(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、該残余の加工用基板に分離基板を埋め戻して再び貫通孔を形成し、前記残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去した後に前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、前記残余の加工用基板からモジュール基板としての分離基板を固化した半田と一緒に取外してなるモジュール基板の製造方法。
【請求項２】
加工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、該残余の加工用基板に分離基板を埋め戻して再び貫通孔を形成し、前記残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去した後に前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、前記残余の加工用基板からモジュール基板としての分離基板を固化した半田と一緒に取外してなるモジュール基板の製造方法。
【請求項３】
前記加工用基板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去してなる請求項１または２に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項４】
前記粘着物質は前記端面電極に接触して前記分離基板の表面に設ける構成としてなる請求項１，２または３に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項５】
前記粘着物質は前記裏面電極に接触して前記分離基板の裏面に設ける構成としてなる請求項１，２または３に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項６】
前記粘着物質は前記貫通孔の開口近傍に位置して前記残余の加工用基板の表面または裏面に設ける構成としてなる請求項１，２または３に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項７】
前記固形半田は前記貫通孔を閉塞した状態で前記粘着物質に取付ける構成としてなる請求項１，２，３，４，５または６に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項８】
加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、該残余の加工用基板に分離基板を埋め戻して再び貫通孔を形成し、前記残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去した後に前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、前記残余の加工用基板からモジュール基板としての分離基板を固化した半田と一緒に取外してなるモジュール基板の製造方法。
【請求項９】
加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、該残余の加工用基板に分離基板を埋め戻して再び貫通孔を形成し、前記残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去した後に前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、前記残余の加工用基板からモジュール基板としての分離基板を固化した半田と一緒に取外してなるモジュール基板の製造方法。
【請求項１０】
前記加工用基板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去してなる請求項８または９に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項１１】
前記固形半田は、前記貫通孔を閉塞し、または前記貫通孔内に収容してなる請求項８，９または１０に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項１２】
加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を裏面電極および端面電極の一部と一緒に除去してスリット孔を設けることによって該スリット孔に囲まれ残余の端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分離してなるモジュール基板の製造方法。
【請求項１３】
加工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を裏面電極および端面電極の一部と一緒に除去してスリット孔を設けることによって該スリット孔に囲まれ残余の端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分離してなるモジュール基板の製造方法。
【請求項１４】
前記粘着物質は前記端面電極に接触して前記非分離基板の表面に設ける構成としてなる請求項１２または１３に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項１５】
前記粘着物質は前記裏面電極に接触して前記非分離基板の裏面に設ける構成としてなる請求項１２または１３に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項１６】
前記固形半田は端面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉塞した状態で前記粘着物質に取付ける構成としてなる請求項１２，１３，１４または１５に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項１７】
加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を裏面電極および端面電極の一部と一緒に除去してスリット孔を設けることによって該スリット孔に囲まれ残余の端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分離してなるモジュール基板の製造方法。
【請求項１８】
加工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を裏面電極および端面電極の一部と一緒に除去してスリット孔を設けることによって該スリット孔に囲まれ残余の端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分離してなるモジュール基板の製造方法。
【請求項１９】
前記固形半田は、前記端面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉塞し、または前記端面電極に対応した位置でスリット孔内に収容してなる請求項１７または１８に記載のモジュール基板の製造方法。
【請求項２０】
加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、切断後に残余の加工用基板側となる位置の裏面電極および端面電極を除去し、前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記加工用基板を加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後固化した半田を避けて前記貫通孔の位置で加工用基板を切断し、モジュール基板を分離してなるモジュール基板の製造方法。
【請求項２１】
加工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、切断後に残余の加工用基板側となる位置の裏面電極および端面電極を除去し、前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記加工用基板を加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後固化した半田を避けて前記貫通孔の位置で加工用基板を切断し、モジュール基板を分離してなるモジュール基板の製造方法。
【請求項２２】
前記粘着物質にはフラックス単体または粉末状の半田とフラックスとからなるクリーム半田を用い、前記固形半田にはろう付け用合金を球形状に固化した半田ボールを用いてなる請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，２０または２１に記載のモジュール基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半田付けによってマザーボードと電気的に接続するためのモジュール基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子回路の高密度化が進んでいるため、その組立時には、中間検査の重要性、実装の容易性等の観点から、電子回路の一部を予めモジュール基板上にサブアッセンブリ化した後に、このモジュール基板を半田付け等の手段によってマザーボード上に実装することがある（例えば、特開昭６３−２０４６９３号公報等）。
【０００３】
この種の従来技術によるモジュール基板は、例えば四角形状の薄板からなる絶縁性の基板を有し、この基板は、絶縁性樹脂材料と導体からなる配線パターンとを交互に積層することによって形成されている。
【０００４】
そして、基板上には、電子部品として例えばトランジスタ等の能動素子、または抵抗、コンデンサ等の受動素子が搭載され、これらの素子は配線パターンによって接続された電子回路を構成している。また、基板の外周縁を形成する端面には、この電子回路に対して外部回路であるマザーボード側から電力の供給や信号の入出力等を行うために端面電極等からなる端面スルーホールが複数個設けられている。
【０００５】
これにより、モジュール基板には、マザーボード側から入力される信号に対して、所定の信号処理機能をもつようにブロック化された電子回路が予め組立てられている。そして、実装時には、モジュール基板がマザーボード上に重ね合わせるように配置され、各端面電極がマザーボード側の電極パッドに半田付け等の手段を用いて接続され、マザーボード上に面実装状態で搭載される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術によるモジュール基板では、樹脂材料等からなる四角形状の絶縁性の基板を用い、この基板は絶縁性樹脂材料と配線パターンとを交互に積層することによって形成している。
【０００７】
しかし、基板の樹脂材料と配線パターンとでは熱膨張率が異なるため、例えば基板の加工時、端面電極の半田付けに伴う基板への加熱時等には、配線パターンの配置、密度の偏り等が原因となって基板の一部に反り等の変形が生じることがある。
【０００８】
このため、従来技術では、モジュール基板をマザーボード上に面実装するときに、反りによって基板がマザーボードから部分的に浮き上がることがあるため、一部の端面電極が接続不良となる虞れがあり、信頼性が低下するという問題がある。特に、近年はモジュール基板を可能な限り薄型化する傾向があり、その基板は僅かな加熱等でも反りが生じ易いため、モジュール基板をマザーボード上に安定して面実装するのが難しくなっている。
【０００９】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、モジュール基板に反りが生じるときであっても端面電極をマザーボートに接合することができるモジュール基板の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１の発明によるモジュール基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、該残余の加工用基板に分離基板を埋め戻して再び貫通孔を形成し、前記残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去した後に前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、前記残余の加工用基板からモジュール基板としての分離基板を固化した半田と一緒に取外すようにしたことにある。
【００１１】
このように構成することにより、加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成するときに、分離基板を残余の加工用基板に埋め戻すことによって分離基板と残余の加工用基板との間には貫通孔を再度形成することができる。これにより、端面電極に半田を固着する前に加工用基板から分離基板を分離することができる。
【００１２】
また、貫通孔の周囲に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質に固形半田を取付けるから、粘着物質によって固定半田を位置決めした状態で固定できる。さらに、分離基板と残余の加工用基板とを加熱したときには、粘着物質が触媒として作用するから、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融して貫通孔内に侵入する。このとき、貫通孔には端面電極が設けられているから、溶融した固形半田は端面電極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように移動する。
【００１３】
また、溶融した固形半田は、その表面張力によって略球形状となって端面電極と裏面電極とに付着するから、半田の一部が貫通孔から突出する。そして、加工用基板から予め分離してある分離基板を取外したときには、分離基板等がモジュール基板をなすと共に、モジュール基板の裏面側からマザーボードに向けて半田を突出させることができる。このため、突出した半田によってモジュール基板とマザーボードとの間の隙間を吸収し、モジュール基板の端面電極とマザーボードの電極パッドとを接続することができる。
さらに、貫通孔の周囲に粘着物質を設ける前に残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去したから、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができる。これにより、溶融した固形半田を冷却固化した後に、固化した半田と一緒に分離基板を容易に残余の加工用基板から取外すことができる。
【００１４】
この場合、請求項２の発明のように、加工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、該残余の加工用基板に分離基板を埋め戻して再び貫通孔を形成し、前記加工用基板の切断前または切断後には前記残余の加工用基板側の裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去し、前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、前記残余の加工用基板からモジュール基板としての分離基板を固化した半田と一緒に取外す構成としてもよい。
【００１５】
また、請求項３の発明は、前記加工用基板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去する構成としたことにある。
【００１６】
これにより、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶融した固形半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に残余の加工用基板から取外すことができる。
【００１７】
この場合、請求項４の発明のように、粘着物質を端面電極に接触して分離基板の表面に設ける構成としてもよい。
【００１８】
これにより、粘着物質に固形半田を取付けて分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は端面電極に接触しているから、溶融した固形半田は、端面電極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
【００１９】
また、請求項５の発明は、粘着物質を裏面電極に接触して分離基板の裏面に設ける構成としたことにある。
【００２０】
これにより、粘着物質に固形半田を取付けて分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は裏面電極に接触しているから、溶融した固形半田は裏面電極に付着すると共に、その一部が裏面電極を通じて端面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
【００２１】
また、請求項６の発明は、粘着物質を貫通孔の開口近傍に位置して残余の加工用基板の表面または裏面に設ける構成としたことにある。
【００２２】
これにより、粘着物質に固形半田を取付けて分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は貫通孔の開口近傍に位置しているから、溶融した固形半田は貫通孔の開口付近に拡がると共に貫通孔内に侵入する。そして、溶融した固形半田は、貫通孔内の端面電極に接触して付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
【００２３】
また、請求項７の発明は、固形半田を貫通孔を閉塞した状態で粘着物質に取付ける構成としたことにある。
【００２４】
これにより、加熱によって固形半田が溶融したときには、溶融した固形半田は貫通孔内に流れ込むから、貫通孔内の端面電極に確実に半田を付着させることができる。
【００２５】
さらに、請求項８の発明によるモジュール基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、該残余の加工用基板に分離基板を埋め戻して再び貫通孔を形成し、前記残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去した後に前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、前記残余の加工用基板からモジュール基板としての分離基板を固化した半田と一緒に取外すようにしたことにある。
【００２６】
これにより、端面電極に固形半田を取付けて分離基板等を加熱したときには、固形半田は端面電極に付着しつつ溶融する。このとき、溶融した固形半田は、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
また、端面電極に固形半田を取付ける前に残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去したから、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができる。これにより、溶融した固形半田を冷却固化した後に、固化した半田と一緒に分離基板を容易に残余の加工用基板から取外すことができる。
【００２７】
この場合、請求項９の発明のように、加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面の一部または全部には該裏面電極に接続して端面電極を設け、前記貫通孔を通って切断することにより加工用基板から前記端面電極と裏面電極とを有する分離基板と残余の加工用基板とを形成し、該残余の加工用基板に分離基板を埋め戻して再び貫通孔を形成し、前記残余の加工用基板側の裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去した後に前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、前記残余の加工用基板からモジュール基板としての分離基板を固化した半田と一緒に取外すようにしてもよい。
【００２８】
また、請求項１０の発明は、前記加工用基板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去する構成としたことにある。
【００２９】
これにより、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶融した固形半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に残余の加工用基板から取外すことができる。
【００３０】
また、請求項１１の発明では、固形半田は、前記貫通孔を閉塞し、または前記貫通孔内に収容する構成としている。
【００３１】
これにより、貫通孔によって固形半田を位置決めすることができると共に、固形半田を溶融させたときには、容易に貫通孔の内壁面に設けた端面電極に溶融した固形半田を付着させることができる。
【００３２】
一方、請求項１２によるモジュール基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を裏面電極および端面電極の一部と一緒に除去してスリット孔を設けることによって該スリット孔に囲まれ残余の端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分離する構成としたことにある。
【００３３】
このように構成することにより、加工用基板にスリット孔を設けることによって端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成することができる。そして、端面電極の周囲に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質に固形半田を取付けるから、粘着物質によって固定半田を端面電極に周囲に位置決めした状態で固定できる。また、非分離基板と残余の加工用基板とを加熱したときには、粘着物質が触媒として機能するから、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融して貫通孔内に侵入する。このとき、貫通孔内には端面電極が設けられているから、溶融した固形半田は端面電極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように移動する。また、溶融した固形半田は、その表面張力によって略球形状となって端面電極と裏面電極とに付着するから、半田の一部を貫通孔から突出させることができる。
さらに、加工用基板にスリット孔を設けるときには貫通孔の一部と一緒に裏面電極および端面電極の一部を除去するから、残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去することができる。これにより、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができるから、溶融した固形半田を冷却固化した後に、固化した半田と一緒に非分離基板を容易に残余の加工用基板から分離すことができる。
【００３４】
この場合、請求項１３の発明のように、加工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を裏面電極および端面電極の一部と一緒に除去してスリット孔を設けることによって該スリット孔に囲まれ残余の端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分離する構成としてもよい。
【００３５】
また、請求項１４の発明のように、粘着物質を端面電極に接触して非分離基板の表面に設ける構成としてもよい。
【００３６】
これにより、粘着物質に固形半田を取付けて非分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は端面電極に接触しているから、溶融した固形半田は、端面電極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
【００３７】
また、請求項１５の発明は、粘着物質を裏面電極に接触して非分離基板の裏面に設ける構成としたことがある。
【００３８】
これにより、粘着物質に固形半田を取付けて非分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融する。このとき、粘着物質は裏面電極に接触しているから、溶融した固形半田は裏面電極に付着すると共に、その一部が裏面電極を通じて端面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
【００３９】
また、請求項１６の発明は、固形半田は端面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉塞した状態で粘着物質に取付ける構成としたことにある。
【００４０】
これにより、加熱によって固形半田が溶融したときには、溶融した固形半田は端面電極に対応した位置でスリット孔内に侵入するから、スリット孔内に露出した端面電極に確実に溶融した固形半田を付着させることができる。
【００４１】
さらに、請求項１７の発明によるモジュール基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を裏面電極および端面電極の一部と一緒に除去してスリット孔を設けることによって該スリット孔に囲まれ残余の端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分離する構成としたことにある。
【００４２】
これにより、粘着物質に固形半田を取付けて非分離基板等を加熱したときには、固形半田は端面電極に付着しつつ溶融する。このとき、溶融した固形半田は、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
また、加工用基板にスリット孔を設けるときには貫通孔の一部と一緒に裏面電極および端面電極の一部を除去するから、残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去することができる。これにより、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができるから、溶融した固形半田を冷却固化した後に、固化した半田と一緒に非分離基板を容易に残余の加工用基板から分離すことができる。
【００４３】
この場合、請求項１８の発明のように、加工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、該貫通孔の内壁面には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、前記加工用基板には前記貫通孔の一部を裏面電極および端面電極の一部と一緒に除去してスリット孔を設けることによって該スリット孔に囲まれ残余の端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、前記非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分離する構成としてもよい。
【００４４】
また、請求項１９の発明では、前記固形半田は、前記端面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉塞し、または前記端面電極に対応した位置でスリット孔内に収容する構成としている。
【００４５】
これにより、スリット孔よって固形半田を位置決めすることができると共に、固形半田を溶融させたときには、スリット孔内に露出した端面電極に容易に溶融した固形半田を付着させることができる。
【００４６】
また、請求項２０の発明によるモジュール基板の製造方法は、加工用基板に貫通孔を穿設し、該貫通孔の周囲に位置して前記加工用基板の裏面には裏面電極を設け、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、切断後に残余の加工用基板側となる位置の裏面電極および端面電極を除去した後に、前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記加工用基板を加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後固化した半田を避けて前記貫通孔の位置で加工用基板を切断し、モジュール基板を分離する構成としたことにある。
【００４７】
これにより、粘着物質に固形半田を取付けた状態で加工用基板とを加熱したときには、粘着物質が触媒として作用するから、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融して貫通孔内に侵入する。このとき、貫通孔には端面電極が設けられているから、溶融した固形半田は端面電極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように移動する。
【００４８】
また、溶融した固形半田は、その表面張力によって略球形状となって端面電極と裏面電極とに付着するから、半田の一部が貫通孔から突出する。このため、加工用基板を切断することによってモジュール基板を取出したときには、突出した半田によってモジュール基板とマザーボードとの間の隙間を吸収し、モジュール基板の端面電極とマザーボードの電極パッドとを接続することができる。
また、粘着物質を設ける前に切断後に残余の加工用基板側となる位置の裏面電極および貫通孔の内壁面に設けた端面電極を除去するから、溶融した固形半田が切断後にモジュール基板以外の残余の加工用基板となる位置に付着するのを防ぐことができる。このため、溶融した固形半田を冷却固化した後に、端面電極に付着した半田を切断することなく、モジュール基板を容易に残余の加工用基板から分離することができる。
【００４９】
この場合、請求項２１の発明のように、加工用基板の裏面に裏面電極を設け、前記加工用基板には該裏面電極の位置に貫通孔を穿設し、前記貫通孔の内壁面の一部または全部には前記裏面電極に接続して端面電極を設け、切断後に残余の加工用基板側となる位置の裏面電極および端面電極を除去した後に、前記貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、前記加工用基板を加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後固化した半田を避けて前記貫通孔の位置で加工用基板を切断し、モジュール基板を分離する構成としてもよい。
【００５２】
さらに、請求項２２の発明は、粘着物質にはフラックス単体または粉末状の半田とフラックスとからなるクリーム半田を用い、固形半田にはろう付け用合金を球形状に固化した半田ボールを用いる構成としたことにある。
【００５３】
これにより、フラックスまたはクリーム半田によって半田ボールの位置決めと溶融の促進を行うことができる。また、粘着物質にフラックスを用いたときには、溶融した半田ボールの体積（容量）を略一定に保つことができるから、半田が基板の裏面よりも突出する寸法を略一定にすることができる。一方、粘着物質にクリーム半田を用いたときには、半田ボールはクリーム半田と一緒に溶融するから、溶融した半田ボールをクリーム半田中の半田と共に端面電極と裏面電極とに固着することができる。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を図１ないし図５９に基づき詳細に説明する。
【００５５】
図１ないし図２２に基づいて本発明の第１の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について説明する。まず、図１ないし図４は、第１の実施の形態に係る製造方法によって製造されたモジュール基板を示している。
【００５６】
図において、１００は、略四角形状のモジュール基板で、該モジュール基板１００は、基板１０１、端面スルーホール１０３、半田１０８等によって構成されている。
【００５７】
１０１は例えば絶縁性樹脂材料と導体による配線パターン（図示せず）を交互に積層して形成した積層体からなる基板で、該基板１０１は、縦横の長さ寸法が例えば３０ｍｍ程度の略四角形状に形成されている。また、基板１０１は、その表面１０１Ａ中央側に半導体ＩＣ、能動部品、あるいは受動部品等の電子部品１０２が実装されている。そして、基板１０１は、裏面１０１Ｂ側に設けられる後述のマザーボード１０９に接合されるものである。また、基板１０１は、図１に示すようにその外周縁を形成する４辺の端面１０１Ｃを有し、該各端面１０１Ｃには後述する端面スルーホール１０３が形成されている。
【００５８】
１０３，１０３，…は基板１０１の外周縁を形成する４辺の端面１０１Ｃに設けられた端面スルーホールで、該各端面スルーホール１０３は、後述する端面開口溝１０４、端面電極１０５、裏面電極１０６によって構成されている。
【００５９】
１０４，１０４，…は基板１０１の端面１０１Ｃに開口して設けられた凹湾曲状の端面開口溝で、該各端面開口溝１０４は、基板１０１の厚さ方向に貫通して設けられ、基板１０１の表面１０１Ａと裏面１０１Ｂとに略半円形状の開口を形成している。
【００６０】
１０５，１０５，…は端面開口溝１０４の内壁面に設けられた端面電極で、該端面電極１０５は、端面開口溝１０４の内壁面を全面に亘って覆い、略円弧面状に形成されている。
【００６１】
１０６，１０６，…は端面開口溝１０４の周囲に位置して基板１０１の裏面１０１Ｂ側に設けられた裏面電極で、該各裏面電極１０６は、略四角形状をなし、端面電極１０５に接続されている。
【００６２】
１０７，１０７，…は端面電極１０５と電子部品１０２との間を接続する配線で、該配線１０７は、基板１０１の表面１０１Ａ側に設けられ端面開口溝１０４の周囲で円弧形状をなして端面電極１０５に接続されると共に、基板１０１の中央部側に向けて延びている。
【００６３】
なお、配線１０７は、後述の半田１０８が溶融したときに配線１０７に引付けられて基板１０１の表面１０１Ａ側に突出するのを防止するために、レジスト膜（図示せず）に覆うことが好ましい。また、配線１０７は必ずしも基板１０１の表面１０１Ａ側に設ける必要はなく、基板１０１に積層された配線パターンを通じて端面電極１０５に接続する構成としてもよい。
【００６４】
１０８，１０８，…は各端面開口溝１０４に収容されて固定された半田で、該半田１０８は、端面開口溝１０４内で端面電極１０５に固定され、略円柱形状となって基板１０１の厚さ方向に延びている。また、半田１０８は、図４に示すようにその一部が裏面電極１０６を覆い、基板１０１の裏面１０１Ｂよりも下方（マザーボード１０９側）に向けて突出寸法Ｌだけ突出した突出部１０８Ａとなっている。
【００６５】
第１の実施の形態によって製造されたモジュール基板は上述の如く構成されるものであり、次に第１の実施の形態に係るモジュール基板の製造方法を図５ないし図１９を参照しつつ説明する。なお、本実施の形態では図５に示すように１枚の加工用基板から２枚のモジュール基板を加工する場合を例に挙げている。
【００６６】
まず、図５に示す貫通孔加工工程では、例えば２枚のモジュール基板を製造するための加工用基板１を円形の金型によって打ち抜き、後述する端面電極５を設けるための予備的な貫通孔１Ｄを四角形の枠形状に沿って多数個穿設する。
【００６７】
次に、図６ないし図９に示す端面電極加工工程では、例えば加工用基板１の表面１Ａ、裏面１Ｂに予め設けられた銅薄膜（図示せず）をエッチング処理によって部分的に除去し、図６および図７に示すように加工用基板１の表面１Ａ側に貫通孔２の周囲まで延びる配線３を形成し、加工用基板１の裏面１Ｂ側に略四角形状の裏面電極４を形成する。ここで、裏面電極４は配線３のうち貫通孔１Ｄの周囲に位置する部位よりも大きな面積に形成されている。この状態で加工用基板１の貫通孔２に例えばメッキ処理等を施すことによって貫通孔１Ｄの内壁面全部に亘って端面電極５を形成する。
【００６８】
次に、図８および図９に示す端面電極除去工程として貫通孔１Ｄのうち後述の残余の加工用基板１Ｃ側となる外周側の一部を金型によって打ち抜き、長円形の貫通孔２を形成する。これにより、加工用基板１のうち多数の貫通孔２によって取囲まれた四角形状の部位は基板１０１となるから、端面電極５は貫通孔２のうちこの四角形状の部位側に形成されている。また、配線３、裏面電極４も貫通孔２によって取囲まれた四角形状の部位側に設けられ、端面電極５は、配線３、裏面電極４に接続されている。一方、残余の加工用基板１Ｃ側からは裏面電極４、端面電極５が除去されている。
【００６９】
次に、図１０ないし図１２に示すプッシュバック工程では、プッシュバック金型を用いて加工用基板１から貫通孔２に取囲まれモジュール基板の基板１０１に対応した分離基板６を切断して分離する。このとき、貫通孔２を通って加工用基板１から分離基板６を打ち抜くから、分離基板６には貫通孔２の一部が残存すると共に、この残存した貫通孔２は端面電極５によって覆われる。
【００７０】
そして、加工用基板１から分離基板６を分離した後には、分離基板６を略四角形状の開口が設けられた残余の加工用基板１Ｃに埋め戻す。これにより、分離基板６と残余の加工用基板１Ｃとの間には、再び貫通孔２が形成される。
【００７１】
次に、図１３に示す貫通孔閉塞工程では、半田が付着しにくいアルミニウム等の金属材料または耐熱性樹脂材料からなる平板状の閉塞板７に加工用基板１の表面１Ａが接触した状態（加工用基板１を裏返した状態）で載置する。
【００７２】
そして、図１４および図１５に示すクリーム半田塗布工程では、例えば酸化膜除去成分を含む粘着物質としてのクリーム半田８を貫通孔２の周囲に位置して分離基板６の裏面側に塗布する。ここで、クリーム半田８は粉末状の半田とフラックスとをペースト状に混練して形成されている。そして、クリーム半田８は例えば裏面電極４を全面に亘って覆う略半円弧形状をなしている。なお、クリーム半田８は裏面電極４に接触していればよく、必ずしも裏面電極４を全面に亘って覆う必要はない。また、酸化膜除去成分を含む粘着物質としては半田とフラックスとからなるクリーム半田８に代えてフラックスのみを用いてもよい。
【００７３】
次に、図１６に示す半田ボール取付工程では、吸引式のボールマウンタ９等を用いて固形半田としての半田ボール１０をクリーム半田８上に載置し、クリーム半田８に半田ボール１０を付着させる。ここで、半田ボール１０は半田をなすろう付け用合金をフラックスを含まない状態で球形状に固化することによって構成されている。そして、クリーム半田８は粘着性を有しているから、半田ボール１０は、クリーム半田８によって裏面電極４上に位置決めされた状態で固定される。
【００７４】
そして、図１７および図１８に示す加熱工程では、分離基板６、残余の加工用基板１Ｃ等を全体として加熱炉に挿入することによって加熱する。このとき、クリーム半田８が溶融すると共に、クリーム半田８に含まれたフラックスが触媒として作用するから、半田ボール１０はクリーム半田８と接触する部位から徐々に溶融する。そして、溶融した半田ボール１０は、クリーム半田８中の半田と共に裏面電極４に沿って拡がると共に、裏面電極４に接続された端面電極５に引き付けられて図１６中に矢示する如く貫通孔２内に流れ込み、裏面電極４と端面電極５とに付着する。
【００７５】
また、溶融した半田ボール１０は、その表面張力によって略球形状に変形する傾向があり、端面電極５に沿って貫通孔２内から加工用基板１の裏面１Ｂを越えて突出する。さらに、加工用基板１の裏面１Ｂには貫通孔２の周囲に裏面電極４が設けられているから、溶融した半田ボール１０は、この裏面電極４に引付けられて貫通孔２からの突出量が増加し、裏面電極４を覆う位置まで裏面１Ｂよりも突出する。
【００７６】
この状態で、加工用基板１の加熱を停止し、冷却することによって図１７に示すように端面電極５に半田１１が固定されると共に、該半田１１には加工用基板１の裏面１Ｂよりも後述のマザーボード１０９側に突出した突出部１１Ａが形成される。
【００７７】
なお、加熱工程では、分離基板６等を加熱炉によって加熱するものとしたが、例えば熱風を吹付けることによって加熱してもよく、加熱したプレート上に分離基板６、残余の加工用基板１Ｃ、閉塞板７等を載置することによって加熱してもよい。
【００７８】
また、裏面電極４、端面電極５に半田１１を固定するのと同時に、基板１の表面１Ａ側に電子部品１０２を半田付けするものとしてもよい。この場合、電子部品１０２を別個に取付けるのに比べて生産性を向上することができる。
【００７９】
最後に、図１９に示す分離基板取外し工程では、加工用基板１からプッシュバック工程によって予め分離した分離基板６を残余の加工用基板１Ｃから取外す。このとき、分離基板６は基板１０１となり、配線３は基板１０１の表面１０１Ａに設けられた配線１０７となり、裏面電極４は基板１０１の裏面１０１Ｂに設けられた裏面電極１０６となり、端面電極５は基板１０１の端面１０１Ｃ側に設けられた端面電極１０５となり、半田１１は端面電極１０５に固着された半田１０８となる。このため、基板１０１の端面電極１０５に半田１０８を固定した状態でモジュール基板１００が製造される。
【００８０】
第１の実施の形態によるモジュール基板の製造方法は上述の如く構成されるものであり、次に本実施の形態の製造方法によって製造されたモジュール基板をマザーボード上に接合する場合について説明する。
【００８１】
まず、モジュール基板１００をマザーボード１０９上に載置した状態で加熱する。このとき、基板１０１は絶縁性樹脂材料と配線パターンとが積層されているため、基板１０１に反りが生じ、図２０に示すように、例えば基板１０１の両端側がマザーボード１０９から浮き上がり、端面電極１０５とマザーボード１０９上の電極パッド１１０との間に隙間が生じることがある。
【００８２】
しかし、各端面電極１０５に固定した半田１０８には、基板１０１の裏面１０１Ｂよりも下方に突出した突出部１０８Ａを形成したから、この突出部１０８Ａによって端面電極１０５と電極パッド１１０との間の隙間を吸収することができる。
【００８３】
即ち、半田１０８と電極パッド１１０とを位置合わせした状態でモジュール基板１００をマザーボード１０９上に載置する。このとき、図２０に示すように基板１０１に反りが発生したときには、多数の半田１０８のうち例えば基板１０１の中央側の半田１０８は電極パッド１１０に接触し、基板１０１の両端側の半田１０８は電極パッド１１０から離間する。
【００８４】
この状態でモジュール基板１００とマザーボード１０９とを加熱すると、電極パッド１１０に予め塗布されたクリーム半田１１１が溶融する。このとき、基板１０１の中央側の半田１０８は溶融したクリーム半田１１１に接触するから、クリーム半田１１１からの熱が伝わって、中央側の半田１０８は、両端側の半田１０８よりも先に溶融する。これにより、基板１０１は、図２０中の矢示Ａ方向に向けて自重によって降下し、基板１０１の両端側に位置する半田１０８もマザーボード１０９の電極パッド１１０に接触する。
【００８５】
この結果、図２１および図２２に示すように基板１０１に反りが発生して端面電極１０５と電極パッド１１０との間の隙間が形成されるときであっても、基板１０１の裏面１０１Ｂからマザーボード１０９側に向けて突出した半田１０８によってこの隙間を吸収し、全ての端面電極１０５を電極パッド１１０に確実に接続することができる。これにより、端面電極１０５と電極パッド１１０との間にフィレット１１２を形成することができる。
【００８６】
かくして、第１の実施の形態に係る製造方法では、加工用基板１の貫通孔２の周囲にクリーム半田８を塗布し、該クリーム半田８に半田ボール１０を取付けた後、加工用基板１を加熱するから、半田ボール１０をクリーム半田８に接触する部位から溶融させることができ、溶融した半田ボール１０を貫通孔２内に流入させることができる。これにより、貫通孔２内に設けた端面電極５に溶融した半田ボール１０を付着させることができる。
【００８７】
また、クリーム半田８は裏面電極４に接触した状態で分離基板６の裏面側に塗布したから、クリーム半田８に取付けた半田ボール１０が加熱によって溶融したときには、溶融した半田ボール１０が裏面電極４に沿って拡がる。そして、裏面電極４は端面電極５に接続されているから、溶融した半田ボール１０を端面電極５に沿って貫通孔２内に導くことができ、裏面電極４と端面電極５とに確実に半田１１を固着することができる。
【００８８】
特に、本実施の形態では、フラックスを含まない固形状の半田ボール１０を溶融させることによって裏面電極４と端面電極５に半田１１を固着する。このとき、半田ボール１０はクリーム半田８と共に溶融するから、クリーム半田８中の半田は溶融した半田ボール１０に吸収され、フラックスの一部は蒸発する。
【００８９】
しかし、半田ボール１０の位置決めと溶融の促進を行うクリーム半田８は、半田ボール１０に比べてその容量が少なく、体積が小さくなっている。このため、半田ボール１０がクリーム半田８と共に溶融したときであっても、溶融した半田ボール１０の体積は略一定値に保持される。従って、溶融した半田ボール１０によって形成される半田１１（１０８）もその体積が一定値に保持されるから、端面電極５等に固着した半田１１（１０８）毎の突出寸法Ｌのばらつきを抑制し、略均一化することができる。この結果、全ての端面電極１０５をマザーボード１０９の電極パッド１１０に確実に接合することができ、信頼性、生産性を向上することができる。
【００９０】
また、本実施の形態では、フラックスを含まない半田ボール１０を用いると共に、クリーム半田８の体積を半田ボール１０に比べて小さくしたから、溶融した半田ボール１０を再度固化して形成される半田１１（１０８）はその表面にフラックスが付着することがない。このため、フラックスが絶縁膜として作用することがないから、検査工程等において半田１０８に検査用の端子を容易に電気的に接続することができ、検査工程等の時間を短縮でき、生産性を向上することができる。
【００９１】
また、加工用基板１を加熱する前に加工用基板１の表面１Ａ側に閉塞板７を設け、貫通孔２の一方の開口を閉塞したから、溶融した半田ボール１０が加工用基板１の表面１Ａよりも突出するのを防止できる。このため、閉塞板７を設けないときに比べて貫通孔２の一方の開口から突出する分の半田ボール１０を貫通孔２の他方の開口から加工用基板１の裏面１Ｂを越えて突出させることができ、半田１０８が基板１０１の裏面１０１Ｂ側に突出する突出寸法Ｌを大きくすることができる。
【００９２】
また、加工用基板１を切断する前に残余の加工用基板１Ｃ側の裏面電極４、端面電極５を除去する構成としたから、溶融した半田ボール１０が残余の加工用基板１Ｃに付着するのを防ぐことができる。このため、溶融した半田ボール１０が冷却固化した後には、分離基板６を残余の加工用基板１Ｃから容易に取外すことができる。
【００９３】
さらに、端面電極５等に溶融した半田ボール１０を固着する前に、加工用基板１から分離基板６を分離して該分離基板６を残余の加工用基板１Ｃに埋め戻す構成としたから、ダイヤモンドカッター等によって加工用基板１を切断する場合に比べて、モジュール基板１００の洗浄、乾燥等を省くことができる。このため、端面電極１０５に半田１０８を固定するときに、分離基板６に電子部品１０２を取付けたとしても、この電子部品１０２の特性が洗浄によって劣化することがなくなると共に、洗浄等に要する時間が不要となるから、モジュール基板１００の製造に必要な時間を短縮でき、生産性を向上することができる。
【００９４】
なお、本実施の形態では閉塞板７によって貫通孔２の一方の開口を閉塞した状態で半田ボール１０を加熱、溶融する構成としたが、必ずしも閉塞板７によって貫通孔２を閉塞する必要はなく、例えば貫通孔２の両方の開口を開放した状態で半田ボール１０を加熱、溶融してもよい。この場合でも裏面電極４に溶融した半田ボール１０が付着するから、半田１１を加工用基板１の裏面１Ｂ側に突出させることができる。
【００９５】
また、第１の実施の形態では貫通孔１Ｄを形成した後、裏面電極４等を形成するものとしたが、図２３および図２４に示す第１の実施の形態の変形例のように、貫通孔１Ｄを穿設する前に予め裏面電極４を形成し、該裏面電極４の位置に貫通孔１Ｄを形成する構成としてもよい。
【００９６】
次に、図２５および図２６に基づいて第２の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について説明する。然るに、第２の実施の形態の特徴は、治具を用いて半田ボールを位置決めし、クリーム半田に取付ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。また、貫通孔加工工程、端面電極加工工程、プッシュバック工程、貫通孔閉塞工程、クリーム半田塗布工程は、第１の実施の形態と同様であるため、これらの説明は省略する。
【００９７】
まず、図２５および図２６に示す半田ボール取付工程では、加工用基板１の裏面１Ｂ側に半田ボール１０を位置決めするための治具２１を取付ける。このとき、治具２１は樹脂材料等によって略平板状に形成されると共に、貫通孔２に対応した位置に半田ボール１０を収容可能な位置決め孔２１Ａが設けられている。また、位置決め孔２１Ａは貫通孔２のうち分離基板６側を開放し、残余の加工用基板１Ｃ側を閉塞する。そして、貫通孔２は、その一部が治具２１によって閉塞され、その開口面積は半田ボール１０が通過不可能となる程度の大きさに設定されている。
【００９８】
次に、図２６に示すように位置決め孔２１Ａに半田ボール１０を挿入する。このとき、貫通孔２の開口面積は半田ボール１０が通過不可能となる程度の大きさに設定されているから、半田ボール１０はその一部が貫通孔２に進入すると共に、貫通孔２を閉塞した状態で固定される。また、位置決め孔２１Ａは貫通孔２のうち分離基板６側に位置しているから、半田ボール１０は裏面電極４と端面電極５とが接続された角隅に接触すると共に、裏面電極４を覆うクリーム半田８に接触した状態で取付けられる。
【００９９】
そして、加熱工程では、この状態で加工用基板１、閉塞板７、治具２１等を加熱炉で加熱することによって、半田ボール１０は溶融し、裏面電極４と端面電極５とに固着する。その後、分離基板取外し工程によって加工用基板１からモジュール基板を取出す。
【０１００】
かくして、本実施の形態では、治具２１によって半田ボール１０をクリーム半田８に接触した状態で位置決めする構成としたから、例えば加熱工程における振動等によって半田ボール１０がクリーム半田８から剥離してしまうのを防止でき、半田ボール１０を確実にクリーム半田８に接触した状態で溶融させることができる。
【０１０１】
また、半田ボール１０はその一部が貫通孔２に挿入された状態で固定されるから、溶融した半田ボール１０を貫通孔２内に流入させることができる。さらに、半田ボール１０は半田ボール１０は裏面電極４と端面電極５とが接続された角隅に接触しているから、溶融した半田ボール１０を裏面電極４と端面電極５とに確実に固着することができる。
【０１０２】
なお、第２の実施の形態では半田ボール取付工程において位置決め孔２１Ａを有する治具２１を用いて貫通孔２の一部を閉塞する構成としたが、図２７および図２８に示す第２の実施の形態の変形例のように耐熱性を有するテープ２２を用いることによって貫通孔２の一部を閉塞する構成としてもよい。この場合、半田ボール取付工程では残余の加工用基板１Ｃの裏面１Ｂにテープ２２を貼付し、貫通孔２のうち残余の加工用基板１Ｃ側を部分的に閉塞する。その後、貫通孔２のうち開口している部位に半田ボール１０を載置し、貫通孔２を閉塞した状態で半田ボール１０を固定する。
【０１０３】
これにより、裏面電極４、端面電極５に溶融した半田ボール１０を固着した後に分離基板取外し工程によって分離基板６を取外すときに、テープ２２は残余の加工用基板１Ｃと一緒に分離基板６から取外すことができる。このため、分離基板取外し工程を簡略化し生産性を向上することができる。
【０１０４】
次に、図２９ないし図３１に基づいて第３の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について説明する。然るに、第３の実施の形態の特徴は、貫通孔をその内径寸法が半田ボールの外径寸法よりも小さい円形状に形成し、該貫通孔を閉塞した状態で半田ボールをクリーム半田に取付ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１０５】
まず、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板３１に貫通孔３２を穿設し、端面電極加工工程によって加工用基板３１の表面３１Ａに配線３を設け、裏面３１Ｂに裏面電極４を設け、貫通孔３２の内壁面に端面電極５を設ける。そして、プッシュバック工程によって、加工用基板３１から分離基板３３と残余の加工用基板３１Ｃとを分離した後、分離基板３３を残余の加工用基板３１Ｃに埋め戻す。このとき、貫通孔３２は、その内径寸法が半田ボール１０の外径寸法よりも小さい円形状に形成されている。そして、貫通孔閉塞工程によって加工用基板３１の表面３１Ａに閉塞板７を取付け、貫通孔２の一方の開口を閉塞する。
【０１０６】
次に、クリーム半田塗布工程では、図２９および図３０に示すように第１の実施の形態と同様に裏面電極４を覆ってクリーム半田８を分離基板３３の裏面側に塗布する。
【０１０７】
そして、半田ボール取付工程では、図３１に示すように加工用基板３１の貫通孔３２に半田ボール１０を載置し、貫通孔３２を閉塞した状態で半田ボール１０を固定する。これにより、半田ボール１０は裏面電極４と端面電極５とが接続された角隅に接触すると共に、裏面電極４を覆うクリーム半田８に接触した状態で取付けられる。
【０１０８】
その後、加熱工程では、この状態で加工用基板３１、閉塞板７等を加熱炉で加熱することによって、半田ボール１０は溶融し、裏面電極４と端面電極５とに固着する。最後に、分離基板取外し工程によって加工用基板３１からモジュール基板を取出す。
【０１０９】
かくして、本実施の形態では、貫通孔３２をその内径寸法が半田ボール１０の外径寸法よりも小さい円形状に形成し、該貫通孔３２を閉塞した状態で半田ボール１０をクリーム半田８に取付ける構成としたから、治具等の他の部材を用いることなく半田ボール１０を容易かつ確実に固定することができる。このため、第２の実施の形態のように治具を用いた場合に比べて半田ボール取付工程を簡略化し生産性を向上させることができる。また、本実施の形態では第２の実施の形態の変形例のようにテープを用いた場合に比べてテープを省くことができるから、製造コストを低減することができる。
【０１１０】
次に、図３２および図３３に基づいて第４の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について説明する。然るに、第４の実施の形態の特徴は、半田ボールを位置決めした治具の上側に加工用基板を載置し、裏面電極が加工用基板の下側に位置した状態で該裏面電極を覆って塗布したクリーム半田に半田ボールを接触させて取付ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。また、貫通孔加工工程、端面電極加工工程、プッシュバック工程は、第１の実施の形態と同様であるため、これらの説明は省略する。
【０１１１】
まず、本実施の形態では、プッシュバック工程の後にクリーム半田塗布工程を行い、第１の実施の形態と同様に裏面電極４を覆ってクリーム半田８を分離基板６の裏面側に塗布する。
【０１１２】
次に、図３２および図３３に示す半田ボール取付工程では、加工用基板１の裏面１Ｂ側が下側となった状態で半田ボール１０を位置決めするための治具４１の上側に加工用基板１を載置する。このとき、治具４１は樹脂材料等によって略平板状に形成されると共に、分離基板６の外周に沿って略四角形の枠状をなす溝４１Ａが設けられると共に、該溝４１Ａの底部には貫通孔２に対応した位置に半田ボール１０を固定可能な位置決め穴４１Ｂが設けられている。
【０１１３】
なお、治具４１はいわゆる振込み治具からなり、治具４１の位置決め穴４１Ｂに半田ボール１０を固定するときには、溝４１Ａに多数の半田ボール１０を収容した状態で治具４１を振動させ、位置決め穴４１Ｂに半田ボール１０を挿入するものである。
【０１１４】
また、位置決め穴４１Ｂの深さ寸法は、該位置決め穴４１Ｂに半田ボール１０を挿入した状態で半田ボール１０の一部が溝４１Ａから突出する値に設定されている。このため、治具４１の上側に加工用基板１を載置したときには、半田ボール１０が裏面電極４を覆うクリーム半田８に接触して取付けられ、治具４１と加工用基板１との間には僅かな隙間が形成される。
【０１１５】
そして、加熱工程では、この状態で加工用基板１、治具４１等を加熱炉で加熱することによって、半田ボール１０は溶融し、裏面電極４と端面電極５とに沿って図３３中の矢示方向に導かれ、突出部１１Ａを有する半田１１となって裏面電極４と端面電極５に固着する。その後、分離基板取外し工程によって加工用基板１からモジュール基板を取出す。
【０１１６】
かくして、本実施の形態では、裏面電極４が加工用基板１の下側に位置した状態で該裏面電極４を覆うクリーム半田８に半田ボール１０を取付ける構成としたから、半田ボール１０が溶融したときには該半田ボール１０に重力が作用する。このため、半田１１が加工用基板１の表面１Ａから突出するのを防ぐことができると共に、裏面電極４等に固着する半田１１の突出部１１Ａの突出寸法を大きくすることができる。
【０１１７】
次に、図３４ないし図３６に基づいて第５の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について説明する。然るに、第５の実施の形態の特徴は、残余の加工用基板の裏面側にクリーム半田を塗布し、該クリーム半田に半田ボールを取付ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。また、貫通孔加工工程、端面電極加工工程、プッシュバック工程、貫通孔閉塞工程は、第１の実施の形態と同様であるため、これらの説明は省略する。
【０１１８】
まず、図３５に示すクリーム半田塗布工程では、貫通孔２の略円弧状の開口近傍に位置して残余の加工用基板１Ｃの裏面にクリーム半田８を塗布する。その後、図３６に示す半田ボール取付工程では、残余の加工用基板１Ｃに塗布したクリーム半田８に半田ボール１０を載置し、半田ボール１０を固定する。
【０１１９】
次に、加熱工程では、この状態で加工用基板１、閉塞板７等を加熱炉で加熱する。これにより、半田ボール１０は溶融し、クリーム半田８に沿って貫通孔２の開口端周辺に拡がると共に、図３５中に矢示するように貫通孔２内に流れ込む。そして、溶融した半田ボール１０′は、図３６に示すように貫通孔２内で拡がり、端面電極５に接触する。このため、溶融した半田ボール１０′は、図３６中に矢示するように端面電極５に沿って上昇し、裏面電極４に達するから、裏面電極４、端面電極５に半田１１となって固着する。その後、分離基板取外し工程によって加工用基板１からモジュール基板を取出す。
【０１２０】
かくして、本実施の形態では、残余の加工用基板１Ｃにクリーム半田８を塗布し、該クリーム半田８に半田ボール１０を取付けるから、分離基板６にクリーム半田８を塗布する場合に比べて分離基板６側にクリーム半田８を塗布する面積を確保する必要がなくなり、端面電極５近傍に電子部品を搭載でき、モジュール基板の集積度を高めることができる。
【０１２１】
次に、図３７ないし図３９に基づいて第６の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について説明する。然るに、第６の実施の形態の特徴は、分離基板の表面側にクリーム半田を塗布し、該クリーム半田に半田ボールを取付ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。また、貫通孔加工工程、端面電極加工工程、プッシュバック工程は、第１の実施の形態と同様であるたこれらの説明は省略する。
【０１２２】
まず、本実施の形態では、図３７および図３８に示すプッシュバック工程の後にクリーム半田塗布工程を行い、貫通孔２の周囲に位置して分離基板６の表面側にクリーム半田８を塗布する。このとき、配線３は溶融した半田ボール１０が付着するのを防止するために予めレジスト膜５１によって覆っておく。また、クリーム半田８は貫通孔２の開口に沿って略半円弧形状に塗布され、その一部が分離基板６の厚さ方向に延びる端面電極５の端部に接触している。
【０１２３】
次に、図３９に示す半田ボール取付工程では、分離基板６の表面側に位置してクリーム半田８に半田ボール１０を載置し、半田ボール１０を固定する。このとき、半田ボール１０は加工用基板１の上側となるように配置する。
【０１２４】
そして、加熱工程では、この状態で加工用基板１等を加熱炉で加熱する。これにより、半田ボール１０は溶融し、クリーム半田８に沿って拡がると共に、分離基板６の表面側に位置する端面電極５の端部に接触する。このため、溶融した半田ボール１０は、図３９中に矢示するように端面電極５に沿って下降し、裏面電極４に達するから、裏面電極４、端面電極５に半田１１となって固着する。その後、分離基板取外し工程によって加工用基板１からモジュール基板を取出す。
【０１２５】
かくして、第６の実施の形態によるモジュール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【０１２６】
なお、第６の実施の形態では、分離基板６の表面側にクリーム半田８を塗布し、該クリーム半田８上に半田ボール１０を取付ける構成とした。しかし、例えば第３の実施の形態と同様に半田ボール１０の外径寸法よりも小さい内径寸法となった貫通孔３２を形成した場合には、図４０に示す第６の実施の形態の第１の変形例のように配線３をレジスト膜５１によって覆い、分離基板３３の表面側にクリーム半田８を塗布した後、半田ボール１０によって加工用基板３１の表面側から貫通孔３２を閉塞し、半田ボール１０をクリーム半田８に接触させた状態で取付けてもよい。
【０１２７】
また、図４１に示す第６の実施の形態の第２の変形例のように残余の加工用基板３１Ｃの表面にクリーム半田８を塗布し、該クリーム半田８上に半田ボール１０を取付ける構成としてもよい。
【０１２８】
次に、図４２および図４３に基づいて第７の実施の形態によるモジュール基板の製造方法について説明する。然るに、第７の実施の形態の特徴は、貫通孔をその内径寸法が半田ボールの外径寸法以上となる円形状に形成し、該貫通孔に半田ボールを収容する構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１２９】
まず、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板６１に貫通孔６２を穿設し、端面電極加工工程によって加工用基板６１の表面６１Ａに配線３を設け、裏面６１Ｂに裏面電極４を設け、貫通孔６２の内壁面に端面電極５を設ける。そして、プッシュバック工程によって、加工用基板６１から分離基板６３と残余の加工用基板６１Ｃとを分離した後、分離基板６３を残余の加工用基板６１Ｃに埋め戻す。このとき、貫通孔６２は、その内径寸法が半田ボール１０の外径寸法よりも大きい略円形状に形成されている。
【０１３０】
次に、図４２に示す半田ボール収容工程では、半田ボール１０の外径寸法を例えば貫通孔６２の内径寸法と略等しい値に設定し、この半田ボール１０を貫通孔６２内に収容する。これにより、半田ボール１０を端面電極５に接触させた（取付けた）状態で、貫通孔６２の内壁面で半田ボール１０を支持することができる。
【０１３１】
次に、図４３に示すクリーム半田塗布工程では、貫通孔６２内に収容された半田ボール１０にクリーム半田８を塗布する。このとき、半田ボール１０に付着したクリーム半田８は、その一部が裏面電極４、端面電極５にも接触している。なお、クリーム半田８は、必ずしも裏面電極４等に接触した位置に設ける必要はなく、例えば図４３中に二点鎖線で示すように裏面電極４等に接触しない頂点近傍の位置に設けてもよい。
【０１３２】
その後、加熱工程では、この状態で加工用基板６１等を加熱炉で加熱することによって、半田ボール１０は溶融し、端面電極５に沿って拡がり、裏面電極４と端面電極５とに固着する。最後に、分離基板取外し工程によって加工用基板３１からモジュール基板を取出す。
【０１３３】
かくして、第７の実施の形態によるモジュール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では第１の実施の形態と比べて容易かつ確実に半田ボール１０を位置決めし、固定することができる。
【０１３４】
なお、第７の実施の形態では半田ボール１０を貫通孔６２に収容した後に半田ボール１０にクリーム半田８を塗布するものとしたが、半田ボール１０に予めクリーム半田８を塗布し、この状態で半田ボール１０を貫通孔６２内に収容する構成としてもよい。
【０１３５】
また、半田ボール１０の外径寸法が貫通孔６２よりも小さいときには、図４３に示すように閉塞板７によって閉塞した状態で半田ボール１０を貫通孔６２内に収容し、この状態で貫通孔６２内にフラックス等を塗布し、該フラックスの粘着力によって半田ボール１０を端面電極５に取付ける構成としてもよい。
【０１３６】
さらに、第７の実施の形態では半田ボール１０の外径寸法を例えば貫通孔６２の内径寸法と略等しい値に設定し、この半田ボール１０を貫通孔６２内に収容するものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば半田ボール１０の外径寸法が貫通孔６２よりも大きいときには、第３の実施の形態と同様に貫通孔６２を閉塞する状態で半田ボール１０を載置し（図３１参照）、その後半田ボール１０にクリーム半田８を塗布する構成としてもよい。
【０１３７】
次に、図４４ないし図５０に基づいて第８の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明する。然るに、第８の実施の形態の特徴は、加工用基板にスリット孔を設けることによって非分離基板を形成し、該非分離基板にクリーム半田を塗布した後、該クリーム半田に半田ボールを取り付ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１３８】
まず、第８の実施の形態では、第１の実施の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板７１に貫通孔７１Ｄを穿設する。その後、図４４および図４５に示す端面電極加工工程によって、加工用基板７１の表面７１Ａに配線３を設け、裏面７１Ｂに裏面電極４を設け、該貫通孔７１Ｄの内壁面に裏面電極４、配線３に接続された端面電極５を設ける。
【０１３９】
次に、図４６ないし図４８に示すスリット孔加工工程では、端面電極５を残存させつつ貫通孔７１Ｄの一部を除去する溝状のスリット孔７２を設ける。このとき、スリット孔７２は基板１０１と対応した非分離基板７３の外周縁に沿って複数個設けられる。
【０１４０】
これにより、加工用基板１には、スリット孔７２によって取囲まれた非分離基板７３と、該非分離基板７３の４隅が接続され非分離基板７３を取囲む残余の加工用基板７１Ｃとが形成される。また、非分離基板７３には配線３、裏面電極４、端面電極５が設けられるのに対し、スリット孔７２の穿設によって残余の加工用基板１Ｃからはこれら端面電極５等が除去されている。
【０１４１】
次に、図４９に示すようにスリット孔閉塞工程によって加工用基板７１の表面７１Ａ側に閉塞板７を取付け、スリット孔７２の一方の開口を閉塞する。その後、クリーム半田塗布工程によって、裏面電極４を覆って非分離基板７３の裏面側にクリーム半田８を塗布する。そして、クリーム半田８に半田ボール１０を載置し、半田ボール１０をクリーム半田８に取付けた後、加熱工程によって加工用基板７１等を加熱する。これにより、半田ボール１０は溶融して裏面電極４と端面電極５とに固着する。
【０１４２】
最後に、図５０に示す基板取外し工程では、加工用基板７１から治具プレート７４を取外した後、非分離基板７３と残余の加工用基板７１Ｃとを接続する部位を切断し、非分離基板７３を加工用基板７１から分離する。これにより、端面電極１０５に半田１０８を固着した状態のモジュール基板１００を製造することができる。
【０１４３】
かくして、第８の実施の形態によるモジュール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【０１４４】
なお、第８の実施の形態では４個のスリット孔７２によって非分離基板７３を囲むものとしたが、例えば略四角形の枠状のスリット孔を１個設け、この単一のスリット孔によって非分離基板を囲む構成としてもよい。
【０１４５】
また、第８の実施の形態では、第１の実施の形態と同様の方法により半田ボール１０をクリーム半田８に取付ける構成とした。しかし、図５１に示す第８の実施の形態の第１の変形例のようにスリット孔７２′の幅寸法を短く形成することによって、半田ボール１０を端面電極５に対応した位置でスリット孔７２′の一部を閉塞し、この状態で裏面電極４上のクリーム半田８に半田ボール１０を取付ける構成としてもよい。この場合、半田ボール１０をスリット孔７２′の一部を閉塞した状態で載置した後、該半田ボール１０にクリーム半田８を塗布する構成としてもよい。
【０１４６】
さらに、図５２に示す第８の実施の形態の第２の変形例のように半田ボール１０の外径寸法を端面電極５とスリット孔７２の内壁との間に挟持可能な程度に設定することによって、端面電極５に対面した位置でスリット孔７２内に半田ボール１０を収容し、該半田ボール１０にクリーム半田８を塗布する構成としてもよい。この場合、クリーム半田８は、図５２中に実線で示すように裏面電極４、端面電極５に接触する位置に設けてもよく、図５２中に二点鎖線で示すように裏面電極４等に接触しない位置に設けてよい。また、半田ボール１０をスリット孔７２内に収容する前に半田ボール１０に予めクリーム半田８を塗布する構成としてもよい。
【０１４７】
また、第８の実施の形態においても、第２の実施の形態と同様に治具を用いて半田ボール１０を位置決め、固定する構成としてもよく、第４または第６と同様の方法を用いて非分離基板７３の表面または裏面にクリーム半田８を塗布し、該クリーム半田８に半田ボール１０を取付ける構成としてもよい。
【０１４８】
さらに、図５３および図５４に示す第８の実施の形態の第３の変形例のように、加工用基板１に円形の貫通孔７１Ｄを穿設する前に基板１に配線３、裏面電極４等を設け、該裏面電極４等の位置に円形の貫通孔７１Ｄを穿設し、その後端面電極５を形成してもよい。
【０１４９】
次に、図５５ないし図５８に基づいて第９の実施の形態によるモジュール基板の製造方法を説明する。然るに、第９の実施の形態の特徴は、端面電極に半田を固定した後に、ダイヤモンドカッターを用いて加工用基板を貫通孔を通って切断することにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【０１５０】
まず、第９の実施の形態では、第１の実施の形態と同様に貫通孔加工工程によって加工用基板１に予備的な円形の貫通孔（図示せず）を穿設し、端面電極加工工程によって、図５５に示すように加工用基板１の表面１Ａに配線３を形成し、裏面１Ｂに裏面電極４を形成し、貫通孔の内壁面に端面電極５を形成する。その後、端面電極５の一部を除去して貫通孔を長円形に拡張した貫通孔２を形成する。このとき、貫通孔２に囲まれモジュール基板となる部位には配線３、裏面電極４、端面電極５が設けられるのに対し、残余の部位からはこれらの端面電極５等は除去されている。
【０１５１】
なお、加工用基板１に円形の貫通孔を穿設する前に基板１に配線３、裏面電極４等を設け、該裏面電極４等の位置に円形の貫通孔を穿設し、その後端面電極５を形成してもよい。
【０１５２】
次に、図５６に示すように貫通孔閉塞工程によって加工用基板１の表面１Ａに閉塞板７を設け、貫通孔２の一方の開口を閉塞した状態で、クリーム半田塗布工程によって裏面電極４を覆ってクリーム半田８を塗布する。そして、半田ボール取付工程によってクリーム半田８に半田ボール１０を取付けた後、加熱工程によって、加工用基板１等を加熱し、裏面電極４、端面電極５に半田１１を固着する。
【０１５３】
その後、図５７に示す基板切断工程では、ダイヤモンドカッター８１を用いて加工用基板１を切断し、加工用基板１から分離基板６を分離する。最後に、図５８に示すように加工用基板１から分離基板６を取外す。このとき、ダイヤモンドカッター８１は半田１０８を避けつつ貫通孔２を通過して加工用基板１を切断するから、切り離された貫通孔２の一部は基板１０１の端面開口溝１０４となり、端面電極５は端面開口溝１０４を覆う端面電極１０５となる。そして、端面電極５には半田１１が固着されているから、基板１０１の端面電極１０５に半田１０８が固着された状態で加工用基板１から基板１０１を分離し、モジュール基板１００を取出すことができる。
【０１５４】
かくして、第９の実施の形態によるモジュール基板の製造方法は上述の如き構成を有するもので、本実施の形態でも第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【０１５５】
なお、第９の実施の形態では、ダイヤモンドカッタ８１を用いて加工用基板１を切断する構成としたが、図５５に示すように加工用基板１に予めＶ字溝８２を設け、貫通孔２を該Ｖ字溝８２を跨いで設ける構成としてもよい。この場合、端面電極５等に半田１１を固着した後、Ｖ字溝８２に沿って加工用基板１を分離することができる。
【０１５７】
また、第９の実施の形態では、第１の実施の形態と同様の方法により半田ボール１０をクリーム半田８に取付ける構成としたが、第２ないし第７の実施の形態と同様の方法を用いて半田ボール１０をクリーム半田８に取付ける構成としてもよい。
【０１５８】
また、前記各実施の形態では端面電極１０５（５）は略半円形状に形成するものとしたが、三角形状、四角形状等の多角形状でもよく、さらに基板１０１の端面１０１Ｃに直接設けた平面形状であってもよい。また、裏面電極１０６（４）も略四角形状に限らず、多角形状、円弧形状であってもよい。
【０１５９】
さらに、前記各実施の形態では固形半田として球形状の半田ボール１０を使用するものとしたが、立方体形状等の他の形状のものを使用してもよい。
【０１６０】
【発明の効果】
以上詳述した通り、請求項１または２の発明によれば、貫通孔の周囲に酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付けた後、分離基板等を加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化するようにしたから、粘着物質によって固定半田を位置決めした状態で固定できる。そして、分離基板と残余の加工用基板とを加熱したときには、粘着物質が触媒として機能するから、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融して貫通孔内に侵入し、溶融した固形半田を裏面電極と端面電極とに付着させることができる。また、固形半田を溶融させて端面電極等に冷却固化するから、端面電極に固着した半田が貫通孔から突出する突出寸法を略均一化することができ、全ての端面電極をマザーボードの電極パッドに確実に接続することができる。
また、貫通孔の周囲に粘着物質を設ける前に残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去する構成としたから、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶融した固形半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に残余の加工用基板から取外すことができる。
【０１６１】
また、請求項３の発明によれば、加工用基板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去する構成としたから、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶融した固形半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に残余の加工用基板から取外すことができる。
【０１６２】
また、請求項４の発明によれば、粘着物質を端面電極に接触して分離基板の表面に設ける構成としたから、粘着物質に固形半田を取付けて分離基板等を加熱したときには、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融する。これにより、溶融した固形半田は、端面電極に付着すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように移動するから、端面電極と裏面電極とに半田を確実に固着することができる。
【０１６３】
また、請求項５の発明によれば、粘着物質を裏面電極に接触して分離基板の裏面に設ける構成としたから、溶融した固形半田は裏面電極に沿って拡がるから、端面電極と裏面電極とに半田を確実に固着することができる。
【０１６４】
また、請求項６の発明によれば、粘着物質を貫通孔の開口近傍に位置して残余の加工用基板の表面または裏面に設ける構成としたから、溶融した固形半田を貫通孔に流入させることができ、該貫通孔内の端面電極等に半田を固着することができる。また、分離基板に粘着物質を設ける場合に比べて分離基板の面積を小さくすることができ、電子部品等の集積度を高めることができる。
【０１６５】
また、請求項７の発明によれば、固形半田を貫通孔を閉塞した状態で粘着物質に取付ける構成としたから、加熱によって固形半田が溶融したときには、溶融した半田は貫通孔内に侵入し、貫通孔内の端面電極に確実に半田を付着させることができる。
【０１６６】
さらに、請求項８または９の発明によれば、端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に粘着物質を設ける構成としたから、分離基板等を加熱したときには、固形半田は、端面電極に付着しつつ溶融すると共に、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
また、端面電極に固形半田を取付ける前に残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去する構成としたから、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶融した固形半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に残余の加工用基板から取外すことができる。
【０１６７】
また、請求項１０の発明によれば、加工用基板を切断する前に残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去する構成としたから、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができ、溶融した固形半田を冷却固化した後に、分離基板を容易に残余の加工用基板から取外すことができる。
【０１６８】
また、請求項１１の発明によれば、固形半田は、貫通孔を閉塞し、または貫通孔内に収容する構成としたから、貫通孔によって固形半田を位置決めすることができると共に、固形半田を溶融させたときには、容易に貫通孔の内壁面に設けた端面電極に溶融した固形半田を付着させることができる。
【０１６９】
一方、請求項１２または１３の発明によれば、加工用基板にはスリット孔に囲まれ端面電極と裏面電極とを有する非分離基板を形成し、前記端面電極の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付けた後、非分離基板等を加熱して溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに固着する構成としたから、粘着物質によって固定半田を位置決めできると共に、固形半田は粘着物質に接触した部位から溶融させ、貫通孔内に侵入させることができる。これにより、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに固着することができる。
また、加工用基板にスリット孔を設けるときには貫通孔の一部と一緒に裏面電極および端面電極の一部を除去するから、残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去することができる。これにより、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができるから、溶融した固形半田を冷却固化した後に、固化した半田と一緒に非分離基板を容易に残余の加工用基板から分離することができる。
【０１７０】
また、請求項１４の発明によれば、粘着物質を端面電極に接触して非分離基板の表面に設ける構成としたから、溶融した固形半田を端面電極に付着させることができ、その一部が端面電極を通じて裏面電極に付着させることができる。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
【０１７１】
また、請求項１５の発明によれば、粘着物質を裏面電極に接触して非分離基板の裏面に設ける構成としたから、溶融した固形半田は裏面電極に付着すると共に、その一部が裏面電極を通じて端面電極に達する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
【０１７２】
また、請求項１６の発明によれば、固形半田を端面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉塞した状態で粘着物質に取付ける構成としたから、加熱によって固形半田が溶融したときには、溶融した固形半田は貫通孔内に侵入し、貫通孔内の端面電極に確実に半田を付着させることができる。
【０１７３】
さらに、請求項１７または１８の発明によれば、端面電極に固形半田を取付け、該固形半田を端面電極に取付ける前，後のいずれかで該固形半田に粘着物質を設け、非分離基板と残余の加工用基板とを加熱して該固形半田を溶融し、溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化し、その後スリット孔の位置で加工用基板から非分離基板をモジュール基板として分離する構成としたから、非分離基板等を加熱したときには、固形半田は端面電極に付着しつつ溶融する。このとき、溶融した固形半田は、その一部が端面電極を通じて裏面電極を覆うように移動する。この結果、端面電極と裏面電極とに半田を固着することができる。
また、加工用基板にスリット孔を設けるときには貫通孔の一部と一緒に裏面電極および端面電極の一部を除去するから、残余の加工用基板側の裏面電極および端面電極を除去することができる。これにより、溶融した固形半田が残余の加工用基板に付着するのを防ぐことができるから、溶融した固形半田を冷却固化した後に、固化した半田と一緒に非分離基板を容易に残余の加工用基板から分離することができる。
【０１７４】
また、請求項１９の発明によれば、固形半田は、端面電極に対応した位置でスリット孔の一部を閉塞し、または端面電極に対応した位置でスリット孔内に収容する構成としたから、スリット孔よって固形半田を位置決めすることができると共に、固形半田を溶融させたときには、スリット孔内に露出した端面電極に容易に溶融した固形半田を付着させることができる。
【０１７５】
また、請求項２０または２１の発明によれば、加工用基板の貫通孔の周囲には酸化膜除去成分を含む粘着物質を設け、該粘着物質には固形半田を取付け、加工用基板を加熱して溶融した固形半田を端面電極と裏面電極とに冷却固化した後、固化した半田を避けて貫通孔の位置で加工用基板を切断する構成としたから、ダイヤモンドカッタ等によって加工用基板を切断することができ、加工用基板から容易にモジュール基板を取出すことができる。
【０１７６】
また、粘着物質を設ける前に切断後に残余の加工用基板側となる位置の裏面電極および端面電極を除去する構成としたから、溶融した固形半田が切断後にモジュール基板以外の残余の加工用基板となる部位に付着するのを防ぐことができる。このため、溶融した固形半田を冷却固化した後に、端面電極に付着した半田を切断することなく、モジュール基板を容易に残余の加工用基板から分離することができる。
【０１７７】
さらに、請求項２２の発明によれば、粘着物質にはフラックス単体または粉末状の半田とフラックスとからなるクリーム半田を用い、固形半田にはろう付け用合金を球形状に固化した半田ボールを用いる構成としたから、フラックス単体またはクリーム半田によって半田ボールの位置決めと溶融の促進を行うことができる。また、粘着物質にフラックスを用いたときには、溶融した半田ボールの体積（容量）を略一定に保つことができるから、半田が基板の裏面よりも突出する寸法を略一定にすることができる。一方、粘着物質にクリーム半田を用いたときには、溶融した半田ボールをクリーム半田中の半田と共に端面電極と裏面電極とに冷却固化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によって製造されたモジュール基板を示す斜視図である。
【図２】図１中の端面スルーホールを示す平面図である。
【図３】図１中の端面スルーホールを示す底面図である。
【図４】端面スルーホールを図２中の矢示IV−IV方向からみた断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係る製造方法において、本実施の形態に用いる加工用基板に貫通孔を設ける貫通孔加工工程を示す平面図である。
【図６】貫通孔の内壁面に端面電極を設ける端面電極加工工程を示す平面図である。
【図７】図６中の加工用基板を示す底面図である。
【図８】端面電極の一部を除去する端面電極除去工程を示す平面図である。
【図９】図８中の加工用基板を示す底面図である。
【図１０】加工用基板から分離基板を分離した後、残余の加工用基板に分離基板を埋め戻すプッシュバック工程を示す底面図である。
【図１１】図１０中のａ部を拡大して示す拡大底面図である。
【図１２】加工用基板を裏返した状態で図１１中の矢示 XII−XII 方向からみた断面図である。
【図１３】加工用基板に閉塞板を取付ける貫通孔閉塞工程を示す断面図である。
【図１４】裏面電極を覆ってクリーム半田を塗布するクリーム半田塗布工程を示す断面図である。
【図１５】図１４中の矢示XV−XV方向からみた拡大平面図である。
【図１６】クリーム半田に半田ボールを取付ける半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図１７】加熱工程において端面電極に半田が固定された状態を示す断面図である。
【図１８】図１７中の矢示 XVIII−XVIII 方向からみた拡大平面図である。
【図１９】加工用基板から分離基板を取外す分離基板取外し工程を示す断面図である。
【図２０】第１の実施の形態に係る製造方法によって製造されたモジュール基板をマザーボードに載置した状態を示す側面図である。
【図２１】図２０中のモジュール基板がマザーボードに接合した状態を示す側面図である。
【図２２】図２１中の矢示XXII−XXII方向からみた断面図である。
【図２３】第１の実施の形態の変形例に係る製造方法において、加工用基板の裏面に裏面電極を設けた状態を示す底面図である。
【図２４】図２３中の加工用基板に貫通孔を設けた状態を示す底面図である。
【図２５】第２の実施の形態に係る製造方法において、半田ボール取付工程によって加工用基板に治具を取付けた状態を示す拡大平面図である。
【図２６】図２５中の矢示XXVI−XXVI方向からみた断面図である。
【図２７】第２の実施の形態の変形例に係る製造方法において、半田ボール取付工程によって加工用基板にテープを貼着した状態を示す拡大平面図である。
【図２８】図２７中の矢示XXVIII−XXVIII方向からみた断面図である。
【図２９】第３の実施の形態に係る製造方法において、裏面電極を覆ってクリーム半田を塗布するクリーム半田塗布工程を示す拡大平面図である。
【図３０】図２９中の矢示 XXX−XXX 方向からみた断面図である。
【図３１】貫通孔を閉塞した状態で半田ボールを取付ける半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図３２】第４の実施の形態に係る製造方法において、半田ボールを保持した治具に加工用基板を取付ける半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図３３】半田ボール取付工程によって裏面電極を覆うクリーム半田に半田ボールを取付けた状態を示す断面図である。
【図３４】第５の実施の形態に係る製造方法において、クリーム半田塗布工程によって残余の加工用基板にクリーム半田を塗布した状態を示す拡大平面図である。
【図３５】半田ボール取付工程によってクリーム半田に半田ボールを取付けた状態で図３４中の矢示XXXV−XXXV方向からみた断面図である。
【図３６】加熱工程によって半田ボールが溶融した状態を示す断面図である。
【図３７】第６の実施の形態に係る製造方法において、プッシュバック工程によって分離基板を残余の加工用基板に埋め戻した状態を示す拡大平面図である。
【図３８】図３７中の矢示 XXXVIII−XXXVIII 方向からみた断面図である。
【図３９】半田ボール取付工程によって分離基板上のクリーム半田に半田ボールを取付けた状態を示す断面図である。
【図４０】第６の実施の形態の第１の変形例に係る製造方法において、貫通孔を閉塞した状態で半田ボールを取付ける半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図４１】第６の実施の形態の第２の変形例に係る製造方法において、残余の加工用基板上のクリーム半田に半田ボールを取付ける半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図４２】第７の実施の形態に係る製造方法において、貫通孔に半田ボールを収容する半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図４３】半田ボールにクリーム半田を塗布するクリーム半田塗布工程を示す断面図である。
【図４４】第８の実施の形態に係る製造方法において、本実施の形態に用いる加工用基板に端面電極を設ける端面電極加工工程を示す平面図である。
【図４５】図４４中の加工用基板を示す底面図である。
【図４６】加工用基板にスリット孔を設けるスリット孔加工工程を示す平面図である。
【図４７】図４６中の加工用基板を示す底面図である。
【図４８】加工用基板を裏返した状態で図４７中の矢示XLVIII−XLVIII方向からみた断面図である。
【図４９】クリーム半田塗布工程、半田ボール取付工程によって裏面電極を覆うクリーム半田に半田ボールを取付けた状態を示す断面図である。
【図５０】加工用基板から非分離基板を分離する基板取外し工程を示す断面図である。
【図５１】第８の実施の形態の第１の変形例に係る製造方法において、貫通孔を閉塞した状態で半田ボールを取付ける半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図５２】第８の実施の形態の第２の変形例に係る製造方法において、端面電極に対面した位置で半田ボールをスリット孔に収容する半田ボール取付工程を示す断面図である。
【図５３】第８の実施の形態の第３の変形例に係る製造方法において、加工用基板の裏面に裏面電極を設けた状態を示す底面図である。
【図５４】図５３中の加工用基板に貫通孔を設けた状態を示す底面図である。
【図５５】第９の実施の形態に係る製造方法において、加工用基板に貫通孔、端面電極等を設ける端面電極加工工程を示す断面図である。
【図５６】貫通孔閉塞工程、クリーム半田塗布工程、半田ボール取付工程によって裏面電極を覆うクリーム半田に半田ボールを取付けた状態を示す断面図である。
【図５７】ダイヤモンドカッターを用いて加工用基板を切断する基板切断工程を示す断面図である。
【図５８】基板切断工程の後に加工用基板からモジュール基板を取外した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１，３１，６１，７１  加工用基板
１Ｃ，３１Ｃ，６１Ｃ，７１Ｃ  残余の加工用基板
１Ｄ，２，３２，６２，７１Ｄ  貫通孔
４，１０６  裏面電極
５，１０５  端面電極
６，３３，６３  分離基板
７  閉塞板
８  クリーム半田（粘着物質）
１０  半田ボール（固形半田）
２１，４１  治具
２２  テープ
７２，７２′，７２″  スリット孔
７３  非分離基板
８１  ダイヤモンドカッター
８２  Ｖ字溝
１００  モジュール基板
１０１  基板
１０２  電子部品
１０３  端面スルーホール
１０９  マザーボード
１１０  電極パッド
１１２  フィレット
【図１】
0003636030.tif 000002
【図２】
0003636030.tif 000003
【図３】
0003636030.tif 000004
【図４】
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【図５】
0003636030.tif 000006
【図６】
0003636030.tif 000007
【図７】
0003636030.tif 000008
【図８】
0003636030.tif 000009
【図９】
0003636030.tif 000010
【図１０】
0003636030.tif 000011
【図１１】
0003636030.tif 000012
【図１２】
0003636030.tif 000013
【図１３】
0003636030.tif 000014
【図１４】
0003636030.tif 000015
【図１５】
0003636030.tif 000016
【図１６】
0003636030.tif 000017
【図１７】
0003636030.tif 000018
【図１８】
0003636030.tif 000019
【図１９】
0003636030.tif 000020
【図２０】
0003636030.tif 000021
【図２１】
0003636030.tif 000022
【図２２】
0003636030.tif 000023
【図２３】
0003636030.tif 000024
【図２４】
0003636030.tif 000025
【図２５】
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【図２６】
0003636030.tif 000027
【図２７】
0003636030.tif 000028
【図２８】
0003636030.tif 000029
【図２９】
0003636030.tif 000030
【図３０】
0003636030.tif 000031
【図３１】
0003636030.tif 000032
【図３２】
0003636030.tif 000033
【図３３】
0003636030.tif 000034
【図３４】
0003636030.tif 000035
【図３５】
0003636030.tif 000036
【図３６】
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【図３７】
0003636030.tif 000038
【図３８】
0003636030.tif 000039
【図３９】
0003636030.tif 000040
【図４０】
0003636030.tif 000041
【図４１】
0003636030.tif 000042
【図４２】
0003636030.tif 000043
【図４３】
0003636030.tif 000044
【図４４】
0003636030.tif 000045
【図４５】
0003636030.tif 000046
【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
0003636030.tif 000049
【図４９】
0003636030.tif 000050
【図５０】
0003636030.tif 000051
【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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