(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された配線パターンと、
を有し、
前記配線パターンは複数のランドを有し、
前記複数のランドは、それぞれ、同一形状の基本部分と、前記基本部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１つの螺旋曲線を原点を中心として回転させて前記基本部分上を通るように配置したときに、いずれかの前記基本部分から前記螺旋曲線に沿った方向に延びるように形成され、
前記螺旋曲線は、前記原点の回りに、変位点が、前記原点からの距離が回転角度に比例するように、始点から回転することによって描かれてなる配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板において、
前記複数のランドの前記付加部分は、それぞれ、前記変位点の前記始点からの回転角度に比例した長さを有する配線基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の配線基板において、
それぞれの前記基本部分の、前記螺旋曲線に沿った両側それぞれに、１つの前記付加部分が形成されてなる配線基板。
【請求項４】
積層された複数の基板と、
前記複数の基板に形成された複数の配線パターンと、
を有し、
前記複数の基板は、第１及び第２の基板を含み、
前記複数の配線パターンは、前記第１の基板に形成された複数の第１のランドを有する第１の配線パターンと、前記第２の基板に形成された複数の第２のランドを有する第２の配線パターンを含み、
それぞれの前記第１のランドといずれかの前記第２のランドが、対向して電気的に接続されてなり、
前記複数の第１のランドは、それぞれ、同一形状の基本部分と、前記基本部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１つの螺旋曲線を原点を中心として回転させて前記基本部分上を通るように配置したときに、いずれかの前記基本部分から前記螺旋曲線に沿った方向に延びるように形成され、
前記螺旋曲線は、前記原点の回りに、変位点が、前記原点からの距離が回転角度に比例するように、始点から回転することによって描かれてなる積層配線基板。
【請求項５】
請求項４記載の積層配線基板において、
前記複数のランドの前記付加部分は、それぞれ、前記変位点の前記始点からの回転角度に比例した長さを有する積層配線基板。
【請求項６】
請求項４又は請求項５記載の積層配線基板において、
それぞれの前記基本部分の、前記螺旋曲線に沿った両側それぞれに、１つの前記付加部分が形成されてなる積層配線基板。
【請求項７】
複数のランドを含む配線パターンが形成されてなる基板と、
前記基板に搭載された、複数の電極を有する半導体チップと、
を有し、
それぞれの前記電極といずれかの前記ランドが対向して電気的に接続され、
前記複数のランドは、それぞれ、同一形状の基本部分と、前記基本部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１つの螺旋曲線を原点を中心として回転させて前記基本部分上を通るように配置したときに、いずれかの前記基本部分から前記螺旋曲線に沿った方向に延びるように形成され、
前記螺旋曲線は、前記原点の回りに、変位点が、前記原点からの距離が回転角度に比例するように、始点から回転することによって描かれてなる半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記複数のランドの前記付加部分は、それぞれ、前記変位点の前記始点からの回転角度に比例した長さを有する半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８記載の半導体装置において、
それぞれの前記基本部分の、前記螺旋曲線に沿った両側それぞれに、１つの前記付加部分が形成されてなる半導体装置。
【請求項１０】
請求項７から請求項９のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項１１】
請求項４から請求項６のいずれかに記載の積層配線基板を有する電子機器。
【請求項１２】
請求項７から請求項９のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項１３】
複数の第１のランドを有する第１の配線パターンが形成された第１の基板と、複数の第２のランドを有する第２の配線パターンが形成された第２の基板を、それぞれの前記第１のランドといずれかの前記第２のランドが対向するように、位置合わせすること、及び、
それぞれの前記第１のランドといずれかの前記第２のランドを電気的に接続すること、
を含み、
前記複数の第１のランドは、それぞれ、同一形状の基本部分と、前記基本部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１つの螺旋曲線を原点を中心として回転させて前記基本部分上を通るように配置したときに、いずれかの前記基本部分から前記螺旋曲線に沿った方向に延びるように形成されてなり、
前記螺旋曲線は、前記原点の回りに、変位点が、前記原点からの距離が回転角度に比例するように、始点から回転することによって描かれ、
前記複数の第１のランドの前記基本部分と前記複数の第２のランドは、設計上、同じ配列パターンに従って形成され、
前記第１及び第２の基板には、設計上、前記原点と一致する基準点が決められ、
前記位置合わせ工程で、前記第１及び第２の基板を前記基準点が一致するように配置し、前記原点を中心として、前記第１及び第２の基板を相対的に回転させる積層配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の積層配線基板の製造方法において、
前記位置合わせ工程で、前記第１及び第２の基板は、少なくとも一方が膨張又は収縮することで、相対的に拡大又は縮小してなり、相対的に縮小した一方を、相対的に、前記螺旋曲線の前記原点に近づく方向に回転させる積層配線基板の製造方法。
【請求項１５】
複数のランドを含む配線パターンが形成されてなる基板と、複数の電極を有する半導体チップを、それぞれの前記ランドといずれかの前記電極が対向するように、位置合わせすること、及び、
それぞれの前記ランドといずれかの前記電極を電気的に接続すること、
を含み、
前記複数のランドは、それぞれ、同一形状の基本部分と、前記基本部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１つの螺旋曲線を原点を中心として回転させて前記基本部分上を通るように配置したときに、いずれかの前記基本部分から前記螺旋曲線に沿った方向に延びるように形成されてなり、
前記螺旋曲線は、前記原点の回りに、変位点が、前記原点からの距離が回転角度に比例するように、始点から回転することによって描かれ、
前記複数のランドの前記基本部分と前記複数の電極は、設計上、同じ配列パターンに従って形成され、
前記基板及び前記半導体チップには、設計上、前記原点と一致する基準点が決められ、
前記位置合わせ工程で、前記基板及び前記半導体チップを前記基準点が一致するように配置し、前記原点を中心として、前記基板及び前記半導体チップを相対的に回転させる半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記位置合わせ工程で、前記基板及び前記半導体チップは、少なくとも一方が膨張又は収縮することで、相対的に拡大又は縮小してなり、相対的に縮小した一方を、相対的に、前記螺旋曲線の前記原点に近づく方向に回転させる半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板、積層配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】
【特許文献１】
特開２００３−４６２１２号公報
【０００４】
【発明の背景】
半導体チップを基板にフェースダウンボンディングする場合、半導体チップのバンプと、基板のランドの位置合わせが重要である。例えば、図１１（Ａ）に示すように、半導体チップ５００と基板５１０は、バンプ５０２とランド５１２の位置が一致するように設計されている。基板５１０は、樹脂などで形成されており、半導体よりも伸び縮みしやすい。図１１（Ｂ）に示すように基板５１０が膨張した場合、ランド５１２の位置もずれてしまうので、図１１（Ｃ）に示すようにバンプ５０２とランド５１２の位置を合わせることができなかった。
【０００５】
本発明の目的は、容易な位置合わせを可能にすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る配線基板は、基板と、
前記基板に形成された配線パターンと、
を有し、
前記配線パターンは複数のランドを有し、
前記複数のランドは、それぞれ、同一形状の基本部分と、前記基本部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１つの螺旋曲線を原点を中心として回転させて前記基本部分上を通るように配置したときに、いずれかの前記基本部分から前記螺旋曲線に沿った方向に延びるように形成されてなる。本発明によれば、ランドが、螺旋曲線に沿った方向に延びる付加部分を有するので、基板が膨張又は収縮しても、基板を相対的に回転させることでランドの位置合わせを行うことができる。
（２）本発明に係る配線基板において、
前記螺旋曲線は、前記原点の回りに、変位点が、前記原点からの距離が回転角度に比例するように、始点から回転することによって描かれている。
（３）この配線基板において、
前記複数のランドの前記付加部分は、それぞれ、前記変位点の前記始点からの回転角度に比例した長さを有してもよい。
（４）この配線基板において、
それぞれの前記基本部分の、前記螺旋曲線に沿った両側それぞれに、１つの前記付加部分が形成されていてもよい。
（５）本発明に係る積層配線基板は、積層された複数の基板と、
前記複数の基板に形成された複数の配線パターンと、
を有し、
前記複数の基板は、第１及び第２の基板を含み、
前記複数の配線パターンは、前記第１の基板に形成された複数の第１のランドを有する第１の配線パターンと、前記第２の基板に形成された複数の第２のランドを有する第２の配線パターンを含み、
それぞれの前記第１のランドといずれかの前記第２のランドが、対向して電気的に接続されてなり、
前記複数の第１のランドは、それぞれ、同一形状の基本部分と、前記基本部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１つの螺旋曲線を原点を中心として回転させて前記基本部分上を通るように配置したときに、いずれかの前記基本部分から前記螺旋曲線に沿った方向に延びるように形成されてなる。本発明によれば、第１のランドが、螺旋曲線に沿った方向に延びる付加部分を有するので、第１又は第２の基板が膨張又は収縮しても、これらを相対的に回転させることで第１及び第２のランドの位置合わせを行うことができる。
（６）本発明に係る積層配線基板において、
前記螺旋曲線は、前記原点の回りに、変位点が、前記原点からの距離が回転角度に比例するように、始点から回転することによって描かれている。
（７）この積層配線基板において、
前記複数のランドの前記付加部分は、それぞれ、前記変位点の前記始点からの回転角度に比例した長さを有してもよい。
（８）この積層配線基板において、
それぞれの前記基本部分の、前記螺旋曲線に沿った両側それぞれに、１つの前記付加部分が形成されていてもよい。
（９）本発明に係る半導体装置は、複数のランドを含む配線パターンが形成されてなる基板と、
前記基板に搭載された、複数の電極を有する半導体チップと、
を有し、
それぞれの前記電極といずれかの前記ランドが対向して電気的に接続され、
前記複数のランドは、それぞれ、同一形状の基本部分と、前記基本部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１つの螺旋曲線を原点を中心として回転させて前記基本部分上を通るように配置したときに、いずれかの前記基本部分から前記螺旋曲線に沿った方向に延びるように形成されてなる。本発明によれば、ランドが、螺旋曲線に沿った方向に延びる付加部分を有するので、基板又は半導体チップが膨張又は収縮しても、これらを相対的に回転させることでランドと電極の位置合わせを行うことができる。
（１０）本発明に係る半導体装置において、
前記螺旋曲線は、前記原点の回りに、変位点が、前記原点からの距離が回転角度に比例するように、始点から回転することによって描かれている。
（１１）この半導体装置において、
前記複数のランドの前記付加部分は、それぞれ、前記変位点の前記始点からの回転角度に比例した長さを有してもよい。
（１２）この半導体装置において、
それぞれの前記基本部分の、前記螺旋曲線に沿った両側それぞれに、１つの前記付加部分が形成されていてもよい。
（１３）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されてなる。
（１４）本発明に係る電子機器は、上記積層配線基板を有する。
（１５）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
（１６）本発明に係る積層配線基板の製造方法は、複数の第１のランドを有する第１の配線パターンが形成された第１の基板と、複数の第２のランドを有する第２の配線パターンが形成された第２の基板を、それぞれの前記第１のランドといずれかの前記第２のランドが対向するように、位置合わせすること、及び、
それぞれの前記第１のランドといずれかの前記第２のランドを電気的に接続すること、
を含み、
前記複数の第１のランドは、それぞれ、同一形状の基本部分と、前記基本部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１つの螺旋曲線を原点を中心として回転させて前記基本部分上を通るように配置したときに、いずれかの前記基本部分から前記螺旋曲線に沿った方向に延びるように形成されてなり、
前記螺旋曲線は、前記原点の回りに、変位点が、前記原点からの距離が回転角度に比例するように、始点から回転することによって描かれ、
前記複数の第１のランドの前記基本部分と前記複数の第２のランドは、設計上、同じ配列パターンに従って形成され、
前記第１及び第２の基板には、設計上、前記原点と一致する基準点が決められ、
前記位置合わせ工程で、前記第１及び第２の基板を前記基準点が一致するように配置し、前記原点を中心として、前記第１及び第２の基板を相対的に回転させる。本発明によれば、第１のランドが、螺旋曲線に沿った方向に延びる付加部分を有するので、第１又は第２の基板が膨張又は収縮しても、これらを相対的に回転させることで第１及び第２のランドの位置合わせを行うことができる。
（１７）この積層配線基板の製造方法において、
前記位置合わせ工程で、前記第１及び第２の基板は、少なくとも一方が膨張又は収縮することで、相対的に拡大又は縮小してなり、相対的に縮小した一方を、相対的に、前記螺旋曲線の前記原点に近づく方向に回転させてもよい。
（１８）本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数のランドを含む配線パターンが形成されてなる基板と、複数の電極を有する半導体チップを、それぞれの前記ランドといずれかの前記電極が対向するように、位置合わせすること、及び、
それぞれの前記ランドといずれかの前記電極を電気的に接続すること、
を含み、
前記複数のランドは、それぞれ、同一形状の基本部分と、前記基本部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１つの螺旋曲線を原点を中心として回転させて前記基本部分上を通るように配置したときに、いずれかの前記基本部分から前記螺旋曲線に沿った方向に延びるように形成されてなり、
前記螺旋曲線は、前記原点の回りに、変位点が、前記原点からの距離が回転角度に比例するように、始点から回転することによって描かれ、
前記複数のランドの前記基本部分と前記複数の電極は、設計上、同じ配列パターンに従って形成され、
前記基板及び前記半導体チップには、設計上、前記原点と一致する基準点が決められ、
前記位置合わせ工程で、前記基板及び前記半導体チップを前記基準点が一致するように配置し、前記原点を中心として、前記基板及び前記半導体チップを相対的に回転させる。本発明によれば、ランドが、螺旋曲線に沿った方向に延びる付加部分を有するので、基板又は半導体チップが膨張又は収縮しても、これらを相対的に回転させることでランドと電極の位置合わせを行うことができる。
（１９）この半導体装置の製造方法において、
前記位置合わせ工程で、前記基板及び前記半導体チップは、少なくとも一方が膨張又は収縮することで、相対的に拡大又は縮小してなり、相対的に縮小した一方を、相対的に、前記螺旋曲線の前記原点に近づく方向に回転させてもよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
図１（Ａ）及び図２（Ａ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本発明の実施の形態に係る配線基板は、基板１０を有する。基板１０は、可撓性基板であってもよく、リジット基板であってもよい。基板１０は、有機系又は無機系のいずれの材料で形成されていてもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。基板１０として、例えば、ポリエチレンテレフタレート（PET）からなる基板又はフィルムを使用してもよい。あるいは、基板１０としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてFPC（Flexible Printed Circuit）や、TAB（Tape Automated Bonding）技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成された基板１０として、例えばセラミック基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。
【０００９】
配線基板は、配線パターン１２を有する。配線パターン１２は、基板１０に形成されてなる。配線パターン１２は、例えば、銅箔などの金属箔を接着剤を介して基板１０に貼り付けて、フォトリソグラフィを適用した後にエッチングして形成してもよい。あるいは、スパッタリング等を利用して、配線パターン１２を形成してもよい。また、無電解メッキで配線パターン１２を形成するアディティブ法を適用してもよい。配線パターン１２は、基板１０の一方の面にのみ形成されていてもよく、基板１０の両面に形成されてもよい。配線パターン１２が基板１０の両面に形成される場合、基板１０の両面の配線パターン１２を、スルーホールを介して電気的に接続してもよい。
【００１０】
配線パターン１２は、複数のランド２０を含み、各ランド２０には図示しない配線（ライン）が接続されていてもよい。ランド２０は、基板１０にエリアアレイ状に配置してもよいし、基板１０の端部のみに少なくとも１列で形成してもよい。ランド２０は、基板１０の一方の面にのみ形成してもよく、基板１０の両面に形成してもよい。
【００１１】
図１（Ｂ）及び図２（Ｂ）は、それぞれ、複数のランドの１つを拡大した図である。複数のランド２０の１つであるランド３０（又は４０）は、基本部分２２と、基本部分２２から伸びる付加部分３４（又は４４）と、を含む。複数のランド２０は、それぞれ、同一形状の基本部分２２を含む。それぞれの付加部分３４（又は４４）は、１つの螺旋曲線Ｓを原点Ｏを中心として回転させて基本部分２２（例えばその中心）上を通るように配置したときに、その基本部分２２から螺旋曲線Ｓに沿った方向に延びるように形成されている。基本部分２２の、螺旋曲線Ｓに沿った両側（原点Ｏに近づく側及び原点Ｏから離れる側）それぞれに、１つの付加部分３４（又は４４）が形成されていてもよい。
【００１２】
図３は、螺旋曲線を説明する図である。螺旋曲線Ｓは、原点Ｏの回りに、変位点が、原点Ｏからの距離が回転角度に比例するように、始点Ｐｏから回転することによって描かれてなる。より具体的には、螺旋曲線Ｓは、変位点が、原点Ｏからの距離が回転角度をべき乗の指数とする指数関数になるように始点Ｐｏから回転することによって描かれる。螺旋曲線Ｓは、例えば、
ｘ＝Ｒ０・（Ｒ２π／Ｒ０）θ／２π・cosθ
ｙ＝Ｒ０・（Ｒ２π／Ｒ０）θ／２π・sinθ
Ｒ０：始点Ｐoと原点Ｏとの距離
Ｒ２π：θ＝２πのときの点Ｐ２π（図示せず）と原点Ｏとの距離
の式で表すことができる。ランド３０（又は４０）の付加部分３４（又は４４）は、それぞれ、変位点の始点Ｐoからの回転角度に比例した長さを有する。より具体的には、ランドの付加部分の長さは、変位点の始点Ｐｏからの回転角度をべき乗の指数とする指数関数になる長さを有する。例えば、図１（Ｂ）に示すランド３０は、基本部分２２の中心が、図３に示す螺旋曲線Ｓ上の回転角度θ１の位置にある点Ｐ１と一致するようになっている。また、図２（Ｂ）に示すランド４０は、基本部分２２の中心が、図３に示す螺旋曲線Ｓ上の回転角度θ２の位置にある点Ｐ２と一致するようになっている。ここで、
θ１＜θ２
であって、
原点Ｏと点Ｐ１との距離Ｒ１と、原点Ｏと点Ｐ２との距離Ｒ２とは、
Ｒ１＜Ｒ２
の関係を有する。そして、図１（Ｂ）に示す付加部分３４の長さＤ１と、図２（Ｂ）に示す付加部分４４の長さＤ２とは、
Ｄ１＜Ｄ２
の関係を有する。
【００１３】
基板１０が湿度や熱の影響を受けて等方的に伸縮する場合、基板１０上の任意の点は、上述した螺旋曲線Ｓに沿って移動する。本実施の形態では、ランド２０が螺旋曲線Ｓに沿って延びているので、伸縮しても、他の電子部品（半導体チップ又は配線基板等）の電極（又はランド）との位置合わせが可能になっている。
【００１４】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板と電子部品（半導体チップ又は配線基板等）との位置合わせ工程を説明する図である。図４（Ａ）には、配線基板５０と電子部品（半導体チップ又は配線基板等）６０が示されている。配線基板５０は、上述した基板１０及びランド２０の内容が該当する基板５２及びランド５４を有する。電子部品６０は、基板６２及び電極（又はランド）６４を有する。複数のランド５４と複数の電極６４は、設計上、同じ配列パターンに従って形成されている。配線基板５０と電子部品６０には、それぞれ、設計上、図１（Ａ）又は図２（Ａ）に示す原点Ｏと一致する基準点Ｏ１，Ｏ２が決められている。基準点Ｏ１，Ｏ２は、視覚的に認識可能なマークによって示されていてもよいし、他の部分から算出可能な点であってもよい。設計上、基準点Ｏ１，Ｏ２を一致させると、ランド５４と電極６４は、一方（例えば電極６４）が他方（例えばランド５４）の領域内に入るようになっている。
【００１５】
配線基板５０（基板５２）と電子部品６０（基板６２）は、少なくとも一方が膨張又は収縮することで、相対的に拡大又は縮小することがある。図４（Ｂ）には、配線基板５０の基板５２が膨張した状態が示されている。基板５２の膨張に応じてランド５４も移動している。この状態で、配線基板５０と電子部品６０を、基準点Ｏ１，Ｏ２が一致するように配置すると、ランド５４と電極６４がずれるようになっている。そこで、原点Ｏ（一致した基準点Ｏ１，Ｏ２）を中心として、配線基板５０（基板５２）と電子部品６０（基板６２）を相対的に回転させる。詳しくは、相対的に縮小した一方（電子部品６０（基板６２））を、相対的に、上述した螺旋曲線Ｓの原点Ｏ（一致した基準点Ｏ１，Ｏ２）に近づく方向に回転させる。こうすることで、ランド５４と電極６４は、一方（例えば電極６４）が他方（例えばランド５４）の領域内に入るようになる。すなわち、配線基板５０と電子部品（半導体チップ又は配線基板等）６０の位置合わせを行うことができる。
【００１６】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板と他の配線基板との位置合わせ工程を説明する図である。図５（Ａ）には、配線基板５０と配線基板７０が示されている。配線基板５０は、上述した基板１０及びランド２０の内容が該当する基板５２及びランド５４を有する。配線基板７０は、基板７２及びランド７４を有する。複数のランド５４と複数のランド７４は、設計上、同じ配列パターンに従って形成されている。配線基板５０と配線基板７０には、それぞれ、設計上、図１（Ａ）又は図２（Ａ）に示す原点Ｏと一致する基準点Ｏ１，Ｏ３が決められている。基準点Ｏ１，Ｏ３は、視覚的に認識可能なマークによって示されていてもよいし、他の部分から算出可能な点であってもよい。設計上、基準点Ｏ１，Ｏ３を一致させると、ランド５４とランド７４は、一方（例えばランド７４）が他方（例えばランド５４）の領域内に入るようになっている。
【００１７】
配線基板５０（基板５２）と配線基板７０（基板７２）は、少なくとも一方が膨張又は収縮することで、相対的に拡大又は縮小することがある。図５（Ｂ）には、配線基板７０の基板７２が膨張した状態が示されている。基板７２の膨張に応じてランド７４も移動している。この状態で、配線基板５０と配線基板７０を、基準点Ｏ１，Ｏ３が一致するように配置すると、ランド５４とランド７４がずれるようになっている。そこで、原点Ｏ（一致した基準点Ｏ１，Ｏ３）を中心として、配線基板５０と配線基板７０（基板７２）を相対的に回転させる。詳しくは、相対的に縮小した一方（配線基板５０（基板５２））を、相対的に、上述した螺旋曲線Ｓの原点Ｏ（一致した基準点Ｏ１，Ｏ３）に近づく方向に回転させる。こうすることで、ランド５４とランド７４は、一方（例えばランド７４）が他方（例えばランド５４）の領域内に入るようになる。すなわち、配線基板５０と配線基板７０の位置合わせを行うことができる。
【００１８】
図６は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。半導体装置は、図１に示す基板１０を有する。上述したように基板１０には、複数のランド２０を含む配線パターン１２が形成されている。基板１０には、半導体チップ８０が搭載されている。半導体チップ８０（例えばその内部）には、集積回路８２が形成されている。半導体チップ８０は、複数の電極８４を有する。電極８４は、パッド及びその上に形成されたバンプを含んでもよいし、パッドのみであってもよい。電極８４は、半導体チップ８０の内部（例えば集積回路８２）に電気的に接続されている。それぞれの電極８４といずれかのランド２０が対向して電気的に接続されている。基板１０と半導体チップ８０は、接着剤８６によって固定されていてもよい。接着剤８６は、異方性導電材料（異方性導電膜又は異方性導電ペースト等）であってもよく、その場合、電極８４とランド２０の間に導電粒子が介在してもよい。半導体装置は、外部端子（例えばハンダボール）８８を有してもよい。外部端子８８は、基板１０に形成されたランド上に設けてもよい。
【００１９】
半導体装置の製造方法は、基板１０と半導体チップ８０を、それぞれのランド２０といずれかの電極８４が対向するように、位置合わせすることを含む。その詳細は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参照して説明した内容が該当する。また、半導体装置の製造方法は、それぞれのランド２０といずれかの電極８４を電気的に接続することを含む。電気的接続には、異方性導電材料（異方性導電膜又は異方性導電ペースト等）を使用してもよいし、金属接合を適用してもよいし、接着剤８６の収縮力を利用した圧接を適用してもよい。
【００２０】
本実施の形態によれば、ランド２０が、螺旋曲線Ｓに沿った方向に延びる付加部分３４（又は４４）を有するので、基板１０又は半導体チップ８０が膨張又は収縮しても、これらを相対的に回転させることでランド２０と電極８４の位置合わせを行うことができる。
【００２１】
図７は、本発明の実施の形態に係る積層配線基板を説明する図である。積層配線基板は、積層された複数の基板を含む。複数の基板には、それぞれ、配線パターンが形成されている。複数の基板は、上述した基板（以下、第１の基板という）１０と、第２の基板９０を含む。第１の基板１０には、上述した複数のランド（以下、第１のランドという）２０を有する配線パターン（以下、第１の配線パターンという）１２が形成されている。第２の基板９０には、複数の第２のランド９２を有する第２の配線パターン９４が形成されている。それぞれの第１のランド２０といずれかの第２のランド９２が、対向して電気的に接続されている。第１及び第２基板１０，９０は、図示しない接着剤によって固定されていてもよい。接着剤は、異方性導電材料（異方性導電膜又は異方性導電ペースト等）であってもよく、その場合、第１及び第２のランド２０，９２の間に導電粒子が介在してもよい。
【００２２】
積層配線基板の製造方法は、第１及び第２の基板１０，９０を、それぞれの第１のランド２０と第２のランド９２が対向するように、位置合わせすることを含む。その詳細は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）あるいは図５（Ａ）及び図５（Ｂ）を参照して説明した内容が該当する。また、積層配線基板の製造方法は、それぞれの第１のランド２０と第２のランド９２を電気的に接続することを含む。電気的接続には、異方性導電材料（異方性導電膜又は異方性導電ペースト等）を使用してもよいし、金属接合を適用してもよいし、接着剤の収縮力を利用した圧接を適用してもよい。
【００２３】
図８には本発明の実施の形態に係る半導体装置１が実装された回路基板１０００が示されている。また、本発明の実施の形態に係る半導体装置又は積層配線基板を有する電子機器として、図９にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図１０には携帯電話３０００が示されている。
【００２４】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板を説明する図である。
【図２】  図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板を説明する図である。
【図３】  図３は、螺旋曲線を説明する図である。
【図４】  図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板と電子部品との位置合わせ工程を説明する図である。
【図５】  図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板と他の配線基板との位置合わせ工程を説明する図である。
【図６】  図６は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図７】  図７は、本発明の実施の形態に係る積層配線基板を説明する図である。
【図８】  図８は、本実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を説明する図である。
【図９】  図９は、本実施の形態に係る半導体装置又は積層配線基板を有する電子機器を示す図である。
【図１０】  図１０は、本実施の形態に係る半導体装置又は積層配線基板を有する電子機器を示す図である。
【図１１】  図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）は、従来の半導体装置と配線基板の位置合わせを説明する図である。
【符号の説明】
１０…基板  １２…配線パターン  ２０…ランド  ２２…基本部分  ３０…ランド  ３４…付加部分  ４０…ランド  ４４…付加部分  ５０…配線基板  ５２…基板  ５４…ランド  ６０…電子部品  ６２…基板  ６４…電極  ７０…配線基板  ７２…基板  ７４…ランド  ８０…半導体チップ  ８２…集積回路  ８４…電極  ８６…接着剤  ８８…外部端子  ９０…第２の基板  ９２…第２のランド  ９４…第２の配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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