(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって、
前記第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、
前記第２のオーミック電極は、前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、
前記所定形状が、前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域であることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第１のオーミック電極は、前記共振器の両端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに前記窒化物系半導体素子の両側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１記載の窒化物系半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記基板は窒化ガリウムから構成されることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１および前記第２の窒化物系半導体層はガリウム、アルミニウム、インジウム、ホウ素およびタリウムの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。
【請求項５】
窒化物系半導体レーザ素子をサブマウントにジャンクションダウンで実装する窒化物系半導体レーザ装置の製造方法であって、
導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成され、前記第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、前記第２のオーミック電極は、前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、前記所定形状が、前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域である窒化物系半導体レーザ素子を作製する工程と、
前記窒化物系半導体レーザ素子を前記透明基板側を上にして、該透明基板方向から前記ストライプ領域の端部に形成された前記第２のオーミック電極の形状を見ながら、ジャンクションダウンでサブマウントに実装する工程とを備えたことを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の導電性を有する基板上に窒化物系半導体層が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子および窒化物系半導体レーザ装置の製造方法に関する。
【０００２】
なお、ここで、窒化物系半導体とは、ＢＮ（窒化ホウ素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）もしくはＴｌＮ（窒化タリウム）またはこれら混晶等のIII −Ｖ族窒化物系半導体のことである。
【０００３】
【従来の技術】
従来、導電性を有しかつ透明なＧａＮ、ＳｉＣ等からなる基板上に窒化物系半導層が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子においては、例えば応用物理，第６８巻，第７号（１９９９）のｐ．７９７〜８００に記載されたように、窒化物系半導体層上に所定の形状にパターニングされた電極が形成されている。一方、基板の裏面に形成される電極にはパターニングがほどこされず、基板の裏面全体に電極が形成されている。
【０００４】
図９は、ＧａＮ基板上に窒化物系半導体層が形成されてなる従来の窒化物系半導体レーザ素子の一例を示す模式的な透視斜視図である。
【０００５】
図９の半導体レーザ素子においては、導電性を有するｎ−ＧａＮからなる透明基板５１上に、ｎ−ＡｌＧａＮからなるｎ−クラッド層５２、ｎ−ＧａＮからなるｎ−光ガイド層５３、多重量子井戸構造を有するＭＱＷ活性層５４、ｐ−ＡｌＧａＮからなるｐ−キャップ層５５、ｐ−ＧａＮからなるｐ−光ガイド層５６およびｐ−ＡｌＧａＮからなるｐ−クラッド層５７が順に積層されてなる。このｐ−クラッド層５７にはストライプ状のリッジ部５０が形成されている。また、ｐ−クラッド層５７の平坦部上にはｎ−ＡｌＧａＮからなるｎ−電流ブロック層５８が形成されている。さらに、このｎ−電流ブロック層５８上およびリッジ部５０のｐ−クラッド層５７上にｐ−ＧａＮからなるｐ−コンタクト層５９が形成されている。
【０００６】
透明基板５１の結晶成長層側と反対側の面（以下、裏面と呼ぶ）上においては、面全体を被覆するようにｎ電極６０が形成されている。
【０００７】
一方、ｐ−コンタクト層５９上においては、共振器長方向の両端面（以下、共振器端面と呼ぶ）側の辺に沿ったストライプ状領域および共振器長方向と垂直な方向の両端面（以下、側面と呼ぶ）側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域にｐ電極６１が形成されている。このように、上記の半導体レーザ素子においては、ｐ電極６１が所定の形状にパターニングされており、両方の共振器端面側のストライプ状領域および両方の側面側のストライプ状領域においてはｐ−コンタクト層５９が露出している。
【０００８】
上記の半導体レーザ素子の作製時においては、まず透明基板５１上に各層５２〜５９を成長させる。そして、透明基板５１上に各層５２〜５９が形成されてなる半導体ウエハにおいて、透明基板５１の裏面全体にｎ電極６０を形成し、また、半導体ウエハのｐ−コンタクト層５９上に所定の形状にパターニングされたｐ電極６１を形成する。この場合においては、各ｐ電極６１間で格子状にｐ−コンタクト層５９が露出するように半導体ウエハのｐ−コンタクト層５９上に四角形形状にパターニングされた複数のｐ電極６１を形成する。
【０００９】
上記のようにしてｎ電極６０およびｐ電極６１を形成した後、ｐ電極６１間で露出したｐ−コンタクト層５９の領域をｐ−コンタクト層５９側から共振器長方向と垂直な方向に沿ってスクライブして傷を形成する。そして、この傷に沿って半導体ウエハを劈開し、複数のストライプ状の半導体ウエハに分割する。このようにして劈開により共振器端面を露出させ、共振器を作製する。そして、この共振器端面に保護膜を形成する。
【００１０】
さらに、分割したストライプ状の半導体ウエハにおいて、ｐ電極６１間で露出したｐ−コンタクト層５９の領域をｐ−コンタクト層５９側から共振器長方向と平行な方向に沿ってスクライブして傷を形成する。そして、このスクライブの傷に沿ってストライプ状の半導体ウエハをさらに劈開して素子分離を行い、図９に示す半導体レーザ素子を形成する。
【００１１】
このように、上記の半導体レーザ素子の作製時においては、パターニングされたｐ電極６１およびｐ電極６１間で露出したｐ−コンタクト層５９をスクライブを行う部分の目印として用いている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、半導体レーザ素子の作製時においては、共振器の作製工程および素子分離工程においてｐ−コンタクト層５９側からスクライブを行って傷を形成する。
【００１３】
ここで、窒化物系半導体は非常に硬い材料であることから、スクライブを行う際にはｐ−コンタクト層５９側から大きな圧力を加えてスクライブを行う必要がある。また、共振器の作製工程および素子分離工程において劈開を容易に行うためにｐ−コンタクト層５９側から深い傷を形成する必要がある。このため、上記のようにｐ−コンタクト層５９側からスクライブを行って傷を形成すると半導体レーザ素子の一部に欠損または損傷が生じるおそれがある。
【００１４】
ところで、通常、ｐ−コンタクト層５９の上面からＭＱＷ活性層５４に達するまでの深さは１μｍ程度、もしくは１μｍに満たない程度である。このため、上記のようにｐ−コンタクト層５９側から大きな圧力を加えてスクライブを行って深い傷を形成すると、ｐ−コンタクト層５９側から比較的近い位置に形成されているＭＱＷ活性層５４に大きな損傷を与えるおそれがある。このようにＭＱＷ活性層５４が損傷を受けた場合においては、半導体レーザ素子の素子特性が劣化する。
【００１５】
本発明の目的は、素子特性を劣化させることなく基板および基板上に形成され
た窒化物系半導体層を分割することが可能な窒化物系半導体レーザ素子および窒化物系半導体レーザ装置の製造方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明に係る窒化物系半導体素子は、導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって、第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、第２のオーミック電極は、リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上およびストライプ領域を含む所定領域上に形成され、所定形状が、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域であることを特徴とするものである。
【００１７】
なお、この場合の窒化物系半導体レーザ素子の能動素子領域とは、例えば半導体レーザ素子の活性層や発光層等に相当する。
【００１８】
本発明に係る窒化物系半導体レーザ素子においては、基板の他方の面上の共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に第１のオーミック電極が形成されている。このような窒化物系半導体レーザ素子の作製時においては、第１のオーミック電極間で露出したストライプ状の領域において基板を第１および第２の窒化物系半導体層ならびに能動素子領域とともに分割する。このように、上記の窒化物系半導体レーザ素子の作製時においては第１のオーミック電極間で露出した基板の所定領域を分割の目印として利用することができる。
【００１９】
上記のように、本発明に係る窒化物系半導体レーザ素子の作製時においては、基板の他方の面側から基板を第１および第２の窒化物系半導体層ならびに能動素子領域とともに分割する。ここで、上記の窒化物系半導体レーザ素子においては、基板の厚さが第１の窒化物系半導体層に比べて厚く、能動素子領域が基板の他方の面側から比較的遠い位置に形成されているため、基板の他方の面側から分割を行う場合においては分割により素子の一部に欠損または損傷が生じても、この能動素子領域は悪影響を受けない。したがって、上記の窒化物系半導体レーザ素子においては良好な素子特性が実現可能となる。
【００２０】
第２のオーミック電極は、第２の窒化物系半導体層の上面全体に形成されてもよい。この場合においては、第２のオーミック電極と第２の窒化物系半導体層との接触面積が大きくなるため、第２のオーミック電極と第２の窒化物系半導体層との接触抵抗を低減することができる。したがって、このような窒化物系半導体レーザ素子においては、動作電圧を低減することができ、動作時における発熱量を低減することができる。それにより、素子の長寿命化が図られる。
【００２１】
第２のオーミック電極は、第２の窒化物系半導体層の少なくとも一辺に沿った所定領域が露出するように第２の窒化物系半導体層上に形成されてもよい。
【００２２】
基板は透明であってもよい。この場合においては、第２の窒化物系半導体層上に形成された第２のオーミック電極を、基板を透過して基板の他面側から観察することが可能である。したがって、このような素子を基板側を上にしてジャンクションダウンで実装する場合においては、第２のオーミック電極の形状を見ながら素子を位置決めすることが可能である。このように、上記の窒化物系半導体レーザ素子を実装して装置を組み立てる場合に、組み立て精度および組み立て歩留まりが向上する。
【００２４】
基板は窒化ガリウムから構成されてもよい。第１および第２の窒化物系半導体層はガリウム、アルミニウム、インジウム、ホウ素およびタリウムの少なくとも一つを含んでもよい。
【００２５】
本発明に係る窒化物系半導体レーザ装置の製造方法は、窒化物系半導体レーザ素子をサブマウントにジャンクションダウンで実装する窒化物系半導体レーザ装置の製造方法であって、導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成され、第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、第２のオーミック電極は、リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上およびストライプ領域を含む所定領域上に形成され、所定形状が、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域である窒化物系半導体レーザ素子を作製する工程と、窒化物系半導体レーザ素子を透明基板側を上にして、透明基板方向からストライプ領域の端部に形成された第２のオーミック電極の形状を見ながら、ジャンクションダウンでサブマウントに実装する工程とを備えたものである。
【００２６】
本発明に用いられる窒化物系半導体レーザ素子の製造方法においては、導電性を有する基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域および第２導電型の第２の窒化物系半導体層が順に形成され、基板の他方の面上に、所定間隔でほぼ平行に配置される分割領域が少なくとも露出するようにパターニングされた第１のオーミック電極が形成されるとともに、第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成される。
【００２７】
このように、第１のオーミック電極間で露出した分割領域を目印として基板の他方の面側から基板を第１および第２の窒化物系半導体層ならびに能動素子領域とともに分割することができる。ここで、基板の厚さは第１の窒化物系半導体層に比べて厚く、能動素子領域が基板の他方の面側から比較的遠い位置に形成されているため、基板の裏面側から分割を行う場合においては、分割により素子の一部に欠損または損傷が生じても、この能動素子領域は悪影響を受けない。したがって、上記の窒化物系半導体レーザ素子においては良好な素子特性が実現可能となる。
【００２９】
基板が透明であってもよい。この場合においては、第２の窒化物系半導体層上に形成された第２のオーミック電極を、基板を透過して基板の他面側から観察することが可能である。したがって、このような素子を基板側を上にしてジャンクションダウンで実装する場合においては、第２のオーミック電極の形状を見ながら素子を位置決めすることが可能である。このように、上記の窒化物系半導体レーザ素子を実装して装置を組み立てる場合に、組み立て精度および組み立て歩留まりが向上する。
【００３０】
基板を分割する工程は、分割領域をスクライブする工程と、スクライブにより形成された傷に沿って基板を第１および第２の窒化物系半導体層ならびに能動素子領域とともに劈開する工程とを含んでもよい。
【００３１】
この場合、基板の他方の面にスクライブにより傷をつけて基板の他方の面側から基板を第１および第２の窒化物系半導体層ならびに能動素子領域とともに劈開することができるので、能動素子領域に悪影響を与えることなく、素子の分割を容易に行うことができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下においては、本発明に係る窒化物系半導体レーザ素子について説明する。
【００３３】
図１は、本発明の参考例に係る窒化物系半導体レーザ素子の第１の例を示す模式的な透視斜視図である。
【００３４】
図１に示すように、半導体レーザ素子５００は、ｎ−ＧａＮからなる透明基板１００上に、厚さ１μｍのｎ−Ａｌa Ｇａ1-a Ｎからなるｎ−クラッド層２１、厚さ０．１μｍのｎ−ＧａＮからなるｎ−光ガイド層２２、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有するＭＱＷ活性層２３、厚さ０．０２μｍのｐ−Ａｌb Ｇａ1-b Ｎからなるｐ−キャップ層２４、厚さ０．１μｍのｐ−ＧａＮからなるｐ−光ガイド層２５および厚さ０．５μｍのｐ−Ａｌc Ｇａ1-c Ｎからなるｐ−クラッド層２６が順に形成されてなる。このｐ−クラッド層２６には共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部２９が形成されており、さらに、ｐ−クラッド層２６の平坦部上には厚さ０．３５μｍのｎ−Ａｌd Ｇａ1-d Ｎからなるｎ−電流ブロック層２７が形成されている。このｎ−電流ブロック層２７上およびリッジ部２９のｐ−クラッド層２６上に厚さ０．１μｍのｐ−ＧａＮからなるｐ−コンタクト層２８が形成されている。
【００３５】
なお、本例においては、ｎ型ドーパントとしてＳｉが用いられており、またｐ型ドーパントとしてＭｇが用いられている。
【００３６】
上記の半導体レーザ素子５００はストライプ構造を有する。この半導体レーザ素子５００においては、共振器端面Ａがレーザ光の出射面となる。共振器端面Ａおよび共振器端面Ｂ上には保護膜が形成されている。
【００３７】
上記において、ｎ−クラッド層２１、ｐ−キャップ層２４、ｐ−クラッド層２６およびｎ−電流ブロック層２７をそれぞれ構成するＡｌＧａＮの組成、すなわちａ〜ｄの値は、０≦ａ＜ｄであり、０≦ｃ＜ｄであり、かつ０≦ｃ＜ｂである。例えばこの場合においては、ａ＝０．０７であり、ｂ＝０．２５であり、ｃ＝０．０７であり、ｄ＝０．１２である。
【００３８】
また、上記のＭＱＷ活性層２３は、厚さ８０ÅのＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎからなる３つの量子井戸層と、厚さ１６０ÅのＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎからなる４つの量子障壁層とが交互に積層されてなる多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
【００３９】
上記の半導体レーザ素子５００においては、透明基板１００の結晶成長層側と反対側の面（以下、裏面と呼ぶ）上にｎ電極１が形成されている。また、ｐ−コンタクト層２８上にはｐ電極２が形成されている。以下、このｎ電極１およびｐ電極２の詳細について説明する。
【００４０】
図２は、図１の半導体レーザ素子５００を上側および下側から観察した場合の模式的な平面図である。ここで、図２（ａ）は、半導体レーザ素子５００をｐ−コンタクト層２８側から観察した場合について示している。また、図２（ｂ）は、半導体レーザ素子５００を透明基板１００の裏面側から観察した場合について示している。なお、ｎ電極１およびｐ電極２において、２本の破線で囲まれたストライプ領域２９ａは、ストライプ状のリッジ部２９の下方および上方の領域を示すものである。
【００４１】
図２（ａ）に示すように、半導体レーザ素子５００においては、ｐ−コンタクト層２８の上面全体にｐ電極２が形成されている。このように、本例の半導体レーザ素子５００においては、ｐ電極２がパターニングされていない。
【００４２】
一方、図２（ｂ）に示すように、半導体レーザ素子５００の透明基板１００の裏面においては、共振器端面Ａ側の辺に沿ったストライプ状の領域および共振器端面Ｂ側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域にｎ電極１が形成されている。
【００４３】
このように、本例の半導体レーザ素子５００においては、透明基板１００の裏面に形成されたｎ電極１がパターニングされている。この場合、共振器端面Ａ，Ｂ側のストライプ状の領域においては透明基板１００が露出している。
【００４４】
本例の半導体レーザ素子５００は、以下の方法により作製される。
半導体レーザ素子５００の作製時においては、まず、透明基板１００の一方の面上に各層２１〜２８を形成する。このようにして、透明基板１００上に各層２１〜２８が形成されてなる半導体ウエハ６００（後述する図３参照）を作製する。その後、半導体ウエハ６００の透明基板１００の裏面に所定の形状にパターニングされたｎ電極１を形成するとともに、ｐ−コンタクト層２８の上面全体にｐ電極２を形成する。
【００４５】
図３は、ｎ電極１が所定の形状に形成された半導体ウエハ６００を透明基板１００の裏面側から観察した場合の模式的な平面図である。
【００４６】
図３に示すように、半導体ウエハ６００の透明基板１００の裏面側には、複数のストライプ状のｎ電極１が所定の間隔でほぼ平行に配置されており、各ｎ電極１間のストライプ状の領域においては透明基板１００が露出している。
【００４７】
なお、ｎ電極１間で露出した透明基板１００の領域の中央に示した破線３０は、後述する共振器作製工程における半導体ウエハ６００の分割線である。この場合においては、ｎ電極１間で露出した透明基板１００の領域が分割領域に相当する。
【００４８】
本例においては、例えばエッチング法またはリフトオフ法によりｎ電極１のパターニングを行う。ここで、例えばこの場合のｎ電極１は、Ｔｉ膜、Ａｌ膜およびＴｉ膜がこの順で積層されてなるか、Ｔｉ膜およびＡｌ膜がこの順で積層されてなるか、Ｎｉ膜、Ｔｉ膜およびＡｕ膜がこの順で積層されてなるか、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜がこの順で積層されてなる。
【００４９】
一方、ｐ電極２の形成工程においては、パターニングを行わずにｐ−コンタクト層２８の上面全体にｐ電極２を形成する。例えばこの場合のｐ電極２は、Ｎｉ膜からなるか、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜がこの順で積層されてなるか、Ｐｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜がこの順で積層されてなるか、Ｎｉ膜、Ａｕ膜、Ｔｉ膜およびＡｕ膜がこの順で積層されてなるか、Ｎｉ膜およびＡｕ膜がこの順で積層されてなるか、Ｎｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜がこの順で積層されてなる。
【００５０】
なお、上記のｎ電極１を構成する材料とｐ電極２を構成する材料との組み合わせは任意である。また、ｎ電極１およびｐ電極２を形成する順序は任意である。
【００５１】
上記のようにしてｎ電極１およびｐ電極２を形成した後、ストライプ状のｎ電極１の間で露出した透明基板１００の各領域を透明基板１００側から破線３０に沿ってスクライブして傷を形成する。そして、この傷に沿って半導体ウエハ６００を劈開する。それにより、図３（ｂ）に示すような複数のストライプ状の半導体ウエハ６００ａに分割し、共振器端面Ａおよび共振器端面Ｂを露出させて共振器を作製する。なお、図３（ｂ）中の破線３１は後述する素子分離工程における素子の分離線である。
【００５２】
このように、本例においては、パターニングされたｎ電極１およびそのｎ電極１間で露出した透明基板１００の領域をスクライブを行う部分の目印として用いている。
【００５３】
上記のように、本例の共振器作製工程においては、透明基板１００の裏面側からスクライブを行って傷を形成する。ここで、この場合においては、透明基板１００の裏面からＭＱＷ活性層２３に達するまでの距離が５０〜２５０μｍ程度であり、ＭＱＷ活性層２３は透明基板１００の裏面から比較的遠い位置に形成されている。このため、透明基板１００の裏面側から大きな圧力を加えてスクライブを行っても、また、透明基板１００の裏面側から深い傷を形成しても、ＭＱＷ活性層２３に大きな欠損または損傷が生じるおそれがない。また、スクライブにより発生した素子の欠損または損傷がＭＱＷ活性層２３に悪影響を及ぼすおそれがない。
【００５４】
上記のようにして共振器を作製した後、図３（ｃ）に示すように、劈開によりストライプ状の半導体ウエハ６００ａをさらに破線３１沿って共振器長方向と平行な方向に分割する。このようにして個々の半導体レーザ素子５００に分離する。
【００５５】
ここで、上記の素子分離工程においては、ｎ電極１側からスクライブを行って半導体ウエハ６００ａを劈開してもよく、あるいはｐ電極２側からスクライブを行って半導体ウエハ６００ａを劈開してもよい。ｐ電極２側からスクライブを行う場合においては、ＭＱＷ活性層２３の側面およびその近傍の領域に欠損または損傷が生じるおそれがあるが、ＭＱＷ活性層２３の側面およびその近傍の領域に生じた欠損または損傷は素子特性にほとんど影響しない。
【００５６】
以上のように、上記の半導体レーザ素子５００の製造方法においては、ＭＱＷ活性層２３から比較的離れて位置している透明基板１００の裏面側からスクライブを行って傷を形成する。このため、スクライブによりＭＱＷ活性層２３に欠損または損傷が生じることはなく、また、スクライブにより素子の一部が欠損または損傷してもＭＱＷ活性層２３に悪影響を及ぼすことはない。したがって、このような方法により作製された半導体レーザ素子５００においては、良好な素子特性が得られる。
【００５７】
また、半導体レーザ素子５００においては、ｐ電極２がｐ−コンタクト層２８の上面全体に形成されている。このため、ｐ電極２とｐ−コンタクト層２８との接触面積が大きい。したがって、半導体レーザ素子５００においては、ｐ電極２とｐ−コンタクト層２８との間の接触抵抗が低減され、良好なオーミック接触を得ることができる。それにより、動作電圧を低減することが可能となり、動作時における発熱量を低減することができる。その結果、半導体レーザ素子５００においては素子の劣化が防止され、長寿命化が実現可能となる。
【００５８】
図４は、本発明に係る半導体レーザ素子の第１の例を示す模式的な平面図である。図４（ａ）は、本例の半導体レーザ素子５０１をｐ−コンタクト層２８側から観察した場合の図であり、図４（ｂ）は、本例の半導体レーザ素子５０１を透明基板１００の裏面側から観察した場合の図である。
【００５９】
本例の半導体レーザ素子５０１は、以下の点を除いて、図１の半導体レーザ素子５００と同様の構造を有する。
【００６０】
図４（ａ）に示すように、半導体レーザ素子５０１においては、ｐ−コンタクト層２８のストライプ領域２９ａの両端部近傍上およびストライプ領域２９ａを含む四角形形状の所定領域上にｐ電極４が形成されている。なお、この場合の四角形形状の所定領域とは、共振器端面Ａ，Ｂ側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域のことである。
【００６１】
本例の半導体レーザ素子５０１においては、このようにストライプ領域２９ａ全体を被覆するようにｐ電極４が形成されているので、ストライプ領域２９ａ全体に均一に電流を注入することができる。
【００６２】
本例の半導体レーザ素子５０１は、以下の点を除いて、半導体レーザ素子５００の作製方法と同様の方法により作製される。
【００６３】
半導体レーザ素子５０１の作製時においては、透明基板１００上に各層２１〜２８を成長させた後、半導体レーザ素子５００のｎ電極１の形成時と同様の方法により、ｎ電極３をパターニングする。そして、このｎ電極３のパターンの位置に合わせてさらにｐ電極４のパターニングを行う。
【００６４】
ここで、透明基板１００の裏面側に形成されたｎ電極３のパターンを透明基板１００および各層２１〜２８を透過して見ることができる。したがって、透過して見えるｎ電極３のパターンを見ながらｐ電極４のパターニングを行うことにより、ｎ電極３とｐ電極４との位置合わせを容易に行うことが可能となる。
【００６５】
上記のようにしてｐ電極４のパターニングを行った後、半導体レーザ素子５００の場合と同様の方法により、パターニングされたストライプ状のｎ電極３の間で露出した透明基板１００の所定領域にストライプ状のｎ電極３に沿ってスクライブにより傷を形成する。さらに、この傷に沿って半導体ウエハを分割して共振器端面Ａ，Ｂを露出させ、共振器を作製する。
【００６６】
ここで、本例の半導体レーザ素子５０１においては、ストライプ領域２９ａの端部を除いて共振器端面Ａ，Ｂ近傍の領域にｐ電極４が形成されておらず、この領域においてはｐ−コンタクト層２８が露出している。したがって、この場合においては、ストライプ領域２９ａの端部を除いて、ｐ電極４の間で露出したｐ−コンタクト層２８の部分で劈開することができる。したがって、ｐ電極４を長い距離にわたって分割する必要はない。このため、この場合においては、劈開を容易に行って共振器を作製することが可能である。また、この場合においては、共振器端面Ａ，Ｂにｐ電極４がかぶさるおそれがない。
【００６７】
上記のようにして共振器を作製した後、ストライプ状の半導体ウエハをさらに共振器長方向と平行な方向に沿って劈開して分割し、個々の半導体レーザ素子５０１に分離する。
【００６８】
なお、素子分離工程においては、透明基板１００の裏面側からスクライブを行ってもよく、あるいはｐ電極４側からスクライブを行ってもよい。ｐ電極４側からスクライブを行う場合においては、ＭＱＷ活性層２３の共振器長方向と垂直な方向の両端面（すなわち素子の両側面）およびその近傍の領域に欠損および損傷が生じるおそれがあるが、素子の側面に生じる欠損および損傷は、素子の共振器端面に生じる欠損および損傷に比べて素子特性への影響が少ない。
【００６９】
ここで、この場合においては、共振器端面Ａ，Ｂ近傍のストライプ状の領域にｐ電極４が形成されておらず、この領域においてはｐ−コンタクト層２８が露出している。このため、露出したｐ−コンタクト層２８の部分で劈開することができる。したがって、ｐ電極６を分割する必要がないので、容易に劈開を行って素子分離を行うことが可能である。
【００７０】
以上のように、本例の半導体レーザ素子５０１においては、透明基板１００の裏面に形成されるｎ電極３をパターニングし、このｎ電極３のパターンを目印として用いて透明基板１００の裏面側からｎ電極３間で露出した透明基板１００およびその上方の層をスクライブして傷を形成する。そして、この傷に沿って半導体ウエハを劈開して共振器を作製する。このため、スクライブによる傷の形成時に素子の一部が欠損または損傷しても、傷を形成した透明基板１００の裏面側から比較的離れた位置にあるＭＱＷ活性層２３は悪影響を受けることはなく、ＭＱＷ活性層２３の共振器端面Ａ，Ｂは良好な端面となる。したがって、半導体レーザ素子５０１においては、良好な素子特性が得られる。
【００７１】
また、上記の半導体レーザ素子５０１を透明基板１００を上に向けてジャンクションダウンで実装する場合においては、透明基板１００が透明であるため、ｐ−コンタクト層２８側のストライプ領域２９ａの端部を目印として用いてサブマウント等に精度よく位置決めして半導体レーザ装置を組み立てることが可能である。このため、このような半導体レーザ素子５０１を用いた半導体レーザ装置においては、ＭＱＷ活性層２３に形成される発光点の位置を高精度に制御することが可能である。したがって、半導体レーザ装置の組み立て精度が向上するとともに、組み立て歩留まりが向上する。
【００７２】
なお、ＧａＮからなる透明基板１００を備えた半導体レーザ素子５０１においては、基板自体の放熱性が低いため、通常はジャンクションダウンで組み立てられる。したがって、この場合においては上記の効果が有効である。
【００７３】
図５は、本発明の参考例に係る半導体レーザ素子の第２の例を示す模式的な平面図である。図５（ａ）は、本例の半導体レーザ素子５０２をｐ−コンタクト層２８側から観察した場合の図であり、図５（ｂ）は、本例の半導体レーザ素子５０２を透明基板１００の裏面側から観察した場合の図である。
【００７４】
本例の半導体レーザ素子５０２は、以下の点を除いて、図１の半導体レーザ素子５００と同様の構造を有する。
【００７５】
図５（ｂ）に示すように、半導体レーザ素子５０２においては、透明基板１００の裏面上において、共振器端面Ａ，Ｂ側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の両側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域にｎ電極５が形成されている。
【００７６】
このような半導体レーザ素子５０２は、以下の点を除いて、半導体レーザ素子５００の作製方法と同様の方法により作製される。
【００７７】
半導体レーザ素子５０２の作製時においては、半導体レーザ素子５００のｎ電極１と同様のパターニング方法によりｎ電極５をストライプ状にパターニングするとともに、さらにｎ電極５間に露出したストライプ状の領域と直交する方向にストライプ状に透明基板１００が露出するようにｎ電極５をパターニングする。それにより、半導体ウエハの透明基板１００の裏面に、複数の四角形形状のｎ電極５が形成されるとともに、ｎ電極５間で格子状に透明基板１００が露出する。
【００７８】
本例の半導体レーザ素子５０２の作製時においては、共振器の作製工程および素子分離工程におけるスクライブによる傷の形成時に、上記のようにパターニングされたｎ電極５およびｎ電極５間で露出した透明基板１００を傷の形成位置の目印として用いる。
【００７９】
すなわち、上記のようにｎ電極５のパターニングを行った後、まず半導体レーザ素子５００の場合と同様の方法により、パターニングされた個々のｎ電極５間で格子状に露出した透明基板１００の直交する２つの方向のストライプ状の領域のうちの一方のストライプ状の領域に沿ってスクライブを行って傷を形成する。さらに、この傷に沿ってストライプ状に半導体ウエハを分割して共振器端面Ａ，Ｂを露出させ、共振器を作製する。さらに、隣接するｎ電極５の側面間で露出した透明基板１００の領域に共振器長方向と平行な方向に沿って傷を形成する。そして、この傷に沿って半導体ウエハを分割し、個々の半導体レーザ素子５０２に分離する。
【００８０】
ここで、上記の素子分離工程においては、露出した透明基板１００の領域で劈開することができる。したがって、この場合においてはｎ電極５を分割する必要がなく、容易に劈開を行って素子分離を行うことが可能となる。
【００８１】
以上のように、本例の半導体レーザ素子５０２においては、透明基板１００の裏面に形成されるｎ電極５をパターニングし、このｎ電極５のパターンを目印として用いて透明基板１００の裏面側からｎ電極６間で露出した透明基板１００およびその上方の層をスクライブして傷を形成する。そして、この傷に沿って半導体ウエハを劈開して共振器の作製および素子分離を行う。
【００８２】
このような半導体レーザ素子５０２においては、傷を形成した透明基板１００の裏面側から比較的離れた位置にＭＱＷ活性層２３があるため、スクライブによる傷の形成時に素子の一部が欠損または損傷してもＭＱＷ活性層２３は悪影響を受けることはなく、ＭＱＷ活性層２３の共振器端面Ａ，Ｂは良好な端面となる。したがって、このような半導体レーザ素子５０２においては、良好な素子特性が得られる。
【００８３】
また、半導体レーザ素子５０２においては、ｐ電極６がｐ−コンタクト層２８の上面全体に形成されている。このため、ｐ電極６とｐ−コンタクト層２８との接触面積が大きい。したがって、半導体レーザ素子５０２においては、ｐ電極６とｐ−コンタクト層２８との間の接触抵抗が低減され、ｐ電極６とｐ−コンタクト層２８との間で良好なオーミック接触を得ることができる。それにより、動作電圧を低減することが可能となり、動作時における発熱量を低減することができる。その結果、半導体レーザ素子５０２においては素子の劣化が防止され、長寿命化が実現可能となる。
【００８４】
ところで、前述のように、透明基板１００を構成するＧａＮまたはＳｉＣは非常に硬い材料であるため、スクライブを行う際には透明基板１００に大きな圧力を加えて傷を形成する必要がある。このため、このようなスクライブにより、特に素子の側面（共振器長方向と垂直な方向の端面）において欠損が生じやすく、側面は凹凸形状になりやすい。
【００８５】
特に、ＧａＮ基板およびＧａＮ窒化物系半導体層の主な劈開面である（１-1００）面において劈開を行ってこの面を共振器端面とする場合においては、形成された素子の側面が（１１-2０）面となるため、側面に凹凸形状が形成されやすい。この場合、基板の裏面の全体にｎ電極が形成されていると、ｎ電極の両側辺も凹凸形状となる。
【００８６】
通常、半導体レーザ素子をジャンクションダウンで実装する場合においては、半導体レーザ素子の側面を画像認識技術により認識することにより、半導体レーザ素子を側面を基準としてサブマウント等に位置決めする。しかしながら、このような半導体レーザ素子の側面が凹凸形状を有する場合には、半導体レーザ素子を側面を基準として正確に位置決めすることは困難である。したがって、半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ装置の組み立て歩留まりが低くなる。
【００８７】
これに対して、上記の半導体レーザ素子５０２においては、ｎ電極５が透明基板１００の両側面側のストライプ状の領域を除いて形成されているので、ｎ電極５の側辺が直線状となる。そのため、半導体レーザ素子５０２をジャンクションダウンで実装する場合においては、素子の側面ではなくｎ電極５の側辺を画像認識技術により認識し、半導体レーザ素子５０２をｎ電極５の側辺を基準としてサブマウント等に正確に位置決めすることができる。その結果、半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ装置の組み立て精度および組み立て歩留りが向上する。
【００８８】
図６は、本発明に係る半導体レーザ素子の第２の例を示す模式的な平面図である。図６（ａ）は、本例の半導体レーザ素子５０３をｐ−ＧａＮコンタクト層２８側から観察した場合の図であり、図６（ｂ）は、本例の半導体レーザ素子５０３を透明基板１００の裏面側から観察した場合の図である。
【００８９】
なお、本例の半導体レーザ素子５０３は、以下の点を除いて、図５の半導体レーザ素子５０２と同様の構造を有する。
【００９０】
図６（ａ）に示すように、半導体レーザ素子５０３においては、ｐ−コンタクト層２８のストライプ領域２９ａの両端部近傍の領域およびストライプ領域２９ａを含む四角形形状の所定領域上にｐ電極８が形成されている。なお、この場合の四角形形状の所定領域とは、共振器端面Ａ，Ｂ側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の両側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域のことである。
【００９１】
本例の半導体レーザ素子５０３においては、このようにストライプ領域２９ａ全体を被覆するようにｐ電極８が形成されているので、ストライプ領域２９ａ全体に均一に電流を流すことができる。
【００９２】
本例の半導体レーザ素子５０３は、以下の点を除いて、半導体レーザ素子５０２の作製方法と同様の方法により作製される。
【００９３】
半導体レーザ素子５０３の作製時においては、図４の半導体レーザ素子５０１のｐ電極４と同様の方法によりｐ電極８を形成し、図５の半導体レーザ素子５０２のｎ電極５と同様の方法によりｎ電極７を形成する。ここで、透明基板１００および各層２１〜２８が透明であるため、透明基板１００の裏面側に形成されたｎ電極７のパターンを透明基板１００および各層２１〜２８を透過して見ることができる。したがって、透過して見えるｎ電極７のパターンを見ながらｐ電極８のパターニングを行うことにより、ｎ電極７とｐ電極８との位置合わせを容易に行うことが可能となる。
【００９４】
上記のようにしてｐ電極８のパターニングを行った後、半導体レーザ素子５０２の場合と同様の方法により、パターニングされたｎ電極７の間で露出した透明基板１００の所定の領域にスクライブにより傷を形成し、この傷に沿って半導体ウエハを分割する。
【００９５】
ここで、本例の半導体レーザ素子５０３においては、ストライプ領域２９ａの端部を除いて共振器端面Ａ，Ｂ側のストライプ状の領域にｐ電極８が形成されておらず、この領域においてはｐ−コンタクト層２８が露出している。このため、ストライプ領域２９ａの端部を除いて、ｐ電極８の間で露出したｐ−コンタクト層２８の領域で劈開することができる。したがって、ｐ電極８を長い距離にわたって分割する必要がないので、劈開を容易に行って共振器を作製することが可能である。また、この場合においては、共振器端面Ａ，Ｂにｐ電極８がかぶさるおそれがない。
【００９６】
上記のようにして共振器を作製した後、半導体レーザ素子５０２の場合と同様、隣接するｎ電極７の側面間で露出した透明基板１００の領域に共振器長方向と平行な方向に沿ってスクライブを行って傷を形成する。そして、この傷に沿って半導体ウエハを分割し、個々の半導体レーザ素子５０３に分離する。
【００９７】
ここで、上記の素子分離工程においては、露出した透明基板１００の領域で劈開することができる。したがって、ｎ電極７を分割する必要がないので容易に劈開を行って素子分離を行うことが可能である。
【００９８】
以上のように、上記の半導体レーザ素子５０３においては、透明基板１００の裏面に形成されるｎ電極７をパターニングし、このｎ電極７のパターンを目印として用いて透明基板１００の裏面側からｎ電極７間で露出した透明基板１００およびその上方の層をスクライブして傷を形成する。そして、この傷に沿って半導体ウエハを劈開して共振器の作製および素子分離を行う。ここで、半導体レーザ素子５０３においては、ＭＱＷ活性層２３が傷を形成した透明基板１００の裏面側から比較的離れた位置にあるため、スクライブによる傷の形成時に素子の一部が欠損または損傷してもＭＱＷ活性層２３が悪影響を受けることはなく、ＭＱＷ活性層２３の共振器端面Ａ，Ｂは良好な端面となる。したがって、このような半導体レーザ素子５０３においては、良好な素子特性が得られる。
【００９９】
また、上記の半導体レーザ素子５０３をジャンクションダウンで実装する場合においては、透明基板１００が透明であるため、ｐ−コンタクト層２８側のストライプ領域２９ａの端部を目印として用いて半導体レーザ素子５０３をサブマウント等に精度よく位置決め半導体レーザ装置を組み立てることが可能である。このため、このような半導体レーザ素子５０３を用いた半導体レーザ装置においては、ＭＱＷ活性層２３に形成される発光点の位置を高精度に制御することが可能である。したがって、半導体レーザ装置の組み立て精度が向上するとともに、組み立て歩留まりが向上する。
【０１００】
なお、ＧａＮからなる透明基板１００を備えた半導体レーザ素子５０３は、基板自体の放熱性が低いため、通常はジャンクションダウンで組み立てられる。したがって、この場合においては上記の効果が有効に得られる。
【０１０１】
さらに、上記の半導体レーザ素子５０３においては、図５の半導体レーザ素子５０２と同様に、ｎ電極７の側辺が直線状となる。そのため、このような半導体レーザ素子５０３をジャンクションダウンで実装する場合においては、素子の側面ではなくｎ電極７の側辺を画像認識技術により認識し、半導体レーザ素子５０３をｎ電極７の側辺を基準としてサブマウント等に正確に位置決めすることができる。その結果、半導体レーザ素子５０３を用いた半導体レーザ装置の組み立て精度および組み立て歩留りが向上する。
【０１０２】
図７は、本発明の参考例に係る半導体レーザ素子の第３の例を示す模式的な平面図である。図７（ａ）は、本例の半導体レーザ素子５０４をｐ−ＧａＮコンタクト層２８側から観察した場合の図であり、図７（ｂ）は、本例の半導体レーザ素子５０４を透明基板１００の裏面側から観察した場合の図である。
【０１０３】
本例の半導体レーザ素子５０４は、図７（ｂ）に示すように透明基板１００のストライプ領域２９ａの両端部近傍の領域上にもｎ電極９が形成された点を除いて、図５の半導体レーザ素子５０２と同様の構造を有する。
【０１０４】
図７（ｂ）に示すように、本例の半導体レーザ素子５０４においては、透明基板１００およびｐ−コンタクト層２８のストライプ領域２９ａ全体を被覆するようにｎ電極９およびｐ電極１０が形成されている。したがって、このような半導体レーザ素子５０４においては、ストライプ領域２９ａ全体に均一に電流を注入することができる。
【０１０５】
本例の半導体レーザ素子５０４は、ｎ電極９のパターニングの方法が異なる点を除いて、半導体レーザ素子５０２の作製方法と同様の方法により作製される。
【０１０６】
上記の半導体レーザ素子５０４においては、透明基板１００の裏面に形成されるｎ電極９をパターニングし、このｎ電極９のパターンを目印として用いて透明基板１００の裏面側からｎ電極９間で露出した透明基板１００およびその上方の層をスクライブして傷を形成する。そして、この傷に沿って半導体ウエハを劈開して共振器を作製するとともに素子分離を行う。
【０１０７】
ここで、このような半導体レーザ素子５０４においては、ＭＱＷ活性層２３が傷を形成した透明基板１００側から比較的離れた位置にあるため、スクライブによる傷の形成時に素子の一部が欠損または損傷してもＭＱＷ活性層２３は悪影響を受けることはなく、ＭＱＷ活性層２３の共振器端面Ａ，Ｂは良好な端面となる。したがって、このような半導体レーザ素子５０４においては、良好な素子特性が得られる。
【０１０８】
また、半導体レーザ素子５０４においては、ｐ電極１０がｐ−コンタクト層２８の上面全体に形成されている。このため、ｐ電極１０とｐ−コンタクト層２８との接触面積が大きい。したがって、半導体レーザ素子５０４においては、ｐ電極１０とｐ−コンタクト層２８との間の接触抵抗が低減され、良好なオーミック接触を得ることができる。それにより、動作電圧を低減することが可能となり、動作時における発熱量を低減することができる。その結果、半導体レーザ素子５０４においては素子の劣化が防止され、長寿命化が実現可能となる。
【０１０９】
さらに、上記の半導体レーザ素子５０４においては、図５の半導体レーザ素子５０２および図６の半導体レーザ素子５０３と同様に、ｎ電極９の側辺が直線状となる。そのため、このような半導体レーザ素子５０４をジャンクションダウンで実装する場合においては、素子の側面ではなくｎ電極９の側辺を画像認識技術により認識し、半導体レーザ素子５０４をｎ電極９の側辺を基準としてサブマウント等に正確に位置決めすることができる。その結果、半導体レーザ素子５０４を用いた半導体レーザ装置の組み立て精度および組み立て歩留りが向上する。
【０１１０】
図８は、本発明の参考例に係る半導体レーザ素子の第４の例を示す模式的な平面図である。図８（ａ）は、半導体レーザ素子５０５をｐ−ＧａＮコンタクト層２８側から観察した場合の図であり、図８（ｂ）は、半導体レーザ素子５０５を透明基板１００の裏面側から観察した場合の図である。
【０１１１】
本例の半導体レーザ素子５０５は、以下の点を除いて、図７の半導体レーザ素子５０４と同様の構造を有する。
【０１１２】
図８（ａ）に示すように、半導体レーザ素子５０５においては、ｎ電極１１と同様の形状を有するｐ電極１２が形成されている。すなわち、ｐ−コンタクト層２８上のストライプ領域２９ａの両端部近傍およびストライプ領域２９ａを含む四角形形状の所定領域上にｐ電極１２が形成されている。なお、この場合の四角形形状の所定領域とは、共振器端面Ａ，Ｂ側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の両側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域のことである。
【０１１３】
このように、本例の半導体レーザ素子５０５においては、透明基板１００およびｐ−コンタクト層２８のストライプ領域２９ａ全体を被覆するようにｎ電極１１およびｐ電極１２が形成されている。したがって、このような半導体レーザ素子５０５においては、ストライプ領域２９ａ全体に均一に電流を注入することができる。
【０１１４】
本例の半導体レーザ素子５０５は、ｐ電極１２のパターニングの方法が異なる点を除いて、半導体レーザ素子５０４の作製方法と同様の方法により作製される。
【０１１５】
すなわち、半導体レーザ素子５０５の作製時においては、ｎ電極１１のパターニングを行った後、このｎ電極１１のパターンの位置に合わせてさらにｐ電極１２のパターニングを行う。ここで、透明基板１００および各層２１〜２８が透明であるため、透明基板１００の裏面側に形成されたｎ電極１１のパターンを透明基板１００および各層２１〜２８を透過して見ることができる。したがって、透過して見えるｎ電極１１のパターンを見ながらｐ電極１２のパターニングを行うことにより、ｎ電極１１とｐ電極１２との位置合わせを容易に行うことが可能となる。
【０１１６】
本例の半導体レーザ素子５０５においては、ストライプ領域２９ａの端部を除いて共振器端面Ａ，Ｂ側のストライプ状の領域にｐ電極１２が形成されておらず、この領域においてはｐ−コンタクト層２８が露出している。このため、半導体レーザ素子５０５における共振器作製工程においては、ｐ電極１２の間で露出したｐ−コンタクト層２８の部分で劈開することができる。したがって、この場合においてはｐ電極１２を長い距離にわたって分割する必要がないので、劈開を容易に行って共振器を作製することが可能である。また、この場合においては、共振器端面Ａ，Ｂにｐ電極１２がかぶさるおそれがない。
【０１１７】
一方、半導体レーザ素子５０５の素子分離工程においては、露出した透明基板１００およびｐ−コンタクト層２８の部分で劈開することができるので、ｎ電極１１およびｐ電極１２を分割する必要はない。このため、容易に劈開を行って素子分離を行うことが可能である。
【０１１８】
以上のように半導体レーザ素子５０５においては、透明基板１００の裏面に形成されるｎ電極１１をパターニングし、このｎ電極１１のパターンを目印として用いて透明基板１００の裏面側からｎ電極１１間で露出した透明基板１００およびその上方の層をスクライブして傷を形成する。そして、この傷に沿って半導体ウエハを劈開して共振の作製および素子分離を行う。
【０１１９】
ここで、半導体レーザ素子５０５のＭＱＷ活性層２３は傷を形成した透明基板１００の裏面側から比較的離れた位置にあるため、スクライブによる傷の形成時に素子の一部が欠損または損傷してもＭＱＷ活性層２３が悪影響を受けることはなく、ＭＱＷ活性層２３の共振器端面Ａ，Ｂは良好な端面となる。したがって、このような半導体レーザ素子５０５においては、良好な素子特性が得られる。
【０１２０】
また、上記の半導体レーザ素子５０５をジャンクションダウンで実装する場合においては、透明基板１００および各層２１〜２８が透明であるため、ｐ−コンタクト層２８側のストライプ領域２９ａの端部を目印として用いて半導体レーザ素子５０５をサブマウント等に精度よく位置決めして半導体レーザ装置を組み立てることが可能である。
【０１２１】
このため、このような半導体レーザ素子５０１を用いた半導体レーザ装置においては、ＭＱＷ活性層２３に形成される発光点の位置を高精度に制御することが可能である。したがって、半導体レーザ装置の組み立て精度が向上するとともに、組み立て歩留まりが向上する。
【０１２２】
なお、ＧａＮからなる透明基板１００を備えた半導体レーザ素子５０５においては、基板自体の放熱性が低いため、通常はジャンクションダウンで組み立てられる。したがって、この場合においては上記の効果が有効に得られる。
【０１２３】
さらに、上記の半導体レーザ素子５０５においては、図５の半導体レーザ素子５０２、図６の半導体レーザ素子５０３および図７の半導体レーザ素子５０４と同様に、ｎ電極１１の側辺が直線状となる。そのため、このような半導体レーザ素子５０５をジャンクションダウンで実装する場合においては、素子の側面ではなくｎ電極１１の側辺を画像認識技術により認識し、半導体レーザ素子５０５をｎ電極１１の側辺を基準としてサブマウント等に正確に位置決めすることができる。その結果、半導体レーザ素子５０５を用いた半導体レーザ装置の組み立て精度および組み立て歩留りが向上する。
【０１２４】
上記の半導体レーザ素子５００〜５０５において、各層２１〜２８の組成は上記に限定されるものではない。各層２１〜２８は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、ＢおよびＴｌの少なくとも一つを含む窒化物系半導体から構成されていればよい。
【０１２５】
なお、上記においては、透明基板１００上にｎ型層、活性層およびｐ型層が形成されるとともに透明基板１００の裏面にパターニングされたｎ電極が形成されこのｎ電極のパターンを目印として用いて透明基板側からスクライブを行う場合について説明したが、透明基板上にｐ型層、活性層およびｎ型層が順に形成されるとともに透明基板の裏面にパターニングされたｐ電極が形成されこのｐ電極のパターンを目印として用いて透明基板側からスクライブを行ってもよい。
【０１２６】
また、上記においては埋め込み型のリッジストライプ構造を有する半導体レーザ素子について説明したが、本発明をＳｉＯ2 等の絶縁膜を電流ブロック層として採用したリッジストライプ構造およびセルフアライン型構造等、他の構造を有する半導体レーザ素子に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の参考例に係る窒化物系半導体レーザ素子の第１の例を示す模式的な透視斜視図である。
【図２】  図１の半導体レーザ素子を上側および下側から観察した場合の模式的は平面図である。
【図３】  ｎ電極が所定形状に形成された半導体ウエハを透明基板の裏面側から観察した場合の模式的な平面図である。
【図４】  本発明に係る半導体レーザ素子の第１の例を示す模式的な平面図である。
【図５】  本発明の参考例に係る半導体レーザ素子の第２の例を示す模式的な平面図である。
【図６】  本発明に係る半導体レーザ素子の第２の例を示す模式的な平面図である。
【図７】  本発明の参考例に係る半導体レーザ素子の第３の例を示す模式的な平面図である。
【図８】  本発明の参考例に係る半導体レーザ素子の第４の例を示す模式的な平面図である。
【図９】  従来の窒化物系半導体レーザ素子の一例を示す模式的な透視斜視図である。
【符号の説明】
１，３，５，７，９，１１  ｎ電極
２，４，６，８，１０，１２  ｐ電極
２１  ｎ−クラッド層
２２  ｎ−光ガイド層
２３  ＭＱＷ活性層
２４  ｐ−キャップ層
２５  ｐ−光ガイド層
２６  ｐ−クラッド層
２７  ｎ−電流ブロック層
２８  ｐ−コンタクト層
２９ａ  ストライプ領域
１００  透明基板
５００，５０１，５０２，５０３，５０４，５０５  半導体レーザ素子
６００，６００ａ  半導体ウエハ
Ａ，Ｂ  共振器端面
【図１】
0003650000.tif 000002
【図２】
0003650000.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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