(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜トランジスタースイッチ回路部分の層を形成する工程と、
有機材料で構成される電極層を、インクジェットプリンティングにより、前記薄膜トランジスタースイッチ回路と電気的に接触するように形成する工程と、
前記電極層の上に、前記回路からの電気的な駆動より作動するデバイスの機能部であるアクティブ領域をインクジェットプリンティングにより形成する工程と、
を含むことを特徴とするディスプレイデバイスの形成方法。
【請求項２】
前記アクティブ領域が発光領域である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
発光領域が有機発光材料を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
発光材料がポリマーおよび／またはコポリマー材料を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
発光材料が共役材料である請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
発光材料がポリ（ｐーフェニレンビニレン）またはその誘導体である請求項３ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記電極層が２０〜２００キロオーム／平方の範囲内で面積抵抗を有する請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
電極層を構成する有機材料が導電性ポリマー材料である請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
電極層を構成する有機材料がポリスチレンスルフォン酸をドープしたポリエチレンジオキシチオフェンである請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
インクジェットプリンティングにより形成される前記電極層は２つの層からなり、薄膜トランジスタースイッチ回路の出力側と電気的に接触した下部電極層と、アクティブ領域に接しているとともに下部電極層と異なる組成の上部電極層と、を有する請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記下部電極層が前記上部電極層より高い導電性を有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記上部電極層が前記下部電極層より高いポリスチレンスルフォン酸濃度を有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
薄膜トランジスタースイッチ回路の出力端が、電極層の１つの側部に沿って延び、電極層の導電性より高い導電性を有する材料からなる接点を有する請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記接点は、電極層の２つ以上の側部に沿って延びる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記接点の材料の仕事関数が電極層の材料の仕事関数より低い請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記接点の材料が金属または合金である請求項１３ないし１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
薄膜トランジスタースイッチ回路と電極層との接点の部分の上に絶縁層を形成して、接点の前記部分を発光領域から絶縁する工程を有する請求項２ないし１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
基板上に薄膜トランジスタースイッチ回路を形成する工程と、
薄膜トランジスタースイッチ回路の出力端と電気的に接触するように、光透過性導電性有機材料の電極層を形成する工程と、
電極層の上に有機発光層を形成する工程と、
を有する有機発光ディスプレイデバイスを形成する方法。
【請求項１９】
前記電極層が１０００オーム／平方以下の面積抵抗を有する層を包含する請求項１８に記載の有機発光ディスプレイデバイスを形成する方法。
【請求項２０】
光透過性導電性有機材料がポリチオフェンである請求項１８に記載の有機発光ディスプレイデバイスを形成する方法。
【請求項２１】
光透過性導電性有機材料がドープされたポリチオフェンまたはポリチオフェンの誘導体である請求項１８に記載の有機発光ディスプレイデバイスを形成する方法。
【請求項２２】
光透過性導電性有機材料がポリスチレンスルホン酸をドープしたポリエチレンディオキシチオフェンである請求項１８に記載の有機発光ディスプレイデバイスを形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスプレイデバイスに関し、特に発光のために有機材料を使用するディスプレイデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
１つの型式のエレクトロルミネッセントデバイスがPCT/WO90/13148に記載されており、その内容をここに参考として援用する。このデバイスの基本的構造は２つの電極間に挟まれた発光ポリマーフィルム（例えば、ポリ（フェニレンビニレン）−「PPV」）であり、２つの電極の一方は電子を注入し、他方は正孔を注入する。電子および正孔はポリマーフィルムを励起し、光子を放出する。これらのデバイスはフラットパネルディスプレイとしての発展性がある。
【０００３】
別の型式の有機発光デバイスは小（ｓｍａｌｌ）分子デバイスであり、その詳細は米国特許第4,539,507号に記載されており、その内容をここに参考として援用する。これらは発光層を有し、それは少なくとも２つの電極間に挟まれたトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（「Alq3」）などの小（ｓｍａｌｌ）分子物質を含む。
【０００４】
有機発光デバイスにおいては、有機発光層は一般的に個々のピクセルに分割され、それらを流れる電流を変化させることにより発光および非発光状態を切り換えることができる。ピクセルは一般的に直行する行と列とに構成される。一般的にはピクセルの制御のために２つの代替的な構成が使用される。それはパッシブマトリクスとアクティブマトリクスである。パッシブマトリクスデバイスでは、電極の一方が行にパターン化され、他方が列にパターン化される。行と列の電極に適当な電圧を印加することにより、その交差点にある各ピクセルは発光するようになる。各ピクセルは走査サイクルのわずかの間のみ電力供給されるので、これはピクセルからの高いピーク輝度を必要とする。アクティブマトリクスディスプレイでは、あるピクセルをアドレスしながら他のピクセルを発光状態に維持することができるので、高いピーク輝度は要求されない。
【０００５】
図１は薄膜トランジスタ（「TFT」）アクティブマトリクスディスプレイ中の１つのピクセルを駆動するための回路を示す。その回路は、ダイオード１として示されるピクセルそのものを有し、そのピクセルは電極２と３の間に接続される。電極２と３はそのデバイスの全てのピクセルに接続され、ピクセルからの発光に十分な電圧が電極２と３の間に常に印加される。実際には薄膜トランジスタとして実施されるスイッチ回路４の少なくとも一部が電極３とピクセル１の間にある。（加えて、またはその代わりに、ピクセル／ダイオード１と電極２との間に回路を設けることができる）。スイッチ回路は行電極５および列電極６により制御される。ピクセル１を発光させるために、電極６に電圧が印加されてスイッチングトランジスタ７をオンにし、電極５に電圧が印加されて記憶キャパシタ８をチャージする。次に、電極６をオフにする。キャパシタ８がチャージされているので、電流トランジスタ９はオンされ、電極３に印加される電圧がピクセルに印加され、ピクセルを発光させる。パッシブマトリクスデバイスよりは複雑な回路を必要とするけれども、この構成はキャパシタ８によってピクセルを発光状態に維持したまま別の行および列の他のピクセルをその行および列の電極でアドレスすることができるという長所を有する。
【０００６】
図２は有機発光デバイスのピクセルと関連する典型的なスイッチング回路の概略的平面図であり、図３は図２の回路のライン１Ａー１Ａ’での断面を示す。回路は、走査（またはゲート）ライン１０（図１の電極６に対応する）、信号（またはデータ）ライン１１（図１の電極５に対応する）、共通ライン１２（図１の電極３に対応する）、一般的に１３で示すスイッチング薄膜トランジスター（図１のトランジスター７に対応する）、一般的に１４で示す蓄積キャパシタ（図１のトランジスタ９に対応する）、および一般的に１５で示す電流トランジスタ（図１のトランジスタ９に対応する）を含む。図３に示すように、ＳｉＯ２の絶縁層１６が回路の構成部分を分離し、回路はガラス基板１７上に蒸着される。（ここでいう蒸着という用語は、英語のｄｅｐｏｓｉｔの訳語として使われ薄膜を形成するという意味であり、真空蒸着法という薄膜形成の１方法を指すものではない。以下本明細書においては同様の意味で使われる。）  トランジスタ１５の出力には接点領域２９があり、それは回路の出力端子を構成する。
【０００７】
絶縁材料のバンク３０（図２には示さず）が形成され、発光領域自身の端部を制限する。ＴＦＴ回路の出力端子とピクセルの発光材料とを接続するため、透明なインジウム−錫酸化物（「ITO」）の電極１９がある。これは接点領域２９と接触し、発光デバイスのアノードを形成する広いパッドを提供する。発光材料の層３３がパッド（図１のピクセル１に対応する）上に蒸着され、最後にカソード３１（図１の電極２に対応する）がその頂部に蒸着される。ピクセルから見る者への発光は一般的に図２の紙面に向かう方法であり、図３においては矢印Ｂで示される。したがって、発光をぼんやりとさせることを防止するため、ＴＦＴ回路は一般的に発光材料３３の側部に配置される。
【０００８】
ITOは良好な透明度、低い面積抵抗と、確立された処理ルートを有し、低い抵抗を有し、それは各ピクセルが部分的な時間だけ発光することができるので、高いピーク貫通電流が必要なパッシブマトリクスディスプレイにおいては特に有益である。しかし、ITOの処理は問題を生じうる。典型的に、ITOはデバイス全体の上に連続的な層として（例えばスパッタリングまたは蒸発により）蒸着される。次に、それをパターン付けしてデバイスの各ピクセルのための分離したパッド１９を与える。パターン付けは典型的にリソグラフィーにより、ITOがエッチングされて不要な領域を除去する。エッチングで使用される材料は構成要素領域間の空隙を通じてＴＦＴ構造内へ容易にしみ込み、回路に損傷を与えるので、これは問題を生じさせる。ディスプレイの１ピクセルのみの回路の損傷はディスプレイ全体を拒絶させる。
【０００９】
ITOと発光層との間に導電性ポリマー層を使用することにより（例えば、J Carter et al., Appl. Phys. Lett. 71(1997)34を参照）デバイスはより安定的になり、非発光デバイスなどの他分野ではITO層は省略される（例えば、A Lien et al., "Conducting Polyaniline as a Potential ITO replacement for Flat Panel Applications", Proceedings of the International Display Research Conference, Society of Information Display, Toronto, Sept. 15-19, 1997, p.1）。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、ディスプレイデバイスの形成方法が提供され、その方法は、基板上に薄膜トランジスタスイッチ回路を蒸着する工程と、インクジェットプリンティングにより、薄膜トランジスタ回路の出力と電気的に接触するように光透過性導電性有機材料の電極層を蒸着する工程と、デバイスのアクティブ領域を蒸着する工程とを有する。
【００１１】
好ましくは、アクティブ領域もインクジェットプリンティングにより蒸着される。
【００１２】
アクティブ領域は好ましくは層形状とすることができる。
【００１３】
アクティブ領域は、発光領域（例えば有機発光材料を含む）または通過する光を制御可能な領域（例えば液晶材料を含む）とすることができる。
【００１４】
有機発光材料はポリマー材料とすることができる。有機発光材料は好ましくは共役材料とすることができる。適当な材料は、ＰＰＶなどの半導体共役ポリマーまたはその誘導体である。発光材料は適当には、ＰＰＶ、ポリ（２−メトキシ−５（２’−エチル）ヘキシルオキシフェニレン−ビニレン）（「MEH-PPV」）、ＰＰＶ誘導体（例えばジアルコキシ派生物）、ポリフルオレン、および／または、ポリフルオレンセグメントを含むコポリマー、ＰＰＶおよび／または関連するコポリマーであるか、それらを含む。インクジェットプリンティングの代わりに、スピンコーティング、浸せきコーティング、ブレードコーティング、メニスカスコーティング、セルフアセンブリなどにより蒸着することができる。発光領域および／またはその前駆体の構成は、水ベースとすることができ、その例は前駆体ベースのＰＰＶである。代替的材料は、例えばAlq3などの有機分子発光材料、または有機オリゴマー発光材料、もしくは従来技術で既知のあらゆる他の小（ｓｍａｌｌ）昇華分子または共役ポリマーエレクトロルミネッセント材料である。
【００１５】
電極層は適当には２００キロオーム／平方未満の面積抵抗を有し、好ましくは２０〜２００キロオーム／平方の範囲内である。電極層の厚さは好ましくは２０〜１００ｎｍの範囲内である。
【００１６】
電極層は好ましくは絶縁層上に蒸着される。絶縁層は適当には薄膜トランジスタ回路のカバーを形成する。
【００１７】
電極層は、適当には少なくともアクティブ層からのあらゆる発光周波数において、また適当には可視スペクトラム内において、透過性または半透過性（例えば５０％を超える透過率）である。
【００１８】
電極層の導電性有機材料は適当には導電性ポリマー材料である。導電性有機材料は、ポリアニリン（例えば、ドープされたポリアニリンまたはポリアニリン誘導体−M.Angelopoulos et al.の”Applications of Conducting Polyanilines in Computer Manufacturing Processes”Instrinsically Conducting Polymers: An Emerging Technology, M. Aldassi (ed.), Prodeecings of NATO Advanced Reserch Workshop on Applications of Instrinsically Conducting Polymers, Burlington Vt. USA, pp 147-156, 1993, Kluwer Academic Publishers, Neitherlandsを参照）、ポリチオフェン（例えばドープされたポリチオフェンまたはポリチオフェン誘導体）、ポリピロール、ドープしたＰＰＶなどのドープした共役ポリマーとすることができる。１つの好適な材料は、ポリスチレンスルフォン酸ドープしたポリエチレンジオキシチオフェン（「PEDT/PSS」）である。
【００１９】
電極層は適当には、薄膜トランジスタ回路の出力と電気的接触を有する下部電極層と、アクティブ領域に近い上部電極層とを含む。上部電極層は好ましくは下部電極層と異なる組成であり、および／または異なる電気的特性を有する。例えば、下部電極層（適当には１０００オーム／平方未満の面積抵抗）は、好ましくは上部電極層（適当には２００キロオーム／平方以上の面積抵抗）より高い電気的導電性を有する。電極がPEDT/PSSを含む場合、上部電極層は下部電極層より高いポリスチレンスルフォン酸（「PSS」）濃度を有する。
【００２０】
薄膜トランジスタ回路の出力は、適当には電極への電気的接触を作るための接点を含む。接点は適当には電極の主面内へ延びて、それら２つの間の電気的接触および／または電極中の電荷分布を改善する。例えば、接点は適当には電極層の１つ以上の側部に沿って延びる。接点は、少なくとも層の面内において電極層を取り囲みまたは実施的に取り囲む。接点は好ましくは、電極層よりも高い導電性の材料である。接点からアクティブ領域への直接的なキャリア注入を防止するために（２つが近接するようにデバイスが構成されている場合）、接点の材料の仕事関数は好ましくは電極層の材料の仕事関数よりも低く、および／または、接点をアクティブ領域に近接する面において絶縁層でコーティングすることができる。接点の材料の仕事関数は適当には４．５ｅＶ未満であり、好ましくは４．３ｅＶ未満である。接点の材料は好ましくはスルフォン酸のように不活性である。接点の好ましい材料はアルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属、および窒化チタンなどの導電性耐火性材料を含む。好ましくは接点の導電性は電極の材料の導電性より高い。
【００２１】
電極層は好ましくは１つの主面にわたって絶縁層に当接する。電極層の他の主面は好ましくはアクティブ領域の主面と当接する。アクティブ領域の他の主面は好ましくは別の電極層と当接する。いずれかの電極面をアノードまたはカソードとすることができる。
【００２２】
また、アクティブ層がそれを通過する偏光を制御できる場合、従来の液晶デバイスの製作において既知であるように、デバイスは好ましくは１つ以上の偏光層および／または反射層および／または発光層を有することができる。
【００２３】
本発明の第２の観点によれば、有機発光ディスプレイデバイスの形成方法が提供され、それは、基板上に薄膜トランジスタスイッチ回路を蒸着する工程と、薄膜トランジスタ回路の出力と電気的に接触する光透過性導電性有機材料の電極層を蒸着する工程と、電極層上に有機発光層を蒸着する工程とを有する。本発明のこの観点の詳細は本発明の第１の観点と同様である。
【００２４】
上述の方法は適当に、上述の複数のピクセルを有するデバイスの形成を可能とし、好ましくは共通の基板を有するが、個別の薄膜トランジスタスイッチ回路と、電極層と、各ピクセルについての分離した有機発光領域とを有する。電極層（または電極層の２次層）は、特に層または２次層が２００キロオーム／平方を超える面積抵抗を有する場合、デバイスの全てのピクセルにわたって連続的に延びることができる。デバイスは、例えば赤、緑、及び青の異なる発光色のピクセルのセットを有する多色ディスプレイとすることができる。
本発明の実施例は、ＩＴＯ電極に係る欠点を克服することができることを示している。有機導電体材料をインクジェットプリンティングすることにより、個々のピクセルが直接的に成膜、形成することができ、したがってエッチング工程を不要とすることができる。 
【００２５】
【発明の実施の形態】
添付図面を参照して本発明を例示的に説明する。図は正しい寸法ではない。各図において同一の部分には同一の参照符号を付している。バンク３０は平面図には示していない。
【００２６】
図４ないし図１０は図２及び図３のものと類似する有機発光デバイスを示す。しかし、図４ないし図１０のデバイスにおいて、図２及び図３のITO領域１９は電気的導電性ポリマー材料の領域３２により置き換えられている。
【００２７】
図４ないし図１０に示すデバイスを形成するために、最初にＴＦＴ回路を通常の方法でガラス基板１７上に蒸着して図５に断面で示す段階を実現する。最初に、トランジスタスイッチングＴＦＴ１３、キャパシタ１４および電流ＴＦＴ１５それぞれのために、ポリシリコン領域２０、２１、２２を蒸着しドープする（Ｎ＋で示すように）。（ドーピングは、後にゲートメタライゼーション層３４のパターン付け工程後にイオン注入により行われる）。次に、ポリシリコン上にゲート絶縁層１６ｃを蒸着し、続いてゲートメタライゼーション層３４を蒸着する。その上にSiO2の別の絶縁層１６ａを形成する。接点孔２４、２５、２７が層１６ａおよび２６ｃを通って作られる。３種類の接点孔がある。第１は層１６ａおよび２６ｃを通って開放し、第２は層１６ａ（図１０に示す）を通って開放し、第３は層１６ｂ（図６に示す）を通って開放する。次に、信号ライン１１、共通ライン１２、コネクタ２６及び接点領域２９を単一の金属蒸着工程（それは孔２４、２５および２７も埋める）で蒸着し、パターン付けする。これにより、図５の構造が実現される。
【００２８】
SiO2の第３の絶縁層１６ｂを回路上に蒸着し、接点孔２８をその内部に作る。これにより図６の構造が実現される。
【００２９】
本実施形態において、バンク３０はポリイミド材料から作られる。これが蒸着され、図７の構造が実現される。
【００３０】
次に導電性ポリマー材料を蒸着して各ピクセルのアノードを形成する。その材料を絶縁層１６ｂ上および完全にバンク３０間に広がるように蒸着し、孔２８を通じて接点領域２９と電気的接触を形成し、ピクセルの発光領域に上に均一な層３２を設ける。導電性ポリマーは多数の手段、例えば発光層との関連において以下により詳細に説明するスピンコーティング又はインクジェットプリンティングにより蒸着することができる。
【００３１】
本例の有機発光材料はＰＰＶである。ＰＰＶをデバイス全体にわたる層として蒸着することができ（例えば、前駆体ポリマーをスピンコーティングすることにより）、次に個々のピクセルを形成するようにパターン付けし、もしくは各ピクセルの発光材料を分離して蒸着することができる（例えば、インクジェットプリンティングにより）。結果として得られる発光ピクセル層３３は約１０００Ａ（オングストローム）の厚さである。インクジェットプリンティングにより発光材料を蒸着するために、材料をインクジェットプリンタヘッドにより噴霧する。適当な噴霧サイクルは毎秒14,400滴であり、滴下量は３０plである。導電性ポリマー層がインクジェットプリンティングにより蒸着される場合は、製造プロセスを簡素化するので、インクジェットプリンティングにより発光材料を蒸着することが特に便利である。
【００３２】
最後に、カソード層３１をＰＰＶ上に蒸着する（図８参照）。
【００３３】
図４ないし図１０のピクセルは大型発光デバイスの一部を形成し、そのデバイスでは数千のそのようなピクセルが直交する行および列に配列される。例えば、典型的なサイズは６００行、８００列であり、合計４８０，０００ピクセルとなる。そのデバイスは、等しい数の赤、緑および青のピクセルを有するカラーディスプレイデバイスとすることもできる。典型的なピクセルサイズは３００×１００μｍである。
【００３４】
デバイスの性能は、関連する層の抵抗を注意深く制御することにより改善することができる。オン状態でのピクセルのＴＦＴ回路の電流トランジスタの抵抗は、導電性有機電極層と発光層の結合抵抗より低くなるべきである。典型的に、トランジスタのオン抵抗は１０キロオーム程度であり、有機発光層と導電性層のオン抵抗は１メガオーム程度である。均一性のため、導電性有機電極層の抵抗は好ましくは有機発光層の抵抗よりも小さい。良好な目標は、トランジスタと導電性層の合計オン抵抗については有機発光層の抵抗より少なくとも１０のファクターだけ低く、および／または、トランジスタのオン抵抗については導電性層と有機発光層の合計オン抵抗より少なくとも１０のファクターだけ低い。
【００３５】
上述のデバイスのいくつかの変形を説明する。
【００３６】
有機ポリマー発光層の代わりに、デバイスは、例えばAlq3などの小分子材料の別の有機材料、または無機材料の発光層を有することができる。液晶層により発光層を置き換えることができ、通常の偏光子、バックライトなどを付加して液晶ディスプレイを形成する。
【００３７】
導電性層３２は多数の異なる方法で構成することができる。１つの好ましい可能性は、接点２９から導電性材料３２へ上方へ延びる導電性ブリッジ片を設けることである。ブリッジ片は単に孔２８を埋める脚部として形成することができる。そのような脚部の底部は接点２９との電気的に接触する。頂部は絶縁層１６ｂの頂部と面一であり、脚部の上端の局部領域で層３２と電気的に接触する。ブリッジ片は、例えばアルミニウムなどの導電性層３２とは異なる材料とすることができる。
【００３８】
別の可能性は、導電性層３２との接点を導電性層３２の主面内の一方または双方向において横方向に延ばし、デバイスの性能を改善することである。ブリッジ片を横方向に延ばすことにより、導電性層３２と接触するより大きな領域を設けることができる。図１１ないし図１４はこの例を示す。図１１ないし図１４は、信号ライン１１を導電性層３２から絶縁するためには絶縁層１６ｂとバンク３０の一方のみが必要であるため、バンク３０があれば絶縁層１６ｂは省略できるという事実も利用する。（その代わりに、絶縁層１６ｂが有れば、バンク３０を省略できる）。
【００３９】
図１１および図１２において、接点２９は層３２内に突出する。加えて、接点２９は２方向に延びて発光領域の周辺近くで低抵抗フレーム３５を形成する。図１３および図１４において、クロス部材３６により同様にフレーム３５が補充され、クロス部材３６は発光領域と交差する。別の実施形態では、部材３６を、電極３２と交差するが十分に小さいためピクセルの光出力を大きくブロックすることはない導電体のより複雑なネットワークにより置換することができる。導電性層３２との電気的接点の拡大領域は、特に電極を作る材料の導電性が比較的低い場合には、低電流密度と電極にわたるより均一な電荷分布を可能とする。
【００４０】
ブリッジ片またはその部分としてアルミニウム以外の導電性材料を使用することができる。好ましい材料は、それが発光領域３３と接触した時に実質的に電荷自体を発光領域３３へ注入しないものである。それは、導電性材料が不透明でありその背後から放射される光を見る者からブロックする場合、その注入がその領域からの不均一な発光につながり、効率を下げるからである。一般的に、これを実現するため、導電体材料の仕事関数は層３２の導電性ポリマー材料のそれより小さくすべきである。発光材料がＰＰＶであり、導電性ポリマーがＰＥＤＴ／ＰＳＳである場合、アルミニウムの代わりとなる適当な導電性材料（少なくとも発光層３３を含む領域における）は、アルミニウム合金（例えばAl：Si合金）、タンタル等を含む。ブリッジ片から発光材料への直接注入を防止する別の方法は、そうしなければ発光材料と接触するであろうブリッジ片の一部を、SiOxまたはAlOxなどの絶縁体により被覆することによる。にもかかわらず、ブリッジ片の材料と導電性ポリマー３２との間の良好な接触が維持されなければならない。
【００４１】
別の問題は、導電性ポリマーと、それと接触する導電性材料（接点２９またはブリッジ片）との間の有害な反応を防止する必要性である。例えば、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ中に存在する酸がアルミニウムに影響しうる。したがって、Mo、W、MoSi2、Ti、Ta、WSiO2またはTiN、もしくはそのような材料を含む多層は、その導電性材料または導電性ポリマー材料と接点を作る少なくともその一部として好適である。そのような材料は、酸化しにくく、よって導電性ポリマー材料との境界においてより良好（オーム）な接点を維持する。接点２９またはブリッジ片と導電性ポリマー材料との間の境界において低い接点抵抗があるべきである。例えば、図１２の接点の１つの好適な構造は、それをそれぞれ厚さ20/50/600/50ｎｍのTi/TiN/Al/TiNの多層構造に形成することである。この構造において、第１のTi層はｎ＋ポリシリコン２２と良好な接点を提供し、TiNはAl:Si合金の形成を防ぐバリア層であり、Alは低抵抗の脚部のバルクを提供し、TiNの頂部層はＰＥＤＴ／ＰＳＳ層３２との良好な接点を提供する。これらの層は以下の条件下でのスパッタリングにより形成することができる。
【００４２】
0003660247.tif 000002
【００４３】
導電性ポリマー電極は１〜１０オームｃｍまたはそれ未満の抵抗を有することが好ましい。好適な面積抵抗は２００〜１０００オーム／平方またはそれ未満である。
【００４４】
導電性ポリマー電極のインクジェットプリンティングの代替物はスピンコーティングまたはブレードコーティングを含む。これらの方法は、均一な導電性材料層をもたらし、次にそれをパターン付けして各ピクセルに個別の電極を与える。パターン付けはドライエッチングまたは湿式エッチングを使用する標準的フォトリソグラフィー技術によることができる。別の代替物は、WO96/08047またはEP0615257に記載されるようなパターン付け手法、例えばピクセル間のPEDT/PSS領域を紫外線に露出してそれらを非導電性とすることである。
【００４５】
２層の導電性ポリマー電極を形成することが有益である。下層はＴＦＴ回路の出力で接点２９とまたは接点２９から延びる導電性ブリッジ部と接触し、上層は発光層と接触する。これは、各層が導電性および／または個々の近接する材料との電気的接触を最適化することを可能とする。例えば、PEDT/PSS層中のPSS濃度を増加することは層の抵抗を増加させるが、それは発光デバイスの性能を改善する傾向がある。したがって、導電性ポリマー電極は、接点２９に当節する下層と、下上層に当接し、PEDT/PSS層より高いPSS濃度と抵抗を有する上層として形成することができる。上層と下層はそれぞれ、それらの下部および上部主面にわたって出会い、電気的接点を作る。上層の抵抗を十分に高くして層内の電荷の横方向拡散の問題のリスクを少なくすることができる。（これが適用される抵抗値は、ピクセル間の間隔と他のデバイスパラメータに依存するが、典型的には約200オーム／平方程度である。）その場合、上層は各ピクセルについて別個の領域にパターン付けする必要はなく、デバイス全体または少なくとも複数のピクセルにわたって連続的とすることができる。
【００４６】
本発明は、現在請求の範囲に記載された発明に関連するかにかかわらず、ここに明示的または暗示的に記載されたいかなる特徴または特徴の組合せまたは一般化を含む。上記の説明において、本発明の視野の範囲内において当業者には種々の変形が自明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  薄膜トランジスタ（「TFT」）アクティブマトリクスディスプレイ中の１つのピクセルを駆動するための回路を示す。
【図２】  有機発光デバイスのピクセルと関連する典型的なスイッチング回路の概略的平面図である。
【図３】  図２の回路のライン１Ａ−１Ａ’での断面を示す。
【図４】  有機発光デバイスのピクセルに関連するスイッチング回路の概略的平面図である。
【図５】  図４の回路の製作工程の段階をライン２Ａ−２Ａ’による断面で示す。
【図６】  図４の回路の製作工程の段階をライン２Ａ−２Ａ’による断面で示す。
【図７】  図４の回路の製作工程の段階をライン２Ａ−２Ａ’による断面で示す。
【図８】  図４の回路の製作工程の段階をライン２Ａ−２Ａ’による断面で示す。
【図９】  図６に示す製作段階における図４のライン２Ｂ−２Ｂ’による断面を示す。
【図１０】  図５に示す製作段階における図４のライン２Ｃ−２Ｃ’による断面を示す。
【図１１】  有機発光デバイスのピクセルに関連する代替的スイッチング回路の概略的平面図である。
【図１２】  図１１のライン３Ａ−３Ａ’による断面を示す。
【図１３】  有機発光デバイスのピクセルに関連する他の代替的スイッチング回路の概略的平面図である。
【図１４】  図１３のライン４Ａ−４Ａ’による断面を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１１】
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【図１３】
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