(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板（１）と、
前記半導体基板（１）の表面に形成された第２導電型層（２）と、
前記半導体基板（１）の裏面を除去して形成されたダイヤフラム部（Ｃ）と、
前記ダイヤフラム部（Ｃ）のうち前記第２導電型層（２）の表層部に形成された第１導電型ゲージ抵抗（３）と、
前記第２導電型層（２）の電位を固定するために形成された第２導電型領域（６）と、
前記ゲージ抵抗（３）の端部それぞれに接続された電気配線（４ａ〜４ｄ）とを備え、
前記第２導電型領域（６）は、前記電気配線（４ａ〜４ｄ）のうち接地端子に接続される電気配線の下層を除いて前記ダイヤフラム部（Ｃ）の周囲を囲うように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２導電型領域（６）に対して前記ダイヤフラム部（Ｃ）が形成された領域の反対側領域に形成された温度補償用抵抗（１００）を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２導電型領域（２）は、前記温度補償用抵抗（１００）の周囲を囲うように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２導電型領域（６）は、埋め込み形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
第１導電型の半導体基板（１）上に第２導電型層（２）を形成し、この第２導電型層（２）の表層部のうちダイヤフラム部（Ｃ）となる領域に第１導電型ゲージ抵抗（３）を形成する工程と、
前記第２導電型層（２）に接する領域に第２導電型領域（６）を前記ダイヤフラム部（Ｃ）の周囲を囲むように形成する工程と、
前記第２導電型領域（６）に電圧を印加して電気化学ストップエッチングを行い、前記半導体基板（１）のうち前記第２導電型層（２）の反対側の表層部を除去して前記ダイヤフラム部（Ｃ）を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ゲージ抵抗（３）の端部それぞれに接続された電気配線（４ａ〜４ｄ）を形成する工程を有し、
前記第２導電型領域（６）を形成する工程は、前記電気配線（４ａ〜４ｄ）のうち接地端子に接続される電気配線の下層を除くように前記第２導電型領域（６）を形成する工程であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
表面が第２導電型層（２）となる半導体基板（１、２）の裏面を除去して形成したダイヤフラム部（Ｃ）の表層部にブリッジ状に形成された第１導電型ゲージ抵抗（３）と、前記第２導電型層（２）の電位を固定するための第２導電型領域（６）と、前記ゲージ抵抗（３）の端部それぞれに接続された電気配線（４ａ〜４ｄ）とを備えた半導体装置において、
前記第２導電型領域（６）は、前記電気配線（４ａ〜４ｄ）のうち接地端子に接続される電気配線の下層を除いて前記ダイヤフラム部（Ｃ）の周囲を囲うように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１導電型の半導体基板（１）と、
前記半導体基板（１）上面に形成された第２導電型層（２）と、
前記半導体基板（１）の裏面部を除去して形成したダイヤフラム部（Ｃ）と、
前記絶縁層（７）表面に４本形成された電気配線（４ａ〜４ｄ）と、
前記第２導電型層（２）の表層部のうち前記ダイヤフラム部（Ｃ）に形成され、ブリッジ回路を構成する複数の第１導電型ゲージ抵抗（３）と、
前記ブリッジ回路の電源端子に接続される電源電気配線（４ａ）と、
前記ブリッジ回路の接地回路に接続される接地電気配線（４ｄ）と、
前記ブリッジ回路の中点電位を電気出力する中点電気配線（４ｂ、４ｃ）と、
前記電源電気配線（４ａ）に接続され、前記接地電気配線（４ｄ）の下層を除いて前記ダイヤフラム部（Ｃ）の周囲を囲むように形成された第２導電型領域（６）とを有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイヤフラム部を有する半導体装置及びその製造方法に関し、特にダイヤフラム部により圧力検出を行うことができる半導体圧力検出装置に適用して好適である。
【０００２】
【従来の技術】
従来における半導体圧力センサの断面図及び正面図をそれぞれ図１０（ａ）、（ｂ）に示す。図１０（ａ）に示されるように、半導体圧力センサは、Ｐ−  型シリコン基板１とＮ−  型エピタキシャル層２により構成され、Ｐ−  型シリコン基板１の一部を除去したダイヤフラム部Ｃを有している。そして、図１０（ｂ）に示すように、ダイヤフラム部Ｃの表層部にはゲージ抵抗（ピエゾ抵抗）３が配設されブリッジ回路を構成している。
【０００３】
また、これらのゲージ抵抗３のそれぞれの端部には、外部との接続を行うアルミ配線４ａ〜４ｄが配設されている。そして、アルミ配線４ａは、Ｎ−  型エピタキシャル層２の表層部の一部に形成されたＮ＋  型拡散層６に接続されている。また、アルミ配線４ａはブリッジ回路の電源端子に接続され、アルミ配線４ｄはブリッジ回路の接地端子に接続される。
【０００４】
そして、実動作時にはこのアルミ配線４ａを通じてブリッジ回路の電源端子に定格電流を流し、ゲージ抵抗３に電位が加わる。そして、圧力を受けてダイヤフラム部Ｃが変位してゲージ抵抗３が伸縮すると、ゲージ抵抗３の抵抗値が変化し、これによりブリッジ回路の中点電位が変化する。この中点電位に基づいて圧力を検出する。
【０００５】
また、Ｎ＋  型拡散層６を介して、Ｎ＋  型拡散層６・Ｎ−  型エピタキシャル層２の電位≧ゲージ抵抗３の電位≧接地電位（電位０）の関係を満たすように、Ｎ−  型エピタキシャル層２を電位固定する。
これにより、Ｎ−  型エピタキシャル層２とゲージ抵抗３間で順バイアス状態になることを回避している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記半導体圧力センサにおいて、実際にはＮ−  型エピタキシャル層２とＰ−  型シリコン基板１間には微小のリーク電流が流れるため、Ｎ−  型エピタキシャル層２において電位勾配が発生する。このため、上記したＮ＋  型拡散層６・Ｎ−  型エピタキシャル層２の電位≧ゲージ抵抗３の電位という関係を維持できない場合がある。
【０００７】
つまり、半導体圧力センサの断面及び正面における電位分布を示すと図１１（ａ）、（ｂ）のようになり、ゲージ抵抗３に接するＮ−  型エピタキシャル層２領域がゲージ抵抗３における電位よりも低くなる場合がある。
このとき、ゲージ抵抗３とＮ−  型エピタキシャル層２のＰＮ接合が順バイアス状態となって多量のリーク電流が発生する。このため、ゲージ抵抗３に流れる電流値が変化してしまい、正常な出力が得られないという問題が生じる。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みたもので、リーク特性の良好な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、以下の技術的手段を採用する。請求項１乃至４に記載の発明においては、第１導電型の半導体基板（１）及び第２導電型層（２）を有し、この第２導電型層（２）のうちダイヤフラム部（Ｃ）に形成された第１導電型ゲージ抵抗（３）と、第２導電型層（２）の電位を固定するための第２導電型領域（６）とを備えている。そして、この第２導電型領域（６）は、ダイヤフラム部（Ｃ）の周囲を囲うように形成されていることを特徴とする。
【００１０】
このように、第２導電型領域（６）でダイヤフラム部（Ｃ）の周囲を囲うようにすることによって、第２導電型領域（６）に電圧を印加したときに第２導電層（２）内における電位勾配を小さくすることができる。これにより、ゲージ抵抗（３）と第２導電型層（２）のＰＮ接合におけるリーク電流の発生を抑制することができる。なお、請求項４に示すように、第２導電型領域（６）は埋め込み形成することもできる。
【００１１】
また、請求項１に記載の発明においては、第２導電型領域（６）を電気配線（４ａ〜４ｄ）のうち接地端子に接続される電気配線の下層を除いて形成していることを特徴とする。これにより、第２導電型層（２）と接地端子に接続される電気配線との間の外部ノイズ等に起因する電位差によって生じる可能性がある絶縁破壊を防止することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明においては、第２導電型領域（６）に対してダイヤフラム部（Ｃ）が形成された領域の反対側領域に形成された温度補償用抵抗（１００）を有していることを特徴とする。温度補償用抵抗（１００）を形成するに際し、第２導電型領域（６）がこの温度補償用抵抗（１００）とダイヤフラム部（Ｃ）の間に形成されているため、フィードバック制御に際し発生する発振を防止することができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明においては、第２導電型領域（６）は、温度補償用抵抗（１００）の周囲を囲うように形成されていることを特徴とする。このように、温度補償用抵抗（１００）の周囲を囲むように第２導電型領域（６）を形成しているため、上記発振をより完全に防止することができる。請求項５に記載の発明においては、第１導電型の半導体基板（１）上に第２導電型層（２）を形成し、この第２導電型層（２）の表層部のうちダイヤフラム部（Ｃ）となる領域に第１導電型ゲージ抵抗（３）を形成する工程と、第２導電型層（２）に接する領域に第２導電型領域（６）をダイヤフラム部（Ｃ）の周囲を囲むように形成する工程と、第２導電型領域（６）に電圧を印加して電気化学ストップエッチングを行い、ダイヤフラム部（Ｃ）を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
このように、電気化学ストップエッチング時に第２導電型領域（６）から電圧を印加することによって、ダイヤフラム部（Ｃ）を形成する場合、第２導電型領域がダイヤフラム部（Ｃ）を形成する部分の周囲を囲んで形成されているため、電位分布がより安定する。
【００１５】
これにより、ダイヤフラム部（Ｃ）をより半導体基板（１）の面により平行、つまり厚さをより一定にすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。
図１（ａ）に本発明を半導体圧力検出装置に適用した実施形態を示す。図１（ａ）に示すように、半導体圧力検出装置は、半導体圧力センサが配設されたセンサ部Ａと電流源（電源、増幅回路、調整回路を含む）Ｂから構成されており、各チップは金属細線により接続されている。そして、半導体圧力センサが形成されているチップと同一チップ内に、温度補償用抵抗１００が配設されており、この温度補償用抵抗１００の抵抗値変化に基づき電流源から半導体圧力センサへ流す電流をフィードバック制御する。
【００１７】
図１（ｂ）に、図１（ａ）におけるセンサ部の断面図を示す。以下、図１（ａ）、（ｂ）に基づき半導体圧力検出装置の構成について説明する。
図１（ｂ）に示すように半導体圧力センサの基板は、Ｐ−  型シリコン基板１及びこの表面に成長させたＮ−  型エピタキシャル層２にて構成されている。そして、Ｐ−  型シリコン基板１の一部が除去されてダイヤフラム部Ｃが形成されている。また、このダイヤフラム部ＣにおけるＮ−  型エピタキシャル層２表層部には、Ｐ＋  型拡散層からなるゲージ抵抗（ピエゾ抵抗）３が形成されている。また、図示しないが、Ｐ−  型シリコン基板１の最表面には保護膜が形成されている。
【００１８】
また、図１（ａ）に示すように、ゲージ抵抗３はブリッジ回路を構成するように電気接続されて形成されている。そして、各ゲージ抵抗３の間にそれぞれアルミ配線４ａ〜４ｄが配設されており、さらに各アルミ配線４ａ〜４ｄにはボンディングパッド５ａ〜５ｄが接続されている。そして、ボンディングパッド５ａ〜５ｄを介して電流源Ｂ等、外部との電気的接続がなされる。
【００１９】
ダイヤフラム部Ｃの周囲には、ダイヤフラム部Ｃの形状に合わせて、Ｎ＋  型拡散層（図１（ａ）では斜線部分）６が形成されている。つまりダイヤフラム部Ｃの外周から一定の間隔をもってＮ＋  型拡散層６が形成されている。
これらゲージ抵抗３やＮ＋  型拡散層６は、Ｎ−  型エピタキシャル層２の表面に形成された酸化膜７によって覆われており、この酸化膜７の所定部分に形成されたコンタクトホールを通じてアルミ配線４ａ〜４ｄがＮ＋  型拡散層６やゲージ抵抗３に接続されている。
【００２０】
そして、図１に示されるように、センサ部Ｂに配設されたボンディングパッド５ａは電流源Ｂの電源端子に接続されており、この部分を最大電位にしている。また、ボンディングパッド５ｄには接地端子が接続されている。なお、ボンディングパッド５ｂ、５ｃからは中点電位が外部出力される。
なお、ゲージ抵抗３及びＮ＋  型拡散層６への配線は上述した以外のものでも良い。例えば、ゲージ抵抗３をアルミ配線４ａ及びボンディングパッド５ａを介して電流源Ｂと接続して、またＮ＋  型拡散層６を別に設けたアルミ配線（図示せず）及びボンディングパッド（図示せず）を介して電流源Ｂとは別の外部電源（図示せず）から取る構成とすることも可能である。この場合、ゲージ抵抗３には定電流が流れＮ＋  型拡散層６には最大電圧が印加されることになる。
【００２１】
次に、このように構成された半導体圧力検出装置における実際の作動について説明する。
図１に示すように、ボンディングパッド５ａを介して、定格電流を各ゲージ抵抗３に流すことで、電位がゲージ抵抗３に発生する。そして、半導体圧力センサにおけるダイヤフラム部Ｃが外圧によって変位し、この変位に基づいてゲージ抵抗３が伸縮する。そしてこのように伸縮したゲージ抵抗３はその抵抗値を変化させ、ボンディングパッド５ｂ及びボンディングパッド５ｃにおける中点電位を変化させる。そして、この変化した中点電位が外部出力される。
【００２２】
また、半導体圧力センサにおけるゲージ抵抗３の抵抗値は、流れた電流によって発生する熱や外気温によっても変化するため、温度補償用抵抗１００によって半導体圧力センサの温度を常時検出し、これに基づき電流源Ｂにおける電流値を適宜変化させている。
ここで、図２（ａ）、（ｂ）に実動作時におけるセンサ部Ｂにおける電位分布図を示す。ダイヤフラム部Ｃの周囲に形成されたＮ＋  型拡散層６全体が略同電位になるため、図２（ａ）に示されるように、Ｎ＋  型拡散層６からゲージ抵抗３と接するＮ−  型エピタキシャル層２に至るまでに発生する電位の変化が小さい。
【００２３】
これにより、実動作時において、電位勾配が形成されてもゲージ抵抗３とＮ−  型エピタキシャル層２においてゲージ抵抗３とＮ−  型エピタキシャル層２のＰＮ接合が順バイアスとなって大量のリーク電流が発生することを防止できる。
次に、図１における半導体圧力検出装置の製造手順を図３及び図４に示す。
まず、図３（ａ）に示すようにＰ−  型シリコン基板１にＮ−  型エピタキシャル層２を成長させる。そして、図３（ｂ）に示すようにウェハ上面全面に、酸化膜７を形成する。
【００２４】
その後、フォトリソグラフィエッチングによって酸化膜７の所定部分をエッチング除去し、この除去された部分からリンイオン等をイオン注入或いはデポジションした後、リンイオンを拡散させて、図３（ｃ）に示すようにＮ＋  型拡散層６を形成する。このＮ＋  型拡散層６は前述したように、ダイヤフラム部Ｃの全周を取り囲むように形成する。
【００２５】
また、この後Ｎ＋  型拡散層６を形成するために除去された部分を酸化膜７ａで覆い、Ｎ＋  型拡散層６の内周にあたる部分の酸化膜７をエッチング除去する。そして、適当な厚さの酸化膜７ｂを形成して、この酸化膜７ｂを通してボロンイオン等をイオン注入する。その後、ボロンイオンを拡散させて、図４（ａ）に示すようにゲージ抵抗３を形成する。
【００２６】
そして、酸化膜７ｂにコンタクトホールを形成した後、図４（ｂ）に示すようにアルミ配線４ａ〜４ｂをパターニング形成する。そして、コンタクトホールを介してアルミ配線４ａ〜４ｂがＮ＋  型拡散層６及びゲージ抵抗３に接続され、ゲージ抵抗３によってブリッジ回路が構成される。また、このアルミ配線４ａ〜４ｂの先端に、図１（ａ）に示すボンディングパッド５ａ〜５ｄをそれぞれ配設する。
【００２７】
この後、ボンディングパッド５ａからアルミ配線４ａを介してＮ＋  型拡散層６へ所定電圧Ｖｃｃを印加して、電気化学ストップエッチングを行い、図４（ｃ）に示すようにＰ−  型シリコン基板１のうちＮ−  型エピタキシャル層２の反対側表層部を除去してダイヤフラム部Ｃを形成する。
この電気化学ストップエッチングは、シリコンの電位がパッシベーション電圧以上になると、陽極酸化反応により酸化膜が形成されるためＰ−  型シリコン基板１のエッチングが停止することを利用している。Ｎ−  型エピタキシャル層２にパッシベーション電圧以上の所定電圧Ｖｃｃを印加すると、ＰＮ接合で空乏層が発生する。そして、エッチングはＰ−  型シリコン基板１側の空乏層の先端で停止する。
【００２８】
ところで、電気化学ストップエッチングにおいて、Ｐ−  型シリコン基板１の表層部を除去してダイヤフラム部Ｃを形成するに際し、ダイヤフラム部Ｃの膜厚を一定にするためには空乏層幅が一定である必要がある。そして、所定電圧ＶｃｃをＮ＋  型拡散層６に印加したときに、Ｎ−  型エピタキシャル層２全体が所定電圧Ｖｃｃと同電位になっていることが好ましいが、実際には実動作時と同様にエピタキシャル層２内部で電位勾配が発生する。このため、空乏層幅が一定にならずダイヤフラム部Ｃの厚さを一定にすることが困難である。
【００２９】
本実施形態においては以下のようにして上記問題を解決している。つまり、所定電圧ＶｃｃをＮ＋  型拡散層６に印加したときに、Ｎ＋  型拡散層６は全て略同電位となる。従って、ゲージ抵抗３の外周に縁状に形成されたＮ＋  型拡散層６が全て同電位になり、半導体圧力検出装置内の電位分布は図２と同様の分布になる。つまり、Ｎ＋  型拡散層６をダイヤフラム部Ｃが形成される部分に縁状に形成することにより所定電圧Ｖｃｃを印加したときにおける電位分布を概ねＰ−  型シリコン基板１の面方向に平行な状態にすることができる。このため、電位分布がより安定するのでダイヤフラム部Ｃの厚さをより均一化させることができる。
【００３０】
なお、さらに半導体圧力検出装置に隣接するように温度補償用抵抗をウェハ中に形成して、各ボンディングパッドと所定の電流源Ｂを接続して、図１に示す構成が完成する。
ところで、このようにＮ＋  型拡散層６をダイヤフラム部Ｃの周囲に形成することによって以下に示す発振を防止している。以下、この発振について説明する。
【００３１】
まず、センサ部Ｂの温度に基づいて電流源Ｂにおける電流値をフィードバック制御するために、センサ部Ｂと同一チップ内に温度補償用抵抗１００を単に設けた場合におけるセンサ部Ｂの断面図を図５（ａ）に示す。
このような断面構成を有する半導体圧力検出装置を用いた場合、実験によりゲージ抵抗３と温度検出素子との相互作用として発振が生じることが確認された。
【００３２】
つまり、電流源Ｂから半導体圧力検出装置のゲージ抵抗３に所定電流を流した場合に発生する電圧によって、Ｐ＋  型拡散層からなるゲージ抵抗３及びＮ−  型エピタキシャル層２に空乏層が発生し、この空乏層によって寄生キャパシタが形成される。また、Ｐ＋  型拡散層からなる温度補償用抵抗１００においても同様に温度補償用抵抗１００及びＮ−  型エピタキシャル層２に空乏層が発生し、寄生キャパシタが形成される。
【００３３】
このとき、Ｎ−  型エピタキシャル層２側に形成される空乏層には共に、Ｎ＋  型拡散層６を通じて電流源Ｂからキャリアが供給される。
ここで、ゲージ抵抗３における電位が変化した場合を考えると、まず電位の変化に伴ってゲージ抵抗３の空乏層幅が変化する。そして、この空乏層幅の変化に応じてキャリアの移動が生じる。
【００３４】
このとき、前述したように、温度補償用抵抗１００がダイヤフラム部Ｃと同一チップ内に形成されており、また温度補償用抵抗１００はゲージ抵抗３よりもＮ＋  型拡散層６から離れた位置に形成されているため、温度補償用抵抗１００におけるキャリアの移動は図５（ａ）に示すようにゲージ抵抗３の周囲を通じて行われる。このため、温度補償用抵抗１００におけるキャリア供給がゲージ抵抗３におけるキャリア供給によって影響を受ける。
【００３５】
そして、この影響によって温度補償用抵抗１００周辺のＮ−  型エピタキシャル層２の電位が変化し、更にこれらの空乏層が変化する。これにより、温度補償用抵抗１００の抵抗値が変化して、電流源Ｂによる電流供給量を変化させる。
従って、電流源Ｂが誤った量の電流を供給し、この誤った量の電流に基づきフィードバック制御が行われていき、同様のことを繰り返して発振が起こる。
【００３６】
そして、図５（ｂ）に本実施形態における温度補償用抵抗１００近傍におけるセンサ部Ｂの断面図を示す。図５（ｂ）に示すように、Ｎ＋  型拡散層６は、その深さがＰ＋  型拡散層となるゲージ抵抗３及び温度補償用抵抗１００のおよそ２倍の深さになるようにして形成されている。
実動作時においては、最大電位がＮ＋  型拡散層６に印加される。そして、この電位に基づきゲージ抵抗３又は温度補償用抵抗１００とＮ−  型エピタキシャル層２におけるＰＮ接合に空乏層が発生する。そして、この空乏層におけるキャリアは、Ｎ＋  型拡散層６を通じて行われるが、図５（ｂ）に示すようにゲージ抵抗３と温度補償用抵抗１００の間にＮ＋  型拡散層６が形成されているため、温度補償用抵抗１００におけるキャリア移動はゲージ抵抗３の周囲を通じる必要なく行われる。
【００３７】
なお、ここでいう最大電位とは、Ｎ＋  型拡散層６の電位≧ゲージ抵抗３の電位の関係を満たすような電位のことであり、その目的は、Ｎ＋  型拡散層６の電位及びＮ−  型エピタキシャル層２の電位≧ゲージ抵抗３を保持することにある。ここで感度を大きくするにはゲージ抵抗３の電位を上げた方が良い。このため、Ｎ＋  型拡散層６及びＮ−  型エピタキシャル層２の電位を最大にした方が両者の余裕が大きく取れ、より感度を上げられる等のメリットがある。
【００３８】
これにより、上記発振の発生を防止することができ、良好な圧力検出が可能となる。なお、本実施形態においては電位勾配によるリーク電流の発生を防止するためにダイヤフラム部Ｃの周囲全体にＮ＋  型拡散層６を形成しているが、上記発振を防止するという観点からすれば、少なくともゲージ抵抗３と温度補償用抵抗１００の間にゲージ抵抗３の長さと同等程度の長さを有するＮ＋  型拡散層６を形成すれば良い。
【００３９】
（第２実施形態）
図６に、第２実施形態における半導体圧力検出装置を示す。
第１実施形態と同様に、Ｎ＋  型拡散層６とアルミ配線４ａ〜４ｄは、酸化膜によって絶縁状態が保持されている。そして、Ｎ＋  型拡散層６は最大電位に印加され、また接地状態になる配線４ｄは電位０であるため、電位差がかなり大きい。
【００４０】
さらに、ボンディングパッド５ｄを通じて入って来る外乱（ノイズ）による影響を考慮すると上記電位差はより大きくなる場合があり、使用環境によってはＮ＋  型拡散層６とアルミ配線４ｄの交差する部分における絶縁膜７が絶縁破壊を起こす可能性がある。
従って、図６に示すように、この半導体圧力検出装置は、第１実施形態に示す半導体圧力検出装置において、接地状態となるアルミ配線４ｄと交差する部分にはＮ＋  型拡散層６を形成せず、この交差する部分を除いた状態でＮ＋  型拡散層６を形成している。
【００４１】
なお、中点電位を出力する部分はボンディングパッド５ｂ、５ｃから外乱（ノイズ）に対する保護を施したダイオード又はコンデンサを用いて、他チップ（例えば、バイポーラチップ等）へ接続されるため外乱による影響は小さいと考えられる。このため、外乱による影響は少ないと考えられるが、アルミ配線４ｂ、４ｃとＮ＋  型拡散層６が交差する部分においてもＮ＋  型拡散層６を形成しないようにすることもできる。
【００４２】
（第３実施形態）
図７に、第３実施形態における半導体圧力検出装置を示す。
前述したように、実動作時及び電気化学ストップエッチング時において、Ｎ＋  型拡散層６内は略同電位となる。しかし、Ｎ＋  型拡散層６も有限の抵抗値を有しており、このＮ＋  型拡散層６の中にも抵抗値による若干の電位分布を生じる。従って、Ｎ＋  型拡散層６配線をできる限り広くすることで、抵抗値による電位分布を極力抑えることが可能となる。
【００４３】
従って、図７に示す半導体圧力検出装置は、第１実施形態に示す半導体圧力検出装置において、Ｎ＋  型拡散層６をできる限り大きめに幅を持たせて形成している。具体的には、ダイヤフラム部Ｃ及びボンディングパッド５ａ〜５ｄが形成されている部分以外におけるセンサ部Ａ全面にＮ＋  型拡散層６を形成している。
これにより、実動作時においてはゲージ抵抗３とＮ−  型エピタキシャル層２の電位差をより効果的に少なくすることができるため、効果的にリーク特性の改善が図れ、また電気化学ストップエッチング時においては、電位勾配をより効果的にＰ−  型シリコン基板１に平行にすることができるため、効果的にダイヤフラム部Ｃの膜厚を均一にすることができる。
【００４４】
なお、本実施形態においては、ダイヤフラム部Ｃ内にはＮ＋  型拡散層６を形成していないが、ダイヤフラム部Ｃ内のゲージ抵抗３に影響のない範囲内でＮ＋  型拡散層６を形成してもよい。
また、この他の方法として、Ｎ−  型エピタキシャル層２が８００〜２４００Ω／□、Ｎ＋  型拡散層６が４Ω／□、アルミが０．００３Ω／□であることを利用してＮ＋  型拡散層６の上にアルミ配線を形成し、これに応じてコンタクトホールを形成させる等することにより、効果的にダイヤフラム部Ｃの膜厚を均一にすることもできる。
【００４５】
（第４実施形態）
図８に、第４実施形態における半導体圧力検出装置を示す。この半導体圧力検出装置は、第１実施形態に示す半導体圧力検出装置において、温度補償用抵抗１００を囲むようにＮ＋  型拡散層を形成している。
このように、Ｎ＋  型拡散層によって温度補償用抵抗１００を囲むことにより温度補償用抵抗１００のいずれの方向においてもＮ＋  型拡散層から直接キャリアを受け取ることができるため、ゲージ抵抗３の空乏層変化に対する影響等をより完全に排除することができる。これにより上記発振をより完全に防止することができる。
（第５実施形態）
図９に、第５実施形態における半導体圧力検出装置を示す。
【００４６】
図９に示すように、この半導体圧力検出装置は、第１実施形態に示す半導体圧力検出装置において、埋め込みＮ＋  型拡散層６ａをＮ−  型エピタキシャル層２とＰ−  型シリコン基板１の境界部に埋め込み層として形成している。
具体的には、埋め込みＮ＋  型拡散層６ａをダイヤフラム部Ｃのテーパ部又はその外部に形成している。これは、電気化学ストップエッチングがＮ−  型エピタキシャル層２とＰ−  型シリコン基板１界面の電位により影響されるため、埋め込みＮ＋  型拡散層６ａがダイヤフラム部Ｃの薄膜部形成予定部に存在するとその部分のダイヤフラム厚が厚くなるからである。
【００４７】
このように、埋め込みＮ＋  型拡散層６ａを、Ｎ−  型エピタキシャル層２とＰ−  型シリコン基板１の境界部に形成した場合においても第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、この場合における半導体圧力検出装置の製造方法は、Ｐ−  型シリコン基板１にＮ−  型エピタキシャル層２を成長させる以前に、所定の領域にデポジション等により埋め込みＮ＋  型拡散層６ａを形成する必要がある。また、埋め込みＮ＋  型拡散層６ａの一部に外部から最大電圧（埋め込みＮ＋  型拡散層６ａ及びＮ−  型エピタキシャル層２＞ゲージ抵抗３となる電位）を印加することができるようにコンタクトとなるＮ＋  型拡散層６等を前述の工程を用いて形成する必要がある。
（他の実施形態）
第１〜第５実施形態においては、ダイヤフラム部Ｃの形状を正方形状にしているが、この形状に限らず円形状にしてもよく、８角形状等の多角形状にしてもよい。また、この場合上述したように、ダイヤフラム部Ｃの形状に合わせてＮ＋  型拡散層６を形成することによりダイヤフラム部Ｃに均等な電位を与えることができる。
【００４８】
また、第２実施形態に示したように第３〜第５実施形態においても電位０とするアルミ配線４ｄの下の部分におけるＮ＋  型拡散層６をなくすことによりＮ＋  型拡散層６の絶縁破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、第１実施形態における半導体圧力検出装置の全体構成図であり、（ｂ）は、（ａ）のセンサ部Ａの断面図である。
【図２】図１における電位分布を示す図であって、（ａ）はセンサ部Ａの断面における電位分布図であり、（ｂ）はセンサ部Ａの正面における電位分布図である。
【図３】図１に示す半導体圧力検出装置の製造工程を示す手順図である。
【図４】図３に続く半導体圧力検出装置の製造工程を示す手順図である。
【図５】ゲージ抵抗６と温度補償用抵抗１００の間にＮ＋  型拡散層６を形成する場合としない場合におけるキャリアの移動状態を示す比較図である。
【図６】第２実施形態における半導体圧力検出装置の正面図である。
【図７】第３実施形態における半導体圧力検出装置の正面図である。
【図８】第４実施形態における半導体圧力検出装置の正面図である。
【図９】第５実施形態における半導体圧力検出装置の断面図である。
【図１０】（ａ）は従来の半導体圧力検出装置の断面図であり、（ｂ）はこの半導体圧力検出装置における電位分布を示す説明図である。
【図１１】図１０における半導体圧力検出装置における電位分布を示す図であって、（ａ）は断面における電位分布図であり、（ｂ）は正面における電位分布図である。
【符号の説明】
１…Ｐ−  型シリコン基板、２…Ｎ−  型エピタキシャル層、３…ゲージ抵抗、
４ａ〜４ｄ…アルミ配線、５ａ〜５ｄ…ボンディングパッド、
６…Ｎ＋  型拡散層、１００…温度補償用抵抗、Ａ…センサ部、Ｂ…電流源、
Ｃ…ダイヤフラム部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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