【手続補正書】
【提出日】令和3年10月1日(2021.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
付加製造法であって、
ハロゲン化溶液と負の電子親和力を有するナノ粒子とを含む第２の中性原料にホウ化化合物を導入してｐドープ原料を形成するステップと、
第３の中性原料にリン化合物を導入してｎドープ原料を形成するステップと、
３次元（３Ｄ）プリンタのプラテン上に、第１の中性原料の第１の層を堆積させるステップと、
レーザーを用いて前記第１の中性原料のナノ粒子を誘起して前記ハロゲン化溶液中に溶媒和電子を放出させ、還元によって中性セラミックの第１の層を形成するステップと、
前記３次元（３Ｄ）プリンタのプラテン上に、前記ｐドープ原料の第２の層を堆積させるステップと、
レーザーを用いて前記ｐドープ原料のナノ粒子を誘起して前記ハロゲン化溶液中に溶媒和電子を放出させ、還元によってｐドープセラミックの第２の層を形成するステップと、
前記３次元（３Ｄ）プリンタのプラテン上に、前記ｎドープ原料の第３の層を堆積させるステップと、
レーザーを用いて前記ｎドープ原料のナノ粒子を誘起して前記ハロゲン化溶液中に溶媒和電子を放出させ、還元によってｎドープセラミックの第３の層を形成するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記ハロゲン化溶液は、四塩化炭素を含み、
前記ナノ粒子は、ナノダイヤモンドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記中性セラミックの第１の層、前記ｐドープセラミックの第２の層、及び前記ｎドープセラミックの第３の層は、多結晶ダイヤモンド半導体を形成する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ハロゲン化溶液は、トリクロロメチルトリクロロシランを含み、
前記ナノ粒子は、水素終端炭化ケイ素ナノ粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記中性セラミックの第１の層、前記ｐドープセラミックの第２の層、及び前記ｎドープセラミックの第３の層は、炭化ケイ素半導体を形成する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ホウ化化合物は、三塩化ホウ素を含み、
前記リン化合物は、三塩化リンを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記中性セラミックの第１の層、前記ｐドープセラミックの第２の層、及び前記ｎドープセラミックの第３の層は、窯を使用せずにセラミック半導体を形成される、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本開示は複数の実施形態を含むが、当業者には無数の変更、変形、改変、変換及び修正を進言することができ、本開示は、添付の特許請求の範囲に収まるこのような変更、変形、改変、変換及び修正を含むように意図される。以下に本発明の実施態様を記載する。
（実施態様１）システムであって、
不活性金属を含むプラテン及び不活性雰囲気を含むエンクロージャを含む３次元（３Ｄ）プリンタと、
ハロゲン化溶液と負の電子親和力を有するナノ粒子とを含み、前記プラテン上に堆積するように構成された中性原料と、
前記中性原料に導入されたホウ化化合物を含み、前記プラテン上に堆積するように構成されたｐドープ原料と、
前記中性原料に導入されたリン化合物を含み、前記プラテン上に堆積するように構成されたｎドープ原料と、
前記ナノ粒子を誘起して前記ハロゲン化溶液中に溶媒和電子を放出させ、還元によって、中性層と、ｐドープ層と、ｎドープ層とを含むセラミックの層を形成するように構成されたレーザーと、を備えるシステム。
（実施態様２）前記ハロゲン化溶液は、四塩化炭素を含み、前記ナノ粒子は、ナノダイヤモンドを含む、実施態様１に記載のシステム。
（実施態様３）前記ハロゲン化溶液は、トリクロロメチルトリクロロシランを含み、前記ナノ粒子は、ナノダイヤモンドを含む、実施態様１に記載のシステム。
（実施態様４）前記セラミックは、多結晶ダイヤモンド半導体を含む、実施態様２に記載のシステム。
（実施態様５）前記セラミックは、炭化ケイ素半導体を含む、実施態様３に記載のシステム。
（実施態様６）前記ホウ化化合物は、三塩化ホウ素を含み、前記リン化合物は、三塩化リンを含む、実施態様１に記載のシステム。
（実施態様７）前記セラミックは、窯を使用せずに形成される、実施態様１に記載のシステム。
（実施態様８）付加製造法であって、
ハロゲン化溶液と負の電子親和力を有するナノ粒子とを含む第２の中性原料にホウ化化合物を導入してｐドープ原料を形成するステップと、
第３の中性原料にリン化合物を導入してｎドープ原料を形成するステップと、
３次元（３Ｄ）プリンタのプラテン上に、第１の中性原料の第１の層を堆積させるステップと、
レーザーを用いて前記第１の中性原料のナノ粒子を誘起して前記ハロゲン化溶液中に溶媒和電子を放出させ、還元によって中性セラミックの第１の層を形成するステップと、
前記３次元（３Ｄ）プリンタのプラテン上に、前記ｐドープ原料の第２の層を堆積させるステップと、
レーザーを用いて前記ｐドープ原料のナノ粒子を誘起して前記ハロゲン化溶液中に溶媒和電子を放出させ、還元によってｐドープセラミックの第２の層を形成するステップと、
前記３次元（３Ｄ）プリンタのプラテン上に、前記ｎドープ原料の第３の層を堆積させるステップと、
レーザーを用いて前記ｎドープ原料のナノ粒子を誘起して前記ハロゲン化溶液中に溶媒和電子を放出させ、還元によってｎドープセラミックの第３の層を形成するステップと、を含む方法。
（実施態様９）前記ハロゲン化溶液は、四塩化炭素を含み、前記ナノ粒子は、ナノダイヤモンドを含む、実施態様８に記載の方法。
（実施態様１０）前記中性セラミックの第１の層、前記ｐドープセラミックの第２の層、及び前記ｎドープセラミックの第３の層は、多結晶ダイヤモンド半導体を形成する、実施態様９に記載の方法。
（実施態様１１）前記ハロゲン化溶液は、トリクロロメチルトリクロロシランを含み、前記ナノ粒子は、水素終端炭化ケイ素ナノ粒子を含む、実施態様８に記載の方法。
（実施態様１２）前記中性セラミックの第１の層、前記ｐドープセラミックの第２の層、及び前記ｎドープセラミックの第３の層は、炭化ケイ素半導体を形成する、実施態様１１に記載の方法。
（実施態様１３）前記ホウ化化合物は、三塩化ホウ素を含み、前記リン化合物は、三塩化リンを含む、実施態様８に記載の方法。
（実施態様１４）前記中性セラミックの第１の層、前記ｐドープセラミックの第２の層、及び前記ｎドープセラミックの第３の層は、窯を使用せずにセラミック半導体を形成される、実施態様８に記載の方法。
（実施態様１５）３次元（３Ｄ）プリンタであって、
前記３次元（３Ｄ）プリンタ内に封入された不活性雰囲気と、
不活性金属を含み、上に原料を堆積させるように構成されたプラテンと、
制御ユニットと、
を備え、前記制御ユニットは、
前記３次元（３Ｄ）プリンタのプラテン上に、ハロゲン化溶液と負の電子親和力を有するナノ粒子とを含む中性原料の第１の層を堆積させ、
レーザーを用いて前記中性原料のナノ粒子を誘起して前記ハロゲン化溶液中に溶媒和電子を放出させ、還元によって中性セラミックの第１の層を形成し、
前記３次元（３Ｄ）プリンタのプラテン上に、前記中性原料に導入されたホウ化化合物を含むｐ型原料の第２の層を堆積させ、
前記レーザーを用いて前記ｐ型原料のナノ粒子を誘起して前記ハロゲン化溶液中に溶媒和電子を放出させ、還元によってｐドープセラミックの第２の層を形成し、
前記３次元（３Ｄ）プリンタのプラテン上に、前記中性原料に導入されたリン化合物を含むｎ型原料の第３の層を堆積させ、
前記レーザーを用いて前記ｎ型原料のナノ粒子を誘起して前記ハロゲン化溶液中に溶媒和電子を放出させ、還元によってｎドープセラミックの第３の層を形成する、
ように構成されている、３次元（３Ｄ）プリンタ。
（実施態様１６）前記ハロゲン化溶液は、四塩化炭素を含み、前記ナノ粒子は、ナノダイヤモンドを含む、実施態様１５に記載の３次元（３Ｄ）プリンタ。
（実施態様１７）前記中性セラミックの前記第１の層、前記ｐドープセラミックの前記第２の層、及び前記ｎドープセラミックの前記第３の層は、多結晶ダイヤモンド半導体を形成する、実施態様１６に記載の３次元（３Ｄ）プリンタ。
（実施態様１８）前記ハロゲン化溶液は、トリクロロメチルトリクロロシランを含み、前記ナノ粒子は、水素終端炭化ケイ素ナノ粒子を含む、実施態様１５に記載の３次元（３Ｄ）プリンタ。
（実施態様１９）前記中性セラミックの前記第１の層、前記ｐドープセラミックの前記第２の層、及び前記ｎドープセラミックの前記第３の層は、炭化ケイ素半導体を形成する、実施態様１８に記載の３次元（３Ｄ）プリンタ。
（実施態様２０）前記ホウ化化合物は、三塩化ホウ素を含み、前記リン化合物は、三塩化リンを含む、実施態様１５に記載の３次元（３Ｄ）プリンタ。