(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持手段により磁気記録媒体に対向する位置に保持されてＣＳＳ（Contact Start and Stop）動作により前記磁気記録媒体に対する記録および／または再生を行う磁気ヘッドに形成される保護膜であって、
前記磁気ヘッドの前記磁気記録媒体に対向する被保護面を覆うように形成され、前記被保護面上にＳｉ膜、ＤＬＣ（diamondlike carbon）膜およびｔａ−Ｃ（tetrahedral amorphous carbon）膜の順に各膜を形成して成る保護膜。
【請求項２】
保持手段により磁気記録媒体に対向する位置に保持されてＣＳＳ（Contact Start and Stop）動作により前記磁気記録媒体に対する記録および／または再生を行う磁気ヘッドに形成される保護膜であって、
前記磁気ヘッドの前記磁気記録媒体に対向する被保護面を覆うように形成され、前記被保護面上にスパッタ法によるＳｉ膜、ＣＶＤ法によるＤＬＣ（diamondlike carbon）膜およびカソーディックアーク法によるｔａ−Ｃ（tetrahedral amorphous carbon）膜の順に各膜を形成して成る保護膜。
【請求項３】
請求項２に記載の保護膜において、
前記ＣＶＤ法によるＤＬＣ膜に代えて、ＩＢＤ（Ion Beam Deposition）法によるＤＬＣ膜を形成したことを特徴とする保護膜。
【請求項４】
請求項２に記載の保護膜において、
前記ＣＶＤ法によるＤＬＣ膜に代えて、スパッタ法によるＤＬＣ膜を形成したことを特徴とする保護膜。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかに記載の保護膜において、
前記スパッタ法によるＳｉ膜に代えて、ＩＢＤ法によるＳｉ膜を形成したことを特徴とする保護膜。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の保護膜において、
前記ｔａ−Ｃ膜上にＳｉ膜、ＤＬＣ（diamondlike carbon）膜およびｔａ−Ｃ（tetrahedral amorphous carbon）膜の順に各膜を形成して成るパッドを形成したことを特徴とする保護膜。
【請求項７】
保持手段により磁気記録媒体に対向する位置に保持されてＣＳＳ（Contact Start and Stop）動作により前記磁気記録媒体に対する記録および／または再生を行う磁気ヘッドの保護膜作成方法であって、
前記磁気ヘッドの前記磁気記録媒体に対向する被保護面上にスパッタ法によりＳｉ膜を形成し、前記Ｓｉ膜上にＣＶＤ法によりＤＬＣ（diamondlike carbon）膜を形成し、前記ＤＬＣ膜上にカソーディックアーク法によりｔａ−Ｃ（tetrahedral amorphous carbon）膜を形成する保護膜作成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録装置の磁気ヘッドに形成される保護膜、およびその保護膜の作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスや磁気記録装置等においては、高性能化が進むにつれてより薄く、強度・耐久性・耐腐食性を兼ね備えた保護膜が要求されている。例えば、磁気記録装置に用いられる磁気ヘッドの場合、従来は、磁気ヘッドの基材上に下地層としてＳｉ膜を形成した後に、保護膜としてＤＬＣ（ｄｉａｍｏｎｄｌｉｋｅ  ｃａｒｂｏｎ）膜が形成される。さらに、近年においては、より硬度が高く耐摩耗性の良い膜として、カソーディックアーク法によるｔａ−Ｃ（ｔｅｔｒａｈｅｄｒａｌ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｃａｒｂｏｎ）膜が注目されている。このｔａ−Ｃ膜は緻密な膜を形成するため、耐摩耗性に加えて耐腐食性にも優れていることが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、カソーディックアーク法で成膜されるｔａ−Ｃ膜は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜されるＤＬＣ膜に比べてステップカバレッジに劣り、耐腐食性に問題が生じるという欠点がある。これは、カソーディックアーク法は比較的高真空で成膜が行われるため平均自由行程が長く、成膜粒子の進行方向に対して影になる部分に付着しにくいことに起因している。また、Ｓｉ膜との硬度差が大きいために、Ｓｉ膜とｔａ−Ｃ膜との内部応力の差が大きくなり密着性が悪いという問題があった。
【０００４】
本発明の目的は、耐腐食性や耐摩耗性に優れ、さらに密着性の良い保護膜、およびその保護膜の作成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
発明の実施の形態を示す図１および図２に対応付けて説明する。
（１）請求項１の発明は、保持手段２により磁気記録媒体３に対向する位置に保持されてＣＳＳ（Contact Start and Stop）動作により磁気記録媒体３に対する記録および／または再生を行う磁気ヘッド１に形成される保護膜であって、磁気ヘッド１の磁気記録媒体３に対向する被保護面Ｐを覆うように形成され、被保護面Ｐ上にＳｉ膜６、ＤＬＣ（diamondlike carbon）膜７およびｔａ−Ｃ（tetrahedral amorphous carbon）膜８の順に各膜を形成して上述の目的を達成する。
（２）請求項２の発明は、保持手段２により磁気記録媒体３に対向する位置に保持されてＣＳＳ（Contact Start and Stop）動作により磁気記録媒体３に対する記録および／または再生を行う磁気ヘッド１に形成される保護膜であって、磁気ヘッド１の磁気記録媒体３に対向する被保護面Ｐを覆うように形成され、被保護面Ｐ上にスパッタ法によるＳｉ膜６、ＣＶＤ法によるＤＬＣ（diamondlike carbon）膜７およびカソーディックアーク法によるｔａ−Ｃ（tetrahedral amorphous carbon）膜８の順に各膜を形成して上述の目的を達成する。
（３）請求項３の発明は、請求項２に記載の保護膜において、ＣＶＤ法によるＤＬＣ膜７に代えて、ＩＢＤ（Ion Beam Deposition）法によるＤＬＣ膜７を形成したものである。
（４）請求項４の発明は、請求項２に記載の保護膜において、ＣＶＤ法によるＤＬＣ膜７に代えて、スパッタ法によるＤＬＣ膜７を形成したこものである。
（５）請求項５の発明は、請求項２〜４のいずれかに記載の保護膜において、スパッタ法によるＳｉ膜６に代えて、ＩＢＤ法によるＳｉ膜６を形成したものである。
（６）請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の保護膜において、ｔａ−Ｃ膜８上にＳｉ膜９、ＤＬＣ（diamondlike carbon）膜１０およびｔａ−Ｃ（tetrahedral amorphous carbon）膜１１の順に各膜を形成して成るパッドＣを形成したものである。
（７）請求項７の発明は、保持手段２により磁気記録媒体３に対向する位置に保持されてＣＳＳ（Contact Start and Stop）動作により磁気記録媒体３に対する記録および／または再生を行う磁気ヘッド１の保護膜作成方法であって、磁気ヘッド１の磁気記録媒体３に対向する被保護面Ｐ上にスパッタ法によりＳｉ膜６を形成し、Ｓｉ膜６上にＣＶＤ法によりＤＬＣ（diamondlike carbon）膜７を形成し、ＤＬＣ膜７上にカソーディックアーク法によりｔａ−Ｃ（tetrahedral amorphous carbon）膜８を形成することにより上述の目的を達成する。
【０００６】
なお、上記課題を解決するための手段の項では、本発明を分かり易くするために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明による保護膜が適用される磁気記憶装置の一例を示す図であり、（ａ）は磁気ディスク装置の一部を示す斜視図で、（ｂ），（ｃ）は磁気ヘッドを浮上させた場合および着地させた場合のＡ矢視図である。磁気ヘッド１はアーム２の先端に装着されており、アーム２を矢印Ｒ１のようにスイングさせることによって、回転する磁気ディスク３上の任意の位置に磁気ヘッド１を円滑に移動させることができる。図１に示す磁気記憶装置ではＣＳＳ（Ｃｏｎｔａｃｔ  Ｓｔａｒｔ  ａｎｄ  Ｓｔｏｐ）が採用されており、アクセス時、すなわち磁気ディスク３に対してデータの記録や再生を行う際には図１（ｂ）のように磁気ヘッド１を浮上させる。その他の非アクセス時には、図１（ｃ）のように磁気ヘッド１を磁気ディスク３に着地させる。
【０００８】
次に、磁気ヘッド１の基板５上に形成された保護膜の層構成について説明する。図２は磁気ヘッド１の断面の一部を模式的に示したものであり、図示上方に磁気ディスク３の記録面が位置する。基板５には磁気ヘッド１を構成する様々な素子が形成されているため、その表面Ｐは凹凸を有している。保護膜は耐腐食膜Ｂと耐摩耗膜Ｃとから成り、各膜Ｂ，Ｃとも３層構造を成している。主に基板５を腐食等から保護する耐腐食膜Ｂは、基板５側から順にＳｉ膜６，ＤＬＣ膜７およびｔａ−Ｃ膜８を形成したものであり、被保護面である表面Ｐの全体に形成されている。
【０００９】
一方、耐摩耗膜Ｃは、上述した非アクセス時に磁気ディスク３に接触する部分であり、一般的にパッドと呼ばれる。耐摩耗膜Ｃも耐腐食膜Ｂ側から順に、Ｓｉ膜９，ＤＬＣ膜１０およびｔａ−Ｃ膜１１を形成したものである。非アクセス時には、パッドＣのみが磁気ディスク３と接触し、耐腐食膜Ｂは磁気ディスク３と接触することが無い。通常、耐腐食膜Ｂの膜厚ｔ１は約５０オングストローム（Å）以下とされ、耐摩耗膜Ｃの膜厚ｔ２は数百オングストローム程度とされる。
【００１０】
Ｓｉ膜６，９はスパッタ法やＩＢＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜される。ＤＬＣ膜７，１０は、ＥＣＲ−ＣＶＤ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ−ＣＶＤ）等のＣＶＤ法や、スパッタ法や、ＩＢＤ法により成膜される。また、ｔａ−Ｃ膜８，１１はカソーディックアーク法により成膜される。
【００１１】
スパッタ法では、真空中にアルゴンなどの放電用ガスを導入し、グロー放電を発生させる。そして、プラズマ中の正イオンで陰極上のターゲット表面を衝撃して、スパッタされたターゲット原子を基板上に付着させて成膜を行う。例えば、Ｓｉ膜を形成する場合はシリコンターゲットを用い、ＤＬＣ膜を形成する場合にはカーボングラファイトのターゲットを用いる。また、ＩＢＤ法では、成膜用の材料ガスをイオン化して、そのイオンを基板に照射して薄膜を形成する。ＣＶＤ法による成膜装置およびカソーディックアーク法による成膜装置については後述する。
【００１２】
図３は、各膜と、その膜の形成に用いられる成膜法との組み合わせを示したものであり、「○」印の付いている成膜法が採用される。図３に示した成膜法において、ＣＶＤ法やＩＢＤ法はステップカバレッジに優れ、スパッタ法はそれらに次ぐ。しかし、高真空中で成膜が行われるカソーディックアーク法は、ステップカバレッジが劣っている。また、膜厚数十〜数百オングストロームの薄いＤＬＣ膜を形成する場合には、ステップカバレッジの点でＥＣＲ−ＣＶＤ法が優れている。
【００１３】
図２に示すような保護膜を形成する場合には、例えば、スパッタ法によりＳｉ膜６を形成した後、ＥＣＲ−ＣＶＤ法によりＤＬＣ膜７を形成し、その上にカソーディックアーク法によりｔａ−Ｃ膜８を形成する。さらに同様の成膜を繰り返してＳｉ膜９，ＤＬＣ膜１０，ｔａ−Ｃ膜１１を成膜する。その後、ｔａ−Ｃ膜１１上に、島状のパッドＣを形成するためのレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクに用い、パッドＣ以外の部分のＳｉ膜９，ＤＬＣ膜１０，ｔａ−Ｃ膜１１をエッチングにより除去することにより、図２に示すような保護膜Ｂ，Ｃが形成される。
【００１４】
本実施の形態の保護膜Ｂ，Ｃを、Ｓｉ膜を下地膜としてｔａ−Ｃ膜を形成する従来の保護膜と比較すると、以下のような利点を有する。従来は、Ｓｉ膜６の上に直接ｔａ−Ｃ膜８を形成していたが、ｔａ−Ｃ膜８の内部応力はＳｉ膜６の内部応力に比べてかなり大きいため、Ｓｉ膜６とｔａ−Ｃ膜８との間の密着性が悪いという問題があった。本実施の形態では、Ｓｉ膜６より内部応力が高く、かつ、ｔａ−Ｃ膜８より内部応力が低いＤＬＣ膜７をＳｉ膜６とｔａ−Ｃ膜８との間に介在させたことにより、各膜の間の内部応力差を小さくするようにした。その結果、ｔａ−Ｃ膜８の密着性を従来より向上させることができた。
【００１５】
また、ｔａ−Ｃ膜８の形成に用いられるカソーディックアーク法はステップカバレッジが悪いため、図２に示すようにｔａ−Ｃ膜８の段差側面部分の膜厚が平坦部分に比べて薄くなりやすく、耐腐食性の点で欠点があった。しかし、本実施の形態では、ＣＶＤ法などで形成されステップカバレッジの良好なＤＬＣ膜７をＳｉ膜６上に形成し、そのＤＬＣ膜７上にｔａ−Ｃ膜８を形成しているので、段差側面部分にも十分な膜厚の保護膜（ＤＬＣ膜７およびｔａ−Ｃ膜８）を形成することができる。その結果、十分な耐腐食性を確保することができる。
【００１６】
パッドＣの高さはｔ２は磁気ヘッド１と磁気ディスク３とのギャップでもあり、上述したように数百オングストローム（Å）と耐腐食性膜Ｂの膜厚よりも大きい。本実施の形態では、このパッドＣも３層構造としている。それは、ｔａ−Ｃ膜は耐摩耗性が高いのでパッドとしては適しているが、カソーディックアーク法は比較的コストが高いため、パッドＣをｔａ−Ｃ膜だけで構成するとコストが増加するという欠点がある。そのため、本実施の形態では、比較的低コストのＤＬＣ膜１０を形成した上に薄いｔａ−Ｃ膜１１を形成することにより、パッド形成のコスト低減を図るようにした。また、Ｓｉ膜の上に一旦ＤＬＣ膜を成膜した上で、ｔａ−Ｃ膜を成膜することにより、応力を緩和するという効果もある。
【００１７】
次いで、ＤＬＣ膜の成膜に用いられるＥＣＲ−ＣＶＤ装置、および、ｔａ−Ｃ膜の成膜に用いられるカソーディックアーク法による成膜装置について説明する。図４は、ＤＬＣ膜７，１０の成膜に用いられるＥＣＲ−ＣＶＤ装置の概略構成を示す図である。ＥＣＲ−ＣＶＤ装置１４は、配置された試料Ｓ（本実施の形態では磁気ヘッド１）にＤＬＣ膜を形成する反応室２０，反応室２０にプラズマ流を導入するＥＣＲプラズマ発生部２１，試料Ｓにバイアス電圧を印加するバイアス電源部２２、反応室２０内に反応ガスを導入する反応ガス導入部２３、および装置全体のコントロールを行うとともに成膜条件の制御を行う制御部２４を備えている。
【００１８】
ＥＣＲプラズマ発生部２１は、磁場内にマイクロ波電力を供給して電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生し、反応室２０内にプラズマ流を導入する機構である。マイクロ波源２５で発生した２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管２６を介してプラズマ室２７に導入し、マイクロ波放電を発生させる。さらに、コイル２８，２９による磁場によってＥＣＲ条件の磁束密度８７５Ｇを形成して電子サイクロトロン共鳴を発生させることにより、活性なＥＣＲプラズマを発生させる。プラズマ室２７内に発生したＥＣＲプラズマは、プラズマ窓３０から発散磁界に沿って反応室２０内の試料Ｓ側に移動する。
【００１９】
バイアス電源部２２においては、バイアス電源３１がマッチングユニット３２を介して反応室２０内の試料保持機構に接続されており、反応室２０内に配置された試料Ｓに負のバイアス電圧が印加される。このバイアス電圧は電圧モニタ３３により測定される。反応ガス導入部２３から反応室２０内に導入された反応ガスはＥＣＲによる高密度プラズマ内でイオン化され、上記負バイアス電圧によって試料Ｓ上に成膜される。ＤＬＣ膜を成膜する場合には、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、メタン（ＣＨ４）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）等が成膜ガスとして反応ガス導入部２３から供給される。３４は反応室２０内の排気を行う排気ポンプであり、３５は反応室２０内の圧力を測定する圧力計である。
【００２０】
図５は、カソーディックアーク法の一種であるＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ  Ｃａｔｈｏｄｉｃ  Ｖａｃｕｕｍ  Ａｒｃ）法でｔａ−Ｃ膜の成膜を行うＦＣＶＡ成膜装置の概略構成を示す図である。図４に示すように、ＦＣＶＡ成膜装置はプラズマ発生部４０，フィルタ部４１，ビームスキャン装置４２，成膜チャンバ４３および装置全体を制御する制御装置４４で構成されている。
【００２１】
プラズマ発生部４０は、ターゲット４５が装着される陰極部４６と、陰極部４６が固定される陽極チャンバ４７と、アーク放電のきっかけを作るためのトリガ４８とを備えている。ｔａ−Ｃ膜を成膜する場合には、ターゲット４５にはグラファイトが用いられる。陰極部４６はアーク電源（定電流源）４９の負端子に接続されており、一方、トリガ４８およびアーク電源４９の正端子に接続されている陽極チャンバ４７はそれぞれ接地されていてアース電位となっている。トリガ４８は、軸４８０を回転軸としてステップモータ等の駆動部５０により回転駆動される。トリガ４８の角度は図示しない角度センサで検出される。
【００２２】
陰極部４６と陽極チャンバ４７とは、絶縁部材５１によって電気的に絶縁されている。陽極チャンバ４７の外周には陽極チャンバ４７内にアキシャル磁場を形成する磁気コイル５１が設けられており、電源５２から励磁電流が供給される。なお、図示していないが、陰極部４６には水冷ジャケットのような冷却手段が設けられている。
【００２３】
フィルタ部４１は、屈曲したトロイダルダクト５３とその周囲に設けられた磁気コイル５４とを有している。磁気コイル５４にも電源５２から励磁電流が供給される。フィルタ部４１と陽極チャンバ４７とは絶縁材５５を介して互いに固定されていて、両者は電気的に絶縁されている。トロイダルダクト５３にはバイアス電源５６によりバイアス電圧が印加されている。
【００２４】
成膜チャンバ４３内には基板ステージ５７が設けられており、この基板ステージ５７に成膜対象物５８が装着される。成膜チャンバ４３とフィルタ部４１とは絶縁部材５９を介して固定されていて、互いに電気的に絶縁されている。成膜チャンバ４３のビーム導入ダクト部６０の周囲にはビームスキャン装置４２が設けられており、フィルタ部４１から出射されたプラズマビームをビームに直交する方向に偏向走査する。
【００２５】
ビームスキャン装置４２は、例えば、一対のＣ字形状磁気コア（不図示）から成る。一方の磁気コアの磁極はダクト部６０を挟んで図示上下に配設され、他方の磁気コアの磁極はダクト部６０を挟んで紙面に直交する方向に配設される。この場合、プラズマビームは図示上下方向および紙面に直交する方向に偏向走査される。ビームスキャン装置４２の磁気コアにはソレノイドコイル（不図示）が巻き付けられており、そのソレノイドコイルには電源６１により励磁電流が供給される。
【００２６】
図６はトロイダルダクト５３の形状の一例を示す図であり、（ａ）はダクト上方から見た平面図、（ｂ）は正面図である。トロイダルダクト５３は３つの直管部５３１，５３３，５３５と、それらを繋ぐ２つの屈曲部５３２，５３４とを有している。直管部５３１および５３５の開口部にはフランジ５３６，５３７がそれぞれ設けられている。直管部５３１の軸方向と直管部５３５の軸方向とは互いに９０度の角度を成しており、直管部５３１はｚ軸に沿って配設され、直管部５３５はｘ軸に沿って配設されている。
【００２７】
次に、図５を参照してＦＣＶＡ成膜装置の成膜動作を説明する。破線で示す位置からトリガ４８をターゲット４５側に倒すと、トリガ４８の先端に設けられたトリガチップ４８ａとターゲット４５との間にアーク放電が発生する。そして、このアーク放電をきっかけに陽極チャンバ４７と陰極部４６との間にもアーク放電が発生し、プラズマが生成される。このプラズマ中には、グラファイトターゲット４５からのカーボンイオンや多数のカーボン原子から成るクラスター（マクロパーティクルと呼ばれる）が含まれている。
【００２８】
陽極チャンバ４７内には磁気コイル５１によりアキシャル磁場が形成されていおり、ターゲット４５から放出されたカーボンイオンや電子を含むプラズマビームは、このアキシャル磁場により集束されるとともにフィルタ部４１のトロイダルダクト５３へと導かれる。トロイダルダクト５３内には、バイアス電圧による電場（ラジアル電場）と、磁気コイル５４によるダクト５３の軸に沿ったアキシャル磁場とが形成されている。そのため、フィルタ部４１は、プラズマビームから所望のカーボンイオンのみを成膜チャンバ４３へと通過させるフィルタとして機能している。
【００２９】
成膜チャンバ４３に導かれたカーボンイオンは、基板ステージ５７に装着された成膜対象物５８に照射される。このとき、ビームスキャン装置４２を用いてカーボンイオンのビームをその直交する方向に偏向走査することにより、成膜対象物５８の広い領域に均一にカーボンイオンを照射することができる。このように、ＦＣＶＡ成膜装置では、カーボンイオンを図５の右側から成膜対象物５８に照射してｔａ−Ｃ膜を成膜している。そのため、図２に示すような凹凸形状の基板５に対して成膜した場合、段差側面部分にカーボンイオンが付着し難くステップカバレッジが悪なる傾向がある。
【００３０】
以上説明した実施の形態と特許請求の範囲の要素との対応において、アーム２は保持手段を、磁気ディスク３は磁気記録媒体を、表面Ｐは被保護面をそれぞれ構成する。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被保護面に形成されたＳｉ膜上にステップカバレッジの良いＤＬＣ膜を形成し、そのＤＬＣ膜上に耐腐食性および耐摩耗性のよいｔａ−Ｃ膜を形成したので、ｔａ−Ｃ膜のカバレッジの悪さがＤＬＣ膜で補われ、耐腐食性および耐摩耗性に優れた保護膜を形成することができる。特に、請求項６の発明では、さらにＳｉ膜、ＤＬＣ膜およびｔａ−Ｃ膜の３層構造のパッドを形成したので、磁気記録面との接触の際の耐摩耗性に優れている。また、このパッドは成膜レートの高いＤＬＣ膜を形成した上に耐摩耗性の良いｔａ−Ｃ膜を形成するようにしたので、パッド形成の成膜コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による保護膜が適用される磁気記憶装置の一例を示す図であり、（ａ）は磁気ディスク装置の一部を示す斜視図で、（ｂ），（ｃ）は磁気ヘッドを浮上させた場合および着地させた場合のＡ矢視図である。
【図２】保護膜Ｂ，Ｃの層構成を説明する図である。
【図３】保護膜を構成する各膜と、成膜法との組み合わせを示す図である。
【図４】ＥＣＲ−ＣＶＤ装置の概略構成を示す図である。
【図５】ＦＣＶＡ成膜装置の概略構成を示す図である。
【図６】ＦＣＶＡ成膜装置のトロイダルダクト５３の形状を示す図であり、（ａ）平面図、（ｂ）は正面図である。
【符号の説明】
１  磁気ヘッド
３  磁気ディスク
５  基板
６，９  Ｓｉ膜
７，１０  ＤＬＣ膜
８，１１  ｔａ−Ｃ膜
１４  ＥＣＲ−ＣＶＤ装置
４０  プラズマ発生部
４１  フィルタ部
４２  ビームスキャン部
４３  成膜チャンバ
４４  制御部
Ｂ  耐腐食膜
Ｃ  耐摩耗膜（パッド）
Ｐ  表面
【図１】
0003624843.tif 000002
【図２】
0003624843.tif 000003
【図３】
0003624843.tif 000004
【図４】
0003624843.tif 000005
【図５】
0003624843.tif 000006
【図６】
0003624843.tif 000007