(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にフリップチップボンディングされた半導体チップと前記基板との間の間隙を含む空間からなるキャビティにおいて、該キャビティの外部から充填された溶融樹脂を硬化させて、前記半導体チップの背面を露出させて該半導体チップを樹脂封止する樹脂封止装置であって、
前記半導体チップの背面に沿って樹脂フィルムを張設する張設機構と、
前記半導体チップを樹脂封止する際に該半導体チップを押圧する押圧機構を備えるとともに、
前記押圧機構は、該押圧機構の端面が傾くことができるように傾動自在に設けられており、かつ、前記溶融樹脂が前記半導体チップの背面に漏出することを防止する目的で前記端面が前記樹脂フィルムを介して前記半導体チップの背面の全面を押圧するように設けられていることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項２】
基板にフリップチップボンディングされた半導体チップと前記基板との間の間隙に溶融樹脂を充填・硬化して、前記半導体チップの背面を露出させて該半導体チップを樹脂封止する樹脂封止装置であって、
前記半導体チップの背面に沿って樹脂フィルムを張設する張設機構と、
前記半導体チップを樹脂封止する際に該半導体チップを押圧する押圧機構と、
前記半導体チップを樹脂封止する際に充填される前記溶融樹脂の圧力によって前記半導体チップが浮き上がらないように前記押圧機構を保持するロック機構とを備えたことを特徴とする樹脂封止装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップボンディングされた半導体チップと基板との間の間隙に溶融樹脂を充填・硬化して、半導体チップを樹脂封止する樹脂封止装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来における、フリップチップボンディングされた半導体チップと基板との間の間隙に樹脂を充填して樹脂封止し、完成品、すなわちパッケージを形成する場合を説明する。
フリップチップの樹脂封止においては、アンダーフィルを行うため、すなわち半導体チップと基板との間にバンプをはさんで形成された間隙に樹脂を充填するために、キャビティに溶融樹脂を注入する。この間隙は、３０〜１００μｍ程度しかないので、これまで使用されてきた溶融樹脂では粘度が高すぎて、十分にアンダーフィルすることができない。そこで、キャビティに、低粘性樹脂を低圧で注入している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の樹脂封止を使用したフリップチップのアンダーフィルによれば、次のような問題があった。
まず、近年、特にＣＰＵについては高速化が進んだことにより、半導体チップを効果的に冷却する必要性が高まっている。そのために、半導体チップの背面を露出させて樹脂封止する技術が必要とされている。そこで、基板に平行な面を有する治具を使用して半導体チップの背面全体を押圧し、その状態でキャビティに低粘性樹脂を注入している。ところが、バンプの大きさのばらつき等により、半導体チップが傾いてボンディングされることがある。この場合に半導体チップの背面全体を押圧すると、半導体チップやバンプを損傷するおそれがあるという問題がある。加えて、半導体チップやバンプを損傷させない程度に押圧すると、治具と半導体チップの背面との間にすき間が生じて、半導体チップの背面に樹脂ばりが発生するおそれがある。この樹脂ばりは、半導体チップの背面に対するヒートシンクの取付を阻害するので、組立歩留りが低下するという問題がある。
また、樹脂封止用の金型には、樹脂充填時間の短縮と、ボイド抑制のためのガス排出とを目的として、深さ数１０μｍ程度のエアベントが設けられている。そのために、エアベントから低粘性樹脂が漏出しやすいという問題がある。
また、ほぼ正方形状の半導体チップに対して、その対角線と同一線上に設けたゲート部から、対角線に沿って半導体チップのコーナー部を目標にして樹脂を注入する。しかし、ゲート部と半導体チップとのわずかな位置ずれによって、低粘性樹脂の流動が不均一になるおそれがある。この場合には、先にエアベントに到達した低粘性樹脂がそのエアベントを塞いだ後に、気泡が低粘性樹脂内に残留して、ボイドが発生するという問題がある。
また、プランジャに組み込んだセンサを使用して、低粘性樹脂の樹脂圧を測定する。しかし、ポット・プランジャ間の摺動抵抗を含んだ値を測定することになるので、キャビティに低粘性樹脂を低圧で注入する場合には、樹脂圧の測定値について誤差が大きくなるという問題がある。
【０００４】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、半導体チップの背面を適正に押圧してその背面を確実に露出させるとともに樹脂ばりを防止し、溶融樹脂の漏出とボイドの発生とを抑制し、樹脂圧を正確に測定する樹脂封止装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述の技術的課題を解決するために、本発明に係る樹脂封止装置は、基板にフリップチップボンディングされた半導体チップと基板との間の間隙を含む空間からなるキャビティにおいて、該キャビティの外部から充填された溶融樹脂を硬化させて、半導体チップの背面を露出させて該半導体チップを樹脂封止する樹脂封止装置であって、半導体チップの背面に沿って樹脂フィルムを張設する張設機構と、半導体チップを樹脂封止する際に該半導体チップを押圧する押圧機構を備えるとともに、押圧機構は、該押圧機構の端面が傾くことができるように傾動自在に設けられており、かつ、溶融樹脂が半導体チップの背面に漏出することを防止する目的で端面が樹脂フィルムを介して半導体チップの背面の全面を押圧するように設けられていることを特徴とする。
【０００６】
これによれば、半導体チップが基板に傾いて装着されている場合であっても、押圧機構の端面が傾くことにより、半導体チップが適正に押圧されるとともに、半導体チップの背面と押圧機構との間にすき間が生じることが抑制される。したがって、半導体チップ等の損傷を防止することができるとともに、半導体チップの背面における樹脂ばりの発生を防止することができる。
【０００７】
また、本発明に係る樹脂封止装置は、基板にフリップチップボンディングされた半導体チップと基板との間の間隙に溶融樹脂を充填・硬化して、半導体チップの背面を露出させて該半導体チップを樹脂封止する樹脂封止装置であって、半導体チップの背面に沿って樹脂フィルムを張設する張設機構と、半導体チップを樹脂封止する際に該半導体チップを押圧する押圧機構と、半導体チップを樹脂封止する際に充填される溶融樹脂の圧力によって半導体チップが浮き上がらないように押圧機構を保持するロック機構とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、半導体チップを樹脂封止する際に、充填される溶融樹脂の圧力が半導体チップを浮き上がらせる方向に印加された場合であっても、押圧機構が保持されているので、半導体チップの浮き上がりを抑制することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態を、図１〜図３を参照しつつ説明する。図１（ａ），（ｂ）は本実施形態に係る樹脂封止装置について、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿って示す断面図であり、（ｂ）は低粘性樹脂及びガスの流路を仮想的に描いて基板と半導体チップとを示す平面図である。
【００１０】
図１（ａ），（ｂ）において、下型１と上型２とは、互いに対向して設けられた金型であって、併せて樹脂封止用金型を構成する。基板３は、配線パターンが設けられ下型１の上に載置された配線部材である。半導体チップ４は、例えばＣＰＵ等のような集積回路である。バンプ５は、基板３と半導体チップ４とがそれぞれ有する端子（図示なし）同士を電気的に接続する突起状電極である。間隙６は、基板３の上面と半導体チップ４の下面との間の３０〜１００μｍ程度の空間であって、完成したパッケージの信頼性を維持するために、この間隙に封止樹脂を一様に充填する必要がある。基板押さえ部材７Ａ，７Ｂは、昇降自在に設けられ、下降した際に基板３を固定する押さえ部材である。キャビティ８は、基板３の上面と基板押さえ部材７Ａ，７Ｂと上型２とによって囲まれ、低粘性樹脂が注入される空間である。
【００１１】
ポット９は、下型１に設けられた円筒状の空間である。プランジャ１０は、ポット９の下方に昇降自在に設けられた円柱状の押圧機構である。樹脂タブレット１１は、ポット９に投入され、例えばエポキシ樹脂からなり、溶融して低粘性樹脂の原料となる円柱状の樹脂材料である。
【００１２】
カル部１２は、ポット９に対向して上型２に設けられた凹部である。カル部１２、ランナ部１３、及びゲート部１４は、カル部１２からキャビティ８へと順次連通する空間で、低粘性樹脂が流動する樹脂流動部である。ここで、図１（ｂ）に示されているように、ゲート部１４は、半導体チップ４を平面視した場合に、ゲート部１４の中心線が半導体チップ４の１辺に対してほぼ垂直にかつその中点を通過するようにして、設けられている。エアベント１５は、半導体チップ４の中心線に関してゲート部１４とほぼ線対称に設けられたガス流路である。すなわち、ゲート部１４の中心線とエアベント１５の中心線と半導体チップ４において１辺を通る中心線とは、ほぼ重なっている。
可動部材１６は、キャビティ８とエアベント１５との境界に昇降自在に設けられた、エアベント１５の開閉弁である。ここで、可動部材１６は、例えばエアシリンダ、リニアモータ等によって駆動されるとともに、開閉のタイミング、開放量、及び閉鎖時の押圧力を設定することができる。樹脂フィルム１７は、上型２の型面とチップ押さえ部材７Ｂの上面とに沿い、型締め状態で半導体チップ４の背面に密着して張設される離型用フィルムである。
【００１３】
以下、本実施形態に係る樹脂封止装置の動作を、図２及び図３を参照して説明する。図２（ａ），（ｂ）は、本実施形態に係る樹脂封止装置が樹脂の注入を開始した直後の低粘性樹脂の挙動をそれぞれ示しており、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿って示す断面図、（ｂ）は低粘性樹脂及びガスの流路を仮想的に描いて基板と半導体チップとを示す平面図である。また、図３（ａ），（ｂ）は、本実施形態に係る樹脂封止装置について、（ａ）は低粘性樹脂の注入を終了する直前の状態を、（ｂ）は低粘性樹脂の注入を終了した直後の状態を、それぞれ示す断面図である。
【００１４】
まず、図２（ａ）に示すように、可動部材１６を上昇させてエアベント１５を開放する。この状態で、金型に設けられたヒータ（図示なし）により樹脂タブレット１１を加熱・溶融して低粘性樹脂１８を形成する。そして、プランジャ１０により低粘性樹脂１８を押圧して、低粘性樹脂１８を、カル部１２で分岐させ、ランナ部１３、ゲート部１４を順次経由させて、キャビティ８に注入する。
【００１５】
ここまでの過程で、図２（ｂ）に示すように、キャビティ８内のガス（気体）を、エアベント１５を経由して金型外に排出する（太い実線の矢印参照）。
また、ゲート部１４の中心線が、半導体チップ４の１辺に対してほぼ垂直にかつその中点を通過するように、設けられている。これにより、ゲート１４から注入された低粘性樹脂１８は、基板３上で半導体チップ４によって覆われていない部分、すなわち基板３の露出部分では、エアベント１５が設けられた側に向かい半導体チップ４の辺に沿ってほぼ均等に流動する。また、間隙６においては、エアベント１５からガスが排出されているので、低粘性樹脂１８は、基板３の露出部分よりもやや低速ではあるがエアベント１５側に向かって流動する（破線の矢印参照）。したがって、ゲート部１４と半導体チップ４との間に位置ずれが生じた場合でも、低粘性樹脂１８はほぼ均一に流動して、気泡を残留させることなくキャビティ８に充填されるので、ボイドの発生を抑制することができる。
【００１６】
次に、図３（ａ）に示すように、引き続きプランジャ１０により低粘性樹脂１８を押圧して、キャビティ８に注入する。ここで、キャビティ８が充填される直前のタイミングで、可動部材１６を下降させてエアベント１５を閉鎖する。これにより、エアベント１５への低粘性樹脂１８の漏出を抑制することができる。
【００１７】
以上の工程により、図３（ｂ）に示すように、低粘性樹脂１８によってキャビティ８を充填したことになる。この状態で、引き続き低粘性樹脂１８を加熱・硬化させて硬化樹脂を形成し、樹脂封止を完了する。その後に、下型１と上型２とを型開きし、基板押さえ部材７Ａを上昇させてゲートブレークを行い、基板３と半導体チップと硬化樹脂とからなるパッケージを完成させる。
【００１８】
ここまで説明してきたように、本実施形態によれば、図２（ａ），（ｂ）に示すように、キャビティ８内のガスを、エアベント１５を経由して金型外に排出する。加えて、ゲート部１４と半導体チップ４との間に位置ずれが生じた場合においても、低粘性樹脂１８はほぼ均一に流動して、気泡を残留させることなくキャビティ８に充填される。したがって、ボイドの発生を抑制することができる。
また、図３（ａ）に示すように、キャビティ８が充填される直前のタイミングで、可動部材１６を下降させてエアベント１５を閉鎖する。したがって、エアベント１５への低粘性樹脂１８の漏出を抑制することができる。
また、図１（ａ）に示すように、型締めした状態で、半導体チップの背面に沿って、かつ密着して樹脂フィルム１７が張設される。したがって、低粘性樹脂１８が硬化した後に型開きする際の離型性の向上と、半導体チップ４の背面における樹脂ばりの防止とを図ることができる。
【００１９】
なお、本実施形態では、半導体チップ４の背面を露出させることとした。これに限らず、半導体チップ４の背面を露出させず、低粘性樹脂１８により半導体チップ４をすべて覆う場合においても、本実施形態を適用することができる。
また、樹脂フィルム１７を設けない構成をとることも可能である。
【００２０】
また、本実施形態では、外部からエアベント１５を介してキャビティ８内の雰囲気を吸引しながら、キャビティ８に低粘性樹脂１８を注入することもできる。この場合には、低粘性樹脂１８が間隙６に速やかに侵入するので、基板３の露出部分と間隙６とにおいて、低粘性樹脂１８は、ほぼ同等の速度でエアベント１５側に向かって流動する。したがって、キャビティ８を短時間に充填することができる。
更に、この場合には、キャビティ８内の雰囲気が吸引されているので、万一キャビティ８に充填されている低粘性樹脂１８に気泡が残留しても、その気泡の内部は低圧になっている。したがって、残留した気泡は、低粘性樹脂１８の圧力によって、問題にならない程度にまで小さく押しつぶされる。
【００２１】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態を、図４を参照して説明する。図４（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係る樹脂封止装置について、（ａ）は半導体チップが基板に平行にボンディングされた状態を、（ｂ）は半導体チップが基板に傾いてボンディングされた状態を、それぞれ示す断面図である。
【００２２】
図４（ａ），（ｂ）において、チップ押さえ部材１９は、昇降軸２０の下部に設けられ、半導体チップ４をその背面に沿って押圧する押さえ部材である。昇降軸２０は、昇降自在に設けられ、所定の圧力でチップ押さえ部材１９が半導体チップ４を押圧するように動作する昇降機構である。玉軸受２１は、チップ押さえ部材１９と昇降軸２０との間に設けられ、チップ押さえ部材１９を滑らかに摺動させる軸受である。
【００２３】
図４（ｂ）に示すように、バンプ５の大きさのばらつき等により、半導体チップ４が基板３に傾いてボンディングされた場合には、チップ押さえ部材１９は玉軸受２１によって傾斜して、背面に沿って半導体チップ４を押圧する。これにより、半導体チップ４やバンプ５を損傷することなく、半導体チップ４の背面全体をすき間なく押圧することができる。
【００２４】
以上説明したように、本実施形態によれば、半導体チップ４やバンプ５の損傷を防止することができる。また、半導体チップ４の背面とチップ押さえ部材１９との間にすき間が生じず、かつ、樹脂フィルム１７を使用することにより上型２とチップ押さえ部材１９との間に低粘性樹脂１８が侵入しない。これにより、半導体チップ４の背面における樹脂ばりの発生を防止するとともに、半導体チップ４の背面を確実に露出させる。したがって、半導体チップ４の背面にヒートシンクを取り付ける際に、組立歩留りの低下を抑制することができる。これらのことにより、パッケージの生産工程及びヒートシンクの取付工程において、組立歩留りを良好に保つことができる。
【００２５】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態を、図５及び図６を参照して説明する。図５は、本実施形態に係る樹脂封止装置の構成を示す断面図である。図５において、基板押さえ部材２２は、基板押さえ部材７Ａと同様に、昇降自在に設けられ、下降した際に基板３を固定する押さえ部材である。ロック機構２３は、昇降軸２０の上方に設けられ、型締めした状態で必要に応じて昇降軸２０を挟むことができるブレーキパッド２４を内部に有するブレーキ機構である。昇降軸２０の上方にはエアシリンダ（図示なし）が設けられ、必要十分な一定の力で半導体チップ４の背面に樹脂フィルム１７を押圧する。
【００２６】
以上説明したように、本実施形態によれば、通常の状態では半導体チップ４及びバンプ５に過大な圧力をかけることがない。また、型締め後、キャビティ８に低粘性樹脂を注入する場合において、注入された低粘性樹脂の圧力が半導体チップ４を浮き上がらせる方向に印加されると、ブレーキパッド２４が昇降軸２０を挟んでいるので、半導体チップ４の浮き上がりを抑制することができる。
【００２７】
なお、昇降軸２０の上方には、圧力センサ及び制御部（いずれも図示なし）が設けられていることとしてもよい。圧力センサは、チップ押さえ部材１９が半導体チップ４を押圧する際に受ける圧力を検出する。そして、制御部は、その検出された圧力に応じてブレーキパッド２４を制御し、ブレーキパッド２４は、その検出された圧力に応じた圧力で昇降軸２０を挟んで圧接する。
これによれば、注入された低粘性樹脂の圧力が半導体チップ４を浮き上がらせる方向に印加されると、その圧力に応じてブレーキパッド２４が昇降軸２０を圧接する。その結果、半導体チップ４を浮き上がらせる方向に印加された圧力に応じて半導体チップ４を押圧することになるので、半導体チップ４の浮き上がりを抑制することができる。
【００２８】
図６（ａ），（ｂ）は、本実施形態に係る樹脂封止装置の２つの変形例について、構成をそれぞれ示す断面図である。図６（ａ）において、チップ押さえ部材２５は、外周部において連続して又は断続的に設けられた突起状の外周押さえ部２６と、内側の凹部における貫通穴２７とを有している。貫通穴２７は、チップ押さえ部材２５と半導体チップ４との間のガスを排出するガス流路である。この変形例によれば、半導体チップ４及びバンプ５に過大な圧力をかけることなく、半導体チップ４の背面において外周部を適切に押圧する。このことにより、半導体チップ４の背面において、低粘性樹脂の侵入を防止したい部分、すなわち半導体チップ４の外周部を適切に押圧する。したがって、半導体チップ４の背面において、低粘性樹脂の侵入を抑制して樹脂ばりの発生を防止することができる。
【００２９】
ところで、近年の半導体チップの多機能化により、チップサイズが大きくなる傾向にある。このため、低粘性樹脂を注入する際に、注入された低粘性樹脂の圧力によって半導体チップ４の中央部が浮き上がり、半導体チップ４の端子とバンプ５と基板３のパッドとの間の電気的接続が不安定になるおそれがある。
図６（ｂ）に示された別の変形例では、チップ押さえ部材２５は、更に、中心部における突起状の中心押さえ部２８を有している。したがって、図６（ａ）の変形例の場合に加えて、注入された低粘性樹脂の圧力による半導体チップ４の中央付近の浮き上がりを、いっそう効果的に抑制することができる。
【００３０】
なお、本実施形態、すなわち図５及び図６に示された構成においては、樹脂フィルム１７を使用することとした。これに限らず、樹脂フィルム１７を使用せずに、チップ押さえ部材１９，２５が、半導体チップ４の背面を直接押圧してもよい。
また、図６に示された構成においては、図５のブレーキ機構２３を使用しなくてもよい。更に、図５及び図６のチップ押さえ部材１９，２５に、図４の玉軸受２１を組み合わせて使用してもよい。
【００３１】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態を、図７を参照して説明する。図７（ａ），（ｂ）は本実施形態に係る樹脂封止装置について、（ａ）はその構成を、（ｂ）は樹脂の注入を開始した直後の状態を、それぞれ示す断面図である。
【００３２】
図７（ａ）において、固定部材２９は、ランナ部１３において上型２の凹部に設けられたブロックである。センサ３０は、固定部材２９の端部に設けられた圧力検出手段である。通常の状態では、センサ３０の圧力検出面は、上型２の型面と同一面に保たれている。これにより、図７（ｂ）に示すように、センサ３０は樹脂フィルム１７を介して低粘性樹脂１８の圧力を検出する。
【００３３】
なお、本実施形態では、半導体チップ４の背面を露出させることとした。これに限らず、半導体チップ４の背面を露出させず、低粘性樹脂１８により半導体チップ４をすべて覆う場合においても、本実施形態を適用することができる。
【００３４】
本実施形態によれば、キャビティ８に低粘性樹脂１８を注入する際に、センサ３０は、樹脂フィルム１７を介して低粘性樹脂１８によって押圧される。これにより、ポット９とプランジャ１０との摺動抵抗の影響を受けることなく、低粘性樹脂１８の樹脂圧を正確に測定することができる。
【００３５】
なお、本発明は、上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に変更・選択・組み合わせて採用されるものである。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、エアベントへの溶融樹脂の漏出と、キャビティに充填された溶融樹脂におけるボイドの発生とを、抑制することができる。また、半導体チップが適正に押圧されるので、その背面を確実に露出させるとともに、半導体チップ等の損傷を防止することができる。また、半導体チップの背面における樹脂ばりの発生を防止することができる。更に、溶融樹脂の樹脂圧を正確に測定することができる。
したがって、本発明は、半導体チップの背面を適正に押圧してその背面を確実に露出させるとともに樹脂ばりを防止し、溶融樹脂の漏出とボイドの発生とを抑制し、樹脂圧を正確に測定する樹脂封止装置を提供できるという、優れた実用的な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止装置について、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿って示す断面図であり、（ｂ）は低粘性樹脂及びガスの流路を仮想的に描いて基板と半導体チップとを示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止装置が樹脂の注入を開始した直後の低粘性樹脂の挙動をそれぞれ示しており、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿って示す断面図、（ｂ）は低粘性樹脂及びガスの流路を仮想的に描いて基板と半導体チップとを示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止装置について、（ａ）は低粘性樹脂の注入を終了する直前の状態を、（ｂ）は低粘性樹脂の注入を終了した直後の状態を、それぞれ示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止装置について、（ａ）は半導体チップが基板に平行にボンディングされた状態を、（ｂ）は半導体チップが基板に傾いてボンディングされた状態を、それぞれ示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止装置の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止装置の２つの変形例について、構成をそれぞれ示す断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止装置について、（ａ）はその構成を、（ｂ）は樹脂の注入を開始した直後の状態を、それぞれ示す断面図である。
【符号の説明】
１  下型
２  上型
３  基板
４  半導体チップ
５  バンプ
６  間隙
７Ａ，７Ｂ，２２  基板押さえ部材
８  キャビティ
９  ポット
１０  プランジャ
１１  樹脂タブレット
１２  カル部
１３  ランナ部
１４  ゲート部
１５  エアベント
１６  可動部材（開閉弁）
１７  樹脂フィルム
１８  低粘性樹脂
１９  チップ押さえ部材（押圧機構）
２０  昇降軸
２１  玉軸受
２３  ロック機構
２４  ブレーキパッド
２５  チップ押さえ部材
２６  外周押さえ部
２７  貫通穴
２８  中心押さえ部
２９  固定部材
３０  センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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