(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
塗布膜が形成された基板を基板保持部にて保持し、基板表面の多数の位置にプローブの光軸を夫々位置させてプローブから基板表面に光を照射すると共にその反射光に基づいて前記塗布膜の多数の位置における膜厚を測定する膜厚測定工程と、
膜厚の測定結果に基づいて求めた基板上の膜厚分布が、予め設定した条件を満たすか否かをコンピュータが判断する工程と、
前記膜厚分布が予め設定した条件を満たさないと判断したときに、コンピュータが前記基板保持部の傾き度合を調べる傾き検査工程と、を含むことを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項２】
膜厚分布が予め設定した条件を満たさないと判断したときに、警報を出力する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の塗布膜形成方法。
【請求項３】
膜厚分布について予め設定した条件は、膜厚の最大値と最小値との差が予め設定された設定値よりも小さいことであることを特徴とする請求項１または２記載の塗布膜形成方法。
【請求項４】
膜厚分布について予め設定した条件は、膜厚分布の標準偏差が予め設定された値よりも小さいことであることを特徴とする請求項１または２記載の塗布膜形成方法。
【請求項５】
傾き検査工程は、基板保持部により保持した基板表面の少なくとも４点に光の照射を行って各照射点における反射光の光強度を測定し、この測定結果に基づいて基板保持部の傾き度合が予め定めた度合よりも大きいか否かの判断を行う工程であることを特徴とする請求項１、２または３記載の塗布膜形成方法。
【請求項６】
傾き検査工程における光の照射は前記プローブを用いて行うことを特徴とする請求項５記載の塗布膜形成方法。
【請求項７】
基板保持部の傾き度合が予め定めた度合よりも大きいときには、基板保持部の水平度調整を行う工程を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
【請求項８】
基板保持部の傾き度合が予め定めた度合よりも小さいときには、塗布膜形成工程における処理条件の見直しを行う工程を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
【請求項９】
複数枚の基板を保持した基板キャリアが載置されるキャリア載置部と、
このキャリア載置部に載置されたキャリアから基板を受け取って搬送する搬送手段と、
この搬送手段から搬送された基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布ユニットと、
塗布膜の形成された前記基板を保持するための基板保持部を備え、基板表面の多数の位置にプローブの光軸を夫々位置させてプローブから基板表面に光を照射すると共にその反射光に基づいて前記塗布膜の多数の位置における膜厚を測定する膜厚測定ユニットと、
膜厚分布が予め設定した条件を満たすか否かを判断し、条件を満たさないときに前記膜厚測定ユニットの基板保持部の傾き度合を調べる検査手段と、を備えることを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項１０】
膜厚分布が予め設定した条件を満たさないと判断したときに、警報を出力するための警報出力手段を備えることを特徴とする請求項９記載の塗布膜形成装置。
【請求項１１】
検査手段は、基板保持部により保持された基板の表面の少なくとも４点に光の照射を行う手段と、各照射部位における反射光の光強度を測定し、その測定結果に基づいて基板が傾いているか否かを判断する手段と、を有することを特徴とする請求項９または１０記載の塗布膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板表面に、例えばレジスト液等の塗布液を塗布して塗布膜を形成する方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスやＬＣＤの製造プロセスにおいて行われるフォトリソグラフィと呼ばれる技術は、基板（例えば半導体ウエハ）にレジスト液を塗布して当該表面に塗布膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光をした後、現像処理を行うことによりレジストパターンを得るものである。
【０００３】
上述の工程におけるレジスト液の塗布工程は、例えばスピンコーティング法により行われている。この方法は回転自在なスピンチャックで基板を水平に吸着保持し、基板中央部上方のノズルからレジスト液を基板に供給すると共にスピンチャックを回転させる方法であり、遠心力によりレジスト液が拡散して基板全体に塗布膜が形成される。
【０００４】
そして例えば一定枚数を処理するごとにウエハを抜き取り、この基板を塗布、現像装置の外部に設けられる膜厚測定ユニットに搬送してそこで膜厚測定を行い、その測定結果から得られる膜厚の平均値が予め定めた設定値に適合しない場合には前記塗布ユニットにおけるスピンチャックの回転数（振り切り回転数）などの見直しを行うようにしてレジスト膜が目標の膜厚分布に近づくようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところでこの膜厚測定ユニットでは、例えばウエハをチャックに保持させ、上方側からウエハ表面に光を照射し、その反射光に基づいてレジスト膜の厚さを測定しその測定結果に基づいて膜厚分布が把握される。そして得られた膜厚分布が所定の分布でないと判断された場合に、例えば膜厚の最大値と最小値との差が予め定めた設定値以上である場合には、加熱ユニットにおけるウエハの乗り上げや加熱ユニットのヒータのトラブルといった異常事態であるとしてアラームを出力し、オペレータがトラブルの原因をチェックするようにしている。
【０００６】
しかしながら上述方法では、ウエハが膜厚測定ユニットのチャックに水平に保持されていることを前提とした上で塗布膜の膜厚分布を把握するようにしているため、膜厚測定ユニットは、正常にレジスト膜が形成されているウエハであっても前記チャックに傾きがある場合には塗布膜の膜厚分布が所定の分布から外れているものと誤認し、アラームを出力してしまう問題があった。従って、膜厚分布が正常な塗布膜であってもオペレータはアラームの原因が判らぬままチェック作業を行うこととなり、無駄な労力を強いられる結果となっていた。
【０００７】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、塗布膜の膜厚分布の異常を検出したときに、その原因究明のための作業者の負担を軽減することができる方法及び装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る塗布膜形成方法は、基板の表面に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
塗布膜が形成された基板を基板保持部にて保持し、基板表面の多数の位置にプローブの光軸を夫々位置させてプローブから基板表面に光を照射すると共にその反射光に基づいて前記塗布膜の多数の位置における膜厚を測定する膜厚測定工程と、
膜厚の測定結果に基づいて求めた基板上の膜厚分布が、予め設定した条件を満たすか否かをコンピュータが判断する工程と、
前記膜厚分布が予め設定した条件を満たさないと判断したときに、コンピュータが前記基板保持部の傾き度合を調べる傾き検査工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
このような方法によれば、塗布膜の膜厚分布が条件を満たさないときに先ず基板保持部の傾き度合を調べるようにしているので、基板保持部が傾いているにもかかわらず各処理ユニットを調べるといった無駄な労力が軽減され、膜厚分布の異常を効率よく調べることができる。上述の条件としては、例えば膜厚の最大値と最小値の差が予め設定された設定値より小さいこと、或いは膜厚分布の標準偏差が予め設定された値よりも小さいこと、と設定することができる。
【００１０】
また本発明は、膜厚分布が予め設定した条件を満たさないと判断したときに、警報を出力する構成としてもよく、このようにすることで例えばオペレータに膜厚異常の発生を知らせ、迅速に上述した傾き検査工程へ移行するよう促すことができる。
【００１１】
上述の傾き検査工程における具体的な判断手法としては、例えば基板保持部により保持した基板表面の少なくとも４点に光の照射を行って各照射点における反射光の光強度を測定し、この測定結果に基づいて基板保持部の傾き度合が予め定めた度合よりも大きいか否かの判断を行う方法が挙げられる。そして傾き検査の結果、基板保持部の傾き度合が予め定めた度合よりも大きいときには、基板保持部に異常があると判断し、この基板保持部の水平度調整を行い、また基板保持部の傾き度合が予め定めた度合よりも小さいときには、塗布膜形成工程における処理条件の見直しを行う。
【００１２】
また傾き検査工程における光の照射は前記プローブを用いて行うようにしてもよく、このようにすることで膜厚測定工程と傾き検査工程とを例えば同一のユニットで行うことができるようになるため、省スペース化に効果的である。
【００１３】
本発明に係る塗布膜形成装置は、複数枚の基板を保持した基板キャリアが載置されるキャリア載置部と、
このキャリア載置部に載置されたキャリアから基板を受け取って搬送する搬送手段と、
この搬送手段から搬送された基板に塗布液を供給して表面に塗布膜を形成する塗布ユニットと、
塗布膜の形成された前記基板を保持するための基板保持部を備え、基板表面の多数の位置にプローブの光軸を夫々位置させてプローブから基板表面に光を照射すると共にその反射光に基づいて前記塗布膜の多数の位置における膜厚を測定する膜厚測定ユニットと、
膜厚分布が予め設定した条件を満たすか否かを判断し、条件を満たさないときに前記膜厚測定ユニットの基板保持部の傾き度合を調べる検査手段と、を備えることを特徴とする。また膜厚分布が予め設定した条件を満たさないと判断したときに、警報を出力するための警報出力手段を備えるようにしてもよいし、検査手段が基板保持部により保持された基板の表面の少なくとも４点に光の照射を行う手段と、各照射部位における反射光の光強度を測定し、その測定結果に基づいて基板が傾いているか否かを判断する手段と、を有するようにしてもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る方法を実施するための装置として、塗布膜形成装置を塗布、現像装置に適用したものを例に取って説明を行う。図１及び図２は、夫々この塗布、現像装置１００を露光装置２００に接続したレジストパターン形成装置の全体構成を示す平面図及び概略図である。
【００１５】
図中、１１は例えば２５枚の基板である半導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗが収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアステーションであり、このキャリアステーション１１は前記キャリアＣを載置するための載置部１２と、ウエハＷを取り出すための受け渡し手段１３とを備えている。受け渡し手段１３はキャリアＣから基板であるウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷをキャリアステーション１１の奥側に設けられている処理部Ｓ１へと受け渡すように構成されている。
【００１６】
処理部Ｓ１の中央には主搬送手段１４が設けられており、これを取り囲むように例えばキャリアステーション１１から奥を見て例えば右側には塗布ユニット２及び現像ユニット１５が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。塗布ユニット２及び現像ユニット１５はこの例では各々２個ずつ設けられ、塗布ユニット２は現像ユニット１５の下段側に配置されている。棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３においては、加熱ユニットや冷却ユニットの他、ウエハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が上下に割り当てされている。主搬送手段１４は、昇降自在、進退自在及び鉛直軸まわりに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び塗布ユニット２並びに現像ユニット１５の間でウエハＷを搬送する役割を持っている。但し図２では便宜上受け渡し手段１３及び主搬送手段１４は描いていない。
【００１７】
前記処理部Ｓ１はインターフェイス部Ｓ２を介して露光装置２００と接続されている。インターフェイス部Ｓ２は受け渡し手段１６と、バッファカセットＣ０と、膜厚測定ユニット３とを備えており、受け渡し手段１６は、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成され、前記処理ブロックＳ１と露光装置２００とバッファカセットＣ０と膜厚測定ユニット３との間でウエハＷの受け渡しを行うものである。
【００１８】
前記塗布ユニット２について図３を参照しながら簡単に述べておくと、２１はスピンチャック、２２はスピンチャック２１の駆動部、２３は液受けカップ、２４は排気管、２５はドレイン管、２６はレジスト液供給ノズルである。前記主搬送手段１４によりスピンチャック２１にウエハＷが受け渡されると、レジスト液供給ノズル２６からレジスト液を供給すると共にスピンチャック２１を回転させ、レジスト液はその遠心力によりウエハＷの外方に広がってウエハＷ表面にレジスト液の液膜（塗布膜）が形成され、振り切られた分は液受けカップ２３へと流れ落ちる。
【００１９】
前記インターフェイス部Ｓ２に設けられる膜厚測定ユニット３は、図４に示すように側面に搬送口３２を有する筐体３１と、この筐体３１内に設けられたウエハＷを裏面側から吸着保持する基板保持部であるチャック３３と、このチャック３３を回転自在かつＸ及びＹ方向に移動自在とする駆動機構３４と、後述するコンピュータ４からの指令に基づき駆動機構３４の作動制御を行うコントローラ３５と、光干渉式膜厚計３６と、を備えている。この光干渉式膜厚計３６はチャック３３上のウエハＷと対向するように設けられたプローブ３６ａと光ファイバ３６ｂと分光器及びコントローラを含む分光器ユニット３６ｃとを備えており、ウエハＷ表面に照射した光の反射光から得られるスペクトルに基づく膜厚の検出や、前記光の反射強度の測定などを行うことが可能となっている。
【００２０】
この膜厚測定ユニット３は、ウエハＷをＸ，Ｙ方向に移動させると共にプローブ３６ａにより例えばウエハＷの直径に沿った多数の位置に光軸を位置させることで、各位置の反射光の検知を行うようになっており、このような制御は図４中４で示すコンピュータにより行われる。また、プローブ３６ａを図示しない駆動機構によりＸ，Ｙ方向に移動させることも可能である。
【００２１】
このコンピュータ４について図５を用いて説明を行うと、バス４１を介してメモリ４２、ＣＰＵ４３、アラーム発生部（警報出力手段）４４及びインターフェイス部４５を接続した構成とされており、前記分光器ユニット３６ｃとはバス４１を介して、前記コントローラ３５とはインターフェイス部４５を介して夫々接続されている。
【００２２】
メモリ４２は例えばオペレータの選択に基づき膜厚測定ユニット３で所定の作業が行われるように予め作成された各種プログラムを記憶するための記憶部であり、例えば測定部位において得られたデータから膜厚分布曲線の作成を行うための膜厚分布作成プログラム４２ａと、この膜厚分布作成プログラム４２ａにより得られた膜厚分布に異常があるか否かを、例えば膜厚分布曲線の最大高低差を調べることで確認する膜厚分布チェックプログラム４２ｂと、この膜厚分布チェックプログラム４２ｂによるチェックの結果、前記膜厚分布に異常があることが判明したときに膜厚測定ユニット３内のチャック３３の傾き状態を検査するための傾きチェックプログラム４２ｃとが記憶されている。またＣＰＵ４３はデータ処理部であり、アラーム発生部４４は、例えば上述した膜厚分布チェックプログラム４２ｂにより塗布膜の最大値と最小値との差が所定値を越えていることが判明した場合などに、アラーム（警報）を発生するためのものであり、例えばブザー音の鳴動、警報ランプの点灯、操作画面へのアラーム表示といったことを行うものである。
【００２３】
ここで説明を図４に戻すと、膜厚測定ユニット３にはこの例では露光装置２００にて露光されたウエハＷについて、周縁部のレジストを除去するために当該周縁部の露光を行う周縁露光装置を共用するように構成されている。即ち筐体３１内には露光手段３７が設けられると共にウエハＷの周縁部を検出するためのラインセンサ３８がウエハＷの通過領域を上下に挟むように設けられている。
【００２４】
次いで本実施の形態の作用について説明する。はじめに塗布膜形成工程について簡単に説明しておく。先ず外部からキャリアＣがキャリア載置部１２に搬入され、受け渡し手段１３によりこのキャリアＣ内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、受け渡し手段１３から棚ユニットＵ２の受け渡しユニットＥＸＴ（図２参照）を介して主搬送手段１４に受け渡されて、所定の処理例えば疎水化処理、冷却処理などが行われる。続いてこのウエハＷは塗布ユニット２にてレジスト液が塗布され更に加熱処理されてレジスト液の溶剤が揮発された後、棚ユニットＵ３の図では見えない受け渡しユニットからインターフェイス部Ｓ２を経て露光装置２００に送られる。
【００２５】
露光装置２００にて露光されたウエハＷは逆の経路で処理部Ｓ１に戻され、主搬送手段１４より現像ユニット１５に搬送され、現像処理される。なお詳しくは、ウエハＷは、現像処理の前後に加熱処理及び冷却処理される。現像処理されたウエハＷは上述と逆の経路で受け渡し手段１３に受け渡され、キャリア載置部１２に載置されている元のキャリアＣに戻される。
【００２６】
こうして例えば一定枚数のウエハＷの処理が終了すると、膜厚測定を行うレシピが選択される。これ以降の工程を図６に示すフロー図に基づいて説明していくと、例えば次のロットの１枚目のウエハＷに上述した工程と同様に塗布膜の形成がおこなわれ（ステップ１）、露光処理を行う直前でインターフェイス部Ｓ２内の膜厚測定ユニットへと搬入される。そして膜厚分布作成プログラム４２ａに従って前記ウエハＷに形成された塗布膜の膜厚測定がなされ（ステップ２）、その結果通常は例えば図７（ａ）に示すような膜厚分布曲線が得られる。この膜厚分布曲線は、測定により得られた膜厚測定値の集合から算出した当該分布の近似式から算出してもよい。
【００２７】
そしてこの曲線が予め定めた分布になっているか否か例えば図７（ａ）中ｘで示す膜厚の最大値と最小値との差が予め定めた設定値内に収まっているか否かを判断し（ステップ３）、その差が設定値以内であれば塗布膜は正常に形成されていると判断され、膜厚のチェックは終了し、生産ラインが再開する。なおこのとき図６ではステップ３で終了となるように示しているが、実際には例えば膜厚平均値を算出し、この膜厚平均値が目標膜厚に対して許容される誤差範囲に収まっているか否かの判断を行い、誤差範囲から外れている場合にはスピンチャック３１の回転数を膜厚の平均値と膜厚の目標値との差に応じて補正してレジスト膜の膜厚を目標膜厚に近づけるようにしてもよい。
【００２８】
一方、前記最大値と最小値の差ｘが前記設定値よりも大きいときは、膜厚測定ユニット３に何等かの異常が存在して本来水平に保持されるはずのウエハＷが水平に保持されないまま膜厚測定が行われてしまったか、或いはプロセス上の不具合によりウエハＷの全面に亘って塗布膜が均一に形成されなかったか、大きく分けてこの２つの要因が考えられ、アラーム発生部４４は、例えばオペレータに膜厚分布の状況が異常であることを知らせると共にその原因究明を促すべく、アラームの出力を行う（ステップ４）。
【００２９】
また、上述ステップ３に示した塗布膜が予め定めた分布になっているか否かの判断は、膜厚測定値の標準偏差を用いる方法をとることも可能であり、例えばこの標準偏差に３を掛けた３σが予め設定された値より小さいか否かにより判断する。この場合、前記３σが設定値より小さければ塗布膜は正常に形成されていると判断し、前記設定値よりも大きければ上述した膜厚の最大値と最小値の差ｘが設定値よりも大きかったときと同様に、何等かの異常が発生したと判断してステップ４へと進む。
【００３０】
ここで上述した２つの要因の具体例を挙げると、前者の具体例としては膜厚測定ユニット３におけるチャックの不具合、または加熱ユニットにおけるウエハの乗り上げが発生した場合などがあり、この場合の膜厚分布は例えば図７（ｂ）に示すような片上がりの曲線となる。また後者の具体例としては、例えば棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３内の加熱ユニットにおいて用いられるホットプレート表面に温度勾配が生じ、ウエハＷの中央部と周縁部とで処理条件の異なる加熱処理が行われていた場合や、塗布ユニット２におけるレジスト液の吐出状況等により、ウエハＷ表面の各部位ごとに供給されたレジスト液の量にむらが生じていた場合などがあり、この場合の膜厚分布は図７（ａ）のようなすり鉢状の曲線となる。
【００３１】
ところで、塗布膜は均一に形成されているにも拘らず、膜厚測定ユニット３の異常例えばチャック３３が傾いていたときにはどのような処理が行われるか、図８を例に説明する。このとき膜厚の最大値と最小値の差ｘは、図示するウエハＷの中央部及び両端近傍の３点において予め定めた設定値内に収まっているものの、前記各部位におけるプローブ３６ａからウエハＷ表面までの距離はＡ，Ｂ，Ｃのように変わるため、この距離の変化が光の反射強度に影響を与えることとなり、結果として実際の値と異なる測定結果が表われる。従ってコンピュータ４は上述した場合と同様に、ｘの値が前記の設定値内に収まっているか否かの判断を行うことでアラーム出力の有無を決定できる。この場合はｘの値が設定値内に収まっていないと判断されるのでステップ４にてアラームが出力される。
【００３２】
そして例えばオペレータは、このアラームに基づき膜厚測定ユニット３内のチャック３３に異常がないかどうかの検査を開始する。具体的にはオペレータの指示により傾きチェックプログラム４２ｃを動作させ、例えば表面にレジスト膜の形成されていないウエハ（基準基板＝ベアウエハ）Ｗ１が例えばインターフェイス部Ｓ２内のバッファカセットＣ０から膜厚測定ユニット３内へと搬送され、チャック３３に保持された後、傾き検査工程（ステップ５）を開始する。
【００３３】
この傾き検査工程は膜厚測定ユニット３に設けられる既述のプローブ３６ａを用い、ウエハ表面の複数ポイントに光を照射してその反射強度を調べ、当該反射強度が予め定めた設定範囲内に収まっているか否かによりチャック３３の傾き度合、正確にはチャック３３に保持された状態におけるウエハＷ１表面の傾き度合を判断しようとするものであり、光の照射は、この傾き度合を検出できるように、例えば周方向に並ぶ少なくとも４点以上の部位に行われる。具体例を挙げると例えば４点照射の場合には、図９に示すようにウエハＷ１を周方向に等分した４点のポイントＰ１〜Ｐ４の部位が選択される。なお、ここで塗布膜の形成されていないウエハＷ１を用いるのは反射条件が変わらないようにするためである。またウエハＷ１としては反りのないウエハを用いることが好ましい。
【００３４】
こうして各ポイントごとの光の反射強度を得、当該反射強度が設定範囲内に収まっているか否かの判断が行われる（ステップ６）。ここで設定範囲とは、例えば各反射強度の平均値を中心とした場合における許容し得る誤差幅を表すものであり、この反射強度の差に基づいて前記傾き度合が判断され、例えば図１０（ａ）で示すようにすべてのポイントにおける反射強度がこの設定範囲内に収まっていればチャック３３の傾きはない（水平）か或いはそれに近い許容範囲内であることが分かり、前記アラームの原因はチャック３３の異常ではなく、塗布膜形成工程（ステップ１）における各プロセス上の問題であると考えられる。従ってこの場合は、オペレータがプロセスユニットの状況確認を行う（ステップ７）。
【００３５】
一方、例えば図１０（ｂ）に示すように設定範囲から外れた反射強度を示すポイントがあると判断した場合には、チャック３３は傾きがあるものとみなされ、アラーム発生部４４からアラームが出力される（ステップ８）。しかる後、例えばオペレータはこのアラームによりウエハの水平度に問題があることを認識し、チャック３３に対し必要な調整を行う。この調整は、正確にはチャック３３のみならず、膜厚測定ユニット３内におけるウエハを保持するすべての部位、例えばチャック３３のウエハ保持部や軸部の傾きに加えて、チャック３３を下方側から支持する駆動機構３４の設置状況等の確認及び調整も行われる。こうして一連の工程が終了し、通常の処理が再開されるが、その前に再度膜厚分布の確認を行うことが好ましい。
【００３６】
上述実施の形態によれば、ウエハに形成された塗布膜の膜厚分布が所定の分布から外れているときに、例えば膜厚の最大値と最小値の差が所定値以上であるかあるいは膜厚分布の標準偏差が予め設定された値よりも小さいときに、膜厚測定ユニット３のチャック３３に例えばベアウエハを保持させてその表面の反射強度を測定することによりチャック３３の傾きの有無を調べるようにしているため、その要因が膜厚測定ユニット３にあるのか、塗布膜形成工程を行うプロセスユニットにあるのかを判断することができ、チャック３３が傾いているにもかかわらず各処理ユニットを調べるといった無駄な労力が軽減され、膜厚分布の異常を効率よく調べることができる。
【００３７】
また本実施の形態においては、膜厚測定工程（ステップ２）とチャック３３の傾き検査度工程（ステップ５）とを同一の膜厚測定ユニット３にて行うようにしているため、省スペース化に効果的である。
【００３８】
なお、傾き検査工程（ステップ５）においてウエハＷ１の傾き検査を行う方法は、例えば図１１に示すように行うことも可能である。この方法はウエハ（ベアウエハ）Ｗ１をチャック３３に保持させ、プローブ３６ａから連続して光の照射を行うと共に駆動機構３４によりチャック３３を回転させ、このとき光の軌跡である図中Ｘ１で示す部分の反射強度を測定するものであり、例えば回転時に前記反射強度が所定の変化幅に入っていれば水平であり、外れていればこの測定結果に基づいてウエハＷ１表面の傾き度合を判断する。
【００３９】
また、図６に示すステップ４におけるアラームの出力後のステップ５及び６はオペレータが行う方法に限られず、例えば自動的に傾きチェックプログラム４２ｃが起動されて傾き検査工程が行われるようにしてもよい。更にまた、ステップ６においてチャック３３の傾き度合を判断する方法は、例えば４点で測定した光の反射強度の最大値と最小値との差が一定値以上である場合にチャック３３に傾きがあるものと判断するようにしてもよい。
【００４０】
以上において本実施の形態で用いられる基板はＬＣＤ基板であってもよい。また塗布液としてはレジスト液に限らず層間絶縁材料、低誘電体材料、強誘電体材料、配線材料、有機金属材料、金属ペースト等を用いるようにしてもよい。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、膜厚測定ユニットにて塗布膜の異常を検出したときに、その原因究明のための作業者の負担を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる塗布膜形成装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】本発明にかかる塗布膜形成装置の実施の形態を示す概略図である。
【図３】塗布ユニットの主要部について説明する断面図である。
【図４】膜厚測定ユニットの主要部について説明する断面図である。
【図５】前記膜厚測定ユニットに設けられるコンピュータの概略構成を示す説明図である。
【図６】本発明に係る塗布膜形成方法のフローを説明するための工程図である。
【図７】ウエハに形成される塗布膜について、断面形状の例を示す説明図である。
【図８】本実施の形態における作用を説明すための説明図である。
【図９】本実施の形態における作用を説明すための説明図である。
【図１０】本実施の形態における作用を説明すための説明図である。
【図１１】他の実施の形態における作用を説明すための説明図である。
【符号の説明】
Ｗ，Ｗ１    ウエハ
Ｓ１    処理部
２      塗布ユニット
３      膜厚測定ユニット
３３    チャック
３６    光干渉式膜厚計
３６ａ  プローブ
３６ｃ  分光器ユニット
４    コンピュータ
４２  メモリ
【図１】
0003616003.tif 000002
【図２】
0003616003.tif 000003
【図３】
0003616003.tif 000004
【図４】
0003616003.tif 000005
【図５】
0003616003.tif 000006
【図６】
0003616003.tif 000007
【図７】
0003616003.tif 000008
【図８】
0003616003.tif 000009
【図９】
0003616003.tif 000010
【図１０】
0003616003.tif 000011
【図１１】
0003616003.tif 000012