線Ｌ１上に揃えられている。
【００９７】
図１８に示すように、各電極板１１，１２が、並設方向に対し直交し、電極モジュール１０それ自体の構造が図１のものと同様になっていても、全体を斜めに配置することにより、電極板１１，１２ひいては電極間スリット１０ａを傾けることができる。
【００９８】
図１８においては、処理ヘッド１の全体が、平面視時計方向に角度θ’（＝（π／２）−θ）だけ傾けられている。これによって、電極モジュール１０の長手方向が、左右方向に対し角度θ’だけ傾けられている。また、電極板１１，１２ひいては電極間スリット１０ａが、前後方向すなわちワークＷの移動方向に対し角度θ’だけ傾けられている。そして、１の電極間スリット１０ａの前端部が、直ぐ右隣りの電極間スリット１０ａの後端部と、同一の前後方向直線Ｌ１上に位置されている。図１８の電極モジュール１０では、上記式２と等価の次式の関係が満たされている。
Ｌ×ｃｏｓ（π／２−θ’）＝ｎ×（ｔ＋ｄ）×ｓｉｎ（π／２−θ’）  …（式３）
式３のＬ、ｔ、ｄ、ｎは、上記式２の定義と同様である。図１８の電極モジュール１０の場合、ｎ＝１である。勿論、ｎが２以上の整数になるように傾けることにしてもよい。平面視時計方向ではなく、反時計方向に傾けることにしてもよい。
【００９９】
図１６〜図１８のような斜設構造においても、スリット群１００を前後に複数段設けることにしてもよい。
例えば、図１９に示す処理ヘッド１は、前後に配置された２つの電極モジュール１０を有し、前後２段のスリット群１００を有している。各電極モジュール１０のケーシング１９は、図１６のものと同様に、ワーク移動方向と直交する左右方向に延びており、その内部に電極板１１，１２が左右に並設されて収容されている。これら電極板１１，１２ひいては電極間スリット１０ａが、左右並設方向に対し所定角度θになるように傾けられている。前後の電極モジュール１０の電極間スリット１０ａどうしは、半ピッチだけ左右にずれている。図示は省略するが、各電極モジュール１０の上側には、ガス整流モジュール２０がそれぞれ設置されている。
なお、図１９においては、傾き角度θが、上記式１（すなわち式２のｎ＝１の場合）を満たす大きさになっているが、式２のｎ≧２を満たす大きさになっていてもよい。
かかる２段斜設構造によれば、より一層均一な表面処理を行なうことができる。また、各電極板１１，１２の一層の短小化を図ることができる。
【０１００】
図２０は、図１８の斜設電極モジュール１０を複数段構造にした実施形態を示したものである。この実施形態の処理ヘッド１は、図１８と同様の斜設電極モジュール１０を前後に２つ備えている。各電極モジュール１０の長手方向は、左右方向に対し角度θ’をなす方向に延びている。電極板１１，１２ひいては電極間スリット１０ａは、電極モジュール１０の長手方向に互いに並設されるとともに、電極モジュール１０の長手方向と直交する方向、すなわちワークＷの移動方向に対し角度θ’をなす方向に向けられている。
前後の電極モジュール１０は、互いに左右に少しずれているが、ずれていなくてもよい。
【０１０１】
図２１は、上記第２実施形態（図５〜図１４）の装置を斜設構造にした実施形態を示したものである。この実施形態の処理ヘッド１は、前後２段をなして横に並設された多数の電極モジュール１０を備えている。これにより、前後２段のスリット群１００が構成されている。そして、処理ヘッド１の全体が、平面視時計方向に角度θ’だけ傾けられている。これによって、電極モジュール１０の並設方向が、左右方向（ワークＷの移動方向と直交する方向）に対し角度θ’をなすように傾けられている。電極モジュール１０の各電極板１１，１２ひいてはスリット群１００の各スリット１０ａは、並設方向に対し直交しており、したがって、前後方向すなわちワークＷの移動方向に対し角度θ’をなす方向に傾いている。この傾き角度θ’は、既述の式２、式３と等価の次式が満たされるように設定されている。
θ’＝ｔａｎ−１（ｎ×Ｐ／Ｌ）          …（式４）
ここで、Ｐは、電極板１１，１２及び電極間スリット１０ａのピッチ（例えばＰ＝１２ｍｍ）であり、Ｌは、電極間スリット１０ａの長さ（例えばＬ＝３００ｍｍ）であり、ｎは、１以上の整数である。図２１の装置では、ｎ＝１である。これによって、左右に隣り合う２つの電極スリット１０ａにおいて、左側の電極スリット１０ａの前端部と、右側の吹出しスリット１０ｂの後端部とが、ワークＷの前後移動方向に沿う同一の直線Ｌ１上に位置することになる。
なお、電極モジュール１０の具体構造は、図６〜図１３に示す第２実施形態と同様であるが、端電極板１２Ｌ，１２Ｒを、第２実施形態のものに代えて図１５に示す第２実施形態の変形態様と同様に構成してもよい。前側の段と後側の段は、半ピッチ（Ｐ／２）だけ左右にずれているが、必ずしもずれている必要はない。
【０１０２】
ここまでの実施形態では、処理ヘッド１が架台に固定されており、動くことがなかったが、処理ヘッド１をワークＷの移動方向に対し交差する方向に相対揺動させることにしてもよい。
すなわち、図２２に示す第４実施形態では、左右に並設された１段のモジュールユニット１Ｘからなる処理ヘッド１が、架台（図示せず）に左右スライド可能に支持されている。この処理ヘッド１に揺動機構８が接続されている。揺動機構８は、例えば往復アクチュエータや、回動アクチュエータ及びその回動を往復動に変える変換機構等で構成され、処理ヘッド１全体を左右に揺動させるようになっている。プラズマ処理時においては、移動機構４にてワークＷを前後に移動させるとともに、揺動機構８にて処理ヘッド１を左右（すなわちワークＷの移動方向と直交する方向）に揺動させながら、処理ガスをプラズマ化し、ワークＷに吹付ける。これによって、各スリット１０ａの延在方向とワークＷの移動方向が平行になっていても、縞状の処理ムラが形成されるのを防止でき、表面処理の均一性を向上させることができる。
【０１０３】
揺動機構８による揺動振幅は、例えば電極板１１，１２及び電極間スリット１０ａのピッチＰの１／２であが、実際には、位置精度や加減速の関係で、揺動振幅をＰ／２より大きな範囲で最適化するのが望ましい。これによって、縞状の処理ムラを確実に解消することができる。
【０１０４】
また、揺動周期は、移動機構４によるワークＷの移動速度に応じて最適化する。具体的には、ワークＷが、スリット１０ａの長さ分の距離だけ移動する時間に、処理ヘッド１が、ちょうど自然数回（望ましくは複数回）揺動するような周期に設定する。これによって、揺動自体によるムラの発生を防止することができる。
【０１０５】
図２３は、上記揺動機能付きの第４実施形態の変形態様を示したものである。この態様の処理ヘッド１は、前後２段をなして左右に並設されたモジュールユニット１Ｘにて構成されている。前側（図２３において上側）の段のモジュールユニット１Ｘの全体が、一体となって左右スライド可能になるようにして、図示しない架台に支持されている。また、後側（図２３において下側）の段のモジュールユニット１Ｘの全体が、一体となって、かつ前側の段とは別個に左右スライド可能になるようにして、上記架台に支持されている。前段モジュールユニット１Ｘには、第１揺動機構８Ａが接続され、後段モジュールユニット１Ｘには、第１揺動機構８Ｂが接続されている。これら揺動機構８Ａ，８Ｂは、上記揺動機構８と同様の構造をなし、対応する段のモジュールユニット１Ｘを左右に揺動させるようになっている。しかも、これら揺動機構８Ａ，８Ｂは、互いに協働して、揺動の位相を互いにずらすようになっている。この位相差φは、例えば、φ＝π／２である。揺動の振幅及び周期は、上記揺動機構８と同様である。これによって、処理ムラを確実に防止でき、表面処理の均一性をより向上させることができる。
【０１０６】
本発明は、前記実施形態に限定されず、種々の形態を採用可能である。
例えば、スリット群１００は、１段又は２段に限られず、３段以上設けることにしてもよい。この場合も、隣り合う段どうしを、スリット１０ａの並設方向にずらすのが好ましい。このずれは、ピッチＰ÷（段の数）とするのが好ましい。特に、各スリット１０ａの延在方向がワークＷの移動方向と平行の場合には、段数を多くすればするほど処理の均一性を高めることができる。なお、均一性があまり要求されない処理（例えば洗浄等）の場合は、各スリット１０ａの延び方向がワークＷの移動方向と平行でも、スリット群１００は１段のみで十分である。
１つのスリットに代えて、複数の小孔や短めのスリットを一列に並べ（延在させ）、これを「１つの孔列」としてしてもよい。スリット群１００に代えて、上記小孔や短スリットからなる列をその延在方向と交差する向きに複数並べ、これを「孔列群」としてもよい。
【０１０７】
図１６、図１７に示す斜設構造の各実施形態では、傾斜角度θが、式１のｎ＝１、ｎ＝２をそれぞれ満たすようになっているが、ｎ＝３以上を満たすようにしてもよい。図１８〜図２１に示す斜設構造の各実施形態では、傾斜角度θ’が、式４のｎ＝１を満たすようになっているが、ｎ＝２以上を満たすようにしてもよい。更に、斜設構造の傾斜角度は、必ずしも式１〜式４を満たしていなくてもよい。処理条件などに応じて、０度より大きく９０度より小さい範囲で適宜設定できる。
【０１０８】
図２２に示す揺動機能の実施形態において、処理ヘッド１を固定する一方、ワークＷを前後に移動させながら左右に揺動させることにしてもよい。この場合、移動機構に揺動機構を組み込むことにしてもよい。勿論、ワークＷを固定する一方、処理ヘッド１を前後に移動させながら左右に揺動させることにしてもよい。
揺動方向は、ワークＷの移動方向と交差する方向であればよく、スリット１０ａの並設方向に沿う方向に限られず、該並設方向に対し斜めをなす方向であってもよい。
図２３に示す揺動機能の実施形態では、スリット群１００（孔列群）が２段であったが、３段以上設けることにし、段ごとに揺動機構で揺動させ、隣り合う段どうしの揺動位相を互いにずらすようにしてもよい。この位相差φは、段数をｎとすると、例えばφ＝π／ｎであるが、これに限定されるものではなく、処理条件等に応じて適宜設定することができる。３段以上の場合、そのうちの隣り合う２つの段の一方に接続される揺動機構が、特許請求の範囲の「第１揺動機構」となり、他方の段に接続される揺動機構が、「第２揺動機構」となる。一方の段のスリット群（孔列群）を固定する一方、第１揺動機構にてワークＷを揺動させ、第２揺動機構にて他方の段のスリット群（孔列群）を前記ワークＷの揺動に対し位相をずらして揺動させるようにしてもよい。
図１６〜図２１のような斜設構造においても、揺動機構によって揺動させるようになっていてもよい。
【０１０９】
第１、第２電極モジュールの各電極部材は、平板形状でなくてもよく、円柱形状等であってもよい。
第１電極モジュールの第１端電極部材と第２電極モジュールの第２端電極部材とが、それぞれ全体的に他の電極部材の約半分の厚さになっており、両者を合わせた合体電極部材が、他の電極部材と等厚になるようになっていてもよい。
【０１１０】
本発明は、処理ガスをスリット等の孔列の群から吹出して被処理物に当てるものであればよく、プラズマ表面処理に限られず、熱ＣＶＤやＨＦ（フッ酸）ベーパ等によるエッチングのような電極の無い表面処理にも適用できる。また、オゾン等によるアッシング、ＣＦ４等によるエッチング、その他、成膜（ＣＶＤ）、洗浄、表面改質（親水処理、撥水処理等）等の種々の表面処理に遍く適用できる。
処理の圧力条件は、略常圧に限らず、減圧環境でもよい。
【実施例１】
【０１１１】
実施例を説明する。本発明が以下の実施例に限定されないことは言うまでもない。第２実施形態（図５〜図１４）と同様のエッチング用のプラズマ処理装置を用い、以下の条件下でエッチング処理を行なった。
電極温度：  ５０℃
ワーク温度：  １００℃
処理ガス
ＣＦ４  ２００ｓｃｃｍ
Ｏ２    ８００ｓｃｃｍ
Ｈ２Ｏ    １５ｓｃｃｍ
パルス周波数：  ２０ｋＨｚ
印加電圧  ３００Ｖ
【０１１２】
そして、前段のスリット群（孔列群）からのプラズマガスだけによる処理後の残膜の厚さと、前段と後段の２段階で処理した後の残膜の厚さを、ワークの左右幅方向にわたって測定した。
結果を図２４に示す。前段だけによる処理では、膜厚が若干不均一になった。更に後段による処理を経ると、膜厚を、ほぼ均一化できた。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の第１実施形態を示し、図２のI−I線に沿う常圧プラズマ処理装置の平面断面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う、前記常圧プラズマ処理装置の正面断面解説図である。
【図３】各電極間スリットからのプラズマガスによる処理能力を示す解説図である。
【図４】ワーキングディスタンスと処理レートの一般的な関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第２実施形態を示し、常圧プラズマ処理装置の概略構成の平面図である。
【図６】図５の装置の各電極モジュールの平面図である。
【図７】図８のVII−VII線に沿う、図５装置のモジュールユニットの側面断面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線に沿う、モジュールユニットの正面断面図である。
【図９】図８のIX−IX線に沿う、前後の段の電極モジュールの平面断面図である。
【図１０】上記電極モジュールの電極板と詰めブロックの接合部の詳細を示す平面断面図である。
【図１１】（ａ）は、左右に隣り合う電極モジュールを分離して示す正面断面図であり、（ｂ）は、両電極モジュールを連結状態で示す正面断面図である。
【図１２】図９のXII−XII線に沿う、モジュールユニットの正面断面図である。
【図１３】図８のXIII−XIII線に沿う、モジュールユニットの整流モジュールの平面断面図である。
【図１４】前段の電極モジュールと後段の電極モジュールによる処理能力を、ワーク上の位置と処理レートで示したグラフである。
【図１５】上記第２実施形態の変形態様を示し、（ａ）は、左右に隣り合う電極モジュールを分離して示す正面断面図であり、（ｂ）は、両電極モジュールを連結状態で示す正面断面図である。
【図１６】本発明の第３実施形態を示し、常圧プラズマ処理装置の平面断面図である。
【図１７】上記第３実施形態の変形態様を示す平面断面図である。
【図１８】上記第３実施形態の他の変形態様を示す平面断面図である。
【図１９】上記第３実施形態の他の変形態様を示す平面断面図である。
【図２０】上記第３実施形態の他の変形態様を示す平面断面図である。
【図２１】上記第２実施形態の装置に第３実施形態の要旨構成を組み合わせた実施形態を示す平面図である。
【図２２】本発明の第４実施形態を示す平面図である。
【図２３】上記第４実施形態の変形態様を示す平面図である。
【図２４】実施例１の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１１４】
Ｍ  常圧プラズマ処理装置（表面処理装置）
Ｗ    ワーク（被処理物）
１    プラズマ処理ヘッド（処理部）
１Ｘ  モジュールユニット
１０  電極モジュール
１０ａ  スリット（孔列）
１００  スリット群（孔列群）
１１  ホット電極の電極板
１２  アース電極の電極板
１２Ｌ，１２Ｒ  端電極板
１２Ｘ  合体電極板
２０  整流モジュール
４  移動機構
８  揺動機構
８Ａ  第１揺動機構
８Ｂ  第２揺動機構
【要約】
【課題】  処理ガスをスリット等の孔列から被処理物の表面に吹付ける表面処理装置において、孔列が短くても大面積の被処理物を効率良く表面処理する。
【解決手段】  プラズマ表面処理装置Ｍの処理部１には、複数の電極板１１，１２が並設されている。隣接する電極板どうしの間にスリット状の孔列１０ａが形成され、並設された複数の孔列１０ａにて孔列群１００が構成されている。移動機構４によって、被処理物Ｗを各スリット１０ａの延在方向に沿って移動させる。
【選択図】  図１
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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