(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽電極層、正孔輸送層、有機色素材料を含む発光層、電子輸送層、陰電極層がこの順で積層されてなり、陽電極層と陰電極層との間に電圧を印加することにより発光層で発光した光が、その端部から放出されるように構成された有機半導体レーザであって、上記正孔輸送層及び電子輸送層がそれぞれ下記の条件：
１＜ｎ1／ｎ2
１＜ｎ1／ｎ3
（上記の各式において、ｎ1は発光層で発光した光の波長における発光層の屈折率、ｎ2は発光層で発光した光の波長における正孔輸送層の屈折率、ｎ3は発光層で発光した光の波長における電子輸送層の屈折率を表す）を満足し、さらに、下記の条件：
【数１】
0003640578.tif 000025
（上記の各式において、ｎ1、ｎ2、及びｎ3は上記の意味と同じ、ｄ2は正孔輸送層の厚み、ｄ3は電子輸送層の厚み、λは発光層で発光した光の波長を表す）を満足することを特徴とする有機半導体レーザ。
【請求項２】
上記正孔輸送層及び電子輸送層が、下記の条件：
１．０５＜ｎ1／ｎ2
１．０５＜ｎ1／ｎ3
を満足することを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【請求項３】
上記正孔輸送層が下記の条件：
１．２０＜ｎ1／ｎ2
を満たし、かつ下記の条件：
０．２３＜ｎ2×ｄ2／λ
を満足することを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【請求項４】
上記電子輸送層が下記の条件：
１．０９＜ｎ1／ｎ3
を満たし、かつ下記の条件：
０．３７＜ｎ3×ｄ3／λ
を満足することを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【請求項５】
上記正孔輸送層が、二以上の正孔輸送単位を非共役系スペーサー基を介して連結させてなる正孔輸送材料と電子受容性アクセプタとからなることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【請求項６】
上記正孔輸送層が、芳香族環を二個以上含み、主鎖に非共役系スペーサー基を含む化合物と、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、及びアリールアミンとハロゲン化金属またはルイス酸との塩の中から選ばれた少なくとも一種以上からなる電子受容性アクセプタとからなることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【請求項７】
上記正孔輸送層が、コ−ポリ［３，３’−ハイドロキシテトラフェニルベンジジン／ヘキサメチレン］カーボネートと、トリス（４−ブロモフェニル）アンモニウムヘキサクロロアンチモネートとからなることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【請求項８】
上記正孔輸送層の厚みが、２０００ｎｍ以下にあることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【請求項９】
上記電子輸送層が、オキサジアゾール誘導体からなることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【請求項１０】
上記電子輸送層の厚みが、２０００ｎｍ以下にあることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【請求項１１】
上記電子輸送層が、導電性高分子と電子供与性ドナーとからなることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機色素材料を用いた電流励起型有機半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ある種の有機色素材料（有機蛍光物質ともいう）を光励起すると、例えば発光波長が、４００〜５５０ｎｍといった短波光を得ることができる。この光の波長は、現在用いられている無機半導体レーザで得られる光の波長（一般に、６２０〜８００ｎｍ）に比べて著しく短い。従って、かかる有機色素材料を用いるレーザは、そのレーザ光が短波長であるという特性を利用して、ＣＤ等を高記録密度化し得るなどさまざまな分野への応用が期待される。
【０００３】
有機色素材料を用いたレーザとしては、有機色素材料を溶媒に溶かしたもの用いた色素レーザが知られている。また、最近では、ガラスなどの上に薄膜状に形成した有機色素材料をレーザ媒質とし、光共振器に平面導波路を用いた光励起型の有機半導体レーザが研究、報告されている［Ｓ．Ｒ．  Ｆｏｒｒｅｓｔ  ｅｔａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ  ３８９，３６２（１９９７）、Ｒ．Ｅ．  Ｓｌｕｓｈｅｒ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１，２２３０（１９９７）、及びＳ．Ｒ．  Ｆｏｒｒｅｓｔ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７２，１４４（１９９８）を参照］。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の色素レーザ及び光励起による有機半導体レーザでは、有機色素材料を励起させてレーザ光を得るために、有機色素材料に光を照射しなければならず、別に有機色素材料励起用の光源を用意する必要があり、産業上あるいは日常的に使用する電子機器に組み込むには適当でない。
【０００５】
一方、励起用の光源を用いずに有機色素材料を発光させる代表的な発光素子として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）発光素子が知られている。この素子は、通常、陽電極層、正孔輸送層、有機色素材料を含む発光層、電子輸送層、陰電極層がこの順で積層されてなり、陽電極層と陰電極層との間に電圧を印加して、発光層に正孔と電子とを注入することにより、有機色素材料を発光させ、その発光を陽電極層の表面又は陰電極層の表面から得るものである。しかしながら、有機ＥＬ素子の陽電極層又は陰電極層から得られる光には指向性がほとんどないためこの光を直接レーザ光として用いることができない。
【０００６】
従って、本発明の目的は、有機色素材料励起用の光源を必要としないで、容易にレーザ光を得ることができる電流励起型の有機色素材料を用いたレーザを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、有機ＥＬ素子の発光層内で発光した光を発光層内に閉じこめることにより、発光層内で光を増幅させ、発光層の端面からレーザ光として取り出すことができると考えて、鋭意研究を重ねた。そしてその結果、発光層に多くの正孔又は電子の注入を行う（すなわち強い発光を得る）には、正孔輸送層及び電子輸送層の膜厚は薄い方が好ましいとされているが、そのような構造の発光素子を有機半導体レーザとして用いる場合には、正孔輸送層、電子輸送層がある一定以上の膜厚に形成することにより、レーザ光を取り出すことができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
従って、本発明は、陽電極層、正孔輸送層、有機色素材料を含む発光層、電子輸送層、陰電極層がこの順で積層されてなり、陽電極層と陰電極層との間に電圧を印加することにより発光層で発光した光が、その端部から放出されるように構成された有機半導体レーザであって、上記正孔輸送層及び電子輸送層がそれぞれ下記の条件：
１＜ｎ1／ｎ2
１＜ｎ1／ｎ3
（上記の各式において、ｎ1は発光層で発光した光の波長における発光層の屈折率、ｎ2は発光層で発光した光の波長における正孔輸送層の屈折率、ｎ3は発光層で発光した光の波長における電子輸送層の屈折率を表す）を満足し、さらに、下記の条件：
【０００９】
【数２】
0003640578.tif 000002
【００１０】
【数３】
0003640578.tif 000003
【００１１】
（上記の各式において、ｎ1、ｎ2、及びｎ3は上記の意味と同じ、ｄ2は正孔輸送層の厚み、ｄ3は電子輸送層の厚み、λは発光層で発光した光の波長を表す）を満足することを特徴とする有機半導体レーザにある。
【００１２】
上述の正孔輸送層又は電子輸送層の膜厚が薄いと、レーザ光が得られなくなることの原因は下記のように考えられる。上記の有機半導体レーザでは、発光層で発生した光が、正孔輸送層又は電子輸送層と発光層との接触面で全反射を繰り返すことによって増幅され、その後、発光層の端部からレーザー光として放出される。ここで、全反射する際に発光層で発生した光の一部は、正孔輸送層又は電子輸送層の内部に侵入し（この正孔輸送層又は電子輸送層の内部に侵入した光を、エバネッセント光という）、陽電極層又は陰電極層にまで到達したエバネッセント光は陽電極層又は陰電極層で吸収される。従って、正孔輸送層又は電子輸送層の厚みが薄くなると、陽電極層又は陰電極層で吸収されるエバネッセント光が多くなり、レーザ光が得られなくなる。
【００１３】
次に、前記式（１）及び式（２）について説明する。
エバネッセント光の強度が１／ｅになるまでの距離を求める式はすでに知られている。そして、発光層で発光した光の波長をλとし、その波長における発光層の屈折率をｎ1、同じくその波長における正孔輸送層の屈折率をｎ2とすると、全反射する光の入射角θにおけるエバネッセント光の強度が１／ｅになるまでの距離Ｚを求める式（３）は下記のように表される。
【００１４】
【数４】
0003640578.tif 000004
【００１５】
図２に、仮にλを５１０ｎｍ、ｎ1を２．１１、ｎ2を１．９６（ｎ12＝１．０９）としたときに上記式（３）から算出される入射角θと距離Ｚとの関係を表す。図から明らかなように、距離Ｚは入射角θが９０度のときに最小値を示す。従って、少なくとも正孔輸送層又は電子輸送層の膜厚を、入射角θが９０度の時の距離Ｚ以上にすることにより、入射角θが９０度付近の光が全反射する際に発生するエバネッセント光は、その強度が１／ｅ以下になるまでは、陽電極層又は陰電極層には到達しない。すなわち、エバネッセント光が陽電極層又は陰電極層に吸収される割合を低くすることができる。
【００１６】
以上の理由から有機半導体レーザの正孔輸送層の厚さをｄ2とするとレーザ光を得るために必要な正孔輸送層の膜厚は下記の式（４）により与えられる。
【００１７】
【数５】
0003640578.tif 000005
【００１８】
上記式（４）から下記の式（５）が導き出される。
【００１９】
【数６】
0003640578.tif 000006
【００２０】
上記式（５）から、前記の式（１）が導き出され、同様にして前記の式（２）が導き出される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
［１］有機半導体レーザの構成
図１に、本発明の一実施例による有機半導体レーザの断面図を示す。本発明の有機半導体レーザは、陽電極層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、陰電極層５がこの順で積層されてなり、陽電極層と陰電極層との間に電圧を印加することにより発光層で発光した光が、図に示した矢印方向へ、端部から放出されるように構成されたものである。
【００２２】
本発明の有機半導体レーザは、その基本的な層構成については、上述したように従来から知られている有機ＥＬ素子とおなじである。本発明の有機半導体レーザは、正孔輸送層と電子輸送層とが、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各材料の屈折率と、発光層に導入された発光色素材料の発光波長から規定される一定の膜厚を必要とし、かつ発光層で発光した光が全反射を繰り返しながら増幅がされようにするために、光が放出される方向の長さが、発光層で発光した光の波長の整数倍の長さである点で有機ＥＬ素子と異なっている。
【００２３】
正孔輸送層２及び電子輸送層４は、光閉じ込め効率を向上させるのに最も重要な役割を果たす。正孔輸送層及び電子輸送層に必要な条件は、▲１▼屈折率が発光層の屈折率より小さいこと、▲２▼電極に到達するエバネッセント光の割合を小さくするため、正孔輸送層及び電子輸送層は、正孔輸送層及び電子輸送層で全反射する発光層で発光した光の入射角を９０度とした時に、エバネッセント光の強度が１／ｅになるまでの距離よりも厚いこと、及び▲３▼厚膜化しても通常の印加電圧（数十Ｖ以下、特に２〜２０Ｖ程度）で良好な正孔移動度または電子移動度を示す導電性材料からなることである。
【００２４】
正孔輸送層２の屈折率ｎ2は、発光層３の屈折率ｎ1との関係において、ｎ1／ｎ2＞１であり、好ましくは１．０５以上、より好ましくは１．１以上である。ｎ12が１．０５未満であると、臨界角が大きくなり、全反射の起こる光の入射角の範囲が狭くなり、得られるレーザ光の強度が低下する。
【００２５】
正孔輸送層２は、その屈折率ｎ2が、発光層３の屈折率ｎ1との関係において１．２０＜ｎ1／ｎ2であることが好ましく、その膜厚ｄ2が、０．２３＜ｎ2×ｄ2／λを満足することが好ましい。また、正孔輸送層の正孔輸送能力を考慮すると、正孔輸送層２の膜厚は２０００ｎｍ以下にあることがより好ましい。
【００２６】
電子輸送層４の屈折率ｎ3は、発光層３の屈折率ｎ1との関係において、正孔輸送層と同様の理由から、ｎ1／ｎ3＞１であり、好ましくは１．０５以上である。
【００２７】
電子輸送層４は、その屈折率ｎ3が、発光層３の屈折率ｎ1との関係において１．０９＜ｎ1／ｎ3であることが好ましく、その膜厚ｄ3が、０．３７＜ｎ3×ｄ3／λを満足することが好ましい。また、電子輸送層の電子輸送能力を考慮すると、電子輸送層４の膜厚は２０００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００２８】
以下、本発明の有機半導体レーザを構成する陽電極層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰電極層について詳細に説明する。
【００２９】
（１）正孔輸送層
正孔輸送層の材料は、▲１▼二以上の正孔輸送単位が非共役系スペーサー基で連結された化合物（正孔輸送材料）と、▲２▼この正孔輸送材料を酸化する電子受容性アクセプタを少なくとも含有するものが好ましい。本発明に使用する正孔輸送材料は、従来有機エレクトロルミネッセンスに用いられてきた全共役系の重合体（ポリアニリン、ポリ−３，４−エチレン−ジオキシチオフェン等）に比べ、飛躍的に高い正孔移動度を有することが好ましい。例えば、電界強度１×１０5〜１×１０6Ｖ／ｃｍ2における正孔移動度は１×１０-4ｃｍ2／Ｖ・秒もしくはそれ以上である。これにより、１００ｎｍ以上の膜厚においても正孔輸送が良好に実現される。
【００３０】
（ｉ）正孔輸送材料
正孔輸送層に用いる正孔輸送材料において、正孔伝達を良好に行うために、各正孔輸送単位は共役系で連結されずに、電気的に独立であることが好ましい。このため正孔輸送単位は、極めてエネルギー分散の小さいものが好ましく、特に０．２ｅＶ以下のものが好ましい。
【００３１】
正孔輸送単位のイオン化エネルギーは５．７ｅＶ以下であることが好ましい。イオン化エネルギーが５．７ｅＶ以下であれば、正孔輸送単位は併用される電子受容性アクセプタよって容易に酸化されるとともに、正孔輸送単位含有化合物を用いた正孔輸送層内に陽電極層から正孔を容易に注入することができる。ここで、正孔を容易に注入することができるとは、３×１０5Ｖ／ｃｍ2の電界下で、２０ｍＡ／ｃｍ2以上の電流を注入しうることを意味する。このことは、陽電極層／正孔輸送層／発光層／陰電極層の構成からなる試験素子を用いて、容易に判定することができる。正孔輸送層に用いる化合物中の正孔輸送単位が、非共役系スペーサー基で連結されていれば、正孔輸送単位同士の共役は無視しうる。かかる構造を持つことにより、共役鎖長が分散しないため正孔移動度が減少するのを阻止することが可能となる。
【００３２】
（イ）正孔輸送単位
正孔輸送単位は、正孔伝達性構造を有する基であれば特に制限はなく、一種類でも二種以上でも良い。このような正孔輸送単位は、例えば、ジアミン、トリアリールアミンオリゴマー、チオフェンオリゴマー、アリーレンビニレンオリゴマー及びスチリルアミン等の化合物に由来する単位が好ましい。
【００３３】
（ロ）非共役系スペーサー基
非共役系スペーサー基は、正孔の輸送に関しては不活性であることが好ましく、このような非共役系スペーサー基としては、エステル基、エーテル基、カーボーネート基、ウレタン基、アミド基、スルホン基、ケトン基、アルキレン基等が好ましい。
【００３４】
非共役系スペーサー基は、例えば下記の一般式（Ｉ）により表される。
【００３５】
【化１】
0003640578.tif 000007
【００３６】
ここでｒ、ｓ及びｔはそれぞれ０又は１以上の整数であって、それらの合計は１以上であり、またＤ1及びＤ3はそれぞれ独立にエーテル基、カーボネート基、エステル基、アミド基、ウレタン基、炭素数１〜３０のアルキレン基、炭素数５〜３０のシクロアルキレン基、炭素数１〜３０のハロゲン化アルキレン基又は炭素数７〜３０のアリール置換アルキレン基である。Ｄ2はＤ1又はＤ3と同じであるか、あるいは下記の一般式（II）により表される基である。
【００３７】
【化２】
0003640578.tif 000008
【００３８】
ここで、Ｅは炭素数１〜３０アルキレン基、炭素数５〜３０のシクロアルキレン基、炭素数１〜３０のハロゲン化アルキレン基、又は炭素数７〜３０のアリール置換アルキレン基である。Ａｒ及びＡｒ’はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６〜３０のアリーレン基である。この置換基としては、炭素数６〜２４のアリール基、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数７〜２４のアラルキル基、炭素数６〜２４のアリールオキシ基、炭素数１〜２４のアルコキシ基、アルキル基の炭素数が１〜２４のモノ又はジアルキルアミノ基、アリール基の炭素数が６〜２４のモノ又はジアリールアミノ基、アルキルアリール基の炭素数が７〜２４のモノ又はジアルキルアリールアミノ基等が挙げられる。ｕは０又は１以上の整数である。
【００３９】
正孔輸送性材料における非共役系スペーサー基は、電子輸送単位からなるものであっても良い。非共役スペーサー基に利用できる電子輸送単位としては、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体由来の二価の基を挙げることができる。具体的には、下記の一般式（III）により表されるオキサゾール、オキサジアゾール又はそれらに類似の誘導体由来の二価の基が挙げられる。
【００４０】
【化３】
0003640578.tif 000009
【００４１】
ここで、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に炭素数６〜３０アリーレン基又は炭素数１〜３０のアルキレン基であり、Ｚ1及びＺ2はそれぞれ独立に−ＣＲ3＝又は−Ｎ＝、Ｚ3は−ＮＲ4−又は−ＳｉＲ5Ｒ6−である。Ｒ3〜Ｒ6は、それぞれ炭素数６〜３０のアリール基又は炭素数１〜３０のアルキル基である。
【００４２】
非共役系スペーサー基は、σ共役系スペーサー基をも包含する。正孔輸送単位がσ共役系スペーサー基で連結されても、個々の独立性が失われず、独立の単位として機能するからである。好ましいσ共役系スペーサー基としては、Ｓｉを有するスペーサー基が好ましく、具体的には下記の一般式（IV）により表される基を挙げることができる。
【００４３】
【化４】
0003640578.tif 000010
【００４４】
ここで、ｖは１以上の整数である。Ｒ7及びＲ8はそれぞれ独立に炭素数１〜３０のアルキル基又は置換若しくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基である。アリール基の置換基としては、炭素数１〜２４のアルキル基又はアルコキシ基が挙げられる。
【００４５】
（ハ）正孔輸送材料の具体例
正孔輸送材料としては、例えば、正孔輸送単位と非共役系スペーサー基とを含有する化合物（重合体、共重合体を含む）が好ましい。また電子輸送単位が正孔輸送には不活性であることを利用し、これを非共役系スペーサー基として用いた共重合体も使用することができる。さらに正孔輸送単位がσ共役系スペーサー基で連結されている共重合体も挙げることができる。このような重合体の具体例としては、以下（い）〜（に）に示す重合体を挙げることができる。重合体（い）〜（に）は単独で用いても良く、二種以上を組み合わせて用いても良い。
【００４６】
（い）ジアミン又はトリアリールアミンオリゴマー由来の単位を正孔輸送単位として含む重合体
このような重合体として、例えば一般式（Ｖ）：
【００４７】
【化５】
0003640578.tif 000011
【００４８】
により表される繰り返し単位を有し、かつこの単位又はこの単位と電子輸送単位が、エステル、エーテル、カーボネート、ウレタン、アミド、スルホン又はケトン基等を介して連結された重合体又は共重合体、さらには上記一般式（Ｖ）により表される単位と前記一般式（IV）により表されるσ共役系スペーサー基とを互い違いに連結した共重合体が挙げられる。
【００４９】
上記一般式（Ｖ）において、Ａｒ1〜Ａｒ4はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６〜３０のアリーレン基を示す。またＡｒ5及びＡｒ6はそれぞれ独立に炭素数１〜３０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基を示す。ここで、アリーレン基及びアリール基の置換基としては、炭素数１〜２４のアルキル基又はアルコキシ基が挙げられる。一方、Ｇは単結合、炭素数５〜３０のアルキレン基、炭素数５〜３０のシクロアルキレン基、炭素数６〜３０のアリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、又は下記の一般式（VI）もしくは一般式（VII）により表される基を挙げることができる。
【００５０】
【化６】
0003640578.tif 000012
（ただし、Ａｒ7は炭素数６〜３０のアリール基である。）
【００５１】
【化７】
0003640578.tif 000013
（ただし、Ａｒ8は炭素数６〜３０のアリーレン基であり、Ａｒ9又はＡｒ10はそれぞれ炭素数６〜３０のアリール基である。）
【００５２】
さらに、一般式（Ｖ）中のＧは、置換基を有しても良く、置換基としては、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数６〜２４のアリール基、炭素数７〜２４のアラルキル基、炭素数１〜２４のアルコキシ基、炭素数６〜２４のアリールオキシ基、アルキル基の炭素数が１〜２４のモノ若しくはジアリールアミノ基、アルキルアリール基の炭素数が７〜２４のモノ若しくはジアルキルアリールアミノ基等が挙げられる。ｐは０、１又は２である。また、上記一般式（VI）及び一般式（VII）中のＡｒ7〜Ａｒ10は、上記Ｇと同じ置換基を有しても良い。
【００５３】
一般式（Ｖ）の重合体の例としては、例えば、下記の式（VIII）に表されるカーボネート系共役重合体が好適である。
【００５４】
【化８】
0003640578.tif 000014
（ただし、Ａｒ1〜Ａｒ6及びＧは前記と同じであり、ｐ及びｑは０、１又は２であり、Ｘは非共役スペーサー基であり、ｎは２以上の整数である。）
【００５５】
特に好ましいカーボネート系共役重合体は、下記式で表されるコ−ポリ［３、３’−ハイドロキシテトラフェニルベンジジン／ジエチレングリコール］カーボネートを挙げることができる。
【００５６】
【化９】
0003640578.tif 000015
【００５７】
（ろ）チオフェンオリゴマー由来の単位を正孔輸送単位として含む重合体
この重合体としては、例えば、下記の一般式（IX）；
【００５８】
【化１０】
0003640578.tif 000016
【００５９】
により表される繰り返し単位を有し、かつこの単位（又はこの単位と電子輸送単位）がエステル、エーテル、カーボネート、ウレタン、アミド、スルホン又はケトン基等を介して連結された重合体又は共重合体、さらには上記一般式（IX）により表される単位と前記一般式（IV）により表されるσ共役系スペーサー基とを互い違いに連結した共重合体が挙げられる。
【００６０】
一般式（IX）において、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ０〜９の整数を示すが、それらの合計は３以上である。Ｒ9〜Ｒ14はそれぞれ、水素原子、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜１５のアルキル基又はアルコキシ基であるが、Ｒ9とＲ10、Ｒ11とＲ12及びＲ13とＲ14の組み合わせにおいて、両方共が水素原子であることはない。
【００６１】
（は）アリーレンビニレンオリゴマー由来の単位を正孔輸送単位として含む重合体
この重合体の例としては、例えば一般式（Ｘ）：
【００６２】
【化１１】
0003640578.tif 000017
【００６３】
により表される繰り返し単位を有し、かつこの単位（又はこの単位と電子輸送単位）がエステル、エーテル、カーボネート、ウレタン、アミド、スルホン又はケトン基等を介して連結された重合体又は共重合体、さらには上記一般式（Ｘ）により表される単位と前記一般式（IV）により表されるσ共役系スペーサー基とを互い違いに連結した共重合体が挙げられる。
【００６４】
一般式（Ｘ）において、Ｒ15〜Ｒ20はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数６〜２４のアリール基、炭素数７〜２４のアラルキル基、炭素数６〜２４のアリールオキシ基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、アルキル基の炭素数が１〜３０のモノ若しくはジアルキルアミノ基、炭素数６〜２４のアリールチオ基、アリール基の炭素数が６〜２４のモノ若しくはジアリニルアミノ基、ニトロ基またはシアノ基を示す。ｄは１〜５００の整数である。
【００６５】
（に）スチリルアミン由来の単位を正孔輸送単位として含む重合体
この重合体としては、例えば一般式（XI）：
【００６６】
【化１２】
0003640578.tif 000018
【００６７】
により表される繰り返し単位を有し、かつこの単位（又はこの単位と電子輸送単位）がエステル、エーテル、カーボネート、ウレタン、アミド、スルホン又はケトン基等を介して連結された重合体又は共重合体、さらには上記一般式（XI）により表される単位と前記一般式（IV）により表されるσ共役系スペーサー基とを互い違いに連結した共重合体が挙げられる。
【００６８】
一般式（XI）において、Ａｒ11〜Ａｒ14はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数６〜３０のアリーレン基を示す。Ａｒ15及びＡｒ16はそれぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基を示す。Ｒ21及びＲ22はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基又は置換若しくは無置換の炭素数６〜３０のアリール基を示す。ここで置換基としては、炭素数１〜２４のアルキル基又はアルコキシ基が挙げられる。ｅは０又は１である。また鎖線は、単結合又は炭素数１〜６のアルキレン基で結合していても良いことを示す。
また、一般式（XII）：
【００６９】
【化１３】
0003640578.tif 000019
【００７０】
により表される繰り返し単位を有し、かつこの単位（又はこの単位と電子輸送単位）がエステル、エーテル、カーボネート、ウレタン、アミド、スルホン又はケトン基等を介して連結された重合体又は共重合体、さらには上記一般式（XII）により表される単位と前記一般式（IV）により表されるσ共役系スペーサー基とを互い違いに連結した共重合体が挙げられる。
【００７１】
一般式（XII）において、Ａｒ17〜Ａｒ21は、前記一般式（Ｘ）のＡｒ11〜Ａｒ14と同じで良く、Ａｒ22及びＡｒ23は一般式（Ｘ）のＡｒ15及びＡｒ16と同じで良い。ｆは０又は１であり、鎖線は単結合又は炭素数１〜６のアルキレン基で結合していても良いことを示す。
【００７２】
（ii）電子受容性アクセプタ
正孔輸送層に前記（ｉ）の化合物とともに用いる電子受容性アクセプタは、正孔輸送材料に含まれる正孔輸送単位を酸化し、もって正孔輸送層の導電性を高める作用を有する。また電子受容性アクセプタによって酸化された正孔輸送単位によりπ電子雲の重なりが大きくなり、正孔濃度が酸化前に比べて増大し、正孔輸送層の導電率は１０-10〜１０3Ｓ・ｃｍ-1程度になる。正孔輸送層における電子受容性アクセプタの濃度は１０-3〜３０重量％であることが好ましい。
【００７３】
電子受容性アクセプタとしては酸化剤として機能する化合物が好ましく、特にハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、及びアリールアミンとハロゲン化金属またはルイス酸との塩等が好適である。
【００７４】
ハロゲン化金属やルイス酸の好ましい例としては、ＦｅＣｌ3、ＡｌＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＡｓＦ5、ＢＦ3等が挙げられる。また有機酸としては、例えば下記の一般式（XIII）により表される化合物が挙げられる。
【００７５】
【化１４】
0003640578.tif 000020
【００７６】
ここで、Ａはスルホン酸基、リン酸基、ホウ酸基、カルボン酸基等の酸基である。Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル基、アルケニル基、炭素数５〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアルカリール基、アラルキル基、さらにはピリジル基、キノリル基、フラニル基、ピロリル基、チエニル基等の複素環式基又はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、エポキシ基である。ｍは０〜５の整数であり、ｍが２以上の場合、複数のＲは互いに同一でも異なっていても良い。
【００７７】
さらにこの有機酸の別の例としては、ポリマー酸がある。このポリマー酸はポリマー中に、上記一般式（XIII）における酸基Ａを有するものであり、このようなものとしては、例えば、スルホン化ポリスチレン、スルホン化ポリエチレン、スルホン化ポリカーボネート等が挙げられる。またポリアクリル酸も用いることができる。
【００７８】
さらにアリールアミンとハロゲン化金属又はルイス酸との塩としては、例えば一般式（XIV）により表される塩を挙げることができる。
【００７９】
【化１５】
0003640578.tif 000021
【００８０】
ここで、Ｌはハロゲン化金属又はルイス酸であり、その例としては、ＳｂＣｌ5、ＢＦ3、ＡｓＦ5、ＡｌＣｌ3、ＦｅＣｌ3等が挙げられる。Ｘ-は好ましくはハロゲンイオンである。Ａｒ24〜Ａｒ26はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数５〜３０の芳香族基又は複素環式基である。好ましい置換基としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数６〜２４のアリール基、炭素数７〜２４のアラルキル基、炭素数１〜２４のアルコキシ基、炭素数６〜２４のアリールオキシ基、アルキル基の炭素数が１〜２４のモノ又はジアルキルアミノ基、アリール基の炭素数が６〜２４のモノ若しくはジアリールアミノ基などが挙げられる。
【００８１】
一般式（XIV）で表される電子受容性アクセプタの好ましい具体例としては、下式で表されるトリス（４−ブロモフェニル）アンモニウム・ヘキサクロロアンチモネート（ＴＢＡＨＡ）を挙げることができる。
【００８２】
【化１６】
0003640578.tif 000022
【００８３】
電子受容性アクセプタは、一種でも二種以上組み合わせても良い。
【００８４】
（２）電子輸送層
電子輸送層は、陰電極層より注入された電子を発光層に伝達する機能を有し、その材料としては公知の無機又は有機の化合物から適宜選択することができる。
【００８５】
電子輸送層に用いる電子輸送材料の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アンドラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。
【００８６】
また特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されている一連の電子伝達性化合物も、電子輸送材料として用いることができる。さらに上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。
【００８７】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他にメタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。またジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができ、さらにｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【００８８】
上記の電子輸送材料からなる電子輸送層には、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属、及びアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属のフッ化物、塩化物、ヨウ化物などの化合物からなる電子供与性ドナーを０．１〜３０モル％ドーピングすることが好ましい。電子供与性ドナーをドーピングすることにより１００ｎｍ以上の膜厚においても電子輸送が良好に実現される。
【００８９】
（３）発光層
発光層の有機色素材料としては＝公知の色素材料を用いることができるが、低い励起エネルギーで反転分布を形成するものであることが好ましい。これにより、発光層に印加するエネルギー（電流）密度を低くくできる。有機色素材料としては、レーザー閾値が５０μＪ以下のものが好ましく、１μＪ以下のものがさらに好ましい。このような有機色素材料としては、具体的には次の化合物が挙げられる。
【００９０】
紫外領域ないし紫色領域の発光を得る場合には、パラ−ポリフェニレン系のものが好ましい。このパラ−ポリフェニレン系化合物のフェニル基又はフェニレン基には、アルコキシ基、水酸基、スルホニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等の置換基が一個又は二個以上導入されていても良い。このようなパラ−ポリフェニレン系化合物の例としては、ｐ−クォーターフェニル、３，５，３’，５’−テトラ−ｔ−ブチル−ｐ−クインクフェニル、３，５，３’，５’−テトラ−ｔ−ブチル−ｐ−セキシフェニル等が挙げられる
【００９１】
次に青色ないし緑色の発光を得るには、例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物を挙げることができる。また、芳香族ジメチリディン系化合物（欧州特許第３８８７６８号及び特開平３−２３１９７０号を参照）も好ましい。この芳香族ジメチリディン系化合物の例としては、１，４−フェニレンジメチリディン、４，４’−ビフェニレンジメチリディン、２，５−キシリレンジメチリディン、２，６−ナフチレンジメチリディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン、４，４’−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル（ＤＴＢＰＶＢｉ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等、及びこれらの誘導体が挙げられる。
【００９２】
さらに特開平５−２５８８６２号公報に記載されている一般式（XV）：
（Ｊ−Ｑ）2−Ａｌ−Ｏ−Ｚ・・・（XV）
（式中、Ｚはベンゼン環を含む炭素数６〜２４の炭化水素基であり、Ｏ−Ｚは、フェノラート配位子であり、Ｑは置換８−キノリラート配位子であり、Ｊはアルミニウム原子に置換８−キノリノラート配位子が三個を以上結合するのを立体的に妨害するように選ばれた８−キノリノラート環置換基である。）により表される化合物も挙げることができる。この化合物の具体例としては、ビス（２−メチル−８−キノリラート（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（III）、ビス（２−メチル−８−キノリラート）（１−ナフトラート）アルムニウム（III）等が挙げられる。
【００９３】
その他に青色と緑色の混合発光を高効率に得るために、ホストである上記有機色素材料にドーパントを加えても良い（特開平６−９９５３号公報参照）。ドーパントとしては、例えば青色領域緑領域の色素材料、具体的にはクマリン系あるいは上記のホストとして用いるものと同様の蛍光色素材料等が挙げられる。特にホストとしてジスチリルアリーレン骨格の発光材料、好ましくはＤＰＶＢｉと、ドーパントとしてジフェニルアミノビニルアリーレン骨格を有するもの、好ましくは４，４’ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）スチリル］ベンゼン（ＤＰＡＶＢ）との組み合わせを挙げることができる。
【００９４】
また下式で表されるジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）などのスチリルアミン誘導体も非常に低いレーザ閾値（〜１μＪ）を有するので、有機半導体レーザ用の有機色素材料として有望である。
【００９５】
【化１７】
0003640578.tif 000023
ＤＡＤＳＢ；
【００９６】
発光層の膜厚は特には制限はなく、適宜選択できるが、通常は５〜５００ｎｍの範囲内とするのが好ましい。
【００９７】
（４）陽電極層
陽電極層は正孔輸送層に正孔を注入する作用を有する。陽電極層は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、又はその合金、電気導電性化合物及びこれらの混合物により形成することが好ましい。このような電極材料の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性材料が挙げられる。陽電極層の厚さは、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【００９８】
（５）陰電極層
陰電極層は、電子輸送層に電子を注入する作用を有する。陰電極層は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属又はその合金、電気導電性化合物及びこれらの混合物により形成することが好ましい。このような電極材料の具体例としては、Ｎａ、Ｎａ・Ｋ合金、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｍｇ／Ｃｕ混合物、Ｍｇ・Ａｇ合金、Ａｌ・Ｌｉ合金、Ａｌ／Ａｌ2Ｏ3混合物、Ｉｎ、希土類金属等が挙げられる。陰電極層の厚さは、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【００９９】
［２］有機半導体レーザの作製
本発明の有機半導体レーザを作製する方法の好適な例を説明する。まず、ガラス板などの適当な基板上に、所望の電極材料、例えば、陽電極材料からなる薄膜を、１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成し、陽電極層を形成する。
【００１００】
陽電極層の上に、スピンコート法、キャスト法、蒸着法、スパッタリング法等により、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を順次形成する。正孔輸送層は、スピンコート法で形成することが好ましく、発光層及び電子輸送層は、真空蒸着法で形成するのが好ましい。真空蒸着法により発光層及び電子輸送層を形成するときの条件は、使用する材料の種類、目的とする分子堆積膜の結晶構造、会合構造等により異なるが、一般にボート加熱温度を５０〜４００℃の範囲で、真空度を１０-6〜１０-3Ｐａの範囲で、蒸着速度を０．００１〜５０ｎｍ／秒の範囲で、基板温度を−５０〜２００℃の範囲で選ぶことが望ましい。
【００１０１】
これらの層を形成した後、電子輸送層の上に、陰電極材料からなる薄膜を、１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは、５０〜２００ｎｍの範囲になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成し、陰電極層を形成する。なお、各層の形成順序を逆にすることも可能である。
【００１０２】
【実施例】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００１０３】
［実施例１］
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜（陽電極層）を設けたガラス基板を用意し、プラズマ洗浄機（サムコインターナショナル社製、ＢＰ１）を用い、酸素プラズマにより３０秒間洗浄した。次いで、ＩＴＯ膜の上に、正孔輸送材料として前記コ−ポリ［３、３’−ハイドロキシテトラフェニルベンジジン／ジエチレングリコール］カーボネートを蒸着し、厚さ２２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１０４】
正孔輸送層の上に、有機色素材料として前記ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）を真空蒸着し、厚さ１００ｎｍの発光層を形成した後、さらにその上に電子輸送材料として下記式；
【０１０５】
【化１８】
0003640578.tif 000024
【０１０６】
で表されるオキサジアゾール（ＯＸＤ）誘導体を真空蒸着し、厚さ２４０ｎｍの電子輸送層を形成した。そして、最後に、電子輸送層の上に、Ｍｇ・Ａｇ合金を真空蒸着し、厚さ２００ｎｍの陰電極層を形成した。こうして図１に示す構造の有機半導体レーザを作製した。なお、各層の屈折率は、正孔輸送層が１．７５であり、発光層が２．１１であり、電子輸送層が１．９３であった。
【０１０７】
作製した有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加して、有機半導体レーザの発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。このレーザ光のピーク波長λは、５１０ｎｍであった。
【０１０８】
［実施例２］
前記コ−ポリ［３、３’−ハイドロキシテトラフェニルベンジジン／ジエチレングリコール］カーボネート５０ｍｇと前記トリス（４−ブロモフェニル）アンモニウム・ヘキサクロロアンチモネート（ＴＢＡＨＡ）５ｍｇとをジクロロメタン１ｍＬに溶解した溶液を回転数１０００ｒｐｍでスピンコートした後、８０℃で一時間加熱し、溶媒を除去することにより膜厚６５０ｎｍ（触針膜厚計により測定）の正孔輸送層を形成した以外は、実施例１と同様にして、有機半導体レーザを作製した。そして、作製した有機半導体レーザに実施例１と同様に電圧を印加して、有機半導体レーザの端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１０９】
［比較例１］
正孔輸送層の膜厚を５０ｎｍ、電子輸送層の厚みを５０ｎｍにした以外は、実施例と同様にして、有機半導体レーザを作製した。そして、作製した有機半導体レーザに実施例１と同様に電圧を印加したところ、レーザ光の出力は認められなかった。
【０１１０】
【発明の効果】
本発明の有機半導体レーザは、簡単な構造を持ち、電流励起によりレーザ光を発生するので、各種電子機器などに組み込むことが可能となり実用性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による有機半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図２】発光層で発光した光の波長λを５１０ｎｍ、ｎ1を２．１１、ｎ2を１．９６（ｎ12＝１．０９）としたときの光の入射角θとエバネッセント光の強度が１／ｅになるまでの距離Ｚとの関係を表す。
【符号の説明】
１  陽電極層
２  正孔輸送層
３  発光層
４  電子輸送層
５  陰電極層
【図１】
0003640578.tif 000026
【図２】
0003640578.tif 000027