(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを洗浄剤により洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程で洗浄されたウエハを、表面に洗浄工程で付着した洗浄剤を付着させたまま冷却して、前記ウエハの表面を前記洗浄剤の凍結層で覆う凍結工程と、
前記凍結工程で表面を洗浄剤の凍結層で覆われたウエハをウエハキャリアに収容するウエハキャリア収容工程と、
前記ウエハキャリア収容工程でウエハを収容したウエハキャリアを冷凍庫に保管する冷凍保管工程と
を有することを特徴とするウエハの保管方法。
【請求項２】
前記洗浄剤が、超純水、イソプロピルアルコールまたはその混合物である請求項１記載のウェハの保管方法。
【請求項３】
ウエハを洗浄剤により洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程で洗浄されたウエハを、表面に洗浄工程で付着した洗浄剤を付着させたまま冷却して、前記ウエハの表面を前記洗浄剤の凍結層で覆う凍結工程と、
前記凍結工程で表面を洗浄剤の凍結層で覆われたウエハをウエハキャリアに収容して冷凍手段を備えた断熱容器に収納する断熱容器収納工程と、
前記断熱容器収納工程でウエハキャリアを収納した断熱容器を目的地まで搬送する搬送工程と
を有することを特徴とするウエハの輸送方法。
【請求項４】
前記洗浄剤が、超純水、イソプロピルアルコールまたはその混合物である請求項３記載のウェハの輸送方法。
【請求項５】
請求項３または４記載の輸送方法において、冷凍手段が収納容器に収納された寒剤であるウェハの輸送方法。
【請求項６】
請求項３または４記載の輸送方法において、冷凍手段が収納容器に装着されたペルチェ電気素子であるウェハの輸送方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ウェハを、洗浄剤、例えば、超純水、イソプロピルアルコール
（以下ＩＰＡという）等により洗浄した後、清浄度を維持したまま保管又は輸送することを可能にしたウェハの保管方法及び輸送方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体集積回路の製造工程においては、ウェハへの不所望な付着物を除去するため、超純水、イソプロピルアルコール等を用いてウェハの洗浄を行う洗浄工程が設けられている。
【０００３】
そして、このようなウェハの洗浄工程において、超純水等により最終洗浄されたウェハは、リンサードライヤー等の乾燥装置により乾燥された後、収納容器に収納され、次工程の作業場所、保管場所等に搬送されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の半導体集積回路の製造工程においては、ウェハを洗浄、乾燥した後、収納容器に収容して搬送及び保管を行っている。
【０００５】
しかしながら、このようにしてウェハの搬送及び保管を行うと、搬送及び保管の際に微細な塵等がウェハ表面に付着することがある。ところが、半導体集積回路の集積度がますます高まる今日において、ウェハ表面上の塵等の汚染は、半導体集積回路の高集積化や高歩留まりに極めて大きな悪影響を与えるようになっており、このような塵等の付着を防止して清浄度を維持することが望まれている。また、ウェハ表面上に雰囲気中の、有機溶剤等の蒸気が付着することもあり、半導体集積回路の集積度がますます高まる近年、大きな問題となっている。
【０００６】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、ウェハを洗浄した後、清浄度を維持したまま保管又は輸送することのできるウェハの保管方法及び輸送方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のウエハの保管方法は、ウエハを洗浄剤により洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程で洗浄されたウエハを、表面に洗浄工程で付着した洗浄剤を付着させたまま冷却して、前記ウエハの表面を前記洗浄剤の凍結層で覆う凍結工程と、前記凍結工程で表面を洗浄剤の凍結層で覆われたウエハをウエハキャリアに収容するウエハキャリア収容工程と、前記ウエハキャリア収容工程でウエハを収容したウエハキャリアを冷凍庫に保管する冷凍保管工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
上記ウェハの保管方法において、洗浄剤としては、超純水、イソプロピルアルコールまたはその混合物を用いることができる。
【０００９】
また、本発明のウエハの輸送方法は、ウエハを洗浄剤により洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程で洗浄されたウエハを、表面に洗浄工程で付着した洗浄剤を付着させたまま冷却して、前記ウエハの表面を前記洗浄剤の凍結層で覆う凍結工程と、前記凍結工程で表面を洗浄剤の凍結層で覆われたウエハをウエハキャリアに収容して冷凍手段を備えた断熱容器に収納する断熱容器収納工程と、
前記断熱容器収納工程でウエハキャリアを収納した断熱容器を目的地まで搬送する搬送工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
上記ウェハの輸送方法において、洗浄剤としては、超純水、イソプロピルアルコールまたはその混合物を用いることができる。
【００１１】
また、上記ウェハの輸送方法において、冷凍手段としては、収納容器に収容された寒剤を用いることができる。
【００１２】
また、上記ウェハの輸送方法において、冷凍手段としては、収納容器に装着されたペルチェ電気素子を用いることができる。
【００１３】
【作用】
本発明のウェハの保管方法及びその輸送方法によれば、ウェハ洗浄後、ウェハ表面の洗浄剤を急冷して凍結させ、洗浄剤の凍結層でウェハの表面を覆った状態で、このウェハを保管及び輸送する。
【００１４】
これによって、最終洗浄時の清浄度を維持した状態で、ウェハを保管及び輸送することができ、雰囲気中の、有機溶剤等の蒸気や塵等の付着を防止することができる。そして、後工程でさらに処理を施す際等に、ウェハ表面の洗浄剤の凍結層を、超純水の流水等で融解し、除去することにより、清浄度を維持した状態で直ちに後工程の処理等を実施することができる。
【００１５】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
図１に、本実施例における各工程を示す。同図に示す、洗浄工程では、複数枚のウェハを、バスケット等に並列配置し、このバスケットごと超純水洗浄槽、あるいは所定の洗浄液が収容された洗浄液槽に順次浸漬して洗浄を行う。通常、この洗浄工程における最終洗浄は、超純水洗浄あるいは、ＩＰＡ洗浄である。
【００１７】
そして、最終洗浄が終了すると、次に、凍結装置によるウェハの冷却工程が実施される。この冷却工程は、例えば、図２に示すように、１または複数枚のウェハ２２をクランプ２１により挟持し、液体窒素２３等が収容された凍結槽２４に浸漬することにより実施する。
【００１８】
すなわち、ウェハ２２の表面に、洗浄剤である超純水等が付着させたまま、この状態で、急冷することにより、ウェハ表面を超純水等の凍結層で覆う。このように、ウェハ２２の表面が、超純水等の凍結層によって覆われることにより、最終洗浄時の清浄度が保たれる。
【００１９】
そして、このように、表面に超純水等の凍結層が形成された状態で、ウェハ２２を、保管、輸送する。
【００２０】
図３は、上述したようにして、急冷されたウェハを搬送するための収納容器の構成を示すものである。
【００２１】
同図において、３１は表面に超純水等の凍結層が形成されたウェハであり、３２は洗浄された複数のウェハ３１を並列配置する樹脂等からなるウェハキャリア、３３はウェハキャリア３２を収容し搬送するための断熱材等からなる収納容器である。
【００２２】
また、同図において、３４は低温状態を維持するために冷凍手段として洗浄剤の凍結層の凝固点より低い温度に保持することのできるドライアイス等の寒剤、３５は収納容器の上部開口を閉塞する断熱材等からなる蓋である。
【００２３】
上述したようにして超純水等の凍結層が形成されたウエハ３１は、ウエハキャリア３２に複数枚収納される。そして、長期間保管するような場合は、このウエハキャリア３２を、冷凍庫等に収納して保管する。
【００２４】
また、ウェハキャリア３２を搬送する際には、ウェハキャリア３２を図３に示したような収納容器３３に収納して搬送を行う。これによって、ウェハ３１を、次工程等に、表面に超純水等の凍結層が形成されたままの状態で搬送することができる。
【００２５】
そして、搬送先である次工程等において、ウェハ３１に所定の処理を施す際には、超純水等をウェハ３１に接触させて、ウェハ３１の表面を覆う洗浄剤の凍結層を融解する。
【００２６】
これによって、ウェハ３１を、洗浄した後の清浄度を維持したまま保管、輸送することができ、再度洗浄等を行うことなく、直ちに後工程の処理等を実施することが可能となる。したがって、歩留まりの向上と、生産性の向上を図ることができる。
【００２７】
なお、上記した冷却工程においては、液体窒素等の液体不活性ガスの他、アセトン−ドライアイス等も使用できる。また、ノズル等から液体窒素等の液体不活性ガスまたはアセトン−ドライアイス等で冷却したガスをウェハ表面上に噴射して凍結させる方法もある。
【００２８】
また、ウェハ２２を凍結させる際、複数枚を束ねた状態で急冷し、これらのウェハを一体的に凍結させることも可能であり、これらのウェハ２２が棒状に凍結された状態で保管することも可能である。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のウェハの保管方法及びその輸送方法によれば、ウェハを洗浄した後、清浄度を維持したまま保管又は輸送することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の構成を示すブロック図。
【図２】本発明の一実施例の冷却工程を示す図。
【図３】本発明の一実施例のウェハ搬送装置の構成を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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