【手続補正書】
【提出日】令和3年9月21日(2021.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面および第２の表面を有する第１の集電体であって、前記第１の集電体の前記第１の表面には半固体カソードが配置され、前記第１の集電体の前記第２の表面には被覆がない、第１の集電体と、
第１の表面および第２の表面を有する第２の集電体であって、前記第２の集電体の前記第１の表面には半固体カソードが配置され、前記第２の集電体の前記第２の表面には被覆がない、第２の集電体と、
前記第１の集電体の前記第２の表面と前記第２の集電体の前記第２の表面との間に配置されたスペーサと、
を含む電気化学セルスタック。
【請求項２】
第１の表面および第２の表面を有する第３の集電体をさらに含み、前記第３の集電体の前記第１の表面には半固体アノードが配置され、前記第３の集電体の前記第２の表面には被覆がない、請求項１に記載の電気化学セルスタック。
【請求項３】
前記第３の集電体の前記半固体アノードと前記第１の集電体の前記半固体カソードとの間に配置された第１のセパレータをさらに含む、請求項２に記載の電気化学セルスタック。
【請求項４】
第１の表面および第２の表面を有する第４の集電体をさらに含み、前記第４の集電体の前記第１の表面には半固体アノードが配置され、前記第４の集電体の前記第２の表面には被覆がなく、前記第３の集電体の前記第２の表面に結合される、請求項３に記載の電気化学セルスタック。
【請求項５】
第１の表面および第２の表面を有する第５の集電体をさらに含み、前記第５の集電体の前記第１の表面には半固体カソードが配置され、前記第５の集電体の前記第２の表面には被覆がない、請求項１に記載の電気化学セルスタック。
【請求項６】
前記第４の集電体の前記半固体アノードと前記第５の集電体の前記半固体カソードとの間に配置されたセパレータをさらに含む、請求項５に記載の電気化学セルスタック。
【請求項７】
第１の表面および第２の表面を有する第６の集電体をさらに含み、前記第６の集電体の前記第１の表面には半固体アノードが配置され、前記第６の集電体の前記第２の表面には被覆がない、請求項６に記載の電気化学セルスタック。
【請求項８】
前記第６の集電体の前記半固体アノードと前記第２の集電体の前記半固体カソードとの間に配置されたセパレータをさらに含む、請求項７に記載の電気化学セルスタック。
【請求項９】
第１の表面および第２の表面を有する第１の集電体であって、前記第１の集電体の前記第１の表面には半固体アノードが配置され、前記第１の集電体の前記第２の表面には被覆がない、第１の集電体と、
第１の表面および第２の表面を有する第２の集電体であって、前記第２の集電体の前記第１の表面には半固体アノードが配置され、前記第２の集電体の前記第２の表面には被覆がない、第２の集電体と、
前記第１の集電体の前記第２の表面と前記第２の集電体の前記第２の表面との間に配置されたスペーサと、
を含む電気化学セルスタック。
【請求項１０】
第１の表面および第２の表面を有する第３の集電体をさらに含み、前記第３の集電体の前記第１の表面には半固体カソードが配置され、前記第３の集電体の前記第２の表面には被覆がない、請求項９に記載の電気化学セルスタック。
【請求項１１】
前記第３の集電体の前記半固体カソードと前記第１の集電体の前記半固体アノードとの間に配置されたのセパレータをさらに含む、請求項１０に記載の電気化学セルスタック。
【請求項１２】
第１の表面および第２の表面を有する第４の集電体をさらに含み、前記第４の集電体の前記第１の表面には半固体カソードが配置され、前記第４の集電体の前記第２の表面には被覆がなく、前記第３の集電体の前記第２の表面に結合される、請求項１１に記載の電気化学セルスタック。
【請求項１３】
第１の表面および第２の表面を有する第５の集電体をさらに含み、前記第５の集電体の前記第１の表面には半固体アノードが配置され、前記第５の集電体の前記第２の表面には被覆がない、請求項１２に記載の電気化学セルスタック。
【請求項１４】
前記第３の集電体の前記半固体カソードと前記第１の集電体の前記半固体アノードとの間に配置された前記セパレータは第１のセパレータであり、前記電気化学セルスタックは、前記第４の集電体の前記半固体カソードと前記第５の集電体の前記半固体アノードとの間に配置される第２のセパレータをさらに含む、請求項１３に記載の電気化学セルスタック。
【請求項１５】
第１の表面および第２の表面を有する第６の集電体をさらに含み、前記第６の集電体の前記第１の表面には半固体カソードが配置され、前記第６の集電体の前記第２の表面には被覆がない、請求項１４に記載の電気化学セルスタック。
【請求項１６】
前記第６の集電体の前記半固体カソードと前記第２の集電体の前記半固体アノードとの間に配置された第３のセパレータをさらに含む、請求項１５に記載の電気化学セルスタック。
【請求項１７】
電気化学セルスタックを製造する方法であって、
第１の正の集電体の第１の表面の上に第１の半固体カソードを被覆するステップであって、前記第１の正の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、ステップと、
第２の正の集電体の第１の表面の上に第２の半固体カソードを被覆するステップであって、前記第２の正の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、ステップと、
スペーサを前記第１の正の集電体の前記第２の表面に結合するステップと、
前記第２の正の集電体の前記第２の表面を前記スペーサに結合するステップと、
を含む方法。
【請求項１８】
第１の負の集電体の第１の表面の上に第１の半固体アノードを被覆するステップをさらに含み、前記第１の負の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の半固体カソードと前記第１の半固体アノードとの間に第１のセパレータを配置するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
第２の負の集電体の第１の表面の上に第２の半固体アノードを被覆するステップをさらに含み、前記第２の負の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２の半固体カソードと前記第２の半固体アノードとの間に第２のセパレータを配置するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
第３の負の集電体の第１の表面の上に第３の半固体アノードを被覆するステップであって、前記第３の負の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、ステップと
前記第３の負の集電体の前記第２の表面を前記第１の負の集電体の前記第２の表面に結合させるステップと、
をさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
第３の正の集電体の第１の表面の上に第３の半固体カソードを被覆するステップをさらに含み、前記第３の正の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第３の半固体カソードと前記第３の半固体アノードとの間にセパレータを配置するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の正の集電体の前記第１の表面および／または前記第２の正の集電体の前記第１の表面の上に前記半固体カソードを被覆するステップが、キャスティング、ドロップコーティング、プレス、およびロールプレスのうちの少なくとも１つを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の正の集電体の前記第１の表面および／または前記第２の正の集電体の前記第１の表面の上に前記半固体カソードを被覆するステップが、
前記第１の正の集電体の前記第１の表面上に、開口部を画定するフレームを配置するステップと、
前記フレームの前記開口部の中へ半固体カソード材料を配置するステップと、
前記開口部から余分な半固体カソード材料を除去するステップと、
をさらに含む請求項１７に記載の方法。
【請求項２７】
前記フレームが厚さを有し、前記フレームの前記厚さが前記半固体カソード材料の厚さを決定する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
非接触機器を用いて前記第１の半固体カソード、前記第２の半固体カソード、および／または前記第１の半固体アノードを分析するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２９】
前記非接触機器が光学機器である、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記非接触機器が、表面モフォロジおよび厚さ均一性の少なくとも１つを分析するのに用いられる、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
電気化学セルスタックを製造する方法であって、
第１の負の集電体の第１の表面の上に第１の半固体アノードを被覆するステップであって、前記第１の負の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、ステップと、
第２の負の集電体の第１の表面の上に第２の半固体アノードを被覆するステップであって、前記第２の負の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、ステップと、
前記第１の負の集電体の前記第２の表面をスペーサに結合するステップと、
前記第２の負の集電体の前記第２の表面を前記スペーサに結合するステップと、
を含む方法。
【請求項３２】
第１の正の集電体の第１の表面の上に第１の半固体カソードを被覆するステップをさらに含み、前記第１の正の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１の半固体カソードと前記第１の半固体アノードとの間に第１のセパレータを配置するステップをさらに含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
第２の正の集電体の第１の表面の上に第２の半固体カソードを被覆するステップをさらに含み、前記第２の正の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記第２の半固体カソードと前記第２の半固体アノードとの間に第２のセパレータを配置するステップをさらに含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
第３の正の集電体の第１の表面の上に第３の半固体カソードを被覆するステップであって、前記第３の正の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、ステップと
前記第３の正の集電体の前記第２の表面を前記第１の正の集電体の前記第２の表面に結合させるステップと、
をさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
第３の負の集電体の第１の表面の上に第３の半固体アノードを被覆するステップをさらに含み、前記第３の負の集電体は第２の表面を有し、前記第２の表面には被覆がない、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記第３の半固体カソードと前記第３の半固体アノードとの間に第３のセパレータを配置するステップをさらに含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記第１の負の集電体の前記第１の表面および／または前記第２の負の集電体の前記第１の表面の上に前記半固体アノードを被覆するステップが、キャスティング、ドロップコーティング、プレス、およびロールプレスのうちの少なくとも１つを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項４０】
前記第１の負の集電体の前記第１の表面および／または前記第２の負の集電体の前記第１の表面の上に前記半固体アノードを被覆するステップが、
前記第１の負の集電体の前記第１の表面および／または前記第２の負の集電体の前記第１の表面の上に、開口部を画定するフレームを配置するステップと、
前記フレームの前記開口部の中へ半固体アノード材料を配置するステップと、
前記開口部から余分な半固体アノード材料を除去するステップと、
をさらに含む請求項３１に記載の方法。
【請求項４１】
前記フレームが厚さを有し、前記フレームの前記厚さが前記半固体アノード材料の厚さを決定する、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
非接触機器を用いて前記第１の半固体アノード、前記第２の半固体アノード、および／または前記第１の半固体カソードを分析するステップをさらに含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項４３】
前記非接触機器が光学機器である、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記非接触機器が、表面モフォロジおよび厚さ均一性の少なくとも１つを分析するのに用いられる、請求項４２に記載の方法。