(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の上に形成され且つ平面視で略逆Ω形を呈する配線と、係る配線の両端部間に接続され且つ一部にトリミングされる予定の抵抗体とを配置した閉ループ回路と、
上記抵抗体の中間に設けられ且つ当該抵抗体を複数に分割する中間電極と、
を含み、
上記中間電極は、上記抵抗体を複数に分割し且つ当該抵抗体のトリミング後に切断される予定のダミーパターンを含む、
ことを特徴とする抵抗付き回路基板。
【請求項２】
前記中間電極は、前記抵抗体の長手方向における中間に単数又は複数が配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載の抵抗付き回路基板。
【請求項３】
前記中間電極のダミーパターンは、前記抵抗体の中間における幅方向の一部のみを覆う、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の抵抗付き回路基板。
【請求項４】
絶縁層の上に平面視で略逆Ω形を呈する配線と、係る配線の両端部間に接続される抵抗体と、からなる閉ループ回路を形成すると共に、上記抵抗体の中間に当該抵抗体を複数に分割する中間電極を形成する工程と、
分割された複数の部分抵抗体の合成抵抗値又は個別の抵抗値に基づいて、上記抵抗体全体における所望の抵抗値に近似するようにトリミングする工程と、
上記トリミング工程の後に、上記中間電極において前記抵抗体を分割していたダミーパターンを切断する工程と、を含む、
ことを特徴とする抵抗付き回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記トリミング工程は、前記抵抗体の一方の側面全体を研削するようにトリミングするスキャントリムを行うか、あるいは、前記抵抗体にレーザを照射して、当該抵抗体に略Ｌ字形のスリット、または、上記抵抗体の両側面に沿って交互に複数のスリットを形成するものである、
ことを特徴とする請求項４に記載の抵抗付き回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所要の抵抗値を有する抵抗体を一部に接続した閉ループ回路を有する抵抗付き回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁層の上に電子回路を有する配線基板等では、回路の一部に抵抗体を接続した閉ループ回路を形成する場合がある。
上記閉ループ回路を得るため、従来においては、次のような方法が用いられていた。即ち、図６（Ａ）に示すように、先ず絶縁層３０の上に円弧形の一対の配線３１，３１と、これらが互いに近接する端部３２，３３間を接続する抵抗体３４とからなる開回路を形成する。この状態で、端部３２，３３間に通電することにより、抵抗体３４の抵抗値を測定する。この際、所要の抵抗値にするため、抵抗体３４をレーザなどにより除去する等のトリミングを行う。
【０００３】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、配線３１，３１の他方の端部３５，３５間に配線３６を接続することにより、所要の抵抗値を有する抵抗体３４を含む平面視で略逆Ω形の閉ループ回路３８を形成する方法がある。
しかしながら、図６に示した方法では、トリミングによる抵抗体３４の抵抗値を精度良く設定できる反面、工数が多くコスト高になる、という問題があった。
【０００４】
一方、閉ループ回路の一部を形成する抵抗体Ｒａにおいて、トリミングする予定の上記抵抗体の付近にモニタ抵抗体（ダミー抵抗体）Ｒｂを形成し、このモニタ抵抗体Ｒｂの抵抗値を測定しつつトリミングすると共に、同時に抵抗体Ｒａをトリミングして所要の抵抗値にする方法もある。しかしながら、この方法では抵抗体Ｒａの抵抗値を実際に測定しないため、その抵抗値の精度が低くなり、例えば求める抵抗値の規格範囲を外れてしまう、という問題があった。
【０００５】
【発明が解決すべき課題】
本発明は、以上において説明した従来の技術における問題点を解決し、閉ループ回路の一部を形成する抵抗体を、所要の抵抗値に精度良く容易に設定できる抵抗付き回路基板とその製造方法を提供する、ことを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、閉ループ回路の一部に含まれるトリミング予定の抵抗体を複数に分割し、分割された部分抵抗体毎の各抵抗値を基に抵抗体をトリミングすること、に着想して成されたものである。
即ち、本発明の抵抗付き回路基板（請求項１）は、絶縁層の上に形成され且つ平面視で略逆Ω形を呈する配線と、係る配線の両端部間に接続され且つ一部にトリミングされる予定の抵抗体とを配置した閉ループ回路と、前記抵抗体の中間に設けられ且つ当該抵抗体を複数に分割する中間電極と、を含み、前記中間電極は、前記抵抗体を複数に分割し且つ当該抵抗体のトリミング後に切断される予定のダミーパターンを含む、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、中間電極により例えば二分割された抵抗体における各部分抵抗体毎の各抵抗値を合計した合成抵抗値を基準として、抵抗体をトリミングすることにより、狙いとする抵抗値に精度良く設定した抵抗体を一部に含む閉ループ回路を有する回路基板とすることが容易となる。例えば、抵抗体を中間電極により等分に二分割することにより、一対の部分抵抗体の抵抗値Ｒ1とＲ2との合成抵抗値（１／Ｒ＝１／Ｒ1＋１／Ｒ2）を測定することができる。このため、係る合成抵抗値に基づいて抵抗体をその基準抵抗値に一致させるように、抵抗体の一部を例えばレーザで除去するトリミングにより所要抵抗値の抵抗体にすることが容易となる。従って、所要抵抗値の抵抗体を含む抵抗付き閉ループ回路を有する回路基板とすることが容易となる。
しかも、前記抵抗付き回路基板によれば、トリミングの後で抵抗体に接触するダミーパターンを切断するのみで、所要抵抗値の抵抗体をループ回路内に配置できると共に、トリミング時において抵抗体の抵抗値を測定する際に、プローブを立てるために十分な電極面積を確保することが可能となる。
【０００８】
また、前記中間電極は、前記抵抗体の長手方向における中間に単数又は複数が配置されている、抵抗付き回路基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、中間電極が、抵抗体をその長手方向に二分割又は三分割以上で且つ等間隔又は不等間隔に分割しても、上記同様に例えば一対の部分抵抗体の各抵抗値から、抵抗体全体の合成抵抗値を容易に測定でき、精度の良いトリミングを行うことができる。また、抵抗体を三つ以上に分割する場合、ガード電極法により部分抵抗体毎の抵抗値を測定することができる。更に、抵抗体を不等間隔に分割した場合でも、後述するように、個々の部分抵抗体間における抵抗値に、それぞれに分割した長さの差に比例した比を加算することにより、合成抵抗値や個別の抵抗値を容易に測定することができる。
【０００９】
更に、前記中間電極のダミーパターンは、前記抵抗体の中間における幅方向の一部のみを覆う、抵抗付き回路基板（請求項３）も本発明に含まれる。これによっても、前記と同様の効果が得られる。
【００１０】
一方、本発明の抵抗付き回路基板の製造方法（請求項４）は、絶縁層の上に平面視で略逆Ω形を呈する配線と、係る配線の両端部間に接続される抵抗体と、からなる閉ループ回路を形成すると共に、上記抵抗体の中間に当該抵抗体を複数に分割する中間電極を形成する工程と、分割された複数の部分抵抗体の合成抵抗値又は個別の抵抗値に基づいて、上記抵抗体全体における所望の抵抗値に近似するようにトリミングする工程と、係るトリミング工程の後に、上記中間電極において前記抵抗体を分割していたダミーパターンを切断する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、抵抗体の中間にこれを複数に分割する中間電極を配置し、例えば二分割された各部分抵抗体の合成抵抗値を測定すると共に、これらを合計した合成抵抗値を基にして抵抗体をトリミングすることにより、抵抗体の抵抗値を所要の抵抗値に精度良く設定することができる。しかも、合成抵抗値を計測しながらトリミングが行えるため、少ない工数で精度良く抵抗値を設定できる。このため、工程が複雑にならず且つ全体の工程数も増やすことなく、上記のような抵抗体を一部に含む閉ループ回路を有する回路基板を容易に提供することができる。しかも、抵抗体に接触するダミーパターン付近のみを切断する簡単な工程により、所要抵抗値の抵抗体をループ回路内に配置することができる。
【００１１】
また、前記トリミング工程は、前記抵抗体の一方の側面全体を研削するようにトリミングするスキャントリムを行うか、あるいは、前記抵抗体にレーザを照射して、当該抵抗体に略Ｌ字形のスリット、または、上記抵抗体の両側面に沿って交互に複数のスリットを形成するものである、抵抗付き回路基板の製造方法（請求項５）も含まれる。これによれば、次の切断工程を容易に行えると共に、上記スキャントリムの場合、中間電極により分割される部分抵抗体の各抵抗値の測定と平行して行えるので、製造工数を増やさずに済む。また、交互にスリットを形成する形態では、中間電極により分割される部分抵抗体の抵抗値を低減する値に応じて、スリットの数を設定たり、徐々に増やしていく調整を行うことができる。
尚、抵抗体を三つ以上に分割する場合には、各部分抵抗体毎の抵抗値を個別に測定し、それぞれを所望の抵抗値に近似するようトリミング（ガード電極法）することができる。また、上記閉ループ回路を形成する工程と上記抵抗体を複数に分割する中間電極を形成する工程とを、個別の工程として行うことも可能である。更に、本発明の回路基板には、絶縁基板等の絶縁層上に上記抵抗体を一部に有する閉ループ回路を同じレベルにて形成する形態の他、絶縁層を挟んだ上下の配線層間に跨って、上記閉ループ回路を形成した多層配線基板の形態も含まれる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下において本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１（Ａ）は、本発明の回路基板１を示す。この基板１は、絶縁層２の上に平面視で略逆Ω形を呈する配線４と、その端部５，６間に抵抗体１０とを配置した閉ループ回路３を形成している。端部５，６には、図示しない配線層と導通するための端子部７，８が接続されている。尚、上記配線４はＣｕをスパッタリングした上にＣｕ・Ｎｉ・Ａｕメッキすることにより、また、抵抗体１０はＴａ２Ｎを絶縁層２の表面にスパッタリング等することにより形成される。
また、抵抗体１０は、所要の抵抗値にするため、追ってトリミングすることが予定されている。このため、図１（Ａ）に示すように、抵抗体１０の長手方向の中央において、これを部分抵抗体１１，１２に二分割するＣｕ製の中間電極１４が配置されている。この中間電極１４は、抵抗体１０の表面に接触するダミーパターン１６と、その基端の端子部１５とからなる。
【００１３】
上記抵抗体１０の抵抗値をＲ、部分抵抗体１１，１２の抵抗値をＲ１，Ｒ２、中間電極１４の端子部１５をＸ、配線４の端子部８をＹとする。そして、Ｘ・Ｙ間に通電した際におけるＸ・Ｙ間の抵抗値は、Ｘ・Ｙ間に部分抵抗体１１，１２を並列に配置した図１（Ｂ）の回路Ｓ１に示すように、それぞれの等価な抵抗値Ｒ１と抵抗値Ｒ２との合計値となる。上記回路Ｓ１中において配線４は、部分抵抗体１１（Ｒ１）と端子部８（Ｙ）との間に位置する。この場合、Ｘ・Ｙ間における抵抗体１０全体の合成抵抗値（ＲＸＹ）は、数式１により算出される。尚、上記Ｒ１，Ｒ２は、それぞれ上記Ｒの２分の１とする。
【００１４】
【数１】
ＲＸＹ＝(Ｒ１×Ｒ２)／(Ｒ１＋Ｒ２)＝Ｒ／４
【００１５】
例えば、抵抗体１０における抵抗値Ｒの規格が１００Ω±２％である場合、上記合成抵抗値（ＲＸＹ）を測定しつつ、これが２５Ωになるように、抵抗体１０に対し後述するトリミングを施すことにより、上記規格の範囲内に抵抗値Ｒを精度良く設定することができる。
また、図１（Ａ）のように中間電極１４を抵抗体１０の長手方向における中央の位置で抵抗体１０が等間隔に分割されるのでなく、両側が不等間隔になる位置に配置して、抵抗体１０を二分割しても良い。
仮に、部分抵抗体１１，１２間の長さの相違に比例して、部分抵抗体１１の抵抗値Ｒ１が部分抵抗体１２の抵抗値Ｒ２よりも２倍大きいと、Ｒ１は２／３ＲでＲ２は１／３Ｒとなる。しかも、抵抗体１０の抵抗値Ｒの規格が１００Ω±２％である場合、前記回路Ｓ１中のＸ・Ｙ間における抵抗体１０全体の合成抵抗値（ＲＸＹ）は、数式２により算出される。
【００１６】
【数２】
ＲＸＹ＝（Ｒ１×Ｒ２）／（Ｒ１＋Ｒ２）＝２／９・Ｒ＝２２.２Ω
【００１７】
上記合成抵抗値（ＲＸＹ）を直接測定しながら、抵抗体１０をトリミングするため、合成抵抗値（ＲＸＹ）を２２.２Ω±２％の範囲に容易に設定できる。また、数式２から、部分抵抗体１１の抵抗値Ｒ１は６６.６Ωとなる。更に、部分抵抗体１２の抵抗値Ｒ２は、抵抗値Ｒ１の１／２であるため、３３.３Ωとなる。
従って、抵抗体１０の全体の抵抗値Ｒは、上記抵抗値Ｒ１及び抵抗値Ｒ２を合計した９９．９Ωとなり、前記規格１００Ω±２％の範囲内に入る。即ち、抵抗体１０を等分に分割しない場合でも、部分抵抗体１１，１２の抵抗値Ｒ１，Ｒ２の和を基に、抵抗体１０の抵抗値Ｒを精度良く規格内に納めることができる。
尚、中間電極１４により抵抗体１０を等分に分割した方が好ましい。何故なら規格がＲ±Ｘ％の場合、Ｒの値の高い方が抵抗値の絶対値で幅が広くなる分広がり、係る拡大した目的の規格の範囲内に含まれるよう、トリミングする幅を広くすることができる故である。
【００１８】
以上に説明した抵抗体１０のトリミングの後、中間電極１４のダミーパターン１６を、抵抗体１０とその端子部１５との中間１７で切断する。尚、特に高周波用回路基板としてを使用する場合には、ダミーパターン１６にて抵抗体１０からはみ出す部分が大きい程、インピーダンスを持つため、高周波の信号が上記はみ出し部分で不用意な伝播をしないように、可及的に抵抗体１０に近い位置で切断することが望ましい。
以上の結果、図１（Ａ）に示したように、規格内に抵抗値Ｒを精度良くを設定した抵抗体１０を一部に含む閉ループ回路３を絶縁層２上に有する回路基板１を、得ることができる。
尚、図１（Ｂ）に示した並列回路Ｓ１が形成されるならば、端部５，６間の配線４は絶縁層２の上に限らず、その上層又は下層に位置する図示しない配線層内において形成することも可能である。また、絶縁層２には、例えばガラス−エポキシ樹脂の複合材からなる基板や、エポキシ樹脂を主成分とする樹脂絶縁層、或いはアルミナ等のセラミック等が含まれる。
【００１９】
図２（Ａ）は、前記回路基板１の応用形態の回路基板１ａを示す。回路基板１ａも、絶縁層２の上に平面視で略逆Ω形を呈する配線４と、その端部５，６間に抵抗体１０とを配置した閉ループ回路３を形成すると共に、端部５，６には端子部７，８が接続されている。また、抵抗体１０の長手方向に沿って、これを部分抵抗体１１，１２，１３に三分割する中間電極１４，１８が等間隔に配置される。
図２（Ａ）で右側の中間電極１４は、前記と同じくダミーパターン１６と、その基端の端子部１５とからなる。左側の中間電極１８は、Ｃｕからなるパターンで、回路基板１ａ内の他の配線と導通されており、その基端に端子部１９を有する。
【００２０】
上記抵抗体１０の抵抗値をＲ、部分抵抗体１１，１２，１３の抵抗値をＲ１，Ｒ2-1，Ｒ2-2とし、中間電極１４の端子部１５をＸ、配線４の端子部８をＹ、中間電極１８の端子部１９をＺとする。すると、図２（Ｂ）に示す三つの抵抗Ｒ１，Ｒ2-1，Ｒ2-2をＸ,Ｙ,Ｚで接続した等価回路の閉ループ回路Ｓ２が形成される。
抵抗体１０のトリミングは、次のようにして行う。例えば、部分抵抗体１１の抵抗値Ｒ１を測定する場合、図２（Ａ），（Ｂ）において、Ｚ及びＸの電位を等価にして、且つＺ−Ｘ間の電流値が０になるよう制御した状態で、Ｚ−Ｙ間における電流及び電圧から上記抵抗値Ｒ１を測定するガード電極法を行う。同様の方法に基づいて、部分抵抗体１２，１３の抵抗値Ｒ2-1，Ｒ2-2も測定する。そして、抵抗値Ｒ１，Ｒ2-1，Ｒ2-2が部分抵抗体１１〜１３への設定すべき抵抗値となるように、抵抗体１０をトリミングする。これより、抵抗体１０全体の抵抗値Ｒを基準値に対し±２％の範囲内に容易に納めることができる。
【００２１】
尚、抵抗体１０を不等間隔に三分割する場合でも、部分抵抗体１１〜１３の抵抗値Ｒ１，Ｒ2-1，Ｒ2-2間のそれぞれ比を、上記合成抵抗値ＲＸ〜Ｚの算出に加味することにより、上記抵抗値Ｒを基準値±２％の範囲内に容易に入ることが可能となる。上記トリミングの後、前記同様に中間電極１４のダミーパターン１６を切断する。
以上のような回路基板１ａによっても、抵抗体１０の抵抗値Ｒを精度良く設定した閉ループ回路３を形成することができる。尚、抵抗体１０を四つ以上に等間隔又は不等間隔に分割しても、上記と同様にして抵抗体１０の抵抗値Ｒを精度良く設定することが可能である。
【００２２】
図３及び図４は、前記回路基板１，１ａの製造方法に関する。
図３（Ａ）は、絶縁層２の上に、前記抵抗体１０となる例えばＴａ２Ｎからなる絶縁体２０をスパッタリングにより被覆して成膜した状態を示す。この絶縁体２０上に、図３（Ｂ）に示すように、例えばエポキシ樹脂を主成分とする感光性の樹脂２１を形成した後、所定のパターンを有する図示しないマスクを介した露光及び現像を上記樹脂２１に施すことにより、樹脂２１に所定パターン２２が形成される。
かかる状態で、レジスト２１間から露出する絶縁体２０に対し、エッチング液を接触させた後、上記レジスト２１を剥離する。この結果、図３（Ｃ）に示すように、絶縁体２０は上記パターン２２に倣った絶縁部２３，２４に形成される。
【００２３】
次に、図３（Ｄ）に示すように、上記絶縁部２３，２４の上に、Ｔｉ層２５及びＰｄ層２６をスパッタリングにより順次形成する。表層のＰｄ層２６の上に、図３（Ｅ）に示すように、前記同様の方法によりパターンレジスト２７を形成する。
更に、図３（Ｆ）に示すように、パターンレジスト２７内の隙間に、Ａｕメッキ又はＣｕ・Ｎｉ・Ａｕメッキを施して、パターンメッキ層２８を形成する。次いで、３（Ｇ）に示すように、上記レジスト２７を剥離した後、その跡に形成される隙間から露出するＴｉ層２５とＰｄ層２６とに対しエッチングを施す。
【００２４】
この結果、図３（Ｈ）に示すように、左側の絶縁部２３上の両端と中央に、隙間２９を介してＴｉ層２５、Ｐｄ層２６、及び上記メッキ層２８をそれぞれ積層した前記図１（Ａ）に示した抵抗体１０が得られる。また、右側の絶縁部２４上の両端と中間二カ所に、隙間２９を介して四組のＴｉ層２５、Ｐｄ層２６、及びメッキ層２８をそれぞれ積層した前記図２（Ａ）に示した抵抗体１０が形成される。そして、これらの抵抗体１０を絶縁層２と共に、大気中で約４００〜４７０℃に加熱することにより、露出した絶縁部（Ｔａ２Ｎ）２３，２４の表面を酸化して安定化させる。尚、上記Ｐｄ層２６は、Ｃｕ層に替えて形成しても良い。
その後、上記メッキ層２８を介して、前記中間電極１４のダミーパターン１６、中間電極１８、配線４の端部５，６が接続される。また、上記抵抗体１０の形成と平行して、上記と同様の方法により抵抗体１０の付近に前記配線４もその端部５，６を抵抗体１０の両端に接触させつつ形成されている。これにより、前記図１（Ａ），図２（Ａ）に示した回路基板１，１ａが得られる。
【００２５】
図４は、抵抗体１０のトリミング方法に関する。図４（Ａ）は、図３の方法で製造された回路基板１，１ａの抵抗体１０(Ｒ)を模式的に示し、一対の側面Ｒａ，Ｒｂ及び両端部ｒ１，ｒ２を有する。前述したように、抵抗体１０の中間には前記中間電極１４のダミーパターン１６、及び／又は、中間電極１８が配置され、分割された部分抵抗体１１，１２等の抵抗値Ｒ１，Ｒ２等を測定する。これらから合成抵抗値ＲＸＹの目標とすべき抵抗値が算出される。
そして、図４（Ｂ）に示すように、例えば一方の側面Ｒａ全体を研削するようにトリミングＴするスキャントリムを施すことにより、抵抗体１０全体の抵抗値Ｒを規格内に精度良く納めることができる。尚、上記トリミングＴは、部分抵抗体１１，１２の抵抗値Ｒ１，Ｒ２の測定と平行して行えるので、製造工程を増やさず確実に前記回路基板１，１ａを得ることができる。
【００２６】
図４（Ｃ）は、異なるトリミング方法を示し、レーザ（ＹＡＧ、ＣＯ２、エキシマ等）を、抵抗体１０の側面Ｒａから直角にその軸心付近に向けて照射しつつ走査した後、途中から長手方向に沿って走査することにより、平面視で略Ｌ字形のスリットｓを形成する方法（Ｌカット）である。
また、図４（Ｄ）は、更に異なるトリミング方法を示し、抵抗体１０の側面Ｒａ，Ｒｂから幅方向に沿って交互にレーザを照射しつつ走査することにより、スリットｓを側面Ｒａ，Ｒｂに沿って交互に複数形成する（マルチカット）方法である。この際、例えば部分抵抗体１１，１２等の抵抗値Ｒ１，Ｒ２等を低減する値に応じて、部分抵抗体１１，１２等に形成するスリットｓの数を設定したり、徐々に増やす等の調整を行うことができる。
尚、以上の他に、抵抗体１０にレーザを照射して、その中間に貫通孔や凹みを形成することによっても、トリミングを施すことが可能である。
【００２７】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、図５（Ａ）に示すように、前記と同じ閉ループ回路３内に配置した抵抗体１０の中間において、ダミーパターン１６が抵抗体１０の幅方向の一部のみを覆う中間電極１４ａを配置した回路基板１ｂとすることもできる。
尚、図５(Ｂ)に示すように、閉ループ回路３内に配置した抵抗体１０の中間において、その幅方向の範囲のみを覆う小型の中間電極１４ｂを配置した参考形態の回路基板１ｃとすることもできる。これによれば、上記電極１４ｂにはダミーパターンがないので、トリミング後において前記切断工程を省略することができる。尚、高周波用回路として使用する場合、中間電極１４等にて抵抗体１０からはみ出す部分が大きい程、インピーダンスを持つことなるが、上記ダミーパターンによるはみ出し部分のない電極１４ｂを用いることにより、インピーダンスの発生を防止することができる。
更に、抵抗体１０や配線４の形成には、前記スパッタリングの他、素材を所定パターンにスクリーン印刷し且つ焼成する方法も適用可能である。この場合、焼成に耐えるため、絶縁層２にはセラミックシートを用いる。
また、前記製造方法において、配線４と抵抗体１０及び中間抵抗体１４を略平行して形成したが、これらを別々の工程によって形成することも可能である。
【００２８】
【発明の効果】
以上において説明した本発明の回路基板によれば、中間電極により複数に分割された抵抗体における各部分抵抗体毎の各抵抗値を測定したり、或いは、各抵抗値の合成抵抗値を測定し、これらを基に抵抗体をトリミングすることにより、狙いとする抵抗値に精度良く設定した抵抗体と前記配線とからなる閉ループ回路を有する回路基板とすることが容易となる。しかも、トリミングの後で抵抗体に接触するダミーパターンを切断するのみで、所要抵抗値の抵抗体をループ回路内に配置できると共に、トリミング時において抵抗体の抵抗値を測定する際に、プローブを立てるために十分な電極面積を確保することが可能となる。
【００２９】
また、本発明の回路基板の製造方法によれば、前記配線の両端部間を接続する抵抗体の中間にこれを複数に分割する中間電極を配置し、分割された複数の部分抵抗体の合成抵抗値又は個別の抵抗値に基づいて、抵抗体をトリミングすることにより、抵抗体全体の抵抗値を精度良く設定できる。しかも、合成抵抗値や個別の抵抗値を計測しながら、トリミングを行えるので、少ない工数で精度良く抵抗値を設定できるので、工程が複雑にならず工程数も増やすことなく、上記のような抵抗体を一部に含む閉ループ回路を有する回路基板を容易に提供することができる。しかも、抵抗体に接触するダミーパターン付近のみを切断する簡単な工程により、所要抵抗値の抵抗体をループ回路内に配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明の回路基板を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）中の回路を示す概略図。
【図２】（Ａ）は図１（Ａ）の回路基板の応用形態を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）中の回路を示す概略図。
【図３】（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の回路基板の製造方法における各工程を示す概略図。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は図３（Ｈ）の後に行うトリミング工程を示す概略図。
【図５】（Ａ）は異なる形態の回路基板を示す平面図、（Ｂ）は参考形態の回路基板を示す平面図。
【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は従来の回路基板におけるトリミング工程を示す概略図。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ…………回路基板
２…………………………絶縁層
３…………………………閉ループ回路
４…………………………配線
１０………………………抵抗体
１１,１２,１３…………部分抵抗体
１４，１４ａ，１８……中間電極
１６………………………ダミーパターン
Ｔ…………………………トリミング
【図１】
0003679677.tif 000002
【図２】
0003679677.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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