(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ液を基板の処理面に対して供給することによりメッキ処理を施す基板メッキ装置において、
基板の処理面に対して近接し、かつ、処理面側の面が基板の処理面に対してほぼ平行に配設され、流体の流れる方向を三次元的に変えつつ透過させる三次元フィルタを備え、
前記三次元フィルタは、メッキ液を貯留するメッキ槽の開口部を閉塞するように配置され、メッキ槽内に配設され、
前記三次元フィルタ中におけるメッキ液の電気抵抗をシード層の電気抵抗よりも大きくすることにより、
メッキ液に正電圧を印加するアノード電極から、基板の処理面に形成されたシード層に当接し、負電圧を印加するカソード電極までの電圧降下で処理面に形成されているシード層の電気抵抗の大きさによらず電気抵抗を基板面内でほぼ一定とし、
前記三次元フィルタを介してメッキ液を供給することを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板メッキ装置において、
前記三次元フィルタは、ガラス製またはセラミック製の微粒子を複数個集めて焼成してなることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板メッキ装置において、
前記三次元フィルタは、その中央部の厚みが周辺部の厚みに比較して徐々に薄くなるように、基板の処理面とは反対側に位置した側がすり鉢状に形成されていることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の基板メッキ装置において、
前記三次元フィルタは、その中央部に比較的大径の微粒子を用い、その周辺部に比較的小径の微粒子を用いて形成されていることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の基板メッキ装置において、
前記三次元フィルタは、基板の処理面側に比較的小径の微粒子を用い、基板の処理面の反対側に比較的大径の微粒子を用いて多層に形成されていることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記三次元フィルタの側面は、メッキ液が流れ出ることを防止する処理が施されていることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
基板の処理面を下向きにして基板を保持する保持手段をさらに備えていることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板メッキ装置において、
前記保持手段を前記三次元フィルタに対して昇降させる昇降手段をさらに備え、
前記三次元フィルタの上面にメッキ液を盛った状態で前記保持手段を下降させ、基板の処理面と三次元フィルタの上面とがメッキ液で満たされた状態で基板の処理面にメッキ液を供給することを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記三次元フィルタは、基板の処理面側の面と基板の処理面との間隔が１０ｍｍ以下となるように配設されていることを特徴とする基板メッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）に対してメッキ処理を施す基板メッキ装置に係り、特に硫酸銅などのメッキ液を基板の処理面に供給した状態で給電して電解メッキ処理を行う技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の装置として、例えば、メッキ液を貯留したチャンバと、基板の処理面を下向きにして基板を保持し、かつ基板をチャンバに対して昇降させる保持機構とを備えたものが挙げられる。
【０００３】
このように構成された装置では、基板の処理面がチャンバのメッキ液に触れる位置にまで基板を下降させた後、チャンバ内のメッキ液を下方から基板の処理面に向けてポンプで上昇させて循環させ、基板の処理面に負電圧を印加するとともにチャンバ内のアノード電極に正電圧を印加する。これにより基板の処理面に対してメッキ処理を施すようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、基板の処理面に負電圧を印加する電極やマスク部材などを含む保持機構により基板の処理面における周辺部には段差が存在するので、この部分においてメッキ液の流れが妨げられ、チャンバ内を下方から上昇して基板の処理面に達したのちにチャンバの側方に流れだすメッキ液の一部が淀んで滞留する。これにより、この部分において膜厚が薄くなり、基板の面内における膜厚均一性が低下するという問題がある。
【０００５】
また、基板の処理面のうち中央部に向けて下方から上昇されたメッキ液は、処理面に到達すると周辺部に向かって流れてゆくが、中央部から周辺部に向かうにしたがってメッキ液の流れが処理面から離れてゆく。つまり、流路抵抗が大きい処理面の近くよりも、流路抵抗の小さい処理面からやや離れた場所にメッキ液の流れが集まることによる。これによってもやはり上記と同じ問題が生じる。
【０００６】
上記のようにして生じる膜厚の面内均一性を改善するためには、メッキ液の滞留を防止するとともに基板の中央部から周辺部にわたり、処理面に沿ってメッキ液を円滑に流してやる必要がある。そのためには大量のメッキ液をチャンバから供給して循環させる必要が生じ、ポンプ、配管径等の循環系の必要容量が増大し、その結果、メッキ液の循環量が多くなるという別異の問題が生じる。また、その他に、チャンバ内にパンチングプレートを配備して、メッキ液の噴流を適度に分散して基板の処理面全体にわたって均一化する手法もあるが、この場合にはパンチングプレートと基板までの距離を長くとる必要があって装置自体が大型化するという問題が生じてしまう。
【０００７】
さらに、電解メッキを利用してメッキ処理を施す関係上、処理面の全面には予め導電性のシード層が形成されているが、構造上、処理面の周辺部にしかカソード電極が取り付けられないので、中央部は周辺部に比較してシード層の抵抗が大きくなる。そのため中央部は周辺部よりも膜厚が薄くなるといったシード層の抵抗の影響を強く受け易いという問題もある。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、メッキ液の循環量を増やすことなく基板の処理面の全体にわたってメッキ液の円滑な流れを形成することにより、膜厚の面内均一性を高めるとともにメッキ液の節約ができ、しかもシード層の抵抗による影響を小さくすることができる基板メッキ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、メッキ液を基板の処理面に対して供給することによりメッキ処理を施す基板メッキ装置において、基板の処理面に対して近接し、かつ、処理面側の面が基板の処理面に対してほぼ平行に配設され、流体の流れる方向を三次元的に変えつつ透過させる三次元フィルタを備え、前記三次元フィルタは、メッキ液を貯留するメッキ槽の開口部を閉塞するように配置され、メッキ槽内に配設され、前記三次元フィルタ中におけるメッキ液の電気抵抗をシード層の電気抵抗よりも大きくすることにより、メッキ液に正電圧を印加するアノード電極から、基板の処理面に形成されたシード層に当接し、負電圧を印加するカソード電極までの電圧降下で処理面に形成されているシード層の電気抵抗の大きさによらず電気抵抗を基板面内でほぼ一定とし、前記三次元フィルタを介してメッキ液を供給することを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の基板メッキ装置において、前記三次元フィルタは、ガラス製またはセラミック製の微粒子を複数個集めて焼成してなることを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明によれば、請求項１または２に記載の基板メッキ装置において、前記三次元フィルタは、その中央部の厚みが周辺部の厚みに比較して徐々に薄くなるように、基板の処理面とは反対側に位置した側がすり鉢状に形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明によれば、請求項１または２に記載の基板メッキ装置において、前記三次元フィルタは、その中央部に比較的大径の微粒子を用い、その周辺部に比較的小径の微粒子を用いて形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明によれば、請求項１または２に記載の基板メッキ装置において、前記三次元フィルタは、基板の処理面側に比較的小径の微粒子を用い、基板の処理面の反対側に比較的大径の微粒子を用いて多層に形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
また、請求項６に記載の発明によれば、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記三次元フィルタの側面は、メッキ液が流れ出ることを防止する処理が施されていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項７に記載の発明によれば、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板メッキ装置において、基板の処理面を下向きにして基板を保持する保持手段をさらに備えていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、請求項８に記載の発明によれば、請求項７に記載の基板メッキ装置において、前記保持手段を前記三次元フィルタに対して昇降させる昇降手段をさらに備え、前記三次元フィルタの上面にメッキ液を盛った状態で前記保持手段を下降させ、基板の処理面と三次元フィルタの上面とがメッキ液で満たされた状態で基板の処理面にメッキ液を供給することを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項９に記載の発明によれば、請求項１ないし８のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記三次元フィルタは、基板の処理面側の面と基板の処理面との間隔が１０ｍｍ以下となるように配設されていることを特徴とするものである。
【００１８】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。
流体の流れる方向を三次元的に変えつつ透過させる三次元フィルタが、基板の処理面に近接し、かつ、基板の処理面側の面が処理面に対してほぼ平行に配設され、メッキ液を貯留するメッキ槽の開口部を閉塞するように配置されているので、これを通して供給されたメッキ液は、流路抵抗が小さい基板の処理面と三次元フィルタの基板の処理面側との隙間を通ることになる。したがって、メッキ液はその隙間を通って基板の中央部から周辺部に向かって円滑に流れる。
【００１９】
また、三次元フィルタが介在することにより、その部分におけるメッキ液の抵抗分が大きくなり、シード層のような小さな抵抗分の影響を受けにくくなる。
【００２０】
また、請求項２に記載の発明によれば、ガラス製またはセラミック製の微粒子を複数個集めて焼成することで三次元フィルタを形成できる。
【００２１】
また、請求項３に記載の発明によれば、中央部の厚みが周辺部の厚みに比較して薄くなった「すり鉢」状に三次元フィルタを形成することにより、基板の中央部における電流及びメッキ液の流れを共に増大させることができる。
【００２２】
また、請求項４に記載の発明によれば、中央部に比較的大径の微粒子を、周辺部に比較的小径の微粒子を用いた三次元フィルタとすることで、メッキ液の流れの分布を補正することができる。
【００２３】
また、請求項５に記載の発明によれば、基板側に比較的小径の微粒子を用い、その反対側に比較的大径の微粒子を用いた多層の三次元フィルタとすることで、メッキ液の流れのムラを抑制し、三次元フィルタの流路抵抗を小さくすることができる。
【００２４】
また、請求項６に記載の発明によれば、三次元フィルタの側面からメッキ液が流出することを防止できる。
【００２５】
また、請求項７に記載の発明によれば、保持手段により基板の処理面を下にして基板を保持した状態でメッキ処理を施す。
【００２６】
また、請求項８に記載の発明によれば、三次元フィルタの上面にメッキ液を液盛りした状態で昇降手段により保持手段を下降させるので、基板の処理面が最初にメッキ液に接する。したがって、基板の処理面に気泡が残りにくく、基板の周辺部に気泡が溜まりにくい。
【００２７】
また、請求項９に記載の発明によれば、基板の処理面と、処理面側の三次元フィルタの面との間隔が１０ｍｍ以下であれば、メッキ液を中央部から周辺部に向かって円滑に流すことができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示した縦断面図であり、図２は保持機構の一部拡大図である。
【００２９】
基板Ｗは、図示しないシード層が形成された処理面Ｗｓを下方に向けてスピンベース１によって水平姿勢となるように保持されている。このスピンベース１は、板状で環状を呈するマスク部材３と、このマスク部材３の上部に連結された３本（図示の関係上２本だけを示す）の支柱５と、これら３本の支柱５が連結された中空の回転軸７とを備えている。
【００３０】
なお、上記スピンベース１は、本発明における保持手段に相当する。
【００３１】
回転軸７は、図１に示すような高さの処理位置と、この処理位置よりも上方に位置する待機位置とにわたって昇降手段９により昇降駆動される。また、図示しない回転駆動手段によって回転駆動される。
【００３２】
マスク部材３は、その内周側の上部にシール部材１１が装着されている。このシール部材１１は、メッキ液が基板の周縁部に達することを防止するものであり、基板Ｗの処理面Ｗｓのうち周辺部のみに当接するように平面視環状に形成されている。また、処理面Ｗｓのシード層に対して負電圧を印加するためのカソード電極１２が、シール部材１１の外周側から基板Ｗの処理面Ｗｓに向けて延出して配設されている。
【００３３】
スピンベース１の内部には、基板Ｗの裏面周辺部を押圧する押圧部材１３が配備されている。この押圧部材１３は、回転軸７に沿って昇降可能および回転自在に構成されており、スピンベース１内に搬入された基板Ｗをマスク部材３に対して押圧して基板Ｗを挟持する。
【００３４】
スピンベース１の下方には、基板Ｗの直径よりもやや小径のメッキ槽１７（チャンバ）が備えられ、このメッキ槽１７を囲うように回収槽１９が配備されている。メッキ槽１７の底面には開口部２０が形成されており、その周囲には正電圧を印加するためのアノード電極２１が配設されている。このアノード電極２１は、例えば、環状を呈する。回収槽１９からメッキ槽１７の開口部２０には配管２３が連通接続されており、配管２３に取り付けられたポンプ２５によって回収槽１９のメッキ液Ｌがメッキ槽１７の上方に向けて供給されるようになっている。
【００３５】
メッキ槽１７の上部には、その開口部を閉塞するように、三次元フィルタ２７が取り付け具２７ａによって取り付けられている。三次元フィルタ２７の取り付けは、図１の処理位置に基板Ｗが位置した際に、三次元フィルタ２７の上面が基板Ｗの処理面Ｗｓに近接し、かつ、処理面Ｗｓに対して平行となるように行われている。この三次元フィルタ２７は、板状の部材に単に貫通穴を開けたようなものとは異なり、流体の流れる方向を三次元的に変えつつ透過させることにより流れを緩やかにする機能を有する。具体的には、図３に示すように、メッキ液Ｌに耐性を備えたガラス（例えば、石英ガラス）からなる微小径のボール２９を複数個集めて焼成したものである。
【００３６】
なお、本発明における微粒子に相当するボール２９としては、ガラス製だけでなくセラミック製を採用してもよい。また、外形的には、下部の外周面に傾斜面３１を有し、上部の外周面に垂直面３３を有する。これらの傾斜面３１と垂直面３３にはメッキ液Ｌを透さないための処理が施されている。例えば、メッキ液Ｌに対して耐性を有するガラス枠をはめ込んだり、同様に耐性を有する塗布被膜を形成しておけばよい。これにより後述する三次元フィルタ２７の上面へのメッキ液の液盛りを好適に行うことができる。
【００３７】
本実施例における三次元フィルタ２７について、約２００ｍｍ径の基板Ｗを処理する場合について具体的な形状等の数値例を挙げると次のようになる。
すなわち、平均穴径は約２００μｍであり、厚さは１５ｍｍ程度であり、図１に示す処理位置における基板Ｗの処理面Ｗｓと三次元フィルタ２７の上面との間隔ｇは２〜３ｍｍである。なお、この間隔ｇは１０ｍｍ以下であればよい。
【００３８】
上述したようにメッキ槽１７に三次元フィルタ２７を備えているので、本実施例装置におけるシード層の抵抗による影響は次のようになる。
すなわち、図４（ａ）の模式図に示すように、図中に二点鎖線で囲ったメッキ液Ｌを含む基板Ｗの中央部と周辺部における抵抗は、図４（ｂ）に示すようになる。なお、ここでｒS はシード層の抵抗であり、ＲP は三次元フィルタ２７中におけるメッキ液Ｌの抵抗であり、ＲL はメッキ液Ｌの抵抗である。また、ｉC は基板Ｗの中心部における電流であり、ｉE は基板Ｗの周辺部における電流であり、Ｖはアノード電極２１からカソードまでの電圧降下を近似的に示している。
【００３９】
三次元フィルタ２７中における固体の体積比を９０％とすると、三次元フィルタ２７中ではメッキ液Ｌの抵抗ＲP が等価的に三次元フィルタ２７が無い場合の１０倍になったと考えることができる。従来例の場合、基板Ｗの中央部ではシード層の抵抗ｒS 分だけ周辺部の抵抗よりも大きくなるので、周辺部における電流が少なくなって膜厚が中央部に比較して薄くなるという現象が生じる。しかしながら、本実施例の構成では三次元フィルタ２７が存在していることにより、電流経路全体における抵抗が大きくなってシード層の抵抗ｒS が電流経路全体に及ぼす影響は小さくなる。そのためシード層の抵抗ｒS の影響により膜厚が不均一になる現象が緩和されることになる。
【００４０】
これらを数式的に示すと、
Ｖ＝ｉE （ＲL ＋ＲP ）＝ｉC （ＲL ＋ＲP ＋ｒS ）
となり、
ｒS ≪ＲP であれば、ｉE ≒ｉC 
となることからも明らかである。
【００４１】
次に、図５を参照しつつ上述した装置の動作について説明する。
【００４２】
まず、待機位置にあるスピンベース１に対して処理対象である基板Ｗを搬入する（図５（ａ））。基板Ｗは処理面Ｗｓが下向きとされた姿勢であり、その姿勢のまま各支柱５の間を通してマスク部材３上に載置される。次に、押圧部材１３を下降させて基板Ｗを押圧し、基板Ｗの処理面Ｗｓをシール部材１１に密着させるとともに、処理面Ｗｓのシード層にカソード電極１２を当接させる。
【００４３】
さらに、ポンプ２５を作動させて一定量のメッキ液Ｌをメッキ槽１７から押し上げ、三次元フィルタ２７の上面にメッキ液Ｌを液盛りする。
【００４４】
次に、図５（ｂ）のように、昇降手段９によりスピンベース１と押圧部材１３を処理位置まで下降させる。これとともにポンプ２５を作動させ、アノード電極２１とカソード電極１２の間に通電し、図示しない回転駆動手段によりスピンベース１を低速回転させることにより所定時間だけメッキ処理を施す。
【００４５】
所定時間が経過した後は、電極への通電及びポンプ２５を停止するとともに、昇降手段により待機位置まで基板Ｗとともにスピンベース１を上昇させる。そして、スピンベース１を高速回転させて、処理面Ｗｓに付着しているメッキ液Ｌを振り切る。
【００４６】
三次元フィルタ２７を通して供給されたメッキ液Ｌは、流路抵抗が小さい基板Ｗの処理面Ｗｓと三次元フィルタ２７の上面との隙間を通り、流路抵抗が相対的に高い三次元フィルタ２７側に戻ることなく流れることになるので、メッキ液Ｌはその隙間を通って基板Ｗの中央部から周辺部に向かって円滑に流れる。したがって、膜厚の面内均一性を高めることができるとともに、メッキ液Ｌの噴流を強める必要がないのでメッキ液の循環系を小型化でき、その結果、メッキ液Ｌの節約ができる。
【００４７】
また、本実施例装置のように基板Ｗの処理面Ｗｓを下にして基板Ｗを保持した状態でメッキ処理を施すと、構造上どうしても周辺部の隅に気泡が残り易いが、形成された細長い流路を円滑に流れるメッキ液Ｌにより気泡が容易に押し出されて気泡に起因する処理ムラを防止できる。
【００４８】
また、本実施例装置による処理手順のように、液盛りした後に基板Ｗを下降させると、スピンベース１のマスク部材３よりも基板Ｗの処理面Ｗｓが最初にメッキ液に接するので、基板Ｗの処理面Ｗｓに気泡が残りにくく基板Ｗの周辺部に気泡が溜まりにくい。そのため基板Ｗの処理面Ｗｓ全体にメッキ液Ｌをゆきわたらせることができ、基板Ｗの処理面Ｗｓと三次元フィルタ２７の上面との間にメッキ液Ｌが満たされた状態で処理を施すことができるので、メッキ処理をムラなく施すことができる。
【００４９】
本発明は、上述した実施例装置に限定されるものではなく、以下のように種々の変形実施が可能である。
【００５０】
（１）図６に示すように、三次元フィルタ２７Ａを構成してもよい。
すなわち、その中央部の厚みが周辺部の厚みに比較して徐々に薄くなるように、基板Ｗの処理面Ｗｓとは反対側に位置した下面側を『すり鉢状』に形成するようにしてもよい。
【００５１】
このように構成によると、基板Ｗの中央部における電流及びメッキ液Ｌの流れを共に増大させることができるので、中央部の膜厚が周辺部に比較して薄くなった場合に膜厚の面内均一性を高めることができる。
【００５２】
（２）また、図７に示すように、三次元フィルタ２７Ｂを構成してもよい。
すなわち、その中央部には比較的大径のボールを用いたフィルタ２７Ｂ1 を、その周辺部には比較的小径のボールを用いたフィルタ２７Ｂ2 を配置する。
【００５３】
これによると、メッキ液Ｌの流れの分布を補正することができるので、膜厚分布の調整が可能である。さらに、この場合、フィルタ２７Ｂ1 とフィルタ２７Ｂ2 の開口率を変えなければ中央部と周辺部とで電気抵抗がほぼ一定となるので、電流分布を変えずにメッキ液Ｌの液流分布だけを調整することができる。
【００５４】
（３）また、次のように三次元フィルタを構成してもよい。
すなわち、基板Ｗ側に比較的小径のボールを用いた第１層を、その反対側であるメッキ槽側に比較的大径のボールを用いた第２槽を備えた多層の構成とする。
【００５５】
この構成では、メッキ液の流れのムラを抑制し、三次元フィルタの流路抵抗を小さくすることができる。したがって、電流分布も液流分布も変えることなく流れだけを補正して膜厚の分布を調整することができる。
【００５６】
（４）三次元フィルタ２７としては、上述したように微小径のボールを用いるものに限定されるものではなく、繊維などを用いた三次元フィルタ２７であってもよい。
【００５７】
（５）基板Ｗの処理面Ｗｓを上に向け、メッキ液Ｌを上方から供給する基板メッキ装置であっても本発明を適用することができる。
【００５８】
（６）メッキ槽１７内には、従来装置にもあるパンチングプレートを並設して、三次元フィルタ２７に達するメッキ液の流れを均一化するようにしてもよい。
【００５９】
（７）三次元フィルタ２７を微小径のボール２９ではなく、粉状の微粒子で構成してもよく、さらに同じ径でなく種々の径のボール２９や微粒子を焼成して構成するようにしてもよい。
【００６０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、三次元フィルタを通して供給されたメッキ液は、流路抵抗が小さい、基板の処理面と三次元フィルタのうちの基板の処理面側の面との隙間を通ることになるので、メッキ液はその隙間を通って基板の中央部から周辺部に円滑に流れる。したがって、膜厚の面内均一性を高めることができるとともに、メッキ液の噴流を強める必要がないのでメッキ液の節約ができる。しかも、三次元フィルタによってメッキ液の抵抗分が大きくなるので、シード層の抵抗による影響を受けにくくすることができる。
【００６１】
また、請求項２に記載の発明によれば、ガラス製またはセラミック製の微粒子を複数個集めて焼成することで比較的容易に所望の三次元フィルタを形成することができる。
【００６２】
また、請求項３に記載の発明によれば、中央部の厚みが周辺部の厚みに比較して薄くなった「すり鉢」状に三次元フィルタを形成することにより、基板の中央部における電流及びメッキ液の流れを共に増大させることができるので、中央部の膜厚が周辺部に比較して薄くなった場合に膜厚の面内均一性を高めることができる。
【００６３】
また、請求項４に記載の発明によれば、中央部に比較的大径の微粒子を、周辺部に比較的小径の微粒子を用いた三次元フィルタとすることで、メッキ液の流れの分布を補正することができるので、膜厚分布の調整が可能である。
【００６４】
さらに、この場合、開口率を変えなければ中央部と周辺部とで電気抵抗がほぼ一定であるので、電流分布を変えずにメッキ液の液流分布だけを調整することができる。
【００６５】
また、請求項５に記載の発明によれば、基板側に比較的小径の微粒子を用い、その反対側に比較的大径の微粒子を用いた多層の三次元フィルタとすることにより、メッキ液の流れのムラを抑制し、三次元フィルタの流路抵抗を小さくすることができる。したがって、電流分布も液流分布も変えることなく流れだけを補正して膜厚の分布を調整することができる。
【００６６】
また、請求項６に記載の発明によれば、三次元フィルタの側面からメッキ液が流出することを防止でき、適切に三次元フィルタの上面に液盛りすることができる。
【００６７】
また、請求項７に記載の発明によれば、保持手段により基板の処理面を下にして基板を保持した状態でメッキ処理を施すと、周辺部の隅に気泡が残り易いが、形成された流路を円滑に流れるメッキ液により気泡が容易に押し出され、気泡に起因する処理ムラを防止できる。
【００６８】
また、請求項８に記載の発明によれば、基板の処理面が最初にメッキ液に接するので、基板の処理面に気泡が残りにくく、基板の周辺部に気泡が溜まりにくい。したがって、基板の処理面全体にメッキ液をゆきわたらせることができ、基板の処理面と三次元フィルタの上面との間にメッキ液が満たされた状態で処理を施すことができるので、メッキ処理をムラなく施すことができる。
【００６９】
また、請求項９に記載の発明によれば、基板の処理面と、処理面側の三次元フィルタの面との間隔が１０ｍｍ以下であれば、メッキ液を中央部から周辺部に向かって円滑に流すことができ、メッキ液の円滑な流れを形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示した縦断面図である。
【図２】保持機構の一部を拡大して示した図である。
【図３】三次元フィルタの説明に供する図である。
【図４】シード層の抵抗による影響を説明する図である。
【図５】メッキ処理時の動作説明に供する図である。
【図６】三次元フィルタの変形例を示した図である。
【図７】三次元フィルタの他の変形例を示した図である。
【符号の説明】
Ｗ  …  基板
Ｗｓ  …  処理面
Ｌ  …  メッキ液
１  …  スピンベース（保持手段）
３  …  マスク部材
５  …  支柱
７  …  回転軸
９  …  昇降手段
１１  …  シール部材
１３  …  押圧部材
１７  …  メッキ槽（チャンバ）
２３  …  配管
２７  …  三次元フィルタ
２９  …  ボール（微粒子）
３１  …  傾斜面
３３  …  垂直面
ｇ  …  間隔
【図１】
0003703355.tif 000002
【図２】
0003703355.tif 000003
【図３】
0003703355.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0003703355.tif 000007
【図７】
0003703355.tif 000008
【図８】
0003703355.tif 000009