(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に電極を形成した板状の正特性サーミスタ素子（１）を、リード端子（４−１）をインサート成型した凹部を有する樹脂ケース（２）に収納し、別途リード端子（４−２）をインサート成型した蓋部樹脂ケース（３）を上記樹脂ケース（２）に嵌合させることにより、上記正特性サーミスタ素子（１）両面の電極と、インサート成型されたリード端子（４−１，４−２）とを押圧接触導通させると共に、上記正特性サーミスタ素子（１）を中空で保持させることを特徴とするチップ型過電流保護素子。
【請求項２】
両面に電極を形成した板状の正特性サーミスタ素子（１）を、１本のリード端子（４−１）を内部底面にインサート成型した凹部を有する樹脂ケース（７）で、周縁端部には他の１本のリード端子（４−２）が導出するようインサート成型された樹脂ケース（７）に収納し、上記正特性サーミスタ素子（１）上面にバネ端子（６）を配し、蓋部樹脂ケース（８）を上記樹脂ケース（７）に嵌合させることにより、上記正特性サーミスタ素子（１）下面の電極と底面のリード端子（４−１）とを押圧接触導通させると同時にバネ端子（６）を介して正特性サーミスタ素子（１）の上面の電極と端部のリード端子（４−２）とを押圧接触導通させると共に、上記正特性サーミスタ素子（１）を中空で保持させることを特徴とするチップ型過電流保護素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ化した過電流保護用正特性サーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
過電流保護用の正特性サーミスタは、図６に示すように正特性サーミスタ素子９ａの両面に電極９ｂを形成し、リード線９ｃをはんだ付け接続後、樹脂により外装したものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の形状は挿入方式であるため面実装部品が多く使われている回路基板ではチップマウンタによる実装ができず、生産効率が低下し、また高さが高いためセットの小型化ができないといった欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するため、本発明のチップ型過電流保護素子はリード端子を樹脂ケースにインサート成型し、その中に素子を挿入した後、樹脂ケースで中空部を形成し密閉することを特徴とするものである。
【０００５】
すなわち、両面に電極を形成した板状の正特性サーミスタ素子１を、リード端子４−１をインサート成型した凹部を有する樹脂ケース２に収納し、別途リード端子４−２をインサート成型した蓋部樹脂ケース３を上記樹脂ケース２に嵌合させることにより、上記正特性サーミスタ素子１両面の電極と、インサート成型されたリード端子４−１，４−２とを押圧接触導通させると共に、上記正特性サーミスタ素子１を中空で保持させたチップ型過電流保護素子であり、
【０００６】
更に別の形態として、両面に電極を形成した板状の正特性サーミスタ素子１を、１本のリード端子４−１を内部底面にインサート成型した凹部を有する樹脂ケース７で、周縁端部には他の１本のリード端子４−２が導出するようインサート成型された樹脂ケース７に収納し、上記正特性サーミスタ素子１上面にバネ端子６を配し、蓋部樹脂ケース８を上記樹脂ケース７に嵌合させることにより、上記正特性サーミスタ素子１下面の電極と底面のリード端子４−１とを押圧接触導通させると同時にバネ端子６を介して正特性サーミスタ素子１の上面の電極と端部のリード端子４−２とを押圧接触導通させると共に、上記正特性サーミスタ素子１を中空で保持させたチップ型過電流保護素子である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
リード端子をインサート成型した樹脂ケースに正特性サーミスタを収納し、チップマウンタによる実装ができるチップ型過電流保護素子を構成することができるようにする。また、リード端子をインサート成型した凹部を有する樹脂ケースに正特性サーミスタ素子を挿入し、上記樹脂ケースに蓋部樹脂ケースを嵌合させて中空部を形成した密閉構造としているので、放熱が抑えられ、過電流に対する応答性が向上する。
【０００８】
【実施例１】
次に図１〜４に基づき実施例１について説明する。リード端子をインサート成型した樹脂ケース２及び３の空間部に、両面に電極を形成した正特性サーミスタ素子１を収納し、樹脂ケース２及び３を嵌合ツメ２ａ及び３ａで嵌合させ、樹脂ケース３の押圧突起３ｂで樹脂ケース３にインサート成型したリード端子４−２を押圧することにより、樹脂ケース２の凹部内底面に露出させたリード端子４−１の接点４ａと樹脂ケース３にインサート成型した端子４−２の接点４ａとをそれぞれ正特性サーミスタ素子１の両電極に押圧接触導通させ、正特性サーミスタ素子を中空部５に保持させている。
【０００９】
【実施例２】
更に図５を参照しながら、実施例２について説明する。図４によると両面に電極を持つ正特性サーミスタ素子１は下方からはインサート成型されたリード端子接点部４ａと、上方からはバネ端子６のバネ接点部６ａと、更にこのバネ端子６はインサート成型されたリード端子接点部４ｂと電流が流れるよう接触しており、この接点圧は樹脂ケース８の押圧突起８ａ、８ｂで押さえることで確保され、樹脂ケース７は樹脂ケース８との間に中空部５を持つよう成型されており、樹脂ケース７と樹脂ケース８の密閉性は４箇所の嵌合ツメ８ｃで保たれている。
【００１０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば樹脂で構成したケースに両面電極を形成した正特性サーミスタ素子を封止するのみで内部に中空部をもたせ、チップ部品として成立させ、この結果チップマウンタによる実装を実現し、生産効率の向上と、セットの小型化ができるようになった。
また、正特性サーミスタ素子は過電流が流れた場合、自己発熱するが、中空部で保持されているため正特性サーミスタ素子からの放熱が小さくかつ熱容量も小さくできるため、過電流に対する応答速度を正確かつ速くすることができる。リード端子は熱電導率の低い金属（例えば、鉄−ニッケル合金等）が好ましい。また、プリント基板に実装する際、リード端子と樹脂ケースの間隙がないので、はんだ付け用フラックスが樹脂ケース内に侵入することがなく、信頼性の向上が図れる。尚、実施例１及び２でははんだ付け用リード端子はガルウィング型としたがこれに限るものではなく、樹脂ケース内側へ折り曲げた矩形端子型やＪベント型でもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１、２によるチップ型過電流保護素子の外観斜視図である。
【図２】本発明の実施例１によるチップ型過電流保護素子の組立図である。
【図３】実施例１の図１のＡ−Ａ線上における断面図である。
【図４】実施例１の図１のＢ−Ｂ線上における断面図である。
【図５】実施例２の図１のＢ−Ｂ線上における断面図である。
【図６】従来の過電流保護素子の斜視図および側面図である。
【符号の説明】
１・・・・・正特性サーミスタ素子
２・・・・・樹脂ケース
２ａ・・・・嵌合ツメ
３・・・・・樹脂ケース
３ａ・・・・嵌合ツメ
３ｂ・・・・押圧突起
４−１・・・リード端子
４−２・・・リード端子
４ａ・・・・リード端子接点部
４ｂ・・・・リード端子接点部
５・・・・・中空部
６・・・・・バネ端子
６ａ・・・・リード端子接点部
７・・・・・樹脂ケース
８・・・・・樹脂ケース
８ａ・・・・押圧突起
８ｂ・・・・押圧突起
８ｃ・・・・嵌合ツメ
９・・・・・従来型過電流保護素子
９ａ・・・・正特性サーミスタ素子
９ｂ・・・・メッキ電極
９ｃ・・・・リード線
９ｄ・・・・外装樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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