(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングにより外部電極が形成された基板上に前記外部電極に接続して薄膜回路を形成する薄膜回路基板の製造方法において、
前記基板上に外部電極を所定形状にエッチング処理するマスクパターンを、その前記薄膜回路との接続界面となる位置に、端辺から内方に向かう複数の凹部を有するように形成した後、エッチング処理し、形成された外部電極に接続して薄膜回路を形成することを特徴とする薄膜回路基板の製造方法。
【請求項２】
複数の凹部の列設により外部電極の接続界面の形状を鋸歯状もしくは櫛歯状に形成した請求項１記載の薄膜回路基板の製造方法。
【請求項３】
凹部の形状を曲線で形成した請求項１または２記載の薄膜回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチングにより外部電極が形成された基板上に外部電極に接続して薄膜形成により薄膜回路を形成する薄膜回路基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図６は、薄膜回路形成により基板上に電子部品を形成した従来例を示すもので、同図（ａ）は、外部接続のための第１、第２の各外部電極２１ａ、２１ｂをエッチングにより形成した基板２０上に、第１の外部電極２１ａと第２の外部電極２１ｂとの間を接続して電子部品２２を薄膜形成により形成した状態を示しており、薄膜形成による電子部品２２はシート状のキャパシタとして形成されている。
【０００３】
この電子部品２２を形成するための薄膜形成の方法は、同図（ｂ）にＢ−Ｂ線矢視断面として示すように、蒸着またはスパッタリングにより第１の外部電極２１ａに一部が重なるように第１の内部電極２３ａを形成し、この第１の内部電極２３ａの上に誘電体材料２４を形成する。次いで、誘電体材料２４と第２の外部電極２１ｂとを接続するように第２の内部電極２３ｂを形成する。
【０００４】
上記薄膜形成の手順により、第１の外部電極２１ａと第２の外部電極２１ｂとの間をつなぐ第１内部電極２３ａと第２の内部電極２３ｂとの間に誘電体材料２４を挟んだ電子部品（キャパシタ）２２を形成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、薄膜形成により形成される第１、第２の各内部電極２３ａ、２３ｂの膜厚は約０．１μｍｔ、エッチングにより形成された第１、第２の各外部電極２１ａ、２１ｂの膜厚は約１０μｍｔで、その膜厚比は約１：１００になるため、各内部電極２３ａ、２３ｂそれぞれの各外部電極２１ａ、２１ｂとの接続界面には図示する以上に大きな段差があり、その垂直面での薄膜形成厚が小さくなることからくびれが生じやすく、それに起因する亀裂や破断による不良発生率が多くなる問題点があった。
【０００６】
本発明の目的とするところは、膜厚差の大きな接続界面に接続不良を生じさせることなく薄膜形成を行うことができる薄膜回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、エッチングにより外部電極が形成された基板上に前記外部電極に接続して薄膜回路を形成する薄膜回路基板の製造方法において、前記基板上に外部電極を所定形状にエッチング処理するマスクパターンを、その前記薄膜回路との接続界面となる位置に、端辺から内方に向かう複数の凹部を有するように形成した後、エッチング処理し、形成された外部電極に接続して薄膜回路を形成することを特徴とする。
【０００８】
上記製造方法によれば、基板上に外部電極をエッチング処理により形成するためのマスクパターンの端辺に内方に向かう小面積の凹部を形成してエッチング処理を行うと、大きな面積部分がエッチングされる進行速度と、小さな面積部分がエッチングされる進行速度とに速度差が生じて、大きな面積部分の腐食が完了したときにも凹部内は内方に向かうほど腐食が遅れ、その結果、端辺から凹部内に向かう傾斜面が形成されることになる。このようにして薄膜回路接続側の端辺に傾斜面が形成された外部電極上に薄膜を形成すると、外部電極の接続界面となる端辺に大きな段差を作ることなく外部電極上に薄膜が形成され、接続界面に亀裂や破断を生じさせることがなく、信頼性の高い薄膜回路を形成することができる。
【０００９】
上記凹部は、複数の凹部を列設して外部電極の接続界面の形状を鋸歯状もしくは櫛歯状に形成することにより、薄膜回路接続側の端辺に複数の傾斜面が形成され、接続界面の接続安定性を高めることができる。
【００１０】
また、凹部の形状を曲線で形成することにより、傾斜面と外部電極表面との境界面をより滑らかに形成することができ、薄膜形成による接続が安定してなされる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の一実施形態について説明し、本発明の理解に供する。
【００１４】
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る薄膜回路基板の製造方法により基板５上にキャパシタを形成した状態を示す平面図である。図示するように基板５上にエッチングにより形成された第１の外部電極４ａと第２の外部電極４ｂとの間に、蒸着、スパッタリング等により第１の内部電極３ａ、第２の内部電極３ｂ及び誘電体材料６を形成することにより、第１の外部電極４ａと第２の外部電極４ｂとの間にキャパシタ１が形成される。
【００１５】
図１（ｂ）に示す断面図は、図１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面で、第１、第２の各外部電極４ａ、４ｂそれぞれの第１、第２の各内部電極３ａ、３ｂとの接続界面は傾斜面に形成されているため、第１、第２の各内部電極３ａ、３ｂを薄膜形成するときに接続界面にくびれが生じないため、それに起因する亀裂や破断が生じず、信頼性の高い接続構造に形成することができる。
【００１６】
前記第１、第２の各外部電極４ａ、４ｂの接続界面に傾斜面を形成する方法について、図２〜４を参照して説明する。
【００１７】
第１、第２の各外部電極４ａ、４ｂの形成は、第１、第２の各外部電極４ａ、４ｂを形成するための材料膜（銅箔等）が貼着された基板材料８をエッチング処理することにより形成される。図２（ａ）に示すように、第１、第２の各外部電極４ａ、４ｂそれぞれを形成するための各マスクパターン７ａ、７ｂは、第１、第２の各内部電極３ａ、３ｂとの接続界面側に複数の凹部９を鋸歯状に設けたパターンに塗布される。このようなマスクパターン７ａ、７ｂが施された基板材料８をエッチング処理すると、エッチングの進行速度は凹部９の小さな面積部分が遅くなるため、凹部９を除く他の部分のエッチングが完了したときにも、凹部９の内方側に向かうほどエッチングに遅れが生じて、結果的には図２（ｂ）に示すように、凹部９内にエッチングしきれなかった面がエッチング速度に対応する傾斜面として残ることになる。従って、基板材料８からエッチング処理により第１、第２の各外部電極４ａ、４ｂとして残す部分以外をエッチングにより除去すると、接続界面側の端辺に複数に形成した凹部９の位置にそれぞれ傾斜面が形成され、図２（ｃ）の断面図に示すような傾斜面が接続界面側に複数に形成された第１、第２の各外部電極４ａ、４ｂが基板５上に形成される。
【００１８】
このように第１、第２の各外部電極４ａ、４ｂが形成された基板５上に、図１（ｂ）に示すように、第１、第２の各外部電極４ａ、４ｂに接続して第１、第２の各内部電極３ａ、３ｂを薄膜形成すると、各外部電極４ａ、４ｂとの接続界面は傾斜面で接続されるので、厚さ比による大きな段差がなくなるため形成される薄膜にくびれが生じず、亀裂や破断のない薄膜形成を行うことができる。
【００１９】
上記各マスクパターン７ａ、７ｂによる凹部９の形成は、図３に示すように矩形の凹部９ａを列設した櫛歯状に形成したマスクパターン７ｃ、７ｄでマスキングしてエッチング処理することもでき、この場合にも凹部９ａの内方ほどエッチングの進行速度が遅くなるため、凹部９ａ内に傾斜面が形成され、これが列設されているので、複数の傾斜面を接続界面として利用することができる。また、図４（ａ）（ｂ）に示すように、凹部９ｂ、９ｃの角部を曲線に形成したマスクパターン７ｅ、７ｆを用いてエッチング処理することにより、接続界面の角や傾斜面を滑らかに形成することができ、接続界面を角部の少ない形状に形成でき、各内部電極３ａ、３ｂとの接続をより安定させることができる。
【００２０】
次に、本発明の参考例に係る薄膜回路の製造方法について説明する。
【００２１】
図５は、本参考例の薄膜回路基板の製造方法により基板１５上にキャパシタ２を形成した状態を示す断面図である。
【００２２】
この薄膜形成によるキャパシタ２の製造手順は、まず、第１、第２の各外部電極１０ａ、１０ｂが形成された基板１５に対し、各外部電極１０ａ、１０ｂそれぞれの接続界面位置にポリイミド等の樹脂による傾斜面形成材１１ａ、１１ｂを塗布することにより、その表面張力により図示するように傾斜面が形成される。
【００２３】
次に、第１の外部電極１０ａから傾斜面形成材１１ａ、基板１５にわたって第１の内部電極１２ａをスパッタリング、蒸着等の薄膜形成手段により形成する。この内部電極１２ａの基板１５上の位置に誘電体材料１３を薄膜形成し、この誘電体材料１３から基板１５、傾斜面形成材１１ｂ、第２の外部電極１０ｂにいたる表面に第２の内部電極１２ｂを薄膜形成する。この薄膜形成により、第１内部電極１２ａと第２の内部電極１２ｂとの間に誘電体材料１３を挟んでキャパシタ２が形成され、各内部電極１２ａ、１２ｂがそれぞれ各外部電極１０ａ、１０ｂに接続されることにより、基板１５上に薄膜形成によりキャパシタ２を形成することができる。
【００２４】
上記構成によっても、第１、第２の各内部電極１２ａ、１２ｂと第１、第２の各外部電極１０ａ、１０ｂとのそれぞれの接続界面は各傾斜面形成材１１ａ、１１ｂにより傾斜面が形成されているので、厚さ比による急激な段差がなくなり、薄膜形成の括れが生じにくいので、それに起因する亀裂や破断のない薄膜形成を行うことができる。
【００２５】
以上説明した実施形態では、薄膜形成により基板上にキャパシタ回路を形成する方法について説明したが、半田付けにより外部接続するための外部電極が形成されている基板上に薄膜回路を形成するような場合に同様の方法を用いて薄膜回路基板を製造することができる。
【００２６】
【発明の効果】
以上の説明の通り本発明によれば、基板上に形成された外部電極の薄膜回路接続の接続界面に傾斜面が形成されているので、外部電極の接続界面に大きな段差を作ることなく外部電極に接続して薄膜回路が形成できるため、形成される薄膜に亀裂や破断を生じさせることがなく、信頼性の高い薄膜回路を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態に係る製造方法により製造された薄膜回路の例（ａ）とそのＡ−Ａ線矢視断面の薄膜形成状態（ｂ）を示す断面図。
【図２】  外部電極をエッチング処理するマスクパターン（ａ）の例とエッチング処理後の凹部形状（ｂ）の斜視図と断面状態（ｃ）を示す断面図。
【図３】  接続界面に傾斜面を形成する別マスクパターン（ａ）を示す平面図と形成された凹部形状（ｂ）を示す斜視図。
【図４】  接続界面に傾斜面を形成する別マスクパターン例（ａ）（ｂ）を示す平面図。
【図５】  本発明の参考例に係る製造方法により製造された薄膜回路の形成状態を示す断面図。
【図６】  従来の製造方法により形成された薄膜回路を示す平面図（ａ）とその断面（ｂ）を示す断面図。
【符号の説明】
１、２  キャパシタ（薄膜回路）
３ａ、３ｂ、１２ａ、１２ｂ  内部電極
４ａ、４ｂ、１０ａ、１０ｂ  外部電極
５、１５  基板
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、７ｆ  マスクパターン
９、９ａ、９ｂ、９ｃ  凹部
１１ａ、１１ｂ  傾斜面形成材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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