(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハの外周部を真空吸着して、この半導体ウェーハを形状検査する工程と、
前記吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハの中央部を真空吸着して、この半導体ウェーハをウェーハ片面基準で形状検査する工程とを備えたウェーハ形状検査方法。
【請求項２】
半導体ウェーハが真空吸着されるステージ面を有する吸着ステージと、
このステージ面に真空吸着された半導体ウェーハの形状を検査する検査手段と、
この吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハの外周部を真空吸着して、この半導体ウェーハを形状検査する外周部吸着手段と、
前記吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハの中央部を真空吸着して、この半導体ウェーハをウェーハ片面基準で形状検査する中央部吸着手段とを備えたウェーハ形状検査装置。
【請求項３】
前記検査手段が、
半導体ウェーハに照射される光の光源と、半導体ウェーハから反射した光を集める集光レンズと、該集光レンズによって集められた光をとりこみ、それを画像信号に変換する撮像部と、該撮像部からの画像信号を画像解析する画像解析部とを有している請求項２に記載のウェーハ形状検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はウェーハ形状検査方法およびその装置、詳しくは半導体ウェーハの形状（ウェーハ表面の微小凹凸，ウェーハ外周部形状を含む）を三次元的に定量評価するウェーハ形状検査方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウェーハの表面の平坦度およびウェーハの反りの検査方法として、静電容量センサによる検査方式と、レーザ光源を用いた検査方式とが知られている。
これらはウェーハ裏面を基準にした検査で、吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハの裏面を真空吸着した状態で、その検査、評価が行われる。
【０００３】
ところで、今日、次世代デバイスプロセスに対応して、半導体ウェーハの表面に存在する微小凹凸の度合い、半導体ウェーハの外周部形状が問題化してきている。
微小凹凸はナノトポグラフィにより発生する。ナノトポグラフィとは、ウェーハ製造時のエッチング工程で発生した気泡によってウェーハ表裏両面に生じる周期２０ｍｍくらい、高さ数十ｎｍくらいのうねりである。ウェーハ外周部形状の異常は、半導体ウェーハの反り（ワープ）などにより発生する。
これらの微小凹凸およびウェーハ外周部形状の検査時には、まず吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハを真空吸着による変形を起こしていないフリーな姿勢で保持する。その後、この状態を維持したまま、魔鏡検査装置またはこれに類似した装置を使ってこの微小凹凸の検査を行ったり、ウェーハ外周部形状の検査を行ったりする。なお、ここでいう魔鏡検査装置とは、光を半導体ウェーハに照射し、その反射光を観察面に平面的（二次元的）な明暗分布としてとらえて検査する装置である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来技術によれば、半導体ウェーハの表面の微小凹凸およびウェーハ外周部形状の検査は、魔鏡検査装置またはそれに類似した装置によって行われていた。
したがって、この検査は観察面に投影された平面的な画像を検査用のデータとして行われる。そのため、性状的で具体性に欠ける検査結果しか得られなかった。
しかも、このように検査時のウェーハは、ステージ面に載置されただけのフリーな姿勢となっている。このため、例えば魔境検査装置のわずかな振動などによって、ステージ面上の半導体ウェーハが動きやすかった。その結果、検査精度が低下してしまうという問題点があった。
【０００５】
【発明の目的】
そこで、この発明は、高い検査精度で、半導体ウェーハの形状を三次元的に定量評価することができるウェーハ形状検査方法およびその装置を提供することを、その目的としている。
また、この発明は、１台の検査装置を使用して、ウェーハ仮止め姿勢によるウェーハ形状の検査とウェーハ片面基準の検査とを行うことができるウェーハ形状検査方法およびその装置を提供することを、その目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載した発明は、吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハの外周部を真空吸着して、この半導体ウェーハを形状検査する工程と、前記吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハの中央部を真空吸着して、この半導体ウェーハをウェーハ片面基準で形状検査する工程とを備えたウェーハ形状検査方法である。
ここでいう吸着ステージとは、負圧力によって、半導体ウェーハをステージ面に真空吸着可能なステージを意味する。この吸着ステージの形状、大きさなどは限定されない。例えば、これらの吸着ステージと半導体ウェーハとは同じ直径であってもよいし、この半導体ウェーハよりも小径または大径なステージでもよい。
半導体ウェーハの種類は限定されない。例えば、シリコンウェーハ，ガリウム砒素ウェーハなどが挙げられる。
【０００７】
吸着ステージに真空吸着される半導体ウェーハの面は、ウェーハ表面でもよいし、ウェーハ裏面でもよい。ただし、通常はウェーハの裏面である。
半導体ウェーハをフリーな姿勢でステージ面に真空吸着する（以下、仮止めという場合がある）際の負圧力は限定されない。ただし、通常は２〜２０Ｐａ、好ましくは５〜１０Ｐａである。
この仮止め時には、例えばウェーハ中心位置を中心としたウェーハ周方向へ向かう所定角度ごとのウェーハ外周部の部分をスポット的に真空吸着してもよい。
また、ウェーハ中心位置を中心とした仮想円に沿ったウェーハ外周部の部分を真空吸着してもよい。この仮止め時、ウェーハ外縁からウェーハ中心に向かって２〜１０ｍｍの範囲を吸着範囲とした方が好ましい。
【０００８】
このように、半導体ウェーハの外周部をステージ面に真空吸着することで、ステージ面に半導体ウェーハが、この吸着ステージの吸着力にほとんど束縛されないフリーの姿勢に近い状態で仮止めされる。こうすれば、吸着ステージの振動などの影響をほとんど受けずに半導体ウェーハの形状検査を行うことができる。
なお、ここでいう半導体ウェーハの形状検査とは、例えばウェーハ表面の平坦度検査、ウェーハの反りを測定するワープ検査、ウェーハ表面の微小凹凸を測定する検査、ウェーハの外周部形状の検査などを意味する。このうち、ウェーハを仮止め状態で検査するものとしては、微小凹凸検査、ウェーハ外周部形状検査が挙げられる。もちろん、これらには限定されない。
また、ウェーハ形状検査用の検査装置も限定されない。例えば、請求項３の光源、集光レンズ、撮像部、画像解析部を具備した検査装置などが挙げられる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、半導体ウェーハが真空吸着されるステージ面を有する吸着ステージと、このステージ面に真空吸着された半導体ウェーハの形状を検査する検査手段と、この吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハの外周部を真空吸着して、この半導体ウェーハを形状検査する外周部吸着手段と、前記吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハの中央部を真空吸着して、この半導体ウェーハをウェーハ片面基準で形状検査する中央部吸着手段とを備えたウェーハ形状検査装置である。
中央部吸着手段および外周部吸着手段には、例えば、各種の負圧発生装置を採用することができる。
これらの中央部吸着手段および外周部吸着手段は、それぞれ別個の負圧発生装置を具備してもよい。また、１台の負圧発生装置を兼用してもよい。兼用の場合は、一般的に切り換え弁を操作してウェーハの中央部を真空吸着したり、ウェーハの外周部を真空吸着したりすることになる。
また、検査手段としては、例えばウェーハ表面の微小凹凸検査などの検査種目に合わせて、多種の検査装置の中から選択して使用することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、前記検査手段が、半導体ウェーハに照射される光の光源と、半導体ウェーハから反射した光を集める集光レンズと、該集光レンズによって集められた光をとりこみ、それを画像信号に変換する撮像部と、該撮像部からの画像信号を画像解析する画像解析部とを有している請求項２に記載のウェーハ形状検査装置である。
光源の種類は限定されない。例えば、蛍光ランプなどが挙げられる。集光レンズには、例えば凸レンズなどを採用することができる。撮像部の種類も限定されない。例えば、ＣＣＤイメージセンサ，ＭＯＳイメージセンサなどの固体イメージセンサ付きのカメラを採用することができる。また、画像解析部には、例えばパソコンを採用することができる。この撮像部は半導体ウェーハの側方に配置した方が、簡単に三次元的なウェーハ画像が得られて好ましい。
【００１１】
【作用】
請求項１および請求項２の発明によれば、吸着ステージのステージ面に半導体ウェーハの外周部を真空吸着して、ウェーハを仮止めする。その後、ウェーハの形状検査、具体的には例えばウェーハの表面に現れた微小凹凸の検査、ウェーハ外周部形状の検査などを行う。
このように、半導体ウェーハをステージ面に仮止めして検査するので、吸着ステージから伝わってくる振動の影響をほとんど受けずに、ウェーハをフリーな姿勢に近い状態で検査することができる。これにより、高い検査精度で半導体ウェーハの形状を三次元的に定量評価することができる。
また、ウェーハ片面基準の検査時には、まずステージ面に半導体ウェーハの中央部を真空吸着する。これにより、略半導体ウェーハの片面全体が吸着ステージに密着する。その後、この状態を保って、検査手段によりウェーハ片面基準（通常は裏面基準）の形状検査、例えばウェーハ表面の平坦度検査およびワープ検査などを行う。
【００１２】
特に、請求項２の発明では、このように半導体ウェーハを真空吸着する手段として、半導体ウェーハを部分的に真空吸着する中央部吸着手段と外周部吸着手段とを採用したので、１台の形状検査装置によって、通常のウェーハ裏面基準の検査と、次世代デバイスプロセスに対応可能なウェーハ仮止め状態での検査とを行うことができる。その結果、設備コストの低減および検査時間の短縮が図れる。
【００１３】
また、請求項３の発明によれば、半導体ウェーハに反射した光を集光レンズで集光し、それを撮像部にとりこんで画像信号に変換し、その後、これを画像解析部により画像解析する。これにより、さらに高い検査精度で半導体ウェーハの形状を三次元的に定量評価することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例に係るウェーハ形状検査方法およびその装置を説明する。まず、第１の実施例を説明する。
図１は、この発明の第１の実施例に係るウェーハ形状検査装置の吸着ステージの概略縦断面図である。図２は、この発明の第１の実施例に係るウェーハ形状検査装置の全体図である。図３は、この発明の第１の実施例に係るウェーハ形状検査装置の吸着ステージの概略平面図である。図４（ａ）は、この発明の第１の実施例に係る仮止め検査により得られた三次元的な半導体ウェーハの斜視図である。図４（ｂ）は、この発明の第１の実施例に係る仮止め検査中の要部拡大断面図である。図４（ｃ）は、この発明の第１の実施例に係る裏面基準検査により得られた三次元的な半導体ウェーハの斜視図である。図４（ｄ）は、この発明の第１の実施例に係る裏面基準検査中の半導体ウェーハの要部拡大断面図である。
【００１５】
図２において、１０はこの発明の第１の実施例に係るウェーハ形状検査装置であり、このウェーハ形状検査装置１０は、主に、シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）Ｗが真空吸着されるステージ面を有する真空チャック盤（吸着ステージ）１１と、この真空チャック盤１１上に載置されたシリコンウェーハＷの中央部を、ステージ面に真空吸着する第１の真空ポンプ（中央部吸着手段）Ｐ１と、このステージ面に載置されたシリコンウェーハＷの外周部を真空吸着して、シリコンウェーハＷをステージ面上に保持する第２の真空ポンプ（外周部吸着手段）Ｐ２と、シリコンウェーハＷの形状を検査する検査手段１２とを備えている。以下、これらの構成体を詳細に説明する。
【００１６】
図１および図３に示すように、真空チャック盤１１は、主に、平面視して円形のベース板１３と、このベース板１３上に固着された同じく平面視して円形の吸着板１４とを有している。なお、両板１３，１４は、略同じ半径を有している。
ベース板１３の上面の外周部を除いた全域には、平面視して円形の凹部が形成されている。この凹部は、吸着板１４の下面との間で区画されて円形負圧ポート１５となる。この円形負圧ポート１５は、連通管１６Ａを介して、第１の真空ポンプＰ１と連通されている。連通管１６Ａの途中には、レギュレータ１７Ａが連結されている。
【００１７】
また、このベース板１３の上面の外周部には、環状の深溝が刻設されている。
この深溝は、吸着板１４の下面との間で区画されて環状負圧ポート１８となる。
環状負圧ポート１８は、連通管１６Ｂを介して、第２の真空ポンプＰ２と連通されている。連通管１６Ｂの途中には、レギュレータ１７Ｂが連結されている。
前記吸着板１４は、厚肉でポーラスなセラミック製の円板である。この吸着板１４の上面の外周部には、環状の外周枠１４ａが突設されている。この外周枠１４ａには上下両面を貫通して、環状負圧ポート１８と連通した環状の外周吸引孔１４ｂが穿設されている。
吸着板１４の上面には、吸着板１４と中心を同じくした半径が異なる３つの仮想同心円に沿って、シリコンウェーハＷを下方から支持する細い３本の環状支持枠１４ｃが突設されている。また、各環状支持枠１４ｃと外周枠１４ａとは、平面視して十字形状を有する十字支持枠１４ｄによって一体的に連結されている。
さらに、この吸着板１４の、各環状支持枠１４ｃの間および最外周の環状支持枠１４ｃと外周枠１４ａとの間には、吸着板１４の上下両面を貫通して、多数個の中央吸引孔１４ｅが穿設されている。なお、これらの外周枠１４ａと、環状支持枠１４ｃと、十字支持枠１４ｄとは、それぞれ同じ高さに揃えられている。これらの枠１４ａ，１４ｃ，１４ｄの上端を含む水平面が、真空チャック盤１１のステージ面となっている。
【００１８】
次に、図２を参照して、前記検査手段１２を詳細に説明する。
図２に示すように、この検査手段１２は、シリコンウェーハＷに照射される光の光源１９と、シリコンウェーハＷから反射した光を集める凸形状の集光レンズ２０と、この集光レンズ２０によって集められた光をとりこみ、それを画像信号に変換するＣＣＤカメラ（撮像部）２１と、このＣＣＤカメラ２１からの画像信号を画像解析するパソコン２２に内蔵された画像解析部（図示せず）とを有している。なお、光源１９は、真空チャック盤１１に真空吸着されたシリコンウェーハＷの略真上に配置されている。また、ＣＣＤカメラ２１は、シリコンウェーハＷの側部上方に配置されている。シリコンウェーハＷを斜め上方から撮影することで、立体的な画像が得やすい。
【００１９】
次に、図４を参照して、このウェーハ形状検査装置１０を用いたシリコンウェーハＷの形状検査方法を説明する。まず、ウェーハ表面の微小凹凸およびウェーハ外周部形状の検査方法を説明する。
図４（ｂ）に示すように、真空チャック盤１１のステージ面にシリコンウェーハＷの外周部を真空吸着して、これを仮止めする。具体的には、第２の真空ポンプＰ２を作動させて環状負圧ポート１８が負圧化し、これにより、環状の外周吸引孔１４ｂを通して、シリコンウェーハＷの外周部だけがステージ面に真空吸着される。仮止めにより、シリコンウェーハＷはフリーな姿勢に近い状態で吸着板１４のステージ面に保持される。
【００２０】
次に、この状態を保持して、光源１９からの光をシリコンウェーハＷの表面に照射する。その反射光は集光レンズ２０によって集光され、シリコンウェーハＷの斜め上方に配置されたＣＣＤカメラ２１にとりこまれる。その後、光はＣＣＤカメラ２１の内部で画像信号に変換され、画像信号はパソコン２２に内蔵された画像解析部により画像解析される。その結果、図４（ａ）に示すような、ウェーハ外周部がウェーハ表面側に反ったこのウェーハＷの等高線画像が得られる。その後、この画像に基づいて、シリコンウェーハＷの表面の微小凹凸の検査およびウェーハ外周部形状の検査を行う。
【００２１】
次に、シリコンウェーハＷの裏面を基準とした形状検査を説明する。
この検査は、ステージ面にシリコンウェーハＷの中央部を真空吸着して行われる。具体的には、まず第２の真空ポンプＰ２の作動を停止し、第１の真空ポンプＰ１を作動させる。このポンプＰ１の作動によって円形負圧ポート１５が負圧化し、多数個の中央吸引孔１４ｅを介して、３本の環状支持枠１４ｃ間の各隙間、および、最外周の環状支持枠１４ｃと外周枠１４ａとの隙間がそれぞれ負圧化する。その負圧力によって、略シリコンウェーハＷの裏面全体が真空チャック盤１１に密着する（図４（ｄ））。それから、この状態を保って、検査手段１２により、ウェーハ表面が平坦なウェーハ裏面基準のシリコンウェーハＷの等高線画像を得る（図４（ｃ））。その後、この画像に基づいて、ウェーハ裏面基準の形状検査、例えばウェーハ表面の平坦度の検査やワープの検査などを行う。
【００２２】
このように、シリコンウェーハＷをステージ面に仮止めして検査するので、真空チャック盤１１から伝わるさまざまな振動などによるシリコンウェーハＷのステージ面上での動きを規制し、シリコンウェーハＷをフリーな姿勢に近い状態で形状検査することができる。このため、従来の魔鏡法などを採用した平面的な検査に比べて、高い検査精度で、これらのウェーハ表面の微小凹凸、ウェーハ外周部形状を三次元的に定量評価することができる。
また、ウェーハ形状検査装置１０には、ウェーハ中央部を真空吸着する第１の真空ポンプＰ１と、ウェーハ外周部を真空吸着する第２の真空ポンプＰ２とが搭載されているので、１台のウェーハ形状検査装置１０によって、通常のウェーハ裏面基準の検査と、次世代デバイスプロセスに対応可能なウェーハ仮止め状態での検査とを行うことができる。これにより、設備コストの低減および検査時間の短縮が図れる。
さらに、このようにシリコンウェーハＷに反射した光を集光レンズ２０で集光し、これをＣＣＤカメラ２１にとりこんで画像信号に変換した後、パソコン２２の画像解析部によって画像解析するようにしたので、さらに高い検査精度でシリコンウェーハＷの形状を三次元的に定量評価することができる。
【００２３】
次に、図５および図６に基づいて、この発明の第２の実施例に係るウェーハ形状検査方法およびその装置を説明する。
図５は、この発明の第２の実施例に係るウェーハ形状検査装置の吸着ステージの概略平面図である。図６（ａ）は、この発明の第２の実施例に係る仮止め検査中の要部拡大断面図である。図６（ｂ）は、この発明の第２の実施例に係る裏面基準検査中の半導体ウェーハの要部拡大断面図である。
図５および図６に示すように、この第２の実施例に係るウェーハ形状検査装置３０は、第１の実施例の真空チャック盤１１とは異なるウェーハ吸着構造を有する真空チャック盤１１Ａを採用した例である。
【００２４】
すなわち、図５に示すように、この第２の実施例のウェーハ形状検査装置３０の特長は、吸着板１４Ａとして、第１の実施例の環状支持枠１４ｃおよび十字支持枠１４ｄの代わりに、シリコンウェーハＷを裏面側から支持する多数本のウェーハ支持ピン１４ｆを、吸着板１４Ａの上面に散在させた点である。ウェーハ裏面基準による検査時、シリコンウェーハＷは、これらのウェーハ支持ピン１４ｆによって下方から支持される。
その他の構成、作用、効果は、第１の実施例から推測できる範囲であるので、説明を省略する。
【００２５】
次に、図７および図８に基づいて、この発明の第３の実施例に係るウェーハ形状検査方法およびその装置を説明する。
図７は、この発明の第３の実施例に係るウェーハ形状検査装置の吸着ステージの概略縦断面図である。図８は、この発明の第３の実施例に係るウェーハ形状検査装置の吸着ステージの概略平面図である。
図７および図８に示すように、この第３の実施例に係るウェーハ形状検査装置４０は、第１の実施例および第２の実施例の真空チャック盤１１とは異なるウェーハ吸着構造を有する真空チャック盤１１Ｂを採用した例である。以下、この真空チャック盤１１Ｂの構造の特長を説明する。
ベース板１３Ａの上面の外周部には、１２０度ごとに３つの深溝が刻設され、これらの深溝は、吸着板１４Ｂの下面との間で区画されて３つの穴状負圧ポート１８Ａとなる。各穴状負圧ポート１８Ａは、平面視してＶ字配置されたＶ字連通路１８Ｂによって連通されている。そして、各穴状負圧ポート１８Ａは、連通管１６Ｂを介して、第２の真空ポンプＰ２と連通されている。
【００２６】
吸着板１４Ｂの上面の外縁には、外縁枠１４ｇが周設されている。吸着板１４Ｂの上面の略全域には、シリコンウェーハＷを裏面側から支持する多数本のウェーハ支持ピン１４ｈが、吸着板１４Ｂの上面に散在されている。なお、これらのウェーハ支持ピン１４ｈは、第２の実施例のウェーハ支持ピン１４ｆに比べて、先端部が丸みをおびている。また、吸着板１４Ｂの上面の外周部には、前記各穴状負圧ポート１８Ａの真上に、３本の円筒形状の吸着突起１４ｉが突設されている。各吸着突起１４ｉには、上下両面を貫通して、穴状負圧ポート１８Ａと連通した吸引孔１４ｊが穿設されている。ウェーハ仮止め時、第２の真空ポンプＰ２を作動させることで、穴状負圧ポート１８Ａ、吸引孔１４ｊを介して、シリコンウェーハＷが三角配置された３本の吸着突起１４ｉの上面に吸着支持される。
このように、ウェーハ外周部を裏面側から３点支持することで、シリコンウェーハＷをよりフリーに近い状態で保持することができる。その結果、ウェーハ形状検査の精度をさらに高めることができる。
その他の構成、作用、効果は、第１の実施例から推測できる範囲であるので、説明を省略する。
【００２７】
ここで、図９に基づいて、この発明のウェーハ形状検査方法と従来のウェーハ形状検査方法により得られた検査方法別のウェーハ検査画像を比較する。
図９は、この発明法および従来法によって得られたウェーハ検査画像の検査方法別の対比表である。
従来法としては、山下電装社製のウェーハ検査装置（ＹＩＳ−２００ＳＰ）による魔鏡検査と、エステック社製のウェーハ検査装置（商品名ＡＤＥ  ＷＩＳ−ＣＲ８３  ＳＱＭ）によるナノトポグラフィ検査と、エステック社製のウェーハ検査装置（商品名ＡＤＥ  ９９００）によるワープ検査とを採用している。
このうち、フリーに近い姿勢でのウェーハ形状検査は、魔鏡検査、ナノトポグラフィ検査およびこの発明の検査について行った。また、ウェーハ裏面基準の形状検査は、魔鏡検査、ワープ検査およびこの発明の検査について行った。なお、この発明による検査は、ＡＤＥ  ＷＩＳ−ＣＲ８３  ＳＱＭによるウェーハ表面の平坦度検査と同等レベルの検査とする。
図９の表から明らかなように、従来の各検査方法では平面的な定性検査であったのに対して、この発明の検査は、ウェーハを高い検査精度で三次元的に定量評価することができた。
【００２８】
【発明の効果】
請求項１および請求項２の発明によれば、このように半導体ウェーハを吸着ステージのステージ面に仮止めするので、半導体ウェーハをフリーな姿勢に近い状態で形状検査することができる。その結果、高い検査精度で、半導体ウェーハの形状を三次元的に定量評価することができる。
しかも、従来どおりに半導体ウェーハの片面（裏面）を基準とした各種の形状検査も行うことができる。
このうち、請求項２の発明によれば、１台の形状検査装置を使用して、通常のウェーハ片面基準の検査と、次世代デバイスプロセスに対応可能なウェーハ仮止め状態での検査とを行うことができる。その結果、設備コストの低減および検査時間の短縮が図れる。
【００２９】
特に、請求項３の発明によれば、検査手段として、半導体ウェーハに反射した光を集光レンズで集光し、それを撮像部にとりこんで画像信号に変換した後、これを画像解析部により画像解析するという装置を採用したので、より高い検査精度で半導体ウェーハの形状を三次元的に定量評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１の実施例に係るウェーハ形状検査装置の吸着ステージの概略縦断面図である。
【図２】  この発明の第１の実施例に係るウェーハ形状検査装置の全体図である。
【図３】  この発明の第１の実施例に係るウェーハ形状検査装置の吸着ステージの概略平面図である。
【図４】  （ａ）は、この発明の第１の実施例に係る仮止め検査により得られた三次元的な半導体ウェーハの斜視図である。
（ｂ）は、この発明の第１の実施例に係る仮止め検査中の要部拡大断面図である。
（ｃ）は、この発明の第１の実施例に係る裏面基準検査により得られた三次元的な半導体ウェーハの斜視図である。
（ｄ）は、この発明の第１の実施例に係る裏面基準検査中の半導体ウェーハの要部拡大断面図である。
【図５】  この発明の第２の実施例に係るウェーハ形状検査装置の吸着ステージの概略平面図である。
【図６】  （ａ）は、この発明の第２の実施例に係る仮止め検査中の半導体ウェーハの要部拡大断面図である。
（ｂ）は、この発明の第２の実施例に係る裏面基準検査中の半導体ウェーハの要部拡大断面図である。
【図７】  この発明の第３の実施例に係るウェーハ形状検査装置の吸着ステージの概略縦断面図である。
【図８】  この発明の第３の実施例に係るウェーハ形状検査装置の吸着ステージの概略平面図である。
【図９】  この発明法および従来法によって得られたウェーハ検査画像の検査方法別の対比表である。
【符号の説明】
１０，３０，４０  ウェーハ形状検査装置、
１１，１１Ａ，１１Ｂ  真空チャック盤（吸着ステージ）、
１２  検査手段、
１３，１３Ａ  ベース板、
１４，１４Ａ，１４Ｂ  吸着板、
１９  光源、
２０  集光レンズ、
２１  ＣＣＤカメラ（撮像部）、
２２  パソコン（画像解析部）、
Ｐ１  第１の真空ポンプ（中央部吸着手段）、
Ｐ２  第２の真空ポンプ（外周部吸着手段）、
Ｗ  シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。
【図１】
0003713571.tif 000002
【図２】
0003713571.tif 000003
【図３】
0003713571.tif 000004
【図４】
0003713571.tif 000005
【図５】
0003713571.tif 000006
【図６】
0003713571.tif 000007
【図７】
0003713571.tif 000008
【図８】
0003713571.tif 000009
【図９】
0003713571.tif 000010