(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）で表されるビスインデニル誘導体。
【化１】
0003660023.tif 000013
〔式（Ｉ）中、Ｘは、ケイ素原子またはゲルマニウム原子を意味し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して、下記式（II）
【化２】
0003660023.tif 000014
｛ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数８〜３０のアリールアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、炭素原子数１〜８のハロアルキル基、炭素原子１〜２０のハロアリール基を意味する（但し、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ５および（または）Ｒ５とＲ６とは、それらが互いにω‐端で結合している炭素原子と共に環を形成しても良い）｝
で示される基、または下記式（III ）
【化３】
0003660023.tif 000015
｛ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、前記と同義である｝で示される基を意味し、
Ｒ８およびＲ９は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のハロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基を意味する（但し、Ｒ８とＲ９とは、それらが互いにω‐端で結合してＸと共に環を形成しても良い）〕
【請求項２】
ＡおよびＢが共に式（II）で示される基である、請求項１に記載のビスインデニル誘導体。
【請求項３】
ＡおよびＢが共に式（III ）で示される基である、請求項１に記載のビスインデニル誘導体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔発明の背景〕
【産業上の利用分野】
本発明は、オレフィン重合の触媒成分となる、メタロセン触媒の配位子として有用な新規ビスインデニル誘導体に関するものである。
【０００２】
このビスインデニル誘導体は、例えば先に我々が提案した方法（特願平６−１７１１９４号明細書）のα−オレフィン重合用触媒の一成分であるメタロセン化合物の配位子として有用である。
【０００３】
【従来の技術】
従来１，１′−ビスインデニルシラン誘導体、１，１′−ビスインデニルゲルマン誘導体は、架橋型メタロセン錯体を構成する配位子と使用されており、そのジルコニウムおよびハフニウム−ジクロリド錯体は、高度に立体規制されたポリプロピレンを製造する触媒の成分として使用されている（例えばヨーロッパ特許第１２９３６８号明細書参照）。また、特開平２−２２１２８５号公報には、ビスインデニル誘導体およびその製造方法について記載があるが、そこには１，１′−ビスインデニル誘導体のみが例示されており、１，１′位以外が架橋されているビスインデニル誘導体についての記載を見出すことができない。
【０００４】
また、特開平５−１４８１６６号公報には、新規なフルオレニル化合物及びその製造法に関しての記載があるが、フルオレンの９位が架橋位になっている化合物のみが例示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、オレフィン重合の触媒成分となる、メタロセン触媒の配位子として有用な新規ビスインデニル誘導体を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
〔発明の概要〕
＜要旨＞
本発明者らは、オレフィン重合の触媒成分となる、メタロセン触媒の配位子として有用な新規ビスインデニル誘導体の創製について鋭意研究した結果、種々のインダノール誘導体あるいはインダノン誘導体と、シラン誘導体あるいはゲルマン誘導体を反応させた後誘導される前記式（Ｉ）で表される化合物が、前記課題を達成することを見いだして、本発明を完成させた。
【０００７】
したがって、本発明によるビスインデニル誘導体は、下記式（Ｉ）で表されるものである。
【０００８】
【化４】
0003660023.tif 000002
〔式（Ｉ）中、Ｘは、ケイ素原子またはゲルマニウム原子を意味し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して、下記式（II）
【０００９】
【化５】
0003660023.tif 000003
｛ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、炭素原子数８〜３０のアリールアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、炭素原子数１〜８のハロアルキル基、炭素原子１〜２０のハロアリール基を意味する（但し、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ５および（または）Ｒ５とＲ６とは、それらが互いにω‐端で結合している炭素原子と共に環を形成しても良い）｝
で示される基、または下記式（III ）
【００１０】
【化６】
0003660023.tif 000004
｛ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、前記と同義である｝で示される基を意味し、
Ｒ８およびＲ９は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のハロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基を意味する（但し、Ｒ８とＲ９とは、それらが互いにω‐端で結合してＸと共に環を形成しても良い）〕
＜効果＞
本発明によれば、α‐オレフィン重合用のメタロセン触媒の配位子として有用な新規ビスインデニル化合物を得ることができる。
【００１１】
【発明の具体的説明】
＜ビスインデニル誘導体＞
本発明によるビスインデニル誘導体は、上記の式（Ｉ）で示されるものである。この式ならびに各置換基（即ち、Ａ、ＢおよびＲ１〜Ｒ９）の定義より明らかなように、式（Ｉ）で示される本発明によるビスインデニル誘導体は、Ｘ（即ち、ケイ素原子またはゲルマニウム原子）に、二つのインデニル基ないしその誘導体（即ち、Ａおよび（または）Ｂ）と、２つの置換基（即ち、Ｒ８およびＲ９）とが結合した構造を有するものである。なお、Ｒ１〜Ｒ９がいずれも水素原子である場合も本願発明ではビスインデニル誘導体と扱うこととする。
【００１２】
式（Ｉ）で示される本発明によるビスインデニル誘導体のＸおよび各置換基の詳細は、下記の通りである。
【００１３】
Ｘは、ケイ素原子またはゲルマニウム原子である。本発明では、前者が好ましい。
【００１４】
ＡおよびＢは、それぞれ独立して、上記式（II）で示される基または上記式（III)で示される基を意味する。ＡおよびＢは、「それぞれ独立して」であるから、従って式（Ｉ）で示される本発明によるビスインデニル誘導体は、ＡおよびＢとして、式（II）で示される基のみを有するもの、式（III)で示される基のみを有するもの、および式（II）で示される基と式（III)で示される基との両者を有するもの、がある。後記した好ましい製造法（Ａ）および（Ｂ）では、Ａ部分またはＢ部分をＸ部分で結合するから、Ａ部分供給源化合物とＢ部分供給源化合物とを、前者のみ、後者のみあるいは両者の混合物とすることによって、上記三種の化合物が得られる。Ａ部分供給源化合物とＢ部分供給源化合物とは、通常は単用するから、式（Ｉ）の化合物はＡ部分のみを有するものおよびＢ部分を有するもの、がふつうであり、少なくとも製造の面からは好ましい。
【００１５】
従って、たとえばＡおよびＢが共に式（II）で示される式（Ｉ）の化合物は、下記の式（Ｉ´）で示される。
【００１６】
【化７】
0003660023.tif 000005
式（II）または式（III)で示される基を規定している各置換基（即ち、Ｒ１〜Ｒ７）は、それぞれ独立して、（イ）水素原子、（ロ）ハロゲン原子、（ハ）炭素原子数１〜８のアルキル基、（ニ）炭素原子数２〜１０のアルケニル基、（ホ）炭素原子数６〜２０のアリール基、（ヘ）炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基、（ト）炭素原子数８〜３０のアリールアルケニル基、（チ）炭素原子数１〜８のアルコキシ基、（リ）炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、（ヌ）炭素原子数１〜８のハロアルキル基、または（ル）炭素原子数１〜２０のハロアリール基、を意味する。これらの中では、（イ）、（ロ）、（ハ）および（ホ）、特に（イ）、（ハ）および（ホ）、が好ましい。
【００１７】
（ロ）のハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素が一般に適当であり、特にフッ素および塩素を好ましいものとしてを挙げることができる。
【００１８】
（ハ）のアルキル基は、炭素原子数１〜８、好ましくは１〜４、のものである。「アルキル基」が直鎖または分岐したアルキル基を包含することはいうまでもなく、（ハ）のアルキル基に限らず本発明でいうアルキル基（アリールアルキル基としてアルキレンの形状にあるものを包含する）はすべてこの定義に服するものとする。また、本発明においては、「アルキル基」は、環状のアルキル基を包含するものとする。このようなアルキル基には、具体例には、例えばメチル、エチル、ノルマルプロピル、イソプロピル、ノルマルブチル、第二ブチル、第三ブチル、ノルマルペンチル、ネオペンチル、第三ペンチル、ヘキシル、ヘプチルまたはオクチル基、および環状のアルキル基、例えばシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。
【００１９】
（ニ）のアルケニル基は、炭素原子数２〜１０、好ましくは２〜３、のものである。「アルケニル基」も直鎖または分岐したアルケニル基を包含することはいうまでもなく、（ニ）のアルケニル基に限らず本発明でいうアルケニル基（アリールアルケニル基としてアルケニレンの形状にあるものを包含する）はすべてこの定義に服するものとする。このようなアルケニル基としては、具体例には、例えばビニル、アリル、イソプロペニル基を挙げることができる。本発明では、特にアリルが好ましい。
【００２０】
（ホ）のアリール基は、炭素原子数６〜２０、好ましくは６〜１０、のものである。「アリール基」をトリル基およびキシリル基を包含するものとする定義〔共立出版（株）発行「化学大辞典」第１巻、第３４６頁〕から明らかなように、（ホ）のアリール基に限らず本発明でいう「アリール基」は、アルキル置換基を有するもの（すなわち「アルカリール基」）を包含するものとする。本発明でのアリール基の炭素原子数を６〜２０と規定する所以である。このようなアリール基としては、具体例には、例えばフェニル、ｏ−トリル、ｐ−トリル、ｍ−トリル、２，６−ジメチルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、１−ナフチルまたは２−ナフチル基のようなアリール基を挙げることができる。アルキル基で置換のものである場合、アルキル基としては炭素原子数１〜４のもの、そしてアルキル基が１〜５個のものが、好ましい。
【００２１】
（ヘ）のアリールアルキル基は、炭素原子数７〜３０、好ましくは７〜１１、のものである。具体例には、直鎖または分岐したアルキレンからなるアリールアルキル基、例えばベンジル、メチルベンジル、（１−ナフチル）メチル、（２−ナフチル）メチル、β−フェニルエチル、α−クミル（ないしクメニル）基を挙げることができる。本発明では、特にベンジルが好ましい。
【００２２】
（ト）のアリールアルケニル基は、炭素原子数８〜３０、好ましくは８〜１２、のものである。具体例には、例えば（Ｅ）−フェニルエテニル、（Ｚ）−フェニルエテニル基のようなアリールアルケニル基を挙げることができる。
【００２３】
（チ）のアルコキシ基は、炭素原子数１〜３０、好ましくは１〜５、のものである。具体例には、例えばメトキシ、エトキシ、ノルマルプロポキシ、イソプロポキシ、ノルマルブトキシ、イソブトキシ、第二ブトキシ、第三ブトキシ基のようなアルコキシ基を挙げることができる。本発明では、特にメトキシが好ましい。
【００２４】
（リ）のアリールオキシ基は、炭素原子数６〜２０、好ましくは６〜１０、のものである。具体例には、例えばフェノキシ、ｏ−トリルオキシ、ｐ−トリルオキシ、ｍ−トリルオキシ、２，６−ジメチルフェニルオキシ、２，３−ジメチルフェニルオキシ、２，４−ジメチルフェニルオキシ、２，５−ジメチルフェニルオキシ、１−ナフトキシまたは２−ナフトキシ基のようなアリールオキシ基を挙げることができる。本発明では、特にフェノキシが好ましい。
【００２５】
（ヌ）のハロアルキル基は、炭素原子数１〜８、好ましくは１〜４、のものである。具体例には、例えばフルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、クロロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、パーフルオロエチル、パークロロエチル基のようなハロゲン化アルキル基を挙げることができる。
【００２６】
（ル）のハロアリール基は、炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１０、のものである。具体例には、例えばｏ−フルオロフェニル、ｐ−フルオロフェニル、ｍ−フルオロフェニル、ｏ−クロロフェニル、ｐ−クロロフェニル、ｍ−クロロフェニル、２，３−ジフルオロフェニル、２，４−ジフルオロフェニル、２，５−ジフルオロフェニル、２，６−ジフルオロフェニル、２，３−ジクロロフェニル、２，４−ジクロロフェニル、２，５−ジクロロフェニル、２，６−ジクロロフェニル、パーフルオロフェニル、パークロロフェニル基のようなハロゲン化アリール基を挙げることができる。
【００２７】
上記のようなＲ１〜Ｒ６は、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ５またはＲ５とＲ６とが、それらが互いにω‐端で結合して、それらが結合している炭素原子と共に環を形成してもよい。このような構造の式（Ｉ）または式（II）の基の典型例は、Ｒ１とＲ２とがあるいはＲ２とＲ３とが互いにω‐端で結合して、それらが結合している炭素原子と共に炭素６員環を形成しているもの、即ち、フルオレニル基、である。
【００２８】
Ｒ８およびＲ９は、それぞれ独立して、（ヲ）水素原子、（ワ）ハロゲン原子、（カ）炭素原子数１〜８のアルキル基、（ヨ）炭素原子数１〜８のハロアルキル基、（タ）炭素原子数６〜２０のアリール基を意味する。これらについての具体例内容は、（イ）、（ロ）、（ハ）、（ヌ）または（ホ）について前記した通りである。
【００２９】
これら例示された原子および基は、それぞれ任意に、あるいは一般的な常識に従い適宜組み合わせて選択され得るが、例えば（ロ）、（ヌ）、（ル）、（ワ）または（ヨ）の化合物中のハロゲン原子としてはフッ素および塩素が好ましく、（ハ）、（ヌ）、（カ）または（ヨ）の化合物中のアルキル基としてはメチル、エチル、ノルマルプロピル、イソプロピルおよび第三ブチル基が好ましく、（ホ）の化合物中のアリール基としてはフェニル、２，６−ジメチルフェニルおよびナフチル基が好ましい。
【００３０】
下記は前記式（Ｉ）で表される本発明の化合物の具体例を例示するものである。本発明はこれらに制限されるものではない。
【００３１】
（イ）Ｘがケイ素である化合物
(1) ビス（７−インデニル）ジメチルシラン、
(2) ビス（１−メチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(3) ビス（２−メチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(4) ビス（３−メチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(5) ビス（４−メチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(6) ビス（５−メチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(7) ビス（６−メチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(8) ビス（１−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(9) ビス（２−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(10)ビス（３−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(11)ビス（４−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(12)ビス（５−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(13)ビス（６−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(14)ビス（１−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(15)ビス（２−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(16)ビス（３−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(17)ビス（４−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(18)ビス（５−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(19)ビス（６−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(20)ビス（１−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(21)ビス（２−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(22)ビス（３−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(23)ビス（４−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(24)ビス（５−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(25)ビス（６−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(26)ビス（１−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(27)ビス（２−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(28)ビス（３−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(29)ビス（４−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(30)ビス（５−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(31)ビス（６−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(32)ビス（１，２−ジメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(33)ビス（１，３−ジメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(34)ビス（２，３−ジメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(35)ビス（１，４−ジメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(36)ビス（２，４−ジメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(37)ビス（３，４−ジメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(38)ビス（１−メチル−２−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(39)ビス（１−メチル−３−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(40)ビス（２−メチル−３−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(41)ビス（１−メチル−４−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(42)ビス（２−メチル−４−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(43)ビス（３−メチル−４−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(44)ビス（１−イソプロピル−３−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(45)ビス（１−メチル−２−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(46)ビス（３−メチル−２−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(47)ビス（１−メチル−３−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(48)ビス（２−メチル−３−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(49)ビス（１−メチル−４−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(50)ビス（２−メチル−４−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(51)ビス（３−メチル−４−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(52)ビス（１−メチル−２−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(53)ビス（１−メチル−３−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(54)ビス（２−メチル−３−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(55)ビス（１−メチル−４−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(56)ビス（２−メチル−４−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(57)ビス（３−メチル−４−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(58)ビス（１−メチル−２−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(59)ビス（１−メチル−３−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(60)ビス（２−メチル−３−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(61)ビス（１−メチル−４−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(62)ビス（２−メチル−４−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(63)ビス（３−メチル−４−ｔ−ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(64)ビス（１，２，３−トリメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(65)ビス（１，２，４−トリメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(66)ビス（１，２，５−トリメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(67)ビス（１，３，５−トリメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(68)ビス（２，３，４−トリメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(69)ビス（１，３，４−トリメチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(70)ビス（１，２−ジメチル−３−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(71)ビス（１，２−ジメチル−４−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(72)ビス（２，３−ジメチル−４−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(73)ビス（１，３−ジメチル−２−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(74)ビス（１，４−ジメチル−２−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(75)ビス（１−メチル−２，３−ジフェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(76)ビス（１−メチル−２，４−ジフェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(77)ビス（１−メチル−３，４−ジフェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(78)ビス（２−メチル−３，４−ジフェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
(79)ビス（１−メチル−３−メトキシ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(80)ビス（１−メチル−４−メトキシ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(81)ビス（２−メチル−３−メトキシ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(82)ビス（３−メチル−４−メトキシ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(83)ビス（１−メチル−３−クロロ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(84)ビス（１−メチル−４−クロロ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(85)ビス（２−メチル−３−クロロ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(86)ビス（３−メチル−４−クロロ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(87)ビス（１−メチル−３−フルオロ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(88)ビス（１−メチル−４−フルオロ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(89)ビス（２−メチル−３−フルオロ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(90)ビス（３−メチル−４−フルオロ−７−インデニル）ジメチルシラン、
(91)ビス（１−フルオレニル）ジメチルシラン、
(92)ビス（４−フルオレニル）ジメチルシラン、
(93)ビス｛７−（ベンゾ［４，５−ｅ］インデニル）｝ジメチルシラン、
(94)ビス｛７−（ベンゾ［５，６−ｆ］インデニル）｝ジメチルシラン、
(95)ビス（７−インデニル）ジフェニルシラン、
(96)ビス（１−メチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(97)ビス（２−メチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(98)ビス（３−メチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(99)ビス（４−メチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(100) ビス（５−メチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(101) ビス（６−メチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(102) ビス（１，２−ジメチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(103) ビス（１，３−ジメチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(104) ビス（２，３−ジメチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(105) ビス（１，４−ジメチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(106) ビス（２，４−ジメチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(107) ビス（３，４−ジメチル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(108) ビス（１，２−ジメチル−３−フェニル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(109) ビス（１，２−ジメチル−４−フェニル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(110) ビス（２，３−ジメチル−４−フェニル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(111) ビス（１，３−ジメチル−２−フェニル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(112) ビス（１，４−ジメチル−２−フェニル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(113) ビス（１−メチル−２，３−ジフェニル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(114) ビス（１−メチル−２，４−ジフェニル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(115) ビス（２−メチル−３，４−ジフェニル−７−インデニル）ジフェニルシラン、
(116) ビス（１−フルオレニル）ジフェニルシラン、
(117) ビス（４−フルオレニル）ジフェニルシラン、
(118) ビス｛７−（ベンゾ［４，５−ｅ］インデニル）｝ジフェニルシラン、
(119) ビス｛７−（ベンゾ［５，６−ｆ］インデニル）｝ジフェニルシラン、
(120) ビス（７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(121) ビス（１−メチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(122) ビス（２−メチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(123) ビス（３−メチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(124) ビス（４−メチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(125) ビス（５−メチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(126) ビス（６−メチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(127) ビス（１，２−ジメチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(128) ビス（１，３−ジメチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(129) ビス（２，３−ジメチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(130) ビス（１，４−ジメチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(131) ビス（２，４−ジメチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(132) ビス（３，４−ジメチル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(133) ビス（１，２−ジメチル−３−フェニル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(134) ビス（１，２−ジメチル−４−フェニル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(135) ビス（２，３−ジメチル−４−フェニル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(136) ビス（１，３−ジメチル−２−フェニル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(137) ビス（１，４−ジメチル−２−フェニル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(138) ビス（１−メチル−２，３−ジフェニル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(139) ビス（１−メチル−２，４−ジフェニル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(140) ビス（１−メチル−３，４−ジフェニル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(141) ビス（２−メチル−３，４−ジフェニル−７−インデニル）メチルフェニルシラン、
(142) ビス（１−フルオレニル）メチルフェニルシラン、
(143) ビス（４−フルオレニル）メチルフェニルシラン、
(144) ビス｛７−（ベンゾ［４，５−ｅ］インデニル）｝メチルフェニルシラン、
(145) ビス｛７−（ベンゾ［５，６−ｆ］インデニル）｝メチルフェニルシラン。
【００３２】
（ロ）Ｘがゲルマニウムである化合物
(1) ビス（７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(2) ビス（１−メチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(3) ビス（２−メチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(4) ビス（３−メチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(5) ビス（４−メチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(6) ビス（５−メチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(7) ビス（６−メチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(8) ビス（１，２−ジメチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(9) ビス（１，３−ジメチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(10)ビス（２，３−ジメチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(11)ビス（１，４−ジメチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(12)ビス（２，４−ジメチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(13)ビス（３，４−ジメチル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(14)ビス（１，２−ジメチル−３−フェニル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(15)ビス（１，２−ジメチル−４−フェニル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(16)ビス（２，３−ジメチル−４−フェニル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(17)ビス（１，３−ジメチル−２−フェニル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(18)ビス（１，４−ジメチル−２−フェニル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(19)ビス（１−メチル−２，３−ジフェニル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(20)ビス（１−メチル−２，４−ジフェニル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(21)ビス（１−メチル−３，４−ジフェニル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(22)ビス（２−メチル−３，４−ジフェニル−７−インデニル）ジメチルゲルマン、
(23)ビス（１−フルオレニル）ジメチルゲルマン、
(24)ビス（４−フルオレニル）ジメチルゲルマン、
(25)ビス｛７−（ベンゾ［４，５−ｅ］インデニル）｝ジメチルゲルマン、
(26)ビス｛７−（ベンゾ［５，６−ｆ］インデニル）｝ジメチルゲルマン。
【００３３】
これらのうちで、本発明で特に好ましい化合物は、下記の通りである。
【００３４】
ビス（７−インデニル）ジメチルシラン、
ビス（２−メチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
ビス（３−メチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
ビス（２−ｔ‐ブチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
ビス（２−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
ビス（１−メチル−３−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
ビス（２−メチル−３−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
ビス（１−メチル−３−ナフチル−７−インデニル）ジメチルシラン、
ビス（３−メチル−２−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン、
ビス（１−メチル−３−イソプロピル−７−インデニル）ジメチルシラン、
ビス（１−イソプロピル−３−フェニル−７−インデニル）ジメチルシラン。
＜ビスインデニル誘導体の製造＞
（１）製造法の概要
本発明による式（Ｉ）で表される化合物は、置換基ないし結合の形成に関して、合目的的な任意の方法により製造することができる。好ましい製造法は、下記の通りである。
【００３５】
Ａ）  本発明による式（Ｉ）で表されるビスインデニル誘導体の一つの好ましい製造法は、下記の工程の少なくとも最後の工程（４ａ）または（４´ａ）を実施することからなる。
（１ａ）  下記式（IV）
【００３６】
【化８】
0003660023.tif 000006
（式中、Ｚ１は、ハロゲン原子、好ましくは塩素、臭素またはヨウ素、を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、前記と同義を示す）
で表される化合物を下記式（Ｖ）
【００３７】
【化９】
0003660023.tif 000007
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＺ１は、前記と同義を示し、Ｒは、それぞれ炭素原子数６までのアルキル基を示すか、またはそれぞれのω‐端で結合して各Ｒが結合している酸素原子と共に環状のスピロ環を形成する）で表される化合物に変換する。
（２ａ）  式（Ｖ）の化合物をハロゲン−金属交換剤（例えばアルキルリチウム、アルカリ金属、好ましくはアルキルリチウム）および下記式（VI）
【００３８】
【化１０】
0003660023.tif 000008
（式中、Ｒ８、Ｒ９およびＸは前記と同義であり、Ｚ２はＺ１と同一または異なるハロゲン原子、好ましくは塩素、臭素またはヨウ素、を示す）
で示される化合物と反応させて、下記式（VII)
【００３９】
【化１１】
0003660023.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲは、前記と同義を示す）で表される化合物とする。
（３ａ）  式（VII)の化合物を酸で処理して、下記式（VIII）
【００４０】
【化１２】
0003660023.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は、前記と同義を示す）
で表される化合物とする。
（４ａ）  式（II）においてＲ３が水素原子である化合物の場合は、式（VIII）で表される化合物のカルボニル基の還元ないし水素化および生成ヒドロキシ化合物の脱水（脱水は、酸によって行なうことが好ましい）により、式（Ｉ）の化合物を得る。
（４´ａ）  式（Ｉ）においてＲ３が水素原子以外の場合は、式（VIII）で表される化合物のカルボニル基と式（IX）
Ｒ3 ＭｇＺ3             （IX）
（式中、Ｒ３は前記と同義であり、Ｚ３はＺ１および（または）Ｚ２と同一または異なるハロゲン原子を示す）
で表されるグリニア試薬との反応および生成ヒドロキシ化合物の脱水（脱水は、酸によって行なうことが好ましい）により、式（Ｉ）の化合物を得る。
【００４１】
Ｂ）  本発明によるビスインデニル誘導体の好ましいもう一つの製造法は、下記の工程の少なくとも最後の工程（４ｂ）を実施することからなる。
【００４２】
（１ｂ）  下記式（IV）で表される化合物のカルボニル基を水素化する。
（２ｂ）  生成ヒドロキシ化合物を下記式（Ｘ）
【００４３】
【化１３】
0003660023.tif 000011
｛式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は前記と同義を示し、Ｑは水酸基に対する保護基を示す｝
で表される化合物に変換する。
（３ｂ）  式（Ｘ）の化合物をハロゲン−金属交換剤および前記式（VI）で表される化合物と反応させて、下記式（XI）
【００４４】
【化１４】
0003660023.tif 000012
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＱは、前記と同義を示す）
で表される化合物とする。
（４ｂ）  式（XI）の化合物をそのまままたは脱保護した後、脱水（脱水は、酸によって行なうことが好ましい）によって、式（Ｉ）の化合物を得る。
【００４５】
（２）  製造法の具体的説明
式（IV）で表される化合物は公知（例えば、ジャーナル、オブ、オーガニックケミストリー第２２巻、第１０１９ページ、１９５７年参照）である。前記の製造法（Ａ）および（Ｂ）を式（IV）の化合物から出発するものとした所以でもある。なお、式（IV）の化合物は、対応する３−（アリール）プロパン酸誘導体あるいはその酸ハロゲン化物の分子内のフリーデルクラフツ反応により得ることができる。
【００４６】
式（Ｖ）で表される化合物としては、例えばＲが共にメチル基である化合物、Ｒが共にエチル基である化合物、二つのＲが−ＣＨ２ＣＨ２−で表されるスピロ構造を持った化合物等が挙げられる。
【００４７】
式（IV）で表される化合物から式（Ｖ）で表される化合物への変換は、例えば、Ｒがともにメチル基の場合は式（IV）で表される化合物と、オルト蟻酸メチルおよびメタノールとを触媒量のパラトルエンスルホン酸の存在下、還流下で反応させることにより得ることができる。また、二つのＲが−ＣＨ２ＣＨ２−で表されるスピロ構造を持った化合物は、式（IV）で表される化合物と、オルト蟻酸メチルあるいはオルト蟻酸エチルおよびエチレングリコールとを触媒量のパラトルエンスルホン酸の存在下、室温から還流の温度範囲で反応させるか、または式（IV）で表される化合物と、エチレングリコールを触媒量のパラトルエンスルホン酸の存在下、ベンゼンあるいはトルエンを溶媒として還流下、共沸として水を除きながら反応させることにより得ることができる。
【００４８】
式（Ｖ）で表される化合物と、ハロゲン−金属交換剤（例えばアルキルリチウムまたはアルカリ金属、好ましくはアルキルリチウム）および式（VI）で表される化合物との反応は、好ましくは、エーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン等）、脂肪族炭化水素系溶媒（例えばヘキサン、ペンタン、石油エーテル等）、芳香族炭化水素系溶媒（例えばベンゼン、トルエン、キシレン等）の溶媒中で、または上記のような溶媒の中から任意に選択された混合溶媒中で、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行なうことができる。アルキルリチウムとしてはアルキル基の炭素原子数が１〜６であるもの（例えばノルマルブチルリチウム、第二ブチルリチウム、第三ブチルリチウム等）が挙げられる。反応の条件や、反応に供する化合物によって異なるが、目的の式（VII)で表される化合物が０．５から４８時間で得られる。
【００４９】
式（VII)で表される化合物から式 (VIII) で表される化合物への変換は、例えば、ケトン系溶媒（例えばアセトン、メチルエチルケトン等）、エーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン等）の溶媒中で、酸として、有機酸（例えばパラトルエンスルホン酸、酢酸等）、無機酸（例えば塩酸、硫酸等）を触媒量用いて、−１０℃から溶媒の沸点の範囲で実施される。
【００５０】
式（VIII）で表される化合物のカルボニル基の水素化は、例えば水素化ホウ素ナトリウムを水素化剤として用いて、例えば、アルコール系溶媒（例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール等）あるいは上記アルコール系溶媒とエーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン等）との混合溶媒中、−１０℃から溶媒の沸点の温度範囲で行うか、あるいはボラン錯塩（例えばボラン−テトラハイドロフラン錯塩、ボラン−ジメチルスルフィド錯塩）を水素化剤として用い、エーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン等）の中で、−１０℃から溶媒の沸点の温度範囲で行うか、あるいはアルミニウム水素化物（例えば水素化アルミニウムリチウム、水素化ジイソブチルアルミニウム等）を水素化剤として用い、反応溶媒としてハロゲン化炭化水素系溶媒（例えば塩化メチレン、クロロホルム等）、エーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン等）、脂肪族炭化水素系溶媒（例えばヘキサン、ペンタン、石油エーテル等）、芳香族炭化水素系溶媒（例えばベンゼン、トルエン、キシレン等）の溶媒を用い、−７８℃から溶媒の沸点の温度範囲で行うか、あるいは水素自身を水素化剤として、接触水素添加触媒（例えばラネーニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム等）の存在下、アルコール系溶媒（例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール等）、エーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン等）、有機酸（例えば酢酸、プロピオン酸等）、水、または上記のような溶媒の中から任意に選択された混合溶媒中、常圧から２００kg／cm2 の圧力の範囲で、０℃から溶媒の沸点の範囲で行われる。
【００５１】
引き続く脱水反応は酸によって行なうことが好ましく、好ましくは芳香族炭化水素系溶媒（例えばベンゼン、トルエン、キシレン等）中で、酸として有機酸（例えばパラトルエンスルホン酸、酢酸等）または無機酸（例えば塩酸、硫酸等）を触媒量用いて、室温から溶媒の沸点の範囲で実施される。
【００５２】
式（VIII）で表される化合物と式（IX）で表されるグリニア試薬との反応は、好ましくは、エーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン等）中で、−１０℃から溶媒の沸点の温度範囲で行われ、引き続く酸による脱水反応は、好ましくは芳香族炭化水素系溶媒（例えばベンゼン、トルエン、キシレン等）中で、酸として有機酸（例えばパラトルエンスルホン酸、酢酸等）または無機酸（例えば塩酸、硫酸等）を触媒量用いて、室温から溶媒の沸点の範囲で実施される。
【００５３】
式（IX）で表される化合物において、Ｚ３は好ましくは塩素、臭素またはヨウ素である。
【００５４】
式（Ｘ）で表される化合物におけるＱは水酸基に対する保護基であって、還元で得られた水酸基が次工程で反応を阻害しないようにするもので、次工程終了後容易に水酸基に復元できるものであれば何でも良い。そのような水酸基に対する保護基は周知であって、例えば、トリヒドロカルビルシリル基（ヒドロカルビル基はそれぞれ炭素原子数１〜６のアルキル基またはフェニル基が好ましい）（例えばトリメチルシリル、イソプロピルジメチルシリル、トリエチルシリル、第三ブチルジメチルシリル基等）、アリールアルキル基（例えばベンジル基等）または鎖状あるいは環状アルキルオキシアルキル基（例えばメトキシメチル、テトラハイドロピラニル基等）が挙げられる。
【００５５】
式（Ｘ）で表される化合物は、式（IV）で表される化合物のカルボニル基の水素化を、例えば水素化ホウ素ナトリウムを水素化剤として用いて、アルコール系溶媒（例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール等）あるいは上記アルコール系溶媒とエーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン等）との混合溶媒中、−１０℃から溶媒の沸点の温度範囲で行うか、あるいはボラン錯塩（例えばボラン−テトラハイドロフラン錯塩、ボラン−ジメチルスルフィド錯塩等）を水素化剤として用い、エーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン等）中で、−１０℃から溶媒の沸点の温度範囲で行うか、あるいはアルミニウム水素化物（例えば水素化アルミニウムリチウム、水素化ジイソブチルアルミニウム等）を水素化剤として用い、反応溶媒として、ハロゲン化炭化水素系溶媒（例えば塩化メチレン、クロロホルム等）、エーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン等）、脂肪族炭化水素系溶媒（例えばヘキサン、ペンタン、石油エーテル等）、芳香族炭化水素系溶媒（例えばベンゼン、トルエン、キシレン等）を用い、−７８℃から溶媒の沸点の温度範囲で行うか、あるいは上記のような所謂化学還元の代りに、水素自身を水素化剤として、例えば、接触水素添加触媒（例えばラネーニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム等）の存在下、アルコール系溶媒（例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール等）、エーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン等）、有機酸（例えば酢酸、プロピオン酸等）、水、または上記のような溶媒の中から任意に選択された混合溶媒中、常圧から２００kg／cm2 の圧力の範囲で、０℃から溶媒の沸点の範囲で行い、その後得られた１−インダノール誘導体と、シリルクロリド誘導体（例えば第三ブチルジメチルシリルクロリド、トリメチルシリルクロリド等）と、塩基の存在下、極性非プロトン性溶媒（例えばジメチルホルムアミド等）中で、−１０℃から溶媒の沸点の温度範囲で反応を行うことによって得ることができる。また、塩基としては、例えば、有機塩基（例えばイミダゾール、トリエチルアミン等）を挙げることができる。
【００５６】
式（Ｘ）で表される化合物と、ハロゲン−金属交換剤（例えばアルキルリチウムまたはアルカリ金属、好ましくはアルキルリチウム）および式（VI）で表される化合物との反応は、好ましくは、エーテル系溶媒（例えばエーテル、テトラハイドロフラン、１，４−ジオキサン等）、脂肪族炭化水素系溶媒（例えばヘキサン、ペンタン、石油エーテル等）、芳香族炭化水素系溶媒（例えばベンゼン、トルエン、キシレン等）中で、または上記のような溶媒の中から任意に選択された混合溶媒中で、−７８℃から溶媒の沸点の範囲で行われる。アルキルリチウムとしては、アルキル基の炭素原子数が１〜６であるもの（例えばノルマルブチルリチウム、第二ブチルリチウム、第三ブチルリチウム等）が挙げられる。反応の条件や、反応に供する化合物によって異なるが、目的の式（XI）で表される化合物が０．５から４８時間で得られる。
【００５７】
式（XI）で表される化合物の脱水による目的化合物（式（Ｉ））への変換は、酸処理によって行なうことが好ましく、好ましくは芳香族炭化水素系溶媒（例えばベンゼン、トルエン、キシレン等）中で、酸として、有機酸（例えば、パラトルエンスルホン酸、酢酸等）または無機酸（例えば塩酸、硫酸酸等）を触媒量以上（好ましくは０．０１〜１モル当量）用いて、室温から溶媒の沸点の範囲で実施することができる。
【００５８】
なお、上記の全ての反応、変換の際の圧力は特に制限はないが、特にことわりがない限り一般的には常圧下で行われる。
【００５９】
反応工程（４ａまたは４´ａ、あるいは４ｂ）の工程生成物からの式（Ｉ）の化合物の回収ないし取得は、溶剤抽出、蒸留、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、再結晶、その他合目的的な任意の方法によって行なうことができる。以下の実施例は、本発明を更に詳細に説明するためのものである。
【００６０】
実施例１  ビス（７−インデニル）ジメチルシランの合成
１−１）４−ブロモ１−インダノールの合成
４−ブロモ−１−インダノン１．０ｇをエタノール６ml、テトラハイドロフラン３mlの混合溶媒に溶解させ、氷温下ナトリウムボロハイドライド０．０９ｇを加えた。その温度で一晩攪拌し、反応液を希塩酸にあけ、水層を食塩で飽和後、エーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧下溶媒を留去した。得られた濃縮残渣１．０２ｇはこれ以上精製せず、次の反応に用いた。
【００６１】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：１．８０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），１．９０〜２．０２（１Ｈ，ｍ），２．４７〜２．５８（１Ｈ，ｍ），２．８２（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝１６．８Ｈｚ，６．８Ｈｚ），３．０８（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，８．８Ｈｚ，１６．７Ｈｚ），５．３１（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，６．６Ｈｚ），７．１３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，７．１Ｈｚ），７．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），７．４３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）
１−２）４−ブロモ−１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）インダンの合成
粗４−ブロモ−１−インダノール１．０２ｇをジメチルホルムアミド１０mlに溶解させ、イミダゾール０．６４５ｇおよびターシャリーブチルジメチルシリルクロライド０．８５７ｇを氷温で加えた。その温度で一晩攪拌し、反応液を飽和食塩水にあけ、エーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下溶媒を留去し濃縮残渣１．６ｇをシリカゲルカラムクロマイトグラフィーで精製することにより標記化合物１．５１ｇを得た。
【００６２】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：０．９４（９Ｈ，ｓ），１．８６〜１．９９（１Ｈ，ｍ），２．３９〜２．４９（１Ｈ，ｍ），２．７４（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝１６．５Ｈｚ，８．２Ｈｚ），３．０２（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，９．１Ｈｚ，１６．４Ｈｚ），５．３０（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），７．０９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，７．５Ｈｚ），７．２３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），７．３７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）
１−３）ビス［４−｛１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）｝インダニル］ジメチルシランの合成
４−ブロモ−１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）インダン１．５１ｇをエーテル１５mlに溶解させ、−７２℃に冷却した。ノルマルブチルリチウムヘキサン溶液（１．６４Ｍ）２．８２mlを滴下し、６．５時間かけ、−２０℃まで温度を上昇させた。再び−４０℃まで温度を下げた後、ジメチルジクロロシラン０．２７８mlを滴下し、そのまま一晩攪拌した。反応液を飽和食塩水に注ぎ、エーテルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。濃縮残渣１．５５ｇは、同様の操作で得られた濃縮残渣と合わせ（合計２．７０ｇ）、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、標記化合物が主成分である混合物１．７７７ｇを得た。この混合物はこれ以上精製せずに次の反応に用いた。
【００６３】
１−４）ビス（７−インデニル）ジメチルシランの合成
粗ビス［４−｛１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）｝インダニル］ジメチルシラン１．７７７ｇをトルエン５３．５mlに溶解させ、パラトルエンスルホン酸一水和物０．５３３ｇを加え、バス温８０℃で４時間攪拌した。反応液を飽和重曹水にあけ、エーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下溶媒を留去した。濃縮残渣１ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、さらにヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒（２００：１）で再結晶させることにより標記化合物０．４７ｇを得た。
【００６４】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：０．６８（６Ｈ，ｓ），３．０８（４Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１．５Ｈｚ），６．４３（２Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，２．０Ｈｚ），６．８４（２Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，１．９Ｈｚ），７．２９（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，７．４Ｈｚ），７．４０（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１．２Ｈｚ），７．４４（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１．２Ｈｚ）
融点８１〜８３℃
実施例２  ビス（２−メチル−７−インデニル）ジメチルシランの合成
２−１）４−ブロモ−２−メチル−１−インダノンエチレンケタールの合成
４−ブロモ−２−メチル−１−インダノン１０．０ｇをエチレングリコール２６．５mlに溶解させ、オルト蟻酸エチル１１．９mlを加えた。パラトルエンスルホン酸一水和物０．４５ｇを加えた後、室温で一晩攪拌した。反応液を飽和重曹水にあけ、エーテルで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去させた。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、標記化合物９．４６ｇを得た。
【００６５】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：１．１３（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．７Ｈｚ），２．４９〜２．５９（２Ｈ，ｍ），３．０７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，Ｊ＝１８．８Ｈｚ），４．０５〜４．２３（４Ｈ，ｍ），７．１１（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），７．２６（１Ｈ，ｄ，７．１Ｈｚ），７．４５（１Ｈ，ｄ，７．１Ｈｚ）
２−２）ビス（２−メチル−１−オキソ−４−インデニル）ジメチルシランの合成
上記反応２−１）で得られた４−ブロモ−２−メチル−１−インダノンエチレンケタール５．４２ｇをアルゴン雰囲気下、エーテル５０mlに溶解させた。−５℃でノルマルブチルリチウム（１．６５Ｍ）１２．８mlを滴下し、−８〜−４℃で１時間４０分攪拌した。ジクロロジメチルシラン１．２５ｇをヘキサン５mlに溶解させた溶液を−４〜−１℃の温度で滴下し、ヘキサン３mlで洗い込んだ。−３℃で３０分間攪拌した後、室温で一晩攪拌した。飽和食塩水に反応液を注ぎ、エーテルで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥後減圧下溶媒を留去した。濃縮残渣４．８８ｇをこれ以上精製すること無く、アセトン７０mlに溶解させ、パラトルエンスルホン酸一水和物０．１０６ｇを加え、室温で４時間攪拌した。大部分のアセトンを減圧下留去後、飽和重曹水にあけ酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧下溶媒を留去した。濃縮残渣約４．０ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、標記化合物２．８７ｇを得た。
【００６６】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：０．７１（６Ｈ，ｓ），１．２１（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ），２．４４，２．４６（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１７．２Ｈｚ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），２．５４〜２．６７（２Ｈ，ｍ），３．１３，３．１５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１７．６Ｈｚ，Ｊ＝７．９Ｈｚ），７．４１（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．７４〜７．８０（２Ｈ，ｍ），７．８１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ）
２−３）ビス（２−メチル−７−インデニル）ジメチルシランの合成
上記反応２−２）で得られたビス（２−メチル−１−オキソ−４−インデニル）ジメチルシラン３．０９６ｇをテトラヒドロフラン３１mlとメタノール１５．５mlの混合溶媒に溶解させ、０℃で水素化ホウ素ナトリウム１．０１ｇを少しずつ加えた。全てを加え終わった後、０℃で１時間攪拌し、その後室温で一晩攪拌した。反応溶液を希塩酸にあけ、酢酸エチルで抽出し、有機素を飽和食塩水で洗浄後硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下溶媒を留去し、得られた濃縮残渣３．２３ｇはこれ以上精製すること無く、トルエン８１mlに溶解させ、パラトルエンスルホン酸一水和物０．０８４ｇを加え、８０℃で１時間攪拌した。反応液を冷却後飽和重曹水にあけ、トルエンで抽出し、有機素を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下溶媒を留去し、濃縮残渣２．９ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、標記化合物２．２５８ｇを得た。
融点９１〜９３℃
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：０．６５（６Ｈ，ｓ），２．０４（６Ｈ，ｓ），３．０２（４Ｈ，ｓ），６．４４（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝１．５Ｈｚ），７．１９〜７．２９（６Ｈ，ｍ）
実施例３  ビス（２−フェニル−７−インデニル）ジメチルシランの合成
３−１）４−ブロモ−２−フェニル−１−インダノールの合成
４−ブロモ−２−フェニル−１−インダノン１．５５ｇをエタノール１５ml、テトラハイドロフラン７．５mlの混合溶媒に溶解させ、水素化ホウ素ナトリウム０．１０２ｇを氷温下徐々に加えた。そのまま一昼夜攪拌し、減圧下エタノールを留去した。濃縮残渣に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え氷温下２時間攪拌し、エーテルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。濃縮残渣１．６ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、得た化合物０．９６ｇは立体異性体の混合物であったが、これ以上精製すること無く以下の反応に用いた。
【００６７】
３−２）４−ブロモ−１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）−２−フェニルインダンの合成
４−ブロモ−２−フェニル−１−インダノール０．９３ｇをジメチルホルムアミド１０mlに溶解させ、イミダゾール０．４３８ｇを加えた。氷温下ターシャリーブチルジメチルシリルクロリド０．５８２ｇを加え、そのまま一晩攪拌した。反応溶液を飽和食塩水溶液に注ぎ、エーテルで抽出し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下溶媒を留去し、濃縮残渣１．３５ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより標記化合物１．２１ｇを得た。
【００６８】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：−０．３４（３Ｈ，ｓ），−０．０９（３Ｈ，ｓ），０．６８（９Ｈ，ｓ），３．２０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ｊ＝１６．２Ｈｚ），３．３６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，Ｊ＝１６．２Ｈｚ），３．５５〜３．６３（１Ｈ，ｍ），５．２５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．８Ｈｚ），７．１１（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．１８〜７．３０（６Ｈ，ｍ），７．４３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，Ｊ＝０．９Ｈｚ）
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：−０．４７（３Ｈ，ｓ），−０．１２（３Ｈ，ｓ），０．７７（９Ｈ，ｓ），２．８４〜２．９５（１Ｈ，ｍ），３．２３〜３．３６（２Ｈ，ｍ），５．１８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，），７．０４（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），７．１２〜７．２４（６Ｈ，ｍ），７．３２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）
３−３）ビス｛１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）−２−フェニル−４−インダニル｝ジメチルシランの合成
４−ブロモ−１−（ターシャリーブチルメチルシロキシ）−２−フェニルインダン０．３７７ｇをエーテル１０mlに溶解させ、ノルマルブチルリチウム（１．６４Ｍヘキサン溶液）０．５７mlを−６〜−４℃の温度範囲で滴下した。その温度で１時間攪拌後、ジメチルジクロロシラン０．０５７mlを−８〜−６℃の温度範囲で滴下した。そのまま攪拌を続け、徐々に昇温して室温で一晩攪拌し、反応液を飽和食塩水溶液に注いだ。エーテルで抽出し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。濃縮残渣０．３８ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより得た化合物０．１９４ｇは立体異性体の混合物であったが、これ以上精製すること無く以下の反応に用いた。
【００６９】
３−４）ビス（２−フェニル−７−インデニル）ジメチルシランの合成
ビス｛１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）−２−フェニル−４−インダニル｝ジメチルシラン０．５６ｇをトルエン６mlに溶解させ、パラトルエンスルホン酸一水和物０．１２１ｇを加えた。８０℃で１．５時間攪拌後放冷し、反応液を飽和重曹水溶液に注いだ。エーテルで抽出し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。濃縮残渣０．４ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより標記化合物０．２９ｇを得た。
融点１４５〜１４８℃
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：０．７６（６Ｈ，ｓ），３．５０（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．３Ｈｚ），７．１８〜７．５０（１８Ｈ，ｍ）
実施例４  ビス（３−フェニル−１−メチル−７−インデニル）ジメチルシランの合成
４−１）ビス（３−メチル−１−オキソ−４−インダニル）ジメチルシランの合成
３−メチル−４−ブロモ−１−インダノン（６．９１８ｇ，３０．７５mmol）にパラトルエンスルホン酸（１７５mg，３mmol％）。オルトぎ酸エチル（７．６ml，４６．１２mmol）、エチレングリコール（１７．１ml，３０７．５mmol）を加え室温で一夜攪拌した。これに、炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、エーテルで抽出しさらに数回炭酸水素ナトリウム水溶液で洗い、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。このようにして粗製の３−メチル−４−ブロモ−１−インダノンのケタール（８．３７４ｇ）が得られた。これをエーテル（１００ml）に溶かし、−５℃でノルマルブチルリチウムのヘキサン溶液（２０．４ml，３２．６９mmol）を滴下した。これを−５℃で２．５時間攪拌し、ジメチルジクロロシラン（１．８９ml，１５．５６mmol）を加えさらに０℃で１時間、室温で２時間、還流１時間行った後、一夜放置した。これに希塩酸を加えたのち、分液し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。得られた濃縮残渣にアセトン（５０ml）とパラトルエンスルホン酸（１００mg）を加え室温で２．５時間攪拌した。次に減圧下溶媒を留去し、炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し、これをシリカゲルカラム（酢酸エチル：ジクロロメタン１：２０）で精製すると標題化合物（４．０５ｇ，７５％）が得られた。
【００７０】
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ）δｍａｊｏｒ０．７５（ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ3 ），０．７９（ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ3 ），１．１２（ｄ，３Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ3 ），２．２５（ｄｄ，２Ｊ＝１９Ｈｚ，３Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨＨ′），２．７９（ｄｄ，２Ｊ＝１９Ｈｚ，３Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨＨ′），３．２６（ｑｕｉｎｔｅｔ，３Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ，ＭｅＣＨ），７．３７−７．４３（ｍ，２Ｈ，ａｒｏｍ），７．７７−７．８３（ｍ，４Ｈ，ａｒｏｍ）；ｍｉｎｏｒ０．７５（Ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ3 ），０．７９（ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ3 ），１．０４（ｄ，３Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ3 ），２．２７（ｄｄ，２Ｊ＝１９Ｈｚ，３Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨＨ′），２．８６（ｄｄ，２Ｊ＝１９Ｈｚ，３Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨＨ′），３．４６（ｑｕｉｎｔｅｔ，３Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ，ＭｅＣＨ），７．３７−７．４３（ｍ，２Ｈ，ａｒｏｍ），７．７７−７．８３（ｍ，４Ｈ，ａｒｏｍ）；１３Ｃ  ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ）δ０．０２（ＳｉＣＨ3 ），０．２０（ＳｉＣＨ3 ），１．１６（ＳｉＣＨ3 ），２４．２４（ＣＨ3 ），３３．９２（ＣＨＣＨ3 ），３４．０８（ＣＨＣＨ3 ），４５．７７（ＣＨ2 ），４５．９３（ＣＨ2 ），１２５．１２，１２５．１５，１２７．１２，１２７．２０，１３５．５４（ｑ），１３５．５８（ｑ），１４１．７７，１４１．９２，１６５．９２（ｑ），２０６．５２（ＣＯ）；ＥＩ−ＭＳｍ／ｚ３４８（１００，Ｍ+ ），３４３（５１），２０２（７６），１５９（５４），５９（２７）．
４−２）  ビス（３−フェニル−１−メチル−７−インデニル）ジメチルシランの合成
ビス（３−メチル−１−オキソ−４−インダニル）ジメチルシラン（１．５４ｇ，４．４２５mmol）をエーテル（９０ml）とテトラヒドロフラン（９ml）に溶かし、０℃でフェニルマグネシウムブロミドのエーテル溶液（７．８ml，１３．２８mmol）を加えた。これを室温で一夜攪拌し、さらに２時間加熱還流した。この後希塩酸を加え分液、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。得られた濃縮残渣にトルエン（７０ml）とパラトルエンスルホン酸（４５mg，５mmol％）を加え、７０℃で２０分攪拌した。反応溶液に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、分液した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し、得られた濃縮残渣をシリカゲルカラム（ヘキサン：酢酸エチル５：１）で精製すると標題化合物（９９８mg，４８％）が得られた。
【００７１】
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ）δｍａｊｏｒ０．７７（ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ3 ），０．８１（ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ3 ），１．１２（ｄ，３Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ3 ）３．３７−３．４８（ｍ，２Ｈ，ＭｅＣＨ），６．３８（ｄ，３Ｊ＝２Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ＝），７．１５−７．６５（ｍ，１６Ｈ，ａｒｏｍ）；ｍｉｎｏｒ０．８０（Ｓ，６Ｈ，ＳｉＣＨ3 ），１．１１（ｄ，３Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ3 ），３．５５−３．５８（ｍ，２Ｈ，ＭｅＣＨ），６．４２（ｄ，３Ｊ＝２Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ＝），７．１５−７．６５（ｍ，１６Ｈ，ａｒｏｍ）；１３Ｃ  ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ）δ０．２４（ＳｉＣＨ3 ），０．５２（ＳｉＣＨ3 ），１．３１（ＳｉＣＨ3 ），１７．３１（ＣＨ3 ），４４．７９（ＣＨＣＨ3 ），４４．８９（ＣＨＣＨ3 ），１２１．７３，１２５．７７，１２５．８６，１２７．４６，１２７．７８，１２８．４８，１３２．２３，１３３．３７，１３６．０３（ｑ），１３８．８２，１３８．８６，１４２．３０（ｑ），１４２．５５（ｑ），１５５．７０（ｑ），１５６．０９（ｑ）；
ＥＩ−ＭＳｍ／ｚ４６８（２７，Ｍ+ ），２６２（１００），２４７（２２），２０７（２２），５９（４９）．
実施例５  ビス（１−メチル−７−インデニル）ジメチルシランの合成
実施例４−１で合成したビス（３−メチル−１−オキソ−４−インダニル）ジメチルシラン（１．９３９ｇ，５．５７mmol）をテトラヒドロフラン（３０ml）とエタノール（３０ml）に溶かし、水素化ホウ素ナトリウム（５２０mg，１３．９３mmol）を０℃で少しづつ加えた。この溶液を室温で一夜攪拌、その後これに希塩酸を加えたのち、エーテルで抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。得られた濃縮残渣を引続きトルエン（５０ml）に溶かし、パラトルエンスルホン酸（５０mg）を加えて、８０℃で５０分加熱攪拌した。得られた反応溶液に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、分液した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し、得られた濃縮残渣をシリカゲル（ヘキサン）で精製すると標題化合物（１．５８ｇ，９０％）が得られた。
【００７２】
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ）ｍａｊｏｒδ０．７１（ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ3 ），０．７４（ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ3 ）．０．９９（ｄ，３Ｊ＝８Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ3 ），３．２６（ｂｒ  ｑ，３Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ3 ＣＨ），６．３３（ｄ，３Ｊ＝２Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ＝），６．６８（ｄ，３Ｊ＝２Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ′＝），７．２０−７．２８（ｍ，２Ｈ，ａｒｏｍ），７．３６−７．４８（ｍ，４Ｈ，ａｒｏｍ）；１３Ｃ  ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3 ）δ−０．０１（ＳｉＣＨ3 ），０．３７（ＳｉＣＨ3 ），１．１５（ＳｉＣＨ3 ），１６．９３（ＣＨ3 ），１６．９９（ＣＨ3 ），４５．８４（ＣＨ3 ＣＨ），４５．９４（ＣＨ3 ＣＨ），１２２．３８，１２５．７８，１２５．８９，１２９．２７，１２９．３７，１３１．８０，１３２．１２，１３２．９５（ｑ），１４１．９５，１４２．００，１４３．３９（ｑ），１５４．６７（ｑ），１５５．０７（ｑ）；ＥＩ−ＭＳｍ／ｚ３１６（３８，Ｍ+ ），３０１（２２），１８６（１００），５９（１４）．
実施例６  ビス（２−ターシャリーブチル−７−インデニル）ジメチルシランの合成
６−１）２−ターシャリーブチル−４−ブロモ−１−インダノールの合成
２−ターシャリーブチル−４−ブロモ−１−インダノンをメタノール１００ml、テトラヒドロフラン２００mlに溶解させ、室温下ナトリウムボロハイドライド１．５８ｇを加えた。その温度で一晩攪拌し、反応液を希塩酸にあけ、水層を食塩で飽和後、エーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下溶媒を留去した。得られた濃縮残渣７．４９ｇはこれ以上精製せずに次の反応に用いた。
【００７３】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：１．１６（９Ｈ，ｓ），２．０２−２．０９（１Ｈ，ｍ），２．９０−３．０１（２Ｈ，ｍ），５．２０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，６．５Ｈｚ），７．０９（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），７．３１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），７．４２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）
６−２）２−ターシャリーブチル−４−ブロモ−１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）インダンの合成
粗２−ターシャリーブチル−４−ブロモ−１−インダノールをジメチルホルムアミド３０mlに溶解させ、イミダゾール１．４３ｇおよびターシャリーブチルジメチルシリルトリフルオロメチルスルホネート２．６５mlを氷温で加えた。１時間後、４０℃に昇温し、１０時間攪拌した。反応液を飽和食塩水にあけ、エーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下溶媒を留去し濃縮残渣４．２ｇをシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより標記化合物１．９７ｇを得た。
【００７４】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：０．０８（３Ｈ，ｓ），０．１３（３Ｈ，ｓ），０．７８（９Ｈ，ｓ），１．１１（９Ｈ，ｓ），１．８６−１．９４（１Ｈ，ｍ），２．７４−２．８２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．５Ｈｚ，１５．４Ｈｚ），３．０１−３．１１（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，１５．４Ｈｚ），５．２１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．３Ｈｚ），７．００（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），７．２１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），７．３６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ）
６−３）ビス｛１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）−４−インダニル｝インダニル）ジメチルシランの合成
２−ターシャリーブチル−４−ブロモ−１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）インダン１．９７ｇをジエチルエーテル２０mlに溶解させ、−１０℃でノルマルブチルリチウムヘキサン溶液（１．６４Ｍ）３．２９ml滴下し、１時間その温度を維持した後、昇温し、３−５℃２時間攪拌した。その温度で、さらにジメチルジクロロシラン０．３０３mlをゆっくりと滴下した。１時間後に室温に戻し一晩攪拌した。反応液を飽和食塩水にあけ、エーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。１．６６ｇの濃縮残渣は標記化合物が主成分である混合物であり、これ以上精製せずに次の反応に用いた。
【００７５】
６−４）ビス（２−ターシャリーブチル−７−インデニル）ジメチルシランの合成
粗ビス｛１−（ターシャリーブチルジメチルシロキシ）−４−インダニル｝ジメチルシラン１．６６ｇをトルエン８０mlに溶解させ、パラトルエンスルホン酸−水和物０．３４６ｇを加え、バス温８０℃３０分間攪拌した。反応液を飽和重曹水にあけ、エーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。濃縮残渣０．９９ｇをシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより標記化合物０．５６ｇを得た。
【００７６】
1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3 ）；ｐｐｍ：０．６９（６Ｈ，ｓ），１．１５（１８Ｈ，ｓ），３．１２（４Ｈ，ｓ），６．４８（２Ｈ，ｓ），７．１９−７．３２（６Ｈ，ｍ）
【００７７】
【発明の効果】
本発明によれば、α‐オレフィン重合用のメタロセン触媒の配位子として有用な新規ビスインデニル化合物を得ることができることは、「発明の概要」の項において前記したところである。