(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面と、前記第１表面と反対側の第２表面を有する板状のリードフレームであって、かつ、枠部と、この枠部から枠内方に突出する複数のリードと、前記枠部の角部から枠内方に突出して先端部分でタブを支持する複数のタブ吊りリードとを有するリードフレームを用意する工程と、
前記タブの第１表面側に半導体チップを固定する工程と、
前記半導体チップの電極と前記リードの内端を接続手段で電気的に接続する工程と、
前記半導体チップ及び前記リード内端部分をトランスファモールドによって絶縁性樹脂からなる封止体で覆うとともに、前記封止体の裏面から前記リード及び前記タブ吊りリードの各々の第２表面を露出させる工程と、
前記リードフレームの枠部と前記リードの間及び前記リードフレームの枠部と前記タブ吊りリードの間を切断する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記封止体で覆う工程は、
前記リードフレームの枠部と前記リード及び前記タブ吊りリードの間において前記リードフレームをモールド金型で型締めする工程と、
前記リードフレームの第１表面に前記モールド金型が密着する部分であって、前記タブ吊りリード及び前記タブ吊りリードの両側に配置されたリードによって規定された空間から前記モールド金型のキャビテイ内に絶縁性樹脂を注入する工程とを有し、
前記リードフレームを切断する工程は、
前記モールド金型が密着した部分のリードフレームの第１表面を切断金型のダイで支持する工程と、
前記モールド金型が密着した部分において、前記リードフレームの第２表面側から切断金型のパンチで前記リードフレームを打ち抜くことにより前記リードフレームの枠部と前記タブ吊りリードとを分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記タブ吊りリード及び前記タブ吊りリードの両側に配置されたリードによって規定された空間の外側にはモールド金型に設けたゲートが設けられ、前記絶縁性樹脂は前記ゲートを通り、前記空間を通って前記モールド金型のキャビティに注入され、
前記絶縁性樹脂は、前記キャビティ内に位置する部分と、前記ゲート内に位置する部分と、前記キャビティ内及び前記ゲート内の部分を連結するように形成された前記空間内の部分とを有し、
前記切断金型のパンチによる前記リードフレームの打ち抜きは、前記空間内の部分の樹脂を同時に切断することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造技術に関し、特に、ＳＯＮ（Small Outline Non-Leaded Package），ＱＦＮ（Quad Flat Non-Leaded Package）のように、外部電極端子（リード）を実装面側に露出させる半導体装置の製造に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂封止型半導体装置は、その製造においてリードフレームが使用される。リードフレームは、金属板を精密プレスによる打ち抜きやエッチングによって所望パターンに形成することによって製造される。リードフレームは半導体チップを固定するためのタブ等と呼称される支持部や、前記支持部の周囲に先端（内端）を臨ませる複数のリードを有する。前記タブはリードフレームの枠部分から延在するタブ吊りリードによって支持されている。
【０００３】
このようなリードフレームを使用して樹脂封止型半導体装置を製造する場合、前記リードフレームのタブに半導体チップを固定するとともに、前記半導体チップの電極と前記リードの先端を導電性のワイヤで接続し、その後ワイヤや半導体チップを含むリード内端側を絶縁性の樹脂（レジン）で封止して封止体（パッケージ）を形成し、ついで不要なリードフレーム部分を切断除去するとともにパッケージから突子するリードやタブ吊りリードを切断する。リードはフラットな状態または成形されて所定の形状にされる。
【０００４】
樹脂封止についての技術については、例えば、日経ＢＰ社発行、「実践口座  ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」、１９９３年５月３１日発行、Ｐ３４〜Ｐ３７に記載されている。また、バリ取り、外装、Ｔ／Ｆ（trimming and forming）、マーク技術については、同文献のＰ４１〜Ｐ５３に記載されている。後者では、Ｔ／Ｆ工程でのアウター・リードの成形時、金型のダイやポンチには擦りによってリード表面に外装したハンダ・メッキが付着することに起因する問題についても記載されている。
【０００５】
一方、樹脂封止（パッケージ）を形成するトランスファモールドにおける問題を解決する技術については、例えば、特開平５−３２６７９９号公報、特開２０００−６１９８９号公報、特開平５−２９９４５５号公報に記載された技術が知られている。
【０００６】
前記特開平５−３２６７９９号公報には、樹脂封止内にボイドが発生したり、樹脂の未充填が発生しないように、各リードを連結し、モールド時に溶けた樹脂の流れを阻止するダムの役割を果たすタイバー（ダムとも呼称）の一部に窪みやスリットで形成されたエアーベントを有するリードフレームを使用して半導体装置を製造する技術が開示されている。成形金型によって形成されるキャビティの空気は樹脂の流入によって前記エアーベントを通してキャビティ外に押し出される。
【０００７】
また、この技術においては、樹脂注入口（ゲート）は図示していないが、前提となる従来技術においては樹脂注入口は下金型に設けられていることが記載されている。従って、トランスファモールド後の状態において、ゲート部分で硬化した樹脂（ゲート硬化レジンと呼称）はリードフレームの一面側に所定の高さを有して延在することになる。
【０００８】
前記特開２０００−６１９８９号公報には、トランスファモールドプロセスの際に、成形されたプラスティックパッケージからパッケージと面一でランナーを切り離す技術が開示されている。即ち、トランスファモールドダイは、樹脂がキャビティ内へ押し入れられた後、硬化する前に、キャビティへの樹脂入口で成形されたプラスティックパッケージと同一平面上で接触するよう下げられる移動可能なゲートを有する構成になっている。従って、プラスティックパッケージと面一にランナーを切断することができる。
【０００９】
同文献には、ランナー内で硬化した樹脂を取り除いた際、プラスティックパッケージのエッジにランナー部分で硬化した樹脂が残留し、この残留物に起因して、その後のリード形成やトリミングプロセスで障害が生じることが記載されている。問題点を同文献から引用して下記に記載する。
【００１０】
▲１▼リードのトリミングやダイの形成にダメージを与え、製造歩留りおよび生産スループットが下がり、高価なダイの修理が必要となる。
【００１１】
▲２▼リードのトリミングや形成プロセスにおいて、リードフレームからプラスティックパッケージが剥離し、完成品における信頼性の問題が生じる可能性がある。
【００１２】
▲３▼プラスティックパッケージに残存物が付着したままでは、深刻な結果を招くことになる。典型的には、各パッケージを調べて、残存物はすべて手作業で取り除くので、人件費が増大し、製造スループットが下がる。
【００１３】
この技術では、トランスファモールド後も、ランナーの断片がプラスティックパッケージに付着して残ることがなく、成形されたリードフレームからランナーをはずすことが可能となる。従って、手作業で残存物を除去する作業が不要になるとともに、残存物によるリードのトリミングや形成器具に与えるダメージを避けることができ、パッケージされた半導体装置へのダメージも避けられる。
【００１４】
この技術は、レジン残存物がリード曲げ等のトリミング工程で障害となることから、リードフレームにランナー除去後も残存物を発生させないという技術思想であり、ゲート部分、即ち、パッケージの付け根部分のリード切断についての記載はなく、その問題点については触れられていない。
【００１５】
前記特開平５−２９９４５５号公報には、一般にＴＯ−２２０型等と呼称され、一般にヘッダとも呼称される載置片の一面側をトランスファモールドによって封止して樹脂封止部（パッケージとも呼称）を形成する技術であり、前記樹脂封止部を形成するためのゲート部分で硬化した樹脂部分をパッケージから分離する際、載置片上にゲート残りを大きく残存しないように、樹脂封止部の付け根においてゲートを段付き状に薄くし、ゲート硬化レジンの除去時載置片上に薄くかつ短くゲート硬化レジンを残留させる技術である。
【００１６】
この技術では、ゲート残りが発生する載置片部分を切断する考えは見られない。
【００１７】
他方、リードフレームを用いて製造する樹脂封止型半導体装置の一つとして、リードフレームの一面側に片面モールドを行ってパッケージを形成し、パッケージの実装面側に外部電極端子であるリードを露出させ、パッケージの周面から意図的にリードを突出させない半導体装置構造として、ＳＯＮやＱＦＮが知られている。ＳＯＮやＱＦＮについては、例えば、日経ＢＰ社発行、「実践口座  ＶＬＳＩパッケージング技術（上）」、１９９３年５月３１日発行、Ｐ８０に記載されている。
【００１８】
また、ノンリード樹脂封止型半導体装置については、例えば、特開平５−４７９５４号公報に記載されている。しかしながら、この文献には封止によって形成される樹脂と封止時のゲート硬化レジンとの相関については何ら記載されていない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
半導体装置の小型化、外部電極端子となるリード曲がり防止等の観点から片面モールドによるＳＯＮやＱＦＮ等のノンリード型半導体装置が使用されている。
【００２０】
ノンリード型半導体装置の外形は主に樹脂封止体（パッケージ）と、その周囲に形成されるリード切断しろによって決まるので、ＱＦＰ（Quad Flat Package ）や、ＳＯＰ（Small Outline Package ）と一般に呼ばれるパッケージの周囲にリードを配置するタイプの半導体装置に比べて、半導体装置を小型化できる。リード切断しろとは、パンチによってリードを切断する際に、切断線とパッケージとの間にダイを当てる領域を確保することによって発生し、例えば本明細書の実施形態においては、幅約０．１ｍｍで形成されている。
【００２１】
ここで、従来の片面モールドによるノンリード型半導体装置の製造における問題について説明する。
【００２２】
最初に、ＱＦＮの製造を例にして、リードフレームの一面側に樹脂封止体（パッケージ）がトランスファモールドによって形成したものについて説明する。
【００２３】
図３１はトランスファモールドによってが形成された単位リードフレームパターンを示す平面図である。同図に示すように、リードフレーム１は、矩形枠状の枠部２と、この枠部２の各辺の内側から内方に向かって延在する複数のリード３と、枠部２の４隅から枠内方にそれぞれ延在し、中央のタブ（図示せず）を支持するタブ吊りリード４（図では１本のみ示す）とを有する構造になっている。樹脂封止体（パッケージ）５は、単位リードフレームパターン６の中央部分に形成され、各リード３の先端部分（内端部分）はパッケージ５内に延在している。各リード３の下面はパッケージ５から露出している。この露出するリード部分が、半導体装置となった時点で面実装用の外部電極端子となる。
【００２４】
また、図示はしないが、パッケージ５内には、前記タブ上に固定された半導体チップが位置している。そして、前記半導体チップの電極とリード３の内端は導電性のワイヤによって電気的に接続されている。
【００２５】
トランスファモールド時、リードフレーム１の一つの隅部（図３１では右上隅部）にゲート（Ｇ）が位置し、このゲートからモールド金型のキャビティ内にレジンが注入されてパッケージ５が形成される。この際、キャビティ内の空気はリードフレーム１の残りの３つの隅部に位置するエアーベント（Ｅ）からモールド金型の外に抜ける。従って、ゲート及びエアーベントにもレジンが進入することになり、レジンの硬化によってこれらの部分のレジンも硬化する。以下、ゲート部分で硬化したレジンをゲート硬化レジン７と呼称し、エアーベント部分で硬化したレジンをエアーベント硬化レジン９と呼称することにする。
【００２６】
矩形状に形成されるパッケージ５は、角部（隅部）が欠けたりすることがないように、一般的に図３１に示すように面取り加工が施されて斜面８となっている。この斜面８は、ゲート部分では大きく、エアーベント部分では小さくなっている。
【００２７】
トランスファモールド後、レジンの硬化が終了した時点でレジンを案内するランナー等で硬化したレジンは除去される。図３１はランナー硬化レジン等が除去された状態を示すものであり、ゲート硬化レジン７やエアーベント硬化レジン９が残留する図である。
【００２８】
図３２はリードフレーム１、パッケージ５、エアーベント硬化レジン９、ランナー硬化レジン１０及びゲート硬化レジン７を模式的に示した側面図である。また、図３３はリードフレーム１、タブ吊りリード４、パッケージ５及びゲート硬化レジン７等を示す模式的断面図である。図３２に示すように、ランナー硬化レジン１０の除去時、ゲート部分で硬化したレジンはパッケージ５と一体となるため、途中で破断し、側方から見て山形のゲート硬化レジン７が残留する。即ち、ゲート硬化レジン７はパッケージ５から遠ざかるに従ってその厚さは厚くなり、かつ先端は破断された状態となる。
【００２９】
このように、ゲート硬化レジン７を、パッケージから遠ざかるにしたがってその厚さが厚くなるような形状にし、ゲート硬化レジンを破断除去する際になるべくパッケージの近傍で破断に至る様に設計した場合でも、ゲート硬化レジンの残留を完全に防ぐことはできず、発生する残留ゲート硬化レジンの大きさ、形状も様々である。
【００３０】
また、図３３に示すように、タブ吊りリード４の両側には、点々で示すように硬化したレジンが残留することになる。即ち、トランスファモールド時、ゲートに連通する空間として、モールド金型の上下型のパーティング面とゲート部に位置するタブ吊りリード４と隣のリード３とによって形成される空間が形成され、この空間に入り込んだレジンの硬化が、前記点々で示す硬化レジン部分である。この硬化レジン部分は一般にレジンバリ１１と呼称される。このレジンバリ１１の厚さは、モールド金型の上下型のパーティング面がそれぞれリードフレームの表裏面に密着する状態ではリード３の厚さと同じである。
【００３１】
しかし、リードフレームとモールド金型の上下型のパーティング面間に型締めした時、パーティング面とリードフレームとの間に隙間が発生する場合は、この隙間にもレジンが入り込み、リード表面等にいわゆるレジンフラッシュが発生する。このレジンフラッシュが発生する状態では、前記レジンバリ１１の厚さはリードの厚さよりは厚くなる。
【００３２】
トランスファモールド後、パッケージ５の周面から突出するリード３やタブ吊りリード４を、パッケージ５の周縁で切断することによってノンリード型半導体装置（ＱＦＮ）を製造する。この際、ゲート硬化レジン７及びエアーベント硬化レジン９の大きさがリード切断しろの中に収まらないくらい大きな場合には、リード切断時にゲート硬化レジン７及びエアーベント硬化レジン９も切断される。
【００３３】
図３４は、タブ吊りリード４とともに、ゲート硬化レジン７及びエアーベント硬化レジン９をダイ１５とパンチ１６によって切断する状況を示す模式図である。リード３の切断も同様の構造のダイとパンチによって行われる。
【００３４】
しかし図３４にある様に、ゲート硬化レジン７がパッケージ側部に残留している場合には、リード切断時とは逆に実装面側にダイ１５を当てて切断する事が必須となる。これは、ゲート硬化レジン７の存在によって、パッケージ側のリード表面の平坦性が失われている上に、ゲート硬化レジン７の残留量がまちまちであるために、ダイ１５を安定してリードに当てることができないからである。
【００３５】
前述のように、ゲート硬化レジン７はパンチ１６に向かって突出した形状となることから、図３５に示すように、切断時、パンチ１６には最初ゲート硬化レジン７がパンチ１６に接触し応力が加わるため、応力集中によって破損し、割れ，欠けが入るとともに、レジン屑が多発することが判明した。
【００３６】
このレジン屑は周囲に飛散し、他のリードフレーム部分に付着するばかりでなく、図３４に示すように、レジン屑１７はダイ１５やパンチ１６の切断に関与する面や、ゲート硬化レジン７やタブ吊りリード４の切断面にも付着することが分かった。即ち、レジン屑は、▲１▼前述のようにパンチがゲート硬化レジンに当たる際微小にレジンが欠けて発生したり、▲２▼切断後、パンチが所定の位置に戻る際、切断面と擦れることによって発生する。また、レジン屑は製品搬送時の振動によっても脱落し、切断金型を汚染したり、他の製品部分に再付着する。
【００３７】
ノンリード型半導体装置では、パッケージの裏面に露出するリード面が外部電極端子面となって実装面となるため、この面に絶縁性のレジン屑が付着、あるいは圧着されると、実装状態で電気的絶縁状態が発生し、半導体装置の安定動作を妨げるおそれがある。
【００３８】
また、ゲート硬化レジン部分の切断時、割れが大きいと、パッケージ内部にまで割れ（クラック）が入ることになり、耐湿性の低下を来たし、信頼性が低くなる。
【００３９】
また、図３４にある様に、切断線を挟んでリードの実装面側にダイ１５を当てて、実装面と逆側からパンチ１６で切断する方法を取ると、リードの実装面側に切断バリが発生して、実装面の平坦性が失われ、信頼性が低くなる。
【００４０】
従来、ノンリード型半導体装置は、図３６に示すようなフローチャートで示す方法で製造されている。ノンリード型半導体装置は、ステップ２０１〜ステップ２０７の各工程を経て製造される。即ち、作業開始後、チップボンディング（Ｓ２０１）、ワイヤボンディング（Ｓ２０２）、モールド（Ｓ２０３）、ゲート先切り（Ｓ２０４）、メッキ（Ｓ２０５）、複合切断金型によるピンチカット（Ｓ２０６）及びリード先端カット（Ｓ２０７）の各工程を経て製造され、作業は終了する。
【００４１】
この製造方法では、メッキ工程の前にゲート先切り（Ｓ２０４）を行い、ゲート部タブ吊りリードを一定の長さ打ち抜くため、レジン屑が発生してもこのレジン屑はメッキの後処理である洗浄によって除去されることから、前述のようなレジン屑による問題は少ない。
【００４２】
しかし、この製造方法では、プレス機械を使用する切断工程は、ゲート先切り（Ｓ２０４）と、複合切断金型によるピンチカット（Ｓ２０６）及びリード先端カット（Ｓ２０７）の２回行われるため、半導体装置の製造コストが高くなる難点がある。
【００４３】
そこで、プレス機械による切断工程を一つとして製造コストの低減を図る製造方法を本出願人は採用している。図３７はこの製造方法を採用したフローチャートを示す。
【００４４】
ノンリード型半導体装置は、ステップ３０１〜ステップ３０７の各工程を経て製造される。即ち、作業開始後、チップボンディング（Ｓ３０１）、ワイヤボンディング（Ｓ３０２）、モールド（Ｓ３０３）、メッキ（Ｓ３０４）、複合切断金型によるゲートクラッシュ（Ｓ３０５）及びピンチカット（Ｓ３０６）並びにリード先端カット（Ｓ３０７）の各工程を経て製造され、作業は終了する。
【００４５】
複合切断金型は一つのプレス機械に取り付けられ、リードフレームの間欠移動と複合切断金型による切断動作によって、ゲート部とゲート部のタブ吊りリードの切断（一か所を直線状に切断するゲートクラッシュ）と、パッケージを支持する残留タブ吊りリードを切断するピンチカットと、全てのリードをパッケージの付け根部分で切断するリード先端カットによって半導体装置を完成させて、作業を終了する。
【００４６】
図３８（ａ），（ｂ）はゲートクラッシュ動作を示す模式図である。ゲートクラッシュを採用する製造方法では、リードフレーム１の下面にパッケージ５が位置する状態で加工処理が行われる。
【００４７】
即ち、リードフレーム１の上側にダイ１５が位置し、下側からパンチ１６が上昇してゲート硬化レジン７とこのゲート硬化レジン７と共に延在するタブ吊りリード４を切断する。パンチ１６は所定の長さ切断する構造ではなく、ナイフエッジのようになり、ゲート硬化レジン７およびタブ吊りリード４を切断するのみである。また、パンチ１６の切断後の移動動作でタブ吊りリード４を、図３８（ａ）に示すように折り曲げる。このゲート硬化レジン７およびタブ吊りリード４の切断時にもレジン屑１７は発生する。
【００４８】
このゲートクラッシュ加工を行うことで、ピンチカット（Ｓ３０６）でのゲート硬化レジンおよびその部分のタブ吊りリード切断が不要となり、レジン屑の発生量を少なくすることができる。また、ゲート部のレジンクラックやタブ吊りリードの切断不良を低減する利点がある。
【００４９】
しかし、このゲートクラッシュでは、図３８（ｂ）に示すように、切断型（ダイ）が開く際、切断されたレジン面とダイが擦られ、レジン屑が飛散し、リード面に付着するということが判明した。図３８（ｂ）の矢印は、型開き時にレジン屑１７が飛散してリード（図ではタブ吊りリードであるが、パッケージ５のこの面には図示しないリードも並んでいる）上に付着する状況を示すものである。
【００５０】
本発明の目的は、片面モールドによって製造するノンリード型半導体装置の製造において、ゲート硬化レジンやエアーベント硬化レジンの切断時、レジン屑の発生を抑えて外部電極端子にレジン屑が付着することを防止する技術を提供することにある。
【００５１】
本発明の他の目的は、片面モールドによって製造するノンリード型半導体装置の製造において、ゲート硬化レジンやエアーベント硬化レジンの切断時、レジンクラックの発生を抑えて半導体装置の耐湿性低下や外観不良発生を防止する技術を提供することにある。
【００５２】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００５３】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００５４】
（１）絶縁性樹脂からなる封止体と、前記封止体の実装面にリード及びタブ吊りリードが露出し、前記封止体を形成する結果残留するゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンを有する半導体装置であって、前記ゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンはタブ吊りリードとリードの間のレジンバリ部分にレジンバリの厚さと同じまたはそれよりも小さい厚さとなって埋没して存在している。
【００５５】
このような半導体装置は以下の製造方法によって製造される。
【００５６】
枠部と、この枠部から枠内方に突出する複数のリードと、前記枠部から枠内方に突出して先端部分でタブを支持する複数のタブ吊りリードとを有するリードフレームを用意する工程と、前記タブの一面に半導体チップを固定する工程と、前記半導体チップの電極と前記リードの内端を接続手段で電気的に接続する工程と、前記半導体チップや前記リード内端部分をトランスファモールドによって絶縁性樹脂からなる封止体で覆うとともに、このトランスファモールド時前記封止体の実装面に前記リードや前記タブ吊りリードを露出させる工程と、前記リードや前記タブ吊りリードを切断する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記封止体の全周では前記リードやタブ吊りリードの側面のみで形成される高さ空間を樹脂の流路として使用して前記封止体を形成するとともに、前記リードや前記タブ吊りリードは前記リードやタブ吊りリードの側面のみで形成される高さ空間で硬化した樹脂部分で切断する。
【００５７】
また、前記リードやタブ吊りリードの側面のみで形成される高さ空間の外側にはモールド金型に設けたゲートが設けられ、樹脂は前記ゲートを通り、前記高さ空間を通って流れて前記封止体が形成される。また、前記リードやタブ吊りリードの側面のみで形成される高さ空間の外側にはモールド金型に設けたエアーベントが設けられ、前記樹脂は前記高さ空間を通り、前記エアーベントを通る。
【００５８】
前記（１）の手段によれば、（ａ）封止体（パッケージ）の周囲から突出するリードやタブ吊りリードの切断と、パッケージを形成する際発生するゲート硬化レジンやエアーベント硬化レジンの切断は、いずれも同じ厚さの部分でかつ表裏面が平坦な部分で切断することから、ゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンに部分的に切断時の応力が大きく加わることなくパンチとダイで切断できるため、レジン屑の発生を従来の切断方法に比較して大幅に少なくすることができるとともに、レジンクラックの発生を抑止できる。
【００５９】
（ｂ）レジン屑の発生を抑止できることから、レジン屑の飛散に起因する外部電極端子となるリード表面へのレジン屑の付着，圧着及び圧着に起因する傷の発生を抑止でき、実装時のソルダビリティの確保を図ることができ、実装歩留りを高めることができるとともに、ノンリード型半導体装置の実装の信頼性を高めることができる。
【００６０】
（ｃ）マトリックス型のリードフレームでは、単位リードフレームパターンが縦横に整列配置される構造となることから、レジン屑の飛散防止は、所定単位リードフレームパターンの周囲の単位リードフレームパターンへのレジン屑の汚染防止となり、製造歩留りの向上が格段に図れる。
【００６１】
（ｄ）レジン屑の発生を抑止できることから、切断金型のレジン屑による汚染を防止でき、切断金型を取り付けるプレス機械の稼働率の向上を図ることができる。
【００６２】
（ｅ）パッケージの周囲のゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンは、リードとリードとの間のレジンバリまたはタブ吊りリードとリードとの間のレジンバリと一体化し、表裏面もレジンバリの表裏面と同じであることから、ノンリード型半導体装置のパッケージの周囲に、ゲート硬化レジンやエアーベント硬化レジンを目視確認することは難しく、外観的にもきれいで好ましく、商品性が高くなる。
【００６３】
（ｆ）生産性、歩留り向上から半導体装置の製造コストを低減できる。
【００６４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００６５】
（実施形態１）
図１乃至図２４は本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置の製造方法に係わる図である。
【００６６】
最初に本実施形態１の半導体装置の製造方法によって製造されたノンリード型半導体装置の一例であるＱＦＮについて説明する。図２は半導体装置の正面図、図３は半導体装置の平面図、図４は半導体装置の底面図、図５は図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図６は図３のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【００６７】
ＱＦＮ型の半導体装置２０は、図２乃至図４に示すように、封止体（絶縁性封止体：パッケージ）５は偏平の四角形体（矩形体）からなるとともに、角部（隅部）は面取り加工が施されて斜面８となっている。一箇所の斜面８は大きく、パッケージ５の形成時、レジンを注入したレジン注入箇所となっている。また、他の３箇所の斜面８は小さくなり、パッケージ５の成形時空気が逃げるエアーベント部分となっている。
【００６８】
パッケージ５は、図２、図５及び図６に示すように、パッケージ５の側面は、パッケージ５をトランスファモールド法で形成した際、モールド金型から抜け易いように傾斜面となっている。従って、上記いずれの図でも下面となる実装面２１の大きさに比較して上面２２は小さくなっている。
【００６９】
パッケージ５の裏面、即ち、実装面２１の周縁には、リード３が露出している。各辺において、リード３は例えば所定のピッチで配置されている。また、パッケージ５の４隅、即ち、斜面８の各中央に対応する実装面２１の周縁にはタブ吊りリード４が露出している。
【００７０】
図５及び図６に示すように、リード３及びタブ吊りリード４のパッケージ５に覆われる面、即ち被覆面３ａ，４ａでのパッケージ５の立ち上がり縁５ａから外側にわずかにリード３が突出する。これは、リード３及びタブ吊りリード４を切断する際のダイの受部となる部分であり、例えば、０．１ｍｍ以下となっている。各リード３の間及びタブ吊りリード４とリード３との間にはレジンバリ１１が存在するが、このレジンバリ１１もダイとパンチによって切断されるため、パッケージ５の周縁では、レジンバリ１１の縁とリード３及びタブ吊りリード４の先端縁が凸凹することなく直線的になる。
【００７１】
一方、トランスファモールドによってパッケージ５を形成する際、前述のレジン注入箇所及びエアーベント部分は、いずれもレジンが入り込み、かつレジンの硬化処理時に硬化して、ゲート硬化レジン７及びエアーベント硬化レジン９を形成する。
【００７２】
本実施形態１では、半導体装置の製造方法において後述するが、図１（ａ），（ｂ）に示すように、レジン注入箇所（ゲート：Ｇ）は、パッケージ５の縁の部分で所定の長さ（ａ）に亘って、タブ吊りリード４とその両側のリード３との間の空間（リード３やタブ吊りリード４の厚さに対応する高さ空間）で形成され、タブ吊りリード４やリード３の厚さ以上に外側にはみ出さない空間になっている。従って、長さ（ａ）のゲート部分で硬化したレジン、即ち、ゲート硬化レジン７の厚さはリード３やタブ吊りリード４の厚さと一致またはそれよりも小さくなり、リード３とリード３との間に形成されるレジンバリ１１と同じ厚さになり、表裏とも平坦面になる。そして、リード３及びタブ吊りリード４の切断は、この長さ（ａ）の領域で切断されるため、本実施形態１の半導体装置２０では、図３及び図１（ａ）には符号７として示してあるがゲート硬化レジン７の痕跡はレジンバリ１１と比較して目立たない。
【００７３】
しかし、前記長さ（ａ）の外側には、モールド金型に溝としてゲート用溝が設けられることから、図１（ａ）及び（ｂ）のリードフレーム１を示す状態では、長さ（ａ）の外側にはゲート硬化レジン７が延在することになる。
【００７４】
また、エアーベント箇所（Ｅ）においてもゲート部分と同じで、エアーベントはパッケージ５の縁から所定の長さ（ｂ）に亘ってタブ吊りリード４とその両側のリード３との間の空間で形成され、タブ吊りリード４やリード３の厚さ以上に外側にはみ出さない空間になっている。従って、長さ（ｂ）の部分で硬化したレジン、即ち、エアーベント硬化レジン９の厚さはリード３やタブ吊りリード４の厚さと一致またはそれよりも小さく、リード３とリード３との間に形成されるレジンバリ１１と同じになり、表裏とも平坦面になる。この結果、本実施形態１の半導体装置２０では、図３及び図１（ａ）には符号９として示してあるが、エアーベント硬化レジン９の痕跡はレジンバリ１１と比較して目立たない。しかし、前記長さ（ｂ）の外側には、モールド金型に溝としてエアーベントが設けられることから、図１（ａ）及び（ｂ）のリードフレーム１を示す状態では、エアーベント硬化レジン９がリードの上に明瞭に存在することになる。
【００７５】
半導体装置２０は、図５及び図６に示すように、パッケージ５内にタブ２５を有している。このタブ２５の上面には接合材２６を介して半導体チップ２７が固定されている。前記タブ２５は半導体チップ２７よりも小さい小タブとなっている。このタブ２５は前記４本のタブ吊りリード４で支持される構造になっている。即ち、タブ２５及びタブ吊りリード４は一体となっている。
【００７６】
また、半導体チップ２７の表面に形成された図示しない電極とリード３の内端部分は導電性のワイヤ２８で電気的に接続されている。タブ２５、半導体チップ２７、ワイヤ２８はパッケージ５内に位置している。なお、半導体チップ２７の電極とリード３とを電気的に接続する接続手段は他の構成でもよい。
【００７７】
また、タブ吊りリード４を外部電極端子として使用する場合には、半導体チップ２７のグランド電極とタブ吊りリード４をワイヤ２８で接続してもよい。
【００７８】
図７は半導体装置２０を配線基板２９に実装した断面図である。配線基板２９の一面には、前記半導体装置２０の外部電極端子となるリード３やタブ吊りリード４に対応して、ランド３０が設けられている。そして、これらランド３０上に半導体装置２０の外部電極端子となるリード３やタブ吊りリード４が重ねられ、かつ接合材３１を介して電気的に接続されている。
【００７９】
つぎに、具体的な半導体装置２０の製造について説明する。図３６は本実施形態１によるノンリード型半導体装置、即ち、ＱＦＮの製造方法を示すフローチャートである。半導体装置２０は、ステップ１０１〜ステップ１０６の各工程を経て製造される。
【００８０】
即ち、作業開始後、チップボンディング（Ｓ１０１）、ワイヤボンディング（Ｓ１０２）、モールド（Ｓ１０３）、メッキ（Ｓ１０４）、複合切断金型によるピンチカット（Ｓ１０５）及びリード先端カット（Ｓ１０６）の各工程を経て製造され、作業は終了する。
【００８１】
本実施形態１の半導体装置２０の製造においては、図９に示すようなマトリック構成のリードフレーム１が用意される。このリードフレーム１は、単位リードフレームパターン６がＸ方向に沿って４行、Ｙ方向に沿って１４列配置され、１枚のリードフレーム１から５６個の半導体装置２０を製造することができる。リードフレーム１の両側には、リードフレーム１の搬送や位置決めに使用するガイド孔ランド３５ａ〜３５ｄが設けられている。
【００８２】
また、各列の間には、トランスファモールド時、ランナーが位置する。そこでランナー硬化レジンをリードフレーム１から引き放すため、エジェクターピンが貫通できるエジェクターピン孔３６が設けられている。また、このランナーから分岐し、キャビティに流れるゲート部分で硬化したゲート硬化レジンをリードフレーム１から引き放すため、エジェクターピンが貫通できるエジェクターピン孔３７が設けられている。
【００８３】
図１０は単位リードフレームパターン６を示す平面図である。単位リードフレームパターン６は、矩形枠状の枠部２と、この枠部２の各辺の内側から内方に向かって延在する複数のリード３と、枠部２の４隅から枠内方にそれぞれ延在し、中央のタブ２５を支持するタブ吊りリード４とを有するパターンになっている。前記枠部２は各辺でその辺方向にスリット３８が断続的に設けられ、リード３を支持する枠部部分が弾力的に変化できるようになっている。
【００８４】
エジェクターピン孔３７に臨むタブ吊りリード４の枠部角部（隅部）がゲート（Ｇ）が位置する箇所であり、枠部２の他の３つの隅部がエアーベント（Ｅ）が位置する箇所である。
【００８５】
図１４は単位リードフレームパターン６と、モールド金型の一方の型のパーティング面に形成された窪みを示す図である。リード３の途中部分を横切るような縁を有する四角形部分がパッケージ５を形成するためのキャビティ４０であり、枠部２の右上、右下、左下の隅部の小さい矩形部分がエアーベント用溝４１であり、枠部２の左上の隅部がゲート用溝４２である。枠部２の左側の辺に沿ってランナー用溝４３が設けられている。ランナー用溝４３の幅の中央部分にエジェクターピン孔３６が設けられ、ゲート用溝４２の幅の中央部分にエジェクターピン孔３７が設けられている。
【００８６】
キャビティ４０とエアーベント用溝４１との間の長さ（ｂ）の領域にはエアーベント用としての溝は設けられず、この領域を含む部分のタブ吊りリード４、隣合うリード３及び枠部部分で囲まれる領域でエアーベント領域４４を形成している。このエアーベント領域４４にはエアーベント用溝４１の内端部分が重なり、キャビティ４０から流れ出した空気がこのエアーベント領域４４を通ってエアーベント用溝４１に流れ込むようになっている。
【００８７】
また、キャビティ４０とゲート用溝４２との間の長さ（ａ）の領域にはゲート用の溝は設けられず、この領域を含む部分のタブ吊りリード４、隣合うリード３及び枠部部分で囲まれる領域でゲート領域４５を形成している。このゲート領域４５にはゲート用溝４２の内端部分が重なり、ゲート用溝４２を流れるレジンがこのゲート領域４５を通ってキャビティ４０に流入するようになっている。
【００８８】
また、タブ吊りリード４は途中で一段階段状に折れ曲がってタブ２５が浮き上がるようになっている。
【００８９】
このようなリードフレーム１を用いて半導体装置２０が製造される。即ち、図１１に示すように、タブ２５上に半導体チップ２７が図示しない接合材を介して固定される（チップボンディング：Ｓ１０１）。また、半導体チップ２７の電極４６とリード３の内端は導電性のワイヤ２８で電気的に接続される（ワイヤボンディング：Ｓ１０２）。
【００９０】
つぎに、組み立てが終了したリードフレーム１に対して片面モールドを行ってパッケージ５を形成する（モールド：Ｓ１０３）。この片面モールドはトランスファモールド装置によって行う。図１３は、トランスファモールド装置の下型５１と上型５２からなるモールド金型５０に、チップボンディング及びワイヤボンディングが終了したリードフレーム１が型締めされる。
【００９１】
図１３に示すように、上型５２のパーティング面５２ａは平坦となり、リードフレーム１の一面が密着する。下型５１のパーティング面５１ａには、前述のようにパッケージ５を形成するためのキャビティ４０、このキャビティ４０に溶けたレジン（樹脂）を案内する図示しないランナー用溝及びゲート用溝４２、エアーベント用溝４１が設けられている。
【００９２】
下型５１のパーティング面５１ａにおいて、キャビティ４０の周囲の全周はリードフレーム１の厚さ、即ちリード３及びタブ吊りリード４の厚さと同じ寸法だけ窪んだ面５３を有している。従って、この窪んだ面５３と上型５２のパーティング面５２ａとによってリード３及びタブ吊りリード４は密着状態で下型５１と上型５２に型締めされる。タブ２５、半導体チップ２７はキャビティ４０の中段に浮かぶ状態となる。
【００９３】
ランナー用溝及びゲート用溝４２を通して溶けたレジン（樹脂）５５を送り込むことによって、ゲート領域４５を通ってキャビティ４０にレジン５５が流入する。キャビティ４０内の空気はエアーベント領域４４を通ってエアーベント用溝４１に入り、キャビティ４０から抜ける。この空気の抜けに伴ってレジン５５もエアーベント領域４４及びエアーベント用溝４１に入る。
【００９４】
従って、続くレジンのキュアー処理（硬化処理）によって、モールド金型５０内のレジンは硬化する。図１２はモールド金型５０を型開きして見たレジン硬化部分の図である。
【００９５】
図１２に示すように、単位リードフレームパターン６の中央にはパッケージ５が形成されている。また、パッケージ５の左側にはランナー用溝内で硬化して形成されたランナー硬化レジン１０が存在し、ゲート用溝４２内で硬化して形成されたゲート硬化レジン７が存在し、パッケージ５の右上，右下，左下の各隅部の延長上に形成されたエアーベント用溝４１内で硬化して形成されたエアーベント硬化レジン９が存在する。
【００９６】
図１２において、点々を施した部分が、リード３やタブ吊りリード４及び枠部２と同じ厚さのレジン部分、即ち、レジンバリ１１である。パッケージ５の４隅のタブ吊りリード４の両側にはゲート領域４５やエアーベント領域４４が存在し、それぞれの内部にゲート硬化レジン７やエアーベント硬化レジン９が形成されている。
【００９７】
つぎに、メッキ処理が行われる（Ｓ１０４）。このメッキ処理は、半導体装置２０の実装時に使用されるものであり、パッケージ５の実装面２１に露出するリード３やタブ吊りリード４の表面に、図示はしないが例えば、２０〜３０μｍ程度の厚さ形成される。
【００９８】
つぎに、図１６に示すように、プレス機械によってピンチカット（Ｓ１０５）及びリード先端カット（Ｓ１０６）を行う。このピンチカット（４隅のタブ吊りリード４の切断）とリード先端カット（Ｘ・Ｙ方向に沿って延在するリードの切断）は、プレス機械に取り付けた複合切断金型によって行う。
【００９９】
ピンチカットは、図１６に示すように、ダイ１５ａとストリッパー６０ａとの間にリードフレーム１をクランプし、４隅のタブ吊りリード４と、タブ吊りリード４の両側に広がるゲート硬化レジン７及びエアーベント硬化レジン９を共々パンチ１６ａによる打ち抜きによって切断する。切断片６１ａはダイ１５ａの空間部分を落下し、真空吸着等による強制排気によって所定箇所に集められる。
【０１００】
このように、リードの厚さの中に収まったゲート領域４５やエアーベント領域４４を形成することによって、パッケージ側のリード面にダイを当てる領域が確保され、リードの実装面側からパンチで切断することが可能となる。また、ゲート硬化レジン７の破断除去の際に残留するゲート硬化レジン７は、ある程度の大きさのばらつきを持っているとしてもピンチカット用ダイ１５ａの空間部分に確実に収まるため、残留したゲート硬化レジン７によって切断時のダイ及びパンチの安定性が失われることは無い。
【０１０１】
図１７はダイ１５ａとパンチ１６ａを示す模式的平面図である。また、図１５はタブ吊りリード４とこのタブ吊りリード４の両側に位置するゲート硬化レジン７と、タブ吊りリード４とこのタブ吊りリード４の両側に位置するエアーベント硬化レジン９を切断したリードフレームを示す平面図である。
【０１０２】
図１８はタブ吊りリード４とこのタブ吊りリード４の両側に位置するゲート硬化レジン７をダイ１５ａとパンチ１６ａで切断した状態を示す図である。図１８に示すように、パッケージ５のつけ根のタブ吊りリード４の切断部分では、ゲート硬化レジン７はタブ吊りリード４とこのタブ吊りリード４の両側のリード３及び枠部２とによって囲まれた空間に、枠部２及びタブ吊りリード４並びにリード３と同じ厚さに形成される。
【０１０３】
ゲート硬化レジン７の表裏面がリード３及びタブ吊りリード４等の表裏面と面一であって保護され、かつ平坦であることから、レジン屑の発生を極端に少なくすることができる。また、ゲート硬化レジン７は枠部２，リード３，タブ吊りリード４に保護された状態で切断されることから、レジンクラックが発生しなくなり、パッケージ５内奥深くまでクラックが延びることがない。従って、パッケージの耐湿性も向上する。
【０１０４】
リード先端カットは、複合切断金型では、Ｘ方向リード切断とＹ方向リード切断の２工程に別れる。即ち、Ｘ方向リード切断は、図２０に示すように、ダイ１５ｂとストリッパー６０ｂとの間にリードフレーム１をクランプし、パンチ１６ｂでＸ方向に沿って延在するリード３を打ち抜く。ダイ１５ｂとパンチ１６ｂのパターンは、図２１に示すようになり、打ち抜かれた後のリードフレーム１は図１９に示すようになる。また、切断片６１ｂはダイ１５ｂの空間部分を落下し、真空吸着等による強制排気によって所定箇所に集められる。
【０１０５】
Ｙ方向リード切断は、図２３に示すように、ダイ１５ｃとストリッパー６０ｃとの間にリードフレーム１をクランプし、パンチ１６ｃでＹ方向に沿って延在するリード３を打ち抜く。ダイ１５ｃとパンチ１６ｃのパターンは、図２４に示すようになり、打ち抜かれた後のリードフレーム１は図２２に示すようになる。この段階でパッケージ５はリードフレーム１の枠部２から切断分離され、ノンリード型半導体装置（ＱＦＮ）２０が製造される。また、切断片６１ｃはダイ１５ｃの空間部分を落下し、真空吸着等による強制排気によって所定箇所に集められる。
【０１０６】
前記ピンチカット及びリード先端カットはパッケージ５のつけ根で切断され、例えば、リード３やタブ吊りリード４の突出長さは０．１ｍｍ以下となる。この場合においても、リード３やタブ吊りリード４の先端線とレジンバリ１１やゲート硬化レジン７やエアーベント硬化レジン９の切断線は凸凹にならず、直線的になる。
【０１０７】
図２５はリード３、タブ２５及びタブ吊りリード４が同一平面上に位置するフラットなリードフレームを用いて製造した他の半導体装置２０を示す断面図であり、図２６は前記他の半導体装置の底面図である。このような構造は、タブ２５及びタブ吊りリード４全体がパッケージ５の実装面２１に露出することから、配線基板等の実装基板に固定した場合、露出したタブ２５及びタブ吊りリード４の面が熱放散面となり、半導体チップ２７の熱をパッケージ５の外に速やかに放散できる実益がある。この結果、半導体装置２０の安定動作が可能になる。
【０１０８】
また、リードフレームの状態でその表面にメッキ膜が設けられている場合は、図８のフローチャートで示すメッキ処理は不要となる。
【０１０９】
本実施形態１によれば、以下の効果を有する。
【０１１０】
（１）パッケージ５の周囲から突出するリード３やタブ吊りリード４の切断と、パッケージ５を形成する際発生するゲート硬化レジン７やエアーベント硬化レジン９の切断は、いずれも同じ厚さの部分でかつ表裏面が平坦な部分にダイ及びパンチを当てて切断することから、ゲート硬化レジン７及びエアーベント硬化レジン９に部分的に切断時の応力が大きく加わることなくパンチとダイで切断できるため、レジン屑１７の発生を従来の切断方法に比較して大幅に少なくすることができる。
【０１１１】
（２）上記（１）により、レジン屑１７の発生を抑止できることから、レジン屑１７の飛散に起因する外部電極端子となるリード表面へのレジン屑１７の付着，圧着及び圧着に起因する傷の発生を抑止でき、実装時のソルダビリティの確保を図ることができ、実装歩留りを高めることができるとともに、ノンリード型半導体装置２０の実装の信頼性を高めることができる。
【０１１２】
（３）上記（２）により、マトリックス型のリードフレームでは、単位リードフレームパターン６が縦横に整列配置される構造となることから、レジン屑１７の飛散防止は、所定単位リードフレームパターン６の周囲の単位リードフレームパターン６へのレジン屑１７の汚染防止となり、製造歩留りの向上が格段に図れる。
【０１１３】
（４）上記（１）により、レジン屑１７の発生を抑止できることから、切断金型のレジン屑１７による汚染を防止でき、切断金型を取り付けるプレス機械の稼働率の向上を図ることができる。
【０１１４】
（５）パッケージ５の周囲のゲート硬化レジン７及びエアーベント硬化レジン９は、表裏面がレジンバリ１１の表裏面と同じであることから、ノンリード型半導体装置２０のパッケージ５の周囲に、ゲート硬化レジン７やエアーベント硬化レジン９を目視確認することは難しく、外観的にもきれいで好ましく、商品性が高くなる。
【０１１５】
（６）パッケージ５の周囲から突出するリード３やタブ吊りリード４の切断と、パッケージ５を形成する際発生するゲート硬化レジン７やエアーベント硬化レジン９の切断は、いずれも同じ厚さの部分でかつ表裏面が平坦な部分で切断することから、ゲート硬化レジン７及びエアーベント硬化レジン９に部分的に切断時の応力が大きく加わることなくパンチとダイで切断できるため、パッケージ５の内部に向かうようなレジンクラックが発生しなくなる。この結果、このレジンクラックを伝わって水分がパッケージ５内に進入しなくなり、パッケージ５の耐湿性が向上するとともに、製造歩留りが高くなる。
【０１１６】
（７）上記（２）〜（４）及び（６）により、生産性が高く、かつ歩留りの向上から半導体装置の製造コストの低減を達成することができる。例えば、歩留りは０．５％程度向上する。
【０１１７】
（実施形態２）
図２７乃至図２９は本発明の他の実施形態（実施形態２）である半導体装置の製造方法に係わる図であり、図２７はトランスファモールド状態を示す模式的断面図、図２８は片面モールドされたリードフレームを示す模式的平面図、図２９はゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンとこれらに重なるタブ吊りリードを切断する状態を示す模式的断面図である。
【０１１８】
本実施形態２では、前記実施形態１において、図２７に示すように、枠部２の各隅部となるレジン注入箇所（Ｇ）及び空気抜き箇所（Ｅ）に、その箇所のタブ吊りリード４上にも幅ｄのゲート７０及び幅ｅのエアーベント７１を設けた点が異なる。ゲート７０及びエアーベント７１の厚さはリード３やタブ吊りリード４の厚さよりもｆ程厚くなっている。この厚さｆは、例えば、２０〜３０μｍ程度の厚さで、かつ平坦な面になっている。
【０１１９】
なお、ゲート７０とエアーベント７１の溝深さは異なってもよい。この場合、溝底は、後工程でレジン屑を発生させないように平坦とする。
【０１２０】
ゲート７０はタブ吊りリード４の幅よりも広く、ゲート領域４５とタブ吊りリード４の両側で重なり、連通状態にある。また、エアーベント７１はタブ吊りリード４の幅よりも広く、エアーベント領域４４とタブ吊りリード４の両側で重なり、連通状態にある。この結果、図２８に示すように、トランスファモールド後のリードフレーム１の状態においては、パッケージ５とゲート硬化レジン７との間に幅ｄのゲート硬化レジン７ａが形成され、パッケージ５とエアーベント硬化レジン９との間に幅ｅのエアーベント硬化レジン９ａが形成される。
【０１２１】
ゲート硬化レジン７ａとこれに重なるタブ吊りリード４の切断と、エアーベント硬化レジン９ａとこれに重なるタブ吊りリード４の切断は、前記実施形態１と同様に、図２９に示すように、ダイ１５ａとパンチ１６ａとで切断する。
【０１２２】
この切断においても、ゲート硬化レジン７ａ及びエアーベント硬化レジン９ａはダイ１５ａに接触支持される部分は平坦であることから、前記実施形態１と同様にレジン屑の発生やレジンクラックの発生が起き難くなる。
【０１２３】
なお、ゲート幅ｄ及びエアーベント幅ｅはタブ吊りリード４の幅よりも大きくして、ゲート領域４５及びエアーベント領域４４のそれぞれとつながるようにして、レジン注入時の抵抗がより小さくなる様にしてもよい。
【０１２４】
なお、４隅のタブ吊りリード４上に形成されたゲート硬化レジン７ａ及びエアーベント硬化レジン９ａの高さをそろえることによって、ピンチカットをより安定して行うことができる。
【０１２５】
本実施形態２においても前記実施形態１と同様に、レジン屑及びレジンクラックの発生防止を図ることができるとともに歩留りの向上を図ることができる。
【０１２６】
（実施形態３）
図３０は本発明の他の実施形態（実施形態３）である半導体装置の製造方法によって片面モールドされたリードフレーム部分を示す模式的平面図である。本実施形態３では、ゲートやエアーベントをタブ吊りリード４に重ねない方法である。即ち、図３０（ａ）では、ゲートを枠部２に交差するように設けて先端をゲート領域４５に連通させる構成である。また、エアーベントを枠部２に交差するように設けて先端をエアーベント領域４４に連通させる構成である。
【０１２７】
また、図３０（ｂ）では、ゲートを枠部２に交差するように設けて先端をタブ吊りリード４とリード３との間の空間やリード３同士の空間に連通させる構成である。また、エアーベントを枠部２に交差するように設けて先端をタブ吊りリード４とリード３との間の空間やリード３同士の空間に連通させる構成である。
【０１２８】
このように、モールド金型のパーティング面に設ける溝によるゲートやエアーベントの内端は、パッケージ５を形成するためのキャビティ４０の縁から所定の距離離れた構成とし、この間は、モールド金型上下型のリード３やタブ吊りリード４の表裏面と面一となる面と、隣り合うリード３の側面またはリード３とタブ吊りリード４の側面による空間を、レジン流路とするものである。
【０１２９】
本実施形態３においても、前記実施形態１と同様に、レジン屑及びレジンクラックの発生防止を図ることができるとともに歩留りの向上を図ることができる。なお、ゲートやエアーベントのレイアウトは図３０に示すものに限定されることはない。
【０１３０】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、パッケージの実装面の両側に外部電極端子としてのリードを露出させるＳＯＮに対しても本発明を同様に適用でき、同様の効果を有することができる。本発明は少なくともノンリード型半導体装置には適用できる。
【０１３１】
本発明において、シートモールド法を採用することによりパッケージ裏面の電極露出形状をより好適にする事ができる。シートモールド法とは、リードフレームを上金型と下金型の間に挟持する場合に、下金型とリードフレームとの間に柔軟な樹脂シートを介在させて金型の挟持力によってリードフレームの特に電極部分をシートに食い込ませた状態でレジン封止することによって、電極実装面に対してパッケージの裏面をオフセットさせた形にする技術である。このような方法を採用する場合には、ゲート硬化レジン７の裏面もリード裏面からオフセットした形になる。そのため、シートモールド法を本発明の実施形態に適用した場合には、ゲート硬化レジン厚さがリードフレーム厚さよりも小さくなる場合がある。
【０１３２】
本実施形態において、パッケージコーナー部には、タブ吊りリード４が露出するような構造を記載したが、発明はタブ吊りリード４がパッケージコーナー部に露出しているタイプに限るものではなく、例えばタブ吊りリード４を有さない場合や、またはタブ吊りリード４がコーナー部以外の部分に形成されている場合に適用しても良い。この場合には、ゲート領域４５は隣接する外部電極端子（リード）の間の領域に設ける様にしても良い。
【０１３３】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【０１３４】
（１）ノンリード型半導体装置の製造におけるゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンを切断する際、レジン屑やレジンクラックの発生を抑止できるので、製造歩留りや製品品質の向上を図ることができる。
【０１３５】
（２）ノンリード型半導体装置の製造におけるゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンを切断する際、レジン屑やレジンクラックの発生を抑止できるので、切断装置等のレジン屑に伴う稼働率低下を防止でき、半導体装置の製造コスト低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置の製造方法によって片面モールドされたリードフレーム部分を示す模式的平面図である。
【図２】本実施形態１の半導体装置の正面図である。
【図３】本実施形態１の半導体装置の平面図である。
【図４】本実施形態１の半導体装置の底面図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図６】図３のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図７】本実施形態１の半導体装置の実装状態を示す断面図である。
【図８】本実施形態１の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】本実施形態１の半導体装置の製造方法で使用するリードフレームを示す平面図である。
【図１０】前記リードフレームにおける単位リードフレームパターン部分を示す平面図である。
【図１１】本実施形態１の半導体装置の製造方法において、リードフレームに半導体チップを固定し、半導体チップの電極とリード内端部分をワイヤで接続した状態を示す平面図である。
【図１２】本実施形態１の半導体装置の製造方法において、片面モールドによってリードフレームの一面にパッケージを形成した状態を示す平面図である。
【図１３】本実施形態１の半導体装置の製造方法において、リードフレームの一面にパッケージを形成する状態を示す平面図である。
【図１４】前記片面モールドにおけるモールド金型で形成されるキャビティやレジン流路とリードフレームとの相関を示す平面図である。
【図１５】本実施形態１の半導体装置の製造方法において、タブ吊りリードとこのタブ吊りリードの両側に位置するゲート硬化レジンまたはエアーベント硬化レジンを切断したリードフレームを示す平面図である。
【図１６】前記ゲート硬化レジン等を切断する状態を示す模式図である。
【図１７】前記ゲート硬化レジン等を切断する切断金型を示す模式的平面図である。
【図１８】前記ゲート硬化レジン等を切断する切断金型を示す模式的断面図である。
【図１９】本実施形態１の半導体装置の製造方法において、Ｘ方向に沿って延在するリードを切断したリードフレームを示す平面図である。
【図２０】前記Ｘ方向に沿って延在するリードを切断する状態を示す模式図である。
【図２１】前記Ｘ方向に沿って延在するリードを切断する切断金型を示す模式的平面図である。
【図２２】本実施形態１の半導体装置の製造方法において、Ｙ方向に沿って延在するリードを切断して得た半導体装置と、残留するリードフレーム部分を示す平面図である。
【図２３】前記Ｙ方向に沿って延在するリードを切断する状態を示す模式図である。
【図２４】前記Ｙ方向に沿って延在するリードを切断する切断金型を示す模式的平面図である。
【図２５】本実施形態１において、リード、タブ及びタブ吊りリードが同一平面上に位置するフラットなリードフレームを用いて製造した他の半導体装置を示す断面図である。
【図２６】前記他の半導体装置の底面図である。
【図２７】本発明の他の実施形態（実施形態２）である半導体装置の製造方法におけるトランスファモールド状態を示す模式的断面図である。
【図２８】本実施形態２の半導体装置の製造方法において、片面モールドされたリードフレームを示す模式的平面図である。
【図２９】本実施形態２の半導体装置の製造方法において、ゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンとこれらに重なるタブ吊りリードを切断する状態を示す模式的断面図である。
【図３０】本発明の他の実施形態（実施形態３）である半導体装置の製造方法によって片面モールドされたリードフレーム部分を示す模式的平面図である。
【図３１】トランスファモールドによって一面にパッケージが形成された従来のリードフレームを示す平面図である。
【図３２】前記リードフレームの模式的側面図である。
【図３３】前記リードフレームのゲート硬化レジンやレジンバリ等を示す模式的断面図である。
【図３４】従来のタブ吊りリードと、タブ吊りリードに重なるゲート硬化レジンやエアーベント硬化レジンを切断する状態を示す模式図である。
【図３５】従来のタブ吊りリードと、このタブ吊りリードに重なるゲート硬化レジンを切断する状態を示す模式図である。
【図３６】従来のノンリード型半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図３７】ゲートクラッシュ工程を含むノンリード型半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図３８】前記ゲートクラッシュ動作を示す模式図である。
【符号の説明】
１…リードフレーム、２…枠部、３…リード、３ａ，４ａ…被覆面、４…タブ吊りリード、５…樹脂封止体（パッケージ）、５ａ…立ち上がり縁、６…単位リードフレームパターン、７，７ａ…ゲート硬化レジン、８…斜面、９，９ａ…エアーベント硬化レジン、１０…ランナー硬化レジン、１１…レジンバリ、１５，１５ａ〜１５ｃ…ダイ、１６，１６ａ〜１６ｃ…パンチ、１７…レジン屑、２０…半導体装置、２１…実装面、２２…上面、２５…タブ、２６…接合材、２７…半導体チップ、２８…ワイヤ、２９…配線基板、３０…ランド、３１…接合材、３５ａ〜３５ｄ…ガイド孔ランド、３６，３７…エジェクターピン孔、３８…スリット、４０…キャビティ、４１…エアーベント用溝、４２…ゲート用溝、４３…ランナー用溝、４４…エアーベント領域、４５…ゲート領域、４５ａ…ゲート、５０…モールド金型、５１…下型、５１ａ…パーティング面、５２…上型、５２ａ…パーティング面、５３…窪んだ面、５５…レジン（樹脂）、６０ａ，６０ｂ，６０ｃ…ストリッパー、６１ａ，６１ｂ，６１ｃ…切断片、７０…ゲート、７１…エアーベント。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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