(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素単位を具備しており、各該画素単位には共用された電源線および共用されたコモン線が配置されている有機ＬＥＤアレイの検査方法において、
前記コモン線と前記電源線との間に、電流計と電圧源を直列に接続するステップと、
順番に第１論理値を画素単位へ書き込み、書き込まれた前記画素単位に対応する第１電流値を、前記電流計により得るステップと、
書き込まれた前記画素単位に対応する前記第１電流値により、前記画素単位が欠陥を有するかどうかを判断する、欠陥有無判断ステップと、
該欠陥有無判断ステップで画素単位が欠陥を有すると決定されたときに、欠陥画素単位に対応する第１電流値及び他の正常な画素単位に対応する第１電流値により、前記欠陥画素単位の欠陥タイプを決定するステップとを含むことを特徴とする検査方法。
【請求項２】
前記第１論理値の値は１であることを特徴とする請求項１記載の検査方法。
【請求項３】
請求項１記載の検査方法において、
順番に第２論理値を画素単位へ書き込み、書き込まれた前記画素単位に対応する第２電流値を、前記電流計により得るステップを更に含むことを特徴とする検査方法。
【請求項４】
請求項３記載の検査方法において、
前記欠陥有無判断ステップで画素単位が欠陥を有すると決定されたときに、
欠陥画素単位に対応する第１電流値と第２電流値及び他の正常な画素単位に対応する第１電流値と第２電流値により、前記欠陥画素単位の欠陥タイプを決定するステップを更に含むことを特徴とする検査方法。
【請求項５】
前記第２論理値の値は０であることを特徴とする請求項３記載の検査方法。
【請求項６】
請求項１又は３記載の検査方法において、
前記画素単位中に電荷を蓄積するステップと、
一定時間、前記画素単位中に保持した後に前記電荷を読み出すステップと、
読み出した電流値により前記画素単位が欠陥を有するかどうかを判断するステップとを更に含むことを特徴とする検査方法。
【請求項７】
複数の画素単位を具備しており、各該画素単位には共用された電源線および共用されたコモン線が配置されている有機ＬＥＤアレイの検査装置において、
バイアス電圧を前記電源線及び前記コモン線に供給する電圧源と、
順番に第１論理値を画素単位へ書き込む書き込み回路と、
前記電圧源と直列に接続され、前記電源線と前記コモン線との間を流れる電流を読み込み、画素単位に対応する第１電流値を発生させる電流計と、
該電流計に接続され、画素単位が欠陥を有するかどうかを、前記画素単位に対応した第１電流値により判断する決定部とを具備し、
該決定部は、画素単位が欠陥を有するときに、前記欠陥画素単位に対応する第１電流値及び他の正常な画素単位に対応する第１電流値により、前記欠陥画素単位の欠陥タイプを判断することを特徴とする検査装置。
【請求項８】
前記第１論理値の値は１であることを特徴とする請求項７記載の検査装置。
【請求項９】
前記書き込み回路は、順番に第２論理値を画素単位へ書き込み、前記電流計は、書き込まれた画素単位に対応する第２電流値を得ることを特徴とする請求項７記載の検査装置。
【請求項１０】
電流計に接続され、画素単位が欠陥を有するかどうかを画素単位に対応した第１電流値及び第２電流値により判断する決定部を具備し、
該決定部は、画素単位が欠陥を有するときに、欠陥画素単位に対応する第１電流値と第２電流値及び他の正常な画素単位に対応する第１電流値と第２電流値により、欠陥画素単位の欠陥タイプを判断することを特徴とする請求項９記載の検査装置。
【請求項１１】
前記第２論理値の値は０であることを特徴とする請求項９又は１０記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光ダイオード（以下ＯＬＥＤと記す）アレイの検査方法及び検査装置に関し、特にアクティブマトリックスＯＬＥＤパネルの欠陥画素単位を調べる検査方法及び検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
陰極線管（ＣＲＴ）ディスプレイおよび液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に続いて、最近開発された平板状ディスプレイもまたＯＬＥＤディスプレイである。ＯＬＥＤディスプレイは自発光、高輝度、広視野角、及び簡単な組立プロセスなどの優れた特徴を有するため、近年、研究者の注目を集めている。ＯＬＥＤはその陽極と陰極との間に設けられた有機発光層により発光する。前記有機発光層は染料又は高分子から成る。
【０００３】
図１は、従来技術に係る、ＯＬＥＤの概略構造を示す断面図である。図１において、一般的にガラス材質で作られる基板１は、発光面を成す。陽極層３は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ＝indium tin oxide）など、良好な導電性を持つ透明な金属酸化物で作られており、光を透過する。有機層５は高効率の蛍光性を備える。陰極層７は、一般的に金属合金により作られる。陽極層３及び陰極層７をそれぞれ陽極及び負極に接続すると、物理的法則に従って、有機層５中へのホール注入および電子注入が起こる。ホールと電子がそれぞれエネルギーギャップを超えると有機層５中で励起子が生成する。励起子が励起状態から基底状態へ減衰するのに伴い、エネルギー放出による発光が起こる。陽極層３および基板１は光を透過するから、光は図１の矢印が示す方向へ放射される。
【０００４】
一般的に有機ディスプレイには２つの駆動タイプ、パッシブマトリックス方式及びアクティブマトリックス方式がある。パッシブマトリックスＯＬＥＤディスプレイでは、有機層を陰極電極線と陽極電極線の間に堆積しており、陰極電極線は陽極電極線と垂直にして、ＯＬＥＤのアレイを形成する。また、ＯＬＥＤ回路に対応するスイッチを使用してＯＬＥＤの発光を制御する。図２は、従来技術に係る、パッシブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの回路図である。図２において、ＯＬＥＤパネル９には陽極電極線１２に垂直に陰極電極線１０が配置してある。陰極電極線１０および陽極電極線１２の交差するダイオードは対応する画素単位２０を示す。陽極電極線１２はスイッチ１８を介して電流源１４に接続し、陰極電極線１０はスイッチ１６を介して接地される。実際の操作では、陰極電極線１０に対応するスキャン線に順次、電源が入り、例えば対応するスイッチ１６が閉じて接地される。さらに、各画素単位２０はスイッチ１８を制御することにより選択的に発光させることができる。パッシブマトリックスＯＬＥＤは構造が単純であるという長所を持つため、組立コスト及び収益上有利となる。しかしながら、パッシブマトリックスＯＬＥＤは短パルスモード下で操作されるため、高い操作電圧が必要であり、また発光効率も低かった。
【０００５】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイでは、各ＯＬＥＤを独立して駆動回路に接続する。図３は、従来技術に係る、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの回路図である。
【０００６】
スイッチングＴＦＴ（ＴＦＴ＝thin-film transistor）５０のゲートとソースをそれぞれスキャン線４０と信号線３０に接続する。またスイッチングＴＦＴ５０のドレインを蓄積キャパシタ５２に接続する。スキャン信号を、スキャン線４０を介して供給し、スイッチングＴＦＴ５０の状態を制御する。スイッチングＴＦＴ５０が導通状態（あるいは電源オン）時、信号線３０のロジック信号はノードＡへ伝送される。そして蓄積キャパシタ５２のもう一方の端子をキャパシタ線４２へ接続する。一般的にＯＬＥＤパネル中の画素単位の各キャパシタ線４２は全て接続される。ノードＡのロジック信号を駆動ＴＦＴ５４のゲートに接続して、駆動ＴＦＴ５４のソースとドレインをそれぞれ電源線３２とＯＬＥＤ５６の陽極へ接続する。ＯＬＥＤ５６の陰極をコモン線４４に接続する。ノードＡでロジック信号により駆動ＴＦＴ５４の電源が入ると、電源線３２、駆動ＴＦＴ５４、ＯＬＥＤ５６からコモン線４４までのループが形成してＯＬＥＤ５６は発光する。駆動ＴＦＴ５４が非導通状態（電源がオフ）時、ＯＬＥＤは発光しない。さらに、一般的にＯＬＥＤパネル中の全画素単位の電源線３２とコモン線４４はそれぞれ接続され、電源線３２は正電圧へ接続されてコモン線４４は接地される。
【０００７】
上述のように、アクティブマトリックスＯＬＥＤの駆動ＴＦＴ構造は、例えばスイッチングＴＦＴ５０及び蓄積キャパシタ５２のように、部分的にＬＣＤパネルの構造と類似している。しかしながら、ＯＬＥＤとＬＣＤの画素単位構造は異なるため、従来のＬＣＤパネル検査装置はＯＬＥＤパネルに充用できなかった。
【０００８】
図４は、従来技術に係る、アクティブマトリックスＬＣＤパネルの検査回路図である。図４において、単一画素単位に対応する制御トランジスタ６２及び蓄積キャパシタ６０が示されている。制御トランジスタ６２のゲートはスキャン線７２に接続する。検査点７４はイメージ信号の入力位置を示す。検査装置にはスイッチ６５、電圧源６９、及び判定装置６７が配置されている。スイッチ６５は判定装置６７又は電圧源６９のうち一方を選択して検査点７４に接続する。検査方法を以下に述べる。まずスイッチ６５を切り換えて、電圧源６９を蓄積キャパシタ６０に接続し蓄積キャパシタ６０（例えばノードＡ’）中に電荷を蓄積する。続いて、電荷を蓄積キャパシタ６０中に一定時間保持した後に、スイッチ６５を判定装置６７へ切り換える。判定装置６７は蓄積キャパシタ６０中に蓄積された電荷を読み出して（検知して）、画素単位が正常であるかどうかを判断する。
【０００９】
従って、図４に示す従来のアクティブマトリックスＬＣＤパネルの検査装置では、一般のＯＬＥＤ画素単位を完全に検査することはできなかった。なぜなら従来の検査装置では図３に示す駆動ＴＦＴ５４およびＯＬＥＤ５６の部分を検査することができなかったためである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ＯＬＥＤアレイ中の画素単位が正常であるかどうかを完全に判断することができる、ＯＬＥＤアレイ（あるいはパネル）の検査方法及び検査装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決し、所望の目的を達成するために、本発明に係る有機LEDアレイの検査方法は、複数の画素単位を具備しており、各画素単位には共用された電源線及び共用されたコモン線が配置されている有機LEDアレイに対して有効である。まず、コモン線と電源線との間に、電流計と電圧源を直列に接続する。続いて、第１論理値（例えば論理値１）を順番に画素単位へ書き込み、書き込まれた画素単位に対応する第１電流値を、電流計により得る。最後に、書き込まれた画素単位に対応する第１電流値により、画素単位が欠陥を有するかどうかを判断する。また画素単位が欠陥を有すると決定された場合には、欠陥画素単位に対応する第１電流値及び他の正常な画素単位に対応する第１電流値により、欠陥画素単位の欠陥タイプが決定される。さらに、第２論理値（例えば論理値０）を順番に画素単位へ書き込み、書き込まれた画素単位に対応する第２電流値を、電流計により得る。画素単位が欠陥を有すると決定された場合には、欠陥画素単位に対応する第１電流値と第２電流値及び他の正常な画素単位に対応する第１電流値と第２電流値により、欠陥画素単位の欠陥タイプが決定される。さらにまた、検査方法には蓄積キャパシタの検査が含まれ、短絡欠陥を検知することができる。蓄積キャパシタの検査ステップは、（１）画素単位中に電荷を蓄積し、（２）一定時間、画素単位中に保持した後に電荷を読み出し、（３）電荷を読み出した数値により画素単位が欠陥を有するかどうかを判断する。
【００１２】
本発明に係る有機LEDアレイの検査装置には、バイアス電圧を電源線及びコモン線に供給する電圧源と、順番に第１論理値を画素単位へ書き込む書き込み回路と、電圧源と直列に接続され、電源線とコモン線との間を流れる電流を読み込んで、画素単位に対応する第１電流値を発生させる電流計と、電流計に接続され、画素単位が欠陥を有するかどうかを画素単位に対応した第１電流値により判断する決定部とが備えられている。画素単位が欠陥を有する場合には、決定部が、欠陥画素単位に対応する第１電流値および他の正常な欠陥画素単位に対応する第１電流値により、欠陥画素単位の欠陥タイプを判断する。更に書き込み回路は、順番に第２論理値を画素単位へ書き込み、書き込まれた画素単位に対応する第２電流値を電流計により得る。決定部は画素単位が欠陥を有するかどうかを画素単位に対応した第１電流値及び第２電流値により判断する。決定部はまた、画素単位が欠陥を有する場合には、欠陥画素単位に対応する第１電流値と第２電流値及び他の正常な欠陥画素単位に対応する第１電流値と第２電流値により、欠陥画素単位の欠陥タイプを判断する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る好ましい実施の形態を図面に基づいて説明する。
図５は、本発明に係る、アクティブマトリックスＯＬＥＤアレイ（又はパネル）の検査回路図である。図５において、ＯＬＥＤ画素単位中の素子の一部分を、図３を同一部分は同一参照符号で示す。ノードＡは蓄積キャパシタ５２とスイッチングＴＦＴ５４のゲートとの接続点を示す。ノードＢはスイッチングＴＦＴ５４のソース端子を示す。ノードＣはスイッチングＴＦＴ５４のドレインとＯＬＥＤ５６の陽極との接続点を示す。ノードＤはＯＬＥＤ５６の陰極を示す。実際には、ノードＡ乃至ＤはそれぞれＯＬＥＤ画素単位中の対応する線分セグメントを示す。図５において、検査装置には電源線３２に接続された電流計８０、電圧源８２、コモン線４４に接続された電流計９０、電圧源９２、画素単位に論理値１又は論理値０を書き込む書き込み回路９５、及び電流計８０と電流計９０とから読み込んだ値により欠陥を見つけ出して欠陥のタイプを特定するための決定部９７が備えられている。図５は検査装置の一般的な構造を示したものであるが、実際に応用する場合には１個の電流計および１個の電圧源のみ必要とされる。書き込み回路９５は論理値１又は論理値０をノードＡへ書き込み、電圧源８２及び電圧源９２が駆動ＴＦＴ５４及びＯＬＥＤ５６を含む回路をバイアスし、電流計８０及び電流計９０が駆動ＴＦＴ５４及びＯＬＥＤ５６を流れる電流を測定する。最後に決定部９７は欠陥の有無と、可能性のある欠陥タイプとを決定する。図５では１個だけの画素単位が示されているが、全画素単位は電源線３２とコモン線４４とに接続されているため、電流計は画素単位を通る全ての電流も同等に検知することができる。この実施形態において画素単位を検査する際、論理値１及び論理値０が順番に画素単位のノードＡに書き込まれ、続いて電流計により電流値が読み込まれる。各電流値には検査中の画素単位を流れる電流及び他の画素単位を流れる電流が含まれる。以下に、各種の欠陥タイプによる電流値の変化を述べる。
【００１４】
まず、検査を行う画素単位は正常で、他の画素単位の影響を受けないものとする。もし論理値０がノードＡに書き込まれる場合には、駆動ＴＦＴ５４が非導通であるため（すなわち電源がオフ）、電流計の数値は０となる。またもし論理値１がノードＡに書き込まれて、電流計の数値が０でない場合には、電流値（以下Ｉｄと表記）は、ＯＬＥＤ５６が導通（すなわち電源がオン）時のＯＬＥＤの等価抵抗による。しかしながら、電源線３２及びコモン線４４は通常、全ての画素単位により使用されるため、実際に読み込む電流値の変化はより複雑となる。つまり、他の画素単位に欠陥がある場合には、電流値が変化する可能性がある。
【００１５】
検査を行う画素単位が欠陥を有する場合、電流計の数値は上述の値とは異なる。ここでは仮に他の画素単位を考慮しないことにする。第１欠陥タイプの場合、ノードＢ、Ｃ、又はＤで断線欠陥が発生すると電流計の数値は０でＯＬＥＤ５６は発光せず、ノードＡでの論理値は１又は０となる。第２欠陥タイプの場合、ノードＢとノードＣとの間で短絡が発生すると、駆動ＴＦＴ５４が制御不能となり、電流計の値が常にIdのままであり、ＯＬＥＤ５６が発光して、ノードＡでの論理値は１又は０となる。第３欠陥タイプの場合、ノードＣとノードＤとの間で短絡欠陥が発生しても、駆動ＴＦＴ５４は制御可能である。しかしながら、導通（電源オン）時、ノードＣとノードＤとの間の等価抵抗はＯＬＥＤ５６の等価抵抗と異なり、そのためノードＡの論理値が１の時、電流計の数値はＩｄより大きくなり、ＯＬＥＤは発光しない。
【００１６】
更に、他の画素単位にある欠陥が、検査中の電流計の数値に影響する可能性がある。例えば、他の画素単位のノードＢとノードＣとの間で短絡欠陥が発生した場合、定常電流が発生して、Ｉｄの増大により電流計の数値を増加させる。
【００１７】
以下にいくつかの実施例を示して、どの画素単位が欠陥を有しており、その欠陥タイプが何でありかを、電流計の数値により判断する方法を説明する。
【００１８】
図６（ａ）は、本発明の第１実施例に係るＯＬＥＤ画素単位の欠陥タイプを検知する検査回路図である。ＯＬＥＤアレイが１２個の画素単位を有するとして以下に述べる例を説明する。図６（ａ）において、２個の画素単位１００，２００はそれぞれ特定の欠陥タイプを有する。検査過程ではまず論理値０を各画素単位に書き込み、それぞれの電流値を電流計８０で読み取る。図６（ｂ）は、論理値０を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。続いて、論理値１を各画素単位に書き込み、それぞれの電流値を電流計８０で読み取る。図６（ｃ）は、論理値１を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表であり、Ｉｄを１ｎＡと仮定してある。図６（ａ）において、画素単位１００のノードＣで断線欠陥が発生しており、上述のように、画素単位１００のノードＡで論理値が１又は０であっても、電流計８０の数値は０となる。さらに、図６ａに示すように、画素単位２００のノードＣとノードＤとの間で短絡欠陥が発生する、つまり（画素単位２００中の）ＯＬＥＤの陽極と陰極とが短絡すると、上述のように画素単位２００のノードＡで論理値が１又は０であっても、電流計８０の数値は１ｎＡよりも大きくなる（図６ｃの？で示す）。画素単位１００と画素単位２００のこれら２タイプの欠陥は、他の画素単位の検査結果に影響を与えないため、他の画素単位の電流計の数値は正常な状況と同じである。
【００１９】
図７（ａ）は、本発明の第２実施例に係るＯＬＥＤ画素単位の欠陥タイプを検知する検査回路図である。図７（ａ）において、２個の画素単位３００，４００はそれぞれ特定の欠陥タイプを有する。図７（ｂ）は、論理値０を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。図７（ｃ）は、論理値１を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。図７（ａ）に示すように、画素単位４００のノードＢとノードＣとの間で短絡欠陥が発生すると、駆動ＴＦＴは制御不能となるため、画素単位４００に書き込む論理値が１又は０であっても、電流計８０の数値は常に１ｎＡとなる。ここで注目すべきは、画素単位４００の欠陥タイプは電流値に影響を与えて、検査を行う他の画素単位の電流値を１ｎＡ増加させることである。例えば図７（ｂ）においては、他の画素単位に対応する電流値が０ｎＡから１ｎＡへ増加し、図７（ｃ）においては、他の画素単位に対応する電流値が１ｎＡから２ｎＡへ増加する。さらに画素単位３００のノードＣとノードＤとの間で短絡欠陥が発生すると、上述のように、電流計８０の数値は１ｎＡよりも大きくなる（図７ｃの？で示す）。
【００２０】
図８（ａ）は、本発明の第３実施例に係るＯＬＥＤ画素単位の欠陥タイプを検知する検査回路図である。図８（ａ）において、２個の画素単位５００，６００はそれぞれ特定の欠陥タイプを有する。図８（ｂ）は、論理値０を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。図８（ｃ）は、論理値１を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。画素単位４００と同様、画素単位６００のノードＢとノードＣとの間で短絡欠陥が発生すると、駆動ＴＦＴは制御不能となるため、画素単位６００に書き込む論理値が１又は０であっても、電流計８０の数値は常に１ｎＡとなる。ここで注目すべきは、画素単位６００の欠陥タイプは数値に影響を与えて、検査を行う他の画素単位の数値を１ｎＡ増加させることである。例えば図８（ｂ）においては、他の画素単位に対応する電流値が０ｎＡから１ｎＡへ増加し、図８（ｃ）においては、他の画素単位に対応する電流値は１ｎＡから２ｎＡへ増加する。さらに画素単位５００のノードＣで断線欠陥が発生すると、上述のように、画素単位５００に書き込む論理値が１又は０であっても、画素単位５００中に電流は流れない。しかしながら、画素単位５００に対応する実際の（電流計８０から読み取った）電流数値は、画素単位６００の影響を受けるため１ｎＡとなる。
【００２１】
図６（ｃ）、図７（ｃ）、及び図８（ｃ）に示す、第１乃至第３実施例の検査結果から、以下の結論が得られる。まず第１に、どの画素単位に欠陥があるのかは、論理値１が書き込まれた時の電流値により判断できる。第２に、全ての画素単位に対応する電流値が特定量増加した場合、ある欠陥画素単位の駆動ＴＦＴのソースとドレインは共に短絡していることを示す。論理値の１又は０が欠陥画素単位に書き込まれたとき、他の（短絡欠陥が無い）画素単位に対応する電流値は０以外の同じ数値である。第３に、もしある画素単位に対応する電流値が、論理値１又は論理値０をその画素単位に書き込まれても０である場合、その画素単位は断線欠陥を有することを示す。第４に、論理値１がある画素単位へ書き込まれた時、その画素単位に対応する電流値がIdの整数倍でない場合、その画素単位中のＯＬＥＤの陽極と陰極は短絡していることを示す。
【００２２】
図９は、本発明の第４実施例に係る、ＯＬＥＤ画素単位の欠陥タイプを検知する検査回路図である。図９において、２個の画素単位７００，８００はそれぞれ特定の欠陥タイプを有する。画素単位７００の欠陥は駆動ＴＦＴのゲートとドレインとの短絡、すなわち、図５のノードＡとノードＣとが短絡している。画素単位８００の欠陥は駆動ＴＦＴのゲートとソースの短絡、すなわち、図５のノードＡとノードＢとが短絡している。画素単位７００と画素単位８００で発生する欠陥は蓄積回路への放電ルートと等しい。つまり蓄積キャパシタに電荷が蓄積された時に、電荷の漏れが放電ルートを介して発生する。従来の蓄積キャパシタ検査方法は、上述の漏電の欠陥タイプを検知することに応用できる。図９において、スイッチ８３は接続状態を制御して、判定装置８７又は電圧源８５を画素単位へ接続して検査する。まずスイッチ８３を電圧源８５へ接続して蓄積キャパシタを充電する。蓄積キャパシタが電荷を一定時間保持した後、スイッチ８３を判定装置８７へ切り換える。蓄積キャパシタの電荷を読み出した後、画素単位に欠陥があるかどうかを判定装置８７に判断させる。もし画素単位７００および画素単位８００に前述のような欠陥がある場合、判定装置８７は蓄積キャパシタの電荷の減少を検知することになる。
【００２３】
以上のごとく、この発明を好ましい実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、同業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【００２４】
【発明の効果】
以上をまとめると、本発明は電流の数値により画素単位が欠陥を有するかどうかを判断することができる。また画素単位の欠陥タイプを、欠陥画素単位に対応する電流値及び他の正常な画素単位に対応する電流値により判断することができる。従って、産業上の利用価値が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術に係る、ＯＬＥＤの概略構造を示す断面図である。
【図２】従来技術に係る、パッシブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの回路図である。
【図３】従来技術に係る、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの回路図である。
【図４】従来技術に係る、アクティブマトリックスＬＣＤパネルの検査回路図である。
【図５】本発明に係る、アクティブマトリックスＯＬＥＤアレイ（又はパネル）の検査回路図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第１実施例に係る、ＯＬＥＤ画素単位の欠陥タイプを検知する検査回路図である。
（ｂ）は、論理値０を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。
（ｃ）は、論理値１を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。
【図７】（ａ）は、本発明の第２実施例に係る、ＯＬＥＤ画素単位の欠陥タイプを検知する検査回路図である。
（ｂ）は、論理値０を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。
（ｃ）は、論理値１を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。
【図８】（ａ）は、本発明の第３実施例に係る、ＯＬＥＤ画素単位の欠陥タイプを検知する検査回路図である。
（ｂ）は、論理値０を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。
（ｃ）は、論理値１を各画素単位に書き込んだ時の電流計の数値を示す表である。
【図９】本発明の第４実施例に係る、ＯＬＥＤ画素単位の欠陥タイプを検知する検査回路図である。
【符号の説明】
１      基板
３      陽極層
５      有機層
７      陰極層
９      ＯＬＥＤパネル
１０    陰極電極線
１２    陽極電極線
１４    電流源
１６    スイッチ
１８    スイッチ
２０    画素単位
３０    信号線
３２    電源線
４０    スキャン線
４２    キャパシタ線
４４    コモン線
５０    スイッチングＴＦＴ
５２    蓄積キャパシタ
５４    駆動ＴＦＴ
５６    ＯＬＥＤ
６０    蓄積キャパシタ
６２    制御トランジスタ
６５    スイッチ
６７    判定装置
６９    電圧源
７２    スキャン線
７４    検査点
８０    電流計
８２    電圧源
８３    スイッチ
８５    電圧源
８７    判定装置
９０    電流計
９２    電圧源
９５    書き込み回路
９７    決定部
１００  画素単位
２００  画素単位
３００  画素単位
４００  画素単位
５００  画素単位
６００  画素単位
７００  画素単位
８００  画素単位
【図１】
0003665274.tif 000002
【図２】
0003665274.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図９】
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