(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
消去後の記憶エリアにデータを書込可能な不揮発性メモリ媒体を使用したデータバックアップ方式において、同一種別のデータに対するデータ書込領域を複数の不揮発性メモリ媒体上に夫々設けると共に、データ種別毎に揮発性メモリからなる退避バッファを設け、通常は入力データを一旦前記退避バッファに記憶後、速やかに該記憶データを不揮発性メモリ媒体に書き込むと共に、該不揮発性メモリ媒体が書込不可状態にある場合は、入力データを順次前記退避バッファに蓄積し、前記不揮発性メモリ媒体が書込可能状態となった時点で前記退避バッファの蓄積データ分を該不揮発性メモリ媒体に書き込むことを特徴とするデータバックアップ方式。
【請求項２】
不揮発性メモリ媒体の挿抜を実質ロック／アンロック状態にするための挿抜機構部を備え、退避バッファが不揮発性メモリ媒体への未格納データを保持している場合は前記挿抜機構部をロック状態にすることを特徴とする請求項１に記載のデータバックアップ方式。
【請求項３】
複数の不揮発性メモリ媒体についての運用状況を夫々に記録管理可能な管理データ記憶領域を前記複数の不揮発性メモリ媒体上に夫々設け、前記管理データ記憶領域は複数の不揮発性メモリ媒体についてのセクタ毎の運用状況を夫々に記録管理可能であると共に、ある不揮発性メモリ媒体の管理データ記憶領域を消去する前に、該管理データ記憶領域の最新の管理データを他の不揮発性メモリ媒体の管理データ記憶領域にコピーして前記複数の不揮発性メモリ媒体についての運用状況の管理を継続することを特徴とする請求項１に記載のデータバックアップ方式。
【請求項４】
不揮発性メモリ媒体は記憶データをセクタ単位に消去可能であると共に、１つの不揮発性メモリ媒体につき１つのデータ種別に対して複数のセクタをデータ書込領域に割り当て、ある不揮発性メモリ媒体につきに複数のセクタを使用した後、他の不揮発性メモリ媒体につきに複数のセクタを使用すると共に、前記ある不揮発性メモリ媒体の複数のセクタを適宜のタイミングに消去し、こうして複数の不揮発性メモリ媒体につきに複数のセクタを巡回的に使用することを特徴とする請求項１に記載のデータバックアップ方式。
【請求項５】
ある不揮発性メモリ媒体のあるセクタを使用中に、他の不揮発性メモリ媒体が交換を必要とする状態にある場合は、前記ある不揮発性メモリ媒体の使用済みセクタを消去することを特徴とする請求項４に記載のデータバックアップ方式。
【請求項６】
予め割り当てた数のセクタが不足状態に至った場合は、他のセクタを新たに割り当てることを特徴とする請求項４に記載のデータバックアップ方式。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はデータバックアップ方式に関し、更に詳しくは消去後の記憶エリアにデータを書込可能な不揮発性メモリ媒体を使用して入力データを不揮発に記録（保存）するデータバックアップ方式に関する。
近年、データ伝送システム等を構成する装置では、該装置の運用上必要となるシステムデータ（システム運用データ，システム監視データ等）のサイズが益々増加する傾向にあり、本データを如何に効率よく確実に記録するかが重要視されている。また、同時に装置の小型化の要請もあり、このため近年ではハードディスク等の場所をとる他の記憶媒体に比べて、小サイズでかつデータ読書時間の短い不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）をデータ保存媒体として使用する場合が多い。中でもフラッシュＥＥＰＲＯＭは、記憶容量が大きいため、これを搭載する装置が近年増大している。
【０００２】
フラッシュＥＥＰＲＯＭは、バイト書換型のＥＥＰＲＯＭの動作を消去とデータ書込動作とに分けたものであり、素子又は一部の指定ブロック（以下、セクタとも呼ぶ）を一括消去した後、該消去した部分にデータを電気的に書込可能としたものである。因みに、ＮＯＲ型のフラッシュＥＥＰＲＯＭはその素子構造からデータのランダムリードタイムが速いので携帯機器制御のためのＲＯＭやデータＲＯＭとして使用され、またＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭはその素子構造が大容量化に適していること、全メモリ空間を所定サイズ毎（例えば６４ｋＢ／セクタ）に分割して管理可能なこと、及びセクタを単位とするブロックデータの読書速度が速いこと、等からハードディスクやフロッピディスクの置き換えに適している。
【０００３】
しかし、フラッシュＥＥＰＲＯＭでは、素子又はセクタの消去時間が長いこと（例えば１セクタ当たり１．５〜３０秒程度）、またセクタ消去中は他のセクタにアクセスできないこと、また消去後のデータが全ビット「１」となるような素子ではビット「０」のみを上書可能なこと、又は消去後のデータが全ビット「０」となるような素子ではビット「１」のみを上書可能なこと、また素子やセクタの消去回数が有限なこと（例えば１０万回程度）、等の使用上の制約も少なくない。
【０００４】
そこで、このような制約を克服した効率のよいデータバックアップ方式の提供が望まれている。
なお、消去後の記憶エリアにデータを書込可能な不揮発性メモリ媒体としては、上記フラッシュＥＥＰＲＯＭ以外にも、光磁気ディスク，相転移型ディスク等が知られており、本発明はこれらの不揮発性メモリ媒体を使用したデータバックアップ方式に利用できる。
【０００５】
【従来の技術】
図１１，図１２は従来技術を説明する図（１），（２）である。
図１１は従来の冗長構成を有するデータ伝送システムにおける伝送路監視装置の一部構成（主に監視データのバックアップ記憶に係る構成）を示している。
図において、１００は架構成装置における基板（パッケージ）等を挿抜自在に支持するスロット、１０１は基板間の信号を接続する共通のバックプレーン（ＢＰ）、１０は伝送路監視装置の主制御を行う制御盤（基板，パッケージ等）、１１は制御盤の主制御処理を行うＣＰＵ１、１２はＣＰＵ１が使用するＲＡＭ，ＲＯＭ等からなる主メモリ（ＭＭ１）、３０はデータ伝送システムの各種監視データ（回線切替データ，回線警報データ等）をバックアップ保持するファイル盤、３１はファイル盤の主制御を行うＣＰＵ２、３２はＣＰＵ２が使用する主メモリ（ＭＭ２）、３４はＣＰＵ１，２間でメッセージ通信及び監視データの転送を行うためのデュアルポートＲＡＭ（ＤＰＲＡＭ）、ＦＭＥＭ１は監視データをバックアップ保持するフラッシュＥＥＰＲＯＭ、３６は制御盤から送られる各種監視データを蓄積するバッファメモリモジュール、ＢＵＦ１，２は夫々１セクタ分の記憶容量を有するバッファメモリ（ＲＡＭ）である。
【０００６】
制御盤１０において、ブロック１１にはＣＰＵ１のプログラム実行により実現される各種機能ブロックが示されている。通信制御処理は伝送路監視装置に必要なデータ通信制御を行う。切替管理処理は回線の冗長切替に関する監視データを収集管理する。警報管理処理は回線に関する各種警報データを収集管理する。ＦＭＥＭ管理処理は前記収集された各種データをファイル盤に格納するためのインタフェース処理を行う。そして、上記各処理はタスクとして構成され、ＯＳ処理の管理下で適宜に実行される。
【０００７】
同じくファイル盤３０において、ＦＭＥＭ制御処理はＦＭＥＭ管理処理との間のデータやメッセージのやり取りをインタフェースすると共に、ファイル盤におけるデータ読書制御及びＦＭＥＭ１の消去制御等を管理する。バッファ退避処理は制御盤１０から送られる各種データをバッファメモリモジュール３６に蓄積する。ＦＭＥＭ書込処理はＢＵＦ１又は２の蓄積データが一杯になったことにより該蓄積データをＦＭＥＭ１にブロック（セクタ）単位で書き込む。その際には、データ書込中を外部に通知するためのＬＥＤ（不図示）を点滅させ、データ書込完了後、ＬＥＤの点滅を終了させる。またこのＦＭＥＭ書込処理は各セクタ内に設けられたセクタ管理領域の管理データ（セクタ運用状況フラグ等）を更新管理する。ＦＭＥＭ読出処理はＦＭＥＭ１からデータを直接に読み出す。セクタ消去処理は使用済み（消去待ち）のセクタを消去すると共に、セクタ管理領域の管理データ（セクタ消去回数等）を更新管理する。そして、上記各処理はタスクとして構成され、ＯＳ処理の管理下で適宜に実行される。
【０００８】
係る構成により、従来のデータバックアップ方式は、制御盤１０から送られる各種データをバッファ（ＲＡＭ）３６に蓄積するのが基本であり、該バッファが一杯になった時点でこれをＦＭＥＭ１にバックアップ保持するものであった。従って、ＦＭＥＭ１は１個設ければ十分であった。一方、データはデータ種別毎に蓄積した方が管理し易いため、データ種別毎にＢＵＦ１，２等を設け、これらを介してＦＭＥＭ１へのブロック書込を行っていた。
【０００９】
図１２は従来のフラッシュＥＥＰＲＯＭの記憶マップを示している。
ＦＭＥＭ１には切替データと警報データの各記憶領域が設けられており、夫々には例えば２セクタ分が固定的に割り当てられている。今、切替データのバックアップ処理について説明すると、例えばセクタ１が使用済み（データ書込完了）となった時は、未使用のセクタ２を次ブロックデータの書込先となし、古くなったセクタ１の記録データを消去する。このセクタ１の消去中は、セクタ２へのデータ書込を行えないが、ＢＵＦ１があるので、切替データの取りこぼしは発生しない。セクタ３，４についても同様である。
【００１０】
挿入図（ａ）にセクタ１の記憶マップを示す。
セクタ１は、セクタ１の管理情報を記録するためのヘッダ部と、監視データを格納するためのデータ部とを備える。
ヘッダ部において、運用状況フラグは自セクタ１の現在の運用状況を記録保持する。セクタ１が消去された時は、全ビット「１」となり、運用状況フラグ＝０ｘｆｆｆｆ（但し、０ｘはヘキサデシマル表示）となる。これはセクタ１が未使用（消去完了）であることを表す。次にセクタ１が使用中になると、運用状況フラグ＝０ｘ１０００に書き換えられる。また寿命の来たセクタの運用状況フラグ＝０ｘ００００（使用不可）に書き換えられる。
【００１１】
また、消去回数はセクタ１の消去回数をコード情報で保持する。具体的に言うと、最初は消去回数＝０ｘ０００１（１回目）を書き込む。２回目は前記１回目と同一の欄又は次の欄に消去回数＝０ｘ０００２（２回目）を書き込む。以上のことは、他のセクタについても同様である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記ＦＭＥＭ１が１つであると、何れかのセクタが消去中の場合は他のセクタにアクセスできないため、不測の事態により監視データが大量に発生したような場合には、バッファメモリ３６がオーバフローし、データの格納漏れが発生する。これを回避するにはバッファ３６の容量を十分に大きくしておく必要があった。
【００１３】
また、上記ＦＭＥＭ１が１つであると、ＦＭＥＭ１の寿命が尽きた場合には、ファイル盤３０を止めて（引き抜いて）ＦＭＥＭ１を交換しない限りデータの格納が不可能となり、データバックアップ処理に支障を来していた。
また、上記データ種別毎に１セクタ（例えば６４ｋバイト）分のバッファを設け、該バッファがフルになった時点でＦＭＥＭ１にブロック書込を行う方式であると、データのブロック書き込みには時間を要するため、この区間に新たな監視データが発生すると、バッファへの次データ書込遅延が発生する。また、バッファ３６のデータ蓄積中に電源ＯＦＦされる危険性も多分にあり、電源ＯＦＦされると、バッファ３６の蓄積データが消滅してしまう。
【００１４】
また、上記自セクタの管理情報を自セクタに記録する方式であると、自セクタを消去する度に消去前の管理情報（消去回数等）を外部のＲＡＭ等に退避させる必要がある。そして、この退避中にもし電源ＯＦＦが発生した場合には退避データが消滅してしまい、正確な寿命管理が不可能となる。
また、上記データ種別毎に複数のセクタを固定的に配分する方式であると、一部のセクタの寿命が尽きた場合や、あるデータ種別について書込処理がバースト的に発生したような場合には、未使用セクタが不足する場合がある。
【００１５】
また、上記消去回数をコード情報で複数欄に記録する方式であると、ＦＭＥＭ１の記録欄が多数必要となり、メモリの節約とならない。
また、上記ＦＭＥＭ１へのデータ書込中をＬＥＤの点滅等により外部に通知する方式であると、ＬＥＤ点滅の見落としによるファイル盤の誤引き抜きや、点滅開始前後の電源ＯＦＦ操作等により、データを正常に格納できない場合がある。
【００１６】
本発明は上記従来技術の欠点に鑑み成されたもので、その目的とする所は、消去後の記憶エリアにデータを書込可能な不揮発性メモリ媒体によるデータのバックアップを効率良くかつ確実に行えるデータバックアップ方式を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は例えば図１ の構成により解決される。即ち、本発明（１）のデータバックアップ方式は、消去後の記憶エリアにデータを書込可能な不揮発性メモリ媒体を使用したデータバックアップ方式において、同一種別のデータに対するデータ書込領域を複数の不揮発性メモリ媒体上に夫々設けると共に、データ種別毎に揮発性メモリからなる退避バッファを設け、通常は入力データを一旦前記退避バッファに記憶後、速やかに該記憶データを不揮発性メモリ媒体に書き込むと共に、該不揮発性メモリ媒体が書込不可状態にある場合は、入力データを順次前記退避バッファに蓄積し、前記不揮発性メモリ媒体が書込可能状態となった時点で前記退避バッファの蓄積データ分を該不揮発性メモリ媒体に書き込むものである。
【００２３】
なお、図１ は複数が２の場合を示すが、３以上でも良い。また不揮発性メモリ媒体としては例えばフラッシュＥＥＰＲＯＭを想定すると分かり易い。図において、本発明（１）においては、同一種別のデータ（例えばデータＡ）に対するデータ書込領域（データＡ書込領域）を複数の不揮発性メモリ媒体１，２上に夫々設けると共に、同一種別のデータＡにつき、ある不揮発性メモリ媒体１の記憶データを消去する際には他の不揮発性メモリ媒体２に対して入力データＡの書き込みを行う。従って、不揮発性メモリ媒体１が消去中でも、後続の入力データＡを不揮発性メモリ媒体２に遅滞なく書き込め、こうして入力データのバックアップを効率良くかつ確実に行える。
更に、データ種別Ａ，Ｂ毎に揮発性メモリからなる退避バッファＡ，Ｂを設け、通常は例えば入力データＡを一旦前記退避バッファＡに記憶後、速やかに該記憶データＡを例えば不揮発性メモリ媒体１に書き込むと共に、該不揮発性メモリ媒体１が書込不可状態（例えばデータＢ書込領域１が消去中）にある場合は、入力データＡを順次前記退避バッファＡに蓄積し、前記不揮発性メモリ媒体１が書込可能状態（データＢ書込領域１が消去完了）となった時点で前記退避バッファＡの蓄積データ分を該不揮発性メモリ媒体１に書き込む。
【００２４】
即ち、本発明では入力データを不揮発性メモリ媒体１／２に直接書き込むのが基本であり、退避バッファＡ，Ｂは不揮発性メモリ媒体１／２へのデータ書き込みが待たされる時の２次的なデータ退避手段として位置付けられる。従って、不測の電源ＯＦＦ等が発生しても、データを消失する可能性が少ない。
好ましくは本発明（２）においては、上記本発明（１）において、不揮発性メモリ媒体の挿抜を実質ロック／アンロック状態にするための挿抜機構部（不図示）を備え、退避バッファが不揮発性メモリ媒体への未格納データを保持している場合は前記挿抜機構部をロック状態にするものである。
【００２５】
即ち、本発明（２）においては、例えば退避バッファＡが不揮発性メモリ媒体１又は２への未格納データＡを保持している場合は、不揮発性メモリ媒体１及び又は２をロック状態にして不揮発性メモリ媒体１及び又は２の取り外しを制限する。従って、未格納データＡは不揮発性メモリ媒体に確実に保持され、一方、ユーザ（保守者等）が不用意に不揮発性メモリ媒体を外してしまうことを有効に防止できる。
【００２６】
また本発明（３）においては、上記本発明（１）において、複数の不揮発性メモリ媒体についての運用状況を夫々に記録管理可能な管理データ記憶領域を前記複数の不揮発性メモリ媒体上に夫々設け、前記管理データ記憶領域は複数の不揮発性メモリ媒体についてのセクタ毎の運用状況を夫々に記録管理可能であると共に、ある不揮発性メモリ媒体の管理データ記憶領域を消去する前に、該管理データ記憶領域の最新の管理データを他の不揮発性メモリ媒体の管理データ記憶領域にコピーして前記複数の不揮発性メモリ媒体についての運用状況の管理を継続するものである。
【００２７】
即ち、本発明（３）においては、例えば２つの不揮発性メモリ媒体１，２についての運用状況（使用中，使用済み，消去待ち等）を夫々に記録管理可能な管理データ記憶領域を前記２つの不揮発性メモリ媒体１，２上に夫々設けると共に、ある不揮発性メモリ媒体１の管理データ記憶領域を消去する前に、該管理データ記憶領域１の最新の管理データを他の不揮発性メモリ媒体２の管理データ記憶領域にコピーして前記２つの不揮発性メモリ媒体１，２についての運用状況の管理を継続する。
【００２８】
従って、不揮発性メモリ媒体１を消去しても、不揮発性メモリ媒体２で不揮発性メモリ媒体１，２の運用状況を引き続き継続して管理できる。
また、不揮発性メモリ媒体１，２についての運用状況を不揮発性メモリ媒体上で記録管理することにより、装置の電源ＯＮ／ＯＦＦといった外的要因に影響される事無く、不揮発性メモリ媒体１，２の運用状況や寿命を一貫して正確に管理することが可能となる。
【００３１】
また好ましくは本発明（４）においては、上記本発明（１）において、不揮発性メモリ媒体は記憶データをセクタ単位に消去可能であると共に、１つの不揮発性メモリ媒体につき１つのデータ種別に対して複数のセクタをデータ書込領域に割り当て、ある不揮発性メモリ媒体につきに複数のセクタを使用した後、他の不揮発性メモリ媒体につきに複数のセクタを使用すると共に、前記ある不揮発性メモリ媒体の複数のセクタを適宜のタイミングに消去し、こうして複数の不揮発性メモリ媒体につきに複数のセクタを巡回的に使用する。
【００３２】
即ち、本発明（４）においては、例えばある不揮発性メモリ媒体１につきに２つのセクタを使用した後、他の不揮発性メモリ媒体２につきに２つのセクタを使用すると共に、前記ある不揮発性メモリ媒体１の２つのセクタを適宜のタイミングに消去し、こうして２つの不揮発性メモリ媒体１，２につきに２つのセクタを巡回的に使用する。従って、限られた容量の不揮発性メモリ媒体１，２を多くのデータ種別により夫々に効率良く確実に利用できる。
【００３３】
また好ましくは本発明（５）においては、上記本発明（４）において、ある不揮発性メモリ媒体のあるセクタを使用中に、他の不揮発性メモリ媒体２が交換を必要とする状態にある場合は、前記ある不揮発性メモリ媒体の使用済みセクタを消去する。即ち、本発明（５）においては、例えばデータＡ書込領域１を使用後、続けてデータＡ書込領域２を使用する時に、他の不揮発性メモリ媒体２が交換（例えば寿命等による交換）を必要とする状態にある場合は、旧データＡ書込領域１を消去する。従って、かかる場合でもデータＡの書込を継続でき、システムを止めること無く不揮発性メモリ媒体２を交換できる。
【００３４】
また好ましくは本発明（６）においては、上記本発明（４）において、予め割り当てた数のセクタが不足状態に至った場合は、他のセクタを新たに割り当てる。例えばデータＡのデータ量が増した場合、又は不揮発性メモリ媒体１のデータＡ書込領域１，２を使用後、不揮発性メモリ媒体１，２のいずれにも未使用のデータＡ書込領域が見つからないような場合には、好ましくは他の割当外のセクタを新たにデータＡ書込領域３等として割り当てる。又は、他の割当外のセクタが存在しないような場合には、例えば他のデータ種別Ｂに割り当ててあったセクタの割当を変更してデータ種別Ａの側に割り当てる。従って、このようなセクタの柔軟な再割当てにより、データの格納漏れを有効に回避できる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に従って本発明に好適なる実施の形態を詳細に説明する。なお、全図を通して同一符号は同一又は相当部分を示すものとする。
図２は実施の形態によるデータバックアップ方式の構成を示す図で、上記図１１と同様に冗長構成を有するデータ伝送システムにおける伝送路監視装置の一部構成（主に監視データのバックアップ記憶に係る構成）を示している。
【００３９】
図において、１０は制御盤（基板，パッケージ等）、１１はＣＰＵ１、１２は主メモリ（ＭＭ１）、１３は制御盤の挿抜を制限するためのパッケージ挿抜機構部、１３ａはそのロックピン、３０はファイル盤、３１はＣＰＵ２、３２は主メモリ（ＭＭ２）、３３はパッケージ挿抜機構部、３３ａはそのロックピン、３４はＤＰＲＡＭ、３５はデータ伝送システムの各種監視データ（回線切替データ，回線警報データ等）及びこれらの記録管理に係る管理データをバックアップ（不揮発に）保持するバックアップメモリモジュール、ＦＭＥＭ１，２はフラッシュＥＥＰＲＯＭ、３６は制御盤から送られる各種監視データを一時的に蓄積するバッファメモリモジュール、ＢＵＦ１，２は夫々１セクタ分の記憶容量を有するバッファメモリ（ＲＡＭ）である。
【００４０】
制御盤１０において、通信制御処理は伝送路監視装置に必要なデータ通信制御を行う。切替管理処理は回線の冗長切替に関する監視データを収集管理する。警報管理処理は回線に関する各種警報データを収集管理する。ＦＭＥＭ管理処理は前記収集された各種データをファイル盤に格納するためのインタフェース処理を行う。そして、上記各処理はタスクとして構成され、ＯＳ処理の管理下で適宜に実行される。
【００４１】
ファイル盤３０において、ＦＭＥＭ制御処理はＦＭＥＭ管理処理との間のデータやメッセージのやり取りをインタフェースすると共に、ファイル盤におけるデータ読書制御及びＦＭＥＭ１，２の消去制御等を管理する。バッファ退避処理は制御盤から送られる各種データを一時的にバッファメモリモジュール３６に記憶する。ＦＭＥＭ書込処理はＢＵＦ１又は２の未格納デ−タを速やかにＦＭＥＭ１又は２に書き込み、必要なら管理セクタの管理データ（セクタ運用状況フラグ，データ種別等）を更新管理する。ＦＭＥＭ読出処理はＦＭＥＭ１，２からデータを直接に読み出す。セクタ消去処理は消去待ちのセクタを消去し、必要なら管理セクタの管理データ（セクタ消去回数等）を更新管理する。そして、上記各処理はタスクとして構成され、ＯＳ処理の管理下で適宜に実行される。
【００４２】
パッケージ挿抜機構部１３は、図示しないが、内部にソレノイド機構部等を備えており、ＣＰＵ１からのロック信号ＬＫ１＝１の時はロックピン１３ａを図の上側に押し出して制御盤１０をスロット１００から引き抜けないようにロックし、またロック信号ＬＫ１＝０の時はロックピン１３ａを図の下側に引っ込めて制御盤１０をスロット１００から引き抜けるようにアンロックする。パッケージ挿抜機構部３３についても同様である。
【００４３】
なお、図示しないが、制御盤１０は電源スイッチのＯＦＦ操作を保持するステータスレジスタを備えており、ＯＦＦ操作＝１の時はＣＰＵ１が本装置への給電をＯＦＦにする。
バックアップメモリモジュール３５は、少なくとも２つのフラッシュＥＥＰＲＯＭ素子（ＦＭＥＭ１，２）を備えている。素子１個当たりの記憶容量は例えば５１２ｋバイトであり、１セクタ（＝６４ｋバイト）×８セクタからなっている。各素子は１セクタ毎に消去可能であり、１セクタ当たりの消去時間は１．５〜３０秒程度である。またセクタ消去中の素子には同時にデータアクセス（書込）を行えない。そして、消去回数は有限（例えば１０万回）である。また、この例のフラッシュＥＥＰＲＯＭでは消去（リセット）後のデータは全ビット「１」となり、ビット「０」のみを上書可能である。なお、消去後のデータが全ビット「０」となり、ビット「１」のみを上書可能な素子を使用しても良い。
【００４４】
バッファメモリモジュール３６において、退避バッファＢＵＦはデータ種別毎に備える。この例では切替データ用に１個（ＢＵＦ１）、警報データ用に１個（ＢＵＦ２）を備える。なお、１つのＲＡＭの記憶領域を分割してＢＵＦ１，２としても良いことは明らかである。また、退避バッファはプログラムにより選択可能であり、いずれが切替データ用又は警報データ用でも良い。
【００４５】
また本実施の形態によるデータバックアップ方式では、制御盤１０から送られる各種データをフラッシュＥＥＰＲＯＭ３５に直接書き込むのが基本であり、退避バッファ（ＲＡＭ）３６はフラッシュＥＥＰＲＯＭ３５へのデータ書き込みが待たされる時の一時的なデータ退避手段として位置付けられる。
図３，図４は実施の形態によるフラッシュメモリ（フラッシュＥＥＰＲＯＭ）の記憶マップを説明する図（１），（２）である。
【００４６】
なお、以下の説明はＦＭＥＭ１について行うが、ＦＭＥＭ２についても同様である。またＦＭＥＭ２のセクタ１１〜１ｎはＦＭＥＭ１のセクタ１〜ｎと説明上区別するための表記であり、ＦＭＥＭ２のセクタ１〜ｎと呼んでも良い。
図３はＦＭＥＭ１における管理データ記憶領域の詳細を示している。
ＦＭＥＭ１には管理データ記憶領域（セクタ１，２）と情報データ記憶領域（セクタ３〜ｎ）とが含まれる。
【００４７】
挿入図（ａ）に管理データ記憶領域中のセクタ１の記憶マップを示す。
セクタ１にはｍ個分の管理領域１〜ｍが含まれる。また管理領域１には２ｎ個分のセクタ１管理領域〜セクタ１ｎ管理領域が含まれる。因みに、ｎ＝８より、セクタ１管理領域＝８×１６＝１２８バイトになるから、ｍ＝６４ｋ／１２８＝５００となる。
【００４８】
セクタ１におけるセクタ１管理領域ではセクタ１（自セクタ）の運用状況を管理し、セクタ２管理領域ではセクタ２の運用状況を管理し、以下同様にして進み、セクタ１ｎ管理領域ではセクタ１ｎの運用状況を管理する。
従って、最初はセクタ１の管理領域１を使用してシステムの全セクタ１〜ｎ，１１〜１ｎの管理を行える。そして、何れかのセクタｉ管理領域で管理データを更新不可能（例えばビット「０」から「１」への書換が必要）となった様な場合には、管理領域１の全情報を管理領域２にコピーして管理を続ける。但し、上記更新不可能となったセクタｉ管理領域のデータについては、そのままコピーするのでは無く、更新不可能となった部分（例えば消去回数等）につき新たに管理を続けられるようにその内容を初期化する。
【００４９】
次にセクタ１管理領域の内容を説明する。
「運用状況フラグ」（２バイト）は管理対象セクタの運用状況を表す。セクタ１を消去（リセット）すると全ビット「１」となる。従って、運用状況フラグ＝０ｘｆｆｆｆとなる。その後は、管理対象セクタの運用状況の変化に伴い、対応ビットに「０」を書き込むことで、各種の運用状況をセクタ１の消去なしに表せる。一例のセクタ運用状況の内容（遷移）とその運用状況フラグを示すと、
「消去中」：０ｘｆｆｆｆ（消去により全ビット「１」となる）
「未使用（消去完了時）：０ｘ７ｆｆｆ（ビット１５を「０」にする）
「使用中」：０ｘ３ｆｆｆ（ビット１４を「０」にする）
「使用済み」：０ｘ１ｆｆｆ（ビット１３を「０」にする）
「消去待ち」：０ｘ０ｆｆｆ（ビット１２を「０」にする）
「使用不可（寿命等）」：上記コード以外
となる。
【００５０】
「データ種別」（２バイト）は管理対象セクタに記憶すべきデータの種別を表す。一例のデータ種別とその符号を示すと、
セクタ１，２のデータ種別＝「管理データ」：０ｘ１０００
セクタ３，４のデータ種別＝「切替データ」：０ｘ０００１
セクタ５，６のデータ種別＝「警報デ−タ」：０ｘ００１０
となる。ここで、「管理データ」はセクタ１〜ｎ，１１〜１ｎを管理するためのデータ種別、「切替データ」は２重化冗長構成を採るデータ伝送システムの冗長切替履歴に関するデータ種別、「警報デ−タ」は回線障害，ビットエラーレート等の警報履歴に関するデ−タ種別を夫々表す。
【００５１】
「消去回数」（４バイト）は管理対象セクタの消去回数を表す。「消去回数」の欄は一種のカウンタとして働き、その下位２バイトは管理対象セクタの消去毎に最下位ビットから順に１ビットを落とすことで１６回分の消去回数を連続して（セクタ１の消去無しで）カウント可能である。一方、上位２バイトは１６の倍数分の消去回数をバイナリーコーデッドデシマル方式により０〜６万４千回までカウントする。従って、トータルでは６４０００×１６≒１０２万回をカウント可能であり、通常のフラッシュＥＥＰＲＯＭの消去限度回数（１０万回程度）を十分にカバーできる。
【００５２】
一例の消去回数の内容（遷移）を示すと、
リセット時  ：０ｘｆｆｆｆｆｆｆｆ（消去により全ビット「１」となる）
初期値書込時：０ｘ００００ｆｆｆｆ（管理領域１への初期値書込時）
１回目消去時：０ｘ００００ｆｆｆｅ（最下位ビットＬＳＢを落とす）
２回目消去時：０ｘ００００ｆｆｆｃ（ＬＳＢから２番目を落とす）
１６回目消去時：０ｘ００００００００（ＬＳＢから１６番目を落とす）
管理領域変更時：０ｘｆｆｆｆｆｆｆｆ（全ビット「１」となっている）
初期値書込時：０ｘ０００１ｆｆｆｆ（管理領域２への初期値書込時）
１７回目消去時：０ｘ０００１ｆｆｆｅ（ＬＳＢを落とす）
１８回目消去時：０ｘ０００１ｆｆｆｃ（ＬＳＢから２番目を落とす）
となる。
【００５３】
ここで、上記管理領域１から管理領域２への領域変更は、例えば何れかの管理対象セクタの消去回数が１６回を越えた時に発生する。即ち、当該セクタの「消去回数」は１６回目消去時に０ｘ００００００００となったため、これ以上の消去回数は管理領域１では計数できない。この場合は、まず管理領域１の全情報（但し、消去回数＝０ｘ００００００００の欄を除く）を管理領域２にコピーする。この時、管理領域２における上記消去回数＝０ｘ００００００００の対応欄では予め消去回数＝０ｘｆｆｆｆｆｆｆｆとなっているから、ここに消去回数の初期値＝０ｘ０００１ｆｆｆｆを書き込む。以下、同様にして進み、管理領域ｍに遷移するまではカウンタの上位２バイトを連続して（セクタ１を消去すること無しに）更新できる。即ち、セクタ１では、ある管理対象セクタにつき最大ｍ（＝５００）×１６＝８０００回までの消去回数を連続して計数できる。
【００５４】
こうして、セクタ１の全管理領域を使い切った時は次にセクタ２を使用し、更にセクタ２を使い切った時は次にセクタ１１を使用する。好ましくは、この区間に古くなたセクタ１，２の管理データを消去する。更に上記セクタ１１を使い切った時は次にセクタ１２を使用する。因みに、このセクタ１２を使い切るまでに単純計算では、ある管理対象セクタにつき最大８０００×４＝３２０００回までの消去回数を連続して計数できる。そして、セクタ１２を使い切った時は、次に既に消去済みのセクタ１を巡回的に使用する。従って、その先の消去回数も実質連続して計数できる。
【００５５】
図４はＦＭＥＭ１の情報デ−タ記憶領域の詳細を示している。
情報データ記憶領域（セクタ３〜ｎ）にはデータ種別（切替データ，警報データ等）毎に夫々２つのセクタが割り当てられている。なお、以下は切替データについて説明するが、警報データについても同様である。
挿入図（ａ）に切替データ記憶領域中のセクタ３の記憶マップを示す。
【００５６】
セクタ３にはｋ個分のデータ領域１〜ｋが含まれる。またデータ領域１にはヘッダ領域とデータ格納領域とが含まれる。
一例のデ−タ領域の内容は、
「Ｓｅｒ．Ｎｏ．」（８バイト）：格納データの通番
「格納開始アドレス」（８バイト）：データの格納開始アドレス
「データ長」（２バイト）：格納データのサイズ
「書込完了フラグ」（２バイト）：データ書込完了（０ｘ５ａａ５）
「データ格納領域」：格納すべき実データ（サイズは予め任意に決定可）
である。
【００５７】
係る構成により、まず最初の切替データが発生すると、セクタ３のデータ領域１に書き込む。次に２番目の切替データが発生すると、同セクタ３のデータ領域２に書き込む。以下、同様にして進み、ｋ番目の切替データが発生すると、同セクタ３のデータ領域ｋに書き込む。更に、こうして、セクタ１の全データ領域を使い切った時は次にセクタ４を使用し、更にセクタ４を使い切った時は次にセクタ１３を使用する。好ましくは、この区間に古くなたセクタ３，４の切替データを消去する。更に上記セクタ１３を使い切った時は次にセクタ１４を使用する。そして、セクタ１４を使い切った時は、次に既に消去済みのセクタ３を巡回的に使用する。こうして、セクタ３，４，１３，１４に実質連続して切替データを書き込める。
【００５８】
図５は実施の形態によるフラッシュメモリの巡回的使用を説明する図で、図５（Ａ）はフラッシュＥＥＰＲＯＭの寿命が未だ尽きていない通常の場合を示している。今、切替データの処理を例に説明すると、ＦＭＥＭ１につきセクタ３，４、及びＦＭＥＭ２につきセクタ１３，１４を巡回的に使用する。
図において、各記号は管理対象セクタの運用状況フラグを表しており、空白は「未使用（消去完了）」、○印は「使用中」、△印は「使用済み／消去待ち」、×印は「消去中」、××印は「使用不可（寿命）」を夫々表す。
【００５９】
状態１では、セクタ１におけるセクタ３管理領域１の運用状況フラグを「使用中」となし、その後に発生した各切替データをセクタ３の各データ領域１，２，…，に順次書き込む。やがて、セクタ３にｋ番目の切替データを書き込むと、状態２に移る。
状態２では、上記セクタ１におけるセクタ３管理領域１の運用状況フラグを「使用済み」、かつセクタ４管理領域１の運用状況フラグを「使用中」となし、その後に発生した各切替データをセクタ４の各データ領域１，２，…，に順次書き込む。やがて、セクタ４にｋ番目の切替データを書き込むと、状態３に移る。
【００６０】
状態３では、上記セクタ１におけるセクタ４管理領域１の運用状況フラグを「使用済み」、かつセクタ１３管理領域１の運用状況フラグを「使用中」となし、その後に発生した各切替データをセクタ１３の各データ領域１，２，…、に順次書き込む。やがて、セクタ１３にｋ番目の切替データを書き込むと、状態４に移る。
【００６１】
状態４では、上記セクタ１におけるセクタ１３管理領域１の運用状況フラグを「消去待ち」、かつセクタ１４管理領域１の運用状況フラグを「使用中」となし、その後に発生した各切替データをセクタ１４の各データ領域１，２，…、に順次書き込む。
一方、この時点でＦＭＥＭ１については新たにデータを書き込む必要は無いので、上記セクタ１におけるセクタ３，４管理領域１の各運用状況フラグを「消去待ち」にする。これによりＦＭＥＭ１のセクタ３，４が順次消去され、消去完了すると、上記セクタ１におけるセクタ３，４管理領域１の各運用状況フラグを「消去完了（未使用）」にする。
【００６２】
ところで、この時、上記セクタ１におけるセクタ３，４管理領域１の各運用状況フラグは既に「消去待ち」＝０ｘ０ｆｆｆにされていたため、このまま（即ち、セクタ１の消去なし）では、各運用状況フラグを元の「未使用」＝０ｘｆｆｆｆには戻せない。そこで、この場合は、上記既に「消去待ち」＝０ｘ０ｆｆｆとされた各運用状況フラグの下から３番面の各４ビット情報「ｆ」を使用することにより、その後の各運用状況フラグの更新管理をセクタ１の消去無しに継続できる。
【００６３】
一方、セクタ１におけるセクタ３，４管理領域１の各消去回数は０ｘ００００ｆｆｆｆから０ｘ００００ｆｆｆｅとされる。従って、以後はこの消去回数を参照する（即ち、消去回数と運用状況フラグの使用領域とを連動させる）ことにより、例えば上記運用状況フラグについては下から３番面の４ビット情報「ｆ」を使用すれば良いことが分かる。因みに、セクタ３，４管理領域１の各消去回数＝０ｘ００００ｆｆｆｃとなった時は、各運用状況フラグの下から２番面の各４ビット情報「ｆ」を使用することにより各運用状況フラグの更新管理をセクタ１の消去無しに継続できる。
【００６４】
ところで、これでは、上記消去回数を１６回分連続して計数できるのに、運用状況フラグについては４回分しか連続して更新管理できないことになり、アンバランスが生じる。この場合は、例えば運用状況フラグのビット数を増せば良い。即ち、例えば運用状況フラグ（８バイト）＝０ｘｆｆｆｆｆｆｆｆｆｆｆｆｆｆｆｆとすれば良い。
【００６５】
なお、上記の方法に代え、管理対象セクタを消去する度に、セクタ１における管理領域を管理領域１，２，…，の如く移していっても良い。
主題に戻り、上記状態４では、ＦＭＥＭ２については消去作業を行っていないので、セクタ１４へのデータ書込が遅延することは無い。こうして、やがてセクタ１４にｋ番目の切替データを書き込むと、状態５に移る。
【００６６】
状態５では、セクタ１におけるセクタ１４管理領域１の運用状況フラグを「使用済み」、かつセクタ３管理領域１の運用状況フラグを「使用中」となし、その後に発生した各切替データをセクタ３の各データ領域１，２，…，に順次書き込む。やがて、セクタ３にｋ番目の切替データを書き込むと、状態６に移る。
状態６では、セクタ１におけるセクタ３管理領域１の運用状況フラグを「使用済み」、かつセクタ４管理領域１の運用状況フラグを「使用中」となし、その後に発生した各切替データをセクタ４の各データ領域１，２，…，に順次書き込む。一方、この時点でＦＭＥＭ２については新たにデータを書き込む必要は無いので、セクタ１３，１４管理領域１の各運用状況フラグを「消去待ち」にする。こうして、やがてセクタ４にｋ番目の切替データを書き込むと、状態７に移る。以下、同様である。
【００６７】
図５（Ｂ）はＦＭＥＭ１の寿命が尽きた場合の処理を示している。
状態３までは上記と同様で良い。状態４では、セクタ１におけるセクタ１４管理領域１の運用状況フラグを「使用中」となし、その後に発生した各切替データをセクタ１４の各データ領域１，２，…，に順次書き込む。
一方、この時点ではセクタ３，４の消去回数は限界値となっており、これ以上はセクタ３，４を使用しない方が良い。そこで、この場合はセクタ１におけるセクタ３，４管理領域１の各運用状況フラグを「使用不可（寿命）」にし、好ましくは、その旨がランプの点滅等により外部（保守者等）に知らされる。
【００６８】
また、セクタ１におけるセクタ１３管理領域１の運用状況フラグを、これまで行ってきた「使用済み」に代えて、「消去待ち」とする。これによりセクタ１３は速やかに消去開始される。こうして、やがてセクタ１４にｋ番目の切替データを書き込むと、状態５に移る。
状態５では、通常それまでにはセクタ１３の消去が完了していることにより、セクタ１におけるセクタ１３管理領域１の運用状況フラグを「使用中」となし、その後に発生した各切替データをセクタ１３の各データ領域１，２，…，に順次書き込む。また、セクタ１におけるセクタ１４管理領域１の運用状況フラグを「消去待ち」となし、これによりセクタ１４は速やかに消去開始される。こうして、やがてセクタ１４にｋ番目の切替データを書き込むと、状態６に移る。
【００６９】
状態６では、セクタ１におけるセクタ１４管理領域１の運用状況フラグを「使用中」となし、その後に発生した各切替データをセクタ１４の各データ領域１，２，…，に順次書き込む。
そして、この例では、上記ランプの点滅に気づいた保守者が、システムを止めること無く、上記セクタ３，４で寿命の尽きたＦＭＥＭ１を取り外し、代わりに新品のＦＭＥＭ１を挿入する。これにより、セクタ１におけるセクタ１３管理領域１の運用状況フラグは「使用済み」とされる。こうして、やがてセクタ１４にｋ番目の切替データを書き込むと、状態７に移り、以後は上記通常の場合と同様に処理が進む。
【００７０】
このように本実施の形態によれば、どちらかのフラッシュＥＥＰＲＯＭの寿命が尽きた場合でも、残りのフラッシュＥＥＰＲＯＭを使用してデータバックアップの縮退運用が可能である。
或いは、他の空きセクタ又は他のデータ種別にアサインされているセクタのデータ種別を変更して当該不足の生じたデータ種別にアサインすることにより、一部のセクタに寿命の来たフラッシュＥＥＰＲＯＭを交換すること無く、そのままデータバックアップ処理を継続することが可能である。
【００７１】
なお、あるデータ種別に対するセクタの不足は、当該データ種別のデータがバースト的に発生した場合にも起こり得るが、この場合も上記他のセクタをアサインする方法が有効である。
図６は実施の形態によるデータ退避バッファ３６の記憶マップを説明する図である。
【００７２】
なお、上記の如くこのデータ退避バッファ（ＲＡＭ）３６はフラッシュＥＥＰＲＯＭ３５へのデータ書き込みが待たされる時の一時的なデータ退避手段として位置付けられるものであり、その様な状況が起こらない用途（データ発生量が少ない等）では、このデータ退避バッファ（ＲＡＭ）３６を省略できる。
図において、データ種別毎に退避バッファＢＦ１，ＢＦ２（例えば各６４ｋバイト）を設け、入力データを一旦本退避バッファに記憶すると共に、ＦＭＥＭ１／２がデータ書込可能な場合は、直ちに本退避バッファから１入力データ単位（ハード的には例えばバイト単位）にデータを読み出し、ＦＭＥＭ１／２に書き込む。
【００７３】
退避バッファＢＵＦ１，２は、夫々の入力データをデータ入力単位で十分に記憶可能な複数のデータ退避領域１〜ｊ，１１〜１ｊに分割されており、その使用／未使用（データ格納有／無）を退避チェックフラグにより管理する。
一例の退避チェックフラグの内容は、
「バッファ非退避時」：０ｘ００００
「バッファ退避時」  ：０ｘ０００１
である。
【００７４】
各退避バッファＢＵＦ１，２は、所謂ＦＩＦＯ型バッファとして運用され、最初の入力データはデータ退避領域１／１１に書き込まれ、該領域１／１１から最初に読み出される。２番目の入力データはデータ退避領域２／１２に書き込まれ、該領域２／１２から２番目に読み出される。以下、同様にして進み、最後のデータ退避領域ｊ／１ｊが使用されると、今度は先頭のデータ退避領域１／１１からサイクリックに使用される。
【００７５】
図７〜図１０は実施の形態によるデータバックアップ処理のフローチャート（１）〜（４）である。
図７はメイン処理を示しており、主に図２のＣＰＵ２のＯＳ処理及びＦＭＥＭ制御処理で実行される。
ステップＳ１では全タクスの運用状況をチェックし、ステップＳ２ではデータ種別対応にデータ退避バッファを割り当てる。ステップＳ３では制御盤１０からのデータ書込要求があるか否かを判別し、ある場合はステップＳ４で入力データを一旦対応する退避バッファに書き込み、ステップＳ５に進む。またデータ書込要求がない場合はステップＳ４の処理をスキップする。
【００７６】
ステップＳ５では退避バッファに未格納データがあるか否かを判別し、ある場合はステップＳ６で退避データをＦＭＥＭ１／２に書き込み、ステップＳ７に進む。また無い場合は、ファイル盤３０を取り外しても支障がないので、ステップＳ１３ではパッケージ挿抜機構部３３のロック状態を解除する。ステップＳ１４では電源ＯＦＦ制御ありか否かを判別し、なしの場合はステップＳ７に戻る。またありの場合はステップＳ１５で電源をＯＦＦにし、処理終了となる。なお、上記ステップＳ１４，１５の各処理はむしろ図２のＣＰＵ１が行っても良い。
【００７７】
更に、ステップＳ７では消去待ちのセクタがあるか否かを判別し、ある場合はステップＳ８で当該セクタを消去する。また消去待ちのセクタが無い場合はステップＳ８の処理をスキップする。
ステップＳ９では全セクタにつき消去回数をチェックする。ステップＳ１０では規定値オーバ（寿命）のセクタがあるか否かを調べ、ない場合はステップＳ３に戻る。またある場合はステップＳ１１でアラーム信号を発出し、その旨を外部（保守者等）に知らせる。ステップＳ１２ではデータを記憶するためのセクタの割当を更新（変更）する。即ち、規定値オーバ（寿命）のセクタを使用しているデータ種別に対して、他の空きセクタ、又は他のデータ種別にアサインされているセクタを割り当てる。
【００７８】
図８はデータ退避バッファへのデータ退避処理を示しており、主に図２のＣＰＵ２のバッファ退避処理で実行される。
ステップＳ２１では入力データに対応するデータ退避バッファに空き退避領域があるか否かを判別する。ある場合はステップＳ２２で空き領域に入力データを書き込む。ステップＳ２３では退避チェックフラグを「使用中」（データあり）にする。ステップＳ２４では、退避バッファの記憶データがファイル盤３０の抜き取りにより消えないように、パッケージ挿抜粋機構部３３をロック状態にする。ステップＳ２５では制御盤１０に書込完了を通知し、この処理を抜ける。
【００７９】
また上記ステップＳ２１の判別で空き退避領域がない場合はステップＳ２６で制御盤１０に書込失敗を通知し、この処理を抜ける。
図９はデータ退避バッファからフラッシＥＥＰＲＯＭへのデータ書込処理を示しており、主に図２のＣＰＵ２のＦＭＥＭ書込処理で実行される。
ところで、退避バッファのデータを書込領域に制限のあり得るＦＭＥＭに書き込む場合には、データを書き込む際に未使用書込領域を探査する方法と、予め前回のデータ書込後に次回の未使用書込領域を確保しておき、次回のデータ書込の際には遅滞無くデータを書き込める方法とが考えられる。ここでは後者の場合を説明する。
【００８０】
ステップＳ３０では退避バッファのデータを予め確保されたＦＭＥＭ１／２の未使用領域に書き込む。この時、必要なヘッダ情報も併せて書き込む。ステップＳ３１では退避バッファの当該退避チェックフラグを「未使用」にする。ステップＳ３２では同一セクタ内に未使用のデータ領域があるか否かを判別する。ある場合はステップＳ３３で前記未使用のデータ領域にポインタ（次データの書込アドレス）を変更して処理を抜ける。なお、この種のポインタ情報については、電源ＯＦＦ等により消滅しないように、フラッシュＥＥＰＲＯＭ上の適当なエリアで管理（又はバックアップ保持）するようにしても良い。
【００８１】
また上記ステップＳ３２の判別で未使用のデータ領域が無い場合は、ステップＳ３４で当該セクタに対する運用状況フラグを「使用済み」にする。ステップＳ３５では同一素子の他のセクタに未使用のデータ領域があるか否かを判別する。ある場合はステップＳ３６で当該他のセクタの未使用データ領域にポインタを変更する。ステップＳ３７では当該他のセクタに対する運用状況フラグを「使用中」にし、処理を抜ける。
【００８２】
また上記ステップＳ３５の判別で同一素子の他のセクタにも未使用のデータ領域がない場合は、ステップＳ３８で他のＦＭＥＭに未使用データ領域があるか否かを判別する。未使用データ領域がある場合はステップＳ３９で当該他のＦＭＥＭの未使用データ領域にポインタを変更する。ステップＳ４０では当該他のＦＭＥＭのセクタに対する運用状況フラグを「使用中」にする。ステップＳ４１では旧ＦＭＥＭの各データ用セクタに対する運用状況フラグを「消去待ち」にする。
【００８３】
また上記ステップＳ３８の判別で他のＦＭＥＭにも未使用データ領域がない場合はステップＳ４２で当該データ種別に対するセクタの割当てを変更する。又は、図示しないが、データ用セクタが無い旨のエラーフラグを立てても良い。そして、処理を抜ける。
図１０はセクタ消去処理を示しており、主に図２のＣＰＵ２のセクタ消去処理で実行される。
【００８４】
ステップＳ５０では運用状況フラグが「消去待ち」となっているセクタを消去する。ステップＳ５１では消去済みセクタに対する運用状況フラグを「未使用」にする。ステップＳ５２では消去したセクタに対する消去回数に＋１する。ステップＳ５３では当該消去回数が続けて更新可能（即ち、カウンタの下位１６ビットを順次落とすことで計数可能）か否かを判別する。更新可能の場合は処理を抜ける。また更新可能でない場合はステップＳ５４で同一セクタ内に未使用の管理領域があるか否かを判別する。ある場合はステップＳ５５で未使用の管理領域に全セクタ分の管理情報を遷移させる。この時、前記更新不可能となったセクタを管理する新たな管理領域では、消去回数カウンタの上位１６ビットに＋１され、下位１６ビットの内容は０ｘｆｆｆｆに初期化される。そして、処理を抜ける。
【００８５】
また上記ステップＳ５４の判別で同一セクタ内に未使用の管理領域が無い場合はステップＳ５６で同一素子内の他のセクタに未使用の管理領域があるか否かを判別する。ある場合はステップＳ５７で当該同一素子内の他のセクタの未使用管理領域に全管理情報を遷移させ、処理を抜ける。
また上記ステップＳ５６の判別で同一素子内の他のセクタにも未使用の管理領域が無い場合はステップＳ５８で他のＦＭＥＭに未使用の管理領域があるか否かを判別する。ある場合はステップＳ５９で当該他のＦＭＥＭの未使用管理領域に全管理情報を遷移させる。ステップＳ６０では旧ＦＭＥＭの各管理用セクタに対する運用状況フラグを「消去待ち」にする。
【００８６】
また上記ステップＳ５８の判別で他のＦＭＥＭにも未使用の管理領域がない場合はステップＳ６１で管理データに対するセクタの割当てを変更する。又は、図示しないが、管理用セクタが無い旨のエラーフラグを立てても良い。そして、処理を抜ける。
なお、図７に戻り、上記の例は退避バッファＢＵＦ１／２に溜まったデータを何時でもＦＭＥＭ１／２に書き込める場合を述べた。例えば切替データのみにつきセクタ３，４，１３，１４を巡回使用するような場合にあっては、大抵の場合にこの様な状況が維持され得る。従って、退避バッファは特に必要ない。
【００８７】
しかし、同時に警報データについてもセクタ５，６，１５，１６を巡回使用するような場合には、これらの間のデータ発生量等の相違から、例えばセクタ３に切替データの書込を行おうとした時に、たまたまセクタ５又は６が「消去中」と言う場合も起こり得る。
係る場合には、図７のステップＳ５とＳ６の間に、データ書込対象の素子が消去中か否かを判別し、消去中の場合はステップＳ６の処理をスキップするような新たなステップを設ければ良い。これにより、退避バッファには次々と切替データが蓄積され、やがて、セクタ５及び６が「消去完了」になると、退避バッファに蓄積された切替データがセクタ３に書き込まれる。
【００８８】
なお、上記実施の形態では消去後の記憶エリアにデータを書込可能な不揮発性メモリ媒体としてフラッシュＥＥＰＲＯＭを使用した場合を述べたが、本発明は、消去後の記憶エリアにデータを書き込むと言う記録原理が同一であり、且つ異なる構造・形態を有する様な他の光磁気ディスク，相転移型ディスク等の不揮発性メモリ媒体にも適用できることは明らかである。
【００８９】
また、上記実施の形態ではバッファメモリモジュール３６を備える場合を述べたが、バッファメモリモジュール３６を備えなくても本発明を実現できることは明らかである。
また、上記本発明に好適なる実施の形態を述べたが、本発明思想を逸脱しない範囲内で各部の構成、制御、及びこれらの組合せの様々な変更が行えることは言うまでも無い。
【００９０】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、上記消去後の記憶エリアにデータを書込可能な不揮発性メモリ媒体（特にフラッシュＥＥＰＲＯＭ）が有する様々な制約を克服できると共に、このような不揮発性メモリ媒体を使用したデータのバックアップを効率良くかつ確実に行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理を説明する図である。
【図２】実施の形態によるデータバックアップ方式の構成を示す図である。
【図３】実施の形態によるフラッシュメモリの記憶マップを説明する図（１）である。
【図４】実施の形態によるフラッシュメモリの記憶マップを説明する図（２）である。
【図５】実施の形態によるフラッシュメモリの巡回的使用を説明する図である。
【図６】実施の形態によるデータ退避バッファの記憶マップを説明する図である。
【図７】実施の形態によるデータバックアップ処理のフローチャート（１）である。
【図８】実施の形態によるデータバックアップ処理のフローチャート（２）である。
【図９】実施の形態によるデータバックアップ処理のフローチャート（３）である。
【図１０】実施の形態によるデータバックアップ処理のフローチャート（４）である。
【図１１】従来技術を説明する図（１）である。
【図１２】従来技術を説明する図（２）である。
【符号の説明】
１０  制御盤（基板，パッケージ等）
１１，３１  ＣＰＵ（ＣＰＵ１，２）
１２，３２  主メモリ（ＭＭ１，２）
１３，３３  パッケージ挿抜機構部
１３ａ，３３ａ  ロックピン
３０  ファイル盤（基板，パッケージ等）
３４  デュアルポートＲＡＭ（ＤＰＲＡＭ）
３５  バックアップメモリモジュール
３６  バッファメモリモジュール
１００  スロット
１０１  バックプレーン（ＢＰ）
ＢＵＦ１，２  バッファメモリ（ＲＡＭ）
ＦＭＥＭ１，２  フラッシュＥＥＰＲＯＭ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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