(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性粉末と、熱伝導性粉末と、下記（ａ）又は（ｂ）のいずれかの表面処理剤を含むことを特徴とする電磁波吸収性シリコーンゴム組成物。
（ａ）チタネート系カップリング剤。
（ｂ）アルミニウム系カップリング剤。
【請求項２】
軟磁性粉末の平均粒子径が０．１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物。
【請求項３】
軟磁性粉末の含有量が組成物全体の５ｖｏｌ％以上８０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物。
【請求項４】
軟磁性粉末が鉄又は鉄合金であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物。
【請求項５】
表面処理剤の含有量が軟磁性粉末１００重量部に対して０．１重量部以上１０重量部以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物。
【請求項６】
熱伝導性粉末の平均粒子径が０．１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物。
【請求項７】
軟磁性粉末の含有量が組成物全体の５ｖｏｌ％以上８０ｖｏｌ％以下、熱伝導性粉末の含有量が組成物全体の１０ｖｏｌ％以上８５ｖｏｌ％以下、軟磁性粉末と熱伝導性粉末の合計の含有量が組成物全体の１５ｖｏｌ％以上９０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物。
【請求項８】
硬化物の熱伝導率が２．０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物。
【請求項９】
電子機器要素用である請求項１乃至８のいずれか１項記載の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、柔軟性があり、高い電磁波吸収性を与える電磁波吸収性シリコーンゴム組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
近年、パーソナルコンピューター、携帯電話等の内部に配置されたＣＰＵ，ＭＰＵ，ＬＳＩ等の電子機器要素の高密度化、高集積化が進み、電磁波ノイズの放射が技術的・社会的な問題となっている。このような電磁波障害対策として、従来は導電性材料を用いた電磁波シールドの方法で、機器内部への電磁波進入及び機器外部への電磁波放射を防止してきた。しかし、この電磁波シールドの方法では機器内部に閉じこめられた電磁波が電磁干渉を起こし誤動作を引き起こす。
【０００３】
従来、電磁干渉障害対策を行う場合にはノイズ対策の専門知識と経験が必要とされ、その対策には多くの時間が必要とされる上、対策部品の実装スペースを事前に確保することなどの難点があった。
【０００４】
こうした問題点を解決するため、電磁波を吸収することにより反射波及び透過波を低減する電磁波吸収体が注目されている。電磁波吸収体としてはソフトフェライト焼結体や軟磁性粉体をゴムや樹脂のマトリクスに分散させた複合体などがある。ソフトフェライト焼結体は、脆くて加工性に問題があり、高周波領域で電磁波吸収性能が急激に低下するため、適応範囲が限定されてしまう。一方、軟磁性粉体をゴムや樹脂のマトリクスに分散させた複合体は、加工性に優れるものの、電磁波吸収性軟磁性粉末を高密度に充填することが困難で、高い電磁波吸収性能を得ることが難しかった。また、充填密度を高くした場合、電磁波吸収体が硬くて脆くなり、非常に取り扱い難いものとなってしまうという問題があった。特に軟磁性粉末が鉄や鉄合金などの金属系材料の場合、シリコーンに対する濡れ性が悪いため高充填が困難であった。
【０００５】
一方、ＣＰＵ，ＭＰＵ，ＬＳＩ等の電子機器要素の高密度化、高集積化に伴い発熱量が大きくなり、冷却を効率よく行わなければ、熱暴走により誤動作してしまうという問題もある。従来、発熱を外部に効率よく放出する手段として、熱伝導性粉体を充填したシリコーングリスやシリコーンゴムをＣＰＵ，ＭＰＵ，ＬＳＩ等とヒートシンクの間に設置して、接触熱抵抗を小さくする方法があった。しかし、この方式では前記機器内部の電磁干渉の問題を回避することは不可能である。
【０００６】
特開２０００−１０１２８４号公報には軟磁性粒子と結合剤と有機シラン化合物を含む電磁波吸収層を有する電磁波吸収体が提案されているが、結合剤としてゴムを用いることについては何の記載もなく、また強度アップには効果的であるが、軟磁性粒子を高充填させるには十分ではなかった。
【０００７】
電磁波吸収性能と熱伝導性能を両立させる場合には、軟磁性粉体と、必要に応じて熱伝導性粉体をゴムや樹脂のマトリクスに分散させる必要がある。特にこの場合、十分な電磁波吸収性能と熱伝導性能を得るために、粉体の高充填化は不可欠であり、従来技術では困難であった。
【０００８】
本発明は、かかる従来の問題に鑑みてなされたものであって、高い電磁波吸収性能と高い熱伝導性能を兼ね備え、加工性に優れ、かつ柔軟性を有する電磁波吸収性シリコーンゴム組成物を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、シリコーンゴムへ軟磁性粉末、特に鉄又は鉄合金の軟磁性粉末と、熱伝導性粉末を併用した粉末の高充填化において、下記（ａ）又は（ｂ）の表面処理剤を配合することが有効であることを見出した。
（ａ）チタネート系カップリング剤。
（ｂ）アルミニウム系カップリング剤。
【００１０】
即ち、軟磁性粉末、特に鉄又は鉄合金の軟磁性粉末をシリコーンゴム中に分散させてなる電磁波吸収体において、上記（ａ）又は（ｂ）の表面処理剤を配合することにより、高い電磁波吸収性能を持ち、加工性に優れ、かつ柔軟性を有する電磁波吸収性シリコーンゴム組成物が得られることを見出した。
【００１１】
また、上記電磁波吸収性シリコーンゴム組成物において、軟磁性粉末、特に鉄又は鉄合金の軟磁性粉末と熱伝導性粉末とを併用すると共に、上記（ａ）又は（ｂ）の表面処理剤を添加することにより、高い電磁波吸収性能と高い熱伝導性能を兼ね備え、加工性に優れ、かつ柔軟性を有する電磁波吸収性シリコーンゴム組成物が得られることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【００１２】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物は、シリコーンゴムへ軟磁性粉末に加えて熱伝導性粉末を含有させ、下記（ａ）又は（ｂ）の表面処理剤を含有させたものである。この場合、より好ましくは硬化物の熱伝導率が２．０Ｗ／ｍＫ以上となるものである。
（ａ）チタネート系カップリング剤。
（ｂ）アルミニウム系カップリング剤。
【００１３】
本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物中の軟磁性粉末は、鉄又は鉄合金であることが好ましい。軟磁性材料は、概略フェライト系と金属系に分類できるが、フェライト系では良好な電磁波吸収性能が得られる周波数帯域が比較的低周波数領域であり、用途が限定されてしまうため金属系が好ましい。金属系の中では、鉄や鉄合金が比較的高周波側まで電磁波吸収性能が良好であり、価格的にも安価であるためより好ましい。鉄合金としては、Ｆｅ−Ｃｒ系、Ｆｅ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｎｉ系、Ｆｅ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｃｏ系、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｎｉ系等が例示されるが、これらに限定されるものではない。これらの軟磁性粉末は１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。軟磁性粉末の形状は扁平状、粒子状のどちらかを単独で用いてもよいし、両者を併用してもよい。
【００１４】
軟磁性粉末の平均粒子径は０．１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。特には１μｍ以上５０μｍ以下のものを用いることが好ましい。粒子径が０．１μｍ未満の場合には、粒子の比表面積が大きくなりすぎて高充填化が困難となるおそれがある。粒子径が１００μｍを超える場合には、特に高周波側での軟磁性粉の単位重量当たりの電磁波吸収性能が十分ではなくなると共に、電磁波吸収性シリコーンゴム組成物の表面に微小な凹凸が現れ、熱伝導性能が必要な場合、接触熱抵抗が大きくなってしまうおそれがある。
【００１５】
軟磁性粉末の含有量は、電磁波吸収性シリコーンゴム組成物全量に対して５ｖｏｌ％以上８０ｖｏｌ％以下、特には２０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。５ｖｏｌ％未満では十分な電磁波吸収性能が得られない場合があり、８０ｖｏｌ％を超えた場合にはシリコーンゴム組成物の硬度が高く、脆くなってしまう場合がある。本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物を電子機器要素として適用した場合、目的の周波数でのノイズ減衰率が５ｄＢ以上、特に１０ｄＢ以上とすることが好ましい。
【００１６】
本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物は、熱伝導性能が必要な部位に使用される場合、高い熱伝導性能を得るため、軟磁性粉末と熱伝導性粉末を併用することが好ましい。この場合、このシリコーンゴム組成物の硬化物の熱伝導率は２．０Ｗ／ｍＫ以上、特に３．０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。
【００１７】
熱伝導性粉末の材質としては、銅やアルミニウム等の金属、アルミナ、シリカ、マグネシア、ベンガラ、ベリリア、チタニア等の金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の金属窒化物、あるいは炭化ケイ素などを用いることができるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００１８】
熱伝導性粉末の平均粒子径は０．１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。特には１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。粒子径が０．１μｍ未満の場合には、粒子の比表面積が大きくなりすぎて高充填化が困難となるおそれがある。粒子径が１００μｍを超える場合には、電磁波吸収性シリコーンゴム組成物の表面に微小な凹凸が現れ、熱的な接触抵抗が大きくなってしまうおそれがある。
【００１９】
本発明に係る熱伝導性粉末は、軟磁性粉末との最密充填化を図り、熱伝導率の向上を目的として使用するものであり、その含有量は１０ｖｏｌ％以上８５ｖｏｌ％以下とすることが好ましく、更に軟磁性粉末と熱伝導性粉末の合計の含有量が１５ｖｏｌ％以上９０ｖｏｌ％以下、特に３０ｖｏｌ％以上８０ｖｏｌ％以下とすることが好ましい。軟磁性粉末と熱伝導性粉末の合計の含有量が１５ｖｏｌ％未満では十分な熱伝導率が得られないおそれがある。また、軟磁性粉末と熱伝導性粉末の合計の含有量が９０ｖｏｌ％を超える場合にはシリコーンゴム組成物の硬度が高く、非常に脆いものとなってしまうおそれがある。
【００２０】
本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物は、下記（ａ），（ｂ）のいずれかの表面処理剤を含むものである。
（ａ）チタネート系カップリング剤。
（ｂ）アルミニウム系カップリング剤。
【００２４】
チタネート系カップリング剤（ａ）としては、イソプロピルトリステアロイルチタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスフェイトチタネート等が例示されるが、これらに限定されるものではない。
【００２５】
アルミニウム系カップリング剤（ｂ）としては、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート等が例示されるが、これに限定されるものではない。
【００２６】
これら表面処理剤の含有量は、軟磁性粉末１００重量部に対して０．１重量部以上１０重量部以下、特に０．２重量部以上８重量部以下であることが好ましい。表面処理剤の含有量が０．１重量部未満であると、粉末の表面処理効果が十分ではなくなるため、軟磁性粉末の高充填が困難になると共に、電磁波吸収性シリコーンゴム組成物が硬く、柔軟性のないものとなるおそれがある。表面処理剤の含有量が１０重量部より多くなると、相対的に軟磁性粉末や熱伝導性粉末の充填率が下がり、目的とした電磁波吸収性能、熱伝導性能の達成が難しくなる場合がある。
【００２７】
これら表面処理剤での軟磁性粉末及び熱伝導性粉末の処理方法は、直接粉末を処理する直接法と、シリコーンと粉末を混合するときに表面処理剤を添加するインテグラルブレンド法に分類され、更に直接法は剪断応力の大きいヘンシェルミキサーやスーパーミキサーなどを使って粉末に直接処理する乾式法と、処理剤の溶液中に粉末を加えてスラリー状として混合処理する湿式法に分類できる。本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物への表面処理剤の導入方法は、これらのうち任意の方法で導入すればよく、特に限定されるものではない。
【００２８】
本発明に使用されるシリコーンゴム組成物は、未加硫のパテ状シリコーン組成物、硬化タイプの場合にはゴム状組成物やゲル状組成物等が含まれるが、特に限定されるものではない。
【００２９】
熱伝導性能が必要な場合には、本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物と他の電子機器要素あるいは放熱器との密着性を向上させて、接触熱抵抗を小さくする上で、硬化後のゴム硬度は低い方が好ましく、低硬度タイプのシリコーンゴムやシリコーンゲルを使用することが好ましい。硬化後のゴム硬度は、アスカーＣで８０以下、特に５０以下であることが好ましい。
【００３０】
上記未加硫のパテ状シリコーン組成物、シリコーンゴム組成物、又はシリコーンゲル組成物のベースポリマーとしては、公知のオルガノポリシロキサンを用いることができ、このオルガノポリシロキサンとしては下記平均組成式（２）で示されるものを用いることができる。
【００３１】
Ｒ4aＳｉＯ(4-a)/2                                （２）
（式中、Ｒ4は同一又は異種の非置換又は置換の１価炭化水素基であり、ａは１．９８〜２．０２の正数である。）
【００３２】
ここで、Ｒ4は同一又は異種の非置換又は置換の一価炭化水素基、好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜８のものであり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基などの非置換の一価炭化水素基、更にはこれらの基の炭素原子に結合した水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、シアノ基等で置換したクロロメチル基、ブロモエチル基、シアノエチル基等のハロゲン置換アルキル基、シアノ置換アルキル基等の置換の一価炭化水素基から選択することができる。中でもメチル基、フェニル基、ビニル基、トリフルオロプロピル基が好ましく、更にはメチル基が５０モル％以上、特には８０モル％以上であることが好ましい。また、ａは１．９８〜２．０２の正数である。このオルガノポリシロキサンとしては、一分子中にアルケニル基を２個以上有するものが好ましく、特にＲ4の０．００１〜５モル％がアルケニル基であることが好ましい。
【００３３】
上記式（２）のオルガノポリシロキサンとしては、その分子構造は別に限定されるものではないが、特にその分子鎖末端がトリオルガノシリル基等で封鎖されたものが好ましく、特にジメチルビニルシリル基等のジオルガノビニルシリル基で封鎖されたものが好ましい。また、基本的には直鎖状であることが好ましいが、分子構造の異なる１種又は２種以上の混合物であってもよい。
【００３４】
上記オルガノポリシロキサンは、平均重合度が１００〜１００，０００、特に１００〜２，０００であることが好ましく、また、２５℃における粘度が１００〜１００，０００，０００ｃｓ（センチストークス）、特に１００〜１００，０００ｃｓであることが好ましい。
【００３５】
上記シリコーンゴム組成物を付加反応硬化型として調製する場合は、上記オルガノポリシロキサンとしてビニル基等のアルケニル基を一分子中に２個以上有するものを使用すると共に、硬化剤としてオルガノハイドロジェンポリシロキサンと付加反応触媒を使用する。
【００３６】
オルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、下記平均組成式（３）
Ｒ5bＨcＳｉＯ(4-b-c)/2                            （３）
（式中、Ｒ5は炭素数１〜１０の非置換又は置換の１価炭化水素基である。また、ｂは０≦ｂ≦３、特に０．７≦ｂ≦２．１、ｃは０＜ｃ≦３、特に０．００１≦ｃ≦１で、かつｂ＋ｃは０＜ｂ＋ｃ≦３、特に０．８≦ｂ＋ｃ≦３．０を満足する数である。）
で示される常温で液体のものであることが好ましい。
【００３７】
ここで、Ｒ5は炭素数１〜１０、特に１〜８の非置換又は置換の１価炭化水素基であり、上記Ｒ5で例示した基と同様の基、好ましくは脂肪族不飽和結合を含まないものを挙げることができ、特にアルキル基、アリール基、アラルキル基、置換アルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基などが好ましいものとして挙げられる。分子構造としては直鎖状、環状、分岐状、三次元網状のいずれの状態であってもよく、ＳｉＨ基は分子鎖の末端に存在しても分子鎖途中に存在してもよく、この両方に存在していてもよい。分子量に特に限定はないが、２５℃での粘度が１〜１，０００ｃｓ、特に３〜５００ｃｓの範囲であることが好ましい。
【００３８】
上記のオルガノハイドロジェンポリシロキサンとして具体的には、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、メチルハイドロジェン環状ポリシロキサン、メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン環状共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位と（ＣＨ3）3ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位とからなる共重合体、（ＣＨ3）2ＨＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位と（Ｃ6Ｈ5）3ＳｉＯ1/2単位とからなる共重合体などが挙げられる。
【００３９】
このオルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、オルガノハイドロジェンポリシロキサンのケイ素原子結合水素原子（即ち、ＳｉＨ基）の数と、ベースポリマー中のケイ素原子結合アルケニル基の数との比率が０．１：１〜３：１となるような量が好ましく、より好ましくは０．２：１〜２：１となるような量である。
【００４０】
付加反応触媒としては白金族金属系触媒が用いられ、白金族金属を触媒金属として含有する単体、化合物、及びそれらの錯体などを用いることができる。具体的には、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテートなどの白金系触媒、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等のパラジウム系触媒、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ロジウム等のロジウム系触媒などが挙げられる。なおこの付加反応触媒の配合量は触媒量とすることができ、通常、上記アルケニル基含有オルガノポリシロキサンに対して、好ましくは白金族金属として０．１〜１，０００ｐｐｍ、より好ましくは１〜２００ｐｐｍである。０．１ｐｐｍ未満であると組成物の硬化が十分に進行しない場合が多く、１，０００ｐｐｍを超えるとコスト高になることがある。
【００４１】
本発明においては、低硬度化し易い付加反応硬化型のシリコーンゴム組成物が好ましい。
【００４２】
一方、シリコーンゴム組成物を有機過酸化物硬化型とする場合には、硬化剤として有機過酸化物を用いる。なお、有機過酸化物硬化は、ベースポリマーのオルガノポリシロキサンの重合度が３，０００以上のガム状の場合に有用である。有機過酸化物としては、従来公知のものを使用することができ、例えばベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｐ−メチルベンゾイルパーオキサイド、ｏ−メチルベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−ビス（２，５−ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーベンゾエート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，６−ビス（ｔ−ブチルパーオキシカルボキシ）ヘキサン等が挙げられる。
【００４３】
有機過酸化物の配合量は、上記ベースポリマーのオルガノポリシロキサン１００部に対して０．０１〜１０部とすることが好ましい。
【００４４】
上記シリコーンゴム組成物には、更に上記成分に加えて、公知の成分を配合することができる。
【００４５】
なお、本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物の製造方法及び硬化方法は、常法とすることができる。
【００４６】
本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物を硬化成形したシートを電子機器内部に設置することにより、電子機器内部の電磁波ノイズを抑制することができる。更に、熱伝導性能を付与した本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物を硬化成形したシートを電子機器内部の電子機器要素と放熱要素の間に設置することにより、電磁波ノイズを抑制すると共に、電子機器要素から発生した熱の機器外部への放熱が可能となる。
【００４７】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記の例において部は重量部を示す。
【００４８】
［実施例１，２］
軟磁性粉末及び熱伝導性粉末を含むシリコーンゴム硬化物を以下のように作製した。
【００４９】
液状型付加反応タイプとするため、室温での粘度が３０Ｐａ・ｓであり、ジメチルビニルシロキシ基で両末端を封止したビニル基含有ジメチルポリシロキサンをベースオイルとし、表１に示すように（ａ）チタネート系カップリング剤であるイソプロピルトリステアロイルチタネート又は（ｂ）アルミニウム系カップリング剤であるアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレートのうち一種類を、軟磁性粉末と熱伝導性粉末の合計量１００部に対して所定量添加し、更に軟磁性粉末、熱伝導性粉末を加えて、室温にて撹拌混合後、更に撹拌混合しながら１２０℃、１時間の熱処理を行ってベース組成物を作製した。このとき、軟磁性粉末は表１に示した組成のものを使用した。また、熱伝導性粉末として、アルミナはアドマファインＡＯ−４１Ｒ，ＡＯ−５０２（（株）アドマテックス製）の混合物、窒化アルミニウムはＵＭ−５３Ｅ９（東洋アルミニウム（株）製）を使用した。
【００５０】
次に、一分子中にケイ素原子に直接結合した水素原子を２個以上含有したオルガノハイドロジェンポリシロキサン、白金族金属系触媒、アセチレンアルコール系付加反応制御剤を添加混合し、プレス成形にて１２０℃、１０分間加熱硬化させ、厚さ１．０ｍｍのシートを得た。なお、オルガノハイドロジェンポリシロキサンの添加量は、プレス成形にて１２０℃、１５分間加熱硬化させて得られた厚さ６ｍｍのシートを２枚重ねにし、その硬さが、アスカーＣ硬度計（高分子計器製）にて２０〜７０となる量に調整した。この調整した結果のアスカーＣ硬度を表２に示す。
【００５１】
得られたシートの引張強度、ノイズ減衰量、熱伝導率を評価し、結果を表２に示した。ここで、ノイズ減衰量（ノイズ抑制効果）を評価するためのテスト方法は下記の通りである。
【００５２】
まず、電波暗室内において、本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物より成形した前記シート（幅４０ｍｍ、長さ４０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍ）をＣＰＵ（動作周波数５００ＭＨｚ）とアルミニウム製ヒートシンクの間に挟み込んだパーソナルコンピュータを動作させ、そのパーソナルコンピュータより３ｍ離れた位置に受信アンテナを通して電磁波ノイズ発生量を測定した。即ち、これはＦＣＣ準拠３ｍ法に合致するものである。この測定結果と本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物である前記成形シートを設置しない場合のノイズ発生量との差をノイズ減衰量とした。
【００５６】
表２からわかるように、本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物は、アスカーＣ硬度で測定可能な範囲、特にアスカーＣ硬度８０以下と、接触熱抵抗を比較的小さくできる範囲で調整可能であり、シート強度も実用的な取り扱い上問題のないレベルである。電磁波ノイズ減衰量も十分得られ、熱伝導性粉末を加えた場合には２．０Ｗ／ｍＫ以上と、良好な熱伝導性能が得られた。
【００５７】
［比較例１］
表面処理剤を添加しないこと以外は実施例と同様に、表１に示す軟磁性粉末及び熱伝導性粉末を用いて電磁波吸収性シリコーンゴム組成物である成形シートの作製を試みたが、軟磁性粉末及び熱伝導性粉末のシリコーンゴムへの濡れ性が悪いため、成形前の材料が一塊りにならず、成形シートの作製は不可能であった。
【００５８】
［比較例２］
表面処理剤としてシランカップリング剤であるビニルトリエトキシシランを用いたこと以外は実施例と同様に、表１に示す軟磁性粉末及び熱伝導性粉末を用いて電磁波吸収性シリコーンゴム組成物である成形シートを作製し、実施例と同様にして評価を行った。結果を表２に示す。
【００５９】
表２に示すように、オルガノハイドロジェンポリシロキサンの添加量を調整して、硬化物のアスカーＣ硬度を８０以下にしようと試みたが、不可能であり、結果的にアスカーＣ硬度は測定上限値を超え、柔軟性のないものとなってしまった。このシートは実使用に耐えるものではなかった。この結果から、軟磁性粉末及び熱伝導性粉末のシリコーンゴムヘの高充填化に対してシランカップリング剤の添加では効果が不十分であることがわかる。
【００６０】
【表１】
0003719382.tif 000002
【００６１】
【表２】
0003719382.tif 000003
【００６２】
【発明の効果】
本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物は、高い電磁波吸収性能を持ち、加工性に優れ、かつ柔軟性を有する。更に熱伝導性粉末を添加することにより、高い電磁波吸収性能と高い熱伝導性能を兼ね備え、加工性に優れ、かつ柔軟性を有する。したがって、本発明の電磁波吸収性シリコーンゴム組成物を電子機器内部に設置することにより電磁波ノイズの抑制が可能になる。更に熱伝導性を付加すれば、ＣＰＵからの発熱を外部に放散することも可能となり、ＣＰＵの誤動作を防止することもできる。