(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号発生部（３）から一定の入力信号レベル（ＡO）を試験対象（２）へ入力した状態で、該試験対象に印加するバイアス電圧（Ｂ）を調整してこの試験対象の出力信号レベル（Ｄ）を所定の目標範囲（ＤL〜ＤH）に制御したのち、前記試験対象に対する試験を実施する試験装置（１１）において、
先に試験を実施したときの各試験対象に設定した各バイアス電圧の平均設定値（Ｂｍ）、及び先に試験を実施したときの各試験対象のバイアス電圧に対する出力信号レベル特性の各傾きの平均傾き（Ｋｍ）を記憶する実績値メモリ（２２）と、
前記実績値メモリに記憶されている前記平均設定値をバイアス電圧として前記試験対象に印加して、試験しようとする試験対象の出力信号レベルを測定する第１の試行手段（１５ａ）と、
この第１の試行手段で得られた試験対象の出力信号レベルが前記目標範囲を外れた場合、該得られた試験対象の出力信号レベルと第１の試行手段で試験対象に印加したバイアス電圧（Ｂｍ）と前記実績値メモリに記憶された平均傾き（Ｋｍ）と前記目標範囲の中の目標値（ＤO）とを用いて次に試験対象に印加するバイアス電圧（Ｂ1）を算出する第１のバイアス電圧算出手段（１６ａ）と、
この第１のバイアス電圧算出手段で算出したバイアス電圧（Ｂ1）を前記試験対象に印加して、この試験対象の出力信号レベル（Ｄ2）を測定する第２の試行手段（１５ｂ）と、
前記第１又は第２の試行手段で得られた出力信号レベルが前記目標範囲に入った場合、前記第１又は第２の試行手段におけるバイアス電圧を該当試験対象の設定電圧（Ｂａ）とする設定電圧決定手段（１７）と、
この設定電圧決定手段で決定された設定電圧で前記実績値メモリの平均設定値を更新する平均設定値学習手段（１９）と、
前記第１及び第２の試行手段で得られた各出力信号レベルと前記第１及び第２の試行手段で前記試験対象に印加した各バイアス電圧とを用いて該当試験対象の傾き（Ｋ1）を算出する傾き算出手段（１８）と、
この傾き算出手段で算出された該当試験対象の傾きで前記実績値メモリに記憶された平均傾きを更新する平均傾き学習手段（２０）と
を備えた試験装置。
【請求項２】
前記第２の試行手段で得られた試験対象の出力信号レベルが前記目標範囲を外れた場合、この得られた試験対象の出力信号レベル（Ｄ2）とこの第２の試行手段で試験対象に印加したバイアス電圧（Ｄ1）と前記傾き算出手段で算出された傾き（Ｋ1）と前記目標範囲の中の目標値とを用いて次に試験対象に印加するバイアス電圧（Ｂ2）を算出する第２のバイアス電圧算出手段（１６ｂ）と、この第２のバイアス電圧算出手段で算出したバイアス電圧（Ｂ2）を前記試験対象に印加して、この試験対象の出力信号レベル（Ｄ3）を測定する第３の試行手段（１５ｃ）とを有し、
前記設定電圧決定手段（１７）は、前記第３の試行手段で得られた出力信号レベル（Ｄ3）が前記目標範囲に入った場合、前記第３の試行手段におけるバイアス電圧（Ｂ2）を該当試験対象の設定電圧とする
請求項１記載の試験装置。
【請求項３】
前記平均設定値学習手段（１９）及び平均傾き学習手段（２０）は、前記各試験対象に対する試験の結果、試験結果が不合格になった場合、平均設定値及び平均傾きの更新を中止する学習中止手段（Ｑ２１）
を備えた請求項１又は２記載の試験装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、信号発生部から試験対象の入力端子に信号を入力して、この試験対象の出力端子から出力される出力信号を評価することによって、この試験対象の試験を実施する試験装置に係わり、特に、試験対象の出力電圧を所定の目標範囲に制御した状態で、試験対象の試験を実施する試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種の通信システムに組込まれた各種の通信機器のなかには、中継装置のように、入力される信号の信号レベルの如何にかかわらず、出力信号の信号レベルを一定値に制御した状態で使用される機器もある。また、各種の通信機器内には、内部を流れる信号の信号レベルを一定値に制御するために、複数の増幅器や減衰器が組込まれている。
【０００３】
このような出力レベル一定条件で使用される中継装置や増幅器や減衰器の特性試験を実施する場合においては、先ず、入力端子に一定電圧を入力した状態で、これらの試験対象の出力電圧が一定になるように、増幅率や減衰率に連動するバイアス電圧を調整する。その後、指定された試験を実行する。
【０００４】
また、バイアス電圧、すなわち増幅率や減衰率を一定値に維持した状態で、試験対象の出力電圧が一定になるように、入力電圧を調整する。その後、指定された試験を実行する手法も採用されている。
【０００５】
図６は、バイアス電圧を調整する手法を採用した試験装置の概略構成図である。この試験装置１内には、増幅器や減衰器等からなる試験対象２の入力端子２ａに信号（入力電圧Ａ）を入力する信号発生部３、試験対象２の出力端子２ｂから出力される出力信号（出力電圧Ｄ）をモニタするモニタ部４、試験対象２のバイアス端子２ｃにバイアス電圧Ｂを印加するバイアス発生部５が組込まれている。
【０００６】
さらに、この試験装置１内には、バイアス設定部７及び試験実行部８が設けられた試験制御部６、試験結果等を表示する表示部９、操作者が各種試験指令を入力するための操作部１０等が組込まれている。
【０００７】
一般に、増幅器や減衰器におけるバイアス電圧Ｂと増幅率や減衰率（ゲインα）との関係は、直線関係でなく、非線形関係であるので、図７に示すように、入力電圧Ａを一定（ＡＯ）とした条件において、各バイアス電圧Ｂにおける出力電圧Ｄを示す出力電圧特性Ｅも非線形である。
【０００８】
また、たとえ同一仕様の増幅器や減衰器であったとしても、個々の製品によって、出力電圧特性Ｅが大きく異なる場合がある。したがって、多数の試験対象２に対して試験を実施する場合、各試験対象２毎に、出力電圧Ｄが所定の目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入るバイアス電圧Ｂを求めて試験対象２に設定する必要がある。
【０００９】
したがって、図６に示す試験装置１の試験制御部６のバイアス設定部７は、本来の試験実施に先だって、図８に示すバイアス設定処理を実行する。
【００１０】
先ず、図９の出力電圧特性Ｅに示すように、出力電圧Ｄの目標範囲ＤＬ〜ＤＨ、初期バイアス電圧ＢＳ、初期ステップＢＤをメモリから読出す（Ｓ１）。次に、ステップ分割数Ｎの初期化（Ｎ＝１）を行う（Ｓ２）。そして、信号発生部３に対して試験対象２に対する一定入力電圧ＡＯを指定して、信号発生部３から試験対象２に対して一定入力電圧ＡＯを入力させる（Ｓ３）。
【００１１】
この状態で、バイアス発生部５に対して初期バイアス電圧ＢＳのバイアス電圧Ｂを指定（Ｂ＝ＢＳ）する（Ｓ４）。その結果、試験対象２に初期バイアス電圧ＢＳが印加される。
【００１２】
モニタ部４を介して、この時点における試験対象２の出力電圧Ｄを読取る（Ｓ５）。この読取った出力電圧Ｄが前述した目標範囲ＤＬ〜ＤＨを外れている場合（Ｓ６）で、かつ目標範囲ＤＬ〜ＤＨ未満の場合（Ｓ７）、試験対象２に印加するバイアス電圧Ｂを次のバイアス電圧Ｂに更新する。具体的には、試験対象２に印加するバイアス電圧Ｂを、現在印加しているバイアス電圧Ｂに、初期ステップＢＤをステップ分割数Ｎで除算した値（ＢＤ／Ｎ）を加算した値とする（Ｓ８）。
【００１３】
Ｂ＝Ｂ＋（ＢＤ／Ｎ）
そして、Ｓ５へ戻り、この更新後のバイアス電圧Ｂが印加された試験対象２の出力電圧Ｄを読取る。
【００１４】
また、Ｓ７にて、目標範囲ＤＬ〜ＤＨを越える場合、ステップ分割数Ｎの更新（Ｎ＝Ｎ＋１）を行う（Ｓ９）。そして、試験対象２に印加するバイアス電圧Ｂを、現在印加しているバイアス電圧Ｂから、初期ステップＢＤを更新後のステップ分割数Ｎで除算した値（ＢＤ／Ｎ）を減算した値とする（Ｓ１０）。
【００１５】
Ｂ＝Ｂ―（ＢＤ／Ｎ）
そして、Ｓ５へ戻り、この更新後のバイアス電圧Ｂが印加された試験対象２の出力電圧Ｄを読取る。
【００１６】
また、Ｓ６で、読取った出力電圧Ｄが前述した目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入ると、この時点で試験対象２に印加しているバイアス電圧Ｂを該当試験対象２に対するバイアス設定電圧とする。
【００１７】
図８に示すバイアス電圧設定処理が終了すると、試験実行部８が、該当試験対象２に対する各種の試験を実行する。具体的には、信号発生部３から試験対象２に対して各種の試験信号を送出して、モニタ部４で試験対象２の出力信号をモニタし、試験実行部８がその出力信号を解析する。
【００１８】
このような試験装置１において、出力電圧Ｄが目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入るまでバイアス電圧Ｂを初期バイアス電圧ＢＳから初期ステップＢＤ分づつ増加していき、目標範囲ＤＬ〜ＤＨを越えると、バイアス電圧Ｂを初期ステップＢＤの１／２だけ戻していく。そして、出力電圧Ｄが目標範囲ＤＬ〜ＤＨ未満になると、再度、増加する。
【００１９】
そして、再度、目標範囲ＤＬ〜ＤＨを越えると、バイアス電圧Ｂを初期ステップＢＤの１／３だけ戻していく。このように、バイアス電圧Ｂのステップを順次狭くしていくので、出力電圧Ｄは最終的に必ず目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入る。
【００２０】
この図９の例においては、バイアス電圧Ｂを６回更新（試行）した時点で、出力電圧Ｄは目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入るので、６回目のバイアス電圧Ｂ６１を試験対象２に対するバイアス設定電圧とする。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図８に示す手順で、出力電圧Ｄが目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入るバイアス電圧Ｂを求めるようにした試験装置１においても、まだ解消すべき次のような課題があった。
【００２２】
例えば、目標範囲ＤＬ〜ＤＨは、１１ｄＢｍ〜１１．１ｄＢｍ（目標値の１％範囲）と言うように、非常に狭い範囲である。したがって、図９に示すように、出力電圧Ｄが目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入るバイアス電圧Ｂを求める（サーチする）過程で、最初に、予め設定した固定の初期バイアス電圧ＢＳから出力電圧Ｄが目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入るバイアス電圧Ｂを求める検索（ソート）を開始している。
【００２３】
また、バイアス電圧Ｂを初期バイアス電圧ＢＳから、出力電圧Ｄが目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入る又は越えるまで、初期ステップＢＤずつ増加するようにしている。
【００２４】
したがって、出力電圧Ｄが目標範囲ＤＬ〜ＤＨ近傍に達するまでに、試行されるバイアス電圧Ｂの設定及び出力電圧Ｄの読取の回数が大幅に増加する。その結果、１個の試験対象２に対する全体の試験処理能率が低下し、かつ試験処理時間が大幅に増加する。
【００２５】
特に、同一仕様の大量の試験対象２に対する試験を連続して実施する場合における全体の試験処理能率が大幅に低下する。
【００２７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、先に試験を実施した各試験対象のバイアス電圧の実績値を採用することによって、試験対象の出力電圧（信号レベル）が目標範囲近傍に達するまでのバイアス電圧の算出及び試行の回数を大幅に低減でき、複数の試験対象に対する試験能率を大幅に向上できる試験装置を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、信号発生部から一定の入力信号レベルを試験対象へ入力した状態で、試験対象に印加するバイアス電圧を調整して験対象の利得を可変することにより該試験対象の出力信号レベルを所定の目標範囲に制御したのち、試験対象に対する試験を実施する試験装置に適用される。
【００２９】
そして、上記課題を解消するために、本発明の試験装置においては、先に試験を実施したときの各試験対象に設定した各バイアス電圧の平均設定値、及び先に試験を実施したときの各試験対象のバイアス電圧に対する出力信号レベル特性の各傾きの平均傾きを記憶する実績値メモリと、実績値メモリに記憶されている平均設定値をバイアス電圧として試験対象に印加して、試験しようとする試験対象の出力信号レベルを測定する第１の試行手段と、この第１の試行手段で得られた試験対象の出力信号レベルが目標範囲を外れた場合、該得られた試験対象の出力信号レベルと第１の試行手段で試験対象に印加したバイアス電圧と実績値メモリに記憶された平均傾きと目標範囲の中の目標値とを用いて次に試験対象に印加するバイアス電圧を算出する第１のバイアス電圧算出手段と、この第１のバイアス電圧算出手段で算出したバイアス電圧を試験対象に印加して、この試験対象の出力信号レベルを測定する第２の試行手段と、第１又は第２の試行手段で得られた出力信号レベルが目標範囲に入った場合、第１又は第２の試行手段におけるバイアス電圧を該当試験対象の設定電圧とする設定電圧決定手段と、この設定電圧決定手段で決定された設定電圧で実績値メモリの平均設定値を更新する平均設定値学習手段と、第１及び第２の試行手段で得られた各出力信号レベルと第１及び第２の試行手段で試験対象に印加した各バイアス電圧とを用いて該当試験対象の傾きを算出する傾き算出手段と、この傾き算出手段で算出された該当試験対象の傾きで実績値メモリに記憶された平均傾きを更新する平均傾き学習手段とを備えている。
【００３０】
このように構成された試験装置においては、実績値メモリ内には、過去のバイアス電圧の平均設定値と、過去の各試験対象の出力電圧（信号レベル）特性の平均傾きとが記憶されている。
【００３１】
一般に、ｘｙ二次元座標上に描かれた特性上の１点の座標と特性の傾きとが既知の場合、この特性は一義的に定まるので、特性上の任意の点における座標の一方が求まれば、座標の他方も計算により求まる。
【００３２】
したがって、出力電圧（信号レベル）が目標範囲に入るバイアス電圧を求める過程で、過去の平均設定値を試験対象に印加した時の出力電圧が測定にて決まれば、平均設定値、出力電圧、平均傾き、中心値とを用いて、中心値におけるバイアス電圧が求まる。
【００３３】
なお、バイアス電圧を横軸とし出力電圧（信号レベル）を縦軸とする出力電圧（信号レベル）特性の傾きとして過去の平均傾きを採用しているので、この求めたバイアス電圧を実際に試験対象に印加したとしても、出力電圧が目標範囲に入る保証はないが、極めて高い確率で出力電圧が目標範囲に入る。
【００３４】
したがって、バイアス電圧に対する試行回数を従来の試験装置に比較して大幅に低減できる。その結果、試験対象に対する試験能率を大幅に向上できる。
【００３６】
具体的には、最初に過去の平均設定値をバイアス電圧として試験対象に印加して出力電圧（信号レベル）を測定する。この出力電圧が目標範囲に入れば、この時のバイアス電圧を該当試験対象に対する設定電圧とする。
【００３７】
この出力電圧が目標範囲を外れた場合は、第１のバイアス電圧設定手段において前述した手法で、次に試験装置に印加するバイアス電圧を算出して、この算出したバイアス電圧を試験装置に印加して出力電圧を測定する。この出力電圧が目標範囲に入れば、この時のバイアス電圧を該当試験対象に対する設定電圧とする。
【００３８】
さらに、この設定電圧で実績値メモリの平均設定値が学習される。したがって、次の試験対象に対するバイアス電圧の設定処理効率が向上する。
【００４０】
また、試験対象の出力電圧特性を直線と見なした場合の傾きが算出され、この傾きで実績値メモリの平均傾きが学習される。したがって、次の試験対象に対するバイアス電圧の設定処理効率が向上する。
【００４１】
さらに、別の発明は、上述した発明の試験装置に対して、さらに、第２の試行手段で得られた試験対象の出力信号レベルが目標範囲を外れた場合、この得られた試験対象の出力信号レベルとこの第２の試行手段で試験対象に印加したバイアス電圧と傾き算出手段で算出された傾きと目標範囲の中の目標値とを用いて次に試験対象に印加するバイアス電圧を算出する第２のバイアス電圧算出手段と、この第２のバイアス電圧算出手段で算出したバイアス電圧を試験対象に印加して、この試験対象の出力信号レベルを測定する第３の試行手段とを有している。さらに、設定電圧決定手段は、第３の試行手段で得られた出力信号レベルが目標範囲に入った場合、第３の試行手段におけるバイアス電圧を該当試験対象の設定電圧とする。
【００４２】
このように構成された試験装置においては、第２（２回目）の試行で得られた試験対象の出力電圧においても目標範囲を外れた場合、今回、新たに算出した該当試験対象の傾きを用いて、次に該当試験対象に印加するバイアス電圧が算出される。
【００４３】
さらに、別の発明は、上述した発明の試験装置に対して、さらに、平均設定値学習手段及び平均傾き学習手段は、各試験対象に対する試験の結果、試験結果が不合格になった場合、平均設定値及び平均傾きの更新を中止する学習中止手段を備えている。
【００４４】
このように構成された試験装置においては、試験が不合格になった試験対象の出力電圧特性も異常値になっている可能性が高いので、この試験対象の設定電圧及び傾きを学習には用いていない。よって、実績値メモリに記憶された平均設定値及び平均傾きの信頼性をより一層向上できる。
【００４８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施形態を図面を用いて説明する。
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係るバイアス電圧を調整する手法を採用した試験装置の概略構成を示すブロック図である、図６に示す従来の試験装置１と同一部分には同一符号を付して重複する部分の詳細説明を省略する。
【００４９】
この第１実施形態の試験装置１１内には、試験対象２の入力端子２ａに信号（入力信号レベルとしての入力電圧Ａ）を入力する信号発生部３、試験対象２の出力端子２ｂから出力される出力信号（出力信号レベルとしての出力電圧Ｄ）をモニタするモニタ部４、試験対象２のバイアス端子２ｃにバイアス電圧Ｂを印加するバイアス発生部５が組込まれている。
【００５０】
さらに、この試験装置１１内には、バイアス設定部１３及び試験実行部８が設けられた試験制御部１２、試験結果等を表示する表示部９、操作者が各種試験指令を入力するための操作部１０等が組込まれている。
【００５１】
バイアス設定部１３内には、記憶部１４、試行部１５、バイアス電圧算出部１６、設定電圧決定部１７、傾き算出部１８、平均設定値学習部１９、平均傾き学習部２０が組込まれている。
【００５２】
試行部１５内には、第１の試行部１５ａ、第２の試行部１５ｂ、第３の試行部１５ｃ、……が組込まれ、バイアス電圧算出部１６内には、第１のバイアス電圧算出部１６ａ、第２のバイアス電圧算出部１６ｂ、……が組込まれている。
【００５３】
記憶部１４内には、試験対象２の出力電圧Ｄの目標範囲ＤＬ〜ＤＨ、及び目標範囲ＤＬ〜ＤＨのなかの目標値としての中心値ＤＯを記憶する目標値メモリ２１、過去に試験を実施した同一仕様の各試験対象２に設定したバイアス電圧の平均設定値Ｂｍ、過去に試験を実施した同一仕様の各試験対象２の出力電圧特性Ｅの平均傾きＫｍ、平均に採用した試験対象２の個数を示す平均回数ｎを記憶した実績メモリ２２が形成されている。
【００５４】
さらに、この記憶部１４内には、今回の試験対象２に対する傾き算出で得られた各傾きＫ１、Ｋ２、…を記憶する今回傾きメモリ２３、今回の試験対象２に対するバイアス電圧Ｂの設定値Ｂａを記憶する今回設定値メモリ２４等が形成されている。
【００５５】
試行部１５内の第１の試行部１５ａは、図４に示すように、実績値メモリ２２に記憶されている平均設定値Ｂｍをバイアス電圧Ｂとして試験対象２に印加して、この試験対象２の出力電圧Ｄ１をモニタ部４で測定する。第２の試行部１５ｂは、バイアス電圧算出部１６の第１のバイアス電圧算部１６ａで算出したバイアス電圧Ｂ１を試験対象２に印加して、この試験対象２の出力電圧Ｄ２を測定する。さらに、第３の試行部１５ｃは、バイアス電圧算出部１６の第２のバイアス電圧算部１６ｂで算出したバイアス電圧Ｂ２を試験対象２に印加して、この試験対象２の出力電圧Ｄ３を測定する。
【００５６】
バイアス電圧算出部１６の第１のバイアス電圧算出部１６ａは、図４に示すように、第１の試行部１５ａで得られた試験対象２の出力電圧Ｄ１が目標範囲ＤＬ〜ＤＨを外れた場合、この得られた試験対象２の出力電圧Ｄ１と第１の試行部１５ａで試験対象２に印加したバイアス電圧Ｂｍと実績値メモリ２２に記憶された平均傾きＫｍと目標範囲ＤＬ〜ＤＨの中心値ＤＯとを用いて、次に、すなわち第２の試行部１５ｂにて試験対象２に印加するバイアス電圧Ｂ１を算出する。
【００５７】
Ｂ１＝（ＤＯ―Ｄ１＋Ｋｍ・Ｂｍ）／Ｋｍ
バイアス電圧算出部１６の第２のバイアス電圧算出部１６ｂは、図４に示すように、第２の試行部１５ｂで得られた試験対象２の出力電圧Ｄ２が目標範囲ＤＬ〜ＤＨを外れた場合、この得られた試験対象２の出力電圧Ｄ２とこの第２の試行部１５ｂで試験対象２に印加したバイアス電圧Ｂ１と傾き算出部１８で算出された傾きＫ１と目標範囲ＤＬ〜ＤＨの中心値ＤＯとを用いて、次に、すなわち第３の試行部１５ｃにて試験対象２に印加するバイアス電圧Ｂ２を算出する。
【００５８】
Ｂ2＝（ＤO―Ｄ2＋Ｋ1・Ｂ1）／Ｋ1
傾き算出部１８は、第１、第２の試行部１５ａ、１５ｂで得られた各出力電圧Ｄ1、Ｄ2と第１、第２の試行部１５ａ、１５ｂで試験対象２に印加した各バイアス電圧Ｂｍ、Ｂ1とを用いて試験対象の傾きＫ1を算出して今回傾きメモリ２３へ書込む。
Ｋ1＝（Ｄ1―Ｄ2）／（Ｂｍ―Ｂ1）
設定電圧決定部１７は、第１、第２、第３、…のいずれかの試行部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、…で得られた出力電圧Ｄ1、Ｄ2、Ｄ3、…が目標範囲ＤL〜ＤHに入るとき、該当試行部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、…で試験対象２に印加したバイアス電圧Ｂを該当試験対象２の設定電圧Ｂａとして今回設定値メモリ２４へ格納する。
【００５９】
平均設定値学習部１９は、今回設定値メモリ２４に記憶された今回の試験対象２の設定電圧Ｂａで実績値メモリ２２の平均設定値Ｂｍを更新する。
Ｂｍ＝Ｂｍ（１―１／ｎ）＋Ｂａ／ｎ
同様に、平均傾き学習部２０は、今回傾きメモリ２３に記憶された今回の試験対象２の傾きＫ1、Ｋ2、…の平均値Ｋａで実績値メモリ２２の平均傾きＫｍを更新する。
Ｋｍ＝Ｋｍ（１―１／ｎ）＋Ｋａ／ｎ
なお、実績値メモリ２２内には、この試験装置１１を最初に稼働させる準備段階において、技術者によって、経験に基づいて、平均設定値Ｂｍ及び平均傾きＫｍのそれぞれの概略の初期値が設定されている。そして、この平均設定値Ｂｍ及び平均傾きＫｍが、それぞれの初期値から最良値へと順次更新されていく。
そして、試験制御部１２は、図２、図３の流れ図に従って試験対象２に対するバイアス電圧の設定処理を実施する。
【００６０】
操作者は試験対象２をこの試験装置１１へ装着する（Ｑ１）。信号発生部３に一定入力電圧ＡＯを設定する（Ｑ２）。第１の試行部１５ａが起動して、実績値メモリ２２から平均設定電圧Ｂｍを読出し（Ｑ３）、試験対象２にバイアス電圧Ｂとして印加する（Ｑ４、Ｑ５）。この状態でモニタ部４で試験対象２の出力電圧Ｄ１を読取る（Ｑ６）。
【００６１】
この読取った出力電圧Ｄ１が目標値メモリ２１の目標範囲ＤＬ〜ＤＨを外れた場合（Ｑ７）、第１のバイアス電圧算出部１６ａが起動して、目標値メモリ２１の目標範囲ＤＬ〜ＤＨの中心値ＤＯ、平均傾きＫｍを読出して（Ｑ８）、次に、すなわち第２の試行部１５ｂにて試験対象２に印加するバイアス電圧Ｂ１を算出する（Ｑ９）。
【００６２】
Ｂ１＝（ＤＯ―Ｄ１＋Ｋｍ・Ｂｍ）／Ｋｍ
次に、第２の試行部１５ｂが起動して、この算出したバイアス電圧Ｂ１をバイアス発生部５へ設定して、試験対象２に印加する（Ｑ１０）。この状態における試験対象２の出力電圧Ｄ２をモニタ部４を介して読取る（Ｑ１１）。
【００６３】
次に、傾き算出部１８が起動して、この試験対象２の出力電圧特性Ｅを直線と見なしたときの傾きＫ１を求め（Ｑ１２）、今回傾きメモリ２３へ書込む（Ｑ１３）。
【００６４】
Ｋ1＝（Ｄ1―Ｄ2）／（Ｂｍ―Ｂ1）
そして、今回の試行で読取った試験対象２の出力電圧Ｄ2が、なお、目標範囲ＤL〜ＤHを外れた場合（Ｑ１４）、バイアス電圧算出部１６の第２以降のバイアス電圧算出部１６ｂ、…が起動して、先に算出した該当試験対象２の傾きＫ1、Ｋ2、…を用いて、次に試験対象２に印加するバイアス電圧Ｂ2、Ｂ3、…を算出する（Ｑ１５）。
【００６５】
試行部１５の第３以降の試行部１５ｃ、…が起動して、今回、新たに算出したバイアス電圧Ｂ２、Ｂ３、…を試験対象２に印加して（Ｑ１６）、試験対象２の出力電圧Ｄ３、Ｄ４、…を読取る（Ｑ１７）。そして、傾き算出部１８が起動して、この新規に読取った出力電圧Ｄ３、Ｄ４、…、及び印加したバイアス電圧Ｂ２、Ｂ３、…を用いて新規の傾きＫ２、Ｋ３、…を算出して（Ｑ１８）、Ｑ１３へ戻る。そして、試験対象２の出力電圧Ｄ３、Ｄ４、…が目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入るか否かを検証する。
【００６６】
このように、試験対象２の出力電圧Ｄ３、Ｄ４、…が目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入るまで、Ｑ１３〜Ｑ１６の処理を繰返す。
【００６７】
Ｑ７又はＱ１４で試験対象２の出力電圧Ｄ（Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、…のいずれか）が目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入ると、図３のＱ１９へ進み、出力電圧Ｄが目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入った最終のバイアス電圧Ｂ（Ｂｍ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、…のいずれか）を該当試験対象２の設定電圧Ｂａとして、今回設定値メモリ２４へ書込む。
【００６８】
そして、試験実行部８が起動して、該当試験対象２に対する指示された試験を実施する（Ｑ２０）。試験結果が合格の場合（Ｑ２１）、平均設定値学習部１９が起動して、実績値メモリ２２の平均設定値Ｂｍを更新する（Ｑ２２）。
【００６９】
Ｂｍ＝Ｂｍ（１―１／ｎ）＋Ｂａ／ｎ
今回傾きメモリ２３に今回の試験対象２に対する傾きＫ１、Ｋ２、…が記憶されていると（Ｑ２３）、この傾きＫ１、Ｋ２、…の平均値Ｋａを求めて（Ｑ２４）、実績値メモリ２２の平均傾きＫｍを更新する（Ｑ２５）。
【００７０】
Ｋｍ＝Ｋｍ（１―１／ｎ）＋Ｋａ／ｎ
なお、第１の試行部１５ａ（１回目の試行）で出力電圧Ｄ１が目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入った場合は、今回の試験対象２に対する傾きＫ１、Ｋ２、…が記憶されていないので、実績値メモリ２２の平均傾きＫｍを更新することはない。
そして、平均回数ｎの更新（ｎ＝ｎ＋１）を行う（Ｑ２６）。
【００７１】
なお、Ｑ２１にて、該当試験対象２に対する試験結果が不合格の場合、該当試験対象２は不良品であると判断して、この試験対象２を用いた実績値メモリ２２の平均設定値Ｂｍ、平均傾きＫｍの更新（学習）を実施しない。
【００７２】
そして、まだ試験を実施していない試験対象２が存在すれば（Ｑ２７）、Ｑ１へ戻り、未実施の試験対象２をこの試験装置１１に装着する。全ての試験対象２に対する試験が終了すると（Ｑ２７）、この試験処理を終了する。
【００７３】
このように構成された第１実施形態の試験装置１１においては、試験対象２の入力端子２ａに一定の入力電圧ＡＯを入力した状態で、この試験対象２の出力電圧Ｄが目標範囲ＤＬ〜ＤＨに入るバイアス電圧Ｂをサーチ（検索）していく過程で、１回目（第１試行部１５ａ）で、過去に試験を実施した各試験対象の平均設定値Ｂｍを、該当試験対象２に対する１回目のバイアス電圧Ｂとしている。
【００７４】
そして、この１回目（第１の試行部１５ａ）の試行で、出力電圧Ｄ１が目標範囲ＤＬ〜ＤＨを外れた場合に、過去に試験を実施した各試験対象の平均傾きＫｍと目標範囲ＤＬ〜ＤＨの中心値ＤＯを用いて、２回目（第２の試行部１５ｂ）に試験対象２に印加するバイアス電圧Ｂ１を求めている。
【００７５】
３回目（第３の試行部１５ｃ）以降に試験対象２に印加するバイアス電圧Ｂ２は前２回の試行の結果で算出される自己の試験対象２の出力電圧特性Ｅの傾きＫ１、Ｋ２、…と目標範囲ＤＬ〜ＤＨの中心値ＤＯを用いて、試験対象２に印加するバイアス電圧Ｂ２、Ｂ３、…を求めている。
【００７６】
したがって、バイアス電圧に対する試行回数を図６、図９に示した従来の試験装置１に比較して大幅に低減できる。その結果、試験対象２に対する試験能率を大幅に向上できる。
【００７７】
実施形態の試験装置１１における試行回数の平均は２．４回であり、図６、図９に示した従来の試験装置１における６回に比較して、大幅に低減できた。この効果は、試験すべき試験対象数が多いほど大きい。
【００７８】
さらに、試験が不合格になった試験対象２の出力電圧特性Ｅも異常値になっている可能性が高いので、この試験対象２の設定電圧Ｂａ及び傾きＫａを学習には用いていない。よって、実績値メモリ２２に記憶された平均設定値Ｂｍ及び平均傾きＫｍの信頼性をより一層向上できる。
【００７９】
（第２実施形態）
図５は本発明の第２実施形態に係る入力電圧を調整する手法を採用した試験装置の概略構成を示すブロック図である、図１に示す第１実施形態の試験装置１１と同一部分には同一符号を付して重複する部分の詳細説明を省略する。
【００８０】
この第２実施形態の試験装置１１ａは、バイアス発生部５から一定バイアス電圧ＢＯを試験対象２へ印加した状態で、この試験対象２の入力電圧Ａを調整してこの試験対象２の出力電圧Ｄを所定の目標範囲ＤＬ〜ＤＨに制御したのち、試験対象２に対する試験を実施する。
【００８１】
さらに、試験装置１１ａ内には、入力電圧設定部１３ａ及び試験実行部８が設けられた試験制御部１２ａ、試験結果等を表示する表示部９、操作者が各種試験指令を入力するための操作部１０等が組込まれている。入力電圧設定部１３ａ内には、目標値メモリ２１、実績値メモリ２２ａ、設定電圧決定部２５が設けられている。
【００８２】
実績値メモリ２２ａ内には、過去に試験を実施した各試験対象２に設定した各入力電圧Ａの平均設定値Ａｍ及び過去に試験を実施した各試験対象２の入力電圧Ａと出力電圧Ｄとの関係を示す各傾きＫの平均傾きＫｍが記憶されている。
【００８３】
そして、設定電圧決定部２５は、実績値メモリ２２ａに記憶されている平均傾きＫｍと平均設定値Ａｍとこの平均設定値Ａｍを試験対象２に入力したときの出力電圧Ｄと目標範囲ＤＬ〜ＤＨの中心値ＤＯとを用いて試験対象２の入力電圧Ａの設定電圧を求める。
【００８４】
このように、この第２実施形態の試験装置１１ａは、先に説明した第１実施形態の試験装置１１における、バイアス電圧Ｂを入力電圧Ａに置換え、入力電圧Ａをバイアス電圧Ｂに置換えたものである。
【００８５】
したがって、この第２実施形態の試験装置１１ａは先に説明した第１実施形態の試験装置１１とほぼ同様の作用効果を奏することが可能である。
【００８６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の試験装置においては、先に試験を実施した各試験対象のバイアス電圧の実績値や出力電圧特性の傾きを、今回の試験対象に設定するバイアス電圧の算出に採用している。したがって、試験対象の出力電圧が目標範囲近傍に達するまでのバイアス電圧の算出及び試行の回数を大幅に低減でき、複数の試験対象に対する試験能率を大幅に向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係わる試験装置の概略構成を示すブロック図
【図２】同第１実施形態の試験装置におけるバイアス電圧設定処理動作を示す流れ図
【図３】同じく第１実施形態の試験装置におけるバイアス電圧設定処理動作を示す流れ図
【図４】同じく第１実施形態の試験装置におけるバイアス電圧設定動作を説明するための図
【図５】本発明の第２実施形態に係わる試験装置の概略構成を示すブロック図
【図６】従来の試験装置の概略構成を示すブロック図
【図７】試験対象の出力電圧特性を示す図
【図８】従来の試験装置におけるバイアス電圧設定処理動作を示す流れ図
【図９】同じく従来の試験装置におけるバイアス電圧設定動作を説明するための図
【符号の説明】
１、１１、１１ａ…試験装置
２…試験対象
３…信号発生部
４…モニタ部
５…バイアス発生部
１２、１２ａ…試験制御部
１３…バイアス設定部
１３ａ…入力電圧設定部
１５…試行部
１６…バイアス電圧算出部
１７…設定電圧決定部
１８…傾き算出部
１９…平均設定値学習部
２０…平均傾き学習部
２１…目標値メモリ
２２、２２ａ…実績値メモリ
２３…今回傾きメモリ
２４…今回設定値メモリ
２５…設定電圧決定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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