(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
３層以上の絶縁体層を有する回路基板において、内層のうち少なくとも１層の絶縁体層において、
電気的に絶縁するための絶縁体層と、
前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記絶縁体層の上下面を電気的に接続するためのインナービア導電体と、
前記絶縁体層の上下面に配置され、かつ前記インナービア導体と電気的に接続しているランド部分と、を備え、
前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、
前記有機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順に形成されており、
前記コア部分は水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーを含むフッ素樹脂からなる多孔質体の合成樹脂フィルムからなり、
前記絶縁体層の上下面に配置された前記ランド部分は、前記コア部分の上下面で前記コア部分と接するまで前記表面部分に埋設され、
前記ランド部分は、前記有機樹脂の表面部分より突出しており、
前記インナービア導電体の厚みは、前記コア部分の厚みと略同一である回路基板。
【請求項２】
前記ランド部分の埋設深さは、２〜５０μｍの範囲である請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記ランド部分の突出長さが２〜５０μｍの範囲である請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記コア部分が、無機繊維の織布、無機繊維の不織布および合成樹脂フィルムから選ばれる少なくとも一つである請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記無機繊維がガラスである請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記合成樹脂フィルムが、ポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、アラミド、ＰＢＯ（ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）および全芳香族ポリエステルから選ばれる少なくとも１種のフィルムである請求項４に記載の回路基板。
【請求項７】
前記コア部分に、さらに無機フィラーを含む請求項４に記載の回路基板。
【請求項８】
前記無機フィラーが、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーである請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
前記合成樹脂フィルムが多孔質体である請求項４に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記多孔質体に、無機フィラーと有機樹脂の組成物が含浸されている請求項９に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記有機樹脂が、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノールレゾール樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂及びフッ素樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂である請求項１に記載に回路基板。
【請求項１２】
前記有機樹脂に、さらに水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーを含有させた請求項１１に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記インナービア導電体が、導電性フィラーと有機樹脂との組成物からなる請求項１に記載の回路基板。
【請求項１４】
前記導電性フィラーが、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、鉛、錫、インジウムおよびビスマスから選ばれる少なくとも１種の金属、あるいはこれらの合金、又は混合物からなるフィラーである請求項１３に記載の回路基板。
【請求項１５】
前記インナービア導電体が充填されている貫通孔が、断面から見てテーパー状であり、広い方から導電体が充填されている請求項１３に記載の回路基板。
【請求項１６】
３層以上の絶縁体層を有する回路基板において、内層のうち少なくとも１層の絶縁体層を構成する、
電気的に絶縁するための絶縁体層と、
前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記絶縁体層の上下面を電気的に接続するためのインナービア導電体と、
前記絶縁体層の上下面に配置され、かつ前記インナービア導体と電気的に接続しているランド部分と、を備えた回路基板の製造方法であって、
前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、前記有機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順に形成されており、
前記コア部分は水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーを含むフッ素樹脂からなる多孔質体の合成樹脂フィルムからなり、
前記絶縁体層の厚さ方向にインナービアホールを開けて導電性物質を充填し、
前記絶縁体層の両側に金属箔を配置する際、前記インナービアホールの導電性物質充填部に合致するように所定の部分に凸部を設けた金属箔を配置し、
前記金属箔の外側から熱プレスで加熱加圧し、前記金属箔の凸部を前記絶縁体層のコア部分と接するまで押し込み、前記インナービア導電体の厚みを、前記コア部分の厚みと略同一とし、
その後、前記金属箔をエッチングして前記凸部をランド部分として残す、
回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記金属箔の凸部を、エッチングでパターン形成して作成する請求項１６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１８】
前記金属箔が銅箔であり、所定の厚みまでエッチングでパターン形成を行った厚手金属箔のエッチングで除去した凹部に、黒化処理及びクロメート処理から選ばれる防錆処理を行う請求項１６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１９】
所定の厚みまでエッチングでパターン形成を行った厚手金属箔のエッチングで除去した凹部に、粗化処理を行う請求項１６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２０】
前記インナービアホールが、断面から見てテーパー状であり、広い方から導電性ペーストが充填されている請求項１６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２１】
前記導電性物質が導電体ペーストである請求項１６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２２】
電気的に絶縁するための絶縁体層と、
前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記絶縁体層の上下面を電気的に接続するためのインナービア導電体と、
前記絶縁体層の上下面に配置され、かつ前記インナービア導体と電気的に接続しているランド部分と、を備え、
前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、
前記有機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順に形成されており、
前記コア部分は水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーを含むフッ素樹脂からなる多孔質体の合成樹脂フィルムからなり
前記絶縁体層の上下面に配置された前記ランド部分は、前記コア部分の上下面で前記コア部分と接するまで前記表面部分に埋設され、
前記インナービア導電体の厚みは、前記コア部分の厚みと略同一である回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、接続信頼性に優れ、かつ、配線パターンの接着強度に優れた回路基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型・軽量化、高機能・高性能化に伴い、産業用にとどまらず、広く民生用機器の分野においても、ＬＳＩ等の半導体チップを高密度に実装することのできる多層回路基板を安価に供給することが強く要望されている。
【０００３】
このような市場の要望に対しては、従来のセラミック多層基板の代わりに、より安価に供給することが可能な樹脂多層回路基板を、高密度実装に好適な基板にする技術開発が行われている。
【０００４】
このような回路基板としては、例えば、全層インナービアホール構造の回路基板が提案されている（特開平６−２６８３４５号公報）。この回路基板は、絶縁体層にアラミド不織布補強材とエポキシ樹脂との複合材料を用いた樹脂多層基板であるため、比較的安価に供給することが可能である。また、任意の配線層の任意の位置を導電ペーストによって接続することができるインナービア接続法、すなわち全層インナービアホール構造を採用しているため、高密度実装に好適なものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような回路基板では、インナービアの接続信頼性の確保が重要であるが、インナービアの接続信頼性に関しては、以下のような課題があった。
【０００６】
すなわち、インナービアは、絶縁体層とは構成材料が異なるために当然その物性値（熱膨張係数、湿度膨張係数など）が異なり、特に、比較的大きな熱膨張係数を有する絶縁体層の有機樹脂材料と比較的小さな熱膨張係数を有する金属を主構成材料とするインナービア材料とのミスマッチのために、「温度サイクルにより、インナービア材料の内部に厚み方向の引っ張り応力が発生し、過度のストレスが付加された場合には、インナービアの破壊を招き、接続信頼性が劣化してしまう」という課題があった。
【０００７】
このような課題に対しては、絶縁体層とインナービアに使用する構成材料の物性値の差を小さくすることにより、インナービアの破壊を起こさせないようにすることが対策として考えられる。つまり、絶縁体層の樹脂にシリカなどの無機フィラーを充填し、絶縁体層の樹脂分を少なくして、熱膨張係数を小さくするというものである。
【０００８】
しかし、絶縁体層の樹脂は、配線層と絶縁体層を強固に接着する役目を担っており、絶縁体層の表層部分の樹脂分が少なくなって接着力が小さくなれば、配線層が剥離したり、部品実装面で実装された部品がパッドもろとも剥離してしまうなどの弊害が生じてしまい、十分な解決策とはなり得ない。
【０００９】
本発明は、従来技術における前記課題を解決するためになされたものであり、配線層と絶縁体層が十分な接着強度を有し、かつ、優れたインナービア接続信頼性を実現することのできる回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の回路基板は、３層以上の絶縁体層を有する回路基板において、内層のうち少なくとも１層の絶縁体層において、
電気的に絶縁するための絶縁体層と、
前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記絶縁体層の上下面を電気的に接続するためのインナービア導電体と、
前記絶縁体層の上下面に配置され、かつ前記インナービア導体と電気的に接続しているランド部分と、を備え、
前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、
前記有機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順に形成されており、
前記コア部分は水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーを含むフッ素樹脂からなる多孔質体の合成樹脂フィルムからなり、
前記ランド部分は、前記有機樹脂の表面部分より突出しており、
前記絶縁体層の上下面に配置された前記ランド部分は、前記コア部分の上下面で前記コア部分と接するまで前記表面部分に埋設され、
前記インナービア導電体の厚みは、前記コア部分の厚みと略同一である
という構成からなる。
また、本発明の回路基板は３層以上の絶縁体層を有する回路基板において、内層のうち少なくとも１層の絶縁体層において、前記絶縁体層の上下面に配置された前記ランド部分が、前記コア部分の上下面で前記コア部分とほぼ接するまで前記表面部分に埋設されているという構成からなる。
【００１１】
次に本発明の第１番目の回路基板の製造方法は、二層以上の配線層と、
前記配線層間を電気的に絶縁するための絶縁体層と、
前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記配線層同士を電気的に接続するためのインナービア導電体を備えた回路基板の製造方法であって、
前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、前記有機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順に形成されており、
前記コア部分は水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーを含むフッ素樹脂からなる多孔質体の合成樹脂フィルムからなり、
前記絶縁体層の厚さ方向にインナービアホールを開けて導電性ペーストを充填し、
前記絶縁体層の両側に金属箔を配置する際、前記導電性ペースト充填部に合致するように所定の部分に凸部を設けた金属箔を配置し、
前記金属箔の外側から熱プレスで加熱加圧し、前記金属箔の凸部を前記絶縁体層のコア部分と接するまで押し込み、前記インナービア導電体の厚みを、前記コア部分の厚みと略同一とし、
その後、前記金属箔をエッチングして前記凸部をランド部分として残す、
ことを特徴とする。
【００１３】
前記において、インナービア導電体の厚みは、前記コア部分の厚みと略同一とは、インナービア導電体の厚みはコア部分の厚みと同一若しくは１０％を越えて厚くはないこと、又は、コアの厚みより５μｍを越えて厚くはないことを意味する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の回路基板の構成においては、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料が無機繊維の織布であるのが好ましい。この好ましい例によれば、十分な接着強度と優れたインナービア接続信頼性に加えて、回路基板全体の剛性を高め、機械的強度に優れた回路基板を実現することができる。また、この場合には、前記織布がガラス織布であるのが好ましい。
【００１５】
また、前記本発明の回路基板の構成においては、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料が無機繊維の不織布であるのが好ましい。この好ましい例によれば、十分な接着強度と優れたインナービア接続信頼性に加えて、機械的強度に優れた回路基板を安価に実現することができる。また、この場合には、前記不織布がガラス不織布であるのが好ましい。
【００１６】
また、前記本発明の回路基板の構成においては、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料が有機フィルムであるのが好ましい。この好ましい例によれば、十分な接着強度と優れたインナービア接続信頼性に加えて、容易に均一な厚みの絶縁体層を得ることができ、インピーダンスコントロールの容易な回路基板を実現することができる。また、この場合には、前記有機フィルムが、ポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、アラミド、ＰＢＯ（ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）及び全芳香族ポリエステルからなる群から選ばれる少なくとも１種の有機フィルムであるのが好ましい。
【００１７】
また、前記本発明の回路基板の構成においては、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料が無機フィラーであるのが好ましい。この好ましい例によれば、十分な接着強度と優れたインナービア接続信頼性に加えて、無機フィラーの種類と構成比を選ぶことによって熱伝導性などの性質を付与した回路基板を容易に実現することができる。また、この場合には、前記無機フィラーが、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）及び窒化珪素からなる群から選ばれる少なくとも１種の無機フィラーであるのが好ましい。
【００１８】
また、前記本発明の回路基板の構成においては、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料が多孔質体であるのが好ましい。この好ましい例によれば、十分な接着強度と優れたインナービア接続信頼性に加えて、回路基板全体の剛性を高め、機械的強度に優れた回路基板を実現することができる。また、この場合には、有機樹脂からなる前記多孔質体に、無機フィラーと有機樹脂の組成物とを含浸して前記コア部分が構成されているのが好ましい。この場合にはさらに、前記有機樹脂からなる前記多孔質体が、フッ素樹脂からなる多孔質体であり、前記無機フィラーが、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）及び窒化珪素からなる群から選ばれる少なくとも１種の無機フィラーであるのが好ましい。フッ素樹脂は、誘電率が低く高周波回路に好適である。
【００１９】
また、前記本発明の回路基板の構成においては、前記有機樹脂が、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノールレゾール樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂及びフッ素樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の有機樹脂であるのが好ましい。また、この場合には、前記有機樹脂に、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）及び窒化珪素からなる群から選ばれる少なくとも１種の無機フィラーを含有させるのが好ましい。
【００２０】
また、前記本発明の回路基板の構成においては、前記インナービアが、導電性フィラーと有機樹脂との複合材料からなるのが好ましい。また、この場合には、前記導電性フィラーが、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、鉛、錫、インジウム及びビスマスからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属、あるいはこれらの合金、又は混合物からなるフィラーであるのが好ましい。
【００２１】
以下、実施の形態を用いて本発明をさらに具体的に説明する。
【００２２】
図１は本発明の回路基板（両面回路基板）を示す断面模式図である。図１に示すように、本発明の回路基板は、絶縁体層１０１と、絶縁体層１０１中に形成され、金属を主成分とするインナービア１０２と、絶縁体層１０１に埋設されたランド１０３とにより構成されている。ここで、絶縁体層１０１は、有機樹脂からなる表面部分１０５とコア部分１０６とからなり、ランド１０３のインナービア１０２に面した面１０４は、表面部分１０５とコア部分１０６の界面と略同一面にある。また、インナービア１０２の厚みは、コア部分１０６の厚みと略同一となっている。前記コア部分の厚みは５〜２００μｍの範囲が好ましい。また前記コア部分の樹脂含有率は０〜５０重量％の範囲が好ましい。
【００２３】
絶縁体層１０１の表面部分１０５は、有機樹脂層により構成され、ランド１０３を保持・接着する役目を担っている。この有機樹脂層の厚さは、２〜５０μｍの範囲が好ましい。尚、有機樹脂に例えば無機フィラーが分散したり、コア部分１０６の熱膨張係数の小さな材料が混入していても、十分な接着強度を発現することができれば、本発明の回路基板の表面部分とすることができる。
【００２４】
図１において、インナービア１０２（導電体）が充填されている貫通孔は、断面から見て上側が広いテーパー状であり、広い方から導電体ペーストが充填されている。上側の広い開口部から導電体ペーストを充填すれば、充填しやすい。図１のような上側が広い開口部を形成するには、例えばコア部分１０６が樹脂含浸ガラスクロスである場合、波長９．４μｍまたは１０．６μｍの炭酸ガスレーザーを用いて、１から３ショット照射することにより形成できる。
【００２５】
次に、本発明の回路基板で用いることができる有機樹脂、配線層とインナービアの構成材料について説明する。
（ａ）有機樹脂
本発明の有機樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノールレゾール樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フッ素樹脂等の熱可塑性又は熱硬化性の有機樹脂を用いることができる。また、これらの有機樹脂に水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）、窒化珪素などの無機フィラーを含有させた組成物も用いることができる。無機フィラーを含有させた樹脂組成物を用いる場合、無機フィラーの量は７０体積％以下とするのが望ましい。無機フィラーが７０体積％よりも大きくなると、樹脂組成物中の有機樹脂の量が配線層を保持するには不十分となり、配線層と樹脂組成物との接着力が極端に小さくなるからである。
（ｂ）インナービアの構成材料
本発明のインナービアは、導電性フィラーを含有する導電性樹脂組成物によって構成することができる。
【００２６】
導電性フィラーとしては、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、鉛、錫、インジウム、ビスマスから選ばれる少なくとも１種の金属、あるいはこれらの合金、又は混合物からなるフィラーを用いることができる。また、前記した金属・合金あるいはアルミナ、シリカなどの酸化物、あるいは有機合成樹脂などからなるボールに前記した金属・合金をコートしたコートフィラーを用いることもできる。
【００２７】
形状は特に限定されるものではなく、粉体、繊維状フィラー、粉体の造粒体、球状ボールあるいはこれらの混合物などを用いることができる。
【００２８】
樹脂組成物のバインダーに用いる樹脂としては、液状のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノールレゾール樹脂などを用いることができる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ基を２つ以上含有するエポキシ樹脂などを用いることができる。
【００２９】
必要に応じて、ブチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、α−ターピネオール等の溶剤や分散剤などの添加剤を含有させることもできる。
【００３０】
インナービアの構成材料は、導電性組成物のみに限定されるものではない。例えば、めっき等の湿式プロセスや、スパッタ蒸着などの真空プロセスによって形成した金属ビアポストや、金属ボールを充填しても、本発明の回路基板のインナービアとすることができる。
（ｃ）配線層
本発明の回路基板の配線層には、銅箔等の金属箔を用いることができる。絶縁体層１０１の表面部分１０５の厚みよりも少なくとも厚い銅箔を用いれば、厚みに制限はなく、通常の回路基板に用いられている３〜３５μｍのものを用いることができる。もちろんこれ以上厚い金属箔も使用できる。前記金属箔を電気的絶縁層の表層に埋め込む深さは、前記金属箔の厚さの５−５０％程度が好ましい。
【００３１】
金属箔には、支持基板（キャリア）に金属箔を形成した、いわゆるキャリア付き金属箔を用いることができる。キャリア付き金属箔の例としては、アルミキャリアに離型層を介して銅箔が積層されたものなどが市販されている。本発明の実施の形態に用いる場合には、銅箔を塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液などでエッチングにより予めパターニングして、配線パターンを絶縁体層１０１に埋設するように積層した後、アルミキャリアを塩酸などでエッチングして除去することができる。キャリア付き金属箔を用いると、金属箔の厚みを選ぶことによりランド１０３部分が絶縁体層１０１の表面から突出しない構造とすることもできる。すなわち、表層の樹脂層をぼぼ同一の厚みの金属箔を用いれば、絶縁体層表面からランドが突出しない構造にすることができ、表層の樹脂層よりも厚い金属箔を用いれば、ランドを突出させることができる。
【００３２】
このように、支持基板に形成した配線パターンを絶縁基材に転写して回路基板を作成する方法を転写法と呼ぶ。また、キャリアに配線パターンを形成したものを転写形成材と呼ぶ。転写法に用いるキャリア付き金属箔は、前記したアルミキャリアと金属箔の組み合わせに限定されず、例えば、樹脂基板（キャリア）に金属箔を形成しても用いてもよい。キャリアはサンドブラストなどで除去できる。また、キャリアと配線パターン形成用金属箔を接着シートで仮接着してキャリア付き金属箔とすることもできる。例えば、接着シートとして熱により容易に接着力がなくなる”リバアルファ”（商品名：日東電工社製）を用いれば、配線基板形成後に１５０℃程度の加熱により、キャリアが容易に除去できる。
【００３３】
また、配線層の別の形成方法としては、通常の金属箔をハーフエッチングして配線パターンを形成する方法（ハーフエッチング法）がある。以下に、金属箔として銅箔を用いた場合を例に挙げて具体的に説明する。
【００３４】
まず、銅箔の一方の面から約半分の厚みまでを塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液などでエッチングして配線パターンを形成する。次いで、配線パターンを絶縁体層１０１に埋設するように積層した後、残りの銅箔を塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液などでエッチングによりパターン形成する。ハーフエッチング法を用いれば、ランド１０３部分が絶縁体層１０１の表面から突出した構造とすることができる。従って、ハーフエッチング法は、多層配線板を作製するのに好適である。
【００３５】
また、本発明の配線層は、めっきなどの湿式プロセスやスパッタ蒸着などの真空プロセスによって形成してもよい。
【００３６】
（第１の実施の形態）
図２は本発明の第１の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す断面模式図である。図２に示すように、本実施の形態の回路基板は、有機樹脂と無機繊維の織布（有機樹脂よりも熱膨張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層２０１と、絶縁体層２０１中に形成されたインナービア２０２と、絶縁体層２０１に埋設されたランド２０３とにより構成されている。ここで、絶縁体層２０１は、有機樹脂を主成分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分２０５と無機繊維の織布を主成分とする（有機樹脂の構成比が低い）コア部分２０６とからなり、ランド２０３のインナービア２０２に面した面２０４は、表面部分２０５とコア部分２０６の界面と略同一面にある。また、インナービア２０２の厚みは、コア部分２０６の厚みと略同一となっている。
【００３７】
次に、本実施の形態の回路基板を、絶縁体層２０１にガラスエポキシ基材、インナービア２０２の構成材料に銅とエポキシ樹脂の組成物、配線層に銅箔を用いる場合を例に挙げて、さらに具体的に説明する。
【００３８】
まず、図３Ａに示すように、プリプレグ状態（半硬化状態）のガラスエポキシ基材（以下『ガラスエポキシプリプレグ』という。コア層の厚み１００μｍ、両表面の樹脂層の厚みはそれぞれ１０μｍ）２０８の所望の位置に貫通孔を形成し、当該貫通孔に印刷法などによってペースト状の銅−エポキシ樹脂組成物２０９を充填する。
【００３９】
貫通孔は、通常の回路基板の孔あけ法によって形成することができる。孔あけ法としては、例えば、ドリルやパンチャーなどを用いた機械孔加工法、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザーなどを用いたレーザー孔加工法等が挙げられる。この中でも、図３Ａに示すようなテーパー状の孔をあけるには、上側から波長９．４μｍまたは１０．６μｍの炭酸ガスレーザーを用いて、１から３ショット照射する。
【００４０】
次に、配線層を、上記したハーフエッチング法によって形成する。まず、銅箔２１０の一方の面から約半分の厚みまでを塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液などでエッチングして配線パターンを形成する（図３Ｂ）。
【００４１】
次いで、図３Ｂに示すように、ペースト状の銅−エポキシ樹脂組成物２０９が充填されたガラスエポキシプリプレグ２０８の両側に、配線パターンの形成された部分がガラスエポキシプリプレグ２０８の側を向くようにして銅箔２１０を重ね、熱プレスによって加熱・加圧する。その条件は、例えば、加熱温度は１８０℃〜２５０℃、圧力は３０〜２００kgf/cm2、加熱時間は０．５〜２時間である。
【００４２】
この工程において、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂の硬化と、ガラスエポキシプリプレグ２０８と配線パターンとの接着が図れる。エポキシ樹脂が硬化した後のガラスエポキシプリプレグ２０８であるガラスエポキシ基材が絶縁体層である。また、この工程において、銅箔２１０が、配線パターンが形成された側の表面がエポキシ樹脂の構成比が高い絶縁体層の表面部分とガラス織布の構成比が高い（エポキシ樹脂の構成比が低い）絶縁体層のコア部分の界面と略同一になるように絶縁体層に埋め込まれ、インナービア２０９による配線層間の電気導通が図られる（図２）。
【００４３】
次に、図３Ｃに示すように、銅箔２１０の外側表面部分に配線パターンを形成して、ランド２１１を構成する。以上により、両面回路基板２１２（図３Ｄ）が完成する。
【００４４】
多層回路基板は、以下のようにして作製することができる。
【００４５】
すなわち、図３Ｄ−図３Ｅに示すように、上記した両面回路基板２１２の両側に、ペースト状の銅−エポキシ樹脂組成物が充填されたガラスエポキシプリプレグ２１３を重ね、さらにその外側にハーフエッチングによって配線パターンが形成された銅箔２１４を重ね、熱プレス等によって加熱・加圧した後、最表面の銅箔２１４をパターニングして作製する。
【００４６】
尚、本実施の形態の絶縁体層は、ガラスエポキシ基材に限定されるものではなく、有機樹脂と無機繊維の織布とにより構成される複合材料であればよい。前記有機樹脂を主成分とする表面部分と前記織布を主成分とするコア部分は、表面部分／コア部分／表面部分の順に積層された構成となっている複合材料を用いることができる。
【００４７】
織布としては、ガラス繊維等の無機繊維からなる織布を用いることができる。
【００４８】
また、有機樹脂に熱可塑性樹脂を用いる場合には、熱プレス工程で熱可塑性樹脂の軟化を図り、所望の形状・状態にインナービア、絶縁体層、配線パターンを成形することにより、本実施の形態の回路基板が得られる。
【００４９】
（第２の実施の形態）
図４は本発明の第２の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す断面模式図である。図４に示すように、本実施の形態の回路基板は、有機樹脂と無機繊維の不織布（有機樹脂よりも熱膨張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層３０１と、絶縁体層３０１中に形成されたインナービア３０２と、絶縁体層３０１に埋設されたランド３０３とにより構成されている。ここで、絶縁体層３０１は、有機樹脂を主成分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分３０５と無機繊維の不織布を主成分とする（有機樹脂の構成比が低い）コア部分３０６とからなり、ランド３０３のインナービア３０２に面した面３０４は、表面部分３０５とコア部分３０６の界面と略同一面にある。また、インナービア３０２の厚みは、コア部分３０６の厚みと略同一となっている。
【００５０】
本実施の形態の回路基板は、絶縁体層が有機樹脂と無機繊維の不織布とにより構成される複合材料であって、前記有機樹脂を主成分とする表面部分と前記不織布を主成分とするコア部分が表面部分／コア部分／表面部分の順に積層された構成となっている複合材料を用いる以外は、上記第１の実施の形態と同様にして作製することができる。
【００５１】
不織布としては、ガラス繊維等の無機繊維からなる不織布を用いることができる。
【００５２】
（第３の実施の形態）
図５は本発明の第３の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す断面模式図である。図５に示すように、本実施の形態の回路基板は、有機樹脂と有機フィルム（有機樹脂よりも熱膨張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層４０１と、絶縁体層４０１中に形成されたインナービア４０２と、絶縁体層４０１に埋設されたランド４０３とにより構成されている。ここで、絶縁体層４０１は、有機樹脂を主成分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分４０５と有機フィルムを主成分とする（有機樹脂の構成比が低い）コア部分４０６とからなり、ランド４０３のインナービア４０２に面した面４０４は、表面部分４０５とコア部分４０６の界面と略同一面にある。また、インナービア４０２の厚みは、コア部分４０６の厚みと略同一となっている。
【００５３】
本実施の形態の回路基板は、絶縁体層が有機樹脂と有機フィルムとにより構成される複合材料であって、前記有機樹脂を主成分とする表面部分と前記有機フィルムを主成分とするコア部分が表面部分／コア部分／表面部分の順に積層された構成となっている複合材料を用いる以外は、上記第１の実施の形態と同様にして作製することができる。
【００５４】
コア層に用いる有機フィルムとしては、ポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、アラミド、ＰＢＯ（ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）又は全芳香族ポリエステルなどのような合成樹脂から作製された有機物シート又はフィルム、あるいは、セラミックなどの無機絶縁材料のフィルム又はシートなどを用いることができる。両層に形成する樹脂層はエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などを使用することができる。
【００５５】
（第４の実施の形態）
図６は本発明の第４の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す断面模式図である。図６に示すように、本実施の形態の回路基板は、有機樹脂と無機フィラー（有機樹脂よりも熱膨張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層５０１と、絶縁体層５０１中に形成されたインナービア５０２と、絶縁体層５０１に埋設されたランド５０３とにより構成されている。ここで、絶縁体層５０１は、有機樹脂を主成分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分５０５と無機フィラーを主成分とする（有機樹脂の構成比が低い）コア部分５０６とからなり、ランド５０３のインナービア５０２に面した面５０４は、表面部分５０５とコア部分５０６の界面と略同一面にある。また、インナービア５０２の厚みは、コア部分５０６の厚みと略同一となっている。
【００５６】
本実施の形態の回路基板は、絶縁体層が有機樹脂と無機フィラーとにより構成される複合材料であって、前記有機樹脂を主成分とする表面部分と前記無機フィラーを主成分とするコア部分が表面部分／コア部分／表面部分の順に積層された構成となっている複合材料を用いる以外は、上記第１の実施の形態と同様にして作製することができる。
【００５７】
無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）、窒化珪素などを用いることができる。
【００５８】
（第５の実施の形態）
図７は本発明の第５の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す断面模式図である。図７に示すように、本実施の形態の回路基板は、有機樹脂と多孔質体（有機樹脂よりも熱膨張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層６０１と、絶縁体層６０１中に形成されたインナービア６０２と、絶縁体層６０１に埋設されたランド６０３とにより構成されている。ここで、絶縁体層６０１は、有機樹脂を主成分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分６０５と多孔質体を主成分とする（有機樹脂の構成比が低い）コア部分６０６とからなり、ランド６０３のインナービア６０２に面した面６０４は、表面部分６０５とコア部分６０６の界面と略同一面にある。また、インナービア６０２の厚みは、コア部分６０６の厚みと略同一となっている。
【００５９】
本実施の形態の回路基板は、絶縁体層が有機樹脂と多孔質体とにより構成される複合材料であって、前記有機樹脂を主成分とする表面部分と前記多孔質体を主成分とするコア部分が表面部分／コア部分／表面部分の順に積層された構成となっている複合材料を用いる以外は、上記第１の実施の形態と同様にして作製することができる。
【００６０】
多孔質体を主成分とするコア部分としては、フッ素樹脂などの多孔質体に前記した有機樹脂を含浸させ、場合によっては無機フィラーも加えたシートなどを用いることができる。
【００６１】
（評価試験）
上記第１〜第５の実施の形態によって作製した回路基板の接続信頼性と配線パターンの接着強度の評価を行った。接続信頼性の評価は、１２１℃、０．２ＭＰａの飽和水蒸気中にサンプルを放置する加速試験・プレッシャクッカー試験によって行った。接着強度の評価は、１ｃｍの配線パターンの９０度剥離試験によって行った。インナービアの構成材料としては、銅粉とエポキシ樹脂の組成物を用いた。銅粉は平均粒径５μｍの球状銅粉（８５質量％）、エポキシ樹脂組成物（１５質量％）はダイマー酸ジグリシジルエステル型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合物に硬化剤としてアミンアダクト型粉末硬化剤（味の素製アミキュアＭＹ−２４）を１５部配合したものである。この組成物の熱膨張係数は２０ｐｐｍである。
【００６２】
第１の実施の形態では、絶縁体層２０１として、ガラス織布（厚み９０μｍ、熱膨張係数：５ｐｐｍ）にエポキシ樹脂（熱膨張係数：６０ｐｐｍ）を含浸し、表面部分２０５のエポキシ樹脂層を各々１０μｍとしたガラスエポキシ基材を用いた。また、配線層としては、厚み１８μｍの電解銅箔を用いた。インナービア２０２の上孔径は２００μｍ、下孔径は１８０μｍである（実施例１）。
【００６３】
実施例２〜４では、ガラス織布の厚みをそれぞれ５０μｍ（実施例２）、１５０μｍ（実施例３）、２００μｍ（実施例４）とした以外は実施例１と同様である。
【００６４】
第３の実施の形態では、絶縁体層４０１として、コア部分４０６にポリイミドフィルム（厚み１２．５μｍ、熱膨張係数：８０ｐｐｍ）、表面部分４０５にポリイミド系接着剤（厚み５μｍ、熱膨張係数：１９０ｐｐｍ）を用いた。また、配線層としては、厚み９μｍの電解銅箔を用いた。インナービア４０２の上孔径は５０μｍ、下孔径は４５μｍである（実施例５）。
【００６５】
実施例６〜８では、ポリイミドフィルムの厚みをそれぞれ３μｍ（実施例６）、９μｍ（実施例７）、２５μｍ（実施例８）とした以外は実施例５と同様である。
【００６６】
第４の実施の形態では、絶縁体層５０１として、コア部分５０６に粒径１０μｍのアルミナフィラー（７０体積％）をエポキシ樹脂に分散したアルミナエポキシコンポジット材（厚み５０μｍ、熱膨張係数：１８ｐｐｍ）を、表面部分５０５にエポキシ樹脂（厚み５μｍ、熱膨張係数：６０ｐｐｍ）を用いた。また、配線層としては、厚み９μｍの電解銅箔を用いた。インナービア５０２の上孔径は１５０μｍ、下孔径は１４０μｍである（実施例９）。
【００６７】
実施例１０〜１２では、アルミナエポキシコンポジット材の厚みを２０μｍ（実施例１０）、７０μｍ（実施例１１）、１００μｍ（実施例１２）とした以外は実施例９と同様である。
【００６８】
第５の実施の形態では、絶縁体層６０１として、コア部分６０６に、フッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン）の多孔質シートにエポキシ樹脂にシリカを分散した組成物を含浸した複合材料（厚み３５μｍ、熱膨張係数：２６ｐｐｍ）を、表面部分６０５に、エポキシ樹脂（厚み５μｍ、熱膨張係数：６０ｐｐｍ）を用いた。また、配線層としては、厚み９μｍの電解銅箔を用いた。インナービア６０２の上孔径は５０μｍ、下孔径は４５μｍである（実施例１３）。
【００６９】
実施例１４〜１６では、多孔質シートにエポキシ樹脂にシリカを分散した組成物を含浸した複合材料の厚みを１０μｍ（実施例１４）、２０μｍ（実施例１５）、５０μｍ（実施例１６）とした以外は実施例１３と同様である。
【００７０】
また、第１の実施の形態では、絶縁体層２０１として、ガラス織布（厚み９０μｍ、熱膨張係数：５ｐｐｍ）に、エポキシ樹脂にシリカフィラー（粒径３μｍ）を分散させた樹脂組成物を含浸し、表面部分２０５のエポキシ樹脂層を各々５μｍとしたフィラー入りガラスエポキシ基板を用いた。表面部分２０５のシリカフィラーの含有率は５体積％（実施例１７）、２０体積％（実施例１８）、５０体積％（実施例１９）、７０体積％（実施例２０）とした。
【００７１】
また、実施例１〜２０に対する比較として、各実施の形態の回路基板と同じ材料を用いて、図８に示すような構造の回路基板を作製し、試験に供した。（比較例１〜２０）
図８に示す回路基板においては、絶縁体層７０１に埋設されたランド７０３のインナービア７０２に面した面７０４が表面層７０５の内部にあり、インナービア７０２の厚みは、コア部分７０６の厚みよりも大きくなっている。
【００７２】
さらに、実施例１７〜２０に対する比較例として、実施例１７〜２０と同じ構成でシリカフィラーの含有率たけが８５体積％と異なる回路基板を作製した（比較例２１）。
【００７３】
下記表１に、評価結果を示す。
【００７４】
【表１】
0003640911.tif 000002
【００７５】
評価基準は、プレッシャクッカー試験では、１６８時間後にインナービアを含む配線回路が断線した場合を×、抵抗値変化が１０％以内の場合を○とした。剥離強度は、１５Ｎ以上の場合を○、１５Ｎ未満の場合を×とした。
【００７６】
上記（表１）から分かるように、本発明の第１〜第５の実施の形態によれば、接続信頼性に優れ、かつ、配線パターンの接着強度に優れた回路基板を実現することができる。
【００７７】
尚、本実施の形態で説明した他の絶縁体層材料を用いた場合においても、実施例１〜２０の場合と同様に、接続信頼性に優れ、かつ、配線パターンの接着強度に優れた回路基板を実現することができる。
【００７８】
（第６の実施の形態）
図９Ａ−Ｅは、本実施の形態における回路基板の製造方法を工程順に示した断面図である。
【００７９】
まず、図９Ａに示すように、厚手銅箔１３（３５μｍ）上に金属膜１６（Ｎｉ）をメッキ法や蒸着法、スパッター法などで形成し、その上にレジスト１４を形成した。次に、前記金属箔と厚手銅箔を所定の厚みまでエッチングを行った後、レジスト１４を除去し、図９Ｂに示す金属膜付き厚手銅箔１７を得た。前記金属膜として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎの少なくとも一つからなる材料を用いても良い。
【００８０】
次に、図９Ｃに示すように、充填済みプリプレグ基材１０の両面に金属膜付き厚手銅箔１７を配置した。その後、図９Ｄに示すように、プレス機でプリプレグ基材の所定の硬化温度で所定の圧力を加え完全に接着し、銅箔をパターン形成して図９Ｅに示す両面基板１８を得た。
【００８１】
この後、実施形態３と同様に順次多層化が可能であるが省略する。
【００８２】
また、図９Ｂの作成時にエッチングで除去した部分に、黒化処理やクロメ−ト処理または、粗化処理などを行った厚手銅箔を用いることも有効である。
【００８３】
以上のように、本発明の実施の形態によれば、層間の電気接続を導電性ペーストで行う回路基板において、プリプレグ基材に貫通穴を開け導電性ペ−ストを充填した後、両側に銅箔を配置して熱プレスにより、前記導電性ペ−ストによりプリプレグ基材両側配置した銅箔間を電気的に接続する回路基板において、ガラスエポキシ基材などでは、被圧縮性が少なく安定した層間接続を確保することができない課題があったが、厚手銅箔にハ−フエッチングを行い凸部を設け、前記突起部で導電性ペ−スト部を圧縮することにより安定した層間接続を行うことができる。
【００８４】
内層コアから順次多層化する逐次方式では、前記内層コアの両面に凸部を設ける事により、次の層では前記凸部で導電性ペ−ストを圧縮する事が可能となり、以降は、通常の電解銅箔（例えば古河サ−キットホイ−ル製のＧＴ−ＧＬＤ１８μｍ）を用いる事ができる。
【００８５】
従って、全層被圧縮性の低い、例えばガラスエポキシ基材ＦＲ−４（日立化成社製）基材でも構成する事ができる。すなわち、高帯域性や高信頼性など各性能に合わせた基材構成が可能になる。
【００８６】
また、ハ−フエッチングする際、凸部以外の部分に黒化処理、クロメ−ト処理などを行う事によって、導電性ペ−スト部の含まれる金属フィラと銅箔を凝着しやすくし、前記処理を行った部分では、銅箔の接着力を強固にする事ができる。
【００８７】
さらに、ハ−フエッチングする際、突起部以外の銅箔部の表面粗さを大きくする事により前記と同様に接着力を強固にする事ができ、逆に小さくするとパタ−ン形成におけるファイン化に有利になり任意に顧客の要望に合わせた製品化が可能となる。
【００８８】
本実施の形態においては、金属箔としてハーフエッチングによる凸部がランドとなる配線基板の例を示した。しかしながら、犠牲基板の上で完全エッチングしてランドとなるパターン配線を形成しておき、これを用いても同様に本発明の回路基板を製造できる。
【００８９】
（第７の実施の形態）
図１０Ａ−Ｅは本発明の第７の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す断面模式図である。本実施の形態の回路基板は、有機樹脂と無機繊維の織布（有機樹脂よりも熱膨張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層２０１と、絶縁体層２０１中に形成されたインナービア２０２と、絶縁体層２０１に埋設されたランド２０３とにより構成されている。ここで、絶縁体層２０１は、有機樹脂を主成分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分２０５と無機繊維の織布を主成分とする（有機樹脂の構成比が低い）コア部分２０６とからなり、ランド２０３のインナービア２０２に面した面２０４は、表面部分２０５とコア部分２０６の界面と略同一面にある。また、インナービア２０２の厚みは、コア部分２０６の厚みと略同一となっている。
【００９０】
次に、本実施の形態の回路基板を、絶縁体層２０１にガラスエポキシ基材、インナービア２０２の構成材料に銅とエポキシ樹脂の組成物、配線層に銅箔を用いる場合を例に挙げて、さらに具体的に説明する。
【００９１】
まず、図１０Ａに示すように、プリプレグ状態（半硬化状態）のガラスエポキシプリプレグ（コア層の厚み１００μｍ、両表面の樹脂層の厚みはそれぞれ１０μｍ）２０８の所望の位置に、上側から波長９．４μｍまたは１０．６μｍの炭酸ガスレーザーを用いて、１から３ショット照射して貫通孔を形成し、当該貫通孔の広い開口部側から印刷法などによってペースト状の銅−エポキシ樹脂組成物２０９を充填する。
【００９２】
次に、転写形成材８０３として、キャリア８０１として厚み５０μｍのアルミニウム板の表面に厚み１８μｍの銅箔８０２が付着されているものを用いた。このようにすると、ランドがガラスエポキシプリプレグ基材２０８から突出し、次に積層する絶縁体層に突出部分を埋設することができる。この転写形成材８０３を図１０Ｂに示すようにガラスエポキシプリプレグ基材２０８の両側に配置する。
【００９３】
次に、熱プレスによって加熱・加圧する。その条件は、例えば、加熱温度は１８０℃〜２５０℃、圧力は３０〜２００kgf/cm2、加熱時間は０．５〜２時間である。
【００９４】
この工程において、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂の硬化と、ガラスエポキシプリプレグ２０８と配線パターン８０２との接着が図れる。エポキシ樹脂が硬化した後のガラスエポキシプリプレグ２０８であるガラスエポキシ基材が絶縁体層である。また、この工程において、銅箔８０２が、配線パターンが形成された側の表面がエポキシ樹脂の構成比が高い絶縁体層の表面部分とガラス織布の構成比が高い（エポキシ樹脂の構成比が低い）絶縁体層のコア部分の界面と略同一になるように絶縁体層に埋め込まれ、インナービア２０９による配線層間の電気導通が図れる（図１０Ｃ）。次いで、塩酸でアルミニウム製キャリア８０１全部をエッチングして除去する。以上により、両面回路基板２１２（図１０Ｄ）が完成する。
【００９５】
多層回路基板は、以下のようにして作製することができる。
【００９６】
すなわち、図１０Ｄ−図１０Ｅに示すように、上記した両面回路基板２１２の両側に、ペースト状の銅−エポキシ樹脂組成物が充填されたガラスエポキシプリプレグ２１３を重ね、さらにその外側に前記と同様に転写材８０３を重ね、熱プレス等によって加熱・加圧した後、アルミニウム製キャリア８０１を除去する。
【００９７】
【発明の効果】
本発明によれば、接着性に優れた有機樹脂によって配線層を保持しながら、しかも、熱膨張係数のミスマッチが生じにくいために、配線層と絶縁体層が十分な接着強度を有し、かつ、優れたインナービア接続信頼性を実現することのできる回路基板およびその製造方法を提供することができる。また、金属箔の一部が前記絶縁層のコア層に接するまで埋め込まれているので、導電性ペ−ストの部分を選択的に圧縮でき、安定した層間接続を可能とする回路基板とその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の回路基板を示す断面模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における回路基板を示す断面模式図である。
【図３】Ａ−Ｅは本発明の第１の実施の形態における回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態における回路基板を示す断面模式図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態における回路基板を示す断面模式図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態における回路基板を示す断面模式図である。
【図７】本発明の第５の実施の形態における回路基板を示す断面模式図である。
【図８】比較例の回路基板を示す断面模式図である。
【図９】Ａ−Ｅは本発明の第６の実施の形態における回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】Ａ−Ｅは本発明の第７の実施の形態における両面回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
101,201,301,401,501,601,701  絶縁体層
102,202,302,402,502,602,702  インナービア
103,203,303,403,503,603,703  ランド
104,204,304,404,504,604,704  ランドのインナービアに接する面
105,205,305,405,505,605,705  表面部分
106,206,306,406,506,606,706  コア部分
208,213  ガラスエポキシプリプレグ
209  インナービア
210,214  銅箔
211  ランド
212  両面回路基板
【図１】
0003640911.tif 000003
【図２】
0003640911.tif 000004
【図３】
0003640911.tif 000005
【図４】
0003640911.tif 000006
【図５】
0003640911.tif 000007
【図６】
0003640911.tif 000008
【図７】
0003640911.tif 000009
【図８】
0003640911.tif 000010
【図９】
0003640911.tif 000011
【図１０】
0003640911.tif 000012