(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
べた構造のバイアス電極が形成された一対の透明基板間に、複数の表示層、および光導電層が、前記複数の表示層のそれぞれの間にはバイアス電極が存在しない状態で、積層された表示記憶媒体であって、
前記複数の表示層は、それぞれ可視光中の互いに異なる色光を選択反射するコレステリック液晶によって構成されたものであるとともに、外部の画像書き込み装置から前記バイアス電極間に印加される電圧のうちの、前記複数の表示層の全体に印加される電圧に対して、それぞれのコレステリック液晶のしきい値電圧が異なるものであり、
前記画像書き込み装置から、前記バイアス電極間に電圧が印加され、かつ前記光導電層に書き込み光が照射されることによって、画像が書き込まれる表示記憶媒体。
【請求項２】
請求項１の表示記憶媒体において、
前記複数の表示層が、それぞれ、互いに同じ色光を選択反射し、螺旋ねじれ方向が逆のコレステリック液晶で構成された２つの表示層からなることを特徴とする表示記憶媒体。
【請求項３】
請求項１の表示記憶媒体に、その外部から画像を書き込む方法であって、
外部の画像書き込み装置から前記バイアス電極間に、少なくとも、前記バイアス電極間に電圧を印加するリフレッシュ期間、前記バイアス電極間に前記リフレッシュ期間に印加される電圧より小さい電圧を印加するセレクト期間、および前記バイアス電極間に電圧を印加しない表示期間によって構成され、前記複数の表示層の全体に印加される電圧が、前記複数の表示層のコレステリック液晶のしきい値電圧を境界とする複数段階の電圧から選定された電圧となる書き込み信号を印加するとともに、前記リフレッシュ期間および前記セレクト期間において、前記画像書き込み装置から前記光導電層に書き込み光を照射することを特徴とする画像書き込み方法。
【請求項４】
請求項１の表示記憶媒体に、その外部から画像を書き込む装置であって、
前記バイアス電極間に、少なくとも、前記バイアス電極間に電圧を印加するリフレッシュ期間、前記バイアス電極間に前記リフレッシュ期間に印加される電圧より小さい電圧を印加するセレクト期間、および前記バイアス電極間に電圧を印加しない表示期間によって構成され、前記複数の表示層の全体に印加される電圧が、前記複数の表示層のコレステリック液晶のしきい値電圧を境界とする複数段階の電圧から選定された電圧となる書き込み信号を印加する手段と、
前記リフレッシュ期間および前記セレクト期間において前記光導電層に書き込み光を照射する手段と、
を備えることを特徴とする画像書き込み装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、画像（文字や図形などの情報を含む）を表示し、かつその表示状態を記憶する表示記憶媒体と、この表示記憶媒体に画像を書き込む方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
紙パルプの原料である森林資源の破壊や、ごみの廃却、焼却による環境汚染などから、オフィスを中心とする紙の大量消費が問題になっている。しかしながら、パーソナルコンピュータの普及や、インターネットを始めとする情報化社会の発達により、電子情報の一時的な閲覧を目的とする、いわゆる短寿命文書としての紙の消費は、益々増加する傾向にあり、紙に代わる書き換え可能な表示記憶媒体の実現が望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、出願人は先に、特願平９−３１７０４９号（平成９年１１月１８日、出願）によって、無電源でのメモリ性を有し、外部装置によって短時間で画像を書き換えることができる、フルカラー表示可能な表示記憶媒体と、その画像書き込み方法および画像書き込み装置を提案した。
【０００４】
この先願の発明では、図１７に示すように、表示記憶媒体２７として、基板１６，１７間に、それぞれブルー、グリーン、レッドの色光を選択反射し、互いにしきい値電圧が異なるコレステリック液晶からなる表示層２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃを、例えば、表示層２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃには、それぞれスペーサー２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃを挿入し、表示層２１Ａ，２１Ｂ間には分離基板１８を介し、表示層２１Ｂ，２１Ｃ間には分離基板１９を介して、積層し、基板１７の裏面に光吸収層２０を設ける。
【０００５】
画像書き込み装置２６は、表示記憶媒体２７と別体に形成し、表示記憶媒体２７を挟持する書き込み電極２３，２４と駆動回路２５を設ける。リフレッシュ期間およびセレクト期間と、その後の無電圧の表示期間とによって構成され、リフレッシュ期間およびセレクト期間での印加電圧ＶｒおよびＶｓが、Ｖｒ＞Ｖｓの関係をもって、表示層２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃのコレステリック液晶のしきい値電圧を境界とする７段階の電圧から選定された電圧となる書き込み信号を、電極２３，２４間に印加する。
【０００６】
しかしながら、この先願の発明の表示記憶媒体と、その画像書き込み方法および画像書き込み装置では、数１０μｍ〜数１００μｍの厚みの基板１６，１７の外側から書き込み信号を印加するため、表示層２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃに実際に印加される電圧は、書き込み信号の電圧に比べてかなり小さくなってしまう。したがって、表示層２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃをスイッチングさせるためには、書き込み電極２３，２４間に非常に大きな電圧を印加しなければならない、という欠点がある。
【０００７】
また、基板１６，１７と書き込み電極２３，２４との間に、ごみなどの異物が介在した場合、電極２３，２４の間の距離の変化や、空気層のギャップによる電圧降下により、表示層２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃに印加される電圧が所望の値ではなくなり、コレステリック液晶のスイッチングが正しく行われず、表示特性が劣化するという欠点がある。
【０００８】
そこで、この発明は、外部装置によって短時間で画像を書き換えることができる、フルカラー表示可能な表示記憶媒体と、その画像書き込み方法および画像書き込み装置において、画像の書き込みに必要な電圧を低減させるとともに、ごみなどの付着による表示特性の劣化を低減させることを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明の表示記憶媒体は、
べた構造のバイアス電極が形成された一対の透明基板間に、複数の表示層、および光導電層が、前記複数の表示層のそれぞれの間にはバイアス電極が存在しない状態で、積層された表示記憶媒体であって、
前記複数の表示層は、それぞれ可視光中の互いに異なる色光を選択反射するコレステリック液晶によって構成されたものであるとともに、外部の画像書き込み装置から前記バイアス電極間に印加される電圧のうちの、前記複数の表示層の全体に印加される電圧に対して、それぞれのコレステリック液晶のしきい値電圧が異なるものであり、
前記画像書き込み装置から、前記バイアス電極間に電圧が印加され、かつ前記光導電層に書き込み光が照射されることによって、画像が書き込まれるものである。
【００１６】
【作用】
この発明の表示記憶媒体においては、表示記憶媒体の上下基板の内面に形成された、べた構造のバイアス電極によって、複数の表示層に電圧を印加し、光導電層に印加される光信号で外部から画像のアドレッシングを行う。したがって、外部の書き込み装置から印加された電圧の、上下基板による電圧降下が無く、画像の書き込みに必要な電圧を低減することができる。
【００１７】
さらに、表示記憶媒体と画像書き込み装置との間に異物が介在した場合でも、表示層に電圧を印加するバイアス電極間の距離に変化が無く、画像をアドレッシングする光信号にも、ほとんど影響を及ぼさないため、表示特性の劣化を防止することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１に、この発明の表示記憶媒体および画像書き込み装置の一実施形態を示す。
【００１９】
表示記憶媒体１は、この実施形態では、それぞれバイアス電極１０，１１が内面に形成された基板２，３間に、表示面側から、それぞれ可視光中の互いに異なる色光を選択反射するコレステリック液晶からなる３つの表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃ、光吸収層６、光導電層７を、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃには、それぞれスペーサー９Ａ，９Ｂ，９Ｃを挿入し、表示層８Ａ，８Ｂ間には分離基板４を介し、表示層８Ｂ，８Ｃ間には分離基板５を介して、積層したものとする。
【００２０】
基板２，３は、ガラスやシリコン、またはポリエステル（ポリエチレンテレフタレート）、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネートなどの高分子フィルムを用いることができ、絶縁性、光透過性を有する材料により形成する。
【００２１】
バイアス電極１０，１１は、ＩＴＯやＳｎＯ2などの導電性、光透過性を有する材料によって、基板２，３上に蒸着法やスパッタ法などにより形成する。また、必要に応じて、その表面に、液晶配向膜などの公知の機能性膜を形成してもよい。
【００２２】
分離基板４，５は、基板２，３と同様の高分子フィルムを用いることができ、光透過性を有する材料により形成する。その厚みは、数μｍ〜数１０μｍで、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃへの分圧比を大きくするため、できるだけ誘電率の大きいことが好ましい。また、必要に応じて、その表面に、液晶配向膜などの公知の機能性膜を形成してもよい。
【００２３】
スペーサー９Ａ，９Ｂ，９Ｃは、ガラスやプラスチックなどからなるボール型またはシリンダー型のものを用いることができ、それぞれ表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの厚みを数μｍ〜数１０μｍに制御する。特に、基板２，３に可とう性を有する材料を用いる場合には、基板２，３の変形によって表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの厚みが大きく変化しないように、周囲に接着成分が塗布されたスペーサー９Ａ，９Ｂ，９Ｃを用いて、各基板間を接着することが好ましい。
【００２４】
また、スペーサー９Ａ，９Ｂ，９Ｃの代わりに、バイアス電極１０，１１または分離基板４，５の表面に、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの厚みを制御しうる突起物などを形成してもよい。
【００２５】
光吸収層６は、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃを透過した入射光を吸収するものであれば、特に限定されるものではなく、ＣｄＴｅなどの無機物や、ブラック色素が含有された高分子などの絶縁性を有する材料を用いることができ、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃへの分圧比を大きくするため、できるだけ誘電率の大きいことが好ましい。
【００２６】
表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃを構成するコレステリック液晶は、ステロイド系コレステロール誘導体、あるいはシッフ塩基系、アゾ系、エステル系、ビフェニル系などのネマチック液晶の一部に光学活性基を導入したカイラルネマチック液晶、またはこれらを、シッフ塩基系、アゾ系、アゾキシ系、エタン系、ビフェニル系、ターフェニル系、シクロヘキシルカルボン酸エステル系、ヘェニルシクロヘキサン系、安息香酸エステル系、ピリミジン系、ジオキサン系、トラン系、シクロヘキシルシクロヘキサンエステル系、アルケニル系などの正の誘電率異方性を有するネマチック液晶、またはこれらの混合液晶に、カイラル剤として添加した材料を用いることができる。
【００２７】
液晶分子が螺旋構造を持つコレステリック液晶は、螺旋軸に入射した光を右円偏光と左円偏光に分け、螺旋の捩じれ方向に一致する円偏光成分をブラッグ反射し、残りの光を透過させる選択反射現象を起こす。反射光の中心波長λ、および反射波長幅Δλは、螺旋ピッチをｐ、螺旋軸に直交する平面内の平均屈折率をｎ、複屈折率をΔｎとすると、それぞれλ＝ｎ・ｐ、Δλ＝Δｎ・ｐで表され、コレステリック液晶層による反射光は螺旋ピッチに依存した鮮やかな色を呈する。
【００２８】
正の誘電率異方性を有するコレステリック液晶は、図１５（Ａ）に示すように、螺旋軸がセル表面に垂直になり、入射光に対して上記の選択反射現象を起こすプレーナー組織、同図（Ｂ）に示すように、螺旋軸がほぼセル表面に平行になり、入射光を少し前方散乱させながら透過させるフォーカルコニック組織、および同図（Ｃ）に示すように、螺旋構造がほどけて液晶ダイレクタが電界方向を向き、入射光をほぼ完全に透過させるホメオトロピック組織、の３つの状態を示す。
【００２９】
上記の３つの組織のうち、プレーナー組織とフォーカルコニック組織は、無電圧で双安定に存在することができる。したがって、コレステリック液晶の配向状態は、液晶層に印加される電圧に対して一義的に決まらず、プレーナー組織が初期状態の場合には、印加電圧の増加に伴って、プレーナー組織、フォーカルコニック組織、ホメオトロピック組織の順に変化し、フォーカルコニック組織が初期状態の場合には、印加電圧の増加に伴って、フォーカルコニック組織、ホメオトロピック組織の順に変化する。
【００３０】
一方、液晶層に印加した電圧を急激にゼロにした場合には、プレーナー組織とフォーカルコニック組織はそのままの状態を維持し、ホメオトロピック組織はプレーナー組織に変化する。
【００３１】
したがって、パルス信号を印加した直後のコレステリック液晶層は、図１６に示すような電気光学応答を示し、印加されたパルス信号の電圧が、Ｖｆｈ，９０以上のときにはホメオトロピック組織からプレーナー組織に変化した選択反射状態となり、Ｖｐｆ，１０とＶｆｈ，１０の間のときには、フォーカルコニック組織による透過状態となり、Ｖｐｆ，９０以下のときには、パルス信号印加前の状態を継続した状態、すなわちプレーナー組織による選択反射状態またはフォーカルコニック組織による透過状態となる。
【００３２】
ただし、図中、縦軸は正規化反射率であり、最大反射率を１００、最小反射率を０として、正規化している。また、プレーナー組織、フォーカルコニック組織およびホメオトロピック組織の各状態間には、遷移領域が存在するため、正規化反射率が９０以上の場合を選択反射状態、正規化反射率が１０以下の場合を透過状態と定義し、プレーナー組織とフォーカルコニック組織のしきい値電圧を、遷移領域の前後に対して、それぞれＶｐｆ，９０、Ｖｐｆ，１０とし、フォーカルコニック組織とホメオトロピック組織のしきい値電圧を、遷移領域の前後に対して、それぞれＶｆｈ，１０、Ｖｆｈ，９０とする。
【００３３】
コレステリック液晶の螺旋ピッチは、ネマチック液晶に対するカイラル剤の添加量で調整し、例えば、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの選択反射光の中心波長が、それぞれ４００〜５００ｎｍ，５００〜６００ｎｍ，６００〜７００ｎｍの範囲内になるようにする。ネマチック液晶に対するカイラル剤の溶解度が低く、上記範囲内の選択反射波長が得られない場合には、複数のカイラル剤を添加する公知の手法を用いてもよい。
【００３４】
また、コレステリック液晶の螺旋ピッチの温度依存性を補償するために、捩じれ方向が異なる、または逆の温度依存性を示す複数のカイラル剤を添加する公知の手法を用いてもよい。
【００３５】
光導電層７は、照射される光量に応じてインピーダンスが変化するものであればよく、電荷発生物質を、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などによって成膜したもの、電荷発生物質を樹脂バインダーに分散し、バーコート法、スピンコート法、ロールコート法、ディップ法、キャスティング法などによって塗布したもの、あるいは、これらの電荷発生層に、電荷輸送層を積層したものなどを用いることができる。
【００３６】
電荷発生物質として、ａ−Ｓｉ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ｓｅ、ＳｅＴｅ、ＴｉＯなどの無機材料、フタロシアニン系、アゾ系、多環キノン系、インジゴ系、キナクリドン系、ペリレン系、スクエアリウム系、アズレニウム系、シアニン系、ピリリウム系などの有機材料を用いることができる。樹脂バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリビニルアセテート、ポリビニルブチラール、アクリル、メタクリル、塩化ビニル、酢酸ビニル、これらの共重合体などを用いることができる。電荷輸送物質として、カルバゾール系、トリアゾール系、オキサジアゾール系、イミダゾール系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、スチルベン系、アミン系、ニトロフルオレノン系などの有機材料を用いることができる。
【００３７】
画像書き込み装置１２は、表示記憶媒体１とは別体に形成し、この実施形態では、表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１と接触して電気的に接続される接触子１６と、この接触子１６を介して表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間にバイアス電圧を印加する電圧印加部１３と、表示記憶媒体１の非表示面側に書き込み光１７を照射する光照射部１４と、入力された画像データに基づいて、電圧印加部１３が表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間に印加するバイアス電圧と、光照射部１４が表示記憶媒体１の非表示面側に照射する書き込み光１７の光量を制御する制御部１５とによって構成する。
【００３８】
光照射部１４は、任意の光量の書き込み光１７を表示記憶媒体１に照射できるものであればよく、レーザービームスキャン装置、ＬＥＤアレイ、ＣＲＴディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディスプレイなどの自発光素子や、液晶シャッターなどの調光素子と蛍光管、キセノンランプ、ハロゲンランプ、水銀ランプなどの光源との組み合わせなど、特に限定されるものではない。
【００３９】
図１の実施形態は、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃをコレステリック液晶のみからなる構造とした場合であるが、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃは、コレステリック液晶の連続相中に網目状の高分子を含むＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）構造や、高分子の骨格中にコレステリック液晶がドロップレット状に分散されたＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）構造とすることもできる。
【００４０】
表示層８Ａ，８Ｂ，８ＣをＰＮＬＣ構造やＰＤＬＣ構造とすることによって、コレステリック液晶と高分子の界面にアンカリング効果が発生し、無電圧でのプレーナー組織またはフォーカルコニック組織の保持状態を安定にすることができるとともに、スイッチング速度を向上させることができる。さらに、螺旋軸の揺らぎによって視野角が向上し、ソリッドな表示テクスチャを得ることができる。
【００４１】
図３に、図１に示して上述した、この発明の表示記憶媒体１の等価回路を示す。
【００４２】
図中、ＣEおよびＲEは表示層と光導電層以外の構成要素の等価静電容量および等価抵抗値で、図１に示した実施形態では、分離基板４，５、光吸収層６およびバイアス電極１０，１１の、静電容量および抵抗値の直列和を示し、ＶEは、外部の画像書き込み装置１２から表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間にバイアス電圧Ｖが印加された場合に、これら表示層と光導電層以外の構成要素で発生する電圧降下を示す。通常、表示層と光導電層以外の構成要素の等価抵抗ＲEは十分に大きく、絶縁体とみなすことができる。
【００４３】
図中、ＣA，ＣB，ＣCおよびＲA，ＲB，ＲCは、それぞれ表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの静電容量および抵抗値を示し、ＶA，ＶB，ＶCは、表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間に画像書き込み装置１２から電圧Ｖが印加された場合に、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃのそれぞれに実際に印加される電圧を示す。通常、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの抵抗値ＲA，ＲB，ＲCは十分に大きく、また、静電容量ＣA，ＣB，ＣCは、液晶が誘電率異方性を有することから、液晶の配向状態に依存して変化する。
【００４４】
ここで、ＣDは、表示層全体の等価静電容量で、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの静電容量の直列和を示し、ＶDは、外部の画像書き込み装置１２から表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間に電圧Ｖが印加された場合に、表示層全体に実際に印加される電圧を示す。
【００４５】
図中、ＣOおよびＲOは、光導電層７の静電容量および抵抗値を示し、ＶOは、外部の画像書き込み装置１２から表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間に電圧Ｖが印加された場合に、光導電層７で発生する電圧降下を示す。
【００４６】
光導電層７の抵抗値ＲOは、画像書き込み装置１２の光照射部１４から、表示記憶媒体１に照射される書き込み光１７の光量に応じて変化する。書き込み光１７の光量が小さい場合には、光導電層７の抵抗値ＲOは十分に大きく、表示層全体に実際に印加される電圧ＶDは、ＣE，ＣD，ＣOの静電容量分圧によって、以下のようになる。
【００４７】
ＶD＝（Ｃ／ＣD）Ｖ‥‥（１）
ここで、
Ｃ＝ＣE・ＣD・ＣO／（ＣE・ＣD＋ＣE・ＣO＋ＣD・ＣO）‥（２）
である。
【００４８】
一方、書き込み光１７の光量が増加すると、内部光電効果によって光導電層７の抵抗値ＲOが減少し、表示層全体に実際に印加される電圧ＶDは増加する。
【００４９】
すなわち、この発明の表示記憶媒体１および画像書き込み装置１２においては、画像書き込み装置１２の光照射部１４から表示記憶媒体１に照射される書き込み光１７の光量を制御することによって、画像書き込み装置１２から表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間に電圧Ｖが印加された場合に、表示層全体に実際に印加される電圧ＶDを制御することができる。
【００５０】
一方、表示層全体に電圧ＶDが印加された場合、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃに実際に印加される電圧ＶA，ＶB，ＶCは、以下のようになる。
【００５１】
ＶA＝（ＣD／ＣA）ＶD‥‥（３）
ＶB＝（ＣD／ＣB）ＶD‥‥（４）
ＶC＝（ＣD／ＣC）ＶD‥‥（５）
ここで、
ＣD＝ＣA・ＣB・ＣC／（ＣA・ＣB＋ＣA・ＣC＋ＣB・ＣC）‥（６）である。
【００５２】
このように、この発明の表示記憶媒体１に対して、外部の画像書き込み装置１２からバイアス電圧Ｖを印加し、任意の光量の書き込み光１７を照射して、表示層全体に任意の電圧ＶDを印加した場合、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃには、それぞれ上記のような静電容量分圧による電圧が印加され、それぞれ、その電圧に応じて、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃのコレステリック液晶の配向状態が変化する。
【００５３】
したがって、この発明の表示記憶媒体１においては、表示層全体に印加される電圧ＶDの、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃへの分配比と、実際に印加される電圧に対する各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの電気光学応答との、２つを制御することによって、表示層全体に印加される電圧ＶDに対する各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの電気光学応答を、所望の構成にすることができる。
【００５４】
具体的には、前者の、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃへの分配比は、上記のように各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの静電容量比によって、後者の、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの電気光学応答は、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃを構成するコレステリック液晶の誘電率異方性、弾性率および螺旋ピッチ、さらに高分子を添加した場合には、高分子の構造や相分離プロセスなどに影響を受ける高分子と液晶の界面におけるアンカリング効果の程度などによって、制御することができる。
【００５５】
図４に、この発明の表示記憶媒体１の一例の、表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDに対する、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの電気光学応答を示す。
【００５６】
この例の表示記憶媒体は、３つの表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの、それぞれのプレーナー組織とフォーカルコニック組織のしきい値電圧Ｖｐｆ，１０のうちの最も大きい値Ｖｔｈ１と、３つの表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの、それぞれのフォーカルコニック組織とホメオトロピック組織のしきい値電圧Ｖｆｈ，１０のうちの最も小さい値Ｖｔｈ２とが、Ｖｔｈ１＜Ｖｔｈ２の関係をもつように構成し、そのＶｔｈ１とＶｔｈ２の間の電圧をＶａ、３つの表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの、それぞれのフォーカルコニック組織とホメオトロピック組織のしきい値電圧Ｖｆｈ，９０のうちの最も大きい値Ｖｔｈ３以上の電圧をＶｂとする。
【００５７】
そして、外部の画像書き込み装置１２によって、表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間に、図５（Ａ）に示すような、交流パルスのセレクト期間Ｔｓと、その後の無電圧の表示期間Ｔｄとによって構成されるバイアス電圧を印加し、少なくともセレクト期間Ｔｓの終わりを含むように、光照射部１４から書き込み光１７を照射する。あるいは、少なくとも表示記憶媒体１の光導電層７が単極性の場合には、表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間に、同図（Ｂ）に示すような、直流パルスのセレクト期間Ｔｓと、その後の無電圧の表示期間Ｔｄとによって構成されるバイアス電圧を印加し、少なくともセレクト期間Ｔｓの終わりを含むように、光照射部１４から書き込み光１７を照射する。
【００５８】
図６は、光照射部１４として、調光素子と光源を組み合わせた場合の、調光素子の透過率Ｔに対する、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの反射率変化を示したもので、同図（ａ）は、調光素子の透過率Ｔと書き込み光１７の対数光量との関係、同図（ｂ）は、書き込み光１７の対数光量と表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDとの関係、同図（ｃ）は、図４に示して上述した、この例の表示記憶媒体における、表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDに対する、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの反射率をそれぞれ示し、同図（ｄ）が、光照射部１４の調光素子の透過率Ｔに対する、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの反射率変化を示している。
【００５９】
図７は、表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDが、それぞれ図４のＶａ，Ｖｂになるように、セレクト期間Ｔｓのバイアス電圧ＶｓをＶ１、書き込み光１７の光量、すなわち上記の例では調光素子の透過率ＴをＴａ，Ｔｂに選定した場合の、３つの表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの配向状態を示したもので、「ｐ」はプレーナー組織による選択反射状態、「ｆ」はフォーカルコニック組織による透過状態、をそれぞれ表し、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの順に示している。
【００６０】
これから明らかなように、上記の表示記憶媒体および画像書き込み方法によれば、
（１）３層全てがプレーナー組織の状態、
（２）３層全てがフォーカルコニック組織の状態、
の２種類の配向状態が得られる。
【００６１】
したがって、例えば、表示層８Ａがブルーの色光、表示層８Ｂがグリーンの色光、表示層８Ｃがレッドの色光を選択反射するように構成した場合には、図８に示すように（同図中の「Ｔ」は、対応する層がフォーカルコニック組織による透過状態であることを示す）、
（１）Ｖｓ＝Ｖ１，Ｔ＝Ｔｂの書き込み信号によって、ホワイト（Ｗ）が表示される状態、
（２）Ｖｓ＝Ｖ１，Ｔ＝Ｔａの書き込み信号によって、ブラック（Ｂｋ）が表示される状態、
の２つの表示状態を取りうるようになり、一画素内で、ブラック、ホワイトの２色を表示することができる。
【００６２】
さらに、ディザ法や誤差拡散法などの面積階調を行うことによって、多値のモノクロ表示を行うことができる。
【００６３】
なお、それぞれブルー、グリーンおよびレッドの色光を選択反射する表示層の積層順序は、上記の例に限らず、任意に構成することができる。
【００６４】
図９に、この発明の表示記憶媒体１の他の例の、表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDに対する、各表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの電気光学応答を示す。
【００６５】
この例の表示記憶媒体は、３つの表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃの、プレーナー組織とフォーカルコニック組織の状態間の遷移領域、およびフォーカルコニック組織とホメオトロピック組織の状態間の遷移領域が、同じ電圧で存在しないように構成する。３つの表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃのうちの、しきい値電圧が最も大きい表示層をＨ層、中間の表示層をＭ層、最も小さい表示層をＬ層とした場合、電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄ，Ｖｅ，Ｖｆ，Ｖｇを、
Ｖａ：Ｌ層のＶｐｆ，９０以下の電圧、
Ｖｂ：Ｌ層のＶｐｆ，１０とＭ層のＶｐｆ，９０との間の電圧、
Ｖｃ：Ｍ層のＶｐｆ，１０とＨ層のＶｐｆ，９０との間の電圧、
Ｖｄ：Ｈ層のＶｐｆ，１０とＬ層のＶｆｈ，１０との間の電圧、
Ｖｅ：Ｌ層のＶｆｈ，９０とＭ層のＶｆｈ，１０との間の電圧、
Ｖｆ：Ｍ層のＶｆｈ，９０とＨ層のＶｆｈ，１０との間の電圧、
Ｖｇ：Ｈ層のＶｆｈ，９０以上の電圧、
とする。
【００６６】
そして、外部の書き込み装置１２によって、表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間に、図１０（Ａ）に示すような、少なくとも、それぞれ交流パルスのリフレッシュ期間Ｔｒおよびセレクト期間Ｔｓと、その後の無電圧の表示期間Ｔｄとによって構成され、そのリフレッシュ期間Ｔｒおよびセレクト期間Ｔｓでの電圧ＶｒおよびＶｓが、Ｖｒ＞Ｖｓの関係をもつバイアス電圧を印加し、少なくともリフレッシュ期間Ｔｒの終わりを含むように、光照射部１４から第１の書き込み光を、少なくともセレクト期間Ｔｓの終わりを含むように、光照射部１４から第２の書き込み光を、それぞれ照射する。
【００６７】
あるいは、少なくとも表示記憶媒体１の光導電層７が単極性の場合には、表示記憶媒体１のバイアス電極１０，１１間に、図１０（Ｂ）に示すような、直流パルスのリフレッシュ期間Ｔｒおよびセレクト期間Ｔｓと、その後の無電圧の表示期間Ｔｄとによって構成され、そのリフレッシュ期間Ｔｒおよびセレクト期間Ｔｓでの電圧ＶｒおよびＶｓが、Ｖｒ＞Ｖｓの関係をもつバイアス電圧を印加し、少なくともリフレッシュ期間Ｔｒの終わりを含むように、光照射部１４から第１の書き込み光を、少なくともセレクト期間Ｔｓの終わりを含むように、光照射部１４から第２の書き込み光を、それぞれ照射する。
【００６８】
図１１は、光照射部１４として、調光素子と光源を組み合わせた場合の、リフレッシュ期間Ｔｒにおける調光素子の透過率Ｔｒｔに対する、Ｈ層、Ｍ層およびＬ層の反射率変化を示したもので、同図（ａ）は、調光素子の透過率Ｔｒｔと第１の書き込み光の対数光量との関係、同図（ｂ）は、第１の書き込み光の対数光量と表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDとの関係、同図（ｃ）は、図９に示して上述した、この例の表示記憶媒体における、表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDに対する、Ｈ層、Ｍ層およびＬ層の反射率を、それぞれ示し、同図（ｄ）が、光照射部１４の調光素子の透過率Ｔｒｔに対する、Ｈ層、Ｍ層およびＬ層の反射率変化を示している。
【００６９】
さらに、図１２は、光照射部１４として、調光素子と光源を組み合わせた場合の、セレクト期間Ｔｓにおける調光素子の透過率Ｔｓｔに対する、Ｈ層、Ｍ層およびＬ層の反射率変化を示したもので、同図（ａ）は、調光素子の透過率Ｔｓｔと第２の書き込み光の対数光量との関係、同図（ｂ）は、第２の書き込み光の対数光量と表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDとの関係、同図（ｃ）は、図９に示して上述した、この例の表示記憶媒体における、表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDに対する、Ｈ層、Ｍ層およびＬ層の反射率を、それぞれ示し、同図（ｄ）が、光照射部１４の調光素子の透過率Ｔｓｔに対する、Ｈ層、Ｍ層およびＬ層の反射率変化を示している。
【００７０】
図１３は、リフレッシュ期間Ｔｒにおいて、表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDが、それぞれ図９のＶｅ，Ｖｆ，Ｖｇになるように、バイアス電圧ＶｒをＶ１、第１の書き込み光の光量、すなわち上記の例では調光素子の透過率ＴｒｔをＴｅ，Ｔｆ，Ｔｇに選定し、セレクト期間Ｔｓにおいて、表示層全体に印加されるパルス電圧ＶDが、それぞれ図９のＶａ，Ｖｂ，Ｖｃになるように、バイアス電圧ＶｓをＶ２、第２の書き込み光の光量、すなわち上記の例では調光素子の透過率ＴｓｔをＴａ，Ｔｂ，Ｔｃに選定した場合の、それぞれの組み合わせにおける、Ｈ層、Ｍ層およびＬ層の配向状態を示したもので、「ｐ」はプレーナー組織による選択反射状態、「ｆ」はフォーカルコニック組織による透過状態、をそれぞれ表し、Ｌ層、Ｍ層およびＨ層の順に示している。
【００７１】
これから明らかなように、上記の表示記憶媒体および画像書き込み方法によれば、
（１）Ｈ層、Ｍ層およびＬ層の３層全てがプレーナー組織の状態、
（２）Ｈ層、Ｍ層およびＬ層の３層全てがフォーカルコニック組織の状態、
（３）Ｈ層がプレーナー組織で、Ｍ層とＬ層がフォーカルコニック組織の状態、
（４）Ｍ層がプレーナー組織で、Ｈ層とＬ層がフォーカルコニック組織の状態、
（５）Ｌ層がプレーナー組織で、Ｈ層とＭ層がフォーカルコニック組織の状態、
（６）Ｈ層とＭ層がプレーナー組織で、Ｌ層がフォーカルコニック組織の状態、
（７）Ｍ層とＬ層がプレーナー組織で、Ｈ層がフォーカルコニック組織の状態、
の７種類の配向状態が得られる。
【００７２】
したがって、例えば、表示層８Ａをブルーの色光を選択反射するＨ層、表示層８Ｂをグリーンの色光を選択反射するＭ層、表示層８Ｃをレッドの色光を選択反射するＬ層となるように構成した場合には、図１４に示すように（同図中の「Ｔ」は、対応する層がフォーカルコニック組織による透過状態であることを示す）、（１）Ｖｒ＝Ｖ１，Ｔｒ＝Ｔｇ，Ｖｓ＝Ｖ２，Ｔｓ＝Ｔａの書き込み信号によって、ホワイト（Ｗ）が表示される状態、（２）例えば、Ｖｒ＝Ｖ１，Ｔｒ＝Ｔｅ，Ｖｓ＝Ｖ２，Ｔｓ＝Ｔｃの書き込み信号によって、ブラック（Ｂｋ）が表示される状態、（３）Ｖｒ＝Ｖ１，Ｔｒ＝Ｔｇ，Ｖｓ＝Ｖ２，Ｔｓ＝Ｔｃの書き込み信号によって、ブルー（Ｂ）が表示される状態、（４）Ｖｒ＝Ｖ１，Ｔｒ＝Ｔｆ，Ｖｓ＝Ｖ２，Ｔｓ＝Ｔｂの書き込み信号によって、グリーン（Ｇ）が表示される状態、（５）Ｖｒ＝Ｖ１，Ｔｒ＝Ｔｅ，Ｖｓ＝Ｖ２，Ｔｓ＝Ｔａの書き込み信号によって、レッド（Ｒ）が表示される状態、（６）Ｖｒ＝Ｖ１，Ｔｒ＝Ｔｇ，Ｖｓ＝Ｖ２，Ｔｓ＝Ｔｂの書き込み信号によって、シアン（Ｃ）が表示される状態、（７）Ｖｒ＝Ｖ１，Ｔｒ＝Ｔｆ，Ｖｓ＝Ｖ２，Ｔｓ＝Ｔａの書き込み信号によって、イエロー（Ｙ）が表示される状態、の７つの表示状態を取りうるようになり、一画素内で、ホワイト、ブラック、ブルー、グリーンおよびレッドの５色と、シアンおよびイエローの２色との、合計７色を表示することができる。
【００７３】
さらに、少なくともホワイト、ブラック、ブルー、グリーンおよびレッドの５色を用いて、ディザ法や誤差拡散法などの面積階調を行うことによって、フルカラー表示を行うことができる。
【００７４】
上記の例は、グリーンの色光を選択反射する表示層をＭ層として、シアン、マゼンタおよびイエローの３色中の２色として、シアンおよびイエローを表示する場合であるが、ブルーの色光を選択反射する表示層をＭ層とする場合には、シアン、マゼンタおよびイエローの３色中の２色として、シアンおよびマゼンタを表示することができ、レッドの色光を選択反射する表示層をＭ層とする場合には、シアン、マゼンタおよびイエローの３色中の２色として、マゼンタおよびイエローを表示することができる。
【００７５】
なお、それぞれブルー、グリーンおよびレッドの色光を選択反射する表示層の積層順序、またはしきい値電圧の大小は、上記の例に限らず、任意に構成することができる。
【００７６】
図１に示した実施形態は、３つの表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃが、それぞれのコレステリック液晶の螺旋ねじれ方向に一致する、いずれかの旋回方向の円偏光成分を選択反射する場合であるが、図２に示す、この発明の表示記憶媒体１の他の実施形態のように、表示層８Ａ，８Ｂ，８Ｃを、それぞれ、互いに同じ色光を選択反射するとともに、表示層全体に印加される電圧に対して同じ電気光学応答を示すような、螺旋ねじれ方向が右方向のコレステリック液晶からなる表示層８Ａ（Ｒ），８Ｂ（Ｒ），８Ｃ（Ｒ）と、螺旋ねじれ方向が左方向のコレステリック液晶からなる表示層８Ａ（Ｌ），８Ｂ（Ｌ），８Ｃ（Ｌ）とによって形成してもよい。この場合には、上述した書き込み方法を用いて、より反射率の高いモノクロ表示、またはカラー表示を行うことができる。
【００７７】
なお、各表示層８Ａ（Ｒ），８Ｂ（Ｒ），８Ｃ（Ｒ），８Ａ（Ｌ），８Ｂ（Ｌ），８Ｃ（Ｌ）の積層順序は、図２の例に限らず、任意に構成することができる。
【００７８】
（実施例１）
実施例１では、無機材料を光導電層に用いた、ＰＮＬＣ構造のモノクロ表示の表示記憶媒体を作製し、書き込み特性を測定した。
【００７９】
レッドの色光を選択反射する表示層のコレステリック液晶と高分子前駆体の混合溶液として、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶ＢＬ０１２（メルク社製）６９．０ｗｔ％、右旋性のカイラル剤ＣＢ１５（メルク社製）１５．５ｗｔ％、および右旋性のカイラル剤ＣＥ２（メルク社製）１５．５ｗｔ％を混合した溶液に、チオール系ＵＶ重合高分子前駆体ＮＯＡ６５（ノーランド社製）を１５ｗｔ％添加した。
【００８０】
グリーンの色光を選択反射する表示層のコレステリック液晶と高分子前駆体の混合溶液として、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶ＢＬ０１２（メルク社製）６０．０ｗｔ％、右旋性のカイラル剤ＣＢ１５（メルク社製）２０．０ｗｔ％、および右旋性のカイラル剤ＣＥ２（メルク社製）２０．０ｗｔ％を混合した溶液に、チオール系ＵＶ重合高分子前駆体ＮＯＡ６５（ノーランド社製）を１５ｗｔ％添加した。
【００８１】
ブルーの色光を選択反射する表示層のコレステリック液晶と高分子前駆体の混合溶液として、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶ＢＬ０１２（メルク社製）５４．６ｗｔ％、右旋性のカイラル剤ＣＢ１５（メルク社製）２２．７ｗｔ％、および右旋性のカイラル剤ＣＥ２（メルク社製）２２．７ｗｔ％を混合した溶液に、チオール系ＵＶ重合高分子前駆体ＮＯＡ６５（ノーランド社製）を１５ｗｔ％添加した。
【００８２】
ＩＴＯ透明電極がスパッタ蒸着された、１インチ角の０．７ｍｍ厚の７０５９ガラス基板（コーニング社製）の上に、光導電層として、５μｍ厚の水素化アモルファスシリコン膜を、プラズマＣＶＤ法を用いて形成した。
【００８３】
さらに、この上に、光吸収層として、ブラック樹脂ＢＫＲ- １０５（日本化薬社製）をスピンコート塗布し、１００℃で２分間乾燥させた。
【００８４】
得られた光吸収層の上に、５μｍ径の球状スペーサーミクロパールＳＰ−２０５（積水ファインケミカル社製）を湿式散布し、６０℃に加熱した上記のレッドの混合溶液を滴下して、片面に５μｍ径の球状スペーサーミクロパールＳＰ−２０５（積水ファインケミカル社製）を湿式散布した４．５μｍ厚のＰＥＴフィルムルミラー（東レ社製）を、スペーサーの非散布面が接触するように密着させた。
【００８５】
さらに、この上に、６０℃に加熱した上記のグリーンの混合溶液を滴下して、片面に５μｍ径の球状スペーサーミクロパールＳＰ−２０５（積水ファインケミカル社製）を湿式散布した４．５μｍ厚のＰＥＴフィルムルミラー（東レ社製）を、スペーサーの非散布面が接触するように密着させた。さらに、この上に、６０℃に加熱した上記のブルーの混合溶液を滴下して、ＩＴＯ透明電極がスパッタ蒸着された、１インチ角の０．７ｍｍ厚の７０５９ガラス基板（コーニング社製）を、ＩＴＯ透明電極面が液晶と接するように密着させた。
【００８６】
空気圧を用いた平滑化装置で圧力を加えた後、６０℃のホットプレート上で、５０ｍＷ／ｃｍ2（３６５ｎｍ）のＵＶ光を、外光入射面側から６０秒照射し、外光入射側から、それぞれＰＮＬＣ構造のブルー表示層、グリーン表示層、レッド表示層が積層されたモノクロ表示の表示記憶媒体を得た。
【００８７】
（実施例２）
実施例２では、高分子分散された有機材料を光導電層に用いた、ＰＮＬＣ構造のカラー表示の表示記憶媒体を作製した。
【００８８】
レッドの色光を選択反射する表示層のコレステリック液晶として、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶ＺＬＩ４５２０（メルク社製）６８．６ｗｔ％、右旋性のカイラル剤ＣＢ１５（メルク社製）１５．７ｗｔ％、および右旋性のカイラル剤ＣＥ２（メルク社製）１５．７ｗｔ％を混合した溶液に、チオール系ＵＶ重合高分子前駆体ＮＯＡ６５（ノーランド社製）を１５ｗｔ％添加した。
【００８９】
グリーンの色光を選択反射する表示層のコレステリック液晶として、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶Ｅ１８６（メルク社製）７２．２ｗｔ％、右旋性のカイラル剤ＣＢ１５（メルク社製）１３．９ｗｔ％、および右旋性のカイラル剤ＣＥ２（メルク社製）１３．９ｗｔ％を混合した溶液に、チオール系ＵＶ重合高分子前駆体ＮＯＡ６５（ノーランド社製）を１５ｗｔ％添加した。
【００９０】
ブルーの色光を選択反射する表示層のコレステリック液晶として、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶ＺＬＩ４３８９（メルク社製）６４．９ｗｔ％、右旋性のカイラル剤ＣＢ１５（メルク社製）１７．５ｗｔ％、および右旋性のカイラル剤ＣＥ２（メルク社製）１７．５ｗｔ％を混合した溶液に、チオール系ＵＶ重合高分子前駆体ＮＯＡ６５（ノーランド社製）を１５ｗｔ％添加した。
【００９１】
ＩＴＯ透明電極がスパッタ蒸着された、１インチ角の１２５μｍ厚のＰＥＴフィルムハイビーム（東レ社製）の上に、電荷発生層として、クロロガリウムフタロシアニン２．１ｗｔ％を、塩ビ／酢ビ共重合体樹脂１．８ｗｔ％、酢酸ｎ−ブチル３１．７ｗｔ％、キシレン６４．４ｗｔ％に分散した溶液を、０．２５μｍ厚にディップコート塗布した。
【００９２】
さらに、この上に、電荷輸送層として、３，３' −ジメチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス( ４−メチルフェニル) −１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン７．２ｗｔ％、ポリ（４，４’−シクロヘキシリデンジフェニレンカーボネート）１０．８ｗｔ％、モノクロロベンゼン８２ｗｔ％を混合した溶液を、モノクロロベンゼンで２倍に希釈した後、３μｍ厚にスピンコート塗布した。
【００９３】
さらに、この上に、光吸収層として、ブラック樹脂ＢＫＲ- １０５（日本化薬社製）をスピンコート塗布し、１００℃で２分間乾燥させた。
【００９４】
得られた光吸収層の上に、接着剤付の５μｍ径の球状スペーサーハヤビーズＬ−２１Ｓ（早川ゴム社製）を湿式散布し、７０℃に加熱した上記のレッドの混合溶液を滴下して、片面に接着剤付の５μｍ径の球状スペーサーハヤビーズＬ−２１Ｓ（早川ゴム社製）を湿式散布した４．５μｍ厚のＰＥＴフィルムルミラー（東レ社製）を、スペーサーの非散布面が接触するように密着させた。
【００９５】
さらに、この上に、７０℃に加熱した上記のグリーンの混合溶液を滴下して、片面に接着剤付の５μｍ径の球状スペーサーハヤビーズＬ−２１Ｓ（早川ゴム社製）を湿式散布した４．５μｍ厚のＰＥＴフィルムルミラー（東レ社製）を、スペーサーの非散布面が接触するように密着させた。さらに、この上に、７０℃に加熱した上記のブルーの混合溶液を滴下して、ＩＴＯ透明電極がスパッタ蒸着された、１インチ角の１２５μｍ厚のＰＥＴフィルムハイビーム（東レ社製）を、ＩＴＯ透明電極面が液晶と接するように密着させた。
【００９６】
ラミネーターで熱と圧力を加えた後、７０℃のホットプレート上で、５０ｍＷ／ｃｍ2（３６５ｎｍ）のＵＶ光を、外光入射面側から６０秒照射し、外光入射側から、それぞれＰＮＬＣ構造のブルー表示層、グリーン表示層、レッド表示層が積層されたカラー表示の表示記憶媒体を得た。
【００９７】
（比較例）
比較例では、実施例１と同様の表示層を用いた、外部電極書き込みのモノクロ表示の表示記憶媒体を作製し、書き込み特性を測定した。
【００９８】
ブラックに着色された、１インチ角の７５μｍ厚のＰＥＴフィルムルミラー（東レ社製）の上に、接着剤付の５μｍ径の球状スペーサーハヤビーズＬ−２１Ｓ（早川ゴム社製）を湿式散布し、６０℃に加熱した実施例１と同様のレッドの混合溶液を滴下して、片面に接着剤付の５μｍ径の球状スペーサーハヤビーズＬ−２１Ｓ（早川ゴム社製）を湿式散布した４．５μｍ厚のＰＥＴフィルムルミラー（東レ社製）を、スペーサーの非散布面が接触するように密着させた。
【００９９】
さらに、この上に、６０℃に加熱した実施例１と同様のグリーンの混合溶液を滴下して、片面に接着剤付の５μｍ径の球状スペーサーハヤビーズＬ−２１Ｓ（早川ゴム社製）を湿式散布した４．５μｍ厚のＰＥＴフィルムルミラー（東レ社製）を、スペーサーの非散布面が接触するように密着させた。さらに、この上に、６０℃に加熱した実施例１と同様のブルーの混合溶液を滴下して、１インチ角の７５μｍ厚のＰＥＴフィルムルミラー（東レ社製）を密着させた。
【０１００】
ラミネーターで熱と圧力を加えた後、６０℃のホットプレート上で、５０ｍＷ／ｃｍ2（３６５ｎｍ）のＵＶ光を、外光入射面側から６０秒照射し、外光入射側から、それぞれＰＮＬＣ構造のブルー表示層、グリーン表示層、レッド表示層が積層されたモノクロ表示の表示記憶媒体を得た。
【０１０１】
（実施例１と比較例の書き込み特性）
実施例１の表示記憶媒体のバイアス電極を、パルス発生器および高圧電源装置に接続された一対のアルミ電極に接触させ、５０Ｈｚ、２５０ｍｓの交流セレクト期間および無電圧の表示期間からなるバイアス電圧を印加し、非表示面側の基板にマスクを密着させて、ハロゲンランプによる書き込み光を照射して、表示色の観察を行った。セレクト期間のバイアス電圧が６２０Ｖ、書き込み光の光量が５ｍＷ／ｃｍ2において、書き込み光の照射部にホワイト表示、書き込み光の非照射部にブラック表示が得られた。
【０１０２】
比較例の表示記憶媒体を、パルス発生器および高圧電源装置に接続された一対のアルミ電極間に挟持し、５０Ｈｚ、２５０ｍｓの交流セレクト期間および無電圧の表示期間からなる書き込み信号を印加し、電極間から取り出して、表示色の観察を行った。ホワイト表示を行うためには、実施例１の約５倍の、３．３ｋＶの書き込み電圧が必要であった。
【０１０３】
ごみによる影響を観察するため、３０μｍ径のスペーサーを、それぞれ、実施例１の表示記憶媒体では、非表示面側の基板とマスクの間に、比較例の表示記憶媒体では、上下基板とアルミ電極の間に、介在させた状態で、書き込みを行った。実施例１の表示記憶媒体では、上記と同様の条件で、書き込み光の照射部にホワイト表示、書き込み光の非照射部にブラック表示が得られた。しかしながら、比較例の表示記憶媒体では、上記と同様の条件では、書き込み前の状態から表示が変化しなかった。
【０１０４】
【発明の効果】
上述したように、この発明によれば、無電源でのメモリ性を有し、外部装置によって短時間で画像を書き換えることができる、フルカラー表示可能な表示記憶媒体と、その画像書き込み方法および画像書き込み装置において、画像の書き込みに必要な電圧を低減させることができるとともに、ごみなどの付着による表示特性の劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の表示記憶媒体および画像書き込み装置の一実施形態を示す図である。
【図２】この発明の表示記憶媒体の他の実施形態を示す図である。
【図３】この発明の表示記憶媒体の等価回路を示す図である。
【図４】この発明の表示記憶媒体の一例の電気光学応答を示す図である。
【図５】この発明の画像書き込み方法の一実施形態における書き込み信号を示す図である。
【図６】この発明の画像書き込み方法の一実施形態における、光照射部を構成する調光素子の透過率に対する各表示層の反射率変化を示す図である。
【図７】図５および図６の方法による場合の、図４の電気光学応答を示す表示記憶媒体の各表示層の配向状態を示す図である。
【図８】図５および図６の方法による場合の、図４の電気光学応答を示す表示記憶媒体の表示状態を示す図である。
【図９】この発明の表示記憶媒体の他の例の電気光学応答を示す図である。
【図１０】この発明の画像書き込み方法の他の実施形態における書き込み信号を示す図である。
【図１１】この発明の画像書き込み方法の他の実施形態の、リフレッシュ期間における光照射部を構成する調光素子の透過率に対する各表示層の反射率変化を示す図である。
【図１２】この発明の画像書き込み方法の他の実施形態の、セレクト期間における光照射部を構成する調光素子の透過率に対する各表示層の反射率変化を示す図である。
【図１３】図１０〜図１２の方法による場合の、図９の電気光学応答を示す表示記憶媒体の各表示層の配向状態を示す図である。
【図１４】図１０〜図１２の方法による場合の、図９の電気光学応答を示す表示記憶媒体の表示状態を示す図である。
【図１５】正の誘電率異方性を有するコレステリック液晶の配向変化を示す図である。
【図１６】正の誘電率異方性を有するコレステリック液晶のパルス信号に対する電気光学応答の例を示す図である。
【図１７】先願の発明の表示記憶媒体の一実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１…表示記憶媒体
２，３…基板
４，５…分離基板
６…光吸収層
７…光導電層
８Ａ，８Ｂ，８Ｃ…表示層
９Ａ，９Ｂ，９Ｃ…スペーサー
１０，１１…バイアス電極
１２…画像書き込み装置
１３…電圧印加部
１４…光照射部
１５…制御部
１６…接触子
１７…書き込み光
【図１】
0003690472.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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