(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トップゲイト型構造のＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス回路を有する液晶表示装置であって、
前記アクティブマトリクス回路において、
前記ＴＦＴの半導体層は、チャネル、前記ソースバスラインと電気的に接続される第1の領域、および画素電極に電気的に接続される第２の領域を有し、
一定の電位に固定された遮光膜を前記半導体層の下に有し、
ソースバスラインもしくはゲイトバスラインのうち少なくともソースバスラインは、前記遮光膜上に形成され、
前記第２の領域の一部は前記ソースバスラインに覆われ、かつ前記ソースバスラインの下方において、前記遮光膜と絶縁層を介して重なって、補助容量を形成することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
他行のゲイトバスラインが、前記第２の領域の一部と他の絶縁層を介して重なって、補助容量を形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記遮光膜は、その幅がソースバスラインよりも太いことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記ソースバスラインの上層に、前記遮光膜とその一部が重なる別の遮光膜を有することを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に液晶表示装置に関し、特に液晶パネルを構成する一対の対向基板のうち、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を担持する側の基板の遮光膜の配置に特色を有するものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は投射型もしくは直視型の表示装置として広く使われている。特に、高解像度カラー表示を達成するためには、個々の画素を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により駆動する、いわゆるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置が適している。アクティブマトリクス駆動方式を使うことにより、単純マトリクス方式において生じる画素間のクロストークを排除することができ、優れた表示特性が得られる。
【０００３】
かかるアクティブマトリクス駆動方式では、液晶パネルを構成するガラス基板の一方にＴＦＴが配列され、個々のＴＦＴは対応する透明な画素電極への印加電圧を制御する。ＴＦＴは半導体素子であり、直接、外部より光が当たると特性が変動する。したがって、外光を妨げる構造とすることが求められる。特に投射型表示装置では強力な光が照射されるので、遮光は重要な課題である。
【０００４】
一方、液晶表示装置の各画素の境界部では隣接する画素の電界の影響を受け、光が漏れてしまう。表示のコントラスト比を向上させるためには、このようなＴＦＴ形成部分を通って漏れる光を最小化する必要があるので、このような境界部は表示に用いないような構造が提案されている。このような構造をブラックマトリクス（省略して、ＢＭ、ともいう）という。ブラックマトリクス自体、遮光効果があるので、上記の遮光の目的にも用いられる。また、ブラックマトリクスにしても、あるいは、単なる遮光効果を有する構造も被膜の形態であるので遮光膜とも呼ばれる。
【０００５】
従来は、ＴＦＴを担持する基板と対向する基板上に遮光膜（ブラックマトリクス）を形成していた。しかし、かかる構成では、遮光膜が対応するＴＦＴを覆うように基板間の精密なアラインメントが必要で、このため液晶パネルの組立工程に時間を要していた。アラインメント作業を容易にするために遮光パターンを大きめに形成すると、表示の明るさが減じる等の問題が生じてしまう。
【０００６】
上記の問題を解決するためには、遮光膜をＴＦＴを担持する同じ基板上に形成する構成とすればよい。遮光膜は半導体層よりも上の層もしくは下の層に形成された。すなわち、前者であれば、ＴＦＴ作製プロセスでは、遮光膜は終段の工程で形成され、後者であれば、初期の段階で形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の遮光膜は、単に遮光の目的のみに使用されていた。しかし、そのためだけに成膜工程やエッチング・パターニング工程を追加することは、量産性の点で無駄である。本発明人はこのことに鑑み、遮光膜を導電性のものとし、かつ、それを画素の保持容量にも利用できるような構造を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＴＦＴとしてトップゲイト型構造（基板上に半導体層（活性層）があり、その上にゲイト電極がある構造）を用い、遮光膜を半導体層の下に設けた構造のアクティブマトリクス回路を特色とする。そして、前記遮光膜によって、ソースバスラインもしくはゲイトバスラインの少なくとも一方が隠される（重なる）構造とする。
【０００９】
そして、主たる光は基板側から入射される構造とする。
また、遮光膜は半導体層のうち、画素電極に電気的に接続した領域（ドレイン）と、絶縁層を介して重なり、遮光膜を適当な電位に保つことにより遮光膜とドレインとの間に容量を形成する。この容量は画素電極の容量（画素容量）と並列であるので、補助容量（保持容量）として使用できる。
【００１０】
もちろん、上記のように遮光膜と半導体層との間の容量に加えて、半導体層と他行のゲイトバスラインその他の配線との間の容量を組み合わせてもよい。半導体層と遮光膜の間に存在する絶縁膜の厚さは、ＴＦＴのゲイト絶縁膜の厚さの２倍以上であることが好ましい。遮光膜は、ソースバスラインやゲイトバスラインよりも太く、これらを遮光できる構造とすることが望ましい。また遮光膜は適当な電位に固定される。例えば、遮光膜は液晶パネルの外部端子に接続され、適当な電位を外部から与えられる構成が採られる。
【００１１】
さらに、タンタルやチタンのごとき機械的に強固な材料を用いた場合には、このような遮光膜は外部の接触端子としても使用できる。
上記の補助容量は遮光膜と重なって形成されるので、回路設計上、開口率を低下させることがない。
本発明においては、遮光膜は半導体層を全て隠す形状でも、一部が重なる形状でもよい。
【００１２】
また、上記のような半導体層の下に設ける遮光膜に加えて、素子の上層にも遮光膜（上層の遮光膜という）を設けてもよい。特にＴＦＴの部分において上層の遮光膜を設けると、ＴＦＴに入射する迷光を極限にまで減らすことができ、ＴＦＴの動作を安定させる上で効果的である。
この場合、上層の遮光膜は導電性でも、絶縁性でもよい。また、上層の遮光膜を導電性のものとする場合には、上層の遮光膜と画素電極との間に容量を形成してもよい。この場合、上層の遮光層と下層の遮光層が重なるように配置すると、同じ位置に層の異なる２つの容量が形成でき、素子の集積化の上で有効である。
【００１３】
【実施例】
〔実施例１〕  図１に本実施例の作製工程断面図、図２に本実施例の作製工程平面図をそれぞれ示す。基板１としては透明なガラス基板、例えば、本実施例ではコーニング７０５９を用いる。基板１上にはスパッタ法によってタンタル膜を１００〜３０００Å、例えば、１０００Å形成し、これを公知のフォトリソグラフィー法によって加工して、遮光膜２を得る。この段階で上方より見た様子を図２（Ａ）に示す。同図に示すように、遮光膜２のパターンは画素を分離するパターンである。なお遮光膜２は図示しないコモン電極に延在し、そこには液晶パネル外から適当な電位が与えられる。（図２（Ａ））
【００１４】
次に、公知のプラズマＣＶＤ法によって厚さ５００〜５０００Å、例えば、２５００Åの酸化珪素膜３を堆積する。酸化珪素膜３はＴＦＴの下地絶縁膜として機能する。（図１（Ａ））
次いで、公知のプラズマＣＶＤ法もしくは減圧ＣＶＤ法により厚さ１００〜１５００Å、例えば、５００Åの非晶質珪素膜を堆積し、公知の熱アニール法もしくはレーザーアニール法等の手段によってこれを結晶化させる。さらに、公知のフォトリソグラフィー法によって、結晶化した珪素膜を島状に分離し、活性層（島状領域）４を得る。
【００１５】
次に、公知のプラズマＣＶＤ法により、厚さ５００〜３０００Åの酸化珪素膜５を堆積する。酸化珪素膜５はＴＦＴのゲイト絶縁膜として機能する。さらに、厚さ２０００〜８０００Å、例えば、６０００Åのアルミニウム（もしくはアルミニウム合金）膜をスパッタ法によって堆積し、これを公知のフォトリソグラフィー法によって加工し、ゲイト電極と配線（ゲイトバスライン）６を形成する。（図１（Ｂ））
【００１６】
図２（Ｂ）にはこの段階で上方より見た様子を示す。同図に示されるようにゲイトバスライン６は平行に複数形成され、それらは先に形成されたタンタルの遮光膜のパターン２上に存在する。また、活性層４は、その一部１５が先に形成された遮光膜のパターン２と重なるように形成される。（図２（Ｂ））
【００１７】
次いで、公知の不純物拡散技術、例えば、イオンドーピング法によりゲイトバスライン６をマスクとして、活性層４にＮ型の不純物を導入する。ドーピング後は熱アニール法もしくはレーザーアニール法によって、再結晶化をおこなう。かくして、ソース７、ドレイン８が得られる。なお、以下の記述でドレインとは単に画素電極の接続される方の不純物領域のことを意味する。
次に公知のプラズマＣＶＤ法により厚さ３０００〜８０００Å、例えば、５０００Åの窒化珪素膜９を堆積する。窒化珪素膜９は第１の層間絶縁物として機能する。窒化珪素の代わりに酸化珪素を用いてもよい。（図１（Ｃ））
【００１８】
次いで、窒化珪素膜９にソース７およびドレイン８に通じるコンタクトホールを形成し、公知のスパッタ法によりアルミニウム合金膜もしくはアルミニウムとチタンの多層膜を堆積し、これを公知のフォトリソグラフィー法により加工し、ソースバスライン１０、ドレイン電極１１を形成する。図２（Ｃ）にはこの段階で上方より見た様子を示す。同図に示されるようにソースバスライン１０は平行に複数形成され、また、個々の活性層４と各１つのコンタクトを有する。また、ソースバスライン１０は先に形成されたタンタルの遮光膜のパターン２上に存在する。（図２（Ｃ））
【００１９】
その後、公知のプラズマＣＶＤ法により厚さ３０００〜８０００Å、例えば、５０００Åの酸化珪素膜１２を堆積する。酸化珪素膜１２は第２の層間絶縁物として機能する。酸化珪素の代わりに窒化珪素を用いてもよい。（図１（Ｄ））
次に、ポリイミド膜を塗布し、表面の平坦化をおこなう。この工程でポリイミド膜１３が形成される。次いで、ポリイミド膜１３をエッチングして、ドレイン電極１１に通じるコンタクトホールを形成する。
【００２０】
そして、公知のスパッタ法によって、透明導電性被膜、例えば、インディウム錫酸化物被膜を５００〜２０００、例えば、１０００Å堆積し、これを公知のフォトリソグラフィー法を用いて加工し、画素電極１４を得る。画素電極は遮光膜２と重なるようにパターンを形成する。かくすることにより漏光を防止することができる。（図１（Ｅ））
かくして、アクティブマトリクス回路が完成する。本実施例では、ＴＦＴがＮチャネル型であり、かつ、ＴＦＴのチャネルの下に遮光膜２が形成されている。ＴＦＴに印加される電位がいかなる場合にも遮光膜２によってＯＮ状態とならないためには、遮光膜２にはＴＦＴのソースもしくはドレインに印加される可能性のある最低電位よりも低い電位を付与することが望まれる。
【００２１】
かくして、遮光膜２とドレイン８（活性層４）との間に容量が形成され、かつ、この容量は画素電極と並列に存在するので、画素容量の補助容量（保持容量）となる。もちろん、遮光膜２が存在するため、ＴＦＴのチャネルに光が入射することが防止され、ＴＦＴの特性が安定する。
【００２２】
〔実施例２〕  図３を用いて本実施例を説明する。本実施例のＴＦＴ作製工程自体は実施例１と同じであるが、遮光膜、各バスライン、活性層等の配置が異なる。図３の番号は実施例１のものに対応する。
まず、実施例１と同様にタンタルで遮光膜のパターン２を形成する。これを図３（Ａ）に示す。（図３（Ａ））
【００２３】
次いで、活性層４とゲイトバスライン６を形成する。ここで、ゲイトバスライン６と活性層４は共に遮光膜２の内側に配置される。（図３（Ｂ））
さらに、データバスライン１０、ドレイン電極１１を形成する。ここでも、データバスライン１０、ドレイン電極１１は遮光膜２の内側に配置される。（図３（Ｃ））
かくして、活性層、ゲイトバスライン、データバスライン、ドレイン電極のいずれもが遮光膜２の内側に形成され、これらは遮光膜２によって遮光される。
【００２４】
〔実施例３〕  図４に本実施例の作製工程断面図、図５に本実施例の作製工程平面図をそれぞれ示す。基板４１としてはコーニング１７３７を用いる。基板４１上にはスパッタ法によってタンタル膜を２０００Å形成し、これをフォトリソグラフィー法によって加工して、遮光膜４２を得る。この段階で上方より見た様子を図５（Ａ）に示す。同図に示すように、遮光膜４２のパターンはゲイトバスライン（ゲイト電極を含む）とソースバスラインと重なり、画素を分離するパターンである。（図５（Ａ））
【００２５】
次に、プラズマＣＶＤ法によって厚さ１５００Åの酸化珪素膜４３を堆積する。酸化珪素膜４３はＴＦＴの下地絶縁膜として機能する。（図４（Ａ））
次いで、減圧ＣＶＤ法により厚さ８００Åの非晶質珪素膜を堆積し、熱アニール法によってこれを結晶化させ、フォトリソグラフィー法によって、これを島状に分離し、活性層（島状領域）４４を得る。さらに、プラズマＣＶＤ法により、厚さ１０００Åの酸化珪素膜４５を堆積する。酸化珪素膜４５はＴＦＴのゲイト絶縁膜として機能する。（図４（Ｂ））
【００２６】
次に、イオンドーピング法により活性層４４にＮ型の不純物を選択的に導入する。ドーピング後は熱アニール法またはレーザーアニール法によって、再結晶化をおこなう。かくして、ソース４７、ドレイン４８が得られる。さらに、厚さ５０００Åのアルミニウム−チタン合金膜をスパッタ法によって堆積し、これをフォトリソグラフィー法によって加工し、ゲイトバスライン４６ａ（当該画素のゲイト電極として機能する部分）およびゲイトバスライン４６ｂ（次行のゲイト電極として機能する部分）を形成する。ゲイトバスライン４６ｂは当該画素の活性層４４のドレイン４８と重なるように形成される。
【００２７】
図５（Ｂ）にはこの段階で上方より見た様子を示す。同図に示されるようにゲイトバスライン４６ａおよび４６ｂは平行に複数形成され、それらは先に形成されたタンタルの遮光膜のパターン４２上に存在する。また、活性層４４は、その一部が先に形成された遮光膜のパターン４２と重なるように、また、他の部分が次行のゲイトバスラインと重なるように形成される。（図５（Ｂ））
次にプラズマＣＶＤ法により厚さ５０００Åの窒化珪素膜４９を堆積する。窒化珪素膜４９は第１の層間絶縁物として機能する。窒化珪素の代わりに酸化珪素を用いてもよい。（図４（Ｃ））
【００２８】
次いで、窒化珪素膜４９にソース４７およびドレイン４８に通じるコンタクトホールを形成し、スパッタ法によりアルミニウムとチタンの多層膜を堆積し、これをフォトリソグラフィー法により加工し、ソースバスライン５０、ドレイン電極５１を形成する。図５（Ｃ）にはこの段階で上方より見た様子を示す。同図に示されるようにソースバスライン５０は平行に複数形成され、また、個々の活性層４４と各１つのコンタクトを有する。また、ソースバスライン５０は先に形成されたタンタルの遮光膜のパターン４２上に存在する。（図５（Ｃ））
その後、プラズマＣＶＤ法により厚さ５０００Åの酸化珪素膜５２を堆積する。酸化珪素膜５２は第２の層間絶縁物として機能する。酸化珪素の代わりに窒化珪素を用いてもよい。（図４（Ｄ））
【００２９】
次に、ポリイミド膜の平坦化膜５３を形成し、これをエッチングして、ドレイン電極５１に通じるコンタクトホールを形成する。そして、スパッタ法によって、インディウム錫酸化物被膜を１５００Å堆積し、これをフォトリソグラフィー法を用いて加工し、画素電極５４を得る。画素電極は遮光膜２と重なるようにパターンを形成する。かくすることにより漏光を防止することができる。（図４（Ｅ））
かくして、アクティブマトリクス回路が完成する。本実施例も実施例１と同様にＮチャネル型であり、遮光膜４２にはＴＦＴのソースもしくはドレインに印加される可能性のある最低電位よりも低い電位を付与することが望まれる。
【００３０】
本実施例では、実施例１と同様に、遮光膜４２とドレイン４８（活性層４４）との間に容量５５（図４（Ｅ）の矢印）が形成される。しかしながら、そればかりではなく、ドレイン４８と次行のゲイトバスラインとの間にも容量５６（図４（Ｅ）の矢印）が形成される。容量５５の一部と容量５６は立体的に形成されるため、開口率を低下させることなく、実施例１の場合よりも、より多くの容量が補助容量として用いられる。
【００３１】
本実施例では、容量５６を形成するために、次行のゲイトバスラインを用いたが、回路配置上、開口率が低下するという問題はあるが、ゲイトバスラインと同じ層内の電位の固定された配線を用いてもよい。ゲイトバスラインを容量の一方の電極として用いる場合には、容量がゲイト信号の影響を受け、したがって、マトリクスの走査方向が固定されるのに対し、ゲイト信号と独立した電位に保持された配線を用いると、走査方向は上からでも下からでも任意に設定できる。
【００３２】
〔実施例４〕  図６を用いて本実施例を説明する。本実施例のＴＦＴ作製工程自体は実施例２と同じであるが、遮光膜、各バスライン、活性層等の配置が異なる。図６の番号は実施例２のものに対応する。
まず、実施例２と同様にタンタルで遮光膜のパターン４２を形成する。これを図６（Ａ）に示す。（図６（Ａ））
【００３３】
次いで、活性層４４とゲイトバスライン４６を形成する。ここで、ゲイトバスライン４６と活性層４４は共に遮光膜４２の内側に配置される。（図６（Ｂ））
さらに、データバスライン５０、ドレイン電極５１を形成する。ここでも、データバスライン５０、ドレイン電極５１は遮光膜４２の内側に配置される。（図６（Ｃ））
かくして、活性層、ゲイトバスライン、データバスライン、ドレイン電極のいずれもが遮光膜４２の内側に形成され、これらは遮光膜４２によって遮光される。
【００３４】
〔実施例５〕  図７に本実施例の作製工程断面図、図８に本実施例の作製工程平面図をそれぞれ示す。基板７１としてはコーニング１７３７を用いる。基板７１上にはスパッタ法によってタンタル膜を１０００Å形成し、これをフォトリソグラフィー法によって加工して、遮光膜７２を得る。この段階で上方より見た様子を図８（Ａ）に示す。同図に示すように、遮光膜７２のパターンはソースバスラインと重なるパターンである。（図８（Ａ））
【００３５】
次に、プラズマＣＶＤ法によって厚さ２０００Åの酸化珪素膜７３を堆積する。酸化珪素膜７３はＴＦＴの下地絶縁膜として機能する。（図７（Ａ））
次いで、減圧ＣＶＤ法により厚さ１０００Åの非晶質珪素膜を堆積し、レーザーアニール法によってこれを結晶化させ、フォトリソグラフィー法によって、これを島状に分離し、活性層（島状領域）７４を得る。さらに、プラズマＣＶＤ法により、厚さ１２００Åの酸化珪素膜７５を堆積する。酸化珪素膜７５はＴＦＴのゲイト絶縁膜として機能する。
【００３６】
次に、厚さ５０００Åのアルミニウム−チタン合金膜をスパッタ法によって堆積し、これをフォトリソグラフィー法によって加工し、ゲイトバスライン７６を形成する。（図７（Ｂ））
図８（Ｂ）にはこの段階で上方より見た様子を示す。同図に示されるようにゲイトバスライン７６は平行に複数形成され、それらは先に形成されたタンタルの遮光膜のパターン７２と直交する。また、活性層７４は、その一部が先に形成された遮光膜のパターン７２と重なるように形成される。（図８（Ｂ））
【００３７】
さらに、イオンドーピング法により活性層７４にゲイトバスライン７６をマスクとしてＮ型の不純物を導入する。ドーピング後はレーザーアニール法によって、再結晶化をおこなう。かくして、ソース７７、ドレイン７８が得られる。
次にプラズマＣＶＤ法により厚さ５０００Åの窒化珪素膜７９を堆積する。窒化珪素膜７９は第１の層間絶縁物として機能する。窒化珪素の代わりに酸化珪素を用いてもよい。（図７（Ｃ））
【００３８】
次いで、窒化珪素膜７９にソース７７およびドレイン７８に通じるコンタクトホールを形成し、スパッタ法によりアルミニウムとチタンの多層膜を堆積し、これをフォトリソグラフィー法により加工し、ソースバスライン８０、ドレイン電極８１を形成する。図８（Ｃ）にはこの段階で上方より見た様子を示す。同図に示されるようにソースバスライン８０は平行に複数形成され、また、個々の活性層７４と各１つのコンタクトを有する。また、ソースバスライン８０は先に形成されたタンタルの遮光膜のパターン７２上に存在する。（図８（Ｃ））
【００３９】
その後、プラズマＣＶＤ法により厚さ５０００Åの酸化珪素膜８２を堆積する。酸化珪素膜８２は第２の層間絶縁物として機能する。酸化珪素の代わりに窒化珪素を用いてもよい。（図７（Ｄ））
次に、スパッタ法によって厚さ１０００Åのクロム膜を堆積し、これをパターン形成して上層の遮光膜８５を形成する。この段階で上方より見た様子を図８（Ｄ）に示す。同図より明らかなように上層の遮光膜はゲイトバスラインを隠すように形成される。
【００４０】
さらに、ポリイミド膜の平坦化膜８３を形成し、これをエッチングして、ドレイン電極８１に通じるコンタクトホールを形成する。遮光膜８５とポリイミド膜８３の間には何らかの無機材料被膜を設けて、密着性を強化してもよい。そして、スパッタ法によって、インディウム錫酸化物被膜を１５００Å堆積し、これをフォトリソグラフィー法を用いて加工し、画素電極８４を得る。画素電極８４と上層の遮光膜８５は一部重なるように配置する。（図７（Ｅ））
かくして、アクティブマトリクス回路が完成する。本実施例も実施例１および３と同様にＮチャネル型であるが、遮光膜７２はＴＦＴの活性層のうち、チャネルと重なっていないので、遮光膜７２の電位がいかなるものであれ、ＴＦＴに与える影響はない。この点で他の実施例のものよりも優れている。
【００４１】
本実施例では、実施例１と同様に、遮光膜７２とドレイン７８（活性層７４）との間に容量が形成される。そればかりではなく、上層の遮光膜８５にも適切な電位を付与することにより、画素電極８４との間にも容量が形成される。画素電極８４は当該画素を駆動するゲイトバスライン７６により影響を受けることは避けなければならないが、本実施例では、ゲイトバスラインを覆って導電性の遮光膜８５が設けられるので、画素電極８４とゲイトバスライン７６とのカップリングは十分に低減される。
【００４２】
さらに、本実施例では、下層の遮光膜７２はソースバスライン８０と、上層の遮光膜８５はゲイトバスライン７６と、それぞれ重なって配置されるが、各遮光膜とバスラインの間には十分な絶縁層があるので、バスラインに対する寄生容量は極限にまで低減できる。
なお、本実施例ではＴＦＴのチャネル部分は上層の遮光膜８５によってのみ遮光される構造となっているが、下層の遮光膜７２によっても遮光されるようなパターンとするとＴＦＴの動作を安定させる上でより効果的である。
【００４３】
〔実施例６〕  図９を用いて本実施例を説明する。本実施例のＴＦＴ作製工程自体は実施例３と同じであるが、遮光膜、各バスライン、活性層等の配置が異なる。図９の番号は実施例３のものに対応する。
まず、実施例３と同様にタンタルで遮光膜のパターン７２を形成する。これを図９（Ａ）に示す。（図９（Ａ））
【００４４】
次いで、活性層７４とゲイトバスライン７６を形成する。ここで、ゲイトバスライン７６と活性層７４は共に遮光膜７２の内側に配置される。（図９（Ｂ））
さらに、データバスライン８０、ドレイン電極８１を形成する。ここでもドレイン電極８１は遮光膜７２の内側に配置される。かくして、活性層、ゲイトバスライン、ドレイン電極のいずれもが遮光膜７２の内側に形成され、これらは遮光膜７２によって遮光される。（図９（Ｃ））
【００４５】
次に、上層の遮光膜８５を形成する。本実施例では場合は、遮光膜８５は分離して与えられるので、導電性である必要はなく、絶縁性のものでもよい。また、遮光膜８５はデータバスライン８０を隠すように形成する。かくして、データバスライン８０は遮光膜７２と上層の遮光膜８５によって覆われる。（図９（Ｄ））
本実施例は実施例１〜４と同様に遮光膜７２がＴＦＴのチャネルと重なるので、その電位はＴＦＴのソース、ドレインに印加される電位よりも低い（Ｎチャネル型の場合）もしくは高い（Ｐチャネル型の場合）ことが望ましい。
【００４６】
〔実施例７〕  図１０に本実施例の作製工程断面図を示す。本実施例は、遮光膜として形成されるタンタル膜の一部を外部とのボンディング端子に用いる例である。基板９１としてはコーニング１７３７を用いる。基板９１上にはスパッタ法によってタンタル膜を１０００Å形成し、これをフォトリソグラフィー法によって加工して、遮光膜９２ｂおよびボンディング端子電極９２ａを得る。ボンディング端子電極９２ａおよび遮光膜９２ｂはこの段階では電気的に接続されている。そして、プラズマＣＶＤ法によって厚さ２０００Åの酸化珪素膜９３を堆積する。酸化珪素膜９３はＴＦＴの下地絶縁膜として機能する。（図１０（Ａ））
【００４７】
次いで、結晶性珪素膜によって活性層（島状領域）９４を得る。さらに、プラズマＣＶＤ法により、厚さ１２００Åの酸化珪素膜９５を堆積する。酸化珪素膜９５はＴＦＴのゲイト絶縁膜として機能する。
次に、酸化珪素膜９４および９５をエッチングして、ボンディング端子電極９２ａにコンタクトホール９６ａおよび９６ｂを形成する。前者はボンディング箇所であり、後者はゲイトバスラインとのコンタクトを得る場所である。（図１０（Ｂ））
【００４８】
そして、厚さ５０００Åのアルミニウム−チタン合金膜によって、ゲイトバスライン９７ａおよび９７ｂを形成する。この段階では、ゲイトバスライン９７ａおよび９７ｂは電気的に接続している。そして、ゲイトバスライン９７ａがボンディング端子電極９２ａと接触しているため、ボンディング端子電極９２ａ、遮光膜９２ｂ、およびゲイトバスライン９７ａおよび９７ｂは全て同電位に保たれている。かくすると帯電現象によるゲイト絶縁膜の破壊は極力抑えられる。（図１０（Ｃ））
【００４９】
さらに、イオンドーピング法により活性層９４にゲイトバスライン９７ｂをマスクとしてＮ型の不純物を導入し、ソース９８、ドレイン９９を得る。そして、プラズマＣＶＤ法により厚さ５０００Åの窒化珪素膜１００（第１の層間絶縁物）を堆積する。
次いで、窒化珪素膜１００にソース９８およびドレイン９９に通じるコンタクトホールを形成し、スパッタ法によりアルミニウムとチタンの多層膜を堆積し、これをフォトリソグラフィー法により加工し、ソースバスライン１０１、ドレイン電極１０２を形成する。そして、この段階でボンディング端子電極９２ａと遮光膜９２ｂ、およびゲイトバスライン９７ａと９７ｂを機械的に切断する。（図１０（Ｄ））
【００５０】
その後、プラズマＣＶＤ法により厚さ３０００Åの窒化珪素膜１０３（第２の層間絶縁物）を堆積する。（図１０（Ｅ））
さらに、ポリイミド膜の平坦化膜１０４を形成し、これと２つの窒化珪素膜１００および１０３をエッチングして、ドレイン電極１０２およびボンディング端子電極９２ａに通じるコンタクトホールを形成する。このエッチング工程においてはドレイン電極１０２がエッチングストッパーとして機能せしめてもよい。
そして、スパッタ法によって、インディウム錫酸化物（ＩＴＯ）被膜を１５００Å堆積し、これをフォトリソグラフィー法を用いて加工し、ボンディング端子１０５ａおよび画素電極１０５ｂを得る。（図１０（Ｆ））
【００５１】
このようにして作製したアクティブマトリクス回路のＴＦＴとボンディング部分が完成する。ボンディングは、ボンディング端子１０５ａにおいて形成されるが、ボンディング端子９２ａの、特にコンタクトホール９６ａにおいておこなうとよい。該部分はタンタル膜とＩＴＯ膜との多層領域であり、機械的に強固であるため、ボンディングの目的に適している。例えば、層間絶縁物上のＩＴＯ膜では、下層の層間絶縁物がさまざまな応力にさらされているため、例えば、膜の剥離が生じたりして、十分な接続が得られない。しかしながら、コンタクトホール９６ａの部分では下地は基板そのものであり、機械的に非常に安定している。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によって、遮光膜を補助容量として有効に利用できる。実施例では結晶性珪素を用いたＴＦＴを取り上げたが、非晶質珪素を用いたＴＦＴ、その他の半導体を用いたＴＦＴであっても同様に実施できることは自明である。また、（下層の）遮光膜もタンタル以外のものでも、導電性で、かつ、その後のプロセスに耐えるものであれば何ら問題なく使用できる。このように本発明は工業上有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を説明する工程断面図である。（実施例１）
【図２】本発明の実施例を説明する工程平面図である。（実施例１）
【図３】本発明の実施例を説明する工程平面図である。（実施例２）
【図４】本発明の実施例を説明する工程断面図である。（実施例３）
【図５】本発明の実施例を説明する工程平面図である。（実施例３）
【図６】本発明の実施例を説明する工程平面図である。（実施例４）
【図７】本発明の実施例を説明する工程断面図である。（実施例５）
【図８】本発明の実施例を説明する工程平面図である。（実施例５）
【図９】本発明の実施例を説明する工程平面図である。（実施例６）
【図１０】本発明の実施例を説明する工程平面図である。（実施例７）
【符号の説明】
１、４１、７１、９１      基板
２、４２、７２、９２      （下層の）遮光膜
３、４３、７３、９３      下地絶縁膜
４、４４、７４、９４      半導体層
５、４５、７５、９５      ゲイト絶縁膜
６、４６、７６、９７      ゲイト電極（ゲイトバスライン）
７、４７、７７、９８      ソース
８、４８、７８、９９      ドレイン
９、４９、７９、１００    第１層間絶縁物
１０、５０、８０、１０１    ソースバスライン
１１、５１、８１、１０２    金属電極
１２、５２、８２、１０３    第２層間絶縁物
１３、５３、８３、１０４    平坦化膜
１４、５４、８４、１０５    画素電極（透明導電膜）
１５、５５、５６            容量
８５                        上層の遮光膜
９６                        下層の遮光膜に対するコンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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