(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
グルーブを有する透明な基板上に、直接又は他の層を介して、レーザー光を吸収する色素を含有する記録層と、該記録層の上に直接又は他の層を介して金属の反射層を有する光記録媒体において、λ／ＮＡで表される記録ビームの径をｒ［ここで、λは記録波長（μｍ）、ＮＡは対物レンズの開口数を表し、λが０．６３０〜０．６５５μｍ、ＮＡが０．６０±０．０５である］、基板のグルーブのピッチ（トラックピッチ）をＰ（μｍ）、グルーブの幅をＷｇ（μｍ）とした際に、ＷｇおよびＰが下記式を満足し、
０．２４ｒ≦Ｗｇ≦０．３５ｒ
０．６８ｒ≦Ｐ≦０．８３ｒ
かつ、該記録層に含有される色素が下記式（１）〔化１〕で示されるアゾ化合物またはその金属錯体であることを特徴とする高密度光記録媒体。
【化１】
0003705881.tif 000010
［式中、Ｒ1 及びＲ2 は各々独立に水素原子、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換のアリル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未置換のアルケニル基を表し、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホンアミド基、アミノ基、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換のアルコキシ基、置換または未置換のアリル基、置換または未置換のアシル基、置換または未置換のアルキルカルボキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホン酸基、置換または未置換のアルケニル基を表し、Ｒ1 とＲ4 、Ｒ2 とＲ6 及びＲ1 とＲ2 は連結基を介して環を形成してもよい。Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン酸基、スルホンアミド基、アミノ基、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換のアルコキシ基、置換または未置換のアリル基、置換または未置換のアシル基、置換または未置換のアルキルカルボキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホン酸基、置換または未置換のアルケニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、チオシアノ基、クロロスルホン酸、置換または未置換のアルキルチオ基、置換または未置換のアルキルアゾメチン基、置換または未置換のアルキルアミノスルホン酸基を表し、Ｒ7 とＲ8 、Ｒ8 とＲ9 は連結基を介して環を形成してもよい。］
【請求項２】
記録層に含有される色素が式（２）〔化２〕で示されるアゾ化合物の金属錯体であることを特徴とする請求項１に記載の高密度光記録媒体。
【化２】
0003705881.tif 000011
［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は式（１）と同じ意味であり、Ｒ10、Ｒ11のどちらか一方はヒドロキシ基またはカルボキシル基を表し、他方は水素原子を表す。］
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は透明基板上に色素を含有する記録層、反射層を有する光記録媒体に関し、特に高密度に記録可能な光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
色素を記録層とし、かつ、反射率を大きくするため記録層の上に金属の反射層を設けた記録可能な光記録媒体は、例えば Optical Data Storage 1989 Technical Digest Series Vol.1,45(1989) に開示されており、記録層にシアニン系色素やフタロシアニン系色素を用いた媒体はＣＤ−Ｒ媒体として市場に供されている。これらの媒体は780 ｎｍの半導体レーザーで記録することができ、かつ、780 ｎｍの半導体レーザーを搭載している市販のＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーで再生できるという特徴を有している。
【０００３】
しかしながら、これらの媒体は650 ＭＢ程度の容量しか持たず、デジタル動画等のように大容量の情報を記録すると、記録時間が１５分以下と短い。又、機器の小型化が進むなかで、従来の媒体は小型にすると容量が不足する。前記したＣＤ−Ｒ媒体は780 ｎｍ前後の波長を有する半導体レーザーを用いて記録及び再生を行っていたのに対し、最近では630 〜650 ｎｍの半導体レーザーが開発され、より高密度の記録及び／又は再生が可能となり、直径120 ｍｍの媒体に２時間の高画質の動画を記録した光記録媒体が、ＤＶＤとして開発されている。この媒体は４．７ＧＢ／面の記録容量を有するが、現在のところ、ピットを基板に転写して作られる再生専用の媒体である。そのため、上記したようなＤＶＤの記録容量に近い大容量を有する記録可能な光記録媒体が求められている。
【０００４】
一般的に、記録可能な媒体において、記録容量を大きくするには記録レーザービームを小さくすればよい。用いるレーザーの波長が短い程、又、対物レンズの開口数（ＮＡ）が大きい程、ビーム径は小さくなり、高密度記録に好ましいが、現在の半導体レーザー技術やレンズのＮＡから、ビーム径には限界がある。例えば、前記したＤＶＤのビーム径は、従来のＣＤの場合に比較して、記録密度の割には小さくない。従って、記録時に、ＣＤ−Ｒの場合と比較して、ビーム径に比してより小さなピットを正確に形成しなければならず、そのため記録時のピット間の熱干渉とクロストークが大きくなり、かつ最短ピットの変調度が小さくなるため、ジッターやエラーレートが大きくなり、高密度の記録が困難となる。そこで、記録時に変調度を犠牲にせずに細く小さなピットを正確に形成することが求められている。
【０００５】
含窒素ヘテロ環を有するアゾ化合物の金属錯体を記録層とする光記録媒体が、特公平5-67438 号公報に開示されている。しかしながら、この公報には、記録層に上記アゾ化合物を用いることが開示されているに過ぎず、記録容量を大きくするための種々の条件に関しては具体的に何ら開示されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、記録ビーム径に対してトラックピッチを小さくしても、クロストークが小さい、高密度な記録が可能な高密度光記録媒体を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を解決するために鋭意検討した結果、記録ビーム径、トラックピッチ及びグルーブ形状及び色素の非自明な選択を行い本発明を完成した。
【０００８】
すなわち、本発明は、
（ｉ）グルーブを有する透明な基板上に、直接又は他の層を介して、レーザー光を吸収する色素を含有する記録層と、該記録層の上に直接又は他の層を介して金属の反射層を有する光記録媒体において、λ／ＮＡで表される記録ビームの径をｒ［ここで、λは記録波長（μｍ）、ＮＡは対物レンズの開口数を表し、λが０．６３０〜０．６５５μｍ、ＮＡが０．６０±０．０５である］、基板のグルーブのピッチ（トラックピッチ）をＰ（μｍ）、グルーブの幅をＷｇ（μｍ）とした際に、ＷｇおよびＰが下記式を満足し、
０．２４ｒ≦Ｗｇ≦０．３５ｒ
０．６８ｒ≦Ｐ≦０．８３ｒ
かつ、該記録層に含有される色素が下記式（１）〔化３〕で示されるアゾ化合物またはその金属錯体であることを特徴とする高密度光記録媒体、
【０００９】
【化３】
0003705881.tif 000002
［式中、Ｒ1 及びＲ2 は各々独立に水素原子、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換のアリル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未置換のアルケニル基を表し、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホンアミド基、アミノ基、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換のアルコキシ基、置換または未置換のアリル基、置換または未置換のアシル基、置換または未置換のアルキルカルボキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホン酸基、置換または未置換のアルケニル基を表し、Ｒ1 とＲ4 、Ｒ2 とＲ6 及びＲ1 とＲ2 は連結基を介して環を形成してもよい。Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン酸基、スルホンアミド基、アミノ基、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換のアルコキシ基、置換または未置換のアリル基、置換または未置換のアシル基、置換または未置換のアルキルカルボキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホン酸基、置換または未置換のアルケニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、チオシアノ基、クロロスルホン酸、置換または未置換のアルキルチオ基、置換または未置換のアルキルアゾメチン基、置換または未置換のアルキルアミノスルホン酸基を表し、Ｒ7 とＲ8 、Ｒ8 とＲ9 は連結基を介して環を形成してもよい。］
（ｉｉ） 記録層に含有される色素が式（２）〔化４〕で示されるアゾ化合物の金属錯体であることを特徴とする（ｉ）に記載の高密度光記録媒体、
【００１０】
【化４】
0003705881.tif 000003
［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ4 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は式（１）と同じ意味であり、Ｒ10、Ｒ11のどちらか一方はヒドロキシ基またはカルボキシル基を表し、他方は水素原子を表す。］
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の光記録媒体は、透明な基板上に少なくともレーザー光を吸収する色素を含有する記録層、金属の反射層からなるものであり、記録ビーム径の割にはトラックピッチを小さくしても、変調度を犠牲にせずに、クロストークを低減した高密度の記録を可能とするものである。
【００１２】
記録層に色素を用いた場合、スピンコート法により記録層を成膜することができる。グルーブを有する基板上にスピンコート法で記録層を成膜した場合、グルーブ部の記録層の膜厚は、グルーブ間（ランド）部の記録層の膜厚より通常厚くなる。
【００１３】
通常、記録感度は記録層の膜厚に依存し、特に記録層の上に金属の反射層を設けた媒体の場合は、この反射層へ熱が拡散し、記録感度が低下する。記録層の膜厚が薄いほど、この熱拡散の影響を大きく受け感度が低下し易い。すなわち、グルーブとランド部の記録感度に大きな差が生じる。それ故に、記録レーザービームのビーム径が大きくても細いピットを形成することができ、クロストークの小さな記録が可能となる。
【００１４】
しかしながら、いくら細いピットが記録できても、トラックピッチを小さくできるわけではない。なぜなら、トラックピッチを無制限に小さくしても、再生する際のレーザービームの径が大きいと変調度が小さくなるだけでなく、クロストークが大きくなり過ぎて再生できなくなるからである。すなわち、クロストークは、再生の際のビーム径とトラックピッチ及び記録したピットの幅に関係するのだが、通常、記録時と再生時のビーム径は同じなので、トラックピッチを小さくして、細いピットでクロストークの小さな記録ができても、再生時はクロストークが大きくなってしまうからである。
【００１５】
本発明において、再生時の変調度を犠牲にせずにクロストークをが小さくなるように記録するには、λ／ＮＡ〔λは記録波長（μｍ）、ＮＡは対物レンズの開口数を表す］で表される記録ビーム径をｒとすると、トラックピッチ（Ｐ）を０．６８ｒ〜０．８３ｒに、かつグルーブの幅（Ｗｇ）を０．２４ｒ〜０．３５ｒにするのが好ましい。ここでグルーブの幅とは半値幅を意味する。トラックピッチが０．６８ｒ未満の場合はクロストークが大きくなり過ぎて変調度が小さくなり、かつジッター及びエラーレートが大きくなり好ましくなく、０．８３ｒを越える場合は半径方向の記録密度が大きくならず目的の記録容量が得られない。一方、グルーブの幅が０．２４ｒ未満の場合は変調度が小さくなり、０．３５ｒを越える場合はクロストークが大きくなり好ましくない。
【００１６】
本発明における記録、再生の際のビーム径は、用いるレーザーの波長が短い程、又、対物レンズの開口数（ＮＡ）が大きい程小さくなり高密度記録に好ましいが、装置の小型化や光学系を単純にできる等の点や、装置の経済性の点から記録に利用できる高出力のレーザーとしては０．６３５〜０．６５５μｍの半導体レーザーが好ましく、０．６３５〜０．６４０μｍが最も好ましい。又レンズのＮＡは基板の厚みムラや基板の傾きによる収差の点から０．６０±０．０５である。
【００１７】
本発明の光記録媒体において用いられる透明な基板としては、信号の記録や読み出しを行う光の透過率が85％以上で、かつ光学異方性の小さいものが好ましい。例えば、アクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の公知の樹脂基板が挙げられる。これらの基板は板状でもフィルム状でも良く、又、その形状は円形でもカード状でも良い。これらの基板の表面には記録位置を表すグルーブ及び／又はピットを有する。このようなグルーブやピットは、基板の成形時に付与するのが好ましいが、基板の上に紫外線硬化樹脂層を設けて付与することもできる。トラック（グルーブ）ピッチ及びグルーブの幅は前記したが、グルーブの深さは70〜180 ｎｍ程度が好ましい。
【００１８】
本発明においては記録層に色素を含有してなるが、この記録層に用いられる色素は記録感度、反射率等の点から重要である。高密度記録に際しては、同じ大きさのピットを形成した場合に大きな変調度が得られ、かつ、しきい値特性に優れた色素が特に好ましいことから、前記式（１）で示されるアゾ化合物又はその金属錯体又は前記式（２）で示されるアゾ化合物の金属錯体が好ましい。
【００１９】
置換または未置換のアルキル基としては炭素数１〜１５の直鎖、分岐または環状のアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルコキシカルボニルオキシアルキル基、アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシアルコキシアルキル基、シアノアルキル基、アシルオキシアルキル基、アシルオキシアルコキシアルキル基、アシルオキシアルコキシアルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキル基、スルホンアルキル基、アルキルカルボニルアミノアルキル基、アルキルスルホンアミノアルキル基、スルホンアミドアルキル基、アルキルアミノアルキル基、アミノアルキル基、及びアルキルスルホンアルキル基の中から選択される。
【００２０】
ここで、直鎖、分岐または環状のアルキル基としては、炭素数１〜１５の炭化水素基で、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,3-ジメチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル-2- メチルプロピル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチルヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジメチルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、n-ノニル基、n-デシル基、4-エチルオクチル基、4-エチル-4,5- メチルヘキシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テトラエチルオクチル基、4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル基、n-トリデシル基、6-メチル-4- ブチルオクチル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメチルヘプチル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-シクロペンチル-2,2- ジメチルプロピル基、1-シクロヘキシル-2,2- ジメチルプロピル基等が挙げられる。
【００２１】
アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、n-ヘキシルオキシエチル基、4-メチルペントキシエチル基、1,3-ジメチルブトキシエチル基、2-エチルヘキシルオキシエチル基、n-オクチルオキシエチル基、3,5,5-トリメチルヘキシルオキシエチル基、2-メチル-1- イソプロピルプロポキシエチル基、3-メチル-1- イソプロピルブチルオキシエチル基、2-エトキシ-1- メチルエチル基、3-メトキシブチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエチル基、3,3,3-トリクロロプロポキシエチル基などの炭素数２〜１５のものが挙げられる。
【００２２】
置換または未置換のアルキルスルホンアミノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキルスルホンアミノ基であり、例としてメチルスルホンアミノ基、エチルスルホンアミノ基、n-プロピルスルホンアミノ基、イソプロピルスルホンアミノ基、n-ブチルスルホンアミノ基、イソブチルスルホンアミノ基、sec-ブチルスルホンアミノ基、t-ブチルスルホンアミノ基、n-ペンチルスルホンアミノ基、イソペンチルスルホンアミノ基、ネオペンチルスルホンアミノ基、2-メチルブチルスルホンアミノ基、シクロヘキシルスルホンアミノ基などの低級アルキルスルホンアミノ基が挙げられる。
【００２３】
置換または未置換のアルキルアミノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキルアミノ基であり、例としてN-メチルアミノ基、N,N-ジメチルアミノ基、N,N-ジエチルアミノ基、N,N-ジプロピルアミノ基、N,N-ジブチルアミノ基などの低級アルキルアミノ基が挙げられる。
【００２４】
置換または未置換のアルキルスルホン酸基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキルスルホン酸基であり、例としてメチルスルホン酸基、エチルスルホン酸基、n-プロピルスルホン酸基、イソプロピルスルホン酸基、n-ブチルスルホン酸基、イソブチルスルホン酸基、sec-ブチルスルホン酸基、t-ブチルスルホン酸基、n-ペンチルスルホン酸基、イソペンチルスルホン酸基、ネオペンチルスルホン酸基、2-メチルブチルスルホン酸基、2-ヒドロキシエチルスルホン酸基、2-シアノエチルスルホン酸基などの低級アルキルスルホン酸基が挙げられる。
【００２５】
置換または未置換のアルケニル基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルケニル基であり、例としてプロペニル基、1-ブテニル基、イソブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、2-メチル-1- ブテニル基、3-メチル-1- ブテニル基、2-メチル-2- ブテニル基、2,2-ジシアノビニル基、2-シアノ-2- メチルカルボキシルビニル基、2-シアノ-2- メチルスルホンビニル基などの低級アルケニル基が挙げられる。
【００２６】
置換または未置換のアルキルチオ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキルチオ基であり、例としてメチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、n-ブチルチオ基、イソブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基などの低級アルキルチオ基が挙げられる。
【００２７】
置換または未置換のアルキルアゾメチン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキルアゾメチン基であり、例としてメチルアゾメチン基、エチルアゾメチン基、n-プロピルアゾメチン基、イソプロピルアゾメチン基、n-ブチルアゾメチン基、イソブチルアゾメチン基、sec-ブチルアゾメチン基、t-ブチルアゾメチン基、n-ペンチルアゾメチン基、イソペンチルアゾメチン基、ネオペンチルアゾメチン基、2-メチルブチルアゾメチン基、ヒドロキシアゾメチン基などの低級アルキルアゾメチン基が挙げられる。
【００２８】
置換または未置換のアルキルアミノスルホン酸基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキルアミノスルホン酸基であり、例としてN-メチルアミノスルホン酸基、N-エチルアミノスルホン酸基、N-(n- プロピル) アミノスルホン酸基、N-( イソプロピル) アミノスルホン酸基、N-(n- ブチル) アミノスルホン酸基、N-( イソブチル)アミノスルホン酸基、N-(sec- ブチル)アミノスルホン酸基、N-(t- ブチル) アミノスルホン酸基、N-(n- ペンチル) アミノスルホン酸基、N-( イソペンチル) アミノスルホン酸基、N-( ネオペンチル) アミノスルホン酸基、N-(2- メチルブチル) アミノスルホン酸基、N-(2- ヒドロキシエチル) アミノスルホン酸基、N-(2- シアノエチル) アミノスルホン酸基などの低級アルキルアミノスルホン酸基が挙げられる。
【００２９】
Ｒ1 とＲ4 またはＲ2 とＲ6 が連結基を介して環を形成する例としては、炭素数が２または３の置換または未置換のアルキレン鎖が挙げられる。
【００３０】
Ｒ1 とＲ2 が連結基を介して環を形成する例としては、置換または未置換の炭素原子、酸素原子または窒素原子からなる６員環等が挙げられる。
【００３１】
Ｒ7 とＲ8 またはＲ8 とＲ9 が連結基を介して環を形成する例としては、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のナフタレン環、置換または未置換のシクロヘキセン環を形成するものが挙げられる。
【００３２】
本発明の式（１）、（２）で表されるアゾ化合物は公知の方法により製造できる。すなわち、式（３）〔化５〕で示されるアミン成分をジアゾ化し、式（４）〔化５〕で示されるカップリング成分の溶液に添加し、カップリング反応させて式（１）で示されるアゾ化合物が得られる。
【００３３】
【化５】
0003705881.tif 000004
［上式中、Ｒ1 〜Ｒ9 は式（１）と同じ意味を表す。］
【００３４】
また、本発明において前記アゾ化合物の金属錯体の製造法は公知の方法、例えば、古川；Analytica Chimica Acta 140(1982)281-289 に記載の方法等に準じて製造することができる。アゾ化合物の金属錯体を形成する金属としては、例えば、ニッケル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウム、イリジウム、白金、亜鉛、マグネシウム、マンガン等の金属が好ましく、特にニッケル、コバルト、銅、パラジウム、鉄、亜鉛、マンガンが好ましい。これらの金属はイオンとしてアゾ化合物に配位した錯体となる。このアゾ化合物の金属錯体は単独でも複数の化合物を混合しても良い。さらに、ジチオール錯体などのクエンチャーを混合しても良い。
【００３５】
本発明においては、基板の上に直接に、あるいは無機系又は有機系の他の層（下引き層）を介して前記した色素を含有する記録層を設ける。該記録層を設ける方法は、例えばスピンコート法、浸漬法、スプレー法、蒸着法等があるが、スピンコート法が好ましい。
【００３６】
スピンコート法で成膜する際の塗布溶剤としては、基板へのダメージを与えない溶剤が好ましい。好ましい溶剤としては例えばエチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、フルフリルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、テトラフロロプロパノール等のアルコール系溶剤が挙げられる。
【００３７】
記録層を成膜する際に必要に応じてバインダーを併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられる。又、記録特性などの改善のために他の色素を添加することもできる。記録層の膜厚は変調度や反射率に影響するが、本発明においては40ｎｍ〜300 ｎｍ、好ましくは60ｎｍ〜200 ｎｍである。
【００３８】
記録層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感度等を改良するために基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【００３９】
本発明においては、前記記録層の上に直接に、あるいは他の層を介して反射層を設けるが、反射層としては、金、銀、アルミニウム、銅、白金等の金属やこれらの金属を含有する合金を用いられるが、反射率や耐久性の点から金、アルミニウム、銀、またはこれらの金属を主成分とする合金が好ましい。反射層の膜厚は通常40ｎｍ〜300 ｎｍ、好ましくは60ｎｍ〜200 ｎｍである。反射層を成膜する方法は、例えば真空蒸着、スパッタ法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
【００４０】
本発明においては、反射率、変調度等の特性を改良するために、前記した色素を含有する記録層と反射層の間に光干渉層を設けることもできる。光干渉層を形成する材料としては、無機誘電体、ポリマーや色素等が挙げられる。
【００４１】
本発明においては、対物レンズの開口数が大きいので、収差を小さくするために基板の厚みは0.5 〜0.8 ｍｍ程度が好ましい。この際、媒体の強度や機械特性の向上のために、接着剤を用いて２枚を貼り合わせて供されてもよい。貼り合わせに当たっては、反射層上に保護層を成膜することなしに、又は保護層を成膜した後、貼り合わせることができる。保護層としては、紫外線硬化性アクリル樹脂、紫外線硬化性エポキシ樹脂、シリコーン系ハードコート樹脂等が用いられる。又、貼り合わせる際の接着剤としては紫外線硬化性アクリル樹脂、紫外線硬化性エポキシ樹脂、ホットメルト接着剤等が用いられる。
【００４２】
このようにして得られた本発明の光記録媒体は、レーザー光を記録層に集束することによりビーム径の割には、はるかに高密度に記録や再生を行うことができる。記録する際の信号としては、例えばＣＤやＤＶＤ等に用いられている変調信号が本発明の効果を達成する上で好ましい。
【００４３】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。
（実施例１）
厚さ 0.6ｍｍ、直径 120ｍｍのスパイラル状のグルーブ（深さ150 ｎｍ、幅 0.29 μｍ、ピッチ0.74μｍ）を有する射出成形ポリカーボネート基板のグルーブを有する面に、この樹脂基板を回転させながら、下記式（５）〔化６〕で表されるアゾ化合物のニッケル錯体の 3.5重量％テトラフロロプロパノール溶液を滴下し、基板上に実質的に色素のみからなる記録層を成膜した。記録層の膜厚は160 ｎｍであった。
【００４４】
【化６】
0003705881.tif 000005
【００４５】
この記録層の上に反射層として厚さ80ｎｍの金薄膜をスパッターにより成膜した後この反射層の上に紫外線硬化接着剤を塗布した。この接着剤の上に前記したのと同じ0.6 ｍｍの基板を重ね合わせ、高速で回転し、余分の接着剤を除去した後、紫外線を照射して貼り合わせた光記録媒体を製作した。
【００４６】
この光記録媒体をターンテーブルに乗せ、3.0 ｍ/sの線速で回転させながら、635 ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーとＮＡが0.63の対物レンズからなる光ヘッドを搭載したドライブを用いて、レーザービームを基板を通してグルーブ上の記録層に集束するように制御しながら、記録レーザーパワーを変化させながら最短ピット長が0.4 μｍのＣＤと同じEFM 変調信号を記録した後、同じ装置を用いてレーザー出力を1 ｍＷにして記録した信号の読み出しを行った。なお、読み出す際はイコライゼーション処理を施した。記録パワーが7.5 ｍＷのレーザー出力の時が最もエラーレートが小さく（最適記録パワー）、エラーレートは4 ×10-4、又その際のジッターは、ピットの立ち上がりも立ち下がりもチャネルビットクロックの7 ％であった。未記録部の反射率は50％、最長ピットの変調度は70％、最短ピットの変調度（I3/I11：最短ピットの振幅の最長ピットの振幅に対する割合）は 0.22 、クロストークは65％であり、きわめて良好な記録、再生ができた。又、再生波形には殆ど歪は観測されなかった。なお、この場合のＷｇは0.29ｒ、Ｐは0.73ｒである。
【００４７】
（実施例２〜５及び比較例１〜３）
実施例１において〔表１〕に示すグルーブ形状の基板を用いる以外は実施例１と同じ方法で媒体を作り、評価した。結果は〔表２〕にまとめた。〔表２〕から明らかなように本発明の実施例においては極めて良好な記録、再生ができたが、比較例においてはクロストークが大きかったり、最短ピットの変調度が小さく、エラーレート及びジッターが大きく、うまく記録、再生ができなかった。
【００４８】
【表１】
0003705881.tif 000006
【００４９】
【表２】
0003705881.tif 000007
【００５０】
（実施例６〜１１）
記録層に用いる色素として下記式（６）〜（９）〔化７〕に示されたアゾ化合物の〔表３〕に示す金属錯体または非錯体を用い、トラックピッチ0.8 μｍ、グルーブ幅0.34μｍ、深さ160 ｎｍの基板を用いる以外は実施例１と同じ方法で媒体を作り評価した。但しＮＡが0.60の対物レンズからなる光ヘッドを搭載したドライブを用いた。結果は〔表３〕にまとめた。なお、この場合のＷｇは0.32ｒ、Ｐは0.76ｒである。
【００５１】
【化７】
0003705881.tif 000008
【００５２】
【表３】
0003705881.tif 000009
【００５３】
【発明の効果】
本発明の実施例及び比較例から明らかなように本発明においては、基板上に少なくとも色素を含有する記録層、反射層を有してなる光記録媒体において、特定の色素を記録層に含有させ、トラックピッチ及びグルーブ幅をλ／ＮＡで表される記録ビーム径（λは記録波長、ＮＡは対物レンズの開口数）に対して規定することにより、クロストークを可能な限り小さくでき、高密度で記録することができる。