(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートが第１の入力により制御され、第１の動作電位点と第１のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第１のｐチャネルＦＥＴと、
ゲートが第２の入力により制御され、第１のノードと第２のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第１のｎチャネルＦＥＴと、
上記第２のノードと第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第２のｎチャネルＦＥＴと、
上記第２のノードと第３の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第３のｎチャネルＦＥＴと、
ゲートが上記第１の入力により制御され、第３のノードと第４のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第２のｐチャネルＦＥＴと、
上記第１の動作電位点と上記第３のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第３のｐチャネルＦＥＴと、
第４の動作電位点と上記第３のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第４のｐチャネルＦＥＴと、
上記第４のノードと上記第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第４のｎチャネルＦＥＴと、
ゲートが上記第４のノードにより制御され、上記第１の動作電位点と第５のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第５のｐチャネルＦＥＴと、
ゲートが上記第１のノードにより制御され、上記第５のノードと上記第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第５のｎチャネルＦＥＴと、
ゲートが上記第５のノードにより制御され、上記第１の動作電位点と第６のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第６のｐチャネルＦＥＴと、
ゲートが上記第５のノードにより制御され、上記第６のノードと上記第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第６のｎチャネルＦＥＴとを有し、
上記第２のｎチャネルＦＥＴのゲートは上記第６のノードにより制御され、
上記第３のｎチャネルＦＥＴのゲートは上記第５のノードにより制御され、
上記第３のｐチャネルＦＥＴのゲートは上記第６のノードにより制御され、
上記第４のｐチャネルＦＥＴのゲートは上記第５のノードにより制御される半導体集積回路。
【請求項２】
請求項１において、
上記第３の動作電位点の電位は、上記第２の動作電位点の電位と上記ｎチャネルＦＥＴのしきい値電圧との間にあり、
上記第４の動作電位点の電位は、上記第１動作電位点の電位と（上記第１動作電位点−上記ｐチャネルＦＥＴのしきい値電圧の絶対値）の電位との間にある半導体集積回路。
【請求項３】
第１の動作電位点と第１のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第１のｐチャネルＦＥＴと、上記第１のノードと第２のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第１のｎチャネルＦＥＴとを有する第１回路と、
上記第２のノードと第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第２のｎチャネルＦＥＴと、
上記第２のノードと第３の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第３のｎチャネルＦＥＴと、
第３のノードと第４のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第２のｐチャネルＦＥＴと、上記第４のノードと上記第２動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第４のｎチャネルＦＥＴとを有する第２回路と、
上記第１の動作電位点と上記第３のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第３のｐチャネルＦＥＴと、
第４の動作電位点と上記第３のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第４のｐチャネルＦＥＴとを有し、
上記第１のｐチャネルＦＥＴ及び上記第２のｐチャネルＦＥＴのゲートは第１の信号により制御され、
上記第１のｎチャネルＦＥＴ及び上記第４のｎチャネルＦＥＴのゲートは第２の信号により制御され、
上記第１回路は第３の信号を出力し、上記第２回路は第４の信号を出力し、
上記第３のｎチャネルＦＥＴ及び上記第４のｐチャネルＦＥＴのゲートは第５の信号により制御され、
上記第２のｎチャネルＦＥＴ及び上記第３のｐチャネルＦＥＴのゲートは第６の信号により制御され、
上記第５の信号は上記第６の信号の相補信号であり、
上記第５の信号は上記第３及び上記第４の信号の相補信号である半導体集積回路。
【請求項４】
請求項３において、
上記第３の動作電位点の電位は、上記第２の動作電位点の電位と上記ｎチャネルＦＥＴのしきい値電圧との間にあり、
上記第４の動作電位点の電位は、上記第１動作電位点の電位と（上記第１動作電位点−上記ｐチャネルＦＥＴのしきい値電圧の絶対値）の電位との間にある半導体集積回路。
【請求項５】
第１の動作電位点と第１のノードとの間にソースドレイン経路が接続されたｐ型の第１ＦＥＴと、上記第１のノードと第２のノードとの間にソースドレイン経路が接続されたｎ型の第２ＦＥＴとを有する第１回路と、
上記第２のノードと第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第３ＦＥＴと、
上記第２のノードと第３の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第４ＦＥＴと、
第３のノードと第４のノードとの間にソースドレイン経路が接続されたｐ型の第５ＦＥＴと、上記第４のノードと上記第２動作電位点との間にソースドレイン経路が接続されたｎ型の第６ＦＥＴとを有する第２回路と、
上記第１の動作電位点と上記第３のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第７ＦＥＴと、
第４の動作電位点と上記第３のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第８ＦＥＴとを有し、
上記第３ＦＥＴのオン／オフ状態は上記第４ＦＥＴのオン／オフ状態と相補であり、上記第３ＦＥＴのオン／オフ状態は上記第２ＦＥＴのオン／オフ状態と相補であり、
上記第７ＦＥＴのオン／オフ状態は上記第８ＦＥＴのオン／オフ状態と相補であり、上記第７ＦＥＴのオン／オフ状態は上記第５ＦＥＴのオン／オフ状態と相補である半導体集積回路。
【請求項６】
請求項５において、
上記第３の動作電位点の電位は、上記第２の動作電位点の電位と上記ｎチャネルＦＥＴのしきい値電圧との間にあり、
上記第４の動作電位点の電位は、上記第１動作電位点の電位と（上記第１動作電位点−上記ｐチャネルＦＥＴのしきい値電圧の絶対値）の電位との間にある半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路に係わり、特にＭＯＳトランジスタを用いた半導体集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、各種半導体集積回路においては、高集積化、低消費電力化が進められている。半導体集積回路においては、 ＭＯＳトランジスタのＯＮ−ＯＦＦ特性を決めるしきい値電圧Ｖｔが存在する。ドライブ能力を上げ、回路の動作速度を向上させるためには、しきい値電圧Ｖｔを小さくしなければならない。また、内部電源Ｖｄｄを低電圧化した場合でも、高速動作を保つためには、同様にＶｔを小さく設定する必要がある。
【０００３】
しかしながら、しきい値電圧Ｖｔを小さくすると、１９９３シンポジウム  オン  ブイ・エル・エス・アイ  サーキット  ダイジェスト  オブ  テクニカル  ペーパーズ（１９９３年）第４５頁から第４６頁（１９９３  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  ＶＬＳＩ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ，  ｐｐ．４５−４６）に記されているように、リーク電流が急激に増加し、半導体集積回路の消費電力が非常に大きくなるという問題を招く。
【０００４】
これを防止するために、１９９６アイ・イー・イー・イー  インターナショナル  ソリッドステイト  サーキット  コンファレンス  ダイジェスト  オブ  テクニカル  ペーパーズ（１９９６年）第１６６頁から第１６７頁（ＩＥＥＥ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ，ｐｐ．１６６−１６７，１９９６）によれば、スタンバイ時やアクティブ時等の動作状態に応じて、基板バイアス電圧値を変化させ、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を制御できる半導体集積回路が提案されている。
【０００５】
また、アイ・イー・イー・イー  ジャーナル  オブ  ソリッドステイト  サーキット，Ｖｏｌ３０，Ｎｏ８（１９９５年）第８４７頁から第８５４頁（ＩＥＥＥ  ＪＯＵＲＮＡＬ  ＯＦ  ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ  ＣＩＲＣＵＩＴ，Ｖｏｌ３０，Ｎｏ８，ＡＵＧＵＳＴ  １９９５）によれば、電源供給線と擬似電源供給線を設け、これらの間にスイッチング用ＭＯＳトランジスタを配し、主回路には、擬似電源供給線から電源を供給する構成を取り、スタンバイ時には、スイッチング用ＭＯＳトランジスタをＯＦＦして主回路に電源を供給しないことにより、低消費電力化を実現する提案がなされている。しかしながら、これらの従来技術を用いても、アクティブ時に高速に動作させるためには、リーク電流の増加が避けられない。
【０００６】
図２４に従来の回路例として、３段のインバータを示す。（ａ）は等価回路、（ｂ）は具体的回路構成を示している。例えば、スタンバイ時にノードＯ１が“Ｌ”レベルの場合は、Ｏ３が“Ｌ”レベルとなり、ノードＯ２とＯ４が“Ｈ”レベルとなる。このとき、前２段のインバータを見ると、トランジスタＱ１とＱ４を通してリーク電流が流れるが、トランジスタのしきい値を下げるとリーク電流が大幅に増加する。
【０００７】
一方、特開平７−１６２２８８によれば、しきい値電圧Ｖｔを変えずに、ＯＦＦからＯＮに遷移するＭＯＳトランジスタに入力する信号と、ＯＮからＯＦＦに遷移するＭＯＳトランジスタに入力する信号に時間差をつけ、後者の信号より前者の信号を早く伝搬させることにより、高速動作を実現する提案がなされている。しかしながら、前者の信号伝搬を早くすると、後者の信号伝搬が遅くなるため、全体としては大幅な高速化効果は望めない。この高速化効果は、高々１０％程度であることが発明者らの検討により判明した。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の半導体集積回路においては、回路の動作速度を向上させる、あるいは、内部電源Ｖｄｄを低電圧化した場合にも高速動作を保とうとすると、アクティブ時のリーク電流が増加するという問題があった。
【０００９】
本発明は、前記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、アクティブ時のリーク電流による消費電力の増加を抑え、かつ高速に動作可能な半導体集積回路を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明は次のような構成を採用している。すなわち、本発明は、ゲートが第１の入力により制御され、第１の動作電位点と第１のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第１のｐチャネルＦＥＴと、ゲートが第２の入力により制御され、第１のノードと第２のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第１のｎチャネルＦＥＴと、ゲートが第１のノードで制御され、第２のノードと第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第２のｎチャネルＦＥＴと、ゲートが第１のノードで制御され、第２のノードと第３の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第３のｎチャネルＦＥＴと、ゲートが第１の入力により制御され、第３のノードと第４のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第２のｐチャネルＦＥＴと、ゲートが第４のノードにより制御され、第１の動作電位点と第３のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第３のｐチャネルＦＥＴと、ゲートが第４のノードにより制御され、第４の動作電位点と第３のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第４のｐチャネルＦＥＴと、ゲートが第２の入力により制御され、第４のノードと第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第４のｎチャネルＦＥＴと、からなることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、ゲートが第１の入力により制御され、第１の動作電位点と第１のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第１のｐチャネルＦＥＴと、ゲートが第２の入力により制御され、第１のノードと第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第１のｎチャネルＦＥＴと、ゲートが第１の動作電位点で制御され、第１のノードと第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第２のｎチャネルＦＥＴと、ゲートが第１のノードで制御され、第１の動作電位点と第２のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第２のｐチャネルＦＥＴと、ゲートが第２の入力により制御され、第２のノードと第２の動作電位点との間にソースドレイン経路が接続された第３のｎチャネルＦＥＴと、ゲートが第２の動作電位点により制御され、第１の動作電位点と第２のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第３のｐチャネルＦＥＴと、からなることを特徴とする。
【００１２】
本発明を入力信号の動作の点から説明すると、ＰＭＯＳトランジスタ（あるいはＰチャネルＦＥＴ）とＮＭＯＳトランジスタ（あるいはＮチャネルＦＥＴ）を含んでなる半導体集積回路であって、ＰＭＯＳトランジスタのゲートに第１の信号が入力され、ＮＭＯＳトランジスタのゲートに第２の信号が入力され、第１の信号と第２の信号は異なる信号であり、第１の信号の最大値がＰＬ、最小値がＰＳであり、第２の信号の最大値がＮＬ、最小値がＮＳであるときに、ＰＳ≦ＮＳ＜ ＰＬ≦ ＮＬであることを特徴とする。
【００１３】
また、ＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタを含んでなる半導体集積回路であって、ＰＭＯＳトランジスタのゲートに第１の信号が入力され、ＮＭＯＳトランジスタのゲートに第２の信号が入力され、第１の信号と第２の信号は異なる信号であり、第１の信号がＰＬとＰＳの間で変化し、第２の信号がＮＬとＮＳの間で変化し、ＰＭＯＳトランジスタのオン・オフのしきい値であるゲート入力をＰＧとし、ＮＭＯＳトランジスタのオン・オフのしきい値であるゲート入力をＮＧとしたとき、各値はＰＳ、ＮＳ、ＮＧ、ＰＧ、ＰＬ、ＮＬの順に並ぶことを特徴とする。
【００１４】
ここで、ＮＧとＮＬの差が、 ＮＧとＮＳの差より大きいことが望ましい。また、ＰＧとＰＳの差が、 ＰＧとＰＬの差より大きいことも望ましい。
【００１５】
具体的には第１の信号はＰＬとＰＳの間で変化する矩形波であり、第２の信号はＮＬとＮＳの間で変化する矩形波（たとえばパルス）である。制御の容易性から、これらの立ち上がりと立ち下がりのタイミングは同期していることが望ましい。すなわち、位相が同じだが、波形の異なるパルス信号をＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタのゲートに与えて制御する。具体的には、 ＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタのHIGHとLOWがそれぞれ異なる。さらに具体的には、ＰＭＯＳトランジスタは第１の信号の立ち下がりでオンし、ＮＭＯＳトランジスタは第２の信号の立ち上がりでオンする。本発明では、第１の信号と第２の信号に時間差（位相差）を設ける必要は特にない。
【００１６】
これらをまとめて好適な形態に構成すると、ＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタを含んでなる半導体集積回路であって、ＰＭＯＳトランジスタのゲートに第１のパルス信号が入力され、ＮＭＯＳトランジスタのゲートに第２のパルス信号が入力され、第１のパルス信号のHIGHの値と第２のパルス信号のHIGHの値は異なり、第１のパルス信号のLOWの値と第２のパルス信号のLOWの値は異なり、第１のパルス信号のHIGHからLOWへの切り替えタイミングと第２のパルス信号のHIGHからLOWへの切り替えタイミングは同期し、第１のパルス信号LOWのHIGHからへの切り替えタイミングと第２のパルス信号LOWのHIGHからへの切り替えタイミングは同期している。
【００１７】
さらに、具体例を示すと、第１のパルス信号を形成する第１の回路と、第２のパルス信号を形成する第２の回路とを有し、第１の回路はソースドレイン経路が直列に接続されたＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタを有し、第２の回路はソースドレイン経路が直列に接続されたＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタを有している。
【００１８】
また、さらに具体例を示すと、第１の回路のＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタはソースドレイン経路が第１の電位と第１の接続点に接続され、第２の回路のＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタはソースドレイン経路が第２の電位と第２の接続点に接続され、第１の接続点に対して第１のセレクタを介して第２の電位もしくは第３の電位が供給され、第２の接続点に対して第２のセレクタを介して第１の電位もしくは第４の電位が供給される。
【００１９】
これらの回路を実現するのに好適な回路レイアウトについて言及すれば、第１の電位を給電する第１の配線、第２の電位を給電する第２の配線、第３の電位を給電する第３の配線、第４の電位を給電する第４の配線が、平行に配置されていることが、コンパクトな回路構成のために望ましい。これらの配線は同一の配線層に配置してもよいが、面積の増大を嫌う場合には、異なる配線層で構成して、上下に積層するように構成しても良い。
【００２０】
さらに、本発明は、トランジスタの基板バイアスを制御してトランジスタのしきい値を変化させてサブスレッショルドリーク電流を低減する技術と組み合わせて用いることもできる。このためには、ＰＭＯＳトランジスタの基板バイアス電位を供給する第５の配線と、
ＮＭＯＳトランジスタの基板バイアス電位を供給する第６の配線が必要である。これらのレイアウトとしては、第１の配線〜第６の配線が平行に配置することができる。これらは同一の配線層に形成しても良い。また、配線層に余裕がある場合は異なる配線層で構成して、上下に重ねれば回路面積が縮小できる。
【００２１】
さらに、第１の配線〜第６の配線を３本ずつにグループ分けし、第１のグループと第２のグループの間に、上記第１の回路、第２の回路、ＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの少なくとも一つを内蔵するセルを複数配置すれば、規則的なセル配置が実現できる。このとき、基板バイアス電位を供給する配線を省略することもできる。このときは２本ずつの２つのグループとなり、これらの間にセルが配置される。
【００２２】
本発明は、従来の回路を適宜混在させて用いることができる。典型的な例としては、演算機能を有する論理ブロック、記憶機能を有するメモリブロックをする半導体集積回路であって、論理ブロックの内部に、第１の回路、第２の回路、ＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタを内蔵する本発明の回路（たとえば後に図１に示す）を配置することができる。
【００２３】
あるいは、第１の回路ブロック、第２の回路ブロックをする半導体集積回路であって、  第１のブロックの内部に、ＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタを含んでなる回路セルを有し、ＰＭＯＳトランジスタのゲートに第１のパルス信号が入力され、ＮＭＯＳトランジスタのゲートに第２のパルス信号が入力され、第１のパルス信号のHIGHの値と第２のパルス信号のHIGHの値は異なり、第１のパルス信号のLOWの値と第２のパルス信号のLOWの値は異なり、第１のパルス信号のHIGHからLOWへの切り替えタイミングと第２のパルス信号のHIGHからLOWへの切り替えタイミングは同期し、第１のパルス信号LOWのHIGHからへの切り替えタイミングと第２のパルス信号LOWのHIGHからへの切り替えタイミングは同期している。
【００２４】
具体的には、第１のパルス信号を形成する第１の回路と、第２のパルス信号を形成する第２の回路とを第１の回路ブロック中に有し、第１の回路はソースドレイン経路が直列に接続されたＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタを有し、第２の回路はソースドレイン経路が直列に接続されたＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタを有する。
【００２５】
さらに具体的には、第１の回路のＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタはソースドレイン経路が第１の電位と第１の接続点に接続され、第２の回路のＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタはソースドレイン経路が第２の電位と第２の接続点に接続され、第１の接続点に対して第１のセレクタを介して第２の電位もしくは第３の電位が供給され、第２の接続点に対して第２のセレクタを介して第１の電位もしくは第４の電位が供給される。
【００２６】
第１の回路ブロックには、上記の回路構成を実現するために、上記第１の電位を給電する第１の配線、上記第２の電位を給電する第２の配線、上記第３の電位を給電する第３の配線、上記第４の電位を給電する第４の配線が平行に配置されている。
【００２７】
また、第２の回路ブロックには、従来の回路を適用することにし、第１の配線〜第４の配線を平行に配置し、第３の電位を給電する第３の配線、第４の電位を給電する第４の配線が配置されていない。このように、本発明の回路と従来の回路をブロック分けすると、配線のためのスペースを節約でき、効率的な回路配置が可能となる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【００２９】
図１は、本発明の第１の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図である。これは、１段のＮＡＮＤゲートおよび４段のインバータの例である。従来のインバータは、ｎＭＯＳトランジスタとｐＭＯＳトランジスタの各１個から構成するが、本実施例では、まず１つのインバータを２分割する。例えば、Ｑｐ１１，Ｑｎ１１で構成する第１のインバータ（第１のＣＭＯＳ回路）とＱｐ１３，Ｑｎ１３で構成する第２のインバータ（第２のＣＭＯＳ回路）に分ける。但し、Ｑｐ１１，Ｑｎ１１，Ｑｐ１３，Ｑｎ１３のチャネル幅の合計は、従来と同じになるようにできる。
【００３０】
次に、それぞれのインバータに、電圧源を選択するためのセレクタを設ける。例えば、第１のインバータを構成するＱｐ１１のソースに、Ｑｐ１５，Ｑｐ１６で構成する第１のセレクタを接続する。Ｑｐ１５のソースには、電圧値Ｖｄｄを持つ第１の電圧源を接続し、Ｑｐ１６のソースには、Ｖｄｄ−Ｖｔ＜Ｖｈ＜Ｖｄｄ（Ｖｔはしきい値電圧）となるように設定された電圧値Ｖｈを持つ第１のバイアス用電圧源を接続する。同様に、第２のインバータを構成するＱｎ１３のソースに、Ｑｎ１５，Ｑｎ１６で構成する第２のセレクタを接続する。Ｑｎ１５のソースには、電圧値０を持つ第２の電圧源を接続し、Ｑｎ１６のソースには、０＜Ｖｌ＜Ｖｔとなるように設定された電圧値Ｖｌを持つ第２のバイアス用電圧源を接続する。
【００３１】
最後に、遅延用インバータを用いて、第１および第２のインバータの出力から生成した電圧源選択信号をセレクタに入力する。例えば、第１の遅延用インバータを構成するＱｐ１７，Ｑｎ１７のゲートには、それぞれ第１のインバータの出力と第２のインバータの出力を接続し、第２の遅延用インバータのＱｐ１８，Ｑｎ１８のゲートには、共に第１の遅延用インバータの出力を接続する。第１のセレクタおよび第２のセレクタを構成するＱｐ１６，Ｑｎ１６のゲートには、第１の遅延用インバータの出力を接続し、Ｑｐ１５，Ｑｎ１５のゲートには、第２の遅延用インバータの出力を接続する。
【００３２】
同様な回路構成を、２段目（Ｑｐ２１からＱｐ２８，Ｑｎ２１からＱｎ２８）と３段目（Ｑｐ３１からＱｐ３８，Ｑｎ３１からＱｎ３８）についても実施する。但し、４段目はＱｐ４とＱｎ４の従来と同様のインバータ構成である。多段構成時の接続については、第１のインバータの出力Ｐ１は次段のｐＭＯＳ側（Ｑｐ２１，Ｑｐ２３）にのみ入力し、第２のインバータの出力Ｎ１は次段のｎＭＯＳ側（Ｑｎ２１，Ｑｎ２３）にのみ入力する。これを繰り返して論理回路を構成する。
【００３３】
結局この構成では、ゲートが第１の入力P1により制御され、第１の動作電位点Vddと第１のノードN2との間にソースドレイン経路が接続された第１のｐチャネルＦＥＴQp23と、ゲートが第２の入力N1により制御され、第１のノードN2と第２のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第１のｎチャネルＦＥＴQn23と、ゲートが第１のノードで制御され、第２のノードと第２の動作電位点GNDとの間にソースドレイン経路が接続された第２のｎチャネルＦＥＴQn25と、ゲートが第１のノードN2で制御され、第２のノードと第３の動作電位点Vlとの間にソースドレイン経路が接続された第３のｎチャネルＦＥＴQn26と、ゲートが第１の入力P1により制御され、第３のノードと第４のノードP2との間にソースドレイン経路が接続された第２のｐチャネルＦＥＴQp21と、ゲートが第４のノードP2により制御され、第１の動作電位点Vddと第３のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第３のｐチャネルＦＥＴQp25と、ゲートが第４のノードP2により制御され、第４の動作電位点Vhと第３のノードとの間にソースドレイン経路が接続された第４のｐチャネルＦＥＴQp26と、ゲートが第２の入力N1により制御され、第４のノードP2と第２の動作電位点GNDとの間にソースドレイン経路が接続された第４のｎチャネルＦＥＴQn21とを含んでいる。
【００３４】
本実施例は、このように各信号線を入力、出力共にｐＭＯＳ側用とｎＭＯＳ側用の２本に分けて構成する。但し、初段の１段目は１つの信号に対して１本にすることができるし、最終段の４段目は、通常のロジックで受けて（但し、入力は２種類）１つの信号に対して１本の信号線に戻すこともできる。このように論理回路群を構成して、論理回路群内は各信号２本を用いるし、群の入、出力は１本に戻すことができ、第１図に記載の本実施例と従来の方式（たとえば図２４に開示の回路）を組み合わせてもよい。
【００３５】
こうした場合の効果であるが、例えば、ノードＰ１とＮ１が“Ｌ”レベルの場合には、その信号が第１の遅延用インバータを通って、第２のセレクタを構成するＱｐ１６，Ｑｎ１６のゲートに入力され、Ｑｐ１６がＯＦＦ、Ｑｎ１６がＯＮになる。さらに、第１の遅延用インバータの出力は、第２の遅延用インバータを通って第１のセレクタを構成するＱｐ１５，Ｑｎ１５のゲートに入力され、Ｑｐ１５がＯＮ、Ｑｎ１５がＯＦＦになる。このため、ノードＰ１の電位は０のままであるが、ノードＮ１の電位は０からＶｌに引き上げられることになる。
【００３６】
結果として、ノードＰ１とＮ１が“Ｌ”から“Ｈ”レベルに遷移する場合には、Ｎ１、すなわちｎＭＯＳ入力の立ち上がりは、従来のインバータに比べて速くなる。
【００３７】
図２に上記で説明した図１の回路の動作を示す。 ｎＭＯＳ入力の立ち上がりの部分を図２のＡに示す。ノードＰ１とＮ１が“Ｌ”レベルの場合には、ノードＰ１の電位は０のままであるが、ノードＮ１の電位は０からＶｌに引き上げられる。よって、本実施例は、ｎＭＯＳの入力がＯＮし始める０からＶｔまでの無駄な時間を削減するため、結果として動作スピードは向上する。
【００３８】
その後、ノードＰ１とＮ１が“Ｈ”レベルになると、“Ｌ”レベルの場合と同様に、その信号が遅延用インバータを通ってセレクタに入力され、Ｑｐ１６がＯＮ、Ｑｎ１６がＯＦＦ、Ｑｐ１５がＯＦＦ、Ｑｎ１５がＯＮになる。このため、ノードＮ１の電位はＶｄｄのままであるが、ノードＰ１の電位はＶｄｄからＶｈに引き下げられることになる。
【００３９】
ノードＰ１とＮ１が“Ｈ”から“Ｌ”レベルに遷移する場合にも同様に、Ｐ１、すなわちｐＭＯＳ入力の立ち下がりは、従来のインバータに比べて速くなる。これを図２のＢに示す。よって、ｐＭＯＳがＯＦＦからＯＮし始める時間が減り、結果として動作スピードは向上する。その後、ノードＰ１とＮ１が“Ｌ”レベルになると、前述の理由によりノードＮ１の電位は０からＶｌに引き上げられ、次の遷移に備えた状態になる。
【００４０】
このような動作を一般化していえば、この実施例は、第１のパルス信号（Ｎ１）を形成する回路と、第２のパルス信号（Ｎ２）を形成する回路と、ゲートに入力される第１のパルス信号の立ち上がりでオンする第１のトランジスタ（ＮＭＯＳトランジスタ）と、ゲートに入力される第２のパルス信号の立ち下がりでオンする第２のトランジスタと（ＰＭＯＳトランジスタ）を有し、第１のトランジスタがオンする時点のゲート入力信号の値（Ｖｔ）と第１の信号（Ｎ１）のLOWレベルの差が、第１のトランジスタがオフする時点のゲート入力信号の値（Ｖｄｄ−Ｖｔ）と第１の信号（Ｎ１）のHIGHレベルの差よりも小さく、第２のトランジスタがオンする時点のゲート入力信号の値と第２の信号（Ｎ２）のHIGHレベルの差が、第２のトランジスタがオフする時点のゲート入力信号の値と第２の信号（Ｎ２）のLOWレベルの差よりも小さくなっている。このような２種類の信号を用いる構成により、ゲートに与える信号の振幅を変えずドライバビリテイを維持したまま、またトランジスタしきい値も変えずに、トランジスタが高速にオンできるようになっていることが理解できるであろう。
【００４１】
図２より明らかなように、第１のパルス信号と第２のパルス信号の位相が同期しており、前掲の特開平７−１６２２８８のようにトランジスタの入力に位相ずれが生じることもないので制御や設計は簡単である。さらに、図２より明らかなように、第１のトランジスタがオンする時点のゲート入力信号の値と第１の信号のLOWレベルの差が、第１のトランジスタがオンする時点のゲート入力信号の値と第２の信号のLOWレベルの差よりも小さく、第２のトランジスタがオンする時点のゲート入力信号の値と第２の信号のHIGHレベルの差が、第２のトランジスタがオンする時点のゲート入力信号の値と第１の信号のHIGHレベルの差よりも小さい。
【００４２】
図３は、横軸に本発明のインバータのゲート遅延をとり、縦軸にリーク電流による消費電力比をとったグラフである。消費電力比は、従来のインバータの消費電力を１として正規化した値である。図中の三角印は、従来のインバータを使用した場合の結果を示し、各三角印の傍には、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧Ｖｔを示している。また、丸印は、本発明のインバータを使用した場合の結果を示し、各丸印の傍には、バイアス用電源Ｖｈ，Ｖｌの電圧値を示している。
【００４３】
本発明では、電位差Ｖｄｄ−Ｖｈが大きいほど、またＶｌの電圧値が大きいほど、高速化効果が大きくなる。例えば、電源Ｖｄｄが２．５Ｖの下で、従来のインバータ（Ｖｔ＝０．７）ではゲート遅延が０．１６８ｎｓｅｃであるのに対して、本発明では、Ｖｈ＝２．２，Ｖｌ＝０．３の場合には０．１３３ｎｓｅｃまで、Ｖｈ＝２．０，Ｖｌ＝０．５の場合には０．１０８ｎｓｅｃまで高速化できている。なお、本発明のＭＯＳトランジスタのＶｔは一律０．７である。
【００４４】
一方、本発明では、高速化にともなって消費電力比が増加するが、Ｖｔを下げて高速化を図る従来の技術に比べて、消費電力比が小さくなる。例えば、ゲート遅延が同じという条件下で比較すると、従来のインバータでは、Ｖｔ＝０．４の場合に消費電力比が５．４であるのに対して、本発明では、Ｖｈ＝２．２，Ｖｌ＝０．３の場合に３．０になっている。これは、従来のインバータでは、ＯＮしているＭＯＳのソース・ドレイン間電圧が常にＶｄｄであるのに対して、本発明では、ＶｈまたはＶｄｄ−Ｖｌとなるケースがあり、短チャネルの影響を受けてリーク電流が小さくなるためである。
【００４５】
図４は、横軸に電源Ｖｄｄの電圧値をとり、縦軸にインバータのゲート遅延比をとったグラフである。図中の三角印は、従来のインバータ（Ｖｔ＝０．７）を使用した場合の結果を示し、丸印は、本発明のインバータ（Ｖｈ＝２．０，Ｖｌ＝０．５）を使用した場合の結果を示している。ゲート遅延比は、電源Ｖｄｄが２．５Ｖの下での各インバータのゲート遅延を１としてそれぞれ正規化した値である。
【００４６】
本発明では、Ｖｄｄが低下した場合に、従来のインバータに比べてゲート遅延の増加率が小さくなる。例えば、Ｖｄｄ＝２．１の場合には、従来のインバータのゲート遅延比が１．６であるのに対して、本発明では１．３であり、Ｖｄｄ＝１．９の場合には、従来では２．３であるのに対して、本発明では１．６になっている。
【００４７】
したがって、本実施例を複数段組合せると、各段毎に高速化を図ることができる。また、本発明は、アクティブ時の高速動作と低リーク電流を実現するものであるが、スタンバイ時に第１のバイアス用電圧源の電圧値を下げ、第２のバイアス用電圧源の電圧値を上げることにより、スタンバイ時のリーク電流も削減することができる。例えば、第１のバイアス用電圧源１の電圧値をＶｄｄに、第２のバイアス用電圧源２の電圧値を０に設定すればよい。
【００４８】
図１８は、横軸に温度をとり、縦軸にインバータのゲート遅延比をとったグラフである。
【００４９】
図中の三角印は、従来のインバータを使用した場合の結果を示し、丸印は、本発明のインバータ（Ｖｈ＝２．２，Ｖｌ＝０．３）を使用した場合の結果を示している。ゲート遅延比は、温度が１２５℃の下での各インバータのゲート遅延を１としてそれぞれ正規化した値である。
【００５０】
本発明では、温度が低下した場合に、従来のインバータに比べてゲート遅延の減少率が大きくなる。例えば、７５℃の場合には、従来のインバータのゲート遅延比が０．９５であるのに対して、本発明では０．９０であり、−５０℃の場合には、従来では０．７９であるのに対して、本発明では０．６４になっている。次にその理由を示す。
【００５１】
図１９にＭＯＳトランジスタのソースドレイン間電流と温度の関係の例を示す。温度が低下すると、ＭＯＳトランジスタのソースドレイン間電流、すなわち駆動能力が大きくなるが、一方ではしきい値電圧が高くなる。従来のインバータでは、駆動能力が大きくなる効果と、しきい値電圧上昇により動作速度が低下する効果が相殺してしまうが、本発明では、温度低下とともにバイアス用電圧源Ｖｌの電圧値を上げ、バイアス用電圧源Ｖｈの電圧値を下げて、しきい値上昇分を補償することにより、動作速度が低下する効果を抑えることができるためである。
【００５２】
図５は、図１に示した実施例のインバータ２段目のレイアウトの平面図である。白抜きの領域はポリシリコン層を示し、網掛けの領域は第１メタル層を示している。チャネルを形成するゲート電極に、図１に対応するＭＯＳトランジスタの名称（Ｑｐ１１からＱｐ１８，Ｑｎ１１からＱｎ１８）を付してある。それぞれのＭＯＳの働きは、前述した通りである。また、黒塗りの正方形は入出力端子であり、ｎＭＯＳ，ｐＭＯＳの入力にはそれぞれＮ１，Ｐ１を付し、出力にはそれぞれＮ２，Ｐ２を付してある。
【００５３】
前掲１９９６アイ・イー・イー・イー  インターナショナル  ソリッドステイト  サーキット  コンファレンス  ダイジェスト  オブ  テクニカル  ペーパーズなどに開示される従来のレイアウト図では、Ｖｄｄ（第１の電圧源），ＧＮＤ（第２の電圧源），Ｖｂｐ（ｐ基板供給用電圧源），Ｖｂｎ（ｎ基板供給用電圧源）の４種類の電源線だけを持つが、本実施例のレイアウト図では、さらにＶｈ（第１のバイアス用電圧源），Ｖｌ（第２のバイアス用電圧源）の２種類の電源線を必要とする。
【００５４】
Ｖｈの電源線は、Ｖｄｄのそれと同様にｐＭＯＳに給電することから、Ｖｄｄに近接して平行に配置し、逆にＶｌの電源線は、ＧＮＤのそれと同様にｎＭＯＳに給電することから、ＧＮＤに近接して平行に配置することが望ましい。これにより、電源線の無駄な引き回しをしなくて済むのである。
【００５５】
図４は電源線にメタル１層のみを用いた場合を示しているが、２層以上使用できる場合には、例えば、ＶｄｄとＶｈの電源線を別の層にして重ね、ＧＮＤとＶｌの電源線を別の層にして重ねることにより、レイアウト面積を削減できる。
【００５６】
本実施例では、従来のインバータに比べ素子数が増加するため、レイアウト面積は約２倍程度まで増加する。なぜなら、第１のインバータと第２のインバータのチャネル幅は、従来のインバータと同じにできるし、遅延用インバータのチャネル幅は、セレクタのそれに比べて小さくできるので、セレクタが面積の増加分になる。一方、セレクタのチャネル幅は、第１のインバータと第２のインバータのそれと同じにできるからである。
【００５７】
例えば、第１のセレクタを構成するＱｐ１５，Ｑｐ１６に必要なチャネル幅は、第１のインバータを構成するＱｐ１１と直列接続することから、Ｑｐ１１のチャネル幅までで十分である。同様に、第２のセレクタを構成するＱｎ１５，Ｑｎ１６に必要なチャネル幅は、第２のインバータを構成するＱｎ１３と直列接続することから、Ｑｎ１３のチャネル幅までで十分である。なお、ＣＭＯＳ回路の素子数が多くなると、セレクタおよび遅延用インバータによる素子数増加の影響が相対的に小さくなるため、従来のＣＭＯＳ回路と比較したレイアウト面積の増加は少なくなる。
【００５８】
図６は、本発明の第２の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図である。第１の実施例ではインバータの例を示したが、この実施例ではその他の論理回路ＮＡＮＤ，ＮＯＲに本発明を適用した場合を示す。従来と同じＮＡＮＤゲートおよびＮＯＲゲートをそれぞれ２分割し、前述の電圧源セレクタと遅延用インバータを付加することにより論理を構成する。このように、本発明は全てのロジックに適用できる。
【００５９】
具体的には、まず１つのＮＡＮＤゲートを２分割し、１段目をＱｐ１１，Ｑｐ１２とＱｎ１１，Ｑｎ１２からなる第１のＮＡＮＤゲート（第１のＣＭＯＳ回路）と、Ｑｐ１３，Ｑｐ１４とＱｎ１３，Ｑｎ１４からなる第２のＮＡＮＤゲート（第２のＣＭＯＳ回路）に分ける。次に、Ｑｐ１５，Ｑｐ１６からなる第１のセレクタをＱｐ１１，Ｑｐ１２のソースに接続し、Ｑｎ１５，Ｑｎ１６からなる第２のセレクタをＱｎ１２のソースに接続する。Ｑｐ１５のソースには、電圧値Ｖｄｄを持つ第１の電圧源を接続し、Ｑｐ１６のソースには、電圧値Ｖｈを持つ第１のバイアス用電圧源を接続する。また、Ｑｎ１５のソースには、電圧値０を持つ第２の電圧源を接続し、Ｑｎ１６のソースには、電圧値Ｖｌを持つ第２のバイアス用電圧源を接続する。最後に、第１の遅延用インバータをなすＱｐ１７，Ｑｎ１７のゲートには、それぞれ第１のＮＡＮＤゲートの出力と第２のＮＡＮＤゲートの出力を接続し、第２の遅延用インバータをなすＱｐ１８，Ｑｎ１８のゲートには、共に第１の遅延用インバータの出力を接続する。第１のセレクタおよび第２のセレクタをなすＱｐ１６，Ｑｎ１６のゲートには、第１の遅延用インバータの出力を接続し、Ｑｐ１５，Ｑｎ１５のゲートには、第２の遅延用インバータの出力を接続する。
【００６０】
２段目のＮＯＲゲートについても同様に、１つのＮＯＲゲートを２分割し、１段目をＱｐ２１，Ｑｐ２２とＱｎ２１，Ｑｎ２２からなる第１のＮＯＲゲート（第１のＣＭＯＳ回路）と、Ｑｐ２３，Ｑｐ２４とＱｎ２３，Ｑｎ２４からなる第２のＮＯＲゲート（第２のＣＭＯＳ回路）に分ける。次に、Ｑｐ２５，Ｑｐ２６からなる第１のセレクタをＱｐ２１，Ｑｐ２２のソースに接続し、Ｑｎ２５，Ｑｎ２６からなる第２のセレクタをＱｎ２２のソースに接続する。Ｑｐ２５のソースには、電圧値Ｖｄｄを持つ第１の電圧源を接続し、Ｑｐ２６のソースには、電圧値Ｖｈを持つ第１のバイアス用電圧源を接続する。また、Ｑｎ２５のソースには、電圧値０を持つ第２の電圧源を接続し、Ｑｎ２６のソースには、電圧値Ｖｌを持つ第２のバイアス用電圧源を接続する。最後に、第１の遅延用インバータをなすＱｐ２７，Ｑｎ２７のゲートには、それぞれ第１のＮＯＲゲートの出力と第２のＮＯＲゲートの出力を接続し、第２の遅延用インバータをなすＱｐ２８，Ｑｎ２８のゲートには、共に第１の遅延用インバータの出力を接続する。第１のセレクタおよび第２のセレクタをなすＱｐ２６，Ｑｎ２６のゲートには、第１の遅延用インバータの出力を接続し、Ｑｐ２５，Ｑｎ２５のゲートには、第２の遅延用インバータの出力を接続する。
【００６１】
そして、１段目の第１のＮＡＮＤゲートの出力を、２段目のｐＭＯＳトランジスタＱｐ２１，Ｑｐ２３に入力し、第２のＮＡＮＤゲートの出力を２段目のｎＭＯＳトランジスタＱｎ２１，Ｑｎ２３に入力する。
【００６２】
このような構成であっても、第１の実施例と同様に動作が高速になるという効果が得られる。つまり、ｐＭＯＳトランジスタとｎＭＯＳトランジスタからなるＣＭＯＳ回路を用いた各種のロジックに適用することができるのである。
【００６３】
図１６は、本発明の第３の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図である。この実施例では、トランスミッションゲートを用いたセレクタ回路に本発明を適用した場合を示す。（ｂ）に示す本発明のセレクタ回路が、（ａ）に示す従来のセレクタ回路と異なる点は、セレクタ回路を構成するインバータを本発明のインバータに代えたことと、トランスミッションゲートをそれぞれ２つに分割したことにある。
【００６４】
具体的には、まず本発明のインバータｇ１６０１にセレクト信号Ｓ（Ｎ），Ｓ（Ｐ）を入力し、トランスミッションゲートｇ１６０３とｇ１６０４にそれぞれデータ信号Ｉ１（Ｎ），Ｉ１（Ｐ）を入力し、トランスミッションゲートｇ１６０５とｇ１６０６にそれぞれデータ信号Ｉ２（Ｎ），Ｉ２（Ｐ）を入力する。次に、ｇ１６０３とｇ１６０４をなすｎＭＯＳトランジスタのゲートにはｇ１６０１の出力であるＳＢ（Ｎ）を接続し、ｐＭＯＳトランジスタのゲートにはＳ（Ｐ）を接続する。ｇ１６０５とｇ１６０６をなすｎＭＯＳトランジスタのゲートにはＳ（Ｎ）を接続し、ｐＭＯＳトランジスタのゲートにはｇ１６０１の出力であるＳＢ（Ｐ）を接続する。最後に、本発明のインバータｇ１６０２にｇ１６０３とｇ１６０５の出力ＯＢ（Ｎ）と、ｇ１６０４とｇ１６０６の出力ＯＢ（Ｐ）を入力し、セレクタ回路の出力信号Ｏ（Ｎ），Ｏ（Ｐ）を取り出す。このような構成であっても、第１の実施例と同様に動作が高速になるという効果が得られる。
【００６５】
図１７は、本発明の第４の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図である。この実施例では、トランスミッションゲートを用いたフリップフロップ回路に本発明を適用した場合を示す。（ｂ）に示す本発明のフリップフロップ回路が、（ａ）に示す従来のフリップフロップ回路と異なる点は、入力信号Ｉ１を伝搬させるインバータを本発明のインバータに代えたことと、トランスミッションゲートをそれぞれ２つに分割したことにある。これらの変更は、第３の実施例と同様にできる。このような構成であっても、第１の実施例と同様に動作が高速になるという効果が得られる。
【００６６】
図７は、本発明の第５の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図である。この実施例が第１の実施例と異なる点は、電圧源選択用セレクタおよび遅延用インバータに代えて、出力と電圧源を結ぶ抵抗を設けることにある。例えば、１つのインバータを２分割し、１段目をＱｐ１１，Ｑｎ１１からなる第１のインバータ（第１のＣＭＯＳ回路）と、Ｑｐ１３，Ｑｎ１３からなる第２のインバータ（第２のＣＭＯＳ回路）に分ける。次に、Ｑｎ１５からなる抵抗用ＭＯＳトランジスタのドレインには、第１のインバータの出力を接続し、Ｑｎ１５のゲートには、電圧値Ｖｄｄを持つ第１の電圧源を接続し、Ｑｎ１５のソースには、電圧値０を持つ第２の電圧源を接続する。同様に、Ｑｐ１５からなる抵抗用ＭＯＳトランジスタのドレインには、第２のインバータの出力を接続し、Ｑｐ１５のゲートには第２の電圧源を接続し、Ｑｐ１５のソースには第１の電圧源を接続する。
【００６７】
これにより、第１の実施例と同様に、ｎＭＯＳおよびｐＭＯＳがＯＦＦからＯＮし始めるまでの無駄な時間が削減できるため、動作スピードが向上するという効果が得られる。
【００６８】
具体的には、ノードＰ１とＮ１が“Ｌ”レベルの場合には、ノードＰ１の電位は０のままであるが、第２のインバータをなすＱｎ１３と、抵抗用ＭＯＳトランジスタをなすＱｐ１５がＯＮするため、ノードＮ１の電位は、ＶｄｄをＱｎ１３とＱｐ１５の抵抗比で分割した電位（＞０）まで引き上げられる。結果として、ノードＰ１とＮ１が“Ｌ”から“Ｈ”レベルに遷移する場合には、Ｎ１、すなわちｎＭＯＳ入力の立ち上がりは、従来のインバータに比べて速くなる。
【００６９】
図８に上記で説明した図７の回路の動作波形を示す。図８のＡにはｎＭＯＳ入力の立ち上がり部を示した。逆に、ノードＰ１とＮ１が“Ｈ”レベルの場合には、ノードＮ１の電位はＶｄｄのままであるが、第１のインバータをなすＱｐ１１と、抵抗用ＭＯＳトランジスタをなすＱｎ１５がＯＮするため、ノードＰ１の電位は、ＶｄｄをＱｐ１１とＱｎ１５の抵抗比で分割した電位（＜Ｖｄｄ）まで引き下げられる。結果として、ノードＰ１とＮ１が“Ｈ”から“Ｌ”レベルに遷移する場合には、Ｐ１、すなわちｐＭＯＳ入力の立ち下がりは、従来のインバータに比べて速くなる。この動作を図８のＢに示す。
【００７０】
このような構成であれば、従来のインバータに比べて抵抗用ＭＯＳトランジスタ２つだけ素子が増えるが、第１の実施例に比べて素子数を少なくできる。さらに、第１の実施例で必要であった２種類のバイアス用電圧源が不要となる。
【００７１】
但し、正常動作のためには、“Ｌ”レベル時のノードＮ１の電位がＶｔを超えないようにＱｐ１５のチャネル幅を決め、“Ｈ”レベル時のノードＰ１の電位がＶｄｄ−Ｖｔを超えるようにＱｎ１５のチャネル幅を決める必要がある。また、抵抗用ＭＯＳトランジスタにより、第１の電圧源と第２の電圧源の間に直流パスが形成されるため、第１の実施例に比べてリーク電流が多くなる。また、スタンバイ時にＱｎ１５のゲート電位を下げ、Ｑｐ１５のゲート電位を上げることにより、スタンバイ時のリーク電流を削減することができる。例えば、 Ｑｎ１５のゲートの電圧値を０に、Ｑｐ１５のゲートの電圧値をＶｄｄに設定すればよい。
【００７２】
図９は、本発明の第６の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図である。ここでは、目標動作周波数を実現しつつ、リーク電流を抑えるために、半導体集積回路を構成する信号経路のディレイに注目して、本発明の回路と従来の回路を使い分ける例について説明する。
【００７３】
図９の回路は、フリップフロップｆ９０１からｆ９０４、ＮＡＮＤゲートｇ９０１からｇ９０９で構成されている。例えば、この回路を２５０ＭＨｚで動作させるためには、フリップフロップｆ９０１にクロック信号ＣＫが入力されてから、論理信号がフリップフロップｆ９０２に到達するまでの経路のディレイと、フリップフロップｆ９０３にクロック信号ＣＫが入力されてから、論理信号がフリップフロップｆ９０４に到達するまでの経路のディレイが４ｎｓｅｃ以内であることが求められる。
【００７４】
ここで、ＮＡＮＤゲートを従来の回路で構成した場合のディレイを１ｎｓｅｃ、本発明の回路で構成した場合のディレイを０．７ｎｓｅｃとする。図中の網掛けで示したＮＡＮＤゲートｇ９０５からｇ９０９は、本発明の回路で構成され、白抜きで示した素子は、従来の回路で構成されている。これにより、フリップフロップｆ９０１からｆ９０２に至る経路のディレイは４ｎｓｅｃ、フリップフロップｆ９０３からｆ９０４に至る経路のディレイは３．８ｎｓｅｃとなり、双方とも目標の４ｎｓｅｃ以内が満たされる。なお、すべてのＮＡＮＤゲートを従来の回路で構成した場合には、フリップフロップｆ９０３からｆ９０４に至る経路のディレイが５ｎｓｅｃになってしまう。
【００７５】
一方、リーク電流については、ＮＡＮＤゲートを従来の回路で構成した場合のリーク電流を１ｐＡ、本発明の回路で構成した場合のリーク電流を１０ｐＡとする。すべてのＮＡＮＤゲートを本発明の回路で構成した場合の総リーク電流は９０ｐＡになるが、図に示すように従来の回路を混在させることにより、総リーク電流を４５ｐＡに抑えることができる。
【００７６】
図１０は、図９に示した実施例の半導体集積回路のレイアウトの平面図である。ここでは、論理ゲートをすべて模式的に矩形で示している。網掛けをした矩形、例えばｇ１００１が本発明の回路で構成した論理ゲートを示し、白抜きの矩形、例えばｇ１００２が従来の回路で構成した論理ゲートを示している。図中に、ｐａｔｈ１００１として図９のｆ９０１からｆ９０２に至る経路、ｐａｔｈ１００２としてｆ９０３からｆ９０４に至る経路を示した。
【００７７】
図１１は、本発明の第７の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図である。ここでは、互いに共有論理ゲートを持つ複数の信号経路において、本発明の回路と従来の回路を適宜混在させる場合に、本発明の回路の使用を最小限にするために、共通論理ゲートに本発明の回路を多く使用する例について説明する。
【００７８】
図１１の回路は、フリップフロップｆ１１０１からｆ１１０３、論理ゲートｇ１１０１からｇ１１１７により構成されている。例えば、ｆ１１０１からｆ１１０２に至る経路、およびｆ１１０１からｆ１１０３に至る経路の目標とするディレイを９．５ｎｓｅｃとする。双方の経路とも１１個の論理ゲートで構成されており、９．５ｎｓｅｃのディレイを実現するためには、少なくとも５個の素子を本発明の回路で構成する必要がある。
【００７９】
ここで、図に示す構成にすることにより、本発明の回路で構成する論理ゲート数を最小にすることができる。また、このときの総リーク電流は６２ｐＡであり、共有箇所以外の論理ゲートを本発明の回路で構成した場合の総リーク電流１２５ｐＡに比べて、大幅に削減することができる。
【００８０】
図１２は、本発明の第８の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図である。ここでは、互いに共有論理ゲートを持ち、その中で合流または分岐箇所となる論理ゲートが、本発明の回路で構成されている複数の信号経路において、合流または分岐箇所となる論理ゲートに隣接し、経路のディレイが大きい方の論理ゲートに本発明の回路を使用する例を説明する。
【００８１】
図１２の回路は、フリップフロップｆ１２０１から、１つまたは複数の論理ゲートで構成される回路ｃ１２０１、論理ゲートｇ１２０１，ｇ１２０２、論理ゲート群ｇｇ１２０１を通ってフリップフロップｆ１２０２に至る第１の経路、およびフリップフロップｆ１２０１から、１つまたは複数の論理ゲートで構成される回路ｃ１２０１、論理ゲートｇ１２０１，ｇ１２０３、論理ゲート群ｇｇ１２０２を通ってフリップフロップｆ１２０３に至る第２の経路で構成されている。従来の回路で一律に構成すると、両経路ともに目標ディレイを超えてしまうとする。ここで、両経路の共有論理ゲートであるｇ１２０１を、本発明の回路で構成することは前述した。さらに、論理ゲート群ｇｇ１２０１とｇｇ１２０２に着目すると、ｇｇ１２０２はＮ段の論理ゲートで構成され、ｇｇ１２０１はＮ＋Ｍ段で構成されているため、ｇｇ１２０１を含む第１の経路が、ｇｇ１２０２を含む第２の経路よりディレイが大きくなる。
【００８２】
このような場合には、本発明の回路で構成されたｇ１２０１でファンアウトした第１の経路の論理ゲートｇ１２０２を、本発明の回路で構成する。また、必要に応じてｇｇ１２０１の論理ゲートのいくつかを本発明の回路で構成する。
【００８３】
図１３は、本発明の半導体集積回路における電位供給線の配置図である。
【００８４】
これは、半導体集積回路上に、論理ゲートを横一列に配置し、複数の列を縦方向に並べることにより論理ゲートを２次元的に配置し、さらに電源を供給するための動作電位供給線を配線した例である。ここでは、簡単のため論理ゲートの内部のパターンを省略し、矩形で示している。
【００８５】
図中では、電圧値Ｖｄｄを持つ電源線（Ｖｄｄ）、電圧値０を持つ電源線（ＧＮＤ）、電圧値Ｖｈを持つ電源線（Ｖｈ）、電圧値Ｖｌを持つ電源線（Ｖｌ）をそれぞれ列に平行に配線した例を示しており、さらに列の左右に補強用に直角方向にも配線を施してある。このように、電源線を縦横方向に規則的にレイアウトすることにより、レイアウト面積の増加を抑えることが可能となる。
【００８６】
また、電源線Ｖｈ，Ｖｌへの電位供給方法であるが、外部から直接供給する他に、内部電圧発生回路を設けて、それぞれに供給することもできる。
【００８７】
図２０は、本発明の半導体集積回路における論理ゲートの配置図である。本発明では、新たに電源線Ｖｈ，Ｖｌが必要となるため、従来に比べてレイアウト面積が増加するわけであるが、本発明の論理ゲートをなるべくまとめて配置することにより、さらに面積の増加を抑えることができる。
【００８８】
図２０（ａ）は、半導体集積回路上に、論理ゲートを横一列に配置し、複数の列を縦方向に並べることにより論理ゲートを２次元的に配置し、さらに電源を供給するための動作電位供給線を配線した例である。ここでは、簡単のため論理ゲートの内部のパターンを省略し、矩形で示している。丸印が付された矩形は本発明の論理ゲートを示し、丸印のない矩形は従来の論理ゲートを示している。
【００８９】
また、図２０（ｂ）は本発明の論理ゲートの配置領域と従来の論理ゲートの配置領域の面積比を１：３で構成した例であるが、この比は、目標とする動作周波数および目標とするリーク電流値および搭載する論理回路によって決まる。本発明をゲートアレイに用いる場合には、本発明の論理ゲートの使用率比の概略値を予め見込んで、下地を形成しておくことになる。
【００９０】
図１４に、本発明の半導体集積回路をマイクロプロセッサに適用した例について示す。主な構成ブロックは、ＣＰＵ（中央演算装置）、ＦＰＵ（浮動小数点演算ユニット）、キャッシュ（内臓メモリ）、ＢＳＣ（バス制御）、ＤＭＡ（ダイレクトメモリアクセス）、ＣＰＧ（クロック制御）、ＩＮＴ（割込み制御）、ＶｈおよびＶｌの電源供給回路等であり、その内部のセルの配置を矩形で模式的に表している。各ブロック内のセルのうち、網掛けを施したものは本発明の回路で構成したセルであり、白抜きのものは従来の回路で構成したセルである。例えば、タイミングクリティカルな経路が多く存在するＣＰＵ、ＦＰＵ等は、本発明の回路で構成したセルの数が多いことが分かる。逆に、タイミングに余裕のあるＩＮＴ等は、本発明の回路で構成したセルの割合が少ない。
【００９１】
図２１は、本発明の半導体集積回路をブロック間バッファに適用した例を示す。これは、ブロックｂ２１０１の出力信号を、長距離配線ｌｗ２１０３を介してブロックｂ２１０２に転送する様子を示している。本発明の論理ゲートは、ｂ２１０１の出力端とｂ２１０２の入力端に使用されている。なお、ここではインバータを用いた例を示しているが、これに限るものではなく、各種のロジックで実施できる。
【００９２】
本発明の論理ゲートでは、従来の論理ゲートに比べて、しきい値電圧に達するまでに要する電荷の移動量を少なくできるので、特に長距離配線等の大負荷の場合に、動作速度を向上させるのに好適である。また、ｌｗ２１０３の間の寄生容量の影響が大きくなるほど、動作速度が速くなるので、ｌｗ２１０３を近接して配置することがより好適である。
【００９３】
図２２は、本発明の半導体集積回路をメモリアドレスデコーダに適用した例を示す。この実施例では、行デコーダと列デコーダに本発明の論理ゲートを使用している。
【００９４】
図２３には図２２の詳細回路図を示す。ここでは、簡単のためＳＲＡＭやＤＲＡＭ等のメモリセルを矩形で示している。このような構成にすると、デコード動作が高速になるため、メモリの読み出しおよび書き込みが高速になるという効果が得られる。
【００９５】
図１５は、ＣＰＵブロックについて、横軸にサイクルタイム（最大経路ディレイ）をとり、縦軸に、従来の回路で構成した論理ゲートに代えて、本発明の回路で構成した論理ゲートを使用した比率（ゲート置換率）をとったグラフである。
【００９６】
図中の消費電力比は、すべて従来の回路で構成した論理ゲートを使用して本ブロックを設計した場合の消費電力を１として正規化した値である。本ブロックは、すべて従来の回路で構成した論理ゲートを使用した場合には、サイクルタイム５ｎｓｅｃ（２００ＭＨｚ）で動作する。
【００９７】
サイクルタイムを短くするほど、本発明の回路で構成した論理ゲートを多く使用することになる。例えば、サイクルタイム３．９ｎｓｅｃ（２５６ＭＨｚ）で設計した場合には、ゲート置換率が約１５％で消費電力比が５になり、サイクルタイム３．３ｎｓｅｃ（３０３ＭＨｚ）で設計した場合には、ゲート置換率が約３０％で消費電力比が１０になっている。なお、電源Ｖｄｄの電圧値は２．５であり、本発明の論理ゲートで使用するバイアス用電源Ｖｈ，Ｖｌの電圧値は、それぞれＶｈ＝２．０，Ｖｌ＝０．５である。ゲート置換率が大きくなると消費電力比が著しく大きくなるため、ゲート置換率を３０％以内に保つことが望ましい。適切な消費電力に抑えるためには、１０％程度に抑えることがより好適である。
【００９８】
このように、本発明によれば、アクティブ時のリーク電流を低く抑えながら動作スピードを高速化する回路を構成することが可能であり、さらに本発明の回路と従来の回路を必要に応じて適宜使い分け、かつ本発明の回路の使用を最小限に抑えることが可能であり、高速動作と低消費電力を同時に実現することが可能になる。
【００９９】
さらに、しきい値電圧Ｖｔが高いＭＯＳトランジスタを使用して、低消費電力を図った場合でも、高速動作を実現できる。
【０１００】
また、本発明は、アクティブ時の高速動作と低リーク電流を実現するものであるが、スタンバイ時に基板バイアス電源を制御することにより、しきい値電圧を上げる公知の技術と組み合わせることも可能である。
【０１０１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、アクティブ時のリーク電流を低く抑えながら動作スピードを高速化する回路を構成し、さらに本発明の回路と従来の回路を必要に応じて適宜使い分け、かつ本発明の回路の使用を最小限に抑えることにより、アクティブ時のリーク電流による消費電力の増加を抑え、かつ高速に動作可能な半導体集積回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図。
【図２】第１の実施例における動作原理を説明するための入力信号波形の模式図。
【図３】第１の実施例におけるゲート遅延と消費電力比の関係を示す特性図。
【図４】第１の実施例における電源電圧とゲート遅延比の関係を示す特性図。
【図５】第１の実施例における２段目ゲートのレイアウトの平面図。
【図６】第２の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図。
【図７】第５の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図。
【図８】第５の実施例における動作原理を説明するための入力信号波形の模式図。
【図９】第６の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図。
【図１０】第６の実施例における論理ゲートの配置図。
【図１１】第７の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図。
【図１２】第８の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図。
【図１３】本発明の半導体集積回路における電位供給線の配置図。
【図１４】本発明の半導体集積回路をマイクロプロセッサに適用した実施例を示す模式図。
【図１５】図１４の実施例におけるサイクルタイムとゲート置換率の関係を示す特性図。
【図１６】第３の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図。
【図１７】第４の実施例に係わる半導体集積回路を示す回路構成図。
【図１８】第１の実施例における温度とゲート遅延比の関係を示す特性図。
【図１９】ＭＯＳトランジスタのソースドレイン間電流と温度の関係を示す特性図。
【図２０】本発明の半導体集積回路における論理ゲートの配置図。
【図２１】本発明の半導体集積回路をブロック間バッファに適用した実施例を示す模式図。
【図２２】本発明の半導体集積回路をメモリアドレスデコーダに適用した実施例を示す模式図。
【図２３】図２２の実施例におけるデコーダを示す回路構成図。
【図２４】従来の３段のインバータの例を示す回路構成図。
【符号の説明】
Ｑｐ（Ｑｐ１１，Ｑｐ１４，〜，Ｑｐ３３，Ｑｐ４）…ｐＭＯＳトランジスタ
Ｑｎ（Ｑｎ１１，Ｑｎ１４，〜，Ｑｎ３３，Ｑｎ４）…ｎＭＯＳトランジスタ
Ｖｄｄ，ＧＮＤ，Ｖｈ，Ｖｌ…電位供給線
ｇ９０１〜ｇ１６０６…論理ゲート
ｇｇ１２０１〜ｇｇ１２０２…論理ゲート群
ｆ９０１〜ｆ１２０３…フリップフロップ
ｂ２１０１〜ｂ２１０２…機能ブロック
ｌｗ２１０３…長距離配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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