(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームの片面に樹脂封止部が形成された半導体パッケージの当該樹脂封止部の周縁部でリード及び周縁樹脂部を切断する半導体パッケージの製造方法において、
前記樹脂封止部の周縁部より延設されたリード及び周縁樹脂部のみが切断ライン直下に設けられた切断支持部に支持されるように前記リードフレームをダイにセットする工程と、
前記切断支持部に交差して移動する際に樹脂封止部の周囲に延設されたリードをパンチにより押込んで切断支持部上で周縁樹脂部と面一に押し潰してからリード及び周縁樹脂部を切断して半導体パッケージを個片にする切断工程とを含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記切断工程は、パンチとダイを相対的に移動させて樹脂封止部の周囲に延設されたリードの実装面側から切断することを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記切断工程は、樹脂封止部の対角線上をフレームまで延設された吊りリードのうち１対を切断する工程と、前記樹脂封止部の対向する各辺毎にリード及び周縁樹脂部を切断する工程と、残りの１対の吊りリードを切断する工程とに分けて行うことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記切断工程は、樹脂封止部の周縁部より延設されたリード及び周縁樹脂部を切断ラインに沿って一回の切断動作で切断することを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する利用分野】
本発明は、リードフレームの片面に樹脂封止部が形成された半導体パッケージの当該樹脂封止部の周縁部に露出したリードを周縁樹脂部と共に切断する半導体パッケージの製造装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体パッケージには様々な種類のものが開発され実用化されているが、表面実装型の半導体パッケージの中で、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ・Ｆｌａｔ・Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）若しくはＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ・Ｏｕｔｌｉｎｅ・Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）と呼ばれる半導体パッケージが用いられている。このＱＦＮ若しくはＳＯＮタイプの半導体パッケージは、樹脂封止部より延出するリードが無く、実装占有面積が小さくしかも実装高さも抑えられることから、携帯電話などの小型の電子機器に用いられている。
【０００３】
このＱＦＮ若しくはＳＯＮタイプの半導体パッケージを製造工程について説明する。半導体チップをマトリクス状に搭載したリードフレームを、例えばトランスファ成形法を用いて、実装面側のリードを露出して樹脂封止する。樹脂封止はモールド金型の一方のパーティング面をリリースフィルムで覆って、露出させるリード部分を押接することによりリード露出面側に樹脂を回さずに樹脂封止する。
樹脂封止後、不要樹脂をゲートブレイクして除去した後、リードフレームを切断金型へ搬入してパンチとダイを相対的に移動させてリードカットを行い、更に樹脂封止部（パッケージ部）をリードフレームに支持する吊りリードを切断することにより個片に分離していた。
また、吊りリードを切断する場合には、リードフレームの両面を樹脂封止した半導体パッケージの加工方法を踏襲して、樹脂封止部をダイで受けた状態でパンチにより切断を行っている。
【０００４】
半導体パッケージのリード切断方法として、例えば特開２００１−２３０３５９号に示す方法が提案されている。このリード加工方法は、リードフレームのリードをパンチで切断する際に切断屑が実装面側に付着するのを防止するため、樹脂封止部のリード露出面側からリードを切断するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
特開２００１−２３０３５９号に示すリード切断用金型装置においては、リードフレームを、樹脂付封止部（パッケージ部）上面をダイで受けると共に、該樹脂付封止部より延設されたリードをダイ切断部により支持した状態にセットする。そして、パンチを下動させて、ストリッパーにより樹脂封止部（パッケージ部）下面（実装面）を抑えながらパンチによりリードを切断するようになっている。また、両面パッケージ部のリード切断する装置を用いて吊りリードを切断する場合にも、パッケージ部をダイで受けた状態でパンチにより切断（ピンチカット）を行っている。
【０００６】
これらの切断方法によれば、端子数（リードの数）が２０ピン程度の場合には不具合は生じないが、３２ピンや５０ピンなどのように端子数が増加すれば、図１２（ａ）（ｂ）に示すようにリード間を封止する樹脂部分にクラックが生ずるおそれがあった。これは、樹脂封止部（パッケージ部）が片面モールドであるため、リード切断時の応力を負担する部分が少なく、強度的に弱いことに起因する。特に、樹脂封止部（パッケージ部）のコーナー部より延設された吊りリード周辺の切断を行う際には、両側に併設されたリード部とのピッチが狭くなるため、クラックが発生し易い（図１２（ａ）参照）。
また、樹脂封止部（パッケージ部）より延設されたリードには厚さ１０μｍ〜１５μｍ程度のはんだめっき、或いは厚さ２μｍ程度のパラジウムめっきなどの外装めっきが施されている。このめっき面は外方に膨出して形成されているため、周縁樹脂部をダイ切断部に密着させて支持することができない（周縁樹脂部のみ浮き上がった状態で支持される）。この状態で切断すると、リード間の周縁樹脂部より樹脂封止部内方にまで切断荷重が曲応力に転じて作用し、リード間の樹脂封止部にクラックが生じ易い（図１２（ｂ）参照）。
これらにより、半導体パッケージの樹脂封止部の切断品質を低下させていた。
【０００７】
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、半導体パッケージを切断した際に樹脂封止部にクラックが発生することがなく、切断品質を向上させた半導体パッケージの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は次の構成を備える。
即ち、リードフレームの片面に樹脂封止部が形成された半導体パッケージの当該樹脂封止部の周縁部でリード及び周縁樹脂部を切断する半導体パッケージの製造方法において、
前記樹脂封止部の周縁部より延設されたリード及び周縁樹脂部のみが切断ライン直下に設けられた切断支持部に支持されるように前記リードフレームをダイにセットする工程と、  前記切断支持部に交差して移動する際に樹脂封止部の周囲に延設されたリードをパンチにより押込んで切断支持部上で周縁樹脂部と面一に押し潰してからリード及び周縁樹脂部を切断して半導体パッケージを個片にする切断工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体パッケージの製造装置及び製造方法の好適な実施の形態について添付図面と共に詳述する。
図１は半導体パッケージの切断部分を示す断面説明図、図２は図１の半導体パッケージの右側面図、図３は図２の半導体パッケージの下面図、図４はリード切断工程の拡大説明図、図５は切断後の半導体パッケージの説明図、図６（ａ）〜（ｄ）は半導体パッケージの切断ラインの一例を示す説明図、図７（ａ）は吊りリード切断後の半導体パッケージの拡大説明図、図７（ｂ）はＸ−Ｙ方向のリード切断後の半導体パッケージの拡大説明図、図８（ａ）（ｂ）は半導体パッケージの切断クリアランスとだれ領域の関係を示す説明図、図９〜図１１は各種半導体パッケージの説明図である。
【００１１】
先ず、半導体パッケージの概略構成について図９〜図１１を参照して説明する。
本実施例の半導体パッケージの製造装置及び方法は、リードフレームのダイパットに半導体チップが搭載（ダイボンディング）され、チップの電極端子とリードとがワイヤボンディング接続されて、片面モールドされた様々なタイプの半導体パッケージに適用される。以下に半導体パッケージの一例を説明する。
図９の半導体パッケージ１４は、ダイパッド１がリード２に対して高さ方向に板厚が薄く形成され、ダイパッド１に半導体チップ３がダイボンディングされている。ダイパッド１は例えばエッチングされてリード２より高くなるように形成されている。また、半導体チップ３のチップ電極部とリード２とはボンディングワイヤ４によりワイヤボンディング接続されている。半導体チップ３はダイパッド１と共に樹脂封止部５で封止されており、該樹脂封止部５の周縁樹脂部５ａよりリード２の実装面側を含む一部が露出形成されている。
【００１２】
図１０の半導体パッケージ１５は、半導体チップ３がダイボンディングされたダイパッド１をリード２と共に樹脂封止部（パッケージ部）５より実装面側に露出させてヒートシンクとして用いたものである。
図１１の半導体パッケージ１６は、半導体チップ３をヒートシンク６に搭載して、チップ電極部と曲げ加工されたリード２とをボンディングワイヤ４によりワイヤボンディング接続されている。そして、片面モールドによりリード２の一部を樹脂封止部５の実装面側に露出させ、ヒートシンク６を樹脂封止部５の実装面とは反対面側に露出させたものである。
【００１３】
次に、半導体パッケージの製造装置の概略構成について図４を参照して説明する。半導体パッケージの製造装置の一例として、樹脂封止後のリードフレーム７が搬入される切断装置が設けられている。この切断装置は、固定型であるダイ９と可動型であるパンチ１０を備えている。ダイ９には、樹脂封止部５の周縁部で切断される切断ラインＬ直下のリード２、樹脂封止部５をリードフレーム７に支持している吊りリード８及び周縁樹脂部５ａを支持する切断支持部１１が設けられている。
【００１４】
パンチ１０は、切断支持部１１の外周側で該切断支持部１１に交差（直交）して移動する。このとき、パンチ１０は、切断支持部１１に支持されたリード２、吊りリード８及びリード間の周縁樹脂部５ａを切断し、半導体パッケージを個片にする。パンチ先端部には切断ラインＬ直上部から水平方向へ離間するにしたがって逃げ１０ａが形成されている。この逃げ１０ａの水平方向に対する逃げ角αは５度以上に設計されている。このパンチ１０の逃げ１０ａ及び逃げ角αは、パンチ１０の切断ラインＬより外側が先に加工を開始することに起因して吊りリード８とリード２間やリード２とリード２間の周縁樹脂部５ａに作用する曲応力が増大して樹脂封止部５が破損するのを防止するためである。このようにパンチ１０に逃げ１０ａを形成することにより、切断荷重入力を切断ラインＬ直上のみに限定し、発生する曲応力を最小限に抑えることで樹脂封止部５にクラックを生ずることなく切断することができる。
【００１５】
また、パンチ１０とダイ９との切断クリアランスＰは１０μｍ以下に設定されている。この切断クリアランスＰはモーメントアームに他ならず、該切断クリアランスＰを可能な限り小さく設定することで、切断ラインＬ周辺に発生する曲げモーメント影響下のだれ領域を狭めて切断品質を向上させることができる。
【００１６】
また、パンチ１０の移動をガイドするパンチガイド１３は、パンチ１０によりリード及びリード間の周縁樹脂部５ａを切断するのに先立って、リードフレーム７をダイ９に押接する。このパンチガイド１３は、樹脂封止部５に対応する実装面側のフレーム面に接触せずにリードフレーム７をダイ９に押接させるようになっている。これは、切断時にパンチ１０とダイ９間に発生する曲げモーメントを可能な限り低減させることで、パンチガイド１３により樹脂封止部５に対応する実装面側のフレーム面を押接せずに済むためである。このため、パンチガイド１３により、切断ラインＬ周辺のリードフレーム７の実装面側を押さえることで、パンチガイド１３の研磨目がリード２の実装面に転写されたり、パンチガイド１３に付着した切断かすやめっきかすがリード２の実装面に転写されたりしてパッケージ実装面の品質が低下することを防止することができる。
【００１７】
次に、半導体パッケージの製造工程の一例について図６（ａ）〜（ｄ）を参照しながら概略説明する。尚、図６（ａ）〜（ｄ）において、切断金型のうちダイ９は省略し、樹脂封止部５を支持するリードフレーム７も省略して図示してある。
半導体チップ３がマトリクス状に搭載されたリードフレーム７を、例えばトランスファ成形法を用いて、実装面側のリード２を露出して樹脂封止する。樹脂封止はモールド金型の一方のパーティング面をリリースフィルムで覆って、露出させるリード部分を押接することによりリード露出面側に樹脂を回さずに樹脂封止する。リードフレーム７は、短冊状のものでも、長尺状に巻回された状態から連続搬送されるものでも何れでも良い。
【００１８】
樹脂封止後、不要樹脂をゲートブレイクして除去した後、リードフレーム７を切断金型（順送金型）へ搬入してパンチ１０とダイ９の相対的な移動によりリードカットを行う。本実施例では、図６（ａ）において、先ず樹脂封止部５をリードフレーム７に支持する１対の吊りリード８を切断する。具体的には、樹脂封止部５の対角線上をフレームまで延設された吊りリード８のうち１対を切断する。
【００１９】
次に、図６（ｂ）において、リードフレーム７をピッチ送りして、対向したＸ方向側の辺を切断し、次いで更にピッチ送りを行って図６（ｃ）に示すように対向したＹ方向側の辺を切断する。最後にリードフレーム７をピッチ送りして図６（ｄ）に示すように、残りの１対の吊りリード８を切断することにより個片に分離する。
【００２０】
このように、先ず樹脂封止部５のＸ−Ｙ方向のリード２及び周縁樹脂部５ａを抜き落とさずに、１対の吊りリード８を切断するのは、切断ラインＬ真下のダイ（切断支持部１１）にリード２及び周縁樹脂部５ａを打ち抜いた際に抜きかすのかす詰まりを防止する２番逃げを形成する余裕が無いため（図４参照）、先ず抜きかすの小さな１対の吊りリード８を抜き落とすことで続く大きな抜きかすを落とす空間を形成するためである。尚、切断後の半導体パッケージは、図示しない吸着ピックアップに吸着保持されて切断金型より搬出される。
【００２１】
ここで、本願発明の特徴である切断方法について、図１〜図５を参照して詳述する。図１において、リードフレーム７は樹脂封止部５を下側にしてダイ９にセットされる。このとき、樹脂封止部５の周縁部より延設されたリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａが切断ライン直下で切断支持部１１に支持され、樹脂封止部５がダイ９に接触せずにリードフレーム７はダイ９にセットされている。この切断支持部１１の支持面の幅は様々に設定可能であるが、あまり狭くすると切断支持部１１側より圧縮破壊が起こるので、例えばリード２の板厚０．２０ｍｍの製品で、０．０３８ｍｍ以上に設定されている。このように、リードフレーム７は、樹脂封止部５の周縁部より延設されたリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａが切断ラインＬ直下で切断支持部１１にのみ支持されているので、切断時のモーメント・アームが切断クリアランスを超えて拡大することによる曲応力の増大を防ぎ、クラック発生リスクを切断ラインＬ上最小限の限られた範囲（だれ領域）に止めている。これにより、だれ領域を越えて吊りリード８とリード２間の周縁樹脂部５ａやリード２とリード２間の周縁樹脂部５ａに不規則かつ甚大なクラックが発生することを防止できる（図７（ａ）（ｂ）参照）。
【００２２】
また、切断工程は、樹脂封止部５の対向する辺毎にＸＹ方向に切断する工程と、樹脂封止部５の四隅部からリードフレーム７まで延設された吊りリード８を切断する工程とに分けて行っても良いが、生産効率を高めるため樹脂封止部５の周縁部より延設されたリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａを切断ラインに沿って一回の切断動作で切断するようにしても良い。
【００２３】
また、図２において、露出したリード２及び吊りリード８にははんだめっきや鉛フリーのはんだめっき（Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ等）、或いはパラジウムめっきなどの外装めっき１２が施されている。本発明の切断工程は、樹脂封止部５の周囲に延設されたリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａをパンチ１０の押込み力によりダイ９側に押し潰し、リード２及び吊りリード８（外装めっき１２部）を周縁樹脂部５ａと面一に切断支持部１１に密着させてから切断する。図３は、パンチ１０の押込み力によりリード２（外装めっき１２部）が部分的に潰されて広がった（例えば０．００５ｍｍ程度に圧延された）状態を示す。
【００２４】
リード２に加わる剪断応力と外装めっき１２の圧縮応力の比は、リード２の板厚をｔ、切断支持部１１の受け幅をｌとするとｌ／ｔで表される。ｌ／ｔが５０％程度で、リード２間の周縁樹脂部５ａにだれ領域を越えた異常クラックが生じ、１０％程度でダイ９の切断支持部１１側より圧縮破壊が生ずることが判明している。実験によれば、外装めっき１２が通常のはんだめっきである場合、リード２の板厚ｔ＝０．２２ｍｍ（めっき厚０．０１ｍｍを含む）に対して、受け幅ｌを０．０３８ｍｍ〜０．０７２ｍｍ（ｌ／ｔ＝１５％〜４０％）の範囲で設定すると、切断後の樹脂封止部（パッケージ部）５が良品であることが確認されている。
このように、リード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａを切断支持部１１に密着させてから切断することにより、切断荷重が曲応力に転ずる領域を切断ラインＬ直下の最小限に抑え、リード２間の周縁樹脂部５ａにクラックが生ずることを防止することができる。
【００２５】
また、図４及び図５において、樹脂封止部５の周縁部の切断は、パンチ１０とダイ９を相対的に移動させて行われる。即ち、本実施例のように可動型であるパンチ１０が固定型であるダイ９の上方に配置されていても或いは下方に配置されていても良い。また、本実施例のように、樹脂封止部５の周縁部に延設されたリード２及び吊りリード８は実装面側からパンチ１０を押込むように設定すれば切断後のリードの実装面側はだれ面となり、切断後のバリの向きは実装面と反対方向を向くことになる。これにより、リードフレーム７の加工や搬送途中で抜きかすや異物が実装面に付着してリード２が傷付くのを防止でき、また、リード２の実装面側がだれ面となることにより、半導体パッケージを基板実装する際のはんだぬれ性を高めて接続信頼性を向上させることが可能となる。
【００２６】
また、パンチ１０とダイ９の切断クリアランスＰの変化に伴い半導体パッケージの切断品質が変わることを図８（ａ）（ｂ）を参照して説明する。図８（ａ）（ｂ）は、切断後の半導体パッケージの切断ライン近傍を拡大したものである。切断によって発生した曲げモーメントにより、リード２の切断ラインＬ近傍に折り曲げが生じている（だれ領域が生じている）ことが分かる。塑性変形を起こさないリード２間の周縁樹脂部５ａにおけるだれ領域でも切断に伴う折り曲げが生じていることが推察される。これは、図８（ａ）において、リード２間の周縁樹脂部５ａのだれ領域に切断ラインに沿ったクラックが発生していることからも裏付けられる。このクラックは、不安定領域であるだれ領域内で不規則に発生するものと思料される。
図８（ｂ）は、図８（ａ）に比べて切断クリアランスＰを小さく設定して切断した切断ラインを示す。切断に伴う曲げモーメントの発生が抑制された結果、だれ領域が大幅に狭められ、リード２間の周縁樹脂部５ａに生ずるクラックの発生も可及的に抑えることができるものと判明した。実験では切断クリアランスＰを１μｍ狭めることによって、だれ領域が５μｍ狭められることが判明している。
【００２７】
上述した半導体パッケージの製造装置及び製造方法によれば、樹脂封止部５の周縁部で切断される切断ライン直下のリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａが切断支持部１１に支持されているので、切断荷重が樹脂封止部５に作用してクラックの原因となる曲応力に転ずることを防ぎ、吊りリード８とリード２間やリード２間の周縁樹脂部５ａにクラックが発生するのを防止できる。
また、樹脂封止部５の周縁部に延設されたリード２及び吊りリード８（外装めっき１２部）をパンチ１０により押込んで切断支持部１１上で周縁樹脂部５ａと面一に押し潰してから切断することにより、切断荷重が曲応力に転ずる領域を切断ライン直下の最小限に抑え、樹脂封止部５のＸ−Ｙ方向のリード２とリード２間及び吊りリード８とリード２間の周縁樹脂部５ａにクラックが生ずるのを防止できる。
また、パンチ１０とダイ９を相対的に移動させてパンチ１０を実装面側から押込んでリード及び周縁樹脂部が切断されるので、リードフレーム７の加工や搬送途中で抜きかすや異物が実装面に付着してリード２が傷付くのを防止できる。また、リード２の実装面側がだれ面となることにより、半導体パッケージを基板実装する際のはんだぬれ性を高めて接続信頼性を向上させることができる。
また、パンチ１０の先端部には切断ラインＬ直上部から水平方向へ離間するにしたがって逃げ角が５度以上となる逃げが形成されているので、切断荷重入力を切断ラインＬ真上のみに限定し、発生する曲応力を最小限に抑えることで樹脂封止部５にクラックを生ずることなく切断することができる。
また、パンチ１０とダイ９との切断クリアランスＰは１０μｍ以下の範囲で可能な限り小さく設定することで、切断ラインＬ周辺に発生する曲げモーメント影響下のだれ領域を狭めて切断品質を向上させることができる。
また、パンチ１０の移動をガイドするパンチガイド１３が、樹脂封止部５に対応する実装面側のフレーム面に接触せずにリードフレーム７をダイ９に押接させるので、パンチガイド１３の研磨目がリード２の実装面に転写されたり、パンチガイド１３に付着した切断かすやめっきかすがリード２の実装面に転写されたりしてパッケージ実装面の品質が低下することを防止することができる。
【００２８】
以上本発明の好適な実施例について種々述べてきたが、半導体パッケージの製造方法は上述した実施例に限定されるのではなく、例えばリード２及び吊りリード８の板厚ｔや切断支持部１１の幅ｌの値は許容範囲で任意に設定できる。また、外装めっき１２も通常のはんだめっきに限らず、鉛フリーはんだめっき、パラジウムめっきなど様々なめっき材料に対しても有効である。また、リードフレーム７は、樹脂封止部５を下側にして切断金型にセットしたが、パンチ１０とダイ９の配置を入れ替えれば、樹脂封止部５を上側にしてセットしてもよいなど、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはもちろんである。
【００２９】
【発明の効果】
本発明に係る半導体パッケージの製造方法によれば、樹脂封止部の周縁部で切断される切断ライン直下のリード及び周縁樹脂部が切断支持部に支持されて切断されるので、切断荷重が樹脂封止部に作用してクラックの原因となる曲応力に転ずることを防ぎ、吊りリードとリード間やリードとリード間の周縁樹脂部にクラックが発生するのを防止できる。
また、樹脂封止部の周縁部より延設されたリードをパンチにより押込んで切断支持部上で周縁樹脂部と面一に押し潰してから切断することにより、切断荷重が曲応力に転ずる領域を切断ライン直下の最小限に抑え、樹脂封止部のＸ−Ｙ方向及びコーナー部のリード間の周縁樹脂部にクラックが生ずるのを防止できる。
また、パンチとダイを相対的に移動させてパンチを実装面側から押込んでリード及び周縁樹脂部が切断されるので、リードフレームの加工や搬送途中で抜きかすや異物が実装面に付着してリードが傷付くのを防止でき、また、リードの実装面側がだれ面となることにより、半導体パッケージを基板実装する際のはんだぬれ性を高めて接続信頼性を向上させることができる。
また、パンチ先端部には切断ライン直上部から水平方向へ離間するにしたがって逃げ角が５度以上となる逃げが形成されているので、切断荷重入力を切断ラインＬ真上のみに限定し、発生する曲応力を最小限に抑えることで樹脂封止部にクラックを生ずることなく切断することができる。
また、パンチとダイとの切断クリアランスは１０μｍ以下の範囲で可能な限り小さく設定することで、切断ライン周辺に発生する曲げモーメント影響下のだれ領域を狭めて切断品質を向上させることができる。
また、パンチの移動をガイドするパンチガイドが、樹脂封止部に対応する実装面側のフレーム面に接触せずにリードフレームをダイに押接させるので、パンチガイドの研磨目がリードの実装面に転写されたり、パンチガイドに付着した切断かすやめっきかすがリードの実装面に転写されたりしてパッケージ実装面の品質が低下することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体パッケージの切断部分を示す断面説明図である。
【図２】図１の半導体パッケージの右側面図である。
【図３】図２の半導体パッケージの下面図である。
【図４】リード切断工程の拡大説明図である。
【図５】切断後の半導体パッケージの説明図である。
【図６】半導体パッケージの切断ラインの一例を示す説明図である。
【図７】吊りリード切断後及びＸ−Ｙ方向のリード切断後の半導体パッケージの拡大説明図である。
【図８】半導体パッケージの切断クリアランスとだれ領域の関係を示す説明図である。
【図９】各種半導体パッケージの説明図である。
【図１０】各種半導体パッケージの説明図である。
【図１１】各種半導体パッケージの説明図である。
【図１２】従来の製造方法の課題を示す説明図である。
【符号の説明】
１  ダイパッド
２  リード
３  半導体チップ
４  ボンディングワイヤ
５  樹脂封止部
５ａ  周縁樹脂部
６  ヒートシンク
７  リードフレーム
８  吊りリード
９  ダイ
９ａ  ダイ孔
１０  パンチ
１１  切断支持部
１２  外装めっき
１３  パンチガイド
１４、１５、１６  半導体パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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