(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 系セラミック粉末及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 系セラミック粉末の少なくとも１種と、
（Ｂ）酸化ケイ素をＳｉＯ2 換算で１３〜５０重量％、酸化ホウ素をＢ2 Ｏ3 換算で８〜６０重量％、酸化アルミニウムをＡｌ2 Ｏ3 換算で０〜２０重量％及び酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１０〜５５重量％含むガラス粉末とを含む絶縁体磁器組成物。
【請求項２】
前記ガラス粉末が、ＢａＯ、ＳｒＯ及びＣａＯからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属酸化物を、前記ガラス粉末全体の２０重量％以下の割合でさらに含む、請求項１に記載の絶縁体磁器組成物。
【請求項３】
前記ガラス粉末が、Ｌｉ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ及びＮａ2 Ｏからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ金属酸化物を、ガラス粉末全体の１０重量％以下の割合でさらに含む、請求項１または２に記載の絶縁体磁器組成物。
【請求項４】
酸化亜鉛をＺｎＯ換算で全体の１５重量％以下の割合でさらに含有する、請求項１〜３に記載の絶縁体磁器組成物。
【請求項５】
酸化銅をＣｕＯ換算で全体の３重量％以下の割合でさらに含有する、請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁体磁器組成物。
【請求項６】
前記セラミック粉末と前記ガラス粉末とが、重量比で、セラミック粉末：ガラス粉末＝２０：８０〜８０：２０の割合で含まれている、請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁体磁器組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の絶縁体磁器組成物を焼成することにより得られる、絶縁体磁器。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の絶縁体磁器組成物からなる絶縁性セラミック層を含むセラミック板と、
前記セラミック板の絶縁性セラミック層内に形成された複数の内部電極とを備えることを特徴とする、セラミック多層基板。
【請求項９】
前記絶縁性セラミック層の少なくとも片面に、該絶縁性セラミック層よりも誘電率が高い第２のセラミック層が積層されている、請求項８に記載のセラミック多層基板。
【請求項１０】
前記複数の内部電極が、前記絶縁性セラミック層の少なくとも一部を介して積層されて積層コンデンサが構成されている、請求項８または９に記載のセラミック多層基板。
【請求項１１】
複数の内部電極が、前記絶縁性セラミック層の少なくとも一部を介して積層されてコンデンサを構成しているコンデンサ用内部電極と、互いに接続されて積層インダクタを構成しているコイル導体とを備える、請求項９または１０に記載のセラミック多層基板。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれかに記載のセラミック多層基板と、
前記セラミック多層基板上に実装されており、前記複数の内部電極と共に回路を構成している少なくとも１つの電子部品素子とを備えることを特徴とする、セラミック電子部品。
【請求項１３】
前記電子部品素子を囲繞するように前記セラミック多層基板に固定されたキャップをさらに備える、請求項１２に記載のセラミック電子部品。
【請求項１４】
前記キャップが導電性キャップである、請求項１３に記載のセラミック電子部品。
【請求項１５】
前記セラミック多層基板の下面にのみ形成された複数の外部電極と、
前記外部電極に電気的に接続されており、かつ前記内部電極または電子部品素子に電気的に接続された複数のスルーホール導体をさらに備えることを特徴とする、請求項１２〜１４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１６】
請求項１〜６のいずれかに記載の絶縁体磁器組成物からなるセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体内に配置された複数の内部電極と、
前記セラミック焼結体の外表面に形成されており、いずれかの内部電極に電気的に接続されている複数の外部電極とを備えることを特徴とする、積層セラミック電子部品。
【請求項１７】
前記複数の内部電極がセラミック層を介して重なり合うように配置されており、それによってコンデンサユニットが構成されている、請求項１６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１８】
前記複数の内部電極が、前記コンデンサユニットを構成している内部電極に加えて、互いに接続されて積層インダクタユニットを構成している複数のコイル導体を有する、請求項１７に記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば多層回路基板に用いられる絶縁体磁器組成物に関し、より詳細には、半導体素子や各種電子部品を搭載するための複合多層回路基板に好適に用いることができ、銅や銀などの導体材料と同時焼成可能な絶縁体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高速化及び高周波化が進んでいる。また、電子機器に搭載される電子部品においても、高速化及び高集積化が求められており、さらに高密度実装化が要求されている。上記のような要求に応えるために、従来より、半導体素子や各種電子部品を搭載するための基板として、多層回路基板が用いられている。多層回路基板では、基板内に導体回路や電子部品機能素子が内臓されており、電子機器の小型化を進めることができる。
【０００３】
上記多層回路基板を構成する材料としては、従来、アルミナが多用されている。
アルミナの焼成温度は１５００〜１６００℃と比較的高い。従って、アルミナからなる多層回路基板に内蔵されている導体回路材料としては、通常、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗなどの高融点金属を用いなければならなかった。ところが、これらの高融点金属は電気抵抗が高いという問題があった。
【０００４】
従って、上記高融点金属よりも電気抵抗が低く、かつ安価な金属、例えば銅などを導体材料として用いることが強く求められている。銅を導体材料として用いることを可能とするために、１０００℃以下の低温で焼成され得るガラスセラミックスや結晶化ガラスなどを用いることが提案されている（例えば、特開平５−２３８７７４号公報）。
【０００５】
また、Ｓｉチップなどの半導体部品との接続を考慮して、熱膨張係数がＳｉに近いセラミックスを多層回路基板材料として用いることも提案されている（特開平８−３４６６８号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の基板材料では、高熱膨張係数、及び高周波特性の双方を満たすことが困難であった。
【０００７】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、低温焼成でき、従って銀や銅などの比較的低融点の導体材料と同時に焼成できる絶縁体磁器組成物であって、しかも高周波におけるＱ値が高く、比誘電率が小さく、高周波特性に優れており、かつ高熱膨張係数を有する絶縁体磁器を与える絶縁体磁器組成物を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、上記絶縁体磁器組成物を用いて構成されており、比誘電率が低くかつＱ値が高く、従って高周波特性に優れ、さらに高い熱膨張係数を有する絶縁体磁器、並びに、該絶縁体磁器を用いたセラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、本発明に係る絶縁体磁器組成物は、（Ａ）Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 系セラミック粉末及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 系セラミック粉末の少なくとも１種と、（Ｂ）酸化ケイ素をＳｉＯ2 換算で１３〜５０重量％、酸化ホウ素をＢ2 Ｏ3 換算で８〜６０重量％、酸化アルミニウムをＡｌ2 Ｏ3 換算で０〜２０重量％及び酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１０〜５５重量％含むガラス粉末とを含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明においては、セラミック粉末（Ａ）として、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 系セラミック粉末と、Ｍｇ2 Ｂ2 Ｏ5 系セラミック粉末のうち少なくとも１種が用いられる。すなわち、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 系セラミック粉末のみを用いてもよく、Ｍｇ2 Ｂ2 Ｏ5 系セラミック粉末のみを用いてもよく、これらの混合物を用いてもよい。
【００１１】
なお、上記ガラス粉末１００重量％において、酸化ケイ素は、ＳｉＯ2 換算で、１３〜５０重量％、好ましくは２０〜３０重量％を占める。酸化ケイ素の含有量が１３重量％以下では、得られる焼結体の結晶化度が低くなり、Ｑ値が低下する。逆に、酸化ケイ素の含有量が５０重量％を超えると、ガラスの溶融温度が高くなる。
【００１２】
また、上記ガラス粉末１００重量％において、酸化ホウ素はＢ2 Ｏ3 換算で８〜６０重量％、好ましくは３０〜６０重量％を占める。酸化ホウ素は、主に融剤として作用する。酸化ホウ素の含有量がＢ2 Ｏ3 換算で８重量％未満では、溶融温度が高くなり過ぎ、逆に、６０重量％を超えると、得られる焼結体の耐湿性が低下する。
【００１３】
さらに、上記ガラス粉末１００重量％において、酸化アルミニウムは、Ａｌ2 Ｏ3 換算で０〜２０重量％を占める。なお、酸化アルミニウム含有量は、Ａｌ2 Ｏ3 換算で０重量％であってもよい。すなわち、酸化アルミニウムは、必ずしも含まれずともよい。
【００１４】
従って、酸化アルミニウムが含まれない本発明に係る絶縁体磁器組成物は、上記（Ａ）Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 系セラミック粉末と、（Ｂ）酸化ケイ素をＳｉＯ2 換算で１３〜５０重量％、及び酸化ホウ素をＢ2 Ｏ3 換算で８〜６０重量％、及び酸化マグネシウムを１０〜５５重量％含有するガラス粉末とを含む絶縁体磁器組成物と表される。
【００１５】
なお、上記酸化アルミニウムを含有させる場合、含有量がＡｌ2 Ｏ3 換算で２０重量％を超えると、緻密な焼結体が得られず、Ｑ値が小さくなる。また、酸化アルミニウムを含有させる場合のその下限値については、Ａｌ2 Ｏ3 換算で０重量％を超える範囲となる。
【００１６】
また、上記ガラス粉末は、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１０〜５５重量％含有する。酸化マグネシウムはガラス作製時の溶融粘度を低下させる作用を有する。従って、ガラス作製時のコストを低減することができる。また、酸化マグネシウムは、結晶化ガラス中の結晶構成成分であり、優れた高周波特性発現の要因を構成している。酸化マグネシウムの含有量が、１０重量％未満では得られる絶縁体磁器におけるＱ値が低くなり、５５重量％を超えると、絶縁体磁器において結晶析出量が多くなり過ぎ、機械的強度が低下する。
【００１７】
本発明において、上記ガラス粉末としては、ＢａＯ、ＳｒＯ及びＣａＯからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属酸化物を、上記ガラス粉末全体の２０重量％以下を占めるようにさらに含むものが望ましい。
【００１８】
上記アルカリ土類金属酸化物は、ガラス作製時の溶融温度を低下させる作用を有し、かつガラスの熱膨張係数を高くする作用を有する。上記アルカリ土類金属酸化物の含有割合が２０重量％を超えるとＱ値が低下することがある。
【００１９】
また、本発明の他の局面では、上記ガラス粉末は、Ｌｉ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ及びＮａ2 Ｏからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ金属酸化物をガラス粉末全体の１０重量％以下の割合で、さらに好ましくは、２〜５重量％の割合で含むことが望ましい。アルカリ金属酸化物は、ガラス作製時の溶融温度を低下させる作用を有する。アルカリ金属酸化物の含有割合が１０重量％を超えると、Ｑ値が低下するおそれがある。
【００２０】
本発明において、上記絶縁体磁器組成物は、好ましくは、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１５重量％以下、より好ましくは１０重量％以下の割合で含むことが望ましい。酸化亜鉛は、焼成温度を低下させる作用を有する。もっとも、酸化亜鉛の含有割合がＺｎＯ換算で１５重量％を超えると、最終的に緻密な焼結体が得られないことがある。
【００２１】
なお、上記酸化亜鉛は、ガラス成分として含有されていてもよい。
本発明においては、酸化銅がＣｕＯ換算で全体の３重量％以下の割合で、より好ましくは、２重量％以下の割合で添加されていることが望ましい。酸化銅は、焼成温度を下げる作用を有する。もっとも、酸化銅の含有割合が３重量％を超えると、Ｑ値を低下させることがある。
【００２２】
また、本発明においては、好ましくは、上記セラミック粉末とガラス粉末とは、重量比で、セラミック粉末：ガラス粉末＝２０：８０〜８０：２０の割合で配合されていることが望ましく、より好ましくは、４０：６０〜６０：４０である。上記範囲よりもセラミック粉末の配合割合が高くなると、焼結体の密度が小さくなることがあり、上記範囲よりガラス粉末の配合割合が高くなると、Ｑ値が小さくなることがある。
【００２３】
本発明の他の特定の局面では、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成することにより得られる絶縁体磁器が提供される。この場合、上記絶縁体磁器組成物を１０００℃以下の低温で焼成することにより上記絶縁体磁器が得られるので、銅や銀などの低融点金属と共に上記絶縁体磁器組成物を同時焼成することができる。従って、これらの低融点金属からなる導体材料を用いたセラミック多層基板などに本発明に係る絶縁体磁器を好適に用いることができる。
【００２４】
なお、本発明に係る絶縁体磁器は、測定周波数１５ＧＨｚのＱ値が７００以上を満足することが望ましい。Ｑ値が７００以上の場合には、近年における高周波帯の回路素子基板として用いることができる。
【００２５】
また、本発明に係る絶縁体磁器は、高い熱膨張係数を有するので、本発明に係る絶縁体磁器組成物を、高い熱膨張係数を有する高誘電率材料と共焼結することができ、それによって本発明に係る絶縁体磁器と高誘電率のセラミックスとが一体化された焼結体を容易にかつ安定に得ることができる。
【００２６】
なお、上記ガラス粉末としては、ガラス組成物を７００〜１４００℃で仮焼したものを用いてもよい。
本発明に係るセラミック多層基板は、本発明に係る絶縁体磁器組成物からなる絶縁性セラミック層を含むセラミック板と、該セラミック板の絶縁性セラミック層内に形成された複数の内部電極とを備える。
【００２７】
本発明に係るセラミック積層基板の特定の局面では、前記絶縁性セラミック層の少なくとも片面に、該絶縁性セラミック層よりも誘電率が高い第２のセラミック層が積層されている。
【００２８】
本発明に係るセラミック多層基板のさらに特定の局面では、前記複数の内部電極が、前記絶縁性セラミック層の少なくとも一部を介して積層されて積層コンデンサが構成されている。
【００２９】
本発明の別の特定の局面では、複数の内部電極が、前記絶縁性セラミック層の少なくとも一部を介して積層されてコンデンサを構成しているコンデンサ用内部電極と、互いに接続されて積層インダクタを構成しているコイル導体とが備えられる。
【００３０】
本発明のセラミック電子部品は、本発明に係るセラミック多層基板と、該セラミック多層基板上に実装されており、上記複数の内部電極と共に回路を構成している少なくとも１つの電子部品とを備える。
【００３１】
本発明に係るセラミック電子部品の特定の局面では、前記電子部品素子を囲繞するように前記セラミック多層基板に固定されたキャップがさらに備えられる。
該キャップとしては、好ましくは導電性キャップが用いられる。
【００３２】
本発明に係るセラミック電子部品の特定の局面では、前記セラミック多層基板の下面にのみ形成された複数の外部電極と、前記外部電極に電気的に接続されており、かつ前記内部電極または電子部品素子に電気的に接続された複数のスルーホール導体がさらに備えられる。
【００３３】
本発明に係る積層セラミック電子部品は、本発明に係る絶縁体磁器組成物からなるセラミック焼結体と、前記セラミック焼結体内に配置された複数の内部電極と、前記セラミック焼結体の外表面に形成されており、いずれかの内部電極に電気的に接続されている複数の外部電極とを備えることを特徴とする。
【００３４】
本発明に係る積層セラミック電子部品の特定の局面では、前記複数の内部電極がセラミック層を介して重なり合うように配置されており、それによってコンデンサユニットが構成されている。
【００３５】
本発明に係る積層セラミック電子部品のさらに特定の局面では、前記複数の内部電極が、前記コンデンサユニットを構成している内部電極に加えて、互いに接続されて積層インダクタユニットを構成している複数のコイル導体を有する。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、先ず、本発明に係る絶縁体磁器についての具体的な実施例を説明し、さらに、本発明に係るセラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品の構造的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３７】
原料粉末としてＭｇ（ＯＨ）2 粉末と、Ｂ2 Ｏ3 粉末とを用い、化学量論比組成でＭｇ3 Ｂ2 Ｏ6 またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 となるように上記両粉末を秤量し、１６時間湿式混合した後、乾燥した。乾燥された混合物を１４００℃で２時間仮焼した後粉砕した。上記のようにして、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 系セラミック粉末原料と、Ｍｇ2 Ｂ2 Ｏ5 系セラミック粉末原料とを用意した。以下においては、この２種のセラミック粉末原料を少なくとも１種を仮焼された原料として用いた。
【００３８】
次に、下記の表２に示すように、上記のようにして仮焼された原料２０〜８０重量％と、下記の表１に示す組成のガラス粉末（焼結助剤）と、ＺｎＯ及びＣｕＯを下記の表２に示すように適宜の割合で配合し、適量のバインダを加えて造粒した。造粒された試料番号１〜４６の各絶縁体磁器組成物を、２００ＭＰａの圧力の下で成形し、直径１２ｍｍ×厚さ７ｍｍの円柱状成形体を得た。
【００３９】
上記成形体を大気中で９００〜１０００℃の温度で２時間焼成し、表２及び表３の試料番号１〜４６の円柱状の各絶縁体磁器を得た。上記のようにして得た各円柱状絶縁体磁器の相対密度を下記の表２及び表３に示す。
【００４０】
また、各円柱状絶縁体磁器を用い、両端短絡型誘電体共振法により共振周波数（１５ＧＨｚ）における比誘電率εr 、及びＱ値を測定した。結果を下記の表２，表３に示す。
【００４１】
さらに、上記円柱状絶縁体磁器について、熱膨張係数をＪＩＳ  Ｒ１６１８に準じ測定した。結果を下記の表２，表３に示す。
【００４２】
【表１】
0003680714.tif 000002
【００４３】
【表２】
0003680714.tif 000003
【００４４】
【表３】
0003680714.tif 000004
【００４５】
試料番号２５〜３６，４３は、それぞれ、ガラスとして、本発明の範囲外にあるガラスＦ〜ＭまたはＱを用いているため、本発明の実施例に相当する残りの試料番号の絶縁体磁器に比べて、劣っていた。すなわち、試料番号２５〜２７で得られた絶縁体磁器では、Ｑ値が６００と低かった。また、試料番号２８，２９は、ガラスＨを用いているため、１０００℃以下で焼成できなかった。試料番号３０で得られた絶縁体磁器は、ガラスＩを用いているため、Ｑ値が６００と低かった。
【００４６】
試料番号３１で得られた絶縁体磁器は、ガラスＪを用いているため、Ｑ値が５５０と低かった。
試料番号３２，３３で得られた絶縁体磁器は、いずれもガラスＫを用いたためか、Ｑ値が３００及び２２０と低かった。
【００４７】
試料番号３４で得られた絶縁体磁器は、ガラスＬを用いたため、１０００℃以下で焼成できなかった。
試料番号３５，３６で得られた絶縁体磁器は、いずれもガラスＭを用いたため、Ｑ値が４００及び３００と低かった。
【００４８】
試料番号４３で得られた絶縁体磁器では、ガラスＱを用いたため、Ｑ値が６００と低かった。
これに対して、本発明の実施例に相当する他の試料番号の絶縁体磁器では、いずれも、本発明に係る絶縁体磁器組成物を用いて構成されているので、９００〜１０００℃の低温で焼成でき、得られた絶縁体磁器の相対密度は９７％以上であった。また、得られた絶縁体磁器の比誘電率は約７と低く、熱膨張係数が８〜１２ｐｐｍ／℃と高く、しかも周波数１５ＧＨｚにおけるＱ値が７００以上と高い値を示した。
【００４９】
従って、本発明によれば、１５ＧＨｚにおけるＱｆ値が１００００ＧＨｚ以上の絶縁体磁器を、低温焼成で得ることができる。また、得られた絶縁体磁器が高い熱膨張係数を有するので、本発明に係る絶縁体磁器組成物は、高い熱膨張係数を有する高誘電率材料と共焼結できる。
【００５０】
これに対して、本発明に属する絶縁体磁器では、１０００℃以下の低温で焼成した場合であっても、相対密度が９８％以上と高く、すなわち機械的強度に優れており（２００ＭＰａ以上）、さらに比誘電率が小さく、しかも測定周波数１０ＧＨｚにおけるＱ値は４００以上と高い値を示した。従って、高周波用電子部品に最適な低温で焼成し得る絶縁体磁器組成物を提供し得ることがわかる。
【００５１】
次に、本発明に係る絶縁体磁器を用いたセラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品の構造的な実施例を説明する。
図１は、本発明の一実施例としてのセラミック多層基板を含むセラミック電子部品としてのセラミック多層モジュールを示す断面図であり、図２はその分解斜視図である。
【００５２】
セラミック多層モジュール１は、セラミック多層基板２を用いて構成されている。
セラミック多層基板２では、本発明に係る絶縁体磁器組成物からなる絶縁性セラミック層３ａ，３ｂ間に、例えばチタン酸バリウムにガラスを加えてなる相対的に誘電率の高い誘電性セラミック層４が挟まれている。
【００５３】
誘電性セラミック層４内には、複数の内部電極５が誘電性セラミック層４の一を介して隣り合うように配置されており、それによって積層コンデンサユニットＣ１，Ｃ２が構成されている。
【００５４】
また、絶縁性セラミック層３ａ，３ｂ及び誘電性セラミック層４には、複数のビアホール電極６，６ａや内部配線が形成されている。
他方、セラミック多層基板２の上面には、電子部品素子９〜１１が実装されている。電子部品素子９〜１１としては、半導体デバイス、チップ型積層コンデンサなどの適宜の電子部品素子を用いることができる。上記ビアホール電極６及び内部配線により、これらの電子部品素子９〜１１と、コンデンサユニットＣ１，Ｃ２とが電気的に接続されて本実施例に係るセラミック多層モジュール１の回路を構成している。
【００５５】
また、上記セラミック多層基板２の上面には、導電性キャップ８が固定されている。導電性キャップ８は、セラミック多層基板２を上面から下面に向かって貫いているビアホール電極６に電気的に接続されている。また、セラミック多層基板２の下面に外部電極７，７が形成されており、外部電極７，７が上記ビアホール電極６，６ａに電気的に接続されている。また、他の外部電極については図示を省略しているが、上記外部電極７と同様に、セラミック多層基板２の下面にのみ形成されている。また、他の外部電極は、上述した内部配線を介して、電子部品素子９〜１１やコンデンサユニットＣ１，Ｃ２と電気的に接続されている。
【００５６】
このように、セラミック多層基板２の下面にのみ外部と接続するための外部電極７を形成することにより、セラミック積層モジュールを、下面側を利用してプリント回路基板などに容易に表面実装することができる。
【００５７】
また、本実施例では、キャップ８が導電性材料からなり、外部電極７にビアホール電極６ａを介して電気的に接続されているので、電子部品素子９〜１１を導電性キャップ８により電磁シールドすることができる。もっとも、キャップ８は、必ずしも導電性材料で構成されている必要はない。
【００５８】
本実施例のセラミック多層モジュール１では、上記絶縁性セラミック層３ａ，３ｂが本発明に係る絶縁体磁器を用いているので誘電率が低く、かつＱ値も高いので、高周波用途に適したセラミック多層モジュール１を提供することができる。加えて、上記絶縁性セラミック層３ａ，３ｂが機械的強度に優れているので、機械的強度においても優れたセラミック多層モジュール１を構成することができる。
【００５９】
なお、上記セラミック多層基板２は、周知のセラミック積層一体焼成技術を用いて容易に得ることができる。すなわち、先ず、本発明に係る絶縁体磁器材料を主体とするセラミックグリーンシートを用意し、内部電極５、外部配線及びビアホール電極６，６ａなどを構成するための電極パターンを印刷し、積層する。さらに、上下に絶縁性セラミック層３ａ，３ｂを形成するためのセラミックグリーンシート上に外部配線及びビアホール電極６，６ａを構成するための電極パターンを形成したものを適宜の枚数積層し、厚み方向に加圧する。このようにして得られた積層体を焼成することにより、容易にセラミック多層基板２を得ることができる。
【００６０】
図３〜図５は、本発明の第２の構造的な実施例としての積層セラミック電子部品を説明するための分解斜視図、外観斜視図及び回路図である。
図４に示すこの積層セラミック電子部品２０は、ＬＣフィルタである。セラミック焼結体２１内に、後述のようにインダクタンスＬ及び静電容量Ｃを構成する回路が構成されている。セラミック焼結体２１が、本発明に係る絶縁体磁器を用いて構成されている。また、セラミック焼結体２１の外表面には、外部電極２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂが形成されており、外部電極２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ間には、図５に示すＬＣ共振回路が構成されている。
【００６１】
次に、上記セラミック焼結体２１内の構成を、図３を参照しつつ製造方法を説明することにより明らかにする。
まず、本発明に係る絶縁体磁器材料に、有機ビヒクルを添加し、セラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーを、適宜のシート成形法により形成し、セラミックグリーンシートを得る。このようにして得られたセラミックグリーンシートを乾燥した後所定の大きさに打ち抜き、矩形のセラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍを用意する。
【００６２】
次に、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍに、ビアホール電極２８を構成するための貫通孔を必要に応じて形成する。さらに、導電ペーストをスクリーン印刷することにより、コイル導体２６ａ，２６ｂ、コンデンサ用内部電極２７ａ〜２７ｃ、コイル導体２６ｃ，２６ｄを形成すると共に、上記ビアホール２８用貫通孔に導電ペーストを充填し、ビアホール電極２８を形成する。
【００６３】
しかる後、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍを図示の向きに積層し、厚み方向に加圧し積層体を得る。
得られた積層体を焼成し、セラミック焼結体２１を得る。
【００６４】
上記のようにして得られたセラミック焼結体２１に、図４に示したように外部電極２３ａ〜２４ｂを、導電ペーストの塗布・焼き付け、蒸着、メッキもしくはスパッタリングなどの薄膜形成法等により形成する。このようにして、積層セラミック電子部品２０を得ることができる。
【００６５】
図３から明らかなように、コイル導体２６ａ，２６ｂにより、図５に示すインダクタンスユニットＬ１が、コイル導体２６ｃ，２６ｄによりインダクタンスユニットＬ２が構成され、内部電極２７ａ〜２７ｃによりコンデンサＣが構成される。
【００６６】
本実施例の積層セラミック電子部品２０では、上記のようにＬＣフィルタが構成されているが、セラミック焼結体２１が本発明に係る絶縁体磁器を用いて構成されているので、第１の実施例のセラミック多層基板２と同様に、低温焼成により得ることができ、従って内部電極としての上記コイル導体２６ａ〜２６ｃやコンデンサ用内部電極２７ａ〜２７ｃとして、銅、銀、金などの低融点金属を用いてセラミックスと一体焼成することができる。加えて、高周波におけるＱ値が高く、高周波用途に適したＬＣフィルタを構成することができる。また、上記絶縁体磁器の機械的強度が高いため、機械的強度においても優れたＬＣフィルタを提供することができる。
【００６７】
なお、上記第１，第２の構造的実施例では、セラミック多層モジュール１及びＬＣフィルタを構成する積層セラミック電子部品２０を例にとり説明したが、本発明に係るセラミック電子部品及び積層セラミック電子部品はこれらの構造に限定されるものではない。すなわち、マルチチップモジュール用セラミック多層基板、ハイブリッドＩＣ用セラミック多層基板などの各種セラミック多層基板、あるいはこれらのセラミック多層基板に電子部品素子を搭載した様々なセラミック電子部品、さらに、チップ型積層コンデンサやチップ型積層誘電体アンテナなどの様々なチップ型積層電子部品に適用することができる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明に係る絶縁体磁器組成物は、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 系セラミック粉末及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 系セラミック粉末の少なくとも１種と上記特定の組成のガラス粉末とを含むので、１０００℃以下の低温で焼成することができ、従って、銅や銀などの低融点金属からなる導体材料と同時に焼成することができる。よって、これらの導体材料を内部電極等に用いることができるので、本発明に係る絶縁体磁器組成物を、低温焼成により得ることができるセラミック多層基板に好適に用いることができ、かつセラミック多層基板などのコストを低減することができる。
【００６９】
加えて、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成することにより得られた絶縁体磁器は、高周波帯において高いＱ値及び低い比誘電率を示すので、高周波特性に優れている。また、この絶縁体磁器は、高熱膨張係数を有するので、本発明に係る絶縁体磁器組成物は、高熱膨張係数を有する高誘電率のセラミック材料と共焼結され得る。
【００７０】
本発明において、前記ガラス粉末が、ＢａＯ、ＳｒＯ及びＣａＯからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属酸化物を、２０重量％の割合でさらに含む場合は、ガラス粉末作製時の溶融温度を低下させることができ、本発明に係る絶縁体磁器組成物の調製コストを低減することができる。
【００７１】
また、前記ガラス粉末が、Ｌｉ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ及びＮａ2 Ｏからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ金属酸化物を、ガラス粉末全体の１０重量％以下の割合で含む場合には、同じくガラス粉末作製時の溶融温度を低下させることができ、ガラス粉末調製コストを低減することができると共に、Ｑ値の低下を抑制することができる。
【００７２】
さらに、前記絶縁体磁器組成物が、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１５重量％以下の割合で含む場合には、絶縁体磁器組成物の焼成温度を低下させることができると共に、緻密な焼結体を得ることを可能とする。
【００７３】
また、酸化銅をＣｕＯ換算で全体の３重量％以下の割合で含有する場合には、同じく焼成温度を低下させることができ、かつＱ値の高い絶縁体磁器を得ることができる。
【００７４】
前記セラミック粉末と前記ガラス粉末とが、重量比で、セラミック粉末：ガラス粉末＝２０：８０〜８０：２０の割合で含む場合には、より緻密な絶縁体磁器を得ることができ、かつガラス粉末の使用によりＱ値の低下を抑制することができる。
【００７５】
本発明に係る絶縁体磁器は、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成することにより得られるので、低温の焼成で得られ、従って、絶縁体磁器のコストを低減することができる。加えて、本発明に係る絶縁体磁器は、高周波において高いＱ値及び低い誘電率を示す。従って、例えばセラミック基板やセラミック多層基板に用いた場合、高周波特性に優れたセラミック基板やセラミック多層基板を提供することができる。
【００７６】
また、本発明に係る絶縁体磁器は高い熱膨張係数を有するので、本発明に係る絶縁体磁器組成物を高い熱膨張係数を発現する高誘電率のセラミック材料と共焼結でき、従って、本発明に係る絶縁体磁器は高誘電率のセラミック材料と共焼結により一体化した状態で得ることができるので、内部に高誘電率セラミック部分を有するセラミック多層基板などを容易に構成することができる。
【００７７】
本発明に係るセラミック多層基板は、本発明に係る絶縁体磁器からなる絶縁性セラミック層を含むセラミック板を備えるので、低温で焼成でき、内部電極構成材料としてＡｇやＣｕなどの低抵抗であり、かつ安価な金属を用いることができる。しかも、該絶縁性セラミック層は、誘電率が低く、Ｑ値が高いので、高周波用途に適したセラミック多層基板を提供し得る。また、上記のように上記絶縁性セラミック層が高い熱膨張係数を有するので、絶縁性セラミック層と隣接する部分を高い熱膨張係数を有する高誘電率材料などにより構成し、上記絶縁性セラミック層と高誘電率セラミック層とを一体焼結することができる。よって、高周波用途に適しているだけでなく、高誘電率部分を有するセラミック多層基板を容易にかつ安定に提供することができる。
【００７８】
セラミック多層基板において、絶縁性セラミック層の少なくとも片面に、該絶縁性セラミック層よりも高誘電率の第２のセラミック層が積層されている場合には、第２のセラミック層の組成及び積層形態を工夫することにより、強度や耐環境特性を、要求に応じて適宜調整することができる。
【００７９】
複数の内部電極が絶縁性セラミック層の少なくとも一部を介して積層されて積層コンデンサが構成されている場合には、本発明に係る絶縁体磁器の誘電率が低く、Ｑ値が高いので、高周波用途に適したコンデンサが構成される。
【００８０】
複数の内部電極が積層コンデンサを構成する複数の内部電極と、互いに接続されて積層インダクタを構成する複数のコイル導体とを有する場合には、本発明に係る絶縁体磁器が、誘電率が低く、高周波で高いＱ値を有するので、高周波用途に適した小型のＬＣ共振回路を容易に構成することができる。
【００８１】
本発明に係るセラミック多層基板上に少なくとも１つの電子部品素子が積層された本発明に係るセラミック電子部品では、上記電子部品素子とセラミック多層基板内の回路構成とを利用して、高周波用途に適した、小型の様々なセラミック電子部品を提供することができる。
【００８２】
電子部品素子を囲繞するようにセラミック多層基板にキャップが固定されている場合には、キャップにより電子部品素子を保護することができ、耐湿性等に優れたセラミック電子部品を提供することができる。
【００８３】
キャップとして導電性キャップを用いた場合には、囲繞されている電子部品素子を電磁シールドすることができる。
セラミック多層基板の下面にのみ外部電極が形成されている場合には、プリント回路基板などにセラミック多層基板の下面側から容易に表面実装することができる。
【００８４】
本発明に係る積層セラミック電子部品では、本発明に係る絶縁体磁器内に複数の内部電極が形成されているので、低温で焼成でき、内部電極構成材料としてＡｇやＣｕなどの低抵抗でありかつ安価な金属を用いることができる。しかも、絶縁体磁器においては、誘電率が低く、Ｑ値が高いので、高周波用途に適した積層コンデンサを提供し得る。
【００８５】
本発明に係る積層セラミック電子部品において、複数の内部電極が積層コンデンサを構成している場合には、本発明に係る絶縁体磁器の誘電率が低く、Ｑ値が高いので、高周波用途に適したコンデンサが得られる。
【００８６】
本発明に係る積層セラミック電子部品において、複数の内部電極が、積層コンデンサを構成している内部電極と、積層インダクタを構成しているコイル導体とを有する場合には、本発明に係る絶縁体磁器が、上記のように誘電率が低く、高周波で高いＱ値を有するので、高周波用途に適したＬＣ共振回路を容易に構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例としてのセラミック多層基板を用いたセラミック電子部品としてのセラミック積層モジュールを示す縦断面図。
【図２】図１に示したセラミック多層モジュールの分解斜視図。
【図３】本発明の第２の実施例の積層セラミック電子部品を製造するのに用いられたセラミックグリーンシート及びその上に形成されている電極パターンを説明するための分解斜視図。
【図４】本発明の第２の実施例に係る積層セラミック電子部品を示す斜視図。
【図５】図４に示した積層セラミック電子部品の回路構成を示す図。
【符号の説明】
１…セラミック積層モジュール
２…セラミック多層基板
３ａ，３ｂ…絶縁性セラミック層
４…第２のセラミック層としての誘電性セラミック層
５，５…内部電極
６，６ａ…ビアホール電極
７…外部電極
８…導電性キャップ
９〜１１…電子部品素子
２０…積層セラミック電子部品
２１…セラミック焼結体
２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ…外部電極
２６ａ〜２６ｄ…コイル導体
２７ａ〜２７ｃ…コンデンサ用内部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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