(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放射する発光層と、
前記発光層からの前記光に対して透光性を有し、前記発光層を設けた上面と、前記上面と向き合う底面と、前記上面と前記底面とを結ぶ側面と、を有し、前記側面は、前記上面側から前記底面側に向かう第１の側面と、この第１の側面から前記底面側に向かう第２の側面と、この第２の側面から前記底面側に向かう第３の側面と、を有し、前記第３の側面は前記上面に向けて広がるように傾斜し、前記第２の側面は前記上面に向けてさらに広がるように傾斜して前記発光層からの前記光の一部を外部に射出し、前記第１の側面は前記基板の前記上面に向かって狭まるように前記上面に垂直な方向と１６°以上６０°以下傾斜している、基板と、
を備えることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
光を放射する発光層と、
前記発光層からの前記光に対して透光性を有し、前記発光層を設けた上面と、前記上面と向き合う底面と、前記上面と前記底面とを結ぶ側面と、を有し、前記側面は、前記上面側から前記底面側に向かう第１の側面と、この第１の側面から前記底面側に向かう第２の側面と、を有し、前記第２の側面は前記上面に向けて広がるように傾斜して前記発光層からの前記光の一部を外部に射出し、前記第１の側面は前記基板の前記上面に向かって狭まるように前記上面に垂直な方向と１６°以上６０°以下傾斜している、基板と、
を備えることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
前記基板の前記第２の側面に高さ１μｍ以上２μｍ以下の複数の凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記基板の前記第２の側面と前記第３の側面とに高さ１μｍ以上２μｍ以下の複数の凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記基板の前記第２の側面と、前記上面に垂直な方向と、の角度が２０°以上４０°以下であることを特徴とする請求項１または請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記基板がＧａＰからなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記発光層がＩｎＧａＡｌＰを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記基板の前記底面に溝が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体発光素子と
リードフレームと、
前記半導体発光素子の前記基板の前記底面を、前記リードフレームにマウントする導電性のマウント材と、
を備えることを特徴とする半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子および半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体発光素子は低消費電力、高効率、高信頼性が得られる光源として、表示板や液晶のバックライト等に白色電球の代替用として使われている。特にＩｎＧａＡｌＰ系半導体材料は、直接遷移型であり、赤色から緑色の領域で高輝度に発光できる材料である。このため、ＩｎＧａＡｌＰ系半導体発光素子は、比較的輝度が高い素子として、車載用の赤色ストップランプ、交通信号での赤色ランプ、黄色ランプ、等に使われている。半導体発光素子は発光層の内部の活性層に電流を注入することでホールと電子の再結合により発光が実現される。そして、活性層で発生した光の一部が半導体素子の表面から外部に取り出される。通常、半導体発光素子は、反射板が形成されたリード上にマウントされ、レンズ形状をしたエポキシ等の樹脂で封止モールドされている。半導体発光素子から出てきた光を反射板で反射しレンズで集光することで発光特性の制御を行っている。
【０００３】
上記のようにＩｎＧａＡｌＰ系半導体材料は高輝度に発光できるが、このＩｎＧａＡｌＰ系半導体材料は、不透明なＧａＡｓ基板上に形成される。このため、ＧａＡｓ基板をそのままにしておくと、ＧａＡｓ基板による光吸収が起こる。そこで、近時では、まずＩｎＧａＡｌＰ系半導体材料を不透明なＧａＡｓ基板上に形成した後、透明なＧａＰ基板を接着し、代わりに不透明なＧａＡｓ基板を剥離して、比較的高輝度の半導体発光素子を得る方法が開発されている。なお、ここで透明とは、発光素子から放射される光に対して透光性を有することを意味する。
【０００４】
もっとも、上記のように透明基板を接着形成する方法でも、ＩｎＧａＡｌＰ系半導体材料の優れた特性を十分に生かすことはできておらず、素子の輝度が十分に高いとはいえなかった。これは、光取り出し効率が低かったからである。すなわち、半導体素子内部でＩｎＧａＡｌＰ活性層から発生した光は３６０°あらゆる方向に放射されるが、半導体結晶とそれを封止するエポキシ樹脂に屈折率差があるため、半導体界面で反射され、半導体結晶の外部に取り出せない光が存在する。半導体結晶の屈折率を３．３、封止モールド材のエポキシの屈折率を１．５とするとスネルの法則により臨界角はθｃ＝ｓｉｎ-1 （1.5/3.3）＝２７°となり、２７°より大きい角度で半導体と樹脂の界面に入射した光は全反射され半導体結晶内部から取り出すことができない。半導体発光素子は通常、立方体（六面体）であるので理想的に全ての面から光が取り出せたとすると約２８％の光を外部に取り出すことができる。しかし、半導体結晶の表面にｎ型とｐ型の２種類の電極が形成されていること、ｎ型或いはｐ型のいずれかの電極が接着材で反射板に取付けられていること、電極面に入射した光が電極アロイ層で吸収されること、から外部に光を取り出すことができる光の割合は２８％を下回る。
【０００５】
本問題を解決し、光取り出し効率を高くする構造として、透明基板を用い、かつ、透明基板を適当な形状に加工する方法が検討されている。この方法は、例えば、特開平１０−３４１０３５に記載されている。これを図１６に示す。透明なｐ型のＧａＰ基板３００の第１の面３０１上には発光層３１４が形成されている。発光層３１４は、ｐ型ＧａＰ基板３００の第１の面３０１上に、ｐ型半導体層、活性層、ｎ型半導体層、が順次形成された構造を有する。この発光層３１４には、ｐ側電極３０９と、ｎ側電極３１０と、から電流が注入される。この電流注入により、発光層３１４中の活性層が光を放射し、この光は基板３００の第２の面３０２側から取り出される。図１６の素子では、透明基板３００の側面３０３の向きが、発光層３１４の垂直方向に対してオフセットした角度をなすように、半導体発光素子を整形することによって、全光抽出量の増大を図っている。この素子形状では、透明基板３００の整形側面３０３が、発光層３１４からの光を第２の面３０２に向かって反射する。このため、第２の面３０２から多くの光を取り出すことが可能になる。また、第２の面３０２からの反射光を整形側面３０３から取り出すことも可能になり、光の取り出しが増大する。また、この整形側面３０３によって、内部で発生した光が結晶界面で多重反射されることなく外部に取り出せるため、発光層３１４の吸収活性層またはオーム性接触部で吸収が減少している。このように、図１６の発明は、基板３００の第２の面３０２を光取り出し面とし、基板３００を適当な形状に加工することによって、光取り出し効率を高くしている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１０−３４１０３５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１６の半導体発光素子やそれを用いた半導体発光装置は、光取り出し効率は高いが、歩留まりが悪くなったり、寿命が短くなったりするという問題があった。
【０００８】
すなわち、図１６の素子は、基板３００の第２の面３０２を光取り出し面としているため、発光層３１４中のｐｎ接合が、図中下側のマウント面３０４に近い。このため、リードフレーム上に素子のマウント面３０４を導電性のマウント剤（接着剤）を用いてマウントする際、発光層３１４中のｐｎ接合の端面３０５がショートして、歩留まりが低下する問題が発生する。この対応策としてマウント剤を半導体発光素子の側面に付着しないように少量にすれば、接着強度が弱く、長期通電時に発光素子のマウント面３０４がリードフレームから剥がれやすくなり、寿命が短くなる問題が発生する。
【０００９】
また、図１６の素子は、基板３００を適当な形状に加工する際に、ダイシングを行うことが必須となる。しかし、このダイシングの際に、ダイシングブレードにより基板３００の側面３０３および内部にダメージ層（結晶欠陥）が形成される。そして、長期通電時に、このダメージ層を基点に結晶欠陥が進行し、発光層３１４が破壊されやすくなり、寿命が短くなる問題点がある。またダメージ層が形成された半導体発光素子をエポキシ樹脂で封止した場合、通電中の樹脂ストレスによりダメージ層を有した基板３００の整形側面３０３から結晶欠陥が発光層３１４まで進行し、光出力が低下しやすくなり、同様に寿命が短くなる問題がある。このため、発光素子をやわらかなゲル状の樹脂、例えばシリコーンで発光素子を封止するエンキャップが使用されているが、エンキャップの外側をエポキシ等の硬い樹脂で封止するため、シリコーンとエポキシの界面が剥離する界面剥離が発生し、通電中に光出力が低下して、やはり寿命が短くなる問題がある。このため、基板３００を加工する場合は、寿命が短くなることが避けられないと考えられていた。
【００１０】
このように、光取り出し効率を上げるために基板を適当な形状に加工した半導体発光素子では、光取り出し効率は高くなるが、歩留まりが悪くなったり、寿命が短くなったりするのが避けられないと考えられていた。
【００１１】
本発明は、かかる課題の認識に基づくものであり、その目的は、光取り出し効率が高く、歩留まりが高く、寿命が長い半導体発光素子および半導体発光装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の実施の形態の半導体発光素子は、光を放射する発光層と、前記発光層からの前記光に対して透光性を有し、前記発光層を設けた上面と、前記上面と向き合う底面と、前記上面と前記底面とを結ぶ側面と、を有し、前記側面は、前記上面側から前記底面側に向かう第１の側面と、この第１の側面から前記底面側に向かう第２の側面と、この第２の側面から前記底面側に向かう第３の側面と、を有し、前記第３の側面は前記上面に向けて広がるように傾斜し、前記第２の側面は前記上面に向けてさらに広がるように傾斜して前記発光層からの前記光の一部を外部に射出し、前記第１の側面は前記基板の前記上面に向かって狭まるように前記上面に垂直な方向と１６°以上６０°以下傾斜している、基板と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の実施の形態の半導体発光素子は、光を放射する発光層と、前記発光層からの前記光に対して透光性を有し、前記発光層を設けた上面と、前記上面と向き合う底面と、前記上面と前記底面とを結ぶ側面と、を有し、前記側面は、前記上面側から前記底面側に向かう第１の側面と、この第１の側面から前記底面側に向かう第２の側面と、を有し、前記第２の側面は前記上面に向けて広がるように傾斜して前記発光層からの前記光の一部を外部に射出し、前記第１の側面は前記基板の前記上面に向かって狭まるように前記上面に垂直な方向と１６°以上６０°以下傾斜している、基板と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照にしつつ、本発明の実施の形態について説明する。
【００１７】
本実施形態の特徴の１つは、図１、図８から分かるように、発光層１１４からの光に対して透明なＧａＰ基板１００を用い、この透明基板１００の側面に、３つの側面１１１、１１２、１１３を設けた点である。第３の側面１１３は、上面側に向けて広がるようにわずかに傾斜しており、マウント剤６による素子１とリードフレーム２とのマウントを容易にし、かつ、マウント剤６が第２の側面１１２に這い上がるのを防止して、歩留まりを高くする。第２の側面は上面側に向けて広がるように３０°傾斜しており、発光層１１４からの光の一部を外部に射出して、光取り出し効率を高くする。第１の側面１１１は、へき開面に沿ってへき開することによって得られ、結晶欠陥が極めて少なく、第２の側面１１２に発生した結晶欠陥が発光層１１４に影響するのを防止して、発光層１１４の劣化を抑え、素子の寿命を長くする。また、第３の側面１１３および第２の側面１１２には複数の凹凸が設けられており、上記の効果を高めている。以下、第１および第２の実施の形態について説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態を示す半導体発光素子の概略断面図である。半導体発光素子は、ＧａＰ基板１００と、このＧａＰ基板１００の上面上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる発光層１１４と、を有した構造である。ＧａＰ基板１００は、（１００）面から［０１１］方向に１５°傾斜している。また、発光層１１４は、ｐ型ＧａＰ基板１００の上面上に、ｐ型不純物が添加されたＩｎＧａＰからなる接着歪緩和層１０１、ｐ型不純物が添加されたＩｎＧａＡｌＰからなるクラッド層１０２、ｐ型不純物が添加されたＩｎＧａＡｌＰからなる光ガイド層１０３、ｐ型不純物が添加されたＩｎＧａＡｌＰからなる量子井戸層１０４、ｐ型不純物が添加されたＩｎＧａＡｌＰからなる障壁層１０５、ｎ型不純物が添加されたＩｎＧａＡｌＰからなるクラッド層１０６、ｎ型不純物が添加されたＩｎＧａＡｌＰからなる電流拡散層１０７、ｎ型不純物が添加されたＧａＡｓからなるコンタクト層１０８、が順次形成された構造である。ｐ型ＧａＰ基板１００の底面上には、少なくともＡｕとＺｎを含む金属からなるｐ側電極１０９が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１０８上には、少なくともＡｕとＧｅを含む金属からなるｎ側電極１１０が形成されている。このｐ側電極１０９にプラス、ｎ側電極１１０にマイナスの電圧を加えることで量子井戸層１０４から光が発生する。この際、ＧａＰ基板１００は、量子井戸層１０４からの光に対して透明であり、ＧａＰ基板１００の第２の側面１１２からも光が取り出される。
【００１９】
図１の半導体発光素子の特徴の１つは、上記の透明基板１００の側面に、３つの側面１１１、１１２、１１３を設けた点である。この透明基板１００はｐ型不純物であるＺｎ、Ｍｇが添加されたＧａＰからなり、厚さは２５０μｍである。この透明基板１００は、発光層１１４を設けた上面と、この上面と向き合う底面と、この上面を有する第１の部分１００Ａと、この第１の部分１００Ａに隣り合って形成された第２の部分１００Ｂと、この第２の部分１００Ｂに隣り合って形成され上記底面を有する第３の部分１００Ｃと、を有する。この透明基板１００の第３の部分１００Ｃは、底面に繋がり、上記上面に向けてわずかに広がるように傾斜する第１の側面１１３を有する。底面の大きさは１５０×１５０μｍ２、高さは１００μｍである。この第３の側面１１３の表面には、高さ１〜２μｍの複数の凹凸が形成されている。上記第２の部分１００Ｂは、上面に向けてさらに広がるように上面に垂直な方向と３０°傾斜し、発光層１１４からの光の一部を外部に射出する第２の側面１１２を有する。この、第２の側面１１２の表面にも、大きさが１〜２μｍの複数の凹凸が形成されている。第２の部分１１２の高さは１００μｍである。上記第１の部分１００Ａは、へき開面に沿ってへき開することによって得られる第１の側面１１１を有する。第１の側面１１１は、図中右側の面と、左側の面と、が平行になっており、図中左側の面は、上面側が狭くなるように傾斜している。前述のように、ＧａＰ基板１００は（１００）面から［０１１］方向に１５°傾斜しており、へき開面となる第１の側面１１１の傾斜角度は、１５°となる。この第１の側面１１１は、へき開面であるため、極めて平坦な面であり、他の側面１１３、１１２に比べて結晶欠陥が極めて少なくなる。第１の部分１００Ａの高さは、５０μｍである。
【００２０】
上記の透明基板１００は、次のように把握することもできる。すなわち、この基板１００は、発光層１１４を設けた上面と、この上面と向き合う底面と、上面と底面とを結ぶ側面１１１〜１１３と、を有する。側面１１１〜１１３は、上面側から底面側に向かう第１の側面１１１と、この第１の側面１１１から底面側に向かう第２の側面１１２と、この第２の側面１１２から底面側に向かう第３の側面１１３と、を有する。第３の側面１１３は上面に向けて広がるように傾斜している。第２の側面１１２は、上面に向けてさらに広がるように傾斜して発光層１１４からの光の一部を外部に射出する。第１の側面１１１はへき開面に沿ってへき開することによって得られた側面である。このように上記基板１００を把握することができる。
【００２１】
次に、図１の半導体発光素子の製造方法を、図２〜図７を参照にして説明する。本実施形態の製造方法の特徴の１つは、図７に示すように、第１の側面１１１をへき開により形成した点である。これにより、第１の側面１１１の結晶欠陥を極めて少なくすることができる。
【００２２】
（１）まず、図２に示すように、ＧａＡｓ基板上に、ＭＯＣＶＤ法により、発光層１１４を形成する。発光層１１４は、ＩｎＧａＡｌＰ系の材料であるため、これと格子整合するＧａＡｓ基板が用いられる。ただし、このＧａＡｓ基板は、発光層１１４からの光に対して不透明である。ここで、ＧａＡｓ基板は、（１００）面から［０１１］方向に１５°傾斜している。このような傾斜基板を用いることにより、発光層１１４の発光輝度が高くなることが知られている。この効果を得るためには、傾斜角度を５°以上３０°以下とすることが好ましい。
（２）次に、図３に示すように、透明なＧａＰ基板１００を発光層１１４に接着する。
（３）次に、図４に示すように、不透明なＧａＡｓ基板を剥離し、電極１０９、１１０を形成する。
（４）次に、図５に示すように、発光層１１４の一部Ｍをエッチングする。このエッチングにより、後述のへき開が容易になる。
（５）次に、図６に示すように、先端部を狭くしたダイシングのブレードを用いて、第３の側面１１３および第２の側面１１２を形成する。
なお、ダイシングのブレードの先端部の傾斜角度を変えることで第２の側面１１２の傾斜角度を変えることができる。その後、第３の側面１１３および第２の側面１１２に凹凸を形成する。具体的には、−５０℃から室温の間の温度に設定された過酸化水素水と水と塩酸の混合液に数分浸し、さらに室温から１００℃の間の温度に設定された塩酸で数分浸すことで、凹凸を形成する。浸す温度が高い場合は処理時間を短くすることができるが、凹凸の形状は同じである。また塩素ガスを含むガスを用いたガスエッチングで形成した場合、エッチングにより表面に堆積物が残るため、硫酸系エッチング液、リン酸系エッチング液で除去する必要があるが、溶液によるエッチングと形状は同じである。なお、エッチング処理する工程では、レジストや酸化膜を用いて、電極１０９、１１０をカバーする。
（６）次に、図７に示すように、へき開により、第１の側面１１１を形成する。具体的には、ＩｎＧａＡｌＰ材料からなる発光層１１４が除去された部分Ｍから、先端にダイヤモンドを有したカッターを使いへき開方向に合せてスクライブを行い、さらに加重を加え押し割ることで、第１の側面１１１を形成する。
【００２３】
以上説明した製造方法によって得られる図１の半導体発光素子およびこれを用いた半導体発光装置では、透明基板１００の側面に、３つの側面１１１、１１２、１１３を設けたので、光取り出し効率が高く、かつ、歩留まりが高く、寿命が長い半導体発光素子および半導体発光装置を提供することができる。以下、図８を参照にして説明する。
【００２４】
図８は、図１の半導体発光素子を用いた半導体発光装置である。半導体発光素子１の透明基板１００は、マウント剤（接着剤）であるＡｇペースト６により、リードフレーム２にマウントされている。リードフレーム２は、ニッケル等がメッキされた金属からなり、ｐ側リード５と、ｎ側リード４と、反射板３と、を有する。ｐ側リード５には、ｐ側電極１０９が、導電性のＡｇペースト６により電気的に接続される。また、ｎ側リード４には、ｎ側電極１１０が、ワイヤ７により、電気的に接続される。ｎ側電極１１０およびｐ側電極１０９を有する半導体発光素子１は、封止樹脂８により封止される。なお、ｐ側リード５と、反射板３と、が一体となったリードを用いてもよい。
【００２５】
図８の半導体発光装置では、第３の側面１１３の高さを１００μｍ設け、基板１００の底面部に加え第３の側面１１３にもＡｇペースト６を接着したので、高い接着強度を得ることができる。さらに、第３の側面１１３を、上面側が広くなるようにわずかに傾斜するようにしたので、Ａｇペースト６を熱処理により硬化させる時に発生する、Ａｇペースト６の表面張力による這い上がりを防止することができる。このため、不透明なＡｇペーストが第２の側面１１２を覆うことを防止し、第２の側面１１２からの光取り出しが低下するのを防止することができる。この結果、歩留まりを高くすることができる。また、第３の側面１１３の表面に高さ１〜２μｍの複数の凹凸を形成したので、Ａｇペースト６這い上がりをさらに防止し、さらに歩留まりを高くすることができる。
【００２６】
また、図８の半導体発光装置では、基板１００を透明基板とし、第２の側面１１２の傾斜角を３０°としたので、第２の側面１１２から光を取り出すことができる。このため、光取り出し効率が高い装置を得ることができる。また、この第２の側面１１２の表面に高さ１μｍ〜２μｍの複数の凹凸を設けたので、表面積を広くして、光取り出し効率をさらに高くすることができる。また、表面積を広くすることにより、封止樹脂８と半導体発光素子１との接着強度が強固になり、発光素子１がリードフレーム２から剥れることを防止することができる。これに対し、凹凸を設けないと、封止樹脂８により第２の側面１１２に発光素子１を底面側から上面側に持ち上げる方向に樹脂ストレスが働くため、通電中に発光素子１がリードフレーム２から剥れやすくなり、寿命が短くなるおそれがあった。
【００２７】
さらに、図８の装置では、へき開面となる第１の側面１１１を設けたので、ダイシング工程で発生した第２の側面１１２の結晶欠陥が発光層１１４に影響を及ぼすことを防止することができる。前述の図６ように、第３の側面１１３、第２の側面１１２は、ダイシングで形成されるが、このダイシングの際には、第３の側面１１３および第２の側面１１２に結晶欠陥が発生し、ダメージ層が発生することが避けられない。しかしながら、図８の装置では、第１の側面１１１がへき開面であり、このへき開面１１１近傍には結晶欠陥が極めて少ない。このため、第１の側面１１１により、発光層１１４へ結晶欠陥の進行を防止することができる。
【００２８】
この結果、発光層１１４の結晶欠陥を少なくし、結晶欠陥による光吸収を低減して、発光層１１４からの光出力を高くすることができる。また、図中左側の第１の側面１１１が、上面側が狭くなるように傾斜しているので、封止した樹脂２のストレスによる発光素子１の剥がれを防止することができる。上述のように、発光素子１の第２の側面１１２には、樹脂２により、発光素子１を底面から上面に向かって持ち上げる力が働く。しかし、図８の装置では、第１の側面１１１の図中左側の面が、上面側が狭くなるように傾斜しているので、発光素子１に働く樹脂ストレスが分散され、発光素子１の剥れを低減することができる。これにより、寿命を長くすることができる。
【００２９】
また、図８の半導体発光装置では、発光層１１４の表面積を基板１００の上部の表面積よりも小さくしたので、第１の側面１１１を形成する際に発光層１１４の結晶欠陥が生じにくい。このため、発光層１１４に結晶欠陥による劣化が発生しにくく、さらに寿命を長くすることができる。特に、発光層１１４の表面積を基板１００の上部の表面積の約６５〜８５％とすると、発光層１１４の表面積を広くしながら結晶欠陥を少なくし、高輝度でかつ信頼性の高い発光装置が実現できる。
【００３０】
以上のように、図１の半導体発光素子を用いた図８の半導体発光装置では、透明基板１００の側面に、３つの側面１１１、１１２、１１３を設けたので、光取り出し効率が高く、かつ、歩留まりが高く、寿命が長い装置を提供することができる。
【００３１】
以上説明した図１の半導体発光素子では、ｐ型ＧａＰ基板１００の厚さを２５０μｍとしたが、これを１５０μｍから３００μｍとすることもできる。３００μｍより厚くなると、発光層１１４の量子井戸層１０４で発生した光が、ＧａＰ基板１００のｐ型不純物で吸収され、外部に取り出される光の量が低下してしまう。また、交通信号や車載のテールランプ等に使用する場合、発光素子の駆動電流を数アンペア等の大電流が必要になる。このため、基板を３００μｍよりも厚くすると、基板１００の厚さによる素子抵抗分で発生する発熱量が増加し、封止している樹脂２が発光素子１の発熱により熱劣化する。この結果、基板厚さは３００μｍ以下が望ましい。逆に、ＧａＰ基板１００の厚さが１５０μｍ以下では、発光素子上面と下面に形成された電極１１０、１０９が、量子井戸層１０４で発光した光を遮蔽するため光の取り出しが低下する。さらに電極オーミック性を実現するため形成される電極アロイ層が光を吸収し、外部に光を取り出す量が減少する。このため、基板の厚さは１５０μｍ以上３００μｍ以下が望ましい。
【００３２】
また、第３の部分１００Ｃは、底面を１００×１００μｍ２から２００×２００μｍ２、高さを５０μｍから１００μｍとすることができる。前述のように、基板１００は、底面部および第３の側面１１３が、Ａｇペースト６により、リードフレーム２に接着される。信頼性試験の結果、第３の部分１００Ｃの高さが５０μｍから１００μｍであれば接着強度が維持できることが分かった。また、底面の大きさを１００×１００μｍ２から２００×２００μｍ２にすることでマウントの接着強度を充分確保できることを環境試験を通して確認できた。なお、第３の側面１１３の傾斜角度は、第２の側面１１２の傾斜角度よりも小さく、２０°未満である。
【００３３】
また、第２の側面１１２は、傾斜角度を２０°から４０°、傾斜部の長さを６０μｍから２００μｍとすることができる。この範囲であれば、第２の側面１１２からの光取り出し効率を高くすることができる。ただし、素子の作成容易性、組み立て性さらにコストから傾斜部の長さが１００μｍから１５０μｍで、傾斜角度が２５°から３５°が望ましい。
【００３４】
また、第１の側面１１１は、傾斜部の長さを４０μｍから８０μｍとすることができる。このようにすることで、前述のように、第２の側面１１２から発光層１１４への結晶欠陥の進行を効果的に低減できる。また、傾斜角度は、基板１００の傾斜角度にあわせて、５°から３０°とすることができる。前述のように、基板１００の傾斜角度を５°から３０°と、発光効率を高くすることができる。また、後述の第２の実施の形態（図９）のように、製造方法の簡易さを重視して、傾斜角度をほぼ０°とすることもできる。
【００３５】
以上説明した図１の半導体発光素子における発光層１１４は、ＧａＰ基板１００を透過する光を発光する構造であれば、どのような構造を用いても良い。図１の発光層１１４の具体例について説明すれば、次の通りである。
【００３６】
まず、ｐ型ＩｎＧａＰ接着層１０１について説明する。ｐ型不純物のＺｎ、Ｍｇが添加されたＩｎＧａＰからなりｐ型の導電型を有する接着層１０１は、厚さは１ｎｍから１μｍで、不純物の添加量が１Ｅ１７／ｃｍ３から１Ｅ２１／ｃｍ３である。この接着層は、図２のように、ＧａＡｓ基板上に形成された発光層１１４をＧａＰ基板１００に接着する際に発生する結晶歪を低減する機能を有している。特にＩｎを含む半導体材料はやわらかく結晶欠陥の垂直方向への進行を遅くする特徴がある。このため、基板１００と発光層１１４とを接着するときに発生する格子定数差による結晶歪と熱膨張係数差による熱歪を低減できるため、発光層１１４への結晶歪の進行が抑えられ発光層１１４が劣化しない。接着の温度は４００℃から８００℃である。ただし、温度が低い場合は接着界面の電圧降下が大きくなる。このため、接着の温度は、７００℃以上が望ましい。また、接着層１０１の材質としては、柔らかなＩｎの効果を硬いＡｌが阻害しないようにするために、Ａｌを含まないＩｎＧａＰが最適である。また、この層は井戸層１０４からの波長によっては吸収層として機能するので、井戸層１０４のバンドギャップが接着層１０１のバンドギャップより大きい場合は接着層１０１の厚さを数１０ｎｍ以下がにすることが望ましい。結晶性は必ずしも良い必要はなく、電流が流れる特性であれば良い。
【００３７】
次に、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１０２について説明する。ｐ型不純物のＭｇ、Ｚｎが添加されたＩｎＧａＡｌＰからなりｐ型の導電型を有するクラッド層１０２は、厚さが０．１μｍから２μｍで、不純物の添加量が１Ｅ１７／ｃｍ３から１Ｅ２０／ｃｍ３である。このクラッド層１０２は活性層である量子井戸層１０４のバンドギャップより広いバンドギャップを有し、電子と正孔を活性層（１０４と１０５）に閉じ込める特性を有している。基板接着時の熱処理によりｐ型不純物であるＺｎ、Ｍｇが熱拡散するため、不純物の添加量は５Ｅ１９／ｃｍ３以下が望ましい。
【００３８】
次に、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ光ガイド層１０３について説明する。ｐ型不純物のＭｇ、Ｚｎが添加されたＩｎＧａＡｌＰからなりｐ型の導電型を有する光ガイド層１０３は、厚さが０．１μｍから１μｍで、不純物の添加量が１Ｅ１７／ｃｍ３から１Ｅ２１／ｃｍ３である。この光ガイド層１０３はクラッド層１０２と活性層となる量子井戸層１０４との中間的なバンドギャップを有する材料からなる。量子井戸層１０４の中央部で発生した光は、量子井戸層１０４内に閉じ込められる。しかし、量子井戸層１０４の端部では、発光が再吸収される可能性がある。そこで、屈折率差の小さな光ガイド層１０３を形成することで、この量子井戸層１０４に閉じ込められた光を、ｐクラッド層１０２を介してｐ型ＧａＰ基板１００側に引き出すことができる。このため、ＧａＰ基板１００方向に向う光が増大し整形したＧａＰ基板１００から多くの光を取り出すことができる。特にｐ型とｎ型のクラッド層１０２、１０６で挟まれた量子井戸構造ではクラッド層１０２、１０６と量子井戸層１０４の中間的な屈折率を有する光ガイド層１０３の効果は大きく、活性層１０４を端面方向に伝播していく光の再吸収を低減することが出来る。このため、本実施例にｎ型の光ガイド層をつけることでさらに光取り出しは増加する。また光ガイド層１０３はＧａＰ基板１００接着時の熱処理によりｐクラッド層１０２から不純物が量子井戸層１０４まで拡散しないように５００ｎｍ以上が望ましい。
【００３９】
次に、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ量子井戸層１０４について説明する。ｐ型不純物のＭｇ、Ｚｎが添加されたＩｎＧａＡｌＰからなりｐ型の導電型を有する量子井戸層１０４は、厚さが、量子効果が発生する１ｎｍから２０ｎｍで、不純物の添加量が、１Ｅ１７／ｃｍ３から１Ｅ２１／ｃｍ３である。この量子井戸層１０４は１０層から５０層形成することで電流注入による光出力の直線性がよく、数ｍＡから数Ａまで光出力の飽和が見られない発光素子が実現できる。またＧａＰ基板１００を接着、整形した発光素子では、結晶界面で反射された光が吸収層となる量子井戸層１０４で再吸収される問題が顕著になる。このため、井戸層１０４の厚さ１０ｎｍ以下の薄膜にすることで、井戸層１０４を横断したときの吸収を低減できる。さらに、井戸層１０４の薄膜化で、井戸層１０４での光閉じ込め効果が低下し井戸層１０４に存在する光の割合が小さくなるため、井戸層１０４での再吸収を低減できる。このため、井戸層１０４で発生した光を有効に外部に取り出すことができる。
【００４０】
次に、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ障壁層１０５について説明する。ｐ型不純物のＭｇ、Ｚｎが添加されたＩｎＧａＡｌＰからなりｐ型の導電型を有する障壁層１０５は、厚さが１ｎｍから２０ｎｍで、不純物の添加量が１Ｅ１７／ｃｍ３から１Ｅ２０／ｃｍ３である。この障壁層１０５のバンドギャップは井戸層１０４とクラッド層１０２の中間のバンドギャップの大きさを有している。これは井戸層１０４への電子と正孔の閉じ込めと井戸層１０４からの光のしみ出しを多くできるためである。障壁層１０５に不純物を多く添加すると不純物の準位により光の吸収が顕著になるため、添加量は５Ｅ１９／ｃｍ３以下が望ましい。
【００４１】
次に、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１０６について説明する。ｎ型不純物のＳｉ、Ｓｅが添加されたＩｎＧａＡｌＰからなりｎ型の導電型を有するクラッド層１０６は、厚さが０．１μｍから２μｍで、不純物の添加量が１Ｅ１７／ｃｍ３から１Ｅ２１／ｃｍ３である。このクラッド層１０６は活性層１０４より広いバンドギャップを有し電子と正孔を活性層１０４に閉じ込める特性を有している。
【００４２】
次に、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ電流拡散層１０７について説明する。ｎ型不純物のＳｉ、Ｓｅが添加されたＩｎＧａＡｌＰからなりｎ型の導電型を有する電流拡散層１０７は、厚さが０．５μｍから４μｍで、不純物の添加量が１Ｅ１７／ｃｍ３から１Ｅ２１／ｃｍ３である。この電流拡散層１０７は、クラッド層より狭くかつ活性層１０４の光を吸収しないバンドギャップを有している。井戸層１０４と屈折率差が小さいため、ｎ型クラッド層１０６方向に放出された光を結晶表面に取り出す効果を有している。不純物を高濃度に添加すると格子不整合率が大きくなり結晶性が悪くなるため、不純物添加量は厚さが２μｍ以下では１Ｅ２１／ｃｍ３以下が、２μｍから４μｍまでは１Ｅ１９／ｃｍ３以下が望ましい。
【００４３】
次に、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１０８について説明する。ｎ型不純物のＳｉ、Ｓｅが添加されたＧａＡｓからなりｎ型の導電型を有するコンタクト層１０８は、厚さが１ｎｍから１００ｎｍで、不純物の添加量が１Ｅ１８／ｃｍ３から１Ｅ２１／ｃｍ３である。このコンタクト層１０８は量子井戸発光層１０４からの発光を吸収する材料であるため、厚さを吸収の影響の少ない数１０ｎｍ以下にすることが望ましい。コンタクト層１０８をＩｎＧａＰにした場合、量子井戸層１０４からの発光を吸収する割合が低下するためさらに望ましい。
【００４４】
次に、ｐ側電極１０９について説明する。ｐ型電極１０９は、ＡｕとＺｎを含む材料からなりＺｎの一部がコンタクト層に拡散していくことにより、良好なオーミック特性を示す。接着材との密着性を強固にするため厚さは１μｍから数μｍが形成されている。
【００４５】
次に、ｎ型電極１１０について説明する。ｎ型電極１１０は、ＡｕとＧｅを含む材料からなり、電極のミグレーションを抑えるためＭｏを含む場合もある。厚さが１μｍから数μｍで形成されたボンディングパッドと厚さ数１００ｎｍで周辺に伸びた複数の直線から形成されている。ＧａＰ基板１００を接着した構造ではＡｕワイヤをボンディングする工程でのボンディング加重と超音波により接着界面にクラックが発生する問題が発生したが、コンタクト層１０８の厚さを０．１μｍから０．５μｍで電流拡散層１０７の厚さが１μｍから２μｍにすることでボンディング時にクラックが発生することがなく長期動作ができるようになる。
【００４６】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態の半導体発光素子が第１の実施の形態（図１）と異なる点は、図９に示すように、基板１００の第１の側面１１１を上面に向けて狭くなるように傾斜させた点である。この素子では、発光素子１がリードフレーム２から剥がれるのを防止する効果（図８参照）、および、光取り出し効率を高くする効果、を高めることができる。第１の実施の形態（図１）の素子に比べて発光層１１４からの発光出力はやや低下するが、用途に応じて、第１の実施の形態の素子と使い分けることができる。
【００４７】
図９は、本発明の第２の実施の形態の半導体発光素子を示す概念断面図である。第１の実施の形態（図１）と同じ構成部分には、同じ番号を示した。基板１００の第１の側面１１１の傾斜角度は、４６°になっている。
【００４８】
この図９の素子の第１の側面１１１は、ダイシング工程によって形成される。つまり、この第１の側面１１１は、へき開面に沿ってへき開することによって得られた側面ではない。このようにダイシング工程によって形成された側面１１１にはダメージ領域が形成される。ただし、このダメージ領域は、塩酸系のエッチング液によりエッチングにより、一定程度除去できる。
【００４９】
図９の素子では、第１の側面１１１が第２の側面１１２と対向するように形成されているので、第２の側面１１２で反射された光の一部を第１の側面１１１から外部に取り出し、さらに光取り出し効率を高くすることができる。
【００５０】
また、図９の素子は、第１の側面１１１が上側に向けて狭まるように形成されているので、図８のように素子１をリードフレーム２にマウントした場合、樹脂８から図８中下側方向に力を受ける。このため、発光素子１がリードフレーム２から剥がれるのを防止する効果を高めることができる。
【００５１】
このように、図９の素子では、図１の素子に比べ、剥がれ防止効果、および、光取り出し効率増加効果、をさらに高めることができる。ただし、図９の素子は、第１の側面１１１がへき開によって形成されていないため、発光層１１４へのダメージがやや増加し、発光層１１４からの光出力はやや低下する。このため、図９の素子は、用途に応じて、図１の素子と使い分けることができる。
【００５２】
以上説明した図９の素子の第１の側面１１１の傾斜角度は、ダイシングブレードの先端の角度変更することで、１６°以上６０°以下の範囲で任意に設定できる。傾斜角度を１６°よりも小さくすると、上述の剥がれ防止の効果が得にくくなる。また、傾斜角度を６０°よりも大きくするのは、製造方法の観点から困難である。
【００５３】
また、上記の第１の側面１１１の傾斜角度は、光取り出し効率を高くするために、第２の側面１１２の傾斜角度±１６°にすることが好ましい。
【００５４】
例えば、図９のように第２の側面１１２の傾斜角度が３０°の時は、第１の側面の傾斜角度を１４°または４６°にすると、光取り出し効率が高くなる。そして、上述の剥がれ防止の効果を高めるために、傾斜角度を４６°とすると良い。
【００５５】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態の半導体発光素子が第１の実施の形態（図１）と異なる点は、図１０から分かるように、第１の側面２１１が基板２００の上面とほぼ垂直に形成されている点、および、基板２００の底面に溝部２１５を設けている点である。第１の側面２１１をへき開により形成した点は、第１の実施の形態と同じである。
【００５６】
図１０は、本発明の第３の実施形態を示す半導体発光素子の概略断面図を示す。また、図１１は、図１０の素子を基板２００の底部側から見た図である。第１の実施例と同様に、半導体発光素子は、ＧａＰ基板２００と、このＧａＰ上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ系材料からなる発光層２１４と、を有した構造である。発光層２１４の厚さは数μｍ、ＧａＰ基板２００は数１００μｍである。この図１０の素子では、基板２００の傾斜角度を０°としている。このため、へき開面となる第１の側面２１１は、基板２００の底面および上面とほぼ垂直になる。
【００５７】
以上説明した図１０の素子では、第１の側面２１１がへき開により形成でき、しかもへき開面が上面と垂直なので、製造工程を簡易にすることができる。また、第１の側面２１１をへき開により形成したので、第１の実施の形態と同様に、発光層２１４の結晶欠陥を防止して光出力を高くすることができる。
【００５８】
もっとも、図１０の素子では、第１の側面２１１が上面と垂直であるため、素子１をリードフレーム２上にマウントした際（図８参照）、樹脂８が第１の側面２１１をリードフレーム２側に押す力が弱くなる。そこで、図１０の素子では、基板２００の底部側に溝２１５を設けている。このように溝２１５を設けることで、底面およびｐ側電極２０９と、マウント剤６（図８参照）と、の接触面積を広げ、密着強度を向上させることができる。この結果、発光素子１の剥れを低減し、十分な寿命を維持できる。なお、ｐ側電極２０９は、図１１のように、底面の中心と、底面の端部と、に線状に設けている。
【００５９】
また、図１０の素子では、第２の側面２１２および第３の側面２１３の表面に高さ１μｍ〜２μｍの複数の凹凸を設けている。このように凹凸を設けることにより、表面積が広くなり、封止樹脂８と半導体発光素子１との接着強度が強固になる。このため、この観点からも、発光素子１の剥がれを低減することができる。
【００６０】
以上説明した図１０、図１１の半導体発光素子では、底面に溝２１５を設けたが、素子１と、リードフレーム２と、の剥がれが起こりにくい環境で装置を使用する場合は、溝２１５を設けないこともできる。
【００６１】
また、図１０、図１１の半導体発光素子では、用途に応じて、第１の側面２１１を第２の実施の形態（図９）のように傾斜させることもできる。
【００６２】
（第４の実施の形態）
図１２は、本発明の第４の実施の形態の半導体発光素子を示す図である。第３の実施の形態（図１０）と異なる点は、ＧａＰ基板２００に第３の部分２００Ｃを設けなかった点である。第３の実施の形態（図１０）と同じ構成部分には、同じ番号を示した。
【００６３】
図１２の素子では、ＧａＰ基板２００の上面上には、電流注入により光を放射する発光層２１４が設けられている。ＧａＰ基板２００は、上記の発光層２１４を設けた上面と、この上面を有する第１の部分２００Ａと、この第１の部分２００Ａに隣り合って形成された第２の部分２００Ｂと、を有する。この第２の部分２００Ｂは、第１の部分２００Ａに向けて広がるように傾斜して上記発光層２１４からの上記光の一部を外部に射出する第２の側面２１２を有する。また、上記第１の部分２００Ａは、へき開面に沿ってへき開することによって得られた第１の側面２１１を有する。
【００６４】
図１３は、図１２の素子１をリードフレーム２上にマウントして得られた半導体発光装置を示す図である。基本的な構成は図８と同様である。図８と同じ構成部分には同じ符号を示している。
【００６５】
図１３の装置でも、発光素子１に第２の側面２１２を設けたので、光取り出し効率を高くすることができる。また、発光素子１にへき開によって形成された第１の側面２１１を設けたので、結晶欠陥を低減することができる。このため、光取り出し効率が高く、かつ光出力が高い装置を得ることができる。
【００６６】
また、図１３の装置は、発光素子１に第３の側面２１３を設けていないので、製造方法を簡単にすることができる。
【００６７】
もっとも、図１３の装置では、第３の側面２１３を設けていないので、第２の側面２１２の一部までマウント材６が広がり易くなり、光出力が低下してしまうおそれがある。そこで図１３の装置では、次のような構造を用いている。
【００６８】
まず、図１３の装置では、素子の第２の側面２１２の表面に高さ１μｍ〜２μｍの複数の凹凸を設けている。このように凹凸を設けることにより、表面積が広くなり、封止樹脂８と半導体発光素子１との接着強度が強固になる。このため、発光素子１がリードフレーム２から剥れにくくなる。この結果、マウント材６の量を少なくすることが可能になる。これにより、マウント材６が第２の側面２１２に広がることを防止できる。また、凹凸を設けて表面積を広げたので、マウント材６が多すぎた場合でも、マウント材６が図中上側に広がりにくくなる。これにより、マウント材６が第２の側面２１２に広がることを防止できる。
【００６９】
次に、図１３の装置では、底部に図１２に示すような溝２１５を設けている。このように溝２１５を設けることで、底面およびｐ側電極２０９と、マウント剤６と、の接触面積を広げ、密着強度を向上させることができる。この結果、マウント材６の量を少なくすることが可能になり、マウント材６が第２の側面２１２に広がることを防止できる。
【００７０】
以上のように、図１３の装置は、製造方法を簡単にし、かつ、光出力の低下を防止できる。
【００７１】
以上説明した図１２、図１３の半導体発光素子では、底面に溝２１５を設けたが、素子１と、リードフレーム２と、の剥がれが起こりにくい環境で装置を使用する場合は、溝２１５を設けないこともできる。
【００７２】
（第５の実施の形態）
第５の実施の形態の半導体発光素子が第４の実施の形態（図１２）と異なる点は、図１４に示すように、第１の側面２１１を上面に向けて狭まるように傾斜させた点である。第１の側面２１１の傾斜角度は、第２の実施の形態（図９）と同様に、４６°としている。第４の実施の形態（図１２）と同様の構成部分は同じ符号で示した。
【００７３】
また、図１５は、図１４の素子１をリードフレーム２上にマウントして得られた半導体発光装置を示す図である。基本的な構成は図１３と同様である。図１３の装置と同じ構成部分には同じ符号を示している。
【００７４】
図１５の装置では、第１の側面２１１を上面に向けて狭まるように傾斜させたので、第２の実施の形態で説明したのと同様に、図１３の装置に比べ、発光素子１がリードフレーム２から剥がれるのを防止する効果、および、光取り出し効率を高くする効果、を高めることができる。第４の実施の形態の装置（図１３）に比べて発光層２１４からの発光出力はやや低下するが、用途に応じて、第４の実施の形態の装置と使い分けることができる。
【００７５】
以上説明した図１５の装置では、第１の側面２１１を上面に向けて狭まるように傾斜させて剥がれ防止効果を高めたので、第２の側面１１２の凹凸および底面の溝２１５を設けなくても、発光素子１の剥れを低減し、十分な寿命を維持できる。
【００７６】
【発明の効果】
本発明によれば、光を放射する発光層と、この光に対して透光性を有する基板と、を備える半導体発光素子において、上記基板の側面に、へき開によって得られ結晶欠陥を防止する第１の側面と、上記発光層からの光の一部を外部に射出する第２の側面と、マウントを容易にする第３の側面と、を設けたので、光取り出し効率が高く、寿命が長く、歩留まりが高い素子を提供することができる。また、上記基板の側面に、素子とリードフレームとの剥離を防止する第１の側面と、前記発光層からの光の一部を外部に射出する第２の側面と、マウントを容易にする第３の側面と、を設けたので、光取り出し効率が高く、寿命が長く、歩留まりが高い素子を提供することができる。
【００７７】
また、本発明によれば、光を放射する発光層と、この光に対して透光性を有する基板と、を有する半導体発光素子を備える半導体発光装置において、上記基板の側面に、へき開によって得られ結晶欠陥を防止する第１の側面と、上記発光層からの光の一部を外部に射出する第２の側面と、を設け、上記基板の底面をリードフレームにマウントしたので、光取り出し効率が高く、寿命が長く、歩留まりが高い装置を提供することができる。また、上記基板の側面に、素子とリードフレームとの剥離を防止する第１の側面と、前記発光層からの光の一部を外部に射出する第２の側面と、を設け、上記基板の底面をリードフレームにマウントしたので、光取り出し効率が高く、寿命が長く、歩留まりが高い装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体発光素子の概念断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態の半導体発光素子の製造方法を示す概念断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態の半導体発光素子の製造方法を示す概念断面図で、図２に続く図。
【図４】本発明の第１の実施の形態の半導体発光素子の製造方法を示す概念断面図で、図３に続く図。
【図５】本発明の第１の実施の形態の半導体発光素子の製造方法を示す概念断面図で、図４に続く図。
【図６】本発明の第１の実施の形態の半導体発光素子の製造方法を示す概念断面図で、図５に続く図。
【図７】本発明の第１の実施の形態の半導体発光素子の製造方法を示す概念断面図で、図６に続く図。
【図８】本発明の第１の実施の形態の半導体発光装置の概念断面図。
【図９】本発明の第２の実施の形態の半導体発光素子の概念断面図。
【図１０】本発明の第３の実施の形態の半導体発光素子の概念断面図。
【図１１】本発明の第３の実施の形態の半導体発光素子の底面図。
【図１２】本発明の第４の実施の形態の半導体発光素子の概念断面図。
【図１３】本発明の第４の実施の形態の半導体発光装置の概念断面図。
【図１４】本発明の第５の実施の形態の半導体発光素子の概念断面図。
【図１５】本発明の第５の実施の形態の半導体発光装置の概念断面図。
【図１６】従来の半導体発光素子の概念断面図。
【符号の説明】
１  半導体発光素子
２  リードフレーム
６  マウント剤
１００、２００  ｐ型ＧａＰからなる透明基板
１１１、２１１  第１の側面
１１２、２１２  第２の側面
１１３、２１３  第３の側面
１１４、２１４  発光層
１０９、２０９  ｐ側電極
１１０、２１０  ｎ側電極
２１５  溝
【図１】
0003705791.tif 000002
【図２】
0003705791.tif 000003
【図３】
0003705791.tif 000004
【図４】
0003705791.tif 000005
【図５】
0003705791.tif 000006
【図６】
0003705791.tif 000007
【図７】
0003705791.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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