(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧雰囲気またはそれより陽圧雰囲気の主搬送路と、
前記主搬送路とほぼ直交するように分岐され、大気圧雰囲気またはそれより陽圧雰囲気の複数の大気圧系の副搬送路と、
前記主搬送路とほぼ直交するように分岐され、減圧雰囲気とすることが可能な複数の減圧系の副搬送路と、
前記各副搬送路に沿って配置され、被処理体に対して副搬送路毎に振り分けられた所定の処理を施す処理部と、
前記主搬送路上を移動可能に配置され、前記各副搬送路との間で被処理体の受け渡しを行う第１の主搬送装置と、
前記各副搬送路上を移動可能に配置され、前記各副搬送路に配置された処理部及び前記主搬送路との間で被処理体の受け渡しを行う副搬送装置と、
前記主搬送路と前記各減圧系副搬送路との間に接続され、被処理体を収容して内部を減圧可能な大気減圧室と、
前記各副搬送路の前記主搬送路側とは反対側のそれぞれの端部に、前記主搬送路とほぼ平行に配置されるように接続され、減圧雰囲気に設定された減圧搬送路と、
前記減圧搬送路上を移動可能に配置され、前記各副搬送路との間で被処理体の受け渡しを行う第２の主搬送装置と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項２】
請求項１記載の処理システムであって、
前記大気減圧室は、当該大気減圧室１つで複数の被処理体を収容可能であり、
当該処理システムは、
前記減圧搬送路上で前記第２の主搬送装置により搬送され、被処理体を収納して内部を減圧可能で、被処理体を１枚毎収納可能に構成された基板キャリアをさらに具備することを特徴とする処理システム。
【請求項３】
請求項２記載の処理システムであって、
前記各大気圧系副搬送路は、前記減圧搬送路側に開口部を有する隔離壁をそれぞれ有し、
前記基板キャリアは、前記第２の主搬送装置により前記開口部に対面する位置まで移動させられて前記隔離壁に接続されることで、該基板キャリアの内部と当該大気圧系副搬送路とが前記開口部を介して気密に連通するように構成され、
当該処理ステムは、
前記開口部を開閉する開閉板と、
前記開閉板を介して、前記基板キャリアの内部を減圧及び加圧するための排気装置及びガス供給装置と
をさらに具備することを特徴とする処理システム。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちいずれか１項記載の処理システムであって、
前記主搬送路上の一部または全部に設けられ、該主搬送路上の領域にダウンフローのエアーの流れを形成する手段をさらに具備することを特徴とする処理システム。
【請求項５】
請求項４記載の処理システムであって、
前記主搬送路上の一部または全部に設けられ、該主搬送路上の領域よりエアーを吸引する吸引手段をさらに具備することを特徴とする処理システム。
【請求項６】
請求項５記載の処理システムであって、
前記吸引手段により吸引されたエアーを該システム内で再利用することを特徴とする処理システム。
【請求項７】
請求項１から請求項６のうちいずれか１項記載の処理システムであって、
前記主搬送路と前記各大気系副搬送路との接続部には、被処理体を一旦保持する中継部が配置されていることを特徴とする処理システム。
【請求項８】
請求項７記載の処理システムであって、
前記中継部が、保持した被処理体をほぼ９０度回動する手段を更に具備することを特徴する処理システム。
【請求項９】
請求項１から請求項８記載の処理システムであって、
前記主搬送路上には、被処理体を一旦保持する中継部が配置されていることを特徴とする処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウェハや液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われる基板上にフォトリソ工程を行う処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガラス基板上にＴＦＴアレイを形成する工程では、薄膜形成前洗浄工程−薄膜形成工程−レジスト塗布工程−露光工程−現像工程−エッチング工程−レジスト剥離工程が、１枚のガラス基板に対してアレイを構成するレイヤの数だけ、例えば６回程度繰り返される。
【０００３】
一般に、上記の洗浄工程は洗浄装置、レジスト剥離工程はアッシングユニット、薄膜形成工程は成膜ユニット、エッチング工程はエッチングユニット、レジスト塗布工程及び現像工程は塗布・現像装置、露光工程は露光装置によって行われており、これらのユニット間でのガラス基板の搬送はＡＧＶ（自走型搬送車）等により行われている。
【０００４】
ところで、例えば塗布・現像装置は、複数のレジスト塗布ユニット、複数の現像処理ユニット、複数の加熱処理ユニット等を有し、これらユニット間のガラス基板の受け渡しを搬送装置によって行うように構成され、これによりユニットの集約化が図られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようにユニットを集約化した構成を採った場合、各ユニットの増設性が劣るという問題がある。即ち、生産能力の拡大時に装置単位での増設になってしまい、例えば塗布・現像装置の生産能力が５０００枚／月とすると、５０００枚／月の単位での増設となってしまい、稼動しない遊びのユニットが生じて設備投資効率が悪い、という課題がある。
【０００６】
また、例えば塗布・現像装置は他の装置と比べて数倍の処理能力を有するように、これら装置間では処理能力に差異があり、これによっても稼動しない遊びのユニットが生じている。
【０００７】
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、段階的に処理能力を増設することができ、かつ、遊びのユニットの少ない高効率な処理システムを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、本発明の処理システムは、大気圧雰囲気またはそれより陽圧雰囲気の主搬送路と、前記主搬送路とほぼ直交するように分岐され、大気圧雰囲気またはそれより陽圧雰囲気の複数の大気圧系の副搬送路と、前記主搬送路とほぼ直交するように分岐され、減圧雰囲気とすることが可能な複数の減圧系の副搬送路と、前記各副搬送路に沿って配置され、被処理体に対して副搬送路毎に振り分けられた所定の処理を施す処理部と、前記主搬送路上を移動可能に配置され、前記各副搬送路との間で被処理体の受け渡しを行う第１の主搬送装置と、前記各副搬送路上を移動可能に配置され、前記各副搬送路に配置された処理部及び前記主搬送路との間で被処理体の受け渡しを行う副搬送装置と、前記主搬送路と前記各減圧系副搬送路との間に接続され、被処理体を収容して内部を減圧可能な大気減圧室と、前記各副搬送路の前記主搬送路側とは反対側のそれぞれの端部に、前記主搬送路とほぼ平行に配置されるように接続され、減圧雰囲気に設定された減圧搬送路と、前記減圧搬送路上を移動可能に配置され、前記各副搬送路との間で被処理体の受け渡しを行う第２の主搬送装置とを具備するものである。
本発明の処理システムは、前記大気減圧室は、当該大気減圧室１つで複数の被処理体を収容可能であり、当該処理システムは、前記減圧搬送路上で前記第２の主搬送装置により搬送され、被処理体を収納して内部を減圧可能で、被処理体を１枚毎収納可能に構成された基板キャリアをさらに具備するものである。
本発明の処理システムは、前記各大気圧系副搬送路は、前記減圧搬送路側に開口部を有する隔離壁をそれぞれ有し、前記基板キャリアは、前記第２の主搬送装置により前記開口部に対面する位置まで移動させられて前記隔離壁に接続されることで、該基板キャリアの内部と当該大気圧系副搬送路とが前記開口部を介して気密に連通するように構成され、
当該処理ステムは、前記開口部を開閉する開閉板と、前記開閉板を介して、前記基板キャリアの内部を減圧及び加圧するための排気装置及びガス供給装置とをさらに具備するものである。
【００１６】
本発明の処理システムは、前記主搬送路上の一部または全部に設けられ、該主搬送路上の領域にダウンフローのエアーの流れを形成する手段をさらに具備するものである。これにより、パーティクルが主搬送路内を浮遊することを防止することができる。
【００１７】
本発明の処理システムは、前記主搬送路上の一部または全部に設けられ、該主搬送路上の領域よりエアーを吸引する吸引手段をさらに具備するものである。これにより、ユニット内にさらに強力なダウンフローのエアー流を形成することが可能となる。
【００１８】
本発明の処理システムは、前記吸引手段により吸引されたエアーを該システム内で再利用するものである。これにより、コストダウンを図ることができる。
【００１９】
本発明の処理システムは、前記主搬送路と前記各大気系副搬送路との接続部には、被処理体を一旦保持する中継部が配置されているものである。これにより、搬送装置の待ち状態をなくすことができる。
【００２０】
本発明の処理システムは、前記中継部が、保持した被処理体をほぼ９０度回動する手段を更に具備するものである。これにより、処理装置が被処理体を回動させることなく、主搬送路と副搬送路とで同一の向きに被処理体を搬送することが可能となる。
【００２１】
本発明の処理システムでは、前記主搬送路上には、被処理体を一旦保持する中継部が配置されているものである。これにより、主搬送路上で待ち状態が発生した被処理体を搬送装置以外で保持しておくことが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係るＴＦＴアレイを形成するための処理システムの平面図である。
【００２３】
図１に示すように、この処理システム１のほぼ中心には、主搬送路１０が直線状に設けられている。この主搬送路１０の一端には、被処理体としてのガラス基板Ｇをシステム内へ搬入すると共にシステム外へ搬出するための搬入出部２０が配設され、主搬送路１０の他端には露光装置２との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うためのインタフェース部３０が配設されている。また、主搬送路１０の両側には、主搬送路１０の一端から順番に剥離・洗浄系の副搬送路４０、成膜系の副搬送路５０、エッチング系の副搬送路６０、塗布・現像系の副搬送路７０が該主搬送路１０とほぼ直交するように配設されている。
【００２４】
主搬送路１０には、ガラス基板Ｇを搬送するための例えば４台の主搬送装置１１がガラス基板Ｇを一旦保持する中継部１２を介して直列に接続されている。また、主搬送路１０と副搬送路４０、５０、６０、７０との間も中継部１２を介して接続されている。主搬送路１０間の中継部は、例えば上下２段程度の受け渡し部（図示を省略）を有し、そのうち少なくとも一方についてはガラス基板Ｇを冷却するための温調板（クールプレート）により構成されている。一方、主搬送路１０と副搬送路４０、５０、６０、７０との間の中継部１２は、例えば図２に示すように、主搬送路１０と副搬送路４０、５０、６０、７０の両側に開口面を有する箱体１２ａにより構成され、この箱体１２ａの左右の内壁には、ガラス基板Ｇを箱体１２ａ内へ案内して保持するための保持ガイド部材１２ｂが左右１組で一対をなし、例えば２０対有することで、２０枚のガラス基板Ｇを一旦保持することが可能となっている。なお、最下段は、保持したガラス基板Ｇを冷却するための温調板（クールプレート）１２ｃにより構成されている。このように中継部１２はガラス基板Ｇに対するバッファ機能及びガラス基板Ｇを冷却する機能も有する。従って、中継部１２に積極的に例えばガラス基板Ｇに対して冷却エアーを吹き付ける冷却装置を配置してもよい。また、主搬送路１０の一部または全部は、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、ユニット１８内に配置されており、その上部にはＦＦＵ１９が配置されてダウンフローのエアーの流れが形成されるようになっている。これにより、パーティクルが主搬送路内を浮遊することを防止することができる。しかし、図９に示すように、このようにユニット内に配置しなくてもよく、別の手段でダウンフローのエアーの流れを形成するようにしてもい。
【００２５】
図４は上記の主搬送路装置１１の一例を示す斜視図である。
図４に示すように、主搬送装置１１は、主搬送路１０に沿って移動可能な本体１３と、装置本体１３に対して上下動および旋回動が可能なベース部材１４と、ベース部材１４上を水平方向に沿ってそれぞれ独立して移動可能な上下２枚の基板支持部材１５ａ，１５ｂとを有している。そして、ベース部材１４の中央部と装置本体１３とが連結部１６により連結されている。本体１３に内蔵された図示しないモータにより連結部１６を上下動または回転させることにより、ベース部材１４が上下動または旋回動される。このようなベース部材１４の上下動および旋回動、ならびに基板支持部材１５ａ，１５ｂの水平移動によりガラス基板Ｇの搬送が行われる。参照符号１７ａ，１７ｂは、それぞれ基板支持部材１５ａ，１５ｂをガイドするガイドレールである。主搬送装置１１は、搬入出部２０、インタフェース部３０、副搬送路４０〜７０、中継部１２との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。
【００２６】
搬入出部２０には、主搬送路１０とほぼ直交するように搬送路２１が設けられている。この搬送路２１を挟んで主搬送路１０の反対側には、ガラス基板Ｇを例えば２５枚ずつ収納したカセットＣが所定位置に例えば４個整列して載置されるカセット載置台２３が設けられている。また、搬送路２１上には、各カセットＣから処理すべきガラス基板Ｇを取り出して主搬送路１０側へ受け渡し、また処理が終了して主搬送路１０側から受け渡されたガラス基板Ｇを各カセットＣへ戻す搬送装置２２が移動可能に配置されている。搬送装置２２は図４に示した主搬送装置１１とほぼ同様の構成とされている。また、搬入出部２０の両端では、同様の構成の搬入出部２０が主搬送路１０とほぼ直交する方向へ増設可能となっている。
【００２７】
剥離・洗浄系の副搬送路４０は、ガラス基板Ｇを一旦保持する中継部１２を介して主搬送路１０と接続されている。剥離・洗浄系の副搬送路４０の一側には、水によりガラス基板Ｇをブラシ洗浄する処理部としての複数のスクラバユニット４１が配置されている。また、剥離・洗浄系の副搬送路４０の他側には、真空状態でガラス基板Ｇに対してアッシング処理を行う処理部としてのアッシングユニット４２が複数配置されている。また、剥離・洗浄系の副搬送路４０上には、中継部１２及び各処理部間でガラス基板Ｇの受け渡しを行う副搬送装置４０ａが移動可能に配置されている。副搬送装置４０ａは図４に示した主搬送装置１１とほぼ同様の構成とされている。
【００２８】
図５はアッシングユニット４２の一例を示す水平断面図である。
図５に示すように、アッシングユニット４２は、副搬送路４０側に設けられたロードロック室４３と、その奥に設けられた搬送室４４と、搬送室４４の両側面に設けられたアッシング処理室４５とを有している。そして、ロードロック室４３と搬送室４４との間、搬送室４４と各処理室４５との間には、これらの間を気密にシールし、かつ開閉可能に構成されたゲートバルブＶが介挿されている。また、ロードロック室４５と外側の大気雰囲気とを連通する開口部にもゲートバルブＶが設けられている。
【００２９】
アッシング処理室４５は、その中にガラス基板Ｇを載置するためのステージ４５ａが設けられており、その内部を真空排気可能に構成されている。そして、アッシング処理室４５には、アッシングガス例えばオゾンが導入可能となっており、アッシングガスによりエッチング処理後のレジストを除去する。
【００３０】
搬送室４４も真空排気可能に構成され、その中に基板搬送部材４６が設けられている。基板搬送部材４６は、多関節アームタイプであり、ベース４６ａと、中間アーム４６ｂと、先端に設けられた基板支持アーム４６ｃとを有しており、これらの接続部分は旋回可能になっている。この基板搬送部材４６は、ロードロック室４３、アッシング処理室４５との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行う。基板搬送部材４６のベース４６ａの中間アーム４６ｂと反対側にはガラス基板Ｇを保持可能に構成されたバッファ枠体４６ｄが設けられており、これによりガラス基板Ｇを一時的に保持することにより、スループットの向上を図っている。
【００３１】
ロードロック室４３も真空排気可能に構成され、その中にガラス基板Ｇを載置するラック４７およびガラス基板Ｇのアライメントと行うポジショナー４８が設けられている。ポジショナー４８は、矢印Ａ方向に沿って移動することにより、ガラス基板Ｇの相対向する２つの角部をそれぞれ２つのローラ４９で押しつけて、ラック４７上でガラス基板Ｇのアライメントがなされる。アライメントの終了を確認するために、図示しない光学センサが用いられる。ロードロック室４３は、副搬送路４０側との間でガラス基板Ｇの受け渡しをする場合には、その中を大気雰囲気とし、ガラス基板Ｇを処理室４５側へ搬送する場合には、その中を真空雰囲気とする。
【００３２】
成膜系の副搬送路５０も、ガラス基板Ｇを一旦保持する中継部１２を介して主搬送路１０と接続されている。成膜系の副搬送路５０の両側には、該搬送路に沿ってそれぞれ処理部としての複数の成膜ユニット５１が配置されている。また、成膜系の副搬送路５０上には、中継部１２及び各処理部間でガラス基板Ｇの受け渡しを行う副搬送装置５０ａが移動可能に配置されている。副搬送装置５０ａは図４に示した主搬送装置１１とほぼ同様の構成とされている。
【００３３】
成膜ユニット５１は、図５に示したアッシングユニットにおけるアッシング処理室４５に代えて、例えば真空雰囲気中でステージに載置されたガラス基板Ｇ上にＣＶＤにより所定の膜を成膜する成膜室を設けたものである。
【００３４】
エッチング系の副搬送路６０も、ガラス基板Ｇを一旦保持する中継部１２を介して主搬送路１０と接続されている。エッチング系の副搬送路６０の両側には、該搬送路に沿ってそれぞれ処理部としての複数のエッチングユニット６１が配置されている。また、エッチング系の副搬送路６０上には、中継部１２及び各処理部間でガラス基板Ｇの受け渡しを行う副搬送装置６０ａが移動可能に配置されている。副搬送装置６０ａは図４に示した主搬送装置１１とほぼ同様の構成とされている。
【００３５】
エッチングユニット６１は、図５に示したアッシングユニットにおけるアッシング処理室４５に代えて、例えば真空雰囲気中でステージに載置されたガラス基板Ｇ上にエッチング処理を施すエッチング処理室を設けたものである。エッチング処理室には、例えば所定のエッチングガスが導入され、また高周波電界を印加することが可能になっており、これらによりプラズマを形成し、そのプラズマによりガラス基板Ｇの所定の膜をその現像パターンに対応してエッチングする。
【００３６】
塗布・現像系の副搬送路７０も、ガラス基板Ｇを一旦保持する中継部１２を介して主搬送路１０と接続されている。塗布・現像系の副搬送路７０の一側には、洗浄ユニット７１、ガラス基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバー７２、レジスト塗布ユニット７３、現像処理ユニット７４が配置されている。また、塗布・現像系の副搬送路７０の他側には、加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる加熱処理・冷却ユニット７５、上下２段に積層されてなる加熱処理ユニット７６、アドヒージョン処理ユニットと冷却ユニットとが上下に積層されてなるアドヒージョン処理・冷却ユニット７７が配置されている。また、塗布・現像系の副搬送路７０上には、中継部１２及び各処理部間でガラス基板Ｇの受け渡しを行う副搬送装置７０ａが移動可能に配置されている。副搬送装置７０ａは図４に示した主搬送装置１１とほぼ同様の構成とされている。
【００３７】
インタフェース部３０には、ガラス基板Ｇを搬送するための搬送路３１が主搬送路とほぼ直交する方向に設けられている。この搬送路３１は、ガラス基板Ｇを一旦保持する中継部１２を介して主搬送路１０と接続されている。また、中継部１２の両側には、バッファカセットが配置されるバッファステージ３２が設けられている。また、主搬送路１０上には、隣接して配置された露光装置２との間でガラス基板Ｇの搬入出を行う搬送装置３３が設けられている。搬送装置３３は図４に示した主搬送装置１１とほぼ同様の構成とされている。また、インタフェース部３０の両端には、同様の構成のインタフェース部３０を増設するようにしてもよい。
【００３８】
次に、このように構成された処理システムでの処理の流れを説明する。
搬入出部２０のカセットＣから搬送措置２２に受け渡されたガラス基板Ｇは、主搬送路１０の主搬送装置１１に受け渡される。主搬送装置１１は、該ガラス基板Ｇを、中継部１２を介して剥離・洗浄系の副搬送路４０の副搬送装置４０ａへ受け渡す。副搬送装置４０ａは、このガラス基板Ｇをスクラバユニット４１へ搬入する。そして、スクラバユニット４１によって薄膜形成前洗浄が行われる。
【００３９】
上記洗浄が行われたガラス基板Ｇは再び副搬送装置４０ａへ受け渡される。副搬送装置４０ａは、このガラス基板Ｇを、中継部１２を介して主搬送路１０の主搬送装置１１に受け渡す。主搬送装置１１は、このガラス基板Ｇを、中継部１２を介して成膜系の副搬送路５０の副搬送装置５０ａへ受け渡す。副搬送装置５０ａは、このガラス基板Ｇを成膜ユニット５１へ搬入する。そして、成膜ユニット５１によって薄膜形成が行われる。
【００４０】
上記薄膜形成が行われたガラス基板Ｇは再び副搬送装置５０ａへ受け渡される。副搬送装置５０ａは、このガラス基板Ｇを、中継部１２を介して主搬送路１０の主搬送装置１１に受け渡す。主搬送装置１１は、このガラス基板Ｇを、中継部１２を介して塗布・現像系の副搬送路７０の副搬送装置７０ａへ受け渡す。そして、ガラス基板Ｇは、洗浄ユニット７１でスクラバー洗浄が施され、加熱・冷却処理ユニット７５の加熱処理ユニットで加熱乾燥された後、冷却ユニットで冷却される。その後、ガラス基板Ｇは、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョン処理・冷却ユニット７７の上段のアドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、冷却ユニットで冷却後、レジスト塗布ユニット７３でレジストが塗布され、エッジリムーバー７２でガラス基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、ガラス基板Ｇは、加熱処理ユニット７６の一つでプリベーク処理され、いずれかのユニット下段の冷却ユニットで冷却される。
【００４１】
上記レジスト塗布が行われたガラス基板Ｇは、中継部１２を介して副搬送装置７０ａから主搬送路１０の主搬送装置１１に受け渡される。その後、ガラス基板Ｇは、主搬送装置１１にてインタフェース部３０を介して露光装置２に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、ガラス基板Ｇは再びインタフェース部３０を介して主搬送装置１１に受け渡される。
【００４２】
露光されたガラス基板Ｇは、中継部１２を介して主搬送装置１１から塗布・現像系の副搬送路７０の副搬送装置７０ａへ受け渡される。そして、現像処理ユニット７４のいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理されたガラス基板Ｇ、いずれかの加熱処理ユニットにてポストベーク処理が施された後，冷却ユニットにて冷却される。
【００４３】
上記現像処理が行われたガラス基板Ｇは、中継部１２を介して副搬送装置７０ａから主搬送路１０の主搬送装置１１に受け渡される。主搬送装置１１は、このガラス基板Ｇを、中継部１２を介してエッチング系の副搬送路６０の副搬送装置６０ａへ受け渡す。副搬送装置６０ａは、このガラス基板Ｇをエッチングユニット６１へ搬入する。そして、エッチングユニット６１によってエッチング処理が行われる。
【００４４】
上記エッチング処理が行われたガラス基板Ｇは再び副搬送装置６０ａへ受け渡される。副搬送装置６０ａは、このガラス基板Ｇを、中継部１２を介して主搬送路１０の主搬送装置１１に受け渡す。主搬送装置１１は、このガラス基板Ｇを、中継部１２を介して剥離・洗浄系の副搬送路４０の副搬送装置４０ａへ受け渡す。副搬送装置４０ａは、このガラス基板Ｇをアッシングユニット４２へ搬入する。そして、アッシングユニット４２によって剥離処理が行われる。
【００４５】
以上の処理を、ＴＦＴアレイを構成するレイヤの数だけ繰り返す。その後、ガラス基板Ｇは、主搬送装置１１から搬入出部２０へ受け渡され、カセットＣへ搬入される。
【００４６】
このように構成された処理システム１においては、生産能力の拡大時には必要とされた分だけ処理部としてのユニットを各副搬送路に沿って増設すればよい。よって、従来のように生産能力の拡大時に伴って稼動しない遊びのユニットが生じることはなく、設備投資効率が非常に良い。そして、各副搬送路毎にそれぞれ共通の処理部としてユニットが増設されていくので、異なる処理を行う処理部間の薬液等の干渉による弊害を防止することができる。加えて、主搬送路に対して副搬送路が処理順に並んでいるので、システム全体の搬送効率を高めることができる。
【００４７】
図６は本発明の他の実施形態に係る処理システムの平面図である。
図６に示すように、この処理システムにおいては、主搬送路１１の両側にも処理部としての各種ユニットが配置されている。その場合、処理ユニットとしては、近傍の副搬送路に配置された処理ユニットと同一の処理ユニットを配置する。例えば、剥離・洗浄系の副搬送路４０近傍の主搬送路１１の両側にはスクラバユニット４１やアッシングユニット４２、成膜系の副搬送路５０近傍の主搬送路１１の両側には成膜ユニット５１、エッチング系の副搬送路６０近傍の主搬送路１１の両側にはエッチングユニット６１、塗布・現像系の副搬送路７０近傍の主搬送路１１の両側にはレジスト塗布ユニット７３や現像処理ユニット７４等をそれぞれ配置する。これにより、処理ユニットをより高密度に配置することが可能となる。そして、処理ユニットは、最初に主搬送路１１に配置し、その後副搬送路側に増設するようにすることで、増設をより効率的に行うことができる。
【００４８】
また、この処理システムにおいては、副搬送路とほぼ直交する方向へも搬送路及び処理部を増設している。例えば、塗布・現像系の副搬送路７０と直交する方向へ副搬送路７０を延設すると共に、その両側にレジスト塗布ユニット７３や現像処理ユニット７４等を配置している。これにより、処理ユニットをより高密度に配置することが可能となる。また、延設された副搬送路７０をインタフェース部３０に接続することにより、搬送能力を高めることができる。また、搬送パスが２経路となるので、搬送経路の障害発生時に迂回経路として利用することが可能となる。
【００４９】
さらに、この処理システムにおいては、主搬送路１１の一側の副搬送路４０〜７０上での副搬送装置４０ａ〜７０ａをスルータイプアームとし、他側の副搬送路４０〜７０上での副搬送装置４０ａ〜７０ａをブロックタイプアームとして増設可能とすることで、増設の柔軟性を持たせつつコスト増を抑えるようにしたものである。ここで、スルータイプアームとは、例えば一本の副搬送路上を１台の搬送装置が移動して処理ユニットとの間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うようなことをいい、またブロックタイプアームとは、例えば一本の副搬送路を中継部を介して複数に分割し、分割した各副搬送路上をそれぞれ別個の搬送装置が移動して処理ユニットとの間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うようなことをいう。
【００５０】
図７は本発明のさらに別の実施形態に係る処理システムの平面図である。
図７に示すように、この処理システムにおいては、各副搬送路９１〜９３に沿ってエッチングユニット６１、成膜ユニット５１、スクラバユニット４１及びアッシングユニット４２というように複数種類の処理ユニットを配置したものである。これにより、各搬送路毎にそれぞれ独立して一連の処理を行うようになり、例えば複数のレイヤを持つガラス基板Ｇに対して各レイヤと各副搬送路とを対応付けることが可能となり、制御や条件設定等が容易になる。
【００５１】
図８は塗布・現像処理システムに本発明を適用した場合の実施の形態を示す平面図である。
【００５２】
図８に示すように、この処理システム９０のほぼ中心には、主搬送路９１が直線状に設けられている。この主搬送路９１の一端には、ガラス基板Ｇをシステム内へ搬入すると共にシステム外へ搬出するための搬入出部９２が配設され、主搬送路９１の他端には露光装置９３との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うためのインタフェース部９４が配設されている。また、主搬送路９１の両側には、主搬送路９１の一端からレジスト塗布系の副搬送路９５、現像系の副搬送路９６、現像系の副搬送路９７が該主搬送路９１とほぼ直交するように配設されている。そして、各副搬送路９５〜９７には、必要な処理ユニットが配置されている。
【００５３】
図１０はユニット化した主搬送路の他の例を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。
【００５４】
これらの図に示すように、ユニット１８の下部には多数の透孔が形成されたパンチング板９８を介して吸引箱９９が形成されている。そして、吸引箱９９は図示を省略した排気装置により排気され、あるいはユニット内のダウンフローのエアー流を形成するために再利用されるようになっている。
【００５５】
図１１は中継部１２の変形例を示す図である。
図１１に示すように、この中継部１２は、主搬送路１１上の副搬送路４０〜７０との交差位置に配置され、図示を省略した回動機構により主搬送路１１と副搬送路４０〜７０との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行う場合に、ガラス基板Ｇをほぼ９０度回動するようにしている。これにより、主搬送路１１と副搬送路４０〜７０とでガラス基板Ｇを同一の向きに搬送することが可能となる。
【００５６】
図１２は上述した主搬送路あるいは副搬送路上にのいずれかに配置することが可能な収容装置の平面図、図１３はその側面図である。
【００５７】
これらの図に示すように、収容装置１１８では、その中央部に長手方向に配置された廊下状の搬送路１３３が設けられており、この搬送路１３３の両側には、ガラス基板Ｇを収容するための収容体が複数配置されている。
【００５８】
例えば、搬送路１３３の一側方には、ガラス基板Ｇを一旦収容する第１の収容体１３４〜１３９が複数、例えばガラス基板Ｇのレイヤの数に相当する数、即ちここでは６台並設されている。また、搬送路１３３を挟んで反対側にも、同様にガラス基板Ｇを一旦収容する第２の収容体１４０〜１４５が複数、例えばガラス基板Ｇのレイヤの数に相当する数、即ちここでは６台並設されている。そして、後に詳述するように、このような第１の収容体１３４〜１３９と第２の収容体１４０〜１４５とをロード用及びアンロード用として相互に切り替えて用いるようになっている。
【００５９】
各第１の側収容体１３４〜１３９及び第２の収容体１４０〜１４５は、例えば図１４に示すように、搬送路１３３側に基板搬入出口を有する箱体１４６により構成される。この箱体１４６の搬送路１３３側から見た左右の内壁には、ガラス基板Ｇを箱体１４６内へ案内して保持するための保持ガイド部材１４７が設けられている。保持ガイド部材１４７は左右１組で一対をなしており、箱体１４６ではこのような対を複数、例えば２０対有することで、２０枚のガラス基板Ｇを収容することが可能となっている。ここでは所定ロット単位を２０枚としているものとする。しかし、収容体における収容枚数が所定ロット単位に一致するとは限らない。
【００６０】
また、第１の収容体１３４〜１３９のうち、例えば第１の収容体１３４は第１層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容され、第１の収容体１３５は第２層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容され、第１の収容体１３６は第３層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容され、第１の収容体１３７は第４層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容され、第１の収容体１３８は第５層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容され、第１の収容体１３９は第６層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容されるようになっている。同様に、第２の収容体１４０〜１４５のうち、例えば第２の収容体１４０は第１層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容され、第２の収容体１４１は第２層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容され、第２の収容体１４２は第３層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容され、第２の収容体１４３は第４層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容され、第２の収容体１４４は第５層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容され、第２の収容体１４５は第６層目のレイヤ処理のためのガラス基板Ｇが収容されるようになっている。
【００６１】
そして、アーム式の搬送装置１４８が搬送路１３３上を移動するようになっている。この搬送装置１４８は、一対のアーム１４９、１４９を有し、この一対のアーム１４９、１４９によりガラス基板Ｇを保持するようになっている。この一対のアーム１４９、１４９は、図示を省略した駆動装置により、搬送路１３３に沿って移動すると共に、上下方向に昇降し、更に平面内を回動し、かつ、前後の移動することが可能であり、これにより両側の各第１の収容体１３４〜１３９、第２の収容体１４０〜１４５との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。なお、搬送装置１４８は、一対のアーム１４９、１４９を上下に２組、或いは３組以上有するように構成しても構わない。
【００６２】
また、例えば搬送装置１４８には、ガラス基板Ｇに形成された現在の処理中のレイヤを示す情報を読み取り、認識するための読取装置１５０が配置されている。このような読取装置１５０を搬送装置１４８に設けることにより、ユニット側からガラス基板Ｇを受け取って直ぐにそのガラス基板Ｇの現在処理中のレイヤを認識でき、収容体へのガラス基板Ｇの収容を迅速かつスムーズに行うことができる。しかし、ユニット側から各ガラス基板Ｇに対するレイヤ情報が送られてくる場合やユニット側からガラス基板Ｇが規則的に、即ち予め定められたレイヤの順番で送られてくる場合には必ずしもこのような読取装置１５０が必要なわけではない。そして、収容装置１１８では、このようなレイヤ情報を入手したレイヤ情報をとして用い、このレイヤ情報に基づいて対応する収容体へガラス基板Ｇを収容すると共に、図示を省略した記憶手段がこのレイヤ情報を記憶しておき、収容体からユニット側へガラス基板Ｇを返送する際にこの記憶したレイヤ情報を用い、ユニット側から収容装置１１８へ送られてきた順番でユニット側へガラス基板Ｇを返送する。この点は以下の説明で詳述する。
【００６３】
次にこのように構成された収容装置１１８の動作について説明する。
まず、ユニット側から収容装置１１８へガラス基板Ｇが送られてくると、搬送装置１４８がこのガラス基板Ｇを受け取り、読取装置１５０によりこのガラス基板Ｇの現在処理中のレイヤを認識する。そして、搬送装置１４８は認識したレイヤに対応する第１の収容体１３４〜１３９へこのガラス基板Ｇを搬送して収容する。例えば、認識したレイヤが第３層目のものだとすると、搬送装置１４８はこのガラス基板Ｇを第１の収容体１３６へ収容する。
【００６４】
以上の収容動作が繰り返され、各第１の収容体１３４〜１３９にそれぞれ２０枚のガラス基板Ｇが収容されると、レイヤ別に連続的にガラス基板Ｇはレジスト塗布の処理が行われ、露光装置２に送出される。露光装置２では、搬入されるガラス基板Ｇのレイヤに応じて順次レチクルが交換され、露光処理が行われる。そして、これらガラス基板Ｇは現像処理が行われ、収容装置１１８へ搬送される。一方、この間に、ユニット側から収容装置１１８へガラス基板Ｇが送られてくるガラス基板Ｇは、第１の収容体における動作と同様に、対応する第２の収容体１４０〜１４５へ順次収容されるている。
【００６５】
第１の収容体１３４〜１３９から露光装置２側へ搬送され、処理されたガラス基板Ｇは、それぞれもとの各第１の収容体１３４〜１３９に順次収容される。そして、全ての各第１の収容体１３４〜１３９にそれぞれ２０枚のガラス基板Ｇが収容されたとき、搬送装置１４８は、ユニット側から当該収容装置１１８へガラス基板Ｇが送られてきた順番で、ユニット側へこれらのガラス基板Ｇを返送する。一方、この間に、第２の収容体１４０〜１４５では、第１の収容体における動作と同様に、レイヤ別にガラス基板Ｇはレジスト塗布の処理が行われ、露光装置２に送出されて露光処理が行われ、現像処理が行われ、それぞれもとの各第２の収容体１４０〜１４５に順次返送されている。
【００６６】
このように第１の収容体１３４〜１３９でロード動作を行っている最中は、第２の収容体１４０〜１４５でアンロード動作を行い、その逆に第２の収容体１４０〜１４５でロード動作を行っている最中は、第１の収容体１３４〜１３９でアンロード動作を行い、以下このような動作を繰り返していく。
【００６７】
ここで、例えば第１層が現在処理中のレイヤであるガラス基板ＧをＡ、第２層が現在処理中のレイヤであるガラス基板ＧをＢ、第３層が現在処理中のレイヤであるガラス基板ＧをＣ、第４層が現在処理中のレイヤであるガラス基板ＧをＤ、第５層が現在処理中のレイヤであるガラス基板ＧをＥ、第６層が現在処理中のレイヤであるガラス基板ＧをＦとし、このＡ〜Ｆに添えた数字がそのレイヤで何枚目かを示すものとする。
【００６８】
すると、例えばユニット側から収容装置１１８へは
Ａ１、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ３、Ｃ３、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、．．．．、Ｆ１、Ｇ１、Ｆ２、．．．．
の順番で搬送され、収容装置１１８から露光装置２側へは
Ａ１、Ａ２、．．．．、Ｂ１、Ｂ２、．．．．、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、．．．．、Ｄ１、Ｄ２、．．．．、Ｆ１、Ｆ２、．．．．、Ｇ１
といった具合に送り出され、収容装置１１８からユニット側へは、ユニット側から収容装置１１８への搬入の順番と同様に、
Ａ１、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ３、Ｃ３、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、．．．．、Ｆ１、Ｇ１、Ｆ２、．．．．
の順番で搬出される。
【００６９】
以上のように、この実施の形態によれば、露光装置２に対して同一レイヤのガラス基板Ｇを連続的に供給できるので、露光装置２側ではレチクルを例えば基板２枚毎に交換すればよくなり、露光処理時間を短くすることができる。また、露光装置２とユニット側との間に、このような容量の大きなバッファ的な機能をもった収容装置１１８を介挿することによって、これら装置におけるタクトの変動による生産ロスタイムを軽減することができる。
【００７０】
また、この収容装置１１８は多数のガラス基板Ｇを収容可能であることから、ＴＦＴアレイ形成システムのどこかで異常が発生したときの基板退避用のバッファとして用いることができる。例えば、ユニット側のうちどこかで異常が発生した場合にはその異常が発生した処理装置群の稼動は止めるが残りの処理装置群の稼動は継続する。そして、異常が発生した処理装置群による処理を控えたガラス基板Ｇをこの収容装置１１８に一旦収容する。
【００７１】
次に、本発明の他の実施の形態について説明する。
この他の実施の形態については、図１５に示すように、エッチング系の副搬送路６０と成膜系の副搬送路５０のそれぞれの搬送路は減圧雰囲気に設定されている。これは、エッチング系或いは成膜系の処理においては一般的に減圧雰囲気下で処理がおこなわれており、搬送系においても減圧雰囲気にすることでガラス基板Ｇを大気から減圧雰囲気下にする時間が処理のスループットに影響を及ぼすからである。このように構成されることで、主搬送装置１１は大気雰囲気或いはそれより陽圧雰囲気にされているため、前述の副搬送路５０・６０との基板の受渡しにおいて大気開放及び減圧をおこなう必要が生ずる事とこととなる。
【００７２】
この大気開放及び減圧を実施するシステムとしては、図１６に示すように、主搬送装置１１及び副搬送路５０・６０との間に大気減圧室２００が配置されることとなる。この大気減圧室２００の主搬送装置１１側及び副搬送路５０・６０側にそれぞれ設けられた開閉移動可能な開閉扉２０１・２０２と、これらの開閉扉２０１・２０２と大気減圧室２００を気密に保持するためのＯリングＯが設けられている。また、大気減圧室２００には、ガラス基板Ｇを複数枚収納可能な箱体１２ａを配置する台２０３が配置されている。さらに、大気減圧室２００の上方位置には、この大気減圧室２００内に所定の気体、例えば不活性ガスとしてのＮ２を導入するガス導入口２０４を備えており、このガス導入口２０４は、開閉弁２０５を介してガス供給装置２０６に接続されている。
【００７３】
また、大気減圧室２００の下方位置には、この大気減圧室２００内を排気する排気口２１０を備えており、この排気口２１０は、圧力計２１１と開閉弁２１２を介して真空装置２１３に接続されている。
【００７４】
以上のように構成された大気減圧室２００の動作を説明すると、まず、開閉扉２０１を開放した状態で、箱体１２ａに対して主搬送装置１１にてガラス基板Ｇを所定の枚数搬入する。このとき開閉扉２０２は、閉じている。
【００７５】
この後、開閉扉２０１を閉じ、開閉弁２１２開放し真空装置２１３を稼動させる。
【００７６】
所定の圧力（第１の圧力）まで圧力計２１１にてモニターしつつ一旦真空引きした後、前記第１の圧力より高い圧力であって、副搬送路５０・６０の圧力と同等の圧力になるように開閉弁２０５を開放しガス供給装置２０６からＮ２を導入する。この後、開閉扉２０２を開放し副搬送路５０・６０側からガラス基板Ｇを搬出するものである。
【００７７】
このように構成したことにより、エッチング系の副搬送路６０と成膜系の副搬送路５０での搬送を減圧雰囲気下でおこなうことができ、それぞれの処理室へのアクセスが一旦減圧にする必要がないので、処理のスループットが向上する。また、減圧雰囲気下にてガラス基板Ｇは搬送されるため、パーティクルの付着が抑制可能となり、歩留まりの向上をおこなうことができる。
【００７８】
さらに、本発明の他の実施の形態について説明する。
この他の実施の形態については、図１７に示すように、剥離・洗浄系の副搬送路４０、成膜系の副搬送路５０、エッチング系の副搬送路６０、塗布・現像系の副搬送路７０の右側には第２の主搬送装置２２０を備え、その雰囲気を減圧雰囲気に保たれた減圧搬送路２２１が設けられている。
【００７９】
この減圧搬送路２２１の剥離・洗浄系の副搬送路４０、成膜系の副搬送路５０、エッチング系の副搬送路６０、塗布・現像系の副搬送路７０のそれぞれの搬送路に対応した位置には、図１８に示すように、ガラス基板Ｇを１枚毎収納可能に構成された基板キャリア２２２を配置するキャリアポート２２３が設けられている。
【００８０】
このキャリアポート２２３では、前記基板キャリア２２２を複数、例えば２個を垂直方向に積層して設けることが可能に構成され、それらの基板キャリア２２２は、各々独立して第２の主搬送装置２２０により搬送可能に構成されている。
【００８１】
さらに、基板キャリア２２２は、図１８に示すように片側を開放する開口部２２４を有し、その内部にはガラス基板Ｇを保持する載置部材２２５を備えている。
【００８２】
また、減圧搬送路２２１の雰囲気圧力は、成膜系の副搬送路５０、エッチング系の副搬送路６０の減圧雰囲気圧力と同等に設定されているため成膜系の副搬送路５０、エッチング系の副搬送路６０の副搬送装置５０ａ・６０ａは、減圧搬送路２２１に配置される基板キャリア２２２に対して直接アクセス可能とされている。しかしながら、例えば、剥離・洗浄系の副搬送路４０、塗布・現像系の副搬送路７０のそれぞれの搬送路が、減圧搬送路２２１の雰囲気圧力と異なる所定の圧力、例えば大気圧若しくは大気圧より高い陽圧に設定されているので、剥離・洗浄系の副搬送路４０、塗布・現像系の副搬送路７０の副搬送装置４０ａ・７０ａは、直接アクセスできない。これをアクセス可能とするために図１７の図中Ｘ部分の詳細を図１９にて説明する。
【００８３】
剥離・洗浄系の副搬送路４０、塗布・現像系の副搬送路７０の減圧搬送路２２１側には、開口部２５０を有する隔離壁２５１が設けられ、この開口部２５０を開閉するための開閉板２５２を備えられている。
【００８４】
さらに、この開閉板２５２には、ガス噴出口２５３と排気口２５４が設けられ、ガス噴出口２５３は、開閉弁２５５を介して所定の気体、例えば不活性ガスとしてのＮ２を供給するガス供給装置２５６が接続され、排気口２５４には、開閉弁２５７を介して真空装置２５８が接続されている。
【００８５】
また、隔離壁２５１には、前記開閉板２５２と基板キャリア２２２との接触における気密性を保持するＯリングＯをそれぞれ設けている。
【００８６】
このように構成されたシステムの動作を説明すると、まず、例えばエッチング系の処理が施されたガラス基板Ｇを副搬送路６０の副搬送装置６０ａにて、エッチング系の副搬送路６０側のキャリアポート２２３に配置されている基板キャリア２２２に搬入する。
【００８７】
この後、減圧搬送路２２１の主搬送装置２２０によって、そのキャリアポート２２３は、次段、例えば剥離・洗浄系の副搬送路４０側のキャリアポート２２３に搬送し、配置する。そして、この搬送された基板キャリア２２２は、図示しない押圧手段によって、開口部２２４側が隔離壁２５１に押圧され、隔離壁２５１のＯリングＯにより気密に保持する。この際、開閉板２５２は閉じられている。
【００８８】
この後、開閉弁２５５を開放し、ガス供給装置２５６を稼動することによって基板キャリア２２２内にＮ２を導入する。このＮ２の導入により、基板キャリア２２２内を剥離・洗浄系の副搬送路４０の雰囲気圧力とほぼ同等の圧力に設定した後、開閉板２５２を開放し、剥離・洗浄系の副搬送路４０の副搬送装置４０ａによって、ガラス基板Ｇを基板キャリア２２２内から搬出する。
【００８９】
また、逆に剥離・洗浄系の副搬送路４０側からエッチング系の副搬送路６０側にガラス基板Ｇを搬送するときは、基板キャリア２２２内を真空装置２５８にて所定の圧力に設定した後に搬送することは言うまでもない。
【００９０】
このように構成したことにより、ガラス基板Ｇを１枚ごと次の処理工程まで減圧雰囲気下で搬送することが可能となり、不要なパーティクルの付着を予防することが可能となり、歩留まりを向上することができる。また、処理が終わったガラス基板Ｇを次の工程に一枚毎搬送可能なため他の未処理の基板の処理を待つことなく送れるので、処理のスループットも向上することが可能となる。
【００９１】
ここでは、減圧雰囲気下のシステムと他の大気圧或いは陽圧に設定された雰囲気下のシステムとを混在させたが、減圧雰囲気下のシステム同士のみの搬送システムとしても良いことは言うまでもない。
【００９２】
なお、本発明は上述した実施の形態には限定されず、その技術思想の範囲内で様々な変形が可能である。
【００９３】
例えば、本発明は、ＴＦＴアレイガラス基板に対する処理システムを例にとり説明したが、カラーフィルタ、更には半導体ウェハ等の他の基板を処理するシステムにも当然適用できる。
【０１０２】
本発明によれば、前記主搬送路上の一部または全部に設けられ、該主搬送路上の領域にダウンフローのエアーの流れを形成する手段をさらに具備するように構成したので、パーティクルが主搬送路内を浮遊することを防止することができる。
【０１０３】
本発明によれば、前記主搬送路上の一部または全部に設けられ、該主搬送路上の領域よりエアーを吸引する吸引手段をさらに具備するように構成したので、ユニット内にさらに強力なダウンフローのエアー流を形成することが可能となる。
【０１０４】
本発明によれば、前記吸引手段により吸引されたエアーを該システム内で再利用するように構成したので、コストダウンを図ることができる。
【０１０５】
本発明によれば、前記主搬送路と前記各大気系副搬送路との接続部には、被処理体を一旦保持する中継部が配置されるように構成したので、搬送装置の待ち状態をなくすことができる。
【０１０６】
本発明によれば、前記中継部が、保持した被処理体をほぼ９０度回動する手段を更に具備するように構成したので、処理装置が被処理体を回動させることなく、主搬送路と副搬送路とで同一の向きに被処理体を搬送することが可能となる。
【０１０７】
本発明によれば、前記主搬送路上には、被処理体を一旦保持する中継部が配置されるように構成したので、主搬送路上で待ち状態が発生した被処理体を搬送装置以外で保持しておくことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態に係るＴＦＴアレイを形成するための処理システムの平面図である。
【図２】  図１に示した中継部の構成を示す斜視図である。
【図３】  図１に示した主搬送路の構成を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。
【図４】  図１に示した主搬送路装置の一例を斜視図である。
【図５】  図１に示したアッシングユニットの一例を示す水平断面図である。
【図６】  本発明の他の実施形態に係る処理システムの平面図である。
【図７】  本発明のさらに別の実施形態に係る処理システムの平面図である。
【図８】  塗布・現像処理システムに本発明を適用した場合の実施の形態を示す平面図である。
【図９】  図３に示した主搬送路の他の例を示す斜視図である。
【図１０】  図３に示した主搬送路の他の例を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。
【図１１】  中継部の変形例を示す斜視図である。
【図１２】  図１に示した主搬送路あるいは副搬送路上にのいずれかに配置される収容装置の平面図である。
【図１３】  図１２に示した収容装置の側面図である。
【図１４】  図１２及び図１３に示した収容体の斜視図である。
【図１５】  図１の他の実施の形態を説明する平面図である。
【図１６】  図１５の要部を説明する断面図である。
【図１７】  図１５の他の実施の形態を説明する平面図である。
【図１８】  図１７の要部を説明する断面図である。
【図１９】  図１７の要部を説明する断面図である。
【符号の説明】
１０    主搬送路
１１    主搬送装置
４０〜７０    副搬送路
４０ａ〜７０ａ    副搬送装置
４１    スクラバユニット
４２    アッシングユニット
５１    成膜ユニット
６１    エッチングユニット
７３    レジスト塗布ユニット
７４    現像処理ユニット
【図１】
0003665716.tif 000002
【図２】
0003665716.tif 000003
【図３】
0003665716.tif 000004
【図４】
0003665716.tif 000005
【図５】
0003665716.tif 000006
【図６】
0003665716.tif 000007
【図７】
0003665716.tif 000008
【図８】
0003665716.tif 000009
【図９】
0003665716.tif 000010
【図１０】
0003665716.tif 000011
【図１１】
0003665716.tif 000012
【図１２】
0003665716.tif 000013
【図１３】
0003665716.tif 000014
【図１４】
0003665716.tif 000015
【図１５】
0003665716.tif 000016
【図１６】
0003665716.tif 000017
【図１７】
0003665716.tif 000018
【図１８】
0003665716.tif 000019
【図１９】
0003665716.tif 000020