(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック絶縁基板と、該絶縁基板の一方の表面に搭載される半導体素子と、前記絶縁基板の他方の表面に外部回路基板の配線層と接続するために複数個配設された接続端子と、前記半導体素子と前記接続端子とを電気的に接続するために配設されたメタライズ配線層を具備するとともに、前記絶縁基板の４０〜４００℃における熱膨張係数が前記半導体素子よりも大きく、且つ前記半導体素子との熱膨張差が５ｐｐｍ／℃以上の半導体素子搭載基板であって、前記絶縁基板の他方の表面における前記接続端子の周囲に、前記外部回路基板の配線層と接続されない複数のバンプを配設したことを特徴とする半導体素子搭載用配線基板。
【請求項２】
前記半導体素子の面積が、前記絶縁基板の面積の８０％以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子搭載用配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基板の４０〜４００℃における熱膨張係数が８〜２５ｐｐｍ／℃である請求項１または請求項２記載の半導体素子搭載用配線基板。
【請求項４】
前記半導体素子の下面に複数の接続用電極が設けられ、前記接続用電極と前記メタライズ配線層とがロウ付け実装されてなる請求項１乃至請求項３記載の半導体素子搭載用配線基板。
【請求項５】
有機樹脂を含有する絶縁体表面に配線層が形成された外部回路基板上に、セラミック絶縁基板と、該絶縁基板の一方の表面に搭載される半導体素子と、前記絶縁基板の他方の表面に外部回路基板と接続するために複数個配設された接続端子と、前記半導体素子と前記接続端子とを電気的に接続するために配設されたメタライズ配線層を具備するとともに、前記絶縁基板の４０〜４００℃における熱膨張係数が前記半導体素子よりも大きく、且つ前記半導体素子との熱膨張差が５ｐｐｍ／℃以上の半導体素子搭載基板を載置し、前記外部回路基板の配線層と前記接続端子とをロウ付けによって実装してなる構造であって、前記絶縁基板の他方の表面における前記接続端子の周囲に、前記外部回路基板の配線層と接続されない複数のバンプを配設したことを特徴とする半導体素子搭載用配線基板の実装構造。
【請求項６】
前記半導体素子の面積が、前記絶縁基板の面積の８０％以上であることを特徴とする請求項５記載の半導体素子搭載用配線基板の実装構造。
【請求項７】
前記絶縁基板の４０〜４００℃における熱膨張係数が８〜２５ｐｐｍ／℃である請求項５または請求項６記載の半導体素子搭載用配線基板の実装構造。
【請求項８】
前記外部回路基板における絶縁体の４０〜４００℃における熱膨張係数と前記絶縁基板との熱膨張差が１０ｐｐｍ／℃以下である請求項５乃至請求項７記載の半導体素子搭載用配線基板の実装構造。
【請求項９】
前記半導体素子の下面に複数の接続用電極が設けられ、前記接続用電極と前記メタライズ配線層とがロウ付け実装されてなる請求項５乃至請求項８記載の半導体素子搭載用配線基板の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック絶縁基板と、メタライズ配線層と、接続端子を備えた半導体素子搭載用配線基板と、その外部回路基板への実装構造に関し、半導体素子搭載用配線基板の外部回路基板への接続信頼性の改良に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
一般に、セラミック配線基板は、セラミック絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設された構造からなる。代表的な例としてＬＳＩ（大規模集積回路素子）  などの半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージなどの半導体素子搭載用配線基板としては、従来より、アルミナなどのセラミックスからなる絶縁基板の半導体素子搭載表面および内部に、メタライズ配線層が配設され、他方の表面には、前記メタライズ配線層と電気的に接続され、外部電気回路基板と電気的に接続するための接続端子が備えられている。
【０００３】
そして、かかる半導体素子搭載用配線基板は、絶縁基板下面または側面に設けられた接続端子と外部回路基板表面に形成された配線層とを半田などによりロウ付けして電気的に接続することにより実装される。
【０００４】
最近にいたり、半導体素子の高集積度に伴い、これらを搭載する配線基板における接続端子数も増大させる必要がある反面、配線基板の小型化も要求され、配線基板の接続端子の密度を高くすることが必要となる。
【０００５】
従来から、パッケージの接続端子の構造としては。ピングリッドアレイ（  ＰＧＡ）  、クワッドフラットパッケージ（  ＱＦＰ）  、リードレスチップキャリア（ＬＣＣ）が主流であったが、最近では高密度化に適した接続端子として、基板の下面に半田からなる球状端子を設けたボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）等が提案されている。
【０００６】
このＢＧＡは、半田等のロウ材からなる球状端子を配線基板の下面に設けられた電極パッドにロウ付けし、この球状端子を外部回路基板の配線層上に載置当接させ、しかる後に前記端子を約２００〜４００℃の温度で加熱溶融し、球状端子を配線層に接合させることによって外部回路基板上に実装するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＢＧＡのような高密度で接続端子を形成した配線基板において、絶縁基板として従来より使用されているアルミナ、ムライト等のセラミックスを用いると、ガラス−エポキシ樹脂複合材料などの有機樹脂を含むプリント基板などの外部回路基板に実装した場合、半導体素子の作動時に発する熱が絶縁基板と外部回路基板の両方に繰り返し印加され、前記外部回路基板と絶縁基板との熱膨張係数差によって熱応力が発生し、この応力によって接続端子が絶縁基板より剥離したり、接続部にクラックなどが生じ、配線基板を外部回路基板上に長期にわたり安定に維持できないという問題があった。
【０００８】
そこで、本出願人は、従来のアルミナ、ムライト等のセラミックスに代えて、絶縁基板を高熱膨張セラミックスによって形成し配線基板と外部回路基板との熱膨張差を小さくすることにより接続信頼性を改善することを特開平８−２７９５７４号、特願平８−３２２０３８号にて提案した。
【０００９】
しかしながら、このような高熱膨張セラミックスを絶縁基板として用いた場合には、配線基板表面に実装されるシリコンよりなる半導体素子（熱膨張係数：  ２乃至３ｐｐｍ／℃）との熱膨張差が大きくなり、その結果、半導体素子と配線基板との熱膨張差により半導体素子の作動、停止に発生する応力によって配線基板が変形するなどの弊害が発生し、配線基板の接続端子と外部回路基板の配線層との接続不良が生ずるという新たな問題が発生した。
【００１０】
かかる問題は、半導体素子の底面に設けられた接続用電極と、配線基板表面のメタライズ配線層とをロウ付けにより接続するとともに、半導体素子のサイズが配線基板のサイズにより近似したチップサイズパッケージなどにおいて特に顕著に見られる。
【００１１】
従って、本発明は、絶縁基板が高熱膨張特性を有するセラミック配線基板表面に半導体素子をロウ付けにより実装した際に、強固にかつ長期にわたり安定した接続状態を維持できる高信頼性の半導体素子搭載用配線基板を提供することを目的とするものである。
【００１２】
更に、本発明は、半導体素子を搭載したセラミック配線基板を、有機樹脂を含む絶縁基体を具備する外部回路基板に対して強固にかつ長期にわたり安定した接続状態を維持できる高信頼性の配線基板の実装構造を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、半導体素子の配線基板への実装時において熱膨張差に起因して発生する応力を緩和させる方法について種々検討を重ねた結果、半導体素子を搭載する配線基板の下面に設けられた接続端子の周囲に外部回路基板と接続されないバンプを設けることより、応力による配線基板の反りを抑え、長期にわたり安定した実装が実現できることを見出し、本発明に至った。
【００１４】
即ち、本発明によれば、セラミック絶縁基板と、該絶縁基板の一方の表面に搭載される半導体素子と、前記絶縁基板の他方の表面に外部回路基板の配線層と接続するために複数個配設された接続端子と、前記半導体素子と前記接続端子とを電気的に接続するために配設されたメタライズ配線層を具備するとともに、前記絶縁基板の４０〜４００℃における熱膨張係数が前記半導体素子よりも大きく、且つ前記半導体素子との熱膨張差が５ｐｐｍ／℃以上の関係を有する配線基板において、絶縁基板の他方の表面における接続端子の周囲に、外部回路基板の配線層と接続されない複数のバンプを配設したものであり、かかる配線基板を外部回路基板に対してロウ付けによって実装したものである。
【００１５】
なお、かかる構造は、半導体素子の面積が、前記絶縁基板の面積の８０％以上である場合、前記絶縁基板の４０〜４００℃における熱膨張係数が８〜２５ｐｐｍ／℃である場合、前記半導体素子の下面に複数の接続用電極が設けられ、前記接続用電極と前記メタライズ配線層とがロウ付け実装されてなる場合において、特に有効である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施例を示す添付図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明における半導体素子を搭載した配線基板と、その実装構造の一例を示す概略断面図である。
【００１７】
本発明における配線基板は、セラミック絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設された配線基板を基本構造とするもので、図１では配線基板としてボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型のチップサイズパッケージを用いた場合の実装構造を示している。なお、図１において、Ａは半導体素子、ＢはＢＧＡ型パッケージ、Ｃは外部回路基板である。
【００１８】
図１において、パッケージＢは、セラミック絶縁基板１の表面および内部にメタライズ配線層２が被着成形されており、またパッケージＢの下面には、接続パッド３が形成され、絶縁基板１の内部に配設されたメタライズ配線層２と電気的に接続されている。この図１のＢＧＡ型パッケージにおいては、接続パッド３には、接続端子として半田などのロウ材からなる球状端子４が半田等により接続されている。
【００１９】
一方、外部回路基板Ｃは、いわゆるプリント基板などの有機樹脂としてエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アラミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱硬化性樹脂を含み、さらには、フィラー成分としてガラスなどを含む、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ポリイミド樹脂複合材料などの有機樹脂を含む材料からなる絶縁基体５の表面に、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｂ−Ｓｎから選ばれた少なくとも１種の金属を含む配線層６が被着形成されたものである。
【００２０】
そして、この外部回路基板Ｃの配線層６に対して、パッケージＢの球状端子４が半田などのロウ材によって電気的に接続することにより、パッケージＢが外部回路基板Ｃ表面に実装されている。
【００２１】
かかるパッケージおよび実装構造において、パッケージＢを構成する絶縁基板１は、４０〜４００℃における熱膨張係数が半導体素子Ａよりも大きく、且つ半導体素子Ａとの熱膨張差が５ｐｐｍ／℃以上の関係からなる。より具体的には、４０℃乃至４００℃における熱膨張係数が８乃至２５ｐｐｍ／℃のセラミックスから構成される。
【００２２】
これは有機樹脂を含む絶縁基体５を具備する外部回路基板Ｃとの熱膨張係数を近似させることにより、パッケージＢと外部回路基板Ｃとの長期接続信頼性を得ることができ、絶縁基板１の熱膨張係数が８ｐｐｍ／℃よりも小さいか、あるいは２５ｐｐｍ／℃よりも大きいと、外部回路基板Ｃとの熱膨張差が大きくなり、熱膨張差に起因する応力によってパッケージＢの外部回路基板Ｃへの接続信頼性が損なわれるためである。
【００２３】
また、パッケージＢの表面に実装される半導体素子Ａは、その底面に複数の接続用電極８が設けられており、パッケージＢの表面のメタライズ配線層１１と半田などのロウ材により電気的に接続されており、その接続部周りは通常、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなるアンダーフィル材９で補強されている。
【００２４】
なお、このパッケージＢに実装された半導体素子Ａは、熱硬化性樹脂によってパッケージＢ表面において樹脂封止されるか、または蓋体をパッケージＢの表面に接合することによりその内部に気密に封止される。
【００２５】
上記構造においては、図３に示すように、低熱膨張の半導体素子Ａと高熱膨張のパッケージＢとの熱膨張差によって、半導体素子Ａに圧縮応力が、パッケージＢ側には引っ張り応力が発生しており、その応力によってパッケージＢが外部回路基板Ｃへの実装側が凹形状となるように変形し、パッケージＢと外部回路基板Ｃとの接続部に応力が発生し、接続が不安定となる。
【００２６】
そこで、本発明によれば、図２のパッケージＢの下面図に示される通り、パッケージＢに配設された球状端子４の周囲に、外部回路基板Ｃの配線層と接続されないバンプ１０を複数個形成することにより、半導体素子Ａと高熱膨張のパッケージＢとの熱膨張差によって生じるパッケージＢの反りを抑え、外部回路基板Ｃとの接続部の発生応力を小さくすることができる。このバンプ１０の形成箇所は、絶縁基板１の接続端子形成領域の周囲の外辺部近傍に、均等間隔で４個以上、特に８個以上、さらには１０個以上設けることが望ましい。
【００２７】
このバンプ１０の材質は、半田、樹脂、セラミックスなどが挙げられるが、これらは、外部回路基板への実装後において、接続端子（球状端子）４と同等、あるいはそれ以上の強度を有するものが良い。これは、バンプ１０の強度が接続端子の強度よりも低いと、低温時にバンプ１０が圧縮力により変形し、配線基板の変形を抑制することができないためである。
【００２８】
バンプ１０は、製造上の簡略性、外部回路基板との間隙の調整の容易性の点から、外部回路基板の配線層と接続されないことを除き、パッケージＢにおける接続端子と全く同一の材質および構造からなることが最も望ましい。
【００２９】
本発明において、パッケージＢにおける絶縁基板１の４０〜４００℃における熱膨張係数が半導体素子Ａよりも大きく、半導体素子Ａとの熱膨張差が５ｐｐｍ／℃以上であることに限定したのは、絶縁基板１の熱膨張係数が半導体素子Ａよりも小さいと、応力の発生のメカニズムが全く逆となるために、パッケージＢの変形形状が外部回路基板Ｃへの実装側が凸形状となるように変形するために、本発明におけるバンプ１０を設けることによる効果が全く得られないためである。
【００３０】
また、絶縁基板１と半導体素子Ａとの熱膨張差が５ｐｐｍ／℃よりも小さいと、熱膨張差に起因する応力の発生が小さくなる反面、外部回路基板Ｃとの熱膨張差が大きくなり、パッケージＢの外部回路基板Ｃへの実装信頼性が劣るためである。
【００３１】
さらに、本発明においては、前記半導体素子ＡとパッケージＢの熱膨張差による応力の発生は、半導体素子ＡのパッケージＢへの実装が、半導体素子Ａの下面に形成された多数の接続用電極８と配線基板Ｂ表面のメタライズ配線層１１とがロウ付けされることにより、半導体素子ＡがパッケージＢに対して強固に実装された構造において顕著であり、さらに半導体素子ＡのサイズがパッケージＢのサイズと近似するほど顕著となる。具体的には、半導体素子Ａの面積が、パッケージＢの絶縁基板の面積の８０％以上、特に８５％以上である場合、本発明の構造による効果が最も有効に発揮される。
【００３２】
本発明において、パッケージＢにおける絶縁基板材料としては、前述した通り、４０〜４００℃における熱膨張係数が８〜２５ｐｐｍ／℃であることが望まれるが、そのような高熱膨張セラミック材料としては、例えば、特願平８−３２２０３８号の明細書中に記載されているような、リチウム珪酸系ガラス、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＢａＯ系ガラス等のガラス成分にエンスタタイト、フォルステライト、ＳｉＯ２  系（クオーツ、トリジマイト、クリストバライト）、ＭｇＯ、ＺｒＯ２  、ペタライトなどの各種フィラーを複合化したものが好適に使用される。
【００３３】
例えば、上記ガラス２０〜９０体積％、上記フィラー８０〜１０体積％の混合物に、適時有機バインダーを添加してスラリーを調製し、そのスラリーをシート状に成形した後、そのシート状成形体の表面に、銅、金、銀などの低抵抗金属を含む導体ペーストを印刷塗布する。また、所望により、シート状成形体の所定箇所にマイクロドリルやレーザー等によりスルーホールを形成して、ホール内に前記導体ペーストを充填する。そして、そのシート状成形体を複数積層圧着して積層体を作製した後、これを窒素雰囲気、あるいは水蒸気を含む窒素雰囲気中で脱脂後、８００〜１０００℃の温度で焼成することにより作製できる。
【００３４】
なお、上記絶縁基板１としては、ヤング率が４０〜４００℃において７０〜２００ＧＰａ、特に８０〜１５０ＧＰａであることが望ましい。これは、ヤング率が７０ＧＰａよりも小さいと、温度変化に対して変形が大きく、内部のメタライズ配線層２が断線したり、接続端子４が破壊するためであり、２００ＧＰａよりも大きいと温度変化に対して変形が起こらず、外部回路基板との間に発生した応力を緩和できなくなり、接続端子４に高応力が発生し、配線基板Ｂと外部回路基板Ｃとの接続信頼性が損なわれる虞がある。
【００３５】
【実施例】
表１に示す各種ガラスセラミック材料について、５×４×４０ｍｍの形状の焼結体を作製した後、各焼結体について４０〜４００℃における熱膨張係数およびヤング率を測定し、表１に示した。また、表１に示す各種セラミック材料を絶縁基板として用いて、その表面に半導体素子と接続される接続パッドを含むメタライズ配線層、内部配線層及びビアホール導体、底面にボール状端子を取り付けるための１４４個の接続パッド、および接続パッドの周囲に外部回路基板と接続されない０〜１６個の非接続パッドを銅ペーストの印刷、あるいは充填により周知の方法に従い９００℃の温度で同時焼成してパッケージＢの基板を作製した。
【００３６】
また、比較のために、絶縁基板材料として、表１に示すようなアルミナセラミックス、前記各導体材料としてタングステンを用いて１５５０℃で同時焼成して、上記と全く同じ大きさのパッケージＢの基板を作製した。
【００３７】
【表１】
0003610239.tif 000002
【００３８】
そして、この基板の下面の接続パッドおよび非接続パッドに、直径が０．５ｍｍの高融点半田（Ｓｎ：Ｐｂ重量比＝１０：９０）ボールを低融点半田（Ｓｎ：Ｐｂ重量比＝６３：３７）により取り付けてパッケージＢを作成した。作製したパッケージの寸法は、縦１３ｍｍ×横１３ｍｍ×厚みが０．４ｍｍである。
【００３９】
一方、シリコン（Ｓｉ）からなり４０〜４００℃における熱膨張係数が２．６ｐｐｍ／℃、縦１２ｍｍ×横１２ｍｍの半導体素子Ａを準備し、これに半田バンプを設けて接続用電極とし、上記パッケージＢに接続した。その後、この接続部の周辺にエポキシ樹脂からなるアンダーフィル剤を注入し硬化させた。
【００４０】
また、半導体素子Ａとしての縦×横サイズが９×９ｍｍ、１０×１０ｍｍ、１１×１１ｍｍの各サイズのものについても上記と同様にして実装した。
【００４１】
（耐久性試験）
上記のようにして半導体素子Ａをパッケージ用配線基板に実装したものをガラスエポキシ基板からなる４０〜４００℃における熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃の絶縁体の表面に銅箔からなる配線層が形成されたプリント基板を準備し、プリント基板表面の配線層とパッケージＢの接続端子とが接触するように位置合わせして低融点半田を用いて窒素雰囲気中で２６０℃３分間熱処理して、半導体素子Ａを搭載したパッケージＢをプリント基板Ｃの表面に実装した。
【００４２】
このようにしてパッケージＢをプリント基板Ｃに実装したものを大気の雰囲気にて−４０℃保持２５分／１２５℃保持２５分を１サイクルとして最高３０００サイクル繰り返した。
【００４３】
そして、１００サイクル毎にパッケージＢのメタライズ配線層と外部回路基板の配線層との電気抵抗を測定し、電気抵抗が上昇し始めるまでのサイクル数をカウントした。結果を表２に示す。
【００４４】
【表２】
0003610239.tif 000003
【００４５】
表２に示す結果から明らかなように、バンプを形成しなかった試料Ｎｏ．１，６，９，１２では１０００サイクル以下で抵抗変化が生じたのに対して、バンプを形成した試料Ｎｏ．２〜５、７、８、１０、１１、１４〜１６では１５００サイクル以上まで耐久性が向上し、バンプの数を増加させるほど耐久性が向上した。
【００４６】
なお、配線基板の絶縁基板材料としてアルミナセラミックス（Ｄ）を用いた試料Ｎｏ．１２、１３では、半導体素子との熱膨張差が小さいものの、バンプの有無に拘らず、１０００サイクル以下で抵抗変化が見られた。
【００４７】
また、半導体素子とパッケージのサイズとの関係においては、半導体素子のサイズがパッケージのサイズに近づくに従い、応力が増大する傾向にあるが、本発明によれば、半導体素子の面積がパッケージ面積の８０％以上のチップサイズパッケージにおいても優れた耐久性を示した。
【００４８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明における半導体素子搭載用配線基板は、半導体素子を配線基板上に実装した場合の両者の熱膨張係数の差に起因する配線基板の反りを抑え、配線基板と外部回路基板とを長期間にわたり正確、かつ強固に電気的接続させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における半導体素子搭載用基板の一例としてボールグリッドアレイ型の半導体素子収納用パッケージとその実装構造を説明するための断面図である。
【図２】図１のパッケージＢの下面の平面図である。
【図３】従来の半導体素子搭載用基板の一例としてボールグリッドアレイ型の半導体素子収納用パッケージとその実装構造を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１・・・セラミック絶縁基板
２・・・メタライズ配線層
３・・・接続端子
１０・・バンプ
Ａ・・・半導体素子
Ｂ・・・ＢＧＡ型パッケージ
Ｃ・・・外部回路基板
【図１】
0003610239.tif 000004
【図２】
0003610239.tif 000005
【図３】
0003610239.tif 000006