(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽内に供給された処理液中に基板を浸漬して洗浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処理液を排出して処理槽内の処理液を交換するようにした基板処理装置において、
前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を移動させることにより、前記処理槽内から処理液を排出させる側壁移動手段と、
前記側壁移動手段により移動される前記側壁の移動速度を変更する速度制御手段とを備え、
前記速度制御手段は、前記処理槽への処理液の供給動作と前記処理槽からの処理液の排出動作を複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における側壁の移動速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記側壁移動手段は、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を、前記処理槽の底部に対して昇降させる基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記側壁移動手段は、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を、その下端部を中心として回動させる基板処理装置。
【請求項４】
処理槽内に供給された処理液中に基板を浸漬して洗浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処理液を排出して処理槽内の処理液を交換するようにした基板処理装置において、
前記処理槽の底部を前記処理槽の側壁に対して昇降させることにより、前記処理槽内から処理液を排出させる底部昇降手段と、
前記底部昇降手段により昇降される前記底部の昇降速度を変更する速度制御手段とを備え、
前記速度制御手段は、前記処理槽への処理液の供給動作と前記処理槽からの処理液の排出動作を複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における底部の上昇速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板を純水等の処理液により洗浄処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
このような基板処理装置としては、ＱＤＲ（Ｑｕｉｃｋ  Ｄｕｍｐ  Ｒｉｎｓｅ）槽と呼称される急速排出洗浄槽を使用したものが知られている。この急速排出洗浄槽は、機能水洗槽とも呼称されるものであり、処理槽に対して処理液の供給と排出とを繰り返すことにより、基板に付着している汚染物質および薬液を効果的に洗浄除去するものである。
【０００３】
すなわち、この急速排出洗浄槽を利用した基板処理装置は、処理槽と、この処理槽の底部から純水等の処理液を供給する処理液供給手段と、処理槽中において基板を支持する基板支持手段と、処理槽の底部から処理液を急速に排出するための処理液排出手段と、基板支持手段により支持された基板に処理液を噴出するシャワーノズルとを有する。
【０００４】
この基板処理装置により基板を洗浄処理する場合においては、処理槽の下方から供給され処理槽の上端部よりオーバフローする処理液により、基板支持手段に支持された基板を洗浄処理する。そして、基板がある程度洗浄されれば、処理液排出手段により処理槽内の処理液を急速に排出する。この処理液の排出時には、基板の乾燥を防止するため、シャワーノズルから基板に処理液を噴出する。
【０００５】
処理槽内の処理液が完全に排出されれば、処理液供給手段により処理槽内への処理液の貯留を開始する。そして、再度、処理槽の下方から供給され処理槽の上端部よりオーバフローする処理液により基板支持手段に支持された基板を洗浄処理する。
【０００６】
このような処理液の供給と排出動作を複数回繰り返すことにより、基板に付着している汚染物質および薬液を効果的に洗浄除去することが可能となる。このとき、基板を短時間で処理するためには、処理液排出手段は処理槽内の処理液を可能な限り急速に排出しうる構成とすることが好ましい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような急速排出洗浄槽を利用した基板処理装置においては、処理槽中の処理液を処理槽の底部から排出する構成であることから、処理槽の底部にパーティクル等の汚染物質が残留するという問題点がある。
【０００８】
すなわち、上述した基板処理装置は、処理液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質を、処理液をオーバフローさせることにより処理液と共に処理槽の外部に排出するものであるが、処理液の排出時においては処理液は処理槽の底部から排出されることから、処理液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質が、処理槽底部に付着して処理槽内に残留することになる。処理槽内にこのようなパーティクル等の汚染物質が残留した場合には、基板を十分に洗浄処理することが不可能となるという問題が生ずる。
【０００９】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、処理槽内へのパーティクル等の汚染物質の残留を防止して基板を十分に洗浄処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、処理槽内に供給された処理液中に基板を浸漬して洗浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処理液を排出して処理槽内の処理液を交換するようにした基板処理装置において、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を移動させることにより、前記処理槽内から処理液を排出させる側壁移動手段と、前記側壁移動手段により移動される前記側壁の移動速度を変更する速度制御手段とを備え、前記速度制御手段は、前記処理槽への処理液の供給動作と前記処理槽からの処理液の排出動作を複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における側壁の移動速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることを特徴とする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記側壁移動手段は、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を、前記処理槽の底部に対して昇降させている。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記側壁移動手段は、前記処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を、その下端部を中心として回動させている。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、処理槽内に供給された処理液中に基板を浸漬して洗浄処理を行なうとともに、前記処理槽から処理液を排出して処理槽内の処理液を交換するようにした基板処理装置において、前記処理槽の底部を前記処理槽の側壁に対して昇降させることにより、前記処理槽内から処理液を排出させる底部昇降手段と、前記底部昇降手段により昇降される前記底部の昇降速度を変更する速度制御手段とを備え、前記速度制御手段は、前記処理槽への処理液の供給動作と前記処理槽からの処理液の排出動作を複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における底部の上昇速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態に係る基板処理装置の側面概要図であり、図２はその側壁移動機構５を示す斜視図である。
【００１５】
この基板処理装置は、純水等の処理液を貯留するための処理槽１と、処理槽１内において半導体ウエハ等の基板Ｗを起立状態で支持するための基板支持溝を備えた３個の支持アーム２と、支持アーム２により支持された基板Ｗに処理液を噴出するための噴出口４を備えたシャワーノズル３と、処理槽１の側壁１１を昇降駆動するための側壁移動機構５と、後述する制御部２０とを備える。
【００１６】
前記処理槽１は、４個の側壁１１、１２、１３、１４と、これらの側壁１１、１２、１３、１４に連結する単一の底部１５と、この底部１５に形成された処理液通過口１９とを備える。この処理液通過口１９は、図示しない電磁弁等を介して処理液の供給源と接続されており、処理槽１には、この処理液通過口１９から処理液が供給される。
【００１７】
上記４個の側壁１１、１２、１３、１４のうちの一つの側壁１１は、図２に示す側壁移動機構５と接続されている。この側壁移動機構５は、側壁１１を他の側壁１２、１３、１４および底部１５に対して昇降させるためのものであり、モータ５１の回転軸５２に付設されたプーリ５３と、同期ベルト５４を介してプーリ５３に連結されたプーリ５５と、プーリ５５に固設されたねじ５６と、側壁１１と接続部材５７を介して接続されると共に、ねじ５６と螺合するナット部５８とを備える。
【００１８】
図３に示すように、側壁１１の両端部（図３では片側のみを図示）には凹部が形成されており、この凹部内にはパッキング１６が配設されている。また、側壁１２および１４の端面には凸部が形成されており（図３では側壁１４のみを図示）、この凸部はパッキング１６と当接している。このため、側壁１１は、側壁１２および１４に対して液密な状態で摺動可能となっている。なお、側壁１１は、底部１５に対しても液密な状態で摺動可能となっている。
【００１９】
図４は、基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【００２０】
この基板処理装置は、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭ２１と、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ２２と、論理演算を実行するＣＰＵ２３とからなる制御部２０を備える。この制御部２０は、側壁１１の昇降速度を制御する速度制御手段として機能するものであり、インターフェース２４を介して側壁１１を昇降駆動するモータ５１の駆動部２５と接続されている。
【００２１】
次に、上述した構成を有する基板処理装置により基板Ｗを洗浄処理する処理動作について説明する。図５および図６は、基板Ｗの洗浄処理動作を示す説明図である。
【００２２】
最初に、処理液通過口１９から処理槽１内に純水等の処理液を供給し、この純水を処理槽１における４個の側壁１１、１２、１３、１４の上端部よりオーバフローさせる。そして、この状態において、図示しないチャック等の基板搬送装置により、前段の処理工程から薬液処理の完了した基板Ｗを搬送した後、この基板Ｗを基板搬送装置から３個の支持アーム２に受け渡す。なお、３個の支持アーム２は互いに同期して昇降可能に構成されており、処理槽１の上部において基板搬送装置から基板Ｗを受け取った後、基板Ｗと共に図１に示す位置まで下降する。
【００２３】
この状態においては、図５（ａ）に示すように、基板Ｗは処理槽１の下方から供給され処理槽１の上端部よりオーバフローする処理液中に配置されることになる。そして、この状態で一定時間が経過することにより、基板Ｗは洗浄処理される。このとき、基板Ｗ等から発生するパーティクル等の汚染物質は、処理槽１の上端部からオーバフローする処理液と共に処理槽１外に排出される。
【００２４】
次に、図５（ｂ）に示すように、側壁移動機構５により側壁１１を下降させる。この側壁１１の下降に伴って、処理槽１内の処理液は、側壁１１の上端部よりオーバフローする。すなわち、処理槽１内の処理液は、その液面付近から処理槽１の外に排出されることになる。
【００２５】
なお、このときの処理液液面の低下に伴い、基板Ｗが処理液中から露出する。この基板Ｗの露出により基板Ｗの表面が乾燥することを防止するため、側壁１１を下降させるに先立って、シャワーノズル３の噴出口４から支持アーム２により支持された基板Ｗに向けて処理液を噴出しておく。
【００２６】
側壁１１が下降を継続し、図５（ｃ）に示すように、側壁１１の上端部が底部１５の上面と同一の高さとなった状態では、処理槽１１内の処理液は全て排出されることになる。
【００２７】
次に、図６（ｄ）に示すように、処理液通過口１９から処理槽１内に処理液を供給する。処理槽１内の処理液が処理槽１１内に満たされれば、図６（ｅ）に示すように、シャワーノズル３からの処理液の噴出を停止する。そして、再度、図５（ａ）に示すように、処理槽１の下方から供給され処理槽１の上端部よりオーバフローする処理液により基板Ｗを洗浄処理する。
【００２８】
以上の動作を数回繰り返すことにより、基板Ｗを十分に洗浄処理することができる。このとき、洗浄に供されて汚染された洗浄液を排出する動作を繰り返すことから、基板Ｗに付着している汚染物質および薬液を効果的に洗浄除去することが可能となる。
【００２９】
このとき、特に、上述した基板処理装置においては、処理槽１内に貯留されていた処理液は、側壁１１の上端部よりオーバフローすることにより、その液面付近から処理槽１の外に排出される。このため、処理液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質は、処理液と共に処理槽１の外に排出されることになる。従って、パーティクル等の汚染物質が処理槽中に残留することを有効に防止することが可能となる。
【００３０】
また、上述した基板処理装置においては、処理槽１の側壁１１を下降させることにより処理槽１内の処理液を排出する構成であることから、側壁１１の下降速度を大きくすることにより、処理槽１１内の処理液を特に急速に排出することが可能となる。このため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、その処理効率を向上させることが可能となる。
【００３１】
さらに、上述した基板処理装置においては、側壁移動機構５が処理槽１を構成する４個の側壁１１、１２、１３、１４のうちの一つの側壁１１を昇降させることから、処理槽１の側方のスペースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出することが可能となる。
【００３２】
なお、上述した処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、処理液の排出時における側壁１１の下降速度は、各回の排出動作毎に異なる速度としている。より具体的には、各回の排出動作毎に、制御部２０がモータ５１の駆動部２５に異なる信号を送信することにより、モータ５１の回転速度、すなわち、側壁１１の下降速度を異ならせている。
【００３３】
このように、処理液の排出時における側壁１１の下降速度を各回毎に異ならせることにより、処理液の排出時に処理槽１内で処理液の液溜まりが発生する位置を変更することが可能となり、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返すことと相俟って、基板Ｗの全面を均一に処理することが可能となる。
【００３４】
なお、上述した処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、側壁１１の下降による処理液の排出のみならず、処理液通過口１９からも処理液を排出する動作を組み込むことにより、処理槽１内の処理液の液溜まりが発生する位置をさらに変更して、基板Ｗの全面を均一に処理するようにしてもよい。
【００３５】
また、上述した実施形態においては、処理槽１における４個の側壁１１、１２、１３、１４のうち、単一の側壁１１のみを昇降させる場合について説明したが、他の３個の側壁１２、１３、１４のうちの１〜３個をも側壁１１と共に昇降させるようにしてもよい。
【００３６】
次に、この発明の他の実施例について説明する。図７はこの発明の第２実施例に係る側壁移動機構６を示す斜視図である。
【００３７】
上述した第１実施形態においては、側壁移動機構５を利用して、４個の側壁１１、１２、１３、１４のうちの一つの側壁１１を昇降移動させている。これに対して、この第２実施形態においては、側壁移動機構６を利用して４個の側壁１１、１２、１３、１４のうちの一つの側壁１１を、その下端部を中心として回動させる構成となっている。なお、その他の構成については、上述した第１実施形態と同一であるため、それらについての詳細な説明は省略する。
【００３８】
この第２実施形態に係る基板処理装置においては、処理槽１の４個の側壁１１、１２、１３、１４のうちの一つの側壁１１は、図７に示す側壁移動機構６と接続されている。この側壁移動機構６は、側壁１１をその下端部を中心として回動させるためのものであり、側壁１１の下端部に付設された支軸６４と、この支軸６４に対して軸６３を介して接続された円盤部材６２と、そのシリンダロッドが円盤部材６２の外周部付近に接続されたエアシリンダ６１とを備える。
【００３９】
この側壁移動機構６においては、エアシリンダ６１のシリンダロッドが伸縮することにより、円盤部材６２が軸６３を中心に回転し、これに伴って、側壁１１が支軸６４を中心に回動する。
【００４０】
なお、図８に示すように、側壁１２および１４の端縁にはパッキング１７が配設されており（図８では側壁１２のみを図示）、このパッキング１７は側壁１１と当接可能となっている。このため、側壁１１は、側壁１２および１４に対して液密な状態で当接する構成となっている。
【００４１】
この第２実施形態に係る基板処理装置においても、上述した第１実施形態に係る基板処理装置と同様、処理槽１内に貯留されていた処理液は、側壁１１の回動に伴って主として側壁１１の上端部よりオーバフローすることとなり、その液面付近から処理槽１の外に排出される。このため、処理液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質は、処理液と共に処理槽１の外に排出されることになる。従って、パーティクル等の汚染物質が処理槽中に残留することを有効に防止することが可能となる。
【００４２】
また、上述した第２実施形態に係る基板処理装置においては、処理槽１の側壁１１を回動させることにより処理槽１内の処理液を排出する構成であることから、側壁１１の回動速度を大きくすることにより、処理槽１１内の処理液を特に急速に排出することが可能となる。このため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、その処理効率を向上させることが可能となる。
【００４３】
さらに、上述した第２基板処理装置においては、側壁移動機構６が処理槽１を構成する４個の側壁１１、１２、１３、１４のうちの一つの側壁１１をその下端部を中心として回動させることから、処理槽１の上下方向のスペースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出することが可能となる。
【００４４】
なお、この第２実施形態においても、液溜まりの発生位置を変更して基板の全面を均一に洗浄するため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合の処理液排出時における側壁１１の回動速度を、上述した第１実施形態の場合と同様、各回の排出動作毎に異なる速度としている。より具体的には、各回の排出動作毎に、図４に示す制御部２０がエアシリンダ６１の駆動部２５に異なる信号を送信することにより、エアシリンダ６１の駆動速度、すなわち、側壁１１の回動速度を異ならせている。
【００４５】
上述した第２実施形態においては、側壁１１をその下端部を中心として回動させているが、側壁１１をその上端部またはその側端部を中心として回動させることにより、処理槽１内から処理液を排出する構成としてもよい。また、側壁１１を側壁１２、１４および底部１５の端面から離隔する方向に平行移動させることにより、処理槽１内から処理液を排出する構成としてもよい。
【００４６】
次に、この発明のさらに他の実施例について説明する。図９はこの発明の第３実施例に係る底部昇降機構７を示す側面概要図である。
【００４７】
上述した第１、第２実施形態においては、いずれも、側壁移動機構５、６を利用して、４個の側壁１１、１２、１３、１４のうちの一つの側壁１１を移動させている。これに対して、この第３実施形態においては、底部昇降機構７を利用して処理槽１の底部１５を４個の側壁１１、１２、１３、１４に対して昇降させる構成となっている。なお、その他の構成については、上述した第１、第２実施形態と同一であるため、それらについての詳細な説明は省略する。
【００４８】
この第３実施形態に係る基板処理装置においては、処理槽１の底部１５はパッキング１８を介して４個の側壁１１、１２、１３、１４と当接している。このため、底部１５は、４個の側壁１１、１２、１３、１４に対して液密な状態で摺動可能となっている。そして、この底部１５は、図９に示す底部昇降機構７と接続されている。
【００４９】
この底部昇降機構７は、モータ７１の回転軸７３に付設されたプーリ７４に対し、同期ベルト７５を介して連結された複数個のプーリ７６を備える。また、底部１５の下面には複数個の支持部材７８が固設されており、この支持部材７８には各々ねじ７７が立設されている。このねじ７７は、各々、前記プーリ７６に形成されたねじ部と螺合している。このため、モータ７１の駆動でプーリ７６が回転することにより、底部１５はねじ７７と共に昇降する。
【００５０】
処理槽１内に処理液が貯留された状態で、底部１５が上昇した場合においては、処理槽１内に貯留された処理液は、４個の側壁１１、１２、１３、１４の上端部からオーバフローしながら排出される。そして、底部１５が４個の側壁１１、１２、１３、１４の上端部と同一の高さ位置まで上昇すれば、処理槽１内の処理液は、全て排出されることになる。
【００５１】
この第３実施形態に係る基板処理装置においては、処理槽１内に貯留されていた処理液は、底部１５の上昇に伴って、４個の側壁１１、１２、１３、１４の上端部よりオーバフローすることとなり、その液面付近から処理槽１の外に排出される。このため、処理液中に浮遊するパーティクル等の汚染物質は、処理液と共に処理槽１の外に排出されることになる。従って、パーティクル等の汚染物質が処理槽中に残留することを有効に防止することが可能となる。
【００５２】
また、上述した第３実施形態に係る基板処理装置においては、処理槽１の底部１５を上昇させることにより処理槽１内の処理液を排出する構成であることから、底部１５の上昇速度を大きくすることにより、処理槽１１内の処理液を特に急速に排出することが可能となる。このため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合に、その処理効率を向上させることが可能となる。
【００５３】
さらに、上述した第３実施形態に係る基板処理装置においては、底部昇降機構７が処理槽１の底部１５を４個の側壁１１、１２、１３、１４に対して昇降させることから、処理槽１の側方および上下方向のスペースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出することが可能となる。
【００５４】
なお、この第３実施形態においても、液溜まりの発生位置を変更して基板の全面を均一に洗浄するため、処理液の供給と排出動作を複数回繰り返す場合の処理液排出時における底部１５の上昇速度を、上述した第１、第２実施形態の場合と同様、各回の排出動作毎に異なる速度としている。より具体的には、各回の排出動作毎に、図４に示す制御部２０がモータ７１の駆動部２５に異なる信号を送信することにより、モータ７１の回転速度、すなわち、底部１５の上昇速度を異ならせている。
【００５５】
上述した第１、第２、第３実施形態においては、いずれも、前段の処理工程において薬液処理が終了した基板Ｗを処理槽１に搬送して洗浄処理する基板処理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、薬液通過口１９から処理槽１内に供給する薬液を順次変更することにより、処理槽１内において基板Ｗに複数種の薬液処理を施した後、この基板Ｗを上述した行程により処理槽１内において洗浄処理する基板処理装置にこの発明を適用してもよい。
【００５６】
また、上述した第１、第２、第３実施形態においては、いずれも、基板Ｗを３個の支持アーム２により直接支持して洗浄処理する基板処理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、カセット内に収納された基板Ｗを処理槽１内に浸漬して洗浄処理する基板処理装置にこの発明を適用することも可能である。
【００５７】
また、上述した第１、第２、第３実施形態においては、処理槽１内に対する純水等の処理液の供給時に、処理槽１内に処理液を供給しながらこの処理液を処理槽１における４個の側壁１１、１２、１３、１４の上端部よりオーバーフローさせる構成としたが、処理槽１から処理液をオーバーフローさせずに処理槽１内の基板Ｗに対して処理を行なう構成としてもよい。
【００５８】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を側壁移動手段を使用して移動させることにより処理槽内から処理液を排出する構成であることから、処理槽中に浮遊するパーティクル等の汚染物質を処理液と共に処理槽の外部に有効に排出することができる。このため、処理槽内へのパーティクル等の汚染物質の残留を防止して基板を十分に洗浄処理することが可能となる。
【００５９】
また、側壁の移動速度を変更する速度制御手段を備え、側壁の移動速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることから、処理液の排出時に処理槽中に形成される処理液の液溜まりの位置を変更することが可能となる。このため、基板の全面を均一に洗浄処理することが可能となる。
【００６０】
請求項２に記載の発明によれば、側壁移動手段が処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁を処理槽の底部に対して昇降させることから、処理槽の側方のスペースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出することが可能となる。
【００６１】
請求項３に記載の発明によれば、側壁移動手段が処理槽を構成する側壁のうち少なくとも一つの側壁をその下端部を中心として回動させることから、処理槽の上下方向のスペースが小さい場合であっても、処理液を有効に排出することが可能となる。
【００６２】
請求項４に記載の発明によれば、底部昇降手段を使用して処理槽の底部を処理槽の側壁に対して昇降させることにより処理槽内から処理液を排出する構成であることから、処理槽中に浮遊するパーティクル等の汚染物質を処理液と共に処理槽の外部に有効に排出することができる。このため、処理槽内へのパーティクル等の汚染物質の残留を防止して基板を十分に洗浄処理することが可能となる。
【００６３】
また、底部の昇降速度を変更する速度制御手段を備え、底部の上昇速度を各回の排出動作毎に異なる速度とすることから、処理液の排出時に処理槽中に形成される処理液の液溜まりの位置を変更することが可能となる。このため、基板の全面を均一に洗浄処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  基板処理装置の側面概要図である。
【図２】  側壁移動機構５を示す斜視図である。
【図３】  側壁１１と側壁１４との当接関係を示す要部拡大図である。
【図４】  基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【図５】  基板Ｗの洗浄処理動作を示す説明図である。
【図６】  基板Ｗの洗浄処理動作を示す説明図である。
【図７】  側壁移動機構６を示す斜視図である。
【図８】  側壁１１と側壁１２との当接関係を示す要部拡大図である。
【図９】  底部昇降機構７を示す側面概要図である。
【符号の説明】
１      処理槽
２      支持アーム
３      シャワーノズル
５      側壁移動機構
６      側壁移動機構
７      底部昇降機構
１１    側壁
１２    側壁
１３    側壁
１４    側壁
１５    底部
１９    処理液通過口
２０    制御部
５１    モータ
６１    エアシリンダ
７１    モータ
Ｗ      基板
【図１】
0003712552.tif 000002
【図２】
0003712552.tif 000003
【図３】
0003712552.tif 000004
【図４】
0003712552.tif 000005
【図５】
0003712552.tif 000006
【図６】
0003712552.tif 000007
【図７】
0003712552.tif 000008
【図８】
0003712552.tif 000009
【図９】
0003712552.tif 000010