(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射された放射線の線量に応じて電気信号を出力する複数の放射線検出素子が２次元に配置されていると共に、走査線と信号線が直行するように配置されており、前記２次元に配置された複数の放射線検出素子から各放射線検出素子を１画素とする出力信号を得るものとし、前記出力信号に基づいて作成された第１の画像データから画像欠陥を検出すると共に、検出された画像欠陥の位置を示す欠陥情報を生成し、被写体を透過した放射線を前記複数の放射線検出素子に照射して作成した第２の画像データでの前記欠陥情報で示された画像欠陥の画像データを補正する放射線画像処理方法であって、
前記第１の画像データから画像欠陥を検出するにあたって、第１の画像データとして縦方向あるいは横方向に隣接する複数ライン分の画像データを用いて、ライン状の画像欠陥を検出する事を特徴とする放射線画像処理方法。
【請求項２】
前記第１の画像データとして更に画素毎の画像データを用いる事を特徴とする請求項１に記載の放射線画像処理方法。
【請求項３】
前記第１の画像データは、トレンド除去した後の画像データであることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像処理方法。
【請求項４】
照射された放射線の線量に応じて電気信号を出力する複数の放射線検出素子が２次元に配置されていると共に、走査線と信号線が直行するように配置されており、前記２次元に配置された複数の放射線検出素子から各放射線検出素子を１画素とする出力信号に基づいて作成された第１の画像データから画像欠陥を検出すると共に、検出された画像欠陥の位置を示す欠陥情報を生成する欠陥検出手段と、前記欠陥検出手段で生成された欠陥情報を記憶する欠陥情報記憶手段と、前記欠陥情報記憶手段に記憶した欠陥情報に基づき、被写体を透過した放射線を前記複数の放射線検出素子に照射して作成した第２の画像データの画像欠陥を補正する欠陥補正手段とを有する放射線画像処理装置であって、前記第１の画像データから画像欠陥を検出するにあたって、第１の画像データとして少なくとも縦方向あるいは横方向に隣接する複数ライン分の画像データを用いて、ライン状の画像欠陥を検出することを特徴とする放射線画像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、放射線画像処理方法および放射線画像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、疾病の診断等のため、放射線画像を得ることができる放射線画像読取装置が知られている。この放射線画像読取装置では、例えば放射線エネルギーの一部を蓄積して、その後可視光等の励起光を照射すると蓄積されたエネルギーに応じて輝尽発光を示す輝尽性蛍光体をシート状とした輝尽性蛍光体シートが用いられる。この輝尽性蛍光体シートを用いる装置では、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体シートに照射することで被写体の放射線画像情報を記録し、この情報が記録された輝尽性蛍光体シートにレーザ光等を照射して得られる輝尽発光を集光して光電素子で電気信号に変換することにより、この電気信号に基づいて放射線画像の画像データが生成される。さらに、Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ(ＦＰＤ)と呼ばれる、２次元的に配列された複数の検出素子で照射された放射線の線量に応じた電気信号を生成し、この電気信号に基づいて画像データが生成される装置も使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、複数の検出素子が２次元的に配列されているＦＰＤでは、照射された放射線の線量に対する電気信号の信号レベル（信号値）が全ての検出素子で均一ではなく、破損した素子や不良な素子など信号レベルが他の検出素子とは異なったレベル、すなわち異常なレベルとなってしまう検出素子（以下「欠陥画素」という）を含む場合がある。このような欠陥画素を含む場合には、撮像パネルから読み出された信号に基づく画像データにおいて画像欠陥が生じてしまうことから、撮影画像から病変等の読影をする際に、その妨げとなってしまう場合が生じてしまう。
【０００４】
そこで、この発明では、画像データに画像欠陥が生じた場合であっても良好な放射線画像を得ることができる放射線画像処理方法および放射線画像処理装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る放射線画像処理方法は、２次元的に配列された複数の放射線検出素子から各放射線検出素子を１画素とする出力信号を得るものとし、前記出力信号に基づいて作成された第１の画像データから画像欠陥を検出すると共に、検出された画像欠陥の位置を示す欠陥情報を生成し、被写体を透過した放射線を前記複数の放射線検出素子に照射して作成した第２の画像データでの前記欠陥情報で示された画像欠陥の画像データを補正する放射線画像処理方法であって、第１の画像データから画像欠陥を検出するにあたって、第１の画像データとして縦方向あるいは横方向に隣接する複数ライン分の画像データを用いてライン状の画像欠陥を検出するものである。
【０００６】
この発明に係る放射線画像処理装置は、２次元的に配列された複数の放射線検出素子から各放射線検出素子を１画素とする出力信号に基づいて作成された第１の画像データから画像欠陥を検出すると共に、検出された画像欠陥の位置を示す欠陥情報を生成する欠陥検出手段と、前記欠陥検出手段で生成された欠陥情報を記憶する欠陥情報記憶手段と、前記欠陥情報記憶手段に記憶した欠陥情報に基づき、被写体を透過した放射線を前記複数の放射線検出素子に照射して作成した第２の画像データの画像欠陥を補正する欠陥補正手段とを有する放射線画像処理装置であって、第１の画像データから画像欠陥を検出するにあたって、第１の画像データとして縦方向あるいは横方向に隣接する複数ライン分の画像データを用いてライン状の欠陥を検出するものである。
【０００７】
この発明においては、２次元的に配列された複数の放射線検出素子から各放射線検出素子を１画素とする出力信号を得るものとし、出力信号に基づいて作成された第１の画像データから画像欠陥を検出すると共に、検出された画像欠陥の位置を示す欠陥情報を生成し、被写体を透過した放射線を複数の放射線検出素子に照射して作成した第２の画像データでの欠陥情報で示された画像欠陥の画像データを補正するとき、第１の画像データから画像欠陥を検出するにあたって、第１の画像データとして縦方向あるいは横方向に隣接する複数ライン分の画像データを用いてライン状の欠陥を検出するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
次に、この発明の実施の一形態について図を用いて詳細に説明する。被写体の放射線画像を得るために放射線発生器から出力された放射線は、被写体を通じて画像処理装置の撮像パネル１１に照射される。撮像パネル１１の領域は、図１に示すように複数のブロックＡＲ-(0,0)〜ＡＲ-(m,n)に区分されている。１つのブロック、例えばブロックＡＲ-(0,0)では、図２に示すように、照射された放射線の線量に応じて電気信号を出力する検出素子ＤＴ(0,0)〜ＤＴ(j,k)が２次元配置されていると共に、走査線１１４-0〜１１４-kと信号線１１６-0〜１１６-jが例えば直交するように配設される。
【０００９】
走査線１１４-0〜１１４-kは走査駆動部１４と接続されており、走査駆動部１４では後述する制御部４０から供給された制御信号ＣＴＡに基づき読出信号ＲＳを生成して走査線１１４-0〜１１４-kのうちの１つ走査線１１４-p（pは0〜kのいずれかの値）に出力する。この読出信号ＲＳによって、走査線１１４-pに接続された検出素子ＤＴ(0,p)〜ＤＴ(j,p)から、照射された放射線の線量に応じた電気信号ＳＶ-0〜ＳＶ-jが出力されて、信号線１１６-0〜１１６-jを介して画像データ生成部１６-(0,0)に供給される。
【００１０】
他のブロックＡＲ-(0,1)〜ＡＲ-(0,n)，ＡＲ-(1,0)〜ＡＲ-(1,n)，・・・，ＡＲ-(m,n)もブロックＡＲ-(0,0)と同様に、走査駆動回路１４からの読出信号ＲＳによって各ブロック内の（ｊ×ｋ）個の検出素子から、照射された放射線の線量に応じた電気信号ＳＶが出力されて、各ブロックに対応する画像データ生成部１６-(0,1)〜１６-(0,n)，１６-(1,0)〜１６-(1,n)，・・・，１６-(m,n）に供給される。
【００１１】
なお、ブロックＡＲ-(0,0)で用いた走査線１１４-0〜１１４-kを他の各ブロックでもブロックＡＲ-(0,0)と同様に用いるものとすれば、各ブロックの例えば同じ列番号の検出素子から同じタイミングで電気信号ＳＶを簡単に出力させることができる。
【００１２】
ここで、検出素子ＤＴは、照射された放射線の線量に応じた電気信号を出力するものであれば良い。例えば放射線が照射されたときに電子−正孔対が生成されて抵抗値が変化する光導電層を用いて検出素子が形成されている場合、この光導電層で生成された放射線量に応じた量の電荷が電荷蓄積コンデンサに蓄えられて、この電荷蓄積コンデンサに蓄えられた電荷が電気信号として画像データ生成部１６に供給される。なお、光導電層としては暗抵抗値が高いものが望ましく、アモルファスセレン、酸化鉛、硫化カドミウム、ヨウ化第２水銀、または光導電性を示す有機材料（Ｘ線吸収コンパウンドが添加された光伝導性ポリマを含む）などが用いられ、特にアモルファスセレンが望ましい。
【００１３】
また、検出素子ＤＴが、例えば放射線が照射されることにより蛍光を生ずるシンチレータ等を用いて形成されている場合、フォトダイオードにおいて、このシンチレータで生じた蛍光強度に基づく電気信号を生成して画像データ生成部１６に供給するものとしてもよい。なお、シンチレータとしては、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、ＭＸ：Ｔｌ（Ｍ＝Ｒｂ、Ｃｓ：Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ＢａＦＸ：Ｅｕ（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ＬａＯＢｒ：Ａ（Ａ＝Ｔｂ、Ｔｍ）、ＹＴａＯ4、〔Ｙ,Ｓｒ〕ＴａＯ4：Ｎｂ、ＣａＷＯ4などが用いられ、特にＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＢａＦＣｌ：Ｅｕが望ましい。
【００１４】
撮像パネル１１の１つの検出素子は１画素とされて、画像データ生成部１６-(0,0)では、制御部４０から供給された制御信号ＣＴＢに基づき、供給された電気信号ＳＶ-0〜ＳＶ-jを順次選択してディジタルの画素データＳＤ-(0,0)に変換する。また画像データ生成部１６-(0,1)〜１６-(0,n)，１６-(1,0)〜１６-(1,n)，・・・，１６-(m,n)でも同様にして、画像データＳＤ-(0,1)〜ＳＤ-(0,n)，ＳＤ-(1,0)〜ＳＤ-(1,n)，・・・，ＳＤ-(m,n)を生成する。画像データ生成部１６−(0,0)〜１６−(m,n)で生成された１画面分（１画像分）の画像データＳＤ-(0,0)〜ＳＤ-(m,n)は、制御部４０からの制御信号ＣＴＣに基づいて画像メモリ部２０に書き込まれる。
【００１５】
この画像メモリ部２０には欠陥検出部２４と欠陥補正部２８が接続されており、欠陥検出部２４では、制御部４０からの制御信号ＣＴＤに基づき画像メモリ部２０に書き込まれている画像データＳＤを用いて、電気信号ＳＶの信号レベルが他の検出素子とは異なるレベルとなる検出素子からの画像データの検出、すなわち画像欠陥の検出を行う。ここで、欠陥検出部２４で画像欠陥が検出されたときには、画像欠陥の位置を示す情報ＦＤが生成されて欠陥情報メモリ部２６に記憶される。
【００１６】
また、欠陥補正部２８では、制御部４０からの制御信号ＣＴＥに基づき、放射線を被写体に照射して作成されて画像データＳＤが画像メモリ部２０に書き込まれたときには、欠陥情報メモリ部２６に記憶されている画像欠陥の位置を示す情報ＦＤを用いて、画像メモリ部２０の画像欠陥の画像データを補正する。
【００１７】
その後、画像メモリ部２０に書き込まれている画像データＳＤに対して、画像欠陥の補正が完了したときには、制御部４０からの制御信号ＣＴＣに基づき、補正が完了した画像データが画像メモリ部２０から読み出されて出力される。
【００１８】
制御部４０では、放射線照射前に撮像パネル１１の電荷蓄積コンデンサから蓄えられている電荷を排出させるための初期化動作や撮像パネル１１に照射された放射線に基づき電荷蓄積コンデンサに蓄えられた電荷を読み出して画像データを画像メモリ部２０に書き込む処理、および画像欠陥の検出や補正を行うための制御信号ＣＴＡ〜ＣＴＥが生成する。
【００１９】
次に、欠陥検出部２４での画像欠陥の検出方法および欠陥補正部２８での画像欠陥の補正方法について説明する。
【００２０】
画像欠陥の検出では、撮像パネル１１の電荷蓄積コンデンサから蓄えられている電荷を排出させるための初期化動作を実施し、放射線未照射状態で生成されて画像メモリ部２０に書き込まれた画像データ（以下「放射線未照射画像データＳＤＡ」という）、初期化動作を実施し放射線を一様に照射してから生成されて画像メモリ部２０に書き込まれた画像データ（以下「放射線一様照射画像データＳＤＢ」という）、あるいは初期化動作を実施し被写体を透過させて放射線を照射してから生成されて画像メモリ部２０に書き込まれた画像データ（以下「放射線被写体照射画像データＳＤＣ」という）を用いて画像欠陥の検出が行われる。
【００２１】
図３は第１の画像欠陥の検出方法を説明するための図である。図３Ａは、画像メモリ部２０に書き込まれている１画面分の画像データを示しており、この画像メモリ部２０から例えば横方向に画像データを順次読み出し、図３Ｂに示すようにしきい値ＴＡＨ，ＴＡＬと比較されて画像欠陥の検出が行われる。
【００２２】
しきい値ＴＡＨ，ＴＡＬは例えば図４に示すように画像データのヒストグラムに基づいて設定される。正常な画像データの分布が図４の斜線部で示すような分布となる場合、低レベル側しきい値ＴＡＬは正常な画像データの分布よりも低レベル側に設定されると共に、高レベル側しきい値ＴＡＨは正常な画像データの分布よりも高レベル側に設定される。ここで、画像データのレベルが高レベル側しきい値ＴＡＨよりも大きくなる画素Ｐ(a,ba)や低レベル側しきい値ＴＡＬよりも小さくなる画素Ｐ(a,bb)は、画像欠陥を生ずる欠陥画素と判別されて、画素Ｐ(a,ba)，Ｐ(a,bb)の位置情報が画像欠陥の位置を示す情報として欠陥情報メモリ部２６に記憶される。
【００２３】
図５は画像欠陥の第２の検出方法を説明するための図である。図５Ａは、画像メモリ部２０に書き込まれている１画面分の画像データを示しており、欠陥画素が生ずるか否かの判別が行われる画素Ｐ(c,d)に対して、例えば図５Ｂの斜線で示す周辺の８画素の画像データの平均レベルＭＤ(c,d)を求め、画素Ｐ(c,d)の画像データＳＤ(c,d）が平均レベルＭＤ(c,d)に対して所定範囲内（ＭＤ(c,d)−Ｗ〜ＭＤ(c,d)＋Ｗ）であるか否かの判別が行われる。ここで、画像データＳＤ(c,d）が所定範囲内（ＭＤ(c,d)−Ｗ〜ＭＤ(c,d)＋Ｗ）で無いときには画素Ｐ(c,d)が画像欠陥を生ずる欠陥画素と判別されて、画像欠陥の位置すなわち、画素Ｐ(c,d)の位置を示す情報が欠陥情報メモリ部２６に記憶される。なお、平均レベルを算出するために用いられる画素の画像データは、図５Ｂの斜線で示す部分の８画素に限られるものでなく、例えばハッチングで示す部分を含めた２４画素の画像データ等を用いても良い。また、「Ｗ」はもともとの画像データがもつレベル変動（ノイズなどに依存する）を検出せずに、画像欠陥を検出する範囲で任意に決めることができる。
【００２４】
ところで、上述の第１および第２の画像欠陥の検出方法では、１画素毎に画像欠陥であるか否かを判別するものであるが、欠陥画素と正常画素の画像データのレベル差が大きくない場合には、レベル差が正常画素の画像データのレベル変動であるか画像欠陥であるか判別することが困難である。そこで、画像欠陥がライン状であるときには、欠陥画素と正常画素の画像データのレベル差が大きくない場合であっても画像欠陥を検出できる方法を第３の画像欠陥の検出方法として説明する。
【００２５】
図６は第３の画像欠陥の検出方法を説明するための図である。図６Ａは、画像メモリ部２０に書き込まれている１画面分の画像データを示しており、この１画面分の画像データから、縦方向あるいは横方向に隣接する複数ライン分の画像データを読み出して、読み出し方向と直交する方向での平均レベルが求められる。この求められた平均レベルが上述の第１の画像欠陥の検出方法と同様にしきい値と比較されて画像欠陥の検出が行われる。
【００２６】
例えば、図６Ａに示すように横方向のｅラインから（ｅ＋ｆ）ラインまでの（ｆ＋１）ライン分の画像データが画像メモリ部２０から読み出されて、縦方向の画素列毎の平均レベルが算出されて、図６Ｂに示すように（ｆ＋１）ライン分の画像データを平均した１ラインの画像データが算出される。ここで、画像欠陥が縦方向のライン状である場合、欠陥画素と正常画素の画像データのレベル差が大きくない場合であっても、平均レベルを算出することによって正常画素の画像データのレベル信号の変動分を小さくすることができる。このため、図６Ｃに示すように１ライン分の画像データでは検出しにくい画素Ｐ(e+h,g)の画像欠陥も、（ｆ＋１）ライン分の画像データの平均レベルを算出することで、図６Ｂに示すように画素Ｐ(e〜e+f,g)に相当する画像データを正常画素の画像データとは異なるレベルとすることができるので、複数ライン分の画像データの平均レベルに応じて設定された低レベル側しきい値ＴＢＬおよび高レベル側しきい値ＴＢＨと求められた平均レベルを比較し、求められた平均レベルが設定された低レベル側しきい値ＴＢＬから高レベル側しきい値ＴＢＨまでの範囲内であるか否かを判別することによって容易にライン状の画像欠陥を検出することができる。また、求められた平均レベルがｅラインや（ｅ＋ｆ）ラインの周囲の画像データの平均レベルに対して所定範囲内であるか否かによってもライン状の画像欠陥を検出することができる。ここで、画像欠陥と判別されたときには、縦方向に（ｆ＋１）行分の画素すなわち画素Ｐ(e〜e+f,g)が欠陥画素と判別されて、画素Ｐ(e〜e+f,g)の位置を示す情報が欠陥情報メモリ部２６に記憶される。
【００２７】
画像メモリ部２０から読み出される画像データのヒストグラムが広い幅をもち、例えば図７Ａに示すように１ラインの画像データＳＤＣの信号レベルが広い範囲にある場合、画像メモリ部２０から読み出された画像データとしきい値ＴＣＬおよびしきい値ＴＣＨを比較しただけでは画素Ｐ(q,r)の画像欠陥を検出することができない。そこで、被写体に応じた画像データから一様な勾配や低周波成分を除去するトレンド除去を行い、上述の第１〜第３の画像欠陥の検出方法を用いることにより、正しく画像欠陥の検出を行うことができる。
【００２８】
このトレンド除去の一例としては、１ライン分の画像データからムージングを行って高周波成分を除くものとし、元の画像データからスムージングによって得られた画像データを減算あるいは除算することよって、図７Ｂに示すように低周波成分を除いた高周波成分だけの画像データＨＳＤＣが生成される。
【００２９】
また、トレンド除去を行った場合には、図４と比較して図８の斜線で示すように正常な画像データのヒストグラムの幅が狭いものとされる。このため、低レベル側しきい値ＴＤＬから高レベル側しきい値ＴＤＨまでの幅も、トレンド除去を行う前よりも狭く設定することができるので、画像欠陥の検出を精度良く行うことができる。また、画像データＨＳＤＣを用いて上述の第２および第３の画像欠陥の検出方法を行うことにより、画像欠陥を検出することができることは勿論である。
【００３０】
このようにして、欠陥検出部２４で画像欠陥が検出されたときには、画像欠陥の位置を示す情報ＦＤが欠陥情報メモリ部２６に記憶される。ここで、欠陥情報メモリ部２６には画像欠陥の位置を示す情報ＦＤとして例えば画像欠陥を生ずる画素のアドレスが記憶される。また欠陥情報メモリ部２６に、マップ形式で画像欠陥の位置を示す情報ＦＤを記憶するものとしてもよい。すなわち、欠陥情報メモリ部２６に１画面分の画素と対応するメモリ領域を設けるものとし、画像欠陥が検出されたときには、この画像欠陥と生ずる画素の位置と対応するメモリ領域内の位置に所定のデータ値を書き込むものとしてもよい。例えば、正常画素の信号レベルを「１」、欠陥画素の信号レベルを「０」などとすることができる。
【００３１】
欠陥補正部２８では、欠陥情報メモリ部２６に記憶されている画像欠陥の情報ＦＤを読み出して欠陥の位置を判別し、この判別された画像欠陥の画像データの補正を行う。ここで、画像欠陥の位置を示す情報として画像欠陥を生ずる画素のアドレスが記憶されているときには、記憶されたアドレスを順次読み出すことで画像欠陥の位置が判別される。またマップ形式で画像欠陥の位置を示す情報が欠陥情報メモリ部２６に記憶されているときには、メモリ領域内のデータ値が所定のデータ値であるか否かを順次検出することにより画像欠陥であるか否かを判別することができる。
【００３２】
この欠陥補正部２８で画像欠陥の位置が判別されると、画像欠陥を生ずる画素の周囲の正常画素の画像データを画像メモリ部２０から読み出し、この読み出した画像データを用いて補正を行う。補正方法の一例として、正常画素の画像データの平均レベルを欠陥画素の画像データとする、というものがある。図９Ａに示すように、画像欠陥を生ずる画素Ｐ(s,t)の周囲が正常画素であるときには、画素Ｐ(s,t)の上下方向と左右方向に隣接する４画素、あるいは斜線で示す斜め方向に隣接する画素を含めた８画素、またはハッチングで示す部分を含めた２４画素の画像データの平均レベルが算出されて、この平均レベルが補正後の画素Ｐ(s,t)の画像データとされる。
【００３３】
また、画像欠陥を補正する場合には、画素Ｐ(s,t)からの距離によって画像データの重み付けを行うものとし、重み付けがなされた画像データの平均レベルを補正後の画像データとすることもできる。例えば図９Ｂに示すように、画素Ｐ(s,t)の中心から上下左右の画素の中心までの距離を「１」としたとき斜めの画素の中心までの距離が「√２」であることから、斜めの画素の画像データを（１／√２）倍して重み付けを行い、重み付けがなされた画像データの平均レベルが補正後の画像データとされる。
【００３４】
なお、欠陥補正部２８は、周囲の画像データの平均レベルを補正後の画像データとして用いるものに限られるものではなく、例えば『「Restoring Spline Interpolation of CT Images」IEEE TRANSACTION ON MEDICAL IMAGING VOL.MI-2,NO3 SEPTEMBER 1983 、「Cubic Convolution for Digtal Image Processing IEEE TRANSACTION ON ACOUSTICS AND SIGNAL PROCESSING VOL.ASSP-29」』に記載されているニアレスト・ネイバー補間、ベルースプライン補間、リニア補間、キュービック・コンボリュージョン補間等によって得られた画像データを補正後の画像データとして用いるものとしてもよい。
【００３５】
このようにして得られた補正後の画像データは、画像メモリ部２０に供給されて画像欠陥の位置と対応する画像メモリ部２０の位置に書き込まれるか、または補正した画像データを用い、新たに１つの画像データを作成し画像メモリ部２０に書き込むようにする。
【００３６】
次に放射線画像処理装置の動作について説明する。撮像パネル１１を用いて放射線画像の撮影する場合、画像メモリ部２０に放射線未照射画像データＳＤＡや放射線一様照射画像データＳＤＢあるいは放射線被写体照射画像データＳＤＣを画像メモリ部２０に書き込み、この画像メモリ部２０に書き込まれている画像データを用いて、欠陥検出部２４で画像欠陥の検出を行う。
【００３７】
この画像欠陥の検出では、放射線未照射画像データＳＤＡや放射線一様照射画像データＳＤＢあるいは放射線被写体照射画像データＳＤＣのいずれか１種類の画像データを用いて画像欠陥の検出を行っても良く、また複数種類の画像データを用いて画像欠陥の検出を行っても良い。さらに、画像データとして放射線未照射画像データＳＤＡ、放射線一様照射画像データＳＤＢのいずれか１つあるいは両方の画像データを用いることが望ましい。また、上述の第１〜第３の画像欠陥の検出方法のいずれか１つの方法あるいは複数の検出方法を用いて画像欠陥の検出を行っても良いことは勿論である。この欠陥検出部２４で画像欠陥が検出されたときには、この画像欠陥の位置を示す情報ＦＤが欠陥情報メモリ部２６に記憶される。
【００３８】
欠陥情報メモリ部２６に画像欠陥の位置を示す情報ＦＤが記憶されているときに、画像メモリ部２０に放射線被写体照射画像データＳＤＣが書き込まれると、欠陥情報メモリ部２６に記憶された画像欠陥の位置を示す情報ＦＤに基づき画像メモリ部２０に書き込まれている放射線被写体照射画像データＳＤＣを用いて平均レベル等を算出することにより補正後の画像データが生成される。この生成された画像データが画像欠陥の位置と対応する画像メモリ部２０の位置に書き込まれるか、または補正した画像データを用い、新たに１画面分の画像データを作成し画像メモリ部２０に書き込み画像欠陥の補正が行われる。この補正処理された１画面分の画像データが画像メモリ部２０から読み出されて出力されることにより、画像欠陥が補正された良好な放射線画像を速やかに得ることができる。
【００３９】
また、所定期間経過毎に、あるいは放射線画像の撮影が所定回数行われる毎に欠陥検出部２４で画像欠陥の検出を行うものとすれば、欠陥画素が増加した場合であって良好な放射線画像を速やかに得ることができる。
【００４０】
なお、画像欠陥の検出および画像欠陥の補正は、画像データ生成部１６から画像メモリ部２０に書き込まれた画像データを用いて行われる場合に限られるものではなく、既に撮影された画像データを画像メモリ部２０に書き込むものとすれば、上述したように画像欠陥の検出および画像欠陥の補正を行うことで、既に撮影された画像データからも良好な放射線画像を得ることができる。
【００４１】
さらに、上述の実施の形態では、欠陥検出部２４で自動的に画像欠陥の検出を行い、検出された画像欠陥の位置を示す情報ＦＤを欠陥情報メモリ部２６に記憶するものとしたが、図示しない画像表示装置の画面上に撮影画像を表示させて、ユーザが表示された撮影画像から画像欠陥を検出したときには、この検出された画像欠陥の位置を情報ＦＤとして欠陥情報メモリ部２６に書き込むことができるようにしてもよい。この場合、欠陥検出部２４で検出することができない画像欠陥が生じていても画像欠陥の補正を行うことができるので、更に良好な放射線画像を得ることができる。
【００４２】
なお、上述の実施の形態では、撮像パネル１１の領域を複数のブロックに区分して、それぞれブロックから並列して電気信号ＳＶを出力するものとしたが、撮像パネル１１は領域が複数のブロックに区分されたものに限られるものでないことは勿論である。
【００４３】
【発明の効果】
この発明によれば、第１の画像データから画像欠陥を検出するにあたって、第１の画像データとして縦方向あるいは横方向に隣接する複数ライン分の画像データを用いてライン状の欠陥の検出が行われるので、１画素単位では画像欠陥か否かを判別し難い場合でも画像欠陥の検出が可能となり、この検出結果を利用して画像データの補正を行うことで良好な放射線画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る放射線画像処理装置の構成を示す図である。
【図２】ブロックＡＲ-(0,0)を示す図である。
【図３】第１の欠陥画素検出方法を説明するための図である。
【図４】しきい値の設定方法を説明するための図である。
【図５】第２の欠陥画素検出方法を説明するための図である。
【図６】ブロックＡＲ-(0,0)を示す図である。
【図７】照射野出力部の構成を示す図である。
【図８】照射野認識装置の動作を説明するための図である。
【図９】輪郭候補点の他の接続方法を説明するための図である。
【符号の説明】
１１  撮像パネル
１４  走査駆動部
１６  画像データ生成部
２０  画像メモリ部
２４  欠陥検出部
２６  欠陥情報メモリ部
２８  欠陥補正部
４０  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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