(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルな絶縁基材に導電配線を形成したＴＡＢテープの導電配線に電気的に接続した半導体チップを搭載してなる半導体装置の製造方法であって、分子量が所定値より低い液晶ポリマで形成された層と分子量が所定値より高い液晶ポリマで形成された層からなる２層構造の液晶ポリマで形成したテープを用意し、そのテープをパンチング用金型で開口するパンチング工程を行い、そのパンチング工程を終えたテープに銅箔を加熱圧着するラミネートを行い、そのラミネート後に銅箔にレジストを塗布し、配線のパターンニングを行い、エッチング工程で配線パターンを形成し、配線パターンに半導体チップをボンディングし、半導体チップと配線パターンの接合部分を中心に樹脂封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子装置に用いる絶縁材料、それを用いた半導体装置、その半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置における絶縁材料としては一般的にポリイミドが挙げられる。
【０００３】
このポリイミドは、比誘電率が低く、下地の凹凸を吸収できる表面の平坦性があり、その後のアセンブリ工程に充分な耐熱性を有している。
【０００４】
このためポリイミドは、例えばマルチチップモジュールの多層配線の配線間の絶縁層に用いられたり、またＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）の実装方法を取り込んだフィルムキャリア構造のＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置のテープ等に用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、上記従来技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【０００６】
従来の絶縁材料に用いられているポリイミドは、アセンブリ工程に充分な耐熱性を有しているが、熱膨張が大きく応力基因のパッケージクラックを生じたり、かつ吸湿率が大きいということから、吸湿水分の高温での膨張によるパッケージ破壊を起こす危険があり、半導体装置やそれを用いた電子装置の動作における信頼性が低下するという問題点がある。
【０００７】
また、メモリモジュール等の高速動作が要求される電子装置においては、装置の配線長を短くするように配線を工夫することが要求されるのと同時に、湿度に関わらずに一定の比誘電率が要求される。
【０００８】
このため、湿度が高くなると比誘電率が大きくなるポリイミドを用いた半導体装置を高速動作を要求されるメモリモジュール等の電子装置に搭載すると、動作の信頼性が低下するという問題点があった。
【０００９】
本発明の目的は、比較的高い相対湿度雰囲気において、高い耐湿性、及び定比誘電率を示し、かつリフロー時に安定な絶縁材料を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、半導体装置、または電子装置における動作の信頼性を向上することが可能な技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１６】
そして、フレキシブルな絶縁基材に導電配線を形成したＴＡＢテープの導電配線に電気的に接続した半導体チップを搭載してなる半導体装置の製造方法であって、分子量が所定値より低い液晶ポリマで形成された層と分子量が所定値より高い液晶ポリマで形成された層からなる２層構造の液晶ポリマで形成したテープを用意し、そのテープをパンチング用金型で開口するパンチング工程を行い、そのパンチング工程を終えたテープに銅箔を加熱圧着するラミネートを行い、そのラミネート後に銅箔にレジストと塗布し、配線のパターンニングを行い、エッチング工程で配線パターンを形成し、配線パターンに半導体チップをボンディングし、半導体チップと配線パターンの接合部分を中心に樹脂封止を行うことにより、ＴＡＢテープが耐湿性、及び定比誘電率を示し、リフロー時に劣化せず、動作の信頼性を向上することができ、銅箔とＴＡＢテープと接着強度が向上するので、接合の信頼性を向上できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の参考例としての絶縁材料について説明する。
【００１９】
本発明の参考例としての電子装置に用いる絶縁材料は、図１に示す分子構造式で示される液晶ポリマである。
【００２０】
本発明の液晶ポリマは、熱溶融型（サーモトロピック）液晶ポリマであり、図１に示すように、例えば、ポリエステル系主鎖型液晶ポリマのエコノールタイプである。本発明の液晶ポリマの分子量は１万〜１０万位のものを用いる。
【００２１】
このポリエステル系主鎖型液晶ポリマは、ネマチィック液晶相を示し、低粘性で成形温度が低いため成形加工が容易であり、寸法安定性がよい。また、優れた耐熱性を示す。以下、単にこの絶縁材料を液晶ポリマと記す。
【００２２】
次に、本発明の液晶ポリマの特性について説明する。
【００２３】
図２は、液晶ポリマと従来のポリイミドＡ（Ｄｕｐｏｎｔ社提供のカプトン）、ポリイミドＢ（宇部興産社提供のユーピレックス）との吸湿率（％）を示すグラフである。
【００２４】
図２に示すように、本発明の液晶ポリマは、ポリイミドＡ，Ｂと同様に相対湿度が高くなるにつれて吸湿率が上昇していく特性がある。
【００２５】
しかし、他のポリイミドＡ，Ｂに比べ、常に０．２％以下の低い数値を示す特性がある。
【００２６】
これにより、従来のポリイミドＡ，Ｂより、水分の吸収による膨みが減り、パッケージのクラック、素子破壊、及び金線破壊等のパッケージ破壊を減少させることが可能になる。
【００２７】
また、図３に示す吸湿膨張率を見てみると、他のポリイミドＡ，Ｂは相対湿が上昇すると、指数関数的に上昇するが、この液晶ポリマは０．０２％以下で殆ど上昇しないことが判る。
【００２８】
したがって、吸湿により寸法が伸びたりすることがないので、半導体装置のリードフレームのパターンを高精細化することが可能になる。
【００２９】
また、従来のポリイミドＡ，ＢではＳｉ（シリコン）チップとの膨張係数差が大きかったため、直接フリップチップ接合することが困難であったが、この液晶ポリマは熱膨張係数を任意に調整できるため、直接フリップチップ接合することが可能になる。
【００３０】
これにより、従来用いられてきたエラストマ（熱応力緩衝材）を用いる必要がなくなる。
【００３１】
さらに、図４に示す比誘電率を見てみると、エポキシ、ポリイミドＢは相対湿度が上昇するに比例して比誘電率が上昇していくが、本発明の参考例としての液晶ポリマは常に一定の値（３．４）を示す。
【００３２】
一般に電送速度８００ＭＨｚ以上の高速伝送では、相対湿度に関わらず比誘電率が一定である必要があるため、従来のエポキシ、ポリイミドＢのように相対湿度に対して比誘電率が変化する材料では高速伝送になかなか適用できなかった。
【００３３】
この液晶ポリマは、図４に示すように、相対湿度に関わらず比誘電率が３．４付近で一定であることから、電送速度８００ＭＨｚ以上の高速伝送が可能になる。これは、例えば高速メモリモジュールや４５０ＭＨｚ以上の高速伝送を行うＭＰＵに応用できる。
【００３４】
すなわち、半導体装置に用いる絶縁材料として従来用いていたポリイミド、テフロン、ベンゾシクロブテン、または二酸化シリコン等の部分、例えばＴＡＢテープ、多層配線の層間絶縁膜、または半導体チップ搭載基板を本発明の液晶ポリマで形成することで、高速伝送が要求されている電子装置にも適用できる。
【００３５】
さらに、本発明の参考例としての液晶ポリマは融点が３３５℃であり、耐熱性に優れ、リフロー時の２５０℃では品質が低下することはない。
【００３６】
また、熱膨張係数は、２００℃から３００℃において１３ｐｐｍ／℃であり、ポリイミドＡの４９ｐｐｍ／℃と、ポリイミドＢの１６ｐｐｍ／℃に比べて小さい。
【００３７】
また、ポリイミドと違って、この液晶ポリマは融点（例えば、３３５℃で融ける）があるため、この性質利用して物質の絶縁接合を行う接合材料としても適応できる。なお、この融点も液晶ポリマの分子量を変えることにより自在に変更可能であるため、半導体装置、電子装置において絶縁材料、接合材料として様々な範囲で適応できる。この液晶ポリマは、分子量が小さいほど融点が低くなる。
【００３８】
これらから、高い相対湿度雰囲気において高耐湿性、定比誘電率を示し、融点が高くリフロー時に劣化しない本発明の液晶ポリマは半導体装置における絶縁材料として最適であることが判る。
【００３９】
したがって、本発明の液晶ポリマを絶縁材、または絶縁支持材（接合材）として半導体装置に用いること、上記特性から動作の信頼性を向上した半導体装置を形成することができる。次にその半導体装置の例について説明する。
【００４０】
本発明により製造された上記液晶ポリマを用いた半導体装置について説明する。本発明により製造された液晶ポリマを用いた半導体装置として、ＴＡＢテープ（フレキシブル基板）を用いたＴＣＰ（Tape Carrier Package）型半導体装置を例に挙げて説明する。
【００４１】
図５は、本発明により製造された半導体装置の斜視図であり、図６は図５のＡ−Ａ線で切った断面図である。
【００４２】
図５、図６に示すように、本発明により製造された半導体装置１０は、ＴＡＢテープ１１と、そのＴＡＢテープ１１のリードフレームにバンプ接続された半導体チップ１２と、半導体チップ１２とインナーリード部分を封止したモールド樹脂１３とから構成される。本発明により製造された半導体装置１０では、ＴＡＢテープ１１に液晶ポリマを用いる。
【００４３】
このように、ＴＡＢテープ１１のテープ材料に液晶ポリマを用いることによ、半導体装置１０の搭載過程であるリフロー加熱時における熱膨張係数が小さいために、変形が小さく配線基板への搭載時の寸法安定性に優れている。且つ吸湿率が小さいことからパッケージのポップコーン破壊（吸湿水分の瞬間加熱膨張破壊）を起こしにくいので、半導体装置における動作の信頼性を向上させることが可能となる。
【００４４】
また、従来のポリイミドを用いた３層構造のＴＡＢテープ１１ではテープと銅箔の間に接着材を設けなければならなかったが、テープ材料にこの液晶ポリマを用いることで、半導体装置１０の製造工程で用いられるＴＡＢテープと銅箔との接着に用いられる接着剤を省くことが可能になる。
【００４５】
そのときのＴＡＢテープ１１は、１層の液晶ポリマで形成してもよいが、熱融着させるときの温度が高くなることから、図７に示すように、例えば、２層の液晶ポリマで形成するとよい。
【００４６】
図７に示すように、ＴＡＢテープ１１の上層２０Ａ（銅箔を圧着する面）は分子量が小さい液晶ポリマを厚さ５〜１０μｍくらいで形成し、下層２０Ｂをそれより分子量が大きい液晶ポリマを用いて形成する。例えば、上層の融点を１６０℃〜２００℃に設定し、下層をリフロー時に影響を受けない温度以上に設定する。例えば、２３０℃である。
【００４７】
次に、本発明に係る半導体装置１０の製造方法について説明する。
【００４８】
図８，図９は、本発明に係る半導体装置１０の製造方法を説明するための図である。
【００４９】
本発明により製造された半導体装置１０は、図８に示すように、まず、液晶ポリマで形成した図７に示すようなテープ２０を用意し、そのテープ２０をパンチング用金型で開口するパンチング工程を行う。ここでは、例えば、アウターリードホール、スプロケットホール、デバイスホールを形成する。
【００５０】
次にそのパンチング工程を終えたテープ２０に銅箔３０を貼るラミネートを行う。
【００５１】
このラミネートは、１８０℃くらいの温度で、５ｋｇ／ｃｍ２  の圧力で銅箔３０を加熱圧着する工程である。なお、この工程は従来のポリイミドを用いたときのラミネート工程における接着剤と銅箔の加熱圧着と同様な条件で行うことができ、従来のシステムがそのまま利用できる。
【００５２】
このようにテープを２層の液晶ポリマで形成して圧着することにより、分子量の小さいすなわち融点が低いテープの上層のみが融解させるようになり、そこに銅箔に貼り付けて圧着することにより、接着剤がなくてもラミネートを行うことができる。このとき、分子量の大きいすなわち融点が高い下層は融け出さないため、上記パンチング工程で開けた穴が埋まってしまうということはなくなる。
【００５３】
また、テープ２０の上層２０ａと下層２０ｂは、共に同一構造の液晶ポリマで単に分子量が異なるだけであるから、銅箔圧着後には上層２０ａは拡散して下層２０ｂと一体化する。従来のポリイミドを用いた３層構造のテープでは、銅箔とテープの接合に接着剤を用いていたため、どうしてもテープと接着剤の層とで界面が生じ、剥離しやすい構造になっていたが、テープ２０に二層の分子量が違う液晶ポリマを用いることで界面部分をなくすことができるので、銅箔接合の信頼性を向上できる。
【００５４】
ラミネート後は、銅箔３０にレジスト４０と塗布し、配線のパターンニングを行い、エッチング工程で配線パターンを形成後、配線パターンにスズ等のメッキを行い、ＴＡＢテープ１１を形成する。
【００５５】
そして、図９に示すように、ＴＡＢテープ１１に半導体チップ１２をボンディングする。ここでは半導体チップ１２側にＡｕバンプ２を形成して、ＴＡＢテープの銅箔配線であるインナーリード５と金スズ接合する例を示している。
【００５６】
接合ツール６は４５０℃の温度に加熱されており、またステージ７も余熱温度２００℃以下に加熱されている。このとき半導体チップに形成されている金バンプ２はピッチが７０μｍ程度と狭いピッチのために＋／−１０μｍの位置精度で位置合わせが行われる。したがってこのときのＴＡＢテープ１１の熱膨張は小さいほど良く、理想的には、半導体チップ１２の３．５ＰＰＭ／Ｋ  の小さな熱膨張係数が好ましい。しかし従来のポリイミドテープでは熱膨張係数が２０〜３０ＰＰＭ  であるために、温度上昇にともなうリード５  とバンプ２  のピッチ不整合が起こる。このためにポリイミド樹脂テープを用いたＴＡＢテープでは、このピッチ不整合を考慮したテープ製造段階での補正を行っている。すなわち、銅箔のケミカルエッチング用のホトマスクを熱膨張分だけ小さくしておく、事前の補正を実行しなけれ
ばならない。しかしこの操作は接合条件に合わせた精密な補正となるために、高度な技術が要求されている。しかもポリイミド樹脂では吸湿膨張率が大きいために、この吸湿も考慮したマスク補正を行っている。これに対して液晶ポリマでは、熱膨張係数をポリマの分子量でシリコンに整合できるばかりでなく、吸湿膨張も非常に小さいために、まったくこのマスクの初期補正を必要としない。したがってマスクの設計時間が短縮できるばかりでなく、リードとバンプの接合に位置が正確でかつ精度が高いために、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能になる。
【００５７】
その金スズ接合後、半導体チップ１２周辺を樹脂１３で封止し、図５、図６に示すような半導体装置を形成する。また、この樹脂封止は、半導体チップ１２とリードとの接合部だけをポッティングするようにしてもよい。
【００５８】
なお、本発明ではＴＣＰ型の半導体装置を例に挙げ説明してきたが、本発明の液晶ポリマはこのＴＣＰ型半導体装置のテープに用いる場合に限らない。
【００５９】
例えば、他の半導体装置において、従来ポリイミド等の絶縁材料が使われていたところを、この液晶ポリマで置き換えることで、従来よりも動作の信頼性が向上した半導体装置を形成できる。
【００６０】
次に、従来ポリイミドが使われていたところに液晶ポリマを用いた半導体装置の例について説明する。図１０は、本発明の参考例としてのＬＯＣ構造の半導体装置を示す斜視図であり、図１１は図１０の液晶ポリマテープ５０の拡大断面図である。
【００６１】
本発明の参考例としてのＬＯＣ構造の半導体装置１００は、図１０、図１１に示すように、半導体チップ１２上に液晶ポリマテープ５０を介在させてリード６０を載せ、リード６０と半導体チップ１２をワイヤボンディングにより電気的に接続して封止樹脂１３で封止した構成をとる。
【００６２】
従来のＬＯＣ構造の半導体装置では、この液晶ポリマテープ５０の代わりに３層のポリイミドテープを用いていたが、チップサイズが大きくなり、ポリイミドテープの貼り付け面積が大きくなってくると、半導体チップ１２との熱膨張係数差から熱応力が大きくなり、リードの変形等が発生する。
【００６３】
液晶ポリマは、ポリイミドよりも熱膨張係数が小さく、かつその熱膨張係数も分子量を変えることで変更できる。
【００６４】
このため、本発明の参考例としての液晶ポリマテープ５０は半導体チップ１２の熱膨張係数と同じ値（３．５）を持つように分子量を調整したものを用いる。
【００６５】
したがって、従来のポリイミドテープの代わりにこの液晶ポリマテープ５０を設けると、熱膨張係数差がなくなり、熱応力を受けないのでリードの変形を抑止することができる。
【００６６】
なお、この液晶ポリマテープ５０は、１層の液晶ポリマで形成してもよいが、図１１に示すように、分子量が大きい液晶ポリマの層５０ｂを分子量が小さい液晶ポリマの層５０ａで挟んだ３層構造にしてもよい。
【００６７】
この場合、半導体チップ１２とリード６０との接合がより低い温度で可能になる。
【００６８】
また、本発明の液晶ポリマは絶縁材、絶縁支持材だけでなく、さらにはコーティング材等にも種々適応できる。
【００６９】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００７０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００７１】
本発明は、フレキシブルな絶縁基材に導電配線を形成したＴＡＢテープの導電配線に電気的に接続した半導体チップを搭載してなる半導体装置の製造方法であって、分子量が所定値より低い液晶ポリマで形成された層と分子量が所定値より高い液晶ポリマで形成された層からなる２層構造の液晶ポリマで形成したテープを用意し、そのテープをパンチング用金型で開口するパンチング工程を行い、そのパンチング工程を終えたテープに銅箔を加熱圧着するラミネートを行い、そのラミネート後に銅箔にレジストと塗布し、配線のパターンニングを行い、エッチング工程で配線パターンを形成し、配線パターンに半導体チップをボンディングし、半導体チップと配線パターンの接合部分を中心に樹脂封止を行うことにより、ＴＡＢテープが耐湿性、及び定比誘電率を示し、リフロー時に劣化せず、動作の信頼性を向上することができ、銅箔とＴＡＢテープと接着強度が向上するので、接合の信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の参考例としての液晶ポリマの分子構造を示す図である。
【図２】液晶ポリマと従来のポリイミドＡ（Dupont社提供のカプトン）、ポリイミドＢ（宇部興産社提供のユーピレックス）との吸湿率（％）を示すグラフである。
【図３】液晶ポリマと従来のポリイミドＡ（Dupont社提供のカプトン）、ポリイミドＢ（宇部興産社提供のユーピレックス）との吸湿膨張率（％）を示すグラフである。
【図４】液晶ポリマの相対湿度における比誘電率を示すグラフである。
【図５】本発明の液晶ポリマを用いた半導体装置を示す斜視図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線で切った断面図である。
【図７】ＴＡＢテープに使用する液晶ポリマテープの構成を説明するための断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造工程を説明するための図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造工程を説明するための図である。
【図１０】本発明の参考例としてのＬＯＣ構造の半導体装置を示す斜視図である。
【図１１】液晶ポリマテープの構成例を示した図である。
【符号の説明】
１１  ＴＡＢテープ
１２  半導体チップ
１３  封止樹脂
２０、５０  液晶ポリマテープ
２０ａ  上層
２０ｂ  下層
３０  銅箔
４０  レジスト
６０  リード
１００  ＬＯＣ構造の半導体装置
【図１】
0003610770.tif 000002
【図２】
0003610770.tif 000003
【図３】
0003610770.tif 000004
【図４】
0003610770.tif 000005
【図５】
0003610770.tif 000006
【図６】
0003610770.tif 000007
【図７】
0003610770.tif 000008
【図８】
0003610770.tif 000009
【図９】
0003610770.tif 000010
【図１０】
0003610770.tif 000011
【図１１】
0003610770.tif 000012