(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源供給先の電源端子及びグランド端子へ、規定電源電圧の電源を供給する電源供給装置において、
互いに異なる電源供給経路にてそれぞれが前記電源端子及び前記グランド端子へ接続される、供給電源電圧Ｖｎ（ｎ＝１、２・・・）がそれぞれ可変の電源を供給する複数の電源装置と、
これら電源装置に対して、相互に異なる第１の供給電源電圧Ｖｎ＝ｖｎａ（ｎ＝１、２・・・）を設定すると共に、前記第１の設定と異なる、又相互に異なる第２の供給電源電圧Ｖｎ＝ｖｎｂ（ｎ＝１、２・・・）を設定する電圧設定手段と、
該第１の設定時の、それぞれの前記電源装置にて供給される第１の電源電流ｉｎａ（ｎ＝１、２・・・）を測定すると共に、該第２の設定時の、それぞれの前記電源装置にて供給される第２の電源電流ｉｎｂ（ｎ＝１、２・・・）を測定する電流測定手段と、
前記電圧設定手段にて設定した第１及び第２の電圧、前記電流測定手段にて測定した第１の電源電流ｉｎａ及び第２の電源電流ｉｎｂを用いて、少なくとも１つの前記電源装置の前記電源供給経路の、電圧降下を生じさせてしまう電気抵抗Ｒｎ（ｎは１、２・・・のいずれか）の抵抗値を求める演算処理回路とを備え、前記電気抵抗Ｒｎの抵抗値を用いて、該電気抵抗Ｒｎによる電圧降下を補償補正しながら電源を供給するようにしたことを特徴とする電源供給装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記電源装置の台数を２台とし、
前記第１の設定について、一方の電源装置の供給電源電圧Ｖｎの設定を電圧ｖとし、他方の設定を電圧ゼロとし、
前記第２の設定については、これとは逆に、一方の前記電源装置の供給電源電圧Ｖｎの設定を電圧ゼロとし、他方の設定を前記電圧ｖとしたことを特徴とする電源供給装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記電圧設定手段は更に、前記第１及び前記第２の設定以前に、前記電源装置それぞれに対して、比較的小さな電源電流ｉｎｃ（ｎ＝１、２・・・）となるような仮設定を行い、
前記演算処理回路は更に、該仮設定時の前記電源装置それぞれの供給電源電圧Ｖｎ及びそれぞれの電源電流ｉｎｃを用いて、少なくともいずれか１つの前記電源供給経路の、電圧降下を生じてしまう電気抵抗Ｒｎの抵抗値の、少なくとも概略の大小を評価判断し、
前記抵抗値が小さいという該評価判断が得られた場合には、前記第１、第２の供給電圧設定及び第１、第２の電源電流測定を行うことなく、前記電圧設定手段が、前記電気抵抗Ｒｎの小さな供給経路にて電源を供給する電源装置を用いた電源供給の制御を行うことを特徴とする電源供給装置。
【請求項４】
電源供給先の電源端子及びグランド端子へ、規定電源電圧の電源を供給する電源供給方法において、
互いに異なる電源供給経路にてそれぞれが前記電源端子及び前記グランド端子へ接続される複数の電源装置に対して、相互に異なる第１の供給電源電圧Ｖｎ＝ｖｎａ（ｎ＝１、２・・・）を設定し、
該第１の設定時の、それぞれの前記電源装置にて供給される第１の電源電流ｉｎａ（ｎ＝１、２・・・）を測定し、
その後、前記複数の電源装置に対して、前記第１の設定と異なる、又相互に異なる第２の供給電源電圧Ｖｎ＝ｖｎｂ（ｎ＝１、２・・・）を設定し、
該第２の設定時の、それぞれの前記電源装置にて供給される第２の電源電流ｉｎｂ（ｎ＝１、２・・・）を測定し、
前記設定した第１及び第２の電圧と、前記測定した第１の電源電流ｉｎａ及び第２の電源電流ｉｎｂを用いて、少なくとも１つの前記電源装置の前記電源供給経路の、電圧降下を生じさせてしまう電気抵抗Ｒｎ（ｎは１、２・・・のいずれか）の抵抗値を求め、
求めた該電気抵抗Ｒｎの抵抗値を用いて、該電気抵抗Ｒｎによる電圧降下を補償補正しながら電源を供給するようにしたことを特徴とする電源供給方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記電源装置の台数を２台とし、
前記第１の設定について、一方の電源装置の供給電源電圧Ｖｎの設定を電圧ｖとし、他方の設定を電圧ゼロとし、
前記第２の設定については、これとは逆に、一方の前記電源装置の供給電源電圧Ｖｎの設定を電圧ゼロとし、他方の設定を前記電圧ｖとしたことを特徴とする電源供給方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、電源供給先の電源端子及びグランド端子へ、規定電源電圧の電源を供給する電源供給装置及び電源供給方法に係り、特に、例えば半導体集積回路等の電源供給先に対して過電圧の電源電圧を印加してしまうことをより確実に低減しながら、電源供給経路での端子の接触電気抵抗等による供給する電源電圧の降下をより精度良く補償補正することによって、前記電源供給先に対して供給する電源電圧の実際の電圧の精度をより向上することができる電源供給装置及び電源供給方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、電子回路等に電源を供給する電源供給装置では、供給する電源の電圧（以降、供給電源電圧と称する）を規定値に精度良く保つため、該供給電源電圧のフィードバック制御がなされている。例えば、集積回路テスタ用の電源供給装置についても、このようなフィードバック制御がなされている。
【０００３】
図７は、従来からの電源供給装置の一例のブロック図である。
【０００４】
この図７において、電源供給装置はフォーシング回路１２と、センシング回路１４とにより構成される。又、フォーシング電源端子Ｔ１とセンシング電源端子Ｔ２とは、一般に、この図７において一点鎖線で示されるように接続される。
【０００５】
まず、前記センシング回路１４は、前記センシング電源端子Ｔ２にて検出された電圧に従った信号Ｓ１１を出力する。即ち、該センシング回路１４は、前記センシング電源端子Ｔ２とグランドＧＮＤとの間の電圧の大きさに従った前記信号Ｓ１１を出力する。
【０００６】
一方、前記フォーシング回路１２は、外部から供給電源電圧の大きさを設定する信号Ｓ１０に従って、又、前記信号Ｓ１１に従って、設定された該供給電源電圧の電源を、前記フォーシング電源端子Ｔ１から供給する。該フオーシング回路１２は、前述のように一点鎖線の如く接続した場合、前記信号Ｓ１０にて設定された前記供給電源電圧を目標値とし、又前記信号Ｓ１１をフィードバック値とした、前記フォーシング電源端子Ｔ１における電圧のフィードバック制御を行いながら、このような電源供給を行う。
【０００７】
半導体集積回路テスタ用として用いられる電源供給装置では、前記フォーシング電源端子Ｔ１からの電源供給は、ＩＣ（integrated circuit）ソケットへ挿入実装された半導体集積回路に対して、該半導体集積回路の電源ピンやグランドピンに接触する前記ＩＣソケットの接触子を経てなされる。
【０００８】
ここで、前記図７において前述のように、前記センシング電源端子Ｔ２を一点鎖線で示される如く前記フォーシング電源端子Ｔ１へ接続し、且つ該フオーシング電源端子Ｔ１の先へ、半導体集積回路の電源ピンへ接触される前記ＩＣソケットの接触子が接続されるものとする。このような場合、半導体集積回路の前記電源ピンとこれに対応する前記接触子との間の電気抵抗、即ち、接触電気抵抗によって、該電源ピンと前記フォーシング電源端子Ｔ１との間に電圧降下による電圧差が生じてしまう。ここで、前記センシング電源端子Ｔ２は前記フォーシング電源端子Ｔ１へ一点鎖線の如く接続されているため、前記センシング回路１４及び前記フォーシング回路１２を用いた電源電圧のフィードバック制御がなされている。しかしながら、このような電圧降下によって、前記電源ピンの電圧を正しく制御することはできない。
【０００９】
このため、実開昭６０−１４１１４０では、半導体集積回路のピンへ接触する接触子について、特に当該半導体集積回路の電源ピンへ接触させるものについては、相互に独立した一対の接触子を設けるようにしている。この一対の接触子のうち、一方を前記フォーシング電源端子Ｔ１へ接続し、他方を前記センシング電源端子Ｔ２へ接続するようにしている。即ち、半導体集積回路の電源ピンに対して、前記フォーシング電源端子Ｔ１からの経路と前記センシング電源端子Ｔ２からの経路とを、このような一対の接触子によって独立するようにしている。
【００１０】
これによって、該実開昭６０−１４１１４０では、前記センシング電源端子Ｔ２を経て前記センシング回路１４は、対象となる半導体集積回路の特に電源ピンにおける電圧を測定することができる。このため、該センシグ回路１４及び前記フォーシング回路１２を用いた電源電圧のフィードバック制御は、実際の電源ピンへ供給される電圧に対してより直接的な制御とすることができる。
【００１１】
しかしながら、この実開昭６０−１４１１４０において、半導体集積回路の電源ピンへ接触される一対の接触子について、例えば、前記フォーシング電源端子Ｔ１へ接続される方は良好に接触されているものの、前記センシング電源端子Ｔ２へ接続される接触子が接触不良を生じてしまうような場合には、特に問題となる。このような場合には、前記センシグ電源端子Ｔ２から正しく電源を検出できなくなってしまう。又、該センシング電源端子Ｔ２へ接続される接触子の前記電源ピンに対する接触電気抵抗が増大してしまうと、一般には前記フォーシング回路１２から供給される電源電圧がフィードバック制御で誤って増大されてしまい、過電圧によって半導体集積回路を破損してしまう。
【００１２】
一方、特開昭６２−２２０８１、特開昭６２−２２０８２及び特開昭６２−２２０８３では、前記図７に示す１点鎖線のような、前記センシング電源端子Ｔ２の前記フォーシング電源端子Ｔ１に対する接続が断線してしまった場合の、半導体集積回路への過電圧の電源が供給されてしまうという問題を解決する技術が開示されている。この技術によれば、前述した実開昭６０−１４１１４０に関する前述した問題をも解決することができる。この技術においては、前記センシング回路１４とは特に別の手段によって、前記フォーシング回路１２が出力する電源電圧の異常電圧や異常電流を検出するようにしている。
【００１３】
例えば、前記センシング電源端子Ｔ２の前記フォーシング電源端子Ｔ１への接続が断線してしまい、前記フォーシング回路１２の出力する電源電圧が上昇したとしても、特に設けられた前述の手段によってこの上昇を検出して過大電圧とならないように電源電圧を抑えるようにしている。これら特開昭６２−２２０８１、特開昭６２−２２０８２及び特開昭６２−２２０８３については、いずれもこのような考え方に基づいてなされたものであって、これらは前記フォーシング回路１２における異常電圧や異常電源の検出方法が互いに異なるものである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、前述したように前記実開昭６０−１４１１４０においては、前記センシング電源端子Ｔ２へ接続されるＩＣソケットの接触子と半導体集積回路の電源ピンとの間の接触電気抵抗が問題となる。この接触電気抵抗によって、前記電源ピンと前記センシング電源端子Ｔ２との間に電圧降下による電圧差が生じてしまうためである。
【００１５】
例えば、電源電圧測定に際して前記センシング電源端子Ｔ２へ流れる電流が極僅かの場合、このような接触電気抵抗があっても、このような電圧降下による影響は小さく抑えられるものである。しかしながら、このように該センシング電源端子Ｔ２へ流れる電流が極僅かであると、反って、該センシング電源端子Ｔ２から前記電源ピンへの接触子の接触不良が生じ易くなる場合もあり、接触電気抵抗が増大してしまう。このため、前述のような電圧降下による問題が生じてしまう。
【００１６】
一方、前記特開昭６２−２２０８１、前記特開昭６２−２２０８２又前記特開昭６２−２２０８３は、いずれも、前述のような異常電圧や異常電流を検出してこれに対処する技術であって、供給する電源電圧の精度を向上させるものではない。従って、これらの技術において前記図７の１点鎖線のような接続を行ったような場合でも、又、これらの技術において前記実開昭６０−１４１１４０を併せて適用する場合でも、電源供給先に対して供給する電源電圧の精度を向上することができない。
【００１７】
本発明は、前記従来の問題点を解決するべくなされたもので、電源供給先に対して過電圧の電源電圧を印加してしまうことをより確実に低減しながら、電源供給経路での端子の接触電気抵抗等による供給する電源電圧の降下を精度良く補償補正することによって、前記電源供給先に対して供給する電源電圧の実際の電圧精度をより向上することができる電源供給装置及び電源供給方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電源供給先の電源端子及びグランド端子へ、規定電源電圧の電源を供給する電源供給装置において、互いに異なる電源供給経路にてそれぞれが前記電源端子及び前記グランド端子へ接続される、供給電源電圧Ｖｎ（ｎ＝１、２・・・）がそれぞれ可変の電源を供給する複数の電源装置と、これら電源装置に対して、相互に異なる第１の供給電源電圧Ｖｎ＝ｖｎａ（ｎ＝１、２・・・）を設定すると共に、前記第１の設定と異なる、又相互に異なる第２の供給電源電圧Ｖｎ＝ｖｎｂ（ｎ＝１、２・・・）を設定する電圧設定手段と、該第１の設定時の、それぞれの前記電源装置にて供給される第１の電源電流ｉｎａ（ｎ＝１、２・・・）を測定すると共に、該第２の設定時の、それぞれの前記電源装置にて供給される第２の電源電流ｉｎｂ（ｎ＝１、２・・・）を測定する電流測定手段と、前記電圧設定手段にて設定した第１及び第２の電圧、前記電流測定手段にて測定した第１の電源電流ｉｎａ及び第２の電源電流ｉｎｂを用いて、少なくとも１つの前記電源装置の前記電源供給経路の、電圧降下を生じさせてしまう電気抵抗Ｒｎ（ｎは１、２・・・のいずれか）の抵抗値を求める演算処理回路とを備え、前記電気抵抗Ｒｎの抵抗値を用いて、該電気抵抗Ｒｎによる電圧降下を補償補正しながら電源を供給するようにしたことにより、前記課題を達成したものである。
【００１９】
又、前記電源供給装置において、前記電源装置の台数を２台とし、前記第１の設定について、一方の電源装置の供給電源電圧Ｖｎの設定を電圧ｖとし、他方の設定を電圧ゼロとし、前記第２の設定については、これとは逆に、一方の前記電源装置の供給電源電圧Ｖｎの設定を電圧ゼロとし、他方の設定を前記電圧ｖとしたことより、前記課題を達成すると共に、前記演算処理回路にあって行う前記電気抵抗Ｒｎの算出計算をより簡潔なものとしたものである。
【００２０】
又、前記電源供給装置において、前記電圧設定手段は更に、前記第１及び前記第２の設定以前に、前記電源装置それぞれに対して、比較的小さな電源電流ｉｎｃ（ｎ＝１、２・・・）となるような仮設定を行い、前記演算処理回路は更に、該仮設定時の前記電源装置それぞれの供給電源電圧Ｖｎ及びそれぞれの電源電流ｉｎｃを用いて、少なくともいずれか１つの前記電源供給経路の、電圧降下を生じてしまう電気抵抗Ｒｎの抵抗値の、少なくとも概略の大小を評価判断し、前記抵抗値が小さいという該評価判断が得られた場合には、前記第１、第２の供給電圧設定及び第１、第２の電源電流測定を行うことなく、前記電圧設定手段が、前記電気抵抗Ｒｎの小さな供給経路にて電源を供給する電源装置を用いた電源供給の制御を行うことにより、前記課題を達成すると共に、前記電源供給経路中の電圧降下を生じさせてしまう前記電気抵抗Ｒｎが比較的小さい場合に、例えば該電気抵抗による電圧降下の補償補正を省略して制御時間の短縮等を図ったり、あるいは、例えば、このように前記電気抵抗Ｒｎの大きさが小さくなる場合に前記供給電源電流ｉｎａやｉｎｂが大きくなってしまい、このような電流の増大によって前記第１電流装置や前記第２電流装置に対して悪影響が生じてしまうことをより効果的に防止しながら、これら電気抵抗Ｒｎを求める精度をより向上できるような十分の電圧の大きさの前記第１電源電圧パターンや前記第２電源電圧パターンの設定をも可能としたものである。
更に、本発明は、電源供給先の電源端子及びグランド端子へ、規定電源電圧の電源を供給する電源供給方法において、互いに異なる電源供給経路にてそれぞれが前記電源端子及び前記グランド端子へ接続される複数の電源装置に対して、相互に異なる第１の供給電源電圧Ｖｎ＝ｖｎａ（ｎ＝１、２・・・）を設定し、該第１の設定時の、それぞれの前記電源装置にて供給される第１の電源電流ｉｎａ（ｎ＝１、２・・・）を測定し、その後、前記複数の電源装置に対して、前記第１の設定と異なる、又相互に異なる第２の供給電源電圧Ｖｎ＝ｖｎｂ（ｎ＝１、２・・・）を設定し、該第２の設定時の、それぞれの前記電源装置にて供給される第２の電源電流ｉｎｂ（ｎ＝１、２・・・）を測定し、前記設定した第１及び第２の電圧と、前記測定した第１の電源電流ｉｎａ及び第２の電源電流ｉｎｂを用いて、少なくとも１つの前記電源装置の前記電源供給経路の、電圧降下を生じさせてしまう電気抵抗Ｒｎ（ｎは１、２・・・のいずれか）の抵抗値を求め、求めた該電気抵抗Ｒｎの抵抗値を用いて、該電気抵抗Ｒｎによる電圧降下を補償補正しながら電源を供給するようにしたことにより、前記課題を達成したものである。
又、前記電源供給方法において、前記電源装置の台数を２台とし、前記第１の設定について、一方の電源装置の供給電源電圧Ｖｎの設定を電圧ｖとし、他方の設定を電圧ゼロとし、前記第２の設定については、これとは逆に、一方の前記電源装置の供給電源電圧Ｖｎの設定を電圧ゼロとし、他方の設定を前記電圧ｖとしたことより、前記課題を達成すると共に、前記演算処理回路にあって行う前記電気抵抗Ｒｎの算出計算をより簡潔なものとしたものである。
【００２１】
【作用】
前述のようにＩＣソケットを用いて半導体集積回路へ電源を供給する場合等、半導体集積回路等の何らかの電源供給先へ電源を供給する場合には、例えばＩＣソケットの接触子と電源供給先の半導体集積回路の電源ピンとの間の接触電気抵抗等の、電源供給経路中の何らの電気抵抗によって、供給する電源電圧が降下してしまう。
【００２２】
本発明においては、電源供給経路で電源電圧を降下させてしまう電気抵抗の抵抗値の大きい部分を特に含む電源供給経路の部分を、独立した異なる２つ以上の電源供給経路としている。又、それぞれの電源供給経路から、異なる電源装置、例えば２台の電源装置を用いる場合には第１電源装置と第２電源装置とを用いて電源を供給するようにしている。
【００２３】
例えばＩＣソケットへ半導体集積回路を挿入実装する場合には、半導体集積回路の電源ピンとこれに接触するＩＣソケットの接触子との間の接触電気抵抗が、電源供給経路中で抵抗値が比較的に大きな電気抵抗となり、電圧降下の問題となる。このため、例えば前記実開昭６０−１４１１４０を適用し、この電気抵抗の抵抗値の大きな部分、即ちこの接触子部分を少なくとも二重化して、それぞれの接触子へ異なる電源装置、例えば２台用いる場合には前記第１電源装置あるいは前記第２電源装置を接続するようにしている。
【００２４】
本発明においては、このように少なくとも２つの電源装置を用いることで、前述のように供給する電源電圧の降下の原因となる電気抵抗、例えばＩＣソケットにおける接触子の接触電気抵抗等を測定するようにしている。この接触抵抗を測定することで、該半導体集積回路の電源ピンへ実際に印加される電源電圧をより精度良く求め、補償することができる。従って、半導体集積回路等の電源供給先に対して過電圧の電源電圧を印加してしまうことをより確実に低減することができる。
【００２５】
更には、このような接触子の接触電気抵抗等による、供給する電源電圧の降下をより精度良く補償補正することができ、電源供給先に対して供給する電源電圧の実際の電圧精度をより向上することも可能である。
【００２６】
図１は、本発明の要旨を示す回路図である。
【００２７】
この図１においては、一例として、電源装置を２台用いる場合が示される。２台以上についても、以下の説明するように同様に考えることができる。
【００２８】
この図１において、半導体集積回路１には、パッケージに設けられた電源ピン３及びグランドピン４によって電源が供給される。ここで、用いる電源装置の台数に対応して前記電源ピン３へ２つの接触子６Ａ及び６Ｂを接触させることで、又、前記グランドピン４へ接触子６Ｃを接触させることで、前記半導体集積回路１を動作させるための電源を供給するものとする。
【００２９】
ここで、第１電源装置１０は、接触子６Ａによって前記電源ピン３へ接続され、前記接触子６Ｃによって前記グランドピン４へ接続されている。又、該第１電源装置１０は、このようにして前記半導体集積回路１へ当該第１電源装置１０から供給する電源の供給電源電流ｉ１ａやｉ１ｂを測定しながら、外部から設定された供給電源電圧Ｖ１の電源を前記半導体集積回路１へ供給する。
【００３０】
一方、第２電源装置２０は、前記接触子６Ｂによって前記電源ピン３へ接続され、前記接触子６Ｃによって前記グランドピン４へ接続され、電源を供給する。又、該第２電源装置２０は、このように電源を供給する際の供給電源電流ｉ２ａやｉ２ｂを測定することができる。又、該第２電源装置２０は、このように電源を供給する際、供給電源電圧Ｖ２を外部から設定できるものである。
【００３１】
図２は、本発明において前記第１電源装置及び前記第２電源装置にて電源を供給する際の等価回路図である。
【００３２】
この図２では、特に前記図１の等価回路が示される。又、この図２において、符号３Ａは、前記図１の前記電源ピン３の部分に対応するものである。又、この図２において、電気抵抗Ｒ１は、前記接触子６Ａを前記電源ピン３へ接触させる際の接触電気抵抗に相当する。又、抵抗Ｒ２は、前記接触子６Ｂを前記電源ピン３へ接触させる際の接触電気抵抗に相当する。更に、電気抵抗ＲＤは、前記電源ピン３及び前記グランドピン４から見た、前記半導体集積回路１の内部回路の電源負荷に相当する。
【００３３】
ここでまず、電圧設定手段にて、前記第１電源装置１０の前記供給電源電圧Ｖ１を電圧ｖ１ａに設定する。又、該第１電圧設定手段にて、前記第２電源装置２０の前記供給電源電圧Ｖ２を電圧ｖ２ａに設定する。これら設定を行いながら、前記第１電源装置１０及び前記第２電源装置２０による電源供給を行う。ここで、前記供給電源電圧ｖ１ａと前記供給電源電圧ｖ２ａは同一の大きさとはならないようにする。
【００３４】
又、これら供給電源電圧ｖ１ａ及びｖ２ａによる電源供給を行った際、第１電流測定手段にて、前記第１電源装置１０の供給電源電流ｉ１ａを測定すると共に、前記第２電源装置２０の供給電源電流ｉ２ａを測定する。
【００３５】
次に、第２電圧設定手段にて、前記第１電源装置１０の前記供給電源電圧Ｖ１を電圧ｖ１ｂに設定すると共に、前記第２電源装置２０の前記供給電源電圧Ｖ２を電圧ｖ２ｂに設定する。これら設定を行いながら、前記第１電源装置１０及び前記第２電源装置２０による電源供給を行う。ここで、前記供給電源電圧ｖ１ｂと前記供給電源電圧ｖ２ｂとは異なる大きさのものとする。又、このような第２電圧設定手段と前記第１電圧設定手段とは、互いに異なる前記供給電源電圧のパターンを設定するものとする。
【００３６】
ここで、このように第２電圧設定手段による設定を行いながら電源を供給し、第１電源装置１０の前記供給電源電流ｉ１ｂを測定すると共に、又、第２電源装置２０の前記供給電源電流ｉ２ｂを測定する。
【００３７】
このように異なる条件における電源供給を行った際の、前記測定電流値ｉ１ａ、ｉ２ａ、ｉ１ｂ及びｉ２ｂが求められると、線形連立方程式によって、前記接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２を算出することができる。このような算出を、本発明では演算処理回路によって行っている。
【００３８】
本発明はこれに限定されるものではないが、これら接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２を、オームの法則やキルヒホッフの法則により、又、前記図２の等価回路に基づいて、例えば次式のように算出することができる。
【００３９】
（ｖ１ａ−ｖ２ａ）＝ｉ１ａ×Ｒ１−ｉ２ａ×Ｒ２      …（１）
（ｖ１ｂ−ｖ２ｂ）＝ｉ１ｂ×Ｒ１−ｉ２ｂ×Ｒ２      …（２）
【００４０】
本発明はこれに限定されるものではないが、ここで、上記（２）式を前記接触電気抵抗Ｒ２について解いたものを上記（１）式へ代入し、これを前記接触電気抵抗Ｒ１について整理すれば、該接触電気抵抗Ｒ１を求めることができる。一方、上記（１）式を前記接触電気抵抗Ｒ１について解いてこれを上記（２）式へ代入し、前記接触電気抵抗Ｒ２について整理すれば、該接触電気抵抗Ｒ２を求めることができる。
【００４１】
このようにして前記接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２が求められれば、前記図１における前記電源ピン３における電圧、あるいは前記図２での前記電源ピン部分３Ａにおける電圧を、電源供給先の前記半導体集積回路１で規定される電源電圧とするために、前記供給電源電圧Ｖ１を次式で示されるような電圧ｖ１ｚとすればよく、前記供給電源電圧Ｖ２を次式で示されるような電圧ｖ２ｚとすればよい。即ち、前記電気抵抗Ｒ１やＲ２による電圧降下を補償すればよい。
【００４２】
ｖ１ｚ＝Ｖ０＋ｉ１ｚ×Ｒ１          …（３）
ｖ２ｚ＝Ｖ０＋ｉ２ｚ×Ｒ２          …（４）
【００４３】
ここで、電流ｉ１ｚ及びｉ２ｚは、それぞれ、電源供給先の前記半導体集積回路１を実際に動作させるために電源を供給する際の、前記第１電源装置１０あるいは前記第２電源装置２０の前記供給電源電流の値である。
【００４４】
このように、本発明によれば、電源供給の際の電圧降下の原因となる電気抵抗を算出することができ、又、これに基づいた供給電源電圧の制御を行うことができ、供給する電源電圧の実際の電圧精度をより向上することができる。又、電源供給先に対して実際に印加される電源電圧をより精度良く把握できるため、電源供給先へ過電圧の電源電圧が印加されてしまうことをより確実に低減することも可能である。
【００４５】
なお、前記（１）式及び前記（２）式から前記接触電気抵抗Ｒ１やＲ２を求めることは、比較的繁雑な計算となってしまう。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではないが、後述する実施例の如く、前記供給電源電圧ｖ１ａ及びｖ２ｂを、いずれも同一の電圧ｖとし、更に、前記供給電源電圧ｖ１ｂ及びｖ２ａを電圧ゼロとすれば、前記接触電気抵抗Ｒ１やＲ２を比較的簡単に算出することができる。
【００４６】
更に、本発明はこれに限定されるものではないが、電圧降下の補償補正を行いながらなされる電源供給先の前記半導体集積回路１を実際に動作させるための電源供給を、必ずしも前記第１電源装置１０と前記第２電源装置２０とを共に用いて行う必要はない。このように片方のみ用いる場合には、前記電気抵抗Ｒ１あるいはＲ２のうちの、いずれか抵抗値が小さい方に対応する前記第１電源装置１０あるいは前記第２電源装置２０を用いればよい。このように一方のみの電源装置を用いることで、前記（３）式及び前記（４）式における前記電流ｉ１ｚあるいはｉ２ｚのいずれか一方をゼロとすることができ、これら（３）式及び（４）式に基づいた前記供給電源電圧ｖ１ｚ及びｖ２ｚの算出をより容易に行うことが可能である。
【００４７】
なお、本発明の電源供給装置及び電源供給方法が対象とする電源供給先については、前記図１のような前記半導体集積回路１に限定されるものではないことは言うまでもない。又、前記接触電気抵抗Ｒ１やＲ２についても、前記接触子６Ａや６Ｂに関するものに限定されるものではない。これら電気抵抗Ｒ１及びＲ２は、接触電気抵抗に限定されるものではなく、電源供給の際の電源電圧の降下の原因となるような電気抵抗であればよい。
【００４８】
【実施例】
以下、図を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
【００４９】
図３は、本発明が適用された電源供給装置及び電源供給方法の実施例の構成を示すブロック図である。
【００５０】
この図３に示される如く、本実施例の電源供給装置及び電源供給方法は、半導体集積回路１に対して電源を供給するものである。本実施例の電源供給装置及び電源供給方法は、前記半導体集積回路１の電源ピン３及びグランドピン４から電源を供給する。又、本実施例においては、特に本発明が適用され、第１電源装置１０と第２電源装置２０との、２つの電源装置が用いられている。更に、本実施例では、電源電圧補償制御装置３０が用いられている。
【００５１】
まず、前記第１電源装置１０と前記第２電源装置２０とは、構成が互いに同一のものであり、フォーシング回路１２あるいは２２と、センシング回路１４あるいは２４と、レジスタ１６あるいは２６とを備える。これら第１電源装置１０及び第２電源装置２０は、いずれも、前記フォーシング回路１２あるいは２２と、前記センシング回路１４あるいは２４とによって、前記図７を用いて前述したように、供給する電源の電圧のフィードバック制御がなされている。
【００５２】
なお、前記第１電源装置１０の前記レジスタ１６には、前記供給電源電圧Ｖ１の実際の値と、これに対する供給電源電流の測定電流値とが記憶されている。又、前記第２電源装置２０の前記レジスタ２６には、前記供給電源電圧Ｖ２の実際の値と、これに対する供給電源電流の測定電流値とが記憶される。
【００５３】
なお、前記第１電源装置１０は、前記電源ピン３へ接触する接触子６Ａにて前記半導体集積回路１へ電源を供給する。又、前記第２電源装置２０については、前記電源ピン３へ接触する前記接触子６Ｂによって、前記半導体集積回路１へ電源を供給する。なお、前記電源ピン３と、これに接触する前記接触子６Ａとの間の接触電気抵抗は、前記抵抗Ｒ１である。又、前記電源ピン３と、該電源ピン３へ接触する前記接触子６Ｂとの間の接触電気抵抗は、前記接触電気抵抗Ｒ２である。これら接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２は、電源供給に際し、電圧降下を生じる恐れがある。
【００５４】
次に、前記電源電圧補償制御装置３０は、電源電圧制御回路３２と、演算処理回路３４とによって構成される。
【００５５】
まず、前記電源電圧制御回路３２は、合計４つの電源パターン、即ち仮電源電圧パターン、第１電源電圧パターン、第２電源電圧パターン及び最終電源電圧パターンのいずれか１つを、前記演算処理回路３４からの信号Ｓ５に従って、前記第１電源装置１０及び前記第２電源装置２０に対して設定する。
【００５６】
このような前記電源電圧制御回路３２にあって、まず、前記仮電源電圧パターンは、前記供給電源電流Ｉ１が比較的小さな所定値となり、前記供給電源電流Ｉ２が比較的小さな所定値となるような、前記第１電源装置１０の供給電源電圧ｖ１ｃ、及び前記第２電源装置２０の供給電源電圧ｖ２ｃのパターンである。ここで、前記電圧ｖ１ｃと前記電圧ｖ２ｃとは等しくない大きさとされる。又、この仮電源電圧パターンにおいて、前記電圧ｖ１ｃ及びｖ２ｃについては、前記電気抵抗Ｒ１及びＲ２の大きさが小さくても、前記第１電源装置１０の前記供給電源電流が過大になってしまったり、前記第２電源装置２０の前記供給電源電流が過大になってしまわないよう配慮されている。
【００５７】
又、前記第１電源電圧パターンは、前記第１電源装置１０の前記供給電源電圧ｖ１ａ、及び、前記第１電源装置２０の前記供給電源電圧ｖ２ａのパターンである。ここで、前記電圧ｖ１ａと前記電圧ｖ２ａとは、相互に異なるものである。
【００５８】
前記第２電源電圧パターンは、前記第１電源装置１０の前記供給電源電圧ｖ１ｂ、及び前記第２電源装置２０の前記供給電源電圧ｖ２ｂによるパターンである。ここで、前記電圧ｖ１ｂとｖ２ｂとは、互いに異なる大きさとされる。
【００５９】
又、前記最終電源電圧パターンは、電源供給先の前記半導体集積回路１を実際に動作させるために最終的に設定されるものであり、最終的な前記第１電源装置１０の供給電源電圧ｖ１ｚ、及び最終的な前記第２電源装置２０の供給電源電圧ｖ２ｚによるパターンである。
【００６０】
次に、前記演算処理回路３４は、本発明を適用しながら、前記接触電気抵抗Ｒ１の値と、前記接触電気抵抗Ｒ２の値とを求める。又、これら接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２に従って、最終的な前記供給電源電圧ｖ１ｚ及びｖ２ｚを求める。
【００６１】
図４は、本実施例の動作を示すフローチャートである。
【００６２】
この図４においては、主として、前記第１電源装置１０や前記第２電源装置２０に対する、前記電源電圧補償制御装置３０の動作が示されている。
【００６３】
この図４のフローチャートにおいて、まずステップ１０２では、前記電源電圧制御回路３２によって、前記仮電源電圧パターンが設定される。この仮電源電圧パターンでは、電流ｉ１ｃ（＝数ｍＡ程度）の前記供給電源電流Ｉ１となるように、前記第１電源装置１０の前記供給電源電圧Ｖ１を制御する。一方、前記第２電源装置２０の前記供給電源電圧Ｖ２はゼロ（＝ｖ２ｃ）とされる。このように仮電源電圧パターンを設定することで、前記第１電源装置１０と前記第２電源装置２０との電圧差によって、（前記接触子６Ａ：前記電源ピン３：前記接触子６Ｂ）を経由した仮テスト電流が流れる。
【００６４】
次に、ステップ１０４では、前記第１電源装置１０の前記供給電源電流ｉ１ｃを測定し、測定された値を前記レジスタ１６へ書き込み、前記演算処理回路３４へ入力する。あるいは、前記第２電源装置２０の前記供給電源電流ｉ２ｃを測定し、測定された値を前記レジスタ２６へ書き込み、前記演算処理回路３４へ入力する。
【００６５】
このように、これら測定電流値ｉ１ｃ及びｉ２ｃは、前記演算処理回路３４へ入力される。
【００６６】
続いて、ステップ１０８では、前記演算処理回路３４において、前記測定電流値ｉ１ｃの大きさ、あるいは、前記測定電流値ｉ２ｃの大きさから、前記仮テスト電流の大きさを把握する。即ち、前記電源装置１０及び２０それぞれの供給電圧ｖ１ｃ及びｖ２ｃ、又、それぞれの前記電源電流ｉ１ｃ及びｉ２ｃを用いて、前記電源装置１０及び２０の前記電源供給経路の、電圧降下を生じてしまう前記接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２の抵抗値の、概略の大小評価判断をする。前記仮テスト電流の大きさが所定値より大きければ、該ステップ１０８では前記接触電気抵抗Ｒ１の抵抗値が小さく、且つ、前記接触電気抵抗Ｒ２の抵抗値が小さいと判定し、次にステップ１１２へ進む。一方、該ステップ１０８において、前記仮テスト電流が所定値より小さければ、前記接触電気抵抗Ｒ１又は前記接触電気抵抗Ｒ２の少なくともいずれか一方が大きいと判定し、次にステップ１２２へ進む。又、このような判定に用いる前述の所定値の大きさは、前記電圧ｖ１ｃやｖ２ｃに基づき、又、電圧降下がないとして許容する前記接触電気抵抗Ｒ１やＲ２の大きさに基づいて決定される。
【００６７】
まず、前記ステップ１１２では、前述のように前記接触電気抵抗Ｒ１が小さく、且つ、前記接触電気抵抗Ｒ２が小さいため、前記半導体集積回路１への電源供給に際して、これら電気抵抗Ｒ１やＲ２を原因とする電源電圧の降下が無視できるものとして、電源電圧制御を行う。具体的には、本実施例では電源電圧の安定性を向上させるため、前記第１電源装置１０と前記第２電源装置２０とを併用した電源供給を行う。このとき、前記接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２がいずれも小さいため、これら接触電気抵抗Ｒ１やＲ２に関する電圧降下の補償を特に行わない。なお、前記接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２がこのようにいずれも小さいと判定された場合にあって、前記第１電源装置１０又は前記第２電源装置２０のいずれか一方のみを用いるようにしてもよい。
【００６８】
一方、前記ステップ１２２では、前記第１電源電圧パターンの設定を行う。これは、前記演算処理回路において前記接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２の少なくともいれずれか一方が大きいと判定されたことにより、該演算処理回路３４から出力される前記信号Ｓ５によって、前記電源電圧制御回路３２が前記第１電源電圧パターンを設定するというものである。この第１電源電圧パターンの設定では、前記第１電源装置１０の前記供給電源電圧Ｖ１が信号Ｓ１によって前記電圧ｖ１ａに設定され、前記第２電源装置２０の前記供給電源電圧Ｖ２が信号Ｓ２によって前記電圧ｖ２ａに設定されるというものである。本実施例の前記第１電源電圧パターンでは、前記供給電源電圧ｖ１ａは前記電圧ｖとされ、前記供給電源電圧ｖ２ａは電圧ゼロとされる。従って、該第１電源電圧パターンを設定すると、このときの等価回路は図５のようになる。
【００６９】
続いて、ステップ１２４では、このように前記第１電源電圧パターンの設定がされた際の、前記供給電源電流ｉ１ａを前記レジスタ１６へ取込むというものである。又、この際の、前記供給電源電流ｉ２ａを前記レジスタ２６へ取込むというものである。これら測定電流値ｉ１ａ及びｉ２ａは、前記演算処理回路３４へ入力される。
【００７０】
続いて、ステップ１２６では、前記電源電圧制御回路３２は、前記演算処理回路３４からの前記信号Ｓ５に従って、前記第２電源電圧パターンを設定する。該第２電源電圧パターンの設定は、前記信号Ｓ１によって前記供給電源電圧Ｖ１を前記電圧ｖ１ｂに設定し、前記信号Ｓ２によって前記供給電源電圧Ｖ２を前記電圧ｖ２ｂへ設定するというものである。本実施例の前記第２電源電圧パターンでは、前記供給電源電圧ｖ２ｂが前記電圧ｖとされ、前記供給電源電圧ｖ１ｂが電圧ゼロとされる。従って、このときの等価回路は図６に示すようになる。
【００７１】
続いてステップ１２８では、このように前記第２電源電圧パターンを設定したときの、前記供給電源電流ｉ１ｂを前記レジスタ１６へ取込む。又、このとき、前記供給電源電流ｉ２ｂを前記レジスタ２６へ取込む。これら測定電流値ｉ１ｂ及びｉ２ｂは、前記演算処理回路３４へ入力される。
【００７２】
続いて、ステップ１３２では、前記第１電源電圧パターンの前記電圧ｖ１ａ及びｖ２ａと、該第１電源電圧パターン設定時の前記測定電流値ｉ１ａ及びｉ２ａと、前記第２電源電圧パターン設定時の前記電圧ｖ１ｂ及びｖ２ｂと、該第２電源電圧パターン設定値の前記測定電流値ｉ１ｂ及びｉ２ｂに従って、前記演算処理回路３４において前記接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２を求める。
【００７３】
まず、前記第１電源電圧パターン設定時には、前述のように前記図５のような等価回路となる。又、前記第２電源電圧パターン設定時には、前述の通り前記図６の等価回路のようになる。従って、オームの法則やキルヒホッフの法則により、それぞれの電源電圧パターン設定時に次式が成り立つ。
【００７４】
ｖ＝ｉ１ａ×Ｒ１＋ｉ２ａ×Ｒ２      …（５）
ｖ＝ｉ２ｂ×Ｒ２＋ｉ１ｂ×Ｒ１      …（６）
【００７５】
上記（５）式及び（６）式によって、前記接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２を求める次式を得ることができる。
【００７６】
Ｒ１＝ｖ（ｉ２ｂ−ｉ２ａ）／（ｉ１ａ×ｉ２ａ−ｉ１ｂ×ｉ２ａ）…（７）
Ｒ２＝ｖ（ｉ１ｂ−ｉ１ａ）／（ｉ２ａ×ｉ１ｂ−ｉ１ａ×ｉ２ｂ）…（８）
【００７７】
前記ステップ１３２では、最終的に、上記（７）式及び（８）式に基づいて、設定した電圧や測定された電流値に従って、前記演算処理回路３４において前記接触電気抵抗Ｒ１及びＲ２を求めることができる。
【００７８】
続いてステップ１３４では、まず、前記第１電源装置１０あるいは前記第２電源装置２０のいずか一方によって、用いる電源装置の出力端で、前記半導体集積回路１の規定電源電圧Ｖ０となるような電源供給を行う。このとき、オームの法則により次式が成り立つ。
【００７９】
前記第１電源装置１０を用いた場合：
Ｖ０＝（Ｒ１＋ＲＤ）×Ｉ            …（９）
前記第２電源装置２０を用いた場合：
Ｖ０＝（Ｒ２＋ＲＤ）×Ｉ            …（１０）
【００８０】
上記（９）式や（１０）式に示される電源電流Ｉは、前記第１電源装置１０にて測定され、前記レジスタ１６へ書き込まれ、前記演算処理回路３４へこの測定値が送られる。あるいは、前記第２電源装置２０にて測定され、前記レジスタ２６へ書き込まれ、前記演算処理回路３４へこの測定値が送られる。この電源電流Ｉは、前記半導体集積回路１の前記電源ピン３及び前記グランドピン４へ前記規定電源電圧Ｖ０を印加したときの電源電流と近似することができる。
【００８１】
ここで、本実施例においては、前記第１電源装置１０又は前記第２電源装置２０のいずれか一方を、最終的に前記半導体集積回路１への電源供給に用いている。この最終的な電源供給の際、次式に示されるように、（Ｉ×Ｒ１）の電圧降下の補正値又は（Ｉ×Ｒ２）の電圧降下の補正値にて、前記第１電源装置１０の出力端の前記供給電源電圧Ｖ１を補正するようにし、あるいは、前記第２電源装置２０の出力端の前記供給電源電圧Ｖ２を補正するようにしている。なお、本実施例においては、前記第１電源装置１０又は前記第２電源装置２０のいずれか一方を用いるよう選択する際、前記接触電気抵抗Ｒ１又はＲ２のうちの小さい方に対応するものを選択するようにしている。
【００８２】
前記第１電源装置１０を用いる場合：
ｖ１ｚ＝Ｖ０＋Ｉ×Ｒ１              …（１１）
前記第２電源装置２０を用いる場合：
ｖ２ｚ＝Ｖ０＋Ｉ×Ｒ２              …（１２）
【００８３】
上記電圧ｖ１ｚ又はｖ２ｚが求められれば、これによった設定で、電源供給を行う。即ち、実際に前記半導体集積回路１を動作させるため、前記第１電源装置１０を用いる場合、前記電圧ｖ１ｚの設定を行い、電源を供給する。前記第２電源装置２０を用いる場合、前記電圧ｖ２ｚの設定を行い、電源を供給する。
【００８４】
以上説明したように、本実施例によれば、前記図４のフローチャートのような一連の電源回路制御又演算処理を行うことによって、前記接触電気抵抗Ｒ１やＲ２による電圧降下を補正することができる。これによって、電源供給先の前記半導体集積回路１に対して供給する電源電圧の精度をより向上することができる。又、前記半導体集積回路１に対して過電圧の電源電圧が印加されてしまって、該半導体集積回路１が破損等してしまうことも、より確実に防止することができるようにされている。
【００８５】
特に、半導体集積回路１の動作や特性のテストに際しては、供給する電源電圧の精度が重要となる。これは、供給する電源電圧の大きさによって、その内部回路の動作や特性が影響を受けることがあるためである。従って、例えば本実施例の電源供給装置及び電源供給方法を例えば半導体集積回路のテスト装置に用いた場合、該テスト装置にてなされる動作テストや特性テストのテスト精度や測定精度をより向上させ、その信頼性をより向上させることが可能である。
【００８６】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によれば、電源供給先に対して過電圧の電源電圧を印加してしまうことをより確実に低減しながら、電源供給経路での端子の接触電気抵抗等による供給する電源電圧の降下をより精度良く補償補正することによって、前記電源供給先に対して供給する電源電圧の実際の電圧精度をより向上することができるという優れた効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の要旨を示す接続模式図
【図２】本発明の要旨を示す等価回路図
【図３】本発明が適用された電源供給装置及び電源供給方法の実施例の構成を示すブロック図
【図４】前記実施例の動作を示すフローチャート
【図５】前記実施例において第１電源電圧パターン設定時の等価回路図
【図６】前記実施例において第２電源電圧パターン設定時の等価回路図
【図７】従来からの電源装置の構成を示すブロック図
【符号の説明】
１…半導体集積回路（電源供給先）
３…電源ピン
３Ａ…電源ピン部分
４…グランドピン
６Ａ〜６Ｃ…接触子
１０…第１電源装置
１２、２２…フォーシング回路
１４、２４…センシング回路
１６、２６…測定値レジスタ
２０…第２電源装置
３０…電源電圧補償制御装置
３２…電源電圧制御回路
３４…演算処理回路
Ｖ１…第１電源装置の供給電源電圧
Ｖ２…第２電源装置の供給電源電圧
Ｉ１…第１電源装置の供給電源電流
Ｉ２…第２電源装置の供給電源電流
Ｒ１…第１電源装置側の電源ピンへの接触電気抵抗
Ｒ２…第２電源装置側の電源ピンへの接触電気抵抗
ＲＤ…半導体集積回路による電源負荷抵抗
ＧＮＤ…グランド
Ｓ１〜Ｓ５、Ｓ１０、Ｓ１１…信号
【図１】
0003669516.tif 000002
【図２】
0003669516.tif 000003
【図３】
0003669516.tif 000004
【図４】
0003669516.tif 000005
【図５】
0003669516.tif 000006
【図６】
0003669516.tif 000007
【図７】
0003669516.tif 000008