(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部コア層と、前記下部コア層上に、下部磁極層、ギャップ層、及び前記ギャップ層上でトラック幅方向への幅寸法が前記下部コア層よりも短く形成されてトラック幅を決める上部磁極層の順で積層された磁極部と、前記上部磁極層の上に形成された上部コア層とを有し、
記録媒体との対向面よりもハイト方向の奥側の前記下部コア層上にはＧｄ決め層が設けられ、前記下部磁極層は、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面に接する長さで形成され、
前記下部磁極層とＧｄ決め層との接触面よりもハイト方向後方における前記Ｇｄ決め層上には、金属膜が形成されており、
前記ギャップ層は前記下部磁極層上であって、少なくとも前記Ｇｄ決め層に接する長さで形成され、
さらに前記上部磁極層はギャップ層上から前記金属膜上にかけて形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記ギャップ層は、前記対向面から前記Ｇｄ決め層上に形成された金属膜上の少なくとも一部にかけて形成され、前記金属膜上にギャップ層が重ねられた部分での前記上部磁極層は、前記ギャップ層上に形成される請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
下部コア層と、前記下部コア層上に、ギャップ層、及び前記ギャップ層上でトラック幅方向への幅寸法が前記下部コア層よりも短く形成されてトラック幅を決める上部磁極層の順で積層された磁極部と、前記上部磁極層の上に形成された上部コア層とを有し、
記録媒体との対向面よりもハイト方向の奥側の前記下部コア層上にはＧｄ決め層が設けられ、前記ギャップ層は、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面に接する長さで形成され、
前記ギャップ層とＧｄ決め層との接触面よりもハイト方向後方における前記Ｇｄ決め層上には、金属膜が形成されており、
さらに前記上部磁極層はギャップ層上から前記金属膜上にかけて形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記上部磁極層は２層以上の磁性層の積層構造で形成され、前記磁性層の最下層は、それ以外の前記磁性層に比べて飽和磁束密度が高い高Ｂｓ層で形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記Ｇｄ決め層の前記前端面は下部コア層から上部コア層方向へ離れるにしたがってハイト方向に傾く曲面あるいは傾斜面で形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記Ｇｄ決め層のハイト方向断面は略半楕円形状である請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記Ｇｄ決め層のハイト方向断面は略台形状である請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記Ｇｄ決め層の前記前端面は、前記下部コア層から上部コア層方向へ垂直に立ち上がる垂直面で形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記Ｇｄ決め層は有機材料で形成される請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記Ｇｄ決め層はレジスト材料で形成される請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記Ｇｄ決め層は無機材料で形成される請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記金属膜は、非磁性金属材料で形成されている請求項１ないし１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記非磁性金属材料には、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上が選択される請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記金属膜は磁性金属材料で形成されている請求項１ないし１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記非磁性金属材料あるいは磁性金属材料で形成された金属膜はスパッタ成膜されている請求項１２ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記金属膜は前記非磁性金属材料あるいは前記磁性金属材料で形成された下地膜の上に、非磁性金属膜が積層されたものである請求項１２ないし１５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記非磁性金属膜は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択されたものである請求項１６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１８】
前記ギャップ層は、非磁性金属材料で形成されている請求項１ないし１７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１９】
前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択されたものである請求項１８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項２０】
以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）下部コア層上であって記録媒体との対向面からハイト方向に所定距離だけ離れた位置に、表面が曲面状となるハイト方向断面が略半楕円状のＧｄ決め層を形成する工程と、
（ｂ）前記下部コア層上から前記Ｇｄ決め層上にかけて金属膜を形成する工程と、
（ｃ）前記Ｇｄ決め層の上面に形成された前記金属膜をレジスト層で覆い、前記レジスト層に覆われていない前記金属膜を除去し、このとき少なくとも前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面が前記金属膜で覆われていないようにする工程と、
（ｄ）前記下部コア層上であって、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成する工程と、
（ｅ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層の上面に残された金属膜上にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程。
【請求項２１】
前記（ｂ）及び（ｃ）工程に代えて以下の工程を有する請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ｆ）前記Ｇｄ決め層の上面以外をレジスト層で覆い、前記レジスト層で覆われていない前記Ｇｄ決め層の上面に金属膜を形成する工程と、
（ｇ）前記レジスト層を除去し、少なくとも前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面が前記金属膜で覆われていないようにする工程。
【請求項２２】
以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ｈ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上に金属膜を形成する工程と、
（ｉ）記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記金属膜上にハイト方向に所定の長さを有するレジスト層を形成し、前記レジスト層で覆われていない金属膜を除去する工程と、
（ｊ）前記レジスト層を除去した後、前記金属膜をマスクとして、前記金属膜で覆われていない前記Ｇｄ決め層を除去し、前記金属膜下にハイト方向断面が略矩形状あるいは略台形状となるＧｄ決め層を残す工程と、
（ｋ）前記下部コア層上であって、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成する工程と、
（ｌ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層の上面の金属膜上にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程。
【請求項２３】
前記（ｈ）及び（ｉ）工程に代えて以下の工程を有する請求項２２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ｍ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上をレジスト層で覆い、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記Ｇｄ決め層にハイト方向に所定の長さを有する穴部を形成する工程と、
（ｎ）前記穴部から露出した前記Ｇｄ決め層上に金属膜を形成する工程。
【請求項２４】
以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ｏ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上に金属膜の下地膜を形成する工程と、
（ｐ）前記下地膜上をレジスト層で覆い、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記下地膜にハイト方向に所定の長さを有する穴部を形成し、前記穴部から露出した前記下地膜上に非磁性金属膜をメッキ形成する工程と、
（ｑ）前記レジスト層を除去した後、前記非磁性金属膜に覆われていない前記下地膜、およびＧｄ決め層を除去し、前記非磁性金属膜の下に下地膜、およびハイト方向断面が略矩形状あるいは略台形状となるＧｄ決め層を残す工程と、
（ｒ）前記下部コア層上であって、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成する工程と、
（ｓ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層の上面の非磁性金属膜上にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程。
【請求項２５】
前記（ｅ）工程、前記（ｌ）工程、あるいは前記（ｓ）工程で上部磁極層を２層以上の磁性層の積層構造でメッキ形成し、前記磁性層のうちギャップ層と接する最下層をそれ以外の層よりも高い飽和磁束密度を有する高Ｂｓ層としてメッキ形成し、前記高Ｂｓ層を前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層上に形成された金属膜上にかけてメッキ形成する請求項２０ないし２４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２６】
前記Ｇｄ決め層をレジスト材料で形成し、前記（ａ）（ｈ）（ｍ）（ｏ）工程で前記Ｇｄ決め層を熱処理して硬化させる請求項２０ないし２５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２７】
前記（ｂ）（ｆ）（ｈ）（ｎ）あるいは（ｏ）工程の金属膜あるいは下地膜をスパッタ成膜する請求項２０ないし２６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２８】
前記（ｐ）工程における非磁性金属膜を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上の非磁性金属材料でメッキ形成する請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２９】
前記（ｅ）工程、前記（ｌ）工程、あるいは前記（ｓ）工程におけるギャップ層を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択した非磁性金属材料でメッキ形成する請求項２０ないし２８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば浮上式磁気ヘッドや接触式磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に上部磁極層の磁気飽和を適切に防止して、ギャップ近傍にて大きな漏れ磁界を発生させることができ、またオーバーライト特性などの諸特性の向上を図ることができ、さらにはトラック幅制御性を向上させることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３０は、従来における薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図３１は、図３０に示す３１−３１線から切断された薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分縦断面図である。
【０００３】
図３０及び図３１に示す符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、この下部コア層１の上に、絶縁層９が形成されている。
【０００４】
前記絶縁層９には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への内幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された溝部９ａが形成されている。
【０００５】
この溝部９ａ内には、下から順に、下部コア層１に磁気的に接続する下部磁極層３、ギャップ層４、及び上部コア層６に磁気的に接続する上部磁極層５がメッキ形成されている。
【０００６】
そして図３０に示すように、前記上部磁極層５上に上部コア層６がメッキ形成されている。
【０００７】
また図３１に示すように、絶縁層９に形成された溝部９ａよりもハイト方向（図示Ｙ方向）における前記絶縁層９の上には、螺旋状にパターン形成されたコイル層７が設けられている。
【０００８】
そして前記コイル層７は、レジストなどのコイル絶縁層８により覆われており、前記コイル絶縁層８の上に、上部コア層６が形成されている。前記上部コア層６は、その先端部６ａにて上部磁極層５と、また基端部６ｂにて下部コア層１と磁気的に接続された状態になっている。
【０００９】
図３０および図３１に示すインダクティブヘッドでは、コイル層７に記録電流が与えられると、下部コア層１及び上部コア層６に記録磁界が誘導され、下部コア層１と磁気的に接続する下部磁極層３及び上部コア層６と磁気的に接続する上部磁極層５間からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【００１０】
しかしながら図３０及び図３１に示す従来の薄膜磁気ヘッドには以下のような問題点があった。
【００１１】
すなわち図３１では、前記下部磁極層３、ギャップ層４、及び上部磁極層５の記録媒体との対向面からハイト方向側の後端面までの長さは、全て等しくＴ１であるが、このＴ１はギャップデプス（Ｇｄ）と呼ばれ、従来の薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層４における洩れ磁束を大きくするために、Ｔ１を非常に短かく形成する必要性があった。
【００１２】
ところがギャップデプスを短くすれば、それだけ、上部コア層６と上部磁極層５の接合面の面積が狭くなるため、上部コア層６を流れてきた磁束が絞られてしまい、前記磁束がギャップ層４に到達する前に磁気飽和してしまう。即ち、洩れ磁束がギャップ層４の近傍以外の部位からも発生してしまい、特に、記録周波数を高くしていくと、正確な記録を行なうことができなくなるという問題が生じていた。
【００１３】
そこで薄膜磁気ヘッドは例えば図３２のように改良された。図３２は従来における薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。
【００１４】
図３２に示す従来の薄膜磁気ヘッドでは、記録媒体との対向面からハイト方向に所定距離だけ離れた下部コア層１上に、例えば有機絶縁材料で形成されたＧｄ決め層１０が形成されている。
【００１５】
前記対向面から前記Ｇｄ決め層１０間には、下から下部磁極層３、ギャップ層４及び上部磁極層５が順に積層されている。図３２では、前記ギャップデプス（Ｇｄ）は、前記対向面からギャップ層４とＧｄ決め層１０とが接する位置までの長さＴ２で決められ、前記ギャップデプスの長さの制御をＧｄ決め層１０の形成位置で容易に適正化できると共に、前記上部磁極層５を前記Ｇｄ決め層１０上にまで延ばして形成することで、前記上部磁極層５をギャップデプスの長さよりも延ばすことができるから、前記ギャップデプスの長さ寸法に関わらず、前記上部磁極層５と上部コア層６との接触面積を大きくすることができ、今後の高記録密度化においても前記上部磁極層５の磁気飽和を適切に低減できるものと考えられた。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで高記録密度化を促進させるには、ギャップ近傍から発生する漏れ磁界を大きくする必要があり、そのために前記上部磁極層３５を２層以上の磁性層の積層構造とし、前記磁性層のうち前記ギャップ層４と接する下層側に飽和磁束密度Ｂｓが高い高Ｂｓ層を設け、その上に前記高Ｂｓ層よりも飽和磁束密度Ｂｓが低い上層を設けることが好ましい。
【００１７】
図３３は図３２に示す薄膜磁気ヘッドの一工程図であり、下部コア層１上にＧｄ決め層１０を設け、前記下部コア層１上であって、前記Ｇｄ決め層１０の前方に下部磁極層３及びギャップ層４をメッキ形成する。さらに前記ギャップ層４上に上部磁極層５をメッキ形成するが、このとき、前記上部磁極層５を構成する飽和磁束密度が高い前記下層１１を適切に前記Ｇｄ決め層１０上にまで延出して形成できないといった課題が発生した。
【００１８】
それは前記Ｇｄ決め層１０は有機絶縁材料などの絶縁物だからであり、よって前記下層１１を前記Ｇｄ決め層１０上に適切にメッキ成長させることはできない。また前記Ｇｄ決め層１０に前記下層１１がメッキ形成されてもその膜厚は、ギャップ層４上にメッキ形成される膜厚に比べて極端に薄くなってしまう。
【００１９】
また前記下層１１の上にメッキ形成される上層１２も当然、前記Ｇｄ決め層１０上ではメッキ形成されにくく、前記Ｇｄ決め層１０上に形成される上層１２の膜厚も薄くなる。このため前記Ｇｄ決め層１０上に形成される上部磁極層５は非常に薄い膜厚となる。
【００２０】
後工程で、前記上部磁極層５の上面を平坦化するため、前記上部磁極層５をＣ−Ｃ線まで研削するが、上記のように前記上部磁極層５の後端側での膜厚が薄いと、前記研削工程によって前記上部磁極層５の体積は非常に小さくなってしまい、前記上部磁極層５が磁気飽和に達しやすくなる。
【００２１】
また平坦化精度によっては、例えばＣ′−Ｃ′線まで研削加工したとき、前記上部磁極層５の後端に、凹み部分５ｃやあるいは全く前記上部磁極層５が形成されない部分などが発生することがあった。
【００２２】
また上記したようにＧｄ決め層１０上に形成される、飽和磁束密度が高い下層１１の膜厚は非常に薄いために、上部コア層６から上部磁極層５へ流れる磁束は適切に飽和磁束密度の高い下層１１に導かれず、すなわち前記下層１１への磁束の通過効率が非常に悪化していまい、これにより前記上部磁極層５が磁気飽和に達しやすくなると共に、ギャップ層４の近傍で発生する漏れ磁界を大きくできず、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができない。
【００２３】
また図３４は前記上部磁極層５を真上から見た部分平面図であり、前記上部磁極層５は、記録媒体との対向面でのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された先端領域５ａと、その後端において幅寸法が広がる後方領域５ｂとで構成される。
【００２４】
ところで前記上部磁極層５の後端部（磁極エッジ）５ｂ１の形成位置は、主としてオーバーライト特性に寄与し、また幅寸法が広がり始める端部（Ｐｓ）５ａ１の形成位置は主としてＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性に寄与する。
【００２５】
しかしながら図３３に示すように、上部磁極層５の形成時において、Ｇｄ決め層１０上には高い飽和磁束密度を有する下層１１が形成されず、あるいは形成されたとしてもその膜厚は非常に薄いものである。また前記下層１１の上にメッキされる上層１２も前記Ｇｄ決め層１０での膜厚が薄く形成されてしまう。このように前記上部磁極層５の後端側での膜厚は薄い膜厚となり、所定膜厚を確保することが難しいため、所定のオーバーライト特性やＮＬＴＳ特性、ＰＷ５０特性を得るためには、前記上部磁極層５の後端部５ｂ１や端部５ａ１の形成位置が制約を受けてしまい、前記後端部５ｂ１及び端部５ａ１の形成位置の設計の自由度が低下してしまう。
【００２６】
また従来では図３５に示すような構造の薄膜磁気ヘッドも考えられた。図３５は記録媒体との対向面付近のみを拡大した部分拡大縦断面図である。図３５に示された薄膜磁気ヘッドでは、下部コア層１上に下部コア層１を研削して段差を形成することによって形成された下部磁極層３が形成され、その上にギャップ層１３が積層されている。ギャップ層１３は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁性材料によって形成されている。ギャップ層１３上の記録媒体との対向面から所定距離離れた位置に、Ｇｄ決め層１０が形成されている。ギャップデプスは、Ｇｄ決め層１０の記録媒体との対向面側の前端面によって、ギャップ層１３と上部磁極層５との接合部のハイト方向側の後端が規制されることにより決められる。図３５では、ギャップデプスの長さは、Ｌ３に設定されている。
【００２７】
Ｇｄ決め層１０の前端面及びギャップ層１３上のＧｄ決め層１０と記録媒体との対向面との間の部分にメッキ下地層５ｄを介して、上部磁極層５がメッキ形成されている。上部磁極層５は上面で、上部コア層６と磁気的に接続されている。
【００２８】
しかし図３５に示す薄膜磁気ヘッドでは、前記下部コア層１を例えばイオンミリングなどで削って下部磁極層３を形成しているから、そのときに発生する磁粉が前記上部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面に付着してしまう。このため付着した磁粉によって前記上部磁極層５のトラック幅方向の幅寸法で決定されるトラック幅Ｔｗは大きくなり、狭トラック化に対応する薄膜磁気ヘッドを製造し難くなる。
【００２９】
このため前記磁粉を取り除くために、前記上部磁極層５の両側端面方向からのイオンミリングが必要となり、製造工程が煩雑化するばかりか、前記イオンミリングによって、前記上部磁極層５の高さ寸法が短くなってしまうなどの問題が発生するため、適切に前記磁粉を取り除くことが難しく、トラック幅制御が非常に悪化してしまう。
【００３０】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に上部磁極層の磁気飽和を適切に防止して、ギャップ近傍にて良好に漏れ磁界を発生させることができ、またオーバーライト特性などの諸特性の向上を図ることができ、さらにはトラック幅制御を容易にすることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００３１】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部コア層と、前記下部コア層上に、下部磁極層、ギャップ層、及び前記ギャップ層上でトラック幅方向への幅寸法が前記下部コア層よりも短く形成されてトラック幅を決める上部磁極層の順で積層された磁極部と、前記上部磁極層の上に形成された上部コア層とを有し、
記録媒体との対向面よりもハイト方向の奥側の前記下部コア層上にはＧｄ決め層が設けられ、前記下部磁極層は、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面に接する長さで形成され、
前記下部磁極層とＧｄ決め層との接触面よりもハイト方向後方における前記Ｇｄ決め層上には、金属膜が形成されており、
前記ギャップ層は前記下部磁極層上であって、少なくとも前記Ｇｄ決め層に接する長さで形成され、
さらに前記上部磁極層はギャップ層上から前記金属膜上にかけて形成されていることを特徴とするものである。
【００３２】
本発明における薄膜磁気ヘッドでは、前記Ｇｄ決め層の上面の一部に金属膜が形成されている。前記下部磁極層は、前記下部コア層上であって、前記対向面からＧｄ決め層の前端面に接する長さで形成されており、前記下部磁極層は前記Ｇｄ決め層の上面に形成された金属膜上にまで形成されていない。
【００３３】
また前記ギャップ層は例えばメッキ可能な材質で形成され、その上にメッキ形成される上部磁極層のメッキ下地は、前記ギャップ層とＧｄ決め層上に形成された金属膜である。
【００３４】
このため本発明では前記ギャップ層上から前記金属膜上にかけて適切に前記上部磁極層をメッキ成長させることができ、前記Ｇｄ決め層上での前記上部磁極層の膜厚を所定膜厚で形成することができる。
【００３５】
よって本発明では、上部コア層との接触面積を大きくできると共に、前記上部磁極層の体積を従来に比べて十分に大きく形成でき、今後の高記録密度化においても前記上部磁極層の磁気飽和を適切に低減させることができる。
【００３６】
また本発明では、前記Ｇｄ決め層上の前記金属膜上に所定膜厚の上部磁極層を形成することが可能であるから、前記上部磁極層の後端側において、ハイト方向に向かうにしたがって幅寸法が広がり始める端部（ＰＳ）や前記上部磁極層の後端部（後端エッジ）の形成位置を、オーバーライト特性、ＮＬＴＳ特性及びＰＷ５０特性の最適化に合わせて、自由に設計変更することができる。
【００３７】
またＧｄ決め層上の上部磁極層後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層に対する平坦化精度に左右されず、前記上部磁極層を所定形状で形成できる。
【００３８】
また本発明では下部磁極層を形成しており、図３５の場合のように下部コア層１を削って下部磁極層３を形成するものではない。したがって図３５の場合に必要だった前記上部磁極層３のトラック幅方向に付着した磁粉の除去工程は必要無く、トラック幅制御を従来に比べて向上させることができる。
【００３９】
また本発明では、前記ギャップ層は、前記対向面から前記Ｇｄ決め層上に形成された金属膜上の少なくとも一部にかけて形成され、前記金属膜上にギャップ層が重ねられた部分での前記上部磁極層は、前記ギャップ層上に形成されていてもよい。
また本発明における薄膜磁気ヘッドは、
下部コア層と、前記下部コア層上に、ギャップ層、及び前記ギャップ層上でトラック幅方向への幅寸法が前記下部コア層よりも短く形成されてトラック幅を決める上部磁極層の順で積層された磁極部と、前記上部磁極層の上に形成された上部コア層とを有し、
記録媒体との対向面よりもハイト方向の奥側の前記下部コア層上にはＧｄ決め層が設けられ、前記ギャップ層は、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面に接する長さで形成され、
前記ギャップ層とＧｄ決め層との接触面よりもハイト方向後方における前記Ｇｄ決め層上には、金属膜が形成されており、
さらに前記上部磁極層はギャップ層上から前記金属膜上にかけて形成されていることを特徴とするものである。
また本発明では、前記上部磁極層は２層以上の磁性層の積層構造で形成され、前記磁性層の最下層は、それ以外の前記磁性層に比べて飽和磁束密度が高い高Ｂｓ層で形成されていることが好ましい。
【００４０】
本発明では、高い飽和磁束密度を有する最下層（高Ｂｓ層）が前記Ｇｄ決め層上に形成された金属膜上にまで形成されているので、前記Ｇｄ決め層上での前記高Ｂｓ層の膜厚を厚く形成でき、上部コア層から上部磁極層へ流れる磁束を前記上部磁極層を構成するＧｄ決め層上の前記高Ｂｓ層へ適切に導くことができ、磁束の通過効率を向上させることができるから、従来に比べてギャップ近傍での漏れ磁束を大きくすることが可能である。よって本発明によれば今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００４１】
また本発明では、前記Ｇｄ決め層の前記前端面は下部コア層から上部コア層方向へ離れるにしたがってハイト方向に傾く曲面あるいは傾斜面で形成されることが好ましい。
【００４２】
例えば前記Ｇｄ決め層のハイト方向断面は略半楕円形状であり、あるいは前記Ｇｄ決め層は略台形状である。
【００４３】
あるいは本発明では、前記Ｇｄ決め層の前記前端面は、前記下部コア層から上部コア層方向へ垂直に立ち上がる垂直面で形成されても良い。
【００４４】
また本発明では、前記Ｇｄ決め層は有機材料で形成されることが好ましい。例えば前記Ｇｄ決め層はレジスト材料で形成される。
【００４５】
また本発明では、前記Ｇｄ決め層は無機材料で形成されていてもよい。
また本発明では、前記金属膜は、非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。かかる場合、前記非磁性金属材料には、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上が選択されることが好ましい。
【００４６】
また本発明では、前記金属膜は磁性金属材料で形成されていてもよい。なお本発明では前記金属膜は磁性金属材料より非磁性金属材料で形成された方が好ましく、それは前記磁性金属であると、その上に上部磁極層をメッキ形成するときに前記磁性金属材料で形成された金属膜が溶け出す恐れがあるからである。
【００４７】
また本発明では、前記非磁性金属材料あるいは磁性金属材料で形成された金属膜はスパッタ成膜されていることが好ましい。これにより適切に前記Ｇｄ決め層に金属膜を形成することができる。
【００４８】
また本発明では、前記金属膜は前記非磁性金属材料あるいは前記磁性金属材料で形成された下地膜の上に、非磁性金属膜が積層されたものであることが好ましい。
【００４９】
この構成は特に前記Ｇｄ決め層が薄い膜厚で形成された場合に有効である。前記Ｇｄ決め層が薄い膜厚で形成されると、Ｇｄ決め層上に形成された上部磁極層と前記Ｇｄ決め層の下に形成された下部コア層間の距離が短くなり、前記上部磁極層と下部コア層間で磁界が洩れやすく、これにより記録媒体との対向面でのギャップ付近から発生する漏れ磁界が小さくなってしまう。
【００５０】
前記非磁性金属膜はメッキ形成されるためその膜厚を厚くでき、前記Ｇｄ決め層の上に例えば非磁性金属材料でスパッタ成膜された下地膜の上に、さらにメッキ形成された膜厚の厚い非磁性金属膜を形成することで、前記Ｇｄ決め層上に形成された上部磁極層と、前記Ｇｄ決め層下の下部コア層間の距離を適切に離し、前記上部磁極層と下部コア層間での漏れ磁界の発生を少なくすることが可能である。
【００５１】
なお本発明では、前記非磁性金属膜は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択されたものであることが好ましい。これら材料を使用することで適切に非磁性の金属膜を形成できると共に耐熱性、密着性等に優れる非磁性金属膜を形成できる。
【００５２】
また本発明では、前記磁極部は、ギャップ層と上部磁極層の２層で形成され、前記ギャップ層は下部コア層上であって、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記前端面に接する長さで形成されていてもよい。
【００５３】
また本発明では、前記ギャップ層は、前記対向面から前記Ｇｄ決め層上に形成された金属膜上の少なくとも一部にかけて形成され、前記金属膜上にギャップ層が重ねられた部分での前記上部磁極層は、前記ギャップ層上に形成されてもよい。
【００５４】
なお本発明では、前記ギャップ層は、非磁性金属材料で形成されていることが好ましく、前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択されたものであることが好ましい。
【００５５】
また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）下部コア層上であって記録媒体との対向面からハイト方向に所定距離だけ離れた位置に、表面が曲面状となるハイト方向断面が略半楕円状のＧｄ決め層を形成する工程と、
（ｂ）前記下部コア層上から前記Ｇｄ決め層上にかけて金属膜を形成する工程と、
（ｃ）前記Ｇｄ決め層の上面に形成された前記金属膜をレジスト層で覆い、前記レジスト層に覆われていない前記金属膜を除去し、このとき少なくとも前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面が前記金属膜で覆われていないようにする工程と、
（ｄ）前記下部コア層上であって、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成する工程と、
（ｅ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層の上面に残された金属膜上にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程。
【００５６】
上記した工程であれば、表面が曲面状で形成されたＧｄ決め層の上面に容易にしかも確実に金属膜を形成することができる。また前記（ｄ）工程で、前記下部磁極層を前記対向面から前記金属膜よりも対向面側に位置するＧｄ決め層の前端面にまでメッキ形成でき、前記下部磁極層が前記Ｇｄ決め層上の金属膜上でメッキ成長しないようにしている。
【００５７】
そして前記（ｅ）工程では、前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から金属膜上にかけて前記上部磁極層をメッキ形成することができ、前記Ｇｄ決め層上における前記上部磁極層を所定膜厚で形成することが可能になっている。
【００５８】
また本発明では、前記（ｂ）及び（ｃ）工程に代えて以下の工程を有していてもよい。
（ｆ）前記Ｇｄ決め層の上面以外をレジスト層で覆い、前記レジスト層で覆われていない前記Ｇｄ決め層の上面に金属膜を形成する工程と、
（ｇ）前記レジスト層を除去し、少なくとも前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面が前記金属膜で覆われていないようにする工程。
【００５９】
これによっても前記Ｇｄ決め層の上面に金属膜を適切にしかも容易に形成することができる。
【００６０】
あるいは本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ｈ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上に金属膜を形成する工程と、
（ｉ）記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記金属膜上にハイト方向に所定の長さを有するレジスト層を形成し、前記レジスト層で覆われていない金属膜を除去する工程と、
（ｊ）前記レジスト層を除去した後、前記金属膜をマスクとして、前記金属膜で覆われていない前記Ｇｄ決め層を除去し、前記金属膜下にハイト方向断面が略矩形状あるいは略台形状となるＧｄ決め層を残す工程と、
（ｋ）前記下部コア層上であって、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成する工程と、
（ｌ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層の上面の金属膜上にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程。
【００６１】
上記製造方法により前記Ｇｄ決め層を略矩形状あるいは略台形状で形成することができる。
【００６２】
あるいは本発明では、前記（ｈ）及び（ｉ）工程に代えて以下の工程を有していても良い。
（ｍ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上をレジスト層で覆い、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記Ｇｄ決め層にハイト方向に所定の長さを有する穴部を形成する工程と、
（ｎ）前記穴部から露出した前記Ｇｄ決め層上に金属膜を形成する工程。
【００６３】
これによっても略矩形状あるいは略台形状となるＧｄ決め層を容易にしかも適切に形成することができる。
【００６４】
あるいは本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ｏ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上に金属膜の下地膜を形成する工程と、
（ｐ）前記下地膜上をレジスト層で覆い、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記下地膜にハイト方向に所定の長さを有する穴部を形成し、前記穴部から露出した前記下地膜上に非磁性金属膜をメッキ形成する工程と、
（ｑ）前記レジスト層を除去した後、前記非磁性金属膜に覆われていない前記下地膜、およびＧｄ決め層を除去し、前記非磁性金属膜の下に下地膜、およびハイト方向断面が略矩形状あるいは略台形状となるＧｄ決め層を残す工程と、
（ｒ）前記下部コア層上であって、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記対向面側の前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成する工程と、
（ｓ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層の上面の非磁性金属膜上にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程。
【００６５】
この工程では前記金属膜を、下地膜とその上に形成された非磁性金属膜との２層構造で形成することができる。前記非磁性金属膜の膜厚を厚く形成することができるので、メッキ形成された前記非磁性金属膜を有する金属膜は、特にＧｄ決め層の膜厚を薄く形成するとき、前記Ｇｄ決め層上に形成された上部磁極層と、前記Ｇｄ決め層の下に形成された下部コア層間で漏れる磁界を低減させる上で効果的な構造である。
【００６６】
また本発明では、前記（ｅ）工程、前記（ｌ）工程、あるいは前記（ｓ）工程で上部磁極層を２層以上の磁性層の積層構造でメッキ形成し、前記磁性層のうちギャップ層と接する最下層をそれ以外の層よりも高い飽和磁束密度を有する高Ｂｓ層としてメッキ形成し、前記高Ｂｓ層を前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層上に形成された金属膜上にかけてメッキ形成することが好ましい。
【００６７】
本発明では、Ｇｄ決め層の上面に金属膜を形成しているため、この上に上部磁極層の高い飽和磁束密度を有する最下層（高Ｂｓ層）を適切にしかも容易に所定膜厚でメッキ成長させることが可能である。
【００６８】
また本発明では、前記Ｇｄ決め層をレジスト材料で形成し、前記（ａ）（ｈ）（ｍ）（ｏ）工程で前記Ｇｄ決め層を熱処理して硬化させることが好ましい。
【００６９】
また本発明では、前記（ｂ）（ｆ）（ｈ）（ｎ）あるいは（ｏ）工程の金属膜あるいは下地膜をスパッタ成膜することが好ましい。これにより前記Ｇｄ決め層上に適切に前記金属膜を形成することができる。
【００７０】
また本発明では、前記（ｐ）工程における非磁性金属膜を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上の非磁性金属材料でメッキ形成することが好ましい。
【００７１】
また本発明では、前記（ｅ）工程、前記（ｌ）工程、あるいは前記（ｓ）工程におけるギャップ層を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択した非磁性金属材料でメッキ形成することが好ましい。
【００７２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分縦断面図（ハイト方向断面）である。
【００７３】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。
【００７４】
図１及び図２に示す符号２０は、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。なお、前記下部コア層２０の下側に再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層２０とは別個に、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）、異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素子）あるいはトンネル型磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）の磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層２０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。
【００７５】
また図１に示すように、後述する下部磁極層２２の基端から延びる下部コア層２０の上面は、実線で示される平坦面２０ａ，２０ａである。ただし、下部コア層２０の上面が、破線で示される前記上部コア層１５から離れる方向に傾斜する傾斜面２０ｂ，２０ｂのように形成されてもよい。前記下部コア層２０の上面に傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されると、ライトフリンジングをよりいっそう適切に防止することができる。
【００７６】
図１に示すように、下部コア層２０の上には、例えば磁性金属材料によりメッキ下地層２２ａが形成され、さらに下部磁極層２２、ギャップ層２３、および上部磁極層２４が連続して積層されて、磁極部５１が構成されている。
【００７７】
図１および図２に示すように、下部コア層２０上には、メッキ下地層２２ａを介して、下部磁極層２２がメッキ形成されている。下部磁極層２２は、下部コア層２０と磁気的に接続されており、下部磁極層２２は、下部コア層２０と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【００７８】
また図１及び図２に示すように、下部磁極層２２上には、非磁性のギャップ層２３がメッキ形成されていることが好ましい。
【００７９】
本発明では、ギャップ層２３は、非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層２２上にメッキ形成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上を選択することが好ましく、ギャップ層２３は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【００８０】
また前記ギャップ層２３がＮｉＰ合金で形成されると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、前記下部磁極層２２及び上部磁極層２４との密着性も良い。また下部磁極層２２及び上部磁極層２４との硬さも同等とすることができるので、例えばイオンミリング等により、下部磁極層２２、ギャップ層２３及び上部磁極層２４を加工する際の加工量も同等とすることができ加工性を向上させることができる。
【００８１】
なお、ギャップ層２３はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等のギャップ層２３の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【００８２】
なお前記ギャップ層２３は例えばＡｌ2Ｏ3などの絶縁物であっても良いが、かかる場合、前記ギャップ層２３上にメッキ下地を形成する必要があり、前記ギャップ層２３の形成が煩雑化するため、前記ギャップ層２３をメッキ形成することが好ましい。
【００８３】
次にギャップ層２３上には、後述する上部コア層１５と磁気的に接続する上部磁極層２４がメッキ形成されている。なお上部磁極層２４は、上部コア層１５と同じ材質で形成されていてもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。
【００８４】
本発明では上記したようにギャップ層２３が、非磁性金属材料などでメッキ形成されているので、下部磁極層２２、ギャップ層２３および上部磁極層２４を連続してメッキ形成することが可能でなる。
【００８５】
また上記したように、下部磁極層２２および上部磁極層２４は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を向上させるためには、ギャップ層２３に対向する下部磁極層２２および上部磁極層２４は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。このように下部磁極層２２および上部磁極層２４が高い飽和磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能になる。
【００８６】
また図１及び図２に示す実施形態では、上部磁極層２４は、２層の積層構造で形成されている。
【００８７】
前記上部磁極層２４は、前記ギャップ層２３に接する下層２４ａと、その上に形成された上層２４ｂとで構成され、前記下層２４ａは、前記上層２４ｂよりも飽和磁束密度が大きい高Ｂｓ層である。
【００８８】
このようにギャップ層２３に近い前記下層２４ａを飽和磁束密度の大きい磁性材料で形成することで上部コア層１５から流れてきた磁束をギャップ近傍に集約することが容易になり、記録密度を向上させることが可能になる。
【００８９】
なお前記下層２４ａはＮｉＦｅ合金やＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金などの磁性材料で形成できる。なお上層２４ｂも下層２４ａと同じ材質の磁性材料で形成する場合、例えばＮｉＦｅ合金で形成する場合には、下層２４ａ側のＮｉＦｅ合金のＦｅ量を上層２４ｂ側のＮｉＦｅ合金のＦｅ量よりも大きくすることで、前記下層２４ａの飽和磁束密度Ｂｓを前記上層２４ｂの飽和磁束密度Ｂｓよりも大きくすることができる。
【００９０】
また前記上部磁極層２４が３層以上の多層膜として形成される場合も同様に、前記ギャップ層２３に近い磁性層ほど飽和磁束密度Ｂｓが高くなるように磁性材料を選択することが好ましい。
【００９１】
図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層２４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は下部コア層２０の幅寸法よりも短く形成されており、この上部磁極層２４の幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制されている。
【００９２】
前記トラック幅Ｔｗは、０．７μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましくは０．４μｍ以下である。
【００９３】
また図１に示すように、下部磁極層２２、ギャップ層２３、および上部磁極層２４の厚さ寸法の合計はＨ２で形成されている。例えば一例として、下部磁極層２２の膜厚は０．４μｍ程度、ギャップ層２３の膜厚は０．２μｍ程度、上部磁極層２４の膜厚は２μｍ程度である。これによりサイドフリンジングを適切に防止できる。
【００９４】
図２に示されるように、下部磁極層２２、ギャップ層２３及び上部磁極層２４の後方には、有機材料などで形成されたＧｄ決め層１６が形成されている。
【００９５】
図３は、図２に示された薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面周辺の部分拡大断面図である。
【００９６】
前記Ｇｄ決め層１６は、記録媒体との対向面（記録媒体との対向面）側の前端面１６ａは下部コア層２０上から上方（図示Ｚ方向）に向かうに従って、記録媒体との対向面からの距離が徐々に離れるように傾斜する曲面状で形成されている。この実施形態では前記Ｇｄ決め層１６の縦断面（ハイト方向断面）は略半楕円形状である。
【００９７】
図３に示すように、前記ギャップ層２３と上部磁極層２４との接合面のハイト方向の深さ（ギャップデプス）は、Ｇｄ決め層１６の前端面１６ａによってＬ４に規制されている。
【００９８】
図３に示すように、前記下部コア層２０上にメッキ下地層２２ａを介して形成された下部磁極層２２は、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層１６の前端面１６ａにまで延びてメッキ形成されている。
【００９９】
さらに本発明では、前記下部磁極層２２とＧｄ決め層１６との接触面よりもハイト方向後方（図示Ｙ方向）における前記Ｇｄ決め層１６の上面１６ｂには金属膜３０が形成されている。
【０１００】
すなわち本発明では前記下部磁極層２２は前記金属膜３０上にまで延出してメッキ形成されていない。仮に前記下部磁極層２２が前記金属膜３０上にまで延出すると、前記延出した部分での下部磁極層２２と上部磁極層２４間で磁界が漏れて、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界が低減すると共に、ギャップデプスが長くなってしまい、前記ギャップデプスを所定値内に収めにくくなる。
【０１０１】
この実施形態では、前記下部磁極層２２の上に形成されるギャップ層２３は、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層１６上に形成された前記金属膜３０よりも前記対向面側で、前記金属膜３０が形成されていない前記Ｇｄ決め層１６の前端面１６ａに接して形成されている。
【０１０２】
そして本発明では、前記ギャップ層２３上にメッキ形成される上部磁極層２４の下層（高Ｂｓ層）２４ａは、下地絶縁層２７よりも記録媒体との対向面側の領域Ｄ内に露出した前記Ｇｄ決め層１６上の前記金属膜３０上にまで延びてメッキ形成されている。
【０１０３】
さらに前記下層２４ａの上には前記上部磁極層２４を構成する上層２４ｂがメッキ形成され、前記上層２４ｂの上面２４ｂ１は、前記上層２４ｂのハイト方向後方（図示Ｙ方向）に位置する絶縁層２７の上面２７ａと同一面上で形成されているのである。
【０１０４】
図３に示す本発明では、前記上部磁極層２４の下層（高Ｂｓ層）２４ａのメッキ下地は、ギャップ層２３の他に、Ｇｄ決め層１６上に形成された金属膜３０である。
【０１０５】
したがって前記下層２４ａをギャップ層２３上から前記金属膜３０上にかけて適切にメッキ形成することができ、前記下層２４ａを所定膜厚で形成することができる。
【０１０６】
このように本発明では、前記Ｇｄ決め層１６上に、厚い膜厚の前記下層２４ａを適切に形成することができるから、上部コア層１５から前記上部磁極層２４に流れる磁束は、前記上層２４ｂを介してＧｄ決め層１６上に形成された飽和磁束密度の高い前記下層（高Ｂｓ層）２４ａに流れ、前記磁束は前記記録媒体との対向面にまで前記上部磁極層２４が磁気飽和すること無く適切に導かれる。従って前記下層２４ａの前記対向面からは大きな漏れ磁束が発生し、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１０７】
また図４は、前記上部磁極層２４の部分平面図である。なおこの平面図では上部コア層１５や、後述の下地絶縁層２７を図面から削除している。
【０１０８】
図４に示すように、前記上部磁極層２４は、記録媒体との対向面でのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された幅細形状の先端領域２４ｃと、前記先端領域２４ｃよりもハイト方向後方に向けて幅寸法が広がる後方領域２４ｄとで構成される。
【０１０９】
本発明では、後述する製造方法で説明するように、前記Ｇｄ決め層１６の上面に形成された金属膜３０上にまで上部磁極層２４の下層２４ａを延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を厚く形成することができる。さらに前記下層２４ａの上に形成される上層２４ｂも適切にメッキ形成でき上部磁極層２４全体を所定の膜厚にて形成できる。したがって前記上部磁極層２４での磁気飽和を適切に防止することができる。
【０１１０】
さらに図４に示す上部磁極層２４の後端部（磁極エッジ）２４ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２４ｃ１の形成位置を、前記後端部２４ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２４ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１１１】
またＧｄ決め層１６上の上部磁極層２４後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層２４に対する平坦化精度に左右されずに、前記上部磁極層２４を所定形状で形成できる。
【０１１２】
また本発明では、前記下部磁極層２２は下部コア層２０上にメッキ形成され、図３５に示す従来のように、下部コア層１を削って下部磁極層３を形成するものではない。従って従来のように上部磁極層５のトラック幅方向の両側端面に磁粉が付着する問題が元々発生せず、よって磁粉除去のためのトリミング工程は必要なく、トラック幅制御の向上を図ることが可能である。
【０１１３】
次に本発明における前記Ｇｄ決め層１６の材質について説明する。
本発明では前記Ｇｄ決め層１６は有機材料で形成されていることが好ましい。有機材料にはレジスト材料を選択することができる。これにより前記Ｇｄ決め層１６を所定形状で形成しやすくできる。
【０１１４】
本発明では前記Ｇｄ決め層１６を例えば紫外線硬化樹脂のレジスト材料で形成する場合、前記レジスト材料を塗布後、熱処理を施すことで表面にだれを生じさせ、さらに紫外線を照射して前記レジスト材料を硬化させる。これにより前記Ｇｄ決め層１６を図３に示すような縦断面を略半楕円形状に容易に加工することが可能である。
【０１１５】
また本発明では前記Ｇｄ決め層１６は無機材料で形成されても良い。前記無機材料には、例えばＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3を利用できる。無機材料によっても前記Ｇｄ決め層１６を形成することができるが、無機材料を使用した場合、図３に示すように前記Ｇｄ決め層１６の縦断面を略半楕円状に形成することは難しいので、前記無機材料を使用する場合は、前記Ｇｄ決め層１６の縦断面を略矩形状や略台形状で形成するときに効果的である。なお略矩形状等で形成されたＧｄ決め層１６の構造については後で図面を参照しながら詳述することとする。
【０１１６】
次に金属膜３０の材質について以下に説明する。
前記金属膜３０は、非磁性金属材料で形成されることが好ましい。また前記非磁性金属材料には、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉのうちいずれか１種または２種以上を選択することが好ましい。前記金属膜３０を前記非磁性金属材料で形成することにより、前記金属膜３０上に上部磁極層２４を重ねてメッキ形成するときに、前記金属膜３０が溶け出す恐れが無い。従って前記金属膜３０を薄く形成しても適切に前記上部磁極層２４のメッキ下地として機能させることができる。なおまずＴｉを敷いた後に、前記Ｔｉ上に、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｐｔのいずれか１種以上を形成すると密着性が向上して好ましい。
【０１１７】
また前記金属膜３０は磁性金属材料で形成されていてもよい。前記磁性金属材料にはＮｉＦｅ合金やＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金などを選択することができる。ただしＮｉ濃度が多い磁性金属材料を使用した場合、前記磁性金属材料で形成された金属膜３０上に上部磁極層２４をメッキ成長させていくとき、前記金属膜３０が溶け出すことが確認されている。このため前記金属膜３０をＮｉ濃度が大きい磁性材料で形成するとき、前記金属膜３０の膜厚は非磁性金属材料で前記金属膜３０を形成する場合に比べて厚く形成することが好ましい。
【０１１８】
また本発明では、前記非磁性金属材料あるいは磁性金属材料で形成された金属膜３０をスパッタ成膜することが好ましい。これにより前記金属膜３０を適切にしかも容易にＧｄ決め層１６上に形成することができる。ただし前記金属膜３０をスパッタ成膜する場合、前記金属膜３０の膜厚をそれほど厚く形成できないが、前記金属膜３０の膜厚を０．０２μｍ以上で０．３μｍ以下で形成すれば、メッキ下地として十分に機能させることができる。
【０１１９】
次に前記Ｇｄ決め層１６の好ましい形状について以下に説明する。
図３では、ギャップ層２３のＧｄ決め層１６との突当り面の上端部２３ａ及び下端部２３ｂを通る仮想平面Ｓ１と、下部コア層２０の上面２０ａとのなす角θ１が４５°以上９０°以下の範囲にある。なお、図３では、図を見やすくするために、角θ１を仮想平面Ｓ１と下部コア層２０の上面２０ａに平行な平面とがなす角として図示している。
【０１２０】
本実施の形態のように、角θ１が４５°以上であると、ギャップ層２３の膜厚が変動したときの、ギャップデプスＬ４の変動を小さくできる。また、Ｇｄ決め層１６との突当り面付近において、ギャップ層２３にダレが生じることを防ぐことができる。
【０１２１】
また、角θ１が９０°以下であると、上部磁極層２４に磁束の流れを抑制するくびれが形成されないので、磁気ヘッドの書き込み特性の低下を防止できる。
【０１２２】
また図３では、下部磁極層２２のＧｄ決め層１６との突当り面の上端部２３ｂ及び下端部２２ｂを通る仮想平面Ｓ２と、下部コア層２０の上面２０ａとのなす角θ２が４５°以上９０°以下の範囲内にある。なお、図３においては、ギャップ層２３のＧｄ決め層１６との突当り面の下端部と、下部磁極層２２のＧｄ決め層１６との突当り面の上端部は重なっている。また、図３では、図を見やすくするために、角θ２を仮想平面Ｓ２と下部コア層２０の上面２０ａに平行な平面とがなす角として図示している。
【０１２３】
角θ２が４５°以上であると、Ｇｄ決め層１６の前縁部（下部磁極層２２のＧｄ決め層１６との突当り面の下端部２２ｂと同一）からギャップ層２３のＧｄ決め層１６との突当り面までの距離Ｌ５を小さくできるので、製品ごとのギャップデプスＬ４のバラつきを小さくできる。
【０１２４】
また、角θ２が９０°以下であると、上部磁極層２４に磁束の流れを抑制するくびれが形成されないので、磁気ヘッドの書き込み特性の低下を防止できる。
【０１２５】
図３に示された磁気ヘッドでは、Ｇｄ決め層１６の記録媒体との対向面（記録媒体との対向面）側の前端面１６ａは曲面となっているので、ギャップ層２３のＧｄ決め層１６との突当り面の上端部２３ａ及び下端部２３ｂを通る仮想平面Ｓ１と、下部コア層２０の上面２０ａとのなす角θ１と、下部磁極層２２のＧｄ決め層１６との突当り面の上端部２３ｂ及び下端部２２ｂを通る仮想平面Ｓ２と、下部コア層２０の上面２０ａとのなす角θ２が異なっている。
【０１２６】
本実施の形態では、角θ１と角θ２とが、共に４５°以上９０°以下の範囲内にあってもよいし、角θ１と角θ２の一方が４５°以上９０°以下の範囲内にあってもよい。
【０１２７】
なお、角θ１と角θ２の、少なくとも一方が４５°以上９０°以下の範囲内にあることはあくまでも好ましい形態であり、本発明において角θ１及び角θ２の範囲を制限するものではない。
【０１２８】
また上記角θ１及び角θ２の設定は、次の図５以降における各実施形態でも適用されるものである。
【０１２９】
以下、本発明における他の実施形態について説明する。図５は本発明における第２実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図である。
【０１３０】
図５では、前記Ｇｄ決め層１６の上に形成された金属膜３０上にまでギャップ層２３が延びてメッキ形成されている。この実施形態では、前記下部磁極層２２は、図３と同様に記録媒体との対向面からＧｄ決め層１６の前端面１６ａに接する長さでメッキ成され、前記Ｇｄ決め層１６上に形成された金属膜３０上にまで延びてメッキ形成されていない。
【０１３１】
またギャップデプス（Ｇｄ）は、記録媒体との対向面から、前記ギャップ層２３が前記Ｇｄ決め層１６に突き当たる前記Ｇｄ決め層１６の前端面１６ａまでの長さＬ６で規定される。
【０１３２】
また図５に示す実施形態では、上部磁極層２４の飽和磁束密度が高い下層２４ａが、前記ギャップ層２３上全体に適切にメッキ形成され、さらに前記下層２４ａ上に前記下層２４ａよりも飽和磁束密度が低い上層２４ｂが重ねてメッキ形成されている。
【０１３３】
この実施形態においても、前記上部磁極層２４の下層（高Ｂｓ層）２４ａは、Ｇｄ決め層１６上に形成された金属膜３０上のギャップ層２３上にまでメッキ形成され、前記下層２４ａの膜厚を所定膜厚でメッキ形成することができるから、上部コア層１５から前記上部磁極層２４に流れる磁束は、前記上層２４ｂを介してハイト方向深くまで形成された飽和磁束密度の高い前記下層（高Ｂｓ層）２４ａに適切に流れ、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界を大きくできる。よって今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１３４】
また本発明では、後述する製造方法で説明するように、前記Ｇｄ決め層１６の上面に形成された金属膜３０上にまで上部磁極層２４の下層２４ａを延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を厚く形成することができる。さらに前記下層２４ａの上に形成される上層２４ｂも適切にメッキ形成でき上部磁極層２４全体を所定の膜厚にて形成できる。したがって前記上部磁極層２４での磁気飽和を適切に防止することができる。さらに図４に示す上部磁極層２４の後端部（磁極エッジ）２４ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２４ｃ１の形成位置を、前記後端部２４ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２４ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１３５】
またＧｄ決め層１６上の上部磁極層２４後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層２４に対する平坦化精度に左右されずに、前記上部磁極層２４を所定形状で形成できる。
【０１３６】
また本発明では、前記下部磁極層２２は下部コア層２０上にメッキ形成され、図３５に示す従来のように、下部コア層１を削って下部磁極層３を形成するものではない。従って従来のように上部磁極層５のトラック幅方向の両側端面に磁粉が付着する問題が元々発生せず、よって磁粉除去のためのトリミング工程は必要なく、トラック幅制御の向上を図ることが可能である。
【０１３７】
ところで図５では、前記ギャップ層２３は、下地絶縁層２７よりも記録媒体との対向面側の領域Ｄ内に露出した金属膜３０の後端上までにメッキ形成されているが、前記ギャップ層２３は、前記下部磁極層２２上から前記金属膜３０上の一部にメッキ形成され、前記金属膜３０の後端上にまでメッキ形成されていなくてもよい。
【０１３８】
また図５のように前記ギャップ層２３が金属膜３０上にまでメッキ形成されている場合、前記上部磁極層２４の下に露出する層は、ギャップ層２３のみか、あるいは前記ギャップ層２３と金属膜３０のみとなる。
【０１３９】
一方、図３の場合、前記上部磁極層２４の下に露出する層は、ギャップ層２３と金属膜３０の他に、前記ギャップ層２３の後端と前記金属膜３０の前端間の間隔Ｅ内に位置するＧｄ決め層１６も含まれる。前記上部磁極層２４は前記ギャップ層２３と金属膜３０の上では適切にメッキ成長するが、絶縁物の前記Ｇｄ決め層１６上ではメッキ成長し難い。ただし本発明では、前記ギャップ層２３と金属膜３０間に現れるＧｄ決め層１６表面は微小な間隔Ｅであるので、このような微小な間隔Ｅであれば、ギャップ層２３上と金属膜３０上とでメッキ成長する上部磁極層２４が前記微小な間隔Ｅ内も埋めつくし、前記間隔Ｅ上でメッキ形成される上部磁極層２４の膜厚が他の部分と比べて極端に小さくなるようなことはない。前記間隔Ｅの下部コア層２０と平行な方向のハイト長さは、０．２〜０．８μｍ程度であることが好ましい。
【０１４０】
しかし、より確実に前記上部磁極層２４をメッキ成長させるには、図３のように微小な間隔ＥでもＧｄ決め層１６表面が露出しないことが良い。
【０１４１】
図５では、上記のように、前記ギャップ層２３が金属膜３０上にも重ねてメッキ形成されているから、図３のように上部磁極層２４の下にＧｄ決め層１６が露出する部分はなく、したがって図５ではより確実に前記上部磁極層２４を所定膜厚にてメッキ形成することが可能である。
【０１４２】
なお図５のように前記ギャップ層２３がＧｄ決め層１６上の金属膜３０上にまで延ばされて形成された形態は、以下の実施形態においても適用できるものである。
【０１４３】
図６は、本発明における第３実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図である。
【０１４４】
図６では、前記Ｇｄ決め層３１の記録媒体との対向面側の前端面３１ａが下部コア層２０から上方（図示Ｚ方向）に向けて垂直面で立ち上がって形成されており、前記Ｇｄ決め層３１の縦断面は略矩形状で形成されている。
【０１４５】
また前記Ｇｄ決め層３１の上面３１ｂには金属膜３０が形成されている。なお前記Ｇｄ決め層３１及び金属膜３０の材質については、既に図３で説明した通りである。なおこの実施形態では前記Ｇｄ決め層３１を有機材料で形成しても良いし、無機材料で形成しても図６のような縦断面（ハイト方向断面）が略矩形状となるＧｄ決め層３１を適切に形成することができる。
【０１４６】
図６では、前記下部磁極層２２が下部コア層２０上にメッキ下地層２２ａを介してメッキ形成され、前記下部磁極層２２は記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３１の前端面３１ａにまで延びてメッキ形成されている。また同様に前記下部磁極層２２上に形成されたギャップ層２３は記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３１の前端面３１ａにまで延びてメッキ形成されている。ギャップデプスは前記対向面から前記前端面３１ａまでの長さＬ７で規制される。
【０１４７】
そして本発明では、上部磁極層２４の高い飽和磁束密度を有する下層２４ａは、前記ギャップ層２３上から前記Ｇｄ決め層３１上に形成された金属膜３０上にまで延びてメッキ形成され、さらに前記下層２４ａ上には、前記下層２４ａよりも低い飽和磁束密度を有する上層２４ｂがメッキ形成されている。
【０１４８】
次に図７は本発明における第４実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図である。
【０１４９】
図７では、Ｇｄ決め層３２の記録媒体との対向面側の前端面３２ａが下部コア層２０から上方（図示Ｚ方向）に向けて、ハイト方向に傾く傾斜面で形成されており、前記Ｇｄ決め層３２の縦断面（ハイト方向断面）は略台形状で形成されている。
【０１５０】
また前記Ｇｄ決め層３２の上面３２ｂには金属膜３０が形成されている。なお前記Ｇｄ決め層３２及び金属膜３０の材質については、既に図３で説明した通りである。なおこの実施形態では前記Ｇｄ決め層３２を有機材料で形成しても良いし、無機材料で形成しても加工精度良く、図７のような縦断面が略台形状となるＧｄ決め層３２を形成することができる。
【０１５１】
図７では、前記下部磁極層２２が下部コア層２０上にメッキ下地層２２ａを介してメッキ形成され、前記下部磁極層２２は記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａにまで延びてメッキ形成されている。また同様に前記下部磁極層２２上にメッキ形成されたギャップ層２３は記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３２の前端面３２ａにまで延びてメッキ形成されている。ギャップデプスは前記対向面から前記ギャップ層２３が前記前端面３２ａに突き当たるまでの長さＬ８で規制される。
【０１５２】
そして本発明では、上部磁極層２４の高い飽和磁束密度を有する下層２４ａは、前記ギャップ層２３上から前記Ｇｄ決め層３２上に形成された金属膜３０上にまで延びてメッキ形成され、さらに前記下層２４ａ上には、前記下層２４ａよりも低い飽和磁束密度を有する上層２４ｂがメッキ形成されている。
【０１５３】
図６及び図７の実施形態においても、前記上部磁極層２４の下層（高Ｂｓ層）２４ａは、Ｇｄ決め層３１、３２上に形成された金属膜３０上にまでメッキ形成され、前記下層２４ａの膜厚を所定膜厚でメッキ形成することができるから、上部コア層１５から前記上部磁極層２４に流れる磁束は、前記上層２４ｂを介してハイト方向深くまで形成された飽和磁束密度の高い前記下層（高Ｂｓ層）２４ａに適切に流れ、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界を大きくできる。よって今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１５４】
また本発明では、後述する製造方法で説明するように、前記Ｇｄ決め層３１、３２の上面に形成された金属膜３０上にまで上部磁極層２４の下層２４ａを延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を厚く形成することができる。さらに前記下層２４ａの上に形成される上層２４ｂも適切にメッキ形成でき上部磁極層２４全体を所定の膜厚にて形成できる。したがって前記上部磁極層２４での磁気飽和を適切に防止することができる。さらに図４に示す上部磁極層２４の後端部（磁極エッジ）２４ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２４ｃ１の形成位置を、前記後端部２４ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２４ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１５５】
またＧｄ決め層３１上の上部磁極層２４後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層２４に対する平坦化精度に左右されずに、前記上部磁極層２４を所定形状で形成できる。
【０１５６】
また本発明では、前記下部磁極層２２は下部コア層２０上にメッキ形成され、図３５に示す従来のように、下部コア層１を削って下部磁極層３を形成するものではない。従って従来のように上部磁極層５のトラック幅方向の両側端面に磁粉が付着する問題が元々発生せず、よって磁粉除去のためのトリミング工程は必要なく、トラック幅制御の向上を図ることが可能である。
【０１５７】
図８は、本発明における第５実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図である。
【０１５８】
図８では、Ｇｄ決め層３３の記録媒体との対向面側の前端面３３ａが下部コア層２０から上方（図示Ｚ方向）に向けて垂直に立ちあがる垂直面で形成されており、前記Ｇｄ決め層３３の縦断面は略矩形状で形成されている。なお前記Ｇｄ決め層３３の前記前端面３３ａは、前記下部コア層２０から上方に向けてハイト方向に傾く傾斜面で形成され、図７と同様に例えば前記Ｇｄ決め層３３の縦断面は略台形状で形成されていてもよい。
【０１５９】
また前記Ｇｄ決め層３３の上面３３ｂには金属膜３６が形成されている。
前記金属膜３６は、非磁性金属材料あるいは磁性金属材料から成る下地膜３４とその上に形成された非磁性金属膜３５の２層構造である。前記下地膜３４は、図３で説明したのと同様にスパッタ成膜されたものであることが好ましく、その膜厚Ｈ４は０．０５μｍ〜０．２μｍ程度である。一方、前記下地膜３４の上に形成された非磁性金属膜３５はメッキ形成されたものであり、その膜厚Ｈ５は、前記下地膜３４に比べて厚く０．２〜１．０μｍであることが好ましい。
【０１６０】
なお前記非磁性金属膜３５は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択されたものであることが好ましい。これら材料を使用することで前記非磁性金属膜３５を所定の膜厚まで適切にメッキ形成することができ、また前記非磁性金属膜３５を適切に非磁性にできる。
【０１６１】
また前記非磁性金属膜３５がＮｉＰ合金で形成されると、メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、また前記金属膜３６上に形成される上部磁極層２４との密着性も良い。また非磁性金属膜３５はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等の非磁性金属膜３５の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【０１６２】
なおこの実施形態では前記Ｇｄ決め層３３を有機材料で形成しても良いし、無機材料で形成しても図８のような縦断面が略矩形状となるＧｄ決め層３３を適切に形成することができる。
【０１６３】
図８では、前記下部磁極層２２が下部コア層２０上にメッキ下地層２２ａを介して形成され、前記下部磁極層２２は記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３３の前端面３３ａにまで延びてメッキ形成されている。また同様に前記下部磁極層２２上に形成されたギャップ層２３は記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３３の前端面３３ａにまで延びてメッキ形成されている。ギャップデプス（Ｇｄ）は前記対向面から前記ギャップ層２３が前記前端面３３ａと突き当たるまでの長さＬ９で規制される。
【０１６４】
そして本発明では、上部磁極層２４の高い飽和磁束密度を有する下層２４ａは、前記ギャップ層２３上から前記Ｇｄ決め層３３上に形成された金属膜３６上にまで延びてメッキ形成され、さらに前記下層２４ａ上には、前記下層２４ａよりも低い飽和磁束密度を有する上層２４ｂがメッキ形成されている。
【０１６５】
この実施形態においても、前記上部磁極層２４の下層（高Ｂｓ層）２４ａは、Ｇｄ決め層３３上に形成された金属膜３６上にまでメッキ形成され、前記下層２４ａの膜厚を所定膜厚でメッキ形成することができるから、上部コア層１５から前記上部磁極層２４に流れる磁束は、前記上層２４ｂを介してハイト方向深くまで形成された飽和磁束密度の高い前記下層（高Ｂｓ層）２４ａに適切に流れ、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界を大きくできる。よって今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１６６】
また本発明では、後述する製造方法で説明するように、前記Ｇｄ決め層３３の上面に形成された金属膜３６上にまで上部磁極層２４の下層２４ａを延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を厚く形成することができる。さらに前記下層２４ａの上に形成される上層２４ｂも適切にメッキ形成でき上部磁極層２４全体を所定の膜厚にて形成できる。したがって前記上部磁極層２４での磁気飽和を適切に防止することができる。さらに図４に示す上部磁極層２４の後端部（磁極エッジ）２４ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２４ｃ１の形成位置を、前記後端部２４ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２４ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１６７】
またＧｄ決め層３３上の上部磁極層２４後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層２４に対する平坦化精度に左右されずに、前記上部磁極層２４を所定形状で形成できる。
【０１６８】
また本発明では、前記下部磁極層２２は下部コア層２０上にメッキ形成され、図３５に示す従来のように、下部コア層１を削って下部磁極層３を形成するものではない。従って従来のように上部磁極層５のトラック幅方向の両側端面に磁粉が付着する問題が元々発生せず、よって磁粉除去のためのトリミング工程は必要なく、トラック幅制御の向上を図ることが可能である。
【０１６９】
ところでＧｄ決め層３３の形成方法は、後で詳述するように主に２通りあるが、図６、７及び８のＧｄ決め層３１、３２及び３３のように前記Ｇｄ決め層の縦断面が略矩形状や略台形状で形成されるようにする形成方法では、前記Ｇｄ決め層の膜厚をあまり厚く形成しないことが好ましい。
【０１７０】
図８に示すＧｄ決め層３３の膜厚Ｈ３は、例えば０．４μｍ程度の薄い膜厚で形成される。その理由は、後述する製造方法によれば前記Ｇｄ決め層３３の形成の際に、前記Ｇｄ決め層３３の膜厚を厚くしすぎると前記Ｇｄ決め層３３の前端面３３ａと下部コア層２０間にレジスト溜りが発生しやすく、前記レジスト溜りが発生すると、このレジスト溜り上には適切に下部磁極層２２、さらにはその上に形成されるギャップ層２３及び上部磁極層２４を適切にメッキ成長させることができず、前記Ｇｄ決め層３３の前端面３３ａと前記上部磁極層２２等の後端面間にメッキがされない、あるいはメッキがされても極端にメッキ厚の薄くなる欠陥部が形成されやすくなるからである。
【０１７１】
このような不具合を解消するには前記Ｇｄ決め層３３の膜厚Ｈ３を薄く形成すれば良いが、ただし前記Ｇｄ決め層３３を薄く形成すると前記Ｇｄ決め層３３を挟んだ下部コア層２０と上部磁極層２４間の距離が短くなることで、前記下部コア層２０と上部磁極層２４間で磁界が漏れやすく、これにより記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界が減少してしまうといった問題が発生する。
【０１７２】
そこで本発明では上記問題を解決するため、前記Ｇｄ決め層３３の上に形成される金属膜３６を厚く形成し、その方法として前記金属膜３６を下地膜３４の上に非磁性金属膜３５を重ねてメッキ形成することとしたのである。このような厚い膜厚の金属膜３６を前記Ｇｄ決め層３３上に形成したことで下部コア層２０と上部磁極層２４間は適切に離れ、前記Ｇｄ決め層３３を挟んだ位置での前記下部コア層２０と上部磁極層２４間の磁界の漏れを減少させることが可能になる。また非磁性金属膜３５であるから、この部分では適切に磁界が遮断され、前記下部コア層２０と上部磁極層２４間の磁界の漏れを防止できる。また前記下地膜３４は磁性金属材料よりも非磁性金属材料がスパッタ成膜されたものであることが好ましく、これにより上部磁極層２４と下地膜３４間での磁界の漏れを遮断できる。
【０１７３】
図９は、本発明における第６実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図である。
【０１７４】
図９では、Ｇｄ決め層３７の記録媒体との対向面側の前端面３７ａが下部コア層２０から上方（図示Ｚ方向）に向けて垂直に立ちあがる垂直面で形成されており、前記Ｇｄ決め層３７の縦断面は略矩形状で形成されている。なお前記Ｇｄ決め層３７の前記前端面３７ａは、前記下部コア層２０から上方に向けてハイト方向に傾く傾斜面で形成され、図７と同様に例えば前記Ｇｄ決め層３７の縦断面は略台形状で形成されていてもよい。
【０１７５】
また前記Ｇｄ決め層３７の上面３７ｂ全面に、金属膜３８の下地膜３９が形成されている。前記下地膜３９は図８に示す金属膜３６の下地膜３４と同様に、非磁性金属材料あるいは磁性金属材料がスパッタ成膜されたものであることが好ましい。
【０１７６】
この実施形態では、前記下地膜３４のハイト方向（図示Ｙ方向）における長さ寸法よりも短い長さ寸法とされた金属膜３８の非磁性金属膜４０がメッキ形成され、前記非磁性金属膜４０と前記Ｇｄ決め層３７のハイト方向端面との間には段差Ｇが形成されている。なお前記非磁性金属膜４０の材質については図８における金属膜３６の非磁性金属膜３５と同様である。
【０１７７】
なおこの実施形態では前記Ｇｄ決め層３７を有機材料で形成しても良いし、無機材料で形成しても図８のような縦断面が略矩形状となるＧｄ決め層３７を適切に形成することができる。
【０１７８】
図９では、前記下部磁極層２２が下部コア層２０上にメッキ下地層２２ａを介してメッキ形成され、前記下部磁極層２２は記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３７の前端面３７ａにまで延びてメッキ形成されている。また同様に前記下部磁極層２２上に形成されたギャップ層２３は記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３７の前端面３７ａにまで延びてメッキ形成されている。ギャップデプス（Ｇｄ）は前記対向面から前記ギャップ層２３が前記前端面３７ａに突き当たるまでの長さＬ１０で規制される。
【０１７９】
そして本発明では、上部磁極層２４の高い飽和磁束密度を有する下層２４ａは、前記ギャップ層２３上から前記Ｇｄ決め層３７上に形成された金属膜３８上にまで延びてメッキ形成され、さらに前記下層２４ａ上には、前記下層２４ａよりも低い飽和磁束密度を有する上層２４ｂがメッキ形成されている。
【０１８０】
この実施形態においても、前記上部磁極層２４の下層（高Ｂｓ層）２４ａは、Ｇｄ決め層３７上に形成された金属膜３８上にまでメッキ形成され、前記下層２４ａの膜厚を所定膜厚でメッキ形成することができるから、上部コア層１５から前記上部磁極層２４に流れる磁束は、前記上層２４ｂを介してハイト方向深くまで形成された飽和磁束密度の高い前記下層（高Ｂｓ層）２４ａに適切に流れ、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界を大きくできる。よって今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１８１】
また本発明では、後述する製造方法で説明するように、前記Ｇｄ決め層３７の上面に形成された金属膜３８上にまで上部磁極層２４の下層２４ａを延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を厚く形成することができる。さらに前記下層２４ａの上に形成される上層２４ｂも適切にメッキ形成でき上部磁極層２４全体を所定の膜厚にて形成できる。したがって前記上部磁極層２４での磁気飽和を適切に防止することができる。さらに図４に示す上部磁極層２４の後端部（磁極エッジ）２４ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２４ｃ１の形成位置を、前記後端部２４ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２４ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１８２】
またＧｄ決め層３７上の上部磁極層２４後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層２４に対する平坦化精度に左右されずに、前記上部磁極層２４を所定形状で形成できる。
【０１８３】
また本発明では、前記下部磁極層２２は下部コア層２０上にメッキ形成され、図３５に示す従来のように、下部コア層１を削って下部磁極層３を形成するものではない。従って従来のように上部磁極層５のトラック幅方向の両側端面に磁粉が付着する問題が元々発生せず、よって磁粉除去のためのトリミング工程は必要なく、トラック幅制御の向上を図ることが可能である。
【０１８４】
また図９では、前記Ｇｄ決め層３７の上に形成される金属膜３８を厚く形成し、その方法として前記金属膜３８を下地膜３９の上に非磁性金属膜４０を重ねてメッキ形成することとしたのである。このような厚い膜厚の金属膜３８を前記Ｇｄ決め層３７上に形成したことで下部コア層２０と上部磁極層２４間は適切に離れ、前記Ｇｄ決め層３７を挟んだ位置での前記下部コア層２０と上部磁極層２４間の磁界の漏れを減少させることが可能になる。また非磁性金属膜４０であるから、この部分では適切に磁界が遮断され、前記下部コア層２０と上部磁極層２４間の磁界の漏れを防止できる。
【０１８５】
図１０は、本発明における第７実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図である。
【０１８６】
図１０の実施形態では、図３と異なり、前記上部磁極層２４が単層膜で形成されている。
【０１８７】
この実施形態においても、前記Ｇｄ決め層１６の上面に形成された金属膜３０上にまで上部磁極層２４を延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を所定膜厚に厚く形成することができる。したがって前記上部磁極層２４での磁気飽和を適切に防止することができる。さらに図４に示す上部磁極層２４の後端部（磁極エッジ）２４ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２４ｃ１の形成位置を、前記後端部２４ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２４ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１８８】
またＧｄ決め層１６上の上部磁極層２４後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層２４に対する平坦化精度に左右されずに、前記上部磁極層２４を所定形状で形成できる。
【０１８９】
また本発明では、前記下部磁極層２２は下部コア層２０上にメッキ形成され、図３５に示す従来のように、下部コア層１を削って下部磁極層３を形成するものではない。従って従来のように上部磁極層５のトラック幅方向の両側端面に磁粉が付着する問題が元々発生せず、よって磁粉除去のためのトリミング工程は必要なく、トラック幅制御の向上を図ることが可能である。
【０１９０】
なお前記上部磁極層２４が単層膜で形成された実施形態は、図５ないし次に説明する図１１のいずれの実施形態にも適用可能である。
【０１９１】
図１１は、本発明における第８実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図である。
【０１９２】
この図１１の実施形態では図３と異なり、磁極部５０がギャップ層２３と上部磁極層２４の２層構造であり、下部磁極層２２は形成されていない。
【０１９３】
前記ギャップ層２３は下部コア層２０上に形成され、前記ギャップ層２３は記録媒体との対向面からＧｄ決め層１６の前端面１６ａにまで延びてメッキ形成されている。ギャップデプス（Ｇｄ）は、前記対向面から前記ギャップ層２３が前記Ｇｄ決め層１６に突き当たる前記前端面１６ａまでの長さＬ４である。
【０１９４】
このように磁極部５０がギャップ層２３と上部磁極層２４の２層構造であっても、前記上部磁極層２４を構成する高い飽和磁束密度を有する下層２４ａは、前記ギャップ層２３上から前記Ｇｄ決め層１６上に形成された金属膜３０上に延びてメッキ形成されている。
【０１９５】
この実施形態においても、前記上部磁極層２４の下層（高Ｂｓ層）２４ａは、Ｇｄ決め層１６上に形成された金属膜３０上にまでメッキ形成され、前記下層２４ａの膜厚を所定膜厚でメッキ形成することができるから、上部コア層１５から前記上部磁極層２４に流れる磁束は、前記上層２４ｂを介してハイト方向深くまで形成された飽和磁束密度の高い前記下層（高Ｂｓ層）２４ａに適切に流れ、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界を大きくできる。よって今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１９６】
また本発明では、後述する製造方法で説明するように、前記Ｇｄ決め層１６の上面に形成された金属膜３０上にまで上部磁極層２４の下層２４ａを延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を厚く形成することができる。さらに前記下層２４ａの上に形成される上層２４ｂも適切にメッキ形成でき上部磁極層２４全体を所定の膜厚にて形成できる。したがって前記上部磁極層２４での磁気飽和を適切に防止することができる。さらに図４に示す上部磁極層２４の後端部（磁極エッジ）２４ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２４ｃ１の形成位置を、前記後端部２４ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２４ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１９７】
またＧｄ決め層１６上の上部磁極層２４後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層２４に対する平坦化精度に左右されずに、前記上部磁極層２４を所定形状で形成できる。
【０１９８】
なお図１１に示す実施形態では、前記下部コア層２０を例えばイオンミリングなどで削って、下部磁極層を形成しても良い。
【０１９９】
なお図１１に示す磁極部５０の構成は図３ないし図１０のいずれの実施形態にも適用可能である。
【０２００】
また図３ないし図１１のいずれも実施形態においても、下部磁極層２２（図１１ではギャップ層２３）と下部コア層２０間にはメッキ下地層２２ａが形成されているが、前記メッキ下地層２２ａが無くても、前記下部磁極層２２（図１１ではギャップ層２３）を、下部コア層２０表面をメッキ下地としてメッキ形成することができる。
【０２０１】
また図６〜図９の実施形態では、平坦な面なＧｄ決め層上面に金属膜を形成できるので、前記上部磁極層２４の上面の平坦化加工を行いやすく、また磁極エッジやＰＳを高精度に位置決めすることができる。
【０２０２】
次にＧｄ決め層や磁極部周辺以外の膜構成について主として図２を参照しながら説明する。
【０２０３】
図２に示すように、Ｇｄ決め層１６よりもハイト方向の奥側には、Ｇｄ決め層１６を覆い、且つ上部磁極層２４の後端面と接している下地絶縁層２７が、下部コア層２０上に形成されている。下地絶縁層２７の表面は、上部磁極層２４と上部コア層１５との接合面を基準平面Ａとしたときに、この基準平面Ａと同一面をなしている。この下地絶縁層２７は、無機材料で形成された無機絶縁層であり、前記無機材料には、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＡｌＮから１種または２種以上が選択されることが好ましい。
【０２０４】
そして図２に示すように、下地絶縁層２７上には、上部コア層１５及び下部コア層２０に記録磁界を誘導する、巻き中心部１７ａを中心として螺旋状にパターン形成された、例えばＣｕなどのコイル層１７が形成されている。
【０２０５】
コイル層１７上には、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成されたコイル絶縁層１８が形成されており、コイル絶縁層１８上には、パーマロイなどの磁性材料で形成された上部コア層１５がフレームメッキ法などにより形成されている。
【０２０６】
上部コア層１５は、その先端部１５ａが、上部磁極層２４に接して形成されており、また基端部１５ｂは、下部コア層２０上に形成された磁性材料製の持ち上げ層（バックギャップ層）１９上に磁気的に接続された状態となっている。持ち上げ層１９の上面は、下地絶縁層２７と共に前記基準平面Ａと同一面に形成されている。図２に示された薄膜磁気ヘッドでは、持ち上げ層１９を下部コア層２０又は上部コア層１５と同じ材料によって形成している。また、持ち上げ層１９を、下部コア層２０又は上部コア層１５の材料とは異なる金属磁性材料からなる単層膜或いは多層膜として形成してもよい。
【０２０７】
なお、持ち上げ層１９は形成されていなくてもよく、この場合、上部コア層１５の基端部１５ｂが、下部コア層２０上にまで延びて、下部コア層２０上に直接磁気的に接続された状態となる。また図１に示すように上部コア層１５の先端部１５ａの幅寸法Ｔ３は、トラック幅Ｔｗよりも大きく形成される。
【０２０８】
また、コイル層１７の巻き中心部１７ａ及び端部１７ｃは、持ち上げ層１９と同じ材料を用いて形成された持ち上げ層２９に電気的に接続されている。持ち上げ層２９の上面は、下地絶縁層２７と共に前記基準平面Ａと同一面に形成されている。
【０２０９】
図２に示された薄膜磁気ヘッドでは、持ち上げ層２９を下部コア層２０又は上部コア層１５と同じ材料によって形成している。また、持ち上げ層２９を、下部コア層２０又は上部コア層１５の材料とは異なる金属磁性材料からなる単層膜或いは多層膜として形成してもよい。
【０２１０】
さらに、持ち上げ層２９は、磁性材料によって形成されなくともよい。例えば、コイル層１７と同じくＣｕなど、導電性の良好な材料を用いて形成することができる。
【０２１１】
持ち上げ層２９は、メッキ下地層２２ａを介して取り出し電極層２８に接続されている。図２では、取り出し電極層２８は、下部コア層２０と同時に形成されたものであり、下部コア層２０と同じ材料によって形成されている。ただし、取り出し電極層２８は、下部コア層２０と同じ材料によって形成されなくともよい。
【０２１２】
なお持ち上げ層２９は形成されていなくてもよく、この場合、コイル層１７の巻き中心部１７ａと端部１７ｃが取り出し電極層２８上にまで延びて、取り出し電極層２８上に直接電気的に接続された状態となる。
【０２１３】
ところで本発明では、図２に示すように、コイル層１７は、Ｃｕなどから成る導電性材料層２５と、その上に積層されたＮｉなどから成る導電性保護層２６とで構成されることが好ましい。
【０２１４】
導電性材料層２５がＣｕで形成されれば、コイル抵抗値を低くでき、また許容電流を大きくすることができる。なお導電性材料層２５は、Ｃｕに限らず、Ｃｕ、Ａｕのうちのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造または多層構造であってもよい。
【０２１５】
また導電性保護層２６は、Ｎｉに限らず、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、ＡｕまたはＷから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造の耐酸化性に優れる導電層であってもよい。
【０２１６】
図２に示すように、コイル層１７上にはコイル絶縁層１８が形成されるが、このコイル絶縁層１８が形成されるまでの間に、コイル層１７の上面１７ｂは大気中に曝されることがあり、この際、コイル層１７がＣｕなどの導電性材料層２５単層で形成されていると、導電性材料層２５の表面は酸化され、例えば図２に示すコイル絶縁層１８との密着性が悪化し、膜剥れなどが生じる。
【０２１７】
また上記した酸化層の形成は、インダクティブヘッドのコイル抵抗値を不安定化させ、記録特性を低下させる原因となる。
【０２１８】
このため本発明では、Ｃｕなどで形成された導電性材料層２５の上に、導電性材料層２５を酸化から防止する例えばＮｉから成る導電性保護層２６を設け、コイル絶縁層１８を形成する際に、導電性材料層２５の酸化を適切に防止することが可能になっている。
【０２１９】
なお導電性保護層２６の膜厚は０．５μｍ程度であることが好ましい。なおＮｉなどで形成された導電性保護層２６も大気に曝されると、酸化するおそれがあるが、導電性保護層２６が、例えばＮｉで形成されている場合、導電性保護層２６に形成される酸化層は、３．０ｎｍ程度であるので、上記のように導電性保護層２６を２００〜６００ｎｍ程度の膜厚で形成すれば、前記酸化層をイオンミリング等で除去しても、直接前記イオンミリングの影響を導電性材料層２５が受けることはなく、よって導電性材料層２５の断面積の変化を防ぐことが可能である。
【０２２０】
また導電性材料層２５と導電性保護層２６は、連続してメッキ形成されることが好ましい。なお本発明では、導電性保護層２６に代えて、ＳｉＯ2などの非導電性の絶縁材料で形成された保護層を設けてもよい。また前記保護層をスパッタなどで形成することが可能である。
【０２２１】
次に本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法について以下に説明する。以下の図１２ないし図２９の各工程図はすべて部分縦断面図である。また以下の製造方法は主としてＧｄ決め層及び磁極部の形成方法について説明する。
【０２２２】
図１２ないし図１９は本発明における第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法である。なお本発明の薄膜磁気ヘッドは、通常ウエハー上で多数個形成し、その後、個々に切断・研磨加工して製造する。例えば、ウエハーの所定面を記録媒体との対向面となる面（仮想面）と設定し、最終的に上記の形成・切断・研磨工程を経て個々の薄膜磁気ヘッドにした際には、切断・研磨面が前記記録媒体との対向面となる。以降の記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、媒体対向面となる面を記録媒体との対向面と称している。
【０２２３】
図１２に示す工程では、ＮｉＦｅ合金等から成る磁性材料製の下部コア層２０をメッキ形成した後、前記下部コア層２０上にメッキ下地層２２ａをスパッタ成膜する。なお前記メッキ下地層２２ａを形成しなくても良い。また前記メッキ下地層２２ａを磁性金属材料で形成することが好ましい。
【０２２４】
次に前記メッキ下地層２２ａの上であって、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れた位置に、例えば紫外線硬化樹脂から成るレジスト材料で形成されたＧｄ決め層１６を形成する。前記Ｇｄ決め層１６は最初矩形状で形成されており、前記Ｇｄ決め層１６の膜厚は１．０μｍ程度であることが好ましい。次に前記Ｇｄ決め層１６を熱処理して前記Ｇｄ決め層１６の表面にだれを生じさせ、さらに紫外線を照射して前記Ｇｄ決め層１６を硬化させる。これにより前記Ｇｄ決め層１６表面は丸みを帯び、前記Ｇｄ決め層１６の縦断面は略半楕円状になる。
【０２２５】
次に図１３に示す工程では、前記下部コア層２０上に形成されたメッキ下地層２２ａ上から前記Ｇｄ決め層１６上にかけて金属膜３０を形成する。前記金属膜３０は非磁性金属材料であっても良いし、磁性金属材料であっても良い。前記非磁性金属材料で前記金属膜３０を形成するときは、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉのうち１種または２種以上から成る非磁性金属材料を選択することが好ましい。なおまずＴｉを敷いた後、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｐｔのいずれか１種以上を形成すると、密着性が向上して好ましい。
【０２２６】
また本発明では、前記金属膜３０を磁性金属材料で形成する場合、前記磁性金属材料にはＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金などを選択することが好ましい。
【０２２７】
また本発明では、前記金属膜３０をスパッタ成膜することが好ましい。これにより前記Ｇｄ決め層１６上にも適切に金属膜３０を形成することができる。また前記金属膜３０をスパッタ成膜したときは前記金属膜３０の膜厚は薄くなり、前記膜厚は０．０５μｍ〜０．１μｍ程度で形成される。ただし前記金属膜３０にＮｉ濃度が大きい磁性材料を選択した場合、後工程で、前記金属膜３０上に上部磁極層２４を重ねてメッキ形成するとき、前記金属膜３０が溶け出すといった問題が発生する。このため前記金属膜３０にＮｉ濃度が大きい磁性材料を選択した場合は、前記金属膜３０の膜厚を厚めに形成することが好ましい。具体的には前記膜厚を０．１〜０．３μｍであることが好ましい。
【０２２８】
次に前記Ｇｄ決め層１６上の金属膜３０上全面にレジスト層４０を形成した後、露光現像で前記レジスト層４０の一部をＧｄ決め層１６上面の金属膜３０上に残す（図１４を参照のこと）。このとき少なくとも、前記Ｇｄ決め層１６の前端面１６ａ上に形成された前記金属膜３０上が前記レジスト層４０で覆われていないようにする。
【０２２９】
そして矢印Ｆ方向からのイオンミリングやＲＩＥなどのドライエッチング法などによって前記レジスト層４０によって覆われていない前記金属膜３０を除去する。これにより前記Ｇｄ決め層１６上には、前記Ｇｄ決め層１６の上面の周囲のみに前記金属膜３０が残され、前記Ｇｄ決め層１６の前端面１６ａは露出した状態になる（図１５を参照のこと）。
【０２３０】
次に図１５に示す工程では前記メッキ下地層２２ａ上から前記Ｇｄ決め層１６上にかけてレジスト層４１を形成し、前記レジスト層４１に記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定長さ寸法Ｌ１１の磁極部形成溝４１ａを露光現像により形成する。なお前記磁極部形成溝４１ａからは前記Ｇｄ決め層１６及びその上に形成された金属膜３０の一部が露出するように、前記長さ寸法Ｌ１１を規定する。
【０２３１】
図１６に示す工程では、前記磁極部形成溝４１ａ内に、下から下部磁極層２２を前記メッキ下地層２２ａ上にメッキ形成する。このとき前記下部磁極層２２の後端を前記Ｇｄ決め層１６の前端面１６ａに接するようにメッキ形成するが、前記下部磁極層２２が前記Ｇｄ決め層１６上に形成された金属膜３０上にメッキ形成されないように、前記下部磁極層２２の膜厚を適切に調整しながらメッキ形成する。仮に前記下部磁極層２２を前記金属膜３０上にまで延出形成してしまうと、その延出した部分での下部磁極層２２と上部磁極層２４間で磁界が漏れ、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界が減少すると共に、ギャップデプスが長くなり、前記ギャップデプスを所定値内に収めることが困難となる。
【０２３２】
次に前記下部磁極層２２にギャップ層２３をメッキ形成する。前記ギャップ層２３を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択した非磁性金属材料でメッキ形成することが好ましい。
【０２３３】
なお前記ギャップ層２３にＮｉＰ合金を選択すると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、前記下部磁極層２２及び上部磁極層２４との密着性も良い。
【０２３４】
またギャップ層２３はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等のギャップ層２３の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【０２３５】
また図１６に示す工程では、前記ギャップ層２３を前記Ｇｄ決め層１６上に形成された金属膜３０よりも記録媒体との対向面側に位置する前記Ｇｄ決め層１６の前端面１６ａにまでメッキ形成しているが、前記ギャップ層２３を前記Ｇｄ決め層１６の前記金属膜３０上にまで延ばしてメッキ形成しても良い。前記ギャップ層２３を前記磁極部形成溝４１ａ内に露出した前記金属膜３０上全体にメッキ形成すれば、完成した薄膜磁気ヘッドは図５のようになる。また前記ギャップ層２３を前記磁極部形成溝４１ａ内に露出した前記金属膜３０上全体にメッキ形成しなくても、前記金属膜３０上の一部にのみ延出してメッキ形成してもよい。
【０２３６】
次に図１７に示す工程では、前記ギャップ層２３上に上部磁極層２４を構成し、飽和磁束密度が高い下層２４ａをメッキ形成する。さらに前記下層２４ａを前記Ｇｄ決め層１６上に形成された金属膜３０上にまで延ばしてメッキ形成する。
【０２３７】
本発明では、前記Ｇｄ決め層１６上に金属膜３０が形成されていることで、この金属膜３０をメッキ下地として前記上部磁極層２４の下層２４ａを前記金属膜３０上にメッキ成長させることができる。
【０２３８】
従って前記上部磁極層２４の下層２４ａを、前記ギャップ層２３上から前記磁極部形成溝４１ａ内に現れたＧｄ決め層１６上にまで所定の膜厚で適切にメッキ形成することが可能である。
【０２３９】
また図１７に示す工程では前記上部磁極層２４の下層２４ａ上に前記下層２４ａよりも飽和磁束密度が低い上層２４ｂをメッキ形成する。そして前記レジスト層４１を除去する。
【０２４０】
次に図１８に示す工程では、前記上部磁極層２４上からハイト方向後方における前記下部コア層２０上のメッキ下地層２２ａ上にかけて、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の無機材料製の下地絶縁層２７を形成する。
【０２４１】
そして次に例えばＣＭＰ技術等などを用いて前記下地絶縁層２７をＢ−Ｂ線まで研削加工する。この研削工程により前記上部磁極層２４の上層２４ｂを露出させ、前記上部磁極層２４の上層２４ｂの上面と前記下地絶縁層２７の上面とが同一面となるようにする。
【０２４２】
次に図１９に示す最終工程では、図２に示すコイル層１７を前記下地絶縁層２７上にパターン形成した後、前記コイル層１７上をレジストなどの有機絶縁材料による絶縁層２７で覆い、さらに前記上部磁極層２４上から前記絶縁層２７上にかけて上部コア層１５を例えばフレームメッキ法にて形成する。これにより図２、３に示す薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０２４３】
また本発明では図１２に示す工程の後、図２０に示す工程を行うことでＧｄ決め層１６を形成してもよい。
【０２４４】
図２０では、図１２に示したＧｄ決め層１６の上、さらには下部コア層２０の上全体にレジスト層４２を形成した後、露光現像によって、前記Ｇｄ決め層１６の上面のレジスト層４２を除去し、前記レジスト層４２に穴部４２ａを形成する。なお穴部４２ａのハイト方向への長さＬ１２を、前記Ｇｄ決め層１６の下面のハイト方向への長さＬ１３よりも小さくなるようにし、少なくとも前記Ｇｄ決め層１６の前端面１６ａが前記レジスト層４２に覆われた状態にしておく。
【０２４５】
そして前記穴部４２ａから露出した前記Ｇｄ決め層１６上に、非磁性金属材料あるいは磁性金属材料の金属膜３０をスパッタ成膜する。このとき前記レジスト層４２上にも金属材料の膜３０ａがスパッタ成膜される。そして前記レジスト層４２を除去すると、図１５に示すＧｄ決め層１６と同じＧｄ決め層１６が完成する。その後の製造工程は、図１５ないし図１９と同じである。
【０２４６】
図２１ないし図２４は、本発明における前記Ｇｄ決め層の第２の製造方法である。
【０２４７】
図２１に示す工程では、下部コア層２０の上にメッキ下地層２２ａをスパッタ成膜した後、前記メッキ下地層２２ａ上に紫外線硬化樹脂などのレジスト材料で形成されたレジスト材料層４３を形成する。このとき前記レジスト材料層４３の膜厚は０．４μｍ程度である。さらにその上に金属膜３０を形成する。本発明では前記レジスト材料層４３に代えてＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの無機材料で形成された無機材料層を形成しても良い。
【０２４８】
この第２の製造方法では、後工程で前記レジスト材料層４３の一部をエッチングで除去するといった工程がある。前記エッチング除去工程では、前記レジスト材料層４３を所定の形状に精度良く加工することが可能であり、また前記レジスト材料層４３に代えて無機材料層を用いても、前記無機材料層を所定形状に精度良く加工することが可能である。あるいは前記レジスト材料層４３に代えて他の有機材料層を形成しても良い。
【０２４９】
なおこの製造方法では、前記レジスト材料層４３を形成した後、前記レジスト材料層４３に熱処理を施し、さらに紫外線を照射し前記レジスト材料層４３を硬化させている。
【０２５０】
また前記金属膜３０は非磁性金属材料であっても磁性金属材料であってもよいが、いずれの材料を使用した場合でもスパッタ成膜することが好ましい。これにより前記レジスト材料層４３の全面に前記金属膜３０を所定の厚みにて形成することが可能である。なお非磁性金属材料にはＣｕ、Ｎｉ−Ｃｕ、Ａｕ、ＰｔあるいはＴｉのうちいずれか１種または２種以上を選択することが好ましい。また前記磁性金属材料にはＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金などを選択することが好ましい。また前記金属膜３０の厚みを０．１μｍ〜０．２μｍ程度で形成することが好ましい。なお前記金属膜３０にＮｉ濃度の大きい磁性金属材料を選択した場合には、前記金属膜３０の膜厚を０．１〜０．３μｍで形成することが好ましい。この数値範囲の膜厚で形成されていると、前記金属膜３０上に上部磁極層２４を重ねてメッキ形成するとき、前記金属膜３０が溶け出しても前記金属膜３０をメッキ下地として適切に機能させることができる。
【０２５１】
次に前記レジスト材料層４３上であって、記録媒体との対向面からハイト方向に所定距離だけ離れた位置に、ハイト方向に所定長さを有するレジスト層４４を形成する。前記レジスト層４４のハイト方向（図示Ｘ方向）への長さは、後工程でＧｄ決め層の上面のハイト方向長さとなる。
【０２５２】
そして前記金属膜３０のうち前記レジスト層４４に覆われていない金属膜３０ｂをＦ方向からのイオンミリングやＲＩＥなどで除去する。そして前記レジスト層４４を除去する。
【０２５３】
その状態を示したのが図２３である。図２３に示す工程では、前記レジスト材料層４３の上に一部残された金属膜３０をマスクとして、前記金属膜３０に覆われていない前記レジスト材料層４３ａをＦ方向からのイオンミリングやＲＩＥなどで除去する。エッチングレートは前記レジスト材料層４３ａの方が前記金属膜３０よりも高くなっているから、金属膜３０は前記イオンミリングでそれほど削られない。これにより前記金属膜３０の下には、前記レジスト材料層４３の一部が残され、この残された前記レジスト材料層４３がＧｄ決め層３１となる。なおこの製造方法では、前記Ｇｄ決め層３１の記録媒体との対向面側の前端面３１ａは、下部コア層から上方に垂直に立ちあがる垂直面として形成され、前記Ｇｄ決め層３１の縦断面は略矩形状となるが、このようにＧｄ決め層３１が略矩形状になるか否かは、マスクとして機能する前記金属膜３０の形状に依存しやすい。
【０２５４】
例えば図２４に示すように前記レジスト材料層３０上に残された金属膜３０の縦断面が略台形状である場合、前記金属膜３０によってイオンミリングから保護されて最終的に残されるＧｄ決め層３２も縦断面が略台形状となりやすい。
【０２５５】
なお図２３のように縦断面が略矩形状で形成されたＧｄ決め層３１を有する薄膜磁気ヘッドは最終的に図６のような構造になり、また縦断面が略台形状で形成されたＧｄ決め層３２を有する薄膜磁気ヘッドは最終的に図７のような構造になる。
【０２５６】
なお図２２の工程時において、レジスト層４４をマスクとして前記レジスト層４４に覆われていない金属膜３０ｂを除去し、その後前記レジスト層４４を除去したが、例えば前記レジスト層４４をそのまま残し、前記金属膜３０ｂ、及びその下に形成されたレジスト材料層４３ａを連続してエッチング除去してもよい。
【０２５７】
あるいは図２１に示す工程に代えて図２５に示す工程で金属膜３０を形成しても良い。
【０２５８】
図２５に示す工程では、下部コア層２０上にメッキ下地層２２ａをスパッタ成膜し、さらに前記メッキ下地層２２ａ上に例えば紫外線硬化樹脂で形成されたレジスト材料層４３を形成する。そして熱処理を施し、紫外線照射によって前記レジスト材料層４３を硬化させる。
【０２５９】
次に前記レジスト材料層４３上全面にレジスト層４５を形成する。そして記録媒体との対向面からハイト方向に所定距離離れた前記レジスト層４５に、露光現像によってハイト方向に所定長さを有する穴部４５ａを形成し、この穴部４５ａから前記レジスト材料層４３の表面を露出させる。そして前記穴部４５ａ内に非磁性金属材料あるいは磁性金属材料で形成された金属膜３０をスパッタ成膜する。このとき前記レジスト層４５の上にも金属材料の膜３０ａがスパッタ成膜される。そして前記レジスト層４５を除去すると、図２３あるいは図２４のような金属膜３０が前記レジスト材料層４３上に残される。その後は図２３あるいは図２４と同じ工程を行う。
【０２６０】
本発明では、前記下部コア層２０上に、縦断面が略矩形状、あるいは略台形状のＧｄ決め層３１，３２及び金属膜３０を形成した後、既に説明した図１５ないし図１９と同じ工程を行う。
【０２６１】
すなわち下部コア層２０上に下部磁極層２２をメッキ形成するが、このとき前記Ｇｄ決め層３１、３２上に形成された金属膜３０上にまで前記下部磁極層２２がメッキ形成されないように、前記下部磁極層２２の膜厚を調整し、前記下部磁極層２２を前記金属膜３０が形成されていない前記Ｇｄ決め層３１、３２の前端面３１ａ，３２ａに接合させる。次に前記下部磁極層２２の上に、ギャップ層２３をメッキ形成した後、前記ギャップ層２３の上に上部磁極層２４を構成する飽和磁束密度が高い下層２４ａをメッキ形成し、さらにこの下層２４ａを前記Ｇｄ決め層３１，３２上の金属膜３０上にまでメッキ形成する。そして前記下層２４ａ上に前記下層２４ａよりも飽和磁束密度の低い上層２４ｂをメッキ形成した後、下地絶縁層２７の形成、ＣＭＰ技術などを用いた平坦化加工、コイル層１７の形成、および上部コア層１５の形成を行う。
【０２６２】
また本発明では、前記レジスト材料層４３は、その膜厚が０．４μｍ程度に薄いことが好ましく、これにより不必要なレジスト材料層４３ａをエッチング除去したとき、残されたＧｄ決め層３１、３２の前端面と下部コア層２０間にレジスト溜りが発生することはない。このため前記下部コア層２０に下部磁極層２２、ギャップ層２３及び上部磁極層２４を適切にメッキ形成することが可能である。
【０２６３】
図２６ないし図２８は図８に示すＧｄ決め層３３及び金属膜３６の製造方法を示す一工程図である。
【０２６４】
図２６に示す工程では、前記下部コア層２０上にメッキ下地層２２ａをスパッタ成膜した後、前記メッキ下地層２２ａの上に紫外線硬化樹脂などで形成されたレジスト材料層４６を形成する。また前記紫外線硬化樹脂に代えて別の有機材料層を形成しても良いし、またＡｌ2Ｏ3などの無機材料層を形成しても良い。
【０２６５】
次に前記レジスト材料層４６の上全面に非磁性金属材料あるいは磁性金属材料で形成された下地膜３４を形成する。前記下地膜３４をスパッタ成膜することが好ましい。これにより、前記レジスト材料層４６の上全面に所定厚みの前記下地膜３４を適切に形成することができる。また前記非磁性金属材料には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃu−Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉのうちいずれか１種または２種以上を選択することが好ましく、また磁性金属材料にはＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金などを選択することが好ましい。本発明では前記下地膜３４を０．０２μｍ〜０．２μｍの膜厚で形成することが好ましい。
【０２６６】
次に図２６に示すように前記下地膜３４の上にレジスト層４７を形成し、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れた前記レジスト層４７に露光現像によりハイト方向に所定長さを有する穴部４７ａを形成し、前記穴部４７ａから前記下地膜３４を露出させる。
【０２６７】
次に図２７に示す工程では、前記穴部４７ａから露出した前記下地膜３４上に非磁性金属膜３５をメッキ成長させる。本発明では前記非磁性金属膜３５をメッキ形成することで、前記非磁性金属膜３５を前記下地膜３４の膜厚よりも十分に大きくでき、本発明では前記非磁性金属膜３５の膜厚を０．２〜１．０μｍで形成することが好ましい。
【０２６８】
また前記非磁性金属膜３５をＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択した非磁性金属材料でメッキ形成することが好ましい。
【０２６９】
なお前記非磁性金属膜３５にＮｉＰ合金を選択すると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、また前記非磁性金属膜３５上に形成される上部磁極層２４との密着性も良い。
【０２７０】
また前記非磁性金属膜３５はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等の非磁性金属材料膜３５の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【０２７１】
そして前記レジスト層４７を除去する。その状態が図２８である。次に前記非磁性金属膜３５をマスクとして、前記非磁性金属膜３５に覆われていない下地膜３４ａをイオンミリングやＲＩＥなどで除去した後、さらに前記非磁性金属膜３５に覆われておらず、前記下地膜３４ａの除去によって露出したレジスト材料層４６ａを除去する。これにより、前記非磁性金属膜３５の下には、下地膜３４と、縦断面が略矩形状のＧｄ決め層３３が残される。前記Ｇｄ決め層３３の縦断面は略台形状であってもよい。
【０２７２】
あるいは図２９に示す工程を用いることで、図９に示すＧｄ決め層３７及び金属膜４０を形成することができる。
【０２７３】
まず、図２１ないし図２４に示す工程と同じ工程を用いて前記下部コア層２０上のメッキ下地層２２ａ上にＧｄ決め層３７及び金属膜３８を構成する下地膜３９を形成する。
【０２７４】
次に前記下地膜３９上から前記メッキ下地層２２ａ上にかけてレジスト層４８を形成し、前記下地膜３９上に形成された前記レジスト層４８に露光現像により穴部４８ａを形成する。この穴部４８ａのハイト方向（図示Ｙ方向）への長さは、前記下地膜３９のハイト方向への長さ以下とする。そして前記穴部４８ａ内に非磁性金属膜４０をメッキ形成し、その後前記レジスト層４８を除去する。これにより図９に示すＧｄ決め層３７及び金属膜４０を形成することができる。
【０２７５】
なお図２６ないし図２９に示す製造方法で形成された薄膜磁気ヘッド（図８を参照のこと）では、前記Ｇｄ決め層３３、３７の膜厚を０．４μｍ程度にまで薄く形成することが好ましく、これにより前記Ｇｄ決め層３３、３７の前端面と下部コア層２０間にレジスト溜りが発生するのを抑制できる。これにより前記下部コア層２０上に下部磁極層２２、ギャップ層２３及び上部磁極層２４を適切にメッキ形成できる。また図２８ないし図２９に示す製造方法で、前記Ｇｄ決め層３３、３７の膜厚を薄く形成しても、その上に形成された厚い膜厚の非磁性金属膜３５の存在により、前記Ｇｄ決め層３３を挟んで対向する上部磁極層２４と下部コア層２０間の距離を離すことができ、上部磁極層２４と下部コア層２０間に磁界が漏れるのを防止できる。なお前記金属膜を構成する下地膜３４、３９は非磁性金属材料でスパッタ成膜されたものであることが好ましく、これにより前記下地膜と上部磁極層２４間での磁界の漏れを防止できる。
【０２７６】
以上、図１２ないし図２９を用いて本発明における薄膜磁気ヘッドの特にＧｄ決め層、金属膜、および磁極部の形成方法について説明したが、図１２ないし図２９の製造方法により、本発明では、容易にしかも確実にＧｄ決め層の上面に金属膜を形成することができる。
【０２７７】
また前記金属膜が少なくとも前記Ｇｄ決め層の前端面に形成されないようにでき、この前端面に容易に下部磁極層を接合させることができる。
【０２７８】
また本発明では、前記ギャップ層上から前記金属膜上にかけて前記上部磁極層をメッキ形成できるから、本発明では、前記Ｇｄ決め層上における前記上部磁極層の膜厚を厚く形成することができる。
【０２７９】
よって本発明では、前記上部磁極層２４を所定膜厚で形成できることから、磁気飽和の発生を防止できる薄膜磁気ヘッドを製造できると共に、図４に示す上部磁極層２４の後端部（磁極エッジ）２４ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２４ｃ１の形成位置を、前記後端部２４ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２４ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０２８０】
また本発明の製造方法では、前記下部磁極層２２を下部コア層２０上にメッキ形成し、図３５に示す従来のように、下部コア層１を削って下部磁極層３を形成するものではない。従って従来のように上部磁極層５のトラック幅方向の両側端面に磁粉が付着する問題が元々発生せず、よって磁粉除去のためのトリミング工程は必要なく、トラック幅制御の向上を図ることが可能である。
【０２８１】
なお図１７工程に示す状態からレジスト層４１を除去した後、下部磁極層２２、ギャップ層２３及び上部磁極層２４から成る磁極部のトラック幅方向における両側端面をイオンミリングで削って、前記上部磁極層２４のトラック幅方向における幅寸法（トラック幅Ｔｗ）を小さくすることで、狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できる。なお前記トラック幅Ｔｗを０．７μｍ以下、好ましくは０．４μｍ以下にすることが好ましい。
【０２８２】
なお図１５工程におけるレジスト層４１に形成された磁極部形成溝４１ａのトラック幅方向における幅寸法が、０．７μｍ以下、好ましくは０．４μｍ以下であれば、前記上部磁極層２４のトラック幅方向における幅寸法（トラック幅Ｔｗ）を０．７μｍ以下、好ましくは０．４μｍ以下で形成できるので、かかる場合、上記した狭トラック化のためのイオンミリングを行わなくても狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できる。
【０２８３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明した本発明によれば、下部磁極層を、下部コア層上であって、記録媒体との対向面からＧｄ決め層の前端面に接する長さでメッキ形成し、前記下部磁極層とＧｄ決め層との接触面よりもハイト方向後方における前記Ｇｄ決め層上に金属膜を形成している。
【０２８４】
従って本発明では前記下部磁極層上に形成されたギャップ層上から前記金属膜上にかけて適切に前記上部磁極層をメッキ成長させることができ、前記Ｇｄ決め層上での前記上部磁極層の膜厚を所定膜厚で形成することができる。
【０２８５】
よって本発明では、前記上部磁極層の体積を十分に大きく形成でき、今後の高記録密度化においても前記上部磁極層の磁気飽和を適切に低減させることができる。
【０２８６】
また本発明では、前記Ｇｄ決め層上の前記金属膜上に所定膜厚の上部磁極層をメッキ形成することが可能であるから、前記上部磁極層の後端側において、ハイト方向に向かうにしたがって幅寸法が広がり始める端部（ＰＳ）や前記上部磁極層の後端部（後端エッジ）の形成位置の設計の自由度を上げることができ、適切にオーバーライト特性、ＮＬＴＳ特性及びＰＷ５０特性の向上を図ることができる。
【０２８７】
また本発明では下部磁極層をメッキ形成しており、従来のように下部コア層を削って下部磁極層を形成する場合に必要だった前記上部磁極層のトラック幅方向に付着した磁粉の除去工程は無く、トラック幅制御を従来に比べて向上させることができる。
【０２８８】
また本発明では、前記上部磁極層は２層以上の磁性層の積層構造でメッキ形成され、前記磁性層のうち前記ギャップ層と接する最下層は、それ以外の前記磁性層に比べて飽和磁束密度が高い高Ｂｓ層で形成され、前記高Ｂｓ層は、前記ギャップ層上から前記金属膜上にかけてメッキ形成されていることが好ましい。
【０２８９】
本発明では、高い飽和磁束密度を有する最下層（高Ｂｓ層）が前記Ｇｄ決め層上に形成された金属膜上にまでメッキ形成されているので、前記Ｇｄ決め層上での前記高Ｂｓ層の膜厚を厚く形成でき、上部コア層から上部磁極層へ流れる磁束を前記上部磁極層を構成するＧｄ決め層上の前記高Ｂｓ層へ適切に導くことができ、磁束の通過効率を向上させることができるから、従来に比べてギャップ近傍での漏れ磁束を大きくすることが可能である。よって本発明によれば今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図３】図２に示す薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面周辺の部分縦断面図、
【図４】本発明における上部磁極層の部分平面図、
【図５】本発明の第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面周辺の部分縦断面図、
【図６】本発明の第３の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面周辺の部分縦断面図、
【図７】本発明の第４の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面周辺の部分縦断面図、
【図８】本発明の第５の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面周辺の部分縦断面図、
【図９】本発明の第６の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面周辺の部分縦断面図、
【図１０】本発明の第７の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面周辺の部分縦断面図、
【図１１】本発明の第８の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面周辺の部分縦断面図、
【図１２】本発明の図３の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１３】図１２に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１４】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１５】図１４に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１８】図１７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１９】図１８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２０】図１３及び図１４に示す工程に代えて行うことができる一工程図、
【図２１】本発明の図６の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２２】図２１に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２３】図２２に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２４】図２３に示す工程に代えて行うことができる一工程図、
【図２５】図２１及び図２２に示す工程に代えて行うことができる一工程図、
【図２６】本発明の図８の薄膜磁気ヘッド製造方法を示す一工程図、
【図２７】図２６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２８】図２７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２９】図９に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図３０】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図３１】図３０に示す３１−３１線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図３２】従来における別の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図３３】従来における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図３４】従来における薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の部分平面図、
【図３５】従来における別の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【符号の説明】
１６、３１、３２、３３、３７  Ｇｄ決め層
１６ａ、３１ａ、３２ａ、３３ａ、３７ａ  （Ｇｄ決め層の）前端面
２０  下部コア層
２２  下部磁極層
２３  ギャップ層
２４  上部磁極層
２４ａ  下層（高Ｂｓ層）
２４ｂ  上層
３０、３６、３８  金属膜
３４、３９  下地膜
３５、４０  非磁性金属膜
４０、４１、４２、４５、４７、４８  レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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