(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの面取り面に、研磨剤とともに、研磨糸を略緊張状態に保持して押し当てることにより、この面取り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨方法であって、
上記半導体ウェーハをその円周方向に回転させるとともに、上記研磨糸を上記半導体ウェーハの面取り面の外周部に押し当てながら、この面取り面に沿ってウェーハ厚さ方向に移動させる半導体ウェーハの面取り面の研磨方法。
【請求項２】
半導体ウェーハの面取り面に、研磨剤とともに研磨糸を略緊張状態に保持して押し当てることにより、この面取り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨方法であって、
半導体ウェーハの外周部の外側に、複数本の上記研磨糸をその円周方向にあって互いに所定角度をあけ、かつ、各研磨糸を、それぞれの長さ方向が、垂直面内で互いに異なる角度となるように配置し、半導体ウェーハ外周部の湾曲した面取り面を半導体ウェーハ厚さ方向に分割し、これらの分割した面取り面のそれぞれを各研磨糸により研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨方法。
【請求項３】
半導体ウェーハを保持してその円周方向に回転させる保持部と、
研磨剤を含ませた研磨糸と、
この研磨糸の両端が個別に固定され、研磨糸を略緊張状態に保持する一対の糸固定治具と、
半導体ウェーハの面取り面に砥液を供給するスラリー供給手段とを備えた半導体ウェーハの面取り面の研磨装置であって、
上記略緊張状態の研磨糸を上記半導体ウェーハの面取り面に押し当てながら、この面取り面に沿ってウェーハ厚さ方向に移動させることにより、この面取り面を研磨糸により研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨装置。
【請求項４】
半導体ウェーハを保持してその円周方向に回転させる保持部と、
研磨剤を含ませた研磨糸と、
この研磨糸の両端が個別に固定される一対の糸固定治具と、
半導体ウェーハの面取り面に砥液を供給するスラリー供給手段とを備え、
半導体ウェーハの面取り面を上記研磨糸により研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨装置であって、
半導体ウェーハの外周部の外側に、複数本の上記研磨糸を、その円周方向にあって互いに所定角度をあけ、かつ、各研磨糸を、それぞれの長さ方向が、垂直面内で互いに異なる角度となるように配置し、半導体ウェーハ外周部の湾曲した面取り面を半導体ウェーハ厚さ方向に分割し、これらの分割した面取り面のそれぞれを各研磨糸により研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体ウェーハの面取り面の研磨方法およびその研磨装置、詳しくは、研磨糸を用いて、半導体ウェーハの面取り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨方法およびその研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スライス工程で、単結晶シリコンインゴットからスライスされたシリコンウェーハは、次の面取り工程で、例えば＃６００程度の粗いダイヤモンド砥粒を磁器質の結合材に接着固定した面取り用砥石（ビトリファイド研削砥石）により、ウェーハ外周部に面取りが施される。例えば、バイポーラ型ＩＣ用では、ウェーハ外周部が断面砲弾型に面取りされる。これは、シリコンウェーハの機械的強度を高めて、ラップ工程などでのカケおよびチッピングの発生を防止するためである。
しかしながら、この研削による面取りだけでは、面取り面の表面粗さが大きい。すなわち、ミクロ的に見れば、面取り面の表面に単結晶シリコンの無数の小断片が毛羽立っており、これらの小断片が欠落して、その後のデバイス工程で発塵が生じていた。また、この面取り面には研削ダメージが残っていた。
【０００３】
そこで、従来、この研削ダメージを除去し、デバイスの歩留りの改善に有効な手段として、面取り面のエッチングまたは研磨が行われている。
前者のエッチングでは、エッチング液に浸漬することで、面取り面の表層の研削ダメージ領域を溶かす。しかしながら、この方法では、溶かされる単結晶シリコンの量が安定しにくく、面取り面の平坦度が低下するおそれがある。
この問題を解決するものとして、後者の研磨がある。従来の面取り面の研磨には、研磨布が採用されていた。すなわち、回転しているシリコンウェーハの外周部を研磨布に押し当てて、面取り面から無数に突出した単結晶シリコンの小断片および破片を除去するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この研磨布による面取り面の研磨では、面取り面の表面粗さは小さくなるものの、この面から剥離した上記小断片や破片などが研磨布に付着して、排出されにくい。この結果、これらの小断片、破片により、面取り面に多数の微細なキズが生じることがあった。
【０００５】
そこで、この発明者らは、鋭意研究の結果、研磨布に代えて、研磨剤が塗布されたり含浸された研磨糸を用いれば、面取り面の研磨中、この面から剥離された単結晶シリコンの小断片および破片などを効率よく外部に排出することができ、その結果、研磨後に面取り面に微細なキズが生じにくいことを突き止め、この発明を完成させるに至った。
【０００６】
【発明の目的】
この発明は、研磨後の面取り面に微細なキズが生じにくく、面取り後の面取り面の形状の維持、面取り面の平滑性の向上が図れる半導体ウェーハの面取り面の研磨方法およびその研磨装置を提供することを、その目的としている。
また、この発明は、１本の研磨糸でも良好な面取り面の研磨を行うことができる半導体ウェーハの面取り面の研磨方法およびその研磨装置を提供することを、その目的としている。
さらに、この発明は、短時間で良好な面取り面の研磨を行うことができる半導体ウェーハの面取り面の研磨方法およびその研磨装置を提供することを、その目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、半導体ウェーハの面取り面に、研磨剤とともに、研磨糸を略緊張状態に保持して押し当てることにより、この面取り面を研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨方法であって、上記半導体ウェーハをその円周方向に回転させるとともに、上記研磨糸を上記半導体ウェーハの面取り面の外周部に押し当てながら、この面取り面に沿ってウェーハ厚さ方向に移動させる半導体ウェーハの面取り面の研磨方法である。
【０００８】
面取り面の研磨がされる半導体ウェーハの品種は限定されない。例えば、シリコンウェーハ，ガリウム砒素ウェーハなどでもよい。また、半導体ウェーハの大きさも、例えば８インチウェーハ，３００ｍｍの大口径ウェーハなど、限定されない。
半導体ウェーハの面取り面に研磨糸を押し当てるとは、結果的にこの面取り面と研磨糸とが所定の圧力で接触していればよい。すなわち、逆に半導体ウェーハを研磨糸側に移動させて、この面取り面を研磨糸に押し当ててもよい。また、両者を移動させて互いに押し当ててもよい。
【０００９】
研磨糸には、例えばその糸表面に研磨剤を塗布したり、研磨糸の中に所定粒径の砥粒を含む研磨剤を含浸させたりしてもよい。研磨糸の表面に研磨剤を塗布する方法としては、例えば研磨中、ウェーハの外周部に研磨剤を供給する行為などをいう。
研磨糸は、可撓性を有する糸が好ましい。ただし、剛体からなる糸でもよい。なお、可撓性または剛体のどちらの場合でも、研磨時に容易に切断しない強度は必要とされる。
研磨糸の構造は限定されない。ただし、研磨剤を容易に塗布したり含浸させたりすることができる構造が好ましい。例えば、多孔質糸，中空糸，スパイラル糸，繊維質糸，不織糸などが挙げられる。
この研磨糸の可撓性の素材として、例えばＰＴＰＥ，ＰＦＡ，ウレタン，ナイロン，カーボンファイバ，絹，綿，麻，動物皮革，鯨髭，ガットなどが挙げられる。また、剛性の糸素材としてはセラミック，金属などが挙げられる。なお、ピアノ線のような可撓性を有する金属素材も挙げられる。
【００１０】
研磨糸の長さは、この糸全長のうち、固定点間で露呈している部分の長さである。また、研磨糸を略緊張状態に保持するとは、固定点間の距離と同じか、その距離の１．１倍くらい、わずかに研磨糸の長さが長い状態に保持することをいう。以上、これらの事項は請求項４にも該当する。
【００１１】
上記方法では、上記半導体ウェーハをその円周方向に回転させるとともに、上記研磨糸をこの回転方向と略直交する方向に向かって走行させる。
研磨中に、研磨糸を半導体ウェーハの回転方向と略直交する方向に向かって走行させるとは、例えば研磨糸をウェーハ外周部に押し当てながら、ウェーハ厚さ方向に回動（揺動を含む）させることをいう。
走行させられる研磨糸は、１本でもよいし、２本以上でもよい。ただし、このように研磨糸を移動させる利点は、緊張状態の１本の研磨糸を使って、十分にウェーハ外周部全域の研磨が行える点である。したがって、研磨糸を１本だけ使用する方が、効果が顕著といえる。なお、研磨糸の走行幅は限定されない。ただし、ウェーハ外周部の略全域を研磨できる範囲が好ましい。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、半導体ウェーハの外周部の外側に、複数本の上記研磨糸をその円周方向にあって互いに所定角度をあけ、かつ、各研磨糸を、それぞれの長さ方向が、垂直面内で互いに異なる角度となるように配置し、半導体ウェーハ外周部の湾曲した面取り面を半導体ウェーハ厚さ方向に分割し、これらの分割した面取り面のそれぞれを各研磨糸により研磨する請求項１に記載の半導体ウェーハの面取り面の研磨方法である。
用いられる研磨糸の本数、すなわちウェーハ外周部の研磨分割数は限定されない。例えば２分割（研磨糸２本），３分割（研磨糸３本）などでもよい。この事項は請求項４にも該当する。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、半導体ウェーハを保持してその円周方向に回転させる保持部と、研磨剤を含ませた研磨糸と、この研磨糸の両端が個別に固定され、研磨糸を略緊張状態に保持する一対の糸固定治具と、半導体ウェーハの面取り面に砥液を供給するスラリー供給手段とを備えた半導体ウェーハの面取り面の研磨装置であって、上記略緊張状態の研磨糸を上記半導体ウェーハの面取り面に押し当てながら、この面取り面に沿ってウェーハ厚さ方向に移動させることにより、この面取り面を研磨糸により研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨装置である。
半導体ウェーハの保持部は、半導体ウェーハの外周部を露呈して回転可能に保持できれば、限定されない。通常は、半導体ウェーハを吸着保持する。ただし、例えばクランパによる把持などでもよい。保持部の回転駆動源としては、例えば電動モータなどが挙げられる。
【００１４】
糸固定治具は、研磨糸の両端を緊張状態またはそれに近い状態で固定するための治具である。
砥液としては、例えば平均粒径２０〜１００ｎｍ、好ましくは平均粒径４０〜８０ｎｍのＳｉＯ２などの砥粒を含む周知のものが挙げられる。
スラリー供給手段としては、例えばスラリーポンプなどを用いて、半導体ウェーハの外周部に、砥液を常時または断続的に供給できる装置であれば限定されない。この請求項４では、面取り面の研磨中、砥液を研磨糸側に供給することで、この研磨糸に研磨剤を含浸させたり、塗布したりしている。
【００１５】
この半導体ウェーハの面取り面の研磨装置では、上記面取り面の研磨中、上記研磨糸を、半導体ウェーハの回転方向と略直交する方向に向かって走行させる。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、半導体ウェーハを保持してその円周方向に回転させる保持部と、研磨剤を含ませた研磨糸と、この研磨糸の両端が個別に固定される一対の糸固定治具と、半導体ウェーハの面取り面に砥液を供給するスラリー供給手段とを備え、半導体ウェーハの面取り面を上記研磨糸により研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨装置であって、半導体ウェーハの外周部の外側に、複数本の上記研磨糸を、その円周方向にあって互いに所定角度をあけ、かつ、各研磨糸を、それぞれの長さ方向が、垂直面内で互いに異なる角度となるように配置し、半導体ウェーハ外周部の湾曲した面取り面を半導体ウェーハ厚さ方向に分割し、これらの分割した面取り面のそれぞれを各研磨糸により研磨する半導体ウェーハの面取り面の研磨装置である。
【００１７】
【作用】
この発明によれば、半導体ウェーハの面取り面に、研磨剤とともに研磨糸を押し当てると、研磨糸により、面取り面から小断片や破片などが良好に剥ぎ取られる。研磨糸は、従来の研磨布と比較して表面積が小さい。その結果、剥離された小断片類は、仮に研磨糸に付着したとしても、その後、この研磨糸から簡単にとれてウェーハの外部に排出される。
このように、研磨部材に研磨糸を採用したので、従来の研磨布と比べて、小断片類の排出効率が高い。その結果、例えば研磨布のように、いったん、剥ぎ取られた小断片類が研磨布の研磨面に付着してしまい、これを原因として、研磨後の面取り面に微細なキズが生じることを防ぐことができる。
【００１８】
ところで、この発明では、研磨糸の長さを、略緊張状態に保持して面取り面に押し当てることとしている。これにより、研磨糸は研磨当初から緊張状態で面取り面に押し当てられることになる。その結果、例えばこの糸の長さを、固定点間の距離よりかなり長くしたものに比べて、面取り後の面取り面の形状の維持、面取り面の平滑性の向上、および、研磨後における面取り面のキズの発生率の低下が図られる。
これに対して、例えば、研磨糸の長さを、この研磨糸の固定点間の距離よりかなり長くすることが考えられる。その効果には、長尺な研磨糸を面取り面の湾曲面に沿わせて、１本の糸で面取り面全域の研磨を一度に終わらせられる、という点が挙げられる。しかしながら、研磨当初に、弛んだ研磨糸を面取り面に押し当てなければならないので、面取りされた面取り面の形状が歪になりやすい。しかも、この面の平滑性が低下したり、研磨糸が撓むことにより、面取り面の毛羽立ちに引っかかって、これが回転による張力によって引き剥がされるという現象を繰り返すことにより、仕上がり面に段々が形成されるということや、研磨後、面取り面のキズの発生率が高まるおそれがあった。
そこで、この発明では、研磨糸により研磨をする前から略緊張状態にセットしておくことで、これらの問題を解消している。
【００１９】
特に、研磨中は、研磨糸をウェーハ外周部の湾曲した面取り面に沿って、ウェーハの回転方向と略直交する方向に向かって走行させながら研磨する。その結果、例えば１本の研磨糸でも良好に面取り面の研磨を行うことができる。
【００２０】
さらに、請求項２，請求項４に記載の発明によれば、複数本の研磨糸により、湾曲した面取り面を、ウェーハ厚さ方向に分割して研磨する。その結果、短時間で良好な面取り面の研磨を行うことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨装置を、図面に基づいて説明する。まず、第１実施例を説明する。
図１は、この発明の第１実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨装置による研磨開始時の説明図である。図２は、この発明の第１実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨装置による研磨中の説明図である。
図１において、１０はこの発明の第１実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨装置（以下、単に面取り面研磨装置）であり、この面取り面研磨装置１０は、面取り後のシリコンウェーハＷを吸着保持し、これを回転させる保持部１１と、１本の研磨糸１２と、研磨糸１２の両端を個別に固定して、この糸１２を垂直に緊張させる一対の糸固定治具１３と、この研磨糸１２が緊張された両糸固定治具１３を垂直面内で走行させる糸走行手段１４と、シリコンウェーハＷの面取り面に砥液を供給するスラリーノズル（スラリー供給手段）１５とを備えている。
【００２２】
シリコンウェーハＷは、ＣＺ法による単結晶シリコンインゴットの引き上げ工程において、所定の引き上げ速度で引き上げられたインゴットを、ブロック切断、ウェーハ切断、面取りを施して作製された厚さ７２５μｍ、直径８インチのウェーハである。
上記保持部１１は、上下一対の円形のウェーハ保持板１６を有している。両ウェーハ保持板１６間で、ウェーハ外周部（面取り面）を露呈し、シリコンウェーハＷの中央部がサンドイッチ状に保持されている。
また、下側のウェーハ保持板１６の裏面中央部は、このウェーハＷの回転駆動源である回転モータ１７の出力軸１７ａに固着されている。出力軸１７ａが回転すると、ウェーハ保持板１６を介してシリコンウェーハＷが、そのウェーハ中心を軸にして、水平面内で回転する。この場合、ＯＦ（オリフラ）とシンクロしてＯＦ距離だけ回りながら移動するとなお良い。なお、この回転モータ１７は、図１矢印に示すように、駆動部を有する図外の移動手段により、水平面内で移動自在となっている。
上記研磨糸１２は、φ２．８ｍｍ，硬度：Ａｓｋｅｒ  Ｃ  ８０の発泡ウレタン製の多孔質糸である。なお、無圧時の断面形状は真円であり、研磨糸１２の長さ（研磨糸１２の糸固定治具１３間の部分の長さ）は、糸固定治具１３間の距離と同じ６０ｃｍである。この研磨糸１２は、０．１ｋｇｆ／ｃｍ２力により、糸固定治具１３間で緊張状態に保持されている。
【００２３】
糸固定治具１３としては、研磨糸１２の端部を小型リールに巻回するタイプのものが採用されている。
また、糸走行手段１４は、互いに平行に所定間隔だけ離間された一対の側枠１８と、両側枠１８の両端部を互いに連結する上下枠棒１９と、一方の側枠１８の中間部外面に出力軸の先端が固着された走行モータ２０とを有している。上下枠棒１９の中間部に、それぞれ糸固定治具１３が１つずつ固着されている。
走行モータ２０を駆動すると、その出力軸を中心に、上下枠棒１９の糸固定治具１３間に緊張された研磨糸１２が、垂直面内で上下方向（ウェーハ回転方向と直交する方向）に回動するように走行する。このときの走行角度は１６０度である。
さらに、スラリーノズル１５は、図外のスラリーポンプを有するスラリー供給部にホース接続されている。この吐出される砥液には、液温３２℃でｐＨ１１のＮａＯＨ水溶液中に、平均粒径５０ｎｍのＳｉＯ２が２．５重量％含まれている。この砥液は連続供給され、その供給量は３００ミリリットル／分である。
【００２４】
次に、この第１実施例に係る面取り面研磨装置１０を用いたシリコンウェーハＷの面取り面の研磨方法を説明する。
図１に示すように、回転モータ１７によりウェーハ保持板１６とともにシリコンウェーハＷを２０〜３０ｒｐｍで回転し、図外の移動手段によりこのウェーハＷの外周部を、糸固定治具１３間で緊張された研磨糸１２に押し当てる。押し当て力は０．１ｋｇｆ／ｃｍ２である。この際、スラリーノズル１５から砥液が供給されている。
この押し当てにより、シリコンウェーハＷの面取り面からは、単結晶シリコンの微細な小断片や破片などが、研磨糸１２によって、良好に剥ぎ取られる。この際、研磨糸１２は、従来の研磨布に比べると表面積が極めて小さい。その結果、はぎ取られた小断片類は、仮に研磨糸１２に付着したとしても、その後、この研磨糸１２から簡単に外れて、シリコンウェーハＷの外部に排出される。
【００２５】
しかも、図２に示すように、その研磨中は、走行モータ２０を駆動源とする糸走行手段１４を介して、研磨糸１２を面取り面の湾曲に沿って、垂直面内の下方向にゆっくりと走行しながら５分間研磨する。その結果、１本の研磨糸１２でも良好に面取り面全域の研磨を行うことができる。なお、この下方向への走行だけでなく、研磨糸１２を上下方向に往復走行させながら研磨してもよい。
このように、研磨糸１２を採用したことで、従来の研磨布と比べて、この小断片類の排出効率が高くなる。その結果、例えば研磨布の場合のように、いったん剥ぎとった小断片類が研磨布の研磨面に付着し、これを原因にして、研磨後の面取り面に微細なキズが生じるおそれを回避することができる。
【００２６】
なお、この第１実施例では、研磨糸１２の長さを、糸固定治具１３間の距離と同じにしている。そのため、研磨糸１２は研磨当初から緊張状態でシリコンウェーハＷの面取り面に押し当てられる。
ちなみに、前述したように、この研磨糸の長さを、糸固定治具間の距離よりかなり長くすれば、長尺な研磨糸を面取り面の湾曲面に沿わせて、１本の糸で、この面取り面全域の研磨を一度で終わらせることができる。しかしながら、弛んだ研磨糸を面取り面に沿わせるために、面取り後の面取り面の形状が歪になりやすく、面取り面の平滑性が低下し、さらに研磨後における面取り面のキズの発生率が高くなるおそれがある。
これに対して、この第１実施例のものは、研磨糸１２を研磨当初から緊張しているので、面取り後の面取り面の形状維持、および、面取り面の平滑性の向上、さらに、研磨後における面取り面のキズの発生率の低下が図られる。
また、この第１実施例では、研磨糸１２による面取り面の研磨時に、スラリーノズル１５から砥液が供給される。この結果、研磨糸１２に研磨剤を含ませるのが容易となり、かつ面取り面の研磨も良好となる。
【００２７】
次に、図３および図４に基づいて、この発明の第２実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨方法およびその研磨装置を説明する。
図３は、この発明の第２実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨装置による研磨開始時の説明図である。図４は、この発明の第２実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨装置による研磨中の説明図である。
図３および図４に示すように、この発明の第２実施例の面取り面研磨装置３０は、ウェーハ外周部の外周りに、５本の研磨糸１２Ａ〜１２Ｅを互いに所定角度をあけて固定配置し、しかも各研磨糸１２Ａ〜１２Ｅを、それぞれの長さ方向が、垂直面内で互いに異なる角度となるように配置し、これらの研磨糸１２Ａ〜１２Ｅに、それぞれ均等にシリコンウェーハＷの面取り面を押し当てて、この湾曲した面取り面を、ウェーハ厚さ方向に分割して研磨するようにした例である。なお、スラリーノズル１５は、この面取り面の上方に、互いに所定間隔をあけて３本配設されている。
【００２８】
各研磨糸１２Ａ〜１２Ｅは、シリコンウェーハＷの外周りに４０度間隔で配置されている。
また、各研磨糸１２Ａ〜１２Ｅの垂直面内での傾斜角度は以下の通りである。すなわち、研磨糸１２Ａは１０度，研磨糸１２Ｂは５０度，研磨糸１２Ｃは９０度，研磨糸１２Ｄは１３０度，研磨糸１２Ｅは１７０度である。
このように、５本の研磨糸１２Ａ〜１２Ｅにより面取り面を分割して研磨するようにしたので、短時間で良好な研磨が行える。
なお、その他の構成、作用および効果は第１実施例と同様であるので、説明を省略する。
【００２９】
ここで、実際に、上記第１実施例（実施例１）の研磨糸を用いて、シリコンウェーハの面取り面に研磨を施したときの面取り面の外観評価と、フッ酸水溶液浸漬後における面取り面のパーティクル増加量の評価試験を記載する。
なお、比較対象試験として、面取り用砥石によるウェーハ外周部の面取りを施しただけのもの（比較例１）と、面取り面をフッ酸／硝酸（／酢酸）製のエッチング液によりエッチングしたもの（比較例２）と、このエッチング後、面取り面を研磨布により研磨したもの（比較例３）と、固定点間の距離よりかなり長い弛んだ研磨糸を用いて研磨したもの（比較例４）とを合わせて記載する。
【００３０】
それぞれの実験には、外周部が面取りされた直径８インチのシリコンウェーハをそれぞれ２５枚用意した。各ウェーハは、単結晶シリコンインゴットを外周整形し、内周刃により所定の厚さにスライスし、洗浄後、これをアルミナ砥粒でラッピングし、さらに洗浄後、フッ酸／硝酸／酢酸の混合液製のエッチング液で、ウェーハ表裏面の表面ダメージ層をエッチング除去し、さらに洗浄した後、面取り用砥石によりウェーハ外周部を面取りして得た。続いて、各ウェーハの面取り面に、実施例１および比較例１〜比較例４のそれぞれの加工を施した（ただし、比較例１の場合は面取りしたままの状態）。
【００３１】
その後、こうして作製された各条件、２５枚のシリコンウェーハは、各ウェーハ表面をポリッシングし、さらに仕上げ洗浄が行われた。その後、各ウェーハについて、上記面取り面の外観評価と、面取り面のパーティクルの増加量の評価とを実施した。
この外観評価は、研磨後の面取り面を検査員が自分の目で確かめて、その形状が研磨前を基準として維持されているかどうか、また面取り面の平滑性が良好であるかどうかを視認により行った。
また、面取り面のパーティクルの増加量の評価は、まず各シリコンウェーハを５％フッ酸に１０分間浸漬し、その後、純水オーバーフローリンスを１０分間ずつ、１次リンス、２次リンスともを繰り返し、その後、このリンスされたシリコンウェーハをスピンドライヤにより乾燥し、それからレーザーパーティクルカウンタを用いて表面上の０．３μｍ以上のパーティクルの増減数を測定することで行った。この際、各条件とも２５枚のウェーハの平均値を求め、それを基準にして良否を判断した。その結果を表１に示す。
【００３２】
【表１】
0003707025.tif 000002
【００３３】
表１から明らかなように、実施例１は面取り面の外観およびフッ酸水溶液浸漬後における面取り面のパーティクル増加量とも、良好（○）の評価が得られた。これに対して、比較例１〜比較例４は、それぞれ面取り面の形状維持、平滑性、面取り部の傷、パーティクル増加量に対して、１つまたは２つ以上の不良（×）か、やや不良（△）の結果が得られた。
【００３４】
【発明の効果】
この発明によれば、半導体ウェーハの面取り面を研磨糸により研磨するようにしたので、面取り面の単結晶シリコンの小断片や破片などを、良好に剥ぎ取ることができる。しかも、研磨糸は小断片類の排出効率が高く、従来の研磨布の場合のように、いったん剥ぎ取られた小断片類によって、研磨後の面取り面に微細なキズが生じるのを防ぐことができる。
また、研磨糸を略緊張状態に保持して、その面取り面に押し当てるようにしたので、面取り面の研磨中、その位置によらず一定の圧力を与えることができる。そのため、面取り後の面取り面の形状維持、および、面取り面の平滑性の向上、さらには、研磨後における面取り面のキズの発生率の低下を図ることができる。
【００３５】
特に、研磨中は、研磨糸を半導体ウェーハの回転方向と略直交する方向に向かって走行しながら研磨するので、仮に１本の研磨糸でも良好に面取り面の研磨を行うことができる。
【００３６】
さらに、請求項２または請求項４に記載の発明によれば、上記効果に加えて、複数本の研磨糸により、ウェーハ外周部の湾曲した面取り面を、ウェーハ厚さ方向に分割して研磨するようにしたので、短時間で良好な面取り面の研磨を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨装置による研磨開始時の説明図である。
【図２】  この発明の第１実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨装置による研磨中の説明図である。
【図３】  この発明の第２実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨装置による研磨開始時の説明図である。
【図４】  この発明の第２実施例に係る半導体ウェーハの面取り面の研磨装置による研磨中の説明図である。
【符号の説明】
１０，３０  半導体ウェーハの面取り面の研磨装置、
１１  保持部、
１２  研磨糸、
１３  糸固定治具、
１５  スラリーノズル（スラリー供給手段）、
Ｗ  シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。
【図１】
0003707025.tif 000003
【図２】
0003707025.tif 000004
【図３】
0003707025.tif 000005
【図４】
0003707025.tif 000006