(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（２）
ＲｕmＸnＬpＡq                  (2)
（式中、Ｘは、ハロゲン原子であり；Ｌは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり；Ａは、トリエチルアミン（Ｅｔ3Ｎ）、又はジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）であり；ｍ，ｎ，ｐ及びｑは、整数であり；ＡがＥｔ3Ｎのとき、ｍは２、ｎは４、ｐは２、ｑは１であり；ＡがＤＭＦのとき、ｍは１、ｎは２、ｐは１、ｑは２乃至５である。）
で表されるルテニウムホスフィン錯体（Ｌは、ラセミ体である）；又は、一般式（３）
[ＲｕＸ(Ｄ)(Ｌ)]Ｘ              (3)
（式中、Ｘは、ハロゲン原子であり；Ｌは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり；Ｄは、ベンゼン、ｐ−シメン、１，３，５−トリメチルベンゼン、又はヘキサメチルベンゼンである。）
で表されるルテニウムホスフィン錯体（Ｌは、ラセミ体である）に、次の一般式（４）
【化１】
0003720235.tif 000023
（式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基であり；Ｒ2は、水素原子、メチル基、又はメトキシ基であり；Ｒ3は、水素原子、メチル基、メトキシ基、又は塩素原子であり；Ｒ4は、メチル基、メトキシ基、又はトリフルオロメチル基であり；或いは、Ｒ3とＲ4が一緒になってシクロ環を形成してもよい。）
で表される光学活性なキラルなジアミンを１／２等量反応させ、一方のエナンチオマーのみを不活性化した後、次の一般式（５）
【化２】
0003720235.tif 000024
（式中、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11及びＲ12は、水素原子、飽和或いは不飽和炭化水素基、アリ−ル基、ウレタン基、スルホニル基等であり；Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9及びＲ10は、これら置換基が結合している炭素が不斉中心となるように同じか若しくは異なる基であり、水素原子、アルキル基、芳香族単環及び多環式基、飽和或いは不飽和炭化水素基、及び環式炭化水素基であり；或いはＲ7又はＲ8とＲ9又はＲ10とが、一緒になって結合している炭素が不斉中心となるように脂環式基を形成してもよい。）
で表される光学活性のジアミン誘導体を反応させ、他方のエナンチオマーを活性化させることを特徴とする、次の一般式（１）
【化３】
0003720235.tif 000025
（式中、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｌ、及びＸは、前記と同義であり；＊は、光学活性を意味する。）
で表される光学活性ルテニウムホスフィン錯体（Ｌ*は、光学活性体である）の製造方法。
【請求項２】
一般式（２）
ＲｕmＸnＬpＡq                  (2)
（式中、Ｘは、ハロゲン原子であり；Ｌは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり；Ａは、トリエチルアミン（Ｅｔ3Ｎ）、又はジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）であり；ｍ，ｎ，ｐ及びｑは、整数であり；ＡがＥｔ3Ｎのとき、ｍは２、ｎは４、ｐは２、ｑは１であり；ＡがＤＭＦのとき、ｍは１、ｎは２、ｐは１、ｑは２乃至５である。）
で表されるルテニウムホスフィン錯体（Ｌは、ラセミ体である）；又は、一般式（３）
[ＲｕＸ(Ｄ)(Ｌ)]Ｘ              (3)
（式中、Ｘは、ハロゲン原子であり；Ｌは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり；Ｄは、ベンゼン、ｐ−シメン、１，３，５−トリメチルベンゼン、又はヘキサメチルベンゼンである。）
で表されるルテニウムホスフィン錯体（Ｌは、ラセミ体である）に、次の一般式（４）
【化４】
0003720235.tif 000026
（式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基であり；Ｒ2は、水素原子、メチル基、又はメトキシ基であり；Ｒ3は、水素原子、メチル基、メトキシ基、又は塩素原子であり；Ｒ4は、メチル基、メトキシ基、又はトリフルオロメチル基であり；或いは、Ｒ3とＲ4が一緒になってシクロ環を形成してもよい。）
で表される光学活性なキラルなジアミンを１／２等量反応させ、一方のエナンチオマーのみを不活性化したエナンチオマーの不活性化体を得た後、次の一般式（５）
【化５】
0003720235.tif 000027
（式中、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11及びＲ12は、水素原子、飽和或いは不飽和炭化水素基、アリ−ル基、ウレタン基、スルホニル基等であり；Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9及びＲ10は、これら置換基が結合している炭素が不斉中心となるように同じか若しくは異なる基であり、水素原子、アルキル基、芳香族単環及び多環式基、飽和或いは不飽和炭化水素基、及び環式炭化水素基であり；或いはＲ7又はＲ8とＲ9又はＲ10とが、一緒になって結合している炭素が不斉中心となるように脂環式基を形成してもよい。）
で表される光学活性のジアミン誘導体を反応させ、他方のエナンチオマーを活性化させることを特徴とする、次の一般式（１）
【化６】
0003720235.tif 000028
（式中、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｌ、及びＸは、前記と同義であり；＊は、光学活性を意味する。）
で表されるエナンチオマーの活性化体（Ｌ*は、光学活性体である）とエナンチオマーの不活性化体との混合物の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の製造方法で得られたことを特徴とするエナンチオマーの活性化体（Ｌ*は、光学活性体である）とエナンチオマーの不活性化体との混合物。
【請求項４】
触媒として請求項３記載のエナンチオマーの活性化体（Ｌ*は、光学活性体である）とエナンチオマーの不活性化体との混合物、塩基の存在下、一般式（６）
【化７】
0003720235.tif 000029
（式中、Ｒ13は、置換基を有してもよい単環又は多環の芳香族炭化水素基、若しくは炭素数２乃至１０のα，β−不飽和アルキル基であり；Ｒ14は、置換基を有してもよい炭素数１乃至１０の飽和又は不飽和の炭化水素基、若しくは置換基を有してもよい単環又は多環の芳香族炭化水素基であり；或いはＲ13とＲ14が、一緒になって環状ケトンを与える置換基を有してもよい飽和又は不飽和の脂環式基を形成してもよい。）
で表されるケトン化合物を不斉水素化させることを特徴とする下記一般式（７）
【化８】
0003720235.tif 000030
（式中、＊は、光学活性の意味であり；Ｒ13及びＲ14は、前記と同義である。）
で表される光学活性アルコールの製造方法。
【請求項５】
塩基が、アルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物である請求項４記載の光学活性アルコール化合物の製造方法。
【請求項６】
下記一般式（４’）
【化９】
0003720235.tif 000031
（式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基である。）
で表されるビナフチルジアミン誘導体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ラセミ体のルテニウムホスフィン錯体に、キラル不斉活性な光学活性ジアミンを１／２当量反応させ、一方のエナンチオマーを不活性化した後、残った他方の光学活性ルテニウムホスフィン錯体に、光学活性なジアミン誘導体を加え、光学活性なジホスフィンと光学活性なジアミン誘導体が配位したルテニウム錯体の製造方法、及びこれを利用する光学活性アルコール類の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
不斉反応触媒として、遷移金属原子と有機配位子とを構成成分とする錯体を利用することは、知られており、その有機配位子として、光学活性化合物を選択すること、とくに軸不斉のジホスフィン配位子化合物を選択することも知られている。しかしながら、この軸不斉のジホスフィン配位子化合物は非常に高価な場合が多く、工業的に用いるためには不利である。
【０００３】
ラセミ触媒を何らかの方法で活用できれば、安価で光学活性化合物が得られる有利な方法となりうる。ラセミ触媒を用いた不斉合成の手法には、（１）不斉不活性化剤を用いる方法、（２）不斉活性化剤を用いる方法の二つの方法が報告されている。
【０００４】
（１） “キラル触媒毒法”（chiral poisoning）とも呼ばれる「不斉不活性化法」では、ラセミ触媒の一方のエナンチオマーを選択的に錯形成／不活性化し、残ったエナンチオマー触媒で反応を行う。つまり、不斉不活性化の場合にはエナンチオマー選択的な錯形成が絶対的な必要要件となる。
これまでにラセミ体の不斉配位子又は金属錯体を前駆体として用いる不斉合成はいくつか報告されている。例えば、ラセミ体のＣＨＩＲＡＰＨＯＳ（２，３−ビスジフェニルホスフィノブタン）に光学的に純粋な（Ｓ）−体のイリジウム錯体を作用させ、（Ｒ）−体のＣＨＩＲＡＰＨＯＳとのコンプレックスを作り、残った（Ｓ）−体のＣＨＩＲＡＰＨＯＳをロジウム錯体としてデヒドロアミノ酸の不斉水素化反応に利用する報告がある（J.M.Brownら、J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1986年、1532頁）。また、ラセミ体のビナフトール−アルミニウム錯体に対しキラルなケトンを加え、（Ｒ）−体のビナフトール-アルミニウム錯体とコンプレックスを作ることにより不活性化し、残った（Ｓ）−体のアルミニウム錯体が、反応に関与することで、不斉Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応を行っている例がある（H. Yamamotoら、J. Am. Chem. Soc., 1989年、111巻、789頁）。さらに、ラセミ体のロジウム錯体に不活性化剤としてメチオニン由来のホスフィン配位子を加え一方のエナンチオマーを不活性化することによってデヒドロアミノ酸の不斉水素化を行った報告もある（J. W. Fallerら、J. Am. Chem. Soc., 1993年、115巻、804頁）。
これら三つの例では、不斉収率はそれほど高くなく、不活性化したエナンチオマー錯体が選択的に生成していないと考えられる。
【０００５】
（２）  ラセミ触媒の「不斉活性化」は、不斉活性化剤が、ラセミ触媒の一方のエナンチオマーを、選択的に錯形成して元の触媒よりも高い触媒活性を付与することによって、ラセミ触媒による触媒的不斉合成を行うものである。その際、エナンチオマー選択的な錯形成ができなくても、生成する２つの錯体、例えば（Ｓ）−触媒／（Ｓ）−活性化剤と（Ｒ）−触媒／（Ｓ）−活性化剤はジアステレオマーの関係にあり、当然、両者の触媒活性には差が見られるはずである。したがって、その差が大きい場合には、高い不斉収率を達成することも可能となる。
本発明者の一人である三上らの研究によれば、不斉活性化により、ラセミＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）−Ｒｕ触媒を用いても高い不斉収率を達成しうる触媒的不斉水素化反応が報告されている（T.Ohkumaら，J. Am. Chem. Soc., 1998年、120巻、1086頁）。その際、不斉活性化剤はラセミ触媒のいずれのエナンチオマーとも等しく錯形成し、２つの活性化ジアステレオマー錯体を生成した。しかし、ジアステレオマーの関係にあるこれら２つの活性化錯体は、ケトン基質によっては、大きな触媒活性の差を示し、高い不斉収率が達成される。しかしながら、２つの活性化錯体の触媒活性に大きな差が生じないと高い不斉収率が達成できないことと用いるケトン基質によって２つの活性化錯体の触媒活性の差が大きく異なってくるため、ケトン基質における一般性が低いといった問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ラセミ触媒に不斉活性化法と不斉不活性化法の２つを組み合わせ、両者のメリットを相乗的に活用すれば、それぞれ独立に用いるよりも、より効率的なラセミ触媒反応系を提供しうると考えた。つまり、もしラセミ触媒の一方のエナンチオマーのみを不活性化することによって他方のエナンチオマーからなる活性化ジアステレオマー錯体のみを得ることができれば、ラセミＢＩＮＡＰ−Ｒｕ触媒の不斉活性化法は、不斉収率がさらに向上し、そのケトン基質への適用範囲が拡大できるはずである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、ラセミＢＩＮＡＰ−Ｒｕ錯体の一方を不活性化剤で錯形成し不活性化した後、不斉活性化剤を加え残りのエナンチオマーと錯形成させ、光学的に純粋な触媒を不斉活性化した時と同じような高い不斉収率の達成を目指し、カルボニル化合物に対して水素化反応が進行して、光学活性アルコールが高い光学純度、且つ高収率で得られることを見いだし，本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、以下のとおりである。
１）  一般式（２）
ＲｕmＸnＬpＡq                (2)
（式中、Ｘは、ハロゲン原子であり；Ｌは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり；Ａは、トリエチルアミン（Ｅｔ3Ｎ）、又はジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）であり；ｍ，ｎ，ｐ及びｑは、整数であり；ＡがＥｔ3Ｎのとき、ｍは２、ｎは４、ｐは２、ｑは１であり；ＡがＤＭＦのとき、ｍは１、ｎは２、ｐは１、ｑは２乃至５である。）
で表されるルテニウムホスフィン錯体（Ｌは、ラセミ体である）；又は、一般式（３）
[ＲｕＸ(Ｄ)(Ｌ)]Ｘ                (3)
（式中、Ｘは、ハロゲン原子であり；Ｌは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり；Ｄは、ベンゼン、ｐ−シメン、１，３，５−トリメチルベンゼン、又はヘキサメチルベンゼンである。）
で表されるルテニウムホスフィン錯体（Ｌは、ラセミ体である）に、次の一般式（４）
【０００９】
【化１０】
0003720235.tif 000002
【００１０】
（式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基であり；Ｒ2は、水素原子、メチル基、又はメトキシ基であり；Ｒ3は、水素原子，メチル基，メトキシ基、又は塩素原子であり；Ｒ4は、メチル基、メトキシ基、又はトリフルオロメチル基であり；或いは、Ｒ3とＲ4が一緒になってシクロ環を形成してもよい。）
で表される光学活性なキラルなジアミンを１／２等量反応させ、一方のエナンチオマーのみを不活性化した後、次の一般式（５）
【００１１】
【化１１】
0003720235.tif 000003
【００１２】
（式中、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11及びＲ12は、水素原子、飽和或いは不飽和炭化水素基、アリ−ル基、ウレタン基、スルホニル基等であり；Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9及びＲ10は、これら置換基が結合している炭素が不斉中心となるように同じか若しくは異なる基であり、水素原子、アルキル基、芳香族単環及び多環式基、飽和或いは不飽和炭化水素基、及び環式炭化水素基であり；或いはＲ7又はＲ8とＲ9又はＲ10とが、一緒になって結合している炭素が不斉中心となるように脂環式基を形成してもよい。）
で表される光学活性のジアミン誘導体を反応させ、他方のエナンチオマーを活性化させることを特徴とする、次の一般式（１）
【００１３】
【化１２】
0003720235.tif 000004
【００１４】
（式中、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｌ、及びＸは、前記と同義であり；＊は、光学活性を意味する。）
で表される光学活性ルテニウムホスフィン錯体（Ｌ*は、光学活性体である）の製造方法。
【００１５】
２）  一般式（２）
ＲｕmＸnＬpＡq                  (2)
（式中、Ｘは、ハロゲン原子であり；Ｌは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり；Ａは、トリエチルアミン（Ｅｔ3Ｎ）、又はジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）であり；ｍ，ｎ，ｐ及びｑは、整数であり；ＡがＥｔ3Ｎのとき、ｍは２、ｎは４、ｐは２、ｑは１であり；ＡがＤＭＦのとき、ｍは１、ｎは２、ｐは１、ｑは２乃至５である。）
で表されるルテニウムホスフィン錯体（Ｌは、ラセミ体である）；又は、一般式（３）
[ＲｕＸ(Ｄ)(Ｌ)]Ｘ              (3)
（式中、Ｘは、ハロゲン原子であり；Ｌは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり；Ｄは、ベンゼン、ｐ−シメン、１，３，５−トリメチルベンゼン、又はヘキサメチルベンゼンである。）
で表されるルテニウムホスフィン錯体（Ｌは、ラセミ体である）に、上記一般式（４）
式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基であり；Ｒ2は、水素原子、メチル基、又はメトキシ基であり；Ｒ3は、水素原子、メチル基、メトキシ基、又は塩素原子であり；Ｒ4は、メチル基、メトキシ基、又はトリフルオロメチル基であり；或いは、Ｒ3とＲ4が一緒になってシクロ環を形成してもよい。）
で表される光学活性なキラルなジアミンを１／２等量反応させ、一方のエナンチオマーのみを不活性化したエナンチオマーの不活性化体を得た後、上記一般式（５） （式中、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11及びＲ12は、水素原子、飽和或いは不飽和炭化水素基、アリ−ル基、ウレタン基、スルホニル基等であり；Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9及びＲ10は、これら置換基が結合している炭素が不斉中心となるように同じか若しくは異なる基であり、水素原子、アルキル基、芳香族単環及び多環式基、飽和或いは不飽和炭化水素基、及び環式炭化水素基であり；或いはＲ7又はＲ8とＲ9又はＲ10とが、一緒になって結合している炭素が不斉中心となるように脂環式基を形成してもよい。）
で表される光学活性のジアミン誘導体を反応させ、他方のエナンチオマーを活性化させることを特徴とする、上記の一般式（１）（式中、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12，Ｌ、及びＸは、前記と同義であり；＊は、光学活性を意味する。）
で表されるエナンチオマーの活性化体（Ｌ*は、光学活性体である）とエナンチオマーの不活性化体との混合物の製造方法。
３）  上記第２）項記載の製造方法で得られたことを特徴とするエナンチオマーの活性化体（Ｌ*は、光学活性体である）とエナンチオマーの不活性化体との混合物。
４）  触媒として上記第３）項記載のエナンチオマーの活性化体（Ｌ*は、光学活性体である）とエナンチオマーの不活性化体との混合物、塩基の存在下、一般式（６）
【００１６】
【化１３】
0003720235.tif 000005
【００１７】
（式中、Ｒ13は、置換基を有してもよい単環又は多環の芳香族炭化水素基、若しくは炭素数２乃至１０のα，β−不飽和アルキル基であり；Ｒ14は、置換基を有してもよい炭素数１乃至１０の飽和又は不飽和の炭化水素基、若しくは置換基を有してもよい単環又は多環の芳香族炭化水素基であり；或いはＲ13とＲ14が、一緒になって環状ケトンを与える置換基を有してもよい飽和又は不飽和の脂環式基を形成してもよい。）
で表されるケトン化合物を不斉水素化させることを特徴とする下記一般式（７）
【００１８】
【化１４】
0003720235.tif 000006
【００１９】
（式中、＊は、光学活性の意味であり；Ｒ13及びＲ14は、前記と同義である。）で表される光学活性アルコールの製造方法。
【００２０】
５）  塩基が、アルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物である上記第４）項記載の光学活性アルコール化合物の製造方法。
６）  下記一般式（４’）
【００２１】
【化１５】
0003720235.tif 000007
【００２２】
（式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基である。）
で表されるビナフチルジアミン誘導体。
【００２３】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で用いられるルテニウムホスフィン錯体としては、一般式（２）
ＲｕmＸnＬpＡq                  (2)
（式中、Ｘは、ハロゲン原子であり；Ｌは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり；Ａは、トリエチルアミン（Ｅｔ3Ｎ）、又はジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）であり；ｍ，ｎ，ｐ及びｑは、整数であり；ＡがＥｔ3Ｎのとき、ｍは２、ｎは４、ｐは２、ｑは１であり；ＡがＤＭＦのとき、ｍは１、ｎは２、ｐは１、ｑは２乃至５である。）
で表されるルテニウムホスフィン錯体（Ｌは、ラセミ体である）；又は、一般式（３）
[ＲｕＸ(Ｄ)(Ｌ)]Ｘ                (3)
（式中、Ｘは、ハロゲン原子であり；Ｌは、第三級ホスフィンの二座配位子化合物であり；Ｄは、ベンゼン、ｐ−シメン、１，３，５−トリメチルベンゼン、又はヘキサメチルベンゼンである。）
で表されるルテニウムホスフィン錯体（Ｌは、ラセミ体である）が挙げられる。
第三級ホスフィンのＬとしては、具体的には、一般式（８）
【００２４】
【化１６】
0003720235.tif 000008
【００２５】
（式中、Ｒ15は、フェニル基、４−メチルフェニル基、３-メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基を示す。）
で表されるホスフィン化合物を挙げることができる（特開平３−２０２９０号公報、特開平３−２５５０９０号公報、特開平４−７４１９２号公報）。また、一般式（８）以外の化合物としては、一般式（９）
【００２６】
【化１７】
0003720235.tif 000009
【００２７】
（式中、Ｒ15は、フェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基を示す）
で表されるホスフィン化合物を挙げることができる（特開平４−１３９１４０号公報）。また、一般式（９）以外の化合物としては、一般式（１０）
【００２８】
【化１８】
0003720235.tif 000010
【００２９】
（式中、Ｒ15は、フェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基を示す）
で表されるホスフィン化合物を挙げることができる（特開平１０−１８２６７８号公報）。また、一般式（１０）以外の化合物としては、一般式（１１）
【００３０】
【化１９】
0003720235.tif 000011
【００３１】
（式中、Ｒ15は、フェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基を示し；Ｒ16は、水素原子、メチル基、メトキシ基を示し；Ｒ17は、水素原子、メチル基、メトキシ基、塩素原子を示し；Ｒ18は、メチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基を表す。）
で表されるホスフィン化合物を挙げることができる。光学活性三級ホスフィンとしては、Chem.Pharm.Bull.,1991年、39巻、1085頁に示される（４，４’，６，６’−テトラメチル−５，５’−ジメトキシビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）、（（４，４’，６，６’−テトラメチル−５，５’−ジメトキシビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニルホスフィン）が挙げられる。Synlett,1991年、827頁に示される（４，４’，６，６’−テトラトリフルオロメチルビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）、（４，６−ジトリフロロメチル−４’，６’− ジメチル−５’−メトキシビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）が挙げられる。Tetrahedron:Asymmetry, 1992年、3巻、13頁に示される２−ジシクロヘキシル−２’−ジフェニルホスフィノ−４，４’，６，６’−テトラメチル−５，５’−ジメトキシビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）が挙げられる。
【００３２】
さらに、用いることの出来る光学活性三級ホスフィンとしては、特公平４−１１５７９６号公報に開示されているものも挙げられる。例えば、（６，６’−ジメチル−２，２’−ビフェニレン）−ビス（ジフェニルホスフィン）、（４，４’，６，６’−テトラメチル−２，２’−ビフェニレン）−ビス（ジフェニルホスフィン）、（３，３’，６，６’−テトラメチル−２，２’−ビフェニレン）−ビス（ジフェニルホスフィン）、（４，４’−ジフルオロ−６，６’−ジメチル−２，２’−ビフェニレン）−ビス（ジフェニルホスフィン）、（４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−６，６’−ジメチル−２，２’−ビフェニレン）−ビス（ジフェニルホスフィン）、（６，６’−ジメチル−２，２’−ビフェニレン）−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィン）、（６，６’−ジメチル−２，２’−ビフェニレン）−ビス（ジ−ｏ−トリルホスフィン）、（６，６’−ジメチル−２，２’−ビフェニレン）−ビス（ジ−ｍ−フルオロフェニルホスフィン）、１，１１−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，７−ジヒドロジベンゾ［ｃ，ｅ］オキセピン等である。また、特開平３−５４９２号公報に開示されているものも挙げられる。例えば、（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）、（５，５’，６，６’−テトラメトキシビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）、（６，６’−ジメトキシビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィン）、（４，４’，５，５’，６，６’−テトラヘキサメトキシビフェニル−２，２’−ジイル）−ビス（ジフェニルホスフィン）等である。
【００３３】
また、一般式（１１）以外の化合物としては、一般式（１２）
【００３４】
【化２０】
0003720235.tif 000012
【００３５】
（式中、Ｒ19は、メチル基，エチル基，プロキル基又はイソプロピル基を示す。）
で表されるホスフィン化合物を挙げることができる。光学活性三級ホスフィンとしては、J. Am. Chem. Soc., 1993年、115巻、10125頁に示される１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジエチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジプロピルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジイソプロピルホスホラノ）ベンゼンが挙げられる。
【００３６】
また、一般式（１２）以外の化合物としては、ＣＨＩＰＡＰＨＯＳ（２，３−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン （１３）、ＰＲＯＰＨＯＳ（１，２−ビス−（ジフェニルホスフイノ）プロパン）（１４）、ＮＯＲＰＨＯＳ（５，６−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン）（１５）、ＤＥＧＰＨＯＳ（１−置換−３，４−ビス−（ジフェルホスフィノ）ピロリジン）（１６）、 ＢＤＰＰ（２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタン）（１７）、ＤＩＯＰ（２，３−ｏ−イソブロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン）（１８）、ＤＩＰＡＭＰ（１，２−ビス−[（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィノ]エタン）（１９）、ＢＰＰＨＦＯＨ（１−［１’− ビス−（ジフェニルホスフイノ）フェロセニル]エタノ−ル）（２０）、ＢＰＰＭ（１−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン）（２１） などがあげられる。
【００３７】
【化２１】
0003720235.tif 000013
【００３８】
また、本発明では、光学活性ジアミン化合物の光学不活性化剤を用いるが、次の一般式（４）
【００３９】
【化２２】
0003720235.tif 000014
【００４０】
（式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基であり；Ｒ2は、水素原子、メチル基、又はメトキシ基であり；Ｒ3は、水素原子，メチル基，メトキシ基、又は塩素原子であり；Ｒ4は、メチル基、メトキシ基、又はトリフロロメチル基であり；或いは、Ｒ3とＲ4が一緒になってシクロ環を形成してもよい。）
で表される光学活性なキラルなジアミン化合物を用いる。
例えば、光学活性の３，３’−ジメチル−２，２’−ジアミノ−１，１’−ビナフチル（２２）、
【００４１】
【化２３】
0003720235.tif 000015
【００４２】
光学活性の３，３’−ジメチル−２，２’−ジアミノ−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフチル（２３）、
【００４３】
【化２４】
0003720235.tif 000016
【００４４】
光学活性の３，３’，４，４’，６，６’−ヘキサメチル−２，２’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（２４）等が挙げられる。
【００４５】
【化２５】
0003720235.tif 000017
【００４６】
更に、本発明では、光学活性アミン化合物等の光学活性化剤を用いるが、
次の一般式（５）
【００４７】
【化２６】
0003720235.tif 000018
【００４８】
（式中、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9，Ｒ10，Ｒ11及びＲ12は、水素原子、飽和或いは不飽和炭化水素基、アリ−ル基、ウレタン基、スルフォニル基等であり；Ｒ7，Ｒ8，Ｒ9及びＲ10は、これら置換基が結合している炭素が不斉中心となるように同じか若しくは異なる基であり、水素原子、アルキル基、芳香族単環及び多環式基、飽和或いは不飽和炭化水素基、及び環式炭化水素基であり；或いはＲ7又はＲ8とＲ9又はＲ10とが、一緒になって結合している炭素が不斉中心となるように脂環式基を形成してもよい。）
で表される光学活性のジアミン化合物である。
【００４９】
例えば、光学活性の１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、１，２−シクロヘプタンジアミン、２，３−ジメチルブタンジアミン、１−メチル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−メチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−ベンジル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−メチル−２，９−ジナフチルエチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン、などの光学活性ジアミン化合物、およびＲ5乃至Ｒ12の置換基のうち１つないし２つともスルフォニル基或いはウレタン基である光学活性ジアミン化合物を例示することができる。これらジアミン化合物の使用量は遷移金属錯体に対し０．５〜２．５当量で、好ましくは１〜２当量の範囲である。
【００５０】
本発明の錯体を調製する際に使用する有機溶媒としては、ルテニウムホスフィン錯体と反応しにくいものであれば特に制限されるものではないが、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタンなどの非プロトン性溶媒などが好ましい。反応温度は、０℃から３０℃の範囲内に設定することができる。また反応時間は用いる有機溶媒、ルテニウムホスフィン錯体、不活性化剤（光学活性なキラルなジアミン（４））や活性化剤（光学活性のジアミン誘導体（５））により変動するが、通常、１０〜１８０分、好ましくは３０〜６０分とすることがよい。
【００５１】
本発明は、また、触媒として、前記記載の光学活性ルテニウムホスフィン錯体、塩基の存在下、一般式（６）
【００５２】
【化２７】
0003720235.tif 000019
【００５３】
（式中、Ｒ13は、置換基を有してもよい単環又は多環の芳香族炭化水素基、若しくは炭素数２乃至１０のα，β−不飽和アルキル基であり；Ｒ14は、置換基を有してもよい炭素数１乃至１０の飽和又は不飽和の炭化水素基、若しくは置換基を有してもよい単環又は多環の芳香族炭化水素基であり；或いはＲ13とＲ14が、一緒になって環状ケトンを与える置換基を有してもよい飽和又は不飽和の脂環式基を形成してもよい。）
で表されるケトン化合物を不斉水素化させることを特徴とする下記一般式（７）
【００５４】
【化２８】
0003720235.tif 000020
【００５５】
（式中、＊は、光学活性の意味であり；Ｒ13及びＲ14は、前記と同義である。）で表される光学活性アルコールの製造方法を提供するものである。
【００５６】
本発明方法の原料であるカルボニル化合物を示す一般式（６）中、Ｒ13及びＲ14で示される置換基を有していてもよい炭化水素基又は複素環式基としては、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基、単環若しくは多環の芳香族炭化水素基、単環若しくは多環の脂環式炭化水素基、単環若しくは多環の複素環式基が挙げられる。このうち、脂肪族炭化水素基としては飽和又は不飽和の直鎖又は分岐鎖の炭化水素基が挙げられ、より具体的には例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル等のアルキル基、ビニル、アリル等のアルケニル基が挙げられる。また、単環又は多環の芳香族炭化水素基としては、具体的にはフェニル基、２−メチルフェニル、２−エチルフェニル、２−イソプロピルフェニル、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、２−メトキシフェニル、２−クロロフェニル、２−ビニルフェニル、３−メチルフェニル、３−エチルフェニル、３−イソプロピルフェニル、３−メトキシフェニル、３−クロロフェニル、３−ビニルフェニル、４−メチルフェニル、４−エチルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、４−ビニルフェニル、クメニル、メシチル、キシリル、１−ナフチル、２−ナフチル、アントリル、フェナントリル、インデニル基等が挙げられる。また、単環又は多環の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基等が挙げられる。更に、単環又は多環の複素環式基としてはチエニル、フリル、ピラニル、キサンテニル、ピリジル、イミダゾリニル、インドリル、カルバゾイル、フェナントロリル等の複素環式基が挙げられる。これらの基に置換しうる基としては、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシル基等が挙げられる。更には上記の炭化水素基や複素環式基が相互に結合した基、例えばアラルキル基、フェロセニル基等も挙げられる。
【００５７】
Ｒ13とＲ14が隣接する炭素原子と一緒になって形成する脂肪族環としては、５〜１２員環の環状ケトン、例えばシクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロヘキセノン、シクロヘプテノン等が挙げられる。これら環状ケトンには、アルキル基、アルケニル基、芳香族炭化水素基、複素環式基、アルコキシル基等が置換していてもよい。
【００５８】
これらのうち、Ｒ13としては脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は複素環式基が特に好ましく、Ｒ14としては脂肪族炭化水素、特にアルキル基が好ましく、またＲ13及びＲ14が隣接する炭素原子とともに置換基を有していてもよい環状ケトンを形成する場合も好ましい。
【００５９】
また、塩基は、例えば、下記一般式（２１）
ＭＺ                        (21)
（Ｍはアルカリ金属或いはアルカリ土類金属を示し、Ｚはヒドロキシ基、アルコキシ基、メルカプト基、ナフチル基を示す。）で表される金属塩或いは４級アンモニウム塩とすることができる。また、具体的には、LiOH, LiOMe, LiOEt, LiOCH(CH3)2, LiOC(CH3)3, NaOH, NaOMe, NaOEt, NaOCH(CH3)2, NaOC(CH3)3, KOH, KOMe, KOEt, KOCH(CH3)2, KOC(CH3)3, KC10H8 等が例示される。更に第４級アンモニウム塩も利用できる。この塩基の使用量は遷移金属錯体に対して０．５〜１００当量であり、好ましくは２〜４当量である。
【００６０】
本発明においては、触媒として使用する一般式（１）の光学活性ルテニウムホスフィン錯体と塩基の２成分は、不斉水素反応が円滑に進行し、高い不斉収率を達成するためには必要不可欠の成分であり、１成分たりとも不足すると充分な反応活性で高い光学純度のアルコール体は得られない。なお、この発明では、液体溶媒として、反応原料、触媒系を可溶化するものであれば適宜なものを用いることができる。例として、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、塩化メチレンなどのハロゲン含有炭化水素溶媒、エ−テル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノ−ル、ブタノール、ベンジルアルコ−ルなどのアルコール系溶媒、アセトニトリル、ＤＭＦやＤＭＳＯなどヘテロ原子を含む有機溶媒を用いることができる。生成物がアルコールであることからアルコール系溶媒が最適である。さらにより好ましくは２−プロパノールである。反応基質が溶煤に可溶化しにくい場合は、上記溶媒から選択して混合溶媒として用いることができる。
【００６１】
溶媒の量は反応基質の溶解度および経済性により判断される。２−プロパノールの場合の基質濃度は、基質によっては１％以下の低濃度から無溶媒に近い状態で反応を行うことができるが、好ましくは２０〜５０重量％で用いることが望ましい。そして、本発明における水素の圧力は、本触媒系が極めて高活性であることから１気圧で十分であるが、経済性を考慮すると１〜１００気圧の範囲で、好ましくは３〜５０気圧の範囲が望ましいが、プロセス全体の経済性を考慮して１０気圧以下でも高い活性を維持することも可能である。
【００６２】
反応温度については、０℃〜１４０℃で行うことが好ましいが、３０℃〜１００℃の範囲内で反応を実施することもできる。また、反応時間は反応基質濃度、温度、圧力等の反応条件によりて異なるが、数分から１０時間で反応は完結する。本発明における反応は反応形式がバッチ式においても連続式においても実施することができる。
【００６３】
また、本発明は、下記一般式（４’）
【００６４】
【化２９】
0003720235.tif 000021
【００６５】
（式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基である。）
で表される新規なビナフチルジアミン誘導体を提供するものである。
ここで、ビナフチルジアミン誘導体（４’）中、Ｒ1で示される炭素数１乃至４の低級アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル基を挙げることができる。
【００６６】
本発明の（４’）は、例えば、次の方法の反応によって示される方法によって製造される。なお、この反応式は（４’）中、Ｒ1がメチルのものを例として取り出す。
【００６７】
【化３０】
0003720235.tif 000022
【００６８】
２−アミノナフトエ酸（Ｉ）を出発原料として、Red-Al（登録商標、ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウム水素化ナトリウムトルエン溶液）で還元して、３−メチル−２−ナフチルアミン（ＩＩ）とした後、FeCl3を用いて二量化反応を行って３，３’−ジメチル−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジアミン（ＩＩＩ）が得られる。このものを、光学活性なＲｕＬ*（光学活性ルテニウムホスフィン錯体、例えば、RuCl2[binap](dmf)n）を用いて光学分割することにより、光学活性な３，３’−ジメチル−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジアミン（ＩＶ）が得られる。
【００６９】
上記反応は、Ｒ1がメチルのもの以外の（４’）の化合物を得るためにも同様に利用できるものである。
このようにして得られる本発明の化合物（４’）は、ラセミ体のルテニウムホスフィン錯体の一方のエナンチオマーを不活性化する有用な化合物である。
【００７０】
【実施例】
以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。
なお、各物質の測定に用いた装置は次のとおりである。
1Ｈ核磁気共鳴スペクトル（以下1Ｈ−ＮＭＲと略す）：
ＧＥＭＩＮＩ３００型（３００ＭＨｚ）（バリアン社製）
13Ｃ核磁気共鳴スペクトル（以下13Ｃ−ＮＭＲと略す）：
ＧＥＭＩＮＩ３００型（７５ＭＨｚ）（バリアン社製）
旋光度計：ＤＩＰ−１４０型（日本分光株式会社）
高速液体クロマトグラフィー（以下ＨＰＬＣと略す)
ＬＣ−６Ａ、ＳＰＤ−６Ａ（島津製作所）
ガスクロマトグラフィー（以下ＧＣと略す）
Ｓｉｍａｄｚｕ  ＧＣ−１４Ｂ（島津製作所）
また、本文中で用いられる略語は下記の意味を表す。
（±）：ラセミ体
ｂｉｎａｐ：  ２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル
ｄｍ−ｂｉｎａｐ：  ２，２’−ビス［ジ（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル
ｄｍｆ：  ジメチルホルムアミド
ｄｐｅｎ：  １，２−ジフェニルエチレンジアミン
【００７１】
【実施例１】
３，３’−ジメチル−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジアミンの合成
１）  ３−メチル−２−ナフチルアミンの合成
アルゴン気流下で2-アミノナフトエ酸（８０％純度）12.1g(52mmol)をキシレン350mLにとかし、Red-Al（登録商標、ビス（2-メトキシエトキシ）アルミニウム水素化ナトリウムトルエン溶液）117mL (390mmol)を滴下した。150℃で6時間攪拌した後、反応混合物を冷却し、更にRed-Al 39mL (130mmol)滴下した。150℃で18時間攪拌した後、20%KOH水溶液を0℃で滴下した。反応混合物はCelite（登録商標）を用いて濾過し、濾液を1NKOH溶液で洗浄した。有機層は減圧下、溶媒を留去し濃縮した。残査はシリカゲルカラムクロマトで精製した（ヘキサン／酢酸エチル＝4／1〜3／1）。その後、ヘキサン−酢酸エチルを用いて再結晶化を行い3-メチル-2-ナフチルアミン6.1g（収率７５％）を得た。
1H NMR (CDCl3, 300 MHz)   2.36 (s, 3H), 3.79 (br, 2H), 7.01 (s, 1H), 7.22 (t, J = 7.5 Hz, 1H), 7.33 (t, J = 7.5 Hz, 1H), 7.55 (s, 1H), 7.59 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.65 (d, J = 8.1 Hz, 1H).
13C NMR (CDCl3, 75 MHz)   17.9, 108.6, 122.4, 125.3, 125.4, 127.0, 128.2, 128.7, 133.7, 143.4, 161.0.
【００７２】
２）  ３，３’−ジメチル−１，１’-ビナフチル−２，２’−ジアミンの合成  3-メチル-2-ナフチルアミン3.1g(20mmol)、FeCl36.5g(40mmol)とH2O 80mLを50℃で２時間攪拌した。室温で濃塩酸2mLを加え室温で10分間攪拌した。反応混合物に塩化メチレン20mL、飽和アンモニア水溶液20mL加え、室温で激しく攪拌した後、反応溶液をCelite上で濾過し、塩化メチレンで洗浄した。有機層は減圧下、溶媒を留去し濃縮した。残査は先ずFlorisil（登録商標、塩化メチレン）で精製した後、シリカゲルカラムクロマトで精製した（ヘキサン／酢酸エチル＝4／1〜3／1）。その後、ヘキサン−クロロホルムを用いて再結晶化を行い3,3’-ジメチル-1,1’-ビナフチル-2,2’-ジアミン0.76g（収率２４％）を得た。
1H NMR (CDCl3, 300 MHz)   2.45 (s, 6H), 3.45 (br, 4H), 7.01 (d, J = 8.1 Hz, 2H), 7.15 (t, J = 7.5 Hz, 2H), 7.22 (t, J = 7.5 Hz, 2H), 7.70 (s, 2H), 7.75 (d, J = 8.1 Hz, 2H).
13C NMR (CDCl3, 75 MHz)   18.4, 112.8, 122.4, 123.8, 125.2, 125.8, 127.3, 128.4, 128.9, 132.5, 142.1
【００７３】
３）  ３，３’−ジメチル−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジアミンの光学分割
アルゴン下、3,3’-ジメチル-1,1’-ビナフチル-2,2’-ジアミン0.73g(2.3mmol)とRuCl2[(S)-binap](dmf)n1.6g(1.7mmol)とを塩化メチレンに溶かした。室温で2時間攪拌した後、減圧下で溶媒を留去した。残査を中性のシリカゲルカラムクロマト（塩化メチレン）で精製したところ(R)-3,3’-ジメチル-1,1’-ビナフチル-2,2’-ジアミンが0.36g（４９％の収率）、(S)-BINAP-Ru/(S)-diamine錯体1.2g（４７％の収率）が得られた。(R)-3,3’-ジメチル-1,1’-ビナフチル-2,2’-ジアミンは塩化メチレン、ジエチルエーテル、ヘキサン中で再結晶化を行い９９％ｅｅの表題化合物を得た。
HPLC analysisof (R)-3 HPLC (CHIRALCEL OD-H column,  hexane/2-propanol =80 : 20, flow rate 0.7 mL/min, detection UV = 254 nm) tR of R-isomer 12.7 min , tR of S-isomer 20.3 min.
[α]D25 = +101.5 (c = 0.50, CHCl3)
(S)-BINAP-Ru/(S)-diamine錯体の1H NMR
1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ 1.84 (s, 6H), 3.95 (d, J = 9.6 Hz, 2H), 4.70 (d, J = 8.7 Hz, 2H), 6.25 (d, J = 8.7 Hz, 2H), 6.48 (d, J = 4.2 Hz, 8H), 6.67 (t, J = 7.2 Hz, 2H) , 6.77 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.02-7.20 (m, 8H), 7.29-7.39 (m, 8H), 7.48-7.55 (m, 4H), 7.69 (d, J = 16.8 Hz, 2H), 7.74 (d, J = 8.1 Hz, 2H), 8.01 (br, 4H), 8.18 (m, 2H).
【００７４】
【実施例２】
ラセミＤＭ−ＢＩＮＡＰ−Ｒｕ錯体の不斉不活性化と不斉活性化（RuCl2[(S)-dm-binap][(S,S)-dpen]の合成）
アルゴン気流下、シュレンク管に[RuCl2(C6H6)]2 25 mg(0.05 mmol)、ラセミDM-BINAP 77 mg(0.11 mmol)、DMF 1.8 mLを加え、100℃で10分間攪拌した。その後、溶媒を減圧下50℃で留去するとRuCl2[(±)-dm-binap](dmf)nが102mg（収率９７％）得られた。この錯体に(R)-3,3’-ジメチル-1,1’-ビナフチル-2,2’-ジアミン16.4mg(0.053mmol)と塩化メチレン1.8mLとを加えた。1時間攪拌した後、0℃に冷却し(S,S)-1,2-ジフェニルエチレンジアミン10mg(0.05mmol)を加えた。室温で10分攪拌した後、溶媒を減圧下で留去することにより、RuCl2[(S)-dm-binap][(S,S)-dpen]とRuCl2[(R)-dm-binap][(R)-3,3’-dimethyl-1,1’-binaphthyl-2,2’-diamine]との混合物が黄色の固体(128mg)として得られた。
【００７５】
【実施例３】
１’−アセトナフトンの不斉水素化反応
100mLのオートクレーブに実施例２で得られたRuCl2[(S)-dm-binap][(S,S)-dpen]とRuCl2[(R)-dm-binap][(R)-3,3’-dimethyl-1,1’-binaphthyl-2,2’-diamine] の混合物 11.7 mg(0.010 mmol)を入れ、アルゴン置換をした後、2-プロパノール 2.8mL,KOH/2-プロパノール(0.5 M solution) 50μL (0.025 mmol)を加え室温で30分攪拌した。1’-アセトナフトン 0.38 mL(2.5 mmol)を加えた後、水素圧0.8 Mpaとし，室温で4時間攪拌した。減圧下で溶媒を濃縮した後、シリカゲルを用いて濾過すると、(R)-1-(1-ナフチル)エタノールが420 mg （収率９８．７％）で得られた。不斉収率は９６．２％ｅｅであった。
[α]D28 = +75.5 (c = 1.0, CHCl3)
GC (column, CP-Cyclodextrin-β-2,3,6-M-19, i.d. 0.25 mm x 25 m, CHROMPACK; carrier gas, nitrogen (75 kPa); column temp, 160℃; injection temp, 190℃; split ratio, 100:1), tR of S-isomer 31.6 min, tR of R-isomer 32.7 min.
【００７６】
【実施例４】
(Ｒ)−１−フェニルエタノールの合成
原料を１’−アセトナフトンに変えてアセトフェノンの用いた以外は、実施例３と同様な条件で不斉水素化を反応を行った。変換率は１００％で、不斉収率は９４．８％ｅｅであった。
GC (column, CP-Cyclodextrin-β-2,3,6-M-19, i.d. 0.25 mm x 25 m, CHROMPACK; carrier gas, nitrogen (75 kPa); column temp, 105℃; injection temp, 135℃; split ratio, 100:1), tR of R-isomer 17.5 min (97.4%) , tR of S-isomer 19.3 min (2.6%).
【００７７】
【実施例５】
(Ｒ)−１−(２−トリル)エタノールの合成
原料を１’−アセトナフトンに変えて２−アセチルトルエンの用いた以外は、実施例３と同様な条件で不斉水素化を反応を行った。変換率は１００％で、不斉収率は９５．４％ｅｅであった。
GC (column, CP-Cyclodextrin-β-2,3,6-M-19, i.d. 0.25 mm x 25 m, CHROMPACK; carrier gas, nitrogen (75 kPa); column temp, 130℃; injection temp, 160℃; split ratio, 100:1), tR of R-isomer 19.2 min (97.7%) , tR of S-isomer 20.4 min (2.3%).
【００７８】
【実施例６】
(Ｒ)−１−(３−トリル)エタノールの合成
原料を１’−アセトナフトンに変えて３−アセチルトルエンの用いた以外は、実施例３と同様な条件で不斉水素化を反応を行った。変換率は１００％で、不斉収率は９５．０％ｅｅであった。
GC (column, CP-Cyclodextrin-β-2,3,6-M-19, i.d. 0.25 mm x 25 m, CHROMPACK; carrier gas, nitrogen (75 kPa); column temp, 115℃; injection temp, 145℃; split ratio, 100:1), tR of R-isomer 19.2 min (97.5%) , tR of S-isomer 20.4 min (2.5%).
【００７９】
【実施例７】
(Ｒ)−１−(４−トリル)エタノールの合成
原料を１’−アセトナフトンに変えて４−アセチルトルエンの用いた以外は、実施例３と同様な条件で不斉水素化を反応を行った。変換率は１００％で、不斉収率は９３．０％ｅｅであった。
HPLC (CHIRALCEL OB-H column, hexane/2-propanol = 90 : 10, flow rate 0.5 mL/min, detection UV = 254 nm) tR of S-isomer 12.4 min (3.5%), tR of R-isomer 14.6 min (96.5%).
【００８０】
【実施例８】
(Ｒ)−１−(２−ナフチル)エタノールの合成
原料を１’−アセトナフトンに変えて２’−アセトナフトンの用いた以外は、実施例３と同様な条件で不斉水素化を反応を行った。変換率は１００％で、不斉収率は９０．６％ｅｅであった。
HPLC (CHIRALPAK AS column, hexane/2-propanol = 98 : 2, flow rate 1.0 mL/min, detection UV = 254 nm) tR of R-isomer 14.5 min (95.3%), tR of S-isomer 16.2 min(4.7%).
【００８１】
【比較例１】
アルゴン気流下、シュレンク管に[RuCl2(C6H6)]2 25 mg(0.05 mmol)、ラセミBINAP 68 mg(0.11 mmol)，DMF 1.8 mLを加え、100℃で10分間攪拌した。その後、溶媒を減圧下50℃で留去するとRuCl2[(±)-binap](dmf)nが得られた。この錯体に(S)- 1,1’-ビナフチル-2,2’-ジアミン15.1mg(0.053mmol)と塩化メチレン1.8mLとを加えた。1時間攪拌した後、溶媒を減圧下で留去すると黄色の固体が得られた。
100mLのオートクレーブにRuCl2[(R)-binap] (dmf)nとRuCl2[(S)-binap][(S)-binaphthyldiamine] 11.7 mg(0.010 mmol)を入れ、アルゴン置換をした後、2-プロパノール 2.8mL,KOH/2-プロパノール(0.5 M solution) 50μL (0.025 mmol)を加え室温で30分攪拌した。1’-アセトナフトン 0.38 mL(2.5 mmol)を加えた後、水素圧0.8 Mpaとし、室温で4時間攪拌した。減圧下で溶媒を濃縮した後、シリカゲルを用いて濾過すると，(R)-1-(1-ナフチル)エタノールが228 mg （収率５３％）で得られた。不斉収率は４％ｅｅであった。
【００８２】
【比較例２】
アルゴン気流下、シュレンク管に[RuCl2(C6H6)]2 25 mg(0.05 mmol)、(S)-BINAP 68 mg(0.11 mmol)、DMF 1.8 mLを加え、100℃で10分間攪拌した。その後、溶媒を減圧下50℃で留去するとRuCl2[(S)-binap](dmf)nが得られた。この錯体に(S)- 1,1’-ビナフチル-2,2’-ジアミン15.1mg(0.11mmol)と塩化メチレン1.8mLとを加えた。1時間攪拌した後、溶媒を減圧下で留去すると黄色の固体が得られた。
100mLのオートクレーブにRuCl2[(S)-binap][(S)-binaphthyldiamine] 11.7 mg(0.010 mmol)を入れ、アルゴン置換をした後、2-プロパノール 2.8mL,KOH/2-プロパノール(0.5 M solution) 50μL (0.025 mmol)を加え室温で30分攪拌した。1’-アセトナフトン 0.38 mL(2.5 mmol)を加えた後、水素圧0.8 Mpaとし、室温で4時間攪拌した。減圧下で溶媒を濃縮した後、シリカゲルを用いて濾過すると、(R)-1-(1-ナフチル)エタノールが202 mg（収率４７％）で得られた。不斉収率は３０％ｅｅであった。
【００８３】
【発明の効果】
本発明によれば、ラセミ体のルテニウムホスフィン錯体に、光学活性なキラル不活性化剤を１／２当量反応させた後、光学活性のジアミン誘導体を反応させることで、光学活性ルテニウムホスフィン錯体を合成することが可能となる。
更に、該錯体を用いることで、高純度、高収率でかつ安価に工業的に有利な方法で、各種光学活性アルコール類の取得が可能になる。