【手続補正書】
【提出日】令和3年6月14日(2021.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮想半導体製作環境におけるキーパラメータ識別のためのコンピュータ実行可能命令を保持している非一時的なコンピュータ読み取り可能の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、少なくとも１つの計算機器に、
計算機器によって生み出される仮想製作環境において仮想的に製作される半導体デバイス構造について、２Ｄ設計データの選択と、複数のプロセスを含むプロセスシーケンスとを受信させ、
前記計算機器によって、前記２Ｄ設計データと前記プロセスシーケンスとを使用し実験の計画（ＤＯＥ）に基づいて、前記半導体デバイス構造のために複数の仮想製作進行を実施させ、前記複数の仮想製作進行は、複数の３Ｄモデルを構築し、
前記半導体デバイス構造のための１つ以上のターゲットのユーザ識別を受信させ、
前記仮想製作進行から作成された前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための測定データのうちの１つ以上の外れ値を識別するために、前記仮想製作環境において解析モジュールを実行させ、
前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための前記測定データから前記１つ以上の識別された外れ値のうちの１つ以上を追加又は排除するためのユーザ選択を受信させ、前記選択は、前記仮想製作環境に提供されたユーザインターフェースを通じて受信され、
前記測定データからの前記選択された外れ値の前記追加又は排除の後に、前記解析モジュールによって前記１つ以上のターゲットのための前記測定データに対して回帰解析を実施させ、
前記回帰解析の結果に基づいて、前記解析モジュールによって１つ以上のキーパラメータを識別させ、
前記識別された１つ以上のキーパラメータの識別情報を表示又はエクスポートさせる、媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記識別された１つ以上のキーパラメータをプログラムによってランク付けさせる、媒体。
【請求項３】
請求項１に記載の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
ＤＯＥのタイプ、前記ＤＯＥにおいて変動させるパラメータ、水準の数、及び前記ＤＯＥ用の水準のための値のうちの少なくとも１つのユーザ選択を受信するためのユーザインターフェースを前記仮想製作環境に提供させる、媒体。
【請求項４】
請求項１に記載の媒体であって、
前記選択されたターゲットは、計測測定、構造検索、ＤＴＣチェック、及び電気的解析のうちの少なくとも１つである、媒体。
【請求項５】
請求項１に記載の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記複数の３Ｄモデルについてのターゲットデータに対して多重共線性チェックを実施させる、媒体。
【請求項６】
請求項１に記載の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記仮想製作環境における前記ユーザインターフェースを通じて、選択されたターゲットについての所望の値のユーザ選択を受信させ、前記選択されたターゲットは、キーパラメータに関係付けられたターゲット群から作成され、
前記仮想製作環境における前記ユーザインターフェースを通じて、各識別されたキーパラメータについての上限及び下限のユーザ選択を受信させ、
前記識別されたキーパラメータ、所望の値、並びに上限及び下限を使用して、前記複数の３Ｄモデルのために最適化アルゴリズムを実行させ、
前記最適化アルゴリズムからの結果を表示又はエクスポートさせる、媒体。
【請求項７】
請求項６に記載の媒体であって、
前記ターゲット群からの前記選択されたターゲットは、前記解析モジュールによって先立って識別されたキーパラメータに関係付けられそのための回帰データが存在するターゲットであり、前記最適化アルゴリズムは、前記回帰データを使用して間接的な最適化を実施する、媒体。
【請求項８】
請求項６に記載の媒体であって、
前記キーパラメータは、ユーザによって手動で識別され、前記最適化アルゴリズムは、直接的な最適化を実施する、媒体。
【請求項９】
請求項１に記載の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記ユーザインターフェースを通じてユーザから最適化アルゴリズムのための較正オプションを受信させ、前記較正オプションは、反復の回数、収束許容差、試行の回数、及びスコア付け関数のタイプのうちの１つ以上を含む、媒体。
【請求項１０】
請求項１に記載の媒体であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信させ、
前記複数の仮想製作進行を実施させ、
結果を提供させてシグマの精度の査定を可能にする、媒体。
【請求項１１】
請求項１に記載の媒体であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信させ、
前記複数の仮想製作進行を実施させ、
結果を提供させてターゲットデータの正規性の査定を可能にする、媒体。
【請求項１２】
請求項１に記載の媒体であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記仮想製作進行の回数は、おおよそ２００である、媒体。
【請求項１３】
請求項１に記載の媒体であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記仮想製作進行の回数は、所望のシグマ精度（ＣＩ）を実現するためにユーザによって調整できる、媒体。
【請求項１４】
請求項１に記載の媒体であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信させ、
前記複数の仮想製作進行を実施させ、
複数の選択されたターゲットについての結果を同時に表示させる、媒体。
【請求項１５】
仮想半導体製作環境におけるキーパラメータ識別のための方法であって、
計算機器によって生み出される仮想製作環境において仮想的に製作される半導体デバイス構造について、２Ｄ設計データの選択と、複数のプロセスを含むプロセスシーケンスとを受信し、
前記計算機器によって、前記２Ｄ設計データと前記プロセスシーケンスとを使用し実験の計画（ＤＯＥ）に基づいて、前記半導体デバイス構造のために複数の仮想製作進行を実施し、前記複数の仮想製作進行は、複数の３Ｄモデルを構築し、
前記半導体デバイス構造のための１つ以上のターゲットのユーザ識別を受信し、
前記仮想製作進行から作成された前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための測定データのうちの１つ以上の外れ値を識別するために、前記仮想製作環境において解析モジュールを実行し、
前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための前記測定データから前記１つ以上の識別された外れ値のうちの１つ以上を追加又は排除するためのユーザ選択を受信し、前記選択は、前記仮想製作環境に提供されたユーザインターフェースを通じて受信され、
前記測定データからの前記選択された外れ値の前記追加又は排除の後に、前記解析モジュールによって前記１つ以上のターゲットのための前記測定データに対して回帰解析を実施し、
前記回帰解析の結果に基づいて、前記解析モジュールによって１つ以上のキーパラメータを識別し、
前記識別された１つ以上のキーパラメータの識別情報を表示又はエクスポートする、
ことを備える方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、更に、
前記識別された１つ以上のキーパラメータをプログラムによってランク付けすることを備える方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、更に、
ＤＯＥのタイプ、前記ＤＯＥにおいて変動させるパラメータ、水準の数、及び前記ＤＯＥ用の水準のための値のうちの少なくとも１つのユーザ選択を受信するためのユーザインターフェースを前記仮想製作環境に提供することを備える方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、更に、
前記複数の３Ｄモデルについてのターゲットデータに対して多重共線性チェックを実施することを備える方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載の方法であって、更に、
前記仮想製作環境における前記ユーザインターフェースを通じて、選択されたターゲットについての所望の値のユーザ選択を受信し、前記選択されたターゲットは、キーパラメータに関係付けられたターゲット群から作成され、
前記仮想製作環境における前記ユーザインターフェースを通じて、各識別されたキーパラメータについての上限及び下限のユーザ選択を受信し、
前記識別されたキーパラメータ、所望の値、並びに上限及び下限を使用して、前記複数の３Ｄモデルのために最適化アルゴリズムを実行し、
前記最適化アルゴリズムからの結果を表示又はエクスポートする、
ことを備える方法。
【請求項２０】
請求項１５に記載の方法であって、更に、
前記ユーザインターフェースを通じてユーザから最適化アルゴリズムのための較正オプションを受信することを備え、前記較正オプションは、反復の回数、収束許容差、試行の回数、及びスコア付け関数のタイプのうちの１つ以上を含む、方法。
【請求項２１】
請求項１５に記載の方法であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記方法は、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信し、
前記複数の仮想製作進行を実施し、
結果を提供してシグマの精度の査定を可能にする、
ことを備える方法。
【請求項２２】
請求項１５に記載の方法であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記方法は、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信し、
前記複数の仮想製作進行を実施し、
結果を提供してターゲットデータの正規性を査定することを可能にする、
ことを備える方法。
【請求項２３】
請求項１５に記載の方法であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記方法は、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信し、
前記複数の仮想製作進行を実施し、
複数の選択されたターゲットについての結果を同時に表示する、
ことを備える方法。
【請求項２４】
仮想製作システムであって、
プロセッサを装備した計算機器であって、解析モジュールを含む仮想製作環境を形成するように構成され、前記仮想製作環境は、
計算機器によって生み出される仮想製作環境において仮想的に製作される半導体デバイス構造について、２Ｄ設計データの選択と、複数のプロセスを含むプロセスシーケンスとを受信し、
前記計算機器によって、前記２Ｄ設計データと前記プロセスシーケンスとを使用し実験の計画（ＤＯＥ）に基づいて、前記半導体デバイス構造のために複数の仮想製作進行を実施し、前記複数の仮想製作進行は、複数の３Ｄモデルを構築し、
前記半導体デバイス構造のための１つ以上のターゲットのユーザ識別を受信し、
前記仮想製作進行から作成された前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための測定データのうちの１つ以上の外れ値を識別するために、前記仮想製作環境において解析モジュールを実行し、
前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための前記測定データから前記１つ以上の識別された外れ値のうちの１つ以上を追加又は排除するためのユーザ選択を受信し、前記選択は、前記仮想製作環境に提供されたユーザインターフェースを通じて受信され、
前記測定データからの前記選択された外れ値の前記追加又は排除の後に、前記解析モジュールによって前記１つ以上のターゲットのための前記測定データに対して回帰解析を実施し、
前記回帰解析の結果に基づいて、前記解析モジュールによって１つ以上のキーパラメータを識別し、
前記識別された１つ以上のキーパラメータの識別情報を表示又はエクスポートする、計算機器と、
前記計算機器と通信するディスプレイ面であって、前記複数の３Ｄモデルを３Ｄビューで表示するように構成された、ディスプレイ面と、
を備える仮想製作システム。
【請求項２５】
請求項２４に記載の仮想製作システムであって、
前記仮想製作環境は、前記識別された１つ以上のキーパラメータをプログラムによってランク付けする、仮想製作システム。
【請求項２６】
請求項２４に記載の仮想製作システムであって、
前記仮想製作環境は、
前記ユーザインターフェースを通じて、選択されたターゲットについての所望の値のユーザ選択を受信し、前記選択されたターゲットは、キーパラメータに関係付けられたターゲット群から作成され、
前記ユーザインターフェースを通じて、各識別されたキーパラメータについての上限及び下限のユーザ選択を受信し、
前記識別されたキーパラメータ、所望の値、並びに上限及び下限を使用して、前記複数の３Ｄモデルのために最適化アルゴリズムを実行し、
前記最適化アルゴリズムからの結果を表示又はエクスポートする、
仮想製作システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図８は、仮想製作環境においてプロセスシーケンスを較正するための代表的な段階シーケンスを示している。シーケンスは、仮想製作環境及び対応する物理的ファブ環境の両方において成される段階を含む。仮想製作環境では、ユーザは、（仮想的に製作される構造のための、）較正されるプロセスシーケンスを選択し、関連のプロセスパラメータを識別する（段階８０２ａ）。物理ファブでは、ユーザは、製作進行の最中に測定するためのキャラクタライズ構造群又は製品構造群を識別する（段階８０２ｂ）。戻って仮想製作環境では、ユーザは、プロセスシーケンスをプロセスエディタにエントリし（段階８０４ａ）、キャラクタライズ構造を定める２Ｄ設計データ（レイアウト）が、利用可能な２Ｄ設計データのなかから選択される、又はその目的のためにレイアウトエディタ１２１で作成される（段階８０４ｂ）。同じ設計データが、仮想製作及び実際のキャラクタライズに使用される。上述のように、ユーザは、１つ以上の仮想計測段階をプロセスシーケンスに挿入し（段階８０６ａ）、測定ロケータ形状を２Ｄ設計データに追加する（段階８０６ｂ）。ユーザは、仮想製作コンソールにおいて仮想ファブ進行をセットアップし（段階８０８）、３Ｄモデル化エンジンは、３Ｄモデルを構築し、仮想計測データを生成及びエクスポートする（段階８１２ａ）。仮想製作進行に並行して又は仮想製作進行からずらして、物理製作環境は、キャラクタライズ構造又は製品構造を作成し（段階８１０）、これらの構造について、ファブ内画像撮影及びファブ内測定が成される（段階８１２ｂ）。ユーザは、次いで、３Ｄビューア１２５における生成された仮想モデルの３Ｄビューを、物理的デバイス構造のファブ内撮影画像と比較してよい（段階８１４ａ）。更に、キャラクタライズ構造の測定値群は、プロセスシーケンスに仮想計測段階が挿入されている結果としてとられた仮想計測測定値と比較されてよい（段階８１４ｂ）。ほとんどの場合、この比較は、ユーザによって成されてよく、しかしながら、代わりに、事前に定義された又は対話応答式に決まった基準に基づいて自動データ解析ツールによって成されてよい。もし、ビューと画像との間及び仮想測定値果と実際の測定値との間に満足のいく一致が見られるならば（段階８１５）、プロセスシーケンスは、較正されたと見なされる（段階８１６）。しかしながら、もし、満足のいく一致が見られないならば（段階８１５）、ユーザは、プロセスエディタにおいてプロセスパラメータの値を修正し（段階８１８）、仮想製作コンソールにおいて新しい仮想製作進行がセットアップされる（段階８０８）。シーケンスは、次いで、満足のいく一致に達して較正が達成されるまで繰り返される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
重要であり、３Ｄモデルターゲット値を実験データに一致させるために調整されるべきパラメータ（キーパラメータ）が、次いで、決定される（段階１６０４）。一実施形態では、この決定は、上記のように、解析モジュールによって実施されるキーパラメータ識別プロセスを通じて成される。或いは、別の一実施形態では、キーパラメータは、ＵＩを通じてユーザによって手動で選択されてよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
本発明の実施形態の例を述べた以上の説明は、例示及び説明を提供しているが、排他的であること又は開示された厳密な形態に発明を制限することを意図していない。変更及び変形が、上記の教示内容に照らして可能である、又は発明の実施から得られるだろう。例えば、一連の行為が説明されてきたが、これらの行為の順番は、発明の原理と一致するその他の実装形態では変更されてよい。更には、非従属行為が並行して実施されてよい。本発明は以下の適用例としても実現できる。
［適用例１］
仮想半導体製作環境におけるキーパラメータ識別のためのコンピュータ実行可能命令を保持している非一時的なコンピュータ読み取り可能の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、少なくとも１つの計算機器に、
計算機器によって生み出される仮想製作環境において仮想的に製作される半導体デバイス構造について、２Ｄ設計データの選択と、複数のプロセスを含むプロセスシーケンスとを受信させ、
前記計算機器によって、前記２Ｄ設計データと前記プロセスシーケンスとを使用し実験の計画（ＤＯＥ）に基づいて、前記半導体デバイス構造のために複数の仮想製作進行を実施させ、前記複数の仮想製作進行は、複数の３Ｄモデルを構築し、
前記半導体デバイス構造のための１つ以上のターゲットのユーザ識別を受信させ、
前記仮想製作進行から作成された前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための測定データのうちの１つ以上の外れ値を識別するために、前記仮想製作環境において解析モジュールを実行させ、
前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための前記測定データから前記１つ以上の識別された外れ値のうちの１つ以上を追加又は排除するためのユーザ選択を受信させ、前記選択は、前記仮想製作環境に提供されたユーザインターフェースを通じて受信され、
前記測定データからの前記選択された外れ値の前記追加又は排除の後に、前記解析モジュールによって前記１つ以上のターゲットのための前記測定データに対して回帰解析を実施させ、
前記回帰解析の結果に基づいて、前記解析モジュールによって１つ以上のキーパラメータを識別させ、
前記識別された１つ以上のキーパラメータの識別情報を表示又はエクスポートさせる、媒体。
［適用例２］
適用例１に記載の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記識別された１つ以上のキーパラメータをプログラムによってランク付けさせる、媒体。
［適用例３］
適用例１に記載の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
ＤＯＥのタイプ、前記ＤＯＥにおいて変動させるパラメータ、水準の数、及び前記ＤＯＥ用の水準のための値のうちの少なくとも１つのユーザ選択を受信するためのユーザインターフェースを前記仮想製作環境に提供させる、媒体。
［適用例４］
適用例１に記載の媒体であって、
前記選択されたターゲットは、計測測定、構造検索、ＤＴＣチェック、及び電気的解析のうちの少なくとも１つである、媒体。
［適用例５］
適用例１に記載の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記複数の３Ｄモデルについてのターゲットデータに対して多重共線性チェックを実施させる、媒体。
［適用例６］
適用例１に記載の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記仮想製作環境における前記ユーザインターフェースを通じて、選択されたターゲットについての所望の値のユーザ選択を受信させ、前記選択されたターゲットは、キーパラメータに関係付けられたターゲット群から作成され、
前記仮想製作環境における前記ユーザインターフェースを通じて、各識別されたキーパラメータについての上限及び下限のユーザ選択を受信させ、
前記識別されたキーパラメータ、所望の値、並びに上限及び下限を使用して、前記複数の３Ｄモデルのために最適化アルゴリズムを実行させ、
前記最適化アルゴリズムからの結果を表示又はエクスポートさせる、媒体。
［適用例７］
適用例６に記載の媒体であって、
前記ターゲット群からの前記選択されたターゲットは、前記解析モジュールによって先立って識別されたキーパラメータに関係付けられそのための回帰データが存在するターゲットであり、前記最適化アルゴリズムは、前記回帰データを使用して間接的な最適化を実施する、媒体。
［適用例８］
適用例６に記載の媒体であって、
前記キーパラメータは、ユーザによって手動で識別され、前記最適化アルゴリズムは、直接的な最適化を実施する、媒体。
［適用例９］
適用例１に記載の媒体であって、
前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記ユーザインターフェースを通じてユーザから前記最適化アルゴリズムのための較正オプションを受信させ、前記較正オプションは、反復の回数、収束許容差、試行の回数、及びスコア付け関数のタイプのうちの１つ以上を含む、媒体。
［適用例１０］
適用例１に記載の媒体であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信させ、
前記複数の仮想製作進行を実施させ、
結果を提供させてシグマの精度の査定を可能にする、媒体。
［適用例１１］
適用例１に記載の媒体であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信させ、
前記複数の仮想製作進行を実施させ、
結果を提供させてターゲットデータの正規性の査定を可能にする、媒体。
［適用例１２］
適用例１に記載の媒体であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記仮想製作進行の回数は、おおよそ２００である、媒体。
［適用例１３］
適用例１に記載の媒体であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記仮想製作進行の回数は、所望のシグマ精度（ＣＩ）を実現するために前記ユーザによって調整できる、媒体。
［適用例１４］
適用例１に記載の媒体であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記命令は、実行されるときに、前記少なくとも１つの計算機器に、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信させ、
前記複数の仮想製作進行を実施させ、
複数の選択されたターゲットについての結果を同時に表示させる、媒体。
［適用例１５］
仮想半導体製作環境におけるキーパラメータ識別のための方法であって、
計算機器によって生み出される仮想製作環境において仮想的に製作される半導体デバイス構造について、２Ｄ設計データの選択と、複数のプロセスを含むプロセスシーケンスとを受信し、
前記計算機器によって、前記２Ｄ設計データと前記プロセスシーケンスとを使用し実験の計画（ＤＯＥ）に基づいて、前記半導体デバイス構造のために複数の仮想製作進行を実施し、前記複数の仮想製作進行は、複数の３Ｄモデルを構築し、
前記半導体デバイス構造のための１つ以上のターゲットのユーザ識別を受信し、
前記仮想製作進行から作成された前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための測定データのうちの１つ以上の外れ値を識別するために、前記仮想製作環境において解析モジュールを実行し、
前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための前記測定データから前記１つ以上の識別された外れ値のうちの１つ以上を追加又は排除するためのユーザ選択を受信し、前記選択は、前記仮想製作環境に提供されたユーザインターフェースを通じて受信され、
前記測定データからの前記選択された外れ値の前記追加又は排除の後に、前記解析モジュールによって前記１つ以上のターゲットのための前記測定データに対して回帰解析を実施し、
前記回帰解析の結果に基づいて、前記解析モジュールによって１つ以上のキーパラメータを識別し、
前記識別された１つ以上のキーパラメータの識別情報を表示又はエクスポートする、
ことを備える方法。
［適用例１６］
適用例１５に記載の方法であって、更に、
前記識別された１つ以上のキーパラメータをプログラムによってランク付けすることを備える方法。
［適用例１７］
適用例１５に記載の方法であって、更に、
ＤＯＥのタイプ、前記ＤＯＥにおいて変動させるパラメータ、水準の数、及び前記ＤＯＥ用の水準のための値のうちの少なくとも１つのユーザ選択を受信するためのユーザインターフェースを前記仮想製作環境に提供することを備える方法。
［適用例１８］
適用例１５に記載の方法であって、更に、
前記複数の３Ｄモデルについてのターゲットデータに対して多重共線性チェックを実施することを備える方法。
［適用例１９］
適用例１５に記載の方法であって、更に、
前記仮想製作環境における前記ユーザインターフェースを通じて、選択されたターゲットについての所望の値のユーザ選択を受信し、前記選択されたターゲットは、キーパラメータに関係付けられたターゲット群から作成され、
前記仮想製作環境における前記ユーザインターフェースを通じて、各識別されたキーパラメータについての上限及び下限のユーザ選択を受信し、
前記識別されたキーパラメータ、所望の値、並びに上限及び下限を使用して、前記複数の３Ｄモデルのために最適化アルゴリズムを実行し、
前記最適化アルゴリズムからの結果を表示又はエクスポートする、
ことを備える方法。
［適用例２０］
適用例１５に記載の方法であって、更に、
前記ユーザインターフェースを通じてユーザから前記最適化アルゴリズムのための較正オプションを受信することを備え、前記較正オプションは、反復の回数、収束許容差、試行の回数、及びスコア付け関数のタイプのうちの１つ以上を含む、方法。
［適用例２１］
適用例１５に記載の方法であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記方法は、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信し、
前記複数の仮想製作進行を実施し、
結果を提供してシグマの精度の査定を可能にする、
ことを備える方法。
［適用例２２］
適用例１５に記載の方法であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記方法は、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信し、
前記複数の仮想製作進行を実施し、
結果を提供してターゲットデータの正規性を査定することを可能にする、
ことを備える方法。
［適用例２３］
適用例１５に記載の方法であって、
前記ＤＯＥは、モンテカルロシミュレーションであり、前記方法は、更に、
前記複数の仮想製作進行に対して変動性解析を実施するためのユーザ選択を受信し、
前記複数の仮想製作進行を実施し、
複数の選択されたターゲットについての結果を同時に表示する、
ことを備える方法。
［適用例２４］
仮想製作システムであって、
プロセッサを装備した計算機器であって、解析モジュールを含む仮想製作環境を形成するように構成され、前記仮想製作環境は、
計算機器によって生み出される仮想製作環境において仮想的に製作される半導体デバイス構造について、２Ｄ設計データの選択と、複数のプロセスを含むプロセスシーケンスとを受信し、
前記計算機器によって、前記２Ｄ設計データと前記プロセスシーケンスとを使用し実験の計画（ＤＯＥ）に基づいて、前記半導体デバイス構造のために複数の仮想製作進行を実施し、前記複数の仮想製作進行は、複数の３Ｄモデルを構築し、
前記半導体デバイス構造のための１つ以上のターゲットのユーザ識別を受信し、
前記仮想製作進行から作成された前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための測定データのうちの１つ以上の外れ値を識別するために、前記仮想製作環境において解析モジュールを実行し、
前記複数の３Ｄモデルにおける前記１つ以上のターゲットのための前記測定データから前記１つ以上の識別された外れ値のうちの１つ以上を追加又は排除するためのユーザ選択を受信し、前記選択は、前記仮想製作環境に提供されたユーザインターフェースを通じて受信され、
前記測定データからの前記選択された外れ値の前記追加又は排除の後に、前記解析モジュールによって前記１つ以上のターゲットのための前記測定データに対して回帰解析を実施し、
前記回帰解析の結果に基づいて、前記解析モジュールによって１つ以上のキーパラメータを識別し、
前記識別された１つ以上のキーパラメータの識別情報を表示又はエクスポートする、計算機器と、
前記計算機器と通信するディスプレイ面であって、前記３Ｄ構造モデルを３Ｄビューで表示するように構成された、ディスプレイ面と、
を備える仮想製作システム。
［適用例２５］
適用例２４に記載の仮想製作システムであって、
前記仮想製作環境は、前記識別された１つ以上のキーパラメータをプログラムによってランク付けする、仮想製作システム。
［適用例２６］
適用例２４に記載の仮想製作システムであって、
前記仮想製作環境は、
前記ユーザインターフェースを通じて、選択されたターゲットについての所望の値のユーザ選択を受信し、前記選択されたターゲットは、キーパラメータに関係付けられたターゲット群から作成され、
前記ユーザインターフェースを通じて、各識別されたキーパラメータについての上限及び下限のユーザ選択を受信し、
前記識別されたキーパラメータ、所望の値、並びに上限及び下限を使用して、前記複数の３Ｄモデルのために最適化アルゴリズムを実行し、
前記最適化アルゴリズムからの結果を表示又はエクスポートする、
仮想製作システム。
［適用例２７］
適用例２４に記載の仮想製作システムであって、
前記仮想製作環境は、
前記ユーザインターフェースを通じて、選択されたターゲットについての所望の値のユーザ選択を受信し、前記選択されたターゲットは、キーパラメータに関係付けられたターゲット群から作成され、
前記ユーザインターフェースを通じて、各識別されたキーパラメータについての上限及び下限のユーザ選択を受信し、
前記識別されたキーパラメータ、所望の値、並びに上限及び下限を使用して、前記複数の３Ｄモデルのために最適化アルゴリズムを実行し、
前記最適化アルゴリズムからの結果を表示又はエクスポートする、
仮想製作システム。