(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
棒状をなす測温体の先端部上側の平坦面を、加熱手段によって加熱され熱処理される基板の下面に当接させて基板の温度を接触式で測定する装置において熱処理位置に支持される基板の下面に対する前記測温体の姿勢を調整する方法において、
基板と同等の外形を有する発熱板を熱処理位置に支持して測温体の先端部上側の平坦面を前記発熱板の下面に当接させ、
前記発熱板の、基板の温度測定部位に相当する部位を加熱し、前記測温体によって検出される値が最大となるように前記測温体と前記発熱板との位置関係を調整し固定することを特徴とする、基板の接触式温度測定装置における測温体の姿勢調整方法。
【請求項２】
棒状をなす測温体の先端部上側の平坦面を、加熱手段によって加熱され熱処理される基板の下面に当接させて基板の温度を接触式で測定する装置において熱処理位置に支持される基板の下面に対する前記測温体の姿勢を調整する方法において、
基板と同等の外形を有する発熱板を熱処理位置に支持して測温体の先端部上側の平坦面を前記発熱板の下面に当接させ、
前記発熱板の、基板の温度測定部位に相当する部位を加熱して、前記発熱板の、基板の温度測定部位に相当する部位の反対面側または近傍の温度を温度検出器によって検出し、前記測温体によって検出される値と前記温度検出器によって検出される値との差が最小となるように前記測温体と前記発熱板との位置関係を調整し固定することを特徴とする、基板の接触式温度測定装置における測温体の姿勢調整方法。
【請求項３】
棒状をなす測温体の先端部上側の平坦面を、加熱手段によって加熱され熱処理される基板の下面に当接させて基板の温度を接触式で測定する装置において熱処理位置に支持される基板の下面に対する前記測温体の姿勢を調整する装置において、
前記加熱手段とは別に設けられ基板の温度測定部位を加熱する第２の加熱手段、または、基板と同等の外形を有しそれ自体が発熱して基板の温度測定部位に相当する部位を加熱する発熱板を備え、
基板または前記発熱板を熱処理位置に支持して測温体の先端部上側の平坦面を基板または前記発熱板の下面に当接させ、基板の温度測定部位または前記発熱板の、基板の温度測定部位に相当する部位を加熱したときに、前記測温体によって検出される値が最大となるように前記測温体と前記基板または前記発熱板との位置関係を調整し固定することを特徴とする、基板の接触式温度測定装置における測温体の姿勢調整装置。
【請求項４】
棒状をなす測温体の先端部上側の平坦面を、加熱手段によって加熱され熱処理される基板の下面に当接させて基板の温度を接触式で測定する装置において熱処理位置に支持される基板の下面に対する前記測温体の姿勢を調整する装置において、
前記加熱手段とは別に設けられ基板の温度測定部位を加熱する第２の加熱手段、または、基板と同等の外形を有しそれ自体が発熱して基板の温度測定部位に相当する部位を加熱する発熱板と、
基板の温度測定部位または前記発熱板の、基板の温度測定部位に相当する部位の反対面側または近傍の温度を検出する温度検出器と、
を備え、
基板または基板と同等の外形を有する発熱板を熱処理位置に支持して測温体の先端部上側の平坦面を基板または前記発熱板の下面に当接させ、基板の温度測定部位または前記発熱板の、基板の温度測定部位に相当する部位を加熱したときに、前記測温体によって検出される値と前記温度検出器によって検出される値との差が最小となるように前記測温体と前記基板または前記発熱板との位置関係を調整し固定することを特徴とする、基板の接触式温度測定装置における測温体の姿勢調整装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の、基板の接触式温度測定装置における測温体の姿勢調整装置を備え、
前記加熱手段が光照射手段であって、光透過性材料で形成された炉壁を有する熱処理炉の内部に水平姿勢で支持された基板へ前記光照射手段から前記炉壁を通して光を照射し、前記測温体の先端部上側の平坦面を基板の下面に当接させて基板の温度を接触式で測定しつつ、基板を加熱して熱処理することを特徴とする基板の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、熱処理炉内へ半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を１枚ずつ搬入し光照射等により基板を加熱して熱処理する基板の熱処理装置において、熱処理される基板の温度を接触式で測定する温度測定装置における測温体の姿勢を調整する方法、および、その方法を実施するために使用される測温体の姿勢調整装置、ならびに、その測温体の姿勢調整装置を備えた基板の熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては、ランプアニール装置やＣＶＤ装置などのように、熱処理炉内へ基板、例えば半導体ウエハを１枚ずつ搬入しウエハに光を照射するなどしてウエハを加熱し熱処理する枚葉式の熱処理装置が、各種の工程で広く使用されている。図５に、ランプアニール装置の構成の１例を示す。
【０００３】
図５に概略側断面図を示したランプアニール装置は、半導体ウエハＷの搬入および搬出を行うための開口３２を前部側に有する熱処理炉３０を備えている。熱処理炉３０の炉壁は、光透過性材料、例えば石英ガラスで形成されている。熱処理炉３０の開口３２側には、熱処理炉３０に連接して炉口ブロック３４が設けられている。熱処理炉３０の前端面と炉口ブロック３４との接合面には、Ｏ−リング３６が装着されており、熱処理炉３０の内部の気密性が保たれる。
【０００４】
炉口ブロック３４には、取付部３８が設けられており、取付部３８に石英製のサセプタ４０が固着されている。そして、サセプタ４０に、高純度ＳｉＣで薄板状リング形状に形成されウエハＷの外径寸法と同等の内径寸法を有する均熱リング４２が水平に保持されている。また、サセプタ４０には、複数個所、例えば２個所に支持ピン４４が植設されている。取付部３８には、ウエハＷの温度を接触式で計測する温度測定装置の測温体４６が水平方向に取り付けられている。測温体４６は、例えばＲ熱電対を、高純度ＳｉＣで先端が閉塞した細管状に形成された被覆部材内に挿入した構造を有している。測温体４６の先端部上側は、平坦面に形成されて水平に保持されている。この測温体４６の先端部とサセプタ４０の２本の支持ピン４４とにより、ウエハＷが均熱リング４２と同心に水平姿勢で支持される。
【０００５】
また、図示していないが、炉口ブロック３４の前面開口は、可動フランジによって開閉自在に閉塞されるようになっており、炉口ブロック３４の前面開口に対向して、ウエハＷを水平姿勢に支持するアームを有し熱処理炉３０内へ処理前のウエハＷを搬入し熱処理炉３０内から処理済みのウエハＷを搬出するウエハ搬出入ロボットが設置されている。
【０００６】
熱処理炉３０の上方および下方にはそれぞれ、上部炉壁および下部炉壁に対向してハロゲンランプ、キセノンランプ等の光照射手段としてのランプ４８が複数本列設されている。ランプ４８の背後ならびに熱処理炉３０の両側面および後部側にはそれぞれ、内面側に鏡面研磨等が施されたリフレクタ（反射板）５０が熱処理炉３０を取り囲むように配設されている。なお、ランプ４８は、熱処理炉３０の上方側だけに配設するようにしてもよい。
【０００７】
熱処理炉３０の後部側には、ガス導入路５２が形設されており、ガス導入路５２は、窒素等の処理ガスの供給源に流路接続されている。また、図示されていないが、炉口ブロック３４には、ガス排気路が形成されている。
【０００８】
このランプアニール装置では、ウエハＷの下面に測温体４６を当接させて温度測定装置によりウエハＷの温度を計測し、その計測温度と目標温度との偏差に基づいて制御器（図示せず）で制御動作を行い、ランプ４８へ供給する電力を算出する、といったフィードバック制御が行われる。このように、測温体４６をウエハＷの下面に当接させてウエハＷの温度を接触式で計測するため、測温体４６とウエハＷ下面との接触状態が温度測定精度に影響を与える。そして、計測温度に基づきフィードバック制御してウエハＷの加熱処理を行うため、温度測定精度の良否がプロセスの再現性や装置間機差の支配的な要因となる。したがって、測温体４６とウエハＷの下面との接触状態を最適化することが、極めて重要になる。この測温体４６とウエハＷとの位置関係の調整は、従来、測温体４６を側面および正面から見た図６の（ａ）、（ｂ）にそれぞれ示すように、測温体４６の先端部上側の平坦面とウエハＷ下面との隙間を目視で確認することができなくなる状態となるように、炉口ブロック３４の取付部３８の位置から測温体４６の基部を操作して測温体４６の先端部の姿勢を調節することにより行っていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、測温体４６とウエハＷとの位置関係を目視により調整する方法では、作業者の熟練度の違いによって作業結果にばらつきを生じる恐れがある。また、ピッチング操作（測温体の軸を含む鉛直面内での煽りまたは下げ動作による調整）では、測温体４６を側面から見た図６の（ｃ）、（ｄ）に示すような測温体４６の先端部上側の平坦面とウエハＷの下面との隙間を注意深く確認しながら操作することにより、測温体４６とウエハＷとを最適な接触状態に近づけることは可能である。しかし、ローリング操作（測温体の軸を中心とする回転動作による調整）では、測温体４６を正面から見た図６の（ｅ）、（ｆ）に示すような測温体４６の先端部上側の平坦面とウエハＷの下面との隙間を確認することがほとんど不可能である。
【００１０】
これらのため、ウエハの温度測定を高精度で行えない可能性があり、プロセスの再現性が得られなかったり装置間機差を生じたりする、といった問題点がある。
【００１１】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、接触式温度測定装置において測温体と基板面との接触状態を最適化し、温度測定精度を向上させることができる測温体の姿勢調整方法を提供すること、および、その方法を好適に実施することができる測温体の姿勢調整装置を提供すること、ならびに、測温体の姿勢調整装置を備えた基板の熱処理装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、棒状をなす測温体の先端部上側の平坦面を、加熱手段によって加熱され熱処理される基板の下面に当接させて基板の温度を接触式で測定する装置において熱処理位置に支持される基板の下面に対する前記測温体の姿勢を調整する測温体の姿勢調整方法において、基板と同等の外形を有する発熱板を熱処理位置に支持して測温体の先端部上側の平坦面を前記発熱板の下面に当接させ、前記発熱板の、基板の温度測定部位に相当する部位を加熱し、前記測温体によって検出される値が最大となるように前記測温体と前記発熱板との位置関係を調整し固定することを特徴とする。
【００１３】
請求項２に係る発明は、棒状をなす測温体の先端部上側の平坦面を、加熱手段によって加熱され熱処理される基板の下面に当接させて基板の温度を接触式で測定する装置において熱処理位置に支持される基板の下面に対する前記測温体の姿勢を調整する測温体の姿勢調整方法において、基板と同等の外形を有する発熱板を熱処理位置に支持して測温体の先端部上側の平坦面を前記発熱板の下面に当接させ、前記発熱板の、基板の温度測定部位に相当する部位を加熱して、前記発熱板の、基板の温度測定部位に相当する部位の反対面側または近傍の温度を温度検出器によって検出し、前記測温体によって検出される値と前記温度検出器によって検出される値との差が最小となるように前記測温体と前記発熱板との位置関係を調整し固定することを特徴とする。
【００１４】
請求項３に係る発明は、棒状をなす測温体の先端部上側の平坦面を、加熱手段によって加熱され熱処理される基板の下面に当接させて基板の温度を接触式で測定する装置において熱処理位置に支持される基板の下面に対する前記測温体の姿勢を調整する測温体の姿勢調整装置において、前記加熱手段とは別に設けられ基板の温度測定部位を加熱する第２の加熱手段、または、基板と同等の外形を有しそれ自体が発熱して基板の温度測定部位に相当する部位を加熱する発熱板を備えたことを特徴とする。
【００１５】
請求項４に係る発明は、棒状をなす測温体の先端部上側の平坦面を、加熱手段によって加熱され熱処理される基板の下面に当接させて基板の温度を接触式で測定する装置において熱処理位置に支持される基板の下面に対する前記測温体の姿勢を調整する装置において、前記加熱手段とは別に設けられ基板の温度測定部位を加熱する第２の加熱手段、または、基板と同等の外形を有しそれ自体が発熱して基板の温度測定部位に相当する部位を加熱する発熱板と、基板の温度測定部位または前記発熱板の、基板の温度測定部位に相当する部位の反対面側または近傍の温度を検出する温度検出器と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
請求項５に係る発明は、基板の熱処理装置であって、請求項３または請求項４に記載の、基板の接触式温度測定装置における測温体の姿勢調整装置を備え、前記加熱手段が光照射手段であって、光透過性材料で形成された炉壁を有する熱処理炉の内部に水平姿勢で支持された基板へ前記光照射手段から前記炉壁を通して光を照射し、前記測温体の先端部上側の平坦面を基板の下面に当接させて基板の温度を接触式で測定しつつ、基板を加熱して熱処理することを特徴とする。
【００１７】
請求項１に係る発明の測温体の姿勢調整方法によると、熱処理位置に支持された発熱板の、測温体の先端部上側の平坦面が当接された部位が加熱され、その部位の温度が測温体によって検出される。ここで、測温体の先端部上側の平坦面が発熱板の下面に密接して両者間の隙間が極小であればあるほど、測温体の先端部の温度が発熱板の温度により近付くため、測温体は、発熱板の温度により近い値、すなわちより高い値を検出することになる。一方、測温体の先端部上側の平坦面と発熱板の下面との間の隙間が大きくなればなるほど、測温体の先端部の温度が発熱板の温度からより遠ざかるため、測温体は、発熱板の温度からより離れた値、すなわちより低い値を検出することになる。したがって、測温体によって検出される値が最大となるように測温体と発熱板との位置関係を調整し固定すると、測温体の先端部平坦面と発熱板の下面との間の隙間が極小となり、測温体は、最適な姿勢に保持されることになる。そして、発熱板の加熱温度と周囲の温度との間に温度差があるので、発熱板から測温体の先端部に熱が伝わることによって測温体の検出温度が変化するのを確認しつつ、上記の調整操作を行うことが可能である。
【００１８】
請求項２に係る発明の測温体の姿勢調整方法によると、熱処理位置に支持された発熱板の、測温体の先端部上側の平坦面が当接された部位が加熱され、その部位の温度が測温体によって検出される。また、発熱板の、測温体の当接部位の反対面側または近傍の温度が温度検出器によって検出される。ここで、測温体の先端部上側の平坦面が発熱板の下面に密接して両者間の隙間が極小であればあるほど、測温体の先端部の温度が発熱板の温度により近付くため、測温体は、発熱板の温度により近い値、すなわちより高い値を検出することになる。一方、測温体の先端部上側の平坦面と発熱板の下面との間の隙間が大きくなればなるほど、測温体の先端部の温度が発熱板の温度からより遠ざかるため、測温体は、発熱板の温度からより離れた値、すなわちより低い値を検出することになる。したがって、測温体によって検出される値と温度検出器によって検出される値との差が最小となるように測温体と発熱板との位置関係を調整し固定すると、測温体の先端部平坦面と発熱板の下面との間の隙間が極小となり、測温体は、最適な姿勢に保持されることになる。そして、発熱板の加熱温度と周囲の温度との間に温度差があるので、発熱板から測温体の先端部に熱が伝わることによって測温体の検出温度が変化するのを確認しつつ、上記の調整操作を行うことが可能である。
【００１９】
請求項３に係る発明の測温体の姿勢調整装置においては、第２の加熱手段により、熱処理位置に支持された基板の、測温体の先端部上側の平坦面が当接された部位が加熱され、あるいは、熱処理位置に支持された発熱板自体の発熱により、発熱板の、測温体の先端部上側の平坦面が当接された部位が加熱され、当該部位の温度が測温体によって検出される。そして、請求項１に係る発明の方法における上記工程により、測温体と基板または発熱板との位置関係が調整され固定されて、測温体が最適な姿勢に保持される。
【００２０】
請求項４に係る発明の測温体の姿勢調整装置においては、第２の加熱手段により、熱処理位置に支持された基板の、測温体の先端部上側の平坦面が当接された部位が加熱され、あるいは、熱処理位置に支持された発熱板自体の発熱により、発熱板の、測温体の先端部上側の平坦面が当接された部位が加熱され、当該部位の温度が測温体によって検出される。また、温度検出器により、基板または発熱板の、測温体の当接部位の反対面側または近傍の温度が検出される。そして、請求項２に係る発明の方法における上記工程により、測温体と基板または発熱板との位置関係が調整され固定されて、測温体が最適な姿勢に保持される。
【００２１】
請求項５に係る発明の基板の熱処理装置においては、姿勢調整装置によって測温体が最適な姿勢に保持され、基板の熱処理時に、測温体によって基板の温度が精度良く検出される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図１ないし図５を参照しながら説明する。
【００２３】
図１は、この発明に係る方法を実施するために使用される測温体の姿勢調整装置の構成要素の１例を示す概略斜視図である。この調整装置は、発熱板１０を備えている。
【００２４】
発熱板１０は、基板、例えば熱処理される半導体ウエハと同等の外形を有しており、図示例のものは、軽量化する便宜上で、ウエハと同等の外径寸法を有するリング形状に形成されている。この発熱板１０は、例えば表面を平滑に研磨した石英あるいはアルミナで形成された２枚のリング状薄板の間にニクロムヒータを挟み込んでリング状薄板同士を接着した構造を有している。そして、発熱板１０は、スライダック１２により、発熱板１０の周囲の温度（ウエハの周囲の温度）より例えば５０℃〜１００℃だけ高い温度まで発熱するように調節可能になっている。
【００２５】
図１には（図２〜図４においても）図示を省略しているが、発熱板１０は、熱処理炉内に配設されたウエハ支持手段、例えば図５に示したようにサセプタに植設された２本の支持ピンと炉口ブロックの取付部に取り付けられた測温体１４とにより、ウエハと同様にして水平姿勢に支持される。測温体１４は、熱処理においてウエハの温度を接触式で実際に計測する温度測定装置の測温体であり、例えばＲ熱電対を、高純度ＳｉＣで先端が閉塞した細管状に形成された被覆部材内に挿入した構造を有し、測温体１４の先端部上側が平坦面に形成されて水平に保持され、その平坦面が発熱板１０（熱処理の際にはウエハ）の下面に当接する。熱電対線１６は、ウエハ温度検出器１８に接続されており、ウエハ温度検出器１８によって発熱板１０の温度が計測される。
【００２６】
測温体１４の姿勢を調整するときは、発熱板１０に通電しスライダック１２を調節して、発熱板１０の、ウエハの温度測定部位に相当する部位すなわち測温体１４の当接部位が発熱板１０の周囲の温度より例えば５０℃〜１００℃だけ高い温度、好ましくは７０℃程度だけ高い温度となるように加熱し、その加熱温度に保持する。そして、測温体１４をピッチングさせたりローリングさせたり高さ方向（Ｚ軸方向）に微少移動させたり（高さ方向の調整は、測温体１４のピッチング角度を変化させると測温体１４の先端部の高さが変化するので、測温体１４の先端部高さを一定に保つ目的で行うものである）して、測温体１４と発熱板１０との位置関係を調整しながら、ウエハ温度検出器１８の計測値が最大となる測温体１４の姿勢を見付け出し、その姿勢に固定する。この操作により、測温体１４の先端部平坦面と発熱板１０の下面との間に隙間が無くなり、測温体１４が最適な姿勢に保持されることになる。
【００２７】
次に、図２に示した方法では、発熱板１０を支持ピンと測温体１４とで支持するのではなく、ウエハＷを支持ピンと測温体１４とによって支持する。そして、ウエハＷ上に発熱体１１を載置して、ウエハＷの温度測定部位すなわち測温体１４の当接部位がウエハＷの周囲の温度より５０℃〜１００℃だけ高い温度、好ましくは７０℃程度だけ高い温度となるように、発熱体１１によってウエハＷを加熱し、その加熱温度に保持する。その後は、上記と同様の操作により測温体１４の姿勢を調整する。
【００２８】
図３に示す調整装置は、発熱板１０のほかに、発熱板１０の温度を測定する熱電対２０および対照用温度検出器２２を備えている。熱電対２０の熱接点は、発熱板１０の、ウエハの温度測定部位に相当する部位すなわち測温体１４の当接部位の反対面側または近傍（図示例では反対面側）に配置される。
【００２９】
測温体１４の姿勢を調整するときは、図１に示した例と同様に、発熱板１０の、ウエハの温度測定部位に相当する部位すなわち測温体１４の当接部位が発熱板１０の周囲の温度より例えば５０℃〜１００℃だけ高い温度、好ましくは７０℃程度だけ高い温度となるように加熱して、その加熱温度に保持し、測温体１４をピッチングさせたりローリングさせたり高さ方向（Ｚ軸方向）に微少移動させたりして、測温体１４と発熱板１０との位置関係を調整する。そして、対照用温度検出器２２によって計測される発熱板１０の温度とウエハ温度検出器１８によって計測される温度との差が最小となる測温体１４の姿勢を見付け出し、その姿勢に固定する。この操作により、測温体１４の先端部平坦面と発熱板１０の下面との間に隙間が無くなり、測温体１４が最適な姿勢に保持されることになる。
【００３０】
このように、発熱板１０の温度と測温体１４で計測される温度との差をモニタする方法によると、発熱板１０に定電圧を印加して発熱させたときに、発熱板１０の温度が多少変化しても、その影響を小さくすることができる。
【００３１】
また、図４に示した方法では、発熱板１０を支持ピンと測温体１４とで支持するのではなく、ウエハＷを支持ピンと測温体１４とによって支持する。そして、ウエハＷ上に発熱体１１を載置して、ウエハＷの温度測定部位すなわち測温体１４の当接部位がウエハＷの周囲の温度より例えば５０℃〜１００℃だけ高い温度、好ましくは７０℃程度だけ高い温度となるように、発熱体１１によってウエハＷを加熱し、その加熱温度に保持する。その後は、図３に示した例と同様の操作により測温体１４の姿勢を調整する。
【００３２】
なお、上述した実施の形態においては、発熱板１０またはウエハＷにおける測温体１４の当接部位が周囲の温度より５０℃〜１００℃だけ高い温度となるように加熱する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、周囲の温度と測温体１４の当接部位の温度との差が５０℃未満であってもよく、また、周囲の温度と測温体１４の当接部位の温度との差が１００℃を超えてもよく、測温体１４の当接部位の温度が周囲の温度よりも高い温度であればよい。但し、通常、発熱板１０またはウエハＷの周囲の温度と発熱板１０またはウエハＷにおける測温体１４の当接部位の温度との差が５０℃を下回ると、発熱板１０またはウエハＷにおける測温体１４の当接部位から測温体１４の先端部へ熱が伝わることによる測温体１４の検出温度の変化を確認し辛くなる。また、発熱板１０またはウエハＷの周囲の温度と発熱板１０またはウエハＷにおける測温体１４の当接部位の温度との差が１００℃を上回ると、対流伝熱による影響を受けて検出値のふらつきを生じやすくなる。
【００３３】
図１ないし図４に示した構成要素からなるそれぞれの測温体の姿勢調整装置を、基板の熱処理装置、例えば図５に示したランプアニール装置に具備させることができる。ランプアニール装置の構成については、図５に基づいて上述したので、ここでは重複する説明を省略する。
【００３４】
図１に示した調整装置を備えるランプアニール装置では、図５に示した装置に加熱板１０およびスライダック１２が付加され、図２に示した調整装置を備えるランプアニール装置では、図５に示した装置に加熱体１１およびスライダック１２が付加され、図３に示した調整装置を備えるランプアニール装置では、図５に示した装置に加熱板１０、スライダック１２、熱電対２０および対照用温度検出器２２が付加され、また、図４に示した調整装置を備えるランプアニール装置では、図５に示した装置に加熱体１１、スライダック１２、熱電対２０および対照用温度検出器２２が付加される。
【００３５】
このランプアニール装置において、調整装置を用いた測温体１４（図５においては測温体４６である。以下、同じ）の姿勢の調整操作は、ウエハＷを熱処理する前に上記したような方法で行われる。測温体１４の姿勢の調整操作が終了すると、熱処理炉３０内から加熱板１０などが取り去られ、その後にウエハＷの熱処理が行われる。このような構成のランプアニール装置では、測温体１４が最適な姿勢に保持されて、測温体１４の先端部平坦面とウエハＷの下面との間の隙間が極小になった状態でウエハＷの熱処理が行われるので、測温体１４によって熱処理中のウエハＷの温度が精度良く検出される。このため、ウエハＷに対してより精度の高い熱処理を施すことが可能になる。
【００３６】
【発明の効果】
請求項１および請求項２に係る各発明の測温体の姿勢調整方法によると、作業者の熟練度の如何に拘わらず、接触式温度測定装置において測温体と基板面との接触状態を常に最適化して、温度測定精度を向上させることができ、このため、プロセスの再現性が得られ、装置間機差を生じることも無くなる。また、測温体と基板面との接触状態を目視で確認する必要が無いので、作業者が測温体と基板面との接触部分に十分に顔を近付けることができるような装置形態にする必要が無くなり、装置設計の自由度が増す。
【００３７】
請求項３および請求項４に係る各発明の測温体の姿勢調整装置を使用すると、請求項１および請求項２に係る各発明の方法を好適に実施することができて、上記効果が得られる。
【００３８】
請求項５に係る発明の基板の熱処理装置を使用すると、請求項３および請求項４に係る各発明の上記効果を奏することができるため、熱処理が施されている基板の温度をより正確に検出することが可能となる。このため、基板に対してより精度の高い熱処理を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る方法を実施するために使用される測温体の姿勢調整装置の構成要素の１例を示す概略斜視図である。
【図２】図１に示した構成要素を使用した別の実施形態を示す概略斜視図である。
【図３】この発明に係る方法を実施するために使用される測温体の姿勢調整装置の構成要素の別の例を示す概略斜視図である。
【図４】図３に示した構成要素を使用した別の実施形態を示す概略斜視図である。
【図５】ランプアニール装置の構成の１例を示す概略側断面図である。
【図６】測温体とウエハとの位置関係の調整について説明するための模式図である。
【符号の説明】
１０  発熱板
１１  発熱体
１２  測温体
１６  熱電対線
１８  ウエハ温度検出器
２０  熱電対
２２  対照用温度検出器
Ｗ  ウエハ
【図１】
0003660276.tif 000002
【図２】
0003660276.tif 000003
【図３】
0003660276.tif 000004
【図４】
0003660276.tif 000005
【図５】
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【図６】
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