(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱手段または冷却手段のうち少なくとも一方を有し、その上方に載置された基板を熱処理する熱処理プレートと、
前記基板をその下方より支持する支持部材と、
前記熱処理プレートに対して前記支持部材を相対的に昇降させる昇降手段と、
を備えた熱処理装置において、
前記支持部材は、基板の周縁部をその下方より支持する支持部と、前記基板の端縁に当接することにより当該基板の水平方向の位置を規制する位置規制部とを有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
加熱手段または冷却手段のうち少なくとも一方を有し、その上方に載置された基板を熱処理する熱処理プレートと、
前記基板をその下方より支持する支持部材と、
前記熱処理プレートに対して前記支持部材を相対的に昇降させる昇降手段と、
前記支持部材上に前記基板を載置するとともに、前記支時部材より基板を受け取る搬送手段と、
を備えた熱処理装置において、
前記支持部材は、基板の周縁部をその下方より支持する支持部と、前記基板の端縁に当接することにより当該基板の水平方向の位置を規制する位置規制部とを有し、かつ、当該支持部材に支持された基板の端縁のいずれかの位置が基板の中央部より高くなるように、当該基板の周縁部を支持するとともに、
前記昇降手段は、前記基板の周縁部を支持した前記支持部材を、前記搬送手段が基板を載置する、または、受け取る上昇した位置と、前記熱プレートにより熱処理する下降した位置との間で、前記熱処理プレートに対して相対的に昇降させることを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、略円形の半導体ウエハ等の基板を、加熱または冷却することにより熱処理する熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板に対してレジスト塗布処理や現像処理等の薬液処理を施す基板処理装置においては、薬液処理の前後に基板を加熱処理装置により加熱したり、加熱後の基板を冷却処理装置により常温まで冷却したりする熱処理が実行される。
【０００３】
このような熱処理を実行する加熱処理装置や冷却処理装置などの熱処理装置は、ヒータなどの加熱手段を内蔵した加熱プレートやペルチェ素子などの冷却手段を内蔵した冷却プレート等の熱処理プレートを処理室内に備え、この熱処理プレートの上面に基板を載置した状態で基板を加熱または冷却する構成となっている。また、例えば実開昭６３−１９３８３３号公報に記載されたように、熱処理プレートの上面より微小高さ突出する球体を配設し、熱処理プレート上に、いわゆるプロキシミティギャップと称される微小な間隔を保って基板を近接支持させた状態で、基板を加熱または冷却するものもある。
【０００４】
このような熱処理装置は、熱処理プレートに形成された複数の貫通孔を通って昇降可能に配設された支持ピンを備えている。そして、基板搬送機構における搬送アームにより搬送された基板を熱処理プレート上に載置する際には、基板を熱処理プレートの表面より上方の位置まで上昇した支持ピンに支持させた後、この支持ピンを下降させることにより、基板を熱処理プレート上に載置している。また、熱処理プレート上に載置されて熱処理を終了した基板を搬送アームに受け渡す際には、基板支持ピンが熱処理プレート上の基板をその下方より支持した状態で上昇し、その位置において基板を搬送アームに受け渡している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述した熱処理装置においては、基板を熱処理プレートに載置する直前、あるいは、基板を熱処理プレートから上方に離隔させた直後に、基板が水平方向に移動して位置ずれを生じるという問題が発生する。
【０００６】
すなわち、支持ピンにより基板を支持した状態で支持ピンを高速に下降させた場合においては、支持ピンにより支持された基板の下面と熱処理プレートの上面とは互いに平面状を成すことから、基板の下面と熱処理プレートの上面との間に存在する空気が基板を支える状態となり、この空気により基板が水平方向に移動し位置ずれを生じることになる。加熱された基板を冷却プレート上に載置する場合においては、支持ピンにより支持された基板の下面と熱処理プレートの上面との間に存在する空気が基板により加熱されて膨張することから、このような現象は特に顕著となる。
【０００７】
また、熱処理プレート上で熱処理を完了した基板を支持ピンにより上昇させる場合においては、支持ピンにより支持された基板の下面と熱処理プレートの上面とは互いに平面状を成すことから、基板の下面と熱処理プレートの上面との間に空気が流入しにくいため、支持ピンに支持された基板はその上昇開始時に下方向を向く応力を受ける。この状態において基板が上昇し、基板の下面と熱処理プレートの上面との間に多量の空気が急激に流入すると、基板に付与されていた応力が消滅して、基板に作用する反作用により基板は支持ピン上から上方に浮き上がり、これに伴って基板が水平方向に移動し位置ずれを生じる。
【０００８】
特開平４−５６１４６号公報においては、熱処理プレート上に基板の水平移動を規制するガイドピンを立設した基板処理装置が開示されている。
【０００９】
しかしながら、この公報に記載された装置のように熱処理プレート上にガイドピンを立設した場合、このガイドピンの高さが低い場合には、基板はガイドピンを外れた位置で位置ずれを起こす。一方、このガイドピンを高くした場合には、基板の搬送に支障を来し装置が大型化するばかりではなく、基板が昇降する際に基板の端縁がガイドピンに対して摺動することから、この摺動に伴いパーティクルが発生するという問題を生ずる。
【００１０】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板を支持ピンにより支持して昇降する際の基板の位置ずれを有効に防止することのできる熱処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、加熱手段または冷却手段のうち少なくとも一方を有し、その上方に載置された基板を熱処理する熱処理プレートと、前記基板をその下方より支持する支持部材と、前記熱処理プレートに対して前記支持部材を相対的に昇降させる昇降手段とを備えた熱処理装置において、前記支持部材は、基板の周縁部をその下方より支持する支持部と、前記基板の端縁に当接することにより当該基板の水平方向の位置を規制する位置規制部とを有することを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、加熱手段または冷却手段のうち少なくとも一方を有し、その上方に載置された基板を熱処理する熱処理プレートと、前記基板をその下方より支持する支持部材と、前記熱処理プレートに対して前記支持部材を相対的に昇降させる昇降手段と、前記支持部材上に前記基板を載置するとともに、前記支時部材より基板を受け取る搬送手段とを備えた熱処理装置において、前記支持部材は、基板の周縁部をその下方より支持する支持部と、前記基板の端縁に当接することにより当該基板の水平方向の位置を規制する位置規制部とを有し、かつ、当該支持部材に支持された基板の端縁のいずれかの位置が基板の中央部より高くなるように、当該基板の周縁部を支持するとともに、前記昇降手段は、前記基板の周縁部を支持した前記支持部材を、前記搬送手段が基板を載置する、または、受け取る上昇した位置と、前記熱プレートにより熱処理する下降した位置との間で、前記熱処理プレートに対して相対的に昇降させることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図であり、図２はその加熱処理部２の要部を示す斜視図である。なお、図１は、図２におけるＡ−Ａ断面に相当する部分を表現している。
【００１４】
この熱処理装置は、ハウジング４内に、それぞれが熱処理装置として機能する加熱処理部２と冷却処理部３とを備え、基板Ｗとしての略円形の半導体ウエハに対して、加熱処理と冷却処理とを実行するものである。
【００１５】
加熱処理部２内には、熱処理プレートとしての加熱プレート１２が配設されている。この加熱プレート１２は、その内部に加熱手段としての板状ヒータを備えている。この加熱プレート１２には、３個の貫通孔１３が形成されている。そして、この貫通孔１３を通して、支持部材としての３本の支持ピン１４が昇降可能に配設されている。
【００１６】
これらの３本の支持ピン１４は、例えばフッ素樹脂、セラミックスまたはポリイミド樹脂等の耐熱性絶縁材料から構成され、そこに支持する基板Ｗの裏面周縁部と対向する位置において支持アーム１５上に立設されている。そして、この支持アーム１５は、昇降手段としてのエアシリンダ１６と連結されている。このため、エアシリンダ１６の駆動により、支持ピン１４は、その先端が加熱プレート１２の表面より突出する基板Ｗの受け渡し位置と、その先端が加熱プレート１２における連通孔１３内に収納された基板Ｗの加熱処理位置との間を昇降する。
【００１７】
図３は支持ピン１４により基板Ｗの周縁部を支持した状態を示す概要図であり、図４はその部分拡大図である。なお、図３においても、図２におけるＡ−Ａ断面に相当する部分を表現している。
【００１８】
これらの図に示すように、基板Ｗをその周縁部で支持した場合には、基板Ｗはその自重により撓みを生じ、その端縁が中央部より高くなる状態となる。この現象は、基板Ｗとしてその直径が約３００ｍｍ（１２インチ）以上の半導体ウエハを使用した場合に特に顕著となる。
【００１９】
加熱プレート１２の表面には、図２に示すように、３個の球体１７が埋設されている。この球体１７は、例えば、アルミナ、マテアタイト等の低伝熱部材から構成される。この球体１７の上端は、加熱プレート１２の表面より微小量だけ突出する状態で配設されており、基板Ｗと加熱プレート１２表面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔を保った状態で、基板Ｗを加熱プレート１２の球体１７上に載置、支持して、この基板Ｗを加熱するよう構成されている。
【００２０】
一方、冷却処理部３内には、熱処理プレートとしての冷却プレート２２が配設されている。この冷却プレート２２は、図１に示すように、伝熱プレート２３と、水冷プレート２４と、伝熱プレート２３と水冷プレート２４との間に配設されたペルチェ素子２５とから構成される。なお、この水冷プレート２４とペルチェ素子２５とは冷却手段を構成する。この冷却プレート２２には、加熱プレート１２と同様、３個の貫通孔１３が形成されている。そして、この貫通孔１３を通して、支持部材としての３本の支持ピン１４が昇降可能に配設されている。
【００２１】
これらの３本の支持ピン１４は、そこに支持する基板Ｗの裏面周縁部と対向する位置において、支持アーム１５に立設されている。そして、この支持アーム１５は、昇降手段としてのエアシリンダ１６と連結されている。このため、エアシリンダ１６の駆動により、支持ピン１４は、その先端が冷却プレート２２の表面より突出する基板Ｗの受け渡し位置と、その先端が冷却プレート２２における連通孔１３内に収納された基板Ｗの冷却処理位置との間を昇降する。
【００２２】
この冷却処理部３においても、支持ピン１４にその周縁部を支持された基板Ｗは、図３および図４に示すように、その自重により撓みを生じ、その端縁が中央部より高くなる状態となる。
【００２３】
冷却プレート２２の表面にも、図２に示す加熱プレート１２の場合と同様、３個の球体１７が埋設されている。この球体１７は、例えば、アルミナ、マテアタイト等の低伝熱部材から構成される。この球体１７の上端は、冷却プレート２２の表面より微小量だけ突出する状態で配設されており、基板Ｗと冷却プレート２２表面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔を保った状態で、基板Ｗを冷却プレート２２の球体１７上に載置、支持して、この基板Ｗを冷却するよう構成されている。
【００２４】
次に、上述した加熱処理部２の加熱プレート１２および冷却処理部３の冷却プレート２２における基板Ｗの搬入、搬出動作について説明する。なお、加熱プレート１２に対する基板Ｗの搬入、搬出動作と、冷却プレート２２に対する基板Ｗの搬入、搬出動作は同様であるため、以下の説明においては、加熱プレート１２に対する基板Ｗの搬入、搬出動作についてのみ説明する。
【００２５】
基板Ｗを加熱プレート１２に搬入する際には、エアシリンダ１６の駆動により、予め支持ピン１４を基板の受け渡し位置まで上昇させておく。そして、図示しない基板搬送機構における搬送アームにより基板Ｗを搬送し、この基板Ｗを支持ピン１４上に載置する。そして、エアシリンダ１６の駆動により、支持ピン１４を加熱位置（冷却処理部３においては冷却位置）まで下降させる。
【００２６】
このとき、上述したように、基板Ｗはその周縁部を支持されることで自重による撓みを生じており、その端縁が中央部より高くなる状態となっている。このため、支持ピン１４を高速に下降させた場合においても、支持ピン１４により支持された基板Ｗの下面と加熱プレート１２の上面との間に存在する空気は、基板Ｗの下面に沿って基板Ｗの下面から迅速に排出される。従って、基板Ｗの下降時に、基板Ｗが水平方向に移動して基板Ｗに位置ずれが生じることはない。
【００２７】
基板Ｗが加熱プレート１２における球体１７上に載置されてその加熱処理が終了すれば、支持ピン１４を基板の受け渡し位置まで上昇させることにより、基板Ｗを加熱プレート１２上から離隔させる。このとき、基板Ｗは、支持ピン１４により最初にそのその周縁部を持ち上げられ、しかる後、その自重により撓みを生じながら上昇する。このため、基板Ｗの下面と加熱プレート１２の上面との間には容易に空気が流入する。従って、基板Ｗの上昇時に、支持ピン１４上で基板Ｗがはねあがり基板Ｗが水平方向に移動して基板Ｗに位置ずれが生じることはない。
【００２８】
基板Ｗが加熱プレート１２より上昇すれば、図示しない基板搬送機構における搬送アームによって基板Ｗを支持ピン１４上より受け取り、後段の処理工程に向けて搬送する。
【００２９】
以上のように、上述した第１実施形態に係る熱処理装置においては、支持ピン１４に支持された基板Ｗの端縁の位置が基板Ｗの中央部より高くなるように、基板Ｗの周縁部を支持していることから、基板Ｗの下面と熱処理プレートとしての加熱プレート１２もしくは冷却プレート２２との間への空気の流通が容易となり、これにより基板Ｗの水平方向の移動を防止することができる。
【００３０】
図５および図６は、基板Ｗとしてその直径が約３００ｍｍ（１２インチ）の半導体ウエハを使用し、この基板Ｗを互いに均等に離隔した３本の支持ピン１４により支持した場合における、支持ピン１４の上端に対する基板Ｗの下面の高さ位置を示すグラフである。なお、図５は、基板Ｗにおける支持ピン１４による支持位置に最も近接する端縁部分の高さ位置を示し、図６は基板Ｗの中央部の高さ位置を示している。また、これらの図における縦軸は、支持ピン１４の上端に対する基板Ｗの下面の高さ位置（ｍｍ）を示しており、横軸は、基板Ｗの中心から支持ピン１４による支持位置までの距離（ｍｍ）を示している。
【００３１】
図５および図６に示すように、基板Ｗの中心から支持ピン１４による支持位置までの距離を約９０ｍｍとした場合に、基板Ｗの中心と支持ピン１４による支持位置に最も近接する端縁部分との高さ位置がほぼ同一となる。そして、基板Ｗの中心から支持ピン１４による支持位置までの距離を約１００ｍｍ以上（すなわち基板Ｗの半径の２／３以上）とした場合には、基板Ｗの支持ピン１４による支持位置に最も近接する端縁部分の高さ位置が基板Ｗの中央部の高さ位置より高くなる。
【００３２】
従って、基板Ｗとして略円形の半導体ウエハを使用し、この基板Ｗを３本の支持ピン１４により支持する場合においては、基板Ｗの中心から基板Ｗの半径の２／３以上の距離だけ離隔した位置において基板Ｗを支持すればよいこととなる。
【００３３】
次に、この発明の他の実施の形態について説明する。図７はこの発明の第２実施形態に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図であり、図８はその加熱処理部２の要部を示す斜視図である。なお、図７は、図８におけるＡ−Ａ断面に相当する部分を表現している。また、図９は支持ピン３４により基板Ｗの周縁部を支持した状態を示す概要図であり、図１０はその部分拡大図である。なお、図９においても、図８におけるＡ−Ａ断面に相当する部分を表現している。これらの図において、図１および図２に示す第１実施形態と同一の部材については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３４】
この第２実施形態に係る熱処理装置は、第１実施形態に係る熱処理装置の支持ピン１４に換えて、図１０に示すように、傾斜面から構成された基板Ｗの周縁部をその下方より支持する支持部３５と、鉛直方向を向く規制面を有し基板Ｗの端縁に当接することにより当該基板Ｗの水平方向の位置を規制する位置規制部３６とを有する支持ピン３４を使用している。この支持ピン３４も、第１実施形態に係る支持ピン１４同様、例えばフッ素樹脂、セラミックスまたはポリイミド樹脂等の耐熱性絶縁材料から構成されている。
【００３５】
次に、第２実施形態に係る加熱処理部２の加熱プレート１２および冷却処理部３の冷却プレート２２における基板Ｗの搬入、搬出動作について説明する。なお、この場合においても、加熱プレート１２に対する基板Ｗの搬入、搬出動作と、冷却プレート２２に対する基板Ｗの搬入、搬出動作は同様であるため、以下の説明においては、加熱プレート１２に対する基板Ｗの搬入、搬出動作についてのみ説明する。
【００３６】
基板Ｗを加熱プレート１２に搬入する際には、エアシリンダ１６の駆動により、予め支持ピン３４を基板の受け渡し位置まで上昇させておく。そして、図示しない基板搬送機構における搬送アームにより基板Ｗを搬送し、この基板Ｗを支持ピン３４の支持部３５上に載置する。そして、エアシリンダ１６の駆動により、支持ピン３４を加熱位置（冷却処理部においては冷却位置）まで下降させる。
【００３７】
このとき、第１実施形態の場合と同様、基板Ｗはその周縁部を支持されることで自重による撓みを生じており、その端縁が中央部より高くなる状態となっている。このため、支持ピン３４を高速に下降させた場合においても、支持ピン３４により支持された基板Ｗの下面と加熱プレート１２の上面との間に存在する空気は、基板Ｗの下面に沿って基板Ｗの下面から迅速に排出される。また、この第２実施形態においては、基板Ｗの端縁は位置規制部３６と当接しており、基板Ｗはこの位置規制部３６により水平方向の位置を規制されている。従って、基板Ｗの下降時に、基板Ｗが水平方向に移動して基板Ｗに位置ずれが生じることはない。
【００３８】
なお、図７に示すように、支持ピン３４が加熱位置まで下降した場合においても、支持ピン３４先端の位置規制部３６は加熱プレート１２の上面より上方に突出しており、加熱プレート１２における球体１７上に載置された基板Ｗの水平方向の位置を規制している。
【００３９】
基板Ｗが加熱プレート１２における球体１７上に載置されてその加熱処理が終了すれば、支持ピン３４を基板の受け渡し位置まで上昇させることにより、基板Ｗを加熱プレート１２上から離隔させる。このとき、基板Ｗは、支持ピン３４により最初にそのその周縁部を持ち上げられ、しかる後、その自重により撓みを生じながら上昇する。このため、基板Ｗの下面と加熱プレート１２の上面との間には容易に空気が流入する。また、基板Ｗの端縁は位置規制部３６と当接しており、基板Ｗはこの位置規制部３６により水平方向の位置を規制されている。従って、基板Ｗの上昇時に、基板Ｗが水平方向に移動して基板Ｗに位置ずれが生じることはない。
【００４０】
基板Ｗが加熱プレート１２より上昇すれば、図示しない基板搬送機構における搬送アームによって基板Ｗを支持ピン３４上より受け取り、後段の処理工程に向けて搬送する。
【００４１】
以上のように、上述した第２実施形態に係る熱処理装置においては、支持ピン３４に支持された基板Ｗの端縁の位置が基板Ｗの中央部より高くなるように、基板Ｗの周縁部を支持していることから、基板Ｗの下面と熱処理プレートとしての加熱プレート１２もしくは冷却プレート２２との間の空気の流通が容易となる。また、基板Ｗの端縁は位置規制部３６と当接しており、基板Ｗはこの位置規制部３６により水平方向の位置を規制されている。従って、基板Ｗの水平方向の移動を確実に防止することが可能となる。
【００４２】
次に、この発明のさらに他の実施の形態について説明する。図１１はこの発明の第３実施形態に係る熱処理装置の要部を示す斜視図である。
【００４３】
上述した第１、第２実施形態においては、加熱プレート１２もしくは冷却プレート２２に形成された貫通孔１３を通過する支持ピン１４、３４を使用しているが、この第３実施形態においては、図示しないエアシリンダに接続された支持部４５と連結する３本の支持ピン４４を、加熱プレート１２（または冷却プレート２２）に形成された溝４６内に収納する構成となっている。なお、支持ピン４４が基板Ｗの周縁部を支持する点は、上述した第１、第２実施形態の場合と同様である。
【００４４】
この実施の形態に係る熱処理装置においては、基板Ｗを加熱プレート１２（または冷却プレート２２）上に載置する場合、または、加熱プレート１２（または冷却プレート２２）上に載置された基板Ｗを加熱プレート１２（または冷却プレート２２）から上方に離隔させる場合、支持ピン４４および支持部４５を収納するための溝４６が空気の抜け道として作用する。従って、支持ピン４４を下降させる場合の、支持ピン４４により支持された基板Ｗの下面と加熱プレート１２（または冷却プレート２２）の上面との間に存在する空気の排出、および、基板Ｗを加熱プレート１２（または冷却プレート２２）上から離隔させる場合の基板Ｗの下面と加熱プレート１２（または冷却プレート２２）の上面との間への空気の流入がより効率的に実行され、基板Ｗの位置ずれをより確実に防止することが可能となる。
【００４５】
上述した第１、第２、第３実施形態においては、いずれも、基板Ｗを支持する支持部材として、支持ピン１４、３４、４４を使用した場合について説明したが、ピン形状以外の形状を有する支持部材を使用することも可能である。図１２は、このような支持部材５４により基板Ｗの端縁を支持した状態を示す平面図であり、図１３はその要部拡大図である。
【００４６】
この支持部材５４は、基板Ｗの端縁に沿った傾斜面５５を有し、この傾斜面５５を基板Ｗの端縁と当接させることにより基板Ｗの周縁部を支持している。この第３実施形態においても、上述した第１、第２、第３実施形態と同様、基板Ｗの位置ずれを防止することが可能である。
【００４７】
なお、上述した各実施形態においては、いずれも、支持ピン１４、３４、４４および支持部材５４を加熱プレート１２または冷却プレート２２に対して昇降させる構成となっているが、加熱プレート１２または冷却プレート２２を支持ピン１４、３４、４４および支持部材５４に対して昇降させる構成とすることも可能である。
【００４８】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、支持部材が基板の周縁部をその下方より支持する支持部と基板の端縁に当接することにより当該基板の水平方向の位置を規制する位置規制部とを有していることから、基板の位置ずれを確実に防止することが可能となる。
【００４９】
請求項２に記載の発明によれば、基板をその下方より支持する支持部材は、当該支持部材に支持された基板の端縁のいずれかの位置が基板の中央部より高くなるように当該基板の周縁部を支持するとともに、昇降手段は、基板の周縁部を支持した支持部材を、搬送手段が基板を載置する、または、受け取る上昇した位置と、熱プレートにより熱処理する下降した位置との間で、熱処理プレートに対して相対的に昇降させることから、基板の昇降時における基板の下面と熱処理プレートの上面との間の空間に対する空気の流入、排出が容易に実行される。従って、基板の位置ずれを防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１実施形態に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。
【図２】  図１における加熱処理部２の要部を示す斜視図である。
【図３】  支持ピン１４により基板Ｗの周縁部を支持した状態を示す概要図である。
【図４】  図３の部分拡大図である。
【図５】  基板Ｗを互いに均等に離隔した３本の支持ピン１４により支持した場合における、支持ピン１４の上端に対する基板Ｗの下面の高さ位置を示すグラフである。
【図６】  基板Ｗを互いに均等に離隔した３本の支持ピン１４により支持した場合における、支持ピン１４の上端に対する基板Ｗの下面の高さ位置を示すグラフである。
【図７】  この発明の第２実施形態に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。
【図８】  図７における加熱処理部２の要部を示す斜視図である。
【図９】  支持ピン３４により基板Ｗの周縁部を支持した状態を示す概要図である。
【図１０】  図９の部分拡大図である。
【図１１】  この発明の第３実施形態に係る熱処理装置の要部を示す斜視図である。
【図１２】  支持部材５４により基板Ｗの端縁を支持した状態を示す平面図である。
【図１３】  図１２の要部拡大図である。
【符号の説明】
２      加熱処理部
３      冷却処理部
１２    加熱プレート
１４    支持ピン
１６    エアシリンダ
１７    球体
２２    冷却プレート
２３    伝熱プレート
２４    水冷プレート
２５    ペルチェ素子
３４    支持ピン
３５    支持部
３６    位置規制部
４４    支持ピン
５４    支持部材
Ｗ      基板
【図１】
0003715073.tif 000002
【図２】
0003715073.tif 000003
【図３】
0003715073.tif 000004
【図４】
0003715073.tif 000005
【図５】
0003715073.tif 000006
【図６】
0003715073.tif 000007
【図７】
0003715073.tif 000008
【図８】
0003715073.tif 000009
【図９】
0003715073.tif 000010
【図１０】
0003715073.tif 000011
【図１１】
0003715073.tif 000012
【図１２】
0003715073.tif 000013
【図１３】
0003715073.tif 000014