(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層で形成された固定部に対し複数の第１の梁を設け、その第１の梁に可動する四角枠の中間支持体を設け、この中間支持体に第２の梁を設け、該第２の梁に前記中間支持体の可動方向に対して垂直に励振される錘を設け、力学量に伴う前記錘の動きを容量検出する角速度センサにおいて、
前記中間支持体に対向する２辺の各１辺には、複数の前記第１の梁がそれぞれ延設し、
前記第１の梁及び第２の梁は、厚さが幅よりも大きく、
前記中間支持体及び前記錘は平面に平行な方向に可動することを特徴とする角速度センサ。
【請求項２】
全体構造が前記中間支持体の可動軸及び前記錘の可動軸に対称であることを特徴とする請求項１記載の角速度センサ。
【請求項３】
前記第１の梁、中間支持体、第２の梁、錘の全てが同じ厚さであることを特徴とする請求項１又は２記載の角速度センサ。
【請求項４】
前記第１の梁、中間支持体、第２の梁、錘の厚さは１０〜５０μｍであることを特徴とする請求項３記載の角速度センサ。
【請求項５】
前記中間支持体及び前記錘は同一平面上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の角速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、角速度を検出するための角速度センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、コリオリの力を利用してヨーレイトを検出するものとしては、圧電素子を使用した音叉型・音片型がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、複雑な形状の機械加工及び圧電素子の貼り付けが必要であり、小型化・低コスト化・高精度化が難しいという問題点がある。
【０００４】
そこで、この発明は、新規な構造の角速度センサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この発明は、半導体層で形成された固定部に対し複数の第１の梁を設け、その第１の梁に可動する四角枠の中間支持体を設け、この中間支持体に第２の梁を設け、該第２の梁に前記中間支持体の可動方向に対して垂直に励振される錘を設け、力学量に伴う前記錘の動きを容量検出する角速度センサにおいて、前記中間支持体に対向する２辺の各１辺には、複数の前記第１の梁がそれぞれ延設し、前記第１の梁及び第２の梁は、厚さが幅よりも大きく、前記中間支持体及び前記錘は平面に平行な方向に可動することを特徴とする角速度センサを要旨とするものである。
【０００６】
【作用】
第１の梁あるいは第２の梁が変形することにより錘が可動状態となっている。そして、角速度に伴う錘の動きが検出されて角速度が検出される。
【０００７】
【実施例】
以下、この発明を角速度センサに具体化した一実施例を図面に従って説明する。
【０００８】
図１には、本実施例の角速度センサの平面図を示し、図２には、図１のＡ−Ａ断面を示す。
基板１は単結晶シリコン基板よりなり、数ｍｍ角、厚さ２００〜５００μｍ程度のものである。この基板１の中央部分には長方形状の凹部２が形成されている。この凹部２内の側壁には第１の梁３，４，５，６が図１において上下方向（Ｙ軸）に延設されている。
【０００９】
又、凹部２内には四角枠状の中間支持体７が配置され、この中間支持体７は第１の梁３，４，５，６の他端に連結支持されている。四角枠状の中間支持体７の内壁には第２の梁８，９，１０，１１が図１において左右方向（Ｘ軸）に延設されている。中間支持体７の内方には錘１２が配置され、この錘１２は第２の梁８，９，１０，１１の他端に連結支持されている。
【００１０】
又、図２に示すように、第１の梁３，４，５，６と中間支持体７と第２の梁８，９，１０，１１と錘１２とは、凹部２の底面との間に所定のギャップ（空間）が形成されている。
【００１１】
尚、第１及び第２の梁３〜６，８〜１１は、幅数μｍ、厚さ１０〜５０μｍとなっている。又、中間支持体７は幅が数１０μｍにて枠状に形成され、厚さ１０〜５０μｍとなっている。又、錘１２は、縦・横の寸法が数１００μｍで厚さ１０〜５０μｍの直方体よりなっている。
【００１２】
図１での中間支持体７の外面における左右の側壁には電極１３，１４が形成され、電極１３，１４と相対向する凹部２の内壁には電極１５，１６が形成されている。よって、電極１３，１５により対向電極が構成されるとともに、電極１４，１６により対向電極が構成されている。
【００１３】
又、図１での中間支持体７における上下の内壁には電極１７，１８が形成され、電極１７，１８と相対向する錘１２の側壁には電極１９，２０が形成されている。よって、電極１７，１９により対向電極が構成されるとともに、電極１８，２０により対向電極が構成されている。
【００１４】
又、第１及び第２の梁３〜６，８〜１１と中間支持体７と錘１２とは、後述するように、犠牲層エッチングを用いた基板１の表面マイクロマシニング技術によって作成される。
【００１５】
次に、角速度センサの製造工程を図３，４，５を用いて説明する。
図３に示すように、単結晶シリコン基板２１を用意し、その基板２１の表面に数μｍ〜１０μｍのｐ型拡散層を形成する。その後、単結晶シリコン基板２１上に１０〜５０μｍのｎ型エピタキシャル層２２を成長させる。このとき、ｐ型埋め込み層２３が形成される。このｐ型埋め込み層２３の形成領域を図６にて示す。
【００１６】
そして、図４に示すように、ＲＩＥによりｎ型エピタキシャル層２３に対し図６に示すようなパターンのトレンチ２４を形成する。さらに、図５に示すように、電気化学エッチングにより選択的にｐ型埋め込み層２３を除去する（犠牲層エッチング）。
【００１７】
このように製造された角速度センサにおいては、次のような動作をする。
まず、図１の対向電極１７，１９及び対向電極１８，２０に交流電圧を印加して、静電気力により図１での上下方向（Ｙ軸）に錘１２を振動（励振）させる。つまり、第２の梁８〜１１の撓みによりＹ軸方向への変位が可能である。
【００１８】
そして、図１の紙面に直交する軸に回転角速度（ヨーレイト；Ω）が加わると、もとの振動（Ｙ軸）に対し直角方向、即ち、図１の左右方向（Ｘ軸）にコリオリ力が発生する。このとき、錘１２の質量をｍ、図１の紙面に直交する軸の回りヨーレイトをΩ、励振による錘１２の速度をｖとすると、錘１２にはＸ方向にＦ＝２ｍｖΩのコリオリ力が働く。
【００１９】
錘１２は中間支持体７に対してはＸ方向に変位できないが、コリオリ力は第２の梁８〜１１を介して中間支持体７に伝わる。そして、中間支持体７は第１の梁３〜６の撓みによってＸ方向に変位可能である。この中間支持体７の変位量はほぼコリオリ力に比例するものである。このコリオリ力による錘１２の変位が対向電極１３，１５及び対向電極１４，１６により容量変化として検出される。この容量変化に基づいて回転角速度（ヨーレイト；Ω）が検出される。
【００２０】
尚、錘１２の変位量の測定方法としては、他にもコンデンサ（対向電極１３，１５及び対向電極１４，１６）の容量変化、即ち、中間支持体７のＸ方向変位が「０」になるようにコンデンサにかける電圧をサーボ制御し、その印加電圧によりコリオリ力を求めるようにしてもよい。
【００２１】
このように本実施例では、基板１（固定部）に対し第１の梁３，４，５，６を延設し、その第１の梁３，４，５，６に可動する中間支持体７を設け、この中間支持体７に第１の梁３，４，５，６にほぼ直交する方向に延びる第２の梁８，９，１０，１１を延設し、同第２の梁８，９，１０，１１に錘１２を設け、第１の梁３，４，５，６及び第２の梁８，９，１０，１１は、厚さが幅よりも大きくし、対向電極１７，１９及び対向電極１８，２０を励振用電極（励振用コンデンサ）とするとともに対向電極１３，１５及び対向電極１４，１６を角速度検出用電極（検出用コンデンサ）とし、角速度の印加に伴う錘１２の動きを検出するようにした。このように、マイクロ加工が可能な平面状態で２次元的に変位可能な錘１２を有する梁構造となり、新規な構造の角速度センサとなる。
【００２５】
【発明の効果】
以上詳述したようにこの発明によれば、新規な構造の角速度センサとすることができる優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の角速度センサの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】角速度センサの製造工程を示す断面図である。
【図４】角速度センサの製造工程を示す断面図である。
【図５】角速度センサの製造工程を示す断面図である。
【図６】角速度センサの製造工程を示す平面図である。
【符号の説明】
１  固定部としての基板
３，４，５，６  第１の梁
７  中間支持体
８，９，１０，１１  第２の梁
１２  錘
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0003669713.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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