(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光通信システムで使用するための単一ポート光変調装置において、
光入力信号を受信する非反射性の入出力ポート（１２）と、
電気駆動信号に応答して前記光入力信号を変調する変調領域（１４）と、
前記変調された光入力信号の増幅を行う増幅領域（１６）と、
前記増幅された光入力信号を前記入出力ポート（１２）に向けて反射するように動作する単一の反射器（１８）と
からなり、
増幅され変調された光信号が、前記入出力ポート（１２）から出力される
ことを特徴とする単一ポート光変調装置。
【請求項２】
前記光入力信号のレベルを検出するための光検出器（２０）をさらに有することを特徴とする請求項１の装置。
【請求項３】
前記出力された光信号（光出力信号）のコヒーレンスを修正するための位相変調器をさらに有することを特徴とする請求項１の装置。
【請求項４】
前記光信号を導くための導波路を含むことを特徴とする請求項１の装置。
ことを特徴とする請求項１の装置。
【請求項５】
前記変調領域は、電気光変調器である
ことを特徴とする請求項１の装置。
【請求項６】
前記増幅領域は、希土類元素でドープされた増幅導波路を含む
ことを特徴とする請求項１の装置。
【請求項７】
前記希土類元素は、エルビウムである
ことを特徴とする請求項６の装置。
【請求項８】
前記反射器はダイクロイック反射器であって、
信号波長と異なるポンプ波長の光を前記導波路に導入するように、前記反射器に結合されたポンプレーザをさらに具備することを特徴とする請求項１の装置。
【請求項９】
光通信ネットワーク内で光変調器を動作させる方法において、
（Ａ）  単一ポート光変調器の非反射性の入出力ポートで光入力信号を受信するステップと、
（Ｂ）  電気的駆動信号に応じて前記光入力信号を変調するステップと、
前記変調された光入力信号を増幅するステップと、
（Ｃ）  単一の反射器からの前記増幅された光入力信号を前記入出力ポートに向けて反射させるステップとからなり、
増幅され変調された光信号が、前記入出力ポート（１２）から出力される
ことを特徴とする光変調器を動作させる方法。
【請求項１０】
前記光入力信号のレベルを光検出器で検出するためのステップをさらに具備する
ことを特徴とする請求項９の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は光通信システムに関し、特に、光ファイバを用いた通信システムで使用される光変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光変調器は、光通信ネットワークの遠隔端末機におけるレーザ源の、信頼性が高くコスト効率の良い代替物を提供する可能性を有している。たとえば、波長分割多重化（ＷＤＭ，ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ−ｄｉｖｉｓｉｏｎ−ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄ）システムでは、周波数安定性の要求が厳しく、一般にレーザに基づく遠隔端末機では実用にならないほどに高価となり、変調器が魅力的なものとなっている。
【０００３】
変調器に基づくネットワークでは、一つのホスト端末機における光源（通常はレーザ）によって複数の信号が生成され、それらが、パワー分離器や波長ルータその他の手段によって複数の遠隔端末機に分配される。それから、これらの信号は、その遠隔端末機で変調され、同じファイバ経由（双方向すなわち２重動作）で、または別の平行なファイバ経由（単方向すなわちシンプレックス動作）で、ホスト端末機へ戻される。変調器に基づくネットワークの欠点は、信号の往復経路において伝送損失が２倍になり、広帯域システム向けに限られたパワーしか与えられないと考えられることである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ローカルアクセスネットワークにおける遠隔端末機ではコストの目標値が極めて厳しいので、変調器パッケージングは、限界ファイバ配置を最小にしなければならない。したがって、一般に単一ポート（反射モード）デバイス（機器）の方が２ポート（送信モード）機器よりも望ましいとされる。ただし、これらのデバイスはファイバの配置のずれに対して寛大なものでなければならない。
【０００５】
先行技術の中に選択できる変調器は多数ある。たとえば、Ｇｏｏｓｓｅｎ  ｅｔ  ａｌ．著「Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ  Ｂａｓｅｄ  ｏｎ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌｌｙ−Ａｃｔｉｖｅ  Ｌａｙｅｒ  ｗｉｔｈ  １  Ｍｂ／ｓｅｃ  Ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ  ｆｏｒ  Ｆｉｂｅｒ−ｉｎ−ｔｈｅ−Ｌｏｏｐ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔ．，  ｖｏｌ．６，ｐｐ．１１１９−１１２１，１９９４  に記載されたマイクロ機械的変調器は、ファイバ配置誤差範囲が許容できる程度にある単一ポートの反射変調器である。これは狭帯域の応用の可能性を有するが、一般に２〜３Ｍｂ／ｓのビット速度に限られる。
【０００６】
半導体シュタルク効果変調器は、より良い変調帯域幅を有し、単一ポート通常入射パッケージ内で動作可能であるが、それらは波長と温度に対して過敏であるのがあるのが欠点である。従来のＬｉＮｂ３または半導体内の導波路変調器は高い変調帯域幅を有するが、単一モード許容誤差内に収めるために、二つの独立のファイバ配置を有する高価な２ポートパッケージングを必要とする。
【０００７】
これまで、ゲインを有する高帯域幅変調器は、半導体伝播波増幅器を電気的に切り替えることによって実現されてきた。この技術については、Ｋｏｒｅｎ  ｅｔ  ａｌ．著「Ｈｉｇｈ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｔｒａｉｎｅｄ  Ｌａｙｅｒ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ」Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．２７，ｐｐ．６２−６４，１９９１およびＧｉｌｌｎｅｒ著「Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ａ  Ｎｅａｒ  Ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇ−Ｗａｖｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ」ＩＥＥ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ−Ｊ，ｖｏｌ．１３９，ｐｐ．３３１−３３８，１９９２およびそれらの文献中で引用された文献に記載されている。しかしこれらのデバイスでも、２ポートパッケージングが必要とされる。したがって、２ポートデバイスに伴うパッケージングの高コストを避け、しかもゲインを提供する高性能光変調器が所望されている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、内部増幅を伴う、単一ポート反射式光変調器である。本発明の一つの好ましい実施の形態では、単一ポート変調器は、一端に反射器を有する半導体導波路増幅器を含む。単一ポート構成であることから、２ポート変調器における高いパッケージコストを低減できる。また、内部増幅によりネットワークおよび結合の損失が補償される。
【０００９】
一般に単一ポート光変調器は光入力信号を受信するための一つの入出力ポートを有する。電気的駆動信号に応じて光入力信号を変調する変調領域と、その光入力信号を増幅する増幅領域とが含まれている。これら変調領域および増幅領域は、光入力信号を導く導波路を含む。導波路の入出力ポートの反対側の一端には反射器が結合され、これが光入力信号を入出力ポートに反射して戻し、それから増幅され変調された光信号が出力されるようになっている。
【００１０】
本発明の単一ポート光変調器の他の望ましい実施の形態の例としては、（１）希土類元素がドープされたＬｉＮｂ３を含む増幅領域を有する、ＬｉＮｂ３導波路内に作り込まれた干渉変調器、（２）希土類元素がドープされたケイ酸またはガラスを含む増幅領域を有する、ケイ酸またはガラス内に作り込まれた熱・光学的干渉変調器、および、（３）屈折率ガイド（ｉｎｄｅｘ−ｇｕｉｄｉｎｇ）導波路を有するかもしくはそれを有しないで、半導体ウエハの面に垂直な入力ビームまたは出力ビームを伴って動作する半導体増幅器、が含まれる。本発明の概念の範囲内で、他の実施の形態も含まれ、上記の具体例に限定されるものではない。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明による一般的な単一ポート光変調器１０を示す。図示のように、本発明の光変調器１０は、たとえば光ファイバケーブルから光を受信し、変調され増幅された光信号を出力する一つの入出力（Ｉ／Ｏ）ポート１２を有する。入出力ポートには、不要な反射を抑制するために、反射防止（ＡＲ）コーティング、埋め込みファセット、傾斜ファセットおよび／または他の手段を施してもよい。
【００１２】
変調（すなわち切替）領域１４および増幅領域１６は入出力ポート１２に結合されている。反射領域１８は増幅領域に隣接して示されている。当業者ならば理解できるように、光エネルギを集中して方向付けるために、切替領域１４と増幅領域１６は、一つの導波路構造に組み込んでもよい。変調領域は振幅変調または位相変調のどちらを含んでもよい。
【００１３】
さらに、能動的半導体導波路などの実現においては、以下に詳述するように、切替および増幅の機能を一つの領域に結合させてもよい。さらに、図１に示すように、反射器１８が１００％未満の光を反射するものとし、受光器２０を反射器の後方に配置して端末機能の完全統合を図ってもよい。他の方法として、増幅領域１６と反射器１８との間に部分放射光検出領域を設けてもよい。
【００１４】
さらに、位相コヒーレンスまたはパルス形状を制御するためのディザリング（ｄｉｔｈｅｒｉｎｇ）を提供するべく、光信号が通る光経路の長さを変えるために、実施の形態として、位相変調器その他の手段を含んでもよい。当業者にはわかるように、フィルタや方向性結合器、電気吸収変調器などの、光信号を制御または変える他の領域または他の機能的デバイスを入出力ポートと反射器との間に配置してもよく、また、光導波路を介して増幅領域および／または変調領域に接続して動作可能にしてもよい。
【００１５】
図２は、能動的半導体導波路内で実現される増幅を伴う本発明の単一ポート光変調器３０の一実施の形態を示す。図示のように、変調器３０は半導体レーザ増幅変調器である。図示の実施の形態において、入出力ファイバポート３２は、単一部分増幅・変調領域３４に結合される。増幅・変調領域３４には入出力ファイバポート３２に結合された能動的半導体導波路３５が含まれている。導波路領域に高い屈折率を与えるために、その半導体領域はパターニングを含んでいる。図示された実施の形態の増幅・変調領域３４は、その領域の上に、入出力ファイバ３２に結合された反射防止コーティングされたファセット３６を含む。
【００１６】
増幅・変調領域３４の反対の面は、高反射（ＨＲ；ｈｉｇｈ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ）コーティングされたファセット３８を含む。よく知られているように、ＡＲおよびＨＲファセットは、単一層または多重層の誘電体コーティングからなり、その厚さおよび屈折率は、所望の反射効果が得られるように選択される。他の手段として、反射器は、導波路格子などの導波路反射器として、または導波路内の間隙に挿入される薄い反射鏡として、または、位相ディザリングを起こす鏡の速い動きを可能にする手段によって、導波路の端部に取り付けられた反射鏡として実現される。
【００１７】
当業者には理解されるように、変調・増幅領域３４内での光変調は、増幅ゲインを制御する電気的駆動信号を調整することによって達成される。こうして、一つの導波路領域で変調と増幅が同時に生じる。その電気的駆動信号は、電極３７または他の同様のバイアス提供手段を通じて、能動的半導体導波路３５に印加される。ゲイン、変調、ディザリングまたはその他の機能を提供する複数の別々の領域を個別に制御するように、複数の電極に対して別々の電気信号を与えてもよい。
【００１８】
光検出機能を実現するには何種類かの方法がある。図２の最も単純な単一部分装置では、変調・増幅領域３４を通して流れる電流は、入力光レベルに比例する成分を持ち、したがって入力光信号の受信が可能である。しかしこの方法は、入力される光信号によって生成される小さな光電流（ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ）を、変調器に与えられるはるかに強い出力電気信号から分離するために、やや複雑な回路を必要とする。さらに、出力信号からのノイズにより、入力信号に対する感度が悪くなることもありうる。
【００１９】
受光器の電子回路の負担を軽くするために、別個の光検出器を使用してもよい。この検出器は、図１について述べたように、反射器のどちら側に配置してもよい。
本発明の光変調器４０の他の実施の形態として、ハイブリッドな（複合的な）方法を図３に示す。ここでは、単一部分増幅・変調器４４が、能動的半導体導波路４２および一つのパッケージの中の分離した光検出チップ４６を有する。図３において、図２の各構成要素と同様の構成要素には同じ番号が付されている。
【００２０】
増幅・変調領域４４の反射ファセット３９に隣接して、垂直入射光検出器４６が配置されている。光検出器４６には、それ自体にバイアス信号をかけ、そして／または検出された信号を抽出するために、少なくとも一つの電極領域４８が設けられている。このハイブリッドな方法によれば、変調器と検出器を別々に最適化することができ、高度な光集積技術を必要とせず、バックフェース・モニタ・ダイオードを保持するように設計された現在入手可能なレーザパッケージを使用できる。
【００２１】
図４は、内部増幅を伴う単一ポート光変調器５０の第３の実施の形態であって、モノリシックに集積された光検出領域を有するものである。図３に示した実施の形態と同様に、図４の実施の形態は、能動的半導体導波路４２に結合された入出力光ポート３２を有する。しかし、ここに示した実施の形態では、増幅・変調領域５２および光検出領域５６は単一の半導体チップ５４に含まれている。その単一パッケージのデバイス５４の第１の側面にはＡＲコーティングを施したファセット５８が含まれていて、そこで入出力ファイバに結合されており、このデバイス４３の反対側面にはＨＲコーティングが施されたファセット６０がある。
【００２２】
図からわかるように、光検出領域５６は、増幅・同調領域５２に隣接してかつ、高反射コーティングを施したファセット６０の手前に配置されている。図２に示した実施の形態と同様に、増幅・変調領域５２と光検出領域５６のそれぞれに電極６２、６４があって、駆動信号の付加および検出された信号の抽出を可能としている。
【００２３】
図３および図４に示す半導体レーザ増幅・変調器４４、５２により、双方向リンクにおける光干渉を抑制するためのコヒーレンス制御も達成することができる。増幅する導波路によって光信号に与えられる位相シフトは、駆動信号に応じて変化し、したがって出力信号の光位相ディザは、電気的駆動信号をディザすることによって得ることができる。たとえば、出力信号に対するある種の望ましくない影響を克服するために小振幅の振動を与える制御回路は、ディザリングを達成するよく知られたデバイスである。ある種の偶発的（ｉｎｃｉｄｅｎｔａｌ）振幅変調は位相ディザを伴うので、そのディザ信号は受信器の通過帯域の外側の周波数としなければならない。
【００２４】
図３と図４に示された実施の形態は、ある種の伝播波変調器と類似していて、それに単一ポート動作を達成するための反射器が付加されている。この付加によって、このデバイスは、光通信ネットワーク用として、コスト効率の高い、高性能のものとなる。ゲイン媒体の電気的切替えにより十分な変調帯域幅と優れた消光比（ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ  ｒａｔｉｏ）を実現する。さらに、ＷＤＭネットワークに必要な広い動作波長領域が、一つのデバイスで処理できる。さらに、出力信号と入力信号の波長がほとんど同じであるので、出力信号と反射した入力信号とを区別するための光フィルタが必要でない。
【００２５】
図５は、単一ポート光変調器７０の第４の実施の形態であって、２ステージ誘電体導波路７１において増幅がなされるものを示す。誘電体導波路の第１段すなわち変調領域７２は、ＬｉＮｂ３（ニオブ酸リチウム）内に生成されたマッハ・ツエーンダ干渉装置などの電気・光変調器である。図示のように、変調領域７２は非増幅導波路７３を含み、入出力ポート７５を通して受信された信号は、変調領域で変調バイアス電極７４に印加された電気信号によって変調される。導波路の第２ステージ７６は、エルビウムイオンなどの適当な希土類イオンでドープしたＬｉＮｂ３などの増幅導波路７８である。
【００２６】
光信号の増幅は、ある波長の光による増幅領域の適当なポンピングによって実現される。ダイクロイック反射器などの反射器８０が受信端の反対側の増幅領域７６に結合されている。この誘電体構造において、ポンプ波長（信号波長とは異なる）の光をポンプレーザ８２その他の光源によって増幅器導波路に導入することによって、増幅器は普通、光学的にポンピングされる。反射器が、信号波長では反射し、ポンプ波長では透過するダイクロイック反射鏡である場合は、ポンプ光を反射器８０を通して導入してもよい。
【００２７】
ポンプ光を導入する他の手段として、変調器チップ（図示せず）の上に集積された導波結合器または、溶融ファイバ波長分割多重結合器などの別個のデバイスとしてもよい。図では、変調器が入出力ポートに隣接し、増幅器が反射器に隣接しているが、ある種の応用に対しては、逆の配置、または増幅と変調の機能を一つの領域に結合させるのが望ましいこともあるということが、当業者には理解できよう。
【００２８】
図５の実施の形態では、増幅変調に加えて、双方向リンクにおける光干渉の抑制のために位相ディザも提供される。これは、振幅変調のために二つの接点の間に異なる電圧をかけつつ、位相変調を得るために２個の電極７４に共通の電圧をかけることによって達成される。さらに、図５には、光入力を受け、それを入出力ポート７５および／または光検出器８４に向けるための方向性結合器８６も示されている。この方向性結合器８６はまた、増幅され変調されたこのデバイスからの光出力を方向づけする役割も持っている。
【００３０】
コスト、偏光（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）依存性、光結合効率、その他の理由により、増幅を伴う単一ポート光変調器を、ケイ酸ガラスまたはその他の非電気・光学材料内に作り込むのが望ましいこともある。この場合は、前述の実施の形態の電気・光変調器を熱・光変調器で置き換えるのが望ましい。熱・光変調器は、たとえばマッハ・ツエーンダ干渉装置であって、その場合は、一つの腕の経路長さの変化は、電気・光効果によってではなく、局所的な超小型加熱器によりその温度を変化させることによって達成される。熱・光変調器は、比較的動作が遅く、そのため効果的なコヒーレンス制御を行うために十分な速さの位相ディザを得るのは困難のこともある。
【００３１】
図６は、増幅を伴う単一ポート光変調器１００の第５の実施の形態を示すもので、垂直入射半導体増幅・変調器として実現されるものである。この実施の形態では、増幅領域と変調領域は、一つの領域１０２に結合される。この領域は、バイアスをかけたときにゲインを生成する少なくとも一つの半導体層を含むものである。図２の実施の形態とは異なり、光信号は、ゲイン領域を形成する半導体層に垂直な方向に伝播する。
【００３２】
反射器は、一連の半導体層１０４からなり、これはブラッグ反射器として従来から知られているもので、多重ビーム干渉により高い反射率を実現する。図示のように光信号の経路距離が短いので、導波路無しに効率の高い動作が可能である。バイアス電極１０８に隣接して示されている入出力ポート１０６は広く、小さな口径内に制限する導波路を持たない。そのため、入力ファイバその他の光要素の位置決めに広い裕度を持ち、安価なパッケージングを使用することができる。他の実施の形態として、ブラッグ反射器と増幅・変調領域とを結合とよい場合もある。
【００３３】
光信号が透過する距離が短いことにより、一つの経路で得られるゲインが制限されることもありうる。その場合は、入出力ポートでの一部反射器による多重経路動作によって、ゲインを必要なレベルにまで引き上げることができる。半導体積層体に複数の層を付加し、さらに適当な複数の電極を付加することによって、集積光検出器を提供できる。
【００３４】
図７と図８は、本発明の単一ポート変調器の適用例を示す。図７に示すように、デバイスは、たとえば星型ネットワークに含まれており、ホスト端末機９０からの信号は１×Ｎ分離器９２またはルータを通して遠隔端末機９４に経路選択される。この遠隔端末機９４では、単一ポート変調器デバイス９６が双方向（二重）送信に使用される。単一ポートデバイスは、図８に示すように、ホスト端末機９０と遠隔端末機９４との間の単方向（シンプレックス）送信にも使用できる。
【００３５】
この発明の単一ポート光変調器は、現在の市販のパッケージに収めることができ、したがって、ファイバ配置が減ることと大量生産との両方の点から著しいコスト低減が達成される。増幅器ゲインは結合損失を補ってそれによって位置決め裕度を改善するために使用することができ、また、必要ならばパワーの余裕を加えるために使用することもできる。十分な増幅が使用されるならば、変調器に基づくネットワークの伝送損失の許容量はほぼ２倍になり、レーザに基づくネットワークにほぼ匹敵する特性を得ることができる。
【００３６】
しかし、変調器に基づくネットワークにおける双方向伝送は、ネットワーク反射またはレーリ散乱による光干渉の問題を生ずる可能性があり、そのため、上流に向かう信号と下流に向かう信号のコヒーレンスを制御することが必要である。たとえば、前述のように、上流に向かう信号の高速位相ディザの提供を変調器に組み込むのもよい。
【００３７】
さらに、反射器と入出力ポートにおける意図的でない反射とによって形成される空洞内のファブリー・ペロー共振によって、変調器で使用されるゲインの実際上の限界が生じる。これらの共振によって、ゲインが波長に依存することがあり、それは多くのシステムにとって望ましくないことである。理論計算の予測によれば、入出力ポートにおける意図しない反射のレベルは、使用できるゲインのリップルである１〜３ｄＢにまで下げることができ、また実験的にも確認される。
【００３８】
図９は、一つの半導体レーザ増幅器の一つの反射モードゲインについて、入出力ポートで要求される反射率レベルすなわち最大端部反射を示す。曲線１４０、１４２、１４４はそれぞれ、ゲインリップルが１ｄＢ、２ｄＢ、３ｄＢの場合に要求される反射率を示す。
【００３９】
本発明の増幅を伴う単一ポート変調器は、一つまたは複数の単一集積回路として、またはより大きな、より複雑な光集積回路の一部として組み込むことも可能である。それらすべての変形および修正は、特許請求の範囲に定義された限りにおいて本発明に含まれる。
【００００】
【発明の効果】
本発明によれば、単一ポート構成であることから、２ポート変調器における高いパッケージコストを低減できる。また、一端に反射器を有する半導体導波路増幅器を含むことから、内部増幅によりネットワークおよび結合の損失が補償される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による、増幅を伴う単一ポート光変調器の一般化されたブロック図。
【図２】本発明による、増幅を伴う単一ポート光変調器の一つの好ましい実施の形態を示す図。
【図３】光検出器のハイブリッド集積を伴う本発明の第２の実施の形態を示す図。
【図４】光検出器のモノリシック集積を伴う本発明の第３の実施の形態を示す図。
【図５】本発明による光変調器の第４の実施の形態を示す図であって、増幅器がエルビウムをドープした導波路であり、増幅領域がダイクロイック反射器を通して光ポンピングされるものを示す図。
【図６】本発明による光変調器の第５の実施の形態を示す図であって、増幅器は、半導体層の面に垂直な入出力ビームによって動作し、屈折率ガイド（ｉｎｄｅｘ−ｇｕｉｄｉｎｇ）導波路を有しないものを示す図。
【図７】本発明の単一ポート光変調器をネットワーク環境に利用した例を示す図。
【図８】本発明の単一ポート光変調器をネットワーク環境に利用した他の例を示す図。
【図９】半導体レーザ増幅器の入出力ファセットに要求される端部反射と反射モードゲインとの関係を種々のゲインリップルレベルについて示すグラフ。
【符号の説明】
１０      単一ポート光変調器
１２      入出力ポート
１４      切替領域（変調領域）
１６      増幅領域
１８      反射領域（反射器）
２０      受光器
３０      変調器
３２      入出力ファイバポート
３４      増幅・変調領域
３５      能動的半導体導波路
３６      反射防止（ＡＲ）コーティングを施したファセット
３７      電極
３８      高反射率（ＨＲ）コーティングを施したファセット
３９      反射ファセット
４０      光変調器
４２      能動的半導体導波路
４４      増幅・変調領域
４６      垂直入射光検出器（分離光検出チップ）
４８      電極領域
５０      単一ポート光変調器
５２      増幅・変調領域
５４      単一半導体チップ
５６      光検出領域
５８      反射防止（ＡＲ）コーティングを施したファセット
６０      高反射率（ＨＲ）コーティングを施したファセット
６２、６４      電極
７０      単一ポート光変調器
７１      ２ステージ誘電体導波路
７２      変調領域
７３      非増幅導波路
７４      変調バイアス電極
７５      入出力ポート
７６      第２ステージ（増幅領域）
７８      増幅導波路
８０      反射器
８２      ポンプレーザ
８４      光検出器
８６      方向性結合器
９０      ホスト端末機
９２      １×Ｎ分離器
９４      遠隔端末機
９６      単一ポート光変調器
１００      単一ポート光変調器
１０２      単一領域
１０４      半導体領域層
１０６      入出力ポート
１０８      バイアス電極
１１０      入力ファイバ
【図１】
0003616229.tif 000002
【図２】
0003616229.tif 000003
【図３】
0003616229.tif 000004
【図４】
0003616229.tif 000005
【図５】
0003616229.tif 000006
【図６】
0003616229.tif 000007
【図７】
0003616229.tif 000008
【図８】
0003616229.tif 000009
【図９】
0003616229.tif 000010