(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、
前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に向けて突出して該他方の基板に当接し、弾性変形可能な材料から構成される突起が形成され、
該突起は、前記画像表示領域内の周囲領域において中心領域に比較して高密度に形成されていることを特徴とする電気光学パネル。
【請求項２】
請求項１において、前記一対の基板は、画素電極および画素スイッチング用の薄膜トランジスタがマトリクス状に形成されたトランジスタアレイ基板と、対向電極が形成された対向基板とから構成されていることを特徴とする電気光学パネル。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学パネルを用いた拡大投射型表示装置であって、光源と、該光源から出射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、当該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大投射光学系とを有することを特徴とする投射型表示装置。
【請求項４】
一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルの製造方法において、
前記一対の基板のうちの一方の基板に、他方の基板に向けて突出し、弾性変形可能な材料から構成される突起を、前記画像表示領域内の周囲領域において中心領域に比較して高密度になるように形成する工程と、
他方の基板にシール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧しながら、前記シール材を硬化させる工程とを有することを特徴とする電気光学パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の基板間に液晶などの電気光学物質が封入された電気光学パネル、この電気光学パネルを用いた投射型表示時装置、および電気光学パネルの製造方法に関するものである。さらに詳しくは、一対の基板間に所定寸法の隙間を確保するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一対の基板間に液晶などの電気光学物質が封入された電気光学パネルでは、図１９ および図２０ に示すように、石英ガラスなどの透明基板の表面に画素電極８および画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ という。）１０ が形成されたＴＦＴ アレイ基板（トランジスタアレイ基板）２ と、ネオセラムなどの高耐熱性のガラス基板の表面に対向電極３２ が形成された対向基板３ と、これらの基板間に封入、挟持されている液晶などの電気光学物質３９ とから概略構成されている。ＴＦＴ アレイ基板２ と対向基板３ とはギャップ材含有のシール材２００ ′によって所定の隙間を介して貼り合わされているとともに、この隙間内には、電気光学物質３９ が封入された画像表示領域３７ がシール材２００ ′によって区画形成されている。このようなギャップ材含有のシール材２００ ′として、従来は、エポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤成分にガラスビーズなどがギャップ材として配合されたものが用いられている。
【０００３】
このように構成した電気光学パネル１ ′では、ＴＦＴ アレイ基板２ において、データ線（図示せず。）およびＴＦＴ１０ を介して画素電極８ に印加した画像信号によって、画素電極８ と対向電極３２ との間において電気光学物質３９ の配向状態を画素毎に制御し、画像信号に対応した所定の画像を表示する。従って、ＴＦＴ アレイ基板２ では、データ線およびＴＦＴ１０ を介して画素電極８ に画像信号を供給するとともに、対向電極３２ にも所定の電位を印加する必要がある。そこで、電気光学パネル１ ′では、ＴＦＴ アレイ基板２ の側にはデータ線などの形成プロセスを援用して基板間導通用の第１ の電極４７ を形成する一方、対向基板３ の側には対向電極３２ の形成プロセスを援用して基板間導通用の第２ の電極４８ を形成しておき、これらの基板間導通用の第１ の電極４７ と第２ の電極４とを、エポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子を配合した導通材５６ によって電気的に導通させている。それ故、電気光学パネル１ ′では、ＴＦＴ アレイ基板２ および対向基板３ のそれぞれにフレキシブル配線基板などを接続しなくても、ＴＦＴ アレイ基板２ の入出力端子４５ のみにフレキシブル配線基板９９ などを接続するだけで、ＴＦＴアレイ基板２ および対向基板３ の双方に所定の信号を入力することができる。
しかしながら、電気光学パネル１ ′では、ＴＦＴ アレイ基板２ と対向基板３ との隙間寸法（セル厚）を２ μｍ 位にまで狭めて表示品位の向上を図ろうとする試みがなされているが、周辺のシール材２００ ′に配合したギャップ材のみによってこのような薄いセル厚を確保しようとすると、セル厚が薄い分だけ、ばらつきが大きくなってしまう。その結果、電気光学物質３９ の層の厚さのばらつきが大になるので、表示画面において不自然な明暗や電気光学物質３９ の応答速度のばらつきなどが発生し、表示品位が逆に低下するという問題点がある。
【０００４】
そこで、画像表示領域３７ にスペーサ材を散布することによって、セル厚を制御する構成が考えられる。しかしながら、画像表示領域３７ にスペーサ材を散布した電気光学パネル１ ′を投射型表示装置に用いると、散布したスペーサ材が密に集まっている箇所で光透過性が低下するので、このような不具合がそのままスクリーン上に拡大投射されてしまうという問題点がある。
【０００５】
また、電気光学パネル１ ′では、ＴＦＴ アレイ基板２ と対向基板３ との隙間寸法（セル厚）を２ μｍ 位にまで狭めて表示品位の向上を図ろうとする試みがなされているが、周辺のシール材２００ ′に配合したギャップ材のみによってこのような薄いセル厚を確保しようとすると、セル厚が薄い分だけ、ばらつきが大きくなってしまう。その結果、電気光学物質３９ の層の厚さのばらつきが大になるので、表示画面において不自然な明暗や電気光学物質３９ の応答速度のばらつきなどが発生し、表示品位が逆に低下するという問題点がある。
【０００６】
そこで、画像表示領域３７ にスペーサ材を散布することによって、セル厚を制御する構成が考えられる。しかしながら、画像表示領域３７ にスペーサ材を散布した電気光学パネル１ ′を投射型表示装置に用いると、散布したスペーサ材が密に集まっている箇所で光透過性が低下するので、このような不具合がそのままスクリーン上に拡大投射されてしまうという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、隙間寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域全面において均一な電気光学パネル、この電気光学パネルを用いた投射型表示時装置、および電気光学パネルの製造方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に向けて突出して該他方の基板に当接し、弾性変形可能な材料から構成される突起が形成され、該突起は、前記画像表示領域内の周囲領域において中心領域に比較して高密度に形成されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明では、一方の基板に形成された突起を他方の基板に当接させることにより、基板間の隙間寸法（セル厚）を制御するので、シール材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法を高い精度で制御できる。また、突起は、画像表示領域内で点在するように形成されているので、画像表示領域全域において基板間の隙間寸法にばらつきが発生しない。それ故、狭い隙間であっても隙間寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域全面において均一な電気光学パネルを実現できる。また、このような電気光学パネルでは、画像表示領域内に突起を形成しても、画像表示領域内のある領域に突起が集中してしまうこともない。さらに、シール材にギャップ材を入れなくてよいので、シール材の下層側に配線があっても、これらの配線がギャップ材で押し潰されて断線してしまうのを防ぐことができる。
【００２３】
本発明において、前記突起は、前記画像表示領域内に形成されている各画素において光の透過しない非開口領域に形成されていることが好ましい。このように構成すると、画像表示領域内に突起を形成しても、突起が表示に写し出されることがない。よって、本発明は、電気光学パネルを投射型表示装置のライトバルブとして用いる場合に効果的である。
【００２４】
本発明において、前記突起は、前記画像表示領域内に形成されている各画素において同一個所に形成されていることがこのましい。すなわち、前記突起は、各画素内における同一座標上に形成されていることが好ましい。このように構成すると、各画素において同じ高さの位置に突起を形成することになるので、基板間の隙間寸法をより一定にすることができる。それ故、段差の大きな基板を用いた場合でも、他方の基板との間に一定の隙間を確保できる。
【００２５】
本発明において、前記突起は円柱形状を有していることが好ましい。このように構成すると、液晶などの電気光学物質を充填する際に突起の周りをスムーズに回りこむので、電気光学物質の充填不良が発生しない。
【００２６】
本発明において、前記突起は、前記画像表示領域内における周囲領域では中心領域に比較して高密度に形成されていることが好ましい。このように構成すると、液晶などの電気光学物質を基板間に注入するタイミングによってはパネルの中心が膨らむことがあるが、このような膨らみの発生を見越して基板同士を貼り合わせることが好ましい。すなわち、基板同士を貼り合わせた直後は、画像表示領域の中心領域で基板間の隙間が狭くなるが、画像表示領域内に電気光学物資を注入したときに中心領域が膨らんで、この領域における隙間寸法が多少、大きくなっても、このような拡大分は、電気光学物質を注入する前の隙間寸法の差で吸収、緩和される。それ故、基板間の隙間寸法を画像表示領域全面において均一化することができる。
【００２７】
本発明において、前記突起は、前記画像表示領域内における一方側領域では他方側領域に比較して高密度に形成されていることが好ましい。本発明に係る電気光学パネルを製造する際には、一方の基板に突起を形成した後、シール材を塗布し、しかる後に一対の基板間の隙間を詰めるような力を加えながらシール材を硬化させることになるが、一対の基板を押圧する際に、その力に大小が常に発生する領域がわかっておれば、それを吸収、緩和するような密度で突起を形成すればよい。すなわち、基板を貼り合わす装置のくせを踏まえた上で一方の基板に突起を所定の分布で形成するので、画像表示領域の全面において基板間の隙間を均一にすることができる。
【００２８】
本発明において、前記突起は、弾性変形可能な材料から構成され、前記一対の基板間で押し潰されていることが好ましい。このように構成すると、基板間において、押し潰された突起が元の形状に復帰しようと基板間を広げようとする力が加わる一方、基板同士はシール材で固着されているので、基板間の隙間寸法を均一にすることができる。
【００２９】
本発明において、前記一対の基板は、たとえば、画素電極および画素スイッチング用の薄膜トランジスタがマトリクス状に形成されたトランジスタアレイ基板と、対向電極が形成された対向基板とからなる。
【００３０】
このような電気光学パネルを用いた投射型表示装置（電気光学装置）では、光源と、該光源から出射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、当該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大投射光学系とを配置する。
【００３１】
本発明に係る電気光学パネルの製造方法では、一対の基板間に電気光学物質が挟持され
領域内には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルの製造方法において、前記一対の基板のうちの一方の基板に、他方の基板に向けて突出し、弾性変形可能な材料から構成される突起を、前記画像表示領域内の周囲領域において中心領域に比較して高密度になるように形成する工程と、他方の基板にシール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧しながら、前記シール材を硬化させる工程とを有することを特徴とする。
【００３２】
本発明に係る電気光学パネルの製造方法では、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を弾性変形可能な材料により形成した後、当該一方の基板にシール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧して前記突起を弾性変形させ、この状態で前記シール材を硬化させることが好ましい。このように構成すると、基板間において、押し潰された突起が元の形状に復帰しようと基板間を広げようとする力が加わる一方、基板同士はシール材で固着されているので、基板間の隙間寸法を均一にすることができる。
【００３３】
本発明は、一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に向けて突出して該他方の基板に当接する突起を有し、該突起は、前記画素領域を囲む領域に形成された遮光膜に対向するように配置されていることを特徴とする。
【００３４】
本発明によれば、一方の基板に形成された突起を他方の基板に当接させることにより、基板間の隙間寸法（セル厚）を制御するので、シール材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法を高い精度で制御できる。また、突起は、画像表示領域を囲むように形成されているので、画像表示領域全域において、基板間の隙間寸法にばらつきを抑えることができる。
【００３５】
本発明に係る電気光学パネルは、一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、前記一対の基板のうちの一方の基板には、走査線と、データ線と、前記走査線と前記データ線とに対応して配置された薄膜トランジスタと、蓄積容量とを含み、前記蓄積容量は前記薄膜トランジスタに対応して配置され、前記蓄積容量は容量線を有し、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に向けて突出して該他方の基板に当接する突起が形成され、前記突起部は、前記容量線の形成領域に配置されることを特徴とする
〔発明を実施するための最良の形態〕
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、本形態に係る電気光学パネルにおいて、従来の電気光学パネルと共通する部分には同一の符号を付して説明する。
［実施の形態１ ］
（電気光学パネルの全体構成）
図１ は、本形態に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。
【００３６】
図２ は、図１ のＨ −Ｈ ′線で切断したときの電気光学パネルの断面図である。図３ は、本形態の電気光学パネルに用いたＴＦＴ アレイ基板、対向基板およびこれらの基板の貼り合わせ構造を示すパネル端部の断面図である。
【００３７】
図１ 、図２ および図３ に示すように、投射型表示装置などに用いられる電気光学パネル１ は、石英ガラス３０ の表面に透明な画素電極８ がマトリクス状に形成されたＴＦＴ アレイ基板２ と、同じく石英ガラス３１ の表面に透明な対向電極３２ が形成された対向基板３ と、これらの基板間に封入、挟持されている液晶などの電気光学物質３９ とから概略構成されている。
【００３８】
ＴＦＴ アレイ基板２ と対向基板３ とは、対向基板３ の外周縁に沿って形成されたシール材２００ によって所定の隙間を介して貼り合わされている。また、ＴＦＴ アレイ基板２ と対向基板３ との間には、シール材２００ によって電気光学物質封入領域４０ が区画形成され、この画像表示領域３７ 内に液晶などの電気光学物質３９ が封入されている。
【００３９】
本形態において、ＴＦＴ アレイ基板２ と対向基板３ との間の隙間寸法（セル厚）は、後述するように、ＴＦＴ アレイ基板２ から対向基板３ に向けて突出している突起によって確保されている。従って、本形態で用いるシール材２００ には、従来と違って、ギャップ材が配合されている必要はない。
【００４０】
電気光学パネル１ において、対向基板３ はＴＦＴ アレイ基板２ よりも小さく、ＴＦＴ アレイ基板２ の周辺部分は、対向基板３ の外周縁よりはみ出た状態に貼り合わされる。従って、ＴＦＴ アレイ基板２ の駆動回路（走査線駆動回路７０ やデータ線駆動回路６０ ）や入出力端子４５ は、対向基板３ から露出した状態にあり、入出力端子４５ に対するフレキシブル配線基板９９ の接続が可能である。ここで、シール材２００ は部分的に途切れているので、この途切れ部分によって、電気光学物質注入口２４１ が構成されている。このため、対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ とを貼り合わせた後、シール材２００ の内側領域を減圧状態にすれば、電気光学物質注入口２４１ から電気光学物質３９ を減圧注入でき、電気光学物質３９ を封入した後、電気光学物質注入口２４１ を封止剤２４２ で塞げばよい。なお、対向基板３ には、シール材２００ の形成領域の内側において、画像表示領域３７ の周囲に遮光膜５５ が形成されている。また、対向基板３ には、ＴＦＴ アレイ基板２ の各画素電極８ の境界領域に対応する領域に遮光膜６ が形成されている。
【００４１】
本形態の電気光学パネル１ は、たとえば、投射型表示装置（プロジェクタ）において使用される。この場合、３ 枚の電気光学パネル１ がＲＧＢ 用のライトバルブとして各々使用され、各電気光学パネル１ の各々には、ＲＧＢ 色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、本形態の電気光学パネル１ にはカラーフィルタが形成されていない。但し、対向基板３ において各画素電極８ に対向する領域にＲＧＢ のカラーフィルタをその保護膜とともに形成することにより、投射型表示装置以外にも、カラー液晶テレビなどといったカラー表示装置を構成することができる。また、対向基板３ に何層もの屈折率の異なる干渉層を積層することにより、光の干渉作用を利用して、ＲＧＢ 色をつくり出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付きの対向基板によれば、より明るいカラー表示を行うことができる。さらに、対向基板３ およびＴＦＴ アレイ基板２ の光入射側の面あるいは光出射側には、使用する電気光学物質３９ の種類、すなわち、ＴＮ （ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ （スーパーＴＮ ）モード、Ｄ −ＳＴＮ （ダブル−ＳＴＮ ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。
【００４２】
このように構成した電気光学パネル１ において、ＴＦＴ アレイ基板２ では、データ線（図示せず。）およびＴＦＴ１０ を介して画素電極８ に印加した画像信号によって、画素電極８ と対向電極３２ との間において電気光学物質３９ の配向状態を画素毎に制御し、画像信号に対応した所定の画像を表示する。従って、ＴＦＴ アレイ基板２ では、データ線およびＴＦＴ１０ を介して画素電極８ に画像信号を供給するとともに、対向電極３２ にも所定の電位を印加する必要がある。そこで、電気光学パネル１ では、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面のうち、対向基板３ の各コーナー部に対向する部分には、データ線などの形成プロセスを援用してアルミニウム膜（遮光性材料）からなる基板間導通用の第１ の電極４７ が形成されている。一方、対向基板３ の各コーナー部には、対向電極３ の形成プロセスを援用して透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ ：ＩＴＯ 膜）からなる基板間導通用の第２ の電極４８ が形成されている。さらに、これらの基板間導通用の第１ の電極４７ と第２ の電極４８ とは、エポキシ樹脂系やアクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子が配合された導通材５６によって電気的に導通している。それ故、電気光学パネル１ では、ＴＦＴ アレイ基板２ および対向基板３ のそれぞれにフレキシブル配線基板などを接続しなくても、ＴＦＴ アレイ基板２ のみにフレキシブル配線基板９９ を接続するだけで、ＴＦＴ アレイ基板２ および対向基板３ の双方に所定の信号を入力することができる。    （ＴＦＴ アレイ基板の構成）図４ は、電気光学パネルの構成を模式的に示すブロック図、図５ は、この電気光学パネルにおける画素の一部を抜き出して示す平面図、図６ は、図５ におけるＡ −Ａ ′線におけるＴＦＴ アレイ基板の断面図である。
【００４３】
図１ および図４ に示すように、本実施の形態による電気光学パネル１ の画像表示領域３７ を構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々は、走査線９１ と、データ線９０ と、画素電極８ と、画素電極８ を制御するためのＴＦＴ１０とからなり、画像信号が供給されるデータ線９０ が当該ＴＦＴ１０ のソースに電気的接続されている。また、ＴＦＴ１０ の走査線９１ にはパルス的に走査信号Ｇ１ 、Ｇ２ 、…、Ｇｍ が、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極８ は、ＴＦＴ１０ のドレインに電気的接続されており、ＴＦＴ１０ を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線９０ から供給される画像信号Ｓ１ 、Ｓ２ 、…、Ｓｎ を所定のタイミングで書き込む。画素電極８ を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１ 、Ｓ２ 、…、Ｓｎ は、対向基板３ に形成された対向電極３２ との間で一定期間保持される。電気光学物質３９ は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極８ と対向電極３２ との間に形成される電気光学物質と並列に蓄積容量４０ を付加する。尚、このように蓄積容量４０ を形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線９２ を設けても良いし、後述のように前段の走査線９１ との間で容量を形成しても良い。
【００４４】
図５ は一部の画素平面図を示す。データ線９０ は、コンタクトホールを介してポリシリコン膜からなる半導体層のうち、ソース領域１６ に電気的に接続され、画素電極８ は、コンタクトホールを介してドレイン領域１７ に電気的に接続している。また、チャネル領域１５ に対向するように走査線９１ が延びている。なお、蓄積容量４０ は、画素スイッチング用のＴＦＴ１０ を形成するためのシリコン膜１０ａ （半導体膜／図５ に斜線を付した領域）の延設部分に相当するシリコン膜４０ａ （半導体膜／図５ に斜線を付した領域）を導電化したものを下電極４１とし、この下電極４１ に対して容量線９２ が上電極として重なった構造になっている。
【００４５】
このように構成した画素のＡ −Ａ ′線における断面は、図６ に示すように表される。まず、ＴＦＴ アレイ基板２ の基体たる石英ガラス３０ の表面には絶縁性の下地保護膜３０１ が形成され、この下地保護膜３０１ の表面には、島状のシリコン膜１０ａ 、４０ａ が形成されている。また、シリコン膜１０ａ の表面にはゲート絶縁膜１３ が形成され、このゲート絶縁膜１３ の上に走査線（ゲート電極）９１ が形成されている。シリコン膜１０ａ のうち、走査線９１ に対してゲート絶縁膜１３ を介して対峙する領域がチャネル領域１５ になっている。このチャネル領域１５ に対して一方側には、低濃度ソース領域１６１ および高濃度ソース領域１６２ を備えるソース領域１６ が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１７１および高濃度ドレイン領域１７２ を備えるドレイン領域１７ が形成されている。
【００４６】
このように構成された画素スイッチング用のＴＦＴ１０ の表面側には、第１ 層間絶縁膜１８ および第２ 層間絶縁膜１９ が形成され、第１ 層間絶縁膜１８ の表面に形成されたデータ線９０ は、第１ 層間絶縁膜１８ に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域１６２ に電気的に接続している。また、画素電極８ は、第１ 層間絶縁膜１８ および第２ 層間絶縁膜１９ に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域１７２ に電気的に接続している。また、高濃度ドレイン領域１７２ から延設されたシリコン膜４０ａ には高濃度領域からなる下電極４１ が形成され、この下電極４１ に対しては、ゲート絶縁膜１３ と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線９２ が対向している。このようにして蓄積容量が形成されている。
【００４７】
ここで、ＴＦＴ１０ は、好ましくは上述のようにＬＤＤ 構造をもつが、オフセット構造を有していてもよいし、あるいは走査線９１ をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴ であってもよい。対向基板３ 上には画素スイッチング用のＴＦＴ１０ に対向する領域に遮光膜６ と、対向電極３２ と配向膜４９ がこの順に形成されている。
（基板間の隙間寸法の制御）
このように構成した電気光学パネル１ において、本形態では、図１ 、図２ および図３ に示すように、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面（電気光学物質３９ を挟持している側の面）には、画像表示領域３７ の周りを囲むように、シール材２００ の形成領域の内周縁に沿って突起２１ が形成されている。この突起２１ は、対向基板３ に向けて突き出て対向基板３ に当接することにより、ＴＦＴ アレイ基板２ と対向電極３ との間に２ μｍ の隙間（セル厚）を確保している。すなわち、突起２１は、弾性変形可能な材料から構成され、シール材２００ によって接着固定されたＴＦＴ アレイ基板２ と対向電極３ との間で押し潰された状態にある。
（製造方法）
この状態を、図１ 、図２ 、図３ および図７ を参照して、電気光学パネル１ の製造方法とともに詳述する。図７ は、図３ に示すように基板同士を貼り合わせる直前の様子を示す断面図である。
【００４８】
本形態の電気光学パネル１ を製造するにあたって、まず、対向基板３ を形成するには、石英ガラス３１ 等の絶縁基板の表面に遮光膜６ および対向電極３２ を順次形成した後、対向電極３２ の表面に、配向膜を形成するためのポリイミド樹脂４９ を薄く塗布する。次に、ポリイミド樹脂４９ を１５０ ℃から２００ ℃位の温度で熱硬化させる。このようにして対向基板３ の側にポリイミド樹脂４９ の層を形成した後、ラビング処理を行う。
【００４９】
一方、ＴＦＴ アレイ基板２ を形成するには、まず、周知の半導体プロセスを利用して、石英ガラス３０ の表面にＴＦＴ１０ および画素電極８ を順次形成する。
次に、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面全体に、硬化後も弾性変形可能な種類の樹脂を塗布した後、それをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画像表示領域３７ の周りを囲む領域に突起２１ を形成する。ここで、基板間の隙間寸法のねらい値が例えば２ μｍ であれば、突起２１ を隙間寸法のねらい値（２ μｍ ）よりもやや厚めに形成する。
【００５０】
次に、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面に、配向膜を形成するためのポリミド樹脂４６ を薄く形成し、しかる後にラビング処理を行う。
次に、突起２１ の外側を囲むように、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面に未硬化のシール材２００ をディスペンサから吐出しながら塗布する。また、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面のうち、シール材２００ の塗布領域よりやや外周側には、基板間導通用の未硬化の導通材５６ を打点式のディスペンサから吐出しながら塗布する。本形態では、導通材５６ として、光硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子が配合されたものを用いる。また、シール材２００ として、導通材５６ と同様、光硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤を用いる。このシール材２００ にはギャップ材が配合されていない。従って、シール材２００ にギャップ材を入れなくてよいので、シール材２００ の下層側に配線があっても、これらの配線がギャップ材で押し潰されて断線してしまうということがない。
【００５１】
次に、ＴＦＴ アレイ基板２ に形成されている基板間導通用の第１ の電極４７ に対して対向基板３ に形成されている基板間導通用の第２ の電極４８ が対向するように、対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ とを位置合わせした後、ＴＦＴ アレイ基板２ に向けて対向基板３ を押圧し、突起２１ を高さが２ μｍ になる位までかるく押し潰した状態のまま、対向基板３ の側からシール材２００ への紫外線照射、あるいは加熱処理により、導通材５６ およびシール材２００ を硬化させる。
【００５２】
ここで、導通材５６ およびシール材２００ について双方を塗布してから一括して硬化させてもよいが、導通材５６ およびシール材２００ をそれぞれ別々に塗布し、硬化させてもよい。また、硬化は、仮硬化と本硬化の２ 段階に分けて行ってもよい。
その結果、図１ ないし図３ に示すように、対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ とは、突起２１ をスペーサとして介在させた状態で２ μｍ の隙間を介して貼り合わされ、かつ、ＴＦＴ アレイ基板２ に形成されている基板間導通用の第１ の電極４７ と、対向基板３ に形成されている基板間導通用の第２ の電極４８ とが導通材５６ を介して電気的に接続する。
【００５３】
このようにして対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ とを貼り合わせた後は、図１に示すように、シール材２００ の内側領域を減圧状態にして電気光学物質注入口２４１ から電気光学物質３９ を減圧注入し、しかる後に電気光学物質注入口２４１ を封止剤２４２ で塞ぐ。
【００５４】
このように、本形態では、ＴＦＴ アレイ基板２ に形成した突起２１ を対向基板３ との間に弾性変形させた状態で介在させることにより、基板間の隙間寸法（セル厚）を制御するので、シール材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、たとえ２ μｍ という狭い隙間寸法であっても、高い精度で制御できる。また。突起２１ は、画像表示領域３７ を囲むように形成されているので、画像表示領域３７ 全域において隙間寸法が制御され、基板間の隙間寸法に場所毎のばらつきが発生しない。それ故、狭い隙間であっても隙間寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域３７ 全面において均一な電気光学パネル１ を実現できる。よって、この電気光学パネル１ を用いて表示を行うと、表示のむらがなく、かつ、コントラスト比が高くて、しかも明るい表示を行うことができるなど、表示の品位が向上する。
【００５５】
［実施の形態２ ］
図８ は、本形態に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。
図９ （Ａ ）、（Ｂ ）はそれぞれ、図８ のＨ ′−Ｈ ″線で切断したときの電気光学パネルの断面図および基板間導通部分の平面図である。図１０ （Ａ ）、（Ｂ ）はそれぞれ、図９ に示すように基板同士を貼り合わす直前の様子を示す電気光学パネルの断面図、および基板間導通部分の平面図である。なお、本形態に係る電気光学パネルにおいて、実施の形態１ に係る電気光学パネルと共通する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの説明を省略する。
【００５６】
実施の形態１ では、シール材２００ の形成領域の内周縁のみに沿ってセル厚制御用の突起２１ を形成したが、本形態では、図８ および図９ （Ａ ）に示すように、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面のうち、シール材２００ の形成領域の内周縁および外周縁の双方に沿って内周側突起２２ および外周側突起２３ が形成されている。
【００５７】
また、本形態では、図９ （Ｂ ）に示すように、外周側突起２３ には、基板間の導通を行う導通材５６ の形成領域の周りを囲む円形部分２４ が形成されている。ここに示す例では、導通材５６ の形成領域の周りを囲む円形部分２４ と外周側突起２３ とが一体になっているが、これらが独立して形成される場合もある。
【００５８】
このような構成の電気光学パネル１ の製造方法を、図９ および図１０ を参照して説明しながら、併せて基板間に所定の隙間寸法を確保する方法を詳述する。
【００５９】
本形態の電気光学パネル１ を製造するにあたって、まず、図１０ （Ａ ）に示すように、対向基板３ に用いた石英ガラス３１ の表面に遮光膜６ 、対向電極３２ 、およびポリイミド樹脂４９ からなる配向膜を形成する。
【００６０】
一方、ＴＦＴ アレイ基板２ に用いた石英ガラス３０ の表面に、まず、ＴＦＴ１０ および画素電極８ などを形成する。
【００６１】
次に、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面全体に、硬化後も弾性変形可能な種類の樹脂を塗布した後、それをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、画像表示領域３７ の周りを囲むように内周側突起２２ 、および円形部分２４ を備える外周側突起２３ を形成する。ここで、内周側突起２２ および外周側突起２３ は、基板間の隙間寸法のねらい値が２ μｍ であれば、内周側突起２２ および外周側突起２３ を隙間寸法のねらい値（２ μｍ ）よりもやや厚めに形成する。また、図１０（Ｂ ）に示すように、外周側突起２３ の角部分において、円形部分２４ は、導通材５６ を介して基板同士を導通させるための第１ の電極４７ の周りを囲むように形成する。
【００６２】
次に、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面に、ポリイミド樹脂４６ の形成、およびラビング処理を行なって、ポリイミド樹脂４６ の層を配向膜とする。
【００６３】
次に、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面のうち、内周側突起２２ および外周側突起２３ に挟まれた領域に対して未硬化のシール材２００ をディスペンサから吐出しながら塗布する。また、外周側突起２３ の円形部分２４ で囲まれた領域内には、基板間導通用の未硬化の導通材５６ を打点式のディスペンサから吐出しながら塗布する。本形態でも、導通材５６ として、光硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子が配合されたものを用いる。また、シール材２００ として、光硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤を用い、このシール材２００ にはギャップ材が配合されていない。
【００６４】
次に、ＴＦＴ アレイ基板２ に形成されている基板間導通用の第１ の電極４７ に対して対向基板３ に形成されている基板間導通用の第２ の電極４８ が対向するように、対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ とを位置合わせした後、ＴＦＴ アレイ基板２ に向けて対向基板３ を押圧して、突起２２ 、２３ 、２４ の高さが２ μｍ になる位まで押し潰した状態のまま、対向基板３ の側からシール材２００ への紫外線照射、あるいは加熱処理により、導通材５６ を硬化させるとともに、シール材２００ を硬化させる。
【００６５】
その結果、図８ ないし図９ に示すように、対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ とは所定の隙間を介して貼り合わされ、かつ、ＴＦＴ アレイ基板２ に形成されている基板間導通用の第１ の電極４７ と、対向基板３ に形成されている基板間導通用の第２ の電極４８ とが導通材５６ を介して電気的に接続する。
【００６６】
このように、本形態では、ＴＦＴ アレイ基板２ に形成した内周側突起２２ および外周側突起２３ を対向基板３ に当接させることにより、基板間の隙間寸法（セル厚）を制御するので、シール材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法を高い精度で制御できる。また。内周側突起２２ および外周側突起２３ は、画像表示領域３７ を囲むように形成されているので、画像表示領域３７ 全域において、基板間の隙間寸法にばらつきが発生しない。それ故、隙間寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域３７ 全面において均一な電気光学パネル１ を実現できる。
【００６７】
また、未硬化のシール材２００ は、内周側突起２２ および外周側突起２３ に挟まれた領域内に塗布するので、塗布する際および加熱した際に余分な領域にはみ出ることがない。さらに、未硬化の導通材５６ は、外周側突起２３ の円形部分２４ の内側に塗布するので、塗布する際および加熱した際余分な領域にはみ出ることがない。それ故、シール材２００ および導通材５６ の接着剤成分として、熱硬化性のものを用いることができる。ここで、熱硬化性のものをシール材２００ あるいは導通材５６ として用いると、紫外線硬化性のものを用いた場合と違って、紫外線照射によって配向膜を構成するポリイミド樹脂４６ 、４９ が劣化するという事態を回避できる。それ故、紫外線照射する際に所定領域を遮光するという手間のかかる工程が不要である。また、紫外線硬化性のシール材２００ を用いた際にはシール材２００ に紫外線が届くように、シール材２００ と重なる領域には各種の回路や配線などを形成できないという制約があるが、熱硬化性のシール材２００ であれば、それと重なる領域を有効利用でき、そこに各種の回路や配線を配置することができる。また、シール材２００ の形成領域を画像表示領域３７ の周辺に形成された遮光膜５５ と少なくとも部分的に重なる位置まで拡張することにより、そのシール性を高めることもできる。
【００６８】
［実施の形態３ ］
図１１ は、本形態に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。図１２ および図１３ はそれぞれ、電気光学パネルの画素の平面図および断面図である。また、図１４ は、図１３ に示すように基板同士を貼り合わす直前の様子を示す画素の断面図である。なお、本形態に係る電気光学パネルにおいて、実施の形態１ に係る電気光学パネルと共通する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの説明を省略する。
【００６９】
実施の形態１ 、２ では、シール材２００ の形成領域に沿ってセル厚制御用の突起２１ 、２２ 、２３ を形成したが、本形態では、図１１ に示すように、シール材２００ の形成領域に沿ってセル厚制御用の突起などが形成されておらず、図１９を参照して説明した従来の電気光学パネルと略同一の平面形状を有している。
【００７０】
その代わりに、本形態では、図１２ および図１３ に示すように、液晶パネル１の画像表示領域３７ 内の点在する所定の位置に、円柱形状の多数の突起２５ が形成され、これらの多数の突起２５ が、シール材２００ で貼り合わされたＴＦＴ アレイ基板２ と対向基板３ との間に介在することによって、基板間には所定の隙間が確保されている。本形態では、突起２５ を形成する位置として、画像表示領域３７ 内に形成されているいずれの画素においても、光の透過しない非開口領域に形成されている。すなわち、各画素において、図５ を参照して説明した画素のうち、画素スイッチング用のＴＦＴ１０ を形成するためのシリコン膜１０ａ （半導体膜／図５ に斜線を付した領域）の延設部分に相当するシリコン膜４０ａ （半導体膜／図５ に斜線を付した領域）、および容量線９２ を利用して蓄積容量４０ が形成されている領域に突起２５ が形成されている。
【００７１】
このような構成の電気光学パネル１ の製造方法を、図１１ 、図１２ 、図１３ および図１４ を参照して説明しながら、併せて、基板間に所定の隙間寸法を確保する方法を詳述する。
【００７２】
本形態の電気光学パネル１ を製造するにあたって、まず、図１４ に示すように、対向基板３ に用いた石英ガラス３１ の表面に遮光膜６ 、対向電極３２ 、およびポリイミド樹脂４９ からなる配向膜を形成する。
【００７３】
一方、ＴＦＴ アレイ基板２ に用いた石英ガラス３０ の表面には、ＴＦＴ１０ および画素電極８ などを形成する。
【００７４】
次に、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面全体に硬化後も弾性変形可能な種類の樹脂を塗布した後、図１２ および図１４ に示すように、それをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面のうち、蓄積容量４０ が形成されている比較的、平坦な領域に円柱形状の突起２５ を形成する。ここで、突起２５ は、基板間の隙間寸法のねらい値が２ μｍ であれば、突起２５ を隙間寸法のねらい値（２ μｍ ）よりもやや厚めに形成する。
【００７５】
次に、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面に、ポリイミド樹脂４６ の形成、およびラビング処理によって、ポリイミド樹脂４６ の層からなる配向膜を形成する。
【００７６】
次に、図１１ に示すように、ＴＦＴ アレイ基板２ の表面のうち、対向基板３ の外周縁に重なる領域に未硬化のシール材２００ をディスペンサから吐出しながら塗布する。また、シール材２００ の塗布領域の外周側には、基板間導通用の未硬化の導通材５６ を打点式のディスペンサから吐出しながら塗布する。本形態でも、導通材５６ として、光硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子が配合されたものを用いる。ここで、シール材２００ としては、光硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤を用い、このシール材２００ にはギャップ材が配合されているもの、ギャップ材が配合されていないもののいずれを用いてもよい。ここで、ギャップ材が配合されていないシール材２００ を用いれば、シール材２００ の下層側に配線があっても、これらの配線がギャップ材で押し潰されて断線するのを防ぐことができる。
【００７７】
次に、ＴＦＴ アレイ基板２ に形成されている基板間導通用の第１ の電極４７ に対して対向基板３ に形成されている基板間導通用の第２ の電極４８ が対向するように、対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ とを位置合わせした後、ＴＦＴ アレイ基板２ に向けて対向基板３ を押圧して、図１３ に示すように、突起２５ の高さが２μｍ になる位までかるく押し潰した状態のまま、対向基板３ の側からシール材２００ への紫外線照射、あるいは加熱処理により、導通材５６ を硬化させるとともに、シール材２００ を硬化させる。
【００７８】
その結果、図１１ および図１３ に示すように、対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ とは所定の隙間を介して貼り合わされ、かつ、ＴＦＴ アレイ基板２ に形成されている基板間導通用の第１ の電極４７ と、対向基板３ に形成されている基板間導通用の第２ の電極４８ とが導通材５６ を介して電気的に接続する。
【００７９】
このようにして対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ とを貼り合わせた後は、図１１ に示すように、シール材２００ の内側領域を減圧状態にして電気光学物質注入口２４１ から液晶などの電気光学物質３９ を減圧注入し、電気光学物質３９ を充填した後、電気光学物質注入口２４１ を封止剤２４２ で塞ぐ。この際に、突起２５ は円柱形状であるため、液晶などの電気光学物質３９ は、突起２５ に邪魔されること無く、スムーズに突起２５ を回り込むので、電気光学物質３９ は適正に充填される。従って、電気光学物質３９ の充填不良が発生しない。
【００８０】
このように、本形態では、ＴＦＴ アレイ基板２ に形成した突起２５ を対向基板３ に当接させることにより、基板間の隙間寸法（セル厚）を制御するので、シール材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法を高い精度で制御できる。また。突起２５ は、画像表示領域３７ 内に点在する多数の位置でＴＦＴ アレイ基板２ と対向基板３ との間に介在するので、画像表示領域３７ 全域において、基板間の隙間寸法にばらつきが発生しない。それ故、狭い隙間であっても隙間寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域３７ 全面において均一な電気光学パネル１ を実現できる。
【００８１】
また、スペーサとして機能する突起２５ をＴＦＴ アレイ基板２ に作りこむので、画像表示領域３７ に対してスペーサを散布した場合と違って、表示品位を低下させるような位置を避けて、各画素において光の透過しない非開口領域のみに突起２５ を選択的に形成できる。たとえば、本形態のように、蓄積容量４０ が形成された平坦な領域に突起２５ を選択的に形成できる。従って、電気光学パネル１を投射型表示装置のライトバルブとして用いても、突起２５ が像として拡大投射されることはない。
【００８２】
また、突起２５ は、各画素における同一個所（蓄積容量４０ の形成領域）、すなわち各画素における同一座標上に形成されているので、突起２５ は、いずれも各画素において同じ高さの位置に形成されている。それ故、突起２５ の高さの位置が各画素間で同一であるので、基板間の隙間寸法をより確実に一定にすることができる。よって、段差の大きなＴＦＴ アレイ基板２ を用いた場合であっても、ＴＦＴ アレイ基板２ と対向基板３ との間に一定の隙間を確保できる。
【００８３】
［実施の形態３ の改良例］
図１５ は、実施の形態３ の改良例に係る電気光学パネルにおける突起の分布を示す説明図、図１６ は、実施の形態３ の別の改良例に係る電気光学パネルにおける突起の分布を示す説明図である。
【００８４】
実施の形態３ に係る電気光学パネル１ では、画像表示領域３７ において円柱形状の突起２５ を等しい密度で形成する例であったが、ここに説明する例では、画像表示領域３７ のうち、ある特定の領域では突起２５ を高密度に形成し、他の領域では突起２５ を低密度にしか形成しない。
【００８５】
すなわち、図１５ に示す例では、電気光学パネル１ の画像表示領域３７ においてマトリクス状に並ぶ多数の画素のうち、周囲領域は突起２５ （図１５ において黒丸を付してある。）の高密度形成領域として、全ての画素に突起２５ が形成されているのに対して、中心領域は突起２５ の低密度形成領域として一部の画素にのみ突起２５ が形成されている。
【００８６】
このように構成すると、基板同士を貼り合わせた直後は、画像表示領域３７ の中心領域で基板間の隙間が狭くなる。すなわち、液晶などの電気光学物質を基板間に注入するタイミングによっては電気光学パネル１ の中心が膨らむことがあるが、このような膨らみの発生を見越して基板同士を貼り合わせることができる。
【００８７】
すなわち、画像表示領域３７ 内に電気光学物資３９ 減圧注入したとき、多少、中心領域が膨らんで隙間寸法が大きくなっても、このような拡大分は、電気光学物質３９ を注入する前の隙間寸法の差で吸収、緩和される。それ故、基板間の隙間寸法を画像表示領域３７ 全面において均一化することができる。
【００８８】
また、突起２５ の形成密度を変える形態としては、図１６ に示すように、対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ とを貼り合わせる際にＴＦＴ アレイ基板２ に向けて対向基板３ を押圧する装置において、押圧力が場所によってばらつく傾向にある場合には、このようなばらつきを相殺するような分布をもって突起２５ を形成する。たとえば、図１６ に向かって左側においてＴＦＴ アレイ基板２ への押圧力が大で、右側においてＴＦＴ アレイ基板２ への押圧力が小であれば、画像表示領域３７ のうち、図１６ に向かって左側領域については、突起２５ の高密度形成領域として突起２５ を形成する画素数を増やし、例えば全ての画素に突起２５ を形成し、一方、図１６ に向かって右側領域については、突起２５ の低密度形成領域として一部の画素のみに突起２５ を形成する。
【００８９】
このように構成すると、押圧力が場所によって相違しても、それに応じて、対向基板３ とＴＦＴ アレイ基板２ との間に介在する突起２５ の密度を設定するので、結果としては、画像表示領域３７ の全面において基板間の隙間を均一にすることができる。
【００９０】
［その他の実施の形態］
実施形態１ の変形例１ を図１７ （Ａ ）に示す。実施形態１ の形態においては、ＴＦＴ アレイ基板２ の方のシール材形成領域の周辺に突起２１ を形成し、かつ、シール材２００ もＴＦＴ アレイ基板２ の方に形成する例を示したが、図１７ （Ａ）の変形例では、対向基板３ の側の所定位置に突起２１ を形成する一方、シール材２００ をＴＦＴ アレイ基板２ の方に形成し、しかる後に、ＴＦＴ アレイ基板２と対向基板３ とを貼り合わせている。この場合に、突起２１ の形成位置とシール材２００ の塗布位置とは、前記の実施の形態１ のようにずらしてもよいが、図１７ （Ａ ）に示す例のように、突起２１ と重なる位置にシール材２００ を塗布してもよく、この場合には、図１７ （Ｂ ）に示すように、突起２１ とＴＦＴ アレイ基板２ との間にシール材２００ が介在することになり、突起２１ とＴＦＴ アレイ基板２ とが接着固定される構成となる。その他の構成は、前記した実施の形態１ と同様であるので、対応する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。なお、このような構成は、実施の形態２ 及び３ においても採用することができるが、その説明は省略する。
【００９１】
［実施の形態４ ］
実施形態４ を図２１ に示す。実施形態４ の形態においては、ＴＦＴ アレイ基板２ の方のシール材形成領域の周辺であって且つその内側に突起２１ を形成し、且つシール材２００ もＴＦＴ アレイ基板２ の方に形成する例を示したが、図２１ の実施の形態４ では、表示領域の回りの遮光膜５５ に対向するように対向基板３ の側に、あるいはＴＦＴ アレイ基板２ の側に形成し、しかる後に、ＴＦＴ アレイ基板２ と対向基板３ とを貼り合わせている。尚、この遮光膜５５ は、画素がマトリクス状に形成された表示領域とその周辺の非表示領域とを仕切るために形成された膜である。この場合に、突起２１ の形成位置と遮光膜５５ の塗布位置とはずれてもよいが、遮光膜５５ の幅以内におさまるように突起２１ を形成すれば遮光膜５５ の段差に影響されずに突起２１ により基板間のギャップを制御することができる。しかも平面的にみて突起２１ が遮光膜５５ に重なるとともに遮光膜５５ により隠れるため突起２１ の表示への影響を防ぐことができる。また、この突起２１ は、遮光膜５５ に沿って同様に非表示領域を囲むように形成してもよいし、あるいは遮光膜５５ に沿って点在させてもよい。このように、突起２１ とＴＦＴ アレイ基板２ との間にシール材２００ が介在することになり、突起２１ とＴＦＴ アレイ基板２ とが接着固定される構成となる。また、突起２１ をＴＦＴ アレイ基板側の遮光膜５５ の４ 角に対向するように設けてＴＦＴ アレイ基板と対向基板とを貼り合わせることもできる。その場合、ＴＦＴ アレイ基板側に設けられた突起２１ が対向基板との貼り合わせのアライメントマークとして機能させることができる。その他の構成は、前記した実施の形態１ と同様であるので、対応する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００９２】
［電気光学パネルの電子機器への適用］
次に、電気光学パネル１ を備えた電子機器の一例として、投射型表示装置を説明する。図１８ は、本発明を適用した電気光学パネル１ の使用例を示す投射型表示装置（電気光学装置）の全体構成図である。
【００９３】
図１８ において、投射型表示装置１１００ は、電気光学パネル１ を各々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ 、１００Ｇ 及び１００Ｂ として用いたプロジェクタである。この液晶プロジェクタ１１００ では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２ から投射光が発せられると、３ 枚のミラー１１０６ 及び２ 枚のダイクロイックミラー１１０８ によって、ＲＧＢ の３ 原色に対応する光成分Ｒ 、Ｇ 、Ｂ に分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ 、１００Ｇ 及び１００Ｂ に各々導かれる。この際特にＢ 光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２ 、リレーレンズ１１２３ 及び出射レンズ１１２４ からなるリレーレンズ系１１２１ を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ 及び１００Ｂ により各々変調された３ 原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２ により再度合成された後、投射レンズ１１１４ を介してスクリーン１１２０ にカラー画像として投射される。
【００９４】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明では、一方の基板に形成された突起を他方の基板に当接させることにより、基板間の隙間寸法（セル厚）を制御するので、シール材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法を高い精度で制御できる。また、突起は、画像表示領域を囲むように、あるいは画面投射領域を画像表示領域全域において、基板間の隙間寸法にばらつきが発生しない。それ故、狭い隙間であっても隙間寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域全面において均一な電気光学パネルを実現する。また、シール材にギャップ材を入れなくてよいので、シール材の下層側に配線があっても、これらの配線がギャップ材で押し潰されて断線してしまうということがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１ に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。
【図２】図１ のＨ −Ｈ ′線で切断したときの電気光学パネルの断面図である。
【図３】図１ のＨ ′−Ｈ ″線で切断したときのＴＦＴ アレイ基板、対向基板およびこれらの基板の貼り合わせ構造を示すパネル端部の断面図である。
【図４】図１ に示す電気光学パネルの構成を模式的に示すブロック図である。
【図５】図１ に示す電気光学パネルの画素の一部の平面図である。
【図６】図５ のＡ −Ａ ′線に相当する位置で切断したときの電気光学パネルの断面図である。
【図７】図３ に示すように基板同士を貼り合わせる直前の様子を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２ に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。
【図９】（Ａ ）、（Ｂ ）はそれぞれ、電気光学パネルの断面図、および基板間導通部分の平面図である。
【図１０】（Ａ ）、（Ｂ ）はそれぞれ、図９ （Ａ ）に示すように基板同士を貼りつける前の状態を示す電気光学パネル端部の断面図、および基板間導通部分の平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３ に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。
【図１２】図１１ に示す電気光学パネルの画素の一部を抜き出して示す平面図である。
【図１３】図１２ のＡ −Ａ ′線に相当する位置で切断したときの電気光学パネルの断面図である。
【図１４】図１３ に示すように基板同士を貼り合わせる前の様子を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態３ の改良例に係る電気光学パネルにおける突起の分布を示す説明図である。
【図１６】本発明の実施の形態３ の別の改良例に係る電気光学パネルにおける突起の分布を示す説明図である。
【図１７】（Ａ ），（Ｂ ）はそれぞれ、本発明の実施形態１ の変形例に係る電気光学パネルにおいて突起およびシール材をそれぞれ異なる基板に形成あるいは塗布した状態を示す説明図、およびこれらの基板同士を貼り合わせた状態を示す説明図である。
【図１８】本発明を適用した電気光学パネルの使用例を示す投射型表示装置（プロジェクタ）の全体構成図である。
【図１９】従来の電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。
【図２０】図１９ のＨ ′−Ｈ ″線で切断したときの電気光学パネルの断面図および基板間導通部分の平面図である。
【図２１】本発明の実施形態４ に係る電気光学パネルにおいて突起を形成して基板同士を貼り合わせた状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 電気光学パネル
２ ＴＦＴ アレイ基板
３ 対向基板
８ 画素電極
１０ 画素スイッチング用のＴＦＴ
２１ 、２２ 、２３ 、２５ 基板間の隙間寸法制御用の突起
３０ 、３１ 石英ガラス
３２ 対向電極
３７ 画像表示領域
３９ 電気光学物質
４７ 基板間導通用の第１ の電極
４８ 基板間導通用の第２ の電極
９０ データ線
９１ 走査線
２００ シール材
２４１ 電気光学物質注入口
２４２ 封止剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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