(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線マスクの構成において、吸収体パターンが樹脂膜からなる透過材上に接着固定された構造であることを特徴としたＸ線マスク。
【請求項２】
上記透過材に張力を持たせたことを特徴とする請求項１に記載のＸ線マスク。
【請求項３】
上記吸収体パターンの形状のうち、側面にテーパを持たせたことを特徴とする請求項１または２に記載のＸ線マスク。
【請求項４】
上記吸収体パターンの形状は、上面もしくは下面の一辺の長さ（短辺）と側面の高さ（長辺）との比が少なくとも１：２以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のＸ線マスク。
【請求項５】
Ｘ線マスクの製造において、導電性基板上に電解鍍金用マスクパターンを形成する工程と、上記電解鍍金用マスクパターンに電解鍍金を施して金属パターンを含む試料を形成する工程と、支持枠に透過材からなる膜を張力を加えて接着する工程と、この表面に上記電解鍍金で形成した金属パターンを含む試料を接着剤で固定する工程と、上記導電性基板を取り除く工程と、上記電解鍍金用マスクパターンを剥離する工程とを主体とすることを特徴としたＸ線マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線マスクに関し、特にマイクロ部品の製作に使われるＸ線マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
放射光を用いるＸ線リソグラフィはＸ線のもつ短波長によって極小の微細パターンを高精度に転写できる露光技術として位置づけられている。この利用分野の主なものに、０．２μｍ以下の微小寸法を形成するＳｉＬＳＩのプロセス技術開発と高アスペクト比を使って立体的なマイクロマシンを製作するＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ  Ｇａｌｖａｎｏｆｏｒｍｕｎｇ  Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）プロセス技術開発があり、どちらも研究開発が活発である。ＬＩＧＡプロセスは例えば電気学会のマイクロマシン研究会資料；ＭＭ−９７−６（１９９７年２月）に述べられている。Ｘ線マスクはＸ線を透過しやすい材料の薄膜基板上にＸ線を透過しにくい吸収体のパターンによって構成されている。図２３は従来構造のＸ線マスクである。Ｓｉウエーハ上にＳｉＮの薄膜基板２０２とＡｕの吸収体パターン２０３を形成し、周辺のＳｉ２０５を残して裏面からＳｉをエッチングで加工した構造が従来ではよく使われている。通常、Ｓｉウエーハは強固な支持枠２０４に接着して使われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＸ線マスクはＳｉＮの薄膜基板の厚さが約１μｍであることから分かるように薄膜の強度が弱く、大きな露光面積のマスクを実現することは難しかった。また、この構造ではＡｕの吸収体パターンの接着力が弱いため、高アスペクト比の吸収体のパターンを形成することも難しかった。ここで、アスペクト比とは、吸収体パターンの上面もしくは下面の一辺の長さ（短辺）と側面の高さ（長辺）との比をいうこととする。
【０００４】
本発明の第一の目的は、大きな露光面積にわたり高アスペクト比の吸収体パターンを再現性よく製造でき、使用にたいして耐久性あるＸ線マスクの構造を提供することにある。また、本発明の第二の目的は、上記構造のＸ線マスクを歩留りよく、安価に製造する製造方法を提供することにある。また、本発明の第三の目的は、本発明のＸ線マスクを用いて高精度なマイクロ部品を安価に提供することにある。本発明は、主としてＬＩＧＡプロセスに最適なＸ線マスク構造を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
従来技術の課題を解決するための手段を以下に記す。本発明の基本とするＸ線マスクは図１に示すように吸収体パターン３が樹脂からなる透過材２に固定された構造を特徴としている。吸収体パターンはよく張った樹脂系透過材に接着固定されているので高精度であり、高アスペクト比の吸収体パターンを持つＸ線マスクが容易に実現できる。また、透過材にはポリイミドの様な温度安定性と機械的強度に優れた樹脂を選択できるので、約３μｍの膜厚でも大きな露光面積のマスクが容易に作れ、照射時間の低減がはかれる。
【０００６】
上記第一の目的は、吸収体パターンを樹脂からなる透過材に接着固定したＸ線マスクの構造により達成される。また上記第二の目的は、導電性基板上に電解鍍金用マスクパターンを形成する工程と、電解鍍金でＸ線を吸収する金属パターンを形成する工程と、上記電解鍍金用マスクパターンを除去する工程と、上記金属パターンを、支持枠に張力をかけて固定した樹脂系透過材の表面に固定する工程と、上記金属パターンを導電性基板より取り除く工程とを有する製造方法を用いることにより達成される。また上記第三の目的は、上記Ｘ線マスクを用いてマイクロ部品を製造することにより達成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図１〜８を用いて説明する。
【０００８】
実施形態１
まず、第一の実施形態を図１により詳細に説明する。これはＸ線マスク１の断面構造でＡｕの吸収体パターン３がポリイミド樹脂からなる透過膜２上に固定された構造である。このポリイミド樹脂層は例えば厚さ３μｍのフィルムで、強固な金属からなる支持枠４に張力を加えて平坦に接着する。フィルムは引っぱられているのでこのＸ線マスク１の熱膨張係数は支持枠４の材質で決められる。図１（ｂ）はマスクパターンの主要部の拡大である。Ａｕの吸収体パターン３の断面形状はＸ線照射後の製造工程において離型しやすいよう、垂直より１０度前後の傾斜（テーパ）を持たせている。傾斜角度はこれに限定されるものではない。この例では底部の幅５μｍ、スペース１０μｍ、厚さ１５μｍ、また、ポリイミド樹脂２の厚さは３〜５μｍで、Ａｕの吸収体パターンは有機剤で接着、固定してある。１５μｍのＡｕの吸収体パターン３の厚さに対して透過材であるポリイミド樹脂２の厚さは３μｍであるので約０．２〜０．８ｎｍのＸ線波長の露光に対してマスクのコントラストは十分えられる値である。この構造では直径約３００ｍｍの大きな露光面積を持つＸ線マスク１がえられることがわかった。このＸ線マスク１を用いれば高機能のマイクロ部品を量産によって低コストで供給できるようになる。Ｘ線マスク１の大面積化は従来に比べ約１０倍（長さ比）の改善である。
【０００９】
また、このＸ線マスク１で１５ｍｍの厚さのＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）から成るＸ線レジストへの露光現像を行った。すなわち、上方からシンクロトロン放射性の波長が約０．２〜０．８ｎｍのＸ線をＸ線マスク１に照射し、その下方に配置したＰＭＭＡに露光現像させた。その現像後のＰＭＭＡのテーパは約１°となり、マイクロ部品製作用の金型の抜きテーパとして非常に有効なものとなった。
【００１０】
実施形態２
次に、第二の実施形態を図２により詳細に説明する。これはＸ線マスク２１の断面構造でＡｕの吸収体パターン２３の全体がポリイミド樹脂２２によって埋め込まれてマスクパターンを構成し、このポリイミド樹脂層が強固な金属からなる支持枠２４に接着され、Ｘ線マスク２１を構成している。図２（ｂ）はマスクパターンの主要部の拡大である。Ａｕの吸収体パターン２３の寸法例は幅５μｍ、スペース５μｍ、厚さ（ｓ）１５μｍ、また、ポリイミド樹脂２２の上面と下面の厚さｔ１，ｔ２はどちらも５μｍである。１５μｍのＡｕの吸収体パターン２３の厚さに対して透過材であるポリイミド樹脂２２の厚さは２５μｍである。これは約０．２〜０．８ｎｍのＸ線波長の露光に対して十分なマスクのコントラストがえられる値である。本発明の構造のようにＡｕの吸収体パターン２３がポリイミド樹脂２２の中心に埋め込まれて薄膜の中立面にあるため、マスクが多少変形してもこのパターン位置は動きにくい特徴がある。この樹脂の厚さを厚くするとこの効果がさらに高まり、高精度の寸法加工を必要とするマイクロ部品の製造には樹脂の全厚を１００μｍ程度まで厚くしてもよい。また、上面と下面の厚さをマスクの仕様に応じて同じに揃える必要もなく、任意に変化を持たせることができる。本発明の構造のもう一つの特徴はＡｕの吸収体パターンは樹脂によって包み覆われているので汚れやキズに強く、また、表面に吸収体の異物が付着しても洗浄が可能なので、マスクの耐久性が著しく向上できる。この構造で直径３００ｍｍ以上の大きな露光面積を持つＸ線マスクの実現が達成でき、高機能のマイクロ部品が量産化により低コストで供給できるようになった。
【００１１】
実施形態３
次に、第三の実施形態を図３により詳細に説明する。第一と第二の実施形態で述べた構造と異なる点はＸ線マスク３１の上面にあたるＡｕの吸収体パターン３３を除くそのほかの面にポリイミド樹脂３２が包み囲む如く設けられていることである。実際のＸ線マスクでは露出したＡｕの吸収体パターン３３の表面を支持枠３４に接して固定した、図３と逆の構成であってもよい。
【００１２】
実施形態４
次に、第四の実施形態を図４により詳細に説明する。これはＸ線マスク３１のパターン部に特徴があり、拡大したＡｕの吸収体パターン４３の断面構造例である。その他の構造は図１〜３と同様である。このような断面構造の形状は後述する製造方法により、電解鍍金する前のレジストパターンを２回の重ね合わせ露光で形成し、これに電解鍍金することによって作成することができる。このような断面構造を持つＸ線マスクは、Ａｕの膜厚によってＸ線の透過量が異なるので、露光するとＰＭＭＡに同形の断面構造が転写される。このような断面形状は図１で述べたテーパ状と同様に、電解鍍金でえられるマイクロ部品を離型しやすくした目的の他、マイクロ部品の縦形状を任意に設計できることが新たな特徴である。
【００１３】
実施形態５
次に、第五の実施形態を図５により詳細に説明する。これは２枚のＸ線マスク、即ち第一のＡｕの吸収体パターン５３とこれを囲むポリイミド樹脂５２からなるＸ線マスク５１と第二のＡｕの吸収体パターン５３’とこれを囲むポリイミド樹脂５２’からなるＸ線マスク５１’を精密に重ね合わせて接着剤５５で固定した構造のＸ線マスクである。重ね合わせて接着するマスクは２枚以上であってもよい。実施形態４と同様に、このＸ線マスクを用いて露光を行って、マイクロ部品の点数を減らし、製造を容易にしたり、厚みのあるマイクロ部品の機能を高度化した用途に使われるＸ線マスクであることが特徴である。従来では試料表面のマークに合わせてＸ線マスクを多数枚、使用する方式が使われているが、本発明のようにあらかじめ２枚以上のマスクを張合せて用いると、作業時間が短縮され著しく生産性が上がる特徴もある。これは量産になるほど効果が大きい。
【００１４】
実施形態４と実施形態５は厚みの方向にマイクロ部品の形状を任意に設計する目的に適したマスク構造である。
【００１５】
以上、実施形態１〜５で、吸収体パターンはＡｕの例を述べたが、Ｘ線の透過しにくい、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、ＰｂやＰｂＳｎおよびＮｉＷなど、原子番号の大きな材料で電解鍍金ができれば良いことを付言する。また、透過材にポリイミド樹脂を用いた例を述べてきたが、本発明の主旨からして、吸収体パターンの精度が所望の条件で満たされれば、別の樹脂であってもよく、また、これは樹脂だけに限定されるものではない。プラズマや光励起のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等による絶縁膜を吸収体パターンを包み囲む材料として用い、この場合の構造は樹脂との複合体であってもよい。透過材を支持枠に固定する工程では透過材に適当な張力をかけてＸ線マスクの膨張係数を調整できることが特徴である。
【００１６】
実施形態６
次に、第六の実施形態を図６により詳細に説明する。これは実施形態１のＸ線マスク１を製造する主要工程の流れを示す。（ａ）表面洗浄したステンレススチール基板７（以下ＳＵＳ板と略す）にホトレジストまたはＸ線レジスト８を約１０μｍの厚さに塗布する。（ｂ）これに遮光マスクを通して平行光（遠紫外線またはＸ線）で露光を行い、現像をしてレジストにパターン（電解鍍金用マスクパターン）９を形成する。このパターン９の断面形状は露光条件の最適化によって垂直から任意の角度に形成が可能である。（ｃ）続いてＳＵＳ板７を電極としてＡｕの電解鍍金を約１０μｍの厚さになるまでおこないＡｕの吸収体パターン３を形成する。（ｄ）支持枠４に３μｍの厚さのポリイミドフィルム２を張力を加えて接着し、この表面に約２μｍの厚さの接着剤を塗布する。このように準備した支持枠４表面に、（ｃ）で形成した試料を対向させる。（ｄ）支持枠４上のポリイミドフィルム２にＡｕの吸収体パターン３を密着させて接着固定する。（ｅ）続いてＳＵＳ板７を取り除き、さらに薬液によってパターン（電解鍍金用マスクパターン）９を剥離し、Ｘ線マスク１を製造する。この方法では製造工程中の熱処理温度が低いので、Ａｕの吸収体パターンに配列誤差を生じさせる要因が少なく、高い寸法精度をもったマスクを提供することができる。
【００１７】
この製造方法において図２と図３の様に吸収体パターンを埋め込む構造を得るためには、今まで述べた工程に続いてＡｕの吸収体パターンの露出している表面にポリイミド樹脂等を塗布し、この樹脂を硬化する工程を追加すればよい。
【００１８】
実施形態７
次に、第七の実施形態を図７及び図８を用いて詳細に説明する。図７及び図８は実施形態２のＸ線マスクを製造する主要工程の流れを示す図である。図７の（ａ）表面洗浄したステンレススチール基板１０１（以下ＳＵＳ板と略す）にホトレジストまたはＸ線レジスト１０２を約１５μｍの厚さに塗布する。（ｂ）これに遮光マスクを通して平行光（遠紫外線またはＸ線）で露光を行い、現像をしてレジストにパターン１０３を形成する。このパターンの断面形状はほぼ垂直の約３のアスペクト比とする。（ｃ）続いてＳＵＳ板１０１を電極としてＡｕの電解鍍金を約１５μｍの厚さになるまでおこなう。（ｄ）レジストにパターン１０３を剥離、洗浄しこれによってＡｕの吸収体パターン７３が形成される。（ｅ）続いてポリイミド樹脂７２を塗布し、熱処理によってこの樹脂を硬化する。硬化後のポリイミド樹脂７２の膜厚は約２０μｍになるよう調節する。これによってＡｕの吸収体パターン７３はポリイミド樹脂５２によって埋め込まれた構造になる。図８の（ｆ）ＳＵＳ板からなる支持枠７４をポリイミド樹脂７２の表面に接着剤を用いて張り付ける。（ｇ）この後ＳＵＳ板１０１を支持枠７４とポリイミド樹脂７２とＡｕの吸収体パターン７３とからなるＸ線マスクから取り外す。（ｈ）続いてＡｕの吸収体パターン７３の露出している表面にポリイミド樹脂７２’を塗布し、熱処理によってこの樹脂を硬化する。硬化後のこのポリイミド樹脂７２’の膜厚は約５μｍになるよう調節する。（ｉ）Ａｕの吸収体パターン７３をポリイミド樹脂７２の中心に配置したＸ線マスクが製造される。
【００１９】
実施形態６と７で述べた製造方法は従来、よく使っている製造装置により生産ができるのでＸ線マスクの製造コストは安価である特徴がある。また、従来法では吸収体パターンが倒れたり剥がれたり接着力が弱かったが本発明の構成上、これが強固になり、また、透過材が破損するもともなくなったので生産歩留が著しく上がった。
【００２０】
実施形態８
次に、第八の実施形態を図９により説明する。これは実施形態１のＸ線マスクを用いて微細穴をもつメッシュ２０５を製造した例である。例えばメッシュの幅１０μｍ、ピッチ３０μｍ、高さ２０μｍのＮｉメッシュの作成を説明すると以下のようになる。本発明による大面積Ｘ線マスクの一部を（ａ）に示す。樹脂膜８２上に高さ５μｍのＡｕ  の各柱パターン８３が規則的に配列されているマスクを用いてシンクロトロン放射光の約０．２〜０．８ｎｍのＸ線波長を使ってＰＭＭＡに露光、現像した結果を（ｂ）に示す。これで金属板２０１上に厚さ２０μｍのＰＭＭＡパターン２０２が形成された。この後、電解鍍金によって約２０μｍの厚さにＮｉをＰＭＭＡパターン２０２のすき間に形成し、上記金属板２０１とＰＭＭＡパターンを取り去ると高精度のＮｉメッシュ２０５が形成される（ｃ）。このマスクを使えば従来よりも容易にメッシュを高く（厚く）できるので、同じピッチならメッシュの穴を大きくでき、これによって開孔率が上がりフィルタ効率が著しく向上する。また、メッシュの強度があるので、耐圧が高くなって、このフィルタを使って作る装置の用途が拡大した。本発明のマスクは大面積なので一回の露光で高精度の寸法のメッシュが大量に製造でき、高級なマイクロ部品を低コストで供給できる特徴がある。
【００２１】
実施形態９
図１０、図１１及び図１２を用いて、第九の実施形態について説明する。この実施形態では、先ず上記の実施形態６と同じ手法でＸ線マスク９１（図１０）を製作する。すなわち、概略的に述べると、遮光マスクに平行光を照射してその下方のレジストに電解鍍金用マスクパターンを形成し、その電解鍍金用マスクパターンに電解鍍金を施してＡｕの吸収体パターンを含む試料を形成し、その試料を反転させて張力を加えたポリイミド樹脂膜上に接着固定し、その後電解鍍金用マスクパターンを薬剤で除去し剥離する。このようにして、図１０に示すような、ポリイミド樹脂膜９２と、その上に接着固定されたＡｕの吸収体パターン９３とから成るＸ線マスク９１を形成する。吸収体パターン９３の中央には、遮光マスクの形状に応じて直線長さ（ストローク）が約３５０μｍで、幅が３０μｍの蛇行した形状の空隙部９９が形成されている。なお、ポリイミド樹脂膜９２の厚さは２０μｍ、その上の吸収体パターン９３の厚さは２、５μｍである。
【００２２】
次に、上記のようにして得られたＸ線マスク９１を用いて露光と現像を行う。すなわち、上方からシンクロトロン放射性の波長が約０．２〜０．８ｎｍのＸ線を、このＸ線マスク９１に照射し、その下方に配置した、厚さが１３０μｍのＰＭＭＡ（Ｘ線レジスト）９５に露光現像する。その結果、ＰＭＭＡ９５には、上記の空隙部９９に対応して蛇行した形状の空隙部９９Ａが形成される（図１１）。
【００２３】
現像後はこのＰＭＭＡ９５の空隙部９９Ａに、硬さ５００ＨｖのＮｉを１３０μｍの厚さで電着し、その後ＰＭＭＡ９５を溶剤で除去し、ＳＵＳ板９６より剥離することで、図１２に示すようなマイクロバネ９０が得られる。このマイクロバネ９０は、上記手法により多数同時に製作可能となる。これらのマイクロバネ９０…はバネ性も一定し、機械的強度、寸法も再現性が良く、半導体素子検査用の半導体プローブに使用する接触端子として申し分のない性能を発揮した。
【００２４】
実施形態１０
次に、図１３〜図２２を用いて第十の実施形態について説明する。この実施形態１０では、実施形態１と同様のＸ線マスクを用いてＸ線レジストをパターン化し、高アスペクト比のプラスチック成形用金型を製作する。その後、その金型を用いてプラスチック成形品を製作し、またそのプラスチック成形品を利用して金属製品を製作する。
【００２５】
図１３には、上記の実施形態６と同様の手法で製作したＸ線マスク１０１を示している。このＸ線マスク１０１は、ポリイミド樹脂膜１０２と、そのポリイミド樹脂膜１０２上に接着固定した吸収体パターン１０３とから成り、この吸収体パターン１０３は、テーパ角度１０°、ピッチ２５０μｍ、厚さ１０μｍである。
【００２６】
このＸ線マスク１０１を用いて、ＳＵＳ１０６上にコートした、厚さ１ｍｍのＰＭＭＡから成るＸ線レジスト１０５を露光、現像する。すなわち、上方からシンクロトロン放射性の波長が約０．２〜０．８ｎｍのＸ線を、このＸ線マスク１０１に照射し、その下方に配置した、厚さが１ｍｍのＰＭＭＡ（Ｘ線レジスト）１０５に露光現像する。その結果、ＳＵＳ１０６上には、Ｘ線マスク１０１の吸収体パターン１０３に対応してその形状に相似のパターン化されたＰＭＭＡ１０５が形成される（図１２）。このパターン化されたＰＭＭＡ１０５の傾斜角は１°であった。この１°は後に述べるプラスチックの成形の抜きテーパとして、非常に有効に働くことが判明した。
【００２７】
次に、このパターン化されたＰＭＭＡ１０５に電着を施し、プラスチック成形用の金型１０７を製作し（図１５）、その金型１０７をパターン化されたＰＭＭＡ１０５より剥離する。そして、この金型１０７にプラスチックを充填してプラスチックの成形を行い、プラスチック成形品を作る（図１６）。
【００２８】
図１７及び図１８はこのようにして得られたプラスチック成形品を示し、図１７のプラスチック成形品１１０は円筒型の穴を有するメッシュであり、図１８のプラスチック成形品１１１は角柱型の穴を有するメッシュであり、いずれの場合も、テーパを持つ金型１０７を用いて製作したので、このテーパが抜きテーパとして有効に機能し、バリなしで極めてスムーズに製作することができた。
【００２９】
図１９〜図２２はプラスチック成形体からさらに金属製品を製作する場合を示している。先ず、上記の金型１０７へのプラスチック成形時に、プラスチックのボトムを一体化させるために、金型１０７を図１９に示すように、３ｍｍ程度持ち上げて窪みを持たせ、その窪みにプラスチックを充填し、プラスチック成形体１１２を形成する。次に、そのプラスチック成形体１１２の表面に、図２０に示すように、導体化処理を施して導体化処理膜１１３を形成し、続いて、上端面の部位のみをワイピングして導体化処理膜１１３を除去し（図２１）、その後、電解鍍金で導電性部位１１４に金属を析出させ充填させる。なお、導体化処理膜１１３が触媒性を有するＰｄのような金属の場合は、電圧を掛ける必要はなく、無電解でＮｉやＣｕを析出させることができる。
【００３０】
その後、プラスチック成形体１１２から、金属析出物を剥離することで、例えば図２２に示すような、メッシュ状の金属製品１１５が得られる。この手法によれば、Ｘ線マスク１０２の吸収体パターン１０３に形成したテーパに起因するプラスチック成形体１１２のテーパが有効に作用し、スムーズに金属析出物を剥離することができ、剥離時の製品の変形などが無いものが得られた。
【００３１】
【発明の効果】
（１）大きな露光面積を持つＸ線マスクを、再現性よく提供できるようになった。
（２）高アスペクト比のＸ線マスクが容易に形成できるようになり、安価に提供できるようになった。
（３）吸収体が透過材によって覆われた構造なのでマスクの汚れが少なく、また、洗浄できるようになりＸ線マスクの寿命が長くなった。
（４）吸収体材と透過材が自由に選択できるようになって高精度のＸ線マスクから量産用マスクまで任意に製作できるようになった。
（５）本発明のＸ線マスクを用いることにより、高精度の高級なマイクロ部品を安価に提供できるようになった。
（６）張力を持たせた、樹脂膜から成る透過材に吸収体パターンを形成するようにしたので、高アスペクト比でテーパを持つ吸収体パターンを高精度で安定して形成することができる。したがって、このような吸収体パターンを持つＸ線マスクから製作した金型にもテーパを形成することができ、このテーパは成形品を剥離させるときの抜きテーパとして有効に機能するので、マイクロ部品を極めて円滑に製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１のＸ線マスクの主要構成図。
【図２】本発明の実施形態２のＸ線マスクの主要構成図。
【図３】本発明の実施形態３のＸ線マスクの主要構成図。
【図４】本発明の実施形態４のＸ線マスクの主要構成図。
【図５】本発明の実施形態５のＸ線マスクの主要構成図。
【図６】本発明の実施形態１のＸ線マスクの主要製造工程図。
【図７】本発明の実施形態２のＸ線マスクの主要製造工程の前半を示す図。
【図８】本発明の実施形態２のＸ線マスクの主要製造工程の後半を示す図。
【図９】本発明の実施形態１のＸ線マスクを用いて製造したメッシュ構造のマイクロ部品図。
【図１０】本発明の実施形態９におけるＸ線マスクを示す図。
【図１１】本発明の実施形態９における現像後のＸ線レジストを示す図。
【図１２】本発明の実施形態９において製作したマイクロバネを示す図。
【図１３】本発明の実施形態１０におけるＸ線マスクを示す図。
【図１４】本発明の実施形態１０における現像後のＸ線レジストを示す図。
【図１５】本発明の実施形態１０における金型の製作方法を示す図。
【図１６】本発明の実施形態１０におけるプラスチック成形品の製作方法を示す図。
【図１７】本発明の実施形態１０において製作したプラスチック成形品を示す図。
【図１８】本発明の実施形態１０において製作したプラスチック成形品を示す図。
【図１９】本発明の実施形態１０においてプラスチック成形体から金属製品を製作する場合の第１段階を示す図。
【図２０】本発明の実施形態１０においてプラスチック成形体から金属製品を製作する場合の第２段階を示す図。
【図２１】本発明の実施形態１０においてプラスチック成形体から金属製品を製作する場合の第３段階を示す図。
【図２２】本発明の実施形態１０においてプラスチック成形体から製作した金属製品を示す図。
【図２３】従来のＸ線マスクの主要構成図。
【符号の説明】
１，２１，３１，４１，５１，７１，９１，１０１    Ｘ線マスク
２，２２，３２，４２，５２，９２，１０２          ポリイミド樹脂膜
３，２３，３３，４３，５３，７３，９３，１０３    吸収体パターン
４，２４，４４，５４，７４          支持枠。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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