(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アウタリードと前記アウタリードから延長形成されたインナリードとからなる複数のリードと、
前記インナリードの先端部の底面に位置する縁部と、前記インナリードの先端から所定間隔だけ離間するとともに、上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部に対して突出形成される突出部とを有するヒートスプレッドと、
前記インナリードの先端部と前記ヒートスプレッドの縁部との間に介在して、前記インナリードの先端をヒートスプレッドに固着する絶縁接着剤と、
前記インナリードの先端上部に付着される絶縁部材と
を備えることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記ヒートスプレッドの下部に凹凸が形成されることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記ヒートスプレッドは、下方に向かって幅広となる幅広部を含むことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記ヒートスプレッドの縁部には、
ヒートスプレッドの下部領域が、各インナリードの先端と突出部の外側面との間の領域に連通するように、貫通孔が形成されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
アウタリードと前記アウタリードから延長形成されたインナリードとからなる複数のリードと、
前記各インナリードの先端部の底面に位置する縁部と、前記インナリードの先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部に対して突出形成される突出部とを有するヒートスプレッドと、
前記ヒートスプレッドの突出部上に接合剤を介して搭載されるとともに、複数のボンディングパッドを有する半導体チップと、
前記ヒートスプレッドとインナリードとの間に介在する絶縁接着剤と、
前記チップのボンディングパッドとインナリードとを電気的に接続する複数の伝導性接続部材と、
前記アウタリードを除く部材を覆って封止するモールドボディと
を備えることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項６】
前記ヒートスプレッドの下部に凹凸が形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記ヒートスプレッドの縁部には、
前記インナリードの先端と突出部の外側面との間の領域がヒートスプレッドの下部領域と連通するように、貫通孔が形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はヒートスプレッドを有するリードフレーム及びそのリードフレームを利用してパッケージングした半導体パッケージに関し、更に詳しくは、放熱手段であるヒートスプレッドを有する半導体パッケージの製造時に、様々なサイズのチップを、そのサイズに拘らずに同一規格のリードフレーム上に搭載可能なリードフレーム及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、リードフレームを利用した半導体パッケージ工程は以下の手順で行われる。
【０００３】
まず、図１（ａ）に示すように、ウェハに集積回路を形成するＦＡＢプロセス(fabrication process)の完了後、ウェハ上に形成された各チップ４を相互に分離するダイシング、分離した各チップ４をリードフレームにおけるエポキシ８の塗布されたダイパッド１４に安着させるチップボンディング、チップ４のボンディングパッド５とリードフレームのインナリード２とを伝導性接続部材６、例えばゴールドワイヤを利用して電気的に接続させるワイヤボンディングを順に行う。この後、チップ４及びボンディングされたワイヤ６をモールディング部材としてのエポキシモールドコンパウンドで封止して保護するためのモールディングを行う。又、モールディング工ｓ程後には、リードフレームのタイバー(tie bar)及びダムバー(dam bar)を断ち切るトリミング工程、アウタリード１を所定形状に成形するフォーミング工程を順に行う。トリミング及びフォーミング工程の完了後には、最終的にソルダリング(soldering)を施す。これにより、図１（ａ）に示すような構造の半導体パッケージが得られる。
【０００４】
ここで、前記リードフレームは、その中心部に半導体チップ４がボンディングされるダイパッド１４を備えている。前記ダイパッド１４はパドルとも呼ばれる。
【０００５】
一方、図１（ｂ）に示すような放熱手段を有する半導体パッケージは以下のように構成されている。
インナリード２と該インナリードから延長形成されたアウタリード１とからなるリードと、絶縁接着剤７によって前記インナリード２の下部に取り付けられるとともにパッケージの中央部に位置するヒートスプレッド３と、前記ヒートスプレッド３上面に塗布されたエポキシ８によりヒートスプレッド３上に取り付けられる半導体チップ４と、前記チップ４のボンディングパッド５とインナリード２とを電気的に接続させる伝導性接続部材６、例えばワイヤと、前記チップ４、ワイヤ６及びヒートスプレッド３を封止するモールドボディ１０とから構成される。
【０００６】
このようにして構成された図１（ｂ）の半導体パッケージにおいては、一般的なリードフレームのダイパッド１４の役割をヒートスプレッド３が兼ねるようになる。すなわち、放熱手段であるヒートスプレッド３がチップ安着部のダイパッド１４の役割を兼ねるようになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかるヒートスプレッド３を有する半導体パッケージでは、前記ヒートスプレッド３がインナリード２の下部に取り付けられるため、ヒートスプレッド３の上面とインナリード２の上面が同一平面上に位置せずに段差が生じることになる。すなわち、インナリード２の上面がヒートスプレッド３の上面に比べて高い。このため、図２に示すように、ヒートスプレッド３上面に搭載可能なチップの最大寸法はインナリード２の内側幅寸法以下に制限される。
【０００８】
仮に、チップ寸法がインナリード２の内側幅寸法を超える場合には、チップ寸法に合わせてリードフレームを再び設計および制作しなければならない。これは、搭載されるチップがインナリード２に接触するためであり、つまりチップ寸法が増加して図２の破線表示の最大寸法を超える場合には、チップがインナリード２と干渉するようになるからである。これを防止するために、ヒートスプレッド３の寸法がチップ寸法より大きな新たなリードフレームの開発が要求される。
【０００９】
この場合、新たなチップ寸法に合わせてリードフレームを開発するには長い時間（約５ヶ月以上）が所要され、開発期間中には生産ラインに適用することができないため、生産の狂い等の問題を引き起こす。また、チップ寸法に合わせて多種のリードフレームを使用するようになると、工程中で改良が頻繁になされなければならないため、改良に起因する費用の上昇及び生産性低下等の問題が生じる。
【００１０】
本発明は上記した問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、ヒートスプレッドを有する半導体パッケージの製造時に、様々なサイズのチップを、寸法に拘らずに同一規格のリードフレーム上に搭載可能とした半導体パッケージ構造を提供することにある。
【００１１】
本発明の別の目的は、半導体パッケージのヒートスプレッドの構造を改善して、パッケージの放熱性を向上させ且つモールディング時の封止不良を解消することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、アウタリードと前記アウタリードから延長形成されたインナリードとからなる複数のリードと、前記インナリードの先端部の底面に位置する縁部と、前記インナリードの先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部に対して突出形成される突出部とを有するヒートスプレッドと、前記インナリードの先端部と前記ヒートスプレッドの縁部との間に介在して前記インナリードの先端をヒートスプレッドに固着する絶縁接着剤と、前記インナリードの先端上部に付着される絶縁部材とを備えるリードフレームが提供される。
【００１３】
一方、上記目的を達成するための本発明の第２形態によれば、アウタリードと前記アウタリードから延長形成されたインナリードとからなる複数のリードと、前記各インナリードの先端部の底面に位置する縁部と、前記インナリードの先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部に対して突出形成される突出部とを有するヒートスプレッドと、前記ヒートスプレッドの突出部上に搭載され複数のボンディングパッドを有するチップと、前記チップのボンディングパッドとインナリードとを電気的に接続する複数の伝導性接続部材と、前記アウタリードを除く部材を覆って封止するモールドボディとを備える半導体パッケージが提供される。
【００１４】
上記目的を達成するための本発明の第３形態によれば、アウタリードと前記アウタリードから延長形成されたインナリードとからなる複数のリードと、前記各インナリードの先端部の底面に位置する縁部と、前記インナリードの先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部に対して突出形成される突出部とを有するヒートスプレッドと、前記ヒートスプレッドの突出部の上面寸法範囲を超えてインナリード部にわたって接合され、複数のボンディングパッドを有するチップと、前記インナリードの先端部と前記チップの縁部との間に介在する絶縁部材と、前記チップのボンディングパッドとインナリードとを電気的に接続する複数個の伝導性接続部材と、前記アウタリードを除く部材を覆って封止するモールドボディとを備える半導体パッケージが提供される。
【００１５】
さらに、上記目的を達成するための本発明の第４形態によれば、アウタリードと前記アウタリードから延長形成されたインナリードとからなる複数のリードと、前記インナリードの先端部の底面に位置する縁部と、前記インナリードの先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部に対して突出形成される突出部と、突出部の下部面上に形成される凹凸部とを有するヒートスプレッドと、前記ヒートスプレッドの突出部の上面寸法範囲内に接合され、複数のボンディングパッドを有するチップと、前記チップのボンディングパッドとインナリードとを電気的に接続する複数の伝導性接続部材と、前記アウタリードを除く部材を覆って封止するモールドボディとを備える半導体パッケージが提供される。
【００１６】
上記目的を達成するための本発明の第５形態によれば、アウタリードと前記アウタリードから延長形成されたインナリードとからなる複数のリードと、前記インナリードの先端部の底面に位置する縁部と、前記インナリードの先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部に対して突出形成される突出部と、突出部の下部面上に形成される凹凸部とを有するヒートスプレッドと、前記ヒートスプレッドの突出部の上面寸法範囲を超えてインナリード領域にわたって接合され、複数のボンディングパッドを有するチップと、前記チップのボンディングパッドとインナリードとを電気的に接続する複数の伝導性接続部材と、前記アウタリードを除く部材を覆って封止するモールドボディとを備える半導体パッケージが提供される。
【００１７】
上記目的を達成するための本発明の第６形態によれば、アウタリードと前記アウタリードから延長形成されたインナリードとからなる複数のリードと、前記各インナリードの先端部の底面に位置する縁部と、前記インナリードの先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部に対して突出形成される突出部と、前記インナリード先端と突出部の外側面との間の領域が下部領域と連通するように前記縁部に形成される貫通孔とを有するヒートスプレッドと、前記ヒートスプレッドの突出部の上面寸法範囲内に接合され、複数のボンディングパッドを有するチップと、前記チップのボンディングパッドとインナリードとを電気的に接続する複数の伝導性接続部材と、前記アウタリードを除く部材を覆って封止するモールドボディとを備える半導体パッケージが提供される。
【００１８】
上記目的を達成するための本発明の第７形態によれば、アウタリードと前記アウタリードから延長形成されたインナリードとからなる複数のリードと、前記インナリードの先端部の底面に位置する縁部と、前記インナリードの先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部に対して突出形成される突出部と、前記インナリードの先端と突出部の外側面との間の領域が下部領域と連通するように前記縁部に形成される貫通孔とを有するヒートスプレッドと、前記ヒートスプレッドの突出部の上面寸法範囲を超えてインナリード領域にわたるように接合され、複数のボンディングパッドを有するチップと、前記チップのボンディングパッドとインナリードとを電気的に接続する複数の伝導性接続部材と、前記アウタリードを除く部材を覆って封止するモールドボディとを備える半導体パッケージが提供される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図３（ａ）〜図１４（ｃ）に基づき詳しく説明する。
【００２０】
図３（ａ）、図３（ｂ）は本発明の半導体パッケージの第１実施形態を示す縦断面図であり、図３（ａ）は小型チップに適用した場合を示す縦断面図、図３（ｂ）は大型チップに適用した場合を示す縦断面図である。
【００２１】
本発明の第１実施形態に従うパッケージは、アウタリード１と前記アウタリード１から延長形成されたインナリード２とからなる複数のリードと、前記各インナリードの先端部の底面に位置する縁部３ー１と、前記インナリード２の先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部３−１に対して突出形成される突出部３ー２とを有するヒートスプレッド３ａと、前記ヒートスプレッド３ａの上面に取り付けられる半導体チップ４ａ、４ｂと、前記半導体チップに形成された複数のボンディングパッド５と前記インナリード２とをそれぞれ電気的に接続する伝導性接続部材６と、前記インナリード２の先端下部に付着して前記インナリード２の下部にヒートスプレッド３ａを固着する絶縁接着剤７と、前記チップ４ａ、４ｂがヒートスプレッド３ａに取り付けられるようにヒートスプレッド３ａの上面に塗布される接合剤８とを備える。
【００２２】
ここで、前記ヒートスプレッド３ａの上面に取り付けられる半導体チップ４，４ｂは、前記ヒートスプレッド３ａの突出部３ー２の上面寸法範囲内に接合される小型チップ４ａの場合と、突出部３ー２の上面寸法範囲を超えてインナリード２領域にまでわたる大型チップ４ｂの場合とに分けられる。大型チップ４ｂの場合には、前記インナリード２の先端部とチップとの間に絶縁部材９を介在するのが好ましい。
【００２３】
このように構成された本発明の第１実施形態に従う半導体パッケージは、ヒートスプレッド３ａの突出部３ー２の上面とインナリード２の上面とが同一平面上に位置するので、両者３−２，２の上面における段差が解消される。よって、チップ寸法に拘わらずヒートスプレッド３ａの上面にチップを搭載可能であるため、リードフレームを再び設計及び制作する必要がなく、その開発に起因する費用及び時間が節減される。また、チップ寸法に合わせて多種のリードフレームを使用する必要がないため、製造工程に使用される装置を改装する必要がない。その結果、種々の半導体パッケージの製造費用を低減しながらも、生産性を向上させることができる。
【００２４】
図４（ａ）、図４（ｂ）は本発明の半導体パッケージの第２実施形態を示す縦断面図であり、図４（ａ）は小型チップに適用した場合を示す縦断面図、図４（ｂ）は大型チップに適用した場合を示す縦断面図である。
【００２５】
本発明の第２実施形態による半導体パッケージは、第１実施形態のヒートスプレッド３ａよりも広い表面積を有するヒートスプレッド３ｂを備えており、そのヒートスプレッド３ｂの放熱性を向上させたものである。詳しくは、第２実施形態の半導体パッケージは、アウタリード１と前記アウタリード１から延長形成されたインナリード２とからなる複数のリードと、前記各インナリード２の先端部の底面に位置する縁部３ー１と、前記インナリード２の先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリード２の上面と同一平面上に位置するように前記縁部３−１に対して突出形成される突出部３ー２と、下部面上に形成される凹凸部３ー３とを有するヒートスプレッド３ｂと、前記ヒートスプレッド３ｂの上面に取り付けられる半導体チップ４ａ、４ｂと、前記半導体チップ４ａ、４ｂに形成された複数のボンディングパッド５と前記インナリード２とをそれぞれ電気的に接続する伝導性接続部材６と、前記インナリード２の先端下部に付着して前記インナリード２の下部にヒートスプレッド３ｂが固着する絶縁接着剤７と、前記チップ４ａ、４ｂがヒートスプレッド３ｂに取り付けられるようにヒートスプレッド３ｂの上面に塗布される接合剤８とを備える。
【００２６】
この場合も、前記ヒートスプレッド３ｂ上面に取り付けられる半導体チップ４ａ，４ｂは、前記ヒートスプレッド３ｂの突出部３ー２の上面寸法範囲内に接合される小型チップ４ａの場合と、前記ヒートスプレッド３ｂの突出部３ー１の上面寸法範囲を超えてインナリード２領域にまでわたる大型チップ４ｂの場合とに分けられる。大型チップ４ｂの場合には、第１実施形態と同様に前記インナリード２の先端部とチップとの間に絶縁部材９を介在するのが好ましい。
【００２７】
このように構成された本発明の第２実施形態に従う半導体パッケージは、第１実施形態のパッケージ構造と同様に作用するだけでなく、第１実施形態のパッケージ構造に比べて放熱性が向上している。すなわち、ヒートスプレッド３ｂの下部に凹凸部３ー３が形成されてヒートスプレッド３ｂとモールドボディ１０との接触面積が大きくなるため、半導体チップ４ａ，４ｂの動作時の放熱能力を増大させている。
【００２８】
一方、図４（ａ）、図４（ｂ）のヒートスプレッド３ｂの凹凸部３−３は、図５〜図７に示すように変更され得る。図５は図４（ａ）、図４（ｂ）のヒートスプレッドの形態を示す底面斜視図、図６は図４（ａ）、図４（ｂ）のヒートスプレッドの別の形態を示す底面斜視図である。図４（ａ）、図４（ｂ）に示す凹凸部３ー３は図５の突条部３−３ａ或いは図６の四角柱状の凹部３ー３ｂにより形成される。図７は図４（ａ）、図４（ｂ）のヒートスプレッドの他の形態を示す底面斜視図であり、図４の凹凸部３ー３が四角柱状の突起部３ー３ｃにより形成されている。
【００２９】
図８（ａ）、図８（ｂ）は本発明の半導体パッケージの第３実施形態を示す縦断面図であり、図８（ａ）は小型チップに適用した場合を示す縦断面図、図８（ｂ）は大型チップに適用した場合を示す縦断面図である。
【００３０】
本発明の第３実施形態に従う半導体パッケージは、アウタリード１と前記アウタリード１から延長形成されたインナリード２とからなる複数のリードと、前記各インナリード２の先端部の底面に位置する縁部３ー１と、前記インナリード２の先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリードの上面と同一平面上に位置するように前記縁部３−１に対して突出形成される突出部３ー２と、下方に向かって幅広となる幅広部３−４とを有するヒートスプレッド３ｃと、前記ヒートスプレッド３ｃの上面に取り付けられる半導体チップ４ａ、４ｂと、前記半導体チップ４ａ、４ｂに形成された複数のボンディングパッド５と前記インナリード２とをそれぞれ電気的に接続する伝導性接続部材６と、前記インナリード２の先端下部に付着して前記インナリード２の下部にヒートスプレッド３ｃを固着する絶縁接着剤７と、前記チップ４ａ、４ｂがヒートスプレッド３ｃに取り付けられるようにヒートスプレッド３ｃの上面に塗布される接合剤８とを備える。幅広部３−４の底面形状は、円形、多角形等の任意の形状が採用可能である。
【００３１】
この場合も、前記ヒートスプレッド３ｃの上面に取り付けられる半導体チップは、前記ヒートスプレッド３ｃの突出部３ー２の上面寸法範囲内に接合される小型チップ４ａの場合と、前記ヒートスプレッド３ｃの突出部３ー２の上面寸法範囲を超えてインナリード２領域にまでわたる大型チップ４ｂの場合とに分けられる。一方、大型チップ４ｂの場合には第１及び第２実施形態と同様に前記インナリード２の先端部とチップ４ｂとの間に絶縁部材９を介在するのが好ましい。
【００３２】
このように構成された本発明の第３実施形態に従う半導体パッケージは、第１実施形態のパッケージ構造と同様に作用し、第２実施形態のパッケージと同様に第１実施形態のパッケージ構造に比べて放熱性が向上している。すなわち、ヒートスプレッド３ｃの幅広部３−４の形状が下方に向かって幅広となっているため、ヒートスプレッド３ｂとモールドボディ１０との接触面積が大きくなっていいる。このため、チップ動作時の放熱能力を増大させることができる。
【００３３】
次に、図１０（ａ）〜図１４（ｃ）を参照して本発明の第４の実施形態の半導体パッケージを説明する。この実施形態の半導体パッケージは、樹脂封止を向上させるヒートスプレッド３ｄを備える。
【００３４】
従来の半導体パッケージでは、樹脂封止工程において以下のような問題がある。図９（ａ）〜図１０（ｃ）は図３（ｂ）の半導体パッケージに対する樹脂封止過程及びその過程で発生する問題点を示す縦断面図である。
【００３５】
図１０（ａ）〜図１１（ｃ）の順に行われれる樹脂封止過程において、エポキシモールドコンパウンド１０ａが上部及び下部キャビティ１２に沿って充填される際、エポキシモールドコンパウンド１０ａの上部及び下部の流れの不均衡が存する場合には未充填及びボイド等の不良が発生することが分かる。
【００３６】
一方、図１１（ａ）、図１１（ｂ）は図９（ａ）〜図１０（ｃ）に示す問題点を解決するための本発明の第４実施形態の縦断面図であり、図１１（ａ）は小型チップに適用した場合を示す縦断面図、図１１（ｂ）は大型チップに適用した場合を示す縦断面図である。そして、図１２は図１１（ａ）のＩ−Ｉ線上の横断面図である。
【００３７】
本発明の第４実施形態に従う半導体パッケージは、アウタリード１と前記アウタリード１から延長形成されたインナリード２とからなる複数のリードと、前記各インナリード２の先端部の底面に位置する縁部３ー１と、前記インナリード２の先端から所定間隔だけ離間するとともに上面が前記インナリード２の上面と同一平面上に位置するように前記縁部３−１に対して突出形成される突出部３ー２と、前記各インナリード２の先端と突出部３ー２の外側面との間に形成された空間部と下部領域とを連通させる貫通孔１１とを有するヒートスプレッド３ｄと、前記ヒートスプレッド３ｄの上面に取り付けられる半導体チップ４ａ、４ｂと、前記半導体チップ４ａ、４ｂに形成された複数のボンディングパッド５と前記インナリード２とをそれぞれ電気的に接続する伝導性接続部材６と、前記インナリード２の先端下部に付着して前記インナリード２の下部にヒートスプレッド３ｄを固着する絶縁接着剤７と、前記チップ４ａ、４ｂがヒートスプレッド３ｄに取り付けられるようにヒートスプレッド３ｄの上面に塗布される接合剤８とを備える。
【００３８】
この場合も、前記ヒートスプレッド３ｄの上面に取り付けられる半導体チップは、前記ヒートスプレッド３ｄの突出部３ー２の上面寸法範囲内に接合される小型チップ４ａの場合と、前記ヒートスプレッド３ｄの突出部３ー２の上面寸法範囲を超えてインナリード２領域にまでわたる大型チップ４ｂの場合とに分けられる。一方、大型チップ４ｂの場合には第１〜第３実施形態と同様に前記インナリード２の先端部とチップ４ａ，４ｂとの間に絶縁部材９を介在するのが好ましい。
【００３９】
このように構成された本発明の第４実施形態に従う半導体パッケージは、第１実施形態のパッケージ構造と同様の作用を果たしながらも、樹脂封止過程においてエポキシモールドコンパウンド１０ａが上部及び下部キャビティ１２に沿って充填される際、エポキシモールドコンパウンド１０ａの上部及び下部の流れの不均衡に起因する問題点を解消している。即ち、エポキシモールドコンパウンド１０ａを上部及び下部キャビティ１２内に完全に充填することができる。
【００４０】
図１３（ａ）〜図１４（ｃ）は第４実施形態の半導体パッケージをエポキシモールドコンパウンド１０ａで封止するときの、時間別の樹脂の流れを示す断面図であり、樹脂が上部及び下部キャビティ１２に沿って流れるにあたって同じ速度で満たされていることを示している。すなわち、ヒートスプレッド３ｄの貫通孔１１が上部及び下部キャビティ間の流動速度の差を解消しているため、充填速度が同一となり、エアベント１３を介して円滑にエア排出が行われる。
【００４１】
このように、エア排出が円滑になされるのに従って、チップ４ａの下端面、ヒートスプレッド３ｄ、及びインナリード２の先端により囲まれて形成される空間に樹脂が完全に充填され、パッケージのエッジ部分にも完全に樹脂が充填される。このため、ボイド及び未充填に起因するパッケージ不良を防止することができる。
【００４２】
【発明の効果】
請求項１のリードフレーム及び請求項５の半導体パッケージは、ヒートスプレッドの突出部の上面とインナリードの上面とが同一平面上に位置しているため、両者間の段差が解消される。よって、本発明のリードフレームは搭載されるチップの寸法に関わらず使用可能となるため、搭載されるチップ寸法が変更されてもリードフレームを再度設計及び制作する必要がない。その結果、リードフレームの開発に要する費用及び時間を節減することができる。
【００４３】
請求項２、３、６の発明は、ヒートスプレッドの表面積が増大するため、パッケージングされた半導体チップの動作時の放熱能力を増大させることができる。
請求項４、７の発明は、貫通孔により空気の流れを良好としている。パッケージ製造のために半導体チップを樹脂封止する場合、貫通孔によって連通した領域における樹脂の流れの不均衡を解消することができる。すなわち、貫通孔によって連津された領域での樹脂の流動速度の差を解消している。これにより、樹脂の充填速度が等しくなり、半導体チップの下端面、ヒートスプレッド、及びインナリードの先端により囲まれて形成される空間に樹脂が完全に充填され、パッケージのエッジ部分にも完全に樹脂が充填される。その結果、ボイド及び未充填に起因するパッケージ不良を防止することができる。
【００４４】
以上説明したように、本発明は、ヒートスプレッドを有する半導体パッケージの製造時に、様々なサイズの半導体チップをサイズに拘わらずに同一規格のリードフレーム上に搭載することができるようにし、ひいてはヒートスプレッドの放熱性を向上させ且つ封止時の樹脂未充填等のモールディング不良を解消してパッケージの信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）は従来のダイパッドを有する半導体パッケージを示す縦断面図、（ｂ）はダイパッドの役割を兼ねるヒートスプレッドを有する半導体パッケージを示す縦断面図。
【図２】  従来のヒートスプレッドを有する半導体パッケージの問題点を説明するための縦断面図。
【図３】  本発明の半導体パッケージの第１実施形態を示す縦断面図であり、（ａ）は小型チップに適用した場合を示す縦断面図、（ｂ）は大型チップに適用した場合を示す縦断面図。
【図４】  本発明の半導体パッケージの第２実施形態を示す縦断面図であり、（ａ）は小型チップに適用した場合を示す縦断面図、（ｂ）は大型チップに適用した場合を示す縦断面図。
【図５】  図４（ａ）、図４（ｂ）のヒートスプレッドの形態を示す底面斜視図。
【図６】  図４（ａ）、図４（ｂ）のヒートスプレッドの別の形態を示す底面斜視図。
【図７】  図４（ａ）、図４（ｂ）のヒートスプレッドの他の形態を示す底面斜視図。
【図８】  本発明の半導体パッケージの第３実施形態の縦断面図であり、（ａ）は小型チップに適用した場合を示す縦断面図、（ｂ）は大型チップに適用した場合を示す縦断面図。
【図９】  （ａ）〜（ｃ）は図３（ｂ）の半導体パッケージに対する樹脂封止過程及びその過程で発生する問題点を示す縦断面図。
【図１０】  図９（ｃ）の工程に続く半導体パッケージに対する樹脂封止過程及びその過程で発生する問題点を示す縦断面図。
【図１１】  本発明の第４実施形態を示す縦断面図であり、（ａ）は小型チップに適用した場合を示す縦断面図、（ｂ）は大型チップに適用した場合を示す縦断面図。
【図１２】  図１１（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った横断面図。
【図１３】  （ａ）〜（ｃ）は第４実施形態の半導体パッケージに対する樹脂封止過程を示す縦断面図。
【図１４】  （ａ）〜（ｃ）は図１３（ｃ）に続く樹脂封止過程を示す縦断面図。
【符号の説明】
１    アウタリード
２    インナリード
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ    ヒートスプレッド
３ー１    縁部
３ー２    突出部
３ー３    凹凸部
３−４    幅広部
３−３ａ    レール状突起部
３ー３ｂ    四角柱状凹部
３ー３ｃ    四角柱状突起部
４ａ    小型チップ
４ｂ    大型チップ
５    ボンディングパッド
６    伝導性接続部材
７    絶縁接着剤
８    接合剤
９    絶縁部材
１０    モールドボディ
１０ａ    エポキシモールドコンパウンド
１１    貫通孔
１２    キャビティ
１３    エアベント
１４    ダイパッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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