(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
面心立方構造を有する第１の層と、前記第１の層上に形成された六方稠密構造を有する第２の層と、前記第２の層上に形成された垂直記録層とを有し、前記第２の層は、５０ａｔ％以上のＣｏと２５ａｔ％以上且つ４５ａｔ％以下のＣｒと、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏから選ばれた少なくとも１種の元素を０．５ａｔ％以上且つ１５ａｔ％以下含み、前記垂直記録層は、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とし、さらに少なくとも１種の元素を加えた四元素系記録層であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記少なくとも１種の元素は、Ｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＮｂから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２記載の垂直磁気記録媒体において、前記第１の層はＣｕを主成分とすることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１又は２記載の垂直磁気記録媒体において、前記第１の層はＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｂから選ばれた少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１又は２記載の垂直磁気記録媒体において、前記第１の層を非晶質の層の上に形成したことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する手段と、記録部と再生部とを備える磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対的に駆動する手段と、前記磁気ヘッドに対する入力信号及び出力信号を波形処理する信号処理手段とを含む磁気記憶装置において、前記磁気記録媒体として請求項１〜５のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体を用いたことを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、１平方インチあたり５０ギガビット以上の超高密度記録に適した垂直磁気記録媒体、及びその磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータが扱う情報量が増大し、補助記憶装置の大容量化が一段と求められている。現在実用化されている磁気ディスク装置は面内記録方式を採用しており、その面記録密度は１０Ｇｂ／ｉｎ2に到達している。しかし、この方式では媒体に記録した信号が熱揺らぎの影響によって減衰することがY. Hosoe等によって報告されている（IEEE Trans. Magn., vol.33, No. 5, September 1997）。
【０００３】
一方、垂直記録方式は、面内記録方式に比べて高記録密度領域での反磁界が小さいため、面内記録方式に比べて高密度化に有利であると言われている。しかし、垂直記録方式であっても、高密度化が進むにつれて記録ビットは小さくなり、より高感度な再生ヘッドを使用するため、媒体ノイズの低減は必須である。また、それと同時に垂直記録媒体の熱揺らぎの問題も、例えばIEEE Trans. Magn., Vol.31,pp.2755-2757(1995)に記載されており、垂直記録方式においても出力の減衰を抑える工夫が検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
５０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度記録が可能な垂直記録媒体には、高密度領域における出力分解能が大きいことと媒体ノイズが小さいことが必要とされる。そのためには、例えば第５回垂直磁気記録シンポジウム会議資料集（１９９６年１０月２３日−２５日）９５〜１００頁の「単層垂直磁気ディスク媒体の高Ｓ／Ｎ化」と題する論文に記載されているように、垂直記録層の膜厚を小さくする、垂直記録層と基板の間に非磁性のＣｏＣｒ下地を導入する、あるいはＣｏ合金記録層の添加元素としてＴａ等の非磁性元素を添加する、磁性結晶粒を小さくすることが有効であることが知られている。また、軟磁性層を有する二層垂直媒体と単磁極ヘッドを組み合わせる場合、ヘッド−媒体間相互作用を増大させるために、軟磁性層と垂直記録層の間に形成する中間層厚を薄くする必要がある。
【０００５】
本発明の第一の目的は、軟磁性層と垂直記録層の間に中間層を形成した二層垂直記録媒体において、記録時のスペーシングロスを低減するために薄膜化した中間層を用いても垂直記録層を充分に垂直配向させ、媒体ノイズが十分低く、かつ耐熱揺らぎ特性に優れた二層垂直記録媒体を提供することにある。
本発明の第二の目的は、この磁気記録媒体の性能を充分に活かし、１平方インチあたり５０ギガビット以上の面記録密度を有する磁気記憶装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、垂直磁気記録媒体を、面心立方（f.c.c.）構造を有する第１の層と、第１の層上に形成された六方最密（h.c.p.）構造を有する第２の層と、第２の層上に形成された垂直記録層とを有する構成とし、第２の層はＣｏとＣｒを主成分とし、さらにＴａ，Ｖ，Ｗ，Ｎｂ，Ｍｏから選ばれた少なくとも1種の元素を含むことで達成される。
【０００７】
上記垂直磁気記録媒体は、典型的には、基板上に軟磁性層と二層の中間層を介して形成された垂直記録層を有する磁気記録媒体において、軟磁性層に隣接する第一中間層（第１の層）の結晶構造がf.c.c.構造であり、垂直記録層に隣接する第二中間層（第２の層）がh.c.p.構造でＣｏとＣｒを主成分とし、さらにＴａ，Ｖ，Ｗ，Ｎｂ，Ｍｏより選ばれた少なくとも１種の元素を含む。
【０００８】
上記第二中間層は、少なくとも５０ａｔ．％以上のＣｏと、Ｃｒを２５ａｔ．％以上、４５ａｔ．％以下含み、Ｔａ，Ｖ，Ｗ，Ｎｂ，Ｍｏより選ばれた少なくとも１種の元素を０．５ａｔ．％以上、１５ａｔ．％以下含むことが、中間層を薄膜化する上で好ましい。Ｃｒ添加濃度が２５ａｔ．％より少ないと中間層の磁性が大きくなり、その磁性の影響で記録層のＨｃが低くなる等の問題がある。また、Ｃｒ添加濃度が４５ａｔ．％よりも多いと中間層の配向が崩れてしまうため、好ましくない。なお、Ｔａ，Ｖ，Ｗ，Ｎｂ，Ｍｏより選ばれた少なくとも１種の元素の含有量を２ａｔ．％以上、１０ａｔ．％以下とするとより好ましい。
【０００９】
図１に、ＣｏＣｒ30中間層にＭｏを添加した媒体の静磁気特性の変化を示す。Ｍｏを０．５ａｔ．％以上、１５ａｔ．％以下添加すると、Ｈｃ（保磁力），ＳＱが向上する。添加濃度が０．５ａｔ．％より少ない領域では記録層結晶の垂直配向性改善効果が小さく、１５ａｔ．％より多く添加するとh.c.p.構造が崩れてＨｃが減少すると考えられる。ＣｏＣｒに第三元素を添加するとＨｃ，ＳＱが改善される理由として、記録層と中間層の格子整合性が考えられる。記録層には、保磁力向上、及びノイズ低減を目的としてＣｏＣｒＰｔ合金にＴａ，Ｂ，Ｔｉ，Ｎｂ等を添加することが提案されており、そのような合金では格子サイズが変化する。それに対してＣｏＣｒ合金では、ＣｏとＣｒの原子半径がほぼ同等であるため、概ね純Ｃｏの結晶格子サイズとなる。中間層と記録層は同じh.c.p.構造なのでエピタキシャル成長が可能であるが、格子サイズのミスマッチが大きな場合は、成長段階で結晶性の低い微細な結晶粒が生成されることが予測される。このような結晶粒はＨｃ，ＳＱの低下とともに耐熱揺らぎ特性も劣化させるため、好ましくない。そこで本発明者らは、中間層にＣｏ，Ｃｒよりも原子半径の大きな元素を添加したところ、中間層と記録層の格子サイズのミスフィットが減少し、微細な結晶粒、欠陥等の生成が抑止され、Ｈｃ，ＳＱが向上することを見出した。
【００１０】
上記第二中間層はf.c.c.構造の第一中間層上に形成すると、第二中間層の結晶配向性が向上するので特に好ましい。面記録密度５０Ｇｂ／ｉｎ2以上を達成するには、出力分解能を向上する必要があり、中間層の総厚を１０ｎｍ以下とする必要がある。特開昭６２−１８３０２４号公報や、特開平８−３０９５１号公報等に開示されているＣ中間層は、Ｃが隣接する膜内に拡散するため、Ｃ上に形成する中間層の膜厚を厚くしなければならない。図２に第一中間層としてＣとＣｕを形成した媒体における静磁気特性の第二中間層膜厚依存をそれぞれ示す。この場合の第二中間層はＣｏ66Ｃｒ30Ｍｏ4（数字はａｔ．％、以下同様）とした。Ｃｕを第一中間層として用いることで、第二中間層を薄膜化しても静磁気特性の劣化がほとんど見られないことがわかる。一方、Ｃを第一中間層として用いた場合、第二中間層の膜厚が１０ｎｍ以下になるとＨｃ、ＳＱが急激に劣化するため、中間層の薄膜化が困難である。この場合のＣｕは室温で形成したものであり、Ｘ線回折によって結晶配向性を調べたところ、最稠密面である（１１１）が基板面と平行となるように成長していた。f.c.c.構造の（１１１）は原子配列がh.c.p.構造の（０００２）と同じであり、かつ、Ｃｕの最隣接原子間距離はＣｏのａ軸長と同等であることから、第二中間層のエピタキシャル成長が容易になると考えられる。このことから、Ｃｕ中間層とh.c.p.中間層を積層した本発明の構造の媒体は中間層の薄膜化に適しており、中間層が薄い領域でも配向性が良好なことから、出力分解能特性が向上し、さらに耐熱揺らぎ特性が向上することが予測できる。
【００１１】
面心立方構造中間層を用いる公知例としては、例えば特開平６−７６２６０号公報が挙げられる。しかし、この公知例はf.c.c.構造中間層上に直接、もしくは体心立方構造あるいはf.c.c.構造の軟磁性層を介して記録層を形成するものであり、本発明とは媒体構造が異なる。すなわち、本発明は、f.c.c.構造中間層上に直接記録層を形成せずに、h.c.p.構造の第二中間層を介して記録層を形成することによりＨｃ，ＳＱの高い媒体を提供する。また、軟磁性層上に直接記録層を形成すると、軟磁性層の磁性の影響によって記録層のＨｃは低くなる問題がある。よって、本発明のh.c.p.中間層とf.c.c.中間層を積層した構造を有する垂直記録媒体は、従来よりも優れた特性を有する。
【００１２】
また、二層の中間層を用いた垂直記録媒体の公知例として、例えば特開平８−３０９５１号公報が挙げられる。これは、第一中間層としてＣを用い、第二中間層にはＰｔ又はＰｄを用いている。Ｐｔ，Ｐｄは面心立方構造であり、第一中間層もＣであることから、本発明とは媒体構成が異なる。Ｃ中間層を用いた場合には、前述したようにＣの拡散を考慮して第二中間層の膜厚を１０〜４０ｎｍと厚くする必要があり、このような媒体ではスペーシングロスが大きいため、急峻な記録磁界勾配が得られない。また、Ｐｔを中間層として用いた場合、隣接する膜のＣｏと反応する可能性が非常に高い。特に軟磁性層の磁区制御のために加熱をした場合、あるいはスパッタリング粒子のエネルギーによる界面でのミキシング等が起こった場合、永久磁石材料として知られているＣｏ−Ｐｔが生成される。これは非常に高保磁力であり、媒体ノイズの増大につながるため好ましくない。よって、積層する中間層の構成が異なるため、本発明であるh.c.p.中間層とf.c.c.構造中間層を積層した媒体構造を容易に類推することはできない。
【００１３】
また、二層下地層を用いる例を挙げると、特開２０００−２５１２３７号公報には、基板上に、b.c.c.構造又はＢ２構造の下部下地層とh.c.p.構造を持つＣｏ−Ｃｒ−Ｍ合金上部下地層（ＭはＭｏ，Ｔａ等）との２層構造下地層を介してＣｏ合金記録層を形成することが記載されている。しかし、この公知例は面内記録媒体に関するものである点で本発明とは異なる。また、f.c.c.構造の第一中間層に関しては記載がなく、公知例のb.c.c.構造又はＢ２構造の下部下地層の役割は、その上に形成されるＣｏ−Ｃｒ−Ｍ上部下地層を（１０１０）配向又は（１１２０）配向させることである。一方、本発明のf.c.c.構造の第一中間層は、その上に形成されるＣｏ−Ｃｒ−Ｍ層を（０００２）配向させることであり、その目的が全く異なる。従って、この公知例は本発明を示唆するものではない。
【００１４】
ここまでは二層中間層を有する媒体構造について述べたが、軟磁性層と第一中間層との間に非晶質の下地層を挿入すると、さらに垂直配向性が向上するのでより好ましい。その理由として、記録ヘッドから流入する磁束が飽和しないように軟磁性層は膜厚を厚くする必要があり、その表面状態の制御は困難である。このような表面状態の影響を無くすために非晶質下地層を挿入すると、その上に形成する第一中間層の配向性が向上する。また、軟磁性層には結晶質なものもあり、その場合、同様に非晶質下地層によって表面状態の影響をなくすと、第一中間層の配向性が向上するので好ましい。但し、Ｃのような軽元素は隣接する膜中への拡散の問題があるため、第二中間層の薄膜化が困難となり、好ましくない。また、この場合も下地層を含めた軟磁性層から記録層までの距離は１０ｎｍ以下とする必要がある。
【００１５】
上述した本発明構造の垂直記録媒体は、四元系記録層と組み合わせると、特にその効果が発揮される。媒体ノイズ低減のためにＣｏＣｒＰｔ合金にＢを添加した記録層では、粒径の微細化及び粒間相互作用の低減は達成されるが、垂直配向が乱れることが懸念される。このような配向が乱れやすい記録層を用いても、h.c.p.中間層とf.c.c.中間層を積層した中間層を用いることで、上述したように記録層の良好な垂直配向が得られる。また、他にもＴａ，Ｔｉ，Ｎｂ等を添加した記録層を用いると、ある程度媒体ノイズは低減するが、Ｂ添加時に比べると若干劣る。しかし、記録層の垂直配向性はＢ添加時よりも良いため、ＳＱがほぼ１．０を示し、出力分解能特性、耐熱揺らぎ特性が向上することが予測できる。
【００１６】
さらに、磁気記録媒体と、磁気記録媒体を記録方向に駆動する手段と、記録部と再生部とを備える磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対的に駆動する手段と、磁気ヘッドに対する入力信号及び出力信号を波形処理する信号処理手段とを含む磁気記憶装置において、磁気記録媒体として本発明の垂直磁気記録媒体を用い、磁気ヘッドの再生部を磁気抵抗効果型の素子で構成することによって、１平方インチあたり５０ギガビット以上の記録密度を達成することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
〔実施例１〕
本発明の一実施例である磁気記録媒体の断面図を図３に示す。以下に、本実施例の磁気記録媒体の作製方法を述べる。
【００１８】
外径６５ｍｍφの強化ガラス基板４０に、Ａｒガス圧力４．０ｍＴｏｒｒ、投入電力密度０．７Ｗ／ｃｍ2とする成膜条件で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法でＣｏ−１０ａｔ．％Ｔａ−２ａｔ．％Ｚｒ軟磁性層４１，４１′を４００ｎｍ形成し、Ｃｕ第一中間層４２，４２′を２．５ｎｍ形成し、３５０℃で１５分間加熱し、同一成膜条件でＣｏ−３０ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｗ第二中間層４３，４３′を２．５ｎｍ形成し、Ｃｏ−２１ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−４ａｔ．％Ｂ記録層４４，４４′を２５ｎｍと順次成膜した。最後に、保護層４５，４５′としてＣを５ｎｍ形成した。ここで、元素の前に付した数字は各元素の原子濃度を示す。
【００１９】
また、比較例１−１として、Ｃｕ第一中間層４２，４２′の代わりに、Ｃ第一中間層４２，４２′を形成した媒体と、比較例１−２としてＣｏＣｒＷ第二中間層４３，４３′の代わりにＣｏ−４０ａｔ．％Ｃｒ第二中間層４３，４３′を形成した媒体を作製した。本実施例の媒体にはＣｏＣｒＷ／Ｃｕ中間層を用いたのに対し、比較例１−１の媒体にはＣｏＣｒＷ／Ｃ中間層を、比較例１−２の媒体にはＣｏＣｒ／Ｃｕ中間層を用いたところが相違点である。
【００２０】
表１に、本実施例と比較例の媒体の静磁気特性及び媒体ノイズを示す。媒体ノイズは４００ｋＦＣＩの信号を記録したときの値であり、本実施例の媒体の値を１として比較例の媒体の値は相対値で示した。表１から分かるように、本実施例の媒体の方がＨｃ，ＳＱが高く、出力分解能特性、耐熱揺らぎ特性に優れていた。媒体ノイズは本実施例の方が低かった。さらに、本実施例媒体は、Ｒ／Ｗ（リード／ライト）測定を行ったときに、軟磁性層から発生するスパイクノイズが観察されなかった。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
表２に、Ｘ線回折によって上記媒体の記録層の（０００２）回折強度を測定した結果を示す。本実施例の媒体の回折強度を１として他の媒体は相対値で示した。表２から分かるように、本実施例の媒体の方が記録層の（０００２）回折強度が強く、Ｃｕ第一中間層とＣｏＣｒＷ第二中間層によって良好な垂直配向が得られることがわかる。
【００２３】
【表２】
0003643536.tif 000003
【００２４】
上記実施例ではＣｏＣｒＷ第二中間層４３，４３′を用いたが、Ｗに変えてＴａ，Ｖ，ＮｂあるいはＭｏを添加しても同様の結果が得られた。また、Ｃｕ第一中間層４２，４２′をＡｌ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ等とした場合でも同様の結果が得られた。
【００２５】
〔実施例２〕
本発明の他の実施例である磁気記録媒体の断面図を図４に示す。以下に、本実施例の磁気記録媒体の作製方法を述べる。
外径６５ｍｍφの強化ガラス基板５０に、Ａｒガス圧力３．０ｍＴｏｒｒ、投入電力密度０．７Ｗ／ｃｍ2とする成膜条件で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法でＦｅ−８ａｔ．％Ｔａ−１２ａｔ．％Ｃ軟磁性層５１，５１′を４００ｎｍ形成し、３５０℃で１５分間加熱し、同一成膜条件でＣｏ−３０ａｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％Ｚｒ下地層５２，５２′を１ｎｍ形成し、Ｃｕ第一中間層５３，５３′を２ｎｍ形成し、Ｃｏ−３０ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｍｏ第二中間層５４，５４′を２ｎｍ形成し、Ｃｏ−１８ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−３ａｔ．％Ｔａ記録層５５，５５′を２５ｎｍと順次成膜した。最後に、保護層５６，５６′としてＣを５ｎｍ形成した。ここで、元素の前に付した数字は各元素の原子濃度を示す。
【００２６】
また、比較例２として、ＣｏＣｒＺｒ下地層５２，５２′とＣｏＣｒＭｏ第二中間層５４，５４′を形成しないＣｕ中間層のみを用いた媒体を作製した。本実施例の媒体では非晶質のＣｏＣｒＺｒ下地層、Ｃｕ第一中間層、ＣｏＣｒＭｏ第二中間層を積層したのに対し、比較例２の媒体はＣｕ中間層単層としたところが相違点である。
【００２７】
表３に、本実施例と比較例２の媒体の静磁気特性及び規格化ノイズを示す。媒体ノイズは４００ｋＦＣＩの信号を記録したときの値であり、本実施例の値を１として比較例２の値は相対値で示した。本実施例の媒体の方がＨｃ，ＳＱが高く、出力分解能特性、耐熱揺らぎ特性が優れていた。媒体ノイズは本実施例の方が低かった。
【００２８】
【表３】
0003643536.tif 000004
【００２９】
表４に、Ｘ線回折によって上記媒体の記録層の（０００２）回折強度を測定した結果を示す。本実施例の媒体の回折強度を１として比較例の媒体は相対値で示した。本実施例の媒体の方が記録層の（０００２）回折強度が強い。Ｃｕを中間層として用いると良好な配向は得られるが、静磁気特性も考慮すると本実施例構造の媒体の方が良好な結果が得られた。
【００３０】
【表４】
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【００３１】
上記実施例ではＣｏＣｒＺｒ下地層を用いたが、他にもＮｉＴａＺｒ，ＮｉＣｒＺｒ，ＣｏＮｂＺｒ等の非晶質下地層を用いても同様の効果が得られた。また、Ｃｕ第一中間層にＣｒを１０ａｔ．％添加すると、さらに媒体ノイズが低減した。Ｃｒの代わりにＴａ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｂを添加しても同様の効果が得られた。
【００３２】
〔実施例３〕
本発明の垂直磁気記録媒体は、磁気記憶装置に組み込むことによって性能を充分に発揮できる。この磁気記憶装置の一例の上面図を図５（ａ）に、そのＡＡ′線断面図を図５（ｂ）に略示する。
【００３３】
磁気記録媒体６０として本発明による垂直磁気記録媒体を用いた。磁気記録媒体６０は、磁気記録媒体駆動部６１に連結する保持具によって保持され、磁気記録媒体６０のそれぞれの面に対向して磁気ヘッド６２が配置される。磁気ヘッド６２は浮上高さ０．０２μｍ以下で安定低浮上させ、さらに０．１５μｍ以下のヘッド位置決め精度で所望のトラックに磁気ヘッド駆動部６３により駆動される。
【００３４】
磁気ヘッド６２によって再生した信号は、記録再生信号処理系６４によって波形処理される。記録再生信号処理系６４は増幅器、アナログ等化器、ＡＤコンバータ、ディジタル等化器、最尤復号器等で構成されている。磁気抵抗効果を利用したヘッドの再生波形は、ヘッドの特性により正と負の大きさが非対称となったり、記録再生系の周波数特性の影響を受けたりして、記録した信号とは異なった信号に読み誤られることがある。アナログ等化器は再生波形を整えて、これを修復する機能を有する。この修復された波形をＡＤコンバータを通してディジタル変換し、ディジタル等化器によってさらに波形を整える。最後にこの修復された信号を最尤復号器によって、最も確からしいデータに復調する。以上の構成の再生信号処理系によって、極めて低いエラーレートで信号の記録再生が行われる。なお、等化器や最尤復号器は既存のものを用いても構わない。
【００３５】
以上の装置構成にすることによって、１平方インチあたりの記録密度５０ギガビット以上に対応することができ、従来の磁気記憶装置に比べ３倍以上の記憶容量を持った高密度磁気記憶装置を実現することができた。また、記録再生信号処理系から最尤復号器を取り除き、従来の波形弁別回路に変えた場合にも従来に比べ２倍以上の記憶容量を持った磁気記憶装置を実現することができた。
【００３６】
以上の実施例では、ディスク状の磁気記録媒体とそれを用いた磁気記憶装置について述べてきたが、本発明は片面のみに記録層を有するテープ状、カード状の磁気記録媒体、及びそれらの磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置にも適用できることは言うまでもない。
【００３７】
さらに、磁気記録媒体の作製方法に関してもＤＣマグネトロンスパッタリング法に限らず、ＥＣＲスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、メッキ法等如何なる手法を用いても構わない。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によると、高保磁力を有しながら低ノイズであり、かつ熱揺らぎの影響が小さな垂直記録媒体を実現できる。さらに、この垂直磁気記録媒体と磁気抵抗効果を利用した再生素子を有する磁気ヘッドとを組み合わせることによって、１平方インチあたり５０ギガビット以上の記録密度を有する磁気記憶装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣｏＣｒ中間層にＭｏを添加した場合の静磁気特性の変化を示す図。
【図２】第一中間層を変えた媒体の静磁気特性の第二中間層膜厚依存性を示す図。
【図３】本発明の一実施例である磁気記録媒体の断面模式図。
【図４】本発明の一実施例である磁気記録媒体の断面模式図。
【図５】本発明の一実施例である磁気記憶装置の模式図。
【符号の説明】
４０…基板、４１，４１′…ＣｏＴａＺｒ軟磁性層、４２，４２′…Ｃｕ第一中間層、４３，４３′…ＣｏＣｒＷ第二中間層、４４，４４′…ＣｏＣｒＰｔＢ記録層、４５，４５′…Ｃ保護層
５０…基板、５１，５１′…ＦｅＴａＣ軟磁性層、５２，５２′…ＣｏＣｒＺｒ下地層、５３，５３′…Ｃｕ第一中間層、５４，５４′…ＣｏＣｒＭｏ第二中間層、５５，５５′…ＣｏＣｒＰｔＴａ記録層、５６，５６′…Ｃ保護層
６０…磁気記録媒体、６１…磁気記録媒体駆動部、６２…磁気ヘッド、６３…磁気ヘッド駆動部、６４…記録再生信号処理系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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