(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定パターンに従って金属薄板に溝パターンが形成され、溝パターンによって区画されたチップ搭載部及びチップ搭載部の周囲に複数個設けられた導電パターン部とを有するリードフレームにおけるチップ搭載部に搭載された半導体チップの樹脂封止を行う半導体チップの樹脂封止装置において、
前記半導体チップを内包する樹脂封止部が形成されるとともに樹脂封止部に樹脂を供給する樹脂供給部が形成された上型と、前記溝パターンと同一のパターン形状に形成され、且つ溝パターンの溝幅よりも大きな溝幅を有する溝部が設けられた下型とを備え、各上型と下型との間に、前記リードフレームを挟持した状態で上型の樹脂供給部から低圧下で樹脂を注入し、硬化させる半導体チップの樹脂封止装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、リードフレームに形成されたチップ搭載部に搭載された半導体チップの樹脂封止を行う樹脂封止装置に関し、特に、薄型のＩＣカードに内蔵される半導体チップの樹脂封止を好適に行うことが可能な半導体チップの樹脂封止装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＩＣカード等の各種電子装置に搭載・内蔵される半導体チップは、金属薄板に所定の溝パターンを形成することにより、溝パターンによって区画されたチップ搭載部、及び、チップ搭載部の周囲に複数個設けられた導電パターン部とを有するリードフレームにおけるチップ搭載部に搭載され、半導体チップの各接続端子と各導電パターン部とをワイヤボンディング等により電気接続した後、樹脂封止が行われる。このように半導体チップの樹脂封止を行うについては、従来より各種の樹脂封止方法が提案されている。
【０００３】
例えば、ＩＣカードの場合、半導体チップが搭載されるチップ搭載部の裏面側におけるリードフレーム面には、ＩＣカードがデータ読取・書き込み装置のスロットに挿入された際に、ＩＣカードに記憶されたデータの読取用且つデータの書き込み用の端子（電極）部が形成されるのが一般的である。かかるデータ入出力用の端子部が、汚れていると正確にデータの入出力を行うことができないことから、リードフレームのチップ搭載部に搭載された半導体チップの樹脂封止を行うについては細心の注意を払う必要がある。
【０００４】
ここで、ＩＣカードに使用されるリードフレームのチップ搭載部に搭載された半導体チップの樹脂封止を行う従来方法について図面を参照して説明する。先ず、図５に基づきポッティングにより半導体チップの樹脂封止を行う場合について説明する。図５はリードフレームを平板状の下型上に載置しつつ半導体チップの樹脂封止を行う状態を模式的に示す断面図である。
【０００５】
図５において、リードフレーム５０には、所定の溝パターン５１を介してチップ搭載部５２及びチップ搭載部５２の周囲に複数個の導電パターン部５２Ａが設けられており、チップ搭載部５２上には半導体チップ５３が搭載されている。また、半導体チップ５３の各接続端子と各導電パターン部５２Ａとは、ワイヤボンディングを行うことによりワイヤ５４を介して相互に接続されている。
【０００６】
前記のように構成されたリードフレーム５０は、平板状の下型５５上に載置され、かかる状態で封止樹脂Ｒのポッティングが行われる。即ち、封止樹脂Ｒは、半導体チップ５２、ワイヤ５４を被覆するようにポッティングされた後、硬化される。このとき、封止樹脂Ｒは、図５に示すように、リードフレーム５０の溝パターン５１内まで進入され、また、硬化後における封止樹脂Ｒは、その粘度等に従って凸形状を有することとなる。尚、前記のように半導体チップ５３が搭載されたリードフレーム５０は、ＩＣカードの厚さ内に適正に収納するため、点線Ｌに沿って封止樹脂Ｒの凸部が削り取られる。
【０００７】
次に、トランスファーモールド法により半導体チップの樹脂封止を行う場合について図６に基づき説明する。図６は上下一対のモールド型の間にリードフレームをセットしつつ半導体チップの樹脂封止を行う状態を模式的に示す断面図である。
【０００８】
トランスファーモールド法によりリードフレームの半導体チップを樹脂封止するには、図６に示すように、リードフレーム５０（図５に示すリードフレームと同一の構成を有する）を平板状の下モールド型５６上に載置するとともに、上モールド型５７に形成された樹脂封止部５８内に半導体チップ５３及びワイヤ５４を収納するように上モールド型５７を下モールド型５６上にセットした後、樹脂注入口（図示せず）からエポキシ樹脂等の封止樹脂Ｒを所定の高圧をもって注入硬化して各半導体チップ５３、ワイヤ５４を樹脂封止する。このとき、封止樹脂Ｒは、図６に示すように、樹脂注入時に高い圧力をかけられることから、リードフレーム５０の溝パターン５１内まで進入される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記ポッティング法により半導体チップ５３等の樹脂封止を行う場合、リードフレーム５０を平板状の下型上に載置した状態で封止樹脂Ｒのポッティングが行われることから、封止樹脂Ｒはその硬化前に毛細管現象に基づき溝パターン５１からリードフレーム５０の下面側にまで回り込んでしまう。このように封止樹脂Ｒがリードフレーム５０の下面側まで回り込むと、回り込み部Ａが形成され、ＩＣカードのデータ入出力用の端子部（リードフレーム５０の下面側にある）が封止樹脂Ｒ（回り込み部Ａ）により汚損されてしまい、導通不良等に起因して信頼性が低下することからＩＣカードに使用できなくなる問題がある。
【００１０】
また、前記トランスファーモールド法により半導体チップ５３等の樹脂封止を行う場合、封止樹脂Ｒは所定の高圧をもって樹脂封止部５８内に注入されることから、封止樹脂Ｒはリードフレーム５０の溝パターン５１内にまで進入され、この結果前記と同様、溝パターン５１からリードフレーム５０の下面側まで回り込んでしまう。このように封止樹脂Ｒがリードフレーム５０の下面側まで回り込むと、回り込み部Ａが形成され（図７参照）、ＩＣカードのデータ入出力用の端子部（リードフレーム５０の下面側にある）が封止樹脂Ｒ（回り込み部Ａ）により汚損されてしまい、導通不良等に起因して信頼性が低下することからＩＣカードに使用できなくなる問題がある。
【００１１】
前記各方法において発生する封止樹脂Ｒのリードフレーム５０の下面側への回り込みを防止するには、予めリードフレーム５０の溝パターン５１に目止め処理を施しておき、前記ポッティング法やトランスファーモールド法を介して半導体チップ５３等の樹脂封止を行えばよい。このとき、溝パターン５１の目止め処理を行う方法としては、溝パターン５１部分に粘着テープを貼付する方法又は溝パターン５１部分に樹脂をプリモールドして充填しておく方法がある。
【００１２】
そこで、溝パターン５１に前記のような目止め処理を施してポッティング法により半導体チップ５３等の樹脂封止を行う方法について図８乃至図１０に基づき説明する。ここに、図８はリードフレームにおける溝パターンの下面を粘着テープにより被覆してポッティング法により半導体チップの樹脂封止を行った状態を模式的に示す断面図、図９はリードフレームにおける溝パターンの上面を粘着テープにより被覆してポッティング法により半導体チップの樹脂封止を行った状態を模式的に示す断面図、図１０はリードフレームにおける溝パターンに樹脂をプリモールドしてポッティング法により半導体チップの樹脂封止を行った状態を示す断面図である。尚、図８乃至図１０では、ポッティング法により樹脂封止する場合を示しているが、トランスファーモールド法の場合も同様に行われる。
【００１３】
図８、図９に示すように、リードフレーム５０における溝パターン５１の下面を被覆するように粘着テープ５９を貼付したり（図８）、又は、溝パターン５１の上面を被覆するように粘着テープ５９を貼付したり（図９）した後、前記と同様のポッティング法により半導体チップ５３、ワイヤ５４を封止樹脂Ｒにより樹脂封止した場合には、封止樹脂Ｒが硬化前に溝パターン５１内に進入することは防止可能ではある。尚、封止樹脂Ｒの凸部は、前記と同様、リードフレーム５０をＩＣカードの厚さ内に適正に収納するため、点線Ｌに沿って削り取られる。
【００１４】
しかし、粘着テープ５９は、樹脂封止後に、リードフレーム５０の下面又は上面から剥離する必要があり、かかる粘着テープ５９の剥離時に粘着剤が溝パターン５１の周辺に残存する虞がある。このように溝パターン５１の周辺に残存された粘着剤は、導通不良の原因となって信頼性が低下してしまうことから、やはりこの場合にもＩＣカードに使用できなくなるという問題がある。また、粘着テープ５９を使用する方法では、粘着テープ５９を溝パターン５１の下面又は上面に貼付する工程が必要とされ、更に、粘着テープ５９を剥離する工程も必要となる。このように、半導体チップ５３等を樹脂封止するにつき、工程数が増加してしまうことから、コストアップを招来してしまうものである。
【００１５】
また、図１０に示すように、リードフレーム５０の溝パターン５１内に目止め樹脂６０をプリモールドにより充填した後、前記と同様のポッティング法により半導体チップ５３、ワイヤ５４を封止樹脂Ｒにより樹脂封止した場合にも、封止樹脂Ｒが硬化前に溝パターン５１内に進入することは防止可能ではある。尚、封止樹脂Ｒの凸部は、前記と同様、リードフレーム５０をＩＣカードの厚さ内に適正に収納するため、点線Ｌに沿って削り取られる。
【００１６】
しかし、前記のように溝パターン５１内に目止め樹脂６０をプリモールドする場合、目止め樹脂６０が溝パターン５１の周辺に付着することが多く、このように付着した目止め樹脂６０は、前記と同様、導通不良の原因となって信頼性が低下してしまうことから、やはりこの場合にもＩＣカードに使用できなくなるという問題がある。また、これを防止すべく溝パターン５１の周辺を研磨して目止め樹脂６０を取り除く場合には、目止め樹脂６０のプリモールド工程に加えて研磨工程が必要となり、これにより半導体チップ５３等を樹脂封止するにつき、工程数が増加してしまうことから、コストアップを招来してしまうものである。
【００１７】
前記したように、溝パターン５１を被覆するように粘着テープ５９を貼付する場合、及び、溝パターン５１内に目止め樹脂６０をプリモールドして充填する場合のいずれにおいても、導通不良に基づく信頼性の低下に起因してＩＣカードに使用できなくなったり、また、工程数が増加してコストアップを招来するという問題がある。
【００１８】
本発明は前記問題点を解消するためになされたものであり、導通不良を発生することなく高い信頼性をもってリードフレーム上の半導体チップを薄く樹脂封止することができるとともに、製造工程数を増加させることなくコストを低減することができる半導体チップの樹脂封止装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため本発明に係る半導体チップの樹脂封止装置は、所定パターンに従って金属薄板に溝パターンが形成され、溝パターンによって区画されたチップ搭載部及びチップ搭載部の周囲に複数個設けられた導電パターン部とを有するリードフレームにおけるチップ搭載部に搭載された半導体チップの樹脂封止を行う半導体チップの樹脂封止装置において、前記半導体チップを内包する樹脂封止部が形成されるとともに樹脂封止部に樹脂を供給する樹脂供給部が形成された上型と、前記溝パターンと同一のパターン形状に形成され、且つ溝パターンの溝幅よりも大きな溝幅を有する溝部が設けられた下型とを備え、各上型と下型との間に、前記リードフレームを挟持した状態で上型の樹脂供給部から低圧下で樹脂を注入し、硬化させる構成を有する。
【００２０】
【作用】
前記構成を有する本発明に係る半導体チップの樹脂封止装置では、溝パターンを介して形成されたリードフレームのチップ搭載部に搭載された半導体チップの樹脂封止を行うに際して、リードフレームが上型と下方との間に挟持される。このとき、半導体チップは上型に形成された樹脂封止部に内包され、また、リードフレームの溝パターンは、その溝パターンの溝幅よりも大きな溝幅を有する下型の溝部に対応されている。
【００２１】
この状態で、上型の樹脂供給部から低圧下で樹脂が注入され、硬化されて半導体チップの樹脂封止が行われる。かかる樹脂注入時、樹脂は、低圧をもって樹脂注入部から注入されるとともに、溝パターンの溝幅よりも大きな溝幅を有する下型の溝部が溝パターンに対応されていることから、樹脂の表面張力を介して溝パターンの界面付近にて保持され、また、溝パターン下面の周囲に回り込むことはない。
【００２２】
【実施例】
以下、本発明に係る半導体チップの樹脂封止装置について、本発明を具体化した実施例に基づき図面を参照しつつ詳細に説明する。先ず、第１実施例の樹脂封止装置について図１に基づき説明する。図１はリードフレームのチップ搭載部に搭載された半導体チップを樹脂封止している状態を示す第１実施例の樹脂封止装置の断面図である。
【００２３】
図１において、樹脂封止装置１は上型２と下型３とを備えており、各上型２と下型３との間には樹脂封止時にリードフレーム４が挟持固定される。先ず、リードフレーム４の構成について説明すると、リードフレーム４は前記従来におけるリードフレームと同一の構成を有しており、金属薄板から形成されている。リードフレーム４には、所定の溝パターン５（後述する）を形成することによりチップ搭載部６が設けられており、また、チップ搭載部６の周囲には、溝パターン６の溝幅だけ離間して複数個の導電パターン部７が設けられている。また、チップ搭載部６上には、公知の方法により半導体チップ８が搭載されており、かかる半導体チップ８の各接続端子と各導電パターン部７とはワイヤボンディングを行うことによりワイヤ９を介して相互に接続されている。
【００２４】
ここで、前記リードフレーム４の製造方法について図２を参照して概説する。図２は複数個のリードフレーム４が一体に形成されたフレームＦの平面図である。かかるフレームＦは、厚さ０．２５ｍｍの４２アロイ板を連続的にプレス加工することにより得られ、プレス加工時に形成される所定パターンを有する打ち抜き溝を介して、各リードフレーム４を形成するためのリードフレーム部１０が２列に形成されている。各リードフレーム部１０においては溝パターン５が形成され、この溝パターン５を介して、円形状のチップ搭載部６、及び、チップ搭載部６の周囲に複数個の導電パターン部７（Ｎｉ／Ａｕメッキが施される）が設けられる。また、フレームＦの両側には、フレームＦを一定方向に送り駆動するための送り穴１１、及び、各リードフレーム部１０を正確に位置決めすべくセンサ（図示せず）を介してフレームＦの位置検出を行うためのセンサ穴１２が、それぞれ所定間隔で形成されている。
【００２５】
そして、リードフレーム４を製造する際には、前記のように構成されたフレームＦが、送り装置（図示せず）により各送り穴１１を介して、例えば、図２中右方向に送られ、また、センサを介して各センサ穴１２によりフレームＦの位置検出が行われた時点で、フレームＦの送り動作が停止される。この時点において、各リードフレーム４は、ボンディング装置に対してワイヤボンディング可能な位置にセットされている。この後、半導体チップ８がチップ搭載部６に搭載され、ボンディング装置によりワイヤボンディングが行われる。これにより、半導体チップ８における各接続端子と各導電パターン部７とが相互に接続され、更に、各リードフレーム部１０毎にフレームＦから切断することにより図１に示すリードフレーム４が製造されるものである。
【００２６】
次に、樹脂封止装置１の上型２、下型３について説明する。上型２の略中央位置（後述する半導体チップ８に対応する位置）には樹脂供給部１３が形成されており、また、樹脂供給部１３の内方には半導体チップ８、ワイヤ９等を内包する樹脂封止部１４が形成されている。樹脂注入部１３からは封止樹脂Ｒが低圧下で注入される。また、下型３には、リードフレーム４がセットされた際に、その溝パターン５に対応するように溝部１５が形成されている。かかる溝部１５は、図３に示すように、リードフレーム４の溝パターン５と同一のパターン形状に形成されており、また、溝パターン５の溝幅よりも若干大きな溝幅となるように設けられている。従って、図１に示すように、リードフレーム４を上型２と下型３との間にセットした状態においては、リードフレーム４の溝パターン５の下方で間隙が設けられつつ、溝パターン５よりも幅広な溝部１５が配置されることなる。
【００２７】
前記のように構成された樹脂封止装置１を使用してリードフレーム４のチップ搭載部６に搭載された半導体チップ８、ワイヤ９等の樹脂封止を行うには、先ず、リードフレーム４を図１に示すように上型２と下型３との間にセットする。かかるリードフレーム４のセット状態においては、上型２の樹脂供給部１３は略半導体チップ８の上方に配置されており、また、リードフレーム４の溝パターン５は下型３の溝部１４に対応されている。
【００２８】
前記リードフレーム４のセット状態を保持したまま、樹脂供給部１３から樹脂封止部１４内に封止樹脂Ｒ（エポキシ樹脂ＣＶ５１９４Ａ：松下電工株式会社製）を低圧下、例えば、常圧下（大気圧下）で注入する。このとき、リードフレーム４の溝パターン５と下型３の溝部１５との間には間隙が形成され、また、溝部１５の溝幅は溝パターン４の溝幅よりも若干大きくされていることから、封止樹脂Ｒは、常圧で注入されることとも相まって、その表面張力を介して溝パターン４の界面付近で保持される。これにより、封止樹脂Ｒが溝パターン４の下面の周囲に回り込むことを確実に防止することができ、この結果、封止樹脂Ｒが溝パターン４の周囲に付着等することに起因する導通不良を発生することなく高い信頼性をもってリードフレーム４上の半導体チップ８を薄く樹脂封止することができる。
【００２９】
前記のように封止樹脂Ｒを樹脂封止部１４内に注入した後、各上型２、下型３を１８０℃に加熱して封止樹脂Ｒを硬化させる。この後、各上型２、下型３と共に硬化後の封止樹脂Ｒを冷却して上型２、下型３から取り出せば、チップ搭載部６に搭載された半導体チップ８等を樹脂封止してなるリードフレーム４が得られる。前記のように、封止樹脂Ｒが溝パターン４の周囲に付着等することは全くないので、従来におけるように粘着テープの貼付工程及び剥離工程や樹脂のプリモールド工程及びその研磨工程は全く行う必要がなくなり、これにより製造工程数を増加させることなく低いコストをもって半導体チップ８の樹脂封止を行うことができる。
【００３０】
尚、樹脂注入部１３に相当する封止樹脂Ｒは、前記のように樹脂封止が行われた後、取り除かれる。
次に、第２実施例に係る樹脂封止装置について図４に基づき説明する。図４はリードフレームのチップ搭載部に搭載された半導体チップを樹脂封止している状態を示す第２実施例の樹脂封止装置の断面図である。
【００３１】
尚、第２実施例の樹脂封止装置に使用されるリードフレームは、厚さ０．２５ｍｍのコバール板に液体レジストを塗布した後、所定のパターンマスクを使用して露光、現像を行うことにより、レジストパターンを形成し、この後、コバール板を塩化第２鉄水溶液にてエッチングを行うとともに、レジストパターンを剥離しパラジウムメッキを施して得られたフレームＦから形成されている点で、前記第１実施例のリードフレーム４とは異なっている。フレームＦの残余の構成、及び、フレームＦからリードフレームを作成する方法については同様であり、従って、リードフレーム４に関し同一部材等については同一の番号を付して説明する。また、第２実施例の樹脂封止装置において、下型は前記第１実施例の樹脂封止装置１における下型３と同一構成を有している。
【００３２】
図４において、樹脂封止装置２１は上型２２と下型３とを備えており、各上型２２と下型３との間には樹脂封止時にリードフレーム４が挟持固定される。上型２２の略中央位置（半導体チップ８に対応する位置）には樹脂供給部２４（第１実施例の樹脂封止装置１における上型２の樹脂供給部１３よりも広く形成されている）が形成されており、また、樹脂供給部２４の内方には半導体チップ８、ワイヤ９等を内包する樹脂封止部２５が形成されている。樹脂供給部２４からは封止樹脂Ｒが低圧下で注入され、その後封止樹脂Ｒは、その余分な樹脂を取り除いて封止樹脂Ｒの上面を平面状にならすべく、スキージ２６を介して点線Ｌに示すように水平状態にならされる。
【００３３】
尚、リードフレーム４と下型３とは前記第１実施例の場合と同様であるので、リードフレーム４を上型２２と下型３との間にセットした状態においては、リードフレーム４の溝パターン５の下方で間隙が設けられつつ、溝パターン５よりも幅広な溝部１５が配置されることとなる。
【００３４】
前記のように構成された樹脂封止装置２１を使用してリードフレーム４のチップ搭載部６に搭載された半導体チップ８、ワイヤ９等の樹脂封止を行うには、先ず、リードフレーム４を図４に示すように上型２２と下型３との間にセットする。かかるリードフレーム４のセット状態においては、上型２２の樹脂供給部２４は略半導体チップ８の上方に配置されており、また、リードフレーム４の溝パターン５は下型３の溝部１４に対応されている。かかるリードフレーム４のセット状態を保持したまま、樹脂供給部２４から樹脂封止部２５内に封止樹脂Ｒ（エポキシ樹脂ＣＥＬ−４６００：日立化成株式会社製）を低圧下、例えば、常圧下（大気圧下）で注入する。このとき、前記第１実施例の場合と同様、リードフレーム４の溝パターン５と下型３の溝部１５との間には間隙が形成され、また、溝部１５の溝幅は溝パターン４の溝幅よりも若干大きくされていることから、封止樹脂Ｒは、常圧で注入されることとも相まって、その表面張力を介して溝パターン４の界面付近で保持される。これにより、封止樹脂Ｒが溝パターン４の下面の周囲に回り込むことを確実に防止することができ、この結果、封止樹脂Ｒが溝パターン４の周囲に付着等することに起因する導通不良を発生することなく高い信頼性をもってリードフレーム４上の半導体チップ８を薄く樹脂封止することができる。
【００３５】
前記のように封止樹脂Ｒを樹脂封止部２５内に注入した後、スキージ２６を介して封止樹脂Ｒの上面を水平状態にならす。この後、各上型２２、下型３を１８０℃に加熱して封止樹脂Ｒを硬化させる。更に、各上型２２、下型３と共に硬化後の封止樹脂Ｒを冷却して上型２、下型３から取り出せば、チップ搭載部６に搭載された半導体チップ８等を樹脂封止してなるリードフレーム４が得られる。従って、第１実施例の場合と同様、封止樹脂Ｒが溝パターン５の周囲に付着等することは全くないので、従来におけるように粘着テープの貼付工程及び剥離工程や樹脂のプリモールド工程及びその研磨工程は全く行う必要がなくなり、これにより製造工程数を増加させることなく低いコストをもって半導体チップ８の樹脂封止を行うことができる。
【００３６】
以上詳細に説明した通り第１実施例及び第２実施例に係る樹脂封止装置１、２１では、上型２、２２と下型３との間にリードフレーム４をセットした際に、リードフレーム４の溝パターン５と対応するとともに、溝パターン５の溝幅よりも若干大きな溝幅を有する溝部１５を形成し、また、各樹脂注入部１３、２４から樹脂封止部１４、２５内に封止樹脂Ｒを注入するにつき封止樹脂Ｒを低圧で、例えば、常圧をもって注入するようにしたので、リードフレーム４の溝パターン５と下型３の溝部１５との間には間隙が形成されるとともに、溝部１５の溝幅は溝パターン４の溝幅よりも若干大きくされることとなり、封止樹脂Ｒは、常圧で注入されることとも相まって、その表面張力を介して溝パターン４の界面付近で保持される。これにより、封止樹脂Ｒが溝パターン４の下面の周囲に回り込むことを確実に防止することができ、この結果、封止樹脂Ｒが溝パターン４の周囲に付着等することに起因する導通不良を発生することなく高い信頼性をもってリードフレーム４上の半導体チップ８を薄く樹脂封止することができる。
【００３７】
また、前記のように封止樹脂Ｒが溝パターン５の周囲に付着等することは全くないので、従来におけるように粘着テープの貼付工程及び剥離工程や樹脂のプリモールド工程及びその研磨工程は全く行う必要がなくなり、これにより製造工程数を増加させることなく低いコストをもって半導体チップ８の樹脂封止を行うことができる。
尚、本発明は前記各実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは勿論である。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明した通り本発明は、導通不良を発生することなく高い信頼性をもってリードフレーム上の半導体チップを薄く樹脂封止することができるとともに、製造工程数を増加させることなくコストを低減することができる半導体チップの樹脂封止装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  リードフレームのチップ搭載部に搭載された半導体チップを樹脂封止している状態を示す第１実施例の樹脂封止装置の断面図である。
【図２】  複数個のリードフレームが一体に形成されたフレームの平面図である。
【図３】  フレームの平面図である。
【図４】  リードフレームのチップ搭載部に搭載された半導体チップを樹脂封止している状態を示す第２実施例の樹脂封止装置の断面図である。
【図５】  従来において、リードフレームを平板状の下型上に載置しつつ半導体チップの樹脂封止を行う状態を模式的に示す断面図である。
【図６】  従来において、上下一対のモールド型の間にリードフレームをセットしつつ半導体チップの樹脂封止を行う状態を模式的に示す断面図である。
【図７】  トランスファーモールド法により半導体チップを樹脂封止した状態を示すリードフレームの断面図である。
【図８】  従来において、リードフレームにおける溝パターンの下面を粘着テープにより被覆してポッティング法により半導体チップの樹脂封止を行った状態を模式的に示す断面図である。
【図９】  従来において、リードフレームにおける溝パターンの上面を粘着テープにより被覆してポッティング法により半導体チップの樹脂封止を行った状態を模式的に示す断面図である。
【図１０】  従来において、リードフレームにおける溝パターンに樹脂をプリモールドしてポッティング法により半導体チップの樹脂封止を行った状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１、２１                  樹脂封止装置
２、２２                  上型
３                        下型
４                        リードフレーム
５                        溝パターン
６                        チップ搭載部
７                        導電パターン部
８                        半導体チップ
９                        ワイヤ
１３、２４                樹脂注入部
１４、２５                樹脂封止部
１５                      溝部
Ｒ                        封止樹脂
【図１】
0003713306.tif 000002
【図２】
0003713306.tif 000003
【図３】
0003713306.tif 000004
【図４】
0003713306.tif 000005
【図５】
0003713306.tif 000006
【図６】
0003713306.tif 000007
【図７】
0003713306.tif 000008
【図８】
0003713306.tif 000009
【図９】
0003713306.tif 000010
【図１０】
0003713306.tif 000011