(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶の原料溶融液を充填する坩堝と、この溶融液を加熱するヒーターと、坩堝内の溶融液表面に種結晶を接触させて単結晶を成長させる引上げ手段と、単結晶の引上げ域の周囲を囲繞して輻射熱の遮蔽とともに不活性ガス流れを整える整流治具とを具備する装置を用い、
前記坩堝内の溶融液表面に種結晶を接触させネック部を形成する際に、前記整流治具の下端と溶融液表面との距離を距離（１）として３０〜１３０ｍｍに設定して単結晶のネック部を直径６〜１５ｍｍで形成し、結晶を無転位化した後、前記整流治具の下端と前記溶融液表面との距離を距離（２）として１５〜３０ｍｍに変更し、
そののち単結晶のショルダーを形成し、次いでボディ部を育成することを特徴とする単結晶の引上げ方法。
ただし、距離（１）（ｍｍ）＞距離（２）（ｍｍ）とする
【請求項２】
ネック部を形成した後に整流治具の下端と溶融液表面との距離を距離（１）から距離（２）に変更する幅を１００ｍｍ以下とし、かつ変更する速度を０．１ｍｍ／ｍｉｎ〜１．０ｍｍ／ｍｉｎとすることを特徴とする請求項１に記載の単結晶の引上げ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン等の半導体用単結晶の引上げ方法に関し、さらに詳しくは、大重量の単結晶を引き上げる際に単結晶を無転位で、かつ安定した結晶品質で製造するとともに、落下事故を発生することなく安全に引き上げることができる単結晶引上げ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、大規模集積回路（ＬＳＩ）等の回路素子形成用基板に用いられるシリコン単結晶の大部分は、チョクラルスキー法（以下「ＣＺ法」という）によって引上げられる。ＣＺ法によって製造された単結晶は、石英製坩堝内の原料溶融液から引上げられるため、結晶中に酸素を含有しており、ＬＳＩの製造プロセスにおいて、また基板品質において優れた特性を発揮する。
【０００３】
ＣＺ法による単結晶の引上げでは、その引上速度は単結晶の温度勾配と密接な関係があり、温度勾配を大きくすることによって引上速度を速くすることができる。また、単結晶の引上げ中は、常時、不活性ガスが供給されており、装置内での乱流、滞留、渦流等を防ぐため、ガス流れを整流する必要がある。このため、工業的にシリコン単結晶を製造する場合には、引き上げられる単結晶の周囲を囲繞するように整流治具を設けて、輻射熱の遮蔽とともに不活性ガス流れを整えるようにしている。
【０００４】
図１は、ＣＺ法によって整流治具を設けてシリコン単結晶を引き上げる装置の縦断面図を示す図である。通常、単結晶引上げ装置１の中心部に配置され、シリコン単結晶の製造に使用される坩堝２は二重構造であって、内側の石英坩堝2aと、外側の黒鉛坩堝2bとで構成される。坩堝２の外側には黒鉛製のヒーター３が設けられ、坩堝２内にはこのヒーターによって溶融されたシリコン溶融液４が収容される。単結晶の引上げ手段として引上げワイヤー５が用いられ、その先端に種結晶６が取り付けられる。溶融液４表面に種結晶６の下端を接触させて上方へ引き上げることによって、その下端に単結晶７を凝固させ成長させる。
【０００５】
このとき、溶融液４上ではシリコン単結晶を囲繞するように整流治具８が配設されている。この整流治具８によってヒーター３および溶融液４からの輻射熱が遮断され、引上げられる単結晶７の温度勾配が大きくなる。また、単結晶の引上げ中は、常時不活性ガスとして高純度のアルゴンガスを供給して、ガス流れ31（図中では矢印で示す）を形成させるが、このガス流れ31は、整流治具８によって整えられる。通常、整流治具８の下端と坩堝内に充填される溶融液４表面との距離（以下、単に「ギャップ」という場合がある）は、輻射熱の遮蔽効果および不活性ガスの整流作用を勘案して15〜30mmに設定される。
ＣＺ法によって単結晶を引き上げる場合には、種結晶に残存している転位や種結晶を溶融液に接触させたときに熱応力で発生する転位を完全に除去し、これらが単結晶の本体（ボディ）部に及ばないようにする必要がある。この方策として、転位を結晶表面から排除して単結晶を無転位化するために、直径を細長く絞る、所謂ダッシュネック法が採用されている。
【０００６】
一般的なダッシュネック法は、種結晶から成長させる結晶を直径３〜４mm程度まで細く絞ることによって、種結晶に残存している転位、および溶融液との接触によって発生する転位を結晶外に除去させ、無転位の結晶を成長させるため、引上げ開始直後にネック部を形成するものである。一方、形成されるネック部直径が５mmを超えるようになると、転位が結晶外に抜けにくくなり、無転位化が困難になる。
【０００７】
上述の通り、ネック部直径を４mm以下と細く絞り込んで形成すると、効率よく転位を除去することができるが、ネック部を細く絞り過ぎると、その後に成長させる単結晶インゴットを支持するだけの強度が確保できなくなる。このため、単結晶の引上げ時やそれに続く冷却および取り出し時にネック部が破損し、単結晶が坩堝内の溶融液に落下したり、引上げ装置を損傷したり、さらには溶融液の流出、水蒸気爆発等の事態を発生させ、人身事故を招く恐れもある。
【０００８】
このダッシュネック法では、引上げ速度と溶融液温度を制御することによって、所望のネック形状を形成することができる。すなわち、引上げ速度を速く、または溶融液温度を高くすることによって、ネック部直径を細く形成でき、逆に、引上げ速度を遅く、また溶融液温度を低くすることによって、ネック部直径を大きく形成することができる。
【０００９】
その反面、ネック部直径を一定に制御したい場合でも、坩堝内の溶融液の温度に不測の変動が生ずると、それに伴ってネック部の形状も変化することになる。例えば、単結晶の引上げ過程で突発的に溶融液温度が上昇すると、ネック部直径が目標値より細くなり過ぎたり、さらに溶融液面から切り離れてしまう事態が発生することがある。このような場合には、該当するネック部を溶融液に漬け込んで溶融した後、再度、ダッシュネック法を繰り返すことになる。
【００１０】
従来では、引き上がられる単結晶の重量は100Kg程度に限定されていたが、特に、近年において半導体製造の効率化の要請が強く、単結晶の大径化とともに長尺化の傾向が顕著となり、単結晶の重量が 200Kgを超えるようになってきた。このような事態に対応するため、ネック部直径を大きく形成すると、前述の通り、ダッシュネック法では無転位化が困難になり、再びネック形成作業を繰り返す事例が増加している。このように、単結晶の重量の増加に伴い、ネック部の破損防止や単結晶の落下防止を優先すると、結晶の無転位化との両立が困難になり、ダッシュネック法の再作業が増加し、単結晶引上げプロセスでの効率低下が顕著になる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
前述した単結晶の重量の増加に伴う問題に対応するため、本出願人は、特開平11-189488号公報においてギャップを増大させる方法を提案している（以下、単に「ギャップ増大法」という）。すなわち、引上げられた単結晶を取り囲む整流治具の下端と坩堝内に充填される溶融液表面との距離を、通常のＣＺ法で用いる距離より増大させた単結晶引上げ装置を用いて、種結晶の先端部を溶融液との温度差を小さくなるまで昇温させた後に、種結晶を溶融液に接触させて単結晶を引き上げる方法を提案している。
【００１２】
提案されたギャップ増大法では、種結晶へのヒータからの輻射熱が増大し、種結晶の先端部の温度が上昇することになるので、この先端部と溶融液面との温度差が小さくなる。これによって、接触時の熱応力が軽減され、接触時に導入される転位数が減少する。
【００１３】
また、ギャップを増大させることによって、引上げ時にネック部へのヒータからの輻射量が増大する。これによって、ネック部での温度勾配が小さくなり、等温線は平面に近くなり、ネック部での径方向の温度勾配も小さくなり、熱応力が軽減すると同時に転位運動速度が減少することから、ネック部での転位除去能力が増大する。そして、これらの作用により、ネック部直径を大きくしたとしても、転位除去が可能となり、転位を伝播させることなく重量の増加した単結晶を引き上げることができるとしている。
【００１４】
さらに、提案されたギャップ増大法によれば、整流治具の下端と溶融液表面との距離を増大させることによって、単結晶の育成過程における溶融液面やヒータからの輻射熱の遮蔽条件や、引き上げられる単結晶の熱履歴が変更することになる。
【００１５】
ところで、単結晶中に存在する微少欠陥の形成には、育成過程での熱履歴が大きく影響しており、熱履歴によって形成される微少欠陥の性状が変わることになる。例えば、ギャップを増大させたまま引上げを行うと、引上げ速度を速くすることができないが、微少欠陥は形成し難くなる。反面、ギャップを狭めて引上げを行うと、引上げ速度を速めることができ、微少欠陥の形成も異なった単結晶を育成することができる。一方、結晶の最終品質に関し、顧客ユーザー側からの結晶中の微少欠陥についての要請も多岐に亘るようになり、これらに対応するため単結晶の育成条件も多様化することになる。
【００１６】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、大重量の単結晶を引き上げを前提として、引上げ過程において通常のギャップより増大させた整流治具を配設する場合であっても、単結晶を無転位に育成するとともに、落下事故を発生することなく安全に引き上げることができ、しかも多様化した育成条件に対応した、条件選択の自由度が高い単結晶引上げ方法を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前述の課題を解決するため、ネック部直径の選定および育成条件の多様化対応の両面から種々の検討を行った結果、まず、ネック部直径の選定に関して、先に提案したギャップ増大法を適用し、目標となるネック部直径を６mm以上に設定すれば、単結晶の無転位化が保証できるとともに、落下事故をなくすことに有効であることに着目した。
【００１８】
具体的には、従来のダッシュネック法によってネック部直径を３〜４mm目標で形成する場合に、急激な溶融液温度の変動が生じてネック直径の制御が困難になり、目標値より細く形成され、直径が３mm未満になることが屡々発生した。この場合には、ネック部の引張強度を20kg/mm２で計算すると、引上げ可能な荷重は141kg未満に留まることになり、重量200kgを超える単結晶の支持は困難である。このため、ネック部を溶融して再度形成することが必要になる。
【００１９】
これに対し、目標となるネック直径を６mm以上に設定すれば、同様の形成環境から目標直径より１mm細く形成されたとしても、最少直径で５mmは確保されている。この場合の引上げ可能荷重は392kg以上となり、重量200kgを超える単結晶を支持するにも問題なく、落下事故を恐れることなく安全に引上げ作業を継続することができる。
【００２０】
ところが、ギャップ増大法によってネック部を形成した後も、ギャップを増大したままショルダー部およびボディ部の引上げに移行すると、従来のＣＺ法に比べ、輻射条件が変更することから単結晶の熱履歴が変わることになる。
【００２１】
そこで、結晶品質に及ぼす熱履歴に関して検討を加えた結果、ネック部の形成段階とショルダー部およびボディ部の形成段階においてギャップを変更することによって、多様化した育成条件に対応できることを確認した。すなわち、ネック部の形成段階では増大したギャップ（距離（１））を用いて、単結晶の無転位化と落下防止が図れるネック部を形成して、次にショルダー部およびボディ部の引上げに移行すると、採用するギャップ（距離（２））を選択することによって、種々の育成条件を選択できる。したがって、大重量の単結晶の引き上げに際しても、ネック部の形成とショルダー部およびボディ部の形成でギャップを変更することによって、単結晶を無転位に育成するとともに安全な引上げが可能であり、同時に多様化した育成条件に対応する単結晶引上げが可能であることを明らかにした。
【００２２】
本発明は、上記の知見に基づいて完成されたものであり、下記  （１）および（２）のシリコン単結晶引上げ方法を要旨とする。
（１）単結晶の原料溶融液を充填する坩堝と、この溶融液を加熱するヒーターと、坩堝内の溶融液表面に種結晶を接触させて単結晶を成長させる引上げ手段と、単結晶の引上げ域の周囲を囲繞して輻射熱の遮蔽とともに不活性ガス流れを整える整流治具とを具備する装置を用い、前記坩堝内の溶融液表面に種結晶を接触させネック部を形成する際に、前記整流治具の下端と溶融液表面との距離を距離（１）として３０〜１３０ｍｍに設定して単結晶のネック部を直径６〜１５ｍｍで形成し、結晶を無転位化した後、前記整流治具の下端と前記溶融液表面との距離を距離（２）として１５〜３０ｍｍに変更し、そののち単結晶のショルダーを形成し、次いでボディ部を育成することを特徴とする単結晶の引上げ方法であり、距離（１）（ｍｍ）＞距離（２）（ｍｍ）とする。
（２）上記（１）の引上げ方法では、ネック部を形成した後に整流治具の下端と溶融液表面との距離を距離（１）から距離（２）に変更する幅を１００ｍｍ以下とし、かつ変更する速度を０．１ｍｍ／ｍｉｎ〜１．０ｍｍ／ｍｉｎとするのが望ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の引上げ方法は、ギャップ増大法により整流治具を距離（１）で配設して、種結晶の溶融液への接触からネック部形成まで行い、結晶を無転位化した後、次いで整流治具を距離（２）に変更して、ショルダー部およびボディ部の形成を行うことを特徴としている。
【００２４】
図２は、本発明の引上げ装置における単結晶の引上げ域の要部を示した図である。輻射熱の遮蔽とともに不活性ガス流れを整える整流治具８は、溶融液４上でシリコン単結晶の引上げ域、同図では種結晶６とネック部7aを囲繞するように配設されている。整流治具８の配設位置は、単結晶の引上げ軸を中心として、その下端と坩堝内に充填される溶融液４表面との距離をギャップＧとして規定される。
【００２５】
本発明で採用されるギャップＧのうち、種結晶の溶融液への接触からネック部形成まで用いられる距離（１）は、ギャップ増大法に適用されるものであるから、３０〜２００ｍｍとする必要があり、さらに、引上げ領域の温度分布の安定性の観点からは、３０〜１３０ｍｍに限定する。次に、ショルダー部およびボディ部の形成を用いられる距離（２）は、通常のＣＺ法で採用するギャップＧと同じにすればよく、１５〜３０ｍｍとする。
【００２６】
引上げ過程の進展にともなって、ネック部形成までの距離（１）からショルダー部およびボディ部の形成時の距離（２）に変更することによって、ネック部形成では種結晶の溶融液面との温度差を小さくして接触時に導入される転位数を減少させ、同時に転位除去能力が増大させることができ、さらに、ショルダー部およびボディ部の形成時には通常のＣＺ法と熱履歴を変更させることがないので、同等の結晶を得ることができる。
【００２７】
本発明の引上げ装置におけるギャップＧの変更手段は、具体的に図示していないが、坩堝の昇降手段を用いて坩堝位置を変化させ、溶融液面の高さを変える方法であっても、または整流治具に昇降手段を設けて、その下端位置を変化させる方法のいずれであっても採用することができる。
【００２８】
図３は、本発明の引上げ方法を説明するためにネック部〜ショルダー部〜ボディ部の形成過程を模式的に示した種結晶近傍の部分拡大図である。以下、図３(a)〜(e)の各図に基づいて、種結晶の溶融液への接触からネック部〜ショルダー部〜ボディ部の形成過程を詳細に説明する。
【００２９】
図３（ａ）では、整流治具８の下端と溶融液４表面との距離が距離（１）になるように配設している。そして、引上げ手段の先端に取り付けられた種結晶６は、坩堝の回転とは逆方向に所定の速度で回転しながら、坩堝内に充填される溶融液４の表面直上まで降下される。このとき、種結晶６の先端部分は、ヒータおよび溶融液からの輻射熱によって充分に加熱されて、種結晶の融点が１４１０℃であるのに対し、最終的には、１３８０℃以上の高温までに上昇させるのが望ましい。
【００３０】
種結晶６の直径を小さくすることによって、溶融液面との接触時の熱応力を軽減して、導入される転位数を削減することができる。所定の直径のネック部を形成するには一定の大きさの種結晶を用いる必要があるが、一方、種結晶の直径が大きくなると、種結晶６の先端部分を充分に加熱することが困難になる。後述するように、ネック定径部の直径は６mm以上で形成し、その無転位化の上限は15mm程度となるのであるから、種結晶６の直径は、６〜15mmの範囲とするのが望ましい。
【００３１】
図３(b)では、種結晶６を降下させて、その先端部を溶融面４表面に接触させる。溶融液との接触時において、種結晶６の先端部との溶融液４とでは温度差が小さくなっているため、温度差に起因する熱応力が小さく、導入される転位数は少なくなる。
【００３２】
図３（ｃ）では、種結晶６の先端部に溶融液４を凝固させつつネック部７ａを形成する。このとき、単結晶のボディ部より速い速度で引き上げることによって、ネック部７ａを形成する。ネック部７ａの形成時には整流治具８は距離（１）であり、ネック部７ａへのヒーターおよび溶融液からの輻射量が多量であるため、ネック部７ａでの温度勾配が小さくなり、熱応力が軽減すると同時に転位運動速度が減少することから、ネック部７ａでの転位除去能力が増大する。
【００３３】
本発明では、ネック部直径を６mm以上で形成する。ネック部直径が６mm未満であると、前述の通り、急激な溶融液温度の変動が生じてネック直径の制御が困難になった場合に、重量200kgを超える単結晶の支持ができなくなる。一方、ネック部直径の上限は、結晶の無転位化が満足できる限り問題にならないので、特に規定する必要がないが、本発明者らの検討によって、ギャップ増大法で達成できる上限は15mmとされているので、これを限界とするのが望ましい。
【００３４】
図３（ｄ）では、整流治具８の下端と溶融液４表面との距離を距離（２）に変更した状態で、種結晶６の引き上げ速度を低下させて、ネック部７ａをボディ部直径まで成長させてショルダー部７ｂを形成する。ギャップの変更に際して、急激な変更は溶融液の温度分布を過剰に変化させることになるので、単結晶の直径制御を困難にし、結晶の急激な変形や、さらには有転位化を誘発することになる。このため、ギャップを変更する速度は、一定の制限が必要になる。
【００３５】
本発明者らの検討によれば、結晶の急激な変形や、有転位化を回避してギャップを変更するには、断熱材やヒーターの形状および特性、さらには坩堝寸法およびチャージ量による影響も考慮して、変更速度は１．０ｍｍ／ｍｉｎ以下にする必要がある。しかし、過剰に変更速度を低速にすると、距離（１）から所定の距離（２）を設定するまでに長時間を要することになるから、変更速度の下限を０．１ｍｍ／ｍｉｎとする。さらに、ギャップの大幅な変更は、装置内の温度分布に好ましくなく、特に引上げ領域の温度分布に影響を及ぼすとともに、ギャップ変更に長時間を要することになるから、距離（１）から距離（２）までの変更幅は１００ｍｍ以下に留めるのが望ましい。
【００３６】
図３（ｅ）では、整流治具８を距離（２）の状態で、単結晶のボディ部７ｃを引き上げている。このときの引上げ条件および輻射熱を含めた入熱条件は、通常のＣＺ法による引上げの場合と同等であるから、通常のＣＺ法による引上げと比べ、結晶品質に影響を及ぼすことなく引上げを行うことができる。
【００３７】
上述の通り、本発明方法では、ネック部形成によって結晶の無転位化を満足した後、ギャップを従来のＣＺ法で採用する条件に変更することによって、ギャップ増大法の効果を享受しつつ、通常のＣＺ法による引上げと同様の結晶品質を確保することができる。
【００３８】
本発明の装置によれば、前記図３に示した工程とは逆に、ネック部を形成して無転位化した後、ギャップを増大するプロセスも適用することができる。例えば、結晶の熱履歴を制御するため、ボディ部において増大したギャップで結晶成長を行う場合には、ネック部の形成時から増大したギャップで引上げを行うと、ショルダー部の形成時にヒーターからの輻射が強すぎて溶融液の温度制御が困難になり、結晶の直径制御に支障をきたす。このため、ネック部の形成時には、通常のＣＺ法と同じギャップに設定しておいて、ショルダー部形成の所定時期からギャップを拡大して、増大したギャップでボディ部の引上げを行えばよい。
【００３９】
本発明の方法によれば、上記の通り、多様化した育成条件に対応して、多岐にわたる操業に適用できる。しかし、その操業に際しては、ギャップ変更プロセスは自動で行うようにするので、オペレーターには新たな負担を生じさせることなく、単結晶の重量の増加に対応したネック部形成、ショルダー部形成およびボディ部育成が可能になると同時に、多岐にわたる操業に対応できる。
【００４０】
本発明の内容を通常のＣＺ法について説明したが、本発明は、何らこれに限定されるものではなく、その他の引上げ方法、例えば、溶融液に磁場を印加して行われるＭＣＺ法についても適用することができる。
【００４１】
【実施例】
本発明の効果を、発明例１、２および比較例１、２に基づいて具体的に説明する。
（発明例１）図１に示す単結晶製造装置を用いて、直径３００ｍｍで、ボディ長さ１０００ｍｍの大重量（２００Ｋｇ）の単結晶を引上げた。その引上げ条件は、チャージ量２２０Ｋｇとし、引上げ速度２．５ｍｍ／ｍｉｎ、結晶回転６ｒｐｍ  、坩堝回転１２ｒｐｍで、距離（１）を１００ｍｍとして目標直径６ｍｍのネック部を形成した後、変更速度０．７ｍｍ／ｍｉｎでギャップを変更して、距離（２）を３０ｍｍにして、ショルダー部を形成し、次いで引上げ速度０．７ｍｍ／ｍｉｎでボディ部を引き上げた。この条件で合計１０回の単結晶の引上げを実施した。
【００４２】
図４は、発明例１の引上げ時に形成されたネック部直径を実測した結果をネック部長さとの関係で示した図である。図示する実測結果は第１回〜第３回目のものであるが、いずれも全長１２０ｍｍにわたり最少直径で５．４ｍｍ以上で制御されており、２００ｋｇ超の大重量の単結晶も支持できることが分かる。その他の測定結果を表１に示す。
（発明例２）実施例１と同様の引上げ条件としたが、距離（１）を１２０ｍｍとして単結晶のネック部を形成した後、変更速度０．７ｍｍ／ｍｉｎでギャップを変更して、距離（２）を３０ｍｍにしてショルダー部を形成し、次いでボディ部を引き上げた。この条件で合計１０回の単結晶の引上げを実施した。
（比較例１）先に提案したギャップ増大法で、直径３００ｍｍで、ボディ長さ１０００ｍｍの大重量の単結晶を引上げた。その引上げ条件は、チャージ量２２０Ｋｇとし、引上げ速度２．５ｍｍ／ｍｉｎ、結晶回転６ｒｐｍ  、坩堝回転１２ｒｐｍで、距離（１）を１００ｍｍとして目標直径６ｍｍのネック部を形成した後、ショルダー部を形成し、次いで引上げ速度０．３ｍｍ／ｍｉｎでボディ部を引き上げた。この条件で合計１０回の単結晶の引上げを実施した。
（比較例２）通常のＣＺ法によって、直径３００ｍｍで、ボディ長さ１０００ｍｍの大重量の単結晶を引上げた。その引上げ条件は、チャージ量２２０Ｋｇ  とし、引上げ速度２．５ｍｍ／ｍｉｎ、結晶回転６ｒｐｍ  、坩堝回転１２ｒｐｍで、ギャップを２０ｍｍとして目標直径６ｍｍのネック部を形成した後、ショルダー部を形成し、次いで引上げ速度０．７ｍｍ／ｍｉｎでボディ部を引き上げた。
（比較結果）発明例１、２および比較例１、２の引上げ結果を表１に示す。発明例１、２ではＤＦ率が１００％で、所望の結晶品質を得ることができた。これに対し、比較例１では所望の品質を得ることができず、比較例２ではＤＦ率が６７％に留まっている。
【００４３】
【表１】
0003698080.tif 000002
【００４４】
【発明の効果】
本発明の単結晶引上げ方法によれば、大重量の単結晶を引き上げる場合であっても、引上げ過程においてギャップを変更することによって、単結晶を無転位に育成するとともに、落下事故を発生することなく安全に引き上げることができ、しかも多様化した育成条件に対応して、多岐にわたる操業に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＺ法によって整流治具を設けてシリコン単結晶を引き上げる装置の縦断面図を示す図である。
【図２】本発明の引上げ装置における単結晶の引上げ域の要部を示した図である。
【図３】本発明の引上げ方法を説明するためにネック部〜ショルダー部〜ボディ部の形成過程を模式的に示した種結晶近傍の部分拡大図である。
【図４】発明例１の引上げ時に形成されたネック部直径を実測した結果をネック部長さとの関係で示した図である。
【符号の説明】
１…単結晶引上げ装置、  ２…坩堝
2a…石英製坩堝、  2b…黒鉛製坩堝
３…ヒーター、  ４…溶融液
５…引上げ手段（引上げワイヤー）
６…種結晶、  ７…単結晶
7a…ネック部、  7b…ショルダー部
7c…ボディ部、  ８…整流治具
31…ガス流れ
【図１】
0003698080.tif 000003
【図２】
0003698080.tif 000004
【図３】
0003698080.tif 000005
【図４】
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