(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体に所定の交差角度で積み重ねて配置された複数の中心電極と、
前記中心電極相互を絶縁するために、前記中心電極間に配置された絶縁層とを備え、
前記中心電極が感光性導電ペースト材からなり、かつ、前記絶縁層が感光性絶縁ペーストからなること、
を特徴とする中心電極組立体。
【請求項２】
前記中心電極の幅が１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の中心電極組立体。
【請求項３】
前記中心電極の厚みが、通過帯域の中心周波数での表皮深さの２倍以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の中心電極組立体。
【請求項４】
前記基体がフェライトからなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の中心電極組立体。
【請求項５】
前記基体がフェライトと絶縁性基板にて構成され、前記絶縁性基板の主表面に前記中心電極が設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の中心電極組立体。
【請求項６】
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加される請求項１〜請求項５のいずれかに記載の中心電極組立体と、
前記永久磁石と前記中心電極組立体とを収容する金属ケースと、
を備えたことを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項７】
前記基体の一方の主面に前記中心電極が配置され、かつ、前記基体の他方の主面に所定の電極が配置され、前記両主面の電極がスルーホールを介して互いに接続されていることを特徴とする請求項６に記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
前記基体の一方の主面に前記中心電極が配置され、かつ、前記基体の他方の主面に所定の電極が配置され、前記両主面の電極が、前記基体の側面に配置された厚膜電極を介して互いに接続されていることを特徴とする請求項６に記載の非可逆回路素子。
【請求項９】
整合用コンデンサ素子及び抵抗素子を一体的に設けた実装用基板をさらに備え、該実装用基板に前記中心電極組立体が実装されていることを特徴とする請求項６〜請求項８に記載の非可逆回路素子。
【請求項１０】
前記実装用基板が主面方向に無収縮であるセラミック多層基板であることを特徴とする請求項９に記載の非可逆回路素子。
【請求項１１】
請求項６〜請求項１０のいずれかに記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信装置。
【請求項１２】
基体の主表面の略全面に感光性導電ペースト材を塗布した後、露光、現像して所定のパターンを有する中心電極を形成する中心電極形成工程と、
前記基体の主表面の略全面に感光性絶縁ペーストを塗布した後、露光、現像して所定のパターンを有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを備え、
前記中心電極形成工程と前記絶縁層形成工程とを所定回数繰り返し、前記基体の主表面に前記絶縁層を介してかつ所定の交差角度で複数の中心電極を配置すること、
を特徴とする中心電極組立体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータ等の中心電極組立体、非可逆回路素子、通信装置及び中心電極組立体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の中心電極組立体として、特開平５−３７２０６号公報記載のものが知られている。この中心電極組立体は、図１７に示すように、フェライト２１０の上面２１０ａ及び下面２１０ｂに、平行な２本の中心電極２２０ａを熱硬化型導電ペースト材や焼成（焼き付け）タイプの導電ペースト材を用いてスクリーン印刷法により形成し、このフェライト２１０の上面２１０ａ及び下面２１０ｂに絶縁層２３０をスクリーン印刷法により形成する。このようにして、中心電極２２０ａと絶縁層２３０を交互に形成する。そして、フェライト２１０の周側面２１０ｃに、接続電極２２０ｂをスクリーン印刷法により形成する。接続電極２２０ｂの端部と中心電極２２０ａの端部は接続している。
【０００３】
これにより、フェライト２１０の上面２１０ａ及び下面２１０ｂに電気的絶縁状態で交差する３本の中心電極２２０ａが形成され、かつ、各中心電極２２０ａの一端部同士が接続電極２２０ｂで接続された中心導体２２０が構成される。つまり、フェライト２１０の上面２１０ａ及び下面２１０ｂにはそれぞれ、スクリーン印刷法により第１層目の中心電極２２０ａ、第１層目の絶縁層２３０、第２層目の中心電極２２０ａ、第２層目の絶縁層２３０、第３層目の中心電極２２０ａが積層されている。そして、第３層目の中心電極２２０ａは、第１層目及び第２層目の中心電極２２０ａを乗り越えるように形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、熱硬化型導電ペースト材や焼成タイプの導電ペースト材を用いてのスクリーン印刷は、印刷時にダレやにじみが発生し、所定の幅を有する中心電極２２０ａを得にくいという問題がある。
【０００５】
特に、中心電極２２０ａと絶縁層２３０を交互に形成するにつれて、フェライト２１０の表面に、中心電極２２０ａや絶縁層２３０が部分的に重なり合うことによる凹凸（段差）が徐々に発生する。このため、フェライト２１０の表面とスクリーンマスクとの間隔が場所によって不均一になり、第２、第３層目の中心電極２２０ａの印刷時に、ダレやにじみ等が発生しやすくなる。この結果、所定幅の中心電極２２０ａを得にくかったり、中心電極２２０ａの垂直断面が矩形性不安定になったりして、中心電極組立体の挿入損失特性が劣化する等の問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、挿入損失を低減し、電気特性を向上させた中心電極組立体、非可逆回路素子、通信装置及び中心電極組立体の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】
前記目的を達成するため、本発明に係る中心電極組立体は、
（ａ）基体と、
（ｂ）前記基体に所定の交差角度で積み重ねて配置された複数の中心電極と、
（ｃ）前記中心電極相互を絶縁するために、前記中心電極間に配置された絶縁層とを備え、
（ｄ）前記中心電極が感光性導電ペースト材からなり、前記絶縁層が感光性絶縁ペーストからなること、
を特徴とする。ここに、基体はフェライトにて構成されたり、フェライトと絶縁性基板にて構成されている。
【０００８】
中心電極を感光性導電ペースト材で形成することにより、フォトマスクを利用した露光で所定の電極幅の中心電極が得られる。つまり、基体表面に段差が発生しても、常に、安定した電極幅を有する中心電極が形成される。さらに、通常の熱硬化型導電ペースト材や焼成（焼き付け）タイプの導電ペースト材を用いてスクリーン印刷法により形成した中心電極の垂直断面形状と比較して、感光性導電ペースト材からなる中心電極の垂直断面形状の方が矩形に近くなる。中心電極の垂直断面形状が矩形の方が、端がつぶれた形状のものと比較して、表面電流の分布が均一になり、中心電極組立体の挿入損失が小さくなる。
【０００９】
また、感光性導電ペースト材を使用することにより、幅が１５０μｍ以下の中心電極を安定して形成することができ、単位長さ当たりのインダクタンス値の大きい中心電極が得られる。
【００１０】
また、中心電極を流れる高周波電流は、表皮効果により中心電極の表面部を集中して流れる。従って、中心電極の厚みを、通過帯域の中心周波数での表皮深さの２倍以上にすることにより、導体損失が小さくなる。
【００１１】
また、本発明に係る非可逆回路素子は、永久磁石と、永久磁石により直流磁界が印加される前述の中心電極組立体と、永久磁石と中心電極組立体とを収容する金属ケースとを備えたことを特徴とする。以上の構成により、挿入損失が低減し、電気特性が向上した非可逆回路素子が得られる。
【００１２】
また、整合用コンデンサ素子及び抵抗素子を一体的に設けた実装用基板をさらに備え、この実装用基板に中心電極組立体が実装されていることが好ましい。これにより、実装用基板の電極に中心電極組立体の接続電極をはんだ等によって簡単に接合することができ、非可逆回路素子の生産性が向上する。
【００１３】
また、本発明に係る通信装置は、上述の特徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、挿入損失が低減し、電気特性が向上する。
【００１４】
また、本発明に係る中心電極組立体の製造方法は、
（ｅ）基体の主表面の略全面に感光性導電ペースト材を塗布した後、露光、現像して所定のパターンを有する中心電極を形成する中心電極形成工程と、
（ｆ）前記基体の主表面の略全面に感光性絶縁ペーストを塗布した後、露光、現像して所定のパターンを有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを備え、
（ｇ）前記中心電極形成工程と前記絶縁層形成工程とを所定回数繰り返し、前記基体の主表面に前記絶縁層を介してかつ所定の交差角度で複数の中心電極を配置すること、
を特徴とする。
【００１６】
以上の方法により、上述の特徴を有する中心電極組立体が生産性よく得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る中心電極組立体、非可逆回路素子、通信装置及び中心電極組立体の製造方法の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。なお、各実施形態において、同一部品及び同一部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。
【００１８】
［第１実施形態、図１〜図１２］
本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態の分解斜視図を図１に示す。該非可逆回路素子１は、集中定数型アイソレータである。図１に示すように、集中定数型アイソレータ１は、実装用基板４１と、中心電極組立体２と、矩形状の永久磁石９と、金属製の上側ケース４及び下側ケース８を備えている。
【００１９】
上側ケース４は、略箱形状であり、上部４ａ及び四つの側部４ｂからなる。下側ケース８は、左右の側部８ｂと底部８ａからなる。上側ケース４及び下側ケース８は、例えば、強磁性体からなる材料で形成され、その表面にＡｇやＣｕがめっきされる。
【００２０】
実装用基板４１は、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３及び抵抗素子Ｒを一体的に設けたＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）多層基板である。ここで、ＬＴＣＣ多層基板とは、低温焼結材料や低温焼成セラミックからなる層を、内部導体膜や内部抵抗膜を間に配置して、積層して形成されている。このとき、特定の層には、ビアホールがさらに形成されており、実装用基盤４１の内部で、内部導体膜や内部抵抗膜と電気的に接続し、抵抗素子Ｒ、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３からなる電気回路を形成する（図２参照）。
【００２１】
このセラミック多層基板４１は主面方向に無収縮であるので、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３のコンデンサ導体膜の変化が焼成前と変わらない。そのため、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３のキャパシタンス値の精度が高い。一方、後述の感光性導電ペーストで形成した中心電極２１〜２３も寸法精度が高いので、中心電極２１〜２３のインダクタンス値の精度も高い。従って、この組み合わせで製作されたアイソレータ１は、電気特性のばらつきが少ないため、良品率が高く、製造コストも安価である。
【００２２】
実装用基板４１の上面にはポート電極Ｐ１〜Ｐ３及びアース電極１６が露出している。実装用基板４１の下面には、アイソレータ１を外部回路に電気的に接続する入力電極１４及び出力電極１５が形成されている。なお、必要に応じて、チップ状のコンデンサ部品やコイル部品を実装用基板４１上に搭載してもよい。
【００２３】
中心電極組立体２は、後で詳細に説明するように、矩形状のマイクロ波フェライトからなる基体１０の上面１１に三つの中心電極２１〜２３を、絶縁層２６（図８参照）を介在させて略１２０度ごとに交差するように配置している。中心電極２１〜２３を配置する順は任意であるが、本第１実施形態では、中心電極２３、絶縁層２６、中心電極２２、絶縁層２６、中心電極２１の順に上面１１に配置した。これら中心電極２１〜２３は、各々の一端は基体１０の側面１２に形成されている接続電極２４を介して基体１０の下面１３に形成されているアース電極２５に接続され、各々の他端は、側面１２に形成されている接続電極２４を介して実装用基板４１のポート電極Ｐ１〜Ｐ３に接続されている。つまり、中心電極２１〜２３のアース側は、接続電極２４を介して共通のアース電極２５に接続している。この共通のアース電極２５は基体１０の下面１３と略同形状であり、実装用基板４１に形成されているポート電極Ｐ１〜Ｐ３との接触を避けるようにして下面１３の略全面を被覆している。アース電極２５は実装用基板４１のアース電極１６に接続されている。
【００２４】
なお、中心電極２１〜２３やアース電極２５の材料としては、Ａｇ又はＣｕを主成分とする感光性導電ペースト材が採用される。Ａｇは金属の中で抵抗率（一般値：１．６２×１０−８Ωｍ）が最も小さいので、挿入損失の小さい中心電極組立体２を得ることができる。Ｃｕは、Ａｇに次いで抵抗率が小さく、かつ、Ａｇより安価なので、中心電極組立体２の材料代を安価にすることができる。
【００２５】
具体的な感光性導電ペースト材としては、例えば、Ｄｕｐｏｎｔ（デュポン）社製のフリット入りＡｇ−Ｐｔペースト（商品名：Ｋ３７１４）がある。あるいは、以下の組成比率で調合した後、３本ロールミル等を用いて混練したペーストがある。それぞれの組成比率は、Ａｇ粉末（平均粒径：３μｍ）が８０重量％、ＳｉＯ２−ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末が５．０重量％、メタクリル酸メチル−メタクリル酸共重合体が２．７重量％、トリメチロールプロパントリアクリレート（モノマー）が３．２重量％、重合開始剤が０．７６重量％、エチルカルビトールアセテート（溶剤）が８．３４重量％である。これらの感光性導電ペースト材は、その粘性において経時的な劣化が少ないので、粘性劣化に起因するパターンにじみ等の発生を抑制することができる。
【００２６】
以上の構成部品は、下側ケース８内に実装用基板４１を組み込み、その上に中心電極組立体２を載置（実装）する。永久磁石９を上側ケース４の上部４ａの下側に載置する。そして、下側ケース８に上側ケース４を装着する。永久磁石９は中心電極組立体２に直流磁界を印加する。下側ケース８と上側ケース４は接合して金属ケースをなし、磁気回路を構成しており、ヨークとしても機能している。
【００２７】
こうして、集中定数型アイソレータ１が得られる。また、図２は、集中定数型アイソレータ１の電気等価回路図である。
【００２８】
ここで、中心電極組立体２について、その製造方法の一例と共に、詳細に説明する。中心電極組立体２は、図３に示すフロチャートに従って製造することにより、安価に量産をすることができる。先ず、図４に示すように、中心電極組立体２が複数個取れるような広面積のフェライトからなる母基板３０の所定の位置に、レーザ加工や研磨加工等を用いて貫通穴を形成する。貫通穴の形状は、矩形状等任意であるが、本第１実施形態では丸穴形状とした。この貫通穴の内壁面にめっき膜を形成して、図５に示すように、スルーホール３４を形成する（図３の工程１）。なお、貫通穴の内壁面にめっき膜を形成する替わりに、貫通穴内に感光性導電ペースト材を充填してもよい。ここで、図４に示す一点鎖線Ｌとその一点鎖線Ｌで囲まれた範囲Ａは、それぞれ後述する切断位置と製品のサイズの範囲を示す。
【００２９】
次に、母基板３０の裏面にアース電極２５を、アース電極形成工程で形成する（図３の工程２）。つまり、母基板３０の裏面の略全面に感光性導電ペースト材を塗布し、乾燥する。そして、この上に所望のパターンが描画されているフォトマスクを被せた後、紫外線を照射して露光する。次に、フォトマスクを外して、現像、焼成し、所望のパターンを有するアース電極２５を形成する。
【００３０】
次に、図６に示すように、母基板３０の表面に一対の中心電極２３を、中心電極形成工程で形成する（図３の工程３）。中心電極形成工程は、前記アース電極形成工程と同様である。つまり、フォトマスクを被せた後、紫外線を照射して露光等をして中心電極２３を形成する。図７に示すように、中心電極２３とアース電極２５は、スルーホール３４を介して電気的に接続する。このように、スルーホール３４を介して中心電極２３とアース電極２５を電気的に接続することにより、多数個取りしている１枚の母基板３０に形成されている多数個の貫通穴内に、一回の印刷で感光性導電ペースト材を充填する、いわゆるマルチ加工が可能となる。そのため、製造コストを低減することができる。
【００３１】
次に、図８に示すように、絶縁層２６を絶縁層形成工程で形成する（図３の工程４）。つまり、母基板３０の表面にスクリーンマスクを載せた後、熱硬化型絶縁ペースト材や焼成（焼き付け）タイプの絶縁ペースト材等をスキージングし、中心電極２３の中央部に所望のパターンを有する絶縁ペースト膜を形成する（スクリーン印刷法）。そして、乾燥、加熱（焼成）して絶縁層２６を得る。
【００３２】
次に、中心電極２２、絶縁層２６、中心電極２１を順に、前記中心電極２３や絶縁層２６の形成方法と同様の方法により形成する（図３の工程５、工程６、工程７）。
【００３３】
次に、この母基板３０を一点鎖線Ｌで表示した位置、つまり、スルーホール３４の位置で製品サイズ毎に切断する（図３の工程８）。切断には、レーザや、ダイシング等を使用する。母基板３０は切断され基体１０とされると共に、スルーホール３４は二分割され、半円弧状の接続電極２４が形成される（図１参照）。こうして、図１に示すような中心電極組立体２が得られる。
【００３４】
こうして得られた中心電極組立体２は、中心電極２１〜２３を感光性導電ペースト材で形成しているので、フォトマスクを利用した露光で、所定の電極幅を有した中心電極２１〜２３を得ることができる。つまり、中心電極２１〜２３と絶縁層２６を交互に形成するにつれて、基体１０の表面に、中心電極２１〜２３や絶縁層２６が部分的に重なり合うことによる凹凸（段差）が徐々に発生する。しかし、フォトマスクを利用した露光は、略平行光線を使って露光するため、フォトマスクに描画されているパターン通りに感光性導電ペースト材を露光する。この結果、基体１０の表面に段差が発生しても、常に、所定の幅を有する中心電極２１〜２３を安定して得ることができる。
【００３５】
さらに、フォトマスクを利用した露光により形成された中心電極２１〜２３は、通常の熱硬化型導電ペースト材や焼成タイプの導電ペースト材を用いてスクリーン印刷法により形成した中心電極と比較して、その垂直断面形状がより矩形に近いものが得られる。従って、挿入損失の小さい中心電極組立体２を得ることができる。
【００３６】
ここで、アイソレータ１の挿入損失特性を評価する。この評価は、サイズが３ｍｍ×３ｍｍのフェライト１０を用い、永久磁石９の替わりに電磁石を用いた簡易評価である。
【００３７】
アイソレータ１は、図１に示した中心電極組立体２のように、Ａｇを主成分とする感光性導電ペースト材で形成した中心電極を有する中心電極組立体を搭載したものである。比較のために、従来の２種類のアイソレータ、つまり、図１７に示すように、Ａｇを主成分とする導電ペースト材をスクリーン印刷法で形成した中心電極を有する中心電極組立体を搭載したもの（以下、比較例１と称する）と、金属（Ｃｕ）板をプレス等で打ち抜いて形成した中心電極を有する中心電極組立体を搭載したもの（以下、比較例２と称する）とを用意した。
【００３８】
これらのアイソレータを８００ＭＨｚ帯で動作させたときの挿入損失ピーク値（最小損失値）は、本第１実施形態のアイソレータ１が０．３０ｄＢ、比較例１が０．４０ｄＢ、比較例２が０．２９ｄＢであった。この結果より、本第１実施形態のアイソレータ１は、スクリーン印刷法で形成した中心電極を有する比較例１と比べて、挿入損失ピーク値が約０．１０ｄＢ低減していることがわかる。そして、本第１実施形態のアイソレータ１の挿入損失ピーク値は、金属板で形成した中心電極を有する比較例２と略同等の値を得ることができる。
【００３９】
また、図９に示すように、絶縁層２６はスクリーン印刷法により形成されているので、絶縁層２６の端部２６ａにダレが形成される。従って、絶縁層２６の端部２６ａの表面は緩やかな傾斜面となっている。これにより、中心電極２１を端部２６ａの傾斜面に倣うように形成することができるので、中心電極２１に生じる挿入損失等の電気特性を向上させることができる。さらに、絶縁層２６の上に配置されている中心電極２１が、絶縁層２６の端部２６ａで急激に折れ曲がらないので、電極切れが発生しにくく、信頼性の高い中心電極組立体２が得られる。
【００４０】
また、中心電極２１〜２３の厚みは、通過帯域の中心周波数での表皮深さの２倍以上に設定される。中心電極２１〜２３の厚みを表皮深さの２倍以下にすると、中心電極２１〜２３の電流の流れる断面積が不足するため、電流密度が高くなり、損失が増加する。中心電極２１〜２３の厚みを表皮深さの２倍に設定すると、中心電極２１〜２３の厚みの中心における電流密度は、中心電極２１〜２３の表面の電流密度の３４％にまで減少するから、中心電極２１〜２３の電流の流れる断面積の不足は殆どない。例えば、通過帯域の中心周波数が５００ＭＨｚのときは、中心電極２１〜２３の材質を銀とした場合の表皮深さδは、２．８６μｍである。ここで、表皮深さδは、δ＝（２ρ／（ωμ））１／２で得られる。ρは中心電極２１〜２３の抵抗率、μは透磁率、ωは中心周波数の角周波数である。本第１実施形態では、中心電極２１〜２３の厚みを表皮深さδの約３．５倍の略１０μｍに設定した。
【００４１】
また、従来の金属薄板を打ち抜いて中心電極を形成する方法では、金型の機械精度により、中心電極の幅を１５０μｍ以下にすることができなかった。スクリーン印刷法で、中心電極を形成する方法でも同様の状況であった。しかし、中心電極２１〜２３の材料として感光性導電ペースト材を用いることにより、中心電極２１〜２３の幅を１５０μｍ以下にすることができる。これにより、単位長さ当たりのインダクタンス値の大きい中心電極２１〜２３が得られ、短い中心電極２１〜２３で所望のインダクタンス値を得ることができるので、中心電極組立体２を小型化することができる。
【００４２】
また、本発明に係る中心電極組立体は種々の変形が可能であり、例えば、図１０及び図１１に示す中心電極組立体２ａのように、下面１３にアース電極２５を殆ど形成していないものであってもよい。ホット電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、アース電極２５を形成するアース電極形成工程と併せて、基体１０の下面１３に形成されている。ホット電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃはそれぞれ、接続電極２４を介して、中心電極２１〜２３のホット側の端部に電気的に接続されている。ホット電極２５ａ，２５ｂ，２５ｃは実装用基板４１のポート部Ｐ１〜Ｐ３に、アース電極２５は、実装用基板４１のアース電極１６にそれぞれ接続される。
【００４３】
また、図１２に示すように、中心電極２１〜２３のアース側の端部を、接続電極２４を介して、基体１０の下面１３に延在させたものであってもよい。この場合、中心電極組立体２ｂは、基体１０の下面１３に中心電極２１〜２３と同じ感光性導電ペースト材からなる中心電極２１ａ，２２ａ，２３ａを形成しているので、基体１０の上面１１に形成されている中心電極２１〜２３が、側面１２に形成されている接続電極２４を介して、下面１３の中央に形成されているアース電極２５まで延在されることになる。従って、中心電極組立体２ｂを小さくすることができる。
【００４４】
［第２実施形態、図１３及び図１４］
図１３に示すように、第２実施形態の中心電極組立体２ｃは、スルーホールを形成しないで基体１０の側面１２に直接に接続電極２４を形成したものである。この中心電極組立体２ｃは、図１４に示すフローチャートに従って製造することにより、安価に量産することができる。先ず、母基板の裏面にアース電極及び中心電極を形成する（工程１）。アース電極及び中心電極の材料として、前記第１実施形態と同様に感光性導電ペースト材が使用される。
【００４５】
次に、母基板の表面に、中心電極２３、絶縁層２６、中心電極２２、絶縁層２６、中心電極２１を順に、前記第１実施形態で示した中心電極２３や絶縁層２６の形成方法と同様の方法により形成する（工程２、工程３、工程４、工程５、工程６）。その後、この母基板３０を製品サイズ毎に切断する（工程７）。これにより、製品サイズ毎のフェライト１０が得られる。
【００４６】
次に、母基板３０を切断されて形成されたフェライト１０の側面１２に、接続電極２４を形成する（工程８）。接続電極２４は、導電性ペースト材を印刷、転写等の方法によって厚膜塗布し、焼成して形成される。
【００４７】
以上の中心電極組立体２ｃは、前記第１実施形態の中心電極組立体２，２ａ，２ｂと同様の作用効果を奏する。さらに、図４に示す貫通穴３４を形成するスルーホール成形工程（図３の工程１）を省略することができるので、中心電極組立体２ｃの生産性を向上させることができ、製造コストも安価になる。
【００４８】
［第３実施形態、図１５］
図１５に示すように、第３実施形態の中心電極組立体２ｄは、基体１０ａがフェライト５０と絶縁性基板５１とで構成されたものである。絶縁性基板５１はアルミナ等からなり、その上面に中心電極２１〜２３や絶縁層２６が前記第１実施形態や第２実施形態と同様の方法で形成されている。絶縁性基板５１とフェライト５０は、中心電極２１〜２３や絶縁層２６を間に挟むようにして組み合わされる。母基板３０にフェライトを用いると、母基板３０の大きさの制限や、電極２１〜２５等の印刷時に母基板３０の割れが生じやすい等の不具合があるが、母基板３０をアルミナにすることにより、このような問題を回避することができ、中心電極組立体２ｄの信頼性を高めることができる。
【００４９】
［第４実施形態、図１６］
第４実施形態は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。
【００５０】
図１６は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気回路ブロック図である。図１６において、１２２はアンテナ素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間用帯域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣＯ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００５１】
ここに、送信側アイソレータ１３１として、例えば、前記第１実施形態の集中定数型アイソレータ１を使用することができる。このアイソレータ１を実装することにより、電気特性の優れた携帯電話を実現することができる。
【００５２】
［他の実施形態］
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の構成に変更することができる。例えば、前記第１実施形態ではアイソレータに適用したが、本発明は、勿論サーキュレータにも適用できるとともに、他の高周波部品にも適用できる。また、永久磁石９の形状は、矩形状の他に、例えば、円形状や、角が丸い三角形状等であってもよい。また、それぞれの中心電極２１〜２３の交差角度は、１１０〜１４０度の範囲であればよい。また、金属ケースは三以上に分割されていてもよい。
【００５３】
また、前記中心電極組立体２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの絶縁層２６は、熱硬化型絶縁ペースト材や焼成（焼き付け）タイプの絶縁ペースト材等を使用してスクリーン印刷法により形成しているが、絶縁層２６を中心電極２１〜２３と同様の方法で、つまり感光性絶縁ペーストを塗布、露光、焼成の工程を経ることによって形成してもよい。この場合、中心電極２１〜２３と絶縁層２６の形成工程が同じになるので、中心電極組立体２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの生産性を向上させることができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、中心電極を感光性導電ペースト材で形成しているので、基体の表面に段差が発生しても、常に、安定した電極幅を有した中心電極を形成することができる。さらに、通常の熱硬化型導電ペースト材や焼成（焼き付け）タイプの導電ペースト材を用いてスクリーン印刷法により形成した中心電極の垂直断面形状と比較して、感光性導電ペースト材からなる中心電極の垂直断面形状の方が矩形に近くなる。従って、中心電極組立体の挿入損失を小さくすることができる。また、中心電極の交差角度が安定した中心電極組立体を効率よく生産することができるので、高性能で低価格な中心電極組立体、非可逆回路素子及び通信装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図３】図１に示した中心電極組立体の製造方法の手順を示すフローチャート。
【図４】図１に示した中心電極組立体の製造方法の手順を説明するための平面図。
【図５】図４に示した母基板の垂直断面図。
【図６】図４に続く中心電極組立体の製造方法の手順を説明するための平面図。
【図７】図６に示した母基板の垂直断面図。
【図８】図６に続く中心電極組立体の製造方法の手順を説明するための平面図。
【図９】図８に示した母基板の一部垂直断面図。
【図１０】図１に示した中心電極組立体の変形例を示す外観斜視図。
【図１１】図１０に示した中心電極組立体の裏面の外観斜視図。
【図１２】図１０に示した中心電極組立体の変形例を示す外観斜視図。
【図１３】本発明に係る中心電極組立体の別の実施形態を示す外観斜視図。
【図１４】図１３に示した中心電極組立体の製造方法の手順を示すフローチャート。
【図１５】本発明に係る中心電極組立体のさらに別の実施形態を示す斜視図。
【図１６】本発明に係る通信装置の一実施形態を示す電気回路ブロック図。
【図１７】従来の中心電極組立体の外観斜視図。
【符号の説明】
１…集中定数型アイソレータ（非可逆回路素子）
２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ…中心電極組立体
４…上側ケース（金属ケース）
８…下側ケース（金属ケース）
９…永久磁石
１０，１０ａ…基体
２１〜２３，２１ａ，２２ａ，２３ａ…中心電極
２４…接続電極
２５…アース電極
２６…絶縁層
３０…母基板
３４…スルーホール
４１…実装用基板
１２０…携帯電話（通信装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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