【手続補正書】
【提出日】令和3年7月6日(2021.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、電子機器、携帯型情報端末
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを有する第１の光電変換素子と、
シリコンを有する第２の光電変換素子と、
ソースまたはドレインの一方が前記第１の光電変換素子のカソードと電気的に接続される第１のトランジスタと、
ソースまたはドレインの一方が前記第２の光電変換素子のカソードと電気的に接続される第２のトランジスタと、
ゲートが第１の導電層を介して前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方、及び、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される第３のトランジスタと、
ソースまたはドレインの一方が前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される第４のトランジスタと、
を有し、
前記第１の光電変換素子のアノードは、第２の導電層を介して第３の導電層と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第４の導電層と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、信号を出力する配線として機能する第５の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記第３の導電層、前記第４の導電層、及び、前記第５の導電層は、銅を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、第１の絶縁層に接して配置され、
前記第２の導電層及び前記第３の導電層は、前記第１の光電変換素子の受光面側とは逆側に配置され、
前記第１の光電変換素子の受光面側に配置された第２の絶縁層は、前記第１の光電変換素子の側面を覆う領域を有し、
平面視において、前記第１の導電層が延伸する方向は、前記第３の導電層が延伸する方向と交差し、
平面視において、前記第３の導電層が延伸する方向は、前記第４の導電層が延伸する方向と交差し、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記第３の導電層と重なりを有し、
平面視において、前記第１の絶縁層に設けられ、前記第２の導電層と前記第３の導電層を電気的に接続するコンタクトホールは、前記第１の光電変換素子の受光面側に配置された遮光層と重なりを有する、半導体装置。
【請求項２】
シリコンを有する第１の光電変換素子と、
シリコンを有する第２の光電変換素子と、
ソースまたはドレインの一方が前記第１の光電変換素子のカソードと電気的に接続される第１のトランジスタと、
ソースまたはドレインの一方が前記第２の光電変換素子のカソードと電気的に接続される第２のトランジスタと、
ゲートが第１の導電層を介して前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方、及び、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される第３のトランジスタと、
ソースまたはドレインの一方が前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される第４のトランジスタと、
を有し、
前記第１の光電変換素子のアノードは、第２の導電層を介して第３の導電層と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第４の導電層と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、信号を出力する配線として機能する第５の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記第３の導電層、前記第４の導電層、及び、前記第５の導電層は、銅を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、第１の絶縁層に接して配置され、
前記第２の導電層及び前記第３の導電層は、前記第１の光電変換素子の受光面側とは逆側に配置され、
前記第１の光電変換素子の受光面側に配置された第２の絶縁層は、前記第１の光電変換素子の側面を覆う領域を有し、
平面視において、前記第１の導電層が延伸する方向は、前記第３の導電層が延伸する方向と交差し、
平面視において、前記第３の導電層が延伸する方向は、前記第４の導電層が延伸する方向と交差し、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記第３の導電層と重なりを有し、
平面視において、前記第１の絶縁層に設けられ、前記第２の導電層と前記第３の導電層を電気的に接続するコンタクトホールは、前記第１の光電変換素子の受光面側に配置された遮光層と重なりを有し、
平面視において、前記コンタクトホールは、前記第１の光電変換素子のカソードと重ならないように配置される、半導体装置。
【請求項３】
シリコンを有する第１の光電変換素子と、
シリコンを有する第２の光電変換素子と、
ソースまたはドレインの一方が前記第１の光電変換素子のカソードと電気的に接続される第１のトランジスタと、
ソースまたはドレインの一方が前記第２の光電変換素子のカソードと電気的に接続される第２のトランジスタと、
ゲートが第１の導電層を介して前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方、及び、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される第３のトランジスタと、
ソースまたはドレインの一方が前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される第４のトランジスタと、
を有し、
前記第１の光電変換素子のアノードは、第２の導電層を介して第３の導電層と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第４の導電層と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、信号を出力する配線として機能する第５の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記第３の導電層、前記第４の導電層、及び、前記第５の導電層は、銅を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、第１の絶縁層に接して配置され、
前記第２の導電層及び前記第３の導電層は、前記第１の光電変換素子の受光面側とは逆側に配置され、
前記第１の光電変換素子の受光面側に配置された第２の絶縁層は、前記第１の光電変換素子の側面を覆う領域を有し、
平面視において、前記第１の導電層が延伸する方向は、前記第３の導電層が延伸する方向と交差し、
平面視において、前記第３の導電層が延伸する方向は、前記第４の導電層が延伸する方向と交差し、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記第３の導電層と重なりを有し、
平面視において、前記第１の絶縁層に設けられ、前記第２の導電層と前記第３の導電層を電気的に接続するコンタクトホールは、前記第１の光電変換素子の受光面側に配置された遮光層と重なりを有し、
平面視において、前記第１の光電変換素子のカソードの全体は、前記第１の光電変換素子のアノードと重なるように配置される、半導体装置。
【請求項４】
シリコンを有する第１の光電変換素子と、
シリコンを有する第２の光電変換素子と、
ソースまたはドレインの一方が前記第１の光電変換素子のカソードと電気的に接続される第１のトランジスタと、
ソースまたはドレインの一方が前記第２の光電変換素子のカソードと電気的に接続される第２のトランジスタと、
ゲートが第１の導電層を介して前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方、及び、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される第３のトランジスタと、
ソースまたはドレインの一方が前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される第４のトランジスタと、
を有し、
前記第１の光電変換素子のアノードは、第２の導電層を介して第３の導電層と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第４の導電層と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、信号を出力する配線として機能する第５の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記第３の導電層、前記第４の導電層、及び、前記第５の導電層は、銅を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、第１の絶縁層に接して配置され、
前記第２の導電層及び前記第３の導電層は、前記第１の光電変換素子の受光面側とは逆側に配置され、
前記第１の光電変換素子の受光面側に配置された第２の絶縁層は、前記第１の光電変換素子の側面を覆う領域を有し、
平面視において、前記第１の導電層が延伸する方向は、前記第３の導電層が延伸する方向と交差し、
平面視において、前記第３の導電層が延伸する方向は、前記第４の導電層が延伸する方向と交差し、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記第３の導電層と重なりを有し、
平面視において、前記第１の絶縁層に設けられ、前記第２の導電層と前記第３の導電層を電気的に接続するコンタクトホールは、前記第１の光電変換素子の受光面側に配置された遮光層と重なりを有し、
平面視において、前記コンタクトホールは、前記第１の光電変換素子のカソードと重ならないように配置され、
平面視において、前記第１の光電変換素子のカソードの全体は、前記第１の光電変換素子のアノードと重なるように配置される、半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体装置を有する、電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体装置とＣＰＵとアンテナとを有する、携帯型情報端末。