【手続補正書】
【提出日】令和3年3月24日(2021.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【図１】本発明に係るセラミックス複合体の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】実施例３及び比較例１に係るセラミックス複合体における測定中心からの距離と相対発光強度の関係を示す発光スペクトルである。
【図３】実施例３に係るセラミックス複合体のＥＤＸ分析によるフッ素の分布を示すＳＥＭ写真である。
【図４】実施例３に係るセラミックス複合体のＥＤＸ分析によるカルシウムの分布を示すＳＥＭ写真である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【数２】
2019218234.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
セラミックス複合体は、光の入射面となる第１の主面と第１の主面とは反対側に位置し、光の出射面となる第２の主面とを有する板状体であり、その板厚が９０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。これにより、セラミックス複合体に含まれるフッ化カルシムにより、入射された光及び希土類アルミン酸塩蛍光体によって波長変換された光を散乱させ、光の取り出し効率を高くしたり、機械的強度を維持したりすることができる。板状体であるセラミックス複合体の板厚は、より好ましくは９５μｍ以上２５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以上２００μｍ以下である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
Ｃｅは、蛍光体の賦活元素であり、変数ａと３の積は、式（Ｉ）で表される組成において、Ｃｅのモル比を表す。「モル比」は、希土類アルミン酸塩蛍光体の化学組成の１モル中の各元素のモル量を指す。変数ａは、より好ましくは０．００００５以上０．０２１以下（０．００５×１０−２≦ａ≦０．０２１）、さらに好ましくは０．０００１以上０．０２０以下（０．０１×１０−２≦ａ≦０．０２０）である。変数ｂと５の積は、Ｇａのモル比を表す。所望の粒径及び色調に波長変換するために、変数ｂは、０．００００１以上０．３５以下（０．００１×１０−２≦ｂ≦０．３５）であってもよく、０．００００５以上０．３０以下（０．００５×１０−２≦ｂ≦０．３０）であってもよい。変数ｃと５の積は、Ａｌのモル比を表す。変数ｃは、好ましくは０．５以上１．１以下（０．５≦ｃ≦１．１）であり、より好ましくは０．６以上１．０以下（０．６≦ｃ≦１．０）である。変数ｂと変数ｃの和は、好ましくは０．９以上１．１以下（０．９≦ｂ＋ｃ≦１．１）であり、より好ましくは０．９５以上１．１０以下（０．９５≦ｂ＋ｃ≦１．１０）である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
加工工程
加工工程は、得られたセラミックス複合体を、所望の大きさ又は厚さに切断加工する工程である。切断する方法は、公知の方法を利用することができ、例えば、ブレードダイシング、レーザーダイシング、ワイヤーソーを用いて切断する方法が挙げられる。これらのうち、切断面が高精度に平らになる点からワイヤーソーが好ましい。加工工程によって、所望の大きさ又は厚さのセラミックス複合体を得ることができる。セラミックス複合体は光の入射面となる第１の主面と、第１の主面とは反対側に位置し、光の出射面となる第２の主面を有する板状体となるように切断加工することが好ましい。板状体のセラミックス複合体の板厚は、好ましくは９０μｍ以上３００μｍ以下であり、より好ましくは９５μｍ以上２５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以上２００μｍ以下である。セラミックス複合体が板状体であり、その板厚を９０μｍ以上３００μｍ以下の範囲に切断加工すると、加工しやすく、波長変換効率がよく、光の取り出し効率を高めたセラミックス複合体を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
光源は、半導体レーザーであることが好ましい。これにより半導体レーザーから出射された励起光をセラミックス複合体に入射させ、セラミックス複合体に含まれる希土類アルミン酸塩蛍光体によって波長が変換された光と光源からの光の混色光を、レンズアレイ、偏向変換素子、色分離光学系などの複数の光学系によって赤色光、緑色光、及び青色光に分離して、画像情報に応じて変調し、カラーの画像光を形成する発光装置とすることができる。発光装置は、プロジェクターに用いることができる。光源として半導体レーザーを用いた発光装置は、半導体レーザーから出射された励起光を、ダイクロミックミラー又はコリメート光学系等の光学系を通じてセラミックス複合体に入射させるようにした発光装置であってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
発光装置の光源が、ＬＥＤチップからなる発光素子であってもよい。セラミックス複合体は、発光素子と組み合わせることによって、発光素子から発せられた光を変換し、発光素子からの光とセラミックス複合体に含まれる希土類アルミン酸塩蛍光体により波長変換された光との混色光を発する発光装置を構成することが可能となる。発光素子は、例えば、３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の波長範囲内に発光ピーク波長を有する光を発する発光素子を用いることができる。発光素子として、例えば、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いた半導体発光素子を用いることができる。励起光源として半導体発光素子を用いることによって、高効率で入力に対する出力のリニアリティが高く、機械的衝撃にも強い安定した発光装置を得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
光径比（出射光の光径／入射光の光径）
各実施例及び比較例のセラミックス複合体のサンプルに対して、レーザーダイオードから波長が４５５ｎｍのレーザー光を入射光の光径が３．５ｍｍとなるように照射し、レーザー光の光径をサンプルの第１の主面に入射される入射光の光径とした。セラミックス複合体の第２の主面から出射された出射光の光径は、各実施例及び比較例のセラミックス複合体のサンプルから出射された光の発光輝度を色彩輝度計で測定し、得られた発光スペクトルにおいて最大輝度を示す位置を中心（測定中心）とし、発光スペクトルにおいて最大輝度の１００分の１となる輝度（１/１００輝度）となる２か所の位置の測定中心からの距離（ｍｍ）を絶対値として測定し、最大輝度から最大輝度の１/１００輝度となる２か所の位置の測定中心からの距離（ｍｍ）の絶対値の和を第２の主面から出射された出射光の光径として測定した。第１の主面に入射される入射光の光径に対する第２の主面から出射された出射光の光径の光径比を求めた。図２は、実施例３及び比較例１に係るセラミックス複合体から発光した光の測定中心からの距離と最大輝度を１００とした相対発光強度（％）の関係を表す発光スペクトルの図である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2019218234.tif 000002