(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面上に絶縁層、導電層、及び磁性層を積層し且つ各層を所定形状に加工することで記録素子及び再生素子の少なくとも一方を有する素子部を形成する工程と、前記基板における磁気記録媒体と対向する所定面の少なくとも一部及び前記素子部における前記磁気記録媒体と対向する部分に保護膜を形成する工程とを含む磁気ヘッドの製造方法であって、前記保護膜を形成する工程は、
有機化合物を含む気体を用いてプラズマを生成し、イオン及びラジカルを含む成膜種を形成する工程と；
前記成膜種における前記イオンを特定の電位を有する電極により補集して、前記成膜種を前記ラジカルが主成分となるようにする工程と；
前記ラジカルが主成分となった前記成膜種を用いて、前記基板における磁気記録媒体と対向する所定面の少なくとも一部及び前記素子部における前記磁気記録媒体と対向する部分に対して保護膜を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記有機化合物の構成元素が炭素及び水素で有ることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記保護膜を形成する工程に含まれる各工程は、前記成膜種及び前記有機化合物からなる気体を特定方向から排気することによって、それぞれ空間的に位置を移動しながら為されることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記保護膜を形成する工程の前に、前記基板における磁気記録媒体と対向する所定面の少なくとも一部及び前記素子部における前記磁気記録媒体と対向する部分にシリコン膜あるいはシリコン酸化膜を予め形成する工程を含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術の分野】
本発明は、ハードディスク装置（以下ＨＤＤ）に用いられる磁気ヘッドの製造方法に関する。より詳細には、高記録密度を有する磁気記録媒体対応の磁気ヘッドにおいて、当該磁気ヘッドを製造する際に、磁気ヘッド上にダイアモンド状あるいは水素を含有するアモルファス状の炭素膜（以下ＤＬＣ膜）を保護膜として形成する磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
比較的小型のコンピュータシステムに用いられる外部記憶装置の一つとして、ＨＤＤがある。ＨＤＤは、その小型化及び記憶量の大容量化の要望に応じて高記録密度化が進められている。ＨＤＤの構成要素の一つとして、磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び読み取りを実際に行う磁気ヘッドがある。この磁気ヘッドには、いわゆる薄膜ヘッド、磁気抵抗効果を用いたいわゆるＡＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッド、トンネル現象を利用したＴＭＲヘッド等があり、これらを種々選択することで高記録密度化への対応を図っている。
【０００３】
これら磁気ヘッドにおけるコア部は、実際に磁気記録媒体に対して情報の書き込み等を行う素子部と、当該素子部がその端部に形成されたスライダ（基板部分）と呼ばれる部分とから構成されている。スライダの所定面及び素子部（端面）は、情報の書き込み等を行う場合に、磁気記録媒体に対して一体で所定距離をおいて浮上し且つ対向するように構成される。
【０００４】
この素子部においては、素子を構成する軟磁性膜等の各種金属が露出しており、これら金属に錆び等が生じてその磁気特性等が劣化する恐れがある。このため、この素子部の表面への保護膜の形成が為されており、保護膜として耐腐食特性を有する各種の膜が提案されている。また、スライダは、磁気記録媒体の回転により生じる風圧等によって記録媒体より浮上して前述の所定距離を保持するため、回転初期にスライダが容易に且つ低負荷で摺動するように、スライダ所定面には低摩擦性能も要求される。
【０００５】
これら要求に応えるために、基板における磁気記録媒体との対向面及び素子部における磁気記録媒体との対向部分（以下膜形成面）に対して上述の耐腐食特性と低摩擦性能とを共に有する材料を保護膜として形成することが行われており、近年ＤＬＣが主としてその材料に用いられている。
【０００６】
ＤＬＣ膜を上述の膜形成面に形成した例として、特開平９−６３０２７号公報に開示された磁気ヘッドがある。当該ＤＬＣ膜はプラズマ放電を用いて得られたアモルファス状の膜であり、ＤＬＣ膜の形成によってＨＤＤ装置のいわゆるＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）特性が大きく向上することが示されている。また、良好な耐摩耗特性、あるいはＣＳＳテストにおいて良好な耐久性を得るためには、２０Å以上の膜厚が必要であること、さらには、ＤＬＣ膜と膜形成面との密着性を向上させるためには、シリコン層、シリコンカーバイト層を下地膜として形成することが有効であることが示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述の膜形成面と磁気記録媒体との間のいわゆる浮上距離は、近年の高記録密度化に伴って、より小さくすることが望まれている。この観点から、保護膜はその膜厚をより薄くし、且つ十分な耐腐食特性と低摩擦性能とを維持することが必要となる。前述の特開平９−６３０２７号公報によれば、ＤＬＣ膜を用いて十分な耐久性（低摩擦特性）を得るためにはその膜厚を２０Å以上とすれば良いが、耐腐食特性と低摩擦特性との両方を維持した上で浮上距離を小さくする、つまり保護膜の膜厚を薄くするためには、更なる保護膜、あるいは更なるＤＬＣ膜の形成方法を開発する必要がある。
【０００８】
また、膜形成面には、絶縁体であるセラミックからなる基板部分、及び素子部に存在する絶縁層、導電層及び磁性層が露出している。このため、例えば放電によって成膜種を生成する成膜方法を用いた場合、膜形成面に電位差が生じて、成膜初期における膜形成速度が膜形成面の材質に応じて大きく異なる恐れがある。この場合、膜厚に大きなばらつき、例えば、ＤＬＣの膜厚が局部的に薄くなるあるいは膜が局部的に形成されない等の状態が生じ、この部分がピンホール等となって耐腐食特性を低下させることが考えられる。
【０００９】
耐腐食特性上、このピンホール等の影響を極力小さくするために、ＤＬＣ膜の膜厚を厚くして、見かけ上ＤＬＣ表面にはピンホールが存在していない状態を作る等の対策が従来はとられていた。しかし、実際には、この対策によって耐腐食特性を大きく向上することは困難であると共に、ＤＬＣ膜の膜厚を必要以上に大きくしなければならず、前述の保護膜を薄くするという要求に応えることが困難であった。
【００１０】
本発明は上述の課題に鑑みて為されたものであり、より薄い膜厚で十分な耐腐食特性を示すと共に膜形成面に対しても良好な密着性が望めるＤＬＣ膜の形成方法を提供するものである。また、単体で薄膜化を図った場合においても、従来技術により得られるＤＬＣ膜に関し、より薄い膜厚で十分な耐腐食特性を示すＤＬＣ膜の形成方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法は、基板の一面上に絶縁層、導電層、及び磁性層を積層し且つ各層を所定形状に加工することで記録素子及び再生素子の少なくとも一方を有する素子部を形成する工程と、基板における磁気記録媒体と対向する所定面の少なくとも一部及び素子部における前記磁気記録媒体と対向する部分に保護膜を形成する工程とを含み、保護膜を形成する工程は、有機化合物からなる気体を用いてプラズマを生成してイオン及びラジカルを含む成膜種を形成する工程と、成膜種におけるイオンを特定の電位を有する電極により補集して成膜種をラジカルが主成分となるようにする工程と、ラジカルが主成分となった成膜種を用いて基板における磁気記録媒体と対向する所定面の少なくとも一部及び素子部における磁気記録媒体と対向する部分に保護膜を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００１２】
また、有機化合物の構成元素が炭素及び水素で有ることが好ましい。さらに、保護膜を形成する工程に含まれる各工程は、成膜種及び有機化合物からなる気体を特定方向から排気することによって、それぞれ空間的に位置を移動しながら為されることが好ましい。さらに、保護膜を形成する工程の前に、基板における磁気記録媒体と対向する所定面の少なくとも一部及び素子部における磁気記録媒体と対向する部分にシリコン膜あるいはシリコン酸化膜を予め形成する工程を含むことが好ましい。
【００１３】
【実施の形態】
本発明に係るＤＬＣ膜の形成方法に関し、当該方法を具現化したＤＬＣ膜の形成装置の概略を図１に示し、当該方法の実施の形態について以下に説明する。
当該形成装置１は、石英管２、石英管２の外部に設けられたプラズマ発生用の高周波印可装置３、バイアス印可用のバイアス印可装置４とから構成される。石英管２には、その一端部に原料ガスの導入部１０、他端には不図示の排気用ポンプに接続される排気ポート１１が設けられる。また、高周波印可装置３及びバイアス印可装置４は、ガス導入部１０及び排気ポート１１の間に、プラズマ発生部１２、バイアス印可部１３、を構成するように配置され、これらからさらに排気ポート１１側に基板１４が配置される。なお、基板１４としては、後述する素子形成後の棒状基板が用いられる。
【００１４】
次に、当該形成装置を用いたＤＬＣ膜の成膜プロセスについて述べる。予め、表面洗浄等の必要と思われる前処理を行った後の基板１４を、石英管２内の所定位置に固定し、石英管２の内部に存在する大気等のガスを極力排気する。排気により、石英管２内部の圧力が第一の所定圧力以下となった後、ガス導入部１０よりメタン等の炭化水素系ガスを導入する。ガス導入後、石英管２の内部が放電あるいは成膜に適した圧力となるように、ガスの導入量あるいはガスの排気速度等を不図示の調整機構により調整する。その後、高周波印可装置３により所定電圧以上の高周波を石英管２の内部に対して印可し、プラズマ発生部１２に炭化水素系ガスによるプラズマを発生させる。
【００１５】
プラズマにより生じたイオン及びラジカルは、石英管２内に存在する気流により排気ポート１１の方向に順次移動し、バイアス印可部１３に達する。バイアス印可部１３では、電極１３ａ、１３ｂにおいてそれぞれプラス及びマイナスの電圧が印可され、プラスあるいはマイナスの電位を有する前述のイオンが何れかの電極により捕獲される。その結果、基板１４には、ほぼラジカルのみが成膜種として到達する。なお、プラズマ中において活性化しなかった原料ガスは、大部分はそのまま排気ポート１１より排気される。
【００１６】
当該方法によれば、イオン成分が極端に少なく且つ略均質な成膜種を用いてのＤＬＣ膜の形成が可能となる。従って、基板上に金属からなる導電性の部分とセラミック等からなる非導電性の部分とが混在していても、成膜中に電位の差が生ずることがない。即ち、電位差の影響を受けることなく成膜種が基板表面上に均等に付着することが可能となり、従来問題とされていた金属面上にもセラミック上と同等の成膜速度を維持しながらＤＬＣ膜を形成することが可能となる。また、放電空間の電場の影響を受けないラジカルを主として成膜に用いることで、膜形成部分の形状が例えば放電空間に突出していたとしても、その形状の多少の凹凸に対する成膜速度の依存性が小さくなる。このため、基板上に凹凸等のいわゆるリセスが存在してもこれらリセス上にも均等にＤＬＣ膜を形成することが可能となる。
【００１７】
なお、一般的に、光透過性を有する薄膜はその膜質と屈折率との間に一定の相関関係を有することが知られている。さらに、本形成方法により得られるＤＬＣ膜の膜質は、シリコンウエハー上に厚さ３０〜６０ｎｍ成膜した際の屈折率が２〜２．３５とすると、良好な摩擦特性が得られることが確認されている。屈折率が２以下の場合には摩擦特性が劣化し、摩擦特性についてのみ着目すればより高い屈折率を得ることが好ましいが、２．３５以上では摩擦特性は大きく変化しない。
【００１８】
屈折率を増加させるには、高周波の印可電力を増大させることが効果的であるが、屈折率を２．３５以上とした場合には、必要となる高周波印可電力の増大に見合う摩擦特性は得られない。以上を勘案し、実際のＤＬＣ膜形成時には、好適な膜特性を示す屈折率２．２の場合と同等の膜特性が得られる屈折率２．２〜２．３の値が得られる成膜条件とすることが望ましい。
【００１９】
また、上述の基板１４の前処理としては、アルコール等による油分の拭き取り、超音波洗浄等の種々の処理方法があるが、これら前処理は必ずしも必要ではなく、成膜面の状態に応じて適当な処理を施せば良い。また、原料として用いる炭化水素系のガスは、メタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、アセチレン、プロピレン等が使用可能である。さらに、ベンゼン、トルエン等の液体炭化水素に関しても、これらのガス化、及び石英管内部等の反応系における再液化の防止を行えば使用可能である。
【００２０】
本実施の形態においては、高周波印可装置３として、石英管２の外周部に高周波印可用のコイルを巻いたいわゆる誘導放電型を例示している。しかしながら、本発明は当該形態に限定されず、石英管外部を複数の電極で挟み込むいわゆる容量放電型、容量放電型の電極等を石英管２の内部に配置した内部電極型、ＥＣＲ型等、種々の形態が適応可能である。また、印可する高周波としては、キロヘルツからギガヘルツまでの周波数領域における任意の周波数を用いることが可能である。また、本発明においては、石英からなる管を膜形成用の容器として用いているが、高周波電波をその内部に印可することが可能な材質からなる、あるいは構成を有するものであれば、これを適用することが可能である。
【００２１】
バイアス印可装置４は直流電源を用いることとし、当該電源よりバイアス印可部１３に配置されたプラス及びマイナスの電極１３ａ、１３ｂがそれぞれ接続されている。電極１３ａ、１３ｂは、ラジカルあるいは活性化されていないガスが容易に排気ポート１１側に移動できるように、金属線からなる網目状あるいは格子状のいわゆるメッシュ電極を用いている。しかしながら、本発明は当該形態に限定されず、バイアス印可装置として高周波を用いるのものを適応することも可能である。
【００２２】
また、メッシュ電極が好適ではあるが、金属からなる板材に複数の穴を形成したパンチングメタル等、当該電極より排気ポート側にラジカルが通過することが可能な形状で有ればメッシュ電極に限定されない。また、当該形態においてはラジカル、イオン、及びガスは、石英管２の端部に設けられた排気ポート１１からの排気によって基板１４近傍まで移送される構成を採用している。しかし、プラズマ発生部１２、電極１３ａ、１３ｂ及び基板１４を接近させた配置とし、排気ポート１１を当該形態と異なる配置としても良い。
【００２３】
【実施例】
図１に示すＤＬＣ膜形成装置を用いて、磁気ヘッドの膜形成面上に対して種々の条件にてＤＬＣ膜を実際に形成し、信頼性及び耐腐食性のテストを行った。以下に本発明の実施により得られた結果を詳述する。なお、以下の詳述は、素子の形成方法等、ＤＬＣ膜の形成方法を含めた磁気ヘッドの製造方法について行うこととし、素子としては再生部にＴＭＲ素子を用い、記録部にいわゆる誘導型の電気−磁気変換素子を用いることとする。
【００２４】
図２は、本発明の実施において用いた磁気ヘッドに関し、ＤＬＣ膜形成前の素子部端面を磁気記録媒体側から見た際に観察される構造の概略を示している。また、図２における切断線３−３において素子部等を切断した場合に、磁気記録媒体のトラック幅方向（図中左方）から見た際に観察される構造の概略を図３に、さらに図２におけるＭＲ素子部の拡大図を図４に示している。本発明に係る磁気ヘッドの形成方法について、これら図面を参照し、以下に述べる。
【００２５】
磁気ヘッドの形成方法において、素子部３０は、AlTiC（アルチック）等、セラミック製のウエハ状の基板４５上に、例えば半導体形成時に用いられる薄膜形成技術及び加工技術等を用いて複数個同時に形成される。ここで、当該基板は、各素子部３０を個々に分離して磁気ヘッドコアを作成した場合のスライダとなる。なお、本実施例において形成される薄膜は、例えばスパッタ法等の薄膜形成方法により形成される。
【００２６】
実際の素子形成においては、下地層３２としておよそ５μｍ厚さのアルミナ膜を基板上４５に形成し、その上に、ＭＲ素子５０に対して磁気シールドとして作用する２μｍ厚さのパーマロイ膜からなる第１のシールド層３３を形成する。その後、第１のシールド層３３上に第１のギャップ層３４として０．０５μｍ厚さのタンタル膜等を形成し、当該タンタル膜上にＭＲ素子５０を形成する。
【００２７】
具体的には、第１のギャップ層３４直上より、タンタル、パーマロイ、銅またはニクロム(NiCr)の何れかからなる下地層５１、イリジウム−マンガン等からなる反強磁性層５２、コバルト−鉄からなるいわゆるピン層５３、アルミナ酸化膜からなるバリア層５４、コバルト−鉄またはパーマロイからなるいわゆるフリー層５５、及びタンタルからなるキャップ層５６を順次形成し、膜形成後、フォトリソグラフ、エッチング工程等をによって所定部分のみを残してこれら膜は除去することで、ＭＲ素子５０を形成する。その除去部分には、バイアス層３５としてコバルト−白金膜等が、ＭＲ素子５０の両端部に接触するように形成される。ＭＲ素子５０及びバイアス層３５の厚さは３５ｎｍとなるように構成される。
【００２８】
バイアス層３５の形成後、０．０５μｍ厚さのタンタル膜からなる第２のギャップ層３６、４μｍ厚さのパーマロイからなる第二のシールド層３７、及び０．３μｍ厚さのアルミナ膜等からなる書き込みギャップ層３８とを順次形成する。書き込みギャップ層３８上には、薄膜コイル３９に用いる銅薄膜を形成し、フォトリソグラフ、エッチング等の加工工程を経ることによって当該銅薄膜を所定のコイル形状に加工する。
【００２９】
続いて、薄膜コイル３９上にフォトレジスト等からなる平坦化層４０を形成し、コイル各線の絶縁化と各線による凹凸の平坦化を図る。その後、エッチング工程等により、平坦化層４０及び書き込みギャップ層３８をそれぞれ所定形状に加工し、書き込みギャップ３８上に５μｍ厚さのパーマロイ膜を書き込みポール４１として形成し、これに幅０．５μｍの所定形状となるように加工を施す。加工終了後、保護層４２として素子部全厚が３０μｍとなるようにアルミナ膜を形成する。
【００３０】
以上の工程を経て、アルチック基板４５上に複数の素子部３０を形成した後、素子部３０各列毎に、アルチック基板４５を棒状に切断する。切断後、当該棒状の基板を不図示の研磨装置に固定し、切断面である素子部端面４５ａ及びスライダ所定面４５ｂを同時に研磨し、所定値のＭＲハイトＭＨ及びスロートハイトＳＨを得る。なお、研磨装置においては、軟性金属からなる定盤を回転させ、且つダイアモンド砥粒を含む懸濁液をこの上に滴下し、当該定盤に対して棒状基板の所定面を押し付けることで研磨が行われる。また、必要に応じて、研磨終了後のスライダ所定面４５ａに対して、磁気記録媒体回転時に磁気ヘッドを良好に浮上させるためのレール等、所定形状の不図示の凹凸部がさらに形成される。
【００３１】
上述の研磨時において、金属膜端面が延性によって薄く引き延ばされる等、スメア現象が生じて各金属膜において短絡が生じている場合がある。この場合、これら短絡部分を除去するためにミリングあるいは逆スパッタが行われる。アルゴンガスを用い且つ加速電圧として１００〜５００Ｖの電圧を印可して、加速されたアルゴンイオンによるスッパタ現象によって対象部を除去するいわゆるミリング等は公知であるため、詳細を述べることは省略する。
【００３２】
研磨等の終了後、素子部端面４５ａ及びスライダ所定面４５ｂを含む膜形成面上にＤＬＣ膜４７（図３の破線部）を形成する。実際の磁気ヘッドの製造方法においては、ＤＬＣ膜形成後に、素子個々についての分離が行われ、各々が磁気ヘッドコアとして取り扱われる。しかし、本実施例においては、複数の素子部に対する信頼性テスト等の同時実施を可能とするためＤＬＣ膜形成後の棒状基板の状態で各種テストを行っている。
【００３３】
表１に、本実施例におけるＤＬＣ膜の成膜条件を示す。
【表１】
0003643063.tif 000002
【００３４】
なお、ＤＬＣ膜の膜厚は、予め屈折率２．２以上が得られ成膜条件におけるＤＬＣ膜の成膜速度を測定しておき、この成膜速度に応じて成膜時間を調整することで表中の値を得ている。また、実施例９においてはＤＬＣ膜の下地膜として予めシリコン膜２０Å成膜し、その上にＤＬＣ膜を成膜してすべての膜厚の総和が４０Åになるようにし、実施例１０においてはＤＬＣ膜の下地膜として予めシリコン酸化膜２０Å成膜し、その上にＤＬＣ膜を成膜してすべての膜厚の総和が４０Åになるようにしている。
【００３５】
屈折率２．２以上であることから、ＤＬＣ膜は十分な低摩擦性能が得られることがわかっている。そこで、耐腐食特性に関して、信頼性テスト及び腐食テストを行った。信頼性テストにおいては、５０℃、湿度８０％の環境において７日間保存した後にＭＲ素子の抵抗値の変化を測定することにより腐食状態を確認した。実際には、各ＭＲ素子に対して０．１mAの電流が流れるように電圧を印可してその電圧値を求め、さらにこの電圧値より素子の抵抗値を求めるという操作を前述の環境保存の前後で行い、その抵抗率の変化による評価を行った。
【００３６】
腐食テストにおいては、０．１wt.％の硫酸水溶液に試料を一昼夜浸漬し、ESCA（Ｘ線光電子分光法）により試料表面におけるCo/Cのピーク強度比を確認した。ESCAは、物質にＸ線を照射してその光電効果によって叩き出された電子の運動エネルギーを電場またな磁場を用いて分析、測定するものである。本評価は、本来ＤＬＣ膜表面近傍からはＣ（炭素）のピークしか観察されないにも拘わらず、ＤＬＣ膜にピンホール等が存在して素子の腐食が生じた場合に、Ｃｏ（コバルト：素子の磁性膜に用いられる）のピークが観察されるという現象に基づく。
【００３７】
評価結果を表２に示す。
【表２】
0003643063.tif 000003
【００３８】
以上の評価結果より、本発明によれば２０Å厚さのＤＬＣ膜において十分な耐腐食特性が得られること、さらに本発明による５Å厚さのＤＬＣ膜は、従来技術による５０Å厚さのＤＬＣ膜より優れた耐腐食特性が得られることも確認された。
【００３９】
また、下地膜としてシリコン膜あるいはシリコン酸化膜何れを用いた場合であっても、ＤＬＣ膜としては２０Å厚さで十分な耐腐食特性が得られることが確認された。さらに、実施例３と実施例９あるいは実施例１０との比較により、ＤＬＣ膜の密着性を改善する必要がある場合、必要充分となる最小厚さの下地層を形成するだけで良いことが確認された。従って、本発明によれば、下地膜を用いて密着性の向上を図った場合であっても、従来技術によるＤＬＣ膜等に対して非常に薄く且つ密着性と耐腐食特性に優れたＤＬＣ膜を形成することが可能であることがわかる。
【００４０】
なお、本実施例においては、磁気ヘッドの保護膜としてＤＬＣ膜を形成する場合についてのみ述べている。しかし、放電を用いた本発明に係る方法によれば、その効果は異なる膜についても同等に得られ、保護膜あるいはその下地膜として例えばシリコン膜、シリコン酸化膜等、種々の膜を本発明に係る保護膜形成方法を用いて形成することが可能である。この場合、シリコン膜を形成する際には原料となるガスとしてシリコンと水素とから構成されるシラン、ジシラン等を、シリコン酸化膜を形成する際にはシリコン、酸素及び水素とから構成されるメタノール、エタノール等を用いればよい。
【００４１】
また、素子部の構成及びその形成方法について具体的に詳述しているが、本発明は当該素子構成に限定されず種々の構造及び膜を有する磁気ヘッド、例えばＡＭＲ素子あるいはＧＭＲ素子を有する磁気ヘッド、書き込み専用の誘導型の磁気ヘッド等に対しても適応することが可能である。
【００４２】
【本発明の効果】
本発明の実施により、膜形成面に対して密着性に優れ、且つより薄い膜厚で十分な耐腐食特性を示すＤＬＣ膜が得られる。また、単体で薄膜化を図った場合においても、従来技術により得られるＤＬＣ膜と比較して、より薄い膜厚で十分な耐腐食特性を示すＤＬＣ膜が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係るＤＬＣ膜形成方法を実施するためのＤＬＣ膜形成装置の概略構成を示す図である。
【図２】  本発明の実施において用いた磁気ヘッドに関し、ＤＬＣ膜形成前の素子部端面を磁気記録媒体側から見た際に観察される構造の概略を示す図である。
【図３】  図２における切断線３−３において素子部等を切断した場合に、磁気記録媒体のトラック幅方向（図中左方）から見た際に観察される構造の概略を示す図である。
【図４】  図２におけるＭＲ素子部を拡大して示す図である。
【符号の説明】
１    ＤＬＣ膜形成装置
２    石英管
３    高周波印可装置
４    バイアス印可装置
１０    ガス導入部
１１    排気ポート
１２    プラズマ発生部
１３    バイアス印可部
１３ａ、ｂ    電極
１４    棒状基板
３０    素子部
３２    下地層
３３    第１のシールド層
３４    第１のギャップ層
３５    バイアス層
３６    第２のギャップ層
３７    第２のシールド層
３８    書き込みギャップ層
３９    薄膜コイル
４０    平坦化層
４１    書き込みポール
４２    保護層
４５    基板
５０    ＭＲ素子
５１    下地層
５２    反強磁性層
５３    ピン層
５４    バリア層
５５    フリー層
５６    キャップ層
【図１】
0003643063.tif 000004
【図２】
0003643063.tif 000005
【図３】
0003643063.tif 000006
【図４】
0003643063.tif 000007