(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムの両面に金属層を貼り合わせる段階と、
金属層が貼り合わされた絶縁フィルムに、その第一の面の金属層と前記絶縁フィルムとを貫通して第二の面の金属層に達する第一及び第二のブラインドホールを形成する段階と、
前記第一の面の金属層の外面、前記第一及び第二のブラインドホールの内面に金属めっき層を設ける段階と、
前記金属めっき層及び前記両面の金属層のそれぞれの所定部分をエッチングにより除去することにより、前記絶縁フィルムの両面にそれぞれ所定パターンの金属層からなる配線層を形成するとともに、前記第一のブラインドホールを内面に金属めっき層を有するビアホールとし、前記第二のブラインドホールを前記絶縁フィルムの第二の面の金属層を貫通するベントホールとする段階とからなることを特徴とする両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【請求項２】
少なくとも前記第二のブラインドホールを形成する段階が、レーザを用いて行われる、請求項１に記載の両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法、特に位置精度が高くかつ微小なベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアは、ポリイミド等のフィルムの両面に貼り合わせた銅箔の、一方の面の所定位置にビアホールを形成し、その面の銅箔とビアホール内面に銅めっきを施し、両面の銅箔の所定部分を銅めっき層とともにエッチングにより除去して、所定パターンの配線層を形成し、さらに全層を貫通するベントホールを設けたものである。ベントホールは、ＴＡＢテープキャリアを用いて半導体装置を組み立てる際、発生するガスを放出するために設けられる。
【０００３】
図２（Ａ）ないし（Ｅ）は、従来のベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造工程を示す。図２（Ａ）は、両面に銅箔２ａ，２ｂを貼り合わせたポリイミド等のフィルム１の断面を示す。銅箔２ａの所定位置にビアホール３を形成する。図２（Ｂ）は、ビアホール３を形成した状態の断面を示す。銅箔２ａの表面とビアホール３の内面に銅めっきを施す。図２（Ｃ）は、銅めっきを施した状態の断面を示す。銅箔２ａの表面とビアホール３の内面に銅めっき層４が形成されている。次に、銅箔２ａ，２ｂのそれぞれ所定部分を、銅めっき層４とともにエッチングにより除去して、所定パターンの配線層を形成する。図２（Ｄ）は、配線層５ａおよび５ｂを形成した状態の断面を示す。配線層５ａは銅箔２ａの所定部分と銅めっき層４から成り、ビアホール３の内面の銅めっき層４を介して配線層５ｂと電気的に接続されている。次に、全層を貫通するベントホール６を設ける。図２（Ｅ）は、ベントホール６を設けた両面配線ＴＡＢテープキャリアの、断面を示す。
【０００４】
従来、ベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアのベントホール６は、このように配線層を形成した後、製造工程の最後に、プレス等の手段で形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のような、従来のベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアは、ベントホールをプレス等の手段で形成しているので、直径１５０マイクロメートル未満のベントホールの形成は困難である。これは、主にプレス金型の構造に起因する。
【０００６】
また、従来のベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法では、配線層を形成した後、製造工程の最後にベントホールを形成するため、配線パターンおよび両面接続用ビアホールに対するベントホールの位置精度（繰り返し再現性）は、±５０マイクロメートル程度である。
【０００７】
この二つの観点、すなわちベントホールの直径の限界及び位置精度から、従来のベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアは、高密度の配線に適用することができなかった。
【０００８】
本発明の目的は、高密度の配線に適用することができる、ベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法を実現することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記目的を達成するため、絶縁フィルムの両面に金属層を貼り合わせる段階と、金属層が貼り合わされた絶縁フィルムに、その第一の面の金属層と前記絶縁フィルムとを貫通して第二の面の金属層に達する第一及び第二のブラインドホールを形成する段階と、前記第一の面の金属層、前記第一及び第二のブラインドホールの内面に金属めっき層を設ける段階と、前記金属めっき層、前記両面の金属層のそれぞれの所定部分をエッチングにより除去することにより、前記絶縁フィルムの両面にそれぞれ所定パターンの金属層からなる配線層を形成するとともに、前記第一のブラインドホールを内面に金属めっき層を有するビアホールとし、前記第二のブラインドホールを前記第二の面の金属層を貫通するベントホールとする段階とからなる方法を採用する。
【００１３】
第一のブラインドホールを形成する段階と第二のブラインドホールを形成する段階とは、同時に行なうことが好ましい。
【００１４】
本発明の両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法において、ベントホールを形成するための第二のブラインドホールは、レーザを用いて形成することが好ましい。第一の面の金属層と第二の面の金属層を電気的に接続するためのビアホールを形成するための第一のブラインドホールもレーザを用いて形成することが好ましい。レーザとしては炭酸ガスレーザやＵＶレーザを適用できる。
【００１５】
図１（Ａ）ないし（Ｄ）は、本発明の両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法の、実施の一形態を示す。図１（Ａ）は、両面に銅箔２ａ，２ｂを貼り合わせたポリイミド等のフィルム１の断面を示す。銅箔２ａの所定位置にレーザ等を用いてビアホール用のブラインドホール３１を形成し、さらにレーザ（図示せず）を用いてベントホール用のブラインドホール６１を形成する。図１（Ｂ）は、ブラインドホール３１とブラインドホール６１を形成した状態の断面を示す。次いで、銅箔２ａの面から銅めっきを施すと、ブラインドホール３１およびブラインドホール６１の内面にも銅めっきが施される。図１（Ｃ）は銅めっきを施した状態の断面を示す。銅箔２ａの表面と、ブラインドホール３１及びブラインドホール６１の内面に、銅めっき層４が形成されている。内面に銅めっき層４が形成されることにより、ブラインドホール３１はビアホール３となる。次に、銅箔２ａ及び２ｂのそれぞれ所定部分を、銅めっき層４とともにエッチングにより除去して、所定パターンの配線層を形成する。このとき、ブラインドホール６１付近の銅箔２ａ，２ｂ及び同じく銅めっき層４、ブラインドホール６１内面の銅めっき層４は、エッチングにより除去される。図１（Ｄ）は、配線層５ａ，５ｂが形成された状態の断面を示す。配線層５ａは銅箔２ａ及び銅めっき層４の、所定部分から成り、ビアホール３内面の銅めっき層４に接続されている。配線層５ｂは銅箔２ｂから成り、ビアホール３内面の銅めっき層４を介して配線層５ａに接続されている。ブラインドホール６１は、付近の銅箔２ａ，２ｂと内面の銅めっき層４がエッチングにより除去され、全層を貫通するベントホール６２となる。
【００１７】
以下に実施例を示し、本発明の構成および効果をより具体的に説明する。
［実施例］
図１（Ａ）ないし（Ｄ）において、フィルム１として厚さ５０マイクロメートルのポリイミドフィルムを用いた。その両面に貼り合わせる銅箔２ａ，２ｂとして、厚さそれぞれ１８マイクロメートルの銅箔を用いた。銅箔２ａ、フィルム１、銅箔２ｂの合計の厚さは８６マイクロメートルとなる。銅箔２ａに液体レジストと塩化第二鉄を用いてフォトエッチングを施し、次いで炭酸ガスレーザを用いて、直径８０マイクロメートルのブラインドホール３１及び直径８０マイクロメートルのブラインドホール６１を形成した。パラジウムを用いてブラインドホール３１およびブラインドホール６１の内面を電導性とした上で、硫酸銅溶液を用いた電気めっきで、銅めっき層４を形成させた。銅めっき層４は、図１（Ｃ）に示したように、銅箔２ａの表面と、ブラインドホール３１及びブラインドホール６１の内面に形成される。
【００１８】
銅箔２ａ側、銅箔２ｂ側の両側から、ドライフィルムレジストと塩化第二鉄を用いてフォトエッチングを施し、図１（Ｄ）に示す配線層５ａ，５ｂを得た。ブラインドホール６１は、付近の銅箔２ａ，２ｂと内面の銅めっき層４がエッチングにより除去され、全層を貫通するベントホール６２となる。
【００１９】
［比較例］
実施例と従来技術の特性比較のため、両面配線ＴＡＢテープキャリアの比較例を作った。比較例の両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造工程を、従来技術を示す図２（Ａ）ないし（Ｅ）を参照して説明する。
【００２０】
図２（Ａ）に示すように、フィルム１の両面に銅箔２ａ及び２ｂを貼り合わせた。次に、図２（Ｂ）に示すように、銅箔２ａの所定位置にビアホール３を形成した。さらに、図２（Ｃ）に示すように、銅箔２ａの表面とビアホール３の内面に銅めっきを施し、銅めっき層４を形成した。次に、銅箔２ａ，２ｂの所定部分を銅めっき層４とともにエッチングにより除去し、図２（Ｄ）に示すように、所定パターンの配線層５ａ，５ｂを形成した。配線層５ａは銅箔２ａの所定部分から成り、ビアホール３内面の銅めっき層４を介して配線層５ａに接続されている。次に、図２（Ｅ）に示すように、プレスにより直径２００マイクロメートルのベントホール６を設け、ベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアを得た。
【００２１】
フィルム１および銅箔２ａ，２ｂとしては、実施例と同じものを用いた。またビアホール３の形成、銅めっき層４を形成するための銅めっき、銅箔２ａ，２ｂの所定部分のエッチングにも、実施例と同様の方法を用いた。
【００２２】
実施例および比較例の両面配線ＴＡＢテープキャリアのベントホールの位置精度（配線パターンに対する）は、表１に示す通りであった。表１にはベントホールの直径も示した。
【００２３】
【表１】
0003707391.tif 000002
【００２４】
表１に示す通り、本発明の両面配線ＴＡＢテープキャリアは比較例に比べて直径の小さいベントホールを有し、その位置精度も格段に優れている。しかも製造工程数は、従来技術の５工程に対し４工程に減っている。
【００２５】
【発明の効果】
本発明による、ベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアは、高密度の配線に適用することができる。これは、従来なかった小さいベントホールを有し、その位置精度も優れているからである。
【００２６】
また、本発明によると、高密度の配線に適用できる、ベントホールを有する両面配線ＴＡＢテープキャリアを製造することができる。これは、レーザを用いてベントホールを形成するので、従来困難だった小さい直径のベントホールを得ることができ、また、両面の配線層を接続するためのビアホールの形成とベントホールの形成を同時に又は引き続いて行なうので、それら相互の位置精度および配線パターンに対する位置精度が格段に向上することによる。工程数も減るので、コストも下がる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （Ａ）ないし（Ｄ）
本発明の両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法の、断面説明図。
【図２】  （Ａ）ないし（Ｅ）
従来の両面配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法の、断面説明図。
【符号の説明】
１        フィルム
２ａ，２ｂ  銅箔
３          ビアホール
４          銅めっき層
５ａ，５ｂ  配線層
６          ベントホール
３１          ブラインドホール
６１          ブラインドホール
６２          ベントホール
【図１】
0003707391.tif 000003
【図２】
0003707391.tif 000004