【手続補正書】
【提出日】令和3年9月24日(2021.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が形成された半導体チップ（３０）が封止部材（６０）で封止された半導体パッケージであって、
前記半導体チップと、
前記半導体チップを搭載する放熱部材（２０）と、
前記半導体チップを封止する前記封止部材と、を備え、
前記封止部材は、液晶ポリマで構成されており、
前記放熱部材と前記封止部材との界面を含む異なる部材の界面の少なくとも１つは、化学結合で接合され、
前記化学結合は、共有結合である半導体パッケージ。
【請求項２】
前記放熱部材と前記半導体チップとの積層方向において、前記放熱部材は、前記放熱部材内に前記封止部材が位置する大きさとされている請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記封止部材は、前記半導体チップにおける前記放熱部材と反対側の部分を封止する一面封止部材（８０）と、前記半導体チップにおける前記一面封止部材で封止される部分と異なる部分を封止する側面封止部材（７０）と、を有し、
前記半導体チップは、第１電極（３４）および第２電極（３５）を有し、前記第１電極と前記第２電極との間に電流を流す前記半導体素子が形成されており、
前記一面封止部材には、前記第１電極と電気的に接続される第１パターン（９１）および前記第２電極と電気的に接続される第２パターン（９２）が形成されている請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記半導体素子は、前記半導体チップの面方向に電流を流す横型素子である請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記半導体素子は、前記半導体チップの厚さ方向に電流を流す縦型素子である請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記半導体チップは、外形が相対する辺を有する形状とされ、前記第１電極と前記第２電極との間に流れる電流を制御するゲート電極（３８）を有し、
前記一面封止部材には、前記ゲート電極と電気的に接続されるゲート用パターン（９３）が形成されていると共に、前記ゲート用パターンを露出させてゲート用パッド（９３１ａ、９３２ａ）を構成するコンタクトホール（１０１）が形成されており、
前記ゲート用パッドは、２つ備えられ、一方の前記ゲート用パッドが前記相対する辺の一方の辺側に備えられ、他方の前記ゲート用パッドが前記相対する辺の他方の辺側に備えられている請求項３ないし５のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記半導体チップは、前記第１電極および前記第２電極が形成される部分と異なる部分が前記封止部材と共有結合されている請求項３ないし６のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記第１パターンと前記第２パターンとの間には、前記封止部材を構成する液晶ポリマが配置されている請求項３ないし７のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記一面封止部材には、前記第１電極と前記第１パターンとを接続する上方接続ビア（９５）、および前記第２電極と前記第２パターンとを接続する上方接続ビア（９５）が形成されており、
前記第１パターンおよび前記第２パターンの少なくとも一方には、前記上方接続ビアと接続される部分と異なる部分が除去されたスリット（９１ｂ、９２ｂ）が形成されている請求項３ないし８のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記一面封止部材には、前記第１パターンを露出させてパッド（９１ａ）を構成するコンタクトホール（１０１）が形成されていると共に、前記第２パターンを露出させてパッド（９２ａ）を構成するコンタクトホール（１０１）が形成されており、
前記パッド上には、接続用パンプ（１９０）が配置されている請求項３ないし９のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記半導体チップは、接合部材（５０）を介して前記放熱部材に搭載されている請求項３ないし１０のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記放熱部材と前記半導体チップとの積層方向において、前記接合部材は、前記接合部材内に前記半導体チップが位置する大きさとされている請求項１１に記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記放熱部材は、絶縁基板（２１）と、前記絶縁基板の一面（２１ａ）側に形成された一面金属膜（２２）と、を有し、
前記接合部材は、導電性を有する材料で構成され、
前記半導体チップは、前記放熱部材と対向する側に形成された他面電極（３４、４０）を有し、前記他面電極が前記一面金属膜と対向する状態で前記接合部材を介して前記一面金属膜と電気的、機械的に接続されており、
前記封止部材には、前記第１パターンまたは前記第２パターンと前記一面金属膜とを電気的に接続する接続ビア（６１）が形成されている請求項１１または１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記放熱部材は、前記絶縁基板の一面と反対の他面（２１ｂ）側に他面金属膜（２３）が形成されている請求項１３に記載の半導体パッケージ。
【請求項１５】
前記一面金属膜および前記他面金属膜は、同じ形状とされ、前記絶縁基板を挟んで対称に形成されている請求項１４に記載の半導体パッケージ。
【請求項１６】
前記一面金属膜は、第１領域（２２ａ）および第２領域（２２ｂ）を含む複数の領域に区画され、
前記封止部材には、前記第１パターンと前記第１領域とを接続する前記接続ビアが形成されていると共に、前記第２パターンと前記第２領域とを接続する前記接続ビアが形成されており、
前記半導体チップは、前記一面金属膜のうちの前記第２領域上に前記接合部材を介して配置されている請求項１３ないし１５のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項１７】
前記側面封止部材は、射出成型品で構成されている請求項１３ないし１６のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記放熱部材は、絶縁基板（２１）と、前記絶縁基板の一面（２１ａ）側に形成された一面金属膜（２２）と、を有し、
前記側面封止部材は、液晶ポリマフィルム（７７）と、前記液晶ポリマフィルムに配置され、前記液晶ポリマフィルムを厚さ方向に貫通する接続ビア（７６）と、を有する板状部材（７４０）が複数積層された構成とされ、前記半導体チップと前記放熱部材との間に配置される下層板状部材（７４０）と、前記下層板状部材上に配置される中層板状部材（８４０）とを有し、
前記中層板状部材は、前記液晶ポリマフィルムに、前記接続ビアとしての中層接続ビア（８６０）が形成されており、
前記下層板状部材は、前記半導体チップと前記一面金属膜とを接続する前記接続ビアとしての下層接続ビア（７６０）と、前記中層板状部材に形成された前記中層接続ビアと前記一面金属膜とを接続する前記接続ビアとしての下層接続ビア（７６０）とが形成されている請求項３ないし１０のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項１９】
前記半導体チップと前記一面金属膜とを接続する前記下層接続ビアは、複数備えられている請求項１８に記載の半導体パッケージ。
【請求項２０】
前記半導体チップと前記一面金属膜とを接続する前記下層接続ビアは、前記半導体チップの内縁部のみと接続されている請求項１９に記載の半導体パッケージ。
【請求項２１】
前記半導体チップと前記一面金属膜とを接続する前記下層接続ビアは、前記半導体チップの内縁部と接続される部分の接続面積が、前記半導体チップの外縁部と接続される部分の接続面積より大きくされている請求項１９に記載の半導体パッケージ。
【請求項２２】
前記下層板状部材は、前記放熱部材側から、第１下層板状部材（７４１）と第２下層板状部材（７４２）とが順に積層されて構成されており、
前記半導体チップと前記一面金属膜とを接続する前記下層接続ビア（７６０）として、前記第１下層板状部材には、第１下層接続ビア（７６１）が形成され、前記第２下層板状部材には、第２下層接続ビア（７６２）が形成され、
前記第１下層接続ビアおよび前記第２下層接続ビアは、前記放熱部材と前記半導体チップとの積層方向において、異なる位置となるように形成され、かつ、前記第１下層接続ビアの径が前記第２下層接続ビアの径よりも大きくされている請求項１９に記載の半導体パッケージ。
【請求項２３】
前記中層板状部材は、前記下層板状部材上に複数積層されて配置され、
前記中層板状部材の積層方向において隣合う前記中層板状部材の中層接続ビアは、直接接続されている請求項１８ないし２２のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項２４】
前記放熱部材は、絶縁基板（２１）を有し、
前記接合部材は導電性を有する材料で構成され、
前記半導体チップは、前記放熱部材と対向する側に形成された他面電極（４０）を有し、前記他面電極が前記接合部材と電気的、機械的に接続されており、
前記封止部材には、前記第１パターンまたは前記第２パターンと前記接合部材とを電気的に接続する接続ビア（６１）が形成されている請求項１１または１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項２５】
前記一面封止部材には、前記第１パターンおよび前記第２パターンと区画されたテスト用パターン（９８）が形成され、
前記封止部材には、前記テスト用パターンと、前記第２パターンと接続される部分とを接続する接続ビア（６１）が形成されている請求項１３ないし２４のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項２６】
前記絶縁基板は、窒化ケイ素で構成されている請求項１３ないし２５のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項２７】
前記接合部材は、焼結体で構成されている請求項１１ないし１７のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項２８】
前記接合部材は、銀スズを主成分とする焼結体で構成されている請求項２７に記載の半導体パッケージ。
【請求項２９】
前記半導体チップは、絶縁基板（４１）、第１基板（３１）、第２基板（３３）が順に積層されて構成され、
前記第１基板は、前記絶縁基板、前記第１基板、前記第２基板の積層方向において、前記第２基板から突出していると共に、突出している部分に電極膜（４２）が形成されており、
前記封止部材には、前記第１パターンまたは前記第２パターンと前記電極膜とを電気的に接続する接続ビア（６１）が形成されている請求項３ないし２８のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項３０】
前記放熱部材は、金属板（２４）で構成されている請求項２９に記載の半導体パッケージ。
【請求項３１】
前記封止部材には、前記半導体チップと共に、コンデンサ（１５０、１５１、１５２）が配置されており、
前記コンデンサと前記半導体チップとは、前記封止部材に形成された配線層（２２、９１、９２、９５、１０３、７６０）を介して電気的に接続されている請求項１ないし３０のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項３２】
前記放熱部材は、前記封止部材と接合される部分に粗化部（２５）が形成されている請求項１ないし３１のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項３３】
前記放熱部材は、凹部（２７）が形成されており、
前記半導体チップは、前記放熱部材と反対側の部分が前記凹部から突出する状態で前記凹部に配置されている請求項１ないし３２のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項３４】
前記封止部材を挟んで前記放熱部材と反対側には、別の放熱部材（１６０）が配置されている請求項１ないし３３のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項３５】
前記放熱部材を挟んで前記封止部材側と反対側に配置され、前記放熱部材より熱伝導率の高い材料で構成された高放熱部材（１７０）を有している請求項１ないし３４のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項３６】
前記封止部材は、前記放熱部材と反対側において、前記半導体チップと電気的に接続されるパッド（９１ａ〜９３ａ、９９ａ）が露出している請求項１ないし３５のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項３７】
半導体素子が形成された半導体チップ（３０）が封止部材（６０）で封止された半導体パッケージを有する電子装置であって、
請求項３６に記載の半導体パッケージと、
前記半導体パッケージのうちの前記放熱部材と接続される冷却器（１４０）と、
前記半導体パッケージのパッドと電気的に接続される被実装部材（１１０）と、を備える電子装置。
【請求項３８】
前記被実装部材は、厚さ方向に貫通する孔部（１１６）が形成されていると共に前記孔部から露出する複数の端子部（１１７）が形成されており、
前記半導体パッケージは、前記パッドが前記端子部と接続され、
前記端子部のうちの前記パッドと接続される部分を押圧する押圧部材（３００）を有する請求項３７に記載の電子装置。
【請求項３９】
前記被実装部材は、締結部材（１１８）を介して前記冷却器に固定され、
前記被実装部材を前記冷却器側に押圧することで前記半導体パッケージを前記冷却器側に押圧する押圧部材（３００）を有する請求項３７に記載の電子装置。
【請求項４０】
前記冷却器は、冷却媒体が流れる凹部（１４２）が形成され、
前記半導体パッケージは、前記放熱部材が前記凹部を閉塞するように配置されている請求項３７に記載の電子装置。
【請求項４１】
半導体素子が形成された半導体チップ（３０）が封止部材（６０）で封止された半導体パッケージの製造方法であって、
複数の放熱部材（２０）を構成する部分がダイシングライン（ＤＬ）にて区画されている構成基板（２１０）を用意することと、
前記半導体チップを用意することと、
前記構成基板における放熱部材を構成する部分上に、接合部材（５０）を介して前記半導体チップ（３０）を配置することと、
前記構成基板上に、前記半導体チップを収容する封止構成部材（７００、７７０、９００、１０００）を配置することと、
前記構成基板と前記半導体チップの積層方向に加圧しながら加熱することにより、前記封止部材構成を、前記半導体チップのうちの前記接合部材と接合される部分と異なる部分を封止しつつ、前記構成基板と接合される前記封止部材を形成することと、
前記ダイシングラインに沿って分割することと、を行い、
前記封止構成部材として、液晶ポリマで構成されているものを用意し、
前記封止部材を形成することでは、前記放熱部材と前記封止部材との界面を含む異なる部材の界面の少なくとも１つが化学結合としての共有結合で接合されるようにする半導体パッケージの製造方法。
【請求項４２】
前記封止部材を形成することの前に、前記放熱部材に対してケイ酸塩を含むアルカリ溶液を塗布することによって活性基を形成することと、前記封止構成部材に対してシラノール基およびアミノ基を有する有機化合物の水溶液を塗布することによって活性基を形成することとを行う請求項４１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４３】
前記構成基板を用意することでは、前記構成基板のうちの前記半導体チップが配置される側と反対側の部分であって、前記ダイシングラインとなる部分に、溝部（２１１）が形成されたものを用意する請求項４１または４２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４４】
前記構成基板を用意することでは、前記構成基板の厚さをｔとすると、０．１ｔ〜０．５ｔである深さの前記溝部が形成されたものを用意する請求項４３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４５】
前記構成基板として溝部が形成されたものを用意することは、前記封止部材を形成することの後に前記溝部を形成する請求項４１ないし４４のいずれか１つに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４６】
前記封止構成部材を配置することでは、射出成型で構成され、前記半導体チップの側面を封止しつつ、前記放熱部材と接合される側面封止部材（７０）を含む前記封止構成部材を配置することを行い、
前記側面封止部材を配置することの前に、前記側面封止部材に対して貫通孔（７１、７２）を形成することと、前記貫通孔に導電性材料（７３ａ）を配置することを行い、
前記封止部材を形成することでは、前記導電性材料が所定箇所と接続されるようにする請求項４１ないし４５のいずれか１つに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４７】
前記封止構成部材を配置することでは、板状部材構成（７７０）を用意することと、前記板状部材構成部材を積層して配置することと、を行い、
前記板状部材構成部材を用意することでは、液晶ポリマで構成され、アモルファス状態となっているフィルム構成部材（７４００）を用意することと、前記フィルム構成部材を加熱処理して結晶化させることと、を行う請求項４１ないし４５のいずれか１つに記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するための請求項１は、半導体素子が形成された半導体チップ（３０）が封止部材（６０）で封止された半導体パッケージであって、半導体チップと、半導体チップを搭載する放熱部材（２０）と、半導体チップを封止する封止部材と、を備え、封止部材は、液晶ポリマで構成され、放熱部材と封止部材との界面を含む異なる部材の界面の少なくとも１つは、化学結合で接合され、化学結合は、共有結合とされている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３７は、半導体素子が形成された半導体チップ（３０）が封止部材（６０）で封止された半導体パッケージを有する電子装置であって、請求項３６に記載の半導体パッケージと、半導体パッケージのうちの放熱部材と接続される冷却器（１４０）と、半導体パッケージのパッドと電気的に接続される被実装部材（１１０）と、を備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、請求項４１では、半導体素子が形成された半導体チップ（３０）が封止部材（６０）で封止された半導体パッケージの製造方法であって、複数の放熱部材（２０）を構成する部分がダイシングライン（ＤＬ）にて区画されている構成基板（２１０）を用意することと、半導体チップを用意することと、構成基板における放熱部材を構成する部分上に、接合部材（５０）を介して半導体チップ（３０）を配置することと、構成基板上に、半導体チップを収容する封止構成部材（７００、９００、１０００）を配置することと、構成基板と半導体チップの積層方向に加圧しながら加熱することにより、封止部材構成を、半導体チップのうちの接合部材と接合される部分と異なる部分を封止しつつ、放熱部材と接合される封止部材（６０）とすることと、ダイシングラインに沿って分割することと、を行い、封止構成部材として、液晶ポリマで構成されているものを用意し、封止部材を形成することでは、放熱部材と封止部材との界面を含む異なる部材の界面の少なくとも１つが化学結合としての共有結合で接合されるようにする。