(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁変換によって磁気ディスクに対する情報の記録再生動作を行うトランスデューサが前記磁気ディスクに対向する基板主面に配置され、前記基板主面の少なくとも前記トランスデューサの配置領域に保護膜が形成されたコンタクト型磁気ヘッドであって、前記保護膜よりも表面エネルギの大きな面を露出させる少なくとも一個の穴が前記保護膜に穿設され、前記穴は、前記コンタクト型磁気ヘッドの前記磁気ディスクに対する相対的な移動方向に平行に形成されたスリット部と、このスリット部の後端縁に形成された拡幅部とからなることを特徴とするコンタクト型磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載のコンタクト型磁気ヘッドにおいて、
前記穴は、前記保護膜を貫通して前記基板主面の内部に及ぶ深さを有する構造、
あるいは、前記コンタクト型磁気ヘッドの前記磁気ディスクに対する相対的な移動方向の後端縁にギザギザが形成された構造、
の少なくとも一方の構造を有することを特徴とするコンタクト型磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載のコンタクト型磁気ヘッドと、前記コンタクト型磁気ヘッドによって情報の記録再生が行われる磁気ディスクと、前記コンタクト型磁気ヘッドを支持し、当該コンタクト型磁気ヘッドを前記磁気ディスクに対して所望の荷重で押圧するロードアームと、前記ロードアームを介して前記コンタクト型磁気ヘッドの前記磁気ディスクの径方向における移動および位置決めを行うアクチュエータと、前記磁気ディスクを回転駆動するスピンドルとを含み、前記コンタクト型磁気ヘッドと前記磁気ディスクとが接触した状態で情報の記録再生動作が行われることを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、コンタクト型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置に関し、特に、トランスデューサとして磁気抵抗効果型素子を備え、磁気ディスクと接触しつつ信号の記録と再生を行なうコンタクト型磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気ディスク装置に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
媒体である磁気ディスクへの情報の記録密度向上の要請に呼応して、磁気ディスク装置の磁気ヘッド素子には、信号特性が良好で高記録密度の達成が可能な磁気抵抗効果型素子が用いられつつある。この磁気抵抗効果型素子は、たとえば高透磁率合金等で構成されるため、腐食損傷に対して表面を保護する必要がある。そこで、典型的には特開平４−３６４２１７号公報に開示されているように、カーボンの保護膜が用いられる。また、カーボン保護膜は磁気ディスクや塵埃との偶発的な接触に対してヘッドを保護する役割りも担っている。一方、磁気ディスクの保護膜としても一般的にカーボンが用いられており、磁気ディスクの表面には、磁気ヘッドとの摺動を円滑にする等の目的で、さらに潤滑剤が塗られていることが一般的である。
【０００３】
信号の記録密度を増大させるためには、原理上、磁気ヘッドの素子と磁気ディスクの間隔をできるだけ接近させることが望ましい。磁気ヘッドスライダは通常、浮上型であるが、究極的には磁気ヘッドが磁気ディスクと接触しつつ信号の記録と再生を行なうコンタクト記録に移行することが予測されている。
【０００４】
磁気ヘッドの潤滑性を向上させる手段として、例えば特開昭５６−７７９４９号公報の技術では、磁気ヘッドスライダの基板に多孔質なセラミックスを用い、その孔に潤滑剤を含浸させる手法を開示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
コンタクト記録型磁気ディスク装置においては、磁気ヘッドと磁気ディスクの摩擦、摩耗を長期に渡って最小にすることが大きな課題となる。磁気抵抗効果型素子が用いられる場合には、カーボンの保護膜同士の接触となる。カーボンは、通常用いられるスライダ材料の酸化アルミニウム−炭化チタンセラミックスよりも表面エネルギが小さいため、潤滑剤が濡れにくくなる。従って、カーボン保護膜で覆われた磁気ヘッドと磁気ディスクの接触界面では、長期に渡っての摺動の過程で潤滑剤が途切れる懸念がある。
【０００６】
ここで、前述の多孔質なセラミックスに潤滑剤を含浸させる手法を考えると、いくつかの問題点がある。すなわち、磁気抵抗効果型素子を薄膜プロセスで形成するためには極めて平滑な基板が必要であり、多孔質なセラミックス基板では不適なこと、セラミックス表面の小さな孔ではその表面にカーボン保護膜を形成すると埋まってしまうこと、残った孔の表面もカーボン保護膜で覆われるため、潤滑剤が濡れにくいことに変わりがないこと、等である。したがって、この多孔質なセラミックスに潤滑剤を含浸させる手法は磁気抵抗効果型素子とその保護膜を備えたヘッドの場合には必ずしも適切ではない。
【０００７】
本発明の目的は、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することが可能なコンタクト型磁気ヘッドを提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することにより、トランスデューサとして磁気抵抗効果型素子を用いることによる情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させることが可能なコンタクト型磁気ヘッドを提供することにある。
【０００９】
本発明のさらに他の目的は、コンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクの摺動領域に対する潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することにより、情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させることが可能な磁気ディスク装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のコンタクト型磁気ヘッドは、磁気ディスクと接触する基板主面の素子保護膜に１個または複数の穴を設け、該保護膜よりも表面エネルギが大きい面を露出させる構造を備えている。具体的には、カーボン保護膜に１個または複数の穴を設け、酸化アルミニウム−炭化チタンセラミックス基板等の表面を露出させる。基板がシリコンや炭化シリコンなどの非酸化物の場合、その表面には自然酸化層が存在するため、この自然酸化層を露出させてもよい。あるいは、強制的に酸化層を形成し、この強制酸化層を露出させてもよい。
【００１１】
また、本発明の磁気ディスク装置では、磁気ディスクと接触する部分の素子保護膜に１個または複数の穴を設け、該保護膜よりも表面エネルギが大きい面を露出させた構造のコンタクト型磁気ヘッドを用い、コンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクとを摺動させながら稼働させる構成としたものである。
【００１２】
【作用】
酸化物の表面はカーボン保護膜よりも表面エネルギが大きい。カーボン保護膜の表面エネルギが４０〜６０エルグ／ｃｍであるのに対し、通常の酸化物では１００エルグ／ｃｍもしくはそれ以上、酸化アルミニウム−炭化チタンセラミックスで８０〜１００エルグ／ｃｍである。したがって、酸化物の表面の方が潤滑剤が濡れやすい。さらに、カーボン保護膜に設けた穴には膜厚分の段差があるため、穴の内部に潤滑剤が溜る。磁気ディスクとの接触の際に、カーボン保護膜に穿設された穴に保持されている潤滑剤が有効に供給され、コンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクの間の摺動領域の潤滑作用をなし、両者の円滑な摺動動作が実現される。カーボン保護膜に穿設された穴の内部に溜る潤滑剤の量を増すために、穴をさらに基板内部側に掘り下げてもよい。
【００１３】
カーボン保護膜の接触部に設けた穴の面積だけ、実効接触面積は減少する。このため、接触面積に比例する摩擦力が減少し、磁気抵抗効果型素子と潤滑剤にとって有害な摩擦熱の発生を抑制する働きもある。
【００１４】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
（実施例１）
図１は、本発明の一実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す略平面図であり、図２は、本実施例のコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【００１６】
この実施例では、基板１の磁気ディスク６に対向する磁気ディスク接触面（主面）に当該磁気ディスク６に接触する複数の接触パッド３（本実施例では３個）が突設され、この接触パッド３の中の１つに電磁変換を行うトランスデューサとしての磁気抵抗効果型素子２が内蔵されている。基板１に突設された全ての接触パッド３の頂部にはカーボン保護膜５が被覆され、カーボン保護膜５の厚さは、たとえば５ないし２０ｎｍに設定されている。本実施例では、このカーボン保護膜５に穴４が形成されている。この穴４の深さは、本実施例では、図２に例示されるように、接触パッド３の表面のカーボン保護膜５を貫通して下地の接触パッド３の表面１ａを露出させる値に設定されている。また、穴４の開口部の形状は、たとえば、コンタクト型磁気ヘッド１０の磁気ディスク６に対する相対的な移動方向（図１の左右方向）に交差する方向に長軸を持つ長円形に形成され、カーボン保護膜５を形成する際に、たとえば、ホトリソグラフィ技術を用いて穿設される。
【００１７】
図９および図１０は、本実施例のコンタクト型磁気ヘッド１０の製造プロセスの一部を工程順に示す略断面図である。
【００１８】
すなわち、図９（ａ）に例示されるように、以前のプロセスで磁気抵抗効果型素子２が形成されている基板１の磁気ディスク接触面にカーボン保護膜５を、スパッタリングや化学気相成長法等の技術によって必要な厚さ（本実施例では５ないし２０ｎｍ）に被着形成する。
【００１９】
次に、図９（ｂ）に例示されるように、カーボン保護膜５（磁気ディスク接触面）のうち、接触パッド３になる領域の直上部に、当該接触パッド３の形状に選択的にホトレジスト２０のマスクを形成する。
【００２０】
次に、図９（ｃ）に例示されるように、ホトレジスト２０をマスクとしてアルゴンイオン等のイオンを用いたイオンエッチングによって、カーボン保護膜５およびその下側の基板１をエッチングする。
【００２１】
次に、図９（ｄ）に例示されるように、マスクのホトレジスト２０を除去することにより、基板１には、頂部がカーボン保護膜５によって覆われた複数の接触パッド３が、基板１が突出した状態に形成される。また、磁気抵抗効果型素子２を含む接触パッド３では、当該磁気抵抗効果型素子２がカーボン保護膜５によって覆われ、図２に例示されるような磁気ディスク６との直接的な接触から保護される状態となる。
【００２２】
本実施例では、この後、さらに図１０（ａ）に例示されるように、複数の接触パッド３を覆うカーボン保護膜５の表面に、長円形の穴４の形状に当該カーボン保護膜５が選択的に露出するようにホトレジスト２１のマスクを形成し、さらに、図１０（ｂ）に例示されるように、このホトレジスト２１をマスクとする選択的なイオンエッチング等によってカーボン保護膜５に穴４を穿設し、下地の接触パッド３の表面１ａ（基板１の材質）を露出させ、その後、図１０（ｃ）のように、マスクとしてのホトレジスト２１を除去する。これにより、図１に例示されるような、複数の接触パッド３を覆うカーボン保護膜５に長円形の複数の穴４が穿設された形状を得ることができる。
【００２３】
なお、接触パッド３のカーボン保護膜５に対する複数の穴４の形成方法としては、図１０に例示したようなホトリソグラフィ技術を用いることに限らず、たとえば図９の（ａ）〜（ｄ）の加工方法によって複数の接触パッド３を形成した後、個々の接触パッド３の目的部位に対するレーザビームの選択的な照射によって穴４を穿設する技術、あるいは、イオンビーム等の選択的な照射によって穴４を穿設する技術等を用いることができる。レーザビームを用いる場合には、穴４の内周が加熱によって酸化されることによって表面エネルギの大きな表面が形成されるので、カーボン保護膜５の膜厚の途中の深さに設定してもよい。
【００２４】
このようにしてカーボン保護膜５に穿設された穴４によって基板１（接触パッド３）の表面１ａが露出する。基板１は通常酸化アルミニウム−炭化チタンセラミックス基板が選ばれるが、シリコンや炭化シリコンなどの非酸化物でもよい。このシリコンや炭化シリコンなどの非酸化物で基板１を構成する場合、その表面には自然酸化層が存在するため、穴４の穿設によって、この自然酸化層が露出する。あるいは、酸素で反応性イオンエッチングをかけるなどして強制的に酸化層を形成し、この酸化層を穴４の穿設によって露出させてもよい。磁気ディスク６の表面には潤滑剤７が塗布されているが、カーボン膜の表面のため、通常必ずしも全面を被覆できない。潤滑剤７は穴４の底面の基板１の表面１ａに濡れやすいため、穴４の内部に潤滑剤７が安定に保持されることによって溜る。コンタクト型磁気ヘッド１０が磁気ディスク６の上を滑るとき、従来のようなコンタクト型磁気ヘッドでは、接触パッド３と磁気ディスク６の界面で潤滑剤が途切れる懸念が生じるが、本実施例のコンタクト型磁気ヘッド１０では、接触パッド３のカーボン保護膜５に穿設された穴４の内部に潤滑剤７が安定に保持されて溜っているため、この穴４から潤滑剤７がコンタクト型磁気ヘッド１０と磁気ディスク６の接触界面に安定に供給され、長期間に渡って潤滑剤７による潤滑作用が有効に機能する。
【００２５】
以上説明したように、本実施例のコンタクト型磁気ヘッド１０によれば、磁気ディスク６に対向して接触する基板１の主面に複数の接触パッド３を突設し、一つの接触パッド３の内部に磁気抵抗効果型素子２を配置するとともに、磁気抵抗効果型素子２を保護するように接触パッド３にカーボン保護膜５が形成された構造において、接触パッド３のカーボン保護膜５に複数の穴４を穿設して、カーボン保護膜５よりも濡れ性の高い基板１の表面１ａを露出させ、この穴４の内部に潤滑剤７を安定に保持させるので、磁気ディスクとの接触界面に潤滑剤７を長期間に渡って安定に供給して潤滑作用を維持することができる。
【００２６】
この結果、コンタクト型磁気ヘッド１０および磁気ディスク６の双方の摩耗損傷をともに小さくし、さらに、摩擦熱による磁気抵抗効果型素子２の再生信号のノイズ増大を防止することができ、コンタクト型磁気ヘッド１０の動作の信頼性を向上させることができる。これにより、動作の信頼性の向上と、コンタクト型磁気ヘッド１０を用いることによる磁気ディスク６における情報の記録密度向上とを両立できる。
【００２７】
（実施例２）
図３は、本発明の他の実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの構成の一例を示す側面図である。この実施例２では、コンタクト型磁気ヘッド１０Ａの基板１の接触パッド３に穿設され、潤滑剤７が溜る穴４Ａの深さを実施例１の場合よりも深くした例を示す。すなわち、この実施例２では、穴４Ａはカーボン保護膜５を貫通し、さらに基板１（接触パッド３）の内部に及んでいる。前述のように、穴４Ａはカーボン保護膜５を形成した後、カーボン保護膜５の表面にマスクをかけ、アルゴンイオン等を用いたイオンエッチングによって穿設される。穴４Ａの深さは、エッチング時間の制御等によって、容易にカーボン保護膜５の膜厚の２０ｎｍ以上に深く形成できる。たとえば、穴４Ａの深さを接触パッド３の高さと同程度にする場合には、前述の図９（ｂ）の製造プロセスにおいて、接触パッド３の形状にホトレジスト２０のマスクを形成する際に、穴４Ａのパターンも同時に形成し、接触パッド３と穴４Ａを一回のイオンエッチングで同時に形成することもできる。
【００２８】
この実施例２によれば、前記実施例１の効果に加えて、穴４Ａの深さを深くしたことにより、潤滑剤７に濡れる面積および保持する潤滑剤７の量を増すことができ、潤滑剤７がコンタクト型磁気ヘッド１０Ａと磁気ディスク６の接触界面に安定に作用する期間をより長くできる、という効果が得られる。
【００２９】
（実施例３）
図４は、本発明のさらに他の実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図である。
【００３０】
この実施例３の場合には、コンタクト型磁気ヘッド１０Ｂの基板１の接触パッド３に穿設され、潤滑剤が溜る穴４Ｂの形状を、実施例１に例示した長円形とは異なる円形に形成するとともに、個々の穴４Ｂの開口部の面積を実施例１の場合よりも小さくした例を示す。小さな円形の穴４Ｂは、複数の接触パッド３のほぼ全面に分散して穿設されている。この場合、個々の穴４Ｂの内部に保持される潤滑剤７の量は少なくなるが、穴４Ｂの数を増やすことにより、必要な潤滑剤７の量を賄うことができる。
【００３１】
本実施例３のコンタクト型磁気ヘッド１０Ｂのように、接触パッド３に穿設される個々の穴４Ｂの開口部の面積を小さくすることにより、大きな塵埃の穴４Ｂの内部への浸入を防止することができ、穴４Ｂに侵入して保持された塵埃が接触パッド３の表面から突出して磁気ディスク６の表面に接触することに起因する磁気ディスク６の損傷等の障害を未然に防止することができる。
【００３２】
（実施例４）
図５は、本発明のさらに他の実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図であり、図６は、本実施例のコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【００３３】
この実施例４では、コンタクト型磁気ヘッド１０Ｃの基板１に、磁気抵抗効果型素子２を含む接触パッド９と浮上レール８が形成されており、接触パッド９および浮上レール８の表面にはカーボン保護膜５が形成されている。すなわち、コンタクト型磁気ヘッド１０Ｃの磁気ディスク接触面には、磁気ディスク６に対する相対的な移動方向（図５の左右方向）における基板１の中心軸を対称軸として両側端に一対の浮上レール８が突設され、基板１の移動方向の後端縁の中央部に接触パッド９が配置されている。本実施例４では、基板１の表面１ａを露出させる穴４Ｃは接触パッド９のカーボン保護膜５に選択的に形成されている。この穴４Ｃの内部には潤滑剤７が安定に保持される。
【００３４】
図６に例示されるように、浮上レール８は大きな面積を持ち、回転する磁気ディスク６の表面に形成される空気流によって磁気ディスク６上にコンタクト型磁気ヘッド１０Ｃの基板１を傾斜した姿勢に浮上させ、磁気抵抗効果型素子２が配置された接触パッド９のみが磁気ディスク６と接触する。接触パッド９に形成された穴４Ｃは実施例１と同様に、その内部に保持している潤滑剤７を接触パッド９と磁気ディスク６の接触界面に安定に供給する作用をなし、接触パッド９と磁気ディスク６との摺動動作を円滑にする。磁気ディスク６の回転が停止すると、浮上レール８も浮上力を失い、磁気ディスク６と接触する。このとき、潤滑剤７を溜める穴４Ｃが、接触面積の広い浮上レール８の表面には存在しないため、潤滑剤７を介してコンタクト型磁気ヘッド１０Ｃが磁気ディスク６に粘着する、いわゆるコンタクト型磁気ヘッド１０Ｃの固着障害を防止することができる。
【００３５】
このように、本実施例４のコンタクト型磁気ヘッド１０Ｃによれば、稼働時に、磁気抵抗効果型素子２が配置された接触パッド９のカーボン保護膜５を選択的に磁気ディスク６の表面に接触させる一部浮上型のコンタクト型磁気ヘッド１０Ｃにおいて、磁気ディスク６に対する固着障害の発生を回避しつつ、接触パッド９と磁気ディスク６との接触界面に接触パッド９に選択的に設けられた穴４Ｃから効果的に潤滑剤７を作用させることが可能となり、磁気抵抗効果型素子２が配置された接触パッド９を磁気ディスク６の表面に接触させることによる情報の高記録密度の達成と、動作の信頼性の向上の双方を実現することができる。
【００３６】
（実施例５）
図７は、本発明のさらに他の実施例であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図であり、図８は、本実施例のコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【００３７】
この実施例５のコンタクト型磁気ヘッド１０Ｄは、潤滑剤が溜る穴４Ｄの形状を変えたところが前述の実施例４のコンタクト型磁気ヘッド１０Ｃと異なっている。すなわち、本実施例５では、磁気抵抗効果型素子２が配置された接触パッド９のカーボン保護膜５にに穿設された穴４Ｄは細長いスリット部４１と、幅広の拡幅部４２とで構成され、さらに、拡幅部４２の後端縁にはギザギザ部４３が形成されている。幅の狭いスリット部４１は毛細管現象を利用して潤滑剤７の磁気ディスク６からの遊離成分を積極的に捕集し、拡幅部４２は捕集された潤滑剤７を磁気ディスク６との接触界面に供給する作用をなす。穴４Ｄの内部の潤滑剤７は後端縁の拡幅部４２のギザギザ部４３の複数の先端部から供給されるため、拡幅部４２の幅方向（ギザギザ部４３の配列方向）の広い範囲で一様に接触界面に供給される。
【００３８】
この場合、潤滑剤７の穴４Ｄの内部への捕集量を多くするためにスリット部４１のみを選択的に深く形成することも可能である。すなわち、図８に例示される接触パッド９の断面では、穴４Ｄのスリット部４１が他の拡幅部４２やギザギザ部４３に比較して選択的に深くなっている。
【００３９】
このように、本実施例５のコンタクト型磁気ヘッド１０Ｄによれば、磁気ディスク６からの潤滑剤７の遊離成分を穴４Ｄの深いスリット部４１に毛管現象等によって積極的に捕集し、捕集したこの潤滑剤７を、後端の拡幅部４２およびギザギザ部４３から磁気ディスク６と接触パッド９との接触界面に均等かつ安定に供給することが可能となる。
【００４０】
（実施例６）
図１１は本発明の一実施例である磁気ディスク装置の構造の一部を破断して例示する斜視図である。
【００４１】
本実施例の磁気ディスク装置は、前述の各実施例で述べたコンタクト型磁気ヘッド１０（１０Ａ〜１０Ｄ）を搭載している。
【００４２】
複数の磁気ディスク６が共通のスピンドル１４に所定の間隔で同軸かつ平行な姿勢で固定され、個々の磁気ディスク６の記録面には、ロードアーム１１の先端部に保持されたコンタクト型磁気ヘッド１０（１０Ａ〜１０Ｄ）がセットされている。ロードアーム１１の先端部に保持されたコンタクト型磁気ヘッド１０は磁気ディスク６に所定の押圧荷重で押し付けられている。ロードアーム１１の基端部はピボット軸１２ａを中心として揺動するアクチュエータ１２に支持され、このアクチュエータ１２はさらにボイスコイルモータ１３によって駆動される。
【００４３】
すなわち、ボイスコイルモータ１３に対する通電方向や通電量の制御によって、アクチュエータ１２およびロードアーム１１は磁気ディスク６と平行な平面内を、揺動速度や角度が制御された揺動運動し、この揺動運動によって、ロードアーム１１の先端部に支持されているコンタクト型磁気ヘッド１０は磁気ディスク６の記録面上を当該磁気ディスク６の径方向に移動し、たとえば磁気ディスク６の記録面上に同心円状に配置された複数のトラックの間の移動（シーク動作）や、特定のトラックに対して追従する動作を行う。
【００４４】
このように、本実施例の磁気ディスク装置によれば、磁気ディスク６に対する接触面に設けられた接触パッド３や接触パッド９のカーボン保護膜５に潤滑剤７に対する濡れ性の良好な基板１の表面１ａを露出させる穴４（４Ａ〜４Ｄ）を穿設し、この穴の内部に潤滑剤７を保持する構成のコンタクト型磁気ヘッド１０（１０Ａ〜１０Ｄ）を備えているので、コンタクト型磁気ヘッド１０（１０Ａ〜１０Ｄ）を用いることによる磁気ディスク６での情報の高記録密度化の実現と、磁気ディスク６に対する接触パッド３や接触パッド９の接触界面への潤滑剤７の安定供給による動作の円滑化、すなわち動作の信頼性の向上とを両立させることができる。
【００４５】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４６】
たとえば、保護膜としては、一例としてカーボン保護膜を用いる場合を例示したが、本発明はカーボン保護膜に限定されるものではない。トランスデューサとしては、一例として磁気抵抗効果型素子を用いる場合を例示したが、本発明は磁気抵抗効果型素子に限定されるものではない。
【００４７】
また、上述の各実施例に例示したコンタクト型磁気ヘッドの外観形状や接触パッドの形状等、さらには接触パッドに穿設された穴の形状は、一例であり、本発明はそれらの形状および構造に限定されるものではない。
【００４８】
【発明の効果】
本発明のコンタクト型磁気ヘッドによれば、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することができる、という効果が得られる。
【００４９】
また、本発明のコンタクト型磁気ヘッドによれば、磁気ディスクに対する摺動領域への潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することにより、トランスデューサとして磁気抵抗効果型素子を用いることによる情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させることができる、という効果が得られる。
【００５０】
また、本発明の磁気ディスク装置によれば、コンタクト型磁気ヘッドと磁気ディスクの摺動領域に対する潤滑剤の供給を長期間に渡って安定に維持することにより、情報の記録密度の向上と動作の信頼性とを両立させることができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す略平面図である。
【図２】本発明の実施例１であるコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【図３】本発明の実施例２であるコンタクト型磁気ヘッドの構成の一例を示す側面図である。
【図４】本発明の実施例３であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図である。
【図５】本発明の実施例４であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図である。
【図６】本発明の実施例４であるコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【図７】本発明の実施例５であるコンタクト型磁気ヘッドの磁気ディスク接触面の形状の一例を示す平面図である。
【図８】本発明の実施例５であるコンタクト型磁気ヘッドが回転する磁気ディスクと接触した稼働状態の一例を示す側面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施例１であるコンタクト型磁気ヘッドの製造プロセスの一部を工程順に示す略断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例１であるコンタクト型磁気ヘッドの製造プロセスの一部を工程順に示す略断面図である。
【図１１】本発明の一実施例である磁気ディスク装置の構造の一部を破断して例示する斜視図である。
【符号の説明】
１…基板、１ａ…表面、２…磁気抵抗効果型素子、３…接触パッド、４，４Ａ〜４Ｄ…穴、４１…スリット部、４２…拡幅部、４３…ギザギザ部、５…カーボン保護膜、６…磁気ディスク、７…潤滑剤、８…浮上レール、９…接触パッド、１０，１０Ａ〜１０Ｄ…コンタクト型磁気ヘッド、１１…ロードアーム、１２…アクチュエータ、１２ａ…ピボット軸、１３…ボイスコイルモータ、１４…スピンドル、２０…ホトレジスト、２１…ホトレジスト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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