(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に有機薄膜を形成し、次いで前記有機薄膜表面にカソード電極膜を形成する有機薄膜表面へのカソード電極膜の形成方法であって、
周囲にコイルが巻回されたターゲットを、前記コイルの上端が前記ターゲット上に位置するようにして真空槽内に配置しておき、
前記有機薄膜が形成された基板を大気に曝さずに前記真空槽内に搬入して前記基板を前記ターゲットに対向して配置し、
前記コイルに１３．５６ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の周波数の交流電圧を印加して交流の電界を形成し、前記コイルの上端近傍の電子に前記コイルの中心軸線と平行な方向に往復運動させながら前記ターゲットをスパッタリングし、前記基板上の前記有機薄膜表面上に光を遮蔽しない膜厚の金属薄膜を形成し、
次いで、前記金属薄膜表面に透明導電膜を形成し、前記金属薄膜と透明導電膜とでカソード電極膜を構成させることを特徴とする有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法。
【請求項２】
前記金属薄膜を２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚に形成する請求項１記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法。
【請求項３】
前記基板表面と前記コイルの上端部との距離を２００ｍｍ以上にして前記ターゲットをスパッタリングする請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法。
【請求項４】
前記ターゲットをスパッタリングする際、前記真空槽内の圧力を１．３３×１０-2Ｐａ以下にすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法。
【請求項５】
前記ターゲットに、マグネシウムと銀とを含有させておく請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機ＥＬ素子の技術分野にかかり、特に、有機薄膜表面へカソード電極膜を形成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、視野角の問題がなく、高輝度の有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた表示装置が注目されており、カラー化と長寿命化による実用品の製作に向けて精力的な研究が行われている。
【０００３】
一般的な有機ＥＬ素子は、図４に示すように、ガラス基体２１０上に、透明導電膜２１１と、第１層目の有機薄膜２１２と、第２層目の有機薄膜２１３と、カソード電極膜２１５とがこの順に成膜されて構成されており、透明導電膜２１１をアノード電極膜とし、カソード電極膜２１５との間に電圧を印加すると、第１層目と第２層目の有機薄膜２１２、２１３の界面が発光し、透明導電膜２１１とガラス基体２１０とを透過した光２１９が外部に放射されるように構成されている。
【０００４】
有機薄膜上に形成するカソード電極膜としては、ＭｇＡｇ膜、ＭｇＩｎ膜、ＬｉＡｌ膜等が知られているが、ＭｇＡｇ膜の形成を例にとってカソード電極膜形成方法を説明すると、従来は、図５に示すような真空排気可能な真空槽１０５と、マグネシウム蒸気を発生させるＭｇ用蒸発源１１０と、銀蒸気を発生させるＡｇ用蒸発源１２０とを有する蒸着装置が用いられている。
【０００５】
各蒸発源１１０、１２０は真空槽１０５の底壁上に設けられており、真空槽１０５の天井に設けられた図示しない基板ホルダーに成膜対象の基板１０６を保持させると、基板１０６表面はＭｇ用蒸発源１１０とＡｇ用蒸発源１２０に向くように構成されている。
【０００６】
Ｍｇ用蒸発源１１０は、Ｍｇ材料１１１が納められた密閉容器１１３と、該密閉容器１１３内に配置されたヒーター１１４とを有しており、他方、Ａｇ蒸発源１２０はフィラメント１２４と、そのフィラメント１２４内に納められたＡｇ材料１２１とを有している。
【０００７】
Ｍｇ材料１１１は昇華性であるため、ヒーター１１４に通電して発熱させると液体にならずに蒸発し、密閉容器１１３内をＭｇ蒸気で充満させる。密閉容器１１３の上部には、直径１ｍｍの孔１１５が設けられており、密閉容器１１３内のＭｇ蒸気は孔１１５から真空槽１０５内に放出され、基板１０６表面に到達し、そこに付着する。
【０００８】
このとき同時にＡｇ蒸発源１２０のフィラメント１２４にも通電し、Ａｇ材料１２１を溶融・蒸発させ、Ａｇ蒸気を発生させると、Ａｇ蒸気はＭｇ蒸気と一緒に基板１０６表面に到達し、そこに付着するので、基板１０６表面にはＭｇＡｇ膜から成るカソード電極膜が形成される。
【０００９】
なお、Ｍｇ蒸気とＡｇ蒸気とを別々に発生させるため、Ｍｇ蒸発源１１０とＡｇ蒸発源１２０との間には遮蔽板１３６が設けられ、蒸発源が互いに汚染し合わないように構成されている。
【００１０】
上述したＥＬ素子は、近年では、例えばポケベル、携帯電話、ゲーム用ディスプレー等に使用するため、両面発光可能なものが求められているが、カソード電極膜は有機薄膜との仕事関数差の小さい金属材料で構成させる必要があるため、現在のところ透明な薄膜は得られていない。
【００１１】
そこで、光を透過する程薄いＭｇＡｇ膜を形成し、その表面に透明なＩＴＯ膜を形成し、ＭｇＡｇ膜とＩＴＯ膜とで構成される透明導電膜をカソード電極膜にすることが検討されたが、上述のような蒸着装置を用い、孔１１５から放出される蒸気によって基板表面に薄いＭｇＡｇ膜を形成しようとすると、膜厚制御が困難であり、特に大口径基板を用いた場合には、発光強度の面内均一性が良い両面発光ＥＬ素子を得ることができなかった。
【００１２】
また、カソード電極膜は、一定範囲の組成で形成する必要があり、例えばＭｇＡｇ膜では、ＭｇＡｇ比は１０：１(＝Ｍｇ：Ａｇ)であるが、蒸着装置では、ごく薄いカソード電極膜の組成を基板面内で均一にすることは困難であり、その解決が望まれていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたもので、その目的は、有機薄膜表面へ透明なカソード電極膜を形成し、両面発光ＥＬ素子を得ることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、基板表面に有機薄膜を形成し、次いで前記有機薄膜表面にカソード電極膜を形成する有機薄膜表面へのカソード電極膜の形成方法であって、周囲にコイルが巻回されたターゲットを、前記コイルの上端が前記ターゲット上に位置するようにして真空槽内に配置しておき、前記有機薄膜が形成された基板を大気に曝さずに前記真空槽内に搬入して前記基板を前記ターゲットに対向して配置し、前記コイルに１３．５６ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の周波数の交流電圧を印加して交流の電界を形成し、前記コイルの上端近傍の電子に前記コイルの中心軸線と平行な方向に往復運動させながら前記ターゲットをスパッタリングし、前記基板上の前記有機薄膜表面上に光を遮蔽しない膜厚の金属薄膜を形成し、次いで、前記金属薄膜表面に透明導電膜を形成し、前記金属薄膜と透明導電膜とでカソード電極膜を構成させることを特徴とする有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法である。
請求項２記載の発明は、前記金属薄膜を２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚に形成する請求項１記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法である。
請求項３記載の発明は、前記基板表面と前記コイルの上端部との距離を２００ｍｍ以上にして前記ターゲットをスパッタリングする請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法である。
請求項４記載の発明は、前記ターゲットをスパッタリングする際、前記真空槽内の圧力を１．３３×１０-2Ｐａ以下にすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法である。
請求項５記載の発明は、前記ターゲットに、マグネシウムと銀とを含有させておく請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法である。
【００１５】
上述した本発明の構成によれば、光を遮蔽しないほど薄い金属薄膜が、スパッタリング法によって有機薄膜表面上に形成されているので、金属薄膜の面内膜厚や面内組成が均一となり、発光強度の面内均一性が良いＥＬ素子を得ることができる。また、有機薄膜と金属薄膜との密着性が良好になるので、寿命が長く、発光強度の高いＥＬ素子を得ることができる。
【００１６】
その金属薄膜表面に透明導電膜を形成し、透明導電膜によって金属薄膜や有機薄膜と金属薄膜の界面を保護させ、金属薄膜と透明導電膜とでカソード電極膜を構成させることができる。基体に透明なものを用いると、有機薄膜内で発生した光は基体側とカソード電極膜側とを通して外部に放射されるので、両面発光ＥＬ素子が得られる。
【００１７】
そのような金属薄膜の膜厚は、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲にすると、有機薄膜内への電子の注入機能を維持しつつ光を透過させることができる。
【００１８】
また、有機薄膜が形成された後、その有機薄膜を大気に曝さずに表面に金属薄膜を形成するようにすれば、有機薄膜と金属薄膜の界面の状態を良好にできる。具体的には、先ず、有機薄膜を形成した後、大気に曝さずにターゲットが配置された真空槽内に搬入し、そのターゲット表面をスパッタリングし、有機薄膜表面に光を遮蔽しない膜厚の金属薄膜を形成する。次いで、金属薄膜表面に透明導電膜を形成し、金属薄膜と透明導電膜とでカソード電極膜を構成させることができる。金属薄膜の形成後、大気に曝さないで透明導電膜を形成するとよい。
【００１９】
スパッタリング法については、真空槽内にコイルを配置し、ターゲットをそのコイル内に納め、基板表面とコイル上端部との距離を２００ｍｍ以上にしてターゲットと基板とを対向配置させ、１３．５６ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の周波数の交流電圧をコイルに印加してターゲットのスパッタリングを行い、有機薄膜表面に金属薄膜を成長させると、有機薄膜や有機薄膜と金属薄膜との界面が電子やスパッタリングガスイオンに曝されなくなり、ダメージを少なくさせることができる。
【００２０】
スパッタリングを行う際の真空槽内の圧力については、１．３３×１０-2Ｐａ以下の値にしておくと、プラズマ密度が低くなり、一層ダメージが少なくなる。ターゲットについては、具体的にはマグネシウムと銀とを含む材料を用いることができる。マグネシウムは昇華性であるため、スパッタリング法が適している。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
図１に、本発明のＥＬ素子を製造する際に用いることができるＥＬ素子製造装置を示す。このＥＬ素子製造装置は、前処理装置３１と、有機薄膜形成装置３２と、第１、第２のスパッタリング装置３３、３４とを有している。各装置３１〜３４は真空槽４１〜４４をそれぞれ有しており、図示しない真空ポンプによって個別に真空排気できるように構成されている。各真空槽４１〜４４の天井には、基板ホルダー４６〜４９がそれぞれ設けられており、板状の基板を保持できるように構成されている。
【００２２】
また、真空槽４１と真空槽４２の間と、真空槽４２と真空槽４３の間と、真空槽４３と真空槽４４の間には、ゲートバルブ７１〜７３がそれぞれ設けられており、図示しない基板搬入室から真空槽４１内に搬入した基板を、大気に曝すことなく、真空槽４２〜４４内を順次搬送し、図示しない基板搬送室から大気中に取り出せるように構成されている。
【００２３】
このＥＬ素子製造装置を用い、図３(ａ)に示すような、透明なガラス基体１０(厚み０．５ｍｍ)上に、予めＩＴＯ膜から成る透明なアノード電極膜１１（膜厚１５００Å〜２０００Å)が形成された基板上に、有機薄膜と透明なカソード電極膜(導電性の薄膜)とを形成する場合について説明する。
【００２４】
先ず、その基板を前処理装置３１の真空槽４１内に搬入し、基板ホルダー４６に保持させる。このとき、基板のガラス基体１０を基板ホルダー４６に密着させ、アノード電極膜１１を真空槽４１の底壁に向ける。
【００２５】
真空槽４１内の底壁の基板ホルダー４６と対向する位置にはラジカルガン５６が設けられており、そのラジカルガン５６と基板ホルダー４６との間には、シャッター５１が設けられている。真空槽８０内を真空排気し、シャッター５１を閉じた状態でラジカルガン５６を起動すると、ラジカルガン５６から真空槽４１内にラジカルイオンが放射される。その状態でシャッター８６を開けるとラジカルイオンはアノード電極膜１１表面に照射され、アノード電極膜１１のクリーニングが行われる。
【００２６】
クリーニングが終了した基板を、真空槽４１から有機薄膜形成装置３２の真空槽４２内に搬送し、基板ホルダー４７に保持させる。
【００２７】
真空槽４２の底壁には、第１層目の有機薄膜材料が納められた第１の蒸発源５７1と、第２層目の有機薄膜材料が納められた第２の蒸発源５７2とが設けられており、第１、第２の蒸発源５７1、５７2と、基板ホルダー４７との間にはシャッター５２が設けられている。
【００２８】
そのシャッター５２と第１、第２の蒸発源５７1、５７2内に設けられたシャッターとを閉じた状態にし、第１、第２の蒸発源５７1、５７2内のヒーターに通電すると、第１層目と第２層目の有機薄膜材料の蒸発が開始される。
【００２９】
基板ホルダー４７上では、基板はアノード電極膜１１が第１、第２の蒸発源５７1、５７2に向けられている。第１の蒸発源５７1内のシャッターを最初に開け、有機薄膜材料の蒸発状態が安定したところでシャッタ５２を開けると第１層目の有機薄膜材料の蒸気がアノード電極膜１１表面に到達し、第１層目の有機薄膜の成長が開始される。
第１の蒸発源５７1内には、第１層目の有機薄膜材料として、下記化学式、
【００３０】
【化１】
0003698506.tif 000002
【００３１】
で示されるジアミンが配置されており、その蒸気により、アノード電極膜１１上には、ジアミン高分子膜が第１層目の有機薄膜１２として形成される(図３(ｂ))。
【００３２】
第１層目の有機薄膜１２が５００Å〜６００Åの厚みに形成されたところで、第１の蒸発源５７1内のシャッターを閉め、第２の蒸発源５７2内のシャッターを開けると、第２層目の有機薄膜材料の蒸気が第１層目の有機薄膜１２表面に到達し、第２の有機薄膜１３の成長が開始される。
第２の蒸発源５７2内には、第２層目の有機薄膜材料として、下記化学式、
【００３３】
【化２】
0003698506.tif 000003
【００３４】
で示される昇華性のＡｌｑ3［Tris(8-hydroxyquinoline) aluminium, sublimed］が配置されており、その蒸気により、第１層目の有機薄膜１２表面に、Ａｌｑ3が高分子化した膜が第２の有機薄膜１３として形成される(同図(ｃ))。
【００３５】
第２層目の有機薄膜１３が５００Å〜６００Åの厚みに形成されたところで、真空槽４２内のシャッター５２と第２の蒸発源５７2内のシャッターとを閉じ、カソード電極膜の成膜対象となる基板を、第１のスパッタリング装置３３の真空槽４３内に搬入し、基板ホルダー４８に保持させる。
【００３６】
基板ホルダー４８と対向した位置の真空槽４３の底壁には、ヘリカルカソード５８が設けられており、ヘリカルカソード５８と基板ホルダー４８との間には、シャッター５３が設けられている。他方、真空槽４３の外部には、バイアス電源６１と高周波電源６２とが配置されている。
【００３７】
ヘリカルカソード５８は、コイル８１と、ターゲットホルダー８３と、ターゲット８２と、磁石８４とを有しており、ターゲットホルダー８３はバイアス電源６１の負電位側の電極に接続され、ターゲットホルダー４８よりも低位電位にできるように構成されている。他方、コイル８１の両端は高周波電源６２の正負２つの電極にそれぞれ接続され、コイル８１に交流電流を流せるように構成されている。
【００３８】
ターゲット８２には、マグネシウム(Ｍｇ)と銀(Ａｇ)とから成る導電性薄膜材料が平板状に成形されたものが用いられており、その裏面はターゲットホルダー８３に固定され、ターゲットホルダー８３と共にコイル８１内に配置されている。
【００３９】
コイル８１を構成する導線は、ターゲット８２とターゲットホルダー８３の周囲に非接触の状態で巻き回されており、ターゲット８２の表面とコイル８１の中心軸線とは略直交するように配置されている。従って、コイル８１の開口部において、ターゲット８２は基板ホルダー４８に対向しており、また、ターゲット８２表面と、基板ホルダー４８に保持された基板とは、略平行になるようにされている。
【００４０】
コイル８１の上端部は、ターゲット８２表面よりも基板側に位置するようにされており、ここでは、コイル８１の上端部と基板ホルダー４８に保持された基板表面との距離は２００ｍｍにされている。
【００４１】
シャッター５３を閉じた状態にし、真空槽４３内を高真空状態まで真空排気した後、アルゴンガスから成るスパッタリングガスを導入し、真空槽４８内の圧力が６．６５×１０-3Ｐａ(５．０×１０-5Torr)  で圧力で安定した後、バイアス電源８４を起動してターゲット８２を負電位に置くと共に、高周波電源６２を起動し、コイル８１に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加して通電する。ターゲット８２表面にプラズマが発生し、そのプラズマ中のスパッタリングガスイオン(アルゴンイオンＡｒ+)がターゲット８２表面に入射して、ターゲット８２のスパッタリングが開始される。
【００４２】
基板ホルダー４８に保持された基板は、第２の有機薄膜１３がヘリカルコイル５８側に向けられており、プラズマが安定したところでシャッター５３を開けると、第２の有機薄膜１３表面へのマグネシウムと銀から成る金属薄膜の成長が開始される。
【００４３】
このとき、コイル８１によって形成される電界は、コイル８１の上端部近傍では、コイル８１の中心軸線と平行な方向になっており、その向きは、半周期毎に逆向きになる。従って、電子やイオンに加えられる力も半周期毎に逆向きになるが、高周波であるため、コイル７の上端近傍では、電子ｅ-は、コイル７の中心軸線と平行な方向に往復運動をし、基板ホルダー４８側へ入射できない。このように、コイル８１に高周波電圧を印加した場合には、第２の有機薄膜１３やその表面に形成途中の金属薄膜は、電子ｅ-やスパッタリングガスイオン等によってダメージを受けなくなる。
【００４４】
なお、ターゲットホルダー８３の裏面には磁石８４が配置されており、その磁石８４によってターゲット８２表面に形成される磁界は、電子をターゲット表面近傍に閉じ込め、ターゲット８２表面近傍のプラズマ密度が高く、表面から遠くなると低くなるように構成されている。従って、プラズマは基板まで広がらないので、第２の有機薄膜１３や形成途中の金属薄膜がプラズマに曝されてダメージを受けることはない。
【００４５】
このヘリカルカソード５８を用いた場合の金属薄膜の成長速度は、予め、真空槽４３内のスパッタリングガス圧力と対応づけて求められており、金属薄膜が所定膜厚(２０Å〜１００Å)の厚みに形成されたところで(図３(ｄ))シャッター５３を閉じると共にバイアス電源６１と高周波電源６２とを停止させ、金属薄膜１４の形成を終了する。
【００４６】
次いで、金属薄膜１４が形成された基板を第２のスパッタリング装置３４の真空槽４４内に搬送し、金属薄膜１４を真空槽４３の底壁に向けて基板ホルダー４９に保持させる。
【００４７】
真空槽４４内の底壁の基板ホルダー４９と対向した位置には、上述のヘリカルカソード５８と同じ構成のヘリカルカソード５９が設けられており、そのヘリカルカソード５９と基板ホルダー４９の間には、シャッター５４が設けられている。他方、真空槽４４の外部には、バイアス電源６３と高周波電源６４とが配置され、ヘリカルカソード５９内のターゲットホルダーとコイルにそれぞれ接続されている。
【００４８】
ヘリカルカソード５９内のターゲット９２には、ＩＴＯ(インジウム・錫酸化物)材料が平板状に成形されたものが用いられており、シャッター５４を閉じた状態にし、真空槽４４内を高真空状態まで真空排気した後、アルゴンガスから成るスパッタリングガスを導入し、真空槽４４内の圧力が６．５５×１０-1Ｐａ(５．０×１０-3Torr)で安定した後、バイアス電源６３と高周波電源６４を起動してターゲット９２のスパッタリングを開始する。
【００４９】
金属薄膜１４表面に、膜厚１５００Å〜２０００ÅのＩＴＯ膜から成る透明導電膜１５が形成されたところでスパッタリングを終了し、真空槽４４外に搬出する。
【００５０】
金属薄膜１４は２ｎｍ〜１０ｎｍの薄さであり、光を遮蔽しない膜厚である。また、透明導電膜１５は透明なので、金属薄膜１４と透明導電膜１５とで透明なカソード電極膜１６が構成される。
【００５１】
アノード電極膜１１と透明導電膜１５を電源に接続し、電圧を印加したところ、第１層目の有機薄膜１２と第２層目の有機薄膜１３の界面で発光し(図３(ｅ))、ガラス基体１０を透過して一方の面から光１８が放射されると共に、カソード電極膜１６を透過して他方の面から光１９が放射され、両面発光のＥＬ素子２が得られる。
【００５２】
以上は前処理装置３１と、有機薄膜形成装置３２と、第１、第２のスパッタリング装置３３、３４とが順番に配置されたＥＬ素子製造装置を用いた場合を説明したが、図２(ａ)に示すように、搬送ロボットが納められた搬送室３５を中心として各装置３１〜３４を配置し、搬送室３５を介して各装置３１〜３４内で基板を大気に曝さないで搬出入できるように構成してもよい。
【００５３】
また、同図(ｂ)に示すように、ガラス基体表面を紫外線でクリーニングする前処理室３６と、クリーニングされたガラス基体上にＩＴＯ膜を形成するスパッタリング装置３７と、有機薄膜形成装置３２と、第１、第２のスパッタリング装置３３、３４とを搬送室３５を中心に配置してＥＬ素子製造装置を構成してもよい。
【００５４】
なお、上述の例は、ガラス基体１０を用いてＥＬ素子を作成する場合を説明したが、透明な樹脂フィルムを基体に用いることもできる。また、有機薄膜は２層構造のものに限定されるものではなく、種々の構造のものが含まれる。
【００５５】
そのような有機薄膜表面に金属薄膜を形成する際のコイル上端部と基板との距離は、上述の２００ｍｍに限定されるものではなく、その距離よりも大きくし、有機薄膜や金属薄膜が受けるダメージを更に少なくさせることができる。但し、距離を大きくすると金属薄膜の成長速度が遅くなるので、量産工程では３００ｍｍ程度が限界と考えられる。
【００５６】
また、上述の例では、金属薄膜１４を形成する際の真空槽４４内の圧力を６．６５×１０-3Ｐａ(５．０×１０-5Torr)にしたが、有機薄膜とカソード電極膜の界面にダメージを与えずにプラズマを安定に維持するためには、１．３３×１０-2Ｐａ(１．０×１０-4Torr)以下の圧力であればよい。
【００５７】
上述のような低圧力でカソード電極膜を２０Å〜１００Å程度の厚みに形成すると、金属薄膜自身が有機薄膜との界面を保護できる状態になる。従って、その金属薄膜１４上に透明導電膜１５を形成する場合のスパッタリング圧力は、通常の圧力(６．５５×１０-1Ｐａ程度の圧力)にすることができる。
【００５８】
また、上述の例はコイル８１へ印加する交流電圧の周波数が１３．５６ＭＨｚの場合であったが、１３．５６ＭＨｚ以上、１００ＭＨｚ以下の範囲の周波数であれば、基板側に電子やイオンが入射せず、金属薄膜１４と有機薄膜１３の界面や、有機薄膜１３にダメージを与えることがない。
【００５９】
なお、以上はＭｇＡｇ膜を金属薄膜１４とし、ＩＴＯ１５膜とでカソード電極膜１６を構成する場合について説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。有機薄膜表面に光を遮蔽しない厚さの金属薄膜を形成し、その金属薄膜上に透明導電膜を形成する場合に広く用いることができる。
【００６０】
【発明の効果】
有機薄膜表面に、膜厚分布や膜質が均一である透明なカソード電極膜を形成することができるので、両面発光ＥＬ素子が得られる。
金属薄膜と有機薄膜の界面や有機薄膜中に電子やイオンが入射しないので、特性が良く、寿命の長いＥＬ素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いることができるＥＬ素子製造装置の一例を示す図
【図２】(ａ)：他のＥＬ素子製造装置の配置を説明するための図
(ｂ)：更に他のＥＬ素子製造装置の配置を説明するための図
【図３】(ａ)〜(ｄ)：本発明方法の工程を説明するための図
(ｅ)：その工程により製造された両面発光ＥＬ素子を示す図
【図４】従来技術のＥＬ素子を示す図
【図５】従来技術のＥＬ素子製造装置の一例を示す図
【符号の説明】
２……ＥＬ素子    １０……基体    １２、１３……有機薄膜    １４……金属薄膜    １５……透明導電膜    １６……カソード電極膜    ４３……真空槽    ８１……コイル    ８２……ターゲット
【図１】
0003698506.tif 000004
【図２】
0003698506.tif 000005
【図３】
0003698506.tif 000006
【図４】
0003698506.tif 000007
【図５】
0003698506.tif 000008