(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルを直列に接続して構成される組電池の制御装置において、
所定数のセルの充放電を制御する複数の充放電制御回路と、
前記複数の充放電制御回路ごとに設けられ、対応する充放電制御回路に入力する信号の電圧レベルを変換する複数の電圧レベル変換回路と、
前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する制御手段とを備え、
前記電圧レベル変換回路の各々は、隣接する電圧レベル変換回路と直列に接続されており、最上位の電圧レベル変換回路は前記組電池を構成するセルのうちの最上位のセルの正極端子と接続され、最下位の電圧レベル変換回路は前記組電池を構成するセルのうちの最下位のセルの負極端子と接続されており、
前記制御手段が前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する場合には、前記組電池から前記複数の電圧レベル変換回路に電力が供給されることを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の組電池の制御装置において、
前記電圧レベル変換回路の各々は、３つの端子を有するトランジスタを少なくとも備え、前記トランジスタの第１の端子が電圧レベル変換回路の出力端子として前記充放電制御回路の入力端子と接続され、第２の端子は、隣接する電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第１の端子と第１の抵抗を介して接続され、第３の端子には前記充放電制御回路に対応する所定数のセルのうちの最上位のセルの正極端子と最下位のセルの負極端子との間の電圧を分圧した電圧が印加され、
前記制御手段は、前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する場合には、全ての前記トランジスタをオンさせることを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の組電池の制御装置において、
前記制御手段は、前記直列に接続された複数の電圧レベル変換回路と前記組電池との間に設けられる半導体スイッチであり、前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御するときには、両端を短絡することにより、前記組電池から前記複数の電圧レベル変換回路に電力を供給することを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の組電池の制御装置において、
前記組電池を構成するセルのうち最上位のセルの正極端子に、最上位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第１の端子が第２の抵抗を介して接続され、
前記組電池を構成するセルのうち最下位のセルの負極端子に、最下位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第２の端子が前記第１の抵抗および前記制御手段を介して接続されることを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項５】
請求項１に記載の組電池の制御装置において、
前記電圧レベル変換回路の各々は、３つの端子を有するトランジスタを少なくとも備え、前記トランジスタの第１の端子が電圧レベル変換回路の出力端子として前記充放電制御回路の入力端子と接続され、第２の端子は、隣接する電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第１の端子と第１の抵抗を介して接続され、第３の端子には前記充放電制御回路に対応する所定数のセルのうちの最上位のセルの正極端子と最下位のセルの負極端子との間の電圧を分圧した電圧が印加され、
前記制御手段は、前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する場合には、全ての前記トランジスタに流れる電流値を変化させることを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項６】
請求項１または５に記載の組電池の制御装置において、
前記制御手段は、前記直列に接続された複数の電圧レベル変換回路と前記組電池との間に設けられる電流源であり、前記複数の電圧レベル変換回路を同時に制御するときには、前記電流源の電流値を変化させることにより、前記組電池から前記複数の電圧レベル変換回路に電力を供給することを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項７】
請求項５または６のいずれかに記載の組電池の制御装置において、
前記組電池を構成するセルのうち最上位のセルの正極端子に、最上位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第１の端子が第２の抵抗を介して接続され、
前記組電池を構成するセルのうち最下位のセルの負極端子に、最下位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第２の端子が前記制御手段を介して接続されることを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項８】
請求項４または７に記載の組電池の制御装置において、
前記トランジスタはＮＰＮ型バイポーラトランジスタであり、前記第１の端子はコレクタ端子、前記第２の端子はエミッタ端子、前記第３の端子はベース端子であることを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項９】
請求項４または７に記載の組電池の制御装置において、
前記トランジスタはＮ型MOSトランジスタであり、前記第１の端子はドレイン端子、前記第２の端子はソース端子、前記第３の端子はゲート端子であることを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項１０】
請求項１〜３のいずれかに記載の組電池の制御装置において、
前記組電池を構成するセルのうち最下位のセルの負極端子に、最下位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第１の端子が第２の抵抗を介して接続され、
前記組電池を構成するセルのうち最上位のセルの正極端子に、最上位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第２の端子が前記第１の抵抗および前記制御手段を介して接続されることを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項１１】
請求項５または６のいずれかに記載の組電池の制御装置において、
前記組電池を構成するセルのうち最下位のセルの負極端子に、最下位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第１の端子が第２の抵抗を介して接続され、
前記組電池を構成するセルのうち最上位のセルの正極端子に、最上位の電圧レベル変換回路が備えるトランジスタの第２の端子が前記制御手段を介して接続されることを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の組電池の制御装置において、
前記トランジスタはＰＮＰ型バイポーラトランジスタであり、前記第１の端子はコレクタ端子、前記第２の端子はエミッタ端子、前記第３の端子はベース端子であることを特徴とする組電池の制御装置。
【請求項１３】
請求項１０または１１に記載の組電池の制御装置において、
前記トランジスタはＰ型MOSトランジスタであり、前記第１の端子はドレイン端子、前記第２の端子はソース端子、前記第３の端子はゲート端子であることを特徴とする組電池の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のセルを直列に接続して構成される組電池の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のセルを直列に接続して構成される組電池の過充電状態や過放電状態などの異常を検出する装置が知られている（特許文献１参照）。セルの過充電状態や過放電状態を検出するために、３〜４セル用の電池保護ＩＣを用いる場合には、組電池を構成するセル数が多ければ、複数の電池保護ＩＣが用いられる。複数の電池保護ＩＣから出力される異常検出信号は、電圧レベルが異なるために、電圧レベル変換回路にて電圧のレベル合わせが行われる。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３３２１１６号公報
【特許文献２】特開平１１−１３６８７３号公報
【特許文献３】特開平８−２９４２３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、電圧レベル変換回路に用いられる電源は、組電池を構成する一部のセルから供給されるので、電圧レベル変換回路に電流が供給される時には、各セル間の端子電圧（容量）のバラツキが増大するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による組電池の制御装置は、複数のセルを直列に接続して構成される組電池の制御装置であって、所定数のセルの充放電を制御する複数の充放電制御回路と、複数の充放電制御回路ごとに設けられて対応する充放電制御回路に入力する信号の電圧レベルを変換する複数の電圧レベル変換回路と、複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する制御手段とを備える。制御手段が複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する場合には、組電池から複数の電圧レベル変換回路に電力が供給されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明による組電池の制御装置によれば、制御手段が複数の電圧レベル変換回路を同時に制御する場合において、組電池から複数の電圧レベル変換回路に電力が供給されるので、電圧レベル変換回路作動時に各セル間の電圧バラツキが生じるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
−第１の実施の形態−
図１は、本発明による組電池の制御装置の第１の実施の形態の構成を示す図である。組電池１は、充電および放電可能な複数のセルｓ１〜ｓ４を直列に接続して構成される。異常検出回路ａ1〜ａ4、バイパス電圧検出回路ｂ1〜ｂ4、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41、第１の抵抗Ｒ11〜Ｒ41、第２の抵抗Ｒ12〜Ｒ42、第３の抵抗Ｒ13〜Ｒ43、第４の抵抗Ｒ14〜Ｒ44、第５の抵抗Ｒ15〜Ｒ45、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42、および、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43は、各セルＳ１〜ｓ４ごとに設けられている。
【０００８】
異常検出回路ａ1〜ａ4は、対応するセルＳ１〜ｓ４の端子電圧が第１の所定電圧Ｖ1より上昇して過充電になったことを検出するとともに、第２の所定電圧Ｖ2より下降して過放電になったことを検出する。セルｓ１〜ｓ４の過充電または過放電が検出されると、対応する異常検出回路ａ1〜ａ4からはＨ（ハイ）レベルの信号が出力され、過充電および過放電のいずれも検出されないときは、Ｌ（ロー）レベルの信号が出力される。なお、ここでは、電流が流れている状態をＨレベルの信号が出力されている状態とし、電流が流れていない状態をＬレベルの信号が出力されている状態とする。
【０００９】
各異常検出回路ａ1〜ａ4の検出結果は、オア回路ＯＲ１に入力される。オア回路ＯＲ１は、各異常検出回路ａ1〜ａ4から入力される異常検出結果に対して論理和演算を行い、演算結果をアイソレータｃ1を介して充放電制御回路２に入力する。
【００１０】
充放電制御回路２は、アイソレータｃ1を介して入力されたオア回路ＯＲ１の論理演算結果の信号に基づいて、組電池１の充電および放電を制御する。また、充放電制御回路２は、後述する電流バイパス機能を強制的に作動（オン）させるための制御信号を出力する。
【００１１】
バイパス電圧検出回路ｂ1〜ｂ4は、対応するｓ１〜ｓ４の端子電圧が第３の所定電圧Ｖ3より上昇して満充電に近い状態になったことを検出して、対応するセルｓ１〜ｓ４に流れる電流の一部をバイパスする。すなわち、対応するｓ１〜ｓ４に並列に接続されているＮ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41をオア回路ＯＲ11〜ＯＲ41を介してオンさせる。Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41は、第１の抵抗Ｒ11〜Ｒ41と直列に接続されているので、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41がオンすることにより、対応するセルｓ１〜ｓ４に流れる電流の一部がＮ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41と第１の抵抗Ｒ11〜Ｒ41との直列接続にて構成される電流バイパス回路にバイパスされる。
【００１２】
すなわち、各セルによりＤＯＤ（放電深度）が異なるので、満充電に近い状態まで充電されたセルに接続された電流バイパス回路の電流バイパス機能を作動させて、セルに流れる充電電流を低下させるとともに、他のセルの充電を継続させて行うことにより、各セル間の容量バラツキを抑制することができる。
【００１３】
オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41は、バイパス電圧検出回路ｂ1〜ｂ4から入力される信号と、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42と第２の抵抗Ｒ12〜Ｒ42との直列接続にて構成されるインバータ回路を介して入力される信号との論理和を算出し、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41のオン／オフを制御する。すなわち、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のコレクタ端子は、第２の抵抗Ｒ12〜Ｒ42と直列に接続されており、この接続部分とオア回路ＯＲ11〜ＯＲ41の一方の入力端子とが接続されている。
【００１４】
この場合、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41に入力される２信号のうちの少なくとも１信号がＨレベルの信号の時には、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41からはＨレベルの信号が出力される。これにより、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41のゲートには正電圧が印加されるので、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41はオンする。一方、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41に入力される２信号がともにＬレベルの信号の時には、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41からはＬレベルの信号が出力されるので、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41はオフとなる。
【００１５】
ここで、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42と第２の抵抗Ｒ12〜Ｒ42との直列接続にて構成されるインバータ回路を介して、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41に入力される信号が全てＨレベルの場合には、バイパス電圧検出回路ｂ1〜ｂ4から出力される信号のレベルに関わらず、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41は全て同時にオンする。すなわち、全セルの電流バイパス機能を作動させることができる。
【００１６】
ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42、および、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43の動作について説明する。ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43のベース端子は、対応するｓ１〜ｓ４の端子間に直列に接続されている第４の抵抗Ｒ14〜Ｒ44と第５の抵抗Ｒ15〜Ｒ45との接続部分に接続されている。また、コレクタ端子は、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のベース端子に接続されるとともに、第３の抵抗Ｒ13〜Ｒ43を介して、１つ上位のＮＰＮ型バイポーラトランジスタのエミッタ端子に接続されている。
【００１７】
例えば、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13のコレクタ端子は、抵抗Ｒ13を介して、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ23のエミッタ端子と接続されている。ただし、最上位のＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ43のコレクタ端子は、第３の抵抗R43を介して、セルｓ４の正極端子、すなわち、組電池１の正極端子に接続されている。また、最下位のＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13のエミッタ端子は、抵抗Ｒ１を介してＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1のコレクタ端子に接続されている。
【００１８】
ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1のエミッタ端子は、セルｓ１の負極端子、すなわち、組電池１の負極端子に接続されている。また、ベース端子には、充放電制御回路２から出力された制御信号がアイソレータｃ2を介して入力される。なお、アイソレータｃ1，ｃ2は、組電池１に接続されている回路と、充放電制御回路２との間を電気的に絶縁する役割を果たしている。
【００１９】
ここで、充放電制御回路２から出力される制御信号がＬレベルの場合について考察する。充放電制御回路２から出力されるＬレベルの信号は、アイソレータｃ2にて、セルｓ１の負極端子電圧を基準としたＬレベルの信号に変換されて、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1のベース端子に入力される。この時、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1のベース端子とエミッタ端子は同電位となるので、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1はオフとなる。従って、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1のコレクタ端子とエミッタ端子との間には電流が流れない。
【００２０】
この結果、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1と直列に接続されているＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43もそれぞれオフとなる。この場合、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42をオンさせるための電圧をＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のベース端子に印加することができないので、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42もオフとなる。
【００２１】
ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42がオフとなることにより、第２の抵抗Ｒ12〜Ｒ42には電流が流れないので、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のコレクタ端子の電圧は、対応するセルｓ１〜ｓ４の負極電圧とそれぞれ等しくなる。従って、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41の一方の入力端子には、対応するセルｓ１〜ｓ４の負極電圧と等しい電圧、すなわち、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41にとってはＬレベルの信号が入力される。
【００２２】
次に、充放電制御回路２から出力される制御信号がＨレベルの場合について考察する。充放電制御回路２から出力されるＨレベルの信号は、アイソレータｃ2にて、セルｓ１の負極端子電圧を基準としたＨレベル信号に変換されて、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1のベース端子に入力される。これにより、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1はオンし、コレクタ端子とエミッタ端子との間に電流が流れる。この結果、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43もオンするので、第３の抵抗Ｒ13〜Ｒ43に電流が流れ、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42をオンさせるに足る電圧がベース端子に印加される。これにより、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42もオンする。
【００２３】
ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42がオンすることにより、第２の抵抗Ｒ12〜Ｒ42に電流が流れるので、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のコレクタ端子の電圧は、対応するセルｓ１〜ｓ４の正極電圧とほぼ等しくなる。従って、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41の一方の入力端子には、対応するセルｓ１〜ｓ４の正極電圧とほぼ等しい電圧、すなわち、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41にとってはＨレベルの信号が入力される。
【００２４】
これにより、全てのＮ型ＭＯＳトランジスタＱ１１〜Ｑ４１が同時にオンし、全てのセルｓ１〜ｓ４の電流バイパス機能が作動する。
【００２５】
このように、第１の実施の形態における組電池の制御装置によれば、充放電制御回路２から電流バイパス機能を作動させるための制御信号（Ｈレベル）が出力されることにより、全ての電流バイパス機能が作動する。この時に、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のベース端子に入力する電圧、すなわち、オア回路ＯＲ11〜ＯＲ41に入力する信号の電圧レベルを、各セルｓ１〜ｓ４に見合った電圧レベルに変換することができる。
【００２６】
図３は、第１の実施の形態における組電池の制御装置が備えているＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43等を備えていない組電池の制御装置の構成を示す図である。図３において、図１に示す組電池の制御装置を構成する要素と同一の構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００２７】
ダイオードＤ1と抵抗Ｒ10、ダイオードＤ2と抵抗Ｒ20、ダイオードＤ3と抵抗Ｒ30、ダイオードＤ4と抵抗Ｒ40は、それぞれ電圧レベル変換回路として機能している。すなわち、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のベース端子に入力する制御信号の電圧レベルのレベル合わせを行っている。例えば、充放電制御回路２から出力される信号がＨレベルの信号である場合、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1がオンするので、コレクタ端子とエミッタ端子との間に電流が流れる。これにより、ダイオードＤ1〜Ｄ4を介して、各抵抗Ｒ10〜Ｒ40に電流が流れ、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42をオンするに足る電圧がＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のベース端子に印加される。
【００２８】
この時、ダイオードＤ1および抵抗Ｒ10に流れる電流は、セルｓ１の正極端子からセルｓ１の負極端子へと流れ、ダイオードＤ2および抵抗Ｒ20に流れる電流は、セルｓ２の正極端子からセルｓ１の負極端子へと流れる。また、ダイオードＤ3および抵抗R30に流れる電流は、セルｓ３の正極端子からセルｓ１の負極端子へと流れ、ダイオードＤ4および抵抗Ｒ40流れる電流は、セルｓ４の正極端子からセルｓ１の負極端子へと流れる。すなわち、それぞれの電圧レベル変換回路の電源が異なるので、セルｓ１〜ｓ４から流出する電流がそれぞれ異なり、セルｓ１〜ｓ４の間において電圧差が生じることになる。
【００２９】
これに対して、第１の実施の形態における組電池の制御装置によれば、上述した構成により各セルｓ１〜ｓ４の間で電圧差が生じることはない。すなわち、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のベース端子に入力する制御信号の電圧レベルのレベル合わせを行う電圧レベル変換回路を構成するＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43のコレクタ端子あるいはエミッタ端子を、第３の抵抗Ｒ13〜Ｒ43、および、抵抗Ｒ1、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1を介して、セルｓ４の正極端子（組電池１の正極端子）とセルｓ１の負極端子（組電池１の負極端子）との間に直列に接続している。また、第４の抵抗Ｒ14〜Ｒ44を全て同一の抵抗値とし、第５の抵抗Ｒ15〜Ｒ45を全て同一の抵抗値とすることにより、第４の抵抗Ｒ14〜Ｒ44と第５の抵抗Ｒ15〜Ｒ45との直列接続部に流れる電流をセルｓ１〜ｓ４間で等しくすることができる。
【００３０】
このように、第１の実施の形態における組電池の制御装置によれば、組電池１を構成する全てのセルｓ１〜ｓ４が電圧レベル変換回路の電源として用いられるので、各セルｓ１〜ｓ４の間で電圧差が生じるのを防ぐことができる。
【００３１】
なお、抵抗Ｒ1、第２の抵抗Ｒ12〜Ｒ42、第３の抵抗Ｒ13〜Ｒ43、第４の抵抗Ｒ14〜Ｒ44、第５の抵抗Ｒ15〜Ｒ45の各抵抗値を大きい値に設定することにより、セルｓ１〜ｓ４から供給する電流を少なくすることができる。
【００３２】
−第２の実施の形態−
図２は、第２の実施の形態における組電池の制御装置の構成を示す図である。図２において、図１に示す第１の実施の形態における組電池の制御装置と同一の構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。第１の実施の形態における組電池の制御装置では、電圧レベル変換回路として、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43を用いたが、第２の実施の形態における組電池の制御装置では、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45を用いる。なお、アンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44、第６の抵抗Ｒ16〜Ｒ46は、各セルｓ１〜ｓ４ごとに設けられている。
【００３３】
異常検出回路ａ1〜ａ4による異常検出結果は、オア回路ＯＲ1で論理和演算が行われた後、アイソレータｃ1を介して充放電制御回路２ａに入力される。充放電制御回路２ａは、オア回路ＯＲ1の論理和演算結果の信号に基づいて、組電池１の充電および放電を制御する。また、充放電制御回路２ａは、電流バイパス機能を強制的に非作動（オフ）させるための制御信号（Ｌレベル）を出力する。
【００３４】
バイパス電圧検出回路ｂ1〜ｂ4の機能は、第１の実施の形態におけるバイパス電圧検出回路ｂ1〜ｂ4と同じである。ただし、バイパス電圧検出回路ｂ1〜ｂ4の出力信号は、対応するアンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41に入力される。アンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41のもう一方の入力端子には、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44と第６の抵抗Ｒ16〜Ｒ46との直列接続にて構成されるインバータ回路を介して、制御信号が入力される。
【００３５】
アンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41に入力される２信号のうちの少なくとも１信号がＬレベルの信号の時には、アンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41の出力信号はＬレベルとなる。この場合、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ４１はオフとなるので、電流バイパス機能は非作動となる。一方、アンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41に入力される２信号が共にＨレベルの信号の時には、Ｈレベルの信号が出力されるので、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ４１はオンとなり、電流バイパス機能が作動する。
【００３６】
すなわち、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44と第６の抵抗Ｒ16〜Ｒ46との直列接続にて構成されるインバータ回路を介して、アンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41に入力する信号を全てＬレベルにすると、バイパス電圧検出回路ｂ1〜ｂ4の出力信号のレベルに関わらず、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ４１を全て同時にオフさせることができる。これにより、全セルの電流バイパス機能を非作動とすることができる。
【００３７】
ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44、および、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45の動作について説明する。なお、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45、第７の抵抗Ｒ17〜Ｒ47、第８の抵抗Ｒ18〜Ｒ48、第９の抵抗Ｒ19〜Ｒ49は、各セルごとに設けられている。
【００３８】
ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45のベース端子は、対応するセルｓ１〜ｓ４の端子間に直列に接続されている第８の抵抗Ｒ18〜Ｒ48と第９の抵抗Ｒ19〜Ｒ49との接続部分に接続されている。また、コレクタ端子は、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44のベース端子に接続されるとともに、第７の抵抗Ｒ17〜Ｒ47を介して、１つ下位のＰＮＰ型バイポーラトランジスタのエミッタ端子に接続されている。例えば、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ25のコレクタ端子は、抵抗Ｒ27を介して、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15のエミッタ端子と接続されている。ただし、最下位のＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15のコレクタ端子は、第７の抵抗R17を介して、セルｓ１の負極端子、すなわち、組電池１の負極端子に接続されている。また、最上位のＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ45のエミッタ端子は、抵抗Ｒ２を介してＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2のコレクタ端子に接続されている。
【００３９】
ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2のエミッタ端子は、セルｓ１の正極端子、すなわち、組電池１の正極端子に接続されている。また、ベース端子には、充放電制御回路２ａから出力された制御信号がアイソレータｃ2を介して入力される。
【００４０】
ここで、充放電制御回路２ａから出力される制御信号がＨレベルの場合について考察する。充放電制御回路２ａから出力されるＨレベルの信号は、アイソレータｃ2にて、セルｓ４の正極端子電圧を基準としたＨレベル信号に変換されて、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2のベース端子に入力される。この時、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2のベース端子とエミッタ端子は同電位となるので、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2はオフとなる。従って、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2のコレクタ端子とエミッタ端子との間には電流が流れない。
【００４１】
この結果、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2と直列に接続されているＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45もオフとなるので、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44をオンさせるための電圧をベース端子に印加することができず、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44もオフとなる。
【００４２】
ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44がオフとなることにより、第６の抵抗Ｒ16〜Ｒ46には電流が流れないので、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44のコレクタ端子の電圧は、対応するセルｓ１〜ｓ４の正極電圧とそれぞれ等しくなる。従って、アンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41の一方の入力端子には、対応するセルｓ１〜ｓ４の正極電圧と等しい電圧、すなわち、アンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41にとってはＨレベルの信号が入力される。
【００４３】
次に、充放電制御回路２ａから出力される制御信号がＬレベルの場合について考察する。充放電制御回路２ａから出力されるＬレベルの信号は、アイソレータｃ2にて、セルｓ４の正極端子電圧を基準としたＬレベル信号に変換されて、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2のベース端子に入力される。これにより、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2はオンし、コレクタ端子とエミッタ端子との間に電流が流れる。この結果、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45もオンするので、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45のコレクタ端子電圧が上昇する。従って、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44をオンさせるに足る電圧がＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44のベース端子に印加されるので、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44もオンする。
【００４４】
ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44がオンすることにより、第６の抵抗Ｒ16〜Ｒ46に電流が流れるので、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44のコレクタ端子の電圧は、対応するセルｓ１〜ｓ４の負極電圧とほぼ等しくなる。従って、アンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41の一方の入力端子には、対応するセルｓ１〜ｓ４の負極電圧とほぼ等しい電圧、すなわち、アンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41にとってはＬレベルの信号が入力される。
【００４５】
これにより、全てのＮ型ＭＯＳトランジスタＱ１１〜Ｑ４１が同時にオフし、全てのセルｓ１〜ｓ４の電流バイパス機能を非作動とさせることができる。
【００４６】
第２の実施の形態における組電池の制御装置によれば、充放電制御回路２ａから、電流バイパス機能を強制的に非作動させるための制御信号（Ｌレベル）が出力される場合でも、各セルｓ１〜ｓ４間で電圧差が生じることを抑制することができる。すなわち、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44のベース端子に入力する制御信号の電圧レベルのレベル合わせを行う電圧レベル変換回路を構成するＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45のコレクタ端子あるいはエミッタ端子を、第７の抵抗Ｒ17〜Ｒ47、および、抵抗Ｒ2、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2を介して、セルｓ４の正極端子（組電池１の正極端子）とセルｓ１の負極端子（組電池１の負極端子）との間に直列に接続している。また、第８の抵抗Ｒ18〜Ｒ48を全て同一の抵抗値とし、第９の抵抗Ｒ19〜Ｒ49を全て同一の抵抗値とすることにより、第８の抵抗Ｒ18〜Ｒ48と第９の抵抗Ｒ19〜Ｒ49との直列接続部に流れる電流をセルｓ１〜ｓ４間で等しくすることができる。
【００４７】
このように、第２の実施の形態における組電池の制御装置においても、組電池１を構成する全てのセルｓ１〜ｓ４が電圧レベル変換回路の電源として用いられるので、各セルｓ１〜ｓ４の間で電圧差が生じるのを防ぐことができる。
【００４８】
なお、抵抗Ｒ2、第６の抵抗Ｒ16〜Ｒ46、第７の抵抗Ｒ17〜Ｒ47、第８の抵抗Ｒ18〜Ｒ48、第９の抵抗Ｒ19〜Ｒ49の各抵抗値を大きい値に設定することにより、セルｓ１〜ｓ４から供給する電流を少なくすることができる。
【００４９】
−第３の実施の形態−
図４は、第３の実施の形態における組電池の制御装置の構成を示す図である。図４において、図１に示す第１の実施の形態における組電池の制御装置と同一の構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５０】
第３の実施の形態における組電池の制御装置では、図１に示す第１の実施の形態における組電池の制御装置の構成に、抵抗Ｒ１aが追加されている。具体的には、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ１３のエミッタ端子と抵抗Ｒ１との接続点に抵抗Ｒ１aの一端が接続され、セルｓ１の負極端子に抵抗Ｒ１aの他端が接続されている。すなわち、抵抗Ｒ１aは、抵抗Ｒ１とＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ１とが直列に接続されている回路と並列に接続されている。
【００５１】
充放電制御回路２から出力される制御信号がＬレベルの場合の動作について説明する。この場合、第１の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ１はオフとなる。この場合、抵抗Ｒ１aが設けられていることにより、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13には、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13のベース電圧、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13のベース−エミッタ間電圧、および、抵抗Ｒ１aの抵抗値によって決定される電流が流れる。これにより、他のＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ23〜Ｑ43にも電流が流れる。なお、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13のベース電圧は、セルｓ１の電圧と抵抗Ｒ14およびＲ15の抵抗比とによって定まる。
【００５２】
この時に、抵抗Ｒ１aの抵抗値を大きい値に設定しておくことにより、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43に流れる電流値を小さくする。これにより、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のベース端子には、トランジスタをオンさせるために十分な電圧が印加されない。換言すれば、充放電制御回路２から出力される制御信号がＬレベルの場合に、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42がオフとなるように、抵抗Ｒ１aの抵抗値を定めておく。
【００５３】
次に、充放電制御回路２から出力される制御信号がＨレベルの場合の動作について説明する。この場合、第１の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ１はオンとなる。この結果、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43には、抵抗Ｒ１aに流れる電流と、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1および抵抗Ｒ１を介して流れる電流とを加算した電流が流れる。
【００５４】
この時に、抵抗Ｒ１の抵抗値を小さい値に設定しておけば、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43に流れる電流は大きくなるので、第３の抵抗Ｒ13〜Ｒ43間に発生する電圧も大きくなる。従って、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のベース端子には、トランジスタをオンさせるに足る電圧が印加されて、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42はオンする。これにより、全てのオア回路ＯＲ11〜ＯＲ41の出力信号はＨレベルとなるので、全てのＮ型ＭＯＳトランジスタＱ１１〜Ｑ４１が同時にオンし、全てのセルｓ１〜ｓ４の電流バイパス機能が作動する。
【００５５】
なお、上述した動作を達成するために、充放電制御回路２から出力される制御信号がＨレベルの場合に、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42がオンとなるように、抵抗Ｒ１の抵抗値を定めておく。ただし、第１の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、抵抗Ｒ1，Ｒ１a、第２の抵抗Ｒ12〜Ｒ42、第３の抵抗Ｒ13〜Ｒ43、第４の抵抗Ｒ14〜Ｒ44、第５の抵抗Ｒ15〜Ｒ45の各抵抗値を設定可能な範囲内で大きい値に設定することにより、セルｓ１〜ｓ４から供給される電流を少なくすることができる。
【００５６】
このように、第３の実施の形態における組電池の制御装置では、充放電制御回路２からＬレベルの制御信号が出力されている場合にも、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43に電流が流れている。すなわち、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ１のオン／オフにより、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43に流す電流値を変化させて、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ12〜Ｑ42のオン／オフを制御し、電流バイパス機能の作動／非作動を制御する。これは、充放電制御回路２、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ１、および、抵抗Ｒ１，Ｒ１aによって電流源が構成され、全ての電流バイパス機能を作動させる場合には、電流源の電流値を変化させているとも言える。
【００５７】
以上、第３の実施の形態における組電池の制御装置によれば、充放電制御回路２から出力される信号レベルの状態に関わらず、電圧レベル変換回路を構成するＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43に常に電流を流すことができる。これにより、第１の実施の形態における組電池の制御装置による効果に加えて、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43のコレクタ端子またはエミッタ端子の電圧が不定状態になることを防いで、安定した信号を伝達することができる。
【００５８】
例えば、第１の実施の形態における組電池の制御装置では、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13のエミッタ端子、すなわち、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ１のコレクタ端子が不定状態となることにより、回路にノイズが混入した際に、トランジスタＱ1のコレクタ電位が低下する可能性がある。この場合、充放電制御回路２からＬレベルの信号が出力されているにも関わらず、トランジスタＱ1がオンして、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１１がオンしてしまい、意図しない強制放電が行われる可能性がある。しかし、第３の実施の形態における組電池の制御装置によれば、電圧レベル変換回路に常に電流を流すことにより、電圧レベル変換回路が不安定な状態となることを回避して、意図しない強制放電を防ぐことができる。
【００５９】
−第４の実施の形態−
図５は、第４の実施の形態における組電池の制御装置の構成を示す図である。図５において、図２に示す第２の実施の形態における組電池の制御装置と同一の構成要素については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６０】
第４の実施の形態における組電池の制御装置では、図２に示す第２の実施の形態における組電池の制御装置の構成に、抵抗Ｒ２aが追加されている。具体的には、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ４５のエミッタ端子と抵抗Ｒ２との接続点に抵抗Ｒ２aの一端が接続され、最上位のセルｓ４の正極端子に抵抗Ｒ２aの他端が接続されている。すなわち、抵抗Ｒ２aは、抵抗Ｒ２とＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ２とが直列に接続されている回路と並列に接続されている。
【００６１】
まず、充放電制御回路２aから出力される制御信号がＨレベルの場合の動作について説明する。この場合、第２の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ２はオフとなる。この場合、抵抗Ｒ２aが設けられていることにより、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ45には、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ45のベース電圧、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ45のベース−エミッタ間電圧、および、抵抗Ｒ２aの抵抗値によって決定される電流が流れる。これにより、他のＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ35にも電流が流れる。なお、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ45のベース電圧は、セルｓ４の電圧と抵抗Ｒ48およびＲ49の抵抗比とによって定まる。
【００６２】
この時に、抵抗Ｒ２aの抵抗値を大きい値に設定しておくことにより、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45に流れる電流値は小さくなる。従って、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44のベース端子には、トランジスタをオンさせるために十分な電圧が印加されない。換言すれば、充放電制御回路２aから出力される制御信号がＨレベルの場合に、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44がオフとなるように、抵抗Ｒ２aの抵抗値を定めておく。
【００６３】
次に、充放電制御回路２aから出力される制御信号がＬレベルの場合の動作について説明する。この場合、第２の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ２はオンとなる。この結果、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45には、抵抗Ｒ２aに流れる電流と、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ２および抵抗Ｒ２を介して流れる電流とを加算した電流が流れる。
【００６４】
この時に、抵抗Ｒ２の抵抗値を小さい値に設定しておけば、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45に流れる電流は大きくなるので、第７の抵抗Ｒ17〜Ｒ47間に発生する電圧も大きくなる。従って、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44のベース端子には、トランジスタをオンさせるに足る電圧が印加されて、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44はオンする。これにより、全てのアンド回路ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41の出力信号はＬレベルとなるので、全てのＮ型ＭＯＳトランジスタＱ11〜Ｑ41が同時にオフし、全てのセルｓ１〜ｓ４の電流バイパス機能が非作動となる。
【００６５】
なお、上述した動作を達成するために、充放電制御回路２aから出力される制御信号がＬレベルの場合に、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44がオンとなるように、抵抗Ｒ２の抵抗値を定めておく。ただし、第２の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、抵抗Ｒ２，Ｒ２a、第６の抵抗Ｒ16〜Ｒ46、第７の抵抗Ｒ17〜Ｒ47、第８の抵抗Ｒ18〜Ｒ48、第９の抵抗Ｒ19〜Ｒ49の各抵抗値を設定可能な範囲内で大きい値に設定することにより、セルｓ１〜ｓ４から供給する電流を少なくすることができる。
【００６６】
このように、第４の実施の形態における組電池の制御装置では、充放電制御回路２aからＨレベルの制御信号が出力されている場合にも、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45に電流が流れている。すなわち、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ２のオン／オフにより、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45に流す電流値を変化させて、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ14〜Ｑ44のオン／オフを制御し、電流バイパス機能の作動／非作動を制御する。これは、充放電制御回路２a、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ２、および、抵抗Ｒ２，Ｒ２aによって電流源が構成され、全ての電流バイパス機能を非作動とする場合には、電流源の電流値を変化させているとも言える。
【００６７】
第４の実施の形態における組電池の制御装置によれば、充放電制御回路２aから出力される信号レベルの状態に関わらず、電圧レベル変換回路を構成するＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45に常に電流を流す。これにより、第２の実施の形態における組電池の制御装置による効果に加えて、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45のコレクタ端子またはエミッタ端子の電圧が不定状態になることを防いで、安定した信号を伝達することができる。すなわち、第３の実施の形態における組電池の制御装置と同様に、電圧レベル変換回路が不安定な状態となることを回避して、意図しない強制放電を防ぐことができる。
【００６８】
本発明は、上述した各実施の形態に限定されることはない。例えば、電圧レベル変換回路には、第１および第３の実施の形態ではＮＰＮ型バイポーラトランジスタを用い、第２および第４の実施の形態では、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタを用いたが、Ｎ型またはＰ型のMOSトランジスタを用いることもできる。  
【００６９】
特許請求の範囲の構成要素と第１の実施の形態の構成要素との対応関係は次の通りである。すなわち、Ｎ型MOSトランジスタＱ11〜Ｑ41，抵抗Ｒ11〜Ｒ41が充放電制御回路を、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43，抵抗Ｒ13〜Ｒ43、抵抗Ｒ14〜Ｒ44、および、抵抗Ｒ15〜Ｒ45が電圧レベル変換回路を、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1および充放電制御回路２が制御手段をそれぞれ構成する。また、第２の実施の形態の構成要素との対応関係では、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ15〜Ｑ45、抵抗Ｒ17〜Ｒ47、抵抗Ｒ18〜Ｒ48、および、抵抗Ｒ19〜Ｒ49が電圧レベル変換回路を、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2および充放電制御回路２aが制御手段をそれぞれ構成する。
【００７０】
さらに、第３の実施の形態の構成要素との対応関係では、抵抗Ｒ1，Ｒ1a、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ1および充放電制御回路２が制御手段を構成し、第４の実施の形態の構成要素との対応関係では、抵抗Ｒ2，Ｒ2a、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタＱ2および充放電制御回路２aが制御手段を構成する。なお、本発明の特徴的な機能を損なわない限り、各構成要素は上記構成に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明による組電池の制御装置の第１の実施の形態の構成を示す図
【図２】本発明による組電池の制御装置の第２の実施の形態の構成を示す図
【図３】第１の実施の形態における組電池の制御装置が備えているようなＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ13〜Ｑ43等を備えていない組電池の制御装置の構成を示す図
【図４】本発明による組電池の制御装置の第３の実施の形態の構成を示す図
【図５】本発明による組電池の制御装置の第４の実施の形態の構成を示す図
【符号の説明】
【００７２】
１…組電池、２，２ａ…充放電制御回路、ｃ1，ｃ2…アイソレータ、ｓ１〜ｓ４…セル、ａ1〜ａ4…異常検出回路、ｂ1〜ｂ4…バイパス電圧検出回路、ＯＲ11〜ＯＲ41，ＯＲ1…オア回路、ＡＮＤ11〜ＡＮＤ41…アンド回路、Ｑ11〜Ｑ４１…Ｎ型MOSトランジスタ、Ｒ1，Ｒ１a，Ｒ2，Ｒ２a，Ｒ11〜Ｒ41，Ｒ12〜Ｒ42，Ｒ13〜Ｒ43，Ｒ14〜Ｒ44，Ｒ15〜Ｒ45，Ｒ16〜Ｒ46，Ｒ17〜Ｒ47，Ｒ18〜Ｒ48，Ｒ19〜Ｒ49，Ｒ10〜Ｒ40…抵抗、Ｑ2，Ｑ12〜Ｑ42，Ｑ15〜Ｑ45…ＰＮＰ型バイポーラトランジスタ、Ｑ1，Ｑ13〜Ｑ43，Ｑ14〜Ｑ44…ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ、Ｄ1〜Ｄ4…ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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