(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣパッケージ用多層セラミック基板の製造方法であって、
複数のセラミックグリーンシートを積層した積層体を、多層セラミック基板になる部分とその周囲の外寸調整などのためのダミー帯とを含む各片に、切断、分割するステップと、
この切断、分割された各片について、その一方の面の外周端部を、前記ダミー帯及びそれ以外の部分をも含めて、面取りするステップと、
前記各片について、前記ダミー帯を多層セラミック基板になる部分から除去するために、前記ダミー帯と前記多層セラミック基板になる部分との間を、片刃の刃物で、前記の面取りされた面の反対側の面から前記の面取りされた面に向かって、切断するステップと、
を含むことを特徴とする、多層セラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣパッケージ用多層セラミック基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７はＰＧＡ（ピン・グリッド・アレイ）などのＩＣパッケージ用の多層セラミック基板の製造方法を示すフローチャートである。この図７のフローチャートに示すように、ＰＧＡ用の多層セラミック基板は、導体パターンが形成された複数枚のセラミックグリーンシートを積層し（ステップ１）、この積層体を個々の未焼成セラミック積層体の各片に切断し（ステップ２）、個々の各片の４辺の縁部を斜めにカットして面取りを行い（ステップ３。図８の符号６参照）、各片の４隅の角（コーナー）をカットする（ステップ４。図８の符号７参照）などの各工程を経た後、焼成の工程（ステップ５）リードピンのろう付、メッキ工程（図示せず）などを経て、完成される。このように、ＰＧＡなどにおいては、焼成前に、一枚のセラミックグリーンシートの積層体を複数個に切断して、単品化することが行われている。
【０００３】
ところで、従来の多層セラミック基板の製造方法においては、前記の切断（ステップ２）の工程において、図９に示すような一枚のセラミックグリーンシートの積層体１０から多層セラミック基板になる部分を取り出す（単品化する）ために切断するときに、多層セラミック基板になる各部分１１の相互間に、図９のｍ，ｎに示すような一定の間隔（ダミー帯）を介在させた上で、切断するようにしている。このように前記各部分１１の間にダミー帯を介在させているのは、次のような理由によっている。まず第１に、もし前記多層セラミック基板になる各部分１１の間にダミー帯ｍ，ｎを介在させないと、前記各部分１１の導体パターンのメッキ引き出し線が隣接する他の部分１１の中に入ってしまうので、これを防止するためにダミー帯を介在させる必要がある。また、第２に、前記各部分１１につき焼成前の寸法の調整をするためにダミー帯を介在させておく必要があるためである。
【０００４】
また、従来は、前記の多層セラミック基板になる各部分１１の間に介在させるダミー帯ｍ，ｎを、その幅が３ｍｍ以上となるような幅の広いもの（面積の広いもの）にするようにしていた。その理由としては、図１０のＣで示す個所を切断して、その次に図１０のＤで示す個所を切断する場合を考えると、ダミー帯ｍ，ｎの幅が３ｍｍ以上というように広いときは、図１０（ａ）に示すように、Ｃの個所だけでなくＤの個所も図の垂直方向に正確に切断することができるが、ダミー帯ｍ，ｎの幅が３ｍｍよりも狭いときは、図１０（ｂ）に示すように、最初のＣの個所は正確に切断できても、次のＤの個所での切断では、「切断刃物の逃げ」が生じてしまうため、図の垂直方向に正確に刃物が入らず、正確な切断ができなくなってしまう。そのために、前記多層セラミック基板になる部分１１の周囲に、少なくとも３ｍｍ幅以上の幅広の（面積の大きい）ダミー帯ｍ，ｎを確保することが必要だったのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一枚のセラミックグリーンシート積層体１０から多層セラミック基板になる部分１１が何個取りできるか（何個の前記各部分１１が取れるかというシート内の付数）は、多層セラミック基板の生産性を大きく左右する問題である。前記ダミー帯ｍ，ｎを従来よりも狭く形成できれば、前記のセラミックグリーンシート積層体１０から取れる前記各部分１１の個数を大幅に増やし、多層セラミック基板の生産性を向上させることが可能になる。
【０００６】
本発明はこのような従来技術の課題に着目してなされたものであって、多層セラミック基板になる部分の周囲に確保されるべきダミー帯の寸法を微少化して、一枚のセラミックグリーンシート積層体から取れるセラミック基板になる部分の個数を大幅に増やして、多層セラミック基板の生産性を大幅に向上させることができる、多層セラミック基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によるＩＣパッケージ用多層セラミック基板の製造方法は、複数のセラミックグリーンシートを積層した積層体を、個々の多層セラミック基板になる部分とその周囲に確保された寸法調整用のダミー帯とをそれぞれ含む複数個の各片に切断、分割するステップと、この切断、分割された複数個の各片について、その下面の外周端部を、前記ダミー帯とそれ以外の部分をも含めて、面取りするステップと、 前記各片について、前記ダミー帯を多層セラミック基板になる部分から除去するために、前記ダミー帯と前記多層セラミック基板になる部分との間を、片刃の刃物で、前記の面取りされた面の反対側の面から前記の面取りされた面に向かって、切断するステップと、を含むことを特徴とするものである。
【発明の詳細な説明】
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態では、まず、一枚のセラミックグリーンシートの積層体２１を、図の１点鎖線Ａ，Ｂで切断して、図２に示すような計１２個の各片２２に分割する。この各片２２には、図２（ａ）（ｂ）に示すように、多層セラミック基板になる部分２３とその周囲のダミー帯２４（図２において斜線で示す部分）とが含まれることになるが、このダミー帯２４は、その幅が３ｍｍよりも小さくなっており、従来のもの（図９参照）と比較すると大変幅の狭いものとなっている。
【０００９】
次に、各片２２について、このダミー帯２４を切断、除去する工程について説明する。本実施形態では、前記のセラミックグリーンシート積層体２１が切断、分割されて得られた各片２２のダミー帯２４が、従来と比べて大変幅の狭いものとなっているため、従来の方法のままでは、「切断刃物の逃げ」（図１０（ｂ）参照）が生じてしまい正確に切断できないという問題があった。そこで、本発明者は、図３に示すように、片刃の刃物２５（切断面に傾きが形成されている刃物）を使用して前記ダミー帯２４を前記部分２３から切断することにした。これにより、前述の「逃げ」が防止され、正確に図の垂直方向に正確に刃物２５が入るようになることが確認できた。
【００１０】
しかし、次の問題として、この片刃の刃物２５で切断したとき（図３（ａ）参照）、前記片刃の刃物２５の出側の部分が、切断時の先行クラックにより破断面２３ａとなってしまい（図３（ｂ）参照）、歩留まりの低下を引き起こしてしまうことが判明した。そこで、本発明者は、前記ダミー帯２４を切断する前に、前記各片２２の前記片刃の刃物２５の出側の部分（前記各片２２の図示下方の部分）の外周縁部を、図４（ａ）（ｂ）に示す要領で、刃物を使用して面取りするようにした。この面取りは、図５に示すように、図５の水平方向に対して約４５度の傾斜角を有するように、かつ、少なくともダミー帯２４の全てと前記基板となる部分２３の一部をも含むように、行った。これにより、各片２２の下方縁部に面取り部２６が形成された。
【００１１】
この面取り部２６を形成した後に、前記の片刃の刃物２５を使用して、ダミー帯２４の切断、除去を行った（図６（ａ）（ｂ）参照）。この場合は、図３（ｂ）に示すような破断面２３ａが生じることがなく、ダミー帯２４の高精度な切断・除去が可能になった（図６（ｃ）参照）。
【００１２】
以上のように、本実施形態では、一枚のセラミックグリーンシート積層体２１から複数個の多層セラミック基板になる部分２３を取り出す場合に、まず、ダミー帯２４を含む形で前記積層体２１を切断、分割するようにしている。そして、このダミー帯２４を前記多層セラミック基板になる部分２３から切断、除去するときには、まず、前記各片２２のダミー帯２４を切断するときの出側の外周縁部に、面取り部２６を形成するようにし、その後に、片刃の刃物２５でダミー帯２４を切断、除去するようにしている。そのため、ダミー帯２４が３ｍｍ以下の微少な幅しか持たない場合でも、ダミー帯だけを高精度に正確に切断・除去することが可能になる。よって、本実施形態によれば、ダミー帯２４の微少化により、一枚のセラミックグリーンシート積層体２１から取れる多層セラミック基板になる部分２３の個数を従来よりも大幅に増やすことが可能になり、多層セラミック基板の生産性を大幅に向上させられるようになる。
【００１３】
本発明者の実験では、１６８ピンのＩＣパッケージ用のセラミックグリーンシートからは、従来は６個の片しか取れなかったが、本実施形態によると９個の片を取ることが可能になった。また、２９６ピンのＯＩＣパッケージ用のセラミックグリーンシートからは、従来は１２個の片しか取れなかったが、本実施形態によると１５個の片を取ることが可能になった。
【００１４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、一枚のセラミックグリーンシート積層体から複数個の多層セラミック基板になる部分を取り出す場合に、まず、ダミー帯を含む形で前記積層体を切断、分割するようにしている。そして、このダミー帯を前記多層セラミック基板になる部分から切断、除去するときは、まず、前記の多層セラミック基板になる部分とダミー帯を含む各片の中のダミー帯を切断するときの出側の外周縁部に、面取り部を形成する。その後、片刃の刃物でダミー帯を切断する。以上の方法によれば、一枚のセラミックグリーンシートの積層体の中のダミー帯が３ｍｍ以下の微少な幅しかない場合でも、最終的に、ダミー帯だけを、高精度に正確に、多層セラミック基板になる部分から切断・除去することができるようになる。よって、本発明によれば、一枚のセラミックグリーンシート積層体の中に確保すべきダミー帯を従来よりも大幅に微少化することができ、一枚のセラミックグリーンシート積層体から取れる多層セラミック基板になる部分の個数を大幅に増やして、多層セラミック基板の生産性を向上させことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態による多層セラミック基板の製造方法において使用されるセラミックグリーンシート積層体を示す平面図である。
【図２】  本実施形態においてセラミックグリーンシート積層体から切断された各片を示すもので、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図である。
【図３】  本実施形態において、各片のダミー帯を片刃の刃物で切断、除去する工程と、そのときに生じる問題点を説明するための図である。
【図４】  本実施形態において、各片のダミー帯を切断、除去する前に、片刃の刃物の出側の外周縁部に面取り部を形成するための方法を説明するための図である。
【図５】  本実施形態において、各片の図示下方の外周縁部に面取り部を形成した状態を示す側面図である。
【図６】  本実施形態において、図示下方の外周縁部に面取り部が形成された後に、片刃の刃物でダミー帯を切断・除去するときの動作を示す図である。
【図７】  従来のＩＣパッケージ用多層セラミック基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図８】  従来の多層セラミック基板の一例を示す斜視図である。
【図９】  従来のセラミックグリーンシート積層体及びそこに確保されるダミー帯を示す平面図である。
【図１０】  従来の方法によるダミー帯の切断の動作とその問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
２１  セラミックグリーンシートの積層体
２２  片
２３  多層セラミック基板になる部分
２３ａ  破断面
２４  ダミー帯
２５  片刃の刃物
２６  面取り部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0003712520.tif 000010
【図１０】
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