(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡散終了時に拡散ウェーハの主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜のうち、表層部を除去した残りの部分をオートドープ防止用に用いて、該拡散ウェーハの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記主裏面側酸化膜の表層部の除去を、バッファードフッ酸を用いて行うことを特徴とする請求項１記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記拡散を、該拡散に供するシリコンウェーハの主表面側酸化膜にパターン開口部を形成した状態で行うことにより、位置選択的に行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記拡散後の段階の主裏面側酸化膜上にレジストを形成し、次に、前記拡散ウェーハをバッファードフッ酸に浸漬して該バッファードフッ酸によるエッチングにより主表面側酸化膜をその表層部のみ除去し、次に、前記レジストを除去し、次に、前記拡散ウェーハをバッファードフッ酸に浸漬して該バッファードフッ酸によるエッチングにより、前記主表面側酸化膜のうち残りの部分と、前記主裏面側酸化膜のうち表層部のみと、を一度に除去し、主裏面側酸化膜のうち残りの部分をオートドープ防止用に用いて、前記気相成長を行うことを特徴とする請求項３に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンエピタキシャルウェーハ（以下、単にエピタキシャルウェーハともいう。）の製造方法の１つとして、シリコン単結晶基板（以下、単にシリコン基板ともいう。）の主表面側に例えばアンチモンなどのドーパントを拡散させることにより得られる拡散ウェーハの主表面上に、シリコンエピタキシャル層（以下、単にエピタキシャル層ともいう。）を気相成長させてシリコンエピタキシャルウェーハ（以下、単にエピタキシャルウェーハともいう。）を製造する方法が従来より知られている。
より具体的には、例えば、ｐ型ドーパントを高濃度に添加したｐ+型のシリコン基板の主表面上にｐ型ドーパントを低濃度に添加した第１のｐ-型エピタキシャル層を形成した後、該第１のｐ-型エピタキシャル層の表層部にドーパントを拡散し、さらにその後、該第１のｐ-型エピタキシャル層上に第２のｐ-型エピタキシャル層を積層形成して、埋込み拡散領域を有するエピタキシャルウェーハを製造することがある。
この場合に、例えば、シリコン基板よりも２桁程度抵抗率が高い第２のｐ-型エピタキシャル層を気相成長する際には、シリコン基板の主裏面上にオートドープ防止用のシリコン酸化膜を予め形成しておき、該主裏面から主表面側へのオートドープを抑制しつつ、気相成長を行うことが望ましい。
オートドープ防止用のシリコン酸化膜を形成する方法としては、例えば、ＣＶＤ法によりＣＶＤ酸化膜を主裏面に形成する方法や、熱酸化膜法により熱酸化膜を主表面および主裏面に形成した後、主表面側の熱酸化膜のみ除去する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＣＶＤ法によるＣＶＤ酸化膜の形成は、拡散ウェーハを、主裏面を上向きにして例えばベルトコンベヤ上に載置し、該ベルトコンベヤにより搬送しながら行うため、ベルトコンベヤとの接触により、拡散ウェーハの主表面の表面状態が悪化してしまうことがあるという問題がある。
他方、熱酸化膜法により熱酸化膜を形成する場合は、拡散ウェーハ内のドーパント（第１のｐ-型エピタキシャル層内に拡散されたドーパント）が、熱酸化膜形成のための加熱によって拡散ウェーハ内部（第１のｐ-型エピタキシャル層内部）により深く拡散（熱拡散）してしまうため狙い通りの拡散領域深さに調節することが困難であるという問題がある。
しかも、上記いずれの場合にも、オートドープ防止用のためだけに、ＣＶＤ法或いは熱酸化膜法によって特別に酸化膜を形成する必要がある。
【０００４】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、拡散ウェーハに対し、オートドープ防止用の酸化膜を好適に形成してシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、拡散終了時に拡散ウェーハの主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜のうち、表層部を除去した残りの部分をオートドープ防止用に用いて、該拡散ウェーハの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハを製造することを特徴としている。
【０００６】
本発明によれば、シリコンウェーハの主表面側にドーパントを拡散する際に拡散ウェーハの主裏面側にも同時に形成される主裏面側酸化膜をオートドープ防止用に用いて、該拡散ウェーハの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハを製造するので、拡散を行った後、新たにオートドープ防止用の酸化膜を形成する必要がない。
ただし、主裏面側酸化膜のうち表層部には拡散されたドーパントが残存するので、表層部を除去する必要がある。他方、主裏面側酸化膜のうち、表層部を除去した残りの部分には、ドーパントが殆どドープされていないので、該残りの部分からは、加熱によっても実質的にドーパントが放出されることがない。従って、主裏面側酸化膜のうち、該残りの部分をオートドープ防止用に用いて気相成長を行うことにより、シリコンエピタキシャル層内へのオートドープの発生を好適に抑制することができる。
すなわち、拡散終了時に拡散ウェーハの主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜を、その表層部のみ除去することによって、オートドープ防止用に好適に転用することができる。
【０００７】
ここで、主裏面側酸化膜の表層部の除去は、バッファードフッ酸（ＮＨ4Ｆ／ＨＦ／Ｈ2Ｏ）を用いて行うことが好ましい。すなわち、酸化膜のエッチングは、バッファードフッ酸を用いて行うことにより、そのエッチング量の制御が容易になるので、主裏面側酸化膜のうち、表層部のみを除去することが可能となり、残りの部分を気相成長の際のオートドープ防止用に用いることができる。
【０００８】
なお、拡散に供するシリコンウェーハは、例えば高濃度にドープされたシリコン単結晶基板の主表面上に、低濃度にドープされた第１のシリコンエピタキシャル層を気相成長することにより得られる第一次シリコンエピタキシャルウェーハ（本発明の結果物であるシリコンエピタキシャルウェーハとは異なる。）である。さらに、拡散により、この第１のシリコンエピタキシャル層の表層部にドーパントの拡散領域を形成することにより、拡散ウェーハを得る。加えて、該拡散ウェーハの主表面上に気相成長するシリコンエピタキシャル層は、例えば低濃度にドープされた第２のシリコンエピタキシャル層である。そして、この第２のシリコンエピタキシャル層を拡散ウェーハの主表面上に気相成長することにより、本発明の結果物であるシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【０００９】
また、本発明は、ドーパントがドープされた拡散領域を主表面に位置選択的に備える拡散ウェーハを用いる場合、すなわち、拡散に供するシリコンウェーハの主表面側酸化膜にパターン開口部を形成した状態で拡散を行う場合に適用しても良いし、或いは、主表面の全面にドーパントがドープされた拡散ウェーハを用いる場合に適用しても良い。
【００１０】
このうち、拡散領域を位置選択的に備える拡散ウェーハに本発明を適用する場合には、より具体的には、例えば、拡散後の段階の主裏面側酸化膜上にレジストを形成し、次に、拡散ウェーハをバッファードフッ酸に浸漬して該バッファードフッ酸によるウェットエッチングにより主表面側酸化膜をその表層部のみ除去し、次に、レジストを除去し、次に、拡散ウェーハをバッファードフッ酸に浸漬して該バッファードフッ酸によるウェットエッチングにより、主表面側酸化膜のうち残りの部分と、主裏面側酸化膜のうち表層部のみと、を一度に除去し、主裏面側酸化膜のうち残りの部分をオートドープ防止用に用いて、気相成長を行うことが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
以下、図面を参照して、本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の第１の実施の形態について、工程毎に詳細に説明する。
【００１２】
＜第１の気相成長工程＞
先ず、図１（ａ）に示すように、ｐ+型のシリコン単結晶基板１（以下、単にシリコン基板１ともいう。）を準備し、このシリコン基板１の主表面上に、従来周知の気相成長法により、第１のｐ-型シリコンエピタキシャル層２（図１（ｂ）；以下、単にエピタキシャル層２ともいう。）を形成する（気相成長する）。これにより、図１（ｂ）に示すように、第一次シリコンエピタキシャルウェーハ３（以下、単にエピタキシャルウェーハ３ともいう。）が得られる。
【００１３】
＜酸化膜形成工程＞
次に、図２に示すように、シリコン基板１とエピタキシャル層２とからなるエピタキシャルウェーハ３の表面にシリコン酸化膜を形成する。
この酸化膜は、具体的には、例えば、熱酸化により形成する。すなわち、エピタキシャルウェーハ３に加熱を施しつつ、例えば酸素を供給して、該エピタキシャルウェーハ３の表面上の全域に、熱酸化膜を形成する。
なお、以下では、この形成した酸化膜のうち、エピタキシャルウェーハ３の主表面側の部分を主表面側酸化膜４１、主裏面側の部分を主裏面側酸化膜４２と、それぞれ称する（図２）。
【００１４】
＜パターン開口部形成工程＞
次に、図３（ｃ）に示すように、従来周知のフォトリソグラフィー法により、主表面側酸化膜４１の所望箇所に、つまり、主表面側酸化膜４１に位置選択的にパターン開口部４１ａを形成する。
このためには、先ず、図３（ａ）に示すように、主表面側酸化膜４１上には、位置選択的に開口部５１ａを有するレジストパターン５１を形成し、主裏面側酸化膜４２上には、該主裏面側酸化膜４２がエッチング除去されないようにその全面にレジスト５２を形成する。次に、エピタキシャルウェーハ３を例えばバッファードフッ酸に浸漬してウェットエッチングを行う。すると、該バッファードフッ酸により、レジストパターン５１の開口部５１ａを介して主表面側酸化膜４１が位置選択的にエッチングにより除去される。この結果、図３（ｂ）に示すように、主表面側酸化膜４１には、位置選択的にパターン開口部４１ａが形成される。次に、シリコンエピタキシャルウェーハ３をレジスト除去洗浄液（硫酸と過酸化水素水との混合液）に浸漬して従来周知のレジスト除去洗浄を行う。すると、レジスト除去洗浄液により、レジストパターン５１およびレジスト５２が洗浄除去されて、図３（ｃ）に示す状態となる。
【００１５】
＜拡散工程＞
次に、エピタキシャルウェーハ３のエピタキシャル層２の表層部に対しドーパント（例えば、Ｓｂ（アンチモン））をドープする拡散を行い、拡散ウェーハ７とする。
即ち、エピタキシャルウェーハ３を、従来周知の熱拡散炉に投入し、所要の温度に加熱すると共に、主表面側酸化膜４１のパターン開口部４１ａを介して、エピタキシャル層２の表面にドーパントを供給する。これにより、エピタキシャル層２において、主表面側酸化膜４１のパターン開口部４１ａを介して露出している部分にドーパントが浅く熱拡散される。この結果、図４（ａ）に示すように、エピタキシャル層２の表層部に、位置選択的に拡散層２ａが形成される。
即ち、拡散を、該拡散に供するエピタキシャルウェーハ（シリコンウェーハ）３の主表面側酸化膜にパターン開口部を形成した状態で行うことにより、位置選択的に行う。
その後、例えば、拡散ウェーハ７の主表面に酸素等を供給することにより拡散層２ａの表面を酸化させて、該拡散層２ａ上に酸化膜６（図４（ｂ））を形成し、拡散層２ａへのドーパントの供給を中止する。さらに、所定の温度に加熱していわゆるドライブインを行うことにより、拡散層２ａを所望の深さに拡大する。この際、酸化膜６は拡散層２ａからドーパントが放出してしまうことを防ぐキャップ膜として機能する。
以上において、図４（ｂ）に示すように、所望の拡散深さの拡散層２ａを有する拡散ウェーハ７が得られる。
【００１６】
なお、拡散工程を行うことにより、主表面側酸化膜４１の表層部には、ドーパントがドープされたドープ層４１ｂが形成され、同様に、主裏面側酸化膜４２の表層部にも、ドーパントがドープされたドープ層４２ａが形成される。
【００１７】
＜主表面側酸化膜除去工程＞
次に、図５（ｂ）に示すように、主表面側酸化膜４１の例えば全てを一度に除去する。
このためには、先ず、図５（ａ）に示すように、拡散ウェーハ７の主裏面上にレジスト８を形成し、主裏面側酸化膜４２がエッチングされないように保護する。次に、拡散ウェーハ７を例えばバッファードフッ酸に浸漬してウェットエッチングを行うことにより、図５（ｂ）に示すように、主表面側酸化膜４１を全て除去する。この際、酸化膜６も一緒に除去される。
【００１８】
＜主裏面側酸化膜の表層部除去工程＞
次に、図５（ｄ）に示すように、主裏面側酸化膜４２のうち、表層部のみを除去する。ここで、該表層部とは、ドーパントがドープされたドープ層４２ａを少なくとも含む部分である。
該表層部を除去するために、先ず、拡散ウェーハ７をレジスト除去洗浄液に浸漬してレジスト８を除去することにより、図５（ｃ）に示すように、主裏面側酸化膜４２を露出させる。次に、拡散ウェーハ７を例えばバッファードフッ酸に浸漬してウェットエッチングを行うが、このエッチングを行う時間の長さを、主裏面側酸化膜４２のうち、ドープ層４２ａを含む表層部のみを除去可能な所定時間に設定する。このようなエッチングを行うことにより、図５（ｄ）に示すように、主裏面側酸化膜４２のうち、ドープ層４２ａを含む表層部のみを除去することができる。
なお、主裏面側酸化膜４２のうち、ドープ層４２ａを含む表層部を除去した残りの部分は、後述する第２の気相成長工程にてオートドープ抑制機能を奏するオートドープ防止膜４２ｂとなる。すなわち、主裏面側酸化膜４２のうちオートドープ防止膜４２ｂは、ドーパントがドープされているドープ層４２ａを含まないので（次ぎに成長するシリコンエピタキシャル層９の特性に影響するほどのドーパントを含有しないので）、気相成長中に自らドーパントを放出することが実質的になく、オートドープ抑制機能を好適に奏することができるのである。
【００１９】
＜第２の気相成長工程＞
次に、拡散ウェーハ７の主表面上に、従来周知の気相成長法によりｐ-型シリコンエピタキシャル層９（以下、単にエピタキシャル層９ともいう。）を積層形成することにより、図６に示すように、埋め込み拡散領域（つまり、拡散層２ａ）を位置選択的に有するシリコンエピタキシャルウェーハ１０（以下、単にエピタキシャルウェーハ１０ともいう。）を製造することができる。
この気相成長の際には、シリコン基板１からドーパントが気相中に外方拡散してしまうことをオートドープ防止膜４２ｂにより防止することができる。従って、エピタキシャル層９へのオートドープを防止することができる。
【００２０】
このような第１の実施の形態によれば、シリコンエピタキシャルウェーハ３の主表面側にドーパントの拡散を行うことにより得られる拡散ウェーハ７の主裏面側に、拡散終了時に形成されている主裏面側酸化膜４２のうち、ドープ層４２ａを含む表層部を除去した残りの部分であるオートドープ防止膜４２ｂをオートドープ防止用に用いて、該拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハ１０を製造するので、拡散を行った後、オートドープ防止用のためだけに酸化膜を新たに形成する必要がない。
また、オートドープ防止膜４２ｂは、シリコンエピタキシャル層９の特性に影響するほどのドーパントを含有しない。従って、拡散工程で形成された酸化膜の一部をオートドープ防止膜４２ｂとしてオートドープ防止用に用いて気相成長を行うことにより、シリコンエピタキシャル層９内へのオートドープの発生を好適に抑制することができる。
さらに、主裏面側酸化膜４２の表層部の除去を、バッファードフッ酸を用いて行うので、エッチング量の制御が容易になり、主裏面側酸化膜４２のうち、表層部のみを除去することにより、オートドープ防止膜４２ｂを残すことが可能となる。
以上要するに、本実施の形態によれば、拡散終了時に拡散ウェーハ７の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜４２（の一部であるオートドープ防止膜４２ｂ）を、オートドープ防止用に好適に適用することができる。
【００２１】
〔第２の実施の形態〕
ところで、上記の第１の実施の形態のように、拡散工程の後、主表面側酸化膜４１の全てをウェットエッチングにより一度に除去すると、エッチングにムラが生じ、拡散ウェーハ７の主表面に深さ１８ｎｍ程度で不特定形状の段差１０１（図８）が形成されることがある。なお、この段差の形成位置には、再現性が無い。
第２の実施の形態では、本発明において、上記段差の形成を防止し得るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法について説明する。
【００２２】
この第２の実施の形態は、以下に説明する点の他は、上記の第１の実施の形態と同様であるので、同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
すなわち、第２の実施の形態では、上記拡散工程（図４）までは、上記第１の実施の形態と同様に行う。
そして、拡散工程の後は、以下に説明する各工程を行う。
【００２３】
＜主表面側酸化膜の表層部除去工程＞
すなわち、拡散工程の後は、図７（ｂ）に示すように、主表面側酸化膜４１のうち、表層部のみを除去する。ここで、該表層部とは、拡散時にドーパントがドープされたドープ層４１ｂを少なくとも含む部分である。
該表層部を除去するためには、先ず、図７（ａ）に示すように、拡散ウェーハ７の主裏面上にレジスト８を形成し、主裏面側酸化膜４２がエッチングされないように保護する。次に、拡散ウェーハ７を例えばバッファードフッ酸に浸漬してウェットエッチングを行うが、このエッチングを行う時間の長さを、主表面側酸化膜４１のうち、ドープ層４１ｂを含む表層部のみを除去可能な所定時間に設定する。これにより、図７（ｂ）に示すように、主表面側酸化膜４１のうち、ドープ層４１ｂを含む表層部のみを除去することができる。
【００２４】
＜主裏面側酸化膜の表層部除去工程＞
次に、図７（ｄ）に示すように、主裏面側酸化膜４２のうちドープ層４２ａを含む表層部のみと、主表面側酸化膜４１のうち残りの部分と、を一度に除去する。
このためには、先ず、拡散ウェーハ７をレジスト除去洗浄液に浸漬してレジスト８を除去することにより、図７（ｃ）に示すように、主裏面側酸化膜４２を露出させる。次に、拡散ウェーハ７を例えばバッファードフッ酸に浸漬してウェットエッチングを行うが、このエッチングを行う時間の長さを、残りの主表面側酸化膜４１と、主裏面側酸化膜４２のうちドープ層４２ａを含む表層部のみと、を一度に除去可能な所定時間に設定する。このようなエッチングを行うことにより、図７（ｄ）に示すように、主表面側酸化膜４１については、残る全てを除去することができるとともに、主裏面側酸化膜４２については、ドープ層４２ａを含む表層部のみを除去して、オートドープ防止膜４２ｂを形成することができる。
その後は、上記第１の実施の形態と同様に、拡散ウェーハ７の主表面上に、エピタキシャル層９を積層形成することにより、エピタキシャルウェーハ１０を製造することができる（図６）。
【００２５】
このような第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果が得られる他、第１の実施の形態の場合には拡散ウェーハ７の主表面に形成されることがある段差の発生を防止できる。
【００２６】
ここで、より具体的には、第１の実施の形態の要領でのシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、図５（ａ）の状態から図５（ｂ）の状態にかけて行うウェットエッチングの時間の長さを、例えば９分に設定して主表面側酸化膜４１を完全に除去し、図５（ｃ）の状態から図５（ｄ）の状態にかけて行うバッファードフッ酸によるウェットエッチングの時間の長さを、例えば５分に設定して主裏面側酸化膜４２の表層部のみをエッチング除去すると良い。しかしながら、この場合には、拡散ウェーハ７の主表面上に、深さが例えば１８ｎｍ程度の段差が形成される。
他方、第２の実施の形態の要領でのシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、図７（ａ）の状態から図７（ｂ）の状態にかけて行うバッファードフッ酸によるウェットエッチングの時間の長さを、例えば５分に設定して主表面側酸化膜４１の表層部のみをエッチング除去し、図７（ｃ）の状態から図７（ｄ）の状態にかけて行うウェットエッチングの時間の長さを、例えば５分に設定して残りの主表面側酸化膜４１と主裏面側酸化膜４２の表層部のみとをエッチング除去すると良い。この場合には、主表面側酸化膜４１を二段階でエッチング除去することにより、拡散ウェーハ７の主表面上に段差が形成されてしまうことを好適に防止することができることが、本発明者等の実験により明らかになっている。
なお、本実施の形態で使用したバッファードフッ酸による酸化膜のエッチング速度は、６１ｎｍ／分程度であるため、このエッチング速度を基に、ウェットエッチングの時間の長さを適宜算出して設定することにより、各酸化膜４１，４２のうち、表層部のみを除去可能となる。
【００２７】
上記の実施の形態では、拡散を位置選択的に行って得られる拡散ウェーハを用いる場合に本発明を適用する例について説明したが、これに限らず、拡散を主表面の全面に行う場合に適用しても良い。この場合には、埋め込み拡散領域（つまり、拡散層２ａ）を全面に有するシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【００２８】
【発明の効果】
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、拡散ウェーハの主裏面側に、拡散終了時に形成されている主裏面側酸化膜のうち、表層部を除去した残りの部分をオートドープ防止用に用いて、該拡散ウェーハの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハを製造するので、拡散を行った後、新たにオートドープ防止用のためだけに酸化膜を形成する必要がない。
しかも、主裏面側酸化膜のうち表層部を除去した残りの部分は、加熱によってもシリコンエピタキシャル層の特性に影響を与えるほどのドーパントが放出することがないので、該残りの部分をオートドープ防止用に用いて気相成長を行うことにより、シリコンエピタキシャル層内へのオートドープの発生を好適に抑制することができる。
つまり、要するに、拡散終了時に拡散ウェーハの主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜の一部を、オートドープ防止用に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の第１の実施の形態を説明するための一連の模式的な工程図である。
【図２】本発明にかかるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の第１の実施の形態を説明するための一連の模式的な工程図である。
【図３】本発明にかかるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の第１の実施の形態を説明するための一連の模式的な工程図である。
【図４】本発明にかかるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の第１の実施の形態を説明するための一連の模式的な工程図である。
【図５】本発明にかかるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の第１の実施の形態を説明するための一連の模式的な工程図である。
【図６】本発明にかかるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の第１の実施の形態を説明するための一連の模式的な工程図である。
【図７】本発明にかかるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の第２の実施の形態を説明するための一連の模式的な工程図である。
【図８】段差を説明するための模式的な図である。
【符号の説明】
７      拡散ウェーハ
４１    主表面側酸化膜
４２    主裏面側酸化膜
４２ａ  ドープ層（主裏面側酸化膜の表層部の少なくとも一部）
４２ｂ  オートドープ防止膜（主裏面側酸化膜のうち表層部を除去した残りの部分）
９      シリコンエピタキシャル層
１０    シリコンエピタキシャルウェーハ
１０１  段差
【図１】
0003719217.tif 000002
【図２】
0003719217.tif 000003
【図３】
0003719217.tif 000004
【図４】
0003719217.tif 000005
【図５】
0003719217.tif 000006
【図６】
0003719217.tif 000007
【図７】
0003719217.tif 000008
【図８】
0003719217.tif 000009