(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方端が開放端である線状の中心電極と、該中心電極に対して平行で且つ該中心電極の側部に沿って延びる電極部分を有する周囲電極とを組として、当該組を誘電体基板の上面に複数組平行に配置し、
該誘電体基板の下面に、前記上面の周囲電極に対向する周囲電極を形成し、該周囲電極に一方端が短絡され他方端が開放された線状の中心電極を前記上面の中心電極に対向する位置にそれぞれ形成するとともに、当該下面の中心電極の短絡端から開放端へ向く方向を前記上面の中心電極の開放端が向く方向とは逆方向に配置して、前記誘電体基板の上下面の対向する中心電極間に電界が向かう状態で、当該中心電極同士を電磁界結合させたことを特徴とするフィルタ。
【請求項２】
前記誘電体基板の上面または下面の中心電極と該中心電極の側部の周囲電極との間に線路を設け、前記中心電極の端部を入出力部とした請求項１に記載のフィルタ。
【請求項３】
前記誘電体基板の上面の周囲電極と下面の周囲電極とを導通させるヴィアホールを形成した請求項１または２に記載のフィルタ。
【請求項４】
送信信号入力ポートと送受共用入出力ポートとの間、および該送受共用入出力ポートと受信信号出力ポートとの間に、請求項１〜３のうちいずれかに記載のフィルタを、送信フィルタおよび受信フィルタとしてそれぞれ設けて成るデュプレクサ。
【請求項５】
請求項１〜３のうちいずれかに記載のフィルタまたは請求項４に記載のデュプレクサを設けて成る通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、誘電体基板に電極パターンを設けて構成したフィルタ、デュプレクサおよびそれらを用いた通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図２２に従来のコプレーナ共振器によるフィルタの構成例を示す。図２２において（Ａ）は誘電体基板の上面図、（Ｂ）は下面図、（Ｃ）は側面図である。誘電体基板１の上面には開放端を有する中心電極２ａ，２ｂおよびこれらの中心電極の両側部に沿った周囲電極３をそれぞれ形成している。図中の矢印は電界分布を示している。このような構造により、中心電極２ａと周囲電極３とが一方のコプレーナ共振器として作用し、中心電極２ｂと周囲電極３とが他方のコプレーナ共振器として作用する。さらに、この２つのコプレーナ共振器同士が電磁界結合して２段の共振器からなるフィルタとして作用する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、コプレーナ共振器によるフィルタは、誘電体基板の単一平面で共振器の短絡部を構成できるため、１／４波長共振器による小型化が可能であるが、共振モードの電磁界分布が誘電体基板外に比較的大きく漏れるため、すなわち実効誘電率が低いため、小型化には限界があった。
【０００４】
また、図２２に示したように、中心電極から両側の周囲電極へ電界が向かうため、中心電極の縁端に電界が集中する。その結果、高い無負荷Ｑが得られないという問題があった。
【０００５】
この発明の目的は、全体の小型化を容易にし、且つ無負荷Ｑを高めたフィルタ、デュプレクサおよびそれらを用いた通信装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明のフィルタは、一方端が開放端である線状の中心電極と、該中心電極に対して平行で且つ該中心電極の側部に沿って延びる電極部分を有する周囲電極とを組として、当該組を誘電体基板の上面に複数組平行に配置し、
該誘電体基板の下面に、前記上面の周囲電極に対向する周囲電極を形成し、該周囲電極に一方端が短絡され他方端が開放された線状の中心電極を前記上面の中心電極に対向する位置にそれぞれ形成するとともに、当該下面の中心電極の短絡端から開放端へ向く方向を前記上面の中心電極の開放端が向く方向とは逆方向に配置して、前記誘電体基板の上下面の対向する中心電極間に電界が向かう状態で、当該中心電極同士を電磁界結合させるように構成する。
【０００７】
後に示す実施形態で明かとなるように、誘電体基板の上下面の中心電極パターン部分は互いに電磁界的に結合してリング共振器のように作用し、共振周波数が低下する。その分、所定の共振周波数を得るための電極パターン寸法および誘電体基板の寸法を縮小化する。
【０００８】
さらに、共振モードの電磁界が誘電体基板を挟んで上下面方向に向かうことにより、縁端効果による無負荷Ｑ（以下、Ｑｏという。）の劣化を改善し、高いＱｏを得る。
【０００９】
また、この発明のフィルタは、誘電体基板上面または下面の中心電極と中心電極の側部の周囲電極との間に線路を設け、中心電極の端部を入出力部とする。この構造により、周囲電極の不連続部をワイヤーやエアブリッジで接続したり、静電容量をとるための部品を不要とし、誘電体基板上面の電極パターンだけで信号の入出力部を構成できるようにし、製造を容易にする。
【００１０】
また、この発明のフィルタは、誘電体基板の上面および下面における周囲電極同士を導通させるヴィアホールを形成する。これにより、スプリアス応答を抑制する。
【００１１】
この発明のデュプレクサは、送信信号入力ポートと送受共用入出力ポートとの間、および該送受共用入出力ポートとの間に、上記構成のフィルタを、送信フィルタおよび受信フィルタとしてそれぞれ設けることによって構成する。これにより、全体に小型で且つＱｏが高く、挿入損失が低い特性を得る。
【００１２】
この発明の通信装置は、上記のフィルタまたはデュプレクサを、例えば高周波回路部において送信信号または受信信号の処理部分に用いることによって、小型且つ電力利用効率の高い特性を得る。
【００１３】
【発明の実施の形態】
第１の実施形態に係るフィルタの構成を図１に示す。図１において（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下面のパターンを上面から透視したように表した図、（Ｃ）はＡ−Ａ′部分の断面図である。
誘電体基板１の上面には、それぞれ線路幅がＷ１で開放端を有する互いに平行な中心電極２ａ，２ｂと、これらの中心電極の両側部に沿って周囲電極３を形成している。また、中心電極２ａ，２ｂの所定箇所から外側へ延びる入出力電極６ａ，６ｂを形成している。この入出力電極６ａ，６ｂと周囲電極３とによってそれぞれコプレーナ線路を構成している。
【００１４】
誘電体基板１の下面には、上面の中心電極２ａ，２ｂおよび周囲電極３にそれぞれ対向する位置に、中心電極４ａ，４ｂおよび周囲電極５を形成している。但し、この例では誘電体基板１の上面の中心電極２ａ，２ｂの短絡端と下面側の中心電極４ａ，４ｂの短絡端を逆方向に向けて電極パターンを形成し、中心電極２ａ，２ｂと４ａ，４ｂとが重なる部分の長さをＬ１としている。
【００１５】
なお、入出力電極６ａ，６ｂの両側の周囲電極間をワイヤ７ａ，７ｂで接続しているが、この部分はエアーブリッジで接続してもよい。このような構造により、入出力電極６ａ，６ｂの両側のグランド電位を等しくして、入出力電極部分をコプレーナ線路として安定動作させる。
【００１６】
図２は他の構成例を示すものである。図１の例では、誘電体基板１の上下面の周囲電極３，５を独立させていたが、図２に示すように、誘電体基板１の側面に上下の周囲電極間を接続する側面電極９を形成してもよい。この構造により、誘電体基板の上下面における周囲電極の電位が等しくなり、安定した共振モードが得られる。
【００１７】
図３・図４は図１または図２に示したフィルタの電界分布の例を示す図である。図３は偶モードにおける電界分布、図４は奇モードにおける電界分布をそれぞれ示している。図２２に示した従来のコプレーナ共振器によるフィルタに比べて明かなように、従来のコプレーナ共振器では、中心電極と両側のグランド電極との間に電界が向くが、この発明に係る共振器は、主として誘電体基板の上下面方向に電界が向く。そのため、中心電極２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂの縁端部の電界集中が緩和されて、縁端効果によるＱｏの劣化が抑えられる。
【００１８】
また、誘電体基板の上下の中心電極部分が互いに結合してリング共振器のように作用するため、従来のコプレーナ共振器を構成した場合に比べて共振周波数は低くなる。すなわち、ここで、上面と下面の隣り合う２つの中心導体は、コ字形を成し、それぞれが半波長共振器として作用する。この上面と下面の半波長共振器の開放端は、上下方向の電界で結合し、恰もリング共振器のように作用する。このとき、コプレーナ線路を構成する場合に比べて、実効誘電率が高く、且つ線路長が長いため、共振周波数が低下する。
【００１９】
次に、第２の実施形態に係るフィルタの構成を図５に示す。（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下面図、（Ｃ）はＡ−Ａ′部分の断面図である。
第１の実施形態では誘電体基板１の上面と下面における中心電極の短絡端を互いに対向する方向にしたが、図５に示す例では、誘電体基板１の上下面における中心電極の短絡端の方向を同一にしている。この場合にも、誘電体基板を挟む上下方向に電界が向くため、高いＱｏが得られる。
【００２０】
図６は第３の実施形態に係るフィルタの構成図である。この例では、誘電体基板１の上面に中心電極２ａ，２ｂを設け、それらの中心電極の一方の側に沿って延びる周囲電極３を形成している。同様に誘電体基板１の下面に中心電極４ａ，４ｂを形成し、それらの一方の側に沿って延びる周囲電極５を形成している。このような構造であっても、誘電体基板の上下方向に電界が向かう共振モードとなる。但し、誘電体基板の平面方向に並ぶ中心電極間に周囲電極が存在しないため、中心電極２ａ，４ａおよび周囲電極３，５による１段目の共振器と、中心電極２ｂ，４ｂおよび周囲電極３，５による２段目の共振器とを強く結合させることができる。
【００２１】
図７は第４の実施形態に係るフィルタの構成図である。この例では、誘電体基板１の上面には中心電極２ａ，２ｂの両側部に沿って延びる周囲電極３を形成し、下面には中心電極４ａ，４ｂのそれぞれの一方の側部に沿って延びる周囲電極５を形成している。この構造により第１・第２の実施形態のフィルタと、図６に示した第３のフィルタとの中間的な結合度で、１段目と２段目の共振器を結合させることができる。
【００２２】
次に第５の実施形態に係るフィルタの構成を図８および図９を参照して説明する。
図８に示すように、誘電体基板１の上面には中心電極２ａ，２ｂおよび周囲電極３を形成するとともに、中心電極２ａ，２ｂとそれらの両側の周囲電極３との間を結ぶ線路８ａ，８ｂを形成している。
【００２３】
図９はその線路部分の拡大図である。このように中心電極２ａとその両側の周囲電極３との間に、線路幅Ｗ２のメアンダライン状の線路８ａを形成している。もう一方の線路８ｂについても同様である。これらの線路８ａ，８ｂは、上記線路８ａ，８ｂのインダクタンスによって外部結合をとることができ、中心電極２ａ，２ｂの開放端ではない側の端部を入出力部として用いる。
【００２４】
この構造によれば、図１などに示した、いわゆるタップ接続の場合の周囲電極の不連続部を接続するためのワイヤやエアーブリッジなどが不要となり、誘電体基板上の電極パターンのみによって外部結合構造をとることができるので、その製造が容易となる。
【００２５】
図１０は図８に示したフィルタの通過特性および反射特性を示している。このように、中心電極と周囲電極間を線路で接続して外部結合をとるようにしても、通過域において低反射低挿入損失特性が得られる。
【００２６】
図１１は第６の実施形態に係るフィルタの構成図である。図８に示した例では、誘電体基板１の上面の一方端から信号の入出力を行うようにしたが、この図１１に示す例では、誘電体基板１の上面の中心電極２ａとその両側の周囲電極３との間に線路８ａを設け、誘電体基板下面の中心電極４ｂとその両側の周囲電極５との間に線路８ｂを設けている。これにより、誘電体基板の上下面で、且つ対向する方向に信号の入出力を行うことになり、入出力間のアイソレーションを大きく確保することができる。
【００２７】
図１４は図８および図１１に示したフィルタにおける線路８ａ，８ｂ部分の長さＬ２に対する外部Ｑ（Ｑｅ）の関係を示している。ここで、誘電体基板の長さＷ＝５．２ｍｍ、幅Ｄ＝２．５ｍｍ、厚さＴ＝０．２ｍｍ、中心電極の線路幅Ｗ１＝０．３ｍｍ、線路８ａ，８ｂの幅Ｗ２＝０．０３ｍｍ、誘電体基板上下面の中心電極の重なる長さＬ１＝３．５ｍｍとしている。このように中心電極とその両側の周囲電極間を結ぶ線路の長さＬ２によってＱｅを大きく変えることができ、これにより所定の外部結合に定めることができる。
【００２８】
図１２は第７の実施形態に係るフィルタの構成図である。これは、図８に示した線路８ａ，８ｂの長さを最も短くした例である。すなわち中心電極２ａ，２ｂの所定箇所とその両側の周囲電極３との間に最短距離で線路８ａ，８ｂを形成している。
【００２９】
図１３の（Ａ）は、図１２に示した誘電体基板上下面の中心電極の重なる長さＬ１と中心周波数Ｆｏとの関係を示している。ここで、誘電体基板の長さＷ＝５．２ｍｍ、幅Ｄ＝２．５ｍｍ、厚さＴ＝０．２ｍｍ、線路８ａ，８ｂの幅Ｗ２＝０．１ｍｍ、線路８ａ，８ｂ部分の長さＬ２＝０．１ｍｍとし、中心電極の線路幅Ｗ１をパラメータとしている。このように誘電体基板上下面の中心電極の重なる長さＬ１によってフィルタの中心周波数Ｆｏを定めることができる。
【００３０】
また図１３の（Ｂ）は、中心電極２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂの幅Ｗ１に対する共振器間の結合係数Ｋの関係を示している。ここでＷ，Ｄ，Ｔ，Ｗ２，Ｌ２については（Ａ）の場合と同一条件とし、誘電体基板上下面の中心電極の重なる長さＬ１をパラメータとしている。このように中心電極の重なる長さＬ１と中心電極の線路幅Ｗ１とによって共振器間の結合係数を定めることができる。
この図１３の例では、Ｌ２＝０．１ｍｍとして、外部結合を最も弱くして、外部結合による影響を無視できるようにしている。
【００３１】
図１５は図１２に示したフィルタの通過特性を示す図である。また同図には、図１２に示した誘電体基板の下面側に電極を設けない従来のコプレーナ共振器によるフィルタの特性も合わせて示している。ここで実線が実施形態によるもの、破線が従来構造によるものである。
【００３２】
また、ここで２つのフィルタの特性を表１に示す。
【００３３】
0003632597.tif 000002
このように、中心電極の長さが同じである場合に、従来のコプレーナ共振器によるフィルタに比べて中心周波数が大きく低下する。同時にＱｏが大きく増大する。したがって、所望の中心周波数を得るための線路長が短くなり、フィルタ全体の小型化が図れる。またＱｏの増大により低損失特性が得られる。なお、図１５では実線の方が破線より挿入損失が大きくなっているが、これは、外部結合Ｑｅによる影響であり、Ｑｏによるものではない。
【００３４】
次に、第８の実施形態に係るデュプレクサの構成例を図１６に示す。（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下面図である。誘電体基板１の上面には中心電極２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと、それらの両側に沿って延びる周囲電極３を形成している。誘電体基板１の下面には、上記中心電極２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄに対向する位置に中心電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄをそれぞれ形成するとともに、それらの両側に沿って延びる周囲電極５を形成している。
【００３５】
また誘電体基板１の上面には、４つの中心電極の所定箇所から垂直に延びる入出力電極６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを形成し、これらの入出力電極の両側の周囲電極間をワイヤによってそれぞれ接続している。さらに、一端がアンテナポートＡＮＴ、他端が周囲電極３につながる入出力電極１０を形成し、この入出力電極１０の所定箇所に入出力電極６ｂ，６ｃを導通させている。
【００３６】
図１６に示した中心電極２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂおよび周囲電極３，５による２段の共振器は送信フィルタとして用い、中心電極２ｃ，２ｄ，４ｃ，４ｄおよび周囲電極３，５による２段の共振器は受信フィルタとして用いる。これにより、入出力電極６ａを送信信号入力ポートＴＸ、入出力電極６ｄを受信信号出力ポートＲＸとするアンテナ共用器を構成する。
【００３７】
なお、図１６の例では送信フィルタ部と受信フィルタ部とで誘電体基板下面側の周囲電極５，５を分離したことにより、両フィルタ間のアイソレーションを高めることができる。
【００３８】
次に第９の実施形態に係るフィルタの構成を図１７および図１８を参照して説明する。
この例では、図１７に示すように、誘電体基板１の上面に、それぞれ開放端を有する互いに平行な中心電極２ａ，２ｂと、これらの中心電極の両側部に沿って周囲電極３を形成している。
【００３９】
誘電体基板１の下面には、上面の中心電極２ａ，２ｂおよび周囲電極３にそれぞれ対向する位置に、中心電極４ａ，４ｂおよび周囲電極５を形成している。但し、誘電体基板１の上面の中心電極２ａ，２ｂの短絡端と下面側の中心電極４ａ，４ｂの短絡端を互いに逆方向に向けて電極パターンを形成している。上面の中心電極２ａ，２ｂの長さはＬ３、下面の中心電極４ａ，４ｂの長さはＬ３’としている。また、誘電体基板１の上面に、中心電極２ａ，２ｂとそれらの両側の周囲電極３との間を結ぶ線路８ａ，８ｂを形成している。これらの線路８ａ，８ｂは、Ｌ３より短い長さＬ２にわたってメアンダライン状に形成している。この構造により、線路８ａ，８ｂのインダクタンスによって外部結合をとり、中心電極２ａ，２ｂの開放端ではない側の端部を入出力部としている。
【００４０】
誘電体基板１の周囲には、上下面の周囲電極同士を導通させる複数のヴィアホール１１を形成している。また、中心電極２ａ，２ｂの間に配置した周囲電極と中心電極４ａ，４ｂの間に配置した周囲電極との間を導通させるヴィアホール１２を誘電体基板の略中央部に形成している。
【００４１】
このように誘電体基板上下面の周囲電極同士をヴィアホール１１，１２で導通させることによって、誘電体基板の上下面の電極パターンに起因するスプリアス応答が抑制できる。特に、誘電体基板中央部に位置するヴイアホール１２は、中心電極間に挟まれる、誘電体基板中央部の周囲電極に起因するスプリアス応答を抑制するのに効果がある。
【００４２】
上記ヴィアホールは、▲１▼誘電体セラミック基板のウエハー状態で、フィルタとして切り出すべきチップの周辺部に孔を形成する。▲２▼孔の内部に電極を形成する。▲３▼ダイシングにより個々のチップに分割する。という工程で作製する。
【００４３】
上記ヴィアホールの孔は、炭酸ガスレーザ・ＹＡＧレーザなどレーザ加工機や、超音波加工機などにより焼成後のセラミック基板を加工する方法や、セラミックグリーンシートへ穴加工を施した後に焼成する方法で作成する。
【００４４】
なお、図１７に示したように、誘電体基板上面の中心電極２ａ，２ｂの長さＬ３を短くし、下面の中心電極４ａ，４ｂの長さＬ３’を長くしたことにより、フィルタのメインの周波数を変化させずに、スプリアス応答となるλ／４ＣＰＷ（１／４波長で共振するコプレーナウェーブガイド）に似た電界分布をもつスプリアス応答を、十分に高い周波数へ飛ばすことが可能となる。これは、フィルタのメインの共振モードが、誘電体基板の両面電極に依存しているのに対して、λ／４ＣＰＷフィルタに似た電界分布をもつスプリアスが誘電体基板の上面にだけに強く依存しているためである。
【００４５】
図１８は、図１７に示したヴィアホールによりスプリアス抑制したフィルタと、ヴィアホールを形成していない通常のフィルタについて、通過特性と反射特性の比較を示すものである。ここで、Ｓ２１は通過特性、Ｓ１１は反射特性であり、（ｏｒｉｇｉｎａｌ  ｆｉｌｔｅｒ）  はヴィアホールを形成していない通常のフィルタであること、（ｍｏｄｉｆｉｅｄ  ｆｉｌｔｅｒ）  はヴィアホールによりスプリアス抑制したフィルタであることをそれぞれ示している。この図より、スプリアス特性が大幅に改善されていることがわかる。このフィルタの中心周波数Ｆ０の２倍（２Ｆ０）での減衰量は２４．２ｄＢ、３倍（３Ｆ０）での減衰量は２９．６ｄＢであり、十分なスプリアス応答の抑制ができている。
【００４６】
次に、第１０の実施形態に係るフィルタの構成を図１９および図２０を参照して説明する。
第９の実施形態では、２段の共振器から成るフィルタを構成したが、同様にして３段以上の共振器を備えたフィルタが構成できる。一般に、減衰特性はフィルタの段数を増やすことによって改善できる。しかしながら、３段の共振器から成るフィルタの通過特性は、スプリアス応答がフィルタ帯域の高域側近傍に発生するために、減衰特性を改善することができなかった。この第１０の実施形態では、３段の共振器を形成し、且つスプリアスを抑制することによって、減衰特性の改善を行っている。
【００４７】
図１９に示すように、誘電体基板１の上面には、それぞれ開放端を有する互いに平行な中心電極２ａ，２ｂ，２ｃと、これらの中心電極の両側部に沿って周囲電極３を形成している。誘電体基板１の下面には、上面の中心電極２ａ，２ｂ，２ｃおよび周囲電極３にそれぞれ対向する位置に、中心電極４ａ，４ｂ，４ｃおよび周囲電極５を形成している。この例では、上面の中心電極２ａ，２ｂ，２ｃの長さをＬ３、下面の中心電極２ａ，２ｃの長さをＬ３’、２ｂの長さをＬ３”として、上下の中心電極同士の重なる長さを、１・３段目と２段目とで異ならせている。また、誘電体基板１の上面に、中心電極２ａ，２ｃとそれらの両側の周囲電極３との間を結ぶミアンダ状の線路８ａ，８ｂを形成している。
【００４８】
誘電体基板１の周囲には、上下面の周囲電極同士を導通させる複数のヴィアホール１１を形成している。このように誘電体基板上下面の周囲電極同士をヴィアホール１１で導通させることによって、誘電体基板の上下面の電極パターンに起因するスプリアス応答を抑制する。
【００４９】
なお、フィルタの外部結合は、線路８ａ，８ｂの折り返し数によって、最適化する。
【００５０】
図２０は、図１９に示したヴィアホールによりスプリアス抑制したフィルタと、ヴィアホールを形成していない通常のフィルタについて、通過特性と反射特性の比較を示すものである。ここで、Ｓ２１は通過特性、Ｓ１１は反射特性であり、（ｏｒｉｇｉｎａｌ  ｆｉｌｔｅｒ）  はヴィアホールを形成していない通常のフィルタであること、（ｍｏｄｉｆｉｅｄ  ｆｉｌｔｅｒ）  はヴィアホールによりスプリアス抑制したフィルタであることをそれぞれ示している。この図より、２段の共振器から成るフィルタの場合と同様に、ヴィアホールを形成したフィルタでは、スプリアス特性が大幅に改善されている。このフィルタの中心周波数Ｆ０の２倍（２Ｆ０）での減衰量は３１．２ｄＢ、３倍（３Ｆ０）での減衰量は３８．４ｄＢであり、十分なスプリアス応答の抑制ができている。このように、３段の共振器によるフィルタでありながら、スプリアス特性を改善したことにより、このフィルタは様々な応用が可能になる。
【００５１】
次に、第１１の実施形態に係る通信装置の構成例を図２１に示すブロック図を参照して説明する。
図２１においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸはデュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃはそれぞれ帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣはオシレータ、ＤＩＶは分周器（シンセサイザー）である。ＶＣＯは送信信号（送信データ）に応じた信号により発振周波数を変調する電圧制御発振器である。
【００５２】
ＭＩＸａはＤＩＶから出力される周波数信号を変調信号で変調し、ＢＰＦａは送信周波数の帯域のみを通過させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮＴより送信する。ＡＭＰｂはＤＰＸから出力される受信信号を増幅する。ＢＰＦｂはその増幅信号のうち受信周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂはＢＰＦｃより出力される周波数信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦを出力する。
【００５３】
図２１に示したデュプレクサＤＰＸ部分には第８の実施形態として示したデュプレクサを用いる。また帯域通過フィルタＢＰＦａ，ＢＰＦｂ，ＢＰＦｃには、第１〜第７の実施形態として示した誘電体フィルタを用いる。このようにして、所望の周波数帯域を低挿入損失で通過させる小型のフィルタまたはデュプレクサを用いることにより、高周波回路特性に優れた小型の通信装置が得られる。
【００５４】
【発明の効果】
この発明によれば、所定の共振周波数を得るための電極パターン寸法および誘電体基板の寸法が縮小化でき、さらに、共振器の無負荷Ｑが高くなるため、挿入損失の低いフィルタ特性が得られる。
【００５５】
また、この発明によれば、周囲電極の不連続部をワイヤーやエアブリッジで接続したり、静電容量をとるための部品が不要となり、誘電体基板上面の電極パターンだけで信号の入出力が行えるようになり、製造が容易となる。
【００５６】
また、この発明によれば、誘電体基板の上面および下面における周囲電極同士をヴィアホールで導通させることにより、スプリアス応答が抑制され、優れた通過特性および反射特性が得られる。
【００５７】
また、この発明によれば、上記のフィルタまたはデュプレクサを例えば高周波回路部において送信信号または受信信号の処理部分に用いることによって、小型且つ電力利用効率の高い特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係るフィルタの構成を示す図
【図２】同フィルタの他の構成例を示す図
【図３】同フィルタの共振モードを電界分布で示した図
【図４】同フィルタの共振モードを電界分布で示した図
【図５】第２の実施形態に係るフィルタの構成図
【図６】第３の実施形態に係るフィルタの構成図
【図７】第４の実施形態に係るフィルタの構成図
【図８】第５の実施形態に係るフィルタの構成図
【図９】同フィルタの部分拡大図
【図１０】同フィルタの通過特性および反射特性を示す図
【図１１】第６の実施形態に係るフィルタの構成図
【図１２】第７の実施形態に係るフィルタの構成図
【図１３】同フィルタの各部の寸法と特性変化の例を示す図
【図１４】線路部の長さＬ２とＱｅとの関係を示す図
【図１５】同フィルタおよび従来のフィルタの通過特性の比較例を示す図
【図１６】第８の実施形態に係るデュプレクサの構成図
【図１７】第９の実施形態に係るフィルタの構成図
【図１８】同フィルタの特性例を示す図
【図１９】第１０の実施形態に係るフィルタの構成図
【図２０】同フィルタの特性例を示す図
【図２１】第１１の実施形態に係る通信装置の構成を示すブロック図
【図２２】従来のフィルタの構成図
【符号の説明】
１−誘電体基板
２，４−中心電極
３，５−周囲電極
６−入出力電極
７−ワイヤ
８−線路
９−側面電極
１０−入出力電極
１１，１２−ヴィアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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