(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布液を塗布する塗布処理部と、
前記塗布液が塗布された基板に対して他の処理を行う他処理部と、
前記塗布処理部と前記他処理部との間に配置され、基板の下方及び側方を概ね囲うバットを有し、前記塗布液が塗布された基板に対して上方から清浄空気を当てる乾燥促進処理部と、
を備えた基板処理装置。
【請求項２】
基板の側方を囲う前記バットの側壁は、その上端が基板の上面よりも１０ｍｍ以上高い位置にある、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記バットの底面は、基板の上面から５０ｍｍ下がった位置よりも高い位置にある、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記バットは、基板を支持しつつ基板を囲う、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記乾燥促進処理部は、前記バットとは別に、基板を支持する基板支持台を有している、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記バットの底面には、開口が設けられ、
前記基板支持台は、前記開口を貫通する部材に連結されており、
前記バットと前記基板支持台との間に配置されるシール部材をさらに備えた、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記乾燥促進処理部は、基板に対して上方から清浄空気を当てているときに前記バットと前記基板支持台との相対高さ位置を変える移動機構をさらに有している、請求項５又は６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記移動機構による前記バットと前記基板支持台との相対高さ位置の変化によって、基板の側方を囲っている前記バットの側壁が、基板の側方から外れる、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記移動機構は、前記清浄空気の流れを作る空気供給源へと次第に基板が近づくように、前記基板支持台を上昇させる、請求項７又は８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記乾燥促進処理部は、基板を支持する基板支持部を、前記基板支持台とは別に有しており、
前記移動機構による前記バットと前記基板支持台との相対高さ位置の変化によって、前記基板支持台による基板の支持と前記基板支持部による基板の支持とが切り替わる、
請求項７から９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記乾燥促進処理部は、前記バットの基板よりも下方にある下部空間を排気する排気機構をさらに有しており、
前記排気機構は、基板に対して上方から清浄空気を当てているときに、基板の乾燥の程度に合わせて排気量を増やす、
請求項１から１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記乾燥促進処理部は、上方から基板に対して前記清浄空気を流す空気供給機構をさらに有している、請求項１から１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記空気供給機構は、前記清浄空気の高温化、低湿度化、及び低溶剤濃度化の少なくとも１つを行うことができる、請求項１２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置、特に、塗布液が塗布された基板に対して上方から清浄空気を当てる乾燥促進処理部を備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板、例えば液晶ディスプレイを製造するためのガラス基板に各種の処理を施す製造工程においては、ある一連の処理を行う基板処理装置が使用される。この装置の中に、レジスト塗布液等の塗布液を基板に塗布する工程を含む基板処理装置がある。
【０００３】
例えば、液晶ディスプレイ製造工程におけるフォトレジスト塗布工程を行う基板処理装置では、紫外光の感光樹脂材料を基板表面全体にわたり均一な厚さに塗布する。具体的には、基板上に滴下したレジスト液を基板を回転させて遠心力で広げ均一厚にするスピン塗布法や、ローラー表面の溝にいったん付着させたレジスト液を基板に転写するロール塗布法により塗布が行われる。ここでは、大きい面積にわたる均一塗布とその後のエッチング条件等に適した任意の厚さを得るため、また塗布方法の特性にも合わせて、溶媒量の制御により適切な粘度を持たせたレジスト液が選定される。
【０００４】
また、通常はフォトレジスト塗布工程の後に露光工程に移るが、この露光工程の前には残留溶媒を蒸発させるためのプリベーク（ベーキング）処理が行われる。さらに、場合によっては、パーティクル発生の防止や露光時における位置合わせの観点から、基板の端面付近の洗浄を行うエッジリンス処理が行われることもある。
【０００５】
そして、上記のような一連のフォトレジスト塗布工程を含む基板処理装置の中には、レジスト塗布直後に基板を減圧チャンバーに収容して溶媒の蒸発を促し、塗布した液をある程度乾燥させる減圧乾燥装置がある。ここでの乾燥によって、塗布したレジスト液がエッジリンス処理において端面に拡がることが抑えられる。但し、基板サイズが大きくなると大型の減圧チャンバーが必要となるため、減圧乾燥装置は相当に高価なものとなる。また、減圧チャンバー内を減圧すると、密閉シール部分からのある程度のパーティクルの巻き込みは避けられず、さらに、減圧下における帯電基板の自己静電破壊の問題も大きい。
【０００６】
このようなことから、本願出願人は、特開２０００−０１２４２７号公報に開示するように、減圧乾燥装置に代わる乾燥促進処理部を備えた基板処理装置を提案している。この基板処理装置に含まれる乾燥促進処理部は、基板に対して所定速度以上の流速の清浄空気を供給することによって、塗布液の乾燥を促進させるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
また、上記公報の図１５に示す基板処理装置では、基板の周辺部において基板の内側から外側へ向かう気流（横風）が生じて、乾燥されるレジスト膜に乾燥ムラ（風紋）ができることを防ぐために、基板載置台（基板支持台）のサイズを基板の大きさよりもかなり大きくしている。これにより、基板の周辺部で発生する横風が少なくなるため、乾燥時間短縮のために比較的速い速度で清浄空気を基板に当てる場合においても、乾燥ムラが発生し難い。
【０００８】
しかし、スペース的な制約から基板支持台をそれほど大きなサイズにすることができない場合がある。また、レジスト液の特性によっては、基板周辺部における横風の発生が少なくても、ムラができた状態でレジスト膜が乾燥してしまう恐れがある。このような場合には、基板に当てる清浄空気の流速を速めることができず、乾燥に要する時間が長くなってしまう。
【０００９】
本発明の課題は、他処理部での処理へと基板を早く移行させるために基板に塗布した塗布液の乾燥を促進させる乾燥促進処理部を備える基板処理装置であって、清浄空気を速い流速で基板に当てたときにも基板乾燥時に発生する乾燥ムラが少ない基板処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る基板処理装置は、塗布処理部と、他処理部と、乾燥促進処理部とを備えている。塗布処理部は、基板に塗布液を塗布する。他処理部は、塗布液が塗布された基板に対して、他の処理を行う。乾燥促進処理部は、塗布処理部と他処理部との間に配置されており、塗布液が塗布された基板に対して上方から清浄空気を当てることによって基板の乾燥を促進させる。この乾燥促進処理部は、基板の下方及び側方を概ね囲うバットを有している。
【００１１】
ここでは、乾燥促進処理部において、基板に上方から清浄空気を当てることで基板の乾燥を促進させるとともに、清浄空気が基板中央部上方から基板周囲部を経由して基板の下方に流れていかないように、基板の下方及び側方をバットで囲っている。このようにバットで囲っているため、多少基板に当てる清浄空気の流速を速めても、基板の周囲部において内側から外側に向かう横風が殆ど発生せず、乾燥時における基板上の塗布液の乾燥ムラが抑制される。また、清浄空気の流速を速めることができるため、乾燥時間も短くなる。
【００１２】
請求項２に係る基板処理装置は、請求項１に記載の装置であって、基板の側方を囲うバットの側壁は、その上端が基板の上面よりも１０ｍｍ以上高い位置にある。
【００１３】
本願の発明者によるテスト結果では、基板の側方を囲うバットの側壁が基板の上面よりも１０ｍｍ以上高いものであるときに横風の発生度合いが著しく低下することが確認されている。これは、ある程度バットの側壁の高さがあるほうが、バット内に清浄空気が滞留して、基板周囲部における横風が発生し難くなるためと考えられる。
【００１４】
これに鑑み、本請求項の装置では、バットの側壁の上端が基板の上面よりも１０ｍｍ以上高い位置にくるように構成している。
なお、本願の発明者はテストを繰り返しており、そのテスト結果によると、最も横風を抑えることができているバットの側壁は、その上端が基板の上面よりも約４０ｍｍ高い位置にきているものであった。
【００１５】
請求項３に係る基板処理装置は、請求項１又は２に記載の装置であって、バットの底面は、基板の上面から５０ｍｍ下がった位置よりも高い位置にある。
本願の発明者によるテスト結果では、バットの底面が基板から大きく離れていると、特に清浄空気を基板に当て始めたときにおいて、清浄空気が基板中央部上方から基板周囲部を経由して基板の下方へと流れる量が多くなっている。そして、横風による乾燥ムラを抑えるためには、バットの底面をできるだけ基板に近づけ、基板の下方に清浄空気が流れにくい状態を作らなければならないことが判明している。
【００１６】
これに鑑み、乾燥ムラを許容レベル内に抑えるために、本請求項の装置では、バットの底面が基板の上面から５０ｍｍ下がった位置よりも高い位置にくるように構成している。
【００１７】
なお、乾燥ムラに対する要求レベルが高く乾燥ムラの発生が殆どない状態にしなければならないような場合には、構造を変えてでも、基板上面とバットの底面との距離を１０ｍｍ以下にすることが望ましい。
【００１８】
請求項４に係る基板処理装置は、請求項１から３のいずれかに記載の装置であって、バットは、基板を支持しつつ基板を囲う。
ここでは、バットが基板支持台を兼ねているため、構造がシンプルでコストも小さくなる。
【００１９】
請求項５に係る基板処理装置は、請求項１から３のいずれかに記載の装置であって、乾燥促進処理部は、バットとは別に、基板を支持する基板支持台を有している。
【００２０】
ここでは、バットとは別に基板支持台を設けているため、バットと基板支持台とを相対的に移動させるようなことが容易となる。
請求項６に係る基板処理装置は、請求項５に記載の装置であって、シール部材をさらに備えている。このシール部材は、底面に開口が設けられているバットと、基板支持台との間に配置される。基板支持台は、バットの開口を貫通する部材に連結されている。
【００２１】
ここでは、基板を囲うバットの底面に開口を設けて部材を貫通させ、その部材と基板支持台とを連結させている。基板支持台に連結される部材は、基板支持台に固定されていてもよいし、リンク機構等を介して連結されていてもよい。このような構成のため、基板の支持が行いやすいように基板支持台をバット内に配する場合においても、バットと基板支持台との相対移動が可能となる。
【００２２】
また、バットと基板支持台とが別部材であるため両者の間に隙間が生じるが、ここではシール部材を備えているため、必要なときにはバットと基板支持台との隙間を埋めてシールすることができる。これにより、基板の下方の空間がバット外部の空間と連通することが抑えられ、清浄空気が基板中央部上方から基板周囲部を経由して基板の下方に流れることが抑えられる。
【００２３】
請求項７に係る基板処理装置は、請求項５又は６に記載の装置であって、乾燥促進処理部は、移動機構をさらに有している。移動機構は、基板に対して上方から清浄空気を当てているときに、バットと基板支持台との相対高さ位置を変える。
【００２４】
基板の下方及び側方を囲うバットは、基板周囲部における横風の発生を抑えて乾燥ムラを防ぐ重要な部材であるが、乾燥時間の観点から見れば、清浄空気を滞留させるためマイナスに働く。
【００２５】
そこで、本請求項の装置では、移動機構を設けて、清浄空気により塗布液を乾燥させているときに、バットと基板支持台との相対高さ位置を変えるようにしている。すなわち、乾燥時にバットと基板支持台との相対高さ位置を変えて、バットによる基板の囲い具合を変化させている。このため、乾燥ムラが発生しやすいときには基板の囲い具合を強化し、乾燥ムラが発生する恐れが小さくなったときには基板の囲い具合を緩めることができるようになる。これにより、乾燥ムラを抑えつつ、乾燥時間を短縮することが可能となる。
【００２６】
なお、バットと基板支持台との相対高さ位置を変えるため、移動機構はバット及び基板支持台の少なくとも一方を上下動させる必要があるが、大きく薄いガラス基板のようなものを支持する基盤支持台を移動させるのが難しい装置の場合には、バット側を移動させる構成を採ることが望ましい。
【００２７】
また、基板に当たる清浄空気の流れが急激に変化すると乾燥ムラが発生する恐れが高くなるため、移動機構の動作は、乾燥具合に合わせて徐々に変えることが望ましい。
【００２８】
請求項８に係る基板処理装置は、請求項７に記載の装置であって、移動機構によるバットと基板支持台との相対高さ位置の変化によって、基板の側方を囲っているバットの側壁が、基板の側方から外れる。
【００２９】
ここでは、基板の側方を囲っているバットの側壁が基板の側方から外れるところまで、バットと基板支持台との相対高さ位置を移動機構により変化させる。このように、完全にバットが基板の側方から外れて、基板の側方が開放されることによって、基板周囲を流れる清浄空気の量や速さを増やすことができる。この状態を、乾燥ムラの発生の恐れが極めて小さい乾燥促進処理の後半に持ってくれば、乾燥ムラを抑えつつ乾燥時間を大幅に短縮することができる。
【００３０】
請求項９に係る基板処理装置は、請求項７又は８に記載の装置であって、移動機構は、清浄空気の流れを作る空気供給源へと次第に基板が近づくように、基板支持台を上昇させる。
【００３１】
ここでは、基板支持台が次第に上昇するため、バットによる基板の囲い具合が次第に緩まっていく。すなわち、乾燥が進むにしたがって基板の囲い具合が緩まるため、乾燥初期に発生し易い乾燥ムラを抑えつつ、乾燥後半には清浄空気の流れが強まり乾燥時間が短くなる。
【００３２】
また、基板支持台が上昇するにしたがって基板が空気供給源に近づくため、清浄空気の流れがより強まっていく。これも、乾燥後半の乾燥時間の短縮に寄与する。
【００３３】
なお、ガラス基板ではなくプリント基板等のように基板支持台を移動させる構造を採りやすい場合には、特に請求項９に係る構成を採用することが容易となる。
【００３４】
また、本請求項における空気供給源としては、装置を設置するクリーンルームにおいて空気のダウンフローを発生させる天井部や、別個に乾燥促進用に設けられる空気供給機構などが該当する。
【００３５】
請求項１０に係る基板処理装置は、請求項７から９のいずれかに記載の装置であって、乾燥促進処理部は、基板を支持する基板支持部を、基板支持台とは別に有している。また、この基板処理装置では、移動機構によるバットと基板支持台との相対高さ位置の変化によって、基板支持台による基板の支持と基板支持部による基板の支持とが切り替わる。
【００３６】
ここでは、基板支持台とは別に基板支持部を設け、乾燥の途中で基板の支持が切り替わるように構成したため、基板上の塗布液の乾燥の均一性をさらに高めることができる。すなわち、基板を長時間同一位置で支持していると、基板を支持している部分の熱的影響が基板の被支持部に及んで、その被支持部付近の膜圧などが変動する恐れがあるが、ここでは基板を支持する部分が乾燥の途中で変わるので、塗布液の乾燥の均一性が高くなる。
【００３７】
なお、基板支持部を複数設けて２回以上基板の支持が切り替わるようにすることや、基板支持部のほうも移動するように構成して基板の支持の切り替わり回数を増やすことも可能である。
【００３８】
請求項１１に係る基板処理装置は、請求項１から１０のいずれかに記載の装置であって、乾燥促進処理部は、排気機構をさらに有している。排気機構は、バットの基板よりも下方にある下部空間を排気する機構である。この排気機構は、基板に対して上方から清浄空気を当てているときに、基板の乾燥の程度に合わせて排気量を増やす。
【００３９】
基板の下方及び側方を囲うバットは、基板周囲部における横風の発生を抑えて乾燥ムラを防ぐ重要な部材であるが、乾燥時間の観点から見れば、清浄空気を滞留させるためマイナスに働く。
【００４０】
そこで、本請求項の装置では、排気機構を設けて、基板の下方に位置するバットの下部空間を排気するようにしている。具体的には、清浄空気により塗布液を乾燥させているときに、基板の乾燥の程度に合わせて排気量を増やしている。このため、基板（の塗布液）の乾燥が進んで乾燥ムラが発生し難くなったときには、排気量が増え、清浄空気が基板中央部上方から基板周囲部を経由して基板の下方に多く流れるようになる。これにより、基板周囲の清浄空気の流れが強くなり、乾燥時間が短くなる。一方、乾燥の程度が小さいときには、排気量が増えていないため、乾燥ムラを抑えつつ徐々に乾燥が進む。
【００４１】
なお、乾燥し始めにおいては、排気機構が全く排気を行わないことが望ましい。
また、請求項１１に記載する排気機構の動作は、請求項７に記載する移動機構の動作に代えて行ってもよいし、請求項７に記載する移動機構の動作に加えて行ってもよい。
【００４２】
請求項１２に係る基板処理装置は、請求項１から１１のいずれかに記載の装置であって、乾燥促進処理部は、上方から基板に対して清浄空気を流す空気供給機構をさらに有している。
【００４３】
ここでは、乾燥促進処理部が独自に空気供給機構を有しているため、塗布液の種類によって清浄空気の流れの強さ調整したり、乾燥中に乾燥度合いに合わせて風量を変更したりすることが容易にできる。
【００４４】
請求項１３に係る基板処理装置は、請求項１２に記載の装置であって、空気供給機構は、清浄空気の高温化、低湿度化、及び低溶剤濃度化の少なくとも１つを行うことができる。
【００４５】
ここでは、清浄空気の高温化を行ったときには、より短時間で基板を乾燥させることができる。
また、清浄空気を低湿度化を行ったときにも、より短時間で基板を乾燥させることができる。
【００４６】
また、清浄空気の低溶剤濃度化を行ったときにも、清浄空気の溶剤含有率が低下するため、より短時間で基板を乾燥させることができる。
なお、清浄空気の低溶剤濃度化は、化学吸着フィルター等を用いて、清浄空気の溶剤含有率を低下させることにより行えばよい。
【００５０】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
＜装置の全体構成＞
本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る基板処理装置を図１に示す。この基板処理装置は、矩形のガラス基板（以下、基板という。）に対して、複数の処理ユニットを接続して一貫した処理を可能にしたレジスト塗布のための装置であり、露光機や現像処理装置等と接続させることもできる。
【００５１】
この基板処理装置は、枚葉式の装置であって、搬入部１、スピンコータ部（塗布処理部）２、乾燥促進処理部３、エッジリンス部４、載置部５、及びベーク部６から構成されている。この基板処理装置は、例えば前工程の装置である基板洗浄装置１１と後工程の装置である露光機１２との間に配置され、基板洗浄装置１１からコンベア等の搬送手段によって搬入部１へと基板を搬入し、ベーク部６から露光機１２へと搬送ロボット等によって基板を搬出する。搬入部１から載置部５までは、複数のハンドを持ち基板を隣接する処理部へ順送りしてゆく間歇移送スライダー７ａ〜７ｂによって基板が搬送される。
【００５２】
なお、この基板処理装置は、図２に示すようなクリーンルーム１０内に設置される。クリーンルーム１０では、ＨＥＰＡフィルター（high efficiency particulate air filter）１０ｂで構成される天井の全面から清浄空気が室内に流入し、その空気が床全面から流出している。すなわち、クリーンルーム１０では、垂直に一方向流（ダウンフロー）が発生する。クリーンルーム１０の下部には、フリーアクセス空間をその下部に形成する鋼製あるいはステンレス製のすのこ状のグレーティングパネル（床パネル）１０ａが設置されている。グレーティングパネル１０ａには、吸い込み口が多数設けられている。また、エアーフローは、図２に示すように、ブロワー１０ｃによって生成されている。
【００５３】
＜乾燥促進処理部の構成＞
次に、乾燥促進処理部３の構成について説明する。
乾燥促進処理部３は、主として、基板Ｗに清浄空気を緩やかに吹き出すエアー供給装置３０（図３参照）と、基板Ｗを載置する基板支持台２１（図４〜図９参照）と、バット２６とから構成されている。
【００５４】
（エアー供給装置）
エアー供給装置３０は、図３に示すように、ＨＥＰＡフィルター３１と、ブロワー（送風機）３３と、ＨＥＰＡフィルター３１とブロワー３３とをつなぐ供給配管（供給経路）３２とから構成されている。ＨＥＰＡフィルター３１は、定格風量で粒径が０．３μｍの粒子に対して９９．９７％以上の粒子捕集率を有し、かつ初期圧力損失が一般に３００Ｐａ以下の性能を持つエアフィルターである。なお、ここではＨＥＰＡフィルター３１を採用しているが、必要に応じてＵＬＰＡフィルターを使用しても良い。ブロワーは、ＨＥＰＡフィルター３１にエアーを供給する送風機であり、クリーンルーム１０内に設置してもよいし、基板Ｗの直上にＨＥＰＡフィルター３１を配しているためクリーンルーム１０の外に設置することもできる。なお、ブロワー３３をクリーンルーム内に設置したときには、クリーンルーム１０内のＨＥＰＡフィルター１０ｂを通った清浄な空気をＨＥＰＡフィルター３１に送ることができ、さらにＨＥＰＡフィルター３１の設置を省略することも可能である。但し、クリーンルーム１０内へのブロワー３３の設置によってパーティクルが発生する恐れのある場合には、ブロワー３３はクリーンルーム１０の外に設置することが望ましい。また、ブロワー３３を出たエアーは、ブロワー３３と供給配管３２との間に配置されているヒーター３４によって加熱される。すなわち、エアー供給装置３０は、ヒーター３４を作動させることによって、ＨＥＰＡフィルター３１から吹き出す清浄空気の温度を上げることができる。
【００５５】
また、エアー供給装置３０は、ＨＥＰＡフィルター３１の下部から、図３の１点鎖線の矢印に示すように、基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。このエアーは、ＨＥＰＡフィルター３１を通過しているため、清浄な空気である。基板Ｗの表面付近でのエアーの流速は、ＨＥＰＡフィルター３１から基板Ｗまでの距離とブロワー３３の出力とから決まる。
【００５６】
（基板支持台）
基板支持台２１は、図５〜図８に示すように、矩形の基板Ｗを水平状態で保持するための台である。基板支持台２１は、図４に示すように、基板Ｗの大きさと略同じ（基板Ｗの端面よりも２０〜２５ｍｍぐらい外側に端部がある程度）又は若干小さい矩形形状の本体２１ａを有し、その本体２１ａの上面に基板支持ピン２１ｂが複数設けられている。なお、基板Ｗは、５００〜１０００ｍｍ角の薄いガラス基板であるが、図面においては、理解の容易のため模式的に表示している。すなわち、基板Ｗの図面寸法は、実寸と異なっている。これに伴い、基板支持台２１の図面寸法も、実寸と異なっている。
【００５７】
この基板支持台２１は、昇降装置２３により上昇・下降する昇降シャフト２２の上端に固定されており、昇降装置２３の駆動により上下に垂直移動する。昇降シャフト２２は、後述するバット２６の開口２６ｃを貫通している。昇降装置２３としては、例えば電動ボールネジを用いたものを用いればよい。
【００５８】
（バット）
バット２６は、基板支持台２１により保持された基板Ｗの下方及び側方を囲い得る薄板構造体であって、図４に示すように、主として、底面板２６ａと、側壁板２６ｂとから構成される。底面板２６ａは、平面視において基板支持台２１よりも一回り大きく、図４に示すように、その中央に開口２６ｃが開けられている。また、底面板２６ａの開口２６ｃの周囲には、Ｏ−リングやＶ−リングといったシール部材２９が装着される。このシール部材２９は、基板支持台２１の本体２１ａに対してバット２６が近づいたときに、基板支持台２１の本体２１ａと底面板２６ａとの間に挟まれる。側壁板２６ｂは、底面板２６ａの各辺の端部から鉛直上方に延びるもので、図６に示すような高さ（Ｈ１＋Ｈ２）を有している。
【００５９】
このバット２６は、昇降装置２７の駆動により上下に垂直移動する。昇降装置２７としては、例えば電動ボールネジを用いたものを用いればよい。
＜装置全体の制御・動作＞
この基板処理装置では、まず間歇移送スライダー７ａによって基板が搬入部１からスピンコータ部２に運ばれて、基板に対してレジスト（塗布液）の塗布が行われる。スピンコータ部２は、レジスト供給系、スピンモータ、カップ等により構成されており、水平に載置された基板上にレジストを滴下し基板を回転させることによって基板上に均一なレジスト膜を形成させる。レジスト膜が形成された基板は、乾燥促進処理部３に運ばれて、ある程度まで乾燥させられる。ここでの制御・動作については、後述する。この後、基板はエッジリンス部４に移される。エッジリンス部４では、基板端面のレジスト膜が剥がれて発塵してしまうことを防止するために、基板表面の周辺や端面部分のレジストを溶剤により取り除く処理が行われる。これらのレジスト塗布に関する各処理を終えた基板は、図示しないロボットによって載置部５からベーク部６に移される。ベーク部６では、基板上のレジスト膜中の残留溶剤の蒸発と基板の密着性強化を目的として、熱処理が行われる。このベーク部６は複数の加熱部及び冷却部を有しており、基板はこれらに対して順番に搬入及び搬出される。こうして加熱及び冷却処理が施された基板は、露光機１２に搬出されていく。
【００６０】
＜乾燥促進処理部の制御・動作＞
次に、乾燥促進処理部３における基板の乾燥について説明する。
ここでは、スピンコータ部２からスライダー７ａによって送られてきた基板Ｗ（図４参照）が、図５に示すように、まず基板支持台２１上に載せられる。このときには、昇降装置２３により基板支持台２１が所定の高さまで上昇する。
【００６１】
基板Ｗが基板支持台２１に載ってスライダー７ａが基板支持台２１の上方から外れると、バット２６が昇降装置２７の駆動によって図６に示す高さ位置まで上昇してくる。そして、エアー供給装置３０のＨＥＰＡフィルター３１から清浄空気が下方に流される。
【００６２】
図６に示す乾燥初期の基板Ｗの高さ位置は、基板Ｗの上面からバット２６の側壁板２６ｂの上端までの距離が寸法Ｈ１、基板Ｗの上面からバット２６の底面板２６ａの上面までの距離が寸法Ｈ２である。ここでは、寸法Ｈ１を４０ｍｍ、寸法Ｈ２を１０ｍｍとしている。これらの設定寸法は、試験を繰り返した結果、基板Ｗの周囲部分での乾燥ムラが最も少なくなったものを用いている。なお、これらの乾燥初期における寸法は、寸法Ｈ１については１０ｍｍ以上、寸法Ｈ２については５０ｍｍ以下であれば、基板Ｗの周囲部分での乾燥ムラが少なくなることが確認されている。
【００６３】
時間が経過し基板Ｗの乾燥が進むにつれて、バット２６を段階的に（あるいは無段階に）下降させる。これにより、バット２６による基板Ｗの囲い具合を緩めていく。例えば、図７に示す段階では、基板Ｗの上面からバット２６の側壁板２６ｂの上端までの寸法Ｈ３が１０ｍｍ、基板Ｗの上面からバット２６の底面板２６ａの上面までの寸法Ｈ４が４０ｍｍである。図６に示す状態から図７に示す状態に移行するまでに、さらに１段階設けることもできる。
【００６４】
そして、乾燥の最終段階では、図８に示すように、基板Ｗの上面がバット２６の側壁板２６ｂの上端よりも高くなるようにしてもよいし、図７に示す状態を乾燥の最終段階としてもよい。
【００６５】
基板Ｗの乾燥を終えると、基板支持台２１からスライダー７ｃへと基板Ｗを受け渡し、スライダー７ｃによって基板Ｗをエッジリンス部４へと移送する。
＜装置の特徴＞
（１）
本装置の乾燥促進処理部３では、エアー供給装置３０から基板Ｗに向けて下向きに清浄空気が吹き出される。この清浄空気の流れは、ＨＥＰＡフィルター３１を通ることによって整流されたものとなっている。このような整流された清浄空気が基板Ｗに当たるため、基板Ｗの表面上のレジストは、その表面形状がレベリングされながら乾燥していく。基板Ｗの表面付近における蒸発したレジストの溶媒ガスの滞留が清浄空気により押し流されるため、基板Ｗの乾燥が促進される。
【００６６】
また、清浄空気を基板Ｗに吹き出しているため、パーティクル等が基板Ｗに付着する心配もない。
（２）
本装置の乾燥促進処理部３では、エアー供給装置３０によって清浄空気の基板Ｗに対する流れを生成している。クリーンルーム１０内のダウンフローをそのまま使って基板Ｗを乾燥させることも可能であるが、より短時間で乾燥を行わせるために、ここでは別途エアー供給装置３０を設けている。
【００６７】
また、エアー供給装置３０にはヒーター３４が装備されているため、スピンコータ部２において基板Ｗに塗布されるレジストの種類に応じて基板Ｗに供給する洗浄空気の温度を上げることができる。これにより、乾燥促進処理部３における基板Ｗの乾燥をより促進させることが可能である。
【００６８】
（３）
本装置の乾燥促進処理部３では、基板Ｗに上方から清浄空気を当てることで基板Ｗの乾燥を促進させるとともに、清浄空気が基板Ｗの中央部上方から周囲部を経由して基板Ｗの下方に流れていかないように、基板Ｗの下方及び側方をバット２６で囲っている。このようにバット２６で囲っているため、多少基板Ｗに当てる清浄空気の流速を速めても、基板Ｗの周辺部において内側から外側に向かう横風が殆ど発生せず、乾燥時における基板Ｗ上のレジスト膜の乾燥ムラが抑制される。また、清浄空気の流速を速めることができるため、乾燥時間も短くなる。
【００６９】
もしも、バット２６が存在しない装置において、流速の速い清浄空気を基板Ｗに当てたとすると、図１０に示すように乾燥ムラ（風紋ＵＥ）が基板Ｗ上に発生してしまう。図１０（ａ）に示すように基板支持台３２１上の載せられた基板Ｗにエアーを上方から流すと、基板Ｗの中央部においては渦状の弱い乱流Ｆ１が生じるが、基板Ｗの周辺部においては基板Ｗの内側から外側へ向かう気流Ｆ２が生じる。この気流Ｆ２は図１０（ｂ）の拡大平面図に示すように基板表面に沿ったほぼ一方向への流れとなる傾向があり、乾燥されるレジスト膜には、その気流Ｆ２の流れ方向に沿って、いわゆる風紋ＵＥができてしまうおそれがある（図１０（ｃ）参照）。
【００７０】
これに対し、本装置の乾燥促進処理部３では、少なくとも乾燥初期には基板Ｗをバット２６で囲っているため、図６に示すように、基板Ｗの周辺部における基板Ｗの内側から外側へ向かう気流（横風）が抑えられ、風紋ＵＥが殆ど発生しなくなる。
【００７１】
（４）
本願の発明者によるテスト結果では、基板Ｗの側方を囲うバット２６の側壁板２６ｂが基板Ｗの上面よりも１０ｍｍ以上高いものであるときに横風の発生度合いが著しく低下することが確認されている。
【００７２】
これに鑑み、本装置の乾燥促進処理部３では、バット２６の側壁板２６ｂの上端が基板Ｗの上面よりも１０ｍｍ以上高い位置にくるように構成している。具体的には、テストの繰り返しから得られた結果により、最も横風を抑えることができた寸法のバット２６（側壁板２６ｂの上端が基板Ｗの上面よりも約４０ｍｍ高い位置にきているもの）を採用している。
【００７３】
また、本願の発明者によるテスト結果では、横風による乾燥ムラ（風紋）を抑えるためには、バット２６の底面板２６ａをできるだけ基板Ｗに近づけ、基板Ｗの下方に清浄空気が流れにくい状態を作らなければならないことが判明している。
【００７４】
これに鑑み、本装置の乾燥促進処理部３では、乾燥ムラを許容レベル内に抑えるために、バット２６の底面板２６ａが基板Ｗの上面から５０ｍｍ下がった位置よりも高い位置にくるように構成している。具体的には、乾燥ムラの発生が殆どない寸法のバット２６（底面板２６ａが基板Ｗの上面に対して約１０ｍｍまで近づくもの）を採用している。
【００７５】
（５）
本装置の乾燥促進処理部３では、バット２６の底面板２６ａの開口２６ｃの周囲に、Ｏ−リング等のシール部材２９を装着している。このシール部材２９は、図６に示すように、基板乾燥時にバット２６が上昇し、基板支持台２１の本体２１ａに対してバット２６が近づいたときに、基板支持台２１の本体２１ａと底面板２６ａとの間に挟まれ、両者２１ａ，２６ａの間をシールする。
【００７６】
このため、基板支持台２１を上下動させるための昇降シャフト２２を貫通させる開口２６ｃが底面板２６ａに開いている場合においても、図６に示す乾燥初期には、基板Ｗの周囲の空間が下方に完全に閉じた状態となる。したがって、基板Ｗの乾燥初期に清浄空気が基板Ｗの周囲部を経由して基板Ｗの下方に流れる現象がほぼ完全に抑えられ、乾燥ムラの発生がより少なくなる。このようにシールすることは、特にカラーレジスト等の敏感な薬液を用いる場合に有効となる。
【００７７】
（６）
基板Ｗの下方及び側方を囲うバット２６は、基板Ｗの周囲部における横風の発生を抑えて乾燥ムラを防ぐ重要な構成要素であるが、乾燥時間の観点から見れば、清浄空気をバット２６内に滞留させることになるためマイナスに働く。
【００７８】
このような問題点を小さく抑えるために、本装置の乾燥促進処理部３では、バット２６を上下に移動させる昇降装置２７を設け、乾燥時において、次第にバット２６が下降するように制御している。これにより、乾燥初期のように乾燥ムラが発生しやすいときにはバット２６による基板Ｗの囲い具合が強化され、乾燥ムラが発生する恐れが小さくなった乾燥後期には基板Ｗの囲い具合が緩まる。したがって、乾燥初期においては、乾燥ムラの発生が抑えられ、乾燥後期においては、囲い具合が緩まり基板Ｗの周囲での清浄空気の流れが強くなることによって乾燥時間が短くなる。
【００７９】
なお、バット２６と基板支持台２１との相対高さ位置を変えるため、ここでは基板乾燥中にバット２６を移動させている。これは、大きく薄いガラス基板Ｗを支持している基盤支持台２１を移動させるよりも、バット２６を移動させるほうが容易であることによる。
【００８０】
（７）
図８に示すように、乾燥の最終段階においてバット２６の側壁板２６ｂが基板Ｗの側方から外れるようにした場合には、基板Ｗの側方が開放されるため、基板Ｗの周囲を流れる清浄空気の量や速さがより増加して、乾燥時間が大幅に短縮される。
【００８１】
［第２実施形態］
上記第１実施形態のエアー供給装置３０に風量調整機能や湿度調整機能を持たせることも可能である。
【００８２】
エアー供給装置３０に基板Ｗに供給する洗浄空気の量を調整する風量調整機能を持たせた場合、スピンコータ部２において基板Ｗに塗布されるレジストの種類によって基板Ｗに供給する風量を調整することができ、基板Ｗの乾燥状態を最適なものにすることが可能となる。具体的には、ブロワー３３の出力調整の他、供給配管３２にダンパーを設けたり、ＨＥＰＡフィルター３１から基板Ｗまでの距離を調整したりする方法がある。
【００８３】
また、エアー供給装置３０に基板Ｗに供給する洗浄空気の湿度を調整する湿度調整機能を持たせた場合、スピンコータ部２において基板Ｗに塗布されるレジストの種類によって基板Ｗに供給する洗浄空気の湿度を調整することができ、基板Ｗの乾燥状態を最適なものにすることが可能となる。具体的には、除湿装置をブロアー３３の吸い込み側あるいは吹き出し側に設ける方法がある。
【００８４】
［第３実施形態］
上記第１実施形態のエアー供給装置３０に化学吸着フィルターを装備させることもできる。この場合、基板Ｗに当たる洗浄空気に含まれる溶剤の含有率が低下するため、乾燥促進処理部３において、より短時間で乾燥を行えるようになる。
【００８５】
［第４実施形態］
本実施形態では、上記第１実施形態のエアー供給装置３０に代えて、図１１に示すエアー供給装置４０を用いている。
【００８６】
図１１に示すエアー供給装置４０は、ＨＥＰＡフィルター４１と、ブロワー４２とから構成されている。ＨＥＰＡフィルター４１は基板支持台２１に載置される基板Ｗの上方に配置され、ブロワー４２はそのＨＥＰＡフィルター４１の上方に配置される。ＨＥＰＡフィルター４１はＨＥＰＡフィルター３１と同様のエアフィルターであり、ブロワー４２はブロワー３３と同様の送風機である。このエアー供給装置４０は、ＨＥＰＡフィルター４１の下部から、図１１の１点鎖線の矢印に示すように、基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。このエアーは、ブロワー４２の作動によってクリーンルーム１０のＨＥＰＡフィルター１０ｂからダウンフローしている清浄空気が更にＨＥＰＡフィルター４１を通過したものであり、清浄な空気である。
【００８７】
ここでは、ＨＥＰＡフィルター４１に加え、ブロワー４２も基板Ｗの上方に配置されており、クリーンルーム１０内の基板Ｗよりも上方にあるＨＥＰＡフィルター１０ｂを出たばかりの清浄な空気をＨＥＰＡフィルター４１を介して基板Ｗに吹き出すことができる。
【００８８】
［第５実施形態］
上記第１実施形態では昇降装置２７によりバット２６の上下移動を可能にしているが、図１２〜図１５に示すように、バット２６を固定とすることも可能である。
【００８９】
＜乾燥促進処理部の制御・動作＞
本実施形態の装置では、スピンコータ部２からスライダー７ａによって送られてきた基板Ｗ（図１２参照）が、図１３に示すように、まず基板支持台２１上に載せられる。このときには、昇降装置２３により基板支持台２１が所定の高さまで上昇する。
【００９０】
基板Ｗが基板支持台２１に載り移ると、スライダー７ａが基板支持台２１の上方から外れるとともに、基板支持台２１が図１４に示すポジションまで下降し、エアー供給装置３０のＨＥＰＡフィルター３１から清浄空気が下方に流され始める。
【００９１】
図１４に示す乾燥初期の基板Ｗの高さ位置は、基板Ｗの上面からバット２６の側壁板２６ｂの上端までの距離が寸法Ｈ１、基板Ｗの上面からバット２６の底面板２６ａの上面までの距離が寸法Ｈ２である。各寸法Ｈ１，Ｈ２は、第１実施形態と同じく、寸法Ｈ１が４０ｍｍ、寸法Ｈ２が１０ｍｍである。
【００９２】
時間が経過し基板Ｗの乾燥が進むにつれて、基板支持台２１を段階的に（あるいは無段階に）上昇させる。これにより、バット２６による基板Ｗの囲い具合を緩めていく。例えば、図１５に示す最終段階では、基板Ｗの上面がバット２６の側壁板２６ｂの上端よりも高くなっている。
【００９３】
＜装置の特徴＞
ここでは、基板支持台２１が次第に上昇するため、バット２６による基板の囲い具合が次第に緩まっていく。すなわち、基板Ｗの乾燥が進むにしたがって基板Ｗの囲い具合が緩まるため、乾燥初期に発生し易い乾燥ムラが抑えられるとともに、乾燥後半には清浄空気の流れが強まり乾燥時間が短くなる。
【００９４】
また、基板支持台２１が上昇するにしたがって基板Ｗがエアー供給装置３０のＨＥＰＡフィルター３１に近づくため、清浄空気の流れがより強まっていく。これも、乾燥後半の乾燥時間の短縮に寄与する。
【００９５】
なお、本実施形態の構成（基板支持台２１を乾燥中に上昇させる構成）は、ガラス基板ではなくプリント基板等のように基板支持台２１を移動させる構造を採りやすい場合に、特に採用し易い構成である。
【００９６】
［第６実施形態］
上記第１実施形態では乾燥中のバット２６の下降、上記第５実施形態では乾燥中の基板支持台２１の上昇によって、バット２６による基板Ｗの囲い具合を緩め、乾燥の進行にしたがって基板Ｗの周囲の清浄空気の流れが次第に強まるようにしているが、これに代えて、バット２６の下部空間の排気を制御することによって同様の効果を得ることができる。
【００９７】
＜乾燥促進処理部の構成＞
本実施形態の装置は、図１６に示すように、バット２６の下部空間から排気を行う排気機構５０を備えている。排気機構５０は、排気管５１と、排気用ジャバラ５２と、自動制御ダンパー５３と、図示しない排気ファンとを有している。
【００９８】
排気管５１は、排気ファンに接続されている。この排気管５１の端部には、排気用ジャバラ５２の一端が接続される。排気用ジャバラ５２は、バット２６の底面板２６ａに設けられた複数の穴と排気管５１とをつないでいる。また、排気管５１は、排気用ジャバラ５２と排気ファンとの間に配置される自動制御ダンパー５３を内蔵している。自動制御ダンパー５３は、図示しない制御部により開度調整が為されるものであり、バット２６の下部空間からの排気量を０から次第に増やすことができる。
【００９９】
＜乾燥促進処理部の制御・動作＞
本実施形態の装置では、基板乾燥中には基板支持台２１とバット２６との相対移動をさせず、バット２６の下部空間の排気を制御することによって、基板Ｗの周囲の清浄空気の流れを次第に強めていく。具体的には、図１８（ａ）、又は図１８（ｂ）に示す排気カーブとなるように排気を制御する。
【０１００】
時刻ｔ１までの基板搬入時、及び時刻ｔ１から時刻ｔ２までの初期乾燥時においては、排気量は０とする。このときには、図１６に示すように、自動制御ダンパー５３は全閉状態である。したがって、初期乾燥時においては、図１６に示すように、ＨＥＰＡフィルター３１から下向きに流れる清浄空気は、基板Ｗよりも下方には殆ど流れず、基板Ｗ上で渦状の弱い乱流となる。
【０１０１】
時刻ｔ２から時刻ｔ３にかけては、自動制御ダンパー５３の開度を開けていって、徐々に排気量を増やす。これに伴い、基板Ｗの周囲の清浄空気の流れも次第に速くなり、ＨＥＰＡフィルター３１からの清浄空気の一部がバット２６の側壁板２６ｂと基板Ｗの端面との間をすり抜けて、バット２６の下部空間から排気管５１へと流れるようになる。
【０１０２】
そして、時刻ｔ３近くになると、図１７に示すように、自動制御ダンパー５３の開度がほぼ全開状態となり、基板Ｗの周囲の清浄空気の流れがかなり速くなる。
【０１０３】
時刻ｔ３を過ぎると、乾燥促進処理を終えて、排気量を０に戻す。
＜装置の特徴＞
本装置の乾燥促進処理部では、図１８に示すように、清浄空気により基板Ｗを乾燥させているときに、基板Ｗの乾燥の程度に合わせて排気量を増やしている。すなわち、基板Ｗの乾燥が進んで乾燥ムラが発生し難い段階に進んだときには、排気量を増やして基板Ｗの周囲の清浄空気の流れを強くし、乾燥時間の短縮を図っている。一方、乾燥の程度が小さいときには、排気量を０として、乾燥ムラを抑えている。
【０１０４】
［第７実施形態］
上記第６実施形態では、乾燥中にバット２６と基板支持台２１とを相対移動させることに代えてバット２６の下部空間の排気を制御する構成を採っているが、両者を組み合わせることもできる。
【０１０５】
例えば、図１９に示すように、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの初期乾燥時においては、排気量を０とするとともに、基板支持台２１をバット２６内の下部に位置させておき、時刻ｔ２から時刻ｔ３にかけては、徐々に排気量を増やしつつ、基板支持台２１をバット２６内の中間部から上部へと相対移動させていくことが考えられる。
【０１０６】
［第８実施形態］
上記各実施形態では、角形の基板Ｗに対して、平面視で角形の基板支持台２１及びバット２６を想定しているが、図２０に示すように、角形の基板Ｗに対して円形の基板支持台１２１及びバット１２６を採用することもできる。
【０１０７】
なお、図２０における基板支持台１２１の支持ピン１２１ｂの数量は、図面を見易くするため実際の数量よりも少なくなっている。
［第９実施形態］
上記第１実施形態では、支持ピン２１ｂ上に基板Ｗを載置するタイプの基板支持台２１を採用しているが、真空吸着機構を備えた基板支持台を採用することもできる。この場合には、支持ピンを有する基板支持台の場合に較べて、乾燥初期における基板Ｗの上面とバットの底面板との距離を小さく設定することが容易となる。
【０１０８】
［第１０実施形態］
上記第１実施形態では、基板支持台２１とは別にバット２６を設けているが、基板支持台を利用してバットを構成することも可能である。
【０１０９】
図２１に示す装置では、基板支持台２２１の基板Ｗを載せる部分の外側から、側壁板２２６ｂを上方に延ばしている。これにより、基板支持台２２１が底面であり側壁板２２６ｂが側面であるバット２２６を構成することができる。この場合には、基板支持台２２１とバット２２６とが一体であるため両者を相対移動させるようなことはできなくなるが、極めて簡単な構成となりコストも安く抑えられる。
【０１１０】
［第１１実施形態］
上記第１実施形態では、スピンコータ部２、乾燥促進処理部３、エッジリンス部４の順に各ユニットを配置し、基板に対する処理もこの順序で行っているが、これに代えて、スピンコータ部２、エッジリンス部４、乾燥促進処理部３の順にユニットを配置し、この順序で基板処理を施してもよい。
【０１１１】
［第１２実施形態］
上記第１実施形態では、図６等に示すように、基板乾燥中は基板Ｗを常時基板支持台２１によって支持しているが、図２２及び図２３に示すように、バット２６の内部にバット側基板支持ピン２８を設けて、基板支持台２１による基板支持とバット側基板支持ピン２８による基板支持とが乾燥途中で切り替わるように構成することもできる。このようにした場合には、基板上のレジスト膜の均一性をより良好に保つことができる。
【０１１２】
ここでは、バット２６の底面板２６ａに、複数のバット側基板支持ピン２８を固定している。バット側基板支持ピン２８は、平面的に基板支持台２１の周囲に位置しており、バット２６内において基板Ｗを支持することができる。
【０１１３】
乾燥処理の当初は、基板支持台２１をバット側基板支持ピン２８の上端よりも上方の高さ位置に停止させて、基板支持台２１によって基板Ｗをバット２６内の比較的上方の位置で支持する（図２２参照）。そして、乾燥処理時間の概ね半分が経過したときに、図２３に示すように、基板支持台２１をさらに下降させ、バット側基板支持ピン２８の上端よりも下方の位置に基板支持台２１を停止させる。すると、基板Ｗは、基板支持台２１ではなくバット側基板支持ピン２８によって支持された状態となる。
【０１１４】
このように、乾燥処理時間の途中で基板Ｗを持ち替えて基板Ｗを支持する位置を変えることにより、基板Ｗに形成したレジスト膜の均一性がさらに良好に保たれるようになる。すなわち、基板Ｗを長時間同じ位置で支持していると、基板Ｗを支持する部材（ピンなど）の熱的影響が基板Ｗの被支持部位に及んで、その被支持部位の近傍における膜圧が変動する恐れがあるが、基板Ｗの持ち替えによって、膜圧の変動によるピン跡と呼ばれる痕跡の発生が抑えられる。
【０１１５】
なお、図２２及び図２３では乾燥処理時間の途中に１回だけ基板Ｗの持ち替えを行う例を示しているが、複数組のバット側基板支持ピン２８を配備して、それぞれの組ごとに昇降を可能にするような構成を採ることも可能である。そして、初めは基板Ｗを第１の組で支持して、次に第２の組で基板Ｗを支持するようにすれば、２回以上の基板Ｗの持ち替えを行えるようになり、膜圧変動の発生がより確実に抑制される。
【０１１６】
【発明の効果】
本発明では、乾燥促進処理部において、上方から清浄空気を当てる基板の下方及び側方をバットで囲っているため、多少基板に当てる清浄空気の流速を速めても、基板の周囲部において内側から外側に向かう横風が殆ど発生しなくなり、乾燥時における基板上の塗布液の乾燥ムラが抑制される。
【０１１７】
なお、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板を対象とする基板処理装置の他、半導体ウェハ、ＰＤＰ用ガラス基板などの各被処理基板に対する基板処理装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における基板処理装置の概略構成図。
【図２】クリーンルームの概略図。
【図３】乾燥促進処理部のエアー供給装置の概略図。
【図４】乾燥促進処理部の基板支持台及びバット周辺の概略図。
【図５】乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図６】乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図７】乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図８】乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図９】乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図１０】バットがない場合の基板乾燥の状態を表す図。
【図１１】第４実施形態のエアー供給装置の概略図。
【図１２】第５実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図１３】第５実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図１４】第５実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図１５】第５実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図１６】第６実施形態の乾燥処理促進部の概略図。
【図１７】第６実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図１８】第６実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時における排気カーブを示す図。
【図１９】第７実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時における排気カーブ及び基板支持台とバットとの相対位置を示す図。
【図２０】第８実施形態の乾燥促進処理部の概略図。
【図２１】第１０実施形態の乾燥促進処理部の概略図。
【図２２】第１２実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【図２３】第１２実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。
【符号の説明】
２    スピンコータ部（塗布処理部）
３    乾燥促進処理部
４    エッジリンス部（他処理部）
６    ベーク部
２１    基板支持台
２３    昇降装置（移動機構）
２６    バット
２６ａ    底面板（底面）
２６ｂ    側壁板（側壁）
２６ｃ    開口
２７    昇降装置（移動機構）
２８    バット側基板支持ピン（基板支持部）
２９    シール部材
３０    エアー供給装置（空気供給機構）
５０    排気機構
Ｗ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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