【手続補正書】
【提出日】令和3年4月22日(2021.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理する方法であって、
炭素含有材料内にフィーチャのパターンを含む半導体基板をプロセスチャンバに提供することと、
微小寸法を縮小し、実質的に垂直な側壁を有するトリミングされた炭素含有フィーチャを形成するために、前記炭素含有材料内の前記フィーチャを原子層エッチングによってトリミングすることと、
を備え、
前記原子層エッチングは、
前記炭素含有材料の表面を改質して、前記炭素含有材料の改質表面を形成するために、プラズマを伴うことなく前記炭素含有材料内の前記フィーチャの表面を酸素含有ガスに暴露することと、
前記炭素含有材料の前記改質表面を除去し、前記トリミングされた炭素含有フィーチャを形成するために、前記炭素含有材料の前記改質表面を不活性ガスに暴露し、プラズマを着火することと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記酸素含有ガスは、酸素、オゾン、水蒸気、亜酸化窒素、一酸化炭素、ギ酸蒸気、二酸化炭素、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記不活性ガスは、ヘリウム、窒素、アルゴン、及びこれらに組み合わせからなる群より選択される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記炭素含有材料は、スピンオン炭素、フォトレジスト、及び非晶質炭素からなる群より選択される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記プロセスチャンバは、約１Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒの間のチャンバ圧力に設定される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記プラズマは、約５０Ｗから約２５０Ｗの間のプラズマ電力を使用して着火される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記プラズマを伴うことなく前記炭素含有材料内の前記フィーチャの前記表面を前記酸素含有ガスに暴露することと、前記炭素含有材料の前記改質表面を前記不活性ガスに暴露し前記プラズマを着火することとの間に、前記チャンバをパージすることを備える方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記チャンバは、約０．１秒から約０．５秒の間の持続時間にわたってパージされる、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記原子層エッチングは、更に、前記炭素含有材料内の前記フィーチャの前記表面を暴露することと、前記炭素含有材料の前記改質表面を暴露することとを、サイクル単位で繰り返すことを含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
約５サイクルから約１００サイクルの間のサイクル数が実施される、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、更に、
前記トリミングされた炭素含有フィーチャを形成した後に、前記トリミングされた炭素含有フィーチャの上に、真空を破ることなく原子層堆積によって膜を共形的に堆積させることを備える方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記炭素含有材料内の前記フィーチャをトリミングすることと、前記トリミングされた炭素含有フィーチャの上に膜を共形的に堆積させることとが、同じ前記チャンバ内で実施される、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
共形的に堆積される前記膜は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物、及び金属酸化物からなる群より選択される材料を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記半導体基板を提供した後で且つ前記炭素含有材料内の前記フィーチャをトリミングする前に、前記基板を約３５℃から約１００℃の間の温度に加熱することを備える方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、
前記プロセスチャンバに提供された前記半導体基板上における前記炭素含有材料内の前記フィーチャのパターンのアスペクト比は、約６：１から約１０：１の間である、方法。
【請求項１６】
請求項１又は２に記載の方法であって、
前記炭素含有材料内の前記フィーチャの前記表面を前記酸素含有ガスに暴露することは、更に、ヘリウム、窒素、アルゴン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるキャリアガスを導入することを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１又は２に記載の方法であって、
前記炭素含有材料の前記改質表面を暴露する動作で着火される前記プラズマは、２７ＭＨｚ容量結合プラズマ、１３ＭＨｚ容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、及び遠隔プラズマからなる群より選択される１つ以上のエネルギ源から生成される、方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって、
前記トリミングは、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおけるシャワーヘッド供給容量結合プラズマ（ＣＣＰ）、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおけるシャワーヘッド供給誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、
シャワーヘッドを通じて前記不活性ガスも供給される、接地台座を伴う又は伴わない、前記酸素含有ガスのシャワーヘッド供給、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚの任意の組み合わせによる混合周波数ＣＣＰプラズマ、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおける台座供給ＣＣＰプラズマ、及び
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおける混合周波数台座供給ＣＣＰプラズマの、１つ以上を含む、方法。
【請求項１９】
半導体基板を処理するための装置であって、
台座をそれぞれ含む１つ以上のプロセスチャンバと、
真空に結合するための１つ以上の出口と、
１つ以上の酸素含有ガス源及び関連の酸素含有ガス流量制御ハードウェアに結合された１つ以上のガス入口と、
１つ以上の不活性ガス源及び関連の不活性ガス流量制御ハードウェアに結合された１つ以上のガス入口と、
プラズマ生成器と、
前記装置における動作を制御するためのコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、少なくとも１つのプロセッサ、及びメモリを、これらが互いに通信可能式に接続されるように含み、前記少なくとも１つのプロセッサは、前記流量制御ハードウェアに少なくとも動作可能式に接続され、前記メモリは、プラズマを伴うことなく酸素含有ガスを第１のプロセスチャンバに導入するためのコンピュータ実行可能命令と、真空を破ることなく不活性ガスを前記第１のプロセスチャンバに導入しプラズマを着火するためのコンピュータ実行可能命令とを格納する、装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、更に、
シリコン含有前駆体ガス源に結合された１つ以上のガス入口と、
シリコン含有前駆体ガスと反応させるための酸素含有反応剤に結合された１つ以上のガス入口と、
を備え、
前記メモリは、更に、ｎが５及び１００を含む５から１００の間の整数であるときにｎサイクルにわたって請求項１９に記載の動作を繰り返すためのコンピュータ実行可能命令と、その後、真空を破ることなく、原子層堆積によってシリコン酸化物膜を堆積させるために前記シリコン含有前駆体ガスのパルスと前記酸素含有反応剤のパルスとを交互に導入するためのコンピュータ実行可能命令とを格納する、装置。
【請求項２１】
請求項１９又は２０に記載の装置であって、
前記プラズマ生成器は、２７ＭＨｚ及び／若しくは１３ＭＨｚの容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、及び遠隔プラズマからなる群より選択される１つ以上のエネルギ源を含む、装置。
【請求項２２】
請求項１９又は２０に記載の装置であって、
前記装置は、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおけるシャワーヘッド供給容量結合プラズマ（ＣＣＰ）、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおけるシャワーヘッド供給誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、
シャワーヘッドを通じて前記不活性ガスも供給される、接地台座を伴う又は伴わない、前記酸素含有ガスのシャワーヘッド供給、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚの任意の組み合わせによる混合周波数ＣＣＰプラズマ、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおける台座供給ＣＣＰプラズマ、及び
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおける混合周波数台座供給ＣＣＰプラズマの、１つ以上用に構成される、装置。
【請求項２３】
請求項１９又は２０に記載の装置であって、
前記装置は、発光分光センサも含む、装置。
【請求項２４】
請求項１９又は２０に記載の装置であって、
前記コンピュータ実行可能命令は、更に、炭素含有材料の改質表面を形成するために、前記炭素含有材料内のフィーチャの表面を前記酸素含有ガスに暴露するための命令を含み、前記酸素含有ガスは、酸素、オゾン、水蒸気、亜酸化窒素、一酸化炭素、ギ酸蒸気、二酸化炭素、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の装置であって、
前記コンピュータ実行可能命令は、更に、前記炭素含有材料の前記改質表面を前記不活性ガスに暴露し前記プラズマを着火するための命令を含み、前記不活性ガスは、ヘリウム、窒素、アルゴン、及びこれらに組み合わせからなる群より選択される、装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載の装置であって、
前記コンピュータ実行可能命令は、更に、前記プラズマを伴うことなく前記炭素含有材料内の前記フィーチャの前記表面を前記酸素含有ガスに暴露することと、前記炭素含有材料の前記改質表面を前記不活性ガスに暴露し前記プラズマを着火することとの間に、前記チャンバをパージするための命令を含む、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
パターニングされた第１のコア１０１は、炭素含有材料又はシリコン含有材料であってよい。一部の実施形態では、パターニングされた第１のコア１０１は、フォトレジストである。パターニングされた第１のコア１０１は、リソグラフィによって画定され、第２のコア１０３をエッチングするために使用される。第２のコア１０３は、プラズマ強化式化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）などの任意の適切な堆積技術によって堆積されてよく、該堆積技術は、炭化水素前駆体を含む堆積ガスから堆積チャンバ内でプラズマを発生させることを伴ってよい。炭化水素前駆体は、式ＣxＨyで定義されてよく、ここでは、ｘは、１から１０の間の整数であり、ｙは、２から２４の間の整数である。例として、メタン（ＣＨ4）、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、エチレン（Ｃ2Ｈ4）、プロピレン（Ｃ3Ｈ6）、ブタン（Ｃ4Ｈ10）、シクロヘキサン（Ｃ6Ｈ12）、ベンゼン（Ｃ6Ｈ6）、及びトルエン（Ｃ7Ｈ8）が挙げられる。高周波数（ＨＦ）電力及び低周波数（ＬＦ）電力を含む二重無線周波数（ＲＦ）プラズマ源が使用されてよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図１Ｉでは、トリミングされた第３のコア１３５は、引き続きターゲット層１０７をエッチングするために使用される自立した第２のスペーサを残すために、選択的に除去され、その結果、パターンターゲット層１２７が得られる。一部の実施形態では、トリミングされた第３のコア１３５の側壁の傾斜が原因で、基板１００上に、残留した第３のコア材料が幾らか残されることがある。トリミングされた第３のコア１３５は、図１Ｄにおけるパターニングされた第２のコア１１３の選択的エッチングと同じ又は類似の化学剤を使用して選択的にエッチングされてよい。図１Ｉに示されるように、先立つコアトリミングプロセスからの先細のフッティングが原因で、得られるターゲット層１２７のパターンには、一貫性が無く、したがって、トリミングされた第３のコア１３５のフッティングが原因で、側壁は、垂直にエッチングされないだろう。したがって、第２の共形膜１２０の堆積前に、垂直な側壁を有するようにスペーサを形成することが望まれている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図３は、開示された特定の実施形態にしたがった方法の動作を実施するためのプロセスの流れ図を示している。図３の動作は、約４Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒ、又は約１Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒ、又は約１Ｔｏｒｒから約２Ｔｏｒｒなどの、約１ミリＴｏｒｒから約１００Ｔｏｒｒの間のチャンバ圧力で実施されてよい。動作３０２では、基板又はウエハが、処理チャンバに提供される。チャンバは、複数チャンバからなる装置の一チャンバ、又は１つのチャンバからなる装置であってよい。基板は、上に誘電体材料、導電性材料、又は半導電性材料などの１枚以上の材料層が堆積されるウエハなどの、２００ｍｍウエハ、３００ｍｍウエハ、又は４５０ｍｍウエハを例とするシリコンウエハであってよい。基板は、基板を保持するための台座上にあってよい。台座は、約３５℃から約１００℃の間の温度に設定されてよい。この温度は、本書では基板温度として言及されてよいが、基板温度は、基板を保持している台座が設定される温度であることが理解される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
特定の実施形態では、酸素含有ガスへの暴露段階５０４Ａのためのシャワーヘッドの流れが、約５〜１５ｓｌｍの範囲であってよく、プラズマを伴う不活性ガスへの暴露段階５０８Ａのためのシャワーヘッドの流れは、約５〜１５ｓｌｍの範囲であってよく、パージ段階５０６Ａ及び５１０Ａのためのパージの流れは、約２０〜４０ｓｌｍの範囲であってよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
一部の実施形態では、コントローラ６５０のための命令が、入出力制御（ＩＯＣ）シークエンシング命令を通じて提供されてよい。一例では、プロセス段階のための条件を設定するための命令が、プロセスレシピの中の対応するレシピ段階に含められてよい。場合によっては、プロセスレシピ段階は、或るプロセス段階のための全ての命令がそのプロセス段階に並行して実行されるように、順次配置されてよい。一部の実施形態では、１つ以上のリアクタパラメータを設定するための命令が、レシピ段階に含められてよい。例えば、第１のレシピ段階は、不活性ガス及び／又は反応剤ガス（例えば酸素含有ガス）の流量を設定するための命令と、（アルゴンなどの）キャリアガスの流量を調整するための命令と、第１のレシピ段階のための時間遅延命令とを含んでいてよい。続く第２のレシピ段階は、不活性ガス及び／又は反応剤ガスの流量を調節又は停止するための命令と、キャリアガス又はパージガスの流量を調節するための命令と、第２のレシピ段階のための時間遅延命令とを含んでいてよい。第３のレシピ段階は、アルゴンなどの第２のガスの流量を調節するための命令と、キャリアガス又はパージガスの流量を調節するための命令と、４ステーション型処理ツール用に約２５０Ｗから約７５０Ｗの間の低プラズマ電力でプラズマを着火するための命令と、第３のレシピ段階のための時間遅延命令とを含んでいてよい。続く第４のレシピ段階は、不活性ガス及び／又は反応剤ガスの流量を調節又は停止するための命令と、キャリアガス又はパージガスの流量を調節するための命令と、第４のレシピ段階のための時間遅延命令とを含んでいてよい。このようなレシピは、エッチング対象の下位層の表面と約９０度±５度の地点で交わる垂直な側壁を得るために基板上のコア材料などの炭素含有材料をエッチングするために使用されてよい。更なるレシピが続いてよく、パターニングされたコア材料の上にＡＬＤによって共形膜を堆積させるために使用されてよい。例えば、パターニングされたコア材料の上にシリコン酸化物共形膜を堆積させるために、１つの追加のレシピ段階が、シリコン含有前駆体の流量を設定するための命令を含むとともに、別の追加のレシピ段階が、酸素含有反応剤の流量を設定するための命令と、この追加のレシピ段階のための時間遅延命令とを含んでいてよい。これらのレシピ段階は、本開示の範囲内で、任意の適切な形で更に細分化及び／又は反復されてよいことがわかる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
一連のプロセス内のプロセスを制御するためのコンピュータプログラムコードは、例えば、アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｐａｓｃａｌ、Ｆｏｒｔｒａｎなどの、従来の任意のコンピュータ読み取り可能プログラミング言語で記述できる。プログラムに指定されたタスクを実施するために、プロセッサによって、コンパイル済みのオブジェクトコード又はスクリプトが実行される。また、述べられたように、プログラムコードは、ハードコード化されてよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
図９は、特定の実施形態にしたがったプロセスにしたがった又はそのようなプロセスを行うのに適した代替の処理システムのブロック図である。システム９００は、移送モジュール９０３を含む。移送モジュール９０３は、処理されている基板が各種のリアクタモジュール間で移動されるのに伴って汚染されるリスクを最小限に抑えるために、清浄な加圧環境を提供する。移送モジュール９０３上には、この文脈ではリアクタ又はツールモジュール又は単純にモジュールと呼ばれる３つのマルチステーション型リアクタ９０７、９０８、及び９０９が搭載され、それぞれ、特定の実施形態にしたがった原子層堆積（ＡＬＤ）及び／又は化学気相成長（ＣＶＤ）及び／又は原子層エッチング（ＡＬＥ）を実施することができる。リアクタ９０７、９０８、及び９０９は、複数のステーション９１１、９１３、９１５、及び９１７を含んでいてよく、これらのステーションは、開示された実施形態にしたがって順次方式で又は非順次方式で動作を実施してよい。ステーションは、加熱された台座又は基板サポートと、１つ以上のガス入口又はシャワーヘッド又は分散板とを含んでいてよい。モジュール９０７、９０８、及び９０９の１つ以上が、プラズマ方式若しくは化学（非プラズマ）方式の前洗浄、又は場合によっては例えば堆積プロセス若しくはエッチングプロセスに備えて基板を整えるなどのための各種の処置に使用されるなど開示された方法に関連して説明されたその他の任意のプロセスを、実施可能であってよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
一連のプロセス内のプロセスを制御するためのコンピュータプログラムコードは、例えば、アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｐａｓｃａｌ、Ｆｏｒｔｒａｎなどの、従来の任意のコンピュータ読み取り可能プログラミング言語で記述できる。プログラムに指定されたタスクを実施するために、プロセッサによって、コンパイル済みのオブジェクトコード又はスクリプトが実行される。また、述べられたように、プログラムコードは、ハードコード化されてよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
結論
以上の実施形態は、理解を明確にする目的で幾分詳細に説明されてきたが、特定の変更及び修正が、添付の特許請求の範囲内でなされてよいことが明らかである。本実施形態のプロセス、システム、及び装置を実現する多くの代替のやり方があることが、留意されるべきである。したがって、本実施形態は、例示的であって限定的ではないと見なされ、これらの実施形態は、本明細書で与えられた詳細に限定されない。本開示は以下の適用例としても実現できる。
［適用例１］
半導体基板を処理する方法であって、
炭素含有材料内にフィーチャのパターンを含む半導体基板をプロセスチャンバに提供することと、
微小寸法を縮小し、実質的に垂直な側壁を有するトリミングされた炭素含有フィーチャを形成するために、前記炭素含有材料内の前記フィーチャを原子層エッチングによってトリミングすることと、
を備え、
前記原子層エッチングは、
前記炭素含有材料の表面を改質して、前記炭素含有材料の改質表面を形成するために、プラズマを伴うことなく前記炭素含有材料内の前記フィーチャの表面を酸素含有ガスに暴露することと、
前記炭素含有材料の前記改質表面を除去し、前記トリミングされた炭素含有フィーチャを形成するために、前記炭素含有材料の前記改質表面を不活性ガスに暴露し、プラズマを着火することと、
を含む、方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、
前記酸素含有ガスは、酸素、オゾン、水蒸気、亜酸化窒素、一酸化炭素、ギ酸蒸気、二酸化炭素、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、方法。
［適用例３］
適用例１に記載の方法であって、
前記不活性ガスは、ヘリウム、窒素、アルゴン、及びこれらに組み合わせからなる群より選択される、方法。
［適用例４］
適用例１に記載の方法であって、
前記炭素含有材料は、スピンオン炭素、フォトレジスト、及び非晶質炭素からなる群より選択される、方法。
［適用例５］
適用例１に記載の方法であって、
前記プロセスチャンバは、約１Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒの間のチャンバ圧力に設定される、方法。
［適用例６］
適用例１に記載の方法であって、
前記プラズマは、約５０Ｗから約２５０Ｗの間のプラズマ電力を使用して着火される、方法。
［適用例７］
適用例１に記載の方法であって、更に、
前記プラズマを伴うことなく前記炭素含有材料内の前記フィーチャの前記表面を前記酸素含有ガスに暴露することと、前記炭素含有材料の前記改質表面を前記不活性ガスに暴露し前記プラズマを着火することとの間に、前記チャンバをパージすることを備える方法。
［適用例８］
適用例７に記載の方法であって、
前記チャンバは、約０．１秒から約０．５秒の間の持続時間にわたってパージされる、方法。
［適用例９］
適用例１に記載の方法であって、
前記原子層エッチングは、更に、前記炭素含有材料内の前記フィーチャの前記表面を暴露することと、前記炭素含有材料の前記改質表面を暴露することとを、サイクル単位で繰り返すことを含む、方法。
［適用例１０］
適用例９に記載の方法であって、
約５サイクルから約１００サイクルの間のサイクル数が実施される、方法。
［適用例１１］
適用例９に記載の方法であって、更に、
前記トリミングされた炭素含有フィーチャを形成した後に、前記トリミングされた炭素含有フィーチャの上に、真空を破ることなく原子層堆積によって膜を共形的に堆積させることを備える方法。
［適用例１２］
適用例１１に記載の方法であって、
前記炭素含有材料内の前記フィーチャをトリミングすることと、前記トリミングされた炭素含有フィーチャの上に膜を共形的に堆積させることとが、同じ前記チャンバ内で実施される、方法。
［適用例１３］
適用例１１に記載の方法であって、
共形的に堆積される前記膜は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物、及び金属酸化物からなる群より選択される材料を含む、方法。
［適用例１４］
適用例１に記載の方法であって、更に、
前記半導体基板を提供した後で且つ前記炭素含有材料内の前記フィーチャをトリミングする前に、前記基板を約３５℃から約１００℃の間の温度に加熱することを備える方法。
［適用例１５］
適用例１に記載の方法であって、
前記プロセスチャンバに提供された前記半導体基板上における前記炭素含有材料内の前記フィーチャのパターンのアスペクト比は、約６：１から約１０：１の間である、方法。
［適用例１６］
適用例１又は２に記載の方法であって、
前記炭素含有材料内の前記フィーチャの前記表面を前記酸素含有ガスに暴露することは、更に、ヘリウム、窒素、アルゴン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるキャリアガスを導入することを含む、方法。
［適用例１７］
適用例１又は２に記載の方法であって、
前記炭素含有材料の前記改質表面を暴露する動作で着火される前記プラズマは、２７ＭＨｚ容量結合プラズマ、１３ＭＨｚ容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、及び遠隔プラズマからなる群より選択される１つ以上のエネルギ源から生成される、方法。
［適用例１８］
適用例１又は１７に記載の方法であって、
前記トリミングは、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおけるシャワーヘッド供給容量結合プラズマ（ＣＣＰ）、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおけるシャワーヘッド供給誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、
シャワーヘッドを通じて前記不活性ガスも供給される、接地台座を伴う又は伴わない、前記酸素含有ガスのシャワーヘッド供給、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚの任意の組み合わせによる混合周波数ＣＣＰプラズマ、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおけるシャワーヘッド供給ＣＣＰプラズマ、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおける台座供給ＣＣＰプラズマ、及び
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおける混合周波数台座供給ＣＣＰプラズマの、１つ以上を含む、方法。
［適用例１９］
半導体基板を処理するための装置であって、
台座をそれぞれ含む１つ以上のプロセスチャンバと、
真空に結合するための１つ以上の出口と、
１つ以上の酸素含有ガス源及び関連の酸素含有ガス流量制御ハードウェアに結合された１つ以上のガス入口と、
１つ以上の不活性ガス源及び関連の不活性ガス流量制御ハードウェアに結合された１つ以上のガス入口と、
プラズマ生成器と、
前記装置における動作を制御するためのコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、少なくとも１つのプロセッサ、及びメモリを、これらが互いに通信可能式に接続されるように含み、前記少なくとも１つのプロセッサは、前記流量制御ハードウェアに少なくとも動作可能式に接続され、前記メモリは、プラズマを伴うことなく酸素含有ガスを第１のプロセスチャンバに導入するためのコンピュータ実行可能命令と、真空を破ることなく不活性ガスを前記第１のプロセスチャンバに導入しプラズマを着火するためのコンピュータ実行可能命令とを格納する、装置。
［適用例２０］
適用例１９に記載の装置であって、更に、
シリコン含有前駆体ガス源に結合された１つ以上のガス入口と、
シリコン含有前駆体ガスと反応させるための酸素含有反応剤に結合された１つ以上のガス入口と、
を備え、
前記メモリは、更に、ｎが５及び１００を含む５から１００の間の整数であるときにｎサイクルにわたって適用例１９に記載の動作を繰り返すためのコンピュータ実行可能命令と、その後、真空を破ることなく、原子層堆積によってシリコン酸化物膜を堆積させるために前記シリコン含有前駆体ガスのパルスと前記酸素含有反応剤のパルスとを交互に導入するためのコンピュータ実行可能命令とを格納する、装置。
［適用例２１］
適用例１９又は２０に記載の装置であって、
前記プラズマ源は、２７ＭＨｚ及び／若しくは１３ＭＨｚの容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、及び遠隔プラズマからなる群より選択される１つ以上のエネルギ源を含む、装置。
［適用例２２］
適用例１９又は２０に記載の装置であって、
前記装置は、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおけるシャワーヘッド供給容量結合プラズマ（ＣＣＰ）、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおけるシャワーヘッド供給誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、
シャワーヘッドを通じて前記不活性ガスも供給される、接地台座を伴う又は伴わない、前記酸素含有ガスのシャワーヘッド供給、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚの任意の組み合わせによる混合周波数ＣＣＰプラズマ、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおけるシャワーヘッド供給ＣＣＰプラズマ、
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおける台座供給ＣＣＰプラズマ、及び
シャワーヘッドを通じて前記酸素含有ガス及び前記不活性ガスが供給される、接地台座を伴う１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚにおける混合周波数台座供給ＣＣＰプラズマの、１つ以上用に構成される、装置。
［適用例２３］
適用例１９又は２０に記載の装置であって、
前記装置は、発光分光センサも含む、装置。
［適用例２４］
適用例１９又は２０に記載の装置であって、
前記コンピュータ実行可能命令は、更に、炭素含有材料の改質表面を形成するために、前記炭素含有材料内のフィーチャの表面を前記酸素含有ガスに暴露するための命令を含み、前記酸素含有ガスは、酸素、オゾン、水蒸気、亜酸化窒素、一酸化炭素、ギ酸蒸気、二酸化炭素、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、装置。
［適用例２５］
適用例２４に記載の装置であって、
前記コンピュータ実行可能命令は、更に、前記炭素含有フィーチャの前記改質表面を前記不活性ガスに暴露し前記プラズマを着火するための命令を含み、前記不活性ガスは、ヘリウム、窒素、アルゴン、及びこれらに組み合わせからなる群より選択される、装置。
［適用例２６］
適用例２５に記載の装置であって、
前記コンピュータ実行可能命令は、更に、前記プラズマを伴うことなく前記炭素含有材料内の前記フィーチャの前記表面を前記酸素含有ガスに暴露することと、前記炭素含有材料の前記改質表面を前記不活性ガスに暴露し前記プラズマを着火することとの間に、前記チャンバをパージするための命令を含む、装置。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ａ】
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【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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