【手続補正書】
【提出日】令和3年8月17日(2021.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙ  
の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ１は、式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、
前記金属錯体の遷移双極子モーメントベクトルと少なくとも１つのＬ１−（Ａｒ）ｐ結合の結合ベクトルとの間の角度が１５°未満である、金属錯体。
【請求項２】
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙ
の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ１は式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、その結果、前記金属錯体のａ：ｂ比は少なくとも３：１であり、ａは前記錯体の遷移双極子モーメントと平行な方向における前記錯体の大きさであり、ｂは前記錯体の前記遷移双極子モーメントに垂直な任意の方向における前記錯体の大きさである、金属錯体。
【請求項３】
前記Ｌ１の発光配位子は存在するごとに独立に式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）：
【化１】
2021098709.tif 000001
の基であり、
式中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立してＨまたは置換基であり、ただし少なくとも１つのＬ１のＲ３、Ｒ５およびＲ９の少なくとも１つが式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の基である、請求項１または２に記載の金属錯体。
【請求項４】
ｘが２である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属錯体。
【請求項５】
式（Ｉ）の前記化合物が、式（Ｉａ）：
【化２】
2021098709.tif 000002
を有する、請求項４に記載の金属錯体。
【請求項６】
各配位子Ｌ１が、式−（Ａｒ）ｐの少なくとも１つの置換基で置換されている、請求項４または５に記載の金属錯体。
【請求項７】
前記２つの配位子Ｌ１が同じである、請求項６に記載の金属錯体。
【請求項８】
少なくとも１つの配位子Ｌ１のＲ３のみが置換基−（Ａｒ）ｐである、請求項１〜７のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項９】
ｙが１である、請求項１〜８のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項１０】
前記または各Ｌ２が、独立して二座配位子である、請求項１〜９のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項１１】
前記または各Ｌ２が、Ｎ，Ｎ−キレート配位子、Ｎ，Ｏ−−キレート配位子、およびＯ，Ｏ−−キレート配位子からなる群から独立して選択される、請求項１０に記載の金属錯体。
【請求項１２】
Ｍがイリジウムである、請求項１〜１１のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項１３】
各Ａｒが、独立して、炭素原子および窒素原子の非置換もしくは置換フェニルまたは非置換もしくは置換ヘテロアリールである、請求項１〜１２のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項１４】
前記または各配位子Ｌ１の唯一の置換基または複数の置換基が、式−（Ａｒ）ｐの置換基である、請求項１〜１３のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項１５】
Ａｒが、非置換または１つ以上の置換基で置換されたフェニルである、請求項１〜１４のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項１６】
−（Ａｒ）ｐが、式：
【化３】
2021098709.tif 000003
の基であり、
式中、各フェニルは、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換され、Ｒ１２はＨまたは置換基である、請求項１５に記載の金属錯体。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の金属錯体を含む配合物。
【請求項１８】
アノード、カソード、および請求項１〜１６のいずれか１項に記載の金属錯体を含む前記アノードと前記カソードとの間の発光層を含む、有機発光素子。
【請求項１９】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の金属錯体を含む配合物を、前記アノードおよび前記カソードの一方の上に堆積させるステップと、
前記少なくとも１つの溶媒を蒸発させ、前記発光層を形成するステップと、
前記発光層上に前記アノードおよびカソードの他方を形成するステップと、
を含む、有機発光素子を形成する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３１３】
本発明を特定の例示的な実施形態に関して説明してきたが、本明細書に開示された特徴の様々な変更、改変および／または組み合わせが、以下の特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱することなく当業者には明らかであることが理解されよう。
本発明は一態様において、以下を提供する。
[項目１]
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙ（Ｉ）の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
各Ｌ１は式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）：
【化１】
2021098709.tif 000004
の基であり、
式中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立してＨまたは置換基であり、ただし少なくとも１つのＬ１のＲ３、Ｒ５およびＲ９の少なくとも１つが式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の基である、金属錯体。
[項目２]
ｘが２である、項目１に記載の金属錯体。
[項目３]
式（Ｉ）の前記化合物が、式（Ｉａ）：
【化２】
2021098709.tif 000005
を有する、項目２に記載の金属錯体。
[項目４]
各配位子Ｌ１が、式−（Ａｒ）ｐの少なくとも１つの置換基で置換されている、項目２または３に記載の金属錯体。
[項目５]
前記２つの配位子Ｌ１が同じである、項目４に記載の金属錯体。
[項目６]
少なくとも１つの配位子Ｌ１のＲ３のみが置換基−（Ａｒ）ｐである、項目１〜５のいずれかに記載の金属錯体。
[項目７]
ｙが１である、項目１〜６のいずれかに記載の金属錯体。
[項目８]
前記または各Ｌ２が、独立して二座配位子である、項目１〜７のいずれかに記載の金属錯体。
[項目９]
前記または各Ｌ２が、Ｎ，Ｎ−キレート配位子、Ｎ，Ｏ−−キレート配位子、およびＯ，Ｏ−−キレート配位子からなる群から独立して選択される、項目８に記載の金属錯体。
[項目１０]
Ｍがイリジウムである、項目１〜９のいずれかに記載の金属錯体。
[項目１１]
各Ａｒが、独立して、炭素原子および窒素原子の非置換もしくは置換フェニルまたは非置換もしくは置換ヘテロアリールである、項目１〜１０のいずれかに記載の金属錯体。
[項目１２]
前記または各配位子Ｌ１の唯一の置換基または複数の置換基が、式−（Ａｒ）ｐの置換基である、項目１〜１１のいずれかに記載の金属錯体。
[項目１３]
Ａｒが、非置換または１つ以上の置換基で置換されたフェニルである、項目１〜１２のいずれかに記載の金属錯体。
[項目１４]
−（Ａｒ）ｐが、式：
【化３】
2021098709.tif 000006
の基であり、
式中、各フェニルは、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換され、Ｒ１２はＨまたは置換基である、項目１３に記載の金属錯体。
[項目１５]
項目１〜１４のいずれかに記載の金属錯体およびホストを含む、組成物。
[項目１６]
前記ホストがポリマーである、項目１５に記載の組成物。
[項目１７]
項目１５または１６に記載の組成物および少なくとも１つの溶媒を含む、配合物。
[項目１８]
アノード、カソードおよび項目１５または１６に記載の組成物を含む前記アノードと前記カソードとの間の発光層を含む、有機発光素子。
[項目１９]
項目１７に記載の前記配合物を、前記アノードおよび前記カソードの一方の上に堆積させるステップと、
前記少なくとも１つの溶媒を蒸発させ、前記発光層を形成するステップと、
前記発光層上に前記アノードおよびカソードの他方を形成するステップと、
を含む、項目１８に記載の素子を形成する方法。
[項目２０]
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙ  （Ｉ）の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ１は、式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、
前記金属錯体の遷移双極子モーメントベクトルと少なくとも１つのＬ１−（Ａｒ）ｐ結合の結合ベクトルとの間の角度が１５°未満である、金属錯体。
[項目２１]
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙ（Ｉ）の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ１は式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、その結果、前記金属錯体のａ：ｂ比は少なくとも３：１であり、ａは前記錯体の遷移双極子モーメントと平行な方向における前記錯体の大きさであり、ｂは前記錯体の前記遷移双極子モーメントに垂直な任意の方向における前記錯体の大きさである、金属錯体。