(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にレジストを形成した母材に電気メッキを施し、母材を除去して金型を製造する方法であって、導電性を備えた基板にレジストをパターンに応じて形成し、パターンにおいてはレジストが存在しない基板の露出部分にのみに一次電気メッキをおこない、その後、レジスト上の少なくとも一部に導電性被膜を形成し、導電性被膜が形成されたレジスト上及び一次電気メッキ上に二次電気メッキをおこなうことを特徴とする微細金型の製造方法。
【請求項２】
基板は、基板本体に導電性の被膜を形成したものであり、少なくとも一部における基板本体への被膜の密着力が基板本体の強度よりも小さくしていることを特徴とする請求項１記載の微細金型の製造方法。
【請求項３】
一次電気メッキをレジストよりも厚く形成することを特徴とする請求項１又は２記載の微細金型の製造方法。
【請求項４】
一次電気メッキの後、レジストの表面層をエッチング処理にて除去することを特徴とする請求項３記載の微細金型の製造方法。
【請求項５】
一次電気メッキの後、レジストに紫外線照射或いは熱処理等の硬化促進処理をおこなうことを特徴とする請求項３記載の微細金型の製造方法。
【請求項６】
レジストを二層構造とし、上層と下層で異なる除去手段となるレジストを用いることを特徴とする請求項４記載の微細金型の製造方法。
【請求項７】
一次電気メッキの金属は二次電気メッキの金属に比べて線膨張率が大きい金属を用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の微細金型の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細金型の製造方法に関し、詳しくは、微細金型において、高強度及び高精度を達成しようとする技術に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、微細金型を製造するのに当たって、機械加工では精度に限界があるものである。そこで、フォトレジストを用いて高精度の微細金型を製造する手段が種々提案されている。そのうち、図９に示す従来例（特開平２−２９７４０９号及び特開平９−２９５０７８号）においては、基板１ａにレジストパターン２ａを形成し、基板１ａ及びレジストパターン２ａ上に導電性被膜４ａを形成し、メッキ３ａをおこない、その後、基板１ａ及びレジストパターン２ａを除去して微細金型Ａａを製造するのである。
【０００３】
ところで、このような製造方法においては、レジストパターン２ａのレジスト孔の上部のメッキ５ａの成長によってレジスト孔が塞がれて液溜まりＥが生じ、金型の強度が大きく低下し、金型寿命が短くなるのである。
【０００４】
又、図１０に示す他の従来例（特開平９−２１７１９１号）においては、基板１ａにレジスト２ａを形成した後、レジスト２ａの開口部にメッキ５ｂをおこない、その後、薬品を用いてレジスト２ａを溶解し除去して微細金型Ａｂを製造するのである。
【０００５】
ところで、このような製造方法においては、基板１ａとメッキ５ｂとの密着力を高め難く、金型強度を高め難いものである。更に、メッキ５ｂの表面の平坦度を高め難く、金型精度を高め難いものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、高強度及び高精度の微細金型を得ることができる微細金型の製造方法を提供することを課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明においては、基板１にレジスト２を形成した母材Ｍに電気メッキを施し、母材Ｍを除去して金型を製造する方法であって、導電性を備えた基板１にレジスト２をパターンに応じて形成し、パターンにおいてはレジスト２が存在しない基板１の露出部分にのみに一次電気メッキ３をおこない、その後、レジスト２上の少なくとも一部に導電性被膜４を形成し、導電性被膜４が形成されたレジスト２上及び一次電気メッキ３上に二次電気メッキ５をおこなうことを特徴とするものである。
このような構成によれば、電気メッキ部を一次電気メッキ３と二次電気メッキ５に分け、一次電気メッキ３はレジスト２が存在しない基板１の露出部分にのみにおこなうことで、従来のように、パターンにおけるレジスト孔がメッキの成長に起因して塞がれるようなことがなく、液溜まりが発生することを防止することができ、レジスト孔には充分に一次電気メッキ３を充填することができ、結果として、微細金型の強度を高めることができ、しかも、レジスト２が存在しない基板１部分に施す一次電気メッキ３の表面が基板１を除去して得られる金型の表面となるのであり、微細金型の表面の精度を高めることができ、しかして、微細金型において高強度、高精度、かつ、高アスペクトを達成できる。
【０００８】
請求項２の発明においては、基板１は、基板本体６に導電性の被膜７を形成したものであり、少なくとも一部における基板本体６への被膜７の密着力が基板本体６の強度よりも小さくしていることを特徴とするものである。このような構成によれば、基板１の材料選択における自由度を拡大することができ、かつ、基板１の除去が容易となり、除去時の応力による変形を防止することができる。
【０００９】
請求項３の発明においては、一次電気メッキ３をレジスト２よりも厚く形成することを特徴とするものである。このような構成によれば、一次電気メッキ３はレジスト２よりも突出して一次電気メッキ３と導電性被膜４との接合面積及び二次電気メッキ５と導電性被膜４との接合面積を増すことができ、相互の密着力を高め、一層、金型強度を高めることができる。
【００１０】
請求項４の発明においては、一次電気メッキ３の後、レジスト２の表面層をエッチング処理にて除去することを特徴とするものである。このような構成によれば、レジスト２の表面はエッチング処理によって粗面になっていて、粗面によるアンカー効果及び接合面積の増大によって、二次電気メッキ５との密着力を高めることができる。
【００１１】
請求項５の発明においては、一次電気メッキ３の後、レジスト２に紫外線照射或いは熱処理等の硬化促進処理をおこなうことを特徴とするものである。このような構成によれば、紫外線照射や熱処理等による硬化促進処理によってレジスト２を硬化収縮させることができ、レジスト２の硬化収縮に伴うアンカー効果及び接合面積の増大によって、二次電気メッキ５との密着力を高めることができる。
【００１２】
請求項６の発明においては、レジスト２を二層構造とし、上層８と下層９で異なる除去手段となるレジスト２を用いることを特徴とするものである。このような構成によれば、レジスト２の上層８をエッチングにて除去する際に、下層９の表面部への侵食を防止できるのであり、上層８を除去した下層９の表面が転写されて金型面となることから、金型面の表面粗度を小さくすることができる。しかも、レジスト２は上層８と下層９で異なる除去手段となることから、上層８をエッチングにて除去する際に、エッチング量の制御及びエッチング量分の膜厚考慮が不要となり、レジストエッチングが容易となる。
【００１３】
請求項７の発明においては、一次電気メッキ３の金属は二次電気メッキ５の金属に比べて線膨張率が大きい金属を用いていることを特徴とするものである。このような構成によれば、得られた金型において凸部となる一次電気メッキ３の金属が二次電気メッキ５の金属よりも熱膨張・収縮が大きく、したがって、樹脂成形において冷却時の凸部の収縮が大きく、成形される樹脂との分離が容易となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。図１（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は微細金型の製造手順を示す説明図である。
【００１５】
本発明の方法により製造される微細金型Ａは、基板１にレジスト２を形成した母材Ｍに電気メッキを施し、母材Ｍを除去して得られたものであり、図１（ｅ）に示すように、例えば、φ２０μｍ、高さ２００μｍのアスペクト比１０の円柱物（ピール）がピッチ４０μｍで整列している。以下、製造手順を図面にしたがって説明する。
【００１６】
図１（ａ）はレジスト形成行程を示し、導電性を備えた基板１は、例えば、ＳＵＳ、ニッケル、ニッケル合金及び銀等を用い、このような導電性を備えた基板１に例えばフォトレジストのようなレジスト２を２００μｍ程度成膜し、紫外線により露光後、パターン以外を現像除去してレジスト２をパターンに応じて形成する。レジストパターンは、ＰＭＭＡにＸ線露光、或いは、レーザーにて直接描画等の手段がある。
【００１７】
同図（ｂ）は一次メッキ行程を示し、レジスト２が存在しない基板１の露出部分にのみに一次電気メッキ３をおこなう。一次電気メッキ３は、電気ニッケルメッキ、ニッケル合金メッキ、及び、銅メッキ等がある。
【００１８】
一次メッキの液組成は、
スルファミン酸ニッケル  ３５０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル              １０ｇ／Ｌ
ホウ酸                    ３５ｇ／Ｌ
メッキ条件は、
温度                      ５０℃
電流密度                  ２Ａ／ｄｍ2
メッキ厚                ２００μｍ
同図（ｃ）は導電性被膜４を形成する行程を示し、一次電気メッキ３を施した後、レジスト２及び一次電気メッキ３の上に導電性被膜４を形成する。
導電性被膜４は、
物質：ニッケル、厚さ０．２μｍ、他に、銅、銀等がある。
成膜方法：スパッタリング、他に、蒸着、化学メッキ等がある。
ところで、導電性被膜４とレジスト２との密着が悪いと、二次メッキ中に膨れが生じやすいため、前処理としてレジスト２の表面にプラズマ処理をおこなうことが好ましい。
【００１９】
同図（ｄ）は二次電気メッキ５を施す行程を示す。二次電気メッキ５は一次電気メッキ３と同種の金属である。
【００２０】
二次メッキの液組成は、
スルファミン酸ニッケル  ３５０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル              １０ｇ／Ｌ
ホウ酸                    ３５ｇ／Ｌ
メッキ条件は、
温度                      ５０℃
電流密度                  ４Ａ／ｄｍ2
メッキ厚                ３００μｍ
このような二次電気メッキ５においては、一次電気メッキ３に比べて微細部分がないことから、電流密度を大きくできて生産性を向上することができる。
【００２１】
同図（ｅ）は基板１及びレジスト２にて構成される母材Ｍの除去行程を示す。母材Ｍのうち基板１の除去は機械的（例えば手でピール除去）或いは溶解除去をおこなう。レジスト２の剥離行程は、溶剤剥離をおこなう。この場合、残さ分を除去するため、レーザーやプラズマ等の処理をおこなうことが好ましい。
【００２２】
このように本発明においては、電気メッキ部を一次電気メッキ３と二次電気メッキ５に分け、一次電気メッキ３はレジスト２が存在しない基板１の露出部分にのみにおこなうことで、パターンにおけるレジスト孔がメッキの成長に起因して塞がれるようなことがなく、液溜まりが発生することを防止することができ、レジスト孔には充分に一次電気メッキ３を充填することができ、微細金型の強度を高めることができるのであり、しかも、レジスト２が存在しない基板１部分に施す一次電気メッキ３の表面が基板１を除去して得られる金型の表面となるのであり、微細金型の表面の精度を高めることができ、しかして、微細金型において高強度、高精度、かつ、高アスペクトを達成できる。
＜実施例結果＞
従来の製造方法で得られた微細金型では、射出成形を１０ショット以下で変形又は脱ピン（ピールの外れ）が発生したが、本発明の微細金型Ａでは射出成形を１０００ショット後にも変形が見られなかった。
【００２３】
図２は他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
本実施の形態においては、一次電気メッキ３の表面を粗面化するものである（図２（ａ）（ｂ）参照）。粗面化処理方法としは、プラズマ処理、ブラスト処理、及び、液体による粗化処理があり、液体による場合、一次電気メッキ３の金属によりエッチング液を選定して表面層をエッチング粗化する。一例として、一次電気メッキ３の金属がニッケルの場合はエッチング液は塩化第二鉄水溶液、硝酸を使用し、一次電気メッキ３の金属が銅の場合は過硝酸アンモニウムを使用する。又、粗面化する手段として粗化状メッキによってもよい。この手段は、例えば、一次電気メッキ３上に一次メッキ液を用いて樹枝状の析出をする高電流密度条件でおこなう。粗化状メッキのメッキ金属として、一次及び二次メッキ金属以外のものでもよい。
ところで、レジスト２の表面が粗化されると製造される金型の表面粗さが大きくなるため、表面粗さを小に抑えるのに際して、液体による粗化処理及び粗化状メッキによる粗化手段が好ましい。
【００２４】
このように、一次電気メッキ３の表面を粗面化することで、接合面積が増大することとアンカー効果が増すことにより、二次電気メッキ５との密着力が増大する（図２（ｃ）参照）。
【００２５】
ところで、本発明においては、一次電気メッキ３は金型としての強度のある金属及びメッキ条件を用いておこなわれるのであり、二次電気メッキ５は一次電気メッキ３より高速メッキが可能な金属及びメッキ条件にておこなわれるのである。以下、詳述する。
【００２６】
一次メッキとして、ニッケル・コバルト合金メッキをおこなった。この場合、
＜メッキ液組成＞
硫酸ニッケル      ２００ｇ／Ｌ
硫酸コバルト        ２０ｇ／Ｌ
塩化ナトリウム      １５ｇ／Ｌ
ホウ酸              ３０ｇ／Ｌ
＜メッキ条件＞
ＰＨ                  ５．５
温度                ３０  ℃
電流密度              １．０Ａ／ｄｍ2
液攪拌              エアバブリング
メッキ液、条件を上記のように設定し、一次メッキを厚さ２００μｍでおこなった。メッキ析出速度としては、１２μｍ／時間であった。上記メッキで得られた合金被膜中にはコバルトが４０％含まれていた。この合金メッキの機械的性質は、引っ張り強度として１４０ｋｇ／ｍｍ2と、ニッケルメッキの２倍の強度が得られた。
【００２７】
次に、金属被膜を形成後、下記二次メッキをおこなった。この場合、
＜二次（ニッケル）メッキの液組成＞
スルファミン酸ニッケル  ５００ｇ／Ｌ
塩化ニッケル                ５ｇ／Ｌ
ホウ酸                    ４０ｇ／Ｌ
＜メッキ条件＞
温度                      ５０℃
電流密度                  ４Ａ／ｄｍ２
メッキ厚                ３００μｍ
＜メッキ液＞
ＰＨ                        ３．８
温度                      ５０  ℃
電流密度                    ２０Ａ／ｄｍ2
液攪拌                    噴流および回転電極
メッキ液、メッキ条件を上記のように設定し、一次メッキを厚さ３００μｍでおこなった。メッキ析出速度としては、２４０μｍ／時間であった。他の工程は図１の工程と同じである。
【００２８】
このように、一次電気メッキ３は金型としての強度のある金属及びメッキ条件を用いておこなわれるのであり、二次電気メッキ５は一次電気メッキ３より高速メッキが可能な金属及びメッキ条件にておこなわれることから、一次電気メッキ３と二次電気メッキ５の各々は金型として要求される物性を保ちかつ生産性を向上させることができる。
【００２９】
図３は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００３０】
本実施の形態においては、基板１は、基板本体６に導電性の被膜７を形成したものであり、少なくとも一部における基板本体６への被膜７の密着力が基板本体６の強度よりも小さくしている。以下、具体例を詳述する。
【００３１】
＜基板本体６の材料＞
シリコン基板、その他、有機、無機基板等があり、平坦な基板本体６を用いることで金型精度が向上する。
【００３２】
＜導電性の被膜７の形成＞
物質：銅  厚さ０．２μｍ、その他、ニッケル及びニッケル合金、銀等
成膜方法：スパッタリング、その他、蒸着、化学メッキ等
導電性の被膜７と基板本体６との密着力は後工程の基板本体６の除去までの間、ふくれや応力剥離しない程度に低いことが好ましく、高すぎると基板本体６の除去が困難になる。このため、基板本体６の表面には汚れがなく、表面粗度として、Ｒａが０．１μｍ以下であることが好ましい。又、レジスト２及び一次電気メッキ３との密着力は導電性の上記被膜７と基板本体６との密着力より大きい方が好ましい。
【００３３】
＜基板本体６の剥離工程＞
機械的除去（例えば手でピール除去）をおこなう。この場合、基板本体６と導電性の被膜７が界面で容易に剥離可能となる。
【００３４】
＜導電性の被膜７のエッチング工程＞
エッチング液：過硫酸ソーダ    １００ｇ／Ｌ
エッチング量：一次電気メッキ３が露出するまで
エッチング液では導電性の被膜７の銅のみをエッチングし、一次電気メッキ３のニッケルには影響を与えない（図３（ｄ）参照）。
【００３５】
この場合、金型精度を確保するため、導電性の被膜７のエッチングには一次電気メッキ３に影響を与えない選択性エッチングが好ましく、選択性エッチング液を用いるものである。この他、レーザーにより除去量を制御した除去をおこなってもい。他の工程は図１の工程と同じである。
【００３６】
このように、基板１は、基板本体６に導電性の被膜７を形成したものであり、少なくとも一部における基板本体６への被膜７の密着力が基板本体６の強度よりも小さくしていることから、基板１の材料選択における自由度を拡大することができ、かつ、基板１の除去が容易となり、除去時の応力による変形を防止することができる。
【００３７】
図４は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００３８】
本実施の形態においては、一次電気メッキ３をレジスト２よりも厚く形成するものである。
【００３９】
具体的には、一次電気メッキ３の厚みを２５０μｍとしてレジスト２よりも高さで５０μｍオーバーハングするように、一次電気メッキ３をレジスト２より厚くなるように析出させる。
【００４０】
一次電気メッキ３はレジスト２より高くなると横方向にも析出成長するため、図４（ａ）のように、析出面はドーム（きのこ）状になり、二次電気メッキ５との接続面積が増大する。この場合、オーバーハングするメッキ厚としては厚い方が表面積が増大するが、レジスト２上で隣接するパターンと接触すると、接触部分に液溜まりが生じるため、接触しない程度のメッキ厚が好ましい。他の工程は図１の工程と同じである。
【００４１】
このように、一次電気メッキ３はレジスト２よりも突出して一次電気メッキ３と導電性被膜４との接合面積及び二次電気メッキ５と導電性被膜４との接合面積を増すことができ、相互の密着力を高め、一層、金型強度を高めることができる。
【００４２】
図５は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４３】
本実施の形態においては、一次電気メッキ３の後、レジスト２の表面層をエッチング処理にて除去するものである。具体的には、図５に示すように一次電気メッキ３をおこなった後、レジスト２の表面層をエッチング除去する。
【００４４】
＜レジスト２の表面のエッチング工程＞
方法：ＣＯ2レーザー等のレーザー処理または、プラズマエッチングまたは、レジスト剥離液（レジストメーカー品）等、レジスト溶剤、その他
これらを使用するレジスト２に対応して選択する。
【００４５】
（例）レジスト２→ＳＵ−８（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）とする場合に、
レジストエッチング→Ｍｉｃｒｏｐｏｓｉｔ  Ｒｅｍｏｖｅｒ
１１６５（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）
処理条件：上記剥離液に１５分浸漬処理
この処理によりレジスト２の表面層が５０μｍエッチングされた。
【００４６】
エッチングにより除去されることでレジスト２の厚みが薄くなるため、必要に応じてレジスト２の成膜を厚くしておく。
【００４７】
エッチング除去され一次電気メッキ３が露出したアンカー部分は微細形状となっており、二次電気メッキ５開始時に気泡または液溜まりが生じやすいため、二次電気メッキ５の初期のメッキ電流密度として低電流にてこおなうことが好ましい。
【００４８】
このように、レジスト２の表面はエッチング処理によって粗面になっていて、粗面によるアンカー効果及び接合面積の増大によって、二次電気メッキ５との密着力を高めることができる。
【００４９】
図６は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５０】
本実施の形態においては、一次電気メッキ３の後、レジスト２に紫外線照射或いは熱処理等の硬化促進処理をおこなうものである。具体的には、図６（ａ）に示すように、レジスト２にＳＵ−８（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）を使用し、図４に示すように一次電気メッキ３を施した後、以下のようにレジスト２層を硬化収縮させる。
【００５１】
＜熱処理＞
処理温度：８０℃
処理時間：３０分
この処理によりレジスト２の表面層が３０μｍ収縮した（図６（ｂ）参照）。
【００５２】
また、レジスト２の成膜後のベーキング温度を低くする、または処理時間を短くすることで、この工程での硬化収縮量を増加することができる。硬化収縮により一次電気メッキ３が露出したアンカー部分は微細形状になっており、二次電気メッキ５の開始時に気泡または液溜まりが生じやすいため、二次電気メッキ５の初期の電流密度として低電流にてこおなうことが好ましい。
【００５３】
このように、紫外線照射や熱処理等による硬化促進処理によってレジスト２を硬化収縮させることができ、レジスト２の硬化収縮に伴うアンカー効果及び接合面積の増大によって、二次電気メッキ５との密着力を高めることができる。
【００５４】
図７は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５５】
本実施の形態においては、レジスト２を二層構造とし、上層８と下層９で異なる除去手段となるレジスト２を用いるものである。以下、詳述する。
【００５６】
0003709831.tif 000002
＜レジスト２の形成工程＞
レジスト２の下層９を成膜、露光、現像し、レジストパターンを形成後、上層８をラミネートする。ここで下層９の凹部分はテンティングされた状態となる。次に、下層９のパターンに位置合わせをおこない露光し、現像をおこなう。この現像時には下層９の凹部分に上層８が埋め込まれていないため、凹部分にレジストが残ることなく現像できる。また、下層９は溶剤現像タイプであり、上層８のアルカリ現像液による侵食はない。また、上層８のパターンは下層９のパターンよりオーバーハングしても金型形状に影響ははく、露光時の位置合わせが容易になる。このように、レジストパターンを形成し、一次電気メッキ３後、上層８のエッチングをおこなう（図７（ａ）（ｂ）参照）。
【００５７】
＜レジスト２の上層８のエッチング工程＞
上層８はアルカリ剥離タイプであり、例えば、２％水酸過ナトリウム水溶液で剥離できる。この結果、上層８の厚みである４０μｍのレジストエッチングができた。このとき、下層９は溶剤剥離タイプのため上記剥離液により侵食されることはない（図７（ｃ）参照）。
【００５８】
このように、レジスト２を二層構造とし、上層８と下層９で異なる除去手段となるレジスト２を用いるから、レジスト２の上層８をエッチングにて除去する際に、下層９の表面部への侵食を防止できるのであり、上層８を除去した下層９の表面が転写されて金型面となることから、金型面の表面粗度を小さくすることができる。しかも、レジスト２は上層８と下層９で異なる除去手段となることから、上層８をエッチングにて除去する際に、エッチング量の制御及びエッチング量分の膜厚考慮が不要となり、レジストエッチングが容易となる。
【００５９】
図８は更に他の実施の形態を示し、但し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００６０】
本実施の形態においては、一次電気メッキ３の金属は二次電気メッキ５の金属に比べて線膨張率が大きい金属を用いるものである。
【００６１】
具体的には、二次電気メッキ５の金属として、ニッケルまたはニッケル・クロム合金を使用し、一次電気メッキ３の金属として銅を使用する。
【００６２】
このように、一次電気メッキ３の金属は二次電気メッキ５の金属に比べて線膨張率が大きい金属を用いるから、得られた金型Ａにおいて凸部となる一次電気メッキ３の金属が二次電気メッキ５の金属よりも熱膨張・収縮が大きく、したがって、樹脂成形において冷却時の凸部の収縮が大きく、成形される樹脂１０との分離が容易となる（図８（ｂ）（ｃ）参照）。
【００６３】
【発明の効果】
請求項１の発明においては、基板にレジストを形成した母材に電気メッキを施し、母材を除去して金型を製造する方法であって、導電性を備えた基板にレジストをパターンに応じて形成し、パターンにおいてはレジストが存在しない基板の露出部分にのみに一次電気メッキをおこない、その後、レジスト上の少なくとも一部に導電性被膜を形成し、導電性被膜が形成されたレジスト上及び一次電気メッキ上に二次電気メッキをおこなうから、電気メッキ部を一次電気メッキと二次電気メッキに分け、一次電気メッキはレジストが存在しない基板の露出部分にのみにおこなうことで、従来のように、パターンにおけるレジスト孔がメッキの成長に起因して塞がれるようなことがなく、液溜まりが発生することを防止することができ、レジスト孔には充分に一次電気メッキを充填することができ、結果として、微細金型の強度を高めることができ、しかも、レジストが存在しない基板部分に施す一次電気メッキの表面が基板を除去して得られる金型の表面となるのであり、微細金型の表面の精度を高めることができ、しかして、微細金型において高強度、高精度、かつ、高アスペクトを達成できるという利点がある。
【００６４】
請求項２の発明においては、請求項１の効果に加えて、基板は、基板本体に導電性の被膜を形成したものであり、少なくとも一部における基板本体への被膜の密着力が基板本体の強度よりも小さくしているから、基板の材料選択における自由度を拡大することができ、かつ、基板の除去が容易となり、除去時の応力による変形を防止することができるという利点がある。
【００６５】
請求項３の発明においては、請求項１又は２の効果に加えて、一次電気メッキをレジストよりも厚く形成するから、一次電気メッキはレジストよりも突出して一次電気メッキと導電性被膜との接合面積及び二次電気メッキと導電性被膜との接合面積を増すことができ、相互の密着力を高め、一層、金型強度を高めることができるという利点がある。
【００６６】
請求項４の発明においては、請求項３の効果に加えて、一次電気メッキの後、レジストの表面層をエッチング処理にて除去するから、レジストの表面はエッチング処理によって粗面になっていて、粗面によるアンカー効果及び接合面積の増大によって、二次電気メッキとの密着力を高めることができるという利点がある。
【００６７】
請求項５の発明においては、請求項３の効果に加えて、一次電気メッキの後、レジストに紫外線照射或いは熱処理等の硬化促進処理をおこなうから、請求項３の効果に加えて、紫外線照射や熱処理等による硬化促進処理によってレジストを硬化収縮させることができ、レジストの硬化収縮に伴うアンカー効果及び接合面積の増大によって、二次電気メッキとの密着力を高めることができるという利点がある。
【００６８】
請求項６の発明においては、請求項４の効果に加えて、レジストを二層構造とし、上層と下層で異なる除去手段となるレジストを用いるから、レジストの上層をエッチングにて除去する際に、下層の表面部への侵食を防止できるのであり、上層を除去した下層の表面が転写されて金型面となることから、金型面の表面粗度を小さくすることができるという利点がある。しかも、レジストは上層と下層で異なる除去手段となることから、上層をエッチングにて除去する際に、エッチング量の制御及びエッチング量分の膜厚考慮が不要となり、レジストエッチングが容易となるという利点がある。
【００６９】
請求項７の発明においては、請求項１〜３のいずれかの効果に加えて、一次電気メッキの金属は二次電気メッキの金属に比べて線膨張率が大きい金属を用いているから、得られた金型において凸部となる一次電気メッキの金属が二次電気メッキの金属よりも熱膨張・収縮が大きく、したがって、樹脂成形において冷却時の凸部の収縮が大きく、成形される樹脂との分離が容易となるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は微細金型の製造手順を示す説明図である。
【図２】同上の他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）は微細金型の製造手順を示す説明図である。
【図３】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は微細金型の製造手順を示す説明図である。
【図４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は微細金型の製造手順を示す説明図である。
【図５】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）は微細金型の製造手順を示す説明図である。
【図６】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）は説明図である。
【図７】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）は説明図である。
【図８】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）は説明図である。
【図９】従来例を示し、（ａ）（ｂ）は説明図である。
【図１０】他の従来例を示し、（ａ）（ｂ）は説明図である。
【符号の説明】
１  基板
２  レジスト
３  一次電気メッキ
４  導電性被膜
５  二次電気メッキ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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