(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面にカバーコートで被覆した抵抗膜を形成したチップ型絶縁基板の左右両端部に、前記抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と、この主上面電極の上面にこれを覆い且つ前記カバーコートの一部に重なるように形成した補助上面電極と、絶縁基板の端面に形成した側面電極と、これら補助上面電極及び側面電極の表面に形成した金属メッキ層とで構成した端子電極を形成して成るチップ型抵抗器において、
前記各端子電極における補助上面電極に、当該補助上面電極のうち前記絶縁基板における左右両端部側の部分において前記主上面電極の一部を露出するようにした切り込み部を、当該補助上面電極のうち前記カバーコート側の部分にカバーコートに対する重なり部を残すように設けて、この切り込み部内における前記主上面電極の表面に、前記金属メッキ層を形成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
【請求項２】
前記請求項１の記載において、前記補助上面電極を、前記絶縁基板における左右両側面から内側に入った領域に形成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
【請求項３】
チップ型絶縁基板の上面における左右両端部に主上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の上面に抵抗膜を形成する工程と、前記抵抗膜にカバーコートを形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程と、前記主上面電極に対してこれを覆う補助上面電極を前記カバーコートの一部に重なるように形成する工程と、前記絶縁基板の左右両端面に側面電極を形成する工程と、前記補助上面電極及び側面電極並びに主上面電極の露出部分に金属メッキ層を形成する工程とから成るチップ型抵抗器の製造方法において、
前記補助上面電極を形成する工程が、当該補助上面電極のうち前記絶縁基板における左右両端部側の部分において前記主上面電極の一部を露出する一方、当該補助上面電極のうち前記カバーコート側の部分にカバーコートに対する重なり部を残して形成する工程であることを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ型の絶縁基板に、抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して成るチップ型の抵抗器において、その構造と製造方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来におけるチップ型抵抗器は、例えば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されているように、チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を覆うカバーコートが、前記抵抗膜の両端に対する端子電極の表面により可成り突出し、カバーコートの上面と端子電極の上面の間の段差が大きいと言う形状であったから、このチップ型抵抗器を、真空吸着式のコレットにて吸着するときに吸着ミス又は落下することが多発するとか、或いは、このチップ型抵抗器を、その抵抗膜側を下向きにした状態でプリント基板に半田付け実装するときに、片側が浮き上がる等の問題があった。
【０００３】
そこで、先行技術としての特開平４−１０２３０２号公報は、図１３及び図１４に示すように、チップ型絶縁基板１の左右両端部に、抵抗膜２の両端に対する端子電極３を形成するに際して、この両端子電極３を、前記絶縁基板１の上面に抵抗膜２に導通するように形成した主上面電極３ａと、この主上面電極３ａの上面に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと、絶縁基板１の端面に形成した側面電極３ｃと、前記補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メッキ層３ｄとで構成することにより、この両端子電極３の上面と、前記抵抗膜２に対するカバーコート４の上面との間における段差を小さくするか、段差を無くすることを提案している。なお、前記カバーコート４は、一次カバーコート４ａと二次カバーコート４ｂとの二層構造になっている。
【０００４】
また、前記先行技術のチップ型抵抗器は、前記公報に記載されているように、先づ、図１５に示すように、絶縁基板１の上面に、左右一対の主上面電極３ａを形成したのち、図１６に示すように、抵抗膜２をその両端が前記両主上面電極３ａに導通するように形成すると共に、この抵抗膜２に対して一次カバーコート４ａを施したのち、前記両主上面電極３ａに対して通電用のプローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜２及び一次カバーコート４ａに対してレーザー光線等にてトリミング溝５を刻設することにより、前記抵抗膜２における抵抗値が所定抵抗値の許容範囲内に入るようにトリミング調節し、次いで、前記絶縁基板１に対して、図１４に示すように、二次カバーコート４ｂを形成したのち、両主上面電極３の上面に、図１８に示すように、補助上面電極３ｂを、前記主上面電極３の全体を覆うように肉厚状に形成し、更に、前記絶縁基板１の端面に、図１８に二点鎖線で示すように、側面電極３ｃを形成したのち、これら補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に金属メッキ層３ｄａ形成すると言う順序で製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、チップ型抵抗器のプリント基板への半田付け実装は、両端子電極のうち表面における金属メッキ層を、プリント基板における導体パターンに対して半田付けすることによって行うものであるから、前記先行技術のように、抵抗膜２に導通する主上面電極３ａの上面に肉厚状の補助上面電極３ｂを形成して、この補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に金属メッキ層３ｄを形成すると言う構成にした場合には、プリント基板等に半田付けされる金属メッキ層３ｄと、抵抗膜２に繋がる主上面電極３ａとの間に、或る固有抵抗を有する補助上面電極３ｂが介在することになる。
【０００６】
すなわち、抵抗膜２は、前記補助上面電極３ｂを形成する以前の段階において、所定抵抗値の許容範囲内に入るようにトリミング調整されているにもかかわらず、チップ型抵抗器として完成された段階では、前記抵抗膜２の両端に、固有抵抗を有する補助上面電極３ｂが直列状に接続された形態になり、この補助上面電極３ｂの抵抗値が、前記抵抗膜２における抵抗値に加算されることになって、チップ型抵抗器における全抵抗値が変動するから、全抵抗値を正確に設定することができないばかりか、製造に際して、前記抵抗値を所定抵抗値の許容範囲内にすることができない事態が発生し易く、不良品の発生率が高くなると言う問題があった。
【０００７】
本発明は、チップ型抵抗器において、前記の問題を解消できるようにした構造と、その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明におけるチップ型抵抗器は、
「上面にカバーコートで被覆した抵抗膜を形成したチップ型絶縁基板の左右両端部に、前記抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と、この主上面電極の上面にこれを覆い且つ前記カバーコートの一部に重なるように形成した補助上面電極と、絶縁基板の端面に形成した側面電極と、これら補助上面電極及び側面電極の表面に形成した金属メッキ層とで構成した端子電極を形成して成るチップ型抵抗器において、
前記各端子電極における補助上面電極に、当該補助上面電極のうち前記絶縁基板における左右両端部側の部分において前記主上面電極の一部を露出するようにした切り込み部を、当該補助上面電極のうち前記カバーコート側の部分にカバーコートに対する重なり部を残すように設けて、この切り込み部内における前記主上面電極の表面に、前記金属メッキ層を形成する。」
と言う構成にした。
【０００９】
また、本発明の製造方法は、
「チップ型絶縁基板の上面における左右両端部に主上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の上面に抵抗膜を形成する工程と、前記抵抗膜にカバーコートを形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程と、前記主上面電極に対してこれを覆う補助上面電極を前記カバーコートの一部に重なるように形成する工程と、前記絶縁基板の左右両端面に側面電極を形成する工程と、前記補助上面電極及び側面電極並びに主上面電極の露出部分に金属メッキ層を形成する工程とから成るチップ型抵抗器の製造方法において、
前記補助上面電極を形成する工程が、当該補助上面電極のうち前記絶縁基板における左右両端部側の部分において前記主上面電極の一部を露出する一方、当該補助上面電極のうち前記カバーコート側の部分にカバーコートに対する重なり部を残して形成する工程であることを特徴とする。」
ものである。
【００１０】
【発明の作用・効果】
両端子電極における主上面電極に対して補助上面電極を形成することによって、この端子電極の上面と抵抗膜を覆うカバーコートの上面との間における段差を無くするか、小さくする場合において、前記したように、補助上面電極に、主上面電極の一部を露出する切り込み部を設けて、この切り込み部内における主上面電極の表面にも、前記金属メッキ層を形成することにより、プリント基板等に実装するときに半田付けされる金属メッキ層を、先行技術のように、前記補助上面電極を介することなく、主上面電極に対して直接的に導通することができるから、前記補助上面電極が、抵抗膜の両端に対して抵抗になることを確実に回避できるのである。
【００１１】
従って、本発明によると、補助上面電極を設けることのために、チップ型抵抗器における全抵抗値が変化することを防止できるから、全抵抗値を正確な値にすることができると共に、製造に際しての不良品の発生率を大幅に低減できる効果を有する。
【００１２】
また、「請求項２」に記載したように、前記補助上面電極を、絶縁基板における左右両側面から内側に入った領域に形成することにより、この補助上面電極に対して金属メッキ層を形成するときに、当該補助上面電極における左右両側面に発生するメッキバリが、絶縁基板の左右両側面から突出しないようにすることができるから、チップ型抵抗器を、チューブ内に出し入れするときに、当該チップ型抵抗器がチューブ内に引っ掛かることを回避できる利点がある。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面について説明する。
【００１４】
図面のうち図１〜図５は、本発明に至る以前の参考例のチップ型抵抗器である。
【００１５】
この図１〜図５において、符号１１は、チップ型の絶縁基板を示し、この絶縁基板１１の左右両端部には、その上面に形成した抵抗膜１２の両端に対する端子電極１３が形成されている。
【００１６】
この両端子電極１３は、前記絶縁基板１の上面に抵抗膜２に導通するように形成した主上面電極１３ａと、この主上面電極１３ａの上面にこれを覆い且つ後述するカバーコート１４の一部に重なるように厚く形成した補助上面電極１３ｂと、絶縁基板１１の端面に形成した側面電極１３ｃと、前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に形成した金属メッキ層１３ｄとで構成されている。
【００１７】
なお、符号１４は、前記抵抗膜１２に対する保護用のカバーコートを示し、このカバーコート１４は、ガラス製の一次カバーコート１４ａと、ガラス又は合成樹脂製の二次カバーコート１４ｂとによって構成されている。
【００１８】
そして、前記両端子電極１３における補助上面電極１３ｂを、前記主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に分けて設けることにより、その間に前記主上面電極１３ａの一部が露出するようにして、この主上面電極１３ａの上面のうち前記露出する部分の表面に、前記金属メッキ層１３ｄを、当該金属メッキ層１３ｄが側面電極１３ｃの表面から連続するように形成するのである。
【００１９】
このように構成することにより、金属メッキ層１３ｄを、前記した先行技術のように、補助上面電極１３ｂを介することなく、主上面電極１３ａに対して直接的に接続することができるから、両端子電極１３の上面とカバーコート１４の上面との間における段差を小さくするか無くするための前記補助上面電極１３ｂの抵抗が、前記抵抗膜１２における抵抗に加算されることを回避できる。
【００２０】
前記構成の参考例のチップ型抵抗器は、以下に述べる順序の方法にて製造される。
ｉ．先づ、図６に示すように、チップ型絶縁基板１１の上面における左右両側に、主上面電極１３ａを、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて形成する。
ii．図７に示すように、前記絶縁基板１１の上面に、抵抗膜１２を、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて、当該抵抗膜１２の両端が前記両主上面電極１３ａに導通するように形成し、この抵抗膜１２に対して一次カバーコート１４ａを施したのち、前記両主上面電極１３ａに対して通電用のプローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及び一次カバーコート１４ａに対してレーザー光線等にてトリミング溝１５を刻設することにより、前記抵抗膜１２における抵抗値が所定抵抗値の許容範囲内に入るようにトリミング調節する。
iii．次いで、図８に示すように、前記絶縁基板１１の上面に、二次カバーコート１４ｂを形成する。
iv．そして、図９に示すように、絶縁基板１１の上面のうち前記主上面電極１３ａの左右両側の部分に、補助上面電極１３ｂを、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて、その間に主上面電極１３ａの一部が露出し、且つ、当該補助上面電極１３ｂが前記二次カバーコート１４ｂの一部に重なるように、肉厚状に形成する。
v．次いで、図１０に示すように、前記絶縁基板１１における左右両端に側面電極１３ｃを、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて形成する。
vi．そして、メッキ処理工程に移行して、ニッケルメッキを施したのち、半田メッキ又は錫メッキを行うことにより、前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面、並びに、前記主上面電極１３ａの表面のうち前記露出部分に対して金属メッキ層１３ｄを形成することにより、完成品にする。
【００２１】
このような製造によると、両主上面電極１３ａの上面に補助上面電極１３ｂを形成したとによって、トリミング調節したあとの抵抗膜１２における抵抗値が変わることがない状態で、チップ型抵抗器を製造することができるから、抵抗値が所定抵抗値の許容範囲から外れると言う不良品の発生率を大幅に低減できる。
【００２２】
次に、この参考例をもとにして、本発明における実施の形態を説明する。
【００２３】
本発明における実施の形態は、前記補助上面電極１３ｂを形成するに際して、図１１に示すように構成するものである。
【００２４】
すなわち、前記補助上面電極１３ｂのうち前記絶縁基板１１における左右両端部側の部分において前記主上面電極１３ａの一部を露出するようにした切り込み部１３ｂ′を設ける一方、当該補助上面電極のうち前記カバーコート側の部分にカバーコートに対する重なり部１３ｂ″を残すようにする。
【００２５】
そして、以降、前記参考例と同様に、前記絶縁基板１１における左右両端に側面電極１３ｃを形成する工程を経たのち、メッキ処理工程に移行して、ニッケルメッキを施したのち、半田メッキ又は錫メッキを行うことにより、前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面、並びに、前記主上面電極１３ａの表面のうち前記切り込み部１３ｂ′における露出部分に対して金属メッキ層１３ｄを形成するのである。
【００２６】
また、前記補助上面電極１３ｂに対して金属メッキ層１３ｃをメッキ処理によって形成する場合には、前記補助上面電極１３ｂの左右両側にメッキバリが発生することになる。  そこで、前記補助上面電極１３ｂを、図１２に示すように、絶縁基板１１の上面のうち、当該絶縁基板１１における左右両側面１１ａ，１１ｂから適宜寸法Ｓだけ内側の領域の部分に形成することにより、この補助上面電極１３ｂに対して金属メッキ層１３ｄを形成するときに、当該補助上面電極１３ｂにおける左右両側面に発生するメッキバリが、絶縁基板１１の左右両側面１１ａ，１１ｂから突出しないようにすることができるから、チップ型抵抗器を、チューブ内に出し入れするときに、当該チップ型抵抗器がチューブ内に引っ掛かることを回避できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に至る以前の参考例のチップ型抵抗器の斜視図である。
【図２】  図１のII−II視拡大断面図である。
【図３】  図１のIII −III 視拡大断面図である。
【図４】  図１のIV−IV視拡大断面図である。
【図５】  前記参考例のチップ型抵抗器の一部切欠平面図である。
【図６】  前記参考例のチップ型抵抗器の製造に際しての第１の状態を示す斜視図である。
【図７】  前記参考例のチップ型抵抗器の製造に際しての第２の状態を示す斜視図である。
【図８】  前記参考例のチップ型抵抗器の製造に際しての第３の状態を示す斜視図である。
【図９】  前記参考例のチップ型抵抗器の製造に際しての第４の状態を示す斜視図である。
【図１０】  前記参考例のチップ型抵抗器の製造に際しての第５の状態を示す斜視図である。
【図１１】  本発明の実施の形態において補助上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図１２】  本発明の別の実施の形態において補助上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図１３】  従来におけるチップ型抵抗器の斜視図である。
【図１４】  図１３のXVI −XVI 視拡大断面図である。
【図１５】  従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第１の状態を示す斜視図である。
【図１６】  従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第２の状態を示す斜視図である。
【図１７】  従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第３の状態を示す斜視図である。
【図１８】  従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第４の状態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１１                      絶縁基板
１２                      抵抗膜
１３                      端子電極
１３ａ                    主上面電極
１３ｂ                    補助上面電極
１３ｂ′                  切り込み部
１３ｂ″                  重なり部
１３ｃ                    側面電極
１３ｄ                    金属メッキ層
１４                      カバーコート
１４ａ                    一次カバーコート
１４ｂ                    二次カバーコート
１５                      トリミング溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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