(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性基材と粘接着剤層とを有する複層構造からなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムからなる半導体用加工用シートであって、
該光透過性基材が、１〜１２ＭＰａの１０％伸張時引張強度と、２０％伸張で１８０秒間保持後に応力解放した際に７５％以上の基材長復元力を有し、かつ、
該粘接着剤層が、（Ａ）紫外線硬化型粘着成分と、（Ｂ）熱硬化型接着成分と、（Ｃ）可とう性マトリックス樹脂成分と、（Ｄ）紫外線を遮蔽する無機フィラーを有する樹脂組成物を含むものである半導体用加工用シート。
【請求項２】
（Ｃ）可とう性マトリックス樹脂成分が、液状アクリロニトリル・ブタジエン共重合体、ウレタンアクリレート、ポリオレフィン樹脂、シリコーンオイル、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂から選ばれた少なくとも１種以上である請求項１記載の半導体用加工用シート。
【請求項３】
（Ｃ）可とう性マトリックス樹脂成分が、ポリイミド樹脂である請求項１記載の半導体用加工用シート。
【請求項４】
（Ｃ）可とう性マトリックス樹脂成分が、シリコーン変性ポリイミド樹脂である請求項１記載の半導体用加工用シート。
【請求項５】
（Ｄ）紫外線を遮蔽する無機フィラーが、銀、酸化チタン、及び雲母の中から選ばれた少なくとも１種以上のフィラーである請求項１〜４記載の半導体加工用シート。
以上
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明に属する技術分野】
本発明は、半導体加工用シート、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。更に詳しくは、シリコン、ガリウム、ヒ素などの半導体ウェハーを加工する際に使用するウェハー加工用のダイアタッチフィルムに関するものであって、詳しくは加工時に不純物イオン、特に塩素イオン等の不純物の発生がない半導体ウェハー加工用ダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。
これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウェハーに粘着シートを貼付し、ダイシングにより、個々の半導体素子に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップのピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リードフレームあるいはテープ基板または有機硬質基板に、ダイボンディングする、半導体装置組立工程へ移送される。
【０００３】
このような半導体ウェハーのダイシング工程からピックアップ工程に至る工程まで使用される加工用粘着シートとしては、ウェハーに対して十分な接着力を有しており、ピックアップ時にはウェハーに粘着剤が付着しない程度の接着力を有するものが望まれている。
【０００４】
この問題を解決するために、ポリ塩化ビニルを基材フィルムとして使用するものが実用化されているが、最近の環境問題で焼却が難しいことや、ポリ塩化ビニル樹脂は塩素系樹脂であり、環境問題の原因となることがあった。
【０００５】
しかし、ダイシング工程において、基材フィルムの特性のチッピング性に与える影響は大きく、基材フィルムの引張り強度やエキスパンド性は、重要な要素である。
【０００６】
ピックアップする方法としては、紫外線に対し透過性を有する基材上に、紫外線硬化反応をする粘着剤層が塗布された粘着シートの粘接着剤層に、紫外線を照射し、粘接着剤層を重合硬化させ、粘着力を低下させることで、ピックアップする方法が知られている。
【０００７】
ピックアップされたＩＣチップは、ダイボンディング工程において、液状エポキシ接着剤などのダイアタッチ材を介して、リードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造されている。しかしながら、モバイル用などチップが小さい場合、適量の接着剤を塗布することが困難であり、チップから接着剤がはみ出したり、大容量用途向けの大きいチップの場合には、反対に接着剤量が不足するなど、十分な接着力を有することができないという問題点があった。また、接着剤の塗布工程は繁雑でもあり、プロセスを簡略化するためにも、改善・改良が要求されている。
【０００８】
この問題の解決のため、液状ダイアタッチ材の代わりにフィルム状接着剤をダイアタッチ材として使用することが提案され、一部では既に使用されているが、フィルム接着剤をダイに貼り合わせる装置、フィルム用ダイマウント装置が、新たに必要となり、工程の煩雑さ、さらには製造コストの上昇を招いている。従って、現状のインフラを使用したままでの、半導体組み立て工程の簡略化が要求されている。
【０００９】
かかる問題を解決する方法として、半導体ウェハー加工時のウェハー固定機能と、ダイボンディング工程のダイアタッチ機能とを、同時に兼ね備えたウェハー貼付用粘接着シートがある。すなわち、既存のダイシングフィルムのインフラを使い、ダイシングフィルムとダイアタッチフィルムを複合したフィルムを貼り合わせ、ダイシング後基材のみ、剥がしとり、ダイアタッチ材付きのダイを得ようとするものである。
【００１０】
この時、ウェハーに貼り合わせるフィルムは、ウェハーを粘着固定し、ダイシング終了後は、何らかの手段により、粘着力を減殺させることによって、分離することのできる基材フィルムと、ダイ側に残り、ダイアタッチフィルムとしての機能を担う粘接着フィルム部分を併せ持つことが必要である。粘接着層を伴ったダイは、リードフレームあるいは基板に搭載し、加熱すると粘接着層が接着力を発現し、ダイとリードフレームとの接着が可能となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
一方、従来からダイとリードフレームとの接着に用いられていた銀ペーストは、接着信頼性において大容量高密度化を目指す新たなＩＣパッケージ用途には不十分な点が多く、均一塗布性、接着性、応力緩和性に優れたダイアタッチ材が求められている。
【００１２】
また、上記ダイアタッチフィルムに用いられているフィルム接着剤は、特性
において、これら条件を満たすものの、フィルムをダイまたはウェハーに貼り合わせるために、新たな設備が必要となり、工程の繁雑さを増すと共に、製造コストの増加を招いている。
【００１３】
本発明は、前記従来の問題点を解決するためになされたものであって、ダイシングフィルムとダイアタッチフィルムの機能を併せ持つ半導体加工用シートに関するものであり、ダイシング時には、耐チッピング特性、及びクラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を有し、ダイマウント時には、接着剤としての機能を発現することができ、しかも、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、厳しい湿熱条件に耐えるダイアタッチフィルムとしての機能を有する半導体加工用シート、並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明らは、特定の特性を有する、紫外線に対し透過性を有するフィルム基材面上に、紫外線硬化型及び熱硬化型接着成分と、可とう性成分と、特定の無機フィラーとからなる粘接着剤を塗布した粘接着剤層を形成することにより、ダイシングシートとしての優れた機能を有し接着性に優れるダイアタッチフィルムからなる半導体加工用シートを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１６】
また、前記粘着剤層が、（Ａ）紫外線硬化型粘着成分と、（Ｂ）熱硬化型接着成分と、（Ｃ）可とう性マトリックス樹脂成分と、（Ｄ）紫外線を遮蔽する無機フィラーとを含む樹脂組成物からなり、４００ｎｍより短い波長の光線の透過率が２０％以下であることが好ましい。
【００１７】
また、前記無機フィラーが、銀、酸化チタン、雲母の中から選ばれた少なくとも１種以上のフィラーであることが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明に用いる光透過性基材は、１０％伸張時に引っ張り強度が１〜１２ＭＰａであり、２０％伸張で１８０秒間保持後に応力解放した際に基材長復元力が７５％以上である。１０％引っ張り強度が１ＭＰａ未満であると柔らかすぎてハンドリングが難しくなり、またチッピング性が悪く、チップをピックアップした後のシート上にウェハーの欠けが存在する。また１２ＭＰａを超えると硬すぎて伸びずエキスパンドが難しくなる。弾性回復率が７５％未満であると、エキスパンド後のタルミが多くなり、次の工程に移送する際にウェハーボックスに収納する際に収納できなかったり、あるいは収納されたウェハー同士が接したりして、汚染の原因になるという問題がある。
【００２１】
本発明において、光透過性基材の膜厚は、通常は２０〜２００μｍ程度が好ましく、より好ましくは２５〜１００μｍ程度である。
前記光透過性基材としては、ポリプロピレン樹脂と、一般式（１）で表されるポリスチレンブロックと一般式（２）で表されるビニルポリイソプレンブロックとからなるブロック共重合体との、混合物からなることが好ましい。これらの配合割合としては、ポリプロピレン樹脂が、好ましくは３０〜７０重量％、より好ましくは４０〜６０重量％であり、ブロック共重合体が、好ましくは７０〜３０重量％、より好ましくは６０〜４０重量％である。
【００２２】
本発明に用いる紫外線硬化型粘着成分（Ａ）としては、例えば、アクリル系化合物のようなビニル結合、もしくはアリル基等の二重結合を有する化合物（Ａ−１）および、光重合開始剤（Ａ−２）からなる粘着性成分が挙げられる。
【００２３】
アクリル系化合物（Ａ−１）としては、例えば、アクリル酸及びメタクリル酸エステルモノマー、もしくはアクリル酸またはメタクリル酸誘導体の共重合体が挙げられる。
【００２４】
アクリル酸またはメタクリル酸エステルとしては、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル等のアルキルエステル、ベンジルエステル、シクロアルキルエステル、ジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリ酸エチレングリコール、ジアクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジメタクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジアクリル酸１，１０−デカンジオール、ジメタクリル酸１，１０−デカンジオール等のジアクリル酸、ジメタクリル酸エステルなど２官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、トリアクリ酸ペンタエリスリトール、トリメタクリ酸ペンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アルキレート等が挙げられる。これらの内、アルキルエステルが好ましく、特に、エステル部位の炭素数が１〜１５のアクリル酸、メタクリル酸アルキルエステルが好ましい。
【００２５】
本発明に用いるアクリル系化合物（Ａ−１）においてモノマー以外の化合物の分子量は、好ましくは８万以上であり、特に好ましくは１５万〜５０万である。また、アクリル系化合物のガラス転移温度は、通常３０℃以下、好ましくは−５０〜０℃程度であり、室温近辺の温度領域で粘着性を示す化合物が良い。
【００２６】
また、アクリル酸又はメタクリル酸誘導体を構成単位とする共重合体としては、ビスフェノールＡ型やグリシジル型等の誘導体が挙げられるが、少なくとも１種類のアクリル酸またはメタクリル酸アルキルエステルと、ビスフェノールＡ型（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体が好ましい。また、２官能ジ（メタ）アクリル酸エステルと（メタ）アクリル酸グリシジルとの組み合わせも好ましい。
これらの場合、共重合体中におけるビスフェノールＡ型（メタ）アクリル酸から誘導される成分単位の含有率は、通常は５〜６５モル％が好ましく、より好ましくは１５〜６０モル％である。共重合体中に、ビスフェノールＡ型部位を導入することにより、熱硬化成分としてのエポキシ樹脂あるいはマトリクス樹脂との相溶性が向上し、また硬化後の共重合体のＴｇが高くなり耐熱性も向上する。
【００２７】
アクリル酸またはメタクリル酸エステルから誘導される成分単位の含有量は通常０〜５５モル％が好ましく、より好ましくは１０〜４０モル％である。またアクリル酸およびメタクリル酸アルキルエステルとしては例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル等が挙げられる。
また分子内にヒドロキシ基などの水酸基を有する紫外線硬化型樹脂のアクリル酸およびメタクリル酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着剤の特性を容易に制御することができる。
【００２８】
本発明に用いる紫外線硬化粘着成分には、更に、光重合開始剤（Ａ−２）を混在させることにより、紫外線照射時の硬化時間および光線照射量を減らすことができる。また、光透過性基材から剥離しダイアタッチフィルムとして使用するためにも必要不可欠な成分である。
【００２９】
このような光重合開始剤（Ａ−２）としては、具体的には２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンなどのベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
【００３０】
本発明に用いる紫外線硬化型粘着成分（Ａ）は、好ましくは上記成分（Ａ−１）〜（Ａ−２）からなり、それらの配合比は各成分の特性に応じて適宜に設定されるが、一般的には成分（Ａ−１）１００重量部に対して成分（Ａ−２）は０〜３０重量部が好ましく、より好ましくは５〜１５重量部程度で用いる。
【００３１】
本発明に用いる熱硬化型接着成分（Ｂ）は、紫外線照射により硬化しないが、加熱により熱硬化反応が進行し、三次元網目状化し、被着体である金属リードフレーム及びテープまたは有機硬質基板を強固に接着する。
このような熱硬化型接着成分（Ｂ）としては、一般的に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂と、それぞれに対して、適当な硬化促進剤とから形成されている。このような熱硬化型接着成分は、種々知られていおり、本発明では、特に制限されることなく、周知の種々の熱硬化型接着成分を用いることができる。この様な接着成分として、例えば、エポキシ樹脂（Ｂ−１）と熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ−２）との樹脂組成物を挙げることができる。
【００３２】
熱硬化型接着成分には、上記で挙げた成分のほかにも、エポキシオリゴマー（Ｂ−３）なども用いることができる。この化合物は、分子内に少なくとも１つのエポキシ基を有し、通常は分子量が１０００〜５００００、好ましくは３００〜１００００程度である。
【００３３】
エポキシ樹脂（Ｂ−１）としては、従来より、周知の種々のエポキシ樹脂が用いられるが、通常は、分子量３００〜２０００程度のものが好ましく、特に好ましくは、分子量３００〜８００の常温液状のエポキシ樹脂と、好ましくは分子量４００〜２０００、より好ましくは５００〜１５００の常温固体のエポキシ樹脂とをブレンドした形で用いるのが望ましい。
また、本発明に、特に好ましく使用されるエポキシ樹脂のエポキシ当量は、通常５０〜８０００ｇ／ｅｑである。
【００３４】
このようなエポキシ樹脂としては、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ポリエチレングリコール型エポキシ樹脂などを挙げることができる。これらは、１種単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００３５】
中でも、ビスフェノール型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂及びフェノールノボラック型エポキシ樹脂を用いることが特に好ましい。
【００３６】
本発明において、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ−２）としては、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である。
【００３７】
熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ−２）の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種（アニオンまたはカチオン）を生成する方法と、室温付近ではエポキシ樹脂と相溶、溶解し硬化反応を開始する方法と、モレキュラーシーブ封入するタイプの硬化剤で、高温で溶出して硬化反応を開始する方法と、マイクロカプセルによる方法などが存在する。
【００３８】
これら熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤は、１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。特に、上記の中でも、ジシアンジアミド、イミダゾール化合物あるいはこれらの混合物を用いることが好ましい。例えば、ビスＦ型エポキシ樹脂とイミダゾールの２−メチルイミダゾールにイソシアネートを付加させたものを組み合わせた熱活性型潜在性エポキシ樹脂がある。
【００３９】
本発明に用いる熱硬化型接着成分（Ｂ）において、上記の熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ−２）は、エポキシ樹脂（Ｂ−１）１００重量部に対して、通常０〜２０重量部が好ましく、より好ましくは５〜１５重量部の割合が、特に好ましく用いられる。
【００４０】
本発明に用いる可とう性マトリックス樹脂成分（Ｃ）は、粘接着剤の組成である紫外線硬化型粘着成分（Ａ）および熱硬化型接着成分（Ｂ）が、共に硬化した状態でも、可とう性を付与する成分で、熱可塑性樹脂や、エラストマー等が挙げられる。
【００４１】
上記の可とう性マトリックス樹脂成分は、可とう性マトリックス樹脂成分１００重量部に対して前記の熱硬化成分（Ｂ）が通常２０〜８０重量部が好ましく、より好ましくは３０〜５０重量部の割合で用いられる。
【００４２】
本発明に用いる可とう性マトリックス樹脂成分（Ｃ）のガラス転移温度Ｔｇとしては、好ましくは０℃〜１００℃程度、特に好ましくは２０℃〜８０℃程度である。また、可とう性マトリックス樹脂成分（Ｃ）の分子量は、好ましくは１００００〜７０００００程度、特に好ましくは２００００〜５０００００程度である。この可とう性成分（Ｃ）は内部架橋しているものも含む。
【００４３】
可とう性マトリックス樹脂成分（Ｃ）は、硬化後の粘接着剤層中に、均一に分散して粘接着層の脆質性を改善し、外部応力に対し抵抗を付与するようになる。また、可とう性マトリックス樹脂成分（Ｃ）は、熱硬化成分（Ｂ）中に、均一に分散または混合されていることが好ましく、このため微細粒子状であるか、トルエン、Ｎ−メチルピロリドン、アニソール、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル等の有機溶媒に可溶であることが望ましい。ここで用いられる有機溶媒としては、紫外線硬化型粘着成分（Ａ）や熱硬化型接着成分（Ｂ）を作用させることなく、フィルム加工するために、乾燥温度を低く設定できるアニソールが好ましい。
【００４４】
有機溶媒に可溶な可とう性マトリックス樹脂成分（Ｃ）を用いる場合でも、その硬化過程により、可とう性マトリックス樹脂成分（Ｃ）は、熱硬化型接着成分（Ｂ）と層分離し、構造的に２相系となるものが好ましい。この様な有機溶媒に可溶な可とう性マトリックス樹脂成分（Ｃ）としては、例えば、液状アクリロニトリル・ブタジエン共重合体、ウレタンアクリレート、ポリオレフィン樹脂、シリコーンオイル、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でもダイアタッチ材として使用するためには、耐熱性を有することで周知のポリイミド樹脂が、特に好ましい。
【００４５】
ポリイミド樹脂の中でも、アニソールに可溶なポリイミドとしてはシリコーン変性させたポリイミドが好ましく、分子中の約２０〜８０モル％シリコーン変性させることが好ましく、５０〜８０モル％が特に好ましい。
【００４６】
本発明に特に用いられるポリイミドのアニソール溶液は非常に安定に存在し、使用することができる。かとう性成分（Ｃ）、例えばこの溶液中のポリイミド樹脂１００重量部に対して紫外線硬化型粘着成分（Ａ）を２０〜８０重量部、特に好ましくは３０〜６０重量部添加し、同じくポリイミド樹脂１００重量部に対して熱硬化型接着成分（Ｂ）を２０〜８０重量部、特に好ましくは３０〜５０重量部添加する組み合わせにより粘着性、接着性及び耐熱性を発現させることができる。
【００４７】
上記のような変性樹脂の他に、エポキシ変性ＮＢＲ、ウレタン変性エポキシ樹脂、アクリル変性エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等があげられる。
【００４８】
本発明に用いる無機フィラー（Ｄ）は、粘接着剤層の４００ｎｍ以下における紫外線の光透過率を２０％以下にするものである。これは、本発明の半導体装置の製造方法において、半導体加工用シートの光透過性基材面に紫外線を照射する際に、粘接着剤層に必須の紫外線遮蔽効果を発現させ、粘接着剤層の光透過性基材との接触面のみを硬化させるものである。
【００４９】
紫外線遮蔽効果のある無機フィラー（Ｄ）としては、例えば金、銀、銅、酸かチタン、雲母、ニッケル、アルミ、ステンレス、カーボン、セラミック、銀被覆された導電性フィラー等が挙げられる。特に銀、酸化チタンが好ましい。また、熱伝導性の付与を目的として、同様の金、銀、銅、ニッケル、アルミ、ステンレス等の金属材料や合金などの熱伝導性物質を添加してもよい。これらの添加剤は、全粘接着剤１００重量部に対して５〜５０重量部が好ましく、特に好ましくは２０〜４０重量部の割合で配合されるのが良い。
【００５０】
本発明に用いる粘着性と接着性を有する樹脂組成物は、上記各成分を混合して得られ、その４００ｎｍより短い波長の光線における光透過率は２０％以下となるものである。
【００５１】
本発明の半導体加工用シートの製造方法としては、離型シート上に、上記成分からなる粘接着剤樹脂組成物を、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法にしたがって塗工し、乾燥させて粘接着剤層を形成し、離型シートを除去することによって得ることができる。
次いで、粘接着剤層の上に光透過性基材をラミネートすることで半導体加工用シートを製造することができる。更に、粘接着剤層の上に複数の粘接着剤層をラミネートしても良い。
【００５２】
このようにして形成される粘接着剤層の厚さは、通常は３〜１００μｍが好ましく、より好ましくは１０〜７５μｍである。上記のようにして得られた半導体加工用シートは、次のようにして使用される。
【００５３】
本発明の半導体装置の製造方法は、まず、シリコンウェハーの一方の裏面に本発明の半導体加工用シートの粘接着剤層を貼付した後、半導体加工用シートを介してダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のシリコンウェハーと半導体加工用シートとを切断してＩＣチップを得る。この際のシリコンウェハーと半導体加工用シートとの接着力は、通常、室温においても１００〜１５００ｇ／２５ｍｍが好ましく、より好ましくは５００〜１５００ｇ／２５ｍｍであり、半導体加工用シートの粘接着剤層と光透過性基材との接着力は、約１０００ｇ／２５ｍｍ以下である。
【００５４】
続いて、上記のようにして得られたＩＣチップに貼付した半導体加工用シートの光透過性基材面に、紫外線（中心波長＝約３６５ｎｍ）を照射する。通常、照度は２０〜５００ｍＪ／ｃｍ２、さらに照射時間は、５〜６００秒の範囲内に設定される。上記の紫外線照射の場合準じて、諸条件を設定することができる。
【００５５】
したがって、上記のように光透過性基材から紫外線照射を行うことにより、紫外線硬化型粘着成分（Ａ）が、光透過性基材との接触面のみ硬化し、半導体加工用シートの粘接着剤層と光透過性基材との接着力が、１００ｇ／２５ｍｍ以下に低下する。一方、シリコンウェハーと粘接着剤層との接着力は、紫外線照射前と変わらず、通常８０〜１５００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは５００〜１５００ｇ／２５ｍｍである。
【００５６】
したがって、上記のようにして紫外線照射を行うことにより、粘接着剤層からなるダイアタッチフィルムを、ＩＣチップの裏面に、固着残存させたままで、ダイを光透過性基材から剥離することができる。
【００５７】
このようにしてダイアタッチフィルムが、固着されているＩＣチップを、ダイアタッチフィルム面を、そのまま金属リードフレームや回路基板に搭載し、加熱・圧着することで、ダイボンディングすることができる。加熱・圧着の条件として、通常は、１００〜３００℃の加熱温度、１〜１０秒の圧着時間であり、好ましくは１００〜２００℃の加熱、１〜５秒の圧着時間である。つづいて、後処理に加熱にすることにより、粘接着剤層の熱硬化型接着成分を硬化させ、ＩＣチップとリードフレーム等を強固に接着させる。この場合の加熱温度は、通常は、１００〜３００℃程度、好ましくは１５０〜２５０℃程度であり、加熱時間は、通常は１分〜２４０分間、好ましくは１０分〜６０分間である。このような加熱により、熱硬化型接着成分が硬化し、ＩＣチップが、リードフレーム、回路基板等と、非常に強固に接着した半導体装置を得ることができる。
【００５８】
最終的に硬化した粘接着剤成分からなるダイアタッチフィルムは、高い耐熱性を有するとともに、該ダイアタッチフィルム中に含まれる、硬化に関与しない可とう性マトリックス樹脂成分、例えば耐熱性の高いポリイミド樹脂や液状アクリロニトリル・ブタジエン共重合体などが、分散しているため、硬化物の脆質性は低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、耐熱性を有する。
【００５９】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００６０】
（Ａ）紫外線硬化型粘着成分
〔（Ａ−１）（メタ）アクリル酸エステルモノマー〕１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（メーカー：共栄社化学（株））
〔（Ａ−２）光重合開始剤〕２，２−ジメトキシキ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（メーカー：チバガイギ（株））
【００６１】
（Ｂ）熱硬化型接着成分
〔（Ｂ−１）エポキシ樹脂〕
（Ｂ−１−１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：エピコート１００１、エポキシ当量：４６０ｇ／ｅｑ、メーカー：油化シェルエポキシ（株））
（Ｂ−１−２）クレゾールノボラックエポキシ樹脂（商品名：ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量：２００ｇ／ｅｑ、メーカー：日本化薬（株））
〔（Ｂ−２）熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤〕イミダゾール化合物（商品名：１Ｂ２ＭＺ、メーカー：四国化成）
【００６２】
（Ｃ）可とう性マトリックス樹脂成分
（Ｃ−１）シリコーン変性ポリイミド樹脂、詳しくは、ジアミン成分として１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（０．０９モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８３７）（０．２１モル）に対して、酸成分に４，４’−オキシジフタル酸二無水物（０．３０モル）を用いたアニソールに可溶なポリイミド樹脂を得た。分子量はＭｗ＝６００００である。
（Ｃ−２）フェノキシ樹脂（商品名：フェノエートＹＰ−５０Ｓ、分子量：５８０００、メーカー：東都化成（株））
【００６３】
光透過性基材は一般式（１）で示されるポリスチレンブロック（Ａ）と一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンブロック（Ｂ）とからなるブロック共重合体６０重量部とポリプロピレン４０重量部からなるクリアテックＣＴ−Ｈ８１７（クラレ製）を、押し出し機で厚さ１００μｍのフィルムにした。このフィルムの１０％伸長時引張り強度は４ＭＰａで２０％伸長で１８０秒間保持後の基材長復元力は９３％である。
【００６４】
（Ｄ）紫外線遮蔽無機フィラー
（Ｄ−１）鱗片状銀フィラー（メーカー：ＤＭＣ２ジャパン（株）、平均粒径：３〜６μｍ）
【００６５】
実施例１
表１に記載の割合で各成分を調合し、粘接着剤組成物を得た。この粘接着剤組成物を、ポリエチレンテレフタレート基材１００μｍに塗布し、乾燥し粘接着剤層を得た。この粘接着剤層に光透過性基材、ポリプロピレンフィルムの基材を合わせてラミネートすることで半導体加工用シートを作製した。
この半導体加工用シートに半導体ウェハーを貼り付け、固定保持しダイシングソーを用いてスピンドル回転数５０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード５０ｍｍ／ｓｅｃで５×５ｍｍ角のチップサイズにカット後、ダイアタッチ材の残着したチップを基材より剥離し、ダイシングシート及びダイアタッチフィルムとしての各項目の評価（表２）を行なった。
【００６６】
実施例２
各成分の配合割合を表１のように変更した。これ以外は、実施例１と同様の操作を行った。
【００６７】
比較例
各成分の配合割合を、表１のように変更した。これ以外は実施例１と同様の操作を行った。
【００６８】
【表１】
0003617639.tif 000002
【００６９】
【表２】
0003617639.tif 000003
【００７０】
実施例および比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
（１）  ダイシング後のチップの飛散
上記、実施例１にあるように半導体ウェハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにシート上から剥離するチップの個数を計測することにより評価した
チッピング特性
○：チップのかけの幅が最大で３０μｍ以下のもの。
△：チップのかけの幅が最大で３０〜５０μｍのもの。
×：チップのかけの幅が最大で５０μｍ以上のもの。
（２）  ピックアップ性
同じく実施例１のように半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイアタッチ材付きチップを基材シートから取り上げること（ピックアップ）ができるかを評価した。
○：ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
△：ダイシングしたチップの５０〜９０％がピックアップ可能なもの
×：ピックアップが５０％以下のもの
（３）  ダイアタッチフィルムとしての初期接着性
ダイアタッチ材付きＩＣチップを４２−アロイ合金のリードフレームに加熱温度１８０℃−接着圧力１ＭＰａ−接着時間１．０ｓｅｃの条件でダイボンディングし、そのまま未処理の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
（４）  吸湿後の接着性
上記（３）でダイボンディングした測定サンプルを８５℃／８５％相対湿度／１６８時間吸湿処理をした後、チップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
○：剪断強度が１ＭＰａ以上
△：剪断強度が０．５〜１．０
×：剪断強度が０．５未満
【００７１】
【発明の効果】
本発明によれば、紫外線硬化性と加熱硬化性とを有することでダイシングの際には、ダイシングシートとして使用することができ、ダイシングに関し優れたエキスパンド性を示し、かつ耐チッピング、クラック特性を示し、ＩＣチップ搭載の際にはチップとの接着剤として使用することができる半導体加工用シートが提供できる。また、これを用いた半導体装置は、これまでの液状エポキシ系のダイアタッチ材と同等または、それ以上の耐衝撃性、耐熱性を有する。