(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に搭載用基板を介して半導体素子が載置される載置部を有する略四角形の銅製の基体と、該基体の上面の外周部に前記載置部を囲繞するように取着された略四角形の銅製の枠体と、該枠体の側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着された入出力端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記基体は、厚さが0.1〜２ｍｍであるとともに、下面の一対の対向する辺部に該辺部の長さの１／３以上の長さと0.1〜２ｍｍの幅と0.05〜0.5ｍｍの高さとを有する下方に突出した突出部が形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージと、前記搭載用基板を介して前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージおよび半導体素子収納用パッケージに半導体素子を収納した半導体装置に関し、特に低雑音アンプなどの装置に用いられるＭＭＩＣ（Ｍonolithic Microwave ＩＣ）などの半導体素子を搭載するとともに補償回路などの電気回路が形成された半導体素子の搭載用基板を収容する半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＭＭＩＣなどの半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージともいう）を図４の平面図、図５の断面図に示す。これらの図において、101はアルミナセラミックスやＣ−Ｗ合金等から成る基体、101ａは載置部、101ｂは接合部、102は枠体、103は入出力端子、Ａは半導体パッケージ、Ｄは搭載用基板である。これら基体101、枠体102、入出力端子103とで内部に搭載用基板Ｄを介して半導体素子が載置される半導体パッケージＡが基本的に構成される。
【０００３】
そして、半導体パッケージＡは、図６に示すように、基体101の下面である接合部101ｂが、半田により別体のガラスエポキシ樹脂などからなる印刷回路基板（ＰＣＢ：Print Circuit Board）Ｅの貫通孔Ｆを挿通されて、印刷回路基板の下面に接合されたアルミニウム（Ａｌ）板Ｇの上面に接合される。Ａｌ板Ｇを用いるのは、Ａｌが極めて軽量であるとともに良好な熱伝導性を有しているため放熱板（ヒートシンク）として有効に機能し、また低い導体抵抗を有しているため接地導体として有効に機能し、高周波信号の伝送に際して大きなノイズが発生することがないという利点が得られるからである。
【０００４】
半導体パッケージＡに収容されるＭＭＩＣなどの半導体素子を上面に搭載する搭載用基板Ｄは、半導体素子の周波数特性を改善する機能を有し、補償回路や調整回路などが設けられているが、それ自体はほとんど熱を発生することはない。従って、外部から機械的応力が作用しない限り載置部101ａ上に信頼性良く接合される。
【０００５】
また、枠体102は、銅（Ｃｕ）からなり、基体101の上面の外周部に載置部101ａを囲繞するように接合されるとともに一対の対向する側部に入出力端子103の取付部102ａを有しており、半導体素子Ｃを収容する容器を構成する。枠体102がＣｕからなるのは、Ｃｕが比較的柔らかい金属であることから、基体101が変形した場合に枠体102と基体101の接合部101ｂにクラックなどの欠陥が発生するのを防止できるからである。
【０００６】
また、枠体102の取付部102ａにはアルミナセラミックス等からなる入出力端子103が嵌着されている。この入出力端子103は、搭載用基板Ｄおよび半導体素子Ｃに電気信号を入出力するためのものであり、枠体102の内外を導通するように線路導体103ａが形成されている。線路導体103ａの枠体102外側の上面には、印刷回路基板Ｅと半導体素子Ｃとの電気信号の入出力を行うためのリード端子（図示せず）が接合される。
【０００７】
そして、半導体素子Ｃが搭載用基板Ｄを介して載置部101ａに載置固定され、半導体素子Ｃおよび搭載用基板Ｄ上の回路と、線路導体103ａの枠体102内側の部位とが、ボンディングワイヤで電気的に接続される。これにより、半導体素子Ｃおよび搭載用基板Ｄ上の回路と印刷回路基板Ｅ上の回路との間で電気信号の入出力を行うことができる。
【０００８】
そして、枠体102の上面に、セラミックスや金属からなる蓋体104が例えばシーム溶接法等により接合され、半導体素子Ｃを気密に封止する半導体装置Ｂが作製される。かくして、半導体素子Ｃは気密封止されることにより酸化腐食等を起こさず良好に作動する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、Ａｌ板Ｇは、印刷回路基板Ｅから発生する熱をＡｌ板Ｇを介して外部に放散させるために、搭載用基板Ｄを接合するための貫通孔Ｆを除いて印刷回路基板Ｅの下面のほぼ全面が半田で接合されている。そのため、印刷回路基板Ｅの熱膨張係数（12×10-6〜14×10-6／℃：室温〜100℃）に対してＡｌ板Ｇの熱膨張係数が24×10-6／℃（室温〜100℃）程度と大きく、その結果、印刷回路基板Ｅ上の抵抗やコンデンサなどの他の電子部品に起因して発生する数十度の温度上昇に伴って、Ａｌ板Ｇと印刷回路基板Ｅとの熱膨張係数差に起因してＡｌ板Ｇに下方向に凸の反りが発生していた。このとき、引張り応力が基体101を介して搭載用基板Ｄに作用し、その結果、搭載用基板Ｄにクラックが発生する場合があった。この場合、半導体素子Ｃが破壊されたり、搭載用基板Ｄ上の電気回路が断線するという不具合が発生していた。
【００１０】
また、外界の温度が低下してＡｌ板Ｇの温度が低下すると、Ａｌ板Ｇが印刷回路基板Ｅよりも収縮してＡｌ板Ｇが上方向に凸の状態となり、搭載用基板Ｄには曲げ応力が作用して、半導体素子Ｃが破壊されたり、搭載用基板Ｄ上の回路が断線するという不具合を招来していた。
【００１１】
このように、Ａｌ板Ｇの上面に基体101の下面の全面を直接接合すると、上記の問題点が発生するため、長期にわたって使用することが困難であった。
【００１２】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、半導体パッケージを搭載するためのヒートシンクとしてのＡｌ板や印刷回路基板が熱によって反った場合に、半導体パッケージの基体に反りが殆ど発生せず、その結果基体の上面に載置された搭載用基板にクラックが発生せず、半導体素子を長期にわたって信頼性よく収容できるようにすることである。また、搭載用基板に形成された回路配線がクラックにより断線しないようにすることであり、さらに基体を接地導体として使用した場合に、基体とＡｌ板とを安定的に直接接合して安定した接地電位が得られるようにすることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に搭載用基板を介して半導体素子が載置される載置部を有する略四角形の銅製の基体と、該基体の上面の外周部に前記載置部を囲繞するように取着された略四角形の銅製の枠体と、該枠体の側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着された入出力端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記基体は、厚さが0.1〜２ｍｍであるとともに、下面の一対の対向する辺部に該辺部の長さの１／３以上の長さと0.1〜２ｍｍの幅と0.05〜0.5ｍｍの高さとを有する下方に突出した突出部が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明は、上記の構成により、半導体素子収納用パッケージの基体が、その下面の一対の対向する辺部に形成されるとともにその辺部の長さの１／３以上の長さと0.1〜２ｍｍの幅と0.05〜0.5ｍｍの高さとを有する下方に突出した突出部でＡｌ板等のヒートシンクに接合されていることにより、ヒートシンクが熱によって反ったとしても、基体の突出部付近のみが変形したりＡｌ板が変形することで熱膨張差に起因する応力が緩和され、搭載用基板に応力が作用することはほとんどない。従って、搭載用基板が破壊されて半導体素子にクラックが発生することがなく、また搭載用基板に形成された回路配線の断線がないものとすることができる。また、基体を接地導体として使用した場合には基体とＡｌ板とを安定的に直接接合して安定した接地電位が得られる。
【００１５】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記搭載用基板を介して前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００１６】
本発明は、上記の構成により、半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置について以下に詳細に説明する。図１，図２はそれぞれ本発明の半導体パッケージについて実施の形態の一例を示す平面図および断面図であり、図３は半導体装置がＡｌ板Ｇ上に半田付けされた場合の断面図である。なお、図１〜図３において従来例を示す図４〜図６と同じ部分には同じ符号を付した。
【００１８】
これらの図において、１は基体、１ａは載置部、１ｂは突出部、２は枠体、２ａは入出力端子３の取付部、３は入出力端子、３ａは線路導体、４は蓋体、Ａは半導体パッケージ、Ｂは半導体装置、Ｃは半導体素子、Ｄは搭載用基板、Ｅは印刷回路基板、Ｆは貫通孔、ＧはＡｌ板である。これら基体１、枠体２、入出力端子３および蓋体４とで内部に半導体素子Ｃを気密に収容する半導体装置が基本的に構成される。
【００１９】
本発明の基体１は、Ｃｕからなり、厚さが0.1〜２ｍｍであり、上面に半導体素子Ｃが載置される載置部１ａを有する。この基体１は、純粋なＣｕ（無酸素銅等）以外に、Ｃｕ−Ｗ合金（Ｃｕの含有率10〜30重量％）、Ｃｕ−Ｍｏ合金（Ｃｕの含有率40〜60重量％）、Ｃｕ−Ｂｅ（ベリリウム）（Ｂｅの含有率0.25〜0.5重量％）、Ｃｕ−Ｚｒ（Ｚｒの含有率0.01〜0.02重量％）等のＣｕ合金から成っていてもよい。これらのＣｕ合金はＡｌ板Ｇよりも硬度が大きく、従って半導体素子Ｃの熱によってＡｌ板Ｇ側が大きく撓むことにより熱応力が緩和されることになる。
【００２０】
また基体１は、その下面の一対の対向する辺部に、その辺部の長さの１／３以上の長さと0.1〜２ｍｍの幅と0.05〜0.5ｍｍの高さとを有する下方に突出した突出部１ｂが形成されている。基体１はＣｕからなるため、350〜390Ｗ／ｍ・Ｋ程度の非常に高い熱伝導率を有し、半導体素子Ｃが作動時に発する熱を効率良くＡｌ板Ｇに伝え得る。
【００２１】
基体１の厚さが0.1ｍｍ未満である場合、搭載用基板Ｄを銀（Ａｇ）ロウなどの接合材で基体１の上面に接合すると、Ａｇの拡散により基体１の柔軟性が失われてしまい、Ａｌ板Ｇに反りが発生すると基体１に亀裂が発生して半導体素子Ｃの接地電位が不安定となり易い。また、基体１の厚さが２ｍｍを超える場合、基体１が重くなり半導体パッケージの軽量化ができなくなる。
【００２２】
基体１は、Ｃｕのインゴットに圧延加工、プレス加工、切削加工などの金属加工を施すことにより突出部１ｂを有する所定形状に作製される。このとき、酸化防止やロウ付けの接合性向上のために、基体１の表面に0.5〜９μｍの厚さのＮｉ層や0.5〜５μｍの厚さの金（Ａｕ）層などの金属層をメッキ法等により被着させておくのが良い。
【００２３】
基体１の突出部１ｂは、それが設けられた辺部の長さの１／３以上の長さである。１／３未満であれば、基体１とＡｌ板Ｇとの接合強度が小さくなり、基体１が容易に剥れてしまう場合がある。
【００２４】
また、突出部１ｂの幅は0.1〜２ｍｍである。0.1ｍｍ未満では、Ａｌ板Ｇが反った場合に突出部１ｂ付近が十分に変形できないため基体１全体が変形して基体１が剥れる危険性があり、２ｍｍを超えると、熱膨張による突出部１ｂ付近の変形の入出力端子３への影響（ストレス）が大きくなり入出力端子３が熱膨張により破壊される恐れがある。好ましくは0.3〜1.5ｍｍがよい。
【００２５】
さらに、突出部１ｂの高さ（基体１下面から下方への突出長さ）は0.05〜0.5ｍｍである。0.05ｍｍ未満では、Ａｌ板Ｇに上に凸の反りが発生した場合、Ａｌ板Ｇが基体１の平板部下面に接触し基体１に上に凸となる反りを発生させて搭載用基板Ｄが破壊されるという不具合が発生し易い。0.5ｍｍを超えると、半導体素子Ｃから接地導体板としてのＡｌ板Ｇまでの距離が大きくなってインダクタンスが増大し、伝送損失を誘起させてしまう。好ましくは0.1〜0.3ｍｍがよい。
【００２６】
基体１の上面に接合される枠体２は、例えば四角い管状に押出し成形したＣｕパイプを所望の長さに切断し、入出力端子３が嵌着される部位を切削加工して取付部２ａを含む所定形状、即ち平面視形状が略四角形になるように作製される。このとき、枠体２の表面に0.5〜９μｍの厚さのＮｉ層や0.5〜５μｍの厚さのＡｕ層などの金属層をメッキ法等により被着させておくと良く、表面の酸化防止やロウ材の接合性が向上する。この入出力端子３は半導体素子Ｃや搭載用基板Ｄと印刷回路基板Ｅとの高周波信号の入出力を行なう。また、入出力端子３の枠体２外側の線路導体３ａの上面には、外部電気回路基板と線路導体３ａとの高周波信号の入出力を行うリード端子（図示せず）が接合される。
【００２７】
入出力端子３は、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミックスからなる場合以下のように作製される。Ａｌ2Ｏ3の粉末にシリカ（ＳｉＯ2），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の焼結助材の粉末を添加し、これに適当な有機バインダや溶剤などを添加混合してスラリーとなす。このスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法によって成形して得られるセラミックグリーンシートに貫通導体等を形成するために打抜き加工を施す。タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）などの高融点金属の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た線路導体３ａとなる金属ペーストを、スクリーン印刷法によりセラミックグリーンシートに所望のパターンで印刷塗布する。複数のセラミックグリーンシートを積層した後、約1600℃の高温で焼結することにより作製される。そして、入出力端子３はＡｇロウ等を介して枠体２の取付部２ａに嵌着接合される。
【００２８】
入出力端子３の線路導体３ａには、熱膨張係数が入出力端子３を成すセラミックスの熱膨張係数に近似した材料からなるリード端子（図示せず）がＡｇロウなどのロウ材で接合される。例えば、入出力端子３がＡｌ2Ｏ3セラミックスからなる場合、リード端子はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金などの金属からなるのがよく、熱膨張差による応力でリード端子が剥がれ落ちるなどの不具合が発生し難くなる。
【００２９】
枠体３の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等からなる金属製、またはアルミナセラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックスなどからなるセラミックス製の蓋体４が接合され、蓋体４により半導体素子Ｃを半導体パッケージの内部に気密に封止する。
【００３０】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体パッケージと、搭載用基板Ｄを介して載置部１ａに載置固定されるとともに入出力端子３に電気的に接続された半導体素子Ｃと、枠体２の上面に接合された蓋体４とを具備して成る。具体的には、搭載用基板Ｄを載置部１ａにガラス、樹脂、ロウ材等の接着材で接合し、半導体素子Ｃを搭載用基板Ｄ上面の導体層から成る搭載部に半田等で接合して、半導体素子Ｃの電極をボンディングワイヤを介して線路導体３ａに電気的に接続し、しかる後、枠体２の上面に蓋体４をガラス、樹脂、ロウ材等の接着材等により接合することにより、製品としての半導体装置Ｂとなる。この半導体装置Ｂは、図３に示すように、下面にＡｌ板Ｇが接合された印刷回路基板Ｅの貫通孔Ｆを介してＡｌ板Ｇの上面に半田付けされる。このとき、突出部１ｂ下面とＡｌ板Ｇ上面とが半田付けされて半導体装置ＢがＡｌ板Ｇ上面に取着され、半導体装置Ｂが低雑音アンプ等として機能する。
【００３１】
【実施例】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の実施例を以下に説明する。
【００３２】
まず、図１〜図３に示した本発明の半導体パッケージを以下の工程［１］〜［５］ようにして作製した。
【００３３】
［１］縦約13ｍｍ×横約30ｍｍ×厚さ約0.75ｍｍのＣｕから成る略四角形の基体１の上面の外周部に、載置部１ａを囲むように縦約13ｍｍ×横約20ｍｍで厚さ約１ｍｍのＣｕから成る平面視形状が略四角形の枠体２を銀ロウで接合した。この基体１の下面の一対の対向する辺部（長さ13ｍｍ）には突出部１ｂが形成されており、枠体２の対向する一対の側部には枠体２の下部を切り欠いて成る入出力端子３の取付部２ａが形成されている。なお、基体１および枠体２の表面には厚さ約２μｍのＮｉメッキ層および厚さ約2.5μｍのＡｕメッキ層を順次被着した。
【００３４】
［２］枠体２の取付部２ａに、それぞれアルミナセラミックスから成る入出力端子３をＡｇロウで嵌着接合した。入出力端子３には、枠体２内外を導通するようにＭｏ−Ｍｎのメタライズ層上に厚さ約２μｍのＮｉメッキ層および厚さ約2.5μｍのＡｕメッキ層を順次被着して成る線路導体３ａを形成した。また、線路導体３ａの枠体２外側の部位にはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成るリード端子をＡｇロウで接合した。
【００３５】
［３］基体１の載置部１ａ上に上下に貫通する導電性スルーホールを有しアルミナセラミックスから成る10ｍｍ角で厚さが0.635ｍｍの搭載用基板Ｄを導電性樹脂で接着し、その搭載用基板Ｄ上面の導体層から成る搭載部にＭＭＩＣである半導体素子Ｃを半田で載置接合した。また、半導体素子Ｃの電極と線路導体３ａの枠体２内側の部位とをボンディングワイヤで電気的に接続した。
【００３６】
［４］枠体２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る蓋体４をシールリングを介してシーム溶接法で接合して、半導体装置Ｂを作製した。
【００３７】
［５］半導体装置Ｂの基体１の突出部１ｂ下面をＡｌ板Ｇの上面に半田付けすることによって半導体装置ＢをＡｌ板Ｇ上に設けた。
【００３８】
そしてこのとき、突出部１ｂの長さを基体１の辺部の長さ（13ｍｍ）の１／２として、基体１の厚さを0.05ｍｍ，0.1ｍｍ，0.5ｍｍ，1ｍｍ，1.5ｍｍ，２ｍｍとし、それぞれの場合に突出部１ｂの高さを0.03ｍｍ，0.05ｍｍ，0.1ｍｍ，0.2ｍｍ，0.3ｍｍ，0.4ｍｍ，0.5ｍｍとし、さらに突出部の幅を0.1ｍｍ，0.25ｍｍ，0.5ｍｍ，0.75ｍｍ，１ｍｍ，1.5ｍｍ，２ｍｍ，2.5ｍｍとした３３６種の半導体装置Ｂを各５個ずつ上記のようにして作製した。
【００３９】
そして、Ａｌ板Ｇに熱が加わって反りが発生した状態をＡｌ板Ｇを外力によって強制的に曲げることで近似的に作り出し、そのときの搭載用基板Ｄ、入出力端子３の破損状況を評価した。このとき、発生させた反りの大きさは50μｍ／インチ（25.4ｍｍ）であった。評価は、搭載用基板Ｄにクラックが全数発生した場合を×、一部にクラックが発生した場合を△、クラックの発生がない場合を○とした。入出力端子３の嵌着部２ａにクラックが発生した場合を▽とした。突出部１ｂが剥れた場合を◇とした。基体１に亀裂が発生した場合を□とした。その結果を、表１（基体１の厚さが0.05ｍｍの場合）、表２（基体１の厚さが0.１ｍｍの場合）、表３（基体１の厚さが0.5ｍｍの場合）、表４（基体の厚さが１ｍｍの場合）、表５（基体の厚さが1.5ｍｍの場合）、表６（基体の厚さが２0ｍｍの場合）に示す。
【００４０】
【表１】
0003709168.tif 000002
【００４１】
【表２】
0003709168.tif 000003
【００４２】
【表３】
0003709168.tif 000004
【００４３】
【表４】
0003709168.tif 000005
【００４４】
【表５】
0003709168.tif 000006
【００４５】
【表６】
0003709168.tif 000007
【００４６】
表１において、基体１が薄いため基体１にＡｇが拡散してＡｇとＣｕの共晶ができて基体１の柔軟性が失われ、基体１に反りを発生させるように応力が作用して殆どの基体１に亀裂が発生した。
【００４７】
そして、表１〜表６より、基体１の厚さが0.1〜２ｍｍの範囲、突出部１ｂの高さが0.05〜0.5ｍｍの範囲、および突出部１ｂの幅が0.1〜２ｍｍの範囲であれば、クラック、亀裂、剥がれといった不具合が発生しないことが確認された。
【００４８】
特に、取付部２ａの下方に突出部１ｂが存在する場合、突出部１ｂの幅はその上方に設けられている入出力端子３の接合の信頼性に大きく関わり、突出部１ｂの幅が2.5ｍｍ以上であると突出部１ｂの高さに拘わらず入出力端子３の接合の信頼性が損なわれることが明らかになった。
【００４９】
なお、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何等支障ない。例えば、半導体素子Ｃが半導体レーザやフォトダイオード等の光半導体素子であっても良く、この場合、枠体２の側部に、光信号集光用のレンズが内部に接合された筒状の光ファイバ固定部材が取り付けられて光半導体装置として機能する。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に搭載用基板を介して半導体素子が載置される載置部を有する略四角形の銅製の基体は、厚さが0.1〜２ｍｍであるとともに、下面の一対の対向する辺部に該辺部の長さの１／３以上の長さと0.1〜２ｍｍの幅と0.05〜0.5ｍｍの高さとを有する下方に突出した突出部が形成されていることにより、基体が突出部でＡｌ板等のヒートシンクに接合されている場合、ヒートシンクが熱によって反ったとしても、基体の突出部付近のみが変形したりＡｌ板が変形することで熱膨張差に起因する応力が緩和され、搭載用基板に応力が作用することはほとんどない。従って、搭載用基板が破壊されて半導体素子にクラックが発生することがなく、また搭載用基板に形成された回路配線の断線がないものとすることができる。また、基体を接地導体として使用した場合には基体とＡｌ板とを安定的に直接接合して安定した接地電位が得られる。
【００５１】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、搭載用基板を介して載置部に載置固定されるとともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことにより、半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す平面図である。
【図２】図１の半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図３】本発明の半導体装置がＡｌ板上に半田付けされた状態を示す断面図である。
【図４】従来の半導体素子収納用パッケージの平面図である。
【図５】従来の半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図６】従来の半導体装置がＡｌ板上に半田付けされた状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
１ｂ：突出部
２：枠体
２ａ：入出力端子の取付部
３：入出力端子
４：蓋体
Ａ：半導体パッケージ
Ｂ：半導体装置
Ｃ：半導体素子
Ｄ：搭載用基板
【図１】
0003709168.tif 000008
【図２】
0003709168.tif 000009
【図３】
0003709168.tif 000010
【図４】
0003709168.tif 000011
【図５】
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【図６】
0003709168.tif 000013