(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムを供給する第１のフィルム巻回用ロールと、前記第１のフィルム巻回用ロールから供給された前記ベースフィルムを巻回して搬送し、且つ、回転自在な第１の冷却キャンロールと、前記第１の冷却キャンロールから搬出された前記ベースフィルムを搬送する複数のガイドローラと、前記複数のガイドローラにより搬送された前記ベースフィルムを巻回して搬送し、且つ、回転自在な第２の冷却キャンロールと、前記第２の冷却キャンロールから搬出された前記ベースフィルムを巻き取る第２のフィルム巻回用ロールと、前記第１，第２の冷却キャンロールの中間位置にあって、垂直下方に設けられ、前記第１，第２の冷却キャンロールに巻回された前記ベースフィルムに対して磁性金属材を供給するための蒸発源とを真空槽内に備えた薄膜磁気テープ製造装置において、
前記第１の冷却キャンロールに巻回した前記ベースフィルムに対して前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気が入射する最小入射角を規制するように前記第１の冷却キャンロールの近傍に配置された第１の遮蔽マスクと、
前記第１の遮蔽マスクに対して該第１の遮蔽マスクの上方に第１の間隔だけ離れており、且つ、前記第１の冷却キャンロールに巻回した前記ベースフィルムに対して前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気が入射する最大入射角を規制すると共に、前記第２の冷却キャンロールに巻回した前記ベースフィルムに対して前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気が入射する最大入射角を規制するように前記第１の冷却キャンロールと前記第２の冷却キャンロールとの中間位置で前記第１，第２の冷却キャンロールに沿いながら前記蒸発源に向かって延出された第２の遮蔽マスクと、
前記第２の遮蔽マスクに対して該第２の遮蔽マスクの下方に第２の間隔だけ離れており、且つ、前記第２の冷却キャンロールに巻回した前記ベースフィルムに対して前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気が入射する最小入射角を規制するように前記第２の冷却キャンロールの近傍に配置された第３の遮蔽マスクと、
前記第１の冷却キャンロールと前記第１の遮蔽マスクとの間に設けられ、前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気の蒸発方向に向かって、前記第２の遮蔽マスク方向に第１ガス量の酸素ガスを射出する第１の酸素ガス導入手段と、
前記第２の冷却キャンロールと前記第３の遮蔽マスクとの間に設けられ、前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気の蒸発方向に向って、前記第２の遮蔽マスク方向に前記第１ガス量よりも少ない第２ガス量の酸素ガスを射出する第２の酸素ガス導入手段と、
を備えたことを特徴とする薄膜磁気テープ製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ベースフィルム上に非磁性下地膜と強磁性金属薄膜とを成膜するための薄膜磁気テープ製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ディジタル・ビデオ・テープレコーダなどに適用される磁気テープは、高密度化を達成するために、とくに、斜方蒸着法を適用して強磁性金属膜を成膜した蒸着テープが注目されている。更には、（Ｇ）ＭＲ（磁気抵抗型）ヘッドの出現により、この（Ｇ）ＭＲヘッドをディジタル・ビデオ・テープレコーダなどに搭載する動きもあり、ＳＮ比を向上するために更に強磁性金属膜の厚さを薄膜化する必要が急務とされている。しかし、強磁性金属膜の厚さを従来の延長上で薄膜化して薄膜磁気テープを製造した際に、強磁性金属薄膜のみでは静磁気特性が劣化してしまい、問題となる。この問題点を解決するために、強磁性金属薄膜（磁性膜）の下にＣｏＯなどの非磁性下地膜を設けることが提案されている。
【０００３】
そこで、この種の媒体の製造方法の一例として特開昭６１−１９８４２９号公報に開示された磁気記録媒体の製造方法では、真空雰囲気下で連続して移動するテープ状非磁性基体上に、非磁性下地膜及び強磁性金属薄膜を形成するに当たり、非磁性金属あるいは金属酸化物の蒸気流を基体に対し斜めに入射させ、入射角を漸次増大させながら非磁性下地膜を形成した後、強磁性金属の蒸気流を非磁性下地膜を形成した基体に対し斜めに入射させ、入射角を漸次減少させながら強磁性金属薄膜を形成することにより、磁気特性及び耐久性の向上を図っている。
【０００４】
図５は従来の磁気記録媒体の製造方法に使用される装置の構成を示した構成図である。
【０００５】
図５に示した従来の磁気記録媒体の製造方法に使用される装置１００は、上記した特開昭６１−１９８４２９号公報に開示されたものであり、ここでは同号公報を参照して簡略に説明する。
【０００６】
上記した装置１００は、テープ状非磁性基体１０２上に非磁性下地膜を成膜するための第１の真空槽１０１が設けられ、且つ、第１の真空槽１０１に連接してテープ状非磁性基体１０２上に成膜した非磁性下地膜の上に更に強磁性金属薄膜を成膜するための第２の真空槽１１１が設けられている。
【０００７】
まず、第１の真空槽１０１内には、テープ状非磁性基体１０２上に非磁性下地膜を成膜するための構成部材が複数設けられている。
【０００８】
即ち、第１の真空槽１０１内にはテープ状非磁性基体１０２が供給ロール１０３に巻回されており、この供給ロール１０３から送り出されたテープ状非磁性基体１０２は複数のガイドローラ１０４を通ってこの真空槽１０１内に回転自在に設けた円筒状の第１の冷却キャンロール１０５に送られている。
【０００９】
また、第１の冷却キャンロール１０５の図示左下方には非磁性金属あるいは金属酸化物をチヤージした第１の蒸発源１０６が設置されており、この蒸発源１０６から第１の蒸気流１０６ａが第１の冷却キャンロール１０５に沿って走行しているテープ状非磁性基体１０２に対し斜めに入射される。
【００１０】
また、第１の冷却キャンロール１０５の近傍には、テープ状非磁性基体１０２の走行路に沿って上流から下流に向かって非磁性下地膜への膜付け時の最小入射角θｍｉｎを規制するための第１の最小入射角規制マスク１０７と最大入射角θｍａｘを規制するための第１の最大入射角規制マスク１０８とが第１の蒸発源１０６を挟んで設けられている。また、第１の冷却キャンロール１０５と第１の最小入射角規制マスク１０７との間に第１のガス導入機構１０９が設けられている。そして、テープ状非磁性基体１０２への第１の蒸気流１０６ａの入射角を漸次増大させながらテープ状非磁性基体１０２上に非磁性下地膜が形成される。
【００１１】
この後、非磁性下地膜が形成されたテープ状非磁性基体１０２は、複数のガイドローラ１０４を通って第２の真空槽１１１内に送られており、この第２の真空槽１１１内にはテープ状非磁性基体１０２上に成膜した非磁性下地膜の上に更に強磁性金属薄膜を成膜するための構成部材が複数設けられている。
【００１２】
即ち、第２の真空槽１１１内では、第１の真空槽１０１内で非磁性下地膜を成膜したテープ状非磁性基体１０２がこの真空槽１１１内に回転自在に設けた円筒状の第２の冷却キャンロール１１２に送られている。
【００１３】
また、第２の冷却キャンロール１１２の図示右下方には、強磁性金属をチヤージした第２の蒸発源１１３が設置されており、この蒸発源１１３から第２の蒸気流１１３ａが第２の冷却キャンロール１１２に沿って走行しているテープ状非磁性基体１０２上の非磁性下地膜に対し斜めに入射される。
【００１４】
また、第２の冷却キャンロール１１２の近傍には、テープ状非磁性基体１０２の走行路に沿って上流から下流に向かって強磁性金属薄膜への膜付け時の最大入射角θｍａｘを規制するための第２の最大入射角規制マスク１１４と最小入射角θｍｉｎを規制するための第１の最小入射角規制マスク１１５とが第２の蒸発源１１３を挟んで設けられており、且つ、第２の冷却キャンロール１１２と第２の最小入射角規制マスク１１５との間に第２のガス導入機構１１６が設けられている。そして、テープ状非磁性基体１０２への第２の蒸気流１１３ａの入射角を漸次減少させながらテープ状非磁性基体１０２の上に成膜した非磁性下地膜の上に更に強磁性金属薄膜が形成される。
【００１５】
この後、非磁性下地膜と強磁性金属薄膜とを成膜したテープ状非磁性基体１０２は、複数のガイドローラ１０４を通って第２の真空槽１１１内に設けた巻取ロール１１７に巻き取られている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記した装置１００を用いて、テープ状非磁性基体１０２を一方向に１回走行させて、テープ状非磁性基体１０２上に非磁性下地膜と強磁性金属薄膜とを成膜する際に、非磁性下地膜は第１の蒸発源１０６からの第１の蒸気流１０６ａに対して入射角を漸次増大させながら成膜する一方、強磁性金属薄膜は第２の蒸発源１１３からの第２の蒸気流１１３ａに対して入射角を漸次減少させながら成膜することで、磁気特性及び耐久性の向上を図れると開示されているものの、上記した同公号報中の実施例ではテープ状非磁性基体１０２上に非磁性下地膜としてすずを５０ｎｍの厚さに蒸着し、この後、強磁性金属薄膜としてコバルト−ニッケル（Ｎｉ：２０ｗｔ％）磁性薄膜を１６０ｎｍの厚さに蒸着している。このように、非磁性下地膜の成膜材料と、強磁性金属薄膜の成膜材料とが異なる場合には、２つの蒸発源１０６，１１３を必要とするものの、後述するように、ＣｏＯ非磁性下地膜及びＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜などを成膜する場合には蒸発源としてＣｏ磁性金属材を共用できるために、２つの蒸発源を持つことは成膜材料の有効利用が図れない。
【００１７】
更に、ＣｏＯ非磁性下地膜及びＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜などを成膜する場合に、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜をより一層孤立化させてＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の粒子間の磁気的相互作用をより効果的に少なくさせるようにＣｏＯ非磁性下地膜を良好に成膜する方法が見いだされていないのが現状である。
【００１８】
更に、装置１００内には略同径の２つの冷却キャンロール１０５，１１２を取り付けているために、装置１００が大型化するなどの問題も発生している。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、請求項１記載の発明は、ベースフィルムを供給する第１のフィルム巻回用ロールと、前記第１のフィルム巻回用ロールから供給された前記ベースフィルムを巻回して搬送し、且つ、回転自在な第１の冷却キャンロールと、前記第１の冷却キャンロールから搬出された前記ベースフィルムを搬送する複数のガイドローラと、前記複数のガイドローラにより搬送された前記ベースフィルムを巻回して搬送し、且つ、回転自在な第２の冷却キャンロールと、前記第２の冷却キャンロールから搬出された前記ベースフィルムを巻き取る第２のフィルム巻回用ロールと、前記第１，第２の冷却キャンロールの中間位置にあって、垂直下方に設けられ、前記第１，第２の冷却キャンロールに巻回された前記ベースフィルムに対して磁性金属材を供給するための蒸発源とを真空槽内に備えた薄膜磁気テープ製造装置において、
前記第１の冷却キャンロールに巻回した前記ベースフィルムに対して前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気が入射する最小入射角を規制するように前記第１の冷却キャンロールの近傍に配置された第１の遮蔽マスクと、
前記第１の遮蔽マスクに対して該第１の遮蔽マスクの上方に第１の間隔だけ離れており、且つ、前記第１の冷却キャンロールに巻回した前記ベースフィルムに対して前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気が入射する最大入射角を規制すると共に、前記第２の冷却キャンロールに巻回した前記ベースフィルムに対して前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気が入射する最大入射角を規制するように前記第１の冷却キャンロールと前記第２の冷却キャンロールとの中間位置で前記第１，第２の冷却キャンロールに沿いながら前記蒸発源に向かって延出された第２の遮蔽マスクと、
前記第２の遮蔽マスクに対して該第２の遮蔽マスクの下方に第２の間隔だけ離れており、且つ、前記第２の冷却キャンロールに巻回した前記ベースフィルムに対して前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気が入射する最小入射角を規制するように前記第２の冷却キャンロールの近傍に配置された第３の遮蔽マスクと、
前記第１の冷却キャンロールと前記第１の遮蔽マスクとの間に設けられ、前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気の蒸発方向に向かって、前記第２の遮蔽マスク方向に第１ガス量の酸素ガスを射出する第１の酸素ガス導入手段と、
前記第２の冷却キャンロールと前記第３の遮蔽マスクとの間に設けられ、前記蒸発源から供給される前記磁性金属材の磁性金属材蒸気の蒸発方向に向って、前記第２の遮蔽マスク方向に前記第１ガス量よりも少ない第２ガス量の酸素ガスを射出する第２の酸素ガス導入手段と、
を備えたことを特徴とする薄膜磁気テープ製造装置である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る薄膜磁気テープ製造装置の一実施例を図１乃至図４を参照して＜第１実施例＞，＜第２実施例＞の順に詳細に説明する。
【００２２】
＜第１実施例＞
図１は本発明に係る第１実施例の薄膜磁気テープ製造装置の構成を示した構成図、
図２は本発明に係る第１実施例の薄膜磁気テープ製造装置を用いて製造した薄膜磁気テープにおいて、非磁性下地膜及び磁性薄膜の成長粒子の成長過程を模式的に示した模式図、
図３は本発明に係る第１実施例の薄膜磁気テープ製造装置を一部変形させた変形例を説明するための構成図である。
【００２３】
図１に示した如く、本発明に係る第１実施例の薄膜磁気テープ製造装置１０Ａは、斜方蒸着法を適用するように構成されており、真空槽１１Ａ内が図示しない真空ポンプにより真空状態に保たれている。
【００２４】
また、真空槽１１Ａ内の左右には、薄膜磁気テープの媒体素材となるベースフィルム１２を巻回するための供給ロール１３と、巻取ロール１４とが間隔を離して回転自在に設けられている。この際、ベースフィルム１２は、一般的に厚さが略６．４μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを用いている。
【００２５】
また、供給ロール１３と巻取ロール１４の間には、複数のガイドローラ１５がベースフィルム１２の所定の走行路に沿って適宜な位置に配置されている。
【００２６】
また、供給ロール１３と巻取ロール１４の間には、ベースフィルム１２の走行路中の上流側にこのベースフィルム１２を小径な外周面に沿わせて一方向に走行させながらベースフィルム１２上に非磁性下地膜を成膜するための第１の冷却キャンロール（以下、小径な冷却キャンロールと記す）１６が矢印方向に回転自在に設けられ、且つ、ベースフィルム１２の走行路中の下流側に非磁性下地膜を成膜したベースフィルム１２を大径な外周面に沿わせて一方向に走行させながら非磁性下地膜の上に更に強磁性金属薄膜を成膜するための第２の冷却キャンロール（以下、大径な冷却キャンロールと記す）１７が矢印方向に回転自在に設けられており、両冷却キャンロール１６，１７間は僅かな間隔を離して互いに接近し、真空槽１１Ａ内の略中央部位を中心に左右に並設されている。また、両冷却キャンロール１６，１７の内部には、冷却器（図示せず）が設置され、蒸着時にベースフィルム１２の温度上昇による変形などを抑制している。
【００２７】
そして、供給ロール１３に巻回したベースフィルム１２は複数のガイドローラ１５を通って小径な冷却キャンロール１６に送られ、この小径な冷却キャンロール１６でベースフィルム１２上に非磁性下地膜が成膜され、この後、ベースフィルム１２は複数のガイドローラ１５を通って大径な冷却キャンロール１７に送らて、この大径な冷却キャンロール１７で非磁性下地膜上に強磁性金属薄膜が成膜された後に、複数のガイドローラ１５を通って巻取ロール１４に巻き取られるようになっている。従って、ベースフィルム１２が一方向に１回走行することで、従来例と同様に非磁性下地膜と強磁性金属薄膜が成膜されている。
【００２８】
この際、ベースフィルム１２は一定な速度で供給ロール１３側から巻取ロール１４側に向かって走行しているため、両冷却キャンロール１６，１７の回転数はベースフィルム１２の走行速度に対してそれぞれの冷却キャンロール１６，１７の径に応じて設定されている。
【００２９】
また、小径な冷却キャンロール１６と、大径な冷却キャンロール１７との間の下方には一つの蒸発源が設けられており、この第１実施例では、ルツボ材料としてＭｇＯ（マグネシア）を用いて箱状に形成したルツボ１８が一つ設置され、且つ、ルツボ１８内にＣｏ（純Ｃｏ）磁性金属材１９が収容されている。この際、ルツボ１８内に収容したＣｏ磁性金属材１９は、非磁性下地膜及び強磁性金属薄膜に対して共用できる成膜材料であり、両膜に対して共用できる成膜材料であればいかなるものでも良く、一つの蒸発源のみを設けることで成膜材料の有効利用が図れる。
【００３０】
また、真空槽１１Ａの左側壁１１ａには、ルツボ１８内に収容したＣｏ磁性金属材１９を溶融蒸発してＣｏ蒸気１９ａにするためのピアス型電子銃２０が斜め下方のルツボ１８に向かって取り付けられている。尚、以下の説明において、符番１９ａは、前後の説明の状況に応じて、「Ｃｏ蒸気（磁性金属材蒸気）」と記す場合と、「Ｃｏ蒸気流（磁性金属材蒸気流）」と記す場合とに使い別けて説明する。
【００３１】
上記したピアス型電子銃２０は、ルツボ１８内のＣｏ磁性金属材１９に向かって電子ビーム２０ａが出射されており、この電子ビーム２０ａでＣｏ磁性金属材１９を溶融して蒸発させたＣｏ蒸気１９ａを小径な冷却キャンロール１６及び大径な冷却キャンロール１７に沿って走行しているベースフィルム１２側に蒸着させている。
【００３２】
この際、ピアス型電子銃２０から出射される電子ビーム２０ａは、軌道に偏向磁界を印加するためにピアス型電子銃２０に取り付けた偏向マグネット２１と、ルツボ１８に近設した偏向マグネット２２とにより制御されている。従って、ルツボ１８の長手方向に電子ビーム２０ａを走査することにより、Ｃｏ蒸気流１９ａがベースフィルム１２の幅方向に沿って発生する。
【００３３】
また、小径な冷却キャンロール１６の下方には、非磁性下地膜への膜付け時の最小入射角θｍｉｎを規制するための第１の最小入射角規制マスク２３が設けられ、且つ、冷却キャンロール１６と第１の最小入射角規制マスク２３との間に第１の酸素ガス導入パイプ２４が取り付けられている。そして、第１の酸素ガス導入パイプ２４に形成された複数の孔（図示せず）から所定量の酸素ガスＯ２が射出されて、ルツボ１８内から蒸発したＣｏ蒸気流１９ａに所定量の酸素ガスＯ２が吹き付けられている。
【００３４】
この際、ルツボ１８内から蒸発したＣｏ蒸気１９ａをベースフィルム１２上にＣｏＯ非磁性下地膜として成膜するためには、第１の酸素ガス導入パイプ２４への酸素ガスＯ２の導入量を後述するように所定量以上に設定することで、Ｃｏ蒸気１９ａが酸素ガスＯ２によって酸化されて、ベースフィルム１２上にＣｏＯ非磁性下地膜として成膜される。ここでは、予備実験により酸素ガスＯ２の導入量を変化させて、振動型磁力計（ＶＳＭ）によりＣｏＯ非磁性下地膜が磁化しない酸素ガスＯ２の所定量を予め設定している。
【００３５】
また、小径な冷却キャンロール１６と大径な冷却キャンロール１７との間に形成された隙間の上方部位には、非磁性下地膜及び強磁性金属薄膜への膜付け時の最大入射角θｍａｘをそれぞれ規制するための最大入射角規制マスク２５が設けられている。
【００３６】
また、大径な冷却キャンロール１７の下方には、強磁性金属薄膜への膜付け時の最小入射角θｍｉｎを規制するための第２の最小入射角規制マスク２６が設けられている。従って、第１，第２の最小入射角規制マスク２３，２６は、一つのルツボ１８を挟んで各冷却キャンロール１６，１７近傍に略ハ字状に設けられている。また、大径な冷却キャンロール１７と第２の最小入射角規制マスク２６との間に第２の酸素ガス導入パイプ２７が取り付けられている。そして、第２の酸素ガス導入パイプ２７に形成された複数の孔（図示せず）から第１の酸素ガス導入パイプ２４による所定量の酸素ガスＯ２よりもガス量を大巾に削減した酸素ガスＯ２が射出されて、ルツボ１８内から蒸発したＣｏ蒸気流１９ａにガス量を削減した酸素ガスＯ２が吹き付けられている。
【００３７】
尚、酸素導入パイプ２４からの酸素ガスＯ２と、酸素導入パイプ２７からの酸素ガスＯ２は、最大入射角規制マスク２５の下部を下方のルツボ１８側に向かって延出させることで、各酸素導入パイプ２４，２７からの酸素ガスＯ２が小径な冷却キャンロール１６側と大径な冷却キャンロール１７側とでセパレートされている。
【００３８】
上記により、ベースフィルム１２の走行路の上流側では、小径な冷却キャンロール１６近傍にベースフィルム１２の走行路の下流に向かって順に第１の最小入射角規制マスク２３と最大入射角規制マスク２５が設けられ、更に、ベースフィルム１２の走行路の下流側では、大径な冷却キャンロール１７近傍にベースフィルム１２の走行路の下流に向かって順に最大入射角規制マスク２５と第２の最小入射角規制マスク２６とが設けられており、この際、最大入射角規制マスク２５は共用されている。
【００３９】
ここで、第１実施例を具体的に説明すると、小径な冷却キャンロール１６は直径１５０ｍｍで幅２６０ｍｍ、大径な冷却キャンロール１７は直径３００ｍｍで幅２６０ｍｍ、ベースフィルム１２の厚さは６．４μｍのＰＥＴで幅２００ｍｍで成膜エリアは幅１５０ｍｍである。また、ルツボ１８内のＣｏ磁性金属材１９の溶融蒸発は最大出力３０ｋＷを有するピアス型電子銃２０を用いた。各マスク（遮蔽板）２３，２５，２６は４〜７ｍｍ厚のステンレス製で水冷しながら成膜エリア外周を囲んでいる。また、ルツボ１８の片端部分からは連続的にＣｏ磁性金属材１９が一定量供給されるように供給機（図示せず）を設置した。また、酸素ガス導入パイプ２４，２７は、ガス導入口が１カ所のループ状のもので、φ１／４”のステンレス管にφ０．５ｍｍのガス吹き出し微細孔を３ｍｍピッチで開けたものを使用し、吹き出し微細孔部分が蒸気流入射部に向かってベースフィルム１２の幅方向に平行になるように配設した。また、第１，第２の最小入射角規制マスク２３，２６による最小入射角θｍｉｎは約４５度とした。
【００４０】
そして、供給ロール１３に巻回したベースフィルム１２を複数のガイドローラ１５を経由して小径な冷却キャンロール１６に沿って第１の最小入射角規制マスク２３側から最大入射角規制マスク２５側に向かって走行させる途中で、酸素ガス導入パイプ２４から高純度酸素ガスＯ２を１００〜２００ｃｃｍ導入し、この高純度酸素ガスＯ２でルツボ１８内から蒸発したＣｏ蒸気１９ａを完全に酸化させると共に、両マスク２３，２５間を通過させる時に、ベースフィルム１２へのＣｏ蒸気流１９ａの入射角を漸次増大させながら、ベースフィルム１２上にＣｏＯ非磁性下地膜を略０．０７μｍの厚みで成膜した。この際、高純度酸素ガスＯ２の導入量を１００〜２００ｃｃｍに設定した時に、ＣｏＯ非磁性下地膜は磁化が生じないことを予備実験で振動型磁力計（ＶＳＭ）により確認している。
【００４１】
尚、Ｃｏ蒸気流１９ａをベースフィルム１２上に成膜する際に、非磁性になるか否かは、Ｃｏ蒸気流１９ａの段階でなく、ベースフィルム１２上に成膜した段階で決定されるものである。
【００４２】
またこの時、図２に示したように、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）は、第１の最小入射角規制マスク２３による最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態から最大入射角規制マスク２５による最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態に移行しながらベースフィルム１２上に成膜されるので、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）の表層部位は粗な付着状態であるので孤立化が増す。
【００４３】
この後、ＣｏＯ非磁性下地膜を成膜したベースフィルム１２を大径な冷却キャンロール１７に沿って最大入射角規制マスク２５側から第２の最小入射角規制マスク２６側に向かって走行させる途中で、酸素ガス導入パイプ２７からの高純度酸素ガスＯ２のガス量を非磁性下地膜成膜時より大巾に削減して２０ｃｃｍ導入し、ルツボ１８内から蒸発したＣｏ蒸気１９ａに対して磁性を持たせると共に、両マスク２５，２６間を通過させる時に、ベースフィルム１２へのＣｏ蒸気流１９ａの入射角を漸次減少させながら、ベースフィルム１２上に成膜したＣｏＯ非磁性下地膜の上に更にＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜（強磁性金属薄膜）を処理長１０００ｍに亘って略０．０５μｍの厚みで成膜した。
【００４４】
この時、図２に示したように、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の成長粒子（コラム）は、最大入射角規制マスク２５による最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態から第２の最小入射角規制マスク２６による最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態に移行しながら孤立化が増したＣｏＯ非磁性下地膜上に成膜されるので、これに伴ってＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の成長粒子（コラム）もより一層孤立化が増し且つ同時に微細化する。この結果、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の粒子間の磁気的相互作用がより効果的に少なくなると共に、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の磁化容易軸も膜面平行方向にそろい易くなるため、保磁力Ｈｃと角形比Ｒｓの大巾な向上をもたらすことが判った。
【００４５】
そして、ＣｏＯ非磁性下地膜とＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜とを成膜するに要した時間は４５分である。また、ルツボ１８に供給したＣｏ量から算出したＣｏ磁性金属材１９の利用効率は約２４％であった。尚、ここでの利用効率とは、蒸発量に対する成膜量を示しており、この利用効率はマスク開口面積に左右されるものである。
【００４６】
この第１実施例では、小径な冷却キャンロール１６と大径な冷却キャンロール１７とを用いることで装置１０Ａの小型化が可能となり、且つ、ＣｏＯ非磁性下地膜とＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜とを成膜する際に一つのルツボ１８内に収容したＣｏ磁性金属材１９を共用することで、Ｃｏ磁性金属材１９の利用効率を高めることができる。
【００４７】
次に、第１実施例を一部変形した変形例について図３を用いて簡略に説明する。尚、この変形例では第１実施例と異なる点についてのみ説明し、第１実施例と同じ構成部材に対しては同一符号を付して説明を省略し図示のみとする。
【００４８】
図３に示した如く、第１実施例を一部変形した変形例の薄膜磁気テープ製造装置１０Ｂでは、真空槽１１Ｂが第１実施例の真空槽１１Ａよりも大型に形成されている。この真空槽１１Ｂ内の左右に設けた供給ロール１３と巻取ロール１４との間に、２つの大径な冷却キャンロール１７，１７が並設されている点が第１実施例と異なっている。この際、図示左側でベースフィル１２の走行路中の上流側に設けた冷却キャンロール１７はＣｏＯ非磁性下地膜用であり、一方、図示右側でベースフィル１２の走行路中の下流側に設けた冷却キャンロール１７はＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜用である。
【００４９】
ここで、第１実施例を一部変形させた変形例を具体的に説明すると、２つの大径な冷却キャンロール１７，１７は直径３００ｍｍで幅２６０ｍｍであり、ＣｏＯ非磁性下地膜側に大径な冷却キャンロール１７を用いている点が第１実施例と異なっている。
【００５０】
そして、ＣｏＯ非磁性下地膜及びＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜がそれぞれ第１実施例と同じ膜厚、同じ処理長となるように、上流側に設けた冷却キャンロール１７の径の大きさに起因するマスク開口面積を考慮した上で、ベースフィル１２の走行速度、酸素ガス導入パイプ２４，２７からの高純度酸素ガスＯ２のガス量を予め設定した場合、ＣｏＯ非磁性下地膜側に大径な冷却キャンロール１７を用いることで、ルツボ１８に供給したＣｏ量から算出したＣｏ磁性金属材１９の利用効率が約２８％になり、且つ、処理時間が４０分となりいずれも第１実施例より向上できた。
【００５１】
この変形例では、装置１０Ｂが第１実施例より大型化するものの、Ｃｏ磁性金属材１９の利用効率を第１実施例より大きくすることができ、処理時間も第１実施例よりも短縮できる。勿論、変形例の装置１０Ｂを用いた場合でも、第１実施例と同様に、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）は密な付着状態から粗な付着状態に移行しながら成膜され、一方、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の成長粒子（コラム）は粗な付着状態から密な付着状態に移行しながら成膜されるので、これに伴ってＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の成長粒子（コラム）もより一層孤立化が増し且つ同時に微細化すために、良好な静磁気特性が得られる。
【００５２】
＜第２実施例＞
図４は本発明に係る第２実施例の薄膜磁気テープ製造装置の構成を示した構成図である。
【００５３】
図４に示した如く、本発明に係る第２実施例の薄膜磁気テープ製造装置３０も、斜方蒸着法を適用するように構成されており、真空槽３１内が図示しない真空ポンプにより真空状態に保たれている。
【００５４】
また、真空槽３１内の下方には、薄膜磁気テープの媒体素材となるベースフィルム３２を巻回するための供給ロール３３と、巻取ロール３４とが互いに接近して回転自在に設けられている。
【００５５】
また、供給ロール３３と巻取ロール３４の間には、複数のガイドローラ３５がベースフィルム３２の所定の走行路に沿って適宜な位置に配置されている。
【００５６】
また、真空槽３１内の上方で供給ロール３３と巻取ロール３４の間には、一つの大径な冷却キャンロール３６が矢印方向に回転自在に設けられている。この第２実施例では、特に一つの大径な冷却キャンロール３６を第１実施例で説明した大径な冷却キャンロール１７（図１）と同様な形状（直径３００ｍｍで幅２６０ｍｍ）で設けた場合、装置３０を第１実施例及び従来例よりも大巾に小型化できる。
【００５７】
そして、供給ロール３３に巻回したベースフィルム３２は、複数のガイドローラ３５を通って一つの大径な冷却キャンロール３６に送られた後に、複数のガイドローラ３５を通って巻取ロール３４に巻き取られるようになっている。
【００５８】
また、大径な冷却キャンロール３６の図示右側でベースフィルム３２の走行路中の上流側には、ベースフィルム３２上に非磁性下地膜を成膜するための構成部材が複数設けられている。
【００５９】
即ち、冷却キャンロール３６の右下方には第１の蒸発源が設置されており、ここでは箱状に形成した第１のルツボ３７内にＣｏ磁性金属材３８が収容されている。
【００６０】
また、真空槽３１の右側壁３１ａには、第１のルツボ３７内に収容したＣｏ磁性金属材３８を溶融蒸発してＣｏ蒸気３８ａにするための第１のピアス型電子銃３９が斜め下方のルツボ３７に向かって取り付けられている。尚、以下の説明において、符番３８ａは、前後の説明の状況に応じて、「Ｃｏ蒸気」と記す場合と、「Ｃｏ蒸気流」と記す場合とに使い別けて説明する。
【００６１】
上記したピアス型電子銃３９は、ルツボ３７内のＣｏ磁性金属材３８に向かって電子ビーム３９ａが出射されており、この電子ビーム３９ａでＣｏ磁性金属材３８を溶融して冷却キャンロール３６に沿って走行しているベースフィルム３２側にＣｏ蒸気３８ａを蒸着させている。この際、第１のピアス型電子銃３９から出射される電子ビーム３９ａは、偏向マグネット４０と、偏向マグネット４１とにより制御されている。
【００６２】
また、冷却キャンロール３６の右側下方に非磁性下地膜への膜付け時の最小射角θｍｉｎを規制するための第１の最小入射角規制マスク４２が設けられ、且つ、冷却キャンロール３６と第１の最小入射角規制マスク４２との間に第１の酸素ガス導入パイプ４３が取り付けられている。そして、第１の酸素ガス導入パイプ４３に形成された複数の孔（図示せず）から所定量の酸素ガスＯ２が射出されて、ルツボ３７内から蒸発したＣｏ蒸気流３８ａに所定量の酸素ガスＯ２が吹き付けられている。これにより、上記した所定量の酸素ガスＯ２でＣｏ蒸気３８ａを酸化してベースフィルム３２上にＣｏＯ非磁性下地膜を成膜している。
【００６３】
また、冷却キャンロール３６の右側の中心部位近傍には、非磁性下地膜への膜付け時の最大入射角θｍａｘを規制するための第１の最大入射角規制マスク４４が設けられており、この第１の最大入射角規制マスク４４は第１の最小入射角規制マスク４２よりも下流側に設置されている。
【００６４】
一方、大径な冷却キャンロール３６の図示左側でベースフィルム３２の走行路中の下流側には、ベースフィルム３２上に成膜した非磁性下地膜の上に更に強磁性金属薄膜を成膜するための構成部材が右側の構成部材と略対称に複数設けられている。
【００６５】
即ち、冷却キャンロール３６の左下方には第２の蒸発源が設置されており、ここでは箱状に形成した第２のルツボ４５内にＣｏ磁性金属材４６が収容されている。
【００６６】
また、真空槽３１の左側壁３１ｂには、第２のルツボ４５内に収容したＣｏ磁性金属材４６を溶融蒸発してＣｏ蒸気４６ａにするための第２のピアス型電子銃４７が斜め下方のルツボ４５に向かって取り付けられている。尚、以下の説明において、符番４６ａは、前後の説明の状況に応じて、「Ｃｏ蒸気」と記す場合と、「Ｃｏ蒸気流」と記す場合とに使い別けて説明する。
【００６７】
上記したピアス型電子銃４７も、ルツボ４５内のＣｏ磁性金属材４６に向かって電子ビーム４７ａが出射されており、この電子ビーム４７ａでＣｏ磁性金属材４６を溶融して冷却キャンロール３６に沿って走行しているベースフィルム３２側にＣｏ蒸気４６ａを蒸着させている。この際、第２のピアス型電子銃４７から出射される電子ビーム４７ａは、偏向マグネット４８と、偏向マグネット４９とにより制御されている。
【００６８】
また、冷却キャンロール３６の左側の中心部位近傍には、強磁性金属薄膜への膜付け時の最大入射角θｍａｘを規制するための第２の最大入射角規制マスク５０が設けられ、且つ、第２の最大入射角規制マスク５０よりも下流側で冷却キャンロール３６の右側下方に強磁性金属薄膜への膜付け時の最小射角θｍｉｎを規制するための第２の最小入射角規制マスク５１が設けられていると共に、冷却キャンロール３６と第２の最小入射角規制マスク５１との間に第２の酸素ガス導入パイプ５２が取り付けられている。そして、第２の酸素ガス導入パイプ５２に形成された複数の孔（図示せず）から第１の酸素ガス導入パイプ４３による所定量の酸素ガスＯ２よりもガス量を大巾に削減した酸素ガスＯ２が射出されて、ルツボ４５内から蒸発したＣｏ蒸気流４６ａにガス量を削減した酸素ガスＯ２が吹き付けられている。
【００６９】
ここで、一つの大径な冷却キャンロール３６を第１実施例で説明した大径な冷却キャンロール１７（図１）と同じ直径３００ｍｍで幅２６０ｍｍにした時に、上記に構成により、供給ロール３３に巻回したベースフィルム３２を複数のガイドローラ３５を経由して一つの冷却キャンロール３６に沿って第１の最小入射角規制マスク４２側から第１の最大入射角規制マスク４４側に向かって走行させる途中で、酸素ガス導入パイプ４３から高純度酸素ガスＯ２を１００〜２００ｃｃｍ導入し、この高純度酸素ガスＯ２でルツボ３７内から蒸発したＣｏ蒸気３８ａを完全に酸化させると共に、両マスク４２，４４間を通過させる時に、ベースフィルム３２へのＣｏ蒸気流３８ａの入射角を漸次増大させながら、ベースフィルム３２上にＣｏＯ非磁性下地膜を略０．０７μｍの厚みで成膜した。この際、高純度酸素ガスＯ２の導入量を１００〜２００ｃｃｍに設定した時に、ＣｏＯ非磁性下地膜は磁化が生じないことを予備実験で振動型磁力計（ＶＳＭ）により確認している。
【００７０】
またこの時、第１実施例で図２を用いて説明したと同様に、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）は、第１の最小入射角規制マスク４２による最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態から第１の最大入射角規制マスク４４による最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態に移行しながらベースフィルム３２上に成膜されるので、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子（コラム）の表層部位は粗な付着状態であるので孤立化が増す。
【００７１】
この後、ＣｏＯ非磁性下地膜を成膜したベースフィルム３２を一つの冷却キャンロール３６に沿って第２の最大入射角規制マスク５０側から第２の最小入射角規制マスク５１側に向かって走行させる途中で、酸素ガス導入パイプ５２からの高純度酸素ガスＯ２のガス量を非磁性下地膜成膜時より大巾に削減して３０ｃｃｍ導入し、ルツボ４５内から蒸発したＣｏ蒸気４６ａに対して磁性を持たせると共に、両マスク５０，５１間を通過させる時に、ベースフィルム３２へのＣｏ蒸気流４６ａの入射角を漸次減少させながら、ベースフィルム３２上に成膜したＣｏＯ非磁性下地膜の上に更にＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜（強磁性金属薄膜）を処理長１０００ｍに亘って略０．０５μｍの厚みで成膜した。
【００７２】
この時、第１実施例で図２を用いて説明したと同様に、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の成長粒子（コラム）は、第２の最大入射角規制マスク５０による最大入射角θｍａｘ側での粗な付着状態から第２の最小入射角規制マスク５１による最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態に移行しながら孤立化が増したＣｏＯ非磁性下地膜上に成膜されるので、これに伴ってＣｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の成長粒子（コラム）もより一層孤立化が増し且つ同時に微細化する。この結果、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の粒子間の磁気的相互作用がより効果的に少なくなると共に、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性金属薄膜の磁化容易軸も膜面平行方向にそろい易くなるため、保磁力Ｈｃと角形比Ｒｓの大巾な向上をもたらすことが判った。
【００７３】
尚、第２実施例では、一つの冷却キャンロール３６に対して２つの蒸発源を備えているので、従来例で説明したような、テープ状非磁性基体上に非磁性下地膜と強磁性金属薄膜とを順に成膜する際に、それぞれ異なる成膜材料を用いることができ、この場合には、非磁性下地膜に対して非磁性金属あるいは金属酸化物もしくは磁性金属などによる蒸発材蒸発流を供給するための第１の蒸発源と、強磁性金属薄膜に対して磁性金属材蒸発流を供給するための第２の蒸発源とを備えれば良い。
【００７４】
【発明の効果】
以上詳述した本発明に係る薄膜磁気テープ製造装置において、請求項１記載よると、（ａ）第１，第２の酸素ガス導入手段から射出した各酸素ガスを第２の遮蔽マスクで確実にセパレートでき、且つ、各酸素ガスが各冷却キャンロールと第２の遮蔽マスクとの間に侵入して一時的に滞留しながら各冷却キャンロールの上方に抜け出るので、ベースフィルムに対して各酸素ガスが安定に供給されるため、第１ガス量の酸素ガスを磁性金属材蒸気の蒸発方向に射出することによってベースフィルム上に非磁性下地膜を形成でき、且つ、第２ガス量の酸素ガスを磁性金属材蒸気の蒸発方向に射出することによって非磁性下地膜上に磁性金属膜を安定して形成することができる。
（ｂ）また、磁性金属膜は、自己陰影効果によりベースフィルム表面から積層方向に向って成長粒子が孤立化した非磁性下地膜上に形成されるので、この磁性金属膜の成長粒子は、それらの間の磁気的相互作用が効果的に小さくなり、磁化容易軸を成膜面に平行方向に揃えることができ、保磁力Ｈｃと角形比Ｒｓとを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施例の薄膜磁気テープ製造装置の構成を示した構成図である。
【図２】本発明に係る第１実施例の薄膜磁気テープ製造装置を用いて製造した薄膜磁気テープにおいて、非磁性下地膜及び磁性薄膜の成長粒子の成長過程を模式的に示した模式図である。
【図３】本発明に係る第１実施例の薄膜磁気テープ製造装置を一部変形させた変形例を説明するための構成図である。
【図４】本発明に係る第２実施例の薄膜磁気テープ製造装置の構成を示した構成図である。
【図５】従来の磁気記録媒体の製造方法に使用される装置の構成を示した構成図である。
【符号の説明】
１０Ａ…第１実施例の薄膜磁気テープ製造装置、
１０Ｂ…第１実施例を一部変形させた変形例の薄膜磁気テープ製造装置、
１１Ａ…真空槽（第１実施例）
１１Ｂ…（第１実施例の変形例）、
１２…ベースフィルム、
１６…第１の冷却キャンロール（小径な冷却キャンロール）、
１７…第２の冷却キャンロール（大径な冷却キャンロール）、
１８…一つの蒸発源（一つのルツボ）、
１９…Ｃｏ磁性金属材、１９ａ…Ｃｏ蒸気又はＣｏ蒸気流、
２３…第１の最小入射角規制マスク、
２５…最大入射角規制マスク、
２６…第２の最小入射角規制マスク、
３０…第２実施例の薄膜磁気テープ製造装置、
３１…真空槽、
３２…ベースフィルム、
３６…冷却キャンロール、
３７…第１の蒸発源（第１のルツボ）、
３８…Ｃｏ磁性金属材、３８ａ…Ｃｏ蒸気又はＣｏ蒸気流、
４２…第１の最小入射角規制マスク、
４４…第１の最大入射角規制マスク、
４５…第２の蒸発源（第２のルツボ）、
４６…Ｃｏ磁性金属材、４６ａ…Ｃｏ蒸気又はＣｏ蒸気流、
５０…第２の最大入射角規制マスク、
５１…第２の最小入射角規制マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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