(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）で表わされる高密度光ディスク記録媒体用アゾ金属錯体色素：
【化１】
0003694262.tif 000013
（ここで、Ｒ1は炭素数１〜８のアルコキシル基、カルボキシ基、炭素数１〜８のアルキルオキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ6）およびアミド基（−ＣＯＮＲ8Ｒ9）からなる群より選ばれた基であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、同一または異なり、水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシル基、カルボキシ基、炭素数１〜８のアルキルオキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ6）、炭素数１〜６のアルキルアミンアルキレンカルボキシ基（−ＣＯ2Ｒ7ＮＲ8Ｒ9）、アミド基（−ＣＯＮＲ8Ｒ9）、ニトロ基（−ＮＯ2）、トリフルオロメチル基（−ＣＦ3）、フッ化スルホン酸基（−ＳＯ2Ｆ）、スルホン酸基（−ＳＯ3Ｈ）、およびハロゲンからなる群より選ばれた基であり、Ｒ6は炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ7は炭素数１〜８のアルキレン基であり、Ｒ8およびＲ9は、同一または異なり、水素および炭素数１〜６のアルキル基からなる群より選ばれた基であり、
Ｘは炭素および窒素からなる群より選ばれ、
Ｍは、Ｍｇ+2、Ｍｎ+2、Ｃｏ+2、Ｎｉ+2、Ｃｕ+2、およびＺｎ+2からなる群より選ばれる）。
【請求項２】
（ａ）第１基板を提供する工程と、
（ｂ）請求項１記載のアゾ金属錯体色素を有機溶剤に溶かして溶液を生成させて第１溶液とし、この第１溶液を前記第１基板上に塗布する工程と、
（ｃ）前記溶液を乾燥させてアゾ金属錯体色素層を形成する工程と、
（ｄ）前記アゾ金属錯体色素層上に反射層を蒸着する工程と、
（ｅ）前記反射層上に第２基板を蒸着する工程と
を含む高密度光ディスク記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記反射層の材料が、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、およびＣｒからなる群より選ばれる請求項２記載の高密度光ディスク記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記有機溶剤が、炭素数１〜６のアルコール、炭素数１〜６のケトン、炭素数１〜６のエーテル、ハロゲン化合物、およびアミドからなる群より選ばれる請求項２記載の高密度光ディスク記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記炭素数１〜６のアルコールが、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ)、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、トリクロロエタノール、２−クロロエタノール、オクタフルオロペンタノール、およびヘキサフルオロブタノールからなる群より選ばれる請求項４記載の高密度光ディスク記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記炭素数１〜６のケトンが、アセトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、および３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンからなる群より選ばれる請求項４記載の高密度光ディスク記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記ハロゲン化合物が、クロロホルム、ジクロロメタン、および１−クロロブタンからなる群より選ばれる請求項４記載の高密度光ディスク記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記アミドがジメチルホルムアミド（ＤＭＦ)およびジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）からなる群より選ばれる請求項４記載の高密度光ディスク記録媒体の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アゾ金属錯体色素およびその製造方法ならびにその高密度光記録媒体への用途に関するものであり、とくに、４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光線領域における強い吸収性、光・熱安定性、および有機溶剤に対する分離性を有し、高密度光ディスク記録媒体の製造に適したアゾ金属錯体色素に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
世代の進歩に伴い、大量の情報が飛び交っているが、従来の磁気ディスク記録媒体では時代の流れに添うことができない。このため、高密度記憶で、小型化、低コストの記録媒体が必要とされ、光ディスク記録媒体が開発された。近年、有機合成化学と光化学を結合した機能性色素が、非線形光素子、光ディスク記録媒体、フォトレジスト、熱／光／電気センサーおよび検出器、エネルギーの伝達および貯蔵、医療、生物など複数の工業で用いられている。
【０００３】
１９８１年、ロウ（Law）らは、シアニン色素の１種である３，３’−ジエチル−１２−アセチル−過塩素酸チアテトラシアニン（3,3'-diethyl-12-acetyl-thiotetracyanine perchlorate）を光ディスクの製造に初めて応用した（ケイ．ワイ．ロウ（K.Y.Law）,ピー．エス．ビンセット（P.S.Vincett）、およびジー．イー．ジョンソン（G.E.Johnson）、 Appl. Phys. Lett.、３９、７１８（１９８１）を参照）。この色素は、近赤外線レーザーのピックアップ・ヘッドに適しているという理由で選ばれた。その製造方法は、シアニン色素をポリビニルアセテート（ＰＶＡｃ）と混合し、この混合物を回転塗布法により基板に塗布して光ディスクを形成する。光記憶材料へのシアニン色素の応用が成功したのを受け、様々な種類の色素が光記憶材料の使用に開発されている。たとえば、特開平７−２２５４１６７号公報、特開平９−１９３５４５号公報、特開平９−１９４５４５号公報、特開平９−２２６２５０号公報、特開平９−２７４７３２号公報、特開平１０−４４０６６号公報、特開平１１−３１０７２８号公報などに開示されている。有機染料は単純な回転塗布法により基板上に塗布できるため、記憶材料として用いられる。真空スパッタリングと比較して、この方法による製造時間は短くコストも削減される。このため、有機染料の有機溶剤に対する分離性および安定性が重要な要因となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
以上により、本発明は、４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光線領域における強い吸収性、光・熱安定性、および有機溶剤に対する分離性を有し、高密度光ディスク記録媒体の製造に適したアゾ金属錯体色素を合成することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、式（Ｉ）で表わされる高密度光ディスク記録媒体用アゾ金属錯体色素にかかわる。
【０００６】
【化５】
0003694262.tif 000002
【０００７】
Ｒ1は炭素数１〜８のアルコキシル基、カルボキシ基、炭素数１〜８のアルキルオキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ6）およびアミド基（−ＣＯＮＲ8Ｒ9）からなる群より選ばれた基である。Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、同一または異なり、水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシル基、カルボキシ基、炭素数１〜８のアルキルオキシカルボニル基（alkyoxycarbonyl；−ＣＯ2Ｒ6）、炭素数１〜６のアルキルアミンアルキレンカルボキシ基（alkylaminealkylenecarboxy；−ＣＯ2Ｒ7ＮＲ8Ｒ9）、アミド基（−ＣＯＮＲ8Ｒ9）、ニトロ基（−ＮＯ2）、トリフルオロメチル基（−ＣＦ3）、フッ化スルホン酸基（sulfonic acid fluoride group；−ＳＯ2Ｆ）、スルホン酸基（−ＳＯ3Ｈ）、およびハロゲンからなる群より選ばれた基である。Ｒ6は炭素数１〜８のアルキル基である。Ｒ7は炭素数１〜８のアルキレン基である。Ｒ8およびＲ9は、同一または異なり、水素および炭素数１〜６のアルキル基からなる群より選ばれた基である。Ｘは炭素および窒素からなる群より選ばれる。Ｍは、Ｍｇ+2、Ｍｎ+2、Ｃｏ+2、Ｎｉ+2、Ｃｕ+2、およびＺｎ+2からなる群より選ばれる。
【０００８】
本発明は、以下の各工程を含む高密度光ディスク記録媒体の製造方法にかかわる。
（ａ）第１基板を提供する工程
（ｂ）請求項１記載のアゾ金属錯体色素を有機溶剤に溶かして溶液を生成させて第１溶液とし、この第１溶液を前記第１基板上に塗布する工程
（ｃ）前記溶液を乾燥させてアゾ金属錯体色素層を形成する工程
（ｄ）前記アゾ金属錯体色素層上に反射層を蒸着する工程
（ｅ）前記反射層上に第２基板を蒸着する工程
【０００９】
【発明の実施の形態】
アゾ金属錯体色素
本発明の高密度光ディスク記録媒体用アゾ金属錯体色素は前記式（Ｉ）で表わされる。
【００１０】
Ｒ1は、炭素数１〜８のアルコキシル基、カルボキシ基、炭素数１〜８のアルキルオキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ6）およびアミド基（−ＣＯＮＲ8Ｒ9）からなる群より選ばれた基である。Ｒ1は、好ましくは、−ＯＣＨ3、−ＯＣ2Ｈ5、−ＯＣ3Ｈ7、−ＯＣ4Ｈ9、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ3、−ＣＯＯＣ2Ｈ5、−ＣＯＯＣ3Ｈ7、−ＣＯＯＣ4Ｈ9、−ＣＯＯＣ5Ｈ11、−ＣＯＯＣ6Ｈ13、−ＣＯＯＣ7Ｈ15、−ＣＯＯＣ8Ｈ17である。
【００１１】
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は、同一または異なり、水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシル基、カルボキシ基、炭素数１〜８のアルキルオキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ6）、炭素数１〜６のアルキルアミンアルキレンカルボキシ基（−ＣＯ2Ｒ7ＮＲ8Ｒ9）、アミド基（−ＣＯＮＲ8Ｒ9）、ニトロ基（−ＮＯ2）、トリフルオロメチル基（−ＣＦ3）、フッ化スルホン酸基（−ＳＯ2Ｆ）、スルホン酸基（−ＳＯ3Ｈ）、およびハロゲンからなる群より選ばれた基である。Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は、好ましくは、−Ｈ、−ＣＨ3、−ＯＣＨ3、−ＣＯＯＣＨ3、−ＣＯＯＣ2Ｈ5、−ＣＯＯＣＨ（ＣＨ3）2、−ＣＯＯＣ4Ｈ9、−ＣＯＯＣ2Ｈ4Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2、−ＮＯ2、−ＣＦ3、−ＳＯ2Ｆ、−ＳＯ3Ｈ−、Ｆである。
【００１２】
とくにＲ1が、−ＯＣＨ3、−ＯＣ4Ｈ9、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣＨ3、−ＣＯＯＣ2Ｈ5、−ＣＯＯＣ4Ｈ9または−ＣＯＯＣ8Ｈ17；Ｒ2が、−Ｈまたは−Ｆ；Ｒ3が、−Ｈ、−ＣＨ3、−ＯＣＨ3、−ＣＯＯＣＨ（ＣＨ3）2、−ＣＯＯＣ2Ｈ4Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2、−ＮＯ2；Ｒ4が、−Ｈ、−ＯＣＨ3、−ＣＯＯＣＨ3、−ＣＯＯＣ4Ｈ9、−ＣＦ3、−ＳＯ2Ｆ、−ＳＯ3Ｈ−；Ｒ5が、−ＨまたはＣＨ3であることが好ましい。
【００１３】
Ｘは炭素および窒素からなる群より選ばれる。
【００１４】
Ｍは、Ｍｇ+2、Ｍｎ+2、Ｃｏ+2、Ｎｉ+2、Ｃｕ+2、およびＺｎ+2からなる群より選ばれる。Ｍは、好ましくは、Ｍｇ+2、Ｍｎ+2、Ｎｉ+2またはＺｎ+2である。
【００１５】
式（Ｉ）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5の１つ以上が、炭素数１〜８のアルキオキシカルボニル基（−ＣＯ2Ｒ6）である場合、Ｒ6は炭素数１〜８のアルキル基、好ましくは、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−Ｃ4Ｈ9、−Ｃ8Ｈ17である。
【００１６】
式（Ｉ）中のＲ2、Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5の１つ以上が、炭素数１〜６のアルキルアミンアルキレンカルボキシ基（−ＣＯ2Ｒ7ＮＲ8Ｒ9）である場合、Ｒ7は炭素数１〜８のアルキレン基、好ましくは、−Ｃ2Ｈ4−であり、Ｒ8およびＲ9は、同一または異なり、水素または炭素数１〜６のアルキル基、好ましくは、−Ｃ2Ｈ5である。
【００１７】
式（Ｉ）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5の１つ以上が、炭素数１〜８のアミド基（−ＣＯＮＲ8Ｒ9）である場合、Ｒ8およびＲ9は、同一または異なり、水素または炭素数１〜６のアルキル基、好ましくは、−Ｃ2Ｈ5である。
【００１８】
アゾ金属錯体色素の調製
本発明の式（Ｉ）で表わされる高密度光ディスク記録媒体に適したアゾ金属錯体色素は、以下の工程により製造することができる。
（ａ）ジアゾ化を行なって、式（II）で表わされるアミンをジアゾニウム塩に改質する工程。
【００１９】
【化６】
0003694262.tif 000003
【００２０】
（ｂ）カップリング反応を行なって、有機溶剤下で式（III）で表わされる２−アミノ−３−ヒドロキシピリジンを前記ジアゾニウム塩と結合させる工程。
【００２１】
【化７】
0003694262.tif 000004
【００２２】
（ｃ）有機溶剤下で２価性の金属塩とキレート反応を行なう工程。
【００２３】
前記式（Ｉ）、（II）および（III）において、Ｒ1は、炭素数１〜８のアルコキシル基、カルボキシ基、炭素数１〜８のアルキルオキシカルボニル基またはアミド基である。Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は、同一または異なり、水素、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシル基、カルボキシ基、炭素数１〜８のアルキルオキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミンアルキレンカルボキシ基、アミド基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、フッ化スルホン酸基、スルホン酸基、またはハロゲンである。Ｘは炭素および窒素である。Ｍは、Ｍｇ+2、Ｍｎ+2、Ｃｏ+2、Ｎｉ+2、Ｃｕ+2、またはＺｎ+2である。
【００２４】
工程（ａ）において、ジアゾ化は以下の２つの方法のうち一方により行なうことができる。第１の方法はアミンを亜硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ2）および酸と反応させて、式（IV）で表わされるジアゾニウム塩を形成することである。反応は以下のとおりである。
【００２５】
【化８】
0003694262.tif 000005
【００２６】
第２の方法は、アミンをニトロシル硫酸（ＨＮＯＳＯ4）および酸と反応させて、以下の式（IV）で表わされるジアゾニウム塩を形成することである。反応は以下のとおりである。
【００２７】
【化９】
0003694262.tif 000006
【００２８】
どちらの方法を選択した場合も、酸は、Ｈ2ＳＯ4、ＣＨ3ＣＯＯＨ、Ｈ3ＰＯ4、およびＣ2Ｈ5ＣＯＯＨである。
【００２９】
工程（ｂ）において、式（IV）で表わされるジアゾニウム塩は式（III）で表わされる２−アミノ−３−ヒドロキシピリジンと反応してアゾ化合物を生成する。このカップリング反応は以下のとおりである。
【００３０】
【化１０】
0003694262.tif 000007
【００３１】
カップリング反応に用いられる有機溶剤は、炭素数１〜６のアルコール、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、およびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である。
【００３２】
工程（ｃ）において、式（Ｖ）で表わされるアゾ化合物は、有機溶剤中で２価性の金属塩、ＭＡ2またはＭＢと反応して、式（Ｉ）で表わされるアゾ金属錯体色素を生成する。ＭＡ2をキレート剤として選んだ場合、Ａは、ＣＨ3ＣＯＯ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、またはアセチルアセトネートである。ＭＢをキレート剤として選んだ場合、ＢはＣＯ3-2またはＳＯ4-2である。
【００３３】
高密度光ディスク記録媒体の調製
高密度光ディスク記録媒体の製造方法は、以下の各工程を含む。
（ａ）第１基板を提供する工程
（ｂ）請求項１記載のアゾ金属錯体色素を有機溶剤に溶かして溶液を生成させて第１溶液とし、この第１溶液を前記第１基板上に塗布する工程
（ｃ）前記溶液を乾燥させてアゾ金属錯体色素層を形成する工程
（ｄ）前記アゾ金属錯体色素層上に反射層を蒸着する工程
（ｅ）前記反射層上に第２基板を蒸着する工程
工程（ａ）において、第１基板としては、たとえば、ポリカーボネート製の基板を用いることができる。
【００３４】
工程（ｂ）において、有機溶剤としては、たとえば、炭素数１〜６のアルコール、炭素数３〜６のケトン、炭素数２〜６のエーテル、ハロゲン化合物、またはアミドである。ここで、炭素数１〜６のアルコールは、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ)、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、トリクロロエタノール、２−クロロエタノール、オクタフルオロペンタノール、またはヘキサフルオロブタノールを用いることができる。炭素数３〜６のケトンは、たとえば、アセトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、または３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンである。炭素数２〜６のエーテルは、たとえば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジブチルエーテルである。ハロゲン化合物は、たとえば、クロロホルム、ジクロロメタン、または１−クロロブタンである。アミドは、たとえば、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ)、またはジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）である。
【００３５】
工程（ｂ）においては、アゾ金属錯体色素を上記有機溶剤に溶かしたのち、スプレー、ローラー、浸漬、回転塗布法などによりこれを第１基板上に塗布する。
【００３６】
そののち、工程（ｃ）において、たとえば、スイングおよび乾燥工程を順に施して有機溶剤を取り除き、アゾ金属錯体色素層を第１基板上に形成する。
【００３７】
続いて工程（ｄ）を行なう。工程（ｄ）において、反射層の材料は、たとえば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、またはＣｒなどである。
【００３８】
工程（ｅ）においては、予備の第２基板をアゾ金属錯体色素層および反射層を備えた第１基板と結合させて、高密度光ディスク記録媒体を形成する。結合方法は、回転塗布法、焼付け、接着剤の加熱溶融（glue melting by heat）などである。第２基板の材料は、たとえば、ポリカーボネートなどである。
【００３９】
【実施例】
前記本発明の目的、特徴、および長所をより一層明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳しく説明する。
【００４０】
実施例１〜３１
表１および表２に、本発明のアゾ金属錯体色素（化合物１〜３１）の置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、原子Ｘおよび金属Ｍ、ならびに、最大吸収波長（λmax（ｎｍ））および吸収係数（ε）などの物理的特性を示す。
【００４１】
以下の実施例により、本発明についてさらに詳しく説明するが、このことは本発明に限定しない。
【００４２】
実施例１：化合物８の調製
ブチル３−アミノ−４−メトキシ安息香酸（butyl 3-amino-4-methoxybenzoate）０．５ｇをメタノール３０ｍｌおよび６ＮのＨＣｌ：１０ｍｌに溶かした。温度を０〜５℃に下げたのち、ＮａＮＯ2０．１８ｇをＨ2Ｏ：５ｍｌに溶かした溶液に少しずつ加え、０．５〜１時間攪拌した。
【００４３】
２−アミノ−３−ヒドロキシピリジン０．２５ｇをメタノール５０ｍｌに溶かし、温度を０〜５℃に下げてから、前記の溶液を少しずつ加え、１時間反応を行なった。これをろ過し、水で洗浄し、乾燥させて、固体生成物０．５４２ｇを得た。この固体生成物０．５４２ｇをメタノール２０ｍｌに溶かしたのち、酢酸亜鉛０．９６ｇをメタノール１０ｍｌに溶かした溶液を加え、２時間反応を行なった。これをろ過し、水およびイソプロピルエーテルで洗浄し、乾燥させて、キレート生成物０．６９７ｇ（表１中の化合物８）を得た。生成率は８２．５％であった。
【００４４】
キレート生成物（化合物８）の分析データは、融点１９６℃、分解温度２０８℃、ＵＶmax５４８ｎｍ、ε８．６４×１０4であった。
【００４５】
実施例２：化合物２７の調製
ブチル２−アミノ−５−メチル安息香酸（butyl 2-amino-5-methylbenzoate）６．８５ｇをメタノール３０ｍｌおよび６ＮのＨＣｌ：３０ｍｌに溶かした。温度を０〜５℃に下げたのち、ＮａＮＯ2：２．７４ｇをＨ2Ｏ：２０ｍｌに溶かした溶液に少しずつ加え、０．５〜１時間攪拌した。
【００４６】
２−アミノ−３−ヒドロキシピリジン３．６４ｇをメタノール２００ｍｌに溶かし、温度を０〜５℃に下げてから、前記溶液を少しずつ加え、１時間反応を行なった。これをろ過し、水で洗浄し、乾燥させて、固体生成物を得た。この固体生成物をメタノール３００ｍｌ中に溶かしたのち、酢酸亜鉛２１．８ｇをメタノール２００ｍｌに溶かした溶液を加え、３時間反応を行なった。これをろ過し、水およびイソプロピルエーテルで洗浄し、乾燥させて、キレート生成物８．４ｇ（表２中の化合物２７）を得た。生成率は７０．４％であった。
【００４７】
キレート生成物（化合物２７）の分析データは、融点２２７℃、分解温度２３４℃、ＵＶmax５５３．５ｎｍ、ε７．４３×１０4であった。
【００４８】
【表１】
0003694262.tif 000008
【００４９】
【表２】
0003694262.tif 000009
【００５０】
化合物１〜７、９〜２６および２８〜３１についても、実施例１および実施例２において、出発原料を変更し、必要に応じて反応条件を調節することにより、製造することができる。
【００５１】
本発明のアゾ金属錯体色素は高密度光ディスク記録媒体の製造に適している。この製造方法については、以下のそれぞれ化合物８、２３、２５を用いた応用実施例１、２、３でさらに詳しく説明する。
【００５２】
応用実施例１：化合物８を用いた高密度光ディスク記録媒体の調製
表１の化合物８からなるアゾ金属錯体色素１．５ｇを２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶かして溶液Ａ：１００ｇを生成した。
【００５３】
スピンナを用いて以下の工程で溶液Ａを予備の基板に塗布した。
回転工程：３０〜５００ｒｐｍ              ２〜１０秒
スイング工程：１０００〜３０００ｒｐｍ  １０〜３０秒
硬化工程：２０００〜５０００ｒｐｍ      １０〜３０秒
【００５４】
それから、厚さ約１０００〜２５００Åのアゾ金属錯体色素層を基板上に形成し、厚さ５００〜１５００ÅのＡｕまたはＡｇからなる反射層をアゾ金属錯体色素層上に被覆した。この基板を別の予備の基板と結合させて高密度光ディスク記録媒体を形成した。図１は反射対波長のスペクトルを示す。図１から分かるように、波長が６３５ｎｍまたは６５０ｎｍ未満の場合、反射率は４５％以上である。基板としては、ポリカーボネート製の基板を用いた。
【００５５】
この光ディスクを用いてＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ−１０００により提供されたＥＦＭ変調（eight to fourteen modulation）信号の条件下で書込みおよび読取りを行なった。書込み条件は、ＣＬＶ（constant linear velocity）３．５ｍ／ｓ、ＮＡ（numerical aperture）０．６、波長６３７．８ｎｍ、書込みパワー６〜１４ｍＷであった。読取り条件は、ＣＬＶ３．５ｍ／ｓ、波長６３７．８ｎｍ、ＮＡ０．６、読取りパワー０．５〜２ｍＷであった。異なる書込みパワーでの光ディスクのＣＮＲ値を表３に示す。
【００５６】
【表３】
0003694262.tif 000010
【００５７】
表３のデータから分かるように、書込みパワーが８ｍＷ以上のとき、ＣＮＲ値は４５ｄＢ以上であり、書込みパワーが１０ｍＷのとき、ＣＮＲ値は６０ｄＢに達する。
【００５８】
応用実施例２：化合物２３を用いた高密度光ディスク記録媒体の調製
表２の化合物２３からなるアゾ金属錯体色素２．５ｇを９：１の２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールおよびトリクロロエタノールに溶かして溶液Ｂ１００ｇを生成した。
【００５９】
スピンナを用いて以下の工程で溶液Ｂを予備の基板に塗布した。
回転工程：３０〜７００ｒｐｍ          １〜１０秒
スイング工程：６００〜４０００ｒｐｍ  ２〜２０秒
硬化工程：３０００〜５０００ｒｐｍ    １〜３０秒
【００６０】
それから、厚さ約１０００〜２５００Åのアゾ金属錯体色素層を基板上に形成し、厚さ５００〜１５００ÅのＡｕまたはＡｇからなる反射層をアゾ金属錯体色素層上に被覆した。この基板を別の予備の基板と結合させて高密度光ディスク記録媒体を形成した。基板としては、ポリカーボネート製の基板を用いた。
【００６１】
図２は反射対波長のスペクトルを示す。図２から分かるように、波長が６３５ｎｍまたは６５０ｎｍ未満の場合、反射は４５％以上である。
【００６２】
この光ディスクを用いて、ＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ−１０００により提供されたＥＦＭ変調信号の条件下で書込みおよび読取りを行なった。書込み条件は、ＣＬＶ３．５ｍ／ｓ、波長６３７．８ｎｍ、ＮＡ０．６、書込みパワー６〜１４ｍＷであった。読取り条件は、ＣＬＶ３．５ｍ／ｓ、波長６３７．８ｎｍ、ＮＡ０．６、読取りパワー０．５〜２ｍＷであった。異なる書込みパワーでの光ディスクのＣＮＲ値を表４に示す。
【００６３】
【表４】
0003694262.tif 000011
【００６４】
表４のデータから分かるように、書込みパワーが１０ｍＷ以上のとき、ＣＮＲ値は４５ｄＢ以上である。
【００６５】
応用実施例３：化合物２５を用いた高密度光ディスク記録媒体の調製
表２の化合物２５からなるアゾ金属錯体色素１．５ｇを２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶かして溶液Ｃ１００ｇを生成した。
【００６６】
この溶液Ｃをスピンナーを用いて以下の工程で予備の基板に塗布した。
回転工程：３０〜５００ｒｐｍ              ２〜１０秒
スイング工程：１０００〜３０００ｒｐｍ  １０〜３０秒
硬化工程：２０００〜５０００ｒｐｍ      １０〜３０秒
【００６７】
それから、厚さ約１０００〜２５００Åのアゾ金属錯体色素層を基板上に形成し、厚さ５００〜１５００ÅのＡｕまたはＡｇからなる反射層をアゾ金属錯体色素層上に被覆した。この基板を別の予備の基板と結合させて高密度光ディスク記録媒体を形成した。基板としては、ポリカーボネート製の基板を用いた。
【００６８】
波長が６３５ｎｍまたは６５０ｎｍ未満の場合、反射率は４５％以上である。
【００６９】
この光ディスクを用いてＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ−１０００により提供されたＥＦＭ変調信号の条件下で書込みおよび読取りを行なった。書込み条件は、ＣＬＶ３．５ｍ／ｓ、波長６３７．８ｎｍ、ＮＡ０．６、書込みパワー６〜１４ｍＷであった。読取り条件は、ＣＬＶ３．５ｍ／ｓ、波長６３７．８ｎｍ、ＮＡ０．６、読取りパワー０．５〜２ｍＷであった。異なる書込みパワーでの光ディスクのＣＮＲ値を表５に示す。
【００７０】
【表５】
0003694262.tif 000012
【００７１】
表５のデータから分かるように、書込みパワーが１０ｍＷ以上のとき、ＣＮＲ値は４５ｄＢ以上である。
【００７２】
【発明の効果】
以上により、スペクトルが波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光線に相当する本発明のアゾ金属錯体色素は、高い記録感度（recording sensitivity）とＳ／Ｎ値を備え、光ディスク記録媒体として有用である。さらに、本発明のアゾ金属錯体色素は、アルコール、ケトン、エーテル、ハロゲン化合物、またはアミドに溶けるため、スプレー、ローラー、または回転塗布法など、単純な塗布方法により基板に塗布することができる。本発明のアゾ金属錯体色素は光ディスク記録媒体だけでなく、ＩＣのフォトレジスト、繊維製品の繊維染色、コピー、および印刷に用いることもできる。
【００７３】
本発明では好ましい実施例を前述のとおり開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができる。したがって、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】高密度光ディスク記録媒体に応用する化合物８についての反射対波長のスペクトルを示す。
【図２】高密度光ディスク記録媒体に応用する化合物２３についての反射対波長のスペクトルを示す。
【図１】
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【図２】
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