(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に１対の電極配線が配置されると共に該１対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して裏面配線に接続される絶縁基板と、前記１対の電極配線のそれぞれに接続されて前記絶縁基板に搭載される光学素子と、前記絶縁基板表面にて前記光学素子及び前記スルーホールを覆う透光性モールド体と、前記スルーホールを塞ぐ閉塞部とを備え、該閉塞部は、印刷法により樹脂成分を含む絶縁性材料から形成された蓋状閉塞部からなり、該蓋状閉塞部は、前記スルーホールの前記絶縁基板の裏面側に配置され、平坦化されたことを特徴とする面実装用光半導体装置。
【請求項２】
絶縁基板と、該絶縁基板上に形成された内部配線および外部配線と、前記内部配線に接続された光学素子と、該光学素子および前記内部配線を覆う透光性モールド体とを備え、前記外部配線は前記透光性モールド体の外部に露出し、前記絶縁基板の透光性モールド体に覆われた位置に、前記絶縁基板の表面から裏面に達するスルーホールが設けられ、該スルーホール内に前記内部配線と外部配線とをつなぐ中間配線が形成され、前記スルーホールは、印刷法により樹脂成分を含む絶縁性材料から形成された蓋状閉塞部によって塞がれ、該蓋状閉塞部は、前記スルーホールの前記絶縁基板の裏面側に配置され、平坦化されたことを特徴とする面実装用光半導体装置。
【請求項３】
表面に１対の電極配線が配置されると共に該１対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して裏面配線に接続される絶縁基板上に、光学素子を前記１対の電極配線のそれぞれに接続して搭載し、前記光学素子を透光性樹脂により覆う面実装用光半導体装置の製造方法において、樹脂成分を含む絶縁性材料から印刷法により蓋状閉塞部を前記絶縁基板の裏面に形成して、前記スルーホールを閉塞してから、前記絶縁基板表面にて前記光学素子及び前記スルーホールを透光性樹脂により覆い、該透光性樹脂の成型時に金型の押圧力により前記蓋状閉塞部を押し潰して平坦化することを特徴とする面実装用光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
表面に複数対の電極配線が配置されると共に該複数対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して裏面配線に接続される絶縁基板上に、複数の光学素子を前記複数対の電極配線のそれぞれに接続して搭載し、前記複数の光学素子のそれぞれを透光性樹脂により覆い、前記絶縁基板を切断して単品に分離する面実装用光半導体装置の製造方法において、樹脂成分を含む絶縁性材料から印刷法により蓋状閉塞部を前記絶縁基板の裏面に形成して、前記スルーホールを閉塞してから、前記絶縁基板表面にて前記光学素子及び前記スルーホールを透光性樹脂により覆い、該透光性樹脂の成型時に金型の押圧力により前記蓋状閉塞部を押し潰して平坦化することを特徴とする面実装用光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
表面に１対の電極配線が配置されると共に該１対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して裏面配線に接続される絶縁基板上に、光学素子を前記１対の電極配線のそれぞれに接続して搭載し、前記光学素子を透光性樹脂により覆う面実装用光半導体装置の製造方法において、前記絶縁基板表面または裏面にてシート状材料の貼付により前記スルーホールを閉塞する閉塞部を形成してから、前記絶縁基板表面にて前記光学素子及び前記スルーホールを透光性樹脂により覆うことを特徴とする面実装用光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
表面に複数対の電極配線が配置されると共に該複数対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して裏面配線に接続される絶縁基板上に、複数の光学素子を前記複数対の電極配線のそれぞれに接続して搭載し、前記複数の光学素子のそれぞれを透光性樹脂により覆い、前記絶縁基板を切断して単品に分離する面実装用光半導体装置の製造方法において、前記絶縁基板表面または裏面にてシート状材料の貼付により前記スルーホールを閉塞する閉塞部を形成してから、前記絶縁基板表面にて前記光学素子及び前記スルーホールを透光性樹脂により覆うことを特徴とする面実装用光半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の面実装用光半導体装置の製造方法において、前記閉塞部を絶縁基板裏面に形成して、前記透光性樹脂により覆ってから、シート状材料を除去することを特徴とする面実装用光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、小型の面実装用光半導体装置及びその製造方法に関するものであり、特に、トランスファーモールド成型等により一度に多数個生産される面実装用光半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、トランスファーモールド成型により一度に多数個生産される面実装用光半導体装置としては、例えば、図１３にその構成を示すと、ガラスエポキシ等の基板３１上に、一対のパターン状電極配線（メッキ配線）３２ａ，３２ｂが形成され、前記各メッキ配線３２ａ，３２ｂは基板３１の表面から側面を経て裏面に達し、該面実装用光半導体装置の端子電極ともなっている。基板３１の凹所３３に形成された一方のメッキ配線３２ａ上には、発光素子または受光素子である光学素子３４が搭載され、この光学素子３４は、他方のメッキ配線３２ｂに金配線３７にて接続されている。そして、光学素子３４の周囲には、透光性樹脂によりモールドされた透光性モールド体３５が形成され、この上部には、光学素子３４の集光性を高めるためのレンズ３５ａが形成されている。
【０００３】
前記面実装用光半導体装置の製造方法を図１４、図１５を参照して簡単に説明すると、まず、一度に多数個生産するための多連構成である基板３１上に、この光半導体装置を単品化したときの側面となるカッティング分離用孔部３６を複数形成する。次いで、金メッキ等による各一対のメッキ配線３２ａ，３２ｂを、基板３１の表面から孔部３６を介して基板３１の裏面に達するように形成する。そして、基板３１の凹所３３に形成された一方のメッキ配線３２ａ上に、光学素子３４を導電性樹脂にてダイボンディングして搭載し、金配線３７にてワイヤボンディングして他方のメッキ配線３２ｂと接続する。その後図１５に示すように、エポキシ樹脂等の透光性樹脂を用いてトランスファーモールド成型にて透光性モールド体３５を形成する。同図に示すように、基板３１は前後左右に多連構成となっているので、分割ラインＬに沿ってダイシングすると、図１３に示すような単独の面実装用光半導体装置が多数個できる。
【０００４】
ところで、前記トランスファーモールド成型する際には、図１６に示すように、基板３１は金型３８の下型３８ｂの上にセットされ、上方から金型３８の上型３８ａによって押さえ込まれ、そして、金型３８のキャビティ３９内に透光性樹脂が注入されて透光性モールド体３５が形成されるが、この型締めの際に、図１６（ｂ）に示すように、金型３８の上型３８ａのキャビティ３９のエッジがメッキ配線３２ａ，３２ｂに当接し、型締め時の圧力及び金型３８の温度等によって基板３１の表面及びメッキ配線３２ａ，３２ｂに段差を生じさせる（図１６（ｂ）のＣ部参照）場合があり、これにより、メッキ配線３２ａ，３２ｂは断線等の大きなダメージを受ける。
【０００５】
そこで、このようなメッキ配線３２ａ，３２ｂのダメージを軽減するために、本件特許出願人は、特開平１１−２６６４７号公報に示されるように、次のような手段を提案している。
【０００６】
すなわち、図７、図８、図９に示すように、ガラスエポキシ等の基板１上に、一対のパターン状電極配線（メッキ配線）２ａ，２ｂが形成され、前記各メッキ配線２ａ，２ｂは基板１の表面から側面を経て裏面に達し、該面実装用光半導体装置の端子電極ともなる。基板１の凹所１ａに形成された一方のメッキ配線２ａ上には、発光素子または受光素子である光学素子３が搭載され、この光学素子３は、他方のメッキ配線２ｂに金配線５にて接続される。そして、光学素子３の周囲には、透光性樹脂によりモールドされた透光性モールド体４が形成され、この上部には、光学素子３の集光性を高めるためのレンズ４ａが形成されている。
【０００７】
以上は前述のものと同様であるが、この構成では、さらに、基板１上の透光性モールド体４に覆われた内側の位置に、基板１の表面から裏面に達する一対のスルーホール６ａ，６ｂが設けられている。そして、一方のメッキ配線２ａは、基板１の凹所１ａの内面から表面のスルーホール６ａに達する内部配線と、スルーホール６ａ内を表面から裏面に達する中間配線と、裏面からカッティング分離用孔部７を介して透光性モールド体４の外部に位置する表面に至る外部配線とからなり、内部配線は透光性モールド体４に覆われ、外部配線は透光性モールド体４の外部に露出することにより、メッキ配線２ａは透光性モールド体４の周縁部分（境界）を回避して形成される。他方のメッキ配線２ｂも同様である。
【０００８】
このように、メッキ配線２ａ，２ｂが一対のスルーホール６ａ，６ｂを介して基板１の表面から裏面に導かれるような配線（中間配線）により、メッキ配線２ａ，２ｂは基板１上の透光性モールド体４の周縁部分（境界）に接しなくともよいパターンにもできる（図７のＡ部参照）ので、透光性モールド体４がトランスファーモールド成型される際に、該メッキ配線２ａ，２ｂは、モールド用金型のキャビティのエッジによる断線等の大きなダメージを受けることがなくなる。また、図１０、図１１、図１２に示すように、メッキ配線２ａ，２ｂのパターンが基板１上の透光性モールド体４の周縁部分（境界）を回避しないで接しており、該パターン部分がダメージを受ける構造であっても、前記一対の内側スルーホール６ａ，６ｂを介して基板１の表面から裏面に導かれる中間配線があることにより、基板裏面で端子電極を形成する前記外部配線との接続状況に何ら影響がない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述したように、この種面実装用光半導体装置としては、トランスファーモールド成型により一度に多数個生産される（前述の参照図では多連として４個しか描いていないが、４個に限定されず。）ため、当製造のために用意されるガラスエポキシ等の基板１は、トランスファーモールド用金型の大きさで規定される許される限りの相当な大面積基板である。そして、その表面に光学素子３搭載部となる凹所１ａが多数設けられるとともに、前述の中間配線形成部となる一対の内側スルーホール６ａ，６ｂ及びカッティング分離用スルーホール７も多数設けられる。
【００１０】
このため、基板１は、その大面積であるが故の部分的な厚さのバラツキとともに、反り、歪み等がどうしても生じており、トランスファーモールド成型時に、金型３８（図１６参照）の上下金型で完全に密着して押さえきることが困難で、僅かな隙間が生じることが多い。特に、前記一対の内側スルーホール６ａ，６ｂのある場所は、基板の表面側が透光性樹脂注入用空間（キャビティ３９）となっており、基板の裏面側でしか金型に当接しない。
【００１１】
従って、この部分で隙間が生じやすく、トランスファーモールド成型時に注入された透光性樹脂は、該スルーホール６ａ，６ｂを通じて基板裏面側の前記隙間に漏れ出し、基板裏面の該部分にあるメッキ配線２ａ，２ｂのパターン上に膜状に付着する。膜状に付着した透光性樹脂は電気絶縁物であり、ハンダつけ時のフラックスにもならないため、当方法で生産された面実装用光半導体装置の裏面端子電極の大部分に不備が生じて、生産歩留まりが大変に悪いという結果になった。  そこで、本発明の目的は、上述した課題を解決し、一度に多数個生産される面実装用光半導体装置を、裏面端子電極の不備もなく、生産歩留まりが格段に良くなる構造及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の面実装用光半導体装置は、表面に１対の電極配線が配置されると共に該１対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して裏面配線に接続される絶縁基板と、前記１対の電極配線のそれぞれに接続されて前記絶縁基板に搭載される光学素子と、前記絶縁基板表面にて前記光学素子及び前記スルーホールを覆う透光性樹脂と、前記スルーホールを塞ぐ閉塞部とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、スルーホールを塞ぐ閉塞部を設けているので、トランスファーモールド成型等の成型時に注入された透光性樹脂が、スルーホールを通じて基板裏面側に漏れ出さず、基板裏面の配線上に絶縁物が付着することを防止することができる。
【００１４】
さらに、本発明は、上記の面実装用光半導体装置において、前記閉塞部が、前記スルーホールの内部に配置されたことを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、閉塞部がスルーホールの内部に配置されるので、樹脂漏れを確実に防止できる。
【００１６】
また、本発明は、上記の面実装用光半導体装置において、前記閉塞部が、前記スルーホールの前記絶縁基板の表面側又は裏面側に配置されたことを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、閉塞部がスルーホールの絶縁基板の表面側又は裏面側に配置されるので、閉塞部の形成が容易に行える。
【００１８】
また、本発明の面実装用光半導体装置の製造方法は、表面に１対の電極配線が配置されると共に該１対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して裏面配線に接続される絶縁基板上に、光学素子を前記１対の電極配線のそれぞれに接続して搭載し、前記光学素子を透光性樹脂により覆う面実装用光半導体装置の製造方法において、前記スルーホールを閉塞してから、前記絶縁基板表面にて前記光学素子及び前記スルーホールを透光性樹脂により覆うことを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、スルーホールを閉塞してから、絶縁基板表面にて光学素子及びスルーホールを透光性樹脂により覆うので、トランスファーモールド成型等で光学素子を透光性樹脂により覆うときに、透光性樹脂がスルーホールを通じて基板裏面側に漏れ出さず、基板裏面の配線上に絶縁物が付着することを防止することができる。
【００２０】
また、本発明の面実装用光半導体装置の製造方法は、表面に複数対の電極配線が配置されると共に該複数対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して裏面配線に接続される絶縁基板上に、複数の光学素子を前記複数対の電極配線のそれぞれに接続して搭載し、前記複数の光学素子のそれぞれを透光性樹脂により覆い、前記絶縁基板を切断して単品に分離する面実装用光半導体装置の製造方法において、前記スルーホールを閉塞してから、前記絶縁基板表面にて前記光学素子及び前記スルーホールを透光性樹脂により覆うことを特徴とする。
【００２１】
本発明によれば、量産性に優れた製造方法においても、スルーホールを閉塞してから、絶縁基板表面にて光学素子及びスルーホールを透光性樹脂により覆うので、トランスファーモールド成型等で光学素子を透光性樹脂により覆うときに、透光性樹脂がスルーホールを通じて基板裏面側に漏れ出さず、基板裏面の配線上に絶縁物が付着することを防止することができる。
【００２２】
さらに、本発明は、上記の面実装用光半導体装置の製造方法において、前記スルーホールを閉塞するのに、スルーホール内部をメッキすることにより閉塞することを特徴とする。
【００２３】
本発明によれば、スルーホール内部をメッキすることにより、スルーホールを閉塞するので、樹脂漏れを確実に防止できる。
【００２４】
また、本発明は、上記の面実装用光半導体装置の製造方法において、前記スルーホールを閉塞するのに、スルーホール内部への樹脂注入により閉塞することを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、スルーホール内部への樹脂注入により行うことにより、スルーホールを閉塞するので、樹脂漏れを確実に防止できる。
【００２６】
また、本発明は、上記の面実装用光半導体装置の製造方法において、前記スルーホールを閉塞するのに、前記絶縁基板表面又は裏面にてスルーホールを閉塞する閉塞部の形成により閉塞することを特徴とする。
【００２７】
本発明によれば、絶縁基板表面又は裏面にてスルーホールを閉塞する閉塞部の形成により、スルーホールを閉塞するので、容易にスルーホールの閉塞を行える。
【００２８】
さらに、本発明は、上記の面実装用光半導体装置の製造方法において、前記閉塞部を印刷法により形成することを特徴とする。
【００２９】
本発明によれば、レジスト等の絶縁性材料やその他の導電性材料などの樹脂成分を含む材料を、スクリーン印刷等の印刷法により形成するので、容易に閉塞部を形成することができる。
【００３０】
また、本発明は、上記の面実装用光半導体装置において、前記閉塞部をシート状材料の貼付により形成することを特徴とする。
【００３１】
本発明によれば、シート状材料を貼付することにより閉塞部を形成するので、例えば耐熱テープなど、片面に粘着層を有するシート状材料を、スルーホールがある部分に貼付するだけで、容易に閉塞部を形成することができる。なお、絶縁基板の裏面にシート状材料を貼付する場合には、その裏面全面に耐熱テープなどを貼付しても良く、そうすれば、各スルーホールに貼付しなくてよいので、貼付工程が簡略化される。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
【００３３】
図１は、本発明による、一度に多数個生産される小型の面実装用光半導体装置の第１または第２実施形態の概要図であり、図２及び図３は、その製造方法を示す概略図である。
【００３４】
図１に示すように、本実施形態の面実装用光半導体装置は、表面に１対の電極配線２ａ，２ｂが配置されると共に、１対の電極配線２ａ，２ｂのそれぞれがスルーホール６ａ，６ｂを介して裏面配線に接続される絶縁基板１と、１対の電極配線２ａ，２ｂのそれぞれに接続されて絶縁基板１に搭載される光学素子３と、絶縁基板１表面にて光学素子３及びスルーホール６ａ，６ｂを覆う透光性樹脂である透光性モールド体４と、スルーホール６ａ，６ｂを塞ぐ閉塞部８とを備えた構成のものである。そして、本実施形態の閉塞部８は、スルーホール６ａ，６ｂの内部に配置されたものである。
【００３５】
続いて、図２及び図３を参照して、本発明による小型面実装用光半導体装置の第１または第２実施形態の製造方法を説明する。本実施形態においては、基板１としてガラスエポキシ基板を用いるものとするが、該基板１は、液晶ポリマー等の耐熱性樹脂材料を射出成型することによって形成された基板であってもかまわない。
【００３６】
まず、小型面実装用光半導体装置を一度に多数個生産するための多連構成であるガラスエポキシ基板１を掘削加工及び打抜加工することによって、光学素子３搭載用の凹所１ａと、この光半導体装置を単品化したときの側面となるカッティング分離用孔部７と、後に透光性樹脂である透光性モールド体４がトランスファーモールド成型される時に、その内側となる部分に、各一対のスルーホール６ａ，６ｂを形成する。なお、液晶ポリマー等の耐熱性樹脂材料を射出成型することによって形成された基板を用いる場合には、前記の凹所１ａと、孔部７と、一対のスルーホール６ａ，６ｂは、該基板を射出成型する際に、同時に形成することもできる。
【００３７】
次に、金メッキ等により、各一対の電極配線であるメッキ配線２ａ，２ｂ（総称して２）を、基板１の表面から孔部７及び一対のスルーホール６ａ，６ｂを介して基板１の裏面に達するように形成する。
【００３８】
次に、本発明の第１実施形態となるが、前記一対のスルーホール６ａ，６ｂ以外の他の部分をマスクし、該スルーホール６ａ，６ｂを再メッキしてその内部に閉塞部８を形成することによって、スルーホール６ａ，６ｂを閉塞する。または、本発明の第２実施形態となるが、前記一対のスルーホール６ａ，６ｂに樹脂注入してその内部に閉塞部８を形成することによって、スルーホール６ａ，６ｂを閉塞する。
【００３９】
なお、ここで、樹脂注入により閉塞部８を形成する場合、その樹脂材料は、絶縁性でも導電性でも良い。また、絶縁性樹脂材料用いるときには、透光性樹脂である透光性モールド体４と同一もののでも異なるものでも良い。また、同一の材料を用いても、例えば、粘度の高い状態で基板１の表面側から裏面への回り込みを防ぐように注入して、一旦硬化させれば、後述の透光性樹脂のトランスファーモールド成型時に閉塞部８の樹脂が溶けて基板１裏面に漏れ出すこともなく、基板１の裏面に絶縁膜が形成されるようなことはない。
【００４０】
そして、前記一対のスルーホール６ａ，６ｂの閉塞後、基板１の凹所１ａに形成された一方のメッキ配線２ａ上に、光学素子３を導電性樹脂にてダイボンディングして搭載し、金配線５にてワイヤボンディングして他方のメッキ配線２ｂと接続する。その後図３に示すように、エポキシ樹脂等の透光性樹脂を用いてトランスファーモールド成型にて、光学素子３及びスルーホール６ａ，６ｂを透光性樹脂で覆って透光性モールド体４を形成する。該トランスファーモールド成型時においては、前記一対のスルーホール６ａ，６ｂが既に閉塞部８により閉塞されているので、金型３８のキャビティ３９（図１６参照）に注入された透光性樹脂が該スルーホール６ａ，６ｂを通じて基板１の裏側に漏れ出すことがなく、基板１裏面の該部分にあるメッキ配線２ａ，２ｂのパターン上に付着しないので、メッキ配線２ａ，２ｂは基板１裏面において良好な裏面端子電極となる。そして、図３に示すように、基板１は前後左右に多連構成となっているので、分割ラインＬに沿ってダイシングして単品に分離すると、図１に示すような単独の面実装用光半導体装置が多数個できる。
【００４１】
このようにして生産される本発明における製造方法によれば、前記トランスファーモールド成型の際には金型の型締め圧力等に左右されないので、広い条件下のもとでモールド成型でき、ひいては、面実装する際のハンダつけ不良をなくすことができるこの種の小型面実装用光半導体装置の生産における歩留まりを格段に高めることができる。
【００４２】
図４及び図５は、本発明の第３実施形態であり、光学素子３を基板１に搭載し、金配線５にて接続した後トランスファーモールド成型する工程の前に、前記一対のスルーホール６ａ，６ｂを閉塞する方法として、前述のようなスルーホール６ａ，６ｂ内部を閉塞部８により閉塞する代わりに、基板１の表面側または裏面側にてスルーホール６ａ，６ｂに蓋状閉塞部９，１０を形成して蓋をするように閉塞する方法である。
【００４３】
すなわち、基板１における前記一対のスルーホール６ａ，６ｂがある部分に、レジスト等の樹脂成分を含む材料をスクリーン印刷等の印刷法により、蓋状閉塞部９を形成することで、図４及び図５に示すように、スルーホール６ａ，６ｂに簡単に蓋をするように閉塞することができる。なお、図４は基板１の表面側に蓋状閉塞部９を形成したもの、図５は基板１の裏面側に蓋状閉塞部１０をしたものであり、このように蓋状閉塞部９，１０を形成した後に、トランスファーモールド成型にて光学素子３及びスルーホール６ａ，６ｂを透光性樹脂で覆って透光性モールド体４を形成しても、金型３８のキャビティ３９（図１６参照）に注入された透光性樹脂が該スルーホール６ａ，６ｂを通じて基板１の裏側に漏れ出すことがなく、基板１裏面の該部分にあるメッキ配線２ａ，２ｂのパターン上に付着しないので、メッキ配線２ａ，２ｂは基板１裏面において良好な裏面端子電極となる。
【００４４】
なお、蓋状閉塞部９，蓋状閉塞部１０の材料としては、レジスト等の絶縁性材料に限定させるものではなく、樹脂成分を含むようなスクリーン印刷等の印刷法により容易に蓋状閉塞部９，蓋状閉塞部１０を形成できるものであれば、導電性材料でも良い。
【００４５】
そして、前述の第１，２実施形態と同様に単品に分離することにより、図示しないが、表面に１対の電極配線２ａ，２ｂが配置されると共に、１対の電極配線２ａ，２ｂのそれぞれがスルーホール６ａ，６ｂを介して裏面配線に接続される絶縁基板１と、１対の電極配線２ａ，２ｂのそれぞれに接続されて絶縁基板１に搭載される光学素子３と、絶縁基板１表面にて光学素子３及びスルーホール６ａ，６ｂを覆う透光性樹脂４と、絶縁基板１の表面側にてスルーホール６ａ，６ｂを塞ぐ蓋状閉塞部９、又は絶縁基板１の裏面側にてスルーホール６ａ，６ｂを塞ぐ蓋状閉塞部１０とを備えた構成の面実装用光半導体装置が得られる。
【００４６】
なお、上記実施形態において、樹脂注入により閉塞部８を形成したもの又は絶縁基板１の裏面側に蓋状閉塞部１０を形成したものにおいて、絶縁基板１の裏面側に閉塞部８又は蓋状閉塞部１０が多少突き出たようになっても、透光性樹脂のトランスファーモールド成型時に、金型の押圧力により押し潰されるようにして平坦化されるので、問題はない。
【００４７】
さらに、図６は本発明の第４実施形態で、前記一対のスルーホール６ａ，６ｂに蓋をするようにして閉塞する方法として、基板１の裏面側全面にカプトン等の高耐熱性テープ１１を閉塞部として貼り付けているものである。このようにしても、金型３８のキャビティ３９（図１６参照）に注入された透光性樹脂が該スルーホール６ａ，６ｂを通じて基板１の裏側に漏れ出すことがなく、透光性モールド体４が形成された後に該高耐熱性テープ１１を除去すれば、メッキ配線２ａ，２ｂは基板１裏面において良好な裏面端子電極となる。
【００４８】
そして、前述の第１，２実施形態と同様に分離することにより、単品の面実装用光半導体装置が得られる。
【００４９】
なお、詳述はしていないが、本発明を図１０，図１１，図１２に示すものに応用しても、まったく同様の効果を奏することは、言うまでもない。
【００５０】
なお、以上の説明において、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明における面実装用光半導体装置及びその製造方法によれば、特に、トランスファーモールド成型の際には金型の型締め圧力等に左右されずに広い条件下のもとでモールド成型でき、さらに、良好な裏面端子電極を持つ面実装用光半導体装置を製造できる。ひいては、面実装する際のハンダつけ不良をなくすことができるこの種の小型面実装用光半導体装置の生産における歩留まりを格段に高め、大幅なコストアップなしに、該小型面実装用光半導体装置を大量生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態よりなる面実装用光半導体装置の概略図を示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態よりなる図１における面実装用光半導体装置の製造工程途中の概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態よりなる図１における面実装用光半導体装置の製造工程途中の、図２より後工程における概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】本発明の別の実施の形態よりなる面実装用光半導体装置の製造工程途中の断面概略図であり、（ｂ）は（ａ）より後工程における断面概略図である。
【図５】本発明の、さらに別の実施の形態よりなる面実装用光半導体装置の製造工程途中の断面概略図であり、（ｂ）は（ａ）より後工程における断面概略図である。
【図６】本発明の、さらに別の実施の形態よりなる面実装用光半導体装置の製造工程途中の断面概略図であり、（ｂ）は（ａ）より後工程における断面概略図である。
【図７】特開平１１−２６６４７号公報における、面実装用光半導体装置の概略図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は断面図である。
【図８】図７における面実装用光半導体装置の製造工程途中の概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図９】図７における面実装用光半導体装置の製造工程途中の、図８より後工程における概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図１０】特開平１１−２６６４７号公報における、面実装用光半導体装置の概略図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は断面図である。
【図１１】図１０における面実装用光半導体装置の製造工程途中の概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１２】図１０における面実装用光半導体装置の製造工程途中の、図１１より後工程における概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図１３】従来の面実装用光半導体装置の概略図を示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は断面図である。
【図１４】図１３（従来）における面実装用光半導体装置の製造工程途中の概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１５】図１３（従来）における面実装用光半導体装置の製造工程途中の、図１４より後工程における概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図１６】図１３（従来）における面実装用光半導体装置の製造工程途中の、トランスファーモールド成型の際の基板と金型との関係を示す図である。
【符号の説明】
１    基板
２，２ａ，２ｂ    メッキ配線
３    光学素子
４    透光性モールド体（透光性樹脂）
６ａ，６ｂ    スルーホール
８    閉塞部
９、１０    蓋状閉塞部
１１    高耐熱性テープ
３８    金型
３９    キャビティ
【図１】
0003644861.tif 000002
【図２】
0003644861.tif 000003
【図３】
0003644861.tif 000004
【図４】
0003644861.tif 000005
【図５】
0003644861.tif 000006
【図６】
0003644861.tif 000007
【図７】
0003644861.tif 000008
【図８】
0003644861.tif 000009
【図９】
0003644861.tif 000010
【図１０】
0003644861.tif 000011
【図１１】
0003644861.tif 000012
【図１２】
0003644861.tif 000013
【図１３】
0003644861.tif 000014
【図１４】
0003644861.tif 000015
【図１５】
0003644861.tif 000016
【図１６】
0003644861.tif 000017