(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ヘッドから高出力の光スポットを記録面が非結晶化状態の相変化光ディスクに照射することにより該相変化光ディスクの記録面の初期結晶化を行う相変化光ディスクの初期化方法において、初期結晶化幅Ｌのｎ個の光スポットを、２π／ｎ度の間隔をおいて同じ半径位置に配置し、且つ初期結晶化幅Ｌをディスク半径方向に１００μｍ〜２５０μｍとし、光スポットとディスク中心間との距離を同じに保ちながら、光ディスクの内周から外周又は内周から外周に向かって移動して光スポットを照射することにより、前記ｎ個の光スポットが記録面を光ディスクの同一半径箇所を隙間なく初期化することを特徴とする相変化光ディスクの初期化方法。
【請求項２】
光ヘッドから高出力の光スポットを記録面が非結晶化状態の相変化光ディスクに照射することにより該相変化光ディスクの記録面の初期結晶化を行う相変化光ディスクの初期化装置において、光ヘッド駆動機構が、初期結晶化幅Ｌのｎ個の光スポットを、２π／ｎ度の間隔をおいて同じ半径位置に配置し、且つ初期結晶化幅Ｌをディスク半径方向に１００μｍ〜２５０μｍとし、光スポットとディスク中心間との距離を同じに保ちながら、光ディスクの内周から外周又は内周から外周に向かって移動して光スポットを照射することにより、前記ｎ個の光スポットが記録面を光ディスクの同一半径箇所を隙間なく初期化することを特徴とする相変化光ディスクの初期化装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、相変化光ディスクの初期化方法及び初期化装置に係り、特に相変化光ディスクを効率よく高速且つ確実に初期化することができる相変化光ディスクの初期化方法及び初期化装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、相変化光ディスクは、物質の非結晶化状態（アモルファス状態）と結晶状態間の構造変化を利用して情報を記録用ビームの照射により記録し、この間の反射率の差を信号として検出するものであり、その記録材料としてＧｅＳｂｔｅ合金やＡｇｌｎＳｂＴｅ合金などのカルコゲン系合金が一般的に使用されている。
【０００３】
相変化光ディスクは、これらの材料を真空蒸着法やスパッタリング法により記録膜を形成するものであるが、この形成直後の記録膜は一般的に初期非結晶状態で期待される結晶状態又は非結晶状態でなく、更に光学的な反射率が数パーセント以下のため、そのままでは状態の記録再生を行えないことが知られている。
【０００４】
このため相変化光ディスクは、最初の使用に際して記録層をレーザ光により加熱及び冷却して初期結晶化状態（初期化）にする必要がある。
【０００５】
この初期化の工程は、一般的に初期化工程と呼ばれ、初期化装置によりレーザ光を相変化光ディスクの記録層に照射して行うものであるが、レーザ光の照射範囲に高出力のレーザ光を照射しなければならないため、ディスク半径方向に長円状の所定の記録幅Ｌを持つ初期化用ビームをディスク半径方向に移動しながら前記初期化を行っている。
【０００６】
尚、前述の相変化光ディスクの初期化に関する技術が記載された文献としては、特開平５−１５９３１３号公報や特開平６−３７４００号公報が挙げられる。
【発明が解決しようとする課題】
前記１つの光スポットによる初期化用ビームの記録幅Ｌは、一般に２００μｍ程度であり、このため例えば直径１２０ｍｍの光ディスクの初期化にはディスクを約２００回転乃至４００回転する必要があり、時間換算で約３０秒乃至６０秒程度の初期化時間がかかっていた。このため従来技術による初期化技術は、初期化時間が冗長になると言う不具合があった。
【０００７】
また従来技術による初期化においては、図４に示す如く、光ディスク１上で光スポット５０ａの位置から初期化を開始して、光ディスク１が１回転した後には光スポット５０ｂの位置に移動する。この螺旋状の動きを光スポット５０ａと５０ｂに隙間なく光ディスク１の全面に渡って行うことにより初期化を行っている。この際、光スポットの外周側位置２０ａと内周側位置２０ｂには初期化幅４０で示される距離による周速度の差が発生している。この周速度差は、当然の事ながら初期化幅が大きくなる程増大し、また光スポットが光ディスクの中心に移動するに従って増大していく。この周速度の差は、初期化時の単位時間の単位面積当たりに照射されるレーザエネルギー差となって現れ、初期化品質の不均一性の増大の原因となり、光ディスクのジッタ特性やオーバーライト特性が低下する要因の一つである。
【０００８】
また従来技術による初期化において、図３に示す如く２つ以上の光スポット１０ａを半径方向に連ねたものにより高速に初期化を行うものも考えられるが、この場合においても、これら両光スポットの外周側位置２０ｃと内周側の位置２０ｄには初期化幅３０で示される距離による大幅な周速差が発生する。この周速度の差は、初期化時の単位時間の単位面積当たりに照射されるレーザエネルギー差となって現れ、初期化品質の不均一性の更なる増大の原因となる。尚、図３では光スポットを２個の場合を示したが、３個以上でも同様の不具合が発生する。
【０００９】
即ち、従来技術の如く、半径方向に２００μｍ程度の１つのスポットを用いた初期化方法においては、初期化処理時間が冗長となる不具合があり、半径方向に複数連ねたスポットを用いた初期化方法においては、初期化幅が広くなる程にスポット外周側と内周側で初期化する際の周速が異なり、初期化品質の不均一性が更に増大すると言う不具合があった。尚、前記外周から内周に向けての初期化に代えて内周から外周に向かった初期化を行った場合にも前記同様の不具合があった。
【００１０】
本発明の目的は、前記従来技術による不具合を除去することであり、高速且つ均一に初期化を行うことができる相変化光ディスクの初期化方法及び該初期化方法による初期化装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため本発明は、光ヘッドから高出力の光スポットを記録面が非結晶化状態の相変化光ディスクに照射することにより該相変化光ディスクの記録面の初期結晶化を行う相変化光ディスクの初期化方法において、初期結晶化幅Ｌのｎ個の光スポットを、２π／ｎ度の間隔をおいて同じ半径位置に配置し、且つ初期結晶化幅Ｌをディスク半径方向に１００μｍ〜２５０μｍとし、光スポットとディスク中心間との距離を同じに保ちながら、光ディスクの内周から外周又は内周から外周に向かって移動して光スポットを照射することにより、前記ｎ個の光スポットが記録面を光ディスクの同一半径箇所を隙間なく初期化することを第１の特徴とする。
【００１２】
また本発明は、光ヘッドから高出力の光スポットを記録面が非結晶化状態の相変化光ディスクに照射することにより該相変化光ディスクの記録面の初期結晶化を行う相変化光ディスクの初期化装置において、光ヘッド駆動機構が、初期結晶化幅Ｌのｎ個の光スポットを、２π／ｎ度の間隔をおいて同じ半径位置に配置し、且つ初期結晶化幅Ｌをディスク半径方向に１００μｍ〜２５０μｍとし、光スポットとディスク中心間との距離を同じに保ちながら、光ディスクの内周から外周又は内周から外周に向かって移動して光スポットを照射することにより、前記ｎ個の光スポットが記録面を光ディスクの同一半径箇所を隙間なく初期化することを第２の特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による相変化光ディスクの初期化方法の一実施形態を図面を参照して説明する。図１は本実施形態による相変化光ディスクの初期化動作を説明するための図、図２は本実施形態による初期化方法を実現するための初期化装置を説明するための図である。
【００１６】
本発明による第１の実施形態による初期化装置は、図２に示す如き光ヘッド駆動機構を光ディスク１を回転支持するスピンドルを線対称として一対備え、光ディスク上の対象位置に初期化用のレーザ光を照射するものである。この光ヘッド駆動機構は、図２に示す如く、最大出力が１〜３Ｗのレーザ光源となる半導体レーザ８と、該半導体レーザ８から照射されるレーザ光を平行光線に変換するコリメートレンズ９と、該レンズ９からのレーザ光を反射するミラー６と、該ミラー６により反射されたレーザ光を通過させ、且つ後述の反射光を偏光する偏光ビームスプリッタ５と、該ビームスプリッタ５からのレーザビームの位相を変化させる１／４波長記器４と、該波長記器４を介したレーザ光を集光する集光レンズ３と、該レンズ３を駆動してディスク１上の記録層上に焦点合わせ制御を行う焦点機構２と、前記ディスク１からの反射光を集光レンズ３、１／４波長記器４を介し、偏光ビームスプリッタ５により９０度偏光されたレーザ光を入射し焦点合わせ用の光検出器１０と、これら機構を光ディスク半径方向に移動する移動機構（図示せず）とを備える。
【００１７】
この様に構成したこの光ヘッド駆動機構は、半導体レーザ８からの初期化用のレーザ光をミラー６〜集光レンズ３を介して光ディスク１上に焦点機構２を用いて焦点合わせを行いながら光スポット６０を照射し、且つ該光スポット６０を移動機構によりディスク半径方向に移動することにより相変化光ディスク１の初期化を行うもの様に構成されている。
【００１８】
本実施形態による初期化装置は、前記光ヘッド駆動機構を光ディスク１面に対して一対配置し、初期化開始時点において２つの光スポット６０を照射する位置を、１８０度の間隔をおいて光ディスク１の半径方向中心からの距離を同じくする半径位置、例えば最外周位置に設定する。即ち、本初期化装置は、図１に示す如く、長円形の光スポット６０ａと６０ｂを、初期化開始時点において光ディスク１上の中心を通る直線上に対向する位置、且つディスク最外周位置に照射する位置に設定する。尚、前記光スポットは、ディスク半径方向に１００μｍ〜２５０μｍの初期化幅Ｌ、且つトラック方向に１μｍ〜４μｍの長円形状の形状が好ましい。
【００１９】
次いで本初期化装置は、光ディスク１の回転及び初期化用のレーザ光（光スポット６０ａと６０ｂ）の照射を開始すると共に、前記光スポット６０ａ及び６０ｂを、ディスク中心からの距離を同じに保ちながら、ディスク中心方向に向かって移動を開始する。
【００２０】
この光スポット６０ａと６０ｂの半径方向の移動は、初期化の開始位置（最外周）から光ディスク１が半回転したときに該スポット６０ａ及び６０ｂの初期化幅６０だけ内周に移動する様に制御する。即ち、図１の如く、スポット６０ａに着目した場合、半周した際に該スポット６０ａの外周が、符号６０ａ’として示す如く、当初のスポット６０ｂの内周側に隙間なく接触する様に光スポット６０ａの半径方向への移動を行う。同様にスポット６０ｂも半径方向への移動を行う。
【００２１】
本実施形態による初期化装置は、光ディスク１を１回転分行うことにより、結果的に初期化幅４０（Ｌ）の２倍の範囲の初期化を行い、この動作を継続することによりディスク半径分光スポットを移動することにより、ディスク全面に亘って隙間なく初期化を行うことができる。
【００２２】
本実施形態による初期化装置は、対象に配置した２つの光スポット６０ａｂを光ディスク上で同速度で螺旋状に回転させながら初期化を行うため、記録面に対して隙間なく光スポット６０ａｂを照射して初期化を行うことができ、これにより高速に初期化を行うことができる。即ち本実施形態による初期化装置は、比較的周速差が小さい１つの光スポットを２つ対象的に配置したことにより、実質的に初期化幅を２倍にして高速に初期化を行うことができる。
【００２３】
尚、前記実施形態においては、２つの光スポットを用いる例を説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば３つの光スポットを１２０度間隔、４つの光スポットを９０度間隔等、スポット数をＮとした場合、Ｎ個の光スポットを３６０度／Ｎ間隔で配置し、同速度で半径方向に移動しながら初期化を行う様に構成しても良い。この光スポットを３つ以上とした場合の実質的な初期化幅はＮ倍となり、１つのスポットによる周速差の範囲内で実質的にＮ倍の光スポットを形成し、前記初期化の均一性を保ながら更に高速で初期化を行うことができる。この場合、１つの光スポットの初期化幅を小さくすることにより、前述の周速差による不具合を更に防止することができる。
【００２４】
更に前記実施形態においては、２つの光スポットが重ならない様に螺旋状に回転して初期化を行う、換言すれば１つの光スポットにより光ディスクの同一箇所を１回だけ初期化を行う例を説明したが、本発明は、これに限られるものではなく、記録膜の特性により、光ディスクの同一箇所を光スポット６０ａ及び６０ｂにより２回以上照射を行う必要がある場合は、２回以上の照射を行う様に構成しても良い。この場合、ｎ個の光スポットを用いる場合は、各光スポットの半径方向の移動速度を調整することが必要である。即ち、光スポットの半径方向の移動速度は、光ディスクの記録膜の特性により決めることが必要である。
【００２５】
また本実施形態の初期化装置及び方法は、複数の光スポットを等角度で配置したことにより、もし１つの光スポットの照射ができない場合であっても、該光スポットの半径移動速度を調整すること、具体的には１スポットの場合の半径方向移動速度をＶ、スポット個数をＮとした場合、スポット速度をＶ／Ｎとすることにより、光ディスク全面にわたって初期化を行うことができると言う効果も奏する。
【００２６】
また前記実施形態においては、光ディスクの一面に２つの光ヘッド駆動機構を配置する例を説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、光ディスクの両面に複数の光ヘッド駆動機構を配置しても良いと共に、更に光ヘッド駆動機構毎に半導体レーザを用いることなく、１つ又は複数の半導体レーザを光源としても良い。
【００２７】
【発明の効果】
本発明によれば、相変化光ディスクの記録面の初期結晶化を行う相変化光ディスクの初期化方法及び装置において、ｎ個の光スポットを、２π／ｎ度の間隔をおいて同じ半径位置に配置し、光スポットとディスク中心間との距離を同じに保ちながら、光ディスクの内周から外周又は内周から外周に移動して初期結晶化を行う様に構成したことにより、高速且つ均一に相変化光ディスクの初期化を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による初期化方法を説明するための図。
【図２】本発明の一実施形態による初期化装置の基本構成を説明するための図。
【図３】従来技術による初期化方法を説明するための図。
【図４】従来技術による初期化方法を説明するための図。
【符号の説明】
１…光ディスク、２…焦点機構、３…焦点レンズ、４…１／４波長記器、５…偏光ビームスプリッタ、６…反射ミラー、８…半導体レーザ、９…コリメートレンズ、１０…光検出器、６０ａ及び６０ｂ…光スポット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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