(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準電圧源で生成された基準電圧に含まれる雑音を除去して低減する基準電圧源の雑音低減回路において、
前記基準電圧源の出力する基準電圧をベースに供給され、コレクタを電源に接続された第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのエミッタから出力される電圧をベースに供給されエミッタから出力する前記第１のトランジスタとは逆極性トランジスタの第２のトランジスタと、
一端を前記第１のトランジスタのエミッタに接続され、他端を接地されたコンデンサと、
前記第１のトランジスタのエミッタ電流を供給する電流源とを
有することを特徴とする基準電圧源の雑音低減回路。
【請求項２】
請求項１記載の基準電圧源の雑音低減回路において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタのベース・エミッタ間順方向電圧が同一の温度特性を有することを特徴とする基準電圧源の雑音低減回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基準電圧源の雑音低減回路に関し、基準電圧源で生成された基準電圧に含まれる雑音を除去して低減する基準電圧源の雑音低減回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より基準電圧源としてバンドギャプ回路が知られている。図４はバンドギャプ回路の一例の回路図を示す。同図中、電流密度（又は接合部の面積比）の異なるｎｐｎトランジスタＱ１，Ｑ２はベースを共通接続されており、トランジスタＱ１のコレクタ・ベース間を共通接続されて抵抗Ｒ１を介してｎｐｎトランジスタＱ４のエミッタ及び出力端子１２に接続され、トランジスタＱ１のエミッタは接地されている。トランジスタＱ２のコレクタはｎｐｎトランジスタＱ３のベースに接続されると共に抵抗Ｒ２を介してトランジスタＱ４のエミッタに接続され、トランジスタＱ２のエミッタは抵抗Ｒ３を介して接地されている。
【０００３】
トランジスタＱ３のコレクタはトランジスタＱ４のベース及び定電流源１０の一端に接続され、トランジスタＱ３のエミッタは接地されている。トランジスタＱ４のコレクタは電源ＶCCに接続され、定電流源１０の他端は電源ＶCCに接続されている。
このバンドギャップ回路を構成するトランジスタＱ１〜Ｑ４、抵抗Ｒ１，Ｒ２及び定電流源１０が動作する際に熱雑音等の雑音を発生するため、従来は図５に示すように、抵抗Ｒ５及びコンデンサＣ１で構成する低域フィルタを雑音低減回路として用い、雑音を低減している。図５において、バンドギャップ回路２０は図４に示す構成である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
図５に示す従来回路では、電源を投入して電源電圧ＶCCが立ち上がるとき、端子２２から出力される基準電圧Ｖｏｕｔの立ち上がりのスピードは、抵抗Ｒ５及びコンデンサＣ１の時定数で決定されてしまう。このため、充分な雑音除去効果を得ようとして時定数を大きくすると、基準電圧Ｖｏｕｔの立ち上がりスピードが遅くなるという問題があった。
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、基準電圧源の雑音を充分に除去でき、かつ、電源の立ち上がりに追随して高速に基準電圧が立ち上がる基準電圧源の雑音低減回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基準電圧源で生成された基準電圧に含まれる雑音を除去して低減する基準電圧源の雑音低減回路において、
前記基準電圧源の出力する基準電圧をベースに供給され、コレクタを電源に接続された第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのエミッタから出力される電圧をベースに供給されエミッタから出力する前記第１のトランジスタとは逆極性トランジスタの第２のトランジスタと、
一端を前記第１のトランジスタのエミッタに接続され、他端を接地されたコンデンサと、
前記第１のトランジスタのエミッタ電流を供給する電流源とを有する。
【０００７】
このため、電流源からエミッタ電流を流される第１のトランジスタの抵抗分と、コンデンサとによって低域フィルタを構成して基準電圧に含まれる雑音を除去することができ、第１のトランジスタで低下した基準電圧を第２のトランジスタで上昇させて所望の電圧にすることができる。
請求項２に記載の発明は、請求項１記載の基準電圧源の雑音低減回路において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタベース・エミッタ間順方向電圧が同一の温度特性を有する。
【０００８】
このように、第１のトランジスタと第２のトランジスタのベース・エミッタ間順方向電圧が同一の温度特性を有することにより、第１のトランジスタと第２のトランジスタの温度特性がうち消しあって温度特性の良い基準電圧源を得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の基準電圧源の雑音低減回路の一実施例の回路図を示す。同図中、バンドギャップ回路２０は図４に示す構成である。図４において、電流密度（又は接合部の面積比）の異なるｎｐｎトランジスタＱ１，Ｑ２はベースを共通接続されており、トランジスタＱ１のコレクタ・ベース間を共通接続されて抵抗Ｒ１を介してｎｐｎトランジスタＱ４のエミッタ及び出力端子１２に接続され、トランジスタＱ１のエミッタは接地されている。トランジスタＱ２のコレクタはｎｐｎトランジスタＱ３のベースに接続されると共に抵抗Ｒ２を介してトランジスタＱ４のエミッタに接続され、トランジスタＱ２のエミッタは抵抗Ｒ３を介して接地されている。
【００１０】
トランジスタＱ３のコレクタはトランジスタＱ４のベース及び定電流源１０の一端に接続され、トランジスタＱ３のエミッタは接地されている。トランジスタＱ４のコレクタは電源ＶCCに接続され、定電流源１０の他端は電源ＶCCに接続されており、出力端子１２から基準電圧ＶＩが出力される。
このバンドギャップ回路２０の出力端子１２にはｎｐｎトランジスタＱ１０（特許請求の範囲における第１のトランジスタ）のベースが接続されている。トランジスタＱ１０はコレクタを電源ＶCCに接続されており、エミッタをコンデンサＣ１の一端及びｎｐｎトランジスタＱ１１のコレクタ及びｐｎｐトランジスタＱ１３（特許請求の範囲における第２のトランジスタ）のベースに接続されている。
【００１１】
コンデンサＣ１の他端は接地されている。トランジスタＱ１１はエミッタを接地され、ベースをｎｐｎトランジスタＱ１２のベース及びコレクタに接続されている。トランジスタＱ１２はコレクタを定電流源３０の一端に接続され、定電流源３０の他端は電源ＶCCに接続されており、エミッタは接地されている。つまり、トランジスタＱ１１，Ｑ１２とでカレントミラー回路を構成しており、定電流源３０の他端は電源ＶCCに接続されており、エミッタは接地されている。つまり、トランジスタＱ１１，Ｑ１２と定電流源３０で特許請求の範囲における電流源を構成している。トランジスタＱ１３はコレクタを出力端子３４と定電流源３２の一端に接続され、定電流源３２の他端は電源ＶCCに接続され、エミッタは接地されている。
【００１２】
ここで、図１から抜き出して図２（Ａ）に示すトランジスタＱ１０及びコンデンサＣ１及びトランジスタＱ１１は等価的に図２（Ｂ）に示す回路で表される。トランジスタＱ１０は図２（Ｂ）において、理想ダイオードＤ１と抵抗Ｒ０で表され、トランジスタＱ１１は電流ｉ１を流す電流源３６で表されている。図２（Ｂ）においては、抵抗Ｒ０はＲ０＝ＶT ／ｉ１で表され、抵抗Ｒ０とコンデンサＣ１とで低域フィルタを構成する。但し、ＶT ＝ｋＴ／ｑ  （ｋはボルツマン定数、Ｔは温度、ｑは電子電荷）である。
【００１３】
ところでトランジスタＱ１０，Ｑ１３それぞれのベース・エミッタ間順方向電圧Ｖｂｅはほぼ同一のため、トランジスタＱ１３エミッタ電位はトランジスタＱ１０のベース電位と同一となり、出力端子３４からバンドギャップ回路２０の出力する基準電圧ＶＩと同一レベルの基準電圧Ｖｏｕｔを出力することができる。また、図１に示すトランジスタＱ１１の流す電流ｉ１を設定することによって低域フィルタのカットオフ周波数を適宜選択することができる。
【００１４】
ここで、電源ＶCCの立ち上がり時には、当初コンデンサＣ１が充電されてないので、トランジスタＱ１０のエミッタとコンデンサＣ１との接続点であるＡ点の電位が低い。このため、トランジスタＱ１０のベース・エミッタ間電圧が大きく、トランジスタＱ１０のエミッタ電流が大きくなり、コンデンサＣ１は急速に充電される。図３に実線で本発明回路の立ち上がり特性を示す。なお、破線は従来回路の立ち上がり特性を示しており、本発明回路の立ち上がりが急峻であることが分かる。
【００１５】
【発明の効果】
上述の如く、請求項１に記載の発明は、基準電圧源の出力する基準電圧をベースに供給され、コレクタを電源に接続された第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのエミッタから出力される電圧をベースに供給されエミッタから出力する前記第１のトランジスタとは逆極性トランジスタの第２のトランジスタと、
一端を前記第１のトランジスタのエミッタに接続され、他端を接地されたコンデンサと、
前記第１のトランジスタのエミッタ電流を供給する電流源とを有する。
【００１６】
このため、電流源からエミッタ電流を流される第１のトランジスタの抵抗分と、コンデンサとによって低域フィルタを構成して基準電圧に含まれる雑音を除去することができ、第１のトランジスタで低下した基準電圧を第２のトランジスタで上昇させて所望の電圧にすることができる。
また、請求項２に記載の発明は、第１のトランジスタと前記第２のトランジスタベース・エミッタ間順方向電圧が同一の温度特性を有する。
【００１７】
このように、第１のトランジスタと第２のトランジスタのベース・エミッタ間順方向電圧が同一の温度特性を有することにより、第１のトランジスタと第２のトランジスタの温度特性がうち消しあって温度特性の良い基準電圧源を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基準電圧源の雑音低減回路の一実施例の回路図である。
【図２】本発明回路の一部の回路図及びその等価回路図である。
【図３】本発明回路及び従来回路の立ち上がり特性図である。
【図４】バンドギャップ回路の一例の回路図である。
【図５】従来回路の一例の回路図である。
【符号の説明】
Ｃ１１  コンデンサ
Ｑ１〜Ｑ１２  ｎｐｎトランジスタ
Ｑ１３  ｐｎｐトランジスタ
Ｒ１〜Ｒ５  抵抗
２０  バンドギャップ回路
３０，３２  定電流源
【図１】
0003666241.tif 000002
【図２】
0003666241.tif 000003
【図３】
0003666241.tif 000004
【図４】
0003666241.tif 000005
【図５】
0003666241.tif 000006