(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に、電気光学物質と、前記一対の基板間を電気的に導通をとるための上下導通材とを備え、
前記一対の基板の一方の基板上に、
前記基板上の一辺に備えられた外部接続端子と、走査線駆動回路と、
前記外部接続端子から延びる画像信号配線と、前記外部接続端子から延び、前記画像信号配線と並行して配置され、前記走査線駆動回路に接続される走査線駆動回路用信号配線と、前記外部接続端子から延び、前記画像信号配線と前記走査線駆動回路用信号配線との間に配置され、前記上下導通材に電気的に接続された対向電極電位配線とを備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記対向電極電位配線の幅は、隣接する前記画像信号配線と前記走査線駆動回路用信号配線の幅よりも広い部分を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記対向電極電位配線は、前記走査線駆動回路用信号配線の延在方向に、一対の基板に電気光学物質を封入するシール材に沿う延在部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記対向電極電位配線は、前記シール材の角部に沿って形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
画素に延在する走査線と前記走査線駆動回路との間を電気的に接続する引き出し配線を有し、前記対向電極電位配線は前記引き出し配線に沿って画素側に延在すると共に、前記引き出し配線の延在方向に対して交差することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記対向電極電位配線の前記引き出し配線の延在方向に対して交差する領域は、額縁としての遮光膜と重なることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下、適宜ＴＦＴと称す。）駆動、薄膜ダイオード（以下、適宜ＴＦＤと称す。）駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式やパッシブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質が封入されてなり、基板上には、複数の走査線及びデータ線が相交差するように配列されている。例えばＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の場合には、一方の基板上において、これらの走査線及びデータ線の各交点に対応して複数のＴＦＴ及び複数の画素電極が設けられ、走査線がＴＦＴのゲート電極に接続され、データ線がＴＦＴのソース電極に接続され、画素電極がＴＦＴのドレイン電極に接続される。他方の基板には、対向電極（共通電極）がその全面に形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
電気光学装置では、高画質化や小型化という一般的要請に沿うように、基板上において配線を微細化すると共に相隣接する画素電極間の間隔を狭くしつつ、画素開口率（画像表示領域において全体面積に対する、有効に画像が表示される領域の比率）を高めることが望まれている。
【０００４】
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、画素の微細化のために、外部接続端子からの配線に着目して適切なレイアウトを提供できる電気光学装置及び当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、外部接続端子から延びる画像信号配線と、外部接続端子から延び走査線駆動回路に接続される走査線駆動回路用信号配線と、外部接続端子から延び、前記画像信号配線と前記走査線駆動回路用信号配線との間に配置された、対向電極電位配線とを備えることを特徴とする。
【０００６】
また、本発明は、前記対向電極電位配線の幅は、隣接する前記画像信号配線と前記走査線駆動回路用信号配線の幅よりも広い部分を有すると良い。
【０００７】
また、前記対向電極電位配線は、前記走査線駆動回路用信号配線の延在方向に、一対の基板に電気光学物質を封入するシール材に沿う延在部を有すると良い。
【０００８】
また、前記対向電極電位配線は、前記シール材の角部に沿って形成されていると良い。
【０００９】
また、画素に延在する走査線と前記走査線駆動回路との間を電気的に接続する引き出し配線を有し、前記対向電極電位配線は前記引き出し配線に沿って画素側に延在すると共に、前記引き出し配線の延在方向に対して交差すると良い。
【００１０】
また、前記対向電極電位配線の前記引き出し配線の延在方向に対して交差する領域は、額縁としての遮光膜と重なると良い。
【００１１】
また、本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えると良い。
【００１２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、本発明の実施形態では、電気光学装置の一例として液晶装置を用いて説明する。
【００１４】
（液晶装置）
本発明による液晶装置の実施形態の構成及び動作について図１から図１１に基づいて説明する。
【００１５】
先ず、液晶装置の全体構成を図１及び図２を参照して説明する。尚、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、対向基板を含めて示す図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００１６】
図１において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２が対向基板２０の縁に沿って設けられており、その内側に並行して、遮光性の額縁５３としての第３遮光膜が設けられている。対向基板２０はシール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。尚、後述の走査線の信号遅延が問題にならない場合は、走査線駆動回路１０４は一辺のみに形成しても良い。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の両側に設けてもよいことは言うまでもない。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一個所において、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための上下導通材１０６が設けられている。
【００１７】
データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は配線により後述のデータ線及び走査線に各々電気接続されている。データ線駆動回路１０１には、図示しない制御回路から即時表示可能な形式に変換された画像信号が入力され、走査線駆動回路１０４がパルス的に走査線に順番にゲート電圧を送るのに合わせて、データ線駆動回路１０１は画像信号に応じた信号電圧をデータ線に送る。そして、データ線及び走査線の交点に対応する各画素部には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）タイプのＴＦＴであるので、ＴＦＴ３０の形成時に同一工程で、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を形成することも可能であり、製造上有利である。
【００１８】
図２において、電気光学物質としての液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が混入されている。また、対向基板２０の液晶層５０に面する側には、ブラックマトリクス等の第２遮光膜２３等が設けられている。
【００１９】
次に、液晶装置の画素領域における構成について、図３から図５を参照して説明する。図３は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の隣接した画素群の平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ’断面を対向基板等と共に示す液晶装置の一実施形態の断面図であり、図５は、図３のＣ−Ｃ’断面を対向基板等と共に示す液晶装置の断面図である。尚、図４及び図５においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２０】
図３において、液晶装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５ａを介して半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気接続されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気接続されている。また、半導体層１ａのうち後述のチャネル領域１ａ’（図中右下りの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されている。そして、図中右上がりの斜線で示した領域に画素部における第１遮光膜１１ａが設けられている。即ち第１遮光膜１１ａは、画素部において、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’を含むＴＦＴ、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂをＴＦＴアレイ基板の側から見て各々重なる位置に設けられている。
【００２１】
図３において特に、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂを含む太線で囲まれた網目状の領域においては、後述の第１層間絶縁膜が凹状に窪んで形成されており、それ以外の画素電極９ａにほぼ対応する領域においては、当該第１層間絶縁膜が相対的に凸状に形成されている。尚、第１層間絶縁膜を凹状に窪んで形成するのは、少なくともデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂの領域下に重なる一部分、或いは全ての領域を含むようにする。
【００２２】
図４及び図５に示すように、液晶装置１００は、透明な一方の基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な他方の基板の一例を構成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１９が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide)膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１９は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【００２３】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【００２４】
ＴＦＴアレイ基板１０には、図４に示すように、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御するＴＦＴ３０が設けられている。
【００２５】
対向基板２０には、更に図３及び図４に示すように、各画素の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けられている。このため、対向基板２０の側から投射光がＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’やソース側ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）（低濃度ソース）領域１ｂ及びドレイン側ＬＤＤ（低濃度ドレイン）領域１ｃに侵入することはない。更に、第２遮光膜２３は、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を有する。尚、第２遮光膜２３は、対向基板２０の側ではなく、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成してもよい。
【００２６】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１９及び２２により所定の配向状態を採る。
【００２７】
図４に示すように、ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０と各ＴＦＴ３０との間には、第１遮光膜１１ａが各々設けられている。第１遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われるＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。第１遮光膜１１ａが形成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’や低濃度ソースＬＤＤ領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに入射する事態を未然に防ぐことができ、光電流の発生によりＴＦＴ３０の特性が劣化することはない。
【００２８】
更に、第１遮光膜１１ａと複数のＴＦＴ３０との間には、第１絶縁膜１２及び第２絶縁膜１３から構成された第１層間絶縁膜１２’が設けられている。第１層間絶縁膜１２’は、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するために設けられるものである。更に、第１層間絶縁膜１２’は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴ３０のための下地膜としての機能をも有する。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等でＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００２９】
ここで特に図３及び図４に示すように、第１層間絶縁膜１２’は、ＴＦＴアレイ基板上の第１遮光膜１１ａが形成されている領域においては第１遮光膜１１ａ上に形成されており、第１遮光膜１１ａが形成されていない領域においてはＴＦＴアレイ基板１０上に設けられている。そして、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂに対向する部分が対向基板２０の側から見て凹状に窪んで形成されている。
【００３０】
本実施形態では特に、第１層間絶縁膜１２’は、単層部分と２層部分とから構成されており、第２絶縁膜１３の単層部分が薄くなって凹状に窪んだ部分とされており、第１絶縁膜１２及び第２絶縁膜１３の２層部分が厚くなって凹状に窪んでいない部分とされている。このように、第１層間絶縁膜１２’を構成すると、凹状に窪んだ部分における第１層間絶縁膜１２’の膜厚を、第２絶縁膜１３の膜厚として、比較的容易にして確実且つ高精度に制御できる。従って、この凹状に窪んだ部分における第１層間絶縁膜１２’の膜厚（即ち、第２絶縁膜１３の膜厚）を非常に薄くすることも可能となる。
【００３１】
以上の如く構成された第１層間絶縁膜１２’により、第１遮光膜１１ａからＴＦＴ３０等を電気的に絶縁し得ると共に第１遮光膜１１ａがＴＦＴ３０等を汚染する事態を未然に防げる。ここで特に、第１層間絶縁膜１２’は、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂに対向する部分が凹状に窪んで形成されているので、従来のように第１層間絶縁膜１２’を平らに形成してその上にこれらのＴＦＴ等を形成する場合と比較すると、凹状に窪んだ部分の深さに応じて、これらのＴＦＴ等が形成された領域と形成されていない領域との合計膜厚の差が減少し、画素部における平坦化が促進される。
【００３２】
例えば、この合計膜厚の差を実質的に零にするように凹状に窪んだ部分の深さを設定すれば、その後の平坦化処理を省略できる。或いは、この合計膜厚の差を多少なりとも減少させるように凹状に窪んだ部分の深さを設定すれば、その後の平坦化処理の負担を軽減できる。より好ましくは、第１層間絶縁膜１２’は、第１遮光膜１１ａ、半導体層１ａ、容量線３ｂ及びデータ線３ａの合計膜厚に対応した深さで凹状に窪んで形成される。このように第１層間絶縁膜１２’を構成すれば、データ線６ａの上面とこれに隣接した第２層間絶縁膜４の上面とをほぼ合わせることが出来、画素電極９ａを形成する前の画素部における平坦化が促進される。
【００３３】
但し、第１層間絶縁膜１２’は、第１遮光膜１１ａ、半導体層１ａ及び容量線３ｂの合計膜厚に対応した深さで凹状に窪んで形成されてもよい。このように第１層間絶縁膜１２’を構成すれば、第２層間絶縁膜４の上面をほぼ平坦に出来、画素電極９ａを形成する前の画素部における平坦化が促進される。或いは、第１層間絶縁膜１２’は、第１遮光膜１１ａ、半導体層１ａ及び容量線３ｂのうちの一つ又は２つに対向する領域のみが凹状に窪んで形成されてもよく、画素部における各種の平坦化方式が採用可能である。
【００３４】
尚、第１層間絶縁膜１２’を２層から構成せずに、単層から構成してもよい。このように単層から構成すれば、従来の場合と比較しても層の数を増加させる必要が無い。凹状に窪んだ部分とそうでない部分との膜厚を後述の製造プロセス中の説明にあるように、例えばエッチング時間管理により制御すれば、このような単層からなる第１層間絶縁膜が得られる。
【００３５】
再び図４において、第１層間絶縁膜１２’は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。
【００３６】
本実施形態では図３に示したように、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅは、データ線６ａに沿って延設されており、第１遮光膜１１ａは、データ線６ａの下にも設けられているので、データ線６ａに沿って延設された第１蓄積容量電極１ｆと第１遮光膜１１ａとの間で、第２絶縁膜１３を介して容量が形成される。この結果、データ線６ａの下という開口領域を外れたスペースを有効に利用して、画素電極９ａの蓄積容量を増やすことが出来る。
【００３７】
本実施形態では図３及び図５に示すように、第１層間絶縁膜１２’は、容量線３ｂの一部である第２蓄積容量電極に対向する部分も凹状に窪んで形成されているので、第１層間絶縁膜１２’の上方に容量線３ｂが配線されても、当該容量線３ｂが配線された領域における平坦化を図ることが出来る。そして、容量線３ｂに対向する部分における第１層間絶縁膜１２’の膜厚は非常に薄く（例えば、１００〜２００ｎｍ程度に）構成されており、且つ、第１遮光膜１１ａが容量線３ｂの下にも設けられているので、容量線３ｂの表面積を増やすことなく第２絶縁膜１３を介して対向配置された第１遮光膜１１ａと半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅから延設された第１蓄積容量電極１ｆとの間における容量を増やすことが出来る。即ち、全体として画素電極９ａの蓄積容量を増やすことが出来る。このように、特に画像表示領域中の限られた領域において各画素の開口領域を狭めないように蓄積容量を増加させることができるので大変有利である。
【００３８】
本実施形態では、好ましくは第１遮光膜１１ａは定電位線に電気接続されており、定電位とされる。従って、第１遮光膜１１ａに対向配置されるＴＦＴ３０に対し第１遮光膜１１ａの電位変動が悪影響を及ぼすことはない。この場合、定電位線の定電位としては、接地電位に等しくてもよいし、対向電極２１の電位に等しくてもよい。また、定電位線は、液晶装置１００を駆動するための周辺駆動回路（図１のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等）の負電源、正電源等の定電位源に接続されてもよい。
【００３９】
再び、図４において、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有しており、走査線３ａ、走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接続されている。低濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ソース領域１ｄ並びに低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｅは後述のように、半導体層１ａに対し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のｎ型用又はｐ型用の不純物イオンをドープすることにより形成されている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素子であるＴＦＴ３０として用いられることが多い。本実施形態では特にデータ線６ａは、Ａｌ等の金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の薄膜から構成されている。また、走査線３ａ、絶縁薄膜２及び第１層間絶縁膜１２’の上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５ａ及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。この高濃度ソース領域１ｄへのコンタクトホール５ａを介して、データ線６ａは高濃度ソース領域１ｄに電気接続されている。更に、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には、高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。この高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８を介して、画素電極９ａは高濃度ドレイン領域１ｅに電気接続されている。前述の画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。
【００４０】
ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００４１】
また、図４に示すＴＦＴ３０の構造において、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと高濃度ドレイン領域１ｅとの間に、絶縁薄膜２を介して同一の走査信号が供給される走査線３ａの一部からなる２つのゲート電極を直列抵抗となるように設けて、デユアルゲート（ダブルゲート）構造のＴＦＴとしてもよい。これにより、ＴＦＴ３０のリーク電流を低減することができる。また、デユアルゲート構造のＴＦＴを、上述のＬＤＤ構造、或いはオフセット構造を持つようにすれば、更にＴＦＴ３０のリーク電流を低減することができ、高いコントラスト比を実現することができる。また、デユアルゲート構造により、冗長性を持たすことができ、大幅に画素欠陥を低減できるだけでなく、高温動作時でも、リーク電流が低いため、高コントラスト比の画質を実現することができる。尚、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと高濃度ドレイン領域１ｅとの間に設ける走査線３ａの一部からなるゲート電極は３つ以上でもよいことは言うまでもない。
【００４２】
ここで、一般には、半導体層１ａのチャネル領域１a’、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ等に、光が入射すると光電変換効果により光電流が発生してしまいＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化するが、本実施形態では、走査線３ａを上側から覆うようにデータ線６ａがＡｌ等の遮光性の金属薄膜から形成されているので、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃへの入射光を効果的に防ぐことが出来る。また、前述のように、ＴＦＴ３０の下側には、第１遮光膜１１ａが設けられているので、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ドレイン領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃへの戻り光（即ち、図４で下側からの光）の入射を効果的に防ぐことが出来る。
【００４３】
また図５に示すように、画素電極９ａには蓄積容量７０が各々設けられている。この蓄積容量７０は、より具体的には、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅから延設されたポリシリコン膜からなる第１蓄積容量電極１ｆ、絶縁薄膜２と同一工程により形成される誘電体膜２’、走査線３ａと同一工程により形成される容量線３ｂ、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７、並びに第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を介して容量線３ｂに対向する画素電極９ａの一部から構成されている。このように蓄積容量７０が設けられているため、デューティー比が小さくても高精細な表示が可能とされる。容量線３ｂは、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の面上において走査線３ａと平行に設けられている。更に、本実施形態では、第１蓄積容量電極１ｆ下の第１層間絶縁膜１２’を薄膜化できるので、蓄積容量の増大を図ることが出来、画質品位の高い液晶装置が実現できる。
【００４４】
尚、図５に示すように、第１遮光膜１１ａを蓄積容量７０の配線として利用することも可能である。この場合、第１蓄積容量電極１ｆを容量線３ｂの一部からなる第２蓄積容量電極と第１遮光膜１１ａの一部からなる第３蓄積容量電極とで各々絶縁膜を介して上下から挟み込む構造とすることにより、少ない面積で効率良く容量を付加することが可能となる。
【００４５】
次に、液晶装置のシール領域における構成について、図６から図９を参照して説明する。図６は、引き出し配線が設けられたシール領域におけるＴＦＴアレイ基板の平面図であり、図７は、図６の引き出し配線部を拡大して示す拡大平面図であり、図８は、引き出し配線部の断面図である。また、図９は、図８のＤ−Ｄ’線に沿った断面図であり、画像信号線を横切って形成される各種の中継配線部の断面図である。尚、図９の各種中継配線は凹状に窪んだ部分に形成されている。
【００４６】
図６において、ＴＦＴ基板アレイ基板１０の周辺部に設けられた外部回路接続端子１０２からは、走査線駆動回路１０４に走査線駆動信号線１０５ａが配線されており、データ線駆動回路１０１とシール領域との間の領域に、Ｘ方向に複数の画像信号線１１５が配線されている。そして、データ線６ａの延長線上におけるシール領域下には、データ線駆動回路１０１からのサンプリング回路駆動信号線１１４の引き出し配線３０１ａ及び画像信号線１１５からの引き出し配線３０１ｂからなる引き出し配線（以下、“データ線側引き出し配線”と称する）３０１が設けられている。他方、走査線３ａの延長線上におけるシール領域下には、走査線駆動回路１０４からの走査線側引き出し配線４０１ａが設けられている。また、容量線３ｂから延設された引き出し配線４０１ｂを設けても良い。容量線３ｂは引き出し配線４０１ｂを介して走査線駆動回路１０４の負電源、正電源等の定電位源に接続すると、専用の定電位線を設ける必要がなるなり、有利である。これら引き出し配線４０１（以下、“走査線側引き出し配線”と称する。）に並べて、その端部に対向電極（共通電極）電位配線１１２を設置しても良い。この対向電極電位配線１１２は、上下導通端子１０６ａ及び上下導通材１０６を介して対向基板２０に形成された対向電極２１（図４及び図５参照）に接続されている。また、データ線駆動回路１０１に所定検査用の信号を入力するための検査端子１１１が、データ線駆動回路１０１に隣接して設けられている。
【００４７】
図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路１０３が設けられている。サンプリング回路１０３は、データ線６ａ毎に設けられた複数のスイッチング素子（例えば、ＴＦＴ）を備えており、複数のシリアル−パラレル変換された画像信号が複数の画像信号線１１５から中継配線１１６及び引き出し配線３０１ｂを介して各々入力されると、これを、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４及び引き出し配線３０１ａを介して供給されるサンプリング回路駆動信号のタイミングで各スイッチング素子によりサンプリングし、各データ線６ａに印加するように構成されている。また、サンプリング回路駆動信号線１１４と画像信号線１１５が層間絶縁膜を介して交差する部分は、中継配線１１６を用いて、サンプリング回路駆動信号線１１４と引き出し配線３０１ａを電気接続する。尚、サンプリング回路１０３に加えて、ＴＦＴアレイ基板１０上に、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４８】
図７に示すように、データ線側引き出し配線３０１は各々、Ｙ方向に延びており、幅Ｌを有し、相隣接する配線同士は間隔Ｓをおいて配列されている。そして、データ線側引き出し配線３０１は、データ線６ａと同じＡｌ膜から構成されており、図８（１）に示すように、データ線側引き出し配線３０１の下には、走査線３ａと同じポリシリコン膜から構成されたダミー配線３０２が設けられている。
【００４９】
尚、図６及び図７において、額縁５３としての第３遮光膜下には画像表示領域を構成する画素と同一構成を持つダミー画素が形成されている。液晶の配向不良領域等を隠すように設けられた額縁としての第３遮光膜５３下に表示用の画素を構成する必要は無いが、画像表示領域の縁付近の画素の特性安定化のために、このように画像表示領域の縁よりも外に所定幅だけダミー画素が設けられる。
【００５０】
他方、図６に示した走査線側引き出し配線４０１は各々、Ｘ方向に延びており、相隣接する配線同士は間隔をおいて配列されている。そして、走査線側引き出し配線４０１は、走査線３ａと同じポリシリコン膜から構成されており、図８（２）に示すように、走査線側引き出し配線４０１の上には、データ線６ａと同じＡｌ膜から構成されたダミー配線４０２が設けられている。
【００５１】
図８（１）及び図８（２）に示すように、本実施形態では特に、第１層間絶縁膜１２’は、シール領域においてデータ線側引き出し配線３０１及び走査線側引き出し配線４０１に対向する部分が凹状に窪んで形成されている。従って、ＴＦＴアレイ基板側のシール領域においてシール材５２に接する第３層間絶縁膜７の表面においてデータ線側引き出し配線３０１及び走査線側引き出し配線４０１上に形成される凸状の突出の高さは、当該凹状に窪んだ部分の深さに応じて低められており、同図に各々示したように、第３層間絶縁膜７の表面はほぼ平坦にされている。この結果、シール領域において、シール材５２に混入されたグラスファイバやガラスビーズ等のギャップ材３００を介してかかる応力は第３層間絶縁膜７の面上に一様に分散される。従って、前述の図２４及び図２５に示したように、ギャップ材３００により、各引き出し配線が断線したりショートしたりする可能性は大きく低減される。
【００５２】
更に、液晶層５０に面する画素領域の表面とシール材５２に面するシール領域の表面の高さの差も小さくなる。このため、従来のように、基板間ギャップよりも１μｍ程度小さい径を持つギャップ材を使用する必要が無くなり、基板間ギャップと同程度の径を持つギャップ材３００を使用することが可能となる。このことは、前述のように、画素の微細化による液晶層５０の配向不良を防ぐべく基板間ギャップを狭める場合に、大きな効果が期待できる。
【００５３】
そして、本実施形態では特に、シール領域において、データ線側引き出し配線３０１に対しては、ポリシリコン膜からなるダミー配線３０２が、第２層間絶縁膜４を介して積層形成されている。他方、走査線側引き出し配線４０１に対しては、Ａｌ膜からなるダミー配線４０２が第２層間絶縁膜４を介して積層形成されている。従って、画像表示領域の上下の辺におけるシール領域における第３層間絶縁膜７の表面の高さと、画像表示領域の左右の辺における第３層間絶縁膜７の表面の高さとは一致するので、シール材５２の全体に混入されるギャップ材３００による基板間ギャップの制御が安定なものとなる。
【００５４】
ここで、シール領域における合計膜厚の調整用のダミー配線３０２は、データ線側引き出し配線３０１に電気接続していてもよい。同様にダミー配線４０２は、走査線側引き出し配線４０１に電気接続していても良い。このような構成を採れば、配線の冗長が可能となる。また、電気的に浮遊していても問題はないし、第１遮光膜１１ａと同一工程で形成される導電膜を引き出し配線として利用してもよい。
【００５５】
本実施形態では、図７に示すように、第２層間絶縁膜４（図８（１）及び（２）参照）に開孔されたコンタクトホール３０５を介して更に、ダミー配線３０２は、データ線側引き出し配線３０１に電気接続されている。同様に、ダミー配線４０２は、走査線側引き出し配線４０１に電気接続されている。この結果、データ線側引き出し配線３０１及び走査線側引き出し配線４０１は各々２つの導電膜（Ａｌ膜及びポリシリコン膜）からなる冗長構造を有する。従って、例えば、シール領域下においてギャップ材３００による応力を受けてデータ線側引き出し配線３０１又は走査線側引き出し配線４０１が断線しても、或いは、ＴＦＴアレイ基板１０に垂直な方向にＡｌ膜が導電層が第２層間絶縁膜４を破ってポリシリコン膜にショートしても配線不良とならないで済むので有利である。
【００５６】
更に、図８（３）に示すように、図８（１）の構成に加えて、ダミー配線３０２の下に、第１遮光膜１１ａと同一のＷ（タングステン）等からなる遮光膜配線３０３を積層形成してもよい。この場合にも、遮光膜配線３０３を、第１層間絶縁膜１２’に設けられたコンタクトホールを介してダミー配線３０２及びデータ線側引き出し配線３０１に電気接続すれば、３つの導電膜からなる冗長構造が得られ、配線不良の可能性は、更に低減される。同時に、シール領域と画素領域との表面の高さの差を調整するために遮光膜配線３０３を利用することも出来る。従って、遮光膜配線３０３をデータ線側引き出し配線３０１の冗長配線としてでなく、専ら膜厚調節用の膜として電気的に浮遊させてもよいし、データ線６ａ以外の容量線３ｂや第１遮光膜１１ａ用の配線として用いることも出来る。尚、走査線側引き出し配線４０１も同様の構造で形成できることは言うまでもない。
【００５７】
尚、本実施形態では、図８（１）及び（２）に示したように、画素領域における凹状の窪みを形成する場合と同様に、凹状の窪みが形成される第１層間絶縁膜１２’を単層から構成してもよい。或いは、図８（３）に示したように、第１層間絶縁膜１２’を、第１絶縁膜１２のみの単層部分と第１及び第２絶縁膜１３の多層部分とから構成してもよい。
【００５８】
本実施形態では、図７に示すように、シール領域において、データ線側引き出し配線３０１及びこれに積層形成されたダミー配線３０２は、ストライプ状の平面パターンを備えており、相隣接する配線間に配線間隔Ｓに対応する光透過用の隙間が設けられている。従って、後述の液晶装置１００の製造工程において、光硬化性樹脂からなるシール材５２を用いた場合に、ＴＦＴアレイ基板１０を介して光を入射すれば、この積層構造における光透過用の隙間を通ってシール材５２に光を十分に照射することが出来る。従って、光硬化性樹脂からなるシール材５２を、両方の基板の側からの光により良好に光硬化させることが出来る。特に、このように光硬化できれば、熱硬化の場合と比べて余分な熱を液晶装置１００に与えなくて済むので、液晶装置１００の各構成要素の熱劣化を防いだり、熱歪みによる装置欠陥の発生を防いだり出来るので有利である。また、光照射の時間が少なくて済むため、配向膜にダメージを与えることがない。従って、液晶のティルト角が高いまま維持されるので、液晶の配向不良（ディスクリネーション）による画質劣化を防ぐことが出来る。
【００５９】
ところで、図６において、画像信号線１１５は、第２層間絶縁膜４上に形成されたＡｌ膜から構成されているため、これと交差するデータ線駆動回路１０１から引き出し配線３０１ａに至るサンプリング回路駆動信号線１１４は、Ａｌ膜から構成することはできない。このため、画像信号線１１５の下層又は上層等を通る図９の如き立体的な中継配線１１６が必要となる。また、中継配線１１６はできる限り時定数を下げる工夫が必要である。そこで以下に述べるような方式が考えられる。図９（１）〜（４）はそれぞれ図７のＤ−Ｄ’断面図である。
【００６０】
図９（１）において、第１導電膜１１６ａは、走査線３ａと同一のポリシリコン膜から構成されており、画像信号線１１５と交差するように第２層間絶縁膜４の下を通されている。そして、画像信号線１１５の両側において第２層間絶縁膜４に開孔されたコンタクトホールを介してサンプリング回路駆動信号線１１４と引き出し配線３０１ａとを各々電気接続するように構成されている。
【００６１】
図９（２）において、第２導電膜１１６ｂは、第１遮光膜１１ａと同一のＷ（タングステン）等の高融点金属膜あるいは合金膜等から構成されており、画像信号線１１５と交差するように第１層間絶縁膜１２’の下を通されている。そして、画像信号線１１５の両側において第１層間絶縁膜１２’及び第２層間絶縁膜４に開孔されたコンタクトホールを介して、サンプリング回路駆動信号線１１４と引き出し配線３０１ａとを各々電気接続するように構成されている。このような構成を採れば、中継配線１１６を低抵抗な高融点金属等で形成できるため、配線抵抗を下げることが可能となり、サンプリング回路駆動信号の遅延を招かない。従って、サンプリング回路において十分に画像信号を書き込むことができるため、画質品位の高い液晶装置を実現できる。また、サンプリング期間が短かくなっても、高速に画像信号を書き込むことができるため、高精細な液晶装置を実現することができる。
【００６２】
図９（３）において、中継配線１１６は、走査線３ａと同一のポリシリコン膜からなる第１導電膜１１６ａと第１遮光膜１１ａと同一のＷ（タングステン）等の高融点金属膜からなる第２導電膜１１６ｂとから構成されており、画像信号線１１５と交差するように第２層間絶縁膜４及び第１層間絶縁膜１２’の下を各々通されている。そして、画像信号線１１５の両側において第１層間絶縁膜１２’及び第２層間絶縁膜４に各々開孔されたコンタクトホールを介して、サンプリング回路駆動信号線１１４と引き出し配線３０１ａとを各々電気接続するように構成されている。このような構成を採れば、画像信号線１１５との上下層に第１層間絶縁膜１２’及び第２層間絶縁膜４を介して第１導電膜１１６ａ及び第２導電膜１１６ｂを形成するため、冗長構造が実現できる。また、第２導電膜１１６ｂは、低抵抗な高融点金属からなるため、配線抵抗を下げることが可能となり、サンプリング回路駆動信号の信号遅延を招かない。尚、第１導電膜１１６ａと第２導電膜１１６ｂとを直接に電気接続するようにしたが、第２導電膜１１６ｂとサンプリング回路駆動信号線１１４或いは引き出し配線３０１ａと直接に電気接続するようにしてもよい。
【００６３】
図９（４）において、中継配線１１６は、図９（３）の構成に加えて、第３層間絶縁膜７上に更に、少なくとも画素開口領域の一部を規定するための高融点金属等からなる導電性遮光膜からなる第３導電膜１１６ｃが、画像信号線１１５と交差するように通されており、その上に第４層間絶縁膜１１７が形成されている。そして、画像信号線１１５の両側において第３層間絶縁膜７に開孔されたコンタクトホールを介して、サンプリング回路駆動信号線１１４と引き出し配線３０１ａとを第１導電膜１１６ａと共に各々電気接続するように構成されている。このような構成を採れば、画像信号線１１５との上下層に第１層間絶縁膜１２’、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を介して中継配線１１６を第１導電膜１１６ａ、第２導電膜１１６ｂ、第３導電膜１１６ｃからなる３層で形成するため、更なる冗長構造が実現できる。また、第２導電膜１１６ｂ及び第３導電膜１１６ｃは、低抵抗な高融点金属からなるため、配線抵抗をなお一層下げることが可能となり、サンプリング回路駆動信号の信号遅延を招かない。尚、図７に示すように画像信号線１１５を複数設ける場合に、画像信号線１１５と引き出し配線３０１ｂを接続するための中継配線１１６を設ける必要がある。具体的に説明すると、画像信号線１１５と中継配線１１６はコンタクトホール３０５により電気接続され、他の画像信号線１１５の形成領域を層間絶縁膜を介して交差するように引き出し配線３０１ｂにコンタクトホール３０５により電気接続する。このように画像信号線１１５からの中継配線１１６も上述のサンプリング回路駆動信号線１１４の中継配線１１６と同様な構成を採ることで画像信号の遅延を最小限に抑えることができる。
【００６４】
次に、図１０を参照して、図６から図９に示したシール領域における基板間ギャップ（即ち、シール材５２の厚み）と、図３から図５に示した画素領域における基板間ギャップ（即ち、液晶層５０の厚み）とを、各種の形態について比較して説明する。尚、図１０では、走査線側引き出し配線４０１が通されたシール領域を画素領域と比較するが、図８（１）及び（２）に示したように、データ線側引き出し配線３０１が通されたシール領域の場合にも、同様である。
【００６５】
先ず、図１０（１）に示すように、従来はシール領域下に、主にデータ線６ａを構成するＡｌ膜並びに主に走査線３ａ及び容量線３ｂを構成するポリシリコン膜とから冗長構造を持つ引き出し配線４０１を設け、第１遮光膜１１ａと同一工程で形成される導電膜を設けず、且つ引き出し配線４０１を層間絶縁膜の凹状の窪みに埋め込まない場合を考える。この場合、シール領域の表面は、画素領域の表面と比較して、Ａｌ膜及びポリシリコン膜の分だけ高くなり且つ画素電極９ａを構成するＩＴＯ膜の分だけ低くなるので、シール領域における基板間ギャップＬ１は、画素領域における基板間ギャップＬ３よりも（例えば、６００〜８００ｎｍ程度）小さくなる。他方、この場合、シール領域の表面は、ＴＦＴ形成領域と比較して、第１遮光膜１１ａ、半導体層１ａ及び絶縁薄膜２の分だけ低くなるので、シール領域における基板間ギャップＬ１は、ＴＦＴ形成領域における基板間ギャップＬ２よりも大きくなる（Ｌ２＜Ｌ１＜Ｌ３）。
【００６６】
次に、図１０（２）に示すように、本実施形態ではシール領域下に、Ａｌ膜及びポリシリコン膜とから冗長構造を持つ引き出し配線４０１を設け、第１遮光膜と同一工程で形成される導電膜を設けず、且つ引き出し配線４０１を層間絶縁膜の凹状の窪みに埋め込んだ場合を考える。この場合、シール領域の表面は、図１０（１）の場合と比べて、凹状の窪みの深さの分だけ低くなるので、シール領域における基板間ギャップＬ１は、画素領域における基板間ギャップＬ３と等しくなる。そして、シール領域における基板間ギャップＬ１は、ＴＦＴ形成領域における基板間ギャップＬ２よりも大きくなる（Ｌ２＜Ｌ１＝Ｌ３）。
【００６７】
次に、図１０（３）に示すように、更に本実施形態ではシール領域下に、Ａｌ膜及びポリシリコン膜とから冗長構造を持つ引き出し配線４０１を設け、第１遮光膜１１ａと同一工程で形成される導電膜４０３を設け、且つ引き出し配線４０１を層間絶縁膜の凹状の窪みに埋め込んだ場合を考える。この場合、シール領域の表面は、図１０（２）の場合と比べて、導電膜４０３の分だけ高くなるが、その分だけ凹状の窪みの深さを深くしてあるので、シール領域における基板間ギャップＬ１は、画素領域における基板間ギャップＬ３と等しくなる。そして、シール領域における基板間ギャップＬ１は、ＴＦＴ形成領域における基板間ギャップＬ２ともほぼ等しくなる（Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３）。
【００６８】
以上図１０（２）、（３）に示したように、本実施形態では、層間絶縁膜に形成した凹状の窪みにデータ線側引き出し配線３０１及び走査線側引き出し配線４０１を埋め込むことにより、画素領域とシール領域とにおける基板間ギャップをほぼ等しく出来るので、図１０（１）に示す従来例のように、画素領域における基板間ギャップよりも１μｍ程度小さい径を持つギャップ材を使用する必要が無くなり、画素領域における基板間ギャップと同程度の径を持つギャップ材３００を使用することが可能となる。このことは、前述のように、画素の微細化による液晶の配向不良を防ぐべく基板間ギャップを狭める場合に、大きな効果が期待できる。即ち、基板間ギャップを４μｍから３μｍ或いは２μｍに狭めた場合に、従来のように、シール領域の表面が平坦化されていない場合には、２μｍ或いは１μｍの径を持つ非常に微少なギャップ材が必要となり、精度の高いギャップ制御は実際上極めて困難となるが、本実施形態のように、シール領域の表面が平坦化されていれば、基板間ギャップに等しい３μｍ或いは２μｍ程度の径を持つギャップ材で足りる。従って、比較的大きい径のギャップ材を用いて、精度の高いギャップ制御を行える。また、ギャップが狭まると、シール材に含有される光硬化性樹脂の接着力が著しく低下し、信頼性の低下を招くが、本実施形態では、シール領域下でも同程度のギャップが確保できるため、液晶装置の基板間の接着強度に支障をきたすことがない。
【００６９】
尚、この観点からは、図１１に示すように、第１層間絶縁膜１２’において、データ線側引き出し配線３０１に対向する部分に加えてデータ線側引き出し配線３０１に対向しない部分をも含めてシール領域全体を凹状に窪めて形成してもよい。このように構成しても、シール領域の表面の高さ（即ち、全体として凹状に窪んだシール領域内で複数のデータ線側引き出し配線３０１上に各々位置し、凸状に突出した部分の表面の高さ）と画素領域の高さの差は小さくなるので、基板間ギャップ（Ｌ３）と同程度の径（Ｌ１）を持つギャップ材３００を用いて、精度の高いギャップ制御を行える。
【００７０】
次に図１２を参照して、以上の実施形態における定電位線と第１遮光膜との電気接続について説明を加える。尚、図１２は、定電位線と第１遮光膜との接続の一例を示すＴＦＴアレイ基板上における配線の平面図である。
【００７１】
図１２に示すように本例では、走査線駆動回路１０４は画像表示領域の両側に設けられており、例えば定電位の負電源ＶＳＳＹが外部電源装置から外部回路接続端子及び定電位線５００を介して供給される。定電位線５００は、例えばデータ線６ａと同じＡｌ膜から形成されており、特に額縁５３としての第３遮光膜下において第３遮光膜５３に沿って配線された部分を含む。他方、第１遮光膜１１ａは、前述のように画像表示領域内において走査線３ａ、容量線３ｂ及びデータ線６ａに沿って引き回されており、第３遮光膜５３下において定電位線５００とコンタクトホール５０２を介して接続されている。このように、第３遮光膜５３下のデッドスペースを有効に使うことにより、他の配線（データ線６ａ、走査線３ａ等）を妨害しないように、定電位線５００と第１遮光膜１１ａとを第３遮光膜５３下でコンタクトホール５０２を介して接続することができる。尚、定電位線５００は、データ線駆動回路１０１の定電位の電源等を使用しても、何ら問題の無いことは言うまでもない。
【００７２】
尚、以上の実施形態において、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding)基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。
【００７３】
また、図１から図１１には示されていないが、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、 ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００７４】
次に以上のように構成された本実施形態の動作について図１及び図４を参照して説明する。
【００７５】
先ず、制御回路から画像信号を受けたデータ線駆動回路１０１は、この画像信号に応じたタイミング及び大きさで信号電圧をデータ線６ａに印加し、これと並行して、走査線駆動回路１０４は、所定タイミングで走査線３ａにゲート電圧をパルス的に順次印加し、ＴＦＴ３０は駆動される。これにより、ゲート電圧がオンとされた時点でソース電圧が印加されたＴＦＴ３０においては、高濃度ソース領域１ｄ及び低濃度ソース領域１ｂ、半導体層１ａに形成されたチャネル領域１ａ’並びに低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｅを介して画素電極９ａに電圧が印加される。そして、この画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間だけ蓄積容量７０（図５参照）により保持される。以上のように、画素電極９ａに電圧が印加されると、液晶層５０におけるこの画素電極９ａと対向電極２１とに挟まれた部分における液晶の配向状態が変化し、ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて投射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて投射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶装置１００からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。
【００７６】
特に本実施形態では、第１層間絶縁膜１２’はＴＦＴ３０や各種配線に対向する位置において凹状に窪んで形成されているので、液晶の配向不良が低減されている。そして、第１層間絶縁膜１２’はシール領域内のデータ線側引き出し配線３０１及び走査線側引き出し配線４０１に対向する位置においても、凹状に窪んで形成されているので、精度の良い基板間ギャップ制御により、液晶の配向不良が低減されている。これらの結果、最終的には、液晶装置１００により、高解像度且つ高コントラストで高画質の画像を表示することが可能となる。
【００７７】
以上説明した液晶装置１００は、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、３つの液晶装置１００がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、液晶装置１００においても第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に本実施形態の液晶装置を適用できる。更に、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を形成することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。
【００７８】
液晶装置１００では、従来と同様に投射光を対向基板２０の側から入射することとしたが、第１遮光膜１１ａが存在するので、ＴＦＴアレイ基板１０の側から投射光を入射し、対向基板２０の側から出射するようにしても良い。即ち、このように液晶装置１００を液晶プロジェクタに取り付けても、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに光が入射することを防ぐことが出来、高画質の画像を表示することが可能である。ここで、従来は、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側での反射を防止するために、反射防止用のＡＲ（Anti Reflection)被膜された偏光板を別途配置したり、ＡＲフィルムを貼り付ける必要があった。しかし、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面と半導体層１ａの少なくともチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃとの間に第１遮光膜１１ａが形成されているため、このようなＡＲ被膜された偏光板やＡＲフィルムを用いたり、ＴＦＴアレイ基板１０そのものをＡＲ処理した基板を使用する必要が無くなる。従って、本実施形態によれば、材料コストを削減でき、また偏光板貼り付け時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがなく大変有利である。また、耐光性が優れているため、明るい光源を使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏光変換して、光利用効率を向上させても、光によるクロストーク等の画質劣化を生じない。
【００７９】
尚、液晶装置１００において、ＴＦＴアレイ基板１０側における液晶分子の配向不良を更に抑制するために、第３層間絶縁膜７の上に更に平坦化膜をスピンコート等で塗布してもよく、又はＣＭＰ処理を施してもよい。或いは、第３層間絶縁膜７を平坦化膜で形成してもよい。本実施形態では、図８から図１０等に示したように、第１層間絶縁膜１２’の凹状の窪みによりＴＦＴ３０や各種配線が形成された部分とそれ以外の部分とが殆ど同じ高さとされるため、このような平坦化処理は一般に必要でないが、より高品位の画像を表示するために、このように最上層部において更なる平坦化を行う場合にも、平坦化膜を非常に薄くできたり、平坦化処理を僅かに加えるだけで済むので本実施形態は、大変有利である。尚、ＴＦＴアレイ基板１０に溝を形成し、ＴＦＴ３０や各種配線を溝の中に形成しても同様の効果を得られる。
【００８０】
また、液晶装置１００の各画素のスイッチング素子は、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、本実施形態は有効である。
【００８１】
更に、液晶装置１００の各画素のスイッチング素子として、ＴＦＴに変えて、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子等の２端子型非線形素子を用いてもよい。この場合には、走査線及びデータ線のうちの一方を対向基板に設けてストライプ状の対向電極とし、他方を素子アレイ基板に設けて、各ＴＦＤ素子等を介して各画素電極に接続するように構成すればよい。或いは、液晶装置１００の各画素にスイッチング素子を設けることなく、パッシブマトリクス型の液晶装置として構成してもよい。あるいは、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス等さまざまな電気光学装置として構成してもよい。これらの場合にも、シール領域下における引き出し配線部を平坦化する構成を採れば、配線不良を防ぐことができると共に基板間ギャップを精度良く制御できる。
【００８２】
更に、液晶装置１００においては、一例として液晶層５０をネマティック液晶から構成したが、液晶を高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜１９及び２２、並びに前述の偏光フィルム、偏光板等が不要となり、光利用効率が高まることによる液晶装置の高輝度化や低消費電力化の利点が得られる。更に、画素電極９ａをＡｌ等の反射率の高い金属膜から構成することにより、液晶装置１００を反射型液晶装置に適用する場合には、電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されたＳＨ（スーパーホメオトロピック）型液晶などを用いても良い。更にまた、液晶装置１００においては、液晶層５０に対し垂直な電界（縦電界）を印加するように対向基板２０の側に対向電極２１を設けているが、液晶層５０に平行な電界（横電界）を印加するように一対の横電界発生用の電極から画素電極９ａを各々構成する（即ち、対向基板２０の側には縦電界発生用の電極を設けることなく、ＴＦＴアレイ基板１０の側に横電界発生用の電極を設ける）ことも可能である。このように横電界を用いると、縦電界を用いた場合よりも視野角を広げる上で有利である。その他、各種の液晶材料（液晶相）、動作モード、液晶配列、駆動方法等に本実施形態を適用することが可能である。
【００８３】
（液晶装置の製造プロセス）
次に、以上のような構成を持つ液晶装置１００の製造プロセスについて図１３から図１９を参照して説明する。尚、図１３から図１６は各工程におけるＴＦＴアレイ基板１０側の各層を図４のＡ−Ａ’断面に対応させて示す工程図であり、図１７から図１９は各工程におけるシール領域下のデータ線側引き出し配線３０１に積層される各層を示す工程図である。そして、両図に記された工程（１）〜工程（１７）は、ＴＦＴアレイ基板１０上の相異なる部分における同一の工程として各々一括して行われるものである。
【００８４】
先ず、図１３から図１６を参照して、図４のＡ−Ａ’断面に対応するＴＦＴ３０を含む部分の製造プロセスについて説明する。
【００８５】
図１３の工程（１）に示すように、石英基板、ハードガラス等のＴＦＴアレイ基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておくと良い。
【００８６】
このように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは約２００ｎｍの膜厚の遮光膜１１を形成する。
【００８７】
続いて、工程（２）に示すように、該形成された遮光膜１１にフォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより、第１遮光膜１１ａを形成する。
【００８８】
次に工程（３）に示すように、第１遮光膜１１ａの上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１絶縁膜１２（２層の第１層間絶縁膜１２’の下層）を形成する。この第１絶縁膜１２の膜厚は、例えば、約８００〜１２００ｎｍとする。
【００８９】
次に工程（４）に示すように、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂを上方に形成する予定の領域に対して、エッチングを行い、この領域における第１絶縁膜１２を除去する。ここで、エッチングを反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングで処理した場合、フォトリソグラフィにより形成したレジストマスクとほぼ同じサイズで異方的に第１層間絶縁膜１２が除去できるため、設計寸法通りに容易に制御できる利点がある。一方、少なくもとウエットエッチングを用いた場合には、等方性のため、第１層間絶縁膜１２の開孔領域が広がるが、開孔部の側壁面をテーパ状に形成できるため、後工程の例えば走査線３ａを形成するためのポリシリコン膜やレジストが、開孔部の側壁周囲にエッチングや剥離されずに残ってしまうことがなく、歩留まりの低下を招かない。尚、第１層間絶縁膜１２の開孔部の即壁面をテーパ状に形成する方法としては、ドライエッチングで一度エッチングしてから、レジストマスクを後退させて、再度ドライエッチングを行ってもよい。
【００９０】
また、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂのうちの全部でなく一部（例えば、容量線３ｂ部分）のみを凹状に窪んだ部分に埋め込むのであれば、当該埋め込む配線等に対応するマスクを用いて第１絶縁膜１２に対してエッチングを行うようにする。
【００９１】
次に工程（５）に示すように、第１遮光膜１１ａ及び第１絶縁膜１２の上に、第１絶縁膜１２と同様に、シリケートガラス膜、又は窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２絶縁膜１３（２層の第１層間絶縁膜１２’の上層）を形成する。この第２絶縁膜１３の膜厚は、例えば、約１００〜２００ｎｍとする。第２絶縁膜１３に対し、約９００℃のアニール処理を施すことにより、汚染を防ぐと共に平坦化してもよい。
【００９２】
本実施形態では特に、第１層間絶縁膜を形成する第１絶縁膜１２及び第２絶縁膜１３の膜厚は、後に画素電極９ａが形成される前に画素領域がほぼ平坦になるように設定される。
【００９３】
次に工程（６）に示すように、第２絶縁膜１３の上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施することにより、ポリシリコン膜１を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１０００オングストロームの厚さとなるまで固相成長させる。この際、ｎチャネル型のＴＦＴ３０を作成する場合には、Ｓｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素の不純物イオンを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。また、ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素の不純物イオンを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。尚、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜１を直接形成しても良い。或いは、減圧ＣＶＤ法等により形成したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモルファス化）し、その後アニール処理等により再結晶化させてポリシリコン膜１を形成しても良い。
【００９４】
次に図１４の工程（７）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図８に示した如き所定パターンの半導体層１ａを形成する。
【００９５】
次に工程（８）に示すように、半導体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約３０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化膜を形成し、更に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５０ｎｍの比較的薄い厚さに形成し、多層構造を持つ絶縁薄膜２を形成する。この結果、半導体層１ａの厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁薄膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くすることにより、特に８インチ程度の大型基板を使用する場合に熱によるそりを防止することができる。但し、ポリシリコン膜１を熱酸化することのみにより、単一層構造を持つ絶縁薄膜２を形成してもよい。
【００９６】
次に工程（９）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜３を形成した後、Ｐを熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化する。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜３の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。
【００９７】
工程（１０）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図８に示した如き所定パターンの走査線３ａ及び容量線３ｂを形成する。走査線３ａ及び容量線３ｂの膜厚は、例えば、約３５０ｎｍとされる。
【００９８】
但し、走査線３ａ及び容量線３ｂを、ポリシリコン膜ではなく、ＷやＭｏ等の高融点金属膜又は金属シリサイド膜から形成してもよいし、若しくはこれらの金属膜又は金属シリサイド膜とポリシリコン膜を組み合わせて多層に形成してもよい。この場合、走査線３ａを、第２遮光膜２３が覆う領域の一部又は全部に対応する遮光膜として配置すれば、金属膜や金属シリサイド膜の持つ遮光性により、第２遮光膜２３の一部或いは全部を省略することも可能となる。この場合特に、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との貼り合わせずれによる画素開口率の低下を防ぐことが出来る利点がある。
【００９９】
次に工程（１１）に示すように、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、ｐ型の半導体層１ａに、先ず低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａを拡散マスクとして、ＰなどのＶ族元素の不純物イオン２００を低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１３／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ’となる。
【０１００】
続いて、図１５の工程（１２）に示すように、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａの一部からなるゲート電極よりも幅の広いマスクでレジスト層２０２を走査線３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素の不純物イオン２０１を高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１５／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。また、ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合、ｎ型の半導体層１ａに、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、ＢなどのIII族元素の不純物イオンを用いてドープする。このようにＬＤＤ構造とした場合、ショートチャネル効果を低減できる利点が得られる。尚、例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。
【０１０１】
これらの工程と並行して、ｎチャネル型ポリシリコンＴＦＴ及びｐチャネル型ポリシリコンＴＦＴから構成される相補型構造を持つデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上の周辺部に形成する。このように、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａをポリシリコン膜で形成すれば、ＴＦＴ３０の形成時に同一工程で、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を形成することができ、製造上有利である。
【０１０２】
次に工程（１３）に示すように、走査線３ａを覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４を形成する。第２層間絶縁膜４の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。
【０１０３】
次に工程（１４）に示すように、半導体層１ａを活性化するために約１０００℃のアニール処理を２０分程度行った後、データ線６ａに対するコンタクトホール５ａを、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。この際、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチングのような異方性エッチングにより、コンタクトホール５ａを開孔した方が、開孔形状をマスク形状とほぼ同じにできるという利点がある。但し、ドライエッチングとウエットエッチングとを組み合わせて開孔すれば、コンタクトホール５ａをテーパ状にできるので、配線接続時の断線を防止できるという利点が得られる。また、走査線３ａを図示しない配線と接続するためのコンタクトホールも、コンタクトホール５ａと同一の工程により第２層間絶縁膜４に開ける。
【０１０４】
次に工程（１５）に示すように、第２層間絶縁膜４の上に、スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜６として、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３００ｎｍに形成し、更に工程（１６）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、データ線６ａを形成する。
【０１０５】
次に図１６の工程（１７）に示すように、データ線６ａ上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜７を形成する。第３層間絶縁膜７の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。
【０１０６】
本実施形態では、特に図１３の工程（４）及び（５）により、ＴＦＴ３０や各種配線部分において、第１層間絶縁膜が凹状に窪んで形成されているため、この工程（１７）を終えた段階で、画素領域の表面はほぼ平坦となる。尚、より平坦にするためには、第３層間絶縁膜７を構成するシリケートガラス膜に代えて又は重ねて、有機膜やＳＯＧ（Spin On Glass）をスピンコートして、若しくは又はＣＭＰ処理を施して、平坦な膜を形成してもよい。
【０１０７】
次に工程（１８）に示すように、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを電気接続するためのコンタクトホール８を、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。この際、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチングのような異方性エッチングにより、コンタクトホール８を開孔した方が、開孔形状をマスク形状とほぼ同じにできるという利点が得られる。但し、ドライエッチングとウエットエッチングとを組み合わせて開孔すれば、コンタクトホール８をテーパ状にできるので、配線接続時の断線を防止できるという利点が得られる。
【０１０８】
次に工程（１９）に示すように、第３層間絶縁膜７の上に、スパッタリング等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜９を、約５０〜２００ｎｍの厚さに形成し、更に工程（２０）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、画素電極９ａを形成する。尚、当該液晶装置１００を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを形成してもよい。
【０１０９】
続いて、画素電極９ａの上にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、図４に示した配向膜１９が形成される。
【０１１０】
他方、図４に示した対向基板２０については、ガラス基板等が先ず用意され、第２遮光膜２３及び額縁としての第３遮光膜５３が、例えば金属クロムをスパッタリングした後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成される。尚、第２遮光膜２３及び第３遮光膜５３は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。
【０１１１】
また、第３層間絶縁膜７上に高融点金属等からなる遮光膜を形成し、前記第２遮光膜２３及び第３遮光膜５３をＴＦＴアレイ基板１０上に設けてもよい。このような構成を採れば、ＴＦＴアレイ基板１０上で開口領域が規定されるため、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との貼り合わせ精度を無視することができる。従って、液晶装置の透過率がばらつかないため、歩留まりの低下を招かない。
【０１１２】
その後、対向基板２０の全面にスパッタリング等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに形成することにより、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される。
【０１１３】
最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１９及び２２が対面するように、所定径（例えば、３μｍ程度の径）を持つグラスファイバ又はガラスビーズ等からなるギャップ材３００が所定量だけ混入されたシール材５２により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される。
【０１１４】
次に、図１７から図１９を参照して、シール領域下のデータ線側引き出し配線３０１に積層される各層（図８（３）参照）の製造プロセスについて説明する。尚、走査線側引き出し配線４０１は、データ線側引き出し配線３０１と同様に構成されており、従って以下に説明する製造プロセスと同様の製造プロセスにより製造される。
【０１１５】
図１７の工程（１）から図１９の工程（１７）は、前述した図１３の工程（１）から図１６の工程（１７）と同一の製造プロセスとして行われる。
【０１１６】
即ち、図１７の工程（１）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に遮光膜１１を形成した後、工程（２）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により遮光配線３０３を形成する。
【０１１７】
次に工程（３）に示すように、遮光配線３０３の上に、第１絶縁膜１２（２層の第１層間絶縁膜１２’の下層）を形成し、工程（４）に示すように、データ線側引き出し配線３０１を上方に形成する予定の領域に対して、エッチングを行い、この領域における第１絶縁膜１２を除去する。ここで、前記エッチングを反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングで処理した場合、フォトリソグラフィにより形成したレジストマスクとほぼ同じサイズで異方的に第１絶縁膜１２が除去できるため、設計寸法通りに容易に制御できる利点がある。一方、少なくもとウエットエッチングを用いた場合には、等方性のため、第１絶縁膜１２の開孔領域が広がるが、開孔部の側壁面をテーパー状に形成できるため、後工程の例えば走査線３ａを形成するためのポリシリコン膜３やレジストが、開孔部の側壁周囲にエッチングや剥離されずに残ってしまうことがなく、歩留まりの低下を招かない。尚、第１絶縁膜１２の開孔部の側壁面をテーパー状に形成する方法としては、ドライエッチングで一度エッチングしてから、レジストマスクを後退させて、再度ドライエッチングを行ってもよい。また、ドライエッチングとウェットエッチングを組み合わせてもよいことは言うまでもない。
【０１１８】
その後、工程（５）に示すように、遮光配線３０３及び第１絶縁膜１２の上に、第２絶縁膜１３（２層の第１層間絶縁膜１２’の上層）を形成する。
【０１１９】
次に工程（６）に示すように、薄膜トランジスタを生成するために第２絶縁膜１３上にアモルファスシリコン膜を形成した後、ポリシリコン膜１を固相成長させるが、このシール領域には、半導体層１ａは不要であるので、図１７の工程（７）に示すように、エッチング工程等により、ポリシリコン膜１はこのシール領域では全て除去される。尚、上記工程（５）から（７）の間に、遮光配線３０３を、データ線側引き出し配線３０１用の冗長配線とする場合には、遮光配線３０３の上方においてコンタクトホールを第２絶縁膜１３に開ける。尚、引き出し配線３０１をデータ線６ａから延設したＡｌ膜等から直接形成してもよい。
【０１２０】
次に、画素部に対する工程（８）の熱酸化が終了するのを待って、工程（９）に示すように、ポリシリコン膜３を形成した後、工程（１０）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、所定パターンのダミー配線３０２を走査線３ａと同一層から形成する。従って、ダミー配線３０２の膜厚は、走査線３ａと同じく、例えば、約３５０ｎｍとされる。
【０１２１】
次に図１７の工程（１１）及び図１８の工程（１２）に示すように、不純物イオンをドープしてダミー配線３０２を低抵抗化する。
【０１２２】
次に工程（１３）に示すように、ダミー配線３０２を覆うように、第２層間絶縁膜４を形成する。尚、工程（１４）のエッチング工程においては、ダミー配線３０２を、データ線側引き出し配線３０１用の冗長配線とする場合には、ダミー配線３０２の上方においてコンタクトホールを第２層間絶縁膜４に開孔する。
【０１２３】
次に工程（１５）に示すように、第２層間絶縁膜４の上に、スパッタリング等により、Ａｌ等を金属膜６として形成した後に、工程（１６）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、データ線側引き出し配線３０１を形成する。
【０１２４】
次に工程（１７）に示すように、データ線側引き出し配線３０１上を覆うように、第３層間絶縁膜７を形成する。
【０１２５】
本実施形態では、特に図１６の工程（４）及び（５）により、データ線側引き出し配線３０１部分において、第１層間絶縁膜が凹状に窪んで形成されているため、この工程（１７）を終えた段階で、画素領域の表面はほぼ平坦となる。
【０１２６】
尚、以上の本実施形態における液晶装置の製造方法によれば、第１遮光膜１１ａと定電位線とを接続するためのコンタクトホールとして、第１遮光膜１１ａに至るまで第２層間絶縁膜４及び第１絶縁膜１３（第１層間絶縁膜の上層）が開孔され、同時に、ＴＦＴ３０とデータ線６ａとを接続するためのコンタクトホール５ａとして、半導体層１ａに至るまで第２層間絶縁膜４が開孔される。従って、これら２種類のコンタクトホールを一括して開孔できるので、製造上有利である。例えば、選択比を適当な値に設定してのウエットエッチングにより、このような２種類のコンタクトホールを各々所定の深さとなるように一括して開孔することが可能となる。特に、第１層間絶縁膜の凹状に窪んだ部分の深さに応じて、これらのコンタクトホールを開孔する工程が容易となる。第１遮光膜１１ａと定電位線５００を接続するためのコンタクトホール開孔工程（フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等）が削除できるので、工程増による製造コストの増大や歩留まりの低下を招かない。
【０１２７】
以上説明したように本実施形態における製造プロセスによれば、凹状に窪んだ部分における第１層間絶縁膜１２’の膜厚を、第２絶縁膜１３の膜厚の管理により、比較的容易にして確実且つ高精度に制御できる。従って、この凹状に窪んだ部分における第１層間絶縁膜１２’の膜厚を非常に薄くすることも可能となる。
【０１２８】
尚、第１層間絶縁膜を単層から構成する場合には、図１３及び図１７に各々示した工程（３）、（４）及び（５）に若干の変更を加えて、各工程を行えばよい。即ち、工程（３）において、第１遮光膜１１ａ或いは遮光配線３０３の上に、例えば、約１０００〜１５００ｎｍといったように若干厚めの単層の第１層間絶縁膜を形成し、工程（４）において、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂ並びにデータ線側引き出し配線３０１を上方に形成する予定の領域に対して、エッチングを行い、この領域における第１層間絶縁膜を１００〜２００ｎｍ程度の厚みを残すようにする。そして、工程（５）を省略する。このように第１層間絶縁膜１２’を単層から構成すれば、従来の場合と比較しても層の数を増加させる必要が無く、凹状に窪んだ部分とそうでない部分との膜厚をエッチング時間管理により制御すれば平坦化を図れるので便利である。
【０１２９】
（電子機器）
次に、上記に説明した実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の実施形態について図２０から図２３を参照して説明する。
【０１３０】
先ず図２０には、上述の液晶装置１００を備えた電子機器の概略構成を示す。
【０１３１】
図２０において、電子機器は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、シリアル−パラレル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。
【０１３２】
次に図２１から図２３に、このように構成された電子機器の具体例を各々示す。
【０１３３】
図２１において、電子機器の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶表示モジュールを３個用意し、各々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに各々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１３４】
本実施形態では特に、遮光膜がＴＦＴの下側にも設けられているため、当該液晶装置１００からの投射光に基づく液晶プロジェクタ内の投射光学系による反射光、投射光が通過する際のＴＦＴアレイ基板の表面からの反射光、他の液晶装置から出射した後にダイクロイックプリズム１１１２を突き抜けてくる投射光の一部等が、戻り光としてＴＦＴアレイ基板の側から入射しても、画素電極のスイッチング用のＴＦＴ等のチャネル領域に対する遮光を十分に行うことができる。このため、小型化に適したプリズムを投射光学系に用いても、各液晶装置のＴＦＴアレイ基板とプリズムとの間において、戻り光防止用のＡＲフィルムを貼り付けたり、偏光板にＡＲ被膜処理を施したりすることが不要となるので、構成を小型且つ簡易化する上で大変有利である。
【０１３５】
図２２において、電子機器の他の例たるマルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００がトップカバーケース内に備えられており、更にＣＰＵ、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組み込まれた本体１２０４を備えている。
【０１３６】
また図２３に示すように、駆動回路１００４や表示情報処理回路１００２を搭載しない液晶装置１００の場合には、駆動回路１００４や表示情報処理回路１００２を含むＩＣ１３２４がポリイミドテープ１３２２上に実装されたＴＣＰ（Tape  Carrier  Package）１３２０に、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して物理的且つ電気的に接続して、液晶装置として、生産、販売、使用等することも可能である。
【０１３７】
以上図２１から図２３を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが図２０に示した電子機器の例として挙げられる。
【０１３８】
以上説明したように、本実施形態によれば、製造効率が高く高品位の画像表示が可能な液晶装置１００を備えた各種の電子機器を実現できる。
【０１３９】
【本願発明の他の課題】
従来、この種の電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質が封入されてなり、基板上には、複数の走査線及びデータ線が相交差するように配列されている。例えばＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の場合には、一方の基板上において、これらの走査線及びデータ線の各交点に対応して複数のＴＦＴ及び複数の画素電極が設けられ、走査線がＴＦＴのゲート電極に接続され、データ線がＴＦＴのソース電極に接続され、画素電極がＴＦＴのドレイン電極に接続される。他方の基板には、対向電極（共通電極）がその全面に形成される。
【０１４０】
このように走査線、データ線、画素電極、対向電極等が形成された両基板間には、シール材により囲まれた空間に電気光学物質、例えば液晶が封入され、液晶層が形成される。シール材は、両基板をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤である。ここで封入される電気光学物質は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合したものであり両基板表面に形成された配向膜の間で９０度等の所定角度だけ捩じれた配向状態をとる。仮に、液晶の厚みが電気光学物質の性質に応じて予め設定された適当な値範囲に入っていなければ、安定して所定角度だけ捩じれた配向状態をとることはできず、液晶の配向不良の原因、即ち画質低下の原因となる。従って、液晶等の電気光学物質の厚みを規定する基板間ギャップを制御することが、電気光学装置を製造する上で重要課題となる。
【０１４１】
そこで従来は、次のように基板間ギャップを制御している。
【０１４２】
先ず、例えば、直視型の液晶ディスプレイ用の１０インチ程度の比較的大型の電気光学装置の場合には、画像表示領域に表示される画像はそのまま視認されるので、電気光学物質である液晶中に微少な不純物を混入しても、液晶の配向不良による視認できる程度の白抜けの原因とはならない。このため、液晶中に数μｍ程度の所定径を持つグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）を入れて、基板間ギャップを制御している。
【０１４３】
また、例えば液晶プロジェクタに用いられる液晶ライトバルブ用の１インチ程度の比較的小型の電気光学装置の場合には、画像が拡大投影される。従って、上述のように液晶中にギャップ材を入れてしまうと、ギャップ材による液晶の配向不良箇所も拡大投影されて、拡大後の表示画面において白抜けとして視認されてしまう。このため、液晶中ではなく前述したシール材中にギャップ材を入れて、基板間ギャップを制御している。逆に、このような小型の電気光学装置であれば、画像表示領域の周囲に位置するシール材により接着された領域（以下、“シール領域”という）において基板間ギャップを制御すれば、画像表示領域における基板間ギャップを制御することも可能となるのである。
【０１４４】
ところで、前述の走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路やデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路は、シール材により囲まれた液晶封入領域の外側に設けられるのが一般的である。従って、シール領域下には、走査線やデータ線の延設方向に配置された引き出し配線が通されることになる。より具体的には、シール領域下にある基板や、層間絶縁膜上などにＡｌ（アルミニウム）等の金属膜や低抵抗のポリシリコン膜などからなる引き出し配線が設けられる。
【０１４５】
従って、シール領域下では、シール材に接する最上層の表面（例えば、画素電極形成用の第３層間絶縁膜の表面や配向膜の表面）において、各引き出し配線が通る箇所が凸状に突出している。更に、このシール領域の表面は、引き出し配線の厚みに応じて、各画素領域において液晶に接する最上層の表面（例えば、配向膜の表面）と比較して高くなっており、シール領域の表面と各画素領域の表面との間には段差が発生している。例えば、Ａｌ膜等からなるデータ線は３００〜４００ｎｍ程度の厚みがあり、ポリシリコン膜等からなる走査線も、３００〜４００ｎｍ程度の厚みがあり、画素領域における層構成は基本的にこれらの配線がなく且つ画素電極を構成するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜がある点で主に相違するので、この段差は、これらの配線の合計厚である約６００〜８００ｎｍ程度にもなる。
【０１４６】
この結果、前述のようにシール材にギャップ材を混入する場合、基板間ギャップを例えば４μｍ程度にするためには、ギャップ材の径は、これよりも段差の分だけ小さい例えば３μｍ程度とする必要がある。
【０１４７】
電気光学装置では、高画質化や小型化という一般的要請に沿うように、基板上において配線を微細化すると共に相隣接する画素電極間の間隔を狭くしつつ、画素開口率（画像表示領域において全体面積に対する、有効に画像が表示される領域の比率）を高めることが望まれている。
【０１４８】
しかしながら、このように配線の微細化が進むに連れて、各引き出し配線の機械的強度は低下する。しかるに、基板間ギャップを制御するためのギャップ材は前述のようにファイバ状やビーズ状であり、シール材により両基板を一体に保とうとする力は、シール領域下における基板面全体に均等に係るのではなく、線状領域（ファイバ状の場合）や点状領域（ビーズ状の場合）に対してギャップ材による応力が集中してかかることになる。
【０１４９】
より具体的には、図２４（ａ）は、シール領域の配線３０１の平面図を示し、図２４（ｂ）は図２４（ａ）ののＡ−Ａ’断面図に示すように円柱状（棒状）のグラスファイバ等のファイバ状のギャップ材３００を、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の間のシール材５２に混入させてギャップ制御を行うとする。この場合、上述の如く微細化されて幅Ｌ１を持つ引き出し配線３０１に層間絶縁膜を介して、幅Ｌ２（但し、Ｌ２＞Ｌ１）を持つギャップ材３００が載ることになる。すると、個々のギャップ材３００の載り方によっては、図２４（ｂ）のように、ギャップ材３００が１本の引き出し配線３０１を跨いだり、これに近い状態となったりする。すると、ギャップ材３００の側線に沿った線状領域に応力集中が起こるので、引き出し配線３０１は比較的容易に断線してしまうのである。
【０１５０】
また、別の例として、図２５（ａ）はシール領域の引き出し配線３０１の平面図を示し、図２５（ｂ）は図２５（ａ）のＢ−Ｂ’断面図に示すように球状のガラスビーズやシリカボールからなるビーズ状のギャップ材３００’を、シール材５２に混入させてギャップ制御を行うとする。この場合、上述の如く微細化されて幅Ｌ１を持つ引き出し配線３０１に層間絶縁膜を介して、球状のギャップ材３００’が載ることになる。すると、図２５（ｂ）のように、ギャップ材３００’の接点における点状領域に応力集中が起こるので、引き出し配線３０１は比較的容易に突き破られたり、特に引き出し配線３０１下に絶縁膜を介して他の引き出し配線が存在している場合などには、断線せずとも当該絶縁膜を局所的に突き破ってショートする可能性が高くなってしまうのである。
【０１５１】
以上のように配線の微細化に伴って、シール領域下において凸状に突出した箇所をなす引き出し配線部分は、その上に載せられたファイバ状やビーズ状のギャップ材による応力集中に耐え切れなくなり、断線やショートなどの配線不良を引き起こす可能性が高くなるという問題点がある。
【０１５２】
他方、相隣接する画素電極間の間隔が狭くなると、横方向電界（基板の面に沿った方向の電界）の増加による液晶の配向不良（ディスクリネーション）が発生するようになる。これを防ぐには、基板間ギャップを狭めて縦方向電界（基板面に垂直な方向の電界）を相対的に強めれば良い。しかしながら、前述のシール領域と各画素領域との段差により、画素領域における基板間ギャップを、例えば４μｍ程度から３μｍ程度に狭めるためには、ギャップ材の径を３μｍ程度から２μｍ程度に小さくする必要性が生じる。ところが、このように小さな径のギャップ材を精度良く作成することは現在の当該技術分野では極めて困難である。また、ギャップが狭まると、シール材に含まれる光硬化性樹脂の接着力が低下してしまう。この結果、仮に基板間ギャップをこのように狭めると、ギャップ制御が困難となると共にギャップ材のコスト増加や接着強度の低下を招くという問題点が生じる。更に、画素領域における基板間ギャップを、例えば４μｍ程度から１μｍ程度に狭めると、ギャップ材の径を３μｍ程度から０μｍ程度に小さくする必要性が生じ、即ち、シール材にギャップ材を混入する技術そのものが成り立たなくなるという問題点も生じる。
【０１５３】
そこで、シール領域下における配線不良を低減すると共に、基板間ギャップを精度良く制御できる電気光学装置及びその製造方法並びに当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することが望ましい。
【０１５４】
電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質が封入され、該基板の該電気光学物質に面する側に相交差して配列された複数のデータ線及び複数の走査線と、前記基板を相互に接着するギャップ材混入のシール材と、前記シール材の形成領域において前記データ線及び走査線の少なくとも一方の延設方向に配置された複数の引き出し配線と、前記基板と前記引き出し配線との間に配置された凹状に窪んだ領域を有する層間絶縁膜とを備えており、前記引き出し配線は、前記シール材の形成領域において前記層間絶縁膜の凹状に窪んだ領域に形成されていることを特徴とする。
【０１５５】
この電気光学装置によれば、一対の基板は相互に接着されており、シール材に混入されたギャップ材により、基板間のギャップは制御されている。従って、データ線及び走査線によりマトリクス駆動される所定層厚の電気光学物質を備えた、例えばＴＦＴ駆動、ＴＦＤ駆動等のアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置或いはパッシブマトリクス駆動方式の電気光学装置として構成される。ここで、層間絶縁膜は、シール領域において引き出し配線に対向する部分が凹状に窪んで形成されている。従って、データ線や走査線が形成された基板側のシール領域においてシール材に接する層間絶縁膜等の最上層の表面（以下、単に“シール領域の表面”という）において引き出し配線上に形成される当該引き出し配線の厚みによる凸状の突出の高さは、当該凹状に窪んだ部分の深さに応じて低められることになる。即ち、シール領域の表面における平坦化が図られる。従って、平坦化されたシール領域上でシール材に混入されたギャップ材を介してかかる応力は面上に一様に分散される。従って、前述の図２４及び図２５に示したような引き出し配線が断線したりショートしたりする可能性は大きく低減される。また、このシール領域の表面における高さの差を実質的に零にせずに、多少なりとも小さくすれば、同様の作用により、引き出し配線が断線したりショートしたりする可能性は多少なりとも低減される。
【０１５６】
更に、データ線や走査線が形成された基板側の各画素領域において電気光学物質に接する例えば、配向膜等の最上層の表面（以下、単に“画素領域の表面”という）は、前述のようにシール領域の表面のうち引き出し配線上に位置しない部分と殆ど同じ高さを持つので、このようにシール領域の表面を平坦化すると、画素領域の表面とシール領域の表面の高さの差も小さくなる。このため、従来のように、基板間ギャップよりも１μｍ程度小さい径を持つギャップ材を使用する必要が無くなり、基板間ギャップと同程度の径を持つギャップ材を使用することが可能となる。このことは、前述のように、画素の微細化による液晶の配向不良を防ぐべく基板間ギャップを狭める場合に、大きな効果が期待できる。
【０１５７】
また、電気光学装置は、前記複数のデータ線及び複数の走査線は、前記基板のうちの一方に設けられており、該一方の基板上に、前記各データ線及び前記各走査線に接続された薄膜トランジスタと、  該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記一方の基板の側から見て各々重なる位置に設けられた遮光膜と、前記走査線に平行に配設され前記画素電極に所定容量を各々付与する容量線とを更に備えており、前記層間絶縁膜は、前記一方の基板上の前記遮光膜が形成されている領域においては前記遮光膜上に且つ前記遮光膜が形成されていない領域においては前記一方の基板上に設けられており、前記薄膜トランジスタ、前記データ線、前記走査線及び前記容量線のうち少なくとも一つに対向する部分が前記基板のうちの他方の側から見て凹状に窪んで形成された第１層間絶縁膜を含み、該第１層間絶縁膜は、前記シール領域において前記引き出し配線に対向する部分が凹状に窪んで形成されたことを特徴とする。
【０１５８】
この電気光学装置によれば、遮光膜は、複数のＴＦＴの少なくともチャネル領域を一方の基板の側から見て覆う位置において一方の基板に設けられている。従って、一方の基板の側からの戻り光等が当該チャネル領域に入射する事態を未然に防ぐことができ、光電流の発生によりＴＦＴの特性が劣化することはない。そして、第１層間絶縁膜は、一方の基板及び遮光膜の上方に設けられている。従って、遮光膜からＴＦＴ等を電気的に絶縁し得ると共に遮光膜がＴＦＴ等を汚染する事態を未然に防げる。ここで特に、第１層間絶縁膜は、ＴＦＴ、データ線、走査線及び容量線のうち少なくとも一つに対向する部分が他方の基板の側から見て凹状に窪んで形成されているので、従来のように第１層間絶縁膜を平らに形成してその上にこれらのＴＦＴ等を形成する場合と比較すると、凹状に窪んだ部分の深さに応じて、これらのＴＦＴ等が形成された領域と形成されていない領域との合計膜厚の差が減少し、画素部における平坦化が促進される。即ち、従来のように、画素領域における平坦化膜のスピンコート等による塗布、平坦化された絶縁膜の形成等の工程を、省略又は簡略化できる。
【０１５９】
また、電気光学装置は上記課題を解決するために、前記シール領域において、前記データ線の延設方向に配置されたデータ線側引き出し配線をなす金属膜に対しては、前記走査線をなす導電性のポリシリコン膜及び導電性の前記遮光膜の少なくとも一方が前記層間絶縁膜を介して積層形成されていると共に、前記走査線の延設方向に配置された走査線側引き出し配線をなす前記ポリシリコン膜に対しては、前記金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方が前記層間絶縁膜を介して積層形成されていることを特徴とする。
【０１６０】
この電気光学装置によれば、シール領域において、前記データ線の延設方向に配置されたデータ線側引き出し配線は、例えばＡｌ（アルミニウム）等の金属膜から構成されており、走査線の延設方向に配置された走査線側引き出し配線は、導電性のポリシリコン膜から構成されており、遮光膜は、Ｗ（タングステン）等の高融点金属膜から構成されている。ここで、シール領域において、データ線側引き出し配線は、一般に画像表示領域のデータ線の延設方向に沿った上下の辺から引き出されており、走査線側引き出し配線は、一般に画像表示領域の走査線の延設方向に沿った左右の辺から引き出されている。従って、仮にデータ線側引き出し配線をなす金属膜と、走査線側引き出し配線をなすポリシリコン膜との厚みが相異なれば、画像表示領域の上下の辺におけるシール領域の表面の高さと左右の辺におけるシール領域の表面の高さとが相異なるので、シール材の全体に混入されるギャップ材による基板間ギャップの制御が不安定なものとなってしまう。そこで、本発明では、データ線側引き出し配線に対しては、走査線側をなす導電性のポリシリコン膜を積層し、他方、走査線側引き出し配線に対しては、データ線をなす金属膜を積層する。すると、画像表示領域の上下の辺におけるシール領域の表面の高さと左右の辺におけるシール領域の表面の高さとは一致するので、シール材の全体に混入されるギャップ材による基板間ギャップの制御が安定なものとなる。
【０１６１】
更に、本発明では、遮光膜から延設された引き出し配線が画像表示領域の左右の辺又は上下の辺におけるシール領域下で、走査線又はデータ線側引き出し配線に積層された形で設けられる場合には、当該遮光膜の引き出し配線が設けられていない辺側のシール領域下にも遮光膜を積層する。すると、遮光膜の引き出し配線がある場合にも、画像表示領域の上下の辺におけるシール領域の表面の高さと左右の辺におけるシール領域の表面の高さとは一致するので、シール材の全体に混入されるギャップ材による基板間ギャップの制御が安定なものとなる。
【０１６２】
また、電気光学装置は、前記データ線の延設方向に配置された前記データ線側引き出し配線をなす前記金属膜は、積層形成された前記ポリシリコン膜及び前記遮光膜の少なくとも一方とコンタクトホールを介して電気接続されており、前記データ線引き出し配線の少なくとも一部は、前記金属膜と共に前記ポリシリコン膜及び前記遮光膜の少なくとも一方からなる冗長構造を有することを特徴とする
。
【０１６３】
この電気光学装置によれば、データ線側引き出し配線をなす金属膜に積層形成された導電性のポリシリコン膜及び遮光膜の少なくとも一方は、コンタクトホールを介してデータ線側引き出し配線に電気接続されており、データ線は、積層された２つ又は３つの導電膜からなる冗長構造を有する。従って、例えば、シール領域下においてギャップ材による応力を受けて配線が断線しても、或いは、基板に垂直な方向に一つの導電膜が層間絶縁膜を破って他の導電膜にショートしても配線不良となる可能性は非常に低くなる。
【０１６４】
また、電気光学装置は上記課題を解決するために、前記走査線側引き出し配線をなす前記ポリシリコン膜は、積層形成された前記金属膜及び前記導電性の遮光膜の少なくとも一方とコンタクトホールを介して電気接続されており、前記走査線側引き出し配線の少なくとも一部は、前記ポリシリコン膜と共に前記金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方からなる冗長構造を有することを特徴とする。
【０１６５】
この電気光学装置によれば、走査線側引き出し配線をなす導電性のポリシリコン膜に積層形成された金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方は、コンタクトホールを介して走査線側引き出し配線に電気接続されており、走査線は、積層された２つ又は３つの導電膜からなる冗長構造を有する。
【０１６６】
また、電気光学装置は上記課題を解決するために、前記データ線側引き出し配線をなす前記金属膜に対して積層形成された前記ポリシリコン膜及び前記遮光膜の少なくとも一方は、前記シール領域において前記基板を介して入射される光がシール材に透過可能なように網目状又はストライプ状の平面パターンを備えており、前記走査線側引き出し配線をなす前記ポリシリコン膜に対して積層形成された前記金属膜及び前記遮光膜の少なくとも一方は、前記シール領域において前記基板を介して入射される光がシール材に透過可能なように網目状又はストライプ状の平面パターンを備えたことを特徴とする。
【０１６７】
この電気光学装置によれば、シール領域において、データ線側引き出し配線に対して積層形成された導電性のポリシリコン膜及び遮光膜の少なくとも一方は、網目状又はストライプ状の平面パターンを備えているので、当該電気光学装置の製造工程において、光硬化性樹脂等の光硬化性材料からなるシール材を用いた場合に、基板を介して光を入射すれば、この積層構造における網目の間或いはストライプの間を通ってシール材に光を照射することが出来る。従って、光硬化性樹脂等からなるシール材を良好に光硬化させることが出来る。
【０１６８】
また、電気光学装置は上記課題を解決するために、前記遮光膜は、定電位源に接続されていることを特徴とする。
【０１６９】
この電気光学装置によれば、遮光膜は定電位源に接続されているので、遮光膜は定電位とされる。従って、遮光膜に対向配置されるＴＦＴに対し遮光膜の電位変動が悪影響を及ぼすことはない。
【０１７０】
また、電気光学装置は上記課題を解決するために、前記層間絶縁膜は、単層から構成されていることを特徴とする。
【０１７１】
この電気光学装置によれば、層間絶縁膜を単層から構成すればよいので、従来の場合と比較しても層の数を増加させる必要が無く、凹状に窪んだ部分とそうでない部分との膜厚を制御すれば、当該層間絶縁膜が得られる。
【０１７２】
また、電気光学装置は上記課題を解決するために、前記層間絶縁膜は、単層部分と多層部分とから構成されており、前記単層部分が前記凹状に窪んだ部分とされており、前記多層部分が前記凹状に窪んでいない部分とされていることを特徴とする。
【０１７３】
この電気光学装置によれば、単層部分が凹状に窪んだ部分とされているので、凹状に窪んだ部分における層間絶縁膜の膜厚を、単層部分の膜厚として、比較的容易にして確実且つ高精度に制御できる。従って、この凹状に窪んだ部分における層間絶縁膜の膜厚を非常に薄くすることも可能となる。
【０１７４】
また、電気光学装置は上記課題を解決するために、前記層間絶縁膜は、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜から構成されていることを特徴とする。
【０１７５】
この電気光学装置によれば、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜により、遮光膜からＴＦＴ等を電気的に絶縁できると共に遮光膜からの汚染を防止できる。しかも、このように構成された層間絶縁膜は、ＴＦＴの下地膜に適している。
【０１７６】
また、電気光学装置は上記課題を解決するために、前記遮光膜は、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）及びＰｂ（鉛）のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする。
【０１７７】
この電気光学装置によれば、遮光膜は、不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、例えば、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成されるため、ＴＦＴアレイ基板上の遮光膜形成工程の後に行われるＴＦＴ形成工程における高温処理により、遮光膜が破壊されたり溶融しないようにできる。
【０１７８】
また、電気光学装置は上記課題を解決するために、前記ギャップ材は、前記基板間のギャップに対応する所定径を持つグラスファイバ及びガラスビーズのいずれか一方からなることを特徴とする。
【０１７９】
この電気光学装置によれば、グラスファイバ或いはガラスビーズがギャップ材としてシール材中に混入されているので、シール領域の表面に対して、線状領域や点状領域の応力集中が起きる。しかし、シール領域の表面における引き出し配線の厚みに起因した凸状の突出は、層間絶縁膜の凹状に窪んだ部分の深さに応じて平坦化されている。このため、当該応力集中により引き出し配線が断線したりショートしたりする可能性は低減される。
【０１８０】
また、電気光学装置は上記課題を解決するために、前記層間絶縁膜の凹状に窪んだ側壁部分はテーパ状に形成されていることを特徴とする。
【０１８１】
この電気光学装置によれば、層間絶縁膜の凹状に窪んだ側壁部分はテーパ状に形成されているので、電気光学装置の製造工程において、この凹状に窪んだ部分内に引き出し配線をフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により形成し、更にその上に絶縁膜や導電膜等の他の膜を積層する際に、この凹状に窪んだ部分内に残る電極残り等のエッチング後の残留物を低減することが出来る。このため、所定パターンの引き出し配線を的確に凹状に窪んだ部分内に形成することできる。
【０１８２】
また、電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、前記一方の基板上の所定領域に前記遮光膜を形成する工程と、前記一方の基板及び遮光膜上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンをフォトリソグラフィで形成する工程と、該レジストパターンを介して所定時間のエッチングを行い前記凹状に窪んだ部分を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【０１８３】
この電気光学装置の製造方法によれば、先ず、一方の基板上の所定領域に遮光膜が形成され、一方の基板及びこの遮光膜上に絶縁膜が形成される。次に、該絶縁膜に凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンが、フォトリソグラフィで形成され、その後、ドライエッチング又はウエットエッチングが、このレジストパターンを介して所定時間だけ行われて、凹状に窪んだ部分が形成される。従って、ドライエッチング又はウエットエッチングの時間管理により、凹状に窪んだ部分の深さや膜厚を制御できる。特にウエットエッチングを行えば、凹状に窪んだ側壁部分にテーパ形状を設けることが出来るので便利である。
【０１８４】
また、電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、前記一方の基板上の所定領域に前記遮光膜を形成する工程と、前記一方の基板及び遮光膜上に第１絶縁膜を形成する工程と、該第１絶縁膜に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンをフォトリソグラフィで形成する工程と、該レジストパターンを介してエッチングを行い前記凹状に窪んだ部分に対応する前記第１絶縁膜を除去する工程と、前記一方の基板及び第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【０１８５】
この電気光学装置の製造方法によれば、先ず、一方の基板上の所定領域に遮光膜が形成され、一方の基板及びこの遮光膜上に第１絶縁膜が形成される。次に、この第１絶縁膜に、凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンが、フォトリソグラフィで形成され、その後、ドライエッチング又はウエットエッチングが、このレジストパターンを介して行われて、凹状に窪んだ部分に対応する第１絶縁膜が除去される。その後、一方の基板及びこの第１絶縁膜上に第２絶縁膜が形成される。この結果、凹状に窪んだ部分における第１層間絶縁膜の膜厚を、第２絶縁膜の膜厚の管理により、比較的容易にして確実且つ高精度に制御できる。この場合にもウエットエッチングを行えば、凹状に窪んだ部分にテーパを設けることが出来るので便利である。
【０１８６】
本発明の電子機器によれば、電子機器は、上述した本願発明の電気光学装置を備えているので、信頼性が高いと共に液晶の配向状態が良く、高品位の画像表示が可能な液晶プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ページャ等の様々な電子機器を実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】  図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】  本発明による液晶装置の実施形態に備えられる、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板上の隣接する画素群の平面図である。
【図４】  図1のＡ−Ａ’断面を対向基板等と共に示す液晶装置の実施形態の断面図である。
【図５】  図1のＣ−Ｃ’断面を対向基板等と共に示す液晶装置の断面図である。
【図６】  シール領域に形成されたデータ線及び走査線側引き出し配線部分を拡大して示す拡大平面図である。
【図７】  シール領域に形成されたデータ線側引き出し配線部分を更に拡大して示す拡大平面図である。
【図８】  シール領域下に形成された引き出し配線部における液晶装置のＴＦＴアレイ基板側の断面図である。
【図９】  図７のＤ−Ｄ’断面におけるサンプリング回路駆動信号線用の中継配線の各種態様を示す断面図である。
【図１０】  シール領域と画素領域における基板間ギャップを各種の層構造の場合について比較する、液晶装置のシール領域及び画素領域における断面図である。
【図１１】  本実施形態の変形例でのシール領域と画素領域における基板間ギャップを比較する、液晶装置のシール領域及び画素領域における断面図である。
【図１２】  本実施形態の定電位線と第１遮光膜との接続の一例を示すＴＦＴアレイ基板上における配線の平面図である。
【図１３】  液晶装置の実施形態の製造プロセスを図４に示した部分について順を追って示す工程図（その１）である。
【図１４】  液晶装置の実施形態の製造プロセスを図４に示した部分について順を追って示す工程図（その２）である。
【図１５】  液晶装置の実施形態の製造プロセスを図４に示した部分について順を追って示す工程図（その３）である。
【図１６】  液晶装置の実施形態の製造プロセスを図４に示した部分について順を追って示す工程図（その４）である。
【図１７】  液晶装置の実施形態の製造プロセスを図８（３）に示した部分について順を追って示す工程図（その１）である。
【図１８】  液晶装置の実施形態の製造プロセスを図８（３）に示した部分について順を追って示す工程図（その２）である。
【図１９】  液晶装置の実施形態の製造プロセスを図８（３）に示した部分について順を追って示す工程図（その３）である。
【図２０】  本発明による電子機器の実施形態の概略構成を示すブロック図である。
【図２１】  電子機器の一例としての液晶プロジェクタを示す断面図である。
【図２２】  電子機器の他の例としてのパーソナルコンピュータを示す正面図である。
【図２３】  電子機器の一例としてのＴＣＰを用いた液晶装置を示す斜視図である。
【図２４】  ギャップ材（グラスファイバ）による、従来の基板間ギャップの制御を示す液晶装置のシール領域の平面図及び断面図である。
【図２５】  ギャップ材（ガラスビーズ）による、従来の基板間ギャップの制御を示す液晶装置のシール領域の平面図及び断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
３ａ…走査線
３ｂ…容量線
４…第２層間絶縁膜
５ａ…コンタクトホール
６ａ…データ線
７…第３層間絶縁膜
８…コンタクトホール
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…第１遮光膜
１２’…第１層間絶縁膜
１９…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
２３…第２遮光膜
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
５２…シール材
５３…第３遮光膜
７０…蓄積容量
１００…液晶装置
１０１…データ線駆動回路
１０３…サンプリング回路
１０４…走査線駆動回路
１１６…中継配線
３００…ギャップ材
３０１…データ線側引き出し配線
３０２…ダミー配線
４０２…ダミー配線
４０１…走査線側引き出し配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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