(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器内において、所定の間隔を有して積層して設置された、少なくとも２枚の基板に対して成膜を行う、減圧ＣＶＤ装置であって、
隣り合う前記２枚の基板の間には、ボート柱によって支持されると共に隣り合う前記２枚の基板のうち一方または両方の基板の被膜形成面の周辺部に対向した、環状の枠が設けられており、
該枠は、前記基板の外形と合同または相似な外形を有する平板であると共に、単数または複数の同心状に配されたスリット状の開孔が設けられていることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
【請求項２】
反応容器内において、所定の間隔を有して積層して設置された、少なくとも２枚の基板に対して成膜を行う、減圧ＣＶＤ装置であって、
隣り合う前記２枚の基板の間には、ボート柱によって支持されると共に隣り合う前記２枚の基板のうち一方または両方の基板の被膜形成面の周辺部に対向した、環状の枠が設けられており、
該枠は、前記基板の外形と合同または相似な外形を有する平板であると共に、前記ボート柱の付近に単数または複数の欠切部または開孔が設けられていることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記枠の外形の大きさは、前記基板の外形の大きさ以上であることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記枠の幅を調整することで、前記基板の周辺部の被膜の膜厚を制御することを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記枠を構成する材料は、被膜形成材料が付着する性質を有する材料であることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記枠の外形は円形であることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記枠の外形は四角形であることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、活性なガスを用いた減圧（ＬＰ）ＣＶＤ法をにより被膜を形成するに際し、多量の基板に対し、各基板面内において均一な膜厚分布を有する被膜を成膜する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上に、珪素膜（多結晶、アモルファス）や酸化珪素膜等を設ける方法として、減圧（ＬＰ）ＣＶＤ法が知られている。
減圧ＣＶＤ法は、反応容器内の圧力１Ｔｏｒｒ以下程度の減圧下において、反応容器内に、原料ガスが導出され、気相化学的反応を用いて基板上に被膜を形成する方法である。
図６に、従来の減圧ＣＶＤ装置を示す。
反応容器６０１内に、基板６０５が、図示しないボート柱により支持されて、所定の間隔を開けて積層して設けられている。
基板はボート（図示せず）に直接設置されるだけではなく、ボートにトレーが設けられ、該トレーの上に基板が設置されることも多い。
ガス流入口６０２より、反応ガスが流入され、排気口６０３より排気がなされる。
反応容器６０１は、ヒーター２０４により加熱される。
減圧ＣＶＤ法は、図６に示す装置のように、反応容器内に設置された、多量の基板に対し、同時に処理、成膜することができ、多量生産に適している。
【０００３】
【従来技術の問題点】
しかしながら、この減圧ＣＶＤ法であって、特にＳｉ2 Ｈ6 やＯ2 ＋ＳｉＨ4 といった、反応の激しい活性なガスを使用する場合に、成膜される被膜は、基板の周辺部の方が、基板の中心部より膜厚が厚くなってしまい、基板面内における膜厚の分布が、不均一になりやすいという問題がある。
加えて、生産性を上げるためには、反応容器内の各基板の間隔を狭めて、一度の処理でなるべく多くの基板を処理する必要がある。ところが、基板の間隔を狭めると、基板中央付近の膜厚が著しく薄くなり、相対的に基板の周辺部の膜厚の増加がより促進されてしまう。したがって、基板面内において均一な膜厚分布が得られないことが多い。
【０００４】
例えば、図７に、従来のＬＰＣＶＤ法によるａ−Ｓｉ膜の成膜における膜厚分布示す。
図７において、反応ガスとしてＳｉ2 Ｈ6 を用い、成膜温度は４６５℃、Ｓｉ2 Ｈ6 分圧０．１８Ｔｏｒｒである。図７において、distance（距離）、基板（ここでは３００ｍｍ□）の一辺から基板の中心までの距離を示す。
図７に示すように、基板ピッチ（基板間隔）が１０ｍｍ、２０ｍｍ、４０ｍｍのいずれの場合においても、基板周辺部（ここでは距離０ｍｍすなわち基板周囲〜約５０ｍｍ部分）の膜厚が、基板中央部分（ここでは約５０ｍｍ〜１５０ｍｍ部分）に比較して、厚くなっている。
したがって、基板面内の膜厚分布が均一となる領域が限られてしまうため、基板面積が有効に利用されない。
場合によっては、基板面積の５０％程度までしか均一な膜厚が得られず、生産性の低下や、コスト高の原因となっていた。
【０００５】
また、減圧ＣＶＤ法において、膜厚分布を均一にするために、基板間隔を広くすることも行われている。
基板間隔を広げることの有効性は、図７において、基板間隔が１０ｍｍのときと、４０ｍｍのときでは、４０ｍｍの方が膜厚分布が均一となっていることからもわかる。
しかし、基板間隔を広くすると、同時に処理できる基板の枚数が減るため、生産性が低下し、バッチ処理における多量処理という、減圧ＣＶＤ法のメリットが薄れる。
特に、Ｓｉ2 Ｈ6 やＯ2 ＋ＳｉＨ4 系のガスを用いた場合、基板周辺部における膜厚が厚くなりやすいため、基板間隔を広くとっておく必要があり、生産性の低下が顕著となる。
したがって、従来の減圧ＣＶＤ法は、減圧ＣＶＤ法によって成膜された基板を用いた製品の、コスト低下を困難としていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、活性なガスを用いる減圧ＣＶＤ法において、被膜形成材料の、基板表面への供給量の、基板面内における分布を制御することを目的とする。
本発明は、活性なガスを用いる減圧ＣＶＤ法において、膜厚の基板面内の分布を制御することを目的とする。
本発明は、活性なガスを用いる減圧ＣＶＤ法において、高い生産性を有しつつ、成膜される被膜の基板面内における膜厚分布の均一性を高めることを目的とする。
本発明は、活性なガスを用いる減圧ＣＶＤ法において、成膜される被膜の基板周辺部の膜厚の成長を抑えて、膜厚分布の均一性を高めることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すために、本発明は、
反応容器内において、所定の間隔を有して積層して設置された、少なくとも２枚の基板に対して成膜を行う、減圧ＣＶＤ装置であって、
前記基板の間には、基板の周辺部に対向した、環状の枠が設けられていることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置である。
【０００８】
本発明の他の構成は、
反応容器内において、所定の間隔を有して積層して設置された、少なくとも２枚の基板に対して成膜を行う、減圧ＣＶＤ装置であって、
前記基板の間には、基板の周辺部に対向した、環状の枠が設けられており、
該枠は、概略環状の平面形状を有する平板であり、
前記基板の外形と概略合同または相似な外形を有し、
前記基板の被膜形成面に対向して設けられていること
を特徴とする減圧ＣＶＤ装置である。
【０００９】
図１に、本発明の減圧ＣＶＤ装置の基板の設置状態を示す。
図１に示すように、少なくとも２枚の基板１０１は、枠（以下補正フレームという）１０２を間に置いて、被膜形成面が補正フレーム１０２と対向しており、ボート１０３に支えられて、あるいはボート柱に支えられたトレー上に設置され、減圧ＣＶＤ装置の反応容器内に設置される。
上記構成により、基板間隔を狭くしても、成膜される被膜の、基板の周辺部における膜厚の増加を防ぎ、基板面内の膜厚分布を極めて均一なものとすることができる。
よって、均一な膜厚分布の被膜の、基板への成膜を、生産性良く行うことができる。
また、反応容器は従来の大きさのままでも、基板の間隔を狭めることができるため、同時に処理できる基板の枚数を、従来の数倍とすることがでる。また、基板自体も大型化できる。
したがって、大幅に生産性を向上させることができ、また、低コスト化を図れる。
また、本発明の方法および装置において、成膜速度、膜質等は、従来とかわらない。
【００１０】
図３に、補正フレームの平面形状を示す。
補正フレームは、代表的には図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、平面形状が、特定の幅の概略環状（リング状）を有する平板である。すなわち、外形とほぼ相似な開孔を有した平板である。補正フレームの平面における、環状部分の平面の幅３０２、３１２を、以下フレーム幅という。
フレーム幅を調整することで、基板周辺部の被膜の膜厚を制御できる。フレーム幅を大きくするほど、基板周辺部の被膜の膜厚増加を抑制する効果が大きくなる。逆に、フレーム幅を小さくすると、補正フレームを設けない状態に近づき、基板周辺部の被膜の膜厚増加の抑制効果は薄れる。
補正フレームは、平板のみならず、その断面形状を、円、楕円、四角、多角形等、様々な形としてもよい。
【００１１】
補正フレームの外形（外周の形状）は、基板の周辺部に対向するため、円形や四角形など、基板（あるいはトレー）の外形と概略合同または相似した形を有している。
補正フレームの外形の大きさ（例えば基板、フレームが円形の場合、その直径）は、基板（あるいはトレー）の外形の大きさと概略同一またはそれ以上の大きさを有しているものを用いる。すなわち、基板の周辺が、対向する補正フレームより外側にはみ出さないようにする。
補正フレームの外形の大きさの方が、基板（あるいはトレー）の外形の大きさより小さいと、基板周辺部の膜厚の増大を抑制する効果が十分に得られない。
補正フレームを構成する材料としては、被膜形成材料が付着する性質を有するものであれば、どのようなものでも用いることができる。また、耐熱性を有し、加工が容易であるものが望ましい。
代表的には、石英が用いられるが、他に、例えば、金属、ガラス、ＳｉＣ、等を用いることができる。
補正フレームの厚さは、適度な強度が得られる程度であればよい。
【００１２】
補正フレームは、基板と基板（またはトレー）の間に設置され、双方の何れの基板からも離間して設けられる。
反応容器内に、基板のみ、またはトレーの両面に基板を設置して、基板両面に対して成膜を行う場合、補正フレームは、基板間の中間の位置（距離）に設置される。
一方、トレーの一方面のみに基板を設置する場合など、基板の一方の面のみに成膜する場合、基板の被膜形成面と、被膜形成面側に設けられている補正フレームとの距離と比較して、該補正フレームと、該補正フレームが対向する基板またはトレーの裏面（すなわち成膜を目的としない側）との距離を、小さくしてもよい。
このようにすることで、基板を設置する間隔をより小さくして、より多くの基板に対して同時に処理できるようになり、生産性が高まる。
もちろん、補正フレームの位置は、基板間の中間の位置であってもよい。
また、補正フレームは、複数設けてもよい。
【００１３】
また、本発明の他の構成は、
反応容器内において、所定の間隔を有して積層して設置された、少なくとも２枚の基板に対して成膜を行う、減圧ＣＶＤ装置であって、
前記基板の間には、基板の周辺部に対向した、環状の枠が設けられており、
該枠は、概略環状の平面形状を有する平板であり、
前記基板の外形と概略合同または相似な外形を有し、
前記基板の被膜形成面に対向して設けられており、
単数または複数の、欠切部または開孔が設けられていること
を特徴とする減圧ＣＶＤ装置である。
【００１４】
補正フレームを設けることによって、特に基板周辺部において、膜厚が部分的に薄くなってしまう場合が生じる。
このような場合に、補正フレームの、基板の被膜の膜厚が薄くなってしまう部分に対向する位置およびその近傍に、欠切部や開孔を設ける。これにより、より均一な基板面内の膜厚分布を有する被膜を形成することができる。
その結果、被膜の微妙な膜厚制御が可能となる。
【００１５】
図５に補正フレームを用いた際の被膜の形成状態の例を示す。
例えば、前述の、補正フレームを用いた減圧ＣＶＤ装置で、多量の基板に対して被膜形成を行った場合、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、成膜された被膜５０１、５１１の周辺部において、膜厚が部分的に薄い領域５０２、５１２が形成されることがある。
この領域、５０２、５１２が形成される理由としては、多量の基板またはトレーを支えるために用いられれるボート柱５０３、５１３に、被膜形成材料が付着する、あるいは、ボート柱により、ボート柱近傍の基板表面への被膜形成材料の流入が妨げられる、等の原因により、ボート柱付近の被膜形成材料が少なくなるためであると考えられる。
【００１６】
この現象の対策として、図４に示す補正フレームを用いる。
図４に、補正フレームの他の平面形状を示す。
図４（Ａ）、（Ｂ）の補正フレーム４０１、４１１は、欠切部４０２、４１２を有する。
この欠切部は、補正フレームの、ボート柱４０３、４１３に対応する位置に設けられている。
また、欠切部に代えて、開孔であってもよい。状況に応じて欠切部と開孔を併設してもよい。
【００１７】
このように、  欠切部または開孔を補正フレームに設けることで、補正フレームを用いた成膜時における、基板周辺部やボート柱付近における被膜形成材料の減少を防ぐことができる。
その結果、ボート柱近傍の被膜の膜厚の減少を防ぎ、基板周辺部における膜厚分布をも均一にすることができる。
【００１８】
欠切部４０２、４１２の形状や大きさは任意であるが、ボートの柱の存在による基板周辺の膜厚の減少を、十分に打ち消すことができるものであることが重要である。
【００１９】
【作用】
図７に示すように、活性な反応ガスを用いたＬＰ−ＣＶＤ法における膜厚分布は２本の直線で近似できる。このことは、主に、Ａ、Ｂ領域で、反応係数や吸着率等が異なる２種類の被膜形成材料（活性種）による成膜が行われていることを示していると考えられる。これが、このような膜厚分布を形成するに寄与していると考えられる。
ここでは、Ａ領域の被膜形成材料として、活性な（すなわち、反応係数や吸着率が高い）Ｒａ、Ｂ領域の被膜形成材料として、Ｒａより劣る活性のＲｂが、それぞれ被膜を構成しているとする。
活性なＲａは、基板外周から基板間に流入するに際し、基板周辺部でほぼすべてのＲａが被膜を形成してしまい、基板の中央付近にたどり付く前に消費されてしまう。
一方、Ｒｂは、Ｒａより活性ではなく、基板の中央付近まで十分に流入することができるため、基板表面全体にほぼ均一に付着する。
したがって、基板周辺部の膜厚が、基板の中央部分より厚くなってしまう。
しかも、基板間隔が狭くなるほど、活性なＲａの消費に対して、流入（拡散）して供給される量が減少するため、基板中央へたどり着くＲｂの量がより減少する。その結果、基板中央部の膜厚が、基板周辺部に対してより薄くなってしまう。
【００２０】
本出願人は、この問題を解決するために、基板の周辺部に、活性なＲａを消費する場所を設ければよいことを見出した。
本発明は、上述したように、被膜が成膜される、複数の基板の間に、補正フレームとして、概略環状の平面形状を有する平板であって、基板の外形と概略合同または相似な外形を有し、前記基板の被膜形成面に対向して設けられた、被膜形成材料が付着する性質を有するものを、基板やトレーに接することなく、基板面に対して平行に設ける。
すると、成膜時に、活性な被膜形成材料Ｒａが、基板のみならず、補正フレームにも付着するため、基板周辺部付近における活性種の消費量が増加する。
ゆえに、基板周辺部に対する被膜形成材料の供給量が、補正フレームを設けない場合に比較して、低減するように制御することができる。
その結果、基板の周辺部における被膜の膜厚増加を防ぐことができる。
【００２１】
さらに、補正フレームに欠切部や開孔を設けることで、基板周辺部の膜厚の微妙な制御が可能となり、例えば、ボートの柱の存在により生じる、基板周辺部の膜厚分布の不均一を低減することができる。
この効果が生じる理由としては、補正フレームの、欠切部または開孔を設けた部分は、他の箇所に比較して補正フレームの面積が小さい（単位面積あたりに補正フレームの面が占める割合が小さい）ため、被膜形成材料の付着量が減り、被膜形成材料の消費量が少なくなる。その結果、欠切部や開孔に対向する位置の、基板上の領域に対し、他の箇所より多く被膜形成材料が供給され、膜厚が厚くなるためである。
【００２２】
本発明は、反応の激しい活性なガスを用いる場合において、膜厚分布の均一化の効果は大きい。
また、本発明は、基板温度より、反応ガスの活性種の拡散量が、成長速度に大きく影響する場合において、特に有効である。
したがって、例えば、Ｓｉ2 Ｈ6 を用いて珪素膜を形成する場合や、Ｏ2 とＳｉＨ4 を用いて、酸化珪素膜を形成する場合において、本発明は有効である。
以下に、実施例を示す。
【００２３】
【実施例】
〔実施例１〕
ソースガスとして、Ｓｉ2 Ｈ6 を用いたＬＰ−ＣＶＤ法により、基板上にａ−Ｓｉ膜を成膜した例を示す。
図２に、実施例１で用いる減圧ＣＶＤ装置を示す。図２において、反応容器２０１内に、基板２０５、補正フレーム２０６が、図示しないボート柱により支持され、所定の間隔を開けて積層して設けられている。
ガス流入口２０２より、反応ガスが流入され、排気口２０３より排気がなされる。
反応容器２０１は、ヒーター２０４により加熱される。
基板２０５として、３００ｍｍ×３００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのコーニング７０５９等の低アルカリガラスが使用される。
補正フレーム２０６は、図３（Ｂ）に示す補正フレーム３１１と同一の構造を有し、３００ｍｍ×３００ｍｍ、厚さ３ｍｍの石英基板により構成される。
【００２４】
次に、図１に示すように、基板２０５、補正フレーム２０６が保持されて、ＬＰ−ＣＶＤ装置内に配置される。
ここでは、基板ピッチ（基板間隔）が、４０ｍｍ、および２０ｍｍの２つの場合についての成膜を試みる。
また、補正フレーム２０６は、各基板２０５間の中間に設けられる。
【００２５】
成膜温度は４６５℃、ガス流量は、Ｓｉ2 Ｈ6 を３００ｓｃｃｍ、Ｈｅを３００ｓｃｃｍ、圧力０．３６Ｔｏｏｒ、Ｓｉ2 Ｈ6 の分圧０．１８Ｔｏｒｒである。
基板間隔が、４０ｍｍのとき、成膜時間は６ｍｉｎとし、基板間隔が、２０ｍｍのとき、成膜時間は、１０ｍｉｎとし、ａ−Ｓｉ膜が４００Åの膜厚に形成される。
ここでは、補正フレーム２０６のフレーム幅を０ｍｍ（補正フレームなし）、１０ｍｍ、２０ｍｍ、３０ｍｍ、４０ｍｍと条件を変えて、成膜が行われた。
図８に実施例１で成膜したａ−Ｓｉ膜の基板平面での膜厚分布を示す。
図８において、distance（距離）は、基板の外周からの距離を示し、１５０ｍｍの地点が基板の中心である。
図８（Ａ）および（Ｂ）に示すように、成膜されたａ−Ｓｉ膜は、補正フレーム２０６によって膜厚が減少し、補正フレーム２０６のフレーム幅が大きいほど、基板周辺部分の膜厚が薄くなっていることが分かる。
【００２６】
また、基板間隔が２０ｍｍの場合の方が、補正フレーム２０６を設けた際の、膜厚の減少の度合いが大きい。すなわち、基板間隔が小さい方が、膜厚分布が、補正フレームの存在によって大きく変化する。
以上のようにして、基板上に、均一な膜厚を有するａ−Ｓｉ膜を成膜することができた。
【００２７】
〔実施例２〕
実施例２では、ボートの柱の影となって、成膜されるａ−Ｓｉ膜の一部が薄くなってしまうことを防ぐ構成を示す。
実施例２において、補正フレームとして、図４（Ｂ）の構成を有するものを用いた。すなわち、補正フレーム４１１において、ボートの柱４１３が接する場所の付近においては、欠切部４１２を設ける。
使用した補正フレームは、フレーム幅２０ｍｍ、欠切部は、１．５ｃｍ角の正方形状の角穴とした。ボート柱の直径は３０ｍｍとした。
【００２８】
成膜条件（ガス種、圧力、成膜時間、成膜速度）は実施例１と同様とした。
基板間隔は、３０ｍｍとし、補正フレームを基板間の中間に、基板面に平行に設けられる。
【００２９】
このようにして成膜した結果を、図９に示す。
図９は、基板の外周端から１５ｍｍ内側の箇所の、補正フレームに欠切部を設けた場合と設けなかった場合とにおける膜厚を示す。
欠切部を設けなかった場合、約４ｃｍ幅にわたって、膜厚が５０Å程度薄くなってしまう場所が生じる。
一方、欠切部を設けた場合、膜厚の変化はほとんど見られない。
このように、補正フレームに欠切部を設けることで、ボート柱が存在していても、基板周辺部において均一な膜厚分布を有するａ−Ｓｉ膜を形成することができる。
【００３０】
〔実施例３〕
実施例３では、補正フレームに開孔を設け、基板周辺部の膜厚をより均一化した例を示す。
図１１に、被膜の膜厚分布の例を示す。
実施例１で用いた補正フレームは、図１１に示すように、補正フレームを用いない場合（ａ）より、補正フレームを用いた場合（ｂ）の方が、基板周辺部に形成される被膜の膜厚の増大を抑制することはできたが、基板周辺部の膜厚が必要以上に薄くなってしまい、膜厚の面内均一性が、十分に得られない場合があった。
そこで、補正フレームに、開孔を設け、膜厚抑制の程度を緩和する。
【００３１】
図１０に、実施例３で用いる補正フレームの形状を示す。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のａ−ｂ断面である。
図１０に示すように、フレーム１００１に開孔１００２、１００３を設ける。開孔は、成膜される被膜が、基板の周辺部において、膜厚が均一となるように設けられ、その形状、位置、大きさは任意である。また、開孔に代えて、欠切部を設けてもよい。
例えば、図１０に示すように、スリット状の開孔を同心状に数個設けると、図１１（ｃ）に示すように、基板周辺部における膜厚が、開孔を設けなかった場合に比較して、なだらかに変化し、基板面内の均一性をさらに高めることができる。
補正フレームを設けた場合の、基板周辺部の膜厚の不均一は、基板間隔が狭いと悪化する傾向があるが、実施例３で示すように補正フレームに開孔（または欠切部）を設けることで、基板面内の膜厚の均一性を高めることができ、その結果、反応容器内に多数の基板を設置して、より生産性が高く、かつ面内均一性の高い被膜形成を行うことができる。
【００３２】
開孔は、スリット状のみでなく、丸や四角の形状の開孔を、多数設けてもよい。孔径を代えてもよい。
開孔を大きくする、あるいは、数を増やすことにより、補正フレームの単位面積当たりに補正フレームの面が占める面積の割合が低くなると、膜厚抑制の程度が低くなる。
さらに、開孔の孔径（大きさ）や、数、形状を、被膜成膜状態に合わせて変化させることで、補正フレームの単位面積当たりに補正フレームの面が占める面積の割合を、補正フレームの外周から中心にかけて（すなわちフレーム幅方向に）変化させることで、基板周辺部の膜厚の微妙な制御が可能となる。
その結果、極めて均一な面内均一性を有する被膜を成膜することができる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明により、活性なガスを用いる減圧ＣＶＤ法において、被膜形成材料の、基板表面への供給量の、基板面内における分布を制御することができた。
また、本発明により、活性なガスを用いる減圧ＣＶＤ法において、膜厚の基板面内の分布を制御することができた。
また、本発明により、活性なガスを用いる減圧ＣＶＤ法において、高い生産性を有しつつ、成膜される被膜の基板面内における膜厚分布の均一性を高めることができた。
また、本発明により、活性なガスを用いる減圧ＣＶＤ法において、成膜される被膜の基板周辺部の膜厚の増大を抑えて、膜厚分布の均一性を高めることができた。
また、本発明により、活性なガスを用いる減圧ＣＶＤ法において、基板またはトレーを支えるボート柱の影響による、基板周辺部におけるボート柱付近の膜厚分布の減少を防止することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の減圧ＣＶＤ装置の基板の設置状態を示す図。
【図２】  実施例１で用いる減圧ＣＶＤ装置を示す図。
【図３】  補正フレームの平面形状を示す図。
【図４】  補正フレームの他の平面形状を示す図。
【図５】  補正フレームを用いた際の被膜の形成状態の例を示す図。
【図６】  従来の減圧ＣＶＤ装置を示す図。
【図７】  従来のＬＰＣＶＤ法によるａ−Ｓｉ膜の成膜における膜厚分布示す図。
【図８】  実施例１で成膜したａ−Ｓｉ膜の膜厚分布を示す図。
【図９】  基板の外周端から１５ｍｍ内側の箇所の、補正フレームに欠切部を設けた場合と設けなかった場合とにおける膜厚を示す図。
【図１０】  実施例３で用いる補正フレームの形状を示す図。
【図１１】  被膜の膜厚分布の例を示す図。
【符号の説明】
１０１  基板
１０２  補正フレーム
１０３  ボート柱
【図１】
0003660064.tif 000002
【図２】
0003660064.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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