(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギービーム透過部を備え、このエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して上記被加工材を局部的に蒸発させ上記被加工材の所望の除去部を除去するためのエネルギービーム加工用マスクにおいて、上記除去部の周縁あるいは周縁の一部に沿ってスリット状にのみ上記エネルギービームが照射されるよう上記エネルギービーム透過部をスリット状に形成し、上記被加工材の温度分布が均等となるようにエネルギービーム透過部のスリット幅を変化させたことを特徴とするエネルギービーム加工用マスク。
【請求項２】
エネルギービーム透過部のスリット幅を変化させ被加工材の蒸発速度を変化させるようにしたことを特徴とする請求項１に記載のエネルギービーム加工用マスク。
【請求項３】
被加工材に互いに独立して設定された除去部の周縁を照射するためのスリット状のエネルギービーム透過部を備えた請求項１または請求項２に記載のエネルギービーム加工用マスクにおいて、上記エネルギービーム透過部に加え、上記エネルギービーム透過部を連通するように形成され上記被加工材の周縁を照射するためのスリット状のエネルギービーム透過部を備えたことを特徴とするエネルギービーム加工用マスク。
【請求項４】
エネルギービーム透過部を備え、このエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して上記被加工材を局部的に蒸発させ上記被加工材の所望の除去部を除去するためのエネルギービーム加工用マスクにおいて、上記被加工材の温度分布が均等となるように上記エネルギービーム透過部の透過率を変化させたことを特徴とするエネルギービーム加工用マスク。
【請求項５】
エネルギービーム加工用マスクのエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して上記被加工材を局部的に蒸発させ上記被加工材の所望の除去部を除去するエネルギービーム加工方法において、上記被加工材の温度分布が均等となるように上記エネルギービームの密度を変化させたことを特徴とするエネルギービーム加工方法。
【請求項６】
エネルギービーム加工用マスクのエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して上記被加工材を局部的に蒸発させ上記被加工材の所望の除去部を除去するエネルギービーム加工方法において、上記エネルギービームの照射時に、上記被加工材の反照射面に熱吸収材を密着させ、上記被加工材と上記熱吸収材との間に液体を介在させたことを特徴とするエネルギービーム加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はエネルギービームをエネルギービーム加工用マスクを介して被加工材に照射して加工する際に、被加工材にクラックを生じることなく生産効率を向上させるためのエネルギービーム加工用マスク、エネルギービーム加工方法および被加工材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３２は例えば特願平６−９６４５８号公報に示された従来の磁気ヘッドの製造方法を示す図である。図において、１はエネルギービーム加工用マスク（以下マスクと略す）で、エネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを備えている。３はエネルギービームで、例えばＹＡＧレーザやエキシマレーザ等が用いられている。４は結像レンズ、５は被加工材としてのヘッドチップで、例えばフェライトなどの硬脆材料にて成る。６はこのヘッドチップ５を固定するための治具としてヘッドベースである。図３３は図３２に示したマスク１の正面図である。
【０００３】
次いで上記のように構成された従来の磁気ヘッドの製造方法について説明する。まず、エネルギービーム３をマスク１に通過させ、エネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄのみ透過させる。次に、結像レンズ４にてこのエネルギービーム３を縮小転写しヘッドチップ５に照射する。そして、エネルギービーム３のエネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄのパターンに応じたヘッドチップ５の除去部７が図３４に示すように除去され所望の形状に加工される。図３４において、８は巻線を挿入するための巻線窓部、９は巻線を固定するための巻線係止部、１０はギャップ深さ１１を規定するためのアペックス部、１２はテープ摺動面形状を構成する先端Ｒ部である。このように加工された後、トラック溝加工、巻線、仕上げ研磨工程等を経て磁気ヘッドは完成される。
【０００４】
従来の磁気ヘッドの製造方法は上記のように行われており、ヘッドチップ５がヘッドベース６に固定され所望の形状に加工されているので、ヘッドチップ５を加工した後ヘッドベース６に固定する場合のようにヘッドチップ５の高さを調整する必要はなく、ヘッドチップ５の高さをあらかじめ揃えることができているため、後工程にてドラムに磁気ヘッドを組み込むのを容易に行うことができる。又、アペックス部１０を機械加工と比較して精度良く形成することができるので、精度のよいギャップ深さ１１を得ることができるため、磁気ヘッドの磁気特性を安定させることができる。又、先端Ｒ部１２を形成する際に同時に図３４のＡにて示すような、磁気特性を向上させるための肩落とし加工も一括して形成することができ、これらの加工工程１つ１つを機械加工にて行っていた場合と比較し、生産効率がはるかに向上している。
【０００５】
また、エネルギービーム３としてはＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの短パルスレーザを用いており、ヘッドチップ５に対する熱影響を小さくしている。よって、適正な照射条件（以下適正条件と略す）を選択することによりヘッドチップ５の温度分布は均等となり、ヘッドチップ５に用いられるフェライトなどの硬脆材料にクラック等を発生させず精度良く加工することができる。
【０００６】
ここで、上記適正条件での加工を行った時の、ヘッドチップ５の温度分布の一例を示しておく。図３３に示したマスク１を用い、例えばエネルギービーム３としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービーム３のヘッドチップ５上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービーム３の繰り返し周波数３００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービーム３のエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービーム３を照射し加工を行う。この際の図３３の線ＩＶ−ＩＶに相当するヘッドチップ５の加工中の温度分布は図３５に示すように２５０℃〜２００℃の範囲であり均等となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の磁気ヘッドの製造方法は以上のように行われており、ヘッドチップ５の除去部７全てにエネルギービーム３が照射されているため、ヘッドチップ５へのエネルギービーム３照射により生じる入熱量は極めて大きい。よって、上記適正条件以外の条件にて加工を行うと、この入熱が部分的であるためヘッドチップ５上の温度分布は極めて不均一となる。これらのことによりヘッドチップ５には局部的に熱膨張・熱収縮による熱歪みが生じ、これらの一部が拘束され熱応力が生じている。そして、この熱応力がヘッドチップ５の破壊応力を超えると、ヘッドチップ５にクラックが発生する。
【０００８】
ここで、従来の磁気ヘッドの製造方法にて生産効率を向上させるには、加工時間を短縮する必要があった。この加工時間を短縮する方法として、エネルギービーム３のパルスの繰り返し周波数を上げる方法と、エネルギービーム３のエネルギー密度を高くする方法とが考えられる。しかしながら、それぞれの方法に対しては以下のような問題点が発生することとなる。
【０００９】
まず、エネルギービーム３のパルスの繰り返し周波数を上げる方法を用いる場合、上記したような適正条件を超えると、単位時間当たりの入熱量が増加し、ヘッドチップ５の温度分布が極めて不均一となる。
【００１０】
ここで、上記適正条件を超えた条件での加工を行った時の、ヘッドチップ５の温度分布の一例を示すと、図３３に示したマスク１を用い、例えばエネルギービーム３としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービーム３のヘッドチップ５上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービーム３の繰り返し周波数５００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービームを照射し加工を行う。この際の図３３の線ＩＶ−ＩＶに相当するヘッドチップ５の加工中の温度分布は図３６に示すように４８０℃〜３５０℃の範囲と成り、適正条件内にて加工を行われた際の図３５と比較して明らかなように、極めて不均一である。よって上記に示したようにヘッドチップ５に発生する熱応力がヘッドチップ５の破壊応力を超え、ヘッドチップ５にクラックが発生することとなる。
【００１１】
もう一方の、エネルギービーム３のエネルギー密度を高くする方法を用いる場合、上記したような適正条件を超えると、１パルス当たりの除去量が大きくなり、ヘッドチップ５の蒸発により生じる蒸発反力も大きくなる。よって、ヘッドチップ５に除去部７が除去される直前のヘッドチップ５が薄いシート状となり機械的強度が低くなった状態では、上記蒸発反力によりシート状のヘッドチップ５が爆発的に除去され、ヘッドチップ５の除去部７の周縁にチッピングが生じ、このチッピングが原因となりヘッドチップ５のこの箇所にクラックを生じることとなる。
【００１２】
以上のことから、従来の磁気ヘッドの製造方法にて生産効率を向上させようとしてそれぞれの方法を行ったとしても、いずれの場合もヘッドチップ５にクラックが発生してしまい、磁気ヘッドの不良となるため、磁気ヘッドの製造歩留りが著しく低下してしまうため、生産効率を向上させることができないという問題点があった。
【００１３】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、被加工材にクラックを生じることなく生産効率を向上させることができるエネルギービーム加工用マスク、エネルギービーム加工方法および被加工材を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る請求項１のエネルギービーム加工用マスクは、エネルギービーム透過部を備え、このエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して被加工材を局部的に蒸発させ被加工材の所望の除去部を除去するためのエネルギービーム加工用マスクにおいて、除去部の周縁あるいは周縁の一部に沿ってスリット状にのみエネルギービームが照射されるようエネルギービーム透過部をスリット状に形成し、被加工材の温度分布が均等となるようにエネルギービーム透過部のスリット幅を変化させたものである。
【００１５】
又、この発明に係る請求項２のエネルギービーム加工用マスクは、請求項１において、エネルギービーム透過部のスリット幅を変化させ被加工材の蒸発速度を変化させるようにしたものである。
【００１６】
又、この発明に係る請求項３のエネルギービーム加工用マスクは、被加工材に互いに独立して設定された除去部の周縁を照射するためのスリット状のエネルギービーム透過部を備えた請求項１または請求項２に記載のエネルギービーム加工用マスクにおいて、エネルギービーム透過部に加え、エネルギービーム透過部を連通するように形成され被加工材の周縁を照射するためのスリット状のエネルギービーム透過部を備えたものである。
【００１７】
又、この発明に係る請求項４のエネルギービーム加工用マスクは、エネルギービーム透過部を備え、このエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して被加工材を局部的に蒸発させ被加工材の所望の除去部を除去するためのエネルギービーム加工用マスクにおいて、被加工材の温度分布が均等となるようにエネルギービーム透過部の透過率を変化させたものである。
【００１８】
又、この発明に係る請求項５のエネルギービーム加工方法は、エネルギービーム加工用マスクのエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して被加工材を局部的に蒸発させ被加工材の所望の除去部を除去するエネルギービーム加工方法において、被加工材の温度分布が均等となるようにエネルギービームの密度を変化させたものである。
【００１９】
又、この発明に係る請求項１０のエネルギービーム加工方法は、エネルギービーム加工用マスクのエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して被加工材を局部的に蒸発させ被加工材の所望の除去部を除去するエネルギービーム加工方法において、エネルギービームの照射時に、被加工材の反照射面に熱吸収材を密着させ、被加工材と熱吸収材との間に液体を介在させたものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１におけるエネルギービーム加工用マスクの構成を示す平面図、図２は図１に示したエネルギービーム加工用マスクを介してヘッドチップにエネルギービームを照射した状態を示す図である。図において、１３は従来の場合と同様に図３２に示したようにヘッドチップ５を加工するために用いられるマスク、１４は除去部７の周縁あるいは周縁の一部に沿ってスリット状のみにエネルギービームがヘッドチップ５に照射される（照射部１５）ようスリット状に形成されたエネルギービーム透過部、尚、この際図２に示すようにヘッドチップ５の周縁よりエネルギービーム透過部１４の先端がヘッドチップ５の周縁からはみ出すように形成されている。これはマスク１３の合わせズレによるマージンをとるためである。
【００２１】
このマスク１３の形成方法としては、例えば波長２４８ｎｍのエキシマレーザの透過率が９０％以上の合成石英基板上に、反射率が９９％以上と成るＭｇＦ２およびＡｌ２Ｏ３を交互に２４層蒸着させた誘電体膜を形成し、この誘電体膜のパターニングにより上記図１に示したようにスリット状のエネルギービーム透過部１４を備えたマスク１３を形成している。
【００２２】
次いで上記のように構成された実施の形態１のマスク１３を用いた場合のエネルギービーム加工方法について説明する。まず、マスク１３のエネルギービーム透過部１４のスリット幅は数十μｍ程度に形成すればよい。エネルギービーム透過部１４のスリット幅を例えば５０μｍにすると、エネルギービームの照射部１５の面積は従来の図３３に示すマスク１を用いた場合のエネルギービームの照射部の面積の５０％となる。よって、ヘッドチップ５への入熱量も５０％となる。このことから、生産効率を向上させるためにエネルギービームの繰り返し周波数を高くしても、ヘッドチップ５への入熱量が減少しているため、ヘッドチップ５の温度上昇は低く抑えられ、ヘッドチップ５の熱膨張量は減少し、これにより発生する熱応力は減少し、クラックの発生は抑制されると考えられる。このことを明らかにするために以下の実験を行った。
【００２３】
ここで従来の場合とのクラック発生率の比較を行う。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービームのヘッドチップ５上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数５００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップ５のクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００２４】
従来の図３２のマスク１を用いた場合の結果は、図２９にエネルギー密度３Ｊ／ｃｍ２、５Ｊ／ｃｍ２および６Ｊ／ｃｍ２のそれぞれに対しての各周波数ごとに５０個加工した際のクラック発生率を示す。
図２９から分かるように上記条件での従来の場合はクラック発生率が約７０％あったものが、図１に示すようなマスク１３を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【００２５】
さらにここで、ヘッドチップ５の温度分布について示すと、上記条件にてヘッドチップ５を加工した場合、図１のマスク１３の線Ｖ−Ｖに相当するヘッドチップ５の加工中の温度分布は図３０に示すように１８０℃〜１４０℃の範囲と成る。よって、この図３０を従来の上記条件にて加工した際のヘッドチップ５の加工中の温度分布の図３６と比較すると明らかなように、ヘッドチップ５に対する入熱量が５０％ほどになっていることが確認できる。又、ヘッドチップ５の温度分布も従来の場合より均等となる。
【００２６】
上記のように構成された実施の形態１のマスク１３を磁気ヘッドの製造方法に用いると従来の場合は除去部７の全てをエネルギービームにて蒸発させ除去させていたのに比較し、実施の形態１は除去部７の周縁あるいは周縁の一部をエネルギービームにて蒸発させ除去しているので、ヘッドチップ５の照射部１５の面積が従来の場合より小さくなり、従来の場合よりヘッドチップ５への入熱量が減少しているので、エネルギービームの繰り返し周波数を上げてヘッドチップ５の生産を行っても、ヘッドチップ５にクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上させることができる。
又、加工時に生じるヘッドチップ５の溶融物および蒸発物が少なくなるため、ヘッドチップ５へ付着するのを少なくすることができるため、精度のよい加工を行うことができる。
【００２７】
尚、上記実施の形態１ではエネルギービーム透過部１４のスリット幅を均一に形成する例を示したが、必ずしもこれに限られるものではなく、確実に除去部７が除去されるようなスリット状のエネルギービーム透過部であれば必ずしもその幅が均一である必要はない。
又、実施の形態１では従来の場合と異なり、除去部７の一部は蒸発せず抜け落ちる部分を生じることとなるが、このことにより特に工程を追加する必要はない。
【００２８】
実施の形態２．
図３はこの発明の実施の形態２におけるエネルギービーム加工用マスクの構成を示す平面図である。図において、１６は上記実施の形態１のマスク１３と同様の目的のためのマスク、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄは除去部の周縁あるいは周縁の一部に沿ってスリット状のみにエネルギービームがヘッドチップ５に照射されるようスリット状に形成されたエネルギービーム透過部で、ヘッドチップ５の温度分布が均等となるようにスリット幅を変化させている。この場合、エネルギービーム透過部１７ａ、１７ｂ、１７ｃのスリット幅をエネルギービーム透過部１７ｄのスリット幅より広く形成している。
【００２９】
次いで上記のように構成された実施の形態２のマスク１６を用いた場合のエネルギービーム加工方法について説明する。まず、マスク１６のスリット幅はエネルギービーム透過部１７ａ、１７ｂ、１７ｃでは例えば７５μｍとし、エネルギービーム透過部１７ｄでは例えば２５μｍとした。この様にスリット幅を設定すると、上記実施の形態１のマスク１３のエネルギービーム透過部と面積自体はほぼ同等になる。よって、このマスク１６を用いても上記実施の形態１と同様に従来の場合と比較するとエネルギービームの照射部の面積は５０％となり、ヘッドチップへの入射量も５０％となる。このことより上記実施の形態１と同様の理由からのクラックの発生は抑制される。
【００３０】
又、エネルギービーム透過部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを介してエネルギービームが照射されたヘッドチップの箇所はヘッドチップの外周近傍で、ヘッドチップ自体にて拘束される部分が少ないため、ある程度自由にヘッドチップの熱膨張・熱吸縮が行われる。よって、これら箇所に発生する熱応力は小さくなる。しかし、エネルギービーム透過部１７ｄを介してエネルギービームが照射されたヘッドチップの箇所はヘッドチップの内部で、ヘッドチップ自体にて周囲から拘束され、拘束される部分が多いため、自由にヘッドチップの熱膨張・熱吸縮を行うことができない。よって、これらの箇所に発生する熱応力は大きくなるという現象がそれぞれ生じている。
【００３１】
ここでは、エネルギービーム透過部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ側よりエネルギービーム透過部１７ｄのスリット幅を狭くし、エネルギービーム透過部１７ａ、１７ｂ、１７ｃ側よりエネルギービーム透過部１７ｄ側のエネルギービームの入射量を少なくし、ヘッドチップの温度分布を均等に近づけることにより、上記したヘッドチップの熱応力の発生は緩和されている。よって、ヘッドチップの破壊応力を超えるような熱応力が、ヘッドチップに発生することはなくなり、ヘッドチップのクラックは減少する。
【００３２】
以下、マスク１６を用いた照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービームのヘッドチップ上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数６００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップにエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップのクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００３３】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が１００％あったものが、図３に示すようなマスク１６を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【００３４】
さらにここで、ヘッドチップ５の温度分布について示すと、上記条件にてヘッドチップ５を加工した場合、図３のマスク１６の線ＶＩ−ＶＩに相当するヘッドチップ５の加工中の温度分布は図３１に示すように１６０℃〜１９０℃の範囲と成る。よって、この図３１と上記実施の形態１のヘッドチップ５の加工中の温度分布の図３０とを比較して明らかなように、ヘッドチップの温度分布が均等に近づいていることが確認できる。
【００３５】
上記のように構成された実施の形態２のマスク１６を磁気ヘッドの製造方法に用いると従来の場合より上記実施の形態１と同様にヘッドチップへの入熱量が減少しているのはもちろんのこと、ヘッドチップの温度分布が一層均等に近づいているので、ヘッドチップの熱応力の発生は緩和されている。よって、エネルギービームの繰り返し周波数を上げてヘッドチップの生産を行っても、ヘッドチップにクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上させることができる。
【００３６】
実施の形態３．
図４は、この発明の実施の形態３におけるエネルギービーム加工用マスクの構成を示す平面図、図５は図４に示したエネルギービーム加工用マスクを介してヘッドチップにエネルギービームを照射した状態を示す図である。図において、１８は上記各実施の形態のマスク１３および１６と同様の目的のためのマスク、１９ａ、１９ｂは巻線係止部の周縁あるいは周縁の一部に沿ってスリット状のみにエネルギービームがヘッドチップ５に照射される（照射部１５）ようスリット状に形成されたエネルギービーム透過部で、特にエネルギービーム透過部１９ａはヘッドチップ５に互いに独立して設定された除去部の周縁を照射するエネルギービーム透過部同士を連通させヘッドチップ５の周縁を照射する（照射部１５ａ）スリット状のエネルギービーム透過部１９ｃを備えている。尚、この際図５に示すようにヘッドチップ５の周縁よりエネルギービーム透過部１９ａの先端がヘッドチップ５の周縁よりはみ出すように形成されている。これはマスク１８の合わせズレによるマージンをとるためである。
【００３７】
次いで上記のように構成された実施の形態３のマスク１８を用いた場合のエネルギービーム加工方法について説明する。マスク１８のエネルギービーム透過部１９ａ、１９ｂ、１９ｃのスリット幅は例えば４０μｍにする。この様にスリット幅を設定すると、上記実施の形態１のマスク１３のエネルギービーム透過部と面積自体はほぼ同等となる。よって、このマスク１８を用いても実施の形態１と同様に従来の場合と比較するとエネルギービームの照射部の面積は５０％となり、ヘッドチップ５への入射量も５０％となる。このことから上記実施の形態１と同様の理由からのクラックの発生は抑制される。
【００３８】
そして、上記実施の形態２にて述べたようにエネルギービーム透過部１９ｂによりヘッドチップ５に生じる温度分布の不均一を、エネルギービーム透過部１９ｃを形成しヘッドチップ５の周縁の入熱量を増加させることにより一層均等に近づけている。よって、上記実施の形態２と同様にヘッドチップ５の温度分布は均等に近づいており、ヘッドチップ５の熱応力の発生は緩和される。よって、ヘッドチップ５のクラックは減少する。
【００３９】
以下、マスク１８を用いた照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービームのヘッドチップ上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数６００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップ５のクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００４０】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が１００％あったものが、図４に示すようなマスク１８を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【００４１】
上記のように構成された実施の形態３のマスク１８を磁気ヘッドの製造方法に用いると従来の場合より上記実施の形態１と同様にヘッドチップ５への入熱量が減少しているのはもちろんのこと、ヘッドチップ５の温度分布が一層均等に近づいているので、上記実施の形態２と同様にヘッドチップ５の熱応力の発生は緩和される。よって、エネルギービームの繰り返し周波数を上げてヘッドチップ５の生産を行っても、ヘッドチップ５にクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上させることができる。
【００４２】
実施の形態４．
上記各実施の形態ではエネルギービーム透過部のスリット幅を１つの除去部に対して同一幅にて形成する例を示したけれども、それに限られることはなく、例えば図６に示すようにマスク２０を磁気ヘッドを形成する上で磁気ヘッドの特性を決定するのに重要となるアペックス部のみエネルギービーム透過部２１ｂのスリット幅を他の箇所のエネルギービーム透過部２１ａのスリット幅より狭くし、このアペックス部の被加工材の蒸発速度を他の箇所よりはやくし、アペックス部が他の箇所より早く加工されるようにしておく。このことは、磁気ヘッドの特性を決めるアペックス部を、他の箇所より優先的に精度よく形成する必要性があるからである。尚、アペックス部以外に相当する箇所は図１に示したマスク１３と同様であるので図は省略する。
【００４３】
このスリット幅の広さにより被加工材の蒸発速度が変化する原因は、スリット幅が広いと被加工材のエネルギービーム照射により被加工材近傍に発生するプルーム（分解蒸発物などのこと）の量が多くなり、このプルームにエネルギービームが吸収され被加工材までエネルギービームが到達しにくくなり、被加工材の蒸発速度が低下する。又、スリット幅が狭いとプルームの発生量が少なく確実にエネルギービームが被加工材に到達するため被加工材の蒸発速度が速くなる。
【００４４】
次いで上記のように構成された実施の形態４のマスク２０を用いた場合のエネルギービーム加工方法について説明する。マスク２０のスリット幅はエネルギービーム透過部２１ａでは例えば５０μｍ、エネルギービーム透過部２１ｂでは例えば２０μｍとした。この様にスリット幅を設定すると、上記実施の形態１のマスク１３のエネルギービーム透過部と面積自体はほぼ同等になる。よって、このマスク２０を用いても実施の形態１と同様に従来の場合と比較するとエネルギービームの照射部の面積は５０％となり、ヘッドチップへの入射量も５０％となる。このことより上記実施の形態１と同様の理由からのクラックの発生は抑制される。
【００４５】
以下、マスク２０を用いた照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービームのヘッドチップ上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数５００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップにエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップのクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００４６】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が約７０％あったものが、図６に示すようなマスク２０を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【００４７】
上記のように構成された実施の形態４のマスク２０を磁気ヘッドの製造方法に用いると従来の場合より上記実施の形態１と同様にヘッドチップへの入熱量が減少しているのでエネルギービームの繰り返し周波数を上げてヘッドチップの生産を行っても、ヘッドチップにクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上することができる。
【００４８】
又、アペックス部の加工が他の箇所より速く加工されているため、優先的に精度よくアペックス部が形成されている磁気ヘッドを得ることができ、磁気ヘッドの製造精度を向上することができる。
【００４９】
実施の形態５．
図７はこの発明の実施の形態５におけるエネルギービーム加工用マスクの構成を示す平面図である。図において、２２はマスクで、エネルギービーム透過部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄを備えている。そして、エネルギービーム透過部２３ｄの透過率は他のエネルギービーム透過部２３ａ、２３ｂ、２３ｃの透過率より低く形成されている。
【００５０】
エネルギービーム透過部２３ｄの透過率を他の所より低くする理由は上記各実施の形態２および実施の形態３と同一でヘッドチップの温度分布の不均一を、均等にするためである。そして、このことはエネルギービーム透過部２３ｄの透過率が低い分、他の箇所より単位時間あたりの入熱量を減少させることにより解消されている。よって、ヘッドチップの温度分布は均等に近づくこととなり、上記実施の形態２の場合と同様の理由により、ヘッドチップの熱応力の発生は緩和されている。よって、ヘッドチップのクラックは減少する。
【００５１】
以下、マスク２２の３種類の形成方法について図１０ないし図１４を用いてそれぞれ説明する。まず、上記各実施の形態と同様に誘電体膜を用いて形成する場合である。例えば「基礎光学」＜光線光学・電磁光学＞，現代工学社発行，工藤恵栄、上原富義哉著、１９９０年１月２５日発行のＰ．７７２の一番上段の式により誘電体膜の反射率は容易に求めることができる。よって、必要な反射率の誘電体膜は容易に得ることができる。
【００５２】
図８はＭｇＦ２およびＡｌ２Ｏ３を交互に偶数枚積層させてなる誘電体膜の反射率と積層膜数との関係を示す。図９はＭｇＦ２およびＳｉＯ２を交互に偶数枚積層させてなる誘電体膜の反射率と積層膜数との関係を示す。両図から明らかなように、反射率が９９％となるＭｇＦ２およびＡｌ２Ｏ３を交互に２４層積層されてなる第１の誘電体膜と、反射率が５０％となるＭｇＦ２およびＳｉＯ２を交互に２０層積層されてなる第２の誘電体膜とを以下それぞれ用いてマスク２２を形成している。
【００５３】
図１０および図１１は図７に示したマスク２２の製造工程を図７のマスク２２の線Ｉ−Ｉに沿った断面を用いて説明する図である。図において、２４は波長２４８ｎｍのエキシマレーザの透過率が９０％以上と成る基板、２５は反射率９９％の膜で成る第１の誘電体膜、２６はレジスト膜、２７は反射率５０％の膜でなる第２の誘電体膜である。
【００５４】
一般的にサブトラクト法と称されている方法を用いると、まず基板２４上に第１の誘電体膜２５を積層し（図１０（ａ））、その上にレジスト膜２６を塗布する（図１０（ｂ））。次に、このレジスト膜２６のパターニングを行い（図１０（ｃ））、このレジスト膜２６をマスクとして第１の誘電体膜２５のエネルギービーム透過部に対応する箇所全てのエッチングを行い、レジスト膜２６を除去する（図１０（ｄ））。次に、この第１の誘電体膜２５上に第２の誘電体膜２７を積層する（図１０（ｅ））。次に、この第２の誘電体膜２７上にレジスト膜２６を塗布し（図１１（ａ））、このレジスト膜２６のパターニングを行う（図１１（ｂ））。そして、このレジスト膜２６をマスクとして第２の誘電体膜２７のエッチングを行いエネルギービーム透過部２３ｄに対応する箇所のみ残し（図１１（ｃ））、レジスト膜２６を除去すると、図７に示すようにエネルギービームの透過率の異なるエネルギービーム透過部２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄを備えたマスク２２が形成される（図１１（ｄ））。
【００５５】
又、一般的にアディティブ法と称されている方法を用いると、まず基板２４上にレジスト膜２６を塗布し（図１２（ａ））、このレジスト膜２６のパターニングを行い、レジスト膜２６を全てのエネルギービーム透過部に対応する箇所にのみ残す（図１２（ｂ））。次に、第１の誘電体膜２５を積層し（図１２（ｃ））、レジスト膜２６を除去する。この際レジスト膜２６上に積層された第１の誘電体膜２５は一緒に除去される（図１２（ｄ））。次に、レジスト膜２６を塗布し（図１２（ｅ））、次にレジスト膜２６のパターニングを行い、エネルギービーム透過部２３ｄに対応する箇所のみ除去する（図１３（ａ））。次に、第２の誘電体膜２７を積層し（図１３（ｂ））、レジスト膜２６を除去する。この際レジスト膜２６上に積層された第２の誘電体膜２７は一緒に除去され、図７に示すようなエネルギービームの透過率の異なるエネルギービーム透過部２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄを備えたマスク２２が形成される（図１３（ｃ））。
【００５６】
次に、エネルギービームの反射体と吸収体とを用いて形成する例について図１４を用いて説明する。２８はエネルギービームの反射率９９％の金属Ｃｒ膜、２９はエネルギービームの吸収率５０％の例えばポリプロピレンに吸収体としてのポリスチレンを混合し調整した吸収膜である。３０は金属マスクである。まず、基板２４上に金属Ｃｒ膜２８をエネルギービーム透過部となる箇所以外の箇所にパターニングし形成する（図１４（ａ））。次に、吸収膜２９を塗布し（図１４（ｂ））、吸収膜２９上のエネルギービーム透過部２３ｄと対応する箇所に金属マスク３０を形成する（図１４（ｃ））。
【００５７】
次に、この金属マスク３０と吸収膜２９とのエッチングレートの差を利用し、例えばＯ２プラズマエッチングを利用しエッチングしていく。すると、金属マスク３０の方が吸収膜２９よりエッチングレートが遅いため図１４（ｄ）に示すように、最終的に金属マスク３０を全てエッチングしてしまうと、金属マスク３０下部以外の箇所の吸収膜２９は全てエッチングされ、エネルギービーム透過部２３ｄに対応する箇所は吸収膜２９が残存したままとなり、図７に示すようなエネルギービームの透過率の異なるエネルギービーム透過部２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄを備えたマスク２２が形成される（図１４（ｅ））。
【００５８】
尚、図１４にて示した形成方法にて形成されたマスク２２は金属Ｃｒ膜２８およびポリプロピレンに吸収体としてのポリスチレンを混合し調整した吸収膜２９にて形成されているため、短波長レーザに対して損傷を引き起こすので、可視光以上の波長を有するエネルギービームのときにのみ使用可能となる。
又、上記マスク２２の各形成方法にてマスクズレなどを例えば５μｍ程度生じたとしても、実際には１／５ほどに転写されるためヘッドチップ上では１μｍに相当する。一方、エネルギービームの干渉等の影響で１μｍの加工は困難である。よって、上記マスク２２の形成方法を用いても、十分に対応することができる。
【００５９】
以下、マスク２２を用いた照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービーム透過部２３ａ、２３ｂ、２３ｃを透過したエネルギービームのヘッドチップ上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数４００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップにエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップのクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００６０】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が５０％あったものが、図７に示すようなマスク２２を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【００６１】
上記のように構成された実施の形態５のマスク２２を磁気ヘッドの製造方法に用いると従来の場合より、エネルギービーム透過部２３ｄの透過率を他の箇所の透過率より低くし、単位時間あたりの入熱量を減少させることにより、ヘッドチップの温度分布が均等に近づいているので、上記実施の形態２と同様にヘッドチップの熱応力の発生は緩和され、エネルギービームの繰り返し周波数を上げてヘッドチップの生産を行っても、ヘッドチップにクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上させることができる。
【００６２】
実施の形態６．
上記実施の形態５では除去部全てにエネルギービームが照射される例にて説明したが、これに限られることはなく、例えば上記実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３および実施の形態４それぞれに対し実施の形態５にて示したのと同様にヘッドチップの温度分布が均等になるようエネルギービーム透過部の透過率を変えるようにすればより一層効果的になることは言うまでもない。
【００６３】
実施の形態７．
図１５はこの発明の実施の形態７の磁気ヘッド製造方法の構成を示す図である。図において、従来の場合と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。３１はエネルギービーム源、３２はシリンドリカルレンズを中央で２分割した一方を用いた第１のビームシェイパで、この第１のビームシェイパ３２はエネルギービーム３の縦方向において、この第１のビームシェイパ３２を通過したエネルギービーム３のエネルギー密度を通過していないエネルギービーム３のエネルギー密度よりマスク１上で約１．２倍強くなるように整形している。この際のエネルギー密度の分布は図１６に示すように整形されている。
【００６４】
３３は上記シリンドリカルレンズより焦点距離が短いシリンドリカルレンズを中央で２分割したものを用いた第２のビームシェイパで、この第２のビームシェイパ３３はエネルギービームの横方向において、この第２のビームシェイパ３３を通過したエネルギービーム３のエネルギー密度を通過していないエネルギービーム３のエネルギー密度よりマスク１上で約１．２倍強くなるように整形している。この際のエネルギー密度の分布は図１７に示すように整形されている。
【００６５】
次いで上記のように構成された実施の形態７のエネルギービームを用いた場合のエネルギービーム加工方法について説明する。まず、エネルギービーム３はエネルギービーム源３１から出力され第１および第２のシリンドリカルレンズ３２、３３を介して図１６および図１７に示すように整形される。次に、この整形されたエネルギービーム３がマスク１を通過する。そして図１８に示すように、横方向のエネルギー密度の分布はマスク１の線ＩＩ−ＩＩにおいて、エネルギービーム透過部２ｂ、２ｃのエネルギー密度がエネルギービーム透過部２ａのエネルギービーム密度より約１．２倍強くなっている。又、縦方向のエネルギー密度の分布はマスク１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおいてエネルギービーム透過部２ｄのエネルギー密度がエネルギービーム透過部２ａのエネルギー密度より約１．２倍強くなっている。
【００６６】
そして、マスク１を通過したエネルギービーム３は結像レンズ４にて縮小転写しヘッドチップ５に照射され加工される。この際ヘッドチップ５にはエネルギービーム透過部２ｂ、２ｃ、２ｄに相当する箇所のエネルギー密度が、エネルギービーム透過部２ａに相当する箇所のエネルギー密度より強く照射されている。
【００６７】
以上のことから、ヘッドチップの温度分布の不均一を均等に近づけることとなり上記実施の形態２と同様の理由により、ヘッドチップの熱応力の発生は緩和されている。よって、ヘッドチップ５のクラックは減少する。
【００６８】
以下、マスク１および上記のように整形したエネルギービーム３を用いた照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、各ビームシェイパ３２、３３を通過していないエネルギービームのヘッドチップ上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数３００Ｈｚの条件にて、ヘッドチップにエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップのクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００６９】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が２０％あったものが、図１５に示すようなエネルギービーム加工方法を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【００７０】
上記のように構成された実施の形態７の磁気ヘッドの製造方法を用いると従来の場合より上記実施の形態２ないし実施の形態６と同様にヘッドチップの温度分布が均等に近づいているので、ヘッドチップの熱応力の発生は緩和され、エネルギービームの繰り返し周波数を上げてヘッドチップの生産を行っても、ヘッドチップにクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上させることができる。
【００７１】
実施の形態８．
上記実施の形態７のようにエネルギービームを整形して行うエネルギービーム加工方法を上記実施の形態１のマスク１３に用いた場合の照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、各ビームシェイパ３２、３３を通過していないエネルギービームのヘッドチップ上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数６５０Ｈｚの条件にて、ヘッドチップにエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップのクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００７２】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるように６００Ｈｚ以上でクラック発生率が１００％あったものが、図１に示すようなマスク１３を用い上記各実施の形態７と同様のエネルギービームの整形を行った場合はクラック発生率が０％であった。
この実験結果より、上記実施の形態７のエネルギービームを上記実施の形態１のマスク１３に用いてエネルギービーム加工方法を行うことにより、上記実施の形態７の場合より、より一層クラックの発生を抑制させ、より一層生産効率を向上させることができる。
【００７３】
実施の形態９．
図１９はこの発明の実施の形態９における被加工材の構成を示す斜視図である。図において、３４はヘッドベース６に保持された被加工材としてのヘッドチップで、エネルギービームを照射した際に蒸発速度が変化するようにヘッドチップの厚みを変化させたもので、エネルギービーム照射面と垂直方向の断面形状を台形形状としたものである。
【００７４】
次いで上記のように構成された実施の形態９における被加工材を用いた際のエネルギービーム加工方法について説明する。例えばここではヘッドチップ３４の大きさが上底３４ａで１００μｍ、下底３４ｂで２００μｍ、高さ３４ｃが２０００μｍ、幅３４ｄが８００μｍと成るヘッドチップ３４の熱容量と、従来までのエネルギービームを照射した際の蒸発速度が一定である直方体の例えば上底および下底が１００μｍ、高さが２０００μｍ、幅が８００μｍと成るヘッドチップの熱容量とを比較すると、ヘッドチップ３４は従来の１．５倍と成る。
【００７５】
次いで上記のように構成された実施の形態９におけるヘッドチップ３４を用いた際のエネルギービーム加工方法について説明する。まず、従来の場合と同様に図３３に示すマスク１を用い図３２に示すようにエネルギービーム３をマスク１に通過させ、エネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄのみ透過させる。次に、結像レンズ４にてこのエネルギービーム３を縮小転写しヘッドチップ３４に照射する。そして、エネルギービーム３のエネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄのパターンに応じたヘッドチップ３４の除去部が図３４に示すのと同様に除去され所望の形状に加工される。この際、従来の場合よりヘッドチップ３４の熱容量を増加しているため、ヘッドチップ３４自体の温度上昇が従来の場合より抑制されている。
【００７６】
以下、マスク１およびヘッドチップ３４を用いた照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービームのヘッドチップ３４上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数３００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ３４にエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップ３４のクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００７７】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が２０％あったものが、図１９に示すようなヘッドチップ３４を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【００７８】
上記のように構成された実施の形態９のヘッドチップ３４を磁気ヘッドの製造方法に用いると従来の場合よりヘッドチップ３４の温度上昇が減少しているので、エネルギービームの繰り返し周波数を上げてヘッドチップ３４の生産を行っても、ヘッドチップ３４にクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上することができる。
【００７９】
又、加工前のヘッドチップ３４は台形形状に形成されているため、加工前のヘッドチップ３４を１個の材料から複数個形成する際、複雑な加工を必要としないため容易に形成することができる。
尚、この際ヘッドチップ３４の上面の形状が、従来のヘッドチップ５の上面と同一形状にて形成されているため、加工後のヘッドチップ３４は加工後のヘッドチップ５の磁気ヘッドと同等の特性を有するものが形成されている。
【００８０】
実施の形態１０．
上記実施の形態９ではヘッドチップ３４をエネルギービーム照射面と垂直方向の断面形状を台形形状とする例を示したが、これに限られることはなく、エネルギービームを照射した際に蒸発速度が変化するようにヘッドチップの厚みを変化させたヘッドチップであればよく、例えば、図２０に示すようなヘッドチップ３５でもよく、この際、ヘッドチップ３５の上部のエネルギービームにて加工される範囲は、上底が１００μｍ、幅が８００μｍ、高さがＢの直方体にて形成され、ヘッドチップ３５の下部のエネルギービームにて加工される以外の範囲は、下底３５ｃが上底より長く、幅が８００μｍ、高さがＣの直方体にて形成されている。このようなヘッドチップ３５を上記実施の形態９と同様に加工しても、従来の場合と同等の特性を有する磁気ヘッドが上記実施の形態９と同様の効果にて形成することができる。
【００８１】
実施の形態１１．
又、上記実施の形態９および実施の形態１０のヘッドチップ３４、３５をそれぞれ上記実施の形態１ないし実施の形態８のマスクおよびエネルギービーム加工方法を用いるようにすれば、より一層効果的であることは言うまでもない。
【００８２】
実施の形態１２．
図２１はこの発明の実施の形態１２のエネルギービーム加工方法を示す斜視図である。図において従来の場合と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。３６はエネルギービーム３の照射時にヘッドチップ５の反照射面に密着させた熱吸収材としての例えば１０ｍｍ×１０ｍｍ、板厚２ｍｍの銅板である。
【００８３】
次いで上記のように構成された実施の形態１２のエネルギービーム加工方法について説明する。まず、従来の場合と同様に図３３に示すマスク１を用いて図３２に示すようにエネルギービーム３をマスク１に通過させ、エネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄのみ透過させる。次に、結像レンズ４にてこのエネルギービーム３を縮小転写しヘッドチップ５に照射する。そして、エネルギービーム３のエネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄのパターンに応じたヘッドチップ５の除去部７が図３４に示すように除去され所望の形状に加工される。この際、銅板３６がヘッドチップ５の熱を吸収し、ヘッドチップ５自体の温度上昇を抑制している。又、除去部７が除去される直前の薄いシート状になった時、銅板３６が機械的補強材として働き、除去部７周辺に生じるチッピングが防止される。
【００８４】
以下、マスク１および銅板３６を用いた照射実験について説明する。エネルギービーム３としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービーム３のヘッドチップ５上でのエネルギー密度を５Ｊ／ｃｍ２、エネルギービーム３の繰り返し周波数２００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービーム３のエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービーム３を照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップ５のクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００８５】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が１５％あったものが、図２１に示すように銅板３６を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【００８６】
上記のように構成された実施の形態１２の銅板３６を用いた磁気ヘッドの製造方法では従来の場合よりヘッドチップ５の温度上昇が減少し、且つ除去部７の周縁のチッピングが防止されているので、エネルギービームのエネルギー密度を上げてヘッドチップ５の生産を行っても、ヘッドチップ５にクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上させることができる。
【００８７】
実施の形態１３．
上記実施の形態１２はエネルギービーム３の照射時にヘッドチップ５の反照射面に密着させた銅板３６を用いる例を示したけれども、これに限られることはなく、例えば図２２に示すように、エネルギービーム３の照射時にヘッドチップ５の反照射面に密着させた熱吸収体としての電磁石３７で大きさ１０ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍから成るものを用いても上記実施の形態１２と同様の効果を奏することは言うまでもない。さらに、この際、ヘッドチップ５がフェライトという強磁性体にて形成されているため、ヘッドチップ５と電磁石３７との密着性が非常に優れており、熱伝導性はさらに向上している。
【００８８】
以下、図２２に示した電磁石３７を用いた場合の照射実験を上記実施の形態１２と同様の条件にて実施する。エネルギービーム３としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービーム３のヘッドチップ５上でのエネルギー密度を５Ｊ／ｃｍ２、エネルギービーム３の繰り返し周波数２００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービーム３のエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービーム３を照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップ５のクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００８９】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が１５％あったものが、図２２に示すように電磁石３７を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【００９０】
上記のように構成された実施の形態１３の電磁石３７を用いた磁気ヘッドの製造方法では上記実施の形態１２と同様にヘッドチップ５の温度上昇が減少し、且つ除去部７の周縁のチッピングが防止されているので、エネルギービームのエネルギー密度を上げてヘッドチップ５の生産を行っても、ヘッドチップ５にクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上することができる。
【００９１】
尚、ここでは電磁石３７を用いる例を示したが、例えば、永久磁石を用いても同様の効果を奏する。又、永久磁石を用いたとしても、ヘッドチップ５が加工後に不具合となる磁界が生じることはない。
【００９２】
実施の形態１４．
図２３はこの発明における実施の形態１４のエネルギービーム加工方法の構成を示す斜視図である。図において上記各実施の形態と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。３８はエネルギービーム３の照射時にヘッドチップ５の反照射面に密着させた熱吸収体としての銅ブロックで、例えば１０ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍにて成る。３９はこの銅ブロック３８の冷却機能としての冷却管で、内部に例えば水温１５℃の水を流量１０リットル／分にて流れる様にしておく。
【００９３】
次いで上記のように構成された実施の形態１４のエネルギービーム加工方法について説明する。上記実施の形態１２および実施の形態１３と同様の方法にてヘッドチップ５の加工を行う。この際、上記各実施の形態と同様に銅ブロック３８がヘッドチップ５の熱を吸収し、ヘッドチップ５自体の温度上昇を抑制している。又、除去部が除去される直前の薄いシート状になった時、銅ブロック３８は機械的補強材として働き、除去部周辺に生じるチッピングが防止される。
【００９４】
以下、図３３に示すマスク１および銅ブロック３８を用いた照射実験について説明する。エネルギービーム３としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービーム３のヘッドチップ５上でのエネルギー密度を５Ｊ／ｃｍ２、エネルギービーム３の繰り返し周波数２００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービーム３のエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービーム３を照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップ５のクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【００９５】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が１５％あったものが、図２３に示すような銅ブロック３８を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【００９６】
上記のように構成された実施の形態１４の冷却管３９を備えて銅ブロック３８を磁気ヘッドの製造方法に用いると従来の場合より上記実施の形態１２、１３と同様にヘッドチップの温度上昇が減少し、且つ除去部の周縁のチッピングが防止されているので、エネルギービーム３のエネルギー密度を上げてヘッドチップ５の生産を行っても、ヘッドチップ５にクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上させることができる。
【００９７】
又、上記照射実験の結果は上記実施の形態１２および実施の形態１３と同一の結果が生じているが、冷却管３９を備えているため銅ブロック３８は常に冷却され、熱が蓄積されることがないため、例えば実際的な生産を行う際、この加工を１日中連続して行ったとしても上記示した同様の効果を確実に得ることが推察される。
【００９８】
実施の形態１５．
図２４はこの発明における実施の形態１５のエネルギービーム加工方法の構成を示す斜視図である。図において上記実施の形態１２と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。４０は水４１をヘッドチップ５と銅板３６との間に滴下するための滴下装置である。この際、ヘッドチップ５と銅板３６との間には水４１が介在しているため、毛細管現象により、ヘッドチップ５と銅板３６との熱的な密着性は上記実施の形態１２の場合より向上している。
【００９９】
次いで上記のように構成された実施の形態１５のエネルギービーム加工方法について説明する。上記実施の形態１２と同様の方法にてヘッドチップ５の加工を行う。この際、上記実施の形態１２と同様に銅板３６がヘッドチップ５の熱を吸収し、その上ヘッドチップ５と銅板３６との間に介在している水４１もヘッドチップ５の熱を吸収することとなり、ヘッドチップ５自体の温度上昇は確実に抑制される。又、除去部が除去される直前の薄いシート状になった時、銅板３６は機械的補強材として働き、除去部周辺に生じるチッピングが防止される。又、ヘッドチップ５と銅板３６との熱的な密着性が向上していることから、これらの効果はより一層確実となる。
【０１００】
以下、図３３に示すマスク１および図２４に示した方法を用いた照射実験について説明する。エネルギービーム３としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービーム３のヘッドチップ５上でのエネルギー密度を５Ｊ／ｃｍ２、エネルギービーム３の繰り返し周波数３００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービーム３のエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービーム３を照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップ５のクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【０１０１】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が４０％あったものが、図２４に示すようなエネルギービーム加工方法を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【０１０２】
上記のように構成された実施の形態１５の磁気ヘッドの製造方法を用いると上記実施の形態１２よりさらにヘッドチップ５への温度上昇が減少し、除去部の周縁のチッピングが防止されるので、エネルギービーム３のエネルギー密度を上げてヘッドチップ５の生産を行っても、ヘッドチップ５にクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上することができる。
【０１０３】
尚、ここではヘッドチップ５と銅板３６との間に介在させる液体を水４１にて行う例を示したがこれに限られることはなく、加工に不具合を生じない液体であればよく例えば希リン酸水溶液などを用いても同様に行うことができる。
又、上記実施の形態１３および実施の形態１４の電磁石３７とヘッドチップ５との間、又、銅ブロックとヘッドチップ５との間に液体を同様に介在させるようにしても、同様の効果を奏することは言うまでもない。
【０１０４】
実施の形態１６．
上記実施の形態１２ではマスクとして従来の場合と同様のマスク１を用いる例を示していたが、ここでは上記実施の形態１２のように銅板３６を用いた状態で上記実施の形態１のマスク１３を用いる場合の照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービームのヘッドチップ上でのエネルギー密度を５Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数４００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップにエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップのクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【０１０５】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が７０％あったものが、図１に示すようなマスク１３を用い上記実施の形態１２と同様の方法にて行った場合はクラック発生率が０％であった。
この実験結果より、上記実施の形態１２のエネルギービーム加工方法を上記実施の形態１のマスク１３を用いて行うことにより、上記実施の形態１２の場合より一層クラックの発生は抑制され、より一層生産効率を向上できることが推察される。
【０１０６】
実施の形態１７．
上記実施の形態１６では実施の形態１２と実施の形態１とを組み合わせて効果を向上させる例を示したがこれに限られることはなく、実施の形態１２ないし実施の形態１５と上記実施の形態１ないし実施の形態１１の全てにおいて、それぞれとの組み合わせて行うことにより、上記実施の形態１６と同様により一層効果を向上させることができることは言うまでもない。
【０１０７】
実施の形態１８．
又、上記実施の形態１２ないし実施の形態１７では熱吸収体としての銅板３６、電磁石３７、銅ブロック３８に直方体を用いそれぞれの大きさの例を示したが、必ずしもこれに限られることはなく、エネルギービーム照射時にヘッドチップの熱吸収体として働けば何れの形状、大きさ、材質から成るものでもよいことは言うまでもない。
【０１０８】
実施の形態１９．
図２５はこの発明における実施の形態１９のエネルギービーム加工方法の構成を示す平面図である。図において上記各実施の形態と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。４２はヘッドチップ５の温度分布が均等となるようにヘッドベース６に備えられた突出部４２である。
【０１０９】
次いで上記のように構成された実施の形態１９のエネルギービーム加工方法について説明する。まず、従来の場合と同様に図３３に示すマスク１を用いて、図３２に示すように、まず、エネルギービーム３をマスク１に通過させ、エネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄのみ透過させる。次に、結像レンズ４にてこのエネルギービーム３を縮小転写しヘッドチップ５に照射する。そして、エネルギービーム３のエネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄのパターンに応じたヘッドチップ５の除去部７が図３４に示すように除去され所望の形状に加工される。
【０１１０】
この際、ヘッドベース６に備えられた突出部４２が、巻線窓部およびアペックス部に近づけて設けてあり、この箇所の熱を吸収している。よって、ヘッドチップ５の温度分布が均等に近づくこととなり、上記実施の形態２の場合と同様の理由により、ヘッドチップの熱応力の発生は緩和されている。よって、ヘッドチップ５のクラックは減少する。
【０１１１】
以下、突出部４２を備えたヘッドベース６および図３３に示したマスク１を用いた照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービームのヘッドチップ上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数３００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップ５のクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【０１１２】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が２０％あったものが、図２５に示すような突出部４２を備えたヘッドベース６を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【０１１３】
上記のように構成された実施の形態１９の磁気ヘッドの製造方法を用いると従来の場合より突出部４２が巻線窓部およびアペックス部に近づけて設けてあるのでこの箇所の熱が突出部４２に吸収され、ヘッドチップ５の温度分布が均等に近づいているので、上記実施の形態２と同様にヘッドチップ５の熱応力の発生は緩和される。よって、エネルギービームの繰り返し周波数を上げてヘッドチップの生産を行っても、ヘッドチップ５にクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上させることができる。
【０１１４】
実施の形態２０．
上記実施の形態１９ではヘッドベースの突出部４２を図２５に示すように形成する例を示したが、これに限られることはなく例えば図２６に示すようにヘッドチップ５の温度分布が均等となるようにヘッドベース６に突出部４３を備えるようにしてもよい。
【０１１５】
この突出部４３を備えたヘッドベース６について上記実施の形態１９と同一の照射実験を行った。
以下、突出部４３を備えたヘッドベース６および図３３に示したマスク１を用いた照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービームのヘッドチップ上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数３００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップ５のクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【０１１６】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が２０％あったものが、図２６に示すような突出部４３を備えたヘッドベース６を用いた場合はクラック発生率が０％であった。
【０１１７】
上記のように構成された実施の形態２０の磁気ヘッドの製造方法を用いると上記実施の形態１９と同様にヘッドチップ５の温度分布が均等に近づいているので、ヘッドチップ５の熱応力の発生は緩和される。よって、エネルギービームの繰り返し周波数を上げてヘッドチップの生産を行っても、ヘッドチップにクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上することができる。又、図２６に示すような突出部４３を備えたヘッドベース６を形成する場合には、１枚のヘッドベースの中央部に３ヶ所穴をあけ、それを２等分すれば突出部４３を備えたヘッドベース６が２枚でき、容易に加工することができるという利点がある。
【０１１８】
実施の形態２１．
上記実施の形態１９および実施の形態２０では従来と同様の方法を用いて形成する例を示したが、これに限られることはなく、上記実施の形態１９および実施の形態２０の突出部４２、４３を備えたそれぞれのヘッドベース６において、上記各実施の形態をそれぞれ組み合わせることにより、より一層効果を向上することができることは言うまでもない。
【０１１９】
実施の形態２２．
図２７はこの発明における実施の形態２２のエネルギービーム加工方法の構成を示す斜視図である。図において上記実施の形態１２と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。４４はヘッドチップ５の温度分布が均等となるようにヘッドチップ５のエネルギービーム３の照射面に気体を吹き付けるガスノズルで、ヘッドチップ５の上面より例えば１０ｍｍ離れて設置され、例えば流量１リットル／分にて気体を吹き付ける。気体としては例えば、空気、ヘリウム、アルゴン、窒素など原子番号の小さいものがよく、ここでは窒素を用いる。
【０１２０】
次いで上記のように形成された実施の形態２２のエネルギービーム加工方法について説明する。まず、従来の場合と同様に図３３に示すマスク１を用いて図２７に示すように、まず、ガスノズル４４からヘッドチップ５の巻線窓部およびアペックス部の近傍に窒素を吹き付ける。次に、図３２に示すようにエネルギービーム３をマスク１に通過させ、エネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄのみ透過させる。次に、結像レンズ４にてこのエネルギービーム３を縮小転写しヘッドチップ５に照射する。そして、エネルギービーム３のエネルギービーム透過部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄのパターンに応じたヘッドチップ５の除去部７が図３４に示すように除去され所望の形状に加工される。
【０１２１】
この際、上記各実施の形態で説明したように巻線窓部およびアペックス部の近傍には窒素を吹き付けられており、この箇所の温度上昇を低くする。よって、ヘッドチップ５の温度分布が均等に近づくこととなり、上記実施の形態２の場合と同様の理由により、ヘッドチップ５の熱応力の発生は緩和される。よって、ヘッドチップ５のクラックは減少する。
【０１２２】
以下、ガスノズル４４から窒素をヘッドチップ５の巻線窓部およびアペックス部に吹き付け、マスク１を用いた照射実験について説明する。エネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用し、エネルギービームのヘッドチップ上でのエネルギー密度を３Ｊ／ｃｍ２、エネルギービームの繰り返し周波数４００Ｈｚの条件にて、フライアイレンズを用いたビームホモジナイザ（図示せず）によりエネルギービームのエネルギー密度分布を均一に整形し、ヘッドチップ５にエネルギービームを照射し加工を５０個行う。そして、加工後のヘッドチップ５のクラックの発生状態を光学顕微鏡にて観察した。
【０１２３】
上記条件での従来の場合は図２９から分かるようにクラック発生率が５０％あったものが、図３３に示すようなマスク１を用い図２７に示すようにガスノズル４４にて窒素をヘッドチップ５に吹き付けた場合はクラック発生率が０％であった。
【０１２４】
上記のように構成された実施の形態２２の磁気ヘッドの製造方法に用いると従来の場合より巻線窓部およびアペックス部の熱がガスノズル４４から吹き付けられる窒素にて吸収され、ヘッドチップ５の温度分布が均等に近づいているので、上記実施の形態２と同様にヘッドチップ５の熱応力は緩和される。よって、エネルギービームの繰り返し周波数を上げてヘッドチップの生産を行っても、ヘッドチップにクラックを発生させず加工することができるため、生産効率を向上させることができる。
【０１２５】
実施の形態２３．
上記実施の形態２２では従来と同様の方法を用いて形成する例を示したが、これに限られることはなく、上記実施の形態２２のガスノズル４４を備えるようにして、ヘッドチップ５に気体を吹き付ける状態と、上記実施の形態１ないし実施の形態２１をそれぞれ組み合わせることにより、より一層効果を向上することができることは言うまでもない。
【０１２６】
実施の形態２４．
上記各実施の形態では便宜上、磁気ヘッドの製造に対して説明したが、これに限られることはなく、例えばマイクロマシンに使用される図２８に示すような０．５ｍｍ〜１ｍｍの大きさにて成る歯車を形成する際にも、上記各実施の形態をそれぞれ同様に利用できることは言うまでもない。
尚、上記各実施の形態うち、被加工材自体の厚みを台形形状に変化させるものについては、この実施の形態２４に対して適応することはできない。
【０１２７】
又、エネルギービームを用いて被加工材を加工する方法であれば上記実施の形態にて示した磁気ヘッド、歯車以外にでも、同様に適宜行うことができることは言うまでもない。
【０１２８】
又、上記各実施の形態ではエネルギービーム３を一括にてヘッドチップ５に照射してエネルギービーム加工方法を行う例を示したが、これに限られることはなく例えば、ヘッドチップにエネルギービームを部分的照射し、エネルギービームを走査してエネルギービーム加工方法を行っても同様の効果を奏することは言うまでもない。しかしながら実施の形態のうちエネルギービームのエネルギー密度を各ビームシェイパ３２、３３を用いて変化させる方法は、上記実施の形態中にて説明したヘッドチップ５にエネルギービーム３を一括照射させる方法しか用いることはできない。
【０１２９】
又、上記各実施の形態ではエネルギービームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を使用する例を示したが、これに限られることはなく例えば、ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、ＹＡＧ第２高調波（波長５３２ｎｍ）などのエネルギービームを用いてもよく、それぞれエネルギービームに対し上記各実施の形態に対して実質的な実験結果は異なるものと考えられるが、同様の傾向を得ると考えられるため同様の効果は奏するものと推察できる。
【０１３０】
又、上記各実施の形態ではマスクの材質として誘電体膜を用いる例を示したが、これに限られることはなく金属膜を用いてもよい。しかしながら、エネルギービーム耐性は誘電体膜の方が金属膜より優れている。
【０１３１】
又、上記各実施の形態では被加工材の材料としてフェライトを例に示したがこれに限られることはなく、例えばカーボン、および窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などのセラミックを利用することができると考えられる。それぞれの材料に対し上記各実施の形態に示した実質的な実験結果と異なるものと考えられるが、同様の傾向を得るものと考えられるため同様の効果は奏するものと推察できる。
【０１３２】
【発明の効果】
以上のように、この発明の請求項１によれば、エネルギービーム透過部を備え、このエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して被加工材を局部的に蒸発させ被加工材の所望の除去部を除去するためのエネルギービーム加工用マスクにおいて、除去部の周縁あるいは周縁の一部に沿ってスリット状にのみエネルギービームが照射されるようエネルギービーム透過部をスリット状に形成し、被加工材の温度分布が均等となるようにエネルギービーム透過部のスリット幅を変化させるようにしたので、エネルギービーム透過部を介して被加工材に照射されるエネルギービームの照射部が減少し、さらに被加工材の温度分布が均等に近づくため、被加工材の入熱量が減少し、被加工材の熱膨張量が減少しこれにより発生する熱応力が減少するとともに熱応力の発生が緩和され、この熱応力に起因して発生するクラックを抑制することができる。又、エネルギービームにて除去される被加工材の体積が減少するので、加工時に生じる溶融物や蒸発物が被加工材へ再付着するのを減少させることができるというエネルギービーム加工用マスクを提供することが可能である。
【０１３３】
又、この発明に係る請求項２のエネルギービーム加工用マスクは、請求項１において、エネルギービーム透過部のスリット幅を変化させ被加工材の蒸発速度を変化させるようにしたので、確実に加工したい箇所の被加工材の蒸発速度をはやくし、優先的に精度よく形成することができるエネルギービーム加工用マスクを提供することが可能である。
【０１３４】
又、この発明に係る請求項３のエネルギービーム加工用マスクは、被加工材に互いに独立して設定された除去部の周縁を照射するためのスリット状のエネルギービーム透過部を備えた請求項１または請求項２に記載のエネルギービーム加工用マスクにおいて、エネルギービーム透過部に加え、エネルギービーム透過部を連通するように形成され被加工材の周縁を照射するためのスリット状のエネルギービーム透過部を備えるようにしたので、エネルギービームの照射により被加工材に発生する熱量を連通させたエネルギービーム透過部分大きくすることにより、被加工材の温度分布が均等に近づくため、被加工材の熱応力の発生は緩和され、被加工材のクラックの発生を抑制することができるエネルギービーム加工用マスクを提供することが可能である。
【０１３５】
又、この発明に係る請求項３のエネルギービーム加工用マスクは、エネルギービーム透過部を備え、このエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して被加工材を局部的に蒸発させ被加工材の所望の除去部を除去するためのエネルギービーム加工用マスクにおいて、被加工材の温度分布が均等となるようにエネルギービーム透過部の透過率を変化させるようにしたので、被加工材の温度分布が均等に近づくため、被加工材の熱応力の発生は緩和され、被加工材のクラック発生を抑制することができるエネルギービーム加工用マスクを提供することが可能である。
【０１３６】
又、この発明に係る請求項４のエネルギービーム加工方法は、エネルギービーム加工用マスクのエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して被加工材を局部的に蒸発させ被加工材の所望の除去部を除去するエネルギービーム加工方法において、被加工材の温度分布が均等となるようにエネルギービームの密度を変化させるようにしたので、被加工材の温度分布が均等に近づくため、被加工材の熱応力の発生は緩和され、被加工材のクラック発生を抑制することができるエネルギービーム加工方法を提供することが可能である。
【０１３７】
又、この発明に係る請求項５のエネルギービーム加工方法は、エネルギービーム加工用マスクのエネルギービーム透過部を介して被加工材にエネルギービームを照射して被加工材を局部的に蒸発させ被加工材の所望の除去部を除去するエネルギービーム加工方法において、エネルギービームの照射時に、被加工材の反照射面に熱吸収材を密着させ、被加工材と熱吸収材との間に液体を介在させたので、被加工材と熱吸収体とが液体の毛細管現象により確実に熱的に密着されるため、熱吸収材が被加工材の熱を確実に吸収し、被加工材の熱膨張量が確実に減少し、これにより発生する熱応力が確実に減少し、この熱応力に起因し発生するクラックをより一層抑制することができる。又、熱吸収材は被加工材の除去部が除去される直前の薄いシート状になった際、確実に機械的補強材と働くため、除去部周辺に生じるチッピングが確実に防止され、これにより生じるクラックをより一層抑制することができる。又、液体は被加工材の熱を吸収するためより一層クラックの抑制を行うことができるエネルギービーム加工方法を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１におけるエネルギービーム加工用マスクの構成を示す平面図である。
【図２】  図１に示したエネルギービーム加工用マスクを介してエネルギービームを被加工材に照射した状態を示す平面図である。
【図３】  この発明の実施の形態２におけるエネルギービーム加工用マスクの構成を示す平面図である。
【図４】  この発明の実施の形態３におけるエネルギービーム加工用マスクの構成を示す平面図である。
【図５】  図４に示したエネルギービーム加工用マスクを介してエネルギービームをヘッドチップに照射した状態を示す平面図である。
【図６】  この発明の実施の形態４におけるエネルギービーム加工用マスクの一部の構成を示す平面図である。
【図７】  この発明の実施の形態５におけるエネルギービーム加工用マスクの構成を示す平面図である。
【図８】  この発明の実施の形態５におけるマスクに用いる誘電体膜の積層膜数に対する反射率を示す図である。
【図９】  この発明の実施の形態５におけるマスクに用いる誘電体膜の膜層膜数に対する反射率を示す図である。
【図１０】  この発明の実施の形態５におけるマスクの製造工程を示す図である。
【図１１】  この発明の実施の形態５におけるマスクの製造工程を示す図である。
【図１２】  この発明の実施の形態５におけるマスクの製造工程を示す図である。
【図１３】  この発明の実施の形態５におけるマスクの製造工程を示す図である。
【図１４】  この発明の実施の形態５におけるマスクの製造工程を示す図である。
【図１５】  この発明の実施の形態７の磁気ヘッド製造方法の構成を示す図である。
【図１６】  図１５に示した磁気ヘッド製造方法のエネルギー密度の縦方向のビームプロファイルを示す図である。
【図１７】  図１５に示した磁気ヘッド製造方法のエネルギー密度の横方向のビームプロファイルを示す図である。
【図１８】  図１６および図１７のビームプロファイルを有するエネルギービームがマスクを通過した際の、線ＩＩ−ＩＩおよび線ＩＩＩ−ＩＩＩにおけるエネルギー密度のビームプロファイルを示す図である。
【図１９】  この発明の実施の形態９における被加工材の構成を示す斜視図である。
【図２０】  この発明の実施の形態１０における被加工材の構成を示す斜視図である。
【図２１】  この発明の実施の形態１２におけるエネルギービーム加工方法の構成を示す斜視図である。
【図２２】  この発明の実施の形態１３におけるエネルギービーム加工方法の構成を示す斜視図である。
【図２３】  この発明の実施の形態１４におけるエネルギービーム加工方法の構成を示す斜視図である。
【図２４】  この発明の実施の形態１５におけるエネルギービーム加工方法の構成を示す斜視図である。
【図２５】  この発明の実施の形態１９におけるエネルギービーム加工方法の構成を示す平面図である。
【図２６】  この発明の実施の形態２０におけるエネルギービーム加工方法の構成を示す平面図である。
【図２７】  この発明の実施の形態２２におけるエネルギービーム加工方法の構成を示す斜視図である。
【図２８】  この発明の実施の形態２４における歯車の構成を示す図である。
【図２９】  従来の方法における各エネルギー密度におけるクラック発生率を示す図である。
【図３０】  図１に示した線Ｖ−Ｖに対応するヘッドチップの温度分布を示す図である。
【図３１】  図３に示した線ＶＩ−ＶＩに対応するヘッドチップの温度分布を示す図である。
【図３２】  従来のエネルギービーム加工方法の構成を示す図である。
【図３３】  従来のマスクの構成を示す図である。
【図３４】  従来の磁気ヘッドの構成を示す平面図である。
【図３５】  適正条件にてヘッドチップを加工する際の図３３に示した線ＩＶ−ＩＶに対応するヘッドチップの温度分布を示す図である。
【図３６】  適正条件以外にてヘッドチップを加工する際の図３３に示した線ＩＶ−ＩＶに対応するヘッドチップの温度分布を示す図である。
【符号の説明】
１３，１６，１８，２０，２２  マスク、
１４，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，２１ａ，２１ｂ，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ  エネルギービーム透過部、
２５  第１の誘電体膜、２７  第２の誘電体膜、２８  金属Ｃｒ膜、
２９  吸収膜、３２  第１のビームシェイパ、３３  第２のビームシェイパ、
３４，３５  ヘッドチップ、３６  銅板、３７  電磁石、３８  銅ブロック、
３９  冷却管、４０  滴下装置、４１  水、４２，４３  突出部、
４４  ガスノズル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003654691.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
0003654691.tif 000020
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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