【手続補正書】
【提出日】令和3年4月15日(2021.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１は、実施形態に係るマッハツェンダ変調器を概略的に示す平面図である。図２は、図１の入力セクションを概略的に示す図面である。図３は、図１に示された出力セクションを概略的に示す図面である。図４の（ａ）部は、図２及び図３に示されたＩＶａ−ＩＶａに沿った断面図であり、図４の（ｂ）部は、図２及び図３に示されたＩＶｂ−ＩＶｂに沿った断面図である。図５の（ａ）部は、図２に示されたＶａ−Ｖａに沿った断面図であり、図５の（ｂ）部は、図２及び図３に示されたＶｂ−Ｖｂに沿った断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図５の（ｂ）部に示されるように、第１接地上層４３は、接地下層５１の他端に接続される。第１接地上層４３は、第１信号上層４１及び第２信号上層４２の少なくともいずれか一方、本実施例では、第１信号上層４１及び第２信号上層４２に沿って埋込領域９０上を延在する。必要な場合には、第１接地上層４３、第１信号上層４１及び第２信号上層４２が、この順に配列されて、第１接地上層４３は、第１信号上層４１に沿って延在することもできる。或いは、第１信号上層４１、第２信号上層４２及び第１接地上層４３が、この順に配列されて、第１接地上層４３は、第２信号上層４２に沿って延在するようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
接地下層５１は、第２無機絶縁膜３２上に設けられ、本実施例では第２無機絶縁膜３２に接する。埋込領域９０は、第２無機絶縁膜３２上に設けられた第３無機絶縁膜３３を更に備える。埋込領域９０は、第３無機絶縁膜３３上に設けられた上部埋込領域９０ｂと、上部埋込領域９０ｂ上に設けられた第４無機絶縁膜３４とを備える。第３無機絶縁膜３３及び上部埋込領域９０ｂは、接地下層５１を埋め込んで、平坦な樹脂面を上部埋込領域９０ｂに提供する。第３無機絶縁膜３３は、本実施例では接地下層５１に接する。第１信号上層４１、第２信号上層４２、第１接地上層４３、及び第１導電上層６３は、第４無機絶縁膜３４上を延在する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図４の（ａ）部に示されるように、第１無機絶縁膜３１、下部埋込領域９０ａ、及び第２無機絶縁膜３２は、第１開口３５ａ及び第２開口３５ｂを有しており、第１開口３５ａ及び第２開口３５ｂは、第１アーム導波路構造６１、第２アーム導波路構造６２及び導電性半導体層６６上に位置する。本実施例では、マッハツェンダ変調器１は、第１下部導電体４１ｍ及び第２下部導電体４２ｍを有することができる。第１下部導電体４１ｍは、第１信号上層４１と第１アーム導波路構造６１との間に設けられて、第１信号上層４１及び第１アーム導波路構造６１に接触を成す。第２下部導電体４２ｍは、第２信号上層４２と第２アーム導波路構造６２との間に設けられて、第２信号上層４２及び第２アーム導波路構造６２に接触を成す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、第３無機絶縁膜３３、上部埋込領域９０ｂ、及び第４無機絶縁膜３４は、第１開口３６ａ及び第２開口３６ｂを有しており、第１開口３６ａ及び第２開口３６ｂは、第１アーム導波路構造６１、第２アーム導波路構造６２及び導電性半導体層６６上に位置する。本実施例に係るマッハツェンダ変調器１では、第１信号上層４１及び第２信号上層４２は、それぞれ、第１開口３６ａ及び第２開口３６ｂを介して第１下部導電体４１ｍ及び第２下部導電体４２ｍに接続される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
マッハツェンダ変調器１の構造の例示。
第１信号上層４１、第２信号上層４２：金。
第１接地上層４３：金。
接地下層５１；金。
第１導電上層６３：金。
支持体２１：半絶縁性ＩｎＰ。
埋込領域９０：ＢＣＢ及びシリコン系無機絶縁膜。
第１アーム導波路構造６１、第２アーム導波路構造６２及び光導波路構造２０。
第１導電型半導体層６７：ｎ型ＩｎＰ層。
コア層６８：ｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層。
第２導電型半導体層６９：ｐ型ＩｎＰ層。
導電性半導体層６６：ｎ型ＩｎＰ層。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（実施例）
図６の（ａ）部は、接地下層を含まないシミュレーションのための第１モデルにおける金属層及び光導波路構造を概略的に示す平面図である。光導波路構造ＷＧ２０は、埋込領域で覆われた６つの導波路メサを含み、第１信号上層Ｍ１Ｓ及び第２信号上層Ｍ２Ｓが光導波路構造ＷＧ２０上を延在する。
第１信号上層Ｍ１Ｓの幅ＤＭ１Ｓ：５８マイクロメートル。
第１導電上層ＭＧの幅ＤＭＧ：５マイクロメートル。
第２信号上層Ｍ２Ｓの幅ＤＭ２Ｓ：５８マイクロメートル。
第１信号上層Ｍ１Ｓと第１導電上層ＭＧとの間隔Ｓ１Ｐ：８マイクロメートル。
第２信号上層Ｍ２Ｓと第１導電上層ＭＧとの間隔Ｓ２Ｐ：８マイクロメートル。
第１信号上層Ｍ１Ｓ、第１導電上層ＭＧ、及び第２信号上層Ｍ２Ｓの下面と光導波路構造ＷＧ２０の上面との間隔：１マイクロメートル。
シミュレーションのための第２モデルは、第１導電上層ＭＧに替えて接地下層を含む。
第１信号上層Ｍ１Ｓから第２信号上層Ｍ２Ｓまでの距離：１０マイクロメートル。
第１導電上層ＭＧの幅ＤＭＧ：０マイクロメートル。
接地下層の幅：５０マイクロメートル。
接地下層の上面から上部埋込領域の上面までの距離：０．５〜５マイクロメートル。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図７の（ｃ）部を参照すると、マッハツェンダ変調器１は、第１アーム導波路構造６１及び第２アーム導波路構造６２に沿ってそれぞれ延在する第１信号上層４１及び第２信号上層４２、並びに第１導電上層６３、第２導電上層６４及び第３導電上層６５を備える。第１信号上層４１及び第２信号上層４２上の差動信号は、それぞれ、第１アーム導波路構造６１及び第２アーム導波路構造６２を駆動する。接地下層５１は、第１導電上層６３、第２導電上層６４及び第３導電上層６５に貫通孔Ｔ１Ｈ、Ｔ２Ｈ、Ｔ３Ｈを介して接続される。ドライバーからの差動信号は、既に説明したように、ドライバーの信号線及び接地線の配列に従って、マッハツェンダ変調器１の第１接地上層４３、第１信号上層４１、第２信号上層４２及び第２接地上層４４に接続される入力パッドに与えられる。パッド電極の近くでは、接地下層５１は、第１接地上層４３及び第２接地上層４４に貫通孔Ｖ１Ａ、Ｖ２Ａを介して変換される。第１変調器１ａでは、信号線及び接地線は、第１導電上層６３、第１信号上層４１、第２導電上層６４、第２信号上層４２、及び第３導電上層６５の順に配列される。この配列は、「ＧＳＧＳＧ配列」として参照される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
半導体積層を加工して、光導波路構造２０、第１アーム導波路構造６１及び第２アーム導波路構造６２のための半導体メサ（ＭＳ２０、ＭＳ６１、ＭＳ６２）をフォトリソグラフィ及びエッチングにより形成する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2019200389.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2019200389.tif 000002