(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性金属粉及び熱硬化性樹脂を含んでなる導電性接着剤を介して電子部品を接続端子に固着するための配線基板であって、
該接続端子の表面をなす金層の厚さｔが１．０μｍ以下であり、この金層に直接接する下地としてニッケル層を有し、前記金層の表面に前記ニッケル層から拡散したニッケルを含有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂はシリコン系熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２記載の配線基板に電子部品を搭載した電子部品搭載配線基板の製造方法であって、
前記ニッケルを拡散する前の配線基板の前記接続端子の金層上に、導電性金属粉及び熱硬化性樹脂を含んでなる未硬化導電性樹脂剤を介して電子部品を載置し、
その後、加熱処理を施すことにより、前記接続端子のニッケル層中のニッケルを金層表面に拡散させると共に前記導電性接着剤を熱硬化させることを特徴とする電子部品搭載配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記加熱処理は、５．０℃／分を超える昇温速度で１５０℃以上に加熱することを特徴とする請求項２又は３記載の電子部品搭載配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２記載の配線基板を製造する方法であって、
表面を成す金層と該金層に直接接する下地であってニッケルを主成分とするニッケル層とを有する接続端子に、加熱処理を施して、前記ニッケル層中のニッケルを前記金層表面に拡散させることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２記載の配線基板に電子部品を搭載した電子部品搭載配線基板の製造方法であって、
前記配線基板の前記接続端子の金層上に、導電性金属粉及び熱硬化性樹脂を含んでなる未硬化導電性接着剤を介して電子部品を載置し、
その後、加熱処理を施すことにより、前記導電性接着剤を熱硬化させることを特徴とする電子部品搭載配線基板の製造方法。
【請求項７】
表面に金層を有する接続端子を備える配線基板と、
該接続端子の金層上に接着し、導電性金属粉及び熱硬化性樹脂を含んでなる導電性接着剤と、
該導電性接着剤により前記金層に導通しつつ固着されてなる電子部品と
を備える電子部品搭載配線基板であって、
前記接続端子の表面をなす金層の厚さｔが１．０μｍ以下であり、この金層に直接接する下地としてニッケル層し、前記金層の表面のうち前記導電性接着剤が接着している部分には前記ニッケル層から拡散したニッケルが存在していることを特徴とする電子部品搭載配線基板。
【請求項８】
前記電子部品は水晶片からなることを特徴とする請求項７記載の電子部品搭載配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性接着剤を介して電子部品を接続端子に固着するための配線基板及びその製造方法、並びに、導電性接着剤を介して電子部品が接続端子に固着された電子部品搭載配線基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、水晶振動子は、例えば移動体通信機（携帯電話、自動車電話、ＰＨＳ、ページャ等）、自動車用キーレスエントリーキー等の電子機器に搭載される水晶発振器、水晶フィルタ、ＩＦフィルタ、ＲＦフィルタ、ＳＡＷフィルタ等として利用されている。
【０００３】
かかる水晶振動子としては、例えば、図４に示すように、セラミック配線基板の電極ランド５５、５５（表層が金層で下地がニッケル層）上に水晶片５７が搭載され、これをリッド５９で封止した構造のものが知られている。
電極ランド５５、５５は、セラミック配線基板の両端部に形成され、外部接続端子として裏面に延出した形状を有している。水晶片５７は、例えば厚みすべり振動姿態のＡＴカットとし、上下両面の励振電極６１、６１とこの励振電極６１、６１から反対方向の対角部に折り返された引き出し電極６２、６２が設けられている。そして、水晶片５７の対角部が導電性接着剤５６、５６により電極ランド５５、５５上に固着・保持されている。
【０００４】
導電性接着剤５６、５６は、例えば、導電性金属としての銀粉と接着剤としてのシリコン系樹脂とシリコン系樹脂を液状とする溶剤とからなり、これを熱処理することにより溶剤が揮発しシリコン系樹脂が熱硬化して水晶片５７を電極ランド５５、５５上に固着している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記導電性接着剤５６に含まれるシリコン系樹脂は、金層表面における熱硬化速度が銀粉の周りにおける熱硬化速度に比べて遅いという性質が知られている。仮に金層表面における熱硬化速度と銀粉周りの熱硬化速度との間に差がなければ、図３（ａ）の模式図のように、金層の表面と銀粉とが近接した状態でシリコン系樹脂が硬化可能なため両者の間隔は比較的狭くなり良好な導通状態になるのだが、熱硬化速度に差があると、図３（ｂ）の模式図のように、まず銀粉の周りのシリコン系樹脂が硬化した後、この銀粉周りの樹脂層と金層の表面との間に存在するシリコン系樹脂が硬化するため両者の間隔は比較的広くなってしまう。
【０００６】
このように金層の表面と銀粉との間隔が広くなった製品は、水晶片５７を挟んだ両電極ランド５５、５５間のインピーダンスが実使用できないほど大きくなるため不良品として処理される。このため、従来、水晶振動子の製造するにあたっては、歩留まりが悪く生産性が低いという問題があった。
【０００７】
この点を改良するための対策として、導電性接着剤５６に含まれるシリコン系樹脂の硬化反応を促進することにより、均一に硬化させることが考えられる。
具体的には、例えば、硬化反応を促進するために昇温速度を高く設定することが考えられる。しかし、１０℃／分の昇温速度で処理した場合でも、導通抵抗の大きな製品が生成することがあり、昇温速度と導通抵抗の高い製品との関係は今一つ明瞭ではない。また、１０℃／分あるいはそれ以上の昇温速度を実現することは、実験室レベルではともかく、量産化レベルでは加熱処理を行う装置の熱容量が大きい等により困難である。
【０００８】
硬化反応を促進させる別の手段として、触媒を十分に添加することも考えられる。シリコン系樹脂などの熱硬化性樹脂の硬化を促進させる触媒としては VIII属遷移金属（例えば白金など）が知られている。しかし、触媒の量を増やせばそれだけ硬化速度が上がるため金層表面と銀粉との間隔を比較的狭くすることができるものの、そのような導電性接着剤は活性が高くなりすぎて開封したらすぐに硬化が始まるため、作業性が悪化する等、別の問題が生じる。このため、導電性接着剤中、触媒は通常１〜１００ｐｐｍ程度含有されているにすぎず、均一に硬化させるほどの効果は得られていない。
【０００９】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、電子部品を接続端子の金層上に良好な導通状態で固着搭載した製品を歩留まりよく量産するために適した配線基板又は電子部品搭載配線基板を提供すること、及び、その配線基板又は電子部品搭載配線基板の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段、発明の実施の形態及び発明の効果】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、導電性金属粉及び熱硬化性樹脂を含んでなる導電性接着剤を介して電子部品を接続端子に固着するための配線基板であって、該接続端子の表面をなす金層の厚さｔが１．０μｍ以下であり、この金層に直接接する下地としてニッケル層を有し、前記金層の表面に前記ニッケル層から拡散したニッケルを含有することを特徴とする。
【００１１】
この発明において、導電性接着剤は、例えば銀粉、銀めっき銅粉、銅粉、アルミ粉などの導電性金属粉、及び、例えばシリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂を含んでなり、この他に作業性を向上させるための溶剤や、熱硬化性樹脂の熱硬化反応を促進するための触媒（例えば、 VIII属遷移金属（Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔなど））を含んでいてもよい。
【００１２】
導電性金属粉のうち、電気抵抗率が低く酸化されにくく長期にわたって電気特性が変化しにくい点で銀粉が好ましく、また、熱硬化性樹脂のうち、弾性が高く応力緩和特性を良好にする点で、例えば請求項２に記載のシリコン系熱硬化性樹脂が好ましい。
電子部品は、通常、配線基板上に導通された状態で固定されるものであればどのようなものでもよく、例えば水晶片やＩＣチップなどが挙げられる。
【００１３】
この発明の特徴は、接続端子の表面をなす金層の厚さｔが１．０μｍ以下であり、この金層に直接接する下地としてニッケル層を有し、金層の表面にニッケル層から拡散したニッケルを含有する点にある。この接続端子の金層は表面にニッケルを含有していないが、接続端子の金層上に未硬化導電性接着剤を介して電子部品を載置した状態で加熱処理を施すことにより、下地のニッケル層からニッケルが金層の表面に拡散してくる。このとき、金層の厚さｔが１．０μｍを超える場合には、上記加熱処理を施したとしても十分にニッケルが金層の表面に拡散しない場合があるため、好ましくない。
【００１４】
そして、金層の表面に拡散したニッケルによって、導電性接着剤に含まれる熱硬化性樹脂の熱硬化反応が促進される。このため、導電性接着剤の熱硬化反応は、金層表面の近傍や導電性金属粉の近傍で硬化速度の差が生じることはほとんどなくほぼ均一に硬化する。具体的には、図３（ａ）に示すように金層表面と導電性金属粉とが近接した状態で熱硬化性樹脂が硬化する。この結果、電子部品は接着端子上に接続抵抗が低く良好な導通状態で固着搭載される。
ここでニッケルは、 VIII属遷移金属であるため導電性接着剤に含まれるシリコン系熱硬化性樹脂の熱硬化反応を促進させる触媒として作用する。このため、導電性接着剤の熱硬化反応は、金層表面の近傍や導電性金属粉の近傍で硬化速度の差が生じることはほとんどなくほぼ均一に硬化する。具体的には、図３（ａ）に示すように金層表面と導電性金属粉とが近接した状態でシリコン系熱硬化性樹脂が硬化する。この結果、電子部品は接着端子上に接続抵抗の低い良好な導通状態で固着搭載される。
【００１５】
このように請求項１記載の配線基板は、接続端子の金層上に導電性接着剤を介して電子部品を導通状態で固着搭載するのに適している。
この配線基板を用いて電子部品搭載配線基板を製造するには、例えば請求項３に記載したように、この配線基板の接続端子の金層上に導電性金属粉及び熱硬化性樹脂を含んでなる未硬化導電性樹脂剤を介して電子部品を載置し、その後、加熱処理を施すことにより、ニッケル層中のニッケルを金層の表面に拡散させると共に導電性接着剤を熱硬化させればよい。この電子部品搭載配線基板の製造方法によれば、量産した場合でも電子部品と接続端子との間が低接続抵抗で接続している電子部品搭載配線基板を歩留まりよく安定して供給することができ、生産性が際立って向上するという効果が得られる。
【００１６】
この場合、加熱処理温度は１５０℃以上、特に１８０℃以上で行うのが熱硬化反応を十分迅速化する点で好ましい。１５０℃未満では熱硬化反応の進行が十分迅速化されないおそれがある。尚、上限温度は特に限定する必要はないが、例えば熱硬化性樹脂が炭化する温度未満で行うのが好ましい。また、昇温速度は５．０℃／分を超える速度、特に熱硬化反応を十分迅速化するためには７．５℃／分以上で行うのが好ましい。５．０℃／分以下では熱硬化反応の進行が十分迅速化されないおそれがある。つまり、加熱処理の好ましい条件は、請求項３に記載したように５．０℃／分を超える昇温速度で１５０℃以上に加熱することである。尚、加熱処理時間は０．５〜５時間、特に塗膜硬度を考慮すれば１．５〜３時間であることが好ましい。
【００１９】
また、前記配線基板を製造する方法は、例えば請求項５に記載したように、金層の下地にニッケル層が形成されているので、加熱処理を施して下地のニッケル層中のニッケルを金層に拡散させる。
【００２０】
この配線基板を用いて電子部品搭載配線基板を製造するには、例えば請求項６に記載したように、この配線基板の接続端子の金層上に導電性金属粉及び熱硬化性樹脂を含んでなる未硬化導電性樹脂剤を介して電子部品を載置し、その後、加熱処理を施すことにより、導電性接着剤を熱硬化させればよい。この電子部品搭載配線基板の製造方法によれば、量産した場合でも電子部品と接続端子との間が低接続抵抗で接続している電子部品搭載配線基板を歩留まりよく安定して供給することができ、生産性が際立って向上するという効果が得られる。
【００２１】
一方、請求項７に記載したように、配線基板の接続端子の金層表面のうち導電性接着剤が接着している部分にニッケルが存在する構造の電子部品搭載配線基板についていえば、このような構造の電子部品搭載配線基板は、量産した場合でも電子部品と接続端子との間が低接続抵抗で接続しているものを歩留まりよく安定して供給するのに適した構造を有しているといえる。かかる電子部品搭載配線基板は、例えば請求項３又は４記載の製造方法、あるいは請求項６記載の製造方法によって製造可能である。ここで、請求項８に記載したように電子部品が水晶片からなる場合、水晶片は接続抵抗の大小による影響（例えば共振周波数におけるインピーダンスが変化する、共振周波数の安定度が低下する等）を受けやすいため、水晶片と接続端子との間が低い接続抵抗で接続しているものを歩留まりよく安定して供給する要求が高く、本発明の効果が顕著に発揮される。
【００２２】
【実施例】
以下に、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明する。尚、本発明の実施の形態は、下記の実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもない。
【００２３】
［試験例１］
以下に述べる試験例１−１〜１−３は、配線基板本体の金層上に導電性接着剤を介して水晶片（又は金属片）を載置し、この状態で加熱処理を施すことにより、配線基板本体のニッケル層中のニッケルを金層表面に拡散させると共に導電性接着剤を熱硬化させるものである。
【００２４】
［試験例１−１］
図１は、配線基板本体に金属片を搭載する手順を表す説明図である。
図１（ａ）に示す配線基板本体１は、以下の手順により製造した。即ち、所定のアルミナ原料粉体に有機溶剤等を添加混合してスラリーとし、これをドクターブレード法等を採用することによりセラミックグリーンシートとし、しかる後、タングステン粉末等からなる導体ペーストを用いてセラミックグリーンシートにスクリーン印刷し、次いで、これを図示はしないが適数枚積層、圧着し、１６００℃にて同時焼成した。これにより、絶縁基板２上にメタライズ金属層３を一体的に形成した。そして、このメタライズ金属層３の上に、ワット浴またはスルファミン酸ニッケル浴またはニッケル−コバルト合金浴にてニッケルめっきを行い３．０μｍ厚のニッケル層４を形成し、その後アルカリ浴にて金めっきを行い所定厚（０．７、１．０、１．２、２．０、４．０μｍ）の金層５を形成し、配線基板本体１を得た。
【００２５】
そして、図１（ｂ）に示すように、配線基板本体１の金層５上に導電性接着剤６として商品名ドータイトＦＸ−７３０（藤倉化成（株）製）をドッティングし、図１（ｃ）に示すように、その上に、金を蒸着した水晶片７を載置した。尚、ドータイトＦＸ−７３０は、シリコン樹脂と銀粉を含んでなる接着剤であり、主剤としてビニル基含有オルガノポリシロキサン、架橋剤としてハイドロジェンオルガノポリシロキサンを含有しており、両者が白金触媒下で付加反応を起こしてシリコンエラストマーが生成することにより硬化するものである。
【００２６】
その後、図１（ｄ）に示すように、各サンプルを加熱装置１０に入れ、昇温速度７．５℃／分で加熱温度１８５℃まで昇温し、その加熱温度で１．５時間保持して導電性接着剤６、６を硬化させた（実施例１、２及び比較例１〜３、下記表１参照）。
【００２７】
このように加熱処理した後の各サンプルにつき、メタライズ金属層３、３と電気的に接続された電極８、８（対角位置）の共振周波数でのインピーダンスを測定した。尚、共振周波数ｆ0（θ＝０、｜Ｚ｜＝ＭＩＮとなる周波数）は７８．５８４もしくは７８．５８８ＭＨｚ、測定機はヒューレット・パッカード社(HEWLETT PACKARD）製のインピーダンス・ゲインフェーズ・アナライザー・モデルHP4194（IMPEDANCE GAINPHASE ANALYZER MODEL HP4194)を使用した。
【００２８】
そして、共振周波数でのインピーダンスが３０Ω未満のものは良、３０Ω以上のものは不良と判定し、その結果を下記表１に示した。尚、表１の結果の欄は、「（不良品の個数）／（測定したサンプル数）」を表す。
また、金層５の表面にニッケル層４中のニッケルが拡散したか否かを調査するために、各サンプルにつきオージェ分析を行った。尚、オージェ分析は、使用機種：走査型オージェ型マイクロプローブJAMP-30（日本電子（株）製）、加速電圧：１０ｋＶ、照射電流：３×１０-7Ａ、分析面積：５０μｍφ、ピークの取り方：微分方式、で行った。
【００２９】
【表１】
0003694378.tif 000002
【００３０】
上記表１から明らかなように、不良品の発生率は、金膜厚０．７、１．０μｍではゼロであったのに対して、金膜厚１．２μｍでは４〜１８％、２．０μｍでは２０％、４．０μｍでは４２％であった。このことから、金膜厚０．７、１．０μｍであれば、歩留まりが際立って向上することがわかった。
【００３１】
また、図２はオージェ分析のチャート図であり、金膜厚が０．７、１．０μｍの場合には金層５の表面にニッケルのピークが検出されたものの、金膜厚が１．２、２．０、４．０μｍの場合には金層５の表面にニッケルのピークは検出されなかった。つまり、金膜厚０．７、１．０μｍでは金層５の表面にニッケル層４中のニッケルが拡散していたのに対して、金膜厚１．２、２．０、４．０μｍでは金層５の表面にニッケルは拡散していなかった。
【００３２】
以上のことから、金膜厚１．２μｍ未満、特に１．０μｍ以下の場合には、金層５の表面に拡散したニッケル層４中のニッケルが導電性接着剤６に含まれるシリコン系樹脂の硬化反応を促進させることにより、金層５の表面の近傍や銀粉の近傍で硬化速度の差が生じることはほとんどなくほぼ均一に硬化し、この結果、図３（ａ）に示すように金層表面と銀粉とが近接した状態でシリコン系樹脂が硬化したものと推察される。
【００３３】
以上の結果から、実施例１、２のように、配線基板本体１であって金膜厚が１．０μｍ以下の配線基板本体１を用意し、その金層５上に導電性接着剤６を介して水晶片７を載置し、この状態で１８０℃で１．５時間加熱処理を施せば、ニッケル層４中のニッケルが金層５の表面に拡散しこの拡散したニッケルが導電性接着剤６に含まれるシリコン系樹脂の熱硬化を促進させることにより、金層５の表面の近傍や銀粉の近傍で硬化速度の差が生じることはほとんどなくほぼ均一に硬化し、金層５の表面と銀粉とが近接した状態で硬化する。この結果、水晶片７は配線基板本体１に良好な導通状態で固着搭載される。従って、水晶片７を配線基板本体１の金層５上に低い接続抵抗で固着搭載した製品を極めて歩留まりよく量産することができるという効果が得られる。
【００３４】
［試験例１−２］
試験例１−２は、上記試験例１−１と同様の手法により、所定厚（０．７μｍ）の金層５を持つ配線基板本体１を得、配線基板本体１の金層５上に導電性接着剤６として商品名ドータイトＦＸ−７３０（藤倉化成（株）製）をドッティングした。そして、水晶片の代わりに金属片（４２アロイ）を載置し、このサンプルを１０℃／分の昇温速度で１８０℃まで昇温し、その加熱温度で１．５時間又は１時間保持して導電性接着剤６を硬化させた（実施例３〜５、下記表２参照）。
【００３５】
そして、このように加熱処理した後のサンプルにつき、デジタルマルチメータにより対角位置の電極８、８の導通抵抗を測定した。
測定した結果、導通抵抗が１０Ω未満のものは良、１０Ω以上のものは不良と判定し、その結果を下記表２に示した。尚、表２の結果の欄は、「（不良品の個数）／（測定したサンプル数）」を表す。
【００３６】
【表２】
0003694378.tif 000003
【００３７】
以上の表２から明らかなように、金膜厚が同じ場合には、加熱温度が高いほど歩留まりが向上することがわかった。また、加熱温度が１５０℃以上の場合には、際立って歩留まりが向上することがわかった。
［試験例１−３］
試験例１−３は、上記試験例１−１と同様の手法により、所定厚（０．７μｍ）の金層５を持つ配線基板本体１を得、配線基板本体１の金層５上に導電性接着剤６として商品名ドータイトＦＸ−７３０（藤倉化成（株）製）をドッティングした。そして、水晶片の代わりに金属片（アンバー合金）を載置し、このサンプルを１０．０、７．５、５．０、２．５℃／分の各昇温速度で１８０℃まで昇温し、その加熱温度で１．５時間保持して導電性接着剤６を硬化させた（実施例６〜９、下記表３参照）。
【００３８】
そして、このように加熱処理した後のサンプルにつき、デジタルマルチメータ（アドバンテスト社製Ｒ６５８１Ｄ）により電極８、８（対角位置）の導通抵抗を測定した。
測定した結果、導通抵抗が１０Ω未満のものは良、１０Ω以上のものは不良と判定し、その結果を下記表３に示した。尚、表３の結果の欄は、「（不良品の個数）／（測定したサンプル数）」を表す。また、プッシュプルゲージ（アイコー社製９５００シリーズ）により接着強度も測定した。
【００３９】
更に、金膜厚０．７μｍに代えて金膜厚１．２μｍの配線基板本体を作成し、上記と同様にして導通抵抗と接着強度を測定した。その測定結果を比較例４〜７として上記表２に示した。
【００４０】
【表３】
0003694378.tif 000004
【００４１】
上記表３から明らかなように、金膜厚が同じ場合には、昇温速度が高いほど歩留まりが向上することがわかった。また、金膜厚０．７μｍにおいて昇温速度が５．０℃／分を超える場合、歩留まりが際立って向上することがわかった。
また、同じ昇温速度では、金膜厚１．２μｍのものに比べて金膜厚０．７μｍの方が不良品発生率が低かった。また接着強度は金膜厚０．７μｍの方がかなり大きくなる（１．６倍以上）ことがわかった。このように接着強度が大きくなるのは金層５の表面に存在するニッケルが何らかの作用をしているものと推察される。
【００４２】
［試験例２］
試験例２は、ニッケル層中のニッケルが金層の表面に拡散している配線基板本体を用意し、このニッケルが拡散している金層上に導電性接着剤を介して水晶片（又は金属片）を載置し、この状態で加熱処理を施すことにより導電性接着剤を熱硬化させるものである。
【００４３】
この試験例２で用いる配線基板本体は、試験例１−１と略同様にして作成した。このため、試験例２も図１に基づいて説明する。試験例２では、試験例１−１と同様にして作成した配線基板本体１に、予め前処理（３００℃で３０分、又は４５０℃で５分の加熱処理）を施すことにより、ニッケル層４中のニッケルを金層５の表面に拡散させた。
【００４４】
そして、このように金層５の表面にニッケルが拡散した配線基板本体１の金層５上に導電性接着剤６として商品名ドータイトＦＸ−７３０（藤倉化成（株）製）をドッティングし、その上に、金を蒸着した水晶片７を載置した。
その後、このサンプルを加熱装置１０に入れ、昇温速度７．５℃／分で加熱温度１８５℃まで昇温し、その加熱温度で１．５時間保持して導電性接着剤６を硬化させた（実施例１０〜１７、下記表４参照）。
【００４５】
このように加熱処理した後のサンプルにつき、電極８、８（対角位置）間の共振周波数でのインピーダンスを調査した。測定条件や不良品判定条件は試験例１−１と同様とした。また、金層５の表面にニッケル層４中のニッケルが拡散したか否かを調査するために、配線基板本体を３００℃で３０分又は４５０℃で５分処理した後、オージェ分析を行った。尚、オージェ分析は分析条件は試験例１−１と同様とした。
【００４６】
【表４】
0003694378.tif 000005
【００４７】
上記表４から明らかなように、金膜厚にかかわらず、金層５の表面にニッケル層４中のニッケルが拡散する程度の前処理を施した配線基板本体１を用意し、その金層５上に導電性樹脂剤６を介して水晶片７を載置し、この状態で１８５℃で１．５時間加熱処理を施せば、予め金層５の表面に拡散したニッケルが導電性接着剤６に含まれるシリコン系樹脂の熱硬化を促進させることにより、金層５の表面の近傍や銀粉の近傍で硬化速度の差が生じることはほとんどなくほぼ均一に硬化し、金層５の表面と銀粉とが近接した状態で硬化した。この結果、水晶片７は配線基板本体１に良好な導通状態で固着搭載される。従って、水晶片７を配線基板本体１の金層５上に低い接続抵抗で固着搭載した製品を極めて歩留まりよく量産するできるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  配線基板本体に金属片を搭載する手順を表す説明図である。
【図２】  オージェ分析のチャート図である。
【図３】  金層と導電性樹脂（銀粉及びシリコン系樹脂）との関係を表す模式図である。
【図４】  従来の水晶振動子の断面図である。
【符号の説明】
１・・・配線基板本体、３・・・メタライズ金属層、４・・・ニッケル層、５・・・金層、６・・・導電性接着剤、７・・・水晶片、８・・・電極、１０・・・加熱装置。
【図１】
0003694378.tif 000006
【図２】
0003694378.tif 000007
【図３】
0003694378.tif 000008
【図４】
0003694378.tif 000009