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【手続補正書】
【提出日】令和3年10月28日(2021.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に設けられた複数の画素と、
複数の前記画素の各々に設けられる発光素子と、
前記発光素子の少なくとも上面を覆う蛍光体層と、
前記発光素子の側面と対向する第１反射層と、
前記蛍光体層の側面に設けられ、前記第１基板の法線方向において、前記第１反射層と離隔して、前記第１反射層よりも前記第１基板から離れて配置される第２反射層と、を有する
表示装置。
【請求項２】
前記第１反射層及び前記第２反射層は、前記第１基板の法線方向に対して傾斜する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光素子の側面と対向する壁状構造を有し、
前記第１反射層は、
前記発光素子と重なる領域から前記発光素子の周囲に延出する底部と、
前記底部に接続され、前記壁状構造の壁面に沿って設けられて前記第１基板の法線方向に対して傾斜する傾斜部と、を有する
請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１反射層は、前記発光素子と電気的に接続されたアノード電極である
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記蛍光体層の上に設けられたカラーフィルタを有し、
前記第２反射層は、前記蛍光体層の側面及び前記カラーフィルタの側面に亘って設けられる
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記発光素子の側面を覆い、前記発光素子と前記第１反射層との間に設けられた平坦化層を有し、
前記蛍光体層は、前記平坦化層の上に設けられる
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１基板と対向する第２基板を有し、
前記第２基板の前記第１基板と対向する面に前記蛍光体層及び前記第２反射層が設けられ、
前記第１基板の前記第２基板と対向する面に前記第１反射層及び前記発光素子が設けられる
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記蛍光体層は、第１蛍光体層と、第２蛍光体層とを有し、
前記第１蛍光体層は、前記発光素子の少なくとも上面を覆って設けられ、
前記第２蛍光体層は、前記発光素子の側面を覆って、前記第１基板の法線方向において、前記第１基板と前記第１蛍光体層の間に設けられる
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光素子の上面と前記蛍光体層との間に設けられた第３反射層を有する
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
複数の前記画素は、赤色を表示する第１画素と、緑色を表示する第２画素と、青色を表示する第３画素と、を含み
前記第１画素には、青色の光を出射する青色発光素子と、青色発光素子からの光を赤色に変換する蛍光体層とが設けられる
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第２画素には、青色の光を出射する青色発光素子と、青色発光素子からの光を緑色に変換する蛍光体層とが設けられる
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
複数の前記画素は、赤色を表示する第１画素と、緑色を表示する第２画素と、青色を表示する第３画素と、を含み
前記蛍光体層は、有機低分子材料のＤＣＭ（４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−(４−ジメチルアミノスチリル)−４Ｈ-ピラン）を含み、
前記第１画素には、緑色の光を出射する緑色発光素子が設けられる
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
透光性を有し、前記発光素子の少なくとも一部及び前記第１反射層を覆う無機絶縁層を有する、
請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記無機絶縁層の表面に、複数の凹部又は複数の凸部が設けられる
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１反射層の、前記無機絶縁層と重なる部分に、複数の凸部が設けられる
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１反射層及び前記発光素子と、前記蛍光体層及び前記第２反射層との間に設けられ、複数層の誘電体層が積層された共振層を有する
請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記発光素子は、第１共振層と、第２共振層とを含み、
前記発光素子及び前記第１反射層の上側に、複数層の誘電体層が積層された第３共振層が設けられる
請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１共振層は、前記発光素子の基板と、前記発光素子の発光層との間に設けられ、
前記第２共振層は、前記発光素子の前記発光層及びクラッド層で構成される
請求項１７に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月18日(2021.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体素子と、
前記第１半導体素子の下面に形成された第１接続端子と、
前記第１半導体素子と一部が上下に重なるように前記第１半導体素子の下面に搭載された第２半導体素子と、
前記第２半導体素子の下面に形成された第２接続端子と、
前記第１接続端子と電気的に接続される第１接続パッドと、前記第２接続端子と電気的に接続される第２接続パッドとを有し、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子が実装された配線基板と、
前記第１接続パッド上に形成され、前記第１接続端子と電気的に接続される第３接続端子と、を有し、
前記第１接続端子及び前記第３接続端子の一方が金属ポストであり、他方がはんだボールであり、
前記はんだボールは、球形状のコアボールと、前記コアボールの周囲を覆うはんだとを有するコア付きはんだボールである半導体装置。
【請求項２】
前記第１半導体素子の上面に搭載された放熱板を更に有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記放熱板の下面に形成されたスペーサを更に有し、
前記スペーサの下面に前記第２半導体素子が搭載されている請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記スペーサの下面は、前記第１半導体素子の下面と同一平面上に位置するように形成されており、
前記第２半導体素子は、前記スペーサの下面及び前記第１半導体素子の下面に接合されている請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１半導体素子はコイルを有しており、
前記第２半導体素子はコイルを有しており、
前記第１半導体素子のコイルと前記第２半導体素子のコイルとが磁界結合されている請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１接続端子が前記金属ポストであり、前記第３接続端子が前記はんだボールである請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１接続端子は、第１はんだ層を介して前記第３接続端子と電気的に接続されており、
前記第２接続端子は、第２はんだ層を介して前記第２接続パッドと電気的に接続されている請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
下面に第１接続端子が形成された第１半導体素子を準備する工程と、
下面に第２接続端子が形成された第２半導体素子を準備する工程と、
前記第１接続端子と電気的に接続される第１接続パッドと、前記第２接続端子と電気的に接続される第２接続パッドとを有する配線基板を準備する工程と、
前記第１半導体素子と一部が上下に重なるように前記第１半導体素子の下面に前記第２半導体素子を搭載する工程と、
前記第１接続パッド上に第３接続端子を形成する工程と、
前記配線基板に前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子を実装する工程と、を有し、
前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子を実装する工程では、前記第１接続端子が前記第３接続端子を介して前記第１接続パッドと電気的に接続されるとともに、前記第２接続端子が前記第２接続パッドと電気的に接続され、
前記第１接続端子及び前記第３接続端子の一方が金属ポストであり、他方がはんだボールであり、
前記はんだボールは、球形状のコアボールと、前記コアボールの周囲を覆うはんだとを有するコア付きはんだボールである半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、第１半導体素子と、前記第１半導体素子の下面に形成された第１接続端子と、前記第１半導体素子と一部が上下に重なるように前記第１半導体素子の下面に搭載された第２半導体素子と、前記第２半導体素子の下面に形成された第２接続端子と、前記第１接続端子と電気的に接続される第１接続パッドと、前記第２接続端子と電気的に接続される第２接続パッドとを有し、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子が実装された配線基板と、前記第１接続パッド上に形成され、前記第１接続端子と電気的に接続される第３接続端子と、を有し、前記第１接続端子及び前記第３接続端子の一方が金属ポストであり、他方がはんだボールであり、前記はんだボールは、球形状のコアボールと、前記コアボールの周囲を覆うはんだとを有するコア付きはんだボールである。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月2日(2021.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素からなる画像を表示する表示部を形成される基板と、
それぞれ前記画素に対応して前記基板の表面に設けられた第１の画素電極及び第２の画素電極と、
それぞれ前記画素間の境界領域に設けられた前記基板の表面の第１の凸部及び第２の凸部と、
第１の発光色を呈する層を含み前記第１の画素電極に積層された第１の有機層、及び第２の発光色を呈する層を含み前記第２の画素電極に積層された第２の有機層と、を有し、
前記第１の画素電極上に形成された前記第１の有機層が発光する発光領域の面積は、前記第２の画素電極上に形成された前記第２の有機層が発光する発光領域の面積よりも大きく、
前記第１の有機層はさらに前記凸部のうち前記第１の凸部のみを覆うように設けられ、
前記第２の有機層は前記第１の凸部及び前記第２の凸部のいずれも覆わないように設けられていること、
を特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１の凸部の頂点は前記第２の凸部の頂点よりも高いこと、を特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記画素の周囲に形成され、前記画素電極の端部を覆うとともに、前記画素電極の上面を露出する開口部を有するバンクを有し、
前記第１の凸部及び前記第２の凸部は前記バンク上に設けられること、
を特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
複数の画素からなる画像を表示する表示部を形成される基板であって、当該基板の表面に、それぞれ前記画素に対応して設けられた第１の画素電極及び第２の画素電極と、前記画素間の境界領域に設けられた第１の凸部及び第２の凸部とを有する基板を準備する工程と、
前記基板における前記第１の画素電極と前記第１の凸部とに対向する領域に開口部を有し、かつ前記第２の凸部に対向する領域に遮蔽部を有した第１の蒸着マスクを、前記基板上に配置する工程と、
前記第１の蒸着マスクを介した蒸着処理により、前記第１の画素電極及び前記第１の凸部を覆い、かつ前記第２の凸部を覆わないように、第１の発光色を呈する層を含む第１の有機層を形成する工程と、
前記基板における前記第２の画素電極に対向する領域に開口部を有し、かつ前記１の凸部及び前記第２の凸部に対向する領域に遮蔽部を有した第２の蒸着マスクを、前記基板上に配置する工程と、
前記第２の蒸着マスクを介した蒸着処理により、前記第２の画素電極を覆い、かつ前記第１の凸部及び前記第２の凸部を覆わないように、第２の発光色を呈する層を含む第２の有機層を形成する工程と、
を有し、
前記第１の画素電極上に形成された前記第１の有機層が発光する発光領域の面積は、前記第２の画素電極上に形成された前記第２の有機層が発光する発光領域の面積よりも大きくなるように形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の蒸着マスクはさらに、前記基板における前記第２の画素電極に対向する領域に遮蔽部を有し、
前記第２の蒸着マスクはさらに、前記基板における前記第１の画素電極に対向する領域に遮蔽部を有すること、
を特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の凸部の頂点は前記第２の凸部の頂点よりも高く、
前記第１の蒸着マスクは前記第２の凸部をスペーサーとして前記基板上に配置され、
前記第２の蒸着マスクは前記第１の凸部をスペーサーとして前記基板上に配置されること、
を特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の有機層は前記第１の有機層よりも後に形成されること、を特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月6日(2021.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項３記載のコネクタであって、
前記リテーナには、第１凸部と、第２凸部とが設けられており、
前記第１凸部及び前記第２凸部の夫々は、前記上下方向に突出しており、
前記第１誘い面と前記リテーナ側第１ロック部とは、前記第１凸部に設けられており、且つ、前記前後方向において互いに逆方向に向いており、
前記第２誘い面と前記リテーナ側第２ロック部とは、前記第２凸部に設けられており、且つ、前記横方向において互いに逆方向に向いている
コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、第４のコネクタとして、第３のコネクタであって、
前記リテーナには、第１凸部と、第２凸部とが設けられており、
前記第１凸部及び前記第２凸部の夫々は、前記上下方向に突出しており、
前記第１誘い面と前記リテーナ側第１ロック部とは、前記第１凸部に設けられており、且つ、前記前後方向において互いに逆方向に向いており、
前記第２誘い面と前記リテーナ側第２ロック部とは、前記第２凸部に設けられており、且つ、前記横方向において互いに逆方向に向いている
コネクタを提供する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月18日(2020.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドーパントとしてシリコンの等電子不純物を含み、該等電子不純物がカーボンのみであり、カーボンが結晶粒内および結晶粒界に分布し、結晶粒内でシリコンと置換して分布するカーボンがドーパントとして機能する多結晶性マグネシウムシリサイド。
【請求項２】
未反応のマグネシウムおよび未反応のシリコンを含まない請求項１に記載の多結晶性マグネシウムシリサイド。
【請求項３】
カーボンを原子量比で０．１ａｔ％〜２．０ａｔ％含む請求項１または請求項２に記載の多結晶性マグネシウムシリサイド。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の多結晶性マグネシウムシリサイドから構成される熱電変換材料。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の多結晶性マグネシウムシリサイドを焼結してなる焼結体。
【請求項６】
カーボンを原子量比で０．５ａｔ％〜１．０ａｔ％含み、３２７Ｋ〜６００Ｋにおける出力因子が２．６×１０−３Ｗｍ−１Ｋ−２〜３．３×１０−３Ｗｍ−１Ｋ−２である請求項５に記載の焼結体。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の焼結体から構成される熱電変換材料。
【請求項８】
請求項４または請求項７に記載の熱電変換材料から構成された熱電変換部と、前記熱電変換部に設けられた第１電極および第２電極とを備える熱電変換素子。
【請求項９】
請求項８に記載の熱電変換素子を備える熱電変換モジュール。
【請求項１０】
多結晶性マグネシウムシリサイドの製造方法であって、
マグネシウム、シリコンおよびカーボン源を含む組成原料を、還元雰囲気下、１０８５℃以上１４１０℃未満の温度で加熱してインゴット状の加熱溶融合成物を作製する加熱溶融工程を含み、
前記加熱溶融工程において、前記カーボン源の加熱分解により生じるカーボンを前記多結晶性マグネシウムシリサイドの結晶粒内および結晶粒界に分布させる多結晶性マグネシウムシリサイドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月18日(2021.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
法律文書データを構成すべき所定単位の文章ごとに一般的な法律文書データには含まれているべき事項と関連する文章が含まれていない場合に、その旨のレビュー結果を記録するレビュー結果記録ステップと、
前記レビュー結果記録ステップにて記録された法律文書データのレビュー結果又は当該法律文書データを所定単位ごとに修正する修正ステップと、
を有する法律文書データの修正方法。
【請求項２】
請求項１に記載の法律文書データの修正方法であって、
前記レビュー結果記録ステップにて記録された法律文書データのレビュー結果を出力するレビュー結果出力ステップと、
前記レビュー結果出力ステップにて出力されたレビュー結果に関する対応の要否に関する情報である対応情報の入力を受け付ける対応情報入力受付ステップと、を更に有し、
前記修正ステップは、受付ステップにて対応情報を受け付けると、前記修正を行う、
法律文書データの修正方法。
【請求項３】
請求項２記載の法律文書データの修正方法であって、
前記対応情報は、通常含まれているべき事項と関連する文章が含まれていない旨のレビュー結果に対して、当該含まれているべき事項と関連する文章の追加といった対応を求める情報を含む、
法律文書データの修正方法。
【請求項４】
修正ステップは、
レビュー結果記録ステップにて記録されたレビュー結果の内容に応じた修正文言の候補となる文字コンテンツである修正候補コンテンツを一又は複数出力し、選択を受け付ける修正候補コンテンツ入力受付サブステップと、
受け付けた修正候補コンテンツを用いて法律文書データを所定単位ごとに修正するコンテンツ利用修正サブステップと、
を有する請求項１に記載の法律文書データの修正方法。
【請求項５】
法律文書データを構成すべき所定単位の文章ごとに一般的な法律文書データには含まれているべき事項と関連する文章が含まれていない場合に、その旨のレビュー結果を記録するレビュー結果記録部と、
前記レビュー結果記録部にて記録された法律文書のレビュー結果又は当該法律文書データをレコメンド文章保持部にて保持するレコメンド文章を用いて所定単位ごとに修正する修正部と、
を有する法律文書データ修正システム。
【請求項６】
法律文書データを構成すべき所定単位の文章ごとに一般的な法律文書データには含まれているべき事項と関連する文章が含まれていない場合に、その旨のレビュー結果を記録するレビュー結果記録ステップと、
前記レビュー結果記録ステップにて記録された法律文書データのレビュー結果又は当該法律文書データを所定単位ごとに修正する修正ステップと、
をコンピュータにて実行可能とするための法律文書データ修正プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月10日(2021.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮像装置による撮像に基づく複数の画像を取得する画像取得手段と、
仮想視点の位置及び当該仮想視点からの視線方向を特定するための視点情報を取得する視点取得手段と、
仮想視点コンテンツを提供するための複数の画像形式であって、仮想視点コンテンツの生成に用いられる視点情報により特定される仮想視点の数が異なる複数の画像形式に応じた複数の仮想視点コンテンツを、前記画像取得手段により取得された前記複数の画像と前記視点取得手段により取得された視点情報とに基づいて生成する生成手段と、
を有することを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
前記生成手段により生成される前記複数の仮想視点コンテンツは、共通の時間情報に対応することを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記生成手段により前記複数の仮想視点コンテンツの生成に用いられる視点情報の一部は、共通することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記生成手段により前記複数の仮想視点コンテンツの生成に用いられる視点情報は、異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記生成手段は、前記複数の仮想視点コンテンツを並行して生成することができることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記生成手段により生成された前記複数の仮想視点コンテンツを異なる出力先へ出力する出力手段を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記複数の画像形式には、パノラマ画像形式と非パノラマ画像形式とが含まれることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の情報処理システム。
【請求項８】
前記複数の画像形式には、両眼視差に基づく立体視のための３Ｄ画像形式が含まれることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の情報処理システム。
【請求項９】
前記複数の画像形式には、パノラマ画像を両眼視差に基づいて立体視するための３Ｄパノラマ画像形式が含まれることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の情報処理システム。
【請求項１０】
前記生成手段は、前記複数の画像形式のうち第１の画像形式に応じた仮想視点コンテンツを、位置及び向きの少なくとも何れかが異なる第１の数の仮想視点に対応する第１の数の仮想視点画像を合成することで生成し、
前記生成手段は、前記複数の画像形式のうち第２の画像形式に応じた仮想視点コンテンツを、位置及び向きの少なくとも何れかが異なる第２の数の仮想視点に対応する第２の数の仮想視点画像を合成することで生成し、
前記第１の数と前記第２の数とは異なることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の情報処理システム。
【請求項１１】
複数の画像形式のうち２以上の画像形式をユーザによる選択操作に基づいて特定する特定手段を有し、
前記生成手段は、前記特定手段により特定された前記２以上の画像形式に応じた２以上の仮想視点コンテンツを生成することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の情報処理システム。
【請求項１２】
前記生成手段である複数の画像生成装置と、
前記画像取得手段により取得された前記複数の画像を前記複数の画像生成装置それぞれへ提供する提供手段と、を有し、
前記複数の画像生成装置は、前記提供手段により提供された前記複数の画像を用いて前記複数の仮想視点コンテンツを生成することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の情報処理システム。
【請求項１３】
前記生成手段により生成される前記複数の仮想視点コンテンツの数を示す指示情報を取得する情報取得手段と、
前記画像取得手段により取得された前記複数の画像を、前記情報取得手段により取得された指示情報が示す数に応じた複数のデータベースそれぞれに格納する格納手段と、を有し、
前記提供手段は、前記複数の画像を前記複数のデータベースから前記複数の画像生成装置へ提供することを特徴とする請求項１２に記載の情報処理システム。
【請求項１４】
複数の撮像装置による撮像に基づく複数の画像を取得する画像取得工程と、
仮想視点の位置及び当該仮想視点からの視線方向を特定するための視点情報を取得する視点取得工程と、
仮想視点コンテンツを提供するための複数の画像形式であって、仮想視点コンテンツの生成に用いられる視点情報により特定される仮想視点の数が異なる複数の画像形式に応じた複数の仮想視点コンテンツを、前記画像取得工程において取得された前記複数の画像と前記視点取得工程において取得された視点情報とに基づいて生成する生成工程と、を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項１５】
前記複数の画像形式のうち第１の画像形式に応じた仮想視点コンテンツは、位置及び向きの少なくとも何れかが異なる第１の数の仮想視点に対応する第１の数の仮想視点画像を合成することで生成され、
前記複数の画像形式のうち第２の画像形式に応じた仮想視点コンテンツは、位置及び向きの少なくとも何れかが異なる第２の数の仮想視点に対応する第２の数の仮想視点画像を合成することで生成され、
前記第１の数と前記第２の数とは異なることを特徴とする請求項１４に記載の情報処理方法。
【請求項１６】
複数の画像形式のうち２以上の画像形式をユーザによる選択操作に基づいて特定する特定工程を有し、
前記生成工程は、前記特定工程において特定された前記２以上の画像形式に応じた２以上の仮想視点コンテンツを生成することを特徴とする請求項１４又は１５に記載の情報処理方法。
【請求項１７】
コンピュータを、請求項１乃至１３の何れか１項に記載の情報処理システムとして機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月8日(2021.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子を含む単位画素が列方向と行方向に複数配置された画素部を有する撮像素子と、
前記画素部における所定の画素行から画像信号を読み出す第１の駆動モードと、前記所定の画素行とは異なる画素行から画像信号を読み出す第２の駆動モードとで前記撮像素子を駆動する制御部と、
前記撮像素子を前記第１の駆動モードで駆動されることにより取得された画像信号に基づいて画像を表示する表示部と、
前記撮像素子を前記第２の駆動モードで駆動されることにより取得された画像信号に基づいて光源検知を行う検知部と、
を備え、
前記制御部は、前記撮像素子が前記第１の駆動モードで駆動される１周期内で、前記撮像素子が前記第２の駆動モードで複数回駆動され、前記撮像素子が前記第２の駆動モードで駆動されることにより取得された画像信号が前記表示部に表示されないように制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮像素子は、
前記列方向において前記単位画素を複数含む画素列に対応する垂直信号線と、
前記単位画素からの信号が前記垂直信号線を経由して入力される列回路と、
を備え、
前記第１の駆動モードと前記第２の第２の駆動モードの読み出しで用いる前記列回路は少なくとも一部が共通であり、
前記第１の駆動モードでの読み出しの後に前記第２の駆動モードでの複数回の読み出しを行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の駆動モードにおける蓄積期間と前記第２の駆動モードにおける蓄積期間の少なくとも一部が重複することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２の駆動モードは、前記第１の駆動モードの周期信号に同期して動作することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御部は前記第１の駆動モードと第２の駆動モードの露出条件を独立に制御することが可能なことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記撮像素子を前記第１の駆動モードでのみ駆動する制御と、前記撮像素子を前記第１の駆動モード及び前記第２の駆動モードの両方で駆動する制御とを切り替えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
ユーザーからの撮像指示を受け付けることが可能な操作部をさらに備え、
前記制御部は前記操作部によるユーザーからの撮像指示に基づいて、前記撮像素子を全画素行から画像信号が読み出される第３の駆動モードで駆動し、
前記制御部は、前記操作部が操作されたタイミングに合わせて、前記撮像素子を前記第１の駆動モードでのみ駆動する制御と、前記撮像素子を前記第１の駆動モード及び前記第２の駆動モードの両方で駆動する制御とを切り替えることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１の駆動モードまたは前記第２の駆動モードで駆動された前記撮像素子から読み出された前記画像信号に信号処理を施す処理部をさらに備え、
前記処理部により施される前記信号処理は前記第１の駆動モードで駆動された前記撮像素子から読み出された前記画像信号への前記信号処理と前記第２の駆動モードで駆動された前記撮像素子から読み出された前記画像データに施される信号処理が異なることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記処理部は第１の駆動モードで駆動された前記撮像素子から読み出された画像信号と前記第２の駆動モードで駆動された前記撮像素子から読み出された画像信号のそれぞれに対して異なるＩＤを付与することを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第２の駆動モードで前記撮像素子を複数回駆動する場合において、前記第２の駆動モードの前記複数回駆動の各々における蓄積期間を制御し、
前記第２の駆動モードの各駆動における蓄積期間には異なる蓄積期間を含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第２の駆動モードの各駆動における蓄積期間には前記第１の駆動モードを駆動するための周期よりも長い蓄積期間を含むことを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、光電変換素子を含む単位画素が列方向と行方向に複数配置された画素部を有する撮像素子と、前記画素部における所定の画素行から画像信号を読み出す第１の駆動モードと、前記所定の画素行とは異なる画素行から画像信号を読み出す第２の駆動モードとで前記撮像素子を駆動する制御部と、前記撮像素子を前記第１の駆動モードで駆動されることにより取得された画像信号に基づいて画像を表示する表示部と、前記撮像素子を前記第２の駆動モードで駆動されることにより取得された画像信号に基づいて光源検知を行う検知部と、を備え、前記制御部は、前記撮像素子が前記第１の駆動モードで駆動される１周期内で、前記撮像素子が前記第２の駆動モードで複数回駆動され、前記撮像素子が前記第２の駆動モードで駆動されることにより取得された画像信号が前記表示部に表示されないように制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月29日(2021.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラム可能デバイスの制御を規制するコンピューティングデバイスであって、
前記プログラム可能デバイスによって実行されると、前記プログラム可能デバイス上の操作を実施するように構成された少なくとも１つの命令を含むコマンドを受信し、
前記プログラム可能デバイス、ユーザ、又は前記プログラム可能デバイスが動作する環境のうちの少なくとも１つの特性を識別する識別情報を受信し、
前記コマンドが前記識別情報と少なくとも関連付けられていたと判断された場合に前記コマンドが前記プログラム可能デバイスにより実行されるのを許可する、
ように構成されたコンピューティングデバイス。
【請求項２】
前記コマンドを前記コンピューティングデバイスによりアクセス可能な記憶部内の情報と比較して、前記コマンドが、前記記憶部内で前記識別情報と関連付けられているかどうか判断するようにさらに構成された、請求項１に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項３】
前記コマンドが、前記識別情報から得られる、前記識別情報によって判断される、又は前記識別情報に依存する認可コードと関連付けられているかどうかを判断する、請求項２に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項４】
前記認可コードに従って前記コマンドが適切なコマンドの既定のセットのうちの１つであるかどうかを判断する、請求項３に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項５】
前記コマンドが、前記プログラム可能デバイスによる実行に適しているかどうかを判断し、
前記コマンドが実行に適していたとさらに判断された場合に前記コマンドが前記プログラム可能デバイスにより実行されるのを許可するようにさらに構成された、請求項２から４のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項６】
前記プログラム可能デバイスとは別のプログラム可能デバイス又は前記別のプログラム可能デバイスが動作する環境のうちの少なくとも１つの特性を識別する識別情報をさらに受信する、請求項１から５のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項７】
前記コマンド及び／又は前記識別情報を、前記コンピューティングデバイスに対してリモート設置又はローカル設置されたコマンドモジュールから受信するようにさらに構成された、請求項１から６のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項８】
前記プログラム可能デバイスは、公共空間で操作される、請求項１から７のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイス。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載のコンピューティングデバイスと、
前記プログラム可能デバイスと、
を備えるシステム。
【請求項１０】
プログラム可能デバイスの制御を規制する方法であって、
コンピューティングデバイスにより、前記プログラム可能デバイスによって実行されると、前記プログラム可能デバイス上の操作を実施するように構成された少なくとも１つの命令を含むコマンドを受信する段階と、
前記コンピューティングデバイスにより、前記プログラム可能デバイス、ユーザ、又は前記プログラム可能デバイスが動作する環境のうちの少なくとも１つの特性を識別する識別情報を受信する段階と、
前記コンピューティングデバイスにより、前記コマンドが前記識別情報と少なくとも関連付けられていたと判断された場合に前記コマンドが前記プログラム可能デバイスにより実行されるのを許可する段階と、
を備える方法。
【請求項１１】
コンピューティングデバイスに、
プログラム可能デバイスによって実行されると、前記プログラム可能デバイス上の操作を実施するように構成された少なくとも１つの命令を含むコマンドを受信する手順と、
前記プログラム可能デバイス、ユーザ、又は前記プログラム可能デバイスが動作する環境のうちの少なくとも１つの特性を識別する識別情報を受信する手順と、
前記コマンドが前記識別情報と少なくとも関連付けられていたと判断された場合に前記コマンドが前記プログラム可能デバイスにより実行されるのを許可する手順と、
を実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2020080535.tif 000001
【図２】
2020080535.tif 000002
【図２ａ】
2020080535.tif 000003
【図３】
2020080535.tif 000004
【図４】
2020080535.tif 000005
【図５】
2020080535.tif 000006
【図５ａ】
2020080535.tif 000007
【図５ｂ】
2020080535.tif 000008
【図５ｃ】
2020080535.tif 000009
【図５ｄ】
2020080535.tif 000010
【図６】
2020080535.tif 000011
【図７】
2020080535.tif 000012
【図７ａ】
2020080535.tif 000013
【図７ｂ】
2020080535.tif 000014
【図７ｃ】
2020080535.tif 000015
【図８】
2020080535.tif 000016
【図９】
2020080535.tif 000017
【図９ａ】
2020080535.tif 000018
【図９ｂ】
2020080535.tif 000019
【図９ｃ】
2020080535.tif 000020
【図１０】
2020080535.tif 000021
【図１１】
2020080535.tif 000022
【図１１ａ】
2020080535.tif 000023
【図１１ｂ】
2020080535.tif 000024
【図１１ｃ】
2020080535.tif 000025
【図１１ｄ】
2020080535.tif 000026
【図１１ｅ】
2020080535.tif 000027
【図１１ｆ】
2020080535.tif 000028
【図１１ｇ】
2020080535.tif 000029
【図１１ｈ】
2020080535.tif 000030
【図１１ｉ】
2020080535.tif 000031
【図１１ｊ】
2020080535.tif 000032
【図１１ｋ】
2020080535.tif 000033
【図１２】
2020080535.tif 000034
【図１３】
2020080535.tif 000035
【図１４】
2020080535.tif 000036
【図１５】
2020080535.tif 000037
【図１６】
2020080535.tif 000038
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月13日(2021.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る信号処理装置は、
入力されるアナログ信号を、振幅が決められた範囲を超える部分がクリップされたデジタル信号に変換して出力するＡ−Ｄコンバータと、
前記Ａ−Ｄコンバータが出力したデジタル信号に対し、定められた期間サンプル数ごとにクリップされた切取サンプル数を算出するカウント部、
前記Ａ−Ｄコンバータが出力したデジタル信号の周波数変換を行う周波数変換部、
前記周波数変換部が周波数変換したデジタル信号の不要な信号成分を除去するフィルタ部、
前記Ａ−Ｄコンバータのサンプリングレートを前記期間サンプル数で除算した値の整数倍のサンプリングレートに変換するレート変換部、
前記レート変換部がサンプリングレートを変換したデジタル信号を増幅して出力する増幅部、
および、
前記期間サンプル数に対する前記切取サンプル数の割合に基づく増幅率調整係数をあらかじめ設定された前記増幅部の増幅率に乗算して、前記増幅部の増幅率を調整する増幅率調整部、
を有するコントローラと、
を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されるアナログ信号を、振幅が決められた範囲を超える部分がクリップされたデジタル信号に変換して出力するＡ−Ｄコンバータと、
前記Ａ−Ｄコンバータが出力したデジタル信号に対し、定められた期間サンプル数ごとにクリップされた切取サンプル数を算出するカウント部、
前記Ａ−Ｄコンバータが出力したデジタル信号の周波数変換を行う周波数変換部、
前記周波数変換部が周波数変換したデジタル信号の不要な信号成分を除去するフィルタ部、
前記Ａ−Ｄコンバータのサンプリングレートを前記期間サンプル数で除算した値の整数倍のサンプリングレートに変換するレート変換部、
前記レート変換部がサンプリングレートを変換したデジタル信号を増幅して出力する増幅部、
および、
前記期間サンプル数に対する前記切取サンプル数の割合に基づく増幅率調整係数をあらかじめ設定された前記増幅部の増幅率に乗算して、前記増幅部の増幅率を調整する増幅率調整部、
を有するコントローラと、
を備える信号処理装置。
【請求項２】
前記増幅率調整部は、
前記期間サンプル数をクリップされなかった正規サンプル数で除算した値を、前記増幅
率調整係数とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項３】
前記増幅率調整部は、
前記期間サンプル数をクリップされなかった正規サンプル数で除算した値が閾値よりも小さい場合には、前記期間サンプル数を前記正規サンプル数で除算した値を前記増幅率調整係数とし、
前記期間サンプル数を前記正規サンプル数で除算した値が前記閾値以上である場合には
、前記閾値を前記増幅率調整係数とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項４】
前記増幅率調整部は、
前記期間サンプル数をクリップされなかった正規サンプル数で除算した値が閾値よりも小さい場合には、前記期間サンプル数を前記正規サンプル数で除算した値を前記増幅率調整係数とし、
前記期間サンプル数を前記正規サンプル数で除算した値が前記閾値以上である場合には、前記期間サンプル数を前記正規サンプル数で除算した値の増加に伴って前記閾値から緩やかに増加する値を前記増幅率調整係数とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の信号処理装置と、
アナログ信号を受信し、前記信号処理装置に入力するアンテナと、
前記信号処理装置が出力したデジタル信号をアナログ信号に変換するＤ−Ａコンバータと、
前記Ｄ−Ａコンバータが変換したアナログ信号を増幅する増幅器と、
前記増幅器が増幅したアナログ信号を出力する出力装置と、
を備える無線機。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月11日(2021.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１上面、前記第１上面に形成された複数の第１端子、前記第１上面の反対側の第１下面、および前記第１下面に形成され、前記複数の第１端子のそれぞれと電気的に接続された複数の第２端子を有する配線基板と、
第１表面、前記第１表面に形成された複数の第１電極パッド、および前記第１表面の反対側の第１裏面を有し、前記配線基板の前記第１上面上に搭載された半導体チップと、
を含み、
前記配線基板の前記第１下面は、前記第１上面に搭載された前記半導体チップと重なる第１領域と、前記第１領域を囲み、かつ、前記半導体チップと重ならない第２領域と、を含み、
前記第１領域は、前記複数の第２端子が配置されない第３領域と、前記第３領域を囲み、かつ、前記複数の第２端子が配置される第４領域と、を含み、
前記複数の第２端子は、前記第１領域の前記第４領域に配置される複数の第１領域端子と、前記第２領域に配置される複数の第２領域端子と、を含み、
前記複数の第１領域端子は、前記半導体チップの回路に第１電源電位を供給する複数の第１電源端子、および前記半導体チップの回路に基準電位を供給する複数の基準端子、を含み、
前記第３領域の面積は、前記第１領域の面積に対して５６％以下である、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第４領域に配置される前記複数の第１電源端子の数は、前記第４領域に配置される前記複数の基準端子の数より多い、半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記複数の第１電源端子のそれぞれと隣り合って配置される複数の端子には、一つ以上の基準端子が含まれる、半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記複数の第１電源端子のそれぞれと隣り合って配置される複数の端子には、一つ以上の第１電源端子が含まれる、半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記第２領域は、前記第４領域の周囲を囲む第５領域を含み、
前記第５領域には、前記複数の第２端子に含まれる複数の第５領域端子が、前記第４領域の周囲を囲むように一列で配置され、
前記複数の第５領域端子は、前記複数の第１電源端子および前記複数の基準端子を含む、半導体装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記複数の第１領域端子の最大配置数は、３６個以上、かつ、１６９個以下であり、
前記第３領域の面積は、前記第１領域の面積に対して２５％以下である、半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２領域は、前記第４領域の周囲を囲む第５領域を含み、
前記第５領域には、前記複数の第２端子に含まれる複数の第５領域端子が、前記第４領域の周囲を囲むように一列で配置され、
前記複数の第５領域端子は、前記複数の基準端子を含み、かつ、前記複数の第１電源端子を含まない、半導体装置。
【請求項８】
第１配線基板、および前記第１配線基板に搭載された半導体チップを備える半導体パッケージと、
前記半導体パッケージが搭載される第２配線基板と、
を有し、
前記半導体パッケージは、
第１上面、前記第１上面に形成された複数の第１端子、前記第１上面の反対側の第１下面、および前記第１下面に形成され、前記複数の第１端子のそれぞれと電気的に接続された複数の第２端子を有する前記第１配線基板と、
第１表面、前記第１表面に形成された複数の第１電極パッド、および前記第１表面の反対側の第１裏面を有し、前記第１配線基板の前記第１上面上に搭載された前記半導体チップと、
を含み、
前記第２配線基板は、前記半導体パッケージが搭載される第２上面、前記第２上面に形成され、前記第１配線基板の前記複数の第２端子のそれぞれと電気的に接続される複数の第３端子、および前記第２上面の反対側の第２下面を有し、
前記第１配線基板の前記第１下面は、前記第１上面に搭載された前記半導体チップと重なる第１領域と、前記第１領域を囲み、かつ、前記半導体チップと重ならない第２領域と、を含み、
前記第１領域は、前記複数の第２端子が配置されない第３領域と、前記第３領域を囲み、かつ、前記複数の第２端子が配置される第４領域と、を含み、
前記複数の第２端子は、前記第１領域の前記第４領域に配置される複数の第１領域端子と、前記第２領域に配置される複数の第２領域端子と、を含み、
前記複数の第１領域端子は、前記半導体チップの回路に第１電源電位を供給する複数の第１電源端子、および前記半導体チップの回路に基準電位を供給する複数の基準端子、を含む、電子装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２配線基板は、前記第２上面および前記第２下面の一方から他方までを貫通するように設けられた複数のスルーホール配線を有し、
前記複数のスルーホール配線には、前記第１配線基板の前記複数の第１電源端子のいずれかと電気的に接続される第１電源スルーホール配線と、前記第１配線基板の前記複数の基準端子のいずれかと電気的に接続される基準スルーホール配線と、を含み、
前記第２配線基板の前記第２下面は、前記第１配線基板の前記第３領域と重なる第６領域を有し、
前記第６領域には第１電極および第２電極を有する第１コンデンサが搭載され、
前記第１電極は、前記第１電源スルーホール配線を介して前記第１配線基板の前記複数の第１電源端子のいずれかと電気的に接続され、
前記第２電極は、前記基準スルーホール配線を介して前記第１配線基板の前記複数の基準端子のいずれかと電気的に接続される、電子装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１コンデンサは、前記第２配線基板の前記第２下面からの平面視において、前記第１コンデンサは第１短辺および第１長辺を有し、
前記第１短辺の長さは、前記第２上面に配置される前記複数の第３端子のうち、互いに隣り合って配置される第３端子の中心間距離より長い、電子装置。
【請求項１１】
請求項９において、
前記第２配線基板の前記第２下面は、前記第１配線基板の前記第４領域と重なる第７領域を有し、
前記第７領域には、第２コンデンサが搭載され、
前記第２配線基板の前記第２下面からの平面視において、前記第１コンデンサの面積は、前記第２コンデンサの面積より大きい、電子装置。
【請求項１２】
請求項９において、
前記第１コンデンサは、前記第１電極、前記第２電極の他、前記第１電源スルーホール配線を介して前記第１配線基板の前記複数の第１電源端子のいずれかと電気的に接続される第３電極を有する、電子装置。
【請求項１３】
請求項８において、
前記第４領域に配置される前記複数の第１電源端子の数は、前記第４領域に配置される前記複数の基準端子の数より多い、電子装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記複数の第１電源端子のそれぞれと隣り合って配置される複数の端子には、一つ以上の基準端子が含まれる、電子装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記複数の第１電源端子のそれぞれと隣り合って配置される複数の端子には、一つ以上の第１電源端子が含まれる、電子装置。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第２領域は、前記第４領域の周囲を囲む第５領域を含み、
前記第５領域には、前記複数の第２端子に含まれる複数の第５領域端子が、前記第４領域の周囲を囲むように一列で配置され、
前記複数の第５領域端子は、前記複数の第１電源端子および前記複数の基準端子を含む、電子装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月27日(2020.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソレノイド（１００，１００ａ〜１００ｈ）であって、
通電により磁力を発生するコイル（２０）と、
前記コイルの内側に配置されて軸方向（ＡＤ）に摺動する柱状のプランジャ（３０）と、
前記コイルと前記プランジャとを収容し、筒部（１２ｄ）を有し、前記軸方向に沿ったヨーク（１０，１０ｂ，１０ｄ）と、
前記軸方向と交差する方向に配置されて前記プランジャの基端面（３４）と対向する底部（１４）と、
ステータコア（４０，４０ａ，４０ｇ）と、
を備え、
前記ステータコアは、
前記軸方向において前記プランジャの先端面（３２）と対向して配置され、前記コイルが発生する磁力により前記プランジャを磁気吸引する磁気吸引コア（５０）と、
前記プランジャの径方向外側に配置された筒状のコア部（６１，６１ａ）と、前記底部と対向する前記コア部の端部（６２，６２ａ）から径方向外側に向かって形成され、前記コア部を介して前記ヨークと前記プランジャとの間における磁束の受け渡しを行なう磁束受渡部（６５，６５ａ）と、を有する摺動コア（６０，６０ａ）と、
前記摺動コアと前記磁気吸引コアとの間における磁束の通過を抑制する磁束通過抑制部（７０，７０ｇ，７０ｈ）と、
を備え、
前記ヨークには、前記ヨークから前記磁束受渡部へと伝達される磁束の通過面積として、予め定められた閾値面積以上の面積を確保する磁束通過面積拡大部（１９ｄ）が形成されており、
前記磁束通過面積拡大部は、前記筒部に形成され、前記筒部の内周面から径方向内側に向かって突出した形状を有する、
ソレノイド。
【請求項２】
請求項１に記載のソレノイドにおいて、
前記磁気吸引コアにおける前記軸方向の端部であって前記プランジャ側とは反対側の端部の径方向外側には、前記ヨークと前記磁気吸引コアとの間における磁束の受け渡しを行なうリング状のリング部材（１８ｂ）が配置されている、
ソレノイド。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のソレノイドにおいて、
前記磁束受渡部は、前記コア部と別体に形成され、貫通孔（６６ａ）を有し、
前記コア部は、前記貫通孔に挿入されて前記磁束受渡部と一体化されている、
ソレノイド。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のソレノイドにおいて、
前記磁束通過抑制部は、非磁性体により形成されて前記磁気吸引コアと前記摺動コアとを物理的に接続する接続部（７２ｇ，７２ｈ）を含む、
ソレノイド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本開示の一形態によれば、ソレノイド（１００，１００ａ〜１００ｈ）が提供される。このソレノイドは、通電により磁力を発生するコイル（２０）と；前記コイルの内側に配置されて軸方向（ＡＤ）に摺動する柱状のプランジャ（３０）と；前記コイルと前記プランジャとを収容し、筒部（１２ｄ）を有し、前記軸方向に沿ったヨーク（１０，１０ｂ，１０ｄ）と；前記軸方向と交差する方向に配置されて前記プランジャの基端面（３４）と対向する底部（１４）と；ステータコア（４０，４０ａ，４０ｇ）と；を備え；前記ステータコアは；前記軸方向において前記プランジャの先端面（３２）と対向して配置され、前記コイルが発生する磁力により前記プランジャを磁気吸引する磁気吸引コア（５０）と；前記プランジャの径方向外側に配置された筒状のコア部（６１，６１ａ）と、前記底部と対向する前記コア部の端部（６２，６２ａ）から径方向外側に向かって形成され、前記コア部を介して前記ヨークと前記プランジャとの間における磁束の受け渡しを行なう磁束受渡部（６５，６５ａ）と、を有する摺動コア（６０，６０ａ）と；前記摺動コアと前記磁気吸引コアとの間における磁束の通過を抑制する磁束通過抑制部（７０，７０ｇ，７０ｈ）と；を備え；前記ヨークには、前記ヨークから前記磁束受渡部へと伝達される磁束の通過面積として、予め定められた閾値面積以上の面積を確保する磁束通過面積拡大部（１９ｄ）が形成されており；前記磁束通過面積拡大部は、前記筒部に形成され、前記筒部の内周面から径方向内側に向かって突出した形状を有する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月21日(2020.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
外周領域１０３にあるｎ型領域４０に対する外周領域１０３の内側部分６１にあるｎ型領域４０の第１面積割合は、外周領域１０３にあるｎ型領域４０に対する外周領域１０３の外側部分６２にあるｎ型領域４０の第２面積割合よりも大きい。外周領域１０３の内側部分６１は、外周領域１０３のうち、素子領域１００の外周端６０と外周領域１０３の中間部６３との間にある部分である。外周領域１０３の外側部分６２は、外周領域１０３のうち、外周領域１０３の中間部６３と半導体基板７の外周端７ｊの間にある部分である。外周領域１０３の中間部６３と素子領域１００の外周端６０との間の距離は、外周領域１０３の中間部６３と半導体基板７の外周端７ｊとの間の距離に等しい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図４に示されるように、半導体装置１のおもて面７ａ側の構造が形成された半導体基板７を準備する。具体的には、公知の方法により、半導体基板７（ｎ-ドリフト領域１０）の素子領域１００のおもて面７ａ側に、ｐベース領域１１と、ｐアノード層１１ａと、ｎ+エミッタ領域１２と、ｐ+コンタクト層１３と、トレンチ１４と、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極１６と、ｐウェル領域１９とが形成される。公知の方法により、半導体基板７の素子領域１００のおもて面７ａ上に、層間絶縁膜１７と第１電極１８とが形成される。第１電極１８は、ｎ+エミッタ領域１２とｐ+コンタクト層１３とに接触している。公知の方法により、半導体基板７（ｎ-ドリフト領域１０）の外周領域１０３のおもて面７ａ側に、電界制限リング構造３０と層間絶縁膜３４とが形成される。電界制限リング構造３０は、第１電極１８から離間されており、第１電極１８から電気的に絶縁されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
素子領域１００の外周端６０に近づくにつれて、外周領域１０３に正孔は流れ込みやすいため、素子領域１００の外周端６０から半導体基板７の厚さｔの距離までの外周領域１０３の部分に、正孔は流れ込みやすい。しかし、絶縁領域４７は、素子領域１００の外周端６０から、少なくとも半導体基板７の厚さｔ以上の距離にわたって、キャリア（電子、正孔）の流れを遮断する。第１半導体素子のターンオフ過程の際に外周領域１０３から排出すべき正孔の量が減少する。半導体装置１ｆは、ターンオフ損失を減少させることができる。半導体装置１ｆのリカバリー過程の際に外周領域１０３から排出すべき正孔の量は少ない。半導体装置１ｆのリカバリー損失は小さい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
本実施の形態の半導体装置１ｆは、絶縁領域４７は、少なくとも素子領域１００の外周端６０から外周領域１０３の第１部分６４まで延在している。素子領域１００の外周端６０に近づくにつれて、外周領域１０３に正孔は流れ込みやすいため、素子領域１００の外周端６０から、少なくとも半導体基板７の厚さｔの距離までの外周領域１０３の部分に、正孔は流れ込みやすい。しかし、絶縁領域４７は、素子領域１００の外周端６０から、少なくとも半導体基板７の厚さｔ以上の距離にわたって、キャリア（電子、正孔）の流れを遮断する。第２半導体素子のリカバリー過程の際に外周領域１０３から排出すべき正孔の量は少ない。半導体装置１ｆのリカバリー損失は小さい。