(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト・パターンを形成する方法であって、
電子部品基板上にフォトレジスト膜をコーティングするステップと、
前記フォトレジスト膜を所定のパターンに露光するステップと、
露光した前記フォトレジスト膜に現像液組成物を供給して、フォトレジスト・パターンを現像するステップであって、前記現像液組成物が、前記フォトレジスト・パターンの崩れを防止するのに十分な量のアニオン界面活性剤を含んでいるステップと、
前記フォトレジスト膜を現像して、所定の前記フォトレジスト・パターンを形成し、前記基板を濡れた状態に保つステップと、
現像し、濡れた状態の前記基板上にリンス水溶液を供給するステップであって、前記リンス水溶液が、前記フォトレジスト・パターンの崩れを防止するのに十分な量のアニオン界面活性剤を含むステップと、
現像した前記基板をリンスするステップと、
現像した前記基板を乾燥して、所定のフォトレジスト・パターンを有する電子部品基板を形成するステップとを含み、
前記アニオン界面活性剤が、アルキル硫酸アンモニウム、アルキルベンゼンスルホン酸アンモニウム、アニオン性リン酸エステル界面活性剤及び以下の一般式で表されるフッ素含有界面活性剤よりなる群から選ばれた少なくとも１つのアニオン界面活性剤を含む方法。
ＲfＣＯＯＭ
または
Ｒ’fＳＯ3Ｍ
［上式で、ＲfおよびＲ’fは、それぞれ２〜２０個の炭素原子を有する一価の炭化水素基を示し、その水素原子の少なくとも一部はフッ素原子で置換されている。Ｍは、水素原子Ｈ、アンモニウムＮＨ4、または第四アンモニウムＮＲ4を示し、Ｒはそれぞれ、他から独立して、水素原子または１〜３個の炭素原子を有するアルキル基である。］
【請求項２】
前記アニオン界面活性剤が、以下の一般式で表されるフッ素含有界面活性剤である請求項１に記載の方法。
ＲfＣＯＯＭ
または
Ｒ’fＳＯ3Ｍ
［上式で、ＲfおよびＲ’fは、それぞれ２〜２０個の炭素原子を有する一価の炭化水素基を示し、その水素原子の少なくとも一部はフッ素原子で置換されている。Ｍは、水素原子Ｈ、アンモニウムＮＨ4、または第四アンモニウムＮＲ4を示し、Ｒはそれぞれ、他から独立して、水素原子または１〜３個の炭素原子を有するアルキル基である。］
【請求項３】
前記現像液組成物およびリンス溶液を供給するためにパドル法を用いる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記現像液組成物およびリンス溶液を供給するためにスプレイ法を用いる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記電子部品が半導体ウエーハである請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に集積回路用半導体などの電子部品の製作に関し、特に、後続のエッチング除去ステップまたは材料付加ステップのためにウエーハ表面上にレジスト・パターンを形成する、集積回路製造のマイクロリソグラフィ・ステップにおけるレジスト・パターンの崩れ（collapse）を回避する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ウエーハなどの、薄膜集積回路や半導体デバイスなどの電子部品基板上に電気回路を製作するには、マイクロリソグラフィ・プロセスを用いて回路パターンを画定する必要がある。リソグラフィ・プロセスは、後続のエッチング除去または材料付加のために基板のある領域を画定するものである。集積では、電気回路の線幅を含めたフィーチャ寸法を引き続き縮小する傾向にある。
【０００３】
フォトリソグラフィでは、パターン付き露光に基づいて３次元のレリーフ像を生成し、その後でウエーハ表面上の感光性フォトレジストを現像する。半導体業界では超微細パターンをプリントするためにマイクロリソグラフィが使用されているが、レジスト像を形成するための基本ステップは、通常の光学的リソグラフィと本質的に同じである。
【０００４】
大まかに言って、放射線感応性フォトレジストをウエーハなどの基板に塗布し、次いで通常はマスクを通してイメージの露光をフォトレジストに移す。露光によって、現像液と呼ばれる適当な溶媒による露光領域の溶解性が、使用するフォトレジストの種類に応じて増大または低下する。ポジ型フォトレジスト材料は、露光領域で溶けやすくなり、一方、ネガ型フォトレジストは、露光領域で溶けにくくなる。露光後、基板のある領域では現像液で溶解されて、パターン付きフォトレジスト膜で覆われなくなるので、開いたパターンの領域内に、エッチングまたは材料を付着させることによって、回路パターンを形成することができる。
【０００５】
マイクロリソグラフィ用フォトレジスト処理に係わる基本ステップは、まず基板を洗浄し、フォトレジストを付着させるために基板を下塗りすることである。
次いで、通常はレジストをウエーハ表面にスピン・コーティングすることによって、ウエーハ基板をフォトレジストで被覆する。スピン・コーティング法は、通常３段階からなる。すなわち、フォトレジストをウエーハ表面に配量し、ウエーハを最終回転速度へ加速し、次いでウエーハを定速でスピンさせてレジスト膜を広げ、乾燥する。スピニング段階の後、コーティングは、通常、厚さ約０．１〜１０マイクロメートルの比較的均一で対称的な流れプロフィル（profile）となる。スピン・コーティングを、通常、３，０００〜７，０００ｒｐｍの速度で２０〜６０秒間実施して、直径１５０ｍｍのウエーハ全面に均一性±１００Åのコーティングを生成する。スピン・コーティングの後、通常、ウエーハをソフト・ベークしてレジストから溶媒を除去する。
【０００６】
次いで、フォトレジストを露光して、レジストに所望のパターンを形成する。
次いで、通常、露光前ベークを行い、次いでレジストを現像液で現像してレジストの不要部分を除去し、所望のレジストパターンを形成する。現像は、ウエーハを現像液に浸漬するか、レジスト表面に現像液の溶液をスプレイすることによって行う。パドル技術を用いることもできる。これは、現像液の溶液をウエーハの表面にパドルまたは滴下し、次いでウエーハを（レジスト材料の塗布と同様に）スピニングさせて現像液をウエーハ表面全体に同時に広げるものである。上記の現像技術は、米国特許第６，１５９，６６２号明細書に記載されており、この特許を本明細書中で参考として援用する。
【０００７】
次いで現像プロセスを停止させるために、現像液をリンス溶液で基板表面からリンスする。これも、通常、上記のように、浸漬、スプレイ、またはパドリングによって行われる。
【０００８】
現像後ベーク・ステップは、通常、残留溶媒の除去、接着性改良、およびレジストのエッチング耐性の増大のために実施する。ウエーハは、次いで所望の結果に応じて、エッチングまたは材料の付加によって処理することができる。
【０００９】
困ったことに、業界の需要はより小さいフィーチャ寸法を必要としているので、レジストによって画定される線幅も同様により狭くなっている。しかし、レジスト・パターンの高さを著しく小さくすることはできない。機能性を保つためには、パターンはある高さまたは厚さを持たなければならないからである。レジストの高さとレジストによって画定される直立線の幅の比は、アスペクト比と呼ばれ、アスペクト比が高い線付きパターンが形成されるときは、このレジスト・パターンは倒れたり崩れやすいので深刻な問題が起こる。
【００１０】
日本のＴａｎａｋａ等の論文「Mechanism of Resist Pattern Collapse During Development Process」(J. Appl. Phys. vol. 32 (1993) pps. 6059-6064)が、微細レジスト・パターンの崩れの問題を論じている。崩れの一形態では、パターンの先端が互いに接触し、パターンの崩れによって、レジスト・パターンの曲がり、破れ、引き裂き、または剥れをもたらし、そのために、パターン付きウエーハは、その後の処理に不適当なものになってしまう。
【００１１】
イメージの崩れは、ウエーハ上のフィーチャがより小さくなると、例えば、アスペクト比が約３より大きく線の幅が１５０ｎｍより狭い場合に特に深刻な問題である。当分野の技術者なら理解するように、アスペクト比が増大し線幅が狭くなるにつれてこの問題はより顕著になり、アスペクト比６でかつ線幅１００ｎｍの線では、崩れの問題は非常に重大である。
【００１２】
当業界では、崩れの問題を解決するために、いくつかの解決方法を試みてきた。上記のＴａｎａｋａ論文では、レジスト・パターン崩れの原因はリンス液の表面張力であると推論し、第三ブチルアルコールと水の、容積パーセント混合比が５０：５０の混合物など、低表面張力リンス液が提案された。Ｎａｍａｔｓｕ等の論文「Super Critical Resist Dryer」(J. Vac. Sci. Technol. B 18(2), March/April 2000)には、パターン崩れを防ぐために超臨界レジスト・ドライヤを用いることが提案されている。米国特許第４，７８４，９３７号明細書は、フォトレジスト層の露光領域と非露光領域の間の溶解選択性を向上させるために、ポジ型フォトレジスト用組成物について、水酸化テトラメチルアンモニウムなど有機塩基およびアニオン性または非イオン性のフッ素含有界面活性剤を含んだ現像水溶液の使用を開示している。米国特許第５，４７４，８７７号明細書は、フォトレジスト・パターンの崩れを回避するために、沸点付近のリンス液を使用してリンス液の表面張力を低下させたフォトレジスト・パターンの現像方法を開示している。上記の文献および特許を、本明細書中で参考として援用する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術の問題および欠陥を念頭におくと、本発明の一目的は、現像したフォトレジストのパターン崩れを防止するための、半導体ウエーハなどの電子部品基板上のフォトレジスト・パターンを現像する方法を提供することである。
【００１４】
本発明の他の目的は、現像したフォトレジストのパターン崩れを防止するための、半導体ウエーハなどの電子部品基板上のフォトレジスト・パターンを現像する装置を提供することである。
【００１５】
本発明の他の目的は、本発明の方法および装置を用いて現像した、半導体ウエーハを含む電子部品基板を提供することである。
【００１６】
本発明の他の目的は、本発明の方法および装置を用いて現像した電子部品基板を用いて製造した、半導体ウエーハなどの電子部品を提供することである。
【００１７】
本発明の他の目的および利点は、一部は自明であり、一部は本明細書から明らかであろう。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
当分野の技術者には明白な上記および他の目的および利点は、第１の態様において、現像したパターンの崩れを防止するための、半導体ウエーハなどの電子部品基板上のフォトレジスト・パターンを現像する方法を対象とした、本発明において達成される。この方法は、以下のステップを含む。
電子部品基板上にフォトレジスト膜をコーティングするステップ、
前記フォトレジスト膜を所定のパターンに露光するステップ、
露光した前記フォトレジスト膜に現像液組成物を供給して、前記フォトレジスト・パターンを現像するステップであって、前記現像液組成物が、前記パターンの崩れを防止するのに十分な量のアニオン界面活性剤を含んでいるステップ、
前記フォトレジスト膜を現像して、所定の前記フォトレジスト・パターンを形成し、前記基板を濡れた状態に保つステップ、
現像した濡れた前記基板上にリンス水溶液を供給するステップであって、前記リンス水溶液が、前記パターンの崩れを防止するのに十分な量の純水およびアニオン界面活性剤を含むステップ、
現像した前記基板をリンスするステップ、および、
現像した前記基板を乾燥して、所定のフォトレジスト・パターンを有する電子部品基板を形成するステップ。
【００１９】
本発明の他の態様では、現像したパターンの崩れを防止するための、半導体ウエーハなどの電子部品基板上のフォトレジスト・パターンを現像する装置を提供する。この装置は、以下の手段を含む。
フォトレジスト膜を電子部品基板にコーティングするコーティング手段、
前記フォトレジスト膜を所定のパターンに露光する露光手段、
露光した前記フォトレジスト膜上に現像液組成物を供給する供給手段であって、前記現像液組成物が、前記パターンの崩れを防止するのに十分な量のアニオン界面活性剤を含んでいる手段、
前記フォトレジスト膜を現像して、所定の前記フォトレジスト・パターンを形成し、前記基板を濡れた状態に保つ現像手段、
現像した濡れた前記基板上にリンス液組成物を供給する供給手段であって、前記リンス液組成物が、前記パターンの崩れを防止するのに十分な量の水およびアニオン界面活性剤を含む手段、
現像した前記電子部品基板をリンスするリンス手段、および、
現像した前記基板を乾燥して、所定のフォトレジスト・パターンを有する電子部品基板を形成する乾燥手段。
【００２０】
本発明の他の態様では、電子部品基板上のフォトレジストを現像して、現像した基板のパターン崩れを防止するために、本発明の方法および装置が用いられる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明は、プリント回路板、集積回路、マイクロ電子機械式デバイス、磁気ディスク部品などの様々な電子部品基板上のフォトレジスト・パターンの現像に適用でき、特に、１５０ｎｍ未満の線幅および約３を超える高いアスペクト比を特徴とする、フィーチャ寸法が小さい半導体ウエーハ上のフォトレジスト・パターンの現像に適用できる。便宜上、以下の説明は、半導体ウエーハへのポジ型フォトレジストの使用を対象とするが、他のタイプのフォトレジストおよび他のタイプの電子部品基板も本発明の方法および装置で使用できることを、当分野の技術者なら理解されよう。ネガ型レジストも使用することができる。
【００２２】
本発明を大まかに言えば、半導体ウエーハ上のフォトレジスト・パターンを現像するための方法および装置を含み、その際、現像液組成物およびリンス液組成物の両方を順次使用し、両方がアニオン界面活性剤を含有しているものである。
現像液組成物およびリンス液組成物のどちらにもアニオン界面活性剤を用いると、現像したウエーハ基板のパターン崩れの問題を最少限に抑えまたは防止することができ、あるいはそのどちらもできることがわかった。
【００２３】
本発明の方法および装置には、どんなフォトレジストを使うこともできるが、上記のように、以下の説明は、米国特許第６，０４３，００３号明細書に記載のＫＲＳ（ケタール・レジスト・システム）などのポジ型フォトレジストを対象とする。同様に、所定のパターンにフォトレジスト膜を露出させる、紫外線、電子ビーム、Ｘ線、イオン・ビームなど、どんな方法も使用することができる。
【００２４】
半導体ウエーハ表面上にフォトレジスト膜を形成した後、膜をソフトベークして溶媒を除去することが好ましく、これは通常、ホット・プレート上で、温度約９０℃〜１５０℃で３０〜１２０秒間行う。ただし、用いるフォトレジストに応じて、任意の適切な時間、温度、およびベーキング装置を使用することができる。
【００２５】
次いでフォトレジストを露光するが、これは、投影や直接描画など、当分野の任意の標準技術および従来技術を用いて行うことができる。露光の後、潜像を増幅するために、７０〜１５０℃で約１〜２分間、露光したフォトレジスト膜をベークすることが好ましい。
【００２６】
半導体ウエーハ上のフォトレジスト像を現像するために用いられる方法には、基本的に４つの方法があり、これには、静止、浸漬、スプレイ、およびパドル現像が含まれる。それぞれの方法では、当技術分野の技術者なら理解するように、現像時間および温度を注意深く制御する必要がある。上記の米国特許第６，１５９，６６２号明細書は、現像プロセスを論じている。
【００２７】
静止方法では、露光したウエーハ表面に現像液を加え、パターンを現像するのに十分な時間経過後、ウエーハ表面にリンス液組成物を加える。リンスの後、ウエーハを乾燥する。
【００２８】
浸漬プロセスは、露光した半導体ウエーハを現像液組成物の浴に所定時間浸漬し、次いでウエーハを浴から取り出すことから基本的に構成されている。ウエーハを浸漬浴から取り出した後、リンス液組成物の浴に浸漬する。現像用浸漬およびリンスのどちらにも同じタンクを使用する置換リンス法を使うことができる。
現像したウエーハを浸漬する代わりに、浸漬したウエーハにスプレイすることによってリンスすることもできる。
【００２９】
スプレイ現像法では、露光したウエーハに、所定時間、通常約１〜２分間、現像液組成物をスプレイしてパターンを現像する。次いで現像したウエーハにリンス液組成物をスプレイして、ウエーハ表面から現像液をリンスする。リンス組成物は、通常、約１〜２分間スプレイし、次いで空気乾燥など通常の技術を用いて乾燥する。
【００３０】
好ましい実施形態では、その効果が実証されているので、パドル現像プロセスを用いている。このプロセスでは、ウエーハが静止している状態で、露光した半導体ウエーハ上に現像液組成物をパドルし、次いでゆっくりと、例えば１００ｒｐｍでウエーハをスピニングさせて現像液組成物をウエーハ表面の全面に分配する。次いで、パターンを現像するのに十分な現像時間、例えば１〜２分間、ウエーハ表面上に現像液が付着したまま放置する。次いで通常はウエーハが静止している状態で、濡れたままのウエーハ表面上にリンス液組成物をパドルし、現像液組成物と同様にスピニングさせてウエーハをリンスする。リンス処置の後、リンスしたウエーハを、通常はスピン乾燥によって乾燥する。
【００３１】
現像液組成物に関しては、この現像液組成物が以下に定義するアニオン界面活性剤を含むという条件で、任意の適当な市販の現像液組成物を本発明で使用することができる。通常、現像液組成物は塩基性であり、主成分として水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、ケイ酸ナトリウムなどを含むこともできるが、塩基性成分が水酸化テトラメチルアンモニウムなど金属イオンのない塩基性有機化合物であることが特に好ましい。
【００３２】
上記の米国特許第４，７８４，９３７号明細書に記載されているように、金属イオンのない塩基性有機化合物が、本発明の方法で用いられる現像液組成物の主成分であり、このタイプの現像溶液で通常用いられるどんな既知の化合物でもよい。こうした塩基性有機化合物の代表的なものは、アルキレンジアミン、例えば１，３−ジアミノプロパン、およびアリールアミン、例えば４，４’−ジアミノジフェニルアミンなどの脂肪族および芳香族アミン化合物、さらにビス（ジアルキルアミノ）イミン、環構成原子として３〜５個の炭素原子および窒素原子、酸素原子、および硫黄原子から選択されたヘテロ原子１個または２個から形成された環構造を有する複素環塩基、例えばピロール、ピロリジン、ピロリドン、ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジン、オキサゾール、およびチアゾール、低級アルキル第四アンモニウム塩基、その他である。
【００３３】
上記の中で特に好ましいのは、アルキル基がＣ１〜Ｃ４、または置換したＣ１〜Ｃ４である水酸化テトラアルキルアンモニウムである。代表としては、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、および水酸化２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム、すなわちコリンがある。その他の水酸化アンモニウムには、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化トリエチルメチルアンモニウム、水酸化エチルトリメチルアンモニウム、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム、水酸化トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化ジ（２−ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウム、水酸化ジ（２−ヒドロキシエチル）ジエチルアンモニウム、水酸化トリ（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウム、水酸化エチルトリ（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、および水酸化テトラ（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムが含まれる。上記の金属イオンのない有機塩基は、必要に応じて単独または２種以上の組み合わせとして使うことができる。
【００３４】
本発明の現像溶液は、通常、約１１．０〜１３．５のｐＨ範囲で、上記の塩基化合物を純水に溶解することによって調製する。
【００３５】
通常の現像液組成物に使用されている任意選択の添加物を、本発明の現像液組成物に使用することもでき、これには、安定剤および溶解助剤、および一価アルコールが含まれる。この一価アルコールは、フォトレジスト残渣を除去する働きをするものであり、これを除去しないと、現像後この残渣は露光領域に残ったままである。これらの任意選択の添加剤は、本発明の現像溶液に、必要に応じて単独または２種以上の組み合わせとして添加することができる。
【００３６】
アニオン界面活性剤を、本発明の現像液組成物およびリンス水組成物のどちらにも使用するのが、本発明の重要な特徴である。
【００３７】
アニオン界面活性剤は、油溶性の大きな非極性炭化水素末端と水溶性の極性末端とを備えていることが特徴である。例えばラウリル硫酸ナトリウムの場合は、Ｃ11Ｈ22ＣＨ2基が非極性末端であり、ＯＳＯ3-Ｎａ+が極性末端である。
【００３８】
アニオン性の洗剤類には、約８〜約２４個の炭素原子、好ましくは約１０〜約２０個の炭素原子を含む高級脂肪酸のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、アルキルアンモニウム塩など一般のアルカリ金属石鹸が含まれる。
【００３９】
この洗剤類にはまた、分子構造中に、約８〜約２２個の炭素原子を含むアルキル基と、スルホン酸基、または硫酸基、または硫酸エステル基とを有する有機硫黄反応生成物の水溶性の塩、特に非金属アンモニウム塩が含まれる。（このアルキルという用語には、高級アシル基のアルキル部分も含まれる。）本発明の好ましい洗剤組成物の一部を形成するこの合成洗剤群の例には、アルキル硫酸アンモニウム、特に高級アルコール（Ｃ8〜Ｃ19の炭素原子）を硫酸と反応させることによって得られるもの、およびアルキルベンゼンスルホン酸アンモニウムがある。ただし、アルキル基は、直鎖または分枝鎖配置で約９〜約１５個の炭素原子を含む。
【００４０】
アニオン性リン酸エステル界面活性剤もまた本発明において有用である。これらは、疎水性部分に結合しているアニオン性の可溶化基が、リンのオキシ酸である界面活性材料である。より一般的な可溶化基は、−ＳＯ4Ｈ、−ＳＯ3Ｈ、および−ＣＯ2Ｈである。（Ｒ−Ｏ）2ＰＯ2Ｈ、およびＲＯＰＯ3Ｈ2などのアルキルリン酸エステルが有用である。ただし、Ｒは、約８〜約３０個の炭素原子を含むアルキル鎖を表す。
【００４１】
好ましいアニオン界面活性剤は、以下の一般式で表されるフッ素含有界面活性剤である。
ＲfＣＯＯＭ
または
Ｒ’fＳＯ3Ｍ
上式で、ＲfおよびＲ’fは、それぞれ２〜２０個の炭素原子を有する一価の炭化水素基を示し、その水素原子の少なくとも一部はフッ素原子で置換されている。
Ｍは、水素原子Ｈ、アンモニウムＮＨ4、または第四アンモニウムＮＲ4を示し、Ｒはそれぞれ、他から独立して、水素原子または１〜３個の炭素原子を有するアルキル基である。より具体的には、界面活性剤としての活性を有する上記のタイプのフッ素含有カルボン酸およびスルホン酸、ならびにこれらの塩には、直鎖または分枝鎖の、式ＣnＦ2n+1ＣＯＯＨのペルフルオロカルボン酸、式ＣnＦ2n+1ＳＯ3Ｈのペルフルオロアルカンスルホン酸、式ＣnＦ2n+1ＣmＨ2mＣＯＯＨの部分フッ化カルボン酸、式ＣnＦ2n+1Ｃ＝ＣＨＣmＨ2mＣＯＯＨの部分フッ化不飽和カルボン酸、式ＣnＦ2n+1ＣmＨ2mＳＯ3Ｈの部分フッ化アルカンスルホン酸、および式ＣnＦ2n+1ＣＨ＝ＣＨＣmＨ2mＳＯ3Ｈの部分フッ化アルケンスルホン酸、ならびに、これらのアンモニウム塩およびテトラアルキルアンモニウム塩が含まれる。上式で、ｎおよびｍは、それぞれ、１〜１０および１〜１５の正の整数である。
【００４２】
これらの分類に属する独特の化合物には、ペルフルオロカプリル酸  Ｃ7Ｆ15ＣＯＯＨ、ペルフルオロオクタンスルホン酸  Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｈ、ペルフルオロカプリン酸アンモニウム  Ｃ9Ｆ19ＣＯＯＮＨ4、ペルフルオロカプリル酸テトラメチルアンモニウム  Ｃ7Ｆ15ＣＯＯＮ（ＣＨ3）4、Ｃ5Ｆ11（ＣＨ2）3ＣＯＯＨ、ＣＦ3（ＣＦ2）3ＣＦ（ＣＦ3）（ＣＨ2）10ＣＯＯＮＨ4、ＣＦ3（ＣＦ2）6ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＯＯＮＨ4などが含まれるが、これらに限定されない。これらの化合物は、必要に応じて単独または２種以上の組み合わせとして使うことができる。
【００４３】
現像液組成物は、約１２〜１３のｐＨを得るために、通常、塩基を約１０〜４０ｇ／ｌの量で含むものである。通常、０．２１Ｎまたは０．２６Ｎの溶液が用いられる。アニオン界面活性剤は、本発明の方法および装置で用いられる組成物について所望の抗崩れ性（anti-collapse properties）を得るのに十分な量を現像液組成物中に入れてあり、この量は、一般に約１００〜１０，０００ｐｐｍ、またはそれ以上、好ましくは５００〜５，０００ｐｐｍである。
【００４４】
現像液組成物は、３５℃までの様々な温度またはそれ以上で用いることができるが、通常は約１９〜２５℃、好ましくは２１℃である。
【００４５】
リンス液組成物は、本発明の方法および装置に所望の抗崩れ性を与えるために、純水と、約１００〜１０，０００ｐｐｍ、またはそれ以上、好ましくは５００〜５，０００ｐｐｍの上記のアニオン界面活性剤とを含む。
【００４６】
リンス液組成物は、３５℃までの様々な温度またはそれ以上で用いることができるが、通常は約１９〜２５℃、好ましくは２１℃である。
【００４７】
実施例
半導体ウエーハを、パドル法を用いたスピン・コーティングによって、ＫＲＳポジ型レジストでコーティングした。レジストをコーティングしたウエーハを露光して、約６のアスペクト比をもつ約１００ｎｍの線幅およびスペース幅を得た。露光したウエーハは、ＴＭＡＨ  ０．２６３Ｎ、およびＦＣ−９３（２５％活性）  １重量％の脱イオン水の溶液を、ウエーハが静止している状態でウエーハ表面上にパドルすることによって現像した。ＦＣ−９３は、3M Chemicalsによって販売されているペルフルオロアルキルスルホン酸アンモニウム系界面活性剤である。現像後ウエーハがまだ濡れている間に、まだ濡れているウエーハを、脱イオン水と濃度１重量％のアニオン界面活性剤ＦＣ−９３とを含むリンス液組成物でリンスした。リンス液組成物を静止中のウエーハに塗布し、このウエーハをスピニングによってリンスし、次いで空気乾燥した。この結果によれば、レジスト・パターンは崩れず、商業的見地から満足できるものであった。コントロール・サンプル（現像液およびリンス液に界面活性剤を加えなかった）は、アスペクト比３．５で崩れた。
【００４８】
上記の実施例を、ペルフルオロアルキルカルボン酸アンモニウム系界面活性剤を含むアニオン界面活性剤であり、同じく3M Chemicalsによって販売されているＦＣ−１４３を用いて繰り返した。現像したレジスト・パターンは崩れず、商業的に許容できるものであった。
【００４９】
アニオン界面活性剤として、ラウリル硫酸アンモニウムを約０．５重量％の量で用いて、上記の実施例を繰り返した。この場合は、上限としてアスペクト比４を達成した。
【００５０】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００５１】
（１）フォトレジスト・パターンを形成する方法であって、
電子部品基板上にフォトレジスト膜をコーティングするステップと、
前記フォトレジスト膜を所定のパターンに露光するステップと、
露光した前記フォトレジスト膜に現像液組成物を供給して、フォトレジスト・パターンを現像するステップであって、前記現像液組成物が、前記フォトレジスト・パターンの崩れを防止するのに十分な量のアニオン界面活性剤を含んでいるステップと、
前記フォトレジスト膜を現像して、所定の前記フォトレジスト・パターンを形成し、前記基板を濡れた状態に保つステップと、
現像し、濡れた状態の前記基板上にリンス水溶液を供給するステップであって、前記リンス水溶液が、前記フォトレジスト・パターンの崩れを防止するのに十分な量のアニオン界面活性剤を含むステップと、
現像した前記基板をリンスするステップと、
現像した前記基板を乾燥して、所定のフォトレジスト・パターンを有する電子部品基板を形成するステップと
を含む方法。
（２）前記アニオン界面活性剤が、以下の一般式で表されるフッ素含有界面活性剤である上記（１）に記載の方法。
ＲfＣＯＯＭ
または
Ｒ’fＳＯ3Ｍ
［上式で、ＲfおよびＲ’fは、それぞれ２〜２０個の炭素原子を有する一価の炭化水素基を示し、その水素原子の少なくとも一部はフッ素原子で置換されている。Ｍは、水素原子Ｈ、アンモニウムＮＨ4、または第四アンモニウムＮＲ4を示し、Ｒはそれぞれ、他から独立して、水素原子または１〜３個の炭素原子を有するアルキル基である］
（３）前記現像液組成物およびリンス溶液を供給するためにパドル法を用いる上記（１）に記載の方法。
（４）前記現像液組成物およびリンス溶液を供給するためにスプレイ法を用いる上記（１）に記載の方法。
（５）前記電子部品が半導体ウエーハである上記（１）に記載の方法。
（６）フォトレジスト・パターンを形成する装置であって、
フォトレジスト膜を電子部品基板にコーティングするコーティング手段と、
前記フォトレジスト膜を所定のパターンに露光する露光手段と、
前記露光したフォトレジスト膜上に現像液組成物を供給する供給手段であって、前記現像液組成物が、前記パターンの崩れを防止するのに十分な量のアニオン界面活性剤を含んでいる手段と、
前記フォトレジスト膜を現像して、所定の前記フォトレジスト・パターンを形成し、前記基板を濡れた状態に保つ現像手段と、
現像した濡れた前記基板上にリンス液組成物を供給する供給手段であって、前記リンス液組成物が、前記パターンの崩れを防止するのに十分な量の水およびアニオン界面活性剤を含む手段と、
現像した前記電子部品基板をリンスするリンス手段と、
現像した前記基板を乾燥して、所定のフォトレジスト・パターンを有する電子部品基板を形成する乾燥手段とを含む装置。
（７）前記現像液組成物中の前記アニオン界面活性剤が、以下の一般式で表されるフッ素含有界面活性剤である上記（６）に記載の装置。
ＲfＣＯＯＭ
または
Ｒ’fＳＯ3Ｍ
［上式で、ＲfおよびＲ’fは、それぞれ２〜２０個の炭素原子を有する一価の炭化水素基を示し、その水素原子の少なくとも一部はフッ素原子で置換されている。Ｍは、水素原子Ｈ、アンモニウムＮＨ4、または第四アンモニウムＮＲ4を示し、Ｒはそれぞれ、他から独立して、水素原子または１〜３個の炭素原子を有するアルキル基である］
（８）前記現像液組成物およびリンス液組成物両方への前記供給手段が、パドラである上記（６）に記載の装置。
（９）前記現像液組成物およびリンス液組成物両方への前記供給手段が、スプレイ装置である上記（６）に記載の装置。
（１０）上記（１）ないし（５）のいずれかの方法を用いて製造した電子部品。