(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）の４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドと一般式（２）で表される無機アジ化塩とを、触媒にアミン塩を用い、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドを溶解する溶媒中に於いて反応させることを特徴とする下記式（３）で表される４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドの製造方法。
【化１】
0003680203.tif 000006
0003680203.tif 000007
（式中、Ｍはアルカリ金属またはアルカリ土類金属であり、ｎは１または２である。）
【化２】
0003680203.tif 000008
0003680203.tif 000009
【請求項２】
無機アジ化塩がアジ化ナトリウムであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アミン塩がトリエチルアミン塩酸塩であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドを溶解する溶媒が、非プロトン極性溶媒、ケトン類溶媒、クロル化合物類溶媒であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
非プロトン極性溶媒がアセトニトリル、ケトン類溶媒がアセトン、クロル化合物溶媒が塩化メチレンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドを原料とする、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドの新規な製造方法に関する。４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドは、医薬品、光磁気記憶材料等の原料として有用なジアゾ化剤である。
【０００２】
【従来の技術】
従来、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドを製造する方法としては、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドに無機アジ化塩を反応させる方法が一般的であり、数多くの文献に記載されている。
【０００３】
例えば、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，６１，２５４０−２５４１（１９９６年）においては、アセトンを反応溶媒に用い、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドに固形のアジ化ナトリウムを反応させて、収率９４％を得ている。
【０００４】
しかしながら、上記方法には以下の問題点がある。
（１）同一条件で反応を行っても、反応が速やかに完結する場合と、途中で全く転換反応が進まなくなる場合があり、反応の定量的安定性が得られていない。
（２）反応を完結させるためには、反応溶媒のアセトンに不溶なアジ化ナトリウムを過剰に使用することから、その過剰分のアジ化ナトリウムに汚染された反応副生物の塩化ナトリウムが発生し、その無害化処理を行うために多くの時間と費用が必要となる。
【０００５】
また、米国特許５，６１０，３１４号においては、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドをアセトンに溶解し、アジ化ナトリウム水溶液を滴下して転換反応を行っている。この場合、  ４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドが水に不安定で加水分解を受けることから、収率は７９％と工業的には高い収率とは言い難い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点を解決して高収率で高品質の４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドを、容易かつ安全に製造することのできる方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために工業的に有利な方法を鋭意研究したところ、出発原料の４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドが加水分解を受けないように非水反応系とし、出発原料をアセトニトリル、アセトン、塩化メチレン等の有機溶媒に溶解させ、固形の無機アジ化塩との反応において、転換反応が定量的安定に進行し、且つ、反応完結に必要な無機アジ化塩の過剰分をできるだけ少なくするために、上記転換反応をアミン塩触媒の存在下で行うことで、上記課題を解決し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、下記式（１）の４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドと一般式（２）で表される無機アジ化塩とを、触媒にアミン塩を用い、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドを溶解する溶媒中に於いて反応させることを特徴とする下記式（３）で表される４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドの製造方法である。
【化３】
0003680203.tif 000002
0003680203.tif 000003
（式中、Ｍはアルカリ金属またはアルカリ土類金属であり、ｎは１または２である。）
【化４】
0003680203.tif 000004
0003680203.tif 000005
【０００９】
アミン塩触媒を用いたこの新規な方法は、定量的に安定して４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドを製造することができ、更に、大過剰量の無機アジ化塩は不必要となったため、副生塩中に存在する無機アジ化塩の公害処理が容易となった。また、非水反応系であるため、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドの加水分解反応が起こらないことから、高収率に４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドを得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明において、出発原料となる４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドは、どのような方法で製造されたものであってもよく、また、市販品を使用してもよい。
【００１１】
一般式（２）で表わされる無機アジ化塩としては、具体的にはナトリウム、カリウム、リチウム、カルシウム、マグネシウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属のアジ化物が挙げられるが、アジ化ナトリウムが工業的に好適である。
【００１２】
無機アジ化塩の使用量は、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライド１モルに対し、アジ化水素換算で通常１．０〜１．１モルの範囲、好ましくは１．０１〜１．０５モルである。
【００１３】
本発明で使用するアミン塩は、アミンと塩から形成される。アミンとしては、第１級、第２級、第３級アミンのいずれでもよいが、特に脂肪族第３級アミンが好ましい。アミン塩としては、例えば、トリメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、トリプロピルアミン塩、トリブチルアミン塩、トリアミルアミン塩、トリヘキシルアミン塩、トリアリルアミン塩、ヒリジン塩、トリエタノールアミン塩、Ｎ−メチルモルホリン塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン塩、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン塩、４−ジメチルアミノピリジン塩などの第３級アミン等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。また、これらのアミン塩の２種以上を併用してもよい。
【００１４】
塩を形成する酸としては、基本的にはアミンと塩を形成する酸であればよい。酸としては、例えば、塩酸、臭化水素、硫酸、硝酸、リン酸、ホウ酸、アジ化水素、塩素酸、炭酸、硫化水素等の無機酸等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。好ましい酸は、塩酸、臭化水素、硫酸等である。
【００１５】
好ましいアミン塩は、トリエチルアミン塩酸塩である。
【００１６】
アミン塩は、市販のものを使用してもよいし、または反応系内でアミンと酸を反応させて塩を合成して作用させてもよい。
【００１７】
アミン塩の使用量は、反応が進行するのに必要な最低限度量でよいが、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライド１モルに対し、通常０．００２〜０．０２モルの範囲、好ましくは０．００２〜０．００４モルの範囲である。アミン塩のモル比は、反応速度、反応生成率に影響する。
【００１８】
反応溶媒としては、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドに対する溶解性の良いことから、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトン、エチルメチルケトン、塩化メチレン、クロロホルム等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。好ましくは、アミン塩触媒の効果が最も高い非プロトン極性溶媒類であり、更に好ましくはアセトニトリルである。反応溶媒の使用量は、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライド１ｇに対し、通常１〜１０ｍｌの範囲、好ましくは３〜５ｍｌの範囲である。
【００１９】
反応温度は、原料の４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライドが完全溶解し、生成した４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドが熱分解しない程度の温度であればよく、特に限定されるものではない。通常２０〜６０℃の範囲、好ましくは３５〜５０℃の範囲である。
【００２０】
反応時間は、特に限定されないが、通常１〜１２０時間であり、好ましくは３〜５時間の範囲である。
【００２１】
反応後、副生する塩化物と少量過剰仕込した無機アジ化塩が混ざる固相を濾別した後、濾液を減圧下、溶媒と生成された４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドが容積比で１対１になる程度まで濃縮する。留出溶媒はそのまま反応に再使用することも可能である。
【００２２】
晶析は、温度０〜２０℃の範囲で、晶析溶媒として水を加えて行う。その水量は生成した４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジド１容量に対し容積比が３〜５になる範囲で添加する。但し、塩化メチレン溶媒使用時のみ晶析溶媒としてトルエンを使用する。結晶を濾取し、温風乾燥後、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドを得ることができる。
【００２３】
【実施例】
以下の実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何等限定されるものではない。
【００２４】
実施例１
メカニカルシール攪拌機を備え付けた５００Ｌガラスライニング製のオートクレーブにアセトニトリル２１９ｋｇ、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライド８０ｋｇ、アジ化ナトリウム２３．５ｋｇ、トリエチルアミン塩酸塩０．１６ｋｇを仕込み、強攪拌を開始した。缶内温度は反応熱の発生により２０℃から徐々に上昇し４２℃まで達した。反応物を攪拌している間、反応を高速液体クロマトグラフィーでモニターした。反応は強攪拌開始後約５時間で完結した。反応混合物をガラスライニング製の濾過器に通し、固相を濾別し、この固相をアセトニトリル３０ｋｇで洗浄した。反応溶液３２６ｋｇを得た。この反応溶液を別の５００Ｌガラスライニング製のオートクレーブに仕込み、内温３０〜４５℃で減圧濃縮を行いアセトニトリル約１８０ｋｇを系内から留去した。濃縮後、系内を１０℃まで冷却した後、水２８０ｋｇを滴下し晶析を行った。晶析スラリーを遠心分離し、湿結晶８２ｋｇを得た。この湿結晶を４０℃で温風乾燥し、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジド７９ｋｇを得た。得られた４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドの収率は９６．％（４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライド）で、純度は９９．８％であった。
【００２５】
実施例２
メカニカルオーバーヘッド攪拌機を備え付けた５００ｍｌ四つ口フラスコにアセトン２１９ｇ、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライド８０ｇ、アジ化ナトリウム２３．５ｇ、トリエチルアミン塩酸塩０．２０ｇを仕込み、強攪拌を開始した。缶内温度は反応熱の発生により２０℃から徐々に上昇し４３℃まで達した。反応物を攪拌している間、反応を高速液体クロマトグラフィーでモニターした。反応は強攪拌開始後約５時間で完結した。ヌッチェを用い反応混合物中から固相を濾別し、この固相をアセトン３０ｇで洗浄した。反応溶液３２０ｇを得た。この反応溶液を別のメカニカルオーバーヘッド攪拌機を備え付けた５００ｍｌ四つ口フラスコに仕込み、内温３０〜４５℃で減圧濃縮を行いアセトン約１８０ｇを系内から留去した。濃縮後、系内を１０℃まで冷却した後、水２８０ｇを滴下し晶析を行った。晶析スラリーを濾取し、湿結晶８２ｇを得た。この湿結晶を４０℃で温風乾燥し、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジド７６ｇを得た。得られた４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドの収率は９２．４％（４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライド）で、純度は９９．８％であった。
【００２６】
実施例３
メカニカルオーバーヘッド攪拌機を備え付けた５００ｍｌ四つ口フラスコに塩化メチレン３７０ｇ、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライド８０ｇ、アジ化ナトリウム２３．５ｇ、トリエチルアミン塩酸塩０．２０ｇを仕込み、強攪拌を開始した。缶内温度は反応熱の発生により２０℃から徐々に上昇し、冷却を行い４５℃を超えない範囲で攪拌を続けた。反応物を攪拌している間、反応を高速液体クロマトグラフィーでモニターした。反応は強攪拌開始後約５時間で完結した。ヌッチェを用い反応混合物中から固相を濾別し、この固相を塩化メチレン５０ｇで洗浄した。反応溶液４９０ｇを得た。この反応溶液を別のメカニカルオーバーヘッド攪拌機を備え付けた５００ｍｌ四つ口フラスコに仕込み、内温３０〜４５℃で減圧濃縮を行い塩化メチレン約３０５ｇを系内から留去した。濃縮後、系内を１０℃まで冷却した後、トルエン４００ｇを滴下し晶析を行った。晶析スラリーを濾取し、湿結晶８２ｇを得た。この湿結晶を４０℃で温風乾燥し、４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジド７５ｇを得た。得られた４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドの収率は９１．２％（４−アセチルアミノベンゼンスルホニルクロライド）で、純度は９９．７％であった。
【００２７】
【発明の効果】
本発明によって、大過剰の無機アジ化塩を必要とせず、安全、安価に、安定して高品質の４−アセチルアミノベンゼンスルホニルアジドを製造することができる。従って、経済的、工業的価値が極めて大きい。