(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力データの入力部と、メモリモジュールの生成支援データを蓄える生成支援データベースと、前記入力データに基づいて前記生成支援データベースにおける生成支援データを用いてメモリモジュールを生成するメモリモジュール生成部と、前記メモリモジュール生成部で処理した結果を出力する出力部とを備える半導体設計装置であって、前記入力部はネットワークを介して複数の端末に接続可能に構成されており、さらに、前記入力データおよび前記メモリモジュール生成部で生成したメモリモジュールを含む生成データを保存する履歴データベースを備えていることを特徴とする半導体設計装置。
【請求項２】
さらに、前記入力部における入力データに基づいて生成されるべきメモリモジュールのデータ量を求め、求めたデータ量を使用可能残り容量と比較し、使用可能残り容量が不足するときには前記履歴データベースから重要度の低い方から順にメモリモジュールデータを消去する容量判定消去処理部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体設計装置。
【請求項３】
さらに、前記入力部における入力データに基づいて生成されるべきメモリモジュールの再利用率が所定の基準を満たしているか否かを判別し、満たしている生成データに限定して前記履歴データベースに対する保存を許可する生成データ保存選択部を備えていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体設計装置。
【請求項４】
前記生成支援データベースとして、複数のユーザに対応するために互いに個別化された複数の個別生成支援データベースを備え、さらに、前記入力部における入力データに含まれるユーザ別情報に基づいて該当する個別生成支援データベースを選択してメモリモジュール生成に供するようにする個別生成支援データベース選択部を備えていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の半導体設計装置。
【請求項５】
前記個別生成支援データベース選択部は、前記入力データにユーザ別情報が含まれていない場合に、前記複数の個別生成支援データベースのそれぞれに対応する面積、コスト、性能などの必要な情報を提示し、選択の指示を受けるように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体設計装置。
【請求項６】
さらに、メモリモジュールにおけるメモリ制御部としてソフトマクロのメモリ制御部かハードマクロのメモリ制御部かの選択を行うメモリ制御部選択部を備えていることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかに記載の半導体設計装置。
【請求項７】
さらに、生成するメモリ制御部についてのテスト項目を選択するテスト項目選択部を備えていることを特徴とする請求項６に記載の半導体設計装置。
【請求項８】
さらに、複数のテスター機種に対応するテストパターンモデルを格納するテストパターンモデルデータベースと、前記入力部における入力データに含まれるテスター機種に基づいて、前記メモリモジュール生成部が生成するメモリモジュールに対して、前記テストパターンモデルデータベースから対応するテスター機種のテストパターンを生成するテストパターン生成部とを備えていることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかに記載の半導体設計装置。
【請求項９】
さらに、データの提出先を判断するユーザ判別部と、前記ユーザ判別部による判別結果が不適合を示すときに、前記履歴データベースからの前記出力部を介してのデータ出力に対してプロテクトをかけるプロテクト部とを備えていることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれかに記載の半導体設計装置。
【請求項１０】
さらに、データの提出先を判断するユーザ判別部と、前記ユーザ判別部による判別結果に応じて、前記出力するメモリモジュールをふくむデータの種類に対して制限を与える出力データ種類制限部とを備えていることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれかに記載の半導体設計装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、メモリモジュールを生成するための半導体設計装置（メモリモジュールジェネレータ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のメモリモジュールジェネレータは、入力されたデータに基づいてレイアウトデータ、仕様書、ＳＰＩＣＥ（Ｓimulation Ｐrogram with Ｉntegrated Ｃircuit Ｅmphasis：ベンチマークテスト）などを生成し、出力していた。
【０００３】
以下、従来技術の手法について説明する。
【０００４】
図５は、従来の半導体設計装置（メモリモジュールジェネレータ）の構成を示すブロック図であり、符号の１はデータの入力部、２は入力部１から入力した入力データを含む各種の情報を処理するＣＰＵ、３はメモリモジュールの生成に必要な生成支援データを蓄積した生成支援データベース、４はＣＰＵ２と生成支援データベース３との協働により入力部１からの入力データに基づいてメモリモジュールを生成するメモリモジュール生成部、５はＣＰＵ２による処理の結果を出力する出力部である。
【０００５】
図６は、一般的なメモリモジュールジェネレータに対する入力データ例である。操作者の部署名、氏名、適用プロセス、メモリ容量、データ幅について、それぞれデータを入力したものである。
【０００６】
以下にその動作を説明する。
【０００７】
メモリモジュールを生成させる場合、まず入力部１に生成させたいメモリモジュールのプロセス、メモリ容量、データ幅等を入力した図６に示すような入力データを入力する。ＣＰＵ２は、入力部１からの入力データを基に、生成すべきメモリモジュールの構成を算出し、生成支援データベース３における生成支援データを使用して、メモリモジュール生成部４においてメモリモジュールを生成させる。こうして生成したメモリモジュールを出力部５から出力する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術においては、メモリモジュールの生成は拠点毎に各端末で行われており、また入力データを保存するためのデータベース（履歴データベース）を持たず、生成したメモリモジュールに関しても、一定期間のみ保存されるだけで、再利用されるようには構成されていなかった。このため、メモリモジュールジェネレータを使用した部署や、生成したメモリモジュールの仕様、生成日時などを一元管理することができていなかった。
【０００９】
そして、そのために、現状で生成されているメモリモジュールの仕様傾向を知ることができず、また生成頻度の高いメモリモジュールを再利用することもしておらず、結果的に、開発効率を向上する上での妨げとなっていた。
【００１０】
また、メモリモジュールの生成時に、ハードディスクなどの外部記憶装置について、事前に必要な使用可能残り容量（ディスク容量）を確認することができなかったため、実際の生成時に使用可能残り容量の不足のためにメモリモジュール生成に失敗してしまうことがあった。
【００１１】
また、再利用の可能性が高いと思われるメモリモジュールであっても、それを再利用できないことから、同じメモリモジュールの要求があった場合に、その同じメモリモジュールを要求の都度、繰り返し生成させており、多大な時間的無駄を生じていた。
【００１２】
また、これまでのメモリモジュールジェネレータは単一のユーザ（ファウンダリ（Ｆａｂ））のみに対応していた。しかしながら、今後は、国内のみでなく海外の複数のファウンダリでの半導体拡散が行われると思われる。こうした複数のファウンダリに対して、同一仕様のメモリモジュールを生成できる半導体設計装置（メモリモジュールジェネレータ）が必要となる。
【００１３】
また、従来のメモリモジュールジェネレータでは、メモリモジュールに対するメモリ制御部までも含んでレイアウトを出力していた。このため、レイアウトの自由度が制限されていた。また、テスト項目についても、項目を選択することができず、全てのテスト項目を満たすメモリ制御部をレイアウトせざるを得なかった。また、生成したメモリモジュールに対応するテストパターンを同時に生成することができなかった。
【００１４】
これまでのメモリモジュールジェネレータでは、データの提出先を考慮することなく、メモリモジュールの生成の要求のすべてに対応していた。これでは、第３者による不正なメモリモジュール生成を防ぐことができなかった。また、例えば仕様書のみが必要な場合でも、レイアウトデータなど全てを生成していた。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記した課題の解決を図ろうとする半導体設計装置についての本発明は、入力データの入力部と、メモリモジュールの生成支援データを蓄える生成支援データベースと、前記入力データに基づいて前記生成支援データベースにおける生成支援データを用いてメモリモジュールを生成するメモリモジュール生成部と、前記メモリモジュール生成部で処理した結果を出力する出力部とを備える半導体設計装置において、次のように構成されていることを特徴とする。すなわち、前記入力部はネットワークを介して複数の端末に接続可能に構成されており、さらに、前記入力データおよび前記メモリモジュール生成部で生成したメモリモジュールを含む生成データを保存する履歴データベースを備えている。
【００１６】
この発明による作用は次のとおりである。履歴データベースを設けて、入力データおよびメモリモジュールを含む生成データを保存するように構成してある。入力データには、例えば、部署名や、プロセス、容量、データ幅等のメモリモジュール仕様などが含まれている。生成データには、例えば、生成したメモリモジュールや生成日時などが含まれている。すなわち、履歴データベースに入力データおよび生成データを保存することにより、当該半導体設計装置を使用した部署名、メモリモジュール仕様、生成日時などを一元管理することが可能になる。したがって、メモリモジュール生成についての要求傾向を明確に知ることができる。つまり、履歴データベースに保存されている履歴によって、各部署からの開発要望仕様を簡単に知ることができる。
【００１７】
そして、生成したメモリモジュールについても履歴データベースに保存することにより、同一仕様のメモリモジュールも生成要求の入力が生じた場合には、メモリモジュール生成部を駆動して改めてメモリモジュールを生成するのではなく、すでに履歴データベースに保存されている該当の同一仕様のメモリモジュールを単に読み出すだけで対応することができる。すなわち、過去に生成したことのあるメモリモジュールの再利用可能性を確保することができる。つまり、メモリモジュールを生成する時間の省略が可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を総括的に説明する。
【００１９】
本願第１の発明の半導体設計装置は、入力データの入力部と、メモリモジュールの生成支援データを蓄える生成支援データベースと、前記入力データに基づいて前記生成支援データベースにおける生成支援データを用いてメモリモジュールを生成するメモリモジュール生成部と、前記メモリモジュール生成部で処理した結果を出力する出力部とを備える半導体設計装置であって、前記入力部はネットワークを介して複数の端末に接続可能に構成されており、さらに、前記入力データおよび前記メモリモジュール生成部で生成したメモリモジュールを含む生成データを保存する履歴データベースを備えていることを特徴としている。
【００２０】
この第１の発明による作用については、上記の〔課題を解決するための手段〕の項で説明したのと実質的に同様のものとなる。すなわち、履歴データベースに入力データおよび生成データを保存することにより、メモリモジュールについて一元管理することができ、メモリモジュール生成についての要求傾向を知ることができる。そして、過去に生成したことのあるメモリモジュールの再利用可能性を確保することができる。つまり、メモリモジュールの生成の効率を飛躍的に高めることができる。
【００２１】
本願第２の発明の半導体設計装置は、上記第1の発明において、さらに、容量判定消去処理部を備えているものである。その容量判定消去処理部は、前記入力部における入力データに基づいて生成されるべきメモリモジュールのデータ量を求め、求めたデータ量を使用可能残り容量と比較し、使用可能残り容量が不足するときには前記履歴データベースから重要度の低い方から順にメモリモジュールデータを消去するものである。
【００２２】
この第２の発明による作用は次のとおりである。入力データには、生成を要求するメモリモジュールについてのデータ量が含まれている。あるいは、そのデータ量が直接的に含まれていなくても、所要のデータからメモリモジュールのデータ量を算出することが可能である。容量判定消去処理部は、入力データに基づいてメモリモジュールのデータ量を求めるとともに、当該の半導体設計装置において、そのハードディスクなどの外部記憶装置の使用可能な残りの容量である使用可能残り容量を調べ、前記のメモリモジュールデータ量を使用可能残り容量と比較する。そして、容量判定消去処理部は、前記の比較の結果、使用可能残り容量が不足するときは、履歴データベースにアクセスし、履歴データベースから重要度の低いメモリモジュールデータを消去することにより、使用可能残り容量として、要求のあったメモリモジュールの生成に必要な容量分を確保する。重要度の低さについては、メモリモジュールの再利用率を示す使用頻度が低いものほど重要度が低く、さらに、使用頻度が同じでもデータ量の大きいものほど重要度が低いものとするのが合理的である。
【００２３】
以上により、使用可能残り容量が不足することに起因するメモリモジュールの生成失敗を未然に回避することが可能になる。
【００２４】
本願第３の発明の半導体設計装置は、上記第１・第２の発明において、さらに、生成データ保存選択部を備えているものである。その生成データ保存選択部は、前記入力部における入力データに基づいて生成されるべきメモリモジュールの再利用率が所定の基準を満たしているか否かを判別し、満たしている生成データに限定して前記履歴データベースに対する保存を許可するものである。
【００２５】
この第３の発明による作用は次のとおりである。生成したメモリモジュールを含む生成データを全て履歴データベースに保存するとなると、そのための外部記憶装置としてきわめて大容量のものが必要となる。そこで、生成データ保存選択部を設けて、再利用率が所定の基準を満たしているものに限定して、その生成したメモリモジュールを含む生成データを履歴データベースに保存するようにしている。例えば、バス幅、容量について、２のｎ乗の大きさのメモリモジュールを含む生成データについては、再利用率が高いことから、原則として保存するようにするが、そうではなくて再利用率の低いものについては、そのとき限り生成はするが、保存については、しないようにし、外部記憶装置の使用容量を節約する。これにより、外部記憶装置の使用効率を高めることができる。
【００２６】
本願第４の発明の半導体設計装置は、上記第１〜第３の発明において、前記生成支援データベースとして、複数のユーザに対応するために互いに個別化された複数の個別生成支援データベースを備え、さらに、前記入力部における入力データに含まれるユーザ別情報に基づいて該当する個別生成支援データベースを選択してメモリモジュール生成に供するようにする個別生成支援データベース選択部を備えていることを特徴としている。ここで、ユーザの代表例としてファウンダリ（Ｆａｂ）を想定している。
【００２７】
この第４の発明による作用は次のとおりである。当該の半導体設計装置は、複数のユーザで利用されることを前提としており、生成支援データベースとしてユーザ別の個別生成支援データベースを備えているとともに、入力データにはユーザを特定するユーザ別情報が含まれている。個別生成支援データベース選択部は、そのユーザ別情報に基づいて該当の個別生成支援データベースを選択し、その選択した個別生成支援データベースをメモリモジュール生成部に連係させる。メモリモジュール生成部は、連係された当該ユーザ専用の個別生成支援データベースを利用して、入力データに基づいてメモリモジュールを生成する。これにより、同一のメモリモジュール生成部において、複数ユーザからの要求に対して、同一仕様のメモリモジュールを生成することができる。
【００２８】
本願第５の発明の半導体設計装置は、上記第４の発明において、前記個別生成支援データベース選択部は、前記入力データにユーザ別情報が含まれていない場合に、前記複数の個別生成支援データベースのそれぞれに対応する面積、コスト、性能などの必要な情報を提示し、選択の指示を受けるように構成されていることを特徴としている。
【００２９】
この第５の発明による作用は次のとおりである。特に、新規なユーザが当該半導体設計装置を利用するとき、あるいは、あるユーザが自己の個別生成支援データベースではなく他者の個別生成支援データベースを利用してメモリモジュールの生成を行おうとするとき、実際にメモリモジュールの生成過程に入る前に、複数の個別生成支援データベースのそれぞれにおける面積、コスト、性能などの必要な情報の提示を受け、個別生成支援データベースごとのメモリモジュールの検討を行った上で、選択することができる。すなわち、フレキシブルな対応が可能となる。
【００３０】
本願第６の発明の半導体設計装置は、上記第１〜第５の発明において、さらに、メモリ制御部選択部を備えていることを特徴としている。このメモリ制御部選択部は、メモリモジュールにおけるメモリ制御部としてソフトマクロのメモリ制御部かハードマクロのメモリ制御部かの選択を行うものである。
【００３１】
この第６の発明による作用は次のとおりである。メモリモジュール生成部が入力データに基づいてメモリモジュールを生成する際に、メモリ制御部選択部を使用して、メモリモジュールにおけるメモリ制御部について、ソフトマクロのメモリ制御部かハードマクロのメモリ制御部かを選択することが可能になる。これにより、メモリ制御部を周辺機能と合体させるなど、レイアウト時の自由度を上げることができる。なお、ソフトマクロのメモリ制御部の代表例として、ＨＤＬ（Hardware Description Language）記述のメモリ制御部がある。
【００３２】
本願第７の発明の半導体設計装置は、上記第６の発明において、さらに、生成するメモリ制御部についてのテスト項目を選択するテスト項目選択部を備えていることを特徴としている。
【００３３】
この第７の発明による作用は次のとおりである。テスト項目選択部を用いて所望のテスト項目を選択することにより、その選択したテスト項目に対応したメモリ制御部を生成することが可能となる。これにより、不必要な制御をメモリ制御部から省くことができ、メモリ制御部の構成の簡略化を図ることができるとともに、無駄な回路による故障検出率の低下やレイアウト時の無駄を回避することが可能となる。
【００３４】
本願第８の発明の半導体設計装置は、上記第１〜第７の発明において、さらに、複数のテスター機種に対応するテストパターンモデルを格納するテストパターンモデルデータベースと、前記入力部における入力データに含まれるテスター機種に基づいて、前記メモリモジュール生成部が生成するメモリモジュールに対して、前記テストパターンモデルデータベースから対応するテスター機種のテストパターンを生成するテストパターン生成部とを備えていることを特徴としている。
【００３５】
この第８の発明による作用は次のとおりである。ユーザが求める条件でメモリモジュールを生成すると同時に、その生成したメモリモジュールに対応し、かつ指定したテスター機種に対応するテストパターンを生成することができる。したがって、メモリモジュール生成とは別個にテストパターンを作成する必要がなくなり、テストパターン作成の工数削減を図れるとともに、テストパターン作成時のミスを招かないですむ。
【００３６】
本願第９の発明の半導体設計装置は、上記第１〜第８の発明において、さらに、データの提出先を判断するユーザ判別部と、前記ユーザ判別部による判別結果が不適合を示すときに、前記履歴データベースからの前記出力部を介してのデータ出力に対してプロテクトをかけるプロテクト部とを備えていることを特徴としている。
【００３７】
この第９の発明による作用は次のとおりである。ユーザ判別部は、入力部に入力されてくる入力データに基づいて、データの提出先であるユーザが果たして正規の資格を有するか否かを判別し、不適合の場合には、履歴データベースからのデータ出力に対してプロテクトをかける。したがって、不用意にレイアウトデータなどの技術情報が流出することを防ぐことができる。
【００３８】
本願第１０の発明の半導体設計装置は、上記第１〜第８の発明において、さらに、データの提出先を判断するユーザ判別部と、前記ユーザ判別部による判別結果に応じて、前記出力するメモリモジュールを含むデータの種類に対して制限を与える出力データ種類制限部とを備えていることを特徴としている。
【００３９】
この第１０の発明による作用は次のとおりである。ユーザ判別部は、入力部に入力されてくる入力データに基づいて、データの提出先であるユーザを判別する。この判別においては、正規の資格を有するか否かの二者択一的な判別でもよいし、あるいは、いくつかのランクを設けておいた上でのランク分けでもよい。例えば、無資格者であれば、メモリモジュール生成部によるメモリモジュールの生成そのものを禁止する。あるいは、ユーザのランクに応じて、メモリモジュールの生成レベルを調整する。これによれば、不要なメモリモジュールを生成してしまうことによる外部記憶装置容量の無駄な使用と生成にかかる時間のロスを防ぐことができる。
【００４０】
以上をまとめると、メモリモジュールの生成の履歴を一元的に管理することが可能となり、また、メモリモジュール生成前に外部記憶装置の使用可能残り容量を確認することで生成ミスを防ぐことができる。また、複数のユーザ（ファウンダリ（Ｆａｂ））に対応することで、同じ装置で複数のユーザ用のメモリモジュールを生成でき、またそれぞれを比較することが可能となる。またメモリ制御部についてハードマクロかソフトマクロかを選択できることで、レイアウトの自由度を上げることを可能にし、さらに、テストパターンを同時に生成することにより評価の時間短縮を実現する。また、データの提出先に応じてメモリモジュールにプロテクトをかけることを可能にし、提出先に応じて生成できるメモリモジュールに制限をかけることができる。
【００４１】
（具体的な実施の形態）
以下、本発明にかかわる半導体設計装置の具体的な実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００４２】
図１は、本発明の実施の形態における半導体設計装置（メモリモジュールジェネレータ）の構成を示すブロック図である。図１において、符号の１はデータの入力部、２は入力部１から入力する入力データを含む各種の情報を処理するＣＰＵ（中央演算処理装置）、３（３ａ，３ｂ，３ｃ）はメモリモジュールの生成に必要な生成支援データを蓄積する生成支援データベース、４はＣＰＵ２と生成支援データベース３との協働により入力部１からの入力データに基づいてメモリモジュールを生成するメモリモジュール生成部、５はＣＰＵ２による処理の結果を出力する出力部である。
【００４３】
入力部１および出力部５はネットワークを介して複数のユーザ端末に接続可能に構成されている。生成支援データベース３については、複数のユーザ（ファウンダリ（Ｆａｂ））に対応するために互いに個別化された複数の個別生成支援データベース３ａ，３ｂ，３ｃを備えた構成となっている。
【００４４】
また、６は、入力部１から入力した入力データとメモリモジュール生成部４で生成したメモリモジュールを含む生成データを保存しておく履歴データベース、７は、入力部１における入力データに基づいて生成されるべきメモリモジュールのデータ量を求め、履歴データベース６を構築しているハードディスクなどの外部記憶装置の使用可能残り容量と前記の求めたデータ量とを比較し、使用可能残り容量が不足するときには履歴データベース６から重要度の低い方から順にメモリモジュールデータを消去する容量判定消去処理部（ディスクチェック部）である。
【００４５】
履歴データベースからメモリモジュールデータを消去することの基準である重要度の低さについては、メモリモジュールの再利用率を示す使用頻度が低いものほど重要度が低いものとし、さらに、使用頻度が同じでもデータ量の大きいものほど重要度が低いものとする。
【００４６】
８は、入力部１における入力データに基づいて生成されるべきメモリモジュールの再利用率が所定の基準を満たしているか否かを判別し、満たしている生成データに限定して履歴データベース６に対する保存を許可する生成データ保存選択部である。
【００４７】
上記の再利用率の所定の基準については、例えば、バス幅、容量について、２のｎ乗の大きさに一致しているか否かが目安となる。
【００４８】
具体的には、ビット幅が８，１６，３２，６４，１２８ビット、容量がＲＡＭ：２５６，５１２，７６８，１ｋ，２ｋ，４ｋ，８ｋ，１６ｋ，３２ｋ，６４ｋ，１２８ｋ，２５６ｋ，５１２ｋ，１Ｍバイト、ＲＯＭ：８ｋ，１６ｋ，３２ｋ，６４ｋ，１２８ｋ，２５６ｋ，５１２ｋ，７６８ｋ，１Ｍ，２Ｍ，４Ｍ，８Ｍ，１６Ｍバイトなど、２のｎ乗のバス幅と容量を持つ、一般的に使用頻度が高く再利用率が高いと思われる構成のメモリのモジュールについては、原則として全生成データを保存するようにする。それ以外の再利用率の低いものについては、そのとき限り生成はするが、保存については、これを行わないようにする。これにより、履歴データベース６を構築しているハードディスクなどの外部記憶装置の使用効率を高め、外部記憶装置の使用容量を節約する。
【００４９】
９は、入力部１における入力データに含まれるユーザ別情報に基づいて、複数の個別生成支援データベース３ａ，３ｂ，３ｃのうちの該当する個別生成支援データベースを選択してメモリモジュール生成に供するようにする個別生成支援データベース選択部である。
【００５０】
ここで、ユーザの違いとは、ファウンダリ（Ｆａｂ）の違いのことである。例えば、第１の個別生成支援データベース３ａが第１のユーザについてのものであるとすると、第１のユーザからメモリモジュール生成に要請があったときに、入力部１からのユーザ別情報に基づいて、個別生成支援データベース選択部９は対応する第１の個別生成支援データベース３ａを読み出すことになる。また、第２の個別生成支援データベース３ｂが第２のユーザについてのものであるとすると、第２のユーザからメモリモジュール生成に要請があったときに、入力部１からのユーザ別情報に基づいて、個別生成支援データベース選択部９は対応する第２の個別生成支援データベース３ｂを読み出すことになる。
【００５１】
この個別生成支援データベース選択部９は、また、入力部１における入力データにユーザ別情報が含まれていない場合には、複数の個別生成支援データベース３ａ，３ｂ，３ｃのそれぞれに対応する面積、コスト、性能などの必要な情報を提示し、選択の指示を受けるように構成されている。
【００５２】
１０は、メモリモジュール生成部４が入力データに基づいてメモリモジュールを生成する際に、メモリモジュールにおけるメモリ制御部について、ソフトマクロのメモリ制御部として生成するか、あるいは、ハードマクロのメモリ制御部として生成するかを選択するメモリ制御部選択部である。ソフトマクロのメモリ制御部の代表例として、ＨＤＬ（Hardware Description Language）記述のメモリ制御部がある。
【００５３】
１１は、生成するメモリ制御部について検査を行う際に適用すべきテスト項目を選択するためのテスト項目選択部である。
【００５４】
１２は、複数のテスター機種に対応するテストパターンモデルを格納するテストパターンモデルデータベース、１３は入力部１における入力データに含まれるテスター機種に基づいて、メモリモジュール生成部４が生成するメモリモジュールに対して、テストパターンモデルデータベース１２から対応するテスター機種のテストパターンを生成するテストパターン生成部である。
【００５５】
１４は、データの提出先を判断するユーザ判別部、１５はユーザ判別部１４による判別結果が不適合を示すときに、履歴データベース６からの出力部５を介してのデータ出力に対してプロテクトをかけるプロテクト部、１６はユーザ判別部１４による判別結果に応じて、出力部５から出力するメモリモジュールを含むデータの種類に対して制限を与える出力データ種類制限部である。
【００５６】
図２は本発明の実施の形態における入力データ例である。図６に示した通常の入力例にＦａｂ名を指定する項目を追加したものである。この項目Ｆａｂ名に基づいて個別生成支援データベース選択部９は複数の個別生成支援データベース３ａ，３ｂ，３ｃのうちから対応する１つの個別生成支援データベースを選択し、メモリモジュール生成部４は、その選択した個別生成支援データベースにおける生成支援データを用いて当該のＦａｂ名に対応したメモリモジュールを生成する。また、Ｆａｂ名に入力がない場合には、個別生成支援データベース選択部９は複数の個別生成支援データベース３ａ，３ｂ，３ｃの全てについて概略仕様を提示することで、いずれかの個別生成支援データベースを選択すべきことの推奨を行う。
【００５７】
図３は本発明の実施の形態における入力データ例である。図６に示した通常の入力例にメモリ制御部の構成を選択する項目を追加したものである。この項目の入力によって、ハードマクロのメモリ制御部かソフトマクロのメモリ制御部かを選択する。
【００５８】
図４は本発明の実施の形態における入力データ例である。図６に示した通常の入力例に必要なテスター機種名を入力する項目を追加したものである。この項目の入力によって、対応するテスター機種用のテストパターンを生成する。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によると、第１に、入力データおよび生成データを保存する履歴データベースを備えていることにより、メモリモジュールについて一元管理することができ、メモリモジュール生成についての要求傾向を知ることができる。そして、過去に生成したことのある同一仕様のメモリモジュールの再利用可能性を確保することができる。つまり、メモリモジュールの生成の効率を飛躍的に高めることができる。
【００６０】
第２に、容量判定消去処理部を備えていることにより、生成するメモリモジュールのデータ量とハードディスクなどの外部記憶装置の使用可能残り容量とを比較し、使用可能残り容量が不足するときは、履歴データベースから重要度の低いメモリモジュールデータを消去するので、使用可能残り容量の不足に起因するメモリモジュールの生成失敗を未然に回避することができる。
【００６１】
第３に、生成データ保存選択部を備えていることにより、再利用率が所定の基準を満たしている（例えば、バス幅、容量が２のｎ乗の大きさになっている）メモリモジュールに限定して履歴データベースに保存することを可能にし、外部記憶装置の使用容量を節約し、外部記憶装置の使用効率を高めることができる。
【００６２】
第４に、複数の個別生成支援データベースと、それらを選択する個別生成支援データベース選択部を備えていることにより、メモリモジュール生成部は、連係された当該ユーザ専用の個別生成支援データベースを利用して、入力データに基づいてメモリモジュールを生成することができる。これにより、同一のメモリモジュール生成部において、複数ユーザからの要求に対して、同一仕様のメモリモジュールを生成することができる。
【００６３】
第５に、入力データにユーザ別情報が含まれていない場合に、複数の個別生成支援データベースのそれぞれに対応する面積、コスト、性能などの必要な情報を提示し、選択の指示を受けるように個別生成支援データベース選択部を構成することにより、新規なユーザが当該半導体設計装置を利用するとき、あるいは、あるユーザが自己の個別生成支援データベースではなく他者の個別生成支援データベースを利用してメモリモジュールの生成を行おうとするとき、実際にメモリモジュールの生成過程に入る前に、複数の個別生成支援データベースのそれぞれにおける面積、コスト、性能などの必要な情報の提示を受け、個別生成支援データベースごとのメモリモジュールの検討を行った上で、選択することができる。すなわち、フレキシブルな対応が可能となる。
【００６４】
第６に、メモリモジュールにおけるメモリ制御部について、ＨＤＬ記述などのソフトマクロのメモリ制御部かハードマクロのメモリ制御部かを選択するためのメモリ制御部選択部を備えていることにより、メモリ制御部を周辺機能と合体させるなど、レイアウト時の自由度を上げることができる。
【００６５】
第７に、テスト項目選択部を備えていることにより、生成するメモリ制御部についてテスト項目の選択を可能となすことにより、そのテスト項目に対応したメモリ制御部を生成することができ、不必要な制御をメモリ制御部から省いて、メモリ制御部の構成の簡略化を図ることができるとともに、無駄な回路による故障検出率の低下やレイアウト時の無駄を回避することが可能となる。
【００６６】
第８に、テストパターンモデルデータベースとテストパターン生成部とを備えていることにより、ユーザが求める条件でメモリモジュールを生成すると同時に、その生成したメモリモジュールに対応し、かつ指定したテスター機種に対応するテストパターンを生成することができるので、メモリモジュール生成とは別個にテストパターンを作成する必要がなくなり、テストパターン作成の工数削減を図れるとともに、テストパターン作成時のミスを招かないですむ。
【００６７】
第９に、ユーザ判別部とプロテクト部とを備えていることにより、正規の資格を有しないユーザに対しては、履歴データベースからのデータ出力に対してプロテクトをかけるので、不用意にレイアウトデータなどの技術情報が流出することを防ぐことができる。
【００６８】
第１０に、ユーザ判別部と出力データ種類制限部とを備えていることにより、許可無き者が不要なメモリモジュールを生成してしまうことによる外部記憶装置容量の無駄な使用と生成にかかる時間のロスを防ぐことができる。
【００６９】
以上のように、本発明によれば、メモリモジュール生成につき、上記の効果を持つ優れた半導体設計装置を実現できるに至った。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における本発明の半導体設計装置の構成を示すブロック図
【図２】本発明の実施の形態におけるＦａｂ選択機能を実現する入力データ例
【図３】本発明の実施の形態におけるメモリ制御部選択機能を実現する入力データ例
【図４】本発明の実施の形態におけるテスターパターン生成機能を実現する入力データ例
【図５】従来の半導体設計装置の構成を示すブロック図
【図６】従来の入力データ例
【符号の説明】
１  入力部
２  ＣＰＵ
３  個別生成支援データベース
４  メモリモジュール生成部
５  出力部
６  履歴データベース
７  容量判定消去処理部
８  生成データ保存選択部
９  個別生成支援データベース選択部
１０  メモリ制御部選択部
１１  テスト項目選択部
１２  テストパターンモデルデータベース
１３  テストパターン生成部
１４  ユーザ判別部
１５  プロテクト部
１６  出力データ種類制限部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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