【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年6月4日(2021.6.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タングステンの化学的機械的研磨の方法であって、
タングステン及び絶縁体を含む基板を提供するステップであって、タングステンフィーチャーは１００μｍ以下の寸法を有するステップ；
初期成分として
水；
酸化剤；
１０〜５００ｐｐｍの量のアルギニン又はその塩；
コロイダルシリカ砥粒；
ジカルボン酸；
鉄（ＩＩＩ）イオン源；及び
任意選択的にｐＨ調整剤；
任意選択的に界面活性剤；
任意選択的に殺生物剤
を含む、化学的機械的研磨組成物を提供するステップ；
研磨面を有する化学的機械的研磨パッドを提供するステップ；
化学的機械的研磨パッドと基板との界面に動的接触を作り出すステップ；並びに
化学的機械的研磨組成物を化学的機械的研磨パッドの研磨面上の化学的機械的研磨パッドと基板との界面又はその近傍に供給することによって、少なくともタングステンの一部を除去し、そしてタングステンフィーチャーのディッシングを低減するステップ
を含む方法。
【請求項２】
提供される化学的機械的研磨組成物が、２００ｍｍ研磨機でプラテン速度８０回転／分、キャリア速度８１回転／分、化学的機械的研磨組成物流量１２５ｍＬ／分、公称ダウンフォース２１．４ｋＰａで、タングステン除去速度≧１５００Å／分を有しており；そして化学的機械的研磨パッドが、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
提供される化学的機械的研磨組成物が、初期成分として
水；
０．０１〜１０重量％の酸化剤（ここで、酸化剤は過酸化水素である）；
３０〜５００ｐｐｍのアルギニン又はその塩；
０．０１〜１５重量％のコロイダルシリカ砥粒；
１〜２，６００ｐｐｍのジカルボン酸；
１００〜１，１００ｐｐｍの鉄（ＩＩＩ）イオン源（ここで、鉄（ＩＩＩ）イオン源は硝酸第二鉄である）；及び
任意選択的にｐＨ調整剤；
任意選択的に界面活性剤；
任意選択的に殺生物剤
を含み；そして
化学的機械的研磨組成物が、ｐＨ１〜７を有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
提供される化学的機械的研磨組成物が、２００ｍｍ研磨機でプラテン速度８０回転／分、キャリア速度８１回転／分、化学的機械的研磨組成物流量１２５ｍＬ／分、公称ダウンフォース２１．４ｋＰａで、タングステン除去速度≧１５００Å／分を有しており；そして化学的機械的研磨パッドが、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
提供される化学的機械的研磨組成物が、初期成分として
水；
０．１〜５重量％の酸化剤（ここで、酸化剤は過酸化水素である）；
３０〜２５０ｐｐｍのアルギニン又はその塩；
０．０５〜１０重量％のコロイダルシリカ砥粒；
１００〜１，４００ｐｐｍのジカルボン酸；
１５０〜１０００ｐｐｍの鉄（ＩＩＩ）イオン源（ここで、鉄（ＩＩＩ）イオン源は硝酸第二鉄である）；及び
任意選択的にｐＨ調整剤；
任意選択的にアニオン性エーテル硫酸塩界面活性剤
を含み；そして
化学的機械的研磨組成物が、ｐＨ１．５〜４．５を有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
提供される化学的機械的研磨組成物が、２００ｍｍ研磨機でプラテン速度８０回転／分、キャリア速度８１回転／分、化学的機械的研磨組成物流量１２５ｍＬ／分、公称ダウンフォース２１．４ｋＰａで、タングステン除去速度≧１５００Å／分を有しており；そして化学的機械的研磨パッドが、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
提供される化学的機械的研磨組成物が、初期成分として
水；
０．１〜３重量％の酸化剤（ここで、酸化剤は過酸化水素である）；
３０〜２５０ｐｐｍのアルギニン又はその塩；
０．１〜５重量％のコロイダルシリカ砥粒；
１２０〜１，３５０ｐｐｍのジカルボン酸（ここで、ジカルボン酸は、マロン酸である）；
１５０〜８５０ｐｐｍの鉄（ＩＩＩ）イオン源（ここで、鉄（ＩＩＩ）イオン源は硝酸第二鉄である）；及び
任意選択的にｐＨ調整剤；
任意選択的にアニオン性エーテル硫酸塩界面活性剤
を含み；そして
化学的機械的研磨組成物が、ｐＨ１．５〜３．５を有する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
提供される化学的機械的研磨組成物が、２００ｍｍ研磨機でプラテン速度８０回転／分、キャリア速度８１回転／分、化学的機械的研磨組成物流量１２５ｍＬ／分、公称ダウンフォース２１．４ｋＰａで、タングステン除去速度≧１５００Å／分を有しており；そして化学的機械的研磨パッドが、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
コロイダルシリカ砥粒が、大平均粒径のものと小平均粒径のものとを併せ含む混合コロイダルシリカ砥粒である、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
混合コロイダルシリカ砥粒が、４０〜５０ｎｍの小平均径粒子及び７０〜１００ｎｍの大平均径粒子を含む、請求項９記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明は、タングステンの化学的機械的研磨の方法であって、タングステン及び絶縁体を含む基板を提供するステップであって、タングステンフィーチャーは１００μｍ以下の寸法を有するステップ；初期成分として水、酸化剤、３０〜５００ｐｐｍの量のアルギニン又はその塩、負のゼータ電位を有するコロイダルシリカ砥粒、ジカルボン酸又はその塩、鉄（ＩＩＩ）イオン源、及び任意選択的にｐＨ調整剤、及び任意選択的に界面活性剤、及び任意選択的に殺生物剤を含む、化学的機械的研磨組成物を提供するステップ；研磨面を有する化学的機械的研磨パッドを提供するステップ；化学的機械的研磨パッドと基板との界面に動的接触を作り出すステップ；並びに、化学的機械的研磨組成物を化学的機械的研磨パッドの研磨面上の化学的機械的研磨パッドと基板との界面又はその近傍に供給するステップを含み、タングステンの一部が研磨されて基板から除かれ、１００μｍ以下の寸法を有するタングステンフィーチャーのディッシングが少なくとも低減され；提供される化学的機械的研磨組成物が、２００ｍｍ研磨機でプラテン速度８０回転／分、キャリア速度８１回転／分、化学的機械的研磨組成物流量１２５ｍＬ／分、公称ダウンフォース２１．４ｋＰａで、タングステン除去速度≧１０００Å／分を有しており；そして化学的機械的研磨パッドが、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、方法を提供する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明は、タングステンの化学的機械的研磨の方法であって、タングステン及び絶縁体を含む基板を提供するステップであって、タングステンフィーチャーは１００μｍ以下の寸法を有するステップ；初期成分として水、酸化剤、３０〜５００ｐｐｍの量のアルギニン又はその塩、負のゼータ電位を有するコロイダルシリカ砥粒、マロン酸又はその塩、鉄（ＩＩＩ）イオン源、及び任意選択的にｐＨ調整剤、及び任意選択的に界面活性剤、任意選択的に殺生物剤を含む、化学的機械的研磨組成物を提供するステップ；研磨面を有する化学的機械的研磨パッドを提供するステップ；化学的機械的研磨パッドと基板との界面に動的接触を作り出すステップ；並びに、化学的機械的研磨組成物を化学的機械的研磨パッドの研磨面上の化学的機械的研磨パッドと基板との界面又はその近傍に供給するステップを含み、タングステンの一部が研磨されて基板から除かれ、１００μｍ以下の寸法を有するタングステンフィーチャーのディッシングが少なくとも低減され；提供される化学的機械的研磨組成物が、２００ｍｍ研磨機でプラテン速度８０回転／分、キャリア速度８１回転／分、化学的機械的研磨組成物流量１２５ｍＬ／分、公称ダウンフォース２１．４ｋＰａで、タングステン除去速度≧１０００Å／分を有しており；そして化学的機械的研磨パッドが、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、方法を提供する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学的機械的研磨パッドは、当該分野において既知の任意の適切な研磨パッドとすることができる。当業者は、本発明の方法において使用するのに適切な化学的機械的研磨パッドを選択することができる。更に好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学的機械的研磨パッドは、織物及び不織布研磨パッドから選択される。更になお好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学的機械的研磨パッドは、ポリウレタン研磨層を含む。最も好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学的機械的研磨パッドは、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む。好ましくは、提供される化学的機械的研磨パッドは、研磨表面上に少なくとも１つの溝を有する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学的機械的研磨組成物は、タングステン除去速度≧１，０００Å／分；好ましくは≧１，５００Å／分；更に好ましくは≧１，７００Å／分を有する。更に好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供される化学的機械的研磨組成物は、タングステン除去速度≧１，０００Å／分；好ましくは≧１，５００Å／分；更に好ましくは≧１，７００Å／分を有し；そしてＷ／ＴＥＯＳ選択性≧２を有する。更になお好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、タングステンは、除去速度≧１，０００Å／分；好ましくは≧１，５００Å／分；更に好ましくは≧１，７００Å／分で、そしてＷ／ＴＥＯＳ選択性２．５〜１５で基板から除去される。最も好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、タングステンは、除去速度≧１，５００Å／分；好ましくは≧１，７００Å／分で、そしてＷ／ＴＥＯＳ選択性７〜８で、そして２００ｍｍ研磨機でプラテン速度８０回転／分、キャリア速度８１回転／分、化学的機械的研磨組成物流量１２５ｍＬ／分、公称ダウンフォース２１．４ｋＰａで基板から除去され；そして化学的機械的研磨パッドは、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む。