(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）少なくともｐ−クレゾールを含むフェノール類を酸触媒下アルデヒド類と反応させて得られる非ハイオルソ型のクレゾールノボラック樹脂、（ｂ）キノンジアジド基含有化合物および（ｃ）下記一般式（１）で表されるフェノール性化合物の少なくとも一つ：
【化１】
0003624718.tif 000006
(式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立して、炭素数１〜４の低級アルキル基である）
を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物において、（ａ）成分中のｐ−クレゾールの２核体含有量がＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）法において２．０％未満であることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項２】
（ａ）成分におけるフェノール類がｐ−クレゾールと、ｍ−クレゾールおよびキシレノールから選ばれる少なくとも１種との混合物である請求項１に記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項３】
（ａ）成分におけるフェノール類がｍ−クレゾール３０〜６０モル％とｐ−クレゾール４０〜７０モル％の混合クレゾールである請求項１または２に記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の組成物からなる液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタ（ＴＨＩＮ  ＦＩＬＭ  ＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲ）などの液晶素子製造に好適に使用されるポジ型ホトレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ポジ型ホトレジストは半導体素子や液晶表示素子を製造する際の耐エッチング保護膜として、広く用いられている。近年、とくに液晶素子製造のリソグラフィーにおいては、レジストパターンと基板との密着性を向上させるために、またレジストパターンの残膜率を向上させるために、プレベークやポストベークを高温（例えば、１３０℃以上）で施すようになってきている。同時に、近年ウエットエッチングからドライエッチングが主流に用いられるようになりつつあるが、このような高温ベークは耐ドライエッチング性が向上するという点でも、頻繁に施されるようになってきている。
しかしながら、レジスト膜をプレベークまたはポストベークし、レジスト膜中のある成分が昇華すると、ベーク炉天板や周辺装置に昇華物が付着し、これが歩留まりを下げてしまうという問題が生じる。
この問題は、基板に大型のガラス角基板（例えば、３６０ｍｍ×４６０ｍｍ、５５０ｍｍ×６５０ｍｍ、６００ｍｍ×７２０ｍｍなど）が使用される液晶素子の製造において顕著となる。すなわち、このような大きな面積を有する基板を使用すると、１回当たりのレジスト組成物の使用量が多く、より多量の昇華物が発生するからである。
従って、昇華物の発生しにくいポジ型ホトレジスト組成物が強く要望されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、高温ベークに施されても昇華物が発生しにくいポジ型ホトレジスト組成物の提供にある。さらに感度、解像性に優れるとともに、残膜率の高い矩形に近いレジストパターンを形成し得るポジ型ホトレジスト組成物の提供も本発明の目的である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、昇華物はアルカリ可溶性樹脂中のｐ−クレゾールの２核体であることを初めて見いだし、本発明を完成することができた。
すなわち本発明は、（ａ）少なくともｐ−クレゾールを含むフェノール類を酸触媒下アルデヒド類と反応させて得られる非ハイオルソ型のクレゾールノボラック樹脂および（ｂ）キノンジアジド基含有化合物を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物において、（ａ）成分中のｐ−クレゾールの２核体含有量がＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）法において２．０％未満であることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物を提供するものである。
また本発明は、（ａ）成分におけるフェノール類がｐ−クレゾールと、ｍ−クレゾールおよびキシレノールから選ばれる少なくとも１種との混合物である前記のポジ型ホトレジスト組成物を提供するものである。
さらに本発明は、（ａ）成分におけるフェノール類がｍ−クレゾール３０〜６０モル％とｐ−クレゾール４０〜７０モル％の混合クレゾールである前記のポジ型ホトレジスト組成物を提供するものである。
さらにまた本発明は、さらに（ｃ）成分として、下記一般式（Ｉ）で表されるフェノール性化合物の少なくとも一つを配合してなる前記のポジ型ホトレジスト組成物を提供するものである。
【０００５】
【化２】
0003624718.tif 000002
【０００６】
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立して、炭素数１〜４の低級アルキル基である）
また本発明は、前記の組成物からなる液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物を提供するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明における（ａ）成分は、少なくともｐ−クレゾールを含むフェノール類を酸触媒下アルデヒド類と反応させて得られる非ハイオルソ型のクレゾールノボラック樹脂である。
【０００８】
（ａ）成分におけるフェノール類はｐ−クレゾールを含む限りとくに制限されないが、感度、解像性、レジストパターン形状を考慮すると、ｐ−クレゾールと、ｍ−クレゾールおよびキシレノールから選ばれる少なくとも１種との混合物であるのが好ましい。さらに好ましくは、（ａ）成分におけるフェノール類は、ｍ−クレゾール３０〜６０モル％とｐ−クレゾール４０〜７０モル％の混合クレゾールであるのがよい。なお、キシレノールとしては、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール等が挙げられる。
その他、ノボラック樹脂のフェノール性モノマーとして公知のものを（ａ）成分におけるフェノール類として配合可能である。そのようなフェノール性モノマーとしては、フェノールや、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノールなどのトリメチルフェノール等が挙げられる。
【０００９】
アルデヒド類としてはとくに制限されないが、例えばホルムアルデヒド、クロトンアルデヒド、サリチルアルデヒド等が挙げられる。中でもホルムアルデヒドを用いて得られた樹脂が安価で容易に入手でき好ましい。
【００１０】
酸触媒としてはとくに制限されないが、シュウ酸、ｐ−トルエンスルホン酸、酢酸などが挙げられる。中でもシュウ酸を用いて得られた樹脂が安価で容易に入手でき好ましい。
【００１１】
本発明は（ａ）成分中のｐ−クレゾールの２核体（以下単に「２核体」と称する）含有量がＧＰＣ法において２．０％未満としたことに特徴を有する。２核体は、好ましくは１．０％以下がよい。２核体が少ないほど昇華物が低減できることから、下限は当然０に近い程好ましい。
【００１２】
なお、２核体の含有量とは検出波長２８０ｎｍにおけるクロマトグラム上での存在割合である。本明細書においては、２核体の含有量は具体的には次のＧＰＣシステムを用いて測定した。
装置名：ＳＹＳＴＥＭ  １１（昭和電工社製）
プレカラム：ＫＦ−Ｇ
カラム：ＫＦ−８０２
検出器：ＵＶ４１（２８０ｎｍで測定）
溶媒等：流量１．０ｍｌ／分でテトラヒドロフランを流し、３５℃にて測定。
【００１３】
２核体の含有量の減少は、反応の途中で例えば水蒸気蒸留を行うことによって達成される。
具体的には、例えば反応装置にフェノール類、アルデヒド類および酸触媒を仕込んで混合液を調製し、９０〜１１０℃で１５０〜１９０分還流させた後、９０〜１９０分間常圧で脱水反応し、次いで８０〜２５０分間減圧下で脱水反応させる。続いて水蒸気蒸留を２２０〜２３０℃で７〜１０時間施し２核体のみを除去し、同温度で２〜４時間熟成した後、次いで目的とする重量平均分子量、例えば２０００以上、好ましくは３０００〜１５，０００にするため、９０〜１１０℃で３〜５時間反応させることにより得られる。この熟成後の反応においては必要に応じ反応系に再度アルデヒド類を添加し反応させてもよい。このようにして、得られるノボラック樹脂はハイオルソ型ではなく、（ａ）成分中のｐ−クレゾールの２核体含有量がＧＰＣ法において２．０％未満である。このようにして得られた２核体含有量が２．０％未満の樹脂成分は、重量平均分子量が異なるものを必要に応じて２種以上混合して用いてもよい。
【００１４】
なお、水蒸気蒸留を施すと得られた樹脂成分の粘度が高くなり、反応釜から得られた樹脂を取り出しにくくなるので、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテルおよびモノブチルエーテル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネート、ピルビン酸エチル、２−ヘプタノンなどのレジスト溶剤として用いられる有機溶剤を水蒸気蒸留中混合した方が好ましい。これらの有機溶剤は、後にレジスト組成物に配合されるので、この段階で加えておけば低コスト化につながる。
【００１５】
なお、従来においてアルカリ可溶性樹脂の低分子量域を除去する方法は一般的に行われている。
例えば特開平３−２３０１６４号公報では、貧溶媒やこれと良溶媒を組み合わせたりしてノボラック樹脂中の低分子量成分を除去している。しかしながら、このような単なる分別処理では本発明の目的とする２核体含有量２％未満は到底達成され得ない。このような分別処理では、昇華物の原因となる２核体含有量を低減すればするほど、得られる樹脂の収率が低下してしまい、解像性、残膜率、耐ドライエッチング性が劣化するという問題がある。なお該公報には、ダイマー含有量を１０重量％以下のノボラック樹脂の使用を記載しているが、該公報の実施例をみても、ダイマー量は最も低いもので３．４重量％である。
また、特開平４−２５１２５７号公報および特開平４−２９６７５５号公報には、ダイマー含有量が２〜６％のノボラック樹脂を用いたポジ型ホトレジストが開示されている。しかしながら、両公報のダイマー除去方法は、１０ｍｍＨｇ以下の圧力で減圧留去を行うものであり、このような操作では本発明の目的とする２核体含有量２％未満は到底達成され得ない。また、とくに４−２５１２５７号公報は、ダイマー含有量が２重量％未満では感度、解像性の低下、シリコン基板との密着性が低下すると教示し、この技術的思想は本発明とは全く異なる点である。
さらに特開平７−１１０５７６号公報には、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより求めた核間メチレン結合のオルソ結合／パラ結合の比率が１．１以上であり、かつＧＰＣにより求めた２核体成分の含有量が８％以下であるハイオルソ型のホトレジスト用フェノール樹脂が開示されている。なお、該公報において２核体の除去として水蒸気蒸留法が記載され、その表１中には２核体含有量が１．５％のノボラック樹脂が記載されている。ハイオルソ型ノボラック樹脂は、通常の２価金属有機酸塩を触媒とする方法、あるいは特開平４−２０２３１２号公報における非金属の無機酸あるいは有機酸を触媒とする方法で合成される。具体的には、２価金属有機酸塩を触媒として用いる場合、反応装置にフェノール類、アルデヒド類及び触媒を仕込んで混合液のｐＨが４〜７となるように調整し、還流下で２〜１０時間一次反応させた後、必要に応じて中和水洗を行い、反応混合液から減圧下低温で水を除去し、縮合水を除去しながら１２０〜１３０℃で１〜５時間二次反応させることにより得られる。しかしながら、該公報はハイオルソタイプのノボラック樹脂であるし、ｐ−クレゾールの２核体ついては言及されていない。ハイオルソ型のノボラック樹脂を用いたポジ型ホトレジストでは膜減りが大きく残膜率が低くなり矩形に近いレジストパターンを形成できないので、これらは本発明とは異なる点である。本発明では、該公報のようなハイオルソ型ノボラック樹脂ではなく、通常のノボラック樹脂を得るための製造条件によって（ａ）成分得られる。
【００１６】
本発明における（ｂ）成分は、キノンジアジド基含有化合物である。
キノンジアジド基含有化合物は、これまでポジ型ホトレジストの感光性成分として知られているキノンジアジド基を有する化合物であれば、とくに限定されない。そのような化合物は、例えば、ナフトキノン−１，２−ジアジド−（４または５）スルホニルハライドと、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン；ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２−メチル−５−シクロヘキシルフェニル）−３，４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２−メチル−５−シクロヘキシルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、１−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル〕−４−〔１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル〕ベンゼンなどのトリスフェノール類；とを縮合反応させ、完全エステル化または部分エステル化することによって製造することができる。
【００１７】
本発明の組成物において、（ｂ）成分の配合量は、（ａ）成分と下記（ｃ）成分との合計量に対し１０〜５０重量％、好ましくは２０〜４０重量％の範囲で選ぶのが好ましい。
【００１８】
本発明においては、上記（ａ）および（ｂ）成分に加えて、解像度、感度及び残膜率を向上させるため上記一般式（１）で表されるフェノール性化合物を加えるとより好ましい。
【００１９】
具体的には、
【００２０】
【化３】
0003624718.tif 000003
【００２１】
【化４】
0003624718.tif 000004
【００２２】
【化５】
0003624718.tif 000005
【００２３】
などの化合物があげられる。これらのなかでもビス（４−ヒドロキシ−２，３，５トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタンが残膜率が高くなり最も好ましい。
これらのフェノール性化合物は（ａ）成分１００重量部に対し、５〜５０重量部、好ましくは１０〜４０重量部の範囲で加えればよい。
【００２４】
本発明の組成物には、さらに必要に応じて、相容性のある添加物、例えばハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル−４−（４−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４−ジメチルアミノ−４’−ヒドロキシアゾベンゼン、４−ジエチルアミノ−４’−エトキシアゾベンゼン、４−ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミン等や、またストリエーション防止のための界面活性剤、例えばフロラードＦＣ−４３０、ＦＣ４３１（商品名、住友３Ｍ（株）製）、エフトップＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＥＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２６（商品名、トーケムプロダクツ（株）製）等のフッ素系界面活性剤などを本発明の目的に支障のない範囲で添加含有させることができる。
【００２５】
本発明の組成物は、（ａ）、（ｂ）および（ｃ）成分、さらに必要に応じて各種添加成分を、適当な溶剤に溶解して溶液の形で用いるのが好ましい
このような溶剤の例としては、従来のポジ型ホトレジスト組成物に用いられる溶剤を挙げることができ、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；および乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。とくにアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類が好ましい。
【００２６】
本発明の組成物の好適な使用方法について一例を示すと、まず、ガラス角基板上に、（Ａ）〜（Ｃ）成分、および必要に応じて用いられる添加成分を前記したような適当な溶剤に溶かした溶液をスピンナー等で塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ等を用い、所望のマスクパターンを介して露光するか、あるいは電子線を走査しながら照射する。次にこれを現像液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液のようなアルカリ性水溶液を基板中心付近の上部に設置された現像液滴下ノズルより、基板中心付近に滴下し、基板表面全体に現像液を行き渡らせる。そして５０〜６０秒間程度静置した後、基板をスピンナーで回転させ、現像液を除去すると、露光部が溶解除去されてマスクパターンに忠実な画像を得ることができる。
【００２７】
【実施例】
以下、本発明を実施例および比較例によりさらに説明する。
参考例１
ｍ−クレゾール３６モル％とｐ−クレゾール６４モル％の混合物にシュウ酸とホルムアルデヒドを加え縮合反応し、反応途中で酢酸ブチルを加え水蒸気蒸留し、次いでホルムアルデヒドを再度加え反応させて得られた重量平均分子量４０００のクレゾールノボラック樹脂（住友デュレズ社製ＴＯ−３５９）を下記の装置と条件でＧＰＣを測定したところ、ｐ−クレゾールの２核体の含有量は１．９％であった。
【００２８】
装置名：ＳＹＳＴＥＭ  １１（昭和電工社製）
プレカラム：ＫＦ−Ｇ
カラム：ＫＦ−８０２
検出器：ＵＶ４１（２８０ｎｍで測定）
溶媒等：流量１．０ｍｌ／分でテトラヒドロフランを流し、３５℃にて測定。
【００２９】
参考例２
ｍ−クレゾール３６モル％とｐ−クレゾール６４モル％の混合物にシュウ酸とホルムアルデヒドを加え縮合反応することによって得られた重量平均分子量３５００のクレゾールノボラック樹脂（住友デュレズ社製ＴＯ−１５１）を参考例１と同様にしてＧＰＣを測定したところ、ｐ−クレゾールの２核体の含有量は１０％であった。
【００３０】
参考例３
参考例２のクレゾールノボラック樹脂を２０重量％のメタノール溶液とした。これを水５０ｇ中に注下して得られた析出物を脱水、乾燥することに重量平均分子量４０００の樹脂を得た。この樹脂のＧＰＣを参考例１と同様に測定したところ、ｐ−クレゾールの２核体の含有量は５％であった。
【００３１】
参考例４
ｍ−クレゾール３６モル％とｐ−クレゾール６４モル％の混合物にシュウ酸とホルムアルデヒドを加え縮合反応し、反応途中でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加え水蒸気蒸留し、次いでホルムアルデヒドを再度加え反応させて得られた重量平均分子量５４００のクレゾールノボラック樹脂（住友デュレズ社製ＴＯ−３６０）を参考例１と同様の条件でＧＰＣを測定したところ、ｐ−クレゾールの２核体の含有量は０．９％であった。
【００３２】
参考例５
ｍ−クレゾール４２．５モル％とｐ−クレゾール５７．５モル％の混合物にシュウ酸とホルムアルデヒドを加え縮合反応し、反応途中でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加え水蒸気蒸留し、次いでホルムアルデヒドを再度加え反応させて得られた重量平均分子量１００００のクレゾールノボラック樹脂（住友デュレズ社製ＴＯ−３４７）を参考例１と同様の条件でＧＰＣを測定したところ、ｐ−クレゾールの２核体の含有量は０．８２％であった。
【００３３】
実施例１
（ａ）成分
参考例１のクレゾールノボラック樹脂  １００重量部
（ｂ）成分
２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライド２．３モルとのエステル化物  ２３重量部
（ｃ）成分
ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン  ５重量部
をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６４０重量部に溶解し、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
調製したポジ型ホトレジスト組成物をＣｒ膜が形成されたガラス基板（３６０ｍｍ×４６０ｍｍ）上に膜厚２．０μｍになるようにスピンナー塗布したのち、ホットプレートの温度を１３０℃とし、基板の裏面とホットプレートとの間が約１ｍｍになるように両者を設置し、６０秒間第１回目の乾燥を行い、次いでホットプレート上に基板の裏面が直接接触するように配置して１１０℃で６０秒間第２回目の乾燥を施し塗膜を得た。次いでテストチャートマスクを介してミラープロジェクション・アライナーＭＰＡ−６００ＦＡ（キヤノン社製）を用いて露光した。
次いで、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中に６５秒間浸せきすることにより、露光部分を除去し、Ｃｒ膜上に３．０μｍのレジストパターンを形成した。
このようにして得られたレジストパターンの感度は２５ｍＪ／ｃｍ２であり、矩形のレジストパターンが得られた。
一方、昇華物の発生の有無を見る強制試験として、上記ホトレジスト組成物を上記ガラス基板上に膜厚２．０μｍになるようにスピンナー塗布したのち、ホットプレート上に基板の裏面が直接接触するように設置し、ホットプレート温度１６０℃で５分間基板を加熱した。この塗布、加熱処理を１０枚のガラス基板について繰り返し行い、基板から約３０ｃｍ上方にある天板に昇華物の付着を確認したところ、昇華物は発生していなかった。
【００３４】
比較例１
実施例１において、参考例１のクレゾールノボラック樹脂を参考例２のノボラック樹脂に変え、昇華物の発生の有無を見る同様な試験をしたところ、天板に昇華物の付着が確認された。
【００３５】
比較例２
実施例１において、参考例１のクレゾールノボラック樹脂を参考例３のノボラック樹脂に変え、昇華物の発生の発生を見る同様な試験をしたところ、天板に昇華物の付着が確認された。
【００３６】
実施例２
実施例１において、参考例１のクレゾールノボラック樹脂を参考例４のノボラック樹脂に変え、実施例１と同様にしてレジストパターンを形成したところ、３．０μｍのレジストパターンが矩形に近い良好な形状で形成され、感度は３５ｍＪ／ｃｍ２であった。昇華物の発生の発生を見る同様な試験をしたところ、昇華物の発生はなかった。
【００３７】
実施例３
実施例１において、参考例１のクレゾールノボラック樹脂を参考例５のノボラック樹脂に変え、実施例１と同様にしてレジストパターンを形成したところ、３．０μｍのレジストパターンが矩形に近い良好な形状で形成され、感度は５０ｍＪ／ｃｍ２であった。昇華物の発生の発生を見る同様な試験をしたところ、昇華物の発生はなかった。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、高温ベークに施されても昇華物が発生しにくく、感度、解像性に優れるとともに、残膜率の高い矩形に近いレジストパターンを形成し得るポジ型ホトレジスト組成物が提供される。