(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンシルマスクにおけるステンシル孔の開口に起因するステンシル孔形状の変位量を、平面応力解析を使用して算出し、該算出に基づいてステンシル孔パターンを補正して所望のパターン形状を得て、該パターン形状に基づいてステンシルマスクに所望パターン形状を形成するステンシルマスクの製造方法において、前記ステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみの変位量算出を行うことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
【請求項２】
各ステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみの変位量算出に加えて、所定サイズ未満のステンシル孔パターンの位置変位量補正を行うようにした請求項１に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３】
ステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみの形状変位量算出に加えて、所定サイズ未満のステンシル孔パターンには、平面応力解析における式｛ｐ｝＝Ａｔ〔Ｂ〕T〔Ｄ〕〔Ｂ〕｛ｄ｝（ここで｛ｐ｝は節点に与えられる外力のベクトル、Ａは要素の面積、ｔは要素の厚さ、〔Ｂ〕は要素の変位−歪マトリクス、〔Ｂ〕Tは〔Ｂ〕の転置マトリクス、〔Ｄ〕は要素の応力−歪マトリクス、｛ｄ｝は節点の変位量ベクトルである）で表される応力関係を利用してパターン形状情報を与えずステンシル孔パターンによる体積の変化を解析の各要素毎に式中のＡｔに与えることにより前記変位量算出を行うようにした請求項２に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４】
形成された所望パターン形状の輪郭のうち、斜め線及び曲線を許容値以下の補正ピッチの階段状に修正する請求項１から３までのいずれかに記載の方法。
【請求項５】
ステンシル孔パターンのうち所定サイズ以上のステンシル孔のみの開口に起因する変位量を算出し該算出に基づいてステンシル孔パターンを補正して所望のパターン形状を得て、該パターン形状に基づいて所望パターン形状をステンシルマスク本体に形成したことを特徴とするステンシルマスク。
【請求項６】
各ステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみの変位量算出に加えて、所定サイズ未満のステンシル孔パターンの位置変位量補正を行うようにした請求項５に記載のステンシルマスク。
【請求項７】
ステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみの形状変位量算出に加えて、所定サイズ未満のステンシル孔パターンには、平面応力解析における式｛ｐ｝＝Ａｔ〔Ｂ〕T〔Ｄ〕〔Ｂ〕｛ｄ｝（ここで｛ｐ｝は節点に与えられる外力のベクトル、Ａは要素の面積、ｔは要素の厚さ、〔Ｂ〕は要素の変位−歪マトリクス、〔Ｂ〕Tは〔Ｂ〕の転置マトリクス、〔Ｄ〕は要素の応力−歪マトリクス、｛ｄ｝は節点の変位量ベクトルである）で表される応力関係を利用してパターン形状情報を与えずステンシル孔パターンによる体積の変化を解析の各要素毎に式中のＡｔに与えることにより前記変位量算出を行うようにした請求項６に記載のステンシルマスク。
【請求項８】
形成された所望パターン形状の輪郭のうち、斜め線及び曲線を許容値以下の補正ピッチの階段状に修正する請求項５から７までのいずれかに記載のステンシルマスク。
【請求項９】
ステンシル孔パターンのうち所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみの開口に起因する変位量を算出し該算出に基づいてステンシル孔パターンを補正して所望のパターン形状を得て、該パターン形状に基づいて所望パターン形状を形成したステンシルマスクに、荷電粒子線を照射し、該ステンシルマスクを透過した前記荷電粒子線を半導体デバイスの表面に照射して該表面に前記ステンシルマスク上の所望パターンに対応するパターン形状を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項１０】
各ステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみの変位量算出に加えて、所定サイズ未満のステンシル孔パターンの位置変位量補正を行って形成したステンシルマスクを使用する請求項９に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項１１】
ステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみの形状変位量算出に加えて、所定サイズ未満のステンシル孔パターンには、平面応力解析における式｛ｐ｝＝Ａｔ〔Ｂ〕T〔Ｄ〕〔Ｂ〕｛ｄ｝（ここで｛ｐ｝は節点に与えられる外力のベクトル、Ａは要素の面積、ｔは要素の厚さ、〔Ｂ〕は要素の変位−歪マトリクス、〔Ｂ〕Tは〔Ｂ〕の転置マトリクス、〔Ｄ〕は要素の応力−歪マトリクス、｛ｄ｝は節点の変位量ベクトルである）で表される応力関係を利用してパターン形状情報を与えずステンシル孔パターンによる体積の変化を解析の各要素毎に式中のＡｔに与えることにより前記変位量算出を行って形成したステンシルマスクを使用する請求項１０に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項１２】
形成された所望パターン形状の輪郭のうち、斜め線及び曲線を許容値以下の補正ピッチの階段状に修正したステンシルマスクを使用する請求項９から１１までのいずれかに記載の半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ステンシル孔の形状補正を行ったステンシルマスク、その製造方法、前記ステンシルマスクを使用した半導体デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスが益々微細化され、光によるパターニングが困難になりつつあり、Ｘ線、電子線、イオンビーム等によるリソグラフィ技術等が提案され、研究開発されてきている。
これらの新しい手法の中には、使用するビームが透過する硬質のプレート上に、ビームを遮蔽あるいは吸収又は散乱する物質でパターンを設けたような、従来の光リソグラフィで使用してきたマスク構造とは異なり、使用するビームを透過しないプレートに、ビームが通過するための所望のパターン形状の孔を設けたステンシル様のマスクを用いるものがある。
【０００３】
ステンシルマスクは、通過するビームが通過する孔の側壁で反射し、パターン精度を損なわないようにする等の目的で薄膜である場合が多い。
ステンシルマスク作成工程において、パターン形成、即ちステンシル様の孔を空ける前の薄膜は、その結晶成長時に生じた初期応力やマスク構造によって生じる応力等の内部応力が残留した状態で平衡しており、ステンシル様の孔が形成された結果、そのパターン部分による内部応力が開放されるため、そのパターン自身が歪を受けると共に他のパターンを歪ませることになる。特に薄膜であるステンシルマスクの場合、材質によってはこの歪は大きく無視できない。
【０００４】
又一般にステンシルマスクの場合、マスク材料の形状そのものが転写すべきパターンであるため、ドーナツ状のパターンや、長い片持ち梁構造等、そのパターン形状や、材質、厚さ等の条件から、自身の形状を維持できないようなパターンを形成できないという制約から、相補マスクあるいはコンプリメンタリマスクと呼ばれる方式が用いられる。この方式では、マスクからウエハへの転写を１つのマスクによる照射ではなく、目的のパターンを複数のマスクで分割作成しておき、これら複数のマスクを使用し、それぞれで照射することで、目的のパターンをウエハ上に転写する方法であるが、ここで問題にしている歪は、パターン形状によりその歪み方も異なることから、複数照射間でのパターンの継ぎが正確に行われなくなることが多い。
【０００５】
同様に、歪がパターンにより決まるという特性上、パターンの異なるマスク層間での重ね合わせ精度を悪化させる要因にもなる。
この歪の原因でもある内部応力を低減し、あるいは応力による歪への影響度合を低減するためのマスク作成のプロセス的工夫やマスク構造の工夫が提案されている。これらとは別に、内部応力による歪を応力解析などで予測し、この結果を用いて予め補正したパターンでマスクを作成する方法が、特開平９−326349号公報や特開平９−218032号公報に開示されている。これらの方法は、光源としてＸ線を用いたリソグラフィに関するもので、対象はステンシルマスクではなく、Ｘ線を透過させる基板材料が薄いため、Ｘ線を吸収する材料のパターンによる歪の解消を対象としていて、その中で応力解析の処理時間を節約するために、転写するパターンを実現するための吸収体の形状を直接応力解析せずに、吸収体の面積密度を応力解析の際の膜厚としている点に特徴がある。
【０００６】
歪の解消という観点から、これらの技術は原理的にはステンシルマスクにも適用できると考えられる。しかし取り扱うパターンを面積密度で代表するためには、取り扱うパターンがどれも小さく、形状変化が無視でき、歪はそのパターンの形状ではなく、位置のみに現れるという前提が必要である。実際のＬＳＩのパターンには、チップ内に殆ど同一形状のパターンしかないコンタクト層のマスクであってもチップ外周部には、スクライプラインその他を構成するコンタクトのサイズに比して巨大なパターンが存在する。これらを含めて面積密度で取り扱ってしまうと、巨大なパターンを含む領域での歪計算は大きな誤差を持つことになる。
【０００７】
そこでステンシルマスクの応力補正を、大規模なパターンが存在しても高精度且つ高速で計算し、パターンを補正できることが望まれている。
ステンシルマスクに働く内部応力は、その材料の履歴や製造過程が明らかであれば既知である。応力情報とパターン形状、マスク材料の性質の情報を使用する材料力学的手法により、その歪は容易に計算できる。ステンシルマスクが板状であるため、使用する解析手段は平面応力解析で十分で、具体的計算方法としては有限要素法が一般的である。
【０００８】
有限要素法で平面応力解析を行うには、解析の対象物の形状を応力解析するために単純な要素に分割する。例えば対象となるステンシルマスク11が図３Ａに示すように、１個の大ステンシル孔12と４個の小ステンシル孔13を有する形状の場合は、前記対象を図３Ｂに示すように各ステンシル孔12及び13を除いたステンシルマスク11の表面を三角形の単純要素の集合体に分割する。
要素には、四角形や、要素辺上に解析上の節点を持たせた複雑な要素等様々あるが、三角形が最も単純な形態で頻繁に利用される。
【０００９】
三角形要素の場合、各要素について図４に示したように各節点即ち三角形の各頂点ｉ，ｊ，ｋにおける応力によるＸ−軸方向の変位量をｕi，ｕj，ｕk、Ｙ−軸方向の変位量をｖi，ｖj，ｖkのように取り決め、応力解析の結果、これらの変位量を求めることができる。
このような従来技術では、各節点が変位した結果、所望のパターン形状になるよう元のパターンを補正するので、厳密には数学的処理を施して逆関数を求める等して、これにより補正するべき量を求めることになるが、これには複雑な処理が必要であるとともに、必要以上に厳密な計算を行うことになる。
【００１０】
このような欠点を解消するために図５のフローチャートに示すプロセスが行われている。このプロセスでは、まず所望の元パターンを準備し、複写して第１補正後パターンとする。次いでこの第１補正後パターンに対して応力解析を行いその結果得られた変位量をマイナスの値の補正量であると見做し、元のパターンの各節点の座標値より引算し、その結果を第２補正後パターンとして該第２補正後パターンの応力解析を行い、得られる変位の結果と前記元パターンとの差分を計算し、その差分が許容範囲内であれば該当する第２補正後パターンを出力して終了する。前記差分が許容範囲外であればその差分を第２補正後パターンの各節点の座標値より引算して第３補正後パターンとし、再度応力計算を行って差分を算出して、この差分値が許容範囲内にあるか否かのチェックを行う。この操作を差分値が許容範囲内に収まるまで繰り返すことで、歪の少ない所望パターンを有するステンシルマスクを提供できる。
【００１１】
つまり図６Ａに示すように実際のステンシルマスク上に所望パターンと同じ形状のステンシル孔12ａ(一点鎖線)を刳り抜くと、ステンシル孔の界面で内部応力（図の例では引っ張り応力）が開放されて実際のステンシル孔12ｂは変位して実線で示すような湾曲した輪郭の孔になる。この変位量を考慮して図６Ｂに示す通り予め内側に向けて湾曲したステンシル孔12ｃ(一点鎖線)を刳り抜くと、ステンシル孔の界面で内部応力が開放されて実際のステンシル孔12ｄは変位して実線で示すような所望パターンの直線状の孔になる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
前述した通り、この応力解析のプロセスで一般的に使用される有限要素法では、解析のために複雑な形状を単純な要素に分割する。この分割により要素数は膨大になり、例えばステンシルマスク上のパターンとして孔５個のみを有する図３Ａ及びＢの例では200を超える要素で表現することになる。
有限要素法では、各頂点に対しそれぞれＸ−軸方向とＹ−軸方向の変位量を算出するので、全節点数の２倍の式を持つ連立１次方程式を解く作業が必要になる。図３Ｂの例では、節点数は約150あり、５個の孔を有するステンシルマスクの応力解析のために300元連立1次方程式を解くことになる。
【００１３】
実際のＬＳＩのパターンは非常に図形数が多く、例えば0.18μｍ世代のコンタクト層には１チップ当たり約1億個の図形が存在する。このパターンを有するステンシルマスクを要素分割すると、更に膨大な数の要素となる。
解析の段階で分割された要素などの情報から得られる連立1次方程式はマトリクスで表現される。その効率の良い解法は種々存在するが、それらの解法を使用したとしても膨大な要素数に対して非現実的な計算時間を必要とする。
【００１４】
本発明は、このような応力解析によるステンシルマスクのパターン補正を実用的に適用可能な比較的短時間で実施して製造されるステンシルマスク、その製造方法、該ステンシルマスクを使用した半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ステンシルマスクにおけるステンシル孔の開口に起因するステンシル孔形状の変位量を、平面応力解析を使用して算出し、該算出に基づいてステンシル孔パターンを補正して所望のパターン形状を得て、該パターン形状に基づいてステンシルマスクに所望パターン形状を形成するステンシルマスクの製造方法において、前記ステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみの変位量算出を行うことを特徴とするステンシルマスクの製造方法、これにより製造されるステンシルマスク、このステンシルマスクを使用した半導体デバイスの製造方法である。
【００１６】
以下本発明を詳細に説明する。
本発明では、実際のステンシルマスクに所望のパターンを形成するためのステンシルマスクパターンデータに対し、形成するパターンの補正を行うことにより、前記所望のパターンを実際のステンシルマスクに形成することを意図している。
このステンシルマスクパターンデータに所望のパターンと同じパターンを形成し、このパターンデータに基づいて実際のステンシルマスクにパターン形成を行うと、前述した通り内部応力等により歪が生じて正確なパターンが形成されないからである。
【００１７】
前述の通り、有限要素法等の平面応力解析でステンシルマスクパターンデータのパターン補正を行う場合に全ステンシル孔パターンを対象として応力解析を行うと、現実的に実行できない程度の長時間を要し、正確なパターン補正が可能であるにも拘らず、工業的に利用できなかった。
本発明者は、この平面応力解析に必要な時間を短縮して、該平面応力解析を工業的にステンシルマスクのパターン補正に利用することを検討し、本発明に到達したものである。
【００１８】
実際のＬＳＩの半導体デバイス用ステンシルマスクの製造においては、ステンシルマスクの材料として応力による歪が少ない材料が選択され、マスクの厚さは可能な限り薄くするが、ＬＳＩ上の半導体デバイスの多くの図形サイズに比べるとある程度厚くなる。従ってＬＳＩ上の小さい図形に対応するステンシルマスク上のステンシル孔の形状変化は無視できる程度に小さくなる。つまり所定サイズ未満のステンシル孔は、形状的変位量が許容範囲内であって、補正を行わずに半導体デバイスへの荷電粒子線の照射に照射しても、半導体デバイス上に所望のパターンと実質的に同一形状のパターンが形成される。従って所定サイズ未満のステンシル孔パターンデータ形状に対する応力解析を省略してもステンシル孔の形状の精度には殆ど影響がない。
【００１９】
本発明における「所定サイズ」は、対象とする半導体デバイスの世代毎に設定されるステンシルマスクに許容される寸法精度と、ステンシルマスクの材質及び厚さにより定まる、応力に対するパターンの変化度合の両者の関係で決定される。
ここでマスクに許容される寸法精度は、対象とする半導体デバイスのパターンに許容される変位範囲を半導体デバイスの用途等に応じて設定し、この許容変位範囲に基づいて算出する。又ステンシルマスクの応力に対する変化度合は理論的に算出し、又は実験で求めることができる。
【００２０】
このように本発明では、所定サイズ未満のステンシル孔について形状歪が実質的に存在しないものとして取り扱うが、位置的な変位に関しては周囲のステンシル孔による歪の累積値となるため無視できない。そこで各小図形の位置に関する変位量は、先の応力計算で算出した小図形の周囲の節点の変位量をもとに、該節点から小図形までの距離を考慮した単純な線形補間で算出する。
小図形による変位は非常に僅かであり、その影響はＬＳＩのチップレベルのグローバルな領域で蓄積された結果が問題となるのであり、補間方法自体を厳密に実施する意味が殆どなく、単純な線形補間で必要充分である。
【００２１】
又本発明では、応力解析の対象形状から多数存在する小図形を除去することで、解析時間の短縮化を意図しているが、前述の通り多数の小図形による累積された変位量が考慮されていない。
本発明ではこの不都合を一般的な有限要素法で使用される基本的な下記関係式に着目して解消又は低減する。
【００２２】
｛ｐ｝＝Ａｔ〔Ｂ〕T〔Ｄ〕〔Ｂ〕｛ｄ｝
【００２３】
式中、｛ｐ｝は節点に与えられる外力のベクトル、Ａは要素の面積、ｔは要素の厚さ、〔Ｂ〕は要素の変位−歪マトリクス、〔Ｂ〕Tは〔Ｂ〕の転置マトリクス、〔Ｄ〕は要素の応力−歪マトリクス、｛ｄ｝は節点の変位量ベクトルである。
前記式によると、要素の体積であるＡｔ（面積×厚さ）が単純に積の形で式全体に影響を与えていることが分かる。これより、各要素において該要素内にあった取り除かれた所定サイズ未満のステンシル孔による体積変化をＡｔに反映させることで、小図形による歪を更に正確に計算できる。この操作は、取り除かれたステンシル孔の部分の要素の厚さが仮想的に薄くなったものとして解析を行っていると理解することもできる。
【００２４】
前述した取り除いた小図形の解析要素の体積への反映は必須要件ではないが、本発明の必須要件である、所定サイズ以上のステンシル孔のみの変位量算出とともに行うと、更に精度良く、あるいは全てのステンシル孔の変位量算出を行う場合と比較して殆ど精度を低下させることなく、ステンシルマスクのパターン補正が行える。
本発明のステンシルマスクに荷電粒子線を照射し、該ステンシルマスクを透過した前記荷電粒子線を半導体デバイスの表面に照射して該表面に前記ステンシルマスク上の所望パターンに対応するパターン形状を形成することで所望のパターンを有する半導体デバイスが製造できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係わるステンシルマスクの製造方法の一実施態様を図１及び２を参照しながら説明する。
図１は本発明に係わるステンシルマスクを製造するためのステンシルマスクパターンデータを有限要素法による応力解析のために多数の三角形に要素分割した例を示す平面図、図２Ａは応力解析結果による補正を行った後の湾曲した輪郭を有するステンシル孔パターンを例示する概略図、図２Ｂは図２Ａのステンシル孔パターンに対して階段状の補正を行った後の概略図である。
【００２６】
図１では、1個の大ステンシル孔パターン１と４個の小ステンシル孔パターン２を有する長方形のステンシルマスクパターン３のうち、４個の小ステンシル孔パターン２の存在を無視し、１個の大ステンシル孔パターン１のみが存在するものとして、該大ステンシル孔パターン１以外のステンシルマスクパターン３を三角形に要素分割している。
このステンシルマスクパターン３では、例えば大ステンシル孔パターン１は一辺10μｍの正方形、小ステンシル孔パターン２は一辺100ｎｍの正方形であり、ステンシル孔パターン１及び２の数及び配置は図３Ｂのステンシルマスク11の場合と実質的に同じである。
この有限要素法による応力解析では、１個の要素に対して単純な解析しかしないため、応力変化が大きい(応力が集中しやすい)と予想される部分又は精密な解析を行うことが好ましい部分、図１では、大ステンシル孔パターン１の周囲でより細かい要素に分割している。図１における分割した要素数は約120個である。
【００２７】
一方、図３Ｂに示した従来の有限要素法によるステンシルマスクパターン11の応力解析では、大ステンシル孔パターン12と複数の小ステンシル孔パターン13の全てについて特にその周辺に関して微細な要素分割を行っており、小ステンシル孔パターン13の周辺では更に微細な要素分割が行われている。図３Ｂにおける分割した要素数は約200個である。
図１と図３Ｂの有限要素法のための要素分割を比較すると、図１において４個の小ステンシル孔パターン２の応力解析を省略することにより、要素数が約80個減少したことが分かる。
図１の例では、パターン数が少ないためこの程度の減少であるが、パターン数が多い程、減少への効果は大きくなる。
【００２８】
このような処理により得られる補正量の値は、各節点をそれぞれ独立にどの程度補正すべきかという値である。この値をそのまま使用して補正を行うと、大ステンシル孔パターンは、図２Ａに示すように樽型の形状の輪郭を有する曲線１ａになる。このような斜め線を含む図形を大量に生成すると、マスクデータ処理やマスク作成プロセスへの負担を大きくすることになる。マスクデータ処理への負担は、処理時間の浪費を招き、マスク作成プロセスへの負担は作成されるマスクの精度低下を招く。
【００２９】
そこでマスク作成上許容される精度から補正処理で許容される精度を決め、その値を基準に補正用許容ピッチを決め、その許容ピッチで斜め線となる部分について図２Ｂに示すように階段状に補正して斜め線を解消し縦横の直線１ｂのみにすると、データ処理についてもマスク作成についても、斜め線による余分な負担を掛けることがなくなる。
【００３０】
次に本発明及び従来技術によるステンシルマスクパターンの補正に関するシミュレーションを行って時間短縮量を算出する。
約８億個の小図形（ステンシル孔）を有する0.07μｍ世代を想定し、更に図３Ｂの４個の矩形の小ステンシル孔パターンの周辺の各小ステンシル孔パターンの影響を直接受ける有限要素解析のための三角形要素数を約100個と想定した。従って８億個の小図形については全部で200億個の三角形を必要とする。
【００３１】
一方本発明の一例として、形状変化が無視できない大図形程度の大きさの要素のパターンのみに対してマスク全体を均等に分割する。ＬＳＩのパターンにおいて、大きい図形は少ないため、この数はパターンの無いマスク全体を均等に分割したものとほぼ同一になる。この大きさを10μｍと仮定する。マスク上の解析すべき領域の大きさを現状のリソグラフィツールの最大サイズとするとウエハ上寸法で22mm×22mmである。22mm×22mmを10μｍの正方形で分割すると484万個で、三角形分割に換算するとこの倍の約1000万個になる。
有限要素解析は、要素数に比例した元を有する多元一次連立方程式を解く問題に相当し、この処理に要する計算複雑度は一般にＯ（ｎｌｏｇｎ)で表され、200億個の要素数を１／2000の1000万個にすることにより、処理時間を約１／3000に短縮できることになる。
【００３２】
【発明の効果】
本発明は、平面応力解析により、ステンシルマスクパターンを補正する際に、それを構成するステンシル孔パターンのうちの所定サイズ以上のステンシル孔パターンのみによる変位量算出を行う、換言すると所定サイズ未満のステンシル孔パターンの変位量算出を省略することにより、工業的に適用可能な比較的短時間で補正されたパターンを有するステンシルマスクパターンが得られ、このパターンに基づいてステンシルマスクを製造すると、所望パターンが形成されたステンシルマスクが得られる。
【００３３】
更にこのステンシルマスクに、荷電粒子線を照射し、該ステンシルマスクを透過した前記荷電粒子線を半導体デバイスの表面に照射すると、該表面に前記ステンシルマスク上の所望パターンに対応するパターン形状を形成され、所望の半導体デバイスが得られる。
実際の半導体デバイス上に形成される各種パターンには圧倒的に小図形の数が多く、本発明による効果が顕著に顕れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わるステンシルマスクを製造するためのステンシルマスクパターンデータを有限要素法による解析のために多数の三角形に要素分割した例を示す平面図。
【図２】図２Ａは応力解析による補正を行った後の湾曲した輪郭を有するステンシル孔パターンを例示する概略図、図２Ｂは図２Ａのステンシル孔パターンに対して階段状補正を行った後の概略図。
【図３】図３Ａは大ステンシル孔との小ステンシル孔を有するステンシルマスクを例示する平面図、図３Ｂは図３Ａのステンシルマスクを有限要素法で解析するために従来の方法で要素分割した例を示す平面図。
【図４】三角形要素分割の場合の各節点の変位量試算に関する変数を示す図。
【図５】応力解析法を用いた、変位量補正のプロセスを示すフローチャート。
【図６】図６Ａはステンシルマスクパターンデータによりステンシル孔(一点鎖線)を刳り抜いた場合に実際に形成されるステンシル孔（実線）を示す図、図６Ｂは図６Ａの結果を考慮して内側に湾曲するステンシル孔(一点鎖線)を刳り抜いた場合の実際に形成されるステンシル孔（実線）を示す図。
【符号の説明】
１……大ステンシル孔パターン、２……小ステンシル孔パターン、３……ステンシルマスクパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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