【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年11月25日(2020.11.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不活性ガス供給源と、
集積回路（ＩＣ）装置のリード上の酸化層を還元するために、試験の前に不活性ガス中において前記ＩＣ装置を浸漬する浸漬チャンバと、
接触ピンを前記ＩＣ装置の前記リードに接触させることにより、前記不活性ガス中において前記リードのさらなる酸化を防止するとともに前記ＩＣ装置を試験する前記接触ピンを含む試験チャンバと、
前記ＩＣ装置を前記浸漬チャンバから前記試験チャンバに移送する移送ゾーンと、
前記浸漬チャンバ及び前記試験チャンバに供給される前記不活性ガスを加熱するヒーターと、
を有し、前記浸漬チャンバ及び前記試験チャンバは、２バール超の圧力において維持される、システム。
【請求項２】
前記不活性ガスは、少なくとも９９．９％の純度を有する窒素を有する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ヒーターは、前記不活性ガスを少なくとも１２５℃に加熱する請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記浸漬チャンバ及び前記試験チャンバ内への前記不活性ガスのフローを制御する弁を更に有する請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記浸漬チャンバは、試験の前に、少なくとも９０秒にわたって、前記ＩＣ装置を前記不活性ガス中において浸漬する請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記浸漬チャンバ及び前記試験チャンバから外への前記不活性ガスのフローを制御するガス排出ゲートを更に有する請求項１に記載にシステム。
【請求項７】
浸漬チャンバ内への窒素ガスフローを制御する第１ガス供給弁であって、前記浸漬チャンバは、集積回路（ＩＣ）装置のリード上の酸化層を還元するために、試験の前に窒素ガス中において前記ＩＣ装置を浸漬するためのものである、第１ガス供給弁と、
試験チャンバ内への窒素ガスフローを制御する第２ガス供給弁であって、前記試験チャンバは、接触ピンを前記ＩＣ装置の前記リードに接触させることにより、窒素ガス中において前記リードのさらなる酸化を防止するとともに前記ＩＣ装置を試験する前記接触ピンを含む、第２ガス供給弁と、
前記ＩＣ装置を前記浸漬チャンバから前記試験チャンバへ移送する移送ゾーンと、
前記浸漬チャンバに供給される前記窒素ガスを加熱する第１ヒーターと、
前記試験チャンバに供給される前記窒素ガスを加熱する第２ヒーターと、
を有し、前記第１ガス供給弁及び前記第２ガス供給弁は、前記浸漬チャンバ、前記試験チャンバ、及び前記移送ゾーン内の圧力を少なくとも２バールに維持するべく制御される、システム。
【請求項８】
前記浸漬チャンバから外への窒素ガスフローを制御する第１ガス排出ゲートと、
前記試験チャンバから外への窒素ガスフローを制御する第２ガス排出ゲートと、
を更に有する請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記窒素ガスは、少なくとも９９．９％の純度を有し、
前記第１ヒーターは、前記浸漬チャンバに供給された前記窒素ガスを少なくとも１２５℃に加熱し、且つ、
前記第２ヒーターは、前記試験チャンバに供給される前記窒素ガスを少なくとも１２５℃に加熱する請求項７記載のシステム。
【請求項１０】
集積回路(ＩＣ)装置を試験する方法であって、
浸漬チャンバ及び試験チャンバに窒素ガスを供給するステップであって、前記浸漬チャンバ及び前記試験チャンバ内において２バール超の圧力に維持するステップと、
前記浸漬チャンバ及び前記試験チャンバに供給される前記窒素ガスを加熱するステップと、
ＩＣ装置を前記浸漬チャンバ内に通過させるステップと、
前記ＩＣ装置のリード上の酸化層を還元するために、予め定義された期間にわたって、前記浸漬チャンバ内の前記窒素ガス中において前記ＩＣ装置を浸漬するステップと、
前記ＩＣ装置を前記試験チャンバに移送するステップと、
接触ピンを前記ＩＣ装置の前記リードに適用することにより、前記試験チャンバ内の前記窒素ガス中において前記リードのさらなる酸化を防止しながら前記ＩＣ装置を試験するステップと、
前記試験チャンバから外に前記ＩＣ装置を通過させるステップと、
を有する方法。
【請求項１１】
前記窒素ガスを供給するステップは、９９．９％超の純度を有する窒素ガスを供給するステップを有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記窒素ガスを加熱するステップは、窒素ガスを１２５℃超の温度に加熱するステップを有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＩＣ装置を浸漬するステップは、９０秒超にわたって、前記窒素ガス中において前記ＩＣ装置を浸漬するステップを有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
ガス排出ゲートが予め定義された期間にわたって開放されることに応答して、前記浸漬チャンバ及び前記試験チャンバへの前記窒素ガスの供給を停止するステップを更に有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記浸漬チャンバ及び前記試験チャンバへの前記窒素ガスの供給の停止に応答して、前記ＩＣ装置の前記試験を停止するステップを更に有する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ガス排出ゲートが予め定義された期間にわたって開放されることに応答して、前記ＩＣ装置の前記試験を停止するステップを更に有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記浸漬チャンバ及び前記試験チャンバ内の圧力が２バール未満に降下することに応答して、前記ＩＣ装置の前記試験を停止するステップを更に有する請求項１０に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
集積回路（ＩＣ）装置のリード上の酸化層の存在は、試験の際の高接触抵抗値をもたらしうる。リード上のすず（Ｓｎ）メッキは、試験の前に酸化状態となり、酸化すず（ＳｎＯ）を形成しうる。ＩＣ装置は、高温の空気中において試験される場合があり、この結果、酸化が進む。従って、本明細書において記述されているように、酸化を還元すると共にＩＣ装置のリード上における更なる酸化を防止するべく、高純度及び高温を有する不活性ガスが試験の前に又は最中に導入される。酸化層を還元することにより、試験の際の接触抵抗値が低減され、これにより、第１合格試験の歩留りが改善され、且つ、試験費用が低減される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
ＩＣ装置１２０の試験の前に、ＩＣ装置１２０は、浸漬チャンバ１０２内の不活性ガス中において浸漬される。一例においては、ＩＣ装置１２０は、ＩＣ装置１２０の試験の前に、少なくとも９０秒にわたって、不活性ガス中において浸漬されている。ＩＣ装置１２０を浸漬チャンバ１０２内において浸漬した後に、ＩＣ装置１２０は、矢印１２２によって示されているように、移送ゾーン１０４を通じて、試験チャンバ１０６に移送される。次いで、ＩＣ装置１２０は、接触ピン１１０をＩＣ装置１２０のリード１２１に接触させることにより、試験チャンバ１０６内の不活性ガス中において試験される。ＩＣ装置１２０を浸漬チャンバ１０２内の不活性ガス中において浸漬し、且つ、次いで、試験チャンバ１０６内の不活性ガス中においてＩＣ装置１２０を試験することにより、ＩＣ装置１２０のリード１２１上の酸化層が還元され、且つ、更なる酸化が防止され、これにより、試験の際の接触ピン１１０とリード１２１の間の接触抵抗値が低減される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
ＩＣ装置２２０の試験の前に、ＩＣ装置２２０は、浸漬チャンバ２０２内のＮ２ガス中において浸漬される。一例においては、ＩＣ装置２２０は、ＩＣ装置２２０の試験の前に、少なくとも９０秒にわたって、Ｎ２ガス中において浸漬されている。ＩＣ装置２２０を浸漬チャンバ２０２内において浸漬した後に、ＩＣ装置２２０は、矢印２２２によって示されているように、移送ゾーン２０４を通じて試験チャンバ２０６に移送される。次いで、ＩＣ装置２２０は、接触ピン２１０をＩＣ装置２２０のリード２２１に接触させることにより、試験チャンバ２０６内のＮ２ガス中において試験される。ＩＣ装置２２０を浸漬チャンバ２０２内のＮ２ガス中において浸漬し、且つ、次いで、試験チャンバ２０６内のＮ２ガス中においてＩＣ装置２２０を試験することにより、ＩＣ装置２２０のリード２２１上の酸化層が還元され、且つ、更なる酸化が防止され、これにより、試験の際の接触ピン２１０とリード２２１の間の接触抵抗値が低減される。