(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液相エピタキシャル法により、非磁性ガーネット単結晶基板の片面に育成された厚さ  ２０〜１００  μｍのビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を育成したＢＩＧ育成基板（Ｉ）  を製造し、該育成に用いた液相エピタキシャル用電気炉から取り出す際、該ＢＩＧ育成基板（Ｉ）  を高速回転させて融液振り切りした後から温度  ３００℃以下までの冷却を１分以内とすることを特徴とする短波長用ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法。
【請求項２】
該育成に用いる液相エピタキシャル用電気炉として縦型管状炉を用い、該縦型管状炉の上蓋に近接して徐冷炉を設け、内部温度が  １００〜２５０  ℃の該徐冷炉に該ＢＩＧ育成基板（Ｉ）  を引上げ収納する請求項１記載の短波長用ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法。
【請求項３】
冷却された該ＢＩＧ育成基板（Ｉ）  の表面に付着している固化した融液の最大厚みが    ５０μｍ以下である請求項１記載の短波長用ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法。
【請求項４】
請求項１記載の製造法で製造した該ＢＩＧ育成基板（Ｉ）  を温度    ５０℃以下にて塩酸、硝酸又は塩酸と硝酸との混合水溶液に浸漬して該ＢＩＧ育成基板（Ｉ）  表面に付着し固化した融液を溶解除去する短波長用ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本願発明は、光磁界センサや光アイソレータなどのファラデー回転子に用いられるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶に関する。更に詳しく言えば、本発明は、ファラデー回転子としての厚さが  １００μｍ以下のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ファイバ通信や光計測の発展はめざましいものがある。この光ファイバ通信や光計測では多くの場合、信号源として半導体レーザが使用されている。しかし半導体レーザは、光ファイバ端面などから反射し、再び半導体レーザ自身に戻ってくるところの所謂反射戻り光があると、発振が不安定になるという重大な欠点がある。そのため半導体レーザの出射側に光アイソレータを設けて、反射戻り光を遮断し、半導体レーザの発振を安定化させることが行われている。
【０００３】
ところで、半導体レーザの発振波長は様々であるが、長距離の光ファイバ通信では、石英光ファイバの損失が低い１．３１μｍや１．５５μｍ帯（長波長帯と呼ばれている）が採用されている。これに対して短距離の光ファイバ通信や光計測では、安価でしかも高い出力の半導体レーザが容易に入手できる  ０．８μｍ帯（短波長帯と呼ばれている）が主に使用されている。
したがって、光アイソレータも使用される半導体レーザの波長に応じて、１．３１μｍや１．５５μｍ帯の長波長帯用と、  ０．８μｍ帯の短波長帯用の二種類に大別される。
【０００４】
光アイソレータは、偏光子、検光子、ファラデー回転子およびファラデー回転子を磁気的に飽和させるための永久磁石からなる。光アイソレータの中心的な機能を担うファラデー回転子には、主に液相エピタキシャル（以下「ＬＰＥ」と記す）法で育成される厚さが数十μｍから  ４００μｍ程度のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜（以下簡単に「ＢＩＧ」と記す）、例えば、（ＨｏＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２，  （ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２，  （ＬｕＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２  などが用いられている。
【０００５】
通常、ＬＰＥ法によるＢＩＧの育成は以下のように行われる。
まず、縦型管状炉からなるＬＰＥ装置の中央に貴金属製の坩堝を備えつける。そして、希土類鉄ガーネット成分の酸化物、例えば酸化第二鉄や希土類酸化物と、酸化鉛、酸化ほう素および酸化ビスマスからなるフラックス成分を坩堝に仕込み、１０００℃程度の高温でこれら酸化物を溶解させ、ＢＩＧ育成用の融液とする。その後、融液温度を  ８００℃前後に降下させ過飽和状態に保つ。
【０００６】
次に、基板ホルダーに固定した非磁性ガーネット基板をＬＰＥ炉上部から降下させ、融液と接触させる。融液と接触した基板を回転させながら基板上にＢＩＧをエピタキシャル成長させる。
所定の厚さにＢＩＧを育成した後、基板を融液から数センチ程度引き上げ、高速で基板を回転させ、ＢＩＧに付着した融液の大部分を振り切る。
融液振り切り操作後、ＬＰＥ炉から基板を引き上げ取り出す。
【０００７】
ここで、  ７００〜８００  ℃のＬＰＥ炉からＢＩＧが育成されたガーネット基板（以下、単に「ＢＩＧ育成基板」と略す）を取り出すと、熱衝撃でＢＩＧ育成基板が割れるという問題があった。
そこで本発明者らは、ＬＰＥ炉上部にＬＰＥ炉とは別に加熱装置（徐冷炉）を設け、ＢＩＧが育成された基板を一旦この徐冷炉（４００〜５００  ℃に加熱した状態にしておく）収納し、次いで徐冷炉の中でゆっくりと基板を室温まで徐冷するという基板割れ防止策を開発した。
【０００８】
徐冷炉から取り出されたＢＩＧ育成基板は、付着固化した融液成分を溶解・除去するための酸洗浄を経た後、ファラデー回転角が４５度になるように厚さが調整される。厚さの調整は研磨によって行われる。
ファラデー回転子としてのＢＩＧが厚い場合、基板は研磨で全て除去されることが多い。これは、基板とＢＩＧの界面で起きるフレネル反射（約  １．４％）を避け、光アイソレータ用ファラデー回転子としての光透過率をできるだけ大きいものにするための措置である。
また、ファラデー回転子としてのＢＩＧの厚さが  １００μｍ以下の場合には基板を研磨で除去すると強度面での問題が出て来るので基板を残したままの形で使用されのが一般的である。
【０００９】
一方、ＢＩＧ表面も研磨の必要がある。
なぜならば結晶表面は全面にわたって光学特性を満足する訳ではなく、光学特性が劣化した領域がいくつか存在する。
例えば、図２に示すようなひび割れたような領域である。これは、ＢＩＧ表面に付着した融液（振り切り操作を行っても、融液の粘性が高いため、結晶表面に付着する）が、固化・収縮する過程で結晶表面も収縮されてひびが入ったものである（以下このような融液に起因する光学特性劣化領域を「融液ダメイジ」と略称する）。あるいは、図３に示されるような異物が存在する。これは、融液からＢＩＧとは別の結晶が成長したものではないかと推定される。
いずれにせよ融液ダメイジや異物の存在する部分は、光学特性、すなわち、光挿入損失とか消光比が低下するので取り除く必要があり、そのための研磨は不可欠な操作となっている。
【００１０】
ＢＩＧからなるファラデー回転子の膜厚は、研磨の精度からみて±２μｍ程度である。これをファラデー回転角に換算すると、例えば  （ＨｏＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２では、波長１．３１μｍ用では４５±０．４  度、波長１．５５μｍでは４５±０．３  度程度であり、光アイソレータ用ファラデー回転子に求められている回転角の精度４５±２  度の範囲内であり、特に問題とはならない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、膜厚が  １００μｍ以下で、基板を除去しない形で用いられるファラデー回転子の場合は、研磨精度が±２μｍであっても回転角の精度が大きな問題となる。
例えば、ＢＩＧ育成用の２インチ基板、（ＣａＧｄ）３（ＭｇＺｒＧａ）５Ｏ１２  の場合、基板内における厚さの精度は±５μｍ程度である。従って、この基板上に育成したＢＩＧを研磨して、厚さ（基板＋ＢＩＧ）を±２μｍの精度に仕上げたとしても、基板自体に±５μｍの厚さのばらつきがあるため、ＢＩＧ自体の厚さの精度は±７μｍとなる。
【００１２】
しかも、基板を残して使用するのは、波長が  ０．８μｍ帯、即ち、短波長領域であり、単位膜厚当たりの回転角が非常に大きいので回転角のばらつきも１．３１μｍや１．５５μｍなどの長波長帯に比べて数倍大きくなる。例えば（ＨｏＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２  の場合、波長０．７８μｍにおけるファラデー回転係数は１μｍ当たり約１度であるから、研磨精度が±７μｍでは４５±７度の回転角精度となり、４５±２度を満たす回転子を選別しなければならなくなる。
ファラデー回転子の膜厚が  １００μｍ以下のＢＩＧ製造においては、ファラデー回転角不良が多い、即ち、製品歩留りが非常に低いというのが、工業生産上大きな課題である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ファラデー回転子の膜厚が  １００μｍ以下のＢＩＧ生産における低歩留りを解決するため鋭意検討を加えた。
その結果、ＢＩＧ育成基板をＬＰＥ炉内から取り出す際、基板を急速に冷却することで、融液ダメイジや異物が大幅に抑制されることを見いだした。
従って、基板を急速冷却した場合、融液ダメイジや異物を除くためのＢＩＧ表面の研磨が不必要となり、この点からは、ＬＰＥ成長させたＢＩＧをそのままファラデー回転子に用いることが可能となる。幸いにも、ＢＩＧの厚みはＬＰＥ成長時間で正確に制御可能であり、また、表面に付着した固化した融液を溶解除去したＢＩＧ表面は極めて平滑であることが確認された。
【００１４】
すなわち、本発明は、液相エピタキシャル法により、非磁性ガーネット単結晶基板の片面に育成された厚さ  ２０〜１００  μｍのビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を育成したＢＩＧ育成基板（Ｉ）  を製造し、該育成に用いた液相エピタキシャル用電気炉から取り出す際、該ＢＩＧ育成基板（Ｉ）  を高速回転させて融液振り切りした後から温度  ３００℃以下までの冷却を１分以内とすることを特徴とする短波長用ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法である。
【００１５】
本発明の好ましい態様においては、該育成に用いる液相エピタキシャル用電気炉として縦型管状炉を用い、該縦型管状炉の上蓋に近接して徐冷炉を設け、内部温度が  １００〜２５０  ℃の該徐冷炉に該ＢＩＧ育成基板（Ｉ）  を引上げ収納すること、冷却された該ＢＩＧ育成基板（Ｉ）  の表面に付着している固化した融液の最大厚みが    ５０μｍ以下である短波長用ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法である。
また、上記により製造した該ＢＩＧ育成基板（Ｉ）  を温度    ５０℃以下にて塩酸、硝酸又は塩酸と硝酸との混合水溶液に浸漬して該ＢＩＧ育成基板（Ｉ）  表面に付着し固化した融液を溶解除去する短波長用ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造法である。
【００１６】
以下、本発明の構成をより詳細に説明する。
上述したように、通常一般にＬＰＥ炉からの基板引き上げに際しては、基板の割れを防止するためには、例えば、ＬＰＥ炉上部に設置した徐冷炉に一旦基板を収容して、ゆっくりと室温まで冷却する必要がある。
この過程において、融液（ｍｅｌｔ）が固化・収縮してＢＩＧにひびが入るなど損傷（融液ダメイジ）や、微結晶と思われる異物が発生する。
ところが、基板の割れを無視して急速にＬＰＥ炉から基板を取り出し、そして室温雰囲気に基板を放置して冷却すると（ＬＰＥ炉から取り出してからおおよそ３０秒以内に室温に近い温度となる）、融液ダメイジと異物が非常に少なくなる。この場合、基板は数枚に割れてしまうが、それでもなお、ＢＩＧ表面を研磨して製造したファラデー回転子よりも歩留りが高くなる（実施例３と比較例１）。
【００１７】
ＢＩＧ育成基板の冷却速度を早めると、融液ダメイジや異物が少なくなる理由は明確ではないが、融液の固化速度がきわめて急速に行われた場合、
（１）．固化した融液の粒界が微細化した状態となり、固化する際の収縮がＢＩＧへ与える影響が小さくなる。
（２）．異物の成長に必要な時間よりも短い時間で冷却され、異物が少なくなる。
と推察される。
ＢＩＧ表面の固化した融液が厚い場合には、急速冷却しても内部の冷却速度は小さくなり、粒界の微細化が充分に達成されない場合が生じる。この点からＢＩＧ表面の固化した融液の厚みが５０μｍを越えた部分が生じないように振り切りから急速冷却を実施するのが好ましい。
【００１８】
また、表面に付着した固化した融液を溶解除去したＢＩＧ表面は極めて平滑であることが確認された。さらに、ＢＩＧの厚みはＬＰＥ成長時間で正確に制御可能であることも確認された（実施例１）。
以上、ＬＰＥ法による基板付きＢＩＧ作製方法において、研磨工程が不必要であるにもかかわらず、歩留りが改善されたことの意義は非常に大きいと言える。
【００１９】
さらに、本発明は、ＢＩＧ育成基板の冷却速度又は急速冷却下限温度を調整することで、さらに歩留りが向上させたものである。
すなわち、２インチサイズのＢＩＧ育成基板をＬＰＥ炉から大気中に直接引き上げると、基板が室温付近までに冷却される時間は３０秒程度であるが、この場合、少なくとも基板は大小３つに割れる（図１、実施例３）。
しかし、ＬＰＥ炉上部に徐冷炉を設置し、これに、一旦ＢＩＧ育成基板を収容し、それから基板を徐冷炉から取り出すと、大半の基板は割れずに取り出すことが可能である。割れた場合にも、２片となる程度であり、歩留まりの低下も小さいものとできる。
【００２０】
徐冷炉の温度は  １００℃〜２５０  ℃前後が好適である。  ３００℃を超えると、基板の割れは防止されるが、ＢＩＧ表面に付着した融液の固化速度が低下して融液ダメイジと異物が多くなって歩留まりが低下する。
徐冷炉を設置してＢＩＧ育成基板を収容する場合、徐冷炉の設定温度と実際の温度が異なることに注意する必要がある。なぜならば、ＢＩＧ育成基板をＬＰＥ炉から取り出す際にＬＰＥ上部の蓋を開放するので、ＬＰＥ炉内からの熱輻射と上昇気流によって、徐冷炉温度が上昇するからである。例えば、徐冷炉の温度を  ２００℃に設定した場合、ＬＰＥ炉の上蓋を開放した瞬間に徐冷炉内は  ３００℃以上となった。したがって徐冷炉の温度は、ＬＰＥ炉内からの熱輻射と上昇気流を考慮して決定されなければならない（比較例３）。
【００２１】
ＬＰＥ炉から急速に引き上げられたＢＩＧ育成基板は、ＢＩＧ表面に固化した融液が付着しているので、このままの状態ではファラデー回転素子として使用できない。
固化した融液を除去する手段としては、ＢＩＧ育成基板を酸に浸漬し、超音波洗浄器にて洗浄することが有効である。固化した融液の除去に好適な酸は、融液に対する溶解速度は大きいが、ＢＩＧに対しての溶解速度は小さいものが望まれる。この理由は、ＢＩＧを数ミクロン溶解すると表面にエッチピットが多数出現し、表面が荒れるからである。
【００２２】
この点で塩酸、硝酸又は塩酸と硝酸との混合水溶液が好適である。硫酸や燐酸では固化した融液の溶解速度が小さく不適当である。また、温度は５０℃以下が好ましい。５０℃を越えると固化した融液を完全に溶解除去できる前に数ミクロンのＢＩＧの溶解が起こり、エッチピットが多数出現するので不適当である。
なお、固化した融液の厚さが  １００μｍ以上では、これを完全に除去するのに時間を要するために、同様のエッチピットが出現し不適当である。
【００２３】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって、その実施態様と効果を具体的に、かつ詳細に説明するが、以下の例は、具体的に説明するものであって、本発明の実施態様や発明の範囲を限定するものとしては意図されていない。
実施例１
ＬＰＥ法により厚み０．７８μｍ用（ＨｏＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２  単結晶膜を以下のように製造した。
ＬＰＥ炉は炉芯管内径２２ｃｍ、高さ  １００ｃｍの縦型管状炉からなり、炉の上には耐火物からなる厚さ  ６ｃｍの上蓋を置いた。さらにその上蓋から  ２ｃｍ離れたところに内径３０ｃｍ、外形４０ｃｍ、高さ４０ｃｍで縦方向に二つ割（開閉が可能な形状）の徐冷炉を設けた。
【００２４】
まず、ＬＰＥ炉のほぼ中央に備え付けられた容量  １５００  ｍｌ（ミリリットル）の白金製ルツボに、酸化鉛（ＰｂＯ，４Ｎ（フォーナイン））  ２，７００ｇ  、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３，４Ｎ）  ２，４００ｇ  、酸化第２鉄（Ｆｅ２Ｏ３，４Ｎ）  ３４０ｇ  、酸化ほう素（Ｂ２Ｏ３，５Ｎ）  １２０ｇ、酸化テルビウム（Ｔｂ４Ｏ７，３Ｎ）  １７ｇおよび酸化ホルミウム（Ｈｏ２Ｏ３，３Ｎ）  ２３ｇを仕込んだ。これを１０００℃に加熱溶融して十分に撹拌して均一に混合したのち、融液温度  ７６８℃にまで冷却してビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用融液とした。
ここに得られた融液表面に、常法に従って、厚さが  ５００μｍで、格子定数が  １２．４９７  ±０．００２  Åで２インチの  （１１１）ガーネット単結晶（（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２）  基板の片面を接触させ、融液温度を  ７６８℃に維持し、かつ基板を毎分６０回転の速度で回転させながらエピタキシャル成長を７５分間行った。
【００２５】
エピタキシャル成長終了後、基板を融液表面から  １ｃｍだけ引き上げ、毎分  ３００回転の速度で基板を回転させ、ビスマス置換鉄ガーネット単結晶に付着した融液を振り切りを１分間行った。
融液を振り切った後、直ちにＬＰＥ上部の上蓋を開け、基板を上昇させてＬＰＥ炉内から取り出し、徐冷炉中に取り込んだ。徐冷炉は全く加熱しない状態であったが、ＬＰＥ炉の上蓋を開けたときに炉内からの輻射熱と上昇気流により  ２２０℃となった。また、基板の引上げ開始から徐冷炉に収納するまで５秒であった。
【００２６】
徐冷炉に基板を収納した後、ＬＰＥ炉の上蓋をすばやく閉めた。その１０秒後に、二つ割の徐冷炉を開いて開放した。
ＢＩＧ育成基板が室温付近まで冷却されてから、ＢＩＧ育成基板を徐冷炉から取り出し、白金製の基板ホルダーと一緒に１０％塩酸水溶液に浸した。この塩酸水溶液を３０分超音波洗浄器にかけ、付着固化した融液を溶解・除去した。
ＢＩＧ育成基板を基板ホルダーから取り外したところＢＩＧが基板はほぼ中央部で二つに割れていた。
ＢＩＧ育成基板の任意の４点における波長０．７８μｍにおけるファラデー回転角を測定したところ    ４２．１〜４２．５度であった。
【００２７】
そこで、回転角を４５度にするために融液にガーネット成分を補充して、育成時間を８０分（＝７５×４５／４２．３  より）  と設定した他は上記と同様にして再度ＬＰＥを行った。なお、ガーネット成分の補充は、酸化第２鉄（Ｆｅ２Ｏ３，４Ｎ）  ０．２５ｇ、酸化テルビウム（Ｔｂ４Ｏ７，３Ｎ）  ０．０７８ｇ  および酸化ホルミウム（Ｈｏ２Ｏ３，３Ｎ）  ０．１３ｇを融液に補充し、融液を１０００℃に加熱溶融して十分に撹拌して均一に混合した。
【００２８】
２回目のＬＰＥ成長で製造したＢＩＧが育成された基板をすべて  ５ｍｍ×５ｍｍ  に切断した。完全な  ５ｍｍ×５ｍｍ  の形をなしている素子５１個が得られた。この５１個の素子のＢＩＧ表面を顕微鏡観察し、素子の光学有効領域（アパーチャ）４ｍｍ  φ中に融液ダメイジと異物が存在するものは不良品とした。その結果不良品は６個であった。
次いで、良品４５個の波長０．７８μｍにおけるファラデー回転角を測定したところ、４４．６度から４５．２度の範囲であった。
【００２９】
実施例２
ＬＰＥ炉からの基板引き上げを、融液振り切り後から徐冷炉に収納するまで
秒とする他は（速度を毎秒  ５ｃｍ）実施例１とまったく同様の条件で、厚さが４８μｍの（ＨｏＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２  単結晶膜を作製した。引上げ開始から徐冷炉に収納するまで３０秒であった。
次に実施例１とまったく同様の後処理を行い、  ５ｍｍ×５ｍｍ  のファラデー回転子５６個を得た。このうち有効径アパーチャ内に融液ダメイジと異物が存在するため不良となったのは１３個であった。
次いで、良品４３個の波長０．７８μｍにおけるファラデー回転角を測定したところ、４４．７度から４５．７度の範囲であった。
【００３０】
実施例３
徐冷炉を使用せずに基板をＬＰＥ炉から引き上げること以外は実施例１とまったく同様の条件で、厚さが４８μｍの（ＨｏＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２  単結晶膜を作製した。ただし、基板は上蓋から６０ｃｍの高さまで５秒間で引き上げた。
この際基板は３つに割れた。
次に実施例１とまったく同様の後処理を行い、５ｍｍ  ×５ｍｍ  のファラデー回転子３９個を得た。このうち有効径内に融液ダメイジと異物が存在するため不良となったのは３個であった。
次いで、良品３６個の波長０．７８μｍにおけるファラデー回転角を測定したところ、４４．９度から４５．５度の範囲であった。
【００３１】
比較例１
ＬＰＥ成長時間を  １５０分とした以外は実施例１とまったく同様の条件で、９８μｍの厚さの（ＨｏＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２  単結晶膜を作製した。また、ＬＰＥ成長後の基板の引き上げに際しては、徐冷炉をあらかじめ  ５００℃に加熱しておいた。徐冷炉に基板を収容したのち、徐冷炉を毎時  １５０℃の冷却速度で冷却し、おおよそ６０℃に達した時点で基板を徐冷炉から取り出した。
ついで、実施例１と同様の方法でＢＩＧ表面に付着した融液を除去した。そして、０．７８μｍで４５度の回転角をなすようにＢＩＧを研磨した。研磨後にＢＩＧが育成された基板を切断し、  ５ｍｍ×５ｍｍ  の大きさの素子６５個を得た。
この素子のファラデー回転角を測定した結果、１５個が４３度以下、４３度〜４７度が１７個、４７度以上が３２個であった。
【００３２】
比較例２
実施例１とまったく同様の条件で、厚さが４７μｍの（ＨｏＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２  単結晶膜を作製した。ついで、ＬＰＥ炉からの基板引き上げを引上げ開始から徐冷炉収納まで５分で行った。
次に、実施例１とまったく同様の後処理を行い、  ５ｍｍ×５ｍｍ  のファラデー回転子６４個を得た。このうち有効径内に融液ダメイジと異物が存在するため不良となったのは６０個であった。
【００３３】
比較例３
徐冷炉の温度を  ３００℃にあらかじめ加熱しておいたこと以外は、実施例１とまったく同様の条件・操作を行い、厚さが４８μｍの（ＨｏＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２  単結晶膜を作製した。この場合、基板引き上げの際、上蓋を開放した時点で徐冷炉内部は  ４３０℃となった。
次に実施例１とまったく同様の後処理を行い、  ５ｍｍ×５ｍｍ  のファラデー回転子６４個を得た。このうち有効径内に融液ダメイジと異物が存在するため不良となったのは４９個であった。
【００３４】
【発明の効果】
本発明によれば、短波長用のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を歩留まり良く生産できる。また研磨工程の省略が可能であり、製造コストの低減が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＬＰＥ炉から急速に基板を引き上げた際に見られる基板の割れを示す模式図である。
【図２】融液の固化・収縮にともなうビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶表面のダメイジを示す模式図である。
【図３】ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶表面の異物を示す模式図である。
【図１】
0003624918.tif 000002
【図２】
0003624918.tif 000003
【図３】
0003624918.tif 000004