(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁性基板上に形成された複数の走査線および複数の補助容量線と、該走査線および補助容量線が形成された層とは異なる層に絶縁膜を介して配設され、前記走査線および補助容量線と互いに交差するように配列された信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線とが互いに交差して形成される各格子内ごとに配設された画素電極と、を備えた画素電極アレイ基板と、
前記画素電極アレイ基板に対向する対向電極が第２の絶縁性基板上に形成された対向基板と、
前記画素電極アレイ基板と前記対向基板との間に保持される光変調層とを備えた表示装置において、
平面的パターンが直角以下の鋭角に形成されており、前記走査線に帯電する電荷および前記補助容量線に帯電する電荷を隣り合う前記走査線と前記補助容量線との間に非接触で放電可能に対向する突起部が、前記走査線および前記信号線の両線が交差する部分を避けて、前記走査線および前記補助容量線からそれぞれ延伸して前記画素電極が配列された領域の外部の位置に形成された走査線用接続パッドの一角および補助容量線用接続パッドの一角、またはこれに接続された走査線検査用パッドの一角および補助容量線検査用パッドの一角であり、該一角どうしが互いに前記走査線に帯電する電荷および前記補助容量線に帯電する電荷を隣り合う前記走査線と前記補助容量線との間に非接触で放電可能に対向配置されている、表示装置。
【請求項２】
前記突起部の先端部における平面的形状が、３０度以上９０度以下の鋭角に形成されており、隣り合う突起部の先端どうしの間が１μｍ以上２０μ以下の距離を隔てて配置されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記光変調層が液晶層を含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
第１の絶縁性基板上に複数の走査線および複数の補助容量線を形成し、該走査線および補助容量線が形成された層とは異なる層に絶縁膜を介して前記走査線および補助容量線と互いに交差するように信号線を形成し、前記複数の走査線と前記複数の信号線とが互いに交差してなる各格子内ごとに画素電極を配設して画素電極アレイ基板を形成する工程と、前記画素電極アレイ基板に対して対向電極を第２の絶縁性基板上に備えた対向基板を対向配置し前記画素電極アレイ基板と前記対向基板との間に光変調層を挟持させる工程と、を有する表示装置の製造方法において、
平面的パターンが直角以下の鋭角で、前記走査線に帯電する電荷および前記補助容量線に帯電する電荷を隣り合う前記走査線と前記補助容量線との間に非接触で放電可能に対向する突起部が、前記走査線および前記信号線の両線が交差する部分を避けて、前記走査線および前記補助容量線からそれぞれ延伸して前記画素電極が配列された領域の外部の位置に形成された走査線用接続パッドの一角および補助容量線用接続パッドの一角、またはこれに接続された走査線検査用パッドの一角および補助容量線検査用パッドの一角であり、該一角どうしが互いに前記走査線に帯電する電荷および前記補助容量線に帯電する電荷を隣り合う前記走査線と前記補助容量線との間に非接触で放電可能に対向配置させて形成する工程を含む、表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記突起部の先端部における平面的形状を、３０度以上９０度以下の鋭角で且つ、隣り合う突起部の先端どうしの間が１μｍ以上２０μ以下の距離を隔てて配置されるように形成する工程を含む請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記光変調層が液晶層を含むように形成する工程を含む請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はアクティブマトリックス型液晶表示装置における走査線、信号線のような微細な配線構造を有する表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、表示装置の中でも、特に液晶表示装置においては、テレビ表示やグラフィックディスプレイ等を指向した大容量で高密度な表示装置の開発及び実用化が盛んに為されている。
【０００３】
液晶層を挟んで互いに対向して各画素を形成する電極の間に電圧を時分割的に印加し、液晶層を駆動し表示を行なう単純マトリックス型液晶表示装置のみならず、近年は、さらなる高精細、高機能の画像表示の実現を狙った表示装置として、ＭＩＭ（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ  ）ダイオードや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いたアクティブマトリックス型の液晶表示パネルを用いた表示装置の開発が進められ、実用化も為されている。
【０００４】
このアクティブマトリックス型液晶表示装置のような表示装置は、画像のコントラストが高く、画像信号に対する表示の高速応答性に優れ、クロストークのない高品質な画像表示が可能であることから、これらの特徴を生かして、テレビジョン用やＯＡ（オフィスオートメーション）用などのディスプレイデバイスとして多用されるようになってきており、その画素電極の配列ピッチは１００μｍ程度と微細なものとなってきている。しかもその画素数が約１００万画素という、超多画素数の表示装置の開発も進められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このようなアクティブマトリックス型液晶表示装置の普及を促進するためには、製造歩留まりを向上させることによって価格を下げることが必要である。
製造歩留まりを向上させる手段としては幾つかあるが、その主要な手法の一つとして、製造工程における電極または電極間の絶縁層の静電破壊に起因した表示不良欠陥の発生率の低減があり、静電破壊に対して従来から様々な対策が施されている。
【０００６】
そのような従来の静電破壊対策を施したアクティブマトリックス型液晶表示装置として例えばスイッチング素子に薄膜トランジスタを用いたものにおいて、ショートリングと呼ばれるリング状の導体パターンをアレイ基板の周辺部に配設することで、全ての走査線と補助容量線及び信号線を導通させる手法が知られている。
【０００７】
図１は製造工程の途中において、ショートリングが形成された状態の従来のＴＦＴアレイ基板の概略平面図を示す。図において、ガラス基板１０上には、複数の走査線１１とこれらの走査線１１の間に平行に補助容量線１２とが形成されている。この補助容量線１２の上にはマトリクス状に配列された複数の画素電極１３が補助容量線１２と絶縁されて設けられている。走査線１１と補助容量線１２とに夫々直交する方向には複数の信号線１４がこれらと絶縁されて形成される。これらの配線それぞれには、走査線検査電極１５、給電電極１６及び補助容量線検査電極１７が形成される。さらに走査線１１と補助容量線１２と信号線１４とは、アレイ基板の周辺部に形成されたショートリング１８により電気的に接続される。
【０００８】
このように、製造工程の途中において、全ての走査線１１と補助容量線１２及び信号線１４をショートリング１８によって導通させることで、製造されるアクティブマトリックス型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板は、ショートリング形成後に静電気を帯電しても、配線間に高い電位差が生じることを防ぐことができるので、静電破壊が生じない。
【０００９】
しかしながら、実際には、ショートリング形成前の工程において静電気の帯電が生じる場合も多く、このような場合にも、配線間に高い電位差が生じるため、ＴＦＴアレイ基板上にショートリング形成工程までに形成した配線構造物や絶縁膜などに静電破壊が生じてしまう。
【００１０】
例えば、図８に示したショートリング１８が形成される前の工程で、走査線１１、補助容量線１２及びそれら配線に接続された各検査電極１５、１７が形成される。この後に、他のパターンを形成するフォト・エッチングを行なうためのレジストを基板１０上に塗布した後、そのレジストの溶媒を蒸発させるために平面のステージ上で加熱が行なわれる。その加熱工程の後、例えば図９に示したように、複数の搬送ローラー２１を備えた搬送ベルト２２上で、ＴＦＴアレイ基板１０を、搬送ベルト２２から浮上させながら移動させて次の工程へと移送する。この浮上して移送させる際、ＴＦＴアレイ基板１０と搬送ベルト２２との間には剥離帯電により例えば数千ボルトの静電気が帯電される。この際に図８に示すように搬送ベルト２２に付属された金属アーム２３によってＴＦＴアレイ基板１０の搬送位置が修正されるが、このときに金属アーム２３とＴＦＴアレイ基板１０との接触によりにＴＦＴアレイ基板１０に蓄積されていた電荷が急激に金属アーム２３に向けて移動することに起因して、ＴＦＴアレイ基板１０の配線構造物や絶縁膜に静電破壊が生じる。
【００１１】
即ち、図１０に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の一部２４に数千ボルトのマイナスの静電気が帯電し、これに接している金属アーム２３が接地レベルに接続されていると、そのＴＦＴアレイ基板１０の帯電部分２４と金属アーム２３との間を帯電電荷が急激に移動する。
【００１２】
このとき、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０の帯電部分２４に近接した位置に配置された走査線１１ａや補助容量線１２ａ上の静電荷は、金属アーム２３との間に配置された走査線１１ｂを通過して層間絶縁膜などの絶縁膜内あるいは薄膜半導体層２６内を放電状態で急峻に移動する。ここで、図１０にはその後の工程で形成されるべき信号線１４ａの位置が２点鎖線で示されている。
【００１３】
この放電の結果、例えば図１１に示すように、走査線１１ａと金属アーム２３との間に放電が生じ、走査線１１ａの上に形成された絶縁膜２５および薄膜半導体層２６には、放電が発生した部分に沿ってその静電破壊によるピンホール状あるいは裂損状の損傷２７が生じる。このような損傷２７上に後の工程で例えば図１２に示す如く信号線１４ａが形成される場合には、損傷２７を通して信号線１４ａと走査線１１ａの配線どうしがショートするため、完成後の表示動作の際にこの部分に対応した画素列に線欠陥などの表示不良が生じる。
【００１４】
なお、上記のショートリングは表示動作を妨げるため、アレイ基板完成の後にすべて切り離す必要がある。また、ショートリング切り離し後は静電破壊による表示不良が生じることを防止できない。
【００１５】
さらに、上記のショートリングを用いる代わりに、走査線および信号線の入力端子の隣接部分を製造工程のときだけ互いに結合容量として形成することにより、配線部分の静電荷を放電させて絶縁破壊を防止する方法がある。しかしながらこの方法でも結合容量部分は、ショートリングと同様に、表示動作を妨げるため、アレイ基板完成の後にすべて切り離す必要があり、やはりその後の静電破壊による表示不良や製造コスト上昇の一要因となる。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、ショートリング形成前の工程やショートリング切り離し後においても帯電した静電気に起因した静電破壊を防いで、表示不良品の発生率を低減することによって製造歩留まりを向上させて、信頼性の高いアクティブマトリクス型の液晶表示装置のような表示装置を、良好な生産性で低コストに実現することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の表示装置は、第１絶縁基板上に互いにほぼ平行に配置された複数の第１電極配線と、前記第１電極配線に夫々スイッチ素子を介して電気的に結合されマトリクス状に配置される複数の画素電極とを含む第１電極基板と；第２絶縁基板上に配置され前記画素電極に対向する対向電極を含む第２電極基板と；前記画素電極と前記対向電極との間に保持される光変調層とを備え；隣接する前記第１電極配線の少なくとも一方は他方に向かって少なくとも１個の放電突起を有する。
【００１８】
また、本発明の表示装置は、第１の絶縁性基板上に互いに併設された複数の走査線および複数の補助容量線と、該走査線および補助容量線が形成された層とは異なる層に絶縁膜を介して配設され、前記走査線および補助容量線と互いに交差するように配列された信号線と、前記複数の走査線と前記複数の信号線とが互いに交差して形成される各格子内ごとに配設された画素電極と、を備えた画素電極アレイ基板と；前記画素電極アレイ基板に対向する対向電極が第２の絶縁性基板上に形成された対向基板と；前記画素電極アレイ基板と前記対向基板との間に保持される光変調層とを備えた表示装置において、平面的パターンを直角以下の鋭角に形成されており、前記走査線に帯電する電荷および前記補助容量線に帯電する電荷を隣り合う前記走査線と前記補助容量線との間に非接触で放電可能に対向する突起部が、前記走査線および前記信号線の両線が交差する部分を避けて前記走査線と前記補助容量線とにそれぞれ形成される。
【００１９】
また、前記突起部が、前記走査線および前記補助容量線から延伸して前記画素電極が配列された領域の外部の位置に形成された走査線用接続パッドおよび補助容量線用接続パッドまたはこれに接続された走査線検査用パッドおよび補助容量線検査用パッドに付設されている。
【００２０】
また、上記の表示装置において、前記突起部が、前記走査線用接続パッドの一角および前記補助容量腺用接続パッドの一角であり、該一角どうしが互いに前記走査線に帯電する電荷および前記補助容量線に帯電する電荷を隣り合う前記走査線と前記補助容量線との間に非接触で放電可能に対向配置されていることを特徴としている。
【００２１】
また、上記の表示装置において、前記突起部の先端部における平面的形状が、３０度以上９０度以下の角度の鋭角に形成されており、隣り合う突起部の先端どうしの間が４μｍ以上２０μｍ以下の距離を隔てて配置されていることを特徴としている。
【００２２】
また、本発明の表示装置の製造方法は、第１の絶縁性基板上に複数の走査線および複数の補助容量線を形成し、該走査線および補助容量線が形成された層とは異なる層に絶縁膜を介して前記走査線および補助容量線と互いに交差するように信号線を形成し、前記複数の走査線と前記複数の信号線とが互いに交差してなる各格子内ごとに画素電極を配設して画素電極アレイ基板を形成する工程と、前記画素電極アレイ基板に対して対向電極を第２の絶縁性基板上に備えた対向基板を対向配置し前記画素電極アレイ基板と前記対向基板との間に光変調層を挟持させる工程と、を有する表示装置の製造方法において、平面的パターンが直角以下の鋭角で、前記走査線に帯電する電荷および前記補助容量線に帯電する電荷を隣り合う前記走査線と前記補助容量線との間に非接触で放電可能に対向する突起部を、前記走査線および前記信号線の両線が交差する部分を避けて前記走査線と前記補助容量線とにそれぞれ形成する工程を含むことを特徴としている。
【００２３】
また、上記の製造方法において、前記突起部を、前記走査線および前記補助容量線からそれぞれ延伸して前記画素電極が配列された領域の外部の位置に形成された走査線用接続パッドおよび補助容量線用接続パッドまたはこれに接続された走査線検査用パッドおよび補助容量線検査用パッドに付設することを特徴としている。
【００２４】
一般に導体内の電荷分布は、その導体の外部との境界面における曲率半径の小さい部分あるいは平面的分布の場合はパターンの鋭角の小さい部分に集中する。従って、本発明に係る走査線及び補助容量線に形成された突起部の先端に、それら走査線及び補助容量線の電荷分布が集中する。この結果、互いに非接触で対向するパターンに配置された突起部どうしの間に強い電場が形成されて、それらの間で放電が生じ易くなる。
【００２５】
そして例えば配向膜のラビング配向処理の際などに走査線及び補助容量線に電荷が畜積されるが、この電荷が例えばＴＦＴアレイ基板の工程内移動時の搬送の際などに作業者の手や搬送用金属アームとの接触で急峻に移動する以前に、この突起部どうしの間で直ちに放電が行なわれる。そして他の部分では放電は防止される。さらには、この突起部の配置位置としては他層の導体パターンが形成されない位置に形成されているため、放電によって生じた絶縁膜の損傷等を介して導体パターンと走査線および補助容量線とがショートすることは無い。
従って、静電破壊による層間ショートに起因した表示不良品の発生を防ぐことができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る表示装置をアクティブマトリックス型液晶表示装置に適用した実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
図１はこの実施例により製造されたアクティブマトリックス型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の端部の一部を示す平面図であり、ここでは走査線と補助容量線のみが示されている。
【００２７】
ガラス基板のような透明な絶縁性基板３１上に、複数の走査線３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，…および複数の補助容量線３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ…が平行して交互に隣り合うように配列される。走査線３２ａ，３２ｂ，３２ｃには夫々走査線検査用パッド３４ａ，３４ｂ，３４ｃおよび先端部に走査線接続パッド３５ａ，３５ｂ，３５ｃが形成される。また、補助容量線３３ａ，３３ｂ，３３ｃ、３３ｄにはその先端部分に補助容量線接続用兼検査用パッド３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄが形成される。
【００２８】
隣り合った走査線検査用パッドと補助容量線接続用兼検査用パッドとの間，すなわち、パッド３６ａと３４ａ、３４ａと３６ｂ，３６ｂと３４ｂ，３４ｂと３６ｃ，３６ｃと３４ｃ，３４ｃと３６ｄそれぞれに、先端が６０度の鋭角のほぼ三角形で、互いに所定の距離を隔てて非接触で対向するパターンに形成された突起部３７ａ〜３７ｊが形成される。例えば、補助容量線接続用兼検査用パッド３６ｄの突起部３７ｌと走査線検査用パッド３４ｃの突起部３７ｍとは図６に示したように、先端部の間隔ｄが１〜３ミクロン程度に形成される。しかもこの先端部に向かってテーパ部Ｔが形成される。このテーパ部Ｔはあとで説明するように製造工程においてエッチングが行われる際に容易に形成できる。したがって、突起部３７ｌ，３７ｍの先端部分の対向面積は極めて小さく、この部分の容量結合はほとんど無視できる値となっている。この間隔ｄは数千ボルトの静電気の電圧により放電開始するが、液晶表示装置として完成後に印加される数十ボルトの動作電圧によっては全く放電が起こらないような寸法に設定される。なお図１の電極構造が形成された後、図２に示すように接続パッド部分を除いて絶縁層３８で被覆される。
【００２９】
この後、あとで説明するが、走査線３２ａ，３２ｂ，３２ｃや補助容量線３３ａ，３３ｂ，３３ｃ、３３ｄに対して絶縁膜を隔てて交差するように信号線が形成される。このように、この突起部３７ａ〜３７ｍは先端部が避雷針のように尖っているので、この先端部分に電荷が集中して放電が他の部位よりも発生し易くなっている。つまり、この部分で電極に溜まった数千ボルトの静電荷が放電されるので、後の工程で形成される画面領域の信号線（図示せず）と絶縁膜を隔てて交差する走査線３２ａ，３２ｂ，３２ｃや補助容量線３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの他の部位よりも電荷が集中して放電が発生し易くなっている。したがって、他の部分、例えば走査線３２ａ，３２ｂ，３２ｃや補助容量線３３ａ，３３ｂ，３３ｃ、３３ｄの本体の部分、例えば、走査線３２ａにおけるゲート電極Ｇに相当する画像表示部分では、それらの間やその上層または下層に絶縁膜を隔てて交差して形成される信号線に対して静電荷が絶縁膜を突き抜けて急激に放電するということが無い。したがって画像表示エリア内部で、そのような電荷の急激な移動に起因した絶縁膜の破損（ピンホール欠陥やその他の裂損のような絶縁膜の損傷）の発生を極めて効果的に解消することができる。
【００３０】
しかも、ＴＦＴアレイ基板の製造工程において、ショートリングが形成される以前に信号線が形成されるので、ショートリングが形成されていない段階では、走査線３２ａ，３２ｂ，３２ｃや補助容量線３３ａ，３３ｂ，３３ｃ、３３ｄと信号線とは未だショートリングで結ばれていない。従来はこの段階で走査線３２ａ，３２ｂ，３２ｃおよび補助容量線３３ａ，３３ｂ，３３ｃと信号線との間で蓄積された電荷の偏りが生じると、その電荷が急峻に走査線および補助容量線と信号線との間を移動して、絶縁膜の損傷が発生していた。しかし本実施例によれば、上記の如く突起部３７ａ〜３７ｍで電荷を放電させることができるので、特にショートリングが形成されていない段階における従来のピンホール欠陥やその他の裂損のような絶縁膜の損傷の発生を、極めて効果的に解消することができる。
【００３１】
前記したように、この突起部３７ａ〜３７ｍは静電的に蓄積された電荷のような数千ボルトの高い電圧の放電に対しては有効に作用する一方、一般に液晶表示装置の表示装置の駆動用に用いられる高々２０〜３０Ｖ程度で数ｍＡ程度の駆動電圧の印加に対しては、放電を生じることはない。また、突起部３７ａ〜３７ｍはほとんど容量結合もないので、液晶表示装置として完成した後でもこれらを基板から切り取る、あるいは除去する必要はない。従って、表示性能には何ら問題なく、高い歩留まりで製造できるとともに、製品として完成後にもＴＦＴアレイ基板上に突起部３７ａ〜３７ｍを残しておくことができるので、ＴＦＴアレイ基板あるいは表示装置の製品として完成した後にも、静電気の蓄積とその移動に起因した表示装置の不良（故障）発生を防ぐことができる。
【００３２】
以下、図１、図２に示した電極構造を有するアクティブマトリックス型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製造プロセスを図３の製造プロセスフローならびに図４ないし図６の製造プロセスの所定のステップにおける基板平面図に従って詳細に説明する。
【００３３】
先ず、図３により製造プロセスの全体の流れを説明する。最初のステップＳ１では用意された例えば０．７ｍｍ程度の薄いガラス基板上にゲート電極、走査信号線、補助容量線、突起部を含むこれらの配線の検査電極が形成される。図１、図２はこのステップＳ１における電極構成を示しており、ＴＦＴアレイ基板の全体としては図４に示したようになる。
【００３４】
すなわち、ガラス絶縁基板３１上にスパッタ法によりＭｏ−Ｗ（モリブデン−タングステン）合金膜を３００ｎｍ成膜した後これをフォト・エッチングにより所定の形状に加工して、走査線３２ａ〜３２ｍ、ゲート電極Ｇ、補助容量線３３ａ〜３３ｍ、及びそれぞれの配線に接続された走査線用検査電極３４ａ〜３４ｍ、補助容量線検査電極３６ａ〜３６ｍを形成する。
【００３５】
次に、図３のステップＳ２において図４に示した中間製品に対して、走査線３２ａ〜３２ｍ及び補助容量線３４ａ〜３４ｍのパターン検査、すなわち配線３２ａ〜３２ｍ，３４ａ〜３４ｍ各々のオープン或いはショート検査を行なった後、シリコン酸化膜、ＳｉＯｘからなるゲート絶縁膜を４００ｎｍ厚で形成し、続いて、ステップＳ３において、ＴＦＴのチャネル領域となる半導体層であるハイドロジェナイテッド・アモルファス・シリコン膜、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を５０ｎｍ厚で夫々ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で基板３１全体に順次成膜する。そしてステップＳ４で全体に窒化シリコン（シリコンナイトライド）膜、ＳｉＮｘからなるエッチング保護膜を同様にＣＶＤ法によって２００ｎｍ厚で成膜した後、このエッチング保護膜のみを所定の形状にフォト・エッチングにより加工する。
【００３６】
続いて、ステップＳ５でＣＶＤ法によりｎ＋型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を５０ｎｍ厚で成膜する。その後、ｎ＋型ａ−Ｓｉ：Ｈ膜と共にその下にある前記のａ−Ｓｉ：Ｈ膜を所定の形状に加工した後、ステップＳ６でＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）膜をスパッタ法で１００ｎｍ厚で被膜し、これをフォト・エッチングにより加工して、図５に示すようにそれぞれゲート電極Ｇに対応した位置に画素電極Ｐを形成する。
【００３７】
そして、ステップＳ７において、走査線用接続パッド３５ａ〜３５ｍおよび補助容量線用接続パッド３６ａ〜３６ｍそれぞれに各給電電極３５ａ１〜３５ｍ１，３６ａ１〜３６ｍ１を形成する。
【００３８】
続いて、ステップＳ８において図６に示したように、走査線３２ａ〜３２ｍ及び補助容量線３４ａ〜３４ｍに交差する方向でかつそれぞれゲート電極Ｇを挟んで画素電極Ｐに対応した位置に複数の信号線３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄ，３９ｅ，…を形成する。この際、同時にすべての配線、電極を取り囲むようにガラス基板３１の周囲に沿ってショートリング４０が形成される。さらに、図６に示したように、ゲート電極Ｇと画素電極Ｐとの間を接続するためにゲート電極Ｇが形成され、ゲート電極Ｇと信号線３９ａとを接続するためにソース電極Ｓが形成される。このショートリング４０は複数の信号線３９ａ〜３９ｂと電気的に接続されている。
【００３９】
そして最後に、前記の構造物の上ほぼ全面を覆うように配向膜（図示省略）を形成してアレイ基板４１を完成する。
さらに、このＴＦＴアレイ基板４１に液晶保持用の隙間を有して対向配置させる対向基板（図示省略）を、別のガラス絶縁基板上に共通電極としてＩＴＯ膜を１００ｎｍ成膜して対向膜を形成して作製し、この対向基板とＴＦＴアレイ基板４１とを両基板周囲に封止材兼接着剤を配置して貼り合わせて、その基板隙間に液晶層を注入し、アクティブマトリクス型液晶表示装置の主要部が完成する。
【００４０】
このような手法により、全ての走査線３２ａ〜３２と補助容量線３３ａ〜３３ｍとは互いに放電用の突起部を介して近接して形成し、信号線３９ａ〜３９ｅをショートリング４０によって導通させることで、製造されるアクティブマトリックス型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板４１はショートリング形成以前に静電気を帯電しても配線間に高い電位差が生じることを防ぐことができ、またショートリング除去後に静電気を帯電しても放電用の突起部を介して放電するので、静電破壊が生じない。
【００４１】
図７は図６に示した実施例の変形例の回路構成を示す。したがって説明を分かりやすくするために図６の実施例と対応する部分は同一または類似の参照符号を付してある。
【００４２】
図７において、この変形例では２本のショートリング４０Ａ、４０Ｂが互いに基板３１上で所定距離をおいて形成される。内側のショートリング４０Ｂは図６の実施例におけるショートリング４０に対応するもので、信号線３９ａは二つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で形成されたトランスファゲートＴＧ１を介してショートリング４０Ｂに接続される。同様に、走査線３２ａも二つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で形成されたトランスファゲートＴＧ２を介してショートリング４０Ｂに接続される。同様に、補助容量線３３ａもトランスファゲートＴＧ３を介してショートリング４０Ｂに接続される。
【００４３】
走査線３２ａはスイッチングトランジスタＴＦＴ１のゲートに接続され、スイッチングトランジスタＴＦＴ１のソースは信号線３９ａに接続され、ドレインは画素電極Ｐに接続される。画素電極Ｐの下方には補助容量線３３ａの幅広の容量形成部３３ａａが対応して設けられる。なお、走査線３２ａ、３２ｂ，補助容量線３３ａ、信号線３９ａはいずれもＯＬＢパッド（ｏｕｔｅｒ  ｌｅａｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ  ｐａｄ）４１に内側ショートリング４０Ｂの外側で接続される。ＯＬＢパッド４１の他の端は外側ショートリング４０Ａに接続される。
【００４４】
トランスファゲートＴＧ１，ＴＧ２、ＴＧ３はいずれもそのトランジスタのゲートにたとえば数百ボルトの電圧が印加されると導通するが、動作電圧程度の数十ボルトでは導通しないように設計されているので、製造工程の途中で静電気により高い電圧が生じると静電荷をショートリング４０Ｂに逃がす働きを持つ。したがってこのトランスファゲートＴＧ１，ＴＧ２、ＴＧ３は製造工程終了後に除去することなく製品中に組み込まれてもなんら差支えない。ただし外側のショートリング４０Ａは製造工程の最後に破線Ｃで示した位置でガラス基板３１をカットしてＯＬＢパッド４１のすぐ外側でカットされる。
【００４５】
なお、図６の実施例において、上記の突起部３７ａ〜３７ｎは駆動回路との接続をとるために基板３１の周辺部に形成された走査線接続パッド３５ａ〜３５ｍと補助容量線接続用兼検査用パッド３６ａ〜３６ｍとの間に付設してもよいことは言うまでもない。あるいは、走査線接続パッド３５ａ〜３５ｍや補助容量接続用兼検査用パッド３６ａ〜３６ｍそれぞれのコーナー部分を、上記の突起部３７ａ〜３７ｍと同様に直角以下の鋭角に形成するとともにそれらの互いの間の距離を上記の如く数μｍの範囲内で適宜に形成する。
【００４６】
なお、図６において、補助容量線接続用兼検査用パッド３６ａ〜３６ｍは、接続配線４３に対して絶縁膜に穿設されたコンタクトホール３６ａ１〜３６ｍ１を通して接続されている。
【００４７】
本発明の表示装置は、その製造工程を殆ど従来の工程から変更する必要がなく、突起部を上記のように巧妙な構造にパターン形成するだけでよいので、その製造も極めて簡易に行なうことができる。
【００４８】
なお、上記の突起部の先端テーパ部Ｔにおける平面的形状は、３０度以上９０度以下の角度の鋭角に形成することが望ましい。また、隣り合う突起部の先端どうしの間の距離は、１μｍ以上２０μｍ以下に形成することが望ましい。
【００４９】
上記実施例においては、本発明の技術を液晶表示装置に適用した場合の一実施例を示したが、本発明の適用はこれのみには限定されないことは言うまでもない。この他にも、例えばＥＬディスプレイやプラズマディスプレイなど、走査線と信号線とが絶縁膜を隔てて交差するように配置されており、それらに静電的に蓄積された電荷の移動に起因して従来は破損が生じていた表示装置に対して、特に好適である。
【００５０】
【発明の効果】
以上、詳細な説明で明示したように、本発明によれば、ショートリング形成前の工程やショートリング切り離し後においても帯電した静電気に起因した静電破壊を防いで、表示不良品の発生率を低減することによって製造歩留まりを向上させて、信頼性の高いアクティブマトリクス型の液晶表示装置のような表示装置を、良好な生産性で低コストに実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るアクティブマトリックス型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板上における放電突起部を中心として示す拡大平面図である。
【図２】図１に示した放電突起部の部分の断面構造を示す図。
【図３】図１の実施例に係る液晶表示装置の製造プロセスフローを示す図である。
【図４】この実施例の液晶表示装置の一つの製造工程におけるＴＦＴアレイ基板の概略平面図を示す図である。
【図５】この実施例の液晶表示装置の他の製造工程におけるＴＦＴアレイ基板の概略平面図を示す図である。
【図６】この実施例に係る液晶表示装置に用いられるさらに他の製造工程におけるＴＦＴアレイ基板の、ショートリングを切り離す以前の構造の概要を示す平面図である。
【図７】図６に示す製造工程におけるＴＦＴアレイ基板上のおけるショートリングと回路構成素子の配置関係を示す回路配置図。
【図８】従来のショートリングを用いた液晶表示装置の製造プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板の概略平面図を示す図である。
【図９】液晶表示装置の製造プロセスにおける搬送系上で、ＴＦＴアレイ基板が金属アームによって位置修正される状態を示す図である。
【図１０】ＴＦＴアレイ基板上に静電的に帯電した電荷が、金属アームの接触によりこれに向かって急峻に移動する状態を示す概念図である。
【図１１】従来の表示装置の製造工程において静電荷の放電によって絶縁膜が損傷して生じたピンホール欠陥を示す図。
【図１２】図１１に示したピンホール欠陥を通して走査線と信号線とがショート不良となった状態を示す図である。
【符号の説明】
３１…ガラス基板、
３２ｃ…走査線、
３３ｄ…補助容量線、
３４ｃ…走査線検査用パッド、
３６ｄ…補助容量線検査用パッド、
３７ｌ…放電用突起部、
３７ｍ…放電用突起部、
Ｔ…テーパ部、
ｄ…放電ギャップ。
３８…絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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