(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなり、第１導電型および第２導電型の半導体層を含む発光層、Ａｌを含有するチッ化ガリウム系化合物半導体からなる第２導電型のエッチングストップ層、ＧａＮからなる第１導電型の電流阻止層、Ａｌを含有するチッ化ガリウム系化合物半導体からなる保護層を順次エピタキシャル成長し、
（ｂ）前記保護層および電流阻止層をエッチングして前記保護層および電流阻止層の厚さの一部に発光領域を画定する凹部を形成し、
（ｃ）半導体層をエピタキシャル成長する成長炉内において水素とアンモニアガスを含む雰囲気中で前記凹部に残存した電流阻止層をサーマルエッチングして前記エッチングストップ層を露出させ、
（ｄ）ついでチッ化ガリウム系化合物半導体からなる第２導電型の半導体層をエピタキシャル成長し、
（ｅ）第１導電型および第２導電型の半導体層にそれぞれ電気的に接続される電極を形成する
ことを特徴とする半導体発光素子の製法。
【請求項２】
前記サーマルエッチングの際に雰囲気ガスとしてさらにチッ素ガスを含有させて行う請求項１記載の半導体発光素子の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はチッ化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体を用いた半導体レーザなどの半導体発光素子の製法に関する。さらに詳しくは、所望の発光領域にのみ精度良く電流を注入する電流阻止層が発光層の近傍に設けられる半導体発光素子の製法に関する。
【０００２】
ここにチッ化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体とは、III族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物またはIII族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなどの他のIII族元素と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部がＰ、Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した化合物からなる半導体をいう。
【０００３】
【従来の技術】
従来から、ＧａＡｓ系化合物半導体を用いて赤外線もしくは赤色のレーザ光を発生する半導体レーザなどの発光素子を作製する技術は広く普及している。これに対して、可視光領域においてこれより波長の短い青色の光を発生する半導体発光素子が望まれていたが、ＧａＮ系化合物半導体を用いることにより、青色の光を発生する発光ダイオードの製造が可能となり、青色の半導体レーザの開発もされつつある。
【０００４】
半導体レーザの構造としては、図４（ａ）〜（ｃ）に示されるような利得導波構造型の半導体レーザが考えられている。すなわち、図４の（ａ）の構造は、上部（ｐ側）電極２５をパターン化して電極パターンの下側のみを電流注入領域とするもので、（ｂ）の構造は、電流注入領域の両側にプロトンなどを打ち込んで高抵抗化することにより電流注入領域を画定するもので、（ｃ）の構造は、電流注入領域の両側をドライエッチングなどによりエッチング除去してメサ型形状にするものである。なお、図４の各々の図において、２１はたとえばｎ型ＧａＡｓ基板で、その上にｎ型クラッド層２２、活性層２３、ｐ型クラッド層２４が順次積層されたダブルヘテロ接合構造の半導体レーザが構成され、２５はｐ側電極、２６はｎ側電極、２７はプロトン打込み領域である。
【０００５】
しかし、電極パターンだけでは完全には電流注入領域を画定することができず、無駄な電流が多い。また、電流注入領域の周囲を高抵抗化する方法は、装置が高価になると共に高抵抗領域の深さを精度良く制御することができない。さらに、エッチングによりメサ型の形状にする方法では、ＧａＮ系化合物半導体層を精度良くエッチングすることができないため、メサ型を形成するエッチングの深さが一定せず、発光特性がばらつく。しかもこれらの方法はいずれも電流注入領域を画定する電極パターンや高抵抗領域やメサ型にするエッチング除去部分が発光層から離れたところに形成されているため、実際に発光層に流れる領域はそれより広がり、漏れ電流が多く、発光効率が低下する。
【０００６】
一方、光閉込め層の中に該光閉込め層の導電型とは異なる導電型の電流阻止層を設け、該電流阻止層にストライプを形成し電流注入領域を画定する屈折率導波型構造の半導体レーザが要望されている。ＧａＮ系化合物半導体層を用いてこの構造の半導体レーザにするためには、図５（ａ）に示されるように、たとえばサファイア基板１上にＧａＮ系化合物半導体層からなるｎ型バッファ層２、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５、およびｎ型ＧａＮからなる電流阻止層７をＭＯＣＶＤ装置により順次エピタキシャル成長する。ここで、ｎ型クラッド層３、活性層４、およびｐ型クラッド層５により発光層１４を構成する。その後、図５（ｂ）に示されるように、電流阻止層７をエッチングしてストライプ状の凹部１７を形成し、その後再度ＭＯＣＶＤ装置で半導体層をエピタキシャル成長することになる。これらの半導体層は通常原料成分に気体のチッ素を含むため、ＭＯＣＶＤ（有機金属化合物気相成長）装置を用いてエピタキシャル成長されることが多い。
【０００７】
しかし、ＧａＮ系化合物半導体層のエッチングは、前述のように、精度良く制御されない。そのため、電流阻止層７のみならず、ｐ型クラッド層５や活性層４などの発光層１４にもエッチングが進み、発光層１４がダメージを受けて発光特性が劣化する。また、エッチングが不充分であると、反対導電型の電流阻止層７が残存し、電流が流れなくなり発光しない。そのため、この構造では安定した特性の半導体レーザが得られず、実用化していない。しかも、エッチングなどのため、エピタキシャル成長された基板をＭＯＣＶＤ装置から外に出すと、ＧａＮ系化合物半導体層のＧａが酸化し表面が汚れる。そのため、その後のＧａＮ系化合物半導体層のエピタキシャル成長の品質が低下するという問題もある。
【０００８】
一方、ＧａＡｓ系化合物半導体を用いた半導体レーザにおいては、電流阻止層を形成後ストライプ溝をエッチングして再度半導体層をエピタキシャル成長する方法が用いられることもある。この場合、ＧａＡｓ系の化合物半導体においてもＡｌを含む場合は空気中で酸化しやいが、エッチング後のエピタキシャル成長炉でサーマルエッチングをして半導体層の一部を蒸発させ、清浄にしてからエピタキシャル成長をする方法が採られる場合がある。ＧａＡｓ系化合物半導体の場合は、通常ＭＢＥ装置を用いてエピタキシャル成長が行われるため、装置内を真空にしてサーマルエッチングを行うことができ、精度良くＧａＡｓからなる電流阻止層のみをエッチングすることができるからである。これに対して、ＧａＮ系化合物半導体の場合はその成分元素に気体のチッ素を含有していることもあり、一般にＭＯＣＶＤ装置を用いて有機金属化合物気相成長法によりエピタキシャル成長が行われることが多い。しかし、ＭＯＣＶＤ装置では装置内の真空度を上げることができず、ＧａＡｓ系化合物半導体と同様には精度良くサーマルエッチングを行うことができない。すなわち、真空度が高いと、ＧａＮが蒸発しやすく、エッチング制御が可能であるが、ＭＯＣＶＤ装置を用い、真空度を上げられない場合は、ＧａＮが蒸発しにくく、エッチング制御が困難だからである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、ＧａＮ系化合物半導体を用いた半導体発光素子では、精度良くエッチングを制御できないため、発光層の近く（０.１〜１μｍ）で電流注入領域を正確に画定することができない。その結果、電流の無駄が多く、発光効率を向上できないという問題がある。
【００１０】
さらに、前述のように、ＭＯＣＶＤ装置では高真空にすることができず、半導体層を成長する装置内で表面を清浄化できない。そのため、エッチングなどのためＭＯＣＶＤ装置から一旦外に出した半導体層にさらにＭＯＣＶＤ装置により高品質のＧａＮ系化合物半導体層をエピタキシャル成長することができず、ストライプ溝を有する半導体レーザや発光領域を区画する発光ダイオードなどのＧａＮ系化合物半導体からなる半導体発光素子が得られないという問題がある。
【００１１】
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、ＭＯＣＶＤ装置でＧａＮ系化合物半導体層のエッチングを可能にし、ＧａＮ系化合物半導体層のエピタキシャル成長の途中で、エッチング工程の必要な電流注入領域を画定する電流阻止層が発光層の近くに形成された半導体発光素子の製法を提供することを目的とする。
【００１２】
本発明のさらに他の目的は、半導体層の組成の差によるエッチングスピードの違いを利用してエッチングの深さが正確に制御された半導体発光素子およびその製法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者はＧａＮ系化合物半導体層をＭＯＣＶＤ装置内で精度良くエッチングをしてストライプ状などの溝が形成された電流阻止層を設け、必要な電流注入領域にのみ電流を制限して高効率の発光をする半導体発光素子を得るために鋭意検討を重ねた結果、ＭＯＣＶＤ装置内を高真空にしなくても、雰囲気ガスを水素とし、それにアンモニアガスを含ませ、その量を制御して基板を昇温させることによりＧａＮ系化合物半導体層のエッチングスピードを調整することができ、混晶比の異なる半導体層間のエッチングレートを制御することができることを見出した。その結果、ＧａＮ系化合物半導体層においても電流阻止層に精度の良いストライプが形成された半導体レーザや、素子の無駄な領域には電流を流さないようにしてリーク電流や無効電流を減少させた発光ダイオードが得られた。
【００１５】
ここに発光層とは、発光に寄与する半導体層の部分を意味し、活性層がｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層により挟まれる構造のものはこれらの層を、ｎ型層とｐ型層の接合部で発光させるものはその両層を意味する。
【００１８】
本発明の半導体発光素子の製法は、（ａ）基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなり、第１導電型および第２導電型の半導体層を含む発光層、Ａｌを含有するチッ化ガリウム系化合物半導体からなる第２導電型のエッチングストップ層、ＧａＮからなる第１導電型の電流阻止層、Ａｌを含有するチッ化ガリウム系化合物半導体からなる保護層を順次エピタキシャル成長し、
（ｂ）前記保護層および電流阻止層をエッチングして前記保護層および電流阻止層の厚さの一部に発光領域を画定する凹部を形成し、
（ｃ）半導体層をエピタキシャル成長する装置内において水素とアンモニアガスを含む雰囲気中で前記凹部に残存した電流阻止層をサーマルエッチングして前記エッチングストップ層を露出させ、
（ｄ）ついでチッ化ガリウム系化合物半導体からなる第２導電型の半導体層をエピタキシャル成長し、
（ｅ）第１導電型および第２導電型の半導体層にそれぞれ電気的に接続される電極を形成する
ことを特徴とする。
【００１９】
前記サーマルエッチングの際に雰囲気ガスとしてさらにチッ素ガスを含有させて行うことが、エッチング速度の制御性の向上の点から好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
つぎに、図面を参照しながら本発明の半導体発光素子の製法について説明をする。
【００２１】
図１〜２は本発明の半導体発光素子の製法の一実施形態である半導体レーザの製造工程を示す図である。
【００２２】
まず、図１（ａ）に示されるように、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）基板１上にＧａＮまたはＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）からなる低温バッファ層２、ＧａＮまたはＩｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）からなるｎ型クラッド層３、Ｉｎz Ｇａ1-z Ｎ（０≦ｚ≦１）からなる活性層４、ｐ型のＧａＮまたはＩｎx Ａｌy Ｇａ1-x-y Ｎからなるｐ型クラッド層５、ｐ型のＡｌa Ｇａ1-a Ｎ（０.０２≦ａ≦１）からなるエッチングストップ層６、ｎ型ＧａＮからなる電流阻止層７、ｎ型またはｐ型のＡｌa Ｇａ1-a Ｎ（０.０２≦ａ≦１）からなる保護層８をＭＯＣＶＤ装置により順次エピタキシャル成長する。この活性層４およびｎ型およびｐ型クラッド層３、５により発光層１４を構成している。なお、この上にさらにＧａＮからなる第２の保護層（図示せず）を堆積することがある。このＧａＮからなる第２の保護層を設けることにより、エピタキシャル成長された半導体層の表面全面をサーマルエッチングすることができるため、エッチング後の再度のエピタキシャル成長のときにストライプ溝以外の所の汚れも清浄にすることができる。その結果、高品質の半導体層を積層することができて好ましい。この保護層８および第２の保護層は０.５μｍ以下と薄くできるため、後のドライエッチングの制御は用意である。
【００２３】
つぎに、図１（ｂ）に示されるように、ホトリソグラフィ技術によるマスキングとドライエッチングなどにより保護層８および電流阻止層７の一部をエッチングしてストライプ溝である凹部１７を形成する。このドライエッチングは、アルゴンガスと塩素ガスの雰囲気の下で、アルゴンガスの一部をイオン化して加速電圧を印加し、ウェハに照射することにより行われる。この際、エッチングの深さを正確には制御することができないが、電流阻止層７のエッチング深さは正確でなくてもその一部が残存するようにエッチングされればよい。
【００２４】
つぎに、図１（ｃ）に示されるように、ＭＯＣＶＤ装置または半導体層をエピタキシャル成長する装置内に入れ、チッ素（Ｎ2 ）、水素（Ｈ2 ）、およびアンモニア（ＮＨ3 ）の混合雰囲気中で、９００〜１２００℃に加熱する。この混合ガスで、Ｎ2 が０のときＨ2 ：ＮＨ3 を２：１〜５：１、またはＨ2 ：ＮＨ3 ：Ｎ2 を１：１：１〜１０：１：１とすることによりＧａＮ層のみがエッチングされ、Ａｌを含むＡｌa Ｇａ1-a Ｎからなるエッチングストップ層６はエッチングレートが小さく、殆どエッチングされない。その結果、前のドライエッチングにより形成された凹部１７の下側に残存した電流阻止層７はストライプ状にすべてエッチングされてエッチングストップ層６が露出し、半導体層の蒸発が止まる。このサーマルエッチングの際に保護層８の上にさらにＧａＮからなる第２の保護層（図示されていない）が設けられている場合には、第２の保護層が同様にエッチングされてＡｌa Ｇａ1-a Ｎからなる保護層８が露出し、表面全体が清浄になる。このサーマルエッチングの際にＮＨ3 の割合を大きくするとＧａＮ系化合物半導体のエッチングレートが小さくなり、ＮＨ3 の割合を小さくするとエッチングレートが大きくなり、エッチングの制御をすることができる。また、雰囲気ガスにＮ2 を混合するとＮＨ3と同様にＧａＮ系化合物半導体のエッチングを抑制し、その量を多くするとエッチングレートが小さくなり、同様にエッチングの制御をすることができる。
【００２５】
つぎに、電流阻止層７をサーマルエッチングした装置、たとえばＭＯＣＶＤ装置でそのままｐ型のＡｌa Ｇａ1-a Ｎからなる光閉込め層９、ｐ型のＧａＮからなるコンタクト層１０を図２（ｄ）に示されるように、順次エピタキシャル成長する。
【００２６】
つぎに、図２（ｅ）に示されるように、積層された半導体層の一部をエッチングしてｎ型のクラッド層３またはバッファ層２を露出させ、ｐ側電極１１およびｎ側電極１２を金属の蒸着などにより形成する。
【００２７】
つぎに具体例により前述の半導体レーザの製法をさらに詳細に説明する。
【００２８】
まず、ＭＯＣＶＤ装置内にサファイア基板１をセッティングし、基板の温度を４００〜８００℃にして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を１〜１００ｃｃ／分、アンモニア（ＮＨ3 ）を１〜３０リットル／分、水素（Ｈ2 ）を１０〜２０リットル／分、チッ素（Ｎ2 ）を０〜２０リットル／分の割合で導入して５〜６０分程度反応させ、ＧａＮからなるバッファ層２を０.０１〜０.５μｍ程度成長する。
【００２９】
ついで、基板の温度が８００〜１２００℃になるように装置内の温度を上昇させ、前記のガスにさらにＨ2中の濃度が１００ｐｐｍのシラン（ＳｉＨ4 ）を０.１〜１００ｃｃ／分の流量で導入し、ｎ型のＧａＮからなるｎ型クラッド層３を０.５〜５μｍ程度成長する。ここで、ＧａＮに代わってＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎからなるクラッド層を成長する場合は、前述のガスにさらにトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を１〜１００ｃｃ／分の流量で導入する。
【００３０】
つぎに、基板の温度を６００〜１０００℃にしてＴＭＧを１〜１００ｃｃ／分、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を１〜１０００ｃｃ／分、ＮＨ3 を１〜３０リットル／分、Ｈ2 、Ｎ2 をそれぞれ０〜２０リットル／分、１００ｐｐｍのＳｉＨ4 を０〜１００ｃｃ／分またはジメチル亜鉛（ＤＭＺ）を０〜５００ｃｃ／分のいずれかを導入して、またはどちらも導入しないで、ｎ型もしくはｐ型またはノンドープのＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎからなる活性層４を０.０５〜０.３μｍ程度成長する。
【００３１】
つぎにｎ型クラッド層３と同じ条件で、ドーピングガスをＳｉＨ4 に代えてビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を１〜１０００ｃｃ／分の流量で導入してｐ型ＧａＮからなるｐ型クラッド層５を０.１〜１μｍ程度成長する。この場合、ＧａＮの代わりにＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎを成長するときは、前述と同様に、さらにＴＭＡを１〜１０００ｃｃ／分の流量で導入する。
【００３２】
つぎに、装置内の温度を８００〜１２００℃に維持したまま、ＴＭＡを１〜１０００ｃｃ／分の流量で導入してＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎからなるｐ型のエッチングストップ層６を０.０５〜０.５μｍ程度成長する。この場合、ｐ型クラッド層５がＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎからなる場合には、このエッチングストップ層をｐ型クラッド層５で兼用することができる。さらに前述のｎ型クラッド層３などと同じ条件で、ｎ型のＧａＮからなる電流阻止層７を０.１〜１μｍ程度、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎからなる保護層８を０.０５〜０.５μｍ程度、ＧａＮからなる第２の保護層を０.０１〜０.１μｍ程度それぞれ順次成長する。
【００３３】
つぎに、各半導体層がエピタキシャル成長された基板をＭＯＣＶＤ装置から取り出し、レジストを塗付してストライプ状にレジスト膜を除去するパターニングをする。その後、ガスをイオン化して使うドライエッチング装置にいれ、アルゴン（Ａｒ）を４ｃｃ／分、塩素（Ｃｌ2 ）を４ｃｃ／分で導入して加速電圧を１〜２５ｋＶでイオンビームを照射してストライプ状にエッチングする。このエッチングで、保護層８を完全にエッチングし、電流阻止層７の一部がエッチングされるように、０.１〜１μｍ程度の厚さだけエッチングをする。
【００３４】
その後、基板を再度ＭＯＣＶＤ装置に入れ、基板温度が８００〜１２００℃になるように装置内の温度を上昇させ、前述と同様に、ＴＭＡ、ＴＭＧ、Ｃｐ2 Ｍｇの各ガスを導入してＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎからなるｐ型の光閉込め層９を０.１〜３μｍ程度成長する。さらに同じ温度を維持して前述と同様に、ＴＭＧ、Ｃｐ2 Ｍｇの各ガスを導入してｐ型のＧａＮからなるコンタクト層１０を０.１〜３μｍ程度成長する。
【００３５】
その後、ｐ側電極１１としてはＴｉとＡｌを同時に蒸着し、ｎ側電極１２としてはＮｉとＡｕを同時に蒸着してそれぞれの合金からなる電極１１、１２を形成する。
【００３６】
前述の例は半導体レーザのストライプ溝を形成する例であったが、ＧａＮ系化合物半導体を使用した半導体発光素子において、半導体層を部分的にエッチングしたい場合に、本発明を適用することにより同様に精度良くエッチングをすることができ、高特性の半導体発光素子が得られる。図３にＧａＮ系化合物半導体層を用いた発光ダイオードに電流阻止層が設けられた例を示す。
【００３７】
図３は発光ダイオードの斜視説明図で、各半導体層の積層は図１〜２に示される半導体レーザの例と同様の構成になっており、同じ半導体層には同じ符号を付してある。しかし、図３では光閉込め層ではなく、電流拡散層１３が設けられ、コンタクト層は設けられていない。また活性層４を挟むクラッド層３、５の組成は半導体レーザの場合と異なり、活性層４への光の閉込めは弱くなっている。この例では、チップの全面に電流が流れるとチップの端面でリーク電流が流れやすく、無駄な電流が増加するため、チップの端部には電流が流れないように、周囲のみに電流阻止層７が設けられている。すなわち、ｐ型クラッド層５が形成された後に、ｐ型のＡｌa Ｇａ1-a Ｎ（０.０２≦ａ≦１）からなるエッチングストップ層６、ｎ型ＧａＮからなる電流阻止層７、ｎ型またはｐ型のＡｌa Ｇａ1-a Ｎ（０.０２≦ａ≦１）からなる保護層８がＭＯＣＶＤ装置により順次エピタキシャル成長され、その後に、保護層８および電流阻止層７の中心部に凹部１８がエッチングにより形成されている。その結果、チップの周囲には電流阻止層７により電流が流れず、リーク電流が少なくて発光効率の高い半導体発光素子が得られる。
【００３８】
この電流阻止層７のエッチングも前述と同様に、ドライエッチングにより電流阻止層７の一部をエッチングしておき、その後、ＭＯＣＶＤ装置でサーマルエッチングを行うことにより、エッチングストップ層６でエッチングが止り、発光層１４にダメージを与えることなく、電流阻止層７のみに正確にエッチングを行うことができる。なお、図３に示される例では、ｐ側電極１１は中心部が除去されて光を透過しやすくされているが、電極の中心部を光が透過する程度の薄い膜で形成することもできる。
【００３９】
また、発光ダイオードの他の応用例としては、発光面側の電極部は光が透過しないため、その電極の下の発光は無駄になる。そのため、その電極の下側には電流が流れないように、電流阻止層をパターニングして設けることにより発光効率を向上させることができる。この場合でも本発明により、発光層の近くに正確にパターニングされた電流阻止層を形成することができる。
【００４０】
前述の各例では、ＧａＮ系化合物半導体としてＧａＮ、Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎなどの特定の半導体層を用いたが、これらの材料には限定されない。一般に、Ａｌp Ｇａq Ｉｎ1-p-q Ｎ（０≦ｐ≦１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１）からなり、たとえば活性層のバンドギャップエネルギーがクラッド層のバンドギャップエネルギーより小さくなるように各組成の比率が選定されるように、ｐ、ｑの混晶比を変化させたものでもよい。また、前記Ａｌp Ｇａq Ｉｎ1-p-q ＮのＮの一部または全部をＡｓおよび／またはＰなどで置換した材料でも同様に本発明を適用できる。
【００４１】
さらに、前述の発光ダイオードでは、発光層が両クラッド層により活性層が挟持される構造であったが、通常のｐ型層とｎ型層とが接合したｐｎ接合構造のものでも同様である。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、ＧａＮ系化合物半導体層をエピタキシャル成長する通常のＭＯＣＶＤ装置においてもＧａＮ系化合物半導体層をサーマルエッチングによりエッチングできるため、エッチングストップ層を設けて所望の半導体層のみを精度よくエッチングすることができる。
【００４３】
その結果、ＧａＮ系化合物半導体を用いた半導体発光素子においても発光層の近くに電流阻止層を設けることができ、パターン以外への漏れ電流を小さくすることができる。また、電流阻止層を発光層のすぐ近く（０.１〜１μｍ）に設けることができるため、全体の半導体層の膜厚を小さくすることができ、デバイス全体としての抵抗を小さくすることができる。そのため、発光効率の高い半導体発光素子が得られる。
【００４４】
さらに、半導体レーザにする場合、電流阻止層とエッチング後に成長する光閉込め層との間で組成を変えることにより、横方向の屈折率差を作ることができ、横方向の光閉込め効果も生じ、発振効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である半導体レーザの製造工程を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態である半導体レーザの製造工程を示す図である。
【図３】  本発明の一実施形態である製法により得られる発光ダイオードの斜視説明図である。
【図４】ＧａＮ系化合物半導体を用いた半導体レーザの考えられる構造を示す図である。
【図５】ＧａＮ系化合物半導体を用いた半導体レーザにストライプを形成する場合の説明図である。
【符号の説明】
１    サファイア基板
３    ｎ型クラッド層
４    活性層
５    ｐ型クラッド層
６    エッチングストップ層
７    電流阻止層
１１    ｐ側電極
１２    ｎ側電極
１４    発光層
１７    凹部
【図１】
0003713100.tif 000002
【図２】
0003713100.tif 000003
【図３】
0003713100.tif 000004
【図４】
0003713100.tif 000005
【図５】
0003713100.tif 000006