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【手続補正書】
【提出日】令和2年12月10日(2020.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送番組と前記放送番組に付加されたアプリケーション機能を実現するアプリケーションデータとを放送信号により放送する送信装置と、受信した前記放送信号に含まれる前記放送番組と前記アプリケーションデータとを表示器に表示する受信装置とから構成される放送信号送受信装置において、
前記送信装置は、
前記アプリケーションデータのファイルを生成するアプリケーションデータ生成部と、
前記アプリケーションデータ生成部が生成した前記ファイルを前記放送信号により送信する際の制御情報としてデータディレクトリ管理テーブル（ＤＤＭＴ）及びアプリケーション情報テーブル（ＡＩＴ）を生成する制御信号生成部と、
前記放送番組を構成する映像データと音声データ、前記アプリケーションデータ生成部が生成する前記アプリケーションデータおよび前記制御信号生成部が生成する前記データディレクトリ管理テーブル（ＤＤＭＴ）及びアプリケーション情報テーブル（ＡＩＴ）とを多重化して多重化ストリームを生成する多重化部と、
前記多重化ストリームを送信する送信部と、
を有し、
前記アプリケーションデータ生成部は、前記ファイルを生成する際に、複数ファイルを生成する場合の前記複数ファイルを配置するディレクトリ構成におけるパスに関して、任意の２つのbase_directory_pathが、前方一致かつ一方のパスが他方のパスの部分を構成するような設定を禁止するようにパスを決定し、
前記base_directory_pathが同一である任意の２つのdirectory_node_pathが、前方一致かつ一方のパスが他方のパスの部分を構成するような設定を禁止するようにパスを決定する手段を有し、
前記制御信号生成部は、決定した前記base_directory_pathおよび前記directory_node_pathを、前記データディレクトリ管理テーブル（ＤＤＭＴ）及びアプリケーション情報テーブル（ＡＩＴ）に配置する手段を有し、
前記受信装置は、
受信した前記多重化ストリームから前記映像データ、前記音声データ、前記アプリケーションデータ、前記データディレクトリ管理テーブル（ＤＤＭＴ）及びアプリケーション情報テーブル（ＡＩＴ）に分離する分離部と、
前記分離部により分離された前記データディレクトリ管理テーブル（ＤＤＭＴ）またはアプリケーション情報テーブル（ＡＩＴ）から抽出した前記base_directory_pathおよび前記directory_node_pathに基づき、前記アプリケーションデータの前記ファイルを得るファイル処理部と
を有する放送信号送受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放送信号送受信装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の実施形態は、放送信号送受信装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで本実施形態は、データコンテンツサービスを行う際に、パス情報に制限を設ける
ことで、必要となるアプリケーションデータのファイルの受信を容易に処理する放送信号送受信装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本実施形態の放送信号送受信装置は、放送番組と前記放送番組に付加されたアプリケーション機能を実現するアプリケーションデータとを放送信号により放送する送信装置と、受信した前記放送信号に含まれる前記放送番組と前記アプリケーションデータとを表示器に表示する受信装置とから構成される放送信号送受信装置において、前記送信装置は、前記アプリケーションデータのファイルを生成するアプリケーションデータ生成部と、前記アプリケーションデータ生成部が生成した前記ファイルを前記放送信号により送信する際の制御情報としてデータディレクトリ管理テーブル（ＤＤＭＴ）及びアプリケーション情報テーブル（ＡＩＴ）を生成する制御信号生成部と、前記放送番組を構成する映像データと音声データ、前記アプリケーションデータ生成部が生成する前記アプリケーションデータおよび前記制御信号生成部が生成する前記データディレクトリ管理テーブル（ＤＤＭＴ）及びアプリケーション情報テーブル（ＡＩＴ）とを多重化して多重化ストリームを生成する多重化部と、前記多重化ストリームを送信する送信部と、を有し、前記アプリケーションデータ生成部は、前記ファイルを生成する際に、複数ファイルを生成する場合の前記複数ファイルを配置するディレクトリ構成におけるパスに関して、任意の２つのbase_directory_pathが、前方一致かつ一方のパスが他方のパスの部分を構成するような設定を禁止するようにパスを決定し、前記base_directory_pathが同一である任意の２つのdirectory_node_pathが、前方一致かつ一方のパスが他方のパスの部分を構成するような設定を禁止するようにパスを決定する手段を有し、前記制御信号生成部は、決定した前記base_directory_pathおよび前記directory_node_pathを、前記データディレクトリ管理テーブル（ＤＤＭＴ）及びアプリケーション情報テーブル（ＡＩＴ）に配置する手段を有し、前記受信装置は、受信した前記多重化ストリームから前記映像データ、前記音声データ、前記アプリケーションデータ、前記データディレクトリ管理テーブル（ＤＤＭＴ）及びアプリケーション情報テーブル（ＡＩＴ）に分離する分離部と、前記分離部により分離された前記データディレクトリ管理テーブル（ＤＤＭＴ）またはアプリケーション情報テーブル（ＡＩＴ）から抽出した前記base_directory_pathおよび前記directory_node_pathに基づき、前記アプリケーションデータの前記ファイルを得るファイル処理部とを有する放送信号送受信装置である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月25日(2021.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力及び低酸素ガスを供給可能な電力及びガス供給装置であって、
各々が酸素を含む気体と供給された燃料とを用いて電力を生成して酸素の消費された低酸素排ガスを排出する、第１の燃料電池部から第Ｎ（Ｎは設定された２以上の自然数）の燃料電池部までのＮ個の燃料電池部を備え、
ｎは２からＮまでの各自然数であって、第ｎの燃料電池部は、第（ｎ−１）の燃料電池部から排出された低酸素排ガスと供給された燃料とを用いて電力を生成し、少なくとも供給された当該低酸素排ガスよりも小さい酸素量を有する低酸素排ガスを排出し、
第Ｎの燃料電池部の排出した低酸素排ガスが外部に供給される
ことを特徴とする電力及びガス供給装置。
【請求項２】
ｍは２からＮまでの自然数の少なくとも１つであって、第（ｍ−１）の燃料電池部から排出された低酸素排ガスを、ガス圧をより高くした上で第ｍの燃料電池部に供給するガス圧調整部を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の電力及びガス供給装置。
【請求項３】
前記ガス圧調整部は、第ｍの燃料電池部における酸素量と電流又は電力を最大にする負荷との関係に基づき、第ｍの燃料電池部に対する負荷に合わせて酸素をより多く消費するように、第（ｍ−１）の燃料電池部から排出された低酸素排ガスにおけるガス圧を調整することを特徴とする請求項２に記載の電力及びガス供給装置。
【請求項４】
第（ｍ−１）の燃料電池部から排出された低酸素排ガスの高められたガス圧に合わせて当該燃料の圧力も高くした上で、当該燃料を第ｍの燃料電池部に供給する燃料圧調整部を更に備えていることを特徴とする請求項２又は３に記載の電力及びガス供給装置。
【請求項５】
ガス圧の高められた低酸素排ガスを、第ｍの燃料電池部へ供給する前に収容する収容部を更に備えていることを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の電力及びガス供給装置。
【請求項６】
ｍは２からＮまでの自然数の少なくとも１つであって、第ｍの燃料電池部における酸素量と電流又は電力を最大にする負荷との関係に基づき、第（ｍ−１）の燃料電池部から排出された低酸素排ガスにおける酸素量に合わせて酸素をより多く消費するように、第ｍの燃料電池部に対する負荷を調整する負荷調整部を更に備えていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電力及びガス供給装置。
【請求項７】
第１の燃料電池部に供給される当該酸素を含む気体における酸素量を、第１の燃料電池部における酸素量と電流、電圧又は電力との関係から算出される酸素量閾値であって、酸素量の減少に伴う電流、電圧又は電力の減少率不連続点に相当する酸素量閾値以下に設定する第１酸素量調整部を更に備えていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電力及びガス供給装置。
【請求項８】
第ｎの燃料電池部における負荷を、第（ｎ−１）の燃料電池部における負荷と比べて同等に又はより高くすることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電力及びガス供給装置。
【請求項９】
第１の燃料電池部及び第ｎの燃料電池部は各々、１つの燃料電池であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電力及びガス供給装置。
【請求項１０】
第１の燃料電池部及び第ｎの燃料電池部は各々、複数のセルを含む１つの燃料電池における、少なくとも１つのセルを含む燃料電池部分であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電力及びガス供給装置。
【請求項１１】
電力及び低酸素ガスを供給する電力及びガス供給方法であって、
各々が酸素を含む気体と供給された燃料とを用いて電力を生成して酸素の消費された低酸素排ガスを排出する、第１の燃料電池部から第Ｎ（Ｎは設定された２以上の自然数）の燃料電池部までのＮ個の燃料電池部を用い、
ｎは２からＮまでの各自然数を昇順にとる値であって、第ｎの燃料電池部を用いて、第（ｎ−１）の燃料電池部から排出された低酸素排ガスと供給された燃料とから電力を生成し、少なくとも供給された当該低酸素排ガスよりも小さい酸素量を有する低酸素排ガスを排出し、
第Ｎの燃料電池部の排出した低酸素排ガスを外部に供給する
ことを特徴とする電力及びガス供給方法。
【請求項１２】
空気よりも酸素量の小さい低酸素ガスと、供給された燃料とを用いて電力を生成し、当該低酸素ガスと比較して酸素量のより低減させられた不活性なガスを排出する燃料電池部を備えていることを特徴とする、不活性なガスを供給可能な不活性ガス供給装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月24日(2020.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＥＬ表示パネルの製造方法およびＥＬ表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造方法であって、
前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素に、第２の発光層を共通に形成する第２の工程と、
前記第２の画素および前記第３の画素に形成された前記第２の発光層に、第１の光を照射して、前記第２の発光層を改質する第３の工程と、
前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素に、第３の発光層を共通に形成する第４の工程を行うことを特徴とするＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２】
第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造方法であって、
前記第１の色の画素に、第１の発光層を形成する第１の工程と、
前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素に、第２の発光層を共通に形成する第２の工程と、
前記第３の画素に形成された前記第２の発光層に、第１の光を照射して、前記第２の発光層を改質する第３の工程と、
前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素に、第３の発光層を共通に形成する第４の工程を行うことを特徴とするＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項３】
第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造方法であって、
少なくともいずれかの前記色の画素に、第２の発光層を形成する第２の工程と、
前記第２の発光層に、第１の光を照射して、前記第２の発光層を改質する第３の工程を有し、
前記第２の発光層を形成する第２の工程と、前記第２の発光層を改質する第３の工程とを複数回行うことを特徴とするＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項４】
第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造方法であって、
少なくともいずれかの前記色の画素に、第２の発光層を形成する第２の工程と、
前記第２の発光層に、第１の光を照射して、前記第２の発光層を改質する第３の工程を有し、
前記第１の光が、前記第２の発光層に照射されることにより、前記第２の発光層が発光し、
前記発光の強度に基づいて、前記第１の光が制御されることを特徴とするＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記第１の光は、紫外線波長のレーザ光またはＬＥＤが発生する光であり、
前記第１の光は、スリットマスクのスリットを介して、前記第２の発光層に照射されることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記第２の発光層は、ゲスト材料とホスト材料とを含有し、
前記第１の光が照射された前記第２の発光層には、
前記ゲスト材料のバンドギャップが、前記ホスト材料のバンドギャップよりも大きく、
前記ゲスト材料と前記ホスト材料のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）の相対的な配置は、前記ゲスト材料のほうが前記ホスト材料よりも低く、
前記ゲスト材料と前記ホスト材料のＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）の相対的な配置は、ゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、の３つの関係のうち、少なくとも１つ以上の関係があることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記第１の発光層、前記第２の発光層および前記第３の発光層のいずれか１つの発光層は、熱転写技術で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記第２の発光層は、ホスト材料とゲスト材料とを共蒸着することにより形成され、
前記ゲスト材料は、前記ホスト材料よりも、前記第１の光の吸収率が大きいことを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素の各々の画素のカソード電極は光透過性を有し、
前記第１の発光層、前記第２の発光層および前記第３の発光層の各々の発光層で発生した光は、前記カソード電極側から出射される構造であり、
前記各々の色の画素の画素電極は透明電極であり、
前記画素電極の下層に反射膜が形成され、
前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素のうち、少なくとも１つの色の画素の前記画素電極と前記反射膜との間に、光透過性を有する薄膜が形成され、
前記第１の色の画素の反射膜と前記カソード電極との間の光学的距離、前記第２の色の画素の反射膜と前記カソード電極との間の光学的距離、および前記第３の色の画素の反射膜と前記カソード電極との間の光学的距離のうち、
少なくとも１つの色の画素についての光学的距離が、他の色の画素についての光学的距離と異なることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４記載のＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９記載のいずれかに記載のＥＬ表示パネルの製造方法で製造されたＥＬ表示パネルを具備することを特徴とするＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月22日(2021.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品の表面に印字された部品情報の文字を撮像して前記部品情報を認識する部品情報認識部と、
前記部品情報認識部によって認識された部品情報をデータベースに出力するデータ出力部と、を備える、部品実装装置。
【請求項２】
前記データ出力部は、認識された前記部品情報と、当該部品が装着された基板の基板情報とを対応付けて前記データベースに出力する、請求項１に記載の部品実装装置。
【請求項３】
さらに、前記部品情報認識部によって認識された部品情報が、正規の部品品番と一致するか否かを判定する判定部を備える、請求項１または２に記載の部品実装装置。
【請求項４】
前記データ出力部は、前記正規の部品品番と一致しないと判定された部品の使用を禁止することを示す画像情報を出力する、請求項３に記載の部品実装装置。
【請求項５】
さらに、前記部品の部品実装を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記正規の部品品番と一致しないと判定された部品の実装を停止する、請求項３に記載の部品実装装置。
【請求項６】
さらに、前記部品情報の桁ごとの文字タイプの種別を規定する文字タイプ情報を記憶する記憶部を備え、
前記部品情報認識部は、前記記憶部に記憶された前記文字タイプ情報に基づいて前記部品情報を認識する、請求項１から５のいずれかに記載の部品実装装置。
【請求項７】
前記記憶部に記憶された前記文字タイプ情報は、ユーザによって入力される、請求項６に記載の部品実装装置。
【請求項８】
前記部品情報認識部は、前記認識処理に際し前記撮像された桁ごとの文字画像から、予め付された優先順位に従って複数の候補を順次抽出し、
優先順位の最も高い第１の候補が前記記憶部に記憶された該当する桁の文字タイプと一致する場合には、当該第１の候補を採用する、請求項６または７に記載の部品実装装置。
【請求項９】
前記部品情報認識部は、前記優先順位の最も高い第１の候補が前記記憶部に記憶された該当する桁の文字タイプと一致せず、前記第１の候補の次に優先順位の高い第２の候補が前記記憶部に記憶された該当する桁の文字タイプと一致する場合には、前記第２の候補を採用する、請求項８に記載の部品実装装置。
【請求項１０】
前記文字タイプは、少なくとも数字とアルファベットを含む、請求項６から９のいずれかに記載の部品実装装置。
【請求項１１】
前記部品情報はロット番号である、請求項１から１０のいずれかに記載の部品実装装置。
【請求項１２】
前記データ出力部は、前記部品情報や前記基板情報とともに製造年月日の情報を出力することを特徴とする、請求項１から１１のいずれかに記載の部品実装装置。
【請求項１３】
部品実装装置を含む部品実装システムにおいて、生産履歴データを取得するトレースデータの取得方法であって、
部品の表面に印加された部品情報の文字を撮像し、前記部品情報を認識する部品情報認識工程と、
前記部品情報認識工程において認識された前記部品情報をデータベースに出力するデータ出力工程と、を含む、トレースデータの取得方法。
【請求項１４】
前記データベースは前記部品情報と、前記部品が装着された基板の基板情報とを紐付けて記憶する、請求項１３に記載のトレースデータの取得方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】部品実装装置およびトレースデータの取得方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板に部品を実装する部品実装装置および部品実装装置を含む部品実装システムにおいて生産履歴データを取得するトレースデータの取得方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで本発明は、バーコードなどの識別情報を手動で読み取ることなく、生産履歴データを取得することができる部品実装装置およびトレースデータの取得方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の部品実装装置は、部品の表面に印字された部品情報の文字を撮像して前記部品情報を認識する部品情報認識部と、前記部品情報認識部によって認識された部品情報をデータベースに出力するデータ出力部と、を備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のトレースデータの取得方法は、部品実装装置を含む部品実装システムにおいて、生産履歴データを取得するトレースデータの取得方法であって、部品の表面に印加された部品情報の文字を撮像し、前記部品情報を認識する部品情報認識工程と、前記部品情報認識工程において認識された前記部品情報をデータベースに出力するデータ出力工程と、を含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
本発明の部品実装装置およびトレースデータの取得方法は、バーコードなどの識別情報を手動で読み取ることなく、生産履歴データを取得することができるという効果を有し、部品を基板に実装して実装基板を製造する分野において有用である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月22日(2021.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技が実行されている状況において所定の表示を行う所定の表示手段と、
遊技者の有利度に対応する設定値を設定する設定手段と、
前記設定値に関する所定の設定関連処理が実行されている状況において、当該所定の設定関連処理が実行されていることの報知が前記所定の表示手段を利用して行われるようにする実行報知制御手段と、
を備えていることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決すべく請求項１記載の発明は、遊技が実行されている状況において所定の表示を行う所定の表示手段と、
遊技者の有利度に対応する設定値を設定する設定手段と、
前記設定値に関する所定の設定関連処理が実行されている状況において、当該所定の設定関連処理が実行されていることの報知が前記所定の表示手段を利用して行われるようにする実行報知制御手段と、
を備えていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月19日(2020.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロック信号に基づいてデータを生成するデータ生成回路と、
前記データ生成回路に前記クロック信号を供給するクロック生成回路と、
前記データ生成回路から出力される前記データのデューティサイクル歪みを検出し、前記検出の結果に基づいて、前記クロック信号のデューティ比を制御するデューティ比制御回路と
を有する送信回路。
【請求項２】
前記デューティ比制御回路は、前記クロック信号を出力するインバータを有し、前記検出の結果に基づいて、前記インバータの入力コモン電圧を制御する請求項１に記載の送信回路。
【請求項３】
前記デューティ比制御回路は、前記検出の結果に基づいて、前記クロック信号の立ち上がり速度と立ち下がり速度を制御する請求項１に記載の送信回路。
【請求項４】
前記デューティ比制御回路は、
ｐチャネル電界効果トランジスタと、
ドレインが前記ｐチャネル電界効果トランジスタのドレインに接続されるｎチャネル電界効果トランジスタと、
前記ｐチャネル電界効果トランジスタのゲートと前記クロック生成回路との間に接続される第１のキャパシタと、
前記ｎチャネル電界効果トランジスタのゲートと前記クロック生成回路との間に接続される第２のキャパシタと、
前記検出の結果に基づいて、前記ｐチャネル電界効果トランジスタのゲートと前記ｎチャネル電界効果トランジスタのゲートに印加する電圧を制御する制御回路と
を有する請求項１に記載の送信回路。
【請求項５】
前記デューティ比制御回路は、
ゲートが前記クロック生成回路に接続されるｐチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記クロック生成回路に接続され、ドレインが前記ｐチャネル電界効果トランジスタのドレインに接続されるｎチャネル電界効果トランジスタと、
前記ｐチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第１の抵抗と、
前記ｎチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第２の抵抗とを有し、
前記第１の抵抗の値と前記第２の抵抗の値は、前記比較の結果に基づいて制御される請求項１に記載の送信回路。
【請求項６】
前記デューティ比制御回路は、前記データ生成回路がハイレベルとローレベルのデータを交互に出力するとき、前記データ生成回路の出力信号をローパスフィルタリングした信号と閾値とを比較する比較回路を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の送信回路。
【請求項７】
前記デューティ比制御回路は、前記送信回路の出力端子の出力データのデューティサイクル歪みを検出する請求項１〜６のいずれか１項に記載の送信回路。
【請求項８】
前記デューティ比制御回路は、前記送信回路の最終段のバッファの入力データのデューティサイクル歪みを検出する請求項１〜６のいずれか１項に記載の送信回路。
【請求項９】
内部データを生成する処理回路と、
前記内部データを入力する送信回路とを有し、
前記送信回路は、
クロック信号に基づいてデータを生成するデータ生成回路と、
前記データ生成回路に前記クロック信号を供給するクロック生成回路と、
前記データ生成回路から出力される前記データのデューティサイクル歪みを検出し、前記検出の結果に基づいて、前記クロック信号のデューティ比を制御するデューティ比制御回路と
を有する集積回路。
【請求項１０】
前記デューティ比制御回路は、前記クロック信号を出力するインバータを有し、前記検出の結果に基づいて、前記インバータの入力コモン電圧を制御する請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
前記デューティ比制御回路は、前記検出の結果に基づいて、前記クロック信号の立ち上がり速度と立ち下がり速度を制御する請求項９に記載の集積回路。
【請求項１２】
前記デューティ比制御回路は、
ｐチャネル電界効果トランジスタと、
ドレインが前記ｐチャネル電界効果トランジスタのドレインに接続されるｎチャネル電界効果トランジスタと、
前記ｐチャネル電界効果トランジスタのゲートと前記クロック生成回路との間に接続される第１のキャパシタと、
前記ｎチャネル電界効果トランジスタのゲートと前記クロック生成回路との間に接続される第２のキャパシタと、
前記検出の結果に基づいて、前記ｐチャネル電界効果トランジスタのゲートと前記ｎチャネル電界効果トランジスタのゲートに印加する電圧を制御する制御回路と
を有する請求項９に記載の集積回路。
【請求項１３】
前記デューティ比制御回路は、
ゲートが前記クロック生成回路に接続されるｐチャネル電界効果トランジスタと、
ゲートが前記クロック生成回路に接続され、ドレインが前記ｐチャネル電界効果トランジスタのドレインに接続されるｎチャネル電界効果トランジスタと、
前記ｐチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第１の抵抗と、
前記ｎチャネル電界効果トランジスタのソースに接続される第２の抵抗とを有し、
前記第１の抵抗の値と前記第２の抵抗の値は、前記比較の結果に基づいて制御される請求項９に記載の集積回路。
【請求項１４】
前記デューティ比制御回路は、前記データ生成回路がハイレベルとローレベルのデータを交互に出力するとき、前記データ生成回路の出力信号をローパスフィルタリングした信号と閾値とを比較する比較回路を有する請求項９〜１３のいずれか１項に記載の集積回路。
【請求項１５】
前記デューティ比制御回路は、前記送信回路の最終段のバッファの入力データのデューティサイクル歪みを検出する請求項９〜１４のいずれか１項に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月25日(2020.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、前記制御部は、前記撮像画像に撮像された複数の前記投射対象の各々について、撮像された部位と、前記撮像画像における前記部位の撮像位置とを特定し、特定した前記部位と、前記撮像位置とに基づいて、光を投射する投射範囲と、当該投射範囲に投射する光の波長帯とを決定し、決定した波長帯の光を投射する前記投射装置に、決定した前記投射範囲を通知する。
この構成によれば、投射対象の部位を特定して、特定した部位に応じた波長帯の光を投射する投射装置により投射させることができる。従って、投射装置が投射する光により、投射対象の機能を制御することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【図１】第１実施形態の投射装置の構成を示すブロック図。
【図２】光分離部の構成を示す構成図。
【図３】投射装置の動作を示すフローチャート。
【図４】植物に光を投射した状態を示す図。
【図５】植物に光を投射した状態を示す図。
【図６】第２実施形態の投射装置の構成を示すブロック図。
【図７】植物に光を投射した状態を示す図。
【図８】植物に光を投射した状態を示す図。
【図９】第３実施形態の投射システムの構成を示すブロック図。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月14日(2021.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記第２の弾性部材は、前記第１の転がり軸受の外輪の外周円柱面と前記外周円柱面に対面する前記ケーシングの対面部との間に注入した液体ガスケットを硬化させた弾性部材である、ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のトルク検出付きギアモータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項４に記載のトルク検出付きギアモータ、上記目的を達成するために、第２の弾性部材は、第１の転がり軸受の外輪の外周円柱面と当該外周円柱面に対面するケーシングの対面部との間に注入した液体ガスケットを硬化させた弾性部材である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月6日(2021.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
培養槽における酸素移動速度を計算するためのシミュレータであって、
溶存酸素濃度に基づいて、酸素摂取速度を計算する手段と、
飽和溶存酸素濃度と溶存酸素濃度と酸素移動容量係数に基づいて、酸素移動速度を計算する手段と、
通気量と酸素移動速度と酸素摂取速度と二酸化炭素生成速度と水蒸気圧に基づいて、反応槽内の気相の酸素濃度を計算する手段と、
反応槽内の気相の酸素分圧に基づいて、飽和溶存酸素濃度計算する手段と、
酸素移動速度と酸素摂取速度との間で定常状態を確立するために、酸素移動速度を計算する手段と酸素摂取速度を計算する手段との間でデータを調整する調整手段と、
を備えたことを特徴とするシミュレータ。
【請求項２】
少なくとも酸素移動速度が収束したことを判定する手段を更に備えたことを特徴とする、請求項１に記載のシミュレータ。
【請求項３】
前記調整手段で定常状態仮定になるように調整された後の溶存酸素濃度を計算する手段を更に備えたことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のシミュレータ。
【請求項４】
前記シミュレータは、攪拌装置とセンサとを含む培養層と接続可能であるように構成されており、
前記攪拌装置の翼先端速度と、酸素移動速度との関係に基づいて、等高線マップを生成することを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のシミュレータ。
【請求項５】
培養槽における酸素移動速度を計算するためのプログラムであって、
溶存濃度に基づいて、酸素摂取速度を計算する手段と、
飽和溶存酸素濃度と溶存酸素濃度と酸素移動容量係数に基づいて、酸素移動速度を計算する手段と、
通気量と酸素移動速度と酸素摂取速度と二酸化炭素生成速度と水蒸気圧に基づいて、反応槽内の気相の酸素濃度を計算する手段と、
反応槽内の気相の酸素分圧に基づいて、飽和溶存酸素濃度計算する手段と、
酸素移動速度と酸素摂取速度との間で定常状態を確立するために、酸素移動速度を計算する手段と酸素摂取速度を計算する手段との間でデータを調整する調整手段と、
としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項６】
培養槽における酸素移動速度を計算するための方法であって、
溶存酸素濃度に基づいて、酸素摂取速度を計算するステップと、
飽和溶存酸素濃度と溶存酸素濃度と酸素移動容量係数に基づいて、酸素移動速度を計算するステップと、
通気量と酸素移動速度と酸素摂取速度と二酸化炭素生成速度と水蒸気圧に基づいて、反応槽内の気相の酸素濃度を計算するステップと、
反応槽内の気相の酸素分圧に基づいて、飽和溶存酸素濃度計算するステップと、
酸素移動速度と酸素摂取速度との間で定常状態を確立するために、酸素移動速度を計算するステップと酸素摂取速度を計算するステップとの間でデータを調整するステップと、
を備えたことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月30日(2020.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置であって、
内部電極を有する発光体と、
第一部分及び第二部分を有する導電層と、
反射層とを含み、
前記第一部分は前記内部電極の上に形成され、かつ前記発光体と第一方向において重なり、前記第二部分は前記発光体と第二方向において重なり、前記第一方向と前記第二方向が垂直であり、
前記反射層は、前記発光体と前記第二方向において重なり、かつ、その最外表面において前記第二部分と同一平面になる、発光装置。
【請求項２】
前記発光体の上に形成された波長変換層をさらに含む、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記反射層が前記波長変換層を囲み、前記内部電極と反対側において、前記波長変換層が前記反射層の外に露出される、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光装置は側表面を有し、前記側表面の一部が前記導電層によって構成される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記導電層は、前記発光体から離れて前記第二方向に沿って延伸する突出部を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記導電層は第三方向において前記発光体と重ならず、前記第三方向が前記第一方向と前記第二方向に対し垂直である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記反射層は前記導電層を被覆し、かつ前記第三方向において一部の前記導電層を露出させる、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記導電層は、前記第一方向と前記第二方向において前記反射層から外部環境に露出しない、請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記導電層は外部環境に露出する両面を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
バックライトモジュールであって、
回路板と、
請求項１に記載の発光装置とを含み、
前記発光装置が前記回路板の上に設置される、バックライトモジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月2日(2019.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッセージを、メッセージ中継手段を常に提供しない第４無線ノードに送信する手段と、前記第４無線ノードが属する特定の無線メッシュネットワークに属する手段と、マスター／スレーブ方式の無線接続手段と、を有する第１無線ノードと、
前記無線メッシュネットワークに属する手段と、前記無線接続手段と、前記無線接続手段で、前記無線メッシュネットワークに未対応である第５無線ノードを接続する手段と、を有する第２無線ノードと、
前記無線メッシュネットワークに属する手段と、前記無線接続手段と、を有する第３無線ノードと、により前記無線メッシュネットワークの目を形成することを特徴とするシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムに用いる前記目の形成手段を備えることを特徴とする集積回路。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムに用いる前記目の形成手段を備えることを特徴とする無線モジュール。
【請求項４】
プロセッサを、
請求項１に記載のシステムに用いる前記目の形成手段として機能させるための制御プログラム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムに用いる前記第１ないし第４無線ノードの何れか１つを構成することを特徴とする無線デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため本発明のシステムは、メッセージを、メッセージ中継手段を常に提供しない第４無線ノードに送信する手段と、前記第４無線ノードが属する特定の無線メッシュネットワークに属する手段と、マスター／スレーブ方式の無線接続手段と、を有する第１無線ノードと、前記無線メッシュネットワークに属する手段と、前記無線接続手段と、前記無線接続手段で、前記無線メッシュネットワークに未対応である第５無線ノードを接続する手段と、を有する第２無線ノードと、前記無線メッシュネットワークに属する手段と、前記無線接続手段と、を有する第３無線ノードと、により前記無線メッシュネットワークの目を形成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところで、従来の技術は、第４無線ノードが属する特定の無線メッシュネットワークに未対応である第５無線ノードを、当該無線メッシュネットワークに属する第２無線ノードに接続させることができないと言った問題があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、第４無線ノードが属する特定の無線メッシュネットワークに未対応である第５無線ノードを、当該無線メッシュネットワークに属する第２無線ノードに接続させることができるシステムを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、システムは、第４無線ノードが属する特定の無線メッシュネットワークに未対応である第５無線ノードを、当該無線メッシュネットワークに属する第２無線ノードに接続させることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月26日(2020.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】弾性表面波フィルタ、ラダー型弾性表面波フィルタ、及びアンテナデュプレクサ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタであって、
第１構造層、少なくとも一つのスペーサ、及び前記第１構造層よりも音速が低い第２構造層を含む支持基板と、
前記支持基板に配置かつ機械的に支持される圧電基板であって、第１厚さを有する第１領域、及び前記第１厚さとは異なる第２厚さを有する第２領域を含む圧電基板と、
前記圧電基板に配置された複数のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と
を含み、
前記少なくとも一つのスペーサは、前記第２構造層を前記第１構造層から離間させて前記第１構造層と前記第２構造層との間に位置決めされたエアギャップ層を形成するように構成され、
前記エアギャップ層は、前記第２構造層内の少なくとも一つの弾性波を反射させるように構成され、
前記第２構造層は、前記第１構造層と前記圧電基板との間に介在され、
前記複数のＩＤＴ電極の第１ＩＤＴ電極が前記圧電基板の第１領域に配置され、
前記複数のＩＤＴ電極の第２ＩＤＴ電極が前記圧電基板の第２領域に配置され、
前記第１ＩＤＴ電極は第１ピッチを有する第１ＩＤＴ電極指を含み、
前記第２ＩＤＴ電極は、前記第１ピッチとは異なる第２ピッチを有する第２ＩＤＴ電極指を含む、ＳＡＷフィルタ。
【請求項２】
前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きく、前記第１厚さは前記第２厚さよりも大きい、請求項１のＳＡＷフィルタ。
【請求項３】
前記圧電基板は、前記支持基板に当接する第１表面、及び第２表面を有し、
前記第２表面は、前記第１領域において前記第１表面の上に第１高さで、及び前記第２領域において前記第１表面の上に第２高さで配置され、
前記第１高さは前記第１厚さによって画定され、
前記第２高さは前記第２厚さによって画定される、請求項１のＳＡＷフィルタ。
【請求項４】
前記圧電基板は、
第１平坦面と、
前記支持基板に当接する第２表面であって、前記第１領域において前記第１平坦面から離れた第１距離に配置され、かつ、前記第２領域において前記第１平坦面から離れた第２距離に配置された第２表面と
を有し、
前記第１距離は前記第１厚さによって画定され、
前記第２距離は前記第２厚さによって画定される、請求項１のＳＡＷフィルタ。
【請求項５】
前記第１構造層は、シリコン、サファイア又はダイヤモンドの一つから作られ、
前記第２構造層は二酸化ケイ素から作られる、請求項１のＳＡＷフィルタ。
【請求項６】
前記圧電基板に配置されたカバー層をさらに含む、請求項１のＳＡＷフィルタ。
【請求項７】
前記カバー層は、前記第１構造層よりも音速が低い、請求項６のＳＡＷフィルタ。
【請求項８】
前記カバー層は二酸化ケイ素から作られる、請求項７のＳＡＷフィルタ。
【請求項９】
前記カバー層は、シリコン、サファイア及びダイヤモンドの一つから作られる第２構造層を含む、請求項６のＳＡＷフィルタ。
【請求項１０】
ラダー型弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタであって、
第１構造層、少なくとも一つのスペーサ、及び前記第１構造層よりも音速が低い第２構造層を含む支持基板と、
前記支持基板に配置かつ機械的に支持される圧電基板であって、第１厚さを有する第１領域、及び前記第１厚さとは異なる第２厚さを有する第２領域を含む圧電基板と、
前記ラダー型ＳＡＷフィルタの入力部と前記ラダー型ＳＡＷフィルタの出力部とを結ぶ信号経路に沿って互いに直列接続された複数の直列腕共振器であって、前記圧電基板の第１領域に配置された複数の直列腕共振器と、
前記信号経路とグランドとの間に接続された複数の並列腕共振器であって、前記圧電基板の第２領域に配置された複数の並列腕共振器と
を含み、
前記少なくとも一つのスペーサは、前記第２構造層を前記第１構造層から離間させて前記第１構造層と前記第２構造層との間に位置決めされたエアギャップ層を形成するように構成され、
前記エアギャップ層は、前記第２構造層内の少なくとも一つの弾性波を反射させるように構成され、
前記第２構造層は、前記第１構造層と前記圧電基板との間に介在される、ラダー型ＳＡＷフィルタ。
【請求項１１】
前記複数の並列腕共振器の少なくとも一つの並列腕共振器が、第１ピッチで配列された第１ＩＤＴ電極指を有する第１インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含み、
前記複数の直列腕共振器の少なくとも一つの直列腕共振器が、前記第１ピッチとは異なる第２ピッチで配列された第２ＩＤＴ電極指を有する第２ＩＤＴ電極を含む、請求項１０のラダー型ＳＡＷフィルタ。
【請求項１２】
前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きく、
前記第１厚さは前記第２厚さよりも大きい、請求項１１のラダー型ＳＡＷフィルタ。
【請求項１３】
アンテナデュプレクサであって、
入力接触部、出力接触部及び共通接触部と、
第１構造層、少なくとも一つのスペーサ、及び前記第１構造層よりも音速が低い第２構造層を含む支持基板と、
前記支持基板に配置かつ機械的に支持される圧電基板であって、第１厚さを有する第１領域、及び前記第１厚さとは異なる第２厚さを有する第２領域を含む圧電基板と、
前記入力接触部と前記共通接触部との間に接続された送信フィルタであって、前記圧電基板の第１領域に配置された第１インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を有する少なくとも一つの送信共振器を含む送信フィルタと、
前記共通接触部と前記出力接触部との間に接続された受信フィルタであって、前記圧電基板の第２領域に配置された第２ＩＤＴ電極を有する少なくとも一つの受信共振器を含む受信フィルタと
を含み、
前記少なくとも一つのスペーサは、前記第２構造層を前記第１構造層から離間させて前記第１構造層と前記第２構造層との間に位置決めされたエアギャップ層を形成するように構成され、
前記エアギャップ層は、前記第２構造層内の少なくとも一つの弾性波を反射させるように構成され、
前記第２構造層は、前記第１構造層と前記圧電基板との間に介在される、アンテナデュプレクサ。
【請求項１４】
前記第１厚さは前記第２厚さよりも小さく、
前記第１ＩＤＴ電極は第１電極指ピッチを有し、
前記第２ＩＤＴ電極は、前記第１電極指ピッチよりも大きい第２電極指ピッチを有する、請求項１３のアンテナデュプレクサ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月17日(2021.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長帯の第１の光を射出する第１レーザー光源部と、
第２の波長帯の第２の光を射出する第２レーザー光源部と、
前記第１の光および前記第２の光と異なる偏光方向を持つ第３の波長帯の第３の光を射出する第３レーザー光源部と、
前記第１の光、前記第２の光、および前記第３の光を合成して合成光を生成する光合成素子と、
前記光合成素子の後段に設けられ、前記合成光のうちの前記第３の波長帯の光の位相を変化させる所定帯域位相差板と、
を備え、
前記所定帯域位相差板の後段において、前記合成光に含まれる光の偏光方向が揃っている照明装置。
【請求項２】
請求項１に記載の照明装置であって、
前記所定帯域位相差板の後段に設けられた拡散素子をさらに備える照明装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の照明装置であって、
前記所定帯域位相差板は１／２波長板である照明装置。
【請求項４】
第１の波長帯の第１の光を射出する第１レーザー光源部と、第２の波長帯の第２の光を射出する第２レーザー光源部と、前記第１の光および前記第２の光と異なる偏光方向を持つ第３の波長帯の第３の光を射出する第３レーザー光源部と、を備え、前記第１の光と前記第２の光と前記第３の光とを含む光を射出する光源装置と、
前記光源装置から射出された前記光を、前記第３の光と、前記第１の光および前記第２の光と、に分離する光合成分離素子と、
前記光合成分離素子で分離した前記第３の光が入射する第１の拡散素子と、
前記第１の拡散素子と前記光合成分離素子との間に設けられる第１の位相差板と、
前記光合成分離素子で分離した前記第１の光および前記第２の光がそれぞれ入射する第２の拡散素子と、
前記第２の拡散素子と前記光合成分離素子との間に設けられる第２の位相差板と、
前記光合成分離素子の後段に設けられる所定帯域位相差板と、
を備え、
前記光合成分離素子は、前記第１の拡散素子による前記第３の光における拡散光と、前記第２の拡散素子による前記第１の光および前記第２の光における拡散光と、を合成して合成拡散光を生成し、
前記所定帯域位相差板は、前記合成拡散光のうちの前記第３の波長帯の光の位相を変化させ、
前記所定帯域位相差板の後段において、前記合成拡散光に含まれる光の偏光方向が揃っている照明装置。
【請求項５】
請求項４に記載の照明装置であって、
前記第１の光、前記第２の光、および前記第３の光は、第１方向に射出され、
前記第１レーザー光源部は複数の第１レーザー素子で構成され、前記第２レーザー光源部は複数の第２レーザー素子で構成され、前記第３レーザー光源部は少なくとも一つの第３レーザー素子で構成されており、
前記第１レーザー素子の個数は、前記第３レーザー素子の個数よりも多く、
前記第１レーザー素子は、前記第３レーザー素子を囲むように、前記第３の光の中心軸の周りに回転対称に設けられ、
前記第２レーザー素子の個数は、前記第３レーザー素子の個数よりも多く、
前記第２レーザー素子は、前記第３レーザー素子を囲むように、前記第３の光の前記中心軸の周りに回転対称に設けられている照明装置。
【請求項６】
請求項５に記載の照明装置であって、
前記第１の光は赤色であり、
前記第２の光は緑色であり、
前記第３の光は青色であり、
前記光源部は、３個の前記第１レーザー素子と、３個の前記第２レーザー素子と、１個の前記第３レーザー素子と、を備える照明装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の照明装置であって、
前記第１の拡散素子における前記第３の光の拡散角度は、前記第２の拡散素子における前記第１の光および前記第２の光の拡散角度よりも大きい照明装置。
【請求項８】
請求項４から７のいずれか一項に記載の照明装置であって、
前記所定帯域位相差板は１／２波長板であり、
前記第１の位相差板および前記第２の位相差板は１／４波長板である照明装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の照明装置と、
前記照明装置からの光を変調する光変調装置と、
前記光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、
を備えるプロジェクター。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月26日(2021.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
コネクタ嵌合部６１は、第１及び第２バスバー５１Ａ，５２Ａの先端部（即ち接続端部５１ｆ，５２ｆ）に一体成形されている。コネクタ嵌合部６１は、当該コネクタ嵌合部６１を第１及び第２バスバー５１Ａ，５２Ａに対して固定するコネクタ固定部６２と、コネクタ固定部６２から第１及び第２バスバー５１Ａ，５２Ａの先端側に延びる嵌入部６３とを有する。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月13日(2021.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ基板の上面に上部基板を貼り付けることと、
前記上部基板の上面に、第１開口と、前記第１開口につながり前記第１開口から離れるほど幅が小さくなる第２開口とを提供するマスクを形成することと、
前記第１開口と前記第２開口から露出した前記上部基板にサンドブラスト処理を施して、前記第１開口の直下では前記センサ基板を露出させ、前記第２開口の直下では前記上部基板に前記第１開口から離れるほど高さが高くなる斜面を形成することと、
露出した前記センサ基板に接する第１配線と、前記斜面に接し前記第１配線につながる第２配線とを形成することと、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２配線は、前記上部基板の上面に設けられた電極パッドとつながることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記斜面の傾斜は、前記サンドブラスト処理で前記第１開口の直下に形成された前記上部基板の側壁の傾斜より緩やかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
センサ基板の上面に上部基板を貼り付けることと、
サンド噴射ノズルを前記上部基板の上面に対して傾けた状態で、前記サンド噴射ノズルからサンドを噴射して前記上部基板を斜めに貫く貫通孔を形成することと、
前記貫通孔に露出した前記センサ基板に接する第１配線と、前記貫通孔の中で前記センサ基板と反対方向に対向した斜面に接し前記第１配線に接する第２配線と、を形成することと、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記貫通孔が形成されたことで前記上部基板に庇が提供されたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２配線は、前記上部基板の上面に設けられた電極パッドとつながることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記上部基板はガラスを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
センサ基板と、
前記センサ基板の上面に設けられ、斜面と側壁によって貫通孔が提供された上部基板と、
前記上部基板の上面に設けられた電極パッドと、
前記貫通孔から露出した前記センサ基板に接する第１配線と、
前記斜面に接し、前記第１配線と前記電極パッドをつなげる第２配線と、
前記センサ基板の下面に設けられた下部基板と、を備え、
前記斜面の傾斜は、前記側壁の傾斜より緩やかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記側壁は平面視でＣ字型に設けられたことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
センサ基板と、
前記センサ基板の上面に設けられた上部基板と、
前記上部基板を斜めに貫く貫通孔から露出した前記センサ基板に接する第１配線と、
前記上部基板の上面に設けられた電極パッドと、
前記貫通孔の中で前記センサ基板と反対方向に対向した斜面に接し、前記第１配線と前記電極パッドをつなげる第２配線と、
前記センサ基板の下面に設けられた下部基板と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記貫通孔が形成されたことで前記上部基板に庇が提供されたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
センサ基板と、
前記センサ基板の上面に設けられ、貫通孔が提供され、第１端が前記貫通孔につながり第２端が前記貫通孔につながる線状溝が提供された上部基板と、
前記上部基板の上面のうち前記線状溝で囲まれた部分に設けられた電極パッドと、
前記貫通孔から露出した前記センサ基板に接する第１配線と、
前記線状溝で囲まれた部分に設けられ、前記第１配線と前記電極パッドをつなげる第２配線と、
前記線状溝の中に形成された溝内配線と、
前記センサ基板の下面に設けられた下部基板と、を備え、
前記溝内配線は前記線状溝の側面で切れ目を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記上部基板は、ガラスを含むことを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図４は、マスクの開口幅と、サンドブラストによる孔の深さの関係を示す図である。サンドブラストによって形成された孔又はくぼみは、下面側で上面側より幅が小さくなる。いいかえればテーパ形状の孔又はくぼみが形成される。例えば、孔又はくぼみの最大幅はマスクの開口幅と概ね等しく、孔又はくぼみの下部では当該幅より小さい幅となる。