(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起用一次イオンビームを得るイオン源と、該イオン源からの前記一次イオンビームを集束する手段と、前記一次イオンビームを偏向、走査する手段と、前記一次イオンビームの照射を受けて発生する正、負二次イオンを質量分離して検出する手段と、分析対象試料の保持駆動手段と、前記検出手段からの検出信号をデータ処理する手段を有する二次イオン質量分析法において、
（ａ）前記分析対象試料に対して分析対象領域を含む部分に開口を有するマスクを密着させ、
（ｂ）該マスク側から導電性キャッピング膜を形成し、
（ｃ）前記マスクを取り外し、導電性ミニキャップ付き試料とし、
（ｄ）細束一次イオンビーム走査領域を少なくとも前記導電性ミニキャップ面積以上の広い領域を走査し、測定することを特徴とする二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法。
【請求項２】
請求項１記載の二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法において、分析領域の形状に合わせた任意開口を有するマスクを利用することを特徴とする二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法において、前記導電性キャッピング膜として前記分析対象試料と同一物質及び同一スパッタ率を有する材料を利用することを特徴とする二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法において、前記導電性ミニキャップの厚さを少なくとも要求される分析深さの２倍以上の膜厚とすることを特徴とする二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法に係り、特に、その試料の深さ方向分解能及び感度の向上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｉｏｎ  ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ，ＳＩＭＳ，以後ＳＩＭＳと略す）における最大特徴は、材料表面から深さ方向濃度分布を測定することにあり、その感度及び深さ方向分解能においては、他の類似分析法の追随を許さない。そのために、深さ方向濃度分布の測定精度の向上を指向した装置の改良が意欲的に行われた。その結果、現製品の価格の約１／３が、製品改良費として製品価格に上乗せされているのが現状である。
【０００３】
従来の試料の深さ方向分析技法として、（１）電気ゲート法と、（２）制限視野法の２技法が採用されている。一般には一次イオンビーム密度分布は正規分布を有していて試料に照射すると中央部が深く、周辺部が浅くなる湾曲形状を持つエッチングクレータが形成される。そのため、信号源としての二次イオン発生は、同時に異なった深さで起こり、深さ方向濃度分布測定精度が著しく低下する。
【０００４】
この問題点を解決する技法として上述の（１）及び（２）が採用されている。以下、これらについて簡単に説明する。
【０００５】
はじめに、（１）電気ゲート法の原理の概略を図５に示す。
【０００６】
この図において、１０１は一次イオンビーム、１０２は偏向電極、１０３は試料、１０４はｘ方向偏向電圧、１０５はｙ方向偏向電圧、１０６はゲート信号、１０７は一次イオンビーム走査領域と信号取り込み領域、１０８は走査一次イオンビームによるエッチングクレータの断面形状と信号取り込み領域（点線部）である。
【０００７】
図５（ａ）は一次イオンビーム（励起）を偏向電極を通して試料表面に照射している状況を示す。図５（ｂ）はエッチングクレータの中央部を平坦化するために偏向電極に印加する偏向電圧（鋸歯状波、階段状電圧）を示す。これにより、一次イオンビームでＴＶ状に走査するのに利用される。図５（ｂ）の下段に示した矩形状電圧は、信号としての二次イオンを取り込む時のゲート信号を示す。図５（ｃ）は、図５（ｂ）による一次イオンビームの試料表面上走査領域とゲート信号による二次イオン信号の試料表面上信号取り込み領域（左図）及びエッチングクレータの断面図（右図）を示す。ゲート信号は、走査電圧〔図５（ｂ）〕と同期して信号取得に領域制限を行うのに利用するが、その詳細は、特開平８−９６７３９号公報に開示されている。
【０００８】
次に、上記（２）の制限視野法について、従来技法を説明する。
【０００９】
図６は制限視野法の原理を示す図である。
【００１０】
この図において、２０１は一次イオンビーム、２０２は対物レンズ絞り、２０３は対物レンズ、２０４は偏向電極、２０５は試料、２０６は二次イオン引出電極、２０７はトランスファレンズ絞り、２０８はトランスファレンズ、２０９は制限視野絞り、２１０は二次イオンビームである。この二次イオンビーム２１０は質量分析計（図示なし）へ向かう。
【００１１】
ＳＩＭＳでは、図６に一部を示したようなレンズ系２０７，２０８により、細束イオンビーム形成され、このイオンビームは偏向系により試料２０５上でＴＶ状（矩形状）に走査される。一次イオンビーム２０１の照射により発生した二次イオンビーム２１０は、二次イオン引出電極２０６により引き出され、レンズ系２０７，２０８に導かれる。レンズ系２０７，２０８は試料２０５上における走査または静止ビームによる二次イオンビーム２１０のエミッションパターンを制限視野絞り２０９の位置に拡大結像させる役割をもつ。
【００１２】
このようにして、試料２０５上の走査領域の中央部、すなわちエッチングクレータの平坦部のみの信号を制限視野絞り２０９により、質量分析計に導くことができる。これにより、深さ方向濃度分布測定における深さ方向分解能の向上を図っている。
【００１３】
この技法は、一次イオンビームを静止ビームとしても利用されている。さらに、上記（１）の電子ゲート法との併用も実施されている。
【００１４】
以上述べた従来法は下記の文献に示されている。
【００１５】
▲１▼日本表面科学会編、表面分析技術選書、「二次イオン質量分析法」（１９９９，Ｐ２３〜２４，Ｐ５１〜５２）
▲２▼藤本文範、小牧研一郎、共編「イオンビームによる物質分析、物質改質」（２０００，Ｐ１２１〜）
以上は、装置的（ハード）な観点に立ったＳＩＭＳの深さ方向濃度測定精度向上の従来技術について記した。
【００１６】
次に、試料前処理による精度向上の従来技術について簡単に触れる。
【００１７】
本技法は本発明と比較的近い技法であるが、試料前処理として、試料自体にあらかじめミニ突起を形成し、周辺部からの妨害イオンを軽減させる技法である。本技法の詳細は下記の文献に詳細な記述がある。
【００１８】
▲３▼日本表面科学会編、表面分析技術選書、「二次イオン質量分析法」（１９９９，Ｐ４２）
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
ＬＳＩ（大規模集積回路）をはじめとする各種微細素子は、超小形化（〜１．２μｍルール）が進行してきた。素子の超小形化の重要課題の一つとして極浅、微小領域での高感度深さ方向濃度分布を高精度測定することがあげられる。
【００２０】
しかしながら、現状では、上述の極浅、微小領域、高精度測定のいずれかをとっても、次のような本質的な解決すべき課題が残されている。
【００２１】
１．一次イオンビーム密度分布は、本来正規分布（中央で高く、周辺に裾が拡がる）をもち、電気ゲート法及び制限視野法のいずれもビーム裾部から妨害イオンが信号に混入、データの精度が低下する。
【００２２】
２．エッチングクレータが形成されるとクレータ周辺の端縁部からのスパッタ粒子が、中央の信号取り込み領域に付着し、妨害イオンとして信号中に混入、データの信頼度が低下する。
【００２３】
３．測定時、入射一次イオンビーム種の試料中への注入飛程ＲP の２倍２ＲP までの深さ領域では、逐次進行するエッチング表面における注入一次イオン種濃度は時々刻々変化し、その結果、分析対象元素のイオン化率が変化する。スパッタエッチング深さが２ＲP 以上になると、入射一次イオンとスパッタ量がバランスし、試料表面の一次イオン種濃度は一定値を示す。この現象のために、現在のＳＩＭＳでは２ＲP までの極浅深さ領域の深さ方向分析は困難である。
【００２４】
４．微小領域で且つ高感度な深さ方向分析に関して、従来技術は、深さ方向分解精度改善目的のために、前記電気ゲート法及び制限視野法を採用して一度出してしまった妨害イオン除去と同時に信号成分を除去しており、高感度化が阻害されている。したがって、従来技術では高感度微小領域分析は望めない。
【００２５】
そこで、本発明は、上記問題点を源流で除去し、表面極浅層における極微量不純物元素の深さ方向分析の高精度化を図ることができる二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法を提供することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法において、励起用一次イオンビームを得るイオン源と、このイオン源からの前記一次イオンビームを集束するための手段と、前記一次イオンビームを偏向、走査する手段と、前記一次イオンビームの照射を受けて発生する正、負二次イオンを質量分離して検出する手段と、分析対象試料の保持駆動手段と、前記検出手段からの検出信号をデータ処理する手段を有する二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）において、前記分析対象試料に対して分析対象領域を含む部分に開口を有するマスク（転写板）を密着させ、このマスク側から蒸着法またはスパッタ法により導電性キャッピング膜を形成し、次にマスクを取り外し、導電性ミニキャップ付き試料とし、測定に当たっては細束一次イオンビーム走査領域を少なくとも導電性ミニキャップ面積以上の広い領域を走査することを特徴とする。またレンズ等により形成した大口径一様密度ビームを静止状態で該ミニキャップに照射することも他の重要な特徴である。
【００２７】
〔２〕上記〔１〕記載の二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法において、分析領域の形状に合わせた任意開口を有するマスクを利用することを特徴とする。
【００２８】
〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法において、前記導電性キャッピング膜として前記分析対象試料と同一物質及び同一スパッタ率を有する材料を利用することを特徴とする。
【００２９】
〔４〕上記〔１〕、〔２〕又は〔３〕記載の二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法において、前記導電性ミニキャップの厚さを少なくとも要求される分析深さの２倍以上の膜厚とすることを特徴とする。
【００３０】
すなわち、
▲１▼ミニキャップ法において、試料前処理法として、試料の分析対象領域を開口を有する金属マスクを作製し、分析領域とのマスク合わせを行い固定する。次に、マスク側より分析対象試料の材質と同一試料及び同一スパッタ率を有する材料を蒸着またはスパッタリングにより膜生成を行う。次にマスクを取り外し、前処理完了試料とする。
【００３１】
▲２▼上記▲１▼記載のミニキャップ法において、分析領域形状に合わせた形状の開口を有するマスクを作製する。
【００３２】
▲３▼上記▲１▼又は▲２▼記載のミニキャップ試料をＳＩＭＳ装置に装着し、測定条件として少なくとも一次イオンビーム径の２倍以上の領域を走査し、分析対象イオンを信号として取り込み、時間（深さ）の関数として深さ方向分析を実施する。
【００３３】
本発明によれば、妨害イオンは、その発生の源で完全除去が可能であり、従来妨害イオン除去を目的に設けてあるレンズ系の省略及び集束レンズ系の諸収差軽減用絞りの開口立体角を広くし、信号取り込みアクセプタンス（二次イオン有効取り込み割合）を増し、感度向上を達成することができる。
【００３４】
▲４▼ミニキャップの寸法（マスクの開口寸法）を微細（小）化することにより、微小領域高感度分析を達成する。
【００３５】
▲５▼ＳＩＭＳ測定に際して、ミニキャップにおけるチップ上部の膜で該一次イオン種濃度変化による二次イオン化率変動効果を吸収させ、極浅層（＜２ＲP ）における分析を可能にする。
【００３６】
▲６▼ミニキャップ法では、測定はミニ突起で周辺部分からの妨害イオンはその源で完全除去されており、一次イオンビームの電流密度分布が問題とならず、一次イオンビームの抵エネルギー化が可能であり、ノックオン効果の低減が可能である。
【００３７】
以上述べたように、本発明によれば、従来法では困難とされていた、ＳＩＭＳの周辺効果による、深さ方向分析精度の低下の回避及び従来不可能であった表面層（一次イオン注入飛程ＲP の２倍、２ＲP ）の分析が可能になった。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら説明する。
【００３９】
図１は本発明の実施例を示す分析対象試料の前処理法の説明図である。
【００４０】
はじめに、図１にしたがって、分析対象試料の前処理法について説明する。
【００４１】
（１）まず、図１（ａ）に示すように、試料１に開口マスク３を取り付ける。ここでは、分析深さ領域を点線２で示している。
【００４２】
（２）次に、図１（ｂ）に示すように、開口マスク３を取り付けた試料１の上部からキャッピング膜４を付着させる。
【００４３】
（３）次に、図１（ｃ）に示すように、開口マスク３を取り去る。
【００４４】
すると、開口マスク３の開口に形成されたミニキャップ５が試料１上に残される。
【００４５】
以上が、本発明のミニキャップ作製方法の概要である。
【００４６】
ミニキャップ５の上面から見た形状は、分析領域を含む任意形状とし、分析目的に合った形状の開口を有するマスクを採用することによって決定した。
【００４７】
図２は本発明の実施例を示す二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定装置の構成図である。
【００４８】
次に、上記したミニキャップを採用して、図２を参照しながら、深さ方向濃度分布の測定を実施した装置及び測定法について説明する。
【００４９】
図２において、この装置は、（ａ）一次イオン照射系、（ｂ）質量分析系及び（ｃ）データ処理系から構成される。
【００５０】
一次イオン照射系（ａ）は励起用イオン源１１、イオンビーム収束用コンデンサレンズ１２、細束イオンビームを試料上で偏向、走査する、偏向・走査電極１３、対物レンズ１４、分析対象試料を支持する試料台１５、試料１６より構成されている。
【００５１】
一次イオン照射系（ａ）の動作原理は、励起用イオン源１１によって生成されたイオンビーム２９にイオンビーム収束用コンデンサレンズ１２及び偏向・走査電極１３により、試料１６上に細束ビームを形成させること、イオンビーム２９を試料１６の任意位置に偏向させること及びＴＶ状に走査させることにある。該一次イオンビームの偏向、走査は偏向電極２７により行う。さらに、該コンデンサレンズ１２及び対物レンズ１４は大口径で且つ一様密度を有する一次イオンビームの形成にも利用することが出来、この場合には該偏向電極１３は稼働させず静止ビームとして試料に照射する。
【００５２】
質量分析系（ｂ）は、イオンビーム２９の照射により試料１６上で発生した二次イオンを引出し、質量分析系の入射スリット１８に収束するための二次イオンビーム収束レンズ１７、二次イオンのエネルギー選別を行うセクター（扇形）電場入射スリット１９、エネルギー分離スリット２０、質量分離を行うためのセクター（扇形）磁場２１、特定二次イオン種のみを通過させるための質量分離スリット２２、妨害となる散乱イオン除去のための偏向電極（偏向スリット）２３、散乱イオン除去スリット２４、偏向電極（偏向スリット）２３により偏向された散乱イオン２５、特定二次イオンを検出するための二次イオン検出器２６より構成されている。
【００５３】
質量分析系（ｂ）の動作原理は、以下の通りである。
【００５４】
一次イオン照射によって発生した二次イオンビーム３０を、先ず二次イオンビーム収束レンズ１７及び質量分析計の入射スリット１８を通してセクター（扇形）電場入射スリット１９に導き、エネルギー分離スリット２０によりエネルギー分離を行う。
【００５５】
次に、エネルギー分離スリット２０を通過した特定エネルギー幅を持つ二次イオンビーム３１をセクター（扇形）磁場２１に導入し、特定質量イオン種ビームのみを質量分離スリット２２を通し、二次イオン検出器２６で検出する。この場合、セクター（扇形）磁場２１や特定二次イオン種のみを通過させるための質量分離スリット２２の周辺電極の端部へ二次イオンビーム３１を照射することにより発生した散乱イオン２５を、散乱イオン除去スリット２４により除去する。
【００５６】
データ処理系（ｃ）は、詳細は省略するが、制御・データ処理用コンピュータ２８及びこれに接続される一次イオンビーム偏向走査電極２７を有し、前記一次イオン照射系（ａ）のビーム制御と前記質量分析系（ｂ）の信号出力を測定者の所望の形に加工・処理して表示・記録する役割を受け持つ。
【００５７】
実際の分析を実施する場合、次のような機能を有する。
【００５８】
（１）一次イオンビームを試料上の所望の分析場所に固定し、且つ二次イオン光学系（１７，１８，１９，２０，２２，２３，２４，２６）を設定し、セクター（扇形）磁場２１の強度を変化させることにより、特定場所の質量スペクトルを測定する。これにより、任意特定場所の元素同定を行う。
【００５９】
（２）偏向・走査電極１３により、所望分析領域をカバーする領域にわたってビームを静止またはＴＶ状に走査し、一方、セクター（扇形）磁場２１を一定値に固定し、データ処理系（ｃ）により特定イオン強度を試料上走査点ごとに検出、制御・データ処理用コンピュータ２８に取り込み記憶し、試料１６上の特定元素像分布を観察する。この場合、セクター（扇形）磁場２１の強度を変えることにより、任意元素の二次元像を得ることができる。
【００６０】
（３）偏向・走査電極１３により、一次イオンビーム２９を分析領域にわたって走査しまたは静止させ、一方、セクター（扇形）磁場２１を所望の特定イオン種に固定することにより、スパッタ現象を利用して任意元素の深さ方向濃度分布を得る。この他には多くの分析モードがあるが、ここでは省略する。
【００６１】
次に、上述したミニキャップ法を適用した実施例を図３に従って説明する。
【００６２】
第１実施例としてＢを注入したＳｉ試料におけるＢの深さ方向濃度分布の測定結果を示す。用いた試料には11Ｂを３０ｋｅＶのエネルギーで１×１０14ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 注入したものである。試料前処理法は前述したものであり、ここでは、省略するが、図１に示した試料表面付着膜として、Ａｌを膜厚として１００ｎｍ（Ｂの注入深さの２倍以上）を付着させた。
【００６３】
ミニ突起の形状は直径５０μｍの円形である。測定は、一次イオンビームエネルギー：１０ｋｅＶ，ビーム径：５０μｍ，ビーム電流：１０ｎＡ，走査領域：３００μｍ×３００μｍの条件で実施した。測定では、測定精度、感度などを比較するため、従来法では、上記した電子ゲート法及び制限視野法を併用した。本発明の実施例では、上述の従来法（電気ゲート法及び制限視野法）はすべて利用せずに測定を実施した。
【００６４】
図３は測定結果の一例を示す。この図において、横軸は深さ（ｎｍ）を示し、目盛りは１×１０2 を示している。縦軸はイオン強度を示している。
【００６５】
図３（ａ），図３（ｂ）及び図３（ｃ）は、それぞれ、従来法、本発明の方法及び両測定結果の比較を示す。図３（ｃ）の比較より、本発明の場合の結果は、従来法に比較して、次のような特徴が指摘できる。
【００６６】
（１）略３×１０2 （ｎｍ）以下の深さ領域におけるＢの深さ方向濃度分布の異常現象が本発明では解決されており、Ｂの分布として理論分布に近い分布が得られた。
【００６７】
（２）Ｂの感度が略２倍に向上した（Ｂイオン強度比）。
【００６８】
（３）本発明におけるＢのダイナミックレンジは従来技法の約２倍に向上した。
【００６９】
図４に本発明の第２実施例を示す。この図において、横軸は深さ（ｎｍ）、縦軸にイオン強度を示している。
【００７０】
本実施例は一次イオン注入効果（表面変質効果、従来は回避困難）の除去を目的とした実施結果を示す。
【００７１】
試料は、熱拡散法によりＢを２．５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 だけ三次元的に拡散させたＳｉである。Ｂ濃度は比抵抗値により評価した。
【００７２】
図４（ａ）は従来法におけるマトリックスのＳｉ及び均一拡散させたＢの深さ方向濃度分布を示す。測定に際しては従来法の電気ゲート法及び制限視野法を併用した。測定結果（ａ）より、約８ｎｍ以下の領域でＳｉイオン及びＢイオン強度の異常現象が認められる。Ｂイオン強度の表面におけるピークは試料（Ｓｉ）表面の自然酸化膜生成によるＳｉおよびＢのイオン化率の増加に起因する。
【００７３】
図４（ｂ）は、本発明を採用して測定した結果を示す。図４（ｂ）より、従来法における表面におけるＢ及びＳｉイオン強度の異常現象は略完璧に解決されていることが認められる。
【００７４】
以上、２つの実施例から分かるように、本発明によれば、
（イ）本発明のミニキャップ法によると、キャッピッング膜により、一次イオン注入濃度変化をキャッピッング膜中で吸収させ、実試料表面までスパッタエッチングが進行すると、一次イオン種濃度が一定になり試料中で精度の高い測定が可能になる。
【００７５】
（ロ）本発明のミニキャップ法では、一次イオンビーム密度分布（一般にはガウス分布）による有害イオンを源流で除去できるので、一次イオン密度分布の裾部の影響は考慮の必要がなく、一次、二次イオン光学系の絞り及びレンズ条件が緩和でき、高感度化が達成できる。
【００７６】
（ハ）本発明のミニキャップのサイズ及び形状により、分析対象領域を限定できるので、マスクの開口のサイズの微細化により、微小領域分析が可能であり、また、マスク形状を分析領域とマッチさせることにより、任意領域分析が可能である。
【００７７】
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００７８】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００７９】
（１）従来技術では本質的に測定が困難であった、一次イオン注入深さ領域（数１０ｎｍ＞）以下の表面極浅層における極微量不純物元素の深さ方向分析が可能になった。その結果、最近の超高速デバイスにおける、極浅接合の評価や極浅超格子多層膜の分析評価が可能になった。
【００８０】
（２）ＳＩＭＳの深さ方向測定時に形成されるエッチングクレータの周辺部からの妨害イオンを完全除去でき、深さ方向濃度分布の測定精度が著しく向上した。これにより、各種デバイスの性能向上に大きく寄与した（Ｐ−Ｎ接合位置の正確な決定が可能になった）。
【００８１】
（３）エッチングクレータ周辺部がなく、二次イオン光学系のアクセプタンス（透過率）を大きくすることができ（具体的には光学系における絞り類を大口径にでき）、測定感度が約２倍に向上した。
【００８２】
（４）前処理に用いる開口マスクの大きさを小さくすることにより、一次イオンビームの細束性に関係なく、極微小領域分析が可能になった。また、マスクの開口形状を分析対象形状に合わせるなど任意形状の深さ方向分析が可能である。
【００８３】
（５）妨害イオンをその源流で除去できるので、装置の構成が簡単にでき、コスト低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す分析対象試料の前処理法の説明図である。
【図２】本発明の実施例を示す二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定装置の構成図である。
【図３】本発明の実施例であるＢイオン注入Ｓｉ試料におけるＢの深さ方向分析例と従来技術との比較結果を示す図である。
【図４】本発明の実施例であるＢ均一拡散Ｓｉ試料における超浅深さ方向分析例と従来技術との比較結果を示す図である。
【図５】従来のＳＩＭＳ装置における深さ方向分析法（電気ゲート法）の原理図である。
【図６】従来のＳＩＭＳ装置における制限視野法の原理を示す図である。
【符号の説明】
１    試料
２    分析深さ領域
３    開口マスク
４    キャッピング膜
５    ミニキャップ
１１    励起用イオン源
１２    イオンビーム収束用コンデンサレンズ
１３    偏向・走査電極
１４    対物レンズ
１５    試料台
１６    試料
１７    二次イオンビーム収束レンズ
１８    質量分析計の入射スリット
１９    二次イオンのエネルギー選別を行うセクター（扇形）電場入射スリット
２０    エネルギー分離スリット
２１    質量分離を行うためのセクター（扇形）磁場
２２    特定二次イオン種のみを通過させるための質量分離スリット
２３    妨害となる散乱イオン除去のための偏向電極（偏向スリット）
２４    散乱イオン除去スリット
２５    散乱イオン
２６    二次イオン検出器
２７    一次イオンビーム偏向走査電極
２８    制御・データ処理用コンピュータ
２９    一次イオンビーム
３０，３１    二次イオンビーム
【図１】
0003715236.tif 000002
【図２】
0003715236.tif 000003
【図３】
0003715236.tif 000004
【図４】
0003715236.tif 000005
【図５】
0003715236.tif 000006
【図６】
0003715236.tif 000007