(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に現像液を滴下して、半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜の現像を行う半導体装置の製造方法において、
１００〜５００ｒｐｍの速度で半導体基板を回転させながら、半導体基板に現像液を滴下し、半導体基板表面に塗れ性を高い状態にする第１の工程と、
現像液の滴下を停止し、５００〜１５００ｒｐｍの速度で半導体基板を回転させる第２の工程と、
半導体基板を静止させた状態で、あるいは１００ｒｐｍ以下の速度で回転させながら、再び現像液を滴下し、液盛りを行った後、半導体基板にリンス液を滴下し、現像液を洗い流す第３の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３の工程の半導体基板の回転速度は、１０〜１００ｒｐｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記第１の工程を３〜５秒間、第２の工程を３〜５秒間および第３の工程を２〜４秒間行うことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置のパターン欠陥の原因となる気泡の発生を低減できる半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造における超微細加工の一工程として、ウエハ（半導体基板）の表面上に形成された露光済みのフォトレジスト（感光性材料）膜の現像処理が行われている。
【０００３】
この工程では、ウエハ上に現像液を滴下し、ウエハを回転させて現像液を拡散させる方法が採用されている。しかし、現像液がウエハに接触する際や、現像液滴下後のウエハの回転中に、現像液中にマイクロバブル（気泡）を取り込んでしまうことがある。さらに、滴下前の現像液中にマイクロバブルが含まれていることもある。このマイクロバブルは、現像を阻害してパターン欠陥を起こす原因になることから、半導体の生産効率を低下させてしまう。
【０００４】
このマイクロバブルを除去して、半導体装置の生産効率を向上させる製造方法としては、特開平１０−３３９９５６号公報に開示された製造方法が挙げられる。
【０００５】
ここで、上記公報に記載された従来の製造方法を図３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【０００６】
図３は、従来の方法により、ウエハ面に形成された露光済みのレジストの現像処理を行うときの、現像シーケンスのタイムチャートである。図３において、Ａは、現像液を滴下するノズルのウエハに対する位置を示しており、▲１▼はノズルの移動シーケンスを示している。
【０００７】
最初に、ウエハを回転させるためのスピンチャックに、ウエハの中心を固定して、１２０ｒｐｍでウエハを回転させる。ノズルは最初ウエハの外３ｍｍ（−３ｍｍ）の位置にあり、現像液のダミー滴下を１秒間行って、ウエハ表面の現像液を新しい現像液と入れ替えている。その後、ノズルは、ウエハの中央部に向かって最初２０ｍｍ／ｓで、次いで、１５０ｍｍ／ｓの速度で移動を開始する。また、この移動と同時に、Ｂの状態において、急速にスピンモータの回転速度を、３０００ｒｐｍ／ｓ、次いで１００００ｒｐｍ／ｓの加速度で回転速度を上昇させる。
【０００８】
０．３秒後に、ノズルがウエハの外周まで達したところで、ウエハの回転速度は、１０００ｒｐｍに達し、この状態で現像液がウエハ外周部に滴下されて、マイクロバブルを振り切っている。さらに、ノズルがウエハ中央部に達する時点で、ウエハの回転速度は３０００ｒｐｍまで上昇しており（Ｃ状態）、この回転速度を、０．７秒間維持する。
【０００９】
上記のＣ状態により、ウエハの中心部に現像液を滴下し、マイクロバブルの振り切りを行っている。ウエハの中心部に現像液を滴下する際に、１０００〜３０００ｒｐｍでウエハを回転させているのは、ウエハ上のマイクロバブルの付着を減少させ、高速回転のウエハに滴下された際に発生する現像液のミスト（霧）の飛散が増加しない回転速度であるためである。
【００１０】
その後、段階的にウエハの回転速度を落として液盛りを行い、正味の現像液滴下時間４．２秒で現像液の滴下を終了する。さらに、この後、パドル現像方式により現像を進行させていき、リンス処理により現像液が除去されて、スピンドライによってウエハを乾燥させる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような従来の製造方法では、マイクロバブルの発生を十分に抑えることができるまでには至っていない。すなわち、従来の製造方法は、ウエハを１０００〜３０００ｒｐｍという比較的高速で回転させながら現像液を滴下するため、現像中にマイクロバブル（気泡）が発生しやすいという問題を有していた。
【００１２】
ウエハ上に滴下された現像液にマイクロバブルが発生する原因としては、現像液を滴下してウエハと現像液が接触する際に、現像液に衝撃が与えられてマイクロバブルが発生する場合と、元々現像液中にマイクロバブルを含んでいた場合とが考えられる。
【００１３】
上述した従来の方法では、ウエハ外周部から中央部にノズルを移動させながら現像液を滴下している。しかし、ウエハを回転させているため、現像液は遠心力を受けてウエハの周辺部に向かって移動する。よって、ノズルから滴下される現像液と、ウエハ上に滴下された現像液とが、互いに相反する方向に流動しながら衝突して、マイクロバブルの発生を助長してしまう。
【００１４】
さらに、現像液を滴下させながら段階的にウエハの回転速度が低下して、液盛りを行い、パドル現像方式による現像へ移行している。このため、現像液の滴下時に発生したマイクロバブルや、元々現像液中に含まれていたマイクロバブルが同一場所にとどまってしまう。このマイクロバブルのとどまっている部分では、現像が進行しないため、パターン欠陥が発生するという問題が生じる。また、現像を進行させている際に、ウエハが回転しているために、ウエハの外周部の方が中心部に比べて単位時間当たりの現像液の接触量が多くなり、外周部の方が中心部よりも現像が進行してしまい、均一な現像を行うことができない。
【００１５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、現像液中に発生するマイクロバブルの発生を抑制し、フォトレジスト膜のパターン欠陥を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、半導体基板に現像液を滴下して、半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜の現像を行う半導体装置の製造方法において、１００〜５００ｒｐｍの速度で半導体基板を回転させながら、半導体基板に現像液を滴下し、半導体基板表面の塗れ性を高い状態にする第１の工程と、現像液の滴下を停止し、５００〜１５００ｒｐｍの速度で半導体基板を回転させる第２の工程と、半導体基板を静止させたまま、あるいは１００ｒｐｍ以下の速度で回転させながら、再び現像液を滴下し、液盛りを行った後、半導体基板にリンス液を滴下し、現像液を洗い流す第３の工程とを含むことを特徴としている。
【００１７】
本発明によれば、第１の工程において、半導体基板上に現像液が滴下される際に、５００ｒｐｍ以下の速度で半導体基板を回転させているために、現像液が半導体基板に接触する際の衝撃を従来の製造方法に比べて小さくできる。これにより、現像液滴下時の気泡の発生を大幅に低減できる。
【００１８】
また、半導体基板は、１００ｒｐｍ以上の回転速度で回転しているために、半導体基板上に滴下された現像液に遠心力を与え、現像液中に含まれる気泡がレジスト表面に付着して同一場所にとどまるのを防止できるとともに、常に新しい現像液を供給することができる。これにより、気泡が同一場所にとどまって現像未進行の部分ができるのを防ぐことができる。
【００１９】
さらに、第２の工程において、一旦現像液の滴下を停止して、半導体基板の回転速度を５００〜１５００ｒｐｍに上げて現像液を振り切ることにより、現像液中に元々存在した気泡が同一場所にとどまって所定時間経過することで発生するパターン欠陥を低減できる。
【００２０】
さらに、第３の工程において、半導体基板を静止させた状態で、あるいは１００ｒｐｍ以下で回転させながら、再び現像液を滴下することにより、第１の工程時と同様に、現像液が半導体基板に接触する際の衝撃を小さくできる。これにより、現像液が半導体基板に滴下される際に気泡の発生を低減できる。これに加えて、半導体基板上から現像液がこぼれない程度の回転速度であるため、半導体基板上に現像液の液盛りを行うことができる。よって、このままパドル現像へ移行できる。
【００２１】
従来の製造方法では、高速回転中の半導体基板上に現像液を滴下後、段階的に回転速度を落として液盛りを行い、そのままパドル現像へ移行している。この従来の製造方法では、現像液が高速回転中の半導体基板に接触する時に現像液に気泡が発生しやすい。この現像液中に発生した気泡がフォトレジスト膜上の同一場所にとどまり、所定時間経過することにより、現像が進行しない領域が発生しやすくなる。さらに、従来の製造方法では、現像進行中に現像液が半導体基板上から振り切られるような速度で半導体基板を回転させている。これにより、半導体基板の外周部の方が中心部と比べて、単位時間当たりの現像液との接触量が多くなり、外周部の現像が中心部よりも進行してしまい、半導体基板が均一に現像できなくなる。
【００２２】
これに対し本発明では、第１の工程で滴下した現像液を、第２の工程で一旦振り切って、第３の工程で再度半導体基板上に現像液を滴下して所定の時間現像を行っている。これにより、気泡が同一の場所にとどまることはなく、現像未進行の部分が生じてパターン欠陥ができるのを防止できる。
【００２３】
また、前記第３の工程の半導体基板の回転速度は、１０〜１００ｒｐｍであることがより好ましい。
【００２４】
これにより、液盛りを行う際に、比較的ゆっくりと半導体基板が回転しているため、現像液中に最初から含まれていた気泡が同一場所にとどまるのを防ぐことができるとともに、現像液を半導体基板上に均一に液盛りすることができる。よって、半導体基板を静止させて第３の工程を行うよりも、１０〜１００ｒｐｍで回転させる方がより好ましい。
【００２５】
また、第１の工程を３〜５秒間、第２の工程を３〜５秒間および第３の工程を２〜４秒間行うことがより好ましい。
【００２６】
これにより、第１の工程における現像液の滴下、第２の工程における現像液の振り切り、および第３の工程における現像液の液盛りという各工程の目的を達成し、さらに製造効率も考慮した最適な製造条件が得られる。よって、各工程における回転数および時間の両面について管理することにより、より良好な製造方法を得ることができる。
【００２７】
以上のように、本発明の半導体装置の製造方法では、従来の製造方法のように高速回転中の半導体基板上に現像液を滴下しないことで、現像液中に発生する気泡の発生を低減できる。さらに、現像液中に元々含まれている気泡がレジスト上の同一場所にとどまることがないように、半導体基板を回転させているため、現像液中の気泡が原因となっておきるフォトレジスト膜のパターン欠陥を低減でき、半導体装置の歩留りの向上、品質の安定を図ることが可能になる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体製造工程における製造方法に関する実施の一形態について、図１および図２に基づいて説明すれば以下のとおりである。
【００２９】
図１は、本実施形態の半導体装置の製造方法を概略的に示した説明図である。
【００３０】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、図１（ａ）〜（ｄ）に示すように、ウエハ（半導体基板）１１、スピンチャック（回転体）１２、現像液１３および現像液供給ノズル１４を用いて行われ、続いて、図１（ｅ）に示すようにリンス液１６およびリンス液供給ノズル１７によって、現像液１３および溶融したフォトレジスト膜１５の洗浄が行われる。
【００３１】
ここで、半導体装置の現像工程を示す図１（ａ）〜（ｅ）の各工程について詳しく説明する。
【００３２】
図１（ａ）に示すウエハ１１は、表面にフォトレジスト膜１５が塗布され、露光が終了した状態であり、その中心はスピンチャック１２で保持されている。このウエハ１１を３００ｒｐｍの速度で回転させながら、ウエハ１１の中心上に誘導された現像液供給ノズル１４より現像液１３が滴下されて、ウエハ１１上の全面に現像液１３が行き渡る（第１の工程）。
【００３３】
次に、図１（ｂ）に示すように、現像液供給ノズル１４から現像液１３の滴下が一旦停止されるとともに、ウエハ１１の回転速度を１０００ｒｐｍに上げて、ウエハ１１上の現像液１３が遠心力によって振り切られる（第２の工程）。
【００３４】
続いて、ウエハ１１の回転速度を５０ｒｐｍまで落として、図１（ｃ）に示すように、現像液供給ノズル１４から再び現像液１３がウエハ１１上に滴下される（第３の工程）。
【００３５】
その後、図１（ｄ）に示すように、現像液１３を表面張力により、ウエハ１１の表面に保持して静止したまま所定の時間、フォトレジスト膜１５の現像がパドル現像方式により行われる。
【００３６】
さらに、図１（ｅ）に示すように、図１（ｄ）の終了後、再び回転させたウエハ１１上にリンス液供給ノズル１７からリンス液１６が滴下されて、現像液１３および溶解したフォトレジスト膜１５が洗い流される。
【００３７】
なお、前記パドル現像方式とは、前記図１（ｄ）のように、現像液１３の表面張力を利用してウエハ１１上に現像液１３を液盛りし、ウエハ１１を静止させた状態で現像を行う現像方式の一種である。
【００３８】
本実施形態の半導体装置の製造方法では、上記のように、スピンチャック１２上に保持したウエハ１１を、３００ｒｐｍの速度で回転させながら現像液１３を滴下し、一旦現像液１３の滴下を停止した後、回転速度を１０００ｒｐｍにしてウエハ１１上の現像液１３を振り切る。その後、５０ｒｐｍの回転速度でウエハ１１を回転させながら現像液１３を滴下させている。
【００３９】
上記のような方法によって、半導体装置の製造が行われることにより、第１の工程において、ウエハ１１上に現像液１３が滴下される際に、現像液１３がウエハ１１に接触する際の衝撃を従来の製造方法に比べて小さくできる。これにより、現像液１３の滴下時のマイクロバブルの発生を大幅に低減できる。また、ウエハ１１は、３００ｒｐｍの回転速度で回転しているために、現像液１３中のマイクロバブルを同一場所にとどまらせることなく、常に新しい現像液１３を供給できる。
【００４０】
また、第１の工程において現像液１３を滴下することにより現像が始まり、フォトレジスト膜１５の表面が現像される。これにより、第３の工程において、液盛りを行って現像を進行させる際に、フォトレジスト膜１５表面を塗れ性（親水性）の高い状態にすることができる。よって、第３の工程時に、滴下前の現像液１３中にマイクロバブルが含まれていても、マイクロバブルが同一場所にとどまる可能性を低くし、マイクロバブルが同一場所にとどまって現像未進行の部分ができるの防ぐことができる。
【００４１】
本実施形態においては、第１の工程において、ウエハ１１を３００ｒｐｍで回転させている例について説明したが、１００〜５００ｒｐｍの範囲であれば、上記と同様の効果を得ることができる。
【００４２】
ウエハ１１の回転速度を、上記範囲に限定したのは、以下の理由からである。第１の工程におけるウエハ１１の回転を１００ｒｐｍ以上とした場合、現像液１３中に元々含まれているマイクロバブルがウエハ１１表面に形成されたフォトレジスト膜１５上の同一場所にとどまることはない。よって、現像未進行部分であるパターン欠陥の発生を防止できる。ただし、ウエハ１１を２５０ｒｐｍ以上で回転させることがより好ましい。また、５００ｒｐｍ以下とした場合、現像液１３滴下時に現像液１３とウエハ１１が接触する際、現像液１３に対して大きな衝撃が与えられて生じるマイクロバブルの発生を抑制できる。ただし、ウエハ１１を３５０ｒｐｍ以下で回転させることがより好ましい。
【００４３】
さらに、第２の工程において、一旦現像液１３の滴下を停止して、ウエハ１１の速度を１０００ｒｐｍに上げて現像液１３を振り切ることにより、現像液１３中に元々存在したマイクロバブルが同一場所にとどまって所定時間経過することで発生するパターン欠陥を低減できる。
【００４４】
本実施形態においては、第２の工程において、ウエハ１１を１０００ｒｐｍで回転させている例について説明したが、５００〜１５００ｒｐｍの範囲であれば、上記と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
第２の工程におけるウエハ１１の回転速度を５００ｒｐｍ以上としたのは、５００ｒｐｍが、第１の工程でウエハ１１上に滴下した現像液１３が十分に振り切るための最低の回転速度であるためである。ただし、第２の工程において、ウエハ１１を８００ｒｐｍ以上で回転させることがより好ましい。この残存した現像液１３中にマイクロバブルが含まれていると、フォトレジスト膜１５表面に付着して同一場所にとどまり、パターン欠陥が発生してしまう。よって、第２の工程では、パターン欠陥の発生要因であるマイクロバブルを十分に振り切ることができる。
【００４６】
また、第２の工程の目的は、第１の工程で滴下された現像液１３をウエハ１１上から振り切ることであるため、５００ｒｐｍ以上の回転速度であれば目的は達成できる。しかし、第２の工程のウエハ１１の回転速度を敢えて１５００ｒｐｍ以下としたのは、現像液１３と溶解したレジストが霧状のミストとなり、ウエハ１１上に飛散してパターン欠陥の発生を防止するためである。上記ミスト中には、溶解したレジストがパーティクルとなって含まれており、ウエハ１１上に飛散するとパターン欠陥となるため、ミストの発生のない程度の回転数でウエハ１１を回転させることが重要となる。なお、１２００ｒｐｍ以下でウエハ１１を回転させることが、ミストの発生を抑えるためにはより好ましい回転速度である。
【００４７】
さらに、第３の工程において、ウエハ１１を５０ｒｐｍで回転させながら、再び現像液１３を滴下することにより、第１の工程時と同様に、現像液１３がウエハ１１に接触する際の衝撃を小さくできる。これにより、現像液１３がウエハ１１に滴下される際のマイクロバブルの発生を低減できる。これに加えて、ウエハ１１は、ウエハ１１上から現像液１３がこぼれない程度の回転速度で回転しているため、ウエハ１１上に現像液１３の液盛りを行うことができる。よって、このままパドル現像へ移行できる。なお、ウエハ１１が静止した状態であっても、滴下された現像液１３中にマイクロバブルが混入する恐れはなく、液盛りを行うことができる。
【００４８】
本実施形態においては、第３の工程において、ウエハ１１を５０ｒｐｍで回転させている例について説明したのは、上記の効果を得るための最適な回転速度であるためであるが、ウエハ１１の回転速度が１００ｒｐｍ以下であれば、ウエハ１１を静止させた状態であっても、上記と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
第３の工程におけるウエハ１１の回転速度を、１００ｒｐｍ以下としたのは、１００ｒｐｍより速くウエハ１１を回転させながら現像液１３を滴下すると、現像液１３に与えられる遠心力が大き過ぎてウエハ１１上から振り切られてしまい、液盛りを行うことができないためである。また、第３の工程の目的は、パドル現像へ移行する前段階の液盛りを行うことであるため、ウエハ１１を静止させた状態であってもよいことは言うまでもない。しかし、１０〜１００ｒｐｍの範囲でゆっくりと回転させることにより、現像液１３中に含まれる少量のマイクロバブルに遠心力を与え、同一場所にとどまるのをさらに確実に防止できる。さらに、現像液１３をウエハ１１上により均一に液盛りすることができる。
【００５０】
なお、上記第３の工程において、静止した状態も含んでいるのは、ウエハ１１が静止した状態であっても、滴下された現像液１３中にマイクロバブルが発生する恐れはなく、液盛りも行うことができるためである。さらに、上述したように、第１の工程で滴下された現像液１３によってフォトレジスト膜１５の表面が塗れ性の高い状態となっている。これにより、現像液１３中に滴下前から存在したマイクロバブルがフォトレジスト膜１５表面に付着して、同一場所にとどまる可能性が低くなる。よって、第３の工程で液盛りを行っても、パターン欠陥が発生することはない。
【００５１】
ここで、上記本実施形態の製造方法において、ウエハ１１の回転速度と経過時間との関係を図２に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００５２】
図２に示したように、上記第１の工程において、ウエハ１１を３００ｒｐｍで回転させながら、現像液１３が約４秒間（好ましくは、３〜５秒間）、ウエハ１１上に滴下される。
【００５３】
次に、上記第２の工程において、現像液１３の滴下が停止され、ウエハ１１を１０００ｒｐｍで約４秒間（好ましくは３〜５秒間）回転させて、ウエハ１１上に滴下された現像液１３が振り切られる。
【００５４】
さらに、上記第３の工程において、ウエハ１１を５０ｒｐｍで回転させながら、ウエハ１１上に現像液１３が約４秒間（好ましくは２〜４秒間）滴下されて、ウエハ１１の全面に現像液１３の液盛りが行われる。
【００５５】
そして、ウエハ１１の回転を停止して、現像液１３の表面張力により現像液１３がフォトレジスト膜１５上にとどまって、所定の時間現像が行われる。
【００５６】
上記の工程が終了後、ウエハ１１を回転させながらリンス液１６がリンス液供給ノズル１７から滴下され、現像液１３および溶解したフォトレジスト膜１５を洗い流して現像が終了する。
【００５７】
従来の製造方法では、ウエハ１１を１０００〜３０００ｒｐｍの高速で回転させながら、現像液１３を滴下後、段階的に回転速度を落として液盛りを行い、そのままパドル現像方式による現像へ移行している。よって、現像液１３の滴下時に現像液１３内にマイクロバブルが発生し易いとともに、フォトレジスト膜１５上の同一場所にとどまり、所定時間の経過により、現像の進行しない領域が発生することになる。
【００５８】
しかし、本実施形態の製造方法では、前述したように、前記第１の工程において、ウエハ１１を３００ｒｐｍの低速で回転させながら、現像液１３が滴下されている。よって、従来の製造方法よりも、現像液１３の滴下時における、現像液１３とウエハ１１との接触時の衝撃が小さく、現像液１３中に混入するマイクロバブルの数を大幅に低減できる。また、第３の工程においても、さらに低速の５０ｒｐｍでウエハ１１を回転させているため、このウエハ１１上に現像液１３を滴下してもマイクロバブルが発生しにくい。
【００５９】
さらに、上記第２の工程において、現像液１３の滴下を一旦停止して、ウエハ１１を１０００ｒｐｍで高速回転させるため、現像液１３は、ウエハ１１上から振り切られる。よって、滴下前に現像液１３内に存在したマイクロバブルがあったとしても、ウエハ１１上にとどまることはない。これにより、マイクロバブルが所定時間、同一場所にとどまって現像が進行しない領域を発生させるのを防止できる。
【００６０】
以上より、フォトリソグラフ工程において現像する際に、現像液１３中のマイクロバブルがフォトレジスト膜１５上に付着して、部分的に発生するフォトレジスト膜１５のパターン欠陥数を飛躍的に低減し、半導体装置の歩留り向上および品質の安定を達成することが可能になる。
【００６１】
また、フォトレジスト膜１５の塗布と露光が終了したウエハ１１を低速回転させながら現像液１３を滴下する第１の工程と、現像液１３の滴下を停止するとともにウエハ１１を高速回転させてウエハ１１上の現像液１３を除去する第２の工程と、ウエハ１１を低速回転させながら、若しくは、静止させた状態で現像液１３を滴下する製造方法であってもよい。
【００６２】
【発明の効果】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記のように、１００〜５００ｒｐｍの速度で半導体基板を回転させながら、半導体基板に現像液を滴下し、半導体基板表面の塗れ性を高い状態にする第１の工程と、現像液の滴下を停止し、５００〜１５００ｒｐｍの回転速度で半導体基板を回転させる第２の工程と、半導体基板を静止させた状態で、あるいは１００ｒｐｍ以下の回転速度以下で回転させながら、再び現像液を滴下し、液盛りを行った後、半導体基板にリンス液を滴下し、現像液を洗い流す第３の工程とを含む構成である。
【００６３】
上記の構成によれば、第１の工程において、半導体基板上に現像液が滴下される際に、現像液が半導体基板に接触する際の衝撃を小さくでき、現像液の滴下時の気泡の発生を大幅に低減できるという効果を奏する。
【００６４】
さらに、第２の工程において、一旦現像液の滴下を停止させ、半導体基板の回転速度を上げて現像液を振り切ることにより、現像液中に元々存在した気泡が同一場所にとどまって所定時間経過することで発生するパターン欠陥を低減できるという効果を奏する。
【００６５】
さらに、第３の工程において、半導体基板を静止させた状態で、あるいは１００ｒｐｍ以下で回転させながら、再び現像液を滴下することにより、第１の工程時と同様に、現像液が半導体基板に接触する際の衝撃を小さくできる。これにより、現像液が半導体基板に滴下される際に気泡の発生を低減できる。さらに、半導体基板上から現像液がこぼれない程度の回転速度であるため、半導体基板上に現像液の液盛りを行うことができるという効果を奏する。よって、このままパドル現像へ移行できる。
【００６６】
また、第３の工程の半導体基板の回転速度は、１０〜１００ｒｐｍであることがより好ましく、上述したような現像液中の気泡の発生の低減と、気泡が原因となって発生する現像未進行部分である半導体装置のパターン欠陥を、より確実に防止でき、現像が均一に行われた半導体装置を提供できるという効果を奏する。
【００６７】
また、第１の工程を３〜５秒間、第２の工程を３〜５秒間および第３の工程を２〜４秒間行うことがより好ましい。それゆえ、第１の工程における現像液の滴下、第２の工程における現像液の振り切り、および第３の工程における現像液の液盛りという各工程の目的を達成し、さらに製造効率も考慮した最適な製造条件が得られる。よって、各工程における回転数および時間の両面について管理することにより、より良好な製造方法を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態である半導体装置の製造方法を概略的に示した説明図である。
【図２】上記製造方法における現像液の滴下とウエハの回転速度と経過時間との関係を示すグラフである。
【図３】従来の製造方法によりレジストの現像処理を行う際の現像シーケンスを示すタイムチャートである。
【符号の説明】
１１      ウエハ（半導体基板）
１２      スピンチャック（回転体）
１３      現像液
１４      現像液供給ノズル
１５      フォトレジスト膜
１６      リンス液
１７      リンス液供給ノズル
【図１】
0003708433.tif 000002
【図２】
0003708433.tif 000003
【図３】
0003708433.tif 000004