(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
攪拌箆を上昇した状態で被処理体に対して現像液を吐出する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、前記攪拌箆を下降して前記被処理体上の現像液に接触するようにして前記被処理体に対して現像液を吐出しつつ前記攪拌箆で攪拌する第２の工程と
を具備することを特徴とする現像方法。
【請求項２】
請求項１に記載の現像方法であって、
前記第１の工程で、第１の吐出速度で前記現像液を吐出し、
前記第２の工程で、前記第１の吐出速度より速い第２の吐出速度で前記現像液を吐出することを特徴とする現像方法。
【請求項３】
矩形の基板を保持する保持手段と、
前記保持手段により保持された基板に対して現像液を吐出する複数の現像液吐出ノズルと、
水平方向に配置され、前記複数の現像液吐出ノズルが取り付けられた保持棒と、
前記保持棒を走行させる手段と、
前記保持棒の走行方向で前記複数の現像液吐出ノズルに隣接するように、前記保持棒に取り付けられ、前記基板に対して気体を吹き付ける複数のエアー噴出ノズルと、
前記複数の現像液吐出ノズルと前記複数のエアー噴出ノズルとを静止した基板上を走行させ、前記複数の現像液吐出ノズルにより現像液を吐出させた後、前記複数の現像液吐出ノズルにより現像液を吐出させつつ前記複数のエアー噴出ノズルにより気体を吹き付けさせる制御手段と
を具備することを特徴とする現像装置。
【請求項４】
被処理体を保持する保持手段と、
前記保持手段により保持された被処理体に対して現像液を吐出する吐出手段と、
前記吐出手段に隣接して昇降自在に設けられ、前記被処理体に吐出された現像液を攪拌する攪拌箆と、
前記攪拌箆を上昇した状態で前記吐出手段により現像液を吐出させた後、前記攪拌箆を下降して前記被処理体上の現像液に接触するようにし、前記吐出手段により現像液を吐出させつつ前記攪拌箆により現像液を攪拌させる制御手段と
を具備することを特徴とする現像装置。
【請求項５】
請求項４に記載の現像装置であって、
前記制御手段は、前記攪拌箆を上昇させたときに前記吐出手段により第１の吐出速度で前記現像液を吐出し、前記攪拌箆を下降させたときに前記吐出手段により前記第１の吐出速度より速い第２の吐出速度で前記現像液を吐出するように制御することを特徴とする現像装置。
【請求項６】
被処理体の全面にわたって現像液を吐出する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、前記被処理体の中央部のみに現像液を吐出する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記被処理体の周縁部のみに対応する振動子を作用させて被処理体上の現像液を攪拌させる工程と
を具備することを特徴とする現像方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われるガラス基板に対して現像処理を施す現像方法及び現像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造工程においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストを基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
一般に、上記の現像工程は、ガラス基板上に現像液を供給するものであるが、従来から現像速度を上げるために、或いは現像不良をなくすために、ガラス基板上にスプレー状に現像液を吹き付けるスプレー現像等が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の現像手法は、本質的な現像メカニズムを解明した上での技術とは言い難く、そのため必ずしも的確な手法とはいえなかった。
【０００５】
本発明者は、かかる本質的な現像メカニズムを解明し、より的確な手段を見出した。即ち、本発明の目的は、現像速度を上げることができる新規かつ的確な現像方法及び現像装置を提供することにある。また、本発明の目的は、現像の均一性を高めることができる新規かつ的確な現像方法及び現像装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の現像方法は、攪拌箆を上昇した状態で被処理体に対して現像液を吐出する第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記攪拌箆を下降して前記被処理体上の現像液に接触するようにして前記被処理体に対して現像液を吐出しつつ前記攪拌箆で攪拌する第２の工程とを具備する。この場合、前記第１の工程で、第１の吐出速度で前記現像液を吐出し、前記第２の工程で、前記第１の吐出速度より速い第２の吐出速度で前記現像液を吐出してもよい。
【００１３】
本発明の現像装置は、矩形の基板を保持する保持手段と、前記保持手段により保持された基板に対して現像液を吐出する複数の現像液吐出ノズルと、水平方向に配置され、前記複数の現像液吐出ノズルが取り付けられた保持棒と、前記保持棒を走行させる手段と、前記保持棒の走行方向で前記複数の現像液吐出ノズルに隣接するように、前記保持棒に取り付けられ、前記基板に対して気体を吹き付ける複数のエアー噴出ノズルと、前記複数の現像液吐出ノズルと前記複数のエアー噴出ノズルとを静止した基板上を走行させ、前記複数の現像液吐出ノズルにより現像液を吐出させた後、前記複数の現像液吐出ノズルにより現像液を吐出させつつ前記複数のエアー噴出ノズルにより気体を吹き付けさせる制御手段とを具備する。
【００１４】
本発明の現像装置は、被処理体を保持する保持手段と、前記保持手段により保持された被処理体に対して現像液を吐出する吐出手段と、前記吐出手段に隣接して昇降自在に設けられ、前記被処理体に吐出された現像液を攪拌する攪拌箆と、前記攪拌箆を上昇した状態で前記吐出手段により現像液を吐出させた後、前記攪拌箆を下降して前記被処理体上の現像液に接触するようにし、前記吐出手段により現像液を吐出させつつ前記攪拌箆により現像液を攪拌させる制御手段とを具備する。この場合、前記制御手段は、前記攪拌箆を上昇させたときに前記吐出手段により第１の吐出速度で前記現像液を吐出し、前記攪拌箆を下降させたときに前記吐出手段により前記第１の吐出速度より速い第２の吐出速度で前記現像液を吐出するように制御するようにしてもよい。
【００１５】
即ち、図１０は現像メカニズムを説明するための図であって、ガラス基板Ｇ上の膜１０５表面に露光後のポジタイプのレジスト１００が形成されている状態を示している。レジスト１００のうち符号１０１はアルカリ（現像液）との反応であるアゾカップリングによるタフスキン層（難溶化層）１０２を有する未露光部を示しており、符号１０３は本来溶解すべき部分である露光部を示している。
【００１６】
この上から現像液を供給すると、露光部１０３が未露光部分１０１と比べて大きく（速く）現像液と反応し、露光部１０３のみが溶解速度が速くなるのであるが、現像液を供給した初期、即ち反応初期状態において露光部１０３の表面にもアルカリとの反応によるアゾカップリングで薄いタフスキン層１０４が形成される。
そして、このような露光部１０３表面の薄いタフスキン層１０４があるために、現像速度が遅くなったり、未露光部内部の溶解が進んで現像の均一性に乱れを生じる。
【００１７】
本発明は、かかる見識に基づくもので、ある程度現像を進行させた後に、積極的に上記の露光部１０３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行うようにしたものである。加えて、こうしたタフスキン層の除去ばかりでなく、溶解部で現像液が反応することによる局所的な濃度の変化を無くし、均一にするものである。
【００１８】
即ち、被処理体に対して第１の吐出速度より速い第２の吐出速度で現像液を吐出したり、被処理体に対して第１の吐出角度より被処理体に対する角度が小さい第２の吐出角度で現像液を吐出したり、被処理体に対して現像液を吐出しつつ気体を吹き付けたり、被処理体に対して現像液を吐出しつつ攪拌箆で攪拌したり、或いはこれらを組み合わせることで、上記の未露光部１０３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行うようにしたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係る塗布・現像処理システムの斜視図である。
図１に示すように、この塗布・現像処理システム１の前方には、ガラス基板Ｇを、塗布・現像処理システム１に対して搬出入するローダ・アンローダ部２が設けられている。このローダ・アンローダ部２には、ガラス基板Ｇを例えば２５枚ずつ収納したカセットＣを所定位置に整列させて載置させるカセット載置台３と、各カセットＣから処理すべきガラス基板Ｇを取り出し、また塗布・現像処理システム１において処理の終了したガラス基板Ｇを各カセットＣへ戻すローダ・アンローダ４が設けられている。図示のローダ・アンローダ４は、本体５の走行によってカセットＣの配列方向に移動し、本体５に搭載された板片状のピンセット６によって各カセットＣからガラス基板Ｇを取り出し、また各カセットＣへガラス基板Ｇを戻すようになっている。また、ピンセット６の両側には、ガラス基板Ｇの四隅を保持して位置合わせを行う基板位置合わせ部材７が設けられている。
【００２０】
塗布・現像処理システム１の中央部には、長手方向に配置された廊下状の搬送路１０、１１が第１の受け渡し部１２を介して一直線上に設けられており、この搬送路１０、１１の両側には、ガラス基板Ｇに対する各処理を行うための各種処理装置が配置されている。
【００２１】
図示の塗布・現像処理システム１にあっては、搬送路１０の一側方に、ガラス基板Ｇをブラシ洗浄すると共に高圧ジェット水により洗浄を施すための洗浄装置１６が例えば２台並設されている。また、搬送路１０を挟んで反対側に、二基の現像装置１７が並設され、その隣りに二基の加熱装置１８が積み重ねて設けられている。
【００２２】
また、搬送路１１の一側方に、ガラス基板Ｇにレジスト液を塗布する前にガラス基板Ｇを疎水処理するアドヒージョン装置２０が設けられ、このアドヒージョン装置２０の下方には冷却用のクーリング装置２１が配置されている。また、これらアドヒージョン装置２０とクーリング装置２１の隣には加熱装置２２が二列に二個ずつ積み重ねて配置されている。また、搬送路１１を挟んで反対側に、ガラス基板Ｇの表面にレジスト液を塗布することによってガラス基板Ｇの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置２３が配置されている。図示はしないが、これら塗布装置２３の側部には、第２の受け渡し部２８を介し、ガラス基板Ｇ上に形成されたレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装置等が設けられる。第２の受け渡し部２８は、ガラス基板Ｇを搬入および搬出するための搬出入ピンセット２９および受け渡し台３０を備えている。
【００２３】
以上の各処理装置１５〜１８および２０〜２３は、何れも搬送路１０、１１の両側において、ガラス基板Ｇの出入口を内側に向けて配設されている。第１の搬送装置２５がローダ・アンローダ部２、各処理装置１５〜１８および第１の受け渡し部１２との間でガラス基板Ｇを搬送するために搬送路１０上を移動し、第２の搬送装置２６が第１の受け渡し部１２、第２の受け渡し部２８および各処理装置２０〜２３との間でガラス基板Ｇを搬送するために搬送路１１上を移動するようになっている。
【００２４】
各搬送装置２５、２６は、それぞれ上下一対のアーム２７、２７を有しており、各処理装置１５〜１８および２０〜２３にアクセスするときは、一方のアーム２７で各処理装置のチャンバから処理済みのガラス基板Ｇを搬出し、他方のアーム２７で処理前のガラス基板Ｇをチャンバ内に搬入するように構成されている。
【００２５】
図２は上記現像装置１７の正面図、図３はその平面図、図4はその側面図である。
現像装置１７の中心部には、駆動モータ３１によって回転可能でかつ上下動可能に構成されたスピンチャック３２が設けられている。このスピンチャック３２の上面は、真空吸着等によってガラス基板Ｇを水平状態に吸着保持するように構成されている。
【００２６】
このスピンチャック３２の下方には下容器３３が配置されている。また、スピンチャック３２の外周を囲うように外カップ３４が配置され、下容器３３と外カップ３４の間には内カップ３５が配置されている。
【００２７】
外カップ３４と内カップ３５とは連結部材３６により連結され、これら外カップ３４及び内カップ３５は制御部３７の指令に基づき昇降シリンダ３８により昇降されるようになっている。外カップ３４及び内カップ３５の上部はそれぞれ上に行くに従って狭くなるように内側に傾斜して設けられており、外カップ３４の上端開口部の直径は内カップ３５のそれよりも大きく、かつ、これらの上端開口部の直径はガラス基板Ｇを水平状態にしたままでカップ内に下降させて収容できる大きさに形成されている。
【００２８】
下容器３３は、中心部から外に向かって下方向に傾斜する傾斜部３９と、その外周に配置された受け皿部４０とを備える。受け皿部４０の底面には筒状の起立壁４２が設けられており、起立壁４２は外カップ３４と内カップ３５との間に介在される。また、内カップ３５の傾斜部は起立壁４２を超えて起立壁４２の外周に延在している。これにより、内カップ３５の傾斜部を流れる流体は受け皿部４０の起立壁４２で仕切られた外側室４３に流れ込むようになっている。
【００２９】
下容器３３の傾斜部３９の裏面側には、カップ内を排気するための排気口４４が設けられており、排気口４４には排気ポンプ（（図示を省略））が接続されている。受け皿部４０の起立壁４２で仕切られた内側室４５の下部には排液口４６が形成されており、外側室４３の下部にドレイン口４７が形成されている。そして、排液口４６に回収管４８を介して使用済み現像液を再生処理する再生処理機構４９が接続されている。再生処理機構４９は、気液分離する気液分離機構５０と使用済み現像液中の不純物を除去する不純物除去機構５１とで構成され、現像液収容タンク５２に接続されている。ドレイン口４７は図示しない回収タンクに接続されている。
【００３０】
カップの上部一側方にはガラス基板Ｇ表面に対し現像液を吐出するための現像液吐出機構５３が配置され、他側方にはガラス基板Ｇ表面に対して洗浄液を噴出するための洗浄機構５４及びガラス基板Ｇ表面に対しリンス液を供給するためのリンス液供給機構５５が配置されている。また、カップの上部の手前及び背後には搬送用レール５６、５７が設けられている。現像液吐出機構５３及び洗浄機構５４にはそれぞれ搬送用モータ５８、５９が取り付けられており、制御部３７による制御の基で搬送モータ５８、５９の駆動により現像液吐出機構５３及び洗浄機構５４が搬送用レール５６、５７に沿ってカップ内上部に搬送されるようになっている。
【００３１】
現像液吐出機構５３には、制御部３７の制御の基、ポンプ６２を介して現像液収容タンク５２より現像液が供給される。また、洗浄機構５４には、制御部３７の制御の基、ポンプ６４を介して洗浄液タンク６５より洗浄液が供給される。同様に、リンス液供給機構５５にも、制御部３７の制御の基、ポンプ６６を介してリンス液タンク６７よりリンス液が供給される。
【００３２】
図２及び図４に示すように、現像液吐出機構５３では、水平方向に配置された保持棒６８に複数の現像液吐出ノズル７１が取り付けら、これら現像液吐出ノズル７１の走行方向に隣接するように複数のエアー噴出ノズル７２が取り付けられている。
【００３３】
エアー噴出ノズル７２は、スピンチャック３２により保持されたガラス基板Ｇの表面に向けて、不活性ガス、例えば窒素ガスを噴出する。
【００３４】
次に動作について説明する。
図５は現像装置１７における処理フローを示している。
現像装置１７内に搬入され、スピンチャック３２によって保持されたガラス基板Ｇは下降され、外カップ３４及び内カップ３５は最も高い位置まで上昇され、現像液吐出機構５３はガラス基板Ｇのほぼ中央まで搬送されて静止する。そして、スピンチャック３２により保持されたガラス基板Ｇが回転され、図６（ａ）に示すように現像液吐出機構５３の現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して第１の吐出速度で現像液が吐出される（ステップ５０１）。なお、このときエアー噴出ノズル７２からの窒素ガスの噴出は停止されている。また、ガラス基板Ｇの外周より飛び散る現像液は内カップ３５の内側に当り排液口４６より回収され、再利用される。
【００３５】
所定時間経過後、図６（ｂ）に示すように、現像液吐出機構５３の現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して第１の吐出速度よりも速い第２の吐出速度で現像液が吐出され、更にエアー噴出ノズル７２からの窒素ガスの噴出が開始される（ステップ５０２）。
【００３６】
次に、スピンチャック３２によって保持されたガラス基板Ｇは下降され、外カップ３４及び内カップ３５は最も低い位置まで下降される。そして、スピンチャック３２により保持されたガラス基板Ｇが静止状態とされ、洗浄機構５４がガラス基板Ｇの長手方向に走査され、かつ、洗浄機構５４よりガラス基板Ｇに対して洗浄液が吐出される（ステップ５０３）。なお、ガラス基板Ｇの外周より飛び散る洗浄液は内カップ３５と外カップ３４との間を通ってドレイン口４７より廃棄される。
【００３７】
次に、リンス液供給機構５５がガラス基板Ｇのほぼセンタに搬送される。そして、スピンチャック３２により保持されたガラス基板Ｇが回転され、リンス液供給機構５５よりガラス基板Ｇに対してリンス液が供給される（ステップ５０４）。なお、ガラス基板Ｇの外周より飛び散るリンス液は内カップ３５と外カップ３４との間を通ってドレイン口４７より廃棄される。
【００３８】
最後に、リンス液供給機構５５がカップ外へ搬送され、スピンチャック３２によって保持されたガラス基板Ｇが高速回転されて振り切り乾燥が行われる（ステップ５０５）。
【００３９】
以上のように、この実施の形態によれば、現像処理工程において、まず最初に現像液吐出ノズル７１よりガラス基板Ｇに対して第１の吐出速度で現像液を吐出した後、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して第１の吐出速度よりも速い第２の吐出速度で現像液を吐出しつつ、エアー噴出ノズル７２から窒素ガスを噴出しているので、図１０に示した露光部１０３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行うことができる。よって、現像速度を上げることができ、また現像の均一性を高めることができる。
【００４０】
なお、上述した現像処理において、ガラス基板Ｇを回転させながら現像液を吐出していたが、ガラス基板Ｇを静止状態とし、現像液吐出機構６８を、静止したガラス基板上を走行するようにしてもい。
【００４１】
次に、第２の実施の形態について説明する。
図７はこの第２の実施の形態に係る説明図である。
図７に示すように、この第２の実施の形態では、現像液吐出ノズル７１を回動可能として点が第１の実施の形態と異なる。また、ここでは、現像処理において、ガラス基板Ｇを静止状態とし、現像液吐出機構６８を、静止したガラス基板上を走行するようにしている。
【００４２】
そして、現像処理工程において、図７（ａ）に示すように、まず現像液吐出ノズル７１をこれから吐出される現像液とガラス基板Ｇとがなす角度がほぼ９０°となる状態にし、この現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して現像液を吐出する。
【００４３】
次に、図７（ｂ）に示すように、現像液吐出ノズル７１から吐出される現像液とガラス基板Ｇ（ガラス基板Ｇの進行方向）とがなす角度が例えば４５°となるように現像液吐出ノズル７１を回動し、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して現像液を吐出する。
【００４４】
以上のように、この実施の形態によれば、現像処理工程において、まず最初に現像液吐出ノズル７１よりガラス基板Ｇに対して第１の角度で現像液を吐出した後、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して第１の角度よりも小さい第２の角度で現像液を吐出しているので、図１０に示した露光部１０３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行うことができる。よって、現像速度を上げることができ、また現像の均一性を高めることができる。
【００４５】
次に、第３の実施の形態について説明する。
図８はこの第３の実施の形態に係る説明図である。
図８に示すように、この第３の実施の形態では、現像液吐出ノズル７１に隣接してガラス基板Ｇ上の現像液を攪拌するための攪拌箆７３を昇降可能に取り付けている。攪拌箆７３が下降したとには、その先端がガラス基板Ｇ自体には接触しないがその上の現像液には接触するようになっている。
【００４６】
そして、現像処理工程において、図８（ａ）に示すように、まず攪拌箆７３を上昇した状態にし、この現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して現像液を吐出する。
【００４７】
次に、図８（ｂ）に示すように、攪拌箆７３を下降してガラス基板Ｇ上の現像液には接触するようにし、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して現像液を吐出する。
【００４８】
以上のように、この実施の形態によれば、現像処理工程において、まず最初に現像液吐出ノズル７１よりガラス基板Ｇに対して現像液を吐出した後、現像液吐出ノズル７１よりこのガラス基板Ｇに対して現像液を吐出しつつ攪拌箆７３によりこの現像液を攪拌するようにしているので、図１０に示した露光部１０３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行うことができる。よって、現像速度を上げることができ、また現像の均一性を高めることができる。
【００４９】
なお、本発明は上述した実施の形態には限定されない。
例えば、基板としてはＬＣＤ用のガラス基板Ｇばかりでなく、半導体ウェハ等の基板についても本発明を当然適用できる。
また、現像液吐出ノズルについては、図９に示すようにＥ２タイプ（スリット状に吐出孔も持つ。）のノズル９１を用いても当然かまわない。
【００５０】
次に、第４の実施の形態について説明する。
図１１はこの第４の実施の形態に係る説明図である。
図１１に示すように、この第４の実施の形態では、液吐出機構５３により現像液吐出ノズル７１からガラス基板Ｇ上に現像液を供給する手順を示す。この手順としては、まず第１の工程として、図１１の（ａ）に示す位置から液吐出機構５３が矢印Ｘ方向に移動し、図１１の（ｂ）に示す位置に液吐出機構５３が移動する。この際、液吐出機構５３の全ての現像液吐出ノズル７１からは、現像液が吐出し、第１の現像液供給領域、例えば全面に亘って現像液が供給される。
【００５１】
この後、第２の工程として、図１１の（ｃ）に示す位置から液吐出機構５３が矢印Ｘ方向に移動し、図１１の（ｄ）に示す位置に液吐出機構５３が移動する。この際、液吐出機構５３の現像液吐出ノズル７１の内の一部、例えば稼動する現像液吐出ノズル７１群としての稼動現像液吐出ノズル領域１９９から、現像液が吐出し、非稼動現像液吐出ノズル領域１９８からは、現像液を吐出しない。このような選択される現像液吐出ノズル領域と液吐出のタイミングとにより、前述の第１の現像液供給領域よりも狭い領域、例えばガラス基板Ｇの中央部にのみ現像液を供給する。
【００５２】
このように、部分的な複数回、例えば２度塗りを行うと、部分的に２度塗りを行った現像液は表面張力等によりガラス基板Ｇの周縁部方向Ａに攪拌して行くことになる。したがって、図１０に示した露光部１０３表面の薄いタフスキン層１０４を取り除きつつ現像を行うことができる。よって、現像速度を上げることができ、また現像の均一性を高めることができる。
【００５３】
また、攪拌をより促進する手段の一つとして、図１２に示すように、スピンチャック３２に圧電素子２０２を内蔵させ、この圧電素子２０２にはその電力を供給する電力機構としての直流電源２０３が接続されている。
この電力機構２０３を制御する例として、図１３に示すように、電力をONにするタイミングとしては、前述の第１の工程の開始から第２の工程が終了し、その後現像のプロセスが終了するまでの所定のタイミングでONするものである。
【００５４】
この動作のタイミングとしては、第１の工程の後及び／または第２の工程の後に、おこなっても良いし、第1の工程の途中及び／または第2の工程中の所定時間に、また第１の工程の前及び／または第２の工程の前にもおこなっても良く、被処理体の処理プロセスの条件によって対応する事が可能であり、攪拌をより促進することができる。
【００５５】
次に、攪拌の他の実施の形態について説明をおこなう。
この攪拌は、図１４に示すように、スピンチャック３２の内部に、第１の電極２０６を絶縁状態で内蔵し、ガラス基板Ｇの上方位置には第２の電極２０７が配置されており、これらの電極には電力を供給する電力機構としての交流電源２０８が接続されている。
この交流電源２０８の稼動のタイミングは前述と同様ガラス基板Ｇの処理プロセスに応じて設定されるものである。このような電界による攪拌でも同様の効果を生じることができる。また、電界に限らず、磁界による攪拌でも良いことは言うまでもない。
【００５６】
さらに、攪拌の他の実施の形態について説明をおこなう。
この攪拌は、図１５に示すように、第２の工程の後、スピンチャック３２を矢印の角方向θに移動させるものである。この移動は、反復の移動でも良く、一方向のみの移動でもよい。このような攪拌でも同様の効果を生じることができる。また、各方向に移動したが、線運動としての矢印の方向Ｙに移動させる攪拌でも良いことは言うまでもない。
【００５７】
さらに、攪拌の他の実施の形態について説明をおこなう。
この攪拌は、図１６に示すように、第２の工程の後、ガラス基板Ｇの下方位置から基板に対して近接する、振動子、例えば超音波振動子を備えた振動板２１０をガラス基板Ｇの一部の領域、例えば周縁部に作用させるものである。これにより、例えば第２の工程でのガラス基板Ｇの中央部から周縁部に拡散する現像液の攪拌を促進したり、現像が進行しにくい部分を補うのにより効果的である。したがって、ガラス基板Ｇの全面に亘ってより均一な処理を行うことが可能となる。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の主たる発明によれば、ある程度現像を進行させた後に、第１の吐出速度より速い第２の吐出速度で現像液を吐出したり、被処理体に対して第１の吐出角度より被処理体に対する角度が小さい第２の吐出角度で現像液を吐出したり、被処理体に対して現像液を吐出しつつ気体を吹き付けたり、被処理体に対して現像液を吐出しつつ攪拌箆で攪拌したり、或いはこれらを組み合わせることで、積極的に露光部表面の薄いタフスキン層を取り除きつつ現像を行うようにしたので、現像速度を上げることができ、また現像の均一性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態に係る塗布・現像処理システムの斜視図である。
【図２】  図１に示した現像装置の正面図である。
【図３】  図１に示した現像装置の平面図である。
【図４】  図１に示した現像装置の側面図である。
【図５】  第１の実施形態に係る処理フローである。
【図６】  第１の実施形態に係る動作説明図である。
【図７】  第２の実施形態に係る動作説明図である。
【図８】  第３の実施形態に係る動作説明図である。
【図９】  本発明の変形例に係る斜視図である。
【図１０】  本発明の原理を説明するための図である。
【図１１】  第４の実施形態に係る動作説明図である。
【図１２】  攪拌の他の実施形態に係る説明図である。
【図１３】  図１２の攪拌に係る動作説明図である。
【図１４】  攪拌の他の実施形態に係る説明図である。
【図１５】  攪拌の他の実施形態に係る説明図である。
【図１６】  攪拌の他の実施形態に係る説明図である。
【符号の説明】
１７    現像装置
７１    現像液吐出ノズル
７２    エアー噴出ノズル
７３    攪拌箆
Ｇ      ガラス基板Ｇ
【図１】
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【図２】
0003665715.tif 000003
【図３】
0003665715.tif 000004
【図４】
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【図５】
0003665715.tif 000006
【図６】
0003665715.tif 000007
【図７】
0003665715.tif 000008
【図８】
0003665715.tif 000009
【図９】
0003665715.tif 000010
【図１０】
0003665715.tif 000011
【図１１】
0003665715.tif 000012
【図１２】
0003665715.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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