(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームに装着された半導体チップを内部に埋設してなる半導体装置用モールドパッケージにおいて、前記モールドパッケージのアイランドサポートのあるコーナ部のうち少なくともモールド成形時ゲート部に位置するコーナ部の抜き勾配を、辺部の勾配よりも大きい２０度ないし２５度の範囲内に成形してなることを特徴とする半導体装置用モールドパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームに装着された半導体チップを樹脂で封止するモールドパッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
リードフレームに装着したＩＣ（集積回路）等を形成した半導体チップを樹脂によりパッケージして半導体装置にすることは良くしられている。この場合の例を図３及び図４に基づいて説明する。図３は、半導体装置の概要を説明するための正面図である。図３において、１は半導体装置、２はモールドパッケージ、２ｃはモールドパッケージのコーナー、３はリード、４はゲート部である。パッケージ２の４辺からは四方に多数のリード３が設けられており、モールドパッケージ２の４箇所にコーナー２ｃが形成されている。これらのコーナー２ｃの下部部分の一つにはゲート部４があり、これはモールド金型のキャビティに樹脂を流し込むためのゲードが設けられていた場所である。
【０００３】
このような半導体装置１は、ボンディングツールを用いてＩＣ（集積回路）等を形成した半導体チップとリードフレームを接続し、ついで、射出成形機などを用いて、熱可塑性樹脂などによりパッケージし、各リード３を必要な長さでリードフレームから切離し、図のように形成される。
【０００４】
図４は、図３におけるＡ−Ａ矢印方向から見た半導体製品１の外形を示す正面図である。図３と同一符号を付したものは同一要素を示しているので、重複する説明は省略する。図４において、半導体製品１の両端の斜線を施した部分はパッケージ２のコーナー２ｃを示している。記号θはパッケージ２のコーナー２ｃの下部抜き勾配であり、この下部抜き勾配θはパッケージ２の４辺の下部抜き勾配と同じである。
【０００５】
すなわち、パッケージ２の４辺の下部抜き勾配は、６度，１２度，１５度，２０度と指定されていて、通常、パッケージ２のコーナー２ｃの下部抜き勾配θも、この４辺の下部抜き勾配と同じ６度，１２度，１５度，２０度に形成されている。なお、パッケージ２のコーナー２ｃの下部には金型のキャビティに樹脂を流し込むためのゲードが設けられていた場所のゲート部４がある。このゲート部４は特定の一つのコーナー２ｃにあり、リード３から下の下部に設けられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようにパッケージ２のコーナー２ｃの下部抜き勾配θを各辺の下部抜き勾配と同じにして半導体製品を製造すると、ゲート部４があるパッケージ２のコーナー２ｃ下部部分において、モールド成形直後のパッケージ２のモールドゲートを取り除く時やアウターフレームから切り離すアイランドサポートカット時にクラックや欠けが発生しやすい、という問題がある。
【０００７】
例えば、アイランドサポートカットは、図５に示すように、パンチ５を上から下方向へ駆動して、モールド成形直後のパッケージ２をアウターフレームから切り離すが、パッケージ２のコーナー２ｃの下部抜き勾配θが小さいために、カット時にゲート部４のあるコーナー２ｃの下部（図に示すｄ区域）にクラックや欠けが発生しやすい、という問題がある。
【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、モールドパッケージのゲート部を取り除く時やアウターフレームから切り離すアイランドサポートカット時にパッケージのゲート部のあるコーナー部分にクラックや欠けが生じにくい半導体装置用モールドパッケージを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、リードフレームに装着された半導体チップを内部に埋設してなる半導体装置用モールドパッケージにおいて、前記モールドパッケージのアイランドサポートのあるコーナ部のうち少なくともモールド成形時ゲート部に位置するコーナ部の抜き勾配を、辺部の勾配よりも大きい２０度ないし２５度の範囲内に成形してなることを特徴とする。
【００１０】
本発明の特徴による抜き勾配の下限２０度は、モールドパッケージのゲート部を取り除く時やアウターフレームから切り離すアイランドサポートカット時にパッケージのゲート部のあるコーナー部分にクラックや欠けが発生しにくくなる限界値であり、抜き勾配の上限２５度はモールドパッケージの大型化を図ることなく、パッケージの機能を持たせるための限界値である。
【００１１】
本発明の特徴によれば、モールドパッケージのゲート部を取り除く時やアウターフレームから切り離すアイランドサポートカット時にクラックや欠けが発生しにくくなり、歩留まりの高い半導体装置用モールドパッケージとなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体装置用モールドパッケージの例を図面を参照して説明する。図１は本発明の例における半導体装置の正面図である。なお、図３ないし図５と同一及び共通する部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。図１において、半導体装置１の両端の斜線を施した部分はモールドパッケージ２のコーナー２ｃを示している。
【００１３】
この例では、パッケージ２の４辺の下部抜き勾配は１２度にし、パッケージ２のコーナー２ｃの下部抜き勾配θは、２０度に形成されている。これは、モールド成形する下金型にモールドゲートがあり、また、ＦＬ工程にてサポート（ゲート残り）カットを下方向に抜くことから、カットの際のパッケージの欠けを防ぐため、対策としてゲートに位置するコーナー２ｃの下部抜き勾配を大きくしたものである。
【００１４】
このようにパッケージ２のコーナー２ｃの下部抜き勾配を大きくすると、図２に示すように、パッケージ２をアウターフレームから切り離すアイランドサポートカットを行うサポートカットパンチ５を、パッケージ２の上から下方向へのカットを行なっても、カット時にコーナー２ｃの下部にクラックや欠けが生じなくなる。
【００１５】
なお、この例では、パッケージ２のコーナー２ｃの下部抜き勾配θは、２０度に形成されているが、２０度は各カット時にクラックや欠けが生じにくくなる限界値でありより大きい勾配に形成することが好ましい、しかし、この勾配を大きくするとコーナー２ｃ部が薄くなり、半導体チップ部を保護するモールドパッケージを大型化する必要性が生じる。この大型化をさける限界値は実験によれば２５度が限界値である。
【００１６】
また、この例の半導体装置は、ＩＣ（集積回路）等が形成された半導体チップにリードフレームを接合し、これを金型のキャビティ内に設置し、樹脂などのモールドによりパッケージを形成し、モールドした成形品を金型から取外し、各リードを必要な長さでリードフレームから切離して形成されたものであることは勿論である。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明による半導体装置用モールドパッケージは、少なくともモールド成形時ゲート部に位置するコーナ部の抜き勾配を２０゜〜２５゜に形成されているので、モールド成形後のゲート部を取り除く時やアウターフレームから切り離すアイランドサポートカット時に生じるパッケージのコーナー部分のクラックや欠けを防止することができ、半導体装置の歩留りが向上し、品質、信頼性、効率が良くなり、コストが低減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るモールドパッケージ半導体装置の一例の正面図である。
【図２】図１のモールドパッケージの効果を説明する説明図である。
【図３】モールドパッケージ半導体装置の概要を説明するための説明図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ矢印方向から見た半導体装置の外形を示す正面図である。
【図５】従来例におけるモールドパッケージの問題点を説明する説明図である。
【符号の説明】
１    半導体装置
２    モールドパッケージ
２ｃ  パッケージのコーナー
３    リード
４    ゲート部（モールド時ゲート部に位置したパッケージのコーナー）
５    サポートカットパンチ
θ    コーナーの下部抜き勾配
【図１】
0003708236.tif 000002
【図２】
0003708236.tif 000003
【図３】
0003708236.tif 000004
【図４】
0003708236.tif 000005
【図５】
0003708236.tif 000006