(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の電源端子に接続された複数の光デバイスと、
前記複数の光デバイスの各々に、それぞれのコレクタが接続され、それぞれのエミッタが共通に接続された複数のトランジスタと、
一端が前記共通に接続されたエミッタに接続され、他端が他方の電源端子に接続された抵抗と、
前記複数のトランジスタのベースにそれぞれ接続され、制御信号によって前記複数のトランジスタのそれぞれをオン・オフする複数のスイッチ回路と、
前記抵抗の一端の電圧と基準電圧とを比較し、前記複数のスイッチ回路の中のオン状態の前記スイッチ回路を介して前記トランジスタのベースに出力電圧を印加して定電流回路を構成する為の演算増幅器と
を備えたことを特徴とする光デバイスの駆動回路。
【請求項２】
前記スイッチ回路は、前記他方の電源端子に抵抗を介して接続した前記トランジスタのベースと前記制御信号の入力端子との間に、該制御信号が逆バイアス状態で印加されるように接続した第１のダイオードと、前記演算増幅器の出力端子と前記トランジスタのベースとの間に、前記第１のダイオードが前記制御信号により逆バイアス状態の時に順バイアス状態となって前記演算増幅器の出力電圧を前記トランジスタのベースに印加する第２のダイオードとにより構成したことを特徴とする請求項１記載の光デバイスの駆動回路。
【請求項３】
前記スイッチ回路は、前記トランジスタのベースと前記演算増幅器の出力端子との間に並列接続した相補型の電界効果トランジスタと、インバータとを有し、前記相補型の電界効果トランジスタの何れか一方のゲートと前記制御信号の入力端子との間を直接接続し、他方のゲートと前記制御信号の入力端子との間に前記インバータを接続した構成を備えたことを特徴とする請求項１記載の光デバイスの駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザや光スイッチ等の光デバイスの駆動回路に関する。
電気光学効果素子，熱光学効果素子，液晶等を利用して光信号の切替えや強度変調等を行う光スイッチ素子、或いは半導体レーザや発光ダイオード等の光源素子等を含む光デバイスは、小型化と共に駆動電圧の低電圧化が進められている。それに伴って駆動回路の低電圧化並びに低消費電力化が要望されている。
【０００２】
【従来の技術】
図７は従来例の駆動回路の説明図であり、Ｐ１〜Ｐｎは光デバイス、Ｑ１〜Ｑｎは光デバイスＰ１〜Ｐｎ対応に接続したトランジスタ、Ｑ０は定電流回路を構成する制御用トランジスタ、ＲE は抵抗、ＯＰＡは演算増幅器、Ｖｒは基準電圧、ＶC ，ＶE は電源電圧、Ｉ１〜Ｉｎは駆動電流を示す。なお、光デバイスＰ１〜Ｐｎは入力光信号を選択して出力光信号とする光スイッチの場合を示す。
【０００３】
トランジスタＱ１〜Ｑｎのコレクタを光デバイスＰ１〜Ｐｎの駆動用端子に接続し、ベースに制御信号を印加し、エミッタを共通に接続して制御用トランジスタＱ０のコレクタに接続し、制御用トランジスタＱ０のエミッタに抵抗ＲE を接続し、ベースに演算増幅器ＯＰＡの出力電圧を印加するように構成し、演算増幅器ＯＰＡは、抵抗ＲE の端子電圧と基準電圧とを比較して、その差分に相当する出力電圧を制御用トランジスタＱ０のベースに印加することにより、制御用トランジスタＱ０を含めて定電流回路を構成している。
【０００４】
従って、何れか一つの制御信号が例えばトランジスタＱ２のベースに入力されると、そのトランジスタＱ２はオンとなり、制御用トランジスタＱ０と演算増幅器ＯＰＡとにより構成された定電流回路に流れる一定化された電流がトランジスタＱ２を介して光デバイスＰ２に供給され、この光デバイスＰ２がオンとなることにより、この光デバイスＰ２を介して光信号が出力される。即ち、制御信号によって光デバイスＰ１〜Ｐｎの何れかを選択してオンとすることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来例の駆動回路は、光デバイスＰ１〜Ｐｎと、トランジスタＱ１〜Ｑｎと、制御用トランジスタＱ０と、抵抗ＲE との直列回路に、電源電圧ＶC ，ＶE が印加される構成となり、トランジスタＱ１〜Ｑｎと制御用トランジスタＱ０との直列２段構成であるから、最低でも２個のトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧を必要とすることになる。従って、低電圧化並びに低消費電力化にも限度があった。
本発明は、トランジスタの１段構成により、低電圧化並びに低消費電力化を図ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の光デバイスの駆動回路は、（１）一方の電源端子に接続された複数の光デバイスＰ１〜Ｐｎと、複数の光デバイスの各々に、それぞれのコレクタが接続され、それぞれのエミッタが共通に接続された複数のトランジスタＱ１〜Ｑｎと、一端が共通に接続されたエミッタに、他端が他方の電源端子に接続された抵抗ＲＥと、複数のトランジスタＱ１〜Ｑｎのベースにそれぞれ接続され、制御信号によって複数のトランジスタＱ１〜Ｑｎのそれぞれをオン・オフする複数のスイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎと、抵抗ＲＥの一端の電圧と基準電圧Ｖｒとを比較し、スイッチ回路を介してトランジスタＱ１〜Ｑｎのベースに印加して定電流回路を構成する為の演算増幅器ＯＰＡとを備えている。即ち、光デバイスに直列に接続したトランジスタＱ１〜Ｑｎは、１段構成となるから、低電圧化並びに低消費電力化を図ることができる。
【０００７】
又（２）電源端子間に複数の光デバイスとそれぞれ直列に接続したトランジスタ及び抵抗と、電源端子間に接続した制御用トランジスタ及び抵抗と、この制御用トランジスタに接続した抵抗の両端の電圧と基準電圧とを比較して、制御用トランジスタに帰還して定電流回路を構成する演算増幅器と、この演算増幅器の出力電圧を、制御信号に従ってトランジスタのベースに印加するスイッチ回路とを備えている。即ち、光デバイスに直列に接続したトランジスタは、１段構成となり、又制御用トランジスタと演算増幅器とによる定電流回路の演算増幅器の出力電圧を、制御信号に従ってスイッチ回路を介してトランジスタに帰還するから、複数の光デバイスを同時に駆動することができる。
【０００８】
又（３）スイッチ回路は、トランジスタのベースと制御信号の入力端子との間に、この制御信号が逆バイアス状態で印加されるように接続した第１のダイオードと、演算増幅器の出力端子とトランジスタのベースとの間に、第１のダイオードが制御信号により逆バイアス状態の時に順バイアス状態となって、演算増幅器の出力電圧をトランジスタのベースに印加する第２のダイオードとにより構成することができる。
【０００９】
又（４）スイッチ回路は、制御信号を一方はそのまま、他方はインバータＩＮＶを介してそれぞれゲートに印加する相補型の電界効果トランジスタＱＰ，ＱＮの並列接続により構成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施の形態の説明図であり、Ｐ１〜Ｐｎは光デバイス、Ｑ１〜Ｑｎはトランジスタ、Ｒ１〜Ｒｎ，ＲE は抵抗、Ｓ１〜Ｓｎはスイッチ回路、ＯＰＡは演算増幅器、Ｖｒは基準電圧、ＶC ，ＶE は電源電圧、ＶB はバイアス用の電圧を示す。
【００１１】
又スイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎは、例えば、下方に示すように、ｐチャネル電界効果トランジスタＱＰと、ｎチャネル電界効果トランジスタＱＮとの相補型の電界効果トランジスタを並列に接続し、制御信号ｃｎｔを一方のゲートにはそのまま、他方のゲートにはインバータＩＮＶを介して印加する構成のアナログスイッチ回路とすることができる。
【００１２】
又光デバイスＰ１〜Ｐｎ対応のトランジスタＱ１〜Ｑｎと、抵抗Ｒ１〜Ｒｎと、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎと、共通の抵抗ＲE と、演算増幅器ＯＰＡとを含み、トランジスタＱ１〜Ｑｎのコレクタに光デバイスＰ１〜Ｐｎの駆動端子を接続し、コレクタに共通の抵抗ＲE を接続し、ベースにスイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎを介して演算増幅器ＯＰＡの出力端子を接続すると共に、抵抗Ｒ１〜Ｒｎを接続し、演算増幅器ＯＰＡの−端子に抵抗ＲE の両端の電圧を入力し、＋端子に基準電圧Ｖｒを入力し、それらの差分に相当する出力電圧を、制御信号によってオンとなったスイッチ回路を介してトランジスタのベースに印加する構成を有するものである。
【００１３】
従って、光デバイスＰ１〜Ｐｎと、トランジスタＱ１〜Ｑｎと、抵抗ＲE との直列回路に電源電圧ＶC ，ＶE が印加され、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎを相補型の電界効果トランジスタＱＰ，ＱＮにより構成した場合、制御信号ｃｎｔが何れか一つのスイッチ回路に入力されることにより、そのスイッチ回路はオンとなり、演算増幅器ＯＰＡの出力電圧がトランジスタのベースに印加されて、そのトランジスタはオン状態となる。
【００１４】
例えば、スイッチ回路Ｓ２が制御信号によりオンとなると、演算増幅器ＯＰＡの出力電圧がトランジスタＱ２のベースに印加されて、このトランジスタＱ２はオン状態となり、光デバイスＰ２にトランジスタＱ２及び抵抗ＲE を介して電流が流れる。この電流に比例した抵抗ＲE の両端の電圧と、基準電圧Ｖｒとを演算増幅器ＯＰＡに入力し、その差分に対応する出力電圧となるから、その出力電圧が零となるように、トランジスタＱ２を介して流れる電流が制御される。
【００１５】
即ち、制御信号ｃｎｔによりオンとなったスイッチ回路と、このオンとなったスイッチ回路がベースに接続されたトランジスタと、抵抗ＲE と、演算増幅器ＯＰＡとにより、定電流回路を構成するボルテージフォロワ型の電圧−電流変換器が形成される。この場合、演算増幅器ＯＰＡの開放利得が充分に大きく、且つ入力インピーダンスが充分に高いと、演算増幅器ＯＰＡの−端子には＋端子と同一の電位Ｖｒが生じることになるから、Ｉ＝（Ｖｒ−ＶE ）／ＲE の一定の電流が光デバイスに供給される。
【００１６】
又トランジスタＱ１〜Ｑｎのベースに接続した抵抗Ｒ１〜Ｒｎに対して、共通に接続した端子の電位ＶB について、ＶB ＝Ｖｒ＋Ｖth（但し、Ｖth＝トランジスタＱ１〜Ｑｎの閾値）近傍に設定することにより、トランジスタＱ１〜Ｑｎを高速駆動して光デバイスＰ１〜Ｐｎの高速駆動が可能となる。又パワーダウン等の為に、トランジスタＱ１〜Ｑｎを総てオフ状態とする場合は、ＶB ≒ＶE とすることができる。
【００１７】
前述のように、光デバイスＰ１〜Ｐｎに対して１段構成のトランジスタＱ１〜Ｑｎにより駆動することが可能となり、従来例の２段構成に比較して低電圧化並びに低消費電力化が可能となる。又この実施の形態は、複数の光デバイスＰ１〜Ｐｎの何れか一つを選択して駆動する構成の場合であるが、光デバイスＰ１〜Ｐｎを複数のグループとし、各グループ対応に前述の駆動回路を設けることにより、グループ毎に一つの光デバイスを選択駆動し、全体として複数の光デバイスを同時に駆動する構成とすることも可能である。
【００１８】
又スイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎを、相補型の電界効果トランジスタＱＰ，ＱＮにより構成した場合、単一の電界効果トランジスタにより構成した場合に比較して、制御信号ｃｎｔの電圧値のばらつきによるオン抵抗のばらつきを低減することができ、光デバイスＰ１〜Ｐｎの選択駆動を安定化することができる。
【００１９】
図２は本発明の第２の実施の形態の説明図であり、図１と同一符号は同一部分を示し、Ｄ１１〜Ｄ１ｎは第１のダイオード、Ｄ２１〜Ｄ２ｎは第２のダイオード、ＰＶ１〜ＰＶｎは電圧駆動の光デバイス、ＲＰ１〜ＲＰｎは電流・電圧変換用の抵抗を示す。
【００２０】
この実施の形態は、図１に於けるスイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎを、第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎと第２のダイオードＤ２１〜Ｄ２ｎとにより構成した場合を示し、トランジスタＱ１〜Ｑｎのベースに抵抗Ｒ１〜Ｒｎを介して電圧ＶB を印加し、且つ第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎを、制御信号が逆バイアス状態で印加される極性でトランジスタＱ１〜Ｑｎのベースと制御信号の入力端子との間に接続し、又第２のダイオードＤ２１〜Ｑ２ｎを、第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎが逆バイアス状態の時に、共通の抵抗ＲE の両端の電圧が演算増幅器ＯＰＡを介してトランジスタのベースに帰還される極性でトランジスタＱ１〜Ｑｎのベースと演算増幅器ＯＰＡの出力端子との間に接続する。
【００２１】
制御信号が入力されずに、第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎが抵抗Ｒ１〜Ｒｎを介して電圧ＶB により順バイアス状態となっていると、トランジスタＱ１〜Ｑｎはオフ状態となる。又例えば、第１のダイオードＤ１２に制御信号が逆バイアス状態となるように印加されると、トランジスタＱ２のベースに抵抗Ｒ２を介して電圧ＶB が印加され、トランジスタＱ２はオン状態となり、又ダイオードＤ２２は順バイアス状態となる。そして、演算増幅器ＯＰＡの−端子に、抵抗ＲE の両端の電圧が入力され、＋端子に基準電圧Ｖｒに入力されるから、それらの差分に相当する出力電圧が第２のダイオードＤ２１〜Ｄ２ｎに逆バイアス状態で加えられ、ダイオードＤ２２を介してトランジスタＱ２のベースに演算増幅器ＯＰＡの出力電圧が帰還されることになるから、Ｉ＝（Ｖｒ−ＶE ）／ＲE の一定の電流が流れるボルテージフォロワ型の電圧−電流変換器が形成される。
【００２２】
又抵抗ＲＰ２に一定の電流Ｉが流れるから、電圧駆動の光デバイスＰＶ２に一定電圧が印加されて駆動されることになる。従って、電圧駆動の光スイッチ等の光デバイスＰＶ１〜ＰＶｎを総てオフ又は何れか一つをオンとして駆動することができる。この場合、制御信号を基準電圧Ｖｒ近傍を中心にした振幅値とすることにより、高速駆動が可能となる。又パワーダウン等の為にトランジスタＱ１〜Ｑｎを総てオフとする場合を含む時は、制御信号のローレベルを電圧ＶE とほぼ同一電位とすれば良いことになる。
【００２３】
図３は本発明の第３の実施の形態の説明図であり、図１と同一符号は同一部分を示し、Ｑ０は制御用トランジスタ、Ｓ０は制御用のスイッチ回路、Ｒ０，ＲE0〜ＲEnは抵抗である。
【００２４】
この実施の形態は、光デバイスＰ１〜Ｐｎの駆動端子にコレクタを接続したトランジスタＱ１〜Ｑｎのエミッタにそれぞれ抵抗ＲE1〜ＲEnを接続し、制御用トランジスタＱ０のエミッタに接続した抵抗ＲE0の両端の電圧を演算増幅器ＯＰＡの−端子に入力し、＋端子に基準電圧Ｖｒを入力し、制御用のスイッチＳ０を介して制御用トランジスタＱ０のベースに演算増幅器ＯＰＡの出力電圧を加えると共に、この出力電圧をスイッチＳ１〜Ｓｎを介してトランジスタＱ１〜Ｑｎのベースに加える構成としたものである。
【００２５】
従って、制御用のスイッチＳ０をオンとすることにより、トランジスタＱ０，抵抗ＲE0，演算増幅器ＯＰＡトランジスタを含めてボルテージフォロワ型の電圧−電流変換器が形成され、トランジスタＱ０には基準電圧Ｖｒに対応した一定の電流が流れる。この場合、制御用のスイッチＳ０は省略し、常時制御用のトランジスタＱ０をオン状態としておくことができる。
【００２６】
又Ｒ０＝Ｒ１＝Ｒ２・・・・＝Ｒｎとして比較的高抵抗とし、又ＲE0＝ＲE1＝ＲE2・・・＝ＲEnとすることにより、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎを制御信号によって同時に複数個オンとした時に、オン状態のスイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎ対応のトランジスタＱ１〜Ｑｎがオンとなって、同時に複数の光デバイスＰ１〜Ｐｎをそれぞれ同一の電流によって駆動することができる。
【００２７】
この実施の形態に於いても、光デバイスＰ１〜Ｐｎに対して１段構成のトランジスタＱ１〜Ｑｎにより駆動することが可能となり、従来例の２段構成に比較して低電圧化並びに低消費電力化が可能となる。又前述の第１，第２の実施の形態は、何れか一つのトランジスタをオンとする場合を示すが、この第３の実施の形態に於いては、同時に複数のトランジスタをオンとして、複数の光デバイスに同一の電流を供給して駆動することができる。
【００２８】
図４は本発明の第４の実施の形態の説明図であり、図３と同一符号は同一部分を示し、Ｄ１１〜Ｄ１ｎは第１のダイオード、Ｄ２０〜Ｄ２ｎは第２のダイオードであり、図３に於けるスイッチ回路Ｓ０〜Ｓｎを第１，第２のダイオードにより構成した場合を示す。
【００２９】
トランジスタＱ０〜Ｑｎのベースに、抵抗Ｒ０〜Ｒｎを接続して電圧ＶB を印加する構成とし、且つ第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎを、制御信号の入力端子とトランジスタＱ１〜Ｑｎのベースとの間に、制御信号が逆バイアスとなる極性で接続する。又第２のダイオードＤ２１〜Ｄ２ｎを、演算増幅器ＯＰＡの出力端子とトランジスタＱ１〜Ｑｎのベースとの間に、第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎが逆バイアス状態の時に電圧ＶB により順バイアスとなる極性で接続する。
【００３０】
従って、制御用のトランジスタＱ０は、抵抗Ｒ０を介してベース電流が流れる状態となるから、常時オン状態となり、抵抗ＲE0の両端の電圧と基準電圧Ｖｒとが演算増幅器ＯＰＡに入力され、第２のダイオードＤ２０を介して制御用トランジスタＱ０のベースに帰還される構成となるから、前述の場合の同様に、ボルテージフォロワ型の電圧−電流変換器が形成され、制御用トランジスタＱ０には一定の電流が流れる。
【００３１】
第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎに制御信号が加えられない場合は、総て順バイアス状態となって、トランジスタＱ１〜Ｑｎはオフ状態となる。そして、制御信号が例えば第１のダイオードＤ１１，Ｄ１２の逆バイアス状態で加えられると、第２のダイオードＤ２１，Ｄ２２が電圧ＶB により抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して順バイアス状態となり、この時の演算増幅器ＯＰＡの出力電圧により、トランジスタＱ１，Ｑ２のベース電圧が所定値となり、トランジスタＱ１，Ｑ２はオン状態となると共に、一定の電流が流れるように制御されることになる。即ち、複数のトランジスタを同時にオンとして、複数の光デバイスを同時に駆動することができる。
【００３２】
図５は本発明の実施の形態の印加電圧の説明図であり、（Ａ）は、光デバイス対応のトランジスタＱ１〜Ｑｎを制御信号によって制御して、光デバイスの駆動を行う前述の各実施の形態に於いて、電圧ＶE を接地Ｇの電位とし、電圧ＶB を基準電圧Ｖｒと同一電位とした場合を示し、高速動作が可能となる。なお、Ｅｒは基準電圧電源を示す。
【００３３】
又図５の（Ｂ）は、電圧ＶE 及び電圧ＶB を接地Ｇの電位とした場合を示し、トランジスタＱ１〜Ｑｎを総てオフとする状態を含む場合である。なお、（Ａ），（Ｂ）に於いて電圧ＶC は図示を省略しているが、電圧ＶE に対する電位として光デバイスを介して印加する構成となる。
【００３４】
図６は本発明の実施の形態の光信号装置の適用例の説明図であり、ＶC ，ＶE ，ＶB ，Ｖｒは前述の各実施の形態に於ける電圧を示し、又（Ａ）は、発光波長λ１〜λｎの半導体レーザＬＤ１〜ＬＤｎを光デバイスとした場合を示す。従って、制御信号（図示せず）により選択した半導体レーザＬＤ１〜ＬＤｎを駆動回路により駆動して所望の波長の光信号を発生させることができる。
【００３５】
又図６の（Ｂ）は、光スイッチＰＳ１〜ＰＳｎを光デバイスとした場合を示し、制御信号（図示せず）により選択した光スイッチＰＳ１〜ＰＳｎをオンとして、入力光信号を出力することができる。又光デバイスとして、光増幅器や光変調器を用いることも可能である。
【００３６】
本発明は、前述の各実施の形態にのみ限定されるものではなく、種々付加変更することができる。例えば、光デバイスに接続したトランジスタＱ１〜Ｑｎは、電界効果トランジスタとすることも可能である。又演算増幅器ＯＰＡを含めて集積回路化することも容易である。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、光デバイスＰ１〜Ｐｎの駆動端子にトランジスタＱ１〜Ｑｎと抵抗ＲE とを接続し、制御信号によってオンとなるスイッチ回路Ｓ１〜Ｓｎを介して演算増幅器ＯＰＡの出力電圧をトランジスタＱ１〜Ｑｎのベースに印加するように接続し、抵抗ＲE の両端の電圧と基準電圧Ｖｒとを演算増幅器ＯＰＡに入力して、その出力電圧を、制御信号によってオンとなるスイッチ回路を介してトランジスタのベースに帰還し、ボルテージフォロワ型の電圧−電流変換器を形成することより、制御信号によって選択された光デバイスＰ１〜Ｐｎに定電流を供給して駆動するもので、光デバイスＰ１〜Ｐｎに対してトランジスタＱ１〜Ｑｎによる１段構成の駆動回路となるから、低電圧化並びに低消費電力化が可能となる利点がある。
【００３８】
又制御用トランジスタと抵抗と演算増幅器とによりボルテージフォロワ型の電圧−電流変換器を形成すると共に、その演算増幅器の出力電圧を、光デバイスＰ１〜Ｐｎに接続したトランジスタＱ１〜Ｑｎのベースに、制御信号によってオンとなるスイッチ回路を介して加える構成とすることにより、複数の光デバイスを同時に定電流で駆動することができる。この場合も、光デバイスＰ１〜Ｐｎに対してトランジスタＱ１〜Ｑｎによる１段構成の駆動回路となり、従来例に比較して低電圧化が可能となると共に、低消費電力が可能となる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の説明図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の説明図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態の説明図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態の印加電圧の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態の光信号装置の適用例の説明図である。
【図７】従来例の駆動回路の説明図である。
【符号の説明】
Ｐ１〜Ｐｎ  光デバイス
Ｑ１〜Ｑｎ  トランジスタ
ＯＰＡ  演算増幅器
Ｓ１〜Ｓｎ  スイッチ回路
ＲE ，Ｒ１〜Ｒｎ  抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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