(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準層に、所定幅で所定形状のパターン（基準パターン）を有する基準マークを形成し、基準層の上に薄膜を介して形成するレジストパターンの一部として、所定幅で所定形状のパターン（合わせパターン）を有する合わせマークを形成し、
基準パターン上部に形成された薄膜の凸部を基準パターンと見なして、基準パターンの外側ラインとこれに対応する合わせパターンの内側ラインとの間隔、および／または基準パターンの内側ラインとこれに対応する合わせパターンの外側ラインとの間隔を、基準パターンの中心を基準とした一方の側と他方の側とで測定することにより、基準層に対するレジストパターンの重ね合わせ精度測定を行う方法において、
形状が基準パターンと相似であって下記の（１）式および（２）式を満たすダミーパターン（測定に使用しないパターン）を、基準マークの一部として基準パターンの内側および外側に形成し、この基準マークを使用して前記間隔を測定することを特徴とする重ね合わせ精度測定方法。
Ｌs ＝Ｌs1  ‥‥（１）
１≦（Ｌs ／Ｗss）≦５  ‥‥（２）
（ただし、Ｗss：基準パターンの幅，Ｌs ：基準パターンの外側ラインとこれに対応するダミーパターンの内側ラインとの距離，Ｌs1：基準パターンの内側ラインとこれに対応するダミーパターンの外側ラインとの距離）
【請求項２】
形状が合わせパターンと相似であって下記の（３）式および（４）式を満たすダミーパターン（測定に使用しないパターン）を、合わせマークの一部として合わせパターンの内側および外側に形成し、この合わせマークを使用して前記間隔を測定することを特徴とする請求項１記載の重ね合わせ精度測定方法。
Ｌa ＝Ｌa1  ‥‥（３）
１≦（Ｌa ／Ｗas）≦５  ‥‥（４）
（ただし、Ｗas：合わせパターンの幅，Ｌa ：合わせパターンの外側ラインとこれに対応するダミーパターンの内側ラインとの距離，Ｌa1：合わせパターンの内側ラインとこれに対応するダミーパターンの外側ラインとの距離）
【請求項３】
基準層に形成された、所定幅で所定形状のパターン（基準パターン）を有する基準マークと、基準層の上に薄膜を介して形成するレジストパターンの一部として形成された、所定幅で所定形状のパターン（合わせパターン）を有する合わせマークとからなる重ね合わせ精度測定マークにおいて、
基準マークは、形状が基準パターンと相似であって下記の（１）式および（２）式を満たすダミーパターン（測定に使用しないパターン）を、基準パターンの内側および外側に有することを特徴とする重ね合わせ精度測定マーク。
Ｌs ＝Ｌs1  ‥‥（１）
１≦（Ｌs ／Ｗss）≦５  ‥‥（２）
（ただし、Ｗss：基準パターンの幅，Ｌs ：基準パターンの外側ラインとこれに対応するダミーパターンの内側ラインとの距離，Ｌs1：基準パターンの内側ラインとこれに対応するダミーパターンの外側ラインとの距離）
【請求項４】
合わせマークは、形状が合わせパターンと相似であって下記の（３）式および（４）式を満たすダミーパターン（測定に使用しないパターン）を、合わせパターンの内側および外側に有することを特徴とする請求項３記載の重ね合わせ精度測定マーク。
Ｌa ＝Ｌa1  ‥‥（３）
１≦（Ｌa ／Ｗas）≦５  ‥‥（４）
（ただし、Ｗas：合わせパターンの幅，Ｌa ：合わせパターンの外側ラインとこれに対応するダミーパターンの内側ラインとの距離，Ｌa1：合わせパターンの内側ラインとこれに対応するダミーパターンの外側ラインとの距離）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基準層に対するレジストパターン（基準層の上に薄膜を介して形成されたレジストパターン）の重ね合わせ精度を測定する方法、およびこの方法で使用されるマークに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置製造のウエハプロセスにおいては、微細パターンを正確に形成するとともに、上下のパターンを精度良く重ね合わせることが重要である。そのために、下側層に既に形成されているパターン（下側パターン）と、その上にこれから形成されるパターン（上側パターン）との重ね合わせ精度を測定することが行われている。このような重ね合わせ精度測定方法の従来例としては、以下に示す方法が挙げられる。
【０００３】
先ず、下側層（基準層）に、下側パターンのパターニングと同時に重ね合わせ精度測定用のマーク（基準マーク）を形成する。次に、下側層の上に上側パターン用の薄膜を形成し、この薄膜の上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターン形成の際に、このレジストパターンの一部として、重ね合わせ精度測定用のマーク（合わせマーク）を形成する。基準マークと合わせマークの組合せの一例を、図６に平面図で示す。
【０００４】
この基準マーク１０は一つの基準パターン１１からなる。この基準パターン１１は所定幅を有する正方形の枠状である。この合わせマーク２０は一つの合わせパターン２１からなる。この合わせパターン２１は、基準パターン１１より大きな正方形の枠状であって、基準パターン１１と同じ幅を有している。
次に、ｘ方向およびｙ方向について、基準パターン１１の中心を基準とした一方の側と他方の側とで、基準パターン１１の外側ラインとこれに対応する合わせパターン２１の内側ラインとの間隔ｘ1 ，ｘ2 ，ｙ1 ，ｙ2 を測定する。ここで、基準パターン１１は薄膜の下に存在しているため、実際には、この薄膜の基準パターン１１の上部に形成された凸部（図５のＨｔ）を基準パターンと見なして、この測定を行っている。そして、これらの測定値の差（ｘ1 −ｘ2 ），（ｙ1 −ｙ2 ）を各方向におけるずれ量として算出する。
【０００５】
特開平１０−１２５７５１号公報には、図７に示すように、基準マーク１０が二つの基準パターン１１，１２からなり、両基準パターンの間に合わせパターン２１を配置した例が記載されている。この場合には、前記各値ｘ1 ，ｘ2 ，ｙ1 ，ｙ2 について、二つの基準パターン１１，１２に対する値（例えばｘ1 については、基準パターン１１の外側ラインとこれに対応する合わせパターン２１の内側ラインとの間隔ｘ11、および基準パターン１２の内側ラインとこれに対応する合わせパターン２１の外側ラインとの間隔ｘ12の両方）を測定して、これらの平均値を各値ｘ1 ，ｘ2 ，ｙ1 ，ｙ2 として算出している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来技術には、重ね合わせ精度の測定精度の点で改善の余地がある。
本発明は、基準層に対するレジストパターン（基準層の上に薄膜を介して形成されたレジストパターン）の重ね合わせ精度を、高い精度で測定できるようにすることを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、以下の知見を得て本発明を完成させた。
基準層の上に形成された薄膜は、基準層のパターン形成密度に応じて、パターンの側壁に形成される部分（側壁部）の断面形状に違いが生じる。すなわち、図５（図６のＢ−Ｂ線断面図）に示すように、基準パターン１１（１１ａ，１１ｂ）の内側はパターン形成密度が密であるため、薄膜Ｈの側壁部Ｈｕは穏やかな傾斜となっている。これに対して、基準パターン１１の外側は、パターン形成密度が疎であるため、この部分の薄膜Ｈの側壁部Ｈ１，Ｈ２は急峻な傾斜となっている。
【０００８】
また、基準パターン１１の外側における基準層Ｓのパターン形成密度は、ｘ1 側とｘ2 側とで必ずしも同じとはならないため、ｘ1 側の基準パターン１１ａの薄膜の側壁部Ｈ１とｘ2 側の基準パターン１１ｂの薄膜の側壁部Ｈ２とで、傾斜の度合に差がある。ここで、ｘ1 ，ｘ2 の測定は、この薄膜Ｈの基準パターン１１の上部に形成された凸部Ｈｔを基準パターンと見なして行っているため、薄膜の側壁部Ｈ１，Ｈ２の傾斜の度合が異なると、ｘ1 とｘ2 とで測定精度に差が生じる。その結果、重ね合わせ精度の測定精度が低下する。
【０００９】
したがって、基準パターン１１の外側における基準層Ｓのパターン形成密度がｘ1 側とｘ2 側とで必ず同じになるようにして、薄膜Ｈの側壁部Ｈ１，Ｈ２の傾斜の度合を同じにすれば、ｘ1 とｘ2 とで測定精度が同じになって、重ね合わせ精度の測定精度が高くなる。
以上の知見に基づいて、本発明は、基準層に、所定幅で所定形状のパターン（基準パターン）を有する基準マークを形成し、基準層の上に薄膜を介して形成するレジストパターンの一部として、所定幅で所定形状のパターン（合わせパターン）を有する合わせマークを形成し、基準パターン上部に形成された薄膜の凸部を基準パターンと見なして、基準パターンの外側ラインとこれに対応する合わせパターンの内側ラインとの間隔、および／または基準パターンの内側ラインとこれに対応する合わせパターンの外側ラインとの間隔を、基準パターンの中心を基準とした一方の側と他方の側（前述のｘ1 側とｘ2 側に相当）とで測定することにより、基準層に対するレジストパターンの重ね合わせ精度測定を行う方法において、形状が基準パターンと相似であって下記の（１）式および（２）式を満たすダミーパターン（測定に使用しないパターン）を、基準マークの一部として基準パターンの内側および外側に形成し、この基準マークを使用して前記間隔を測定することを特徴とする重ね合わせ精度測定方法を提供する。
【００１０】
Ｌs ＝Ｌs1  ‥‥（１）
１≦（Ｌs ／Ｗss）≦５  ‥‥（２）
（ただし、Ｗss：基準パターンの幅，Ｌs ：基準パターンの外側ラインとこれに対応するダミーパターンの内側ラインとの距離，Ｌs1：基準パターンの内側ラインとこれに対応するダミーパターンの外側ラインとの距離）
本発明の方法によれば、基準パターンの内側および外側に上記（１）式を満たすようにダミーパターンを形成することによって、基準パターンの内側と外側とで基準層のパターン形成密度が同じになるため、薄膜（基準パターン上部の薄膜）の側壁部の傾斜度合が基準パターンの内側および外側とで同じになる。その結果、基準パターンの外側における薄膜の側壁部の傾斜度合が、基準パターンの一方の側と他方の側とで同じになる。同様に、基準パターンの内側における薄膜の側壁部の傾斜度合も、基準パターンの一方の側と他方の側とで同じになる。
【００１１】
これにより、基準パターンの一方の側（ｘ1 側）と他方の側（ｘ2 側）とにおける前記間隔の測定精度の差を小さくすることができるため、従来よりも高い測定精度で重ね合わせ精度の測定を行うことができる。
ただし、基準パターンの幅Ｗssに対する基準パターンとダミーパターンとの距離Ｌs （＝Ｌs1）の比（Ｌs ／Ｗss）が１未満であると、基準パターンとダミーパターンとの距離が狭過ぎて、その上部に形成される薄膜の基準パターンとダミーパターンとの間となる位置に凹部が形成され難くなる。これに伴って、基準パターン上部に形成された薄膜の凸部を基準パターンと見なした測定が正確になされなくなる。
【００１２】
また、この比（Ｌs ／Ｗss）が５を超えると、基準パターンとダミーパターンとの間隔が広過ぎて、ダミーパターンとしての効果が失われる。また、基準マーク全体の大きさが大きくなり過ぎるため現実的でない。
また、基準マークにおいて、ダミーパターンの幅と基準パターンの幅とは必ずしも等しい必要はないが、等しいことが好ましい。
【００１３】
本発明の方法において、形状が合わせパターンと相似であって下記の（３）式および（４）式を満たすダミーパターン（測定に使用しないパターン）を、合わせマークの一部として合わせパターンの内側および外側に形成し、この合わせマークを使用して前記間隔を測定することが好ましい。
Ｌa ＝Ｌa1  ‥‥（３）
１≦（Ｌa ／Ｗas）≦５  ‥‥（４）
（ただし、Ｗas：合わせパターンの幅，Ｌa ：合わせパターンの外側ラインとこれに対応するダミーパターンの内側ラインとの距離，Ｌa1：合わせパターンの内側ラインとこれに対応するダミーパターンの外側ラインとの距離）
レジストパターンは、ウエハ上に回転塗布法によってレジスト膜の形成や現像液の塗布を行って得られることから、ウエハ内での半径方向における形成位置によって差が生じることがある。これに対して、合わせマークの合わせパターンの両側に上述の条件でダミーパターンを設けることにより、前述のウエハ内での半径方向における形成位置による差が抑制されるため、合わせパターンの外側ラインおよび内側ラインを、合わせパターンの形成位置に関わらず一様に形成することができる。その結果、基準パターンの一方の側と他方の側とにおける前記間隔の測定精度の差をより小さくすることができるため、より高い測定精度で重ね合わせ精度の測定を行うことができる。
【００１４】
また、合わせマーク（レジストパターン）を介したエッチングによりパターニングされた薄膜の部分を、次工程の基準マークとする場合に、合わせマークを上述の条件でダミーパターンを有するものとすることにより、本発明の方法が実施できる基準マークを容易に形成することができる。
すなわち、この合わせマークにおいて、Ｌa （合わせパターンの外側ラインとこれに対応するダミーパターンの内側ラインとの距離）とＬa1（合わせパターンの内側ラインとこれに対応するダミーパターンの外側ラインとの距離）とが等しいため、合わせマーク（レジストパターン）を介したエッチングによりパターニングされた薄膜の部分を次工程の基準マークとする場合に、基準パターンの内側および外側に上記（１）式を満たすようにダミーパターンが形成される。
【００１５】
また、合わせパターンの幅Ｗasに対する合わせパターンとダミーパターンとの距離Ｌa （＝Ｌa1）の比（Ｌa ／Ｗas）が１以上５以下であるため、合わせマーク（レジストパターン）を介したエッチングによりパターニングされた薄膜の部分を次工程の基準マークとする場合に、この基準マークに関する比（Ｌs ／Ｗss）を１以上５以下にすることができる。
【００１６】
また、合わせマークにおいて、ダミーパターンの幅と合わせパターンの幅とは必ずしも等しい必要はないが、等しいことが好ましい。
本発明はまた、基準層に形成された、所定幅で所定形状のパターン（基準パターン）を有する基準マークと、基準層の上に薄膜を介して形成するレジストパターンの一部として形成された、所定幅で所定形状のパターン（合わせパターン）を有する合わせマークとからなる重ね合わせ精度測定マークにおいて、基準マークは、形状が基準パターンと相似であって下記の（１）式および（２）式を満たすダミーパターン（測定に使用しないパターン）を、基準パターンの内側および外側に有することを特徴とする重ね合わせ精度測定マークを提供する。
【００１７】
Ｌs ＝Ｌs1  ‥‥（１）
１≦（Ｌs ／Ｗss）≦５  ‥‥（２）
（ただし、Ｗss：基準パターンの幅，Ｌs ：基準パターンの外側ラインとこれに対応するダミーパターンの内側ラインとの距離，Ｌs1：基準パターンの内側ラインとこれに対応するダミーパターンの外側ラインとの距離）
本発明の重ね合わせ精度測定マークにおいて、合わせマークは、形状が合わせパターンと相似であって下記の（３）式および（４）式を満たすダミーパターン（測定に使用しないパターン）を、合わせパターンの内側および外側に有するものであることが好ましい。
【００１８】
Ｌa ＝Ｌa1  ‥‥（３）
１≦（Ｌa ／Ｗas）≦５  ‥‥（４）
（ただし、Ｗas：合わせパターンの幅，Ｌa ：合わせパターンの外側ラインとこれに対応するダミーパターンの内側ラインとの距離，Ｌa1：合わせパターンの内側ラインとこれに対応するダミーパターンの外側ラインとの距離）
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図１および図２により、第１実施形態の重ね合わせ精度測定マークおよび重ね合わせ精度測定方法を説明する。図１は基準マークと合わせマークとの関係を示す平面図である。図２は、基準マークと薄膜と合わせマークとの関係を示す図であって、図１のＡ−Ａ線断面図に相当する。
【００２０】
この実施形態の重ね合わせ精度測定マークは、基準マーク１０と合わせマーク２０とからなる。基準マーク１０は、一つの基準パターン１１と、基準パターン１１の内側に形成されたダミーパターン（測定に使用しないパターン）３と、基準パターン１１の外側に形成されたダミーパターン４とからなる。合わせマーク２０は一つの合わせパターン２１からなる。
【００２１】
基準パターン１１は所定幅Ｗssを有する正方形の枠状である。内側のダミーパターン３の形状は、基準パターン１１より小さい正方形の枠状である。外側のダミーパターン４の形状は、基準パターン１１より大きい正方形の枠状である。両ダミーパターン３，４の幅Ｗsdは、基準パターン１１の幅Ｗssと同じである。基準パターン１１の外側ラインとこれに対応するダミーパターン４の内側ラインとの距離Ｌs は、基準パターン１１の内側ラインとこれに対応するダミーパターン３の外側ラインとの距離Ｌs1と同じである。基準パターン１１の幅Ｗssに対する基準パターンとダミーパターンとの距離Ｌs （＝Ｌs1）の比（（Ｌs ／Ｗss））は３である。
【００２２】
また、基準マーク１０は、絶縁層（基準層）Ｓに、メインのパターンと同時にパターニングする。この絶縁層Ｓの上にアルミニウム薄膜Ｈを形成した後、このアルミニウム薄膜Ｈの上にレジストパターンを形成する。この時、合わせマーク２０を、メインのパターンと同時にレジストパターンの一部として形成する。
ここで、基準パターン１１の内側および外側に、上述の条件でダミーパターン３，４を形成することによって、図２に示すように、基準パターン１１の内側と外側とで（ｘ方向については、各基準パターン１１ａ，１１ｂの左右で）絶縁層Ｓのパターン形成密度が同じになる。そのため、基準パターン１１上部のアルミニウム薄膜Ｈの凸部Ｈｔは、内側壁部Ｈau，Ｈbuの傾斜度合と外側壁部Ｈas，Ｈbsの傾斜度合とが同じになる。
【００２３】
その結果、ｘ1 側の基準パターン１１ａの内側壁部Ｈauの傾斜度合とｘ2 側の基準パターン１１ｂの内側壁部Ｈbuの傾斜度合が同じになる。また、ｘ1 側の基準パターン１１ａの外側壁部Ｈasの傾斜度合とｘ2 側の基準パターン１１ｂの外側壁部Ｈbsの傾斜度合が同じになる。
合わせパターン２１は、基準パターン１１と同じ幅を有し、基準パターン１１の外側のダミーパターン４より大きい正方形の枠状である。
【００２４】
この基準マーク１０と合わせマーク２０とを使用し、薄膜Ｈの基準パターン１１の上部に形成された凸部Ｈｔを基準パターン１１と見なして、ｘ方向については、ｘ1 側の基準パターン１１ａの外側ラインとこれに対応する合わせパターン２１ａの内側ラインとの間隔ｘ1 と、ｘ2 側の基準パターン１１ｂの外側ラインとこれに対応する合わせパターン２１ｂの内側ラインとの間隔ｘ2 を測定する。そして、これらの測定値の差（ｘ1 −ｘ2 ）をｘ方向におけるずれ量として算出する。
【００２５】
ここで、前述のように、ｘ1 側の基準パターン１１ａとｘ2 側の基準パターン１１ｂとで、薄膜の外側壁部Ｈas，Ｈbsの傾斜の度合が同じになっているため、ｘ1 とｘ2 とで測定精度が同じになる。その結果、従来よりも高い測定精度で重ね合わせ精度の測定を行うことができる。
ｙ方向についても、同様にして間隔ｙ1 ，ｙ2 を測定し、これらの測定値の差（ｙ1 −ｙ2 ）をｙ方向におけるずれ量として算出することにより、従来よりも高い測定精度で重ね合わせ精度の測定を行うことができる。
【００２６】
図３は、第２実施形態の重ね合わせ精度測定マークを示す平面図である。この重ね合わせ精度測定マークは、基準マーク１０が二つの基準パターン１１，１２を含む場合の例であり、両基準パターン１１，１２の内側と外側にダミーパターン３〜６が形成されている。合わせマーク２０は一つの合わせパターン２１からなり、この合わせパターン２１は、基準パターン１１の外側のダミーパターン４と基準パターン１２の内側のダミーパターン５との間に形成されている。合わせパターン２１は、基準パターン１１と同じ幅を有し、基準パターン１１の外側のダミーパターン４より大きい正方形の枠状である。
【００２７】
基準パターン１１とその両側のダミーパターン３，４は第１実施形態と同じである。基準パターン１２は、基準パターン１１と同じ幅Ｗssを有し、合わせパターン２１より大きな正方形の枠状である。内側のダミーパターン５の形状は、基準パターン１２より小さい正方形の枠状である。外側のダミーパターン６の形状は、基準パターン１２より大きい正方形の枠状である。両ダミーパターン５，６の幅Ｗsdは、基準パターン１２の幅Ｗssと同じである。
【００２８】
基準パターン１２の外側ラインとこれに対応するダミーパターン６の内側ラインとの距離Ｌs は、基準パターン１２の内側ラインとこれに対応するダミーパターン５の外側ラインとの距離Ｌs1と同じである。基準パターン１２の幅Ｗssに対する基準パターンとダミーパターンとの距離Ｌs （＝Ｌs1）の比（（Ｌs ／Ｗss））は３である。
【００２９】
この基準マーク１０（１０Ａ，１０Ｂ）と合わせマーク２０とを使用し、薄膜Ｈの基準パターン１１，１２の上部に形成された凸部を基準パターン１１，１２と見なして、ｘ方向については以下の測定を行う。
ｘ1 側について、基準パターン１１の外側ラインとこれに対応する合わせパターン２１の内側ラインとの間隔ｘ11、および基準パターン１２の内側ラインとこれに対応する合わせパターン２１の外側ラインとの間隔ｘ12を測定する。ｘ2 側について、基準パターン１１の外側ラインとこれに対応する合わせパターンの内側ラインとの間隔ｘ21、および基準パターン１２の内側ラインとこれに対応する合わせパターン２１の外側ラインとの間隔ｘ22を測定する。
【００３０】
そして、ｘ11とｘ12の平均値をｘ1 として、ｘ21とｘ22の平均値をｘ2 として算出し、その差（ｘ1 −ｘ2 ）をｘ方向におけるずれ量として算出する。
ここで、第１実施形態で説明したように、基準パターン１１のｘ11側とｘ21側とで薄膜の外側壁部の傾斜度合が同じになるため、ｘ11とｘ21とで測定精度が同じになる。これに加えて、基準パターン１２に関しても、第１実施形態で説明したように、ｘ12側とｘ22側とで薄膜の内側壁部の傾斜度合が同じになるため、ｘ12とｘ22とで測定精度が同じになる。その結果、従来よりも高い測定精度で重ね合わせ精度の測定を行うことができる。
【００３１】
ｙ方向についても、同様にして間隔ｙ11，ｙ12，ｙ21，ｙ22を測定することにより、従来よりも高い測定精度で重ね合わせ精度の測定を行うことができる。図４は、第３実施形態の重ね合わせ精度測定マークを示す平面図である。この重ね合わせ精度測定マークは、合わせマーク２０の構成のみが第２実施形態と異なる。この合わせマーク２０は、一つの合わせパターン２１と、合わせパターン２１の内側に形成されたダミーパターン７と、合わせパターン２１の外側に形成されたダミーパターン８とからなる。
【００３２】
合わせパターン２１は所定幅Ｗasを有する正方形の枠状である。内側のダミーパターン７の形状は、合わせパターン２１より小さい正方形の枠状である。外側のダミーパターン８の形状は、合わせパターン２１より大きい正方形の枠状である。両ダミーパターン７，８の幅Ｗadは、合わせパターン２１の幅Ｗasと同じである。合わせパターン２１の外側ラインとこれに対応するダミーパターン８の内側ラインとの距離Ｌa は、合わせパターン２１の内側ラインとこれに対応するダミーパターン７の外側ラインとの距離Ｌa1と同じである。合わせパターン２１の幅Ｗasに対する基準パターンとダミーパターンとの距離Ｌa （＝Ｌa1）の比（（Ｌa ／Ｗas））は３である。
【００３３】
この実施形態によれば、合わせパターン２１の内側と外側にもダミーパターン７，８が形成されていることにより、前述のように、合わせパターン２１の外側ラインおよび内側ラインが合わせパターン２１の形成位置に関わらず一様に形成されるため、第２実施形態の場合よりも高い測定精度で重ね合わせ精度の測定を行うことができる。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の重ね合わせ精度測定方法および重ね合わせ精度測定マークによれば、従来よりも高い測定精度で重ね合わせ精度の測定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の重ね合わせ精度測定マークおよび重ね合わせ精度測定方法を説明する図であって、基準マークと合わせマークとの関係を示す平面図である。
【図２】第１実施形態の基準マークと薄膜と合わせマークとの関係を示す図であって、図１のＡ−Ａ線断面図に相当する。
【図３】第２実施形態の重ね合わせ精度測定マークを示す平面図である。
【図４】第３実施形態の重ね合わせ精度測定マークを示す平面図である。
【図５】従来の基準マークと薄膜と合わせマークとの関係を示す図であって、図６のＢ−Ｂ線断面図に相当する。
【図６】重ね合わせ精度測定方法の従来例を説明する図であって、基準マークと合わせマークとの関係を示す平面図である。
【図７】重ね合わせ精度測定方法の別の従来例を説明する図であって、基準マークと合わせマークとの関係を示す平面図である。
【符号の説明】
３  ダミーパターン
４  ダミーパターン
５  ダミーパターン
６  ダミーパターン
７  ダミーパターン
８  ダミーパターン
１０  基準マーク
２０  合わせマーク
２１  合わせパターン
１１  基準パターン
１２  基準パターン
Ｈ  アルミニウム薄膜（基準層の上に形成された薄膜）
Ｈｔ  基準パターン上部に形成された薄膜の凸部
Ｓ  絶縁層（基準層）
【図１】
0003715485.tif 000002
【図２】
0003715485.tif 000003
【図３】
0003715485.tif 000004
【図４】
0003715485.tif 000005
【図５】
0003715485.tif 000006
【図６】
0003715485.tif 000007
【図７】
0003715485.tif 000008