(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を含む第１回路部材を第２回路部材に接続する電気接続構造であって、
前記半導体基板に形成され、該半導体基板から離れた先端を有する片もち梁と、
該片もち梁の該先端にあり、前記第１回路部材に電気的に接続されている導電性針と、
前記第１回路部材及び前記第２回路部材を対面させるときに前記導電性針の反対側の該第２回路部材に位置し、該第２回路部材に電気的に接続されている端子パッドと、
前記片もち梁を加圧して前記導電性針と前記端子パッドの間に接触圧力を加えるよう、前記第２回路部材に対面して前記第１回路部材を固定する固定手段と、を備え、
前記誘電性針は、半田付けその他の加熱によることなく、前記接触圧力により前記端子パッドに電気的に接続している、
電気接続構造。
【請求項２】
前記第２回路部材は回路基板であり、
前記第１回路部材は複数の半導体チップの１つであり、
該半導体チップの各々は、片もち梁が形成される半導体基板を含んでおり、
前記電気接続構造は、前記半導体チップの各々における前記片もち梁の前記導電性針の反対側にある前記第２回路部材に配置される端子パッドをさらに含む、請求項１に記載の電気接続構造。
【請求項３】
前記第１回路部材の基板は単結晶シリコンを含み、前記片もち梁はシリコンマイクロマシン技術により基板上に形成される請求項２に記載の電気接続構造。
【請求項４】
前記片もち梁と前記第１回路部材及び前記第２回路部材のうち少なくとも１つとに付着され、前記片もち梁にたわみ応力を加える静電電極手段をさらに備える請求項１に記載の電気接続構造。
【請求項５】
前記静電駆動電極手段に電圧を加えて前記導電性針と前記端子パッドの間の接触圧力を変化させる制御手段をさらに備える請求項４に記載の電気接続構造。
【請求項６】
前記制御手段は、前記静電駆動電極手段に電圧を加えて前記導電性針と前記端子パッドの間の接触を断つ請求項５に記載の電気接続構造。
【請求項７】
前記第１回路部材の基板は単結晶シリコンを含み、前記片もち梁はシリコンマイクロマシン技術により基板上に形成される請求項４に記載の電気接続構造。
【請求項８】
端子パッドに接触し、少なくとも１つの片もち梁の先端に位置する複数の導電性針をさらに備える請求項４に記載の電気接続構造。
【請求項９】
前記第１回路部材及び前記第２回路部材は一様に平面であり、
前記電気接続手段は、該第１回路部材及び該第２回路部材のうち少なくとも１つに位置し、該第１回路部材及び該第２回路部材の間の相対位置を、少なくとも該回路部材の平面に垂直な方向で定義する位置決め手段をさらに備える、請求項４に記載の電気接続構造。
【請求項１０】
前記固定手段は、一時的に前記第１回路部材を前記第２回路部材と対面させて保持し、該第１回路部材が除去され該第２回路部材に再度取り付けられるようにする、請求項４に記載の電気接続構造。
【請求項１１】
前記第１回路部材の前記基板は単結晶シリコンを含み、前記片もち梁はシリコンマイクロマシン技術により基板上に形成される請求項１に記載の電気接続構造。
【請求項１２】
端子パッドに接触し、少なくとも１つの片もち梁の先端に位置する複数の導電性針をさらに備える請求項１に記載の電気接続構造。
【請求項１３】
前記第１回路部材の前記基板は単結晶シリコンを含み、前記片もち梁はシリコンマイクロマシン技術により基板上に形成される請求項１２に記載の電気接続構造。
【請求項１４】
前記電気接続構造は、前記第１回路部材及び前記第２回路部材のうち少なくとも１つに位置し、該第１回路部材及び該第２回路部材の間の相対位置を、少なくとも該回路部材の平面に垂直な方向で定義する位置決め手段をさらに備える、請求項１に記載の電気接続構造。
【請求項１５】
前記第１回路部材の前記基板は単結晶シリコンを含み、前記片もち梁はシリコンマイクロマシン技術により基板上に形成される請求項１４に記載の電気接続構造。
【請求項１６】
前記固定手段は、一時的に前記第１回路部材を前記第２回路部材に対面させて保持し、該第１回路部材が除去され該第２回路部材に再度取り付けられるようにする、請求項１に記載の電気接続構造。
【請求項１７】
前記第１回路部材の前記基板は単結晶シリコンを含み、前記片もち梁はシリコンマイクロマシン技術により基板上に形成される請求項１６に記載の電気接続構造。
【請求項１８】
第１回路部材を第２回路部材に接続する電気接続構造であって、
該第１回路部材における単結晶基板と、
該第１回路部材の該単結晶基板からマイクロマシニング技術により形成され、該単結晶基板から離れた先端を有する片もち梁と、
該片もち梁の先端にあり、前記第１回路部材に電気的に接続されている導電性針と、
前記第１回路部材及び前記第２回路部材を対面させるときに前記導電性針の反対側の該第２回路部材に位置し、該第２回路部材に電気的に接続されている端子パッドと、
前記第１回路部材及び前記第２回路部材のうち少なくとも１つに位置し、該第１回路部材及び該第２回路部材の間の相対位置を、第１回路部材の基板に垂直な方向で定義する位置決め手段と、
前記片もち梁を加圧して前記導電性針と前記端子パッドの間に接触圧力を加えるよう、前記第２回路部材に対面して前記第１回路部材を固定する固定手段と、を備え、
前記誘電性針は、半田付けその他の加熱によることなく、前記接触圧力により前記端子パッドに電気的に接続している、
電気接続構造。
【請求項１９】
前記位置決め手段は、前記第１回路部材及び前記第２回路部材の間の相対位置を、少なくとも該第１回路部材の平面に平行な方向でさらに定義する請求項１８に記載の電気接続構造。
【請求項２０】
第１回路部材を第２回路部材に接続する電気接続構造であって、
該第１回路部材における単結晶基板と、
該第１回路部材の該単結晶基板に形成され、該単結晶基板から離れた先端を有する片もち梁と、
該片もち梁の先端にあり、前記第１回路部材に電気的に接続されている導電性針と、
前記第１回路部材と前記第２回路部材を対面させるときに前記導電性針の反対側の該第２回路部材に位置し、該第２回路部材に電気的に接続されている端子パッドと、
前記片もち梁を加圧して前記導電性針と該端子パッドの間に接触圧力を加えるよう、前記第２回路部材に対面させて前記第１回路部材を固定する固定手段と、
前記片もち梁と前記第１回路部材及び前記第２回路部材のうち少なくとも１つとに付着され、該片もち梁にたわみ応力を加える静電電極手段と、
を備える電気接続構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細かつ狭ピッチの電気的接続端子を有する回路部材（半導体集積回路，回路基板等）相互間の接続部に簡易に適用され、特に多端子高密度の半導体チップ相互間の電気的接続、多端子高密度の半導体チップとチップ以外の回路基板との電気的接続等に好適な、半田付けを用いない回路部材の接続構造に関する。
【０００２】
【技術背景】
近年の半導体技術の進歩は目ざましく、回路部材の集積度及び入出力（Ｉ／Ｏ）ポートのピン数は年々増加する傾向にある。
ことに近年では、複数の半導体チップを回路基板上に実装したマルチチップモジーュル（以下、「ＭＣＭ」と称す）の開発も進んでいる。このＭＣＭの採用により、実装密度を向上して回路の小型化を実現すること、配線距離を短縮して回路動作の高速化を図ること等が可能となる。
【０００３】
従来、ＭＣＭは、図６に示すように、多層の配線層を有する厚膜セラミクスやシリコン基材（サブストレート）等から成る回路基板９２上に複数の半導体チップ９１が搭載されて構成される。特に、Ｉ／Ｏポート数が多い場合、回路基板９２と半導体チップ９１との電気接続及び物理接続は、微小な半田ボールからなる半田バンプ９３を介して行なわれる。
ＭＣＭの電気的試験は、通常、回路基板９２と半導体チップ９１とを接続した後に行われる。この試験では、回路基板９２と半導体チップ９１との接触不良、半導体チップ９１自体の回路不良等が検査される。
試験をパスしたＭＣＭについて、封止９４により気密封じがさなれる。回路基板９２と図示しないプリント印刷回路との間での、種々の信号（データ信号の他、電源信号及びグランド電位等の信号）の授受はピン９５を介して行われる（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｍｕｌｔｉｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ；Ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｈｙｂｒｉｄ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，１９９２年，３６３〜３９０頁参照）。
【０００４】
従来、上記の半導体チップ９１と回路基板９２とを接続するための半田バンプ９３は、予め半導体チップ９１の端子パッド９６上又は回路基板９２の端子パッド９７上に形成される。この後、半導体バンプ９３を回路基板９２上の端子パッド９７に接触させた状態で、該半田バンプ９３を加熱・溶融する。これにより、図７に示すような接続構造が形成される。
【０００５】
従来、以上のような構造を有するＭＣＭでは、以下のような幾つかの製造及び試験上の困難を伴っていた。
（１）ＭＣＭの製造に際しては、半導体チップ９１の端子パッッド９６上又は回路基板９２の端子パッド９７上に予め均一な大きさの半田バンプ９３をもれなく形成する必要があり、このために特別なプロセスと装置とを必要としていた。
【０００６】
（２）通常、ＭＣＭでは、半導体チップ９１の回路基板９２への実装に際しては、該半導体チップ９１の表面（底面）に形成されたパターンが回路基板９２の表面に対向する、いわゆるフリップチップ実装の形態をとる。このために、半田バンプ９３の溶融後に半田付けが正常に行われているか否か、あるいは半導体チップ９１が良好に動作するか否かの電気的試験を行うことは、極めて困難であった。更に、試験によって半田付けの不良箇所が判明したとしても、特定の不良箇所を修理することことは容易ではなかった。
【０００７】
（３）半田バンプ９３によって半導体チップ９１と回路基板９２とは電気的な接続だけでなく機械的にも強固に接続される。半導体チップ９１と回路基板９２とに熱膨張係数の相違がある場合には、半田付けに伴う温度上昇によって、接続後の半田バンプ９３に応力を生じ、接合部の機械的、電気的接続が劣化する等の問題点があった。
【０００８】
（４）ＭＣＭの製造過程における試験において、特定の半導体チップ９１に電気的不良が見つかったとしても、この不良の半導体チップ９１と回路基板９２との接合部を加熱して再度半田を溶融して交換することも困難であった。
【０００９】
【発明の目的】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、その一つの目的は、例えば半導体チップ等の回路部材を回路基板等の他の回路部材に半田付けを用いずに接続できる接続構造を提供することである。また、本発明の他の目的は、ＭＣＭ等の製造過程において、不良回路部材の交換を容易に行うことができる回路基板の接続構造を提供することにある。
【００１０】
【発明の概要】
本発明の回路部材の接続構造は、対向配置された回路部材を電気的に接続するための電気接続構造であり、基本的に以下の要件を具備している。
（１）一方の回路部材の他方の回路部材との対向面に、片もち梁が少なくとも１つ形成されること。
（２）前記片もち梁の先端に、前記他方の回路部材に向けて導電性針が少なくとも１つ形成され、該導電性針は前記片もち梁に形成された配線を介して前記一方の回路部材の信号線に接続されること。
（３）前記他方の回路部材の前記導電性針に対応する部位に、端子パッドが形成され、該端子パッドは前記他方の回路部材の信号線に接続されること。
（４）前記一方の回路部材と他方の回路部材とは、相対移動しないように固着手段により一体化されていること。
（５）前記導電性針の先端と前記端子パッドとは、前記片もち梁の撓み応力により押圧接触されること。
【００１１】
本発明において、回路部材には、シリコン基材，回路基板（配線基板），回路ボード，半導体チップ，抵抗装置，コンデンサ等の種々の部材が含まれる。また、本発明には、１つの回路部材と１つの回路部材とが接続される態様は勿論、ＭＣＭのように１つの回路部材（シリコン基材）に複数の回路部材（半導体チップ）が接続される態様が含まれる。なお、片もち梁の接点に塵等が付着したり、導電性針の先端が摩耗したりする場合もあり得る。このような場合の部品交換を考慮し、ＭＣＭのように１つの回路部材に複数の回路部材が接続される場合、回路ボードに半導体チップを接続する場合等においては、半導体チップ側に片もち梁を形成する（即ち、半導体チップを「一方の回路部材」とする）ことが好ましい。
【００１２】
本明細書では、説明の便宜上、片もち梁が形成される回路部材を「一方の回路部材」、端子パッドが形成される回路部材を「他方の回路部材」と称しているが、１つの回路部材に、片もち梁と端子パッドとを形成した場合には、該回路部材は「一方の回路部材」ともなるし「他方の回路部材」ともなる。
【００１３】
片もち梁は、先端の導電性針と、端子パッドとの良好な電気接触を得るために、例えばシリコン等、適当な弾性を有する材料により形成することが好ましい。このため、片もち梁が形成される「一方の回路部材」の基材としてシリコン単結晶を用いることが好ましい。
【００１４】
本発明では、片もち梁を撓ませるために、静電駆動用電極を前記片もち梁、及び前記両回路部材の双方又は何れか一方にそれぞれ設けることができる。
この場合、静電駆動用の電極に印加する電圧の大きさを変化させ、前記導電性針と前記接触端子面との押圧力を変化させることもできる。これにより、各端子の接触押圧力のバラツキが防止される。また、静電駆動用の電極に印加する電圧の大きさに応じ、前記導電性針と前記端子パッドとが、接触又は非接触の２つの状態を持つようにもできる。これにより、回路の試験に際して、スイッチを用いることなく試験信号の断続を行うことができる。
【００１５】
更に、１つの片もち梁に形成された複数の導電性針が１つの端子パッドに接触し、又は２つ以上の片もち梁に形成された複数の導電性針が１つの端子パッドに接触するようにもできる。この場合には、１つの端子パッドに流れる電流は、複数の岐路に分かれるので、導電性針の過電流による損傷等が防止される。
【００１６】
また、本発明では前記両回路部材の双方又は何れか一方に、両回路部材間の間隔を規定するための凸部又は凹部を設けることができる。これらの凸部又は凹部は、両部材の対向面に沿った方向の位置決めに用いることもできる。
【００１７】
更に、本発明では、前記両回路部材が、脱着できるようにもできる。たとえば、本発明をＭＣＭの製造に応用した場合において、製造過程における不良な半導体チップの交換が極めて容易である。すなわち、ＭＣＭの製造過程において、全ての半導体チップを仮搭載した状態で電気的特性の試験を行う。そして、不良な半導体チップを適宜交換し、モジュール全体の動作が確認された後に不良でない半導体チップのみをモジュールに接着剤等により固着することができる。これにより、不良半導体チップの交換が容易にできる他、これに伴う試験及び製造に係るコストを大幅に低減できる。
【００１８】
本発明では、「一方の回路部材」と「他方の回路部材」とを押圧すると、「一方の回路部材」に形成された片もち梁の先端の導電性針が、「他方の回路部材」に形成された端子パッドに押圧接触する。これにより、加熱を伴うこと無く、両回路部材間の電気接続が得られる。このため、本発明の接続構造は、耐熱性の低い半導体デバイス、例えばＣＣＤ撮像デバイス等の接続に好適である。
【００１９】
また、従来、接触端子同士が半田バンプにより機械的に強固に結合されるために、温度変化に伴う結合部分に生ずる応力を低減するために両者の熱膨張係数を接近させる必要があり、これが基材を選定する上での隘路となっていた。
本発明では、両回路部材が接着剤等により固着された場合において、回路動作に伴う発熱等により、「一方の回路部材」と「他方の回路部材」とが相対的に微動した場合であっても、導電性針が端子パッドの表面に沿って接触した状態で摺動できるので、「一方の回路部材」の基材と「他方の回路部材」の基材との熱膨張係数を必ずしも一致させる必要は無い。このため、本発明は熱膨張係数が異なる種々の基材に対して広範に適用でき、接続部分の信頼性を向上できる。
また、更に導電性針が端子パッドの表面を摺動できる特徴を積極的に生かし、基板と半導体チップが水平方向に互いに移動する部分を有する場合の接続に対しても適用することができる。
【００２０】
なお、片もち梁は、近年のシリコンマイクロマシン技術を用いることで、従来の回路部品を形成する半導体プロセスと同様に、同一のシリコン基材上に数十μｍ以下の片もち梁等の機械部品を多数個形成できる。このために、今後の半導体チップのＩ／Ｏポート数の増大や端子パッドの微細かつ狭ピッチ化に対しても、上記従来例の半田バンプを用いた接続技術に比べて対応が容易である。
【００２１】
【実施例】
以下に本発明に好適な実施例を図を用いて順に説明する。
図１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１の実施例を示す図であり、「一方の回路部材」が半導体チップであり、「他方の回路部材」が回路基板である場合を示している。図１において、（Ａ）は半導体チップ１の表面を、（Ｂ）は回路基板２の表面をそれぞれ部分的に拡大して示し、（Ｃ）は半導体チップ１と回路基板２とが対向するように半導体チップ１と回路基板２とが一体化された様子を部分的に拡大して示している。
【００２２】
図１（Ａ），（Ｃ）に示すように、半導体チップ１の表面には複数の溝１１が形成され、各溝１１部分には片もち梁３がそれぞれ形成されている、各片もち梁３の先端には、回路基板２に向けて導電性針３１が形成されている。この導電性針３１は、片もち梁３に形成された配線３２を介して回路部材の表面の信号線１２に接続されている。片もち梁３は、半導体チップ１の表面に垂直な方向に弾性を有している。本実施例では、半導体チップ１はシリコン基材により形成されており、したがって片もち梁３もシリコン単結晶により形成されている。シリコン単結晶は、良好な弾性特性を示すので、梁の長さ、厚み、幅を変えることで梁のバネ定数を所望の値に設定することができる。また、導電性針３１と後述する端子パッド２１との間に作用する押圧力を任意に設定できる。なお、詳細は省略するが、このような片もち梁３はシリコンマイクロマシン技術等によって形成することができる。
【００２３】
図１（Ｂ），（Ｃ）に示すように、回路基板２の表面の、導電性針３１に対応する部位には、前述した端子パッド２１が形成されている。この端子パッド２１は回路基板２の信号線２２に接続されている。
【００２４】
導電性針３１や端子パッド２１の材料として、金，白金等の酸化しにくい金属を用いることが好ましい。これにより、金属表面の酸化絶縁膜の形成等による接触抵抗の増大あるいは接触不良の影響を極力受けないようにすることができる。
【００２５】
図１（Ｃ）に示したように、導電性針３１は回路基板２上の端子パッド２１に対してを押圧接触される構成となるので、回路基板２上の信号線２２と半導体チップ１上の信号線１２とは、導電性針３１，配線３２並びに端子パッド２１を介して、電気的に良好に接続される。
【００２６】
なお、図１（Ａ）〜（Ｃ）では、シリコン単結晶基材を基材とする半導体チップ１に片もち梁３を形成した例を示したが、回路基板２をシリコン単結晶基材により形成することもできる。この場合には、回路基板２に片もち梁を形成し、これに対応する端子パッドを半導体チップ１に形成することで、図１（Ａ）〜（Ｃ）において説明した接続構造と同様の作用効果が得られる。
【００２７】
図１（Ａ），（Ｃ）に示したような、先端に針を有する片もち梁は、微小なものが走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）や走査型原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等の技術分野において用いられている。シリコンマイクロマシン技術を用いることで、単一のシリコン基材上に一度に１００μｍ以下の大きさの梁を数十μｍ以下のピッチで均一に形成することが可能である。このため、現在市販されるＬＳＩ等の端子パッドの大きさが１００μｍ，ピッチが２００μｍ程度であることを考えると、本発明の接続構造は、より高密度のＩ／Ｏポートを有するＬＳＩの接続に有利である。
【００２８】
また、更に従来の直径数十μｍ程度の半田バンプを用いる接続では、バンプの直径にばらつきがあると接続不良が発生する可能性があったが、本発明の接続構造によれば、導電性針３１の高さや片もち梁３の形状のばらつきは、片もち梁３の弾性によって吸収されるために、接続不良を生じにくい。
【００２９】
図２は、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示した電気接続構造をより具体的に示す説明図である。同図において、半導体チップ１の端子パッド２１が形成された側の面には電子回路部１３が形成されている。また、半導体チップ１の表面には、間隙形成用の凸部を４ａが形成されている。
図２では、凸部４ａは、半導体チップ１の角部に設けたが、例えば、半導体チップ１の対向辺部に亙り設けることもできるし、半導体チップ１の周囲全体に亙り、更に、半導体チップ１の下面に亙り設けることもできる。また、この凸部４ａは、回路基板２側に設けることもできるし、半導体チップ１及び回路基板２の双方に設けることもできる。
図２では、回路基板２表面のの凸部４ａの対向部位に、該対向面沿った方向の位置決めを行うための凸部４ｂが設けられている。ここで、半導体チップ１の間隙形成用の凸部４ａを、位置決めに用いることもできる。
電子回路部１２は、片もち梁３先端の導電性針３１、端子パッド２１を介して他の電子回路部、あるいは半導体チップ１や回路基板２に形成された回路以外の回路と信号の授受を行うことができる。
【００３０】
図２では、半導体チップ１の周囲に列状に片もち梁３を形成した場合を示したが、片もち梁３の配置はこれに限定されず、例えば半導体チップ１の対向する２つの辺にのみ片もち梁３を形成したり、半導体チップ１の表面全体に片もち梁３を形成したりすることもできる。また、片もち梁３は、列状、格子状に限らず多様な配置とすることができる。
【００３１】
以上の例では、単一の端子パッド２１に対して、単一の導電性針３１が接触する場合を説明したが、例えば電源系やグランド系のように大きな電流を必要とする信号については、片もち梁３の先端に複数の導電性針３１を設けたり、これを１つの端子パッド２１に同時に接触させ、あるいは２つ以上の片もち梁３に形成された複数の導電性針３１を１つの端子パッド２１に同時に接触させることができる。このように、接触箇所を増やすことにより、導電性針３１に過大な電流が流れることを防止し、導電性針３１や端子パッド２１の損傷を防止することができる。
【００３２】
また、信号系（電源系やグランド系を除く）の接続については、接触抵抗の影響を低減した回路を設けることもできる。例えば、導電性針３１側に高入力インピーダンスを有する緩衝増幅器を、端子パッド２１側に低出力インピーダンスを有する緩衝増幅器をそれぞれ設けることで、導電性針３１と端子パッド２１との接続部に流れる電流を低減することが可能となる。これにより、該接続部における接触抵抗に伴う伝送信号の損失や、接触抵抗のばらつきに伴う信号振幅の変動を受けにくい電気接続構造を実現できる。
【００３３】
図３は本発明の第２の実施例の説明図である。図３の半導体チップ１は、溝１１の底部に片もち梁３の静電駆動用の吸引電極６１を備えている。この吸引電極６１と、片もち梁３の裏面に形成された静電駆動用電極６２との間に電圧を印加することで、両電極間に静電力が生じ、片もち梁３１は吸引電極６１側に吸引されて弾性変形する。これにより、導電性針３１と端子パッド２１との間に作用する力を電気的に制御することが可能となる。
【００３４】
従来、複数の接続部分を有する半導体チップ１と回路基板２との電気的接続部分では、両者の対向部表面の平行度や平坦度が悪いと、あるいは導電性針３１の高さの不均一等に起因する押圧接触力にばらつきがあると、信号レベルが不均一となる等の不都合が生じる。
これに対して、図３に示した実施例の電気接続構造を採用した場合には、半導体チップ１と回路基板２との間の押圧接触力のばらつきを、モジュールの外部から電気的に可変とする（図３の場合は、押圧接触力を弱める）ことが可能となり、上記した従来の不都合を回避できる。
また、更にはモジュールの外部から積極的に接続部分を任意に開閉するスイッチ動作を行わせることも可能であり、モジュールの製造後に不要な箇所の信号を遮断或いは接続することもできる。
これにより、例えば、ＭＣＭ等の工場出荷前或いは、ＭＣＭを電子機器等に実装した後（実使用後）の該ＭＣＭの動作チェック等に際し、別途のスイッチを用いることなく、一つ（或いは一群の）半導体チップ、あるいは一つの端子（或いは一群の）端子ごとにオン・オフを行うこともできる。
特に、上記のような動作チェックに際しては、試験する側の装置には、スイッチが必要とされない（或いは、スイッチ数を激減できる）ので、試験する側の装置自体の小型化、省資源化，低価格化を図ることができる。
【００３５】
図４は本発明の第３の実施例の説明図である。図４では、静電駆動用の吸引電極６３が回路基板２側に設けられている点で、図３とは異なっている。吸引電極６３と、片もち梁３表面に形成された静電駆動用の電極６４との間に印加する電圧を変化させることによって、図３の場合と同様に片もち梁３を回路基板２側に吸引することができる。なお、図４では、導電性針３１に接続される配線３２の図示は省略して示してある。
図４の例では、吸引電極６３を回路基板２側に設けたので、半導体チップ１側には電極６４に制御信号を供給するための電極端子が不要となる。
【００３６】
なお、ＭＣＭの場合には、図５に示すように、半導体チップ１を回路基板２の表面に固定しても良い。図５では半導体チップ１の周辺にエポキシ系あるいはシリコン系接着剤７を用い、半導体チップ１と回路基板２とを押圧した状態で硬化させている。これにより、半導体チップ１の底面に電子回路部１３が形成される場合には、該電子回路部１３の気密性を保つことができる。
【００３７】
【発明の効果】
本発明には、以下の効果がある。
（１）回路部材同士、特に微細かつ狭ピッチの端子を持つ回路部材同士を、半田付けを用いることなく接続することができる。
（２）半田付けによる加熱を伴わないために、ＣＣＤ撮像デバイス等、耐熱性の低い半導体デバイスの接続に好適である。
（３）導電性針が端子パッドの表面に沿って接触した状態で摺動できるので、一方の回路部材の基材と他方の回路部材の基材との熱膨張係数を必ずしも一致させる必要は無い。従って、種々の基材に対して広範に適用でき、接続部分の信頼性を向上できる。更に、両回路部材が接着剤等により固着された場合において、回路動作に伴う発熱等により、一方の回路部材と他方の回路部材とが相対的に微動した場合であっても、熱に起因する接合部の機械的、電気的接続が劣化する等の問題は生じない。
（４）本発明では、一方の回路部材と他方の回路部材との一時的な電気的接続を得ることもできる。これにより、例えば、ＭＣＭの製造に際しては、不良な半導体チップのみの交換が容易となるので歩留りが飛躍的に向上する。また、回路基板からのチップ脱着が容易であるので、不良箇所の特定が極めて迅速に行えるようになる等、試験コストをも大幅に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の説明図であり、（Ａ）は半導体チップの拡大図、（Ｂ）は回路基板の拡大図、（Ｃ）は半導体チップと回路基板とを一体化した状態を示す拡大断面図である。
【図２】複数の接続部分を有する半導体チップと回路基板の接続例を説明する図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明する図である。
【図４】本発明の第３の実施例を説明する図である。
【図５】本発明の半導体チップと基板との固着手段を示する図である。
【図６】従来技術によるＭＣＭにおける半導体チップと基板との接続技術を説明する図である。
【図７】従来技術による半田バンプを用いた接続技術を説明する図である。
【符号の説明】
１  半導体チップ
１１  溝
１２  信号線
１３  電子回路部
２  回路基板
２１  端子パッド
２２  信号線
３  片もち梁
３１  導電性針
３２  配線
４ａ，４ｂ  凸部
６１，６３  吸引電極
６２，６４  静電駆動用電極
７  接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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