(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の少なくとも一方の面に強磁性金属薄膜から成る磁性膜を有する磁気記録媒体において、前記非磁性支持体と前記強磁性金属薄膜との間に、エポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤の溶液と金属キレート化合物から成る硬化剤とを含む塗布液を塗布した後、加熱することにより乾燥およびシランカップリング剤の重合を行って形成された、ポリシロキサン中にエーテル結合を介したアルキル鎖を有する下塗膜が設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記強磁性金属薄膜が、スパッタ法により成膜されたものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁気記録媒体がディスク状であることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性支持体に、エポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤の溶液と金属キレート化合物から成る硬化剤とを含む塗布液を塗布した後、加熱することにより乾燥およびシランカップリング剤の重合を行って下塗膜を形成することを特徴とする請求項１、２または３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記エポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤の溶液にさらに炭化水素基を含んだシランカップリング剤を溶解することを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は強磁性金属薄膜を磁性膜とする磁気記録媒体およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気テープ、フロッピーディスクあるいはハードディスク等の磁気記録媒体は一般に、非磁性支持体上に磁性膜、保護膜などを成膜する工程によって製造されている。このような磁気記録媒体においては、スパッタ法や蒸着法等の真空成膜法によって作成した強磁性金属薄膜を磁性膜とする磁気記録媒体が実用化されている。上記のようなスパッタ法や蒸着法によって磁性膜を形成した磁気記録媒体は、高い磁気エネルギーが容易に得られ、さらに非磁性支持体の表面を平滑にすることによって平滑な磁性膜表面性を容易に達成できるためスペーシングロスが少なく、高い電磁変換特性を得ることができるため高密度記録材料に適している。特にスパッタ法は蒸着法よりさらに磁気エネルギーを高めることができるため、ハードディスクのような高い記録密度が要求される媒体に採用されている。
【０００３】
一方、磁気記録媒体にはヘッドとの摺動に対する高い信頼性が要求される。例えばハードディスクのＣＳＳ特性や蒸着テープのスチル耐久性のような走行耐久性が挙げられ、このような耐久性を確保するために非磁性支持体表面に微少な突起を形成し、ヘッドに対する真実接触面積を低減させることが行われている。
【０００４】
しかしながら、最近の磁気記録媒体では高記録密度化の要求が強く、従来よりさらに高い電磁変換特性が必要となってきている。このため非磁性支持体表面に設けられる突起の高さは益々低くなる傾向にあり、突起高さは２０ｎｍ以下となってきている。
【０００５】
このためハードディスクでは非磁性支持体であるアルミニウム基板、ガラス基板、カーボン基板等の基板表面を機械的または化学的に研磨し、非常に平滑なテクスチャーとしている。また蒸着により磁性膜を形成した磁気テープでは、非磁性支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム等の高分子フィルム表面を非常に平滑にし、この上に球状微粒子を塗布している。さらに高密度記録化を行うためには、さらに突起高さを低下させるか、実質的に突起を持たない鏡面基板を使用しなければならない。
【０００６】
磁気テープやフロッピーディスクのように、非磁性支持体として上記のようにポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム等の可撓性高分子フィルムを用いたものにおいても、記録密度の向上等を図るため、スパッタ法や蒸着法で強磁性金属薄膜から成る磁性膜を形成することが望ましいが、そのような高分子フィルムは耐熱性に劣るので、スパッタ法で成膜した場合、あるいは蒸着法により蒸着速度を高めて成膜した場合、高分子フィルムもしくはその表面が加熱されてオリゴマーの析出等による表面劣化が発生し、非磁性支持体の平滑な表面性、ひいては磁性膜の平滑な表面性を得ることが困難になるという問題が生じる。そこで、この問題を解決するために、次のような技術が提案されている。
【０００７】
一つは、非磁性支持体である高分子フィルムの材料として耐熱性樹脂を用いる方法である。用いる耐熱性樹脂としては、ポリイミドフィルムなどが考えられるが、一般にポリイミドフィルムは高価である。加えて、非常に平滑で表面性の良いポリイミドフィルムの作成、使用は技術上困難であり、この方法は現実的ではない。
【０００８】
他には、例えば塗布により磁性膜を形成する従来の磁気記録媒体に一般に用いられている比較的安価な高分子フィルム上に下塗膜を形成し、膜の平滑性や耐熱性を高める方法が提案されている。
【０００９】
例えば特開平６−３４９０４２号には、比較的表面の粗い高分子フィルム上に微粒子を含有した樹脂膜を設けることにより適切な表面性を有するフィルムを作成する方法が開示されている。しかし、ここで使用されている一般的な樹脂結合剤を用いた場合、スパッタ法により磁性膜を作成すると熱的なダメージによる表面性の劣化が激しい。
【００１０】
また特開平７−２２５９３４号には、ポリエチレンテレフタレート上にポリエチレンナフタレートを塗布し、熱によるオリゴマー析出を抑制する方法が開示されている。しかし、ポリエチレンナフタレートを用いても、スパッタ法で一般的な温度である２００℃までフィルムを加熱するとオリゴマー析出による表面性の劣化を生じる。
【００１１】
また特開平６−２０８７１７号には、より耐熱性の高いポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を高分子フィルム上に塗布する方法が開示されている。このような材料を用いるとスパッタ法に耐えうる耐熱性をフィルムに付与することが可能ではある。しかしポリアミド樹脂やポリイミド樹脂は汎用溶剤に対する溶解性が低く、扱いにくい溶剤を使用する必要がある。また、樹脂が汎用溶剤に可溶性であっても、溶液の粘度が高いため、薄くて均一な被膜が得られず、表面性を高めることは困難である。さらにこのような方法では、溶剤を十分に乾燥することが難しく、塗膜中の溶剤残留量が多くなるため、フィルムの巻き取り時に塗膜とフィルムのバック面が接着してしまうブロッキングを引き起こしやすく、また磁性膜を形成する際に揮発する残留溶剤が真空槽内を汚染する可能性もある。
【００１２】
さらに耐熱性の高い被膜としては無機物の被膜を形成することが有効であり、例えば、シラン化合物の加水分解で得られるシリカ膜や金属アルコキシドから得られる金属酸化物の被膜を形成することが考えられる。しかしながらそのような無機物の被膜では非磁性支持体の熱変化についていけず、その被膜表面に割れが生じてその上に成膜される磁性膜にクラックが発生するという問題がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、高分子フィルム等を支持体としてその上に強磁性金属薄膜から成る磁性膜をスパッタ法等で形成しようとする場合、支持体と磁性膜との間に耐熱性を有し、表面の平滑性を有し、割れが生じずかつ容易に形成し得る下塗膜を設けることが望ましいが、従来技術においてはそれらを十分に満足し得る下塗膜を設けることが困難であった。
【００１４】
本発明の目的は、上記事情に鑑み、非常に平滑な表面性を有し、さらに支持体加熱を伴うスパッタ法で磁性膜を作成した場合でも、表面性の劣化やクラックの発生がなく、ブロッキングを引き起こす虞れもない下塗膜を有し、低コストで容易に製造することのできる磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明にかかる磁気記録媒体は、非磁性支持体の少なくとも一方の面に強磁性金属薄膜から成る磁性膜を有する磁気記録媒体において、前記非磁性支持体と前記強磁性金属薄膜との間に、エポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤の重合物と金属キレート化合物から成る硬化剤とを主成分とし、ポリシロキサン中にエーテル結合を介したアルキル鎖を有する下塗膜が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、上記課題を解決するため、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体に、エポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤の溶液と金属キレート化合物から成る硬化剤とを含む塗布液を塗布した後、加熱することにより乾燥およびシランカップリング剤の重合を行って下塗膜を形成することを特徴とする。前記エポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤を含む溶液には、さらに炭化水素基を含んだシランカップリング剤が添加されていても良い。
【００１７】
【発明の効果】
本発明により、非磁性支持体上に下塗膜として形成される、エポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤を含むシランカップリング剤の重合物からなる重合膜は、シロキサン結合およびエポキシ基の開環による結合からなっているため、従来のポリエステル樹脂などと比較して平滑性、耐熱性、耐ブロッキング性に優れている。またこの重合膜は、テトラエトキシシランなどを出発原料としたゾルゲル法によって作成されるシリカ膜と比較して耐クラック性に優れている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明で使用されるエポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤は例えば下記化学式１で表される構造である。
【００１９】
【化１】
0003690861.tif 000002
【００２０】
但しＡはアルキレン基など２価の有機残基
Ｂは水素またはアルキル基などの１価の有機残基
Ｒはアルキル基などの1価の有機残基
Ｘはアルコキシ基、水酸基、ハロゲン、水素から選択される１価の基
Ｌ＋Ｍ＋Ｎ＝４
である。
【００２１】
化学式１の構造においてＡは好ましくは水素である。Ｒはメチル基、エチル基など１価の有機残基である。Ｘは反応性や磁性膜への腐食性を考慮すると好ましくはアルコキシ基であり、重合反応を容易とするため、特にメトキシ基など炭素数４以下のアルコキシ基が好ましい。Ｍは好ましくは１または２であるが、重合反応を容易とするため、特に１で有ることが好ましい。Ｌは好ましくは０または１であるが、重合反応を容易とするため、特に好ましくは０である。従ってＮは特に３で有ることが好ましい。
【００２２】
このような化合物としては、
【００２３】
【化２】
0003690861.tif 000003
【００２４】
等が挙げられる。これらの化合物は、特開昭５１−１１８７１号、特開昭６３−２３２２４号に記載されている。
【００２５】
上記エポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤のアルコキシシラン等の部分は後述の方法によって塗布乾燥することによって加水分解、重合してシロキサン結合を生成する。一方、エポキシ基は熱によって開環重合する。この加水分解速度と重合速度は必要に応じて塩酸等の酸を添加することによって調整できる。
【００２６】
より低温から重合を開始させるため、硬化剤の併用が好ましく、例えば金属キレート化合物、有機酸およびその塩、過塩素酸塩等、様々な化合物が知られているが、特に硬化剤としては硬化の低温化、磁性膜への腐食性の理由から金属キレート化合物が好ましい。例えば３―グリシドキシプロピルトリメトキシシランにアルミニウムアセチルアセトネートを硬化触媒として加えた場合１００℃前後で短時間加熱するだけで硬化できるため、ポリエチレンテレフタレートなど耐熱性の低い基板上でも硬化できる。従ってグラビア連続塗布法を用いてブロッキングを生じること無く、巻き取ることができる。このような硬化剤としては、アルミニウムアネチルアセトネート、ジルコニウムアネチルアセトネート、チタニウム等のβ−ジケトン類と金属のキレート化合物が特に有効である。
【００２７】
また、エポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤は一般に高価であるので、エポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤と例えばメチル基等の炭化水素基を含んだシランカップリング剤を混合して用いることが、低コスト化の点で好ましい。炭化水素を含んだシランカップリング剤を併用すると下塗膜の耐熱性を向上させることもできる。具体的にはこの炭化水素基を含んだシランカップリング剤は下記のような構造である。
【００２８】
Ｒ−Ｓｉ（ＯＲ’）3
但し、Ｒ、Ｒ’は炭化水素基、Ｒの炭素数は少ないほど下塗膜の向上に効果的である。
【００２９】
本発明において非磁性支持体上にエポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤を塗布して下塗膜を作成する方法としては、シランカップリング剤、硬化剤、水をメタノール等の有機溶剤に溶解した溶液をワイヤーバー法、グラビア法、スプレー法、ディップコート法、スピンコート法等の手法によって非磁性支持体上に塗布した後、乾燥する方法を使用することができる。さらにこの後、必要に応じて塗膜を焼成して硬化を促進させ、耐熱性や耐溶剤性、密着性などを向上させる。
【００３０】
このとき使用される塗布溶剤はエポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤の構造によって決定されるが、エタノール、メタノール等を用いることができる。またこれらにイソプロピルアルコールやメチルエチルケトンなどを混合した混合溶剤を使用することもできる。
【００３１】
また乾燥は上記溶剤を揮発させために行われるものであるが、この時点で同時に硬化を行うこともできる。乾燥方法としては一般的に行われている熱風乾燥、赤外線乾燥などが使用できる。このときの乾燥温度は６０℃〜１５０℃程度が好ましい。
【００３２】
塗膜の乾燥の後、さらに硬化を促進させる焼成方法としては熱風加熱、赤外線加熱、熱ローラー加熱などが使用できる。このときの加熱温度としては塗膜の厚みと後の磁性膜の成膜方法及び成膜温度にもよるが、１μｍ前後の場合には１００℃〜２５０℃、好ましくは１２０℃〜２００℃の範囲である。温度がこれよりも低い場合には重合反応の進行が不十分であり、逆に高すぎると非磁性支持体の変形を引き起こしたり、生産性の低下につながる。
【００３３】
また加熱による重合以外にも紫外線照射、電子線照射などによる重合も可能である。
【００３４】
また本発明の下塗膜にはエポキシ基を有する有機残基を含んだシランカップリング剤と硬化剤以外の成分が含有されていても良い。このような添加剤としては表面に凹凸を設けるための耐熱性微粒子（フィラー）、耐熱性ならびに塗膜の硬度を調整するための金属アルコキシド、支持体との密着を改善するためのカップリング剤、磁性膜の酸化を防止する防錆剤などが挙げられる。
【００３５】
表面に凹凸を設けるための耐熱性微粒子としてはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアなどの無機酸化物、炭酸カルシウム、炭素、高分子などが挙げられる。この形状としては単分散で球状であることが好ましい。その粒子径は下塗膜の膜厚に応じて選ばれるが１０〜１０００ｎｍ、好ましくは２０〜１００ｎｍである。本発明において塗布液は主としてアルコール溶液であるため、アルコール分散したオルガノシリカゾルや酸性水溶液分散したシリカゾルなどが特に好適である。
【００３６】
耐熱性ならびに塗膜の硬度を調整するための金属アルコキシドとしてはテトラエトキシシラン、テトラプロポキシジルコニウムなどが挙げられ、これらの添加によって耐熱性と硬度を向上させることができる。
【００３７】
本発明で使用する非磁性支持体としては、フレキシブル媒体の場合には、厚さ３〜１００μｍのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のフイルム等が使用できる。また、フィルムの内部にフィラーを含有し、フィルム表面に凹凸を形成したものでも良い。一方、リジット媒体の場合にはガラス基板、アルミ基板やカーボン基板が使用できる。
【００３８】
また本発明の下塗膜は支持体との密着性に優れるが、密着性が不足の場合にはシランカップリング剤などの添加剤による支持体の表面処理や酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、紫外線照射、電子線照射、火炎などによる処理を施すことが好ましい。
【００３９】
本発明の磁気記録媒体における磁性膜となる強磁性金属薄膜は従来より公知の真空蒸着法、スパッタ法により形成できる。
【００４０】
磁性膜をスパッタ法で形成する場合、組成としてはコバルトを主体とした従来より公知の金属または合金が挙げられ、具体的にはＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ等が使用できる。特に電磁変換特性を改善するためにＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔが好ましい。磁性膜の厚みは１０〜３００ｎｍとするのが望ましい。またこの場合磁性膜の静磁気特性を改善するための下地膜を設けることが好ましく、この下地膜の組成としては従来より公知の金属または合金などが挙げられ、具体的にはＣｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ等またはこれらの合金が使用でき、中でもＣｒ、Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｓｉが特に好ましい。この下地膜の厚みとしては５ｎｍ〜５００ｎｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００４１】
またスパッタ法で磁性膜を作成する場合には、基板またはフイルムを加熱した状態で成膜する事が好ましく、そのときの温度は１５０〜２００℃前後である。
【００４２】
磁性膜を真空蒸着法で作成する場合、組成としてはコバルトを主体とした従来より公知の金属または合金が挙げられ、具体的にはＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅなどを酸素雰囲気中で蒸着し、膜中に酸素を含んだものが使用できる。特に電磁変換特性を改善するため磁性層を構成する金属原子の９０％以上、さらに好ましくは９５％以上はコバルトであるＣｏ−Ｏ、またはＣｏ−Ｏを含有するＣｏ−Ｆｅ等が好ましい。磁性層の厚みは、１００〜３００ｎｍとするのが望ましく、さらに望ましくは１２０〜２００ｎｍである。
【００４３】
また、強磁性金属薄膜は電磁変換特性を改善するため重層構成としたり、非磁性下地層や中間層を有していても良い。
【００４４】
本発明の磁気記録媒体においては強磁性金属薄膜上に保護膜が設けられていてもよく、この保護膜によってさらに走行耐久性、耐食性を改善することができる。
【００４５】
保護膜としてはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、グラファイト、無定型カーボンなどの炭素からなる保護膜が挙げられる。
【００４６】
前記炭素保護膜は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等で作成したアモルファス、グラファイト、ダイヤモンド構造、もしくはこれらの混合物からなるカーボン膜であり、特に好ましくは一般にダイヤモンドライクカーボンと呼ばれる硬質カーボン膜である。この硬質炭素膜はビッカース硬度で１０００ｋｇ／ｍｍ2 以上、好ましくは２０００ｋｇ／ｍｍ2 以上の硬質の炭素膜である。また、その結晶構造はアモルファス構造であり、かつ非導電性である。そして、本願発明におけるダイヤモンド状炭素膜の構造をラマン光分光分析によって測定した場合には、１５２０〜１５６０ｃｍ-1にピークが検出されることによって確認することができる。炭素膜の構造がダイヤモンド状構造からずれてくるとラマン光分光分析により検出されるピークが上記範囲からずれるとともに、炭素膜の硬度も低下する。
【００４７】
この硬質炭素保護膜はメタン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカン、あるいはエチレン、プロピレン等のアルケン、またはアセチレン等のアルキンをはじめとした炭素含有化合物を原料としたプラズマＣＶＤや、水素や炭化水素雰囲気下で炭素をターゲットとしたスパッタ法等によって形成することができる。
【００４８】
硬質炭素保護膜の膜厚が厚いと電磁変換特性の悪化や磁性層に対する密着性の低下が生じ、膜厚が薄いと耐磨耗性が不足するために、膜厚２．５〜２０ｎｍが好ましく、とくに好ましくは５〜１０ｎｍである。
【００４９】
また、この硬質炭素保護膜上に付与する潤滑剤との密着をさらに向上させる目的で硬質炭素保護膜表面を酸化性もしくは不活性気体によって表面処理しても良い。
【００５０】
本発明の磁気記録媒体において、走行耐久性および耐食性を改善するため、上記磁性膜もしくは保護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。
【００５１】
潤滑剤としては公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などが使用できる。
【００５２】
炭化水素系潤滑剤としてはステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
【００５３】
フッ素系潤滑剤としては上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としてはパーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）n 、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ2 Ｏ）n またはこれらの共重合体等である。
【００５４】
極圧添加剤としてはリン酸トリラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。
【００５５】
上記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用される。これらの潤滑剤を磁性膜もしくは保護膜上に付与する方法としては潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワイヤーバー法、グラビア法、スピンコート法、ディップコート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させればよい。
【００５６】
潤滑剤の塗布量としては１〜３０ｍｇ／ｍ2 が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ2 が特に好ましい。
【００５７】
本発明で使用できる防錆剤としてはベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導体等が挙げられる。
【００５８】
このような目的で使用可能なテトラザインデン環化合物には、下記に示すものが挙げられる。
【００５９】
【化３】
0003690861.tif 000004
【００６０】
ここで、Ｒには、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミド基から選ばれる炭化水素基である。
【００６１】
特に好ましくは、炭素数３以上２０以下であり、アルコキシの場合にはＲＯＣＯＣＨ2 −のＲは、Ｃ3 Ｈ7 −、Ｃ6 Ｈ13−、フェニル、またアルキル基の場合には、Ｃ6 Ｈ13−、Ｃ9 Ｈ19−、Ｃ17Ｈ35−が挙げられ、アルキルアミドの場合にはＲＮＨＣＯＣＨ2 −のＲはフェニル、Ｃ3 Ｈ7 −が挙げられる。
【００６２】
また、チオウラシル環化合物には、下記に示すものが挙げられる。
【００６３】
【化４】
0003690861.tif 000005
【００６４】
【実施例】
実施例１
最大突起粗さが０．０１μｍの厚み９０μｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に３―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、アルミニウムアセチルアセトネート、塩酸、水をエタノールに溶解した溶液をグラビアコート法で塗布した後、１００℃で乾燥して厚み１μｍの下塗膜を作成した。次に塗膜を１７０℃で１時間加熱し、硬化と脱溶剤処理を行った。このフィルムを温度１５０℃に加熱した後、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＣｒ−Ｔｉ下地膜を６０ｎｍ成膜し、さらに引き続きＣｏーＣｒ−Ｐｔ磁性膜を３０ｎｍ成膜し、さらにその上にメタンを原料としたプラズマＣＶＤ法で硬質炭素保護膜を２０ｎｍ成膜した。次にこの保護膜上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモント社製ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系溶剤（住友３Ｍ社製ＦＣー７７）に溶解した溶液をディップコート法で塗布して厚み２ｎｍの潤滑膜を作成した。この下地膜、磁性膜、保護膜、潤滑膜はフィルムの両面に対して成膜した。そしてこの試料を３．７インチの磁気ディスク形状に打ち抜き、フロッピーディスクを作成した。
【００６５】
実施例２
塗布液の組成を３―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン（重量比１：１）とアルミニウムアセチルアセトネート、水、塩酸をエタノールに溶解した溶液に変更した以外は、実施例１と同様に試料を作成した。
【００６６】
実施例３
塗布液の組成を３―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、エタノールに分散した粒子径２５ｎｍオルガノシリカゾル（固形分重量比１：１）とアルミニウムアセチルアセトネート、水、塩酸をエタノールに溶解した溶液に変更した以外は、実施例１と同様に試料を作成した。
【００６７】
実施例４
塗布液の組成を３―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エタノールに分散した粒子径２５ｎｍオルガノシリカゾル（固形分重量比１：１：１）とアルミニウムアセチルアセトネート、水、塩酸をエタノールに溶解した溶液に変更した以外は、実施例１と同様に試料を作成した。
【００６８】
実施例５
塗布液の組成を３―グリシドキシプロピルトリメトキシシランとジルコニウムアセチルアセトネート、塩酸、水をエタノールに溶解した溶液に変更した以外は、実施例１と同様に試料を作成した。
【００６９】
実施例６
塗布液の組成を３―グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン（重量比１：１）とアルミニウムアセチルアセトネート、水、塩酸をエタノールに溶解した溶液に変更した以外は、実施例１と同様に試料を作成した。
【００７０】
比較例１
実施例１において下塗膜を塗布せず、ポリエチレンナフタレート上に直接磁性膜を成膜した以外は実施例２と同様に試料を作成した。
【００７１】
比較例２
塗布液の組成を３―グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランと水、塩酸をエタノールに溶解した溶液に変更した以外は、実施例１と同様に試料を作成した。
【００７２】
比較例３
塗布液の組成をテトラエトキシシランと水、塩酸をエタノールに溶解した溶液に変更した以外は、実施例１と同様に試料を作成した。
【００７３】
比較例４
塗布液の組成をポリエステル樹脂（東洋紡社製バイロン２００）のメチルエチルケトン溶液に変更した以外は、実施例１と同様に試料を作成した。
【００７４】
作成した試料は以下の観点から評価を行った。
【００７５】
１）表面性
硬化後の下塗膜表面、完成した媒体表面について光学顕微鏡観察（１００倍）をおこなうとともに、原子間力顕微鏡で１０×１０μｍから１００×１００μｍの範囲を観察し、３０×３０μｍについて基準面からの突起高さ分布と高さ２０ｎｍ以上の突起数を求めた。
【００７６】
２）下塗膜塗布乾燥後のブロッキングの有無
巻き取った状態でフィルムの裏面（塗膜あり）への貼付きの有無を確認した。
【００７７】
上記評価結果を表１に示す。
【００７８】
【表１】
0003690861.tif 000006