(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（ＩＩ）で表される光学活性２−置換コハク酸−４−エステルに一般式ＮＨＲ2Ｒ3（但し、Ｒ2、Ｒ3は独立に水素原子もしくは炭素数１〜２のアルキル基を示すか、あるいはＲ2とＲ3がいっしょになってそれらが結合する窒素原子と共に、場合によってはさらに酸素原子または窒素原子を含む炭素数３〜４の５員または６員の複素単環を形成してもよい。）で表されるアミン類を反応させてアミド化した後、酸析することを特徴とする一般式（Ｉ）で表される光学活性アミドカルボン酸の製造方法。
【化１】
0003656002.tif 000011
（但し、式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ1は炭素数１〜１０で、それぞれフェニル基またはフッ素原子で置換されていてもよい直鎖または分岐状のアルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基を示し、Ｒ2およびＲ3は前記と同義である。）
【化２】
0003656002.tif 000012
（但し、式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ1は前記と同義であり、Ｒ4は炭素数１〜１０で、それぞれフェニル基またはフッ素原子で置換されていてもよい直鎖または分岐状のアルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基を示す。）
【請求項２】
下記一般式（Ｉ）で表される光学活性アミドカルボン酸を含む溶液から４０℃以下の温度で再沈殿させることを特徴とする一般式（Ｉ）で表される光学活性アミドカルボン酸の精製方法。
【化３】
0003656002.tif 000013
（但し、式中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ1は炭素数１〜１０で、それぞれフェニル基またはフッ素原子で置換されていてもよい直鎖または分岐状のアルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基を示し、Ｒ2、Ｒ3は独立に水素原子もしくは炭素数１〜２のアルキル基を示すか、あるいはＲ2とＲ3がいっしょになってそれらが結合する窒素原子と共に、場合によってはさらに酸素原子または窒素原子を含む炭素数３〜４の５員または６員の複素単環を形成してもよい。）
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）で表される光学活性アミドカルボン酸を含む可溶溶媒の均一溶液中に貧溶媒を投入することを特徴とする請求項２記載の精製方法。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）で表される光学活性アミドカルボン酸を含む均一な水溶液中に無機塩を投入することを特徴とする請求項２記載の精製方法。
【請求項５】
請求項１の方法により前記一般式（Ｉ）で表される光学活性アミドカルボン酸を製造した後、請求項２〜４のいずれかの精製方法により精製することを特徴とする前記一般式（Ｉ）で表される光学活性アミドカルボン酸の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医薬農薬中間体等として有用な光学活性置アミドカルボン酸を光学純度よく製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より光学活性アミドカルボン酸類の製造方法として、以下の２つの方法が知られている。
（１）下式で示す不斉還元によって（Ｓ）−アミドカルボン酸を製造する方法（Ｃｈｅｍ．  Ｐｈａｒｍ．  Ｂｕｌｌ．，  ４０（１），  ２２４−６（１９９２））。
【０００３】
【化４】
0003656002.tif 000002
（２）下式で示す酵素を用いてメチルコハク酸ジメチルの４−エステル部分を位置選択的にかつ立体選択的に（Ｒ）体のみをモノアミド化して、（Ｒ）−アミドカルボン酸メチルエステルを製造する方法（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，  ５１（５），  １４９５−５０２（１９９５））。
【０００４】
【化５】
0003656002.tif 000003
しかしながら、上記（１）の方法では、高価な不斉触媒を用いなければならず、また特殊な不斉還元用の設備が必要である。
【０００５】
また、上記（２）の方法は、光学活性アミドカルボン酸エステルが得られ、直接に光学活性アミドカルボン酸を得る方法ではない。さらに、その際得られた光学活性アミドカルボン酸エステルの光学純度をそれ以上向上させる方法がないという問題もある。
【０００６】
一方、光学活性アミドカルボン酸の光学純度および化学純度を上げるための精製方法としては、熱時下にて再結晶を行うことが一般的である。しかし、本発明が目的とするところの下記一般式（Ｉ）で表される主炭素鎖の炭素数が４のアミドカルボン酸の場合には、４０℃を超える熱をかけることによってアミド基とカルボキシル基の位置が反対の一般式（ＩＩＩ）で表される位置異性体が生成してくるという問題がある。
【０００７】
【化６】
0003656002.tif 000004
【０００８】
【化７】
0003656002.tif 000005
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、光学活性アミドカルボン酸を原料よりも光学純度の高い結晶で簡便に製造する方法を提供することを目的とする。
【００１０】
また本発明は、位置異性体の生成を伴うことなく、光学活性アミドカルボン酸の光学純度および化学純度をさらに向上させることのできる精製方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一般式（ＩＩ）で表される光学活性２−置換コハク酸−４−エステルに一般式ＮＨＲ2Ｒ3（但し、Ｒ2、Ｒ3は独立に水素原子もしくは炭素数１〜２のアルキル基を示すか、あるいはＲ2とＲ3がいっしょになってそれらが結合する窒素原子と共に、場合によってはさらに酸素原子または窒素原子を含む炭素数３〜４の５員または６員の複素単環を形成してもよい。）で表されるアミン類を反応させてアミド化した後、酸析することを特徴とする一般式（Ｉ）で表される光学活性アミドカルボン酸の製造方法に関する。
【００１２】
【化８】
0003656002.tif 000006
但し、式（Ｉ）中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ1は炭素数１〜１０で、それぞれフェニル基またはフッ素原子で置換されていてもよい直鎖または分岐状のアルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基を示し、Ｒ2およびＲ3は前記と同義である。
【００１３】
【化９】
0003656002.tif 000007
但し、式（ＩＩ）中、＊は不斉炭素を示し、Ｒ1は前記と同義であり、Ｒ4は炭素数１〜１０で、それぞれフェニル基またはフッ素原子で置換されていてもよい直鎖または分岐状のアルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基を示す。
【００１４】
この方法によれば、高価な不斉触媒を用いたり、特殊な不斉還元用の設備も必要とせず、光学活性アミドカルボン酸を直接的にしかも原料より高い光学純度で得ることができる。
【００１５】
また本発明は、前記一般式（Ｉ）で表される光学活性アミドカルボン酸を含む溶液から４０℃以下の温度で再沈殿させることを特徴とする精製方法に関する。この方法では、光学活性アミドカルボン酸の光学純度および化学純度をさらに向上させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
＜光学活性アミドカルボン酸の製造方法＞
本発明の光学活性アミドカルボン酸の製造方法は、１）アミド化反応（光学活性アミドカルボン酸のアンモニウム塩またはアミン塩の形成）、２）酸析の二段階の工程を経ることによって行われる。
【００１７】
まず、第１段階のアミド化反応の工程は、次の反応式で示すように、光学活性２−置換コハク酸−４−エステルにＮＨＲ2Ｒ3を反応させて光学活性アミドカルボン酸のアンモニウム塩またはアミン塩を形成する反応である。
【００１８】
【化１０】
0003656002.tif 000008
ここで原料となる一般式（ＩＩ）で表される光学活性２−置換コハク酸−４−エステルは、例えば特開平８−２８５号公報や特開平８−３１０９９４号公報に記載されているような、ラセミ体２−置換コハク酸−４−ジエステルにエステル結合を不斉加水分解する能力を有する微生物の培養物、菌体または菌体処理物を作用させる方法、ラセミ体２−置換コハク酸−４−ジエステルをキラルなアミンとの塩を形成させジアステレオマーとして再結晶させる優先晶析法、ラセミ体２−置換コハク酸−４−ジエステルを光学分割カラムを用いて光学分割する方法等により得ることができる。
【００１９】
ここで、Ｒ1としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル等の直鎖状または分岐状のアルキル基；これらアルキル基中の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されたフッ素置換アルキル基；ベンジル等のフェニル置換アルキル基；メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ等の直鎖状または分岐状のアルコキシ基；これらアルコキシ基中の１個以上の水素原子がフッ素原子またはフェニルで置換されたアルコキシ基；メチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロピルチオ、ｉ−プロピルチオ、ｎ−ブチルチオ等の直鎖状または分岐状のアルキルチオ基；これらアルキルチオ基中の１個以上の水素原子がフッ素原子またはフェニルで置換されたアルキルチオ基を挙げることができる。
【００２０】
この中でも、炭素数１〜８のものが好ましく、特にメチル、エチル、ｎ−ブチル、ベンジルが好ましい。
【００２１】
また、Ｒ4としても、上記Ｒ1と同じ基を挙げることができ、その中でも、炭素数１〜８のものが好ましく、特にメチル、エチル、ｎ−ブチル、ベンジルが好ましい。
【００２２】
また、一般式ＮＨＲ2Ｒ3で表されるアミン類としては、例えば、アンモニア、メチルアミンおよびエチルアミン等の１級アミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン等の２級アミン、モルホリン、ピペラジン等の環状アミン等を挙げることができる。この中でもアンモニアおよび１級アミンが好ましい。
【００２３】
このアミド化反応に使用するアミン類の量は、１当量はアミドカルボン酸のアンモニウム塩またはアミン塩の形成に使われるため、光学活性２−置換コハク酸−４−エステル１モルに対して、２〜１０倍モルが好ましいが、反応速度や反応率および釜効率等の面から２〜４倍モルが実用的である。また、ガス状のアミン類はガスで直接反応系内に吹き込んでも、溶媒に吸収させたものを使用してもどちらでもよい。
【００２４】
このアミド化反応は一般に溶媒中で行い、その際に用いる溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｉ−ブチルアルコール、エチレングリコール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素、水、ジメチルスルホキシド等を挙げることができる。この中でも水、およびアルコール系溶媒が好ましく、特に水およびメチルアルコールが好ましい。また、上述した溶媒を２種混合して用いてもよく、その場合、水またはアルコール系溶媒（好ましくはメチルアルコール）を５０％以上、特に７０％以上含むことが好ましい。
【００２５】
このアミド化反応において、溶媒の使用量は、光学活性２−置換コハク酸−４−エステル１ｇに対して、０．１〜５０ｍｌが好ましいが、反応速度や反応率および釜効率等の面から０．５〜３ｍｌが実用的である。
【００２６】
このアミド化反応の反応温度は、例えば−２０〜１００℃の範囲であればよいが、好ましくは−１０〜５０℃である。また、反応圧力は、例えば絶対圧で５０ｋＰａ〜５ＭＰａであり、好ましくは５０ｋＰａ〜１ＭＰａで、さらに好ましくは８０ｋＰａ〜１２０ｋＰａである。さらにこのときの反応時間は、通常０．１〜１００時間で、好ましくは１〜８０時間である。ここでの反応時間はアミン投入後の経過時間である。
【００２７】
このアミド化反応の反応率は、原料の光学活性２−置換コハク酸−４−エステルと生成物の光学活性アミドカルボン酸が共にＵＶ吸収を有するため、高速液体クロマトグラフィー等を利用して知ることができる。
【００２８】
このアミド化反応は、生産性や酸析時の析出率の面から、ガスクロマトグラフィーや高速液体クロマトグラフィーの面積百分率から得られるの反応率が、例えば９０％以上となるように温度、時間等の条件を設定することが好ましい。
【００２９】
次の第２段階目の酸析の工程は、第１段階のアミド化反応で得られた光学活性アミドカルボン酸アンモニウム塩またはアミン塩に酸を添加して遊離の光学活性アミドカルボン酸を得る工程である。この際、光学活性アミドカルボン酸のアンモニウム塩またはアミン塩を単離してから酸析することも可能であるが、一般には、上記のアミド化反応後の反応液に、酸またはその水溶液を添加すればよい。
【００３０】
ここで使用する酸としては、例えば、硫酸、塩酸、リン酸等が挙げられるが、水溶液として用いる場合に濃度調整が容易な、かつ安価で汎用的な硫酸または塩酸を使用することが好ましい。酸の使用量は通常、使用したアミン類に対して０．５〜２当量が好ましく、一般にカルボン酸のｐＫａが約３であることを考慮に入れるとｐＨを約２に調整するだけの量で十分である。酸の使用量が０．５当量未満であると光学活性アミドカルボン酸のアンモニウム塩またはアミン塩が中和されずに残ったり、２当量を超えるとアミド基が酸性加水分解されて収率が低下することがある。このような酸処理は通常−５０〜１２０℃で行われるが、好ましくは−１０〜４０℃である。
【００３１】
酸処理によって析出した結晶は、光学活性アミドカルボン酸が主であるが、アミド化に使用したアンモニアまたはアミンの酸塩および水分が少量含まれることがある。この製造方法を、得られる目的の光学活性アミドカルボン酸の光学純度を原料よりも向上させることができる。
【００３２】
＜光学活性アミドカルボン酸の精製方法＞
本発明の光学活性アミドカルボン酸の精製方法の好ましい具体的方法としては、精製を行う光学活性アミドカルボン酸の可溶溶媒の溶液中に４０℃以下の温度で貧溶媒を投入して沈殿を析出させる方法（方法１）、あるいは精製を行う光学活性アミドカルボン酸の水溶液中に、４０℃以下の温度で、水に対して光学活性アミドカルボン酸よりも溶解度の高い無機塩を投入して沈殿を析出させる方法（方法２）を挙げることができる。
【００３３】
方法１および方法２のいずれの場合においても、再沈殿は４０℃以下であって溶液が凝固しない温度以上で行えばよいが、位置異性体の生成を極力低減するためには３５℃以下が好ましく、また一般には−２０℃以上が好ましい。また、再沈殿を行う際の圧力は絶対圧で５０ｋＰａ〜５ＭＰａであり、好ましくは５０ｋＰａ〜１ＭＰａで、さらに好ましくは８０ｋＰａ〜１２０ｋＰａである。さらに再沈殿の時間は、特に制限はないが通常０．１〜２４時間で、好ましくは０．１〜５時間である。ここでの再沈殿の時間は、方法１の場合は貧溶媒を投入後以降の経過時間で、方法２の場合は無機塩を投入後以降の経過時間である。
【００３４】
方法１で用いられる可溶溶媒としては、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｉ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒、水、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等が好ましい。また、これらの混合溶媒を使用してもよい。  可溶溶媒の使用量は、光学活性アミドカルボン酸１ｇに対して、０．１〜５０ｍｌが好ましいが、収率および釜効率等の面から０．５〜１０ｍｌが実用的で、光学活性アミドカルボン酸を溶解するのに必要十分量あればよい。
【００３５】
方法１で用いられる貧溶媒としては、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｉ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、１−ヘキセン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン、シクロヘキセン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、ｉ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、アニソールなどのエーテル系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒等の使用が好ましい。また、これらの混合溶媒を使用してもよい。
【００３６】
貧溶媒の使用量は、光学活性アミドカルボン酸１ｇに対して、０．１〜５００ｍｌが好ましいが、収率および釜効率等の面から０．５〜２００ｍｌが実用的で、光学活性アミドカルボン酸が析出するのに必要十分量あればよい。
【００３７】
ここで光学活性アミドカルボン酸を溶解させる可溶溶媒、および沈殿させる貧溶媒は、精製する光学活性アミドカルボン酸の種類によって異なり、上記に列挙した可溶溶媒および貧溶媒の中から、それぞれの光学活性アミドカルボン酸に適した可溶溶媒と貧溶媒を選択すればよい。
【００３８】
可溶溶媒と貧溶媒の組み合わせ（可溶溶媒／貧溶媒）の例としては、例えば、メチルアルコール／ｎ−ヘキサン、メチルアルコール＋酢酸エチル／ｎ−ヘキサン、メチルアルコール／ｉ−プロピルアルコール、メチルアルコール／ｎ−ブチルアルコール、メチルアルコール／トルエン、ｉ−プロピルアルコール／ｎ−ヘキサン等を挙げることができる。
【００３９】
一方、方法２における水の使用量は、光学活性アミドカルボン酸１ｇに対して、０．１〜５０ｍｌが好ましいが、収率および釜効率等の面から０．５〜１０ｍｌが実用的で、光学活性アミドカルボン酸を溶解するのに必要十分量あればよい。
【００４０】
方法２で再沈殿に用いられる無機塩としては、水に対する溶解度が光学活性アミドカルボン酸よりも高い硫酸塩、塩酸塩、リン酸塩等が好ましいが、この中でも、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム等の硫酸塩、塩化ナトリウム、塩化カリウム等の塩酸塩が実用的で好ましい。
【００４１】
無機塩の使用量は、光学活性アミドカルボン酸が析出するのに必要十分量あればよいが、光学活性アミドカルボン酸１ｇに対して、０．１〜１００ｇが好ましく、さらに０．５〜５０ｇが実用的で好ましい。また、水溶液に対する無機塩の飽和溶解度より若干少ない程度が、析出した光学活性アミドカルボン酸中に無機塩分の混入が少なくなり、収率の面からも好ましい。
【００４２】
本発明の精製方法を用いると、精製前の光学活性アミドカルボン酸より光学純度をさらに向上させると共に、化学純度も向上させることができる。
【００４３】
本発明の精製方法は、どのような方法によって得られた光学活性アミドカルボン酸に対しても適用可能である。例えば前述の＜光学活性アミドカルボン酸の製造方法＞によって得られた光学活性アミドカルボン酸の精製に適用することにより、光学純度が高くしかも化学純度も高い光学活性アミドカルボン酸を容易に得ることができる。
【００４４】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこの実施例によって限定されるものではない。なお、実施例中の化合物の構造決定は核磁気共鳴（ＮＭＲ）で、反応率、化学純度および光学純度は高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で分析を行った。
【００４５】
［ＨＰＬＣ測定条件］（反応率および化学純度測定用）
ＨＰＬＣカラム：ＴＳＫ−ＧＥＬ  ＯＤＳ−１２０Ａ（東ソー（株）製）
検出：ＵＶ２２０ｎｍ
移動層：水：メチルアルコール＝８：２
カラム温度：室温
流速：０．７ｍｌ／分
［ＨＰＬＣ測定条件］（光学純度測定用）
ＨＰＬＣカラム：ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＡＳ（ダイセル化学工業（株）製）
検出：ＵＶ２２０ｎｍ
移動層：ｎ−ヘキサン：ｉ−プロピルアルコール＝１：１
カラム温度：室温
流速：０．５ｍｌ／分
［実施例１］  光学活性４−アミノ−２−メチル−４−オキソ酪酸の製造
この実施例では、次の反応経路により標記化合物を合成した。
【００４６】
【化１１】
0003656002.tif 000009
即ち、攪拌機、フィードポンプ、温度計を備えたグラスライニングされた反応釜に、大気圧下、２５ｗｔ％−アンモニア水を３７．３ｋｇ（原料に対して３倍モル仕込み）、攪拌下、内温を８〜１０℃に保つように２．２５時間掛けて原料の光学活性メチルコハク酸−４−メチルエステル（化学純度９２．３％、光学純度９５％ｅｅ）を２５ｋｇ投入し、続いて徐々に室温に戻してから７０時間静置しアミド化反応を行った。この時反応率は、ＨＰＬＣ分析により９７％以上となった。
【００４７】
次に、この反応液を再び冷却し、内温２〜１０℃に保ちながら５０ｗｔ％の硫酸水溶液を４．７５時間かけて加えてｐＨを約２に調整して標記化合物を析出させた後、これを濾別して目的物を得た。得られた標記化合物の反応結果、分析結果は以下の通りである。
【００４８】
標記化合物取得量：２１．９ｋｇ（光学純度９９．３３％ｅｅ、化学純度７６．４ｗｔ％（位置異性体０．１５％）、水分１２．６ｗｔ％、無機塩分１１．０ｗｔ％）  標記化合物の1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6）δｐｐｍ：１．０８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０２Ｈｚ），  ２．１２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．１２，  ６．７５Ｈｚ），  ２．４４（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．１２，  ７．０２Ｈｚ），２．７０（１Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝７．０２，  ７．０２，  ６．７５Ｈｚ），  ６．７４（１Ｈ，ｂｒ−ｓ），  ７．２９（１Ｈ，ｂｒ−ｓ）
［実施例２〜６］  光学活性４−アミノ−２−メチル−４−オキソ酪酸の精製（方法１）
大気圧下、光学活性４−アミノ−２−メチル−４−オキソ酪酸（光学純度９９．３３％ｅｅ、化学純度７９．８ｗｔ％（位置異性体０．１５％）、水分８．５ｗｔ％、無機塩分１１．７ｗｔ％）１０ｇを、表１に示す可溶溶媒（実施例５と６は混合溶媒）中に室温で溶解し、溶け残りを濾過した後その濾液を冷却し、１０℃で表１に示す貧溶媒を滴下した後、生成した沈殿を濾別して精製された光学活性４−アミノ−２−メチル−４−オキソ酪酸を得た。いずれも化学純度９７％以上で、かつ、光学純度の高い標記化合物の結晶を得た。その結果を表１に示す。
【００４９】
【表１】
0003656002.tif 000010
［実施例７］  光学活性４−アミノ−２−メチル−４−オキソ酪酸の精製（方法２）
大気圧下、実施例１で得られた光学活性４−アミノ−２−メチル−４−オキソ酪酸１０００ｇ（光学純度９９．３３％ｅｅ、化学純度７６．４ｗｔ％（位置異性体０．１５％）、水分１２．６ｗｔ％、無機塩分１１．０ｗｔ％）１０ｇを水２．９３ｋｇに３０〜３２℃で溶解し、濾過後、この濾液に、攪拌下３０℃で１０分掛けて工業用硫酸アンモニウム１４２０ｇを投入し、１時間保持後、さらに２０℃で１時間保持した後、沈殿物を濾別して光学純度の高い標記化合物の結晶を得た。
【００５０】
標記化合物取得量：６９４ｇ（光学純度９９．９５％ｅｅ、化学純度８０．４ｗｔ％（位置異性体０．１４％）、水分１４．０ｗｔ％、無機塩分５．６ｗｔ％）。収率：７３．０％。）
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、光学活性アミドカルボン酸を原料よりも光学純度の高い結晶で簡便に製造することができる。
【００５２】
また本発明によれば、位置異性体の生成を伴うことなく、光学活性アミドカルボン酸の光学純度および化学純度をさらに向上させることができる。