(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水圧値を検出して水圧信号を発生する水圧センサーと、前記水圧センサーを駆動する駆動手段と、前記水圧センサーからの水圧信号をサンプリング処理し水深情報に変換する水深データ処理手段と、前記水深情報を表示するための表示手段と、２つのトランジスタを有し水または海水が接触していることを検出するための水検出手段と、前記水検出手段が接続される外部端子と、前記外部端子が絶縁部材によって固定される外装ケースと、サンプル信号を発生させるクロック発生手段とを有し、前記サンプル信号によってどちらか一方の前記トランジスタをＯＮさせた時に、他方の前記トランジスタをＯＦＦさせることにより、通常は前記外部端子を前記外装ケースと同電位とし、前記サンプル信号発生時は前記外部端子を前記外装ケースと異なる電位にプルダウンすることにより水または海水が接触していることを前記外部端子の電圧レベルによって検出することを特徴とする水深計付携帯電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、水深計測機能と、水または海水に触れたときにそれを検出する機能とを備えた携帯型電子機器に関し、その消費電力の低減に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、外装ケースに絶縁された外部端子を設け、この外部端子を抵抗で外装ケースと異なる電位に接続して、この部分が水に濡れると外装ケースと外部端子との間の電気抵抗が低下することを利用した水検出手段を持ち、自動的に水圧センサーを駆動して水深測定を開始するという提案が例えば実開昭６０−１８３８９５号公報においてなされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術では外装ケースと外部端子とが水に濡れいる間は常に外装ケースから水、外部端子、抵抗を介して電流が流れてしまい消費電力を増加させることになっていた。このため、電池の消耗を早め電池の交換が頻繁となり携帯電子機器としての利便性を損なうもとなっていた。
【０００４】
本発明の目的は、上記課題を解決し、消費電力の少ない水検出手段を有する水深計付携帯電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の構成は、水圧値を検出して水圧信号を発生する水圧センサーと、前記水圧センサーを駆動する駆動手段と、前記水圧センサーからの水圧信号をサンプリング処理し水深情報に変換する水深データ処理手段と、前記水深情報を表示するための表示手段と、水または海水が接触していることを検出するための水検出手段と、前記水検出手段が接続される外部端子とを有し、前記水検出手段は間欠動作し非動作中は前記外部端子を外装ケースと同電位にすることを特徴とする。
【０００６】
【実施例】
以下図面に基づき本発明の一実施例を詳述する。
図１は本発明による水深計付携帯電子機器の一実施例のブロック図である。１は水圧センサー、２は駆動手段であり、後述する水検出手段７のＤＦＦ７３の端子Ｑからの水検出信号が端子Ｓに入力されると、水圧センサー１を駆動する。水圧センサー１は駆動手段２により駆動され水圧値を検出して水圧信号を発生する。３は水深データ処理手段であり、水検出手段７のＤＦＦ７３の端子Ｑからの水検出信号が端子Ｓに入力されると、水圧センサー１からの水圧信号をサンプリング処理し水深情報に変換する。４は表示手段であり、水深データ処理手段３からの水深情報を表示する。１００は外装ケースであり、電圧レベルＶＤＤに接続されている。９は外部端子であり、外装ケース１００とは電気的に絶縁されて外装ケース１００の側面に形成されている。５はクロック発生手段であり、通常はＶＳＳレベルを出力しており、周期Ｔｓで間欠的にパルス幅ＴｐでＶＤＤレベルのサンプル信号Ｐｓを発生している。７は水検出手段であり、ＰｃｈＭＯＳトランジスタ（以下ＰＭＯＳと略す）７１、ＮｃｈＭＯＳトランジスタ（以下ＮＭＯＳと略す）７２、Ｄタイプフリップフロップ（以下ＤＦＦと略す）７３、プルダウン抵抗であるＲｄ７４により構成されている。ＰＭＯＳ７１はソースがＶＤＤレベルに、ドレインが外部端子９に、ゲートがクロック発生手段５に接続されている。ＮＭＯＳ７２はソースがＶＳＳレベルに、ドレインがＲｄ７４を介して外部端子９に、ゲートがクロック発生手段５に接続されている。ＤＦＦ７３は端子Ｄが外部端子９に、端子φがクロック発生手段５に接続されており、サンプル信号Ｐｓの立ち下がりに同期して外部端子９の電圧レベルを読み込み、読み込んだ電圧レベルがＶＤＤレベルとＶＳＳレベルの中間電圧レベルであるＶＨよりＶＤＤレベルに近い場合は端子Ｑより水検出信号を発生し、そうでない場合は水検出信号を発生しない。
【０００７】
図２は本発明による水深計付携帯電子機器の一実施例の上面図である。２００は絶縁部材であり、外装ケース１００の左側面に設けられた外部端子９と外装ケース１００の電気的絶縁を確保している。水圧センサー１は外装ケース１００の右側面に設けられており、また表示手段４は外装ケース１００の上面に設けられている。
【０００８】
図３は図２の外部端子付近の断面図である。外装ケース１００に空けられた横穴に、外部端子９が絶縁部材２００によって電気的絶縁を確保しつつ外装ケース１００に固定され、防水性をも確保している。
【０００９】
上記構成を有する、本発明による水深計付携帯電子機器の動作を図１、図４を用いて説明する。
図４は動作を説明するためのタイムチャートである。図４（イ）に示すようにクロック発生手段５は通常はＶＳＳレベルの電圧を出力しており、周期Ｔｓ毎に電圧がＶＤＤレベルでパルス幅ＴｐのサンプルクロックＰｓを出力している。クロック発生手段５の出力がＶＳＳレベルの場合、ＰＭＯＳ７１のゲートはＶＳＳレベルとなるためＰＭＯＳ７１はＯＮし、ＮＭＯＳ７２のゲートもＶＳＳレベルとなるためＮＭＯＳ７２はＯＦＦする。従って、外部端子９はＶＤＤレベルすなわち外装ケース１００と同じ電圧レベルとなる。次にクロック発生手段５からサンプル信号Ｐｓ出力された場合、ＰＭＯＳ７１のゲートはＶＤＤレベルとなるためＰＭＯＳ７１はＯＦＦし、ＮＭＯＳ７２のゲートもＶＤＤレベルとなるためＮＭＯＳ７２はＯＮする。従って、外部端子９はＶＳＳレベルにＲｄ７４を介してプルダウンされる。すなわち、外部端子９は通常は外装ケース１００と同じ電圧レベルＶＤＤになっており、周期Ｔｓでサンプル信号Ｐｓが発生した場合のみＲｄ７４でプルダウンされることになる。
【００１０】
潜水が開始される前の外部端子９と外装ケース１００が乾いている場合、サンプル信号Ｐｓが発生すると図４（ロ）に示すように、外部端子９は外装ケース１００と電気的に絶縁されているため、Ｒｄ７４とＮＭＯＳ７２によってＶＳＳレベルにプルダウンされ電圧レベルＶＨよりもＶＳＳレベルに近い電圧となる。ＤＦＦ７３はサンプル信号Ｐｓの立ち下がりで外装端子９の電圧レベルを読み込むがＶＨの電圧レベルよりもＶＳＳに近いため端子Ｑから水検出信号を発生しない。従って、駆動手段２および水深データ処理手段３は両方とも動作していない。
【００１１】
次に潜水が開始され外部端子９と外装ケース１００とが水に接触することによってＲｄ７４の抵抗値よりも低い抵抗値で導通したとする。この時、サンプル信号Ｐｓが出力されると図４（ハ）に示すように、外部端子９はＲｄ７４とＮＭＯＳ７２によってＶＳＳレベルにプルダウンされるが、前述したようにＶＤＤレベルである外装ケース１００と導通しているので、外部端子９の電圧レベルはＶＨの電圧レベルよりもＶＤＤレベルに近い電圧となる。ＤＦＦ７３はサンプル信号Ｐｓの立ち下がりで外装端子９の電圧レベルを読み込み、ＶＨの電圧レベルよりもＶＤＤレベルに近いため端子Ｑから水検出信号を発生する。従って、駆動手段２および水深データ処理手段３は両方とも動作を開始する。駆動回路２によって駆動された水圧センサー１は水圧信号を水深データ処理手段３に出力し、該水深データ処理手段３は水圧信号をサンプリングし水深情報に変換し、表示手段４に表示する。
【００１２】
潜水が終了すると、外部端子９と外装ケース１００とを導通していた水が無くなり、外部端子９と外装ケース１００とは再び電気的に絶縁され、従って上記潜水が開始される前の状態となる。水検出手段７からは水検出信号は出力されなくなり、駆動手段２と水深データ処理回路は動作を停止する。
【００１３】
【発明の効果】
外部端子は通常外装ケースと同電位であるためこの間が水で濡れても電流は流れず、電流が流れるのは周期Ｔｓで幅Ｔｐのサンプル信号Ｐｓが発生した時であるため、外部端子と外装ケースとの間に流れる電流を、従来のＴｐ／Ｔｓに抑えることができる。周期Ｔｓに対して幅Ｔｐを十分に小さく設定することで、この電流をほとんど無視できるまでに抑えられる消費電力の少い水検出手段が実現できる。従って、電池の消耗を抑えて電池寿命を長くすることができ電池交換の頻度を低くすることで、より利便性の高い水深計付携帯電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による水深計付携帯電子機器の一実施例のブロック図である。
【図２】本発明による水深計付携帯電子機器の一実施例の上面図である。
【図３】図２の外部端子付近の断面図である。
【図４】本発明による水深計付携帯電子機器の一実施例の動作を説明するためのタイムチャートである。
【符号の説明】
１  水圧センサー
２  駆動手段
３  水深データ処理手段
４  表示手段
５  クロック発生手段
７  水検出手段
９  外部端子
１００  外装ケース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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