(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタターゲット材料、金属材料の第１ボンディング層、ＩｎとＡｕとＳｎとを含有する合金の第２ボンディング層、およびクロム銅製のバッキングプレートの順に構成されたスパッタ用ターゲット。
【請求項２】
前記第２ボンディング層がＰｂをさらに含有する請求項１のスパッタ用ターゲット。
【請求項３】
前記第２ボンディング層の組成は、Ａｕが０．８〜３．５wt％、Ｐｂが２０wt％以下、そして残部がＩｎとＳｎを含有する請求項１または２のスパッタ用ターゲット。
【請求項４】
第１ボンディング層と第２ボンディング層の合計の層厚が５〜８０μｍである請求項１ないし３のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項５】
前記スパッタターゲット材料が、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金およびＡｌ−Ｎｉ合金から選ばれた１種であり、前記第１ボンディング層が、ＩｎまたはＳｎを主成分とする合金である請求項１ないし４のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項６】
前記スパッタターゲット材料は、Ｓｉ、金属シリサイドおよびＳｉを含む合金、高融点金属およびその合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒおよびそれらの合金、ＩＴＯ、ならびにＧｅおよびその合金から選ばれる１種であり、前記第１ボンディング層は、前記スパッタ用ターゲット材料側に設けられ、ＩｎとＡｕとを含有する合金で形成された第１層部分と、この第１層部分のスパッタ用ターゲットとは反対側の面に設けられ、実質的にＩｎで形成された第２層部分とを備えている請求項１ないし４のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項７】
前記第１ボンディング層の第１層部分を構成する合金が、ＳｎおよびＰｂの少なくとも１方をさらに含有する請求項６のスパッタ用ターゲット。
【請求項８】
前記第１ボンディング層の第１層部分の組成は、Ａｕが０．８〜３．５wt％、Ｓｎが３０wt％以下、Ｐｂが２０wt％以下、そして残部がＩｎを含有する請求項６または７のスパッタ用ターゲット。
【請求項９】
前記スパッタターゲット材料の気孔率が２０％以下である請求項１ないし８のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項１０】
前記スパッタ用ターゲット材料が、Ｓｉ単結晶、Ｓｉ多結晶、金属シリサイド、およびＳｉを３０wt％以上含有する合金のいずれかであり、スパッタ用ターゲット材料と第１ボンディング層の間に厚さ２０ｎｍ以上のシリコン酸化物層を有する請求項１ないし９のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項１１】
前記スパッタターゲット材料のボンディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘが３μｍ以下である請求項１ないし１０のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項１２】
全体形状が凸状の湾曲状である請求項１ないし１１のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、スパッタ用ターゲット、特にクロム銅製のバッキングプレートを使用するスパッタ用ターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
スパッタ用ターゲットのバッキングプレートとしては、純度９９．９６wt% 以上の無酸素銅（ＪＩＳ  Ｃ１０２０Ｐ）が広く使用されている。このバッキングプレートとスパッタターゲット材料とのボンディングは、従来、Ｉｎ−Ｚｎ合金、Ｉｎ−Ｓｎ合金、Ｉｎ−Ｐｂ合金等のＩｎを主体とするＩｎ合金や、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金等のＳｎを主体とするＳｎ合金等のボンディング材料を用い作業温度１５０〜３５０℃で行なわれている。  スパッタ用ターゲットにおいては、一般に、ターゲット材料を数回はりかえると、バッキングプレートの無酸素銅に焼き鈍し現象が発生し、バッキングプレートの強度が劣化する。この状態で、スパッタ作業を続けると、スパッタ作業中に使用される冷却水の水圧で、該バッキングプレートが変形する事故も発生しかねない。
【０００３】
そこで、焼き鈍し温度の高いクロム銅（ＪＩＳ  Ｚ３２３４）等をバッキングプレート材として使用する試みがある。しかしながら、従来のＩｎ合金やＳｎ合金は、上記クロム銅と濡れ性が悪く、十分な接合強度がえられない。この傾向は、バッキングプレート表面に酸化クロム層が形成されている場合に特に顕著である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、大電力が投入され、大きな冷却水圧を受けるなど過酷な条件で使用されても、安定した成膜を長時間にわたって行なうことができるスパッタ用ターゲットを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（１２）の本発明により達成される。
（１）スパッタターゲット材料、金属材料の第１ボンディング層、ＩｎとＡｕとＳｎとを含有する合金の第２ボンディング層、およびクロム銅製のバッキングプレートの順に構成されたスパッタ用ターゲット。
（２）前記第２ボンディング層がＰｂをさらに含有する上記（１）のスパッタ用ターゲット。
（３）前記第２ボンディング層の組成は、Ａｕが０．８〜３．５wt％、Ｐｂが２０wt％以下、そして残部がＩｎとＳｎを含有する上記（１）または（２）のスパッタ用ターゲット。
（４）第１ボンディング層と第２ボンディング層の合計の層厚が５〜８０μｍである上記（１）ないし（３）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（５）前記スパッタターゲット材料が、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金およびＡｌ−Ｎｉ合金から選ばれた１種であり、前記第１ボンディング層が、ＩｎまたはＳｎを主成分とする合金である上記（１）ないし（４）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（６）前記スパッタターゲット材料は、Ｓｉ、金属シリサイドおよびＳｉを含む合金、高融点金属およびその合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒおよびそれらの合金、ＩＴＯ、ならびにＧｅおよびその合金から選ばれる１種であり、前記第１ボンディング層は、前記スパッタ用ターゲット材料側に設けられ、ＩｎとＡｕとを含有する合金で形成された第１層部分と、この第１層部分のスパッタ用ターゲットとは反対側の面に設けられ、実質的にＩｎで形成された第２層部分とを備えている上記（１）ないし（４）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（７）前記第１ボンディング層の第１層部分を構成する合金が、ＳｎおよびＰｂの少なくとも１方をさらに含有する上記（６）のスパッタ用ターゲット。
（８）前記第１ボンディング層の第１層部分の組成は、Ａｕが０．８〜３．５wt％、Ｓｎが３０wt％以下、Ｐｂが２０wt％以下、そして残部がＩｎを含有する上記（６）または（７）のスパッタ用ターゲット。
（９）前記スパッタターゲット材料の気孔率が２０％以下である上記（１）ないし（８）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（１０）前記スパッタ用ターゲット材料が、Ｓｉ単結晶、Ｓｉ多結晶、金属シリサイド、およびＳｉを３０wt％以上含有する合金のいずれかであり、スパッタ用ターゲット材料と第１ボンディング層の間に厚さ２０ｎｍ以上のシリコン酸化物層を有する上記（１）ないし（９）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（１１）前記スパッタターゲット材料のボンディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘが３μｍ以下である上記（１）ないし（10）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（１２）全体形状が凸状の湾曲状である上記（１）ないし（11）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【０００６】
【作用】
本発明においては、クロム銅製のバッキングプレートに接する第２ボンディング層にＩｎとＡｕとＳｎとを含有する合金を使用したことにより、バッキングプレート材料に対する第２ボンディング層の濡れ性を向上し、それらの間の結合を強固なものとした。これにより、本発明のスパッタ用ターゲットは、大電力が投入され、大きな冷却水圧を受けるなど過酷な条件で使用されても、安定した成膜を長時間にわたって行なうことができる。
【０００７】
【具体的構成】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
【０００８】
本発明のスパッタ用ターゲットにおけるボンディング構造は、図１に示すように、スパッタターゲット材料によって選定された金属材料で形成された第１ボンディング層１、およびこの第１ボンディング層１に結合したＩｎとＡｕとＳｎを含む合金製の第２ボンディング層２を備え、第１ボンディング層１はスパッタターゲット材料３と接合し、第２ボンディング層２はバッキングプレート４と接している。
【０００９】
第２ボンディング層には、さらにＰｂが含有されていることが好ましい。
【００１０】
本発明においては、スパッタターゲット材料はどのような材料であってもよいが、良好な柔軟性を有するボンディング材料であるＩｎを主成分とする合金、またはＳｎ−Ｐｂ合金やＳｎ−Ｚｎ合金であるＳｎを主成分とする合金で良好にボンディングが可能な第１群スパッタターゲット材料と、上記Ｉｎを主成分とする合金やＳｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金等のＳｎを主成分とする合金では良好なボンディングが困難である第２群スパッタターゲット材料とに大別される。
【００１１】
上記第１群スパッタターゲット材料としては、ＡｌおよびＡｌ合金等が挙げられる。Ａｌ合金としては、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金およびＡｌ−Ｎｉ合金等が好ましい。
【００１２】
このような第１群スパッタターゲット材料のスパッタターゲット材料の場合の第１ボンディング層は、Ｉｎを主成分とする合金を用いる場合、Ｉｎを９０wt% 以上、特に９５wt% 以上、さらに９８wt% 以上含有するものであることが好ましい。この第１ボンディング層のＩｎは、スパッタターゲット材料とバッキングプレート材料の熱膨張率およびヤング率の違い（スパッタターゲット材料がＡｌの場合、熱膨張率αが２．３×１０-5／ｄｅｇ、ヤング率が０．７１９×１０-6Ｎ／ｃｍ2 で、バッキングプレートの銅の熱膨張率αが１．７×１０-5／ｄｅｇ、ヤング率が１．２３×１０-6Ｎ／ｃｍ2 である）を緩和する効果を持ち、その含有量が９０wt% 未満となると、満足のゆく柔軟性が得られない。この第１ボンディング層には、１０wt% を限度として、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｐｔ等を含有していてもよい。
【００１３】
一方、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金を用いる場合には、その組成は、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｚｎの比（wt％）が９０／１０〜７０／３０程度であることが好ましい。この場合にも、Ｔｉ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｐｔ等を１０wt％を限度として含有していてもよい。
【００１４】
上記第２群スパッタターゲット材料としては、スパッタターゲット材料として、Ｓｉ、金属シリサイドおよびＳｉを含む合金、高融点金属およびその合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒおよびその合金、ＩＴＯ（組成：ＩｎＯ／ＳｎＯ比（wt％）＝９０／１０〜９８／２）、ならびにＧｅおよびその合金等を挙げることができる。
【００１５】
上記Ｓｉとしては、Ｓｉ単結晶、Ｓｉ多結晶を用いることができる。金属シリサイドとしては、ＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 等を用いることができる。また、上記Ｓｉ系合金としてはＳｉ−Ｆｅ合金、Ｓｉ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等を用いることができる。
【００１６】
上記高融点金属としては、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ等を用いることができる。また、それらの合金とは、上記の高融点金属を３０wt％以上、特に５０wt％以上含有することが好ましい。このような合金としては、Ｗ−Ｔａ合金、ＭｏＴａ合金等を挙げることができる。
【００１７】
上記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ（以下、主金属と称することもある）の合金とは、上記の主金属を３０wt％以上、特に５０wt％以上含有することが好ましい。このような合金としては、Ｔｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｚｒ合金等を挙げることができる。
【００１８】
Ｇｅの合金は、Ｇｅを３０wt％以上、特に５０wt％以上含有することが好ましい。このような合金としては、Ｇｅ−Ｆｅ合金等を挙げることができる。
【００１９】
以上のような第２群スパッタターゲット材料に対しては、上記のＩｎを主成分とする合金は濡れ性が悪く、従って、強固な結合が不可能となる。そこで、このような場合には、上記第１ボンディング層を次のように構成することが好ましい。すなわち、図２に示したように、上記第１ボンディング層１を、スパッタターゲット材料３に接する側の第１層部分１１と、この第１層部分１１のスパッタターゲット材料３とは反対側の面に形成される第２層部分１２とに分け、第１層部分１１を上記第２群スパッタターゲット材料に対して濡れ性の良いボンディング材料で形成し、一方、第２層部分１２を上記のＩｎを主成分とする合金で形成することが好ましい。この第２層部分１２は、主として、スパッタターゲット材料とバッキングプレート材料の熱膨張率およびヤング率の違い（スパッタターゲット材料がＳｉの場合、熱膨張率αが２．４×１０-6／ｄｅｇで、もろく、バッキングプレートの銅の熱膨張率αが１．７×１０-5／ｄｅｇ、ヤング率が１．２３×１０-6Ｎ／ｃｍ2 であり、違いが大きい）を緩和する効果を持つ。
【００２０】
上記第１ボンディング層の第１層部分は、ＩｎとＡｕを含有する合金、特にＩｎおよびＡｕに、更にＳｎおよびＰｂの少なくとも一方を含有する合金で形成されていることが好ましい。
【００２１】
上記第１ボンディング層の第１層部分におけるＡｕの含有量は、０．８〜３．５wt% 、特に１〜３wt％が好ましい。Ａｕは上記のＳｉ等のスパッタターゲット材料とＩｎの濡れ性を改善する効果がある。０．８wt% 未満では、十分な効果が得られなくなる傾向があり、３．５wt% より多いと、第１層部分の材料の融点が上り、金属間化合物が析出しやすくなりスパッタターゲット材料に均一に塗布する作業性が低下してくる。
【００２２】
Ｓｎの含有量は、３０wt% 以下、特に２０wt％以下であることが好ましい。ＳｎはＡｕをＩｎにに均一に溶かし込む助剤となり添加するのが好ましいが、３０wt% を越えると第２層部分にＳｎが拡散しやすくなり第２層部分の柔軟性を損なうようになるため好ましくない。このＳｎは添加しなくてもよいが、添加する場合には、５wt％以上とすることが好ましい。これ未満であると、助剤としての効果が十分に発揮されなくなってくる。
【００２３】
Ｐｂの含有量は、２０wt% 以下、特に１５wt％以下であることが好ましい。ＰｂはＩｎにＡｕを添加することにより硬くなることを抑えるる効果があり添加するのが好ましいが、２０wt% を越えると第２層部分との濡れ性が低下してくる。このＰｂは添加しなくてもよいが、添加する場合には、５wt％以上とすることが好ましい。これ未満であると、第１層部分が硬くなることを抑える効果が十分に発揮されなくなってくる。
【００２４】
第１層部分の融点は、２００〜３００℃、特に２５０〜２８０℃程度であることが好ましい。２００℃未満であると、ボンディング作業性がわるくなり、３００℃を越えると、金属間化合物を析出しやすくなり、ボンディング機能が低下する。
【００２５】
そして、上記ＳｎとＰｂの総量の含有率は、５〜４０wt％、特に１０〜４５wt％程度であることが好ましい。
【００２６】
そして、スパッタターゲット材料が、ＩＴＯ、ＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 のときには、内部に気孔を有するが、そのスパッタターゲット材料の気孔率は２０％以下、特に１０％、さらに５％以下であることが好ましい。上限気孔率が上記を越えると接合強度が低下してくるので、目止め等を行わなければならなくなってくる。この気孔率の下限値は特にないが、通常１％程度であると思われる。Ｓｉの単結晶等を用いる場合には、実質的に気孔が無く、気孔率が０％となる。
【００２７】
上記バッキングプレートは、クロム銅製であり、Ｃｒが０．５〜２wt％含有されているものが好ましい。クロム銅の代表的なものとしては、ＪＩＳ  Ｚ３２３４のＣｒを１wt％含有するものが挙げられる。
【００２８】
このバッキングプレートに接する第２ボンディング層は、ＩｎとＡｕとＳｎを含有する合金、特にＩｎ、ＡｕおよびＳｎに、更にＰｂを含有する合金で形成されていることが好ましい。
【００２９】
上記第２ボンディング層におけるＡｕの含有量は、０．８〜３．５wt% 、特に１〜３wt％が好ましい。Ａｕは上記のクロム銅製のバッキングプレートとＩｎの濡れ性を改善する効果がある。０．８wt% 未満では、十分な効果が得られなくなってくる。一方、３．５wt% より多いと、クロム銅のクロム銅と反応し、バッキングプレートのボンディング面を浸食する傾向がある。
【００３０】
Ｓｎの含有量は、３０wt% 以下、特に２０wt％以下であることが好ましい。ＳｎはＡｕをＩｎにに均一に溶かし込む助剤となり添加するのが好ましいが、３０wt% を越えると、第１ボンディング層によりスパッタターゲット材料と接合する際にこの第１ボンディング層あるいはその第２層部分にＳｎが拡散しやすくなり第１ボンディング層あるいはその第２層部分の柔軟性を損なうため好ましくない。このＳｎは添加しなくてもよいが、添加する場合には、５wt％以上とすることが好ましい。これ未満であると、助剤としての効果が十分に発揮されなくなってくる。
【００３１】
Ｐｂの含有量は、２０wt% 以下、特に１５wt％以下であることが好ましい。ＰｂはＩｎにＡｕを添加することにより硬くなることを抑えるる効果があり添加するのが好ましいが、２０wt% を越えると、第１ボンディング層あるいはその第２層部分との濡れ性が低下してくる。このＰｂは添加しなくてもよいが、添加する場合には、５wt％以上とすることが好ましい。これ未満であると、第２ボンディング層が硬くなることを抑える効果が十分に発揮されなくなってくる。
【００３２】
第２ボンディング層の融点は、２００〜３００℃、特に２５０〜２８０℃程度であることが好ましい。２００℃未満であると、作業性が悪くなる傾向があり、３００℃を越えると、金属間化合物を析出しやすくなり、ボンディング機能が低下してくる。
【００３３】
そして、上記ＳｎとＰｂの総量の含有率は、５〜４０wt％、特に１０〜３５wt％程度であることが好ましい。この範囲外で特に好ましいボンディング機能を得ることができる。
【００３４】
第１ボンディング層と第２ボンディング層は、２層全体の層厚が５〜８０μm であり、それらの層厚の比が５０対１から１対１の範囲であることが好ましい。５μ未満ではボンディング層を均一に維持できず、８０μm を越えるとボンディング強度が著しく低下する。第１ボンディング層と第２ボンディング層の層厚の比が１対５０から１対１の範囲で２層全体の層厚が５〜８０μm であることの緩和作用が最大に生かされる。
【００３５】
さらに、本発明のスパッタ用ターゲットでは、スパッタ用ターゲット材料として、Ｓｉ系の材料を用いる場合には、スパッタターゲット材料と第１ボンディング層の間に２０nm以上のシリコン酸化物層を設けることが好ましい。このシリコン酸化物層の存在により、スパッタターゲット材料と第１ボンディング層との結合が更に強固なものとなる。このシリコン酸化物層の形成は、例えば、スパッタターゲット材料のボンディング面を熱酸化すること等により形成することができる。このシリコン酸化物層は、あまり厚すぎるとボンディング強度が低下する傾向があるのであるので、１００ｎｍ程度以下とすることが好ましい。
【００３６】
上記バッキングプレート材料のボンディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘは３μm 以下であることが好ましい。これにより、バッキングプレート材料と第２ボンディング層との結合が更に強固なものとなる。このようにスパッタターゲット材料のボンディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘを小さくするため、必要な場合には、このボンディング面に、ラッピング、ポリッシング、エッチング等の加工を施すことが好ましい。また、この最大表面粗度Ｒｍａｘの測定は、表面粗度計によって行う。
【００３７】
さらに、本発明のスパッタ用ターゲットでは、その全体形状がバッキングプレートを下にした状態で上方が凸となるように湾曲していることが望ましい。このような湾曲形状とすることにより、スパッタ用ターゲットにおける接着強度がさらに向上する。
【００３８】
その湾曲の度合（以下、平面度と称する）は、同一面で見たときの、最高位部（通常、中央部）と最低位部（通常、両縁部）との差Ｓ（図２参照）が０．１〜０．２mm程度であることが好ましい。なお、これは直径が５インチ程度の円板の場合である。
【００３９】
本発明のスパッタ用ターゲットは、例えば、次のようにして製造される。
【００４０】
まず、スパッタターゲット材料の接合面に第１ボンディング層を、バッキングプレートの接合面に第２ボンディング層をそれぞれ形成する。これらの層の形成は、それぞれの材料で１０〜１００μm 程度の箔を形成し、それを接着し、溶着する方法、スパッタ、蒸着、融した材料のハケの塗り等のいずれの方法であってもよい。
【００４１】
次いで、第１ボンディング層と第２ボンディング層を接触させた状態で、スパッタターゲット材料とバッキングプレートを重ね合せ、これを加熱・加圧して第１ボンディング層と第２ボンディング層を接触する。
【００４２】
加熱温度は、ボンディング材料の融点により決定され、通常２００〜２５０℃程度であることが好ましい。
【００４３】
加圧圧力は、１０〜１００ｇ／cm2 程度であることが好ましい。このような作業を行なう装置としては、ホットプレス等が好ましい。
【００４４】
以上により、スパッタターゲットが製造される。
【００４５】
本発明のスパッタ用ターゲットは、加圧圧力６ｋｇ／ｍ2 までで、特に６ｋｇ／ｍ2 以上、少なくともスパッタターゲット材料の剥離が生じないことが望ましく、特に破壊も剥離も生じないことが好ましい。
【００４６】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００４７】
まず、下記のようにしてスパッタターゲット材料、ボンディング材料およびバッキングプレート材料を用意した。
【００４８】
純度４ＮのＡｌを直径１２７±０．１mm、厚さ６±０．１mm、平行度０．１mm以下になるよう旋削加工して、スパッタターゲット材料の試料１を得た。得られたスパッタターゲット材料の試料Ｓ１のボンディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘは５μm 以下であった。
【００４９】
また、スパッタターゲット材料の試料Ｓ２として、５インチ径、５mm厚の単結晶シリコンをインゴットからスライスした。厚さ、外径バラツキは±０．１mm、平面度は０．０２mm以下であった。また、スパッタターゲットの全面において、最大表面粗度Ｒｍａｘは２μm で、全体の表面に厚さ１０ｎｍのシリコン酸化層が形成されていた。厚さ、外径バラツキ等の外観はシリコンウエハーの外観検査に関する標準仕様（ＪＥＩＤＡ−２３）による。
【００５０】
ボンディング材料としては、純度９９．９９％のショット状のＩｎ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｂを下記表１の組成に秤量し３００℃で溶解し、棒状のインゴットである試料Ｂ１〜９を作製した。なお、試料Ｂ０の組成は、８０％Ｓｎ−２０％Ｚｎとした。
【００５１】
【表１】
0003660014.tif 000002
【００５２】
また、クローム銅ＪＩＳ規格Ｚ３２３４−２種（約１％Ｃｒ、残Ｃｕ）を直径１７０±０．１mm、厚さ６±０．１mm、平行度０．１mm以下になるよう旋削加工して、バッキングプレートを得た。得られたバッキングプレートボンディング面の表面粗度はＲｍａｘ５μm 以下であった。
【００５３】
次に、スパッタターゲット材料として上記Ｓ１を用い、そのスパッタターゲット材料のボンディング面に、表１のボンディング材料Ｂ０で、厚さを２５〜３０μｍに制御して、第１ボンディング層を形成した。
【００５４】
また、スパッタターゲット材料として上記Ｓ２を用い、そのスパッタターゲット材料のボンディング面に、表１のボンディング材料Ｂ４、厚さを５〜１０μｍに制御して第１層部分を形成し、その上にボンディング材料Ｂ９で、厚さを２５〜３０μｍに制御して第２層部分を形成して、第１ボンディング層を形成した。
【００５５】
一方、上記バッキングプレートのボンディング面に、表２に示したボンディング材料で、厚さを５〜１０μｍに制御して、第２ボンディング層を形成した。ボンディング層の形成は、ボンディング材の箔形成により行った。
【００５６】
以上を第１および第２ボンディング層が接触するようにして、スパッタターゲット材料とバッキングプレートを重ね合わせ、これを、２００℃で加熱し、徐冷却し、スパッタ用ターゲットのサンプルNo. １〜８および１０を作製した。また、サンプルNo. ４および１０において、図３における湾曲の度合を示す差Ｓが０．１５ｍｍとなるようにして形成したものをそれぞれサンプルNo. ９、１１とした。各サンプルは３０枚ずつ作製した。
【００５７】
以上のスパッタ用ターゲットのサンプルNo. １〜１１を図４に示すように耐圧容器内にセットし、アルゴンガスによりバッキングプレート面より均一に圧力（表３の示したように、圧力を変えた）をかけ、各サンプルのスパッタターゲット材料の剥離および破壊枚数を測定した。その結果を表２に示した。
【００５８】
【表２】
0003660014.tif 000003
【００５９】
【発明の効果】
以上の表２により、本発明の効果が明らかである。すなわち、本発明の実施例によるものは、上記耐圧試験において、剥離・破壊ともに少なく、加圧圧力６ｋｇ／ｍ2 まで１枚も剥離も破壊もなかった。特に、重要な耐剥離特性に関して良好であった。特に好ましい範囲の組成をもつボンディング材料を用いたものは加圧圧力を９ｋｇ／ｍ2 以上としても１枚も剥離がでなかった。
【００６０】
なお、ボンディング材料として、試料Ｂ６およびＢ７を用いたものは、加圧圧力を９ｋｇ／ｍ2 以上としても１枚も剥離・破壊がなかったが、バッキングプレートのボンディング面が、わずかずつボンディング層に溶出してしまい、３〜５回のスパッタターゲット材料の張り替えにより、バッキングプレートの使用が不可能になってしまった。
【００６１】
上記第１群スパッタターゲット材料として、上記の他、Ａｌ合金としてＡｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金およびＡｌ−Ｎｉ合金を用いて、上記サンプルNo. ４と同様に、第１ボンディング層の材料としてボンディング材料Ｂ０を、第２ボンディング層の材料としてＢ２を用いて、スパッタ用ターゲットをそれぞれ作製し、上記と同様の耐圧試験を行ったところ、サンプルNo. ４と同様の結果がえられた。
【００６２】
また、第１ボンディング層の材料としてＩｎ、Ｉｎ金属を用いたこと以外は、上記と同様にして耐圧試験を行なったところ、上記と同様の結果が得られた。
【００６３】
さらに、第１群スパッタターゲット材料として、上記の他、Ｓｉ多結晶、金属シリサイドであるＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 、Ｓｉ系合金であるＳｉ−Ｆｅ合金、Ｓｉ−Ｎｉ−Ｃｒ、高融点金属であるＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、それらの合金であるＷ−Ｔａ合金、ＭｏＴａ合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒそれらの合金であるＴｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｚｒ合金について、上記サンプルNo. １と同様に、第１ボンディング層の第１層の材料としてボンディング材料Ｂ４を、第２層の材料としてＢ９を、そして第２ボンディング層の材料としてＢ４を用いて、スパッタ用ターゲットをそれぞれ作製し、上記と同様の耐圧試験を行ったところ、サンプルNo. １０と同様の結果が得られた。
【００６４】
本発明によりスパッタ中、大電力を投入しても安定した成膜を長時間にわたって行なうことができる。
【００６５】
ボンディング工程の作業温度の上昇に対し、強度の維持が可能なクローム銅とＩｎの濡れ性が改善された。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスパッタ用ターゲットの層構造の一例を示す断面図である。
【図２】本発明のスパッタ用ターゲットの層構造の他の例を示す断面図である。
【図３】スパッタ用ターゲットの好ましい形状の断面図である。
【図４】評価のための圧力容器を示す断面図である。
【符号の説明】
１  第１ボンディング層
２  第２ボンディング層
３  スパッタターゲット材料
４  バッキングプレート
【図１】
0003660014.tif 000004
【図２】
0003660014.tif 000005
【図３】
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【図４】
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