(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、該透明基板と平行した切断面の面積が、前記透明基板側の面が最も大きく他の切断面の面積が前記透明基板側の面よりも小さく、前記透明基板から離れるにつれて小さくなる金属パターンを形成したことを特徴とする電磁波シールド板。
【請求項２】
透明基板上に第１の金属による金属層を形成し、該第１の金属よりもエッチング速度の速い第２の金属による金属層を前記第１の金属による金属層上に形成し、さらに前記第２の金属による金属層上にレジストパターン層を設けてエッチングを行うことを特徴とする電磁波シールド板の製造方法。
【請求項３】
前記第１の金属はニッケルであり、前記第２の金属は銅であることを特徴とする請求項２記載の電磁波シールド板の製造方法。
【請求項４】
透明基板上に金属層及びレジストパターン層を設けてエッチングを行い、金属パターンの前記透明基板と平行する切断面の面積が、レジストパターンの面積より小さく、且つ、前記金属パターンの前記切断面が前記レジストパターンに近づくにつれて小さくなるまで前記エッチングを行うことを特徴とする電磁波シールド板の製造方法。
【請求項５】
透明基板上に第１の金属による金属層を形成し、該第１の金属よりもエッチング速度の速い第２の金属による金属層を前記第１の金属による金属層上に形成し、さらに前記第２の金属による金属層上にレジストパターン層を設けてエッチングを行い、金属パターンの前記透明基板と平行する切断面の面積が、レジストパターンの面積より小さく、且つ、前記金属パターンの前記切断面が前記レジストパターンに近づくにつれて小さくなるまで前記エッチングを行うことを特徴とする電磁波シールド板の製造方法。
【請求項６】
透明基板上に金属層及びレジストパターン層を設けてエッチングを行い、レジスト近傍の金属パターンの前記透明基板と平行する切断面の面積が、レジストパターンの面積と等しくなる前にエッチングを終了することを特徴とする電磁波シールド板の製造方法。
【請求項７】
透明基板上に第１の金属による金属層を形成し、該第１の金属よりもエッチング速度の速い第２の金属による金属層を前記第１の金属による金属層上に形成し、さらに前記第２の金属による金属層上にレジストパターン層を設けてエッチングを行い、レジスト近傍の金属パターンの前記透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積と等しくなる前にエッチングを終了することを特徴とする電磁波シールド板の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の電磁波シールド板を画面前部に設けたことを特徴とするプラズマディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、良好な視認性と高い電磁波シールド効果を有するＰＤＰ用の電磁波シールド板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報処理装置等の表示画面にＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）が用いられるようになってきた。ＰＤＰは、ＰＤＰの駆動に伴って電磁波を発生するという特性を有している。情報処理装置等では３０ＭＨｚ〜１３０ＭＨｚの周波数範囲の電磁波の装置外部への漏洩レベルが規制されている。この規制周波数領域の電磁波を装置外部に漏洩させないためにＰＤＰ前部に電磁波をシールドするための部材を新たに設けることとなる。
【０００３】
規制周波数領域の電磁波の外部への漏洩を防止するために、従来一般的に用いられる方法は透明基板上に高導電率の金属である銅、ニッケル等の金属パターンを形成する方法である。
【０００４】
上記の方法において、外部に漏洩する電磁波の漏洩率を低下させるためには、金属パターンのライン幅を広げる、隣り合う金属パターンの間隔であるラインピッチを狭くする、ライン膜厚を厚くする等が有効である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電磁波のシールド効果を上げるために金属パターンのライン幅を広げたり、ラインピッチを狭くしたりすると、光の透過率が低下し、暗く見にくい画面となってしまう。またライン膜厚を厚くすると斜めからの視認性が低下したり、側面積が増えるのに伴って金属反射が増加し画像が見えにくくなるといった問題がある。
【０００６】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、視認性を低下させることなく高いシールド効果を得ることができる電磁波シールド板、その製造方法及びプラズマディスプレイを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために本発明の電磁波シールド板は、透明基板上に、透明基板と平行した切断面の面積が、透明基板側の面が最も大きく他の切断面の面積が透明基板側の面よりも小さく、透明基板から離れるにつれて小さくなる金属パターンを形成したことを特徴としている。
【０００８】
本発明の電磁波シールド板の製造方法は、透明基板上に第１の金属による金属層を形成し、第１の金属よりもエッチング速度の速い第２の金属による金属層を第１の金属による金属層上に形成し、さらに第２の金属による金属層上にレジストパターン層を設けてエッチングを行うことを特徴としている。
【０００９】
上記の第１の金属はニッケルであり、第２の金属は銅であるとよい。
【００１０】
本発明の電磁波シールド板の製造方法は、透明基板上に金属層及びレジストパターン層を設けてエッチングを行い、金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積が、レジストパターンの面積より小さく、且つ、金属パターンの切断面がレジストパターンに近づくにつれて小さくなるまでエッチングを行うことを特徴とする。
【００１１】
本発明の電磁波シールド板の製造方法は、透明基板上に第１の金属による金属層を形成し、第１の金属よりもエッチング速度の速い第２の金属による金属層を第１の金属による金属層上に形成し、さらに第２の金属による金属層上にレジストパターン層を設けてエッチングを行い、金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積が、レジストパターンの面積より小さく、且つ、金属パターンの切断面がレジストパターンに近づくにつれて小さくなるまでエッチングを行うことを特徴とする。
【００１２】
本発明の電磁波シールド板の製造方法は、透明基板上に金属層及びレジストパターン層を設けてエッチングを行い、レジスト近傍の金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積と等しくなる前にエッチングを終了することを特徴としている。
【００１３】
本発明の電磁波シールド板の製造方法は、透明基板上に第１の金属による金属層を形成し、第１の金属よりもエッチング速度の速い第２の金属による金属層を第１の金属による金属層上に形成し、さらに第２の金属による金属層上にレジストパターン層を設けてエッチングを行い、レジスト近傍の金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積と等しくなる前にエッチングを終了することを特徴としている。
【００１４】
本発明のプラズマディスプレイは、請求項１に記載の電磁波シールド板を画面前部に設けたことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に添付図面を参照して本発明の電磁波シールド板、及びその製造方法に係る実施の形態を詳細に説明する。図１〜図８に本発明の電磁波シールド板、及びその製造方法に係る実施形態が示されている。
【００１６】
図１は本発明の電磁波シールド板の第１の実施形態に係る電磁波シールド板の金属パターンの断面形状を表す断面図である。また図２は本発明の第２の実施形態に係る電磁波シールド板の金属パターンの断面形状を表す断面図である。図１に示された第１の実施形態は透明基板１とその上面に形成された金属層２とにより構成されている。また図２に示された第２の実施形態は透明基板１と、透明基板１上に形成されたエッチング速度の遅いニッケルの金属層３と、ニッケルの金属層３の上面に設けられたエッチング速度の速い銅の金属層４とにより構成されている。
【００１７】
透明基板１は、ＰＤＰの前面に設けることにより画面を保護する役割、またはその上部に電磁波の漏洩を防止する部材を設けることにより電磁波シールド板の役割を果たしている。透明基板１の上面には金属層が設けられている。金属層２とニッケルの金属層３と銅の金属層４とはＰＤＰの駆動により発生する電磁波の外部への漏洩を防ぐために用いられる高導電率の金属の層である。
【００１８】
次に図３を用いて第１の実施形態の製造方法について説明する。本実施形態は透明基板上に金属層及びレジストパターン層５を設けてエッチングを行い、図３のＡに示されるように金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積とほぼ等しくなった後さらにエッチングを行い、図３のＢに示されるようにレジストパターンに近づくに連れて金属パターンの切断面がレジストパターンの面積より小さくなるまでエッチングを行う、または図３のＣに示されるようにレジスト近傍の金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積とほぼ等しくなる前にエッチングを終了することにより形成される。
【００１９】
次に図４を用いて第２の実施形態の製造方法について詳細に説明する。本実施形態は透明基板上にニッケルの金属層３と銅の金属層４及びレジストパターン層５を設けてエッチングを行い、図４のＡに示されるように金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積とほぼ等しくなった後さらにエッチングを行い、図４のＢに示されるようにレジストパターンに近づくに連れて金属パターンの切断面がレジストパターンの面積より小さくなるまでエッチングを行う、または図４のＣに示されるようにレジスト近傍の金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積とほぼ等しくなる前にエッチングを終了することにより形成される。
【００２０】
上記構成の電磁波シールド板をＰＤＰの前面部に設置することによりＰＤＰの駆動により発生する有害な電磁波を遮断することができる。
【００２１】
また従来より電磁波の遮断効果を高めるために金属パターンのライン膜厚を厚くするという方法が一般的に行われている。図８に示された従来の断面形状の金属パターンにこの方法を適用して図８の透明基板下方から金属パターンの側面を見ると、ライン膜厚を厚くしたことにより斜めから見たときの視野が狭くなり、金属パターンの側面積が増加し透明基板の下側から入射する光の金属パターン側面での反射量が増加する。これにより従来の電磁波シールド板をＰＤＰの前面に設けた場合、斜め方向からの視認性が低下するという不具合を生じることとなる。
【００２２】
図１に示された第１の実施形態または図２に示された第２の実施形態を透明基板の下側から観察すると透明基板と平行する切断面の面積が透明基板から離れるにしたがって小さくなっているので透明基板下側からは金属パターンの側面が殆ど見られない。よって透明基板下側から入射した光の金属層側面での反射量を低く抑えることができる。また斜めから見たときの視野を妨げないのでライン膜厚を従来よりもさらに厚くして電磁波の遮断効果を高めても視認性を低下させることがない。
【００２３】
次に図５を用いて本発明の電磁波シールド板の製造工程を説明する。まず片面にＩＴＯ膜〔酸化インジウム（In2O3)と二酸化錫（SnO2) の固溶体〕を形成したガラス基板を脱脂剤を用いて浸漬脱脂する（ステップＳ１）。本工程では脱脂剤として（株）メルテックス製、商品名メルクリーナ１７０を適用している。メルクリーナ１７０に片面ＩＴＯ付きガラス基板を７５℃で５分間浸漬させる。
【００２４】
次にステップＳ１にて浸漬脱脂した片面ＩＴＯ付きガラス基板を水洗いし（ステップＳ２）、ガラス表面のコンディショニングを行う（ステップＳ３）。本工程においては、（株）メルテックス製、商品名メルプレートコンディショナー４８０を適用している。メルプレートコンディショナー４８０を用いて２５℃で５分間、片面ＩＴＯ付きガラス基板のコンディショニングを行う。
【００２５】
表面のコンディショニングをした片面ＩＴＯ付きガラス基板を水洗いし（ステップＳ４）、次にガラス表面の不導態を破壊するためにアクチベイティングを行う（ステップ５）。本工程では（株）メルテックス製、商品名エンプレートアクチベータ４４０を適用している。エンプレートアクチベータ４４０を用いて２５℃で５分間アクチベイティング処理を行う。
【００２６】
次にアクチベイティング処理された片面ＩＴＯ付きガラス基板を水洗いし（ステップＳ６）、ニッケルメッキを行う（ステップＳ７）。本工程では（株）メルテックス製、商品名メルプレート  Ｎｉ−１４０２を適用している。メルプレート  Ｎｉ−１４０２を用いて７０℃で１０分間で、片面ＩＴＯ付きガラス基板上にニッケルのメッキを行う。
【００２７】
尚、本工程では無機電解メッキのみを行っているがこの後さらに電解メッキを行うことも考えられる。電解メッキを行うことによりさらに金属パターンの厚みを厚くすることができる。また本工程は第１の実施形態の製造方法について説明しているが、第２の実施形態を製造するためには、この後さらにエッチング速度の速い金属、例えば銅のメッキを行う。
【００２８】
次にニッケルメッキを行ったＩＴＯ付きガラス基板を水洗いし（ステップＳ８）、さらに乾燥させる（ステップＳ９）。
【００２９】
次にガラスと塗布したニッケルメッキの密着度を強めるためにニッケルメッキを塗布したＩＴＯ付きガラス基板を２５０℃で３０分間熱処理する（ステップＳ１０）。この処理を行わないと後でエッチングを行ったときにニッケルメッキがガラス基板から剥がれてしまうという不具合を生じる。次に表面にレジスト剤を塗布する（ステップＳ１１）。本工程ではレジスト剤として（株）東京応化工業製、商品名ＴＬＣＲ−Ｐ８００８を適用している。スピンナー上に固定されたガラス基板にレジスト剤を滴下し、１５００ｒｐｍで１分間、回転させる。
【００３０】
そしてレジスト剤を塗布したガラス基板に露光前の熱処理を行う（ステップＳ１２）。この露光前の熱処理は１１０℃で２分間行う。熱処理したガラス基板を露光（ステップＳ１３）、現像（ステップＳ１４）し、水洗いする（ステップＳ１５）。尚、本工程では露光は１００ｍｊ／cm2 で、また現像は０．８％濃度のＫＯＨに２５℃で１分間、浸漬することにより行う。
【００３１】
次に水洗いしたガラス基板のエッチングを行う（ステップＳ１６）。本工程ではエッチング液に（株）メルテックス製、商品名メルストリップＭＮ−９５７を適用している。上記の工程によりガラス基板上に形成された金属層のエッチングを４０℃のエッチング液にガラス基板を１５分間浸漬することにより行う。図３のＡに示されるように金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積とほぼ等しくなった後さらにエッチングを行い、図３のＢに示されるようにレジストに近づくに連れて金属パターンの切断面がレジストパターンの面積より小さくなるまでエッチングを行う、または図３のＣに示されるように金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積とほぼ等しくなる前にエッチングを終了することにより本実施形態の金属パターンを形作ることができる。
【００３２】
次にエッチングしたガラス基板のレジストを剥離する（ステップＳ１７）。本工程では、（株）長瀬産業製、商品名Ｎ３０３を適用している。ガラス基板に塗布されたレジストを剥離するためにＮ３０３に６０秒間浸漬する。
【００３３】
レジストを剥離したガラス基板を水洗いし（ステップＳ１８）、乾燥させる（ステップＳ１９）ことによりライン幅５μｍ〜３０μｍ、ラインピッチ１００μｍ〜５００μｍの金属パターンを有する電磁波シールド板が完成する。
【００３４】
図６は上記の製造工程により形成された透明基板上の金属パターンの形状をレーザ顕微鏡にて調べたときに実際に観測された観測結果を表している。図７もまた、上記の製造工程により形成された透明基板上の金属パターンの形状を触診計にて計った測定結果が示されいる。尚、図７は、実際の大きさを横２０００倍、縦２００００倍に拡大して表している。
【００３５】
上述のように透明基板上に金属層及びレジストパターン層５を設けてエッチングを行い、図３または図４のＡに示されるように金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積とほぼ等しくなった後さらにエッチングを行い、図３または図４のＢに示されるようにレジストに近づくに連れて金属パターンの切断面がレジストパターンの面積より小さくなるまでエッチングを行う、または図３または図４のＣに示されるようにレジスト近傍の金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積とほぼ等しくなる前にエッチングを終了することにより透明基板下側から入射した光の側面での反射量を低く抑えることができる金属パターンを形成することができる。また斜め方向から見ても金属パターンによってその視野を妨げられることがなくなるのでライン膜厚を厚くしても視認性を低下させない。
【００３６】
【発明の効果】
以上の説明より明らかなように本発明の請求項１記載の電磁波シールド板は、透明基板上に透明基板と平行した切断面の面積が、透明基板側の面が最も大きく他の切断面の面積が透明基板側の面よりも小さく、透明基板から離れるにつれて小さくなる金属パターンを形成したことにより透明基板下側から入射した光の金属パターン側面での反射量を低く抑えることができる。また図１の様な形状にすることで、斜め方向から見ても金属パターンによってその視野を妨げられることがなくなり、したがってライン膜厚を厚くしても視認性を低下させない。
【００３７】
請求項２記載の電磁波シールド板の製造方法は、透明基板上に第１の金属による金属層を形成し、第１の金属よりもエッチング速度の速い第２の金属による金属層を第１の金属による金属層上に形成し、さらに第２の金属による金属層上にレジストパターン層を設けてエッチングを行うことにより成形がより容易な電磁波シールド板の製造方法とすることができる。
【００３８】
請求項３記載の電磁波シールド板の製造方法は、エッチング速度の異なるニッケルと銅を用い第１の金属をニッケル、第２の金属を銅としてエッチングを行うことにより、より確実に成形することが可能な電磁波シールド板の製造方法とすることができる。
【００３９】
請求項４記載の電磁波シールド板の製造方法は、透明基板上に金属層及びレジストパターン層を設けてエッチングを行い、金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積が、レジストパターンの面積より小さく、且つ、金属パターンの切断面がレジストパターンに近づくにつれて小さくなるまでエッチングを行うことにより透明基板から離れるにしたがって透明基板と平行する切断面の面積が小さくなる金属パターンを有する電磁波シールド板を製造することができる。本発明の電磁波シールド板の製造方法に基づき製造された電磁波シールド板は透明基板下側から入射した光の金属パターン側面での反射量を低く抑えることができる。さらに斜め方向から見ても金属パターンによってその視野を妨げられることがなくなり、従ってライン膜厚を厚くしても視認性を低下させることがない。
【００４０】
請求項５記載の電磁波シールド板の製造方法は、透明基板上に第１の金属による金属層を形成し、第１の金属よりもエッチング速度の速い第２の金属による金属層を第１の金属による金属層上に形成し、さらに第２の金属による金属層上にレジストパターン層を設けてエッチングを行い、金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積が、レジストパターンの面積より小さく、且つ、金属パターンの切断面がレジストパターンに近づくにつれて小さくなるまでエッチングを行うことにより２種類の高導電率の金属からなり、透明基板から離れるにしたがって透明基板と平行する切断面の面積が小さくなる金属パターンを有する電磁波シールド板を容易に製造することができる。本発明の電磁波シールド板の製造方法に基づき製造された電磁波シールド板は透明基板下側から入射した光の金属パターン側面での反射量を低く抑えることができる。また斜め方向から見ても金属パターンによってその視野を妨げられることがなくなり、従ってライン膜厚を厚くしても視認性を低下させない。
【００４１】
請求項６記載の電磁波シールド板の製造方法は、透明基板上に金属層及びレジストパターン層を設けてエッチングを行い、レジスト近傍の金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積と等しくなる前にエッチングを終了することにより透明基板から離れるにしたがって透明基板と平行する切断面の面積が小さくなる金属パターンを有する電磁波シールド板を容易に製造することができる。本発明の電磁波シールド板の製造方法に基づき製造された電磁波シールド板は透明基板下側から入射した光の金属パターン側面での反射量を低く抑えることができる。また斜め方向から見ても金属パターンによってその視野を妨げられることがなくなり、従ってライン膜厚を厚くしても視認性を低下させない。
【００４２】
請求項７記載の電磁波シールド板の製造方法は、透明基板上に第１の金属による金属層を形成し、第１の金属よりもエッチング速度の速い第２の金属による金属層を第１の金属による金属層上に形成し、さらに第２の金属による金属層上にレジストパターン層を設けてエッチングを行い、レジスト近傍の金属パターンの透明基板と平行する切断面の面積がレジストパターンの面積と等しくなる前にエッチングを終了することにより、２種類の高導電率の金属からなり、透明基板から離れるにしたがって透明基板と平行する切断面の面積が小さくなる金属パターンを有する電磁波シールド板を容易に製造することができる。本発明の電磁波シールド板の製造方法に基づき製造された電磁波シールド板は透明基板下側から入射した光の金属パターン側面での反射量を低く抑えることができる。また斜め方向から見ても金属パターンによってその視野を妨げられることがなくなり、従ってライン膜厚を厚くしても視認性を低下させることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電磁波シールド板の第１の実施形態を表す断面構成図である。
【図２】本発明の電磁波シールド板の第２の実施形態を表す断面構成図である。
【図３】エッチングによる金属パターンの製造方法を説明するための図である。
【図４】エッチングによる金属パターンの製造方法を説明するための図である。
【図５】製造工程を説明するためのフローチャートである。
【図６】レーザ顕微鏡にて観測された金属パターンの形状を表す図である。
【図７】触診計にて計られた金属パターンの形状を表す図である。
【図８】従来の金属パターンの形状を表す図である。
【符号の説明】
１  透明基板
２  金属層
３  ニッケルの金属層
４  銅の金属層
５  レジストパターン層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0003720557.tif 000007
【図７】
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【図８】
0003720557.tif 000009