【手続補正書】
【提出日】令和2年11月24日(2020.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンド及び／又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系領域に密着するか或いは近接するように形成される昇温層を加熱し、該昇温層を介して上記ダイヤモンド系領域を加熱して、該ダイヤモンド系材料のグラファイト成分を増加させることで、上記ダイヤモンド系領域の中に上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さくなる導電性領域を部分的に形成する事を特徴とする、
ダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項２】
前記ダイヤモンド系領域を冷却する冷却工程を有することを特徴とする、
請求項１に記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項３】
ダイヤモンド系領域を、予め、導電性領域の変性に必要な熱量に若干満たない温度域に昇温することを特徴とする、
請求項１又は２に記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項４】
基材に対して直接的又は間接的に、ダイヤモンド及び／又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系層を設けるカーボン成層工程と、
上記ダイヤモンド系層に密着するか或いは近接するように昇温層を形成し、上記昇温層を加熱することによりダイヤモンド系層を加熱して該ダイヤモンド系材料のグラファイト成分を増加させることで、上記ダイヤモンド系層の中に上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さくなる導電性領域を部分的に形成する導電部形成工程と、を備える事を特徴とする、
ダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項５】
前記ダイヤモンド系層を冷却する冷却工程を有することを特徴とする、
請求項４に記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項６】
前記導電部形成工程と前記冷却工程を同時に行うことを特徴とする、
請求項５に記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項７】
前記ダイヤモンド系層に対して非炭素成分をドープするドーピング工程を有することを特徴とする、
請求項４乃至６のいずれかに記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項８】
前記ダイヤモンド系層を、予め、導電性領域の変性に必要な熱量に若干満たない温度域に昇温することを特徴とする、
請求項４乃至７のいずれかに記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項９】
２以上の方向からレーザを交差するように照射し、ダイヤモンド及び／又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系領域を該交差点で局所的に加熱して、該ダイヤモンド系材料のグラファイト成分を増加させることで、上記ダイヤモンド系領域の中に上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さくなる導電性領域を部分的に形成する事を特徴とする、
ダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項１０】
前記ダイヤモンド系領域を冷却する冷却工程を有することを特徴とする、
請求項９に記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項１１】
ダイヤモンド系領域を、予め、導電性領域の変性に必要な熱量に若干満たない温度域に昇温することを特徴とする、
請求項９又は１０に記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項１２】
基材に対して直接的又は間接的に、ダイヤモンド及び／又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系層を設けるカーボン成層工程と、
上記ダイヤモンド系層に２以上の方向からレーザを交差するように照射して上記交差点を局所的に加熱し、該ダイヤモンド系材料のグラファイト成分を増加させることで、上記ダイヤモンド系層の中に上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さくなる導電性領域を部分的に形成する導電部形成工程と、を備える事を特徴とする、
ダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項１３】
前記ダイヤモンド系層を冷却する冷却工程を有することを特徴とする、
請求項１２に記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項１４】
前記導電部形成工程と前記冷却工程を同時に行うことを特徴とする、
請求項１３に記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項１５】
前記ダイヤモンド系層に対して非炭素成分をドープするドーピング工程を有することを特徴とする、
請求項１２乃至１４のいずれかに記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【請求項１６】
前記ダイヤモンド系層を、予め、導電性領域の変性に必要な熱量に若干満たない温度域に昇温することを特徴とする、
請求項１２乃至１５のいずれかに記載のダイヤモンド系通電構造の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ダイヤモンド系通電構造の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上記目的を達成する本発明は、ダイヤモンド及び／又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系領域に密着するか或いは近接するように形成される昇温層を加熱し、該昇温層を介して上記ダイヤモンド系領域を加熱して、該ダイヤモンド系材料のグラファイト成分を増加させることで、上記ダイヤモンド系領域の中に上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さくなる導電性領域を部分的に形成する事を特徴とする、ダイヤモンド系通電構造の製造方法である。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、前記ダイヤモンド系領域を冷却する冷却工程を有することを特徴とする。
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、予め、導電性領域の変性に必要な熱量に若干満たない温度域に昇温することを特徴とする。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上記目的を達成する本発明は、基材に対して直接的又は間接的に、ダイヤモンド及び／又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系層を設けるカーボン成層工程と、上記ダイヤモンド系層に密着するか或いは近接するように昇温層を形成し、上記昇温層を加熱することによりダイヤモンド系層を加熱して該ダイヤモンド系材料のグラファイト成分を増加させることで、上記ダイヤモンド系層の中に上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さくなる導電性領域を部分的に形成する導電部形成工程と、を備える事を特徴とする、ダイヤモンド系通電構造の製造方法である。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、前記ダイヤモンド系層を冷却する冷却工程を有することを特徴とする。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、前記導電部形成工程と前記冷却工程を同時に行うことを特徴とする。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、前記ダイヤモンドライクカーボン層に対して非炭素成分をドープするドーピング工程を有することを特徴とする。
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、前記ダイヤモンド系層を、予め、導電性領域の変性に必要な熱量に若干満たない温度域に昇温することを特徴とする。
上記目的を達成する本発明は、２以上の方向からレーザを交差するように照射し、ダイヤモンド及び／又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系領域を該交差点で局所的に加熱して、該ダイヤモンド系材料のグラファイト成分を増加させることで、上記ダイヤモンド系領域の中に上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さくなる導電性領域を部分的に形成する事を特徴とする、ダイヤモンド系通電構造の製造方法である。
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、前記ダイヤモンド系領域を冷却する冷却工程を有することを特徴とする。
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、予め、導電性領域の変性に必要な熱量に若干満たない温度域に昇温することを特徴とする。
上記目的を達成する本発明は、基材に対して直接的又は間接的に、ダイヤモンド及び／又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系層を設けるカーボン成層工程と、上記ダイヤモンド系層に２以上の方向からレーザを交差するように照射して上記交差点を局所的に加熱し、該ダイヤモンド系材料のグラファイト成分を増加させることで、上記ダイヤモンド系層の中に上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さくなる導電性領域を部分的に形成する導電部形成工程と、を備える事を特徴とする、ダイヤモンド系通電構造の製造方法である。
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、前記ダイヤモンド系層を冷却する冷却工程を有することを特徴とする。
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、前記導電部形成工程と前記冷却工程を同時に行うことを特徴とする。
上記ダイヤモンド系通電構造の製造方法に関連して、予め、導電性領域の変性に必要な熱量に若干満たない温度域に昇温することを特徴とする。