(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、表示を行うための複数の絵素領域を有する液晶表示装置であって、
前記複数の絵素領域ごとに、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた絵素電極と、前記絵素電極に電気的に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記絵素電極は、複数のサブ絵素電極と、それぞれが前記複数のサブ絵素電極の少なくとも一部のサブ絵素電極を互いに電気的に接続する複数の接続部とを有し、
前記複数のサブ絵素電極のうちの少なくとも１つのサブ絵素電極は、前記スイッチング素子に複数の接続経路を介して電気的に接続されており、
前記第２基板に設けられ前記複数の絵素電極に前記液晶層を介して対向する対向電極をさらに有し、
前記絵素電極は、前記複数のサブ絵素電極と前記複数の接続部とを含む中実部と、複数の開口部とから構成されており、
前記複数の絵素領域のそれぞれにおいて、前記液晶層は、前記絵素電極と前記対向電極との間に電圧が印加されたときに、前記絵素電極の前記複数の開口部のエッジ部に生成される斜め電界によって、前記複数の開口部および前記中実部に、それぞれが放射状傾斜配向状態をとる複数の液晶ドメインを形成し、前記複数の開口部に形成される液晶ドメインの配向と前記中実部に形成される液晶ドメインの配向とは互いに連続し、印加された電圧に応じて前記複数の液晶ドメインの配向状態が変化することによって表示を行う液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の開口部の少なくとも一部の開口部は、実質的に、等しい形状で等しい大きさを有し、回転対称性を有するように配置された少なくとも１つの単位格子を形成する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記複数の開口部の前記少なくとも一部の開口部のそれぞれの形状は、回転対称性を有する、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記複数の開口部の前記少なくとも一部の開口部のそれぞれは略円形である請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記少なくとも一部の開口部に包囲された前記中実部の領域のそれぞれは略円形である請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記複数の絵素領域のそれぞれにおいて、前記絵素電極の前記複数の開口部の面積の合計は、前記絵素電極の前記中実部の面積より小さい、請求項１から５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記複数の開口部のそれぞれの内側に凸部をさらに備え、前記凸部の前記基板の面内方向の断面形状は、前記複数の開口部の形状と同じであり、前記凸部の側面は、前記液晶層の液晶分子に対して、前記斜め電界による配向規制方向と同じ方向の配向規制力を有する、請求項１から６のいずれかに記載に液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の液晶表示装置の欠陥修正方法であって、
前記複数の絵素領域のなかから表示不良を呈する絵素領域を特定するとともに、前記特定された絵素領域において前記複数のサブ絵素電極のなかから短絡が発生しているサブ絵素電極を特定する工程と、
前記特定されたサブ絵素電極を、前記複数の接続部のうちの前記特定されたサブ絵素電極に接続された接続部を切断することによって、前記少なくとも１つのサブ絵素電極と前記スイッチング素子との電気的な接続を維持したまま、前記スイッチング素子から電気的に切断する工程と、
を包含する、液晶表示装置の欠陥修正方法。
【請求項９】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、表示を行うための複数の絵素領域を有する液晶表示装置であって、
前記複数の絵素領域ごとに、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた絵素電極と、前記絵素電極に電気的に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記絵素電極は、前記スイッチング素子に電気的に並列に接続された複数のサブ絵素電極を有し、
前記第２基板に設けられ前記複数の絵素電極に前記液晶層を介して対向する対向電極をさらに有し、
前記絵素電極は、前記複数のサブ絵素電極と前記複数の接続部とを含む中実部と、複数の開口部とから構成されており、
前記複数の絵素領域のそれぞれにおいて、前記液晶層は、前記絵素電極と前記対向電極との間に電圧が印加されたときに、前記絵素電極の前記複数の開口部のエッジ部に生成される斜め電界によって、前記複数の開口部および前記中実部に、それぞれが放射状傾斜配向状態をとる複数の液晶ドメインを形成し、前記複数の開口部に形成される液晶ドメインの配向と前記中実部に形成される液晶ドメインの配向とは互いに連続し、印加された電圧に応じて前記複数の液晶ドメインの配向状態が変化することによって表示を行う液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の液晶表示装置の欠陥修正方法であって、
前記複数の絵素領域のなかから表示不良を呈する絵素領域を特定するとともに、前記特定された絵素領域において前記複数のサブ絵素電極のなかから短絡が発生しているサブ絵素電極を特定する工程と、
前記特定されたサブ絵素電極を、前記複数のサブ絵素電極のうちの前記特定されたサブ絵素電極以外のサブ絵素電極と前記スイッチング素子との電気的な接続を維持したまま、前記スイッチング素子から電気的に切断する工程と、
を包含する、液晶表示装置の欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置およびその欠陥修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置は、小型、軽量、薄型または低消費電力などの利点から、ＯＡ機器やＡＶ機器などの分野で実用化が進んでいる。特に、絵素ごとにスイッチング素子（アクティブ素子）を備えるアクティブマトリクス型液晶表示装置は、精細な動画表示が可能であり、種々のディスプレイとして使用されている。
【０００３】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、マトリクス状に配設された絵素電極と、絵素電極に対向するように設けられた対向電極と、これらの間に設けられた液晶層とによって、絵素を構成する。複数の絵素のそれぞれは、スイッチング素子を介して供給される電気信号によって表示状態が制御される。
【０００４】
アクティブマトリクス型液晶表示装置においては、液晶層に混入した導電性異物などによって、絵素電極と対向電極との間などで短絡が発生することがある。絵素電極を介した短絡が発生した絵素は、正常な電圧が印加されず、所定の表示ができない表示欠陥を呈する。
【０００５】
表示欠陥を修正する方法として、特開平４−１７８６２２号公報は、黒色顔料を含むフォトレジストをガラス基板の表面に塗布した後、表示欠陥を呈する絵素上に位置するフォトレジストのみを露光・硬化させ、遮光膜を形成することによって、輝点欠陥を暗点（暗点欠陥）とする欠陥修正方法を開示している。暗点欠陥は、輝点欠陥に比べて視認されにくく、表示品位に与える影響は軽微である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の特開平４−１７８６２２号公報に開示されている欠陥修正方法においては、表示欠陥を効果的に修正できないという問題があることを本願発明者は見出した。
【０００７】
上述の特開平４−１７８６２２号公報に開示されている欠陥修正方法においては、輝点欠陥を呈する絵素全体を覆うように遮光膜を形成することによって、絵素全体を暗点とするので、表示欠陥の生じた絵素全体が表示に寄与しなくなる。
【０００８】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示欠陥を呈する絵素の全体を犠牲にすることなく、表示欠陥を修正することが可能な表示装置を提供することおよびそのような欠陥修正方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、表示を行うための複数の絵素領域を有する液晶表示装置であって、前記複数の絵素領域ごとに、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた絵素電極と、前記絵素電極に電気的に接続されたスイッチング素子とを有し、前記絵素電極は、複数のサブ絵素電極と、それぞれが前記複数のサブ絵素電極の少なくとも一部のサブ絵素電極を互いに電気的に接続する複数の接続部とを有し、前記複数のサブ絵素電極のうちの少なくとも１つのサブ絵素電極は、前記スイッチング素子に複数の接続経路を介して電気的に接続されている構成を有し、そのことによって上記目的が達成される。
【００１０】
前記第２基板に設けられ前記複数の絵素電極に前記液晶層を介して対向する対向電極をさらに有し、前記絵素電極は、前記複数のサブ絵素電極と前記複数の接続部とを含む中実部と、複数の開口部とから構成されており、前記複数の絵素領域のそれぞれにおいて、前記液晶層は、前記絵素電極と前記対向電極との間に電圧が印加されたときに、前記絵素電極の前記複数の開口部のエッジ部に生成される斜め電界によって、前記複数の開口部および前記中実部に、それぞれが放射状傾斜配向状態をとる複数の液晶ドメインを形成し、印加された電圧に応じて前記複数の液晶ドメインの配向状態が変化することによって表示を行う構成を有することが好ましい。
【００１１】
前記複数の開口部の少なくとも一部の開口部は、実質的に、等しい形状で等しい大きさを有し、回転対称性を有するように配置された少なくとも１つの単位格子を形成する構成を有していることが好ましい。
【００１２】
前記複数の開口部の前記少なくとも一部の開口部のそれぞれの形状は、回転対称性を有することが好ましい。
【００１３】
前記複数の開口部の前記少なくとも一部の開口部のそれぞれは略円形である構成としてもよい。
【００１４】
前記少なくとも一部の開口部に包囲された前記中実部の領域（単位中実部）のそれぞれは略円形である構成としてもよい。
【００１５】
前記複数の絵素領域のそれぞれにおいて、前記第１電極の前記複数の開口部の面積の合計は、前記第１電極の前記中実部の面積より小さいように構成されることが好ましい。
【００１６】
前記複数の開口部のそれぞれの内側に凸部をさらに備え、前記凸部の前記基板の面内方向の断面形状は、前記複数の開口部の形状と同じであり、前記凸部の側面は、前記液晶層の液晶分子に対して、前記斜め電界による配向規制方向と同じ方向の配向規制力を有するように構成してもよい。
【００１７】
本発明による液晶表示装置の欠陥修正方法は、上記の構成を有する液晶表示装置の欠陥修正方法であって、前記複数の絵素領域のなかから表示不良を呈する絵素領域を特定するとともに、前記特定された絵素領域において前記複数のサブ絵素電極のなかから短絡が発生しているサブ絵素電極を特定する工程と、前記特定されたサブ絵素電極を、前記複数の接続部のうちの前記特定されたサブ絵素電極に接続された接続部を切断することによって、前記少なくとも１つのサブ絵素電極と前記スイッチング素子との電気的な接続を維持したまま、前記スイッチング素子から電気的に切断する工程とを包含し、そのことによって上記目的が達成される。
【００１８】
本発明による他の液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層とを有し、表示を行うための複数の絵素領域を有する液晶表示装置であって、前記複数の絵素領域ごとに、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた絵素電極と、前記絵素電極に電気的に接続されたスイッチング素子とを有し、前記絵素電極は、前記スイッチング素子に電気的に並列に接続された複数のサブ絵素電極を有しており、そのことによって上記目的が達成される。
【００１９】
本発明による液晶表示装置の他の欠陥修正方法は、上記の構成を有する液晶表示装置の欠陥修正方法であって、前記複数の絵素領域のなかから表示不良を呈する絵素領域を特定するとともに、前記特定された絵素領域において前記複数のサブ絵素電極のなかから短絡が発生しているサブ絵素電極を特定する工程と、前記特定されたサブ絵素電極を、前記複数のサブ絵素電極のうちの前記特定されたサブ絵素電極以外のサブ絵素電極と前記スイッチング素子との電気的な接続を維持したまま、前記スイッチング素子から電気的に切断する工程とを包含し、そのことによって上記目的が達成される。
【００２０】
以下、本発明の作用を説明する。
【００２１】
本発明による液晶表示装置においては、複数のサブ絵素電極のうちの少なくとも１つのサブ絵素電極は、スイッチング素子に複数の接続経路を介して電気的に接続されている。ここで、サブ絵素電極とスイッチング素子とを電気的に接続する接続経路は、他のサブ絵素電極や接続部を含んで構成されている。従って、あるサブ絵素電極とスイッチング素子とを接続する複数の接続経路のうちの、ある接続経路に含まれるサブ絵素電極において短絡不良が発生している場合には、接続部を切断することによって、上述したあるサブ絵素電極とスイッチング素子との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生しているサブ絵素電極をスイッチング素子から電気的に切断することができる。そのため、上述したあるサブ絵素電極には、スイッチング素子を介して正常に電圧が印加されるので、十分な表示品位が得られる。
【００２２】
本発明による他の液晶表示装置においては、複数のサブ絵素電極は、スイッチング素子に電気的に並列に接続されている。従って、あるサブ絵素電極と対向電極との間で短絡が発生している場合には、他のサブ絵素電極とスイッチング素子との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生しているサブ絵素電極のみをスイッチング素子から電気的に切断することができる。そのため、他のサブ絵素電極には、スイッチング素子を介して正常に電圧が印加されるので、十分な表示品位が得られる。
【００２３】
また、本発明によるある液晶表示装置においては、絵素電極が、複数のサブ絵素電極と複数の接続部とを含む中実部（電極の内で開口部以外の部分、導電膜が存在する部分）と、複数の開口部（電極の内で導電膜が存在しない部分）とから構成されている。中実部は、典型的には、連続した導電膜から形成されている。液晶層は電圧無印加状態において垂直配向状態をとり、且つ、電圧印加状態においては、電極の開口部のエッジ部に生成される斜め電界によって、放射状傾斜配向状態をとる複数の液晶ドメインを形成する。典型的には、液晶層は、負の誘電異方性を有する液晶材料からなり、その両側に設けられた垂直配向膜によって配向規制されている。
【００２４】
この斜め電界によって形成される液晶ドメインは、電極の開口部および中実部に対応する領域に形成され、これらの液晶ドメインの配向状態が電圧に応じて変化することによって表示を行う。それぞれの液晶ドメインは軸対称配向をとるので、表示品位の視角依存性が小さく、広視角特性を有する。
【００２５】
さらに、開口部に形成される液晶ドメインおよび中実部に形成される液晶ドメインは、開口部のエッジ部に生成される斜め電界によって形成されるので、これらは互いに隣接して交互に形成され、且つ、隣接する液晶ドメイン間の液晶分子の配向は本質的に連続である。従って、開口部に形成される液晶ドメインと中実部に形成される液晶ドメインとの間にはディスクリネーションラインは生成されず、それによる表示品位の低下もなく、液晶分子の配向の安定性も高い。
【００２６】
この液晶表示装置においては、電極の中実部に対応する領域だけでなく、開口部に対応する領域にも、液晶分子が放射状傾斜配向をとるので、液晶分子の配向の連続性が高く、安定した配向状態が実現され、ざらつきのない均一な表示が得られる。特に、良好な応答特性（速い応答速度）を実現するために、液晶分子の配向を制御するための斜め電界を多くの液晶分子に作用させる必要があり、そのためには、開口部（エッジ部）を多く形成する必要がある。本発明の液晶表示装置においては開口部に対応して、安定な放射状傾斜配向を有する液晶ドメインが形成されるので、応答特性を改善するために開口部を多く形成しても、それに伴う表示品位の低下（ざらつきの発生）を抑制することができる。
【００２７】
複数の開口部の少なくとも一部の開口部が、実質的に、等しい形状で等しい大きさを有し、回転対称性を有するように配置された少なくとも１つの単位格子を形成する構成とすることによって、単位格子を単位として、複数の液晶ドメインを高い対称性で配置することができるので、表示品位の視角依存性を向上することができる。さらに、絵素領域の全体を単位格子に分割することによって、絵素領域の全体に亘って、液晶層の配向を安定化することができる。例えば、それぞれの開口部の中心が、正方格子を形成するように、開口部を配列する。なお、１つの絵素領域が、例えば補助容量配線のように不透明な構成要素によって分割される場合には、少なくとも表示に寄与する領域毎に単位格子を配置すればよい。
【００２８】
複数の開口部の少なくとも一部の開口部（典型的には単位格子を形成する開口部）のそれぞれの形状を回転対称性を有する形状とすることによって、開口部に形成される液晶ドメインの放射状傾斜配向の安定性を高めることができる。例えば、それぞれの開口部の形状（基板法線方向から見たときの形状）を円形や正多角形（例えば正方形）とする。なお、絵素の形状（縦横比）等に応じて、回転対称性を有しない形状（例えば楕円）等の形状としてもよい。また、開口部に実質的に包囲される中実部の領域（後述する「単位中実部」）の形状が回転対称性を有することによって、中実部に形成される液晶ドメインの放射状傾斜配向の安定性を高めることができる。例えば、開口部を正方格子状に配置する場合、開口部の形状を略星形や十字形などとし、中実部の形状を略円形や略正方形等の形状としてもよい。勿論、開口部および開口部によって実質的に包囲される中実部の形状をともに略正方形としてもよい。
【００２９】
電極の開口部に形成される液晶ドメインの放射状傾斜配向を安定化させるためには、開口部に形成される液晶ドメインは略円形であることが好ましい。逆にいうと、開口部に形成される液晶ドメインが略円形ととなるように、開口部の形状を設計すればよい。
【００３０】
勿論、電極の中実部に形成される液晶ドメインの放射状傾斜配向を安定化させるためには、開口部によって実質的に包囲される中実部の領域は略円形であることが好ましい。連続した導電膜から形成される中実部に形成される或る１つの液晶ドメインは、複数の開口部によって実質的に包囲される中実部の領域（単位中実部）に対応して形成される。従って、この中実部の領域（単位中実部）の形状が略円形ととなるように、開口部の形状をおよびその配置を決めればよい。
【００３１】
上述したいずれの場合においても、絵素領域のそれぞれにおいて、電極に形成される開口部の面積の合計が、中実部の面積より小さいことが好ましい。中実部の面積が大きいほど、電極によって生成される電界の影響を直接的に受ける液晶層の面積（基板法線方向から見たときの平面内に規定される）が大きくなるので、液晶層の電圧に対する光学特性（例えば透過率）が向上する。
【００３２】
開口部が略円形となる構成を採用するか、単位中実部が略円形となる構成を採用するかは、どちらの構成において、中実部の面積を大きくできるかによって決めることが好ましい。いずれの構成が好ましいかは、絵素のピッチに依存して適宜選択される。典型的には、ピッチが約２５μｍを超える場合、中実部が略円形となるように、開口部を形成することが好ましく、約２５μｍ以下の場合には開口部を略円形とすることが好ましい。
【００３３】
上述した電極に形成した開口部のエッジ部に生成される斜め電界による配向規制力は、電圧印加時にしか作用しないので、電圧無印加時や、比較的低い電圧を印加している状態などにおいて、例えば、液晶パネルに外力が加わるなどすると、液晶ドメインの放射状傾斜配向を維持できないことがある。この問題を解決するために、本発明のある実施形態の液晶表示装置は、液晶層の液晶分子に対して、上述の斜め電界による配向規制方向と同じ方向の配向規制力を有する側面を備えた凸部を電極の開口部の内側に有する。この凸部の基板の面内方向の断面形状は、開口部の形状と同じであり、上述した開口部の形状と同様に、回転対称性を有することが好ましい。
【００３４】
上述の構成を有する液晶表示装置は、絵素電極に開口部を設けるだけで、安定した放射状傾斜配向を実現することができる。すなわち、公知の製造方法において、導電膜を絵素電極の形状にパターニングする際に、所望の形状の開口部が所望の配置で形成されるように、フォトマスクを修正するだけで、上述の構成を有する液晶表示装置を製造することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による実施形態の液晶表示装置を説明する。なお、本願明細書においては、表示の最小単位である「絵素」に対応する液晶表示装置の領域を「絵素領域」と呼ぶ。カラー液晶表示装置においては、Ｒ，Ｇ，Ｂの「絵素」が１つの「画素」に対応する。絵素領域は、絵素電極と、絵素電極に対向する対向電極とによって規定される。また、ブラックマトリクスが設けられる構成においては、厳密には、表示すべき状態に応じて電圧が印加される領域のうち、ブラックマトリクスの開口部に対応する領域が絵素領域に対応することになる。
【００３６】
本発明による液晶表示装置は、第１基板（例えばＴＦＴ基板）と、第２基板（例えばカラーフィルタ基板）と、これらの間に設けられた液晶層とを有し、絵素領域ごとに、第１基板の液晶層側に設けられた絵素電極と、この絵素電極に電気的に接続されたスイッチング素子（アクティブ素子）とを有する。
【００３７】
絵素電極は、複数のサブ絵素電極と、それぞれが複数のサブ絵素電極の少なくとも一部のサブ絵素電極を互いに電気的に接続する複数の接続部とを有する。個々のサブ絵素電極の形状や大きさは、液晶表示装置の表示モードや用途に応じて適宜設定される。また、接続部をサブ絵素電極と同一の導電膜から形成すると、液晶表示装置の構造が単純になり、製造プロセスが複雑になることを防止できる。
【００３８】
複数のサブ絵素電極のうちの少なくとも１つのサブ絵素電極は、スイッチング素子に複数の電気的な経路を介して電気的に接続されている。ここで、サブ絵素電極とスイッチング素子とを電気的に接続する接続経路は、他のサブ絵素電極や接続部を含んで構成されている。従って、あるサブ絵素電極とスイッチング素子とを接続する複数の接続経路のうちの、ある接続経路に含まれるサブ絵素電極において短絡不良が発生している場合には、接続部を切断することによって、上述したあるサブ絵素電極とスイッチング素子との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生しているサブ絵素電極をスイッチング素子から電気的に切断することができる。そのため、上述したあるサブ絵素電極には、スイッチング素子を介して正常に電圧が印加されるので、十分な表示品位が得られる。
【００３９】
１つの絵素領域に存在する複数のサブ絵素電極には、スイッチング素子に１つの接続経路のみを介して接続されているサブ絵素電極が含まれていてもよいが、複数の接続経路を介して接続されているサブ絵素電極の割合が高いことが好ましい。１つの接続経路のみを介して接続されているサブ絵素電極は、接続経路に含まれる他のサブ絵素電極がスイッチング素子から電気的に切断されたときに、これに伴ってスイッチング素子から電気的に切断されてしまうので、欠陥修正後に表示に寄与しない。複数の接続経路を介して接続されているサブ絵素電極の割合が高くなるような構成を採用することによって、絵素領域において修正後に正常な電圧が印加される領域の割合を高くすることができる。
【００４０】
さらに、スイッチング素子に至る接続経路に他のサブ絵素電極を含むサブ絵素電極のすべてが、複数の接続経路を介してスイッチング素子に接続されていると、短絡が発生したサブ絵素電極のみをスイッチング素子から電気的に切断することができる。従って、短絡が発生したサブ絵素電極以外のすべてのサブ絵素電極を、欠陥修正後に表示に寄与させることができるので、高品位の表示が実現される。
【００４１】
上述の構造および欠陥修正方法は、絵素電極と対向電極とが一時的に短絡したりオープンになったりするような、点滅点欠陥の修正にも有効である。さらに、ノーマリブラックモードで表示を行う液晶表示装置に適用すると、絵素領域において修正後に正常に電圧が印加されない領域は、暗点（黒点）となるので、視認されにくく、欠陥修正の効果がさらに高い。
【００４２】
また、以下に述べる構成によっても、絵素領域全体を犠牲にすることなく表示欠陥を修正することが可能な液晶表示装置が得られる。
【００４３】
本発明による他の液晶表示装置は、第１基板（例えばＴＦＴ基板）と、第２基板（例えばカラーフィルタ基板）と、これらの間に設けられた液晶層とを有し、絵素領域ごとに、第１基板の液晶層側に設けられた絵素電極と、絵素電極に電気的に接続されたスイッチング素子とを有する。
【００４４】
絵素電極は、スイッチング素子に電気的に並列に接続された複数のサブ絵素電極を有する。従って、導電性異物などによって、あるサブ絵素電極と対向電極との間で短絡が発生している場合には、他のサブ絵素電極とスイッチング素子との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生しているサブ絵素電極のみをスイッチング素子から電気的に切断することができる。そのため、他のサブ絵素電極には、スイッチング素子を介して正常に電圧が印加されるので、十分な表示品位が得られる。
【００４５】
以下、図面を参照しながら、本発明による実施形態の液晶表示装置をさらに詳細に説明する。なお、以下の実施例においては、スイッチング素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を備えた透過型液晶表示装置について説明するが、本発明はこれに限定されず、ＴＦＴ以外のスイッチング素子を備えた液晶表示装置にも適用することができるし、反射型液晶表示装置や透過反射両用型液晶表示装置にも適用することができる。
（実施形態１）
図１を参照しながら、本発明による実施形態１の液晶表示装置１００を説明する。図１は、本実施形態の液晶表示装置１００の１つの絵素領域を模式的に示す上面図である。なお、図１においては、絵素電極の構造を中心に示し、その他の構成要素の一部を省略している。液晶表示装置１００は、アクティブマトリクス基板と、対向基板と、これらの間に設けられた液晶層とを有する。
【００４６】
アクティブマトリクス基板は、透明基板（例えばガラス基板）と、絵素領域ごとに透明基板の液晶層側に設けられた絵素電極１４と、絵素電極１４に電気的に接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５０とを有する。
【００４７】
対向基板は、透明基板（例えばガラス基板）と、その表面に設けられた対向電極とを有する。液晶層としては、例えば、偏光モードの表示が可能な液晶層を用いることができる。本実施形態においては、ＴＮモードの表示が可能な液晶層を用いる。
【００４８】
上述の絵素電極１４および対向電極は、液晶層を介して互いに対向するように配置されており、絵素電極１４と対向電極とに印加される電圧に応じて、絵素領域ごとの液晶層の配向状態が変化する。
【００４９】
図１を参照しながら、液晶表示装置１００が有するアクティブマトリクス基板の構成をさらに詳しく説明する。
【００５０】
アクティブマトリクス基板は、絶縁性基板を有し、この絶縁性基板上に、走査配線（ゲートバスライン）５１と、この走査配線５１から分岐したゲート電極５０Ｇと、補助容量配線５２とが形成されている。さらに、これらを覆うように、ゲート絶縁膜が形成されている。ゲート電極５０Ｇ上に位置するゲート絶縁膜上に、半導体層、チャネル保護層、ソース電極５０Ｓおよびドレイン電極５０Ｄが形成されており、これらがＴＦＴ５０を構成している。
【００５１】
ＴＦＴ５０のソース電極５０Ｓは信号配線（ソースバスライン）５３に、ドレイン電極５０Ｄは接続配線５４に、それぞれ電気的に接続されている。ＴＦＴ５０が形成された絶縁性基板のほぼ全面を覆うように層間絶縁膜が形成されており、この層間絶縁膜上に、絵素電極１４が形成されている。
【００５２】
絵素電極１４は、複数のサブ絵素電極５５と、複数のサブ絵素電極５５のいずれか２つを互いに電気的に接続する複数の接続部５６とを有している。また、絵素電極１４は、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホール５７において接続配線５４と電気的に接続され、接続配線５４を介してドレイン電極５０Ｄに電気的に接続されている。
【００５３】
本実施形態においては、個々のサブ絵素電極は、正方形の形状を有しているが、サブ絵素電極の形状はこれに限定されず、長方形であってもよいし、円形であってもよく、任意の形状であってよい。ＴＮモードの液晶層を備える本実施形態の液晶表示装置１００のように、導電膜が形成されていない領域とサブ絵素電極との境界部における斜め電界効果を用いた配向制御を行わない液晶表示装置の場合には、サブ絵素電極の形状を矩形とすることによって、導電膜が形成されている領域の割合を高くすることが、明るい表示を実現する観点からは好ましい。また、ここでは、１０個のサブ絵素電極５５から構成された絵素電極１４を示したが、勿論これに限定されず、絵素電極１４は、任意の個数のサブ絵素電極５５から構成されていてもよく、個々のサブ絵素電極５５の大きさ（面積）も、同じでなくてもよい。さらに、本実施形態においては、絵素電極は、２つのサブ絵素電極を互いに接続する接続部を備えているが、これに限定されず、３つ以上のサブ絵素電極を互いに接続する接続部を備えていてもよい。
【００５４】
本実施形態の液晶表示装置１００が有する複数のサブ絵素電極５５の一部のサブ絵素電極５５は、ＴＦＴ５０に複数の電気的な経路を介して電気的に接続されている。例えば、図１中の右上に位置するサブ絵素電極５５’は、実線矢印で模式的に示す接続経路Ａを介してＴＦＴ５０に電気的に接続されているとともに、破線矢印で模式的に示す接続経路Ｂを介してＴＦＴ５０に電気的に接続されている。接続経路ＡおよびＢは、それぞれサブ絵素電極５５や接続部５６を含んで構成されている。
【００５５】
従って、例えば、図１中においてサブ絵素電極５５’の下側に位置し、接続経路Ｂに含まれるサブ絵素電極５５ｓにおいて短絡不良が発生した場合には、このサブ絵素電極５５ｓに接続された接続部５６を切断部５６’において切断することによって、サブ絵素電極５５’とＴＦＴ５０との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生しているサブ絵素電極５５ｓをＴＦＴ５０から電気的に切断することができる。
【００５６】
サブ絵素電極５５ｓに接続された接続部５６を切断すると、接続経路Ｂは、サブ絵素電極５５’とＴＦＴ５０とを電気的に接続する接続経路として機能しなくなるが、サブ絵素電極５５’は、接続経路Ａを介してＴＦＴ５０に電気的に接続されているので、正常な電圧が印加される。そのため、本実施形態による液晶表示装置１００においては、サブ絵素電極５５’上に位置する液晶層を表示に寄与させることができる。
【００５７】
また、本実施形態の液晶表示装置１００においては、絵素電極１４は、例示した図中右上のサブ絵素電極５５’以外にも、複数の接続経路を介してＴＦＴ５０に接続されたサブ絵素電極５５を有しており、ＴＦＴ５０に至る接続経路に他のサブ絵素電極５５を含むサブ絵素電極５５のすべてが、複数の接続経路を介してＴＦＴ５０に接続されている。そのため、絵素領域に存在するいずれのサブ絵素電極５５に短絡不良が発生した場合においても、他のサブ絵素電極５５とＴＦＴ５０との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生したサブ絵素電極５５のみをＴＦＴ５０から電気的に切断することができる。従って、修正後には、短絡不良が発生したサブ絵素電極５５ｓ以外のすべてのサブ絵素電極を表示に寄与させることができ、高品位の表示が実現される。
【００５８】
ここで、図２を参照しながら、実施形態１の液晶表示装置１００のように、短絡が生じたサブ絵素電極のみをスイッチング素子から電気的に切り離すことが可能な液晶表示装置の構造の例を説明する。図２は、Ｍ行Ｎ列に配列された複数のサブ絵素電極を有する液晶表示装置１００’を概念的に示す図である。
【００５９】
液晶表示装置１００’が有する絵素電極１４は、スイッチング素子５０に電気的に接続され、Ｍ行Ｎ列に配列された複数のサブ絵素電極（ｍ行ｎ列に属するサブ絵素電極をサブ絵素電極（ｍ，ｎ）と表記する）を有する。図２において、スイッチング素子とサブ絵素電極との間およびサブ絵素電極同士の間を結ぶ実線は、これらが互いに電気的に接続されていることを示す。
【００６０】
図２に示すように、液晶表示装置１００’においては、スイッチング素子５０に至る接続経路に他のサブ絵素電極を含むサブ絵素電極のすべて（ここでは、２列目以降のサブ絵素電極）が、複数の接続経路を介してスイッチング素子５０に接続されている。そのため、いずれのサブ絵素電極に短絡不良が発生した場合においても、他のサブ絵素電極とスイッチング素子５０との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生したサブ絵素電極のみをスイッチング素子５０から電気的に切断することができる。
【００６１】
例えば、図２中にハッチングで示す、（Ｍ−１）行目（Ｎ−１）列目に属するサブ絵素電極（Ｍ−１，Ｎ−１）において短絡が発生した場合には、サブ絵素電極（Ｍ−１，Ｎ−１）とスイッチング素子５０との電気的な接続を切断することによって、サブ絵素電極（Ｍ−１，Ｎ−１）のみをスイッチング素子５０から電気的に切断することができる。従って、修正後には、他のすべてのサブ絵素電極を表示に寄与させることができ、高品位の表示が実現される。
【００６２】
本実施形態の液晶表示装置１００は、公知の製造方法を用いて製造され得る。例えば、以下のようにして製造される。
【００６３】
まず、透明基板（例えばガラス基板）上に、走査配線５１、信号配線５３、スイッチング素子としてのＴＦＴ５０および絵素電極１４などを形成し、これらを覆うようにポリイミド配向膜（例えば、ＪＳＲ社製ＡＬ−４５５２）を形成することによってアクティブマトリクス基板を作製する。
【００６４】
一方、透明基板（例えばガラス基板）上に、カラーフィルタ層や対向電極などを形成し、これらを覆うようにポリイミド配向膜（例えば、ＪＳＲ社製ＡＬ−４５５２）を形成することによって対向基板を作製する。
【００６５】
ここで、それぞれの基板の表面に形成されたポリイミド配向膜にはラビング処理が施されており、それぞれのラビング方向は、貼り合わせたときにラビング方向が互いになす角度が９０°となるように設定されている。
【００６６】
次に、上述のようにして得られたアクティブマトリクス基板および対向基板の一方の基板に、シールパターン（シール剤）を印刷する。また、他方の基板に、スペーサ（ここでは、直径が約５μｍの球状スペーサ）を散布する。そして、両方の基板を圧力を加えながら貼り合わせ、シール剤を硬化させる。
【００６７】
続いて、カイラル剤が添加され、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶（例えばメルク社製ＺＬＩ−４７９２）を、アクティブマトリクス基板と対向基板との間隙に真空注入法を用いて注入し、注入口を封止する。
【００６８】
その後、位相差板や偏光板などを配置することによって、本実施形態の液晶表示装置１００が完成する。
【００６９】
また、このようにして得られた液晶表示装置１００の欠陥修正は、具体的には、例えば、以下のようにして実行される。
【００７０】
まず、複数の絵素領域のなかから、表示不良を呈する絵素領域を特定するとともに、この特定された絵素領域において、複数のサブ絵素電極５５のなかから短絡が発生しているサブ絵素電極５５ｓを特定する。絵素領域およびサブ絵素電極５５ｓの特定は、例えば、光学顕微鏡やルーペを用いて実行される。
【００７１】
次に、特定されたサブ絵素電極５５ｓを、接続部５６を切断することによって、ＴＦＴ５０から電気的に切断する。接続部５６の切断は、例えば、レーザ光を照射することによって実行される。レーザ光を用いての接続部５６の切断は、公知の技術を用いて適切に実行される。
（実施形態２）
図３を参照しながら、本発明による実施形態２の液晶表示装置２００を説明する。実施形態１の液晶表示装置１００が、ＴＮモードで表示を行う液晶表示装置であるのに対して、実施形態２の液晶表示装置２００においては、液晶層が、電圧を印加されていないときに垂直配向状態をとり、電圧を印加されたときに放射状傾斜配向状態をとる点で異なる。なお、以下の図面においては、液晶表示装置１００の構成要素と実施的に同じ機能を有する構成要素を同じ参照符号で表し、その説明を省略する。
【００７２】
図３は、本実施形態の液晶表示装置２００の１つの絵素領域を模式的に示す上面図である。液晶表示装置２００が有する絵素電極１４は、複数のサブ絵素電極５５と、複数のサブ絵素電極５５のいずれか２つを互いに電気的に接続する複数の接続部５６とを有している。
【００７３】
液晶表示装置２００においても、ＴＦＴ５０に至る接続経路に他のサブ絵素電極５５を含むサブ絵素電極５５のすべてが、複数の接続経路を介してＴＦＴ５０に接続されている。そのため、絵素領域に存在するいずれのサブ絵素電極５５に短絡不良が発生した場合においても、他のサブ絵素電極５５とＴＦＴ５０との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生したサブ絵素電極５５のみをＴＦＴ５０から電気的に切断することができる。従って、修正後には、短絡不良が発生したサブ絵素電極５５以外のすべてのサブ絵素電極５５を表示に寄与させることができ、高品位の表示が実現される。
【００７４】
また、実施形態２の液晶表示装置２００においては、その電極構造によって、液晶層は、電圧を印加されたときに放射状傾斜配向状態となる液晶ドメインを形成するので、広視野角特性が得られる。さらに、後述するように、絵素電極１４の開口部（導電層が形成されていない部分）にも液晶ドメインが形成される。
【００７５】
以下、実施形態２の液晶表示装置２００が有する電極構造とその作用とを説明する。
【００７６】
図４（ａ）および（ｂ）を参照しながら、実施形態２の液晶表示装置２００の１つの絵素領域の構造を説明する。以下では、説明の簡単さのためにカラーフィルタやブラックマトリクスを省略する。また、図３においては、１つの絵素領域中に５行２列に配列されたサブ絵素電極５５を示したが、以下の図面においては、説明のわかりやすさのために、１つの絵素領域中に３行３列に配列されたサブ絵素電極５５を示す。図４（ａ）は基板法線方向から見た上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）中の４Ｂ−４Ｂ’線に沿った断面図に相当する。図４（ｂ）は、液晶層に電圧を印加していない状態を示している。
【００７７】
液晶表示装置２００は、アクティブマトリクス基板（以下「ＴＦＴ基板」と呼ぶ。）２００ａと、対向基板（「カラーフィルタ基板」とも呼ぶ）２００ｂと、ＴＦＴ基板２００ａと対向基板２００ｂとの間に設けられた液晶層３０とを有している。液晶層３０の液晶分子３０ａは、負の誘電率異方性を有し、ＴＦＴ基板２００ａおよび対向基板２００ｂの液晶層３０側の表面に設けられた垂直配向層（不図示）によって、液晶層３０に電圧が印加されていないとき、図４（ｂ）に示したように、垂直配向膜の表面に対して垂直に配向する。このとき、液晶層３０は垂直配向状態にあるという。但し、垂直配向状態にある液晶層３０の液晶分子３０ａは、垂直配向膜の種類や液晶材料の種類によって、垂直配向膜の表面（基板の表面）の法線から若干傾斜することがある。一般に、垂直配向膜の表面に対して、液晶分子軸（「軸方位」とも言う。）が約８５°以上の角度で配向した状態が垂直配向状態と呼ばれる。
【００７８】
液晶表示装置２００のＴＦＴ基板２００ａは、透明基板（例えばガラス基板）１１とその表面に形成された絵素電極１４とを有している。対向基板２００ｂは、透明基板（例えばガラス基板）２１とその表面に形成された対向電極２２とを有している。液晶層３０を介して互いに対向するように配置された絵素電極１４と対向電極２２とに印加される電圧に応じて、絵素領域ごとの液晶層３０の配向状態が変化する。液晶層３０の配向状態の変化に伴い、液晶層３０を透過する光の偏光状態や量が変化する現象を利用して表示が行われる。
【００７９】
液晶表示装置２００が有する絵素電極１４は、複数のサブ絵素電極５５と複数の接続部５６とを含む中実部１４ｂと、複数の開口部１４ａとから構成されている。開口部１４ａは、導電膜（例えばＩＴＯ膜）から形成される絵素電極１４の内の導電膜が除去された部分を指し、中実部１４ｂは導電膜が存在する部分（開口部１４ａ以外の部分）を指す。開口部１４ａは１つの絵素電極ごとに複数形成されているが、中実部１４ｂは、基本的には連続した単一の導電膜から形成されている。
【００８０】
複数の開口部１４ａは、その中心が正方格子を形成するように配置されており、１つの単位格子を形成する４つの格子点上に中心が位置する４つの開口部１４ａによって実質的に囲まれる中実部（「単位中実部」と称する。）１４ｂ’は、略円形の形状を有している。それぞれの開口部１４ａは、４つの４分の１円弧状の辺（エッジ）を有し、且つ、その中心に４回回転軸を有する略星形である。なお、絵素領域の全体に亘って配向を安定させるために、絵素電極１４の端部まで単位格子を形成することが好ましい。従って、図示したように、絵素電極の端部は、開口部１４ａの約２分の１(辺に対応する領域）および開口部１４ａの約４分の１（角に対応する領域）に相当する形状にパターニングされていることが好ましい。
【００８１】
絵素領域の中央部に位置する開口部１４ａは実質的に同じ形状で同じ大きさを有している。開口部１４ａによって形成される単位格子内に位置する単位中実部１４ｂ’は略円形であり、実質的に同じ形状で同じ大きさを有している。互いに隣接する単位中実部１４ｂ’は互いに接続されており、実質的に単一の導電膜として機能する中実部１４ｂを構成している。
【００８２】
上述したような構成を有する絵素電極１４と対向電極２２との間に電圧を印加すると、開口部１４ａのエッジ部に生成される斜め電界によって、それぞれが放射状傾斜配向を有する複数の液晶ドメインが形成される。液晶ドメインは、それぞれの開口部１４ａに対応する領域と、単位格子内の中実部１４ｂ’に対応する領域とに、それぞれ１つずつ形成される。
【００８３】
ここでは、正方形の絵素電極１４を例示しているが、絵素電極の１４の形状はこれに限られない。絵素電極１４の一般的な形状は、矩形（正方形と長方形を含む）に近似されるので、開口部１４ａを正方格子状に規則正しく配列することができる。絵素電極１４が矩形以外の形状を有していても、絵素領域内の全ての領域に液晶ドメインが形成されるように、規則正しく（例えば例示したように正方格子状に）開口部１４ａを配置すれば、本発明の効果を得ることができる。
【００８４】
上述した斜め電界によって液晶ドメインが形成されるメカニズムを図５（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明する。図５（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図４（ｂ）に示した液晶層３０に電圧を印加した状態を示しており、図５（ａ）は、液晶層３０に印加された電圧に応じて、液晶分子３０ａの配向が変化し始めた状態（ＯＮ初期状態）を模式的に示しており、図５（ｂ）は、印加された電圧に応じて変化した液晶分子３０ａの配向が定常状態に達した状態を模式的に示している。図５（ａ）および（ｂ）中の曲線ＥＱは等電位線ＥＱを示す。
【００８５】
絵素電極１４と対向電極２２とが同電位のとき（液晶層３０に電圧が印加されていない状態）には、図４（ａ）に示したように、絵素領域内の液晶分子３０ａは、両基板１１および２１の表面に対して垂直に配向している。
【００８６】
液晶層３０に電圧を印加すると、図５（ａ）に示した等電位線ＥＱ（電気力線と直交する）ＥＱで表される電位勾配が形成される。この等電位線ＥＱは、絵素電極１４の中実部１４ｂと対向電極２２との間に位置する液晶層３０内では、中実部１４ｂおよび対向電極２２の表面に対して平行であり、絵素電極１４の開口部１４ａに対応する領域で落ち込み、開口部１４ａのエッジ部（開口部１４ａの境界（外延）を含む開口部１４ａの内側周辺）ＥＧ上の液晶層３０内には、傾斜した等電位線ＥＱで表される斜め電界が形成される。
【００８７】
負の誘電異方性を有する液晶分子３０ａには、液晶分子３０ａの軸方位を等電位線ＥＱに対して平行（電気力線に対して垂直）に配向させようとするトルクが作用する。従って、エッジ部ＥＧ上の液晶分子３０ａは、図５（ａ）中に矢印で示したように、図中の右側エッジ部ＥＧでは時計回り方向に、図中の左側エッジ部ＥＧでは反時計回り方向に、それぞれ傾斜（回転）し、等電位線ＥＱに平行に配向する。
【００８８】
ここで、図６を参照しながら、液晶分子３０ａの配向の変化を詳細に説明する。
【００８９】
液晶層３０に電界が生成されると、負の誘電率異方性を有する液晶分子３０ａには、その軸方位を等電位線ＥＱに対して平行に配向させようとするトルクが作用する。図６（ａ）に示したように、液晶分子３０ａの軸方位に対して垂直な等電位線ＥＱで表される電界が発生すると、液晶分子３０ａには時計回りまたは反時計回り方向に傾斜させるトルクが等しい確率で作用する。従って、互いに対向する平行平板型配置の電極間にある液晶層３０内には、時計回り方向のトルクを受ける液晶分子３０ａと、反時計回りに方向のトルクを受ける液晶分子３０ａとが混在する。その結果、液晶層３０に印加された電圧に応じた配向状態への変化がスムーズに起こらないことがある。
【００９０】
図５（ａ）に示したように、本発明による液晶表示装置２００の開口部１４ａのエッジ部ＥＧにおいて、液晶分子３０ａの軸方位に対して傾斜した等電位線ＥＱで表される電界（斜め電界）が発生すると、図６（ｂ）に示したように、液晶分子３０ａは、等電位線ＥＱと平行になるための傾斜量が少ない方向（図示の例では反時計回り）に傾斜する。また、液晶分子３０ａの軸方位に対して垂直方向の等電位線ＥＱで表される電界が発生する領域に位置する液晶分子３０ａは、図６（ｃ）に示したように、傾斜した等電位線ＥＱ上に位置する液晶分子３０ａと配向が連続となるように（整合するように）、傾斜した等電位線ＥＱ上に位置する液晶分子３０ａと同じ方向に傾斜する。図６（ｄ）に示したように、等電位線ＥＱが連続した凹凸形状を形成する電界が印加されると、それぞれの傾斜した等電位線ＥＱ上に位置する液晶分子３０ａによって規制される配向方向と整合するように、平坦な等電位線ＥＱ上に位置する液晶分子３０ａが配向する。なお、「等電位線ＥＱ上に位置する」とは、「等電位線ＥＱで表される電界内に位置する」ことを意味する。
【００９１】
上述したように、傾斜した等電位線ＥＱ上に位置する液晶分子３０ａから始まる配向の変化が進み、定常状態に達すると、図５（ｂ）に模式的に示した配向状態となる。開口部１４ａの中央付近に位置する液晶分子３０ａは、開口部１４ａの互いに対向する両側のエッジ部ＥＧの液晶分子３０ａの配向の影響をほぼ同等に受けるので、等電位線ＥＱに対して垂直な配向状態を保ち、開口部１４ａの中央から離れた領域の液晶分子３０ａは、それぞれ近い方のエッジ部ＥＧの液晶分子３０ａの配向の影響を受けて傾斜し、開口部１４ａの中心ＳＡに関して対称な傾斜配向を形成する。この配向状態は、液晶表示装置２００の表示面に垂直な方向（基板１１および２１の表面に垂直な方向）からみると、液晶分子３０ａの軸方位が開口部１４ａの中心に関して放射状に配向した状態にある（不図示）。そこで、本願明細書においては、このような配向状態を「放射状傾斜配向」と呼ぶことにする。また、１つの中心に関して放射状傾斜配向をとる液晶層の領域を液晶ドメインと称する。
【００９２】
開口部１４ａによって実質的に包囲された単位中実部１４ｂ’に対応する領域においても、液晶分子３０ａが放射状傾斜配向をとる液晶ドメインが形成される。単位中実部１４ｂ’に対応する領域の液晶分子３０ａは、開口部１４ａのエッジ部ＥＧの液晶分子３０ａの配向の影響を受け、単位中実部１４ｂ’の中心ＳＡ（開口部１４ａが形成する単位格子の中心に対応）に関して対称な放射状傾斜配向をとる。
【００９３】
単位中実部１４ｂ’に形成される液晶ドメインにおける放射状傾斜配向と開口部１４ａに形成される放射状傾斜配向は連続しており、いずれも開口部１４ａのエッジ部ＥＧの液晶分子３０ａの配向と整合するように配向している。開口部１４ａに形成された液晶ドメイン内の液晶分子３０ａは、上側（基板２００ｂ側）が開いたコーン状に配向し、単位中実部１４ｂ’に形成された液晶ドメイン内の液晶分子３０ａは下側（基板２００ａ側）が開いたコーン状に配向する。このように、開口部１４ａに形成される液晶ドメインおよび単位中実部１４ｂ’に形成される液晶ドメインに形成される放射状傾斜配向は、互いに連続であるので、これらの境界にディスクリネーションライン（配向欠陥）が形成されることがなく、それによって、ディスクリネーションラインの発生による表示品位の低下は起こらない。
【００９４】
液晶表示装置の表示品位の視角依存性を全方位において改善するためには、それぞれの絵素領域内において、全ての方位角方向のそれぞれに沿って配向する液晶分子の存在確率が回転対称性を有することが好ましく、軸対称性を有することがさらに好ましい。すなわち、絵素領域の全体に亘って形成される液晶ドメインが回転対称性、さらには軸対称性を有するように配置されていることが好ましい。但し、絵素領域の全体に亘って回転対称性を有する必要は必ずしも無く、回転対称性（または軸対称性）を有するように配列された液晶ドメイン（例えば、正方格子状に配列された複数の液晶ドメイン）の集合体として絵素領域の液晶層が形成されればよい。従って、絵素領域に形成される複数の開口部１４ａの配置も絵素領域の全体に亘って回転対称性を有する必要は必ずしも無く、回転対称性（または軸対称性）を有するように配列された開口部（例えば正方格子状に配列された複数の開口部）の集合体として表せれればよい。勿論、複数の開口部１４ａに実質的に包囲される単位中実部１４ｂ’の配置も同様である。また、それぞれの液晶ドメインの形状も回転対称性さらには軸対称性を有することが好ましいので、それぞれの開口部１４ａおよびおよび単位中実部１４ｂ’の形状も回転対称性さらには軸対称性を有することが好ましい。
【００９５】
なお、開口部１４ａの中央付近の液晶層３０には十分な電圧が印加されず、開口部１４ａの中央付近の液晶層３０が表示に寄与しない場合がある。すなわち、開口部１４ａの中央付近の液晶層３０の放射状傾斜配向が多少乱れても（例えば、中心軸が開口部１４ａの中心からずれても）、表示品位が低下しないことがある。従って、少なくとも単位中実部１４ｂ’に対応して形成される液晶ドメインが回転対称性、さらには軸対称性を有するように配置されていればよい。
【００９６】
図５（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明したように、本発明による液晶表示装置２００の絵素電極１４は複数の開口部１４ａを有しており、絵素領域内の液晶層３０内に、傾斜した領域を有する等電位線ＥＱで表される電界を形成する。電圧無印加時に垂直配向状態にある液晶層３０内の負の誘電異方性を有する液晶分子３０ａは、傾斜した等電位線ＥＱ上に位置する液晶分子３０ａの配向変化をトリガーとして配向方向を変化し、安定な放射状傾斜配向を有する液晶ドメインが開口部１４ａおよび中実部１４ｂに形成される。液晶層に印加される電圧に応じて、この液晶ドメインの液晶分子の配向が変化することによって、表示が行われる。
【００９７】
本実施形態の液晶表示装置２００が有する絵素電極１４が有する開口部１４ａの形状（基板法線方向から見た形状）およびその配置について説明する。
【００９８】
液晶表示装置の表示特性は、液晶分子の配向状態（光学的異方性）に起因して、方位角依存性を示す。表示特性の方位角依存性を低減するためには、液晶分子が全ての方位角に対して同等の確率で配向していることが好ましい。また、それぞれの絵素領域内の液晶分子が全ての方位角に対して同等の確率で配向していることがさらに好ましい。従って、開口部１４ａは、それぞれの絵素領域内の液晶分子３０ａがすべての方位角に対して同等の確率で配向するように、液晶ドメインを形成するような形状を有していることが好ましい。具体的には、開口部１４ａの形状は、それぞれの中心（法線方向）を対称軸とする回転対称性（好ましくは２回回転軸以上の対称性）を有することが好ましく、また、複数の開口部１４ａが回転対称性を有するように配置されていることが好ましい。また、これらの開口部によって実質的に包囲される単位中実部１４ｂ’の形状も回転対称性を有することが好ましく、単位中実部１４ｂも回転対称性を有するように配置されることが好ましい。
【００９９】
但し、開口部１４ａや単位中実部１４ｂが絵素領域全体に亘って回転対称性を有するように配置される必要は必ずしも無く、図４（ａ）に示したように、例えば正方格子（４回回転軸を有する対称性）を最小単位とし、それらの組合せによって絵素領域が構成されれば、絵素領域全体に亘って液晶分子がすべての方位角に対して実質的に同等の確率で配向させることができる。
【０１００】
図４（ａ）に示した、回転対称性を有する略星形の開口部１４ａおよび略円形の単位中実部１４ｂが正方格子状に配列された場合の液晶分子３０ａの配向状態を図７（ａ）〜図７（ｃ）を参照しながら説明する。
【０１０１】
図７（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、基板法線方向から見た液晶分子３０ａの配向状態を模式的に示している。図７（ｂ）および（ｃ）など、基板法線方向から見た液晶分子３０ａの配向状態を示す図において、楕円状に描かれた液晶分子３０ａの先が黒く示されている端は、その端が他端よりも、開口部１４ａを有する絵素電極１４が設けられている基板側に近いように、液晶分子３０ａが傾斜していることを示している。以下の図面においても同様である。ここでは、図４（ａ）に示した絵素領域の内の１つの単位格子（４つの開口部１４ａによって形成される）について説明する。図７（ａ）〜図７（ｃ）中の対角線に沿った断面は、図４（ｂ）、図５（ａ）および（ｂ）にそれぞれ対応し、これらの図を合わせて参照しながら説明する。
【０１０２】
絵素電極１４および対向電極２２が同電位のとき、すなわち液晶層３０に電圧が印加されていない状態においては、ＴＦＴ基板２００ａおよび対向基板２００ｂの液晶層３０側表面に設けられた垂直配向層（不図示）によって配向方向が規制されている液晶分子３０ａは、図７（ａ）に示したように、垂直配向状態を取る。
【０１０３】
液晶層３０に電界を印加し、図５（ａ）に示した等電位線ＥＱで表される電界が発生すると、負の誘電率異方性を有する液晶分子３０ａには、軸方位が等電位線ＥＱに平行になるトルクが発生する。図６（ａ）および(ｂ)を参照しながら説明したように、液晶分子３０ａの分子軸に対して垂直な等電位線ＥＱで表される電場下の液晶分子３０ａは、液晶分子３０ａが傾斜（回転）する方向が一義的に定まっていないため（図６（ａ））、配向の変化（傾斜または回転）が容易に起こらないのに対し、液晶分子３０ａの分子軸に対して傾斜した等電位線ＥＱ下に置かれた液晶分子３０ａは、傾斜（回転）方向が一義的に決まるので、配向の変化が容易に起こる。従って、図７（ｂ）に示したように、等電位線ＥＱに対して液晶分子３０ａの分子軸が傾いている開口部１４ａのエッジ部から液晶分子３０ａが傾斜し始める。そして、図６（ｃ）を参照しながら説明したように、開口部１４ａのエッジ部の傾斜した液晶分子３０ａの配向と整合性をとるように周囲の液晶分子３０ａも傾斜し、図７（ｃ）に示したように、状態で液晶分子３０ａの軸方位は安定する（放射状傾斜配向）。
【０１０４】
このように、開口部１４ａが回転対称性を有する形状であると、絵素領域内の液晶分子３０ａは、電圧印加時に、開口部１４ａのエッジ部から開口部１４ａの中心に向かって液晶分子３０ａが傾斜するので、エッジ部からの液晶分子３０ａの配向規制力が釣り合う開口部１４ａの中心付近の液晶分子３０ａは基板面に対して垂直に配向した状態を維持し、その回りの液晶分子３０ａが開口部１４ａの中心付近の液晶分子３０ａを中心に放射状に液晶分子３０ａが連続的に傾斜した状態が得られる。
【０１０５】
また、正方格子状に配列された４つの略星形の開口部１４ａに包囲された略円形の単位中実部１４ｂ’に対応する領域の液晶分子３０ａも、開口部１４ａのエッジ部に生成される斜め電界で傾斜した液晶分子３０ａの配向と整合するように傾斜する。エッジ部からの液晶分子３０ａの配向規制力が釣り合う単位中実部１４ｂ’の中心付近の液晶分子３０ａは基板面に対して垂直に配向した状態を維持し、その回りの液晶分子３０ａが単位中実部１４ｂ’の中心付近の液晶分子３０ａを中心に放射状に液晶分子３０ａが連続的に傾斜した状態が得られる。
【０１０６】
このように、絵素領域全体に亘って、液晶分子３０ａが放射状傾斜配向をとる液晶ドメインが正方格子状に配列されると、それぞれの軸方位の液晶分子３０ａの存在確率が回転対称性を有することになり、あらゆる視角方向に対して、ざらつきのない高品位の表示を実現することができる。放射状傾斜配向を有する液晶ドメインの視角依存性を低減するためには、液晶ドメインが高い回転対称性（２回回転軸以上が好ましく、４回回転軸以上がさらに好ましい。）を有することが好ましい。また、絵素領域全体の視角依存性を低減するためには、絵素領域に形成される複数の液晶ドメインが、高い回転対称性（２回回転軸以上が好ましく、４回回転軸以上がさらに好ましい。）を有する単位（例えば単位格子）の組合せで表される配列（例えば正方格子）を構成することが好ましい。
【０１０７】
なお、液晶分子３０ａの放射状傾斜配向は、図８（ａ）に示したような単純な放射状傾斜配向よりも、図８（ｂ）および（ｃ）に示したような、左回りまたは右回りの渦巻き状の放射状傾斜配向の方が安定である。この渦巻き状配向は、通常のツイスト配向のように液晶層３０の厚さ方向に沿って液晶分子３０ａの配向方向が螺旋状に変化するのではなく、液晶分子３０ａの配向方向は微小領域でみると、液晶層３０の厚さ方向に沿ってほとんど変化していない。すなわち、液晶層３０の厚さ方向のどこの位置の断面（層面に平行な面内での断面）においても、図８（ｂ）または（ｃ）と同じ配向状態にあり、液晶層３０の厚さ方向に沿ったツイスト変形をほとんど生じていない。但し、液晶ドメインの全体でみると、ある程度のツイスト変形が発生している。
【０１０８】
負の誘電異方性を有するネマチック液晶材料にカイラル剤を添加した材料を用いると、電圧印加時に、液晶分子３０ａは、開口部１４ａおよび単位中実部１４ｂ’を中心に、図８（ｂ）および（ｃ）に示した、左回りまたは右回りの渦巻き状放射状傾斜配向をとる。右回りか左回りかは用いるカイラル剤の種類によって決まる。従って、電圧印加時に開口部１４ａ内の液晶層３０を渦巻き状放射状傾斜配向させることによって、放射状傾斜している液晶分子３０ａの、基板面に垂直に立っている液晶分子３０ａの周りを巻いている方向を全ての液晶ドメイン内で一定にすることができるので、ざらつきの無い均一な表示が可能になる。さらに、基板面に垂直に立っている液晶分子３０ａの周りを巻いている方向が定まっているので、液晶層３０に電圧を印加した際の応答速度も向上する。
【０１０９】
カイラル剤を添加すると、更に、通常のツイスト配向のように、液晶層３０の厚さ方向に沿って液晶分子３０ａの配向が螺旋状に変化するようになる。液晶層３０の厚さ方向に沿って液晶分子３０ａの配向が螺旋状に変化しない配向状態では、偏光板の偏光軸に対して垂直方向または平行方向に配向している液晶分子３０ａは、入射光に対して位相差を与えないため、この様な配向状態の領域を通過する入射光は透過率に寄与しない。これに対し、液晶層３０の厚さ方向に沿って液晶分子３０ａの配向が螺旋状に変化する配向状態においては、偏光板の偏光軸に垂直方向または平行方向に配向している液晶分子３０ａも、入射光に対して位相差を与えるとともに、光の旋光性を利用することもできる。従って、この様な配向状態の領域を通過する入射光も透過率に寄与するので、明るい表示が可能な液晶表示装置を得ることができる。
【０１１０】
図４（ａ）では、開口部１４ａが略星形を有し、単位中実部１４ｂ’が略円形を有し、これらが正方格子状に配列された例を示したが、開口部１４ａおよび単位中実部１４ｂ’の形状ならびにこれらの配置は、上記の例に限られない。
【０１１１】
図９（ａ）および（ｂ）に、異なる形状の開口部１４ａおよび単位中実部１４ｂ’を有する絵素電極１４Ａおよび１４Ｂの上面図をそれぞれ示す。
【０１１２】
図９（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示した絵素電極１４Ａおよび１４Ｂの開口部１４ａおよび単位中実部１４ｂ’は、図４（ａ）に示した絵素電極の開口部１４ａおよび単位中実部１４ｂ’が若干ひずんだ形を有している。絵素電極１４Ａおよび１４Ｂの開口部１４ａおよび単位中実部１４ｂ’は、２回回転軸を有し（４回回転軸は有しない）、長方形の単位格子を形成するように規則的に配列されている。開口部１４ａは、いずれも歪んだ星形を有し、単位中実部１４ｂ’は、いずれも略楕円形（歪んだ円形）を有している。絵素電極１４Ａおよび１４Ｂを用いても、表示品位が高い、視角特性に優れた液晶表示装置を得ることができる。
【０１１３】
さらに、図１０（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示すような絵素電極１４Ｃおよび１４Ｄを用いることもできる。
【０１１４】
絵素電極１４Ｃおよび１４Ｄは、単位中実部１４ｂ’が略正方形となるように、略十字の開口部１４ａが正方格子状に配置されている。勿論、これらを歪ませて、長方形の単位格子を形成するように配置してもよい。このように、略矩形（矩形は正方形と長方形を含むとする。）の単位中実部１４ｂ’を規則正しく配列しても、表示品位が高い、視角特性に優れた液晶表示装置を得ることができる。
【０１１５】
但し、開口部１４ａおよび／または単位中実部１４ｂ’の形状は、矩形よりも円形または楕円形の方が放射状傾斜配向を安定化できるので好ましい。これは、開口部１４ａの辺が連続的に（滑らかに）変化するので、液晶分子３０ａの配向方向も連続的に（滑らかに）変化するためと考えられる。
【０１１６】
上述した液晶分子３０ａの配向方向の連続性の観点から、図１１（ａ）および（ｂ）に示す絵素電極１４Ｅおよび１４Ｆも考えられる。図１１（ａ）に示した絵素電極１４Ｅは、図４（ａ）に示した絵素電極１４の変形例で、４つの円弧だけからなる開口部１４ａを有している。また、図１１（ｂ）に示した絵素電極１４Ｆは、図１０（ｂ）に示した絵素電極１４Ｄの変形例で、開口部１４ａの単位中実部１４ｂ’側が円弧で形成されている。絵素電極１４Ｅおよび１４Ｆが有する開口部１４ａならびに単位中実部１４ｂ’は、いずれも４回回転軸を有しており、且つ、正方格子状（４回回転軸を有する）に配列されているが、図９（ａ）および（ｂ）に示したように、開口部１４ａの単位中実部１４ｂ’の形状を歪ませて２回回転軸を有する形状とし、長方形の格子（２回回転軸を有する）を形成するように配置してもよい。
【０１１７】
上述の例では、略星形や略十字形の開口部１４ａを形成し、単位中実部１４ｂ’の形状を略円形、略楕円形、略正方形（矩形）および角の取れた略矩形とした構成を説明した。これに対して、開口部１４ａと単位中実部１４ｂ’との関係をネガ−ポジ反転させてもよい。例えば、図４（ａ）に示した絵素電極１４の開口部１４ａと単位中実部１４ｂとをネガ−ポジ反転したパターンを有する絵素電極１４Ｇを図１２に示す。このように、ネガ−ポジ反転したパターンを有する絵素電極１４Ｇも図１に示した絵素電極１４と実質的に同様の機能を有する。なお、図１３（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示す絵素電極１４Ｈおよび１４Ｉのように、開口部１４ａおよび単位中実部１４ｂ’がともに略正方形の場合には、ネガ−ポジ反転しても、もとのパターンと同じパターンとなるものもある。
【０１１８】
図１２に示したパターンのように、図４（ａ）に示したパターンをネガ−ポジ反転させた場合にも、絵素電極１４のエッジ部に、回転対称性を有する単位中実部１４ｂ'が形成されるように、開口部１４ａの一部（約２分の１または約４分の１）を形成することが好ましい。このようなパターンとすることによって、絵素領域のエッジ部においても、絵素領域の中央部と同様に、斜め電界による効果が得られ、絵素領域の全体に亘って安定した放射状傾斜配向を実現することができる。
【０１１９】
次に、図４（ａ）の絵素電極１４と、絵素電極１４の開口部１４ａと単位中実部１４ｂ’のパターンをネガ−ポジ反転させたパターンを有する図１２に示した絵素電極１４Ｇを例に、ネガ−ポジパターンのいずれを採用すべきかを説明する。
【０１２０】
ネガ−ポジいずれのパターンを採用しても、開口部１４ａの辺の長さはどちらのパターンも同じである。従って、斜め電界を生成するという機能においては、これらのパターンによる差はない。しかしながら、単位中実部１４ｂ’の面積比率（絵素電極１４の全面積に対する比率）は、両者の間で異なり得る。すなわち、液晶層の液晶分子に採用する電界を生成する中実部１６（実際に導電膜が存在する部分）の面積が異なり得る。
【０１２１】
開口部１４ａに形成される液晶ドメインに印加される電圧は、中実部１４ｂに形成される液晶ドメインに印加される電圧よりも低くなるので、例えば、ノーマリブラックモードの表示を行うと、開口部１４ａに形成された液晶ドメインは暗くなる。すなわち、開口部１４ａの面積比率が高くなると表示輝度が低下する傾向になる。従って、中実部１４ｂの面積比率が高い方が好ましい。
【０１２２】
図４（ａ）のパターンと図１２のパターンとのいずれにおいて中実部１４ｂの面積比率が高くなるかは、単位格子のピッチ（大きさ）に依存する。
【０１２３】
図１４（ａ）は、図４（ａ）に示したパターンの単位格子を示し、図１４（ｂ）は、図１２に示したパターンの単位格子（但し、開口部１４ａを中心とする。）を示している。なお、図１４（ｂ）においては、図１２における単位中実部１４ｂ’の相互に接続する役割を果たしている部分（円形部から四方にのびる枝部）を省略している。正方単位格子の一辺の長さ（ピッチ）をｐとし、開口部１４ａまたは単位中実部１４ｂ’と単位格子との間隙の長さ（片側のスペース）をｓとする。
【０１２４】
ピッチｐおよび片側スペースｓの値が異なる種々の絵素電極１４を形成し、放射状傾斜配向の安定性などを検討した。その結果、まず、図１４（ａ）に示したパターン（以下、「ポジ型パターン」と称する。）を有する絵素電極１４を用いて、放射状傾斜配向を得るために必要な斜め電界を生成するためには、片側スペースｓが約２．７５μｍ以上必要であることを見出した。一方、図１４（ｂ）に示したパターン（以下、「ネガ型パターン」と称する。）を有する絵素電極１４について、放射状傾斜配向を得るための斜め電界を生成するために、片側スペースｓが約２．２５μｍ以上必要であることを見出した。片側スペースｓをそれぞれこの下限値として、ピッチｐの値を変化させたときの中実部１４ｂの面積比率を検討した。結果を表１および図１４（ｃ）に示す。
【０１２５】
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表１および図１４（ｃ）から分かるように、ピッチｐが約２５μｍ以上のときにはポジ型（図１４（ａ））パターンの方が中実部１４ｂの面積比率が高くなり、約２５μｍよりも短くなるとネガ型（図１４（ｂ））の方が中実部１４ｂの面積比率が大きくなる。従って、表示輝度および配向の安定性の観点から、ピッチｐが約２５μｍを境にして、採用すべきパターンが変わる。例えば、幅７５μｍの絵素電極１４の幅方向に、３個以下の単位格子を設ける場合には、図１４（ａ）に示したポジ型パターンが好ましく、４個以上の単位格子を設ける場合には、図１４（ｂ）に示したネガ型パターンが好ましい。例示したパターン以外の場合においても、中実部１４ｂの面積比率が大きくなるように、ポジ型またはネガ型の何れかを選択すればよい。
【０１２６】
単位格子の数は、以下のようにして求められる。絵素電極１４の幅（横または縦）に対して、１つまたは２以上の整数個の単位格子が配置されるように、単位格子のサイズを計算し、それぞれの単位格子サイズについて中実部面積比率を計算し、中実部面積比率が最大となる単位格子サイズを選ぶ。但し、ポジ型パターンの場合には単位中実部１４ｂ’の直径が１５μｍ未満、ネガ型パターンの場合には開口部１４ａの直径が１５μｍ未満になると、斜め電界による配向規制力が低下し、安定した放射状傾斜配向が得られ難くなる。なお、これら直径の下限値は、液晶層３０の厚さが約３μｍの場合であり、液晶層３０の厚さがこれよりも薄いと、単位中実部１４ｂ’および開口部１４ａの直径は、上記の下限値よりもさらに小さくとも安定な放射状傾斜配向が得られ、液晶層３０の厚さがこれよりも厚い場合に安定な放射状傾斜配向を得るために必要な、単位中実部１４ｂ’および開口部１４ａの直径の下限値は、上記の下限値よりも大きくなる。
【０１２７】
なお、後述するように、開口部１４ａの内側に凸部を形成することによって、放射状傾斜配向の安定性を高めることができる。上述の条件は、いずれも、凸部を形成していない場合についてである。
【０１２８】
上述した実施形態２の液晶表示装置の構成は、絵素電極１４が開口部１４ａを有する電極であること以外は、公知の垂直配向型液晶表示装置と同じ構成を採用することができ、公知の製造方法で製造することができる。
【０１２９】
なお、典型的には、負の誘電異方性を有する液晶分子を垂直配向させるために、絵素電極１４および対向電極２２の液晶層３０側表面には垂直配向層（不図示）が形成されている。
【０１３０】
液晶材料としては、負の誘電異方性を有するネマチック液晶材料が用いられる。また、負の誘電異方性を有するネマチック液晶材料に２色性色素添加することによって、ゲスト−ホストモードの液晶表示装置を得ることもできる。ゲスト−ホストモードの液晶表示装置は、偏光板を必要としない。
【０１３１】
次に、上述した実施形態２の液晶表示装置２００の改変例として、開口部１４ａの内側に凸部が形成された液晶表示装置２００’を説明する。
【０１３２】
図１５（ａ）および（ｂ）を参照しながら、液晶表示装置２００’の１つの絵素領域の構造を説明する。また、以下の図面においては、液晶表示装置２００’の構成要素と実質的に同じ機能を有する構成要素を同じ参照符号で示し、その説明を省略する。図１５（ａ）は基板法線方向から見た上面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）中の１５Ｂ−１５Ｂ’線に沿った断面図に相当する。図１５（ｂ）は、液晶層に電圧を印加していない状態を示している。
【０１３３】
図１５（ａ）および（ｂ）に示したように、液晶表示装置２００’は、ＴＦＴ基板２００ａ’が、絵素電極１４の開口部１４ａの内側に凸部４０を有する点において、図４（ａ）および（ｂ）に示した実施形態２の液晶表示装置２００と異なっている。凸部４０の表面には、垂直配向膜（不図示）が設けられている。
【０１３４】
凸部４０の基板１１の面内方向の断面形状は、図１５（ａ）に示したように、開口部１４ａの形状と同じであり、ここでは略星形である。但し、隣接する凸部４０は互いに繋がっており、単位中実部１４ｂ’を略円形に完全に包囲するように形成されている。この凸部４０の基板１１に垂直な面内方向の断面形状は、図１５（ｂ）に示したように台形である。すなわち、基板面に平行な頂面４０ｔと基板面に対してテーパ角θ（＜９０°）で傾斜した側面４０ｓとを有している。凸部４０を覆うように垂直配向膜（不図示）が形成されているので、凸部４０の側面４０ｓは、液晶層３０の液晶分子３０ａに対して、斜め電界による配向規制方向と同じ方向の配向規制力を有することになり、放射状傾斜配向を安定化させるように作用する。
【０１３５】
この凸部４０の作用を図１６（ａ）〜（ｄ）、および図１７（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明する。
【０１３６】
まず、図１６（ａ）〜（ｄ）を参照しながら、液晶分子３０ａの配向と垂直配向性を有する表面の形状との関係を説明する。
【０１３７】
図１６（ａ）に示したように、水平な表面上の液晶分子３０ａは、垂直配向性を有する表面（典型的には、垂直配向膜の表面）の配向規制力によって、表面に対して垂直に配向する。このように垂直配向状態にある液晶分子３０ａに液晶分子３０ａの軸方位に対して垂直な等電位線ＥＱで表される電界が印加されると、液晶分子３０ａには時計回りまたは反時計回り方向に傾斜させるトルクが等しい確率で作用する。従って、互いに対向する平行平板型配置の電極間にある液晶層３０内には、時計回り方向のトルクを受ける液晶分子３０ａと、反時計回りに方向のトルクを受ける液晶分子３０ａとが混在する。その結果、液晶層３０に印加された電圧に応じた配向状態への変化がスムーズに起こらないことがある。
【０１３８】
図１６（ｂ）に示したように、傾斜した表面に対して垂直に配向している液晶分子３０ａに対して、水平な等電位線ＥＱで表される電界が印加されると、液晶分子３０ａは、等電位線ＥＱと平行になるための傾斜量が少ない方向（図示の例では時計回り）に傾斜する。また、水平な表面に対して垂直に配向している液晶分子３０ａは、図１６（ｃ）に示したように、傾斜した表面に対して垂直に配向している液晶分子３０ａと配向が連続となるように（整合するように）、傾斜した表面上に位置する液晶分子３０ａと同じ方向（時計回り）に傾斜する。
【０１３９】
図１６（ｄ）に示したように、断面が台形の連続した凹凸状の表面に対しては、それぞれの傾斜した表面上の液晶分子３０ａによって規制される配向方向と整合するように、頂面および底面上の液晶分子３０ａが配向する。
【０１４０】
本実施形態の液晶表示装置は、このような表面の形状（凸部）による配向規制力の方向と、斜め電界による配向規制方向とを一致させることによって、放射状傾斜配向を安定化させる。
【０１４１】
図１７（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１５（ｂ）に示した液晶層３０に電圧を印加した状態を示しており、図１７（ａ）は、液晶層３０に印加された電圧に応じて、液晶分子３０ａの配向が変化し始めた状態（ＯＮ初期状態）を模式的に示しており、図１７（ｂ）は、印加された電圧に応じて変化した液晶分子３０ａの配向が定常状態に達した状態を模式的に示している。図１７（ａ）および（ｂ）中の曲線ＥＱは等電位線ＥＱを示す。
【０１４２】
絵素電極１４と対向電極２２とが同電位のとき（液晶層３０に電圧が印加されていない状態）には、図１５（ｂ）に示したように、絵素領域内の液晶分子３０ａは、両基板１１および２１の表面に対して垂直に配向している。このとき、凸部４０の側面４０ｓの垂直配向膜（不図示）に接する液晶分子３０ａは、側面４０ｓに対して垂直に配向し、側面４０ｓの近傍の液晶分子３０ａは、周辺の液晶分子３０ａとの相互作用（弾性体として性質）によって、図示したように、傾斜した配向をとる。
【０１４３】
液晶層３０に電圧を印加すると、図１７（ａ）に示した等電位線ＥＱで表される電位勾配が形成される。この等電位線ＥＱは、絵素電極１４の中実部１４ｂと対向電極２２との間に位置する液晶層３０内では、中実部１４ｂおよび対向電極２２の表面に対して平行であり、絵素電極１４の開口部１４ａに対応する領域で落ち込み、開口部１４ａのエッジ部（開口部１４ａの境界（外延）を含む開口部１４ａの内側周辺）ＥＧ上の液晶層３０内には、傾斜した等電位線ＥＱで表される斜め電界が形成される。
【０１４４】
この斜め電界によって、上述したように、エッジ部ＥＧ上の液晶分子３０ａは、図１７（ａ）中に矢印で示したように、図中の右側エッジ部ＥＧでは時計回り方向に、図中の左側エッジ部ＥＧでは反時計回り方向に、それぞれ傾斜（回転）し、等電位線ＥＱに平行に配向する。この斜め電界による配向規制方向は、それぞれのエッジ部ＥＧに位置する側面４０ｓによる配向規制方向と同じである。
【０１４５】
上述したように、傾斜した等電位線ＥＱ上に位置する液晶分子３０ａから始まる配向の変化が進み、定常状態に達すると、図１７（ｂ）に模式的に示した配向状態となる。開口部１４ａの中央付近、すなわち、凸部４０の頂面４０ｔの中央付近に位置する液晶分子３０ａは、開口部１４ａの互いに対向する両側のエッジ部ＥＧの液晶分子３０ａの配向の影響をほぼ同等に受けるので、等電位線ＥＱに対して垂直な配向状態を保ち、開口部１４ａ（凸部４０の頂面４０ｔ）の中央から離れた領域の液晶分子３０ａは、それぞれ近い方のエッジ部ＥＧの液晶分子３０ａの配向の影響を受けて傾斜し、開口部１４ａ（凸部４０の頂面４０ｔ）の中心ＳＡに関して対称な傾斜配向を形成する。また、開口部１４ａおよび凸部４０によって実質的に包囲された単位中実部１４ｂ’に対応する領域においても、単位中実部１４ｂ’の中心ＳＡに関して対称な傾斜配向を形成する。
【０１４６】
このように、液晶表示装置２００’においても、実施形態２の液晶表示装置２００と同様に、放射状傾斜配向を有する液晶ドメインが開口部１４ａおよび単位中実部１４ｂ’に対応して形成される。凸部４０は単位中実部１４ｂ’を略円形に完全に包囲するように形成されているので、液晶ドメインは凸部４０で包囲された略円形の領域に対応して形成される。さらに、開口部１４ａの内側に設けられた凸部４０の側面は、開口部１４ａのエッジ部ＥＧ付近の液晶分子３０ａを、斜め電界による配向方向と同じ方向に傾斜させるように作用するので、放射状傾斜配向を安定化させる。
【０１４７】
斜め電界による配向規制力は、当然のことながら、電圧印加時にしか作用せず、その強さは電界の強さ（印加電圧の大きさ）に依存する。したがって、電界強度が弱い（すなわち、印加電圧が低い）と、斜め電界による配向規制力は弱く、液晶パネルに外力が加わると、液晶材料の流動によって放射状傾斜配向が崩れることがある。一旦、放射状傾斜配向が崩れると、十分に強い配向規制力を発揮する斜め電界を生成するだけの電圧が印加されないと、放射状傾斜配向は復元されない。これに対し、凸部４０の側面４０ｓによる配向規制力は、印加電圧に関係なく作用し、配向膜のアンカリング効果として知られているように、非常に強い。従って、液晶材料の流動が生じて、一旦放射状傾斜配向が崩れても、凸部４０の側面４０ｓの近傍の液晶分子３０ａは放射状傾斜配向のときと同じ配向方向を維持している。従って、液晶材料の流動が止まりさえすれば、放射状傾斜配向が容易に復元される。
【０１４８】
この様に、実施形態２の液晶表示装置２００’は、実施形態２の液晶表示装置２００が有する特徴に加え、外力に対して強いという特徴を有している。従って、液晶表示装置２００’は、外力が印加されやすい、携帯して使用される機会の多いＰＣやＰＤＡに好適に用いられる。
【０１４９】
なお、凸部４０は透明性の高い誘電体を用いて形成すると、開口部１４ａに対応して形成される液晶ドメインの表示への寄与率が向上しするという利点が得られる。一方、凸部４０を不透明な誘電体を用いて形成すると、凸部４０の側面３４０ｓによって傾斜配向している液晶分子３０ａのリタデーションに起因する光漏れを防止できるという利点が得られる。いずれを採用するかは、液晶表示装置の用途などの応じて決めればよい。いずれの場合にも、感光性樹脂を用いると、開口部１４ａに対応してパターニングする工程を簡略化できる利点がある。十分な配向規制力を得るためには、凸部４０の高さは、液晶層３０の厚さが約３μｍの場合、約０．５μｍ〜約２μｍの範囲にあることが好ましい。一般に、凸部４０の高さは、液晶層３０の厚さの約１／６〜約２／３の範囲内にあることが好ましい。
【０１５０】
上述したように、液晶表示装置２００’は、絵素電極１４の開口部１４ａの内側に凸部４０を有し、凸部４０の側面４０ｓは、液晶層３０の液晶分子３０ａに対して、斜め電界による配向規制方向と同じ方向の配向規制力を有する。側面４０ｓが斜め電界による配向規制方向と同じ方向の配向規制力を有するための好ましい条件を図１８（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【０１５１】
図１８（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃの断面図を模式的に示し、図１７（ａ）に対応する。液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃは、いずれも開口部４０の内側に凸部を有するが、１つの構造体としての凸部４０全体と開口部４０との配置関係が液晶表示装置２００と異なっている。
【０１５２】
上述した液晶表示装置２００’においては、図１７（ａ）に示したように、構造体としての凸部４０の全体が開口部４０ａの内側に形成されており、且つ、凸部４０の底面は開口部４０ａよりも小さい。図１８（ａ）に示した液晶表示装置２００Ａにおいては、凸部４０Ａの底面は開口部１４ａと一致しており、図１８（ｂ）に示した液晶表示装置２００Ｂにおいては、凸部４０Ｂは開口部１４ａよりも大きい底面を有し、開口部１４ａの周辺の中実部（導電膜）１４ｂを覆うように形成されている。これらの凸部４０、４０Ａおよび４０Ｂのいずれの側面４０ｓ上にも中実部１４ｂが形成されていない。その結果、それぞれの図に示したように、等電位線ＥＱは、中実部１４ｂ上ではほぼ平坦で、そのまま開口部１４ａで落ち込む。従って、液晶表示装置２００Ａおよび２００Ｂの凸部４０Ａおよび４０Ｂの側面４０ｓは、上述した液晶表示装置２００’の凸部４０と同様に、斜め電界による配向規制力と同じ方向の配向規制力を発揮し、放射状傾斜配向を安定化する。
【０１５３】
これに対し、図１８（ｃ）に示した液晶表示装置２００Ｃの凸部４０Ｃの底面は開口部１４ａよりも大きく、開口部１４ａの周辺の中実部１４ｂは凸部４０Ｃの側面４０ｓ上に形成されている。この側面４０ｓ上に形成された中実部１４ｂの影響で、等電位線ＥＱに山が形成される。等電位線ＥＱの山は、開口部１４ａで落ち込む等電位線ＥＱと反対の傾きを有しており、これは、液晶分子３０ａを放射状傾斜配向させる斜め電界とは逆向きの斜め電界を生成していることを示している。従って、側面４０ｓが斜め電界による配向規制方向と同じ方向の配向規制力を有するためには、側面４０ｓ上に中実部（導電膜）１４ｂが形成されていないことが好ましい。
【０１５４】
次に、図１９を参照しながら、図１５（ａ）に示した凸部４０の１８Ａ−１８Ａ’線に沿った断面構造を説明する。
【０１５５】
上述したように、図１５（ａ）に示した凸部４０は、単位中実部１４ｂ’を略円形に完全に包囲するように形成されているので、隣接する単位中実部１４ｂ’の相互に接続する役割を果たしている部分（円形部から四方に枝部）は、図１７に示したように、凸部４０上に形成される。従って、絵素電極１４の中実部１４ｂを形成する導電膜を堆積する工程において、凸部４０上で断線が生じたり、あるいは、製造プロセスの後工程で剥離が生じる危険性が高い。
【０１５６】
そこで、図２０（ａ）および（ｂ）に示す液晶表示装置２００Ｄのように、開口部１４ａ内に、それぞれ独立した凸部４０Ｄが完全に含まれるように形成すると、中実部１４ｂを形成する導電膜は、基板１１の平坦な表面に形成されるので断線や剥離が起こる危険性が無くなる。なお、凸部４０Ｄは、単位中実部１４ｂ’を略円形に完全に包囲するようには形成されていないが、単位中実部１４ｂ’に対応した略円形の液晶ドメインが形成され、先の例と同様に、その放射状傾斜配向は安定化される。
【０１５７】
開口部１４ａ内に凸部４０を形成することによって、放射状傾斜配向を安定化させる効果は、例示したパターンの開口部１４ａに限られず、実施形態１で説明した全てのパターンの開口部１４ａに対して同様に適用でき、同様の効果を得ることができる。なお、凸部４０による外力に対する配向安定化効果を十分に発揮させるためには、凸部４０のパターン（基板法線方向から見たときにパターン）は、できるだけ広い領域の液晶層３０を包囲する形状であることが好ましい。従って、例えば、円形の開口部１４ａを有するネガ型パターンよりも、円形の単位中実部１４ｂ’を有するポジ型パターンの方が、凸部４０による配向安定化効果が大きい。
【０１５８】
（偏光板、位相差板の配置）
負の誘電率異方性を有する液晶分子が電圧無印加時に垂直配向する液晶層を備える、いわゆる垂直配向型液晶表示装置は、種々の表示モードで表示を行うことができる。例えば、液晶層の複屈折率を電界によって制御することによって表示する複屈折モードの他に、旋光モードや旋光モードと複屈折モードとを組み合わせて表示モードに適用される。先の実施形態１および２で説明した全ての液晶表示装置の一対の基板（例えば、ＴＦＴ基板と対向基板）の外側（液晶層３０と反対側）に一対の偏光板を設けることによって、複屈折モードの液晶表示装置を得ることができる。また、必要に応じて、位相差補償素子（典型的には位相差板）を設けてもよい。更に、略円偏光を用いても明るい液晶表示装置を得ることができる。
（実施形態３）
図２１を参照しながら、本発明による実施形態３の液晶表示装置３００を説明する。図２１は、本実施形態の液晶表示装置３００の１つの絵素領域を模式的に示す上面図である。なお、図２１においては、絵素電極の構造を中心に示し、その他の構成要素の一部を省略している。液晶表示装置３００は、アクティブマトリクス基板と、対向基板と、これらの間に設けられた液晶層とを有する。
【０１５９】
アクティブマトリクス基板は、透明基板（例えばガラス基板）と、絵素領域ごとに透明基板の液晶層側に設けられた絵素電極１４と、絵素電極１４に電気的に接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５０とを有する。対向基板は、透明基板（例えばガラス基板）と、その表面に設けられた対向電極とを有する。
【０１６０】
上述の絵素電極１４および対向電極は、液晶層を介して互いに対向するように配置されており、絵素電極１４と対向電極とに印加される電圧に応じて、絵素領域ごとの液晶層の配向状態が変化する。
【０１６１】
図２１を参照しながら、液晶表示装置３００が有するアクティブマトリクス基板の構成をさらに詳しく説明する。
【０１６２】
アクティブマトリクス基板は、絶縁性基板を有し、この絶縁性基板上に、走査配線（ゲートバスライン）５１と、この走査配線５１から分岐したゲート電極５０Ｇと、補助容量配線５２とが形成されている。さらに、これらを覆うように、ゲート絶縁膜が形成されている。ゲート電極５０Ｇ上に位置するゲート絶縁膜上に、半導体層、チャネル保護層、ソース電極５０Ｓおよびドレイン電極５０Ｄが形成されており、これらがＴＦＴ５０を構成している。
【０１６３】
ＴＦＴ５０のソース電極５０Ｓは信号配線（ソースバスライン）５３に、ドレイン電極５０Ｇは接続配線５４に、それぞれ電気的に接続されている。ＴＦＴ５０が形成された絶縁性基板のほぼ全面を覆うように層間絶縁膜が形成されており、この層間絶縁膜上に、絵素電極１４が形成されている。
【０１６４】
絵素電極１４は、複数のサブ絵素電極５５を有し、複数のサブ絵素電極５５は、ＴＦＴ５０に電気的に並列に接続されている。本実施形態においては、サブ絵素電極５５は、円形の形状を有しているが、サブ絵素電極５５の形状はこれに限定されず、矩形などの任意の形状であってもよい。また、ここでは、１０個のサブ絵素電極５５から構成された絵素電極１４を示したが、勿論これに限定されず、絵素電極１４は、任意の個数のサブ絵素電極５５から構成されていてもよく、個々のサブ絵素電極５５の大きさ（面積）も、同じでなくてもよい。
【０１６５】
個々のサブ絵素電極５５は、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホール５７において接続配線５４と電気的に接続されており、接続配線５４を介してドレイン電極５０Ｄに電気的に接続されている。
【０１６６】
上述したように、本実施形態の液晶表示装置３００においては、絵素電極１４が有する複数のサブ絵素電極５５は、ＴＦＴ５０に電気的に並列に接続されている。従って、あるサブ絵素電極５５と対向電極との間で短絡が発生している場合には、他のサブ絵素電極５５とＴＦＴ５０との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生しているサブ絵素電極５５のみをＴＦＴ５０から電気的に切断することができる。そのため、他のサブ絵素電極５５には、ＴＦＴ５０を介して正常に電圧が印加されるので、十分な表示品位が得られる。
【０１６７】
例えば、図２１中において２行目２列目に位置するサブ絵素電極５５ｓにおいて短絡不良が発生した場合には、接続配線５４を図中に示した切断部５４’において切断することによって、他のサブ絵素電極５５とＴＦＴ５０との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生しているサブ絵素電極５５ｓのみをＴＦＴ５０から電気的に切断することができる。
【０１６８】
図２２は、スイッチング素子５０に電気的に並列に接続された複数のサブ絵素電極を有する絵素電極１４を備えた液晶表示装置３００’を概念的に示す図である。
【０１６９】
液晶表示装置３００’が有する絵素電極１４は、Ｎ個のサブ絵素電極（１）〜（Ｎ）を有する。図２２において、スイッチング素子５０とサブ絵素電極との間およびサブ絵素電極同士の間を結ぶ実線は、これらが互いに電気的に接続されていることを示す。
【０１７０】
液晶表示装置３００’においては、絵素電極１４が有するサブ絵素電極（１）〜（Ｎ）は、スイッチング素子５０に電気的に並列に接続されている。そのため、いずれのサブ絵素電極に短絡不良が発生した場合においても、他のサブ絵素電極とスイッチング素子５０との電気的な接続を維持したまま、短絡不良が発生したサブ絵素電極のみをスイッチング素子５０から電気的に切断することができる。
【０１７１】
例えば、図２２中にハッチングで示す、サブ絵素電極（４）において短絡が発生した場合には、サブ絵素電極（４）とスイッチング素子５０との電気的な接続を切断することによって、サブ絵素電極（４）のみをスイッチング素子５０から電気的に切断することができる。従って、修正後には、他のすべてのサブ絵素電極を表示に寄与させることができ、高品位の表示が実現される。
【０１７２】
本実施形態の液晶表示装置３００の欠陥修正は、具体的には、例えば、以下のようにして実行される。
【０１７３】
まず、複数の絵素領域のなかから、表示不良を呈する絵素領域を特定するとともに、この特定された絵素領域において、複数のサブ絵素電極５５のなかから短絡が発生しているサブ絵素電極５５ｓを特定する。絵素領域およびサブ絵素電極５５ｓの特定は、例えば、光学顕微鏡やルーペを用いて実行される。
【０１７４】
次に、特定されたサブ絵素電極５５ｓを、例えば接続配線５４の一部を切断することによって、ＴＦＴ５０から電気的に切断する。接続配線５４の切断は、例えば、レーザ光を照射することによって実行される。レーザ光を照射することによる接続部の切断は、公知の技術を用いて適切に実行される。
【０１７５】
また、本実施形態の液晶表示装置３００は、公知の製造方法を用いて製造され得る。
【０１７６】
液晶表示装置３００は、例えば、実施形態１の液晶表示装置１００のように、ＴＮモードの表示が可能であるように構成されてもよい。また、実施形態２の液晶表示装置２００のように、液晶層が放射状傾斜配向状態をとるような電極構造とすると、絵素電極１４の開口部１４ａに対応する液晶層を表示に寄与させることができるので、明るい表示が実現される。
【０１７７】
【発明の効果】
本発明によると、絵素電極を介した短絡不良が発生した場合に、表示欠陥を呈する絵素の全体を犠牲にすることなく、表示欠陥を修正することが可能な液晶表示装置およびそのような欠陥修正方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施形態１の液晶表示装置１００の１つの絵素領域の構造を模式的に示す上面図である。
【図２】Ｍ行Ｎ列に配列された複数のサブ絵素電極を有し、短絡が生じたサブ絵素電極のみをスイッチング素子から電気的に切り離すことが可能な液晶表示装置１００’を概念的に示す図である。
【図３】本発明による実施形態２の液晶表示装置２００の１つの絵素領域の構造を模式的に示す上面図である。
【図４】本発明による実施形態２の液晶表示装置２００の１つの絵素領域の構造を模式的に示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）中の４Ｂ−４Ｂ’線に沿った断面図である。
【図５】液晶表示装置２００の液晶層３０に電圧を印加した状態を示す図であり、（ａ）は、配向が変化し始めた状態（ＯＮ初期状態）を模式的に示し、（ｂ）は、定常状態を模式的に示している。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、電気力線と液晶分子の配向の関係を模式的に示す図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による実施形態２の液晶表示装置２００における、基板法線方向から見た液晶分子の配向状態を模式的に示す図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、液晶分子の放射状傾斜配向の例を模式的に示す図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、本発明による実施形態２の液晶表示装置に用いられる他の絵素電極を模式的に示す上面図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、本発明による実施形態２の液晶表示装置に用いられるさらに他の絵素電極を模式的に示す上面図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、本発明による実施形態２の液晶表示装置に用いられるさらに他の絵素電極を模式的に示す上面図である。
【図１２】本発明による実施形態２の液晶表示装置に用いられるさらに他の絵素電極を模式的に示す上面図である。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、本発明による実施形態２の液晶表示装置に用いられるさらに他の絵素電極を模式的に示す上面図である。
【図１４】（ａ）は、図４（ａ）に示したパターンの単位格子を模式的に示す図であり、（ｂ）は、図１２に示したパターンの単位格子を模式的に示す図であり、（ｃ）はピッチｐと中実部面積比率との関係を示すグラフである。
【図１５】本発明による実施形態２の液晶表示装置の改変例である液晶表示装置２００’の１つの絵素領域の構造を模式的に示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）中の１５Ｂ−１５Ｂ’線に沿った断面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、液晶分子３０ａの配向と垂直配向性を有する表面の形状との関係を説明するための模式図である。
【図１７】液晶表示装置２００’の液晶層３０に電圧を印加した状態を示す図であり、（ａ）は、配向が変化し始めた状態（ＯＮ初期状態）を模式的に示し、（ｂ）は、定常状態を模式的に示している。
【図１８】（ａ）〜（ｃ）は、開口部と凸部との配置関係が異なる、実施形態２の液晶表示装置２００Ａ、２００Ｂおよび２００Ｃの模式的な断面図である。
【図１９】液晶表示装置２００’の断面構造を模式的に示す図であり、図１５（ａ）中の１９Ａ−１９Ａ’線に沿った断面図である。
【図２０】本発明による実施形態２の液晶表示装置２００Ｄの１つの絵素領域の構造を模式的に示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）中の２０Ｂ−２０Ｂ’線に沿った断面図である。
【図２１】本発明による実施形態３の液晶表示装置３００の１つの絵素領域の構造を模式的に示す上面図である。
【図２２】スイッチング素子５０に電気的に並列に接続された複数のサブ絵素電極を有する絵素電極１４を備えた液晶表示装置３００’を概念的に示す図である。
【符号の説明】
１１、２１  透明絶縁性基板
１４、１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ、１４Ｆ  絵素電極
１４Ｇ、１４Ｈ、１４Ｉ  絵素電極
１４ａ  開口部
１４ｂ  中実部（導電膜）
１４ｂ’  単位中実部
２２  対向電極
３０  液晶層
３０ａ  液晶分子
４０、４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄ  凸部
４０ｓ  凸部の側面
４０ｔ  凸部の頂面
５０  ＴＦＴ、スイッチング素子
５０Ｇ  ゲート電極
５０Ｓ  ソース電極
５０Ｄ  ドレイン電極
５１  走査配線（ソースバスライン）
５２  補助容量配線
５３  信号配線（ゲートバスライン）
５４  接続配線
５５  サブ絵素電極
５６  接続部
５７  コンタクトホール
１００、１００’、２００、２００’、３００、３００’    液晶表示装置
１００ａ、２００ａ  ＴＦＴ基板
１００ｂ、２００ｂ  対向基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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