【手続補正書】
【提出日】令和3年8月31日(2021.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを有する第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置し、前記第１のチャネル形成領域と重なる第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層上に位置し、第２のチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記第２のチャネル形成領域上の第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層上に位置し、前記第２のチャネル形成領域と重なる第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域を挟んで前記第２のゲート電極と互いに重なる領域を有し、且つ前記第２のゲート電極と電気的に接続された第３のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第６の絶縁層と、
前記第６の絶縁層上に位置し、前記第６の絶縁層に設けられた開口部を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続された第１の導電層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の導電層と接する第１の領域と、前記開口部と重ならない第２の領域と、を有し、
前記第１の領域における前記酸化物半導体層の膜厚は、前記第２の領域における前記酸化物半導体層の膜厚よりも小さく、
前記第２のチャネル形成領域におけるチャネル長方向の断面視において、前記第２のゲート電極の第１の端部と、前記第２のゲート電極の第１の端部側に位置する前記酸化物半導体層の第１の端部との間の距離は、前記第２のゲート電極の第２の端部と、前記第２のゲート電極の第２の端部側に位置する前記酸化物半導体層の第２の端部との間の距離よりも大きく、
前記第２のゲート電極の一部は、前記酸化物半導体層の前記第２のチャネル形成領域上に配置され、
前記第２のゲート電極の下面の一部は、前記酸化物半導体層の上面よりも下方に配置される半導体装置。
【請求項２】
単結晶シリコンを有する第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置し、前記第１のチャネル形成領域と重なる第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層上に位置し、第２のチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記第２のチャネル形成領域上の第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層上に位置し、前記第２のチャネル形成領域と重なる第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域を挟んで前記第２のゲート電極と互いに重なる領域を有し、且つ前記第２のゲート電極と電気的に接続された第３のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第６の絶縁層と、
前記第６の絶縁層上に位置し、前記第６の絶縁層に設けられた開口部を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続された第１の導電層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の導電層と接する第１の領域と、前記開口部と重ならない第２の領域と、を有し、
前記第１の領域における前記酸化物半導体層の膜厚は、前記第２の領域における前記酸化物半導体層の膜厚よりも小さく、
前記第２のチャネル形成領域におけるチャネル長方向の断面視において、前記第２のゲート電極の第１の端部と、前記第２のゲート電極の第１の端部側に位置する前記酸化物半導体層の第１の端部との間の距離は、前記第２のゲート電極の第２の端部と、前記第２のゲート電極の第２の端部側に位置する前記酸化物半導体層の第２の端部との間の距離よりも大きく、
前記第２のゲート電極の一部は、前記酸化物半導体層の前記第２のチャネル形成領域上に配置され、
前記第２のゲート電極の下面の一部は、前記酸化物半導体層の上面よりも下方に配置される半導体装置。
【請求項３】
ガラス基板上に設けられ、多結晶シリコンを有する第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置し、前記第１のチャネル形成領域と重なる第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層上に位置し、第２のチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記第２のチャネル形成領域上の第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層上に位置し、前記第２のチャネル形成領域と重なる第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域を挟んで前記第２のゲート電極と互いに重なる領域を有し、且つ前記第２のゲート電極と電気的に接続された第３のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第６の絶縁層と、
前記第６の絶縁層上に位置し、前記第６の絶縁層に設けられた開口部を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続された第１の導電層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の導電層と接する第１の領域と、前記開口部と重ならない第２の領域と、を有し、
前記第１の領域における前記酸化物半導体層の膜厚は、前記第２の領域における前記酸化物半導体層の膜厚よりも小さく、
前記第２のチャネル形成領域におけるチャネル長方向の断面視において、前記第２のゲート電極の第１の端部と、前記第２のゲート電極の第１の端部側に位置する前記酸化物半導体層の第１の端部との間の距離は、前記第２のゲート電極の第２の端部と、前記第２のゲート電極の第２の端部側に位置する前記酸化物半導体層の第２の端部との間の距離よりも大きく、
前記第２のゲート電極の一部は、前記酸化物半導体層の前記第２のチャネル形成領域上に配置され、
前記第２のゲート電極の下面の一部は、前記酸化物半導体層の上面よりも下方に配置される半導体装置。
シリコンを有する第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置し、前記第１のチャネル形成領域と重なる第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層上に位置し、第２のチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記第２のチャネル形成領域上の第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層上に位置し、前記第２のチャネル形成領域と重なる第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域を挟んで前記第２のゲート電極と互いに重なる領域を有し、且つ前記第２のゲート電極と電気的に接続された第３のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上の第６の絶縁層と、
前記第６の絶縁層上に位置し、前記第６の絶縁層に設けられた開口部を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続された第１の導電層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の導電層と接する第１の領域と、前記開口部と重ならない第２の領域と、を有し、
前記第１の領域における前記酸化物半導体層の膜厚は、前記第２の領域における前記酸化物半導体層の膜厚よりも小さく、
前記第２のチャネル形成領域におけるチャネル長方向の断面視において、前記第２のゲート電極の第１の端部と、前記第２のゲート電極の第１の端部側に位置する前記酸化物半導体層の第１の端部との間の距離は、前記第２のゲート電極の第２の端部と、前記第２のゲート電極の第２の端部側に位置する前記酸化物半導体層の第２の端部との間の距離よりも大きく、
前記第２のゲート電極の一部は、前記酸化物半導体層の前記第２のチャネル形成領域上に配置され、
前記第２のゲート電極の下面の一部は、前記酸化物半導体層の上面よりも下方に配置される半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２のゲート電極と、前記第３のゲート電極とは、第２の導電層を介して電気的に接続される半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第３の絶縁層の下方に位置する第２の絶縁層の水素濃度は、前記第３の絶縁層の上方に位置する第４の絶縁層の水素濃度より高濃度である半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１のチャネル形成領域を有するトランジスタは、ｐチャネル型トランジスタである半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１のチャネル形成領域を有するトランジスタは、ｎチャネル型トランジスタである半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の導電層は、前記酸化物半導体層を貫通する領域を有する半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第３のゲート電極は、前記第３の絶縁層上に位置する半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第２のゲート電極の第１の端部は、前記第３のゲート電極と重なりを有する半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体装置を有する表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体装置と、ＦＰＣと、フレームとを有する表示モジュール。
【請求項１３】
請求項１２に記載の表示モジュールと、バッテリーと、タッチパネルと、バックライトユニットとを有する電子機器。