(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上にクロムまたは酸化クロム膜からなる成膜部及び前記透明基板の四隅に非成膜部を有するフォトマスク用ブランクスにおいて、前記フォトマスク用ブランクスの前記非成膜部に導電性薄膜を追加成膜することを特徴とするフォトマスク用ブランクス。
【請求項２】
前記導電性薄膜が透明導電性薄膜からなることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク用ブランクス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のフォトマスク用ブランクスを用いて、電子ビーム描画機による電子ビーム描画、現像等の一連のパターニング処理を施して得られることを特徴とするフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造プロセス中のフォトリソグラフィ工程で使用される露光転写用のフォトマスクを製造するためのフォトマスク用ブランクス及びフォトマスクに係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のフォトマスク用ブランクスはガラス基板上にクロムまたは酸化クロム膜をスパッタ又は蒸着等により成膜して用いられているのが一般的である。この成膜工程ではフォトマスク用ブランクスの欠陥を低減する観点から、ガラス基板をターゲット等の蒸発源よりも上に配置し、ガラス基板下方から成膜する方法が用いられている。
【０００３】
図３にホルダー枠３１及び基板支持部３２からなる成膜用基板ホルダー３０の平面図を、図４に成膜用基板ホルダー３０を用いて作製したフォトマスク用ブランクス４０の平面図をそれぞれ示す。成膜用基板ホルダー３０を用いてフォトマスク用ブランクス４０を作製する場合成膜用基板ホルダー３０の基板支持部３２でガラス基板を支持しているため、基板支持部３２（一般的には四隅）では成膜が阻害され、フォトマスク用ブランクス４０の四隅に非成膜部４２が発生する。この非成膜部４２は成膜用基板ホルダー３０の基板支持部３２の形状によって決まり、通常ガラス基板の四隅に形成され、小さな部位であるが、ガラス基板下方から成膜する方式では、この非成膜部４２を無くすことは不可能である。
【０００４】
非成膜部４２を有するフォトマスク用ブランクス４０にレジストを形成して電子ビーム描画機でパターン描画する際電子線照射によってフォトマスク用ブランクス上に電荷が蓄積し（チャージアップと呼ばれる）、この電荷の影響で作製されたフォトマスクの描画パターンが歪んでしまうという問題が発生する。
しかし、現在広く導入されている加速電圧が１０〜２０ｋＶの描画機においては、フォトマスク用ブランクスの成膜部をアースをとることで電荷蓄積を問題ない程度までに抑えている。
【０００５】
一方、これまで主流であった加速電圧が１０〜２０ｋＶの電子ビーム描画機に対して、解像性や描画精度の点で優れている加速電圧が５０ｋＶ台の高加速電圧の電子ビーム描画機が導入され始めている。
【０００６】
しかしながら、加速電圧が高くなると電子ビームの後方への散乱が大きくなり、絶縁性の高いフォトマスク用ブランクス上の非成膜部に電荷がたまり、チャージアップを起こしてしまい、フォトマスクのコーナー付近でのみ、位置精度が大幅に悪化するという問題が発生している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたもので、高加速電圧の電子ビーム描画機を用いて電子ビーム描画する際レジストコートしたブランクス上で電荷のチャージアップをおこさないフォトマスク用ブランクス及びパターン位置精度の優れたフォトマスクを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記問題を解決するために、まず請求項１においては、透明基板上にクロムまたは酸化クロム膜からなる成膜部及び透明基板の四隅に非成膜部を有するフォトマスク用ブランクスにおいて、前記フォトマスク用ブランクスの前記非成膜部に導電性薄膜を追加成膜することを特徴とするフォトマスク用ブランクスとしたものである。
【０００９】
また、請求項２においては、前記導電性薄膜が透明導電性薄膜からなることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク用ブランクスとしたものである。
【００１０】
さらにまた、請求項３においては、請求項１または２に記載のフォトマスク用ブランクスを用いて、電子ビーム描画機による電子ビーム描画、現像等の一連のパターニング処理を施して得られることを特徴とするフォトマスクとしたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明のフォトマスク用ブランクス２０を作製するための追加成膜用窓１２を有する追加成膜用基板ホルダー１０の平面図を、図２は追加成膜用基板ホルダー１０を用いて作製した本発明のフォトマスク用ブランクス２０の一実施例を示す平面図を、図３は従来のフォトマスク用ブランクス４０を作製するための成膜用基板ホルダー３０の平面図を、図４は成膜用基板ホルダー３０を用いて作製した従来のフォトマスク用ブランクス４０の一実施例を示す平面図を、それぞれ示す。
【００１２】
本発明のフォトマスク用ブランクス及びフォトマスクの作製法について説明する。
まず、基板ホルダー枠３１及び基板支持部３２を有する成膜用基板ホルダー３０に透明基板をセットし、スパッター又は蒸着にて透明基板上にクロムまたは酸化クロム膜を下方から成膜して成膜部４１及び非成膜部４２を有する従来のフォトマスク用ブランクス４０を作製する。
【００１３】
次に、追加成膜用窓１２を有する追加成膜用基板ホルダー１０を用いて従来のフォトマスク用ブランクス４０の非成膜部４２にスパッター又は蒸着にて透明導電性薄膜を追加成膜して追加成膜部２２を有する本発明のフォトマスク用ブランクス２０を作製する。
ここで、透明導電性薄膜の材料としてはＴａ（タンタル）等の金属及びＩｎ2Ｏ3（酸化インジウム）等の金属酸化物が使用できる。
【００１４】
次に、フォトマスク用ブランクス２０上にフォトレジストを塗布し、感光層を形成して、高加速電圧の電子ビーム描画機を用いて電子ビーム描画し、現像等のパターニング処理を施して本発明のフォトマスクを作製する。
ここで、電子ビーム描画の際の電荷のチャージアップ、特にコーナー部でのチャージアップを防止でき、結果としてパターン位置精度が大幅に向上したフォトマスクを得ることができる。
また、追加成膜した後も本発明のフォトマスク用ブランクスのコーナー部の形状を認識できるため、容易にブランクスの膜種の識別が可能である。
【００１５】
【実施例】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、合成石英からなる透明基板を基板支持部３２を有する成膜用基板ホルダー３０にセットし、透明基板上にクロム及び酸化クロムの２層膜からなる成膜部４１をスパッターにて形成し、非成膜部４２を有する従来のフォトマスク用ブランクス４０を作製した。
【００１６】
次に、上記従来のフォトマスク用ブランクス４０を追加成膜用窓１２を有する追加成膜用ホルダー１０にセットし、スパッタリング装置を用いてＴａを下方から成膜して追加成膜部２２を有する本発明のフォトマスク用ブランクス２０を作製した。
【００１７】
次に、本発明のフォトマスク用ブランクス２０上に電子ビームレジストを塗布して感光層を形成し、高加速電圧の電子ビーム描画機（ＨＬ−８００Ｍ：日立製作所製）を用いて、電子ビーム描画、現像等のパターニング処理を施して本発明のフォトマスクを作製した。
【００１８】
【発明の効果】
本発明のフォトマスク用ブランクスを用いることにより、高加速電圧の電子ビーム描画機を用いて電子ビーム描画する際レジストコートしたフォトマスク用ブランクス上の電荷のチャージアップを確実に防止できる。
その結果、パターン位置精度の優れた、高精度のフォトマスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフォトマスク用ブランクスを作製するための追加成膜用基板ホルダー１０の平面図を示す。
【図２】追加成膜用基板ホルダー１０を用いて作製した本発明のフォトマスク用ブランクス２０の一実施例を示す平面図である。
【図３】従来のフォトマスク用ブランクス４０を作製するための成膜用基板ホルダー３０の平面図を示す。
【図４】成膜用基板ホルダー３０を用いて作製した従来のフォトマスク用ブランクス４０の一実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
１０……追加成膜用基板ホルダー
１１……ホルダー枠
１２……追加成膜用窓
２０……フォトマスク用ブランクス
２１……成膜部
２２……追加成膜部
３０……成膜基板用ホルダー
３１……基板ホルダー枠
３２……基板支持部
４０……フォトマスク用ブランクス
４１……成膜部
４２……非成膜部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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