(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線ラインを備え、互いに隣接する前記配線ライン間に複数の画素電極が配列された電気光学装置であって、
前記複数の配線ラインのうち一の配線ラインから分岐された延長部分が、前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極同士における間隙部分に配設され、
前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極を挟んで前記一の配線ラインに隣接する他の前記配線ラインから分岐された延長部分が、前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極同士における間隙部分に配設され、
前記一の配線ラインの延長部分と前記他の配線ラインの延長部分とが、それぞれ前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極同士における間隙部分において互いに接触しないように対向して配設されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記一の配線ラインは、走査線またはデータ線である
ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記一の配線ラインは、前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極の少なくとも３辺に沿って配設された
ことを特徴とする請求項２記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記一の配線ラインは、走査線であり、
前記他の配線ラインは、前記走査線の前に選択される走査線である
ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記他の配線ラインは、前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極の少なくとも３辺に沿って配設された
ことを特徴とする請求項２記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記一の配線ラインは、前記画素電極の各々に対し、それぞれスイッチング素子を介して電気的に接続される
ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記スイッチング素子は、導電体／絶縁体／導電体からなる薄膜ダイオード素子である
ことを特徴とする請求項６記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、規則的に配列した画素電極同士の結合容量による悪影響を減少させた電気光学装置、および、この電気光学装置を用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、アクティブ・マトリクス方式の液晶表示装置のような電気光学装置は、規則的に配列した画素電極の各々に非線形（スイッチング）素子が設けられた素子基板と、対向電極などが形成された対向基板と、これら両基板との間に充填された液晶とから構成される。このような構成において、走査線を介してスイッチング素子に選択信号を印加すると、当該スイッチング素子が導通状態となる。この導通状態の際に、データ線を介して、画素電極に画像データに応じたデータ信号を印加すると、当該画素電極、対向電極および液晶からなる液晶層に所定の電荷が蓄積される。電荷蓄積後、当該スイッチング素子をオフ状態としても、液晶層の抵抗が十分に高ければ、当該液晶層における電荷の蓄積が維持される。このように、各スイッチング素子を駆動して蓄積させる電荷の量を制御すると、画素毎に液晶の配向状態が変化して、所定の情報を表示することが可能となる。この際、各液晶層毎に電荷を蓄積させるのは、一部の期間で良いため、各走査線を時分割に選択することにより、走査線およびデータ線を複数の画素について共通化した時分割マルチプレックス駆動が可能となっている。
【０００３】
ここで、スイッチング素子としては、主に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などの３端子型素子と、薄膜ダイオード（ＴＦＤ：Thin Film Diode）などの２端子型素子とに大別されるが、後者の２端子型素子の方が、走査線とデータ線との交差部分がないために配線間の短絡不良が原理的に発生しない点、さらに、成膜工程およびフォトリソグラフィ工程を短縮できる点において有利とされている。
【０００４】
このような２端子型素子のうち、ＴＦＤ素子は、一般には、第１金属膜（導電体）／絶縁体／第２金属膜のサンドイッチ構造であり、この構造によって正負双方向のダイオードスイッチング特性を有して、しきい値以上の電圧が両端子間に印加されると、導通状態となる。このような１つのＴＦＤ素子によって１つの画素電極を駆動する構成でも、もちろん良いが、液晶の劣化を防止等するために交流駆動することが必要となるため、ダイオードスイッチング特性は正負の双方向にわたって対称であることが要求される。そこで、２つのＴＦＤ素子を互いに逆向きに直列接続することによって、全体のダイオードスイッチング特性を正負の双方向にわたって対称化させることが行われている。
【０００５】
また、ＴＦＤ素子を使用した液晶パネルは、構造上２種類に大きく分けることができる。一つは、ＴＦＤ素子が形成された素子基板に走査信号を与える方式のパネルであり、他の一つは、素子基板にデータ信号を与える方式のパネルである。ここで、ＴＦＤ素子の配線部にタンタル（Ｔａ）が用いられることが多いことから、また、走査線は基板の横方向に延長形成されることから、素子基板に走査信号を与える前者方式のパネルは、「横Ｔａ」パネルと呼ばれる一方、データ線は基板の横方向に延長形成されることから、素子基板にデータ信号を与える後者方式のパネルは、「縦Ｔａ」パネルと呼ばれる。両者ともにそれぞれ特徴があるが、「横Ｔａ」方式パネルの方が、開口率を大きく取れるので、透過率（または反射率）を大きくできる。これは、画素を一般に縦長に作るからである。そのため、「横Ｔａ」パネルは高解像度パネルを作る上で有利となる。そこで以下、「横Ｔａ」パネルを例にとって説明する。
【０００６】
図１１（ａ）は、このようなＴＦＤ素子を適用した１画素分のレイアウトを示す平面図であり、図１１（ｂ）は、そのＴＦＤ素子の構造を図１１（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿って示す断面図である。
【０００７】
図に示されるＴＦＤ素子２２０は、第１のＴＦＤ素子２２０ａおよび第２のＴＦＤ素子２２０ｂからなり、基板２００と、この表面に形成された絶縁膜２０１と、第１金属膜２２２と、この表面に陽極酸化によって形成された絶縁体たる酸化膜２２４と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜２２６ａ、２２６ｂとから構成されている。また、第２金属膜２２６ａは、そのまま走査線２１２となる一方、第２金属膜２２６ｂは、画素電極２３４に接続されている。
【０００８】
ここで、第１のＴＦＤ素子２２０ａは、走査線２１２からみると順番に、第２金属膜２２６ａ／酸化膜２２４／第１金属膜２２２となって、金属／絶縁体／金属のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ素子２２０ｂは、走査線２１２から順番にみると、第１金属膜２２２／酸化膜２２４／第２金属膜２２６ｂとなって、第１のＴＦＤ素子２２０ａとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。すなわち、両者は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、１つのＴＦＤ素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。
【０００９】
なお、走査線２１２の断面は、第１金属膜２２２、酸化膜２２４、第２金属膜２２６ａとなっているが、走査線の接続端子（図示省略）は、最上層の第２金属膜２２６ａのみに接続されるとともに、走査線２１２部分の容量はＴＦＤ素子部分に比べて大きく形成されているため、走査線２１２部分がＴＦＤ素子として機能することはない。
【００１０】
また、素子基板２００自体は、絶縁性および透明性を有するものであり、例えば、ガラスやプラスチックなどから構成される。ここで、絶縁膜２０１が設けられる理由は、第２金属膜の堆積後における熱処理により、第１金属膜２２２が下地から剥離しないようにするため、および、第１金属膜２２２に不純物が拡散しないようにするためである。したがって、これらが問題にならない場合には、絶縁膜２０１は省略可能である。また、画素電極２３４は、表示を透過型とする場合にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜から形成され、表示を反射型とする場合にはアルミニウムや銀などの反射率の大きな金属膜から形成される。
【００１１】
そして、このように構成される画素は、図１２に示されるように、行方向（Ｘ方向）および列方向（Ｙ方向）にそれぞれ一定のピッチでマトリクス状に複数配列して、行方向では走査線２１２が共通化される一方、列方向では対向電極たるデータ線２４２が共通化された構成となっている。なお、説明の便宜上、一般的な走査線について説明する場合には、その符号を２１２とする一方、ある特定の走査線について説明する場合には、その符号を２１２ｙとするとともに、それに隣接する走査線の符号を２１２（ｙ−１）、２１２（ｙ＋１）とする。同様に、一般的なデータ線について説明する場合には、その符号を２４２とする一方、ある特定のデータ線について説明する場合には、その符号を２４２ｘとするとともに、それに隣接するデータ線の符号を２４２（ｘ−１）、２４２（ｘ＋１）とする。また、例えば、データ線２４２ｘと、走査線２１２ｙとの交差部分に位置する画素を（ｘ、ｙ）と表記することとする。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１２に示すような構成においては、隣接する画素電極２３４同士、特に、行方向に隣接する画素電極２３４同士が容量的に結合するため、次のように、本来の書き込み電位が変動して画素の濃度が変化する、という悪影響が生じた。
【００１３】
例えば、走査線２１２ｙに選択信号が供給された場合において、データ線２４２（ｘ−１）にデータ信号が供給されると、画素（ｘ−１、ｙ）には、選択信号と当該データ信号との電位差が印加されることになる。したがって、この電位差にしたがった書き込みが画素（ｘ−１、ｙ）において行われることとなる。次に、データ線２４２ｘにデータ信号が供給されると、画素（ｘ、ｙ）には、選択信号と当該データ信号との電位差が印加されて、この電位差にしたがった書き込みが行われることとなるが、この際の電位の遷移が、すでに書き込みの終了した画素（ｘ−１、ｙ）に影響を与えてその電位を変動させてしまう。すなわち、画素（ｘ−１、ｙ）おいては、走査線２１２ｙに供給された選択信号とデータ線２４２（ｘ−１）に供給されたデータ信号との電位差にしたがって書き込まれた電圧が、その直後において、隣接画素への書き込みによって変動してしまうので、本来の濃度で表示されないのである。なお、このような画素の濃度は、すべての画素において発生する。
【００１４】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、隣接する画素電極同士、特に、行方向に隣接する画素電極同士の結合容量をできるだけ減少して、良好な表示が可能な電気光学装置、および、この電気光学装置を備える電子機器を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明にあっては、複数の配線ラインを備え、互いに隣接する前記配線ライン間に複数の画素電極が配列された電気光学装置であって、前記複数の配線ラインのうち一の配線ラインから分岐された延長部分が、前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極同士における間隙部分に配設され、前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極を挟んで前記一の配線ラインに隣接する他の前記配線ラインから分岐された延長部分が、前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極同士における間隙部分に配設され、前記一の配線ラインの延長部分と前記他の配線ラインの延長部分とが、それぞれ前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極同士における間隙部分において互いに接触しないように対向して配設されていることを特徴とする。この構成によれば、１行分の画素電極同士の結合容量は、その間隙部分に配設された配線ラインによって低下する。
【００１６】
ここで、本発明において、前記一の配線ラインは、走査線またはデータ線であることが望ましい。この構成によれば、隣接する画素電極同士の結合容量は、行方向だけでなく、列方向でも低下する。さらに、画素電極自身が有する容量が増加するので、画素電極同士の結合容量が相対的に無視できる程に低下する。
【００１７】
さらに、このような構成においては、前記一の配線ラインは、前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極の少なくとも３辺に沿って配設されることが望ましい。これにより、画素電極と、そこに接続される走査線またはデータ線との結合容量も低下する一方で、画素電極自身が有する容量を増加させることができる。
【００１８】
一方、本発明において、前記一の配線ラインは、走査線であり、前記他の配線ラインは、前記走査線の前に選択される走査線であることが望ましい。この構成によれば、走査線以外の配線ラインを配設する必要がないので、配線の短絡不良が低下するとともに、開口率が維持される。
【００１９】
さらに、このような構成においては、前記他の配線ラインは、前記一の配線ラインに電気的に接続される画素電極の少なくとも３辺に沿って配設されることが望ましい。これにより、画素電極と、そこに接続される走査線またはデータ線との結合容量も低下する一方で、画素電極自身が有する容量を増加させることができる。
【００２０】
また、本発明において、前記一の配線ラインは、前記画素電極の各々に対し、それぞれスイッチング素子を介して電気的に接続されることが望ましく、さらには、そのスイッチング素子は、導電体／絶縁体／導電体からなる薄膜ダイオード素子であることが望ましい。これにより、非線形素子として画素電極と並列な保持容量を形成することが困難な薄膜ダイオード素子を用いる場合であっても、均一な表示画像を得ることが可能となる。
【００２１】
また、上記目的を達成するため、本発明にあっては、電子機器であって、上記電気光学装置を備えることを特徴としている。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態にかかる電気光学装置について説明する。図１は、電気光学装置の一例である液晶表示装置の基本的構成を示す平面図である。この液晶表示装置にあっては、図１２に示される従来のものにくわえて、ダミーライン２５２が、ある走査線２１２に接続された各画素電極２３４と、その走査線に隣接する走査線との間において、隣接する走査線２１２に対し平行に配設されるとともに、走査線２１２に接続された画素電極２３４同士の間隙部分にも延長して配設されている。ここで、一般的なダミーラインについて説明する場合には、その符号を２５２とする一方、ある特定のデータ線について説明する場合には、その符号を２５２ｙ、２５２（ｙ＋１）、２５２（ｙ＋２）とする。例えば、ダミーライン２５２ｙは、走査線２１２ｙに接続された各画素電極２３４と、その走査線２１２ｙに隣接する走査線２１２（ｙ−１）との間において、隣接走査線２１２（ｙ−１）に対し平行に配設されるとともに、走査線２１２ｙに接続された画素電極２３４同士の間隙部分にも延在している。
【００２４】
また、各走査線２１２の接続端子が、図において例えば右方向に設けられているとすると、各ダミーライン２５２は、左方向から櫛歯状に延在している。このため、各ダミーライン２５２は、互いにすべて電気的に接続されているが、いずれの走査線２１２に対しても接続されずに独立した電位を保つことになる。ここで、ダミーライン２５２の電位としては、データ信号あるいは選択信号の高位側と低位側との中位とするのが望ましい。
【００２５】
このような構成によれば、各画素電極２３４では、それと接続される走査線２１２と対向する辺以外の３辺が、走査線２１２と独立した電位を保つダミーライン２５２によってほぼ囲まれるので、隣接する画素電極同士、特に、行方向に隣接する画素電極同士の結合容量が低下することとなる。一方、ダミーライン２５２との結合により、画素電極２３４自身が有する容量は増加することとなる。この容量は、ダミーライン２５２との間隙が狭くなるほど、また、囲まれる部分が長くなるほど、増加する。このため、隣接する画素電極同士の結合容量を、画素電極２３４自身が有する容量よりも無視できるほど小さくすることが容易となる。
【００２６】
また、画素電極２３４自身が有する容量が増加することは、液晶層と並列な容量が増加することを意味するので、高画質化が容易となる。特に、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いる場合、ＴＦＤ素子と液晶層とは直列に接続されるので、一般には、液晶層と並列な容量を付加するのが困難であったが、本実施形態によれば、容易に、液晶層と並列な容量が増加することになる。
【００２７】
特に、図２に示されるような構成、詳細には、あるダミーライン２５２を、走査線２１２に接続された画素電極２３４同士の間隙部分からさらに延長して、その走査線２１２と対向する辺との間隙部分にも配設する構成としても良い。このように構成すると、ＴＦＤ素子２２０との接合部分以外のほぼすべてがダミーライン２５２によって囲まれるので、画素電極２３４自身が有する容量をさらに増加させることが可能となる。
【００２８】
なお、この説明では、ＴＦＤ素子２２０に接続されるラインを走査線２１２とし、対向基板に形成される対向電極をデータ線２４２としたが、本実施形態において、画素電極２３４は、ダミーライン２５２によって囲まれるため、隣接する画素電極とともに各ラインにおける電位遷移の影響を受けにくい。このため、本実施形態においては、ＴＦＤ素子２２０に接続されるラインをデータ線とし、対向基板に形成される対向電極を走査線としても良い。
【００２９】
くわえて、このダミーライン２５２は、ＴＦＤ素子２２０を構成する第１金属膜２２２や、それを陽極酸化した酸化膜２２４、第２金属膜２２６のほか、画素電極２３４のいずれかと同じ組成とすれば、組成を同じくする導電膜の成膜、および、パターニングで形成できるので、ダミーライン２５２を配設するための工程を別途追加する必要はない。すなわち、本実施形態にあっては、従来の同工程を用いて製造することができる。
【００３０】
＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態では、隣接する画素電極２３４同士の結合容量が低下する一方で、画素電極２３４自身が有する容量が増加するので、高画質化する面では優れている。しかしながら、列方向にみて隣接する画素電極間には、走査線２１２のほかに、ダミーライン２５２を配設しなければならないから、その分、列方向の画素ピッチに余裕を持たせなければならない。このため、第１実施形態では開口率の点が不利となる。さらに、ダミーライン２５２は、画素電極２３４および走査線２１２と短絡してはいけない。また、ダミーライン２５２との間隙および囲まれる部分の長さが画素間で異なると、各画素電極２３４が有する容量が互いに異なってしまうので、却って画質の低下を招く。これらのため、第１実施形態ではパターニング精度が要求される点でも不利である。
【００３１】
そこで、これらの不利を解消した第２実施形態について説明する。図３は、この液晶表示装置の基本的構成を示す平面図である。この液晶表示装置にあっては、図１におけるダミーライン２５２を廃し、走査線２１２にダミーライン２５２の役目を負わせたものである。すなわち、ある行の走査線２１２は、次に選択される行の走査線に接続された画素電極２３４同士の間隙部分にも延長して配設されている。例えば、走査線２１２ｙは、次に選択される行の走査線２１２（ｙ＋１）に接続された画素電極２３４同士の間隙部分にも延長して配設されている。
【００３２】
このような構成において、例えば、走査線２１２（ｙ−１）が選択された後に、走査線２１２ｙが選択されると、直前に選択された走査線２１２（ｙ−１）は、非選択信号の供給により一定の電位となる。したがって、走査線２１２ｙに選択信号が供給された状態においては、走査線２１２ｙに接続された各画素電極２３４は、それぞれ、走査線２１２ｙと対向する辺以外の３辺が、一定の電位となる走査線２１２（ｙ−１）によって囲まれるので、第１実施形態と同様に、隣接する画素電極同士、特に、行方向に隣接する画素電極同士の結合容量が低下することとなる。
【００３３】
また、この第２実施形態においても、図４に示されるように、ある行の走査線を、次に選択される行の走査線に接続された画素電極２３４同士の間隙部分からさらに延長して、次に選択される行の走査線と対向する辺との間隙部分にも配設する構成としても良い。このような構成により、各画素電極２３４においてＴＦＤ素子２２０との接合部分以外のほぼすべてが、そこに接続される走査線の選択よりも１本前に選択される走査線によって囲まれるので、画素電極２３４自身が有する容量をさらに増加させることが可能となる。
【００３４】
このように第２実施形態によれば、第１実施形態におけるダミーライン２５２の役目を１本前に選択される走査線２１２が担うので、ダミーライン２５２を必要としない。このため、第１実施形態と比べると、開口率や、短絡発生、パターニング精度などの点において有利となる。
【００３５】
＜第３実施形態＞
上述した第２実施形態では、走査方向が図３において上から下方向である場合について説明したが、液晶表示装置としては、必要に応じて、走査方向を可逆とする必要もある。ここで、走査方向が下から上方向である場合、例えば、上記第２実施形態にあって、走査線２１２ｙが選択された後に、走査線２１２（ｙ−１）が選択される場合、その走査線２１２（ｙ−１）には選択信号が供給されるから、その電位が大きく遷移することになる。このため、走査線２１２ｙに接続されて、すでに書き込みの終了した画素電極２３４は、その電位の遷移による影響を直接受けることになって、本来の書き込み電位から大きく変動することになる。このため、第２実施形態では、走査方向が上から下方向である場合と、下から上方向である場合とでは、表示画像の質が変化してしまう、という不都合がある。
【００３６】
そこで、これらの不利を解消した第３実施形態について説明する。図５は、この液晶表示装置の基本的構成を示す平面図である。この液晶表示装置にあっては、画素電極２３４同士の間隙部分には、図において上下に位置する走査線２１２の各々から延長されたラインが、ほぼ同じ長さａ、ｂで互いに接触しないように配設されている。したがって、例えば、走査線２１２ｙに接続される画素電極２３４は、その走査線２１２ｙと、その走査線２１２の１本前または後に選択される走査線２１２（ｙ−１）との双方によって囲まれるので、隣接する画素電極２３４の結合容量が低下することとなる。
【００３７】
ただし、この構成によれば、例えば、走査線２１２ｙに接続された各画素電極２３４は、走査方向が上から下への方向である場合に、走査線２１２ｙの電位遷移による影響を受ける一方、走査方向が下から上への方向である場合に、走査線２１２（ｙ−１）の電位遷移による影響を受けることになる。しかしながら、両者による影響はほぼ等しいので、両者の場合における表示画像の質を均質とすることができる。
【００３８】
なお、図５に示されるように、画素電極２３４に対するＴＦＤ素子２２０の接続位置を左端とすると、その分、走査線との間隙が広がり、かつ、囲まれる部分が短くなるので、左側に隣接する画素電極との結合容量と、右側に隣接する画素電極との結合容量とが微妙に異なる。このため、容量差を補償するように、画素電極の間隙に延長される長さａ、ｂを上下の走査線で異ならせても良い。
【００３９】
＜応用形態＞
上述した第１〜第３実施形態にあっては、各画素電極２３４が行方向・列方向にそれぞれ直線状に配列するものであったが、ＲＧＢのカラーフィルタが行方向に１．５画素毎にシフトしたデルタ（トライアングル）配列にも適用可能である。ここで、図６は、第３実施形態においてデルタ配列を適用した場合において、素子基板における走査線２１２の基本パターンを示す平面図であり、図７は、対向基板におけるデータ線（対向電極）の基本パターンを示す平面図である。これらの図に示されるように、１組のデータ線２４２（ｘ−１）、２４２ｘ、２４２（ｘ＋１）は、走査線２１２ｙ〜２１２（ｙ＋５）の６行を１周期とする折返しパターンで、マクロ的にみて列方向（Ｙ方向）に延在している。なお、このように、６行を１周期としたのは、カラー表示が一般にＲＧＢの３色により行われる点、および、折返しの周期が奇数行であると、データ線２１２がＹ方向に延在できない点を考慮して、３の倍数かつ偶数である数の最小値を採用したことによるものである。
【００４０】
＜電子機器＞
次に、上述した液晶表示装置を電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。
【００４１】
＜その１：ビデオプロジェクタ＞
まず、この液晶表示装置をライトバルブとして用いたビデオプロジェクタについて説明する。図８は、ビデオプロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００４２】
この図に示すように、ビデオプロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００４３】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した実施形態にかかる液晶表示装置であり、図示しないビデオ信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動される。さて、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００４４】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、対向基板にカラーフィルタを設ける必要はない。
【００４５】
＜その２：モバイル型コンピュータ＞
次に、この液晶表示装置を、モバイル型のコンピュータに適用した例について説明する。図９は、このコンピュータの構成を示す正面図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示装置１２０６とから構成されている。この液晶表示装置１２０６は、先に述べた液晶表示装置の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００４６】
＜その３：ページャ＞
さらに、この液晶表示装置を用いたページャについて説明する。図１０は、このページャの構造を示す分解斜視図である。この図に示すように、ページャ１３００は、金属フレーム１３０２において、先に述べた構成の液晶表示装置１００を、バックライト１３０６ａを含むライトガイド１３０６、回路基板１３０８、第１、第２のシールド板１３１０、１３１２とともに収容する構成となっている。そして、この構成においては、液晶表示装置１００と回路基板１３０８との導通が、素子基板２００に対してはフィルムテープ１３１４によって、対向基板３００に対してはフィルムテープ１３１８によって、それぞれ図られている。
【００４７】
なお、図８〜図１０を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などが電子機器の例として挙げられる。そして、これらの各種電子機器に、本発明にかかる液晶表示装置の適用が可能なのは言うまでもない。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、１行分の画素電極に接続される配線ライン以外の配線ラインが、当該１行分の画素電極同士における間隙部分に配設されるので、画素電極同士の結合容量が、その間隙部分に配設された配線ラインによって低下することとなる結果、良好な画像表示が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態にかかる液晶表示装置の基本的構成を示す平面図である。
【図２】  同液晶表示装置の別構成を示す平面図である。
【図３】  本発明の第２実施形態にかかる液晶表示装置の基本的構成を示す平面図である。
【図４】  同液晶表示装置の別構成を示す平面図である。
【図５】  本発明の第３実施形態にかかる液晶表示装置の基本的構成を示す平面図である。
【図６】  本発明の応用形態にかかる液晶表示装置のうち、素子基板の基本構成を示す平面図である。
【図７】  同液晶表示装置における対向基板の構成を示す平面図である。
【図８】  実施形態にかかる液晶表示装置を適用した電子機器の一例たる液晶プロジェクタの構成を示す断面図である。
【図９】  同液晶表示装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す正面図である。
【図１０】  同液晶表示装置を適用した電子機器の一例たるページャの構成を示す分解斜視図である。
【図１１】  （ａ）は、従来の液晶表示装置における１画素分のレイアウトを示す部分拡大図であり、（ｂ）は、そのＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図１２】  従来の液晶表示装置の基本的構成を示す平面図である。
【符号の説明】
２１２……走査線
２２０……ＴＦＤ素子
２２２……第１金属膜
２２４……酸化膜
２２６……第２金属膜
２３４……画素電極
２４２……データ線
２５２……ダミーライン
【図１】
0003692809.tif 000002
【図２】
0003692809.tif 000003
【図３】
0003692809.tif 000004
【図４】
0003692809.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003692809.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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