【手続補正書】
【提出日】令和3年9月2日(2021.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板に対してＳｉ−Ｃ結合を含みハロゲン非含有の第１原料を供給する工程と、
（ｂ）前記基板に対してＳｉ−Ｎ結合を含みアルキル基非含有の第２原料を供給する工程と、
（ｃ）前記基板に対して酸化剤を供給する工程とを、
前記第１原料におけるＳｉ−Ｃ結合の少なくとも一部および前記第２原料におけるＳｉ−Ｎ結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上に、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、およびＮを含む膜を形成する工程を有し、
前記サイクルは、（ｄ）前記基板に対して触媒を供給する工程と、（ｄ）を行った後、前記基板が存在する空間に浮遊する前記触媒を除去する工程とを、（ａ）および（ｂ）のうち少なくともいずれかを行う前に行うことを更に含み、
前記サイクルでは、（ａ）および（ｂ）のうち少なくともいずれかを、前記基板の表面に前記触媒が吸着し、前記基板が存在する空間に前記触媒が浮遊していない状態で行う半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記サイクルは、
（ａ）を行った後、前記基板が存在する空間から前記第１原料を除去する工程と、
（ｂ）を行った後、前記基板が存在する空間から前記第２原料を除去する工程と、
（ｃ）を行った後、前記基板が存在する空間から前記酸化剤を除去する工程と、
を更に含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）では、前記基板の表面に吸着した前記触媒の作用により、前記第１原料が分解することで生成されるＳｉ−Ｃ結合を含む第１中間体を前記基板の表面に吸着させる請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ｂ）では、前記基板の表面に吸着した前記触媒の作用により、前記第２原料が分解することで生成されるＳｉ−Ｎ結合を含む第２中間体を前記基板の表面に吸着させる請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）、（ｂ）、および（ｄ）を、前記触媒が熱分解しない条件下で行う請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記サイクルは、（ｄ）、（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）をこの順に行うことを含むか、もしくは、（ｄ）、（ｂ）、（ａ）、および（ｃ）をこの順に行うことを含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記サイクルにおいて、（ｄ）、（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）をこの順に行う場合、（ａ）では、前記基板の表面に吸着した前記触媒の作用により、前記第１原料が分解することで生成されるＳｉ−Ｃ結合を含む第１中間体と前記触媒の一部とを含む層を前記基板上に形成する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記サイクルにおいて、（ｄ）、（ｂ）、（ａ）、および（ｃ）をこの順に行う場合、（ｂ）では、前記基板の表面に吸着した前記触媒の作用により、前記第２原料が分解することで生成されるＳｉ−Ｎ結合を含む第２中間体と前記触媒の一部とを含む層を前記基板上に形成する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記サイクルは、（ｄ）、（ａ）、（ｄ）、（ｂ）、および（ｃ）をこの順に行うことを含むか、もしくは、（ｄ）、（ｂ）、（ｄ）、（ａ）、および（ｃ）をこの順に行うことを含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記サイクルは、（ａ）、（ｄ）、（ｂ）、および（ｃ）をこの順に行うことを含むか、もしくは、（ｂ）、（ｄ）、（ａ）、および（ｃ）をこの順に行うことを含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１原料はアルキル基非含有であり、前記第２原料はハロゲン非含有である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１原料および前記第２原料のそれぞれは、更にＳｉ−Ｈ結合を含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１原料および前記第２原料のそれぞれは、Ｃが持つ４つの結合手のうち２つ以上の結合手にＣが結合したＣ同士の結合、Ｃ−Ｏ結合、Ｃ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｒ結合（Ｒはアルキル基）、Ｎ−Ｈ結合、およびＮ−Ｏ結合非含有である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１原料および前記第２原料のそれぞれは、Ｃが持つ４つの結合手のうち３つ以上の結合手にＣが結合したＣ同士の結合、Ｃ−Ｏ結合、Ｃ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｒ結合（Ｒはアルキル基）、Ｎ−Ｈ結合、およびＮ−Ｏ結合非含有である請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２原料は、１つのＮに３つのＳｉが結合している構造を含む請求項１〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１原料は、１，３−ジシラプロパン、１，４−ジシラブタン、１，３−ジシラブタン、１，３，５−トリシラペンタン、１，３，５−トリシラシクロヘキサン、および１，３−ジシラシクロブタンのうち少なくともいずれかを含み、前記第２原料は、トリシリルアミンを含む請求項１〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記膜を形成する工程を、ノンプラズマの雰囲気下で行う請求項１〜１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記基板上に形成された前記膜に対しポストトリートメントを行う工程を更に有する請求項１〜１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
（ａ）基板に対してＳｉ−Ｃ結合を含みハロゲン非含有の第１原料を供給する工程と、
（ｂ）前記基板に対してＳｉ−Ｎ結合を含みアルキル基非含有の第２原料を供給する工程と、
（ｃ）前記基板に対して酸化剤を供給する工程とを、
前記第１原料におけるＳｉ−Ｃ結合の少なくとも一部および前記第２原料におけるＳｉ−Ｎ結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上に、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、およびＮを含む膜を形成する工程を有し、
前記サイクルは、（ｄ）前記基板に対して触媒を供給する工程と、（ｄ）を行った後、前記基板が存在する空間に浮遊する前記触媒を除去する工程とを、（ａ）および（ｂ）のうち少なくともいずれかを行う前に行うことを更に含み、
前記サイクルでは、（ａ）および（ｂ）のうち少なくともいずれかを、前記基板の表面に前記触媒が吸着し、前記基板が存在する空間に前記触媒が浮遊していない状態で行う基板処理方法。
【請求項２０】
基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対してＳｉ−Ｃ結合を含みハロゲン非含有の第１原料を供給する第１原料供給系と、
前記処理室内の基板に対してＳｉ−Ｎ結合を含みアルキル基非含有の第２原料を供給する第２原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して酸化剤を供給する酸化剤供給系と、
前記処理室内の基板に対して触媒を供給する触媒供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室内において、（ａ）基板に対して前記第１原料を供給する処理と、（ｂ）前記基板に対して前記第２原料を供給する処理と、（ｃ）前記基板に対して前記酸化剤を供給する処理とを、前記第１原料におけるＳｉ−Ｃ結合の少なくとも一部および前記第２原料におけるＳｉ−Ｎ結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上に、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、およびＮを含む膜を形成する処理を行わせ、前記サイクルは、（ｄ）前記基板に対して触媒を供給する処理と、（ｄ）を行った後、前記基板が存在する空間に浮遊する前記触媒を除去する処理とを、（ａ）および（ｂ）のうち少なくともいずれかを行う前に行うことを更に含み、前記サイクルでは、（ａ）および（ｂ）のうち少なくともいずれかを、前記基板の表面に前記触媒が吸着し、前記基板が存在する空間に前記触媒が浮遊していない状態で行わせるように、前記第１原料供給系、前記第２原料供給系、前記酸化剤供給系、前記触媒供給系、および前記排気系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２１】
基板処理装置の処理室内において、
（ａ）基板に対してＳｉ−Ｃ結合を含みハロゲン非含有の第１原料を供給する手順と、
（ｂ）前記基板に対してＳｉ−Ｎ結合を含みアルキル基非含有の第２原料を供給する手順と、
（ｃ）前記基板に対して酸化剤を供給する手順とを、
前記第１原料におけるＳｉ−Ｃ結合の少なくとも一部および前記第２原料におけるＳｉ−Ｎ結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上に、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、およびＮを含む膜を形成する手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラムであって、  前記サイクルは、（ｄ）前記基板に対して触媒を供給する手順と、（ｄ）を行った後、前記基板が存在する空間に浮遊する前記触媒を除去する手順とを、（ａ）および（ｂ）のうち少なくともいずれかを行う前に行うことを更に含み、
前記サイクルにおいて、（ａ）および（ｂ）のうち少なくともいずれかを、前記基板の表面に前記触媒が吸着し、前記基板が存在する空間に前記触媒が浮遊していない状態で行う手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム