(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の一主面に形成した一対の上面電極と、この一対の上面電極と電気的に接続されるように設けた抵抗体と、少なくとも前記抵抗体を覆うように設けられた保護層とを備え、前記一対の上面電極を、第１の上面電極層と、この第１の上面電極層に少なくとも一部が重なるように設けられた第２の上面電極層と、前記第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なる密着層の複層構造により構成した抵抗器。
【請求項２】
第２の上面電極層を、基板の上面の端縁よりも内側に設けた請求項１記載の抵抗器。
【請求項３】
上面電極を構成する第１の上面電極層と密着層を、基板の端縁において面一となるように構成した請求項１記載の抵抗器。
【請求項４】
上面電極を構成する第１の上面電極層、第２の上面電極層および密着層のうち、第２の上面電極層のみが抵抗体と電気的に接続される構成とした請求項１記載の抵抗器。
【請求項５】
上面電極を構成する第１の上面電極層、第２の上面電極層および密着層のうち、密着層の厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成した請求項１記載の抵抗器。
【請求項６】
基板の端縁に、少なくとも第１の上面電極層および密着層と電気的に接続される略コ字型の一対の側面電極を備えた請求項１記載の抵抗器。
【請求項７】
側面電極を、基板の端縁側に位置し、かつ基板への付着性の良いＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜と、この第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜と、少なくとも前記第２の薄膜を覆うニッケルめっきからなる第１のめっき膜と、少なくとも前記第１のめっき膜を覆う第２のめっき膜の複層構造により構成した請求項６記載の抵抗器。
【請求項８】
側面電極を構成する第２の薄膜を、ＣｕにＮｉを１．６重量％以上含有させたＣｕ−Ｎｉ合金薄膜で構成した請求項７記載の抵抗器。
【請求項９】
側面電極を構成する第１の薄膜および第２の薄膜を、基板の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に構成した請求項７記載の抵抗器。
【請求項１０】
シート状の基板の上面に複数対の第１の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第１の上面電極層と電気的に接続される複数対の第２の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第２の上面電極層と電気的に接続される複数の抵抗体を設ける工程と、少なくとも前記複数の抵抗体を覆うように複数の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の第２の上面電極層間に抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記複数対の第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なるように複数対の密着層を設ける工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の第１の上面電極層、第２の上面電極層および複数対の密着層を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
【請求項１１】
複数のスリット状の第１の分割部をダイシングにより形成した請求項１０記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１２】
複数の第２の分割部をダイシングにより形成した請求項１０記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１３】
複数の第２の分割部をレーザーにより形成し、その後、この第２の分割部を分割して個片状基板に分割するようにした請求項１０記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１４】
シート状の基板の端部に不要領域部を形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部は複数の短冊状基板が前記不要領域部につながった状態となるようにシート状の基板に形成した請求項１０記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１５】
シート状の基板の上面に複数対の第１の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第１の上面電極層と電気的に接続される複数対の第２の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第２の上面電極層と電気的に接続される複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の第２の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記複数対の第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なるように複数対の密着層を設ける工程と、少なくとも前記ガラスを主成分とする複数の第１の保護層を覆うように樹脂層からなる複数の第２の保護層を設ける工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の第１の上面電極層、第２の上面電極層および密着層を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
【請求項１６】
複数対の第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なるように導電性樹脂からなる複数対の密着層を設ける工程を、複数の抵抗体を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における複数対の第２の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程とを実施した後に実施するようにした請求項１５記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１７】
複数対の第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なるように導電性樹脂からなる複数対の密着層を設ける工程を、複数の抵抗体を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における複数対の第２の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、少なくとも前記ガラスを主成分とする複数の第１の保護層を覆うように樹脂層からなる複数の第２の保護層を設ける工程とを実施した後に実施するようにした請求項１５記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１８】
複数のスリット状の第１の分割部をダイシングにより形成した請求項１５記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１９】
複数の第２の分割部をダイシングにより形成した請求項１５記載の抵抗器の製造方法。
【請求項２０】
複数の第２の分割部をレーザーにより形成し、その後、この第２の分割部において個片状基板に分割するようにした請求項１５記載の抵抗器の製造方法。
【請求項２１】
シート状の基板の端部に不要領域部を形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部は複数の短冊状基板が前記不要領域部につながった状態となるようにシート状の基板に形成した請求項１５記載の抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は抵抗器およびその製造方法に関するものであり、特に微細な抵抗器およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の抵抗器としては、特許文献１に開示された「側面電極を４層構造とした抵抗器」が知られている。
【０００３】
この抵抗器は、図２６に示すように、基板１の上面の両端部に位置して基板１の端面より内側に設けた一対の上面電極膜２を跨ぐように抵抗層３を設けるとともに、前記基板１の端面に一対の上面電極膜２と電気的に接続される一対のコ字型の側面電極４を設けている。そして前記側面電極４は、最下層に上面電極膜２と電気的に接続されるＮｉＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜またはＣｒ薄膜からなるコ字型の第１の金属薄膜５と、この第１の金属薄膜５に重畳する低抵抗のＣｕ薄膜からなる第２の金属薄膜６と、この第２の金属薄膜６に重畳するＮｉめっき膜からなる第１の金属めっき膜７と、さらにこの第１の金属めっき膜７に重畳するＰｂ−Ｓｎめっき膜またはＳｎめっき膜からなる第２の金属めっき膜８の４層構造となっていた。
【０００４】
【特許文献１】
特開平３−８０５０１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の抵抗器においては、基板１の上面の両端部に位置して基板１の端面より内側に、一対の上面電極膜２を設けただけの構成であるため、４層構造からなる側面電極４における第１の金属薄膜５と前記上面電極膜２との接続面積が小さく、その結果、上面電極膜２と側面電極４との電気的接続信頼性が低いという課題を有していた。
【０００６】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、上面電極と側面電極との電気的接続信頼性を高めることができる抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、以下の構成を有するものである。
【０００８】
本発明の請求項１に記載の発明は、基板と、この基板の一主面に形成した一対の上面電極と、この一対の上面電極と電気的に接続されるように設けた抵抗体と、少なくとも前記抵抗体を覆うように設けられた保護層とを備え、前記一対の上面電極を、第１の上面電極層と、この第１の上面電極層に少なくとも一部が重なるように設けられた第２の上面電極層と、前記第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なる密着層の複層構造により構成したもので、この構成によれば、基板の一主面に形成した一対の上面電極を、第１の上面電極層と、この第１の上面電極層に少なくとも一部が重なるように設けられた第２の上面電極層と、前記第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なる密着層の複層構造により構成しているため、多数個取りのシート状の基板で抵抗器を製造する際、一対の上面電極間の抵抗値を修正するためのトリミング時の抵抗値測定においては、第１の上面電極層の存在により、当該の第２の上面電極層の他に、隣接する抵抗器の第２の上面電極層に検針を接触させることができ、特に小形の抵抗器を製造する上で有利になる。また基板の端縁に側面電極を形成する場合、この側面電極を薄膜技術で形成する際には、第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なる密着層の存在により、側面電極と上面電極との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極と側面電極との電気的接続信頼性を高めることができるという作用を有するものである。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、特に、第２の上面電極層を、基板の上面の端縁よりも内側に設けたもので、この構成によれば、第２の上面電極層を、基板の上面の端縁よりも内側に設けているため、多数個取りのシート状の基板を個片あるいは短冊状に分割する際には、分割部に第２の上面電極層が存在せず、その結果、第２の上面電極層の剥離やバリ等が発生しないという作用を有するものである。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、特に、上面電極を構成する第１の上面電極層と密着層を、基板の端縁において面一となるように構成したもので、この構成によれば、上面電極を構成する第１の上面電極層と密着層を、基板の端縁において面一となるように構成しているため、基板の端縁に側面電極を薄膜技術により形成する場合、基板の端縁と第１の上面電極層および密着層の基板端縁側に薄膜からなる側面電極を連続して安定した状態に形成することができるという作用を有するものである。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、特に、上面電極を構成する第１の上面電極層、第２の上面電極層および密着層のうち、第２の上面電極層のみが抵抗体と電気的に接続される構成としたもので、この構成によれば、上面電極を構成する第１の上面電極層、第２の上面電極層および密着層のうち、第２の上面電極層のみが抵抗体と電気的に接続される構成としているため、密着層を形成しても抵抗値が変化することはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がない信頼性の高い抵抗器が得られるという作用を有するものである。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、特に、上面電極を構成する第１の上面電極層、第２の上面電極層および密着層のうち、密着層の厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成したもので、この構成によれば、上面電極を構成する第１の上面電極層、第２の上面電極層および密着層のうち、密着層の厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成しているため、基板の端縁に側面電極を薄膜技術で形成する場合、密着層の存在により、上面電極と薄膜からなる側面電極の接触面積を大きくすることができ、これにより、上面電極と側面電極の電気的接続信頼性を高めることができるという作用を有するものである。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、特に、基板の端縁に、少なくとも第１の上面電極層および密着層と電気的に接続される略コの字型の一対の側面電極を備えたもので、この構成によれば、基板の端縁に、少なくとも第１の上面電極層および密着層と電気的に接続される略コの字型の一対の側面電極を備えているため、上面電極と側面電極とは安定した状態で電気的接続が行われることになり、これにより、信頼性の高い抵抗器が得られるという作用を有するものである。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、特に、側面電極を、基板の端縁側に位置し、かつ基板への付着性の良いＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜と、この第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜と、少なくとも前記第２の薄膜を覆うニッケルめっきからなる第１のめっき膜と、少なくとも前記第１のめっき膜を覆う第２のめっき膜の複層構造により構成したもので、この構成によれば、第１の薄膜と電気的に接続される第２の薄膜をＣｕ系の合金薄膜で構成しているため、Ｃｕ系の合金薄膜を構成する添加金属と第１の薄膜の構成金属とは第１の薄膜と第２の薄膜との界面において全率固溶体を構成することになり、これにより、第１の薄膜と第２の薄膜の密着力が向上するという作用を有するものである。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、特に、側面電極を構成する第２の薄膜を、ＣｕにＮｉを１．６重量％以上含有させたＣｕ−Ｎｉ合金薄膜で構成したもので、この構成によれば、側面電極を構成する第２の薄膜を、ＣｕにＮｉを１．６重量％以上含有させたＣｕ−Ｎｉ合金薄膜で構成しているため、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜のＮｉ成分と第１の薄膜の構成金属とが全率固溶体を構成することになり、これにより、第１の薄膜と第２の薄膜の密着力が向上するという作用を有するものである。
【００１６】
請求項９に記載の発明は、特に、側面電極を構成する第１の薄膜および第２の薄膜を、基板の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に構成したもので、この構成によれば、側面電極を構成する第１の薄膜および第２の薄膜を、基板の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に構成しているため、第１の薄膜と第２の薄膜を薄膜技術により形成する場合、基板の裏面側のみから基板の上面側に向けて容易に形成することができ、これにより、生産性が向上するという作用を有するものである。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、シート状の基板の上面に複数対の第１の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第１の上面電極層と電気的に接続される複数対の第２の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第２の上面電極層と電気的に接続される複数の抵抗体を設ける工程と、少なくとも前記複数の抵抗体を覆うように複数の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の第２の上面電極層間に抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記複数対の第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なるように複数対の密着層を設ける工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の第１の上面電極層、第２の上面電極層および複数対の密着層を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、シート状の基板の上面に複数対の第１の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第１の上面電極層と電気的に接続される複数対の第２の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なるように複数対の密着層を設ける工程とを備えているため、多数個取りのシート状の基板で抵抗器を製造する際、複数対の第２の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミング時の抵抗値測定においては、第１の上面電極層の存在により、当該の第２の上面電極層の他に、隣接する抵抗器の第２の上面電極層に検針を接触させることができ、特に小形の抵抗器を製造する上で有利になる。また基板の端縁に側面電極を形成する場合、この側面電極を薄膜技術で形成する際には、第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なる密着層の存在により、側面電極と、第１の上面電極層、第２の上面電極層、密着層により構成される上面電極との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極と側面電極との電気的接続信頼性を高めることができるという作用を有するものである。
【００１８】
請求項１１に記載の発明は、特に、複数のスリット状の第１の分割部をダイシングにより形成したもので、この製造方法によれば、個片状基板の寸法分類が不要であるため、工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるという作用を有するものである。
【００１９】
請求項１２に記載の発明は、特に、複数の第２の分割部をダイシングにより形成したもので、この製造方法によれば、個片状基板の寸法分類が不要であるため、工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるという作用を有するものである。
【００２０】
請求項１３に記載の発明は、特に、複数の第２の分割部をレーザーにより形成し、その後、この第２の分割部を分割して個片状基板に分割するようにしたもので、この製造方法によれば、第２の分割部を形成する毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化されるという作用を有するとともに、個片状基板の分割はチップ抵抗器で一般的な分割設備を用いて行うことができるという作用を有するものである。
【００２１】
請求項１４に記載の発明は、特に、シート状の基板の端部に不要領域部を形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部は複数の短冊状基板が前記不要領域部につながった状態となるようにシート状の基板に形成したもので、この製造方法によれば、複数のスリット状の第１の分割部を形成した後も複数の短冊状基板は不要領域部につながっているため、シート状の基板が複数の短冊状基板に細かく分離されるということはなく、したがって、複数のスリット状の第１の分割部を形成した後も、不要領域部を有するシート状の基板の状態で後工程を行うことができるため、工法設計が簡略化できるという作用を有するものである。
【００２２】
請求項１５に記載の発明は、シート状の基板の上面に複数対の第１の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第１の上面電極層と電気的に接続される複数対の第２の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第２の上面電極層と電気的に接続される複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の第２の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記複数対の第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なるように複数対の密着層を設ける工程と、少なくとも前記ガラスを主成分とする複数の第１の保護層を覆うように樹脂層からなる複数の第２の保護層を設ける工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の第１の上面電極層、第２の上面電極層および密着層を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、シート状の基板の上面に複数対の第１の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第１の上面電極層と電気的に接続される複数対の第２の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なるように複数対の密着層を設ける工程とを備えているため、多数個取りのシート状の基板で抵抗器を製造する際、複数対の第２の上面電極層間の抵抗値を修正するためのトリミング時の抵抗値測定においては、第１の上面電極層の存在により、当該の第２の上面電極層の他に、隣接する抵抗器の第２の上面電極層に検針を接触させることができ、特に小形の抵抗器を製造する上で有利になる。また基板の端縁に側面電極を形成する場合、この側面電極を薄膜技術で形成する際には、第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なる密着層の存在により、側面電極と、第１の上面電極層、第２の上面電極層、密着層により構成される上面電極との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極と側面電極との電気的接続信頼性を高めることができる。さらに複数の抵抗体を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層を設ける工程と、少なくとも前記ガラスを主成分とする複数の第１の保護層を覆うように樹脂層からなる複数の第２の保護層を設ける工程とを備えているため、ガラスを主成分とする第１の保護層でレーザートリミング時のクラックの発生を防止することができ、これにより、電流雑音を小さくできるとともに、樹脂層からなる第２の保護層で抵抗体全体が覆われることにより、耐湿特性に優れた抵抗特性を確保できるという作用を有するものである。
【００２３】
請求項１６に記載の発明は、特に、複数対の第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なるように導電性樹脂からなる複数対の密着層を設ける工程を、複数の抵抗体を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における複数対の第２の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程とを実施した後に実施するようにしたもので、この製造方法によれば、ガラスを主成分とする第１の保護層の形成温度が６００℃以上で、かつ導電性樹脂からなる密着層の形成温度が２００℃前後となるため、トリミングを行って抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生することはないという作用を有するものである。
【００２４】
請求項１７に記載の発明は、特に、複数対の第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なるように導電性樹脂からなる複数対の密着層を設ける工程を、複数の抵抗体を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における複数対の第２の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、少なくとも前記ガラスを主成分とする複数の第１の保護層を覆うように樹脂層からなる複数の第２の保護層を設ける工程とを実施した後に実施するようにしたもので、この製造方法によれば、ガラスを主成分とする第１の保護層の形成温度が６００℃以上で、かつ樹脂層からなる第２の保護層と、導電性樹脂からなる密着層の形成温度が２００℃前後となるため、トリミングを行って抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生することはないという作用を有するものである。
【００２５】
請求項１８に記載の発明は、特に、複数のスリット状の第１の分割部をダイシングにより形成したもので、この製造方法によれば、個片状基板の寸法分類が不要であるため、工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるという作用を有するものである。
【００２６】
請求項１９に記載の発明は、特に、複数の第２の分割部をダイシングにより形成したもので、この製造方法によれば、個片状基板の寸法分類が不要であるため、工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるという作用を有するものである。
【００２７】
請求項２０に記載の発明は、特に、複数の第２の分割部をレーザーにより形成し、その後、この第２の分割部を分割して個片状基板に分割するようにしたもので、この製造方法によれば、第２の分割部を形成する毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化されるという作用を有するとともに、個片状基板の分割はチップ抵抗器で一般的な分割設備を用いて行うことができるという作用を有するものである。
【００２８】
請求項２１に記載の発明は、特に、シート状の基板の端部に不要領域部を形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部は複数の短冊状基板が前記不要領域部につながった状態となるようにシート状の基板に形成したもので、この製造方法によれば、複数のスリット状の第１の分割部を形成した後も複数の短冊状基板は不要領域部につながっているため、シート状の基板が複数の短冊状基板に細かく分離されるということはなく、したがって、複数のスリット状の第１の分割部を形成した後も、不要領域部を有するシート状の基板の状態で後工程を行うことができるため、工法設計が簡略化できるという作用を有するものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００３０】
図１は本発明の一実施の形態における抵抗器の断面図、図２は同抵抗器の側面電極を除いた上面図である。
【００３１】
図１および図２に示すように本発明の一実施の形態における抵抗器は、基板１１の上面に一対の上面電極１２を有するとともに、この一対の上面電極１２間に抵抗体１３を有することにより構成される。
【００３２】
アルミナ等からなる基板１１の上面に設けられる一対の上面電極１２は、基板１１側から順次形成される第１の上面電極層１４と、第２の上面電極層１５と、密着層１６との複層構造により構成される。第１の上面電極層１４は、基板１１の上面の長手方向の端縁一杯から中央に向かって設けられているもので、これはＡｕ、樹脂等からなり、少なくとも抵抗値修正（レーザートリミング）時の検針接触領域を大きくするためのものである。第２の上面電極層１５は、基板１１の上面の長手方向の端縁より中央側に離れた位置から中央に向かい、その一部が第１の上面電極層１４と重畳するように形成されているもので、これはＡｇ等からなる。さらに、密着層１６は、第１、第２の上面電極層１４，１５に重畳し、そして基板１１の端縁において第１の上面電極層１４と面一となるように構成されているもので、これはＡｇ、樹脂等からなり、少なくとも後述する側面電極と上面電極１２の電気的接続を良好にするために設けられるものである。この場合、密着層１６の厚み方向における最大の高さは、第１の上面電極層１４の厚み方向における最大の高さより高くなるように構成されており、これは側面電極と上面電極１２の接触面積を大きくするためである。
【００３３】
抵抗体１３は、一対の上面電極１２間に跨るように設けられるもので、酸化ルテニウム等からなる。この場合、オーミックコンタクトを良好に保ち、抵抗値が安定した信頼性の高い抵抗器を得るため、上面電極１２における第２の上面電極層１５のみが抵抗体１３と電気的に接続される構成とすることが好ましい。
【００３４】
次に上記抵抗体を所望とする抵抗値に修正するために、抵抗体１３の上面にガラス等からなる第１の保護層１７を設け、そしてこの第１の保護層１７および抵抗体１３にレーザー等によりトリミング溝１８を設けて抵抗値を修正する。その後、少なくとも前記抵抗体１３を、好ましくは一対の上面電極１２における第２の上面電極層１５間を重畳して跨ぐ抵抗体１３と、第１の保護層１７およびトリミング溝１８を覆うように樹脂またはガラス等からなる第２の保護層１９を備える。
【００３５】
また、基板１１の端縁に、上面電極１２と電気的に接続されるように略コ字型に囲む一対の側面電極２０を備える。この側面電極２０は、基板１１の端縁側から順次形成される第１の薄膜２１と、第２の薄膜２２と、第１のめっき膜２３および第２のめっき膜２４の複層構造により構成される。第１の薄膜２１は、基板１１の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に、基板１１への付着性の良いＣｒ，Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ，Ｔｉ系合金薄膜またはＮｉＣｒ合金薄膜のいずれかをスパッタ、真空蒸着、イオンプレーティング、Ｐ−ＣＶＤ等の薄膜技術により形成する。第２の薄膜２２は、基板１１の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に、かつ、第１の薄膜２１と重畳して電気的に接続されるようにＣｕ系の合金薄膜をスパッタ、真空蒸着、イオンプレーティング、Ｐ−ＣＶＤ等の薄膜技術により形成する。
【００３６】
第１のめっき膜２３は、露出する上面電極１２および第２の薄膜２２を覆うようにはんだの拡散防止または耐熱性に優れるＮｉめっき膜により形成する。さらに、第２のめっき膜２４は、第１のめっき膜２３を覆うようにはんだ付着性の良いＰｂ−Ｓｎめっき膜またはＳｎめっき膜により形成する。
【００３７】
以上のように構成された本発明の一実施の形態における抵抗器について、次にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【００３８】
図３は本発明の一実施の形態における抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図、図４（ａ）（ｂ）、図６（ａ）（ｂ）、図８（ａ）（ｂ）、図１０（ａ）（ｂ）、図１２（ａ）（ｂ）、図１４、図１６（ａ）（ｂ）および図１８（ａ）（ｂ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造工程を示す断面図、図５（ａ）（ｂ）、図７（ａ）（ｂ）、図９（ａ）（ｂ）、図１１（ａ）（ｂ）、図１３（ａ）（ｂ）、図１５、図１７（ａ）（ｂ）および図１９（ａ）（ｂ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造工程を示す上面図である。
【００３９】
まず、図３、図４（ａ）、図５（ａ）に示すように、焼成済みの９６％純度のアルミナからなる厚み０．２ｍｍの絶縁性を有するシート状の基板３１を準備する。この場合、シート状の基板３１は、図３に示すように、全周囲の端部に最終的には製品とならない不要領域部３１ａを有しているものである。そしてこの不要領域部３１ａは略ロ字状に構成されているものである。
【００４０】
次に、図３、図４（ｂ）、図５（ｂ）に示すように、シート状の基板３１の上面にスクリーン印刷工法によりＡｕ系の導電性ペーストからなる複数対の第１の上面電極層３２を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プロファイルで焼成することにより、第１の上面電極層３２を安定な膜とした。
【００４１】
次に、図３、図６（ａ）、図７（ａ）に示すように、前記第１の上面電極層３２に少なくとも一部が重なるように、シート状の基板３１の上面にスクリーン印刷工法により銀を主成分とする複数対の第２の上面電極層３３を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プロファイルで焼成することにより、第２の上面電極層３３を安定な膜とした。
【００４２】
次に、図３、図６（ｂ）、図７（ｂ）に示すように、複数対の第２の上面電極層３３を跨ぐように、スクリーン印刷工法により酸化ルテニウム系の複数の抵抗体３４を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プロファイルで焼成することにより、抵抗体３４を安定な膜とした。
【００４３】
次に、図８（ａ）、図９（ａ）に示すように、複数の抵抗体３４を覆うように、スクリーン印刷工法によりガラスを主成分とする複数の第１の保護層３５を形成し、ピーク温度６００℃の焼成プロファイルで焼成することにより、ガラスを主成分とする第１の保護層３５を安定な膜とした。
【００４４】
次に、図８（ｂ）、図９（ｂ）に示すように、複数対の第２の上面電極層３３間の抵抗体３４の抵抗値を一定の値に修正するために、レーザートリミング工法によりトリミングを行い、複数のトリミング溝３６を形成した。
【００４５】
次に、図１０（ａ）、図１１（ａ）に示すように、複数対の第１の上面電極層３２の一部および第２の上面電極層３３の一部に重なるように、スクリーン印刷工法により銀系の導電性樹脂からなる複数対の密着層３７を形成し、ピーク温度２００℃の硬化プロファイルで硬化することにより、密着層３７を安定な膜とした。
【００４６】
次に、図１０（ｂ）、図１１（ｂ）に示すように、図面上の縦方向に並ぶガラスを主成分とする複数の第１の保護層３５を覆うとともに、抵抗体３４の一部および第２の上面電極層３３の一部を覆うように、スクリーン印刷工法により樹脂を主成分とする複数の第２の保護層３８を形成し、ピーク温度２００℃の硬化プロファイルで硬化することにより、第２の保護層３８を安定な膜とした。
【００４７】
次に、図３、図１２（ａ）、図１３（ａ）に示すように、第２の保護層３８を形成したシート状の基板３１の全周囲の端部に形成された不要領域部３１ａを除いて、複数対の第１の上面電極層３２および密着層３７を分離して複数の短冊状基板３１ｂを分割するためのスリット状の第１の分割部３９をダイシング工法により複数形成する。この場合、複数のスリット状の第１の分割部３９は７００μｍピッチで形成されており、かつこのスリット状の第１の分割部３９の幅は１２０μｍ幅となっている。また前記複数のスリット状の第１の分割部３９は、シート状の基板３１を上下方向に貫通する貫通孔で形成されているものである。そしてまた前記シート状の基板３１は、不要領域部３１ａを除いてダイシング工法により複数のスリット状の第１の分割部３９を形成しているため、スリット状の第１の分割部３９を形成した後も複数の短冊状基板３１ｂは不要領域部３１ａにつながっているため、シート状態を呈しているものである。
【００４８】
次に、図１２（ｂ）、図１３（ｂ）に示すように、マスク（図示せず）を用いてスパッタ工法により、シート状の基板３１の裏面側から、基板３１の裏面の一部と複数のスリット状の第１の分割部３９の内面における基板３１の端面、第１の上面電極層３２の端面および密着層３７の端面に、側面電極４０の一部を構成する基板３１への付着性が良いＣｒ薄膜からなる複数対の第１の薄膜４１を略Ｌ字型に形成する。
【００４９】
次に、図１４、図１５に示すように、マスク（図示せず）を用いたスパッタ工法により、シート状の基板３１の裏面側から、複数対の第１の薄膜４１に重なるように、側面電極４０の一部を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる複数対の第２の薄膜４２を略Ｌ字型に形成する。
【００５０】
次に、図３、図１６（ａ）（ｂ）、図１７（ａ）（ｂ）に示すように、シート状の基板３１の全周囲の端部に形成された不要領域部３１ａを除いて、シート状の基板３１における複数の短冊状基板３１ｂに、複数の抵抗体３４が個々に分離されて個片状基板３１ｃに分割されるようにスリット状の第１の分割部３９と直交する方向に複数の第２の分割部４３を形成する。この場合、複数の第２の分割部４３は４００μｍピッチで形成されるため、第２の分割部４３の幅は１００μｍ幅となっている。またこの複数の第２の分割部４３はレーザースクライブにより形成しているもので、まず、図１６（ａ）、図１７（ａ）に示すようにレーザーにより分割溝を形成し、その後、図１６（ｂ）、図１７（ｂ）に示すように一般的な分割設備により分割溝の部分を分割して個片状基板３１ｃに分割するようにしている。すなわち、この分割方法は、第２の分割部４３を形成する毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化されるという作用を有するものである。そしてまたこの複数の第２の分割部４３は不要領域部３１ａを除いて複数の短冊状基板３１ｂにレーザースクライブにより形成するようにしているため、この複数の第２の分割部４３を形成する毎に個片状基板３１ｃに分割され、そしてこの個片状基板３１ｃは不要領域部３１ａから分離されるものである。
【００５１】
次に、図１８（ａ）、図１９（ａ）に示すように、電気めっき工法を用いて、側面電極４０の一部を構成する第２の薄膜４２を覆うとともに、露出している密着層３７の端面および第２の上面電極層３３の上面を覆うように、厚みが約２〜６μｍで、かつはんだの拡散防止または耐熱性に優れるニッケルめっきからなる第１のめっき膜４４を形成する。
【００５２】
最後に、図１８（ｂ）、図１９（ｂ）に示すように、電気めっき工法を用いて、ニッケルめっきからなる第１のめっき膜４４を覆うように、厚みが約３〜８μｍで、かつはんだ付着性の良いスズめっきからなる第２のめっき膜４５を形成する。
【００５３】
以上の製造工程により、本発明の一実施の形態における抵抗器は製造されるものである。
【００５４】
なお、上記製造工程においては、第２のめっき膜４５をスズめっきで構成しているが、これに限定されるものではなく、スズ合金系の材料、例えば、はんだ等からなるめっきでもよく、これらの材料で構成した場合は、リフローはんだ付け時に安定したはんだ付けができるものである。
【００５５】
また上記製造工程においては、抵抗体３４等を覆う保護層を、抵抗体３４を覆うガラスを主成分とする第１の保護層３５と、この第１の保護層３５を覆うとともにトリミング溝３６を覆う樹脂を主成分とする第２の保護層３８の２層で構成しているため、前記第１の保護層３５でレーザートリミング時のクラックの発生を防止して電流雑音を小さくできるとともに、前記樹脂を主成分とする第２の保護層３８で抵抗体３４全体が覆われるため、耐湿性に優れた抵抗特性を確保できるものである。
【００５６】
そしてまた上記製造工程により製造した抵抗器は、ダイシング工法により形成されたスリット状の第１の分割部３９およびレーザースクライブにより形成された第２の分割部４３の間隔が正確（±０．００５ｍｍ以内）であるとともに、側面電極４０を構成する第１の薄膜４１、第２の薄膜４２の厚みおよび第１のめっき膜４４、第２のめっき膜４５の厚みも正確であるため、製品である抵抗器の全長および全幅は、正確に長さ０．６ｍｍ×幅０．３ｍｍとなるものである。また第１の上面電極層３２および抵抗体３４のパターン精度も個片状基板の寸法ランク分類が不要であるとともに同一の個片状基板の寸法ランク内での寸法バラツキを考慮する必要がないため、抵抗体３４の有効面積も従来品に比べて大きくとることができるものである。すなわち、従来品における抵抗体は長さ約０．２０ｍｍ×幅０．１９ｍｍであったのに対し、本発明の一実施の形態における抵抗器の抵抗体３４は長さ約０．２５ｍｍ×幅０．２４ｍｍとなって面積では約１．６倍以上となるものである。
【００５７】
さらに上記製造工程においては、複数のスリット状の第１の分割部３９をダイシング工法を用いて形成するとともに、個片状基板の寸法分類が不要なシート状の基板３１を用いているため、従来のような個片状基板の寸法分類は不要となり、これにより工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるものである。
【００５８】
さらにまた上記製造工程においては、シート状の基板３１は全周囲の端部に最終的には製品とならない不要領域部３１ａを形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部３９は複数の短冊状基板３１ｂが前記不要領域部３１ａにつながった状態となるようにシート状の基板３１に形成しているため、複数のスリット状の第１の分割部３９を形成した後も複数の短冊状基板３１ｂは不要領域部３１ａにつながっており、そのため、シート状の基板３１が複数の短冊状基板３１ｂに細かく分離されるということはなく、したがって、複数のスリット状の第１の分割部３９を形成した後も、不要領域部３１ａを有するシート状の基板３１の状態で後工程を行うことができるため、工法設計が簡略化できるものである。
【００５９】
また上記製造工程においては、側面電極４０を構成する第１の薄膜４１と第２の薄膜４２をマスク（図示せず）を用いたスパッタ工法により形成しているが、これに限定されるものではなく、上記マスク（図示せず）を用いずに、シート状の基板の裏面全体にもスパッタ工法により薄膜を形成し、その後、裏面全体に形成された薄膜の不要部分、すなわち裏面の略中央部分をレーザー照射により剥離除去して側面電極４０における裏面部分を形成するようにしてもよいものである。
【００６０】
次に、上記製造工程における側面電極４０の一部を構成する第２の薄膜４２について詳述する。
【００６１】
第２の薄膜４２の材料はＣｕ系の合金薄膜のうち、特にＣｕ−Ｎｉ合金薄膜が好ましい。
【００６２】
Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜は、添加材料のＮｉが合金薄膜主元素のＣｕおよび第１の薄膜４１に対してＣｕの全組成比率（範囲）においてＮｉが均一に溶け合うという「全率固溶体」を構成する。そのため、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４２と第１の薄膜４１との界面にはＮｉが拡散することになって強固な密着層を形成することになり、これにより、密着性の向上が図れる。また、第２の薄膜４２の最表面に存在するＮｉは、第１のめっき膜４４に用いられるニッケルめっきを形成するためのめっき浴で第２の薄膜４２の表面に対して防食性を高める効果があるため、第１のめっき膜４４と第２の薄膜４２の界面における密着性についても向上が図れる。
【００６３】
ここで、本発明の一実施の形態における「全率固溶体」とは、図２０に示す第２の薄膜を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の平衡状態図の通りである。図２０において、横軸にＮｉ金属の添加量を、縦軸に温度をとると、実線で示す液相線より高い温度では液相状態であり、点線で示す固相線より低い温度では固相状態であり、これらの実線および点線で囲まれた領域は固相と液相とが混じり合った状態、つまり「全率固溶体」である。すなわち、本発明の一実施の形態におけるＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４２は、母体金属である面心立方格子のＣｕ金属中に、同じ面心立方格子の結晶構造を有するＮｉ金属原子が溶け込んで一つの相である面心立方格子構造の置換型固溶体を全組識範囲に亘って形成するものである。
【００６４】
また、図２１はＣｒ薄膜からなる第１の薄膜４１とＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４２のＳＩＭＳによる組成分析結果を示したものである。この時の第２の薄膜４２のＮｉ添加量は６．２ｗｔ％である。図２１は横軸にＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の表面からの膜厚をスパッタリング時間で示し、かつ縦軸は各層でのＣｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等の原子数を示したものである。この図２１から明らかなように、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜層とＣｒ薄膜層との界面にはＣｕ，ＮｉおよびＣｒが各々存在する拡散層があるものの、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜層の表面からＣｒ薄膜層との界面までの間においては、Ｃｕ金属中にＮｉ金属が均一に存在しているものである。これは、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４２が、Ｃｕ金属中にＮｉ金属が完全に溶け込んで一つの相を形成する「全固溶体」であることを示しているものである。またこの図２１では、Ｎｉ添加量を６．２ｗｔ％としたが、Ｎｉ添加量は全組成範囲において図２１に示したものと同一の結果が得られるものである。
【００６５】
次に、上記のように構成された本発明の一実施の形態における抵抗器において、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜を第２の薄膜４２として用いた特性について説明する。
【００６６】
特性を説明する試験方法としては、「めっきの密着性試験方法／ＪＩＳ  Ｈ８５０４Ｃ」に規定された方法により実施し、試験用テープには図２２（ａ）（ｂ）に示すように、「セロハン粘着テープ／ＪＩＳ  Ｚ  １５２２」に規定された幅１８ｍｍの粘着テープ４６を使用した。この時、粘着テープ４６の引き剥がし方向は、「ＪＩＳ  Ｈ  ８５０４」に記載の図２２（ａ）（ｂ）に示すように、アルミナ基板４７に対して垂直方向または傾斜する方向とした。
【００６７】
すなわち、この試験方法は、試験片としてアルミナ基板４７を用い、このアルミナ基板４７の側面部分に第１の薄膜４１としてＣｒ薄膜をスパッタ工法で形成し、次に、この第１の薄膜４１の上に第２の薄膜４２としてＣｕ−Ｎｉ合金薄膜を第１の薄膜４１と同様、スパッタ工法で構成する。その後、レーザーを用いてパターン幅０．３ｍｍのパターンを形成する。
【００６８】
その後、温度６５℃で湿度９５％の条件における加速試験を行い、次に、第２の薄膜４２の表面に粘着テープ４６を密着させた後、この粘着テープ４６を一気に引き剥がし、全パターン数に対して第２の薄膜４２が剥離したパターン数の比率を求め、密着性の評価を行った。
【００６９】
また第１のめっき膜４４と第２の薄膜４２の界面の密着性の評価用試験片については、第２の薄膜４２を形成した後、第１のめっき膜４４としてニッケルめっきを、さらに第２のめっき膜４５としてはんだめっきを電解めっきで形成したものを用いた。
【００７０】
評価は、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜中のＮｉ添加量が「１．６ｗｔ％」「６．２ｗｔ％」「１２．６ｗｔ％」であるものと、Ｎｉ添加量が「０ｗｔ％」であるものについて行った。
【００７１】
（表１）は、加速試験５００時間後の第２の薄膜４２と第１の薄膜４１の界面における剥離率の評価結果を示したものである。
【００７２】
【表１】
0003636190.tif 000002
【００７３】
（表１）から明らかなように、Ｃｕ薄膜中にＮｉを添加することにより、第２の薄膜４２と第１の薄膜４１の界面における密着性が大幅に向上するものである。
【００７４】
（表２）は、加速試験５００時間後の第１のめっき膜４４と第２の薄膜４２の界面における剥離率の評価結果を示したものである。
【００７５】
【表２】
0003636190.tif 000003
【００７６】
(表２)から明らかなように、Ｃｕ薄膜中にＮｉを添加することにより、第１のめっき膜４４と第２の薄膜４２の界面における密着性が大幅に向上するものである。
【００７７】
なお、上記本発明の一実施の形態においては、第１の薄膜４１と第２の薄膜４２をスパッタ工法を用いて形成したものについて説明したが、このスパッタ工法に限定されるものではなく、その他の工法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、Ｐ−ＣＶＤ等の薄膜技術により第１の薄膜４１と第２の薄膜４２を形成した場合においても、本発明の一実施の形態と同様の効果が得られるものである。
【００７８】
また上記本発明の一実施の形態においては、第１の薄膜４１をＣｒ薄膜で形成したものについて説明したが、このＣｒ薄膜に限定されるものではなく、基板への付着性が良いその他のＣｒ−Ｓｉ合金薄膜、Ｎｉ−Ｃｒ合金薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｔｉ系合金薄膜等の材料で第１の薄膜４１を形成した場合においても、本発明の一実施の形態と同様の効果が得られるものである。
【００７９】
そしてまた上記本発明の一実施の形態においては、最終的には製品とならない不要領域部３１ａをシート状の基板３１の全周囲の端部に形成して略ロ字状に構成したものについて説明したが、この不要領域部３１ａはシート状の基板３１の全周囲の端部に必ずしも形成する必要はなく、例えば、図２３に示すようにシート状の基板３１の一端部に不要領域部３１ｄを形成した場合、図２４に示すようにシート状の基板３１の両端部に不要領域部３１ｅを形成した場合、図２５に示すようにシート状の基板３１の３つの端部に不要領域部３１ｆを形成した場合においても、上記本発明の一実施の形態と同様の効果が得られるものである。
【００８０】
さらに上記本発明の一実施の形態においては、複数の第２の分割部４３をレーザースクライブにより形成したものについて説明したが、この第２の分割部４３は、スリット状の第１の分割部３９と同様にダイシング工法を用いて形成するようにしてもよいものである。この場合、ダイシングは半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるものである。
【００８１】
さらにまた上記本発明の一実施の形態における抵抗器の製造工程においては、複数対の第１の上面電極層３２および第２の上面電極層３３に重なるように導電性樹脂からなる複数対の密着層３７を設ける工程を、複数の抵抗体３４を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層３５を設ける工程と、前記複数の抵抗体３４における複数対の第２の上面電極層３３間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程とを実施した後に実施するようにしているが、順番を変えて、複数の抵抗体３４を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層３５を設ける工程と、前記複数の抵抗体３４における複数対の第２の上面電極層３３間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、少なくとも前記ガラスを主成分とする複数の第１の保護層３５を覆うように樹脂層からなる第２の保護層３８を設ける工程とを実施した後に、複数対の第１の上面電極層３２および第２の上面電極層３３に重なるように導電性樹脂からなる複数対の密着層３７を設ける工程を実施するようにしてもよいもので、この製造方法においても、上記本発明の一実施の形態と同様の作用効果を有するものである。
【００８２】
すなわち、上記本発明の一実施の形態で示した製造方法では、ガラスを主成分とする第１の保護層３５の形成温度が６００℃以上で、かつ導電性樹脂からなる密着層３７の形成温度が２００℃前後となるため、トリミングを行って抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生することはないものである。一方、順番を変えた場合でも、ガラスを主成分とする第１の保護層３５の形成温度が６００℃以上で、かつ樹脂層からなる第２の保護層３８と、導電性樹脂からなる密着層３７の形成温度が２００℃前後となるため、トリミングを行って抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生することはないものである。
【００８３】
上記したように本発明の一実施の形態においては、図１に示すように、基板１１の一主面（上面）に形成した一対の上面電極１２を、第１の上面電極層１４と、この第１の上面電極層１４に少なくとも一部が重なるように設けられた第２の上面電極層１５と、前記第１の上面電極層１４および第２の上面電極層１５に重なる密着層１６の複層構造により構成しているため、多数個取りのシート状の基板で抵抗器を製造する際、一対の上面電極１２間の抵抗値を修正するためのトリミング時の抵抗値測定においては、第１の上面電極層１４の存在により、当該の第２の上面電極層１５の他に、隣接する抵抗器の第２の上面電極層１５に検針を接触させることができ、特に小形の抵抗器を製造する上で有利になる。また基板１１の端縁に側面電極２０を形成する場合、この側面電極２０を薄膜技術で形成する際には、第１の上面電極層１４および第２の上面電極層１５に重なる密着層１６の存在により、側面電極２０と上面電極１２との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極１２と側面電極２０との電気的接続信頼性を高めることができるという作用を有するものである。
【００８４】
また、第２の上面電極層１５は、基板１１の上面の端縁よりも内側に設けているため、多数個取りのシート状の基板を個片あるいは短冊状に分割する際には、分割部に第２の上面電極層１５が存在せず、その結果、第２の上面電極層１５の剥離やバリ等が発生しないという作用を有するものである。
【００８５】
そしてまた上面電極１２を構成する第１の上面電極層１４と密着層１６を、基板１１の端縁において面一となるように構成しているため、基板１１の端縁に側面電極２０を薄膜技術で形成する場合、基板１１の端縁と第１の上面電極層１４および密着層１６の基板端縁側に薄膜からなる側面電極２０を連続して安定した状態に形成することができるという作用を有するものである。
【００８６】
さらに上面電極１２を構成する第１の上面電極層１４、第２の上面電極層１５および密着層１６のうち、第２の上面電極層１５のみが抵抗体１３と電気的に接続される構成としているため、密着層１６を形成しても抵抗値が変化することはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がない信頼性の高い抵抗器が得られるという作用を有するものである。
【００８７】
さらにまた上面電極１２を構成する第１の上面電極層１４、第２の上面電極層１５および密着層１６のうち、密着層１６の厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層１４の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成しているため、基板１１の端縁に側面電極２０を薄膜技術で形成する場合、密着層１６の存在により、上面電極１２と薄膜からなる側面電極２０の接触面積を大きくすることができ、これにより、上面電極１２と側面電極２０の電気的接続信頼性を高めることができるという作用を有するものである。
【００８８】
また、上面電極１２を構成する第１の上面電極層１４は、導電性ペーストにより構成しているため、多数個取りのシート状の基板を個片あるいは短冊状に分割する際、第１の上面電極層１４の分割加工がしやすくなり、これにより、第１の上面電極層１４の剥離やバリ等が発生しにくいという作用を有するものである。
【００８９】
そしてまた基板１１の端縁に、少なくとも第１の上面電極層１４および密着層１６と電気的に接続される略コの字型の一対の側面電極２０を備えているため、上面電極１２と側面電極２０とは安定した状態で電気的接続が行われることになり、これにより、信頼性の高い抵抗器が得られるという作用を有するものである。
【００９０】
さらに第１の薄膜２１と電気的に接続される第２の薄膜２２をＣｕ系の合金薄膜で構成しているため、Ｃｕ系の合金薄膜を構成する添加金属と第１の薄膜２１の構成金属とは第１の薄膜２１と第２の薄膜２２との界面において全率固溶体を構成することになり、これにより、第１の薄膜２１と第２の薄膜２２の密着力が向上するという作用を有するものである。
【００９１】
さらにまた側面電極２０を構成する第２の薄膜２２を、ＣｕにＮｉを１．６重量％以上含有させたＣｕ−Ｎｉ合金薄膜で構成しているため、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜のＮｉ成分と第１の薄膜２１の構成金属とが全率固溶体を構成することになり、これにより、第１の薄膜２１と第２の薄膜２２の密着力が向上するという効果を有するものである。
【００９２】
また側面電極２０を構成する第１の薄膜２１および第２の薄膜２２を、基板１１の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に構成しているため、第１の薄膜２１と第２の薄膜２２を薄膜技術により形成する場合、基板１１の裏面側のみから基板１１の上面側に向けて容易に形成することができ、これにより、生産性が向上するという効果を有するものである。
【００９３】
【発明の効果】
以上のように本発明の抵抗器は、基板の一主面上に形成した一対の上面電極を、第１の上面電極層と、この第１の上面電極層に少なくとも一部が重なるように設けられた第２の上面電極層と、前記第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なる密着層の複層構造により構成しているため、多数個取りのシート状の基板で抵抗器を製造する際、一対の上面電極間の抵抗値を修正するためのトリミング時の抵抗値測定においては、第１の上面電極層の存在により、当該の第２の上面電極層の他に、隣接する抵抗器の第２の上面電極層に検針を接触させることができ、特に小形の抵抗器を製造する上で有利になる。また基板の端縁に側面電極を形成する場合、この側面電極を薄膜技術で形成する際には、第１の上面電極層および第２の上面電極層に重なる密着層の存在により、側面電極と上面電極との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極と側面電極との電気的接続信頼性を高めることができるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における抵抗器の断面図
【図２】同抵抗器の側面電極を除いた上面図
【図３】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図４】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図５】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図６】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図７】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図８】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図９】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１０】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１１】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１２】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１３】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１４】同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１５】同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１６】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１７】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１８】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１９】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図２０】同抵抗器の第２の薄膜を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の平衡状態図
【図２１】同抵抗器の第１の薄膜と第２の薄膜のＳＩＭＳによる組成分析結果の説明図
【図２２】（ａ）（ｂ）特性を説明する試験方法を示す図
【図２３】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の一端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図２４】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の両端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図２５】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の３つの端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図２６】従来の抵抗器の断面図
【符号の説明】
１１  基板
１２  上面電極
１３  抵抗体
１４  第１の上面電極層
１５  第２の上面電極層
１６  密着層
１７  第１の保護層
１８  トリミング溝
１９  第２の保護層
２０  側面電極
２１  第１の薄膜
２２  第２の薄膜
２３  第１のめっき膜
２４  第２のめっき膜
３１  シート状の基板
３１ａ，３１ｄ〜３１ｆ  不要領域部
３１ｂ  短冊状基板
３１ｃ  個片状基板
３２  第１の上面電極層
３３  第２の上面電極層
３４  抵抗体
３５  第１の保護層
３６  トリミング溝
３７  密着層
３８  第２の保護層
３９  第１の分割部
４０  側面電極
４１  第１の薄膜
４２  第２の薄膜
４３  第２の分割部
４４  第１のめっき膜
４５  第２のめっき膜
【図１】
0003636190.tif 000004
【図２】
0003636190.tif 000005
【図３】
0003636190.tif 000006
【図４】
0003636190.tif 000007
【図５】
0003636190.tif 000008
【図６】
0003636190.tif 000009
【図７】
0003636190.tif 000010
【図８】
0003636190.tif 000011
【図９】
0003636190.tif 000012
【図１０】
0003636190.tif 000013
【図１１】
0003636190.tif 000014
【図１２】
0003636190.tif 000015
【図１３】
0003636190.tif 000016
【図１４】
0003636190.tif 000017
【図１５】
0003636190.tif 000018
【図１６】
0003636190.tif 000019
【図１７】
0003636190.tif 000020
【図１８】
0003636190.tif 000021
【図１９】
0003636190.tif 000022
【図２０】
0003636190.tif 000023
【図２１】
0003636190.tif 000024
【図２２】
0003636190.tif 000025
【図２３】
0003636190.tif 000026
【図２４】
0003636190.tif 000027
【図２５】
0003636190.tif 000028
【図２６】
0003636190.tif 000029