(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持杆及び位置決め杆によって基板を水平状態であって、実質的に点接触するように保持して回転駆動する基板回転手段と、
この基板回転手段により回転する基板の表面に少なくとも１種類の処理液を所定の温度で供給するノズル部材を、前記基板に対向配設する作動位置と、この基板の上部を開放する退避位置とに変位可能なアームに取り付けた処理液の供給手段と、
前記基板を前記処理液の温度と概略同じ温度となるようにするために、この基板の裏面に対して温水を噴射範囲を設定または調整可能に噴射させるために、複数の温水噴射口を備えたノズルチップを装着した基板加温手段と
を備えた基板の液処理装置。
【請求項２】
前記ノズルチップの温水噴射口は、前記基板の裏面に対して、そのほぼ全面に向けて温水を噴射可能なものとなし、前記基板のサイズに応じて噴射角の異なるノズルチップを交換して装着できる構成としたことを特徴とする請求項１記載の基板の液処理装置。
【請求項３】
基板回転手段上に、基板を水平状態で複数箇所に点接触するように保持して、この基板回転手段を駆動して基板を回転させる間に、この基板の表面側には所定の温度となった処理液を供給して、遠心力の作用によりこの基板の全面にわたって塗布すると共に、基板の裏面に向けて、この処理液の温度と概略同じ温度となった温水をそのほぼ全面に及ぶように噴射することを特徴とする基板の液処理方法。
【請求項４】
基板回転手段上に、基板を水平状態で複数箇所に点接触するように保持して、この基板回転手段を駆動して基板を回転させる間に、基板の裏面に向けて温水をそのほぼ全面に及ぶように噴射させて基板を加温し、
この基板の加温を継続しながら、この基板の表面側に温水と概略同じ温度の処理液を供給して、遠心力の作用によりこの基板の全面にわたって塗布する
ことを特徴とする基板の液処理方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４による液処理方法を工程として含んで基板を製造することを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶パネルのＴＦＴ基板やカラーフィルタ、半導体ウエハ等の基板の表面に処理液を塗布する基板の液処理装置及び液処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、液晶パネルのＴＦＴ基板を製造する工程においては、現像液の塗布，エッチング液の塗布，レジスト膜を剥離するための剥離液の供給等、所要のウエットプロセス、つまり液処理が行われる。このような基板の液処理は、基板を回転駆動手段に装着して、それを回転させながら、処理液をその表面に供給することにより行うようにしたものは、従来から広く用いられている。
【０００３】
前述したウエットプロセスにおいて、複数の処理、例えば現像液を塗布した後に純水を用いた洗浄乃至リンス処理とを単一の装置で行うようにしたものが、例えば特開平１０−５７８７７号公報に知られている。この公知の基板の液処理装置は、カップ状のハウジング内に基板回転手段を配置し、この基板回転手段はモータにより回転駆動される回転軸の上端部に十字状にアームを連結して設け、このアームに複数の支持ピンや位置決めピンを所定の位置に立設して、基板をこれらのピン上に載置した状態で回転軸を回転駆動することにより基板を水平状態に保持して回転させる。そして、基板の上部位置に処理液の供給ノズルを対向配設させ、回転軸で基板を高速回転させる間に、ノズルから処理液を基板上に供給して遠心力の作用によって、回転による遠心力の作用でスピンコートさせ、もって基板全体に処理液がむらなく塗布するものである。
【０００４】
基板に供給された処理液のうちの余剰分は基板のエッジ部分から飛散するが、このように飛散した処理液を回収するために、基板をハウジングにより囲繞させて設けて、装置の周辺が汚損を防止されると共に処理液が回収される。さらに、基板の裏面側に処理液が回り込むのを防止するために、この基板の裏面に純水の液膜を形成するようにしている。この液膜形成は、回転軸を中空のものとなし、この回転軸の内部に純水供給管を挿通させ、この純水供給管の先端から純水を噴出させて、基板の裏面側に供給するものである。また、供給管を２重となし、内管側に窒素ガスを供給して、液処理を行った後の基板をスピン乾燥する際に、回転周速が生じない基板の回転中心位置に乾燥用のガスを供給するように構成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、基板に対する処理液の塗布は、例えば現像液やレジスト膜の剥離液を塗布する場合には、処理液を所定の温度となるように加温した状態で供給ノズルから噴射させるのが、処理液の粘度管理等の点で望ましい。処理を行うに当って、基板の回転速度が一定であるとすれば、基板上に供給された処理液の粘度により塗布精度が変化する。即ち、処理液の温度が設定値より低く、高粘度状態となっていると、この処理液の基板上での広がりが阻害され、基板全面にむらなく均一に塗り広めるのが困難になってしまう。一方、処理液の温度が設定値より高く、粘度が低過ぎると、遠心力の作用による処理液の周辺部に向けての流れが速くなり過ぎ、処理液の基板との接触時間が短くなり、液処理の効率性が失われる結果となる。例えば、レジスト膜の剥離処理はフォトレジスト膜が成膜された基板を現像した後に、剥離液により膜の一部を取り除くものであるが、レジスト膜の剥離を正確に行うには、剥離液が基板全体に均一に広がるようにしなければならず、しかも剥離液の使用量に無駄が発生しないようにする必要もある。処理液を加温するのは、以上の理由から、粘度の一定化等を図るためである。
【０００６】
ところで、処理液の温度管理を厳格にして、一定温度の処理液を供給したとしても、基板に供給されて周囲に広がっていく間に処理液の温度が低下しないように保持しなければ、基板全体にわたって均一な処理が行われないことになる。特に、処理液に対して有効に遠心力を働かせるために基板を高速回転させるが、基板の回転速度が速くなれば速い程、基板及びそれに供給された処理液の温度低下が激しくなる。しかも、基板の回転時には、回転中心部より周辺部の方が回転周速が速くなることから、処理液が周辺部に向かうに応じて急速に冷却されるというように、基板上での処理液の温度に大きな勾配が生じ、塗布むら等が発生して処理液の塗布状態が安定しなくなるという問題点がある。
【０００７】
本発明は以上の点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、ウエットプロセスにおいて、基板に供給された処理液の温度を正確に管理できるようになし、この処理液が基板の全面に広がる間に温度低下を来さないようにすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本発明の液処理装置は、支持杆及び位置決め杆によって基板を水平状態であって、実質的に点接触するように保持して回転駆動する基板回転手段と、この基板回転手段により回転する基板の表面に少なくとも１種類の処理液を所定の温度で供給するノズル部材を、前記基板に対向配設する作動位置と、この基板の上部を開放する退避位置とに変位可能なアームに取り付けた処理液の供給手段と、前記基板を前記処理液の温度と概略同じ温度となるようにするために、この基板の裏面に対して広い角度をもって温水を噴射範囲を設定または調整可能に噴射させるために、複数の温水噴射口を備えたノズルチップを装着した基板加温手段とを備える構成としたことをその特徴とするものである。また、液処理方法としては、基板回転手段上に、基板を水平状態で複数箇所に点接触するように保持して、この基板回転手段を駆動して基板を回転させる間に、この基板の表面側には所定の温度となった処理液を供給して、遠心力の作用によりこの基板の全面にわたって塗布すると共に、基板の裏面に向けて、この処理液の温度と概略同じ温度となった温水をそのほぼ全面に及ぶように噴射することを特徴としている。さらに、他の方法として、基板回転手段上に、基板を水平状態で複数箇所に点接触するように保持して、この基板回転手段を駆動して基板を回転させる間に、基板の裏面に向けて温水をそのほぼ全面に及ぶように噴射させて基板を加温し、この基板の加温を継続しながら、この基板の表面側に温水と概略同じ温度の処理液を供給して、遠心力の作用によりこの基板の全面にわたって塗布することを特徴としている。
【０００９】
ここで、基板加温手段は、温水配管の先端に基板の裏面に対して、そのサイズに応じて所定の広がりをもって温水を噴射させるノズルチップを着脱可能に装着する構成となし、特にノズルチップにより基板裏面に対して、そのほぼ全面に向けて温水を噴射可能な複数の温水噴射口を形成するようにするのが望ましい。従って、異なるサイズの基板を処理できるように構成した場合には、この基板のサイズに応じて噴射角の異なるノズルチップを交換して装着できるようにする。また、基板に供給される処理液としては、現像液，エッチング液，剥離液等があり、これらの処理液のうちの少なくとも１種類のものであって、温度管理が必要な処理液での処理を行う場合に適用される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
まず、図１乃至図５に本発明の実施の一形態における液処理装置の具体的構成を示す。ここで、以下においては、処理される基板の一例としては、液晶パネルを構成するＴＦＴ基板であり、この基板に現像液やレジスト膜の剥離液等を供給して行うウエットプロセスを行うものとして説明する。ただし、液晶パネルのカラーフィルタや、その他の基板である半導体ウエハ等の基板を製造する際に必要な種々の液処理を行うためにも応用することができる。
【００１１】
まず、図１及び図２において、１０は基板であって、この基板１０は、図２に示したように、長方形の薄いガラス基板から構成される。１１は基板回転手段であって、この基板回転手段１１は回転軸１２を有し、この回転軸１２は基台１３に立設した保持筒１４に軸受１５で回転自在に支持されている。回転軸１２の上端部には、４本のアーム１６が水平方向に延在されており、これら各アーム１６には複数の支持杆１７が立設されており、これらの支持杆１７の先端は球面形状となっている。また、各アーム１６の先端部分には、それぞれ一対からなる位置決め杆１８が立設されている。基板１０は、複数の支持杆１７上に点接触状態で載置されて平面度を保持するようになし、かつ４つの角隅部は各一対からなる位置決め杆１８により水平方向に移動できないように規制されるようにして設置されるようになっている。
【００１２】
基板回転手段１１の回転軸１２は基台１３の下方位置に延在されて、その端部にプーリ１９が連結して設けられている。基台１３の下部位置にはモータ２０が設けられ、このモータ２０の出力軸には駆動プーリ２１が連結されており、駆動プーリ２１と回転軸１２のプーリ１９との間には伝達ベルト２２が巻回して設けられている。従って、モータ２０により回転軸１２を回転駆動すると、アーム１６に載置した基板１０が回転することになる。この基板１０の回転中に、その表面１０ａ側には、例えばレジスト膜の剥離液等の処理液が塗布されるようになっている。
【００１３】
以上の液処理は、基板１０を回転駆動することにより処理液に遠心力を作用させて、基板１０の表面１０ａに沿って処理液を拡散させる。そして、余剰の処理液は基板１０のエッジからほぼ水平な方向に飛散するが、この飛散液を回収するために、基板１０は上端が開口したハウジング２３で囲繞されるようになっている。そして、ハウジング２３の外側の位置には、基板１０に対して処理液等を供給する供給手段が設けられている。そこで、図３に処理液供給手段２４の構成を示す。処理液供給手段２４は、水平方向に設けた支持アーム２５を有し、この支持アーム２５にその長手方向に複数の液供給ノズル２６が取り付けられている。支持アーム２５の基端部には取付板２８に連結されており、この取付板２８にはスプライン軸２９の先端が連結され、このスプライン軸２９は、回動軸３０に挿嵌されて、昇降可能で、相対回動不能に連結されている。そして、回動軸３０は基台１３に装着した軸受部材３１に回動自在に支持されている。
【００１４】
回動軸３０は基台１３の下方に延在されており、またスプライン軸２９はこの回動軸３０よりさらに下方に延在されている。スプライン軸２９の端部に昇降駆動手段３２が、回動軸３０の端部には回動駆動手段３３がそれぞれ設けられている。昇降駆動手段３２は、シリンダ３４を有し、このシリンダ３４のロッドには連結板３５が連結されており、この連結板３５は軸受３６を介してスプライン軸２９に相対回動自在に連結されている。従って、シリンダ３４を作動させると、スプライン軸２９は実線で示した下降位置と、仮想線で示した上昇位置とに昇降変位できるようになる。また、回動駆動手段３３は、回動軸３０に固着して設けた作動レバー３７を有し、この作動レバー３７を水平方向に回動させることによって、それに連結した回動軸３０を回動させて、図２に実線で示したように、ハウジング２３から外れた位置と、同図に仮想線で示したように、ハウジング２３の上部の開口に臨む位置との間に往復回動する。
【００１５】
処理液供給手段２４を以上のように構成することによって、支持アーム２５を上昇させて、ハウジング２３の外部に位置させると退避位置となり、また基板回転手段１１に載置した基板１０と対面し、かつ所定の高さ位置まで下降させることによって、液供給ノズル２６が基板１０の表面１０ａに近接して処理液を供給できる作動位置となる。支持アーム２５の退避位置では、適宜のハンドリング手段で基板回転手段１１に基板１０を載置したり、また基板回転手段１１から基板１０を取り出したりできる。そして、液供給ノズル２６は、噴射された洗浄液が基板１０の全面に円滑かつ確実に、しかもむらなく広がるようにして複数箇所噴射されることになる。
【００１６】
処理液の塗布は、基板１０の回転による遠心力の作用を利用して行うことから、余剰の処理液が基板１０の外周におけるエッジ部分から飛散する。そこで、飛散処理液を有効に回収するために、液処理槽を構成するハウジング２３が設けられている。このハウジング２３は、底壁２３ａの周囲に、上端が内向きに曲成した外側周壁２３ｂと内側周壁２３ｃとが連設されている。これによって、外側周壁２３ｂと内側周壁２３ｃとの間に第１の液回収チャンバ４０が形成され、また内側周壁２３ｃの内側は第２の液回収チャンバ４１が形成される。このように構成すると、液処理装置で異なる２種類の処理液塗布を行う際に、それぞれ別個の液回収チャンバ４０，４１で回収できることになる。なお、単一の処理液を塗布する場合には、第２の液回収チャンバを設ける必要はない。
【００１７】
ハウジング２３における外側周壁２３ｂ及び内側周壁２３ｃの上端部は略水平方向に向いており、それらの開口の直径は少なくとも基板１０の対角線の長さより大きくなし、これにより基板１０の搬入及び搬出が可能となっている。また、底壁２３ａは保持筒１４の周囲を囲繞しており、その中央の部位は円筒状に立ち上がる円筒部２３ｄとなっている。さらに、底壁２３ａは外周側に向けて傾斜しており、また外側周壁２３ｂ及び内側周壁２３ｃは垂直壁と傾斜壁とを有するものとなっている。従って、第１の液回収チャンバ４０または第２の液回収チャンバ４１に向けて飛散した処理液はこれら垂直壁及び傾斜壁を伝って流下することになる。そして、第１の液回収チャンバ４０及び第２の液回収チャンバ４１の底面にはそれぞれ１または複数の吸引配管４２，４３が接続され、これら吸引配管４２，４３は負圧ポンプ４４，４５に接続されると共に、回収タンク４６，４７に接続されている。
【００１８】
従って、一の処理液を基板１０に塗布する際には、基板１０を外側周壁２３ｂと内側周壁２３ｃとの間に位置させて、負圧ポンプ４４を作動させて、基板１０の外周エッジから飛散する余剰の処理液を第１の液回収チャンバ４０内に取り込み、負圧ポンプ４４による負圧吸引力によって、第１の液回収チャンバ４０内の処理液を回収タンク４６に回収する。他の処理液（洗浄液を含む）を供給する際には、ハウジング２３を上昇させて、内側周壁２３ｃを基板１０の位置より上方の位置にまでハウジング２３を持ち上げて、負圧ポンプ４５を作動させる。これによって、基板１０から飛散する他の処理液は第２の液回収チャンバ４１内に取り込まれ、吸引配管４３から回収タンク４７に回収できるようになる。
【００１９】
以上の理由から、ハウジング２３は昇降可能になっている。ハウジング２３を昇降させるために、図４に示したように、ハウジング２３の両側にブラケット４８を連結して設け、これら両ブラケット４８に昇降ロッド４９を連結している。そして、この昇降ロッド４９は、基台１３に取り付けた軸受部材５０を貫通して下方に延び、これら２本の昇降ロッド４９の下端部を掛け渡すように昇降板５１が取り付けられている。さらに、この昇降板５１には、両端を固定した固定板５２，５３間に連結して設けたガイドロッド５４にスライド部材５５を介して連結されており、また固定板５２，５３間に設けた送りねじ５６を挿嵌したナット５７が連結されている。そして、送りねじ５６には駆動モータ５８が連結されており、この駆動モータ５８により送りねじ５６を回転させると、昇降板５１が上下動して、この昇降板５１から昇降ロッド５３を介してハウジング２３を上下動させて、基板１０のエッジの延長線上に第１の液回収チャンバ４０が臨む位置と、第２の液回収チャンバ４１が臨む位置とに昇降駆動されることになる。
【００２０】
ところで、処理液は、その種類や組成等により異なるが、粘度管理を行う等のために、所定の温度にまで加温した状態で基板１０に供給される。このようにして基板１０に供給された処理液は、外周部におけるエッジから飛散するまでの間は確実に一定の温度状態に維持されていなければならない。このためには、基板１０を実質的に処理液の温度と等しい温度となるように保持する必要がある。そこで、本発明においては、まず基板１０の回転中に、この基板１０を加温するために、その裏面側に向けて温水を噴射させるように構成している。ここで、温水は、不純物を含まない純水を所定の温度にまで加温したものである。
【００２１】
温水は基板１０の裏面１０ｂ側に供給するようになっており、このために基板１０を回転駆動する回転軸１２を中空回転軸となし、その内部に基板加温手段６０を配置している。この基板加温手段６０は、温水供給源として、ヒータ等からなる加温手段を備えた温水タンク６１と、温水配管６２と、この温水配管６２の先端に設けたノズルチップ６３とから構成され、温水配管６２の途中には、先端側から温度センサ６４，圧力調整弁６５及び開閉弁６６が装着されている。温水配管６２は中空となった回転軸１２内に挿通されて、軸受６７により相対回転自在に保持されている。この温水配管６２に先端に連結したノズルチップ６３は、回転軸１２に装着した基板１０の回転中心位置に所定の間隔を置いて対面する状態に設けられている。そして、例えば温水タンク６１を加圧する等により、この温水タンク６１内の温水を温水配管６２内に圧送して、ノズルチップ６３から基板１０の裏面に向けて噴出させるように構成している。
【００２２】
図５に示したように、ノズルチップ６３の外形は概略円錐形状乃至裁頭円錐形状の本体部６３ａに、スカート部６３ｂを連設したもので、スカート部６３ｂは温水配管６２の先端部分に所定の嵌合長をもって連結されている。ノズルチップ６３の本体部６３ａを構成する円錐面には複数の温水噴出口６８が開口している。これらの温水噴射口６８は、その中心部では鉛直方向に向けられているが、周辺部に向かうに応じて傾斜している。ここで、温水配管６２の中心軸線に対する温水噴射口６８の傾斜角度を大きくすればするほど、ノズルチップ６３からの温水の噴射角度が広がることになる。また、各々の温水噴射口６８から噴射される温水は、その圧力が高いほど温水噴射口６８から出た後に広く拡散することになり、従って、噴出圧によっても噴射温水の広がり度合いが変化する。そこで、各温水噴射口６８の傾斜角度と、温水の供給圧力とによって、ノズルチップ６３からの温水の噴射角度が定まり、そしてノズルチップ６３と基板１０との間隔によって、基板１０の裏面１０ｂに対する温水の噴射範囲を設定及び調整できる。ここで、ノズルチップ６３と温水配管６２との間の連結部は、スカート部６３ｂに設けた止めねじ６９で固定されている。なお、ノズルチップ６３と温水配管６２の連結部を固定する構造としては、止めねじ６９以外にも、例えば螺合等適宜の手段により行う構成とすることもできる。
【００２３】
而して、ノズルチップ６３は、そのスカート部６３ｂが温水配管６２に対して螺合により取り付ける構成としているから、異なる角度の温水噴射口を持ったノズルチップを交換して用いることができる。また、ノズルチップ６３の温水配管６２に対する螺合長を調整できるので、ノズルチップ６３と基板１０との間隔の調整を行うことができる。さらに、温水配管６２には圧力調整弁６５が設けられているから、この圧力調整弁６５によってノズルチップ６３からの温水の噴出圧を調整できる。従って、これらの可変要素により基板１０への温水の噴射範囲を任意に設定できることになる。温水を基板１０に供給するのは、この基板１０の全体をむらなく加温するためであり、従って温水はできるだけ基板１０の全面に噴射できるようにするのが望ましい。ただし、基板１０の回転により、その裏面側に供給された温水は遠心力の作用で、ある程度の広がり期待できる。このために、実際には基板１０のほぼ全面に温水が直接噴射されるようになっておれば良い。ただし、基板１０より広い範囲で温水を噴射させるのは、温水の無駄が生じるだけでなく、基板１０への処理液の塗布に邪魔になるので好ましくはない。
【００２４】
以上のように構成することによって、基板１０を基板回転手段１１における支持杆１７及び位置決め杆１８を設けたアーム１６上に設置すると共に、処理液供給手段２４の支持アーム２５を回動させて、液供給ノズル２６を基板１０に対面させた状態となし、回転軸１２を回転駆動すると共に、液供給ノズル２６から処理液を噴射させることによって、基板１０の表面１０ａに対して液処理を行うことができる。ここで、液供給ノズル２６から噴射される処理液は、例えば４０℃〜５０℃等というように、その種類や粘度等に応じて基板１０に対して最適の塗布温度条件に保持した状態で供給する。そして、この液処理を行っている間は、回転軸１２の内部に設けた基板加温手段６０を構成する加温配管６２に所定の圧力で温水を供給することによって、基板１０の裏面１０ｂ側のほぼ全面に温水を噴出させる。これによって、基板１０が処理液の温度とほぼ同じ温度に保持されることになるので、この基板１０に供給された処理液が周囲に広まる間に、その温度が変化するのを防止できる。
【００２５】
ここで、温水の温度としては、処理液の温度と同じか、それよりはある程度高くなし、かつノズルチップ６３における温水噴射口６８からは基板１０の裏面１０ｂに対してほぼ全面に及ぶように温水が噴射されることになる。この結果、基板１０の回転時に基板１０が部分的に冷却されるのを防止できる。ただし、基板１０をあまり高速で回転させると、その分だけ空気の流れが激しくなり、温水を供給したとしても、温度低下が生じる可能性がある。そこで、基板回転手段１１による基板１０の回転数としては、基板１０に供給された処理液が基板１０の全体に円滑に広がらせることができ、しかもその回転中に空気流により部分的な冷却が生じない程度の回転数を選択する。また、基板１０の回転による空気流の発生を抑制するには、図１に示したように、回転軸１２の近傍に噴射ノズル５９を設けて、この噴射ノズル５９から、加温されたクリーンエア等を噴出させるようにすれば良い。
【００２６】
なお、基板１０が液処理工程に搬入される前の段階では低い温度状態となっているものもあり、この場合には、基板回転手段１１に基板１０が装着されて回転が開始した直後に処理液供給手段２４から処理液を供給すると、基板加温手段６０により基板１０が十分加温される前の段階では、この基板１０に供給された処理液の温度が低下することになる。このような事態が発生しないようにするには、処理液供給手段２４から処理液が供給される前に、予め基板１０の裏面に温水を噴射することにより基板１０を加温するのが望ましい。また、基板１０を基板回転手段１１に装着する前の段階で、ヒータ等で加温することもできる。
【００２７】
以上により、基板１０の液処理を行っている間に、基板１０を供給される処理液の温度とほぼ同じ温度状態に保持できる。この結果、処理液の塗布効率等が極めて良好になり、例えばレジスト膜の剥離液を基板１０に供給する場合等にあっては、処理液が基板１０の表面におけるパターンの形成による凹凸に確実に馴染む粘度状態を維持し、かつ遠心力の作用による所定の進行速度で全周に円滑に塗り広められることになって、剥離不良等が発生するおそれはない。しかも、温水は基板１０の裏面１０ｂのほぼ全面に供給されることから、裏面１０ｂ側は温水の膜が形成された状態に保持されることから、処理液の裏面側への回り込みの防止も図ることができる。
【００２８】
ここで、回転駆動手段１１に装着されて、液処理が行われる基板１０のサイズとしては複数種類のものがあり、単一の回転駆動手段１１で、これらサイズの異なる複数種類のものを装着できるように構成したものがある。このためには、アーム１６及びその基台１３を回転軸１２に着脱可能な構成とするか、またはアーム１６に装着した支持杆１７及び位置決め杆１８の位置を変えたり、あるいはこれら支持杆１７，位置決め杆１８を複数のサイズの基板をそのまま装着できるようにする。このように、異なるサイズの基板が装着された時にも、基板のほぼ全面に温水を供給できるようにするためには、温水配管６２の先端に螺合したノズルチップ６３を交換すれば良い。従って、種々のサイズの基板に対して、その全面に及び、しかもエッジを越えない位置にまで温水を噴射できる構造、つまり温水噴射口の数及びそれらの傾斜角度が異なる複数種類のノズルチップを用意しておき、回転駆動手段１１に装着される基板のサイズに応じた噴射角を有するノズルチップを温水配管６２の先端に装着するようになし、かつそのノズルチップの高さ位置を適宜調整し、さらに圧力調整弁６５により温水の噴射圧を調整する。これによって、それぞれ異なるサイズの基板の裏面に対してほぼ全面に温水を噴射させることができる。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板を回転させながら、この基板の表面に処理液を供給することにより行われるウエットプロセスにおいて、基板を基板回転手段に対して実質的に点接触させるようにし、かつこの基板の裏面に対して広い範囲にわたって温水を供給することによって、この基板を加温するようにしたので、基板に供給された処理液の温度を正確に管理できるようになし、この処理液を基板の全面に広がる間にその温度が低下するのを防止できて、基板の液処理を高精度に行える等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態を示す基板の液処理装置の概略構成図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】処理液供給手段の断面図である。
【図４】図１の外観図である。
【図５】基板加温手段の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１０  基板                    １１  基板回転手段
１２  回転軸                  ２４  処理液供給手段
２７  液供給ノズル            ６０  基板加温手段
６１  温水タンク              ６２  温水配管
６３  ノズルチップ            ６４  温度センサ
６５  圧力調整弁              ６６  開閉弁
６８  温水噴出口
【図１】
0003644281.tif 000002
【図２】
0003644281.tif 000003
【図３】
0003644281.tif 000004
【図４】
0003644281.tif 000005
【図５】
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