(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合性不飽和基及び非プロトン型オニウム塩を有する水溶性芳香族エポキシ樹脂誘導体を主成分とする水現像型フォトソルダレジストの現像によって生じる水現像型のレジスト廃液と、
アルカリ現像型のフォトレジストの現像及び／又は剥離によって生じるアルカリ現像型のレジスト廃液と
を直接混合し、レジスト成分を凝集沈澱させて除去することを特徴とするレジスト廃液の処理方法。
【請求項２】
上記アルカリ現像型のフォトレジストがフォトエッチングレジスト及び／又はフォトソルダレジストであることを特徴とする請求項１記載のレジスト廃液の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト廃液の処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
アルカリ現像型のフォトソルダレジスト及び／又はフォトエッチングレジストは、アルカリ水溶液に可溶な樹脂を主体とし、カルボキシル基等の塩基で中和されてイオンを形成する基を有しており、炭酸ソーダや、苛性ソーダのようなアルカリ水溶液で現像及び剥離が行われている。これらのフォトソルダレジストの廃液を含むアルカリ現像型のレジスト廃液は、通常硫酸アルミニウム、塩化第二鉄、ポリカルボン酸等の凝集剤が添加されて中和された後、上澄み液が活性汚泥処理され、沈澱物が分離焼却等により処理される。
【０００３】
一方、水現像型のフォトソルダレジストとしては、芳香族エポキシ樹脂のエポキシ基の全てを又は部分的に非プロトン型オニウム塩化した重合性不飽和基を有する水溶性樹脂を主体とする光重合性組成物が提案されている。水現像型のフォトソルダレジストの現像や使用機器の洗浄によって生じるレジスト廃液は、水中にこのレジスト成分が溶解又は分散した物である。この水現像型のレジスト廃液は、水酸化カルシウムやポリアクリルアミド等の凝集剤が添加された後、上述したアルカリ現像型のレジスト廃液と同様に処理される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した水現像型フォトソルダレジストは、現像液や使用機器洗浄のために水を使用できるため、作業環境の安全性が高く、また使用機器洗浄時における環境への溶剤の分散がなく公害防止上好ましい特徴を有している。
【０００５】
しかしながら、これまで主流であったアルカリ現像型のフォトレジストと同一作業内で併用される場合、廃液の凝集処理薬剤がそれぞれ異なるため、凝集沈澱操作を別々に行う必要があった。また、凝集沈澱槽を別々に設けるための設置場所を要するという問題や、沈澱・中和処理等の工程数が増加するなどの問題があった。
【０００６】
本発明は、このような問題を解決するために提案されたものであり、アルカリ現像型のレジスト廃液と水現像型のレジスト廃液とを処理するに際して、廃水処理の容易化を図るとともに、作業安全性を高めたレジスト廃液の処理方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上述した課題を達成するため鋭意検討を重ねた結果、水溶性芳香族エポキシ樹脂誘導体を主成分とする水現像型フォトソルダレジストの現像や使用機器の洗浄によって生じる水現像型のレジスト廃液と、アルカリ現像型フォトレジストの現像によって生じるアルカリ現像型のレジスト廃液とを直接混合することにより、上述した問題を容易に解決できることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明に係るレジスト廃液の処理方法は、重合性不飽和基及び非プロトン型オニウム塩を有する水溶性芳香族エポキシ樹脂誘導体を主成分とする水現像型フォトソルダレジストの現像によって生じる水現像型のレジスト廃液と、アルカリ現像型のフォトレジストの現像及び／又は剥離によって生じるアルカリ現像型のレジスト廃液とを直接混合し、レジスト成分を凝集沈澱させて除去することを特徴とする。
【０００９】
上記アルカリ現像型のフォトレジストには、フォトエッチングレジスト及び／又はフォトソルダレジストが用いられる。
【００１０】
このように、本発明に係るレジスト廃液の処理方法においては、水現像型のレジスト廃液とアルカリ現像型のレジスト廃液とを直接混合することにより、レジスト廃液のレジスト成分を凝集沈澱させることができる。つまり、水現像型のレジスト廃液とアルカリ現像型のレジスト廃液とが互いに効果的な凝集剤として働いている。
【００１１】
したがって、このレジスト廃液処理方法においては、水現像型のレジスト廃液とアルカリ現像型レジスト廃液とに個別に沈澱槽を設ける必要がないので、場所をとらず、設備費が安価となる。また、凝集剤の添加が必要ないか或いはその使用量を著しく低減できる。このように、本発明に係るレジスト廃液の処理方法においては、廃水処理の容易化を図るとともに、作業安全性を高め、環境負荷の軽減を図ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るレジスト廃液の処理方法について詳細に説明する。
【００１３】
本発明に係るレジスト廃液の処理方法は、先ずはじめに、重合性不飽和基及び非プロトン型オニウム塩を有する水溶性芳香族エポキシ樹脂誘導体を主成分とする水現像型フォトソルダレジストの現像によって生じる水現像型のレジスト廃液と、アルカリ現像型のフォトレジストの現像及び／又は剥離によって生じるアルカリ現像型のレジスト廃液とを直接混合する。そして、レジスト成分を凝集沈澱させて除去することにより、レジスト廃液が処理される。
【００１４】
ここで、上記水現像型のフォトソルダレジストは、１分子中に重合性不飽和基及び非プロトン型オニウム塩含有基を有する芳香族エポキシ樹脂誘導体と光重合開始剤を含有するものである。
【００１５】
このエポキシ樹脂誘導体を製造するために用いられるエポキシ樹脂の代表例としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等の芳香族ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等の芳香族系エポキシ樹脂が上げられる。これらエポキシ樹脂の分子量は、特に制限はないが、重量平均分子量で約５００〜５０００の範囲であることが塗装作業性等の点から好ましい。
【００１６】
上記エポキシ樹脂に導入される重合性不飽和基としては、アクリロイル基、メタクリロイル基、イタコネート基、マレエート基、フマレート基、クロトネート基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基、桂皮酸基、ビニール基、アリル基等が挙げられる。
【００１７】
上記エポキシ樹脂に導入される重合性不飽和基は、樹脂１分子当たり少なくとも１個存在することが必要であり、その含有量は、硬化性の観点から樹脂固形分１ｋｇ当たり０．１〜１０モルの範囲にあるのが好ましく、０．５〜５モルの範囲にあるのがより好ましい。
【００１８】
前記したエポキシ樹脂中への重合性不飽和基の導入は、例えば、水混和性不活性有機溶媒中で１，２−エポキシ基を有する樹脂に第三級アミンとホスフィン又はチオエーテル及び有機酸を同時に反応させることによって行うことができる。
【００１９】
エポキシ基樹脂に投入される非プロトン型オニウム塩含有基は、下記の化１式にて示される、オニウム塩の窒素原子、リン原子もしくは、硫黄原子からβ位にある炭素原子が二級の水酸基を有し、かつ非プロトン型オニウム塩部分が第四級アンモニウム塩、第四級スルホニウム塩及び第三級スルホニウム塩のいずれかの基である。
【００２０】
【化１】
0003611688.tif 000002
【００２１】
また、上記エポキシ樹脂に導入される非プロトン型オニウム塩含有基の含有量は、樹脂固形分１ｋｇ当たり０．１〜５モルの範囲にあることが好ましく、０．１〜２モルの範囲にあることがより好ましい。
【００２２】
次に、水現像型のフォトソルダレジストに配合される光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンジル、ジフェニルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、エオシン、チオニン、ジアセチル、ミヒラーケトン、アントラキノン、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、ｐ−イソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノン、α，α’−ジクロル−４−フェノキシアセトフェノン、１−ヒドロキシ−１−シクロヘキシルアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、メチルベンゾイルフォルメイト、２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロペン、チオキサントン、ベンゾフェノン等が挙げられる。これらの使用量は、樹脂固形成分１００重量部に対して、０．１〜１０重量部の範囲内で使用される。
【００２３】
本発明において用いられる水現像型のレジスト廃液は、上述した水現像型のソルダレジストの現像操作や、使用機器の洗浄によって生じる。水現像型のレジスト廃液中には、通常０．５〜１５重量％程度のレジスト成分が溶解している。また、使用機器の洗浄により発生するレジスト廃液中のレジスト濃度は、通常１〜２０重量％程度である。これらのレジスト廃液は、単独又は混合して一時貯蔵されるか、又は現像槽や洗浄液槽から直接廃水処理槽に導かれる。
【００２４】
一方、アルカリ現像型のフォトレジストには、従来から公知のものを広く使用することができる。例えば、アクリル樹脂系、エポキシ樹脂系、ポリエステル樹脂系のアルカリ現像が可能なフォトソルダレジスト及び／またはフォトエッチングレジストである。また、これらは、ネガ型であってもポジ型であってもよい。
【００２５】
本発明において用いれるアルカリ現像型のレジスト廃液は、上述したアルカリ現像型のフォトレジストの現像及び剥離によって生じる。アルカリ現像のフォトレジストの現像液には、通常炭酸ソーダ、メタケイ酸ソーダ等を０．５〜２重量％程度含有する水溶液が使用される。また、剥離液としては、通常苛性ソーダ、苛性カリ等を０．５〜５重量％程度含有する水溶液が使用される。
【００２６】
フォトレジストの現像及び剥離によって生じるアルカリ現像型のレジストの廃液には、一般に０．５〜２重量％程度のレジスト成分が溶解している。これらアルカリ現像型のレジスト廃液は、個別にまたは混合して一時貯蔵されるか、または現像機や剥離機から直接廃水処理槽に導かれる。
【００２７】
以上、上述したアルカリ現像型のレジスト廃液と水現像型のレジスト廃液とを直接混合することにより、レジスト成分を凝集沈澱させることができる。具体的には、アルカリ現像型のレジスト廃液の廃水処理槽に水現像型のレジスト廃液を、またはその逆の順序にそれぞれの廃液を混合した後、上澄みを酸またはアルカリで中和し、水素イオン濃度（以下、ｐＨと称す）５〜８程度に調整し、活性汚濁処理装置に導けばよい。一方、沈澱層は、分離除去し、焼却などの通常の方法で処理すればよい。
【００２８】
水現像型のレジスト廃液と、アルカリ現像型のレジスト廃液との混合割合は、容量比で１／４〜１／５の範囲である。相互の廃液の容量比が適切でなく、廃液中のレジスト成分の凝集沈澱が不十分である場合には、水酸化カルシウム、水酸化アルミニウム、塩化第二鉄、ポリアクリルアミド等の従来公知の凝集剤を補助的に添加してもよい。
【００２９】
このように、本発明に係るレジスト廃液の処理方法においては、水現像型のレジスト廃液とアルカリ型のレジスト廃液とを直接混合することにより、レジスト成分を凝集沈澱させることができる。つまり、水現像型のレジスト廃液と、アルカリ現像型のレジスト廃液とは、相互に効果的な凝集剤として作用する。
【００３０】
したがって、本発明に係るレジスト廃液の処理方法では、アルカリ現像型のレジスト廃液と水現像型のレジスト廃液とに個別の沈澱槽を設ける必要がないため、場所をとらず、設備費が安価となる。また、レジスト廃液そのものが凝集剤として働くため、凝集剤の添加の必要がないか、またはその使用量を著しく低減できる。このように、本発明に係るレジスト廃液の処理方法においては、廃水処理の容易化を図るとともに、作業安全性を高め、環境負荷の軽減を図ることができる。
【００３１】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をより一層に明らかにする。なお、単に「部」及び「％」とあるのは、それぞれ「重量部」及び「重量％」を意味する。
【００３２】
始めに、下記に示す水現像型ソルダレジスト用の芳香族エポキシ樹脂誘導体溶液である樹脂溶液Ａ−１〜Ａ−５を用意した。
【００３３】
樹脂溶液Ａ−１の製造
フェノールノボラック型エポキシ樹脂
（数平均分子量５００、エポキシ等量約１７４）
（商品名；エピコート１５４：油化シェルエポキシ社製）          ５００部
アクリル酸                                                    １８０部
テトラエチルアンモニウムブロマイド                            １．０部
ハイドロキノン                                                ０．５部
上記組成の混合物をエチレングリコールモノブチルエーテル２５０部の入ったフラスコ中に配合、溶解させた後、１１０℃で５時間加熱して樹脂酸化０．５のエポキシエステル溶液を得た。このエポキシエステル溶液を約５０℃まで冷却した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン３６部、酢酸２４部を加え、７０℃で６時間反応させて固形分７５％の樹脂溶液Ａ−１を得た。
【００３４】
樹脂溶液Ａ−２の製造
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（数平均分子量１１００、エポキシ等量約２１０）
（商品名；エピコート１９０Ｓ８０：油化シェルエポキシ社製）      ５００部
アクリル酸                                                    １７１部
チオジグリコール                                              １２２部
メトキシハイドロキノン                                        ０．５部
上記組成の混合物をエチレングリコールモノブチルエーテル３５０部の入ったフラスコ中に配合、溶解させた後、７０℃で１０時間加熱して固形分６９％の樹脂溶液Ａ−２を得た。
【００３５】
樹脂溶液Ａ−３の製造
ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂
（数平均分子量２０００、エポキシ等量約９６０）
（商品名；エピコート１００４：油化シェルエポキシ社製）        ５００部
アクリル酸                                                      ２５部
テトラエチルアンモニウムブロマイド                            １．０部
ハイドロキノン                                                ０．３部
上記組成の混合物をエチレングリコールモノブチルエーテル２００部の入ったフラスコ中に配合、溶解させた後、１００℃で８時間加熱して樹脂酸化０．３のエポキシエステル溶液を得た。このエポキシエステル溶液を約３０℃まで冷却した後、トリエチルアミン１７．５部、酢酸１０部を加え、４０℃で１０時間反応させて固形分７３％の樹脂溶液Ａ−３を得た。
【００３６】
樹脂溶液Ａ−４の製造
トリグリシジルイソシアヌレート
（エポキシ等量１９０）                                        ５００部
メタクリル酸                                                    ８６部
テトラエチルアンモニウムクロライド                            １．０部
ハイドロキノン                                                ０．５部
上記組成の混合物をエチレングリコールモノブチルエーテル２５０部の入ったフラスコ中に配合、溶解させた後、１２０℃で４時間加熱して樹脂酸化０．５のエポキシエステル溶液を得た。このエポキシエステル溶液を約５０℃まで冷却した後、トリフェニルホスフィン２２７部、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン７２部、アクリル酸１１７部を加え、７０℃で１０時間反応させて固形分８０％の樹脂溶液Ａ−４を得た。
【００３７】
樹脂溶液Ａ−５の製造
トリレンジイソシアネート１７４部をフラスコ中に配合し、このものに２−ヒドロキシエチルアクリレート１１６重量部を約２０℃で２時間滴下した後、３０時間保持して付加物Ｘ−１を得た。
【００３８】
フェノールノボラック型エポキシ樹脂
（数平均分子量５００、エポキシ等量約１７４）
（商品名；エピコート１５４：油化シェルエポキシ社製）          ５００部
アクリル酸                                                    １０８部
テトラエチルアンモニウムクロライド                            １．５部
ハイドロキノン                                                ０．７部
次いで、ジエチレングリコールジメチルエーテル２００部、メチルアミルケトン２００部の入ったフラスコ中に上記の組成の混合物を配合、溶解させた。このものを１１０℃で４時間加熱して樹脂酸化０．８のエポキシエステル溶液を得た。このエポキシエステル溶液を約５０℃まで冷却した後、上記で得た付加物Ｘ−１を２９０部加え、約９０℃で５時間反応させた。
【００３９】
得られた反応物溶液について赤外線分光分析を行ったところ、イソシアネート基は検出されず、イソシアネート基が完全に消費されていた。このようにして得られた反応物溶液を約５０℃まで冷却し、チオジグリコール１７２部、アクリル酸１０１部を加え、８０℃で３時間反応させて固形分７４．５％の樹脂溶液Ａ−５を得た。
【００４０】
次に、上記樹脂溶液Ａ−１〜Ａ−５を用い、下記に示すソルダレジストＡＲ−１〜ＡＲ−５及び水現像型の現像廃液ＡＤ−１〜ＡＤ−５を調整した。
【００４１】
ソルダレジストＡＲ−１及び現像廃液ＡＤ−１の調整
上記樹脂溶液Ａ−１                                            １３５部
ネオペンチルグリコールジアクリレート                            １５部
α−ヒドロキシイソブチルフェノン（光重合開始剤）                  ３部
フタロシアニングリーン（顔料）                                ０．５部
硫酸バリウム                                                    ３０部
モダフロー（米国モンサント社製；表面調整剤）                  １．５部
上記組成の混合溶液を混練し、ソルダレジストＡＲ−１を得た。
【００４２】
このソルダレジストＡＲ−１をインクとして用い、銅張基板上に乾燥膜厚２０μｍになるようにシルクスクリーン法で塗布（印刷）し、７０℃で１０分間予備加熱した。そして、現像液として水を用い、上記未露光部のレジストを現像（除去）して、レジスト成分が５％溶解または分散した現像廃液ＡＤ−１を得た。
【００４３】
ソルダレジストＡＤ−２〜ＡＤ−５及び現像廃液ＡＤ−２〜ＡＤ−５の調整
現像廃液ＡＤ−１と同様にして、表１の配合に基づき水現像型のレジストＡＲ−２〜ソルダレジストＡＲ−５を得た。なお、表１中、光重合開始剤としてαは、α−ヒドロキシイソブチルフェノンを示し、βは、イルガキュアー９０７（チバガイギー社製）を示す。
【００４４】
そして、この水現像型のソルダレジストＡＲ−２〜ＡＲ−５をインクとして用い、表２に示す現象条件で未露光部のレジストを現像（除去）し、現像廃液ＡＤ−２〜ＡＤ−５を得た。
【００４５】
【表１】
0003611688.tif 000003
【００４６】
【表２】
0003611688.tif 000004
【００４７】
次に、下記に示すアルカリ現像型レジスト用の樹脂溶液Ｂ−１〜Ｂ−３を用意した。
【００４８】
樹脂溶液Ｂ−１の製造
0003611688.tif 000005
上記組成の混合液を反応容器に入れ１１５℃に加熱溶融し、１−メトキシプロパノール１００部をこの混合溶液に２時間を要して滴下し、１時間この温度に保った。その後、１−メトキシプロパノール４部にｔ−ブチルパーオキシベンゾエート１部を溶解した溶液を１時間を要して滴下し、１２０℃で７時間保った。その後、ハイドロキノン０．５部を加え、その温度に保ちつつグリシジルメタアクリレート１１４部にテトラブチルアンモニウムクロライド３部を溶解した溶液を３時間を要して滴下し、さらに３時間この温度に保った。その後、ｎ−ブチルセルソルブ１２０部を加え、アクリル系不飽和樹脂溶液である樹脂溶液Ｂ−１を得た。
【００４９】
樹脂溶液Ｂ−２の製造
0003611688.tif 000006
上記組成の混合液を反応容器に入れ１１５℃に加熱溶融し、グリシジルメタアクリレート６７０部をこの混合溶液に３時間を要して滴下し、１時間この温度に保った。その後、無水フタル酸４４５部、トリブチルアミン１部を加え、１２０℃で４時間保った。そして、ｎ−ブチルアルコール４５０部を加え、エポキシ系不飽和樹脂溶液である樹脂溶液Ｂ−２を得た
樹脂溶液Ｂ−３の製造
無水トリメリット酸                                        １９２０部
ネオペンチルグリコール                                      ８８５部
を脱水装置を有する反応容器に入れ、２２０℃で６時間脱水しつつ縮合反応を行った後、グライム２５００部を加えて溶解した。その後、ハイドロキノン１部を加え、この混合溶液を１２０℃に保ちつつ、グリシジルメタアクリレート１１３５部を３時間を要して滴下した。その後、ｎ−ブチルセルソルブ５００部を加え、ポリエステル系不飽和樹脂溶液である樹脂溶液Ｂ−３を得た。
【００５０】
次に、上記樹脂溶液Ｂ−１〜Ｂ−３を用いて、下記に示すアルカリ現像型のレジストＢＲ−１〜ＢＲ−３及び現像廃液ＢＤ−１〜ＢＤ−３を調整した。さらに、下記に示すアルカリ現像型のレジストＢＲ−４及び現像廃液ＢＤ−４を調整した。
【００５１】
レジストＢＲ−１及び現像廃液ＢＤ−１の調整
0003611688.tif 000007
上記組成物を混合溶解した混合液を、攪拌された脱イオン水１８０００部中に徐々に加えて、水に分散したアルカリ現像型レジストＢＲ−１を得た。
【００５２】
そして、このアルカリ型レジストＢＲ−１をプラスチック容器に入れ、銅張基板を浸漬し、対極との間に電流密度６０ｍＡ／ｃｍ２の直流を３分間印加した。その後、銅張基板を容器から引き上げて水洗した後、８０℃で１０分間加熱し、アルカリ型レジストＢＲ−１が乾燥膜厚約１５μｍになるように塗布された銅張基板が得られた。
【００５３】
そして、現像液として、１％の炭酸ソーダ水溶液を用い当該基板を現像し、レジスト成分が１．２％溶解した現像廃液ＢＤ−１を得た。
【００５４】
レジストＢＲ−２及び現像廃液ＢＤ−２の調整
0003611688.tif 000008
上記組成物を３本ロールで分散した後、ミヒラーケトン８０部、ジエチルイチオキサントン２５部、トリメチロールプロパントリアクリレート２５０部、ブチルカービトール２５０部を加えて混合し、アルカリ現像型レジストＢＲ−２を得た。そして、このアルカリ現像型レジストＢＲ−２を静電スプレー法で銅張基板上に乾燥膜厚約３０μｍになるように塗布した。
【００５５】
そして、現像廃液ＢＤ−１の場合と同様にして先の銅張基板のレジストを現像し、レジスト成分が１．５％溶解した現像廃液ＢＤ−１を得た。
【００５６】
レジストＢＲ−３及び現像廃液ＢＤ−３の調整
0003611688.tif 000009
上記組成物を混合溶解した混合液を、５０μｍのポリエチレンテレフタレートベースフィルム上に乾燥膜厚３５μｍになるように塗布し、８０℃で１０分間加熱した。その後、レジスト側にシリコーン剥離剤で処理したカバーフィルムを積層してドライフィルムレジストＢＲ−３を得た。
【００５７】
そして、このドライフィルムレジストＢＲ−３のカバーコートを剥し、レジスト塗布面を銅張基板に密着ラミネーターで圧着した後、超高圧水銀灯を用いて露光量１００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射した後ベースコートを剥した。
【００５８】
そして、レジストを硬化せしめた銅張基板を、現像液として用意した５％の炭酸ソーダ水溶液に５０℃で５分浸漬することにより、レジスト成分が１．２％溶解及び分散した現像廃液ＢＤ−３を得た。
【００５９】
レジストＢＲ−４及び現像廃液ＢＤ−４の調整分子量が３０００であるクレゾールノボラックエポキシ樹脂１００部と、３，４，５−トリヒドロキシベンゾフェノン１モルに対して平均２．５モルのナフトキノンジアジド−５−スルホンクロライドを反応して得られた感光剤２０部とを用意した。これらをジグライム５００部に溶解してレジストＢＲ−４（ポジ型）を得た。
【００６０】
そして、このレジストＢＲ−４をスピンコーターで銅張基板上に乾燥膜厚３μｍとなるように塗布し、８０℃で１０分間加熱した。その後、全面に超高圧水銀灯を用いて露光量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射した。
【００６１】
そして、現像液として１．３％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを用い、現像廃液ＢＤ−１の場合と同様にして先の銅張基板を現像し、レジスト成分が０．８％溶解した現像廃液ＢＤ−４を得た。
【００６２】
上述のようにして得られた水現像型のレジスト廃液（ＡＤ−１〜ＡＤ−５）とアルカリ現像型のレジスト廃液（ＢＤ−１〜ＢＤ−４）を用いて、廃水処理を以下のように行った。
【００６３】
実施例１
水現像型のレジスト廃液ＡＤ−１を廃液処理槽中のアルカリ現像型のレジスト廃液ＢＤ−１に容量比で１対１の割合で混合し、３０分間攪拌した後静置し、凝集物を沈澱させた。そして、これに硫酸を加えてｐＨ７．１に調整した後、凝集物を濾別した。濾液の生化学的酸素要求量（以下、ＢＯＤと称す）は、２７０ｐｐｍであった。なお、ＢＯＤ測定は、ＪＩＳ規格Ｋ−０１０１によった。
【００６４】
実施例２
水現像型のレジスト廃液ＡＤ−２を廃液処理槽中のアルカリ現像型のレジスト廃液ＢＤ−１に容量比で２対１の割合で混合し、３０分間攪拌した後静置し、凝集物を沈澱させた。そして、これに塩化第２鉄を加えてｐＨ６．５に調整した後、凝集物を濾別した。濾液のＢＯＤは、１８０ｐｐｍであった。
【００６５】
実施例３
水現像型のレジスト廃液ＡＤ−３を廃液処理槽中のアルカリ現像型のレジスト廃液ＢＤ−３に容量比で１対３の割合で混合し、３０分間攪拌した後静置し、凝集物を沈澱させた。そして、これに塩酸を加えてｐＨ６．９に調整した後、凝集物を濾別した。濾液のＢＯＤは、３２０ｐｐｍであった。
【００６６】
実施例４
水現像型のレジスト廃液ＡＤ−４を廃液処理槽中のアルカリ現像型のレジスト廃液ＢＤ−３に容量比で２対１の割合で混合し、３０分間攪拌した後静置し、凝集物を沈澱させた。そして、これに硫酸を加えてｐＨ７．１に調整した後、凝集物を濾別した。濾液のＢＯＤは、１３０ｐｐｍであった。
【００６７】
実施例５
水現像型のレジスト廃液ＡＤ−５を廃液処理槽中のアルカリ現像型のレジスト廃液ＢＤ−２に容量比で４対１の割合で混合し、３０分間攪拌した後静置し、凝集物を沈澱させた。そして、これに塩酸を加えてｐＨ７．６に調整した後、凝集物を濾別した。濾液のＢＯＤは、１２０ｐｐｍであった。
【００６８】
実施例６
水現像型のレジスト廃液ＡＤ−１を廃液処理槽中のアルカリ現像型のレジスト廃液ＢＤ−４に容量比で５対１の割合で混合し、３０分間攪拌した後静置し、凝集物を沈澱させた。そして、これに硫酸を加えてｐＨ７．８に調整した後、凝集物を濾別した。濾液のＢＯＤは、４１０ｐｐｍであった。
【００６９】
実施例７
水現像型レジスト廃液を作製するのに使用したスクリーン印刷機のシルクスクリーンを水で洗浄し、固形分１２％の洗浄液ＡＷ−１を得た。
【００７０】
この洗浄液ＡＷ−１とアルカリ現像型レジスト廃液ＡＤ−５とを容量比で２対１の割合で混合し、これを水現像型レジスト廃液とした。この水現像型レジスト廃液とアルカリ現像型レジスト廃液ＢＤ−１とを容量比で１対１の割合で混合し、実施例１と同様にして凝集物を濾別した。濾液のｐＨは６．３、ＢＯＤは３８０ｐｐｍであった。
【００７１】
比較例１
水現像型のレジスト廃液ＡＤ−１；１０００部に水酸化カルシウム５０部を水１０００部に懸濁したもの１００部を添加して、実施例１と同様にして混合後の凝集物を濾別した。濾液のｐＨは５．９、ＢＯＤは４３０ｐｐｍであった。
【００７２】
比較例２
アルカリ現像型のレジスト廃液ＢＤ−１；１０００部に硫酸アルミニウム５０部を水１０００部に懸濁したもの１００部を添加して、実施例１と同様にして混合後の凝集物を濾別した。濾液のｐＨは７．２、ＢＯＤは１５０ｐｐｍであった。
【００７３】
これらの結果をまとめて表３に示す。
【００７４】
【表３】
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【００７５】
表３の実施例１〜実施例７の結果からわかるように、水現像型のレジスト廃液とアルカリ現像型のレジスト廃液とを直接混合することにより、従来の処理方法（凝集剤）による比較例１及び比較例２と同等またはそれ以上の清澄効果が得られる。つまり、水現像型のレジスト廃液とアルカリ現像型のレジスト廃液とが互いに効果的な凝集剤として働いていることがわかる。
【００７６】
したがって、このレジスト廃液の処理方法では、アルカリ現像型のレジスト廃液と水現像型のレジスト廃液とに個別の沈澱槽を設ける必要がなため、場所とらず、設備費が安価となる。また、レジスト廃液そのものが凝集剤として働くため、凝集剤の添加の必要がないか、またはその使用量を著しく低減できる。
【００７７】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明に係るレジスト廃液の処理方法によれば、水現像型のレジスト廃液とアルカリ現像型のレジスト廃液とを直接混合することにより、それぞれのレジスト廃液が効果的な凝集剤として働き、レジスト廃液のレジスト成分を凝集沈澱させることができる。これにより、本発明に係るレジスト廃液の処理方法は、廃水処理の容易化を図るとともに、作業安全性を高め、環境負荷の軽減を図ることができる。