(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表面発光半導体レーザ素子が行列に配置されているレーザ素子基板部と、及び
前記表面発光半導体レーザ素子の夫々に対応して前記レーザ素子基板部上に形成され、前記表面発光半導体レーザ素子の発振に伴いエバネッセント光波を送出する微細孔と、
を具備し、回転される光記録媒体の記録層に情報を記録する光メモリヘッドにおいて、
前記行列配置の表面発光半導体レーザ素子を発振して前記光記録層に前記複数のエバネッセント光波によって複数のビームスポットを形成し、前記記録層上に前記複数のビームスポットが重なり合わない軌跡を描くように当該光メモリヘッドを配置して情報を前記記録層に記録することを特徴とする光メモリヘッド。
【請求項２】
前記表面発光半導体レーザ素子の行列配置が前記回転の接線に対して所定角度傾けられていることを特徴とする請求項１の光メモリヘッド。
【請求項３】
Ｎ行Ｍ列の前記表面発光半導体レーザ素子からのビームスポットがＮ×Ｍ本のビームスポットの軌跡を描くことを特徴とする請求項１に記載の光メモリヘッド。
【請求項４】
前記微細孔は、前記表面発光半導体レーザ素子で発振されるレーザ光の真空中における波長よりも短い径を有することを特徴とする請求項１に記載の光メモリヘッド。
【請求項５】
前記レーザ素子基板部の表面は、金属膜がコーティングされ、この金属膜に微細孔が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光メモリヘッド。
【請求項６】
基板上に光記録層が形成されている光記録媒体と、
この光記録層上に形成されている潤滑剤の薄膜と、
前記光記録媒体の回転時において、前記潤滑剤の薄膜を介して前記光記録層上に支持されるメモリ光ヘッドを備える記録装置において、
前記メモリ光ヘッドは、
複数の表面発光半導体レーザ素子が行列に配置されているレーザ素子基板部と、及び
前記表面発光半導体レーザ素子の夫々に対応して前記レーザ素子基板部上に形成され、前記表面発光半導体レーザ素子の発振に伴いエバネッセント光波を前記記録層に向けて送出する微細孔と、
を具備し、
前記行列配置の表面発光半導体レーザ素子を発振させて前記光記録媒体の記録層に前記複数のエバネッセント光波で複数のビームスポットを形成し、前記記録層上で前記複数のビームスポットが重なり合わない軌跡を描くように光メモリヘッドを配置して情報を前記記録層に記録する記録装置。
【請求項７】
前記光メモリヘッドは、前記潤滑剤を介して前記光記録媒体の記録層上に３点で支持されていることを特徴とする請求項６に記載の記録装置。
【請求項８】
前記表面発光半導体レーザ素子の行列配置が前記回転の接線に対して所定角度傾けられていることを特徴とする請求項６に記載の記録装置。
【請求項９】
前記微細孔は、前記表面発光半導体レーザ素子で発振されるレーザ光の真空中における波長よりも短い径を有することを特徴とする請求項６に記載の記録装置。
【請求項１０】
前記レーザ素子基板部の表面は、金属膜がコーティングされ、この金属膜に微細孔が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の記録装置。
【請求項１１】
レーザ素子基板部に形成された行列配置の複数の表面発光半導体レーザ素子を発振させ、
前記各表面発光半導体レーザ素子に対応して前記レーザ素子基板部上に形成された微細孔を介してエバネッセント光波を送出し、
このエバネッセント光波を回転される光記録媒体に向けて前記光記録媒体の記録層に複数のビームスポットを形成し、
この複数のビームスポットが前記記録層上で重なり合わないようにビームスポットの軌跡を描かせて情報を前記記録層に記録させることを特徴とする記録方法。
【請求項１２】
前記表面発光半導体レーザ素子の行列配置を前記回転の接線に対して所定角度傾けて配置することを特徴とする請求項１１の記録方法。
【請求項１３】
Ｎ行Ｍ列の前記表面発光半導体レーザ素子からのビームスポットがＮ×Ｍ本のビームスポットの軌跡を描くことを特徴とする請求項１１の記録方法。
【請求項１４】
前記レーザ素子基板部の表面は、金属膜がコーティングされ、この金属膜に微細孔が設けられていることを特徴とする請求項１１の記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の所属する技術分野】
本発明は、光メモリディスク装置における、大容量の情報を垂直共振器表面発光半導体レーザにより光記録媒体及び光磁気記録媒体に記録再生する記録再生用光メモリヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光記録再生装置における従来の光メモリヘッドは、レーザダイオード，すなわち半導体レーザが発振して放つレーザを、レンズのような収束光学素子を用いて収束させることによってビームスポットを形成し、該ビームスポットをＣＤやＤＶＤなどのＲＯＭディスクや光記録媒体又は光磁気記録媒体に照射し、又はその反射光を検出して情報の再生あるいは記録を行うものである。具体的には、直径約１ [μm]程度の微小な前記ビームスポットを形成することにより、107 〜108[bit/cm2]程度の記録密度が実用化されている。
【０００３】
前記光メモリヘッドは、前記光記録媒体信号自身あるいは媒体に設けられたトラッキングガイドに反射した反射光（トラッキング信号）を検出し、アクチュエータ（ビーム位置を動かす装置）によって [O.1 μm]のオーダでトラッキング制御される。この場合、記録再生で使用されるレーザダイオード等は主に１個である。また、発光手段として、垂直共振器表面発光半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が電気通信分野に使用されている例はあるが、これを光メモリディスク記録再生装置に適用した例はない。これは、最近開発されたばかりであり主として価格が高いとの理由のためである。
【０００４】
従来の光メモリディスク記録再生装置は、前記光記録媒体に非接触にて行うことを特徴とする浮上式ヘッド方式が殆どであり、前記光記録媒体と前記光メモリヘッドが潤滑剤を介して接触しながら記録再生を行うコンタクトヘッド方式を利用したものはなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光メモリディスク記録再生装置は、前記ビームスポットの直径が小さい程、多量の情報を光記録媒体等に記録することができるが、しかし、収束光学素子を用いる従来の古典的な幾何光学原理に従った光メモリヘッドであるため、光の波長による回折限界の制限によって、使用される光の波長の数分の一程度の直径までしか前記レーザ光を収束させることができない。従って、日常最も使われる直径１２０[mm]の光記録媒体においても、高々１０[GB]の記録容量しか確保できず、今日のマルチメディア通信のメモリなど急進的技術的進歩を強力に支持するために更なる記録容量を確保できる画期的な光メモリヘッドの登場が切望されていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
そこで発明者は、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、その発明を、レーザ光の真空中における波長よりも短い径の超微細孔をレーザ光送出部に設けた垂直共振器表面発光半導体レーザ素子を格子状に配列してなる垂直共振器表面発光半導体レーザアレイを有する記録再生用光メモリヘッドとすることで、前記課題を解決したものである。このように、本発明は、レンズに代表される前記収束光学素子には必須である光学原理的限界を排除し、飛躍的な大容量光メモリディスク記録再生装置を開発するため、垂直共振器表面発光半導体レーザなる（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）素子を従来のレーザダイオードに代えて採用し、記録媒体との間隔を約１０[nm]に保つコンタクトヘッド方式とすることで、課題を解決したものである。
【０００７】
なお、本明細書中においては、前述のレーザダイオード，すなわち半導体レーザが発振して放つレーザ光、又は出力部に超微細孔を有する垂直共振器表面発光半導体レーザが放つエバネッセント波等の、レーザ発振素子により生成された全てのレーザ波をレーザ光と称することとする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、光メモリヘッドとして用いる垂直共振器表面発光半導体レーザなる VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser :以下「VCSEL 」という）素子１を格子状とした原理的なもので、平面的に見た斜視図である。該 VCSEL素子１は、多層反射膜レーザ活性層とを含む所定厚さの基板部２と、レーザ光が送出される突起状部なるレーザ光送出部３とからなり、該レーザ光送出部３の上面の中央には、各１本のエバネッセント光を垂直上方に向けて放つための超微細孔４が設けられている。
【０００９】
図２は、前記 VCSEL素子１の断面図である。該 VCSEL素子１は、レーザ光送出部３と基板部２とで構成されている。前記レーザ光送出部３の表面には、光が漏れないように１０[nm]から１００[nm]厚程度の金薄膜をコーティングしてあり、中心部には直径１０[nm]の前記超微細孔４が設けられている。該超微細孔４を通じて、レーザ発振によって生成されたエバネッセント光がただ一本のみのレーザ光として垂直上方に照射される。ここで、コーティング材料を含む該 VCSEL素子１を形成する材料はn-AlGaAs/GaAs 及びp-AlGaAs/GaAs などの一般的なものであるが、レーザ出力の改善等のため、これらと類似又は異なる物性材料をもって形成されることもできるものとする。前記超微細孔４は、レーザ発振光の真空中における波長と同等又はこれの以下又はこれ以上となるように形成され、大きい場合は、前記レーザ光送出部３の直径と同等に形成されることもある（図３の２点鎖線部参照）。
【００１０】
前記 VCSEL素子１の複数が格子状に一定間隔に配列されたものが、垂直共振器表面発光半導体レーザアレイＡであり、簡略して称すると、 VCSELアレイＡである。該 VCSELアレイＡを実際に製造するには、複数の VCSEL素子１，１，…を接合して配列させるのではなく、通常のエピタキシャル成長法等によって VCSEL素子１，１，…を格子状に同時に形成する方法が取られている。概念としては、 VCSELアレイＡは、複数の VCSEL素子１，１，…が接合されて配列させるものである。
【００１１】
同一行に配置された前記 VCSEL素子１から発射される一列をなすレーザ光は、図示されていない光記録媒体又は光磁気記録媒体の記録層上に、その一列の素子数だけビーム軌跡を形成する。ここでは説明のため、前記 VCSEL素子１を５行５列からなる構成とし、本明細書において行とは光記録媒体の回転の接線の方向に沿った一列を、列とは光記録媒体の半径方向に沿った一列をそれぞれいうものとする。
【００１２】
また、図１の前記５行５列の VCSELアレイＡにおける第５行第１列目から第５列目に配列された５つの VCSEL素子１からは、合計５本のレーザ光が紙面垂直上方に向かって発射される、前記 VCSELアレイＡと対向して配置される図示しない光記録媒体の記録層上に、５個のビームスポットを形成する。該光記録媒体は回転して情報の記録再生がなされるものであるから、その記録層上には前記５本のレーザ光の軌跡が描かれる。しかし、前記光記録媒体の回転の接線と前記 VCSELアレイＡにおける行方向とが平行となるように、前記光記録媒体と前記 VCSELアレイＡが配置されている場合は、前記５個のビームスポットが記録層上で描く軌跡は重なりあって１本になってしまう。
【００１３】
そこで、前記 VCSELアレイＡを光記録媒体の回転の接線に対して所定の微小角度傾ける。すると、前記５個のビームスポットは、同列かつ隣り合う行に配置された２つの前記 VCSEL素子１が形成する２個のビームスポット、すなわち、前述の場合は第４行第１列と第５行第１列に位置する前記 VCSEL素子１が形成する２個のビームスポットの間に難なく納めることができる。ただし、端点である第３行第１列に位置する VCSEL素子１が形成する１個のビームスポットは、前記５個のビームスポットに含めるものとする。したがって光記録媒体が回転すれば、その記録層上に５本の重ならない連続した軌跡を描くことができるので、５トラックによる情報の記録再生が可能となる。以上の作用に基づき、前記 VCSELアレイＡにおける VCSEL素子１の個数を更に増やして、同時に記録再生可能なトラック数を増大した実施例について、図面に基づいて以下に述べる。なお、本明細書中における「光記録媒体」とは、いわゆる一度のみ記録可能な光記録媒体である読出専用光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＯＭ）、書換可能な光記録媒体である相変化光ディスク（ＰＣ）やフォトンモード記録媒体を含む光ディスクの総称であり、光磁気記録媒体とは、いわゆる光磁気ディスク（ＭＯ）等の総称とする。
【００１４】
次に、図６に示したものは、本発明の記録用の VCSELアレイＡヘッドで記録された情報を再生するためのものであり、これは、前記 VCSEL素子１のレーザ発振の有無を監視し、その有無を二値情報に対応させることで前記光記録媒体に記録されている情報を読み取る。具体的には、前記光記録媒体に記録された情報ビットの有無に応じて、例えば該情報ビットが存在するときは、該情報ビットを高い反射率を有する結晶状態としておけば、該情報ビットに反射した光が前記超微細孔部を通じて前記 VCSELアレイＡ中に入射し、前記 VCSEL素子１を励起させてレーザ発振ならしめる。反対に、前記情報ビットが存在しないときは、該情報ビットを低い反射率を有するアモルファス状態としておけば、該情報ビットに反射した光が前記超微細孔４を通じて前記 VCSEL素子１に入射しても該 VCSEL素子１をレーザ発振ならしめる程の効果を生じない。したがって、前記レーザ発振の有無を監視し、これらを二値情報に対応させることで、記録用の VCSELアレイＡヘッドで記録された情報を読み取ることができる。
【００１５】
そのための手段として、各レーザ共振器のＱ値を下げるため、前記レーザ光出力部のミラーに反射防止膜をコーティングする。更に、光の透過を防ぐための金属薄膜等を前記超微細孔部以外の該レーザ光出力部の上面にコーティングする。ここで前記超微細孔４は、直径１０[nm]とし、前述の要領で設ける。各 VCSEL素子１には注入電流を流しておく。前述のように小孔部には反射防止膜がコーティングされている（勿論中心小孔も) ので、注入電流が高くてもこのままでは該 VCSEL素子１はレーザ発振しない。したがって、前記超微細孔４の上方に、光記録媒体等の記録層に記録された低反射率情報ビットが位置しても、これによる反射光によって前記 VCSEL素子１が励起されない程度に前記注入電流を調整しておけば、前述のメカニズムで光記録媒体に記録された情報ビットを読み取ることが可能になる。なお、ここでは説明のため記録用光メモリヘッドと再生用光メモリヘッドを別個に記載したが、記録と再生とで前記光メモリヘッドを共用することも可能である。
【００１６】
従来の発光ダイオード等を用いた光メモリディスク記録再生装置において、従来のヘッド部を本発明の前記記録再生用光メモリヘッドに代え、従来のアクチュエータを１０[nm]の精度を有する従来のマイクロアクチュエータに代え、従来技術の空気流浮上式ヘッドあるいは従来技術の電磁力・バネによる浮上式ヘッドを従来技術のコンタクトヘッド方式として採用すれば、本発明の実施の形態として、理想的な光メモリディスク記録再生装置を構成することができる。ここで、コンタクトヘッド方式とは、記録再生用光メモリヘッドを、潤滑剤を介して光記録媒体等に接触させてなる記録再生方式であり、その実施の形態の概念図を図６に示す。光記録媒体等は、その光ディスク基板９上の記録面を上にして水平に置かれる。その記録面なる光ディスク基板９の表面には厚さ５〜１０[nm]程度の光記録媒体層１０が設けられており、これらはSi3N4 やSiO2等で形成されていることが望ましい。更に該媒体保護膜１０の表面には厚さ１[nm]以下のパーフロロポリエーテル等の潤滑剤による薄膜１１が形成されている。前記光メモリヘッド部は、前記レーザ出力部が下に向くように逆さまにされた前記 VCSELアレイＡを有しており、底面に設けられた、直径約１００ [μm]の、２箇所の円形リーディングパッド１２及び１箇所の円形トレーリングパッド１３の計３点のみによって、前記潤滑剤を介して光記録媒体上で支持され、上方からは市販のものに穴空け加工を施したサスペンションによって軽く押えられている。このようにすると、前記円形トレーリングパッド１３及び円形リーディングパッド１２の周囲に、前記潤滑剤の表面張力によって、所謂メニスカスが形成される。このメニスカスの張力によって、前記光記録媒体等が回転する際の跳躍量が逓減され、光記録再生が安定的に行われる。このような記録再生方式をコンタクトヘッド方式という。
【００１７】
次に、前記光メモリヘッドに、所謂λ／４膜１５、及びファラデーローテータ膜１６を形成すると、理想的な光磁気メモリヘッドを構成することができる。再生記録方法は従来技術と同じであるが、図７に基づいて、前記ＶＣＳＥＬアレイＡを光磁気記録再生に応用した場合の概要を記す。前記ＶＣＳＥＬ素子１において、ｎ−ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多層反射ミラーとレーザ活性層とでなる基板部２の間に、ＥＣＲ  スパッタ等によってコートされた、配向性を有するいわゆるλ／４膜１５、及びファラデーローテータ膜１６を形成する。前記ＶＣＳＥＬ素子１でＴＥ波が生成されたとすると、該ＴＥ波がλ／４膜を経て光磁気記録媒体にて反射し、再びλ／４膜に入射してレーザ活性層に戻ったときに光波の電界成分はＴＥ波と９０゜振動方向が異なるＴＭ波となる。光磁気記録媒体に磁化方向の向きの違いによる情報ビットが記録されていれば、光ディスク媒体で反射された前記ＶＣＳＥＬアレイＡ内で発生しているＴＥ，ＴＭ波間に位相差が現われる。ここで、該多層反射ミラーとＧａＡｓ基板の間にはショットキーダイオードが挿入されており、光磁気膜の磁化方向に応じて二つの光波のための周波数に相当する高周波が生成される。従来技術と同様、この高周波を検出することにより情報の記録再生を行うものである。なお、本光磁気メモリヘッドを構成する場合は記録用に磁性体を必要とするので、前記記録用及び再生用ＶＣＳＥＬアレイＡの側周囲を、光磁気光学記録に必要な磁石又は磁性体で覆っていてファラデー光学素子の磁界と光磁気光学記録用磁界とを兼用にする。
【００１８】
次に、本発明の前記光メモリヘッドにおける故障素子補償アレイを設けたことを特徴とする光メモリヘッドの作用的概念図を図８に示す。前記 VCSELアレイＡにおいていくつかの VCSEL素子１が故障した場合、新しい VCSELアレイＡに交換せずに、故障した素子を他の VCSEL素子１で代替する。即ち、前記 VCSELアレイＡと同一の VCSELアレイＡを予備的にもう一つ設けておく。具体的には、第１の前記 VCSELアレイＡと、それと同一な予備のものを第２の VCSELアレイＡし、第１の VCSELアレイＡにおける故障素子が第１行１０列目にある場合を▲１▼（１，１０）と表わすことにすれば、第２の VCSELアレイＡにおいてそれと対応する補償素子は第１行１０列目、すなわち▲２▼（１，１０）と表わせる。第１の VCSELアレイＡの▲１▼（１，１０）のレーザ光が光記録媒体上に描く軌跡は、第２の VCSELアレイＡの▲２▼（１，１０）のレーザ光の軌跡と同一であるから、図示されていない信号制御部等によって、第１の VCSELアレイＡの▲１▼（１，１０）の故障を検出すると同時に正常な第２の VCSELアレイＡの▲２▼（１，１０）の VCSEL素子１を補償用に供するものである。
【００１９】
【実施例】
図３は、本発明の光メモリヘッドに供する VCSELアレイＡであり、該 VCSELアレイＡは、複数の VCSEL素子１と個別電極と共通電極からなり、該 VCSEL素子１は、基板部２とレーザ光送出部３とで構成されている。前記 VCSEL素子１は、レーザ光送出部３の直径を１ [μm]、各VCSEL 素子の間隔は２ [μm]とする格子状の正方行列をなすことが理想的である。ここでは、最適な構成として、図５に示すように、Ｘ軸方向に１００個の、Ｙ軸方向にも１００個の格子状の正方行列となるように VCSEL素子１を配列する。各 VCSEL素子１のレーザ光送出部３の中央には直径１０[nm]程度の超微細孔４を設けられている。該超微細孔４は、シリコン−ナイトライド固体結晶等をエッチングして複数の針状アレイを形成し、先端が鋭利になるようにした微小針の先端が前記レーザ光送出部の中心上に位置するように接近させた後、ゆるやかに押し当てることで、正確に前記超微細孔４を設けることができる。該超微細孔４は、前記 VCSEL素子１が生成するエバネッセント光波を光ビームとして外部に発射するための出力窓として機能するものである。なお、前記レーザ光送出部２は高さの僅かな円柱をなしているが、この他にも正方体、直方体等の如何なる立体的な形態を取りうるものとする。
【００２０】
図４は、前記１００行１００列の VCSELアレイＡが光記録媒体に情報を記録する作用図でもある。説明の簡単のため、前記 VCSELアレイＡは、前述のように前記超微細孔４を上にして水平の状態にされ、その微小距離上方に光記録媒体が、記録層が平行かつ対向するように配置されているものとする。前記１００行１００列の VCSELアレイＡが垂直上方に発射する合計１００００本のレーザ光は、前記光記録媒体の記録層に幅約２００ [μm]に亘って合計１００００個のビームスポットを形成する。本図では、その一部分を拡大して記載している。なお、該ビームスポットが当たった点は、通常の光記録媒体における記録方法と同様に、その記録層の材料によって、くぼみ又は反射率の変化あるいは変色が生じるので、これを２値信号に対応させる周知方法にて情報を記録する。
【００２１】
ここで、図５のように、前記 VCSELアレイＡを前記光記録媒体の回転の接線（タンジェンシャル方向）に対して微小角度傾けて設置すると、前記光記録媒体の記録層上に、間隔が約２０[nm]幅の、重さならない連続した１００００個のビームスポットによる１００００本の軌跡を描くことが可能になる。具体的には、幅２００ [μm]をなす１００００本のビームスポットを形成する前記１００行１００列の VCSELアレイＡを、前記光記録媒体の回転の接線方向（タンジェンシャル方向）に対してθ＝arctan( ２／１９９) ＝０．５７５８２度だけ傾けて設置する。すると、前記光記録媒体の記録層上に、各ビームスポットの間隔が約２０[nm]幅である、重さならない連続した１００００本の軌跡を描くことができる。この状態で各 VCSEL素子１の入出力信号を個別に高速パルス変調すれば、一度に１００００トラック分、即ち１００００[bit] の情報を同時に記録再生することができる。したがって、前記光記録媒体等の記録層に照射された幅２００ [μm]をなす１００００本の前記レーザビームは、ディスク接線速度が１０[mm/sec]の場合で、１トラックで１〔Ｍbit/s]、すなわち１００００トラックであるから１０Ｇ [bit/s]のデータ転送速度を実現する。結果として直径１２０[mm]の光記録媒体においては合計で約１ [ＴByte] の情報を記録することができる。
【００２２】
ここで、前記 VCSELアレイＡを傾ける際の微小角度の求め方について説明する。前記 VCSELアレイＡにおいて、光記録媒体の半径方向（列方向）に並んだ VCSEL素子１数をＮ、光記録媒体の回転の接線方向（行方向）に並んだ VCSEL素子１数をＭとして、前記 VCSELアレイＡ素子のレーザ光送出部３の直径をＤ、列方向における隣接するレーザ光送出部３，３の内間隔をＥ、行方向における隣接するレーザ光送出部３，３の内間隔をＦとすれば、前記 VCSELアレイＡの行方向の外端間の長さは、ＭＤ＋（Ｍ−１）Ｆと、列方向の外端間の長さはＮＤ＋（Ｎ−１）Ｅと表わされる。また、列方向の隣接するレーザ光送出部３，３の１つの内間隔は、Ｅ＋Ｄとなる。これより、前記 VCSELアレイＡの放射するＭ×Ｎ本のレーザ光全てが連続して重なることなく軌跡を描くことができるときの、前記光記録媒体等の回転の接線となす角度θは、θ=arctan ｛（Ｄ＋Ｅ）／〔ＭＤ＋（Ｍ−１）Ｆ〕｝の関係を満たす。ただしθは、前記 VCSELアレイＡの行方向と、前記光記録媒体の回転の接線方向とがなす角とする。
【００２３】
【発明の効果】
この発明の光ヘッドによれば、光学素子における理論的限界値以下のサイズのビームスポットを複数形成することができるようになり、従来の光メモリヘッドを使用したときに比べて飛躍的大容量の情報を光記録媒体又は光磁気記録媒体を記録することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を原理的に説明するための記録再生用光メモリヘッドの斜視図
【図２】本発明の要部断面図
【図３】本発明の要部斜視図
【図４】本発明の要部拡大斜視図
【図５】光記録媒体に対して平面的に本発明を設置する状態図
【図６】コンタクトヘッド方式による記録再生用光メモリヘッドの要部拡大状態図
【図７】光磁気ヘットの単素子の状態図
【図８】補償用にした本発明の平面図
【符号の説明】
Ａ…垂直共振器表面発光半導体レーザアレイ
１…垂直共振器表面発光半導体レーザ素子
３…レーザ光送出部
４…超微細孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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