(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板上に形成された一対の第１上面電極層で、銀パラジウム系厚膜により形成されている第１上面電極層と、
該一対の第１上面電極層間に形成された抵抗層と、
該抵抗層を覆うように形成された保護層と、
該保護層と接するメッキ層と、
該第１上面電極層の上面に積層して設けられた第２上面電極層であって、少なくとも、該メッキ層と保護層の境界位置の下側に接して設けられ、パラジウム含有量が重量比で１％以下である銀系厚膜により形成されている第２上面電極層と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板上に形成された一対の第１上面電極層で、銀パラジウム系厚膜により形成されている第１上面電極層と、
該一対の第１上面電極層間に形成された抵抗層と、
該抵抗層を覆うように形成された保護層と、
少なくとも、該絶縁基板の側面であって、該第１上面電極層形成側の側面に形成された側面電極層と、
少なくとも該側面電極層を覆うように形成されたメッキ層で、該保護層と接するメッキ層と、
該第１上面電極層の上面に積層して設けられた第２上面電極層であって、少なくとも、該メッキ層と保護層の境界位置の下側に接して設けられ、パラジウム含有量が重量比で１％以下である銀系厚膜により形成されている第２上面電極層と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
上記側面電極層が、焼成工程を行なうことなく形成されたものであることを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
上記側面電極層が、薄膜であることを特徴とする請求項２又は３に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
上記第１上面電極層と抵抗層の接続位置においては、第１上面電極層が抵抗層の上面に積層していることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４に記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
上記第２上面電極層が、チップ抵抗器の平面視において、抵抗層と第１上面電極層とが重なる領域以外の領域に設けられていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５に記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
上記第２上面電極層が、上記第１上面電極層における所定の領域である被覆領域であって、チップ抵抗器の平面視において、該抵抗層と重なる領域以外の領域である被覆領域を全て被覆していることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６に記載のチップ抵抗器。
【請求項８】
上記第２上面電極層は、上記第１上面電極層における該メッキ層と保護層の境界位置の下側の位置を含む領域を全て被覆していることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７に記載のチップ抵抗器。
【請求項９】
上記銀パラジウム系厚膜が、パラジウムを重量比で１０〜３０％含有する銀パラジウム系厚膜であることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８に記載のチップ抵抗器。
【請求項１０】
上記第２上面電極層が、はんだに濡れ難く、めっき付け性のよい素材により形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又は９に記載のチップ抵抗器。
【請求項１１】
上記第２上面電極層が、焼成温度が５００℃〜７００℃の素材により形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又は９又は１０に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、チップ固定抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ固定抵抗器Ｚは、図８に示すように、絶縁基板１１０と、抵抗体層１１２と、上面電極層１１４と、側面電極層１１８と、保護層１２０と、メッキ層１２１とを有している。ここで、該メッキ層１２１は、ニッケルメッキ層１２２と、はんだメッキ層１２４とを有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のチップ固定抵抗器Ｚにおいては、はんだ付け時に、メッキ層１２１と保護層１２０との境界部分に隙間が形成されて、該隙間からはんだが侵入すると、上面電極層１１４がはんだ濡れしてしまい、この症状が加速されると、図９に示すように、侵入したはんだが保護層１２０を押し上げて、保護層１２０が剥離されてしまうことになる。また、同様に、ニッケルメッキ層１２２についても、同様に剥離が発生することになる。保護層１２０やニッケルメッキ層１２２が剥離することにより、チップ抵抗器の耐候性が著しく低下し、チップ抵抗器が故障に至る危険があった。なお、図９において、１２６は、はんだにより形成されたフィレットであり、１２８は、ランドを示す。
【０００４】
特に、上記の問題点は、以下の点からより顕在化してきた。つまり、近年、保護層１２０の素材が、抵抗器の高精度化、鉛レス化及び省エネ等の理由により、ガラスから樹脂に変更されつつあり、そうすると、保護層１２０の密着強度が低下し、また、保護層１２０自体の強度が低下することにより、保護層１２０がより剥離しやすくなった。
【０００５】
また、近年鉛フリーのはんだが使用されつつあるが、この鉛フリーのはんだを使用すると、はんだ付け時の温度が高くなり、これにより、保護層１２０等の各部位への熱ストレスが強くなり、上面電極層１１４がはんだにより濡れやすくなった。
【０００６】
また、従来から上面電極層１１４には、銀系厚膜又は銀パラジウム系厚膜が使用されているが、チップサイズの微小化により抵抗体層１１２中への銀の拡散による特性の劣化が問題となり、その対策として銀の拡散を起こし難くしたパラジウム含有率１０〜３０％程度の銀パラジウム系厚膜を使用するようになった。そのため、逆に、上面電極層１１４は、パラジウム含有率の増加により銀パラジウム系厚膜の表面において銀の酸化が抑制されてしまい、その結果、上面電極層１１４におけるはんだ濡れが発生し易くなった。
【０００７】
そこで、本発明は、はんだ付け時において、上面電極層のはんだ濡れを防止することができ、保護層やニッケルメッキ層の剥離を防止することができて、はんだ濡れに起因する耐候性低下を回避することができるチップ固定抵抗器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された一対の第１上面電極層で、銀パラジウム系厚膜により形成されている第１上面電極層と、該一対の第１上面電極層間に形成された抵抗層と、該抵抗層を覆うように形成された保護層と、該保護層と接するメッキ層と、該第１上面電極層の上面に積層して設けられた第２上面電極層であって、少なくとも、該メッキ層と保護層の境界位置の下側に接して設けられ、パラジウム含有量が重量比で１％以下である銀系厚膜により形成されている第２上面電極層と、を有することを特徴とする。
【０００９】
この第１の構成のチップ抵抗器においては、上記第２上面電極層が設けられているので、はんだ付け時に保護層とメッキ層との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第１上面電極層が直接はんだに濡れることを防止することができる。さらに、該第１上面電極層のはんだ濡れが加速することによる保護層の剥離やメッキ層の剥離を防止することができる。また、特に、上記第１上面電極層が銀パラジウム系厚膜であるので、抵抗層への銀の拡散を抑えることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変化や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の電気的特性の劣化を抑えることができる。また、特に、上記第２上面電極層が銀系厚膜であるので、めっき付け性を高くすることができ、また、銀パラジウム系の厚膜ではないため、はんだに濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができる。特に、上記第２上面電極層におけるパラジウム含有量が重量比で１％以下でありパラジウム含有量が少ないため、第２上面電極層は、はんだに濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができる。なお、この第１の構成におけるメッキ層について、「該保護層に接するメッキ層であって、該第１上面電極層の少なくとも一部の上方に設けられたメッキ層」としてもよい。
【００１０】
また、第２には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された一対の第１上面電極層で、銀パラジウム系厚膜により形成されている第１上面電極層と、該一対の第１上面電極層間に形成された抵抗層と、該抵抗層を覆うように形成された保護層と、少なくとも、該絶縁基板の側面であって、該第１上面電極層形成側の側面に形成された側面電極層と、少なくとも該側面電極層を覆うように形成されたメッキ層で、該保護層と接するメッキ層と、該第１上面電極層の上面に積層して設けられた第２上面電極層であって、少なくとも、該メッキ層と保護層の境界位置の下側に接して設けられ、パラジウム含有量が重量比で１％以下である銀系厚膜により形成されている第２上面電極層と、を有することを特徴とする。
【００１１】
この第２の構成のチップ抵抗器においては、上記第２上面電極層が設けられているので、はんだ付け時に保護層とメッキ層との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第１上面電極層が直接はんだに濡れることを防止することができる。さらに、該第１上面電極層のはんだ濡れが加速することによる保護層の剥離やメッキ層の剥離を防止することができる。また、特に、上記第１上面電極層が銀パラジウム系厚膜であるので、抵抗層への銀の拡散を抑えることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変化や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の電気的特性の劣化を抑えることができる。また、特に、上記第２上面電極層が銀系厚膜であるので、めっき付け性を高くすることができ、また、銀パラジウム系の厚膜ではないため、はんだに濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができる。特に、上記第２上面電極層におけるパラジウム含有量が重量比で１％以下でありパラジウム含有量が少ないため、第２上面電極層は、はんだに濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができる。
【００１２】
また、第３には、上記第２の構成において、上記側面電極層が、焼成工程を行なうことなく形成されたものであることを特徴とする。これにより、チップ抵抗器の製造に当たって、保護層形成後に側面電極層を形成する場合でも、側面電極層を焼成しないので、保護層に樹脂を用いることができる。また、第２上面電極層形成後に抵抗層の抵抗値を調整する場合に、その後に、保護層や側面電極層を焼成しないので、抵抗値の変化を防止することができる。
【００１３】
また、第４には、上記第２又は第３の構成において、上記側面電極層が、薄膜であることを特徴とする。これにより、低温焼成の銀系厚膜により形成された第２上面電極層と、該側面電極層との密着性をよくすることができる。
【００１４】
また、第５には、上記第１から第４までのいずれかの構成において、上記第１上面電極層と抵抗層の接続位置においては、第１上面電極層が抵抗層の上面に積層していることを特徴とする。よって、第１上面電極層を抵抗層の上に重ねることにより、保護層の端面（つまり、第２上面電極層が形成される位置）から抵抗層の露出位置（第１上面電極層の抵抗層側の端面）までの距離を長くすることができ、第２上面電極層を形成した際に、該第２上面電極層が抵抗層に接触しないようにすることができる。また、必要な上面電極層の有効長と、上面電極層と抵抗層とのオーバーラップ長とを確保しつつ、抵抗層有効長を長く取ることができる。
【００１５】
また、第６には、上記第１から第５までのいずれかの構成において、上記第２上面電極層が、チップ抵抗器の平面視において、抵抗層と第１上面電極層とが重なる領域以外の領域に設けられていることを特徴とする。これにより、第２上面電極層が抵抗層に接触しないようにすることができる。
【００１６】
また、第７には、上記第１から第６までのいずれかの構成において、上記第２上面電極層が、上記第１上面電極層における所定の領域である被覆領域であって、チップ抵抗器の平面視において、該抵抗層と重なる領域以外の領域である被覆領域を全て被覆していることを特徴とする。これにより、第２上面電極層が抵抗層に接触しないようにするとともに、第１上面電極層のはんだ濡れを十分防止することができる。
【００１７】
また、第８には、上記第１から第７までのいずれかの構成において、上記第２上面電極層は、上記第１上面電極層における該メッキ層と保護層の境界位置の下側の位置を含む領域を全て被覆していることを特徴とする。よって、第１上面電極層のはんだ濡れを十分防止することができる。
【００１８】
また、第９には、上記第１から第８までのいずれかの構成において、上記銀パラジウム系厚膜が、パラジウムを重量比で１０〜３０％含有する銀パラジウム系厚膜であることを特徴とする。よって、抵抗層への銀の拡散を抑えることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変化や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の電気的特性の劣化を抑えることができる。
【００１９】
また、第１０には、上記第１から第９までのいずれかの構成において、上記第２上面電極層が、はんだに濡れ難く、めっき付け性のよい素材により形成されていることを特徴とする。よって、第２上面電極層がはんだに濡れ難い素材により形成されているので、はんだ付け時に保護層とメッキ層との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第１上面電極層が直接はんだに濡れることを防止することができる。さらに、該第１上面電極層のはんだ濡れが加速することによる保護層の剥離やメッキ層の剥離を防止することができる。また、第２上面電極層はめっき付け性のよい素材により形成されているので、メッキ層との密着性を高くすることが可能となる。
【００２２】
また、第１１には、上記第１から第１０までのいずれかの構成において、上記第２上面電極層が、焼成温度が５００℃〜７００℃の素材により形成されていることを特徴とする。この第２上面電極層は、低温焼成であることから、ガラス成分を含むことになり、はんだに濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態としての第１実施例を図面を利用して説明する。本実施例のチップ固定抵抗器（チップ抵抗器）Ａ１は、図１に示すように、絶縁基板１０と、抵抗体層（抵抗層）１２と、第１上面電極層１４と、第２上面電極層１６と、側面電極層１８と、保護層２０と、メッキ層２１と、を有している。メッキ層２１は、ニッケルメッキ層２２と、はんだメッキ層２４とからなる。
【００２４】
ここで、上記チップ固定抵抗器Ａ１についてさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ固定抵抗器Ａ１の基礎部材として用いられている。
【００２５】
上記抵抗体層１２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０上面の中央部付近に配設されている。この抵抗体層１２は、酸化ルテニウム系厚膜である。この抵抗体層１２は、上記チップ固定抵抗器Ａ１として電気的特性を担う機能素子である。
【００２６】
上記第１上面電極層１４は、図１に示すように、上記抵抗体層１２の長手方向の両端と接続するように一対形成されている。すなわち、該第１上面電極層１４と抵抗体層１２とは、該第１上面電極層１４の一部が該抵抗体層１２の一部の上面に積重するように配設されている。つまり、第１上面電極層１４と抵抗体層１２の接続位置において、第１上面電極層１４が抵抗体層１２の上面に積層している。すなわち、第１上面電極層１４と抵抗体層１２とが重なり合うオーバーラップ部分においては、第１上面電極層１４が抵抗体層１２の上面に積層している。この第１上面電極層１４は、パラジウムを１０〜３０％（重量比）含有し、焼成温度８００〜９００℃の銀パラジウム系厚膜により形成されている。
【００２７】
また、上記第２上面電極層１６は、図１に示すように、上記第１上面電極層１４の上面であって、上記抵抗体層１２とは接触しない位置に配設されている。つまり、この第２上面電極層１６は、絶縁基板１０の長手方向、つまり、Ｘ方向（図１，図２参照）には、第１上面電極層１４の側面電極層１８側の端部から抵抗体層１２側の端部の手前にまで設けられ、絶縁基板１０の短手方向、つまり、Ｙ方向（図２参照）には、第１上面電極層１４の全体を被覆して該第１上面電極層１４からはみ出る状態で形成されている。
【００２８】
なお、この第２上面電極層１６は、メッキ層２１と保護層１２の境界位置の下側に第２上面電極層１６が位置するように設けられている。つまり、少なくとも、メッキ層２１と保護層１２の境界位置の下側で、かつ、第１上面電極層１４の上側位置には、該第２上面電極層１６が形成されている。特に、メッキ層２１と保護層２０の境界位置に接するメッキ層２１の所定の範囲の部分と、該境界位置に接する保護層２０の所定の範囲の部分とは、ともに第２上面電極層１６の上に積層して接している。
【００２９】
また、上記第２上面電極層１６が、チップ抵抗器Ａ１の平面視において、抵抗層１２と第１上面電極層１４とが重なる領域以外の領域に設けられており、特に、上記第２上面電極層１６が、上記第１上面電極層１４における所定の領域である被覆領域であって、チップ抵抗器の平面視において、該抵抗層１２と重なる領域以外の領域である被覆領域を全て被覆しているといえる。ここで、抵抗層１２と第１上面電極層１４とが重なる領域とは、図２において、抵抗体層１２を示す斜めのハッチングと、第１上面電極層１４を示す横方向のハッチングとが重なる部分である。また、上記第２上面電極層１６は、上記第１上面電極層１４における該メッキ層２１と保護層２０の境界位置の下側の位置を含む領域を全て被覆しているともいえる。
【００３０】
なお、図１に示すように、この第２上面電極層１６の上端位置は、第１上面電極層１４において抵抗体層１２に積層した部分の上端位置と同じになるように形成されている。つまり、第１上面電極層１４の抵抗体層１２側の端部は、抵抗体層１２の上に積層しているので、抵抗体層１２に乗り上がった状態となっているが、この第１上面電極層１４の上面側の窪んだ位置に第２上面電極層１６が設けられている。これにより、第２上面電極層１６と第１上面電極層１４とを１つの上面電極層ととらえた場合に、該上面電極層の上端は平面状になっている。
【００３１】
また、この第２上面電極層１６は、低温焼成、つまり、５００〜７００℃焼成の銀系厚膜により形成されている。つまり、この第２上面電極層１６は、低温焼成の銀系厚膜であることから、１０〜２０％（重量比）のガラス成分を有しており、また、パラジウムをほとんど含有していないことから、はんだに濡れ難い特性を有している。また、銀系厚膜であることから、めっき付け性は良好であるといえる。
【００３２】
なお、図２は、チップ抵抗器Ａ１を上方から視認した場合の各部の配置を示す図であり、抵抗体層１２，第１上面電極層１４、第２上面電極層１６、保護層２０について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。実際には、隠れて見えない部材を含めて、各部とも同様に表現している。なお、この点は、図６についても同様である。
【００３３】
また、上記側面電極層１８は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の長手方向（Ｘ方向）の両端に一対形成されており、上面及び側面及び底面を被覆するように略コ字状に形成されている。つまり、この側面電極層１８は、上記第２上面電極層１６の一部と、絶縁基板１０の側面と、絶縁基板１０の下面の一部とを被覆している。この側面電極層１８は、蒸着及びスパッタリング等の薄膜法を用いて形成されている。つまり、この側面電極層１８は、薄膜に形成されていて、ニクロム（ＮｉＣｒ）や銅ニッケル（ＣｕＮｉ）等の卑金属の合金により形成されている。なお、この側面電極層１８は、銀系厚膜や銀系樹脂厚膜により形成してもよい。
【００３４】
次に、上記保護層２０は、図１に示すように、上記抵抗体層１２の上面を被覆するように配設されている。すなわち、この保護層２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、図２に示すように、Ｙ方向には、該絶縁基板１０の幅と同様に形成され、さらに、Ｘ方向には、両端に形成されている上記一対の第２上面電極層１６の一部を被覆するように配設されている。この保護層２０は、ほう珪酸鉛ガラス又は樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。
【００３５】
次に、メッキ層２１は、ニッケルメッキ層２２と、はんだメッキ層２４とを有している。ここで、ニッケルメッキ層２２は、電気メッキにより上記保護層２０の端部に接触し、かつ、上記第２上面電極層１６と、側面電極層１８とを被覆するように略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ層２２は、ニッケルメッキにて形成されており、上記第２上面電極層１６及び側面電極層１８等の内部電極のはんだ喰われを防止するために形成されている。なお、このニッケルメッキ層２２は、ニッケルメッキ以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００３６】
上記はんだメッキ層２４は、電気メッキ法を用いて上記メッキ層２２の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。このはんだメッキ層２４は、はんだにて形成されており、上記チップ固定抵抗器Ａ１の配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、このはんだメッキ層２４は、はんだ以外に錫が用いられる場合もある。
【００３７】
なお、チップ固定抵抗器Ａ１の製造に際しては、第１上面電極層１４を形成した後に第２上面電極層１６を形成するが、この第２上面電極層１６の形成は、保護層２０の形成前に行なう。また、側面電極層１８は、保護層２０の形成後に形成される。この場合、側面電極層１８は、蒸着及びスパッタリング等の薄膜法を用いて形成される。
【００３８】
ここで、第１実施例のチップ固定抵抗器Ａ１の使用状態について説明する。チップ固定抵抗器Ａ１は、はんだを用いて配線基板に固定させる。この時、チップ固定抵抗器Ａ１のはんだメッキ層２４は、固定用のはんだと融着してフィレット（図示省略）を形成する。すると、保護層２０は、稀にはんだ付けの際の熱により収縮膨張して変形することがある。ここで、保護層２０がはんだ付けの際の熱により変形してしまった場合には、保護層２０とニッケルメッキ層２２との間に隙間が形成される。すると、この隙間にはんだが浸入する可能性がある。はんだは、前記の隙間に浸入すると、第２上面電極層１６の上面まで流下する。ここで、はんだと第２上面電極層１６とは、親和性を有していないので、第２上面電極層１６は、はんだ濡れを起こさない。すなわち、第２上面電極層１６上に達したはんだは、それ以上第２上面電極層１６上に拡がることなくその場に滞留し、やがて固化する。
【００３９】
第１実施例のチップ固定抵抗器Ａ１によれば、保護層２０とメッキ層２２との境界位置の下側に、ガラス成分を有する低温焼成の銀系厚膜にて形成された第２上面電極層１６が配設されているので、はんだ付け時に保護層２０とメッキ層２２との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第１上面電極層１４が直接はんだに濡れることを防止することができる。また、該第１上面電極層１４のはんだ濡れが加速することによる保護層２０の剥離やニッケルメッキ層２２の剥離を防止することができる。
【００４０】
また、抵抗体層１２が第１上面電極層１４より下層に配設されているので、つまり、第１上面電極層１４と抵抗体層１２の接続位置において、第１上面電極層１４が抵抗体層１２の上面に積層していることにより、第２上面電極層１６を抵抗体層１２と接触させることなく配設することができる。つまり、第１上面電極層１４を抵抗体層１２の上に重ねることにより、保護層１２０の端面（つまり、第２上面電極層１６が形成される位置）から抵抗体層１２の露出位置（第１上面電極層１４の抵抗体層１２側の端面）までの距離α（図１参照）を長くすることができ、第２上面電極層１６を形成した際に、該第２上面電極層１６が抵抗体層１２に接触しないようにすることができる。つまり、第２上面電極層１６は銀系厚膜であることから、抵抗体層１２と接触すると、銀の拡散が起こり抵抗体層１２が劣化するという問題があるので、第２上面電極層１６はなるべく抵抗体層１２と接触しないようにするのが好ましいのである。
【００４１】
また、第１上面電極層１４と抵抗体層１２の接続位置において、第１上面電極層１４が抵抗体層１２の上面に積層していることにより、次のような効果を得ることができる。つまり、上面電極層は、トリミング時に抵抗値測定のためのプローブを上面電極層に接触させる必要があることから、ある程度以上の面積が必要となる。つまり、ある程度以上の電極層有効長が必要となる。また、抵抗体層と上面電極層との電気的接続を確保するために、ある程度以上のオーバーラップ長が必要である。すると、抵抗器の電気的性能を決定する抵抗層有効長は、抵抗体層１２を第１上面電極層１４の上面に積層させた場合には、図３（ａ）のようになる。一方、第１上面電極層１４と抵抗体層１２の接続位置において、第１上面電極層１４が抵抗体層１２の上面に積層している場合には、図３（ｂ）に示すように、オーバーラップ長を電極層有効長に含めることができるので、抵抗層有効長を長く取ることが可能となる。
【００４２】
また、上記第２上面電極層１６は、低温焼成の銀系厚膜であることから、１０〜２０％（重量比）のガラス成分を有しており、また、パラジウムをほとんど含有していないことから、はんだに濡れ難い特性を有している。よって、第２上面電極層１６のはんだ濡れが加速することにより、保護層２０等の剥離が発生することがない。
【００４３】
また、上記第１上面電極層１４は、パラジウムを１０〜３０％含有する銀パラジウム系厚膜により形成されているので、抵抗体層２０への銀の拡散を抑えることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変化や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の電気的特性の劣化を抑えることができる。
【００４４】
また、上面電極層を第１上面電極層１４と第２上面電極層１６の２層とすることにより、上面電極層全体の膜厚を厚くすることができ、保護層２０を印刷して形成する際に、上面電極層上に保護層用のペーストがだれ広がるのを防止することができる。
【００４５】
また、第２上面電極層１６が第１上面電極層１４の形成後であって保護層２０の形成前に焼成され、さらに、側面電極層１８が蒸着及びスパッタリング等の薄膜法を用いて形成されているので、保護層２０をエポキシ樹脂等の樹脂系厚膜にて形成することができる。すなわち、保護層２０を樹脂にて形成することで焼成する必要がなくなるので、側面電極層１８及び保護層２０の焼成による抵抗値変化を低減することができ、その結果、抵抗値許容差の少ないチップ固定抵抗器を歩留まりよく製造することができる。さらに、保護層２０に鉛を含有したガラス製部材を使用しないので、環境に配慮することができる。さらには、側面電極層１８及び保護層２０の形成において焼成工程を省くことができるので、製造コストを低減することができる。
【００４６】
また、上記第２上面電極層１６は、低温焼成の銀系厚膜により形成されていて、また、側面電極層１８は、薄膜により形成されているので、第２上面電極層１６と側面電極層１８との密着性を高めることが可能となる。つまり、薄膜の側面電極層は、高温（８００〜９００℃）焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜よりも、低温（５００〜７００℃）焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜との密着性がよいことから、第２上面電極層１６と側面電極層１８との密着性を高くできる。つまり、高温焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜は、焼成表面で緻密で表面積が少ないが、低温焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜は、表面がポーラスなため表面積が大きく、薄膜との接触面積が大きいとともに、薄膜の内部応力が種々の方向の働くことから密着性がよくなるのである。
【００４７】
次に、上記第１実施例のチップ固定抵抗器の応用例について説明する。図４（ａ）に示すチップ固定抵抗器Ａ２は、上記チップ固定抵抗器Ａ１と同様の構成であるが、第２上面電極層１６の配設領域が異なる。つまり、チップ固定抵抗器Ａ２においては、保護層２０とメッキ層２２との境界位置の下側にのみ第２上面電極層１６が設けられていて、第２上面電極層１６は、側面電極層１８とは接触しておらず、また、第２上面電極層１６は、第１上面電極層１４が抵抗体層１２に乗り上がる位置にまでは至っていない。これにより、側面電極層１８は、第１上面電極層１４の上面に積層している。
【００４８】
また、図４（ｂ）に示すチップ固定抵抗器Ａ３は、上記チップ固定抵抗器Ａ２と同様の構成であるが、第２上面電極層１６の外側の端部が側面電極層１８と接している点が異なる。
【００４９】
また、図４（ｃ）に示すチップ固定抵抗器Ａ４は、上記チップ固定抵抗器Ａ１と同様の構成であるが、第２上面電極層１６の内側の端部、つまり、抵抗体層１２側の端部は、第１上面電極層１４が抵抗体層１２に乗り上がる位置にまでは至っていない。
【００５０】
このように、上記チップ固定抵抗器Ａ２〜Ａ４においても、上記チップ固定抵抗器Ａ１と同様の効果を得ることができる。特に、保護層２０とメッキ層２２との境界位置の下側に、第２上面電極層１６が配設されているので、はんだ付け時に保護層２０とメッキ層２２との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第１上面電極層１４が直接はんだに濡れることを防止することができる。また、チップ固定抵抗器Ａ２、Ａ３においては、側面電極層１８が第２上面電極層１６に積層していないので、チップ固定抵抗器におけるＸ方向の端部の高さを低くすることができる。
【００５１】
次に第２実施例のチップ固定抵抗器について図面を利用して説明する。この第２実施例のチップ固定抵抗器は、上記第１実施例のチップ固定抵抗器においては、第１上面電極層１４と抵抗体層１２の接続位置において、第１上面電極層１４が抵抗体層１２の上面に積層しているのに対して、第１上面電極層１４が抵抗体層１２の下面に積層している点が異なる。
【００５２】
まず、チップ固定抵抗器Ｂ１について説明すると、チップ固定抵抗器（チップ抵抗器）Ｂ１は、図５に示すように、絶縁基板１０と、抵抗体層１２と、第１上面電極層１４と、第２上面電極層１６と、側面電極層１８と、保護層２０と、メッキ層２１と、を有している。メッキ層２１は、ニッケルメッキ層２２と、はんだメッキ層２４とからなる。
【００５３】
ここで、上記チップ固定抵抗器Ｂ１についてさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ固定抵抗器Ｂ１の基礎部材として用いられている。
【００５４】
上記抵抗体層１２は、図５に示すように、上記絶縁基板１０上面の中央部付近に配設されている。この抵抗体層１２は、酸化ルテニウム系厚膜である。この抵抗体層１２は、上記チップ固定抵抗器Ｂ１として電気的特性を担う機能素子である。
【００５５】
上記第１上面電極層１４は、図５に示すように、上記抵抗体層１２の長手方向の両端と接続するように一対形成されている。すなわち、該第１上面電極層１４と抵抗体層１２とは、該第１上面電極層１４の一部が該抵抗体層１２の下面に積重するように配設されている。つまり、第１上面電極層１４と抵抗体層１２の接続位置において、抵抗体層１２が第１上面電極層１４の上面に積層している。この第１上面電極層１４は、パラジウムを１０〜３０％（重量比）含有し、焼成温度８００〜９００℃の銀パラジウム系厚膜により形成されている。
【００５６】
また、上記第２上面電極層１６は、図５に示すように、上記第１上面電極層１４の上面であって、上記抵抗体層１２とは接触しない位置に配設されている。つまり、この第２上面電極層１６は、絶縁基板１０の長手方向、つまり、Ｘ方向（図５参照）には、第１上面電極層１４の側面電極層１８側の端部から抵抗体層１２側の端部の手前にまで設けられ、第２上面電極層１６の抵抗体層１２側の端部は、抵抗体層１２には、接していない。また、絶縁基板１０の短手方向、つまり、Ｙ方向（図６参照）には、第１上面電極層１４の全体を被覆して該第１上面電極層１４からはみ出る状態で形成されている。なお、この第２上面電極層１６は、メッキ層２１と保護層１２の境界位置の下側に第２上面電極層１６が位置するように設けられている。つまり、少なくとも、メッキ層２１と保護層１２の境界位置の下側で、かつ、第１上面電極層１４の上側位置には、該第２上面電極層１６が形成されている。
【００５７】
また、この第２上面電極層１６は、低温焼成、つまり、５００〜７００℃焼成の銀系厚膜により形成されている。つまり、この第２上面電極層１６は、低温焼成の銀系厚膜であることから、１０〜２０％（重量比）のガラス成分を有しており、また、パラジウムをほとんど含有していないことから、はんだに濡れ難い特性を有している。また、銀系厚膜であることから、めっき付け性は良好であるといえる。
【００５８】
また、上記側面電極層１８は、図５に示すように、上記絶縁基板１０の長手方向（Ｘ方向）の両端に一対形成されており、上面及び側面及び底面を被覆するように略コ字状に形成されている。この側面電極層１８は、蒸着及びスパッタリング等の薄膜法を用いて形成されている。つまり、この側面電極層１８は、薄膜に形成されていて、ニクロム（ＮｉＣｒ）や銅ニッケル（ＣｕＮｉ）等の卑金属の合金により形成されている。なお、この側面電極層１８は、銀系厚膜や銀系樹脂厚膜により形成してもよい。
【００５９】
次に、上記保護層２０は、図５に示すように、上記抵抗体層１２の上面を被覆するように配設されている。すなわち、この保護層２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、Ｙ方向には、該絶縁基板１０の幅と同様に形成され、さらに、Ｘ方向には、両端に形成されている上記一対の第２上面電極層１６の一部を被覆するように配設されている。この保護層２０は、ほう珪酸鉛ガラス又は樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。
【００６０】
次に、メッキ層２１は、ニッケルメッキ層２２と、はんだメッキ層２４とを有している。ここで、ニッケルメッキ層２２は、電気メッキにより上記保護層２０の端部に接触し、かつ、上記第２上面電極層１６と、側面電極層１８とを被覆するように略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ層２２は、ニッケルメッキにて形成されており、上記第２上面電極層１６及び側面電極層１８等の内部電極のはんだ喰われを防止するために形成されている。なお、このニッケルメッキ層２２は、ニッケルメッキ以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００６１】
上記はんだメッキ層２４は、電気メッキ法を用いて上記メッキ層２２の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。このはんだメッキ層２４は、はんだにて形成されており、上記チップ固定抵抗器Ａ１の配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、このはんだメッキ層２４は、はんだ以外に錫が用いられる場合もある。
【００６２】
なお、チップ固定抵抗器Ａ１の製造に際しては、第１上面電極層１４を形成した後に第２上面電極層１６を形成するが、この第２上面電極層１６の形成は、保護層２０の形成前に行なう。また、側面電極層１８は、保護層２０の形成後に形成される。この場合、側面電極層１８は、蒸着及びスパッタリング等の薄膜法を用いて形成される。
【００６３】
ここで、第２実施例のチップ固定抵抗器Ｂ１の使用状態について説明する。チップ固定抵抗器Ｂ１は、はんだを用いて配線基板に固定させる。この時、チップ固定抵抗器Ｂ１のはんだメッキ層２４は、固定用のはんだと融着してフィレット（図示省略）を形成する。すると、保護層２０は、稀にはんだ付けの際の熱により収縮膨張して変形することがある。ここで、保護層２０がはんだ付けの際の熱により変形してしまった場合には、保護層２０とニッケルメッキ層２２との間に隙間が形成される。すると、この隙間にはんだが浸入する可能性がある。はんだは、前記の隙間に浸入すると、第２上面電極層１６の上面まで流下する。ここで、はんだと第２上面電極層１６とは、親和性を有していないので、第２上面電極層１６は、はんだ濡れを起こさない。すなわち、第２上面電極層１６上に達したはんだは、それ以上第２上面電極層１６上に拡がることなくその場に滞留し、やがて固化する。
【００６４】
第２実施例のチップ固定抵抗器Ｂ１によれば、保護層２０とメッキ層２２との境界位置の下側に、ガラス成分を有する低温焼成の銀系厚膜にて形成された第２上面電極層１６が配設されているので、はんだ付け時に保護層２０とメッキ層２２との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第１上面電極層１４が直接はんだに濡れることを防止することができる。また、該第１上面電極層１４のはんだ濡れが加速することによる保護層１２０の剥離やニッケルメッキ層１２２の剥離を防止することができる。
【００６５】
また、上記第２上面電極層１６は、低温焼成の銀系厚膜であることから、１０〜２０％（重量比）のガラス成分を有しており、また、パラジウムをほとんど含有していないことから、はんだに濡れ難い特性を有している。よって、第２上面電極層１６のはんだ濡れが加速することにより、保護層２０等の剥離が発生することがない。
【００６６】
また、上記第１上面電極層１４は、パラジウムを１０〜３０％含有する銀パラジウム系厚膜により形成されているので、抵抗体層２０への銀の拡散を抑えることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変化や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の電気的特性の劣化を抑えることができる。
【００６７】
また、上面電極層を第１上面電極層１４と第２上面電極層１６の２層とすることにより、上面電極層全体の膜厚を厚くすることができ、保護層２０を印刷して形成する際に、上面電極層上に保護層用のペーストがだれ広がるのを防止することができる。
【００６８】
また、第２上面電極層１６が第１上面電極層１４の形成後であって保護層２０の形成前に焼成され、さらに、側面電極層１８が蒸着及びスパッタリング等の薄膜法を用いて形成されているので、保護層２０をエポキシ樹脂等の樹脂系厚膜にて形成することができる。すなわち、保護層２０を樹脂にて形成することで焼成する必要がなくなるので、側面電極層１８及び保護層２０の焼成による抵抗値変化を低減することができ、その結果、抵抗値許容差の少ないチップ固定抵抗器を歩留まりよく製造することができる。さらに、保護層２０に鉛を含有したガラス製部材を使用しないので、環境に配慮することができる。さらには、側面電極層１８及び保護層２０の形成において焼成工程を省くことができるので、製造コストを低減することができる。
【００６９】
また、上記第２上面電極層１６は、低温焼成の銀系厚膜により形成されていて、また、側面電極層１８は、薄膜により形成されているので、第２上面電極層１６と側面電極層１８との密着性を高めることが可能となる。つまり、薄膜の側面電極層は、高温（８００〜９００℃）焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜よりも、低温（５００〜７００℃）焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜との密着性がよいことから、第２上面電極層１６と側面電極層１８との密着性を高くできる。つまり、高温焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜は、焼成表面で緻密で表面積が少ないが、低温焼成の銀系又は銀パラジウム系厚膜は、表面がポーラスなため表面積が大きく、薄膜との接触面積が大きいとともに、薄膜の内部応力が種々の方向の働くことから密着性がよくなるのである。
【００７０】
次に、上記第１実施例のチップ固定抵抗器の応用例について説明する。図７（ａ）に示すチップ固定抵抗器Ｂ２は、上記チップ固定抵抗器Ｂ１と同様の構成であるが、第２上面電極層１６の配設領域が異なる。つまり、チップ固定抵抗器Ｂ２においては、保護層２０とメッキ層２２との境界位置の下側にのみ第２上面電極層１６が設けられていて、第２上面電極層１６は、側面電極層１８とは接触していない。これにより、側面電極層１８は、第１上面電極層１４の上面に積層している。
【００７１】
また、図７（ｂ）に示すチップ固定抵抗器Ｂ３は、上記チップ固定抵抗器Ｂ２と同様の構成であるが、第２上面電極層１６の外側の端部が側面電極層１８と接しているとともに、第２上面電極層１６の内側の端部が抵抗体層１２に接触している点が異なる。
【００７２】
また、図７（ｃ）に示すチップ固定抵抗器Ｂ４は、上記チップ固定抵抗器Ｂ１と同様の構成であるが、第２上面電極層１６の内側の端部、つまり、抵抗体層１２側の端部は、第１上面電極層１４が抵抗体層１２に乗り上がる位置にまでは至っていない。
【００７３】
このように、上記チップ固定抵抗器Ｂ２〜Ｂ４においても、上記チップ固定抵抗器Ｂ１と同様の効果を得ることができる。特に、保護層２０とメッキ層２２との境界位置の下側に、第２上面電極層１６が配設されているので、はんだ付け時に保護層２０とメッキ層２２との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第１上面電極層１４が直接はんだに濡れることを防止することができる。また、チップ固定抵抗器Ｂ２、Ｂ３においては、側面電極層１８が第２上面電極層１６に積層していないので、チップ固定抵抗器におけるＸ方向の端部の高さを低くすることができる。
【００７４】
なお、上記の説明においては、側面電極層１８が設けられているものとして説明したが、側面電極層１８の構成を省略した構成のチップ抵抗器も考えられる。その場合には、メッキ層２１は、チップ抵抗器の側面には設けられず、第２上面電極層１６の上面の少なくとも一部の上側に積層して、保護層２０と接する状態に形成される。つまり、メッキ層２１は、第１上面電極層１４の少なくとも一部の上方位置に設けられることになる。いわば、チップ抵抗器Ａ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ４において、メッキ層２１における絶縁基板１０の上方に存在する部分のみが形成されるといえる。この場合も当然、第２上面電極層１６は、保護層２０とメッキ層２１の境界位置の下側に設けられることになる。
【００７５】
【発明の効果】
本発明に基づくチップ抵抗器によれば、上記第２上面電極層が設けられているので、はんだ付け時に保護層とメッキ層との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第１上面電極層が直接はんだに濡れることを防止することができる。さらに、該第１上面電極層のはんだ濡れが加速することによる保護層の剥離やメッキ層の剥離を防止することができる。また、特に、上記第１上面電極層が銀パラジウム系厚膜であるので、抵抗層への銀の拡散を抑えることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変化や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の電気的特性の劣化を抑えることができる。また、特に、上記第２上面電極層が銀系厚膜であるので、めっき付け性を高くすることができ、また、銀パラジウム系の厚膜ではないため、はんだに濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができる。特に、上記第２上面電極層におけるパラジウム含有量が重量比で１％以下でありパラジウム含有量が少ないため、第２上面電極層は、はんだに濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができる。
【００７６】
また、特に、上記第１上面電極層と抵抗層の接続位置においては、第１上面電極層が抵抗層の上面に積層している場合には、第１上面電極層を抵抗層の上に重ねることにより、保護層の端面（つまり、第２上面電極層が形成される位置）から抵抗層の露出位置（第１上面電極層の抵抗層側の端面）までの距離を長くすることができ、第２上面電極層を形成した際に、該第２上面電極層が抵抗層に接触しないようにすることができる。また、必要な上面電極層の有効長と、上面電極層と抵抗層とのオーバーラップ長とを確保しつつ、抵抗層有効長を長く取ることができる。
【００７７】
また、特に、上記第２上面電極層が、チップ抵抗器の平面視において、抵抗層と第１上面電極層とが重なる領域以外の領域に設けられている場合には、第２上面電極層が抵抗層に接触しないようにすることができる。
【００７８】
また、特に、上記第２上面電極層が、上記第１上面電極層における所定の領域である被覆領域であって、チップ抵抗器の平面視において、該抵抗層と重なる領域以外の領域である被覆領域を全て被覆している場合には、第２上面電極層が抵抗層に接触しないようにするとともに、第１上面電極層のはんだ濡れを十分防止することができる。
【００７９】
また、特に、上記第２上面電極層が、上記第１上面電極層における該メッキ層と保護層の境界位置の下側の位置を含む領域を全て被覆している場合には、第１上面電極層のはんだ濡れを十分防止することができる。
【００８０】
また、特に、上記銀パラジウム系厚膜が、パラジウムを重量比で１０〜３０％含有する銀パラジウム系厚膜である場合には、抵抗層への銀の拡散を抑えることができ、銀が拡散することによる、抵抗値変化や、温度による抵抗値変化の拡大や、過負荷特性等の電気的特性の劣化を抑えることができる。
【００８１】
また、特に、上記第２上面電極層が、はんだに濡れ難く、めっき付け性のよい素材により形成されている場合には、第２上面電極層がはんだに濡れ難い素材により形成されているので、はんだ付け時に保護層とメッキ層との境界位置に隙間が形成されて、該隙間からはんだが浸入した場合であっても、第１上面電極層が直接はんだに濡れることを防止することができる。さらに、該第１上面電極層のはんだ濡れが加速することによる保護層の剥離やメッキ層の剥離を防止することができる。また、第２上面電極層はめっき付け性のよい素材により形成されているので、メッキ層との密着性を高くすることが可能となる。
【００８４】
また、特に、上記第２上面電極層が、焼成温度が５００℃〜７００℃の素材により形成されている場合には、第２上面電極層は、低温焼成であることから、ガラス成分を含むことになり、はんだに濡れ難く、保護層等の剥離を防止することができる。
【００８５】
また、特に、上記側面電極層が、焼成工程を行なうことなく形成されたものである場合には、チップ抵抗器の製造に当たって、保護層形成後に側面電極層を形成する場合でも、側面電極層を焼成しないので、保護層に樹脂を用いることができる。また、第２上面電極層形成後に抵抗層の抵抗値を調整する場合に、その後に、保護層や側面電極層を焼成しないので、抵抗値の変化を防止することができる。
【００８６】
また、特に、上記側面電極層が、薄膜である場合には、低温焼成の銀系厚膜により形成された第２上面電極層と、該側面電極層との密着性をよくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に基づくチップ固定抵抗器を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例に基づくチップ固定抵抗器における要部の配置を概念的に示す平面図である。
【図３】本発明の第１実施例に基づくチップ固定抵抗器の効果を説明するための説明図である。
【図４】第１実施例の応用例を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例に基づくチップ固定抵抗器を示す断面図である。
【図６】本発明の第２実施例に基づくチップ固定抵抗器における要部の配置を概念的に示す平面図である。
【図７】第２実施例の応用例を示す断面図である。
【図８】従来のチップ固定抵抗器を示す断面図である。
【図９】従来のチップ固定抵抗器の問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４  チップ固定抵抗器
１０  絶縁基板
１２  抵抗体層
１４  第１上面電極層
１６  第２上面電極層
１８  側面電極層
２０  保護層
２１  メッキ層
２２  ニッケルメッキ層
２４  はんだメッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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