(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置において、
純水を貯溜し、基板を洗浄するための処理槽と、
純水の貯溜された前記処理槽に、純水に不溶でかつシリコーンを含有する流体を供給する供給手段と、
前記処理槽内へ基板を搬入する搬入手段と、
前記処理槽内の純水に浸漬された基板を前記処理槽から搬出する搬出手段と、
を備え、
前記供給手段は基板の搬入に先立って前記流体を供給することにより前記処理槽内の純水の水面に第１のシリコーン液層を形成し、
前記搬入手段は前記第１のシリコーン液層を通過させて前記基板を前記処理槽内に搬入し、
前記供給手段は基板の搬出に先立って前記流体を供給することにより前記処理槽内の純水の水面に第２のシリコーン液層を形成し、
前記搬出手段は前記第２のシリコーン液層を通過させて、前記処理槽内の純水に浸漬された前記基板を搬出する、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記供給手段が、前記第１のシリコーン液層の形成後も前記搬入手段による基板の搬入が完了するまで前記流体の供給を継続することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記供給手段が前記第２のシリコーン液層の形成後も前記搬出手段による基板の搬出が完了するまで前記流体の供給を継続することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記搬入手段により前記処理槽へ基板を搬入する際、および前記搬出手段により前記処理槽から基板を搬出する際に、前記処理槽内の純水及びシリコーン液層に超音波振動を付与する超音波振動付与手段、
をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板に所定の処理を行う基板処理装置において、
薬液を貯溜し、基板を処理するための第１処理槽と、
純水を貯溜し、基板を洗浄するための第２処理槽と、
純水の貯溜された前記第２処理槽に、純水に不溶でかつシリコーンを含有する流体を供給する供給手段と、
前記第１処理槽において薬液により処理された基板を前記第２処理槽内へ搬入する搬入手段と、
前記第２処理槽内の純水に浸漬された基板を前記第２処理槽から搬出する搬出手段と、
を備え、
前記供給手段は基板の搬入に先立って前記流体を供給することにより前記第２処理槽内の純水の水面に第１のシリコーン液層を形成し、
前記搬入手段は前記第１のシリコーン液層を通過させて前記基板を前記第２処理槽内に搬入し、
前記供給手段は基板の搬出に先立って前記流体を供給することにより前記第２処理槽内の純水の水面に第２のシリコーン液層を形成し、
前記搬出手段は前記第２のシリコーン液層を通過させて、前記第２処理槽内の純水に浸漬された前記基板を搬出する、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記供給手段が、前記第１のシリコーン液層の形成後も前記搬入手段による基板の搬入が完了するまで前記流体の供給を継続することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の基板処理装置において、
前記供給手段が前記第２のシリコーン液層の形成後も前記搬出手段による基板の搬出が完了するまで前記流体の供給を継続することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記搬入手段により前記第２処理槽へ基板を搬入する際、および前記搬出手段により前記第２処理槽から基板を搬出する際に、前記第２処理槽内の純水及びシリコーン液層に超音波振動を付与する超音波振動付与手段、
をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項５ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
純水を貯溜し、基板を洗浄するための第３処理槽をさらに備え、
前記搬出手段により前記第２処理槽から搬出された基板を前記第３処理槽へ搬入させて基板の洗浄を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記搬入手段と前記搬出手段は、基板の搬入と基板の搬出とを行う兼用の搬出入手段であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記流体は、シリコーンのみによって構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記流体は、シリコーン及び１０体積％以下の水溶性溶剤を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記シリコーンは、低分子シリコーンであることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等に対して洗浄等の所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、基板の一種であるウエハに対して、薬液によるエッチング処理、純水による洗浄処理、薬液による洗浄処理、純水による洗浄処理、及び乾燥処理という各処理が順次行われて、一連の基板処理が実行されている。
【０００３】
かかる一連の基板処理の実行をするために、従来の基板処理装置は、ウエハに対して薬液によるエッチング処理を行うエッチング処理槽、ウエハに対して純水による洗浄処理を行うための第１純水処理槽、ウエハに対して薬液による薬液処理を行う薬液処理槽、ウエハに対して純水よる洗浄処理を行うための第２純水処理槽及びウエハに対して乾燥処理を行う乾燥処理部をそれぞれ備えている。最初に、エッチング処理槽では、フッ酸（ＨＦ）等の薬液にウエハを浸漬させてウエハのエッチング処理を行う。次に、第１純水処理槽では、純水にウエハを浸漬させてウエハの洗浄処理（純水洗浄）を行う。次に、薬液処理槽では、薬液にウエハを浸漬させてウエハの薬液処理（薬液洗浄）を行う。次に、第２純水処理槽では、再度純水にウエハを浸漬させてウエハの洗浄処理（純水洗浄）を行う。最後に、乾燥処理部では薬液処理及び純水処理の終了したウエハの乾燥処理を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来から、エッチング処理槽によるエッチング処理と第１純水処理槽による純水処理とが終了した時点で、ウエハに付着するパーティクルが増加するという問題がある。特に、ベアウエハと酸化膜ウエハとが鏡面対向に配置して処理を行う場合、ウエハに付着するパーティクルの増加が顕著であった。
【０００５】
そのため、従来技術の基板処理装置のように、エッチング処理槽及び第１純水処理槽の後に、薬液にウエハを浸漬させてウエハの薬液処理を行う薬液処理槽を別途設けなければならず、洗浄処理にコストがかかるという問題があった。また、エッチング処理槽から第１純水処理槽へのウエハの搬送スピードを遅くすれば、ある程度ウエハに付着するパーティクルを減少させることはできるが、これはかえって、エッチングの均一性が悪くなるという別の問題があった。
【０００６】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、純水が貯溜された処理槽での洗浄処理後の基板へのパーティクルの付着を抑制し、基板処理装置の洗浄処理に要するコストを抑制する基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１に記載の基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、純水を貯溜し、基板を洗浄するための処理槽と、純水の貯溜された前記処理槽に、純水に不溶でかつシリコーンを含有する流体を供給する供給手段と、前記処理槽内へ基板を搬入する搬入手段と、前記処理槽内の純水に浸漬された基板を前記処理槽から搬出する搬出手段と、を備え、前記供給手段は基板の搬入に先立って前記流体を供給することにより前記処理槽内の純水の水面に第１のシリコーン液層を形成し、前記搬入手段は前記第１のシリコーン液層を通過させて前記基板を前記処理槽内に搬入し、前記供給手段は基板の搬出に先立って前記流体を供給することにより前記処理槽内の純水の水面に第２のシリコーン液層を形成し、前記搬出手段は前記第２のシリコーン液層を通過させて、前記処理槽内の純水に浸漬された前記基板を搬出する、ことを特徴とするものである。
【０００９】
請求項２に記載の基板処理装置は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記供給手段が、前記第１のシリコーン液層の形成後も前記搬入手段による基板の搬入が完了するまで前記流体の供給を継続することを特徴とするものである。
【００１０】
請求項３に記載の基板処理装置は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、前記供給手段が前記第２のシリコーン液層の形成後も前記搬出手段による基板の搬出が完了するまで前記流体の供給を継続することを特徴とする基板処理装置。
【００１３】
請求項４に記載の基板処理装置は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬入手段により前記処理槽へ基板を搬入する際、および前記搬出手段により前記処理槽から基板を搬出する際に、前記処理槽内の純水及びシリコーン層に超音波振動を付与する超音波振動付与手段をさらに備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項５に記載の基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、薬液を貯溜し、基板を処理するための第１処理槽と、純水を貯溜し、基板を洗浄するための第２処理槽と、純水の貯溜された前記第２処理槽に、純水に不溶でかつシリコーンを含有する流体を供給する供給手段と、前記第１処理槽において薬液により処理された基板を前記第２処理槽内へ基板を搬入する搬入手段と、前記第２処理槽内の純水に浸漬された基板を前記第２処理槽から搬出する搬出手段と、を備え、前記供給手段は基板の搬入に先立って前記流体を供給することにより前記第２処理槽内の純水の水面に第１のシリコーン液層を形成し、前記搬入手段は前記第１のシリコーン液層を通過させて前記基板を前記第２処理槽内に搬入し、前記供給手段は基板の搬出に先立って前記流体を供給することにより前記第２処理槽内の純水の水面に第２のシリコーン液層を形成し、前記搬出手段は前記第２のシリコーン液層を通過させて、前記第２処理槽内の純水に浸漬された前記基板を搬出する、ことを特徴とするものである。
【００１６】
なお、請求項５に記載における第１処理槽での基板の処理としては、フッ酸等の薬液によるエッチング処理が考えられる。
【００１７】
請求項６に記載の基板処理装置は、請求項５に記載の基板処理装置において、前記供給手段が前記第２のシリコーン液層の形成後も前記搬入手段による基板の搬入が完了するまで前記流体の供給を継続することを特徴とするものである。
【００１８】
請求項７に記載の基板処理装置は、請求項５または請求項６に記載の基板処理装置において、前記供給手段が前記第２のシリコーン液層の形成後も前記搬出手段による基板の搬出が完了するまで前記流体の供給を継続することを特徴とするものである。
【００２１】
請求項８に記載の基板処理装置は、請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬入手段により前記第２処理槽へ基板を搬入する際、および前記搬出手段により前記第２処理槽から基板を搬出する際に、前記第２処理槽内の純水及びシリコーン層に超音波振動を付与する超音波振動付与手段をさらに備えたことを特徴とするものである。
【００２２】
請求項９に記載の基板処理装置は、請求項５ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、純水を貯溜し、基板を洗浄するための第３処理槽をさらに備え、前記搬出手段により前記第２処理槽から搬出された基板を前記第３処理槽へ搬入させて基板の洗浄を行うことを特徴とするものである。
【００２３】
請求項１０に記載の基板処理装置は、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、前記搬入手段と前記搬出手段が、基板の搬入と基板の搬出とを行う兼用の搬出入手段であることを特徴とするものである。
【００２４】
請求項１１に記載の基板処理装置は、請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置において、前記流体が、シリコーンのみによって構成されていることを特徴とするものである。
【００２５】
請求項１２に記載の基板処理装置は、請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置において、前記流体が、シリコーン及び１０体積％以下の水溶性溶剤を含むことを特徴とするものである。
【００２６】
請求項１３に記載の基板処理装置は、請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置において、前記シリコーンが、低分子シリコーンであることを特徴とするものである。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明に係る基板処理装置の実施の形態について詳細に説明する。
【００２８】
図１は、本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図である。この基板処理装置は、大別して基板の一種であるウエハＷにフッ酸（ＨＦ）等の薬液によりエッチング処理を行うエッチング処理部１０と、ウエハＷに純水とシリコーンを含む流体（本実施の形態では液体）により洗浄を行う第１純水処理部２０と、ウエハＷに純水により洗浄を行う第２純水処理部３０と、エッチング処理部１０の上方の位置Ｐ１から第１純水処理部２０の上方の位置Ｐ２へ（図１の矢印Ａ）、また第１純水処理部２０の上方の位置Ｐ２から第２純水処理部３０の上方の位置Ｐ３（図１の矢印Ｂ）へとウエハＷの搬送を行う搬送部４０と、を備えている。エッチング処理部１０と、第１純水処理部２０と、第２純水処理部３０とは横方向に一列に隣接させて並べて配置されており、各処理部１０、２０、３０の上方に搬送部４０が配置されている。
【００２９】
エッチング処理部１０には、ウエハＷをフッ酸（エッチング液）に浸漬させて、ウエハＷにエッチング処理を行うためのエッチング処理槽１１と、エッチング処理槽１１内へフッ酸を供給する２つのフッ酸供給ノズル１２とが設けられている。それぞれのフッ酸供給ノズル１２は、その長手方向が略水平に、かつ相互に平行になるように設けられているとともに、第１純水処理部１０の外部に設けられたフッ酸供給源１３と配管１４を介して接続されている。なお、エッチング処理槽は、本発明の第１処理槽に相当する。
【００３０】
フッ酸供給ノズル１２から供給されたフッ酸はエッチング処理槽１１内部に貯溜され、やがてエッチング処理槽１１から溢れ出る。エッチング処理槽１１から溢れ出たフッ酸は、エッチング処理槽１１の外周部に形成された回収部１５へ流れ込む。回収部１５は図外の排出機構に接続されており、回収部１５に流れ込んだフッ酸が排出機構を経て基板処理装置外部へ排出される。
【００３１】
また、エッチング処理部１０の上方の位置Ｐ１（搬送部４０内）とエッチング処理槽１１との間でウエハＷを搬送するリフターＬＨ１が設けられている。このリフターＬＨ１は、リフターアーム１６を鉛直方向（矢印Ｃ）に昇降させる機能を有している。リフタアーム１６には、３本の保持棒１６ａ、１６ｂ、１６ｃがその長手方向が略水平（２本のフッ酸供給ノズル１２と略平行）となるように固設されており、３本の保持棒１６ａ、１６ｂ、１６ｃのそれぞれには、ウエハＷの外縁部が嵌まり込んで、ウエハＷを起立姿勢にて保持する複数の保持溝（図示省略）が所定間隔に配列して設けられている。
【００３２】
第２純水処理部３０には、ウエハＷを純水へ浸漬させてウエハＷに純水洗浄処理を行うための第２純水処理槽３１と、第２純水処理槽３１内へ純水を供給する２つの第２純水供給ノズル３２と、２つの第２窒素ガス供給ノズル３６とが設けられている。それぞれの第２窒素ガス供給ノズル３６は、中空の円筒形状でありその長手方向が略水平に、かつ相互に平行になるように設けられている。この第２窒素ガス供給ノズル３６は窒素ガス供給源３８に配管３７を介して接続されている。第２窒素ガス供給ノズル３６から、第２純水処理部３０内に窒素ガス（Ｎ２ガスが供給される。なお、第２純水処理槽３１は、本発明の第３処理槽に相当する。
【００３３】
また、それぞれの第２純水供給ノズル３２は、その長手方向が略水平に、かつ相互に平行になるように設けられているとともに、第２純水処理部３０の外部に設けられた純水供給源３３と配管３４を介して接続されている。
【００３４】
第２純水供給ノズル３２から供給された純水は、第２純水処理槽３１内部に貯溜され、やがて第２純水処理槽３１から溢れ出る。第２純水処理槽３１から溢れ出た純水は、第２純水処理槽３１の外周部に形成された回収部３５へ流れ込む。回収部３５は図外の排出機構に接続されており、回収部３５に流れ込んだ純水が排出機構を経て基板処理装置外部へ排出される。
【００３５】
また、第２純水処理部３０の上方の位置Ｐ３（搬送部４０内）と第２純水処理槽３１との間でウエハＷを搬送するリフターＬＨ３が設けられている。このリフターＬＨ３は、リフターアーム３９を鉛直方向（図１の矢印Ｅ）に昇降させる機能を有している。リフタアーム３９には、３本の保持棒３９ａ、３９ｂ、３９ｃがその長手方向が略水平（２本の第２純水供給ノズル３２と略平行）となるように固設されており、３本の保持棒３９ａ、３９ｂ、３９ｃのそれぞれには、ウエハＷの外縁部が嵌まり込んで、ウエハＷを起立姿勢にて保持する複数の保持溝（図示省略）が所定間隔に配列して設けられている。
【００３６】
搬送部４０には、搬送ロボット４１が設けられており、この搬送ロボット４１には、ウエハＷを保持するための２つの保持部４１１、４１２を備えている。搬送ロボット４１は、保持部４１１、４１２にウエハＷを保持した状態で、矢印Ａに示すように、エッチング処理部１０の上方の位置Ｐ２から第１純水処理部２０の上方の位置Ｐ２（搬送部４０内）へ移動するとともに、矢印Ｂに示すように、第１純水処理部２０の上方の位置Ｐ２から第２純水処理部３０の上方の位置Ｐ３（搬送部４０内）へ移動する。
【００３７】
次に、第１純水処理部２０について説明する。図２は第１純水処理部の全体構成を示す図であり、図３は第１純水処理部の平面図であり、図４は第１純水処理部の平面図である。
【００３８】
この第１純水処理部２０は、大別して、ウエハＷに洗浄処理を行う、本発明の処理槽に相当する、あるいは第２処理槽に相当する第１純水処理槽２１と、この第１純水処理槽２１に種々の流体を供給する機構とを備えている。この第１純水処理槽２１は、蓋（図示省略）を閉じることによって内部を密閉空間とすることができる筐体である。第１純水処理槽２１へのウエハＷの搬出入は、その蓋を開放した状態において行われる。
【００３９】
第１純水処理槽２１は、第１純水処理部２０の内部に固定配置されている。第１純水処理槽２１は、純水を貯溜し、その純水にウエハＷを浸漬することによってウエハＷを洗浄するための洗浄槽である。第１純水処理槽２１の内側底部には、２つの純水供給ノズル２２が配置されている。それぞれの純水供給ノズル２２は、その長手方向が略水平に、かつ相互に平行となるように設けられているとともに、第１純水処理部２０の外部に設けられた純水供給源２３が配管２４を介して接続されている。
【００４０】
また、それぞれの純水供給ノズル２２には、複数の吐出孔２２ａが設けられている（図４参照）。純水供給源２３から供給された新鮮な純水は配管２４を流れて純水供給ノズル２２に到達し、純水供給ノズル２２の吐出孔２２ａから第２純水処理槽２１へ供給される。なお、吐出孔２２ａは、斜め上方に向けて形成されており、純水供給ノズル２２から供給される純水は斜め上方に向けて（第２純水処理槽２１の中心部近傍へ向けて）供給される。
【００４１】
純水供給ノズル２２の吐出孔２２ａから供給された純水は、第１純水処理槽２１の内部に貯溜され、やがて第１純水処理槽２１の上端部から溢れ出る。第１純水処理槽２１の上端部から溢れ出た純水は、回収部２５へ流れ込む（図２参照。なお、図３及び図４では図示の便宜上回収部２５の記載を省略する）。回収部２５は、図外の排水機構に接続されており、回収部２５に流れ込んだ純水は排水機構を経て第１純水処理部２０外へ排出される。
【００４２】
また、第１純水処理部２０の内部であって、第１純水処理槽２１の外側には、外槽２６が設けられている。外槽２６は、例えばステンレス製の容器であり、その外側底部には超音波振動子を有する超音波振動源２７が付設されている。そして、外槽２６と第１純水処理槽２１との間は伝播水ＤＴで満たされている。これによって、超音波振動源２７からメガヘルツ帯の超音波振動が、伝播水ＤＴを介して第１純水処理槽２１に伝達され、さらに第１純水処理槽２１をその内部に浸漬されているウエハＷにも付与される。
【００４３】
ここで、超音波振動源２７を直接第１純水処理槽２１に直接付設しないのは、第１純水処理槽２１が石英製であるため、直接超音波振動源２７を接触させることができないためである。また、超音波振動源２７からの超音波振動がメガヘルツ帯に限定されるものではないのはもちろんである。なお、超音波振動源２７は、本発明の超音波振動付与手段に相当する。
【００４４】
また、第１洗浄処理部２０の内部には、リフターＬＨ２が設けられている。リフターＬＨ２は、リフターアーム２８を鉛直方向（図１及び図２の矢印Ｄ）に昇降させる機能を有している。リフターアーム２８には、３本の保持棒２８ａ、２８ｂ、２８ｃがその長手方向が略水平（２本の純水供給ノズル２２と平行）となるように固設されており、３本の保持棒２８ａ、２８ｂ、２８ｃのそれぞれにはウエハＷの外縁部が嵌まり込んでウエハＷを起立姿勢にて保持する複数の保持溝（図示省略）が所定の間隔に配列して設けられている。
【００４５】
このような構成により、リフターＬＨ２は、３本の保持棒２８ａ、２８ｂ、２８ｃによって相互に平行に積層配列させて保持された複数のウエハＷを第１純水処理槽２１に貯溜された純水に浸漬する位置とその純水から引き上げた位置との間で昇降させることができる。なお、リフターＬＨ２には、リフターアーム２８を昇降させる機構として、ボールネジを用いた送りネジ機構やプーリとベルトを用いたベルト機構等種々の機構を採用することができる。
【００４６】
また、第１純水処理部２０の内部には、２本の流体供給ノズル５０及び２本の第１窒素ガス供給ノズル６０が設けられている。２本の流体供給ノズル５０及び２本の第１窒素ガス供給ノズル６０は、いずれも長手方向を略水平方向に、かつ相互に平行にして（リフターＬＨ２の３本の保持棒２８ａ、２８ｂ、２８ｃと平行）配置された中空の円筒形状の部材である。流体供給ノズル５０には複数の吐出孔５０ａが形成され、第１窒素ガス供給ノズル６０には、複数の吐出孔６０ａが形成されている（図４参照）。
【００４７】
ここで、流体供給ノズル５０に設けられた複数の吐出孔５０ａは、その吐出方向が略水平方向になるように形成されている。一方、第１窒素ガス供給ノズル６０に設けられた吐出孔６０ａは、その吐出方向が斜め下方を向くように形成されている。そして、吐出孔５０ａは、リフターＬＨ２の３本の保持棒２８ａ、２８ｂ、２８ｃによって相互に平行に配列保持された複数のウエハＷにそれぞれの間に位置するように形成されている（図４参照）。
【００４８】
流体供給ノズル５０には、第１純水処理部２０外部に設けられた流体供給機構から流体（液体シリコーン）が送給される。かかる流体供給機構は、流体タンク５１と、送給ポンプ５２と、配管５３とによって構成されている。この流体タンク５１には液体シリコーンが貯溜されている。
【００４９】
シリコーンは、主鎖（Ｓｉ−Ｏ）Ｘとなる鎖状オルガノポリシロキサンの総称であるが、重合度によって、液状、グリース状、ゴム状、樹脂状のものがある。本発明に係る基板処理装置において使用されるシリコーンは、重合度の低い液状（粘液の低い）の低分子シリコーンである。低分子シリコーンの構造式を以下に示す。
【００５０】
【化１】
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【００５１】
本発明における低分子シリコーンとは、２量体から５量体まで（ｎが２から５）のものであり、本発明の実施の形態のシリコーンでは、２量体を用いている。本発明における低分子シリコーンの重合度を２量体から５量体までのものに限定するのは、この範囲であれば粘性の低い液状態となるため、送給ポンプ５２がシリコーンを流体として供給しやすいためである、なお、「低分子シリコーン」というときには、特に明記しない限り２量体から５量体までのものを示している。
【００５２】
流体タンク５１に貯溜されている液体シリコーンは、送給ポンプ５２によって配管５３を介して流体供給ノズル５０へ送給される。流体供給ノズル５０へ送給された液体シリコーンは、流体供給ノズル５０の吐出孔５０ａからミスト状態にて第１純水処理槽２１へ供給される。なお、本発明の実施の形態においては、流体タンク５１に液体シリコーンのみが貯溜されており、流体はシリコーンのみによって構成されている。
【００５３】
なお、第１純水処理槽２１に供給されたシリコーンの挙動については後述するが、シリコーンは非水溶性であって水よりも比重が小さいため、第１純水処理槽２１中に貯溜されている純水の表面に薄いシリコーンの液層を形成する。
【００５４】
一方、第１窒素ガス供給ノズル６０には、第１純水処理部２０の外部に設けられた窒素ガス供給源６２から窒素ガスが供給される。窒素ガス供給源６２は、配管６３を介して第１窒素ガス供給ノズル６０と接続されている。また、配管６３が配設されている経路の途中には、ヒータ６４が設けられている。窒素ガス供給源６２から送り出された窒素ガスは、配管６３を通過し、その途中においてヒータ６４によって加熱された後、第１窒素ガス供給ノズル６０に到達し、第１窒素ガス供給ノズル６０の吐出孔６０ａから斜め下方へ向けて吐出される。
【００５５】
次に、図５及び図６に基づいて、本発明に係る基板処理装置の処理動作について説明する。
【００５６】
まず、ウエハＷに対するエッチング処理を行う（ステップＳ１）。なお、このステップＳ１のエッチング処理では、まず、搬送部４０にあるリフターＬＨ１が、ウエハＷを保持した状態で搬送部４０からエッチング処理部１０内へ移動して、ウエハＷのエッチング処理部１０への搬入を開始する（図１の矢印Ｂ）。Ｐ１の位置からリフターＬＨ１が下降していくと、ウエハＷがエッチング処理槽１１のフッ酸（エッチング液）に浸漬され、ウエハＷのエッチング槽１１への搬入が完了する。
【００５７】
エッチング槽１１へのウエハＷの搬入が完了すると、ウエハＷに対するエッチング処理が行われる。このエッチング処理は、相互に間隔を隔てて積層配列された複数のウエハＷがリフタ−ＬＨ１により保持されてエッチング槽１１のフッ酸に浸漬させることによって進行する。そして、所定の時間経過すると、リフタ−ＬＨ１は、ウエハＷを保持した状態でエッチング槽１１のフッ酸から引き上げられ、エッチング処理部１０からウエハＷは搬出される（図１の矢印Ｃ）。以上により、ステップＳ１における、エッチング処理部１０でのウエハＷに対するエッチング処理は終了する。
【００５８】
次に、Ｐ１の位置において、ウエハＷがリフターＬＨ１から搬送ロボット４１へ渡され、搬送ロボット４１の保持部４１１、４１２がウエハＷを保持した状態で、搬送ロボット４１は、図１の矢印Ａに示すように、Ｐ１の位置からＰ２の位置へ移動する（ステップＳ２）。Ｐ２の位置において、ウエハＷが搬送ロボット４１から、第１洗浄処理部２０のリフターＬＨ２（図２）へ渡される。
【００５９】
次に、ウエハＷに対する第１純水処理を行う（ステップＳ３）。第１純水処理の処理動作について図６に基づいて説明する。
【００６０】
まず、流体供給ノズル５０からシリコーンの供給を開始する（ステップＳ３０）。シリコーンの供給が開始されると、シリコーンがミスト状に第１純水処理槽２１へ供給される。シリコーンは、非水溶性であって水より比重が小さいため、供給されたシリコーンは純水と完全に分離し、第１純水処理槽２１に貯溜されている純水の水面に薄い液体シリコーン層が形成される。
【００６１】
次に、シリコーンの供給を継続するか否かを判断する（ステップＳ３１）。ここでシリコーンの供給を継続すると判断した場合、まず、超音波振動源２７を「ＯＮ」にする（ステップＳ３１−１）。これにより、超音波振動源２７からメガヘルツ帯の超音波振動が、伝播水ＤＴを介して第１純水処理槽２１内の純水に伝達されると同時に、純水の水面に形成された液体シリコーン層にも伝達される。
【００６２】
そして、ウエハＷを保持した状態で、リフターＬＨ２が搬送部４０のＰ２の位置から第１純水処理部２０内へ移動して、第１純水処理部２０へのウエハＷの搬入を開始する（ステップＳ３１−２）。リフターＬＨ２が下降していくと、ウエハＷに対して液体供給ノズル５０からシリコーンが供給され、さらにウエハＷがエッチング処理槽１１の液体シリコーン層を通過して第１純水処理槽２１の純水内へ浸漬され、ウエハＷの第１純水処理槽２１内への搬入が完了する（ステップＳ３１−３）。このとき、ウエハＷにパーティクルが付着していても液体シリコーン層の形成された気液界面に通過時に、パーティクルがウエハＷから離れてしまう。ステップＳ３１−３のウエハＷの搬入が完了すると、流体供給ノズル５０からのシリコーンの供給を停止する（ステップＳ３１−４）。
【００６３】
一方、ステップＳ３１において、シリコーンの供給を継続しないと判断した場合、流体供給ノズル５０からのシリコーンの供給を停止する（ステップＳ３１−５）。そして、超音波振動源２７を「ＯＮ」にする（ステップＳ３１−６）。これにより、超音波振動源２７からメガヘルツ帯の超音波振動が、伝播水ＤＴを介して第１純水処理槽２１内の純水に伝達されると同時に、純水の水面に形成された液体シリコーン層にも伝達される。
【００６４】
そして、ウエハＷを保持した状態で、リフターＬＨ２が搬送部４０のＰ２の位置から第１純水処理部２０内へ移動して、第１純水処理部２０へのウエハＷの搬入を開始する（ステップＳ３１−７）。リフターＬＨ２が下降していくと、ウエハＷが第１純水処理槽２１の液体シリコーン層を通過して第１純水処理槽２１の純水内へ浸漬され、ウエハＷの第１純水処理槽２１への搬入が完了する（ステップＳ３１−８）。このとき、ウエハＷにパーティクルが付着していても液体シリコーン層の形成された気液界面に通過時には、パーティクルがウエハＷから離れてしまう。
【００６５】
ステップＳ３１−４、またはステップＳ３１−８が終了すると、超音波振動源２７を「ＯＦＦ」にする（ステップＳ３２）。
【００６６】
次に、ウエハＷに対する純水による洗浄処理（水洗処理）が行われる（ステップＳ３３）。水洗処理は、相互に間隔を隔てて積層配列された複数のウエハＷがリフターＬＨ２により保持されて第１純水処理槽２１中の純水に浸漬することによって進行する。このとき、純水供給ノズル２２から純水が供給され、第１純水処理槽２１の上端部から常に純水が溢れ出る状態になっている（いわゆる、アップフロー処理）。このようにしてパーティクル等の汚染物質がウエハＷから剥離して第１純水処理槽２１の外部に排出されることにより、ウエハＷの洗浄が行われる。なお、第１純水処理槽２１から溢れ出た使用済みの純水は、回収部２５に流れ込んで回収され、第１洗浄処理部２０の外部へ排出される。
【００６７】
ステップＳ３３において、所定時間の水洗処理が終了すると、流体供給ノズル５０からシリコーンの供給を開始する（ステップＳ３４）。シリコーンの供給が開始されると、シリコーンがミスト状に第１純水処理槽２１へ供給される。シリコーンは、非水溶性であって水より比重が小さいため、供給されたシリコーンは純水と完全に分離し、第１純水処理槽２１に貯溜されている純水の水面に薄い液体シリコーン層が形成される。
【００６８】
次に、シリコーンの供給を継続するか否かを判断する（ステップＳ３５）。ここで、シリコーンの供給を継続すると判断した場合、超音波振動源２７を「ＯＮ」にする（ステップＳ３５−１）。これにより、超音波振動源２７からメガヘルツ帯の超音波振動が、伝播水ＤＴを介して第１純水処理槽２１内の純水に伝達されると同時に、純水の水面に形成された液体シリコーン層にも伝達される。
【００６９】
そして、ウエハＷを保持した状態で、リフターＬＨ２が第１純水処理槽２１から上昇して、ウエハＷの搬出を開始する（ステップＳ３５−２）。リフターＬＨ２によるウエハＷの引き上げ時に、シリコーンの液層は純水とともに第１純水処理槽２１の上端部から流れ出るものの、シリコーンが流体供給ノズル５０から絶えず供給され続けているため、第１純水処理槽２１に貯溜されている純水の水面には、常にシリコーン層が形成されている。したがって、リフターＬＨ２によって引き上げられる複数のウエハＷは、純水の水面に形成されたシリコーン層を通過するとともに、シリコーンがウエハＷへ供給されることになる。そして、第１純水処理層２１中の純水、その純水水面に形成されたシリコーン層、及び引き上げられつつあるウエハＷのいずれに対しても、超音波振動源２７によって伝播水ＤＴを介して超音波振動が付与されることになる。
【００７０】
リフターＬＨ２の上昇により引き上げられつつあるウエハＷは上端から順にシリコーン層を通過することになる。ウエハＷが純水中にあるときは、ウエハＷの表面は当然水に接している。そして、ウエハＷがシリコーン層を通過するときに、シリコーン層を構成するシリコーンの液体がウエハＷの表面に接触していた水分に置換して付着する。
【００７１】
また、ウエハＷが第１純水処理槽２１から引き上げられる時には、超音波振動源２７からの超音波振動が付与されている。この超音波振動は、シリコーン層と純水とウエハＷとの境界部分にも伝播され、ウエハＷの表面に接触している水の層を剥離することに寄与する。すなわち、超音波振動源２７からの超音波振動は、シリコーンの液体がウエハＷの表面に接触していた水分に置換することを促進するのである。
【００７２】
リフターＬＨ２の上昇により第１純水処理槽２１からウエハＷが完全に離脱されると、流体供給ノズル５０からのシリコーンの供給を停止する（ステップＳ３５−３）。
【００７３】
一方、ステップＳ３５において、シリコーンの供給を継続しないと判断した場合、まず、流体供給ノズル５０からのシリコーンの供給を停止する（ステップＳ３５−４）。次に、超音波振動源２７を「ＯＮ」にする（ステップＳ３５−５）。これにより、超音波振動源２７からメガヘルツ帯の超音波振動が、伝播水ＤＴを介して第１純水処理槽２１内の純水に伝達されると同時に、純水の水面に形成された液体シリコーン層にも伝達される。
【００７４】
そして、ウエハＷを保持した状態で、リフターＬＨ２が第１純水処理槽２１から上昇して、ウエハＷの搬出を開始する（ステップＳ３５−６）。ウエハＷの引き上げ時に、シリコーンの液層は純水とともに第１純水処理槽２１の上端部から流れ出るものの、第１純水処理槽２１に貯溜されている純水の水面には、シリコーン層が形成されている。したがって、リフターＬＨ２によって引き上げられる複数のウエハＷは、純水水面に形成されたシリコーン層を通過する。そして、第１純水処理槽２１内の純水、その純水の水面に形成されたシリコーン層、及び引き上げられつつあるウエハＷのいずれに対しても、超音波振動源２７によって伝播水ＤＴを介して超音波振動が付与されることになる。
【００７５】
リフターＬＨ２の上昇により引き上げられつつあるウエハＷは上端から順にシリコーン層を通過することになる。ウエハＷが純水中にあるときは、ウエハＷの表面は当然水に接している。そして、ウエハＷがシリコーン層を通過するときに、シリコーン層を構成するシリコーンの液体がウエハＷの表面に接触していた水分に置換して付着する。
【００７６】
また、ウエハＷが引き上げられる時には、超音波振動源２７からの超音波振動が付与されている。この超音波振動は、シリコーン層と純水とウエハＷとの境界部分にも伝播され、ウエハＷの表面に接触している水の層を剥離することに寄与する。すなわち、超音波振動源２７からの超音波振動は、シリコーンの液体がウエハＷの表面に接触していた水分に置換することを促進するのである。
【００７７】
ステップＳ３５−３、またはステップＳ３５−６が終了すると、超音波振動源２７を「ＯＦＦ」にする（ステップＳ３６）。
【００７８】
次に、第１窒素ガス供給ノズル６０から、窒素ガスを供給するか否か判断する（ステップＳ３７）。ステップＳ３７において、窒素ガスの供給が「要」と判断された場合、第１窒素ガス供給ノズル６０から窒素ガスまたはヒータ６４によって加熱された窒素ガスをリフターＬＨ２により引き上げられつつあるウエハＷへ供給する（ステップＳ３７−１）。第１窒素ガス供給ノズル６０から窒素ガスを供給することによって第１純水処理部２０内部が不活性ガスである窒素ガスに置換されるとともに、ウエハＷに付着したシリコーンが気化する。その後、ウエハＷに付着したシリコーンが完全に気化した後、窒素ガス供給ノズル６０からの窒素ガスの供給を停止する（ステップＳ３７−２）。
【００７９】
最後に、第１洗浄処理部２０の蓋（図示省略）を開放して、リフターＬＨ２に保持されたウエハＷを第１洗浄処理部２０から搬出してウエハＷの搬出が完了する（ステップＳ３８）。
【００８０】
なお、ステップＳ３７において、窒素ガスの供給が「不要」と判断された場合、窒素ガス供給ノズル６０からの窒素ガスの供給は行われず、第１洗浄処理部２０の蓋（図示省略）を開放して、リフターＬＨ２に保持されたウエハＷを第１洗浄処理部２０から搬出してウエハＷの搬出が完了する（ステップＳ３８）。以上により、ウエハＷの第１洗浄処理部２０での処理は終了する。
【００８１】
次に、ウエハＷに対して、以後の処理を行うか否か判断する（ステップＳ４）。ステップＳ４において、以後の処理を行わないと判断した場合、ウエハＷに対する一連の処理は終了する。
【００８２】
ステップＳ４において、以後の処理を行うと判断した場合、Ｐ２の位置において、ウエハＷがリフターＬＨ２から搬送ロボット４１へ渡され、搬送ロボット４１の保持部４１１、４１２がウエハＷを保持した状態で、搬送ロボット４１は、矢印Ｂに示すように、Ｐ２の位置からＰ３の位置へ移動する（ステップＳ５）。Ｐ３の位置において、ウエハＷが搬送ロボット４１から、第２洗浄処理部３０のリフターＬＨ３（図１参照）へ渡される。
【００８３】
次に、ウエハＷに対する第２純水処理（ファイナルリンス処理）を行う（ステップＳ６）。なお、このステップＳ６の第２純水処理では、まず、搬送部４０にあるリフターＬＨ３が、ウエハＷを保持した状態で、搬送部４０のＰ３の位置から第２純水処理部３０へ移動して、ウエハＷの第２純水処理部３０への搬入を開始する（図１の矢印Ｅ）。Ｐ３の位置からリフターＬＨ３が下降していくと、ウエハＷが第２純水処理槽３１の純水に浸漬され、ウエハＷの第２純水処理槽３１への搬入が完了する。
【００８４】
第２純水処理槽３１へのウエハＷの搬入が完了すると、ウエハＷに対する純水による洗浄処理が行われる。この洗浄処理は、相互に間隔を隔てて積層配列された複数のウエハＷがリフタ−ＬＨ３により保持されて第２純水処理槽３１内の純水に浸漬させることによって進行する。
【００８５】
そして、所定の時間経過すると、リフターＬＨ３はウエハＷを保持した状態で第２純水処理槽３１から引き上げられる。その際、リフターＬＨ３により引き上げられている最中に、第２窒素ガス供給ノズル３６から窒素ガスが第２純水処理部３０内へ供給される。第２窒素ガス供給ノズル３６から窒素ガスを供給することによって第２純水処理部３０内部が不活性ガスである窒素ガスに置換される。このとき、それと同時にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ、以下ＩＰＡとする）やシリコーンをウエハＷに供給すれば、ウエハＷの乾燥処理も行われることになる。
【００８６】
最後に、第２洗浄処理部３０の蓋（図示省略）を開放して、リフターＬＨ３に保持されたウエハＷを第２洗浄処理部３０から搬出してウエハＷの搬出が完了する。以上により、ウエハＷの第２洗浄処理は終了し、一連のウエハＷに対する処理も終了する。
【００８７】
以上のように、本発明に係る基板処理装置においては、第１純水処理槽２１の純水の水面にシリコーン層を形成し、そのシリコーン層に洗浄前のウエハＷを通過させているので、ウエハＷにパーティクルが付着していてもシリコーン層の形成された気液界面に通過時に、ウエハＷからパーティクルを離脱させることができる。
【００８８】
さらに、本発明に係る基板処理装置においては、第１純水処理槽２１の純水の水面にシリコーン層を形成し、そのシリコーン層を洗浄後のウエハＷを通過させることによってウエハＷの表面に接触していた水分を剥離して低分子シリコーンに置換している。そして、置換後にウエハＷの表面に付着した低分子シリコーンを気化させることによって、ウエハＷを乾燥させている。シリコーンは、化粧品等にも使用されており、オゾン破壊や温暖化等の問題も生じない。環境に対する負荷が軽い素材であるため、廃棄に対して特段の処理も必要としない。
【００８９】
また、低分子シリコーンは表面張力が小さく、水のそれが７１．８ｄｙｎ／ｃｍ、ＩＰＡが２０．８ｄｙｎ／ｃｍであるのに対して、低分子シリコーンの表面張力は、１６．５ｄｙｎ／ｃｍ以下である。このように、低分子シリコーンの表面張力が小さいことは、その浸透性がＩＰＡよりも低いことを意味している。低分子シリコーンは、その浸透性が高いために、近年の微細化・複雑化されたデバイス構造であっても容易に水分と置換させることができ、特にホールのようにアスペクト比（径に対する長さの比）の大きな箇所においても低分子シリコーンは水分と置換させることができる。したがって、低分子シリコーンを用いた洗浄方式あるいは乾燥方式では、近年の微細化・複雑化されたデバイス構造においても洗浄性能あるいは乾燥性能が良好であり、付着水分に起因したウォーターマークの問題は生じにくく、ウエハＷへのパーティクルの付着を抑制することができる。
【００９０】
また、低分子シリコーンは蒸発潜熱も小さく、水のそれが２２５６Ｊ／ｇ、ＩＰＡが６７４Ｊ／ｇであるのに対して、低分シリコーンの蒸発潜熱は、３００Ｊ／ｇ以下である。低分子シリコーンの蒸発潜熱が小さいことは、その乾燥方式では、ＩＰＡを用いた場合よりも速いことを意味している。したがって、低分子シリコーンを用いた乾燥方式では、ＩＰＡを用いた場合よりも乾燥に要する時間を短くすることができ、スループットが向上するとともに、付着水分に起因したウォーターマークがより発生しにくく、ウエハＷへのパーティクル付着をより効果的に抑制することができる。
【００９１】
また、上述した発明の実施の形態においては、第１純水処理槽２１内の純水の水面に形成されたシリコーン層中にウエハＷを通過させて、その表面に接触していた水分をシリコーンに置換させているため、ウエハＷの主面に接触していた水分が外気に曝されることなくシリコーンに置換されることとなり、ウォーターマークの発生をより効果的に抑制することができる。
【００９２】
また、発明の実施の形態においては、超音波振動源２７からの超音波振動によって、シリコーン層及び純水の両方へ超音波振動が伝わり、液体シリコーン層の形成された気液界面に通過時にウエハＷに付着しているパーティクルがさらにウエハＷから離脱されやすくなり、また、ウエハＷの表面に接触していた水の層を剥離しやすくしているため、シリコーンによる置換効率がより高いものとなる。
【００９３】
また、発明の実施の形態においては、少なくともウエハＷがシリコーン層を通過している間に、上述した図６のステップＳ３１−１〜ステップＳ３１−４、またはステップＳ３５−１〜ステップＳ３５−３の段階で、流体供給ノズル５０からシリコーンを供給し続けているので、置換によって水分が剥離され、水滴としてシリコーン層中を漂う水分が順次第１純水処理槽２１から排出され、第１純水処理槽２１の純水の水面には新たなシリコーン層が形成されることとなり、シリコーンによる高い置換効率を維持することができる。
【００９４】
さらに、シリコーンは非水溶性であって、水と完全に分離するため、シリコーン層と水分との界面にはマランゴニ対流が発生しない。このため、マランゴニ対流に起因したパーティクルの転写等の問題も生じることもない。
【００９５】
以上本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上述した発明の実施の形態では、流体タンク５１に液体の低分子シリコーンにみを貯溜し、流体をシリコーンのみによって構成していたが、これを流体タンク５１に液体低分子シリコーン及び水溶性溶剤の混合液を貯溜し、流体をシリコーン及び水溶性溶剤の混合液の混合液としてもよい。水溶性溶剤としては、例えば、ＩＰＡのように、アルコール、アセトン、ケトン、カルボン酸等を用いることができる。
【００９６】
また、混合液中の水溶性溶剤は１０体積％以下とする必要がある。これは、混合液中の水溶性溶剤は１０体積％より多くなると、混合液中におけるシリコーンの比率が低下し、上述したようなシリコーンを用いたことによる効果が得られにくくなるとともに、ＩＰＡ等を用いることによる固有の問題（廃棄の問題等）が生じるからである。混合液中の水溶性溶剤が１０体積％以下であれば、かかる問題はほとんど生じない。
【００９７】
また、上述した発明の実施の形態では、複数のウエハＷを一括して処理するバッチ式の装置であったが、これをウエハＷを一枚ずつ処理する。いわゆる枚葉式の装置としても本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法を適用することができる。
【００９８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る基板処理装置によれば、供給手段によりシリコーンを含有した流体を供給しつつ、搬入手段によって処理槽内へ基板を搬入させて、基板の洗浄を行っているので、シリコーンにより気液界面に通過時に基板からパーティクルが離脱され、基板へのパーティクルの付着を抑制することができる。
【００９９】
また、本発明に係る基板処理装置によれば、従来のように、純水による洗浄の後、薬液に基板を浸漬させて基板の薬液処理を行う薬液処理槽を別途設ける必要がないので、基板処理装置の洗浄処理に要するコストの上昇を抑制できる。
【０１００】
また、本発明に係る基板処理装置によれば、供給手段によりシリコーンを含有した流体を供給して、純水の水面にシリコーン層を形成した状態で、搬入手段によって処理槽内へ基板を搬入させて、基板の洗浄を行っているので、純水の水面に形成されたシリコーン層により気液界面の通過時に基板からパーティクルが離脱され、基板へのパーティクルの付着を抑制することができる。
【０１０１】
また、第１処理槽において薬液により基板の処理を行った後、供給手段によりシリコーンを含有した流体を供給しつつ、搬入手段によって第２処理槽内へ基板を搬入させて、基板の洗浄を行っているので、シリコーンにより気液界面の通過時に基板からパーティクルが離脱され、基板へのパーティクルの付着を抑制することができる。
【０１０２】
また、本発明に係る基板処理装置によれば、従来のように、薬液による基板の処理及び純水による基板の洗浄処理の後、再度薬液に基板を浸漬させて基板の薬液処理を行う薬液処理槽を別途設ける必要がないので、基板処理装置の洗浄処理に要するコストの上昇を抑制できる。
【０１０３】
さらに、第１処理槽において薬液により基板の処理を行った後、供給手段によりシリコーンを含有した流体を供給して、純水の水面にシリコーン層を形成した状態で、搬入手段によって第２処理槽内へ基板を搬入させて、基板の洗浄を行っているので、純水の水面に形成されたシリコーン層により気液界面の通過時に基板からパーティクルが離脱され、基板へのパーティクルの付着を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図２】第１純水処理部の全体構成を示す図である。
【図３】第１純水処理部の平面図である。
【図４】第１純水処理部の側面図である。
【図５】本発明に係る基板処理装置の処理動作を示すフローチャートである。
【図６】第１純水処理部のウエハの処理動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０      エッチング処理部
１１      エッチング処理槽
１６      リフタアーム
１６ａ    保持棒
１６ｂ    保持棒
１６ｃ    保持棒
２０      第１純水処理部
２１      第１純水処理槽
２２      第１純水供給ノズル
２３      第１純水供給源
２４      配管
２５      オーバーフロー槽
２７      超音波振動源
２８      リフタアーム
２８ａ    保持棒
２８ｂ    保持棒
２８ｃ    保持棒
３０      第２純水処理部
３１      第２純水処理槽
３２      第２純水供給ノズル
３９      リフタアーム
３９ａ    保持棒
３９ｂ    保持棒
３９ｃ    保持棒
４０      搬送部
４１      搬送ロボット
５０      流体供給ノズル
５１      流体タンク
５２      送給ポンプ
５３      配管
６０      第１窒素ガス供給ノズル
６２      窒素ガス供給源
６３      配管
６４      ヒータ
ＬＨ１    リフター
ＬＨ２    リフター
ＬＨ３    リフター
Ｐ１      エッチング処理部の上方の位置
Ｐ２      第１純水処理部の上方の位置
Ｐ３      第２純水処理部の上方の位置
Ｗ        ウエハ
【図１】
0003615124.tif 000003
【図２】
0003615124.tif 000004
【図３】
0003615124.tif 000005
【図４】
0003615124.tif 000006
【図５】
0003615124.tif 000007
【図６】
0003615124.tif 000008