(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のロ−ルで圧延された圧延材の表面疵を検出する疵検出手段；
メモリ手段；
圧延材の移動方向に関して、疵検出手段に最も近いロ−ルあるいはその下流の位置において圧延材の所定小量の移動毎に１パルスの電気信号を発生するパルス発生手段；
前記パルスをカウントするパルスカウント手段；
前記疵検出手段の表面疵の検出に応答して前記パルスカウント手段のカウント値を前記メモリ手段にメモリして前記パルスカウント手段の再度のカウントを開始することにより、疵検出手段の疵検出情報発生間隔を計測する間隔計測手段；
前記メモリ手段の最新に記憶した間隔デ−タが設定間隔かをチェックし、設定間隔に実質上合致しないときには、該間隔デ−タにそれの直前に記憶した間隔デ−タを加えた和が設定間隔かをチェックし、該和が設定間隔に実質上合致しないときには更にその前の間隔デ−タを加えた和が設定間隔かをチェックし、これを順次行なって、設定間隔に実質上合致したときにはそこで該設定間隔宛ての回数計数値を１大きい値を示すものに更新する回数計数手段；および、
前記設定間隔の疵検出情報発生回数が参照値以上のとき、該設定間隔に対応するロ−ルグル−プにロ−ル表面疵があることを表わす情報を発生する手段；
を備えるロール表面疵判別装置。
【請求項２】
複数のロ−ルで圧延された圧延材の表面疵を検出する疵検出手段；
メモリ手段；
圧延材の移動方向に関して、疵検出手段に最も近いロ−ルあるいはその下流の位置において圧延材の所定小量の移動毎に１パルスの電気信号を発生するパルス発生手段；
前記パルスをカウントするパルスカウント手段；
前記疵検出手段の表面疵の検出に応答して前記パルスカウント手段のカウント値を前記メモリ手段にメモリして前記パルスカウント手段の再度のカウントを開始することにより、疵検出手段の疵検出情報発生間隔を計測する間隔計測手段；
前記メモリ手段の最新に記憶した間隔デ−タが設定間隔かをチェックし、設定間隔に実質上合致しないときには、該間隔デ−タにそれの直前に記憶した間隔デ−タを加えた和が設定間隔かをチェックし、該和が設定間隔に実質上合致しないときには更にその前の間隔デ−タを加えた和が設定間隔かをチェックし、これを順次行なって、設定間隔に実質上合致したときにはそこで該設定間隔宛ての回数計数値を１大きい値を示すものに更新する回数計数手段；および、
前記設定間隔の疵検出情報発生回数が参照値以上のとき、該設定間隔に対応するロ−ルにロ−ル表面疵があることを表わす情報を発生する手段；
を備えるロール表面疵判別装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、複数のロ−ルで圧延された圧延材の表面疵を探傷する工程において、表面疵検出がロ−ル原因か否かを判定する装置に関し、特に、これに限定する意図ではないが、貫通型渦流探傷法により圧延ロールの表面の欠損，割損，ブローホール等で発生した表面疵を検出し、この表面疵がロ−ル原因か否かを判定する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来は、ロール表面疵の発生の有無の判断は、たとえば線材（通称コイル）の場合はコイルの外観検査か、成品の端部をサンプリング検査し保証をしていた。
しかし、この方法ではロール表面疵の発生に気付くまで数十コイル圧延されており、その数十コイル分は保留または屑処置される等、歩留りロス大になるという問題があった。
【０００３】
特公平２−５２９８８号公報には、ロールの表面疵検査のため渦流探傷法を用いて、ロール表面疵の有無，種類，形状，大きさ等を判断する方法について記載されている。この方法は、ロールそのものを検査対象材とする疵検査である。
【０００４】
特開昭６０−８２９５９号公報には、ロール表面疵検査のため渦流探傷法を用いて、ロール表面疵の種類を判定する回路について記載されている。この方法は、ロールそのものを検査対象材とする疵検査である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来は、ロール表面疵の発生の有無の判断は、たとえば線材の場合はコイルの外観検査か、成品の端部をサンプリングし検査し保証をしていた。しかし、この方法ではロール表面疵の発生に気付くまで数十コイル圧延されており、その数十コイル分は保留または屑処置される等歩留りロス大になるという問題があった。
【０００６】
そこで、ロール表面疵が発生した直後オペレータにロールグループ単位、例えば粗圧延機，第１中間圧延機，第２中間圧延機，仕上圧延機の単位、又は、各単位内のロ−ル単位で発生警報を出し、圧延を停止し、ロールの点検を行う等の早急なアクションが取れる方法の確立が望まれていた。本発明はこれを実現する装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のロール表面疵判別装置は、複数のロ−ルで圧延された圧延材の表面疵を検出する疵検出手段(500)；
メモリ手段(Mwa,wa=1,2,3,・・・)；
圧延材の移動方向に関して、疵検出手段に最も近いロ−ルあるいはその下流の位置において圧延材の所定小量の移動毎に１パルスの電気信号を発生するパルス発生手段；
前記パルスをカウントするパルスカウント手段；
前記疵検出手段の表面疵の検出に応答して前記パルスカウント手段のカウント値を前記メモリ手段にメモリして前記パルスカウント手段の再度のカウントを開始することにより、疵検出手段の疵検出情報発生間隔 (PCD1,2,3,・・・)を計測する間隔計測手段(1,4)；
前記メモリ手段(Mwa,wa=1,2,3,・・・)の最新に記憶した間隔デ−タが設定間隔かをチェックし、設定間隔に実質上合致しないときには、該間隔デ−タにそれの直前に記憶した間隔デ−タ(PCD1,2,3,・・・)を加えた和が設定間隔かをチェックし、該和が設定間隔に実質上合致しないときには更にその前の間隔デ−タを加えた和が設定間隔かをチェックし、これを順次行なって、設定間隔に実質上合致したときにはそこで該設定間隔宛ての回数計数値を１大きい値を示すものに更新する回数計数手段(4)；および、
前記設定間隔の疵検出情報発生回数(100C〜400C/iC)が参照値(100Cs〜400Cs/iCs)以上のとき、該設定間隔に対応するロ−ルグル−プ(第1実施例)又はロール(第2実施例)にロ−ル表面疵があることを表わす情報を発生する手段(4,7)；
を備える。
【０００８】
なお、カッコ内には、理解を容易にするために、図面に示し後述する実施例の、対応要素又は対応事項を、参考までに付記した。
【０００９】
【作用】
ロ−ル表面に疵がある場合、それが圧延材に転写されて圧延材の表面疵となる。数グル−プのロ−ル又は複数個のロ−ルで圧延材を順次に圧延する場合、ロ−ルの表面疵により発生する圧延材の表面疵は、該ロ−ルの一周長に比例するピッチで圧延材の表面に繰返し現われる。例えば、図６に示すように直径ｄのロ−ルにクラックがあると、圧延線材には、πｄピッチでクラック対応のヘゲ疵が現われる。圧延材の表面疵を検出する装置に最も近いロ−ルすなわち最終の圧延ロ−ルの表面疵により発生する圧延材の表面疵は、最終圧延ロ−ルの一周長相当のピッチで現われるが、それより上流の圧延ロ−ルの表面疵による圧延材の表面疵は、該ロ−ルの下流の圧延ロ−ルにより圧延材が延びるので、表面疵がある圧延ロ−ルの一周長より長いピッチで現われることになる。いずれにしても、圧延スケジュ−ル（圧下配分）が定まれば、各圧延ロ−ルの一周長に対応する、表面疵検出装置の位置における圧延材長（ピッチ）は実質上定まる。
【００１０】
本発明ではこれに着目して、間隔計測手段(1,4)で、疵検出手段の表面疵の検出に応答してパルスカウント手段のカウント値をメモリ手段にメモリしてパルスカウント手段の再度のカウントを開始することにより、疵検出手段の疵検出情報発生間隔 (PCD1,2,3,・・・)を計測し；回数計数手段(4)で、メモリ手段(Mwa,wa=1,2,3,・・・)の最新に記憶した間隔デ−タが設定間隔かをチェックし、設定間隔に実質上合致しないときには、該間隔デ−タにそれの直前に記憶した間隔デ−タ(PCD1,2,3,・・・)を加えた和が設定間隔かをチェックし、該和が設定間隔に実質上合致しないときには更にその前の間隔デ−タを加えた和が設定間隔かをチェックし、これを順次行なって、設定間隔に実質上合致したときにはそこで該設定間隔宛ての回数計数値を１大きい値を示すものに更新し；そして、設定間隔の疵検出情報発生回数(100C〜400C/iC)が参照値(100Cs〜400Cs/iCs)以上のとき、該設定間隔に対応するロ−ルグル−プ(第1実施例)又はロール(第2実施例)にロ−ル表面疵があることを表わす情報を発生する。
【００１１】
圧延ロ−ルを停止する必要がなく、圧延の生産性を阻害することがない。設定個数の疵検出でロ−ル疵発生と判定するので、ロ−ル疵発生からそれが分かるまでの圧延長が比較的に短く、圧延停止およびロ−ル点検を早期に実施することができる。また、どのロ−ルグル−プ又はどのロ−ルのロ−ル疵発生かが分かるので、ロ−ルのチェック作業も迅速に行なうことができる。次回以降の圧延材のロ−ル疵起因の圧延材の出荷保留又は屑処理等による歩留損失を大幅に抑制することが可能となる。
【００１２】
本発明の他の目的および特徴は、図面を参照した以下の実施例の説明より明らかになろう。
【００１３】
【実施例】
−第１実施例−
図１に、本発明を一態様で実施する装置構成の概要を示す。コイル（線材）は、粗圧延機１００，第１中間圧延機２００，第２中間圧延機３００および仕上圧延機４００のそれぞれでこの順に順次に圧延され、そして渦流探傷機５００で表面疵が検出される。探傷機５００を出た圧延材は水冷装置６００で冷却された後、捲取装置７００でコイル巻きされる。
【００１４】
渦流探傷機５００は、励磁コイルの内部にセンサコイルを有し、センサコイルの内部をコイル（圧延材）が貫通して通過するものであり、渦流探傷機５００は、コイル（圧延材）の表面疵を検出すると、これをロ−ル疵判定装置８００に報知すると共に、検出疵情報を、検出順に探傷機５００内部のメモリに書込み、５００内部のディスプレイに表示し、かつオペレ−タのプリント指示に応答してプリントアウトする。この検出疵情報は、圧延材（コイル）の出荷品質管理に用いられる。
【００１５】
ロ−ル疵判定装置８００は、この実施例ではいわゆるパソコンを用いている。その本体である、ＣＰＵ，ＲＯＭおよびＲＡＭを主体とするコンピュ−タＭＰＵ４には、インタ−フェ−ス３を介して、渦流探傷機５００との通信ラインが接続され、仕上圧延機４００の最終ロ−ルに連結されたパルス発生器１が発生するパルス（指速パルス）が与えられ、かつ、該パルスの周波数に比例する速度信号がＦ／Ｖコンバ−タ２から与えられる。コンピュ−タＭＰＵ４には、インタ−フェ−ス５を介して操作ボ−ド（キ−ボ−ド）６が接続され、ディスプレイ（ＣＲＴ）７が接続され、かつ、プリンタ８が接続されている。
【００１６】
ロ−ル疵判定装置８００（パソコン）にロ−ル疵判定プログラムを設定すると、該プログラムに従って、ＭＰＵ４が図２に示す処理を行なう。すなわち、図２を参照すると、プログラムの設定（ステップ１）が終わるとそれに従ってＭＰＵ４はまず、ロ−ル疵判定のための入力メニュ−をディスプレイ７に表示する(ステップ２)。以下、カッコ内では、ステップという語を省略して、ステップＮｏ．数字のみを記す。
【００１７】
入力メニュ−には、
ＰＮ11，ＰＮ12，１００Ｃｓ（粗圧延機１００のロ−ル群各ロ−ル一周長対応の、
渦流探傷機５００の位置でのコイル長下限値，上限値および判定個数），
ＰＮ21，ＰＮ22，２００Ｃｓ（第１中間圧延機２００のロ−ル群各ロ−ル一周長
対応の、渦流探傷機５００の位置でのコイル長下限値，上限値および判定個数），
ＰＮ31，ＰＮ32，３００Ｃｓ（第２中間圧延機３００のロ−ル群各ロ−ル一周長
対応の、渦流探傷機５００の位置でのコイル長下限値，上限値および判定個数），
ＰＮ41，ＰＮ42，４００Ｃｓ（仕上圧延機４００のロ−ル群各ロ−ル一周長対応
の、渦流探傷機５００の位置でのコイル長下限値，上限値および判定個数）、
を表示（プログラム上に定めた標準値）し、その変更入力をうながすカ−ソル表示を行なう。そしてキ−ボ−ド入力を待つ（３）。
【００１８】
これら表示デ−タの変更入力があると、それに宛てているレジスタのデ−タを、入力値に更新し、表示もそれに更新する（３〜６）。実行キ−が操作されると、すなわちロール表面疵判別処理スタ−トが指示されると、メモリアドレスレジスタｗａのデ−タを０とし、カウントデ−タメモリ（ＲＡＭに割り宛てた、距離カウントデ−タ格納領域）のデ−タをクリアして（４−７−８）、センサ割込を許可する（９）。すなわち、渦流探傷機５００からのデ−タ転送を受信する通信割込の禁止を解除する。
【００１９】
このセンサ割込の許可以降、ＭＰＵ４は、渦流探傷機５００が表面疵検出デ−タを送信して来ると、センサ割込処理（２１）を実行する。この内容を図３に示す。これにおいてはまず、渦流探傷機５００が送って来たデ−タを受信し、受信した旨を表わすアクノレッジ信号を渦流探傷機５００に送信する（２２，２３）。そして、メモリアドレスレジスタｗａのデ−タをチェックして（２４）、それが０であると、第１回の表面疵検出報知であったことになるので、そこで、パルス発生器１の発生パルスのカウントを開始し（２４−２７）、メモリアドレスレジスタｗａの内容を１インクレメントする（２８）。この段階では、これにより、メモリアドレスレジスタｗａのデ−タｗａは１を表わすものに変わる。
【００２０】
渦流探傷機５００が次に表面疵検出デ−タを送信して来たときには、パルス発生器１の発生パルスのカウント値ＰＣＤ１（前回の表面疵検出から今回の表面疵検出までの間の、渦流探傷機５００におけるコイル（圧延材）の移動量）を、カウントデ−タメモリのアドレスｗａ（レジスタＭｗａ）に書込む（２５）。ｗａはメモリアドレスレジスタｗａの内容を意味する。そして、表面疵検出１ピッチ分の測長を終えたことを示すために、レジスタＲＡＣに１を書込み（２６）、パルス発生器１の発生パルスのカウントを再スタ−トし（２７）、メモリアドレスレジスタｗａの内容を１インクレメントする（２８）。この段階では、これにより、メモリアドレスレジスタｗａのデ−タｗａは２を表わすものに変わり、メモリアドレス１には、ＰＣＤ１が書込まれている。
【００２１】
その後渦流探傷機５００が表面疵検出デ−タを送信して来る毎に、このような処理を行なう。これにより、カウントデ−タメモリのアドレスｗａ＝１，２，３，・・・には、図５に示すように、表面疵検出一周期の間の渦流探傷機５００におけるコイル（圧延材）の移動量ＰＣＤ１，ＰＣＤ２，ＰＣＤ３，・・・が書込まれることになる。
【００２２】
なお、図５において、「Ｐ４」は、仕上圧延機４００の１つのロ−ルに表面疵があって、それによりコイル（圧延材）に表面疵を生じ、それを渦流探傷機５００が検出してロ−ル疵判定装置８００に報知した場合の、１回の報知（１イべント）を１パルスで示すものである。「Ｐ３」は、第２中間圧延機３００の１つのロ−ルに表面疵があって、それによりコイル（圧延材）に表面疵を生じ、それを渦流探傷機５００が検出してロ−ル疵判定装置８００に報知した場合の、１回の報知を１パルスで示すものである。同様に、「Ｐ２」は、第１中間圧延機２００の１つのロ−ルに表面疵がある場合のものを、「Ｐ１」は粗圧延機１００の１つのロ−ルに表面疵がある場合のものを示す。図中に示すアドレスｗａとメモリデ−タＭｗａの関係は、図５に示すように、Ｐ１〜Ｐ４が並行して発生した場合のものである。
【００２３】
再度図２を参照する。上述のような処理を行なうセンサ割込を許可した後、ＭＰＵ４は、レジスタＲＡＣのデ−タをチェックして（１０）、それが１になると「ロ−ル疵判定」（１１）を実行する。その内容を図４に示す。先に説明したように、表面疵検出一周期の間の渦流探傷機５００におけるコイル（圧延材）の移動量ＰＣＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３，・・・をメモリに書込む毎に、レジスタＲＡＣのデ−タは１となる（図３の２５，２６）。
【００２４】
図４を参照する。レジスタＲＡＣのデ−タが１になると、ＭＰＵ４は、アドレスｗａが２以上（１つ以上の移動量デ−タＰＣＤ１，ＰＣＤ２，ＰＣＤ３，・・・がメモリにある）かをチェックする（３１）。ｗａが２以上であると、書込みアドレスｗａ（アドレスｗａ−１までデ−タＰＣＤ１，ＰＣＤ２，ＰＣＤ３，・・・があるが、アドレスｗａは、次に得るデ−タを格納するアドレスであるので、デ−タは無い）より１を減算した読出しアドレスｒａ＝ｗａ−１（最新の移動量デ−タＰＣＤraを格納しているアドレス）を算出し（３２）、該移動量デ−タＰＣＤraを累算レジスタＤＲＡに書込む（３３）。
【００２５】
1) そして、まず、累算レジスタＤＲＡのデ−タＤＲＡが、ＰＮ41以上ＰＮ42以下（仕上圧延機４００のロ−ル群各ロ−ル一周長対応の、渦流探傷機５００の位置でのコイル長下限値以上上限値以下）であるかをチェックし（３４）、ＰＮ41以上ＰＮ42以下であると、仕上圧延機４００宛てのカウントデ−タ４００Ｃを１インクレメントして（３５）、カウントデ−タ４００ｃが設定個数４００Ｃｓに達したかをチェックする（３６）。達していると、仕上圧延機４００のロ−ル疵警報を出力する（３７）。すなわち、ディスプレイ７に、仕上圧延機４００にロ−ル疵があることを表わす情報を表示し、プリンタ８に該情報を日時情報と共にプリントアウトし、かつブザ−を所定時間鳴動付勢する。レジスタＲＡＣのデ−タは、最新の移動量デ−タのメモリ書込みに対応した、ロ−ル疵判定処理を終えたので、ここで０に書替える（３８）。
【００２６】
2) 累算レジスタＤＲＡのデ−タＤＲＡが、ＰＮ41以上ＰＮ42以下でなかったときには、それがＰＮ31以上ＰＮ32以下（第２中間圧延機３００のロ−ル群各ロ−ル一周長対応の、渦流探傷機５００の位置でのコイル長下限値以上上限値以下）であるかをチェックし（３９）、ＰＮ31以上ＰＮ32以下であると、第２中間圧延機３００宛てのカウントデ−タ３００Ｃを１インクレメントして（４０）、カウントデ−タ３００ｃが設定個数３００Ｃｓに達したかをチェックする（４１）。達していると、第２中間圧延機３００のロ−ル疵警報を出力する（４２）。すなわち、ディスプレイ７に、第２中間圧延機３００にロ−ル疵があることを表わす情報を表示し、プリンタ８に該情報を日時情報と共にプリントアウトし、かつブザ−を所定時間鳴動付勢する。レジスタＲＡＣのデ−タは、最新の移動量デ−タのメモリ書込みに対応した、ロ−ル疵判定処理を終えたので、ここで０に書替える（４３）。
【００２７】
3) 累算レジスタＤＲＡのデ−タＤＲＡが、ＰＮ31以上ＰＮ32以下でなかったときには、それがＰＮ21以上ＰＮ22以下（第１中間圧延機２００のロ−ル群各ロ−ル一周長対応の、渦流探傷機５００の位置でのコイル長下限値以上上限値以下）であるかをチェックし（４４）、ＰＮ21以上ＰＮ22以下であると、第１中間圧延機２００宛てのカウントデ−タ２００Ｃを１インクレメントして（４５）、カウントデ−タ２００ｃが設定個数２００Ｃｓに達したかをチェックする（４６）。達していると、第１中間圧延機２００のロ−ル疵警報を出力する（４７）。すなわち、ディスプレイ７に、第１中間圧延機２００にロ−ル疵があることを表わす情報を表示し、プリンタ８に該情報を日時情報と共にプリントアウトし、かつブザ−を所定時間鳴動付勢する。レジスタＲＡＣのデ−タは、最新の移動量デ−タのメモリ書込みに対応した、ロ−ル疵判定処理を終えたので、ここで０に書替える（４８）。
【００２８】
4) 累算レジスタＤＲＡのデ−タＤＲＡが、ＰＮ21以上ＰＮ22以下でなかったときには、それがＰＮ11以上ＰＮ12以下（粗圧延機１００のロ−ル群各ロ−ル一周長対応の、渦流探傷機５００の位置でのコイル長下限値以上上限値以下）であるかをチェックし（４９）、ＰＮ11以上ＰＮ12以下であると、粗圧延機１００宛てのカウントデ−タ１００Ｃを１インクレメントして（５０）、カウントデ−タ１００ｃが設定個数１００Ｃｓに達したかをチェックする（５１）。達していると、粗圧延機１００のロ−ル疵警報を出力する（５２）。すなわち、ディスプレイ７に、粗圧延機１００にロ−ル疵があることを表わす情報を表示し、プリンタ８に該情報を日時情報と共にプリントアウトし、かつブザ−を所定時間鳴動付勢する。レジスタＲＡＣのデ−タは、最新の移動量デ−タのメモリ書込みに対応した、ロ−ル疵判定処理を終えたので、ここで０に書替える（５３）。
【００２９】
例えば、図５の、アドレスｗａ＝７にデ−タＰＣＤ７を書込んだ直後に上記 1)に進んだと仮定すると、上述の 1)〜 4)の処理は、圧延材コイルの表面疵ピッチＰＣＤ７が、それぞれ、仕上圧延機４００対応のものか、第２中間圧延機３００対応のものか、第１中間圧延機２００対応のものか、あるいは、粗上圧延機１００対応のものかをチェックして、該当する場合に回数デ−タ（１００Ｃ〜４００Ｃ）をカウントアップして、回数デ−タが設定個数（１００Ｃｓ〜４００Ｃｓ）に達したかをチエックし、達するとロ−ル疵警報を出力するものである。上記 1)〜 4)の処理で、いずれの圧延機にも対応しないと、次は、ＰＣＤ７の１つ前のデ−タＰＣＤ６を加えた、ＰＣＤ６＋ＰＣＤ７が、上述の 1)〜 4)の処理と同様にして、仕上圧延機４００対応のものか、第２中間圧延機３００対応のものか、第１中間圧延機２００対応のものか、あるいは、粗上圧延機１００対応のものかをチェックするために、デ−タＰＣＤ６を読出して（５４−５５）、読出したデ−タを累算レジスタＤＲＡのデ−タに加えて、和（ＰＣＤ７＋ＰＣＤ６）を累算レジスタＤＲＡに更新書込みする（５６）。そして、上述の 1)〜 4)の処理を同様に実行する。この処理でもＤＲＡ（＝ＰＣＤ７＋ＰＣＤ６）がいずれの圧延機にも対応しないと、次は、デ−タＰＣＤ５を読出して（５４−５５）、読出したデ−タを累算レジスタＤＲＡのデ−タに加えて、和（ＰＣＤ７＋ＰＣＤ６＋ＰＣＤ５）を累算レジスタＤＲＡに更新書込みする（５６）。そして、上述の 1)〜 4)の処理を同様に実行する。以下同様である。
【００３０】
以上の処理により、例えば仕上圧延機４００の１つのロ−ルのみに表面疵が発生して、図５に示すＰ４のみが現われた場合、これがステップ３４で検出され、ステップ３５でカウントアップされて、カウント値４００Ｃが設定個数４００Ｃｓに達したときに、仕上圧延機４００のロ−ル疵警報が出力される。例えば第２中間圧延機３００の１つのロ−ルのみに表面疵が発生して、図５に示すＰ３のみが現われた場合、これがステップ３９で検出され、ステップ４０でカウントアップされて、カウント値３００Ｃが設定個数３００Ｃｓに達したときに、第２中間圧延機３００のロ−ル疵警報が出力される。例えば第１中間圧延機２００の１つのロ−ルのみに表面疵が発生して、図５に示すＰ２のみが現われた場合、これがステップ４５で検出され、ステップ４６でカウントアップされて、カウント値２００Ｃが設定個数２００Ｃｓに達したときに、第１中間圧延機２００のロ−ル疵警報が出力される。例えば粗圧延機１００の１つのロ−ルのみに表面疵が発生して、図５に示すＰ１のみが現われた場合、これがステップ４９で検出され、ステップ５０でカウントアップされて、カウント値１００Ｃが設定個数１００Ｃｓに達したときに、粗圧延機１００のロ−ル疵警報が出力される。次に数値設定例を示すと、貫通型渦流探傷法によるロール表面疵の探傷条件として以下の条件で行った。
【００３１】
0003616667.tif 000002
ロール表面疵は通常発生頻度は少ないため、粗圧延機１００，第１中間圧延機２００，第２中間圧延機３００および仕上圧延機４００それぞれの最終スタンドの圧延用ロールに、図６に示すような横方向の溝（クラック）をつけ、渦流探傷機５００にて貫通型渦流探傷法により探傷試験を行った。
【００３２】
−第２実施例−
この第２実施例は、図７に示すように、全圧延ロ−ルに番号ｉを割り当て、かつ、各圧延機内ロ−ル番号ｊを割り当てて、表面疵を生じた圧延ロ−ルを特定するようにしたものである。ハ−ドウェア構成は上述の第１実施例と同様であるが、処理プログラムが異っている。まず、メインル−チン（図２）の「入力メニュ−表示」（２）において、第２実施例では、圧延ロ−ルｉ（ｉ＝１〜２５；図７）それぞれの表面疵による、渦流探傷機５００の位置での圧延材表面疵ピッチ範囲（下限値ＰＮi1，上限値ＰＮi2）ならびに各ロ−ル宛ての設定個数ｉＣｓをオペレ−タが入力するようにしている。「センサ割込」（２１）の処理は、第２実施例も第１実施例（図３）と同じである。「ロ−ル疵判定」（１１）は、第２実施例では図８に示すように、第１実施例のもの（図４）とはかなり異っている。大略でいうと、「ロ−ル疵判定」（１１）は、第１実施例が圧延機単位の処理であるのに対して、第２実施例は圧延ロ−ル単位の処理を、圧延機を圧延ロ−ルと読み替えて上記 1)〜 4)と同様に行なう。
【００３３】
図８を参照する。第２実施例の「ロ−ル疵判定」（１１）の内容を説明する。ＭＰＵ４は、アドレスｗａが２以上（１つ以上の移動量デ−タＰＣＤ１，ＰＣＤ２，ＰＣＤ３，・・・がメモリにある）かをチェックする（６１）。ｗａが２以上であると、書込みアドレスｗａ（アドレスｗａ−１までデ−タＰＣＤ１，ＰＣＤ２，ＰＣＤ３，・・・があるが、アドレスｗａは、次に得るデ−タを格納するアドレスであるので、デ−タは無い）より１を減算した読出しアドレスｒａ＝ｗａ−１（最新の移動量デ−タＰＣＤraを格納しているアドレス）を算出し（６２）、該移動量デ−タＰＣＤraを累算レジスタＤＲＡに書込む（６３）。ここまでの処理は、上述の第１実施例と同様である。次に、判定対象ロ−ルを第１番のもの（ｉ＝１，図７参照）に定める。
【００３４】
11) そして、まず、累算レジスタＤＲＡのデ−タＤＲＡが、ＰＮi1以上ＰＮi2以下（仕上圧延機４００の最終ロ−ル一周長対応の、渦流探傷機５００の位置でのコイル長下限値以上上限値以下）であるかをチェックし（６５）、ＰＮi1以上ＰＮi2以下であると、ロ−ルｉ宛てのカウントデ−タｉＣを１インクレメントして（６６）、カウントデ−タｉＣが設定個数ｉＣｓに達したかをチェックする（６７）。達していると、ロ−ルｉがどの圧延機のどのロ−ルかを判定して、ロ−ルｉが属する圧延機，圧延機内ロ−ルＮｏ．ｊおよびロ−ル疵警報を出力する（６８〜７８）。すなわち、ディスプレイ７に、ロ−ルｉが属する圧延機，圧延機内ロ−ルＮｏ．ｊおよびロ−ル疵警報を表わす情報を表示し、プリンタ８にこれらの情報を日時情報と共にプリントアウトし、かつブザ−を所定時間鳴動付勢する。
【００３５】
12) ロ−ルＮｏ．ｉ，ｉ＝１で、累算レジスタＤＲＡのデ−タＤＲＡが、ＰＮi1以上ＰＮi2以下でなかったときには、例えば、図５の、アドレスｗａ＝７にデ−タＰＣＤ７を書込んだ直後に上記 11)に進んだと仮定すると、次は、ＰＣＤ７の１つ前のデ−タＰＣＤ６を加えた、ＰＣＤ６＋ＰＣＤ７が、上述の 11)の処理と同様にして、ロ−ルＮｏ．ｉのものかをチェックするために、デ−タＰＣＤ６を読出して（６５−７９，８０）、読出したデ−タを累算レジスタＤＲＡのデ−タに加えて、和（ＰＣＤ７＋ＰＣＤ６）を累算レジスタＤＲＡに更新書込みする（８１）。そして、上述の 11)の処理を同様に実行する。この処理でもＤＲＡ（＝ＰＣＤ７＋ＰＣＤ６）がロ−ルＮｏ．ｉに対応しないと、次は、デ−タＰＣＤ５を読出して（６５−７９，８０）、読出したデ−タを累算レジスタＤＲＡのデ−タに加えて、和（ＰＣＤ７＋ＰＣＤ６＋ＰＣＤ５）を累算レジスタＤＲＡに更新書込みする（８１）。そして、上述の 11)の処理を同様に実行する。以下同様である。
【００３６】
13) ロ−ルＮｏ．ｉ（例えばｉ＝１）に関する上記 11)および 12)のロ−ル疵判定を終了すると、次は、判定ロ−ルを次のものに更新して（８２，８３）、上記 11)および 12)のロ−ル疵判定を行なう。これを、ロ−ルＮｏ．ｉ＝２５まで実行する。ロ−ルＮｏ．２５のロ−ル疵判定を終了すると、レジスタＲＡＣのデ−タは、最新の移動量デ−タのメモリ書込みに対応した、ロ−ル疵判定処理を終えたので、ここで０に書替える（８４）。以上の処理により、例えば仕上圧延機４００の１つのロ−ルｉ＝１のみに表面疵が発生して、図５に示すＰ４のみが現われた場合、これがステップ６５で検出され、ステップ６６でカウントアップされて、カウント値ｉＣが設定個数ｉＣｓに達したときに、仕上圧延機４００のロ−ルＮｏ．ｉ（＝ｊ）のロ−ル疵警報が出力される。例えば第２中間圧延機３００の１つのロ−ルｉ＝１０のみに表面疵が発生して、図５に示すＰ３のみが現われた場合、これがステップ６５で検出され、ステップ６６でカウントアップされて、カウント値ｉＣが設定個数ｉＣｓに達したときに、第２中間圧延機３００のロ−ルＪ＝１の疵警報が出力される。例えば第１中間圧延機２００の１つのロ−ルｉ＝１４のみに表面疵が発生して、図５に示すＰ２のみが現われた場合、これがステップ６５で検出され、ステップ６６でカウントアップされて、カウント値ｉＣが設定個数ｉＣｓに達したときに、第１中間圧延機２００のロ−ルｊ＝１の疵警報が出力される。例えば粗圧延機１００の１つのロ−ルｉ＝１８のみに表面疵が発生して、図５に示すＰ１のみが現われた場合、これがステップ６５で検出され、ステップ６６でカウントアップされて、カウント値ｉＣが設定個数ｉＣｓに達したときに、粗圧延機１００のロ−ル疵警報が出力される。
【００３７】
【発明の効果】
以上のように、ロール表面疵の発生した直後にオペレータにロールグループ単位又はロ−ル単位に発生警報を出すことができ、圧延を停止しロールの点検を行う等のアクションを早期に取ることができ、次回以降のコイルのロール表面疵起因の保留または屑処置等による歩留りロスを最小限に押さえることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の装置構成の概要を示すブロック図である。
【図２】図１に示すコンピュ−タＭＰＵ ４のロ−ル表面疵検出処理の概要を示すフロ−チャ−トである。
【図３】図１に示すコンピュ−タＭＰＵ ４の、図１に示す渦流探傷機５００からデ−タを受信する割込処理の内容を示すフロ−チャ−トである。
【図４】図２に示す「ロ−ル疵判定」１１の処理内容を示すフロ−チャ−トである。
【図５】図１に示す渦流探傷機５００からコンピュ−タＭＰＵ ４への１回のデ−タ転送を１パルスで表わし、このパルス発生に連動してメモリＭｗａのアドレスｗａに格納されるデ−タを示すタイムチャ−トである。
【図６】図１に示す圧延機の中の１つの圧延スタンドのロ−ルを示す正面図である。
【図７】本発明の第２実施例の装置構成の概要を示すブロック図である。
【図８】図７に示すコンピュ−タＭＰＵ ４の、「ロ−ル疵判定」１１の処理内容を示すフロ−チャ−トである。
【符号の説明】
１：パルス発生器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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