(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶に対して所定方向から電子線を入射させる工程と、
前記電子線の回折を利用したバイフット対反射を得る工程と、
前記バイフット対反射の強度を比較することにより、前記結晶の対掌性を識別する工程と、
を具えることを特徴とする、結晶の対掌性識別方法。
【請求項２】
前記バイフット対反射は、前記結晶の中心軸ｍ−ｍ’の右側における第１の反射と、前記結晶の中心軸ｍ−ｍ’の左側における第２の反射とから構成され、前記バイフット対反射の強度比較は、前記第１の反射の強度と前記第２の反射の強度とを比較することを特徴とする、請求項１に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項３】
前記第１の反射及び前記第２の反射は、中心軸ｍ−ｍ’に対し、位相角分布において反転の関係にあることを特徴とする、請求項２に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項４】
前記結晶はキラル結晶であることを特徴とする、請求項３に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項５】
前記結晶は点群１に属し、前記電子線は任意の晶帯軸方向に入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項６】
前記結晶の、第１ラウエゾーンに属する｛ｈｋｌ｝反射及び｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射における強度を比較することを特徴とする、請求項５に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項７】
前記結晶は点群２に属し、前記電子線は前記結晶の〈ｈ０ｌ〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項８】
前記結晶の、｛ｈｋｌ｝反射及び｛−ｈｋ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射及び｛ｈ−ｋｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較することを特徴とする、請求項７に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項９】
前記結晶は点群２２２に属し、前記電子線は〈ｈｋ０〉方向、〈０ｋｌ〉方向又は〈ｈ０ｌ〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項１０】
前記結晶の、｛ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋ−ｌ｝反射及び｛−ｈ−ｋｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋｌ｝反射及び｛ｈｋ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較することを特徴とする、請求項９記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項１１】
前記結晶は点群４に属し、前記電子線は〈ｈｋ０〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項１２】
前記結晶の、｛ｈｋｌ｝反射、｛−ｋｈｌ｝反射、｛−ｈ−ｋｌ｝反射及び｛ｋ−ｈｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛ｋ−ｈ−ｌ｝反射、｛ｈｋ−ｌ｝反射及び｛−ｈｋ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較することを特徴とする、請求項１１に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項１３】
前記結晶は点群４２２に属し、前記電子線は、〈ｈｋ０〉方向、〈ｈ０ｌ〉方向又は〈ｈｈｌ〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項１４】
前記結晶の、｛ｈｋｌ｝反射、｛−ｋｈｌ｝反射、｛−ｈ−ｋｌ｝反射、｛ｋ−ｈｌ｝反射、｛ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｋ−ｈ−ｌ｝反射、｛−ｈｋ−ｌ｝反射、及び｛ｋｈ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛ｋ−ｈ−ｌ｝反射、｛ｈｋ−ｌ｝反射、｛−ｋｈ−ｌ｝反射、｛−ｈｋｌ｝反射、｛ｋｈｌ｝反射、｛ｈ−ｋｌ｝反射及び｛−ｋ−ｈｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較することを特徴とする、請求項１３に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項１５】
前記結晶は点群３に属し、前記電子線は前記結晶の任意の晶帯軸方向に入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項１６】
前記結晶の、第１のラウエゾーンに属する｛ｈｋｉｌ｝反射及び｛−ｈ−ｋ−ｉ−ｌ｝反射における強度を比較することを特徴とする、請求項１３に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項１７】
前記結晶は点群３２１に属し、前記電子線は前記結晶の〈ｈ−ｈ０ｌ〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項１８】
前記結晶の、｛ｈｋｉｌ｝反射及び｛ｈｉｋ−ｌ｝反射の少なくとも一方における強度と、｛−ｈ−ｋ−ｉ−ｌ｝反射及び｛−ｈ−ｉ−ｋｌ｝反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項１７に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項１９】
前記結晶は点群３１２に属し、前記電子線は前記結晶の〈ｈｈ−２ｈｌ〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項２０】
前記結晶の、｛ｈｋｉｌ｝反射及び〈−ｈ−ｉ−ｋ−ｌ〉反射の少なくとも一方における強度と、｛−ｈ−ｋ−ｉ−ｌ｝反射及び｛ｈｉｋｌ｝反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項１９に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項２１】
前記結晶は点群６に属し、前記電子線は前記結晶の〈ｈｋｉ０〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項２２】
前記結晶の、｛ｈｋｉｌ｝反射及び｛−ｈ−ｋ−ｉｌ｝反射の少なくとも一方における強度と、｛−ｈ−ｋ−ｉ−ｌ｝反射及び｛ｈｋｉ−ｌ｝反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項２１に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項２３】
前記結晶は点群６２２に属し、前記電子線は前記結晶の〈ｈ−ｈ０ｌ〉方向、〈ｈｈ−２ｈｌ〉方向又は〈ｈｋｉ０〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項２４】
前記結晶の、｛ｈｋｉｌ｝反射、｛−ｈ−ｋ−ｉｌ｝反射、｛ｈｉｋ−ｌ｝反射及び｛−ｈ−ｉ−ｋ−ｌ｝反射の少なくとも一方における強度と、｛−ｈ−ｋ−ｉ−ｌ｝反射、｛ｈｋｉ−ｌ｝反射、｛−ｈ−ｉ−ｋｌ｝反射及び〈ｈｉｋｌ〉反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項２３に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項２５】
前記結晶は点群２３に属し、前記電子線は前記結晶の〈ｈｋ０〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項２６】
前記結晶の、｛ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋ−ｌ｝反射及び｛−ｈ−ｋｌ｝反射の少なくとも一方における強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋｌ｝反射及び｛ｈｋ−ｌ｝反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項２３に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項２７】
前記結晶は点群４３２に属し、前記電子線は前記結晶の〈ｈｋ０〉方向又は〈ｈｈｌ〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項４に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項２８】
前記結晶の、｛ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋ−ｌ｝反射、｛−ｈ−ｋｌ｝反射、｛−ｈｌｋ｝反射、｛ｈ−ｌｋ｝反射、｛ｈｌ−ｋ｝反射、及び｛−ｈ−ｌ−ｋ｝反射の少なくとも一方における強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋｌ｝反射、｛ｈｋ−ｌ｝反射、｛ｈ−ｌ−ｋ｝反射、｛−ｈｌ−ｋ｝反射、｛−ｈ−ｌｋ｝反射、及び｛ｈｌｋ｝反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項２７に記載の結晶の対掌性識別方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医薬品などの研究開発及び製造などにおける、薬物の対掌性識別方法などとして好適に用いることのできる結晶の対掌性識別方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
医薬品の研究開発及び製造過程においては、薬物の対掌性を識別することが重要となる。従来、このような対掌性識別は、ミリメータサイズの大型かつ良質の単結晶を準備し、これに対してＸ線を照射し、異常分散効果を利用したＸ線回折により得たバイフット対の強度比較を行うことにより実施していた。
【０００３】
しかしながら、上述したような大型かつ良質の単結晶を準備することは極めて困難であり、またＸ線回折データの解析には相当の時間と熟練とを要するため、医薬品になる可能性がありながら、研究対象から外れた数多くの薬物が存在する。サリドマイド惨禍などに代表されるように、薬物は鏡像異性体間で生理活性が異なる場合があり、この生理活性の違いによって副作用などの薬害を生ぜしめる場合がある。したがって、薬物などに使用する物質の対掌性を識別することは極めて重要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、結晶の対掌性を簡易に識別することができる新規な方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく、本発明は、
結晶に対して所定方向から電子線を入射させる工程と、
前記電子線の回折を利用したバイフット対反射を得る工程と、
前記バイフット対反射の強度を比較することにより、前記結晶の対掌性を識別する工程と、
を具えることを特徴とする、結晶の対掌性識別方法に関する。
【０００６】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を実施した。従来、Ｘ線以外の放射線や電磁波などは、異常分散効果を十分に発揮することができないこと、及び取り扱いが危険かつ繁雑であるなどの理由から、これら放射線や電磁波などを用いた結晶の対掌性識別を実現することはできないと考えられてきた。しかしながら、電子線を用いた場合においては、上述した異常分散効果は示さないものの、電子線回折による多重回折（散乱）を実現することができ、結晶の所定方向から電子線を入射させるとバイフット対反射を得ることができ、各反射強度を比較することによって前記結晶の対掌性を識別することができるようになることを見出した。
【０００７】
例えば、キラル結晶などの中心対称を有しない結晶に対して所定方向から電子線を入射させると、電子線回折の結果、前記結晶からは多数のバイフット対反射が得られるようになる。そして、各バイフット対反射を構成する反射の位相角の分布は中心軸ｍ−ｍ’に関して反転するようになる。その結果、前記バイフット対反射を構成する前記反射の強度分布も中心軸ｍ−ｍ’に関して反転するようになる。
【０００８】
したがって、バイフット対反射を構成する中心軸ｍ−ｍ’の右側における所定の反射（第１の反射）の強度と、中心軸ｍ−ｍ’の左側において、前記第１の反射と位相角分布において反転の関係にある所定の反射（第２の反射）の強度とを比較し、その強度の大小関係を調べることにより、前記キラル結晶の対掌性（右手系あるいは左手系など）を評価することができるようになる。
【０００９】
このように本発明の識別方法によれば、電子線を用いているため微小な結晶を準備すれば足りるので、大型かつ良質の単結晶を作製する必要がない。したがって、簡易に結晶の対掌性を評価することができる。また、電子線を用いているため、ナノ領域の解析を行うことができる。さらに、所定のバイフット対反射の強度を比較するのみであるので、瞬時に目的とする結晶の対掌性を識別することができる。また、電子線を利用した多重回折を利用して結晶の対掌性を識別するため、条件を適宜に設定することにより、対掌性を持ち得る総ての結晶の識別を行うことができる。
【００１０】
なお、上述した「キラル結晶」とは、点群１、２、２２２、４、４２２、３、３２１、３１２、６、６２２、２３及び４３２のいずれかに属する結晶を言う。このような結晶は左右の区別が必要となるため、本発明の識別方法を好ましく用いることができ、対掌性（右手系あるいは左手系など）を識別できるようになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、結晶に対して所定方向から電子線を入射させた場合に得られるバイフット対反射ディスクの一例を示す図である。なお、図中の白丸部分はバイフット対反射スポットを示している。
【００１２】
このように、所定の結晶に対して電子線を入射させると、例えば図１に示すようなバイフット対反射のディスクを得ることができる。上述したように、バイフット対反射を構成する反射の位相角の分布は中心軸ｍ−ｍ’の左右の側で反転するので、中心軸ｍ−ｍ’に対して互いに反転の関係にある反射をバイフット対反射として選択し、これらの強度の大小関係を調べることにより、前記結晶の対掌性を識別することができる。
【００１３】
図２は、本発明の識別方法を説明するためのバイフット対反射ディスクの具体例を示す図である。図２においては、空間群Ｐ３１２１及びＰ３２２１に属する結晶に対するバイフット対反射ディスクを示している。
【００１４】
図２から明らかなように、前記結晶は中心軸ｍ−ｍ’に対して位相角分布が反転している。したがって、空間群Ｐ３１２１及びＰ３２２１に属する結晶の場合、バイフット対反射を構成する、例えば中心軸ｍ−ｍ’の右側における｛−２−４６−１｝反射の強度と、中心軸ｍ−ｍ’の左側における｛４２−６−１｝反射の強度とを比較する、あるいは中心軸ｍ−ｍ’の右側における｛−４−３７１｝反射の強度と、中心軸ｍ−ｍ’の左側における｛３４−７１｝反射の強度とを比較する、又は中心軸ｍ−ｍ’の右側における｛−５−１６３｝反射の強度と、中心軸ｍ−ｍ’の左側における｛１５−６３｝反射の強度とを比較し、それらの大小関係を調べることによって、前記結晶の対掌性を識別することができる。
【００１５】
一方、図１及び図２に示すように、中心ｍ−ｍ’に対して対称的に多数の等価なバイフット対反射を得るためには、前記電子線の入射方向を前記結晶に対して適切に設定することが必要となる。前記電子線の適切な入射方向は前記結晶が属する結晶点群の種類によって異なる。例えば、上述したキラル結晶について、それが属する結晶点群毎に適切な電子線の入射方向をまとめると表１のようになる。
【００１６】
また、表１には、適切な電子線の入射方向を設定した場合の、強度比較すべき反射の指数を併せて示した。
【００１７】
【表１】
0003637394.tif 000002
【００１８】
表１から明らかなように、前記結晶が点群１に属する場合、前記電子線は前記結晶の任意の晶帯軸方向から入射させることができる。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、第１ラウエゾーンに属する｛ｈｋｌ｝反射及び｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射における強度を比較する。
【００１９】
前記結晶が点群２に属する場合、前記電子線は前記結晶の〈ｈ０ｌ〉方向に沿って入射させることが好ましい。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、｛ｈｋｌ｝反射及び｛−ｈｋ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射及び｛ｈ−ｋｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較する。
【００２０】
前記結晶が点群２２２に属する場合、前記電子線は〈ｈｋ０〉方向、〈０ｋｌ〉方向又は〈ｈ０ｌ〉方向に沿って入射させることが好ましい。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、｛ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋ−ｌ｝反射及び｛−ｈ−ｋｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋｌ｝反射及び｛ｈｋ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較する。
【００２１】
前記結晶が点群４に属する場合、前記電子線は〈ｈｋ０〉方向に沿って入射させることが好ましい。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、｛ｈｋｌ｝反射、｛−ｋｈｌ｝反射、｛−ｋｈｌ｝反射及び｛ｋ−ｈｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛ｋ−ｈ−ｌ｝反射、｛ｈｋ−ｌ｝反射及び｛−ｋｈ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較する。
【００２２】
前記結晶が点群４２２に属する場合、前記電子線は、〈ｈｋ０〉方向、〈ｈ０ｌ〉方向又は〈ｈｈｌ〉方向に沿って入射させることが好ましい。この場合、前記結晶の、バイフット対を構成する、｛ｈｋｌ｝反射、｛−ｋｈｌ｝反射、｛−ｈ−ｋｌ｝反射、｛ｋ−ｈｌ｝反射、｛ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｋ−ｈ−ｌ｝反射、｛−ｈｋ−ｌ｝反射、及び｛ｋｈ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛ｋ−ｈ−ｌ｝反射、｛ｈｋ−ｌ｝反射、｛−ｋｈ−ｌ｝反射、｛−ｈｋｌ｝反射、｛ｋｈｌ｝反射、｛ｈ−ｋｌ｝反射及び｛−ｋ−ｈｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較する。
【００２３】
前記結晶が点群３に属する場合、前記電子線は前記結晶の任意の晶帯軸方向から入射させることができる。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、第１ラウエゾーンに属する｛ｈｋｉｌ｝反射及び｛−ｈ−ｋ−ｉ−ｌ｝反射における強度を比較する。
【００２４】
前記結晶が点群３２１に属する場合、前記電子線は前記結晶の〈ｈ−ｈ０ｌ〉方向に沿って入射させることが好ましい。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、｛ｈｋｉｌ｝反射及び｛ｈｉｋ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｉ−ｌ｝反射及び｛−ｈ−ｉ−ｋｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較する。
【００２５】
前記結晶が点群３１２に属する場合、前記電子線は前記結晶の〈ｈｈ−２ｈｌ〉方向に沿って入射させることが好ましい。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、｛ｈｋｉｌ｝反射及び｛−ｈ−ｉ−ｋ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｉ−ｌ｝反射及び｛ｈｉｋｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較する。
【００２６】
前記結晶が点群６に属する場合、前記電子線は前記結晶の〈ｈｋｉ０〉方向に沿って入射させることが好ましい。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、｛ｈｋｉｌ｝反射及び｛−ｈ−ｋ−ｉｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｉ−ｌ｝反射及び｛ｈｋｉ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較する。
【００２７】
前記結晶が点群６２２に属する場合、前記電子線は前記結晶の〈ｈ−ｈ０ｌ〉方向、〈ｈｈ−２ｈｌ〉方向又は〈ｈｋｉ０〉方向に沿って入射させることが好ましい。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、｛ｈｋｉｌ｝反射、｛−ｈ−ｋ−ｉｌ｝反射、｛ｈｉｋ−ｌ｝反射及び｛−ｈ−ｉ−ｋ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｉ−ｌ｝反射、｛ｈｋｉ−ｌ｝反射、｛−ｈ−ｉ−ｋｌ｝反射及び｛ｈｉｋｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較する。
【００２８】
前記結晶が点群２３に属する場合、前記電子線は前記結晶の〈ｈｋ０〉方向に沿って入射させることが好ましい。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、｛ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋ−ｌ｝反射及び｛−ｈ−ｋｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋｌ｝反射及び｛ｈｋ−ｌ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較する。
【００２９】
前記結晶が点群４３２に属する場合、前記電子線は前記結晶の〈ｈｋ０〉方向又は〈ｈｈｌ〉方向に沿って入射させることが好ましい。この場合、前記結晶の、バイフット対反射を構成する、｛ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋ−ｌ｝反射、｛−ｈ−ｋｌ｝反射、｛−ｈｌｋ｝反射、｛ｈ−ｌｋ｝反射、｛ｈｌ−ｋ｝反射、及び｛−ｈ−ｌ−ｋ｝反射の少なくとも一つにおける強度と、｛−ｈ−ｋ−ｌ｝反射、｛−ｈｋｌ｝反射、｛ｈ−ｋｌ｝反射、｛ｈｋ−ｌ｝反射、｛ｈ−ｌ−ｋ｝反射、｛−ｈｌ−ｋ｝反射、｛−ｈ−ｌｋ｝反射、及び｛ｈｌｋ｝反射の少なくとも一つにおける強度とを比較する。
【００３０】
【実施例】
図３は、グルタミン酸のバイフット対反射ディスクを示すものである。上側がグルタミン酸結晶の〈０１３〉方向に沿って電子線を入射させた場合であり、下側が〈３１０〉方向に沿って電子線を入射させた場合である。Ｌ−グルタミン酸とＤ−グルタミン酸とでは、中心軸ｍ−ｍ’に対して左右に位置する白矢印で示すバイフット対反射と黒矢印で示すバイフット対反射の強度とが逆転している。
【００３１】
したがって、例えば、バイフット対反射を構成する、中心軸ｍ−ｍの右側に位置する反射Ａの強度が、左側に位置する反射Ｂの強度と比較して大きいか小さいかにより、Ｌ−グルタミン酸あるいはＤ−グルタミン酸の識別を行うことができる。今の場合、反射Ａの強度が反射Ｂの強度より大きい場合はＬ−グルタミン酸であり、逆の場合はＤ−グルタミン酸であることが分かる。
【００３２】
以上、具体例を挙げながら発明の実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、結晶の対掌性を簡易に識別することができる新規な方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  結晶に対して所定方向から電子線を入射させた場合に得られるバイフット対反射ディスクの一例を示す図である。
【図２】  本発明の識別方法を説明するためのバイフット対反射ディスクの具体例を示す図である。
【図３】  グルタミン酸のバイフット対反射ディスクを示すものである。
【図１】
0003637394.tif 000003
【図２】
0003637394.tif 000004
【図３】
0003637394.tif 000005