【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年4月1日(2021.4.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２）と、
基板上に配置された少なくとも１つの熱検出部（１０）と、
熱検出部上に延在する少なくとも１つの薄い封入層（２１）を含み、前記熱検出部を収容するキャビティ（３）を基板とともに画定するように配置された封入構造部（２０）と
を含む、電磁放射線を検出するための装置（１）であって、
装置（１）は、封入構造部と同じ高さで、熱検出部から離して配置された、少なくとも１つのファブリペロー干渉フィルタ（３１）を更に含み、
前記フィルタは、構造化層と呼ばれる層（３５）によって互いに分離される第１及び第２の半反射鏡部（３２Ａ、３２Ｂ）により形成され、
各半反射鏡部（３２Ａ、３２Ｂ）は、少なくとも１つの絶縁材料又は半導体材料でできた、いわゆる高屈折率層（３３Ａ、３３Ｂ）を含み、
前記高屈折率層は、その屈折率の４倍分の、熱検出部（１０）の検出スペクトル領域にある参照波長の割合の倍数に等しい厚さを有し、
構造化層（３５）は、基板の平面と平行な平面において、少なくとも１つの絶縁材料又は半導体材料でできた、いわゆる高屈折率部（３６）と、高屈折率部の材料の屈折率よりも小さな屈折率の媒体でできた、いわゆる低屈折率部（３７）との交互配置を含み、
１つの前記半反射鏡部（３２Ａ）の高屈折率層（３３Ａ）は、少なくとも部分的に前記薄い封入層（２１）で形成され、
熱検出部（１０）上に位置する上部壁（２２）と、基板（２）上にある側壁（２３）とを形成するために、薄い封入層（２１）が熱検出部（１０）の周りに連続して延在する、
ことを特徴とする検出装置（１）。
【請求項２】
各半反射鏡部（３２Ａ、３２Ｂ）は単一の高屈折率層（３３Ａ、３３Ｂ）を含み、
前記半反射鏡部の少なくとも１つは、高屈折率層（３３Ａ、３３Ｂ）の材料の屈折率よりも小さな屈折率の媒体でできた、いわゆる低屈折率層（３４Ａ、３４Ｂ）を含み、
前記低屈折率層（３４Ａ、３４Ｂ）は、高屈折率層（３３Ａ、３３Ｂ）と、構造化層（３５）との間に位置する
請求項１記載の検出装置（１）。
【請求項３】
高屈折率層（３３Ａ、３３Ｂ）の材料の屈折率と、低屈折率層（３４Ａ、３４Ｂ）の媒体の屈折率との差異は、１．５以上である
請求項２記載の検出装置（１）。
【請求項４】
低屈折率層（３４Ａ、３４Ｂ）及び低屈折率部（３７）の媒体は、真空又は気体である
請求項２又は請求項３記載の検出装置（１）。
【請求項５】
少なくとも１つの前記半反射鏡部の高屈折率層（３３Ａ、３３Ｂ）は、異なる材料でできて互いに接触する少なくとも２つの副層（３３Ａ．１、３３Ａ．２、３３Ａ．１、３３Ａ．２）のスタックで形成される
請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の検出装置（１）。
【請求項６】
構造化層（３５）は、３０％以上の、高屈折率部（３６）の容積率を有する
請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の検出装置（１）。
【請求項７】
構造化層（３５）は、高屈折率部（３６）が上にある連続する層（４１）を含む
請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の検出装置（１）。
【請求項８】
いわゆる上側の半反射鏡部（３２Ｂ）の高屈折率層（３３Ｂ）は、構造化層（３５）に面して位置する、いわゆる上部壁（３９）と、上部壁（３９）のどちらかの側に位置する、いわゆる側壁（４０）とを含み、
構造化層（３５）は、いわゆる下側の半反射鏡部（３２Ａ）の高屈折率層（３３Ａ）の上に、側壁（４０）により維持される
請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の検出装置（１）。
【請求項９】
基板（２）上に配置され、前記薄い封入層（２１）が上に延在する、複数の熱検出部（１０）と、
封入構造部（３０）と同じ高さにそれぞれ配置された、複数のファブリペロー干渉フィルタ（３１）と、
いろいろな干渉フィルタ（３１）の、１つの前記半反射鏡部（３２Ａ）の、複数の高屈折率層（３３Ａ）に共通する薄い封入層（２１）と
を含む
請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の検出装置（１）。
【請求項１０】
干渉フィルタ（３１）の半反射鏡部（３２Ａ、３２Ｂ）と構造化層（３５）とが、１つの干渉フィルタから次の干渉フィルタまで、それぞれ同一平面上にある
請求項９記載の検出装置（１）。
【請求項１１】
少なくとも次の工程ａ〜ｄ
ａ．少なくとも１つの熱検出部（１０）を生成し、
ｂ．前記熱検出部を収容するキャビティ（３）を基板（２）とともに画定するように配置され、熱検出部上に延在して、前記熱検出部を覆う犠牲層（２６．２）上にある少なくとも１つの薄い封入層（２１）を含む、封入構造部（２０）を生成し、
ｃ．犠牲層（２６．４）が構造化層（３５）の高屈折率部（３６）の間に位置し、任意には、高屈折率層（３３Ａ、３３Ｂ）と構造化層（３５）との間に位置する、少なくとも１つのファブリペロー干渉フィルタ（３１）を生成し、
ｄ．前記犠牲層（２６．２、２６．４）を除去する
を含む
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載の検出装置（１）を製造するためのプロセス。
【請求項１２】
複数の犠牲層（２６．２、２６．４）は同一の材料でできており、２つの半反射鏡部（３２Ａ、３２Ｂ）の高屈折率層（３３Ａ、３３Ｂ）はそれぞれ貫通孔（２４．１、２４．３）を含み、構造化層（３５）の低屈折率部（３７）は、貫通部分であり、
干渉フィルタ（３１）を生成する工程に続いて、複数の犠牲層（２６．２、２６．４）は同一の工程で除去される
請求項１１記載の製造プロセス。
【請求項１３】
犠牲層が次の２つの副工程で除去される、
干渉フィルタ（３１）を生成する工程の前に実行される、薄い封入層（２１）が上にある犠牲層（２６．２）を除去する第１副工程であって、薄い封入層（２１）は貫通孔（２４．１）を含み、貫通孔（２４．１）を塞ぐために、次に密閉層（３３Ａ．２）が薄い封入層（２１）上に成膜される、第１副工程、
構造化層（３５）の高屈折率部（３６）の間に位置する犠牲層（２６．４）を除去する第２副工程であって、上側の半反射鏡部（３２Ｂ）の高屈折率層（３３Ｂ）は貫通孔（２４．３）を含む、第２副工程、
請求項１１記載の製造プロセス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明によれば、それは更に、
封入構造部と同じ高さで、熱検出部から離して配置される少なくとも１つのファブリペロー干渉フィルタを含み、当該フィルタは、構造化層（structured layer）と呼ばれる層
により互いに分離される第１及び第２の半反射鏡部により形成され、
半反射鏡部のそれぞれは、少なくとも１つの絶縁材料又は半導体材料でできた、いわゆる高屈折率層を含み、当該層は、その屈折率の４倍分の、熱検出部の検出スペクトル領域にある参照波長の割合の倍数に等しい厚さを有し、
構造化層は、基板の平面に平行な平面において、少なくとも１つの絶縁材料又は半導体材料でできた、いわゆる高屈折率部と、高屈折率部の材料の屈折率よりも小さい屈折率の媒体でできた、いわゆる低屈折率部との交互配置を含み、
１つの当該半反射鏡部の高屈折率層は、少なくとも部分的に当該薄い封入層で形成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
下で詳細に説明されるように、各半反射鏡部は、少なくとも１つの絶縁材料又は半導体材料でできた、少なくとも１つのいわゆる高屈折率層と、有利には、屈折率又は光学指数（optical index）が高屈折率層の材料のものよりも小さい媒体でできた、１つのいわゆる低屈折率層とを含む。好ましくは、各半反射鏡部は、有利には低屈折率層により構造化層から分離された単一の高屈折率層だけを含む。高屈折率層は、１つの所与の材料からできていても良く、又は、異なる材料の副層のスタックからできていても良い。高屈折率層は、その屈折率の４倍分の、熱検出部のスペクトル検出範囲にある参照波長の割合の倍数に等しい厚さを有する。厚さは、ここでは、基板の平面に直交する方向での、熱検出部に面して位置する高屈折率層の平均的な大きさとして定義される。参照波長は、スペクトル検出領域にある所定の波長である。例えば、参照波長は、ＬＷＩＲに関して１０μｍに等しくても良い。このように、高屈折率層は、それが参照波長において４分の１波長板又は半波長板を形成するように、光学的機能を有する。高屈折率層の屈折率は、その絶縁材料又は半導体材料の屈折率であり、それが複数の異なる材料を含むときには、平均の屈折率である。