【手続補正書】
【提出日】令和3年10月14日(2021.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクスデバイス（１００）であって、
青色スペクトル領域の１次放射を放出可能な半導体チップ（４）と、
それぞれ前記１次放射を２次放射へ変換可能な少なくとも３つの蛍光体を含む変換素子（１０）と
を含み、
第１の蛍光体（１）は、緑色スペクトル領域の２次放射を放出可能であり、
第２の蛍光体（２）は、赤色スペクトル領域の２次放射を放出可能であり、
第３の蛍光体（３）は、カリウム・ケイ素・フッ化物蛍光体であって、赤色スペクトル領域の２次放射を放出可能であり、
前記デバイス（１００）は、少なくとも８０のＲａ値および少なくとも７５のＲ９値を有し、前記デバイス（１００）は、白色の混合放射を放出可能であり、
前記第２の蛍光体（２）は、最小６０ｎｍから最大９０ｎｍまでの半値幅を有する、
オプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項２】
前記半導体チップ（４）の青色スペクトル領域の優勢波長（λｄｏｍ）は、４５５ｎｍ未満である、
請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項３】
前記第１の蛍光体（１）は、イットリウム・アルミニウム・ガリウム・ガーネット、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット、ルテチウム・アルミニウム・ガリウム・ガーネット、ルテチウム・イットリウム・アルミニウム・ガーネット、オルソシリケート、窒化物オルソシリケートの群から選択されている、
請求項１から２までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項４】
前記第２の蛍光体（２）は、Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８またはストロンチウム・カルシウム・アルミニウム・ケイ素・窒化物であり、ここで、Ｍは少なくともＥｕを含み、付加的にＣａ，Ｓｒおよび／またはＢａを含む、
請求項１から３までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項５】
前記カリウム・ケイ素・フッ化物蛍光体（３）は、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎである、
請求項１から４までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項６】
前記第３の蛍光体（３）は、最小２０ｎｍから最大５０ｎｍまでの半値幅を有する、
請求項１から５までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項７】
前記Ｒａ値は９０より大きい、
請求項１から６までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項８】
前記Ｒａ値は９７より大きい、
請求項１から７までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項９】
前記Ｒ９値は９０より大きい、
請求項１から８までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項１０】
前記Ｒ９値は９５より大きい、
請求項１から９までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項１１】
前記第１の蛍光体（１）はイットリウム・アルミニウム・ガリウム・ガーネットであり、前記第２の蛍光体（２）はＭ２Ｓｉ５Ｎ８またはストロンチウム・カルシウム・アルミニウム・ケイ素・窒化物のいずれかである、
請求項１から１０までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項１２】
前記第１の蛍光体（１）はルテチウム・アルミニウム・ガーネットまたはルテチウム・アルミニウム・ガリウム・ガーネットであり、前記第２の蛍光体（２）はＭ２Ｓｉ５Ｎ８またはストロンチウム・カルシウム・アルミニウム・ケイ素・窒化物のいずれかである、
請求項１から１１までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項１３】
前記第１の蛍光体（１）はルテチウム・イットリウム・アルミニウム・ガーネットであり、前記第２の蛍光体（２）はＭ２Ｓｉ５Ｎ８またはストロンチウム・カルシウム・アルミニウム・ケイ素・窒化物のいずれかである、
請求項１から１２までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項１４】
前記第１の蛍光体（１）はオルソシリケートまたは窒化物オルソシリケートであり、前記第２の蛍光体（２）はＭ２Ｓｉ５Ｎ８またはストロンチウム・カルシウム・アルミニウム・ケイ素・窒化物のいずれかである、
請求項１から１３までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項１５】
前記第２の蛍光体および前記第３の蛍光体（２，３）の全割合に対する前記カリウム・ケイ素・フッ化物蛍光体（３）の割合は、最小５５重量％から最大８２重量％である、
請求項１から１４までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項１６】
前記第２の蛍光体および前記第３の蛍光体（２，３）の全割合に対する前記カリウム・ケイ素・フッ化物蛍光体（３）の割合は、最小８０重量％から最大８４重量％である、
請求項１から１５までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項１７】
前記第２の蛍光体および前記第３の蛍光体（２，３）の全割合に対する前記カリウム・ケイ素・フッ化物蛍光体（３）の最小割合は、最小５３重量％から最大６７重量％である、
請求項１から１６までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項１８】
オプトエレクトロニクスデバイス（１００）であって、
青色スペクトル領域の１次放射を放出可能な半導体チップ（４）と、
それぞれ前記１次放射を２次放射へ変換可能な少なくとも３つの蛍光体を含む変換素子（１０）と
を含み、
第１の蛍光体（１）は、緑色スペクトル領域の２次放射を放出可能であり、
第２の蛍光体（２）は、赤色スペクトル領域の２次放射を放出可能であり、
第３の蛍光体（３）は、カリウム・ケイ素・フッ化物蛍光体であって、赤色スペクトル領域の２次放射を放出可能であり、
前記デバイス（１００）は、少なくとも８０のＲａ値および少なくとも７５のＲ９値を有し、前記デバイス（１００）は、白色の混合放射を放出可能であり、
前記第２の蛍光体および前記第３の蛍光体（２，３）の全割合に対する前記カリウム・ケイ素・フッ化物蛍光体（３）の割合は、最小５５重量％から最大８２重量％であり、または
前記第２の蛍光体および前記第３の蛍光体（２，３）の全割合に対する前記カリウム・ケイ素・フッ化物蛍光体（３）の割合は、最小８０重量％から最大８４重量％であり、または
前記第２の蛍光体および前記第３の蛍光体（２，３）の全割合に対する前記カリウム・ケイ素・フッ化物蛍光体（３）の割合は、最小５３重量％から最大６７重量％である、
オプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項１９】
前記第２の蛍光体（２）は、最小６０ｎｍから最大９０ｎｍまでの半値幅を有する、請求項１８記載のオプトエレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項２０】
オプトエレクトロニクスデバイス（１００）であって、
青色スペクトル領域の１次放射を放出可能な半導体チップ（４）と、
それぞれ前記１次放射を２次放射へ変換可能な少なくとも３つの蛍光体を含む変換素子（１０）と
を含み、
第１の蛍光体（１）は、緑色スペクトル領域の２次放射を放出可能であり、
第２の蛍光体（２）は、赤色スペクトル領域の２次放射を放出可能であり、
第３の蛍光体（３）は、カリウム・ケイ素・フッ化物蛍光体であって、赤色スペクトル領域の２次放射を放出可能であり、
前記デバイス（１００）は、少なくとも８０のＲａ値および少なくとも７５のＲ９値を有し、前記デバイス（１００）は、白色の混合放射を放出可能であり、
前記第２の蛍光体（２）は、Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８またはストロンチウム・カルシウム・アルミニウム・ケイ素・窒化物であり、ここでＭは少なくともＥｕおよび付加的にＣａ，Ｓｒおよび／またはＢａを有し、または
前記第１の蛍光体（１）はイットリウム・アルミニウム・ガリウム・ガーネットであり、前記第２の蛍光体（２）はＭ２Ｓｉ５Ｎ８またはストロンチウム・カルシウム・アルミニウム・ケイ素・窒化物のいずれかであり、または
前記第１の蛍光体（１）はルテチウム・アルミニウム・ガーネットまたはルテチウム・アルミニウム・ガリウム・ガーネットであり、前記第２の蛍光体（２）はＭ２Ｓｉ５Ｎ８またはストロンチウム・カルシウム・アルミニウム・ケイ素・窒化物のいずれかであり、または
前記第１の蛍光体（１）はルテチウム・イットリウム・アルミニウム・ガーネットであり、前記第２の蛍光体（２）はＭ２Ｓｉ５Ｎ８またはストロンチウム・カルシウム・アルミニウム・ケイ素・窒化物のいずれかであり、または
前記第１の蛍光体（１）はオルソシリケートまたは窒化物オルソシリケートであり、前記第２の蛍光体（２）はＭ２Ｓｉ５Ｎ８またはストロンチウム・カルシウム・アルミニウム・ケイ素・窒化物のいずれかである、
オプトエレクトロニクスデバイス（１００）。