(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏面を貫通する第１の電極を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方面側に形成された第２の電極と、
前記第１の電極と第２の電極との間に挟持され、前記第１の電極および第２の電極間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層とを備え、
前記絶縁基板は、有機誘電体薄膜と、該有機誘電体薄膜よりも厚みが小さい無機誘電体層との積層構造を備えており、前記無機誘電体層が形成された側に前記記録層が形成されている不揮発性メモリ。
【請求項２】
前記第１の電極は、前記絶縁基板に形成された細孔内に充填されており、前記細孔の内壁面における少なくとも一部に、無機誘電体からなる耐熱保護膜が形成されている請求の範囲第１項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項３】
前記耐熱保護膜は、前記無機誘電体層と連続している請求の範囲第２項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項４】
前記無機誘電体層の厚みは、２ｎｍ以上５ｎｍ以下である請求の範囲第１項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項５】
前記有機誘電体薄膜がポリカーボネートからなり、前記無機誘電体層が酸化シリコンからなる請求の範囲第１項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項６】
前記記録層は、抵抗値が異なる２以上の安定な状態を有し、各状態間で可逆的な変化が可能な相変化材料からなる請求の範囲第１項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項７】
前記相変化材料は、カルコゲナイド系材料を含む請求の範囲第６項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項８】
前記細孔のアスペクト比が、１以上１０未満である請求の範囲第２項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項９】
前記耐熱保護膜は、前記細孔の内壁面全体に一様な肉厚で形成されている、請求の範囲第８項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項１０】
前記細孔のアスペクト比が、１０以上１００以下である請求の範囲第２項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項１１】
前記耐熱保護膜の厚みは、前記細孔内において、前記第２の電極から前記第１の電極に向かう方向へ小さくなっている、請求の範囲第１０項に記載の不揮発性メモリ。
【請求項１２】
表裏面を貫通する第１の電極を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の一方面側に形成された第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間に挟持され、前記第１の電極および第２の電極間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層とを備え、前記絶縁基板は、有機誘電体薄膜と、該有機誘電体薄膜よりも厚みが小さい無機誘電体層との積層構造を備えており、前記無機誘電体層が形成された側に前記記録層が形成されている不揮発性メモリを製造する方法であって、
細孔が形成された前記有機誘電体薄膜の一方の面に、無機誘電体を堆積させて無機誘電体層を形成するステップと、
前記無機誘電体層の表面に、記録層および第２の電極をこの順で積層し、前記細孔の一端側を前記記録層により被覆するステップと、
前記細孔内に第１の電極を形成するステップと
を備える不揮発性メモリの製造方法。
【請求項１３】
前記無機誘電体層を形成するステップは、前記細孔の内壁面における少なくとも一部に無機誘電体からなる耐熱保護膜を形成するステップを含む請求の範囲第１２項に記載の不揮発性メモリの製造方法。
【請求項１４】
前記有機誘電体薄膜における前記細孔のアスペクト比が、１以上１０未満である請求の範囲第１３項に記載の不揮発性メモリの製造方法。
【請求項１５】
前記有機誘電体薄膜における前記細孔のアスペクト比が、１０以上１００以下である請求の範囲第１３項に記載の不揮発性メモリの製造方法。
【請求項１６】
前記無機誘電体層を形成するステップは、サセプタの表面にスペーサを介して前記有機誘電体薄膜を載置した後に、無機誘電体を堆積させるステップを含む請求の範囲第１２項に記載の不揮発性メモリの製造方法。
【請求項１７】
前記細孔内に第１の電極を形成するステップが、
細孔が形成された前記有機誘電体薄膜を、前記第１の電極を構成する金属のイオンを含有すると共に不溶性の導電板を有するメッキ液に含浸させるステップ、および
前記第２の電極と、前記導電板との間に電流を流すステップ
を有する、請求の範囲第１２項に記載の不揮発性メモリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、不揮発性メモリに関し、より詳しくは、通電による抵抗値の変化を制御してデータの記録（書き込み）や消去を行うことができる不揮発性メモリおよびその製造方法に関する。
背景技術
不揮発性メモリとしては、フラッシュメモリ、ＦｅＲＡＭ、ＭＲＡＭ、相変化型メモリなどが従来から知られている。最近では、携帯情報端末用などのメモリに対して高密度化の要求があることから、相変化型の不揮発性メモリが注目されつつあり、種々の改良がなされている（国際公開第９８／１９３５０号パンフレット（特表２００１−５０２８４８号公報）など）。
例えば、特開平９−２８２７２３号公報には、アモルファス半導体薄膜を含む記録媒体の表面に導電性探針を接触させて、情報の書き込み・消去を行う情報記録装置が開示されている。
また、国際公開第９８／３３６４４６号パンフレット（特表２００１−５０４２７９号公報）には、図１０に示すように、下部電極８１と上部電極８２との間に相変化材料層８３が形成されており、下部電極８１及び上部電極８２を介して相変化材料層８３に通電可能に構成された相変化型の不揮発性メモリが開示されている。相変化材料層８３は、高抵抗のアモルファス（非晶質）状態と低抵抗の結晶質状態との間で可逆的に相変化するカルコゲナイド材料からなり、通電によって非晶質状態または結晶質状態に変化させて、抵抗値を制御することができる。例えば、データの格納時（書き込み時）は、相変化材料層８３をアモルファス状態から結晶質状態に変化させて低抵抗値にする一方、データの消去時は、相変化材料層８３を結晶質状態からアモルファス状態に変化させて高抵抗値にして、抵抗値の差を読み取ることにより、メモリとして機能させることができる。
図１０に示す構成において、下部電極８１と相変化材料層８３との接続部８１ａは、絶縁層８４によって絶縁分離されており、絶縁層８４の材料として、酸化シリコンが好ましいことが示されている。ところが、酸化シリコンのように熱伝導率が比較的大きい無機誘電体により接続部８１ａの絶縁を行う場合には、書き込みおよび消去に大きな電力が必要になるため、省電力化が困難であるという問題がある。
これに対し、絶縁層８４の材料を有機誘電体とした場合には、書き込みおよび消去が少ない電力で行うことができるだけでなく、安価・軽量であり、曲げ変形にも対応可能であるなどの特徴を有する。
ところが、絶縁層８４の材料を単に有機誘電体とするだけでは、有機誘電体の耐熱温度が相変化材料の融点よりも低いことに起因して、データの書き換え回数が十分でないという問題があった。即ち、データ消去時において、下部電極８１と相変化材料層８３との接続部８１ａが瞬間的に発熱することにより、相変化材料層８３が融点以上（例えば６００℃以上）に加熱される。これに対し、絶縁層８４の材料として、有機誘電体の中で耐熱性に優れるポリイミドを使用した場合、瞬間的な加熱であっても５００℃程度までしか耐ええることができない。この結果、データの書き換えを繰り返すうちに接続部８１ａの近傍の絶縁層８４が分解され、下部電極８１や相変化材料層８３の電気的特性、機械的安定度が劣化するという問題を生じる。
発明の開示
本発明は、このような問題を解決すべくなされたものであって、省電力化を図りつつ、データの書き換え可能回数を増大することができる不揮発性メモリおよびその製造方法の提供を目的とする。
本発明の前記目的は、表裏面を貫通する第１の電極を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の一方面側に形成された第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間に挟持され、前記第１の電極および第２の電極間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層とを備え、前記絶縁基板は、有機誘電体薄膜と、該有機誘電体薄膜よりも厚みが小さい無機誘電体層との積層構造を備えており、前記無機誘電体層が形成された側に前記記録層が形成されている不揮発性メモリにより達成される。
この不揮発性メモリは、例えば、請求の範囲第１項に記載の不揮発性メモリを製造する方法であって、細孔が形成された前記有機誘電体薄膜の一方面に、無機誘電体を堆積させて無機誘電体層を形成するステップと、前記無機誘電体層の表面に、記録層および第２の電極をこの順で積層し、前記細孔の一端側を前記記録層により被覆するステップと、前記細孔内に第１の電極を形成するステップとを備える不揮発性メモリの製造方法により製造することができる。
また、上述した不揮発性メモリは、以下に示す構成の情報記録装置または表示装置において好適に用いることができる。
（１）不揮発性メモリと、該不揮発性メモリを挟持する第１の挟持部材及び第２の挟持部材と、前記不揮発性メモリと前記第１の挟持部材との間に介在される第１の弾性部材とを備え、
前記不揮発性メモリは、表裏面を貫通する第１の電極を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の一方面側に形成された第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間に挟持され、前記第１の電極および第２の電極間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層とを備え、
前記絶縁基板は、有機誘電体薄膜と、該有機誘電体薄膜よりも厚みが小さい無機誘電体層との積層構造を備え、前記無機誘電体層が形成された側に前記記録層が形成されて、前記有機誘電体薄膜が形成された側に前記第１の電極を露出させており、
前記第１の電極及び第２の電極が平面視において重なり合う領域に形成されるメモリセルを複数備え、前記第２の挟持部材は、各メモリセルに対応する前記第１の電極とそれぞれ電気的に接続される複数の第１の導電体を挟持面に備えており、
各メモリセルへの通電を制御するスイッチング素子を更に備える情報記録装置。
（２）（１）に示す情報記録装置において、前記第１の挟持部材は、前記第２の電極とそれぞれ電気的に接続される第２の導電体を、第２の弾性部材を介して挟持面に備える情報記録装置。
（３）不揮発性メモリと、該不揮発性メモリを挟持する第１の挟持部材及び第２の挟持部材とを備え、
前記不揮発性メモリは、表裏面を貫通する第１の電極を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の一方面側に形成された第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間に挟持され、前記第１の電極および第２の電極間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層とを備える２個のサブメモリが、それぞれの前記第２の電極を対向させて第１の弾性部材を介在させることにより構成されており、
前記絶縁基板は、有機誘電体薄膜と、該有機誘電体薄膜よりも厚みが小さい無機誘電体層との積層構造を備え、前記無機誘電体層が形成された側に前記記録層が形成されて、前記有機誘電体薄膜が形成された側に前記第１の電極を露出させており、
前記第１の電極及び第２の電極が平面視において重なり合う領域に形成されるメモリセルを複数備え、前記第１の挟持部材及び第２の挟持部材は、挟持面と対向する各メモリセルに対応する前記第１の電極とそれぞれ電気的に接続される複数の第１の導電体を、挟持面に備えており、
各メモリセルへの通電を制御するスイッチング素子を更に備える情報記録装置。
（４）（３）に示す情報記録装置において、前記第１の挟持部材及び第２の挟持部材は、挟持面と対向する前記第２の電極とそれぞれ電気的に接続される第２の導電体を、第２の弾性部材を介して挟持面に備える情報記録装置。
（５）不揮発性メモリと、該不揮発性メモリに対して相対的に移動可能に構成された導電性探針とを備え、
前記不揮発性メモリは、表裏面を貫通する第１の電極を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の一方面側に形成された第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間に挟持され、前記第１の電極および第２の電極間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層とを備え、
前記絶縁基板は、有機誘電体薄膜と、該有機誘電体薄膜よりも厚みが小さい無機誘電体層との積層構造を備え、前記無機誘電体層が形成された側に前記記録層が形成されて、前記有機誘電体薄膜が形成された側に前記第１の電極を露出させており、
前記第１の電極及び第２の電極が平面視において重なり合う領域に形成されるメモリセルを複数備え、前記導電性探針は、所望のメモリセルに対応する前記第１の電極に接触させて前記記録層に通電することができる情報記録装置。
（６）不揮発性メモリを備えたペーパディスプレイからなる表示装置であって、前記不揮発性メモリは、表裏面を貫通する第１の電極を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の一方面側に形成された第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間に挟持され、前記第１の電極および第２の電極間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層とを備え、
前記絶縁基板は、有機誘電体薄膜と、該有機誘電体薄膜よりも厚みが小さい無機誘電体層との積層構造を備えており、前記無機誘電体層が形成された側に前記記録層が形成されている表示装置。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施形態に係る不揮発性メモリの要部断面図である。
第２図は、本発明の他の実施形態に係る不揮発性メモリの要部断面図である。
第３図は、本発明の更に他の実施形態に係る不揮発性メモリの要部断面図である。
第４図は、本発明の一実施形態に係る不揮発性メモリの製造方法を説明するための断面図である。
第５図は、本発明の他の実施形態に係る不揮発性メモリの製造方法を説明するための断面図である。
第６図は、本発明の一実施形態に係る情報記録装置の概略構成を示す断面図である。
第７図は、本発明の他の実施形態に係る情報記録装置の概略構成を示す断面図である。
第８図は、本発明の更に他の実施形態に係る情報記録装置の概略構成を示す断面図である。
第９図は、本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構成を示す斜視図である。
第１０図は、従来の不揮発性メモリの構成を示す要部断面図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照して説明する。
（不揮発性メモリ）
図１は、本発明の一実施形態に係る不揮発性メモリの要部断面図である。図１に示すように、不揮発性メモリ１は、無機誘電体層１１１および有機誘電体薄膜１１２が積層されてなる絶縁基板１１と、絶縁基板１１の無機誘電体層１１１側に形成された記録層１２および上部電極１３と、絶縁基板１１の有機誘電体薄膜１１２側に形成された下部電極１４とを備えている。
無機誘電体層１１１は、発熱時の記録層１２に対して不活性な絶縁体からなり、ＳｉＯｘなどの酸化膜、ＳｉＮｘなどの窒化膜などの他、ＳｉＯ２−ＺｎＳ、ＳｉＯ２−ＺｎＳｅなどを挙げることができる。例えば、無機誘電体層１１１の材料をＳｉＯ２：ＺｎＳ＝約０．２：約０．８の混合層とした場合には、無機誘電体層１１１に積層される層を剥がれにくくする効果が得られる。
有機誘電体薄膜１１２としては、ポリイミド、ポリカーボネート、などの絶縁性ポリマーを例示することができる。有機誘電体薄膜１１２は、無機誘電体層１１１よりも大きな厚みを有しており、これによって、データ書き込み・消去の省電力化を図ることができ、基板１１の弾性曲げ変形を容易にすることができる。
記録層１２は、２以上の安定な状態を有し、各状態間で可逆的な変化が可能な相変化材料からなり、通電による抵抗値の変化を制御可能な材料からなる。具体的には、Ｇｅ2Ｓｂ２Ｔｅ５、Ｇｅ１Ｓｂ２Ｔｅ４などのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物、Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ７０Ｔｅ２０などのＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物、Ｔｅ８０Ｓｂ５Ａｓ１５などのＴｅ−Ｓｂ−Ａｓ化合物、Ｔｅ８１Ｇｅ１５Ｓｂ２Ｓ２などのＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓ化合物、Ｔｅ９３Ｇｅ５Ａｓ２などのＴｅ−Ｇｅ−Ａｓ化合物、Ｔｅ８０Ｇｅ５Ｓｎ１５などのＴｅ−Ｇｅ−Ｓｎ化合物、Ｔｅ６０Ｇｅ４Ｓｎ１１Ａｕ２５などのＴｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ化合物、ＧｅＴｅ化合物などのカルコゲナイド系材料を挙げることができる。記録層１２は、後述する中間電極（第１の電極）１８と上部電極（第２の電極）１３との間に挟持されて、通電可能となっている。
上部電極１３および下部電極１４は、金（Ａｕ）などの金属材料から構成されている。上部電極１３および下部電極１４は、ストライプ状に等間隔に形成されており、上部電極１３および下部電極１４の長手方向が平面視において互いに直交するように配置されている。そして、上部電極１３と下部電極１４とが平面視において重なり合った領域が、各メモリセルＭＣを構成している。各メモリセルＭＣは、電気的な干渉を防止するため、選択トランジスタやダイオードなどを用いて電気的に分離するようにしてもよい。上部電極１３および下部電極１４のストライプを構成する帯状体の幅は、設計ルールにより定まるが、例えば、１５μｍ以上１００μｍ以下である。もちろん、光や電子線によるリソグラフィやＦＩＢ（Focused Ion Beam）等により、それ以下の幅の帯状体を形成してもかまわない。また、帯状体の間隔は、帯状体の幅の２倍以上１０倍以下が好ましい。
絶縁基板１１は、各メモリセルＭＣに対応する位置に、表裏面を貫通する多数の細孔１６を有している。細孔１６の内壁面には、無機誘電体層１１１の一部が入り込んで付着することにより、無機誘電体層１１１と連続するリング状の耐熱保護膜１７が形成されている。下方端が下部電極１４により覆われた細孔１６の内部には、例えばロジウム（Ｒｈ）からなる中間電極１８が充填されており、この中間電極１８によって記録層１２と下部電極１４とが電気的に接続されている。また、メモリセルＭＣにおける中間電極１８の上方は上部電極１３により覆われており、中間電極１８が記録層１２を介して上部電極１３に電気的に接続されている。
このように構成された不揮発性メモリ１によれば、所望のメモリセルＭＣに対応する上部電極１３および下部電極１４を選択して、適当な電気パルスを印加することにより、メモリセルＭＣへの書き込み、読み出し、消去を行うことができる。即ち、書き込み時は、所定の電圧で電気パルスを印加することによりジュール熱を発生させ、記録層１２をアモルファス状態から結晶質状態に変化させ、抵抗値を低下させる。一方、消去時は、書き込み時よりもパルス幅が短い電気パルスを印加して高温の状態から急冷し、記録層１２を結晶質状態からアモルファス状態に変化させ、抵抗値を上昇させる。読み出し時は、書き込み時および消去時よりも低い電圧を印加して、抵抗値の変化に基づく電流値を検出する。
本実施形態においては、基板１１における無機誘電体層１１１が形成された側に記録層１２が形成されているので、記録または消去のための通電により記録層１２と中間電極１８との接続部近傍で発生した熱を、有機誘電体薄膜１１２に伝えにくくすることができる。したがって、有機誘電体薄膜１１２の温度上昇に伴う分解を抑制して、記録層１２や中間電極１８の劣化を防ぐことができ、メモリセルＭＣの記録・消去の反復回数を増加させることができる。更に、細孔１６の内壁面に無機誘電体からなる耐熱保護膜１７が形成されているので、これによっても、記録層１２と中間電極１８との接続部近傍で発生した熱が、有機誘電体薄膜１１２に伝達されるのを抑制することができる。
無機誘電体層１１１の厚みは、薄すぎると有機誘電体薄膜１１２に対する熱保護の効果が十分でなくなる一方、厚すぎると有機誘電体薄膜１１２を用いたことによる省電力化などの効果が十分でなくなることから、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。一方、有機誘電体薄膜１１２の厚みは、１００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であることがより好ましい。
不揮発性メモリ１の構成は、上述したものに限られず、種々の変形が可能である。例えば、図２又は図３に示すように、多数の細孔１６がランダムに配置された基板１１を用いて、各メモリセルＭＣの領域に１または複数の中間電極１８が配置されるように構成することも可能である。この場合、記録層１２を形成可能な位置に制約を受けにくくなり、設計の自由度を高めることができる。また、上部電極１３および記録層１２をメモリセルＭＣごとに分離して、メモリセルＭＣ間の絶縁性を高めるようにしてもよい。上部電極１３及び下部電極１４は、ストライプ状に形成する代わりに、例えば、上部電極１３を基板片面全体に形成する一方、下部電極１４をマトリクス状に形成するようにしてもよい。
また、本実施形態においては、絶縁基板１１の表裏面にそれぞれ上部電極１３および下部電極１４を設けることで、記録層１２にアクセス可能としているが、記録層が中間電極（第１の電極）と上部電極（第２の電極）との間に挟持された構成であれば、後述するように下部電極は必ずしも設ける必要はない。
（不揮発性メモリの製造方法）
次に、上述した不揮発性メモリを製造する方法として、図２に示す構成の不揮発性メモリを例に説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、直径が１００ｎｍの多数の細孔１６が表面に対してほぼ垂直に形成された、ポリカーボネートからなる厚さ６μｍの有機誘電体薄膜１１２を用意した。フィルムに多数の細孔を形成する方法は、例えば、米国特許第６０６０７４３号明細書（特開平１１−４０８０９号公報）、特開平１１−１７０３７８号公報に開示されている。本実施形態においては、イオンビームを有機誘電体薄膜の表面に垂直に照射してイオントラックを形成した後、このフィルムをエッチング液に浸漬することによりイオントラックを選択的にエッチングし、多数の微細な細孔をランダムに形成した。このような形成方法によれば、リソグラフィ技術を用いていないため、直径が１００ｎｍ程度の微細な孔でも安価に形成可能である。細孔１６の径は、後述する所望のアスペクト比が得られるように、エッチング時間の調整などにより所望の値に制御することが好ましい。
ついで、図４（ｂ）に示すように、この有機誘電体薄膜１１２をスパッタ装置のサセプタＳにセットし、無機誘電体であるＳｉＯ２を堆積することにより有機誘電体薄膜１１２上に無機誘電体層１１１を積層し、絶縁基板１１を形成した。無機誘電体の堆積量は、細孔１６が完全に塞がれない程度であり、本実施形態においては、細孔１６の開口径が１００ｎｍから５０ｎｍまで狭まった状態でＳｉＯ２の堆積を終了した。この時の無機誘電体層１１１の厚みは、約３０ｎｍであった。
有機誘電体薄膜１１２上への無機誘電体の堆積状態は、細孔１６のアスペクト比（aspectration：細孔１６の高さ／細孔１６の直径）によって異なる。本実施形態のように、アスペクト比が１０以上１００以下である場合には、図４（ｂ）に示すように、無機誘電体が有機誘電体薄膜１１２上に堆積すると共に、細孔１６の内壁面における開口近傍にも付着して、リング状の耐熱保護膜１７を形成する。細孔１６のアスペクト比が１０以上１００以下である場合には、細孔１６内部では、耐熱保護膜１７は、下方向（図１においては上部電極（第２の電極）１１３から中間電極（第１の電極）１１８および下部電極１４に向かう方向）に向かってその厚みが小さくなっている。言い替えれば、その周囲の耐熱保護膜１７により、細孔１６の内径が、上から下へ大きくなっている箇所がある。
この耐熱保護膜１７は、後の行程で形成する記録層１２および中間電極１８の界面近傍において通電により発生した熱が、有機誘電体薄膜１１２に伝達されるのを効果的に抑制することができる。更に、耐熱保護膜１７によって、中間電極１８の一部に電流狭窄部が形成されるため、電流密度を高めることができ、製品の省電力化を図ることができる。
一方、細孔１６のアスペクト比が１以上１０未満である場合には、無機誘電体が細孔１６の内部まで入り込みやすくなるので、図４（ｂ）に示すリング状の耐熱保護膜１７が細孔１６の開口近傍だけでなく、細孔１６の内壁面全体にほぼ一様な肉厚で形成される。言い替えれば、細孔１６のアスペクト比が１以上１０未満である場合には、その周囲の耐熱保護膜１７に拘わらず、細孔１６の内径が、上から下へほぼ一定となっている。
この場合、中間電極１８には上述したような電流狭窄部は形成されないが、耐熱保護膜による有機誘電体薄膜１１２の熱保護の効果をより高めることができる。
このような無機誘電体を堆積する工程においては、少量の無機誘電体が細孔１６に入り込んでサセプタＳ上に堆積し、有機誘電体薄膜１１２をサセプタＳから取り外した際に細孔１６内部の残留物Ｒとなるものがある。このため、無機誘電体層１１１の形成後、有機誘電体薄膜１１２をサセプタＳから取り外し、無機誘電体層１１１側から細孔１６内にガス流を供給して残留物Ｒを除去する必要がある。この場合、後の工程において有機誘電体薄膜１１２をサセプタＳに再度取り付けなければならないので、工程が煩雑となる。
そこで、無機誘電体層１１１の形成工程においては、有機誘電体薄膜１１２をサセプタＳの表面に直接取り付けるのではなく、図５に示すように、有機誘電体薄膜１１２とサセプタＳとの間にスペーサＳＰを介在させて隙間を形成するようにしてもよい。細孔１６に入り込んだ無機誘電体は、細孔１６の内部に留まらずにサセプタＳの表面に到達するので、無機誘電体の堆積工程終了後に有機誘電体薄膜１１２をサセプタＳから取り外す必要が無く、次工程を迅速に開始することができる。
次に、図４（ｃ）に示すように、メタルマスクを用いてＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５からなるメモリ材料を無機誘電体層１１１側にスパッタ蒸着し、記録層１２を形成した後、更に、Ａｕをスパッタ蒸着し、基板片面の全体に上部電極１３を形成した。メモリ材料として、例えば、組成比を変えたＧｅＳｂ２Ｔｅ４を使用すると、融点がやや低くなるため製品の長寿命化に有効である。無機誘電体層１１１の形成により径が狭められていた細孔１６の開口部は、メモリ材料の蒸着により記録層１２によって被覆される。
ついで、細孔１６の内部に中間電極を形成する。中間電極の形成は、遠隔スパッタ法や電気メッキ法などにより形成することができるが、本実施形態においては電気メッキ法により形成する。図４（ｄ）に示すように、メッキする金属の正イオンを酸性溶液中に溶かし込んだメッキ液Ｌに、このメッキ液Ｌに対して不溶性のＡｕなどからなる金属板Ｍが正極となり、細孔１６内に表面を露出している記録層１２が負極となるように電源を接続し、負極面に電気メッキを施す。図４（ｄ）のように、上部電極１３と金属板Ｍなどからなる導電板とは平行にしておくことが好ましい。これにより、細孔１６の内部がメッキ金属により徐々に埋められていき完全に埋められて中間電極１８が形成された時点で、メッキを終了する。メッキ金属としては、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕなどが好ましく、特に、ＣｕなどのＵＬＳＩの多層配線に用いられる材料が安価で入手しやすい。
メッキ終了のタイミングは、メッキ量とメッキ時間との関係を予め測定しておき、細孔１６の内部にメッキ金属が充填されるまでの時間を推定することにより決定することができる。或いは、メッキ量によりメッキ面が変色することを利用して、メッキの終了を決定することもできる。即ち、細孔１６の内部がメッキ金属で埋まる直前は、メッキ面は可視領域で黒く見えるが、細孔１６の内部がメッキ金属で完全に埋まり、メッキ面が絶縁基板１１の表面に沿って拡がると、メッキ面が黒色から白色に変化するので、メッキ面が白くなる時点でメッキを終了すればよい。更に、メッキ面の変色と同時に、定電圧でメッキを行う場合には電流値の時間変化（定電流でメッキを行う場合には電圧値の時間変化）にキンクが発生することを利用して、メッキ終了のタイミングを知ることもできる。
最後に、絶縁基板１１の裏面側（有機誘電体薄膜１１２側）に、メタルマスクを用いてＡｕをスパッタ蒸着することによりマトリクス状に下部電極１４を形成し、図２に示す不揮発性メモリを完成させる。この不揮発性メモリについてデータの書き換え回数を調べたところ１０４回以上であり、良好な書き換え寿命を得ることができた。
なお、図３に示す構成の場合は、下部電極１４を形成してからメッキにより中間電極１８を形成し、その後、記録層１２及び上部電極１３を形成することができる。メッキは、金属である下部電極１４に対して行うことができるので、メッキの制御性が高いという利点を有する。
（情報記録装置）
図６は、本発明の一実施形態に係る情報記録装置の概略構成を示す断面図である。図６に示す情報記録装置は、不揮発性メモリ３１と、不揮発性メモリ３１を挟持する一対の挟持部材（第１の挟持部材３２１，第２の挟持部材３２２）と、不揮発性メモリ３１と第１の挟持部材３２１との間に介在されるゴムなどの弾性部材（第１の弾性部材３３１，第２の弾性部材３３２）とを備えている。第１の弾性部材３３１は、不揮発性メモリ３１における上部電極１３の一部を露出させるようにして、この上部電極１３の表面に固定されている。尚、第１の弾性部材３３１の表面には、不揮発性メモリ３１の特徴（製造会社名や記録内容など)を記載可能なラベルを貼着してもよい。
不揮発性メモリ３１は、図２に示す不揮発性メモリ１において下部電極１４を設けない構成としたものであり、その他の構成については図２に示す不揮発性メモリ１と同様である。したがって、同一の構成部分に同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
第１の挟持部材３２１および第２の挟持部材３２２は、剛性の高い硬質プラスチックなどからなり、挟持面にそれぞれ第２の導電体３２３，第１の導電体３２４を備えている。一対の挟持部材３２１，３２２の間には、不揮発性メモリ３１を挟持する付勢手段としてのばね材３２５，３２６が介在されている。
第２の導電体３２３は、第２の弾性部材３３２を介して第１の挟持部材３２１の挟持面に取り付けられており、全ての上部電極１３の露出部と電気的に接続可能に形成されている。また、第１の導電体３２４は、第２の挟持部材３２２の挟持面に取り付けられており、マトリクス状に複数形成され、中間電極１８と電気的に接続されるように構成されている。第１の導電体３２４にはスイッチング素子３２８が接続されており、第１の導電体３２４を介して記録層１２への通電のＯＮ／ＯＦＦを制御可能に構成されている。スイッチング素子３２８は、本実施形態においてはＳｉ等から構成される選択トランジスタとしているが、ｐｎ接合ダイオードや、ショットキーダイオードなどを用いることもできる。
このように構成された情報記録装置によれば、図６に示す状態から、ばね材３２５，３２６の作用により、第２の導電体３２３が上部電極１３に接続され、第１の導電体３２４が中間電極１８に接続された状態で、不揮発性メモリ３１が一対の挟持部材３２１，３２２間に挟持される。
第１の挟持部材３２１と不揮発性メモリ３１との間には、第１の弾性部材３３１および第２の弾性部材３３２が介在されているので、これら弾性部材の押圧力により不揮発性メモリ３１と第２の挟持部材３２２との間に均一な密着が得られ、第１の導電体３２４と中間電極１８との電気的なコンタクトを確実に行うことができる。更に、本実施形態においては、弾性曲げ変形が容易な有機誘電体薄膜１１２が第２の挟持部材３２２の挟持面と密着するように構成されているので、不揮発性メモリ３１と第２の挟持部材３３２との密着性をより高めることができる。第１の弾性部材３３１は、不揮発性メモリ３１に設ける代わりに、第１の挟持部材３２１に設けてもよい。この場合は、第１の弾性部材３３１および第２の弾性部材３３２を一体的に構成することができる。
メモリセルへのアクセスは、選択したメモリセルに対応するスイッチング素子３２８をＯＮ状態にして行うことができる。データの書き込みは、アクセスしたメモリセルの記録層１２に電力を供給して発熱させ、アモルファス状態から結晶状態に変化させて、低抵抗化することにより行う。データの読み出しは、アクセスしたメモリセルの記録層１２の抵抗値を測定する。データの消去は、アクセスしたメモリセルの記録層１２に電力を供給して発熱させた後に急冷することにより、結晶状態からアモルファス状態に変化させて、高抵抗化することにより行う。
情報記録装置の具体的な構成は、上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、図７に示す情報記録装置は、不揮発性メモリ４１と、不揮発性メモリ４１を挟持する一対の挟持部材（第１の挟持部材４２１，第２の挟持部材４２２）と、不揮発性メモリ４１と第１の挟持部材４２１との間に介在されるゴムや軟質プラスチックなどの弾性部材（第１の弾性部材４３１，第２の弾性部材４３２）とを備えている。
不揮発性メモリ４１は、図６に示す不揮発性メモリ３１をサブメモリとして２個用いて、それぞれの上部電極１３を向かい合わせになるように対向させて第１の弾性部材４３１を介在させた状態で一体化したものであり、各上部電極１３の一部が露出するように構成されている。
第１の挟持部材４２１および第２の挟持部材４２２は、剛性の高い硬質プラスチックなどからなり、それぞれの挟持面に、第２の導電体４２３および第１の導電体４２４の双方が設けられている。一対の挟持部材４２１，４２２の間には、不揮発性メモリ４１を挟持する付勢手段としてのばね材４２５，４２６が介在されている。
第２の導電体４２３は、第２の弾性部材４３２を介して各挟持部材４２１，４２２の挟持面に取り付けられており、それぞれ対向する上部電極１３の露出部と電気的に接続可能に形成されている。また、第１の導電体４２４は、各挟持部材４２１，４２２の挟持面に取り付けられており、マトリクス状に複数形成され、中間電極１８と電気的に接続されるように構成されている。第１の導電体４２４には、スイッチング素子４２８が接続されており、第１の導電体４２４を介して記録層１２への通電のＯＮ／ＯＦＦを制御可能に構成されている。スイッチング素子４２８は、本実施形態においてはＳｉ等から構成される選択トランジスタとしているが、ｐｎ接合ダイオードや、ショットキーダイオードなどを用いることもできる。
このように構成された情報記録装置によっても、図６に示す情報記録装置と同様の効果をえることができる。更に、図６に示す情報記録装置と比較して２倍のメモリ容量を得ることができるので、メモリ容量の増大に対する要求に応えることができる。
上述した情報記録装置において、所望のメモリセルへのアクセスは、上述したスイッチング素子を利用する方法以外の選択も可能である。例えば、図２に示す不揮発性メモリに対して、導電性探針を用いてメモリセルへのアクセスを行うことも可能である。
図８において、導電性探針５１は、移動機構５２により図の上下および左右方向に移動可能に構成されている。メモリセルにアクセスする場合、まず、導電性探針５１を、中間電極１８の露出面ｅに接触しない程度に接近させ、この露出面ｅに沿って平行に導電性探針５１を所望のメモリセルまで移動させる。そして、導電性探針５１を露出面ｅに接触させて、データの書き込み、読み出し、消去を行った後、導電性探針５１を露出面ｅから離す。本実施形態においては、弾性曲げ変形が容易な有機誘電体薄膜１１２の表面に導電性探針５１が接触するので、導電性探針５１の密着性を高めて、電気的なコンタクトを確実に行うことができる。
導電性探針５１を移動可能に構成する代わりに、導電性探針５１を固定した状態で不揮発性メモリ３１を移動（回転移動を含む）可能に構成してもよく、導電性探針５１および不揮発性メモリ３１の双方がそれぞれ移動可能に構成してもよい。また、導電性探針５１を複数設けて、それぞれ独立に制御可能に構成してもよい。
（表示装置）
上述した不揮発性メモリは、書き込み及び消去動作時の消費電力の低減が可能であるため、種々の適用が考えられるが、例えば、図９に示す表示装置としてのペーパディスプレイに用いることができる。
図９において、ペーパディスプレイ６１は、不揮発性メモリ６２を裏面側に備え、文字や画像などの表示部６３を表面側に備えており、複数枚が束ねられている。ペーパディスプレイ６１は、例えば、特表平１１−５０２９５０号公報に開示されている公知の技術を用いて作製することができ、不揮発性メモリ６２は、例えば図１に示したものを使用することができる。ペーパディスプレイ６１に表示する文字や画像などは、不揮発性メモリ６２にデータとして格納し、格納されたデータを自動又は手動により表示部６３に転送することで、表示された文字や画像を変化させることができる。
この構成によれば、折り畳んだり丸めたりすることができるペーパディスプレイの変形に追従可能な不揮発性メモリに、表示用のデータを格納しているため、ペーパディスプレイの変形能力を損なうことなく文字や画像を変化させることができると共に、ページを捲る際の違和感も生じないという効果を奏する。
不揮発性メモリ６２は、ペーパディスプレイ６１に対して着脱自在に構成することができ、取り外した不揮発性メモリ６２を情報再生装置（図示せず）に装着して、記録されている内容や表示内容を補足するデジタルデータをコンピュータに取り込んで、利用することができる。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明によれば、省電力化を図りつつ、データの書き換え可能回数を増大することができる不揮発性メモリを提供することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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