(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の少なくとも１つの表面から、２１０℃を超える高温はんだリフロー環境で形成されるロジン・ベースのフラックス残留物を洗浄するための洗浄方法であって、
官能基−ＯＲ及び−ＣＯＯＲを含む非ハロゲン化／非芳香族溶媒を、前記残留物を含む前記半導体素子に接触させるステップを含み、
前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒は、少なくともエチル−３−エトキシプロピオナートを含み、
Ｒは、ＨおよびＣｎＨ２ｎ＋１（ｎ＝１〜４）からなるグループから選択される、洗浄方法。
【請求項２】
前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒は、さらに、乳酸エステル、プロピレン・グリコール・エーテル・アルコキシラート、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択されるものとからなる、請求項１記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記乳酸エステルは、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸イソプロピル及びそれらの組み合わせからなるグループから選択される、請求項２記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記プロピレン・グリコール・エーテル・アルコキシラートは、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナート、ジプロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択される、請求項２記載の洗浄方法。
【請求項５】
さらに、前記残留物を帯びた半導体素子を常時撹拌された前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒に、６０℃乃至９０℃、５分乃至１５分間、浸漬するステップと、前記洗浄溶媒より低い沸点を有する少なくとも１つの溶媒でリンスするステップと、及び乾燥するステップとを含む、請求項１記載の洗浄方法。
【請求項６】
さらに、前記残留物を帯びた半導体素子に、圧力スプレーまたは超音波スプレーで、６０乃至９０℃、５乃至１５分間、前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒を適用するステップと、前記洗浄溶媒より低い沸点を有する少なくとも１つの溶媒でリンスするステップと、及び乾燥するステップとを含む、請求項１記載の洗浄方法。
【請求項７】
前記残留物を帯びた半導体素子は、チップ・キャリアに接合されたチップＣ４であり、前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒は、少なくともエチル−３−エトキシプロピオナートと、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナート、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート及びそれらの組み合わせからなるグループから選択されるものとからなる、請求項５または６記載の洗浄方法。
【請求項８】
前記表面は、はんだ接続部、セラミック基板、接合メタラジー、ポリイミド・パシベーション層からなるグループから選択される表面である、請求項１記載の洗浄方法。
【請求項９】
Ｃ４、チップ、半導体基板、電子アセンブリ、ＢＧＡ、ＣＢＧＡ、ＣＣＧＡ、ＳＭＴディスクリートからなるグループから選択される少なくとも１つの表面から、２１０℃を超える高温はんだリフロー環境で形成されるロジン・ベースのフラックス残留物を洗浄するための洗浄方法であって、
官能基−ＯＲ及び−ＣＯＯＲを含む非ハロゲン化／非芳香族溶媒を、前記残留物を含む前記半導体素子に接触させるステップを含み、
前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒は、少なくともエチル−３−エトキシプロピオナートを含み、
Ｒは、ＨおよびＣｎＨ２ｎ＋１（ｎ＝１〜４）からなるグループから選択される、洗浄方法。
【請求項１０】
前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒は、環境上安全であり、大気中に有害な物質を排出せず、引火点が３８℃を超えることを特徴とする、請求項１記載の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的にはマイクロ電子部品の表面からフラックス及び他の類似の残留物を除去する新しいプロセスに関し、特にチップ、基板、或いはまたカード上に形成されたフラックス等の残留物を、少なくとも１つの非ハロゲン化／非芳香族溶媒を使用して洗浄し、これら電子素子の表面から残留物を除去する溶媒洗浄プロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスは、新しい技術の発達により小型化と高密度化が進んでいる。しかし回路密度が上がると、これに応じて競争力を維持するためのデバイス全体の改良点も増える。半導体メーカは従って、製品の品質、設計、及び他の側面の改良を常時迫られている。ただし、大きな改良もなされている一方、こうした改良だけでは、半導体産業が直面している課題の全てに対応するには不充分である。
【０００３】
電子回路デバイスの組み立てプロセスでは、半導体デバイスを支持基板に電気的に接合するために、また有機基板に対するデバイス−基板パッケージの相互接続のためにはんだ接続が用いられる。半導体チップを基板に取り付けるためにはフリップ・チップ・ボンディングとも呼ばれるＣ４（Controlled Collapse Chip Connection）技術が用いられる。その際、はんだフラックスを用いて、アセンブリをはんだリフロー温度まで加熱してはんだ接合部を形成することによって、チップ回路構造側のはんだバンプの列がモジュール基板接合パッドに接続される。
【０００４】
多層セラミック（ＭＬＣ）製品では、シリコン・デバイス上のはんだバンプは、一般的には９７Ｐｂ／３Ｓｎ合金、つまり（９７％Ｐｂ／３％Ｓｎ）で、標準的な蒸着法により付着される。
【０００５】
しかしチップ接合プロセスでは、高温フラックス、通常はロジン・ベースのＡｌｐｈａ−１０２が、Ｃ４上及び／または基板上のはんだ湿潤性パッド（solder wettable pad）上に塗布される。Ｃ４を持つチップは基板接合パッドとの整合が取られ、これは更にフラックスの粘度及び粘着性により促進される。チップと基板のアセンブリは次に、炉内で窒素またはフォーミング・ガス（５％水素、９５％窒素）下ではんだリフローにかけられる。その際の温度プロファイルは、ピーク温度が約３５０℃乃至約３６５℃である。
【０００６】
デバイス回路側に、通常は９５％Ｐｂ／５％Ｓｎまたは９７％Ｐｂ／３％Ｓｎの合金を含むはんだバンプを用いた多層セラミック・キャリアへのフリップ・チップ接続が、米国特許番号第３４０１１２６号（Miller）及び米国特許番号第３４２９０４０号（Miller）に開示されている。
【０００７】
ロジン・フラックスはまた、ボール格子列（ＢＧＡ：ball grid array）、ＣＢＧＡ（ceramic ball grid array）、ＣＣＧＡ（ceramic column grid array）、サーフェス・マウント（ＳＭＴ）・ディスクリート、及びシール・バンド・アタッチメントにおける、９０Ｐｂ／１０Ｓｎ及び共晶はんだ（３７％Ｐｂ／６３％Ｓｎ）を用いたはんだ接続部に用いられ、はんだリフローの間にはんだ接合部の完全性（integrity）には欠かせない接触面の表面湿潤性を与える。
【０００８】
接合の熱プロファイルの冷却サイクルで、はんだは硬化し、同時に残留フラックス蒸気が様々な露出面上に被着する。後のステップで、電子アセンブリが他の処理の前に溶媒洗浄操作にかけられる。
【０００９】
高温はんだリフロー環境でのロジン・フラックス有機物は、揮発性種への熱分解によりほとんど除去されるが、これら熱活性化された種のごく一部は架僑反応を示し、樹脂質／炭素質副産物が、はんだリフロー処理時に揮発性種に対して露出した側のデバイス及び基板のＣ４接続部及び他の全ての表面で、残留物として生じる。残留フラックスは他の操作の前に、重要な表面全てから除去しなければならない。でなければ長期使用中、環境の温度と湿度に晒される間の応力腐食により、機能障害につながることがある。従って、電子回路アセンブリの作製時に、チップ接合及び他のはんだ付けプロセスの後に、次の操作の前に残留フラックスを洗浄して取り除くことが必要である。
【００１０】
残留フラックスを除去する他の必要性は、基板またはデバイス表面の物質上に残留膜または残留フラックスある場合は、これは、製品のオン／オフ・サイクルで、Ｃ４疲労寿命及びＣ４信頼性を高めるために必要なＣ４エポキシ・カプセル化剤またはアンダーフィルの接着の妨げになるという観察から明らかである。カプセル化の後、モジュール・アセンブリはバーンイン及びテストにかけられる。
【００１１】
ロジン・フラックスは、環状炭化水素酸とそれに対応するエステル、アルコール及び脱炭酸生成物の複合混合物を含む天然生成物である。混合物の主な構成要素である樹脂酸の中、約５０％乃至約６０％までのアビエチン酸、ヒドロアビエチン酸、及びデヒドロアビエチン酸が主な構成要素である。これらのロジン・フラックスは、スズや鉛の表面の酸化物層と化学的に反応することによって金属表面の湿潤を促進することが知られている。これにより酸化物のない金属が露出した、表面エネルギの高い面が得られる。これは熱力学的に湿潤が容易であり、基板の清浄な接触金属表面を容易に濡らし、チップと基板の相互接続の高い信頼性を与える。
【００１２】
しかし、はんだリフローの際に形成され熱で活性化したフラックス種はまた、溶解したはんだ表面をリフロー・プロセスの間の再酸化から保護する。このプロセスでフラックスのアビエチン酸成分はスズまたは鉛と反応し、対応するアビチエン酸塩を形成すると考えられ、ここで金属は有機酸に結合し、冷却により基板に再付着される。
【００１３】
ロジン・ベースの残留フラックス洗浄プロセスは、これまで、ペルクロロエチレン、１、１、１−トリクロロエタン、フルオロクロロカーボン  ＣＦＣ−１１３及び、ＣＦＣ−１１２等のハロゲン化炭化水素、並びにキシレンのような芳香族炭化水素を採用している。しかしハロゲン化溶媒は、環境及び人の健康に有害な影響を与えるため望ましくない。これらの溶剤、特にペルクロロエチレンとトリクロロエタンに伴う危険性のために、近年は産業プロセスでの使用が大きく制限されるようになっている。具体的には、このカテゴリの溶剤は、有害空気汚染物（ＨＡＰ）溶剤と指定され、発癌性が疑われる物質のＯＳＨＡリストに記載され、またＴＲＩ（Toxic Release Inventory）化学薬品リストに記載のＳＡＲＡ（Superfund Amendment & Re-Authorization Act）Title-IIIにより報告を義務付けられた化合物に含まれる。
【００１４】
環境及び健康に関わるこうした危険性の他に、ＣＦＣと同様に１、１、１−トリクロロエタンはまた、成層圏のオゾン破壊を引き起こすオゾン破壊物質（ＯＤＳ）であり、そのため段階的に廃止されており、１、１、２−トリクロロエチレンは２００２年までに廃止される予定である。ＣＦＣはオゾン破壊物質であり、その使用は産業用途では禁止されている。キシレンのような芳香族炭化水素の場合、産業用についてはその規制が問題になっている。これは揮発性有機化合物（ＶＯＣ）であることに加えて、ＨＡＰ溶剤に含まれるからであり、よってSARA Title-IIIによる報告義務が課される。ＶＯＣは、環境の窒素の酸化物と光化学反応を起こし、健康問題の原因になるスモッグを生じる。またキシレンには安全性の問題もある。可燃性が高い揮発性の溶剤であり、引火点が８５°Ｆ（約２９℃）であるため、生産環境では化学的な安全性を保つために、また有害空気汚染物の空気中への排出基準に準拠するため、高コストな特別な機器が必要である。
【００１５】
一般には産業界の洗浄用途で、ハロゲン化溶媒及びキシレン等芳香族炭化水素の使用に伴って環境及び健康に危険が及ぶために、現在は主に、環境上安全な代替物を見い出すことに焦点があてられている。
【００１６】
いくつかの化学薬品供給者及び洗浄機器メーカは、比較的安全で、ほとんど環境規制を免れる代替有機溶媒を数種、並びに水をベースにした洗浄液及び代替有機溶媒と水ベースの洗浄に必要な機器を供給している。
【００１７】
米国特許番号第５３４０４０７号（Bolden）は、基板からはんだフラックスや接着テープの残留物を除去するプロセスについて説明している。ここでは基本的には、プリント回路基板の表面から残留フラックスを除去するため、また残留接着テープを除去するために、テルペン・ベースの洗浄用組成物が用いられる。
【００１８】
米国特許番号第４２７６１８６号（Bakos）は、ある洗浄用組成物とその用法について述べている。ここでは基本的に、プリント回路基板の表面から残留フラックスを洗浄するためにＮ−メチル−２−ピロリドン及びアルカノールアミンを含む洗浄用組成物が用いられる。
【００１９】
米国特許番号第５４０１３２５号（Mihelic）に述べられているもの等、残留フラックスを洗浄するためのテルペン・ベースのマイクロエマルジョン洗浄液は、界面活性剤、水溶性グリコール・エーテル、低水溶性（sparingly water-soluble）有機溶媒、及びモルホリンを水中に混合した物にもとづく。これらの溶液は、焼き付けられた油と炭素の付着物、及びオイル・グリースを様々な電子デバイス表面から除去する上で効果があると言われる。
【００２０】
米国特許番号第５４３１７３９号（Bengston）は部品、特に電子回路アセンブリを洗浄しデフラックス（deflux）するプロセスを開示している。Bengstonは、環境上安全なフラックス除去組成物を与える。基本的には、回路基板の表面からの、穏やかに活性化されたロジン・フラックス（ＲＭＡ）からの残留はんだフラックス、オイル、及び他の汚染物のための洗浄媒体として、水中のベンジル・アルコールのようなアリール・アルコールが用いられる。
【００２１】
米国特許番号第５３９５５４８号（Pfahl）及び米国特許番号第５４８２５６３号（Pfahl）は、フッ化アルコールとテルペン、或いはまたｎ−メチル−ピロリジノン（ＮＭＰ）の組み合わせ、または非ハロゲン化アルコールとテルペンの組み合わせをベースにした非共沸溶剤組成物を用いた電気アセンブリのデフラックス処理に関係する。
【００２２】
米国特許番号第５１１２５１７号（Buchwald）は、プリント回路基板から樹脂フラックスと残留フラックスを除去するために、アルカノールと共にジクロロジフルオロエタン等のハロゲン化炭化水素を使用することに関係する。
【００２３】
上に示した文献はいずれも、Ｃ４技術に従って、デバイス・チップをセラミック・チップ・キャリアに接合するために、高温はんだリフロー・プロセスで、Ａｌｐｈａ−１０２のようなロジン・フラックスが採用されるとき、チップ下に形成される残留フラックスの除去を、また基板へのＢＧＡ（ball grid array）、ＣＢＧＡ（ceramic ball grid array）、ＣＣＧＡ（ceramic column grid array）アタッチメントでのはんだ付けプロセスからの残留フラックス除去を考慮していない。更に、これらの特許での目的のために採用される洗浄組成物は、水性アルカリ溶液または有機溶媒がベースになっており、これらは、本発明の目的に見合うとはみなされない。先に述べたような、いくつかの溶剤にかかわるＣ４腐食と環境破壊の問題が懸念されるからである。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、電子部品組み立てプロセスで高温はんだリフロー時に形成されるロジン・ベースの残留フラックスを効果的に除去する、環境上安全な方法を提供することである。
【００２５】
本発明の他の目的は、セラミック・チップ・キャリアへのフリップ・チップ取付けを行うためにはんだリフロー・プロセス時に形成されたチップ下の残留フラックスを洗浄する環境上安全な方法を提供することである。
【００２６】
本発明の他の目的は、基板にはんだボール及びはんだカラムを取り付けるための熱プロセス時に露出した金属とセラミックの表面から残留フラックスを除去するための安全な有機溶媒を提供することである。
【００２７】
本発明の他の目的は、乳酸エステル、エチル−３−エトキシプロピオナートのようなアルコキシエステル、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート、プロピレン・グリコール・エーテル・アセテート、プロピレン・グリコール・エーテル・プロピオナート等を使用することによって、残留フラックスを洗浄する際に塩素化溶媒及び芳香族炭化水素に対する環境上安全な代替物を提供することである。
【００２８】
本発明の他の目的は、塩素化溶媒及びキシレン型溶媒に対する環境規制の適用を受けない無害な溶媒を使用して、残留ロジン・フラックスを洗浄する方法を提供することである。
【００２９】
本発明の他の目的は、塩素化溶媒をベースにした残留フラックスの洗浄に代わり、空気中への有害な排出物及び危険な廃棄物の処理コストの問題が生じない方法及び手段を提供することである。
【００３０】
本発明の他の目的は、チップ下から残留フラックスを除去し、はんだ接続部、セラミック・チップ・キャリア、その接合メタラジー、及びデバイス上のポリイミド・パシベーションを含めた様々な接触面に対して悪影響を与えない無害な洗浄プロセスを提供することである。
【００３１】
本発明の他の目的は、チップ下から残留フラックスを除去し、Ｃ４疲労寿命を改良するための後続の操作でＣ４エポキシ・カプセル化の接着と界面の整合性を得るため必要な、有機汚染物のない表面を得るために、環境上安全な洗浄プロセスを提供することである。
【００３２】
本発明の他の目的は、無害な有機溶媒を使用して残留ロジン・フラックスを洗浄するために、コスト効果のよい簡素化された方法を提供することである。
【００３３】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様は、半導体素子の少なくとも１つの表面から残留物を洗浄する溶媒洗浄プロセスを含み、溶媒は少なくとも１つの非ハロゲン化／非芳香族溶媒であることを特徴とするものである。
【００３４】
本発明は、多層セラミック製品のＣ４（Controlled Collapse Chip Connections）技術に従ってチップを取り付けるための高温はんだリフローによる、はんだ相互接続時にデバイス・チップ及び基板表面上に形成されるロジン・ベースのＡｌｐｈａ−１０２残留フラックスを洗浄するために、また、電子パッケージと基板を相互接続するためのはんだ接合プロセスの後に残留フラックスを洗浄するために、環境上安全で効率的な方法を提供する。水晶またはポリイミドの終端パシベーション層を持つデバイスのＣ４接合の際、リフローの間に残留フラックス汚染物に対して露出する重要な表面には、Ｐｂ／Ｓｎはんだ接続部、基板側の接合メタラジー、基板セラミック及び、デバイス・チップ上のポリイミド・パシベーション層がある。チップ接合に続いてチップ下の残留フラックスを除去する標準的プロセスは、ペルクロロエチレンと芳香族炭化水素（通常はキシレン）をベースにし、これらはいずれも有害な溶剤である。発明者は、様々な重要な表面（critical surface）から残留ロジン・フラックスを効果的に除去する上で無害な溶媒のグループは、高温はんだリフロー相互接続プロセスで、環境上有害なペルクロロエチレン、１、１、１−トリクロロエタン、キシレン、並びに関係するハロゲン化及び芳香族炭化水素の溶媒の優れた代替物になることを発見した。
【００３５】
本発明に従った残留フラックス洗浄溶媒は、極性が変化する２つ以上の官能基を有することを特徴とする。具体的には−ＯＨ及び−ＣＯＯＲ、−ＯＲ及び−ＣＯＯＲ、−ＯＲ及びＯＣＯＲ、並びに−ＯＨ及び−ＯＲで、ここでＲは炭化水素基ＣnＨ2n+1で、ｎ＝１〜４である。このような特徴を持つ代表的な溶媒は、乳酸エチル、乳酸ブチルのような乳酸エステル、エチル−３−エトキシプロピオナートのようなアルコキシエステル、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナート（Methotate）、プロピレン・グリコール・ブチルエーテル、ジプロピレン・グリコール・メチルエーテル、ジプロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテートのようなアルコキシアセテートである。
【００３６】
ハロゲン化炭化水素溶媒及び芳香族炭化水素とは異なり、本発明に従った代替溶媒は、環境規制の問題がなく、空気中への有毒な排出物や健康障害の問題もなく、一般的にはクラスＩＩまたはクラスＩＩＩの可燃物（引火点が約１００°Ｆ（約３８℃）を超える）であり、所要機器の点で可燃性の高いキシレンより利点が大きい。
【００３７】
【発明の実施の形態】
本発明は、一般的には、絶縁基板またはチップ・キャリアに接合する半導体デバイスを伴うマイクロエレクトロニクスの、及びマルチチップモジュール（ＭＣＭ）とシングルチップモジュール（ＳＣＭ）の生産時の基板とボードの相互接続における接合と組み立てのプロセスに関係する。しかし本発明は特に、半導体チップをセラミック支持基板に接続するために通常使用される高温はんだリフロー条件下で、ロジン・ベースのフラックスで形成された残留フラックスの除去に関係する。本発明はまた、例えば電子パッケージとボード、ＳＭＴディスクリート、シール・バンド・アタッチメント等の他のタイプのはんだ相互接続部に形成された残留フラックスの除去にも関する。中でも本発明は、Ｃ４（Controlled Collapse Chip Connections）チップ接合の後に、環境上安全な有機溶媒によりチップ下から残留フラックスを洗浄することに関する。これらの溶媒は、ハロゲン化溶媒と芳香族炭化水素、特に、ペルクロロエチレン、クロロフルオロカーボン及びキシレンといった人の健康及び環境に有害な溶媒に代わるものである。
【００３８】
図１は相互接続構造２５の図で、集積半導体デバイスまたはチップ４０は、少なくとも１つのパッド６０上でＣ４等の少なくとも１つのはんだボール８０を使用してチップ・キャリアまたは基板１０に接合されている。図１はまたチップ４０の下側、はんだボール接続部８０、セラミック基板１０の表面、及び接合パッド６０の側壁上の残留フラックス２０を示す。これらの残留フラックス２０は、様々な理由から除去しなければならない。例えば検査に合格するように、短絡を避けるために、他の望ましくない物質を捕捉するため等である。
【００３９】
図２は、残留フラックス２０が本発明に従った溶媒洗浄により除去されていることと、相互接続構造５０がここでは他の処理にかけられる状態であることを除いて、図１の相互接続構造２５と同様の相互接続構造５０を示す。図２からはっきりわかる通り、チップ４０の下側、はんだボール接続部８０上、セラミック基板１０の表面、または接合パッド６０の側壁に残留フラックス２０はない。
【００４０】
図３は、少なくとも１つのはんだボール接続部８０及び基板接合パッド６０を使用して、セラミック基板１０に電気的に接合されたフリップ・チップ４０を含む、相互接続構造７５の図である。基板１０は次に有機カード等のカード１１０に、少なくとも１つのはんだボール接続部７０及び基板接合パッド５５を介してカード１１０上の接合パッド９０に接合される。はんだ付けプロセスの後に形成される残留フラックス２０は、本発明に従った溶媒洗浄プロセス及び洗浄物質により全ての表面から除去された形で示してある。
【００４１】
図４は、図２の半導体デバイス５０を含み、残留フラックス領域が本発明に従って洗浄された後の、例えばＥＰＸ等の少なくとも１つの保護物質１２０を使用して保護されている相互接続構造１００の断面図である。
【００４２】
マイクロ電子デバイスの生産時、相互接続部のはんだ付けプロセスは、半導体デバイスを基板に電気的に接合するため、またはんだボール及びはんだカラムを基板ＢＳＭ（後面金属）に取り付けるための組み立てに欠かせない部分である。セラミック・チップ・キャリアを接続するためにシリコン・チップの回路側の上のはんだバンプを使用するＣ４（Controlled Collapse Chip Connections）またはフリップ・チップの技術では、高温フラックス、通常はロジン・ベースのＡｌｐｈａ−１０２が、組み立て／位置合わせの前に基板上のＣ４やはんだ湿潤性の金属パッド上に塗布され、次にアセンブリがプログラムされた炉でＮ2またはフォーミング・ガス（５％Ｈ2＋９５％Ｎ2）の無酸素雰囲気ではんだリフロー・プロセスにかけられる。はんだリフロー・プロファイルに用いられるピーク温度はチップ取り付けに用いられるＰｂ／Ｓｎ合金組成に依存する。９０％Ｐｂ／１０％Ｓｎ、及び９７％Ｐｂ／３％Ｓｎの合金では、リフロー・プロセスのピーク温度は一般には３６０℃に達する。
【００４３】
共晶はんだの組成が、ＢＧＡ接合、ワイヤ・カラム接合、ＳＭＴディスクリート取り付け、シール・バンド取り付けに使用されるような共晶はんだ３７Ｐｂ／６３Ｓｎ組成では、相互接続時のピーク温度は約２１５℃乃至約２２５℃になろう。
【００４４】
これらのはんだリフロー条件下で、ロジン・フラックスは金属間の接触と接合に必要な金属表面の湿潤を促進し、自体が熱による化学的変化を生じ、これは揮発性種の形成につながる。揮発性種のほとんどはプロセスの間に簡単に除去されるが、これら反応性種のいくつかは２次架僑反応を起こし、その結果、重要面に炭素質残留物が付着される。残留フラックスは、後の操作の前に洗浄することが必要である。残留フラックスの存在はＣ４カプセル化剤の接着の妨げになり、温湿度環境では腐食の源になり得るので製品の信頼性の問題が生じる。先に述べたように、チップ接合プロセスでの重要面、及びボード部品の接着性を高めるためにはんだが均一に接合されるようにフラックスが用いられる回路基板アセンブリ上で、残留フラックスを洗浄するために従来から用いられる溶媒は、通常は塩素化溶媒、ＣＦＣ、及び芳香族炭化水素であり、これらは全て環境上及び健康上の問題を抱え、従ってそれらの使用は厳しく制限されるようになっており、いくつかは工業用洗浄プロセスでの使用が禁止されている。
【００４５】
本発明に従って、残留ロジン・フラックスを除去するためのハロゲン化溶媒とキシレンに代わる有機溶媒は、無害であり環境規制の問題がなく、引火点が高く、多層セラミック及び薄膜ガラス・セラミック上のＣ４チップ接合並びに基板へのコンデンサ取り付けのためのはんだリフロー・プロセスでチップ下の全ての重要面から残留フラックスを効果的に洗浄するものである。本発明に従った残留フラックス洗浄用の様々な有機溶媒はまた、例えばＢＧＡ（ball grid array）接合、はんだカラム・アタッチメント、ＳＭＴディスクリート（コンデンサと抵抗）、及びシール・バンド・アタッチメント等、約２１０℃乃至約２２５℃の範囲のピーク温度での、３７％Ｐｂ／６３％Ｓｎの共晶はんだリフロー中に形成された残留フラックスを除去する上で有効である。
【００４６】
発明者は、半導体チップ及び他の部品アセンブリを取り付けるための高温はんだリフロー・プロセスで形成された残留ロジン・フラックスは、乳酸エステルとしてのアルファ−ヒドロキシ・エステル、エチル−３−エトキシプロピオナート（ＥＥＰ）としてのアルコキシエステル、及びプロピレン・グリコール・アルキルエーテル・アセテートまたはプロピオナートのグループから選択された溶媒により効果的に洗浄できることを思いがけず発見した。また、Oxsol溶媒（OxyChem Corp．の商品名）、具体的にはOxsol 10（クロロトルエン）及びOxsol 100（ｐ−クロロベンゾトリフルオリド）は、残留ロジン・フラックスを効果的に除去することも見出した。本発明に従った残留フラックス洗浄に好適な溶媒候補は、有害空気汚染物（ＨＡＰ）ではなく、SARA Title-IIIの報告を義務付けられた化合物でもなく、発癌性が疑われる物質でもない。これらの候補は引火点が約１００°Ｆ（約３８℃）を超えるクラスＩＩまたはクラスＩＩＩの可燃性溶媒と分類され、これらは 引火性（flammable）のカテゴリには入らない。このような引火点（°Ｆ）特性を持つ代表的な溶媒候補は、乳酸エステル（１３９°Ｆ／約５９℃）、乳酸ブチル（１７０°Ｆ／約７７℃）、エチル−３−エトキシプロピオナート（１３６°Ｆ／約５８℃）、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート（１１５°Ｆ／約４６℃）、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナートまたはMethotate（１６６°Ｆ乃至１６７°Ｆ／約７４℃乃至約７５℃）、ジプロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート（１８６°Ｆ乃至１８７°Ｆ／約８６℃）である。チップ接合後の残留ロジン・フラックスに対して有効性が認められているこれらの溶媒の表面張力は通常２７ダイン／ｃｍ乃至３２ダイン／ｃｍの範囲である。
【００４７】
これらの溶剤の様々な表面からの残留フラックスの洗浄の程度に関して、相対的効果を確認するために、ロジン・フラックスＡｌｐｈａ−１０２を使用して、関連する全ての表面でチップ・リフロー・シミュレーションが行われ、これらの表面が、本発明に従った残留物の洗浄の後にＥＳＣＡ（電子分光法）またはＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）により分析された。ＸＰＳは、高感度の表面分析法であり、元素識別、表面元素組成の定量確認、また酸化状態に関する情報では、化学結合の性質、及び置換基の化学的効果を知ることができる。この手法では、軟Ｘ線の単色ビームで表面原子の中核電子が励起され、与えられた原子軌道から放出された電子の運動エネルギ（ＫＥ）を測定することによって電子の結合エネルギ（ＢＥ）が求められる。運動エネルギは次の関係式で与えられる。
【数１】
ＫＥ＝ｈｖ−ＢＥ−φ
【００４８】
ここでφは分光計の仕事関数の相関係数である。結合エネルギは原子軌道の特性であり、表面構造の元素の化学／電子環境により変更される。一方、放出される光電子の数は、表面層のこれらの元素の原子数の直接の尺度になり、表面研究におけるＸＰＳ分析の基礎になる。ＸＰＳの理論と用途を含めた電子分光学の詳細については、例えば"Practical Surface Analysis by Auger and X-Ray Photoelectron Spectroscopy"、Wiley、New York、1983（Eds．、D．Briggs and M．P．Seah)、"Electron Spectroscopy - Theory、Technique and Applications" Vol．4、Academic Press、London、1981（Eds．C．Brundle and A．D．Baker)等の著作を参照されたい。
【００４９】
関連する表面上の残留フラックスに関する代表的なシミュレーション実験で、ロジン・フラックスＡｌｐｈａ−１０２は、表面がＭｏ／Ｎｉ／Ａｕであり、トップ面にＡｕを有し、９７％Ｐｂ／３％Ｓｎを蒸着メッキされたＩ／Ｏパッドと、デバイス・チップ上の終端バイア・パシベーションのために一般に用いられる絶縁物であるＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイミド（ピロメリット酸無水物（pyromellic dianhydride）−オキシジアニリン・ポリアミック酸（polyamic acid）の硬化生成物）とを持つセラミック基板に塗布された。フラックス処理された部品は、標準的なはんだリフロー炉プロファイルを使用してチップ接合シミュレーションにかけられ、室温まで冷却された後、炉から取り出された。基準として熱リフロー条件にかける前後にＥＳＣＡにより全ての面が分析された。残留ロジン・フラックスを帯びた部品は次に本発明の方法に従って洗浄され、全ての面が再びＥＳＣＡにより分析され、それぞれの場合について表面化学組成が確認された。
【００５０】
代表的な残留フラックス洗浄プロセスでは、選択された表面上に残留物を帯びた部品が個別に、約６０℃乃至約９０℃で約５分乃至約１５分間、常時撹拌された溶媒に浸漬されて、続いて２分乃至４分間２−プロパノールでのリンスにより、沸点の高い洗浄溶媒が置き換えられ、後の操作で窒素を吹き付けることによる乾燥が加速された。残留物の除去は、溶媒の連続フローまたは圧力下のスプレーまたは超音波スプレーにより加速することができる。溶媒洗浄の後、部品は約９０℃乃至約１００℃、Ｎ2で乾燥され、不活性雰囲気中で自然冷却される。洗浄された表面のＥＳＣＡ分析から、各ケースについて表面の元素組成が得られ、これが溶媒洗浄前に対応する表面と比較され、よって様々な溶媒で洗浄の程度が得られた。ＥＳＣＡデータをもとにセラミック、Ａｕ、Ｐｂ／Ｓｎはんだ、及びポリイミドからの効果的、効率的な残留フラックスの除去ステップが、乳酸エチル及び乳酸ブチル、エチル−３−エトキシプロピオナート、及びプロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナートで実現され、検査されたどの表面でも、Ｐｂ／Ｓｎの腐食及び他の悪影響は生じなかった。また高温溶媒スプレー及び超音波スプレーの連続フローは洗浄を促進し、特にチップ接合後の残留フラックス洗浄で、チップ下から残留物をより効果的に除去することが認められた。しかしＢＧＡ、ＣＢＧＡ、ＣＣＧＡ等のはんだ付けプロセスのように、直接露出した表面上の残留物に対して求められる洗浄には必ずしも必要ない。
【００５１】
ＥＳＣＡ分析は、直接アクセスできる、または電子衝撃を受ける表面に限られるので、チップ下の残留フラックスを除去する上でのこの溶媒洗浄法の効果を確認するために、溶媒の抽出と抽出物の分光光度分析にもとづく手法が用いられた。ロジン・フラックスＡｌｐｈａ−１０２を用いたセラミック・モジュールへのフリップ・チップ取り付けが、はんだリフロー炉プロファイルを伴う標準的なＣ４プロセスにより行われ、組み立てられた部品が様々な表面上のシミュレート処理について先に述べたように、エチル−３−エトキシプロピオナート（ＥＥＰ）、乳酸エチル及び乳酸ブチルで洗浄された。洗浄されたチップ接合部品は、溶媒抽出にかけられ、残留物の残留可溶部が抽出され、抽出物がＵＶ分光法により分析された。これらの測定結果からＥＥＰ溶媒洗浄では、抽出可能な残留物はチップ下には残っておらず、乳酸エチル洗浄では、抽出可能な残留物が０から１０乃至１４μｇ／ｃｍ2までの異なる結果を示したことが認められた。
【００５２】
これらの結果の確認を更に進めるため、後にＥＰＸ、エポキシ樹脂でＣ４カプセル化を行った。その際、ＥＥＰで洗浄した部品が、Sonoscanピクチャで証明されるように、Ｃ４上でボイドのないエポキシ・コーティングであり、一方、乳酸エチルで洗浄された部品はボイド・レベルに、ボイドなしからボイド数個まで、溶媒抽出結果のばらつき（variability）に対応したばらつきがあることが認められた。
【００５３】
非ハロゲン化／非芳香族溶媒を用いたこの溶媒洗浄プロセスにより、セラミック、Ａｕ、Ｐｂ／Ｓｎ、及びポリイミドの表面上の残留フラックスが効果的に除去される。非ハロゲン化／非芳香族溶媒は、エチル−３−エトキシプロピオナート、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナート、及びそれらの組み合わせである。
【００５４】
半導体素子の表面からの残留フラックスの除去はまた定量的にも確認できる。例えばはんだフラックス・リフロー・プロセスの前後にＸ線光電子分光分析を行うことによって等である。本発明の溶媒洗浄プロセスは、Ｃ４チップ接合リフロー・プロセスの後でもチップ下から残留フラックスを完全に除去することが認められている。チップ下からの残留フラックスの除去はまた、極性の強い溶媒から無極性の強い溶媒まで一定範囲の溶媒を使用し、溶媒で洗浄した部品を数回の溶媒抽出プロセスにかけ、抽出物のＵＶ吸収率を測定することによって確認できる。
【００５５】
残留フラックスの除去はまた、非ハロゲン化／非芳香族溶媒での洗浄の後にエポキシ・アンダーフィルを伴うＣ４カプセルのボイドの程度によって確認できる。これは、例えばカプセル化されたアセンブリのSonoscanプロファイルを使用して行える。
【００５６】
実施例：
本発明の様々な側面について更に次の例を参照して説明する。これらの例は、本発明の理解を助けるためにのみ示すものであり、本発明の範囲を限定する意図はない。
【００５７】
例１：
チップ接合のためのはんだリフロー・プロセスのシミュレーションとして、はんだ接合用のロジン・ベースのフラックスＡｌｐｈａ−１０２が次の面に塗布され、部品が標準的なチップ・リフロー炉プロファイルにかけられ、これらの面上に残留フラックスが形成された。
ａ）トップ面がＡｕの入出力（Ｉ／Ｏ）パッドの列を持つセラミック基板
ｂ）デバイス・ウエハ上のメッキ蒸着されたＰｂ／Ｓｎ付着物
ｃ）シリコン・ウエハ上の硬化したＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイミド膜
【００５８】
部品は乳酸エチル、乳酸ブチル（商品名Purasolv）、エチル−３−エトキシプロピオナート（ＥＥＰ）、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート、及びプロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナート（商品名Methotate）中、６０℃乃至９０℃で１０分間効率的に撹拌しながら侵漬され、続いて２−プロパノールでの２分乃至４分間リンス、窒素での吹き付け乾燥により、２４時間内の残留付着物が洗浄された。洗浄された部品は１００℃、３０分間乾燥され、窒素雰囲気中室温まで自然冷却され、表面がＥＳＣＡにより分析された。また洗浄前の付着したままの残留フラックスを帯びた表面、及びペルクロロエチレンとキシレン／ベンジル・アルコール混合物で洗浄された表面が、本発明の方法に従って洗浄された表面とデータを比較するために分析された。様々な表面で検出された元素の表面組成を示す次のＥＳＣＡデータは代表的なものである。
【００５９】
ａ）セラミック上の残留ロジン・フラックスの溶媒洗浄効果
シミュレートされたチップ接合はんだリフロー・プロファイルからの残留フラックスを帯びたセラミック基板が、先に述べた環境上安全な溶媒で洗浄され、洗浄された表面がＥＳＣＡにより分析された。次のデータは、本発明に従った残留物洗浄の結果を、ペルクロロエチレン及びキシレン・ベースの溶媒での洗浄と比較して示す。
【表１】
0003720980.tif 000002
【００６０】
これらのデータにより、溶媒洗浄の前に炭素質層がセラミック表面全体を覆い、セラミック表面の残留フラックス層の厚みが、ＥＳＣＡ電子の脱出深さ（escape depth）を考慮すると、１００Åを超える可能性があることを示す。下のセラミックからのＡｌ、Ｓｉ及び酸素の信号は、上の残留物により完全にマスクされる。様々な溶媒を使用した洗浄の後の表面元素組成の比較からわかることは、エチル−３−エトキシプロピオナート（ＥＥＰ）が最も効果的であり、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びプロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナートも、ほとんどの表面上の残留フラックスを効果的に洗浄することである。データからわかることは、これら代替溶媒での洗浄効果はペルクロロエチレンでの洗浄及びキシレン／ベンジル・アルコール混合物での洗浄と同様であることである。プロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート、乳酸イソプロピル、ｎ−ブチル・アセテート、Oxsol 10（クロロトルエン）のような、このカテゴリの他の溶媒は、残留物の除去効果は比較的小さいことが認められた。
【００６１】
ｂ）はんだボール取り付け後の基板洗浄
はんだボールを取り付ける標準プロセスに従って、球状はんだボールが同一のピックアップ・ノズル列を持つキャリアのあるホール列上に機械的に位置付けられる。このプロセスでは、基板上、はんだボールを保持するためにフラックスが用いられ、基板がはんだリフロー温度まで加熱されて、終端パッド及びはんだボール相互接続部が形成される。このプロセスで残留フラックスは、一般的にははんだ表面に形成され、溶媒洗浄により除去されるが、他の場合と同じように、温湿度による腐食及び機能障害を引き起こすことがある。はんだボール取り付けの後、基板は先に述べたように本発明に従って環境上安全な溶媒で洗浄された。溶媒で洗浄された表面の化学的性質が、はんだボール取り付け並びにペルクロロエチレンでの洗浄及びキシレン／ベンジル・アルコールでの洗浄の後の対応する表面と比較された。次のＥＳＣＡデータが代表的なものである。
【表２】
0003720980.tif 000003
【００６２】
これらのデータから明らかなように、残留フラックス洗浄溶媒としてのＥＥＰ（エチル−３−エトキシプロピオナート）の性能はペルクロロエチレンと似ているが、キシレン／ベンジル・アルコールの場合は、残留有機物を示し、かなりのレベルの炭素を含む種が洗浄の後も残る。残留物を乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナート、及びプロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテートで洗浄した後のはんだ表面のＥＳＣＡ分析は、エチル−３−エトキシプロピオナートと比べていくらか高いレベルの残留炭素を示した。
【００６３】
ｃ）洗浄後の基板Ｉ／Ｏパッド表面分析
Ｍｏ／Ｎｉ／ＡｕのＩ／Ｏパッドを持つセラミック基板が、Ｉ／Ｏパッド側で、ロジン・フラックスＡｌｐｈａ−１０２でフラックス処理され、標準はんだリフロー炉プロファイルにかけられた。得られた表面の残留フラックスは異なる溶媒で洗浄された。溶媒はエチル−３−エトキシプロピオナート、乳酸エチル及び乳酸ブチルである。洗浄された表面のＥＳＣＡ分析は、炭素５５％乃至６２％、酸素２９％乃至３４％、Ａｕ６％乃至１０％、及びＮｉ約２％を示した。比較するとキシレンで洗浄されたＩ／Ｏパッドの分析は、かなり高い割合（約８０％）の炭素、及びわずか２％のＡｕ信号を示した。金属表面で検出された炭素の一部は、環境の汚染物により生じた付随的な炭素によると考えられる。これは一般に、活性化された金属表面が清潔ではない室内環境にあるときに観測される。
【００６４】
ｄ）残留物の溶媒洗浄の後のポリイミド表面
シリコン・ウエハ上の硬化したＰＭＤＡ−ＯＤＡポリイミド膜上のシミュレートされた残留フラックスがＥＥＰと乳酸エチルの溶媒を使用して、先に述べたプロセスに従って洗浄された。１００℃、３０分乃至４５分の乾燥の後、ポリイミド表面がＥＳＣＡにより分析された。表面化学組成は、酸素を帯びた種が増加し、外部炭素の割合が小さいポリイミド表面組成と一貫していることが認められた。これら表面特性は、高温及び溶媒のプロセスを経たポリイミド表面の典型であり、表面領域のポリイミド構造が単層化学変化を起こす。
【００６５】
例２：
残留フラックス洗浄の後のチップ接合部品の溶媒抽出：
標準チップ接合プロセスに従って、セラミック基板のＣ４やＣ４パッドにロジン・フラックスが塗布され、部品が組み立てられ、最大３６０℃乃至３６５℃までの高温チップ・リフロー・プロファイルにかけられる。チップ接合の後、部品は、エチル−３−エトキシプロピオナート（ＥＥＰ）での洗浄及び乳酸エチルで洗浄され１００℃で乾燥された。比較のため、同様にチップ接合された部品が、通常のＣ４アセンブリに用いられるキシレン・ベースの洗浄プロセスに従って洗浄された。残留物洗浄に続いて、全ての部品が極性及び無極性の溶媒の組み合わせを用いた溶媒抽出にかけられ、残りの残留フラックスが抽出された。抽出物は分光光度分析により分析され、溶媒洗浄の後のアセンブリに残った残留物の程度が確認された。データからわかったことは、エチル−３−エトキシプロピオナートでの洗浄の効果は、標準的なキシレン・ベースの洗浄プロセスと同様であることで、これは、いずれの場合でも残留ロジンに起因する検出可能な吸収のないことを示す。
【００６６】
同様な溶媒抽出プロセスで、チップ接合された部品が、乳酸エチル洗浄での残留有機物除去にかけられ、抽出物が分光光度分析にかけられた。複数のサンプルから、結果は、抽出可能な残留有機物が０であることを示す検出可能な吸収がないものから、残留物が抽出されたときに吸収信号強度が１０μｇ／ｃｍ2乃至１４μｇ／ｃｍ2に対応するものまで幅があることが認められた。
【００６７】
例３：
例２で述べたエチル−３−エトキシプロピオナート及び乳酸エチルでの残留フラックス洗浄に続いて、ＥＰＸ、エポキシ樹脂がチップ下のＣ４パッド領域に供給され、熱硬化されてＣ４カプセル化が行われた。Ｃ４／カプセル剤の界面の整合性を確認するためのSonoscanピクチャから、ＥＥＰ洗浄部品ではＣ４上にボイドのないエポキシ・コーティングが認められ、乳酸エチル洗浄部品では、ボイド・レベルがボイドなしからボイド数個までのばらつきが認められた。これは溶媒抽出結果のばらつきに対応する。
【００６８】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００６９】
（１）半導体素子の少なくとも１つの表面から残留物を洗浄するための溶媒洗浄プロセスであって、前記溶媒は少なくとも１つの非ハロゲン化／非芳香族溶媒である、プロセス。
（２）−ＯＨ及び−ＣＯＯＲ、−ＯＲ及び−ＣＯＯＲ、−ＯＨ及び−ＯＲ、及び−ＯＲ及び−ＯＣＯＲを含む少なくとも２つの官能基を含むグループから選択された少なくとも１つの残留フラックス洗浄溶媒を含み、Ｒは、ＣnＨ2n+1（ｎ＝１〜４）からなるグループから選択される、前記（１）記載の溶媒洗浄プロセス。
（３）前記残留フラックス洗浄溶媒は、乳酸エステル、アルコキシアルキル・エステル、プロピレン・グリコール・エーテル・アルコキシラート、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択される、前記（２）記載の溶媒洗浄プロセス。
（４）前記乳酸エステルは、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸イソプロピル及びそれらの組み合わせからなるグループから選択される、前記（３）記載の溶媒洗浄プロセス。
（５）前記アルコキシアルキル・エステルはエチル−３−エトキシプロピオナートである、前記（３）記載の溶媒洗浄プロセス。
（６）前記プロピレン・グリコール・エーテル・アルコキシラートは、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナート、ジプロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート、プロピレン・グリコール・ブチルエーテル、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択される、前記（３）記載の溶媒洗浄プロセス。
（７）前記残留物を帯びた半導体素子に前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒を約６０℃乃至約８０℃で適用するステップと、約５分乃至約１５分間、一定の溶媒フローで撹拌するステップと、少なくとも１つの沸点の低い溶媒でリンスするステップと、及び乾燥するステップとを含む、前記（１）記載の溶媒洗浄プロセス。
（８）前記残留物を帯びた半導体素子に、圧力スプレーまたは超音波スプレーで、約６０乃至約９０℃、約５乃至約１５分間、前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒を適用するステップと、沸点の低い少なくとも１つの溶媒でリンスするステップと、及び乾燥するステップとを含む、前記（１）記載の溶媒洗浄プロセス。
（９）前記残留物を帯びた半導体素子は、チップ・キャリアに接合されたチップＣ４であり、前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒はエチル−３−エトキシプロピオナートである、前記（７）または（８）記載の溶媒洗浄プロセス。
（１０）前記残留物を帯びた半導体素子は、チップ・キャリアに接合されたチップＣ４であり、前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒は、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・プロピオナート、プロピレン・グリコール・メチルエーテル・アセテート及びそれらの組み合わせからなるグループから選択される、前記（７）または（８）記載の溶媒洗浄プロセス。
（１１）前記非ハロゲン化／非芳香族溶媒は、環境上安全であり、大気中に有害な物質を排出せず、引火点が約１００°Ｆ（約３８℃）を超えることを特徴とする、前記（１）記載の溶媒洗浄プロセス。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術のプロセスを使用して接合されており、表面の残留フラックスも示す従来技術の半導体デバイスの断面図である。
【図２】本発明に従った溶媒及び溶媒洗浄プロセスにより残留フラックスを除去した後の、図１の半導体デバイスの断面図である。
【図３】接合され、本発明に従った溶媒及び溶媒洗浄プロセスにより残留フラックスが除去されている複数の半導体デバイスを示す本発明の他の実施例を示す図である。
【図４】本発明に従って洗浄された領域が保護された後の、図２の半導体デバイスの断面図である。
【符号の説明】
１０  基板
２０  残留フラックス
２５、５０、７５、１００  相互接続構造
４０  集積半導体デバイスまたはチップ
５５、６０、９０  パッド
７０、８０  はんだボール接続部
１１０  カード
１２０  保護物質
【図１】
0003720980.tif 000004
【図２】
0003720980.tif 000005
【図３】
0003720980.tif 000006
【図４】
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