(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面電極からなる第１の配線層と、第１の平面電極上に配置され、幅Ｗの複数のピッチ配線がピッチＰで配置された第２の配線層と、第２の配線層上に配置され、平面電極からなる第３の配線層と、第１〜３の配線層をそれぞれ絶縁分離する複数の層間絶縁膜とを具備する多層配線構造に対して、少なくとも各層間絶縁膜の構造変数及び材料定数を含むプロセス変数から配線間容量を計算するステップと、
求められた配線間容量と前記プロセス変数との関係から、前記プロセス変数を変数とし配線間容量を応答変数とする関数式にモデル化するステップと、
前記ピッチ配線の幅又はピッチが異なる多層配線構造を複数作成し、作成された各多層配線構造から配線間容量を測定するステップと、
モデル化された関数式に基づいて、測定された配線間容量から実際に形成された多層配線構造の前記プロセス変数を同定するステップとを含むことを特徴とするプロセス変数同定方法。
【請求項２】
平面電極からなる第１の配線層と、第１の平面電極上に配置され、幅Ｗの複数のピッチ配線がピッチＰで配置された第２の配線層と、第２の配線層上に配置され、平面電極からなる第３の配線層と、第１〜３の配線層をそれぞれ絶縁分離する複数の層間絶縁膜とを具備する多層配線構造における、各層間絶縁膜の構造変数及び材料定数と各配線層間の容量との関係とを複数算出するステップと、
実際に形成された前記多層配線構造の各配線間の配線間容量を測定するステップと、
算出された配線間容量から測定された容量に一致する配線間容量を選び、選ばれた配線間容量に対応するプロセス変数を実際に形成された多層配線構造のプロセス変数として同定するステップとを含むことを特徴とするプロセス変数同定方法。
【請求項３】
前記層間絶縁膜の構造変数及び材料定数は、それぞれ膜厚及び誘電率であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプロセス変数同定方法。
【請求項４】
前記配線間容量を計算する前に、実験計画法に基づいて各層間絶縁膜の構造定数及び材料定数と各配線層間の容量との関係とを複数算出することを特徴とする請求項１又は２に記載のプロセス変数同定方法。
【請求項５】
前記プロセス変数は、前記ピッチ配線間に形成されている層間絶縁膜の材料定数を含むことを特徴とすることを特徴とする請求項１又は２に記載のプロセス変数同定方法。
【請求項６】
前記第２の配線層として、ピッチ配線の幅又はピッチが異なる複数の多層配線構造を実際に作成し、作成された各多層配線構造の各配線間の容量を測定することを特徴とする請求項１又は２に記載のプロセス変数同定方法。
【請求項７】
平面電極からなる第１の配線層と、第１の平面電極上に配置され、幅Ｗの複数のピッチ配線がピッチＰで配置された第２の配線層と、第２の配線層上に配置され、平面電極からなる第３の配線層と、第１〜３の配線層をそれぞれ絶縁分離する複数の層間絶縁膜とを具備する多層配線構造に対して、少なくとも各層間絶縁膜の幾何学形状及び材料定数を含むプロセス変数から配線間容量を計算する容量算出部と、
求められた配線間容量と前記プロセス変数との関係から、前記プロセス変数を変数とし配線間容量を応答変数とする関数式にモデル化する関数式生成部と、
実際に形成された前記多層配線構造から各配線間の配線間容量を測定する配線間容量測定部と、
前記関数式生成部でモデル化された関数式と、前記配線間容量測定部で測定された配線間容量とから前記プロセス変数を同定する手段とを具備してなることを特徴とするプロセス変数同定装置。
【請求項８】
平面電極からなる第１の配線層と、第１の平面電極上に配置され、幅Ｗの複数のピッチ配線がピッチＰで配置された第２の配線層と、第２の配線層上に配置され、平面電極からなる第３の配線層と、第１〜３の配線層をそれぞれ絶縁分離する複数の層間絶縁膜とを具備する多層配線構造における、少なくとも各層間絶縁膜の幾何学形状及び材料定数を含むプロセス変数と各配線層間の容量との関係とを複数算出する容量算出部と、
実際に形成された前記多層配線構造から各配線間の配線間容量を測定する容量測定部と、
前記容量測定部で測定された配線間容量に一致する配線間容量を前記容量算出部で算出された配線間容量から選び、同定された配線間容量に基づいて、実際に形成された多層配線構造の前記プロセス変数を同定する同定部とを具備してなることを特徴とするプロセス変数同定装置。
【請求項９】
平面電極からなる第１の配線層と、第１の平面電極上に配置され、複数のピッチ配線が所定のピッチで配置された第２の配線層と、第２の配線層上に配置され、平面電極からなる第３の配線層と、第１〜３の配線層をそれぞれ絶縁分離する複数層の層間絶縁膜とを含むＴＥＧを具備する評価用試料であって、
前記ピッチ配線の幅又はピッチがそれぞれ異なる複数のＴＥＧを具備してなることを特徴とする評価用試料。
【請求項１０】
前記ピッチ配線に接続される二つの電極を更に具備し、隣り合う前記ピッチ配線がそれぞれ異なる電極に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の評価用試料。
【請求項１１】
全てのピッチ配線が共通の電極に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の評価用試料。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線構造における層間絶縁膜の構造定数及び材料定数を求めるためのプロセス変数同定方法及びプロセス変数同定装置、並びにこのプロセス変数同定方法に用いられる評価試料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来配線間容量の計算は種々の配線構造に対して２次元又は３次元の電界解析を行うことにより実施されてきた。この場合事前に層間絶縁膜の実効誘電率と膜厚及び電極形状、さらに多層絶縁膜の場合にはその３次元形状が事前に分かっている必用があった。この構造定数と材料定数は従来理想的に配線構造に依存せず、一定と仮定され代表的なテスト構造（ＴＥＧ）を断面ＴＥＭで測定したり、大面積のＴＥＧから得られた電気的容量値から類推したりする手段で同定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述した方法ではＴＥＧに大面積を必要とするだけでなく、極めて薄い層間絶縁膜の測定精度によって、材料定数（実効誘電率）の抽出誤差が決まるため正確な評価が出来ないという問題があった。
【０００４】
さらに微細なピッチ配線間に形成された絶縁膜の材料定数は、大面積の平行平板間に形成された材料定数と異なる〔材質が異なる〕ことが予想されている。しかし、ピッチ配線間に形成された絶縁膜の材料定数を測定することは従来不可能であった。また実際の微細配線では配線構造が理想的には矩形に必ずしもなるとはいえないが、この断面構造の同定その配線間絶縁膜の材料定数に与える影響の解析、測定は不可能になってきた。
【０００５】
更に断面ＴＥＭで正確に測定しようとすると測定するサンプルを作るのに多大な時間と労力とを要し、従って数多くのサンプルを使った分布まで評価することは事実上不可能であった。
【０００６】
本発明の目的は、多層配線構造における層間絶縁膜の材料定数及び構造定数を正確に求められるプロセス変数同定方法及びプロセス変数同定装置、並びにこのプロセス変数同定方法に用いられる評価用試料を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために以下のように構成されている。
【０００８】
（１）本発明に係わるプロセス変数同定方法は、平面電極からなる第１の配線層と、第１の平面電極上に配置され、幅Ｗの複数のピッチ配線がピッチＰで配置された第２の配線層と、第２の配線層上に配置され、平面電極からなる第３の配線層と、第１〜３の配線層をそれぞれ絶縁分離する複数の層間絶縁膜とを具備する多層配線構造に対して、少なくとも各層間絶縁膜の構造変数及び材料定数を含むプロセス変数から配線間容量を計算するステップと、求められた配線間容量と前記プロセス変数との関係から、前記プロセス変数を変数とし配線間容量を応答変数とする関数式にモデル化するステップと、前記ピッチ配線の幅又はピッチが異なる多層配線構造を複数作成し、作成された各多層配線構造から配線間容量を測定するステップと、モデル化された関数式に基づいて、測定された配線間容量から実際に形成された多層配線構造の前記プロセス変数を同定するステップとを含むことを特徴とする。
【０００９】
（２）本発明に係わるプロセス変数同定方法は、平面電極からなる第１の配線層と、第１の平面電極上に配置され、幅Ｗの複数のピッチ配線がピッチＰで配置された第２の配線層と、第２の配線層上に配置され、平面電極からなる第３の配線層と、第１〜３の配線層をそれぞれ絶縁分離する複数の層間絶縁膜とを具備する多層配線構造における、各層間絶縁膜の構造変数及び材料定数と各配線層間の容量との関係とを複数算出するステップと、実際に形成された前記多層配線構造の各配線間の配線間容量を測定するステップと、算出された配線間容量から測定された容量に一致する配線間容量を選び、選ばれた配線間容量に対応するプロセス変数を実際に形成された多層配線構造のプロセス変数として同定するステップとを含むことを特徴とする。
【００１０】
（３）本発明に係わるプロセス変数同定装置は、平面電極からなる第１の配線層と、第１の平面電極上に配置され、幅Ｗの複数のピッチ配線がピッチＰで配置された第２の配線層と、第２の配線層上に配置され、平面電極からなる第３の配線層と、第１〜３の配線層をそれぞれ絶縁分離する複数の層間絶縁膜とを具備する多層配線構造に対して、少なくとも各層間絶縁膜の幾何学形状及び材料定数を含むプロセス変数から配線間容量を計算する容量算出部と、求められた配線間容量と前記プロセス変数との関係から、前記プロセス変数を変数とし配線間容量を応答変数とする関数式にモデル化する関数式生成部と、実際に形成された前記多層配線構造から各配線間の配線間容量を測定する配線間容量測定部と、前記関数式生成部でモデル化された関数式と、前記配線間容量測定部で測定された配線間容量とから前記プロセス変数を同定する手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１１】
（４）本発明に係わるプロセス変数同定装置は、平面電極からなる第１の配線層と、第１の平面電極上に配置され、幅Ｗの複数のピッチ配線がピッチＰで配置された第２の配線層と、第２の配線層上に配置され、平面電極からなる第３の配線層と、第１〜３の配線層をそれぞれ絶縁分離する複数の層間絶縁膜とを具備する多層配線構造における、少なくとも各層間絶縁膜の幾何学形状及び材料定数を含むプロセス変数と各配線層間の容量との関係とを複数算出する容量算出部と、実際に形成された前記多層配線構造から各配線間の配線間容量を測定する容量測定部と、前記容量測定部で測定された配線間容量に一致する配線間容量を前記容量算出部で算出された配線間容量から選び、同定された配線間容量に基づいて、実際に形成された多層配線構造の前記プロセス変数を同定する同定部とを具備してなることを特徴とする
（５）本発明に係わる評価用試料は、平面電極からなる第１の配線層と、第１の平面電極上に配置され、複数のピッチ配線が所定のピッチで配置された第２の配線層と、第２の配線層上に配置され、平面電極からなる第３の配線層と、第１〜３の配線層をそれぞれ絶縁分離する複数層の層間絶縁膜とを含むＴＥＧを具備する評価用試料であって、前記ピッチ配線の幅又はピッチがそれぞれ異なる複数のＴＥＧを具備してなることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる評価用試料に形成されたＴＥＧの概略構成を示す断面図である。
図示されない基板上に平面電極からなる第１の配線層１０１が形成されている。第１の配線層１０１上に第１の層間絶縁膜１０２形成されている。第１の層間絶縁膜１０２上に複数の第２の配線層１０３が形成されている。第１の層間絶縁膜１０２上、且つ第２の配線層１０３間に第２の層間絶縁膜１０４（１０４ａ〜１０４ｃ）が形成されている。第２の配線層１０３及び第２の層間絶縁膜１０４上に、第３の層間絶縁膜１０５が形成されている。第３の層間絶縁膜１０５上に、第４の層間絶縁膜１０６が形成されている。第４の層間絶縁膜１０６上に平面電極からなる第３の配線層１０７が形成されている。
【００１４】
なお、図１（ａ）〜（ｃ）に示すＴＥＧにおいて、第２の配線層１０３の幅Ｗは同一に設計されている。ただし、図１（ａ）〜（ｃ）に示すＴＥＧにおいて、各第２の層間絶縁膜１０４ａ〜１０４ｃの幅が異なり、第２の配線層１０３のピッチが異なっている。本実施形態では、図１（ａ）に示すＴＥＧ中の第２の配線層１０３はピッチＰで、図１（ｂ）に示すＴＥＧ中の第２の配線層はピッチ２Ｐ、図１（ｃ）に示すＴＥＧ中の第２の配線層はピッチ３Ｐで配置されるようにマスクが設計されている。しかし、露光工程における近接効果等において、実際にサンプルに形成される配線幅Ｗは、それぞれＷ＋ΔＷとなる。このズレ量ΔＷは、使用した露光装置等によって変化する変数である。
【００１５】
また、第１の層間絶縁膜１０２の膜厚膜厚Ｔ1，誘電率ε1、第２の層間絶縁膜１０４の膜厚Ｔ2，誘電率ε2、第３の層間絶縁膜１０５の膜厚Ｔ3，誘電率ε3、第４の層間絶縁膜１０６の膜厚Ｔ4，誘電率ε4はそれぞれ不明である。
【００１６】
このような構造で各サンプルには電気的な容量が４種類形成される。従って３種類のＴＥＧによって合計１２種の容量が計測できる。第１の配線層１０１−第２の配線層１０３間容量をＣ12，第２の配線層１０３−第３の配線層１０７間容量をＣ23，隣り合う第２の配線層１０３の配線間容量をＣ22，更に第１の配線層１０１−第３の配線層１０７間容量をＣ13とする。これら容量Ｃij（ｉ，ｊ＝１〜３）の値は、誘電率ε1〜ε4膜厚Ｔ1〜Ｔ4によって変化する量であることは公知である。ここでＣij（ｉ，ｊ＝１〜３）は互いに完全に独立ではなく、Ｃ13は他の測定値から計算される値である。従って測定される１２種の容量のうち互いに独立なものは９種類となる。
【００１７】
ここで、各容量値Ｃijは以下の解析的な関数式で一般的に表現することができる。
【００１８】
Ｃij＝Ｆij（Ｔ1〜Ｔ4、ε1〜ε4、ΔＷ）：  ｉ、ｊは１，２，３
ここで、Ｆijは膜厚Ｔ1〜Ｔ4、誘電率ε1〜ε4、ズレ量ΔＷの９個の変数からなる或る関数である。
【００１９】
このＦij（Ｔ1〜Ｔ4、ε1〜ε4、ΔＷ）は、統計理論に基づいた関数を用いて、表すことができる。例えば、Ｆijとして変数Ｔ1〜Ｔ4、ε1〜ε4、ΔＷの９個の変数(ここで、Ｔ1〜Ｔ4、ε1〜ε4、ΔＷの９個の変数の代わりにＸ1〜Ｘ9の表記法を用いる)を1次関数で表現すると、
【数１】
0003649683.tif 000002
となる。
また、２次関数で表すと、
【数２】
0003649683.tif 000003
ここで、ｂm，ｂmn（ｍ，ｎ＝１，２，…，８，９）は係数であり、それぞれの係数は、例えば２次元配線間容量シミュレーションによりあらかじめ決定することが出来る。
【００２０】
従って、図１（ａ）〜（ｃ）に示した３種類のＴＥＧサンプルから、９種類の容量Ｃijの測定を行えば、９個の独立な変数Ｔ1〜Ｔ4，ε1〜ε4，ΔＷを数学的に決定することが出来る。
【００２１】
従って、本実施形態においては、あらかじめプロセスのインライン測定データがなくても、各層間絶縁膜１０２，１０４，１０５，１０６の構造・材料定数Ｔ1〜Ｔ4，ε1〜ε4，ΔＷを簡単な容量測定で同定できることを明らかにすることができる。
【００２２】
次に、前述した、Ｆij（Ｔ1〜Ｔ4、ε1〜ε4、ΔＷ）の求め方、並びに容量測定値から各層間絶縁膜の構造・材料定数Ｔ1〜Ｔ4，ε1〜ε4，ΔＷを求める方法について説明する。
【００２３】
図２は、本発明の第１の実施形態に係わる多層配線構造における層間絶縁膜の構造・材料定数の算出装置を示すブロック図。図３は、本発明の第１の実施形態に係わる多層配線構造における層間絶縁膜の構造定数及び材料定数の同定装置を示すブロック図。
【００２４】
なお、図２に示す装置において、コンピュータ１１１が各プログラム１１２〜１１４の実行、データベース１１６の読み書き制御、及び配線間容量測定器１１７及び表示部の制御を行う。
【００２５】
（ステップＳ１０１）
本実施例では系統的な多次元容量解析を行うために、実験テーブル作成プログラム１１２を用いて、まず解析シミュレーションのプロセス変数となる各層間絶縁膜の膜厚及び誘電率、並びにΔＷの組み合わせが複数登録された実験計画テーブルを作成して、実験計画をたてる。たてられた実験テーブルは、データベース１１６に登録する。
【００２６】
実験計画テーブルを作成するためには、公知の実験計画テーブルである例えばＣＣＣ，Ｂｏｘ−Ｂｅｎｋｅｎテーブル等をプロセス変数の数に応じて利用することが出来る。
【００２７】
図４〜６に、実験テーブルの一例として９変数のＣＣＣデザインテーブルの一例を示す。本テーブルの値０、−１、＋１は各変数の規格化された値を示し、例えば０は変数の平均値、−１を変数のばらつきの最小値(平均値−ばらつき標準偏差の3倍)、＋１を変数のばらつきの最小値(平均値＋ばらつき標準偏差の３倍)の値に設定している。
【００２８】
（ステップＳ１０２）
実験計画テーブルに基づいて、配線間容量シミュレーションプログラム１１３を用いて、システマティックに容量Ｃijを計算する。そして、プロセス変数Ｔ1〜Ｔ4，ε1〜ε4，ΔＷに対する容量Ｃijをデータベース１１６に登録する。配線間容量シミュレーションプログラム１１３としては、例えばポアソン方程式を数値解析して容量Ｃijを求めるプログラムを用いる。
【００２９】
（ステップＳ１０３）
計算された結果を用いて、データベース１１６に登録された各プロセス変数と容量Ｃijとから、関数式Ｆij演算プログラム１１４を用いて、容量Ｃijとプロセス変数の関係を記述する関数式Ｆijを決定する。前述したパラメータ変数（ｂm，ｂmn）をより正確に求めるために、Ｃij＝Ｆij（Ｔ1〜Ｔ4，ε1〜ε4，ΔＷ）を２次関数で表すことが好ましい。
【００３０】
応答変数はＣ12，Ｃ22，Ｃ23であり、応答変数として図４〜６に示すような量をとった。ここで、Ｓｐ＝Ｐ−ΔＷ，Ｅi＝εi（１〜４）であり、プロセス変数の一部を変数変換してデータベースの精度および応答関数式Ｆijの精度を向上させると良い。例えば、容量は膜厚に反比例するので、１／ＴiをＸiとする用にすると良い。
【００３１】
（ステップＳ１０４）
関数式Ｆij演算プログラム１１４により、データベース１１６に登録されたプロセス変数に対する容量Ｃijと、求められたＦijにプロセス変数を代入して得られる容量との誤差が所定の範囲（例えば±２％）以内に収まっているかどうかを判定する。
【００３２】
判定の結果、誤差が所定範囲より大きかった場合、ステップＳ１０３に戻って、前述した変数変換等を行って、誤差が所定範囲以内となる関数式Ｆijが求められるまで行う。
【００３３】
（ステップＳ１０５）
ステップＳ１０４の結果、誤差が所定範囲内に収まっていると判定された場合、関数式Ｆij自身を再度データベース１１６に登録する。
【００３４】
（ステップＳ１０６）
所定のプロセスを用いて図１（ａ）〜（ｃ）に示したＴＥＧパターンを有する多層配線構造を形成する。作成された各ＴＥＧパターンから９個の配線間容量Ｃijを配線間容量測定器１１７により測定する。ここで、図１（ａ）に示す第１のＴＥＧパターンから得られた容量を容量Ｃ112，Ｃ123，Ｃ122、図１（ｂ）に示す第２のＴＥＧパターンから得られた容量を容量Ｃ212，Ｃ223，Ｃ222、図１（ｃ）に示す第３のＴＥＧパターンから得られた容量を容量Ｃ312，Ｃ323，Ｃ322とする。
【００３５】
（ステップＳ１０７）
膜厚・誘電率同定プログラム１１５を用いて、各層間絶縁膜の膜厚Ｔ1〜Ｔ4，誘電率ε1〜ε4，及びΔＷを同定する。このステップを以下に具体的に説明する。測定された各ＴＥＧパターンから測定された配線間容量Ｃijをデータベースに登録されたＦijに代入して９元連立方程式を作成する。
【００３６】
【数３】
0003649683.tif 000004
【００３７】
そして、連立方程式を解いて、各層間絶縁膜の膜厚Ｔ1〜Ｔ4及び誘電率ε1〜ε4，並びにΔＷを求める。この計算は、簡単な数学計算であり、短時間の内に実行することが出来る。
【００３８】
図７は応答関数Ｆijと容量の測定データとから同定された構造及び材料定数の誤差を検証した結果を示す特性図である。
【００３９】
ここで、図７において、横軸は真の測定値と初期条件値との差(規格化された数値)、縦軸は真の測定値として抽出した値の誤差(相対値)である。例えば、横軸＝０．１すなわち各変数が規格化した値で真の測定値より０．１だけ大きな値を初期値として抽出した場合、抽出された値の誤差は０．０９％から０．１７％の範囲にあり十分真の測定値を計算することが出来ることが分かる。
【００４０】
誤差を０．２％以下に出来ることが示され、本発明が実際の効果をあげることが出来ることが実証された。
【００４１】
以上説明したように、複数のピッチ配線ＴＥＧを用いた配線層間の電気的容量を測定することにより、従来技術では正確に測定・同定が不可能になってきた微細配線構造定数・材料定数を簡易かつ高精度で同定可能となる。
【００４２】
図１（ａ）〜（ｃ）に示したＴＥＧパターンは、ＴＥＧパターンとしては小面積であり、スクライブＴＥＧとして入れられる。
【００４３】
従来理想的な配線寸法と材料定数（誘電率）でしか３次元配線データを記述できなかったが、ＴＥＧ試作の段階で詳細かつ定量的な配線寸法と材料定数を抽出することが出来る。従ってより正確なプロセス情報を設計者にデザインマニュアルとして提供でき、また各寸法・材料定数の変動に対する電気的特性バラツキも定量的に解析可能となるため、マージン設計を適切に行なうための基礎データを容易に作成できる。
【００４４】
従って、配線系プロセスの特性バラツキを定量的に解析可能にし、従来のマージンとりすぎの設計手法を適切な設計マージンで行える手段が提供できる。
【００４５】
以下に、第２の配線層の構造についていくつか例を示す。
（第１の例）
図８は、図１に示すＴＥＧの第２の配線層の構成の一例を示す図である。図８（ａ）は第２の配線層の構成を示す平面図、図８（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’部の断面図である。
【００４６】
本実施形態では、図８に示すように、くし型に構成している。本実施形態のように形成された第２の配線層において、電極端子７０１ａに接続された配線７０３ａと電極端子７０１ｂに接続された配線層とが交互に配列されている。容量測定時、二つの電極端子７０１ａ、７０１ｂ間の容量を測定することにより、容量Ｃ22を正確に求めることができる。電極端子７０１ａと電極端子７０１ｂの対向する長さを対向間隔より十分長くとれば、対向電極端子７０１ａ’、７０１ｂ’のエッジ効果が無視できるため、容量Ｃ22を正確に求めることができる。
【００４７】
ここで電極端子７０１ｂに接続される最外側に配線７０３ｂが２本配設されているが、これによって規則的な配線ピッチの再外郭部でのプロセス加工の乱れを抑えることが目的であり、これによって容量Ｃ22の測定精度を更に正確にできる利点を有する。パターンの規則性が両端で乱されるため、容量Ｃ22の測定精度を更に正確にできる。例えば、配線７０３ｂが無いと配線７０３ｂ‘の配線が他の配線よりも細くなってしまう等の現象が起こる。
【００４８】
（第２の例）
図９は、図１に示すＴＥＧサンプルの第２の配線層の構成の一例を示す図である。本例では、図９（ａ），（ｂ）に示すように、配線７０３ａ（７０３ａ’）と配線７０３ｂ（７０３ｂ’）とが重なり合う長さ（対向長）が異なるＴＥＧサンプルを２種類（２Ｌ及び２Ｌ’）作成することに特徴がある。なお、各配線の幅及びピッチは同一である。
【００４９】
両者のＴＥＧサンプルから得られた容量Ｃijの差をとることにより、外部配線及びボンディングパッドの寄生効果を完全に除去した、容量Ｃijを得ることができる。
【００５０】
その結果、上記実施形態及び第１の例においては、前述した寄生効果の影響を最小限にとどめるために、比較的長い対向長が必要になる。しかし、本実施形態によれば、第２の配線層の対向長を短くすることができ、ＴＥＧ面積の縮小の効果がある。
【００５１】
（第３の例）
図１０は、本発明の第３の例に係わる、ＴＥＧの構成を示す図である。上記実施形態では、ピッチ配線の間隔は同一に設計されており、配線幅の異なるＴＥＧを提供した
本例では、３つの試料で第２の配線層１０３ａ〜１０３ｃの配線幅Ｗを変化させて、配線幅のズレ量ΔＷをプロセス変数としている。本例では容量Ｃ12，Ｃ23の測定値を大きくすることが出来るため膜厚Ｔ1，Ｔ3，Ｔ4及び誘電率ε1，ε3，ε4の測定精度を上げられる。
【００５２】
（第４の例）
図１１は、図１に示すＴＥＧサンプルの第２の配線層の構成の一例を示す図である。本例では、各第２の配線層１００３が共通の電極１００１に接続されている。その結果、第２の例では第２の配線層１０３に対して２ａ，２ｂの二つの電極引出しが必要になるが、それを1本でよくパッド面積を小さく出来る特徴がある。本実施形態では、Ｃ22を測定しないのでその代わりにＴＥＧ数を多くする必要がある。
【００５３】
（第２の実施形態）
第１の実施形態で説明した方法では、３つのＴＥＧパターンを形成し、各パターンから配線間容量を測定する必要がある。本実施形態では、１つのＴＥＧパターンからプロセス変数を同定する方法について説明する。
【００５４】
図１２はデータベース構築装置の概略構成を示すブロック図である。また、図１３は、本発明の第６の実施形態に係わるプロセス変数同定方法の説明に用いるフローチャートである。なお、図１２において図２と同一な部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５５】
（ステップＳ２０１，Ｓ２０２）
ステップＳ２０１，Ｓ２０２は、第１の実施形態で説明したステップＳ１０１，Ｓ１０２と同様なのでその説明を省略する。
【００５６】
（ステップＳ２０３）
所定のプロセスを用いてＴＥＧサンプルを作成し、作成されたＴＥＧサンプルのそれぞれの層間容量Ｃijを配線間容量測定器１１７により測定する。
【００５７】
（ステップＳ２０４）
求められた容量Ｃijの組み合わせに対して、誤差の最も小さな構造及び材料定数の組を構築されたデータベース２１６中から抽出する。この抽出された組を始点として山登り法等を用いて配線容量シミュレーション１１３を再度繰り返し行うことにより最も一致するプロセス変数の詳細抽出を行い、プロセス変数の同定を行う。
【００５８】
以上説明したステップによって、インライン測定データがなくても基本的な構造及び材料定数の組の同定を短時間で決定することが出来る。
【００５９】
なお、一つのＴＥＧの容量測定値から構造定数及び材料定数の同定を行うのではなく、複数のＴＥＧからそれぞれ測定された容量値から構造定数及び材料定数の同定を行っても良い。複数のＴＥＧから測定された容量値を用いることにより、精度を増すことができる。
【００６０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、複数のピッチ配線ＴＥＧを用いた配線層間の電気的容量を測定することにより、従来技術では正確に測定・同定が不可能になってきた微細配線構造定数・材料定数を簡易かつ高精度で同定可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わる評価用試料に形成されたＴＥＧの概略構成を示す断面図。
【図２】第１の実施形態に係わる層間絶縁膜の構造定数及び材料定数の同定装置を示すブロック図。
【図３】図２に示す同定装置を用いた構造定数及び材料定数の同定方法を示すブロック図。
【図４】第１の実施形態で用いた実験テーブルの一例を示す図。
【図５】第１の実施形態で用いた実験テーブルの一例を示す図。
【図６】第１の実施形態で用いた実験テーブルの一例を示す図。
【図７】応答関数Ｆijと容量の測定データとから同定された構造及び材料定数の誤差を検証した結果を示す特性図。
【図８】図１に示すＴＥＧの第２の配線層の構成の一例を示す図。
【図９】図１に示すＴＥＧの第２の配線層の構成の一例を示す図。
【図１０】図１に示すＴＥＧと異なる構造のＴＥＧの概略構成を示す断面図。
【図１１】図１に示すＴＥＧの第２の配線層の構成の一例を示す図。
【図１２】第１の実施形態に係わる層間絶縁膜の構造定数及び材料定数の同定装置を示すブロック図。
【図１３】図１２に示す同定装置を用いた構造定数及び材料定数の同定方法を示すブロック図。
【符号の説明】
１０１…第１の配線層
１０２…第１の層間絶縁膜
１０３…第２の配線層
１０４…第２の層間絶縁膜
１０５…第３の層間絶縁膜
１０６…第４の層間絶縁膜
１０７…第３の配線層
１１１…コンピュータ
１１２…実験テーブル作成プログラム
１１３…配線容量シミュレーションプログラム
１１４…演算プログラム
１１５…膜厚・誘電率同定プログラム
１１６…データベース
１１７…配線間容量測定器
【図１】
0003649683.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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