(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液により基板に対して所定の処理を行う基板処理部と、
前記基板処理部へ処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段と連通し、かつ処理液を生成する処理液生成部と、
薬液を流す薬液用配管を介して前記処理液生成部と連通している薬液供給部と、
第１純水供給源及び前記処理液生成部と連通する第１純水用配管を有し、前記第１純水用配管を介して、前記第１純水供給源から前記処理液生成部へ第１温度である第１純水を流す第１純水供給部と、
第２純水供給源及び前記第１純水用配管と連通する第２純水用配管を有し、前記第２純水用配管を介して、前記第２純水供給源から前記第１純水用配管へ第１温度より高温の第２温度である第２純水を流す第２純水供給部と、
前記薬液用配管に設けられ、前記薬液供給部から前記処理液生成部へ供給される薬液の供給量を調整する薬液用供給調整手段と、
前記第２純水用配管に設けられ、前記第２純水供給部から前記第１純水用配管へ供給される第２純水の供給量を調整する第２純水用供給調整手段と、
前記処理液生成部において薬液及び第２純水により処理液を生成させるように、前記薬液用供給調整手段及び前記第２純水用供給調整手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
処理液により基板に対して所定の処理を行う基板処理部と、
前記基板処理部へ処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段と連通し、かつ処理液を生成する処理液生成部と、
薬液を流す薬液用配管を介して前記処理液生成部と連通している薬液供給部と、
第１純水供給源及び前記処理液生成部と連通する第１純水用配管を有し、前記第１純水用配管を介して、前記第１純水供給源から前記処理液生成部へ第１温度である第１純水を流す第１純水供給部と、
第２純水供給源及び前記処理液生成部と連通する第２純水用配管を有し、前記第２純水用配管を介して、前記第２純水供給源から前記処理液生成部へ第１温度より高温の第２温度である第２純水を流す第２純水供給部と、
前記薬液供給部から前記処理液生成部へ供給される薬液の供給量を調整する薬液用供給調整手段と、
前記第２純水用配管に設けられ、前記第２純水供給部から前記処理液生成部へ供給される第２純水の供給量を調整する第２純水用供給調整手段と、
前記処理液生成部において薬液及び第２純水により処理液を生成させるように、前記薬液用供給調整手段及び前記第２純水用供給調整手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記第２純水用供給調整手段を制御して、前記処理液供給手段から前記基板処理部へ第２純水を供給させた後に、前記薬液用供給調整手段及び前記第２純水用供給調整手段を制御して、前記処理液生成部において薬液及び第２純水により処理液を生成させて、前記処理液供給手段から前記基板処理部へ処理液を供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１純水供給部から前記処理液生成部へ供給される第１純水の供給量を調整する第１純水用供給調整手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記薬液用供給調整手段及び前記第２純水用供給調整手段を制御して、前記処理液生成部において薬液及び第２純水により処理液を生成させて、前記処理液供給手段から前記基板処理部へ処理液を供給させた後、前記前記第１純水用供給調整手段を制御して、前記処理液供給手段から前記基板処理部へ第１純水を供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
第１純水の第１温度は、２０℃〜２５℃であり、第２純水の第２温度は、３０℃〜４０℃であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板等の基板に対して、処理液により洗浄処理、エッチング処理等の所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、この種の基板処理装置として、図６に示されたものが知られている。この従来の基板処理装置は、基板の一種であるウエハＷを複数枚処理液に浸漬して、ウエハＷの洗浄処理（エッチング）を行うための処理槽１０１を備えており、この処理槽１０１の周囲に、処理槽１０１から溢れた処理液を滞留させるオーバーフロー槽１０２が形成されている。
【０００３】
処理槽１０１の底部には、処理液供給部１０３が設けられており、この処理液供給部１０３には、薬液と純水とを混合して生成された処理液を処理槽１０１内へ供給する処理液供給路１０４の一端側が接続されている。また、オーバーフロー槽１０２には、余剰になった処理液を基板処理装置外へ排出する廃棄路１０５が接続されている。
【０００４】
また、処理液供給路１０４の他端側には、薬液と純水とを混合させて処理液を生成する処理液生成部１０６が接続されている。この処理液生成部１０６には、薬液供給路１０７を介して、薬液を貯溜する耐圧密閉構造の薬液タンク１０８が接続されている。薬液タンク１０８には、薬液タンク１０８の薬液を薬液供給路１０７に加圧供給するように、不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２ガス）を導入する窒素ガス導入管１０９を介して窒素ボンベ等の窒素ガス供給源１１０が接続されている。なお、ここでの薬液としては、フッ酸（ＨＦ）が考えられる。
【０００５】
窒素ガス導入管１０９の途中には、導入する窒素ガスの圧力を制御するガス圧力制御弁１１１が設けられ、このガス圧力制御弁１１１は、図示しない電空変換器から所定の圧力の空気圧を付与することにより操作される。
【０００６】
薬液供給路１０７には、上流側から、フィルタ１１３と、薬液圧力検出センサ１１４と、薬液供給弁１１５とがそれぞれ設けられている。薬液圧力検出センサ１４は、薬液タンク１０８から処理液生成部１０６へ供給される薬液の圧力値を検出するものであり、この薬液圧力センサ１１４が、図示しない薬液コントローラに接続されている。
【０００７】
なお、処理液生成部１０６は、ウエハＷの洗浄処理する薬液の種類の数に応じて、薬液供給路１０７ａ、１０７ｂを介して薬液タンク（図示せず）が接続されている。この薬液供給路１０７ａ、１０７ｂには、それぞれ薬液供給弁１１５ａ、１１５ｂが設けられており、薬液供給弁１１５ａが「開」の状態の場合には、ある種類の薬液が薬液タンク（図示せず）から薬液供給路１０７ａを介して、処理液生成部１０６へ供給され、また、薬液供給弁１１５ｂが「開」の状態の場合には、別のある種類の薬液が薬液タンク（図示せず）から薬液供給路１０７ｂを介して、処理液生成部１０６へ供給される。
【０００８】
処理液生成部１０６には、純水供給路１２０を介して純水供給源１２１が接続されている。この純水供給源１２１にある純水は、２０℃〜２５℃の温度（常温）である。この純水供給路１２０には、上流側から、純水圧力調整弁１２２と、純水圧力検出センサ１２３と、純水供給弁１２４とがそれぞれ設けられている。純水圧力検出センサ１２３は、純水供給源１２１から処理液生成部１０６へ供給される純水の圧力値を検出するものであり、この純水圧力検出センサ１２３が、図示しない純水コントローラに接続されている。
【０００９】
次に、図７に基づいて、従来の基板処理装置の一連の処理動作について説明する。
まず、ウエハＷに対する純水処理を行う場合、薬液供給弁１１５、１１５ａ、１１５ｂを「閉」の状態、純水供給弁１２４を「開」の状態にする。さらに、図示しない純水コントローラからの制御信号に基づいて純水圧力調整弁１２２に付与する空気圧が制御され、純水供給源１２１から純水供給路１２０、処理液生成部１０６及び処理液供給路１０４を通って処理液供給部１０３から処理槽１０１内へ純水が供給される。これにより、処理槽１０１内にあるウエハＷの純水処理が行われる。
【００１０】
次に、純水供給弁１２４を「開」の状態にしたままで、薬液供給弁１１５を「閉」から「開」へ切り換える（時間ｔ１）。さらに、図示しない薬液コントローラからの制御信号が図示しない電空変換器へ出力され、薬液タンク１０８内に導入する窒素ガスの圧力が一定に維持されるように、ガス圧力調整弁１１１に付与する空気圧を制御が制御され、薬液タンク１０８から薬液供給路１０７を通って処理液生成部１０６へ薬液が供給される。これにより、処理液生成部１０６において、薬液（フッ酸）と純水とが混合されて処理液が生成される。処理液生成部１０６で生成された処理液は、処理液供給路１０４を通って処理液供給部１０３から処理槽１０１内へ供給される。
【００１１】
処理液供給部１０３から処理槽１０１へ処理液が供給されると、すでに処理槽１０１にある純水は処理槽１０１から溢れ出し、溢れた純水はオーバーフロー槽１０２に一旦滞留される。そして、純水は、オーバーフロー槽１０２から廃棄管１０５を介して基板処理装置外へ廃棄される。
【００１２】
一方、処理槽１０１内に処理液で満たされると、純水供給弁１２４を「開」から「閉」へ切り換えるとともに、薬液供給弁１１５を「開」から「閉」へ切り換えて、処理液の処理槽１０１への供給が停止される（時間ｔ２）。そして、処理槽１０１内に処理液が満たされた状態で、所定の時間（図７の時間ｔ２から時間ｔ３までの間）処理液に浸漬されたウエハＷの洗浄処理（エッチング処理）が行われる。
【００１３】
処理液によるウエハＷの洗浄処理が終了すると、薬液供給弁１１５、１１５ａ、１１５ｂを「閉」の状態にしたままで、純水供給弁１２４を「閉」から「開」へ切り換える（時間ｔ３）。これにより、純水供給源１２１から純水供給路１２０、処理液生成部１０６及び処理液供給路１０４を通って処理液供給部１０３から処理槽１０１内へ純水が供給される。処理液供給部１０３から処理槽１０１へ純水が供給されると、すでに処理槽１０１にある処理液は処理槽１から溢れ出し、溢れた処理液はオーバーフロー槽１０２に一旦滞留される。そして、処理液は、オーバーフロー槽１０２から廃棄管１０５を介して基板処理装置外へ廃棄される。これにより、処理液から純水への置換処理が行われる。以上により、従来の基板処理装置の一連の処理動作が終了する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の基板処理装置では、薬液と常温２０℃〜２５℃の純水を混合させて、ウエハＷの処理をしているため、処理液の濃度の均一化が遅くなり、ウエハＷに対する洗浄処理やエッチング処理等の所定の処理が不均一になってしまうという問題がある。
【００１５】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、基板に対する洗浄処理やエッチング処理等の所定の処理の均一性を向上させる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１に記載の基板処理装置は、処理液により基板に対して所定の処理を行う基板処理部と、前記基板処理部へ処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理液供給手段と連通し、かつ処理液を生成する処理液生成部と、薬液を流す薬液用配管を介して前記処理液生成部と連通している薬液供給部と、第１純水供給源及び前記処理液生成部と連通する第１純水用配管を有し、前記第１純水用配管を介して、前記第１純水供給源から前記処理液生成部へ第１温度である第１純水を流す第１純水供給部と、第２純水供給源及び前記第１純水用配管と連通する第２純水用配管を有し、前記第２純水用配管を介して、前記第２純水供給源から前記第１純水用配管へ第１温度より高温の第２温度である第２純水を流す第２純水供給部と、前記薬液用配管に設けられ、前記薬液供給部から前記処理液生成部へ供給される薬液の供給量を調整する薬液用供給調整手段と、前記第２純水用配管に設けられ、前記第２純水供給部から前記第１純水用配管へ供給される第２純水の供給量を調整する第２純水用供給調整手段と、前記処理液生成部において薬液及び第２純水により処理液を生成させるように、前記薬液用供給調整手段及び前記第２純水用供給調整手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項２に記載の基板処理装置は、処理液により基板に対して所定の処理を行う基板処理部と、前記基板処理部へ処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理液供給手段と連通し、かつ処理液を生成する処理液生成部と、薬液を流す薬液用配管を介して前記処理液生成部と連通している薬液供給部と、第１純水供給源及び前記処理液生成部と連通する第１純水用配管を有し、前記第１純水用配管を介して、前記第１純水供給源から前記処理液生成部へ第１温度である第１純水を流す第１純水供給部と、第２純水供給源及び前記処理液生成部と連通する第２純水用配管を有し、前記第２純水用配管を介して、前記第２純水供給源から前記処理液生成部へ第１温度より高温の第２温度である第２純水を流す第２純水供給部と、前記薬液供給部から前記処理液生成部へ供給される薬液の供給量を調整する薬液用供給調整手段と、前記第２純水供給部から前記処理液生成部へ供給される第２温度の第２純水の供給量を調整する第２純水用供給調整手段と、前記処理液生成部において薬液及び第２純水により処理液を生成させるように、前記薬液用供給調整手段及び前記第２純水用供給調整手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項３に記載の基板処理装置は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、前記制御手段が、前記第２純水用供給調整手段を制御して、前記処理液供給手段から前記基板処理部へ第２純水を供給させた後に、前記薬液用供給調整手段及び前記第２純水用供給調整手段を制御して、前記処理液生成部において薬液及び第２純水により処理液を生成させて、前記処理液供給手段から前記基板処理部へ処理液を供給させることを特徴とするものである。
【００１９】
また、請求項４に記載の基板処理装置は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１純水供給部から前記処理液生成部へ供給される第１純水の供給量を調整する第１純水用供給調整手段をさらに備え、前記制御手段が、前記薬液用供給調整手段及び前記第２純水用供給調整手段を制御して、前記処理液生成部において薬液及び第２純水により処理液を生成させた後、前記前記第１純水用供給調整手段を制御して前記処理液供給手段から前記基板処理部へ第１純水を供給させることを特徴とするものである。
【００２０】
また、請求項５に記載の基板処理装置は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、第１純水の第１温度が、２０℃〜２５℃であり、第２純水の第２温度が、３０℃〜４０℃であることを特徴とするものである。
【００２２】
なお、請求項１乃至請求項５に記載の基板処理装置における「基板処理部」としては、基板を処理液に浸漬させるための処理槽を備え、処理液供給手段が、処理槽の底部に設けられたものが考えられる。
【００２３】
また、請求項１乃至請求項５に記載の基板処理装置において、処理液生成部で薬液及び第２純水により処理液を生成させる際には、制御手段は、薬液用供給調整手段を制御して、薬液を薬液供給部から処理液生成部へ供給するようにし、第２純水用供給調整手段を制御して、第２純水を第２純水供給部から処理液生成部へ供給するようにすればよい。
【００２４】
さらに、請求項１乃至請求項５に記載の基板処理装置における「薬液供給部」としては薬液タンク等のような薬液供給源が考えられる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施の形態＞
次に、本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態について、図面に基づいて詳細に説明する。図１は、第１の実施の形態の基板処理装置を示す概略構成図である。
【００２６】
この基板処理装置は、基板の一種であるウエハＷを複数枚処理液に浸漬して、ウエハＷの洗浄処理を行うための処理槽１を備えており、この処理槽１の周囲に、処理槽１から溢れた処理液を滞留させるオーバーフロー槽２が形成されている。なお、この処理槽１は、本発明の基板処理部に相当する。
【００２７】
処理槽１の底部には、処理液供給部３が設けられており、この処理液供給部３には、薬液と後述する第２純水とを混合して生成された処理液を処理槽１内へ供給する処理液供給路４の一端側が接続されている。また、オーバーフロー槽２には、余剰になった処理液を基板処理装置外へ排出する廃棄路５が接続させている。なお、この処理液供給部３は、本発明の処理液供給手段に相当する。
【００２８】
処理液供給路４の他端側には、薬液と第２純水とを混合させて処理液を生成する処理液生成部６が接続されている。この処理液生成部６には、薬液供給路７を介して、薬液を貯溜する耐圧密閉構造の薬液タンク８が接続されている。薬液供給部に相当する薬液タンク８には、薬液タンク８の薬液を薬液供給路７に加圧供給するように、不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２ガス）を導入する窒素ガス導入管９を介して窒素ボンベ等の窒素ガス供給源１０が接続されている。なお、ここでの薬液としては、フッ酸（ＨＦ）が考えられる。
【００２９】
窒素ガス導入管９の途中には、導入する窒素ガスの圧力を制御するガス圧力制御弁１１が設けられ、このガス圧力制御弁１１は、第１電空変換器１２から所定の圧力の空気圧を付与することにより操作される。
【００３０】
薬液供給路７には、上流側から、フィルタ１３と、薬液圧力検出センサ１４と、薬液供給弁１５とがそれぞれ設けられている。薬液圧力検出センサ１４は、薬液タンク８から処理液生成部６へ供給される薬液の圧力値を検出するものであり、この薬液圧力センサ１４が、薬液コントローラ１６に接続されているとともに、さらに、薬液コントローラ１６には、第１電空変換器１２が接続されている。
【００３１】
薬液コントローラ１６では、薬液圧力センサ１４により検出された薬液供給路７内の薬液の圧力値と、予め設定されている設定薬液圧力値とを比較し、その比較結果に基づいて、設定薬液圧力値に戻すのに必要な制御値を求め、その制御値に対応する制御信号を薬液コントローラ１６から第１電空変換器１２へ出力される。この第１電空変換器１２は、薬液タンク８内に導入する窒素ガスの圧力が一定に維持されるように、制御信号に基づいてガス圧力調整弁１１に付与する空気圧を制御する。その結果、薬液供給弁１５が「開」の状態の場合、薬液タンク８から薬液供給路７を通って処理液生成部６へ設定薬液圧力値の薬液が供給される。
【００３２】
なお、処理液生成部６は、ウエハＷの洗浄処理する薬液の種類の数に応じて、薬液供給路７ａ、７ｂを介して薬液タンク（図示せず）が接続されている。この薬液供給路７ａ、７ｂには、それぞれ薬液供給弁１５ａ、１５ｂが設けられており、薬液供給弁１５ａが「開」の状態の場合には、ある種類の薬液が薬液タンク（図示せず）から薬液供給路７ａを介して、処理液生成部６へ供給され、また、薬液供給弁１５ｂが「開」の状態の場合には、別のある種類の薬液が薬液タンク（図示せず）から薬液供給路７ｂを介して、処理液生成部６へ供給される。
【００３３】
処理液生成部６には、第１純水供給路２０を介して第１純水供給源２１が接続されている。この第１純水供給源２１にある第１純水は、２０℃〜２５℃の温度（第１温度）である。この第１純水供給路２０には、上流側から、第１純水圧力調整弁２２と、第１純水圧力検出センサ２３と、第１純水供給弁２４とがそれぞれ設けられている。第１純水圧力検出センサ２３は、第１純水供給源２１から処理液生成部６へ供給される第１純水の圧力値を検出するものであり、この第１純水圧力検出センサ２３が、第１純水コントローラ２５に接続されているとともに、さらに、第１純水コントローラ２４には、第２電空変換器２６が接続されている。
【００３４】
第１純水コントローラ２５では、第１純水圧力検出センサ２３により検出された第１純水供給路２０内の第１純水の圧力値と、予め設定されている設定第１純水圧力値とを比較し、その比較結果に基づいて、設定第１純水圧力値に戻すのに必要な制御値を求め、その制御値に対応する制御信号を第１純水コントローラ２５から第２電空変換器２６へ出力される。この第２電空変換器２６は、第１純水が一定に維持されるように、制御信号に基づいて第１純水圧力調整弁２２に付与する空気圧を制御する。その結果、第１純水供給弁２４が「開」の状態の場合、第１純水供給源２１から第１純水供給路２０を通って処理液生成部６へ設定第１純水圧力値の第１純水が供給される。
【００３５】
また、第１純水供給路２０には、第２純水供給路３０を介して第２純水供給源３１が接続されている。この第２純水供給源３１にある第２純水は、３０℃〜４０℃の温度（第２温度）である。この第２純水供給路３０には、上流側から、第２純水圧力調整弁３２と、第２純水圧力検出センサ３３と、第２純水供給弁３４とがそれぞれ設けられている。第２純水圧力検出センサ３３は、第２純水供給源３１から処理液生成部６へ供給される第２純水の圧力値を検出するものであり、この第２純水圧力検出センサ３３が、第２純水コントローラ３５に接続されているとともに、さらに、第２純水コントローラ３５には、第３電空変換器３６が接続されている。
【００３６】
第２純水コントローラ３５では、第２純水圧力検出センサ３３により検出された第２純水供給路３０内の第２純水の圧力値と、予め設定されている設定第２純水圧力値とを比較し、その比較結果に基づいて、設定第２純水圧力値に戻すのに必要な制御値を求め、その制御値に対応する制御信号を第２純水コントローラ３５から第３電空変換器３６へ出力される。この第３電空変換器３６は、第２純水が一定に維持されるように、制御信号に基づいて第２純水圧力調整弁３２に付与する空気圧を制御する。その結果、第２純水供給弁３４が「開」の状態の場合、第２純水供給源３１からから第２純水供給路３０を通って処理液生成部６へ設定第２純水圧力値の第２純水が供給される。
【００３７】
なお、図１に示すように、第２純水供給路３０と処理液生成部６との間の第１純水供給路２０に、第１純水または第２純水を排出するための廃棄路４０が設けられている。この廃棄路４０の途中には、第１純水または第２純水の排出を制御するための開閉弁４１が設けられている。
【００３８】
図２は、本発明に係る第１の実施の形態の基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
制御部５０は、薬液コントローラ１６、第１純水コントローラ２５、第２純水コントローラ３５、薬液供給弁１５、１５ａ、１５ｂ、第１純水供給弁２４、第２純水供給弁３４及び廃棄弁４１と接続されている。
【００３９】
制御部５０は、薬液コントローラ１６、第１純水コントローラ２５及び第２純水コントローラ３５の制御を行う。また、制御部５０は、薬液供給弁１５、１５ａ、１５ｂを制御して、薬液タンク８から処理液生成部６へ供給される薬液の供給量を制御する。また、制御部５０は、第１純水供給弁２４を制御して、第１純水供給源２１から処理液生成部６へ供給される第１純水の供給量を制御するとともに、第２純水供給弁３４を制御して、第２純水供給源３１から処理液生成部６へ供給される第２純水の供給量を制御する。さらに、制御部５０は、廃棄弁４１を制御して、第１純水供給路２０から排出される第１純水及び第２純水の排出量を調整する。
【００４０】
次に、図３に基づいて、本発明に係る基板処理装置の一連の処理動作について説明する。
まず、ウエハＷの純水処理を行う場合、制御部５０は、薬液供給弁１５、１５ａ、１５ｂを「閉」の状態、第２純水供給弁３４を「閉」の状態、及び第１純水供給弁２４を「開」の状態にする。さらに、第１純水コントローラ２５からの制御信号に基づいて第１純水圧力調整弁２２に付与する空気圧が制御され、第１純水供給源２１から第１純水供給路２０、処理液生成部６及び処理液供給路４を通って処理液供給部３から処理槽１内へ第１純水が供給される。これにより、処理槽１内にあるウエハＷの純水処理が行われる。
【００４１】
次に、制御部５０は、薬液供給弁１５、１５ａ、１５ｂを「閉」の状態にしたままで、第２純水供給弁３４を「閉」から「開」へ切り換えるとともに、第１純水供給弁２４を「開」から「閉」へ切り換える（時間Ｔ１）。さらに、第２純水コントローラ３５からの制御信号に基づいて第２純水圧力調整弁３２に付与する空気圧が制御され、第２純水供給源３１から第２純水供給路３０、処理液生成部６及び処理液供給路４を通って処理液供給部３から処理槽１内へ第２純水が供給される。これにより、３０℃〜４０℃の第２純水により処理槽１内があたためられる（プレヒート処理）。
【００４２】
次に、制御部５０は、第２純水供給弁３４を「開」の状態、及び第１純水供給弁２４を「閉」の状態にしたままで、薬液供給弁１５を「閉」から「開」へ切り換える（時間Ｔ２）。さらに、薬液コントローラ１６からの制御信号が第１電空変換器１２へ出力され、薬液タンク８内に導入する窒素ガスの圧力が一定に維持されるように、ガス圧力調整弁１１に付与する空気圧を制御が制御され、薬液タンク８から薬液供給路７を通って処理液生成部６へ薬液が供給される。これにより、処理液生成部６において、薬液（フッ酸）と第２純水とにより処理液が生成される。処理液生成部６で生成された処理液は、処理液供給路４を通って処理液供給部３から処理槽１内へ供給される。
【００４３】
処理液供給部３から処理槽１へ処理液が供給されると、すでに処理槽１にある第１純水は処理槽１から溢れ出し、溢れた第１純水はオーバーフロー槽２に一旦滞留される。そして、第１純水は、オーバーフロー槽２から廃棄管５を介して基板処理装置外へ排出される。
【００４４】
一方、処理槽１内に処理液で満たされると、制御部５０は、第１純水供給弁２４を「閉」の状態にしたままで、薬液供給弁１５を「開」から「閉」へ切り換えるとともに、第２純水供給弁３４を「開」から「閉」へ切り換えて、処理液の処理槽１への供給が停止される（時間Ｔ３）。そして、処理槽１内に処理液が満たされた状態で、所定の時間（図７の時間Ｔ３から時間Ｔ４までの間）処理液に浸漬されたウエハＷの処理液による洗浄処理が行われる。
【００４５】
処理液によるウエハＷの処理液による洗浄処理が終了すると、制御部５０は、薬液供給弁１５、１５ａ、１５ｂを「閉」の状態及び第２純水供給弁３４を「閉」の状態にしたままで、第１純水供給弁２４を「開」から「閉」へ切り換える（時間Ｔ４）。これにより、第１純水供給源２１から第１純水供給路２０、処理液生成部６及び処理液供給路４を通って処理液供給部３から処理槽１内へ第１純水が供給される。処理液供給部３から処理槽１へ第１純水が供給されると、すでに処理槽１にある処理液は処理槽１から溢れ出し、溢れた処理液はオーバーフロー槽２に一旦滞留される。そして、処理液は、オーバーフロー槽２から廃棄管５を介して基板処理装置外へ排出される。これにより、処理液から純水（第１純水）への置換処理が行われ、第１純水によるウエハＷに対する純水洗浄処理が行われる。以上により、第１の実施の形態の基板処理装置の一連の処理動作が終了する。
【００４６】
以上説明した第１の実施の形態の基板処理装置によれば、次のような効果が得られる。まず、ウエハＷに対する処理液による洗浄処理の際には、純水処理を行う際の２０℃〜２５℃といった常温の第１純水とは別に、処理液生成部６において、第１純水に対して高温である３０℃〜４０℃という温度の第２純水と薬液（フッ酸）とにより処理液を生成しているので、第２純水により処理液濃度の均一化が速くなり、その結果、ウエハＷに対する洗浄処理の均一性を向上させることができる。
【００４７】
また、時間Ｔ２からのウエハＷの処理液による洗浄処理の前に、処理槽１へ３０℃〜４０℃の第２純水を供給して、処理槽１内があたためられるというプレヒート処理を行っているので、処理液濃度の均一化がさらに速くなり、その結果、ウエハＷに対する洗浄処理の均一性をさらに向上させることができる。
【００４８】
さらに、時間Ｔ２から時間Ｔ４までのウエハＷに対する処理液による洗浄処理が終了した後に、２０℃〜２５℃の第１純水を処理槽１へ供給しているので、第１純水によるウエハＷに対する純水洗浄処理を行うために、処理液から純水（第１純水）への置換処理をスムーズに行うことができる。
【００４９】
なお、上述したように第１の実施の形態では、処理槽１の処理液内に複数枚のウエハＷを浸漬させるバッチ式処理の洗浄処理について説明したが、１枚のウエハＷの表面に処理液を供給するという枚葉式の洗浄処理にも本発明の基板処理装置を適用することができる。
【００５０】
また、第１の実施の形態では、ウエハＷに対する洗浄処理について説明したが、ウエハＷに対するエッチング処理にも、本発明の基板処理装置を適用することができる。
【００５１】
＜第２の実施の形態＞
次に、本発明に係る基板処理装置の第２の実施の形態について、図面に基づいて詳細に説明する。図４は、第２の実施の形態の基板処理装置を示す概略構成図である。
【００５２】
この基板処理装置は、基板の一種であるウエハＷを複数枚処理液に浸漬して、ウエハＷの洗浄処理を行うための処理槽５１を備えており、この処理槽５１の周囲に、処理槽５１から溢れた処理液を滞留させるオーバーフロー槽５２が形成されている。なお、この処理槽５１は、本発明の基板処理部に相当する。
【００５３】
処理槽５１の底部には、処理液供給部５３が設けられており、この処理液供給部５３には、薬液と後述する第２純水とを混合して生成された処理液を処理槽５１内へ供給する処理液供給路５４の一端側が接続されている。また、オーバーフロー槽５２には、余剰になった処理液を基板処理装置外へ排出する廃棄路５５が接続させている。なお、この処理液供給部５３は、本発明の処理液供給手段に相当する。
【００５４】
処理液供給路５４の他端側には、薬液と第２純水とを混合させて処理液を生成する処理液生成部５６が接続されている。この処理液生成部５６には、薬液供給路５７を介して、薬液を貯溜する耐圧密閉構造の薬液タンク５８が接続されている。薬液供給部に相当する薬液タンク５８には、薬液タンク５８の薬液を薬液供給路５７に加圧供給するように、不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２ガス）を導入する窒素ガス導入管５９を介して窒素ボンベ等の窒素ガス供給源６０が接続されている。なお、ここでの薬液としては、フッ酸（ＨＦ）が考えられる。
【００５５】
窒素ガス導入管５９の途中には、導入する窒素ガスの圧力を制御するガス圧力制御弁６１が設けられ、このガス圧力制御弁６１は、第１電空変換器６２から所定の圧力の空気圧を付与することにより操作される。
【００５６】
薬液供給路５７には、上流側から、フィルタ６３と、薬液圧力検出センサ６４と、薬液供給弁６５とがそれぞれ設けられている。薬液圧力検出センサ６４は、薬液タンク５８から処理液生成部５６へ供給される薬液の圧力値を検出するものであり、この薬液圧力センサ６４が、薬液コントローラ６６に接続されているとともに、さらに、薬液コントローラ６６には、第１電空変換器６２が接続されている。
【００５７】
薬液コントローラ６６では、薬液圧力センサ６４により検出された薬液供給路５７内の薬液の圧力値と、予め設定されている設定薬液圧力値とを比較し、その比較結果に基づいて、設定薬液圧力値に戻すのに必要な制御値を求め、その制御値に対応する制御信号を薬液コントローラ６６から第１電空変換器６２へ出力される。この第１電空変換器６２は、薬液タンク５８内に導入する窒素ガスの圧力が一定に維持されるように、制御信号に基づいてガス圧力調整弁６１に付与する空気圧を制御する。その結果、薬液供給弁６５が「開」の状態の場合、薬液タンク５８から薬液供給路５７を通って処理液生成部５６へ設定薬液圧力値の薬液が供給される。
【００５８】
なお、処理液生成部５６は、ウエハＷの洗浄処理する薬液の種類の数に応じて、薬液供給路５７ａ、５７ｂを介して薬液タンク（図示せず）が接続されている。この薬液供給路５７ａ、５７ｂには、それぞれ薬液供給弁６５ａ、６５ｂが設けられており、薬液供給弁６５ａが「開」の状態の場合には、ある種類の薬液が薬液タンク（図示せず）から薬液供給路５７ａを介して、処理液生成部５６へ供給され、また、薬液供給弁６５ｂが「開」の状態の場合には、別のある種類の薬液が薬液タンク（図示せず）から薬液供給路５７ｂを介して、処理液生成部５６へ供給される。
【００５９】
処理液生成部５６には、第１純水供給路７０を介して第１純水供給源７１が接続されている。この第１純水供給源７１にある第１純水は、２０℃〜２５℃の温度（第１温度）である。第１純水供給路７０には、上流側から、第１純水圧力調整弁７２と、第１純水圧力検出センサ７３と、第１純水供給弁７４とがそれぞれ設けられている。第１純水圧力検出センサ７３は、第１純水供給源７１から処理液生成部５６へ供給される第１純水の圧力値を検出するものであり、この第１純水圧力検出センサ７３が、第１純水コントローラ７５に接続されているとともに、さらに、第１純水コントローラ７５には、第２電空変換器７６が接続されている。
【００６０】
第１純水コントローラ７５では、第１純水圧力検出センサ７３により検出された第１純水供給路７０内の第１純水の圧力値と、予め設定されている設定第１純水圧力値とを比較し、その比較結果に基づいて、設定第１純水圧力値に戻すのに必要な制御値を求め、その制御値に対応する制御信号を第１純水コントローラ７５から第２電空変換器７６へ出力される。この第２電空変換器７６は、第１純水が一定に維持されるように、制御信号に基づいて第１純水圧力調整弁７２に付与する空気圧を制御する。その結果、第１純水供給弁７４が「開」の状態の場合、第１純水供給源７１から第１純水供給路７０を通って処理液生成部５６へ設定第１純水圧力値の第１純水が供給される。
【００６１】
なお、図４に示すように、第１純水供給路７０の処理液生成部５６と第１純水供給弁７４との間の第１純水供給路７０に、第１純水を排出するための廃棄路９０が設けられている。この廃棄路９０の途中には、第１純水の排出を制御するための廃棄弁９１が設けられている。
【００６２】
また、処理液生成部５６には、第１純水供給源７１以外に、第２純水供給路８０を介して第２純水供給源８１が接続されている。この第２純水供給源８１にある第２純水は、３０℃〜４０℃の温度（第２温度）である。この第２純水供給路８０には、上流側から、第２純水圧力調整弁８２と、第２純水圧力検出センサ８３と、第２純水供給弁８４とがそれぞれ設けられている。第２純水圧力検出センサ８３は、第２純水供給源８１から処理液生成部５６へ供給される第２純水の圧力値を検出するものであり、この第２純水圧力検出センサ８３が、第２純水コントローラ８５に接続されているとともに、さらに、第２純水コントローラ８５には、第３電空変換器８６が接続されている。
【００６３】
第２純水コントローラ８５では、第２純水圧力検出センサ８３により検出された第２純水供給路８０内の第２純水の圧力値と、予め設定されている設定第２純水圧力値とを比較し、その比較結果に基づいて、設定第２純水圧力値に戻すのに必要な制御値を求め、その制御値に対応する制御信号を第２純水コントローラ８５から第３電空変換器８６へ出力される。この第３電空変換器８６は、第２純水が一定に維持されるように、制御信号に基づいて第２純水圧力調整弁８２に付与する空気圧を制御する。その結果、第２純水供給弁８４が「開」の状態の場合、第２純水供給源８１からから第２純水供給路８０を通って処理液生成部５６へ設定第２純水圧力値の第２純水が供給される。
【００６４】
なお、図４に示すように、処理液生成部８６と第２純水供給弁８４との間の第２純水供給路８０に、第２純水を排出するための廃棄路９２が設けられている。この廃棄路９２の途中には、第２純水の廃棄を制御するための廃棄弁９３が設けられている。
【００６５】
図５は、本発明に係る第２の実施の形態の基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
制御部１００は、薬液コントローラ６６、第１純水コントローラ６５、第２純水コントローラ８５、薬液供給弁６５、６５ａ、６５ｂ、第１純水供給弁７４、第２純水供給弁８４、第１廃棄弁９１及び第２廃棄弁９３と接続されている。
【００６６】
制御部１００は、薬液コントローラ６６、第１純水コントローラ７５及び第２純水コントローラ８５の制御を行う。また、制御部１００は、薬液供給弁６５、６５ａ、６５ｂを制御して、薬液タンク５８から処理液生成部５６へ供給される薬液の供給量を制御する。また、制御部１００は、第１純水供給弁７４を制御して、第１純水供給源７１から処理液生成部５６へ供給される第１純水の供給量を制御するとともに、第２純水供給弁８４を制御して、第２純水供給源８１から処理液生成部５６へ供給される第２純水の供給量を制御する。さらに、制御部１００は、廃棄弁９１を制御して、第１純水供給路７０から排出される第１純水の排出量を調整するとともに、廃棄弁９３を制御して、第２純水供給路８０から排出される第２純水の排出量を調整する。
【００６７】
なお、第２の実施の形態の基板処理装置の一連の処理動作は、上述した第１の実施の形態の基板処理装置の一連の動作と同様、図３に示すタイミングチャートと同様の処理動作になるので、詳細な説明は省略する。
【００６８】
以上説明したようにこの第２の実施の形態の基板処理装置によれば、次のような効果が得られる。まず、ウエハＷに対する処理液による洗浄処理の際には、純水処理を行う際の２０℃〜２５℃といった常温の第１純水とは別に、処理液生成部５６において、第１純水に対して高温である第３０℃〜４０℃という温度の２純水と薬液（フッ酸）とにより処理液を生成しているので、第２純水により処理液濃度の均一化が速くなり、その結果、ウエハＷに対する洗浄処理の均一性を向上させることができる。
【００６９】
また、時間Ｔ２からのウエハＷの処理液による洗浄処理の前に、処理槽５１へ３０℃〜４０℃の第２純水を供給して、処理槽５１内があたためられるというプレヒート処理を行っているので、処理液濃度の均一化がさらに速くなり、その結果、ウエハＷに対する洗浄処理の均一性をさらに向上させることができる。
【００７０】
さらに、時間Ｔ２から時間Ｔ４までのウエハＷに対する処理液による洗浄処理が終了した後に、２０℃〜２５℃の第１純水を処理槽５１へ供給しているので、第１純水によるウエハＷに対する純水洗浄処理を行うために、処理液から純水（第１純水）への置換処理をスムーズに行うことができる。
【００７１】
なお、上述したように第２の実施の形態では、処理槽５１の処理液内に複数枚のウエハＷを浸漬させるバッチ式処理の洗浄処理について説明したが、１枚のウエハＷの表面に処理液を供給するという枚葉式の洗浄処理にも本発明の基板処理装置を適用することができる。
【００７２】
また、第２の実施の形態では、ウエハＷに対する洗浄処理について説明したが、ウエハＷに対するエッチング処理にも、本発明の基板処理装置を適用することができる。
【００７３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、薬液用供給調整手段及び第２純水用供給調整手段を制御して、処理液生成部において薬液及び第１純水より高温の第２純水により処理液を生成させているので、処理液濃度の均一化が速くなり、さらに、この処理液を処理液供給手段から基板処理部へ供給して、基板の処理を行っているので、基板に対する洗浄処理やエッチング処理等の所定の処理の均一性を向上できる。
【００７４】
また、本発明に係る基板処理装置によれば、処理液生成部において薬液及び３０℃〜４０℃の純水により処理液を生成させているので、処理液濃度の均一化が速くなり、さらに、この処理液を処理液供給手段から基板処理部へ供給して、基板の処理を行っているので、基板に対する洗浄処理やエッチング処理等の所定の処理の均一性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】第１の実施の形態の基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図３】第１の実施の形態の基板処理装置の薬液、第１純水、及び第２純水の供給・停止の有無を示すタイミングチャートである。
【図４】第２の実施の形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図５】第１の実施の形態の基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図６】従来の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図７】従来の基板処理装置の薬液及び純水の供給・停止の有無を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
１      処理槽
３      処理液供給部
４      処理液供給管
６      処理液生成部
７      薬液供給管
８      薬液タンク
１５    薬液供給弁
１５ａ  薬液供給弁
１５ｂ  薬液供給弁
２０    第１純水供給管
２１    第１純水供給源
２２    第１純水圧力調整弁
２４    第１純水供給弁
３０    第２純水供給管
３１    第２純水供給源
３２    第２純水圧力調整弁
３４    第２純水供給弁
５０    制御部
５１    処理槽
５３    処理液供給部
５４    処理液供給管
５６    処理液生成部
５７    薬液供給管
５８    薬液タンク
６５    薬液供給弁
６５ａ  薬液供給弁
６５ｂ  薬液供給弁
７０    第１純水供給管
７１    第１純水供給源
７２    第１純水圧力調整弁
７４    第１純水供給弁
８０    第２純水供給管
８１    第２純水供給源
８２    第２純水圧力調整弁
８４    第２純水供給弁
１００    制御部
【図１】
0003644875.tif 000002
【図２】
0003644875.tif 000003
【図３】
0003644875.tif 000004
【図４】
0003644875.tif 000005
【図５】
0003644875.tif 000006
【図６】
0003644875.tif 000007
【図７】
0003644875.tif 000008