(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
天井壁、側部壁および底壁を有する金属製チャンバと、このチャンバ内に昇降可能に設置され、金属ベローズを介して上記チャンバの底壁に気密接続されたウェハ載置台と、このウェハ載置台に対して絶縁されて設けられた下部電極と、上端が上記下部電極に接続され、下端が高周波発生部に接続されたＲＦ導入体と、このＲＦ導入体に対して絶縁されつつ上端が上記ウェハ載置台に連結された接地用導体とを備え、この接地用導体と上記天井壁との間を実質的に導通させることにより、上記天井壁を上部電極としてこれと上記下部電極との間に所定のプラズマを生成するように構成された半導体製造装置において、
上記ウェハ載置台が上方に移動して停止させられる所定の位置にあるときに限り上記チャンバの側壁部と上記接地用導体の上端部との間を実質的に最短距離で導通させる導通手段を設けたことを特徴とする、半導体製造装置。
【請求項２】
上記導通手段は、上記チャンバの側壁部と上記接地用導体の上端部との間を実質的に直接接触させるものである、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
天井壁、側部壁および底壁を有する金属製チャンバと、このチャンバ内に昇降可能に設置され、金属ベローズを介して上記チャンバの底壁に気密接続されたウェハ載置台と、このウェハ載置台に対して絶縁されて設けられた下部電極と、上端が上記下部電極に接続され、下端が高周波発生部に接続されたＲＦ導入体と、このＲＦ導入体に対して絶縁されつつ上端が上記ウェハ載置台に連結された接地用導体とを備え、この接地用導体と上記天井壁との間を実質的に導通させることにより、上記天井壁を上部電極としてこれと上記下部電極との間に所定のプラズマを生成するように構成された半導体製造装置において、
上記チャンバの側壁部と上記接地用導体の上端部との間を容量結合させることにより実質的に最短距離で導通させる導通手段を設けたことを特徴とする、半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、半導体デバイスを製作するための半導体製造装置に関し、特に、ウェハの表面に薄膜形成やエッチング等を行って半導体デバイスを製作する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、トランジスタや集積回路等の半導体デバイスを製作するプロセスにおいては、ウェハの表面に対して薄膜形成やエッチング等が行われる。薄膜形成では、たとえばプラズマの励起化学反応によるプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition ）法等が用いられ、エッチングでは、たとえばウェハの表面にプラズマを照射するドライエッチング法等が用いられる。
【０００３】
上記ドライエッチング法においては、１対の電極間にウェハを配し、電極間に高周波電力を印加してグロー放電によるプラズマを発生させる、いわゆる反応性イオンエッチング法が広く用いられている。この反応性イオンエッチング法では、プラズマを利用する他の方法に比べ、装置構成を比較的小型にできること、ウェハの上方にプラズマが均一に分布されやすいこと等の利点がある。
【０００４】
図１２は、上記反応性イオンエッチング法が適用される半導体製造装置の一例を示す図である。上記半導体製造装置の構成を簡単に説明すると、この半導体製造装置は、上蓋５１を有する、たとえばアルミニウム製のチャンバ５２が設けられ、チャンバ５２内には、ウェハＷを載置するための載置台５３が配されている。載置台５３は、図示しないリフタによって昇降可能とされ、載置台５３の下面に配された略円盤上の金属板５４、および金属製のベローズ５５を介してチャンバ５２の底壁５２ａに接続されている。載置台５３には、下部電極５３ａが設けられ、下部電極５３ａは、高周波電力を供給するための高周波発振器５６に接続されたＲＦ導入棒５７に接続されている。また、上記金属板５４には、ＲＦ導入棒５７に対して絶縁され、上端が金属板５４に連結された接地用導体としての導体筒５８が設けられている。導体筒５８は、その下端がアースに接続されている。
【０００５】
この構成によれば、高周波発振器５６によって高周波電力が供給されると、ＲＦ導入棒５７から下部電極５３ａを介してチャンバ５２の上蓋５１に向かって高周波信号が発生され、上蓋５１および下部電極５３ａの間で所定のプラズマが発生し、このプラズマによりたとえばウェハＷの表面がエッチングされる。ここで、高周波信号による高周波電流は、たとえば図１２の点線矢印Ｆに示す経路で装置内を流れる。すなわち、高周波電流は、チャンバ５２の上蓋５１からチャンバ５２の側壁部に流れ、チャンバ５２の底壁５２ａからベローズ５５に至る。そして、金属板５４および導体筒５８を介してアースに導かれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、高周波電流は、チャンバ５２の側壁部や底壁５２ａ、およびベローズ５５を経由して流れるため、その経路長は長くなる。また、上記チャンバ５２やベローズ５５は、比較的抵抗値が高いため、上記経路におけるインピーダンスは大である。そのため、上記のように、高周波電流が流れる経路に、チャンバ５２やベローズ５５が含まれると、高周波電流が流れる上で高周波電力の損失が大きくなり、高周波電力の利用効率が低くなる。
【０００７】
ところで、最近では、ウェハの大径化に伴なって、各プロセスにおいて比較的大きな電力を必要とする傾向にある。そのため、たとえばプラズマを発生させるための高周波発振器を含む電源装置が大型化し、半導体製造装置自体が大型化したり、電源装置の設計が困難であるといった問題点がある。したがって、上記半導体製造装置においては、高周波電力の損失を極力少なくし、高周波電力の利用効率を高めることが課題となっている。また、現状の半導体製造装置の中には、プラズマを発生させるために利用される電力が供給電力の１０％にも達していないものもあり、この面からも、高周波電力の利用効率を高めることが望まれている。
【０００８】
一方、プロセスにおける反応速度、たとえば反応性イオンエッチング法におけるエッチング速度を上げるためには、チャンバ内のプラズマを高密度化させることが必要であるが、近年では、プラズマを高密度化させるために、高周波電力に使用する周波数を高く設定することが検討されている。しかしながら、使用する周波数を高くすれば、それに伴って、いわゆる寄生インピーダンスが大きくなり、高周波電力の利用効率が下がることになる。
【０００９】
【発明の開示】
本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高周波電力を用いてウェハの表面を加工する半導体製造装置において、容易な構成で高周波電力の利用効率を高めることのできる半導体製造装置を提供することを、その課題とする。
【００１０】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１１】
本願発明の第１の側面によって提供される半導体製造装置によれば、天井壁、側部壁および底壁を有する金属製チャンバと、このチャンバ内に昇降可能に設置され、金属ベローズを介してチャンバの底壁に気密接続されたウェハ載置台と、このウェハ載置台に対して絶縁されて設けられた下部電極と、上端が下部電極に接続され、下端が高周波発生部に接続されたＲＦ導入体と、このＲＦ導入体に対して絶縁されつつ上端がウェハ載置台に連結された接地用導体とを備え、この接地用導体と天井壁との間を実質的に導通させることにより、天井壁を上部電極としてこれと下部電極との間に所定のプラズマを生成するように構成された半導体製造装置において、上記ウェハ載置台が上方に移動して停止させられる所定の位置にあるときに限り上記チャンバの側壁部と上記接地用導体の上端部との間を実質的に最短距離で導通させる導通手段を設けたことを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、高周波発生部によって高周波電力が供給され、ＲＦ導入体から高周波信号が発生されると、接地用導体とチャンバの天井壁とが導通されるため、上部電極としての天井壁と下部電極との間に所定のプラズマが発生する。このプラズマによって、ウェハ載置台に載置されたウェハの表面に対してたとえば薄膜形成やエッチング等が行われる。ここで、ＲＦ導入体からウェハ載置台を介して発生した高周波信号による高周波電流は、たとえばチャンバの天井壁から側壁部に流れる。この場合、導通手段によってチャンバの側壁部と接地用導体の上端部との間が実質的に最短距離で導通されるように、両者間が接続されるため、上記高周波電流は、チャンバの側壁部から接地用導体に流れる。
【００１３】
従来では、上記のようにチャンバの側壁部と接地用導体の上端部との間を実質的に最短距離で導通させるといった構成が施されていなかったために、高周波電流は、チャンバの側壁部やベローズを流れることがあり、経路長が大幅に長くなっていた。また、チャンバや導電体の抵抗値が比較的高いために、経路におけるインピーダンスが高くなり、高周波電力の損失が大となっていた。しかし、本願発明によれば、チャンバの側壁部と接地用導体の上端部との間が実質的に最短距離で導通されているため、高周波電流の流れる経路長を格段に短くでき、上記経路におけるインピーダンスを低くできるとともに、高周波電力の損失を少なくすることができる。したがって、高周波電力の利用効率を高めることができる。
【００１４】
本願発明の好ましい実施の形態によれば、導通手段は、チャンバの側壁部と接地用導体の上端部との間を実質的に直接接触させるものである。このように、チャンバの側壁部と接地用導体の上端部との間が実質的に接触されておれば、高周波電流を確実に流すことができる。
【００１５】
本願発明の第２の側面によって提供される半導体製造装置によれば、天井壁、側部壁および底壁を有する金属製チャンバと、このチャンバ内に昇降可能に設置され、金属ベローズを介して上記チャンバの底壁に気密接続されたウェハ載置台と、このウェハ載置台に対して絶縁されて設けられた下部電極と、上端が上記下部電極に接続され、下端が高周波発生部に接続されたＲＦ導入体と、このＲＦ導入体に対して絶縁されつつ上端が上記ウェハ載置台に連結された接地用導体とを備え、この接地用導体と上記天井壁との間を実質的に導通させることにより、上記天井壁を上部電極としてこれと上記下部電極との間に所定のプラズマを生成するように構成された半導体製造装置において、上記チャンバの側壁部と上記接地用導体の上端部との間を容量結合させることにより実質的に最短距離で導通させる導通手段を設けたことを特徴とする。このような構成によれば、チャンバの側壁部と接地用導体の上端部とが非接触状態で導通されるので、両者の導通状態は、たとえば両者が直接接触した場合のその接触面における状態に依存しなくなり、両者間で高周波電流を良好に流すことができる。
【００１６】
本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
【００１８】
＜第１実施形態＞
図１は、本願発明の第１実施形態に係る半導体製造装置の内部構成を示す断面図である。この半導体製造装置は、高周波電力を供給してウェハの表面に薄膜形成やエッチング等を行うための装置である。なお、以下ではエッチングを行う場合について述べるが、下記に示される構成はエッチングを行う場合に限るものではない。
【００１９】
この半導体製造装置は、略円筒形状のチャンバ１内に、ウェハＷを載置するための載置台２を有している。チャンバ１は、アルミニウム等の金属からなり、上面が開放可能なように上蓋１ａを有している。上蓋１ａは、チャンバ１内に高周波電力が供給される際の上部電極として機能する。上蓋１ａには、図示していないが、このチャンバ１内に反応ガスを導入するためのガス導入管が接続されている。また、チャンバ１の本体１ｂには、チャンバ１内の圧力を調整するための図示しない真空排気系が接続されている。
【００２０】
チャンバ１の上部側壁部には、段差３が形成されており、この段差３に支持される恰好で、チャンバ１の上部側壁部に沿って、デポシールド４がチャンバ１に対して取り外し自在に設けられている。
【００２１】
デポシールド４は、反応ガスがチャンバ１の側壁部に付着するのを防止するためのものであり、アルミニウムあるいはセラミック等からなり、外径がチャンバ１の内径と略同一の略円筒形状に形成されている。この半導体製造装置によってエッチング等が行われると、経時的に、このデポシールド４の表面に反応生成物が付着する。そのため、適当な時期になると、このデポシールド４をチャンバ１から取り外し、反応生成物を取り除くための清掃が行なわれる。そして、このデポシールド４に、後述する接触体のフランジに当接される板ばね７が装着されている。
【００２２】
板ばね７は、アルミニウム等の金属からなり、図２に示すように、略リング状に形成された円周部８と、円周部８の内側面８ａから中心に向かって延びた複数の突起部９とによって構成され、突起部９は、その先端が下方側に湾曲され、かつ弾性を有している。円周部８には、複数の孔１０が形成されており、図３に示すように、この孔１０にねじ１１が螺合されることにより、板ばね７がデポシールド４に装着され、板ばね７の円周部８の外側面８ｂがチャンバ１の側壁部に接触される。なお、図３では、詳述されていないが、デポシールド４には、ねじ１１を螺合する際に必要な工具が入る空間が形成されている。また、板ばね７は、チャンバ１の側壁部に直接接触されて取り付けられるようにしてもよい。
【００２３】
図１に戻り、載置台２は、所定の厚みを有する略円盤状の金属からなる下部電極１３と、その周側面に沿って設けられた略リング状の第１絶縁体１４と、下部電極１３の下面に沿って設けられた略円柱形状の第２絶縁体１５とを有している。第１絶縁体１４の上端には、外側に向かって水平方向に延出されたフランジ１４ａが形成されている。載置台２は、図示しないリフタによって支持され、リフタが駆動されることにより、載置台２が昇降し、結果的にウェハＷが移動する。なお、図１では、載置台２が上方に移動した場合を示している。
【００２４】
第２絶縁体１５には、上下方向に貫通した孔１６が形成され、この孔１６には、高周波信号を発生させるためのＲＦ導入体としてのＲＦ導入棒１７が取り付けられている。ＲＦ導入棒１７は、銅等からなり、上端が下部電極１３に接続され、下端が高周波電力を供給するための高周波発生部としての高周波発振器１８に接続されている。このＲＦ導入棒１７を介して、下部電極１３に高周波電力が供給される。
【００２５】
また、第２絶縁体１５の下端には、略円盤状の金属板２０が設けられている。上記金属板２０には、孔２１が形成されており、この孔２１には、ＲＦ導入棒１７を覆うように設けられ、かつＲＦ導入棒１７に対して絶縁された略円筒形状の導体筒２２が接続され、この導体筒２２は、アースに接続されている。
【００２６】
金属板２０の周縁近傍の下面には、載置台２をチャンバ１の底壁１ｃに気密接続するためのベローズ２４が接続されている。ベローズ２４は、ステンレス等からなる略円筒形状に形成され、上端が上記金属板２０に、下端がチャンバ１の底壁１ｃにそれぞれ接続されている。
【００２７】
第１絶縁体１４の外側面には、上記板ばね７と接触するための接触体２６が設けられている。接触体２６は、アルミニウム等の金属からなり、略円筒形状に形成され、その上端には、外側に向かって水平方向に延出されたフランジ２７が形成されている。フランジ２７の長さは、載置台２がチャンバ１内を昇降される際、フランジ２７の先端がチャンバ１の側壁部に接触しない程度に、上記板ばね７に良好に当接される程度に、予め設定されている。また、接触体２６の下端は、上記金属板２０の周縁の上面に接続されている。上述したように、金属板２０は導体筒２２に接続され、導体筒２２はアースに接続されていることから、この接触体２６も金属板２０および導体筒２２を介して、アースに接続されることになる。
【００２８】
このような構成によれば、図３に示すように、図示しないリフタが駆動されるに伴って、載置台２が上方に搬送移動される。これに伴い載置台２上に載置されたウェハＷは、上方に移動される。さらに、上記載置台２の上方の移動に伴って、図４に示すように、接触体２６のフランジ２７が板ばね７の先端部分に当接する。この当接する所定位置で、載置台２の移動が停止される。
【００２９】
接触体２６のフランジ２７が板ばね７に当接された状態で、ウェハＷに対してたとえばエッチングが行われる。すなわち、反応ガスが図示しないガス導入管から導入され、図示しない真空排気系によってチャンバ１内が一定の圧力にされる。次いで、高周波発振器１８から高周波電力が供給され、ＲＦ導入棒１７からたとえば１３．５６ＭＨｚの高周波信号が発生されると、上部電極としてのチャンバ１の上蓋１ａと下部電極１３との間でグロー放電が起こり、チャンバ１内にプラズマが発生する。このプラズマに存在するイオン粒子がウェハＷに対して入射することにより、ウェハＷの表面に対してエッチングが行われる。
【００３０】
このとき、ＲＦ導入棒１７を通して供給される高周波電流は、たとえば図１の矢印Ａで示すような経路で装置内を流れる。すなわち、高周波電流は、チャンバ１の上蓋１ａからチャンバ１の本体１ｂに流れ、チャンバ１の上部側壁部に設けられた板ばね７に導かれる。ここで、板ばね７と接触体２６のフランジ２７とが当接されているため、高周波電流は、板ばね７から接触体２６のフランジ２７に流れ、接触体２６、金属板２０、および導体筒２２を介して、アースに導かれる。
【００３１】
このように、板ばね７と接触体２６のフランジ２７とが当接されて導通されているため、高周波電流は、板ばね７から接触体２６のフランジ２７に流れ、上記した非常に短い経路を辿ってアースに導かれる。
【００３２】
従来では、図１２に示すように、板ばね７や接触体２６が設けられていないために、高周波電流は、上蓋からチャンバの本体を流れ、チャンバの底壁からベローズを経由して、金属板および導体筒を介してアースに至るといった非常に長い経路で流れていた。また、ベローズやチャンバは、高抵抗であるといったことから、上記経路におけるインピーダンスが高くなり、高周波電力の損失が大きくなっていた。
【００３３】
しかしながら、本実施形態によれば、チャンバ１の上部側壁部に設けられた板ばね７と、接触体２６とを直接接触させることにより、チャンバ１の側壁部と、アースに接続された導体筒２２の上端部とを実質的に接触させることができ、すなわち、両者の間を最短距離で導通させることができる。そのため、高周波電流の流れる経路において、その経路長を従来の構成に比べ、大幅に短くすることができ、しかも、上記経路には、高抵抗であるベローズ２４等が含まれていないので、上記経路におけるインピーダンスが低くなるとともに高周波電力の損失を格段に少なくすることができる。したがって、高周波電力の利用効率を高めることができる。
【００３４】
また、高周波電力の利用効率を高めることができる結果、たとえば同一のプロセスにおいては、より低電力でほぼ同一の性能を得ることが可能になる。そのため、この半導体製造装置では、製造工程における省電力化を図ることができる。また、プロセスにおける反応速度を上げるために、プラズマを高密度化させる場合でも、高周波電流の流れる経路を短くできるので、寄生インピーダンスを発生させる可能性を抑制することができ、結果的に、高周波電力に使用する周波数を高く設定することが可能となる。
【００３５】
図５および図６は、第１実施形態の半導体製造装置の変形例を示す要部拡大断面図である。この変形例では、デポシールド３１が直接接触体２６と接触する構成とされている。すなわち、デポシールド３１は、略円筒形状とされ、その下端には、中心側に向かって延びる延出部３２が形成されている。デポシールド３１は、チャンバ１の側壁部に形成された段差３３に支持され、チャンバ１の側壁部に沿って上下方向に摺動自在とされている。その他の構成は、上記第１実施形態の構成と略同様である。
【００３６】
上記の構成により、載置台２が上方に移動されると、接触体２６が上方に移動し、図６に示すように、接触体２６のフランジ２７の上面がデポシールド３１の延出部３２の下面に接触しつつ、デポシールド３１は、そのまま上方にチャンバ１の側壁部に沿って摺動される。
【００３７】
このように、接触体２６が上方に移動されることにより、デポシールド３１と接触体２６とが当接されて導通され、チャンバ１の側壁部と導体筒２２とが実質的に接触されることになる。そのため、高周波電流は、チャンバ１からデポシールド３１を介して接触体２６、導体筒２２に流れるといった最短距離の経路（図６の矢印Ｂ参照）を辿ることになる。したがって、この変形例においても、上記経路におけるインピーダンスを低くすることができ、高周波電力の利用効率を高めることができる。また、上述した第１実施形態の構成に比べ、板ばね７等を設ける必要がないので、より構成が容易となり、装置の部品コストを低減することができる。
【００３８】
図７および図８は、第１実施形態の半導体製造装置の他の変形例を示す要部拡大断面図である。この変形例では、複数のこま状部材３６がチャンバ１の側壁部近傍に沿って配置された構成とされている。こま状部材３６は、たとえばアルミニウムからなり、図９に示すように、略リング状の環状部材を適宜数に分割した形状とされ、こま状部材３６の下面には、外側面３６ａと面一に突出した突出部３７が形成され、こま状部材３６の上面一端側は切欠かれている。
【００３９】
チャンバ１は、上部側壁部に比較的小さな面積を有する第１段差３８が形成され、その下方に第１段差３８よりその面積が大の第２段差３９が形成されている。そして、第２段差３９の上面には、チャンバ１の側壁部に沿って、こま状部材３６の突出部３７が嵌まり込む溝部４０が形成されている。その他の構成は、上記第１実施形態の構成と略同様である。
【００４０】
この構成により、載置台２が上方に移動されると、接触体２６も上方に移動し、図８に示すように、接触体２６のフランジ２７がこま状部材３６の下面に当接し、さらに載置台２および接触体２６が上方に移動されると、こま状部材３６が外側に倒れ込み、こま状部材３６の外側面３６ａがチャンバ１の側壁部に当接される。
【００４１】
このように、載置台２が上方に移動されることにより、チャンバ１と接触体２６とがこま状部材３６を介して当接されて電気的に導通されることになるので、チャンバ１の側壁部と導体筒２２とが実質的に接触されることになる。そのため、高周波電力が供給されると、高周波電流は、チャンバ１からこま状部材３６を介して接触体２６に流れるといった最短距離の経路（図８の矢印Ｃ参照）を辿ることになる。したがって、この変形例においても、上記経路におけるインピーダンスを低くすることができ、高周波電力の利用効率を高めることができる。
【００４２】
以上のように、チャンバ１と接触体２６とを電気的に導通させる構成として、板ばね７等の部材による種々の構成を挙げたが、これらの構成に限定されるものではない。また、チャンバ１と接触体２６とが導通する場合、上記板ばね７等の部材が用いられることなく、直接、チャンバ１と接触体２６とが当接して、導通されるようにしてもよい。
【００４３】
＜第２実施形態＞
図１０は、本願発明の第２実施形態に係る半導体製造装置の内部構成を示す断面図である。上記第１実施形態においては、チャンバ１の側壁部と導体筒２２とが実質的に接触される構成とされたが、この第２実施形態では、チャンバ１の側壁部と導体筒２２との間が容量結合される構成とされている。
【００４４】
すなわち、上記第１絶縁体１４のフランジ１４ａと接触体２６の上端との間に、略リング状に形成された金属製のバッフル板４３が設けられている。バッフル板４３の周端は、チャンバ１の側壁部に対して近接して配され、チャンバ１の側壁部とバッフル板４３との隙間の距離ｄは、たとえば約１ｍｍに設定されている。その他の構成は、上記第１実施形態の構成と略同様である。
【００４５】
この構成によれば、高周波発振器１８から高周波電力が供給されると、高周波電流は、たとえば図１０の矢印Ｄで示すような経路で流れる。すなわち、ＲＦ導入棒１７を通して供給される高周波電流は、チャンバ１の上蓋１ａからチャンバ１の本体１ｂに流れる。ここで、バッフル板４３がチャンバ１の側壁部に非常に近接して設けられているため、バッフル板４３とチャンバ１の側壁部とが容量結合され、高周波電流は、チャンバ１からバッフル板４３に流れ、接触体２６、金属板２０および導体筒２２を介してアースに導かれる。
【００４６】
このように、高周波電流は、バッフル板４３とチャンバ１の側壁部とが容量結合されることにより、バッフル板４３によって最短距離の経路でアースに至る。そのため、この第２実施形態においても、高周波電力の利用効率を高めることができる。
【００４７】
さらに、この実施形態においては、バッフル板４３とチャンバ１とが直接接触していないので、たとえばウェハＷの表面のエッチングを均一に行うことができる。すなわち、板ばね７がチャンバ１の側壁部の全周に渡って適宜数設けられていた場合、いずれかの板ばね７と接触体２６との接触状態が悪化したとき、プラズマの励起状態において部分的にばらつきが生じ、ウェハＷの表面が均一にエッチングされないことが起こる。しかしながら、上記のように、バッフル板４３とチャンバ１とが容量結合されることによって非接触状態で導通されておれば、導通状態は、接触体２６と板ばね７等とが接触する場合の両者の接触面の状態に依存しなくなり、チャンバ１の側壁部の全周に渡って、常に一定のインピーダンスを得ることができる。そのため、この第２実施形態においては、高周波電流が供給されると、ウェハＷ上にほぼ均一にプラズマが分布することになり、ウェハＷの表面を均一にエッチングすることができるといった利点がある。
【００４８】
なお、上記第２実施形態では、バッフル板４３に代わり、第１実施形態で説明した接触体２６のフランジ２７を設け、フランジ２７をチャンバ１の側壁部に近接させて配してもよい。また、チャンバ１の側壁部とバッフル板４３との隙間の距離ｄは、上記値に限定されるものではなく、要は、チャンバ１とバッフル板４３との間の結合容量によるインピーダンスを、従来の構成を示した図１２の経路Ｆにおけるインピーダンスに比べ、十分小さくすればよい。
【００４９】
図１１は、上記第２実施形態の半導体製造装置の変形例を示す要部拡大断面図である。この変形例では、接触体２６のフランジ２７の先端に、さらに下方側に延びた張出面部４４が形成されている。この張出面部４４は、チャンバ１の側壁部に対して略平行に延びたものであり、チャンバ１の側壁部との間で所定の間隔を有しつつ、チャンバ１の側壁部に沿って対向して設けられている。
【００５０】
このように、張出面部４４が、チャンバ１の側壁部に対向して設けられると、高周波電流が流れる場合、張出面部４４とそれに対向するチャンバ１の側壁部との間において、容量結合がより高められることになる。すなわち、高周波電流は、チャンバ１の側壁部から張出面部４４に流れ、そして、接触体２６、金属板２０、および導体筒２２を介して高周波発振器１８に流れるといった経路（図１１の矢印Ｅ参照）を辿る。
【００５１】
そのため、この変形例においては、張出面部４４がチャンバ１の側壁部に沿って形成されているので、上述した第２実施形態の構成に比べ、容量結合がより高められ、高周波電流を効果的に流すことができ、インピーダンスの低減化がさらに進められることになる。なお、実験により、張出面部４４とチャンバ１との間の容量インピーダンスが全体のインピーダンスに対して１／２以下であることが確認されている。また、接触体２６の張出面部４４は、その面積の大小によってチャンバ１の側壁部に対する容量インピーダンスが可変するので、所望の容量インピーダンスになるよう張出面部４４を形成することが望ましい。また、チャンバ１と張出面部４４との間隔ｄ1 の長短によって、張出面部４４とチャンバ１との側壁部における容量インピーダンスが可変するので、所望の容量インピーダンスになるようチャンバ１と張出面部４４との間隔ｄ1 を調整することが望ましい。
【００５２】
もちろん、この発明の範囲は上述した実施の形態に限定されるものではない。たとえば、チャンバ１と接触体２６とを非接触状態で電気的に導通させるものとしては、上記第２実施形態に示した構成に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の第１実施形態に係る半導体製造装置の内部構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す板ばねの要部斜視図である。
【図３】図１に示す半導体製造装置の要部拡大断面図である。
【図４】図１に示す半導体製造装置の要部拡大断面図である。
【図５】第１実施形態の半導体製造装置の変形例を示す要部拡大断面図である。
【図６】第１実施形態の半導体製造装置の変形例を示す要部拡大断面図である。
【図７】第１実施形態の半導体製造装置の他の変形例を示す要部拡大断面図である。
【図８】第１実施形態の半導体製造装置の他の変形例を示す要部拡大断面図である。
【図９】図７および図８に示し他の変形例に適用されるこま状部材の斜視図である。
【図１０】第２実施形態に係る半導体製造装置の内部構成を示す断面図である。
【図１１】第２実施形態の半導体製造装置の変形例を示す要部拡大断面図である。
【図１２】従来の半導体製造装置の内部構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  チャンバ
１ａ  上蓋
１ｃ  底壁
２  載置台
７  板ばね
１３  下部電極
１７  ＲＦ導入棒
１８  高周波発振器
２２  導体筒
２４  ベローズ
Ｗ  ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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