(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の一面に形成された第１導体配線と、前記第１導体配線を覆うように前記絶縁基板の前記一面上に形成されかつ所定位置に貫通孔を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成されかつ前記貫通孔を通じて前記第１導体配線に接続された第２導体配線とを備えた厚膜回路基板の製造方法であって、
前記絶縁基板の前記一面に前記第１導体配線を形成する第１導体配線形成工程と、
前記第１導体配線上において前記所定位置に連結導体部を形成する連結導体部形成工程と、
絶縁体ペーストをスクリーン印刷により複数回にわたって塗布することにより、前記連結導体部が前記貫通孔内に位置し、且つ前記貫通孔の径が上方の層にしたがって大きくなるように、前記絶縁層を前記絶縁基板の前記一面上に形成する絶縁層形成工程と、
前記貫通孔を通じて前記連結導体部に接続されるよう前記絶縁層上に前記第２導体配線を形成する第２導体配線形成工程と、
を含む厚膜回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、厚膜回路基板の製造方法、特に、絶縁層に形成された貫通孔を通じて連結される第１及び第２導体配線を備えた厚膜回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品が搭載される厚膜回路基板は、近年においては高密度化が要求されており、多層化が進んでいる。
多層化された厚膜回路基板は、たとえば、絶縁基板と、絶縁基板の一面に形成された下部導体配線と、下部導体配線を覆うように絶縁基板の一面上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された第２導体配線とを備えている。絶縁層には、直径３００〜７００μｍの貫通孔が形成されており、その貫通孔内に下部導体配線と上部導体配線とを接続するビアホール導体が形成されている。
【０００３】
前記厚膜回路基板を形成するには、始めに絶縁基板上に下部導体配線となる銅ペーストを塗布する。続いて、絶縁層となるペーストを絶縁基板上に塗布する。このとき、絶縁層には所定位置に貫通孔が形成される。さらに１００〜１５０℃で絶縁層を乾燥し、９００℃で焼成する。次に、ビアホール導体を印刷・焼成し、上部導体配線となる銅ペーストを絶縁層上に塗布する。このとき、上部導体配線は絶縁層に形成された貫通孔を通じて第１導体配線に接続される。基板全体を約９００℃の高温で焼成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来の厚膜回路基板の製造方法では、絶縁層になるペースト材料を塗布した後に、乾燥前のペースト材料が貫通孔の内側にたれて貫通孔を塞いでしまうことがある。この場合は、上部導体と下部導体との間の導通不良が生じる。
本発明の目的は、導体間の導通不良を減らすことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る厚膜回路基板の製造方法は、絶縁基板と、絶縁基板の一面に形成された第１導体配線と、第１導体配線を覆うように絶縁基板の一面上に形成されかつ所定位置に貫通孔を有する絶縁層と、絶縁層上に形成されかつ貫通孔を通じて第１導体配線に接続された第２導体配線とを備えた厚膜回路基板の製造方法である。この製造方法は、第１導体配線形成工程と連結導体部形成工程と絶縁層形成工程と第２導体配線形成工程とを含んでいる。
【０００６】
第１導体配線形成工程は、絶縁基板の前記一面に第１導体配線を形成する。連結導体部形成工程は、第１導体配線上において前記所定位置に連結導体部を形成する。絶縁層形成工程は、絶縁体ペーストをスクリーン印刷により複数回にわたって塗布することにより、連結導体部が貫通孔内に位置し、且つ前記貫通孔の径が上方の層にしたがって大きくなるように、前記絶縁層を前記絶縁基板の前記一面上に形成する。第２導体配線形成工程は、貫通孔を通じて連結導体部に接続されるよう絶縁層上に前記第２導体配線を形成する。
【０００７】
【作用】
本発明に係る厚膜回路基板の製造方法では、連結導体部を絶縁層より先に第１導体配線上に形成し、絶縁層を連結導体部が貫通孔に嵌合するように絶縁基板上に形成する。したがって、連結導体部が遮断されるのを防止でき、第１導体配線と第２導体配線との導通不良が減る。
【０００８】
【実施例】
図１に示す厚膜回路基板１は電子部品が搭載されるものであり、絶縁基板２と、絶縁基板２の上面に形成された下部導体配線３と、絶縁基板２の上面において下部導体配線３を覆うように形成された絶縁層４と、絶縁層４上に形成された上部導体配線５とから形成されている。絶縁層４の複数の所定位置には、貫通孔４ａ（径３００〜５００μｍ）が形成されており、貫通孔４ａ内に充填されたビアホール導体６が下部導体配線３と上部導体配線５とを接続している。なお、貫通孔４ａの径は、上方にいくにしたがって大きくなっている。
【０００９】
なお、絶縁基板２は、たとえばアルミナ、ＡｌＮ、ムライト等からなる矩形状の基板である。下部導体配線３、上部導体配線５及びビアホール導体６は、銅ペースト（たとえばデュポン社製のＤＰ９１５３）を焼成して形成されている。また、絶縁層４は、ペースト材料（たとえば旭硝子社製の誘電体ペーストＡＰ５８１５）を乾燥して得られる。
【００１０】
次に、厚膜回路基板１の製造方法について説明する。
始めに、図２に示すように、たとえばアルミナ、ＡｌＮ、ムライト等から構成され絶縁基板２を用意する。次に、図３に示すように、絶縁基板２上に、スクリーン印刷によって下部導体配線３となる銅ペーストを塗布する。そして、図４に示すように、下部導体配線３上に、スクリーン印刷を複数回行うことにより、ビアホール導体６となる銅ペースト（径３００〜５００μｍ）を形成する。ビアホール導体６の位置は、完成時に絶縁層４の貫通孔４ａが形成される位置に一致して複数形成されている。各ビアホール導体６は図の上方向に延びている。
【００１１】
さらに、図５に示すように、絶縁層４となる絶縁体ペーストをスクリーン印刷によって絶縁基板２の上面に塗布する。絶縁体ペーストの塗布は複数回にわたって行われ、図６に示すように、下部導体配線３上には第１層４Ａ、第２層４Ｂ及び第３層４Ｃが形成されている。絶縁層４は下部導体配線３を覆っているが、ビアホール導体６に対応する位置に貫通孔４ａが形成されており、貫通孔４ａ内にビアホール導体６が嵌合する。
【００１２】
以上に説明したように、ビアホール導体６が絶縁層４より先に形成されているので、たとえペースト材料が貫通孔４ａの内側にたれ下がってきても貫通孔４ａを塞ぎにくい。さらに、貫通孔４ａの径は、上方の層にしたがって大きくなるように設定されているので、貫通孔４ａの上部が内側に垂れ下がりにくくなっている。
【００１３】
次に、絶縁基板２を乾燥炉の中に入れ、１００〜１５０℃で絶縁層４を乾燥する。
乾燥後の絶縁層４上に、上部導体配線５となる銅ペーストをスクリーン印刷によって塗布する。このとき、上部導体配線５は、貫通孔４ａを通じてビアホール導体６に接続される。ここでは、貫通孔４ａはペースト材料のたれによって塞がれていないので、上部導体配線５と下部導体配線３との導通不良が減る。
【００１４】
最後に、絶縁基板２を非酸化性雰囲気中で約９００℃の高温で焼成する。これにより、厚膜回路基板１が完成する。
〔実験例〕
厚膜回路基板を従来の製造方法と本発明による製造方法とでそれぞれ製造し、両者の導体不良率を比較した。この実験では、径が３００μｍのビアホール導体を下部導体配線上に１００ヶ所形成した。導通の有無は絶縁抵抗計で計測し、１０9 Ω以上が導通良好であるとした。従来製造方法では導通不良率は６％であり、本発明による製造方法では導通不良率は０％になった。
〔他の実施例〕
なお、前記実施例では絶縁層４は３層に形成されているが、本発明は４層以上でも採用できる。
【００１５】
【発明の効果】
本発明に係る厚膜回路基板の製造方法では、連結導体部を絶縁層より先に第１導体配線上に形成するので、連結導体部が遮断されにくくなり、第１導体配線と第２導体配線との導通不良が減る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例により製造された厚膜回路基板の縦断面概略図。
【図２】厚膜回路基板の製造工程の一段階を示す図。
【図３】厚膜回路基板の製造工程の一段階を示す図。
【図４】厚膜回路基板の製造工程の一段階を示す図。
【図５】厚膜回路基板の製造工程の一段階を示す図。
【図６】厚膜回路基板の製造工程の一段階を示す図。
【符号の説明】
１  厚膜回路基板
２  絶縁基板
３  下部導体配線
４  絶縁層
４ａ  貫通孔
５  上部導体配線
６  ビアホール導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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