(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
疑似電源線と接地端子との間または電源端子と疑似接地線との間に接続され且つ信号入力端子及び信号出力端子を導出している半導体集積回路と、該半導体集積回路が上記疑似電源線と上記接地端子との間に接続されているか上記電源端子と上記疑似接地線との間に接続されているかに応じて上記電源端子と上記疑似電源線との間または上記接地端子と上記疑似接地線との間に接続され且つスイッチング制御信号入力端子を導出している半導体スイッチング素子とを有する半導体集積回路装置において、
上記半導体スイッチング素子が上記電源端子と上記疑似電源線との間に接続されているか上記接地端子と上記疑似接地線との間に接続されているかに応じて上記スイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記スイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に雑音伝達回路が接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
疑似電源線と接地端子との間または電源端子と疑似接地線との間に接続され且つ信号入力端子及び信号出力端子を導出している半導体集積回路と、該半導体集積回路が上記疑似電源線と上記接地端子との間に接続されているか上記電源端子と上記疑似接地線との間に接続されているかに応じて上記電源端子と上記疑似電源線との間または上記接地端子と上記疑似接地線との間に接続され且つスイッチング制御信号入力端子を導出している半導体スイッチング素子とを有する半導体集積回路装置において、
上記スイッチング制御信号入力端子と上記半導体スイッチング素子との間にインバータが介挿され、且つ上記半導体スイッチング素子が上記電源端子と上記疑似電源線との間に接続されているか上記接地端子と上記疑似接地線との間に接続されているかに応じて上記スイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記スイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に雑音伝達回路が接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
疑似電源線と疑似接地線との間に接続され且つ信号入力端子及び信号出力端子を導出している半導体集積回路と、電源端子と上記疑似電源線との間に接続され且つ第１のスイッチング制御信号入力端子を導出している第１の半導体スイッチング素子と、接地端子と上記疑似接地線との間に接続され且つ第２のスイッチング制御信号入力端子を導出している第２の半導体スイッチング素子とを有する半導体集積回路装置において、
上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に雑音伝達回路が接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
疑似電源線と疑似接地線との間に接続され且つ信号入力端子及び信号出力端子を導出している半導体集積回路と、電源端子と上記疑似電源線との間に接続され且つ第１のスイッチング制御信号入力端子を導出している第１の半導体スイッチング素子と、接地端子と上記疑似接地線との間に接続され且つ第２のスイッチング制御信号入力端子を導出している第２の半導体スイッチング素子とを有する半導体集積回路装置において、
上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記第１の半導体スイッチング素子との間または上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記第２の半導体スイッチング素子との間にインバータが介挿され、且つ上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に雑音伝達回路が接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
疑似電源線と疑似接地線との間に接続され且つ信号入力端子及び信号出力端子を導出している半導体集積回路と、電源端子と上記疑似電源線との間に接続され且つ第１のスイッチング制御信号入力端子を導出している第１の半導体スイッチング素子と、接地端子と上記疑似接地線との間に接続され且つ第２のスイッチング制御信号入力端子を導出している第２の半導体スイッチング素子とを有する半導体集積回路装置において、
上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記第１の半導体スイッチング素子との間に第１のインバータが介挿されているとともに上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記第２の半導体スイッチング素子との間に第２のインバータが介挿され、且つ上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に雑音伝達回路が接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２記載の半導体集積回路装置において、
上記雑音伝達回路が、上記スイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間に接続されている容量素子を有する構成でなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２記載の半導体集積回路装置において、
上記雑音伝達回路が、上記スイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間に他のスイッチング制御信号入力端子を有する他の半導体スイッチング素子を介して接続されている容量素子と、入力端子を上記疑似電源線に接続し、出力端子を上記他のスイッチング制御信号入力端子に接続しているインバータとを有する構成でなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項３、請求項４または請求項５記載の半導体集積回路装置において、
上記雑音伝達回路が、上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間に接続されているかまたは上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に接続されているかに応じて上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に接続されている容量素子を有する構成でなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項３、請求項４または請求項５記載の半導体集積回路装置において、
上記雑音伝達回路が、上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間に接続されているかまたは上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に接続されているかに応じて上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に他のスイッチング制御信号入力端子を有する他の半導体スイッチング素子を介して接続されている容量素子と、入力端子を当該雑音伝達回路が上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間に接続されているかまたは上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に接続されているかに応じて上記疑似電源線または上記疑似接地線に接続し、出力端子を上記他のスイッチング制御信号入力端子に接続しているインバータとを有する構成でなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路を有し、それを低い電圧で高速に動作させ得、それでいて、その半導体集積回路に低い消費電力しか伴わしめない半導体集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、図１１を伴って次に述べる半導体集積回路装置が提案されている。
すなわち、疑似電源線Ｂと接地端子Ｅ２との間に接続され且つ信号入力端子Ｔ１及び信号出力端子Ｔ２を導出している半導体集積回路Ｍと、電源端子Ｅ１と疑似電源線Ｂとの間に接続され且つスイッチング制御信号入力端子Ｈを導出している半導体スイッチング素子Ｕとを有する半導体集積回路装置が提案されている。
この場合、半導体スイッチング素子Ｕが、ソースを電源端子Ｅ１に接続し、ドレインを疑似電源線Ｂに接続し、ゲートをスイッチング制御信号入力端子Ｈに接続しているｐチャンネル型の電界効果トランジスタＱ１でなる構成を有する。
【０００３】
以上が、従来提案されている半導体集積回路装置の構成である。
このような構成を有する従来の半導体集積回路装置によれば、電源端子Ｅ１を負極端を接地に接続している動作電源の正極端に接続し、接地端子Ｅ２を接地に接続し、スイッチング制御信号入力端子Ｈを一端を接地に接続しているスイッチング制御信号源の他端に接続している状態で、スイッチング制御信号源から２値表示で正論理の「１」及び「０」をとるスイッチング制御信号ＳＷＰを２値表示の「０」で出力させれば、その「０」の区間において、半導体スイッチング素子Ｕの電界効果トランジスタＱ１がオンの状態になり、このため、半導体集積回路Ｍに、動作電源を、電源端子Ｅ１、疑似電源線Ｂ及び接地端子Ｅ２を介して供給させている、という状態を得ることができ、また、スイッチング制御信号源からスイッチング制御信号ＳＷＰを２値表示の「１」で出力させれば、その「１」の区間において、半導体スイッチング素子Ｕの電界効果トランジスタＱ１がオフの状態になり、このため、半導体集積回路Ｍに、動作電源を供給させていない、という状態を得ることができる。
【０００４】
また、信号入力端子Ｔ１を一端を接地に接続している信号源の他端に接続し、信号出力端子Ｔ２を一端を接地に接続している負荷の他端に接続している状態で、半導体集積回路Ｍに上述したようにして動作電源を供給させている状態を得れば、信号源から２値表示で正論理の「１」及び「０」をとる入力信号Ｓ１を出力させることによって、半導体集積回路Ｍが、入力信号Ｓ１に応動し、負荷に２値表示で「１」及び「０」をとる出力信号Ｓ２を出力する、というアクティブモードを得ることができ、また、信号入力端子Ｔ１を一端を接地に接続している信号源の他端に接続し、信号出力端子Ｔ２を一端を接地に接続している負荷の他端に接続している状態で、半導体集積回路Ｍに上述したようにして動作電源を供給させていない状態を得れば、信号源から入力信号Ｓ１を出力させても、半導体集積回路Ｍが、入力信号Ｓ１に応動せず、負荷に入力信号Ｓ１に応じた出力信号Ｓ２を出力しないという、スリープモードを得ることができる。
【０００５】
そして、この場合、半導体集積回路Ｍがトラシジスタを用いて構成されているとし、そのトランジスタとして低い閾値を有するトランジスタを用いれば、動作電源として低い電圧を有する動作電源を用いることができ、それによって、半導体集積回路Ｍを低消費電力化することができる。また、いま述べたようにして半導体集積回路Ｍを低消費電力化するようにした場合、もし電源端子Ｅ１と疑似電源線Ｂとの間に接続されている半導体スイッチング素子Ｕを有さず、疑似電源線Ｂが直接的に電源端子Ｅ１に接続されているとすれば、上述したアクティブモードを得たくないとき、半導体集積回路Ｍに漏洩電流が無視し得ない値で流れて無視得ない消費電力を伴うことになるが、上述したアクティブモードを得たくないとき、スイッチング制御信号源からスイッチング制御信号ＳＷＰを２値表示の「１」で出力させることによって半導体集積回路Ｍに動作電源を供給させないようにすることができるので、上述したアクティブモードを得たくないとき、半導体集積回路Ｍに漏洩電流が無視し得ない値で流れて無視得ない消費電力を伴うというこを有効に回避することができ、それによって、半導体集積回路Ｍを低消費電力化させることができる。
【０００６】
以上のことから、上述した従来の半導体集積回路装置によれば、半導体集積回路装置としての機能を、低消費電力で得ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図１１に示す従来の半導体集積回路装置は、実際上、半導体基板を用いて構成され、そして、電源端子Ｅ１、接地端子Ｅ２、信号入力端子Ｔ１、信号出力端子Ｔ２、及びスイッチング制御信号入力端子Ｈを、図１２に示すように、半導体基板上の電極パッドＰＥ１、ＰＥ２、ＰＴ１、ＰＴ２、及びＰＨとし、電極パッドＰＥ１をリード線ＦＥ１を通じてパッケージの接続端子Ｅ１′に接続し、その接続端子Ｅ１′を動作電源に接続し、電極パッドＰＥ２をリード線ＦＥ２を通じてパッケージの接続端子Ｅ２′に接続し、その接続端子Ｅ２′を接地に接続し、電極パッドＰＴ１をリード線ＦＴ１を通じてパッケージの接続端子Ｔ１′に接続し、その接続端子Ｔ１′を信号源に接続し、電極パッドＰＴ２をリード線ＦＴ２を通じてパッケージの接続端子Ｔ２′に接続し、その接続端子Ｔ２′を負荷に接続し、電極パッドＰＨをリード線ＦＨを通じてパッケージの接続端子Ｈ″に接続し、その接続端子Ｈ″をスイッチング制御信号源に接続して、上述したアクティブモード及びスリープモードを得るべく、使用される。
【０００８】
しかしながら、この場合、図１２に示すように、リード線ＦＥ１、ＦＥ２、ＦＴ１、ＦＴ２、及びＦＨに、それぞれ等価インダクタＬＥ１、ＬＥ２、ＬＴ１、ＬＴ２、及びＬＨを伴っているとともに、電源端子Ｅ１と接続端子Ｅ２′との間、電源端子Ｅ２と接続端子Ｅ２′との間、信号入力端子Ｔ１と接続端子Ｅ２′との間、信号出力端子Ｔ２と接続端子Ｅ２′との間、及びスイッチング制御信号入力端子Ｈと接続端子Ｅ２′との間に、それぞれ等価キャパシタＣＥ１、ＣＥ２、ＣＴ１、ＣＴ２、及びＣＨが接続されている。
【０００９】
このため、上述した実際上の使用時において、外部から電磁波の照射が余儀なくされるとき、上述した等価インダクタＬＥ１、ＬＥ２、ＬＴ１、ＬＴ２、及びＬＨに、電磁波による雑音電圧（以下、電磁波雑音電圧という）ＶＥ１、ＶＥ２、ＶＴ１、ＶＴ２、及びＶＨがそれぞれ誘起し、それら電磁波雑音電圧ＶＥ１、ＶＥ２、ＶＴ１、ＶＴ２、及びＶＨが、電源端子Ｅ１、接地端子Ｅ２、信号入力端子Ｔ１、信号出力端子Ｔ２、及びスイッチング制御信号入力端子Ｈにそれぞれ与えらる。
【００１０】
そして、この場合、等価インダクタＬＥ１、ＬＥ２、ＬＴ１、ＬＴ２、及びＬＨのインダクタンスは一般にそれら間に大きな差を有していないとしても、等価キャパシタＣＥ１、ＣＥ２、ＣＴ１、ＣＴ２、及びＣＨは、等価キャパシタＣＥ１及びＣＥ２が一般に幅広の電源配線に係わる等価キャパシタであり、他の等価キャパシタＣＴ１、ＣＴ２、及びＣＨが一般に幅狭の信号配線に係わる等価キャパシタであることから、一般に、等価キャパシタＣＥ１及びＣＥ２が他の等価キャパシタＣＴ１、ＣＴ２、及びＣＨに比し格段的に大であるという関係で、それら間に大きな差を有している。
【００１１】
このため、接続端子Ｅ１′側から接地端子Ｅ１側をみた等価インダクタＬＥ１及び等価キャパシタＣＥ１によるインピーダンスが等価インダクタＬＥ１による分を以って支配的であり、また、接続端子Ｅ２′側から接地端子Ｅ２側をみた等価インダクタＬＥ２及び等価キャパシタＣＥ２によるインピーダンスが等価インダクタＬＥ２による分を以って支配的であるのに対して、接続端子Ｔ１′側から信号入力端子Ｔ１側をみた等価インダクタＬＴ１及び等価キャパシタＣＴ１によるインピーダンスが等価キャパシタＣＴ１による分を以って支配的であり、また、接続端子Ｔ１′側から信号出力端子Ｔ２側をみた等価インダクタＬＴ２及び等価キャパシタＣＴ２によるインピーダンスが等価キャパシタＣＴ２による分を以って支配的であり、さらに、接続端子Ｈ″側からスイッチング制御信号入力端子Ｈ側をみた等価インダクタＬＨ及び等価キャパシタＣＨによるインピーダンスが等価キャパシタＣＨによる分を以って支配的であるのを普通とする。
【００１２】
このようなことから、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２が図１３Ａに示すように得られるとき、電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１が、図１３Ｂに示すように、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２及び電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１とほぼ等しい位相で得られ、また、信号入力端子Ｔ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＴ１が、図１３Ｃに示すように、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２及び電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１に対してほぼ１８０°の位相差を有して得られ、さらに、スイッチング制御信号入力端子Ｈに与えられる電磁波雑音電圧ＶＨが、図１３Ｄに示すように、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２及び電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１に対してほぼ１８０°の位相差を有して得られる。
【００１３】
また、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２は、接地端子Ｅ２において、接地の電圧（一般に０Ｖ）に重畳され、従って、接地端子Ｅ２に、図１４においてＶＥ２′として示すような、接地の電圧に、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２が重畳されている、という電圧が得られ、そして、このとき、疑似電源線Ｂに、上述したアクティブモードにおいて、図１４においてＶＢ′として示すような、動作電源の電圧（例えば２Ｖ）に、電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１と同様に交番し且つその電磁波雑音電圧ＶＥ１とほぼ等しい位相を有する電磁波雑音電圧ＶＢが重畳されている、という電圧が得られている。
【００１４】
このため、半導体集積回路Ｍが、上述したアクティブモードにおいて、疑似電源線Ｂ及び接地端子Ｅ２間の電圧の中間電圧を閾値電圧ＶＴＨとする、その閾値電圧ＶＴＨを用いて動作するものとした場合、半導体集積回路Ｍの閾値電圧ＶＴＨが、図１４に示すような、動作電源の電圧と接地の電圧との間の中間電圧（接地電圧が０Ｖ、動作電圧が２Ｖの場合、例えば１Ｖ）に、電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１と同様に交番し且つその電磁波雑音電圧ＶＥ１とほぼ等しい位相を有する電磁波雑音電圧ＶＴＨ′が重畳されている、という電圧で得られる。
【００１５】
また、このとき、信号源からの入力信号Ｓ１が２値表示で「１」をとっていれば、信号入力端子Ｔ１に、図１４においてＶＴ１′として示すような、入力信号Ｓ１が２値表示の「１」をとっているとする、その２値表示の「１」を表している電圧に、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２に対してほぼ１８０°の位相差を有する電磁波雑音電圧ＶＴ１が重畳されている、という電圧が得られている。
【００１６】
このようなことから、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合、信号入力端子Ｔ１に得られる電圧ＶＴ１′が、図１４に示すように、半導体集積回路Ｍにおける閾値電圧ＶＴＨよりも低い値をとる、というおそれを有する。
このことは、スイッチング制御信号ＳＷＰが２値表示の「０」をとり、半導体集積回路Ｍが上述したアクティブモードをとるとき、スイッチング制御信号入力端子Ｈに、図示しないが、スイッチング制御信号ＳＷＰが２値表示で「０」をとるとする、その２値表示の「１」を表している電圧に、スイッチング制御信号入力端子Ｈに与えられる電磁波雑音電圧ＶＨが重畳されている、という電圧ＶＨ′（図示せず）が得られ、そして、その電圧ＶＨ′で、その電圧ＶＨ′の電磁波雑音電圧ＶＨに対してほぼ１８０°の位相差を有する電磁波雑音電圧ＶＥ１が動作電源の電圧に重畳されている、という電圧ＶＥ１′（図示せず）が印加されている電源端子Ｅ１に接続されている半導体スイッチング素子Ｕが、そのゲート・ソース間電圧に比較的大きな変動を伴わせ、従ってソース・ドレイン間抵抗に比較的大きな変動を伴わせながら、制御され、それによって、疑似電源線Ｂに得られる電圧ＶＢ′の電磁波雑音電圧ＶＢが、比較的大きな尖頭値振幅で得られるので、なおさらであるとともに、［従来の技術］の項で述べたように、半導体集積回路Ｍを低消費電力化させるために、動作電源として低い電圧を有する電源を用い、そのことで、入力信号Ｓが２値表示の「１」をとっているとする、その２値表示の「１」を表している電圧を、いま述べた低い電圧の動作電源の電圧に応じて、低い電圧にすれば、なおさらである。
【００１７】
以上のことから、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合、上述したアクティブモードにおいて、信号源からの入力信号Ｓ１が２値表示で「１」をとっているとき、信号入力端子Ｔ１における入力信号Ｓ１が２値表示で「１」をとっているとする、その２値表示の「１」を表している電圧に、信号入力端子Ｔ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＴ１が重畳されている、という電圧ＶＴ１′が、半導体集積回路Ｍにおける閾値電圧ＶＴＨよりも低い値をとる、というおそれを有し、このため、半導体集積回路Ｍにおける入力信号Ｓ１に対する動作に、誤動作が生じるおそれを有していた。
【００１８】
よって、本発明は、上述した誤動作が生じるおそれのない、新規な半導体集積回路装置を提案せんとするものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本願第１番目の発明による半導体集積回路装置は、疑似電源線と接地端子との間または電源端子と疑似接地線との間に接続され且つ信号入力端子及び信号出力端子を導出している半導体集積回路と、該半導体集積回路が上記疑似電源線と上記接地端子との間に接続されているか上記電源端子と上記疑似接地線との間に接続されているかに応じて上記電源端子と上記疑似電源線との間または上記接地端子と上記疑似接地線との間に接続され且つスイッチング制御信号入力端子を導出している半導体スイッチング素子とを有する半導体集積回路装置において、（ａ）上記半導体スイッチング素子が上記電源端子と上記疑似電源線との間に接続されているか上記接地端子と上記疑似接地線との間に接続されているかに応じて上記スイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記スイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に雑音伝達回路が接続され、もしくは（ｂ）上記スイッチング制御信号入力端子と上記半導体スイッチング素子との間にインバータが介挿され、且つ上記半導体スイッチング素子が上記電源端子と上記疑似電源線との間に接続されているか上記接地端子と上記疑似接地線との間に接続されているかに応じて上記スイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記スイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に雑音伝達回路が接続されている。
【００２０】
また、本願第２番目の発明による半導体集積回路装置は、疑似電源線と疑似接地線との間に接続され且つ信号入力端子及び信号出力端子を導出している半導体集積回路と、電源端子と上記疑似電源線との間に接続され且つ第１のスイッチング制御信号入力端子を導出している第１の半導体スイッチング素子と、接地端子と上記疑似接地線との間に接続され且つ第２のスイッチング制御信号入力端子を導出している第２の半導体スイッチング素子とを有する半導体集積回路装置において、（ａ）上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に雑音伝達回路が接続され、または（ｂ）上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記第１の半導体スイッチング素子との間または上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記第２の半導体スイッチング素子との間にインバータが介挿され、且つ上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に雑音伝達回路が接続され、もしくは（ｃ）上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記第１の半導体スイッチング素子との間に第１のインバータが介挿されているとともに上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記第２の半導体スイッチング素子との間に第２のインバータが介挿され、且つ上記第１のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似電源線との間または上記第２のスイッチング制御信号入力端子と上記疑似接地線との間に雑音伝達回路が接続されている。
【００２１】
【発明の実施の形態１】
次に、図１を伴って、本発明による半導体集積回路装置の第１の実施の形態を述べよう。
図１において、図１１との対応部分には同一符号を付して示す。
【００２２】
図１に示す本発明による半導体集積回路装置は、図１１に示す従来の半導体集積回路装置で述べたと同様の、疑似電源線Ｂと接地端子Ｅ２との間に接続され且つ信号入力端子Ｔ１及び信号出力端子Ｔ２を導出している半導体集積回路Ｍと、電源端子Ｅ１と疑似電源線Ｂとの間に接続され且つスイッチング制御信号入力端子Ｈを導出している半導体スイッチング素子Ｕとを有する半導体集積回路装置において、スイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間に雑音伝達回路Ｄが接続されている。
この場合、雑音伝達回路Ｄは、図２Ａに示すように、スイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間に接続されている容量素子ＣＯで構成されているか、または、図２Ｂに示すように、スイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間に他のスイッチング制御信号入力端子Ｉを導出している他のｐチャンネル型の電界効果トランジスタＱ４でなる他の半導体スイッチング素子Ｕ″を介して接続されている容量素子ＣＯ′と、入力端子を疑似電源線Ｂに接続し、出力端子を他のスイッチング制御信号入力端子Ｉに接続しているインバータＩＮＶ′とで構成されているのを可とする。
【００２３】
以上が、本発明による半導体集積回路装置の第１の実施の形態の構成である。
図１に示す本発明による半導体集積回路装置は、図１１に示す従来の半導体集積回路装置において、そのスイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間に雑音伝達回路Ｄが接続されていることを除いて、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合と同様の構成を有するので、詳細説明は省略するが、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合と同様に、アクティブモードとスリープモードとを得ることができ、そして、この場合、半導体集積回路Ｍが低い閾値を有するトランジスタを用いて構成されているとすれば、動作電源として低い電圧を有する動作電源を用いることができ、それによって、半導体集積回路Ｍを低消費電力化することができ、また、アクティブモードを得たくないとき、半導体集積回路Ｍに漏洩電流が無視し得ない値で流れて無視し得ない消費電力を伴うということを有効に回避することができ、それによって、半導体集積回路Ｍを低消費電力化することができ、よって、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合と同様に、半導体集積回路装置としての機能を、低消費電力で得ることができることは明らかである。
【００２４】
また、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合、それが、上述した事項を除いて、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合と同様の構成を有するので、詳細説明は省略するが、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合と同様に、実際上の使用時において、外部から電磁波の照射が余儀なくされるとき、接地端子Ｅ２及び電源端子Ｅ１に、図３Ａ及びＢに示すような、図１３Ａ及びＢで上述したと同様の、互にほぼ等しい位相を有する電磁波雑音電圧ＶＥ２及びＶＥ１がそれぞれ与えられ、また、信号入力端子Ｔ１及びスイッチング制御信号入力端子Ｈに、図３Ｃ及びＤに示すような、図１３Ｃ及びＤで上述したと同様の、互にほぼ等しい位相を有するが電磁波雑音電圧ＶＥ２及びＶＥ１に対してほぼ１８０°の位相差を有する電磁波雑音電圧ＶＴ１及びＶＨがそれぞれ与えられ、よって、接地端子Ｅ２に、図４においてＶＥ２′で示すような、図１４において示したと同様の、接地の電圧に電磁波雑音電圧ＶＥ２が重畳されている、という電圧が得られ、そして、このとき、疑似電源線Ｂに、アクティブモードにおいて、図４においてＶＢ′で示すような、図１４において示したと同様の、動作電源の電圧に、電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音ＶＥ１と同様に交番している電磁波雑音電圧ＶＢ″が重畳されている、という電圧が得られ、このため、半導体集積回路Ｍが、アクティブモードにおいて、疑似電源線Ｂ及び接地端子Ｅ２間の電圧の中間電圧を閾値電圧ＶＴＨとする、その閾値電圧ＶＴＨを用いて動作するものとした場合、半導体集積回路Ｍの閾値電圧ＶＴＨが、図４に示すように、図１４において示したと同様の、動作電源の電圧と接地の電圧との間の中間電圧（接地電圧が０Ｖ、動作電圧が２Ｖの場合、例えば１Ｖ）に、電源端子Ｅ１に与えられている電磁波雑音電圧ＶＥ１と同様に交番する電磁波雑音電圧ＶＴＨ′が重畳されている、という電圧で得られる。
【００２５】
ただし、この場合、疑似電源線Ｂに得られる、動作電源の電圧に電磁波雑音電圧ＶＢ″が重畳されている電圧ＶＢ′は、後述するところから明らかとなるが、その電磁波雑音電圧ＶＢ″が電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１に対して位相遅れを有していることで、動作電源の電圧に、電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１に対して位相遅れを有する電磁波雑音電圧ＶＢ″が重畳されている、というものとして得られる。また、動作電源の電圧と接地の電圧との中間電圧に電磁波雑音電圧ＶＴＨ′が重畳されている閾値電圧ＶＴＨの電磁波雑音電圧ＶＴＨ′は、後述するところから明らかとなるが、動作電源の電圧と接地の電圧との中間電圧に、図１４に示した閾値電圧ＶＴＨの電磁波雑音電圧ＶＴＨ′に比し格段的に小さな尖頭値振幅しか有していない電磁波雑音電圧ＶＴＨ′が重畳している、というものとして得られる。
【００２６】
また、このとき、信号源からの入力信号Ｓ１が２値表示で「１」をとっていれば、信号入力端子Ｔ１に、図４においてＶＴ１′として示すように、図１４に示したと同様の、入力信号Ｓ１が２値表示の「１」をとっているとする、その２値表示の「１」を表している電圧に、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２に対してほぼ１８０°の位相差を有する電磁波雑音電圧ＶＴ１が重畳されている、という電圧が得られている。
【００２７】
以上のことから、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合も、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合と同様に、信号入力端子Ｔ１に得られている電圧ＶＴ１′が、半導体集積回路Ｍにおける閾値電圧ＶＴＨよりも低い値をとる、というおそれを有すると考えられる。
【００２８】
しかしながら、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合、スイッチング制御信号ＳＷが２値表示の「１」をとり、半導体集積回路Ｍが上述したアクティブモードをとるとき、疑似電源線Ｂに、図１４に示したと同様の、動作電源の電圧に電磁波雑音電圧ＶＢが重畳されている電圧ＶＢ′が与えられている状態で、スイッチング制御信号入力端子Ｈに与えられる電磁波雑音電圧ＶＨが、雑音伝達回路Ｄを介して位相遅れを伴って伝達されるため、疑似電源線Ｂに得られる電圧ＶＢ′が、図４に示すように、動作電源の電圧に、電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１に対して位相遅れの生じている図３Ｅに示すような電磁波雑音電圧ＶＢ″が重畳されている、というものとして得られる。
【００２９】
なお、この場合の、スイッチング制御信号入力端子Ｈに与えられる電磁波雑音電圧ＶＨの雑音伝達回路Ｄを介しての疑似電源線Ｂへの伝達は、雑音伝達回路Ｄが図２Ａに示すように構成されている場合、容量素子ＣＯを通じて行われ、雑音伝達回路Ｄが図２Ｂに示すように構成されている場合、疑似電源線Ｂに与えられる動作電源の電圧が、２値表示で「１」であるとして、インバータＩＮＶ′の入力に与えられ、そのインバータＩＮＶ′から、２値表示で「０」であるとする出力が得られ、それによって、半導体スイッチング素子Ｕ″の電界効果トランジスタＱ４がオンすることで、その電界効果トランジスタＱ４及び容量素子ＣＯ′を通じて行われる。なお、雑音伝達回路Ｄが図２Ｂに示すように構成されている場合、半導体集積回路Ｍがスリープモードをとるとき、疑似電源線Ｂには動作電源の電圧が与えられず、このため、インバータＩＮＶ′の入力に２値表示で「０」であるとする出力が与えられ、それによって、インバータＩＮＶ′から２値表示で「１」であるとする出力が得られ、よって、半導体スイッチング素子Ｕ″の電界効果トランジスタＱ４がオフするので、スイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間に雑音伝達回路Ｄが接続されていることによる、半導体スイッチング素子Ｕからスイッチング制御信号入力端子Ｈに導出している線路と接地との間に接続されている等価容量の増加を、スリープモード時において防止することができ、よって、スリープモードからアクティブモードへの遷移時間を、雑音伝達回路Ｄが図２Ａに示すように構成されている場合に比し小さくすることができる。
【００３０】
このため、半導体集積回路Ｍの閾値電圧ＶＴＨが、図４に示すように、動作電源の電圧と接地の電圧との中間電圧に、図１４に示した閾値電圧ＶＴＨの電磁波雑音電圧ＶＴＨ′に比し格段的に小さな尖頭値振幅しか有していない電磁波雑音電圧ＶＴＨ′が重畳している、というものとして得られ、従って、閾値電圧ＶＴＨが小さな振幅でしか変化しない。
【００３１】
よって、図４に示す信号入力端子Ｔ１に得られる電圧ＶＴ１′及び半導体集積回路Ｍにおける閾値電圧ＶＴＨからも明らかなように、入力信号Ｓが２値表示の「１」をとっているとする、その２値表示の「１」を表している電圧を、半導体集積回路Ｍを低消費電力化させるために、動作電源として低い電圧を有する電源を用いて、その動作電源の電圧に応じてある程度低い電圧にしても、信号入力端子Ｔ１に得られる電圧ＶＴ１′が、半導体集積回路Ｍにおける閾値電圧ＶＴＨよりも低い値をとる、というおそれを有効に回避させることができる。
【００３２】
従って、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合、アクティブモードにおいて、信号源からの入力信号Ｓ１が２値表示で「１」をとっているとき、信号入力端子Ｔ１における、入力信号Ｓ１が２値表示で「１」をとっているとする、その２値表示の「１」を表している電圧に、信号入力端子Ｔ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＴ１が重畳されている、という電圧ＶＴ１′が、半導体集積回路Ｍにおける閾値電圧ＶＴＨよりも低い値をとる、というおそれを、有効に回避することができ、このため、半導体集積回路Ｍにおける入力信号Ｓ１に対する動作に、誤動作が生じるおそれを有しない。
【００３３】
【発明の実施の形態２】
次に、図５を伴って、本発明による半導体集積回路装置の第２の実施の形態を述べよう。
図５において、図１との対応部分には同一符号を付して示す。
【００３４】
図５に示す本発明による半導体集積回路装置は、図１１に示す従来の半導体集積回路装置で述べたと同様の、疑似電源線Ｂと接地端子Ｅ２との間に接続され且つ信号入力端子Ｔ１及び信号出力端子Ｔ２を導出している半導体集積回路Ｍと、電源端子Ｅ１と疑似電源線Ｂとの間に接続され且つスイッチング制御信号入力端子Ｈを導出している半導体スイッチング素子Ｕとを有する半導体集積回路装置において、スイッチング制御信号入力端子Ｈと半導体スイッチング素子Ｕとの間にインバータＧが介挿され、且つ、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様に、スイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間に、雑音伝達回路Ｄが接続されている。
この場合、インバータＧが、図６に示すように、電源端子Ｅ１と接地端子Ｅ２との間に、ｐチャンネル型の電界効果トランジスタＱ２とｎチャンネル型の電界効果トランジスタＱ３との直列回路が、電界効果トランジスタＱ２を電源端子Ｅ１側として接続され、電界効果トランジスタＱ２及びＱ３のゲートが互に接続されてスイッチング制御信号入力端子Ｈに接続され、電界効果トランジスタＱ２及びＱ３の接続中点が、出力端として、半導体スイッチング素子Ｕの電界効果トランジスタＱ１のゲートに接続している構成でなる。
【００３５】
また、雑音伝達回路Ｄが、図２Ａを伴って上述したように、スイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間に接続されている容量素子ＣＯを有する構成でなるか、または、図２Ｂに示すように、スイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間に他のスイッチング制御信号入力端子Ｉを導出しているｐチャンネル型の電界効果トランジスタＱ４でなる他の半導体スイッチング素子Ｕ′を介して接続されている容量素子ＣＯ′と、入力端子を疑似電源線Ｂに接続し、出力端子を他のスイッチング制御信号入力端子Ｉに接続しているインバータＩＮＶ′とを有する構成でなる。
【００３６】
以上が、本発明による半導体集積回路装置の第２の実施の形態の構成である。
このような構成を有する本発明による半導体集積回路装置によれば、それが、図１に示す本発明による半導体集積回路装置において、スイッチング制御信号入力端子Ｈと半導体スイッチング素子Ｕとの間にインバータＧが介挿されていることを除いて、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様の構成を有する
【００３７】
このような構成を有する本発明による半導体集積回路装置によれば、それが、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたのに準じて、電源端子Ｅ１を負極端を接地に接続している動作電源の正極端に接続し、接地端子Ｅ２を接地に接続し、スイッチング制御信号入力端子Ｈを一端を接地に接続しているスイッチング制御信号源の他端に接続している状態で、スイッチング制御信号源から２値表示で正論理の「１」及び「０」をとるスイッチング制御信号ＳＷＰを２値表示の「１」で出力させれば、インバータＧから、２値表示で正論理の「１」及び「０」をとるスイッチング制御信号ＳＷＰ′が２値表示の「０」で得られ、その「０」の区間において、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたと同様に、半導体スイッチング素子Ｕの電界効果トランジスタＱ１がオンの状態になり、このため、半導体集積回路Ｍに、動作電源を、電源端子Ｅ１、疑似電源線Ｂ及び接地端子Ｅ２を介して供給させている、という状態を得ることができ、また、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたのに準じて、スイッチング制御信号源からスイッチング制御信号ＳＷＰを２値表示の「０」で出力させれば、インバータＧからスイッチング制御信号ＳＷＰ′が２値表示の「１」で得られ、その「１」の区間において、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたと同様に、半導体スイッチング素子Ｕの電界効果トランジスタＱ１がオフの状態になり、このため、半導体集積回路Ｍに動作電源を供給させていない、という状態を得ることができる。
【００３８】
また、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたと同様に、信号入力端子Ｔ１を一端を接地に接続している信号源の他端に接続し、信号出力端子Ｔ２を一端を接地に接続している負荷の他端に接続している状態で、半導体集積回路Ｍに上述したようにして動作電源を供給させている状態を得れば、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたと同様に、信号源から２値表示で正論理の「１」及び「０」をとる入力信号Ｓ１を出力させることによって、半導体集積回路Ｍが、入力信号Ｓ１に応動し、負荷に２値表示で「１」及び「０」をとる出力信号Ｓ２を出力する、というアクティブモードを得ることができ、また、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたと同様に、信号入力端子Ｔ１を一端を接地に接続している信号源の他端に接続し、信号出力端子Ｔ２を一端を接地に接続している負荷の他端にに接続している状態で、半導体集積回路Ｍに上述したようにして動作電源を供給させていない状態を得れば、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたと同様に、信号源から入力信号Ｓ１を出力させても、半導体集積回路Ｍが、入力信号Ｓ１に応動せず、負荷に入力信号Ｓ１に応じた出力信号Ｓ２を出力しない、というスリープモードを得ることができる。
【００３９】
そして、この場合、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたと同様に、半導体集積回路Ｍがトラシジスタを用いて構成されているとし、そのトランジスタとして低い閾値を有するトランジスタを用いれば、動作電源として低い電圧を有する動作電源を用いることができ、それによって、半導体集積回路Ｍを低消費電力化することができる。また、いま述べたようにして半導体集積回路Ｍを低消費電力化するようにした場合、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたと同様に、もし電源端子Ｅ１と疑似電源線Ｂとの間に接続されている半導体スイッチング素子Ｕを有さず、疑似電源線Ｂが直接的に電源端子Ｅ１に接続されているとすれば、上述したアクティブモードを得たくないとき、半導体集積回路Ｍに漏洩電流が無視し得ない値で流れて無視得ない消費電力を伴うことになるが、上述したアクティブモードを得たくないとき、スイッチング制御信号源からスイッチング制御信号ＳＷＰを２値表示の「０」で出力させることによって半導体集積回路Ｍに動作電源を供給させないようにすることができるので、上述したアクティブモードを得たくないとき、半導体集積回路Ｍに漏洩電流が無視し得ない値で流れて無視得ない消費電力を伴うというこを有効に回避することができ、それによって、半導体集積回路Ｍを低消費電力化させることができる。
【００４０】
以上のことから、図５に示す本発明による半導体集積回路装置の場合も、図１１に示す上述した従来の半導体集積回路装置の場合と同様に、半導体集積回路装置としての機能を、低消費電力で得ることができる。
【００４１】
また、図５に示す本発明による半導体集積回路装置の場合、それが、図１に示す本発明による半導体集積回路装置において、スイッチング制御信号入力端子Ｈと半導体スイッチング素子Ｕとの間にインバータＧが介挿されていることを除いて、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様の構成を有するので、詳細説明は省略するが、実際上の使用時において、外部から電磁波の照射が余儀なくされるとき、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２が図３Ａ及び図１３Ａに示したと同様に得られるとき、電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１が、図３Ｂ及び図１３Ｂに示したと同様に、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２とほぼ等しい位相で得られ、また、信号入力端子Ｔ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＴ１が、図３Ｃ及び図１３Ｃに示したと同様に、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２及び電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１に対してほぼ１８０°の位相差を有して得られ、さらに、スイッチング制御信号入力端子Ｈに与えられる電磁波雑音電圧ＶＨが、図３Ｄ及び図１３Ｄに示したと同様に、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２及び電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１に対してほぼ１８０°の位相差を有して得られる。
【００４２】
また、接地端子Ｅ２に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ２は、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたように、接地端子Ｅ２において、接地の電圧（一般に０Ｖ）に重畳され、従って、接地端子Ｅ２に、図１４で上述したと同様の、接地の電圧に、電磁波雑音電圧ＶＥ２が重畳されている、という電圧ＶＥ２′が得られ、そして、このとき、雑音伝達回路Ｄが省略されているとしてみるとき、疑似電源線Ｂに、上述したアクティブモードにおいて、図１４で上述したと同様の、動作電源の電圧（例えば２Ｖ）に、接地端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１と同様に交番し且つ電磁波雑音電圧ＶＥ１とほぼ等しい位相を有する電磁波雑音電圧ＶＢが重畳されている、という電圧ＶＢ′が得られている。
【００４３】
このため、雑音伝達回路Ｄが省略されているとしてみるとき、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたように、半導体集積回路Ｍが、上述したアクティブモードにおいて、疑似電源線Ｂ及び接地端子Ｅ２間の電圧の中間電圧を閾値電圧ＶＴＨとする、その閾値電圧ＶＴＨを用いて動作するものとした場合、半導体集積回路Ｍの閾値電圧ＶＴＨが、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合で述べたと同様に、動作電源の電圧と接地の電圧との間の中間電圧に、電源端子Ｅ１に与えられている電磁波雑音電圧ＶＥ１と同様に交番し且つその電磁波雑音電圧ＶＥ１とほぼ等しい位相を有する電磁波雑音電圧ＶＴＨ′が重畳されている、という電圧で得られる。
【００４４】
また、このとき、信号源からの入力信号Ｓ１が２値表示で「１」をとっていれば、信号入力端子Ｔ１に、図１４を伴って上述したと同様の、入力信号Ｓ１が２値表示の「１」をとっているとする、その２値表示の「１」を表している電圧に、電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１に対してほぼ１８０°の位相差を有する電磁波雑音電圧ＶＴ１が重畳されている、という電圧ＶＴ１′が得られている。
【００４５】
以上のことから、図５に示す本発明による半導体集積回路装置の場合も、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合と同様に、信号入力端子Ｔ１に得られている電圧ＶＴ１′が、半導体集積回路Ｍにおける閾値電圧ＶＴＨよりも低い値をとる、というおそれを有すると考えられる。
【００４６】
しかしながら、図５に示す本発明による半導体集積回路装置の場合、スイッチング制御信号ＳＷＰが２値表示の「１」をとり、これに応じインバータＧからのスイッチング制御信号ＳＷＰ′が２値表示の「０」をとり、半導体集積回路Ｍが上述したアクティブモードをとるとき、電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１が半導体スイッチング素子Ｕの電界効果トランジスタＱ１のゲートに、インバータＧの電界効果トランジスタＱ２を通じて、電磁波雑音電圧ＶＨとして与えられ、このため、半導体スイッチング素子Ｕの電界効果トランジスタＱ１のゲートに、スイッチング制御信号ＳＷＰ′が２値表示で「０」をとるとする、その２値表示の「０」を表している電圧に、図示しないが、電源端子Ｅ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＥ１とほぼ等しい位相を有する電磁波雑音電圧が重畳されている、という電圧ＶＨ″が得られ、そして、その電圧ＶＨ″で、その電圧ＶＨ″の電磁波雑音電圧ＶＨ′とほぼ等しい位相差を有する電磁波雑音電圧ＶＥ１が動作電源の電圧に重畳されている、という電圧ＶＥ１′が印加されている電源端子Ｅ１に接続されている半導体スイッチング素子Ｕが、そのゲート・ソース間電圧にほとんど変動を伴わせないか伴わせるとしても小さな変動しか伴わせずに、従ってソース・ドレイン間抵抗にほとんど変動を伴わせないか伴わせるとしても小さな変動しか伴わせずに、制御され、それによって、疑似電源線Ｂに得られる電圧ＶＢ′の電磁波雑音電圧ＶＥ１が、雑音伝達回路Ｄが省略されているとしてみるとき、図１１に示す従来の半導体集積回路装置の場合に比し、格段的に小さな尖頭値振幅でしか得られないので、入力信号Ｓが２値表示の「１」をとっているとする、その２値表示の「１」を表している電圧を、半導体集積回路Ｍを低消費電力化させるために、動作電源として低い電圧を有する電源を用いて、その動作電源の電圧に応じてある程度低い電圧にしても、信号入力端子Ｔ１に得られる電圧ＶＴ１′が、半導体集積回路Ｍにおける閾値電圧ＶＴＨよりも低い値をとる、というおそれを有効に回避させることができる。
【００４７】
よって、雑音伝達回路Ｄが省略されているとしてみるとき、上述したアクティブモードにおいて、信号源からの入力信号Ｓ１が２値表示で「１」をとっているとき、信号入力端子Ｔ１における、入力信号Ｓ１が２値表示で「１」をとっているとする、その２値表示の「１」を表している電圧に、信号入力端子Ｔ１に与えられる電磁波雑音電圧ＶＴ１が重畳されている、という電圧ＶＴ１′が、半導体集積回路Ｍにおける閾値電圧ＶＴＨよりも低い値をとる、というおそれを、有効に回避することができる、というインバータＧが介挿されていることによる作用・効果を得ることができる。
【００４８】
また、図５に示す本発明による半導体集積回路装置の場合、図１に示す本発明による半導体集積回路装置で上述した、スイッチング制御信号入力端子Ｈと擬似接地線Ｂとの間に接続されている雑音伝達回路Ｄを有し、インバータＧが介挿されているとしてみるとき、図１に示す本発明による半導体集積回路装置で上述したスイッチング制御信号入力端子Ｈと擬似接地線Ｂとの間に雑音伝達回路Ｄが接続されていることによる作用・効果も得ることができる。
【００４９】
以上のことから、本発明による半導体集積回路装置の第２の実施の形態によれば、スイッチング制御信号入力端子Ｈと半導体スイッチング素子Ｕとの間にインバータＧが介挿されていることによる作用・効果と、図１に示す本発明による半導体集積回路装置で述べた、スイッチング制御信号入力端子Ｈと擬似接地線Ｂとの間に雑音伝達回路Ｄが接続されていることによる作用・効果との相乗的な作用・効果が得られる。
【００５０】
【発明の実施の形態３】
次に、図７を伴って、本発明による半導体集積回路装置の第３の実施の形態を述べよう。
図７において、図１との対応部分には同一符号を付して示す。
【００５１】
図７に示す本発明による半導体集積回路装置は、それ自体公知の、電源端子Ｅ１と疑似接地線Ｂ′との間に接続され且つ信号入力端子Ｔ１及び信号出力端子Ｔ２を導出している半導体集積回路Ｍと、疑似接地線Ｂ′と接地端子Ｅ２との間に接続され且つスイッチング制御信号入力端子Ｈ′を導出している半導体スイッチング素子Ｕ′とを有する半導体集積回路装置において、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合に準じて、スイッチング制御信号入力端子Ｈ′と疑似接地線Ｂ′との間に、雑音伝達回路Ｄ′が介挿されている。
この場合、雑音伝達回路Ｄ′が、図示しないが、図２Ａを伴って上述したのに準じて、スイッチング制御信号入力端子Ｈ′と疑似接地線Ｂ′との間に接続されている容量素子を有する構成でなるか、または、図２Ｂを伴って上述したのに準じて、スイッチング制御信号入力端子Ｈ′と疑似接地線Ｂ′との間に他のスイッチング制御信号入力端子を導出しているｐチャンネル型の電界効果トランジスタでなる半導体スイッチング素子を介して接続されている容量素子と、入力端子を疑似接地線Ｂ′に接続し、出力端子を他のスイッチング制御信号入力端子に接続しているインバータとを有する構成でなる。
【００５２】
以上が、本発明による半導体集積回路装置の第３の実施の形態の構成である。
このような構成を有する本発明による半導体集積回路装置によれば、それが、図１に示す本発明による半導体集積回路装置において、その疑似電源線Ｂを疑似接地線Ｂ′に代え、これに応じ、半導体集積回路Ｍの接続を、疑似電源線Ｂと接地端子Ｅ２との間から電源端子Ｅ１と疑似接地線Ｂ′との間に代えるとともに、雑音伝達回路Ｄのスイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間の接続から雑音伝達回路Ｄ′のスイッチング制御信号入力端子Ｈ′と疑似接地線Ｂ′との間に代え、また、ｐチャンネル型電界効果トランジスタＱ１でなる半導体スイッチング素子Ｕをｎチャンネル型の電界効果トランジスタＱ１′でなる半導体スイッチング素子Ｕ′に代え、その半導体スイッチング素子Ｕ′を接地端子Ｅ２と疑似接地線Ｂ′との間に接続したことを除いて、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様の構成を有するので、詳細説明は省略するが、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様に、スイッチング制御信号入力端子Ｈ′から半導体スイッチング素子Ｕ′に、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合にスイッチング制御信号入力端子Ｈから半導体スイッチング素子Ｕに供給するスイッチング制御信号ＳＷＰに対して２値表示の「１」及び「０」が反転している、というスイッチング制御信号ＳＷＮを供給するようにすることで、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様の作用・効果が得られることは明らかである。
【００５３】
【発明の実施の形態４】
次に、図８を伴って、本発明による半導体集積回路装置の第４の実施の形態を述べよう。
図８において、図７との対応部分には同一符号を付して示す。
【００５４】
図８に示す本発明による半導体集積回路装置は、それ自体公知の、電源端子Ｅ１と疑似接地線Ｂ′との間に接続され且つ信号入力端子Ｔ１及び信号出力端子Ｔ２を導出している半導体集積回路Ｍと、疑似接地線Ｂ′と接地端子Ｅ２との間に接続され且つスイッチング制御信号入力端子Ｈ′を導出している半導体スイッチング素子Ｕ′とを有する半導体集積回路装置において、図５に示す本発明による半導体集積回路装置に準じて、スイッチング制御信号入力端子Ｈ′と半導体スイッチング素子Ｕ′との間に、図５に示す本発明による半導体集積回路装置の場合で述べたと同様のインバータＧ′が介挿され、また、図７に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様に、スイッチング制御信号Ｈ′と疑似接地線Ｂ′との間に、図７に示す本発明による半導体集積回路装置の場合で述べたと同様の雑音伝達回路Ｄ′が接続されている。
【００５５】
以上が、本発明による半導体集積回路装置の第４の実施の形態の構成である。
このような構成を有する本発明による半導体集積回路装置によれば、それが、図７に示す本発明による半導体集積回路装置において、図５に示す本発明による半導体集積回路装置の場合に準じて、スイッチング制御信号入力端子Ｈ′と半導体スイッチング素子Ｕ′との間にインバータＧ′が介挿されている、という構成を有するので、詳細説明は省略するが、図７に示す本発明による半導体集積回路装置で述べた作用・効果と、図５に示す本発明による半導体集積回路装置で述べた作用・効果に準じた作用・効果との相乗的な作用・効果が得られることは明らかであろう。
【００５６】
【発明の実施の形態５】
次に、図９を伴って、本発明による半導体集積回路装置の第５の実施の形態を述べよう。
図９において、図１及び図７との対応部分には同一符号を付し、詳細説明は省略する。
【００５７】
図９に示す本発明による半導体集積回路装置は、それ自体公知の、疑似電源線Ｂと疑似接地線Ｂ′との間に接続され且つ信号入力端子Ｔ１及び信号出力端子Ｔ２を導出している半導体集積回路Ｍと、電源端子Ｅ１と疑似電源線Ｂとの間に接続され且つスイッチング制御信号入力端子Ｈを導出している半導体スイッチング素子Ｕと、接地端子Ｅ２と疑似接地線Ｂ′との間に接続され且つスイッチング制御信号入力端子Ｈ′を導出している半導体スイッチング素子Ｕ′とを有する半導体集積回路装置において、実線図示のように、図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様に、スイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間に雑音伝達回路Ｄが接続され、または、点線図示のように、図７に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様に、スイッチング制御信号入力端子Ｈ′と疑似接地線Ｂ′との間に雑音伝達回路Ｄ′が接続されている。
【００５８】
以上が、本発明による半導体集積回路装置の第５の実施の形態の構成である。
このような構成を有する本発明による半導体集積回路装置によれば、それが、スイッチング制御信号入力端子Ｈと疑似電源線Ｂとの間に雑音伝達回路Ｄが接続されている場合、半導体集積回路Ｍから電源端子Ｅ１側をみた構成が図１に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様であり、半導体集積回路Ｍから接地端子Ｅ２側をみた構成が図７に示す本発明による半導体集積回路装置において雑音伝達回路Ｄ′が省略されている構成と同様であり、また、スイッチング制御信号入力端子Ｈ′と疑似接地線Ｂ′との間に雑音伝達回路Ｄ′が接続されている場合、半導体集積回路Ｍから電源端子Ｅ１側をみた構成が図１に示す本発明による半導体集積回路装置において雑音伝達回路Ｄが省略されている構成と同様であり、半導体集積回路Ｍから接地端子Ｅ２側をみた構成が図７に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様であるので、詳細説明は省略するが、図１に示す本発明による半導体集積回路装置で述べたと同様の作用・効果と、図７に示す本発明による半導体集積回路装置で述べたと同様の作用・効果との相乗的な作用・効果が得られることは明らかであろう。
【００５９】
【発明の実施の形態６】
次に、図１０を伴って、本発明による半導体集積回路装置の第６の実施の形態を述べよう。
図１０において、図５、図８及び図９との対応部分には同一符号を付し、詳細説明は省略する。
【００６０】
図１０に示す本発明による半導体集積回路装置は、図９に示す本発明による半導体集積回路装置において、図５に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様に、スイッチング制御信号入力端子Ｈと半導体スイッチング素子Ｕとの間にインバータＧが介挿されているとともに、図８に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様に、スイッチング制御信号入力端子Ｈ′と半導体スイッチング素子Ｕ′との間にインバータＧ′が介挿されている。
【００６１】
以上が、本発明による半導体集積回路装置の第６の実施の形態の構成である。
このような構成を有する本発明による半導体集積回路装置によれば、それが、図９に示す本発明による半導体集積回路装置の構成と図５に示す本発明による半導体集積回路装置の構成と図８に示す本発明による半導体集積回路装置の構成との組合せ構成を有するので、詳細説明は省略するが、図９に示す本発明による半導体集積回路装置で述べた作用・効果と、図５に示す本発明による半導体集積回路装置で述べた作用・効果と、図８に示す本発明による半導体集積回路装置で述べた作用・効果との相乗的な作用・効果が得られることは明らかであろう。
【００６２】
【発明の実施の形態７】
次に、本発明による半導体集積回路装置の第７の実施の形態を述べよう。
【００６３】
本発明による半導体集積回路装置の第７の実施の形態は、図示詳細説明は省略するが、図１０に示す本発明による半導体集積回路装置において、スイッチング制御信号入力端子Ｈと半導体スイッチング素子Ｕとの間に介挿されているインバータＧが省略され、または、スイッチング制御信号入力端子Ｈ′と半導体スイッチング素子Ｕ′との間に介挿されているインバータＧ′が省略されていることを除いて、図１０に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様の構成を有する。
【００６４】
以上が、本発明による半導体集積回路装置の第７の実施の形態の構成である。
このような構成を有する本発明による半導体集積回路装置によれば、それが、上述した事項を除いて図１０に示す本発明による半導体集積回路装置の場合と同様であるので、詳細説明は省略するが、図９に示す本発明による半導体集積回路装置で述べたと同様の作用・効果と、図５に示す本発明による半導体集積回路装置、または、図８に示す本発明による半導体集積回路装置で述べたと同様の作用・効果との相乗的な作用・効果が得られることは明らかであろう。
【００６５】
【発明の実施の形態の変型・変更】
なお、上述においては、本発明による半導体集積回路装置のわずかな実施の形態を示したに留まり、例えば、インバータＧ及びＧ′、雑音伝達回路Ｄ及びＤ′を、上述した具体例とは異なる構成とし、上述した本発明による作用・効果と同様の作用・効果を得るようにすることもでき、その他、本発明の精神を脱することなしに種々の変型、変更をなし得るであろう。
【００６６】
【発明の効果】
本発明による半導体集積回路装置によれば、実際上の使用時において、外部から電磁波の照射を余儀なくされても、半導体集積回路における入力信号に対する動作に、誤動作が生じるおそれを有しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体集積回路装置の第１の実施の形態を示す接続図である。
【図２】図１に示す本発明による半導体集積回路装置に用いる雑音伝達回路の実施の形態を示す接続図である。
【図３】図１に示す本発明による半導体集積回路装置の動作の説明に供する電磁波雑音電圧を示す図である。
【図４】図１に示す本発明による半導体集積回路装置の動作の説明に供する電圧及び閾値電圧を示す図である。
【図５】本発明による半導体集積回路装置の第２の実施の形態を示す接続図である。
【図６】図５に示す本発明による半導体集積回路装置に用いるインバータの実施の形態を示す接続図である。
【図７】本発明による半導体集積回路装置の第３の実施の形態を示す接続図である。
【図８】本発明による半導体集積回路装置の第４の実施の形態を示す接続図である。
【図９】本発明による半導体集積回路装置の第５の実施の形態を示す接続図である。
【図１０】本発明による半導体集積回路装置の第６の実施の形態を示す接続図である。
【図１１】従来の半導体集積回路装置を示す接続図である。
【図１２】図１１に示す従来の半導体集積回路装置の実際上の使用時における接続状態を示す図である。
【図１３】図１１に示す従来の半導体集積回路装置の動作の説明に供する電磁波雑音電圧を示す図である。
【図１４】図１１に示す従来の半導体集積回路装置の動作の説明に供する電圧及び閾値電圧を示す図である。
【符号の説明】
Ｂ        疑似電源線
Ｂ′      疑似接地線
Ｄ、Ｄ′  雑音伝達回路
Ｅ１      電源端子
Ｅ２      接地端子
Ｇ、Ｇ′  インバータ
Ｈ、Ｈ′  スイッチング制御信号入力端子
Ｍ        半導体集積回路
Ｑ１〜Ｑ４  電界効果トランジスタ
Ｔ１      信号入力端子
Ｔ２      信号出力端子
Ｕ、Ｕ′  半導体スイッチング素子
Ｅ１′、Ｅ２′、Ｈ″、Ｔ１′、Ｔ２′    接続端子
ＣＥ１、ＣＥ２、ＣＴ１、ＣＴ２、ＣＨ    等価キャパシタ
ＦＥ１、ＦＥ２、ＦＴ１、ＦＴ２、ＦＨ    リード線
ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＴ１、ＬＴ２、ＬＨ    インダクタ
ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＴ１、ＰＴ２、ＰＨ    電極パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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