(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された一対の基板の内面上に配設された電極と、配向膜と、該一対の基板の間隙に封入され負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置であって、該配向膜は、液晶を略垂直に配向させる垂直配向膜であり、かつプレチルト角の異なる複数の微小領域を有するものであり、該液晶は、該電極により印加電圧が制御され、該印加電圧がオフレベルにおいて分子が略垂直に配向し、該印加電圧がオンレベルにおいて、分子が基板面側に倒れて配向することで複数種類の微小ドメインを形成するものであり、隣接する該ドメインの境界部分に、帯状の配向安定化領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記配向安定化領域は、前記印加電圧がオンレベル時において、前記液晶の配向を、前記印加電圧がオフレベル時の略垂直な配向に維持しようとするものであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記配向安定化領域は、前記電極と配向膜との間に設けられた絶縁膜であることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、０．２〜２μｍの厚みを有することを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、少なくとも１０12Ωcmの比抵抗を有することを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は、６以下の誘電率を有する有機系絶縁膜であることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項７】
対向して配置された一対の基板の内面上に配設された電極と、配向膜と、該一対の基板の間隙に封入され負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置であって、該配向膜は、液晶を略垂直に配向させる垂直配向膜であり、かつプレチルト角の異なる複数の微小領域を有するものであり、該液晶は、該電極により印加電圧が制御され、該印加電圧がオフレベルにおいて分子が略垂直に配向し、該印加電圧がオンレベルにおいて、分子が基板面側に倒れて配向することで該微小領域に対応するドメインを形成するものであり、隣接する該ドメインの境界部分に、配向安定化領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記配向安定化領域は、前記印加電圧がオンレベル時において、前記液晶の配向を、前記印加電圧がオフレベル時の略垂直な配向に維持しようとするものであることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記配向安定化領域は、前記一対の基板間でプレチルト角の大きい配向膜同士が対向している請求項８記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記配向膜は、前記境界部分に窪みを有する請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記配向膜は、前記境界部分に、該配向膜のプレチルト角を大きくする下地膜を有する請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
プレチルト角の大きい前記配向膜同士が対向している部分の幅が、５〜２０μｍの範囲である請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記一対の基板の一方は、複数の前記ドメインからなる表示セルに対応したカラーフィルタを有するものであり、前記窪みは、該カラーフィルタの層に形成されている請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記一対の基板の一方は、複数の前記ドメインからなる表示セルの印加電圧を制御する駆動素子を有するものであり、前記窪みは、該駆動素子を被覆する保護膜の層に形成されている請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記配向安定化領域は、前記電極と配向膜との間に設けられた絶縁膜であることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記絶縁膜は、０．２〜２μｍの厚みを有する請求項１５記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記絶縁膜は、少なくとも１０12Ωcmの比抵抗を有する請求項１５記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記絶縁膜は、６以下の誘電率を有する有機系絶縁膜であることを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記一対の基板の一方は、各表示セルの外縁部を不透明または低反射率にする暗色部材を有するものであり、前記絶縁膜は、該暗色部材と同一の部材で形成されている請求項１５記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記一対の基板の一方は、各表示セルの印加電圧を制御する駆動素子を有するものであり、前記絶縁膜は、該駆動素子を保護する保護膜と同一の部材で形成されている請求項１５記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記配向膜は、複数の前記微小領域のプレチルト角に対応した異なる強度の紫外光が照射されることで、所定のプレチルト角が形成されたものである請求項７記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に垂直配向型液晶表示装置の視野角の拡大のために複数種類の微小ドメインを用い、その微小ドメインを安定化する液晶表示装置の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、視野角を拡大するために種々の改善がなされてきた。その技術の一つとして、垂直配向型の液晶を用いるものがあり、また、画素の中を視角特性の異なる複数の微小領域に分割しそれらの特性を平均化した特性を得ることで視野角を拡大するものがある。さらに、これら二つの技術を組み合わせることにより、視野角の一層の拡大を図ることができる。
【０００３】
このような技術に関する従来例を、図１４〜図１７を参照して説明する。図１４は、「囲い電極電界制御法」と呼ばれる技術を垂直配向型液晶表示装置に適用したものであり、その内容は特開平７−１３１６４号公報に詳述されている。図中１２，１４はガラス基板であり、その外側には偏光板（図示せず）が配設されている。下方のガラス基板１２には表示電極３２と配向制御電極３４が配設され、上方のガラス基板１４には、画素の中央部にスリット（配向制御窓３６Ｈと称する）を有する対向電極３６が配設されている。これらの電極３２，３６の上に垂直配向膜５１，５２が配設され、これらの垂直配向膜５１，５２の間に負の誘電率異方性を有する液晶５０が封入されている。ここで、図１４は各電極に電圧を印加した場合（電圧印加時）の液晶分子５０の状態を示している。
【０００４】
各電極へ電圧を印加しない場合（電圧不印加時）は、全ての液晶分子は略垂直に（即ち、符号５４の液晶分子のように）配向しているが、電圧印加時には、各液晶分子５３，５４は図１４に示すように配向する。このような配向状態の制御を行うために、配向制御電極３４と、配向制御窓３６Ｈが重要な役割を果たしている。まず、配向制御電極３４の作用により、符号５５で示したような電界の曲がりを発生させ、その結果、画素内の電界を符号５６に示すように外側に向けて曲げることができる。次に、対向電極３６の中央部に配向制御窓３６Ｈを形成することにより、画素内中央部の電界を符号５７に示すように両側に分割し、中央部に弱電界領域を形成することができる。このように、配向制御電極３４と、配向制御窓３６Ｈとが作用することにより、液晶分子５３，５４は、図１４に示したように、２種類の方向に配向することができる。
【０００５】
図１４の液晶表示装置は、配向膜として、画素全体で一様な特性を有する垂直配向膜を用いたものである。これに対して、画素内で複数の微小領域を有する配向膜を用いるものとして、図１５〜図１７に示す構成の液晶表示装置があり、その内容は、特開平７−２８１１７６号公報に説明されている。
【０００６】
この液晶表示装置は、液晶４０を封入した一対のガラス基板１２、１４と、これらのガラス基板１２、１４の外側に配置された偏光板１６，１８とからなる。一方のガラス基板１２の内面にはカラーフィルタ２０、透明電極２２及び垂直配向膜４４が設けられ、もう一方のガラス基板１４の内面には透明電極２６及び垂直配向膜４８が設けられる。
【０００７】
液晶４０は、負の誘電率異方性を有するものであり、液晶がツイストするのを促進するカイラル材を添加してある。従って、図１７（ａ）に示すように、電圧不印加時には液晶分子はガラス基板面にほぼ垂直に配向し、図１７（ｂ）に示すように、電圧印加時には液晶分子はガラス基板面に対して倒れて、一対の基板それぞれのラビング方向、及び液晶自体のらせん能に従ってツイストするようになる。
【０００８】
ここで、垂直配向膜４４、４８は、図１５および図１６に示すように、微小領域Ａ，Ｂに分割して配向処理してある。即ち、ドメインＡにおいては、一方の垂直配向膜４４は、この垂直配向膜４４に接する液晶分子が基板面に対してプレチルト角αをなすようにラビング処理が行われており、対向する他方の垂直配向膜４８は、この垂直配向膜４８に接する液晶分子が基板面に対してプレチルト角βをなすようにラビング処理が行われている。垂直配向膜４４、４８の形成条件の制御により、プレチルト角α、βは、９０度に近いが、α＜βの関係があるものとなっている。そして、電圧印加時には、図１７（ｂ）に示すように、両基板１２、１４の中間部の液晶分子は角度の小さいプレチルト角αに従って倒れる傾向がある。プレチルト角αは例えば８５°であり、プレチルト角βは例えば８９°である。
【０００９】
隣接するドメインＢにおいては、逆に、一方の垂直配向膜４８は、この垂直配向膜４４に接する液晶分子が基板面に対してプレチルト角βをなすようにラビング処理が行われており、対向する他方の垂直配向膜４８は、この垂直配向膜４８に接する液晶分子が基板面に対してプレチルト角αをなすようにラビング処理が行われている。この場合にも、プレチルト角α、βは９０度に近いが、α＜βの関係がある。そして、電圧印加時には、図１７（ｂ）に示すように、両ガラス基板１２、１４の中間部の液晶分子は、角度の小さいプレチルト角αに従って倒れる傾向がある。
【００１０】
このように、１画素に対応する領域が視角特性の１８０°異なるドメインＡ、Ｂに分割されているので、この１画素に対応する領域は、両方のドメインＡ、Ｂの視角特性を平均した視角特性を示すものとなる。従って、この液晶表示装置は、視野角が大幅に拡大されたものとなる。
【００１１】
なお、図１５に示した従来例は、電圧印加時の液晶のツイスト角が４５°となる場合を示したものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、上記二種類の液晶表示装置を比較すると、前者（図１４の液晶表示装置）は、後者（図１５〜図１７の液晶表示装置）に比べて、その構成要素が一つ多いものとなっている。即ち、配向制御電極３４が新たに必要である。従って、その分構造が複雑であるばかりでなく、開口率の点でも不利なものとなる。
【００１３】
そこで、本発明は後者の構成を対象とする。後者（図１５〜図１７の液晶表示装置）の構成においては、電圧印加時のドメインの形成が不安定になる場合がある。具体的には、ドメインの境界部分で略垂直配向する液晶分子（図１７（ｂ）の４０Ｃ）が、微小領域Ａ，Ｂの境界部に安定して存在しないで、その境界部を外れて形成されたり、その境界部の周辺を移動するように形成されたりすることがある。このような場合には、二つのドメインＡ，Ｂの面積比の均衡が崩れるため、視角特性が劣化するばかりでなく、ドメイン境界部の不連続部の領域が拡大してさらに視角特性や開口率を劣化させる、という問題が発生する。
【００１４】
従って、後者の構成においては、二つのドメインＡ，Ｂの境界の不連続部分を安定に形成することが重要である。本発明は、プレチルト角の異なる複数の微小領域からなる垂直配向膜を有する垂直配向型液晶表示装置において、電圧印加時に、その微小領域に対応する液晶層内のドメインを安定に形成し得る液晶表示装置の提供を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１記載の液晶表示装置は、対向して配置された一対の基板の内面上に配設された電極と、配向膜と、該一対の基板の間隙に封入され負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置であって、該配向膜は、液晶を略垂直に配向させる垂直配向膜であり、かつプレチルト角の異なる複数の微小領域を有するものであり、該液晶は、該電極により印加電圧が制御され、該印加電圧がオフレベルにおいて分子が略垂直に配向し、該印加電圧がオンレベルにおいて、分子が基板面側に倒れて配向することで複数種類の微小ドメインを形成するものであり、隣接する該ドメインの境界部分に、帯状の配向安定化領域を有することを特徴とする。
【００１６】
ここで、液晶分子が「略垂直」に配向するという状態は、電圧不印加時に液晶分子の長軸が、一対の基板の少なくとも一方に対して７５°以上９０°未満のプレチルト角を形成する配向状態を示すものである。
【００１７】
また、印加電圧の「オフレベル」とは、電圧を印加しない状態、または低レベル（例えば約０Ｖ）の電圧を印加した状態に対応するものである。一方、印加電圧の「オンレベル」とは、液晶の状態を変化させる電圧を印加した状態に対応するものであり、その状態は中間調〜所謂オン状態の範囲を含むものである。
【００１８】
上記の構造を用いた液晶表示装置の作用について、図１（ｂ）を参照して説明する。図中の符号は、従来構造を示す図１７と同じ部分には同じ符号を用いている。図１７と異なる符号として、４４Ａ，４８Ａは小さいプレチルト角αを有する配向膜を示し、４４Ｂ，４８Ｂは大きいプレチルト角βを有する配向膜を示している。
【００１９】
ここで、大きいプレチルト角βと小さいプレチルト角αとが対向する領域Ａ，Ｂは、印加電圧がオンレベルにおいて、図１（ｂ）に示すようなドメインＡ，Ｂを形成する。そして、図１（ｂ）においては、印加電圧のオンレベル時に、それらのドメインＡ，Ｂの境界部分Ｗ１に、オフレベル時の配向と同様に液晶分子が略垂直に配向する領域（これを、「配向安定化領域」Ｗ１と称する）が存在するものとなっている。（配向安定化領域Ｗ１を形成するための具体的な構成については後述する）この配向安定化領域Ｗ１は、二つのドメインＡ，Ｂを安定に区分けする分離壁として作用するものとなる。このように分離壁として作用する配向安定化領域Ｗ１は、一方のドメインが他方のドメインに押し寄せるのを防ぐ働きをするため、二つのドメインＡ，Ｂを安定に維持することができる。
【００２０】
このように作用する配向安定化領域Ｗ１を形成するための一つの構成は、請求項９および図１（ｂ）に示すように、隣接するドメイン、Ａ、Ｂの境界部分（即ち、配向安定化領域Ｗ１）において、一対の基板間でプレチルト角の大きい配向膜同士、４４Ｂ、４８Ｂが対向するものとすることである。
【００２１】
印加電圧がオンレベルにおいて、隣接するドメインＡ，Ｂの境界部分で、プレチルト角の大きい配向膜同士４４Ｂ，４８Ｂが対向していることにより、その配向膜４４Ｂ，４８Ｂに囲まれた配向安定化領域Ｗ１の中では液晶分子が略垂直に配向することができる。
【００２２】
なお、このような配向安定化領域Ｗ１を実現するために、プレチルト角α，β（α＜β）を有する一方の配向膜４４Ａ，４４Ｂと、他方の配向膜４８Ａ，４８Ｂとを、異なるプレチルト角が対向するように配設し、かつ、異なるプレチルト角の境界線が二つの基板間でずれて対向し、しかもこの境界部分でプレチルト角βの配向膜同士が対向するように配設する構造としている。
【００２３】
この構造と比較するために、プレチルト角の大きい配向膜同士が対向していない構造（即ち、異なるプレチルト角の境界線が二つの基板間で同等の位置になるように対向する構造）を図１（ａ）に示した。
【００２４】
この構造の場合には、境界部分で略垂直に配向する液晶分子は、安定に存在できない場合が多く、印加電圧の変動等により移動したり変形したりして、液晶表示装置の視角特性や開口率を劣化させる一因となる。これは、図１（ｂ）のように、明確に区分けされた大きさを有する配向安定化領域Ｗ１が無いことによるものである。
【００２５】
一方、プレチルト角の小さい配向膜同士が対向する構造（図示せず）の場合には、境界部分においては、印加電圧がオンレベルにおいて、ラビング方向に従って新たに逆ツイスト構造（ドメイン）が発生するものとなる。この逆ツイスト構造（ドメイン）は、印加電圧のレベルにより、正規のドメイン（図１（ｂ）の符号Ａ，Ｂに対応するもの）を浸食することがある。従って、この境界部分は不安定なものであり、ドメインＡ，Ｂの分離壁として作用することができない。なお、この逆ツイスト構造（ドメイン）は、わずかに光を透過させるものとなるため、黒レベルを劣化させて表示のコントラストを低下させるという欠点も持つものである。
【００２６】
上記請求項１記載の発明の作用を有する配向安定化領域Ｗ１を形成するための他の構成は、請求項３および請求項１５および図１０に示すように、隣接するドメインＡ，Ｂの境界部分（即ち、配向安定化領域Ｗ４）において、電極と配向膜との間に絶縁膜を設けるものとすることである。
【００２７】
この構造とその作用について図１０を参照して説明する。図中、４３がその絶縁膜である。この絶縁膜４３が電極２６の上に配設されているため、液晶層４０内の電界４５はその絶縁膜４３を避けるように広がるものとなる。従って、その絶縁膜４３の近傍にある境界部分Ｗ４の電界は、その両側に隣接するドメインＡ，Ｂより低電界で略垂直方向を向くものとなる。その結果、境界部分Ｗ４内の液晶分子は略垂直に配向し、かつ安定にその状態を保持することができる。即ち、隣接するドメインＡ，Ｂの間に、略垂直に配向した液晶分子を有する配向安定化領域Ｗ４が介在する構成となり、この配向安定化領域Ｗ４が二つのドメインＡ，Ｂを安定に区分けする分離壁として作用する。
【００２８】
【発明の実施の形態】
〔第１実施形態〕本発明を具体化した第１実施形態を、図１（ｂ）を参照して説明する。
【００２９】
ガラス基板１２，１４の上に、透明電極２２，２６を配設し、さらにその上にポリイミド配向膜４４Ａ，４４Ｂ，４８Ａ，４８Ｂを同図に示すように配設し、内部に液晶４０を封入した。
【００３０】
２種類のプレチルト角α，βを有する配向膜は、予め塗布したポリイミド配向膜にフォトマスクを介して部分的に紫外線を照射することにより形成した。具体的なプロセスは次の通りである。
【００３１】
（ａ）透明電極を有する基板上に、ポリイミド膜をスピンコートし、焼成する。（ｂ）このポリイミド膜に、所定方向のラビング処理を行う。図１（ｂ）におけるラビング方向は、４４Ａから４４Ｂの方向、および４８Ｂから４８Ａの方向である。
【００３２】
（ｃ）小さなプレチルト角αの領域を形成する部分に開口（透光部）を有するフォトマスクをセットする。（ｄ）低圧水銀灯を用いて、上記のフォトマスクがセットされたポリイミド膜に、２５４ｎｍ以下の波長を有する紫外線を、２０００ｍＪ／ｃｍ2 の強度で約５分間照射する。なお、この低圧水銀灯は紫外光を効率良く発生させるため、ポリイミド膜の改質効率が良いものである。当然、他の紫外光源も使用可能である。
【００３３】
なお、（ｂ）の工程は、（ｄ）の工程より後に実施してもよい。このプロセスにより得られた配向膜のプレチルト角は、紫外線を照射しない領域で８９．５°、紫外線を照射した領域で８５°であった。なお、２５４ｎｍ以下の波長の紫外線を用いることにより配向膜の改質を効率良く行うことができる。
【００３４】
このように、紫外線の照射によりプレチルト角を制御できることを示す詳細なデータを図２に示す。この場合は、紫外線を照射することによりプレチルト角が小さくなるポリイミド膜（日産化学製のＳＥ１２１１）を用いているが、逆に、紫外線を照射することによりプレチルト角が大きくなる配向膜材料（例えば、日産化学製のＲＮ−７８３）もある。
【００３５】
このようにして形成した一対のガラス基板１２，１４を、高プレチルト角βの配向膜が５μｍの幅で対向している部分を有するように組み合わせ、液晶を封入して液晶表示装置を構成した。液晶材料としてはメルク社製のＺＬＩ２８０６（Δｎ＝０．０４３７，Δε＝−４．８）を使用した。
【００３６】
その液晶表示装置に電圧を印加して画素内のドメインを観察した所、印加電圧を増すことにより２種類のドメインが明確に観察され、しかもドメインの境界は安定したもので、２種類のドメインが安定に共存することを確認した。
【００３７】
なお、高プレチルト角βの配向膜が対向している部分の幅は、５〜２０μｍの範囲が適当である。一対の基板の位置合わせ精度の点で５μｍ以下の制御は困難であり、開口率の点で２０μｍ以上の値は好ましくない。
【００３８】
ここで、本実施例の具体的な電気光学特性を図３に示す。同図（ａ）は上下方向、（ｂ）は左右方向の視角特性を示すものである。これらの視角特性は、従来のＴＮ型の液晶表示装置等に比べてはるかに広い視野角を示すものであることが分かる。なお、この液晶表示装置は液晶のツイスト角が１０°になるように構成されたものである。
【００３９】
一方、ドメインの境界部で高プレチルト角βの配向膜が対向している部分を持たない液晶表示装置（図１（ａ）の構造に対応するもの）を試作した。図１（ａ）において、プレチルト角α（８５°），β（８９．５°）を有する配向膜４８ａ，４８ｂ、および配向膜４４ａ，４４ｂは、前記した本実施形態のものと同様にして形成し、同様にラビングを施した。そして、プレチルト角の異なる配向膜の境界部が、上下のガラス基板１４，１２間で同じ位置に対向するように配置して内部に液晶４０を封入した。この液晶表示装置を評価した結果、観察された２種類のドメインは、電圧の印加に対して不安定であり、その境界位置が不規則でありしかも移動することがあることが確認された。このように、比較例図１（ａ）は、表示の安定性が悪いばかりでなく、視野角や開口率等に関わる表示特性も劣るものであり、本実施形態（図１（ｂ）の構造に対応するもの）の優位性を確認することができた。
【００４０】
なお、本実施形態では、紫外線照射の強度を異ならせることにより、複数の微小領域を有する配向膜の各プレチルト角を制御する方法を説明したが、プレチルト角の制御方法はこれに限定されるものではない。例えば、複数の微小領域に対して、ラビング処理の強度が異なるように制御する方法を用いることにより、本実施形態と同様に、複数のプレチルト角を持つ微小領域からなる配向膜を実現することができる。
【００４１】
〔第２実施形態〕本発明を具体化した第２実施形態を、図４を参照して説明する。ガラス基板１２，１４の上に、透明電極２２，２６を配設し、さらにその上にポリイミド配向膜４４ｃ，４４ｄ，４８ａ，４８ｂを同図に示すように配設し、内部に液晶４０を封入した。配向膜４８ａ，４８ｂと透明電極２６とを含む上側のガラス基板１４は第１実施形態とほぼ同じものであり、下側のガラス基板１２を被覆する透明電極２２の上に配設された配向膜４４ｃ，４４ｄが、その境界部分に窪みＨを有する点が、第１実施形態と異なる。この窪みＨは、深さ約１μｍ幅５〜１０μｍ程度のものを形成した。
【００４２】
これらの配向膜４４ｃ，４４ｄ，４８ａ，４８ｂは、第１実施形態と同様に紫外線を選択的に照射することにより、２種類のプレチルト角α，βを同図に示すように形成した。
【００４３】
下側の配向膜にラビング処理を施すことにより、窪みＨの底面にあるポリイミド配向膜のプレチルト角γは、窪みＨの無い領域Ａのプレチルト角αより大きい値にすることができる。ラビング強度とプレチルト角との関係は、図５に示すように、ラビング強度が増すに従い、プレチルト角が低下する傾向がある。ここで、同図の横軸を示すラビング押し込み量は、ラビング強度にほぼ比例するものである。窪みＨの底面にある配向膜４４ｈは、他の部分の配向膜よりもラビング強度が弱いものとなるため、そのプレチルト角γが大きい値に設定される。具体的には、プレチルト角α，βはそれぞれ８５°、８９．５°、プレチルト角γは８９．８°となるように形成した。また、ラビングは、４４ｃから４４ｄの方向、および４８ｂから４８ａの方向に施した。
【００４４】
このように、下側の配向膜４４ｃ，４４ｄの境界部となる窪みＨの部分に、大きなプレチルト角γを有する配向膜４４ｈを形成することにより、窪み部の配向膜４４ｈと、上側の高プレチルト角βの配向膜４８ｂとの間に、高プレチルト角γ，βが対向する配向安定化領域Ｗ２を形成することができる。この配向安定化領域Ｗ２の中では、略９０°に配向した液晶分子が安定に存在することが可能になり、その結果その配向安定化領域Ｗ２が障壁（分離壁）として作用するため、両側の二つのドメインＡ，Ｂを安定に維持することができることを確認した。
【００４５】
なお、図４の例では、窪みＨは、凹部が形成されたガラス基板上に透明電極２２、配向膜４４を被覆することで形成されているが、この形状に限られるものではなく、プレチルト角が異なるように、ラビング処理により受けるラビング強さが、他の領域と異なる形状であればよい。
【００４６】
また、窪みＨの深さは、その幅にも依存するものであり、配向膜表面と、窪みＨ内でラビング処理を行ったときの影響に差がでるような深さであればよい。例えば、セル厚が５μｍ程度であれば、１〜３μｍ程度の深さが実用的なものである。
【００４７】
なお、このような窪みＨを、両側の基板に形成することもできる。
〔第３実施形態〕本発明を具体化した第３実施形態を、 図６を参照して説明する。
【００４８】
配向膜４８ａ，４８ｂと透明電極２６とを含む上側のガラス基板１４は第１および第２実施形態とほぼ同じものであり、下側のガラス基板１２を被覆する透明電極２２の上に配設され、二つの領域４４ｃ，４４ｄの境界部分となる配向膜４４ｋが下地膜４１を有する所が、第１および第２実施形態と異なる。この下地膜４１としては、例えばＡＰ４００（東レ製シランカップリング剤）等の密着改良剤を用いた。ＡＰ４００を約１００Åの膜厚で塗布し約２００°Ｃで焼成しパターニングした層の上に、５００〜１０００Åのポリイミド配向膜を形成した。
【００４９】
このような密着改良剤を下地膜４１として用いることにより、その上に形成される配向膜４４ｋは、下地膜４１の無い配向膜４４ｃ，４４ｄよりも大きいプレチルト角γとすることができる。具体的には、プレチルト角α，βはそれぞれ８５°、８９．５°、プレチルト角γは８９．８°となるように形成した。また、ラビングは、４４ｃから４４ｄの方向、および４８ｂから４８ａの方向に施した。
【００５０】
ここで、密着改良剤は、配向膜の下地の電極に対する密着力を強固にし、外力によって受ける影響を少なくする。従って、同じ条件でラビング処理が行われても、下地に密着改良剤がある部分ではラビング処理の影響が小さく、他の領域に比べてプレチルト角が大きくなる。
【００５１】
このように、下側の配向膜４４ｃ，４４ｄの境界部となる部分に、大きなプレチルト角γを有する配向膜４４ｋを形成することにより、その配向膜４４ｋと、上側の高プレチルト角βの配向膜４８ｂとの間に、高プレチルト角γ，βが対向する配向安定化領域Ｗ３を形成することができる。
【００５２】
第２実施形態の場合と同様にして、この配向安定化領域Ｗ３の中では、略９０°に配向した液晶分子が安定に存在することが可能になり、その結果、その配向安定化領域Ｗ３が障壁（分離壁）として作用するため、両側の二つのドメインＡ，Ｂを安定に維持することができることを確認した。
【００５３】
なお、このような下地膜４１を、両側の基板に形成することもできる。次に、第２実施形態に対応する本発明を、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）とＣＦ（カラーフィルタ）とを用いたカラーＴＦＴ液晶表示装置に適用したものを、第４実施形態〜第５実施形態として以下に説明する。
【００５４】
〔第４実施形態〕第４実施形態は、第２実施形態の構成をカラーＴＦＴ液晶表示装置として具体化したものであり、その断面図を図８に、平面図を図７（ａ）に示した。
【００５５】
このカラーＴＦＴ液晶表示装置は、ＴＦＴ等を配設したガラス基板（以下、ＴＦＴ基板と称する）１１０Ｓと、ＣＦ（カラーフィルタ）等を配設したガラス基板（以下、ＣＦ基板と称する）２１０Ｓと、これらの基板間に封入された液晶１７０と、これらの基板の外側に配設された偏光板１１１，２１１とからなる。
【００５６】
図８において、１１０，２１０はガラス基板であり、１２０，１３０，１４０はそれぞれＴＦＴを構成するソース電極，ドレイン電極，ゲート電極であり、２２０，２２１はそれぞれカラーフィルタ，ブラックマトリクスである。ブラックマトリクスとは、画素（表示セルとも称する）の外縁部を不透明または低反射率にする暗色部材のことであり、通常は格子状のものであるが、ストライプ状やその他の形状のものもある。また、図中１５０は画素電極、２５０は対向電極であり、いずれも透明なＩＴＯで形成されている。
【００５７】
ここで、ＣＦ基板２１０Ｓにおいては、対向電極２５０の上にポリイミドの配向膜２６０Ａ，２６０Ｂが塗布され、紫外線照射およびラビング処理等の制御により配向膜２６０Ａ，配向膜２６０Ｂのプレチルト角がそれぞれα（８５°），β（８９．５°）に設定され、さらに２６０Ａから２６０Ｂの方向にラビングされている。なお、この配向膜の構成と形成方法は、第２実施形態と同様である。
【００５８】
一方、ＴＦＴ基板１１０Ｓにおいても、ほぼ同様にしてプレチルト角がそれぞれα（８５°），β（８９．５°）の配向膜１６０Ａ，１６０Ｂが、１６０Ｂから１６０Ａの方向にラビングされて配設されている。さらに、この配向膜は、画素電極１５０のほぼ中央部分に窪み１５５Ｈがあり、この部分の配向膜１６０ｈのプレチルト角γは８９．８°となるように形成され、その形成方法も第２実施形態と同様である。
【００５９】
ここで、配向膜の窪み１５５Ｈを形成するために、本実施形態ではＴＦＴを保護する保護膜１５５を活用している。この保護膜として、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等を全面に形成し、所定のパターンにホトリソグラフィでパターニングする際に、同時に切り欠き部１５５Ｈを形成する。この上にポリイミドの配向膜を全面に塗布することで、配向膜の窪み１５５Ｈを形成することができる。
【００６０】
この構成と形成方法の特徴は、ＴＦＴを保護する保護膜１５５を活用して工程数を増やすことなく配向膜の窪み１５５Ｈを実現できることである。図７（ａ）は、図８の各層に対応するパターンの平面図を、便宜上実線で示したものである。図中のＸ−Ｘ’、Ｙ−Ｙ’の部分は、それぞれ図８の断面図のＸ−Ｘ’、Ｙ−Ｙ’の部分に対応するものである。図中の符号は、図８の同一部分には同一の符号を付してある。別の符号として、１２０Ｂはソースバス電極、１４０Ｂはゲートバス電極である。
【００６１】
図８に示した配向膜１６０Ａ，１６０Ｂ，１６０ｈ，２６０Ａ，２６０Ｂが形成されたカラーＴＦＴ液晶表示装置においては、液晶１７０が同図に示すような方向に配向し、二つのドメインが安定に形成される。このような作用・効果は、第２実施形態の場合と同様である。
【００６２】
さらに、上下方向および左右方向の視角特性も、第２実施形態の場合と同様に、 図３と同等の特性を示す。
〔第５実施形態〕第５実施形態は、第２実施形態の構成をカラーＴＦＴ液晶表示装置として具体化したもので、配向膜の窪みの構成と形成方法が第４実施形態とは異なるものであり、その断面図を 図９に、平面図を 図７（ｂ）に示した。
【００６３】
本実施形態は、配向膜およびその下層膜の構成の仕方に関連する部分のみが第４実施形態と異なり、他の構成は全て第４実施形態と同じものである。即ち、本実施形態においては、（１）配向膜２６０ｈの窪みがＣＦ基板２１０Ｓ側にあり、ＴＦＴ基板１１０Ｓ側には無いこと、（２）配向膜２６０ｈの窪みを構成するために、ＣＦ層に切り欠き部２２０Ｈを形成すること、の２点に特徴があり、他の部分は第４実施形態と同等の構成となっている。
【００６４】
ここで、配向膜の窪み２２０Ｈを形成するために、本実施形態ではＣＦ層２２０を活用している。ＣＦ層を全面に塗布し、ホトリソグラフィで所定の形状にパターニングする際、画素のほぼ中央部もエッチングすることにより切り欠き部２２０Ｈを形成する。この上にポリイミドの配向膜を全面に塗布することで、配向膜の窪み２２０Ｈを形成することができる。
【００６５】
この構成と形成方法の特徴は、ＣＦ層２２０を活用して工程数を増やすことなく配向膜の窪み２２０Ｈを実現できることである。配向膜１６０Ａ，２６０Ａおよび配向膜１６０Ｂ，２６０Ｂのプレチルト角をそれぞれα（８５°），β（８９．５°）とすること、ラビングは１６０Ｂから１６０Ａの方向、および２６０Ａから２６０Ｂの方向に向けて行うこと、窪み２２０Ｈ部の配向膜２６０ｈのプレチルト角をγ（８９．８°）とすること、等は第４実施形態の場合と同様である。
【００６６】
図７（ｂ）は、図９の各層に対応するパターンの平面図を、便宜上実線で示したものであり、図中の符号は、図９の同一部分には同一の符号を付してある。ただし、２点鎖線１５０は、位置関係を明確にするために同図（ａ）の画素電極１５０を示したものである。また、２２１Ｐと２２１Ｑとで囲まれた領域２２１は、ブラックマトリクスである。図中のＹ−Ｙ’の部分は、図９の断面図のＹ−Ｙ’の部分に対応するものである。（Ｙ−Ｙ’を折り曲げた線で示したのは、対向基板側のＴＦＴの部分も含めて、対応する断面を示す線とするためである。）本実施形態は、配向膜の窪み２２０Ｈの位置が異なる点を除けば、基本的には第４実施形態と同等のものであるため、その作用・効果および視角特性等も第４実施形態のものと同等である。
【００６７】
なお、第４実施形態のＴＦＴ基板と、第５実施形態のＣＦ基板とを組み合わせて液晶表示装置を構成することもできる。
〔第６実施形態〕請求項３および請求項１５記載の発明を具体化した実施形態を、図１０を参照して説明する。
【００６８】
本実施形態の特徴は、上側の透明電極２６の上に帯状の絶縁膜４３を形成したことである。この絶縁膜４３は、幅１０μｍ、厚さ５０００Åのシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を用いた。このＳｉＮ膜はプラズマＣＶＤにより形成し、ＣＦ4 系ガスを用いたドライエッチングによりパターニングを施した。
【００６９】
この絶縁膜４３を有する透明電極２６の上に、プレチルト角α（８５°），β（８９．５°）を有するポリイミドの配向膜（日産化学製のＳＥ１２１１）４８ａ，４８ｂを、前記第１実施形態の場合と同様にして形成した。これらの配向膜の境界部分が絶縁膜４３の中央部になるように位置合わせをしている。
【００７０】
また、下側のガラス基板１２、透明電極２２、配向膜４４ａ，４４ｂに関しては、図１（ａ）のように、配向膜４４ａ，４４ｂの境界部分が上側基板のものと略一致するようにした。そしてこれらのガラス基板の間隙に液晶４０を封入した。
【００７１】
このように構成した第６実施形態の液晶表示装置と、前記図１（ａ）の液晶表示装置とを比較した。まず、印加電圧を高くしてドメインを発生させその状態を観察した所、本実施形態では、ドメインの境界が安定に維持され、２種類のドメインが安定に共存することを確認した。一方、比較例図１（ａ）においては、前記したように２種類のドメインは、電圧の印加に対して不安定であり、その境界位置が不規則でありしかも移動することがあることを確認した。
【００７２】
このように、本実施形態の方が優れているのは、絶縁膜４３がその直下の配向安定化領域Ｗ４内を低電界領域とするように作用し、その結果、配向安定化領域Ｗ４内の液晶分子がほぼ垂直に配向した状態で安定に存在することによる。即ち、この配向安定化領域Ｗ４が、その両側にある二つのドメインＡ，Ｂに対する障壁（分離壁）として作用しているからである。
【００７３】
また、本実施形態の上下方向および左右方向の視角特性を評価した所、前記 図３と同等の特性を得、高いコントラストと広い視角特性を確認した。次に、この絶縁膜４３の膜厚と抵抗に関する条件を検討した。この絶縁膜としてＳｉＮを用い、その膜厚と比抵抗の条件を変えて液晶表示装置を試作し、ドメインの安定性を評価した結果、表１に示す結果を得た。
【００７４】
【表１】
【００７５】
このＳｉＮ膜は、作動ガスとしてＳｉＨ4 ／ＮＨ3 を用いたプラズマＣＶＤにより形成したもので、誘電率εは約６、比抵抗ρは約１０13Ωcmのものが通常は得られる。ここでは、作動ガス（ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ）の組成を制御することでこのＳｉＮ膜（ＳｉＮX 膜とも表記する）の比抵抗を制御して、表１の値になるように設定した。具体的には、ＳｉＨ4 の割合を多くし、Ｓｉリッチにすることにより比抵抗を小さくすることができ、その逆も可能である。
【００７６】
表１によれば、膜厚に関しては、１０００〜１００００Åの範囲（ただし、比抵抗１０15 Ωcm）で評価した結果、２０００Å以上でドメインが安定であった。一方、比抵抗に関しては、１０10 〜１０15 Ωcm（ただし、膜厚３０００Å）の範囲で評価した結果、１０14Ωcm以上でドメインが安定であった。
【００７７】
これらの結果の物理的な意味は、次のように推測することができる。液晶の駆動は、一般的には交流波形で行われるが、液晶材料面での応答速度の改善に伴い、１フレーム内（直流が印加されている）での影響、即ち直流波形による影響についても十分考慮する必要がある。従って、液晶の駆動特性には、交流特性と直流特性の２面があり、双方の必要条件が満足されなければならない。そこで、この液晶の駆動特性に所望の影響（電界を低減させる作用）を与えるために配設される上記の絶縁膜４３は、交流特性と直流特性の双方において、所定の条件に設定される必要がある。具体的には、この絶縁膜４３は、交流特性としても直流特性としても電界を低減させるように設定される必要がある。
【００７８】
まず、直流特性の観点から、比抵抗ρが、液晶層の抵抗に対して影響を及ぼす程度に高い必要がある。即ち、液晶の比抵抗（例えば、ＴＦＴ駆動用の液晶は１０12 Ωcm程度またはそれ以上の値）と同等以上の値に設定されるためには、１０12 Ωcm以上の値が必要である。１０13Ωcm以上であればさらに望ましい。この推測は、表１の結果と対応するものである。
【００７９】
次に、交流特性の観点から、この絶縁膜４３が、その直下の液晶層の電界を低減させる作用を持つためには、その容量値（誘電率εと膜厚と膜面積とで定まる値）が、その絶縁膜４３下の液晶層の容量値に比べて約１０倍以下の値（インピーダンスとして約１／１０以上の値）であることが必要である。例えば、ＳｉＮ膜は、誘電率εが約６であるから液晶層の誘電率ε（約１０）のほぼ１／２であり、膜厚が約２０００Åの場合には液晶層の層厚（例えば、約５μｍ）のほぼ１／２５である。この場合、絶縁膜４３の容量値は、絶縁膜４３下の液晶層の容量値の約１０倍となる。即ち、絶縁膜４３は、そのインピーダンスがその直下の液晶層のインピーダンスの約１／１０の値となるため、液晶層の電界分布に影響を与えることができる。
【００８０】
従って、表１の結果は、「配向安定化領域Ｗ４の中が充分に低電界になり、この中でほぼ垂直に配向する液晶分子が安定に存在し、その両側に発生するドメインＡ，Ｂの障壁（分離壁）として作用するためには、その直下の液晶層の約１０倍以下の容量値を有する絶縁膜４３が必要である」ことを示すものと理解できる。即ち、誘電率εは小さい材料が良く、膜厚は厚いもの程良い。表１によれば、誘電率εが約６で、２０００Å以上の膜厚のＳｉＮ膜が良いことを示しているが、さらに小さい誘電率εとさらに厚い膜厚とを有する絶縁膜を用いれば、一層好ましい作用・効果を得ることができる。
【００８１】
また、このような絶縁膜４３を両側の基板に用いることにより、さらに好ましい作用・効果を得ることができる。なお、絶縁膜４３としては、上記のＳｉＮ膜の他に、ＳｉＯ2膜やＳｉＯＦ膜等を用いることもできる。ＳｉＯ2膜は作動ガスとしてＳｉＨ4 ／Ｎ2Ｏを用い、ＳｉＯＦ膜は作動ガスとしてＳｉＨ4 ／Ｎ2Ｏ ／ＳｉＦ4を用いたプラズマＣＶＤにより形成することができる。通常は、前者および後者の誘電率εは、それぞれ約４，約３であり、いずれも比抵抗ρは約１０13Ωcmであるが、作動ガスの組成等を制御することでこれらの値を調節することも可能である。
【００８２】
また、絶縁膜４３としては、上記のような無機膜の他に、有機系の絶縁膜を用いることもできる。例えば、アクリル系のＬＣ−２００１（三洋化成製）（誘電率εは約３、比抵抗ρは約１０15 Ωcm）、ポリイミド系のＲＮ−９０１（日産化学製）（誘電率εは約３、比抵抗ρは約１０16Ωcm）等の有機系絶縁膜を用いることができる。これらの膜は、上記のような無機膜に比べて、誘電率が小さく比抵抗が大きいことが特徴である。
【００８３】
次に、第６実施形態に対応する本発明を、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）とＣＦ（カラーフィルタ）とを用いたカラーＴＦＴ液晶表示装置に適用したものを、第７実施形態〜第８実施形態として以下に説明する。
【００８４】
〔第７実施形態〕第７実施形態は、第６実施形態の構成をカラーＴＦＴ液晶表示装置のＴＦＴ側の基板上に具体化したものであり、その断面図を図１２に、平面図を 図１１（ａ）に示した。
【００８５】
このカラーＴＦＴ液晶表示装置は、ＴＦＴ等を配設したガラス基板（以下、ＴＦＴ基板と称する）１１０Ｓと、ＣＦ（カラーフィルタ）等を配設したガラス基板（以下、ＣＦ基板と称する）２１０Ｓと、これらの基板間に封入された液晶１７０と、これらの基板の外側に配設された偏光板１１１，２１１とからなる。図１２において、１１０，２１０はガラス基板であり、１２０，１３０，１４０はそれぞれＴＦＴを構成するソース電極，ドレイン電極，ゲート電極であり、２２０，２２１はそれぞれカラーフィルタ，ブラックマトリクスである。また、図中１５０は画素電極、２５０は対向電極であり、いずれも透明なＩＴＯで形成されている。
【００８６】
ここで、ＴＦＴ基板１１０Ｓにおいては、画素電極１５０のほぼ中央部に、ＳｉＮにより帯状の絶縁膜１５５Ｒを形成した。そして、その上に全面を覆うようにポリイミドの配向膜１６０Ａ，１６０Ｂを塗布し、紫外線照射およびラビング処理等の制御により配向膜１６０Ａ，２６０Ｂのプレチルト角がそれぞれα（８５°），β（８９．５°）となるように設定し、さらに１６０Ａから１６０Ｂの方向にラビングを施した。なお、この配向膜の構成と形成方法は、第６実施形態と同様である。
【００８７】
一方、ＣＦ基板２１０Ｓにおいても、ほぼ同様にしてプレチルト角がそれぞれα（８５°），β（８９．５°）の配向膜２６０Ａ，２６０Ｂが、２６０Ｂから２６０Ａの方向にラビングされて配設されている。この配向膜の構成と形成方法も、第６実施形態と同様である。
【００８８】
ここで、帯状の絶縁膜１５５Ｒを形成するために、本実施形態ではＴＦＴを保護する保護膜１５５を活用している。この保護膜として、ＳｉＮ膜やＳｉＯ2 膜等を全面に形成し、所定のパターンにホトリソグラフィでパターニングする際に、画素のほぼ中央部にも帯状のパターンが残るようにパターニングすることで、同時に帯状の絶縁膜１５５Ｒを形成している。従って、ＴＦＴを保護する保護膜１５５を活用して、工程数を増やすことなく帯状の絶縁膜１５５Ｒを実現することができることである。
【００８９】
図１１（ａ）は、図１２の各層に対応するパターンの平面図を、便宜上実線で、示したものであり、図中の符号は、図１２の同一部分には同一の符号を付してある。別の符号として、１２０Ｂはソースバス電極、１４０Ｂはゲートバス電極である。また、符号１５５Ｐ，１５５Ｑで囲まれた領域１５５はＴＦＴの保護膜であり、符号１５５Ｒが帯状の絶縁膜の平面パターンである。図中のＸ−Ｘ’、Ｙ−Ｙ’の部分は、それぞれ図１２の断面図のＸ−Ｘ’、Ｙ−Ｙ’の部分に対応するものである。
【００９０】
図１２に示した帯状の絶縁膜１５５Ｒと配向膜１６０Ａ，１６０Ｂ，２６０Ａ，２６０Ｂとが形成されたカラーＴＦＴ液晶表示装置においては、液晶１７０が同図に示すような方向に配向し、二つのドメインが安定に形成される。このような作用・効果は、第６実施形態の場合と同様である。
【００９１】
さらに、上下方向および左右方向の視角特性も、第６実施形態の場合と同様に、 図３と同等の特性を示す。
〔第８実施形態〕第８実施形態は、第６実施形態の構成をカラーＴＦＴ液晶表示装置のＣＦ側の基板上に具体化したもので、その断面図を図１３に、平面図を図１１（ｂ）に示した。本実施形態は、帯状の絶縁膜の位置、材料と形成方法が第７実施形態とは異なるものである。
【００９２】
本実施形態においては、（１）帯状の絶縁膜２２２ＲがＣＦ基板２１０Ｓ側にあり、ＴＦＴ基板１１０Ｓ側には無いこと、（２）帯状の絶縁膜２２２Ｒを構成するために、ブラックマトリクスと同一の層を用いること、の２点に特徴がある。従って、ＴＦＴ基板１１０Ｓ側は、帯状の絶縁膜１５５Ｒ以外の構成は第７実施形態と同一であり、一方、ＣＦ基板２１０Ｓ側の構成は次のように異なったものとなっている。
【００９３】
ＣＦ基板２１０Ｓにおいて、ブラックマトリクス層２２１，２２２は、第７実施形態においては基板表面に形成していたが、本実施形態においてはブラックマトリクス層２２２を対向電極２５０の上に形成する構成としている。このブラックマトリクス層２２２は、まずその形成材料（例えば、カーボンブラックを添加した樹脂）を全面に配設し、ホトリソグラフィで所定の形状にパターニングして形成している。このパターニングの際、画素のほぼ中央部にも帯状のパターンが残るようにパターニングすることで、同時に、帯状の絶縁膜２２２Ｒを形成している。従って、ブラックマトリクス層２２２を活用して工程数を増やすことなく帯状の絶縁膜２２２Ｒを実現することができる。
【００９４】
配向膜１６０Ａ，２６０Ａおよび配向膜１６０Ｂ，２６０Ｂのプレチルト角をそれぞれα（８５°），β（８９．５°）とし、ラビングは１６０Ａから１６０Ｂの方向、および２６０Ｂから２６０Ａの方向に向けて行った。
【００９５】
図１１（ｂ）は、図１３の各層に対応するパターンの平面図を、便宜上実線で、示したものであり、図中の符号は、図１３の同一部分には同一の符号を付してある。ただし、２点鎖線１５０は、位置関係を明確にするために同図（ａ）の画素電極１５０を示したものである。また、２２１Ｐと２２１Ｑとで囲まれた領域２２１は、ブラックマトリクスであり、符号２２２Ｒが帯状の絶縁膜の平面パターンである。図中のＹ−Ｙ’の部分は、図１３の断面図のＹ−Ｙ’の部分に対応するものである。（Ｙ−Ｙ’を折り曲げた線で示したのは、対向基板側のＴＦＴの部分も含めて、対応する断面を示す線とするためである。）本実施形態は、帯状の絶縁膜２２２Ｒの位置が異なる点を除けば、基本的には第７実施形態と同等のものであるため、その作用・効果および視角特性等も第４実施形態のものと同等である。
【００９６】
以上の実施形態は、ＴＦＴを用いた液晶表示装置を中心に説明したが、ＴＦＴ以外にＭＩＭ素子、ダイオード等の駆動素子を有する液晶表示装置や、単純マトリクス構成の液晶表示装置、固定パターン方式の液晶表示装置等にも適用できることは勿論である。
【００９７】
【発明の効果】
請求項１乃至２記載の発明によれば、プレチルト角の異なる複数の微小ドメインからなる垂直配向膜を有する垂直配向型液晶表示装置において、隣接するドメインの境界部分に帯状の配向安定化領域を有する構成とすることにより、印加電圧レベル等の状態にかかわらず、所定のドメインを安定に維持する液晶表示装置を実現することができる。従って、広視野角でコントラストの高い液晶表示装置を安定に実現することができる。
【００９８】
請求項３乃至６記載の発明によれば、隣接するドメインの境界部分において、電極上に帯状の絶縁膜を配設することにより、上記の配向安定化領域を適確に構成することができる。
【００９９】
請求項７乃至８記載の発明によれば、プレチルト角の異なる複数の微小領域からなる垂直配向膜を有する垂直配向型液晶表示装置において、隣接するドメインの境界部分に配向安定化領域を有する構成とすることにより、印加電圧レベル等の状態にかかわらず、所定のドメインを安定に維持する液晶表示装置を実現することができる。従って、広視野角でコントラストの高い液晶表示装置を安定に実現することができる。
【０１００】
請求項９乃至１２記載の発明によれば、隣接するドメインの境界部分でプレチルト角の大きい配向膜同士が対向する構成とすることにより、上記の配向安定化領域を適確に構成することができる。さらに、このような構成を、プレチルト角の異なる配向膜の境界部分を上下基板でずらして対向させる、あるいは配向膜の窪みや配向膜の下地膜を活用することにより、容易に実現することができる。
【０１０１】
請求項１３乃至１４記載の発明によれば、広視野角液晶表示装置を実現するための配向膜の窪みを、カラーフィルタの層または駆動素子（ＴＦＴ等）の保護膜を活用して、工程数を増やすことなく簡便に実現することができる。
【０１０２】
請求項１５乃至１８記載の発明によれば、隣接するドメインの境界部分において、電極上に帯状の絶縁膜を配設することにより、上記の配向安定化領域を適確に構成することができる。
【０１０３】
請求項１９乃至２０記載の発明によれば、上記のような広視野角の液晶表示装置を実現するための帯状の絶縁膜を、ブラックマトリクスの層、または駆動素子（ＴＦＴ等）の保護膜を活用して、工程数を増やすことなく簡便に実現することができる。
【０１０４】
請求項２１記載の発明によれば、広視野角液晶表示装置を実現するためのプレチルト角の異なる複数の微小領域からなる配向膜を、紫外線照射の方法で容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１実施形態（ｂ）、とその比較例（ａ）、とを示す断面図
【図２】  紫外線（ＵＶ）照射時間とプレチルト角との関係を示す図
【図３】  第１実施形態の液晶表示装置の視角特性を示す図（ツイスト角１０°）
【図４】  第２実施形態を示す断面図
【図５】  ラビング押し込み量とプレチルト角との関係を示す図
【図６】  第３実施形態を示す断面図
【図７】  第４実施形態（ａ）、および第５実施形態（ｂ）、を示す平面図
【図８】  第４実施形態を示す断面図
【図９】  第５実施形態を示す断面図
【図１０】  第６実施形態を示す断面図
【図１１】  第７実施形態（ａ）、および第８実施形態（ｂ）、を示す平面図
【図１２】  第７実施形態を示す断面図
【図１３】  第８実施形態を示す断面図
【図１４】  一つの従来例（囲い電極電界制御法による垂直配向型液晶表示装置）の構成を示す図
【図１５】  他の従来例（配向分割による垂直配向型液晶表示装置）の構成を示す図
【図１６】  図１５の液晶表示装置の断面図
【図１７】  図１５〜１６の液晶表示装置の動作を説明する図
【符号の説明】
１２，１４      ガラス基板
２２，２６      透明電極、電極
４０            液晶、液晶層
４１            下地膜
４３            絶縁膜
４４Ａ，４４Ｂ，４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄ  配向膜
４４ｈ，４４ｋ  配向膜
４５            電界
４８Ａ，４８Ｂ，４８ａ，４８ｂ，４８ａ，４８ｂ  配向膜
１１１，２１１  偏光板
１１０，２１０  ガラス基板
１１０Ｓ        ＴＦＴ基板
１２０          ソース電極
１３０          ドレイン電極
１４０          ゲート電極
１５０          画素電極、透明電極
１５５          保護膜
１５５Ｒ        帯状の絶縁膜
１５５Ｈ        切り欠き部、窪み
１６０Ａ，１６０Ｂ，１６０ｈ  配向膜
２１０Ｓ        ＣＦ基板
２２０          ＣＦ、カラーフィルタ、ＣＦ層
２２０Ｈ        切り欠き部、窪み
２２１，２２２  ＢＭ、ブラックマトリクス、ブラックマトリクス層
２２２Ｒ        帯状の絶縁膜
２５０          対向電極、透明電極
２６０Ａ，２６０Ｂ，２６０ｈ  配向膜
α、β、γ      プレチルト角
Ａ，Ｂ          領域、ドメイン
Ｈ              窪み
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４  配向安定化領域、境界部分
【図１】
0003649818.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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