(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行平板型電極を有する半導体製造装置において基板上にシリコン絶縁膜を形成する成膜方法であって、
ＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをプラズマ化して、フッ素を含むシリコン絶縁膜を基板上に堆積する堆積ステップを備え、
前記平行平板型電極に印加されるＲＦ電力はＳｉＨ4およびＳｉＦ4の合計流量に対して４Ｗ／ｓｃｃｍ以上である、成膜方法。
【請求項２】
前記酸素ソース物質には、Ｎ2Ｏ、ＮＯ、Ｎ2Ｏ3、Ｎ2Ｏ5、ＮＯ3、Ｎ2Ｏ4およびＮＯ2のうちの少なくとも一つの物質が含まれる、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記酸素ソース物質には、Ｏ2およびＯ3のうちの少なくとも一つの物質が含まれる、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記酸素ソース物質には、ＣＯ、ＣＯ2およびＨ2Ｏのうちの少なくとも一つの物質が含まれる、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項５】
平行平板型電極を有する半導体製造装置において基板上にシリコン絶縁膜を形成する成膜方法であって、
ＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをプラズマ化して、フッ素を含むシリコン絶縁膜を基板上に堆積する堆積ステップを備え、
前記酸素ソース物質には、ＣＯ、ＣＯ2およびＨ2Ｏのうちの少なくとも一つの物質が含まれる成膜方法。
【請求項６】
ＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをチャンバ内に導入する導入ステップを更に備える請求項１から請求項５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項７】
前記平行平板型電極に印加されるＲＦ電力は１０００Ｗ以上である、請求項１から請求項６のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項８】
前記平行平板型電極に印加されるＲＦ電力は１４００Ｗ以上である、請求項１から請求項７のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記ＳｉＨ4に対する前記ＳｉＦ4の流量比は１より大きい、請求項１〜請求項８のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記平行平板電極に印加されるＲＦ電力は単一の周波数で変調されている、請求項１〜請求項９のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記堆積ステップにおける前記反応チャンバ内の圧力は６６６Ｐａ以下である、請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記堆積ステップにおける成膜温度は４８０℃以下である、請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１３】
基板上にダマシン構造の導電部を有する半導体装置の製造方法であって、
平行平板型電極を有する半導体製造装置のチャンバ内に導入されたＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをプラズマ化して、フッ素を含むシリコン絶縁膜を基板上に堆積する堆積ステップと、
前記シリコン絶縁膜にダマシン構造の導電部を形成するダマシンステップと、
を備え、
前記平行平板型電極に印加されるＲＦ電力はＳｉＨ4およびＳｉＦ4の合計流量に対して４Ｗ／ｓｃｃｍ以上である、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記酸素ソース物質には、Ｎ2Ｏ、ＮＯ、Ｎ2Ｏ3、Ｎ2Ｏ5、ＮＯ3、Ｎ2Ｏ4およびＮＯ2のうちの少なくとも一つの物質が含まれる、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
基板上にダマシン構造の導電部を有する半導体装置の製造方法であって、
平行平板型電極を有する半導体製造装置のチャンバ内に導入されたＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをプラズマ化して、フッ素を含むシリコン絶縁膜を基板上に堆積する堆積ステップと、
前記シリコン絶縁膜にダマシン構造の導電部を形成するダマシンステップと、
を備え、
前記酸素ソース物質には、ＣＯ、ＣＯ2およびＨ2Ｏのうちの少なくとも一つの物質が含まれる、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ダマシンステップは、
前記シリコン絶縁膜に凹部を形成するステップと、
前記凹部に導電材料を形成するステップと、
を有する請求項１３〜請求項１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記平行平板型電極に印加されるＲＦ電力は１０００Ｗ以上である、請求項１３〜請求項１６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記平行平板型電極に印加されるＲＦ電力は１４００Ｗ以上である、請求項１３〜請求項１７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ＳｉＨ4に対する前記ＳｉＦ4の流量比は１より大きい、請求項１３〜請求項１８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜方法、半導体装置の製造方法、および成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路の微細化が進むにつれて、配線間隔も小さくなってきている。この微細な配線間隔を絶縁物で埋めるために、高密度プラズマ(ＨＤＰ)ＣＶＤ装置が必要である。
【０００３】
また、配線間隔の微細化にともなって、配線間のキャパシタンスも大きくなっている。このキャパシタンスを低減するために、層間絶縁膜に比誘電率がより小さい絶縁膜、つまり低誘電率膜を採用することが行われている。このような低誘電率膜には、フッ素を含有したシリコン絶縁膜が採用されている。
【０００４】
つまり、従来においては、小さな配線間を埋めるために、ＨＤＰ装置が必要であり、また、低誘電率膜を形成するために、このための原料ガスとして有機シラン系ガスが用いられてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
最近、微細ＬＳＩのための配線にダマシン構造を適用することが着目されている。ダマシン構造では、配線間を絶縁膜で埋めることがないので、高価なＨＤＰ装置を必ずしも用いる必要がない。例えば、平行平板型プラズマ装置を用いて層間絶縁膜としてＦＳＧ膜を形成することが考えられる。このＣＶＤ装置では、シリコン層間酸化膜を形成する際にＴＥＯＳを原料ガスとして用いる。
【０００６】
しかしながら、平行平板型プラズマ装置を用いて形成されたＦＳＧは時間の経過にともなって膜質が変化してしまうので、このＦＳＧ膜は安定性に欠ける。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、膜質が安定なフッ素含有シリコン絶縁膜を形成できる成膜方法および成膜装置、並びに半導体装置の製造方法を提供することとした。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わる成膜方法は、平行平板型電極を有する半導体製造装置において基板上にシリコン絶縁膜を形成する。この成膜方法は、（１）ＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをプラズマ化して、フッ素を含むシリコン絶縁膜を基板上に堆積する堆積ステップを備える。また、この成膜方法は、（２）ＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをチャンバ内に導入する導入ステップを備え、平行平板型電極に印加されるＲＦ電力はＳｉＨ4およびＳｉＦ4の合計流量に対して４Ｗ／ｓｃｃｍ以上であることができる。
また、本発明に係わる成膜方法は、平行平板型電極を有する半導体製造装置において基板上にシリコン絶縁膜を形成する。この成膜方法は、ＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをプラズマ化して、フッ素を含むシリコン絶縁膜を基板上に堆積する堆積ステップを備え、前記酸素ソース物質には、ＣＯ、ＣＯ2およびＨ2Ｏのうちの少なくとも一つの物質が含まれる。
【０００９】
本発明は、基板上にダマシン構造の導電部を有する半導体装置の製造方法に係わる。この半導体装置の製造方法は、以下のステップ、（３）平行平板型電極を有する半導体製造装置に導入されたＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをプラズマ化して、フッ素を含むシリコン絶縁膜を基板上に堆積する堆積ステップと、（４）シリコン絶縁膜にダマシン構造の導電部を形成するダマシンステップと、を備え、前記平行平板型電極に印加されるＲＦ電力はＳｉＨ4およびＳｉＦ4の合計流量に対して４Ｗ／ｓｃｃｍ以上である。
本発明は、基板上にダマシン構造の導電部を有する半導体装置の製造方法に係わる。この半導体装置の製造方法は、以下のステップ、平行平板型電極を有する半導体製造装置のチャンバ内に導入されたＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをプラズマ化して、フッ素を含むシリコン絶縁膜を基板上に堆積する堆積ステップと、前記シリコン絶縁膜にダマシン構造の導電部を形成するダマシンステップと、を備え、前記酸素ソース物質には、ＣＯ、ＣＯ2およびＨ2Ｏのうちの少なくとも一つの物質が含まれる。
【００１０】
本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ダマシンステップは、(4-1)シリコン絶縁膜に凹部を形成するステップと、(4-2)凹部に導電材料を形成するステップと、を有する。
【００１１】
ＴＥＯＳに比べたとき、ＳｉＨ4およびＳｉＦ4を含むプロセスガスは、結果として得られるシリコン絶縁膜を構成する元素を主要に含む。このため、シリコン絶縁膜中に炭素、水素が取り込まれる可能性が小さい。また、ＳｉＦ4はＳｉ−Ｆ結合を含むので、シリコン絶縁膜中にフッ素が容易に取り込まれる。
【００１２】
ダマシン構造では導電部の間をシリコン絶縁膜により埋め込むことがないので、平行平板型電極を有する半導体製造装置を用いて形成されたシリコン絶縁膜を利用できる。
【００１３】
本発明に係わる成膜方法および半導体装置の製造方法では、平行平板型電極に印加されるＲＦ電力は１０００Ｗ以上であることができる。発明者は、良好なシリコン絶縁膜を得るためには、ＲＦパワーを高くすることが好適であることを発見にした。大きなＲＦパワーを加えると、ＳｉＨ4およびＳｉＦ4を含むプロセスガスを十分に分解できる。発明者の実験によれば、ＲＦ電力が１０００Ｗ以上において、膜質の優れた成膜が可能になった。
【００１４】
本発明に係わる成膜方法および半導体装置の製造方法では、平行平板型電極に印加されるＲＦ電力は１４００Ｗ以上であることができる。ＲＦ電力が１４００Ｗ以上において比誘電率の経時変化が小さい膜が得られた。発明者の実験によれば、ＲＦパワーが高くすることは、比誘電率の経時変化が小さくするために好適である。
【００１５】
本発明に係わる成膜方法および半導体装置の製造方法では、平行平板型電極に印加されるＲＦ電力は、４Ｗ／ｓｃｃｍ以上であることができる。発明者は、良好なシリコン絶縁膜を得るためには、単位流量当たりのＲＦパワーもまた、膜特性に影響を与えることを発見にした。発明者の実験によれば、この値は、シリコン供給源である(ＳｉＨ4＋ＳｉＦ4)の流量に関して４Ｗ／ｓｃｃｍ以上である。
【００１６】
本発明に係わる成膜方法および半導体装置の製造方法では、ＳｉＨ4に対するＳｉＦ4の流量比は１より大きいことが好ましい。発明者の実験によれば、この流量比は、シリコン絶縁膜のフッ素含有量に影響を与えることを発見した。
【００１７】
本発明に係わる成膜方法および半導体装置の製造方法では、平行平板電極に印加されるＲＦ電力は単一の周端数で変調されているようにしてもよい。発明者は、単一の周端数のＲＦ電力によって、プロセスガスを十分に分解できることを発見した。
【００１８】
本発明に係わる成膜方法および半導体装置の製造方法では、酸素ソース物質には、Ｎ2Ｏ、ＮＯ、Ｎ2Ｏ3、Ｎ2Ｏ5、ＮＯ3、Ｎ2Ｏ4およびＮＯ2といった窒素酸化物が含まれ、またＣＯ、ＣＯ2およびＨ2Ｏといった酸素化合物が含まれ、さらにはＯ2、Ｏ3をといった酸素元素からなる物質も含まれる。
【００１９】
本発明に係わる成膜方法および半導体装置の製造方法では、堆積ステップにおける反応チャンバ内の圧力は６６６Ｐａ以下であることができる。この圧力は、シリコン絶縁膜の膜厚の面内均一性に影響があることを発見した。６６６Ｐａ以下に反応チャンバ内の圧力を保つことによって、実用的な均一性を得ることができる。また、反応チャンバ内の圧力が５２２Ｐａ以下に保たれると、さらに好適な結果である。
【００２０】
本発明に係わる成膜方法および半導体装置の製造方法では、堆積ステップにおける成膜温度は４８０℃以下であることができる。発明者は、アルミニウムとシリコンとが共晶合金を形成する温度より低い温度でも、上記の成膜が可能であることを発見した。
【００２１】
本発明に係わる成膜方法および半導体装置の製造方法において形成されたシリコン絶縁膜の比誘電率が３．４以下であるものも得ることができた。
【００２２】
また、本発明に係わる半導体装置の製造方法は、基板上にダマシン構造の導電部を有する。この半導体装置の製造方法は、以下のステップ、(5)平行平板型電極を有する半導体製造装置のチャンバ内に導入されたＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスのプラズマを生成して、フッ素を含む第１のシリコン絶縁膜を基板上に堆積するステップと、(6)基板上に第２のシリコン絶縁膜を堆積するステップと、(7)第１および第２のシリコン絶縁膜にダマシン構造の導電部を形成するステップと、を備える。
【００２３】
本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ステップ(6)では、平行平板型電極を有する半導体製造装置のチャンバ内に導入されたＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスのプラズマを生成して、フッ素を含むシリコン絶縁膜を堆積することができる。
【００２４】
本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ステップ(7)は、(7-1)第１および第２のシリコン絶縁膜の各々に複数の凹部を形成するステップと、(7-2)複数の凹部に導電部を形成するステップと、を有する。
【００２５】
本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ステップ(6)に先立って、基板上にアルミニウムを含む導電部を形成するステップを更に備えることができる。ステップ(6)における成膜温度は４８０℃以下である。この温度によれば、シリコンとアルミニウムとからなる共晶合金が形成されにくい。
【００２６】
本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ステップ(6)の後にステップ(7)が行われ、さらにステップ(6)の後であって、且つステップ(7)に先立って、窒素を含むシリコン絶縁膜を形成するステップを更に備えることができる。シリコン絶縁膜を第１および第２のシリコン絶縁膜の間に設ければ、第１および第２のシリコン絶縁膜の各々に形成される各凹部の深さを制御することが容易になる。
【００２７】
また、本発明に係わる成膜装置は、(8)チャンバ内に設けられた平行平板型電極と、(9)ＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをチャンバ内に導入するための手段と、(10)プロセスガスのプラズマを生成するためのＲＦ電力を供給する電力源と、を備える。この成膜装置では、電力源は、平行平板型電極に１０００Ｗ以上のＲＦ電力を供給可能である。
【００２８】
上記の構成によって、本発明に係わる成膜方法および半導体装置の製造方法において使用可能な成膜装置が提供される。
【００２９】
本発明に係わる成膜装置では、平行平板電極の間隔は０．５ｃｍｃ以上１．７５ｃｍ以下である。発明者は、この間隔を小さくすると、膜質が向上することを発見した。
【００３０】
本発明に係わる成膜装置では、電力源は、平行平板電極に印加されるＲＦ電力を単一の周端数で変調することができる。
【００３１】
さらに、本発明に係わる半導体集積回路装置は、(11)複数の半導体能動素子と、(12)シリコン絶縁膜と、(13)導電部と、を備える。複数の半導体能動素子は、基板に設けられている。シリコン絶縁膜はフッ素を含むと共に、複数の半導体能動素子上に設けられている。 導電部は、複数の半導体能動素子を相互に接続するようにシリコン絶縁膜内に設けられている。この半導体集積回路装置では、導電部はダマシン構造の配線を有する。この半導体集積回路装置では、シリコン絶縁膜は、平行平板型電極を有する半導体製造装置において、ＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスを用いて形成されている。
【００３２】
【発明の実施の形態】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述からより容易に明らかになる。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００３３】
(第１の実施の形態)
図１は、本実施の形態に係わるシリコン絶縁膜を形成する方法を実施できる化学的気相成長(ＣＶＤ)装置を示している。
【００３４】
ＣＶＤ装置１０は、所望の真空度に減圧可能な処理チャンバ１２を備える。処理チャンバ１２内には、シリコンウエハといった被処理基板１４を支持するための基板支持手段、例えばペデスタル１６が設けられている。ペデスタル１６には、シリコンウエハ１４を加熱するために、セラミックスヒータといった加熱手段１８が設けられている。加熱手段１８は、システム全体を制御するマイクロコンピュータ、メモリといった制御手段２０によって制御されている。このため、加熱手段１８は、ペデスタル１６の温度、つまりステージ温度が成膜に好適な成膜温度に保たれるように制御する。これによって、被処理基板１４の温度は、加熱手段１８によって制御される。
【００３５】
処理チャンバ１２内には、ガス分配プレート２２が、ペデスタル１６に対面するように設けられている。ガス分配プレート２２は、基板１４に一様にガスを供給するようにペデスタル１６と平行に配置されている。ガス分配プレート２２は中空プレートであって、ペデスタル１６と対面する面には、複数のガス供給孔２４が配置されている。ガス分配プレート２２の内部空間には、配管２６を介して処理チャンバ外部のガス混合室２８から所定にプロセスガスが供給される。成膜に必要な原料ガスおよびキャリアガスは、ガス混合室２８において予め均一に混合されている。本実施の形態では、シリコン絶縁膜、特にフッ素含有シリコン酸化膜(例えば、ＦＳＧ膜と呼ばれる膜がある)の形成を行うため、プロセスガス供給源３０、３２、２４を備える。ＳｉＨ4ガス供給源３０、ＳｉＦ4ガス供給源３２、および酸素ソース物質(例えば、Ｎ2Ｏ)供給源３４は、それぞれ流量調節バルブ３６、３８、４０を介してガス混合室２８に接続されている。酸素ソース物質は、シリコン絶縁膜中においてＳｉ−Ｏ結合を形成する酸素を提供するための酸素供給物質である。プロセスガス供給源は、さらに、プラズマ生成のためのＡｒといった不活性ガス供給源を備えることができる。ガス流量調節バルブ３６、３８、４０は制御手段２０によって制御できるので、各ガスの流量が相互に関連するように調整される。ガス分配プレート２２は、アルミニウムといった導電性材料から形成されている。
【００３６】
処理チャンバ１２には、真空ポンプといった真空排気手段４２が接続されている。真空ポンプを動作させると、処理チャンバ１２内部が所望の真空度に減圧可能になる。真空排気手段４２もまた、制御手段２０によって制御される。
【００３７】
ＣＶＤ装置１０は、平行平板型電極を備える。この一対の電極は、ペデスタル１６と、ガス分配プレート２２とから構成される。この一対の電極の間隔は、好ましくは０．５ｃｍ以上１．７５ｍ以下の範囲が好適である。この一対の電極は、ＲＦパワージェネレータといったＲＦ電力発生手段４４が接続されている。ＲＦパワージェネレータは、１０００Ｗ(好ましくは１４００Ｗ)以上２０００Ｗ以下のＲＦパワーを一対の電極に印加できる。この印加パワーの電力のオン／オフおよび大きさは、制御手段２０によって制御できる。ＲＦパワージェネレータ４４の周波数は、１３．５６ＭＨｚを採用したけれども、これに限定されるものではない。周波数は、３ＭＨｚ以上３０ＭＨｚ以下の範囲を使用できる。
【００３８】
以上、説明したように装置を用いると、フッ素含有シリコン絶縁膜を形成できる。このフッ素含有シリコン絶縁膜はシリコンおよび酸素に加えて、少なくともフッ素を含む誘電膜である。
【００３９】
(第２の実施の形態)
次に、図１および図２(ａ)〜図２(ｄ)を参照しながら、ＣＶＤ装置１０を用いてシリコン酸化膜を基板上に形成する手順について説明する。
【００４０】
シリコンウエハといった基板２の主面上には、層間絶縁膜３および金属配線４が堆積されている。被処理体１４は、基板２、層間絶縁膜３および金属配線４からなる。加熱手段１８によって、ステージ温度が３００℃以上４８０℃以下の範囲のいずれかの温度になるように調整される。図２(ａ)に示されるように、被処理体１４をＣＶＤ装置１０のペデスタル１６上に配置する。
【００４１】
まず、フッ素含有のシリコン酸化膜(ＦＳＧ膜)５を被処理体１４上に形成する。この成膜条件は、図３の試行条件の欄に示されている。図３を参照すると、１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力パワーが１５００Ｗ、平行平板電極間距離が１ｃｍ、チャンバ内圧力４９３Ｐａ(３．７ｔｏｒｒ)、Ｎ2Ｏガス流量が１５００ｓｃｃｍ、ＳｉＨ4ガス流量が１１５ｓｃｃｍ、およびＳｉＦ4ガス流量が１３０ｓｃｃｍである。なお、ｓｃｃｍは、standard cubic centimeter per minuteを示す。
【００４２】
ＣＶＤ装置１０において、引き続き、窒素含有シリコン絶縁膜６をＦＳＧ膜５上に形成する。窒素含有のシリコン絶縁膜は、ＦＳＧ膜をエッチングするエッチングガスに対してエッチング率が小さい膜であり、エッチング停止膜として作用する。
【００４３】
続いて、ＣＶＤ装置１０において、ＦＳＧ膜７をシリコン絶縁膜６上に形成する。この成膜条件は、図３の試行条件の欄に示されているものと同一のものを使用できるが、これに限定されるものではない。
【００４４】
次に、ＣＶＤ装置１０で、ＦＳＧ膜７上に窒素含有のシリコン絶縁膜８を形成する。窒素含有のシリコン絶縁膜８は、ＦＳＧ膜をエッチングする際に反射防止膜として作用する。なお、窒素含有のシリコン絶縁膜６、８としては、Ｓｉ3Ｎ4膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜といったシリコン窒化膜がある。
【００４５】
引き続いて、ＦＳＧ膜５、窒素含有のシリコン絶縁膜６、ＦＳＧ膜７、窒素含有のシリコン絶縁膜８に凹部を形成する。まず、配線形状が反映されたパターンを窒素含有のシリコン絶縁膜８にフォトリソグラフィ法およびドライエッチング法によって形成する。次いで、パターン形成されたシリコン絶縁膜８をマスクにして、ドライエッチングによってＦＳＧ膜７に凹部９ａを形成する。このエッチングは、エッチング停止膜６に到達するまで進行する。エッチング停止層６に到達すると、エッチング速度が低くなり、実質的にエッチングが進行しない。続いて、ビア孔の位置が反映されたパターンを窒素含有のシリコン絶縁膜６にフォトリソグラフィ法およびドライエッチング法によって形成する。次いで、パターン形成されたシリコン絶縁膜６をマスクにして、ドライエッチングによってＦＳＧ膜５に凹部９ｂを形成する。このエッチングは、下地配線層４に到達するまで進行する。
【００４６】
この後に、凹部９ａ、９ｂを金属材料で埋め込み平坦化して、ダマシン導電部を形成する。これまで説明した一連の製造ステップは、必要に応じて繰り返し適用される。これによって多層配線が得られる。
【００４７】
なお、上記の成膜手順においてシリコン酸化膜を形成するために無機シラン系ガスを採用しているので、同一のＣＶＤチャンバにおいて、シリコン酸化膜の形成に引き続いて、無機シラン系ガスを用いて成膜される窒素含有シリコン絶縁膜を容易に形成できる。
【００４８】
発明者は、図３に示された試行条件だけでなく、図３に示された変更範囲の条件において実験を行った。
【００４９】
図４は、ＲＦパワーをパラメータとしたときにＳｉＦピーク強度と屈折率の変動との関係を示している。また、図４は、ＲＦパワー１４００以上２０００Ｗまでの範囲において形成されたＦＳＧ膜に関する特性を示している。横軸は、ＦＴ−ＩＲスペクトルにおけるＳｉＦピークをＳｉＦ／(ＳｉＦ＋ＳｉＯ)の百分比として示し、比誘電率もまた示している。縦軸は、クリーンルーム内に３日間放置の前後における屈折率の変化｜ｎafter−ｎbefore｜を示している。ｎbeforeは放置前の屈折率であり、ｎafterは放置後の屈折率である。シンボル”◆”がＲＦパワー２０００Ｗ、シンボル”●”がＲＦパワー１８００Ｗ、シンボル”▲”がＲＦパワー１６００Ｗ、シンボル”■”がＲＦパワー１４００Ｗのデータをそれぞれ示す。ＲＦパワー２０００Ｗでは、変化率０．００７未満であり、ＲＦパワー１８００Ｗでは、０．００８５未満であり。ＲＦパワー１６００Ｗでは、０．０１０以下であり、ＲＦパワー１４００Ｗでは、０．０１２未満である。図４によれば、ＲＦパワーが大きいほど、屈折率変化が小さい膜、つまり膜質が安定な膜が得られた。
【００５０】
また、発明者は、ＲＦパワーが１０００Ｗ以上において膜質の経時変化が小さいシリコン酸化膜が得られることを発見した。
【００５１】
さらに、発明者は、ＲＦパワーのみではなく、ＳｉＨ4ガスおよびＳｉＦ4ガスの合計流量に対する印加ＲＦパワーの比率も重要であることを発見した。この値は、４Ｗ／ｓｃｃｍ以上である。
【００５２】
さらにまた、上記の実験では、ウエハ１枚当たりのＲＦパワーが１０００Ｗ以上において好適な膜質を得た。このとき、パワー密度は、パワー１０００Ｗのとき３．１８Ｗ／ｃｍ2である。パワー密度は、パワー１４００Ｗのとき４．４６Ｗ／ｃｍ2であり、パワー１６００Ｗのとき５．１０Ｗ／ｃｍ2であり、パワー１８００Ｗのとき５．７３Ｗ／ｃｍ2であり、パワー２０００Ｗのとき６．３７Ｗ／ｃｍ2である。
【００５３】
加えて、発明者は高ＲＦパワーの下で成膜する際には、ＳｉＦ4の流量をＳｉＨ4の流量に対して大きくすることが望ましいことを発見した。この条件は、膜中のフッ素含有量を制御するために有効である。
【００５４】
図５は、図３に試行条件に掲げられた成膜パラメータのいずれか１つを変化させたとき、ＳｉＦピーク強度と屈折率の変動との関係を示している。横軸はＦＴ−ＩＲスペクトルにおけるＳｉＦピークをＳｉＦ／(ＳｉＦ＋ＳｉＯ)の百分比として示している。縦軸は、クリーンルーム内に３日間放置した前後における屈折率の変化｜ｎafter−ｎbefore｜を示している。
【００５５】
図５には、曲線Ｃ１〜Ｃ５が示されている。曲線Ｃ１〜Ｃ５は、膜中のフッ素濃度を変化させるためにＳｉＨ4ガス流量に対してＳｉＦ4ガス流量を変化させている。曲線Ｃ１は、ＳｉＨ4ガス流量およびＳｉＦ4ガス流量以外の条件は試行条件と同一の条件を採用している。曲線Ｃ２は、Ｎ2Ｏガス流量を３０００ｓｃｃｍに変更した点を除いて、試行条件と同一の条件を採用している。曲線Ｃ３は、チャンバ内の圧力を６６６Ｐａ(５ｔｏｒｒ)に変更した点を除いて、試行条件と同一の条件を採用している。曲線Ｃ４は、ＣＶＤ装置１０の平行平板電極の間隔を１．７５ｃｍに変更した点を除いて、試行条件と同一の条件を採用している。曲線Ｃ５は、ＳｉＨ4ガス、ＳｉＦ4ガス、およびＮ2Ｏガスの各流量をそれぞれ２倍に変更した点を除いて、試行条件と同一の条件を採用している。
【００５６】
図５によれば、試行条件に対して、酸化剤として作用するＮ2Ｏガス流量を増加させると膜質が改善され、またチャンバ内の圧力を低くすると膜質が改善される。特に、チャンバ内の圧力を低くすることは、膜厚の面内均一性を改善するために有効である。図５によれば、ＣＶＤ装置１０の電極間距離は小さい方が膜質の改善に好ましい傾向を示し、またプロセスガス全流量は小さい方が膜質の改善に好ましい傾向を示している。
【００５７】
図６は、ＳｉＦ4ガス流量と屈折率の変動との関係を示している。シンボル”■”は成膜温度４００℃における成膜データであり、シンボル”○”は成膜温度４８０℃における成膜データである。横軸は、ＳｉＦ4流量／(ＳｉＨ4流量＋ＳｉＦ4流量)を百分比で示し、縦軸は、ＦＴ−ＩＲスペクトルにおけるＳｉＦピークをＳｉＦ／(ＳｉＦ＋ＳｉＯ)の百分比で示している。流量比５０％程度において、縦軸に示される百分比が２％程度まで大きくなる。
【００５８】
図６によれば、ＳｉＦ4流量の比率が大きくなるにつれて、ＳｉＦピーク強度が大きくなっている。また、成膜温度に関する差はあまりなく、本実施の形態における成膜条件は、成膜温度に関して広いプロセスウインドウを有している。
【００５９】
図７は、ＳｉＦピーク強度と、酸化膜の比誘電率との関係を示している。横軸は、ＦＴ−ＩＲスペクトルにおけるＳｉＦピークをＳｉＦ／(ＳｉＦ＋ＳｉＯ)の百分比で示している。縦軸は、シリコン酸化膜の比誘電率を示している。
【００６０】
図７によれば、ＳｉＦピークが大きくなるにつれて、シリコン酸化膜の比誘電率も小さくなっている。これは、膜中に取り込まれたフッ素原子が膜の誘電率を低減するために有効に作用していることを示している。成膜温度に関しては、４８０℃の成膜に比べて４００℃における成膜の方が低誘電率になる傾向にある。
【００６１】
図８は、シリコン酸化膜の比誘電率と屈折率との関係を示している。横軸は、シリコン酸化膜の比誘電率を示している。縦軸は、シリコン酸化膜の屈折率を示している。図８によれば、シリコン酸化膜の比誘電率が小さくなるにつれて、シリコン酸化膜の屈折率も小さくなっている。
【００６２】
図９は、本実施の形態に係わるシランＦＳＧ膜と、ＴＥＯＳ・ＦＳＧ膜との吸水率の特性を示している。吸水量は、ＦＴ−ＩＲにおける (ＳｉＯＨ＋ＨＯＨ) ／ＳｉＯピークを百分比で表されている。成膜温度４００℃、４４０℃、および４８０℃において成膜されたシランＦＳＧ膜に関して、クリーンルーム内に１週間、２週間、それぞれ放置した前後における吸水量の変動が示されている。また、成膜温度４８０℃において成膜されたＴＥＯＳ・ＦＳＧ膜に関して、クリーンルーム内に１週間、放置した前後における吸水量の変動が示されている。
【００６３】
図９によれば、シランＦＳＧ膜では吸水量の変動がせいぜい１％程度にあるのに対して、ＴＥＯＳ・ＦＳＧ膜に関しては吸水量の変動がほぼ２．５％である。シランＦＳＧ膜の特性が、ＴＥＯＳ・ＦＳＧ膜の特性に対して圧倒的に優れている。
【００６４】
発明者は、実験結果を総合的に判断して好適な成膜条件を
ＲＦパワー：１５００Ｗ
成膜温度：４００℃
電極間間隔：０．１ｃｍ
チャンバ内圧力：５３３Ｐａ(４．０ｔｏｒｒ)
Ｎ2Ｏガス流量：２５００ｓｃｃｍ
ＳｉＨ4ガス流量：６０ｓｃｃｍ
ＳｉＦ4ガス流量：２００ｓｃｃｍ
のように決定した。
【００６５】
この条件にて達成された膜特性は、
成膜レート：４２０(ｎｍ／ｍｉｎ)
膜厚の面内均一性：３．５％
膜応力：−０．７×１０10Ｎ／ｍ2
(−０．７×１０9ｄｙｎｅ／ｃｍ2)
屈折率：１．４２
比誘電率(as deposition)：３．４
を示している。
【００６６】
このように優れた膜質が得られた理由として、発明者は、個人的には、シランＦＳＧ膜を構成する原子Ｓｉ、Ｆ、Ｏが緻密なネットワークを形成しているからであると考えており、また、従来のＴＥＯＳ・ＦＳＧ膜では、シリコン酸化膜を構成する原子Ｓｉ、Ｆ、Ｏに加えて、Ｃ、ＨがシランＦＳＧ膜に比べて相対的に多く含まれているので、ネットワークが粗になっていると考えている。本実施の形態における成膜では、３．５％フッ素濃度において密度２．１×１０3ｋｇ／ｍ3(２．１ｇ／ｃｍ3)を示す緻密な膜が得られた。一方、ＴＥＯＳ・ＦＳＧ膜では、３．５％フッ素濃度において密度１．８×１０3ｋｇ／ｍ3(１．８ｇ／ｃｍ3)であった。
【００６７】
また、発明者は、個人的には、以下のように推定している。本実施の形態では、Ｓｉ、Ｆ、Ｏの供給源として、ＴＥＯＳのように炭素Ｃ、多量の水素Ｈを含まない無機シラン系ガスを採用した。このため、膜中に不純物が取り込まれにくい。また、ＲＦパワーを十分に供給することによってＳｉＦ4およびＳｉＨ4を十分に分解している。故に、ＳｉＦ2といったフラグメントが膜中に取り込まれる可能性が小さくなり、またＳｉＨ4においてＳｉＨの結合が十分に切断される。したがって、緻密な膜が形成され、これによって吸水率が低減される。
【００６８】
(第３の実施の形態)
引き続く説明において、ＭＯＳデバイスといった半導体能動デバイスを有する半導体集積回路に本発明を適用した場合について説明するけれども、本発明は、このようなデバイスに限定されることはない。
【００６９】
図１０〜図１４は、第３の実施の形態を示す工程断面図である。
【００７０】
図１０を参照すると、基板１０２は、Ｐ型高濃度ウエハ１０４上にＰ型エピタキシャル層１０６を有する。基板１０２には、ＮチャネルＭＯＳ型デバイス１１０およびＰチャネルＭＯＳ型デバイス１２０が形成されている。
【００７１】
Ｎチャネルデバイス１１０は、Ｐ型エピタキシャル層１０６の表層に形成される。Ｎウエル１０８は、Ｐチャネル型デバイス１２０を形成するための領域を含むように形成される。素子分離領域１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、Ｎチャネルデバイス１１０およびＰチャネルデバイス１２０のそれぞれを分離するように形成される。これらの素子分離領域１３０ａ〜１３０ｃに囲まれた領域は、デバイス形成領域となる。
【００７２】
次いで、ゲート絶縁膜１３２がデバイス形成領域に形成される。ゲート電極１３４ａ〜１３４ｅが、ゲート絶縁膜１３２上に形成される。ゲート電極１３４ａ、１３０ｂ直下の領域１１８、１２８には、しきい値を制御するための不純物が導入されている。Ｎ型ソース拡散領域１１２およびＮ型ドレイン拡散領域１１４が、ゲート電極１３４ａと自己整合的に形成される。また、Ｐ型ソース拡散領域１２２およびＰ型ドレイン拡散領域１２４が、ゲート電極１３４ｂに自己整合的に形成される。なお、Ｎ型ソース拡散領域１１２に隣接してＰ型拡散領域１１６が設けられており、Ｐ型ソース拡散領域１２２に隣接してＰ型拡散領域１２６が設けられている。いる。
【００７３】
続いて、基板２上には、Ｓｉ3Ｎ4膜といった第１のシリコン窒化膜１３６が形成される。第１のシリコン窒化膜１３６は、セルフアラインコンタクト形成に用いられるエッチング停止膜として利用される。
【００７４】
次いで、第１のシリコン酸化膜１３８が、第１のシリコン窒化膜１３６上に形成される。第１のシリコン酸化膜１３８は、例えばＣＶＤ法を用いて５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さに形成されるＦＳＧ膜であってもよい。この後、コンタクト孔が形成される。コンタクト孔は、第１のシリコン酸化膜１３８および第１のシリコン窒化膜１３６を貫通し基板１０２の表面およびゲート電極に到達するように設けられる。コンタクト孔内には、タングステン(Ｗ)プラグといった埋め込みプラグ１４０が形成される。タングステンの埋め込みに先だって、ＴｉＷ膜をコンタクト孔の底面および側面に形成するようにしてもよい。ＴｉＷ膜はスパッタリング法で形成されることができ、またＷプラグはＣＶＤ法で形成されることができる。埋め込みプラグ１４０を形成した後に、ＣＭＰ法を用いてシリコン酸化膜１３８および埋め込みプラグ１４０を平坦化する。
【００７５】
平坦化されたシリコン酸化膜１３８および埋め込みプラグ１４０上に第１の配線層１４２を形成する。第１の配線層１４２は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法を用いて形成されたＴｉＷ膜、Ｗ膜、ＴｉＷ膜の３層を有する。また、第１の配線層１４２は、これらの膜を配線形状にパターン形成することによって得られる。第１の配線層１４２は、例えば、５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さを有する。
【００７６】
第１の配線層１４２およびシリコン酸化膜１３８上には、第２にシリコン酸化膜１４３を堆積する。第２にシリコン酸化膜１４３は、第１の配線層１４２間を十分に埋め込み可能な成膜装置を用いる。第２にシリコン酸化膜１４３の成膜が完了した後に、第１の配線層１４２および第２にシリコン酸化膜１４３を平坦化する。
【００７７】
図１１を参照しながら、さらに上層の配線層の形成を説明する。第２のシリコン酸化膜１４３および第１の配線層１４２上には、第３のシリコン酸化膜１６２、埋め込みプラグ１６６ｂ、および第２の配線層１６６ａを形成する。第３のシリコン酸化膜１６２は、例えばＣＶＤ法を用いて５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の厚さに形成されるＦＳＧ膜である。
【００７８】
本実施の形態では、デュアルダマシン法を用いて配線およびビアプラグを一括して形成する。なお、これら配線およびビアプラグの形成のために、シングルダマシン法も適用できる。
【００７９】
まず、第３のシリコン酸化膜１６２には、フォトリソグラフィック法およびドライエッチング法を利用して、凹部１６４ａを形成する。凹部１６４ａには、第２の配線層１６６ａが形成される。凹部１６４ａは、この配線層１６６ａの厚さおよび幅を反映した形状を有する。次いで、フォトリソグラフィック法およびドライエッチング法を利用して、凹部１６４ｂを形成する。凹部１６４ｂは、第１の配線層１４２と第２の配線層１６６ａとを電気的に接続する接続ビアプラグ１６６ｂのために設けられている。このため、凹部１６４ｂは、凹部１６４ａの底面から第１の配線層１４２の上面に到達するような深さで形成される。なお、第２のシリコン酸化膜１６２は、凹部１６４ａおよび凹部１６４ｂとの境界を示す位置に設けられたシリコン窒化膜によって２層に分割されていてもよい。これによって、それぞれの凹部の深さに対する制御性が増す。
【００８０】
図１２を参照すると、凹部１６４ａ、１６４ｂが同じ工程において導電材料で埋め込まれている。この埋め込みは以下の順序で行われる。ます、第１の導電層１６６ｃ、例えばＴａＮ膜またはＴａＳｉＮ膜といった拡散障壁層または密着層を全面に形成する。第１の導電層１６６ｃは、例えばスパッタリング法を用いて３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度の厚さで堆積される。これによって、凹部１６４ａ、１６４ｂの底面および側面には、第１の導電層１６６ｃが形成される。次いで、銅(Ｃｕ)といった導電体で凹部１６４ａ、１６４ｂを埋め込み、第２の導電層１６６ａ、１６６ｂを形成する。Ｃｕの導電体は、例えばスパッタリング法を用いて５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度の厚さのシード層を形成した後に、電解メッキ法より１μｍ以上５μｍ以下程度の厚さに形成される。導電体の厚さは、凹部１６６ａ、１６６ｂを埋め込む程度の厚さに加えて、後の工程において平坦化を行うことができる程度の厚さであることが好ましい。上記の説明から明らかなように、第２の配線層１６６ａおよび接続ビアプラグ１６６ｂは同一の工程で形成される第１の導電部材１６６である。
【００８１】
第３のシリコン酸化膜１６２および第１の導電部材１６６は、例えばＣＭＰ法といった平坦化法を利用して、図１２に示されるように平坦化される。平坦化された第３のシリコン酸化膜６２および第１の導電部材１６６上には、薄いシリコン窒化膜１６７が形成されることができる。
【００８２】
引き続いて、第４のシリコン酸化膜１６８ａ内に第２の導電部材１７０ａが、シングルダマシン法によって形成される。まず、第４のシリコン酸化膜１６８ａが、シリコン窒化膜１６７上に形成される。第４のシリコン酸化膜１６８ａは、既に説明された第４のシリコン酸化膜１６２と同様にＦＳＧ膜であることができる。次いで、第４のシリコン酸化膜１６８ａには、第２の導電部材１７０ａが設けられるべき領域に凹部１６９ａが形成される。凹部１６９ａは、フォトリソグラフィック法およびドライエッチング法を用いて、導電体１６６ａに到達するまでシリコン酸化膜１６８ａおよびシリコン窒化膜１６７をエッチングにより除去することによって形成される。凹部１６９ａには、第１３図に示すように、第１の導電部材１６６と同様な製造プロセスで第２の導電部材１７０ａが形成される。第４のシリコン酸化膜１６８ａおよび第２の導電部材１７０ａは、ＣＭＰ法といった平坦化法を利用して平坦化される。
【００８３】
図１３においては、続いて、第５のシリコン酸化膜１６８ｂ内に第３の導電部材１７０ｂがシングルダマシン法によって形成される。第３の導電部材１７０ｂは、凹部１６９ｂを導電材料で埋め込むことによって形成される。この埋め込みは、既に説明された第２の導電部材１７０ａと同様な製造プロセスによって実現されるので、その詳細な説明を省略する。しかしながら、そのような製造プロセスに限定されるものではなく、異なる製造プロセスで形成されることができる。
【００８４】
図１４参照すると、平坦化された第５のシリコン酸化膜１６８および第２の導電部材１７０が示されている。これらの表面上には、第３のシリコン窒化膜１７２が形成されている。第３のシリコン窒化膜１７２は、シリコン窒化膜 (プラズマＳｉＮ膜)、プラズマシリコン酸化膜(ｐ−ＳｉＯ膜)およびプラズマシリコン酸化窒化膜(ｐ−ＳｉＯＮ膜)といったパッシベーション膜である。
【００８５】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、そのような原理から逸脱することなく、その構成およびその詳細において本発明を変更できることは、当業者によって認識される。例えば、これまでの説明は、ＳｉＨ4ガス、ＳｉＦ4ガス、およびＮ2Ｏガスを用いる成膜について行われてきたが、このプロセスガスには、これらに限定されるものではなく、ＳｉＨ4に代えてジシランを含む無機シラン系化合物を適用でき、ＳｉＦ4に代えてＳｉとＦとの結合を含む無機化合物、また例えばＣＦ4、Ｃ2Ｆ6も適用できる。酸素供給源物質としては、例示的に示されるＮ2Ｏ、ＮＯ、Ｎ2Ｏ3、Ｎ2Ｏ5、ＮＯ3、Ｎ2Ｏ4およびＮＯ2といった窒素酸化物を使用でき、また例示的に示されるＣＯ、ＣＯ2およびＨ2Ｏといった酸素化合物を用いることができ、さらにはＯ2、Ｏ3を使用できる。また、ダマシン構造には、シングルダマシン構造およびデュアルダマシン構造を少なくとも含み、本発明は、配線といった導電体間に絶縁膜の埋め込みを必要としない半導体集積回路装置の製造に適用できる。
【００８６】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係わる成膜方法では、平行平板型電極を有する半導体製造装置において基板上にシリコン絶縁膜を形成する。この成膜方法は、ＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをプラズマ化してフッ素を含むシリコン絶縁膜を基板上に堆積する。ＳｉＨ4およびＳｉＦ4を含むプロセスガスは、ＴＥＯＳに比べて、シリコン絶縁膜を構成する元素を主要に含む。このため、シリコン絶縁膜中に炭素、水素が取り込まれる可能性が小さい。また、ＳｉＦ4はＳｉ−Ｆ結合を含むので、シリコン絶縁膜中にフッ素が容易に取り込まれる。
【００８７】
このような成膜方法は、例えば、チャンバ内に設けられた平行平板型電極を有する成膜装置において実施される。その成膜装置は、ＳｉＨ4、ＳｉＦ4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをチャンバ内に導入するための手段と、プロセスガスのプラズマを生成するためのＲＦ電力を供給する電力源とを備える。この電力源は、平行平板型電極に１０００Ｗ以上のＲＦ電力を供給可能である。
【００８８】
また、本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ダマシン構造の配線を形成するために、上記のように形成されるフッ素を含むシリコン絶縁膜を用いている。
【００８９】
したがって、膜質が安定なフッ素含有シリコン絶縁膜を形成できる成膜方法および成膜装置、並びに半導体装置の製造方法が提供された。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、成膜装置の概略図である。
【図２】図２(ａ)〜図２(ｄ)は、成膜工程を示す図面である。
【図３】図３は、成膜条件を示した図面である。
【図４】図４は、ＦＳＧ膜の特性を示した図面である。
【図５】図５は、ＦＳＧ膜の特性を示した図面である。
【図６】図６は、ＳｉＦ4の流量と、Ｓｉ−Ｆピークとの関係を示した図面である。
【図７】図７は、Ｓｉ−Ｆピークと、比誘電率との関係を示した図面である。
【図８】図８は、比誘電率と、屈折率との関係を示した図面である。
【図９】図９は、膜の吸水特性を示した図面である。
【図１０】図１０は、第３の実施の形態の示す工程断面図である。
【図１１】図１１は、第３の実施の形態の示す工程断面図である。
【図１２】図１２は、第３の実施の形態の示す工程断面図である。
【図１３】図１３は、第３の実施の形態の示す工程断面図である。
【図１４】図１４は、第３の実施の形態の示す工程断面図である。
【符号の説明】
１０…ＣＶＤ装置、１２…処理チャンバ、１４…シリコンウエハ、１６…ペデスタル、１８…加熱手段、２０…制御手段、２２…ガス分配プレート、２４…ガス供給孔、２６…配管、２８…ガス混合室、３０…ＳｉＨ4ガス供給源、３２…ＳｉＦ4ガス供給源、３４…Ｎ2Ｏガス供給源、３６、３８、４０…流量調節バルブ、４２…真空排気手段
１０２…基板、１０４…Ｐ型高濃度ウエハ、１０６…Ｐ型エピタキシャル層、１０８…Ｎウエル、１１０…Ｎチャネル型ＭＯＳデバイス、１１２…Ｎ型ソース拡散層領域、１１４…Ｎ型ドレイン拡散層領域、１２０…Ｐチャネル型ＭＯＳデバイス、１２２…Ｐ型ソース拡散層領域、１２４…Ｐ型ドレイン拡散層領域、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ…素子分離領域、１３２…ゲート絶縁膜、１３４ａ〜３４ｅ…ゲート電極、１３６…第１のシリコン窒化膜、１３８…第１のシリコン酸化膜、１４０…埋め込みプラグ、１４２…第１の配線層、１６２…第３のシリコン酸化膜、１６４ａ、１６４ｂ…凹部、１６６ａ…第２の配線層、１６６ｂ…接続ビアプラグ、１６６ｃ…第１の導電層、１６８ａ…第４のシリコン酸化膜、１７０ａ…第２の導電部材(導電ビア)、１６８ｂ…第５のシリコン酸化膜、１７０ｂ…第３の導電部材、１７２…パッシベーション膜
【図１】
0003712356.tif 000002
【図２】
0003712356.tif 000003
【図３】
0003712356.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0003712356.tif 000013
【図１３】
0003712356.tif 000014
【図１４】
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