【手続補正書】
【提出日】令和3年11月12日(2021.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第１のチャネル形成領域上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の導電層と、
前記第１の導電層の側面と接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上面と接する領域を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上面と接する領域を有する、第２の導電層及び第３の導電層と、
前記第２の導電層の上面と接する領域と、前記第３の導電層の上面と接する領域と、前記第２のチャネル形成領域とを有する酸化物半導体層と、
前記第２のチャネル形成領域上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上の第４の導電層と、
前記第４の導電層上の第５の絶縁膜と、
前記第５の絶縁膜の上面に接して設けられ、前記第５の絶縁膜の開口部を介して前記第３の導電層と接する領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有し、
前記第１の導電層の上面は、前記第２の導電層と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第４の絶縁膜の両端部は、前記酸化物半導体層上に位置し、且つ前記第４の絶縁膜は、前記第４の導電層と重ならない領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第２のチャネル形成領域との重なりを有する半導体装置。
【請求項２】
シリコンを含む第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方とは、互いに電気的に接続される半導体装置であって、
前記第１のチャネル形成領域上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の導電層と、
前記第１の導電層の側面と接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上面と接する領域を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上面と接する領域を有する、第２の導電層及び第３の導電層と、
前記第２の導電層の上面と接する領域と、前記第３の導電層の上面と接する領域と、前記第２のチャネル形成領域とを有する酸化物半導体層と、
前記第２のチャネル形成領域上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上の第４の導電層と、
前記第４の導電層上の第５の絶縁膜と、
前記第５の絶縁膜の上面に接して設けられ、前記第５の絶縁膜の開口部を介して前記第３の導電層と接する領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有し、
前記第４の導電層は、前記第２のトランジスタのゲート電極としての機能を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第４の絶縁膜の両端部は、前記酸化物半導体層上に位置し、且つ前記第４の絶縁膜は、前記第４の導電層と重ならない領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第２のチャネル形成領域との重なりを有する半導体装置。
【請求項３】
シリコンを含む第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタと、
容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記第１のチャネル形成領域上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の導電層と、
前記第１の導電層の側面と接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上面と接する領域を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上面と接する領域を有する、第２の導電層及び第３の導電層と、
前記第２の導電層の上面と接する領域と、前記第３の導電層の上面と接する領域と、前記第２のチャネル形成領域とを有する酸化物半導体層と、
前記第２のチャネル形成領域上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上の第４の導電層と、
前記第４の導電層上の第５の絶縁膜と、
前記第５の絶縁膜の上面に接して設けられ、前記第５の絶縁膜の開口部を介して前記第３の導電層と接する領域を有する第５の導電層と、
前記第１のチャネル形成領域の上方に重なる領域を有する第６の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有し、
前記第１の導電層の上面は、前記第２の導電層と接する領域を有し、
前記第６の導電層は、前記容量素子の一方の電極としての機能を有し、且つ前記第６の導電層の上面は、前記第５の絶縁膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第４の絶縁膜の両端部は、前記酸化物半導体層上に位置し、且つ前記第４の絶縁膜は、前記第４の導電層と重ならない領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第２のチャネル形成領域との重なりを有する半導体装置。
【請求項４】
シリコンを含む第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方と、前記容量素子の一方の電極とは、互いに電気的に接続される半導体装置であって、
前記第１のチャネル形成領域上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第１の導電層と、
前記第１の導電層の側面と接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上面と接する領域を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上面と接する領域を有する、第２の導電層及び第３の導電層と、
前記第２の導電層の上面と接する領域と、前記第３の導電層の上面と接する領域と、前記第２のチャネル形成領域とを有する酸化物半導体層と、
前記第２のチャネル形成領域上の第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上の第４の導電層と、
前記第４の導電層上の第５の絶縁膜と、
前記第５の絶縁膜の上面に接して設けられ、前記第５の絶縁膜の開口部を介して前記第３の導電層と接する領域を有する第５の導電層と、
前記第１のチャネル形成領域の上方に重なる領域を有する第６の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有し、
前記第４の導電層は、前記第２のトランジスタのゲート電極としての機能を有し、
前記第６の導電層は、前記容量素子の一方の電極としての機能を有し、且つ前記第６の導電層の上面は、前記第５の絶縁膜と接する領域を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第４の絶縁膜の両端部は、前記酸化物半導体層上に位置し、且つ前記第４の絶縁膜は、前記第４の導電層と重ならない領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第２のチャネル形成領域との重なりを有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２のトランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記酸化物半導体層は、前記第２のチャネル形成領域を挟むように、前記第４の絶縁膜と接しない第１及び第２の領域を有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域はそれぞれ、前記第２のチャネル形成領域よりも低抵抗な領域である半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２のトランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記酸化物半導体層は、前記第２のチャネル形成領域を挟むように、前記第４の絶縁膜と接し且つ前記第４の導電層と重ならない第３及び第４の領域を有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域はそれぞれ、前記第３の領域及び前記第４の領域よりも低抵抗な領域であり、
前記第３の領域及び前記第４の領域はそれぞれ、前記第２のチャネル形成領域よりも低抵抗な領域である半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２のトランジスタのチャネル長方向の断面視において、
前記酸化物半導体層は、前記第１の導電層との重なりを有さない半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の膜厚は、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜として、窒化シリコン膜を有し、
前記第３の絶縁膜、前記第４の絶縁膜及び前記第５の絶縁膜としてそれぞれ、酸化シリコン膜を有する半導体装置。