(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード室とカソード室とを有し、該アノード室においてＯ3（オゾン）ガスを発生させ、該カソード室においてＨ2（水素）ガスを発生させる電気分解槽と、
該アノード室で発生したＯ3ガスを該アノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
該Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
該Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
該カソード室で発生したＨ2ガスを該カソード室外へ排出するＨ2ガス排出配管と、
該Ｈ2ガス排出配管に接続されＨ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造するためのＨ2ガス溶解塔と、
該Ｈ2ガス溶解塔からＨ2水を前記洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有することを特徴とする洗浄水製造・供給システム。
【請求項２】
ＮＨ4ＯＨを前記Ｈ2水に添加するための手段を設けたことを特徴とする請求項１記載の洗浄水製造・供給システム。
【請求項３】
アノード室とカソード室とを有し、該アノード室においてＯ3ガスを発生させ、該カソード室においてＨ2ガスを発生させる電気分解槽と、
該アノード室で発生したＯ3ガスを該アノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
該Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
該Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
該カソード室で発生したＨ2ガスが該カソード室内における純水に溶解して製造されたＨ2水を該カソード室から前記洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有することを特徴とする洗浄水製造・供給システム。
【請求項４】
アノード室とカソード室とを有し、該アノード室においてＯ3ガスを発生させ、該カソード室においてＨ2ガスを発生させる電気分解槽と、
該アノード室で発生したＯ3ガスを該アノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
該Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
該Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
該カソード室で発生したＨ2ガスを該カソード室外へ排出するＨ2ガス排出配管と、
該Ｈ2ガス排出配管に接続されＨ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造するためのＨ2ガス溶解塔と、
該Ｈ2ガス溶解塔からＨ2水を前記洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有し、
さらに、前記洗浄室内に被洗浄物を摺動洗浄するためのブラシを有することを特徴とする洗浄システム。
【請求項５】
前記洗浄室内に導入されたＨ2水に０．２ＭＨｚ以上５ＭＨｚ以下の超音波を付与する超音波素子を有していることを特徴とする請求項４記載の洗浄システム。
【請求項６】
前記洗浄室内に前記ブラシを洗浄するためのブラシ洗浄槽を設け、該ブラシ洗浄槽に供給されたＨ2水に０．２ＭＨｚ以上５ＭＨｚ以下の超音波を付与する超音波素子を有していることを特徴とする請求項４記載の洗浄システム。
【請求項７】
アノード室とカソード室とを有し、該アノード室においてＯ3ガスを発生させ、該カソード室においてＨ2ガスを発生させる電気分解槽と、
該アノード室で発生したＯ3ガスを該アノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
該Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
該Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
該カソード室で発生したＨ2ガスを該カソード室外へ排出するＨ2ガス排出配管と、
該Ｈ2ガス排出配管に接続されＨ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造するためのＨ2ガス溶解塔と、
該Ｈ2ガス溶解塔からＨ2水を該洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有し、
さらに、該洗浄室内に、被洗浄物に対しＨ2水を高圧噴射するための高圧ジェットノズルを設けたことを特徴とする洗浄システム。
【請求項８】
アノード室とカソード室とを有し、該アノード室においてＯ3ガスを発生させ、該カソード室においてＨ2ガスを発生させる電気分解槽と、
該アノード室で発生したＯ3ガスを該アノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
該Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
該Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
該カソード室で発生したＨ2ガスを該カソード室外へ排出するＨ2ガス排出配管と、
該Ｈ2ガス排出配管に接続されＨ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造するためのＨ2ガス溶解塔と、
該Ｈ2ガス溶解塔からＨ2水を該洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有し、
さらに、前記洗浄室内に導入されたＨ2水に０．２ＭＨｚ以上５ＭＨｚ以下の超音波を付与する超音波素子を有していることを特徴とする洗浄システム。
【請求項９】
アノード室とカソード室とを有し、該アノード室においてＯ3ガスを発生させ、該カソード室においてＨ2ガスを発生させる電気分解槽と、
該アノード室で発生したＯ3ガスを該アノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
該Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
該Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
該カソード室で発生したＨ2ガスを該カソード室外へ排出するＨ2ガス排出配管と、
該Ｈ2ガス排出配管に接続されＨ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造するためのＨ2ガス溶解塔と、
該Ｈ2ガス溶解塔からＨ2水を該洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有し、
さらに、前記洗浄室内に導入されたＨ2水を気体により被洗浄物に噴射させるための気体噴射ノズルを有しているいることを特徴とする洗浄システム。
【請求項１０】
電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
該Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、該Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
該Ｏ3水と該Ｈ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送ることを特徴とする洗浄水製造・供給方法。
【請求項１１】
Ｈ2水にｐＨ調整薬液を添加することを特徴とする請求項１０記載の洗浄水製造・供給方法。
【請求項１２】
前記ｐＨ調整薬液はＮＨ4ＯＨであることを特徴とする請求項１１記載の洗浄水製造・供給方法。
【請求項１３】
電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
該Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、該Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
該Ｏ3水と該Ｈ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送り、
該洗浄室内においてブラシを用いて被洗浄物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１４】
電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
該Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、該Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
該Ｏ3水と該Ｈ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送り、
洗浄室内において該Ｈ2水を高圧噴射して被洗浄物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１５】
電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
該Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、該Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
該Ｏ3水と該Ｈ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送り、
洗浄室内において該Ｈ2水に０．２ＭＨｚ以上５ＭＨｚ以下の超音波を付与して被洗浄物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１６】
電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
該Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、該Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
該Ｏ3水と該Ｈ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送り、
洗浄室内において該Ｈ2水を気体により噴射させて被洗浄物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、洗浄水製造・供給システム及び製造・供給方法に係り、より詳細にはオゾン水と水素水とを同一装置で発生させる洗浄水製造・供給システム及び製造・供給方法並びに洗浄システム及び洗浄方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
半導体基板、液晶基板、その他の各種被洗浄体上から有機物やコロイダル状シリカなどのパーティクルの除去には、オゾン水と、電気分解によって得られるＯＨ-イオン水（電解カソード水）とが有効であることが近時報告されている。
【０００３】
オゾン水は、酸素の放電などによって発生させたＯ3を純水に溶解することにより製造する方法が知られている。
【０００４】
一方、上記した電気分解によって得られる電解カソード水の製造方法は特開平６−２６０４６０号公報に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記した従来の技術においては、有機物を除去するためのオゾン水の製造と、パーティクルを除去するための電解カソード水の製造とはそれぞれオゾン水発生装置と電解イオン水発生装置との別異の装置で行っているため、洗浄水供給系全体として大型になってしまう。
【０００６】
そのため、例えばクリーンルーム内において装置の占有面積が大きくなり、スペースコストも高くなってしまう。
【０００７】
また、オゾンの効率的利用が困難となり、洗浄効率も悪くなる。けだし、オゾンの半減期は短いためオゾン水の製造・供給系はユースポイントすなわち洗浄室の直近であることが好ましい。しかるに、装置が大きいと直近に配置することができないからである。
【０００８】
また、オゾン水の製造と電解イオン水の製造とは別異の装置で別異のプロセスで行っている。すなわち二工程を必要としており、より簡単な工程が望まれる。また、二工程のため原料である超純水の消費量も多くならざるを得ない。
【０００９】
また、電解カソード水製造装置においては電解カソード水は電極と接触しているため製造された電解イオン水には電極からの溶出不純物が混入している。そのため、被洗浄物をその溶出不純物で汚染してしまう。従ってこの汚染を防止するには電極表面の不純物溶出防止策が望まれる。
【００１０】
一方、洗浄技術としては、▲１▼洗浄液として超純水を用い、被洗浄物をブラシによりブラッシングしながら洗浄を行う技術、▲２▼洗浄液として界面活性剤を添加した超純水を用い、被洗浄物をブラシによりブラッシングしながら洗浄を行う技術などが試みられている。
【００１１】
しかし、上記▲１▼の技術では、大きな（１μｍ以上の）パーティクルの除去は可能であるが、再付着によると思われるサブミクロンの大きさ（０．５〜１μｍ）のパーティクルの除去は必ずしもできない。
【００１２】
上記▲２▼の技術では、大きなパーティクルの除去性が良好であるとともにサブミクロンのパーティクルの再付着も少ないが、界面活性剤を除去するために大量のリンス用超純水を必要とし、さらにリンス後にわずかに残る界面活性剤を除去するための酸化洗浄工程を必要とする。
【００１３】
また、従来、ＣＯ2を溶解した超純水を高圧噴射する洗浄技術が知られている。この技術は高圧噴射による物理的洗浄力が働き除去能力は高い。ＣＯ2を溶解するのは静電気の発生を防止するためである。
【００１４】
しかし、この技術ではＣＯ2がＣＯ32-という形で溶解し結果としてｐＨ５程度となりパーティクルの再付着が起こっていた。
【００１５】
本発明は、有機物とパーティクルのそれぞれの洗浄液を同一装置で製造することができ、非常にコンパクトな洗浄水製造・供給システムを提供することを目的とする。
【００１６】
本発明は、電極による汚染がない洗浄液による洗浄を行うことができる洗浄水製造・供給システムを提供することを目的とする。
【００１７】
本発明は、一つの工程で有機物の洗浄液とパーティクルの洗浄液を製造することができる洗浄水製造・供給方法を提供することを目的とする。
【００１８】
本発明は、大きなパーティクル（１μｍ程度以上のパーティクル）のみならずサブミクロンのパーティクル（０．５〜１μｍ程度のパーティクル）も界面活性剤を用いずとも除去が可能な洗浄システム及び洗浄方法を提供することを目的とする。
【００１９】
本発明は、パーティクルの再付着が生じない洗浄システム及び洗浄方法を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、アノード室とカソード室とを有し、アノード室においてＯ3（オゾン）ガスを発生させ、カソード室においてＨ2（水素）ガスを発生させる電気分解槽と、
アノード室で発生したＯ3ガスをアノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
カソード室で発生したＨ2ガスをカソード室外へ排出するＨ2ガス排出配管と、
Ｈ2ガス排出配管に接続されＨ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造するためのＨ2ガス溶解塔と、
Ｈ2ガス溶解塔からＨ2水を前記洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有することを特徴とする洗浄水製造・供給システムである。
【００２１】
この発明においては、有機物とパーティクルのそれぞれの洗浄液を同一装置で製造しており、非常にコンパクトな洗浄水供給系を構成することができる。従来の大型の供給系をコンパクトにすることができる結果、その系を洗浄室近くに配置することができ、特にオゾンの効率的利用が可能となり、洗浄効果も高めることができる。
【００２２】
また、Ｏ3ガスとＨ2ガスとをそれぞれ溶解塔で純水に溶解しており、電極による汚染のない清浄な洗浄液を洗浄室に供給することができる。
【００２３】
ここにおいて、Ｈ2水にｐＨ調整薬液を添加するための手段を設けることが好ましい。
【００２４】
Ｈ2水にｐＨ調整薬液を添加することができるためＨ2水のｐＨを適宜（たとえばｐＨ７以上）に調整することができ、パーティクルの除去効率の高い洗浄液を供給することができる。
【００２５】
また、ｐＨ調整薬液としてＮＨ4ＯＨは好適である。
【００２６】
ｐＨ調整薬液としては例えばＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＮＨ4ＯＨなどがあげられるが、特にＮＨ4ＯＨが他の薬液と比較してパーティクルの高い除去効率を示し、かつアルカリ性成分の残査の心配がまったくない。
【００２７】
本発明の洗浄水製造・供給システムは、アノード室とカソード室とを有し、アノード室においてＯ3ガスを発生させ、カソード室においてＨ2ガスを発生させる電気分解槽と、
アノード室で発生したＯ3ガスをアノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
カソード室で発生したＨ2ガスがカソード室内における純水に溶解して製造されたＨ2水をカソード室から前記洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有することを特徴とする。
【００２８】
この発明においては、有機物とパーティクルのそれぞれの洗浄液を同一装置で製造しており、非常にコンパクトな洗浄水製造・供給システムを構成することができる。
【００２９】
また、Ｈ2ガスは電気分解槽のカソード室で直接純水に溶解して水素水とし、洗浄室に導入するように構成されているためより一層小型化を図ることができる。
【００３０】
この発明において、該カソード室へｐＨ調整薬液を添加するための手段を設けることが好ましい。
【００３１】
かかる場合、Ｈ2水にｐＨ調整薬液を添加することができるためＨ2水のｐＨを適宜（たとえばｐＨ７以上）に調整することができ、パーティクルの除去効率の高い洗浄液を供給することができる。また、電気分解槽のカソード室にｐＨ調整薬液を添加するようにした場合には超純水の電気伝導度が高くなり電気分解の分解効率が高まり、また、分解速度が速くなり、より効率的にＨ2ガスが得られるためより好ましい。
【００３２】
本発明は、電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
Ｏ3水とＨ2水とをそれぞれ洗浄室へ送ることを特徴とする洗浄水製造・供給方法である。
【００３３】
本発明では、有機物の除去のための洗浄液と、パーティクルの除去のための洗浄液とを複数の装置で別異のプロセスではなく同時に同一の装置で製造することができるためコストの低減、使用原料（超純水）の使用量の低減化を図ることができる。
【００３４】
この発明において、Ｈ2水にアルカリ溶液を添加することが好ましい。
【００３５】
この場合、Ｈ2水にｐＨ調整薬液を添加するためＨ2水のｐＨを適宜（たとえばｐＨ７以上）に調整することができ、パーティクルの除去効率の高い洗浄液製造・供給することができる。また、電気分解槽のカソード室にｐＨ調整薬液を添加した場合には超純水の電気伝導度が高くなり電気分解の分解効率が高まり、また、分解速度が速くなり、効率よくＨ2ガスが得られるためより好ましい。
【００３６】
また、前記ｐＨ調整薬液はＮＨ4ＯＨとすることが好ましい。
【００３７】
ＮＨ4ＯＨを用いた場合にはパーティクルの除去効果はより一層高くなる。
【００３８】
本発明の洗浄システムは、アノード室とカソード室とを有し、アノード室においてＯ3ガスを発生させ、カソード室においてＨ2ガスを発生させる電気分解槽と、
アノード室で発生したＯ3ガスをアノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
カソード室で発生したＨ2ガスを該カソード室外へ排出するＨ2ガス排出配管と、
Ｈ2ガス排出配管に接続されＨ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造するためのＨ2ガス溶解塔と、
Ｈ2ガス溶解塔からＨ2水を前記洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有し、
さらに、洗浄室内に被洗浄物を摺動洗浄するためのブラシを有することを特徴とする。
【００３９】
本発明では、大きなパーティクルのみならず小さなパーティクルの除去が可能である。また、ｐＨや酸化還元電位を制御することによりパーティクルのブラシへの付着を低減させることができる。Ｈ2水中に薬液を添加しない場合にはＨ2水によるブラシ洗浄後にはリンスは不要である。また、薬液を添加した場合であってもリンスは極めて容易であり超水の使用量は従来に比べ1/１０以下となる。
なお、ブラシによるブラッシング洗浄を行う際には、Ｈ2水に０．２ＭＨｚ以上５ＭＨｚ以下の超音波を付与することによりより一層パーティクルの付着量を少なくすることができる。
【００４０】
本発明の洗浄システムは、アノード室とカソード室とを有し、アノード室においてＯ3ガスを発生させ、カソード室においてＨ2ガスを発生させる電気分解槽と、
アノード室で発生したＯ3ガスをアノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
カソード室で発生したＨ2ガスをカソード室外へ排出するＨ2ガス排出配管と、
Ｈ2ガス排出配管に接続されＨ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造するためのＨ2ガス溶解塔と、
Ｈ2ガス溶解塔からＨ2水を前記洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有し、
さらに、洗浄室内に、被洗浄物に対しＨ2水を高圧噴射するための高圧ジェットノズルを設けたことを特徴とする。
【００４１】
本発明では、Ｈ2水を高圧噴射しており、高圧による物理的洗浄と、Ｈ2水による酸化還元電位とｐＨの制御とによりパーティクルの再付着が無くなる。
本発明の洗浄システムは、アノード室とカソード室とを有し、アノード室においてＯ3ガスを発生させ、カソード室においてＨ2ガスを発生させる電気分解槽と、
アノード室で発生したＯ3ガスをアノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
カソード室で発生したＨ2ガスをカソード室外へ排出するＨ2ガス排出配管と、
Ｈ2ガス排出配管に接続されＨ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造するためのＨ2ガス溶解塔と、
Ｈ2ガス溶解塔からＨ2水を前記洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有し、
さらに、前記洗浄室内に導入されたＨ2水に０．２ＭＨｚ以上５ＭＨｚ以下の超音波を付与する超音波素子を有していることを特徴とする。
Ｈ2水に超音波を付与して洗浄を行う場合は、電解イオンカソード水に超音波を付与しいて洗浄を行う場合よりもパーティクル除去効率が優れる。
また、本発明では超純水が電極と直接接触しないため電解イオン水よりもより高純度の洗浄水が得られる。従って、長期間にわたり安定した洗浄を行うことができる。
【００４２】
さらに、電解イオン水とは異なり、ガス化したＨ2ガスが流れてこないため洗浄効率が良好であり、より短時間で洗浄を行うことができる。
【００４３】
本発明の洗浄システムは、アノード室とカソード室とを有し、アノード室においてＯ3ガスを発生させ、カソード室においてＨ2ガスを発生させる電気分解槽と、
アノード室で発生したＯ3ガスをアノード室外へ排出するＯ3ガス排出配管と、
Ｏ3ガス排出配管に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するためのＯ3ガス溶解塔と、
Ｏ3ガス溶解塔からＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管と、
カソード室で発生したＨ2ガスをカソード室外へ排出するＨ2ガス排出配管と、
Ｈ2ガス排出配管に接続されＨ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造するためのＨ2ガス溶解塔と、
Ｈ2ガス溶解塔からＨ2水を前記洗浄室へ導入するためのＨ2水配管と、
を少なくとも有し、
さらに、前記洗浄室内に導入されたＨ2水を気体により被洗浄物に噴射させるための気体噴射ノズルを有していることを特徴とする。
本発明の洗浄水製造・供給方法は、電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
Ｏ3水とＨ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送ることを特徴とする。
ここにおいて、Ｈ2水にｐＨ調整薬液を添加することが好ましく、前記ｐＨ調整薬液はＮＨ4ＯＨであることが好ましい。
【００４４】
本発明の洗浄方法は、電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
Ｏ3水とＨ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送り、
洗浄室内においてブラシを用いて被洗浄物を洗浄することを特徴とする。
また、本発明の洗浄方法は、電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
Ｏ3水とＨ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送り、
洗浄室内においてブラシを用いて被洗浄物を洗浄することを特徴とする。
さらに本発明の洗浄方法は、電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
Ｏ3水とＨ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送り、
洗浄室内において該Ｈ2水を高圧噴射して被洗浄物を洗浄することを特徴とする。
【００４５】
また、本発明の洗浄方法は、電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、該Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
Ｏ3水とＨ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送り、
洗浄室内においてＨ2水に０．２ＭＨｚ以上５ＭＨｚ以下の超音波を付与して被洗浄物を洗浄することを特徴とする。
さらに本発明の洗浄方法は、電気分解法によりＯ3ガスとＨ2ガスを発生させ、
Ｏ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するとともに、Ｈ2ガスを純水に溶解させＨ2水を製造し、
Ｏ3水とＨ2水とをそれぞれ一又は二以上の洗浄室へ送り、
洗浄室内においてＨ2水を気体により噴射させて被洗浄物を洗浄することを特徴とする。
【００４６】
【発明の実施の形態】
図１に本発明の洗浄液製造・供給装置の実施の形態を示す概念図である。
図１において、１がＯ3ガスとＨ2ガスとを同時に発生させる電気分解槽である。
【００４７】
２が、電気分解槽１で発生したＯ3ガスを超純水に溶解するためのＯ3ガス溶解塔である。Ｏ3ガス溶解塔２には、管１１を介して電気分解槽１からＯ3ガスが供給されるとともに、超純水供給配管７から分岐管７ｂを介して超純水が供給され、超純水にＯ3ガスを溶解させる。溶解しきれないＯ3ガスは廃ガスとして管１３から系外へ排出される。
【００４８】
Ｏ3ガスの溶解した超純水（オゾン水）はオゾン水配管９を介して洗浄室（図示せず）に供給される。
【００４９】
３が、電気分解槽１で発生したＨ2ガスを超純水に溶解するためのＨ2ガス溶解塔である。Ｈ2ガス溶解塔３には、管１２を介して電気分解槽１からＨ2ガスが供給されるとともに、超純水供給配管７から分岐管７ａを介して超純水が供給され、超純水にＨ2ガスを溶解させる。溶解しきれないＨ2ガスは廃ガスとして管１４から系外へ排出される。Ｈ2ガスの溶解した超純水（水素水）はＨ2水配管８，１０を介して洗浄室に供給される。
【００５０】
なお、本例では、Ｈ2水配管８と水素水配管１０との間に混合装置５を設けてある。混合装置５において水素水にアルカリ溶液（好ましくはＮＨ4ＯＨ液）を添加し、Ｈ2水のｐＨを７以上とする。
【００５１】
電気分解槽１の詳細を図２に示す。
【００５２】
電気分解槽１は、アノード室２２、カソード室２１を有しており、両室はイオン交換膜２５により隔離されている。アノード室２２には陽極２４が設けられ、また、カソード室２１には陰極２３が設けられている。また、電気分解槽１には、Ｏ3ガス、Ｈ2ガスの原料となる超純水が超純水供給ライン７から分岐管７ｃを介して供給される。
【００５３】
超純水が供給された状態で、陽極２４と、陰極２３との間に直流電源２６から電位を与えると、電気分解によりアノード室１６においてはＯ3ガスが発生し、カソード室１５においてはＨ2ガスが発生する。
【００５４】
図１に示す系では、アノード室１６の上部にはＯ3ガス排出配管１１が設けられており、カソード室１５の部にはＨ2ガス排出管１２が設けられている。
【００５５】
図３に他の実施形態を示す。
【００５６】
本例では、電気分解槽１は、アノード室１６とカソード室１５ａ，１５ｂとを有している。アノード室１６においてＯ3ガスを発生させ、カソード室１５ａ，１５ｂにおいてＨ2ガスを発生させる。
【００５７】
アノード室１６にはアノード室１６で発生したＯ3ガスをアノード室１６の外へ排出するＯ3ガス排出配管１１が設けられている。
【００５８】
２はＯ3ガス溶解塔であり、Ｏ3ガス排出配管１１に接続されＯ3ガスを純水に溶解させＯ3水を製造するための塔である。Ｏ3ガス溶解塔２からはＯ3水を洗浄室へ導入するためのＯ3水配管９が延びている。
【００５９】
一方、本例では図１に示す例とは異なり、Ｈ2溶解塔は設けていない。すなわち、本例では、カソード室１５ａ，１５ｂで発生したＨ2ガスをカソード室１５ａ，１５ｂ内において純水に溶解せしめて水素水とし、その水素水をＨ2水配管３０により洗浄室へ導入する。この場合、カソード電極は不純物溶出がない材料を選定する。材料として希土類金属の酸化物が好ましい。たとえば、ルテニウム、イリジウムなどが好ましい。
【００６０】
本例ではこのようにＨ2溶解塔を設けることなく、Ｏ3水と、Ｈ2水とを製造し、洗浄室へ供給できるためより洗浄供給系をより一層小型化することができる。
【００６１】
なお、本例では、電気分解槽１は、１つのアノード室１６と、２つのカソード室１５ａ，１５ｂとの三室構成となっている。
【００６２】
また、ｐＨ調整剤は、Ｈ2水配管３０が設けられているカソード室１５ｂにおいてＨ2水に添加している。そのため、電気分解の効率を向上させることができ、Ｈ2水の製造を速く行うことができる。ｐＨ調整は電気分解槽から出たＨ2水により行っても同等の効果が得られる。
【００６３】
図４に他の実施形態を示す。
本例も図３に示す例と同様に三室構成であるが、本例では、ｐＨ調整剤をカソード室１５ａ，１５ｂの両室に設けてあり、かつ、Ｈ2水を洗浄室に導入するためのＨ2水配管はカソード室１５ａ，１５ｂの両方に設けてある。従って、ｐＨ調整されたＨ2水を図１の供給系に比べて２倍使用することができる。
【００６４】
図５に本発明に係る洗浄システムの実施形態を示す。なお、図５には洗浄室のみを示す。
【００６５】
１０１が洗浄室である。洗浄室１０１内には被洗浄物１１５の上下にブラシ１１０２，１０３が設けてある。
【００６６】
この洗浄室１０１にはＨ2水配管１０が接続されており、Ｈ2水は配管１１８，１１９を介して被処理物１１５の上下面に供給される。
本例では、上側のブラシ１０２を洗浄するための上ブラシ超音波洗浄槽１０４と下側のブラシ１０３を洗浄するための下ブラシ超音波洗浄槽１０５を設けてある。上ブラシ超音波洗浄槽１０４と下ブラシ超音波洗浄槽１０５にはそれぞれ、超音波素子１０６，１０７が設けられている。なお、この超音波素子は０．２ＭＨｚ〜５ＭＨｚの発振が可能である。ブラシ１０２，１０３の洗浄が必要なときは、上ブラシ超音波洗浄槽１０４、下ブラシ超音波洗浄槽１０５内に適宜の処理水（例えば、Ｈ2水、電解イオン水、超純水）を配管１１３，１１４を介して供給し、ブラシ１０２，１０３を上ブラシ超音波洗浄槽１０４、下ブラシ超音波洗浄槽１０５内に移動させ（移動させるための手段は特に図示はしていないが適宜の手段によればよい）、超音波を与えつつ洗浄を行えばよい。
ブラシを適宜超音波洗浄槽１０４，１０５内で洗浄することによりブラシを常に清浄に保つことが可能となり、被洗浄物を効果的に洗浄することが可能となる。
【００６７】
なお、洗浄室１０１の内面は、不動態膜が表面に形成されたステンレス鋼により形成することが好ましい。
【００６８】
また、被処理物が回転可能な構成とすることが好ましい。被処理物を回転し、かつ、表面（裏面）に洗浄液を供給すればより一層清浄度の高い洗浄が可能となる。
【００６９】
なお、ブラシは、被洗浄物表面を傷つけず、また、汚染源とならないものであればよく、例えばナイロン製のものを用いることができる。
【００７０】
なお、図５には、Ｈ2水配管１０を洗浄室に接続してある場合を示してあるが、Ｈ2水配管１０とともにオゾン水配管９を洗浄室に接続してもよい。また、他の配管（例えばリンス液供給するための配管）を接続してもよい。以下に述べる他の実施形態あるいは実施例においても同様である。
【００７１】
図６に本発明に係る洗浄システムの実施形態を示す。図６には洗浄室のみを示してある。
【００７２】
２０４が洗浄室である。洗浄室２０４内には高圧ジェットノズル２１０、２１１が設けてあり、高圧ジェットノズル２１０，２１１にはＨ2水配管１０がポンプなどを介して接続されている。
【００７３】
なお、噴射圧力としては、５ｋｇｗ／ｃｍ2〜１５０ｋｇｗ／ｃｍ2が洗浄効果をより一層高める上から好ましいが、基板でのダメージを考慮すると３０〜７０ｋｇｗ／ｃｍ2がより好ましい。
【００７４】
なお、ノズル２１０，２１１は、クロム酸化物を主成分とする不動態膜が表面に形成されたステンレス鋼により構成することがノズルからのパーティクルと金属溶出の発生を防止でき、また、耐食性の点から好ましい。なお、ノズル先端の微少穴の部分はサファイアが好ましい。
【００７５】
図７に本発明に係る洗浄システムの実施形態を示す。図７には洗浄室のみを示す。３０９が洗浄室である。
【００７６】
図７に示す例では、洗浄室３０９の内部にさらに石英製超音波洗浄槽３０１が設けられており、その中にはＨ2水３０６がＨ2水配管１０を介して供給されている。この超音波洗浄槽３０１は、超音波伝達用液体３０５を介して超音波槽３０２内に収納されている。３０３，３０４は超音波素子であり、本例では、被処理物１１５に対し水平方向に超音波が付与される。超音波素子３０３からの超音波は、超音波伝達用液体３０５を介して超音波洗浄槽３０１内のＨ2水３０６内に浸漬された被処理物１１５に伝達される。
【００７７】
なお、３１１は被処理物１１５を保持するための保持部材であり、上下動可能となっている。
【００７８】
図８に本発明に係る洗浄システムの実施形態を示す。図８には洗浄室のみを示す。４０２が洗浄室である。
【００７９】
４０３は超音波素子である。４０４は超音波が印加された処理水をシャワー状に導出するための超音波シャワーである。この超音波シャワー４０４にＨ2水配管１０が接続されており、超音波素子４０３により超音波が付与される。
【００８０】
なお、超音波シャワー４０４の長さａは被処理物１１５（基板）の対角線の長さより大きくすることが好ましい。これにより、保持体４０７により保持されている被処理物１１５が回転したときであっても常に噴射水が基板１１５全体にかかるようにすることができ、パーティクルの再付着等を防止することができる。
【００８１】
また、乾燥は、表面に酸化膜が形成されることを防止するため、不活性ガスを被処理物の表面に吹き付けながら行うことが好ましい。本例でも不活性ガスを導入するためのガス導入口４０５を設けてある。このガスは水分等の不純物濃度が数ｐｐｂ以下のガスを用いることが好ましい。経済的観点からは窒素ガスが好ましい。
【００８２】
なお、乾燥速度を速めるために、ガスをヒータ４０６で加熱することが好ましい。
【００８３】
図９に本発明に係る洗浄システムの実施形態を示す。図９には洗浄室のみを示す。９０１が洗浄室である。
【００８４】
本例では洗浄室９０１内に気体噴射ノズル９１０，９１１を設けてある。
気体噴射ノズル９１０の詳細を図１０に示す。図１０（ｂ）は垂直断面図であり、図１０（ａ）は図１０（ｂ）のＸ−Ｘ’断面図である。
【００８５】
窒素、空気などの気体を気体入口９１５から導入するとともに、Ｈ2水を液体入口９１７から導入する。気体の流れのためＨ2水は気体噴射ノズル９１０内に吸い込まれ気体とともにノズル内の通路９１６に沿ってを流れ、ノズル先端９１８から高圧で噴射される。
【００８６】
ノズル先端９１８の径としては０．１〜０．２ｍｍが好ましい。気体の流量としては１〜１５０Ｎｌ／ｍｉｎが好ましく、気体の圧力としては１〜５ｋｇｗ／ｃｍ2が好ましい。
【００８７】
かかる噴射ノズル９１０，９１１を用いることにより従来に比べ超純水の使用量、気体の使用量を少なくできるとともにサブミクロンのパーティクルの除去及び再付着のない洗浄が可能となる。
【００８８】
【実施例】
本例では、図１に示す洗浄水供給系を用いてＯ3水及びＨ2水を製造し、洗浄室に供給して洗浄試験を行った。
【００８９】
なお、図１に示す装置としてペルメレック電極株式会社製の商品名「ピュアゾン」（登録商標）を用いた。
【００９０】
超純水供給ライン７から、分岐配管７ａを介してＨ2ガス溶解塔３へ、分岐配管７ｂを介してＯ3ガス溶解塔２へ、分岐配管７ｃを介して電気分解槽１へそれぞれ超純水を導入した。
【００９１】
電気分解槽１では次なる条件で電気分解を行いＨ2ガスとＯ3ガスとを発生させた。
【００９２】
電気分解の条件は次の通りである。
電圧：約３Ｖ
電流：約３５Ａ
【００９３】
この条件ではオゾンガスの発生量は１．３ｇ／時間、水素ガスの発生量は１．３ｇ／時間であった。
【００９４】
Ｏ3ガス溶解塔２出口におけるＯ3水中のオゾン濃度は、１０ｐｐｍ程度であった。
【００９５】
このＯ3水の有機物の除去効果を次の手順で試験した。
有機物の除去効果は水滴の接触角を調べることにより評価した。すなわち、洗浄、乾燥後の基板表面に水滴を付着させ、この水滴の接触角を調べ、その接触角により評価した。接触角は小さいほど水滴が濡れやすくなる。
【００９６】
ＴＦＴ−ＬＣＤ用ガラス基板を用意した。この基板の初期（洗浄前）における水滴の接触角は約２０度であった。この基板をＯ3水により、洗浄時間５〜６０秒の間で変化させ洗浄を行った。洗浄後における接触角を調べた。その結果を図１１（ａ）に示す。
【００９７】
本実施例により製造したオゾン水による洗浄によれば洗浄時間を５秒以上確保すれば接触角５度以下にすることができる。
【００９８】
なお、比較のため、紫外線照射により発生させたオゾンによる洗浄結果を図１１（ｂ）に示す。
【００９９】
一方、Ｈ2ガスもＨ2溶解塔３において超純水に溶解させＨ2水を製造した。このＨ2水には、Ｈ2水配管途中に配置された混合装置５において、ポンプ６により圧送された薬液（ＮＨ4ＯＨ）を添加した。
【０１００】
洗浄室におけるＮＨ4ＯＨ添加Ｈ2水は次なる特性を有していた。
ｐＨ：１０．５
ＯＲＰ（酸化還元電位）：−６３０ｍＶ ｖｓ  ＮＨＥ
Ｈ2濃度：０．９８ｐｐｍ
【０１０１】
この水素水の洗浄能について以下の試験を行った。
ＴＦＴ−ＬＣＤ用ガラス基板（１５０×１５０ｍｍ角）を用意し、この基板をアルミナパーティクル懸濁液に漬浸し、基板表面にパーティクルを付着させた。
【０１０２】
パーティクル付着した基板を上記水素水を用い超音波を照射しながら洗浄し、洗浄後の残留パーティクル数を調べた。
【０１０３】
なお、洗浄条件は次の通りである。
超音波周波数：１．５ＭＨｚ
水素水流量：０．８Ｌ／ｍｉｎ
洗浄時間：１分
【０１０４】
試験結果を図１２に示す。
なお、図１２には、超純水による洗浄結果、及びｐＨ＝１０．５のカソード水による洗浄結果を合わせて示す。
【０１０５】
図１２からわかるように本発明により製造・供給したＨ2水の洗浄液による洗浄効果は従来の電解イオン水による洗浄効果と同じである。従って、洗浄効果を落とすことなくコンパクトな洗浄液製造・供給系を提供することが可能になったことがわかる。
【０１０６】
（実施例２）
図３に示す装置を用いて洗浄水を製造し、洗浄室に供給し、実施例１と同様の洗浄を行った。
【０１０７】
有機物、パーティクルの除去効果については実施例１と同様の結果が得られた。
【０１０８】
ただ、Ｈ2水による洗浄後において、実施例１の場合に比べ電極からの溶出と考えられる金属の付着物が１０10ａｔｍｓ／ｃｍ2のオーダーで認められた。
【０１０９】
（実施例３）
図４に示す装置を用いて洗浄水を製造し、洗浄室に供給し、実施例１と同様の洗浄を行った。
【０１１０】
有機物、パーティクルの除去効果については実施例１と同様の結果が得られた。
【０１１１】
ただ、Ｈ2水による洗浄後において、実施例１の場合に比べ電極からの溶出と考えられる金属の付着物が１０10ａｔｍｓ／ｃｍ2のオーダーで認められた。
【０１１２】
（実施例４）
図１、図５に示す洗浄システムにより以下の条件でブラシ洗浄を行った。
基板：アルミナパーティクルを付着したガラス
洗浄水：Ｈ2水＋ＮＨ4ＯＨ
Ｈ2濃度：０．９８ｐｐｍ
ｐＨ：１０．５
ＯＲＰ：−６３０ｍＶｖｓＮＨＺ
流量：２Ｌ／ｍｉｎ
ブラシ材質：ナイロン
【０１１３】
一方、比較のため比抵抗１８ＭΩｃｍの純水を洗浄水として用いて上記と同様のブラシ洗浄を行った。
【０１１４】
洗浄結果を図１３に示す。図１３に示すとおり、Ｈ2水＋ＮＨ4ＯＨによるブラシ洗浄は、純水によるブラシ洗浄よりも優れた洗浄効果を示している。これは、Ｈ2水＋ＮＨ4ＯＨによるブラシ洗浄は、パーティクルの再付着防止に効果があるためである。
【０１１５】
（実施例５）
図１、図６に示す洗浄システムにより以下の高圧ジェット洗浄を行った。
基板：アルミナパーティクルを付着したガラス
洗浄水：Ｈ2水＋ＮＨ4ＯＨ
Ｈ2濃度：０．９８ｐｐｍ
ｐＨ：１０．５
ＯＲＰ：−６３０ｍＶｖｓＮＨＺ
流量：１５０ｃｃ／ｍｉｎ
ジェット圧力：７０ｋｇＷ
【０１１６】
一方、比較のため比抵抗１８ＭΩｃｍの純水を用いて同じジェット圧力で高圧ジェット洗浄を行った。
【０１１７】
洗浄結果を図１４に示す。図１４に示すとおり、Ｈ2水＋ＮＨ4ＯＨによる高圧ジェット洗浄は、超純水による高圧ジェット洗浄よりも優れた洗浄効果を示している。
【０１１８】
（実施例６）
図１、図７、図８に示す洗浄システムにより以下の超音波洗浄を行った。
基板：アルミナパーティクルを付着したガラス
洗浄水：Ｈ2水＋ＮＨ4ＯＨ
Ｈ2濃度：０．９８ｐｐｍ
ｐＨ：１０．５
ＯＲＰ：−６３０ｍＶｖｓＮＨＺ
流量：０．８Ｌ／ｍｉｎ
超音波周波数：１．５ＭＨｚ
【０１１９】
一方、比較のため比抵抗１８ＭΩｃｍの純水を用いて同じ周波数で超音波洗浄を行った。
【０１２０】
洗浄結果を図１５に示す。図１５に示すとおり、Ｈ2水＋ＮＨ4ＯＨによる超音波洗浄は、超純水による超音波洗浄よりも優れた洗浄効果を示している。また、純水の場合には静電気の発生をもたらすがＨ2水＋ＮＨ4ＯＨの場合には静電気の発生を防止することができ絶縁膜の洗浄にも用いることができる。
【０１２１】
（実施例７）
図１、図９に示す洗浄システムにより以下の高圧噴射洗浄を行った。
基板：アルミナパーティクルを付着したガラス
洗浄水：Ｈ2水＋ＮＨ4ＯＨ
Ｈ2濃度：０．９８ｐｐｍ
ｐＨ：１０．５
ＯＲＰ：−６３０ｍＶｖｓＮＨＺ
流量：２Ｌ／ｍｉｎ
気体流量：１０ＮＬ／ｍｉｎ
【０１２２】
一方、比較のため比抵抗１８ＭΩｃｍの純水を用いて同じ条件で高圧噴射洗浄を行った。
【０１２３】
洗浄結果を図１６に示す。図１６に示すとおり、Ｈ2水＋ＮＨ4ＯＨによる高圧噴射洗浄は、超純水による高圧噴射洗浄よりも優れた洗浄効果を示している。また、剥離、エッチング等のリンス性も良好であった。
【０１２４】
【発明の効果】
発明によれば以下の諸々の効果が達成される。
【０１２５】
▲１▼有機物とパーティクルのそれぞれの洗浄液を同一装置で製造しており、非常にコンパクトな洗浄水供給系を構成することができる。従来は大型であった供給系をコンパクトにすることができた。その結果、その系を洗浄室近くに配置することが可能となったため特にオゾンの効率的利用が可能となり、洗浄効果も高めることができる。
【０１２６】
また、Ｏ3ガスとＨ2ガスとをそれぞれ溶解塔で純水に溶解しており、電極による汚染のない清浄な洗浄液を洗浄室に供給することができる。
【０１２７】
▲２▼  Ｈ2水にｐＨ調整薬液を添加することができるためＨ2水のｐＨを適宜（たとえばｐＨ７以上）に調整することができ、パーティクルの除去効率の高い洗浄液を供給することができる。
【０１２８】
なお、ＮＨ4ＯＨは他のｐＨ調整薬液よりもパーティクルの高い除去効率を示す。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明の実施の形態に係る洗浄水製造・供給システムの概念図である。
【図２】図１の電気分解槽の拡大図である。
【図３】発明の他の実施の形態に係る洗浄水製造・供給システムの概念図である。
【図４】発明のさらに他の実施の形態に係る洗浄水製造・供給システムの概念図である。
【図５】発明の実施の形態に係る洗浄システム断面図である。
【図６】発明の他の実施の形態に係る洗浄システム断面図である。
【図７】発明の他の実施の形態に係る洗浄システム断面図である。
【図８】発明の他の実施の形態に係る洗浄システム断面図である。
【図９】発明の他の実施の形態に係る洗浄システム断面図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）とも図９に示す高圧噴射ノズルの断面図である。
【図１１】オゾン水の洗浄効果を示すグラフであり、（ａ）は実施例１に係り、（ｂ）は従来例に係る。
【図１２】水素水の洗浄効果を示すグラフである。
【図１３】実施例４の洗浄効果を示すグラフである。
【図１４】実施例５の洗浄効果を示すグラフである。
【図１５】実施例６の洗浄効果を示すグラフである。
【図１６】実施例７の洗浄効果を示すグラフである。
【符号の説明】
１  電気分解槽、
２  Ｏ3ガス溶解塔、
３  Ｈ2ガス溶解塔、
４ａ  カソード電極、
４ｂ  アノード電極、
５  混合装置、
６  ポンプ、
７  超純水供給ライン、
８，１０  Ｈ2水配管、
９  オゾン水配管、
１１  Ｏ3ガス排出配管、
１２  Ｈ2ガス排出配管、
１５  カソード室、
１５ａ，１５ｂ  カソード室、
２１  カソード室、
２２  アノード室、
２３  陰極側触媒、
２４  陽極側触媒、
２５  イオン交換膜、
２６  直流電源、
３０  Ｈ2水配管、
１０１  洗浄室、
１０２，１０３  ブラシ、
１０４，１０５  ブラシ洗浄槽、
１０６，１０７  超音波素子、
１１８，１１９  配管、
２０４  洗浄室、
２１０，２１１  高圧ジェットノズル、
３０１  超音波洗浄槽、
３０２  超音波槽、
３０３，３０４  超音波素子、
３０５  超音波伝達用液体、
３０６  Ｈ2水、
３０９  洗浄室、
４０２  洗浄室、
４０３  超音波素子、
４０４  超音波シャワー、
４０５  ガス導入口、
９０１  洗浄室、
９１０，９１１  高圧気体噴射ノズル、
９１５  気体入口、
９１６  通路、
９１７  液体入口、
９１８  ノズル先端、
９３０  気体導入管。
【図１】
0003654478.tif 000002
【図２】
0003654478.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003654478.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003654478.tif 000011
【図１１】
0003654478.tif 000012
【図１２】
0003654478.tif 000013
【図１３】
0003654478.tif 000014
【図１４】
0003654478.tif 000015
【図１５】
0003654478.tif 000016
【図１６】
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