(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜面に対して垂直な磁気モーメント成分と膜面に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分とを有し、かつキュリー温度まで加熱したときに前記膜面に対して垂直な磁気モーメント成分と膜面に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分とが共に消失する磁性膜を有する光磁気記録媒体と、前記磁性膜にレーザ光を照射する光学ヘッドと、前記磁性膜のレーザ光照射部に外部磁界を印加する磁界発生装置とを備えた光磁気記録装置を用い、前記磁界発生装置より前記磁性膜のレーザ光照射部に対して垂直方向から１５度乃至４５度傾斜した方向の外部磁界を印加し、前記磁性層に対する情報の記録を行うことを特徴とする光磁気記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録方法に係り、特に、光磁気記録媒体に備えられた磁性膜に対する外部磁界の印加方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体を装着して情報の記録、再生、消去等を行う光磁気記録装置には、光磁気記録媒体に形成された磁性膜に収束させたレーザ光を照射する光学ヘッドと、磁性膜のレーザ光照射部に外部磁界を印加する磁界発生装置とが備えられる。従来より、光磁気記録媒体としては、例えば希土類−遷移金属系の磁性膜など、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性膜（垂直磁化膜）が多く用いられており、この種の磁性膜を備えた光磁気記録媒体を装着する光磁気記録装置においては、磁化容易軸方向と外部磁界方向とを合致させる意味から、磁性膜のレーザ光照射部に外部磁界が垂直に印加されるように、磁界発生装置が調整及び配置されている。なお、磁界発生装置としては、いわゆる磁気記録装置に備えられると同様の磁気ヘッドのほか、電磁コイルや永久磁石などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光磁気記録の技術分野においては、磁界発生装置の小型化、磁界発生装置の消費電力の低減（電磁方式の磁界発生装置を用いる場合）、光磁気記録媒体に対する磁界発生装置設定位置のスペース上の余裕度の向上、それに磁界変調方式による情報記録を実現するなどのため、なるべく小さな外部磁界で光磁気記録媒体に対する情報の記録及び消去を行えるようにすることが望ましい。
【０００４】
本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであって、その目的は、小型かつ消費電力が小さい磁界発生装置を備えた光磁気記録装置を用いて、磁界変調記録による高速記録及び高密度記録を行うことが可能な光磁気記録方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の課題を解決するため、膜面に対して垂直な磁気モーメント成分と膜面に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分とを有し、かつキュリー温度まで加熱したときに前記膜面に対して垂直な磁気モーメント成分と膜面に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分とが共に消失する磁性膜を有する光磁気記録媒体と、前記磁性膜にレーザ光を照射する光学ヘッドと、前記磁性膜のレーザ光照射部に外部磁界を印加する磁界発生装置とを備えた光磁気記録装置を用い、前記磁界発生装置より前記磁性膜のレーザ光照射部に対して垂直方向から１５度乃至４５度傾斜した方向の外部磁界を印加し、前記磁性層に対する情報の記録を行うという構成にした。
【０００６】
本願発明者等は、研究の結果、以下の事実を知得するに至った。すなわち、磁化エネルギに対して異方性エネルギが比較的高い希土類−遷移金属系の磁性膜においては、磁化反転の過程は磁壁移動のモードが優勢であり、その垂直方向の保磁力は、磁化反転の核の発生する磁界を示している。しかるに、磁性膜の膜面に対して垂直な方向に対し傾斜した方向から磁性膜に外部磁界を印加すると、膜面に対して垂直な磁界成分と共に水平な方向の成分も加わることになる。この水平な磁界成分は、磁気モーメントに対して直交するため、磁気モーメントを回転させようとするトルクを及ぼす。このため、この水平な磁界成分によるトルクが、垂直な磁界成分によるトルクとバランス良く作用する角度領域において、磁化の反転核の発生が促進され、保磁力が低下する。
【０００７】
本願発明は、かかる知見に基づいてなされたものであり、膜面に対して垂直な方向から外部磁界を印加した場合よりも傾斜した方向から外部磁界を印加した場合の方が保磁力が低下する磁性膜を備えた光磁気記録媒体に対して、外部磁界を傾斜する方向から印加すれば、光磁気記録媒体の外部磁界感度を向上することができるので、小さな外部磁界による情報の記録及び消去が可能になり、光磁気記録装置に備えられる磁界発生装置の小型化、電磁方式の磁界発生装置を用いる場合における磁界発生装置の消費電力の低減、装置設計上の自由度の向上を図ることができる。また、磁界変調方式による情報記録が実現可能になるため、情報の高速記録及び高密度記録が図れる。
【０００８】
なお、前記構成の光磁気記録媒体としては、
（ａ）前記磁性膜の膜面に対して垂直な方向を０°、外部磁界の傾斜角度をαとしたとき、−５２°≦α＜０°及び０°＜α≦＋５２°の範囲で、前記磁性膜の膜面に対して垂直な方向から外部磁界を印加した場合よりも保磁力が低下するもの、
（ｂ）同様に、前記磁性膜の膜面に対して垂直な方向を０°、外部磁界の傾斜角度をαとしたとき、−４５°≦α≦−１５°及び１５°≦α≦＋４５°の範囲で、垂直な方向から外部磁界を印加した場合よりも保磁力が１６％乃至４５％低下するもの、
（ｃ）前記磁性膜の膜厚方向に、磁気モーメントが当該磁性層の膜面と垂直な方向に向く部分と、磁気モーメントが当該磁性層の膜面と垂直でない方向に向く部分とを有するもの、
を用いることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明に係る光磁気記録媒体を装着して情報の記録、再生、消去等を行う光磁気記録装置の概略構成を示す。同図に示すように、本例の光磁気記録装置は、光磁気記録媒体１を介してその両側に、収束されたレーザ光２を光磁気記録媒体１の磁性膜１ａに照射する光学ヘッド３と、レーザ光２の照射部分に磁性膜１ａの膜面に対して傾斜する外部磁界４を印加する磁界発生装置５とを相対向に配置してなる。
【００１０】
光学ヘッド３は、投光光学系３ａと反射光学系３ｂとからなり、投光光学系３ａは、半導体レーザ１１と、半導体レーザ１１から出射された拡散光を平行光に変換するコリメータレンズ１２と、光磁気記録媒体１への入射光と光磁気記録媒体１からの反射光とを分離するビームスプリッタ１３と、平行光を収束して磁性膜１ａ上に合焦する対物レンズ１４とからなる。一方、反射光学系３ｂは、前記対物レンズ１４と、前記ビームスプリッタ１３と、反射光の一部を光点制御信号検出回路１５に導く第２のビームスプリッタ１６と、反射光の偏光面を調整する半波長板１７と、反射光を集光する検出レンズ１８と、反射光をｓ偏光成分とｐ偏光成分に分離する検光子１９と、検出レンズ１８の集光面に配置された２つの光検出器２０ａ，２０ｂとからなる。これら２つの光検出器２０ａ，２０ｂの出力端は、差動増幅器２１の２つの入力端子に接続され、該差動増幅器２１の出力端子から再生信号が取り出される。対物レンズ１４は、アクチュエータ２２に搭載されており、前記光点制御信号検出回路１５の出力信号によって、常時入射光が磁性膜１ａ上に合焦されるように当該磁性膜１ａからの距離が調整される。一方、磁界発生装置５は、信号源２３に接続された磁気ヘッド駆動回路２４からの駆動電流によって励磁され、信号源２３から出力される記録情報に対応するパルス状の外部磁界Ｈｅｘを磁性膜１ａのレーザ光照射部に印加する。
【００１１】
かかる構成において、対物レンズ１４及び磁界発生装置５に対して光磁気記録媒体１を相対的に駆動し、対物レンズ１４より所定強度のレーザ光を磁性膜１ａに照射すると、その光エネルギが熱エネルギに変換され、磁性膜１ａがキュリー温度又はそれ以上に昇温されて、磁性膜１ａの保磁力が著しく低下する。そこで、磁界発生装置５を駆動し、所望の情報信号で変調された磁気信号を磁性膜１ａのレーザ光照射部に印加すると、磁界発生装置５より出力された磁界の向きに応じて磁性膜１ａの磁化の向きが反転し、情報信号に対応する反転磁区が連続的に形成され、磁性膜１ａに情報が記録される。なお、磁性膜１ａを所定の向きに初期磁化しておき、それと反対向きの一定強度の記録磁界を磁界発生装置５より印加しつつ、対物レンズ１４より所望の情報信号で強度変調された光信号を磁性膜１ａに印加することによっても、情報を記録できる。前者は、磁界変調方式と呼ばれ、後者は光変調方式と呼ばれる。また、いずれの方式においても、一定強度の光ビームを磁性膜１ａに照射しつつ、磁界発生装置５より消去方向の一定強度の磁界を印加することによって、情報の消去が行なわれる。
【００１２】
本例の磁界発生装置５は、図２に拡大して示すように、磁性膜１ａの膜面に対して傾斜する外部磁界Ｈｅｘを、そのレーザ光照射部に印加する。磁性膜１ａの膜面に対して外部磁界Ｈｅｘを傾斜して印加する方法としては、▲１▼図３及び図４に示すように、単極の磁界発生装置５を磁性膜１ａの膜面に対して垂直に設定し、かつその磁極の中心位置を磁性膜１ａのレーザ光照射部の直上よりややオフセットする方法、▲２▼図５、図６、図７に示すように、主磁極５ａ及び補助磁極５ｂを備えた磁界発生装置５を磁性膜１ａの膜面に対して垂直に設定し、かつその主磁極５ａを磁性膜１ａのレーザ光照射部の直上よりややオフセットする方法、▲３▼図８及び図９に示すように、単極の磁界発生装置５を磁性膜１ａの膜面に対して傾斜し、かつその延長線上に磁性膜１ａのレーザ光照射部がくるように設定する方法などがある。
【００１３】
これらのうちでは、主磁極５ａから発生した磁束が補助磁極５ｂに集まり、磁束密度の低下が小さい状態でレーザ光照射部に斜め磁界を印加できることから、上記▲２▼の方法が最も好適である。図１０に、補助磁極を有する磁界発生装置から発生する磁界の様子を示す。これは計算機を用いたシミュレーション図であり、補助磁極５ｂの内端（主磁極５ａと対向する部分の先端角部）に主磁極５ａから発生した磁束が集まっており、かかる磁界発生装置５を磁性層に対して適宜の位置に配置すれば、磁束密度の低下が小さい状態でそのレーザ光照射部に斜め磁界を印加できることことがわかる。
【００１４】
図１１及び図１２に、図６の基本構成を有する磁界発生装置の具体的構成を示す。図１１の磁界発生装置は、板状体又は扁平なブロックを加工することによって主磁極５ａと２つの補助磁極５ｂ1，５ｂ2とバックコア５ｃとが一体に形成されたコアと、該コアの主磁極５ａの周囲に巻回されたコイル５ｄとからなっている。一方、図１２の磁界発生装置は、細径の主磁極５ａと、主磁極１２のストレート部分に巻回されたコイル５ｄと、主磁極５ａの一端にこれと一体に形成されたバックコア５ｃと、内径が主磁極５ａの外径よりも大径の円筒状に形成されたサイドヨーク５ｅとからなる。サイドヨーク５ｅは、主磁極５ａの周囲にこれと一定の空隙５ｆを隔てて配設され、その一端がバックコア５ｃに連結されており、これによって磁気回路が構成されている。前記の各コア及びサイドヨーク５ｅは、フェライトなどの軟磁性材料をもって形成される。なお、図１２の磁界発生装置においては、前記空隙５ｆ内に異物が侵入するのを防止するため、空隙５ｆ内に非磁性材料からなる充填剤を充填することもできる。充填剤としては、滑性が良好であることから、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウムなどのセラミック、ガラス、グラファイト等が特に良好である。
【００１５】
以下に実験例と比較例とを挙げ、本発明の効果を明らかにする。
【００１６】
〈比較例〉
図８に示すように、補助磁極を有しない単極電磁コイル方式の磁界発生装置５を備え、かつ膜面に対して傾斜する磁気モーメントを有しない磁性膜（垂直磁化膜）１ａをもつ光磁気記録媒体１を装着した光磁気記録装置を用いて、磁性膜１ａに対する外部磁界Ｈｅｘの印加角度と磁性層１ａの保磁力との関係、及び磁性層１ａの外部磁界感度とを測定した。但し、前記光磁気記録媒体１としては、ポリカーボネート基板の信号面に、膜厚が約１０００ÅのＳｉＡｌＯＮ無機誘電体膜と、膜厚が約２００ÅのＴｂＦｅＣｏ磁性膜と、膜厚が約３００ÅのＳｉＡｌＯＮ無機誘電体膜と、膜厚が約７００ÅのＡｌ反射膜とを順次積層したものを用いた。
【００１７】
図１３に示すように、本例の光磁気記録装置においては、磁性膜１ａの膜面に対して外部磁界Ｈｅｘを垂直に印加した場合（印加角度α＝０度）よりも、約±５２度の範囲で傾斜させた方が磁性層１ａの保磁力が低下し、特に、印加角度αを約±３０度に設定した場合に磁性層１ａの保磁力が最も低くなる。この関係は、レーザ光を照射して磁性膜１ａを昇温した場合にも成立する。図１４は、磁性膜１ａを１７０℃まで昇温した場合のデータであって、磁性膜１ａの膜面に対して外部磁界Ｈｅｘを垂直に印加した場合よりも、約±６０度の範囲で傾斜させた方が磁性層１ａの保磁力が低下、やはり印加角度αを約±３０度に設定した場合に磁性層１ａの保磁力が最も低くなる。また、α＝１５〜４５度の範囲で、保磁力が約１６〜４５％低下し、実用上十分な効果が得られる。なお、外部磁界Ｈｅｘの傾斜方向は、任意の方向に設定でき、いずれの場合にも同様の効果を得ることができる。
【００１８】
この光磁気記録装置を用いて前記光磁気記録媒体１の外部磁界感度、すなわち再生信号（キャリア対雑音比；Ｃ／Ｎ）を飽和させるに必要な最小の外部磁界の大きさを測定したところ、図１５の結果を得た。同図から明らかなように、外部磁界Ｈｅｘを傾斜させると、α＝５〜５０度の範囲で、外部磁界Ｈｅｘを垂直に印加した場合よりも光磁気記録媒体１の外部磁界感度が高くなる。また、外部磁界Ｈｅｘを垂直に印加した場合、再生信号を飽和させるに必要な最小の外部磁界の大きさが約２００（Ｏｅ）であるのに対して、外部磁界Ｈｅｘをα＝３０度に傾斜させた場合には、再生信号を飽和させるに必要な最小の外部磁界の大きさが約１００（Ｏｅ）に低下する。
【００１９】
なお、単極電磁コイル方式の磁界発生装置５に代えて、補助磁極を有する電磁コイル方式の磁界発生装置を用いて前記と同様の実験を行ったところ、保磁力低下の磁界角度依存性が高まることがわかった。これは、補助磁極を有する電磁コイル方式の磁界発生装置を用いた場合、単極電磁コイル方式の磁界発生装置に比べて磁束が広がらないため、斜め磁界の印加効率が良くなるためであると思われる。
【００２０】
〈実験例〉
垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体に代えて、図１６に示すように、膜面に対して垂直な磁気モーメント成分Ｍ１と、膜面に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分Ｍ２とを有し、かつキュリー温度近傍まで加熱したとき、前記傾斜した磁気モーメント成分Ｍ２と膜面に対して垂直な方向の磁気モーメント成分Ｍ１とが共に消失する磁性膜を有する光磁気記録媒体を比較例の装置に装着して、前記と同様の実験を行った。
【００２１】
図１７に昇温時における磁性膜１ａに対する外部磁界Ｈｅｘの印加角度と磁性層１ａの保磁力との関係、図１８に磁性層１ａの外部磁界感度特性を示す。図１７と前出の図１４との比較からわかるように、膜面に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分Ｍ2 を有する光磁気記録媒体を用いると、外部磁界Ｈｅｘを傾斜したときの保磁力Ｈｃの低下量が大きくなり、磁性膜の外部磁界感度の改善がより有効に行われる。すなわち、図１８に示すように、本例の場合には、磁性膜１ａのレーザ光照射部１１ａに対して外部磁界Ｈｅｘを約３０度傾斜することによって、再生信号を飽和させるに必要な最小の外部磁界の大きさを約６０（Ｏｅ）まで低下することができる。
【００２２】
以下、膜面に対して垂直な磁気モーメント成分Ｍ1 と、膜面に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分Ｍ2 とを有し、かつキュリー温度近傍まで加熱したとき、前記傾斜した磁気モーメント成分Ｍ2 と膜面に対して垂直な方向の磁気モーメント成分Ｍ1 とが共に消失する磁性膜を有する光磁気記録媒体について説明する。磁性膜材料としては、高いＣ／Ｎを得られることなどから、希土類−遷移金属合金系の非晶質合金が特に好適である。
【００２３】
図１９（ａ）〜（ｊ）に、膜面と垂直な方向に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分を有する磁性膜を例示する。この図において、矩形で示すのは光磁気記録膜たる磁性膜であり、磁性膜中の矢印は各部分における磁気モーメントの向きを示している。磁性膜を示す矩形の下辺は透明基板側の界面であり、上辺は反射膜側の界面である。
【００２４】
同図に示すように、本発明の光磁気記録媒体は、磁性膜が単膜にて形成されている。そして、図１９（ａ）の磁性膜は、透明基板側の界面から膜厚方向の略中央部分までは磁気モーメントが垂直上向きに向いており、そこから上の部分では磁気モーメントが斜め上向きに向き、反射膜側の界面では磁気モーメントが面内方向に向いている。図１９（ｂ）の磁性膜は、透明基板側の界面に極く近い部分では磁気モーメントが面内方向に向いており、そこから上の部分では磁気モーメントが斜め上向きに向き、膜厚方向の略中央部分では磁気モーメントが垂直上向きに向いている。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが逆方向に傾斜し、反射膜側の界面では磁気モーメントが面内方向に向いている。図１９（ｃ）の磁性膜は、透明基板側の界面に極く近い部分では磁気モーメントが垂直上向きに向いており、そこから上の部分では磁気モーメントが斜め上向きになり、膜厚方向の略中央部分では磁気モーメントが面内方向に向いている。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが再度同一方向に傾斜し、反射膜側の界面では磁気モーメントが垂直上向きに向いている。図１９（ｄ）の磁性膜は、透明基板側の界面部分から反射膜側の界面部分まで、磁気モーメントが一律に斜め上向きに向いている。図１９（ｅ）の磁性膜は、透明基板側の界面部分から反射膜側の界面部分まで、磁気モーメントが螺旋状に回転している。図１９（ｆ）の磁性膜は、斜め右上向きの磁気モーメントと斜め左上向きの磁気モーメントとが、膜厚方向に交互に形成されている。図１９（ｇ）の磁性膜は、透明基板側の界面に極く近い部分では磁気モーメントが面内方向に向いており、そこから上の部分では磁気モーメントが順次右回りに旋回して遂には垂直上向きになる。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが同一方向に旋回し、膜厚方向の略中央部分では磁気モーメントが面内方向に向いている。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが逆向きに旋回し、遂には垂直上向きになる。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが逆向きに旋回し、反射膜側の界面では磁気モーメントが面内方向に向いている。図１９（ｈ）の磁性膜は、透明基板側の界面から略中央部分では磁気モーメントが垂直上向きに向いており、反射膜側の界面近傍では磁気モーメントが斜め上向きに傾斜している。図１９（ｉ）の磁性膜は、透明基板側の界面付近では磁気モーメントが斜め上向きに傾斜しており、略中央部から反射膜側の界面までの部分では磁気モーメントが垂直上向きに向いている。図１９（ｊ）の磁性膜は、透明基板側の界面から略中央部までは磁気モーメントが垂直上向きに向いており、それより反射膜側の界面までの部分では磁気モーメントが斜め下向きに傾斜している。
【００２５】
図１９（ａ）〜（ｊ）に掲げた各磁性膜のうち、膜厚方向に磁気モーメントが膜面と垂直でない方向に向く部分と膜面と垂直に向く部分とを有する磁性膜にあっては、磁性膜をキュリー温度近傍まで加熱したときに、膜面と垂直でない方向に向く磁気モーメントが、前記膜面と垂直に向く磁気モーメントと共に消失するように調整される。膜面と垂直でない方向に向く磁気モーメントが消失する温度と、膜面と垂直に向く磁気モーメントが消失する温度とは、接近している方が好ましく、特に膜面と垂直に向く磁気モーメントが消失する温度（キュリー温度）をＴc としたときに、膜面と垂直でない方向に向く磁気モーメントがＴc ±５０℃の範囲で消失することが好ましい。
【００２６】
本発明の光磁気記録媒体は、磁気トルク計にかけて磁気トルクを測定したとき、図２０に示すようなトルクカーブを示す。すなわち、外部磁場の大きさをＨex、測定温度における磁壁抗磁力をＨc 、測定温度における垂直異方性磁界をＨk 、膜面に垂直な方向を０°、膜面に垂直な方向からの外部磁場Ｈexの回転角度をθとし、Ｈc ＜Ｈex＜Ｈk なる大きさの外部磁場を試料の支持軸回りに回転しつつ、試料の支持軸に働く磁気トルクＴを磁気トルク計にて測定したとき、
０°≦θ≦９０°の範囲及び１８０°≦θ≦２７０°の範囲に、∂2Ｔ／∂θ2＜０なる領域が存在するか（但し、∂Ｔ(θ0 )／∂θ＝０なるθ0 が存在する場合には、Ｔ(θ0 )＜Ｔmax なる領域が存在すること）、３６０°≧θ≧２７０°の範囲及び１８０°≧θ≧９０°の範囲に、∂2Ｔ／∂θ2＞０なる領域が存在（但し、∂Ｔ(θ0 )／∂θ＝０なるθ0 が存在する場合Ｔ(θ0 )＞Ｔmin なる領域が存在すること）する。但し、上記の各式を満たす条件が、磁壁移動に伴う微分不可能点でないことはもちろんである。
【００２７】
以下に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法例と、各製造方法によって作製される磁性膜の構造とを列挙する。
【００２８】
(1) 透明基板上に、第１無機誘電体膜と、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜と、第２無機誘電体膜と、反射膜とを連続スパッタ法にて順次積層して光磁気記録媒体を作製した後、この光磁気記録媒体を６０℃〜１５０℃の温度で、２〜１０分間加熱する。これによって、図１９（ｄ）に示したような磁性膜を形成できる。
【００２９】
(2) 透明基板上に第１無機誘電体膜をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体膜上に、スパッタガスの組成を適宜切り替えつつ希土類−遷移金属系の非晶質合金を所望の膜厚に達するまでスパッタリングする。例えば、磁性膜の膜厚が全膜厚の１／２〜１／１０に達する毎に、スパッタガスを純Ａｒから１〜２０体積％のＮ2 ガスを混入したＡｒガス又は０．５〜１０体積％のＯ2 ガスを混入したＡｒガスに切り替える。これによって、図１９（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｇ）に示したような磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体膜と、反射膜とを連続スパッタ法にて積膜する。
【００３０】
(3) 透明基板上に第１無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、垂直磁気異方性が異なる磁性膜を交互に形成する。垂直磁気異方性が異なる磁性膜の組合せには、例えば希土類−遷移金属系の非晶質合金と、Ｃｏを主成分とし、これに（Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｐｔ，Ａｇ）のグループから選択された少なくとも１種類の金属の合金などを挙げることができる。これによって、図１９（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｇ）に示したような磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【００３１】
(4) 透明基板上に第１無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、（Ｇｄ，Ｃｅ，Ｄｙ，Ｎｄ）のグループから選択される希土類元素の添加量、又は（Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ）のグループから選択される遷移金属の添加量が異なるＴｂＦｅＣｏ系合金を順次積層する。これによって、原子間の交換相互作用及び異方性エネルギーの相関により、図１９（ｅ）のようなヘリカルスピン構造をとる磁性膜、あるいは図１９（ｆ）のようなキャントスピン構造をとる磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【００３２】
(5) 透明基板上に第１無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、（Ｎｂ，Ｔｉ，Ｗ，Ｂｉ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｒｈ）のグループから選択される非磁性元素の添加量が異なるＴｂＦｅＣｏ系合金を順次積層する。これによって、異方性エネルギーが低下し、図１９（ｄ）のような構造の磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【００３３】
(6) 透明基板上に第１無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏの合金率が異なるＴｂＦｅＣｏ系合金を順次積層する。これによって、図１９（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｇ）に示したような磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【００３４】
(7) 透明基板上に第１無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、まずＴｂ合金率が１５〜３０原子％、Ｃｏ合金率が８〜１５原子％、残部がＦｅのＴｂＦｅＣｏ系合金を成膜し、次いで、Ｔｂ合金率が１０〜２０原子％、Ｃｏ合金率が２〜１０原子％、残部がＦｅのＴｂＦｅＣｏ系合金を、段階的又は無段階的に積層する。これによって、図１９（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｇ），（ｉ）に示したような磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【００３５】
(8) 透明基板上に第１無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、まずＴｂ合金率が１０〜２０原子％、Ｃｏ合金率が２〜１０原子％、残部がＦｅのＴｂＦｅＣｏ系合金を成膜し、次いで、Ｔｂ合金率が１５〜３０原子％、Ｃｏ合金率が８〜１５原子％、残部がＦｅのＴｂＦｅＣｏ系合金を、段階的又は無段階的に積層する。これによって、図１９（ｈ）に示したような磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【００３６】
(9) 透明基板上に第１無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、Ｔｂ合金率が１０〜２０原子％、Ｃｏ合金率が５〜１５原子％、残部がＦｅのＴｂＦｅＣｏ系合金と、Ｔｂ合金率が２５〜３５原子％、Ｃｏ合金率が５〜１５原子％、残部がＦｅのＴｂＦｅＣｏ系合金とを、段階的又は無段階的に積層する。これによって、図１９（ｊ）に示したような磁性膜を形成できる。なお、各ＴｂＦｅＣｏ系合金の成膜順序を逆にしても、同様の磁性膜を形成することができる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【００３７】
(10)脱水処理を施したポリカーボネート基板（ＰＣ基板）のプリフォーマットパターン形成面にＳｉＮ第１無機誘電体層をＲＦスパッタ装置にてスパッタリングした後、当該ＳｉＮ第１無機誘電体層上に、Ｔｂ合金率が２４〜２８原子％、Ｃｏ合金率が１２原子％、Ｎｂ合金率が２原子％、残部がＦｅのＴｂＦｅＣｏＮｂ系合金を連続的にスパッタリングする。しかる後に、この磁性膜の表面を酸化して膜中のＴｂを選択酸化させ、面内磁化膜を形成する。これによって、図１９（ａ），（ｈ），（ｊ）に示したような磁性膜を形成できる。以下、このＴｂＦｅＣｏＮｂ系合金膜上にＳｉＮ第２無機誘電体層と、Ａｌ反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。磁気トルクカーブの調整は、面内磁化膜の膜厚を調整することで行う。なお、ＰＣ基板の脱水処理方法には、ＰＣ基板をベーク炉に入れ、大気圧下８０℃の温度で４時間以上加熱脱水する方法、あるいはＰＣ基板を２０Ｐａ以下の真空度に真空引きされた真空チャンバ内で８０℃に１時間以上加熱する方法がある。
【００３８】
(11)脱水処理を施したポリカーボネート基板（ＰＣ基板）のプリフォーマットパターン形成面にＳｉＮ第１無機誘電体層をＲＦスパッタ装置にてスパッタリングした後、当該ＳｉＮ第１無機誘電体層上に、磁気的に希土類リッチのＴｂＦｅＣｏ系の垂直磁化膜を積層し、次いでこの膜上に磁気的に遷移金属リッチのＴｂＦｅＣｏ系面内磁化膜を積層する。これによって、図１９（ａ），（ｈ），（ｊ）に示したような磁性膜を形成できる。以下、このＴｂＦｅＣｏ系面内磁化膜上にＳｉＮ第２無機誘電体層と、Ａｌ反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。磁気トルクカーブの調整は、面内磁化膜の膜厚を調整することで行う。
【００３９】
(12)脱水処理を施したポリカーボネート基板（ＰＣ基板）のプリフォーマットパターン形成面にＳｉＮ第１無機誘電体層をＲＦスパッタ装置にてスパッタリングした後、当該ＳｉＮ第１無機誘電体層上に、ＴｂＦｅＣｏ系の垂直磁化膜を積層し、次いでこの膜上に、ＴｂＦｅＣｏ−（Ｄｙ，Ｇｄ，Ｃｒ，Ｎｂ）系の面内磁化膜を積層する。これによって、図１９（ａ），（ｈ），（ｊ）に示したような磁性膜を形成できる。以下、このＴｂＦｅＣｏ系面内磁化膜上にＳｉＮ第２無機誘電体層と、Ａｌ反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。磁気トルクカーブの調整は、面内磁化膜の膜厚を調整することで行う。
【００４０】
なお、本発明の要旨は、磁性膜に印加する外部磁界を磁性膜の膜面に対して傾斜することにあるのであって、その他の点については前記実施例に拘らず、適宜変更できることは勿論である。例えば、磁界発生装置の形状や構造、それに光磁気記録媒体の膜構造、さらには光磁気記録媒体の基板材料、無機誘電体層材料、反射膜材料等については、前記実施例に拘らず適宜変更できる。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によると、膜面に対して垂直な磁気モーメント成分と膜面に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分とを有し、かつキュリー温度まで加熱したときに前記膜面に対して垂直な磁気モーメント成分と膜面に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分とが共に消失する磁性膜を有する光磁気記録媒体を用い、前記磁界発生装置より前記磁性膜のレーザ光照射部に対して垂直方向から１５度乃至４５度傾斜した方向の外部磁界を印加し、前記磁性層に対する情報の記録を行うので、膜面に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分を有しない光磁気記録媒体を用い、磁界発生装置より当該磁性膜の膜面に対して垂直な方向から外部磁界を印加して磁性層に対する情報の記録を行う場合に比べて、より小さな外部磁界による情報の記録及び消去が可能になり、光磁気記録装置に備えられる磁界発生装置の小型化、電磁方式の磁界発生装置を用いる場合における消費電力の低減、装置設計上の自由度の向上を図ることができる。また、磁界変調方式による情報記録が可能になるため、情報の高速記録及び高密度記録が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例に係る光磁気記録媒体を用いた情報の記録、再生、消去に適用される光磁気記録装置の構成図である。
【図２】光磁気記録媒体に対する外部磁界の印加方向を示す説明図である。
【図３】磁界発生装置の第１例を示す説明図である。
【図４】磁界発生装置の第２例を示す説明図である。
【図５】磁界発生装置の第３例を示す説明図である。
【図６】磁界発生装置の第４例を示す説明図である。
【図７】磁界発生装置の第５例を示す説明図である。
【図８】磁界発生装置の第６例を示す説明図である。
【図９】磁界発生装置の第７例を示す説明図である。
【図１０】補助磁極を有する磁界発生装置から発生する磁界の様子を示す説明図である。
【図１１】具体的な磁界発生装置の第１例を示す斜視図である。
【図１２】具体的な磁界発生装置の第２例を示す斜視図である。
【図１３】外部磁界の印加角度と保磁力（室温時）との関係を示すグラフ図である。
【図１４】外部磁界の印加角度と保磁力（昇温時）との関係を示すグラフ図である。
【図１５】光磁気記録媒体の外部磁界感度の第１例を示すグラフ図である。
【図１６】膜面に対して傾斜する磁気モーメントを有する磁性膜を備えた光磁気記録媒体の説明図である。
【図１７】外部磁界の印加角度と保磁力（昇温時）との関係を示すグラフ図である。
【図１８】光磁気記録媒体の外部磁界感度の第２例を示すグラフ図である。
【図１９】膜面に対して傾斜する磁気モーメントを有する磁性膜の構造を模式的に示す説明図である。
【図２０】膜面に対して傾斜する磁気モーメントを有する磁性膜を備えた光磁気記録媒体のトルクカーブを例示するグラフ図である。
【符号の説明】
１  光磁気記録媒体
１ａ  磁性膜
２  レーザ光
３  光学ヘッド
４  外部磁界
５  磁界発生装置
５ａ  主磁極
５ｂ  補助磁極
【図１】
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【図２】
0003640850.tif 000003
【図３】
0003640850.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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