(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
書込み磁気ヘッド素子と、該書込み磁気ヘッド素子を動作時に浮上面方向に突出させるために該書込み磁気ヘッド素子の浮上面とは反対側であって該書込み磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置に設けられており、該書込み磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる第１の発熱手段とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記書込み磁気ヘッド素子と相互に積層された読出し磁気ヘッド素子をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記読出し磁気ヘッド素子を動作時に浮上面方向に突出させるために該読出し磁気ヘッド素子の浮上面とは反対側であって該読出し磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置に設けられており、該読出し磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる第２の発熱手段をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
書込み磁気ヘッド素子と、該書込み磁気ヘッド素子と相互に積層された読出し磁気ヘッド素子と、該書込み磁気ヘッド素子及び該読出し磁気ヘッド素子を動作時に浮上面方向に突出させるためにこれらの浮上面とは反対側であって該読出し磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置に設けられており、該書込み磁気ヘッド素子及び／又は該読出し磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる第１の発熱手段とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
書込み磁気ヘッド素子と、該書込み磁気ヘッド素子と相互に積層された読出し磁気ヘッド素子と、該書込み磁気ヘッド素子及び該読出し磁気ヘッド素子を動作時に浮上面方向に突出させるためにこれらの浮上面とは反対側であって該書込み磁気ヘッド素子及び該読出し磁気ヘッド素子間の積層位置に設けられており、該書込み磁気ヘッド素子及び／又は該読出し磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる第１の発熱手段とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記書込み磁気ヘッド素子及び前記第１の発熱手段に沿って積層された少なくとも１つの可撓層をさらに備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記少なくとも１つの可撓層が、前記書込み磁気ヘッド素子及び前記第１の発熱手段の、積層方向に関して上側及び／又は下側に積層されていることを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記書込み磁気ヘッド素子及び前記第１の発熱手段の、積層方向に関して側方の両側にも可撓層が設けられていることを特徴とする請求項７に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記第１の発熱手段が、流れる電流によって発熱する発熱導体を含んでいることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記読出し磁気ヘッド素子及び前記第２の発熱手段に沿って積層された少なくとも１つの可撓層をさらに備えたことを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記書込み磁気ヘッド素子及び前記読出し磁気ヘッド素子並びに前記第１及び第２の発熱手段に沿って、かつ該書込み磁気ヘッド素子及び該読出し磁気ヘッド素子並びに該第１及び第２の発熱手段の、積層方向に関して上側及び下側と、該書込み磁気ヘッド素子及び該読出し磁気ヘッド素子並びに該第１及び第２の発熱手段の間とにそれぞれ積層された３つの可撓層をさらに備えたことを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記書込み磁気ヘッド素子及び前記読出し磁気ヘッド素子並びに前記第１及び第２の発熱手段の、積層方向に関して側方の両側にも可撓層が設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記第１及び第２の発熱手段が、流れる電流によって発熱する発熱導体を含んでいることを特徴とする請求項３、及び１０から１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドの前記書込み磁気ヘッド素子への信号線と、該薄膜磁気ヘッドの前記第１の発熱手段に電流を供給するためのリード線と、前記薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１５】
請求項３、及び１０から１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドの前記書込み磁気ヘッド素子及び前記読出し磁気ヘッド素子への信号線と、該薄膜磁気ヘッドの前記第１及び第２の発熱手段に電流を供給するためのリード線と、前記薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載のヘッドジンバルアセンブリを少なくとも１つ備えており、前記第１の発熱手段へ供給する電流を制御する電流制御手段をさらに備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載のヘッドジンバルアセンブリを少なくとも１つ備えており、前記第１及び第２の発熱手段へ供給する電流を制御する電流制御手段をさらに備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１８】
前記電流制御手段が、前記書込み磁気ヘッド素子の動作時にのみ前記第１の発熱手段へ電流を供給する制御手段であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１９】
前記電流制御手段が、前記書込み磁気ヘッド素子の書込み動作時及び前記読出し磁気ヘッド素子の読出し動作時に共通して前記第１及び第２の発熱手段へ電流を供給する制御手段であることを特徴とする請求項１７に記載の磁気ディスク装置。
【請求項２０】
前記電流制御手段が、前記書込み磁気ヘッド素子の書込み動作時及び前記読出し磁気ヘッド素子の読出し動作時のみに前記第１及び第２の発熱手段へそれぞれ電流を供給する制御手段であることを特徴とする請求項１７に記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置では、ＨＧＡのサスペンションの先端部に取り付けられた薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）を、回転する磁気ディスクの表面から浮上させ、その状態で、この薄膜磁気ヘッドに搭載された書込み及び／又は読出し磁気ヘッド素子により磁気ディスクへの記録及び／又は磁気ディスクからの再生が行われる。
【０００３】
近年、磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化が進んでおり、これに伴って薄膜磁気ヘッドのトラック幅がより狭小化してきている。トラック幅が狭くなると、書込み磁気ヘッド素子においては磁気ディスクへの信号記録能力が低下し、読出し磁気ヘッド素子においては磁気ディスクからの信号再生能力が低下してしまう。
【０００４】
このような信号記録能力及び／又は信号再生能力の低下を補うべく、最近の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気ヘッドスライダの磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との間の磁気的な間隙（マグネティックスペーシング）をより小さくする傾向にある。
【０００５】
しかしながら、マグネティックスペーシングを小さくするために磁気ヘッドスライダの浮上量を低下させると、磁気ディスク表面の突起等に磁気ヘッドスライダが衝突する確率が高くなり、場合によっては、衝突により磁気ヘッドスライダが壊れてしまう恐れもある。
【０００６】
マグネティックスペーシングを小さくするための従来技術として、特開平５−３４７０７８号公報及び特開平１０−６９７４７号公報には、磁気ヘッドスライダとこれを支持するフレクシャとの間に圧電素子を設けて磁気ヘッドスライダの浮上量を可変制御する技術が記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように、別部品である圧電素子を磁気ヘッドスライダに付設する構成は、その組立てが非常に煩雑となる。しかも、組立に伴う製造ばらつき等により、浮上量が磁気ヘッドスライダ間でばらついてしまい、常に一定の浮上量を精度良く得ることが難しい。なお、主としてセラミック焼成体からなる圧電素子を磁気ヘッドスライダに一体化して製造することは、その処理温度の相違等からして不可能である。
【０００８】
従って本発明の目的は、マグネティックスペーシングを小さくすることができ、しかもそのスペーシングの薄膜磁気ヘッド間でのばらつきをより低下することができる薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスク装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、マグネティックスペーシングを小さくすることができ、しかもそのスペーシングをより精度良く制御することができる薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスク装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、書込み磁気ヘッド素子と、書込み磁気ヘッド素子を動作時に浮上面（ＡＢＳ）方向に突出させるために書込み磁気ヘッド素子のＡＢＳとは反対側であって書込み磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置に設けられており、書込み磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる第１の発熱手段とを備えた薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１１】
磁気ヘッド素子が動作する時は、発熱手段が発熱せしめられるので、その熱によって磁気ヘッドが熱膨張し、ＡＢＳ方向にわずかに突出する。これにより、磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との間の磁気的な間隙であるマグネティックスペーシングをその時にのみ小さくすることができる。このマグネティックスペーシングは、発熱量を制御することによって精度良く調整することができる。このような発熱手段は、薄膜磁気ヘッドの製造工程の一部を共用して同時に形成可能であり、薄膜磁気ヘッドと一体的に形成可能である。このため、製造工程が容易となるのみならず、マグネティックスペーシングの薄膜磁気ヘッド間でのばらつきをより低減することが可能となる。磁気ヘッド素子の動作時にのみマグネティックスペーシングを小さくすることにより、磁気ディスク表面の突起等に磁気ヘッドスライダが衝突する確率をさほど高めることなく、トラック幅の狭小化に伴う信号記録能力及び／又は信号再生能力の低下を補うことができるのはもちろんである。
【００１２】
書込み磁気ヘッド素子と相互に積層された読出し磁気ヘッド素子をさらに備えたことが好ましい。この場合、読出し磁気ヘッド素子を動作時にＡＢＳ方向に突出させるために読出し磁気ヘッド素子のＡＢＳとは反対側であって読出し磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置に設けられており、読出し磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる第２の発熱手段をさらに備えたことも好ましい。
【００１３】
本発明によれば、さらに、書込み磁気ヘッド素子と、書込み磁気ヘッド素子と相互に積層された読出し磁気ヘッド素子と、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子を動作時にＡＢＳ方向に突出させるためにこれらのＡＢＳとは反対側であって読出し磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置又は書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子間の積層位置に設けられており、書込み磁気ヘッド素子及び／又は読出し磁気ヘッド素子の少なくとも動作時に発熱せしめられる第１の発熱手段とを備えた薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１４】
書込み磁気ヘッド素子及び第１の発熱手段に沿って積層された少なくとも１つの可撓層をさらに備えたことが好ましい。このような可撓層を設けることにより、第１の発熱手段の発熱に基づく書込み磁気ヘッド素子部分のＡＢＳ方向への熱膨張がより容易となり、しかもその膨張の方向性が生じる。
【００１５】
少なくとも１つの可撓層が、書込み磁気ヘッド素子及び第１の発熱手段の、積層方向に関して上側及び／又は下側に積層されていることが好ましい。発熱手段の上下に可撓層を設けることにより、磁気ヘッド素子部分のＡＢＳ方向への熱膨張がさらに容易となる。
【００１６】
この場合、書込み磁気ヘッド素子及び第１の発熱手段の、積層方向に関して側方の両側にも可撓層が設けられていることがより好ましい。これにより、書込み磁気ヘッド素子部分の上下及び左右が可撓層によって取り囲まれることとなり、この書込み磁気ヘッド素子部分のＡＢＳ方向への熱膨張がより一層容易となる。
【００１７】
読出し磁気ヘッド素子及び第２の発熱手段に沿って積層された少なくとも１つの可撓層をさらに備えたことも好ましい。
また、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子並びに第１及び第２の発熱手段に沿って、かつ書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子並びに第１及び第２の発熱手段の、積層方向に関して上側及び下側と、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子並びに第１及び第２の発熱手段の間とにそれぞれ積層された３つの可撓層をさらに備えたことが好ましい。発熱手段が相互に積層された書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子用に２つある場合、両者の間にも可撓層を設けることにより、各磁気ヘッド素子部分のＡＢＳ方向への熱膨張がより容易となる。
【００１８】
書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子並びに第１及び第２の発熱手段の、積層方向に関して側方の両側にも可撓層が設けられていることがより好ましい。これにより、書込み磁気ヘッド素子部分及び読出し磁気ヘッド素子部分の各々の上下及び左右が可撓層によって取り囲まれることとなり、これら磁気ヘッド素子部分のＡＢＳ方向への熱膨張がより一層容易となる。
【００１９】
第１の発熱手段が、流れる電流によって発熱する発熱導体を含んでいることが好ましい。また、第１及び第２の発熱手段が、流れる電流によって発熱する発熱導体を含んでいることも好ましい。
【００２０】
本発明によれば、さらにまた、上述した薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドの書込み磁気ヘッド素子への信号線と、薄膜磁気ヘッドの第１の発熱手段に電流を供給するためのリード線と、薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えたＨＧＡが提供される。また、上述した薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドの書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子への信号線と、薄膜磁気ヘッドの第１及び第２の発熱手段に電流を供給するためのリード線と、薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えたＨＧＡも提供される。
【００２１】
本発明によれば、さらに、少なくとも１つの上述したＨＧＡと、第１の発熱手段へ供給する電流を制御する電流制御手段とを備えた磁気ディスク装置が提供される。また、少なくとも１つの上述したＨＧＡと、第１及び第２の発熱手段へ供給する電流を制御する電流制御手段とを備えた磁気ディスク装置が提供される。
【００２２】
この電流制御手段が、書込み磁気ヘッド素子の動作時にのみ第１の発熱手段へ電流を供給する制御手段であることが好ましい。
【００２３】
電流制御手段が、書込み磁気ヘッド素子の書込み動作時及び読出し磁気ヘッド素子の読出し動作時に共通して第１及び第２の発熱手段へ電流を供給する制御手段であることが好ましい。
【００２４】
電流制御手段が、書込み磁気ヘッド素子の書込み動作時及び読出し磁気ヘッド素子の読出し動作時のみに第１及び第２の発熱手段へそれぞれ電流を供給する制御手段であることも好ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施形態として、磁気ディスク装置の要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図２はＨＧＡ全体を表す斜視図であり、図３はＨＧＡの先端部に装着されている磁気ヘッドスライダの斜視図である。
【００２６】
図１において、１０は軸１１の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３は薄膜磁気ヘッドの読み書き動作及び発熱動作を制御するための記録再生回路をそれぞれ示している。
【００２７】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これら駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によって軸１６を中心にして角揺動可能でありこの軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、磁気ヘッドスライダが、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）は、単数であっても良い。
【００２８】
図２に示すように、ＨＧＡは、サスペンション２０の先端部に、磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダ２１を固着し、さらにその磁気ヘッドスライダ２１の端子電極にリード導体の一端を電気的に接続して構成される。
【００２９】
サスペンション２０は、ロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とから主として構成されている。
【００３０】
本発明のＨＧＡにおけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００３１】
図３に示すように、本実施形態における磁気ヘッドスライダは、互いに積層された書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子３０と、これらの素子に接続された４つの信号端子電極３１と、図３には示されていないヒータに流す電流用の２つの駆動端子電極３２とを、その素子形成面３３上に備えている。なお、図３において、３４は磁気ヘッドスライダのＡＢＳであり、破線で示す３５は、ヒータが２つある場合（第４の実施形態）の駆動端子電極である。
【００３２】
図４はこの第１の実施形態における磁気ヘッドスライダ（薄膜磁気ヘッド）の概略的な構成を示す図である。
【００３３】
同図に示すように、本実施形態における薄膜磁気ヘッドは、基板４０上に絶縁層４１を介して読出し磁気ヘッド素子４２及び書込み磁気ヘッド素子４３が順次積層されており、この書込み磁気ヘッド素子４３のＡＢＳ４４とは反対側の位置にはヒータ４５が形成されている。ヒータ４５は、その発熱による熱膨張によって、磁気ヘッド素子の先端部分をＡＢＳ方向へ突出させるために設けられている。
【００３４】
なお、本実施形態においては、製造工程を簡略化するためにヒータ４５が書込み磁気ヘッド素子４３とほぼ同じ積層高さ位置に設けられているが、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、磁気ヘッド素子のＡＢＳ４４とは反対側の位置であれば、例えばヒータ４５を読出し磁気ヘッド素子４２とほぼ同じ積層高さ位置又は読出し磁気ヘッド素子４２及び書込み磁気ヘッド素子４３の間の積層位置に設けても良い。
【００３５】
以下、本実施形態の構成をより詳細に説明する。図５は本実施形態における薄膜磁気ヘッドを素子形成面側から透視的に見た平面図であり、図６はそのＡ−Ａ線断面図、図７はそのＢ−Ｂ線断面図である。なお、図６におけるコイルの巻き数は図を簡略化するため、図５における巻き数より少なく表されている。
【００３６】
これらの図において、５０は例えばＡｌＴｉＣ（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなる基板、５１は基板５０上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層、５２は絶縁層５１上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる下部シールド層、５３は下部シールド層５２上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）等からなる下部シールドギャップ層、５４は下部シールドギャップ層５３上に積層された例えば異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）単層膜、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）多層膜又はトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）多層膜等の磁気抵抗効果（ＭＲ）層、５５は磁気バイアス層を備えておりＭＲ層５４の両端に接続された例えばＣｕ等からなる素子リード導体層、５６はＭＲ層５４及び素子リード導体層５５上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる上部シールドギャップ層、５７は上部シールドギャップ層５６上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる下部磁極層兼用の上部シールド層、５８は下部磁極層５７上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる磁気ギャップ層、５９は磁気ギャップ層５８上に積層された例えばＣｕ等からなるコイル層、６０はコイル層５９を覆う例えば熱硬化されたレジスト層からなるコイル絶縁層、６１はコイル層５９の一端に電気的に接続された例えばＣｕ又はＮｉＦｅ等からなるコイルリード導体層、６２は下部磁極層５７と共に磁極及び磁気ヨークを構成する例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる上部磁極層、６３は保護層をそれぞれ示している。
【００３７】
本実施形態では、ヒータ６４が書込み磁気ヘッド素子に対してＡＢＳ６５とは反対側の位置に、この書込み磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置に形成されている。ヒータ６４は、例えばＮｉＦｅ等からなる熱伝導層６６、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層６７、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ又はＮｉＣｒ等からなる発熱導体６８、及び発熱導体６８を覆う例えば熱硬化されたレジスト層等からなる発熱導体絶縁層６９から主として構成されている。
【００３８】
図８は本実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図であり、図５のＡ−Ａ線断面を示している。
【００３９】
以下同図を参照して、本実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を簡単に説明する。まず、図８（Ａ）に示すように、基板５０上に絶縁層５１を積層する。
【００４０】
次いで、図８（Ｂ）に示すように、絶縁層５１上に、下部シールド層５２、下部シールドギャップ層５３、ＭＲ層５４、磁気バイアス層を備えた素子リード導体層５５、上部シールドギャップ層５６及び下部磁極層兼用の上部シールド層５７を形成すると共に、ＡＢＳから見てその後側に、平坦化層７０及びヒータ６４の熱伝導層６６を形成する。ここで、下部磁極層兼用の上部シールド層５７と熱伝導層６６とは、同一の工程で形成可能である。
【００４１】
次いで、図８（Ｃ）に示すように、その上に磁気ギャップ層５８及び絶縁層６７を形成する。これら磁気ギャップ層５８及び絶縁層６７は、同一の工程で形成可能である。
【００４２】
次いで、図８（Ｄ）に示すように、磁気ギャップ層５８及び絶縁層６７上にコイル層５９及び発熱導体６８をそれぞれ形成する。材料が同じであれば、これらコイル層５９及び発熱導体６８は、同一の工程で形成可能である。
【００４３】
その後、図８（Ｅ）に示すように、コイル層５９及び発熱導体６８を覆うようにコイル絶縁層６０及び発熱導体絶縁層６９を形成し、さらに、図８（Ｆ）に示すように、上部磁極層６２及びコイルリード導体層６１を形成した後、保護層６３を積層して図６に示すような薄膜磁気ヘッドを製造する。この場合、コイル絶縁層６０及び発熱導体絶縁層６９は、同一の工程で形成可能である。
【００４４】
このように、本実施形態においては、ヒータ６４を書込み磁気ヘッド素子のコイル部分の製造工程の一部を共用して同時に形成可能であり、薄膜磁気ヘッドと一体的に形成可能である。このため、製造工程が容易となるのみならず、マグネティックスペーシングの薄膜磁気ヘッド間でのばらつきをより低減することが可能となる。
【００４５】
図９は、本実施形態における磁気ディスク装置の記録再生回路１３（図１）の回路構成の一例を示すブロック図である。
【００４６】
同図において、９０は入力端子９１ａ及び９１ｂを介して記録データを受け取るライトゲート、９２はライト回路、９３は下部磁極層５７、磁気ギャップ層５８、上部磁極層６２及びコイル層５９等から構成されたインダクティブ型書込み磁気ヘッド素子、９４は前述したＭＲ層５４等から構成されたＭＲ型読出し磁気ヘッド素子、９５は読出し磁気ヘッド素子９４へセンス電流を供給する定電流回路、９６は読出し磁気ヘッド素子９４の出力電圧を増幅する増幅器、９７は出力端子９８ａ及び９８ｂを介して再生データを出力する復調回路、９９はヒータ６４の制御回路、１００及び１０１は再生制御信号及び記録制御信号が印加される制御端子をそれぞれ示している。
【００４７】
入力端子９１ａ及び９１ｂを介して印加される記録データはライトゲート９０に供給される。ライトゲート９０は制御端子１０１を介して供給される記録制御信号が書込み動作を指示するときのみ、記録データをライト回路９２へ供給する。ライト回路９２はこの記録データに従ってコイル層５９に書き込み電流を流し、書込み磁気ヘッド素子９３により磁気ディスク１０（図１）上に記録を行う。
【００４８】
制御端子１００より供給される再生制御信号が読出し動作を指示するときのみ、定電流回路９５からＭＲ層５４に定電流が流れる。この読出し磁気ヘッド素子９４により再生された信号は増幅器９６で増幅された後、復調回路９７で復調され、得られた再生データが出力端子９８ａ及び９８ｂを介して出力される。
【００４９】
本実施形態におけるヒータ制御回路９９は、図１０に示すような構成となっており、ヒータ６４の発熱導体６８間に、直流定電圧回路９９ａ、スイッチングトランジスタ９９ｂ及び電流値調整用の抵抗９９ｃによる直列回路と、直流定電圧回路９９ａ、スイッチングトランジスタ９９ｄ及び電流値調整用の抵抗９９ｅによる直列回路とが互いに並列に接続されている。スイッチングトランジスタ９９ｂ及び９９ｄのゲートには、制御端子１００及び１０１がそれぞれ接続されている。
【００５０】
記録制御信号が書込み動作指示のとき、スイッチングトランジスタ９９ｄがオンとなって抵抗９９ｅによって調整された一定の電流がヒータ６４の発熱導体６８に流れる。また、再生制御信号が読出し動作指示のとき、スイッチングトランジスタ９９ｂがオンとなって抵抗９９ｃによって調整された一定の電流がヒータ６４の発熱導体６８に流れる。
【００５１】
このように、書込み動作時及び読出し動作時に、ヒータ６４の発熱導体６８に一定の電流が流れるため、このヒータ６４の部分及びその周囲が加熱されて熱膨張し、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子がＡＢＳ６５方向にわずかに突出する。これにより、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との間の磁気的な間隙であるマグネティックスペーシングを書込み動作時及び読出し動作時にのみ小さくすることができる。このように、磁気ヘッド素子の動作時にのみマグネティックスペーシングを小さくすることにより、磁気ディスク表面の突起等に磁気ヘッドスライダが衝突する確率をさほど高めることなく、トラック幅の狭小化に伴う信号記録能力及び／又は信号再生能力の低下を補うことができる。このマグネティックスペーシングは、発熱導体６８に流れる電流を調整してヒータ６４の発熱量を制御することにより精度良く調整することができる。
【００５２】
なお、記録再生回路１３の回路構成は、図９及び図１０に示したものに限定されるものでないことは明らかである。記録制御信号及び再生制御信号以外の信号で書込み動作及び読出し動作を特定しても良い。また、書込み動作時及び読出し動作時の両方でヒータ６４を発熱させることが望ましいが、書込み動作時又は読出し動作時の一方でのみヒータ６４を発熱させることも可能である。
【００５３】
図１１は本発明の第２の実施形態における磁気ヘッドスライダ（薄膜磁気ヘッド）の概略的な構成を示す図である。
【００５４】
同図に示すように、本実施形態における薄膜磁気ヘッドは、基板１１０上に絶縁層１１１を介して可撓層１１６が積層されており、その上にさらに絶縁層１１１を介して読出し磁気ヘッド素子１１２及び書込み磁気ヘッド素子１１３が順次積層されている。この書込み磁気ヘッド素子１１３のＡＢＳ１１４とは反対側の位置にはヒータ１１５が形成されている。ヒータ１１５は、その発熱による熱膨張によって、磁気ヘッド素子の先端部分をＡＢＳ方向へ突出させるために設けられている。可撓層１１６は、この熱膨張による磁気ヘッド素子部分の移動が容易となるように設けられている。
【００５５】
なお、本実施形態においては、製造工程を簡略化するためにヒータ１１５が書込み磁気ヘッド素子１１３とほぼ同じ積層高さ位置に設けられているが、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、磁気ヘッド素子のＡＢＳ１１４とは反対側の位置であれば、例えばヒータ１１５を読出し磁気ヘッド素子１１２とほぼ同じ積層高さ位置又は読出し磁気ヘッド素子１１２及び書込み磁気ヘッド素子１１３の間の積層位置に設けても良い。
【００５６】
以下、本実施形態の構成をより詳細に説明する。図１２は本実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図であり、図１３は図５のＢ−Ｂ線断面に対応して表した断面図である。
【００５７】
これらの図において、１２０は例えばＡｌＴｉＣ（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなる基板、１２１は基板１２０上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層、１４１は絶縁層１２１上に積層された例えば熱硬化されたレジスト層からなる可撓層、１４０は可撓層１４１上に形成された平坦化層、１２２は平坦化層１４０上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる下部シールド層、１２３は下部シールド層１２２上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる下部シールドギャップ層、１２４は下部シールドギャップ層１２３上に積層された例えばＡＭＲ単層膜、ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜等のＭＲ層、１２５は磁気バイアス層を備えておりＭＲ層１２４の両端に接続された例えばＣｕ等からなる素子リード導体層、１２６はＭＲ層１２４及び素子リード導体層１２５上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる上部シールドギャップ層、１２７は上部シールドギャップ層１２６上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる下部磁極層兼用の上部シールド層、１２８は下部磁極層１２７上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる磁気ギャップ層、１２９は磁気ギャップ層１２８上に積層された例えばＣｕ等からなるコイル層、１３０はコイル層１２９を覆う例えば熱硬化されたレジスト層からなるコイル絶縁層、１３１はコイル層１２９の一端に電気的に接続された例えばＣｕ又はＮｉＦｅ等からなるコイルリード導体層、１３２は下部磁極層１２７と共に磁極及び磁気ヨークを構成する例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる上部磁極層、１３３は保護層をそれぞれ示している。
【００５８】
本実施形態では、ヒータ１３４が書込み磁気ヘッド素子に対してＡＢＳ１３５とは反対側の位置に、この書込み磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置に形成されている。ヒータ１３４は、例えばＮｉＦｅ等からなる熱伝導層１３６、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層１３７、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ又はＮｉＣｒ等からなる発熱導体１３８、及び発熱導体１３８を覆う例えば熱硬化されたレジスト層等からなる発熱導体絶縁層１３９から主として構成されている。
【００５９】
図１４及び図１５は本実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図であり、図５のＡ−Ａ線断面に対応する断面を示している。
【００６０】
以下同図を参照して、本実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を簡単に説明する。まず、図１４（Ａ）に示すように、基板１２０上に絶縁層１２１を積層する。
【００６１】
次いで、図１４（Ｂ）に示すように、絶縁層１２１上に、レジスト材料を熱硬化させて可撓層１４１を積層する。
【００６２】
次いで、図１４（Ｃ）に示すように、絶縁層１２１及び可撓層１４１上に、平坦化層１４０を形成する。
【００６３】
次いで、図１４（Ｄ）に示すように、この平坦化層１４０上に、下部シールド層１２２、下部シールドギャップ層１２３、ＭＲ層１２４、磁気バイアス層を備えた素子リード導体層１２５、上部シールドギャップ層１２６及び下部磁極層兼用の上部シールド層１２７を形成すると共に、ＡＢＳから見てその後側に、平坦化層１４０及びヒータ１３４の熱伝導層１３６を形成する。ここで、下部磁極層兼用の上部シールド層１２７と熱伝導層１３６とは、同一の工程で形成可能である。
【００６４】
次いで、図１４（Ｅ）に示すように、その上に磁気ギャップ層１２８及び絶縁層１３７を形成する。これら磁気ギャップ層１２８及び絶縁層１３７は、同一の工程で形成可能である。
【００６５】
次いで、図１４（Ｆ）に示すように、磁気ギャップ層１２８及び絶縁層１３７上にコイル層１２９及び発熱導体１３８をそれぞれ形成する。材料が同じであれば、これらコイル層１２９及び発熱導体１３８は、同一の工程で形成可能である。
【００６６】
その後、図１４（Ｇ）に示すように、コイル層１２９及び発熱導体１３８を覆うようにコイル絶縁層１３０及び発熱導体絶縁層１３９を形成し、さらに、図１５（Ａ）に示すように、上部磁極層１３２及びコイルリード導体層１３１を形成した後、保護層１３３を積層して図１２に示すような薄膜磁気ヘッドを製造する。この場合、コイル絶縁層１３０及び発熱導体絶縁層１３９は、同一の工程で形成可能である。
【００６７】
このように、本実施形態においては、ヒータ１３４を書込み磁気ヘッド素子のコイル部分の製造工程の一部を共用して同時に形成可能であり、薄膜磁気ヘッドと一体的に形成可能である。このため、製造工程が容易となるのみならず、マグネティックスペーシングの薄膜磁気ヘッド間でのばらつきをより低減することが可能となる。
【００６８】
本実施形態における磁気ディスク装置の記録再生回路の回路構成、動作及びその変更態様等は第１の実施形態の場合と同様である。即ち、書込み動作時及び読出し動作時に、ヒータ１３４の発熱導体１３８に一定の電流を流すことにより、このヒータ１３４の部分及びその周囲が加熱されて熱膨張し、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子がＡＢＳ１３５方向にわずかに突出する。これにより、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との間の磁気的な間隙であるマグネティックスペーシングを書込み動作時及び読出し動作時にのみ小さくすることができる。このように、磁気ヘッド素子の動作時にのみマグネティックスペーシングを小さくすることにより、磁気ディスク表面の突起等に磁気ヘッドスライダが衝突する確率をさほど高めることなく、トラック幅の狭小化に伴う信号記録能力及び／又は信号再生能力の低下を補うことができる。このマグネティックスペーシングは、発熱導体１３８に流れる電流を調整してヒータ１３４の発熱量を制御することにより精度良く調整することができる。
【００６９】
特に本実施形態では、可撓層１４１が、磁気ヘッド素子及びヒータ１３４の、積層方向に関して下側、即ち基板１２０側に積層されているため、ヒータ１３４の発熱に基づく磁気ヘッド素子部分のＡＢＳ方向への熱膨張がより容易となり、しかも、その膨張に方向性を与えることができる。可撓層１４１を磁気ヘッド素子及びヒータ１３４の、積層方向に関して上側、即ち基板１２０とは反対側に積層しても良いことは明らかである。
【００７０】
図１６は本発明の第３の実施形態における磁気ヘッドスライダ（薄膜磁気ヘッド）の概略的な構成を示す図である。
【００７１】
同図に示すように、本実施形態における薄膜磁気ヘッドは、基板１６０上に絶縁層１６１を介して下側可撓層１６６が積層されており、その上にさらに絶縁層１６１を介して読出し磁気ヘッド素子１６２及び書込み磁気ヘッド素子１６３が順次積層されている。この書込み磁気ヘッド素子１６３のＡＢＳ１６４とは反対側の位置にはヒータ１６５が形成されている。さらに、書込み磁気ヘッド素子１６３及びヒータ１６５の上に絶縁層１６１を介して上側可撓層１６７が積層されている。ヒータ１６５は、その発熱による熱膨張によって、磁気ヘッド素子の先端部分をＡＢＳ方向へ突出させるために設けられている。下側可撓層１６６及び上側可撓層１６７は、この熱膨張による磁気ヘッド素子部分の移動がさらに容易となるように設けられている。
【００７２】
なお、本実施形態においては、製造工程を簡略化するためにヒータ１６５が書込み磁気ヘッド素子１６３とほぼ同じ積層高さ位置に設けられているが、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、下側可撓層１６６及び上側可撓層１６７間であって磁気ヘッド素子のＡＢＳ１６４とは反対側の位置であれば、例えばヒータ１６５を読出し磁気ヘッド素子１６２とほぼ同じ積層高さ位置又は読出し磁気ヘッド素子１６２及び書込み磁気ヘッド素子１６３の間の積層位置に設けても良い。
【００７３】
以下、本実施形態の構成をより詳細に説明する。図１７は本実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図であり、図１８は図５のＢ−Ｂ線断面に対応して表した断面図である。
【００７４】
これらの図において、１７０は例えばＡｌＴｉＣ（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなる基板、１７１は基板１７０上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層、１９１は絶縁層１７１上に積層された例えば熱硬化されたレジスト層からなる下側可撓層、１９０は下側可撓層１９１上に形成された平坦化層、１７２は平坦化層１９０上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる下部シールド層、１７３は下部シールド層１７２上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる下部シールドギャップ層、１７４は下部シールドギャップ層１７３上に積層された例えばＡＭＲ単層膜、ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜等のＭＲ層、１７５は磁気バイアス層を備えておりＭＲ層１７４の両端に接続された例えばＣｕ等からなる素子リード導体層、１７６はＭＲ層１７４及び素子リード導体層１７５上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる上部シールドギャップ層、１７７は上部シールドギャップ層１７６上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる下部磁極層兼用の上部シールド層、１７８は下部磁極層１７７上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる磁気ギャップ層、１７９は磁気ギャップ層１７８上に積層された例えばＣｕ等からなるコイル層、１８０はコイル層１７９を覆う例えば熱硬化されたレジスト層からなるコイル絶縁層、１８１はコイル層１７９の一端に電気的に接続された例えばＣｕ又はＮｉＦｅ等からなるコイルリード導体層、１８２は下部磁極層１７７と共に磁極及び磁気ヨークを構成する例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる上部磁極層、１９２は平坦化層１９３を介して上部磁極層１８２及びヒータ１８４の上側に積層された上側可撓層、１８３は保護層をそれぞれ示している。
【００７５】
本実施形態では、ヒータ１８４が、下側可撓層１９１及び上側可撓層１９２の間であって書込み磁気ヘッド素子に対してＡＢＳ１８５とは反対側の位置に、この書込み磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置に形成されている。ヒータ１８４は、例えばＮｉＦｅ等からなる熱伝導層１８６、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層１８７、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ又はＮｉＣｒ等からなる発熱導体１８８、及び発熱導体１８８を覆う例えば熱硬化されたレジスト層等からなる発熱導体絶縁層１８９から主として構成されている。
【００７６】
図１９及び図２０は本実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図であり、図５のＡ−Ａ線断面に対応する断面を示している。
【００７７】
以下同図を参照して、本実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を簡単に説明する。まず、図１９（Ａ）に示すように、基板１７０上に絶縁層１７１を積層する。
【００７８】
次いで、図１９（Ｂ）に示すように、絶縁層１７１上に、レジスト材料を熱硬化させて下側可撓層１９１を積層する。
【００７９】
次いで、図１９（Ｃ）に示すように、絶縁層１７１及び可撓層１９１上に、平坦化層１９０を形成する。
【００８０】
次いで、図１９（Ｄ）に示すように、この平坦化層１９０上に、下部シールド層１７２、下部シールドギャップ層１７３、ＭＲ層１７４、磁気バイアス層を備えた素子リード導体層１７５、上部シールドギャップ層１７６及び下部磁極層兼用の上部シールド層１７７を形成すると共に、ＡＢＳから見てその後側に、平坦化層１９０及びヒータ１８４の熱伝導層１８６を形成する。ここで、下部磁極層兼用の上部シールド層１７７と熱伝導層１８６とは、同一の工程で形成可能である。
【００８１】
次いで、図１９（Ｅ）に示すように、その上に磁気ギャップ層１７８及び絶縁層１８７を形成する。これら磁気ギャップ層１７８及び絶縁層１８７は、同一の工程で形成可能である。
【００８２】
次いで、図１９（Ｆ）に示すように、磁気ギャップ層１７８及び絶縁層１８７上にコイル層１７９及び発熱導体１８８をそれぞれ形成する。材料が同じであれば、これらコイル層１７９及び発熱導体１８８は、同一の工程で形成可能である。
【００８３】
その後、図１９（Ｇ）に示すように、コイル層１７９及び発熱導体１８８を覆うようにコイル絶縁層１８０及び発熱導体絶縁層１８９を形成する。この場合、コイル絶縁層１８０及び発熱導体絶縁層１８９は、同一の工程で形成可能である。
【００８４】
次いで、図２０（Ａ）に示すように、上部磁極層１８２及びコイルリード導体層１８１を形成した後、図２０（Ｂ）に示すように、その上に平坦化層１９３を形成しその平坦化層１９３上に上側可撓層１９２を積層し、さらにその上に保護層１８３を積層して薄膜磁気ヘッドを製造する。
【００８５】
このように、本実施形態においては、ヒータ１８４を書込み磁気ヘッド素子のコイル部分の製造工程の一部を共用して同時に形成可能であり、薄膜磁気ヘッドと一体的に形成可能である。このため、製造工程が容易となるのみならず、マグネティックスペーシングの薄膜磁気ヘッド間でのばらつきをより低減することが可能となる。
【００８６】
本実施形態における磁気ディスク装置の記録再生回路の回路構成、動作及びその変更態様等は第１の実施形態の場合と同様である。即ち、書込み動作時及び読出し動作時に、ヒータ１８４の発熱導体１８８に一定の電流を流すことにより、このヒータ１８４の部分及びその周囲が加熱されて熱膨張し、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子がＡＢＳ１８５方向にわずかに突出する。これにより、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との間の磁気的な間隙であるマグネティックスペーシングを書込み動作時及び読出し動作時にのみ小さくすることができる。このように、磁気ヘッド素子の動作時にのみマグネティックスペーシングを小さくすることにより、磁気ディスク表面の突起等に磁気ヘッドスライダが衝突する確率をさほど高めることなく、トラック幅の狭小化に伴う信号記録能力及び／又は信号再生能力の低下を補うことができる。このマグネティックスペーシングは、発熱導体１８８に流れる電流を調整してヒータ１８４の発熱量を制御することにより精度良く調整することができる。特に本実施形態では、下側可撓層１９１及び上側可撓層１９２が磁気ヘッド素子及びヒータ１８４を間に挟むように積層されているため、ヒータ１８４の発熱に基づく磁気ヘッド素子部分のＡＢＳ方向への熱膨張がより一層容易となり、しかも、その膨張に優れた方向性を与えることができる。
【００８７】
図２１は第３の実施形態の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＢ−Ｂ線断面に対応して表した断面図である。
【００８８】
第３の実施形態では、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子とヒータ１８４とを挟んでそれらの上下に上側可撓層１９２及び下側可撓層１９１を配置しているが、この変更態様においては、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子とヒータとの左右にも可撓層１９４及び１９５を設け、これら可撓層１９２、１９１、１９４及び１９５によって書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子とヒータとの上下左右を囲むように構成している。これによって磁気ヘッド素子部分のＡＢＳ方向への熱膨張がさらに一層容易となり、しかも、その膨張に非常に優れた方向性を与えることができる。
【００８９】
この変更態様におけるその他の構成、作用効果、変更態様等は第３の実施形態の場合と全く同様である。従って、図２１においては、同様の構成要素については図１７〜図２０と同じ参照番号を用いている。
【００９０】
図２２は本発明の第４の実施形態における磁気ヘッドスライダ（薄膜磁気ヘッド）の概略的な構成を示す図である。
【００９１】
同図に示すように、本実施形態における薄膜磁気ヘッドは、基板２２０上に絶縁層２２１を介して下側可撓層２２６が積層されており、その上にさらに絶縁層２２１を介して読出し磁気ヘッド素子２２２が積層されている。この読出し磁気ヘッド素子２２２のＡＢＳ２２４とは反対側の位置には下側ヒータ２２８が形成されている。これら読出し磁気ヘッド素子２２２及び下側ヒータ２２８の上には、絶縁層２２１を介して中間可撓層２２９が積層されており、その上にさらに絶縁層２２１を介して書込み磁気ヘッド素子２２３が積層されている。この書込み磁気ヘッド素子２２３のＡＢＳ２２４とは反対側の位置には上側ヒータ２２５が形成されている。さらに、書込み磁気ヘッド素子２２３及び上側ヒータ２２５の上に絶縁層２２１を介して上側可撓層２２７が積層されている。下側ヒータ２２８及び上側ヒータ２２５は、発熱による熱膨張によって、読出し磁気ヘッド素子２２２及び書込み磁気ヘッド素子２２３それぞれの先端部分をＡＢＳ方向へ突出させるために設けられている。下側可撓層２２６、中間可撓層２２９及び上側可撓層２２７は、この熱膨張による磁気ヘッド素子部分の移動がさらに容易となるように設けられている。
【００９２】
以下、本実施形態の構成をより詳細に説明する。図２３は本実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図であり、図２４は図５のＢ−Ｂ線断面に対応して表した断面図である。
【００９３】
これらの図において、２３０は例えばＡｌＴｉＣ（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなる基板、２３１は基板２３０上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層、２５１は絶縁層２３１上に積層された例えば熱硬化されたレジスト層からなる下側可撓層、２５０は下側可撓層２５１上に形成された平坦化層、２３２は平坦化層２５０上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる下部シールド層、２３３は下部シールド層２３２上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる下部シールドギャップ層、２３４は下部シールドギャップ層２３３上に積層された例えばＡＭＲ単層膜、ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜等のＭＲ層、２３５は磁気バイアス層を備えておりＭＲ層２３４の両端に接続された例えばＣｕ等からなる素子リード導体層、２３６はＭＲ層２３４及び素子リード導体層２３５上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる上部シールドギャップ層、２３７は上部シールドギャップ層２３６上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる上部シールド層、２５６は上部シールド層２３７及び下側ヒータ２６０上に積層された平坦化層、２５７は平坦化層２５６上に積層された例えば熱硬化されたレジスト層からなる中間可撓層、２５８はその上に積層された平坦化層、２５９は平坦化層２５８上に積層された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる下部磁極層、２３８は下部磁極層２５９上に積層された例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる磁気ギャップ層、２３９は磁気ギャップ層２３８上に積層された例えばＣｕ等からなるコイル層、２４０はコイル層２３９を覆う例えば熱硬化されたレジスト層からなるコイル絶縁層、２４１はコイル層２３９の一端に電気的に接続された例えばＣｕ又はＮｉＦｅ等からなるコイルリード導体層、２４２は下部磁極層２５９と共に磁極及び磁気ヨークを構成する例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる上部磁極層、２５２は平坦化層２５３を介して上部磁極層２４２及び上側ヒータ２４４上に積層された上側可撓層、２４３は保護層をそれぞれ示している。
【００９４】
本実施形態では、下側ヒータ２６０が、下側可撓層２５１及び中間可撓層２５７の間であって読出し磁気ヘッド素子に対してＡＢＳ２４５とは反対側の位置にこの読出し磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置に形成されている。さらに、上側ヒータ２４４が、中間可撓層２５７及び上側可撓層２５２の間であって書込み磁気ヘッド素子に対してＡＢＳ２４５とは反対側の位置にこの書込み磁気ヘッド素子とほぼ同じ積層高さ位置に形成されている。
【００９５】
下側ヒータ２６０は、例えばＮｉＦｅ等からなる熱伝導層２６１、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層２６２、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ又はＮｉＣｒ等からなる発熱導体２６３、及び発熱導体２６３を覆う例えば熱硬化されたレジスト層等からなる発熱導体絶縁層２６４から主として構成されており、上側ヒータ２４４は、例えばＮｉＦｅ等からなる熱伝導層２４６、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層２４７、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ又はＮｉＣｒ等からなる発熱導体２４８、及び発熱導体２４８を覆う例えば熱硬化されたレジスト層等からなる発熱導体絶縁層２４９から主として構成されている。
【００９６】
図２５〜図２７は本実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図であり、図５のＡ−Ａ線断面に対応する断面を示している。
【００９７】
以下同図を参照して、本実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を簡単に説明する。まず、図２５（Ａ）に示すように、基板２３０上に絶縁層２３１を積層する。
【００９８】
次いで、図２５（Ｂ）に示すように、絶縁層２３１上に、レジスト材料を熱硬化させて下側可撓層２５１を積層する。
【００９９】
次いで、図２５（Ｃ）に示すように、絶縁層２３１及び下側可撓層２５１上に、平坦化層２５０を形成する。
【０１００】
次いで、図２５（Ｄ）に示すように、この平坦化層２５０上に、下部シールド層２３２を形成すると共に、ＡＢＳ２４５から見てその後側に、平坦化層２６５及び下側ヒータ２６０の熱伝導層２６１を形成する。ここで、下部シールド層２３２と熱伝導層２６１とは、同一の工程で形成可能である。
【０１０１】
次いで、図２５（Ｅ）に示すように、その上に下部シールドギャップ層２３３及び下側ヒータ２６０の絶縁層２６２を形成する。これら下部シールドギャップ層２３３及び絶縁層２６２は同一の工程で形成可能である。
【０１０２】
次いで、図２５（Ｆ）に示すように、下部シールドギャップ層２３３上に、ＭＲ層２３４、磁気バイアス層を備えた素子リード導体層２３５、上部シールドギャップ層２３６及び上部シールド層２３７を形成する。
【０１０３】
次いで、図２５（Ｇ）に示すように、下側ヒータ２６０の絶縁層２６２上に、発熱導体２６３を形成し、さらに、図２５（Ｈ）に示すように、この発熱導体２６３を発熱導体絶縁層２６４で覆う。
【０１０４】
その後、図２６（Ａ）に示すように、その上に平坦化層２５６を積層する。
【０１０５】
次いで、図２６（Ｂ）に示すように、その平坦化層２５６上に中間可撓層２５７を積層し、その上に平坦化層２５８を積層する。
【０１０６】
次いで、図２６（Ｃ）に示すように、この平坦化層２５８上に、下部磁極層２５９を形成すると共に、ＡＢＳから見てその後側に、平坦化層２６６及び上側ヒータ２４４の熱伝導層２４６を形成する。ここで、下部磁極層２５９と熱伝導層２４６とは、同一の工程で形成可能である。
【０１０７】
次いで、図２６（Ｄ）に示すように、その上に磁気ギャップ層２３８及び絶縁層２４７を形成する。これら磁気ギャップ層２３８及び絶縁層２４７は、同一の工程で形成可能である。
【０１０８】
次いで、図２６（Ｅ）に示すように、磁気ギャップ層２３８及び絶縁層２４７上にコイル層２３９及び発熱導体２４８をそれぞれ形成する。材料が同じであれば、これらコイル層２３９及び発熱導体２４８は、同一の工程で形成可能である。
【０１０９】
その後、図２７（Ａ）に示すように、コイル層２３９及び発熱導体２４８を覆うようにコイル絶縁層２４０及び発熱導体絶縁層２４９を形成する。この場合、コイル絶縁層２４０及び発熱導体絶縁層２４９は、同一の工程で形成可能である。
【０１１０】
次いで、図２７（Ｂ）に示すように、上部磁極層２４２及びコイルリード導体層２４１を形成した後、図２７（Ｃ）に示すように、その上に平坦化層２５３を形成し、その平坦化層２５３上に上側可撓層２５２を積層し、さらにその上に保護層２４３を積層して薄膜磁気ヘッドを製造する。
【０１１１】
このように、本実施形態においては、上側ヒータ２４４を書込み磁気ヘッド素子のコイル部分の製造工程の一部を共用して同時に形成可能であり、また下側ヒータ２６０についてもその一部の層を読出し磁気ヘッド素子の一部の製造工程を共用することが可能であり、薄膜磁気ヘッドと一体的に形成可能である。このため、製造工程が容易となるのみならず、マグネティックスペーシングの薄膜磁気ヘッド間でのばらつきをより低減することが可能となる。
【０１１２】
図２８は、本実施形態における磁気ディスク装置の記録再生回路の回路構成の一例を示すブロック図である。
【０１１３】
同図において、２８０は入力端子２８１ａ及び２８１ｂを介して記録データを受け取るライトゲート、２８２はライト回路、２８３は下部磁極層２５９、磁気ギャップ層２３８、上部磁極層２４２及びコイル層２３９等から構成されたインダクティブ型書込み磁気ヘッド素子、２８４は前述したＭＲ層２３４等から構成されたＭＲ型読出し磁気ヘッド素子、２８５は読出し磁気ヘッド素子２８４へセンス電流を供給する定電流回路、２８６は読出し磁気ヘッド素子２８４の出力電圧を増幅する増幅器、２８７は出力端子２８８ａ及び２８８ｂを介して再生データを出力する復調回路、２８９は下側ヒータ２６０及び上側ヒータ２４４の制御回路、２９０及び２９１は再生制御信号及び記録制御信号が印加される制御端子をそれぞれ示している。
【０１１４】
入力端子２８１ａ及び２８１ｂを介して印加される記録データはライトゲート２８０に供給される。ライトゲート２８０は制御端子２９１を介して供給される記録制御信号が書込み動作を指示するときのみ、記録データをライト回路２８２へ供給する。ライト回路２８２はこの記録データに従ってコイル層２３９に書き込み電流を流し、書込み磁気ヘッド素子２８３により磁気ディスク１０（図１）上に記録を行う。
【０１１５】
制御端子２９０より供給される再生制御信号が読出し動作を指示するときのみ、定電流回路２８５からＭＲ層２３４に定電流が流れる。この読出し磁気ヘッド素子２８４により再生された信号は増幅器２８６で増幅された後、復調回路２８７で復調され、得られた再生データが出力端子２８８ａ及び２８８ｂを介して出力される。
【０１１６】
本実施形態におけるヒータ制御回路２８９は、図２９に示すような構成となっており、下側ヒータ２６０の発熱導体２６３間に、直流定電圧回路２８９ａ、スイッチングトランジスタ２８９ｂ及び電流値調整用の抵抗２８９ｃによる直列回路が接続されている。また、上側ヒータ２４４の発熱導体２４８間に、直流定電圧回路２８９ａ、スイッチングトランジスタ２８９ｄ及び電流値調整用の抵抗２８９ｅによる直列回路が接続されている。スイッチングトランジスタ２８９ｂのゲートには制御端子２９０が、スイッチングトランジスタ２８９ｄのゲートには制御端子２９１がそれぞれ接続されている。
【０１１７】
記録制御信号が書込み動作指示のとき、スイッチングトランジスタ２８９ｄがオンとなって抵抗２８９ｅによって調整された一定の電流が上側ヒータ２４４の発熱導体２４８に流れる。また、再生制御信号が読出し動作指示のとき、スイッチングトランジスタ２８９ｂがオンとなって抵抗２８９ｃによって調整された一定の電流が下側ヒータ２６０の発熱導体２６３に流れる。
【０１１８】
このように、書込み動作時に上側ヒータ２４４の発熱導体２４８に、読出し動作時に下側ヒータ２６０の発熱導体２６３に一定の電流がそれぞれ流れるため、この各ヒータの部分及びその周囲が加熱されて熱膨張し、書込み動作時には書込み磁気ヘッド素子が、読出し動作時には読出し磁気ヘッド素子がそれぞれＡＢＳ２４５方向にわずかに突出する。これにより、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との間の磁気的な間隙であるマグネティックスペーシングをそれぞれ書込み動作時及び読出し動作時にのみ小さくすることができる。このように、磁気ヘッド素子の動作時にのみマグネティックスペーシングを小さくすることにより、磁気ディスク表面の突起等に磁気ヘッドスライダが衝突する確率をさほど高めることなく、トラック幅の狭小化に伴う信号記録能力及び／又は信号再生能力の低下を補うことができる。このマグネティックスペーシングは、発熱導体２４８及び２６３に流れる電流を調整して上側ヒータ２４４及び下側ヒータ２６０の発熱量をそれぞれ制御することにより精度良く調整することができる。
【０１１９】
特に本実施形態では、下側可撓層２５１及び中間可撓層２５７が読出し磁気ヘッド素子及び下側ヒータ２６０を間に挟むように積層されており、中間可撓層２５７及び上側可撓層２５２が書込み磁気ヘッド素子及び上側ヒータ２４４を間に挟むように積層されているため、各ヒータの発熱に基づく磁気ヘッド素子部分のＡＢＳ方向への熱膨張がより一層容易となり、しかも、その膨張に非常に優れた方向性を与えることができる。さらに、書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子の各動作時にそれぞれの素子部分をＡＢＳ方向へ突出させているため、必要時のみ必要な素子部分のマグネティックスペーシングが小さく制御されることとなる。
【０１２０】
なお、記録再生回路の回路構成は、図２８及び図２９に示したものに限定されるものでないことは明らかである。記録制御信号及び再生制御信号以外の信号で書込み動作及び読出し動作を特定しても良い。また、書込み動作時及び読出し動作時に各ヒータをそれぞれ別個に発熱させることが望ましいが、図１０に示したごときヒータ制御回路を用いて書込み動作時及び読出し動作時に両方のヒータを同時に発熱させることも可能である。
【０１２１】
図３０は、第４の実施形態の第１の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＢ−Ｂ線断面に対応して表した断面図である。
【０１２２】
第４の実施形態では、読出し磁気ヘッド素子及び下側ヒータ２６０を挟んでその上下に下側可撓層２５１及び中間可撓層２５７を配置し、書込み磁気ヘッド素子及び上側ヒータ２４４を挟んでその上下に中間可撓層２５７及び上側可撓層２５２を配置しているが、この第１の変更態様においては、読出し磁気ヘッド素子及び下側ヒータ２６０の左右にも可撓層３００及び３０１を設け、これら可撓層２５１、２５７、３００及び３０１によって読出し磁気ヘッド素子及び下側ヒータの上下左右を囲むように構成し、さらに、書込み磁気ヘッド素子及び上側ヒータ２４４の左右にも可撓層３０２及び３０３を設け、これら可撓層２５７、２５２、３０２及び３０３によって書込み磁気ヘッド素子及び上側ヒータの上下左右を囲むように構成している。これによって各磁気ヘッド素子部分のＡＢＳ方向への熱膨張がさらに一層容易となり、しかも、その膨張に非常に優れた方向性を与えることができる。
【０１２３】
この変更態様におけるその他の構成、作用効果、変更態様等は第４の実施形態の場合と全く同様である。従って、図３０においては、同様の構成要素については図２３〜図２７と同じ参照番号を用いている。
【０１２４】
図３１は、第４の実施形態の第２の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【０１２５】
この第２の変更態様は、インダクティブ書込み磁気ヘッド素子のコイル層２３９´を２層構造とし、さらに上側ヒータ２４４´の発熱導体２４８´をも２層構造としたことを除いて、その他の構成、作用効果、変更態様等は第４の実施形態の場合と全く同様である。従って、図３１においては、同様の構成要素については図２３〜図２７と同じ参照番号を用いている。
【０１２６】
なお、上側ヒータの発熱導体を第４の実施形態の場合と同様に単層構造としても良いことは明らかである。
【０１２７】
図３２は、第４の実施形態の第３の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【０１２８】
この第３の変更態様は、インダクティブ書込み磁気ヘッド素子の構造が第４の実施形態の場合と異なっている。即ち、この変更態様においては、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる上部磁極層３２０と、この上部磁極層３２０に磁気的に接続された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる上部ヨーク層３２１と、この上部ヨーク層３２１に磁気的に接続された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる後部ヨーク層３２２とから構成されたステッチドポール型上部磁極を備えたインダクティブ書込み磁気ヘッド素子が用いられている。この変更態様における、その他の構成、作用効果、変更態様等は第４の実施形態の場合と全く同様である。従って、図３２においては、同様の構成要素については図２３〜図２７と同じ参照番号を用いている。
【０１２９】
図３３は、第４の実施形態の第４の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【０１３０】
この第４の変更態様は、インダクティブ書込み磁気ヘッド素子のコイル層２３９´を２層構造とし、さらに上側ヒータ２４４´の発熱導体２４８´をも２層構造としたことを除いて、その他の構成、作用効果、変更態様等はステッチドポール型上部磁極を備えたインダクティブ書込み磁気ヘッド素子を有する第３の変更態様の場合と全く同様である。従って、図３３においては、同様の構成要素については図３２と同じ参照番号を用いている。
【０１３１】
なお、上側ヒータの発熱導体を第４の実施形態の場合と同様に単層構造としても良いことは明らかである。
【０１３２】
図３４は、第４の実施形態の第５の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【０１３３】
この第５の変更態様は、インダクティブ書込み磁気ヘッド素子の構造が第４の実施形態の場合と異なっている。即ち、この変更態様においては、インダクティブ書込み磁気ヘッド素子が、下部磁極層２５９と、絶縁層３４０及び３４１と、コイル層２３９と、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる上部磁極層３４２と、この上部磁極層３４２に磁気的に接続された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる上部ヨーク層３４３と、この上部ヨーク層３４３に磁気的に接続された例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる後部ヨーク層３４４と、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる書込みシールド層３４５とから構成された垂直磁気記録型の書込み磁気ヘッド素子で構成されている。この変更態様における、その他の構成、作用効果、変更態様等は第４の実施形態の場合と全く同様である。従って、図３４においては、同様の構成要素については図２３〜図２７と同じ参照番号を用いている。
【０１３４】
図３５は、第４の実施形態の第６の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【０１３５】
この第６の変更態様は、インダクティブ書込み磁気ヘッド素子のコイル層２３９´を２層構造とし、さらに上側ヒータ２４４´の発熱導体２４８´をも２層構造としたことを除いて、その他の構成、作用効果、変更態様等は垂直磁気記録型書込み磁気ヘッド素子を有する第５の変更態様の場合と全く同様である。従って、図３５においては、同様の構成要素については図３４と同じ参照番号を用いている。
【０１３６】
なお、上側ヒータの発熱導体を第４の実施形態の場合と同様に単層構造としても良いことは明らかである。
【０１３７】
以上述べた第４の実施形態における第２〜第６の変更態様が、前述した第１〜第３の実施形態にも同様に適用できることは明らかである。
【０１３８】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【０１３９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、磁気ヘッド素子が動作する時は、発熱手段（ヒータ）が発熱せしめられるので、その熱によって磁気ヘッドが熱膨張し、ＡＢＳ方向にわずかに突出する。これにより、磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との間の磁気的な間隙であるマグネティックスペーシングをその時にのみ小さくすることができる。このマグネティックスペーシングは、発熱量を制御することによって精度良く調整することができる。このような発熱手段は、薄膜磁気ヘッドの製造工程の一部を共用して同時に形成可能であり、薄膜磁気ヘッドと一体的に形成可能である。このため、製造工程が容易となるのみならず、マグネティックスペーシングの薄膜磁気ヘッド間でのばらつきをより低減することが可能となる。磁気ヘッド素子の動作時にのみマグネティックスペーシングを小さくすることにより、磁気ディスク表面の突起等に磁気ヘッドスライダが衝突する確率をさほど高めることなく、トラック幅の狭小化に伴う信号記録能力及び／又は信号再生能力の低下を補うことができるのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態として、磁気ディスク装置の要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態におけるＨＧＡ全体を表す斜視図である。
【図３】第１の実施形態におけるＨＧＡの先端部に装着されている磁気ヘッドスライダの斜視図である。
【図４】第１の実施形態における薄膜磁気ヘッドの概略的な構成を示す図である。
【図５】第１の実施形態における薄膜磁気ヘッドを素子形成面側から透視的に見た平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線断面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】第１の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図である。
【図９】第１の実施形態における磁気ディスク装置の記録再生回路の回路構成の一例を示すブロック図である。
【図１０】図９の記録再生回路におけるヒータ制御回路の回路構成の一例を示すブロック図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの概略的な構成を示す図である。
【図１２】第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【図１３】第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＢ−Ｂ線断面に対応して表した断面図である。
【図１４】第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図である。
【図１５】第２の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態における薄膜磁気ヘッドの概略的な構成を示す図である。
【図１７】第３の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【図１８】第３の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＢ−Ｂ線断面に対応して表した断面図である。
【図１９】第３の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図である。
【図２０】第３の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図である。
【図２１】第３の実施形態の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＢ−Ｂ線断面に対応して表した断面図である。
【図２２】本発明の第４の実施形態における薄膜磁気ヘッドの概略的な構成を示す図である。
【図２３】第４の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【図２４】第４の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＢ−Ｂ線断面に対応して表した断面図である。
【図２５】第４の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図である。
【図２６】第４の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図である。
【図２７】第４の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する工程図である。
【図２８】第４の実施形態における磁気ディスク装置の記録再生回路の回路構成の一例を示すブロック図である。
【図２９】図２８の記録再生回路におけるヒータ制御回路の回路構成の一例を示すブロック図である。
【図３０】第４の実施形態の第１の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＢ−Ｂ線断面に対応して表した断面図である。
【図３１】第４の実施形態の第２の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【図３２】第４の実施形態の第３の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【図３３】第４の実施形態の第４の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【図３４】第４の実施形態の第５の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【図３５】第４の実施形態の第６の変更態様における薄膜磁気ヘッドの構成を図５のＡ−Ａ線断面に対応して表した断面図である。
【符号の説明】
１０  磁気ディスク
１１、１６  軸
１２  アセンブリキャリッジ装置
１３  記録再生回路
１４  駆動アーム
１５  ボイスコイルモータ
１７  ＨＧＡ
２０  サスペンション
２１  磁気ヘッドスライダ
２２  ロードビーム
２３  フレクシャ
２４  ベースプレート
２５  配線部材
３０  書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子
３１  信号端子電極
３２、３５  駆動端子電極
３３  素子形成面
３４、４４、６５、１１４、１６４、２２４、２４５  ＡＢＳ
４０、５０、１１０、１２０、１６０、１７０、２２０、２３０  基板
４１、５１、６７、１１１、１２１、１３７、１６１、１７１、１８７、２２１、２３１、２４７、２６２、３４０、３４１  絶縁層
４２、９４、１１２、１６２、２２２、２８４  読出し磁気ヘッド素子
４３、９３、１１３、１６３、２２３、２８３  書込み磁気ヘッド素子
４５、６４、１１５、１３４、１６５、１８４  ヒータ
５２、１２２、１７２、２３２  下部シールド層
５３、１２３、１７３、２３３  下部シールドギャップ層
５４、１２４、１７４、２３４  ＭＲ層
５５、１２５、１７５、２３５  素子リード導体層
５６、１２６、１７６、２３６  上部シールドギャップ層
５７、１２７、１７７  下部磁極層兼用の上部シールド層
５８、１２８、１７８、２３８  磁気ギャップ層
５９、１２９、１７９、２３９、２３９´  コイル層
６０、１３０、１８０、２４０  コイル絶縁層
６１、１３１、１８１、２４１  コイルリード導体層
６２、１３２、１８２、２４２、３２０、３４２  上部磁極層
６３、１３３、１８３、２４３  保護層
６６、１３６、１８６、２４６、２６１  熱伝導層
６８、１３８、１８８、２４８、２４８´、２６３  発熱導体
６９、１３９、１８９、２４９、２６４  発熱導体絶縁層
９０、２８０  ライトゲート
９１ａ、９１ｂ、２８１ａ、２８１ｂ  入力端子
９２、２８２  ライト回路
９５、２８５  定電流回路
９６、２８６  増幅器
９７、２８７  復調回路
９８ａ、９８ｂ、２８８ａ、２８８ｂ  出力端子
９９、２８９  ヒータ制御回路
９９ａ、２８９ａ  直流定電圧回路
９９ｂ、９９ｄ、２８９ｂ、２８９ｄ  スイッチングトランジスタ
９９ｃ、９９ｅ、２８９ｃ、２８９ｅ  抵抗
１００、１０１、２９０、２９１  制御端子
１１６、１４１、１９４、１９５、３００、３０１、３０２、３０３  可撓層
１６６、１９１、２２６、２５１  下側可撓層
１６７、１９２、２２７、２５２  上側可撓層
１４０、１９０、１９３、２５０、２５３、２５６、２５８、２６５、２６６平坦化層
２２５、２４４、２４４´  上側ヒータ
２２８、２６０  下側ヒータ
２２９、２５７  中間可撓層
２３７  上部シールド層
２５９  下部磁極層
３２１、３４３  上部ヨーク層
３２２、３４４  後部ヨーク層
３４５  書込みシールド層
【図１】
0003636133.tif 000002
【図２】
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【図３】
0003636133.tif 000004
【図４】
0003636133.tif 000005
【図５】
0003636133.tif 000006
【図６】
0003636133.tif 000007
【図７】
0003636133.tif 000008
【図８】
0003636133.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003636133.tif 000011
【図１１】
0003636133.tif 000012
【図１２】
0003636133.tif 000013
【図１３】
0003636133.tif 000014
【図１４】
0003636133.tif 000015
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
0003636133.tif 000019
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
0003636133.tif 000025
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
0003636133.tif 000031
【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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