(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写界を複数の測光領域に分割して測光し、各測光領域ごとに測光データを所定の順序で出力する電荷蓄積型測光手段と、
複数の測光モードの中から任意の測光モードを設定するモード設定手段と、
前記モード設定手段により設定された測光モードに応じて測光データを記憶すべき測光領域を選択する領域選択手段と、
前記電荷蓄積型測光手段から出力される測光データの出力順序に基づいて前記領域選択手段により選択された測光領域の測光データを選別し、記憶手段に記憶する制御手段とを備える測光装置であって、
前記複数の測光モードには被写界の一部を測光する部分測光モードが含まれ、
前記領域選択手段は、前記モード設定手段により前記部分測光モードが選択された時は、前記測光データを記憶すべき測光領域として、露出演算に用いる測光領域を選択するとともに、露出演算に用いる測光領域を含む広い範囲の測光領域を前記電荷蓄積型測光手段の電荷蓄積時間の演算に用いる測光領域として選択し、
前記制御手段は、前記電荷蓄積型測光手段から出力される測光データの出力順序に基づいて、前記領域選択手段により選択された露出演算に用いる測光領域と電荷蓄積時間の演算に用いる測光領域の測光データを選別して前記記憶手段に記憶し、
前記記憶手段に記憶されている測光データに基づいて露出演算と電荷蓄積時間の演算を行なう演算手段を備えることを特徴とする測光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は被写体輝度を測定する測光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
被写体輝度を測定する測光装置が知られている。
図１４により従来の測光装置の構成を説明する。測光回路３１は複数の測光領域を備えており、すべての測光領域の測光出力はいったん記憶回路３２へ記憶される。測光モード設定部３３は、マルチパターン測光や中央部重点測光などの複数の測光モードを有し、撮影者により選択された測光モードを領域選択部３４へ出力する。領域選択部３４は、測光回路３１の複数の測光領域の中から選択測光モードに応じた測光領域を選択し、それらの測光領域情報を演算部３５へ出力する。演算部３５は、領域選択部３４からの測光領域情報にしたがって露出演算に必要な測光領域のデータだけを記憶回路３２から読み出し、露出演算を行なう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の測光装置では、測光回路のすべての測光領域の測光出力をいったん記憶回路に記憶し、それらの一部を露出演算に用いる場合には必要な領域の測光データだけを記憶回路から読み出して演算し、残りの測光領域の測光データは使用されることなく次回の測光時に廃棄されている。
【０００４】
ところで、被写界をきめ細かく測光してより最適な露出値を得るために、ＣＣＤ（チャージカップルドデバイス）などの測光素子を用いて被写界をさらに多くの測光領域に分割し、測光モードや主要被写体の位置に応じた測光領域を選択して露出演算に用いることが考えられる。
ＣＣＤなどの多くの測光領域を有する測光素子では、各測光領域の測光データが予め定められた順序で出力されるので、出力される順番に記憶回路に格納すれば記憶回路のアドレスと測光領域との対応関係が明確になり、処理がしやすくなる。
しかし、測光素子の測光領域数が多くなると記憶回路に格納する測光データ数も多くなるので、大容量の記録回路を用意する必要があり、装置がコストアップするという問題がある。
【０００５】
本発明の目的は、多数の測光領域の測光データを記憶するメモリの容量を低減することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、被写界を複数の測光領域に分割して測光し、各測光領域ごとに測光データを所定の順序で出力する電荷蓄積型測光手段と、複数の測光モードの中から任意の測光モードを設定するモード設定手段と、前記モード設定手段により設定された測光モードに応じて測光データを記憶すべき測光領域を選択する領域選択手段と、前記電荷蓄積型測光手段から出力される測光データの出力順序に基づいて前記領域選択手段により選択された測光領域の測光データを選別し、記憶手段に記憶する制御手段とを備える測光装置であって、
前記複数の測光モードには被写界の一部を測光する部分測光モードが含まれ、前記領域選択手段は、前記モード設定手段により前記部分測光モードが選択された時は、前記測光データを記憶すべき測光領域として、露出演算に用いる測光領域を選択するとともに、露出演算に用いる測光領域を含む広い範囲の測光領域を前記電荷蓄積型測光手段の電荷蓄積時間の演算に用いる測光領域として選択し、前記制御手段は、前記電荷蓄積型測光手段から出力される測光データの出力順序に基づいて、前記領域選択手段により選択された露出演算に用いる測光領域と電荷蓄積時間の演算に用いる測光領域の測光データを選別して前記記憶手段に記憶し、前記記憶手段に記憶されている測光データに基づいて露出演算と電荷蓄積時間の演算を行なう演算手段を備える。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は一実施形態の構成を示す機能ブロック図である。
測光回路１０は被写界を複数の領域に分割して測光し、それぞれの測光データを順次出力する。測光回路１０から出力された測光データは領域判定部１２により必要な領域のデータであるか否かが判定され、必要な領域の測光データはＡ／Ｄ変換部１３により数値化されてメモリ１４に記憶される。一方、不要な領域の測光データは廃棄される。必要な測光領域か否かは、測光モード設定部１１により設定された測光モードにより決定されるが、この測光モードの設定に関しては後述する。
メモリ１４に記憶された測光データは、蓄積時間設定部１５、有効性判定部１７および露出演算部２２へ出力される。蓄積時間設定部１５はメモリ１４に記憶されている測光データと前回の蓄積時間とに基づいて次回の蓄積時間を設定し、蓄積制御部１６は設定された蓄積時間だけ測光回路１０により測光を行う。なお、次回の蓄積時間の算出方法については後述する。
【０００８】
有効性判定部１７は、メモリ１４に記憶されている測光データが適正レベル内にあるか否かを判定し、判定結果を演算実行可否判定部２０へ出力する。この有効性の判定方法については後述する。
演算実行可否判定部２０では、有効性判定部１７の判定結果と、有効性判定部１７により測光データが不適正と判定された回数をカウントする第１カウンタ１８のカウント値と、電源投入後からの測光回数をカウントする第２カウンタ１９のカウント値とに基づいて、今回の測光データを用いて露出演算を行うべきかどうかを判定する。この判定の方法については後述する。
露出演算部２２では、演算実行可否判定部２０からの出力が演算実行可であった場合には、メモリ１４に格納されている測光データと、レンズデータ２１内に収められている撮影レンズの焦点距離、開放絞り値、射出瞳位置、ケラレ情報などのレンズデータとに基づいて、被写界の適正露出値の演算を行う。
【０００９】
露出制御部２３は、不図示のカメラのレリーズボタンが押されると、露出演算部２２により求められた適正露出値に基づいてミラー２、絞り２４、シャッター２５を制御し、フィルムの露光を行なう。
ここで、領域判定部１２、Ａ／Ｄ変換部１３、メモリ１４、蓄積時間設定部１５、蓄積制御部１６、有効性判定部１７、第１カウンタ１８、第２カウンタ１９、演算実行可否判定部２０および露出演算部２２は、すべて制御回路であるマイクロコンピュータ（以下、マイコンと略す）１００によって実現される。マイコン１００の制御プログラムについては後に詳しく説明する。
【００１０】
図２は一実施形態の測光光学系の構成を示す。
撮影レンズ１を通過した光束は、クイックリターンミラー２、拡散スクリーン３、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、接眼レンズ６を通って撮影者の目に達する。一方、拡散スクリーン３によって拡散された光束の一部は、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、測光用プリズム７、測光用レンズ８を通って測光素子９に導かれる。
【００１１】
図３は測光素子９の分割測光領域を示す。
測光素子９は、例えばＣＣＤなどの電荷蓄積型光電変換素子により構成されており、上下方向に１２分割、左右方向に２０分割された合計２４０個の測光領域を有しており、被写界のほぼ全面を分割して測光できる。なお、この実施形態では測光素子９の右下の測光領域から左上の測光領域まで（１，１）から（２０，１２）のアドレスを付して区別する。
測光モード設定部１１で設定された測光モードに応じて使用する測光領域が選択される。具体的には、ＡＭＰ（オートマティックマルチパターン測光）モードが選択されている場合には、２４０領域すべての測光データを適正露出演算に用いる。また、ＣＷ（センターウエイテッド測光）モードが選択されている場合には、図３に示すように被写界の中央付近の５２個の測光領域の測光データを適正露出演算に用いる。さらに、ＳＰ（スポット測光）モードが選択されている場合には、被写界の中央部付近の４個の測光領域のみを適正露出演算に用いる。
なお、ＳＰモードではスポット測光領域の位置を変更することができ、図に示すように、ＳＰＣ，ＳＰＬ，ＳＰＲ，ＳＰＴ，ＳＰＢの５個の測光領域の中から任意の領域を選択することができる。これらのＳＰモードの測光領域にはそれぞれ４個の測光領域が含まれている。
【００１２】
図４は測光素子９の構造を示す。
撮像画素２６は上下方向に１２画素、左右方向に２０画素にそれぞれ分割された光電変換部から構成され、これらの各画素は図３に示す各測光領域に対応している。また、撮像画素２６に隣接して補正用画素２７が設置される。この補正用画素２７は、上下方向に３画素、左右方向に２０画素にそれぞれ分割された光電変換部から構成され、これらの光電変換部はすべて遮光される。補正用画素２７の各列の出力Ｖｏｐｂ，Ｖｏ１，Ｖｏ２は、暗電流補正、アンプゲイン補正などに用いられる。なお、暗電流補正およびアンプゲイン補正については本発明に直接関係しないので説明を省略する。
撮像画素２６と補正用画素２７の電荷蓄積が終了すると、それらの画素の電荷信号は各画素に隣接して配置される不図示のＨレジスタによって１列ずつＶレジスタ２８へ転送され、さらにＶレジスタ２８によって１画素ずつ出力回路２９へ転送される。出力回路２９は各画素の電荷信号を電圧に変換し、１倍（ゲインＬ）または４倍（ゲインＨ）のシグナルアンプで増幅して順次出力する。
【００１３】
図５はＳＰモードにおける蓄積時間算出に用いる測光領域を示す。
上述したように、ＳＰモードでは適正露出演算に用いる測光領域は中央付近の４領域だけである。ここで、分割測光領域の測光データは適正露出演算の他に、次回測光時の蓄積時間の演算にも用いられる。次回の蓄積時間の算出方法については後述するが、前回の測光データと、前回の蓄積時間と、次回測光時の測光データの目標値とに基づいて算出する。つまり、前回の測光時と次回の測光時とで被写界輝度がほぼ同程度であると仮定すると、前回の測光データと前回の蓄積時間との比は、次回の測光データと次回の蓄積時間との比に一致することを利用して算出する。通常は測光領域内の測光データが最大の画素つまり一番明るい領域に注目し、その領域の測光データが目標値になるように次回の蓄積時間を決定する。ＳＰモードでは、適正露出演算に用いる４領域を中心とする６４領域の中の最高輝度の領域が目標値となるように、次回の蓄積時間を算出する。
ＳＰＣが選択されている場合には、（Ａ）に示すように（７，３）〜（１４，１０）の測光領域の測光データを蓄積時間算出に用いる。以下同様に、ＳＰＬが選択されている場合には（Ｂ）に示すように（１１，３）〜（１８，１０）の測光領域の測光データを、ＳＰＲが選択されている場合には（Ｃ）に示すように（３，３）〜（１０，１０）の測光領域の測光データを、ＳＰＴが選択されている場合には（Ｄ）に示すように（７，５）〜（１４，１２）の測光領域の測光データを、ＳＰＢが選択されている場合には（Ｅ）に示すように（７，１）〜（１４，８）の測光領域の測光データをそれぞれ蓄積時間算出に用いる。
【００１４】
ここで、次回の蓄積時間の算出に、適正露出演算に用いる４領域を中心とする６４個の測光領域を用いる理由は以下の通りである。
ＳＰモードの適正露出に用いる４領域の近傍に太陽などの４領域と比較して極めて輝度の高い被写体が存在した場合には、その高輝度被写体による光電子が周りの画素に漏れ出す、いわゆるブルーミング現象によって適正露出算出用の４領域の測光データが影響を受け測光誤差の原因となる。このような場合には、その高輝度被写体が飽和しないような蓄積時間で蓄積を制御すれば、ブルーミング現象を回避することができる。適正露出演算に用いる４領域を中心とするブルーミング現象の影響を受ける範囲は、高輝度被写体の輝度や測光光学系などにより変化するが、本実施形態では縦横それぞれ８領域の計６４領域をその範囲とする。ＳＰモードが選択されている場合には、適正露出演算に用いる４領域を中心とした６４領域の測光データがメモリ１４内に記憶されていれば十分であるから、領域判定部１２は測光モード設定部１１により設定されたスポット位置周辺の６４領域に該当するか否かを判定すればよい。
一方、ＣＷモードが選択されている場合には、ブルーミング現象の影響を回避するために２４０領域のすべての測光データを蓄積時間算出に用いる。また、ＡＭＰモードの場合には、もともと適正露出演算に２４０領域全部を用いるので、蓄積時間算出にも２４０領域全部を用いる。なお、ＡＭＰモードおよびＣＷモードが選択されている場合には、蓄積時間算出に２４０領域全部を用いるので領域判別する必要がなく、すべての測光データをメモリ１４へ記憶すればよい。
【００１５】
図６は、マイクロコンピュータ１００の測光制御プログラムを示すフローチャートである。このフローチャートにより、一実施形態の動作を説明する。
カメラの不図示のレリーズボタンが半押しされると、カメラの電源が投入され、この制御プログラムの実行が開始される。まず、ステップ１０１において、ＣＣＤなどの測光素子９の準備ができているか、すなわち電源投入後の最初の測光であるか否かを判別する。最初の測光であればステップ１０２へ進み、測光素子９の初期化を行い、蓄積時間ｉｎｔを１ｍＳに設定する。また同時に、カウンタ変数ＬＰおよびＦＮを０にリセットする。ここで、ＬＰは電源投入後の測光回数をカウントする変数であり、ＦＮは測光データが不適正であると判定された回数をカウントする変数である。
ステップ１０３では図１３に示す蓄積記憶ルーチンを実行し、設定された蓄積時間ｉｎｔによって測光を行い２４０領域それぞれの測光データを読み出す。ここで、測光モード設定部１１で設定された測光モードに対して必要な測光領域の測光データであるか否かを判定し、必要な領域の測光データだけをＡ／Ｄ変換してメモリ１４に記憶する。測光素子９からの各測光領域の測光データの出力順序は図４に示すように一定であるから、測光データの出力順序と測光領域の関係は１対１に定まっている。したがって、測光データが出力される順番により必要なデータと不要なデータとを判定する。なお、測光素子９における電荷の蓄積と測光データの読み出し方法については後述する。
ステップ１０４で、カウンタ変数ＬＰが３であるか否か、すなわち電源投入後に３回の測光を行なったか否かを判定し、３回に満たなければステップ１０５へ進んでＬＰをインクリメントする。
【００１６】
ステップ１０６で、図７に示す有効性判定ルーチンを実行し、最新の測光データが適正レベル内に収まっているかを判定する。この実施形態では、対象とする測光領域の最高輝度が飽和レベルとノイズレベルとの間にあるか否かにより測光データの有効性を判定し、適正レベル内に収まっていればその測光データを有効とし、不適正レベルであればその測光データを無効とする。続くステップ１０７において図９に示す蓄積時間算出ルーチンを実行し、最新の測光データとその時の蓄積時間と次回測光時の測光データの目標値とに基づいて、次回測光時の蓄積時間を算出する。
次にステップ１０８で、有効性判定結果を示すＯＫフラグにより有効の判定結果が出されたかどうかを判別し、有効であった場合はステップ１１１へ進み、そうでなかった場合はステップ１０９へ進む。最新の測光データが有効でなかった場合は、ステップ１０９でカウンタ変数ＦＮをインクリメントし、続くステップ１１０でＦＮ＝５であるか否かを判別する。ＦＮ＝５、すなわち５回連続で測光データが無効と判定された場合にはステップ１１１へ進み、そうでなければステップ１１２へ進む。つまり、５回連続で測光データが無効と判別された場合には、５回目の測光が終了した時点で測光データが無効であっても有効であった場合と同様にステップ１１１へ進み、カウンタ変数ＦＮをクリヤした後、ステップ１１３で露出演算を行う。５回の測光の内、１回でもデータが有効であると判定されれば、必ずステップ１１１を通るのでＦＮは０にクリアされる。したがって、ＦＮ＝５となるのは５回連続してデータが無効と判定された場合である。これは、何らかの影響により測光エラーが連続すると、その後の露出演算ができなくなるので、長時間にわたって適正露出値が更新されない状態が続くことになり、最新の被写界状態の適正露出が得られなくなるのを防止するためと、長期間適正露出値が更新されないことにより撮影者にカメラが故障したと思われるのを防止するためである。
【００１７】
ステップ１１０で５回連続して測光データが無効と判定されなかった場合は、ステップ１１２でＬＰ＝２で且つＦＮ＝２であるか否かを判別する。電源投入後に２回測光し、２回とも測光結果が無効と判定された場合は、ステップ１１３へ進み、そうでなければステップ１０３へ戻る。電源投入直後にはまだ適正露出値が求められていないので、適正露出値が求められるまでの間は撮影者がレリーズスイッチを全押ししても撮影ができない状態にある。したがって、例えば電源投入直後にいきなりレリーズボタンを全押しする、いわゆる一気押しがなされた場合には、撮影が不可能になるかまたは撮影されてもタイムラグを生じることになり、撮影者に不快感を与えることになる。そこで、電源投入後の２回の測光で２回とも無効と判定された場合には、速写性を重視して再度測光のやり直しは行わず、ステップ１１３へ進んで露出演算を行う。
【００１８】
ここで、電源投入後の２回目の測光で上記判定を行う理由は次の通りである。１回目の測光では前回のデータがないので所定の蓄積時間で測光を行っており、著しく不適正レベルの測光データが得られる可能性がある。２回目の測光では１回目のデータを基にして蓄積時間を調節するので適正な測光レベルで測光できる可能性が高くなり、測光精度が上がる。また、測光サイクルと、速写性の度合いのバランスも考慮する必要がある。電源投入直後の一気押しでは、速写性に必要な時間として約１００ｍＳ以内にふたたびレリーズ可能となる必要がある。
詳細な説明は省略するが、この実施形態では被写界が最も暗い状態で蓄積時間が長い場合においても、１００ｍＳ以内に２回の測光が可能である。もし、１００ｍＳ以内に２回以上の測光が可能であれば、２回目ではなくそれ以上の回数でステップ１１２の判定を行ってもよい。
また、測光サイクルは、蓄積時間によっても左右されるので、測光回数ではなく、電源投入後からの経過時間を計測し、ステップ１１２を通過する時点での経過時間が所定値を越えたらステップ１１２の判定を行うようにしてもよい。
ここで、データが無効と判定されたにも係わらず適正露出演算を行うと、不正確な適正露出値が算出される可能性があるが、この場合は適正露出値の精度よりも速写性を重視するのでやむを得ない。また、後に説明するように、速写性重視の場合には特別なアルゴリズムで適正露出値を算出し、適正露出値の精度悪化をカバーする処理を行う。
【００１９】
ステップ１１３では図１２に示す露出演算ルーチンを実行し、最新の測光データを用いて適正露出値を算出する。測光モードに対応する適正露出値の演算方法については後に更に説明を加える。次にステップ１１４において、レリーズスイッチが全押しされているかどうかを判定し、全押しされていればステップ１１５へ進み、算出された適正露出値に基づいて絞り２４とシャッター２５を制御してフィルムの露光を行う。ステップ１１６では、電源の半押しタイマーがタイムアップしたか否かを判定し、タイムアップしたらプログラムを終了し、そうでなければステップ１０１へ戻って上記処理を繰り返す。
【００２０】
図７は測光データの有効性判定ルーチンを示すフローチャートである。
ステップ２０１において、フラグＴＸおよびＴＮを０にクリアする。ＴＸは蓄積時間が最長時間に達した場合にセット（１）され、ＴＮは最短時間に達した場合にセット（１）されるフラグである。次にステップ２０２と２０３で、設定された測光モードがＡＭＰモードであるか、あるいはＣＷモードであるか、そのどちらでもないＳＰモードであるかを判別する。ＡＭＰモードの場合にはステップ２０４で有効性判定レベルＶｏｋに６４０ｍＶを設定し、ＣＷモードの場合にはステップ２０５でＶｏｋに１６０ｍＶを設定し、ＳＰモードの場合にはステップ２０６でＶｏｋに８０ｍＶを設定する。
ここで、測光モードによって有効性判定レベルＶｏｋが異なる理由は次の通りである。
それぞれの測光モードでは使用する測光領域の数が異なる上に、一般に被写界内には複数の異なる輝度を持った被写体が存在するため、使用する測光領域数が多いほど測光データ間の輝度差が大きくなる。輝度差が大きいと、低輝度側の測光データが小さくなってＳ／Ｎ比が悪化し、測光精度が低下する。したがって、測光領域数が多いほど測光ダイナミックレンジをできるだけ広く取るために、大きな測光データを得る必要がある。
【００２１】
次にステップ２０７で、Ｖｏｍａｘ，Ｖｏｐｂ，Ｖｏｍｉｎを求める。Ｖｏｍａｘは、各測光モードで適正露出演算に用いる測光領域の中の最大の測光データである。適正露出演算に用いる測光領域は、図３に示すように、ＡＭＰモードの場合は２４０領域すべてであり、ＣＷモードの場合は５２領域であり、ＳＰモードの場合はスポット位置の４領域である。Ｖｏｐｂは、Ｖｏｍａｘが存在する測光領域と同列にあるＶｏｐｂ出力である。例えば、図４に示す撮像画素２６の一番左の列にＶｏｍａｘが存在した場合、Ｖｏｐｂは補正用画素２７の一番左の列のＶｏｐｂの出力となる。Ｖｏｍｉｎは、各測光モードで適正露出演算に用いる測光領域の中の最小の測光データである。
次に、ステップ２０８で次式が成立するかどうかを判定する。
【数１】
Ｖｏｍａｘ＋Ｖｏｐｂ＜Ｖｏｖ
ここで、Ｖｏｖは測光素子９の飽和出力電圧値であり、図４の出力回路２９のゲインＨおよびＬごとにカメラ内の不図示の不揮発性メモリに記憶されている。このＶｏｖの標準的な値は３．４Ｖ程度である。
測光素子９による測光データには、被写界輝度に依存する信号成分と被写界輝度に依存しない暗電流成分とが含まれている。ところが、測光素子９の出力は暗電流成分が取り除かれた信号成分のみであるから、測光素子９の測光データが飽和しているか否かを判定する場合には、改めて信号成分Ｖｏｍａｘに暗電流成分Ｖｏｐｂを加算して飽和出力電圧値Ｖｏｖと比較しなければならない。
【００２２】
測光素子９による測光データが飽和出力電圧値Ｖｏｖを越えていない時は、ステップ２０９へ進んでオーバーフローフラグＯＶをクリヤ（０）する。続くステップ２１１で、露出演算に用いる測光領域の中で最小の測光データＶｏｍｉｎが測光素子９のノイズ電圧レベルＶｕｎよりも大きいか否かを判定する。
【数２】
Ｖｏｍｉｎ＞Ｖｕｎ
ここで、Ｖｕｎは測光素子９のノイズ電圧レベルであり、ゲインＨおよびＬごとにカメラ内の不図示の不揮発性メモリに記憶されている。このノイズ電圧レベルＶｕｎの標準的な値は４０ｍＶ程度である。
最小測光データＶｏｍｉｎがノイズ電圧レベルＶｕｎよりも大きい時は、図８のデータＡに示すように、最大測光データＶｏｍａｘと最小測光データＶｏｍｉｎが測光ダイナミックレンジＶｕｎ〜Ｖｏｖ内に収まっているので、ステップ２１２へ進んでアンダーフローフラグＵＮをクリヤ（０）し、測光データの有効性を示すフラグＯＫをセット（１）して処理を終了する。
【００２３】
一方、最小測光データＶｏｍｉｎがノイズ電圧レベルＶｕｎ以下の時は、図８のデータＢに示すように、オーバーフローはしていないがアンダーフローしている場合であるから、ステップ２１４へ進んでアンダーフローフラグＵＮをセットする。続くステップ２１５において、最大測光データＶｏｍａｘが測光モードに応じた有効判定レベルよりも大きいか否かを判定する。
【数３】
Ｖｏｍａｘ＞Ｖｏｋ
ここで、Ｖｏｋは設定された測光モードに応じて上記ステップ２０４または２０５または２０６で設定された有効判定レベルである。
最大測光データＶｏｍａｘが有効判定レベルＶｏｋよりも大きい時は、アンダーフローではあるが適正露出演算に必要なダイナミックレンジが確保されているとみなし、ステップ２１６でＯＫフラグをセットして処理を終了する。
一方、最大測光データＶｏｍａｘが有効判定レベルＶｏｋ以下の時は、ステップ２１７で、その回の蓄積時間ｉｎｔがｉｎｔ＿ｍａｘか、すなわち設定可能な最長蓄積時間であったかどうかを判定する。最長蓄積時間であった場合には、これ以上測光出力レベルを上げることは不可能であるから、ステップ２１８で最長蓄積時間フラグＴＸをセットし、続くステップ２１９でＯＫフラグをセットする。なお、フラグＴＸは、測光ダイナミックレンジは確保されていないがこれ以上のレベル調整が不可能であることを示しているので、適正露出演算時にこのフラグＴＸを参照して特別な処理を行うこともできるが、それについては本発明に直接関係しないので説明を省略する。
また、蓄積時間ｉｎｔが最長蓄積時間ｉｎｔ＿ｍａｘでなかった時は、ステップ２２０へ進んでＯＫフラグをクリヤして処理を終了する。
【００２４】
測光素子９による測光データが飽和出力電圧値Ｖｏｖを越えた時は、ステップ２０８からステップ２１０へ進み、オーバーフローフラグＯＶをセットする。続くステップ２２１で、上記数式２により、露出演算に用いる測光領域の中で最小の測光データＶｏｍｉｎが測光素子９のノイズ電圧レベルＶｕｎよりも大きいか否かを判定する。ＶｏｍｉｎがＶｕｎよりも大きい時は、図８のデータＣに示すように、オーバーフローしているがアンダーフローしていない場合であるから、ステップ２２２へ進んでアンダーフローフラグＵＮをクリヤする。一方、ＶｏｍｉｎがＶｕｎ以下の時は、図８のデータＤに示すように、オーバーフローもアンダーフローもしている場合であるから、ステップ２２３へ進んでアンダーフローフラグＵＮをセットする。
ステップ２２４において、その回の蓄積時間ｉｎｔがｉｎｔ＿ｍｉｎか、すなわち設定可能な最短蓄積時間であったかどうかを判定する。最短蓄積時間であった場合はこれ以上測光出力レベルを下げることが不可能であるから、ステップ２２５へ進んで最短蓄積時間フラグＴＮをセットし、続くステップ２２６でＯＫフラグをセットする。なお、フラグＴＮは、測光ダイナミックレンジは確保されていないがこれ以上のレベル調整が不可能であることを示しているので、適正露出演算時にこのフラグを参照して特別な処理を行うこともできるが、それについては本発明に直接関係しないので説明を省略する。
一方、その回の蓄積時間ｉｎｔが最短蓄積時間ｉｎｔ＿ｍｉｎでなかった時は、ステップ２２７へ進んでＯＫフラグをクリヤし、処理を終了する。
【００２５】
図９は蓄積時間ｉｎｔの算出ルーチンを示すフローチャートである。
この蓄積時間算出ルーチンは図６のステップ１０７で実行される。なお、この蓄積時間算出ルーチンが実行されるまでには、電源立ち上げ後少なくとも１回は測光が行われているので、直前の測光データがマイコン１００内のメモリ１４に残っている。まず、ステップ３０１と３０２で測光モードを判別する。測光モードにＡＭＰモードが設定されている時はステップ３０３へ進み、蓄積時間の演算に用いる測光領域数ｐｘに２４０を設定し、測光目標レベルＶａｇｃに２．５６Ｖを設定する。ＣＷモードが設定されている時はステップ３０４へ進み、測光領域数ｐｘにＡＭＰモードと同様の２４０を設定し、測光目標レベルＶａｇｃに１．２８Ｖを設定する。ＳＰモードが設定されている時はステップ３０５へ進み、測光領域数ｐｘに６４を設定し、測光目標レベルＶａｇｃに０．６４Ｖを設定する。
このように、ＡＭＰモードとＣＷモードでは蓄積時間の演算に全測光領域を用い、図５に示すようにＳＰモードでは蓄積時間の演算に設定されたスポット位置周辺の６４領域を用いる。蓄積時間演算に用いる測光領域数が、ＣＷモードやＳＰモードにおいて適正露出演算に用いる測光領域数よりも大きいのは、図５によりすでに説明した通りである。測光目標レベルＶａｇｃは次回の測光時に測光領域の内の最大の測光データが取るべき目標レベルを示しており、設定された測光モードによって異なる値が設定される。
【００２６】
ここで、測光モードに応じて測光目標レベルＶａｇｃが異なるのは次の理由による。ＡＭＰモードの場合には、適正露出演算時に２４０個すべての測光領域の輝度を算出する必要がある。適正露出値の演算方法については本出願人が特開平６−９５２００号公報で詳細に開示しているので説明を省略するが、写界内には輝度の異なる複数の被写体が存在することが多いので、できるだけ測光ダイナミックレンジが広くなるような測光の仕方が望ましい。したがって、最大輝度の測光領域ができるだけ飽和レベルに近くなるように蓄積時間を設定すれば、暗い被写体の出力が大きくなってノイズレベルに対してＳ／Ｎ比のよい出力を得ることができる。
ＣＷモードやＳＰモードの場合には、適正露出演算領域内の測光データを全て加算し、その加算値に応じた輝度に基づいて適正露出値を求める。つまり、適正露出演算に用いる複数の測光領域があたかも１領域の測光セルであるかのような出力を算出する。その場合、高輝度領域の測光出力が加算値に与える影響が極めて大きく、低輝度領域のＳ／Ｎ比はそれほど必要としない。したがって、目標測光レベルＶａｇｃは低くてもよいことになる。
また、ＳＰモードの場合には、ＣＷモードに比べて測光領域が小さいので、測光領域内の輝度差も小さいことが予想される。輝度差が小さければ低輝度部の出力も高輝度部の出力に近づくので低輝度部のＳ／Ｎ比もよくなり、低輝度部で輝度差の大きい場合と同じＳ／Ｎ比を得るための目標測光レベルＶａｇｃは小さくてもよいことになる。
【００２７】
次にステップ３０６では、次式により測光素子９により測光された最大の測光信号成分Ｖｏｍａｘ’と暗電流Ｖｏｐｂの和が飽和出力電圧値Ｖｏｖを越えていないかを判定する。
【数４】
Ｖｏｍａｘ’＋Ｖｏｐｂ＜Ｖｏｖ
ここで、最大測光データＶｏｍａｘ’は蓄積時間演算に用いる測光領域の内の最大値であり、有効性判定時に用いる測光領域の内の測光データの最大値Ｖｏｍａｘとは必ずしも一致しない。なお、この最大測光データの求め方は検索対象の測光領域数が異なるだけで有効性判定時の最大値の求め方と同様である。
最大測光データＶｏｍａｘ’が飽和出力電圧Ｖｏｖよりも低い時はステップ３０７へ進み、メモリに格納されている測光データが電源立ち上げ後の初回測光時のデータであるか否かを判定する。初回測光時のデータであればステップ３０８へ進み、最大測光データＶｏｍａｘ’が４０ｍＶ未満か否かを判定する。最大測光データＶｏｍａｘ’が４０ｍＶより小さい場合は、被写界がかなり暗いと予想される。また、電源投入直後にレリーズボタンが全押しされた場合を想定して、できるだけ早くに適正露出値を出力する必要があるので、この場合にはステップ３０９にあるように測光素子９にゲインＨを設定するとともに、次回の蓄積時間に４０ｍＳを設定する。この４０ｍＳという数値は、カメラの測光装置に要求される測光下限から、１回目の測光で検出不可能であった明るさまでをできるだけカバーできるような蓄積時間として、使用する測光系に合わせて決定されたものである。したがって、この数値はカメラに要求される速写性と、測光装置に要求される低輝度限界と、測光系の明るさから最適値を決定すればよい。
【００２８】
ステップ３０８でＶｏｍａｘ’が４０ｍＶ以上と判定された時は、次回の蓄積時間を計算によって最適化可能であるからステップ３１０へ進む。ステップ３１０では最大測光データＶｏｍａｘ’が０Ｖであるか否かを判定し、そうであればステップ３１１で次回の蓄積時間を前回の４倍とする。一方、最大測光データＶｏｍａｘ’が０Ｖの時はステップ３１２へ進み、次式により次回の蓄積時間の候補値ｉｎｔ’を求める。
【数５】
ｉｎｔ’＝ｉｎｔ・Ｖａｇｃ／（Ｖｏｍａｘ＋Ｖｏｐｂ）
ここで、ｉｎｔは前回の蓄積時間、Ｖａｇｃは（Ｖｏｍａｘ＋Ｖｏｐｂ）の目標値であり、測光モードに応じてステップ３０３またはステップ３０４またはステップ３０５において設定された値である。
数式５は、仮に前回と次回の測光時の被写界の明るさが等しいとすると、ｉｎｔ’の蓄積時間で次回の測光を行えば、次回の測光時に求められる（Ｖｏｍａｘ＋Ｖｏｐｂ）が目標測光レベルＶａｇｃに等しくなることを表わしている。
【００２９】
次に、ステップ３１３では次式により次回の蓄積時間を決定する。
【数６】
ｉｎｔ＝Ｋ・ｉｎｔ’＋（１−Ｋ）・ｉｎｔ
ここで、ｉｎｔ’はステップ３１２で求めた蓄積時間の候補値、ｉｎｔは前回の蓄積時間、Ｋはフリッカー光源などの下で測光した場合に蓄積時間が急激に変化しないための安定係数であり、前回の蓄積時間値に応じて図１０に示すような値をとる。例えば、前回の蓄積時間が１０ｍＳ以下の場合にはＫ＝０．２５であるから、次回の蓄積時間はｉｎｔが３に対してｉｎｔ’が１の割合での加重平均される。また、前回の蓄積時間が２０ｍＳ以上の場合にはフリッカーの影響はほとんどないのでＫ＝１となり、上記数式５により算出された蓄積時間の候補値ｉｎｔ’のみによって新たな蓄積時間が決定される。前回の蓄積時間が１０ｍＳから２０ｍＳまでの間にある場合には次式によりＫの値を求める。
【数７】
Ｋ＝０．０７５・ｉｎｔ−０．５
ここで、ｉｎｔは前回の蓄積時間値である。
蓄積時間ｉｎｔをフリッカーによって受ける影響の度合いによってあまり変化させないようにした方がよい理由は、本発明に直接関係しないので説明は省略する。なお、Ｋの値は図１０に示す値に限定されず、カメラの測光系や対象とする光源の特性によって最適化することが望ましい。
【００３０】
測光素子９により検出された最大測光信号成分Ｖｏｍａｘ’と暗電流成分Ｖｏｐｂの和が飽和出力電圧値Ｖｏｖを越えている時は、ステップ３０６からステップ３１４に進み、使用する測光領域の内のオーバーフローした領域数をカウントして変数ｏｖｆに設定する。ｏｖｆの最小値は１（飽和領域が１つだけ）、最大値はｐｘ（使用する全領域がオーバーフロー）である。
ステップ３１５ではオーバーフロー領域数ｏｖｆがｐｘ／１６未満か否かを判別し、そうであればステップ３１６で次回の蓄積時間ｉｎｔを前回の蓄積時間の２分の１に設定する。また、ステップ３１７ではオーバーフロー領域数ｏｖｆがｐｘ／８未満か否かを判別し、そうであればステップ３１８で次回の蓄積時間ｉｎｔを前回の蓄積時間の４分の１に設定する。さらに、ステップ３１９ではオーバーフロー領域数ｏｖｆがｐｘ／４未満か否かを判別し、そうであればステップ３２０で次回の蓄積時間ｉｎｔを前回の蓄積時間の８分の１に設定する。ステップ３２１ではオーバーフロー領域数ｏｖｆがｐｘ／２未満か否かを判別し、そうであればステップ３２２で次回の蓄積時間ｉｎｔを前回の蓄積時間の１６分の１に設定する。オーバーフロー領域数ｏｖｆがｐｘ／２以上ある時は、ステップ３２３で前回の測光が電源投入後の１回目の測光であったか否かを判別し、そうであれば図６で説明したように次回の測光結果が有効無効に拘わらず適正露出演算に用いられるので、オーバーフローしないようにステップ３２４で次回の蓄積時間に短めの２０μＳを設定する。
測光データがオーバーフローしていた場合の処理では、ステップ３１５からステップ３２２までに見られるように、オーバーフローした測光領域の数が多ければ多い程被写界が明るいとみなして次回の蓄積時間を前回よりも短くするようにしている。
【００３１】
図１１は、次回測光時の測光素子９内の出力回路２９のゲイン調整を行うルーチンである。
図６のステップ１０７で、図９に示す次回の蓄積時間の演算ルーチンに続いてこのルーチンが実行される。ステップ４０１では、出力回路２９のゲイン設定がゲインＬであるか否かを判定する。ゲインがＬであればステップ４０２へ進み、次回の蓄積時間ｉｎｔがｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘよりも大きいか否かを判定する。ここで、ｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘはゲイン切り換えのためのしきい値であり、４０ｍＳ程度の数値を代入すればよい。次回の蓄積時間ｉｎｔがｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘよりも大きい時はステップ４０３へ進み、次回の測光時はゲインＨに切り換え、蓄積時間ｉｎｔを図９の蓄積時間演算ルーチンで求めた値の４分の１とする。
一方、現在ゲインＨが設定されている時はステップ４０１からステップ４０４へ進み、次回の蓄積時間ｉｎｔがｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎより小さいか否かを判定する。ｉｎｔ＜ｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎであればステップ４０５へ進み、次回の測光時のゲインをＬに切り換え、蓄積時間ｉｎｔを図９の蓄積時間演算ルーチンで求めた値の４倍とする。ここで、ｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎは５ｍＳ程度の数値を代入すればよい。また、ｉｎｔ＿Ｌ＿ｍａｘとｉｎｔ＿Ｈ＿ｍｉｎの比は、ゲインＨ／Ｌの比である４倍以上の値が望ましい。これによって、ゲイン切り換えにヒステリシス特性を有することになるので、測光データに多少の揺らぎがあっても頻繁にゲイン切り換えが行われて測光データが不安定になるようなことがない。
次にステップ４０６では、次回の蓄積時間が予め定めた最小蓄積時間ｉｎｔ＿ｍｉｎよりも短いか否かを判別し、短い場合はステップ４０７により蓄積時間をｉｎｔ＿ｍｉｎにクリップする。同様に、ステップ４０８では次回の蓄積時間が予め定めた最大蓄積時間ｉｎｔ＿ｍａｘよりも大きいか否かを判別し、大きい場合はステップ４０９で蓄積時間をｉｎｔ＿ｍａｘにクリップする。この実施形態ではｉｎｔ＿ｍｉｎを１０μＳとし、ｉｎｔ＿ｍａｘを１００ｍＳとするが、これらの値は使用する測光光学系および測光範囲などによって最適化するのがよい。
【００３２】
図１２は露出演算ルーチンを示すフローチャートである。
図６のステップ１１３でこの露出演算ルーチンが実行される。ステップ５０１において、設定された測光モードがＳＰモードであるかどうかを判定する。ＳＰモードであればステップ５０２へ進み、設定されたスポット位置の４つの測光領域の測光データを加算して輝度値を算出し、その輝度値に基づいて適正露出値を算出する。
ステップ５０３ではＣＷモードであるか否かを判定し、ＣＷモードであればステップ５０４へ進む。テップ５０４ではＣＷモードの露出演算を行なう。ＣＷモードの露出演算方法は、図３で示した５２領域の測光データを全て加算して輝度値を算出し、その輝度値に基づいて適正露出値を算出する。この方法では、上述したように測光領域内の高輝度被写体の影響が支配的になるので、ＡＭＰモードに比べて測光データの精度が低くても比較的安定した適正露出値を得ることができる。
一方、ＳＰモードでもＣＷモードでもない時はＡＭＰモードであると判断してステップ５０５へ進み、ＯＫフラグがセット（１）されているか、すなわち図６ステップ１０６の有効性判定で測光データが有効であると判定されたかどうかを判別する。ここで、ＯＫフラグがクリヤ（０）されている場合、つまりＡＭＰモードで且つ測光データの有効性が否定された場合には、測光データの精度が低いことが予想されるのでステップ５０４へ進んでＣＷモードの露出演算に切り換える。また、ＡＭＰモードで有効性判定がなされた場合には、ステップ５０６で上述した公知の手法により適正露出演算を行い処理を終了する。
【００３３】
図１３は、図６のステップ１０３で実行される、測光素子９の電荷蓄積、データ読み出しおよび記憶ルーチンを示すフローチャートである。なおこの実施形態では、図３に示す測光素子９の測光領域のアドレスを変数（ｉ，ｊ）で表し、（ｉ１，ｊ１）から（ｉ２，ｊ２）までの測光領域（ｉ１≦ｉ≦ｉ２，ｊ１≦ｊ≦ｊ２）の測光データをＡ／Ｄ変換してメモリ１４に記憶する。
測光モードとしてＳＰＣモードが選択された場合はステップ６０１から６０２へ進み、アドレス変数にｉ１＝７，ｊ１＝３，ｉ２＝１４，ｊ２＝１０を代入し、測光データをメモリ１４に記憶する測光領域として図５（Ａ）に太枠で示す領域を設定する。
ＳＰＬモードが選択された場合にはステップ６０３から６０４へ進み、アドレス変数にｉ１＝１１，ｊ１＝３，ｉ２＝１８，ｊ２＝１０を代入し、測光データをメモリ１４に記憶する測光領域として図５（Ｂ）に太枠で示す領域を設定する。
ＳＰＲモードが選択された場合にはステップ６０５から６０６へ進み、アドレス変数にｉ１＝３，ｊ１＝３，ｉ２＝１０，ｊ２＝１０を代入し、測光データをメモリ１４に記憶する測光領域として図５（Ｃ）に太枠で示す領域を設定する。ＳＰＴモードが選択された場合にはステップ６０７から６０８へ進み、アドレス変数にｉ１＝７，ｊ１＝５，ｉ２＝１４，ｊ２＝１２を代入し、測光データをメモリ１４に記憶する測光領域として図５（Ｄ）の太枠で示す領域を設定する。ＳＰＢモードが選択された場合にはステップ６０９から６１０へ進み、アドレス変数にｉ１＝７，ｊ１＝１，ｉ２＝１４，ｊ２＝８を代入し、測光データをメモリ１４に記憶する測光領域として図５（Ｅ）の太枠で示す領域を設定する。
一方、上記以外のＡＭＰモードまたはＣＷモードが選択された場合には、ステップ６１１へ進み、アドレス変数ｉ１＝１，ｊ１＝１，ｉ２＝２０，ｊ２＝１２を代入し、測光データをメモリ１４に記憶する測光領域として図３に示す全測光領域を設定する。
次にステップ６１２において、図９に示すサブルーチンで算出された蓄積時間だけ測光を行なう。蓄積が終了したらステップ６１３へ進んでアドレス変数ｉ，ｊを（１，１）に初期化し、続くステップ６１４でｉ１≦ｉ≦ｉ２且つｊ１≦ｊ≦ｊ２、すなわち測光データをＡ／Ｄ変換してメモリ１４に記憶すべき測光領域か否かを判別する。測光回路１０からは図４で説明したように各測光領域に対応する各画素の測光データが所定の順序で出力されるから、測光データの出力順序により測光データを記憶すべき測光領域か否かを判別することができる。測光データを記憶すべき測光領域であればステップ６１５へ進み、測光データをＡ／Ｄ変換部１３でＡ／Ｄ変換してメモリ１４へ記憶する。一方、測光データを記憶すべき測光領域でなければその領域のデータを破棄してステップ６１６へ進む。ステップ６１６ではｊ＝１２かどうかを判別し、ｊ＝１２であればステップ６１７へ進み、ｊ＝１を代入し、ｉをインクリメントする。また、ｊ＝１２でなければステップ６１８へ進み、ｊをインクリメントする。ステップ６１９でｉ≦２０であるか否かを判別し、ｉ≦２０であればステップ６１４へ戻って上記処理を繰り返し、ｉ＞２０であればすべての測光データの読み出しが終了したので処理を終える。
【００３４】
このように、測光モードに応じて複数の測光領域の中から測光データを記憶すべき測光領域を選択し、選択領域の測光データのみをメモリ１４に記憶するようにしたので、被写界をきめ細かく測光してより最適な露出値を得るために、多数の測光領域を有する測光回路１０を用いても、測光モードに応じた露出演算などに用いる必要な測光領域の測光データだけがメモリ１４に記憶され、メモリ１４の記憶容量が少なくてすみ、コストを削減することができる。
また、ＣＣＤなどの電荷蓄積型測光回路１０の測光データの出力順序に基づいて測光モードに応じた選択領域の測光データを選別し、メモリ１４に記憶するようにしたので、簡単な選別方法で選択領域の測光データだけをメモリ１４に記憶することができる。
さらに、露出演算に用いる測光領域の測光データと電荷蓄積時間の演算に用いる測光領域の測光データとをメモリ１４に記憶し、前者の測光領域の測光データに基づいて露出演算を行なうとともに、後者の測光領域の測光データに基づいて電荷蓄積時間を演算するようにしたので、被写界をきめ細かく測光してより最適な露出値を得るために、多数の測光領域を有する電荷蓄積型の測光回路１０を用いても、露出演算と電荷蓄積時間演算に用いる測光領域の測光データだけがメモリ１４に記憶されるので、メモリ１４の記憶容量が少なくてすみ、コストを削減することができる。
さらにまた、被写界の一部を測光する、例えばスポット測光モードや中央部重点測光モードなどの部分測光モードが設定された時は、露出演算に用いる測光領域を含む広い範囲の測光領域を電荷蓄積時間演算に用いる測光領域として選択し、選択された測光領域の測光データをメモリ１４に記憶して露出演算と蓄積時間演算に用いるようにしたので、露出演算に用いる測光領域の周辺に高輝度被写体が存在する場合でもブルーミング現象を回避することができる。
なお、上述した実施形態では測光回路に電荷蓄積型光電変換素子を用いた例を示したが、光電変換素子は電荷蓄積型に限定されず、ＳＰＤ受光素子などを用いてもよい。
また、部分測光モードは上述した実施形態のスポット測光モードや中央部重点測光モードに限定されない。
【００３５】
以上の一実施形態の構成において、測光回路１０が測光手段を、測光モード設定部１１がモード設定手段を、領域判定部１２が領域選択手段および制御手段を、メモリ１４が記憶手段を、露出演算部２２および蓄積時間設定部１５が演算手段をそれぞれ構成する。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１の発明によれば、被写界をきめ細かく測光してより最適な露出値を得るために、多数の測光領域を有する測光手段を用いても、測光モードに応じた露出演算などに用いる必要な測光領域の測光データだけが記憶手段に記憶され、記憶手段の記憶容量が少なくてすみ、コストを削減することができる上に、簡単な選別方法で選択領域の測光データだけを記憶手段に記憶することができる。さらに、露出演算に用いる測光領域の周辺に高輝度被写体が存在する場合でもブルーミング現象を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態の構成を示す機能ブロック図。
【図２】一実施形態の測光光学系の構成を示す図。
【図３】一実施形態の測光素子の分割測光領域を示す図。
【図４】一実施形態の測光素子の構造を示す図。
【図５】スポット測光モードにおける蓄積時間演算に用いる測光領域を示す図。
【図６】一実施形態の測光制御プログラムを示すフローチャート。
【図７】測光データの有効性判定ルーチンを示すフローチャート。
【図８】測光データと測光ダイナミックレンジとの関係を説明する図。
【図９】次回の蓄積時間の演算ルーチンを示すフローチャート。
【図１０】前回の蓄積時間と安定係数Ｋとの関係を示す図。
【図１１】測光素子のゲイン調整ルーチンを示すフローチャート。
【図１２】露出演算ルーチンを示すフローチャート。
【図１３】電荷蓄積、Ａ／Ｄ変換および記憶動作を示すフローチャート。
【図１４】従来の測光装置の構成を示す図。
【符号の説明】
１  撮影レンズ
２  クイックリターンミラー
３  拡散スクリーン
４  コンデンサレンズ
５  ペンタプリズム
６  接眼レンズ
７  測光用プリズム
８  測光用レンズ
９  測光素子
１０  測光回路
１１  測光モード設定部
１２  領域判定部
１３  Ａ／Ｄ変換部
１４  メモリ
１５  蓄積時間設定部
１６  蓄積制御部
１７  有効性判定部
１８  第１カウンタ
１９  第２カウンタ
２０  演算実行可否判定部
２１  レンズデータ
２２  露出演算部
２３  露出制御部
２４  絞り
２５  シャッター
２６  撮像画素
２７  補正用画素
２８  Ｖレジスタ
２９  出力回路
３１  測光回路
３２  Ａ／Ｄ変換器
３３  記憶回路
３４  判定部
３５  露出演算部
３６  焦点検出素子
１００  マイクロプロセッサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0003624471.tif 000013
【図１３】
0003624471.tif 000014
【図１４】
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