(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
突起部形状を有する３次元形状のリードフレームへのテープ貼り付け方法であって、前記突起部形状の外形寸法に対して０．１〜０．２ｍｍ大きな多数の凹部が形成されたプレート上にリードフレームを載置し、前記突起部を前記凹部内に収納した状態で位置決めするとともに、前記プレートの上方に配置した上金型に真空吸着によりテープを保持し、前記上金型を下降させて前記リードフレームに前記テープを加圧プレスすることを特徴とするリードフレームへのテープ貼り付け方法。
【請求項２】
前記テープは、リールに巻き取られたフープ状である請求項１記載のリードフレームへのテープ貼り付け方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、３次元形状のリードフレームへのテープ貼り付け方法に関し、特にＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔｐａｃｋ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）型パッケージを代表とする裏面露出型ノンリードパッケージに用いるリードフレームへのテープ貼り付け方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ等の樹脂封止型半導体装置として、パッケージの側方に突出していたアウターリードをなくし、パッケージの下面側に外部端子を設けたＱＦＮ型パッケージが知られている。
【０００３】
このＱＦＮ型パッケージにパワー半導体など発熱量の大きい半導体チップを搭載する場合、放熱性を向上させるため半導体チップを搭載したダイパットの下面は封止樹脂で覆わずに露出させた構造のＱＦＮ型パッケージが採用されている。
【０００４】
図３は、このようなＱＦＮ型パッケージの一例を示す断面図である。ＱＦＮ型パッケージは信号用リード２と、ダイパット３と、ダイパット３を支持する吊りリード４からなるリードフレーム１を備えている。ダイパット３上に導電性ペースト６により半導体チップ５を接合し、半導体チップ５の電極パッド（図示せず）と信号用リード２とは金属細線７により電気的に接続されている。そして、ダイパット３の下面を除く部分と、半導体チップ５と、信号用リード２と、吊りリード４と、金属細線７とは封止樹脂８により封止されている。信号用リード２の裏面側には封止樹脂は存在せず外部電極９となっている。
【０００５】
ダイパット３の下面は封止樹脂８に覆われずに露出して放熱板として機能しており、このダイパット３を実装基板の放熱部に接触させることにより、消費電力の高いパワー素子から出る熱量を外部に放出させて、パッケージ内の温度上昇を抑制するようにしている。
【０００６】
このようなＱＦＮ型パッケージは、例えば以下のような工程により製造している。まず、信号用リード２、ダイパット３、吊りリード４などを有するリードフレーム１を用意する。次に、ダイボンド工程において、用意したリードフレーム１のダイパット３の上に半導体チップ５を導電性ペースト６により接合する。そして、ワイヤボンディング工程において、ダイパット３上に接合された半導体チップ５と信号用リード２とを金属細線７により電気的に接続する。
【０００７】
次に、ダイパット３の下面を除く部分、信号用リード２、吊りリード４および金属細線７をエポキシからなる封止樹脂８により封止する。この場合、半導体チップ５が接合されたリードフレーム１が封止金型内に収納されてトランスファーモールドされるが、信号用リード２の裏面が封止金型に接触した状態で樹脂封止が行われる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂８から外方に突出している信号用リードの先端部を切断する。
【０００８】
上記樹脂封止工程においては、リードフレーム１を封止金型内に収納し、下金型に信号用リードを密着させて樹脂封止しているが、狭ピッチ、長リードのリードフレームの場合、封止樹脂が信号用リードの裏面側にまわり込んで、外部電極の表面に樹脂ばりが発生するという不具合があった。
【０００９】
これを防止するため、あらかじめリードフレームの裏面側に封止テープを貼り付けた状態でダイボンド工程、ワイヤボンディング工程を行い、リードフレームを封止金型内で樹脂封止する方法が行われている。
【００１０】
従来、リードフレームの裏面に封止テープを貼り付ける方法としては、図４（ａ）に示すように、ローラー３１，３１間にリードフレーム１とフープ状の封止テープ１１を挟んだ状態で圧着する方法や、図４（ｂ）に示すように、プレート３２上にリードフレーム１をセットし、フープ状の封止テープ１１をローラ３１で圧着するといった方法が用いられている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来のテープ貼り付け方法では、突起部形状を備えた三次元形状のリードフレームである場合、ローラからの荷重によりリードフレームの突起部形状が変形したりテープ未着部分が生じるなどの問題がある。
【００１２】
また、テープへの荷重（張力）によってリードフレームに反りが発生するという問題も発生する。
【００１３】
本発明は、上記問題を解決するものであり、突起部形状を備えた三次元形状のリードフレームに変形や反りが生じることなく、リードフレームにテープを貼り付ける方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、突起部形状を有する３次元形状のリードフレームへのテープ貼り付け方法であって、多数の凹部が形成されたプレート上にリードフレームを載置し、この突起部を凹部内に収納した状態で位置決めするとともに、プレートの上方に配置した上金型でテープを保持し、上金型を下降させてリードフレームにテープを加圧プレスするものである。
【００１５】
これによれば、プレートに形成した凹部にリードフレームの突起部形状を逃すことができるため、テープを貼り付ける際に荷重をかけてもリードフレームが変形することがない。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１は本実施形態によるリードフレームへのテープ貼り付け方法を示す説明図である。
【００１８】
下金型１２に多数の凹部１５が形成されたプレート１４をセットし、このプレート１４上にＱＦＮパッケージ用のリードフレーム１をセットする。凹部１５はリードフレーム１に形成されたダイパットなどの突起部Ａの外形寸法に対して、＋０．１〜０．２ｍｍ程度に設計されており、突起部Ａが凹部１５内に収納された状態でリードフレーム１は、プレート１４上に位置決めピン（図示せず）により位置決めされている。
【００１９】
プレート１４の上方には、上金型１３が配置されており、上金型１３は真空吸着により封止テープ１１を保持している。封止テープ１１はリール１６に巻き取られたフープ状のものを用いている。
【００２０】
そして、上金型１３を下降させて、リードフレーム１上に封止テープ１１を加圧プレスして貼り付けている。
【００２１】
この後、リードフレームはダイボンド工程、ワイヤボンド工程を経て、図２に示すように、封止金型２１内にリードフレーム１をセットして樹脂封止する。この際、リードフレーム１の裏面には封止テープ１１が貼り付けられているため、封止樹脂８が裏面にまわり込んで樹脂ばりを発生させるといった不具合を防ぐことができる。
【００２２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、突起部形状を有する三次元形状のリードフレームを変形させることなくリードフレームの裏面にテープを貼り付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるリードフレームへのテープ貼り付け方法の説明図
【図２】ＱＦＮ型パッケージを樹脂封止する際の説明図
【図３】ＱＦＮ型パッケージの一例を示す断面図
【図４】従来のリードフレームへのテープ貼り付け方法の説明図
【符号の説明】
１  リードフレーム
２  信号用リード
３  ダイパット
４  吊りリード
５  半導体チップ
６  導電性ペースト
７  金属細線
８  封止樹脂
９  外部電極
１１  封止テープ
１２  下金型
１３  上金型
１４  プレート
１５  凹部
１６  リール
２１  封止金型
３１  ローラ
３２  プレート
Ａ  突起部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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