(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状のベース基板と、前記ベース基板に形成された複数の配線パターンと、を含み、
各配線パターンは、電気的接続部を有し、
前記ベース基板には、その幅方向に前記電気的接続部からずれた位置に、前記ベース基板の長さ方向に延びるスリットが形成され、前記スリットと前記電気的接続部との間に、前記ベース基板よりも硬い材質の補強部が形成されてなる可撓性配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の可撓性配線基板において、
前記スリットは、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的接続部の大きさ以上の長さで形成されてなる可撓性配線基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の可撓性配線基板において、
前記電気的接続部は、前記ベース基板の幅方向のほぼ中央部に形成され、
前記スリットは、前記ベース基板の幅方向の端部に形成されてなる可撓性配線基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記スリットは、長穴である可撓性配線基板。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記スリットは、切れ目である可撓性配線基板。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記ベース基板には、複数のデバイスホールが形成され、
前記電気的接続部は、各デバイスホール内に突出する複数のインナーリードを含んでなる可撓性配線基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的接続部の大きさ以上の長さで形成されてなる可撓性配線基板。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記配線パターンと同じ材料からなる部分を含む可撓性配線基板。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記補強部は、ソルダーレジストからなる部分を含む可撓性配線基板。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の可撓性配線基板において、
前記ベース基板には、その端部に複数のスプロケットホールが長さ方向に並んで形成され、
前記スリットは、前記スプロケットホールよりも、前記ベース基板の中央側に形成されてなる可撓性配線基板。
【請求項１１】
請求項１０記載の可撓性配線基板において、
いずれかの前記スプロケットホールは、前記ベース基板の幅方向に、前記電気的接続部からずれた位置に形成されてなる可撓性配線基板。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の可撓性配線基板の前記ベース基板を、幅方向に延びる直線で切断して得られた形状をなすフィルムキャリア。
【請求項１３】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の可撓性配線基板と、
前記可撓性配線基板の前記電気的接続部に、電気的に接続された複数の半導体チップと、
を有するテープ状半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載のテープ状半導体装置において、
前記電気的接続部を封止するシール部をさらに有するテープ状半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４記載のテープ状半導体装置において、
前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記スリットの長さの範囲内で形成されてなるテープ状半導体装置。
【請求項１６】
請求項１４又は請求項１５記載のテープ状半導体装置において、
前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記補強部の長さの範囲内で形成されてなるテープ状半導体装置。
【請求項１７】
請求項１３から請求項１６のいずれかに記載のテープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つの前記半導体チップの両側で幅方向に延びる直線で切断した形状をなす半導体装置。
【請求項１８】
請求項１３記載から請求項１６のいずれかに記載のテープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つの前記半導体チップを囲む輪郭で打ち抜いた形状をなす半導体装置。
【請求項１９】
請求項１７又は請求項１８記載の半導体装置が電気的に接続された回路基板。
【請求項２０】
請求項１７又は請求項１８記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項２１】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の可撓性配線基板をリールに巻き取って用意し、前記リールから前記可撓性配線基板を引き出して行う工程を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、可撓性配線基板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
従来、可撓性配線基板に半導体チップを実装するＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）が知られている。可撓性配線基板にはリードが形成されており、リードと半導体チップのパッドとが接合され、接合部は樹脂封止される。
【０００３】
ＴＡＢ方式によれば、可撓性配線基板を屈曲させて、リール・ツウ・リールで工程を行うが、半導体チップのパッドとリードとの接合部は樹脂封止されるため屈曲しない。そのため、パッドとリードとの接合部に応力が加えられるという問題があった。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するためのものであり、その目的は、応力を緩和する可撓性配線基板、フィルムキャリア、テープ状半導体装置、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る可撓性配線基板は、長尺状のベース基板と、前記ベース基板に形成された複数の配線パターンと、を含み、
各配線パターンは、電気的接続部を有し、
前記ベース基板には、その幅方向に前記電気的接続部からずれた位置に、前記ベース基板の長さ方向に延びるスリットが形成されてなる。
【０００６】
本発明によれば、スリットによってベース基板が部分的に切断されているので、電気的接続部を通る幅方向の直線に沿ってベース基板を屈曲させたときに、電気的接続部の隣の部分（ベース基板の部分）は、電気的接続部に影響を与えずに屈曲できる。その結果、電気的接続部への応力を緩和することができる。
【０００７】
（２）この可撓性配線基板において、
前記スリットは、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的接続部の大きさ以上の長さで形成されていてもよい。
【０００８】
こうすることで、電気的接続部と、その隣の部分（ベース基板の部分）とを、スリットによってベース基板の幅方向に分離できる。
【０００９】
（３）この可撓性配線基板において、
前記電気的接続部は、前記ベース基板の幅方向のほぼ中央部に形成され、
前記スリットは、前記ベース基板の幅方向の端部に形成されていてもよい。
【００１０】
（４）この可撓性配線基板において、
前記スリットは、長穴であってもよい。
【００１１】
（５）この可撓性配線基板において、
前記スリットは、切れ目であってもよい。
【００１２】
（６）この可撓性配線基板において、
前記ベース基板には、複数のデバイスホールが形成され、
前記電気的接続部は、各デバイスホール内に突出する複数のインナーリードを含んでいてもよい。
【００１３】
（７）本発明に係る可撓性配線基板において、
前記ベース基板には、前記スリットと前記電気的接続部との間に、前記ベース基板よりも硬い材質の補強部が形成されている。
【００１４】
これによれば、ベース基板の屈曲によって電気的接続部に与える応力を、補強部によって緩和することができる。
【００１５】
（８）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記電気的接続部の大きさ以上の長さで形成されていてもよい。
【００１６】
こうすることで、電気的接続部の全体に対する応力を緩和することができる。
【００１７】
（９）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、前記配線パターンと同じ材料からなる部分を含んでいてもよい。
【００１８】
（１０）この可撓性配線基板において、
前記補強部は、ソルダーレジストからなる部分を含んでいてもよい。
【００１９】
（１１）この可撓性配線基板において、
前記ベース基板には、その端部に複数のスプロケットホールが長さ方向に並んで形成され、
前記スリットは、前記スプロケットホールよりも、前記ベース基板の中央側に形成されていてもよい。
【００２０】
（１２）この可撓性配線基板において、
いずれかの前記スプロケットホールは、前記ベース基板の幅方向に、前記電気的接続部からずれた位置に形成されていてもよい。
【００２１】
これによれば、スプロケットホールも、上述したスリットと同じ効果を達成する。
【００２２】
（１３）本発明にかかるフィルキャリアは、上記可撓性配線基板の前記ベース基板を、幅方向に延びる直線で切断して得られた形状をなす。
【００２３】
本発明によれば、上述した可撓性配線基板の効果を達成することができる。
【００２４】
（１４）本発明に係るテープ状半導体装置は、上記可撓性配線基板と、
前記可撓性配線基板の前記電気的接続部に、電気的に接続された複数の半導体チップと、
を有する。
【００２５】
本発明によれば、上述した効果を達成できる可撓性配線基板を使用するので、電気的接続部への応力を緩和して、可撓性配線基板を巻き取ることができる。
【００２６】
（１５）このテープ状半導体装置は、
前記電気的接続部を封止するシール部をさらに有してもよい。
【００２７】
これによれば、上述したスリットによって、シール部に対する応力を緩和することができる。
【００２８】
（１６）このテープ状半導体装置において、
前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、前記スリットの長さの範囲内で形成されていてもよい。
【００２９】
これによれば、シール部の全体に対する応力を緩和することができる。
【００３０】
（１７）このテープ状半導体装置において、
前記シール部は、前記ベース基板の長さ方向に、上述した補強部の長さの範囲内で形成されていてもよい。
【００３１】
これによれば、シール部の全体に対する応力を緩和することができる。
【００３２】
（１８）本発明に係る半導体装置は、上記テープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つの前記半導体チップの両側で幅方向に延びる直線で切断した形状をなす。
【００３３】
（１９）本発明に係る半導体装置は、上記テープ状半導体装置の前記ベース基板を、いずれか１つの前記半導体チップを囲む輪郭で打ち抜いた形状をなす。
【００３４】
（２０）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が電気的に接続されてなる。
【００３５】
（２１）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００３６】
（２２）本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記可撓性配線基板をリールに巻き取って用意し、前記リールから前記可撓性配線基板を引き出して行う工程を含む。
【００３７】
本発明によれば、上述した効果を達成できる可撓性配線基板を使用するので、電気的接続部への応力を緩和して工程を行うことができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した好適な実施の形態について図面を参照して説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００３９】
（可撓性配線基板）
図１は、本実施の形態に係る可撓性配線基板を示す図である。可撓性配線基板１は、ベース基板１０と、複数の配線パターン２０と、を含む。可撓性配線基板１は、図２（Ａ）に示すリール４８に巻き取って取り扱うことができる。可撓性配線基板１は、ＴＡＢ技術が適用される場合には、ＴＡＢ用基板（フィルムキャリアテープ）であるが、これに限定されるものではなく、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）用基板や、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）用基板であってもよい。
【００４０】
ベース基板１０は、長尺状（テープ状）をなす基材であり、配線パターン２０の支持部材である。ベース基板１０は、フレキシブル性を有する。ベース基板１０は、ポリイミド樹脂で形成されることが多いがそれ以外の周知の材料を使用することができる。ベース基板１０の幅方向の両端部に、長さ方向に並ぶ複数のスプロケットホール１２を形成すれば、これに図示しないツメを係合させて可撓性配線基板１を送り出すことができる。
【００４１】
ＴＡＢ技術が適用される場合には、ベース基板１０には、各配線パターン２０について１つの（全体では複数の）デバイスホール１４が形成されている。デバイスホール１４を介して、半導体チップ６０（図３参照）と、それとの電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）とのボンディングを行うことができる。デバイスホール１４の形状は特に限定されなず、半導体チップ６０を完全に収容できる大きさであっても、一部を収容するだけの大きさであってもよい。
【００４２】
ベース基板１０には、複数の配線パターン２０が形成されている。３層基板の可撓性配線基板１では、配線パターン２０が接着剤（図示せず）を介してベース基板１０に接着されている。２層基板の可撓性配線基板１では、配線パターン２０が、ベース基板１０上に直接形成され、接着剤が介在しない。
【００４３】
配線パターン２０は、長尺状のベース基板１０の長手方向に並んで形成されてもよいし、幅方向に並んで形成されてもよいし、マトリクス状に（長手方向及び幅方向に並んで）形成されてもよい。それぞれの配線パターン２０は、同一の形状であることが多いが、異なる形状であってもよい。例えば、ｎ種類の形状をなすｎ個の配線パターン２０が並んで構成される配線パターングループを、繰り返して形成してもよい。複数の配線パターン２０は、電気メッキを行うために、図示しないメッキリードで電気的に接続されていてもよい。
【００４４】
各配線パターン２０は、複数の配線２２、２４を有する。詳しくは、ベース基板１０の長手方向に沿って、デバイスホール１４の一方の側（図１では上側）に複数の配線２２が形成され、他方の側（図１では下側）に複数の配線２４が形成されている。
【００４５】
各配線２２、２４は、一方の端部に形成されるインナーリード２６、２８と、その間隔を拡げる方向に延びる傾斜部３０、３２と、他方の端部３４、３６と、を含む。
【００４６】
インナーリード２６、２８は、デバイスホール１４内に突出する。インナーリード２６同士及びインナーリード２８同士は、平行に形成されており、ベース基板１０の長手方向に延びて形成されていてもよい。インナーリード２６、２８は、半導体チップ６０との電気的接続部である。
【００４７】
傾斜部３０、３２は、インナーリード２６、２８の間隔を拡げる方向に傾斜して形成される。傾斜部３０、３２は、直線を描いて形成してもよいし、曲線を描いて形成してもよい。
【００４８】
端部３４、３６は、傾斜部３０、３２から、インナーリード２６、２８とは反対側に延設されてなる。端部３４同士及び端部３６同士は、平行に形成されており、ベース基板１０の長手方向に延びて形成されていてもよい。端部３４、３６は、インナーリード２６、２８よりも、その幅及びピッチの少なくとも一方を広く形成してもよい。端部３４、３６は、他の電気部品と電気的に接続される。図１の例では、配線２４の端部３６は、アウターリードホール３８をまたいで形成されており、端部３６のうち、アウターリードホール３８内の部分はアウターリードである。
【００４９】
ベース基板１０には、スリット４０が形成されている。スリット４０は、切れ目であっても長穴であってもよい。スリット４０は、ベース基板１０の長さ方向に延びて形成されている。スリット４０は、上述した電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）から、ベース基板１０の幅方向にずれた位置に形成されている。したがって、ベース基板１０に加えられる応力が、スリット４０によって伝達されなくなるので、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に与える応力を緩和することができる。
【００５０】
電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）のベース基板１０の長さ方向の長さＬ１と、スリット４０のベース基板１０の長さ方向の長さＬ２とは、
Ｌ１≦Ｌ２
であることが好ましく、特に、Ｌ１＜Ｌ２であることが最適である。こうすることで、スリット４０の周囲を回り込んで電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に伝えられる応力を少なくすることができる。
【００５１】
電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）を、ベース基板１０の幅方向のほぼ中央部に形成し、スリット４０を、ベース基板１０の端部に形成してもよい。この場合、ベース基板１０の両端部にスリット４０を形成すれば、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）の両側に加えられる応力を緩和できる。
【００５２】
また、ベース基板１０にスプロケットホール１２が形成される場合には、スプロケットホール１２と、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）との間に、スリット４０を形成することが好ましい。
【００５３】
なお、スプロケットホール１２がスリット４０と同じ効果を達成してもよい。例えば、スプロケットホール１２を、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）から、ベース基板１０の幅方向にずれた位置に形成すれば、スプロケットホール１２を介して、応力を緩和することができる。
【００５４】
ベース基板１０には、補強部４２が形成されている。補強部４２は、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）と、スリット４０と、の間に形成することが好ましい。補強部４２は、ベース基板１０の材質よりも硬い材質で形成されており、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に加えられる応力を緩和する。
【００５５】
補強部４２は、配線パターン２０と同じ材料で形成してもよい。その場合、配線パターン２０の製造工程で同時に補強部４２を形成してもよい。また、補強部４２は、配線パターン２０を覆う保護膜４４（図５参照）と同じ材料（例えばソルダーレジスト）で形成してもよく、その場合、配線パターン２０上に保護膜４４を形成するときに、同時に補強部４２を形成してもよい。さらに、補強部４２を、配線パターン２０と同じ材料で形成した部分と、保護膜４４と同じ材料で形成した部分と、の両方を有する構成としてもよい。この場合も、配線パターン２０及び保護膜４４を形成する工程で同時に補強部４２を形成してもよい。
【００５６】
電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）のベース基板１０の長さ方向の長さＬ１と、補強部４２のベース基板１０の長さ方向の長さＬ３とは、
Ｌ１≦Ｌ３
であることが好ましく、特に、Ｌ１＜Ｌ３であることが最適である。こうすることで、ベース基板１０が巻き取られても、補強部４２によって電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）の屈曲を抑えて、電気的接続部に与える応力を緩和できる。
【００５７】
ただし、補強部４２のベース基板１０の長さ方向の長さＬ３と、スリット４０のベース基板１０の長さ方向の長さＬ２とは、
Ｌ３≦Ｌ２
であることが好ましく、特に、Ｌ３＜Ｌ２であることが最適である。こうすることで、補強部４２を形成しても、スリット４０を挟んで電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）とは反対側の部分（ベース基板１０の部分）が屈曲することができ、応力の集中が避けられる。
【００５８】
配線パターン２０上には、保護膜４４（図５参照）を設けてもよい。保護膜４４は、配線パターン２０を酸化等から保護する。例えば、ソルダレジスト等の樹脂で保護膜４４を形成してもよい。保護膜４４は、配線パターン２０のうち、半導体チップ等の他の部品と電気的に接続される部分（インナーリード、外部端子、アウターリード等）を除いた部分上を覆って設ける。
【００５９】
図２（Ａ）は、本実施の形態に係る可撓性配線基板の使用状態を示す図であり、図２（Ｂ）は、そのときの可撓性配線基板の一部の側面図である。図２（Ａ）に示すように、上述した可撓性配線基板１は、リール４８に巻き取られる。そのとき、ベース基板１０の長手方向の軸線が曲げられるが、本実施の形態では、ベース基板１０にスリット４０が形成されている。したがって、図２（Ｂ）に示すように、ベース基板１０の側端部は湾曲し、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）を含む領域（例えばデバイスホール１４の開口端部）の湾曲を少なくすることができる。こうして、ベース基板１０の側端部での湾曲による応力を、スリット４０によって伝えないようにして、電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）への応力を緩和することができる。
【００６０】
こうして、リール４８から可撓性配線基板１を引き出して、工程を行うことができ、リール・ツウ・リールで工程を行うこともできる。
【００６１】
（フィルムキャリア）
本発明を適用した実施の形態に係るフィルムキャリアは、図１に示す可撓性配線基板を、幅方向に示す直線（図１に符号４６で示す二点鎖線）で切断した形状をなす。例えば、フィルムキャリアは、上述した可撓性配線基板から切断された個片のフィルムである。なお、可撓性配線基板を切断する位置は特に限定されない。図１に示す例では、１つの配線パターン２０の両側を切断位置としたが、複数の配線パターン２０の両側を切断位置としてもよい。
【００６２】
（テープ状半導体装置の製造方法）
図３は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置の製造方法を説明する図である。
【００６３】
図３に示すように、可撓性配線基板１はリール４８に巻き取られて用意され、半導体チップの搭載を行うボンディングユニット５０に送り出される。リール４８とボンディングユニット５０との間にはバッファ領域（たるみ）５２が設けられており、リール４８の繰り出し量をボンディングユニット５０のタクトタイムに同期させなくても半導体チップを可撓性配線基板１に搭載できるようにしている。
【００６４】
バッファ領域５２では、可撓性配線基板１を自重により垂らした形態としてあるので、その最下部は自重により屈曲が生じ、可撓性配線基板１に曲げ応力が加わることとなる。しかし、本実施の形態に係る可撓性配線基板１には、スリット４０を形成するなど上述した構成を有するので、屈曲による曲げ応力が集中することがない。故に電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）に曲げ応力が集中してストレスがかかり、クラックや断線が生じるのを防止することができる。
【００６５】
（テープ状半導体装置）
図４は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置を示す図であり、ベース基板１０の幅方向に延びる直線に沿った断面図である。
【００６６】
テープ状半導体装置は、上述した可撓性配線基板１と、各配線パターン２０に電気的に接続された複数の半導体チップ６０と、を有する。
【００６７】
半導体チップ６０の平面形状は一般的には矩形であり、長方形であっても正方形であってもよい。半導体チップ６０の一方の面に、複数の電極が形成されている。電極は、半導体チップの面の少なくとも１辺（多くの場合、２辺又は４辺）に沿って並んでいる。半導体チップ６０の外形が長方形である場合には、例えば液晶駆動用ＩＣのように長手方向に電極が配列されてもよいし、短手方向に電極が配列されてもよい。また、電極は、半導体チップ６０の面の端部に並んでいる場合と、中央部に並んでいる場合がある。各電極は、アルミニウムなどで薄く平らに形成されたパッドと、その上に形成されたバンプと、からなることが多い。バンプが形成されない場合は、パッドのみが電極となる。電極の少なくとも一部を避けて半導体チップには、パッシベーション膜（図示しない）が形成されている。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成することができる。
【００６８】
半導体チップ６０の電極は、ＴＡＢ技術を適用して、デバイスホール１４を介して、配線パターン２０のインナーリード２６、２８にボンディングしてもよい。
【００６９】
あるいは、デバイスホール１４が形成されない可撓性配線基板を使用した場合には、半導体チップ６０をフェースダウンボンディングしてもよい。その場合、可撓性配線基板は、半導体チップ６０の能動面（電極が形成された面）とベース基板とが対向した状態で実装される基板、すなわちＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）であってもよい。
【００７０】
あるいは、ワイヤボンディングなどを適用して、半導体チップ６０をフェースアップボンディングしてもよい。その場合、可撓性配線基板は、半導体チップ６０の能動面（電極が形成された面）がベース基板の搭載面と同じ方向を向いて、例えば金線などのワイヤ（細線）にて半導体チップ６０の電極と配線パターン２０とが接続されるフェースアップ型の実装基板であってもよい。
【００７１】
テープ状半導体装置は、シール部６２を有してもよい。シール部６２は、少なくとも半導体チップ６０の電極と配線パターン２０との電気的接続部（例えばインナーリード２６、２８）を封止するものである。シール部６２は、樹脂で形成されることが多い。
【００７２】
また、配線パターン２０における保護膜４４によって覆われる部分と覆われない部分との境界では、シール部６２は、保護膜４４の端部と重複することが好ましい（図５参照）。こうすることで、配線パターン２０が露出することを防止できる。シール部６２は、ポッティングによって設けてもよいし、トランスファモールドによって設けてもよい。
【００７３】
（半導体装置及びその製造方法）
図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す図である。半導体装置は、図５に示すテープ状半導体装置を、幅方向に延びる直線で切断した形状をなす。例えば、図５に示すように、切断ジグ６４（カッタやパンチ等）で、１つの配線パターン２０の両側で、テープ状半導体装置を切断してもよい。その切断位置は、図１に二点鎖線４６で示す位置であってもよい。
【００７４】
本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置は、上述したテープ状半導体装置のベース基板１０を打ち抜いた形状をなしていてもよい。打ち抜きの位置は、１つの配線パターン２０を囲む輪郭であってもよい。
【００７５】
（半導体装置及び回路基板）
図６は、本発明を適用した実施の形態に係る回路基板を示す図である。図６に示すように、回路基板７０には、上述した半導体装置７２が電気的に接続されている。回路基板７０は、例えば液晶パネルであってもよい。半導体装置７２は、テープ状半導体装置のベース基板１０を、半導体チップ６０を囲む輪郭で打ち抜いた形状なす。
【００７６】
図６に示すように、半導体装置７２のベース基板１０は、屈曲させて設けてもよい。例えば、回路基板７０の端部の回りにベース基板１０を屈曲させてもよい。
【００７７】
（電子機器）
本発明を適用した半導体装置を有する電子機器として、図７には、携帯電話８０が示されている。この携帯電話８０は、本発明を適用した回路基板７０（液晶パネル）も有する。図８には、本発明を適用した半導体装置（図示せず）を有するノート型パーソナルコンピュータ９０が示されている。
【００７８】
なお、本発明の構成要件「半導体チップ」を「電子素子」に置き換えて、半導体素子と同様に電子素子（能動素子か受動素子かを問わない）を、可撓性配線基板に実装して電子部品を製造することもできる。このような電子素子を使用して製造される電子部品として、例えば、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る可撓性配線基板を示す図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る可撓性配線基板の使用状態を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係るテープ状半導体装置を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１  可撓性配線基板
１０  ベース基板
１２  スプロケットホール
１４  デバイスホール
２０  配線パターン
２６、２８  インナーリード（電気的接続部）
４０  スリット
４２  補強部
４４  保護膜
６０  半導体チップ
６２  シール部
７０  回路基板
７２  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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