(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を基板進行方向に向かって左右の一端が水平に対して低くなる傾斜姿勢に支持してその傾斜姿勢を保った状態で搬送する搬送機構と、
搬送機構により搬送される基板の一方の表面に対して処理液を供給する処理液ノズルと、
前記基板の前記一方の表面のうち前記処理液ノズルからの処理液が供給される領域を覆う第１の覆い部材と、
前記覆い部材の前記基板に近い位置に当接されて、当該基板の表面に沿うように設けられたつば部と、
前記基板と前記つば部との間に、前記基板の傾斜方向上側から液を供給する副ノズルと
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記副ノズルは、前記処理液ノズルから供給する処理液と同じ処理液を供給するものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記搬送機構により搬送される基板の位置をはさんで前記処理液ノズルと対向するように設けられ前記基板の他方の表面を覆う第２の覆い部材をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２の覆い部材の前記基板に近い位置に当接されて、当該基板の他方の表面に沿うように設けられたつば部を更に備えたことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記つば部は、
前記覆い部材に対して移動自在に設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記つば部は、
前記覆い部材に対して開閉移動自在に設けられていることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記つば部は、
前記覆い部材に対して着脱自在に設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネルやプラズマ表示パネルなどの製造に用いるガラス基板、半導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板、プリント基板などの各種基板の表面に対して、純水、洗浄薬液、現像液、剥離液などの各種処理液を供給して各種のウエット処理を施すための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えばフォトリソグラフィのプロセスにおいては、処理すべき基板の表面を洗浄し、フォトレジストの被膜を形成し、露光し、現像し、エッチングし、剥離する等の各種プロセス処理を施す。かかる基板処理を行なうための装置の一例が、特開平４−３０３９３４号公報に開示されている。この装置は、基板を所定のボックス内を通過させ、ボックス内に設けたパイプから洗浄液を基板に供給するとともに、基板がボックスを通過するための開口を基板に近接させることでボックスからの処理液の流出を抑制し、ボックス内を処理液で満たそうとするものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記公報に記載の装置では、ボックスの開口を基板に近接させてボックスからの処理液の流出を抑制しようとしているが、開口と基板との間隔を基板の全幅にわたって十分に狭くかつ一定の間隔に保つことは困難であり、特に基板が大型のものである場合には著しく困難であった。また、この間隔が十分に狭くできない場合にはその隙間を液で満たすことができず、その隙間からミスト状になった処理液がボックス外に飛散してしまって再利用できなくなり、処理液が無用に消費されてしまったり、またミスト状の処理液が基板に再付着して基板を汚染したりする不都合がある。本発明は簡単な構造でかつミスト状の処理液の飛散を防止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、基板を基板進行方向に向かって左右の一端が水平に対して低くなる傾斜姿勢に支持してその傾斜姿勢を保った状態で搬送する搬送機構と、搬送機構により搬送される基板の一方の表面に対して処理液を供給する処理液ノズルと、前記基板の前記一方の表面のうち前記処理液ノズルからの処理液が供給される領域を覆う覆い部材と、前記覆い部材の前記基板に近い位置に当接されて、当該基板の表面に沿うように設けられたつば部と、前記基板と前記つば部との間に、前記基板の傾斜方向上側から液を供給する副ノズルとを備えたことを特徴とする基板処理装置である。
【０００５】
請求項１において、前記副ノズルは、前記処理液ノズルから供給する処理液と同じ処理液を供給するものであってもよい。
【０００６】
請求項１または２において、前記搬送機構により搬送される基板の位置をはさんで前記処理液ノズルと対向するように設けられ前記基板の他方の表面を覆う第２の覆い部材をさらに備えていてもよい。
【０００７】
請求項３において、前記第２の覆い部材の前記基板に近い位置に当接されて、当該基板の他方の表面に沿うように設けられたつば部を更に備えていてもよい。
【０００８】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記つば部は、前記覆い部材に対して移動自在に設けられていてもよい。
【０００９】
請求項５において、前記つば部は、前記覆い部材に対して開閉移動自在に設けられていてもよい。
【００１０】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記つば部は、前記覆い部材に対して着脱自在に設けられていてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る基板処理装置の第１実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面図である。この基板処理装置は、角型のガラス基板Ｗ（以下、単に基板Ｗと称する）を若干の傾斜姿勢として図中左から右へ向って水平方向にローラコンベア１で搬送しつつ、処理液として剥離液を供給して基板Ｗに対して剥離処理を施し、かつ当該処理後に純水を供給して洗浄処理する剥離装置である。この基板Ｗは、フォトレジストの被膜形成、露光、現像、エッチング等のプロセス処理を経て、その表面に剥離すべきフォトレジストの被膜が付着しているものである。なお、図示は省略しているが、さらにその後に基板Ｗに乾燥空気を供給するかまたは基板Ｗを回転させるなどして乾燥処理する乾燥処理部が、図１の右方に設けられる。この基板処理装置は、剥離液により処理を施す剥離処理部と、洗浄処理を施す洗浄処理部と、乾燥処理を施す乾燥処理部とからなるが、図１では剥離処理部Ｃと洗浄処理部Ｄのみを示す。
【００１２】
基板Ｗに対して剥離処理を施すための剥離処理室２および基板Ｗに対して洗浄処理を施すための洗浄処理室４は、室構成体３により区画形成される。また、室構成体３には、基板Ｗを剥離処理室２および洗浄処理室４へ搬入搬出するための開口５が形成され、その開口５を介して基板Ｗを剥離処理室２へ搬入し、さらに洗浄処理室４へ搬入し、洗浄処理室４から搬出するためのローラコンベア１が設けられている。ローラコンベア１は、基板Ｗを進行方向（図１中で右向き）に向って水平に対して右下がりになるように若干傾斜させた姿勢で支持し、その傾斜姿勢を保った状態で基板Ｗをその板面に沿って水平方向に搬送して、処理室外から剥離処理室２および洗浄処理室４を通過させて再度処理室外へ搬出する。
【００１３】
剥離処理室２内には、ローラコンベア１によって支持され搬送される剥離処理室２内の基板Ｗに対して処理液を低圧又は高圧で供給して処理を行なう処理ツール１０が２つ、基板搬送方向に縦列に設けられている。この処理ツール１０の詳細な構造については後述する。剥離処理室２において、剥離液タンク１８は剥離処理室２の下方の開口１５と配管接続され、開口１５から排出される剥離液は剥離液タンク１８に受け入れられて貯溜される。剥離液タンク１８には、貯溜している剥離液を所定温度に保つための温度調節機構１４が付設されている。また、剥離液タンク１８は、ポンプ１９、流量調整可能な開閉弁２２及びフィルタ２３を介して処理ツール１０に設けられているノズル５６に配管接続されている。ポンプ１９はインバータ２０の出力によって駆動され、インバータ２０の出力は制御装置２１によって制御される。ポンプ１９は、制御装置２１によってインバータ２０の周波数を制御することにより、ノズル１１側に向けた吐出圧力を低圧と高圧とに任意に切り替えて駆動制御可能となっている。これにより、処理ツール１０に設けられる上記ノズルは、ローラコンベア１上に支持された基板Ｗに対して剥離液を低圧又は高圧で供給可能となっている。
【００１４】
また、剥離処理室２内のローラコンベア１の両端近く、すなわち両方の開口５近くの位置にはローラコンベア１上の基板Ｗの有無を検出して信号を出力するセンサ１６、１７が設けられている。センサ１６、１７は制御装置２１に接続されており、基板Ｗがローラコンベア１上をセンサ１６、１７のところまで搬送されてくると、制御装置２１は当該センサ１６、１７からの出力信号によりそれを検知する。また、ローラコンベア１は後述のように制御装置２１によってその動作が制御されるが、ローラコンベア１のうち、特に剥離処理室２内に位置する部分には他の部分とは独立した駆動源として可逆転モータ（図示せず）が使用され、ローラコンベア１に乗せられて運ばれてきた基板Ｗを剥離処理室２内でセンサ１６とセンサ１７との間に設けられている２つの処理ツール１０内を周期的に往復移動させることができる。
【００１５】
洗浄処理室４には、剥離処理室２からローラコンベア１により運ばれてきた基板Ｗの上下両面に対して純水をスプレー状で供給して洗浄するためのノズル２４が、ローラコンベア１の上下に設けられている。純水供給源２９からの純水はポンプ３０によって加圧され、流量調整可能な開閉弁３１及びフィルタ３２を介してノズル２４に配管２６にて接続されている。なお、洗浄処理室４の上部には、周囲の下降気流を清浄にして取り入れるためのフィルタ３３が設けられている。また、洗浄処理室４の下部には、取り入れた下降気流を排出するとともに使用後の純水を排出するための開口３４が形成されている。
【００１６】
図２は処理ツール１０を示す斜視図、図３は処理ツール１０を示す図２中のＸ矢視図、図４は処理ツール１０を示す断面図である。処理ツール１０は、ローラコンベア１により搬送される基板Ｗの一方の表面すなわち上面を覆う第１の覆い部材５１と、その第１の覆い部材５１に対して基板Ｗの搬送位置をはさんで対向して基板Ｗの他方の表面すなわち下面を覆う第２の覆い部材５２とを備える。第２の覆い部材５２は後述するノズル５６と対向するように配置されており、各覆い部材５１、５２は、ローラコンベア１の幅方向に長く、搬送される基板Ｗの幅全体を覆う大きさとなっており、また各覆い部材５１、５２の基板Ｗと対向する面５１Ａ、５２Ａは、搬送される基板Ｗとほぼ平行になるよう形成されている。そして、第１の覆い部材５１と第２の覆い部材５２とは、その側面６０も閉塞されて、基板Ｗの入口６１と出口６２の部分および後述する排出口５３を除いてほぼ閉塞した容器５０を構成しており、ローラコンベア１によって搬送される基板Ｗはその容器５０を通過するように搬送される。
【００１７】
第１の覆い部材５１の上部に位置する前記面５１Ａの外側には、その幅方向略全体にわたって処理液供給パイプ５４が取り付けられている。処理液供給パイプ５４には、第１の覆い部材５１に覆われた状態となる基板Ｗの上面に対して処理液を供給するノズル５６が、基板Ｗの上面にそって複数設けられている。ノズル５６は前記面５１Ａに形成された開口５８を介して第１の覆い部材５１の内側に突出して基板Ｗの上面側にのぞんでいる。また、ノズル５６は、剥離液が高圧で供給されたときには基板Ｗに対しても高圧スプレー状で剥離液を供給する高圧スプレーノズルであるが、剥離液が低圧で供給されたときには、基板Ｗに対しても低圧スプレー状で供給するものである。容器５０内にはローラコンベア１を構成するローラが２つ設けられているが、ノズル５６はその吐出された処理液のスプレーの中心が、その２つのローラの間をほぼ通過するように設けられている。なお、図中１Ａはローラコンベア１のローラの軸である。また、ノズル５６としては、基板Ｗ幅方向の処理ムラが発生しないように、このように同じノズル５６を基板Ｗ幅方向に複数設けるか、あるいは基板Ｗ幅方向に長いものを使用することが好ましい。
【００１８】
前記容器５０の入口６１と出口６２の部分には、第１の覆い部材５１の基板Ｗ側端部すなわち下側端部に、搬送される基板Ｗの上面に沿うようにその基板Ｗと平行に張り出したつば部６４が取り付け固定されて設けられている。また、前記容器５０の入口６０と出口６１の部分には、第２の覆い部材５２の基板Ｗ側端部すなわち上側端部に、搬送される基板Ｗの下面に沿うようにその基板Ｗと平行に張り出したつば部６６が取り付け固定されて設けられている。さらに、前記容器５０の入口６０と出口６１の部分には、前述した搬送中の基板Ｗの傾斜方向の上側に、前記基板Ｗの上面とつば部６４との間に処理液を供給する副ノズル６８が設けられている。副ノズル６８は、つば部６４の張り出し長さ全体とほぼ同じ長さの吐出口を有してその張り出し長さ全体に渡って処理液を供給するスリットノズルよりなる。なお、剥離液タンク１８からノズル５６への処理液供給は、ポンプ１９や開閉弁２２、フィルタ２３を備えた液供給機構で行なっているが、剥離液タンク１８から副ノズル６８への処理液供給も、これと同様の液供給機構（図示省略）を別途独立して設けて行なっている。処理液供給パイプ５４には処理液供給用の供給口５５が、副ノズル６８には供給口６９がそれぞれ設けられる。また基板Ｗの傾斜方向下側の側面６０には、容器５０内を基板Ｗの傾斜に沿って流れてきた処理液を排出するための排出口５３が形成されている。
【００１９】
さて、制御装置２１は、上述したインバータ２０のほか、ポンプ３０や開閉弁２２、３１、ローラコンベア１等にも接続（図示省略）され、それらを制御することによって剥離液や純水の供給や基板の搬送などこの剥離装置全体の動作をつかさどる。特に、剥離処理室２内で剥離液を基板Ｗに供給する際において、制御装置２１は、基板Ｗが図中左から右方向に搬送されてセンサ１７の位置まで到達したことを検知するとその剥離処理室２内のローラコンベア１の駆動源を逆回転させ、こんどは基板Ｗを図中右から左方向に搬送する。そして、次に基板がセンサ１６の位置まで到達すると、今度は前記駆動源を正回転させることにより、基板Ｗを図中左から右方向に搬送する。制御装置２１がかかる制御動作を繰り返すことにより、基板Ｗを剥離処理室２内の所定の範囲で周期的に往復移動させることができ、その間に基板Ｗが処理ツール１０内を数回通過することにより処理が行われる。そして、かかる往復移動によって基板Ｗへの剥離処理室２での処理が終了すると、ローラコンベア１の前記駆動源を正回転させて基板Ｗをセンサ１７の位置を越えて図中右方向へ搬送し、洗浄処理室４へ送り込むことができる。
【００２０】
つぎにこの第１の実施形態の剥離装置の動作を説明する。まず第１工程として、剥離処理すべき基板Ｗがローラコンベア１によって搬送されてきて剥離処理室２へ搬入されたことがセンサ１６により検出されると、制御装置２１はポンプ１９を吐出圧力が低圧となるように駆動し、処理ツール１０の容器５０内にて搬送されつつある基板Ｗの上面に対してノズル５６から処理液すなわち剥離液を低圧でスプレー状に供給する。この第１工程においては、低圧で基板Ｗ上に供給された剥離液は、高圧で供給されたときのように基板Ｗ表面に衝突して跳ね返って周囲に飛散したりすることは比較的少なく、基板Ｗの表面に液の膜を形成し、基板Ｗの表面に付着している剥離されるべき被膜、すなわちフォトレジストの被膜と十分に接触し、当該被膜を膨潤させる。この第１工程は、かかる膨潤が十分に進行する所定時間の間継続され、その間、剥離液の低圧状態での供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。
【００２１】
この第１工程の際、容器５０内で基板Ｗの上面にスプレー状に供給された処理液の多くは、基板Ｗの傾斜に沿って下側に向って流れて基板Ｗの下側端縁から容器５０の下側に落ち、容器５０の側面６０に形成された図示しない排出口から容器５０外へ排出され、剥離処理室２内に落下して開口１５から排出される。このとき、入口６１、出口６２は開いたままであるが、第１の覆い部材５１にはつば部６４が形成されているため、容器５０内の基板Ｗより上側の空間と容器５０外とは基板Ｗの上面とつば部６４との間の狭く長い隙間７０を通じて連通している。もし仮に処理液のスプレー状の供給によって処理液ミストが容器５０内にて発生しても、ミストが上記の狭く長い隙間７０を通過しようとする際にミスト同士がぶつかって再水滴化しやすく、またその隙間７０近傍にある処理液の流れに引き寄せられてぶつかって液化しやすくなっている。また、容器５０内の基板Ｗの上面側の空間と下面側の空間とは、基板Ｗの側方端縁（上側端縁と下側端縁）の外側で連通しており、基板Ｗの上面側で発生したミストが下面側空間に回り込んで入口６１または出口６２から出てくるおそれがあるが、本実施形態では、基板Ｗよりも下側の第２の覆い部材５２にも、つば部６６を設けて、基板Ｗ下面との隙間をも狭くしているので、同様にミストが外に出にくくなっている。しかも、基板Ｗが処理ツール１０を通過して容器５０内に位置しない際には、ノズル５６から供給される処理液は直接に容器５０の下側の空間へ入ることになるが、この場合においても、ノズル５６からの処理液は第２の覆い部材５２で受けられ、かつ、つば部６４、６６で隙間が狭く長くなっているので、発生する処理液ミストが容器５０外へ出にくくなっている。したがって、これらによって、容器５０内で処理液ミストが発生しても、容器５０外に出にくくなっている。
【００２２】
さらにこの実施形態では、この第１工程実行時に、制御装置２１は２つの副ノズル６８からも処理液を吐出するようにその液供給機構を駆動させる。副ノズル６８から吐出された処理液すなわち剥離液は、基板Ｗがその処理ツール１０を通過する際に、つば部６４と対向している基板Ｗの表面を流れてその隙間７０をより狭くするか、またはその隙間７０を完全に満たして閉塞するように流れる。これにより、容器５０内で処理液ミストが発生しても、そのミストが容器５０外へ出て飛散するのを効果的に防止している。また、副ノズル６８から吐出する処理液はノズル５６から吐出している処理液と同じ剥離液であるので、処理に悪影響を与えることはない。なお、この副ノズル６８から吐出する液は、処理に不都合を与えないようにノズル５６と同じ種類のものとすることが望ましい。また、この副ノズル６８からの液の吐出は、処理の全期間吐出し続けるものでもよいし、基板Ｗが当該処理ツール１０の部分に位置しない場合には吐出を停止させてもよい。
【００２３】
そして、この第１工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２の図中右側端部まで搬送されてしまったときには、センサ１７により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラコンベア１の駆動源を逆回転駆動し、今度は基板Ｗを図中右から左方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を継続して実行する。第１工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２の図中左側端部まで搬送されてしまったときにも同様に、センサ１６により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラコンベア１の駆動源を正回転駆動し、今度は基板Ｗを図中左から右方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を継続して実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を周期的に往復移動し、その移動中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル５６から基板Ｗへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Ｗの全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置２１は内蔵しているタイマにより第１工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が経過すると第１工程を終了する。
【００２４】
剥離処理室２内で第１工程が終了すると、引き続いて第２工程が実行される。第２工程においては、制御装置２１はポンプ１９を吐出圧力が高圧となるように駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル５６から剥離液を高圧でスプレー状に供給する。この第２工程においては、基板Ｗ面上に剥離液が高圧で供給され、第１工程の間に十分に膨潤しているフォトレジストの被膜に剥離液が高圧で衝突することによる物理的衝撃力が加わることになり、被膜が効果的に剥離除去される。この第２工程は、被膜の剥離除去が十分に行われる所定時間の間継続され、その間、剥離液の高圧状態での供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。
【００２５】
また、この第２工程の際においても、制御装置２１は２つの副ノズル６８からも処理液を吐出するようにその液供給機構を駆動させる。副ノズル６８から吐出された処理液すなわち剥離液は、つば部６４と対向している基板Ｗの表面を流れてその隙間７０をより狭くするか、またはその隙間７０を完全に満たして閉塞するように流れる。この第２工程では、第１工程よりも高い圧力でノズル５６から処理液を供給するため、容器５０内で処理液ミストがより発生しやすいが、上述の第１工程において説明したのと同様に、つば部６４、６６が設けられており、かつ副ノズル６８からの処理液の吐出を行うことで、処理に悪影響を与えることなく処理液ミストの容器５０外への流出を効果的に抑制することができる。
【００２６】
また、この第２工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２のどちらかの端部まで搬送されてしまったときには、第１工程と同様に、センサ１６、１７により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１がローラコンベア１の駆動源の回転方向を制御することにより基板Ｗを剥離処理室２内で周期的に往復移動させ、剥離処理室２内で第２工程を継続して実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を移動中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル５６から基板Ｗへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Ｗの全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置２１は内蔵しているタイマにより第２工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が経過すると第２工程を終了する。第２工程が終了すると、制御装置２１はローラコンベア１を駆動して基板Ｗを洗浄処理室４へ送る。
【００２７】
洗浄処理室４内においては第３工程が実行される。第３工程においては、制御装置２１はポンプ３０を駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル２４から純水スプレー状に供給して洗浄処理する。この第３工程においては、基板Ｗの上面、下面に付着して残留している剥離液や、剥離されたフォトレジスト被膜の破片などが純水スプレーにより洗い流される。この第３工程は、基板Ｗが洗浄処理室４の図中右側の開口５から搬出されるまで行われる。
【００２８】
第３工程が終了して洗浄処理室４の図中右側の開口５から搬出された基板Ｗは、図示しない搬送装置により前記乾燥装置へ搬送され、第４工程が実行される。この第４工程においては、基板Ｗは周知の乾燥装置、例えば基板を回転させることによる回転式乾燥装置やエアを吹き付けることによるエアナイフ式乾燥装置によって乾燥処理される。乾燥処理後の基板Ｗは直ちに次工程に送られるか、あるいは所定の容器に格納される。
【００２９】
この第１実施形態の剥離装置では、傾斜姿勢の基板に対して覆い部材を設け、覆い部材につば部を形成するとともに、基板をつば部との間に基板の傾斜方向上側から液を供給する副ノズルを設けているので、簡単な構成で処理液ミストが飛散してしまうのを顕著に抑制でき、処理液がミストとして排気に混じって廃棄されてしまって消費されるのを有効に抑制でき、また処理液ミストが基板に対して悪影響を与えることもなくなる。
【００３０】
また、第１の覆い部材と第２の覆い部材とを設けるとともに、第１の覆い部材にはつば部を設けているので、処理ユニット内での基板の処理中でも、処理ユニット内に基板が位置しない際でも、処理液ミストが飛散するのを顕著に抑制できる。
【００３１】
またこの実施形態では、基板Ｗは剥離処理室内で処理に必要な時間だけ周期的に往復移動してその間に処理が行なわれるので、処理室の大きさや搬送速度にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理時間を容易に変更することができる。特にこの実施形態の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に変更して設定することができる。また、この実施形態の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出する処理とを一つの剥離処理室２で行なっており、装置が小型化できる。特にこの実施形態の装置では、ノズル５６やポンプ１９などの液供給機構１０を高圧吐出と低圧吐出の両方に共用しており、装置の小型化、低コスト化の効果が大きい。
【００３２】
図５はこの発明の第２の実施形態の基板処理装置である剥離装置の要部斜視図である。この第２の実施形態が第１の実施形態と異なるところは、基板Ｗを搬送するローラコンベア１が、基板Ｗを傾斜姿勢ではなく水平姿勢で搬送するものであることと、それに伴って、第１の実施形態における副ノズル６８を設けていないことである。その他の構成は第１の実施形態と同一であるので説明は省略する。
【００３３】
この第２実施形態においても、第１の覆い部材５１にはつば部６４が形成されているため、第１の実施形態と同様に、もし仮に処理液のスプレー状の供給によって処理液ミストが容器５０内にて発生しても、ミストがつば部６４と基板Ｗとの間の狭く長い隙間７０を通過しようとする際にミスト同士がぶつかって再水滴化しやすく、またその隙間７０近傍にある処理液の流れに引き寄せられてぶつかって液化しやすくなっている。また、本実施形態でも、基板Ｗよりも下側の第２の覆い部材５２にも、つば部６６を設けて、基板Ｗ下面との隙間をも狭くしているので、同様にミストが外に出にくくなっている。しかも、基板Ｗが処理ツール１０を通過してしまっていて容器５０内に位置しない際には、ノズル５６から供給される処理液は直接に容器５０の下側の空間へ入ることになるが、この場合においても、ノズル５６からの処理液は第２の覆い部材５２で受けられ、かつ、つば部６４、６６で隙間が狭く長くなっているので、発生する処理液ミストが容器５０外へ出にくくなっている。したがって、これらによって、容器５０内で処理液ミストが発生しても、容器５０外に出にくくなっている。
【００３４】
次に、上述した実施形態の装置の変形例について説明する。この変形例の説明においては、変形部分のみについて説明する。第１の変形例は、上述した第１および第２実施形態に共通するものである。図６は、第１の覆い部材５１に設けられるつば部６４と、第２の覆い部材５２に設けられるつば部６６とを、移動自在に取り付けた変形例を示す要部断面図である。ここではつば部６４、６６を覆い部材５１、５２に開閉移動自在に取り付けるために蝶番８０を使用している。そして、装置の使用時においては各つば部６４、６６を開いて基板Ｗの表面に沿うように位置させる。そして、装置のメンテナンス時や、装置の非常停止時に処理中であった基板Ｗを取り出すなどの作業を行なう場合などには、蝶番８０によって必要なつば部６４、６６を回動させて閉じた位置とすることで、ローラコンベア１上にある基板Ｗ等に容易に手が届き、処理ツール１０を装置から取り外すことなく容易に作業を行なうことができる。なお、この変形例では蝶番８０を使用して開閉するように移動自在に構成したが、これに限らず、例えばリニアガイド等を用いてつば部６４、６６を基板Ｗと平行なままで基板Ｗに対して近接または離間させるように移動させるなど、つば部６４、６６を覆い部材５１、５２に対して移動自在に取り付けることができるものであればどのような構造を用いてもよく、またすべてのつば部６４、６６を移動させる必要はなく、メンテナンスなどの作業で必要なものだけを移動させる構成でもよい。この変形例のように閉じた状態でつば部６４、６６が容器５０の外形に沿うように回動させる構成であれば、メンテナンスなどの作業のための空間を得やすい利点がある。
【００３５】
次に、第２の変形例について説明する。第２の変形例も、上述した第１および第２実施形態に共通するものである。図７は、第１の覆い部材５１に設けられるつば部６４と、第２の覆い部材５２に設けられるつば部６６とを、着脱自在に取り付けた変形例を示す要部断面図である。ここではつば部６４、６６を覆い部材５１、５２に開閉移動自在に取り付けるためにネジ９０を使用している。そして、装置の使用時においては各つば部６４、６６を基板Ｗの表面に沿うように位置させてネジ９０により覆い部材５１、５２に取り付ける。そして、装置のメンテナンス時や、装置の非常停止時に処理中であった基板Ｗを取り出すなどの作業を行なう場合などには、ネジ９０を取り外して必要なつば部６４、６６を取り外すことで、ローラコンベア１上にある基板Ｗ等に容易に手が届き、処理ツール１０を装置から取り外すことなく容易に作業を行なうことができる。なお、この変形例ではネジ９０を使用してつば部６４、６６を着脱自在に構成したが、これに限らず、例えば任意の嵌め合い構造をつば部６４、６６と覆い部材５１、５２に形成するなどにより、つば部６４、６６を覆い部材５１、５２に対して着脱自在に取り付けることができるものであればどのような構造を用いてもよく、またすべてのつば部６４、６６を着脱自在にする必要はなく、メンテナンスなどの作業で必要なものだけを着脱させる構成でもよい。
【００３６】
次に、第３の変形例について説明する。第３の変形例は、上述した第１実施形態についてのものである。第1の実施形態では図２に示すように容器５０の入口側と出口側のそれぞれに副ノズル６８を設けたが、この変形例では図８に示すようにそれらを一体化して、入口側のつば部６４の端部から容器５０の側面を通り出口側のつば部６４の端部にまで至る大きな副ノズルを設けている。この場合、つば部６４の部分以外の容器５０内の部分の基板Ｗ表面にも処理液の液膜が形成され、ノズル５６から供給される処理液とあいまって処理をよりよく進行させるとともに、つば部６４部分、特に基板Ｗの進行方向側のつば部６４部分の液の量を補充する役割も果たし、処理液ミストの容器５０外への飛散をより効果的に防止できる。
【００３７】
なお、以上のすべての実施形態において、容器５０を構成する第１の覆い部材５１、第２の覆い部材５２の基板搬送方向における幅Ｌ（図４）は、同じ方向における基板Ｗの幅よりも短い。また、入口６１側のつば部６４、６６の端部から出口６２側のつば部６４、６６の端部までの長さも、基板搬送方向における基板Ｗの幅よりも短い。これにより、基板Ｗの処理中にはつば部６４、６６と基板Ｗとが入口６１側と出口６２側の両方で有効に近接することになり、ミストの飛散防止に有効である。
【００３８】
また、第１の実施形態の装置でのローラコンベア１は、剥離処理室２や洗浄処理室４内で基板Ｗを若干の傾斜姿勢として搬送して処理するものであるが、このように若干の傾斜姿勢、例えば水平面に対して基板面が５度〜１０度程度の角度をなす傾斜姿勢で搬送するものとすることが、基板Ｗを水平姿勢で搬送して処理するものと比べ、以下の理由により望ましい。すなわち基板Ｗを例えば搬送方向にして対して左右いずれかに若干傾斜させて支持することにより、剥離されたフォトレジスト被膜の破片や汚れた剥離液、純水等がその傾斜にそって速やかに流れ落ちて基板Ｗ表面から除去されるので、基板Ｗをより清浄に保つことができるからである。
【００３９】
なお、上記第１および第２実施形態において、低圧での剥離液の供給とは、供給された剥離液が基板Ｗ上で被膜を膨潤させるのに十分な液膜を形成できる状態を実現できる程度であればよい。つまり、例えば供給された液のかなりの部分が基板Ｗへの衝突で跳ね返ってしまうような液の供給状態では、被膜を十分に膨潤させることはできないためである。また、高圧での剥離液の供給とは、膨潤している被膜を剥離除去させるのに十分な衝撃力を与えることができる程度であればよい。具体的な圧力は剥離しようとする被膜と基板Ｗとの密着の強さなどによって異なるが、例えば上記実施形態において、低圧供給の場合はノズルへの配管内の圧力で例えば１〜２ｋｇ／ｃｍ2程度の圧力、高圧供給の場合は同じく１０〜２０ｋｇ／ｃｍ2程度の圧力で行なっている。低圧供給の場合であれば、例えば基板Ｗの幅と同等以上の長さのスリット状の開口を有するノズルを用いて、基板Ｗ表面に沿うようなカーテン状の液流でほとんど基板Ｗに圧力を加えずに剥離液を供給するようなものでもよく、スプレー状に供給するものであれば、基板表面での打力を例えば２ｇ／ｃｍ2程度以下の圧力とすることが考えられる。また、高圧供給の場合は同じく基板表面での打力を５０ｇ／ｃｍ2程度以上の圧力とすることが考えられる。
【００４０】
また上記各実施形態では、基板処理装置として、処理液として剥離液を使用する剥離装置について説明したが、本発明は、現像装置、エッチング装置、洗浄装置など、処理液を使用して処理を行なう各種装置に適用することができる。
【００４１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１の発明によれば、傾斜姿勢で搬送される基板に対してその表面を覆う覆い部材と基板の表面に沿うつば部を設け、つば部と基板との間に液を供給する副ノズルを設けたので、覆い部材から処理液ミストが飛散するのを簡単な構成にて防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態である剥離装置の要部の概略構成を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態である剥離装置の要部を示す斜視図である。
【図３】図２における矢印Ｘ方向から見た矢視図である。
【図４】本発明の第１実施形態である剥離装置の要部を示す要部断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態である剥離装置の要部を示す斜視図である。
【図６】本発明の第１の変形例を示す要部断面図である。
【図７】本発明の第２の変形例を示す要部断面図である。
【図８】本発明の第３の変形例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
Ｗ・・・基板
１・・・ローラコンベア
２・・・剥離処理室
３・・・室構成体
１０・・・処理ツール
５１・・・第１の覆い部材
５２・・・第２の覆い部材
５６・・・ノズル
６４、６６・・・つば部
６８・・・副ノズル
８０・・・蝶番
９０・・・ネジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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