(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う処理部と、前記処理部における前記処理に要する処理時間を記憶する記憶部と、基板を保持して前記処理部に当該基板を搬入するとともに前記処理部から当該基板を搬出する搬出入手段と、前記搬出入手段の移動可能範囲のいずれかに前記搬出入手段が位置するときに、その動作が前記搬出入手段と干渉する動作手段と、を備える基板処理装置において、
前記記憶部に記憶されている前記処理時間が予め設定されたしきい値よりも小さい場合には、前記搬出入手段が前記処理部への基板の搬入を終了してから当該基板の搬出を開始するまでの間は前記干渉が生じる干渉領域における前記動作手段の動作を回避させるとともに、前記処理時間が前記しきい値以上である場合には、前記搬出入手段が前記処理部への基板の搬入を終了してから当該基板の搬出を開始するまでの間の前記干渉が生じる干渉領域における前記動作手段の動作を許すように前記動作手段を制御する制御手段と、
を設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記処理部は、処理液を貯留し、基板を当該処理液中に浸漬することによって浸漬処理を行う処理槽であり、
前記搬出入手段は、前記処理槽に対して基板を昇降させることによって当該基板を前記処理液中に浸漬しまたは前記処理液から離脱させるリフターであり、
前記動作手段は、前記処理槽の上方にて基板を略水平方向に搬送し、前記リフターと基板の受渡が可能であり、前記リフターが前記基板の受渡を行う受渡位置に位置するときに、その略水平方向の移動が前記リフターと干渉する搬送ロボットであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記処理部は、処理液を貯留し、基板を当該処理液中に浸漬することによって浸漬処理を行う処理槽であり、
前記搬出入手段は、前記処理槽に対して基板を昇降させることによって当該基板を前記処理液中に浸漬しまたは前記処理液から離脱させるリフターであり、
前記動作手段は、前記処理槽の上端部を開閉し、前記リフターが前記処理槽の上端部に位置するときに、その閉鎖動作が前記リフターと干渉する蓋であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に浸漬処理等の処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、上記のような基板処理装置は、基板をエッチング液等の薬液や純水中に順次浸漬させることにより薬液処理や水洗処理（これらを総称して「浸漬処理」とする）を繰り返し、一連の基板処理を進行させている。このような薬液処理または水洗処理は薬液または純水（これらを総称して「処理液」とする）を貯留する薬液槽または水洗槽（これらを総称して「処理槽」とする）において行われている。
【０００３】
従来の処理槽における浸漬処理の手順について簡単に説明する。まず、基板を水平方向に搬送する搬送ロボットが処理槽の上方に移動し、鉛直方向に昇降するリフターが上昇して搬送ロボットから当該基板を受け取る。基板を受け取ったリフターは処理槽内の所定の処理位置まで下降し、基板を処理液中に浸漬させる。
【０００４】
このときに、基板を保持するリフターと搬送ロボットとの干渉を防止するべく、基板を受け取ったリフターが上記処理位置に完全に下降するまで搬送ロボットが移動しないようにインターロックが設けられている。すなわち、リフターが処理位置まで完全に下降した後に、搬送ロボットが水平方向の移動を開始する。
【０００５】
また、浸漬処理中は、処理液への汚染物質の流入を防止するとともに、処理槽内の雰囲気（特に、薬液の蒸気）が外部に漏洩するのを防ぐために、処理槽の上端部を蓋によって閉鎖するようにし、処理槽内を密閉空間とするようにしている。このときにも、リフターと蓋との干渉を防止すべく、リフターが処理位置まで完全に下降した後に、蓋の閉鎖動作を開始するようにしている。
【０００６】
リフターが処理位置まで下降した後、所定の処理時間が経過して浸漬処理が終了すると、蓋が開放動作を行うとともに、搬送ロボットが処理槽上方まで再度移動する。そして、蓋が完全に開放され、搬送ロボットが処理槽上方まで移動した後に、リフターが上昇を開始し、搬送ロボットに基板を渡す。このようにして、１つの処理槽における一連の浸漬処理が行われていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、基板の浸漬処理の中には短時間で処理を行う方が好ましいものもある。例えば、水と反応して強アルカリを生成する薬液中にて処理した後に純水中にて水洗処理を行うような場合は、その水洗処理の処理時間を短くした方が好ましい。また、薬液処理においても、例えば短時間のエッチングを行いたいという要求もある。最も極端な場合には、０秒処理（リフターが下降して処理位置に到達すると同時に上昇を開始するような処理）を行いたいという要求まである。
【０００８】
しかしながら、従来においては上述のように、被処理基板を保持するリフターが処理位置まで下降した後に、すなわち当該基板の処理が開始された後に搬送ロボットが移動を開始し、また蓋が開閉動作を開始していた。そして、処理槽上方におけるそれらの動作が終了するまではリフターが上昇することができなかった。つまり、搬送ロボットや蓋の処理槽上方における動作が終了するまでは基板の浸漬処理を終了することができなかったのである。
【０００９】
一方、搬送ロボットや蓋の動作にも一定の時間を要することは勿論である。その結果、浸漬処理の処理時間を短くすることには搬送ロボットや蓋の動作時間に基づく一定の限界が存在しており、上述のような要求に応えることができない場合が多かった。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理時間をその処理内容に応じて短くすることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に所定の処理を行う処理部と、前記処理部における前記処理に要する処理時間を記憶する記憶部と、基板を保持して前記処理部に当該基板を搬入するとともに前記処理部から当該基板を搬出する搬出入手段と、前記搬出入手段の移動可能範囲のいずれかに前記搬出入手段が位置するときに、その動作が前記搬出入手段と干渉する動作手段と、を備える基板処理装置において、前記記憶部に記憶されている前記処理時間が予め設定されたしきい値よりも小さい場合には、前記搬出入手段が前記処理部への基板の搬入を終了してから当該基板の搬出を開始するまでの間は前記干渉が生じる干渉領域における前記動作手段の動作を回避させるとともに、前記処理時間が前記しきい値以上である場合には、前記搬出入手段が前記処理部への基板の搬入を終了してから当該基板の搬出を開始するまでの間の前記干渉が生じる干渉領域における前記動作手段の動作を許すように前記動作手段を制御する制御手段を設けている。
【００１５】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記処理部を、処理液を貯留し、基板を当該処理液中に浸漬することによって浸漬処理を行う処理槽とし、前記搬出入手段を、前記処理槽に対して基板を昇降させることによって当該基板を前記処理液中に浸漬しまたは前記処理液から離脱させるリフターとし、前記動作手段を、前記処理槽の上方にて基板を略水平方向に搬送し、前記リフターと基板の受渡が可能であり、前記リフターが前記基板の受渡を行う受渡位置に位置するときに、その略水平方向の移動が前記リフターと干渉する搬送ロボットとしている。
【００１６】
また、請求項３の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記処理部を、処理液を貯留し、基板を当該処理液中に浸漬することによって浸漬処理を行う処理槽とし、前記搬出入手段を、前記処理槽に対して基板を昇降させることによって当該基板を前記処理液中に浸漬しまたは前記処理液から離脱させるリフターとし、前記動作手段を、前記処理槽の上端部を開閉し、前記リフターが前記処理槽の上端部に位置するときに、その閉鎖動作が前記リフターと干渉する蓋としている。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１８】
＜１．基板処理装置の全体構成＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１の全体構成を示す斜視図である。図示のように、この基板処理装置１は、未処理基板を収納しているカセットＣＳが投入されるカセット搬入部２と、このカセット搬入部２からのカセットＣＳが載置され内部から複数の基板が同時に取り出される基板取出部３と、カセットＣＳから取り出された未処理基板が順次浸漬処理される基板処理部５と、浸漬処理後の複数の処理済み基板が同時にカセットＣＳ中に収納される基板収納部７と、処理済み基板を収納しているカセットＣＳが払い出されるカセット搬出部８とを備える。さらに、装置の前側には、基板取出部３から基板収納部７に亙って基板移載搬送機構９が配置されており、浸漬処理前、浸漬処理中及び浸漬処理後の基板を一箇所から別の箇所に搬送したり移載したりする。
【００１９】
カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣＲ１を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置された一対のカセットＣＳを基板取出部３に移載する。
【００２０】
基板取出部３は、昇降移動する一対のホルダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣＳ中の未処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能にする。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カセットＣＳ中から基板が押し上げられる。カセットＣＳ上方に押し上げられた基板は、基板移載搬送機構９に設けた搬送ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５に投入される。
【００２１】
基板処理部５は、フッ酸等の薬液を貯留して薬液処理を行う薬液槽ＣＢを備える薬液処理部５２と、純水を貯留して水洗処理を行う水洗槽ＷＢを有する水洗処理部５４と、薬液または純水を貯留して単一槽内で各種の薬液処理や水洗処理および乾燥処理を行う処理槽ＭＢを有する多機能処理部５６とを備える。
【００２２】
基板処理部５において、薬液処理部５２及び水洗処理部５４の後方側には、第１基板浸漬機構５５が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能なリフターＬＨ１によって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を薬液処理部５２の薬液槽ＣＢに浸漬したり、水洗処理部５４の水洗槽ＷＢに浸漬したりする。リフターＬＨ１は、薬液槽ＣＢと水洗槽ＷＢとの間で基板を搬送することが可能であるとともに、それら処理槽に対して基板を昇降させることによって当該基板を処理槽に貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液から離脱させることができる。
【００２３】
また、多機能処理部５６の後方側には、第２基板浸漬機構５７が配置されており、これに設けた上下動可能なリフターＬＨ２によって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を多機能処理部５６の処理槽ＭＢ内に支持する。リフターＬＨ２は、基板を保持して処理槽ＭＢに当該基板を搬入するとともに処理槽ＭＢから当該基板を搬出する役割を担っており、処理槽ＭＢに対して基板を昇降させることによって当該基板を処理槽ＭＢに貯留された処理液中に浸漬しまたはその処理液から離脱させることができる。なお、５２ａ、５６ａはリフターＬＨ１、ＬＨ２にそれぞれ設けられた基板を支持するための基板受部を示す。
【００２４】
また、多機能処理部５６には、蓋５８が設けられている。蓋５８は、その下部に駆動機構（図示省略）を有しており、当該駆動機構によって処理槽ＭＢの上端部を開閉する開閉動作を行うことができる。蓋５８は、処理槽ＭＢの上端部を閉鎖することにより、処理槽ＭＢに貯留された処理液への汚染物質の流入を防止するとともに、処理槽ＭＢ内の雰囲気が外部に漏洩するのを防ぐ役割を有している。
【００２５】
基板収納部７は、基板取出部３と同様の構造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによって、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け取ってカセットＣＳ中に収納する。
【００２６】
また、カセット搬出部８は、カセット搬入部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボットＣＲ２を備え、基板収納部７上に載置された一対のカセットＣＳをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載する。
【００２７】
基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９１、９２よって基板を把持することにより、基板取出部３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部５の第１基板浸漬機構５５に設けたリフターＬＨ１側に移載したり、このリフターＬＨ１側から隣りの第２基板浸漬機構５７に設けたリフターＬＨ２側に基板を移載したり、このリフターＬＨ２側から基板収納部７のホルダ７ａ、７ｂに基板を移載したりする。
【００２８】
＜２．基板処理装置の制御機構＞
次に、上記基板処理装置１の制御機構について説明する。図２は、図１の基板処理装置の制御機構を説明するための機能ブロック図である。この基板処理装置１には、卓上型コンピュータ等からなる制御部３０が組み込まれており、オペレータは前記制御部３０を介して装置に指令を与えたり、処理条件（通常レシピとして記述されており、以下「レシピ」と称する）の設定を行ったりできる。
【００２９】
制御部３０は、その本体部であるＣＰＵ３１と、読み出し専用メモリーであるＲＯＭ３２と、読み書き自在のメモリーであるＲＡＭ３３と、制御用ソフトウェア、データおよびレシピなどを記憶しておく磁気ディスク３４と、付随する入出力機器とのインターフェイスである入出力ポート３５と、基板処理装置を直接制御する部分とのインターフェイスであるネットワークポート３６と、装置外部に設けられているホストコンピュータなどと通信を行う通信ポート３７とを備えている。
【００３０】
また、制御部３０には、入出力ポート３５を介してディスプレイ３８とキーボード３９とが付随して設けられている。オペレータはディスプレイ３８の表示を確認しつつ、キーボード３９からコマンドやパラメータを入力して、制御部３０に指令を与えたり、磁気ディスク３４に格納されているレシピの内容を編集・変更することができる。なお、ディスプレイ３８とキーボード３９との組み合わせを設けることに限定されず、例えば、タッチパネルなどのようにコマンドやパラメータを入力できるものを設置するようにしても良い。
【００３１】
制御部３０に入力された指令は、処理用のソフトウェアに基づいて処理され、必要に応じて当該制御部３０からネットワークポート３６を介してサブコントローラ４０に伝達される。サブコントローラ４０は、制御部３０からの指令に基づいて、搬送ロボットＴＲ、リフターＬＨ１、ＬＨ２および蓋５８等の動作を制御する。また、サブコントローラ４０は、各処理槽への注排液等の制御も行う。なお、本実施形態においては、ＲＡＭ３３が記憶部に相当し、ＣＰＵ３１がサブコントローラ４０を介してリフターＬＨ１、ＬＨ２等の制御を行う制御手段に相当する。
【００３２】
＜３．処理手順＞
次に、上記構成および制御機構を有する基板処理装置１における処理手順について説明する。装置全体としての基板処理の手順は、概ねカセット搬入部２からカセット搬出部８に向けて基板を順次搬送し、その搬送途中の基板処理部５において基板にエッチング等の薬液処理、純水による水洗処理および乾燥処理を行うというものである（図１参照）。ここでは、その全体工程の中の一工程として処理槽ＭＢにて基板に浸漬処理を行うときの処理手順についてさらに詳述する。
【００３３】
図３は、処理槽ＭＢにて基板に浸漬処理を行うときの処理手順を示すフローチャートである。本実施形態の基板処理装置１において行われる処理は全てロット（一括して処理が行われる複数の基板の集合体）ごとに定められたレシピに従って行われる。既述したように、レシピはオペレータがキーボード３９を介して編集したり、または通信ポート３７を介して外部から入力され、磁気ディスク３４に記憶される。あるロットを処理するときには、そのロットに対応するレシピが磁気ディスク３４からＲＡＭ３３に展開される。
【００３４】
レシピには、処理ステップごとにその処理条件が記述されている。具体的には、例えば、ある処理ステップで薬液処理を行う旨、その処理を行うべき処理槽として処理槽ＭＢを使用する旨および薬液処理の処理時間等が記述されている。従って、レシピには、処理槽ＭＢにおける浸漬処理を行うべき処理時間が記述されているのであり、それがＲＡＭ３３に記憶されていることとなる。なお、レシピに記述される処理時間とは、装置上の制約を考慮せず、基板の浸漬処理に必要な時間という処理上の観点のみから設定されたものである。具体的には、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内の処理位置まで下降してから再び上昇するべき時点までの時間、すなわちリフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内の処理位置に停止しているべき時間を示す。
【００３５】
本実施形態の基板処理装置１においては、まず、ＣＰＵ３１がＲＡＭ３３に展開されているレシピを参照する（ステップＳ１）。具体的には、ＲＡＭ３３に記憶されたレシピに記述されている浸漬処理に要する処理時間を確認する。
【００３６】
次に、ステップＳ２に進み、ＣＰＵ３１が上記処理時間がしきい値よりも小さいか否かを判断する。ここでのしきい値とは、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内の処理位置まで下降した後に開始される搬送ロボットＴＲの移動や蓋５８の開閉に要する動作時間に基づいて予め設定されたものであり、ＲＡＭ３３に記憶されている。処理時間がしきい値よりも小さいか否かを判断する意味は、以下のようなものである。
【００３７】
すなわち、処理時間は基板の浸漬処理に必要な時間という処理上の観点のみから設定されたものであり、一方しきい値は搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作時間に基づいて定められているものであるため、レシピに記述されている処理時間がしきい値よりも小さいということは、搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了する前に浸漬処理が終了する予定であることを示している。そして、搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了するまでは、干渉を防ぐためにリフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内の処理位置から上昇することはできない。従って、搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了するまで浸漬処理が続行されることとなり、処理時間超過状態（例えば、オーバーエッチング状態）になるおそれがあるのである。
【００３８】
これに対して、レシピに記述されている処理時間がしきい値以上である場合は、搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了する時点以降に浸漬処理が終了する予定であることを示している。従って、浸漬処理が終了したときには、既に搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了しており、直ちにリフターＬＨ２が処理位置から干渉することなく上昇できるものと予想される。よって、レシピに記述されている処理時間の通りに浸漬処理が行われるものと予想されるのである。
【００３９】
ステップＳ２における判断の結果、処理時間がしきい値よりも小さい場合、すなわち、搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了する前に浸漬処理が終了すると予想されるときは、ステップＳ３に進み、特別搬送の処理手順が実行される。一方、処理時間がしきい値以上である場合、すなわち、搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了する時点以降に浸漬処理が終了すると予想されるときは、ステップＳ４に進み、通常搬送の処理手順が実行される。以下、通常搬送の処理手順および特別搬送の処理手順のそれぞれについて具体的な動作例を示しつつ説明する。
【００４０】
＜３−１．通常搬送の処理手順＞
図４は、通常搬送の処理手順を示すフローチャートである。なお、同図の処理手順は、全てＣＰＵ３１からの指示に基づいて行われるものである。また、図６から図９は、通常搬送の処理手順による動作例を説明するための図である。
【００４１】
上述のように、通常搬送の処理手順が実行されるのは、搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了する時点以降に浸漬処理が終了すると予想されるときである。従って、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内の処理位置まで下降して浸漬処理が開始されてから搬送ロボットＴＲや蓋５８が動作を行ったとしても、浸漬処理が終了したときには、既に搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了しており、直ちにリフターＬＨ２が処理位置から干渉することなく上昇でき、浸漬処理の処理時間に過不足は生じない。
【００４２】
通常搬送の処理手順とは、このような浸漬処理中にも搬送ロボットＴＲや蓋５８に動作を行わせる手順であり、従来と同様の処理手順でもある。
【００４３】
まず、図６に示すように、基板Ｗ（厳密には、ロットであるが図示の便宜上ロットの端にある１枚の基板Ｗのみを描いており、以後の図７から図１３においても同じである）を保持する搬送ロボットＴＲが処理槽ＭＢの上方まで水平方向に、矢印Ａ６にて示すように移動する（ステップＳ４１）。なお、この時点では、リフターＬＨ２は処理槽ＭＢ内に待機している。
【００４４】
搬送ロボットＴＲが処理槽ＭＢの上方に到達すると、図７に示す如く、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内から矢印Ａ７にて示すように上昇し、搬送ロボットＴＲの一対のハンド９１、９２に把持された基板Ｗを突き上げるようにして受け取る（ステップＳ４２）。
【００４５】
次に、図８に示す如く、搬送ロボットＴＲが一対のハンド９１、９２を回転させて開放するとともに、リフターＬＨ２が矢印Ａ８にて示すように処理槽ＭＢ内の処理位置まで下降し、基板Ｗを処理槽ＭＢに貯留された薬液中に浸漬させる（ステップＳ４３）。
【００４６】
リフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内の処理位置まで下降し、処理槽ＭＢへの基板搬入が終了した後、ステップＳ４４、Ｓ４５、Ｓ４６が実行される。すなわち、図９に示す如く、処理槽ＭＢ内においては基板Ｗの浸漬処理（ここでは、薬液処理）が開始され、それと同時に蓋５８が矢印Ａ９１にて示すように閉鎖動作を開始し、搬送ロボットＴＲが矢印Ａ９２にて示すように水平方向の移動を開始する。なお、ステップＳ４４、Ｓ４５、Ｓ４６については図４には便宜上時系列的に記載しているが、これらは同時に実行されるものであり、図４のような順序に限られるものではない。
【００４７】
処理槽ＭＢ内における基板Ｗの浸漬処理は、レシピに記述されている処理時間に従って行われる。そして、その処理時間が経過したときには、基板Ｗは上記と逆の手順にてリフターＬＨ２から搬送ロボットＴＲに渡される。すなわち、基板Ｗの浸漬処理が終了する前に、蓋５８が開放動作を開始し、搬送ロボットＴＲが処理槽ＭＢへ戻る移動動作を開始する。その後、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内の処理位置から上昇し、搬送ロボットＴＲに基板Ｗを渡す。
【００４８】
ここで、図４の如き通常搬送の処理手順が実行されている場合は、基板Ｗの浸漬処理が終了したときに、搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作を完了させておくことが可能である。よって、基板Ｗの浸漬処理が終了したときには、上昇するリフターＬＨ２が搬送ロボットＴＲや蓋５８と干渉するおそれはなく、リフターＬＨ２は直ちに処理槽ＭＢ内の処理位置から上昇し、搬送ロボットＴＲに基板Ｗを渡すことができる。つまり、レシピに記述されている処理時間の通りに基板Ｗの浸漬処理を行うことができるのである。
【００４９】
＜３−２．特別搬送の処理手順＞
次に、特別搬送の処理手順について説明する。図５は、特別搬送の処理手順を示すフローチャートである。なお、同図の処理手順も、全てＣＰＵ３１からの指示に基づいて行われるものである。また、図１０から図１２は、特別搬送の処理手順による動作例を説明するための図である。
【００５０】
特別搬送の処理手順が実行されるのは、搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了する前に浸漬処理が終了すると予想されるときである。従って、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内の処理位置まで下降して浸漬処理が開始されてから搬送ロボットＴＲや蓋５８が動作を行うと、浸漬処理が終了したときには、未だ搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了しておらず、干渉防止のためリフターＬＨ２は処理槽ＭＢ内の処理位置に待機しなければならず、浸漬処理の処理時間に超過が生じる。
【００５１】
このため、特別搬送の処理手順として、基板Ｗの浸漬処理中には搬送ロボットＴＲや蓋５８に動作を制限するような処理手順を実行するのである。
【００５２】
まず、基板Ｗを保持する搬送ロボットＴＲが処理槽ＭＢの上方まで移動し（ステップＳ５１）、リフターＬＨ２が搬送ロボットＴＲから基板Ｗを受け取る手順（ステップＳ５２）までは上述した通常搬送の処理手順と同じである（図６、図７参照）。
【００５３】
次に、特別搬送の処理手順においては、搬送ロボットＴＲから基板Ｗを受け取ったリフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内の処理位置まで直接に下降するのではなく、一旦処理槽ＭＢに貯留された処理液の液面位置まで下降する（ステップＳ５３）。この液面位置とは、リフターＬＨ２に保持される基板Ｗが着液する直上の位置である。
【００５４】
そして、図１０に示す如く、リフターＬＨ２が液面位置まで下降した後、搬送ロボットＴＲが矢印Ａ１０にて示すように水平方向の移動を開始し、所定の待避位置まで移動する（ステップＳ５４）。このときに、リフターＬＨ２は液面位置まで下降しているため、リフターＬＨ２と搬送ロボットＴＲとが干渉するおそれはない。
【００５５】
次に、リフターＬＨ２の待避位置までの移動が終了した後に、図１１に示す如く、リフターＬＨ２が矢印Ａ１１にて示すように処理槽ＭＢ内の処理位置まで下降し、基板Ｗを処理槽ＭＢに貯留された薬液中に浸漬させる（ステップＳ５５）。
【００５６】
リフターＬＨ２が処理槽ＭＢ内の処理位置まで下降し、処理槽ＭＢへの基板搬入が終了した後、ステップＳ５６に進み、基板Ｗの浸漬処理が開始される。なお、特別搬送の処理手順においては、基板Ｗの浸漬処理中であっても蓋５８は閉鎖されることなく、開放されたままである。
【００５７】
処理槽ＭＢ内における基板Ｗの浸漬処理は、レシピに記述されている処理時間に従って行われる。そして、その処理時間が経過したときには、基板Ｗは上記と逆の手順にてリフターＬＨ２から搬送ロボットＴＲに渡される。すなわち、図１２に示す如く、基板Ｗを保持するリフターＬＨ２が上記液面位置まで矢印Ａ１２にて示すように上昇した後、搬送ロボットＴＲが処理槽ＭＢの上方まで戻り、その後、リフターＬＨ２が液面位置からさらに上昇し、搬送ロボットＴＲに基板Ｗを渡す（ステップＳ５７）。
【００５８】
ここで、図５の如き特別搬送の処理手順が実行されている場合は、基板Ｗの浸漬処理中には少なくとも処理槽ＭＢの上方における搬送ロボットＴＲおよび蓋５８の動作が行われていないのである。従って、基板Ｗの浸漬処理が終了したときには、リフターＬＨ２が搬送ロボットＴＲや蓋５８と干渉するおそれはなく、リフターＬＨ２は直ちに処理槽ＭＢ内の処理位置から上昇することができる。つまり、レシピに記述されている処理時間の通りに基板Ｗの浸漬処理を行うことができるのである。なお、基板Ｗの浸漬処理中も蓋５８が開放されたままとなっているが、特別搬送の処理手順が実行されているときは処理時間が短い場合であるため、実際上の問題は少ない。
【００５９】
＜３−３．通常搬送および特別搬送の意義＞
以上のように、本実施形態の基板処理装置においては、レシピに記述されている処理時間がしきい値よりも小さいか否かを判断し、しきい値よりも小さい場合は特別搬送の処理手順を実行し、しきい値以上である場合は通常搬送の処理手順を実行するようにしている。ここで、通常搬送および特別搬送の意味するところについてさらに説明する。図１３は、通常搬送および特別搬送の内容を説明するための図である。
【００６０】
リフターＬＨ２は、搬送ロボットＴＲとの間で基板Ｗの受渡を行う受渡位置、処理槽ＭＢに貯留された処理液の直上である液面位置および処理槽ＭＢ中において基板Ｗの浸漬処理を行うための処理位置の間で矢印Ａ１３１にて示すように鉛直方向に昇降する。この受渡位置と処理位置との間（矢印Ａ１３１にて示す範囲）がリフターＬＨ２の移動可能範囲である。
【００６１】
一方、搬送ロボットＴＲは処理槽ＭＢの上方にて矢印Ａ１３２にて示すように基板Ｗを水平方向に搬送することができる。また、蓋５８は処理槽ＭＢの上端部を開閉することができる。この開閉動作は、矢印Ａ１３３にて示すような水平方向の動作である。
【００６２】
図１３から明らかなように、リフターＬＨ２が基板Ｗの受渡を行う受渡位置に位置するときに、搬送ロボットＴＲの水平方向に移動すると、干渉領域ＩＦ１において搬送ロボットＴＲとリフターＬＨ２とが干渉する。また、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢの上端部（液面位置近傍）に位置するときに、蓋５８が閉鎖動作を行うと、干渉領域ＩＦ２において蓋５８とリフターＬＨ２とが干渉する。
【００６３】
通常搬送の処理手順を実行するとき、すなわち搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了する時点以降に浸漬処理が終了する予定のときは、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢへの基板Ｗの搬入を終了してから当該基板Ｗの搬出を開始するまでの間（基板Ｗの浸漬処理中）に搬送ロボットＴＲや蓋５８が動作を行ったとしても、基板Ｗの浸漬処理終了時点においては搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了しているため、リフターＬＨ２は直ちに上昇できる（基板Ｗの浸漬処理を終了できる）のである。従って、レシピに記述されている処理時間（処理内容に必要十分な処理時間）の通りに基板Ｗの浸漬処理を行うことができる。
【００６４】
つまり、通常搬送とは、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢへの基板Ｗの搬入を終了してから当該基板Ｗの搬出を開始するまでの間であっても、干渉領域ＩＦ１における搬送ロボットＴＲの動作および干渉領域ＩＦ２における蓋５８の動作を許すような搬送であると言える。
【００６５】
一方、特別搬送の処理手順を実行するとき、すなわち搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作が終了する前に浸漬処理が終了する予定のときは、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢへの基板Ｗの搬入を終了してから当該基板Ｗの搬出を開始するまでの間（基板Ｗの浸漬処理中）は少なくとも処理槽ＭＢの上方における搬送ロボットＴＲおよび蓋５８の動作が行われていないため、基板Ｗの浸漬処理終了と同時に、リフターＬＨ２は直ちに上昇できる（基板Ｗの浸漬処理を終了できる）のである。従って、この場合も、レシピに記述されている処理時間（処理内容に必要十分な処理時間）の通りに基板Ｗの浸漬処理を行うことができる。
【００６６】
つまり、特別搬送とは、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢへの基板Ｗの搬入を終了してから当該基板Ｗの搬出を開始するまでの間は、少なくとも干渉領域ＩＦ１における搬送ロボットＴＲの動作および少なくとも干渉領域ＩＦ２における蓋５８の動作を回避させるような搬送であると言える。さらに換言すれば、特別搬送とは、レシピに記述されている処理時間通りの処理を行うことを最優先とし、そのための障害となるような搬送ロボットＴＲ等の動作を制限するような搬送である。
【００６７】
このように、レシピに記述されている処理時間がしきい値よりも小さいか否かによって、特別搬送または通常搬送のいずれかを行わせることにより、レシピに記述されている処理時間の長短にかかわらず、処理内容に必要十分な処理時間の浸漬処理を行うことができる。
【００６８】
従って、レシピに記述する処理時間を短くすれば、浸漬処理の処理時間をその処理内容に応じて短くすることができる。
【００６９】
また、浸漬処理の処理時間を短くできることによって、装置全体としてのスループットが向上する場合もある。
【００７０】
＜４．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、特別搬送の処理手順を実行するときに、搬送ロボットＴＲを待避位置まで待避させていたが、処理槽ＭＢの上方に搬送ロボットＴＲをそのまま待機させておいても良い。また、基板Ｗの浸漬処理中であっても、干渉領域ＩＦ１以外であれば、搬送ロボットＴＲを移動させるようにしても良い。すなわち、リフターＬＨ２が処理槽ＭＢへの基板Ｗの搬入を終了してから当該基板Ｗの搬出を開始するまでの間において、少なくとも干渉領域ＩＦ１における搬送ロボットＴＲの動作が回避されていれば良いのである。
【００７１】
また、上記実施形態においては、リフターＬＨ２を対象として説明したが、リフターＬＨ１（図１参照）についても、処理時間としきい値との比較結果に応じて特別搬送または通常搬送のいずれかを行わせることにより、処理内容に必要十分な処理時間の浸漬処理を行うことができる。
【００７２】
また、上記実施形態においては、しきい値は特定の値に固定したが、例えば、搬送ロボットＴＲや蓋５８の動作速度を高低変更自在にしておき、搬送ロボットＴＲや蓋５８等の動作速度を変更するに応じて、しきい値を大小変更して設定指示できるようにしてもよく、しきい値は、状況に応じて予め複数の値に設定変更できるようにしておいてもよい。
【００７３】
また、本発明に係る基板処理装置は、薬液槽および水洗槽のそれぞれを個別に備えるいわゆる多槽式の装置であっても、一つの処理槽において薬液処理や洗浄処理を繰り返すいわゆるワンバスタイプの装置のいずれであっても良い。
【００７４】
また、上記実施形態においては、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬して浸漬処理を行う形式の基板処理装置としていたが、これに限定されるものではなく、基板を１枚ずつ複数の処理部に循環搬送し、その基板を回転させつつフォトレジストの塗布処理や現像処理を行う枚葉式の基板処理装置としても良い。枚葉式の装置については、例えば、搬出入手段たる搬送アームが処理部たるホットプレートに基板を搬出入するときにおいて、ホットプレートのシャッター（動作手段）の開閉動作と搬送アームとが干渉するような場合に本発明に係る技術を適用することができる。すなわち、搬出入手段の移動可能範囲のいずれかに搬出入手段が位置するときに、動作手段の動作が搬出入手段と干渉するような場合であれば本発明に係る技術を適用することができるのである。
【００７５】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、記憶部に記憶されている処理時間が予め設定されたしきい値よりも小さい場合には、搬出入手段が処理部への基板の搬入を終了してから当該基板の搬出を開始するまでの間は干渉が生じる干渉領域における動作手段の動作を回避させるとともに、上記処理時間がしきい値以上である場合には、搬出入手段が処理部への基板の搬入を終了してから当該基板の搬出を開始するまでの間の干渉が生じる干渉領域における動作手段の動作を許すようにしているため、処理部での処理内容に必要十分な処理時間の処理を行うことができ、記憶部に記憶されている処理時間を短くすれば、処理部における処理終了と同時に搬出入手段が処理部から基板を搬出することができ、処理部での処理時間をその処理内容に応じて短くすることができる。
【００７９】
また、請求項２の発明によれば、記憶部に記憶されている処理時間が予め設定されたしきい値よりも小さい場合には、リフターが処理槽への基板の搬入を終了してから当該基板の搬出を開始するまでの間は干渉が生じる干渉領域における搬送ロボットの動作を回避させるとともに、上記処理時間がしきい値以上である場合には、リフターが処理槽への基板の搬入を終了してから当該基板の搬出を開始するまでの間の干渉が生じる干渉領域における搬送ロボットの動作を許すようにしているため、処理槽での処理内容に必要十分な処理時間の処理を行うことができ、記憶部に記憶されている処理時間を短くすれば、処理槽における処理終了と同時にリフターが処理槽から基板を搬出することができ、処理槽での浸漬処理の時間をその処理内容に応じて短くすることができる。
【００８０】
また、請求項３の発明によれば、記憶部に記憶されている処理時間が予め設定されたしきい値よりも小さい場合には、リフターが処理槽への基板の搬入を終了してから当該基板の搬出を開始するまでの間は干渉が生じる干渉領域における蓋の動作を回避させるとともに、上記処理時間がしきい値以上である場合には、リフターが処理槽への基板の搬入を終了してから当該基板の搬出を開始するまでの間の干渉が生じる干渉領域における蓋の動作を許すようにしているため、処理槽での処理内容に必要十分な処理時間の処理を行うことができ、記憶部に記憶されている処理時間を短くすれば、処理槽における処理終了と同時にリフターが処理槽から基板を搬出することができ、処理槽での浸漬処理の時間をその処理内容に応じて短くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１の基板処理装置の制御機構を説明するための機能ブロック図である。
【図３】処理槽にて基板に浸漬処理を行うときの処理手順を示すフローチャートである。
【図４】通常搬送の処理手順を示すフローチャートである。
【図５】特別搬送の処理手順を示すフローチャートである。
【図６】図４の通常搬送の処理手順による動作例を説明するための図である。
【図７】図４の通常搬送の処理手順による動作例を説明するための図である。
【図８】図４の通常搬送の処理手順による動作例を説明するための図である。
【図９】図４の通常搬送の処理手順による動作例を説明するための図である。
【図１０】図５の特別搬送の処理手順による動作例を説明するための図である。
【図１１】図５の特別搬送の処理手順による動作例を説明するための図である。
【図１２】図５の特別搬送の処理手順による動作例を説明するための図である。
【図１３】通常搬送および特別搬送の内容を説明するための図である。
【符号の説明】
３１  ＣＰＵ
３３  ＲＡＭ
５８  蓋
ＩＦ１、ＩＦ２  干渉領域
ＬＨ１、ＬＨ２  リフター
ＭＢ  処理槽
ＴＲ  搬送ロボット
Ｗ  基板
【図１】
0003708742.tif 000002
【図２】
0003708742.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003708742.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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