(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁膜を成膜する第１の工程と、この成膜された絶縁膜上に非晶質シリコン薄膜を成膜する第２の工程と、この成膜された非晶質シリコン薄膜にレーザ光を照射して結晶化し多結晶シリコン薄膜を形成する第３の工程とを有し、これにより形成された多結晶シリコン薄膜を薄膜トランジスタの活性層とすると共に予め別に設定されたゲートに対応して当該活性層にドレーン及びソースを設ける第４の工程を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、
前記絶縁膜がSｉOＮ膜からなる絶縁膜であり、
前記第１の工程における絶縁膜の成膜に際しては、前記基板上の前記活性層を遮光する位置に予め金属膜を成膜し、前記レーザ光の熱の金属膜への伝導を遮断するために前記絶縁膜の厚さが１．１μｍとなるように成膜し、
前記第３の工程におけるレーザ光の照射に際しては、使用するレーザをXeClエキシマレーザとし、５２０〔ｍJ/ｃｍ２〕の照射強度で照射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に係り、特に液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）は、主に液晶表示装置（Liquid Crystal Display；ＬＣＤ）の画素における液晶に印加する電位を制御する素子として用いられ、１枚の共通基板上に画素相当数のＴＦＴが形成される。
【０００３】
ＴＦＴのチャネルとして機能する活性層に用いられる半導体膜には、非晶質のシリコン薄膜（非晶質Ｓｉ薄膜）と多結晶のシリコン薄膜（多結晶Ｓｉ薄膜）とがある。
【０００４】
このうち、多結晶Ｓｉ薄膜を活性層とする多結晶Ｓｉ−ＴＦＴでは、基板上に設けられた非晶質Ｓｉ薄膜をレーザ結晶化法（レーザアニール）により結晶化させて多結晶Ｓｉ薄膜を形成している。
【０００５】
また、レーザ結晶化法においては、プロセス温度の低温化及び高スループット化の観点から、エキシマレーザを使用した、エキシマレーザ結晶化法が用いられている。
【０００６】
このような多結晶Ｓｉ−ＴＦＴは、非晶質Ｓｉ薄膜を活性層に用いた非晶質Ｓｉ−ＴＦＴよりもキャリア移動度が大きい他、更に、非晶質Ｓｉ−ＴＦＴでは活性層を走行するキャリアが自由電子であるｎ型トランジスタしか形成できないのに対して、キャリアが正孔であるｐ型トランジスタをも形成することができる。
【０００７】
このため、多結晶Ｓｉ−ＴＦＴを用いてＣＭＯＳ回路を構成することができるので、ＣＭＯＳ回路によって構成されるＬＣＤ（液晶表示装置）の駆動回路を多結晶Ｓｉ−ＴＦＴによって形成することができる。
【０００８】
そして、近年、前述した画素の液晶電位を制御する素子として用いられる多結晶Ｓｉ−ＴＦＴと駆動回路を形成する多結晶Ｓｉ−ＴＦＴとを、同一の基板上に一体的に形成することが検討されている。これにより、駆動回路の実装技術における制約がなくなるため画面の高精細化が可能となる他、更に、電気的接続点を減少させることができるため液晶表示装置の機械的信頼性を向上させることが可能となる。
【０００９】
以上述べてきたように多結晶Ｓｉ−ＴＦＴは高性能なＴＦＴ（薄膜トランジスタ）である。この多結晶Ｓｉ−ＴＦＴの動作性能のうち特に高速性を表すパラメータであるキャリア移動度の大きさは、活性層として用いる多結晶Ｓｉ薄膜の結晶粒径の大きさに関係することが知られており、結晶粒径が大きいほどキャリア移動度は大きくなる。
【００１０】
このような結晶粒径の大きな多結晶Ｓｉ薄膜を形成するためには、上述したレーザ結晶化法のレーザ照射強度を大きくしてＳｉ薄膜を結晶化する際の温度プロセスを高くするのが有効である。
【００１１】
ここで、レーザ結晶化法において注意しなければならないのが、レーザ結晶化の際に発生する熱（溶融したＳｉ薄膜の熱）が基板に影響を及ぼすことである。この点については、例えば特開平２−１３０９１４に開示されているように、基板上に絶縁膜を設け、この絶縁膜によってレーザ結晶化の際の熱を緩和することが示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術における絶縁膜は、レーザ結晶化の際の熱を遮断するために必要な膜厚の大きさに関しては何ら考慮されていない。そのため、レーザの照射強度を大きくして結晶粒径の大きな多結晶Ｓｉ薄膜を形成しようとすると、ガラスや樹脂等の耐熱性が低い素材で構成された基板が変形してしまうことがあった。その理由は、絶縁膜が薄いために、絶縁膜を通して熱が基板に伝わるからである。
【００１３】
一方、エキシマレーザ結晶化法の欠点として、レーザ光が数十ナノ秒程度のパルスレーザ光であるために、レーザ結晶化においてＳｉ薄膜の温度が熱平衡過程に達しない。そのため、エキシマレーザ結晶化におけるＳｉ薄膜の温度プロセスは、Ｓｉ薄膜の下部構造の熱伝導特性の影響を受ける。即ち、熱が下部構造へと発散することによる冷却作用が温度プロセスに与える影響を無視できない。
【００１４】
したがって、Ｓｉ薄膜の下部構造が一様でないときは、レーザ結晶化の際のＳｉ薄膜の温度プロセスは一様とならないので、結晶粒径が均一でない多結晶Ｓｉ薄膜が形成される。このような多結晶Ｓｉ薄膜を活性層として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成すると、キャリア移動度が不均一となる問題がある。
【００１５】
【発明の目的】
本発明は、かかる従来技術の有する不都合を改善し、特に、レーザ結晶化工程において、レーザ照射強度を大きくしても基板は熱の影響を受けないと共に、Ｓｉ薄膜の下部構造が一様でなくても均一な結晶粒径を有する多結晶Ｓｉ薄膜を備えた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを、その目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の本発明では、基板上に絶縁膜を成膜する第１の工程と、この成膜された絶縁膜上に非晶質シリコン薄膜を成膜する第２の工程と、この成膜された非晶質シリコン薄膜にレーザ光を照射して結晶化し多結晶シリコン薄膜を形成する第３の工程とを有し、これにより形成された多結晶シリコン薄膜を薄膜トランジスタの活性層とすると共に予め別に設定されたゲートに対応して当該活性層にドレーン及びソースを設ける第４の工程を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、
前記絶縁膜がSｉOＮ膜からなる絶縁膜であり、
前記第１の工程における絶縁膜の成膜に際しては、前記基板上の前記活性層を遮光する位置に予め金属膜を成膜し、前記レーザ光の熱の金属膜への伝導を遮断するために前記絶縁膜の厚さが１．１μｍとなるように成膜し、
前記第３の工程におけるレーザ光の照射に際しては、使用するレーザをXeClエキシマレーザとし、５２０〔ｍJ/ｃｍ２〕の照射強度で照射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を採用している。
【００１７】  
このため、この請求項１記載の本発明では、第３の工程において結晶粒径の大きな多結晶Ｓｉ薄膜を形成するために必要なレーザ照射強度によるレーザ結晶化を行った場合、第１の工程によって成膜された絶縁膜の厚さを１．１μｍとするため、この絶縁膜がレーザ結晶化の際の熱の発散を遮断する。これらのことを実験的に確認することができた。
【００１８】  
しかも、金属膜は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層に光が照射するのを防ぐ遮光膜として機能する。
【００１９】  
更に、前述したように絶縁膜はレーザ結晶化の際の熱の発散を遮断するので、Ｓｉ薄膜の下部構造の金属膜の有無に関わらず、レーザ結晶化の際のＳｉ薄膜の温度プロセスは一様となる。これにより、レーザ結晶化によって形成された多結晶Ｓｉ薄膜の結晶粒径は均一となるので、この多結晶シリコン薄膜を活性層に用いた薄膜トランジスタは、Ｓｉ薄膜の下部構造の金属膜の有無に関わらずキャリア移動度は同じ値となる。これらのことを実験的に確認できた。
【００２０】
このため、この請求項１記載の本発明では、エキシマレーザは、光子エネルギーが大きく、分子の結合エネルギーと同程度のエネルギー域を有すると共に、誘導放出による増幅効率が他のレーザと比較して桁はずれに高いという優れた特徴を有する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、参考例および本発明の実施の形態を図面に従って説明する。
【００２２】  
〔参考例〕
参考例を図１（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。
まず、図１（ａ）において、符号１１は樹脂製基板としてのポリイミド基板を示す。このポリイミド基板１１上には、層間絶縁膜として二酸化シリコン（ＳｉＯ２）薄膜１２が成膜される。そして、図１（ａ）は、この成膜されたＳｉＯ２薄膜１２上に、非結晶質のＳｉ薄膜１３が成膜された状態を示す。
【００２３】  
また、図１（ｂ）は、図１（ａ）で成膜した非晶質のシリコン薄膜（Ｓｉ薄膜）１３にエキシマレーザ光をスキャン照射（レーザアニール処理）し、これによって当該非晶質Ｓｉ薄膜１３を結晶化した多結晶Ｓｉ薄膜１４が形成された場合を示す。そして、この多結晶Ｓｉ薄膜１４が、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層として機能するようになっている。
【００２４】  
ここで、前述した絶縁膜１２については、その素材の熱伝導率をｋ〔Ｗ／（ｃｍ・Ｋ）〕とした場合、当該絶縁膜１２の厚さｄ〔ｃｍ〕は、後述するように、ｄ≧５．０×１０−４×ｋ１／２を満たす厚さに設定されている。
【００２５】  
そして、上述したように形成された活性層としての多結晶Ｓｉ薄膜１４に対して、前述した従来例の場合と同様に、予め別に設定されたゲートに対応して当該活性層にドレーン及びソースが設けられ、これによって薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されるようになっている。
【００２６】
（多結晶Ｓｉ薄膜（活性層）１４の製法）
次に、上記参考例における多結晶Ｓｉ薄膜（活性層）１４の製造方法および絶縁膜１２の膜厚について、更に詳述する。
【００２７】  
上記図１（ａ）から図１（ｂ）に示すように、上述した多結晶Ｓｉ薄膜（活性層）は、以下に示す工程をもって形成される。
まず、基板（ポリイミド基板）１１上に絶縁膜１２を成膜する（第１の工程）。
この絶縁膜１２は、本参考例ではＳｉＯ２薄膜を素材とし、膜厚ｄが６００〔ｎｍ〕となるようにスパッタ法を用いて基板温度１００〔℃〕で成膜した。
【００２８】  
次に、この成膜された絶縁膜１２上に非晶質Ｓｉ薄膜１３を成膜する（第２の工程）。この非晶質Ｓｉ薄膜１３は、本参考例では、膜厚が６０〔ｎｍ〕となるようにスパッタ法を用いて基板温度１００〔℃〕で成膜した。
【００２９】  
続いて、この成膜された非晶質Ｓｉ薄膜１３にレーザ光を照射して結晶化し多結晶Ｓｉ薄膜を形成する（第３の工程）。この第３の工程の場合、本参考例では、非晶質Ｓｉ薄膜１３の表面にＸｅＣｌエキシマレーザ光をスキャン照射した。そして、照射条件としては、ビーム径１５０×０．４〔ｍｍ２〕、照射強度４３０〔ｍＪ／ｃｍ２〕、ビーム重ね率９０〔％〕とした。この結果、図１（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ用活性層として好適な多結晶Ｓｉ薄膜１４が形成されることとなる。
【００３０】  
ここで、上述したような数値限定で薄膜トランジスタの活性層１４を形成したものを評価すると、ポリイミド基板１１には熱による歪みや白濁は発生せず、正常な状態を保ったまま、平均粒径１．３〔μｍ〕という比較的大きい結晶粒径の多結晶Ｓｉ薄膜が得られた。そして、この多結晶Ｓｉ薄膜を活性層１４としてトランジスタを２００〔℃〕以下のプロセス温度で作成したところ、移動度１００〔ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）〕程度のトランジスタ特性を得ることができた。
【００３１】  
この場合、上記層間絶縁膜１２の膜厚ｄは、次式（１）を満たすように成膜される。
ｄ≧５．０×１０−４×ｋ１／２    …（１）
ここで、ｋ〔Ｗ／（ｃｍ・Ｋ）〕は熱伝導率を示す。この式（１）は、絶縁膜１２の膜厚ｄの限界を示すもので、基板１１の素材が例えばガラス製基板であっても或いは樹脂であっても、熱等によって変質しない限界を示すものであり、前述したように、その有効性を実験的にも確認することができた。
【００３２】  
即ち、上述した参考例では、絶縁膜１２の膜厚ｄを６００〔ｎｍ〕と特定した場合を例示した。これは、絶縁膜１２をＳｉＯ２薄膜で形成する場合、熱伝導率ｋは、ｋ＝０．０１４〔Ｗ／（ｃｍ・Ｋ）〕であることから、これを上式（１）に代入し演算すると、ｄ≧５．０×１０−４×ｋ１／２≒６００〔ｎｍ〕
となり、これを考慮したものである。
【００３３】  
一方、図１と同様な構成で絶縁膜（ＳｉＯ２薄膜）１２の膜厚ｄを５００〔ｎｍ〕としたとき、非晶質Ｓｉ薄膜１３を強度４３０〔ｍＪ／ｃｍ２〕でレーザ照射すると、ポリイミド基板１１には白濁が生じ、歪みが発生し、多結晶Ｓｉ薄膜１４の一部に膜剥がれが観察された。照射強度を２９０〔ｍＪ／ｃｍ２〕まで下げた場合では、基板の変質は確認されなかった。しかしながら、このとき多結晶Ｓｉ薄膜の平均粒径が５０〔ｎｍ〕程度に減少し、これを活性層として薄膜トランジスタを形成した場合の移動度も３０〔ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）〕程度に減少した。これら一連の移動度の減少は、絶縁膜１２を通じてレーザ照射による熱によってポリイミド基板１１が変質したことに原因があることは明らかである。
【００３４】  
ここで、絶縁膜１２の膜厚ｄを特定する上述した式（１）の理論的な妥当性について検討する。いま、膜厚ｄ（＝ｘ）方向の熱の１次元熱伝導を考えると、熱伝導方程式は以下の式で与えられる。
ｋ・Ｄ２Ｔ／Ｄｘ２  ＝  ρＣ・ＤＴ／Ｄｔ    …（２）
【００３５】  
ここで、ｋは熱伝導率、Ｔは温度、ｘは膜厚ｄ方向の距離、ｔは時間、ρは密度、Ｃは比熱であり、また、Ｄは偏微分記号を示す。この式を解くと、ｘがｋ１／２に比例する関係が得られる。
【００３６】  
一方、レーザ結晶化過程において、レーザ照射中の溶融したＳｉ薄膜の最高到達温度は特定できないが、シリコン（Ｓｉ）の融点（１４１２℃）および沸点（約２５００℃）を考慮すると、およそ２０００〔℃〕程度と考えられる。従って、絶縁膜１２中において２０００〔℃〕程度の温度差を断熱すれば、レーザ結晶化過程がＳｉ薄膜の下部構造（下部素材）に依存しなくなる。この膜厚を実験により求めたところ、ｄ（＝ｘ）がｋ１／２に比例するという前述した式（２）の解と定性的に同一の傾向を示す式を得ることができた。
【００３７】  
このように、上記参考例によると、第３の工程において結晶粒径の大きな多結晶Ｓｉ薄膜を形成するために必要なレーザ照射強度（４３０〔ｍＪ／ｃｍ２〕）によるレーザ結晶化を行う場合、第１の工程によって成膜される絶縁膜（ＳｉＯ２薄膜）の厚さを、膜厚の条件式（１）を満たす厚さ（６００〔ｎｍ〕）とすることにより、絶縁膜がレーザ結晶化の際の熱の発散を遮断するため、耐熱性の低い素材であるポリイミド（樹脂製）で構成された基板が熱による変形等の影響を受けず、正常な状態に保たれる。そして、このようにして形成された多結晶Ｓｉ薄膜を活性層とした薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、高いキャリア移動度（１００〔ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）〕）を有することができる。
【００３８】  
〔第１の実施形態〕
第１の実施形態を図２（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。
本実施形態における薄膜トランジスタは、プロジェクタ用液晶ライトバルブに使用するためのものである。
【００３９】
まず、図２（ａ）において、符号２１は基板としてのガラス基板を示す。このガラス基板２１上の所定箇所に、金属膜としてのクローム（Ｃｒ）薄膜２２が付されている。このＣｒ薄膜２２は、ガラス基板２１上に成膜されたＣｒ薄膜を、通常のフォト・レジスト法とドライエッチング法とを用いて所望の形状にパターニングすることにより形成されたものである。
【００４０】  
このようにＣｒ薄膜２２が付されたガラス基板２１上に、ＳｉＯＮから成る絶縁膜２３が成膜される。そして、図２（ａ）は、この成膜されたＳｉＯＮ薄膜２３上に、非晶質のシリコン薄膜（Ｓｉ薄膜）２４が成膜された状態を示す。
【００４１】  
また、図２（ｂ）は、図１で成膜した非晶質Ｓｉ薄膜２４に、前述した参考例と同様にエキシマレーザを照射し、多結晶Ｓｉ薄膜２５が形成された場合を示す。そして、この多結晶Ｓｉ薄膜を活性層に用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されることも参考例の場合と同様である。
【００４２】
（多結晶Ｓｉ薄膜（活性層）２５の製法）
次に、上記実施形態における多結晶Ｓｉ薄膜（活性層）２５の製造方法について、詳述する。
【００４３】  
上記図２（ａ）から図２（ｂ）に示すように、上述した多結晶Ｓｉ薄膜（活性層）は、以下に示す工程をもって形成される。基板（ガラス基板）２１上には、金属膜としてＣｒ薄膜２２を膜厚１００〔ｎｍ〕にて成膜する。このＣｒ薄膜２２の成膜に続いて、当該Ｃｒ薄膜を、通常のフォト・レジスト法とドライエッチング法とを用いて所望の形状にパターニングする。
【００４４】  
次に、絶縁膜としてＳｉＯＮ薄膜２３を、膜厚が１．１〔μｍ〕となるようにプラズマ化学気相堆積法を用いて温度３００〔℃〕で成膜する（第１の工程）。
【００４５】  
続いて、この成膜されたＳｉＯＮ膜（絶縁膜）２３上に、非結晶質のシリコン（Ｓｉ）薄膜２４が成膜される（第２の工程）。この非晶質Ｓｉ薄膜２４は、膜厚７５〔ｎｍ〕となるように減圧化学気相堆積法を用いて４５０〔℃〕で成膜した。図２（ａ）では、この非晶質Ｓｉ薄膜２４が成膜された状態を示す。
【００４６】  
図２（ｂ）は、図２（ａ）の第２の工程で成膜された非晶質Ｓｉ薄膜２４の表面に、ＸｅＣｌエキシマレーザ光をスキャン照射し、これによって、当該非晶質Ｓｉ薄膜２４を素材として多結晶Ｓｉ薄膜２５が形成された場合を示す。そして、この多結晶Ｓｉ薄膜２５が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層として重要な機能を担っている。
【００４７】
ここで、ＸｅＣｌエキシマレーザ光の照射条件としては、ビーム径１５０×０．４〔ｃｍ２〕、照射強度５２０〔ｍJ／ｃｍ２〕、ビーム重ね率９０〔％〕とした。
【００４８】  
これにより形成された多結晶Ｓｉ薄膜２５を活性層として薄膜トランジスタを形成し、その移動度を測定してみた。その結果、Ｃｒ薄膜（金属膜）２２の存在に影響を受けることなく、移動度１７０〔ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）〕を有する薄膜トランジスタを得ることができた。
【００４９】  
一方、比較例として、前述した絶縁膜としてのＳｉＯＮ膜の膜厚を１〔μｍ〕とした場合を検討してみた。この場合、金属膜を有するトランジスタの移動度は６０〔ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）〕へと減少した。これはレーザ結晶化中の熱がＳｉＯＮ膜を通してその金属膜へと発散したことによる冷却効果が働いたためである。
【００５０】  
このように、上記第１の実施形態によると、絶縁膜であるＳｉＯＮ膜２３は、第３の工程において結晶粒径の大きな多結晶Ｓｉ薄膜を形成するために必要なレーザ照射強度（５２０〔ｍＪ／ｃｍ２〕）によるレーザ結晶化を行う場合、第１の工程によって成膜される絶縁膜（ＳｉＯＮ薄膜）の厚さを、１．１〔μｍ〕とすることにより、この絶縁膜がレーザ結晶化の際の熱の発散を遮断するため、耐熱性の低い素材であるガラスで構成された基板が熱による損傷の影響を受けず、正常な状態に保たれる。
【００５１】  
更に、上述したように絶縁膜がレーザ結晶化の際の熱の発散を遮断するため、Ｓｉ薄膜（活性層）の下部構造における金属膜（Ｃｒ薄膜）の有無に関わらず、レーザ結晶化の際の温度プロセスは一様となるから、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のキャリア移動度は大きく且つ均一な値（１７０〔ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）〕）を有することができる。
【００５２】  
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、第３の工程において結晶粒径の大きな多結晶Ｓｉ薄膜を形成するために必要なレーザ照射強度によるレーザ結晶化を行った場合、第１の工程によって成膜された絶縁膜の厚さを１．１〔μｍ〕とするため、この絶縁膜はレーザ結晶化の際の熱の発散を遮断するため、キャリア移動度の大きい高性能の薄膜トランジスタを製造することができ、製造工程における信頼性が向上し、歩留まりを低減させることができる。
【００５３】  
しかも、金属膜は、薄膜トランジスタの活性層に光が照射するのを防ぐ遮光膜として働く。このため、活性層に光が照射することによる薄膜トランジスタのリーク電流（漏れ電流）の発生を防ぐことができるので、リーク電流による液晶画面の画質劣化を防止することができ、高画質の液晶表示装置を得ることができる。
【００５４】  
これに加え、絶縁膜はレーザ結晶化の際の熱の発散を遮断するので、Ｓｉ薄膜の下部構造の金属膜の有無に関わらず、レーザ結晶化の際のＳｉ薄膜の温度プロセスは一様となる。これにより、レーザ結晶化によって形成された多結晶Ｓｉ薄膜の結晶粒径は均一となるので、この多結晶シリコン薄膜を活性層に用いた薄膜トランジスタは、Ｓｉ薄膜の下部構造の金属膜の有無に関わらずキャリア移動度は同じ値となる。
【００５５】
請求項１記載の発明によれば、エキシマレーザは、光子エネルギーが大きく、分子の結合エネルギーと同程度のエネルギー域を有すると共に、誘導放出による増幅効率が他のレーザと比較して桁はずれに高いという特徴をもつ。
【００５６】
このため、レーザ結晶化工程を有効に行うことができ、高品質の多結晶Ｓｉ薄膜の形成を高スループットにて行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の参考例における薄膜トランジスタ用活性層の製造工程を示す図で、図１（ａ）は非晶質のＳｉ薄膜が成膜された状態を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）の非晶質のＳｉ薄膜がレーザ光によって多結晶のＳｉ薄膜となった場合を示す部分断面図である。
【図２】  本発明の第１の実施形態における薄膜トランジスタ用活性層の製造工程を示す図で、図２（ａ）は非晶質のＳｉ薄膜が成膜された状態を示し、図２（ｂ）は図２（ａ）の非晶質のＳｉ薄膜がレーザ光によって多結晶のＳｉ薄膜となった場合を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１１  樹脂製のポリイミド基板
１２  絶縁膜としてのＳｉＯ２薄膜
１３、２４  非晶質シリコン薄膜
１４、２５  多結晶シリコン薄膜
２２  金属膜としてのＣｒ薄膜
２３  絶縁膜としてのＳｉＯＮ薄膜
【図１】
0003636949.tif 000002
【図２】
0003636949.tif 000003