(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）所定の形状にパターニングされた半導体層又は導電層の解析しようとする領域を被覆するマスク層を形成し、
（ｂ）該マスク層を用いて前記解析しようとする領域の外周領域を後退させ、
（ｃ）前記マスク層を除去し、前記解析しようとする領域及びその外周領域上にエッチングストップ層を形成し、
（ｄ）前記解析しようとする領域に存在する前記半導体層又は導電層を、前記後退した解析しようとする領域の外周領域上に存在するエッチングストップ層まで研磨することを特徴とする電子顕微鏡観察用試料の作成方法。
【請求項２】
工程（ｂ）において、解析しようとする領域の外周領域の後退量が、半導体層又は導電層のパターニング深さよりも浅い請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｃ）において、エッチングストップ層上に、埋め込み膜を形成して、表面平坦化を行う請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
解析しようとする領域を、複数箇所に形成する請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
解析しようとする領域の外周領域の後退量を、複数箇所で変化させ、該後退量に対応させて解析しようとする領域に存在する半導体層又は導電層を研磨する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１つの電子顕微鏡観察用試料の作成方法によって得られた電子顕微鏡観察用試料により、平面形状プロファイルを解析することを特徴とする半導体装置の解析方法。
【請求項７】
請求項４の電子顕微鏡観察用試料の作成方法によって得られた電子顕微鏡観察用試料により、複数の平面形状プロファイルを解析及び合成して、三次元の形状プロファイルを解析することを特徴とする半導体装置の解析方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子顕微鏡観察用試料の作成方法及び半導体装置の解析方法に関し、より詳細には、半導体基板に半導体装置を形成する場合の半導体基板上の特定領域を観察するのに適した電子顕微鏡観察用試料の作成方法及び半導体装置の解析方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
従来から、半導体装置における形状プロファイル等を解析する方法として、半導体装置を形成した後又は形成中に、シリコンウェハを小さく劈開し、シリコンウェハ片を切り出し、研磨及びＦＩＢ（フォーカスド・イオン・ビーム）エッチング等を組み合わせるなどして、検査用の試料を作成し、平面及び断面をＳＥＭ(走査電子顕微鏡)により観察する方法が用いられている。
しかし、この方法では、検査用試料を作成するための位置合わせ精度がプラスマイナス０．５ｍｍ程度であるため、１μｍを下回るような精度での特定領域を観察するための試料を作成することは困難であった。
これに対して、特定の観察領域の位置合わせ精度をプラスマイナス０．１μｍ程度にまで向上することができる電子顕微鏡観察用試料の作成方法が特開平５−１８７０３９号公報に提案されている。
【０００３】
この方法によれば、半導体装置を形成した又は形成中のシリコンウェハに対して、まず、高性能な顕微鏡で観察しながら特定の観察領域に対して位置合わせを行い、高速回転外周刃加工装置を用いて、シリコンウェハの特定の観察領域を含むごく表層の一部を残す加工を施し、その後、収束荷電粒子ビーム装置を用いて、残された表層の一部をさらに薄片化して観察用の試料を作成する。この際、収束荷電粒子ビーム装置での加工時に作業時間が短時間ですむように、かつ切断等の加工中に観察用の試料が破損しにくいように、できるだけ狭い幅で、できるだけ浅く表層のみに加工が施される。
しかし、上記のような技術を用いて形状プロファイルを解析する場合でも、解析ポイントの絶対位置合わせに、高性能な顕微鏡で観察しながら位置合わせ及びエッチング加工を行うなどの手動での作業が伴い、観察用試料の作成には、依然として長時間を要する等の問題があった。
【０００４】
また、一般に、半導体プロセルにおけるパターン形成技術として、フォトレジスト法が利用されているが、通常のフォトレジスト法では、設計デザインに対してパターンの角が丸まった形状プロファイルを呈し、半導体装置の微細化が進むにつれて、パターンの角の丸まり等が顕著となる。特に、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法等、半導体基板に溝を形成し、溝内部を熱酸化すること等によって酸化膜を形成する場合、酸化膜の成長速度が面方位に対し依存するため、デバイスの特性に大きな影響を与えることがある。
したがって、ゲート電極や活性領域又は素子分離領域の平面形状プロファイルとともに、三次元形状プロファイルを解析することは、デバイス設計にとって、非常に重要である。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ウェハを劈開することなく、特定領域に対して非常に高い位置合わせ精度で、より簡便に、電子顕微鏡により観察できるような平面観測試料を作成して平面形状プロファイルを解析することができるとともに、平面観測試料によって得られたデータを合成することにより、三次元の形状プロファイルをも得ることができる電子顕微鏡観察用試料の作成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、（ａ）所定の形状にパターニングされた半導体層又は導電層の解析しようとする領域を被覆するマスク層を形成し、
（ｂ）該マスク層をマスクとして用いて前記解析しようとする領域の外周領域を後退させ、
（ｃ）前記マスク層を除去し、前記解析しようとする領域及びその外周領域上にエッチングストップ層を形成し、
（ｄ）前記解析しようとする領域に存在する前記半導体層又は導電層を、前記後退した解析しようとする領域の外周領域上に存在するエッチングストップ層まで研磨する電子顕微鏡観察用試料の作成方法が提供される。
また、本発明によれば、上記電子顕微鏡観察用試料の作成方法によって得られた電子顕微鏡観察用試料により、平面形状プロファイルを解析するか、あるいは平面形状プロファイルを解析及び合成して三次元の形状プロファイルを解析する半導体装置の解析方法が提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法では、まず、工程（ａ）において、所定の形状にパターニングされた半導体層又は導電層の解析しようとする領域を被覆するマスク層を形成する。
【０００８】
ここで、半導体層とは、通常、半導体装置に使用される半導体基板、例えば、シリコン、ゲルマニウム等の元素半導体、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＺｎＳｅ等の化合物半導体からなる基板自体であってもよいし、基板上に形成された半導体膜、例えば、半導体の単結晶膜、他結晶膜、非晶質膜等であってもよい。また、導電層は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の金属又は合金；チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属；高融点金属とのシリサイド、ポリサイド等の単層膜又は積層膜等であってもよい。半導体層や導電層は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等の種々の方法で形成することができる。これらの半導体層又は導電層のパターニングは、例えば、半導体基板に溝を形成する場合、基板上に形成された半導体膜又は導電層を、電極や配線等に加工する場合等が挙げられる。このパターニングは、公知の方法、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチング技術により行うことができる。具体的には、半導体基板に溝を形成する場合には、多結晶シリコン膜、アモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はこれらの積層膜等を半導体基板上全面に形成し、所定形状のレジストパターンを用いて、これらの膜に、溝に対応する開口を形成し、レジストパターンを除去した後、これらの膜をマスクとして用いて、半導体基板を掘り下げる。また、導電層を電極のパターンに形成する場合には、基板上全面に形成された導電層上に所定形状のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして用いて、導電層をエッチングする。
【０００９】
解析しようとする領域の大きさ、形状、位置等は、その目的、形成しようとする半導体装置の種類や性能等により、適宜設定することができる。なお、解析しようとする領域は、１つの半導体装置又は１つのウェハにおいて１つのみ設定してもよいし、複数個設定してもよい。
解析しようとする領域を被覆するマスク層は、解析しようとする領域を保護することができる材料であれば、どのような材料で形成してもよい。例えば、レジスト、シリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜の単層又は積層構造の膜等が挙げられる。マスク層は、当該分野で公知のフォトリソグラフィ及びエッチング工程、ＥＢ描画等により形成することができる。
【００１０】
工程（ｂ）において、マスク層を用いて解析しようとする領域の外周領域を後退させる。後退させる方法は、後退させる領域の表面等の材料により適宜選択
することができ、例えば、ふっ酸、熱リン酸、硝酸、硫酸等を用いたウェットエッチング、ＲＩＥ法等のドライエッチング、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）法等種々の方法が挙げられる。なかでも、ＲＩＥ法等が好ましい。
ここでの外周領域とは、解析しようとする領域を取り囲む領域を意味するが、その大きさ、形状、位置等は、解析しようとする領域の大きさ等により、適宜設定することができる。
【００１１】
外周領域の後退量は、所定の形状にパターニングされた半導体層又は導電層のパターニング深さにより適宜調節することができるが、このパターニング深さよりも浅いことが好ましい。後退量を制御する方法は、当該分野において通常行われている方法で実現することができ、例えば、反応性イオンエッチングにより後退させる場合には、その時間制御等が挙げられる。
なお、上述したように、解析しようとする領域を複数設定する場合には、外周領域も複数設定されることとなるが、その場合、これらの複数箇所で後退量を変化させなくてもよいが、複数箇所で変化させることが好ましい。変化量は、特に限定されるものではないが、後述するように、所定形状にパターニングされた半導体層又は導電層の三次元の形状プロファイルを正確に解析するためには、１０〜１００ｎｍ程度変化させて後退させることが適当である。
【００１２】
工程（ｃ）において、マスク層を除去し、解析しようとする領域及びその外周領域上にエッチングストップ層を形成する。マスク層の除去は、当該分野で公知の方法、例えば、酸又はアルカリ等を用いた剥離、アッシング等が挙げられる。
また、エッチングストップ層は、解析しようとする領域の外周部の半導体層、導電層、あるいはこれらが形成された基板表面等を保護することができ、少なくとも、所定の形状にパターニングされた半導体層又は導電層に対して、エッチングレートが小さい材料で形成することが好ましい。さらに、後述するように、エッチングストップ層上に埋め込み膜を形成する場合には、その埋め込み膜を平坦化する場合のエッチングストップ層としても機能する膜であることが好ましい。エッチングストップ層としては、所定形状にパターニングされた半導体層又は導電層の種類、埋め込み膜の種類等により適宜選択することができ、例えば、シリコン窒化膜等が挙げられる。また、エッチングストップ層の膜厚は、例えば、１００〜１０００ｎｍ程度が適当である。
【００１３】
エッチングストップ層上には、埋め込み膜を形成してもよいし、さらに、埋め込み膜とエッチングストップ層との表面を平坦化してもよい。埋め込み膜は、例えば、シリコン酸化膜等が挙げられる。埋め込み膜の膜厚は、所定の形状にパターニングされた半導体層又は導電層のパターニング深さ、エッチングストップ層の膜厚等によって適宜調整することができ、パターニング深さからエッチングストップ層の膜厚を差し引いた膜厚よりも大、さらに所定の形状にパターニングされた半導体層又は導電層のパターニング深さよりも大であることが好ましい。具体的には、１００〜１０００ｎｍ程度が挙げられる。
【００１４】
埋め込み膜を平坦化する場合には、エッチングストップ層の一部が露出するように、埋め込み膜を平坦化することが好ましい。平坦化は、上記したような
ウェットエッチング、ドライエッチング、ＣＭＰ法等種々の方法により行うことができるが、なかでも、ＣＭＰ法が好ましい。
また、エッチングストップ層上に埋め込み膜を形成し、エッチングストップ層の一部が露出するように平坦化を行う場合には、さらに、一部露出したエッチングストップ層を除去することが好ましい。この除去の方法は、上記したような
ウェットエッチング、ドライエッチング、ＣＭＰ法等種々の方法が挙げられる。
【００１５】
工程（ｄ）において、解析しようとする領域に存在する半導体層又は導電層を、研磨する。この際の研磨は、先の工程でその表面を後退させた、解析しようとする領域の外周領域に、その高さをあわせるために、外周領域上に存在するエッチングストップ層まで研磨する。研磨する方法は、上述した平坦化と同様に行うことができる。
【００１６】
本発明の半導体装置の解析方法では、上記のように作成して得られた電子顕微鏡観察用試料を用いて、解析しようとする領域において、研磨することにより得られた半導体層又は導電層の表面の形状プロファイルを解析する。
この場合の解析は、測長ＳＥＭ、TEM、表面の形状プロファイルを観察できるものならば何れの検査装置でもよい。
また、解析しようとする領域が複数個形成され、それぞれ研磨された量が異なる場合、つまり、深さ方向で位置が異なる場合には、これらの複数の形状プロファイルを解析し、それらのデータを合成することにより、データの積み重ねによる三次元の形状プロファイルを容易に解析することができる。
以下に、本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法の実施の形態について具体的に説明する。
【００１７】
実施例１
解析対象となる半導体装置の電子顕微鏡観察用試料として、図１に示すような素子分離領域形成用の露光マスクパターンを用いてトレンチ型の素子分離領域を形成した場合の電子顕微鏡観察用試料を作成する方法について説明する。
まず、半導体基板として、例えばｐ型シリコン基板１００の表面に第１のマスク層として、例えば、シリコン窒化膜２００を２００〜１０００ｎｍ程度、第２のマスク層として、例えば、多結晶シリコン膜３００を５０〜５００ｎｍ堆積する。その上に、レジストを塗布する。
次いで、図１に示すような活性領域用パターン１１〜１５が所定形状で配置した露光マスクパターンを用いて、公知のフォトリソグラフィ及びエッチング技術により、レジストをパターニングして、図２に示すようなレジストパターン４０１〜４０５を形成する（図３）。なお、活性領域用パターン１１〜１５が形成された領域を、観察領域２１と規定する（図１）。
【００１８】
次いで、得られたレジストパターン４０１〜４０５をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングにより多結晶シリコン膜３００をエッチングしてマスクパターン３０１〜３０５を形成する。続いて、レジストパターン４０１〜４０５を除去した後、マスクパターン３０１〜３０５をマスクとして用いて、シリコン窒化膜２００をエッチングしてマスクパターン２０１〜２０５を形成する。そして、図４に示すように、マスクパターン３０１〜３０５及び２０１〜２０５をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングにより、シリコン基板１００を２００〜４０００ｎｍ程度エッチングして、素子分離領域となる溝部を形成し、活性領域を含むシリコン基板領域１０１〜１０４を形成する。
次に、マスクパターン３０１〜３０５及び２０１〜２０５を除去し、図５に示すように、特定の観測領域をレジストパターン５０１によって保護する。
【００１９】
得られたレジストパターン５０１をマスクとして用いて、図６に示すように、例えば、反応性イオンエッチングにより、観測領域の周辺部のシリコン基板１００を、エッチング時間を制御することにより１００ｎｍ程度エッチングしてシリコン基板領域１１６、１１７を形成する。この際、エッチング深さの位置決めが３ｎｍ程度の誤差の範囲内で、精度良くシリコン基板領域１１６、１１７を形成することができるとともに、観測領域内のシリコン基板１１１〜１１５は、レジストパターン５０１により反応性イオンエッチングに晒されることを防止することができる。
その後、図７に示すように、シリコン基板１１１〜１１５及び１１６、１１７上に、研磨ストップ層となる第３のマスク層として、例えば、シリコン窒化膜６００を１０〜２００ｎｍ程度堆積する。
【００２０】
さらに、図８に示すように、シリコン窒化膜６００上に、第４のマスク層として、例えば、シリコン酸化膜７００を１００〜１０００ｎｍ程度堆積して半導体基板内溝部に埋め込む。
次いで、図９に示すように、シリコン窒化膜６００の一部を露出するようにシリコン酸化膜７００をエッチバックし、シリコン酸化膜７１０、７１１を半導体基板溝内部及び観測領域周辺部に埋め込む。
続いて、図１０に示すように、シリコン酸化膜７１０、７１１をマスクとしてもちいて、露出したシリコン窒化膜６００を選択的に除去して、シリコン窒化膜６１０、６１１を形成する。
【００２１】
次に、図１１に示すように、シリコン基板１１１〜１１４、シリコン酸化膜７１０、７１１及びシリコン窒化膜６１０、６１１を、例えば、ＣＭＰにより研磨して、図１０の破線Ｂ−Ｂ’の位置まで後退させる。この際、観測領域内の研磨ストップ層となる第３のマスク層であるシリコン窒化膜６１０、６１１の半導体基板側面に形成された部分は、ＣＭＰにより近接するシリコン基板１１１〜１１４及びシリコン酸化膜７１０、７１１と同程度のレートで研磨され、半導体基板１１６、１１７上面に形成された６１１が露出した時点で、研磨レートが選択的に低下するため研磨を完了させることにより、観測面を備えたシリコン基板１２１〜１２４が形成される。
【００２２】
その後、測長ＳＥＭなどの検査機器を用いて、図１２に示すような平面形状の観測を行う。
また、シリコン基板領域１１６、１１７の高さを任意に設定することで、深さ方向に連続した平面プロファイルを得ることができ、データの三次元かが行える。
このように、通常の半導体装置の製造方法に従って溝部を形成した後、観測領域をレジストパターンによって保護し、反応性イオンエッチングにより、周辺パターンを所望の位置まで後退させ、ＣＭＰ技術を用いることで、観測平面を深さ方向に対して精度よく露出させることにより、半導体基板内に形成された素子分離形状を観測することができる。
【００２３】
実施例２
この実施例では、半導体基板上に形成された電極配線形状プロファイルを観測するための電子顕微鏡観察用試料の作成方法について説明する。
まず、半導体基板として、例えばｐ型シリコン基板１００上に第１の絶縁膜として、例えば、シリコン酸化膜８００を２００〜１０００ｎｍ程度、例えば、第１の導電膜として、リンが不純物としてドーピングされた多結晶シリコン膜９００を５０〜５００ｎｍ程度順次堆積する。その上に、レジストを塗布する。
次いで、電極用パターン（図示せず）が所定形状で配置した露光マスクパターンを用いて、公知のフォトリソグラフィ及びエッチング技術により、レジストをパターニングして、図１３に示すようなレジストパターン４０１〜４０４を形成する。
【００２４】
次いで、図１４に示すように、得られたレジストパターン４０１〜４０４をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングにより多結晶シリコン膜９００をエッチングして電極となる多結晶シリコン膜９０１〜９０４を形成する。その後、レジストパターン４０１〜４０４を除去する。
続いて、図１５に示すように、観測領域をレジストパターン５０１によって保護する。
得られたレジストパターン５０１をマスクとして用いて、図１６に示すように、例えば、反応性イオンエッチングにより、観測領域の周辺部の電極を、エッチング時間を制御することにより１００ｎｍ程度エッチングして多結晶シリコン膜９１１、９１４を形成する。この際、エッチング深さの位置決めが３ｎｍ程度の誤差の範囲内で、精度良く多結晶シリコン膜９１１、９１４を形成することができるとともに、観測領域内の多結晶シリコン膜９１１〜９１４は、レジストパターン５０１により反応性イオンエッチングに晒されることを防止することができる。
【００２５】
その後、図１７に示すように、多結晶シリコン膜９１１〜９１４上に研磨ストップ層となる第３マスク層として、例えば、シリコン窒化膜６００を１０〜２００ｎｍ程度堆積し、さらに、図１８に示すように、第３マスク層上に第４マスク層として、例えば、シリコン酸化膜７００を１００〜１０００ｎｍ程度堆積して電極間の凹部を埋め込む。
次いで、図１９に示すように、第３のマスク層であるシリコン窒化膜６００の一部を露出するように第４のマスク層であるシリコン酸化膜７００をエッチバックし、電極間の凹部及び観測領域周辺部に、シリコン酸化膜７１０、７１１を形成する。
続いて、図２０に示すように、シリコン酸化膜７１０、７１１をマスクとしてもちいて、露出した第３マスク層であるシリコン窒化膜６００を選択的に除去して、シリコン窒化膜６１０、６１１を形成する。
【００２６】
次に、図２１に示すように、多結晶シリコン膜９１１〜９１４及びシリコン酸化膜７１０を、例えば、ＣＭＰにより研磨することで、図２０の破線Ｂ−Ｂ’の位置まで後退させる。この際、観測領域内の研磨ストップ層となる第３のマスク層であるシリコン窒化膜６１０、６１１の半導体基板側面に形成された部分は、ＣＭＰにより近接する多結晶シリコン膜９１１〜９１４及びシリコン酸化膜７１０、７１１と同程度のレートで研磨され、多結晶シリコン膜９１１、９１４の凹部底面に形成された６１１が露出した時点で、研磨レートが選択的に低下するため、研磨を完了させることにより、観測面を備えた多結晶シリコン膜９２１〜９２４が形成される。
【００２７】
その後、測長ＳＥＭなどの検査機器を用いて、図２２に示すような平面形状の観測を行う。
また、多結晶シリコン膜９１１、９１４のエッチング量を任意に設定することで、実施例１と同様に、三次元のプロファイルの解析が容易に行える。
このように、通常の半導体装置の製造方法に従って電極を形成した後、観測領域をレジストパターンによって保護し、反応性イオンエッチングにより、周辺の電極パターンを所望の位置まで後退させ、ＣＭＰ技術を用いることで、観測平面を深さ方向に対して精度よく露出させることにより、半導体基板上に形成された電極形状を観測することができる。
【００２８】
【発明の効果】
本発明によれば、（ａ）所定の形状にパターニングされた半導体層又は導電層の解析しようとする領域を被覆するマスク層を形成し、（ｂ）該マスク層を用いて前記解析しようとする領域の外周領域を後退させ、（ｃ）前記マスク層を除去し、前記解析しようとする領域及びその外周領域上にエッチングストップ層を形成し、（ｄ）前記解析しようとする領域に存在する前記半導体層又は導電層を、前記後退した解析しようとする領域の外周領域上に存在するエッチングストップ層まで研磨するので、解析ポイントの絶対位置合わせ及びエッチング加工などの工程をウェハを劈開することなく、非常に高い位置合わせ精度、加工精度で電子顕微鏡により観察できるような平面観測試料を作成することができる。よって、半導体素子の微細パターンの角の丸まりなど、ゲート電極又は活性化領域、素子分離領域等の平面形状プロファイルを解析することが容易になる。
【００２９】
また、解析しようとする領域を複数箇所に形成する場合には、複数の観測点を同時に形成することができ、解析時間の短縮を図ることができる。
さらに、解析しようとする領域において、後退量を変化させることにより、任意の深さ方向のプロファイルを観察することで、解析されたデータを積み重ね、形状プロファイルの三次元化が容易かつ高精度に行うことができる。
したがって、本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法及び半導体装置の解析方法によれば、半導体装置製造プロセスへのフィードバックが精度よく短時間で行うことができ、デバイスの性能の向上及び製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法において使用する活性領域用パターンが形成された露光マスクパターンを示す平面図である。
【図２】図１に示す露光マスクパターンにより形成されたレジストパターンの平面図である。
【図３】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図４】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図５】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図６】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図７】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図８】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図９】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図１０】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図１１】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図１２】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法によって作成された試料の要部の概略平面図である。
【図１３】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための別の要部の概略断面工程図である。
【図１４】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための別の要部の概略断面工程図である。
【図１５】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための別の要部の概略断面工程図である。
【図１６】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための別の要部の概略断面工程図である。
【図１７】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための別の要部の概略断面工程図である。
【図１８】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための別の要部の概略断面工程図である。
【図１９】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための別の要部の概略断面工程図である。
【図２０】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための別の要部の概略断面工程図である。
【図２１】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法を説明するための別の要部の概略断面工程図である。
【図２２】本発明の電子顕微鏡観察用試料の作成方法によって作成された別の試料の要部の概略平面図である。
【符号の説明】
１１〜１５  活性領域用パターン
２１  観察領域（解析しようとする領域）
１００  シリコン基板（半導体層）
１０１〜１０４、１１６、１１７  シリコン基板領域
１１１〜１１５、１２１〜１２４  シリコン基板
２００、６００、６１０、６１１  シリコン窒化膜
２０１〜２０５、３０１〜３０５  マスクパターン
３００  多結晶シリコン膜
４０１〜４０５  レジストパターン
５０１  レジストパターン（マスク層）
７００、７１０、７１１、８００  シリコン酸化膜
９００、９０１〜９０４、９１１〜９１４、９２１〜９２４  多結晶シリコン膜（導電層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0003664987.tif 000017
【図１７】
0003664987.tif 000018
【図１８】
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【図１９】
0003664987.tif 000020
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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