(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成分元素としてＳｒ（ストロンチウム）を含む強誘電体薄膜を湿式法により形成するに当たり、
塗布液として、Ｓｒにアルコキシアルコキシ基が結合しているＳｒアルコキシドを含む塗布液を用い、
（１）前記塗布液を下地上に塗布して皮膜を形成する工程と、
（２）該皮膜を仮焼成する工程と、
（３）前記工程（１）及び（２）を、前記強誘電体薄膜の膜厚に応じて繰り返す工程と、
（４）前記工程（３）を経て得られた仮焼成済皮膜を本焼成する工程とを含み、
前記工程（２）の際には、仮焼成温度より低い温度で保持することにより前記皮膜中の有機物の焼失を促進させた後、前記仮焼成温度にする焼成条件をとることを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の強誘電体薄膜の形成方法において、前記ＳｒアルコキシドとしてＳｒエトキシエトキシドを用いることを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の強誘電体薄膜の形成方法において、前記強誘電体薄膜として、ＳｒＢｉＴａＯ系、ＳｒＢｉＮｂＯ系またはＳｒＢｉＴｉＯ系のいずれかのＢｉ（ビスマス）層状化合物薄膜を形成することを特徴とする強誘電体薄膜の形成方法。
【請求項４】
成分元素としてＳｒ（ストロンチウム）を含む強誘電体薄膜を湿式法により、
（１）塗布液を下地上に塗布して皮膜を形成する工程と、
（２）該皮膜を、仮焼成温度より低い温度で保持することにより前記皮膜中の有機物の焼失を促進させた後、前記仮焼成温度にする焼成条件で仮焼成する工程と、
（３）前記工程（１）及び（２）を、前記強誘電体薄膜の膜厚に応じて繰り返す工程と、
（４）前記工程（３）を経て得られた仮焼成済皮膜を本焼成する工程と、
を経て形成するための当該塗布液であって、
Ｓｒにアルコキシアルコキシ基が結合しているＳｒアルコキシドを、Ｓｒ成分元素源として含むことを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布液。
【請求項５】
請求項４に記載の強誘電体薄膜形成用塗布液において、前記ＳｒアルコキシドがＳｒエトキシエトキシドであることを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布液。
【請求項６】
請求項４または５に記載の強誘電体薄膜形成用塗布液において、前記塗布液が、ＳｒＢｉＴａＯ系の強誘電体薄膜形成用の塗布液であることを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布液。
【請求項７】
請求項４または５に記載の強誘電体薄膜形成用塗布液において、前記塗布液が、ＳｒＢｉＮｂＯ系の強誘電体薄膜形成用の塗布液であることを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布液。
【請求項８】
請求項４または５に記載の強誘電体薄膜形成用塗布液において、前記塗布液が、ＳｒＢｉＴｉＯ系の強誘電体薄膜形成用の塗布液であることを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布液。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はＳｒを含む強誘電体薄膜の形成方法およびこれに用いて好適な薄膜形成用塗布液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ビスマス層状化合物薄膜が強誘電体薄膜として注目されている。薄膜に対して分極反転処理を繰り返し行なった場合の膜疲労が、代表的な強誘電体薄膜であるＰＺＴ等に比べ、少ないからである（例えば文献Ｉ：第１２回強誘電体応用会議講演予稿集，ｐｐ．１３９−１４０（１９９５））。この文献Ｉでは、ビスマス層状化合物薄膜として、Ｓｒを含むビスマス層状化合物薄膜、具体的には、ＳｒＢｉ２  Ｔａ２  Ｏ９  、ＳｒＢｉ２  Ｎｂ２  Ｏ９  、ＳｒＢｉ４  Ｔｉ４  Ｏ１５の各薄膜を挙げている。またこの文献では、これら薄膜は、湿式法の一手法である以下に説明する方法で形成されている。先ず、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉそれぞれの有機金属として、それぞれの２エチルヘキサン酸塩が用意される。そして、これら有機金属のうち、上記各薄膜の成分に対応するものをキシレンにそれぞれ溶解して塗布液が調製される。次に、この塗布液を下地上に塗布し、乾燥して、その皮膜が形成される。次に、この皮膜に対し仮焼成がなされる。次に、この皮膜に対し本焼成がなされて、目的の薄膜が形成される。仮焼成は急速昇温（ＲＴＰ）  法により７２５℃で３０秒という条件で行なわれている。本焼成は熱拡散炉により８００℃の温度で行なわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の強誘電体薄膜の形成方法では、本焼成温度が８００℃と高い。これは、塗布液調製に用いている有機金属（以下、「成分元素源」と称することもある。）がＳｒ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉそれぞれの２エチルヘキサン酸塩であり炭素数が多いものであるので、これら成分元素源中の有機物分を焼失させる温度を高くせざるを得ないことに起因している。焼成温度が高いと、焼成装置のコストが高くなったり、この強誘電体薄膜を例えば半導体メモリへ応用した場合は他の素子に熱ダメージを与えたり、量産性を低下させる。その対策として炭素数の少ない成分元素源を含む塗布液を用いることが考えられる。しかしながら、単に炭素数が少ない成分元素源を用い調製された塗布液であると、塗布液調製後短時間に、特にＳｒ（ストロンチウム）成分元素源の加水分解が生じる。このため、これが原因で塗布液がゲル化してしまうので、薄膜の形成自体が事実上困難になる。Ｓｒを含む強誘電体薄膜をより低温な本焼成温度で形成できる技術が望まれる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そこで、この出願の第一発明によれば、Ｓｒ（ストロンチウム）を成分元素として含む強誘電体薄膜を湿式法により形成するに当たり、塗布液として、Ｓｒにアルコキシアルコキシ基が結合しているＳｒアルコキシドを含む塗布液を用い、（１）前記塗布液を下地上に塗布して皮膜を形成する工程と、（２）該皮膜を仮焼成する工程と、（３）前記工程（１）及び（２）を、前記強誘電体薄膜の膜厚に応じて繰り返す工程と、（４）前記工程（３）を経て得られた仮焼成済皮膜を本焼成する工程とを含み、前記工程（２）の際には、仮焼成温度より低い温度で保持することにより前記皮膜中の有機物の焼失を促進させた後、前記仮焼成温度にする焼成条件をとることを特徴とする。このようなＳｒアルコキシドは、具体的にはＳｒ（ＯＲ1ＯＲ2）2で表される。ここで、Ｒ1はアルキル基、Ｒ2は前記Ｒ1から水素が１つとれたもの若しくは前記Ｒ1以外の他のアルキル基から水素が１つとれたものである。ただし、焼成温度の低温化というこの発明の目的からすると、この発明でいうＳｒアルコキシドは、炭素数の少ないＲ1やＲ2を含むものが良い。例えば、Ｒ1がＣ2Ｈ5でＲ2がＣ2Ｈ4であるＳｒエトキシエトキシドは、この発明で用いて好適なＳｒアルコキシドの１つといえる。
【０００５】
上記の様なこの発明でいうＳｒアルコキシドは、炭素数が少ないものでも、例えばＳｒ（Ｏ−Ｒ）２  で表される単純なＳｒアルコキシドに比べ、ゲル化しずらいものである。したがって、成分元素としてＳｒ（ストロンチウム）を含む強誘電体薄膜を湿式法で形成するための塗布液であって、炭素数の少ないＳｒの成分元素源を含むにもかかわらずゲル化が生じにくい塗布液が実現される。このため、従来より低い焼成温度であっても強誘電体薄膜の形成が可能になる。
【０００６】
なお、もちろんここでいう塗布液は、強誘電体薄膜の組成に応じＳｒ（ＯＲ１  ＯＲ２  ）以外の構成元素の有機金属（成分元素源）をも含むものである。具体的には、形成したい強誘電体薄膜が例えばＳｒＢｉＴａＯ系のＢｉ（ビスマス）層状化合物薄膜である場合は、上記塗布液として、上記Ｓｒアルコキシドと共に、Ｂｉと有機物とで構成されるＢｉ有機物（Ｂｉ成分元素源）例えばＢｉアルコキシド、およびＴａと有機物とで構成されるＴａ有機物（Ｔａ成分元素源）例えばＴａアルコキシドを含む塗布液を用いる。また、形成したい強誘電体薄膜が例えばＳｒＢｉＮｂＯ系のＢｉ（ビスマス）層状化合物薄膜である場合は、上記塗布液として、上記Ｓｒアルコキシドと共に、Ｂｉ成分元素源例えばＢｉアルコキシド、およびＮｂと有機物とで構成されるＮｂ有機物（Ｎｂ成分元素源）例えばＮｂアルコキシドをも含む塗布液を用いる。また、形成したい強誘電体薄膜が例えばＳｒＢｉＴｉＯ系のＢｉ（ビスマス）層状化合物薄膜である場合は、上記塗布液として、上記Ｓｒアルコキシドと共に、Ｂｉ成分元素源例えばＢｉアルコキシド、およびＴｉと有機物とで構成されるＴｉ有機物（Ｔｉ成分元素源）例えばＴｉアルコキシドを含む塗布液を用いる。また、塗布液用の溶媒は任意好適なものを用い得る。
【０００７】
また、この出願の第二発明では、成分元素としてＳｒ（ストロンチウム）を含む強誘電体薄膜を湿式法により、（１）塗布液を下地上に塗布して皮膜を形成する工程と、（２）該皮膜を、仮焼成温度より低い温度で保持することにより前記皮膜中の有機物の焼失を促進させた後、前記仮焼成温度にする焼成条件で仮焼成する工程と、（３）前記工程（１）及び（２）を、前記強誘電体薄膜の膜厚に応じて繰り返す工程と、（４）前記工程（３）を経て得られた仮焼成済皮膜を本焼成する工程と、を経て形成するための当該塗布液として、Ｓｒにアルコキシアルコキシ基が結合しているＳｒアルコキシドを、Ｓｒ成分元素源として含むものを主張する。もちろんこの場合は、薄膜の成分に応じて他の元素の成分元素源を溶媒中に含ませる。塗布液を調整する際の各成分元素源の量は、強誘電体薄膜に要求される組成に応じた量とする。また、溶媒の量は、塗布液に要求される粘度、形成される塗膜の膜質等を主に考慮して決める。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、この出願の各発明の実施の形態について説明する。しかしながら以下の説明で用いる材料および、用いる材料の使用料、各処理における温度、時間などの数値的条件は、この発明の範囲内の一例にすぎない。
【０００９】
１．塗布液の調製
先ず、一例として、ＳｒＢｉＴａＯ系のビスマス層状化合物薄膜からなる強誘電体薄膜を形成する例を考える。このため、先ず、Ｓｒ成分元素源、Ｂｉ成分元素源およびＴａ成分元素源をそれぞれ用意する。Ｓｒ成分元素源として、アルコキシアルコキシ基が結合しているＳｒアルコキシドの一種であるストロンチウムエトキシエトキシド［Ｓｒ（ＯＣＨ4ＯＣ2Ｈ5）2］を用意する。Ｂｉ成分元素源としてＢｉアルコキシドの一種であるＢｉｎ（ビスマスノルマル）ブトキシド［Ｂｉ（Ｃ4Ｈ9Ｏ）3］を用意する。Ｔａ成分元素源として、Ｔａアルコキシドの一種であるＴａエトキシド［Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5］を用意する。もちろん、Ｂｉ成分元素源としてＢｉｎブトキシド以外のものも、またＴａ成分元素源としてＴａエトキシド以外のものも用い得る。しかし、焼成温度の低減という意味からすると、Ｂｉ成分元素源、Ｔａ成分元素源いずれも炭素数があまり多くないものの方が好ましいので、ここではＢｉｎブトキシドおよびＴａエトキシドを用いている。なお、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔａそれぞれの成分元素源は、ここでは、出願人自ら合成により得ている。簡単に述べれば次のように合成している。このように合成した各成分元素源は、塗布液調製用の溶媒に高濃度に溶けるので好ましい。
【００１０】
先ず、Ｓｒエトキシエトキシドは、以下の反応式（１）および（２）に従って合成することが出来る。先ず、エトキシエチルアルコールに金属ナトリウムを溶解してＮａ（ナトリウム）エトキシエトキシド（Ｃ２  Ｈ５  ＯＣ２  Ｈ４  ＯＮａ）を合成する（反応式（１）参照）。この反応は、窒素雰囲気中、室温で行う。そして、このＮａ（ナトリウム）エトキシエトキシドを塩化ストロンチウム（ＳｒＣｌ２  ）と反応させて、Ｓｒエトキシエトキシドを合成する（反応式（２）参照）。
【００１１】
２Ｎａ＋２Ｃ２  Ｈ５  ＯＣ２  Ｈ４  ＯＨ→２Ｃ２  Ｈ５  ＯＣ２  Ｈ４  ＯＮａ＋Ｈ２  ・・・・・・（１）
２Ｃ２  Ｈ５  ＯＣ２  Ｈ４  ＯＮａ＋ＳｒＣｌ２  →Ｓｒ（ＯＣ２  Ｈ４  ＯＣ２  Ｈ５  ）２  ＋２ＮａＣｌ・・・・・・・（２）
また、Ｂｉ（ビスマス）ｎ−ブトキシドは、以下の反応式（３）および（４）に従って合成することが出来る。先ず、ｎ−ブチルアルコールに金属ナトリウムを溶解してＮａ（ナトリウム）ｎ−ブトキシド（Ｃ４  Ｈ９  ＯＮａ）を合成する（反応式（３）参照）。この反応は、窒素雰囲気中、室温で行う。そして、このＮａ（ナトリウム）ｎ−ブトキシドを三塩化ビスマス（ＢｉＣｌ３  ）と反応させて、Ｂｉ（ビスマス）ｎ−ブトキシドを合成する（反応式（４）参照）。
【００１２】
２Ｎａ＋２Ｃ４  Ｈ９  ＯＨ→２Ｃ４  Ｈ９  ＯＮａ＋Ｈ２  ・・・・・・・・（３）
３Ｃ４  Ｈ９  ＯＮａ＋ＢｉＣｌ３  →Ｂｉ（ＯＣ４  Ｈ９  ）３  ＋３ＮａＣｌ・・・・・・（４）
また、Ｔａ（タンタル）エトキシドは、以下の反応式（５）および（６）に従って合成することが出来る。先ず、エチルアルコールに金属ナトリウムを溶解してＮａ（ナトリウム）エトキシド（Ｃ２  Ｈ５  ＯＮａ）を合成する（反応式（５）参照）。この反応は、窒素雰囲気中、室温で行う。そして、このＮａ（ナトリウム）エトキシドを五塩化タンタル（ＴａＣｌ５  ）と反応させて、Ｔａ（タンタル）エトキシドを合成する（反応式（６）参照）。
【００１３】
２Ｎａ＋２Ｃ２  Ｈ５  ＯＨ→２Ｃ２  Ｈ５  ＯＮａ＋Ｈ２  ・・・・・・・・（５）
３Ｃ２  Ｈ５  ＯＮａ＋ＴａＣｌ５  →Ｔａ（ＯＣ２  Ｈ５  ）５  ＋５ＮａＣｌ・・・・・・（６）
次に、上記Ｓｒエトキシエトキシド、Ｂｉｎブトキシド、Ｔａエトキシドそれぞれを、メトキシプロパノールとエチルアルコールとの混合溶液に加える。ただし、各成分元素源はモル比でいってＳｒ：Ｂｉ：Ｔａ＝０．９５：２．４：２となるように秤量する。また、メトキシプロパノールおよびエチルアルコールは、ここでは同量用いる。次に、この溶液の濃度が０．２５ｍｏｌ／ｌとなるようにメトキシプロパノールで調製する。これにより、ＳｒＢｉＴａＯ系のＢｉ（ビスマス）層状化合物薄膜形成用の塗布液であって、Ｓｒ成分元素源としてＳｒエトキシエトキシドを含み、Ｂｉ成分元素源としてＢｉｎブトキシドを含み、Ｔａ成分元素源としてＴａエトキシドを含む塗布液が得られる。この塗布液は、塗布液調製後数か月経過した現在においてもゲル化することなく塗布液として使用可能なものである。よって、成分元素源として炭素数が４であるＳｒアルコキシドを用いたにも係らず保存安定性に優れる塗布液が得られることが分かる。なお、上記塗布液における各成分元素源のモル比は、目的とする強誘電体薄膜の組成に応じ変更されるものであり、溶媒の使用量換言すれば塗布液濃度は塗布性や膜質などを考慮して変更されるものである。
【００１４】
２．評価試料の作製
次に、上述のように調製した塗布液を用い湿式法によりＳｒ０．９５Ｂｉ２．４  Ｔａ２．０  Ｏ９  薄膜を下地上に以下に説明するように形成する。先ず、この実施の形態では、基板としてシリコン（Ｓｉ）基板を用いる。そしてこの基板に熱酸化処理を施して表面に絶縁膜として例えば厚さが１０００Åの酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）膜を形成する。次に、この酸化シリコン膜上に白金膜を例えばスパッタ法により例えば６００Åの膜厚に形成し、これを下部電極とする。
【００１５】
次に、この実施の形態では、（１）基板の回転速度が５００回転／分という条件で５秒間、次いで２０００回転／分という条件で３０秒間という回転塗布条件で、上記塗布液を下部電極上に塗布する。（２）次に、この試料を大気雰囲気としてあるオーブン中で１５０℃の温度で１５分間乾燥する。（３）次に、この試料を、所定の仮焼成温度より低い温度でかつ前記皮膜（塗膜）中の有機物の焼失を促進させ得る温度で所定時間保持した後、前記所定の仮焼成温度にする焼成条件により、仮焼成する。ここでは、図１に示した温度プロファイルの仮焼成条件、すなわち、室温からｔ１  （例えば３０分）の時間をかけてＴ１  （例えば３５０℃）の温度に昇温させ、次にこの温度Ｔ１  をｔ２  （例えば２０分）間保持し、次に、ｔ３  （例えば２０分）の時間をかけて所定の仮焼成温度Ｔ２  （例えば４６０℃）の温度に昇温させて有機物分を完全に焼失させ、次にこの温度Ｔ２  をｔ４  （例えば２５分間）の時間保持し、次に、ｔ５  （例えば８０分）の時間をかけて室温にもどすという仮焼成条件である。上記のようにＴ１  の温度に保持すると、各成分元素源中の有機物分の焼失を促進出来る。また、上記のように比較的長い時間をかけて仮焼成をすると、仮焼成の際に金属分が飛ぶ現象が生じにくくなると考えられ、強誘電体薄膜の組成ずれが生じにくい。この（１）から（３）までの処理を４回繰り返した後にこの試料を酸素雰囲気中で１０℃／分という昇温条件で７００℃の温度まで昇温させこの温度で１時間焼成する（本焼成）。これにより部電極上に、膜厚が０．２μｍのＳｒ０．９５Ｂｉ２．４  Ｔａ２．０  Ｏ９  薄膜が形成される。なお、上記の４回という繰り返し回数は希望する膜厚により主に変更されるものである。次に、この試料を室温まで放置冷却する。次に、このＳｒ０．９５Ｂｉ２．４  Ｔａ２．０  Ｏ９  薄膜上に、膜厚０．３μｍの白金薄膜から成り直径が０．２ｍｍである円形の上部電極をスパッタ法および公知のパターニング技術により形成する。次に、この試料を酸素雰囲気中で１０℃／分という昇温条件で７００℃の温度まで昇温させこの温度を今度は３０分保持する。次に、この試料を室温まで放置冷却して、実施の形態における評価用の試料を得る。
【００１６】
３．評価
次に、上述のように作製した実施の形態における評価試料について、以下に説明するような手順で評価を行なう。
【００１７】
すなわち試料の下部電極が上部電極に対し負になる場合を正方向、その逆の場合を負方向と考える。そして、上部および下部電極間に加える電圧を０→正方向の最大印加電圧（＋ＶMAX）→０ボルト→負方向の最大印加電圧（−ＶMAX）→０ボルトという経路で徐々に変えて、印加電圧と分極との関係いわゆるＰ−Ｖヒステリスカーブを測定する。しかも、正方向および負方向の最大印加電圧（＋ＶMAX）および（−ＶMAX）を、＋１．０ボルトおよび−１．０ボルト、＋１．５ボルトおよび−１．５ボルト、２．０ボルトおよび−２．０ボルト、＋２．５ボルトおよび−２．５ボルト、＋３．０ボルトおよび−３．０ボルトとそれぞれした場合のＰ−Ｖヒステリシスカーブを、それぞれ測定する。それらの測定結果を、横軸に印加電圧をとり、縦軸に分極量をとって、図２〜図４に示した。ただし、上記電圧印加条件±１．０〜±３．０の順に、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図４に示してある。
【００１８】
いずれの電圧印加条件においても、ヒステリシス特性が観察されたことから、この発明の形成方法によれば、従来に比べ低い本焼成温度、具体的には文献Ｉの場合に比べ１００℃も低い７００℃という温度でも、強誘電性特性を発現させ得ることが分かる。これは、炭素数の少ない成分元素源を含む塗布液を用いたので、本焼成温度が従来より低温であっても薄膜における結晶化が所定通り生じるためと考えられる。
【００１９】
また、上記形成したＳｒ０．９５Ｂｉ２．４  Ｔａ２．０  Ｏ９  薄膜の表面を走査型電子顕微鏡により観察する。その観察写真のうちの１枚を模写した図を図５に示した。この発明の形成方法により形成したＳｒ０．９５Ｂｉ２．４  Ｔａ２．０  Ｏ９  薄膜は、成分粒子同士がきれいに接したものとなっていることが分かる。また、各粒子の粒界は確認されるものの粒子間の隙間は認められないものとなっていることが分かる。またこれらのためか、薄膜表面が平坦性の良いものとなっていることが分かった。Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔａおのおの成分元素源として各金属の２エチルヘキサン酸塩を用いた従来方法で形成した薄膜の場合は、粒子同士がラフに積まれた状態の薄膜でかつ粒子間に隙間が多く認められる薄膜であることが知られている。この点、この発明の方法で形成した薄膜は、良好な薄膜といえる。
【００２０】
以上の効果は、上記の実施の形態の塗布液においてＴａアルコキシドの代わりにＮｂ（ニオブ）アルコキシドを含ませた塗布液を用いて形成した薄膜、すなわち成分元素としてＳｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含む薄膜においても同様に得られる。Ｎｂアルコキシドとしては、例えばペンタエトキシニオブ（Ｎｂ（ＯＣ2Ｈ5）5）を用いることが出来る。
【００２１】
また、上記の実施の形態の塗布液においてＴａアルコキシドの代わりにＴｉ（チタン）アルコキシドを含ませた塗布液を用いて形成した薄膜、すなわち成分元素としてＳｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含む薄膜においても同様に得られる。Ｔｉアルコキシドとしては、例えばテトラエトキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）を用いることが出来る。
【００２２】
【発明の効果】
上述した説明から明らかなように、この発明の強誘電体薄膜の形成方法によれば、成分元素としてＳｒ（ストロンチウム）を含む強誘電体薄膜を湿式法により形成するに当たり、塗布液として、Ｓｒにアルコキシアルコキシ基が結合しているＳｒアルコキシドを含む塗布液を用いる。このため、Ｓｒを含む強誘電性薄膜を従来より低温の本焼成温度で形成することができる。
【００２３】
また、この発明の薄膜形成用塗布液によれば、成分元素としてＳｒ（ストロンチウム）を含む薄膜を湿式法により形成するための塗布液において、Ｓｒ成分元素源として、Ｓｒにアルコキシアルコキシ基が結合しているＳｒアルコキシドを用いる。このため、塗布液保存時のゲル化が生じにくいので、塗布液保存安定性が確保される。また、Ｓｒを含む強誘電性薄膜を従来より低温の本焼成温度で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態の説明図であり仮焼成条件の説明図である。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）は評価結果の説明図（その１）であり、観察されたＰ−Ｖヒステリシスカーブを示した図である。
【図３】（Ａ）および（Ｂ）は評価結果の説明図（その２）であり、観察されたＰ−Ｖヒステリシスカーブを示した図である。
【図４】評価結果の説明図（その３）であり、観察されたＰ−Ｖヒステリシスカーブを示した図である。
【図５】評価結果の説明図であり、走査型顕微鏡による観察写真を模写した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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