(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを利用した半導体キャパシタのポリシリコンストリッジ電極形成のためのエッチング工程が遂行されたプラズマエッチングチャンバの残留物除去のためのインシチュ洗浄方法であって、
前記エッチング工程が遂行された半導体ウェーハをエッチングチャンバからアンローディングする段階と、
前記エッチングチャンバ内にＳＦ6＋Ｃｌ2ガスを供給して前記エッチングチャンバ内を洗浄し、エッチング残留物を除去する段階と、
前記エッチングチャンバ内の除去された残留物を含む廃ガスをポンピングして除去する段階と、
を含むことを特徴とするインシチュ洗浄方法。
【請求項２】
前記ウェーハをアンローディングした後、前記エッチングチャンバ内の廃ガスを排気する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のインシチュ洗浄方法。
【請求項３】
前記エッチングチャンバには、前記エッチングチャンバ内のガスを差圧を利用してサンプリングすることが可能なサンプリングマニフォルドが設置され、前記サンプリングマニフォルドからサンプリングされたガスを分析する残留ガス分析器−四重極質量分析計が設置されて前記エッチング残留物洗浄工程時、ガスの反応メカニズムをモニタリングすることを特徴とする請求項１記載のインシチュ洗浄方法。
【請求項４】
前記残留ガス分析器−四重極質量分析計のモニタリング結果を分析して前記洗浄工程のエッチング終末点を決定することを特徴とする請求項３記載のインシチュ洗浄方法。
【請求項５】
前記エッチングチャンバ内の圧力及び温度条件を変更しながら前記残留ガス分析器−四重極質量分析計のモニタリング結果を分析して前記洗浄工程のエッチング終末点を最適化することを特徴とする請求項４記載のインシチュ洗浄方法。
【請求項６】
前記エッチングチャンバ内の残留物除去のための洗浄段階とポンピング段階との間にエージング段階をさらに遂行することを特徴とする請求項１記載のインシチュ洗浄方法。
【請求項７】
前記エージング段階では、前記エッチングチャンバ内に前記ＳＦ６ガスの供給を中断してＣｌ２ガスを供給しながら遂行することを特徴とする請求項５記載のインシチュ洗浄方法。
【請求項８】
前記エージング段階では、前記エッチングチャンバ内にN２ガスをさらに供給しながら遂行することを特徴とする請求項７記載のインシチュ洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、質量分析器を内臓したレジデュアルガスアナラザ−クアッドルプルマススペクトロメータ（ＲＧＡ−ＱＭＳ：Residual Gas Analyzer−Quadrupole Mass Spectrometer「残留ガス分析器−四重極質量分析計」）を使用してエッチングチャンバ内のガス反応メカニズムをモニタリングして、洗浄工程を最適化させたプラズマエッチングチャンバ内の残留物除去のためのインシチュ洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子製造工程は、一般的に特定の条件が形成された工程チャンバ内で遂行され、特にプラズマエッチング工程、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）工程では、多くの反応副産物が生成され、これらは使用されるガスやフォトレジスト等と反応して高分子物質（Polymer）を生成するようになる。プラズマ工程で発生されたこのような反応副産物はウェーハ表面や工程チャンバの内壁にも付着されるので、工程パラメータの変動及びパーティクル発生を招くようになる。これらは半導体製造工程遂行中ウェーハのディフェクト要因になって収率の低下を招く。
【０００３】
このようなディフェクト要因の減少のために、一定時間の間工程チャンバの反復されたＰＭ（Preventive Maintenance）を遂行するようになるが、設備の運休時間は半導体装置の生産性を低下させる要因に作用する。
【０００４】
従来の一般的な工程チャンバのＰＭ過程を図１に示す。前記ＰＭ過程を調べてみると、まず半導体ウェーハに対する特定の工程を遂行した後、システムの電力をオフしてシステム稼動中止をしてシステムを冷却させる。工程チャンバが十分に冷却されると、工程チャンバ内の部品を次々に解体して除去し、続いて除去された各部品の表面を湿式エッチングしてプラズマによる反応副産物等を洗浄させる。前記湿式エッチングは、工程チャンバ内のポリシリコン膜やシリコンナイトライド膜を除去するために通常弗化水素（ＨＦ）系統の化学薬品を使用する。
【０００５】
続いて、除去された部品を工程チャンバ内に組み立てた後、真空ポンプを稼動して工程チャンバが所定の圧力が維持されるようにポンピングを遂行し、テストするウェーハを工程チャンバ内にローディングした後、所定のエージング（aging）を遂行した後パーティクル測定をするなどの、工程のチャンバ内で実際工程を遂行することができる条件が備えられるかの有無を判断する工程保証（Process Recertification）を実施する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このようなＰＭ方法は、その費用及び労働力の消耗が大きいだけではなく、所要時間も２４時間以上かかるなどの問題点があった。このような問題点を克服するために前記湿式エッチングを遂行する代わりに、ＮＦ3、ＣＦ4ガスを利用したプラズマエッチングをするか、熱的ストレスによってチャンバ内に形成された膜を除去する熱的ショック技術（Thermal Shock Technology）を使用したし、ＣｌＦ3、ＢｒＦ5ガスを使用して乾式エッチングを遂行したこともある。
【０００７】
しかし、このような技術を使用しても未だにチューブを除去及び組立てなければならないので、その処理費用及び労働力の消耗が大きいだけではなく、所要時間も相当かかる等の問題点があった。
【０００８】
また、一部乾式エッチングガスを使用してインシチュで工程チャンバ内を洗浄する方法が提起されたが、洗浄時工程チャンバ内のガスの正確な反応メカニズムが分からないので洗浄の効果を正確に把握することができないという問題点があった。
【００１１】
本発明の目的は、ＲＧＡ−ＱＭＳを利用してプラズマエッチングチャンバに残留する残留物を除去する最適化されたインシチュ洗浄方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
【００２３】
一方、本発明の目的を達成するためのプラズマエッチングチャンバの残留物除去のためのインシチュ洗浄方法は、プラズマを利用した半導体キャパシタのポリシリコンストリッジ電極形成のためのエッチング工程が遂行されたプラズマエッチングチャンバの残留物除去のためのインシチュ洗浄方法であって、前記エッチング工程が遂行された半導体ウェーハをエッチングチャンバからアンローディングする段階と、前記エッチングチャンバ内にＳＦ６＋Ｃｌ２ガスを供給してエッチングチャンバ内のエッチング残留物を洗浄する段階と、前記エッチングチャンバ内の洗浄された残留物をポンピングして除去する段階とを含む。
【００２４】
前記ウェーハをアンローディングした後、エッチングチャンバ内の廃ガスを排気する段階をさらに含むことができ、前記エッチングチャンバにはエッチングチャンバ内のガスを差圧を利用してサンプリングすることができるサンプリングマニフォルドが設置され、前記サンプリングマニフォルドからサンプリングされたガスを分析するＲＧＡ−ＱＭＳが設置されて前記エッチング残留物洗浄工程時、ガスの反応メカニズムをモニタリングすることができるようにすることが好ましい。
【００２５】
また、前記ＲＧＡ−ＱＭＳのモニタリング結果を分析して、前記洗浄工程のエッチング終末点を決定することができ、前記エッチングチャンバ内の圧力及び温度条件を変更しながら前記ＲＧＡ−ＱＭＳのモニタリング結果を分析して前記洗浄工程のエッチング終末点を最適化することが好ましい。
【００２６】
前記エッチングチャンバ内の残留物除去のための洗浄段階とポンピング段階の間にエージング（aging）段階をさらに遂行することができ、前記エージング段階では、エッチングチャンバ内に前記ＳＦ6ガスの供給を中断してＣｌ2ガスを供給しながら遂行し、エッチングチャンバ内にＮ2ガスをさらに供給しながら遂行することもできる。
【００２７】
本発明によると前記サンプリングマニフォルド及びガス分析器によって半導体キャパシタのポリシリコンストリッジ電極形成のためのプラズマエッチング工程が遂行される間だけではなく、インシチュでエッチングチャンバ内の洗浄工程を実施するときにもそのガスの反応メカニズムを正確にモニタリングすることができ、従って、その洗浄工程のレシピも最適化して工程の単純化及び生産性を向上させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施例を添付された図面を参照に詳しく説明する。
図２は、本発明の一実施例によるインシチュモニタリング可能なプラズマエッチング装置の周辺構成を概略的に示した図面であり、図３は、図２のインシチュモニタリング装置部分を具体的に図示した図面である。
【００２９】
前記エッチング装置はプラズマ乾式エッチング装置として、中央に移送ロボット（図示しない）が位置するロードロックチャンバ１４を中心にウェーハを収容したカセットをロードロックチャンバ１４に出入させることができるカセット出入部１６、ウェーハのフラットゾーンをアライン（align）させるアライン部１２及びエッチング工程が遂行されるエッチングチャンバ１０が放射状に配置されている。
【００３０】
前記エッチングチャンバ１０においては、プラズマを利用したエッチング工程が遂行することができる。前記エッチングチャンバ１０には、エッチングガスがエッチングガス供給源２０からガス供給部２２を経て、エッチングチャンバ１０に供給され、運搬ガスとして例えば窒素ガスが運搬ガス供給源２４から、やはりガス供給部２２を経てエッチングガスと共にエッチングチャンバ１０内に供給される。一方、エッチング工程遂行後の廃ガスは排気用真空ポンプ３０によって排気管を通じてスクラバ４０を経て洗浄された後、排気される。
【００３１】
一方、エッチングチャンバ１０内で発生されるガスの変化メカニズムを測定するために前記エッチングチャンバ１０からガスをサンプリングすることができるサンプリングマニフォルド５０が設置され、前記サンプリングマニフォルド５０を経たサンプリングガスはガス分析器８０を通じてインラインでモニタリングされ、持続的なサンプリングとガス分析のために前記ガス分析器８０の後端にはサンプリング用真空ポンプ１００が設置され、前記スクラバ４０で洗浄された後排気される。
【００３２】
一方、前記エッチングチャンバ１０には、ＯＥＳ（Optical Emission Spectroscopy）がさらに設置され得る。ＯＥＳはプラズマ乾式エッチング工程やＣＶＤ工程等での使用ガスやウェーハとの反応生成物が反射する光の特定波長のインテンシティ（Intensity：強度）の変化を測定することができる装置で、光の色と波長がガスの種類とエッチングされる膜質によって異なるので、光の波長の強度を測定して波長が急激に変化する時点のグラフを通じてエッチングしようとする膜質と、その下部膜質の境界点で、エッチングの終了点を捕捉してエッチング時間を決定するようになる。
【００３３】
一方、エッチングチャンバ１０内にウェーハのローディング／アンローディング時、エッチングチャンバ１０とロードロックチャンバ１４の間の圧力の差によってエッチングチャンバ１０内のパーティクル等がロードロックチャンバ１４に逆流されて他の近接するエッチングチャンバ等を汚染させる恐れがあるので、前記ロードロックチャンバ１４とエッチングチャンバ１０にはそれぞれ圧力センサを設置してオシロスコプをこれら圧力センサの端子に連結して各段階の圧力変化を評価することもできる。
【００３４】
前記ガスのサンプリング及び分析ラインを図３を参照して具体的に調べてみると、エッチングチャンバ１０の外側の壁にサンプリングポート５６を設置し、前記サンプリングポート５６には柔軟性のある連結部５２を介在してサンプリングマニフォルド５０を連結する。前記サンプリングマニフォルド５０のサンプリング管５４はステンレス材質でできており、直径が３／８インチの管を使用し、エレクトロポリシング（electropolishing）処理されたものを使用する。前記サンプリング管５４によって順次的に第１エアーバルブ６２、第２エアーバルブ６６、第１アイソレーションバルブ６８、第２アイソレーションバルブ７０、第３アイソレーションバルブ７２及びゲートバルブ７４が形成されている。前記第１及び第２アイソレーションバルブ６８、７０にはそれぞれ１００マイクロンのオリフィスが形成され、第３アイソレーションバルブ７２には２５０マイクロンのオリフィスが形成されている。
【００３５】
一方、前記サンプリングマニフォルド５０には、サンプリングをしない間にも常にパージガスを供給することができるように図２で分かるように運搬ガス供給源２４から窒素ガスが分岐部５８を経由して一つは前記第１エアーバルブ６２に連結され、他の一つは第２エアーバルブ６６に連結されている。また前記第１アイソレーションバルブ６８と第２アイソレーションバルブ７０の間にはＣＭゲージ７６が設置され、この間でサンプリング管５４は分岐されてガス分析器８０に内臓されたサンプリング用ポンプ９０を経由してスクラバ４０に連結される。
【００３６】
一方、前記ゲートバルブ７４が形成されたサンプリング管５４の後端にはガス分析器８０が連結される。前記ガス分析器は常用化されたＲＧＡ−ＱＭＳ（Residual Gas Analyzer −Quadrupole Mass Spectrometer）を使用し、これは質量分析器８４を含み、ターボポンプ８６とベーキング用ポンプ８８及びサンプリング用ポンプ９０を通過して前記スクラバ４０に配管連結される。前記質量分析器８４にはイオンゲージ８２が設置されている。
【００３７】
一方、前記ガス分析器８０に使用されたＲＧＡ−ＱＭＳは常用化されたもので、エッチングチャンバ１０内に使用中であるか残留中であるガスをサンプリングして７０ｅＶの電位差で加速された電子と衝突させてイオン化した後、四重極磁質量分析器（Quadrupole Mass Spectrometer）を利用して直流と交流を一定に維持し、電圧の大きさによって特定の質量対電荷比（ｍ／ｚ）を有するイオンのみを通過するようにして、質量スペクトルを得る。この際、分裂によって得られるイオンの組成でガス相のメカニズムを確認する。本発明に使用されたＲＧＡ−ＱＭＳは移動可能なシステムに構成され、スパッタリング工程で一般的に使用されるＯＩＳ（Open Ion Source）とは違ってイオンソースが差等真空下にあるＣＩＳ（Closed Ion Source）になり、バルクガスのみではなく工程ガスの分析が可能である。
【００３８】
一方、前記サンプリングマニフォルド５０内には臨界オリフィス（１００／２５０μｍ）を使用してエッチングチャンバ内の圧力以下にサンプリング圧力を一定に調節した。
【００３９】
図４は、図２のエッチング装置内でのエッチング工程及びインシチュ洗浄工程の進行状態を概略的に示す図面で、まずＲＧＡ−ＱＭＳ適用評価を遂行する。即ち、前記サンプリングマニフォルド５０にガス分析器８０を連結して第１エアーバルブ６２と第３エアーバルブ６０をクローズさせて第２エアーバルブ６６と、第４エアーバルブ６４をオープンさせてＲＧＡ−ＱＭＳ８０にＮ2ガスを常時パージさせる。続いて、前記第４エアーバルブ６４をクローズさせて第１エアーバルブ６２をオープンさせ、前記工程チャンバ１０内のガスのサンプリングを始める。このとき、ＣＭゲージ７６に表れた圧力を基準にし、必要時、サンプリング用ポンプ９０を稼動させてエッチングチャンバ１０とサンプリング管５４内の圧力を調節する。
【００４０】
続いて、ＲＧＡ−ＱＭＳベーキング評価を遂行する。即ち、ＲＧＡ−ＱＭＳ のチャンバ図示しない）内に四重極磁質量分析器を設置した後、基本値（background）を低くするためにベーキング（baking）を実施する。ＲＧＡ−ＱＭＳは分析機器自体の汚染に敏感な設備であるので、全ての評価時毎にそのバックグラウンドスペクトルを評価して水分、酸素成分の汚染水準を評価してその水準が多少高いときには、ＲＧＡ−ＱＭＳチャンバ自体は２５０℃水準にベーキングし、サンプリングマニフォルドは１５０℃水準にベーキングを実施して汚染を最小化して汚染の水準を管理する。即ち、ベーキングを実施して、各分子性不純物（Ｈ2Ｏ，Ｈ2，Ｏ2，Ａｒ，ＣＯ2等）に対する強度として部分圧の大きさ（Amplitude、PPM）をモニタリングし、ベーキングを通じて不純物のアウトガシング（outgassing）を加速化させてＲＧＡ−ＱＭＳの最初基本値の水準を評価する。
【００４１】
続いて、半導体ウェーハに対する特定工程を進行させて継続的にサンプリングして工程進行事項を評価する。即ち、例えばＤＲＡＭ工程のストリッジポリ電極形成のためのエッチング工程の重要段階である主エッチング（main etch）と過エッチング（over etch）等でエッチングガスの反応メカニズムをインラインでモニタリングして評価する。
【００４２】
続いて、Ｓｉ−ポリエッチング工程が完了されたウェーハをエッチングチャンバからアンローディングした後、洗浄ガスをエッチングチャンバ内に供給しながらインシチュでエッチングチャンバ内を洗浄する。洗浄工程が進行される間にもＲＧＡ−ＱＭＳでエッチングガスを継続的にサンプリングして洗浄工程時、ガスの反応メカニズムを常時モニタリングして評価し、洗浄工程前後のガス分析やパーティクル等不純物の評価を通じてインシチュ洗浄工程の効果を把握し、最終的に洗浄工程の時間、圧力、温度等のレシピを最適化する。
【００４３】
本発明でサンプリングマニフォルドの２５０μｍ臨界オリフィスを使用して比較的低い圧力（０乃至５０mtorr）であるエッチング工程を評価することができ、前記ＲＧＡ−ＱＭＳは１乃至２００ａｍｕ範囲のスペクトルを６．７秒内にスキャン（scan）した。分析毎にサンプリング前後ＲＧＡ−ＱＭＳ及びサンプリングチューブの基本値スペクトルを確認して分析結果の信頼性を確保した。
【００４４】
本発明の実施例で、ストリッジポリシリコンエッチング工程は２つのエッチングレシピ下で遂行した。
まず、エッチングレシピ１はストリッジポリシリコンエッチングガスとしてＣｌ2ガスを使用した場合で、図５はエッチングレシピ１によるストリッジポリシリコンエッチング工程に対する主なガスの強度（amplitude，PPM）の傾向をＲＧＡ−ＱＭＳで分析した結果を示し、図６は、図５の主エッチング段階の２３３スキャンでのスペクトルを示し、図７は、エッチングレシピ１によるストリッジポリシリコンエッチング工程に対するエッチング過程をＯＥＳで分析した結果を示す。
【００４５】
図５及び図６からエチャントであるＣｌ2によってポリシリコンがＳｉＣｌx（ＳｉＣｌ+，ＳｉＣｌ3+）ガスの形態にエッチングされることが分かり、ＲＧＡ−ＱＭＳ上のＳｉＣｌ3+の挙動は図７の４０５ｎｍのＥＰＤ（End Point Detection）スペクトルの結果と一致することが分かる。
【００４６】
次に、エッチングレシピ２はストリッジポリシリコンエッチングガスでＳＦ6＋Ｃｌ2ガスを使用した場合として、図８はエッチングレシピ２によるストリッジポリシリコンエッチング工程に対する主なガスの強度（amplitude，PPM）の傾向をＲＧＡ−ＱＭＳに分析した結果を示し、図９は、図８の主エッチング段階の１７２スキャンでのスペクトルを示し、図１０はエッチングレシピ２によるストリッジポリシリコンをエッチング工程に対するエッチング過程をＯＥＳで分析した結果を示す。
【００４７】
前記エッチングレシピ２では、ポリシリコンをＳＦ6＋Ｃｌ2ガスを利用して主エッチングした後Ｃｌ2ガスを利用して過エッチングする。ＳＦ6自体は不活性ガスやＲＦ場ではリアクティブフルオライドイオンを形成してＣｌ2ガスと共にポリシリコンエッチングに使用され得る。
【００４８】
図５及び図６の分析結果からＳＦ6とＣｌ2ガスがエチャントと作用して生成される主な生成物は、ＳｉＦx（ＳｉＦ+，ＳｉＦ2+，ＳｉＦ3+）ガスで、ＳｉＣｌxＦy（ＳｉＣｌ+，ＳｉＣｌＦ2+，ＳｉＣｌ2Ｆ2+，ＳｉＣｌ2Ｆ+，ＳｉＣｌＦ3+）ガスの形態でもエッチングされることが分かり、ＲＧＡ−ＱＭＳ上のガスの挙動は図１０のＥＰＤ（End Point Detection）スペクトルの結果と一致することが分かる。図１０でＲＦパワーオンされる３段階以後主エッチングが行われ、ＲＦパワーオフされる４段階を経て安定化された後、ＲＦパワーオンされる５段階後過エッチング工程が遂行されることが分かる。
【００４９】
本発明の実施例でエッチングチャンバをインシチュで洗浄する工程は３段階で行われる。即ち、エチャントとしてＳＦ6+Ｃｌ2ガスを使用するエッチング段階、Ｃｌ2ガスを使用するエージング（aging）段階及び廃ガスに対するポンピング段階でなる。
【００５０】
図１１は、本発明の一実施例によるエッチングチャンバインシチュ洗浄時、エッチング時間を６０秒として主なガスの傾向をＲＧＡ−ＱＭＳに分析した結果を示し、Ｆ原子がリアクティブエチャント（反応性エッチング液）に作用してエッチングチャンバ内のポリマーをＳｉＦxの形態でエッチングすることが分かる。その他、ＳＯＦ+，ＳＯ2+等の副産物も検出されることが分かる。
【００５１】
図１１からエッチング（洗浄）の主生成物であるＳｉＦ3+は、エッチングが始まった直後、急激に増加してから徐々に減少し、エッチングが終ると消えてエンドポイントを正確に確認することができなかった。図１２は、図１１に比べてエッチング時間を１２０秒に延長したエッチングチャンバインシチュ洗浄時、主なガスの傾向をＲＧＡ−ＱＭＳに分析した結果を示す。図１２から約７４秒でエッチングが完了されることが分かる。
【００５２】
図１３は、前記エッチング時間を変更評価して最適化されたエッチングチャンバインシチュ洗浄時、主なガスの傾向をＲＧＡ−ＱＭＳに分析した結果を示す。  即ち、ＳＦ6+Ｃｌ2ガスを利用してエッチングするエッチング段階は時間１００秒、圧力１５ｍｔ及びＲＦパワー４００W下で遂行し、エージング段階は時間３０秒、圧力２０ｍｔ、ＲＦパワー４００W下、Ｃｌ2ガス下で遂行し、窒素ガスを一部供給する。ＲＦパワーをオフさせた後、ポンピング段階を３００秒間遂行した。
【００５３】
前記本発明のインシチュ洗浄工程の効果を把握するためにパーティクル分析とエージング時、シリコンオキサイドウェーハ表面のパーティクルをサフスキャン（SUFSCAN）で分析したものによると、インシチュ洗浄工程後にもパーティクル数が減ることが分かる。
【００５４】
一方、洗浄工程の前後でエッチングチャンバ内のＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｓ，Ｃｌ，Ｆ，ＮＨ4等の金属性／イオン性不純物をＴＸＲＦ（Total X-ray Reflection Fluorescence）／ＨＰＩＣ（High Performance Ion Chromatography）で測定して洗浄工程の結果を判断することもできる。
【００５５】
【発明の効果】
従って、本発明によると、ＲＧＡ−ＱＭＳを利用してエッチングチャンバをインシチュモニタリングすることで、エッチング工程と洗浄工程の中の実際のガス相の反応メカニズムを評価することができ、これを土台にポリシリコンエッチング時、反応性エッチング液、反応生成物を確認糾明して反応メカニズムとエンドポイントを正確に確認することができ、洗浄工程時エッチング時間を最適化して不必要な洗浄時間を減少させ、パーティクルの発生を抑制し、設備の稼動率も向上させる効果がある。
【００５６】
以上、本発明は記載された具体例に対してのみ詳細に説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形および修正が可能であることは当業者にとって明白なことであり、このような変形および修正が添付された特許請求範囲に属するのは当然である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のプラズマエッチングチャンバ内の残留物（residue）除去のための洗浄工程の過程を概略的に示す図面である。
【図２】本発明の一実施例によるインシチュモニタリング可能なプラズマエッチング装置の周辺構成を概略的に示した図面である。
【図３】図２のインシチュモニタリング装置部分を具体的に図示した図面である。
【図４】図２のプラズマエッチング装置でのエッチング工程評価及び洗浄工程の過程を概略的に示す図面である。
【図５】  本発明のエッチングレシピ１によるストリッジポリエッチング工程に対する主なガスの傾向をＲＧＡ−ＱＭＳで分析した結果を示す。
【図６】図５の主エッチング段階の特定スキャンでのスペクトルを示す。
【図７】本発明エッチングレシピ１によるストリッジポリエッチング工程に対するエッチング過程をＯＥＳで分析した結果を示す。
【図８】  本発明のエッチングレシピ２によるストリッジポリエッチング工程に対する主なガスの傾向をＲＧＡ−ＱＭＳで分析した結果を示す。
【図９】図８の主エッチング段階の特定スキャンでのスペクトルを示す。
【図１０】本発明のエッチングレシピ２によるストリッジポリエッチング工程に対するエッチング過程をＯＥＳで分析した結果を示す。
【図１１】  本発明の一実施例によるエッチングチャンバインシチュ洗浄時、主なガスの傾向をＲＧＡ−ＱＭＳ で分析した結果を示す。
【図１２】  図１１に比べ、主エッチング時間を延長したエッチングチャンバインシチュ洗浄時、主なガスの傾向をＲＧＡ−ＱＭＳで分析した結果を示す。
【図１３】  本発明の一実施例による最適化されたエッチングチャンバインシチュ洗浄時、主なガスの傾向をＲＧＡ−ＱＭＳで分析した結果を示す。
【符号の説明】
１０  エッチングチャンバ
１２  アライン部
１４  ロードロックチャンバ
１６  カセット出入部
２０  エッチングガス供給源
２２  ガス供給部
２４  運搬ガス供給源
３０  排気用真空ポンプ
４０  スクラバ
５８  分岐部
５０  サンプリングマニフォルド
５２  連結部
５４  サンプリング管
５６  サンプリングボート
６０、６２、６４、６６  エアーバルブ
６８、７０、７２  アイソレーションバルブ
７４  ゲートバルブ
７６  CMゲージ
７８  圧力調節用排気管
８０  ガス分析器
８２  イオンゲージ
８４  質量分析器
８６  ターボポンプ
８８  ベーキング用ポンプ
９０  サンプリング用ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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