(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料供給室と、原料供給量制御室と、反応室と、排気圧力制御室と、排ガス処理室の各小区割室を有し、
上記原料供給室、原料供給量制御室、反応室、排気圧力制御室、排ガス処理室が、それぞれ排気可能な個別小区割室からなることを特徴とする半導体気相成長装置。
【請求項２】
上記の小区割室が全体として、あるいは、上記の小区割室のうちの一部の小区割室を除いて、大区割室を形成し、
該大区割室が気密室とされたことを特徴とする請求項１に記載の半導体気相成長装置。
【請求項３】
上記大区割室内に、小区割室及びその小区割室間の配管のメンテンナンスを行うメンテナンス作業エリアを有していることを特徴とする請求項２に記載の半導体気相成長装置。
【請求項４】
上記原料供給室が、
原料供給量制御室と、反応室と、排気圧力制御室と、排ガス処理室からなる大区割室とは別室であることを特徴とする請求項２に記載の半導体気相成長装置。
【請求項５】
上記原料供給室が、
原料供給量制御室と、反応室と、排気圧力制御室と、排ガス処理室からなる大区割室とは別室であることを特徴とする請求項３に記載の半導体気相成長装置。
【請求項６】
上記反応室を複数有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体気相成長装置。
【請求項７】
上記反応室を複数有していることを特徴とする請求項２に記載の半導体気相成長装置。
【請求項８】
上記反応室を複数有していることを特徴とする請求項３に記載の半導体気相成長装置。
【請求項９】
上記反応室を複数有していることを特徴とする請求項４に記載の半導体気相成長装置。
【請求項１０】
上記反応室を複数有していることを特徴とする請求項５に記載の半導体気相成長装置。
【請求項１１】
上記小区割室の内のいずれか一部の小区割室が、他の小区割室に積層された構成を有することを特徴とする請求項２の半導体気相成長装置。
【請求項１２】
上記小区割室の内のいずれか一部の小区割室が、他の小区割室に積層された構成を有することを特徴とする請求項３の半導体気相成長装置。
【請求項１３】
上記小区割室の内のいずれか一部の小区割室が、他の小区割室に積層された構成を有することを特徴とする請求項４の半導体気相成長装置。
【請求項１４】
上記小区割室の内のいずれか一部の小区割室が、他の小区割室に積層された構成を有することを特徴とする請求項５の半導体気相成長装置。
【請求項１５】
上記小区割室の内のいずれか一部の小区割室が、他の小区割室に積層された構成を有することを特徴とする請求項６の半導体気相成長装置。
【請求項１６】
上記小区割室の内のいずれか一部の小区割室が、他の小区割室に積層された構成を有することを特徴とする請求項７の半導体気相成長装置。
【請求項１７】
上記小区割室の内のいずれか一部の小区割室が、他の小区割室に積層された構成を有することを特徴とする請求項８の半導体気相成長装置。
【請求項１８】
上記小区割室の内のいずれか一部の小区割室が、他の小区割室に積層された構成を有することを特徴とする請求項９の半導体気相成長装置。
【請求項１９】
上記小区割室の内のいずれか一部の小区割室が、他の小区割室に積層された構成を有することを特徴とする請求項１０の半導体気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体気相成長装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ＬＥＤ(Light Emitting Diode)、ＨＥＭＴ(High Electron Mobility Transistor) を始めとする種々の半導体デバイスの装置における化合物半導体の成膜、例えばエピタキシャル成長においては、正確で、再現性のある原料の供給制御ができる有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等の気相成長法が適している。さらにこれらの方法は、非平衡状態での結晶成長を特徴としており、液相成長法（ＬＥＤ）では困難な多元系化合物半導体混晶を得ることができる。
【０００３】
図３に、従来における一般的な半導体気相成長装置としての、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＰ等の化合物半導体層のエピタキシーを行う有機金属気相成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ装置とする）の概略図を示す。
【０００４】
この半導体気相成長装置は、原料ガス供給室１１、原料供給量制御室１２、気相成長がなされる反応室１３、排気圧力制御室１４、および排ガス処理室１５からなるものである。
【０００５】
また、この半導体気相成長装置の外部には、反応室１３と気相成長がなされる半導体基板等の被気相成長基板の出し入れがなされる開閉口を通じて連通しているクリーンエリア１７と、原料供給室１１，原料供給量制御室１２，反応室１３，排気圧力制御室１４，および排ガス処理室１５の各室と各開閉口を通じて連通しているメンテナンスエリア１６とが設けられている。
これらのクリーンエリア１７およびメンテナンスエリア１６は、隔壁１８ａおよび１８ｂにより分離された構成となっている。
【０００６】
ここで、原料ガス供給室１１とは、原料ガス例えばアルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等のＶ族原料ガスの高圧ガスシリンダー（ガスボンベ）が設置されたシリンダーキャビネットから成っており、これらのガスの供給を行うための原料ガス供給部を指称する。
【０００７】
また、原料供給量制御室１２とは、例えば有機金属原料ガス供給部と、これよりの原料ガス、および上記原料ガス供給室１１からの原料ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の配置部を指称する。
また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）の直近には、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）等のIII 族の有機金属原料が充填された有機金属原料槽が配置されている。すなわち、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）で精密に制御されたキャリアガスをIII 族の有機金属原料槽内に供給し、バブリングを行って有機金属原料ガス輸送がなされる。
また、III 族の有機金属原料の供給量は、微少な量に制御することが必要とされているため、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）からIII 族の有機金属原料槽までの配管の距離は短く設置されている。
また、有機金属原料槽は、一般的に恒温槽等により温度制御されている。
これらの原料ガス供給室１１と原料供給量制御室１２は、配管で繋がっており、これらより供給され、それぞれマスフローコントローラ（ＭＦＣ）により流量制御がなされたＶ族原料ガスおよびIII 族有機金属原料は、反応室１３に送り込まれるようになされている。
【０００８】
反応室１３に送り込まれたIII 族有機金属原料およびＶ族原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段（図示せず）によって、一定温度に保たれたサセプタ（被気相成長基板の支持体）上の被気相成長基板に送り込まれ、そこで熱分解を起こして基板上に目的とする化合物半導体層のエピタキシャル成長を行うようになされている。
なお、反応室１３には、多数枚の被気相成長基板に対する半導体膜の成膜に際し、半導体膜の均一性を向上させるためのサセプタの回転機構や、被気相成長基板、例えば半導体基板をセッティングするための準備室いわゆる窒素ボックスや、ロードロック機構等がある。
【０００９】
排気圧力制御室１４は、反応室１３と配管で繋がっている。この排気圧力制御室１４は、減圧ポンプや、圧力を一定に保つ制御機器、バルブ類、圧力計類、フィルター等により構成されている。
多数枚の被気相成長基板、例えば半導体基板に対して半導体膜を成長させるためには、半導体基板の面内および半導体基板間の圧力を均一にする必要があることから、半導体膜は、通常減圧成長させる。  そこで、この排気圧力制御室１４によって、反応室１３を排気することにより反応室１３内の圧力を減少させている。
【００１０】
排ガス処理室１５においては、反応室１３において半導体膜の成長が行われた後に放出される排ガス内に含まれる成分を所定の基準値以内にするように処理がなされ、無害化された状態で半導体気相成長装置外に送り出すようになされる。
【００１１】
一方、半導体気相成長装置の外部のクリーンエリア１７は、反応室１３において成膜した半導体膜を取り出したり、半導体膜を成膜するための基板を反応室１３内に設置したりするためのスペースである。このため、このクリーンエリア１７は、上述した半導体気相成長に使用する原料等で汚染されることのないように清浄な環境状態に保持されている。
【００１２】
また、メンテナンスエリア１６は、原料供給室１１内から使用済みのＶ族原料ガスのシリンダーを搬出したり、逆に新たなＶ族原料ガスのシリンダーを搬入したり、原料供給量制御室１２に、原料供給室１１を通過してIII 族有機金属原料の搬入および搬出を行ったり、反応室１３内に付着した生成物の除去を行ったり、また、排気圧力制御室１４内のフィルターの取り付け等を行ったり、排ガス処理室１５の装置の交換を行ったりするスペースである。すなわち、このメンテナンスエリア１６においては、原料ガスのシリンダーを半導体気相成長装置の内外部に搬送、および搬入したり、半導体気相成長装置自体のメンテナンスを行ったりするスペースである。
【００１３】
上述したように、ＭＯＣＶＤ装置を例とする半導体気相成長装置は、種々の周辺装置機器を含む総合装置であるといえる。この装置を用いて半導体膜を成膜させる被気相成長基板は充分清浄な環境で取り扱うことが、要求される半導体膜の膜質、膜特性を保つためには必要である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の構成の半導体気相成長装置においては、半導体気相成長装置の外部に、原料ガスのシリンダーを半導体気相成長装置の内外部に搬送、搬入したり、半導体気相成長装置自体のメンテナンスを行ったりするメンテナンスエリア１６を設けた構成となっている。
【００１５】
このメンテナンスエリア１６は、原料ガスのシリンダーを半導体気相成長装置の内外部に搬送、搬入する関係上、オープンスペースとすることが必要であるが、上述したように、原料ガスのシリンダーを半導体気相成長装置の内外部に搬送、搬入するのみならず、反応室１３内に付着した生成物の除去を行ったり、また、排気圧力制御室１４内のフィルターの取り付け、交換等を行ったり、排ガス処理室１５の構成部の交換等を行ったりするような半導体気相成長装置自体のメンテナンスを行うと、このメンテナンスエリア１６は、例えば、半導体原料の砒素、砒素化物あるいは燐化物等により汚染される。
【００１６】
このような半導体原料は有毒であり、特に有機金属は空気中で発火するおそれがある。上述した構成の半導体気相成長装置においては、半導体材料が作業者や搬出する物資を通して外部に飛散するおそれがある。
【００１７】
そこで、原料ガスのシリンダーを半導体気相成長装置の内外部に搬送、搬入するためのオープンスペースの部分と、半導体気相成長装置自体のメンテナンスを行う部分とを分けた構成とし、かつ半導体気相成長装置を構成する各室を個別に排気可能とした構成を有する半導体気相成長装置が必要である。
【００１８】
また、多数枚の半導体膜を一度に成膜する必要があることから、装置の大規模化が進んでおり、同一のスペースに何台もの半導体気相成長装置を設置する必要がある。
上述した従来の構成の半導体気相成長装置を、同一のスペースに何台も設置すると、図４に示すように、クリーンエリア１７とメンテナンスエリア１６とが複雑に、入り組んだ形状を呈することは避けられない。このため、何台もの半導体気相成長装置を、クリーンエリア１７と、メンテナンスエリア１６とが完全に分離して配置するためには、半導体気相成長装置の配置のレイアウト上困難を伴う。
【００１９】
そこで、クリーンエリア１７とメンテナンスエリア１６とを分離しやすく、半導体気相成長装置の配置のレイアウトをし易い構成の半導体気相成長装置が望まれている。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体気相成長装置は、原料供給室と、原料供給量制御室と、反応室と、排気圧力制御室と、排ガス処理室の各小区割室からなり、原料供給室、原料供給量制御室、反応室、排気圧力制御室、排ガス処理室が、それぞれ排気可能な個別小区割室から成るものである。
【００２１】
上述の本発明の半導体気相成長装置によれば、半導体原料が、装置や、建物の外部に拡散することを効果的に回避することができる。
また、何台もの半導体気相成長装置を同一のスペースに設置する場合においても、クリーンエリアと、メンテナンスエリアとを完全に分離して配置することができるので、半導体気相成長装置の配置のレイアウト上の困難性を大幅に軽減することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体気相成長装置の一実施例として、有機金属気相成長装置（ＭＯＣＶＤ装置）を挙げて説明する。
【００２３】
図１に、本発明の一般的な半導体気相成長装置としての、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＰ等の化合物半導体層のエピタキシーを行う有機金属気相成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ装置とする）の概略図を示す。
【００２４】
なお、以下に示すＭＯＣＶＤ装置においては、III −Ｖ族の化合物半導体膜を気相成長させる場合において説明するが、本発明は、この例に限定されるものではなく、II−VI族等、種々の材料の変更が可能である。
【００２５】
図１に示すように、この半導体気相成長装置は、内部に原料ガス供給室１、原料供給量制御室２、気相成長がなされる反応室３、排気圧力制御室４、排ガス処理室５のみならず、メンテナンス作業エリア１０を設けたものである。これらの原料ガス供給室１、原料供給量制御室２、反応室３、排気圧力制御室４、排ガス処理室５は、それぞれ小区割室となっており、これらの小区割室は、それぞれが個別に排気可能な構成となっている。
【００２６】
また、図１に示すように、原料ガス供給室１、原料供給量制御室２、反応室３、排気圧力制御室４、排ガス処理室５、およびメンテナンス作業エリア１０は、全体として大区割室５０を形成し、この大区割室５０は、気密室となっている。
【００２７】
上記メンテナンス作業エリア１０は、原料ガス供給室１、原料供給量制御室２、反応室３、排気圧力制御室４、排ガス処理室５の各室と密閉開閉口を通じて連通している。
【００２８】
この半導体気相成長装置の外部には、反応室３と気相成長がなされる半導体基板等の出し入れがなされる開閉口を通じて連通しているクリーンエリア７と、原料供給室１，排気圧力制御室４，および排ガス処理室５の各室と各開閉口を通じて連通しているメンテナンスエリア６とが設けられている。これらのクリーンエリア７、およびメンテナンスエリア６は、隔壁８ａおよび８ｂにより分離された構成となっている。
【００２９】
ここで、原料ガス供給室１とは、原料ガス例えばアルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等のＶ族原料ガスの高圧ガスシリンダー（ガスボンベ）が設置されたシリンダーキャビネットから成っており、これらのガスの供給を行うための原料供給部を指称する。
【００３０】
また、原料供給量制御室２とは、例えば有機金属原料ガス供給部と、これよりの原料ガスおよび原料ガス供給室１からの原料ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の配置部を指称する。
【００３１】
このマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の直近には、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）等のIII 族の有機金属原料が充填された有機金属原料槽が配置されている。すなわち、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）で精密に制御されたキャリアガスをIII 族の有機金属原料槽内に供給し、バブリングを行って有機金属ガスの輸送がなされる。
【００３２】
また、III 族の有機金属原料の供給量は、微少な量に制御することが必要とされているため、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）からIII 族の有機金属原料槽までの配管の距離は短く設置されている。
また、有機金属原料槽は、一般的に恒温槽等により温度制御されている。
これらの原料ガス供給室１と原料供給量制御室２は、配管３０で繋がっており、これらより供給され、それぞれマスフローコントローラ（ＭＦＣ）により流量制御がなされたＶ族原料ガスおよびIII 族有機金属原料は、配管３１ａおよび３１ｂを通じて反応室３に送り込まれるようになされている。
【００３３】
反応室３に送り込まれたIII 族有機金属原料およびＶ族原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段（図示せず）によって、一定温度に保たれたサセプタ（被気相成長基板の支持体）上の被気相成長基板に送り込まれ、そこで熱分解を起こして基板上に目的とする化合物半導体層のエピタキシャル成長を行うようになされている。
なお、反応室３には、多数枚の被気相成長基板に対する半導体膜の成膜に際し、半導体膜の均一性を向上させるためのサセプタの回転機構や、被気相成長基板例えば半導体基板をセッティングするための準備室、いわゆる窒素ボックスや、ロードロック機構等がある。
【００３４】
排気圧力制御室４は、反応室３と配管３２で繋がっている。この排気圧力制御室４は、減圧ポンプや、圧力を一定に保つ制御機器、バルブ類、圧力計類、フィルター等により構成されている。
多数枚の被気相成長基板例えば半導体基板に対して半導体膜を成長させるためには、半導体基板の面内および半導体基板間の圧力を均一にする必要があることから、半導体膜は、通常減圧成長させる。  そこで、この排気圧力制御室４によって、反応室３を排気することにより反応室３内の圧力を減少させている。
【００３５】
排ガス処理室５は、配管３２により反応室３と繋がっており、この排ガス処理室５においては、反応室３において半導体膜の成長が行われた後に放出される排ガス内に含まれる成分を所定の基準値以内にするように処理がなされ、無害化された状態で半導体気相成長装置外に送り出すようになされる。
【００３６】
メンテナンス作業エリア１０は、原料ガス供給室１、原料供給量制御室２、反応室３、排気圧力制御室４、排ガス処理室５の各室と密閉開閉口を通じて連通している。このメンテナンス作業エリア１０は、原料供給室１内から使用済みのＶ族原料ガスのボンベを搬出したり、原料供給量制御室２に、III 族有機金属原料の搬入および搬出を行ったり、反応室３内に付着した生成物の除去を行ったり、また、排気圧力制御室４内のフィルターの取り付け等を行ったり、排ガス処理室５の装置の交換を行ったりするスペースである。
【００３７】
すなわち、このメンテナンスエリア作業エリア１０は、半導体気相成長装置の各室の整備、原料の供給制御等、専ら作業者の手により作業が行われるスペースである。
【００３８】
一方、半導体気相成長装置の外部のクリーンエリア７は、反応室３において成膜した半導体膜を取り出したり、半導体膜を成膜するための基板を反応室３内に設置したりするためのスペースである。このため、このクリーンエリア７は、上述した半導体気相成長に使用する原料等で汚染されることのないように清浄な環境状態に保持されている。
【００３９】
半導体気相成長装置の外部のメンテナンスエリア６は、原料ガスのシリンダーや、半導体気相成長装置の各部品等を半導体気相成長装置の近傍まで搬入したり、使用済みの原料ガスのシリンダーや、古くなった半導体気相成長装置の各部品等を搬出したりするスペースである。
【００４０】
上述したように、ＭＯＣＶＤ装置を例とする半導体気相成長装置は、種々の周辺装置機器を含む総合装置であるといえる。この装置を用いて半導体膜を成膜させる被気相成長基板は充分清浄な環境で取り扱われる。
【００４１】
次に、本発明の半導体気相成長装置の、他の例について説明する。
図２は、本発明の半導体気相成長装置の他の例の概略図を示す。
この半導体気相成長装置は、原料供給室２１、原料供給量制御室２２、反応室２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５、およびメンテナンス作業エリア２０を有し、これらの原料供給量制御室２２、反応室２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５は、それぞれ小区割室となっており、これらの小区割室はそれぞれが、個別に排気可能な構成となっている。
【００４２】
また、図２に示すように、原料供給量制御室２２、反応室２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５、およびメンテナンス作業エリア２０は、全体として大区割室６０を形成し、この大区割室６０は、気密性を有している。
【００４３】
また、原料供給室２１は、上記大区割室６０の外部に配置されており、原料供給量制御室２２は、他の小区割室、すなわち原料供給量制御室２２、反応室２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５、およびメンテナンス作業エリア２０に、積層された構成となっている。
【００４４】
さらに、この半導体気相成長装置は、反応室２３ａおよび２３ｂを、２室有する構成となっている。
【００４５】
この半導体気相成長装置のメンテナンス作業エリア２０は、原料供給量制御室２２、反応室２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５の各室と密閉開閉口を通じて連通している。
【００４６】
この半導体気相成長装置の外部には、反応室２３ａおよび２３ｂと気相成長がなされる半導体基板等の被気相成長基板の出し入れがなされる開閉口を通じて連通しているクリーンエリア７と、原料供給室２１，大区割室６０内の排気圧力制御室２４，および排ガス処理室５の各室と各開閉口を通じて連通しているメンテナンスエリア２６とが設けられている。これらのクリーンエリア２７、およびメンテナンスエリア２６は、隔壁２８ａおよび２８ｂにより分離された構成となっている。
【００４７】
ここで、原料ガス供給室２１においては、上述した例と同様に、Ｖ族原料ガスの供給が行われる。
【００４８】
また、積層構造とされた原料供給量制御室２２においては、ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）、およびIII 族の有機金属原料が充填された有機金属原料槽が配置されている。すなわち、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）によって、上記原料ガス供給室２１からの原料ガスの流量および有機金属原料ガスの流量の制御がなされ、これらの原料ガスの輸送がなされる。
【００４９】
これらの原料ガス供給室２１と原料供給量制御室２２は、配管４０で繋がっており、これらより供給および流量制御がなされたＶ族原料ガスとIII 族有機金属原料は、配管４１ａおよび４１ｂを通じて、それぞれ反応室２３ａおよび２３ｂに送り込まれるようになされている。
【００５０】
反応室２３ａおよび２３ｂに送り込まれたIII 族有機金属原料およびＶ族原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段（図示せず）によって、一定温度に保たれたサセプタ（被気相成長基板の支持体）上の被気相成長基板に送り込まれ、そこで熱分解を起こして基板上に目的とする化合物半導体層のエピタキシャル成長を行うようになされている。
【００５１】
排気圧力制御室２４は、反応室２３ａおよび２３ｂと配管４２ａおよび４２ｂで繋がっている。この排気圧力制御室２４は、減圧ポンプや、圧力を一定に保つ制御機器、バルブ類、圧力計類、フィルター等により構成されている。この排気圧力制御室２４によって、反応室２３ａおよび２３ｂを排気することにより反応室内の圧力を減少させている。
【００５２】
排ガス処理室２５は、反応室２３ａおよび２３ｂと配管４３および４４で繋がっており、反応室２３ａおよび２３ｂにおいて半導体膜の成長が行われた後に放出される排ガス内に含まれる成分を所定の基準値以内にするように処理がなされ、無害化された状態で半導体気相成長装置外に送り出すようになされている。
【００５３】
メンテナンス作業エリア２０、メンテナンスエリア２６、およびクリーンエリア２７の役割については、上述した例と同様である。
【００５４】
このように、原料供給室２１を大区割室６０の外部に配置し、原料供給量制御室２２を、他の小区割室、すなわち原料供給量制御室２２、反応室２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５に積層した構成としたことにより、半導体気相成長装置の高層化を図ることができ、これにより、一定スペースにおいて、半導体気相成長装置が専有する面積を小さくすることができ、一定面積中に、装置の多数配置が可能となる。
【００５５】
また、この半導体気相成長装置においては、反応室を２室設けた構成としたことにより、多数の半導体膜を同時に成膜することが可能となり、半導体膜の生産性の向上を図ることができた。
【００５６】
上述した図２に示した他の実施例の半導体気相成長装置においては、原料供給量制御室２２を、他の小区割室に積層した構成としたが、本発明は、この例に限定されるものではなく、原料供給量制御室２２以外の小区割室を、この他の小区割室と積層させた構成とすることができる。
【００５７】
さらに、図２に示した他の実施例の半導体気相成長装置においては、反応室を、２室有する構成としたが、本発明は、この例に限定されるものではなく、半導体膜の生産性の向上に応じて、さらに多くの反応室を配置した構成とすることができる。
【００５８】
また、上述した半導体気相成長装置においては、III −Ｖ族の半導体膜を成膜する場合について説明したが、本発明は、この例に限定されるものではなく、II−VI族の半導体膜を成膜する場合等、種々の原料の変更が可能である。
【００５９】
上述したように、本発明の半導体気相成長装置は、原料供給室１，２１と、原料供給量制御室２，２２と、反応室３，２３ａ，２３ｂと、排気圧力制御室４，２４と、排ガス処理室５，２５の各小区割室からなり、これらの各小区割室をそれぞれ個別に排気可能な構成としたものである。
【００６０】
また、本発明の半導体気相成長装置は、上述した小区割室が全体として、あるいは、上記の小区割室のうちの一部の小区割室を除いて、気密室である大区割室５０，６０を形成した構成を有するものである。
【００６１】
また、半導体気相成長装置の内部に、原料ガスのシリンダーや半導体気相成長装置の各部品を半導体気相成長装置の内外部に搬送、搬入したり、半導体気相成長装置自体のメンテナンスを行ったりするメンテナンス作業エリア１０，２０を設け、かつ半導体気相成長装置を構成する各室を個別に排気可能とした構成としたものである。
【００６２】
上述したように、本発明においては、原料供給室１，２１と、原料供給量制御室２，２２と、反応室３，２３ａ，２３ｂと、排気圧力制御室４，２４と、排ガス処理室５，２５をそれぞれ、個別に排気可能な小区割室とし、また、これらの小区割室が全体として、あるいは、上記の小区割室のうちの一部の小区割室を除いて、大区割室を形成した構成をなすものとし、また、半導体気相成長装置の内部にメンテナンス作業エリア１０，２０を設けることにより、作業者がメンテナンス作業エリア１０，２０において衣服や靴に、例えば、砒素、砒素化物あるいは燐化物等の半導体原料が付着したとしても、装置の外部に出る際には、衣服や靴を交換することにより、半導体原料が半導体気相成長装置や建物の外部に拡散することを防止することができる。
【００６３】
また、メンテナンスエリア６，２６は原料ガスのシリンダーを半導体気相成長装置の近傍に搬送、搬入する関係上、オープンスペースとすることが必要であるが、メンテンナンス作業エリア１０，２０において、各小区割室から取り出した原料ガスのシリンダーや、半導体気相成長装置の部品等を、梱包等することにより、付着している半導体原料が、拡散しないような状態で、メンテナンスエリア６，２６に送り出すことにより、半導体原料が装置や、建物の外部に拡散することを防止することができる。
【００６４】
また、上述した構成の本発明の半導体気相成長装置は、半導体気相成長装置の内部にメンテナンス作業エリア１０，２０を設け、メンテナンスエリア６，２６と分けた構成としたため、クリーンエリア７，２７とメンテナンスエリア６，２６とを、隔壁により分離した単純な形状とすることができる。
このため、何台もの半導体気相成長装置を、クリーンエリアと、メンテナンスエリアとを完全に分離して、クリーンエリアと、メンテナンスエリアとが入り組んだ構成となることなく配置することができ、半導体気相成長装置の配置のレイアウト上の困難性を大幅に軽減することができる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明の半導体気相成長装置によれば、半導体原料が、装置や、建物の外部に拡散することを効果的に回避することができた。
【００６６】
本発明の半導体気相成長装置によれば、何台もの半導体気相成長装置を、クリーンエリアと、メンテナンスエリアとを完全に分離して配置することができ、半導体気相成長装置の配置のレイアウト上の困難性を大幅に軽減することができた。
【００６７】
また、本発明の半導体気相成長装置によれば、半導体気相成長装置の高層化を図ることができ、これにより、半導体気相成長装置が専有する面積を小さくすることができ、一定面積中に、半導体気相成長装置の多数配置が可能となった。
【００６８】
このように、本発明によれば、半導体気相成長装置のより一層の操作、制御の簡便性の向上を図り、半導体気相成長装置の配置のレイアウトを簡略化し、メンテナンスの安全性、作業性の向上を図ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の構成の半導体気相成長装置に概略図を示す。
【図２】本発明の他の実施例の半導体気相成長装置に概略図を示す。
【図３】従来の構成の半導体気相成長装置に概略図を示す。
【図４】従来の構成の半導体気相成長装置を複数個並べた状態図を示す。
【符号の説明】
１，１１，２１  原料供給室、２，１２，２２  原料供給量制御室、３，１３２３ａ，２３ｂ  反応室、４，１４，２４  排気圧力制御室、５，１５，２５  排ガス処理室、６，１６，２６  メンテナンスエリア、７，１７，２７  クリーンエリア、８ａ，８ｂ，１８ａ，１８ｂ，２８ａ，２８ｂ  隔壁、１０，２０  メンテナンス作業エリア、３０，３１ａ，３１ｂ，３２，４０，４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３，４４  配管、５０，６０  大区割室
【図１】
0003640118.tif 000002
【図２】
0003640118.tif 000003
【図３】
0003640118.tif 000004
【図４】
0003640118.tif 000005