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【手続補正書】
【提出日】令和2年12月1日(2020.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳ構造の半導体素子を有する炭化珪素半導体装置であって、
炭化珪素で構成された第１または第２導電型の基板（１）と、
前記基板の上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第１導電型の半導体からなるドリフト層（２）と、
前記ドリフト層の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、
前記ベース領域の上に形成され、前記ドリフト層よりも第１導電型不純物濃度が高くされた第１導電型の炭化珪素からなるソース領域（４）と、
前記ドリフト層と前記ソース領域との間における前記ベース領域の表面に形成されたゲート絶縁膜（７）と、
前記ゲート絶縁膜の上に配置されたゲート電極（８）と、
前記ゲート電極および前記ゲート絶縁膜を覆うと共にコンタクトホール（１０ａ）が形成された層間絶縁膜（１０）と、
前記コンタクトホールを通じて、前記ソース領域に電気的に接続されたソース電極（１１）と、
前記基板の裏面側に形成されたドレイン電極（１２）と、を含む前記半導体素子を有し、
前記ドリフト層は、第１導電型不純物濃度が１．０×１０１５／ｃｍ３以上かつ５×１０１６／ｃｍ３以下で、かつ、キャリアのライフタイムが１μｓｅｃ以下であり、
前記ドリフト層にはＺ１／２センター（２ａ）が導入されており、該Ｚ１／２センターの密度が２×１０１３ｃｍ−３以上であると共に、該Ｚ１／２センターの密度は、前記ドリフト層のうち前記基板との境界部においてピークを持っている炭化珪素半導体装置。
【請求項２】
ＭＯＳ構造の半導体素子を有する炭化珪素半導体装置であって、
炭化珪素で構成された第１または第２導電型の基板（１）と、
前記基板の上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第１導電型の半導体からなるドリフト層（２）と、
前記ドリフト層の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、
前記ベース領域の上に形成され、前記ドリフト層よりも第１導電型不純物濃度が高くされた第１導電型の炭化珪素からなるソース領域（４）と、
前記ドリフト層と前記ソース領域との間における前記ベース領域の表面に形成されたゲート絶縁膜（７）と、
前記ゲート絶縁膜の上に配置されたゲート電極（８）と、
前記ゲート電極および前記ゲート絶縁膜を覆うと共にコンタクトホール（１０ａ）が形成された層間絶縁膜（１０）と、
前記コンタクトホールを通じて、前記ソース領域に電気的に接続されたソース電極（１１）と、
前記基板の裏面側に形成されたドレイン電極（１２）と、を含む前記半導体素子を有し、
前記ドリフト層は、第１導電型不純物濃度が１．０×１０１５／ｃｍ３以上かつ５×１０１６／ｃｍ３以下で、かつ、キャリアのライフタイムが１μｓｅｃ以下であり、
前記ドリフト層にはＺ１／２センター（２ａ）が導入されており、該Ｚ１／２センターの密度が１×１０１３ｃｍ−４以上であると共に、該Ｚ１／２センターの密度は、前記ドリフト層のうち前記基板との境界部においてピークを持っている炭化珪素半導体装置。
【請求項３】
前記基板のライフタイムが０．０５μｓｅｃ以下である請求項１または２に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項４】
前記ドリフト層は、第１導電型不純物濃度が２×１０１６ｃｍ−３以下で、かつ、キャリアのライフタイムが０．１μｓｅｃ以下である請求項１ないし３のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子は、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深く形成されたゲートトレンチ（６）内に、該ゲートトレンチの内壁面を覆うように前記ゲート絶縁膜（７）が配置されていると共に、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極が配置されることでトレンチゲート構造が構成されたトレンチゲート型のＭＯＳ構造とされている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項６】
炭化珪素で構成された第１または第２導電型の基板（１）と、
前記基板の上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第１導電型の半導体からなり、第１導電型不純物濃度が１．０×１０１５／ｃｍ３以上かつ５×１０１６／ｃｍ３以下で構成されるドリフト層（２）と、
前記ドリフト層の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、
前記ベース領域の上に形成され、前記ドリフト層よりも第１導電型不純物濃度が高くされた第１導電型の炭化珪素からなるソース領域（４）と、
前記ドリフト層と前記ソース領域との間における前記ベース領域の表面に形成されたゲート絶縁膜（７）と、
前記ゲート絶縁膜の上に配置されたゲート電極（８）と、
前記ゲート電極および前記ゲート絶縁膜を覆うと共にコンタクトホール（１０ａ）が形成された層間絶縁膜（１０）と、
前記コンタクトホールを通じて、前記ソース領域に電気的に接続されたソース電極（１１）と、
前記基板の裏面側に形成されたドレイン電極（１２）と、を含むＭＯＳ構造の半導体素子を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記ドリフト層におけるキャリアのライフタイムが１μｓｅｃ以下となるように、前記ドリフト層に対してＺ１／２センター（２ａ）を導入することでライフタイムコントロールを行うこと、を含み、
前記ライフタイムコントロールを行うことは、前記ドリフト層に対してボロンイオンとリンイオンのいずれか一方もしくは両方を照射することにより行う炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ドリフト層の第１導電型不純物濃度を２×１０１６ｃｍ−３とし、キャリアのライフタイムが０．１μｓｅｃ以下となるように、前記ライフタイムコントロールを行うこと、を含む請求項６に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１または２に記載の発明では、炭化珪素で構成された第１または第２導電型の基板（１）と、基板の上に形成され、基板よりも低不純物濃度とされた第１導電型の半導体からなるドリフト層（２）と、ドリフト層の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、ベース領域の上に形成され、ドリフト層よりも第１導電型不純物濃度が高くされた第１導電型の炭化珪素からなるソース領域（４）と、ドリフト層とソース領域との間におけるベース領域の表面に形成されたゲート絶縁膜（７）と、ゲート絶縁膜の上に配置されたゲート電極（８）と、ゲート電極およびゲート絶縁膜を覆うと共にコンタクトホール（１０ａ）が形成された層間絶縁膜（１０）と、コンタクトホールを通じて、ソース領域に電気的に接続されたソース電極（１１）と、基板の裏面側に形成されたドレイン電極（１２）と、を含む半導体素子を有している。そして、このような構成において、ドリフト層は、第１導電型不純物濃度が１．０×１０１５／ｃｍ３以上かつ５×１０１６／ｃｍ３以下で、かつ、キャリアのライフタイムが１μｓｅｃ以下となっている。そして、ドリフト層にはＺ１／２センター（２ａ）が導入されており、Ｚ１／２センターの密度は、ドリフト層のうち基板との境界部においてピークを持っている。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月25日(2021.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置であって、
鏡面と、前記鏡面の反対側の底面とを有する載置板；
前記鏡面に形成される発光ユニット；
前記発光ユニットに形成され、且つ側表面及び上表面を有する反射層；及び
前記発光ユニット及び前記反射層を取り囲む第一光学素子を含み、
前記第一光学素子は、前記発光ユニットの上に位置するが、前記上表面よりも低い最高点を含む、発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記発光ユニットに形成され且つ直接接続される第二光学素子をさらに含む、発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置であって、
前記第一光学素子及び前記第二光学素子は、異なる屈折率を有する、発光装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記第一光学素子は、前記側表面に直接接続される、発光装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記第一光学素子は、上へ突起した凸面を含む、発光装置。
【請求項６】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記第一光学素子と前記鏡面は、90°よりも小さい夾角を成す、発光装置。
【請求項７】
請求項1に記載の発光装置であって、
前記発光装置を通過する仮想中心線をさらに含み、
前記発光装置の光強度が、前記仮想中心線を中心とする実質的に対称な分布を有する、発光装置。
【請求項８】
発光装置であって、
鏡面と、前記鏡面の反対側の底面とを有する載置板；
前記鏡面に形成される発光ユニット；
前記発光ユニットに形成され、且つ側表面及び上表面を有する反射層；
前記発光ユニット及び前記反射層を取り囲む第一光学素子；及び
前記発光装置を通過する仮想中心線を含み、
前記発光装置の光強度が、前記仮想中心線を中心とする実質的に対称な分布を有し、
前記発光装置の光強度が、前記仮想中心線の両側の40°〜60°の角度範囲内で最大値を有する、発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置であって、
前記第一光学素子は、前記側表面に直接接続される、発光装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の発光装置であって、
前記第一光学素子は、上へ突起した凸面を含む、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月11日(2021.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有色ソーラーモジュールであって、
光入射側面、裏側面、及び前記光入射側面及び前記裏側面の間に配置されている光電池を含んでおり、
前記ソーラーモジュールの前記光入射側面にわたって延在している有色層であって、クリア塗料層及び前記クリア塗料層内に配置されている複数の不透明反射性顔料を含んでいる、有色層を有しており、
前記有色層内の複数の前記不透明反射性顔料の濃度は、約０．１質量％と約１５．０質量％との間であり、
前記ソーラーモジュールの相対太陽電池効率は、７０％又はそれ超であり、かつ
前記有色層及び前記有色層の下にある前記太陽電池を含んでいるソーラーモジュールの一部分の組合せと、前記有色層及び前記有色層の下にある前記太陽電池を含んでいないソーラーモジュールの一部分の組合せとの間の色差は、ＣＩＥＬＡＢ色空間で測定したときに、約３．０未満である、
有色ソーラーモジュール。
【請求項２】
前記有色層における複数の前記不透明反射性顔料の濃度が、約１．０質量％と約２．０質量％との間である、請求項１に記載の有色ソーラーモジュール。
【請求項３】
複数の前記不透明反射性顔料が、ＣＩＥＬＡＢ色空間で測定したときの彩度が３０又はそれ超の色を反射する、請求項１又は２に記載の有色ソーラーモジュール。
【請求項４】
複数の前記不透明反射性顔料が、ＣＩＥＬＡＢ色空間で測定したときの彩度が５０又はそれ超の色を反射する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有色ソーラーモジュール。
【請求項５】
前記光電池が封止材内に配置されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有色ソーラーモジュール。
【請求項６】
前記有色層が、前記封止材の光入射側面に直接接している、請求項５に記載の有色ソーラーモジュール。
【請求項７】
前記有色層の光入射側面にわたって延在している透明層を更に含んでいる、請求項６に記載の有色ソーラーモジュール。
【請求項８】
前記透明層が、透明ガラス又は透明樹脂から形成されている、請求項７に記載の有色ソーラーモジュール。
【請求項９】
前記光入射側面と前記有色層との間に透明層が配置されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の有色ソーラーモジュール。
【請求項１０】
複数の前記不透明反射性顔料が、複数の不透明全方向構造色反射性顔料を含んでいる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の有色ソーラーモジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月28日(2021.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のポートと、
前記複数のポートをロックするように構成され、前記複数のポートに通信可能に接続された回路のセットと
を備えたプロセス制御スイッチであって、前記回路のセットは、
（ｉ）プロセス制御環境内のデバイスの既知の物理アドレスを、デバイスが接続されている前記複数のポートのうちの１つ以上にマッピングし、（ｉｉ）前記複数のポートがロックされている間に新たな既知の物理アドレスで更新されない静的アドレステーブルを生成し、ここで、前記静的アドレステーブルは、複数の既知の物理アドレスを、ロック解除可能またはデバイスのデイジーチェーンに接続された単一のポートにマッピングし、前記回路のセットは、
前記複数のポートのそれぞれにおけるトラフィックを制限してもよく、ここで、前記回路のセットは、（ｉ）各ポートで転送されるメッセージの数をトラフィックしきい値に適合するように制御し、（ｉｉ）各ポートで受信されたメッセージのそれぞれに含まれるソース物理アドレスを認証し、前記回路のセットは、
（ａ）メッセージを分析して、メッセージに含まれるソース物理アドレスを識別することと、
（ｂ）前記静的アドレステーブルが、単一のポートにマッピングされた既知の物理アドレスとして前記ソース物理アドレスを列挙する場合、前記複数のポートのうちの１つを介してメッセージを転送することと、
（ｃ）静的アドレステーブルが、単一のポートにマッピングされた既知の物理アドレスとしてソース物理アドレスをリストしていない場合、メッセージをドロップすることと
を備える、プロセス制御スイッチ。
【請求項２】
前記回路のセットは、物理アドレスを前記複数のポートにマッピングするスイッチングテーブルに基づいて、ネットワークアドレスを使用せずに、前記複数のポートで受信されたメッセージを転送するように構成される、請求項１に記載のプロセス制御スイッチ。
【請求項３】
前記回路のセットは、ネットワークアドレスの分析に基づいて前記複数のポートで受信されたメッセージを転送するように構成される、請求項１に記載のプロセス制御スイッチ。
【請求項４】
前記回路のセットは、前記ステップを実行するように具体的に構成された特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）である、請求項１から３のいずれか一項に記載のプロセス制御スイッチ。
【請求項５】
前記静的アドレステーブルは、連想メモリ（ＣＡＭ）に格納されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセス制御スイッチ。
【請求項６】
前記静的テーブルは、前記プロセス制御スイッチがアンロック状態にある時に、前記回路のセットによって占有される動的アドレステーブルをコピーすることによって生成される、請求項１から５のいずれか一項に記載のプロセス制御スイッチ。
【請求項７】
前記動的アドレステーブルは、（ｉ）メッセージに含まれる宛先物理アドレス、および（ｉｉ）宛先物理アドレスにマッピングされた対応するポートに基づいて、受信メッセージの転送ポートを選択するために前記回路のセットによって利用されるスイッチングテーブルである、請求項６に記載のプロセス制御スイッチ。
【請求項８】
前記動的アドレステーブルは、（ｉ）メッセージに含まれる宛先物理アドレス、および（ｉｉ）宛先物理アドレスにマッピングされた対応するポートに基づいて、受信メッセージの転送ポートを選択するために前記回路のセットによって利用されるスイッチングテーブルとは異なるものである、請求項６に記載のプロセス制御スイッチ。
【請求項９】
前記回路のセットは、ユーザがユーザコマンドと対話して前記ロックコマンドを手動で開始することに応答して前記プロセス制御スイッチに送信されるロックコマンドを受信することに応答して前記ロックダウン動作を実施するように構成される、請求項１から８のいずれか一項に記載のプロセス制御スイッチ。
【請求項１０】
前記回路のセットは、前記プロセス制御スイッチが接続されたネットワーク上のセキュリティ脅威を検出するデバイスに応答して、前記プロセス制御スイッチに送信されたロックコマンドを受信することに応答して、前記ロックダウン動作を実施するように構成される、請求項１から９のいずれか一項に記載のプロセス制御スイッチ。
【請求項１１】
プロセス制御スイッチを、（ｉ）プロセス制御環境内のデバイスの既知の物理アドレスを、デバイスが接続されている、前記プロセス制御スイッチの前記複数のポートのうちの１つ以上にマッピングし、（ｉｉ）前記プロセス制御スイッチがロックされている間に新たな既知の物理アドレスで更新されない静的アドレステーブルを生成し、ここで、前記静的アドレステーブルは、複数の既知の物理アドレスを、単一のポートにマッピングし、
前記複数のポートのそれぞれにおけるトラフィックを制限し、（ｉ）各ポートで転送されるメッセージの数をトラフィックしきい値に適合するように制御し、（ｉｉ）各ポートで受信されたメッセージのそれぞれに含まれるソース物理アドレスを認証することによりロックすることを備える方法であって、前記認証は、
（ａ）メッセージを分析して、メッセージに含まれるソース物理アドレスを識別することと、
（ｂ）前記静的アドレステーブルが、単一のポートにマッピングされた既知の物理アドレスとして前記ソース物理アドレスを列挙する場合、前記複数のポートのうちの１つを介してメッセージを転送することと、
（ｃ）静的アドレステーブルが、単一のポートにマッピングされた既知の物理アドレスとしてソース物理アドレスをリストしていない場合、メッセージをドロップすることと
を備える、方法。
【請求項１２】
前記複数のポートの１つを介してメッセージを転送することは、物理アドレスを前記複数のポートにマッピングするスイッチングテーブルに基づいて、ネットワークアドレスを使用せずに前記メッセージを転送することを備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のポートの１つを介して前記メッセージを転送することは、ネットワークアドレスの分析に基づいて前記メッセージを転送することを備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記プロセス制御スイッチが接続されたネットワーク上のセキュリティ脅威を検出したデバイスに応答して、前記プロセス制御スイッチに送信されたロックコマンドを受信することをさらに含む方法であって、前記プロセス制御スイッチをロックすることは、前記ロックコマンドの受信に応答して生じる、請求項１１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記メッセージに含まれるソース物理アドレスを認証せずにメッセージが転送されるように前記認証を停止することによって前記プロセス制御スイッチをロック解除することをさらに含む、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月27日(2021.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生産実績データ分析装置であって、
１以上の記憶装置と、
１以上のプロセッサと、を含み、
前記１以上の記憶装置は、
複数の着工順序ルールモデル群と、
生産実績データにおけるイベントデータ、を格納し、
前記イベントデータは、複数の工程それぞれにおいて、実行待ちジョブから次に実行するジョブを選択したイベント、の情報を含み、
前記複数の着工順序ルールモデル群のそれぞれは、複数の着工順序ルールモデルで構成され、
各着工順序ルールモデル群の各着工順序ルールモデルは、前記複数の工程において対応する工程におけるイベントの実行待ちジョブから次に選択されるジョブを推定し、
前記１以上のプロセッサは、前記複数の工程における各工程において、
対応する着工順序ルールモデル群の複数の着工順序ルールモデルそれぞれによって、選択したイベントの推定結果を生成し、
前記推定結果それぞれが示すジョブと前記生産実績データにおける前記選択したイベントで実際に選択されたジョブとの一致不一致に基づき、前記選択したイベントの信頼度を決定し、
前記信頼度に基づき、前記選択したイベントを新たな着工順序ルールモデルの生成のための訓練データに含めるか否かを判定する、生産実績データ分析装置。
【請求項２】
請求項１に記載の生産実績データ分析装置であって、
前記１以上のプロセッサは、前記訓練データを使用して、前記新たな着工順序ルールモデルを構築する、生産実績データ分析装置。
【請求項３】
請求項１に記載の生産実績データ分析装置であって、
前記生産実績データは、前記複数の工程それぞれにおいて、ジョブの実行開始時刻及び実行完了時刻を示し、
前記１以上のプロセッサは、
前記生産実績データから前記イベントデータを生成し、前記イベントデータの生成において、前記ジョブの実行開始時刻及び実行完了時刻に基づき、前記イベントが前記次に実行するジョブとして選択したジョブ及び前記実行待ちジョブを特定する、生産実績データ分析装置。
【請求項４】
請求項１に記載の生産実績データ分析装置であって、
前記１以上のプロセッサは、
前記イベントデータまたは前記生産実績データと異なる生産実績データから生成されたイベントデータを使用して、前記複数の着工順序ルールモデル群を構築する、生産実績データ分析装置。
【請求項５】
請求項１に記載の生産実績データ分析装置であって、
前記複数の着工順序ルールモデルの少なくとも一部の着工順序ルールモデルは、互いに異なる機械学習手法により構成されたモデルである、生産実績データ分析装置。
【請求項６】
請求項１に記載の生産実績データ分析装置であって、
前記複数の着工順序ルールモデルの少なくとも一部の着工順序ルールモデルは、互いに異なるデータセットにより訓練されている、生産実績データ分析装置。
【請求項７】
請求項６に記載の生産実績データ分析装置であって、
前記異なるデータセットは、生産実績において分離された異なる期間におけるデータセットである、生産実績データ分析装置。
【請求項８】
請求項１に記載の生産実績データ分析装置であって、
前記１以上のプロセッサは、指定された工程の着工順序ルールモデル群による推定結果の情報を、出力デバイスにおいて提示する、生産実績データ分析装置。
【請求項９】
請求項１に記載の生産実績データ分析装置であって、
前記１以上のプロセッサは、前記生産実績データにおける、イベントの信頼度とイベント数との間の関係を出力デバイスにおいて提示する、生産実績データ分析装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の生産実績データ分析装置であって、
前記１以上のプロセッサは、
指定されたイベントの実績と、前記指定されたイベントに対応する複数の着工順序ルールモデルによる前記指定されたイベントの推定結果と、の関係を出力デバイスにおいて提示し、
前記訓練データに対する修正を、入力デバイスを介して受け付ける、生産実績データ分析装置。
【請求項１１】
生産実績データ分析装置が、生産実績データを分析する方法であって、
前記生産実績データ分析装置は、複数の着工順序ルールモデル群と、生産実績データにおけるイベントデータと、を含み、
前記イベントデータは、複数の工程それぞれにおいて、実行待ちジョブから次に実行するジョブを選択したイベント、の情報を含み、
複数の着工順序ルールモデル群のそれぞれは、複数の着工順序ルールモデルで構成され、
各着工順序ルールモデル群の各着工順序ルールモデルは、前記複数の工程において対応する工程の実行待ちジョブから次に選択されるジョブを推定し、
前記方法は、前記複数の工程における各工程において、
前記生産実績データ分析装置が、対応する着工順序ルールモデル群の複数の着工順序ルールモデルそれぞれによって、選択したイベントの実行待ちジョブに基づき、前記選択したイベントの推定結果を生成し、
前記生産実績データ分析装置が、前記推定結果それぞれが示すジョブと前記生産実績データにおける前記選択したイベントで実際に選択されたジョブとの一致不一致に基づき、前記選択したイベントの信頼度を決定し、
前記生産実績データ分析装置が、前記信頼度に基づき、前記選択したイベントを新たな着工順序ルールモデルの生成のための訓練データに含めるか否かを判定する、方法。
【請求項１２】
計算機システムに生産実績データ分析処理を実行させるプログラムであって、
前記計算機システムは、複数の着工順序ルールモデル群と、生産実績データにおけるイベントデータと、を含み、
前記イベントデータは、複数の工程それぞれにおいて、実行待ちジョブから次に実行するジョブを選択したイベント、の情報を含み、
複数の着工順序ルールモデル群のそれぞれは、複数の着工順序ルールモデルで構成され、
各着工順序ルールモデル群の各着工順序ルールモデルは、前記複数の工程において対応する工程の実行待ちジョブから次に選択されるジョブを推定し、
前記生産実績データ分析処理は、前記複数の工程における各工程において、
対応する着工順序ルールモデル群の複数の着工順序ルールモデルそれぞれによって、選択したイベントの実行待ちジョブに基づき、前記選択したイベントの推定結果を生成し、
前記推定結果それぞれが示すジョブと前記生産実績データにおける前記選択したイベントで実際に選択されたジョブとの一致不一致に基づき、前記選択したイベントの信頼度を決定し、
前記信頼度に基づき、前記選択したイベントを新たな着工順序ルールモデルの生成のための訓練データに含めるか否かを判定する、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月7日(2020.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像フレームからエッジを抽出し、前記映像フレームのエッジと前記映像フレームの撮影領域に前景となる物体がない状態で撮影された背景画像とを用いて、前記映像フレームから前景を抽出する前景抽出部を備え、
前記前景抽出部は、
前記映像フレームからエッジを抽出するエッジ抽出部と、
抽出されたエッジを構成する画素を含む局所領域と前記背景画像の前記局所領域に対応する比較領域とを設定する局所領域設定部と、
前記局所領域設定部により設定された前記局所領域の画像と前記比較領域の画像との類似度を計算する類似度計算部と、
前記類似度計算部が計算した前記類似度に対して二値化処理を実施し、前景を抽出する二値化処理部と
を備えた前景抽出装置。
【請求項２】
前記局所領域設定部は、前記エッジ抽出部が抽出したエッジを構成する画素について前記局所領域を設定した後、前記背景画像に前記比較領域を設定し、
前記類似度計算部は、前記局所領域設定部が前記局所領域と前記比較領域とを設定すると、前記局所領域の画像と前記比較領域の画像との類似度を計算する請求項１に記載の前景抽出装置。
【請求項３】
前記類似度計算部は、前記局所領域の画像と前記比較領域の画像との位置ずれ量を計算して、前記位置ずれ量を抑制して前記類似度の計算をする請求項１又は２に記載の前景抽出装置。
【請求項４】
前景抽出装置は、さらに、
前記背景画像のエッジを抽出する背景エッジ抽出部と、
前記背景エッジ抽出部が抽出したエッジで前記エッジ抽出部が抽出したエッジをマスキングするエッジマスク部と
を備える請求項１から３のいずれか１項に記載の前景抽出装置。
【請求項５】
前景抽出装置の前景抽出方法において、
前景抽出部が、映像フレームからエッジを抽出し、前記映像フレームのエッジと前記映像フレームの撮影領域に前景となる物体がない状態で撮影された背景画像とを用いて、前記映像フレームから前景を抽出する前景抽出方法であって、
前記前景抽出部は、
エッジ抽出部が、前記映像フレームからエッジを抽出し、
局所領域設定部が、抽出されたエッジを構成する画素を含む局所領域と前記背景画像の前記局所領域に対応する比較領域とを設定し、
類似度計算部が、前記局所領域設定部により設定された前記局所領域の画像と前記比較領域の画像との類似度を計算し、
二値化処理部が、前記類似度計算部が計算した前記類似度に対して二値化処理を実施し、前景を抽出する前景抽出方法。
【請求項６】
コンピュータに、
映像フレームからエッジを抽出し、前記映像フレームのエッジと前記映像フレームの撮影領域に前景となる物体がない状態で撮影された背景画像とを用いて、前記映像フレームから前景を抽出する前景抽出処理を実行させる前景抽出プログラムであって、
前記前景抽出処理は、
前記映像フレームからエッジを抽出するエッジ抽出処理と、
抽出されたエッジを構成する画素を含む局所領域と前記背景画像の前記局所領域に対応する比較領域とを設定する局所領域設定処理と、
前記局所領域設定処理により設定された前記局所領域の画像と前記比較領域の画像との類似度を計算する類似度計算処理と、
前記類似度計算処理が計算した前記類似度に対して二値化処理を実施し、前景を抽出する二値化処理と
を実行する前景抽出プログラム。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年6月8日(2021.6.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
３ＧＰＰ  ＴＲ  ２３．７８６  Ｖ１．０．０は、ｅＶ２Ｘ通信に対して以下の解決策を導入した：
［外２］
2020102842.tif 000001
2020102842.tif 000002
2020102842.tif 000003
2020102842.tif 000004
2020102842.tif 000005
［“UE  oriented  layer  2  link  establishment  procedure”と題する、３ＧＰＰ  ＴＲ  ２３．７８６  Ｖ１．０．０の図６．１１．３．１−１は、図５として複製される］
［外３］
2020102842.tif 000006
［“V2X  Service  oriented  layer  2  link  establishment  procedure”と題する、３ＧＰＰ  ＴＲ  ２３．７８６  Ｖ１．０．０の図６．１１．３．１−２は、図６として複製される］
レイヤ２リンクは、非ＩＰトラフィックをサポートする。ＩＰアドレスネゴシエーション及び割り当て手順は実施されない。
６．１１．３．２  リンク確立のためのシグナリングメッセージの内容
ＴＳ  ２４．３３４  ［１３］で定義されている直接通信要求メッセージで搬送される情報は、少なくとも以下の更新を必要とする：
−  「ＵＥ指向レイヤ２リンク確立」の場合
−  ユーザ情報は、開始側ＵＥのＩＤ（ＵＥ−１の上位レイヤＩＤ）の他に、ターゲットＵＥのＩＤ（ＵＥ−２の上位レイヤＩＤ）を含める必要がある。
注：ステージ３は、これらのＩＤを同じＩＥまたは別々のＩＥで搬送することができるかどうかを決定することができる。例えば、ステーションＩＤ／車両一時ＩＤは４オクテットだけでよい。
−  「Ｖ２Ｘサービス指向レイヤ２リンク確立」の場合
−  アナウンスされたＶ２Ｘサービス情報は、Ｌ２リンク確立を要求するＶ２Ｘサービスに関する情報、例えば、Ｖ２ＸアプリケーションのＰＳＩＤまたはＩＴＳ−ＡＩＤを含める必要がある。Ｖ２Ｘサービスでは、センサ共有などが可能である。
−  ＰｒｏＳｅのために必須として指定されたＩＰアドレス設定は、受信側ＵＥ（例えば、ＵＥ−２）がこの特定のリンクのためのいかなるＩＰ設定手順も開始しないように、ＩＰが使用されない指示を許容すべきである。
−  ｅＶ２Ｘのためのセキュリティメカニズムは異なることがあり、異なるＩＥを必要とするため、セキュリティ専用のＩＥは、ＳＡ３によってレビューされる必要がある。
−  例えば、ＲＲＣメッセージが使用されるときに、リンクに関する追加の設定情報は、ＡＳレイヤ設定にあってもよい。
６．１１．３．３  ユニキャスト通信のプライバシー保護のためのリンク識別子更新手順
［“Layer-2  link  identifier  update  procedure”と題する、３ＧＰＰ  ＴＲ  ２３．７８６  Ｖ１．０．０の図６．１１．３．３−１は、図７として複製される］
［外５］
2020102842.tif 000007
2020102842.tif 000008
2020102842.tif 000009
2020102842.tif 000010
2020102842.tif 000011
［“Establishment  of  secure  layer-2  link  over  PC5”と題する、３ＧＰＰ  ＴＲ  ２３．７８６  Ｖ１．０．０の図６．１９．２．１．２−１は、図８として複製される］
［外６］
2020102842.tif 000012
2020102842.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月23日(2021.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【非特許文献１】K. Deshpande, P. Green、"Recommendations for predicting spot colour overprints"、[online]、［平成３０年６月７日検索］、インターネット＜URL: http://www.color.org/ICC_white_paper_43_Draft2kd.doc＞
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月6日(2021.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極が積層された電極積層体と、前記電極積層体を取り囲むように配置され、前記電極積層体に設けられた複数の内部空間とそれぞれ連通された複数の第１連通孔を有する枠体とを有するモジュール本体と、
前記モジュール本体に取り付けられ、前記複数の第１連通孔とそれぞれ連通された複数の第２連通孔を有する圧力調整弁と、を備え、
前記圧力調整弁は、前記複数の第２連通孔が設けられた壁部を有し、
前記壁部は、
前記複数の第２連通孔の第１端が開口した外壁面と、
前記複数の第２連通孔の第２端が開口した内壁面と、
前記第１端を囲むように前記外壁面に設けられ、前記モジュール本体と接合された接合用突起と、を含み、
前記複数の第２連通孔の少なくとも一つは、前記接合用突起のバリを収容するための収容部を含み、
前記収容部は、前記第２連通孔の前記第１端を含む部分に設けられ、
前記収容部での前記第２連通孔の断面積は、前記第２端での前記第２連通孔の断面積よりも大きい、電池モジュール。
【請求項２】
前記収容部は、前記第２連通孔の断面積を前記第１端に向かうにつれて拡大させるテーパ状の内面を有している、請求項１に記載の電池モジュール。
【請求項３】
前記圧力調整弁は、前記複数の第２連通孔を塞ぐ複数の弾性体で形成された弁体を有し、
前記壁部は、前記第２端を囲むように前記内壁面から突出し、前記複数の弁体の少なくとも一つに押し付けられるシール部を含む、請求項１又は２に記載の電池モジュール。
【請求項４】
前記接合用突起は、
前記複数の第２連通孔の前記第１端を囲むように設けられた矩形状の枠部と、
前記枠部の内部を前記電極積層体の積層方向において二等分するように設けられた仕切り部と、を有し、
前記複数の第２連通孔は、前記積層方向において前記枠部よりも前記仕切り部の近くに配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月17日(2020.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、変換前文字列を確定文字列とマークアップ言語ツールチップとに変換することができるシステム及び方法を提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、システム及び方法は、変換前文字列を確定文字列とマークアップ言語ツールチップとに変換することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月11日(2020.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数のＴＦＴと、それぞれが前記複数のＴＦＴのいずれかに接続された複数のゲートバスラインおよび複数のソースバスラインと、複数の端子と、前記複数の端子と前記複数のゲートバスラインまたは前記複数のソースバスラインのいずれかとを接続する複数の引出し配線とを有する、駆動回路層と、
前記駆動回路層上に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成され、それぞれが前記複数のＴＦＴのいずれかに接続された複数の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ素子層と、
前記有機ＥＬ素子層を覆うように形成された薄膜封止構造とを有し、
前記層間絶縁層は、コンタクトホールを有し、
前記コンタクトホール内には、前記駆動回路層と前記有機ＥＬ素子層とを接続するコンタクト部が形成されており、
前記層間絶縁層は、少なくとも前記複数の端子を露出する第１無機保護層と、前記第１無機保護層上に形成された有機平坦化層とを有し、前記有機平坦化層の表面の算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下であり、
前記薄膜封止構造は、第１無機バリア層と、前記第１無機バリア層の上面に接する有機バリア層と、前記有機バリア層の上面に接する第２無機バリア層とを有し、前記有機バリア層は、前記第１無機バリア層と前記第２無機バリア層とが直接接触している無機バリア層接合部によって包囲されている領域内に形成されており、
前記基板の法線方向から見たとき、前記第１無機保護層が形成された領域内に、前記有機平坦化層が形成されており、前記有機平坦化層が形成された領域内に、前記複数の有機ＥＬ素子が配置されており、前記薄膜封止構造の外縁は、前記複数の引出し配線と交差し、かつ、前記有機平坦化層の外縁と前記第１無機保護層の外縁との間に存在し、
前記複数の引出し配線の上で前記第１無機保護層と前記第１無機バリア層とが直接接触する部分において、前記第１無機バリア層の、前記複数の引出し配線の線幅方向に平行な断面の形状における側面のテーパー角は、９０°未満である、有機ＥＬデバイス。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成された複数のＴＦＴと、それぞれが前記複数のＴＦＴのいずれかに接続された複数のゲートバスラインおよび複数のソースバスラインと、複数の端子と、前記複数の端子と前記複数のゲートバスラインまたは前記複数のソースバスラインのいずれかとを接続する複数の引出し配線とを有する、駆動回路層と、
前記駆動回路層上に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成され、それぞれが前記複数のＴＦＴのいずれかに接続された複数の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ素子層と、
前記有機ＥＬ素子層を覆うように形成された薄膜封止構造とを有し、
前記層間絶縁層は、コンタクトホールを有し、
前記コンタクトホール内には、前記駆動回路層と前記有機ＥＬ素子層とを接続するコンタクト部が形成されており、
前記層間絶縁層は、少なくとも前記複数の端子を露出する第１無機保護層と、前記第１無機保護層上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層上に形成された第２無機保護層を有し、前記第２無機保護層の表面の算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以下であり、
前記薄膜封止構造は、第１無機バリア層と、前記第１無機バリア層の上面に接する有機バリア層と、前記有機バリア層の上面に接する第２無機バリア層とを有し、前記有機バリア層は、前記第１無機バリア層と前記第２無機バリア層とが直接接触している無機バリア層接合部によって包囲されている領域内に形成されており、
前記基板の法線方向から見たとき、前記第１無機保護層が形成された領域内に、前記有機平坦化層が形成されており、前記有機平坦化層が形成された領域内に、前記複数の有機ＥＬ素子が配置されており、前記薄膜封止構造の外縁は、前記複数の引出し配線と交差し、かつ、前記有機平坦化層の外縁と前記第１無機保護層の外縁との間に存在し、
前記複数の引出し配線の上で前記第１無機保護層と前記第１無機バリア層とが直接接触する部分において、前記第１無機バリア層の、前記複数の引出し配線の線幅方向に平行な断面の形状における側面のテーパー角は、９０°未満である、有機ＥＬデバイス。
【請求項３】
それぞれが、前記複数の有機ＥＬ素子の１つを含む、複数の画素を有し、
前記コンタクト部は、前記複数の画素のそれぞれの内側に形成されている、請求項１または２に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項４】
前記複数の有機ＥＬ素子は、下部電極と、有機層と、前記有機層を介して前記下部電極と対向する上部電極とを有し、
前記コンタクト部は、前記下部電極と異なる材料で形成されている、請求項３に記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項５】
前記第１無機バリア層の前記側面の前記テーパー角は７０°未満である、請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項６】
前記有機平坦化層は、ポリイミドから形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬデバイス。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の有機ＥＬデバイスの製造方法であって、
前記基板上に前記駆動回路層を形成する工程Ａと、
前記駆動回路層上に、コンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する工程Ｂと、
前記層間絶縁膜を覆う、導電性を有するコンタクト膜を形成する工程Ｃと、
前記コンタクト膜の表面および前記層間絶縁膜の表面に化学機械研磨を施すことによって、前記層間絶縁層および前記コンタクト部を得る工程Ｄと
を包含する、製造方法。
【請求項８】
前記工程Ｃは、チタン膜をスパッタ法で形成する工程と、前記チタン膜上に、銅膜をめっき法で形成する工程とを包含する、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記工程Ｂは、前記駆動回路層上に第１無機保護膜を形成する工程と、前記第１無機保護膜上に有機平坦化膜を形成する工程とを包含し、
前記工程Ｄの後に、前記層間絶縁層を１００℃以上の温度に加熱する工程Ｅと、
前記工程Ｅの後に、前記層間絶縁層上に、前記有機ＥＬ素子に含まれる有機層を形成する工程Ｆと
を包含する、請求項７または８に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月7日(2021.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
例えば、添加剤である無機フィラーとしては、シリカ、珪藻土、ガラス球、タルク、クレー、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、三酸化アンチモン、酸化モリブデン等の金属酸化物、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の金属炭酸塩、硼酸亜鉛、メタ硼酸バリウムなどの金属ホウ酸塩、ハイドロタルサイト類などが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月18日(2021.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記突出部は、前記外導体の端縁から突出すると共に、前記外導体の内面に重なるように折り返して形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の構成によれば、突出部を折り返すという簡易な加工方法により、被覆電線に外導体の内面を接近させることができるので、コネクタ構造体の製造コストを低減させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、本実施形態によれば、突出部４０は、外導体２０の端縁から突出すると共に、外導体２０の内面に重なるように折り返されて形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
＜実施形態３＞
次に、本明細書に開示された技術の実施形態３について図１２から図１３を参照しつつ説明する。本実施形態に係る後外導体６０の後筒部６１においては、後筒部６１の左右両側縁の一方から突出した突出部６２Ａは、後筒部６１の内壁面に沿うように折り返されている。また、後筒部６１の左右両側縁の他方から突出した突出部６２Ｂは、突出部６２Ａの上に重なるように折り返されている。これにより、突出部６２Ａ及び突出部６２Ｂの、後筒部６１からの内方への突出寸法は、後筒部６１の厚さ寸法の２倍となっている。これにより、被覆電線１３に対して、後筒部６１の内面をより接近させることができるので、被覆電線１３の特性インピーダンスが変化することを抑制することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
（６）コネクタ構造体は、雄端子を備えた雄コネクタ構造体としてもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月18日(2021.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
誘電体７０の外周には、前外導体７２の誘電体係止部７３が外嵌している。誘電体係止部７３には、誘電体係止部７３が誘電体７０に外嵌した状態で、誘電体７０の位置決め凹部７１に対応する位置に、複数（本実施形態では４つ）の貫通孔７４が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
前外導体圧着部８５には、前外導体圧着部８５が誘電体係止部８３に圧着した状態で、係止凸部９２に対応する位置に、前外導体圧着部を８５貫通する係止凹部９３が形成されている。係止凹部９３の内形状は、係止凸部９２の外形状と同じか、やや大きく設定されている。前外導体圧着部８５が誘電体係止部８３に圧着した状態で、係止凸部９２が係止凹部９３内に嵌入するようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
（６）コネクタ構造体は、雄端子を備えた雄コネクタ構造体としてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
１０，５０，６０：雌コネクタ構造体（コネクタ構造体の一例）
１１：シールド電線
１３：被覆電線
１４：編組線（シールド部の一例）
１６：芯線
１７：絶縁被覆
１８：雌端子（内導体の一例）
１９，５１，６１，７０，８０：誘電体
２２：ワイヤーバレル（芯線接続部の一例）
２３：接続筒部（接続部の一例）
２８，８１：フランジ（抜け止め部の一例）
３３，５２，６７，７５，８７：後外導体
３４，５５，６４，７２，８２：前外導体
３５，５３：シールド圧着部
３７，５４，６８，７６，８５：前外導体圧着部
３８，５６：前筒部
３９，５７，６５，７３，８３：誘電体係止部
７８：接続突部
８４，９０，９２：係止凸部
８６，９１，９３：係止凹部
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月18日(2021.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の技術によれば、後外導体と、前外導体とは、少なくとも誘電体の一部に、後導体の誘電体圧着部が圧着すると共に、少なくとも誘電体圧着部の一部に後外導体係止部が係止することにより、接続されている。これにより、加熱することなく、後外導体と前外導体とを接続することができるので、熱によって誘電体に不具合が生じることを抑制することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
後外導体８２の誘電体圧着部８３には、誘電体圧着部８３が誘電体８０に圧着した状態で、係止凸部８１に対応する位置に、係止凹部８４Ａが形成されている。後外導体８２の左右両側縁が突き合わされた状態で、誘電体圧着部８３の上部に、係止凹部８４Ａが形成されるようになっている。係止凹部８４Ａは、上方から見て長方形状をなしている。係止凹部８４Ａの内形状は、係止凸部８１の外形状と同じか、やや大きく形成されている。誘電体圧着部８３が誘電体８０に圧着した状態で、係止凸部８１が係止凹部８４Ａ内に嵌入するようになっている。誘電体圧着部８３が誘電体８０に圧着した状態で、係止凸部８１の突出端面は、誘電体圧着部８３の外面と面一に形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
後外導体８２の誘電体圧着部８３には、誘電体圧着部８３が誘電体８０に圧着した状態で、誘電体８０の下側に形成された係止凸部に対応する位置に、係止凹部８４Ｂが形成されている。係止凹部８４Ｂは、下方から見て長方形状をなしている。係止凹部８４Ｂの内形状は、誘電体８０の下側に形成された係止凸部の外形状と同じか、やや大きく形成されている。誘電体圧着部８３が誘電体８０に圧着した状態で、誘電体８０の下側に形成された係止凸部が係止凹部８４Ｂ内に嵌入するようになっている。誘電体圧着部８３が誘電体８０に圧着した状態で、誘電体８０の下側に形成された係止凸部の突出端面は、誘電体圧着部８３の外面と面一に形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
（６）コネクタ構造体は、雄端子を備えた雄コネクタ構造体としてもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月16日(2021.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面および下面を有する平板状の基体と、前記基体の上面から上方に向って突出する複数の上面凸部と、前記基体の下面から窪んでいる凹部により構成されている通気路と、前記通気路に連通し、かつ、前記基体の上面に開口部を有する一または複数の通気孔と、を備える基板保持部材であって、
前記基体の上面に平行な指定方向に延在する、前記基体において前記通気路の上方にある天井部から下方に突出する凸条を有し、かつ、前記凸条の下端部が前記基体の下面または下端部と同じ高さに位置することを特徴とする基板保持部材。
【請求項２】
請求項１記載の基板保持部材において、
前記基体の上面において、前記天井部に配置されている前記上面凸部のうち前記凸条の存在領域に少なくとも一部の前記上面凸部が配置されていることを特徴とする基板保持部材。
【請求項３】
上面および下面を有する平板状の基体と、前記基体の上面から上方に向って突出する複数の上面凸部と、
前記基体の上面および下面の間に位置する前記基体の天井面と前記天井面と対向する前記基体の床面とにより少なくとも部分的に画定される中空空間により構成されている通気路と、前記通気路に連通し、かつ、前記基体の上面に開口部を有する一または複数の通気孔と、を備える基板保持部材であって、
前記基体の上面に平行な指定方向に延在する、前記基体において前記通気路の上方にある天井部から下方に突出する凸条を有し、かつ、前記凸条の下端部が前記床面と当接または一体化している、あるいは、
前記指定方向に延在する、前記基体において前記通気路の下方にある床部から上方に突出する凸条を有し、かつ、前記凸条の上端部が前記天井面と当接していることを特徴とする基板保持部材。
【請求項４】
請求項３記載の基板保持部材において、
前記基体の上面において、前記天井部に配置されている前記上面凸部のうち前記凸条の存在領域に少なくとも一部の前記上面凸部が配置されていることを特徴とする基板保持部材。