(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の生産工程における半導体素子の個々の良否を判別する方法において、
単位ロットに属する前記半導体素子の全てについて所定の検査項目ｊの測定を行い、
前記検査項目ｊの測定値を、前記測定の対象となった前記半導体素子の各々と１対１に対応付けてメモリに記憶し、
前記検査項目ｊのそれぞれについて、前記メモリに記憶された前記測定値に基づいてその平均値ＡＶｊと標準偏差σｊとを求め、その求めた平均値ＡＶｊと標準偏差σｊとから基準値の下限値ＬＬｊと上限値ＵＬｊとを演算し、
全ロットに適用される予め設定された最小値ＬＬｏｊと最大値ＵＬｏｊからなる判別の基準値と、前記下限値ＬＬｊ及び上限値ＵＬｊとから、前記半導体素子の良否の基準を示す２種の判別基準値ＬＬ［ｊ］とＵＬ［ｊ］を演算し、
前記メモリに記憶された前記測定値と前記２種の判別基準値とを照合することによって、前記測定値に対応付けられた前記半導体素子の良否の判別を行うことを特徴とする半導体素子の良品判別方法。
【請求項２】
前記個々の半導体素子がウエハ上に形成されており、
前記良否の判別結果を、前記判別の対象となる前記半導体素子と対応付けてメモリに記憶し、
前記メモリに記憶された前記判別結果が示す不良品の前記ウエハ上の分布に基づいて、前記不良品にマークを付与する装置の移動コースを求めることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の良品判別方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体素子の生産工程における個々の半導体素子の良否の判別方法に係り、より詳細には、各ロットについて、検査項目毎の測定値の統計値を演算すると共に、演算結果と予め設定された基準値とから良否の判別基準値を算出することにより、ロット毎に最適となる判別基準値でもって良否の判別を行う半導体素子の良品判別方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の生産工程において、図６に示すウエハ２１上に形成された半導体素子２１１〜２１３，・・・の良否を判別する場合、図５に示すような特性検査装置が用いられている。また、半導体素子２１１〜２１３，・・・の良否の判別には、ロットが異なる場合にも同一の判別基準値が用いられている。
【０００３】
詳細に説明すると、特性検査装置は、計測コントローラ１、計測器２、ハンドラコントローラ３、ローダ部４、テストヘッド部５、アンローダ部６を備えており、図７に示す手順に従って判別が行われる。つまり、ウエハ２１は、ローダ部４によって搬送され、テストヘッド部５の所定位置に載置される（ステップＳ８１）。次いで、プローブピンと半導体素子２１１〜２１３，・・・との位置関係を、所定の位置関係とするため、テストヘッド部５に載置されたウエハ２１の位置決めを行う（ステップＳ８２）。
【０００４】
この後、例えば、半導体素子２１１の電極にプローブピンが接続され（ステップＳ８３）、半導体素子２１１について、計測器２により所定の検査項目の測定が行われる（ステップＳ８４）。また測定値は計測コントローラ１に送出され、メモリ１１に記憶される（ステップＳ８５）。そしてメモリ１１に記憶された測定値は、全てのロットに共通する値であり、半導体素子２１１〜２１３，・・・の良否の基準となる判別基準値と比較される。また比較結果である良否の判別結果がメモリ１１に記憶される（ステップＳ８６）。
【０００５】
メモリ１１に記憶された判別結果が不良品を示す場合、半導体素子２１１が不良品であることを示すため、半導体素子２１１の表面に赤いインクを付着する（ステップＳ８７）。そして後、プローブピンを半導体素子２１１の電極から離し（ステップＳ８８）、プローブピンを、次の半導体素子、例えば半導体素子２１２に移動させる（ステップＳ８９，Ｓ９０）。
【０００６】
以下では、ステップＳ８３〜Ｓ９０の動作が、半導体素子２１２，２１３，・・・の全てについて繰り返される。そして所定の繰り返しが終了すると、ウエハ２１は、アンローダ部６によってテストヘッド部５から取り外され、次なる工程に搬送される（ステップＳ９１）。
【０００７】
上記した判別を行うためには、複数の検査項目についての測定と判別とが行われるが、ここでは１種の検査項目についてのみ注目して説明を行う。図８は、３種のロットａ，ｂ，ｃについての、各ロット毎の検査項目ｊにおける測定値の度数分布、平均値ＡＶａｊ，ＡＶｂｊ，ＡＶｃｊ、およひ判別基準値との関係を示している。このとき用いられる判別基準値は、全てのロットａ，ｂ，ｃについて共通となっており、値ＬＬｏｊは、判別基準値の最小値、値ＵＬｏｊは、判別基準値の最大値を示している。
【０００８】
このため、ロットａおよびロットｂについては、全数が良品と判別されることになる。またロットｃについては、測定値が値ＬＬｏｊ以下となった素子（斜線９３に対応する素子）についてのみ、不良品であると判別される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図８に示すように、ロットａの半導体素子の測定値は、検査項目ｊに関して、平均値ＡＶａｊの近傍に大部分が分布することになるが、一部については、平均値ＡＶａｊから離れた部分に集中して分布することがある（９１参照）。つまり、測定値が９１により示される分布に対応する半導体素子は、ロットａが、同一材料、同一条件の元で形成された素子であるにも関わらず、大部分の素子群が示す測定値とは異なった測定値を示す素子群となっている。
【００１０】
すわなち、分布９１に対応する半導体素子群は、何からの異常を有する可能性が極めて高いと考えられる素子群である。このことは、ロットｂの分布９２に対応する素子群についても同様となる。
【００１１】
このため、全てのロットに共通の判別基準値、つまり最小値がＬＬｏｊ、最大値がＵＬｏｊとなる判別基準値でもって半導体素子の良否を判別する場合では、分布９１，９２に対応する半導体素子も良品と判別されることになる。その結果、異常を有する可能性が極めて高い素子についても、良品と判別されることになるので、判別精度が低下するといった問題を生じていた。
【００１２】
本発明は上記課題を解決するため創案されたものであって、請求項１および３記載の発明の目的は、ロットのそれぞれについて判別の基準となる基準値を求め、求められた基準値に従って良否の判別を行うことにより、良否の判別の精度を高めることのできる半導体素子の良品判別方法を提供することにある。
【００１３】
また請求項２記載の発明の目的は、判別結果を予めメモリに記憶し、記憶した判別結果が示す不良素子の分布に基づいて、半導体素子を良品と不良品とに分類する制御を行うことにより、分類の所要時間を短縮することのできる半導体素子の良品判別方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明に係る半導体素子の良品判別方法は、半導体素子の生産工程における半導体素子の個々の良否を判別する方法において、単位ロットに属する前記半導体素子の全てについて所定の検査項目ｊの測定を行い、前記検査項目ｊの測定値を、前記測定の対象となった前記半導体素子の各々と１対１に対応付けてメモリに記憶し、前記検査項目ｊのそれぞれについて、前記メモリに記憶された前記測定値に基づいてその平均値ＡＶｊと標準偏差σｊとを求め、その求めた平均値ＡＶｊと標準偏差σｊとから基準値の下限値ＬＬｊと上限値ＵＬｊとを演算し、全ロットに適用される予め設定された最小値ＬＬｏｊと最大値ＵＬｏｊからなる判別の基準値と、前記下限値ＬＬｊ及び上限値ＵＬｊとから、前記半導体素子の良否の基準を示す２種の判別基準値ＬＬ［ｊ］とＵＬ［ｊ］を演算し、前記メモリに記憶された前記測定値と前記２種の判別基準値とを照合することによって、前記測定値に対応付けられた前記半導体素子の良否の判別を行う方法としている。
【００１５】
また請求項２記載の発明に係る半導体素子の良品判別方法は、ウエハ上に形成された半導体素子の個々の良否を判別する方法に適用し、前記良否の判別結果を、前記判別の対象となる前記半導体素子と対応付けてメモリに記憶し、前記メモリに記憶された前記判別結果が示す不良品の前記ウエハ上の分布に基づいて、前記不良品にマークを付与する装置の移動コースを求める方法としている。
【００１７】
【作用】
請求項１記載の発明の作用を以下に示す。
【００１８】
検査項目ｊのそれぞれについて、メモリに記憶された測定値に基づく所定の統計値（基準値の下限値ＬＬｊと、上限値ＵＬｊ）を演算すると、得られた統計値は、単位ロットに属する全ての半導体素子の測定値の分布の傾向を示すことになる。一方、全ロットに適用される予め設定された判別の基準値（最小値ＬＬｏｊと最大値ＵＬｏｊ）は、測定値の許容範囲の最大値を示しており、あらゆる単位ロットに適用される値を示している。その結果、予め設定された判別の基準値と統計値とに基づいて演算された２種の判別基準値（ＬＬ［ｊ］とＵＬ［ｊ］）は、単位ロットのそれぞれの測定値の傾向に対応すると共に、許容範囲の最大値を満たす値となる。
【００１９】
このため、判別基準値に基づいて半導体素子の良否を判別すると、対象となっている単位ロットに特有の傾向に基づいて良否の判別を行うことになると共に、許容範囲の最大値を満たすかどうかの判別をも行うことになる。従って、測定対象である半導体素子は、許容範囲の最大値を満たす場合でも、各ロットの測定値の傾向に沿わない場合では、不良品と判別されることになる。
【００２０】
請求項２記載の発明の作用を以下に示す。
【００２１】
半導体素子を良品と不良品とに分類するため、ウエハ上の不良品にマークを付与する場合、不良品にマークを付与する装置の移動コースには、不良品の位置の分布に対応して最適となる移動コースがある。このため、予め判別結果をメモリに記憶する場合では、記憶された判別結果が示す不良品の分布に基づいて、不良品にマークを付与する装置の移動時間が最短となる移動コースが演算可能となる。このため、演算された移動コースに従って装置を制御しつつ、該当する半導体素子にマークを付与することにより、その所要時間が短縮される。
【００２５】
【実施例】
以下に、本発明の一実施例について図面を参照しつつ説明する。
【００２６】
図５は、本発明の一実施例が適用される特性検査装置の電気的構成を示すブロック図となっており、計測コントローラ１、計測器２、ハンドラコントローラ３、ローダ部４、テストヘッド部５、およびアンローダ部６を備えている。この構成は、従来技術の判別において使用される装置と同一構成であるが、計測コントローラ１は、請求項１および２記載の発明に対応した動作を行うように構成されている。
【００２７】
すなわち、計測コントローラ１は、特性検査装置としての主要動作を実行するブロックとなっており、その内部にメモリ１１を備えていて、計測器２によって測定された測定値を記憶する。また記憶した測定値に基づき、統計値として、測定値の平均値と標準偏差とを演算する。また演算された統計値と、予め設定された良否判別の基準値とから、各ロットに対応した判別基準値を演算する。
【００２８】
計測器２は、ウエハ２１上に形成された複数の半導体素子２１１〜２１３，・・・の電極に、図示されないプローブピンを接続した状態において、所定の検査項目を測定する計測装置となっており、測定によって得られた測定値を計測コントローラ１に送出する。
【００２９】
ローダ部４は、半導体素子２１１〜２１３，・・・が形成されたウエハ２１を、テストヘッド部５の所定位置に載置するためのブロックとなっており、アンローダ部６は、テストヘッド部５に載置されたウエハ２１を、次なる工程に移動させるブロックとなっている。
【００３０】
ハンドラコントローラ３は、ローダ部４、テストヘッド部５、アンローダ部６の動作を制御するためのブロックとなっており、計測コントローラ１からの指示に従って、ウエハ２１の移動の制御を行う。
【００３１】
図１は、請求項１および２記載の発明に係る半導体素子の良品判別方法の一実施例を示すフローチャートであり、単位ロットは１枚のウエハ２１となっている。必要に応じて同図を参照しつつ、実施例について詳細に説明する。
【００３２】
まず、ハンドラコントローラ３によってローダ部４の動作を制御することにより、ウエハ２１をテストヘッド部５の所定位置に載置する（ステップＳ１）。そして後、テストヘッド部５において、ウエハ２１の半導体素子２１１〜２１３，・・・の電極にプローブピンを接続することができるようにするため、ウエハ２１の位置決めを行う（ステップＳ２）。この後、半導体素子２１１の電極にプローブピンを接続する（ステップＳ３）。
【００３３】
計測器２は、予め格納されたプログラムに従い、半導体素子２１１について、Ｍ項目の検査項目についての測定を行う。そして測定により得られた測定値を計測コントローラ１に送出する。計測コントローラ１は、計測器２から出力された測定値を、半導体素子２１１と１対１に対応付けてメモリ１１に記憶する（ステップＳ４）。
【００３４】
メモリ１１に記憶される測定値は、計測コントローラ１のプログラムがＣ言語で記述されている関係から、以下に示すデータとして記憶される。すなわち、半導体素子２１１〜２１３，・・・のそれぞれに対応する構造体が定義されている。そして各構造体は、Ｍ個の測定値を記憶するための配列と、判別結果を示すためのフラグとをメンバとして有している。
【００３５】
また各検査項目の測定値は、項目を示す数値を引数とする測定関数の戻り値として与えられる。このため、Ｍ項目の検査項目のそれぞれについては、測定関数が呼び出され、戻り値として測定値が得られる毎に、得られた測定値が、測定対象である半導体素子２１１に対応する構造体中の配列において、該当するエリアに記憶される。
【００３６】
そして半導体素子２１１の全ての検査項目の測定が終了したときには、半導体素子２１１からプローブピンがはずされ（ステップＳ５）、ステップＳ６からステップＳ７に動作が移る。つまり、次の半導体素子２１２にプローブピンが移動する。以下、２１２，２１３，・・・の各半導体素子について、ステップＳ３〜Ｓ７の動作が繰り返される。その結果、全ての半導体素子２１１〜２１３，・・・について、Ｍ項目の検査項目のそれぞれの測定値が、対応する構造体の配列の所定エリアに格納される。
【００３７】
全ての半導体素子２１１〜２１３，・・・についての測定が終了すると、検査項目のそれぞれについて、測定値がメモリ１１から読み出される。そして読み出された測定値に基づき、平均値と標準偏差とが演算される。
【００３８】
いま、検査項目の項目番号をｊにより示すとすると、
【００３９】
【数１】
ｊ＝１，２，３，・・・，Ｍ
である。このため、ロットａにおいては、各ｊについて、平均値ＡＶａｊおよび標準偏差σａｊとが演算される（ステップＳ８）。そして後、ロットａに対応する基準値が演算される。いま、基準値の下限値をＬＬａｊ、上限値をＵＬａｊとすると、
【００４０】
【数２】
ＬＬａｊ＝ＡＶａｊ−ｋ×σａｊ
ＵＬａｊ＝ＡＶａｊ＋ｋ×σａｊ    （ｋは定数）
として、各値が演算される。
【００４１】
そして、全てのロットに適用される基準値として予め設定された最小値であるＬＬｏｊ、および最大値であるＵＬｏｊが参照され
【００４２】
【数３】
ＬＬａ〔ｊ〕＝ＭＡＸ（ＬＬｏｊ，ＬＬａｊ）    ・・・１式
ＵＬａ〔ｊ〕＝ＭＩＮ（ＵＬｏｊ，ＵＬａｊ）    ・・・２式
なる演算によって、ロットａに対応する２種の判別基準値が定まる。すなわち、判別基準値ＬＬａ〔ｊ〕は、ロットａの項目ｊにおける下限値を示し、判別基準値ＵＬａ〔ｊ〕は、ロットａの項目ｊにおける上限値を示すこととなる（ステップＳ９）。
【００４３】
上記演算によって１〜Ｍなるｊの全てについて２種の判別基準値が求まったときには、全ての検査項目ｊについて良否の判別が行われる。つまり、半導体素子２１１〜２１３，・・・のそれぞれに対応する構造体の配列中に記憶された値のうち、全ての検査項目ｊに対応する測定値Ｆｉｊ（ｉは半導体素子を区別する識別子）が
【００４４】
【数４】
ＬＬａ〔ｊ〕≦Ｆｊ≦ＵＬａ〔ｊ〕
となる場合には、ｉにより識別される半導体素子は良品であると判定される。その結果、該当する半導体素子の構造体のフラグには、良品である場合、値１が格納される。また良品と判定されなかった場合には、該当する半導体素子の構造体のフラグに、不良品を示すため、値０が格納される。
【００４５】
すなわち、良否の判別結果が、判別の対象となる半導体素子と対応付けてメモリに記憶されることとなる（ステップＳ１０）。
【００４６】
次いで、構造体中のフラグの値の全てが読み取られ、不良品となった半導体素子に関するウエハ２１上の分布が求められる。そして全ての不良品に赤インク（マーク）を付着するため、赤インクを付着する装置（図示を省略）を移動させるための最短経路が演算される。そして演算された経路に沿って該装置が移動し、該当する半導体素子に赤インクを付着していく（ステップＳ１１）。
【００４７】
この後、ウエハ２１は、アンローダ部６によってテストヘッド部５から取りはずされ、次の工程のための所定位置に搬送される（ステップＳ１２）。そしてダイボンド工程においては、赤インクの付着した半導体素子は不良品として廃棄される。以下、順次、各ウエハについて、検査項目ｊの測定、判別基準値の演算、および判別が行われる。また不良品には赤インクが付着される。
【００４８】
上記方法における良否の判別について、図４を参照しつつ、詳細に説明すると、曲線４１は、ロットａについての検査項目ｊに関する測定値の主要部分の度数分布を示している。また曲線３１は、ロットａについての検査項目ｊに関する測定値の少数部分の度数分布を示している。
【００４９】
また判別基準値ＬＬａ〔ｊ〕は、１式によって求まる下限値を示しており、判別基準値ＵＬａ〔ｊ〕は、２式によって求まる上限値を示している。このため、曲線４１によって度数分布が示される部分に属する半導体素子については、良品と判別される。また曲線３１によって度数分布が示される部分に属する半導体素子については、不良品であると判別される。
【００５０】
すなわち、ロットａにおける度数分布において、度数分布の主たる部分に属し、ロットａとして正常な特性を示す半導体素子のみが良品と判別される。そして度数分布の少数部分に属する半導体素子については、ロット全体の基準値（ＬＬａｊとＵＬｏｊ）を満たしているにも関わらず、ロットａの素子としては何らかの異常の可能性を有するため、不良品として判別されることになる。
【００５１】
これらのことは、ロットｂとして生産されたウエハ上の半導体素子に関する場合も同様であり、ロットｂの検査項目ｊについて求められた判別基準値の下限値ＬＬｂ〔ｊ〕と上限値ＵＬｂ〔ｊ〕とを満たす度数分布に属する半導体素子のみが良品と判別される。
【００５２】
そして平均値ＡＶｂｊから遠く隔たった部分に分布する部分３２については、下限値ＬＬｂ〔ｊ〕を満たさないことから、ロット全体の基準値（ＬＬｏｊとＵＬｏｊ）を満たしているにも関わらず、ロットｂの素子としては何らかの異常の可能性を有するため、不良品として判別されることになる。
【００５３】
またロットｃの場合では、判別基準値の下限値ＬＬｃ〔ｊ〕は、ロット全体の基準値の一方である下限値ＬＬｏｊに一致している。このため、平均値ＡＶｃｊから遠く隔たっていないにも関わらず、下限値ＬＬｃ〔ｊ〕を満たさない斜線部分３３に属する半導体素子は、素子として要求される設計上の特性を満たしていないため、不良品として判別されることになる。
【００５４】
図５は、半導体素子の良品判別方法の他の実施例に使用される特性検査装置の構成を示しており、計測コントローラ１は、この実施例に対応した動作を行うように構成されている。
【００５５】
すなわち、計測コントローラ１は、単位ロットに属する半導体素子から無作為に複数の半導体素子を抽出する。そして抽出した半導体素子について、所定の検査項目の測定のための制御を行う。また測定により得られた測定値に基づいて、測定値の平均値と標準偏差とを統計値として演算した後、演算された統計値と、予め設定された良否判別の基準値とから、判別対象となったロットに対応する判別基準値を演算する。
【００５６】
図２，図３は、半導体素子の良品判別方法の他の実施例を示すフローチャートであり、複数枚のウエハが単位ロットとして生産される場合の判別方法を示している。また判別対象となる半導体素子は、請求項１記載の発明において対象となったウエハ２１上の半導体素子と同一構成の素子であるので、検査項目数はＭ項目となっている。
【００５７】
まず、ハンドラコントローラ３によってローダ部４の動作を制御することにより、ウエハをテストヘッド部５の所定位置に載置する（ステップＳ２１）。そして後、テストヘッド部５において、ウエハの半導体素子の電極にプローブピンを接続することができるようにするため、ウエハの位置決めを行う（ステップＳ２２）。この後、計測コントローラ１に予め格納されたプログラムに従ってｐ個の半導体素子を抽出し、抽出した半導体素子の１番目の半導体素子の電極にプローブピンを接続する（ステップＳ２３）。
【００５８】
その電極にプローブピンが接続された半導体素子について、計測器２により、Ｍ項目の検査項目の測定を行う。また測定値をメモリ１１に記憶する。以下、抽出された２番目以降の半導体素子の各々に順次電極の接続を行うことによって、ｐ個の半導体素子の所定の検査項目を測定し、測定値をメモリ１１に記憶する（ステップＳ２４，Ｓ２５）。
【００５９】
アンローダ部６を制御することによって、ウエハをテストヘッド部５から取りはずし、ローダ部４を制御することによって、次のウエハをテストヘッド部５に載置する（ステップＳ２８）。以下、既に測定したウエハを含め、合計でｑ枚のウエハについて、ステップＳ２２〜Ｓ２８の動作を繰り返す。
【００６０】
上記動作の結果として、抽出された半導体素子の合計をＮにより示すと、
【００６１】
【数５】
Ｎ＝ｐ×ｑ
となる。また検査項目の番号をｊにより示すと、
【００６２】
【数６】
ｊ＝１，２，３，・・・，Ｍ
となる。そして各ｊについて、平均値ＡＶｊおよび標準偏差σｊとが演算される（ステップＳ２９）。そして後、この単位ロットに対応する基準値が演算される。いま、基準値の下限値をＬＬｊ、上限値をＵＬｊとすると、
【００６３】
【数７】
ＬＬｊ＝ＡＶｊ−ｋ×σｊ
ＵＬｊ＝ＡＶｊ＋ｋ×σｊ    （ｋは定数）
として、各値が演算される。
【００６４】
そして、全てのロットに適用される基準値として予め設定された最小値であるＬＬｏｊ、および最大値であるＵＬｏｊが参照され
【００６５】
【数８】
ＬＬ〔ｊ〕＝ＭＡＸ（ＬＬｏｊ，ＬＬｊ）    ・・・３式
ＵＬ〔ｊ〕＝ＭＩＮ（ＵＬｏｊ，ＵＬｊ）    ・・・４式
なる演算によって、ロットに対応する２種の判別基準値が定まる。すなわち、判別基準値ＬＬ〔ｊ〕は、該当する単位ロットの項目ｊにおける下限値を示す。また判別基準値ＵＬ〔ｊ〕は、該当する単位ロットの項目ｊにおける上限値を示すこととなる（ステップＳ３０）。
【００６６】
上記演算によって２種の判別基準値が求まったときには、ｊの全てについて、検査項目ｊにおける良否の判別が行われる。つまり、抽出された半導体素子を含み、該当する単位ロットに含まれる半導体素子の全てについて、全ての検査項目ｊに関する良否の判別が行われる。その詳細を以下に説明する。
【００６７】
該当する単位ロットに属する１番目のウエハが、ローダ部４によりテストヘッド部５に載置される（ステップＳ３１）。そして後、テストヘッド部５において、ウエハの半導体素子の電極にプローブピンを接続することができるようにするため、ウエハの位置決めを行う（ステップＳ３２）。この後、所定順序に従って１番目の半導体素子の電極にプローブピンを接続する（ステップＳ３３）。
【００６８】
その電極にプローブピンが接続された半導体素子について、計測器２により、Ｍ項目の検査項目の測定を行う（ステップＳ３４）。また測定により得られた測定値の全てをメモリ１１に記憶する（ステップＳ３５）。また３式および４式によって求められた判別基準値と測定値とを照合し、該当する半導体素子の良否を判別する。また、判別結果をメモリ１１に記憶する（ステップＳ３６）。判別結果が不良を示すときには、該当する半導体素子の表面に、マーカを用いて赤インクを付着する（ステップＳ３７）。そしてプローブピンを半導体素子の電極からはずす（ステップＳ３８）。
【００６９】
その後、次の半導体素子の位置にプローブピンを移動し（ステップＳ４０）、同様の動作を繰り返す。そして該当するウエハの全ての半導体素子の判別が終了したときには、動作は、ステップＳ３９からステップＳ４１に移行し、テストヘッド部５のウエハは、アンローダ部６によって取りはずされる（ステップＳ４１）。そして２番目に該当するウエハが、ローダ部４によってテストヘッド部５に載置される。以下、同様の繰り返しとなり、全てのウエハの半導体素子の判別が終了すると、判別動作の終わりとなる。
【００７０】
なお、本発明は上記実施例に限定されず、対象となる半導体素子については、ウエハに形成された半導体素子とした場合について説明したが、その他の半導体素子として、例えば、スリーブに収納されるＤＩＰタイプの半導体素子についても同様に適用することが可能である。
【００７１】
【発明の効果】
請求項１記載の発明に係る半導体素子の良品判別方法は、半導体素子の生産工程における半導体素子の個々の良否を判別する方法に適用している。そして、単位ロットに属する前記半導体素子の全てについて所定の検査項目ｊの測定を行い、前記検査項目ｊの測定値を、測定の対象となった半導体素子の各々と１対１に対応付けてメモリに記憶し、検査項目ｊのそれぞれについて、メモリに記憶された測定値に基づいてその平均値ＡＶｊと標準偏差σｊとを求め、その求めた平均値ＡＶｊと標準偏差σｊとから基準値の下限値ＬＬｊと上限値ＵＬｊとを演算し、全ロットに適用される予め設定された最小値ＬＬｏｊと最大値ＵＬｏｊからなる判別の基準値と、前記下限値ＬＬｊ及び上限値ＵＬｊとから、半導体素子の良否の基準を示す２種の判別基準値ＬＬ［ｊ］とＵＬ［ｊ］を演算し、メモリに記憶された測定値と前記２種の判別基準値とを照合することによって、測定値に対応付けられた半導体素子の良否の判別を行う方法としている。このため、対象となっている単位ロットに特有の傾向に基づいて良否の判別が行われると共に、許容範囲の最大値を満たすかどうかの判別が行われるので、許容範囲の最大値を満たす場合でも、各ロットの測定値の傾向に沿わない場合では、不良品と判別されることになるため、良否の判別の精度を高めることが可能となっている。
【００７２】
また請求項２記載の発明に係る半導体素子の良品判別方法は、ウエハ上に形成された半導体素子の個々の良否を判別する方法に適用している。そして、良否の判別結果を、判別の対象となる半導体素子と対応付けてメモリに記憶し、メモリに記憶された判別結果が示す不良品のウエハ上の分布に基づいて、不良品にマークを付与する装置の移動コースを求める方法としている。このため、不良品にマークを付与する装置は、最短コースを経由しつつ、マークを該当する半導体素子に付与するので、良否の分類の所要時間を短縮することが可能となっている。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る半導体素子の良品判別方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図２】  半導体素子の良品判別方法の他の実施例を示すフローチャートである。
【図３】  半導体素子の良品判別方法の他の実施例を示すフローチャートである。
【図４】  本発明における判別基準値と測定値の度数分布との関係を示す説明図である。
【図５】  本発明の一実施例が適用される特性検査装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図６】  ウエハ上に形成された半導体素子を示す説明図である。
【図７】  従来技術の判別動作を示すフローチャートである。
【図８】  従来技術における判別の基準値と測定値の度数分布との関係を示す説明図である。
【符号の説明】
１  計測コントローラ
２  計測器
４  ローダ部
５  テストヘッド部
６  アンローダ部
２１  ウエハ
２１１〜２１３  半導体素子
ＡＶａｊ，ＡＶｂｊ，ＡＶｃｊ  統計値
ＬＬｏｊ，ＵＬｏｊ  予め設定された判別の基準値
ＬＬａ〔ｊ〕，ＵＬａ〔ｊ〕  判別基準値
ＬＬｂ〔ｊ〕，ＵＬｂ〔ｊ〕  判別基準値
ＬＬｃ〔ｊ〕，ＵＬｃ〔ｊ〕  判別基準値
【図１】
0003708570.tif 000002
【図２】
0003708570.tif 000003
【図３】
0003708570.tif 000004
【図４】
0003708570.tif 000005
【図５】
0003708570.tif 000006
【図６】
0003708570.tif 000007
【図７】
0003708570.tif 000008
【図８】
0003708570.tif 000009