(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路のための素子部が素子基板上に形成され、
上記素子部を外部と電気的に接続するための電極パッドが金属バンプを用いたフェースダウン実装用に設けられ、
上記電極パッドは、素子部から延びるＡｌ又はＡl合金／Ｔｉ下地の二層構造の引き出し電極上に電極パッドの一部が重ね合わされており、Ａｌ又はＡl合金からなるパッド電極層と、電極パッド上に設けられる金属バンプの拡散を抑制するためのバリア層とを有し、
バリア層は、パッド電極層の中間に設けられていることを特徴とする電子部品素子。
【請求項２】
Ａｌ又はＡl合金からなるパッド電極層とバリア層とにおける、素子基板側の界面にＡｌ酸化層をさらに有していることを特徴とする請求項１記載の電子部品素子。
【請求項３】
バリア層が、ＮｉＣｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ及びＷからなる群から選択される少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品素子。
【請求項４】
電極パッド上に設けられる金属バンプが、Ａｕ又はＰｔからなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子部品素子。
【請求項５】
電極パッド上に設けられる金属バンプが、はんだからなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子部品素子。
【請求項６】
素子部は、Ａｌ又はＡl合金／Ｔｉ下地の二層構造のくし型電極部であり、
素子基板と、くし型電極部及び引き出し電極との間に、酸素含有Ｔｉ層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の電子部品素子。
【請求項７】
素子部は、Ａｌ又はＡl合金／Ｔｉ下地の二層構造のくし型電極部であり、
くし型電極部及び引き出し電極はリフトオフ法を用いて作成されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の電子部品素子。
【請求項８】
酸化物基板上に、素子部と、素子部に接続する、Ａl又はＡl合金／Ｔｉとの二層電極からなる引き出し電極とを作成し、その後、該素子部と異なる領域にバンプパッドのパターンをレジストにより形成し、減圧状態でイオンクリーニングを施した後、Ａl又はＡl合金を真空蒸着により成膜した後、酸素雰囲気にさらすことにより、表面を酸化し、再び真空状態でバリア層とＡ１又はＡl合金とをそれぞれ蒸着し、しかる後に、レジストを不要な金属と共に除去することを特徴とする電子部品素子の製造方法。
【請求項９】
バリア層を、ＮｉＣｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ及びＷからなる群から選択される少なくとも１種を用いて作製することを特徴とする請求項８記載の電子部品素子の製造方法。
【請求項１０】
前記イオンクリーニングを実施する工程、Ａｌ又はＡl合金を蒸着する工程、上記蒸着したＡｌ又はＡl合金を酸素雰囲気により表面酸化してバリア層を形成する工程、Ａｌ又はＡl合金を蒸着する工程、の一連の各工程を１台の真空蒸着装置で連続処理することを特徴とする請求項８又は９記載の電子部品素子の製造方法。
【請求項１１】
前記請求項１乃至７の何れか１項に記載の電子部品素子をパッケージ内にフェースダウン実装で収納したことを特徴とする電子部品装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品素子の素子基板上に形成された金属バンプをセラミック等からなるパッケージや回路基板等の電極パターンに押し付けて接続するフェースダウン実装に好適な電子部品素子及びその製造方法、並びに電子部品装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話などの電子部品装置の小型化、低背化に伴い、電子部品装置に用いられる電子部品素子の電極パッドとパッケージの電極パターンとの接続方法として、ワイヤによる接続方法に代えて、電子部品素子の機能面をパッケージの接続面に対向させ直接実装する、フェースダウン方式による接続方法が開発されている。このようなフェースダウン方式における、電子部品素子の電極パッドとパッケージの電極パターンとの接続には、接続の容易性や寸法制御性からＡｕバンプが良く用いられている。
【０００３】
このような電子部品素子である弾性表面波装置（以下、ＳＡＷデバイスという）としては、例えば特開２０００−９１８７０号公報に記載のＳＡＷデバイスが知られている。上記ＳＡＷデバイスは、圧電基板（素子基板、酸化物基板）と、この圧電基板の主面にそれぞれ配設されたくし型電極部（以下、ＩＤＴという）及び外部接続端子を備えた弾性表面波素子（素子部）を有し、外部接続端子がＩＤＴを構成する、アルミニウム（Ａｌ）又はＡｌ合金からなる第１の電極金属層上に、Ａｌ等からなる第２の電極金属層が積層された二層構造を有する第１の領域と、第２の電極金属層が圧電基板上に直接配設された第２の領域とを有している。
【０００４】
しかしながら、上記従来の二層構造の電極では、デュプレクサなど高耐電力化が要求される、電子部品素子としての弾性表面波（以下、ＳＡＷと記す）フィルタの素子部や、電極パッドに電極として用いた場合、高耐電力化に対応できないという問題を生じている。
【０００５】
そこで、本発明者は、上記問題を回避するために、上記公報の構造を、耐電力性向上のために用いられている、Ａｌ／Ｔｉ構造の電極に用いることを考えた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報の構造を、Ａｌ／Ｔｉ構造の電極に用いたところ、バンプ下の圧電基板にクラックが発生するという不具合が生じることを見出した。これは、電極の下地にＴｉを用いて、フェースダウン方式で実装すると、パッケージの封止時の熱応力を、固いＴｉが緩和しきれないためであることが分かった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電子部品素子は、上記課題を解決するために、電子回路のための素子部が素子基板上に形成され、上記素子部を外部と電気的に接続するための電極パッドが金属バンプを用いたフェースダウン実装用に設けられ、上記電極パッドは、素子部から延びるＡｌ又はＡl合金／Ｔｉ下地の二層構造の引き出し電極上に電極パッドの一部が重ね合わされており、Ａｌ又はＡl合金からなるパッド電極層と電極パッド上に設けられる金属バンプの拡散を抑制するためのバリア層とを有し、バリア層はパッド電極層の中間に設けられていることを特徴としている。
【０００８】
上記構成によれば、デュプレクサなど高耐電力化が要求される、電子部品素子としての弾性表面波（以下、ＳＡＷと記す）フィルタの素子部の電極や、電極パッドに、Ｔｉを下地としてＡｌ（合金）膜を形成することで、Ａｌ（合金）膜の配向性を高める効果と電極ボトムの静電応力が集中する部分を硬い金属で補強できると言う効果により、耐電力性を飛躍的に向上できる。
【０００９】
また、上記構成では、電極パッド上に設けられる金属バンプの拡散を抑制するためのバリア層をパッド電極層の中間に設けたことによって、金属バンプの金属が電極パッド内に拡散することを上記バリア層により抑制できる。
【００１０】
これにより、上記構成は、上記拡散に勤する体積膨張を伴う金属間化合物の形成領域を素子基板から離すことができて、上記金属間化合物による悪影響を軽減でき、素子基板にクラックが発生することを回避できる。
【００１１】
上記電子部品素子では、Ａｌ又はＡl合金からなるパッド電極層とバリア層とにおける、素子基板側の界面にＡｌ酸化層をさらに有していることが好ましい。
【００１２】
上記構成によれば、さらに、Ａｌ酸化層を設けたことにより、バリア層の金属が電極パッド内に拡散することを上記Ａｌ酸化層により抑制できる。
【００１３】
上記電子部品素子においては、バリア層が、ＮｉＣｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ及びＷからなる群から選択される少なくとも１種からなることが望ましい。
【００１４】
また、高耐電力性を有する上記構成においては、素子基板（圧電基板）上にドライエッチング法又はリフトオフ法で形成されたＡｌ／Ｔｉ電極パッドとなるアース及び入出力用電極上にリフトオフ蒸着法によりさらに厚さ１μｍ程度の純Ａｌ又は略Ａｌ−１ｗｔ％Ｃｕ合金からなるパッド電極層の中間に、Ａｌとの接着強度の良いＮｉＣｒ合金やＴｉ等からなるバリア層（中間電極層）と共に設けることにより、接合に十分な電極パッドの厚さを確保できる。
【００１５】
上記電子部品素子では、電極パッド上に設けられる金属バンプが、Ａｕ又はＰｔからなることが好ましい。
【００１６】
上記電子部品素子においては、電極パッド上に設けられる金属バンプが、はんだからなっていてもよい。
【００１７】
上記構成によれば、金属バンプが、接合性には優れているＡｕ、Ｐｔ、はんだ、特に、金属間化合物を形成し易いＡｕ又はＰｔからなることで、バリア層の効果をより有効に発揮できる。
【００１８】
上記電子部品素子では、素子部は、Ａｌ又はＡl合金／Ｔｉ下地の二層構造のくし型電極部であり、素子基板と、くし型電極部及び引き出し電極との間に、酸素含有Ｔｉ層が設けられていることが望ましい。
【００１９】
上記構成によれば、酸素含有Ｔｉ層を有することによって、封止の熱工程において、素子基板中の酸素がＴｉにより吸い取られるために、素子基板の結晶性がみだれて、破壊強度が低下することが上記酸素含有Ｔｉ層により抑制されて、電極パッド下の素子基板におけるクラックの発生を低減できる。
【００２０】
上記電子部品素子においては、素子部は、Ａｌ又はＡl合金／Ｔｉ下地の二層構造のくし型電極部であり、くし型電極部及び引き出し電極はリフトオフ法を用いて作成されていることが好ましい。
【００２１】
上記構成によれば、Ａｌ又はＡl合金／Ｔｉ下地の二層構造の電極をリフトオフ法により作成したので、素子基板に対するダメージを軽減できて、上記素子基板でのクラック発生を抑制できる。
【００２２】
本発明の電子部品素子の製造方法は、前記の課題を解決するために、酸化物基板上に、素子部と、素子部に接続する、Ａl又はＡl合金／Ｔｉとの二層電極からなる引き出し電極とを作成し、その後、該素子部と異なる領域にバンプパッドのパターンをレジストにより形成し、減圧状態でイオンクリーニングを施した後、Ａl又はＡl合金を真空蒸着により成膜した後、酸素雰囲気にさらすことにより、表面を酸化し、再び真空状態でバリア層とＡ１又はＡl合金とをそれぞれ蒸着し、しかる後に、レジストを不要な金属と共に除去することを特徴としている。
【００２３】
上記電子部品素子の製造方法では、バリア層を、ＮｉＣｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｔａ及びＷからなる群から選択される少なくとも１種を用いて作製することが好ましい。
【００２４】
上記電子部品素子の製造方法においては、前記イオンクリーニングを実施する工程、Ａｌ又はＡl合金を蒸着する工程、上記蒸着したＡｌ又はＡl合金を酸素雰囲気により表面酸化してバリア層を形成する工程、Ａｌ又はＡl合金を蒸着する工程、の一連の各工程を１台の真空蒸着装置で連続処理してもよい。
【００２５】
本発明の電子部品装置は、前記の課題を解決するために、前記の何れかに記載の電子部品素子をパッケージ内にフェースダウン実装で収納したことを特徴としている。
【００２６】
上記製造方法では、ＩＤＴ等の素子部を形成する時に、引き出し電極までを同時に形成するが、バンプ用の電極パッド部分は、その後で、別体にてリフトオフ法で形成する様にすることが好ましい。
【００２７】
電極パッド部分の電極構造は最下層をＡｌ合金とし、その表面を一旦酸化したあと、引き続きＮｉＣｒ（又はＴｉ）等のバリア層→Ａｌ合金を連続成膜して形成する。結局、Ａｌ合金／バリア層／ＡＩ酸化層／Ａｌ合金／素子基板（酸化物基板、圧電基板）と言う四層構造となる。
【００２８】
更にこの電極パッドから延びる引き回し電極の一部分を先に形成したＩＤＴ等の素子部から延びる引き出し電極の一部に重ね合わせることで、両者の導通をとった。
【００２９】
ここで、電極パッドを単層のＡｌ（合金）としない理由は、Ａｕ等の金属バンプとＡｌ又はＡｌ合金が金属間化合物を生成するため、金属間化合物形成→体積膨張（化合物Ａｌ2Ａｕの体積はＡｌ2＋Ａｕの約２倍）→応力蓄積→クラック発生と言うメカニズムでクラックが発生しやすくなるからである。
【００３０】
従って金属間化合物の形成領域をできるだけ、素子基板から遠ざけるために、Ａｕのバリア層として、ＮｉＣｒあるいはＴｉの中間電極層を設けることが望ましい。また、ＮｉＣｒ（Ｔｉ）中間電極層と下地のＡｌ層との間に、わざわざＡｌ酸化層を設けることが好ましいのは、ＴｉやＮｉＣｒのバリア層が下地のＡｌ合金中に拡散し金属間化合物を形成することを防止するためである。
【００３１】
Ａｌ酸化層の上に直接Ａｌ（合金）を形成する場合には、密着性が確保できない上に、Ａｕの拡散を防ぐことはできなかった。ＩＤＴ等の素子部とバンプ用の電極パッドとの導通を取る為に、ＩＤＴ等の素子部と同時に形成した引き出し電極と、バンプ用の電極パッドと同時に形成した引き回し電極の一部を重ね合わせた部分は、チップ状の電子部品素子をパッケージと接合する領域ではないため、機械的な接合強度は不要である。
【００３２】
したがって、Ａｌ酸化膜の上に直接Ａｌを成膜しても、何ら差し支えない。ＮｉＣｒ（Ｔｉ）等のバリア層がＡｕ等の金属バンプのバリアとしての効果を発揮するためには、少なくとも１０ｎｍの膜厚が必要である。Ａｌ自然酸化膜はせいぜい数ｎｍしか成長しないため、Ａｕ等の金属バンプのバリア層としての効果は期待できない。
【００３３】
フリップチップ工法を用いたＳＡＷデバイスといった、本発明の電子部品素子は、圧電基板上に形成された、チタンなどを下地膜として高配向化された高耐電力性アルミニウム（Ａｌ−Ｃｕ合金）／Ｔｉ多層膜から形成されているＩＤＴ素子部及び引き出し電極の一部が先に形成され、外部電極と接続するためのバンプを形成するための電極パッドと引き回し電極の一部が圧電基板上の該ＩＤＴ素子以外の領域に形成されており、両者（素子部とパッド部）を、電気的に接続するために素子電極である引き出し電極の上に引き回し電極の一部を重ね合わせる構成を有している。
【００３４】
これにより、高耐電力性と電極バンプ下に圧電基板のクラック発生が低減された高い信頼性とを合わせて備えた弾性表面波装置を提供できるようになる。上記構成では、Ｔｉ層を圧電基板上に形成するとき、Ｔｉ層と圧電基板との界面には酸素含有Ｔｉ層が形成されていることが望ましい。
【００３５】
外部接続用の電極パッドはリフトオフ法で形成されていることが望ましい。ＩＤＴ素子部はリフトオフ法やドライエッチング法を利用できるが、リフトオフ法の方がダメージフリーとなるためより好ましい。
【００３６】
【発明の実施の形態】
本発明の電子部品装置としての弾性表面波装置について、図１ないし図６に基づいて説明すると以下の通りである。図２に示すように、弾性表面波装置１は、セラミックからなるパッケージ９内に、電子部品素子としての弾性表面波素子２がフェースダウン実装されたものである。
【００３７】
弾性表面波素子２は、パッケージ９の内底面上に形成されたＡｕからなる電極パターン９ａ、９ｂに対してそれぞれＡｕバンプ１０により電気的かつ機械的に接続されている。なお、外部電極９ｃ、９ｄはＡｕからなるものであり、電極パターン９ａ、９ｂにそれぞれ接続されている。
【００３８】
弾性表面波素子２は、図３に示すように、タンタル酸リチウム（ＬＴ）等の圧電基板（素子基板、酸化物基板）３と、圧電基板３上に各弾性表面波フィルタ（素子部）４、５の各ＩＤＴ４ａ、５ａ及び各反射器４ｂ、５ｂと、それらＩＤＴ４ａ、５ａの各引き出し電極４ｃ、５ｃとそれぞれ接続された入力電極６、出力電極７及びアース電極８とで構成されている。
【００３９】
各ＩＤＴ４ａ、５ａ及び各反射器４ｂ、５ｂは、弾性表面波の伝搬方向に沿って設けられている。ＩＤＴ４ａ、５ａの各引き出し電極４ｃ、５ｃは、弾性表面波の伝搬方向に対して直交する方向に延びるようにそれぞれ設けられている。ＩＤＴ４ａ、５ａと、入力電極６、出力電極７及びアース電極８との導通は、ＩＤＴ４ａ、５ａの各引き出し電極４ｃ、５ｃの端部と、入力電極６、出力電極７及びアース電極８の各引き回し電極６ａ、７ａ、８ａの端部とが互いに重なり合って当接することにより確保されている。
【００４０】
各ＩＤＴ４ａ、５ａ、各反射器４ｂ、５ｂ、及び各引き出し電極４ｃ、５ｃは、図１にも示すように、下地層として５ｎｍ〜ｌ００ｎｍの膜厚のＴｉ層１１と、Ｔｉ層１１上に積層された１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚のＡｌ層１２とからなる厚さ１００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の薄膜によって形成されている。なお、Ａｌ層１２は、例えば、銅が１重量％添加されたＡｌ合金であってもよい。
【００４１】
Ｔｉ層１１と圧電基板３との間には図示しないが酸素含有Ｔｉ層が形成されている。酸素含有Ｔｉ層は、酸素を含有するものであればよく、例えばＴｉ結晶中に酸素を取り込んだものでもよいし、また、Ｔｉ酸化物となっていてもよい。
【００４２】
これらの電極のうち、弾性表面波フィルタ４、５のＩＤＴ４ａ、５ａ、各反射器４ｂ、５ｂ、及び各引き出し電極４ｃ、５ｃは弾性表面波素子２が機能するための素子電極（素子部）であり、入力電極６、出力電極７、アース電極８は、回路基板やパッケージ９と電気的かつ物理的に接続するための電極パッドである。
【００４３】
入力電極６、出力電極７、及びアース電極８は、圧電基板３上に形成された、膜厚１．５μｍ程度の、Ａｌ又はＡｌ合金からなるパッド電極層１３、１６を有している。
【００４４】
そして、入力電極６、出力電極７、及びアース電極８の各パッド電極層１３、１６では、パッド電極層１３、１６の中間にバリア層としてのＮｉＣｒ（あるいはＴｉ）層１５が互いに積層されて設けられている。よって、パッド電極層１３、１６は、膜厚５００ｎｍ程度の、Ａｌ又はＡｌ合金からなる下部電極層１３と、下部電極層１３より膜厚が大きい、膜厚１μｍ程度の、Ａｌ又はＡｌ合金からなる上部電極層１６とを有することになる。
【００４５】
さらに、パッド電極層１３、１６とＮｉＣｒ（あるいはＴｉ）層１５とにおける、圧電基板３側の界面、つまり下部電極層１３とＮｉＣｒ（あるいはＴｉ）層１５との間に、Ａｌ酸化層１４が設けられていることが好ましい。
【００４６】
次に、本発明における弾性表面波素子２の製造方法を図１及び図４のフローチャートを参照しながら説明する。まず、ＬＴやニオブ酸リチウム（ＬＮ）などの圧電基板３上にレジストパターンを形成し、Ｔｉ層１１（約１０ｎｍ）とＡｌ（合金）層１２（約２００ｎｍ）とを真空を破らずに（維持して）連続蒸着により順次それぞれ成膜する（ステップ１、以下、ステップをＳと記す）。Ｔｉ層１１を形成したとき、Ｔｉ層１１と圧電基板３との界面では、Ｔｉ層１１が圧電基板３に含まれる酸素を奪って、酸素含有Ｔｉ層が形成されている。
【００４７】
こうすることによって、Ｔｉ層１１とＡｌ層１２との界面に酸化膜が形成されないため、Ａｌ層１２は、その［１１１］結晶軸が圧電基板３の表面方向に対して垂直方向にそろった一軸配向膜となる（図５参照）。配向性のそろったＡｌ層１２はＳＡＷのストレスに強くなり、ストレスマイグレーションが発生しにくくなる。なお、Ｔｉ層１１を設けない場合、図６に示すように、Ａｌ層１２の配向性は悪化した。
【００４８】
その後、有機溶剤でレジストを剥離するリフトオフ法により、Ａｌ（合金）層１２／Ｔｉ層１１からなるＩＤＴ、反射器及び引き出し電極を形成する。この部分はＡｌ（合金）／Ｔｉ電極をウェハ全面に成膜した後、レジストパターン形成→ドライエッチング→レジストハクリというプロセスで形成してもよい。ただし、この場合は、リフトオフ法に比べてスペース部のダメージの影響を完全に排除することはできない。このため、本願発明では、リフトオフ法が好ましい。
【００４９】
次に、再度、リフトオフ法によって、引き回し電極の一部分とバンプパッド用電極を形成する。具体的には以下の手順に従う。まず、ＩＤＴと反射器と引き出し電極とを形成した後、引き出し電極とバンプパッドパターン部分が開口したレジストパターンを圧電基板３上に作成する（Ｓ２）。
【００５０】
その後、圧電基板３上に、Ａｌ（合金）（膜厚約５００ｎｍ）を真空蒸着により形成した（Ｓ３）後、一旦酸素を真空装置内に導入し、Ａｌ表面に自然酸化膜であるＡｌ酸化層１４を膜厚１ｎｍ〜７ｎｍにて形成する（Ｓ４）。これは大気を導入して形成してもよい。この程度の膜厚を有するＡｌ酸化層１４は、バリア機能を発揮できるが、導電性にほとんど影響しないことが確認されている。
【００５１】
次に、真空装置内を、再び、１０-2（１Ｅ−２）Ｐａ程度の真空まで排気を行い、一旦Ａｒガスを導入し、Ａｒイオンボンバードでイオンクリーニングを実施した（Ｓ５）後、真空装置内を、１０-5（１Ｅ−５）Ｐａ程度まで真空排気して、ＮｉＣｒ（あるいはＴｉ）層１５（２０ｎｍ）とＡｌ（合金）（１μｍ）を連続成膜し（Ｓ６、Ｓ７）、最後にレジストを有機溶剤で溶出させて不要部分の金属を剥離により除去して（Ｓ８）、電極構造が完成する。
【００５２】
引き回し電極の一部を、先に形成した引き出し電極の上部に重ね合わせることで、ＩＤＴと電極パッドとの導通が確保できる。
【００５３】
このようにして、形成された上部電極層１６上にボールボンディング法により、Ａｕバンプ１０を形成する。具体的には、Ａｕワイヤの先端部に形成されたボールに超音波を印加しながら上記ボールを上部電極層１６上に圧着し、その後、ボールの部分からＡｕワイヤを切断してＡｕバンプ１０を上記上部電極層１６上に形成する。
【００５４】
以上のような工程を経て形成された弾性表面波素子２を、その表面（ＩＤＴ喉の形成面）をパッケージ９上に形成された電極パターン９ａ、９ｂにＡｕバンプ１０を介して対向させ、超音波及び熱を加えながら押圧して、上記パッケージ９に接続する。次いで、パッケージ９を、はんだを用いて蓋９ｅ部分により気密封止することによって弾性表面波装置１が完成する。このとき、はんだによる気密封止のときに弾性表面波素子２には３００℃程度の熱が印加される。
【００５５】
なお、上記の実施の形態では、圧電基板（素子基板）３として、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムからなる圧電基板を用いて説明したが、これに限るものではなく、例えば、酸化亜鉛膜を設けた絶縁基板、水晶、ランガサイト等の圧電基板でも同様な効果が得られるものである。
【００５６】
下記の対策を用いることにより、はんだによる気密封止のときの弾性表面波素子２に対する加熱の影響に関する、本願発明の効果をそれぞれ表１に示すように確認できた。
【００５７】
モニタ（比較例）：バンプ下の下層電極がＡｌ／Ｔｉであり、その上にＮｉＣｒ→Ａｌ（合金）を連続成膜した場合。
対策１：バンプ下の電極をＩＤＴ部のＡｌ／Ｔｉと異なるプロセスで別に形成し、Ａｌ（合金）単層とした場合。
対策２：対策１のバンプ用の電極パッドをＡｌ（合金）／ＮｉＣｒ（Ｔｉ）／Ａｌ（合金）／基板の３層膜とした場合。
対策３：最下層のＡｌ（合金）を真空蒸着で形成後、一旦表面を酸化してさらにその上にＮｉＣｒ→Ａｌ（合金）を連続成膜した場合。
【００５８】
【表１】
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【００５９】
このように電極パッドをＩＤＴ部等の素子部と別体に設けることにより、クラック発生を抑制できて、歩留りを改善できる。また、ＮｉＣｒ（Ｔｉ）層１５を設けたことによって、クラック発生をより一層抑制できて、歩留りを改善できる。さらに、Ａｌ酸化層１４を設けたことで、クラック発生をより一層抑制できて、歩留りを改善できる。特に、対策３については、大量にサンプルを作成してその効果の再現性を確認している。
【００６０】
なお、上記では、電子部品装置や電子部品素子として、弾性表面波装置１や弾性表面波素子２の例を挙げたが、酸化物基板上にバンプボンディング用に電極パッドを有するものであれば、特に限定されるものではなく、酸化物基板として誘電体基板を用いる積層コンデンサや、積層インダクタにも本発明は適用可能である。
【００６１】
【発明の効果】
本発明の電子部品素子は、以上のように、電子回路のための素子部が素子基板上に形成され、上記素子部を外部と電気的に接続するための電極パッドが金属バンプを用いたフェースダウン実装用に設けられ、上記電極パッドは、素子部から延びるＡｌ又はＡl合金／Ｔｉ下地の二層構造の引き出し電極上に電極パッドの一部が重ね合わされており、Ａｌ又はＡl合金からなるパッド電極層と、電極パッド上に設けられる金属バンプの拡散を抑制するためのバリア層とを有し、バリア層は、パッド電極層の中間に設けられている構成である。
【００６２】
それゆえ、上記構成は、電極パッド上に設けられる金属バンプの拡散を抑制するためのバリア層をパッド電極層の中間に設けたことによって、金属バンプの金属が電極パッド内に拡散することを上記バリア層により抑制できる。
【００６３】
これにより、上記構成は、上記拡散に勤する体積膨張を伴う金属間化合物の形成領域を素子基板から離すことができて、上記金属間化合物による悪影響を軽減でき、素子基板にクラックが発生することを軽減できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる弾性表面波素子の要部断面図である。
【図２】上記弾性表面波素子を、パッケージに収納した弾性表面波装置の概略断面図である。
【図３】上記弾性表面波素子の平面図である。
【図４】上記弾性表面波素子の製造方法を示す、フローチャートである。
【図５】上記弾性表面波素子における、下地にＴｉ層を設けたことによるＡｌ層の配向性を示すための、Ｘ線回折図である。
【図６】下地にＴｉ層を設けない場合の、Ａｌ層の配向性を示すための、Ｘ線回折図である。
【符号の説明】
１    弾性表面波装置
２    弾性表面波素子
３    圧電基板（素子基板、酸化物基板）
４、５  弾性表面波フィルタ（素子部）
４ｃ、５ｃ  引き出し電極
６    入力電極（電極パッド）
７    出力電極（電極パッド）
８    アース電極（電極パッド）
６ａ、７ａ、８ａ  引き回し電極
１５    ＮｉＣｒ（Ｔｉ）層（バリア層）
１６    Ａｌ酸化層
【図１】
0003687601.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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