(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮上ヘッドにより保持されるソリッドイマージョンレンズ本体を有する光学系を用いて光ディスク基板に記録光を集光することによりカッティングを行って光ディスク原盤を製造するディスク原盤の製造方法であって、
前記光ディスク基板に塗布されたフォトレジスト上に前記ソリッドイマージョンレンズ本体と協働して前記記録光を前記光ディスク基板上に集光するための光学膜を塗布して成膜する光学膜塗布工程と、
該光学膜塗布工程において成膜した前記光学膜から離間し浮上させた前記ソリッドイマージョンレンズ本体で集光した記録光を前記光学膜によりさらに集光して前記フォトレジストに照射し、前記フォトレジストの露光を行う露光工程と、
前記光学膜を除去する光学膜除去工程と、
を備えたことを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の光ディスク原盤の製造方法において、
前記フォトレジストは、非水溶性であり、
前記光学膜は、水溶性であり、
前記光学膜除去工程は、前記フォトレジスト及び前記光学膜が塗布されている前記光ディスク基板を水洗する水洗浄工程を含む、
ことを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の光ディスク原盤の製造方法において、
前記光学膜は、導電性材料で形成することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載の光ディスク原盤の製造方法において、
前記光学膜は、導電性材料を含むことを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の光ディスク原盤の製造方法において、
前記光学膜は、帯電防止剤を含むことを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光ディスク原盤の製造方法に係り、特にソリッドイマージョンレンズ（ＳＩＬ：Ｓｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ）を用いて高密度カッティングを行う光ディスク原盤の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来よりソリッドイマージョンレンズ（以下、ＳＩＬという。）を用いて光ディスクに情報記録を行うものが知られている。
ここで、光ディスク原盤の製造工程の要部工程について図６を参照して説明する。
【０００３】
（１）フォトレジスト塗布工程（図６（ａ）参照）
所定形状に加工されたガラス基板５０は、感光剤（フォトレジスト）との密着性を高めるため、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）などの有機プライマをコーティングしてから、図６（ａ）に示すように、フォトレジスト５１をスピンコートする。
そして、フォトレジスト５１の溶媒を蒸発させ、フォトレジスト５１の膜を安定化させるべく、フォトレジスト５１塗布後のガラス基板５０をクリーンオーブンなどを用いてプリベイクする。
【０００４】
（２）露光工程（図６（ｂ）参照）
図示しないカッティング装置の記録ヘッドは、図示しない外部回路から記録信号が供給され、図示しない光変調器により記録光をオン／オフさせるとともに、記録光Ｌを図７に示すように、対物レンズ５２に導く。
【０００５】
このとき、対物レンズで集束した記録光ＬをＳＩＬ５３の球状面の表面に入射すると、記録光ＬはＳＩＬ５３の出射面である平面のほぼ中心に集束することとなる。
この場合において、ＳＩＬ５３として超半球（Ｓｕｐｅｒ  Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ）状レンズを用いるものとすると、ＳＩＬを用いた光学系の等価の開口数ＮＡは、
ＮＡ＝ｎ２×ＮＡ
となる。ここで、ｎはＳＩＬの屈折率である。
【０００６】
従って、記録光のビームスポット径ＬＢＥＡＭは、レーザ光の波長をλとすると、
ＬＢＥＡＭ＝λ／（ｎ２×ＮＡ）
で決まることとなる。
より具体的には、対物レンズ５２により集光された記録光Ｌは、フォトレジスト５１表面からギャップ（図７参照）だけ離間して配置されているＳＩＬ５３に入射され、ＳＩＬ５３により集光されてガラス基板５０上のフォトレジスト５１に照射され、スパイラル状に情報がカッティング（記録）されることとなる。
【０００７】
このとき、ＳＩＬ５３の射出面におけるビーム径は、図８の詳細説明図に示すように、φＤ１となり、ギャップをニアフィールド（Ｎｅａｒ  Ｆｉｅｌｄ）記録を行うようにする場合、すなわち、ギャップを記録光の１／４波長未満の距離とする場合は、ほぼフォトレジスト５１上におけるビーム径と等しくなる。
【０００８】
（３）現像工程（図６（ｃ）参照）
続いて、現像処理を行うことにより表面に凹上のピットがスパイラル状に並んだガラス原盤が形成されることとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来のカッティング装置を用いる場合、ＳＩＬ５３がガラス基板５０上のフォトレジスト５１とニアフィールド記録を行うため、ＳＩＬ５３内で記録光Ｌを集束（直径φＤ１）することとなり、ＳＩＬ５３の射出面近傍におけるパワー密度が高くなって、白濁する等、ＳＩＬ劣化（いわゆる、やけ）を起こしてしまうという問題点があった。
【００１０】
また、通常は、クリーンルーム内においても空気中に存在する塵や埃は、ＳＩＬのギャップ間隔（１０［ｎｍ］から１００［ｎｍ］）よりも大きく、これらの塵などが静電気等に起因してギャップ部分に入り込むことにより浮上ヘッドが跳ね上げられてＳＩＬと保護膜との間隔が元の間隔となるまで、正確な書込ができないと言う不具合があった。
【００１１】
また、光ディスク基板上に静電気により塵が付着し、付着した塵によりＳＩＬ、保護膜あるいはフォトレジストにキズがついてしまうという問題点があった。そこで、本発明の目的は、ＳＩＬの劣化を防止し、高密度記録がなされた光ディスク原盤を製造可能な光ディスク原盤の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、浮上ヘッドにより保持されるソリッドイマージョンレンズ本体を有する光学系を用いて光ディスク基板に記録光を集光することによりカッティングを行って光ディスク原盤を製造するディスク原盤の製造方法であって、前記光ディスク基板に塗布されたフォトレジスト上に前記ソリッドイマージョンレンズ本体と協働して前記記録光を前記光ディスク基板上に集光するための光学膜を塗布して成膜する光学膜塗布工程と、該光学膜塗布工程において成膜した前記光学膜から離間し浮上させた前記ソリッドイマージョンレンズ本体で集光した記録光を前記光学膜によりさらに集光して前記フォトレジストに照射し、前記フォトレジストの露光を行う露光工程と、を備えて構成する。
【００１３】
請求項１記載の発明によれば、光学膜塗布工程は、前記光ディスク基板に塗布されたフォトレジスト上に前記ソリッドイマージョンレンズ本体と協働して前記記録光を前記光ディスク基板上に集光するための光学膜を塗布して成膜する。
露光工程は、光学膜塗布工程で成膜した光学膜から離間し浮上させたソリッドイマージョンレンズ本体で集光した記録光を光学膜によりさらに集光してフォトレジストに照射し、フォトレジストの露光を行う。
【００１４】
光学膜除去工程は、前記光学膜を除去する。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記フォトレジストは、非水溶性であり、前記光学膜は、水溶性であり、前記光学膜除去工程は、前記フォトレジスト及び前記光学膜が塗布されている前記光ディスク基板を水洗する水洗浄工程を含むように構成する。
【００１５】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の発明の作用に加えて、前記光学膜は、水溶性であるので、前記光学膜除去工程の水洗浄工程は、前記フォトレジスト及び前記光学膜が塗布されている前記光ディスク基板を水洗する。
請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２記載の発明において、前記光学膜は、導電性材料で形成するように構成する。
【００１６】
請求項３記載の発明によれば、請求項１または請求項２記載の発明の作用に加えて、前記光学膜は、導電性材料で形成するので、静電気により塵が付着しづらくなる。
請求項４記載の発明は、請求項１または請求項２記載の発明において、前記光学膜は、導電性材料を含むように構成する。
【００１７】
請求項４記載の発明によれば、請求項１または請求項２記載の発明の作用に加えて、前記光学膜は、導電性材料を含むので、静電気により塵が付着しづらくなる。
請求項５記載の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の発明において、前記光学膜は、帯電防止剤を含むように構成する。
【００１８】
請求項５記載の発明によれば、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の発明の作用に加えて、前記光学膜は、帯電防止剤を含むので、静電気により塵が付着しづらくなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
図１に光ディスク原盤製造工程の要部の工程説明図を示す。
【００２０】
（１）ガラス基板加工、研磨、洗浄工程
（１−１）加工
光ディスク原盤製造工程は、光ディスク基板としてのガラス基板１の加工から始まる。
【００２１】
ガラス基板１の材質としては、光学的特性、物理的特性（特に強度）等の観点からは光学ガラス、強化ガラス等を使用することが考えられるが、コストの観点からソーダライムガラスが一般的に用いられている。
ガラス基板１を所定の円盤形状に加工後、
▲１▼  内径・外径寸法
▲２▼  厚さ
▲３▼  真円度、同心度
▲４▼  平面度、並行度
▲５▼  気泡、キズ、欠け等の表面欠陥
等をチェックする。
【００２２】
（１−２）研磨
上記チェックをパスしたガラス基板１は、
▲１▼  表面の微細なキズの除去
▲２▼  表面の活性化
を目的として、研磨が行われる。
【００２３】
（１−３）洗浄
次に研磨により付着した砥粒、ガラス粉末等の除去を行うべく、ガラス基板１を超純水を用いてスクラバー洗浄し、超純水を用いてスピン乾燥させる。
【００２４】
（２）フォトレジスト塗布工程（図１（ａ）参照）
次にガラス基板１とフォトレジスト（感光剤）２との密着性を高めるため、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）などの有機プライマをコーティングしてからフォトレジスト２をスピンコートする。
【００２５】
そして、フォトレジスト２の溶媒を蒸発させ、フォトレジスト２膜を安定化させるべく、フォトレジスト２塗布後のガラス基板１をクリーンオーブンなどを用いてプリベイクする。
ところで、フォトレジスト２の膜厚は、光ディスクのピット高さや形状に直接関係し、再生品質に大きく影響するのでその管理は重要である。
そこで、偏光解析法（エリプソメトリー）を用いて高感度、非接触、非破壊でフォトレジスト２の膜厚を測定し、膜厚が所定範囲内にあるか否かを検査する。
【００２６】
（３）光学膜塗布工程（図１（ｂ）参照）
次にＳＩＬ本体のエネルギー集中による劣化を防止するための光学膜３が塗布される。
【００２７】
この場合において、光学膜３の性質としては以下の６つの性質が要求される。
▲１▼  成膜、はく離が容易であること。
▲２▼  成膜時にフォトレジスト２と混合しないこと。
▲３▼  フォトレジスト２の露光を妨げないように十分な透過率を有すること。
▲４▼  高い屈折率を有していること。
▲５▼  実用上、十分な厚さに成膜できること。
▲６▼  塵などの吸着を招く静電気の発生を抑制するために、導電性若しくは帯電防止効果を有すること。
【００２８】
上記性質を有する保護膜材料としては、導電性水性ポリマーあるいは帯電防止剤を微量に添加した水性ポリマー等が挙げられる。水性ポリマーの特徴としては、
▲１▼  スピンコートが可能で成膜が容易であり、水によりはく離させることができる。
▲２▼  フォトレジスト２は水に対して不溶性であるため、フォトレジスト２と混合することがない。
▲３▼  光学的に透明な化合物である。
等が挙げられる。
【００２９】
より具体的には、導電性ポリマーであるポリアニリンスルホン酸、また、ポリアニリンスルホン酸と導電性を有さない水性ポリマー（例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルイソブチルエーテル、セルロースエーテル等）との共重合体あるいは混合物等が挙げられる。
【００３０】
また、前述の水性ポリマーに帯電防止剤、具体的には、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪アルコールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、アルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルサルフェート、アルキルホスフェート、テトラアルキルアンモニウム塩、トリアルキルベンジルアンモニウム塩、アルキルペンタイン、イミダゾリン等を劣化防止層の透過率を大きく低下させない範囲で微量に添加した混合物などが挙げられる。
【００３１】
帯電防止剤を添加する場合には、水性ポリマーは必ずしも導電性を有さなくてもよく、すなわち、導電性を有さない水性ポリマー、具体的には、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルイソブチルエーテル、セルロースエーテル等の単体、これらの共重合体あるいは混合物であってもよい。
【００３２】
また、上記帯電防止剤に代えて、黒鉛、炭素繊維、カーボンブラック、マイカ、金属繊維、金属粉末、金属イオン等の導電性材料を光学膜の透過率を実用的に大きく低下させない範囲で微量に添加するように構成することも可能である。
導電性あるいは帯電防止効果を有する水性ポリマーを光学膜として使用することにより、静電気の発生が抑制され、静電気による電気的な引力によりソリッドイマージョンレンズ本体が光学膜に衝突するのを防止することができるとともに、ソリッドイマージョンレンズ本体の浮上量を一定に保ち、空気中に浮遊している塵の吸着を低減して、ソリッドイマージョンレンズ本体が塵と衝突するのを防止することができる。
これらを用いる結果、屈折率１．５程度、厚さ０．１μｍ〜数μｍの保護膜を形成することが可能である。
【００３３】
（４）露光工程（図１（ｃ）参照）
次に露光工程を説明する前にカッティング装置について図２を参照して説明する。
【００３４】
カッティング装置１０は、フォトレジスト２及び光学膜３が塗布されたガラス基板１を回転駆動する駆動モータ１１と、駆動モータ１１をガラス基板１の径方向に駆動するディスク送り装置１２と、図示しない外部回路から記録信号ＳＲが供給され、後述のアンプ１７から増幅位相補償フォーカスエラー信号ＳＡＰＦＥが供給されるとともに、フォーカスサーボ用信号ＳＦＣＳを出力する記録ヘッド１３と、フォーカスサーボ信号ＳＦＣＳを増幅して増幅フォーカスサーボ信号ＳＡＦＣＳとして出力するヘッドアンプ１４と、増幅フォーカスサーボ信号ＳＡＦＣＳに基づいてフォーカスエラー信号ＳＦＥを生成し出力するフォーカスマトリックス回路１５と、フォーカスエラー信号ＳＦＥの位相補償を行って位相補償フォーカスエラー信号ＳＰＦＥを出力する位相補償回路１６と、位相補償フォーカスエラー信号ＳＰＦＥを増幅して増幅位相補償フォーカスエラー信号ＳＡＰＦＥを出力するアンプ１７と、備えて構成されている。
【００３５】
記録ヘッドの主要部の概要構成図を図３に示す。
記録ヘッド１３は、光学膜３と協働することにより後述の対物レンズ２２により集光された記録光をさらに集光して実効的な開口数を向上させるＳＩＬ本体２０と、ＳＩＬ本体２０を光学膜３から所定距離（＝ギャップ；図４参照）だけ離間して浮上させる浮上ヘッド２１と、図示しないレーザダイオードなどの光源からの記録光Ｌを集光するための対物レンズ２２と、ガラス基板１側への記録光Ｌの入射光及びガラス基板１側からの反射光を分離するビームスプリッタ２３と、を備えて構成されている。
【００３６】
図４にＳＩＬ本体２０及び光学膜３の詳細構成説明図を示す。
図４（ａ）に示すように、ＳＩＬ本体２０は、図４（ｂ）に示す従来のＳＩＬ５３の射出面５３Ｐ側から光学膜３の厚さ分だけ薄く削り取った形状を有しており、ＳＩＬ本体２０を光学膜３から所定距離（＝ギャップ；図４参照）だけ離間した状態で光学膜３と協働して従来のＳＩＬ５３として機能することとなる。
【００３７】
従って、ＳＩＬ本体２０の射出面２０Ｐにおける記録光のスポット径は、ＳＩＬ５３の射出面５３Ｐにおける記録光のスポット径よりも大きくなり、エネルギー集中を軽減することが可能となっている。
次に露光工程について説明する。
【００３８】
カッティング装置１０の駆動モータ１１は、ガラス基板１をフォトレジスト２及び光学膜３とともに回転駆動し、ディスク送り装置１２は、駆動モータ１１をガラス基板１の径方向にゆっくりと駆動する。
この結果、浮上ヘッド２１はＳＩＬ本体２０を光学膜３から所定距離（＝ギャップ；）だけ離間して浮上させる。
【００３９】
一方、記録ヘッド１３には、図示しない外部回路から記録信号ＳＲが供給され、図示しない光変調器により記録光Ｌをオン／オフさせる。
そして、記録ヘッド１３は、ビームスプリッタ２３を介して、記録光Ｌを対物レンズ２２に導き集束させる。
【００４０】
集束された記録光Ｌは、ＳＩＬ本体２０に入射され、ＳＩＬ本体２０及び光学膜３によりさらに集光されてガラス基板１上のフォトレジスト２に照射され、スパイラル状に情報がカッティング（記録）されることとなる。
このとき、図５の詳細説明図に示すように、ＳＩＬ本体２０の射出面におけるビーム径φＤ２は、フォトレジスト２上におけるビーム径を従来と同一にする場合、光学膜３が介在することにより大きくなり、
φＤ２≫φＤ１
となる。
【００４１】
従って、ＳＩＬ本体２０及び光学膜３が協働してＳＩＬとして機能することにより、ＳＩＬ本体２０の射出面２０Ｐにおけるエネルギー集中は、従来のようにＳＩＬのみを用いる場合のＳＩＬ５３の射出面５３Ｐにおけるエネルギー集中と比較して、少なくなり、ＳＩＬ本体２０が白濁するなどの劣化を起こすことがなくなる。
【００４２】
この露光と並行して、記録ヘッド１３は、ガラス基板１により反射された記録光Ｌをビームスプリッタ２３を介して分離し、ヘッドアンプ１４に出力する。
これによりヘッドアンプ１４は、フォーカスサーボ信号ＳＦＣＳを増幅して増幅フォーカスサーボ信号ＳＡＦＣＳとしてフォーカスマトリックス回路１５に出力する。
【００４３】
フォーカスマトリックス回路１５は、増幅フォーカスサーボ信号ＳＡＦＣＳに基づいてフォーカスエラー信号ＳＦＥを生成し位相補償回路１６に出力する。
位相補償回路１６は、フォーカスエラー信号ＳＦＥの位相補償を行って位相補償フォーカスエラー信号ＳＰＦＥをアンプ１７に出力する。
【００４４】
アンプ１７は、位相補償フォーカスエラー信号ＳＰＦＥを増幅して、増幅位相補償フォーカスエラー信号ＳＡＰＦＥとして記録ヘッド１３に出力する。
これにより、記録ヘッド１３は、対物レンズ２２を図示しないアクチュエータにより駆動してフォーカス制御を行うこととなる。
【００４５】
（５）光学膜除去工程（図１（ｄ）参照）
次に超純水により水洗し、スピン乾燥を行って光学膜３を除去する。
（６）現像工程（図１（ｅ）参照）
続いて、現像処理を行うことにより表面に凹上のピットがスパイラル状に並んだガラス原盤が形成されることとなる。
その後、超純水による水洗、スピン乾燥を行い、水分の除去とガラス基板１へのフォトレジスト２の密着性を確実にするためにポストベイクを行う。
【００４６】
（７）表面導体化工程
ガラス原盤の表面は不導体であるので、ガラス原盤作成後のスタンパー制作工程において電鋳を行うためにガラス原盤の表面に導電膜を形成して導体化する必要がある。
【００４７】
このための手法として、真空中での金属の蒸着あるいはスパッタリング（乾式法）あるいは無電解メッキ（湿式法）等が挙げられる。
導電膜を形成する導体材料としては、ニッケルあるいは銀等が用いられる。
【００４８】
（８）原盤再生検査工程
表面導体化工程において導体化するために用いられた導電膜は反射膜としても機能するので、原盤再生機によってガラス原盤の再生検査を行うことができる。
【００４９】
再生検査においては、ガラス原盤表面の欠陥検査及び信号品質の確認を行う。
この原盤再生検査に合格したガラス原盤は、その後に行われるスタンパー制作工程においてスタンパーの制作に用いられることとなる。
以上の説明のように本実施形態によれば、ＳＩＬ本体を光学膜の厚さ分だけガラス原盤の記録面から離れた位置に配置することができ、ＳＩＬ本体は光学膜と協働してＳＩＬとして機能しているため、ＳＩＬ本体の記録光射出面におけるビーム径を太く（＝φＤ２）することができ、エネルギー集中を緩和して、ＳＩＬ本体の劣化（白濁等のやけ）を防止することができる。
【００５０】
以上の説明においては、フォトレジストを非水溶性材料を用い、光学膜を水溶性材料を用いたが、両者が混合せず、かつ、光学膜のはく離が容易であれば他の材料を用いることも可能である。
さらに光学膜は、導電性あるいは帯電防止効果を有するので、ディスク基板に塵などが低減され、浮上ヘッドが光ディスク基板に付着した塵により跳ね上がり、光ディスク基板との距離が離間することにより書込不能時間が発生するのを抑制することができる。
【００５１】
また、塵によりＳＩＬ本体が傷つくのを抑制することができる。
さらに塵により保護膜やフォトレジストにキズが発生するのを抑制することができる。
さらにまた、光ディスク基板としてガラス基板を用いる場合についてのみ説明したが、表面絶縁処理したシリコン基板やＡｌ基板を用いることも可能である。
【００５２】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、光学膜塗布工程は、前記光ディスク基板に塗布されたフォトレジスト上に前記ソリッドイマージョンレンズ本体と協働して前記記録光を前記光ディスク基板上に集光するための光学膜を塗布して成膜し、露光工程は、光学膜塗布工程で成膜した光学膜から離間し浮上させたソリッドイマージョンレンズ本体で集光した記録光を光学膜によりさらに集光してフォトレジストに照射し、フォトレジストの露光を行っているので、浮上ヘッドにより浮上させたソリッドイマージョンレンズ本体は、ソリッドイマージョンレンズ本体で集光した記録光が光学膜によりさらに集光されることにより、光学膜を設けない場合と比較してフォトレジスト表面から光学膜の厚さ分だけ離間することができ、フォトレジスト表面におけるビーム径を太くすることなく、ソリッドイマージョンレンズ本体の記録光射出面におけるビーム径を太くすることができるため、エネルギー集中を緩和して、ソリッドイマージョンレンズの劣化を防止することができる。
【００５３】
さらに、光学膜除去工程は、露光工程後、光学膜を除去するので、その後の現像、表面導体化、原盤再生検査の各工程に影響を与えることがない。
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の発明の作用に加えて、フォトレジストは、非水溶性とし、光学膜は、水溶性とするので、両者が混合することはなく、光学膜除去工程の水洗浄工程は、フォトレジスト及び光学膜が塗布されているガラス基板を水洗するだけで、光学膜を容易に除去して、その後の現像、表面導体化、原盤再生検査の各工程に影響を与えることがない。
【００５４】
請求項３記載の発明によれば、請求項１または請求項２記載の発明の作用に加えて、前記光学膜は、導電性材料で形成するので、静電気により塵が付着しづらくなる。
請求項４記載の発明によれば、請求項１または請求項２記載の発明の作用に加えて、前記光学膜は、導電性材料を含むので、静電気を逃がすことができ、静電気による塵の付着を低減できる。
【００５５】
請求項５記載の発明によれば、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の発明の作用に加えて、前記光学膜は、帯電防止剤を含むので、静電気による塵の付着を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の光ディスク原盤製造工程の要部工程説明図である。
【図２】カッティング装置の概要構成ブロック図である。
【図３】記録ヘッドの説明図である。
【図４】ＳＩＬ本体及び光学膜の詳細構成説明図である。
【図５】露光工程の詳細説明図である。
【図６】従来の光ディスク原盤の製造工程の要部工程説明図である。
【図７】従来の光学系の説明図である。
【図８】従来の露光工程の詳細説明図である。
【符号の説明】
１  ガラス基板
２  フォトレジスト
３  光学膜
１１  駆動モータ
１２  送り装置
１３  記録ヘッド
１４  ヘッドアンプ
１５  フォーカスマトリックス回路
１６  位相補償回路
１７  アンプ
２０  ソリッドイマージョンレンズ（ＳＩＬ）本体
２０  射出面
２１  浮上ヘッド
２２  対物レンズ
２３  ビームスプリッタ
ＳＦＣＳ  フォーカスサーボ信号
ＳＡＦＣＳ  増幅フォーカスサーボ信号
ＳＦＥ  フォーカスエラー信号
ＳＰＦＥ  位相補償フォーカスエラー信号
ＳＡＰＦＥ  増幅位相補償フォーカスエラー信号
【図１】
0003611955.tif 000002
【図２】
0003611955.tif 000003
【図３】
0003611955.tif 000004
【図４】
0003611955.tif 000005
【図５】
0003611955.tif 000006
【図６】
0003611955.tif 000007
【図７】
0003611955.tif 000008
【図８】
0003611955.tif 000009