(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
隆起した表面特徴を有する基板を分析する方法であって、
（ａ）該基板を走査して強度信号を生成するステップと、
（ｂ）該強度信号を、自己相関演算を用いて処理して、処理された信号を生成し、およびこの処理された信号を周波数領域の信号に変換するステップであって、該自己相関演算により、フィルター処理された波形信号からウェーハの自己相関信号を生成するようになっているステップと、
（ｃ）参照信号を提供するステップと、
（ｄ）該処理された信号を、該参照信号と比較するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
該ステップ（ａ）が、さらに走査電子顕微鏡を用いて基板を走査するステップを含むものである方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、
該ステップ（ｄ）が、さらに該参照信号と該処理された信号との相互相関演算を行い、評価値を生成するステップを含むものである方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、
該ステップ（ｄ）が、さらに該評価値が０．９より大である場合に、基板を合格であると判定するステップを含む方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法において、
該ステップ（ｄ）が、さらに該評価値が０．９５よりも大である場合に、該基板を合格であると判定するステップを含む方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、さらに
該ステップ（ｄ）に応答して、製造器具を調整するステップを含むものである方法。
【請求項７】
集積回路を製作する方法であって、
（ａ）ウェーハに少なくとも１つの表面特徴を提供するステップと、
（ｂ）該ウェーハを走査して、該表面特徴を表わす強度信号を生成するステップと、
（ｃ）該強度信号を自己相関演算を用いて処理して、処理された信号を生成し、およびこの処理された信号を周波数領域の信号に変換するステップであって、該自己相関演算により、フィルター処理された波形信号からウェーハの自己相関信号を生成するようになっているステップと、
（ｄ）参照信号を提供するステップと、
（ｅ）該走査された信号を該参照信号と比較するステップとを含む方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、さらに
該ステップ（ｅ）に応答して、ウェーハ又は測定値を不合格とするステップを含む方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法において、
該参照信号が少なくとも１つの表面特徴に対応する標準表面特徴を表わすものである方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法において、
該ステップ（ｅ）が、さらに走査電子顕微鏡を用いてウェーハを走査するステップを含む方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の方法において、
該ステップ（ｅ）が、さらに該参照信号と、該強度信号との相互相関演算を行って評価値を生成するステップを含む方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、
該ステップ（ｅ）が、さらに該評価値が０．９より大である場合に、ウェーハを合格であると判定するステップを含む方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法において、
該ステップ（ｅ）が、さらに該評価値が０．９５より大である場合に、ウェーハを合格であると判定するステップを含む方法。
【請求項１４】
請求項７に記載の方法において、
該ステップ（ｄ）が、さらに特定の表面特徴を評価するステップを含む方法。
【請求項１５】
表面特徴を有する基板を分析するための基板分析システムであって、
該基板の強度信号を生成する走査電子顕微鏡と、
自己相関演算を実行して、該強度信号から自己相関信号を生成する自己相関手段であって、該自己相関演算により、フィルター処理された波形信号からウェーハの自己相関信号を生成するよう動作する自己相関手段と、
該自己相関信号を、周波数領域の信号に変換する変換手段と、
該自己相関信号と、参照信号との相互相関演算を行って相互相関信号を生成する相互相関手段と、
該相互相関信号に応答して、該基板を評価する手段とを含むことを特徴とする基板分析システム。
【請求項１６】
隆起した表面特徴を有する基板を分析するための方法であって、
（ａ）該基板を走査して、走査された信号を生成するステップと、
（ｂ）該走査された信号を周波数領域の信号に少なくとも変換することにより該走査された信号を処理して、処理された信号を生成するステップであって、フィルター処理された波形信号を生成してから、このフィルター処理された波形信号からウェーハの自己相関信号を生成するステップと、
（ｃ）参照信号を提供するステップと、
（ｄ）該処理された信号を、該参照信号と比較するステップと、
（ｅ）該処理信号の該参照信号に対する比較の結果を用いて該基板を評価するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法において、さらに
該ステップ（ｅ）に応答して、多数のウェーハを不合格とするか受け入れるかするステップを含む方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法において、さらに
該ステップ（ｅ）に応答して、製造器具を調整するステップを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】
本発明は一般に走査電子顕微鏡に関し、より詳しくは、集積回路装置を分析するための走査電子顕微鏡プロセッサと、集積回路を製造する方法とに関するものである。
【０００２】
【発明の背景】
マイクロエレクトロニクス産業においては、製造工程においてウェーハ(wafer)を試験する方法を開発するために、多くの努力が払われている。半導体の製造工程において、普通は走査電子顕微鏡（Ｓcanning Ｅlectron Ｍicroscopes：ＳＥＭ）が用いられてきた。ＳＥＭは、走査された半導体装置についてある程度の情報を提供するのに有用であるが、操作員にとっては、ＳＥＭからの波形を観察するだけで誤差を発見するのは困難であった。通常、操作員はＳＥＭを自動モードで操作して、限界線巾を測定している。この測定はＳＥＭが与える強さの波形から得られる。ＳＥＭは、ウェーハの外形から製造工程の変数を抽出するために用いられてはいない。測定された対象物の形状は、普通、考慮されない。
【０００３】
また、ウェーハの品質を評価するのに、ウェーハの断面を取る方法が用いられている。この方法は有用であるとは言え、破壊検査であり、時間を要する。そのため、少数のウェーハを選んで試験に供している。もう一つの方法は、ウェーハ製造工程の終わりに電気的な試験を実施し、欠陥があるかどうかを測定することによって、ウェーハ上に形成された半導体装置を評価する方法である。この方法では、欠陥が発見されたとしてもその欠点はウェーハ製造工程の終わりになるまでは検出されない。その結果、製造工程上の、あるいは用いられる設備上の問題点は製造過程では検出されないことがあり得る。製造工程上の、あるいは試験工程上の問題が修正されるまでに、多数のウェーハが製造されてしまう可能性がある。
【０００４】
【発明の概要】
本発明は、走査信号を生成するためにウェーハを走査するステップを含む、ウェーハの強さプロファイルを分析するための方法及びシステムを提供するものである。ウェーハを評価するために、走査信号は処理され、参照信号と比較される。本発明はまた、上述の方法及びシステムを用いて、ウェーハを製造する方法にも関するものである。
前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は例示的なものであって、発明を限定するものではないことが理解されるべきである。
本発明は、添付の図面を参照しつつ以下の詳細な説明を読むことによって、最も良く理解される。半導体産業の通例によって、図面のいろいろな特徴は尺度に従ったものではないことが強調されるべきである。逆に、色々な特徴の寸法は、分かりやすくするために任意に拡大されたり縮小されたりしている。
【０００５】
【発明の詳細な記述】
【概説】
本発明はウェーハの製造工程中にウェーハの表面外形を測定かつ分析する、走査電子顕微鏡システムに関するものである。言い換えれば、本発明は走査された特徴の形状を分析するものである。表面外形(surface topology)は走査電子顕微鏡を用いて測定され、走査電子顕微鏡は一列になった強さの値、即ち強さプロファイルを与える。次いで強さプロファイルは信号処理技術を用いて処理され、例えば同じような方法で処理された標準的なウェーハから得られる、標準波形と比較される。標準波形は走査された特徴の既知の形状を代表する波形である。ウェーハ中の差異および誤差は外形(topology)の測定に現れ、比較によって検出され得る。ＳＥＭによる測定誤差、すなわち焦点および解像度もまた測定され得る。もし測定された強さの波形が標準波形と合致しない場合は、そのデータはさらに分析するために記憶されても良い。結果として、製造工程の監視が強化され、ウェーハ中の致命的な誤差を後続の製造工程以前に検出することができる。更に、上述の処理は製造工程に追加のステップを加えることなく実施することができる。なぜならば走査電子顕微鏡はすでに製造工程中に用いられているからである。例示的な実施態様の説明
【０００６】
ここで図面を参照すると、図１は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）システム１００である。同じ要素に対しては同じ参照符号が一貫して用いられる。ＳＥＭシステム１００は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）１５０を含んでいる。これはウェーハ１２０、すなわちある表面特徴を有し、ウェーハ波形信号ｙi(t)を与える基板を走査する。図６はあるレジストの線の、例示的なウェーハ波形信号ｙi(t)を示している。このＳＥＭ１５０は、例えば米合衆国カリフォルニア州サンホセ、ノースファースト街３１００番地所在のヒタチが供給する、８８２０モデルである。ＳＥＭ１５０はプロセッサ１１０に連結されている。
【０００７】
プロセッサ１１０はウェーハ波形信号ｙｉ(t)を受け取り、ウェーハ１２０中の誤差および欠陥を、ウェーハ波形信号ｙｉ(t)を分析することによって検出する。これに加えて、プロセッサ１１０は製造工程中の、例えば製造器具（ツール）の差異によるばらつきをも検出することができる。この処理は製造工程中でインラインに実施することができる。「製造工程中でインラインに」とは、ウェーハ１２０上に回路を形成する工程の中で、という意味である。従って、例えば平版工程やエッチング工程での製造誤差および品質低下を、集積回路の製造が完結する以前に検出することができる。例えば帯電による測定誤差は、不必要なやり直しあるいは廃棄を発生させる可能性があるが、これらもまた検出され得る。
【０００８】
このようにして、製造ラインの中で、ＳＥＭ、ステッパー、エッチャーなどについて、例えば製造器具（ツール）のドリフトや、製造器具（ツール）と製造器具（ツール）の相性を修正するような調整を行うことができる。これによって例えばＳＥＭの帯電や、ステッパーの焦点ずれや、エッチング過度などの問題点を検出し、修正することができる。また、欠陥のあるウェーハをそれ以上加工する前に検出し、取り除くことができる。これに加えて、ウェーハを横切るプロファイルの劣化を測定するために、ウェーハの特徴を測定することができる。結果として、ウェーハ１２０の品質を向上させながら製造コストが低減される。
【０００９】
ＳＥＭシステム１００はまた、参照データを記憶するためのデータベース１２５を包含している。ＳＥＭシステム１００はまた、ＳＥＭシステム１００によって実施される分析への応答として、自動的にまたは手動で調整され得る単数または複数の製造器具（ツール）１３０を包含しても良い。図１に示される構成要素は、１個またはそれ以上の構成要素にまとめられていても良いし、ハードウェアあるいはソフトウェアのいずれとして実施されてもよい。ＳＥＭシステム１２０の作動は以下に図２乃至図５を参照しながら説明される。これに加えて、図２乃至図５に示される処理は、図６乃至図２２に示される例を用いて図解されている。
【００１０】
図２に示されるステップ２００において、ＳＥＭ１５０はウェーハ波形信号ｙi(t)を取得する。帯電されたレジストの線について得られた例示的なウェーハ波形信号ｙi(t)を図７に示す。図８は図７に示した波形の一部に対応するグラフである。ステップ２０５においてプロセッサ１１０は、ウェーハ波形信号ｙi(t)に自己相関演算を行って得られた、処理済み波形信号ｐ22(t)を生成する。
【００１１】
ステップ２０５を以下において、図３を参照しつつより詳細に説明する。ステップ３００において、プロセッサ１１０はウェーハ波形信号ｙi(t)を、例えば下記の等式（１）を用いて処理し、変換済み波形信号Ｙi(jw)を生成する。
【数１】
0003720201.tif 000002
Ｆ［  ］はなんらかのフーリエ変換を表す。等式（１）はファストフーリエ変換（Ｆast Ｆourier Ｔransform：ＦＦＴ）を行うものである。図９は図８に示されるウェーハ波形信号ｙi(t)に対する例示的な変換済み波形信号Ｙi(jw)である。ステップ３０５において、変換済み波形信号Ｙi(jw)は下記等式（２）に示されるローパスフィルターを用いてフィルター処理され、フィルター処理済み波形信号Ｙf(jw)を生成する。
【数２】
0003720201.tif 000003
例えば、等式（２）に基づいて実行されたフィルター処理は変換済み波形Ｙi(jw)の１／４またはそれ以下の成分を通過させる。ウェーハ波形信号ｙi(t)中のシステム雑音を低減するために、高周波数成分は除去される。その他のフィルターが用いられても良い。図１０は図９に示される変換済み波形信号Ｙi(jw)に対応するフィルター処理済み波形信号Ｙf(jw)である。
【００１２】
ステップ３１０において、下記等式（３）を用いて自己相関演算が実施され、フィルター処理済み波形信号Ｙf(jw)から自己相関信号Ｒ22(jw)が生成する。
【数３】
0003720201.tif 000004
等式（３）において、“＊”は共役複素数を示している。例示的なウェーハ自己相関信号Ｒ22(jw)を図１１に示す。ステップ３１５において、下記等式（４）を用いて逆変換が行われ、変換済み信号ｒ22(t)が生成する。
【数４】
0003720201.tif 000005
等式（４）において、Ｎは波形を表すのに用いられるピクセルの総数、すなわち入力された量（サンプル）の総数である。一例として、例示的な変換済み信号ｒ22(t)を図１２に示す。
【００１３】
ステップ３２０において、下記等式（５）に示すように、変換済み信号ｒ22(t)の最大値Max22が、位相または時間遅れをゼロ（０）として決定される。
【数５】
0003720201.tif 000006
ステップ３２５において、変換済み信号ｒ22(t)は下記等式（６）に従って正規化され、自己相関波形信号ｐ22を生成する。
【数６】
0003720201.tif 000007
例示的な変換済み信号ｒ22(t)を図１３に示す。ここでは変換済み信号ｒ22(t)は正規化されている。得られた結果は時間遅れｔに対する確率濃度である。これは完全性のために示したものであって、以降の計算に必要なものではない。最大値ＭＡＸ２２は、例えば332.164である。
【００１４】
図２に戻れば、ステップ２１０において、ウェーハ波形信号Ｙi(t)は標準波形信号ｘi(t)と比較される。標準波形信号ｘi(t)は、ウェーハ１２０が欠点を有するか、それとも品質標準を満たしているかを判定するために、また製造工程における変動を検知するために用いられる。標準波形信号ｘi(t)は標準ウェーハ（示されていない）を走査することによって得られたものである。標準ウェーハとは、ウェーハ１２０を製造するための望ましい製造基準を満たしているウェーハである。言い換えれば、ウェーハ１２０が標準ウェーハの仕様の範囲の中に納まっていれば、ウェーハ１２０は合格とされる。標準自己相関信号ｐ11を得るための操作は、その操作が標準ウェーハについてではなく、走査された信号について実施されることを除けば、ウェーハ自己相関信号ｐ２２を得るための操作と同じである。標準自己相関信号ｐ11を得るための操作を図４に示す。図４の説明は簡単のために省略する。
【００１５】
図１４乃至図１９は、図４から図１４までの操作ステップに相当するそれぞれの例示的な波形である。図１４は標準ウェーハ上のレジストの線に対する例示的な標準波形信号ｘi(t)である。このレジストの線は荷電されていない。図１５は図１４に示したウェーハ波形信号ｘi(t)に対する例示的な変換済み波形信号Ｘi(jw)である。図１６は図１５に示した変換済み波形信号Ｘi(jw)に対応するフィルター処理済み波形信号Ｘf(jw)である。図１７は図１６に示したフィルター処理済み波形信号Ｘf(jw)に対するウェーハ自己相関信号Ｒ11(jw)である。自己相関信号Ｒ11(jw)の変換済み信号ｒ11(t)は図１８に示されている。最後に、図１９は図１８に示した変換済み信号ｒ11(t)に対応する標準自己相関波形信号ｐ11(t)である。図１２に示した標準波形信号ｐ11(t)を生成するのに用いられた最大値Ｍａｘ11は551.405である。
【００１６】
図２に戻れば、ステップ２１５において、プロセッサ１１０は比較波形信号ｐ１２があらかじめ設定された範囲内にあるかどうかを判定する。ステップ２１５は図５においてより詳しく説明される。ステップ５００において、相互相関信号Ｒ１２(jw)が、以前のステップで計算されていたウェーハ変換済み波形信号ｙｆ(jw)および標準変換済み波形信号ｘｆ(jw)とから、下記の等式（７）を用いて生成される。
【数１】
0003720201.tif 000008
“＊”は共役複素数を示している。図２０は処理済み波形信号ｐ２２と標準波形信号ｐ１１との例示的な相互相関信号Ｒ１２(jw)である。
【００１７】
ステップ５０５において、相互相関信号Ｒ１２(jw)が、下記の等式（８）を用いて時間領域に変換され、未正規化相互相関信号ｒ１２(t)を生成する。
【数２】
0003720201.tif 000009
Ｎは両方の信号に対して同じ値である。図２１は図２０に示された相互相関信号Ｒ１２（ｊｗ）に対応する未正規化相互相関信号ｒ１２(t)である。
【００１８】
ステップ５１０において、未正規化相互相関信号ｒ１２(t)は下記の等式（９）を用いて正規化される。
【数３】
0003720201.tif 000010
値Ｍａｘｆｕｎｃは下記の等式（10）で定義される。
【００１９】
0003720201.tif 000011
もしくは
0003720201.tif 000012
図２２は、551.405（Ｍａｘ11）というＭａｘfuncの値を用いて正規化した正規化信号ｐ12（ｔ）を示している。この場合は強さは考慮されない。波形の形状は尺度の誤差があるときにのみ比較される。このような尺度の誤差は例えばＳＥＭ１５０が劣化していたり、ＳＥＭ１５０が標準ウェーハを測定したＳＥＭと異なっていたときに起こる。ステップ５１５において、正規化信号ｐ12(t)の最大値ｐmax が決定される。図２２に示す正規化信号ｐ12(t)における最大値ｐmax は0.767である。ＳＥＭ１５０に起こり得る位相誤差（画面のずれ）は除去される。結果としてウェーハ波形信号ｙi(t)は、これ以降はこのような誤差が起こる恐れなしに、標準波形信号ｘi(t)と比較され得る。
【００２０】
ステップ５２０において、プロセッサ１１０は比較波形信号が仕様の範囲内であるかどうかを判定する。例えば最大値ｐmax の絶対値が０．９より大きく１より小さければ（0.90＜｜ｐmax ｜＜１）、ウェーハ１２０は合格と見なされる。製造ラインの取り決めにおいては、ロット全部が合格かどうかを判定するために、１枚またはそれ以上のウェーハが試験されても良い。合格でなければ、ロット全体が不合格とされる。普通は、合格したウェーハ１２０の最大値は0.95と１の間にある（0.95＜｜ｐmax ｜＜１）ことが見いだされている。
【００２１】
図２に戻ると、ステップ２２０において、ロットまたは製造器具（ツール）１３０はその最大値ｐｍａｘ が特定の範囲内であれば、合格として表示される。さもなければステップ２３０において、ウェーハ波形信号ｙｉ(t)は前述の方法を用いて、データベース１２５に記憶されたデータと比較され、どのような誤差が起こったか、またどうすれば修正され得るかが判定される。データベース１２５はデータおよび／または製造工程を修正して誤差を除去するための指示を含んでいる。ステップ２３５において、プロセッサ１１０はデータベースの中にある、誤差を修正するためのデータを用いて、製造器具（ツール）１３０や設備に指示を与える。また、ロットの処分は適当とされる。別法として、ユーザーインターフェイス（示されていない）を通じて操作員に情報が与えられる。操作員は情報に対応して製造工程または測定を調整する。
【００２２】
ステップ２４０において、もし誤差を修正するための適当な指示が見あたらない場合は、誤差及び関連するデータはデータベース１２５に記憶され、将来の分析と比較に備える。例えばウェーハ波形信号ｙi(t)、比較波形信号ｐ12、および／またはウェーハ１２０の分析で発生した、または用いられた、その他の信号が記憶されても良い。
【００２３】
上述した例示的な実施態様においては一次元の波形が用いられているが、多次元の処理方法が用いられても良く、多次元の波形が比較されても良い。また、強さの位相幾何学的な領域を平均したり、合計したり、あるいは一般に信号処理した後、比較しても良い。さらにまた、ある特徴の方向性が分析されても良い。この場合は、ウェーハはその特徴が適当な方向性を有していないときに不合格とされる。選択される特定の比較は、分析される特定の特徴に依存している。
【００２４】
例えば図２３を見るならば、これは基板の上に形成された金属の線７１０の絵である。線７１０のエッジ７００の粗さを比較する一つの方法は、ｙ−方向に並ぶ複数の平均強さを比較することである。一つの平均強さはｘ−方向に伸びる切片７２０の強さの値を平均することで得られる。もしエッジ７００が変動しているならば、すなわち膨らみや曲がりを有しているならば、平均強さが変動する。エッジ７００の変動を検知して、これを期待される、あるいは標準のエッジプロファイルと比較することができる。平均強さはｙ−方向に伸びる波形信号ｙi(t)を形成すると見なされる。この波形を、図２に示される工程を用いて処理しても良い。
【００２５】
上述の発明はｘ−またはｙ−方向の、あるいは直線上の強さプロファイルの比較に限定されるものではない。選択される比較は、特定の特徴を評価するのに適切な仕方でウェーハを横切るような比較を包含し得る。例えばｘ−方向およびｙ−方向だけを向いているのではないような特徴のエッジに対応するパターンが選択されても良い。
【００２６】
本発明を例示的な実施態様を参照しつつ説明したが、当業者によって本発明の趣旨および範囲から逸脱することなくなされ得る、本発明のその他の変形および実施態様を包含するには、むしろ添付の請求範囲の解釈によるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による走査電子顕微鏡システム１００のブロック線図である。
【図２】図１に示される走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するフローチャート線図である。
【図３】図１に示される走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するフローチャート線図である。
【図４】図１に示される走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するフローチャート線図である。
【図５】図１に示される走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するフローチャート線図である。
【図６】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図７】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図８】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図９】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図１０】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図１１】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図１２】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図１３】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図１４】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図１５】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図１６】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図１７】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図１８】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図１９】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図２０】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図２１】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図２２】走査電子顕微鏡システム１００の作動を説明するグラフを示す図である。
【図２３】ウェーハ上の金属の線の絵であって、別法の実施態様を説明している。
【符号の説明】
１５０  ＳＥＭ
１２５  データベース
１１０  プロセッサ
１３０  工具
【図１】
0003720201.tif 000013
【図２】
0003720201.tif 000014
【図３】
0003720201.tif 000015
【図４】
0003720201.tif 000016
【図５】
0003720201.tif 000017
【図６】
0003720201.tif 000018
【図７】
0003720201.tif 000019
【図８】
0003720201.tif 000020
【図９】
0003720201.tif 000021
【図１０】
0003720201.tif 000022
【図１１】
0003720201.tif 000023
【図１２】
0003720201.tif 000024
【図１３】
0003720201.tif 000025
【図１４】
0003720201.tif 000026
【図１５】
0003720201.tif 000027
【図１６】
0003720201.tif 000028
【図１７】
0003720201.tif 000029
【図１８】
0003720201.tif 000030
【図１９】
0003720201.tif 000031
【図２０】
0003720201.tif 000032
【図２１】
0003720201.tif 000033
【図２２】
0003720201.tif 000034
【図２３】
0003720201.tif 000035