(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部空気を流入させるための開口（43）を有するチャンバ（40）と、
該チャンバ（40）に流入した外部空気からチャンバ（40）の外部のガス濃度を検出する半導体センサ（20）と、
該半導体センサ（20）の基準値を較正するために上記チャンバ（40）の内部空気を清浄にするための熱触媒（50）と、
上記チャンバ（40）内に清浄空気を生成するために上記熱触媒（50）を活性化するための触媒ヒータ（60）と、
上記半導体センサ（20）の基準値の較正において、該半導体センサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持するための加熱制御手段（73）とを備え、
上記加熱制御手段（73）は、半導体センサ（20）の内部ヒータ部（27）の印加電圧を所定の制御パターンで制御するように構成されている
ことを特徴とするガス検出装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記加熱制御手段（73）は、制御パターンを外部空気の温度に基づいて選定するように構成されている
ことを特徴とするガス検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス濃度を検出するガス検出装置に関し、特に、センサの較正対策に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ガスセンサには、一般計測の他、都市ガス及びプロパンガスなどの漏れ検知に応用される一方、空気清浄機や空気調和装置の室内機などに至るまで広く応用されている。
【０００３】
この従来のガスセンサは、センサの経時変化や妨害ガスの影響によりセンサ出力がドリフトするため、零点補正を行わないと、正確な絶対値レベルの測定が困難である。そこで、従来、ガス検出装置は、特開２００１−４１９１６号公報に開示されているように、ガスセンサをチャンバに設け、該チャンバ内に触媒を設けているものがある。そして、上記ガス検出装置は、チャンバの内部空気を定期的に一旦清浄にし、ガスセンサの基準値を較正するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来のガス検出装置は、基準値の較正、つまり、零点補正を行っているが、較正用触媒に熱触媒を用いると、この熱触媒を加熱した際、ガスセンサ自身も加熱される。この結果、ガスセンサ自身の温度依存性によってセンサ出力が変動し、較正精度が悪いという問題があった。
【０００５】
本発明は、斯かる点に鑑みて成されたもので、装置全体の消費電力の増加及びコスト上昇を抑制しつつ、センサの較正精度の向上を図ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
具体的に、図１に示すように、第１の発明は、外部空気を流入させるための開口（43）を有するチャンバ（40）と、該チャンバ（40）に流入した外部空気からチャンバ（40）の外部のガス濃度を検出する半導体センサ（20）とを備えている。更に、該半導体センサ（20）の基準値を較正するために上記チャンバ（40）の内部空気を清浄にするための熱触媒（50）と、上記チャンバ（40）内に清浄空気を生成するために上記熱触媒（50）を活性化するための触媒ヒータ（60）とを備えている。加えて、上記半導体センサ（20）の基準値の較正において、該半導体センサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持するための加熱制御手段（73）を備えている。その上、上記加熱制御手段（73）が半導体センサ（20）の内部ヒータ部（27）の印加電圧を所定の制御パターンで制御するように構成されている。
【０００７】
また、第２の発明は、第１の発明において、上記加熱制御手段（73）が制御パターンを外部空気の温度に基づいて選定するように構成されたものである。
【０００８】
すなわち、本発明では、半導体センサ（20）が対象ガスのガス濃度を検出する場合、触媒ヒータ（60）への通電を停止した状態において、対象ガスが開口（43）を介してチャンバ（40）内に流入し、半導体センサ（20）の感ガス部（26）に供給される。そして、上記半導体センサ（20）が対象ガス濃度に対応したセンサ出力を出力する。
【０００９】
一方、半導体センサ（20）の較正を行う場合、触媒ヒータ（60）へ通電し、熱触媒（50）を活性化させ、チャンバ（40）の内部空気を清浄化する。そして、上記半導体センサ（20）は、清浄空気のガス濃度を検出し、センサ出力によって半導体センサ（20）の零点を較正する。この較正時において、加熱制御手段（73）が半導体センサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持する。
【００１０】
具体的に、例えば、上記加熱制御手段（73）は、外部空気の温度の検知信号を受けて外部空気の温度に対応した制御パターンを選択する。その後、較正動作が開始して触媒ヒータ（60）が加熱すると、加熱制御手段（73）は、較正の開始時から半導体センサ（20）の内部ヒータ部（27）の印加電圧を低下させ、触媒ヒータ（60）の加熱が終了するまで徐々に低下させる。
【００１１】
この電圧制御により半導体センサ（20）のセンサ出力は、触媒ヒータ（60）の加熱が開始されると、チャンバ（40）の内部空気が清浄化されるので、急激に低下する。その後、半導体センサ（20）は、触媒ヒータ（60）の温度の影響を受けるものの、内部ヒータ部（27）の加熱度合が低下するので、センサ出力は、清浄レベルまで低下して該清浄レベルを維持する。その後、触媒ヒータ（60）の加熱が終了すると、半導体センサ（20）は、通常の検出動作に復帰する。
【００１２】
【発明の効果】
したがって、本発明によれば、清浄空気によって半導体センサ（20）の較正を行う際、加熱制御手段（73）によって半導体センサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持するようにしたために、上記半導体センサ（20）の温度依存性によるセンサ出力の変動を防止することができる。この結果、上記半導体センサ（20）の較正動作を正確に行うことができるので、測定誤差を大幅に低減することができる。
【００１３】
また、清浄空気によって半導体センサ（20）の零点の較正を行うようにしたために、検出の対象ガスが室内に定常的に存在する場合、又はこの対象ガスの変化が小さい場合や、緩やかな場合においても対象ガス濃度を正確に検出することができる。この結果、測定の信頼性を向上させることができる。
【００１４】
特に、半導体センサ（20）の感度低下などが生じても、対象ガスが存在しない清浄な状態から対象ガス濃度を検出するので、精度の高い測定を行うことができる。
【００１５】
また、上記加熱制御手段（73）としては、加熱手段や冷却手段を採用することも可能である。つまり、この熱触媒（50）の加熱時における半導体センサ（20）の熱影響を抑制するためには、半導体センサ（20）の温度を一定にすればよい。例えば、ヒータなどの加熱手段を別途に設け、熱触媒（50）の加熱時における到達上昇温度以上の高温で加熱手段をＰＩ制御又はＰＩＤ制御し、半導体センサ（20）の温度を一定にする。または、いわゆるペルチェ素子などの電子冷却手段を設けて冷却し、半導体センサ（20）の温度を一定にすることが考えられる。これら加熱手段や冷却手段を設けると、装置全体の消費電力が増加すると共に、コスト上昇の要因になる。
【００１６】
そこで、本発明は、上記半導体センサ（20）の内部ヒータ部（27）の印加電圧を制御することとする。この発明によれば、加熱手段や冷却手段などの部品点数を増加させることなく、通常一定電圧が印加される内部ヒータ部（27）の電圧を所定制御パターンに変更することで半導体センサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持することができる。この結果、装置全体の消費電力の増加やコスト上昇を招くことなく半導体センサ（20）の較正動作を正確に行うことができる。
【００１７】
また、外部温度に対応して制御パターンを選択するので、外部温度に対応して半導体センサ（20）の感ガス部（26）の温度、つまり、感ガス部（26）の表面温度を一定に制御することができる。この結果、外部温度に拘わらず、半導体センサ（20）の較正動作を正確に行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態のガス検出装置（10）は、例えば、空気調和装置の室内機や空気清浄機に設けられている。そして、該ガス検出装置（10）は、外部空気である室内空気のガス濃度を検出するもので、例えば、室内のホルムアルデヒドなどの対象ガスのガス濃度を検出するものである。
【００２０】
上記ガス検出装置（10）は、ガスセンサ（20）と清浄空気の生成手段（30）とを備えている。そして、上記生成手段（30）は、チャンバ（40）に熱触媒（50）及び触媒ヒータ（60）が設けられて構成されている。
【００２１】
上記チャンバ（40）は、所定容量の容器状に形成されている。具体的に、上記チャンバ（40）は、高熱伝導率材料で形成され、ほぼカップ状の本体（41）と、該本体（41）の上部を閉鎖する上部板（42）とより構成されている。そして、上記本体（41）の上部には、チャンバ（40）の外部と内部とを連通する開口（43）が形成されている。該開口（43）は、室内空気がチャンバ（40）に流入して拡散するように形成されている。
【００２２】
尚、上記チャンバ（40）は、熱触媒（50）の負荷を小さくすると共に、測定時の対象ガスに対する応答性を良くするため、容積が極力小さいことが望ましい。つまり、上記チャンバ（40）の容量は、熱触媒（50）並びに触媒ヒータ（60）のサイズ及び電気容量に応じて、温度上昇を避けるための下限値が存在し、数ミリリットルから数十ミリリットル程度である。
【００２３】
上記ガスセンサ（20）は、半導体センサで構成され、チャンバ（40）の本体（41）に取り付けられている。そして、図２に示す上記ガスセンサ（20）のセンサ部（24）がチャンバ（40）内に位置している。
【００２４】
上記ガスセンサ（20）は、図２に示すように、ピン（21）が貫通して取り付けられたプレート（22）と、上記ピン（21）にリード線（23）を介して接続されたセンサ部（24）と、該センサ部（24）を覆うセンサカバー（25）とを備えている。上記センサ部（24）は、半導体より成る感ガス部（26）と内部ヒータ部（27）とを備え、該内部ヒータ部（27）が感ガス部（26）を常時約３００℃〜４００℃に加熱している。
【００２５】
上記センサカバー（25）は、プレート（22）に取り付けられ、チャンバ（40）の内部空気が導入されるように開口部（28）が形成されている。
【００２６】
上記熱触媒（50）と触媒ヒータ（60）とは、チャンバ（40）の内部の中央下部に配置されている。上記触媒ヒータ（60）は、熱触媒（50）を活性化させるための駆動源であって、電気ヒータで構成されている。
【００２７】
上記熱触媒（50）は、ガスセンサ（20）の基準値を較正するために清浄空気を生成するものである。該熱触媒（50）は、例えば、触媒成分が担体に担持されて構成され、マンガン系触媒、バナジウム系触媒又はモリブデン系触媒等の熱触媒で構成されている。
【００２８】
上記熱触媒（50）の担体としては、例えば、活性アルミナ、セリア、ジルコニア、シリカ及びゼオライト等から選ばれた１種類以上の金属酸化物又は該金属酸化物と金属の複合酸化物との混合物が採用されている。
【００２９】
上記触媒成分としては、例えば、Ag、Pd、Pt、Mn及びRhのうちから選ばれた１種類以上の金属、該金属を含有する合金若しくは該金属の酸化物、又はこれらの２種類以上の混合物が採用されている。
【００３０】
また、上記熱触媒（50）は、例えば、触媒成分が担体に担持されたものを網状に形成された金属等の基材に担持させてもよく、また、熱触媒（50）は、触媒成分のみからなるものを網状に形成された金属等の基材に担持させてもよい。
【００３１】
上記触媒ヒータ（60）は、熱触媒（50）に接合されるか、又は重ね合わされ、該触媒ヒータ（60）への通電によって熱触媒（50）が活性化するように構成されている。
【００３２】
また、上記触媒ヒータ（60）と熱触媒（50）との構成は、ヒータフィラメントに熱触媒を直接に塗布したものでもよい。
【００３３】
また、上記触媒ヒータ（60）にプレートやフィン等の伝熱部材を取り付け、該伝熱部材に熱触媒（50）をコーティングしてもよい。
【００３４】
また、上記熱触媒（50）の焼結体を形成し、該焼結体に触媒ヒータ（60）を巻き付けてもよい。
【００３５】
また、上記熱触媒（50）を粉末状とし、この粉末状熱触媒と触媒ヒータ（60）とを管状保持材に充填するか、網状保持材で挟み込むようにしてもよい。
【００３６】
一方、上記ガスセンサ（20）にはコントローラ（70）が接続されている。該コントローラ（70）は、ガスセンサ（20）のセンサ出力を受けてガス濃度を算出して表示又は制御信号の出力を行う検出処理手段（71）と、較正の開始と終了とを制御する較正手段（72）とを備えている。
【００３７】
上記較正手段（72）は、所定時間毎に較正動作を実行するか、又は前回の較正動作が終了した後、所定時間が経過し且つガスセンサ（20）のセンサ出力が所定値以下になると、較正動作を実行するように構成されている。つまり、上記較正手段（72）によって触媒ヒータ（60）が通電によって加熱する。
【００３８】
更に、上記較正手段（72）は、ガスセンサ（20）のセンサ出力の変化率が所定値以下になると、較正動作の終了判定を行うように構成されている。そして、上記較正手段（72）の終了信号を受けて検出処理手段（71）がガスセンサ（20）の基準値である零点を較正する。尚、上記較正手段（72）は、較正動作を所定時間以上又は所定時間以下の制約を設けてもよい。
【００３９】
更に、本発明の特徴として、上記コントローラ（70）は、ガスセンサ（20）の較正時に、ガスセンサ（20）の内部ヒータ部（27）を制御する加熱制御手段（73）が設けられている。該加熱制御手段（73）は、ガスセンサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持するための手段であり、ガスセンサ（20）の内部ヒータ部（27）の印加電圧を所定の制御パターンで制御するように構成されている。
【００４０】
また、上記加熱制御手段（73）は、ガスセンサ（20）の内部ヒータ部（27）の印加電圧を複数の所定の制御パターンから１つの制御パターンを選択して制御するように構成されている。
【００４１】
そこで、上記加熱制御手段（73）がガスセンサ（20）の内部ヒータ部（27）を制御する基本原理について説明する。
【００４２】
上記ガスセンサ（20）の較正動作を開始すると、触媒ヒータ（60）が加熱して熱触媒（50）を活性化するので、チャンバ（40）の内部温度が上昇し、ガスセンサ（20）の周囲温度も上昇する。一方、上記ガスセンサ（20）は、温度依存性があるので、周囲温度が上昇すると、センサ出力が変動する。
【００４３】
具体的に、図３に示すように、清浄空気の雰囲気中において、触媒ヒータ（60）を区間Ｘで加熱する。その際、ガスセンサ（20）に対して温度の影響が少ない場合、実線Ａで示すように、ガス濃度を示すセンサ出力は、時間の経過と共に若干上昇する程度である。
【００４４】
これに対し、上記ガスセンサ（20）に対して温度の影響が大きい場合、一点鎖線Ｂで示すように、ガス濃度を示すセンサ出力は、触媒ヒータ（60）を加熱した後、暫くして上昇し始め、触媒ヒータ（60）の加熱を停止した後、更に一旦上昇した後、低下する。
【００４５】
このように、半導体型のガスセンサ（20）は、周囲温度の影響を極めて受け易く、周囲温度によってセンサ出力が大きく変動する。
【００４６】
したがって、上記ガスセンサ（20）の較正動作時に、触媒ヒータ（60）を加熱すると、図３に二点鎖線Ｃで示すように、チャンバ（40）の内部空気が清浄化されるので、センサ出力は、加熱初期において急激に低下する。その後、上記センサ出力は、温度の影響を受けて上昇し始め、触媒ヒータ（60）の加熱を停止した後、更に一旦上昇した後、低下する。
【００４７】
この結果、上記図３の二点鎖線で示すセンサ出力Ｃは、最低点が図３の実線で示すセンサ出力Ａのレベルまで低下しないことになる。したがって、較正した基準値（零点）がズレることから、ガスセンサ（20）が絶対値のガス濃度を検出した際、誤差を生ずることになる。
【００４８】
一方、半導体型のガスセンサ（20）は、内部ヒータ部（27）が感ガス部（26）を常時３００℃〜４００℃まで加熱している。したがって、上記ガスセンサ（20）が較正動作時に触媒ヒータ（60）の温度の影響を受ける場合、触媒ヒータ（60）の温度に対応して内部ヒータ部（27）の加熱度合が低下するように、該内部ヒータ部（27）の印加電圧を低下させる。
【００４９】
具体的に、図４のＤに示す制御パターンで内部ヒータ部（27）の印加電圧を制御する。つまり、図４に示す区間Ｘで触媒ヒータ（60）を加熱するので、この加熱が開始すると、内部ヒータ部（27）の印加電圧Ｄを加熱終了まで徐々に低下させ、上記触媒ヒータ（60）の加熱が終了すると、徐々に印加電圧Ｄを上昇させる。
【００５０】
このように、上記内部ヒータ部（27）の印加電圧Ｄを制御すると、図５のＥに示すように、ガスセンサ（20）のセンサ出力は、触媒ヒータ（60）の加熱を開始すると（区間Ｘ参照）、チャンバ（40）の内部空気が清浄化されるので、急激に低下する。その後、ガスセンサ（20）は、触媒ヒータ（60）の温度の影響を受けるものの、内部ヒータ部（27）の加熱度合が低下するので、センサ出力Ｅは、清浄レベルまで低下して該清浄レベルを維持する。その後、触媒ヒータ（60）の加熱が終了すると、印加電圧の上昇に伴って内部ヒータ部（27）の温度が徐々に上昇して通常の検出時の温度に復帰するので、ガスセンサ（20）のセンサ出力Ｅは、現在のガス濃度に対応したレベルに戻ることになる。
【００５１】
したがって、内部ヒータ部（27）の印加電圧を制御しない従来のガスセンサ（20）のセンサ出力Ｃに比較して、清浄レベルのセンサ出力Ｅが維持されるので、較正が確実に行われる。
【００５２】
また、上記図４及び図５は、雰囲気温度が２５℃の場合である。つまり、チャンバ（40）の外部の室内温度が２５℃の場合である。この雰囲気温度が異なる場合、センサ出力も異なる。つまり、図７に示すように、雰囲気温度が４５℃の場合、図４の制御パターンで印加電圧を制御すると、センサ出力は、二点鎖線Ｆで示すように変化し、雰囲気温度が２５℃のセンサ出力Ｅの変動と異なることになる。
【００５３】
具体的に、雰囲気温度が４５℃の場合、図４の制御パターンで印加電圧を制御すると、触媒ヒータ（60）の加熱を開始すると（区間Ｘ参照）、チャンバ（40）の内部空気が清浄化されるので、センサ出力Ｆは、一旦急激に低下する。その後、上記センサ出力Ｆは、触媒ヒータ（60）の温度の影響を受けて上昇し、触媒ヒータ（60）の加熱を停止した後、更に一旦上昇した後、低下する。
【００５４】
そこで、図６のＧに示す制御パターンで内部ヒータ部（27）の印加電圧を制御する。つまり、触媒ヒータ（60）の加熱が開始すると（区間Ｘ参照）、内部ヒータ部（27）の印加電圧を低下させると共に、雰囲気温度が２５℃の場合より低下させ、上記触媒ヒータ（60）の加熱が終了すると、徐々に印加電圧を上昇させる。
【００５５】
このように、上記内部ヒータ部（27）の印加電圧Ｇを制御すると、図７の一点鎖線Ｈに示すように、ガスセンサ（20）のセンサ出力は、触媒ヒータ（60）の加熱を開始すると、チャンバ（40）の内部空気が清浄化されるので、急激に低下する。その後、ガスセンサ（20）は、触媒ヒータ（60）の温度の影響を受けるものの、内部ヒータ部（27）の加熱度合が低下するので、センサ出力Ｈは、清浄レベルまで低下して該清浄レベルを維持する。更に、触媒ヒータ（60）の加熱が終了すると、印加電圧の上昇に伴って内部ヒータ部（27）の温度が徐々に上昇して通常の検出時の温度に復帰するので、ガスセンサ（20）のセンサ出力Ｈは、現在のガス濃度に対応したレベルに戻ることになる。
【００５６】
したがって、本実施形態においては、加熱制御手段（73）が雰囲気温度である室内温度に対応した複数の制御パターンを予め記憶し、室内温度に基づいて印加電圧の制御パターンを選択するようにしている。
【００５７】
〈作用〉
次に、上述したガス検出装置（10）の検出動作について説明する。
【００５８】
先ず、ガスセンサ（20）が室内の対象ガスのガス濃度を検出する場合、触媒ヒータ（60）への通電を停止している。この通電の停止により、熱触媒（50）が活性化することがないので、室内空気が開口（43）を介してチャンバ（40）内に流入し、拡散する。この室内空気がガスセンサ（20）の感ガス部（26）に供給される。
【００５９】
上記ガスセンサ（20）は、この室内空気から対象ガス濃度に対応したセンサ出力を出力し、検出処理手段（71）がガス濃度を算出し、例えば、制御信号を出力し、室内ファンの駆動などの制御を実行する。
【００６０】
一方、コントローラ（70）の較正手段（72）は、前回の較正動作が終了した後、所定時間が経過し且つガスセンサ（20）のセンサ出力が所定値以下になると、較正動作を実行する。つまり、上記較正手段（72）の制御信号によって触媒ヒータ（60）への通電が開始される。この通電により、熱触媒（50）が活性化し、チャンバ（40）の内部空気が清浄され、清浄空気がガスセンサ（20）に供給される。
【００６１】
そして、上記ガスセンサ（20）は、清浄空気のガス濃度を検出する。その後、上記較正手段（72）は、ガスセンサ（20）のセンサ出力の変化率が所定値以下になると、較正の終了を判定する。検出処理手段（71）は、較正の終了時におけるセンサ出力によってガスセンサ（20）の零点を較正する。その後、通常の測定動作を再開する。
【００６２】
そこで、上記較正動作における触媒ヒータ（60）の制御について説明すると、先ず、加熱制御手段（73）は、外部空気の温度である室内温度の検知信号を受けて室内温度に対応した制御パターンを選択する。その後、較正動作が開始して触媒ヒータ（60）が加熱すると、加熱制御手段（73）は、図４又は図６の制御パターンに基づき、較正の開始時からガスセンサ（20）の内部ヒータ部（27）の印加電圧を低下させ、触媒ヒータ（60）の加熱が終了するまで徐々に低下させる。
【００６３】
そして、上記触媒ヒータ（60）の加熱が終了すると、内部ヒータ部（27）の印加電圧を徐々に上昇し、通常の検出時の印加電圧に復帰させる。
【００６４】
このように印加電圧を制御すると、ガスセンサ（20）のセンサ出力は、図５Ｅ又は図７Ｈに示すように、触媒ヒータ（60）の加熱が開始されると、チャンバ（40）の内部空気が清浄化されるので、急激に低下する。その後、ガスセンサ（20）は、触媒ヒータ（60）の温度の影響を受けるものの、内部ヒータ部（27）の加熱度合が低下するので、センサ出力は、清浄レベルまで低下して該清浄レベルを維持する。更に、触媒ヒータ（60）の加熱が終了すると、印加電圧の上昇に伴って内部ヒータ部（27）の温度が徐々に上昇して通常の検出時の温度に復帰するので、ガスセンサ（20）のセンサ出力は、現在のガス濃度に対応したレベルに戻り、通常の測定動作を再開する。
【００６５】
〈実施形態の効果〉
したがって、本発明によれば、清浄空気によってガスセンサ（20）の較正を行う際、ガスセンサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持するようにしたために、半導体型のガスセンサ（20）の温度依存性によるセンサ出力の変動を防止することができる。この結果、上記ガスセンサ（20）の較正動作を正確に行うことができるので、測定誤差を大幅に低減することができる。
【００６６】
また、清浄空気によってガスセンサ（20）の零点の較正を行うようにしたために、検出の対象ガスが室内に定常的に存在する場合、又はこの対象ガスの変化が小さい場合や、緩やかな場合においても対象ガス濃度を正確に検出することができる。この結果、測定の信頼性を向上させることができる。
【００６７】
特に、ガスセンサ（20）の感度低下などが生じても、対象ガスが存在しない清浄な状態から対象ガス濃度を検出するので、精度の高い測定を行うことができる。
【００６８】
また、上記ガスセンサ（20）の内部ヒータ部（27）の印加電圧を制御するようにすると、加熱手段や冷却手段などの部品点数を増加させることなく、通常一定電圧が印加される内部ヒータ部（27）の電圧を所定制御パターンに変更するという制御の簡単な変更でもってガスセンサ（20）の感ガス部（26）を所定温度に維持することができる。この結果、装置全体の消費電力の増加やコスト上昇を招くことなくガスセンサ（20）の較正動作を正確に行うことができる。
【００６９】
また、外部温度である室内温度に対応して制御パターンを選択するので、室内温度に対応して半導体センサ（20）の感ガス部（26）の温度、つまり、感ガス部（26）の表面温度を一定に制御することができる。この結果、室内温度に拘わらず、半導体センサ（20）の較正動作を正確に行うことができる。
【００７０】
また、上記チャンバ（40）を高熱伝導材料で形成すると、触媒ヒータ（60）の熱を容易に放熱させることができる。
【００７１】
【発明の他の実施の形態】
上記実施形態における加熱制御手段（73）の制御パターンは、２つに限られず、３つ以上であってもよく、また、雰囲気温度の関数であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明のガス検出装置の構成を示す断面図である。
【図２】    ガスセンサを示す概略構成図である。
【図３】    ガスセンサの温度依存性を示す出力特性図である。
【図４】    ガスセンサの内部ヒータ部の印加電圧の電圧特性図である。
【図５】    図４の制御パターンで電圧制御した場合のガスセンサの出力特性図である。
【図６】    ガスセンサの内部ヒータ部の印加電圧の他の電圧特性図である。
【図７】    図６の制御パターンで電圧制御した場合のガスセンサの出力特性図である。
【符号の説明】
10            ガス検出装置
20            ガスセンサ
24            センサ部
26            感ガス部
27            内部ヒータ部
40            チャンバ
43            開口
50            熱触媒
60            触媒ヒータ
70            コントローラ
73            加熱制御手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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