(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己消弧形素子とダイオードとを逆並列接続して形成される第１スイッチ回路から第１２スイッチ回路までを備え、
第１スイッチ回路から第４スイッチ回路までをフルブリッジ構成に結線して第１主回路とし、
第５スイッチ回路から第８スイッチ回路までをフルブリッジ構成に結線して第２主回路とし、
第９スイッチ回路から第１２スイッチ回路までをフルブリッジ構成に結線して第３主回路とし、
第１主回路の一方の上，下アームの中間接続点を直接または第１交流リアクトルを介して三相交流電源の第１相に接続し、
第２主回路の一方の上，下アームの中間接続点を直接または第２交流リアクトルを介して前記三相交流電源の第２相に接続し、
第３主回路の一方の上，下アームの中間接続点を直接または第３交流リアクトルを介して前記三相交流電源の第３相に接続し、
前記第１主回路の他方の上，下アームの中間接続点と、前記第２主回路の他方の上，下アームの中間接続点と、前記第３主回路の他方の上，下アームの中間接続点とを互いに接続すると共に、この接続点を負荷の一端に接続し、
第１主回路から第３主回路までの前記上アーム側接続点または下アーム側接続点を互いに接続すると共に、この接続点を前記負荷の他端に接続してなることを特徴とする整流回路。
【請求項２】
自己消弧形素子とダイオードとを逆並列接続して形成される第１スイッチ回路から第９スイッチ回路までと、第１ダイオードと、第２ダイオードと、第３ダイオードとを備え、
第１スイッチ回路から第３スイッチ回路までと、第１ダイオードとをフルブリッジ構成に結線して第１主回路とし、
第４スイッチ回路から第６スイッチ回路までと、第２ダイオードとをフルブリッジ構成に結線して第２主回路とし、
第７スイッチ回路から第９スイッチ回路までと、第３ダイオードとをフルブリッジ構成に結線して第３主回路とし、
第１主回路の前記スイッチ回路のみの上，下アームの中間接続点を直接または第１交流リアクトルを介して三相交流電源の第１相に接続し、
第２主回路の前記スイッチ回路のみの上，下アームの中間接続点を直接または第２交流リアクトルを介して前記三相交流電源の第２相に接続し、
第３主回路の前記スイッチ回路のみの上，下アームの中間接続点を直接または第３交流リアクトルを介して前記三相交流電源の第３相に接続し、
前記第１主回路の他方の上，下アームの中間接続点と、前記第２主回路の他方の上，下アームの中間接続点と、前記第３主回路の他方の上，下アームの中間接続点とを互いに接続すると共に、この接続点を負荷の一端に接続し、
第１主回路から第３主回路までの前記上アーム側接続点または下アーム側接続点を互いに接続すると共に、この接続点を前記負荷の他端に接続してなることを特徴とする整流回路。
【請求項３】
前記負荷のいずれか一方の端子と前記主回路との間に、直流リアクトルを挿設したことを特徴とする請求項１または２に記載の整流回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、三相交流電圧を任意の直流電圧に変換し、この直流電圧を負荷に供給する整流回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５は、この種の整流回路の第１の従来例を示す回路構成図であり、１は三相交流電源、２は三相ブリッジ構成に結線されたダイオード整流器、３は平滑用の電解コンデンサ、４は直流チョッパ回路、５は負荷を示す。
【０００３】
図５に示した整流回路では、三相交流電源１の電圧をダイオード整流器２で全波整流し、この全波整流電圧を電解コンデンサ３で平滑された直流電圧にし、この直流電圧を直流チョッパ回路４により任意の直流電圧に変換して、負荷５に供給する。
【０００４】
図６は、この種の整流回路の第２の従来例を示す回路構成図であり、図５に示した回路構成と同一機能を有するものには同一符号を付している。
すなわち図６に示した整流回路には図５に示したダイオード整流器２に代えて、図示の如く、自己消弧形素子としてのＩＧＢＴと、ダイオードとを逆並列接続して形成されるスイッチ回路を三相ブリッジ構成に結線された自励式整流器６を備えている。
【０００５】
図６に示した整流回路では自励式整流器６により、三相交流電源１の全波整流電圧値以上に昇圧された電圧にすることが可能であり、この電圧を電解コンデンサ３で平滑された直流電圧にし、この直流電圧を直流チョッパ回路４により任意の直流電圧に変換して、負荷５に供給する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図５に示した従来の整流回路では、▲１▼．三相交流電源１からの電流に高調波が多く含まれる、▲２▼．電力変換段数が２段となり、この整流回路の変換効率を低下させる、▲３▼．平滑のための電解コンデンサが必要であり、この電解コンデンサは磨耗寿命部品であるため、定期的な交換作業を必要とする、などの問題点を有している。
【０００７】
また、図６に示した従来の整流回路では、自励式整流器６を構成するＩＧＢＴをＰＷＭ制御することにより、三相交流電源１からの電流をほぼ正弦波状にすることが可能であるが、▲１▼．電力変換段数が２段となり、この整流回路の変換効率を低下させる、▲２▼．平滑のための電解コンデンサが必要であり、この電解コンデンサは磨耗寿命部品であるため、定期的な交換作業を必要とする、などの問題点を有している。
この発明の目的は、上記問題点を解決する整流回路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この第１の発明の整流回路は、自己消弧形素子とダイオードとを逆並列接続して形成される第１スイッチ回路から第１２スイッチ回路までを備え、
第１スイッチ回路から第４スイッチ回路までをフルブリッジ構成に結線して第１主回路とし、第５スイッチ回路から第８スイッチ回路までをフルブリッジ構成に結線して第２主回路とし、第９スイッチ回路から第１２スイッチ回路までをフルブリッジ構成に結線して第３主回路とし、第１主回路の一方の上，下アームの中間接続点を直接または第１交流リアクトルを介して三相交流電源の第１相に接続し、第２主回路の一方の上，下アームの中間接続点を直接または第２交流リアクトルを介して前記三相交流電源の第２相に接続し、第３主回路の一方の上，下アームの中間接続点を直接または第３交流リアクトルを介して前記三相交流電源の第３相に接続し、前記第１主回路の他方の上，下アームの中間接続点と、前記第２主回路の他方の上，下アームの中間接続点と、前記第３主回路の他方の上，下アームの中間接続点とを互いに接続すると共に、この接続点を負荷の一端に接続し、第１主回路から第３主回路までの前記上アーム側接続点または下アーム側接続点を互いに接続すると共に、この接続点を前記負荷の他端に接続してなることを特徴とする。
【０００９】
また第２の発明の整流回路は、自己消弧形素子とダイオードとを逆並列接続して形成される第１スイッチ回路から第９スイッチ回路までと、第１ダイオードと、第２ダイオードと、第３ダイオードとを備え、
第１スイッチ回路から第３スイッチ回路までと、第１ダイオードとをフルブリッジ構成に結線して第１主回路とし、第４スイッチ回路から第６スイッチ回路までと、第２ダイオードとをフルブリッジ構成に結線して第２主回路とし、第７スイッチ回路から第９スイッチ回路までと、第３ダイオードとをフルブリッジ構成に結線して第３主回路とし、第１主回路の前記スイッチ回路のみの上，下アームの中間接続点を直接または第１交流リアクトルを介して三相交流電源の第１相に接続し、第２主回路の前記スイッチ回路のみの上，下アームの中間接続点を直接または第２交流リアクトルを介して前記三相交流電源の第２相に接続し、第３主回路の前記スイッチ回路のみの上，下アームの中間接続点を直接または第３交流リアクトルを介して前記三相交流電源の第３相に接続し、前記第１主回路の他方の上，下アームの中間接続点と、前記第２主回路の他方の上，下アームの中間接続点と、前記第３主回路の他方の上，下アームの中間接続点とを互いに接続すると共に、この接続点を負荷の一端に接続し、第１主回路から第３主回路までの前記上アーム側接続点または下アーム側接続点を互いに接続すると共に、この接続点を前記負荷の他端に接続してなることを特徴とする。
【００１０】
さらに第３の発明は前記第１又は第２の発明の整流回路において、前記負荷のいずれか一方の端子と前記主回路との間に、直流リアクトルを挿設したことを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、先述の従来の整流回路に備えていた平滑用の電解コンデンサが不要となり、また、電力変換段数も１段にでき、整流回路の変換効率を向上させる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の第１の実施例を示す整流回路の主回路構成図であり、図５に示した従来例回路と同一機能を有するものには同一符号を付している。
すなわち図１に示した整流回路１０には、自己消弧形素子としてのＩＧＢＴ（参照符号Ｑ1 〜Ｑ12）とダイオード（参照符号Ｄ1 〜Ｄ12）とをそれぞれ逆並列接続して形成される１２組のスイッチ回路を、図示の如く、フルブリッジ構成に結線した第１主回路１１，第２主回路１２，第３主回路１３と、コンデンサＣ1 〜Ｃ3 と、交流リアクトルＬ1 〜Ｌ3 と、直流リアクトルＬO とを備えている。
【００１３】
この整流回路１０において、図示しない制御回路により端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔに三相交流電源１から印加される電圧の位相に応じて、ＩＧＢＴＱ1 〜Ｑ12それぞれを任意の組み合わせでオン・オフ制御することで、端子Ｐ，端子Ｎから負荷５に供給される直流電圧を三相交流電源１の全波整流電圧値より低い値または高い値にすることができる。
【００１４】
例えば三相交流電源１より端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔそれぞれに印加される電圧ＶR ，ＶS ，ＶT 間にＶR ＞ＶT ＞ＶS なる関係にあるときには、ＩＧＢＴＱ3 をオンすることで、端子Ｒ→Ｌ1 →Ｄ1 →Ｑ3 →ＬO →端子Ｐ→負荷５→端子Ｎ→Ｄ6 →Ｌ2 →端子Ｓの経路で端子Ｒ−端子Ｓ間の電圧ＶRSを負荷５に印加することができる。また、ＩＧＢＴＱ3 がオンの状態でＩＧＢＴＱ10をオンすることで、前述の中間電位の端子Ｔに、端子Ｔ→Ｌ3 →Ｑ10→Ｄ6 →Ｌ2 →端子Ｓ、または端子Ｒ→Ｌ1 →Ｄ1 →Ｑ3 →ＬO →端子Ｐ→負荷５→端子Ｎ→Ｄ10→Ｌ3 →端子Ｔの経路で電流を流すことができる。次に、ＩＧＢＴＱ3 をオフすると、Ｄ4 ，Ｄ8 ，Ｄ12が導通して、負荷５→端子Ｎ→Ｄ4 （Ｄ8 ，Ｄ12）→ＬO →端子Ｐ→負荷５の経路で還流モードを形成する。
【００１５】
上述のような動作を前記制御回路により、端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔに三相交流電源１から印加される電圧の位相に応じて、ＩＧＢＴＱ1 〜Ｑ12それぞれを適当な高周波変調されたオン・オフ期間にすることで、三相交流電源１から電流をほぼ正弦波状に制御しながら、端子Ｐ，端子Ｎから負荷５に供給される直流電圧を、三相交流電源１の全波整流電圧値より低い値にすることができる。
【００１６】
また、三相交流電源１より端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔそれぞれに印加される電圧ＶR ，ＶS ，ＶT 間にＶR ＞ＶT ＞ＶS なる関係にあるときに、ＩＧＢＴＱ2 をオンすると、端子Ｒ→Ｌ1 →Ｑ2 →Ｄ6 →Ｌ2 →端子Ｓ、および端子Ｒ→Ｌ1 →Ｑ2 →Ｄ10→Ｌ3 →端子Ｔの経路で各相の電位差に応じた電流でＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 を介して三相交流電源１を短絡モードにし、その結果、Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 にはエネルギーが蓄えられる。次に、ＩＧＢＴＱ2 をオフし、ＩＧＢＴＱ3 をオンさせると、端子Ｒ→Ｌ1 →Ｄ1 →Ｑ3 →ＬO →端子Ｐ→負荷５→端子Ｎ→Ｄ6 →Ｌ2 →端子Ｓの経路、および端子Ｒ→Ｌ1 →Ｄ1 →Ｑ3 →ＬO →端子Ｐ→負荷５→端子Ｎ→Ｄ10→Ｌ3 →端子Ｔの経路でＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 に蓄えたエネルギーを負荷５に供給する。
【００１７】
上述のような動作を前記制御回路により、端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔに三相交流電源１から印加される電圧の位相に応じて、ＩＧＢＴＱ1 〜Ｑ12それぞれを適当な高周波変調されたオン・オフ期間にすることで、三相交流電源１から電流をほぼ正弦波状に制御しながら、端子Ｐ，端子Ｎから負荷５に供給される直流電圧を、三相交流電源１の全波整流電圧値より高い値にすることができる。
【００１８】
さらに、負荷５から三相交流電源１に電力を回生したい場合は、例えば、ＩＧＢＴＱ4 ，Ｑ8 ，Ｑ12それぞれをオンさせて、負荷５→端子Ｐ→ＬO →Ｑ4 （Ｑ8 ，Ｑ12）→端子Ｎ→負荷５の経路でＬO にエネルギーを蓄える。次に、ＩＧＢＴＱ4 ，Ｑ8 ，Ｑ12それぞれをオフさせ、ＩＧＢＴＱ1 ，Ｑ6 をオンさせると、ＬO に蓄えたエネルギーは負荷５→端子Ｐ→ＬO →Ｄ3 →Ｑ1 →Ｌ1 →端子Ｒ→三相交流電源１→端子Ｓ→Ｌ2 →Ｑ6 →端子Ｎ→負荷５の経路で回生動作を行わせることができる。
【００１９】
なお、図１に示した整流回路１０において、コンデンサＣ1 , Ｃ2 , Ｃ3 それぞれは直流電圧の平滑を目的としたものではなく、第１主回路１１，第２主回路１２，第３主回路１３それぞれのスイッチング動作に伴う配線インダクタンスのエネルギーを吸収するための極小容量の無極性コンデンサである。
【００２０】
図２は、この発明の第２の実施例を示す整流回路の主回路構成図であり、図１に示した実施例回路と同一機能を有するものには同一符号を付している。
すなわち図２に示した整流回路２０には、自己消弧形素子としてのＩＧＢＴ（参照符号Ｑ1 〜Ｑ12）とダイオード（参照符号Ｄ1 〜Ｄ12）とをそれぞれ逆並列接続して形成される１２組のスイッチ回路を、図示の如く、フルブリッジ構成に結線した第１主回路２１，第２主回路２２，第３主回路２３と、コンデンサＣ1 〜Ｃ3 と、交流リアクトルＬ1 〜Ｌ3 と、直流リアクトルＬO とを備えている。
【００２１】
この整流回路２０において、図示しない制御回路により端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔに三相交流電源１から印加される電圧の位相に応じて、ＩＧＢＴＱ1 〜Ｑ12それぞれを任意の組み合わせでオン・オフ制御することで、端子Ｐ，端子Ｎから負荷５に供給される直流電圧を三相交流電源１の全波整流電圧値より低い値または高い値にすることができる。
【００２２】
例えば三相交流電源１より端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔそれぞれに印加される電圧ＶR ，ＶS ，ＶT 間にＶR ＞ＶT ＞ＶS なる関係にあるときには、ＩＧＢＴＱ8 をオンすることで、端子Ｒ→Ｌ1 →Ｄ1 →ＬO →端子Ｐ→負荷５→端子Ｎ→Ｑ8 →Ｄ6 →Ｌ2 →端子Ｓの経路で端子Ｒ−端子Ｓ間の電圧ＶRSを負荷５に印加することができる。また、ＩＧＢＴＱ8 がオンの状態でＩＧＢＴＱ10，Ｑ12をオンすることで、前述の中間電位の端子Ｔに、端子Ｔ→Ｌ3 →Ｑ10→Ｄ12→Ｑ8 →Ｄ6 →Ｌ2 →端子Ｓ、または端子Ｒ→Ｌ1 →Ｄ1 →ＬO →端子Ｐ→負荷５→端子Ｎ→Ｑ12→Ｄ10→Ｌ3 →端子Ｔの経路で電流を流すことができる。次に、ＩＧＢＴＱ8 をオフすると、Ｄ3 ，Ｄ7 ，Ｄ11が導通して、負荷５→端子Ｎ→Ｄ3 （Ｄ7 ，Ｄ11）→ＬO →端子Ｐ→負荷５の経路で還流モードを形成する。
【００２３】
上述のような動作を前記制御回路により、端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔに三相交流電源１から印加される電圧の位相に応じて、ＩＧＢＴＱ1 〜Ｑ12それぞれを適当な高周波変調されたオン・オフ期間にすることで、三相交流電源１から電流をほぼ正弦波状に制御しながら、端子Ｐ，端子Ｎから負荷５に供給される直流電圧を、三相交流電源１の全波整流電圧値より低い値にすることができる。
【００２４】
また、三相交流電源１より端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔそれぞれに印加される電圧ＶR ，ＶS ，ＶT 間にＶR ＞ＶT ＞ＶS なる関係にあるときに、ＩＧＢＴＱ5 をオンすると、端子Ｒ→Ｌ1 →Ｄ1 →Ｑ5 →Ｌ2 →端子Ｓ、および端子Ｔ→Ｌ3 →Ｄ9 →Ｑ5 →Ｌ2 →端子Ｓの経路で各相の電位差に応じた電流でＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 を介して三相交流電源１を短絡モードにし、その結果、Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 にはエネルギーが蓄えられる。次に、ＩＧＢＴＱ5 をオフし、ＩＧＢＴＱ8 をオンさせると、端子Ｒ→Ｌ1 →Ｄ1 →ＬO →端子Ｐ→負荷５→端子Ｎ→Ｑ8 →Ｄ6 →Ｌ2 →端子Ｓの経路、および端子Ｔ→Ｌ3 →Ｄ9 →ＬO →端子Ｐ→負荷５→端子Ｎ→Ｑ8 →Ｄ6 →Ｌ2 →端子Ｓの経路でＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 に蓄えたエネルギーを負荷５に供給する。
【００２５】
上述のような動作を前記制御回路により、端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔに三相交流電源１から印加される電圧の位相に応じて、ＩＧＢＴＱ1 〜Ｑ12それぞれを適当な高周波変調されたオン・オフ期間にすることで、三相交流電源１から電流をほぼ正弦波状に制御しながら、端子Ｐ，端子Ｎから負荷５に供給される直流電圧を、三相交流電源１の全波整流電圧値より高い値にすることができる。
【００２６】
さらに、負荷５から三相交流電源１に電力を回生したい場合は、例えば、ＩＧＢＴＱ3 ，Ｑ7 ，Ｑ11それぞれをオンさせて、負荷５→端子Ｐ→ＬO →Ｑ3 （Ｑ7 ，Ｑ11）→端子Ｎ→負荷５の経路でＬO にエネルギーを蓄える。次に、ＩＧＢＴＱ3 ，Ｑ7 ，Ｑ11それぞれをオフさせ、ＩＧＢＴＱ1 ，Ｑ6 をオンさせると、ＬO に蓄えたエネルギーは負荷５→端子Ｐ→ＬO →Ｑ1 →Ｌ1 →端子Ｒ→三相交流電源１→端子Ｓ→Ｌ2 →Ｑ6 →Ｄ8 →端子Ｎ→負荷５の経路で回生動作を行わせることができる。
【００２７】
なお、図２に示した整流回路２０において、コンデンサＣ1 , Ｃ2 , Ｃ3 それぞれは直流電圧の平滑を目的としたものではなく、第１主回路２１，第２主回路２２，第３主回路２３それぞれのスイッチング動作に伴う配線インダクタンスのエネルギーを吸収するための極小容量の無極性コンデンサである。
【００２８】
図３は、この発明の第３の実施例を示す整流回路の主回路構成図であり、図１に示した実施例回路と同一機能を有するものには同一符号を付している。
すなわち図３に示した整流回路３０には、自己消弧形素子としてのＩＧＢＴ（参照符号Ｑ1 〜Ｑ3 ，Ｑ5 〜Ｑ7 ，Ｑ9 〜Ｑ11）とダイオード（参照符号Ｄ1 〜Ｄ3 ，Ｄ5 〜Ｄ7 ，Ｄ9 〜Ｄ11）とをそれぞれ逆並列接続して形成される９組のスイッチ回路と、ダイオードＤ4 と、ダイオードＤ8 と、ダイオードＤ12とを、図示の如く、フルブリッジ構成に結線した第１主回路３１，第２主回路３２，第３主回路３３と、コンデンサＣ1 〜Ｃ3 と、交流リアクトルＬ1 〜Ｌ3 と、直流リアクトルＬO とを備えている。
【００２９】
この整流回路３０が図１に示した整流回路１０と異なる点は、第１主回路におけるＩＧＢＴＱ4 が省略され、第２主回路におけるＩＧＢＴＱ8 が省略され、第３主回路におけるＩＧＢＴＱ12が省略されていることであり、その結果、負荷５から三相交流電源１に電力を回生することができないが、この整流回路３０において、先述の整流回路１０と同様に、図示しない制御回路により端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔに三相交流電源１から印加される電圧の位相に応じて、ＩＧＢＴＱ1 〜Ｑ3 ，Ｑ5 〜Ｑ7 ，Ｑ9 〜Ｑ11それぞれを任意の組み合わせでオン・オフ制御することで、端子Ｐ，端子Ｎから負荷５に供給される直流電圧を三相交流電源１の全波整流電圧値より低い値または高い値にすることができる。
【００３０】
なお、図３に示した整流回路３０において、コンデンサＣ1 , Ｃ2 , Ｃ3 それぞれは直流電圧の平滑を目的としたものではなく、第１主回路３１，第２主回路３２，第３主回路３３それぞれのスイッチング動作に伴う配線インダクタンスのエネルギーを吸収するための極小容量の無極性コンデンサである。
【００３１】
図４は、この発明の第４の実施例を示す整流回路の主回路構成図であり、図２に示した実施例回路と同一機能を有するものには同一符号を付している。
すなわち図４に示した整流回路３０には、自己消弧形素子としてのＩＧＢＴ（参照符号Ｑ1 ，Ｑ2 ，Ｑ4 ，Ｑ5 ，Ｑ6 ，Ｑ8 ，Ｑ9 ，Ｑ10，Ｑ12）とダイオード（参照符号Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ4 ，Ｄ5 ，Ｄ6 ，Ｄ8 ，Ｄ9 ，Ｄ10，Ｄ12）とをそれぞれ逆並列接続して形成される９組のスイッチ回路と、ダイオードＤ3 と、ダイオードＤ7 と、ダイオードＤ11とを、図示の如く、フルブリッジ構成に結線した第１主回路４１，第２主回路４２，第３主回路４３と、コンデンサＣ1 〜Ｃ3 と、交流リアクトルＬ1 〜Ｌ3 と、直流リアクトルＬO とを備えている。
【００３２】
この整流回路４０が図２に示した整流回路２０と異なる点は、第１主回路におけるＩＧＢＴＱ3 が省略され、第２主回路におけるＩＧＢＴＱ7 が省略され、第３主回路におけるＩＧＢＴＱ11が省略されていることであり、その結果、負荷５から三相交流電源１に電力を回生することができないが、この整流回路３０において、先述の整流回路２０と同様に、図示しない制御回路により端子Ｒ，端子Ｓ，端子Ｔに三相交流電源１から印加される電圧の位相に応じて、ＩＧＢＴＱ1 ，Ｑ2 ，Ｑ4 ，Ｑ5 ，Ｑ6 ，Ｑ8 ，Ｑ9 ，Ｑ10，Ｑ12を任意の組み合わせでオン・オフ制御することで、端子Ｐ，端子Ｎから負荷５に供給される直流電圧を三相交流電源１の全波整流電圧値より低い値または高い値にすることができる。
【００３３】
なお、図４に示した整流回路４０において、コンデンサＣ1 , Ｃ2 , Ｃ3 それぞれは直流電圧の平滑を目的としたものではなく、第１主回路４１，第２主回路４２，第３主回路４３それぞれのスイッチング動作に伴う配線インダクタンスのエネルギーを吸収するための極小容量の無極性コンデンサである。
【００３４】
【発明の効果】
この発明の整流回路によれば、従来の整流回路に備えていた定期的交換部品である平滑用の電解コンデンサが不要となり、その結果、保守点検作業が簡略化される。また、この整流回路では電力変換段数も１段にでき、該整流回路の変換効率を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施例を示す回路構成図
【図２】この発明の第２の実施例を示す回路構成図
【図３】この発明の第３の実施例を示す回路構成図
【図４】この発明の第４の実施例を示す回路構成図
【図５】従来例を示す回路構成図
【図６】図５とは別の従来例を示す回路構成図
【符号の説明】
１…三相交流電源、２…ダイオード整流器、３…電解コンデンサ、４…直流チョッパ回路、５…負荷、６…自励式整流器、１０…整流回路、１１…第１主回路、１２…第２主回路、１３…第３主回路、２０…整流回路、２１…第１主回路、２２…第２主回路、２３…第３主回路、３０…整流回路、３１…第１主回路、３２…第２主回路、３３…第３主回路、４０…整流回路、４１…第１主回路、４２…第２主回路、４３…第３主回路、Ｑ1 〜Ｑ12…ＩＧＢＴ、Ｄ1 〜Ｄ12…ダイオード、Ｃ1 〜Ｃ3 …コンデンサ、Ｌ1 〜Ｌ3 …交流リアクトル、ＬO …直流リアクトル。
【図１】
0003680644.tif 000002
【図２】
0003680644.tif 000003
【図３】
0003680644.tif 000004
【図４】
0003680644.tif 000005
【図５】
0003680644.tif 000006
【図６】
0003680644.tif 000007