(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持される液晶層と、
前記一方の基板上にマトリクス状に形成される複数のアクティブ素子と、
前記複数のアクティブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、
前記一対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記画素電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加する複数の対向電極と、
前記一対の基板の液晶層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の偏光板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記液晶層は、前記基板面にほぼ平行な電界の印加方向に対し１画素内で２方向の液晶分子の初期配向方向を有することを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】
一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持される液晶層と、
前記一方の基板上にマトリクス状に形成される複数のアクティブ素子と、
前記複数のアクティブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、
前記一対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記画素電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加する複数の対向電極と、
前記一対の基板の液晶層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の偏光板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記液晶層は、１画素内で前記基板面にほぼ平行な電界の印加方向に対し液晶分子の初期配向方向の異なる２つの領域を有することを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項３】
前記液晶層は、正の誘電率異方性を有し、
前記２方向の液晶分子の初期配向方向と印加電界方向とのなす角度が、それぞれ９０°＋α、９０°−αであるとともに、前記２枚の偏光板の偏光透過軸が、それぞれ９０°、０°であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶層は、負の誘電率異方性を有し、
前記２方向の液晶分子の初期配向方向と印加電界方向とのなす角度が、それぞれ０°＋α、１８０°−αであるとともに、前記２枚の偏光板の偏光透過軸が、それぞれ９０°、０°であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項５】
前記αの絶対値は、２．５°以下であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項６】
前記２方向の初期配向方向と印加電界方向とのなす角度が、それぞれ４５°、１３５°であるとともに、前記２枚の偏光板の偏光透過軸が、それぞれ９０°、０°であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項７】
前記２方向の液晶分子の初期配向方向の境界を、画素内の画素電極もしくは対向電極上に配置することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項８】
前記一対の基板のラビング方向が平行配向であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係わり、特に、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代表されるアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置は薄い、軽量という特徴とブラウン管に匹敵する高画質という点から、ＯＡ機器等の表示端末装置として広く普及し始めている。
【０００３】
このアクティブマトリクス型液晶表示装置の表示方式には、大別して、次の２通りの表示方式が知られている。
【０００４】
１つは、２つの透明電極が形成された一対の基板間に液晶層を封入し、２つの透明電極に駆動電圧を印加することにより、基板界面にほぼ直角な方向の電界により液晶層を駆動し、透明電極を透過し液晶層に入射した光を変調して表示する方式（以下、縦電界方式と称する）であり、現在、普及している製品が全てこの方式を採用している。
【０００５】
しかしながら、前記縦電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、視角方向を変化させた際の輝度変化が著しく、特に、中間調表示を行った場合、視角方向により階調レベルが反転してしまう等、実用上問題があった。
【０００６】
また、もう１つは、一対の基板間に液晶層を封入し、同一基板あるいは両基板上に形成された２つの電極に駆動電圧を印加することにより、基板界面にほぼ平行な方向の電界により液晶層を駆動し、２つの電極の隙間から液晶層に入射した光を変調して表示する方式（以下、横電界方式と称する）であるが、この横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置は未だ実用化されていない。
【０００７】
しかしながら、この横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置は、広視野角、低負荷容量等の特徴を有しており、この横電界方式は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関して有望な技術である。
【０００８】
前記横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置の特徴に関しては、特許出願公表平５−５０５２４７号公報、特公昭６３−２１９０７号公報、特開平６−１６０８７８号公報を参照されたい。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
前記横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置では、液晶分子を面内で回転させることにより光を変調し、表示を行っている。
【００１０】
これにより、前記縦電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置と比較して、視野角が著しく広いという特徴を有している。
【００１１】
しかしながら、前記横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ある方向に視野角を傾けた場合に、均一な色調を実現できず、視野角が狭くなり、ブラウン管（ＣＲＴ）等の自発光表示装置に匹敵する視野角を達成できないという問題点があった。
【００１２】
即ち、液晶分子が回転したときの、その長軸方向に視野角を傾けると、その他の方位に視野角を傾けた場合よりも液晶分子の複屈折異方性が変化しやすく、その方位で、他の方位より階調が反転しやすくかつ色調が変化しやすい。
【００１３】
特に、ノーマリブッラクモードで白表示をした場合、白色の色調が、その方位で青色にシフトする。
【００１４】
また、それと９０°の角度をなす液晶分子の短軸方向では、複屈折異方性は変化しないが、視野角の傾きにしたがって光路長が増加することにより、白色の色調が、その方位で黄色にシフトする。
【００１５】
その結果、１部の方位において均一な色調を実現できず、視野角が狭くなり、ブラウン管に匹敵する視野角を達成できないという問題点があった。
【００１６】
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、白色色調が均一である視野角の範囲が広く、ブラウン管並の視野角を実現でき、かつ、画質を向上させることが可能となる技術を提供することにある。
【００１７】
本発明の前記目的並びにその他の目的及び新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面によって明らかにする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
【００１９】
（１）一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状に形成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前記一対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記画素電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加する複数の対向電極と、前記一対の基板の液晶層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の偏光板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記液晶層は、前記基板面にほぼ平行な電界の印加方向に対し１画素内で２方向の液晶分子の初期配向方向を有することを特徴とする。
【００２０】
（２）一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状に形成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前記一対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記画素電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加する複数の対向電極と、前記一対の基板の液晶層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の偏光板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記液晶層は、１画素内で前記基板面にほぼ平行な電界の印加方向に対し液晶分子の初期配向方向の異なる２つの領域を有することを特微とする。
【００２１】
（３）一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層と、前記一方の基板上にマトリクス状に形成される複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティブ素子にそれぞれ接続される複数の画素電極と、前記一対の基板のいずれか一方の基板上に形成され、前記画素電極との間で基板面にほぼ平行な電界を液晶層に印加する複数の対向電極と、前記一対の基板の液晶層を挾持する面と反対側の面上に形成される２枚の偏光板とを、少なくとも有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記液晶層の液晶分子の初期配向方向と前記基板面にほぼ平行な電界の印加方向がなす角度が、異なる２方向を有することを特徴とする。
【００２２】
（４）前記（２）ないし（３）の手段において、前記液晶層は、正の誘電率異方性を有し、前記２方向の液晶分子の初期配向方向と印加電界方向とのなす角度が、それぞれ９０°＋α、９０°−αであるとともに、前記２枚の偏光板の偏光透過軸が、それぞれ９０°、０°であることを特徴とする。
【００２３】
（５）前記（１）ないし（３）の手段において、前記液晶層は、負の誘電率異方性を有し、前記２方向の液晶分子の初期配向方向と印加電界方向とのなす角度が、それぞれ０°＋α、１８０°−αであるとともに、前記２枚の偏光板の偏光透過軸が、それぞれ９０°、０°であることを特徴とする。
【００２４】
（６）前記（４）または（５）の手段において、前記αの絶対値は、２．５°以下であることを特徴とする。
【００２５】
（７）前記（１）ないし（３）の手段において、前記２方向の初期配向方向と印加電界方向とのなす角度が、それぞれ４５°、１３５°であるとともに、前記２枚の偏光板の偏光透過軸が、それぞれ９０°、０°であることを特徴とする。
【００２６】
（８）前記（１）ないし（７）の手段において、前記２方向の液晶分子の初期配向方向の境界を、画素内の画素電極もしくは対向電極上に配置することを特徴とする。
【００２７】
（９）前記（１）ないし（８）の手段において、前記一対の基板のラビング方向が平行配向であることを特徴とする。
【００２８】
前記手段によれば、横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、１画素内に、白表示を行っている液晶分子の角度が、互いに９０°の角度をなす２方向存在するようにしたので、互いに色調のシフトを相殺して、白色色調の方位による依存性を大幅に低減することが可能となる。
【００２９】
例えば、複屈折性ノーマリブッラクモード（電圧無印加時に暗、電圧印加時に明）の場合に、２枚の偏光板の偏光透過軸は直交し（クロスニコル）、それぞれの偏光透過軸と電界によって回転した液晶分子の長軸のなす角が４５°となったとき最大透過率、すなわち白表示を得る。
【００３０】
その状態で、液晶分子の長軸方向の方位（偏光透過軸から４５°の角度）から白表示を見た場合、複屈折異方性の変化し、白色の色調が、その方位で青色にシフトする。
【００３１】
また、それと９０°の角度をなす液晶分子の短軸方向（偏光透過軸から−４５°の角度）では、複屈折異方性は変化しないが、視野角の傾きにしたがって光路長が増加することにより、白色の色調が、その方位で黄色にシフトする。
【００３２】
青色と黄色と色度座標で補色の関係にあり、その２色を混合させると白色になる。
【００３３】
したがって、１画素内に、白表示を行っている液晶分子の角度が、互いに９０°の角度をなす２方向存在すれば、互いに色調のシフトを相殺して、白色色調の方位による依存性を大幅に低減することが可能となる。
【００３４】
また、同様に、階調反転についても、階調反転しにくい液晶分子の短軸方向と、階調反転しやすい液晶分子の長軸方向との特性が平均され、階調反転に弱い方向での非階調反転視野角を拡大することができる。
【００３５】
それにより、階調の均一性および色調の均一性が全方位で平均化または拡大し、ブラウン管に近い広視野角を実現することが可能である。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００３７】
なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３８】
［発明の実施の形態１］
まず始めに、本発明の実施の形態で構成した横電界方式のアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装置の概略を説明する。
【００３９】
《マトリクス部（画素部）の平面構成》
図１は、本発明の一発明の実施の形態（発明の実施の形態１）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【００４０】
図１に示すように、各画素は隣接する２本の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）（ＧＬ）と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または垂直信号線）（ＤＬ）との交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されている。
【００４１】
各画素は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）、画素電極（ＰＸ）、対向電極（ＣＴ）および対向電圧信号線（コモン信号線）（ＣＬ）とを含んでいる。
【００４２】
ここで、走査信号線（ＧＬ）、対向電圧信号線（ＣＬ）は、図１においては左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されている。
【００４３】
また、映像信号線（ＤＬ）は、上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されている。
【００４４】
また、画素電極（ＰＸ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）と接続され、さらに、対向電極（ＣＴ）は、対向電圧信号線（ＣＬ）と一体に構成されている。
【００４５】
画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）とは互いに対向し、各画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電界により液晶層（ＬＣ）の光学的な状態を制御し、表示を制御する。
【００４６】
画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）とは櫛歯状に構成され、それぞれ、図１においては上下方向に長細い電極となっている。
【００４７】
本発明の実施の形態では、画素電極（ＰＸ）は下開きのコの字型、対向電極（ＣＴ）は対向電圧信号線（ＣＬ）から下方向に突起した櫛歯形の形状をしており、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）の間の領域は１画素内で４分割されている。
【００４８】
《表示マトリクス部（画素部）の断面構成》
図２は、図１に示す３−３切断線における断面を示す断面図、図３は、図１に示す４−４切断線における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の断面を示す断面図、図４は、図１に示す５−５切断線における蓄積容量（Ｃｓｔｇ）の断面を示す断面図である。
【００４９】
図２〜図４に示すように、液晶層（ＬＣ）を基準にして下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）および電極群が形成され、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側には、カラーフィルタ（ＦＩＬ）、遮光用ブラックマトリクスパターン（ＢＭ）が形成されている。
【００５０】
また、透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）のそれぞれの内側（液晶層（ＬＣ）側）の表面には、液晶の初期配向を制御する配向膜（ＯＲＩ１、ＯＲＩ２）が設けられており、透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）のそれぞれの外側の表面には、それぞれ偏光板（ＰＯＬ１、ＰＯＬ２）が設けられている。
【００５１】
以下、より詳細な構成について説明する。
【００５２】
《ＴＦＴ基板》
まず、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側（ＴＦＴ基板）の構成を詳しく説明する。
【００５３】
《薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）》
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、ゲート電極（ＧＴ）に正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きくなるように動作する。
【００５４】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、図３に示すように、ゲート電極（ＧＴ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、ｉ型（真性、ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ、導電型決定不純物がドープされていない）非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層（ＡＳ）、一対のソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）を有す。
【００５５】
なお、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）は本来その間のバイアス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極性は動作中反転するので、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）は動作中入れ替わると理解されたい。
【００５６】
しかし、以下の説明では、便宜上一方をソース電極（ＳＤ１）、他方をドレイン電極（ＳＤ２）と固定して表現する。
【００５７】
なお、本発明の実施の形態では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として、非晶質（アモルファス）シリコン薄膜トランジスタ素子を用いたが、これに限定されず、ポリシリコン薄膜トランジスタ素子、シリコンウエハ上のＭＯＳ型トランジスタ、有機ＴＦＴ、または、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）ダイオード等の２端子素子（厳密にはアクティブ素子ではないが、本発明ではアクティブ素子とする）を用いることも可能である。
【００５８】
《ゲート電極（ＧＴ）》
ゲート電極（ＧＴ）は、走査信号線（ＧＬ）と連続して形成されており、走査信号線（ＧＬ）の一部の領域がゲート電極（ＧＴ）となるように構成されている。
【００５９】
ゲート電極（ＧＴ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の能動領域を超える部分であり、ｉ型半導体層（ＡＳ）を完全に覆う（下方からみて）ように、それより大き目に形成されている。
【００６０】
これにより、ゲート電極（ＧＴ）の役割のほかに、ｉ型半導体層（ＡＳ）に外光やバックライト光が当たらないように工夫されている。
【００６１】
本発明の実施の形態では、ゲート電極（ＧＴ）は、単層の導電膜（ｇ１）で形成されており、導電膜（ｇ１）としては、例えば、スパッタリングで形成されたアルミニウム（Ａｌ）系の導電膜が用いられ、その上にはアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。
【００６２】
《走査信号線（ＧＬ）》
走査信号線（ＧＬ）は、導電膜（ｇ１）で構成されており、この走査信号線（ＧＬ）の導電膜（ｇ１）は、ゲート電極（ＧＴ）の導電膜（ｇ１）と同一製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。
【００６３】
この走査信号線（ＧＬ）により、外部回路からゲート電圧（ＶＧ）をゲート電極（ＧＴ）に供給する。
【００６４】
また、走査信号線（ＧＬ）上にもアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。
【００６５】
なお、映像信号線（ＤＬ）と交差する部分は、映像信号線（ＤＬ）との短絡の確率を小さくするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切り離すことができるように二股にされている。
【００６６】
《対向電極（ＣＴ）》
対向電極（ＣＴ）は、ゲート電極（ＧＴ）および走査信号線（ＧＬ）と同層の導電膜（ｇ１）で構成されている。
【００６７】
また、対向電極（ＣＴ）上にもアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。
【００６８】
対向電極（ＣＴ）には、対向電圧（Ｖｃｏｍ）が印加されるように構成されている。
【００６９】
本発明の実施の形態では、対向電圧（Ｖｃｏｍ）は、映像信号線（ＤＬ）に印加される最小レベルの駆動電圧（ＶＤｍｉｎ）と最大レベルの駆動電圧（ＶＤｍａｘ）との中間直流電位から、薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）をオフ状態にするときに発生するフィードスルー電圧（ΔＶｓ分）だけ低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、交流電圧を印加すれば良い。
【００７０】
《対向電圧信号線（ＣＬ）》
対向電圧信号線（ＣＬ）は、導電膜（ｇ１）で構成されている。
【００７１】
この対向電圧信号線（ＣＬ）の導電膜（ｇ１）は、ゲート電極（ＧＴ）、走査信号線（ＧＬ）および対向電極（ＣＴ）の導電膜（ｇ１）と同一製造工程で形成され、かつ対向電極（ＣＴ）と一体に構成されている。
【００７２】
この対向電圧信号線（ＣＬ）により、外部回路から対向電圧（Ｖｃｏｍ）を対向電極（ＣＴ）に供給する。
【００７３】
また、対向電圧信号線（ＣＬ）上にもアルミニウム（Ａｌ）の陽極酸化膜（ＡＯＦ）が設けられている。
【００７４】
また、対向電極（ＣＴ）および対向電圧信号線（ＣＬ）は、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）（カラーフィルタ基板）側に形成してもよい。
【００７５】
《絶縁膜（ＧＩ）》
絶縁膜（ＧＩ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、ゲート電極（ＧＴ）と共に半導体層（ＡＳ）に電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用される。
【００７６】
絶縁膜（ＧＩ）は、ゲート電極（ＧＴ）および走査信号線（ＧＬ）の上層に形成されており、絶縁膜（ＧＩ）としては、例えば、プラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜が選ばれ、１２００〜２７００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、２４００オングストローム程度）形成される。
【００７７】
ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、表示マトリクス部（ＡＲ）の全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子（ＤＴＭ、ＧＴＭ）が露出されるように除去されている。
【００７８】
絶縁膜（ＧＩ）は、走査信号線（ＧＬ）および対向電圧信号線（ＣＬ）と、映像信号線（ＤＬ）との電気的絶縁にも寄与している。
【００７９】
《ｉ型半導体層（ＡＳ）》
ｉ型半導体層（ＡＳ）は、非晶質シリコンで、２００〜２２００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、２０００オングストローム程度の膜厚）形成される。
【００８０】
層（ｄ０）は、オーミックコンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ（＋）型非晶質シリコン半導体層であり、下側にｉ型半導体層（ＡＳ）が存在し、上側に導電膜（ｄ１、ｄ２）が存在するところのみに残されている。
【００８１】
ｉ型半導体層（ＡＳ）は、走査信号線（ＧＬ）および対向電圧信号線（ＣＬ）と映像信号線（ＤＬ）との交差部（クロスオーバ部）の両者間にも設けられている。
【００８２】
この交差部のｉ型半導体層（ＡＳ）は、交差部における走査信号線（ＧＬ）および対向電圧信号線（ＣＬ）と映像信号線（ＤＬ）との短絡を低減する。
【００８３】
《ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）》
ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）のそれぞれは、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）に接触する導電膜（ｄ１）とその上に形成された導電膜（ｄ２）とから構成されている。
【００８４】
導電膜（ｄ１）は、スパッタリングで形成したクロム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、６００オングストローム程度）形成される。
【００８５】
クロム（Ｃｒ）膜は、膜厚を厚く形成するとストレスが大きくなるので、２０００オングストローム程度の膜厚を越えない範囲で形成する。
【００８６】
クロム（Ｃｒ）膜は、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）との接着性を良好にし、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜（ｄ２）におけるアルミニウム（Ａｌ）がＮ（＋）型半導体層（ｄ０）に拡散することを防止する（いわゆるバリア層の）目的で使用される。
【００８７】
導電膜（ｄ１）として、クロム（Ｃｒ）膜の他に、高融点金属（モリブテン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ））膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ２、ＴｉＳｉ２、ＴａＳｉ２、ＷＳｉ２）膜を用いてもよい。
【００８８】
導電膜（ｄ２）としては、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜をスパッタリングで３０００〜５０００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、４０００オングストローム程度）形成する。
【００８９】
アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜は、クロム（Ｃｒ）膜に比べてストレスが小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）および映像信号線（ＤＬ）の抵抗値を低減したり、ゲート電極（ＧＴ）やｉ型半導体層（ＡＳ）に起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカバーレッジを良くする）働きがある。
【００９０】
また、導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）を同じマスクパターンでパターニングした後、同じマスクを用いて、あるいは、導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）をマスクとして、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）が除去される。
【００９１】
つまり、ｉ型半導体層（ＡＳ）上に残っていたＮ（＋）型半導体層（ｄ０）は導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）以外の部分がセルフアラインで除去される。
【００９２】
このとき、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）はその厚さ分は全て除去されるようエッチングされるので、ｉ型半導体層（ＡＳ）も若干その表面部分がエッチングされるが、その程度はエッチング時間で制御すればよい。
【００９３】
《映像信号線（ＤＬ）》
映像信号線（ＤＬ）は、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）と、同じく、導電膜（ｄ１）と、その上に形成された導電膜（ｄ２）とで構成されている。
【００９４】
また、映像信号線（ＤＬ）は、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）と同層に形成され、さらに、像信号線（ＤＬ）は、ドレイン電極（ＳＤ２）と一体に構成されている。
【００９５】
《画素電極（ＰＸ）》
画素電極（ＰＸ）は、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）と、同じく、導電膜（ｄ１）と、その上に形成された導電膜（ｄ２）とで構成されている。
【００９６】
また、画素電極（ＰＸ）は、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）と同層に形成され、さらに、画素電極（ＰＸ）は、ソース電極（ＳＤ１）と一体に構成されている。
【００９７】
《蓄積容量（Ｃｓｔｇ）》
画素電極（ＰＸ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と接続される端部と反対側の端部において、対向電圧信号線（ＣＬ）と重なるように構成されている。
【００９８】
この重ね合わせは、図４からも明らかなように、画素電極（ＰＸ）を一方の電極（ＰＬ２）とし、対向電圧信号線（ＣＬ）を他方の電極（ＰＬ１）とする蓄積容量（静電容量素子）（Ｃｓｔｇ）を構成する。
【００９９】
この蓄積容量（Ｃｓｔｇ）の誘電体膜は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜として使用される絶縁膜（ＧＩ）および陽極酸化膜（ＡＯＦ）で構成されている。
【０１００】
図１に示すように平面的には蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は、対向電圧信号線（ＣＬ）の導電膜（ｇ１）の幅を広げた部分に形成されている。
【０１０１】
《保護膜（ＰＳＶ）》
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上には、保護膜（ＰＳＶ）が設けられている。
【０１０２】
保護膜（ＰＳＶ）は、主に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を湿気等から保護するために設けられており、透明性が高く、しかも、耐湿性の良いものを使用する。
【０１０３】
保護膜（ＰＳＶ）は、例えば、プラズマＣＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μｍ程度の膜厚に形成する。
【０１０４】
保護膜（ＰＳＶ）は、表示マトリクス部（ＡＲ）の全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子（ＤＴＭ、ＧＴＭ）を露出されるように除去されている。
【０１０５】
保護膜（ＰＳＶ）とゲート絶縁膜（ＧＩ）の厚さ関係に関しては、前者は保護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダクタンス（ｇｍ）を考え薄くされる。
【０１０６】
従って、保護効果の高い保護膜（ＰＳＶ）は、周辺部もできるだけ広い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜（ＧＩ）よりも大きく形成されている。
【０１０７】
《カラーフィルタ基板》
次に、図１、図２に戻り、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側（カラーフィルタ基板）の構成を詳しく説明する。
【０１０８】
《遮光膜（ＢＭ）》
上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側には、不要な間隙部（画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）の間以外の隙間）からの透過光が表示面側に出射して、コントラスト比等を低下させないように遮光膜（ＢＭ）（いわゆるブラックマトリクス）が形成される。
【０１０９】
遮光膜（ＢＭ）は、外部光またはバックライト光がｉ型半導体層（ＡＳ）に入射しないようにする役割も果たしている。
【０１１０】
すなわち、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のｉ型半導体層（ＡＳ）は上下にある遮光膜（ＢＭ）および大き目のゲート電極（ＧＴ）によってサンドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。
【０１１１】
図１に示す遮光膜（ＢＭ）の閉じた多角形の輪郭線は、その内側が遮光膜（ＢＭ）が形成されない開口を示している。
【０１１２】
図１に示す上下方向の境界線は上下基板の合わせ精度によって決まり、合わせ精度が映像信号線（ＤＬ）に隣接する対向電極（ＣＴ）の電極幅よりも良い場合には、対向電極の幅の間に設定すれば、より開口部を拡大することができる。
【０１１３】
遮光膜（ＢＭ）は、光に対する遮蔽性を有し、かつ、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）の間の電界に影響を与えないように絶縁性の高い膜で形成されており、本発明の実施の形態では、黒色の顔料をレジスト材に混入し、１．２μｍ程度の厚さに形成している。
【０１１４】
遮光膜（ＢＭ）は、各画素の周囲に格子状に形成され、この格子で１画素の有効表示領域が仕切られている。
【０１１５】
従って、各画素の輪郭が遮光膜（ＢＭ）によってはっきりとする。
【０１１６】
つまり、遮光膜（ＢＭ）は、ブラックマトリクスとｉ型半導体層（ＡＳ）に対する遮光との２つの機能をもつ。
【０１１７】
遮光膜（ＢＭ）は、周辺部にも額縁状に形成され、そのパターンは、ドット状に複数の開口を設けた図１に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されている。
【０１１８】
周辺部の遮光膜（ＢＭ）は、シール部（ＳＬ）の外側に延長され、パソコン等の実装機に起因する反射光等の漏れ光が表示マトリクス部に入り込むのを防いでいる。
【０１１９】
他方、この遮光膜（ＢＭ）は上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の縁よりも約０．３〜１．０ｍｍ程内側に留められ、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の切断領域を避けて形成されている。
【０１２０】
《カラーフィルタ（ＦＩＬ）》
カラーフィルタ（ＦＩＬ）は、画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しでストライプ状に形成され、また、カラーフィルタ（ＦＩＬ）は、遮光膜（ＢＭ）のエッジ部分と重なるように形成されている。
【０１２１】
カラーフィルタ（ＦＩＬ）は、次のようにして形成することができる。
【０１２２】
まず、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材を除去する。
【０１２３】
この後、染色基材を赤色染料で染め、固着処理を施し、赤色フィルタ（Ｒ）を形成する。
【０１２４】
つぎに、同様な工程を施すことによって、緑色フィルタ（Ｇ）、青色フィルタ（Ｂ）を順次形成する。
【０１２５】
《オーバーコート膜（ＯＣ）》
オーバーコート膜（ＯＣ）は、カラーフィルタ（ＦＩＬ）から染料が液晶層（ＬＣ）へ漏洩するのを防止し、および、カラーフィルタ（ＦＩＬ）、遮光膜（ＢＭ）による段差を平坦化するために設けられている。
【０１２６】
オーバーコート膜（ＯＣ）はたとえばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成されている。
【０１２７】
《表示マトリクス部（ＡＲ）周辺の構成》
図５は、上下の透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）を含む表示パネル（ＰＮＬ）の表示マトリクス（ＡＲ）部周辺の要部平面を示す図である。
【０１２８】
また、図６は、左側に走査回路が接続されるべき外部接続端子（ＧＴＭ）付近の断面を、右側に外部接続端子がないところのシール部付近の断面を示す図である。
【０１２９】
このパネルの製造では、小さいサイズであれば、スループット向上のため１枚のガラス基板で複数個分のデバイスを同時に加工してから分割し、また、大きいサイズであれば、製造設備の共用のためどの品種でも標準化された大きさのガラス基板を加工してから、各品種に合ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経てからガラスを切断する。
【０１３０】
図５、図６は後者の例を示すもので、図５、図６の両図とも上下透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）の切断後を表しており、図５に示すＬＮは両基板の切断前の縁を示す。
【０１３１】
いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群（Ｔｇ、Ｔｄ）および端子（ＣＴＭ）（添字略）が存在する（図で上辺と左辺の）部分は、それらが露出されるように上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の大きさが下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）よりも内側に制限されている。
【０１３２】
端子群（Ｔｇ、Ｔｄ）は、それぞれ後述する走査回路接続用端子（ＧＴＭ）、映像信号回路接続用端子（ＤＴＭ）とそれらの引出配線部を集積回路チップ（ＣＨＩ）が搭載されたテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）（図１６、図１７）の単位に複数本まとめて名付けたものである。
【０１３３】
各群の表示マトリクス部から外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜している。
【０１３４】
これは、パッケージ（ＴＣＰ）の配列ピッチ及び各パッケージ（ＴＣＰ）における接続端子ピッチに表示パネル（ＰＮＬ）の端子（ＤＴＭ、ＧＴＭ）を合わせるためである。
【０１３５】
また、対向電極端子（ＣＴＭ）は、対向電極（ＣＴ）に対向電圧（Ｖｃｏｍ）を外部回路から与えるための端子である。
【０１３６】
表示マトリクス部の対向電圧信号線（ＣＬ）は、走査回路用端子（ＧＴＭ）の反対側（図では右側）に引き出し、各対向電圧信号線（ＣＬ）を共通バスライン（ＣＢ）（対向電極接続信号線）で一纏めにして、対向電極端子（ＣＴＭ）に接続している。
【０１３７】
透明ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）の間にはその縁に沿って、液晶封入口（ＩＮＪ）を除き、液晶層（ＬＣ）を封止するようにシールパターン（ＳＬ）が設けられる。
【０１３８】
シールパターン（ＳＬ）は、例えば、エポキシ樹脂から形成される。
【０１３９】
配向膜（ＯＲＩ１、ＯＲＩ２）の層は、シールパターン（ＳＬ）の内側に形成され、また、偏光板（ＰＯＬ１、ＰＯＬ２）は、それぞれ下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）の外側の表面に形成されている。
【０１４０】
液晶層（ＬＣ）は、液晶分子の向きを設定する下部配向膜（ＯＲＩ１）と上部配向膜（ＯＲＩ２）との間でシールパターン（ＳＬ）で仕切られた領域に封入される。
【０１４１】
下部配向膜（ＯＲＩ１）は、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の保護膜（ＰＳＶ）の上部に形成される。
【０１４２】
本発明の実施の形態の液晶表示装置では、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）を別個に種々の層を積み重ねて形成した後、シールパターン（ＳＬ）を上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側に形成し、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）と上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）とを重ね合わせ、シールパターン（ＳＬ）の開口部（ＩＮＪ）から液晶（ＬＣ）を注入し、注入口（ＩＮＪ）をエポキシ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって組み立てられる。
【０１４３】
《ゲート端子（ＧＴＭ）部》
図７は、表示マトリクス部（ＡＲ）の走査信号線（ＧＬ）からその外部接続端子であるゲート端子（ＧＴＭ）までの接続構造を示す図であり、図７（Ａ）は、平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示すＢ−Ｂ切断線における断面図である。
【０１４４】
なお、図７は、図５における下方付近に対応し、斜め配線の部分は便宜状一直線状で表した。
【０１４５】
図７において、ＡＯはホトレジスト直接描画の境界線、言い換えれば選択的陽極酸化のホトレジストパターンである。
【０１４６】
従って、このホトレジストは陽極酸化後除去され、図７に示すパターン（ＡＯ）は完成品としては残らないが、ゲート配線（ＧＬ）には断面図に示すように酸化膜（ＡＯＦ）が選択的に形成されるのでその軌跡が残ることになる。
【０１４７】
図７（Ａ）の平面図において、ホトレジストの境界線（ＡＯ）を基準にして左側はレジストで覆い陽極酸化をしない領域、右側はレジストから露出され陽極酸化される領域である。
【０１４８】
陽極酸化されたアルミニウム（ＡＬ）系の導電膜（ｇ１）は、表面にアルミニウム酸化膜（Ａｌ２Ｏ３）が形成され下方の導電部は体積が減少する。
【０１４９】
勿論、陽極酸化はその導電部が残るように適切な時間、電圧などを設定して行われる。
【０１５０】
図７において、アルミニウム（ＡＬ）系の導電膜（ｇ１）は、判り易くするためハッチを施してあるが、陽極化成されない領域は櫛状にパターニングされている。
【０１５１】
これは、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜の幅が広いと表面にホイスカが発生するので、１本１本の幅は狭くし、それらを複数本並列に束ねた構成とすることにより、ホイスカの発生を防ぎつつ、断線の確率や導電率の犠牲を最低限に押さえる狙いである。
【０１５２】
ゲート端子（ＧＴＭ）は、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜（ｇ１）と、更にその表面を保護し、かつ、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋｅｇｅ）との接続の信頼性を向上させるための透明導電膜（ｇ２）とで形成されている。
【０１５３】
この透明導電膜（ｇ２）は、スパッタリングで形成された透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ  ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０００〜２０００オングストロームの厚さに（本発明の実施の形態では、１４００オングストローム程度の膜厚）形成される。
【０１５４】
また、アルミニウム（Ａｌ）系の導電膜（ｇ１）上、および、その側面部に形成された導電膜（ｄ１）は、導電膜（ｇ１）と透明導電膜（ｇ２）との接続不良を補うために、導電膜（ｇ１）と透明導電膜（ｇ２）との両方に接続性の良いクロム（Ｃｒ）層（ｄ１）を接続し、接続抵抗の低減を図るためのものであり、導電膜（ｄ２）は導電膜（ｄ１）と同一マスクで形成しているために残っているものである。
【０１５５】
図７（Ａ）の平面図において、ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、その境界線（ＡＯ）よりも右側に、保護膜（ＰＳＶ）は、その境界線（ＡＯ）よりも左側に形成されており、左端に位置する端子部（ＧＴＭ）はそれらから露出し外部回路との電気的接触ができるようになっている。
【０１５６】
図７では、ゲート線（ＧＬ）とゲート端子の一つの対のみが示されているが、実際はこのような対が上下に複数本並べられて、図５に示す端子群（Ｔｇ）が構成され、ゲート端子の左端は、製造過程では、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）の切断領域を越えて延長され配線（ＳＨｇ）（図示せず）によって短絡される。
【０１５７】
製造過程におけるこのような短絡線（ＳＨｇ）は、陽極化成時の給電と、配向膜（ＯＲＩ１）のラビング時等の静電破壊防止に役立つ。
【０１５８】
《ドレイン端子（ＤＴＭ）部》
図８は、表示マトリクス部（ＡＲ）の映像信号線（ＤＬ）からその外部接続端子であるドレイン端子（ＤＴＭ）までの接続を示す図であり、図８（Ａ）はその平面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示すＢ−Ｂ切断線における断面図である。
【０１５９】
なお、図８は、図５における右上付近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端方向が下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）の上端部に該当する。
【０１６０】
図８において、ＴＳＴｄは検査端子であり、ここには外部回路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう配線部より幅が広げられている。
【０１６１】
同様に、ドレイン端子（ＤＴＭ）も外部回路との接続ができるよう配線部より幅が広げられている。
【０１６２】
ドレイン端子（ＤＴＭ）は複数本上下方向に並べられ、図５に示す端子群（Ｔｄ）（添字省略）を構成し、さらに、ドレイン端子（ＤＴＭ）は、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）の切断線を越えて延長され、製造過程中は静電破壊防止のためその全てが互いに配線（ＳＨｄ）（図示せず）によって短絡される。
【０１６３】
検査端子（ＴＳＴｄ）は、図８に示すように一本置きの映像信号線（ＤＬ）に設けられる。
【０１６４】
ドレイン接続端子（ＤＴＭ）は、透明導電膜（ｇ２）の単層で形成されており、ゲート絶縁膜（ＧＩ）を除去した部分で映像信号線（ＤＬ）と接続されている。
【０１６５】
ゲート絶縁膜（ＧＩ）の端部上に形成された半導体層（ＡＳ）は、ゲート絶縁膜（ＧＩ）の縁をテーパ状にエッチングするためのものである。
【０１６６】
ドレイン接続端子（ＤＴＭ）上では、外部回路との接続を行うため保護膜（ＰＳＶ）は勿論のこと取り除かれている。
【０１６７】
表示マトリクス部（ＡＲ）からドレイン端子部（ＤＴＭ）までの引出配線は、映像信号線（ＤＬ）と同じレベルの導電膜（ｄ１、ｄ２）が、保護膜（ＰＳＶ）の途中まで構成されており、保護膜（ＰＳＶ）の中で透明導電膜（ｇ２）と接続されている。
【０１６８】
これは、電触し易いアルミニウム（Ａｌ）系の導電膜（ｄ２）を保護膜（ＰＳＶ）やシールパターン（ＳＬ）でできるだけ保護する狙いである。
【０１６９】
《対向電極端子（ＣＴＭ）》
図９は、対向電圧信号線（ＣＬ）からその外部接続端子である対向電極端子（ＣＴＭ）までの接続を示す図であり、図９（Ａ）は、その平面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示すＢ−Ｂ切断線における断面図である。
【０１７０】
なお、図９は、図５における左上付近に対応する。
【０１７１】
各対向電圧信号線（ＣＬ）は、共通バスライン（ＣＢ）で一纏めして対向電極端子（ＣＴＭ）に引き出されている。
【０１７２】
共通バスライン（ＣＢ）は、導電膜（ｇ１）の上に導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）を積層した構造となっている。
【０１７３】
これは、共通バスライン（ＣＢ）の抵抗を低減し、対向電圧が外部回路から各対向電圧信号線（ＣＬ）に十分に供給されるようにするためである。
【０１７４】
この構造によれば、特に新たに導電膜を付加することなく、共通バスライン（ＣＢ）の抵抗を下げられるのが特徴である。
【０１７５】
共通バスライン（ＣＢ）の導電膜（ｇ１）は、導電膜（ｄ１）、導電膜（ｄ２）と電気的に接続されるように、陽極参加はされておらず、また、ゲート絶縁膜（ＧＩ）からも露出している。
【０１７６】
対向電極端子（ＣＴＭ）は、導電膜（ｇ１）の上に透明導電膜（ｇ２）が積層された構造になっている。
【０１７７】
このように、その表面を保護し、また、電食等を防ぐために耐久性のよい透明導電膜（ｇ２）で、導電膜（ｇ１）を覆っている。
【０１７８】
《表示装置全体等価回路》
図１０は、表示マトリクス部（ＡＲ）の等価回路とその周辺回路の結線図を示す図である。
【０１７９】
なお、図１０は、回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。
【０１８０】
図１０において、ＡＲは、複数の画素を二次元状に配列した表示マトリクス部（マトリクス・アレイ）を示している。
【０１８１】
図１０中、ＰＸは画素電極であり、添字Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応して付加されている。
【０１８２】
走査信号線（ＧＬ）のｙ０、…、ｙｅｎｄは走査タイミングの順序を示している。
【０１８３】
走査信号線（ＧＬ）は垂直走査回路（Ｖ）に接続されており、映像信号線（ＤＬ）は映像信号駆動回路（Ｈ）に接続されている。
【０１８４】
回路（ＳＵＰ）は、１つの電圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を（ＴＦＴ）液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路である。
【０１８５】
《駆動方法》
図１１は、本発明の実施の形態の液晶表示装置における駆動時の駆動波形を示す図であり、図１１（ａ）、図１１（ｂ）は、それぞれ、（ｉ−１）番目、（ｉ）番目の走査信号線（ＧＬ）に印加されるゲート電圧（走査信号電圧）（ＶＧ）を示している。
【０１８６】
また、図１１（ｃ）は、映像信号線（ＤＬ）に印加される映像信号電圧（ＶＤ）を示し、図１１（ｄ）は、対向電極（ＣＴ）に印加される対向電圧（Ｖｃｏｍ）を示している。
【０１８７】
さらに、図１１（ｅ）は、（ｉ）行、（ｊ）列の画素における画素電極（ＰＸ）に印加される画素電極電圧（Ｖｓ）を示し、図１１（ｆ）は、（ｉ）行、（ｊ）列の画素の液晶層（ＬＣ）に印加される電圧（ＶＬＣ）を示している。
【０１８８】
本発明の実施の形態の液晶表示装置の駆動方法においては、図１１（ｄ）に示すように、対向電極（ＣＴ）に印加する対向電圧（Ｖｃｏｍ）を、ＶＣＨとＶＣＬの２値の交流矩型波にし、それに同期させてゲート電極（ＧＴ）に印加するゲート電圧（ＶＧ）の非選択電圧を１走査期間ごとに、ＶＧＬＨとＶＧＬＬの２値で変化させる。
【０１８９】
この場合に、対向電圧（Ｖｃｏｍ）の振幅値と、ゲート電圧（ＶＧ）の非選択電圧の振幅値とは同一にする。
【０１９０】
映像信号線（ＤＬ）に印加される映像信号電圧（ＶＤ）は、液晶層（ＬＣ）に印加したい電圧から、対向電圧（ＶＣ）の振幅の１／２を差し引いた電圧（ＶＳＩＧ）である。
【０１９１】
対向電極（ＣＴ）に印加する対向電圧（Ｖｃｏｍ）は直流でもよいが、交流化することで映像信号電圧（ＶＤ）の最大振幅を低減でき、映像信号駆動回路（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いることが可能になる。
【０１９２】
《蓄積容量（Ｃｓｔｇ）の働き》
蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は、画素に書き込まれた（薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がオフした後の）映像情報を、長く蓄積するために設ける。
【０１９３】
本発明の実施の形態のように、電界を基板面と平行に印加する方式では、電界を基板面に垂直に印加する方式と異なり、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）とで構成される容量（いわゆる液晶容量（Ｃｐｉｘ））がほとんど無いため、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）がないと映像情報を画素に蓄積することができない。
【０１９４】
したがって、電界を基板面と平行に印加する方式では、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は必須の構成要素である。
【０１９５】
また、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がスイッチングするとき、画素電極電位（Ｖｓ）に対するゲート電位変化（ΔＶＧ）の影響を低減するようにも働く。
【０１９６】
この様子を式で表すと、次のようになる。
【０１９７】
【数１】
ΔＶｓ＝｛Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｓｔｇ＋Ｃｐｉｘ）｝×ΔＶＧ
ここで、Ｃｇｓは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極（ＧＴ）とソース電極（ＳＤ１）との間に形成される寄生容量、Ｃｐｉｘは画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間に形成される容量、ΔＶｓはΔＶＧによる画素電極電位の変化分いわゆるフィードスルー電圧を表わす。
【０１９８】
この変化分（ΔＶｓ）は、液晶層（ＬＣ）に加わる直流成分の原因となるが、保持容量（Ｃｓｔｇ）を大きくすればする程、その値を小さくすることができる。
【０１９９】
液晶層（ＬＣ）に印加される直流成分の低減は、液晶層（ＬＣ）の寿命を向上し、液晶表示画面の切り替え時に前の画像が残るいわゆる焼き付きを低減することができる。
【０２００】
前述したように、ゲート電極（ＧＴ）は、ｉ型半導体層（ＡＳ）を完全に覆うよう大きくされている分、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）とのオーバラップ面積が増え、従って寄生容量（Ｃｇｓ）が大きくなり、画素電極電位（Ｖｓ）は、ゲート電圧（走査信号電圧）（ＶＧ）の影響を受け易くなるという逆効果が生じる。
【０２０１】
しかし、蓄積容量（Ｃｓｔｇ）を設けることによりこのデメリットも解消することができる。
【０２０２】
《製造方法》
つぎに、前記した液晶表示装置の下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の製造方法について図１２〜図１４を参照して説明する。
【０２０３】
なお、図１２〜図１４において、中央の文字は工程名の略称であり、左側は図３に示す薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）部分、右側は図７に示すゲート端子付近の断面形状でみた加工の流れを示す。
【０２０４】
工程Ｂ、工程Ｄを除き、工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理に対応して区分けしたもので、各工程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去した段階を示している。
【０２０５】
なお、以下の説明においては、写真処理とは、フォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそれを現像するまでの一連の作業を示すものとし、繰返しの説明は避ける。
【０２０６】
以下区分けした工程に従って、説明する。
【０２０７】
（工程Ａ、図１２）
ガラスからなる下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）上に、膜厚が３０００オングストロームのアルミニウム（Ａｌ）−パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）−タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）−タンタル（Ｔａ）等からなる導電膜（ｇ１）をスパッタリングにより形成する。
【０２０８】
写真処理後、リン酸と硝酸と氷酢酸と水との混酸液で導電膜（ｇ１）を選択的にエッチングする。
【０２０９】
それによって、ゲート電極（ＧＴ）、走査信号線（ＧＬ）、対向電極（ＣＴ）、対向電圧信号線（ＣＬ）、電極（ＰＬ１）、ゲート端子（ＧＴＭ）、共通バスライン（ＣＢ）の第１導電膜、対向電極端子（ＣＴＭ）の第１導電膜、ゲート端子（ＧＴＭ）を接続する陽極酸化バスライン（ＳＨｇ）（図示せず）および陽極酸化バスライン（ＳＨｇ）に接続された陽極酸化パッド（図示せず）を形成する。
【０２１０】
（工程Ｂ、図１２）
直接描画による陽極酸化マスク（ＡＯ）の形成後、３％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６．２５±０．０５に調整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した液からなる陽極酸化液中に下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）を浸漬し、化成電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ２  になるように調整する（定電流化成）。
【０２１１】
次に、所定膜厚のアルミニウム酸化膜（ＡＯＦ）が得られるのに必要な化成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。
【０２１２】
その後、この状態で数１０分保持することが望ましい（定電圧化成）。
【０２１３】
これは均一なアルミニウム酸化膜（ＡＯＦ）を得る上で大事なことである。
【０２１４】
それによって、導電膜（ｇ１）が陽極酸化され、ゲート電極（ＧＴ）、走査信号線（ＧＬ）、対向電極（ＣＴ）、対向電圧信号線（ＣＬ）および電極（ＰＬ１）上に膜厚が１８００オングストロームの陽極酸化膜（ＡＯＦ）が形成される。
【０２１５】
（工程Ｃ、図１２）
膜厚が１４００オングストロームのＩＴＯ膜からなる透明導電膜（ｇ２）をスパッタリングにより形成する。
【０２１６】
写真処理後、エッチング液として、塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜（ｇ２）を選択的にエッチングすることにより、ゲート端子（ＧＴＭ）の最上層、ドレイン端子（ＤＴＭ）および対向電極端子（ＣＴＭ）の第２導電膜を形成する。
【０２１７】
（工程Ｄ、図１３）
プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜厚が２２００オングストロームの窒化シリコン膜（ＳｉＮＸ）を設け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入して、膜厚が２０００オングストロームのｉ型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜を設けたのち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを導入して、膜厚が３００オングストロームのＮ（＋）型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜を設ける。
【０２１８】
（工程Ｅ、図１３）
写真処理後、ドライエッチングガスとして四塩化炭素（ＣＣｌ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）を使用してＮ（＋）型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜、ｉ型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層（ＡＳ）の島を形成する。
【０２１９】
（工程Ｆ、図１３）
写真処理後、ドライエッチングガスとして六弗化硫黄（ＳＦ６）を使用して、窒化シリコン膜を選択的にエッチングする。
【０２２０】
（工程Ｇ、図１４）
膜厚が６００オングストロームのクロム（Ｃｒ）からなる導電膜（ｄ１）をスパッタリングにより設け、さらに膜厚が４０００オングストロームのアルミニウム（Ａｌ）−タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）−タンタル（Ｔａ）等からなる導電膜（ｄ２）をスパッタリングにより設ける。
【０２２１】
写真処理後、導電膜（ｄ２）を、リン酸と硝酸と氷酢酸と水とからなる混酸液でエッチングし、導電膜（ｄ１）を硝酸第２セリウムアンモン液でエッチングし、映像信号線（ＤＬ）、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）、画素電極（ＰＸ）、電極（ＰＬ２）、共通バスライン（ＣＢ）の第２導電膜、第３導電膜およびドレイン端子（ＤＴＭ）を短絡するバスライン（ＳＨｄ）（図示せず）を形成する。
【０２２２】
なお、本発明の実施の形態で用いているレジスト材は、東京応化製半導体用レジストＯＦＰＲ８００（商品名）を用いた。
【０２２３】
つぎに、ドライエッチング装置に四塩化炭素（ＣＣｌ４）、六弗化硫黄（ＳＦ６）を導入して、Ｎ（＋）型非晶質シリコン（Ｓｉ）膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間のＮ（＋）型半導体層（ｄ０）を選択的に除去する。
【０２２４】
（工程Ｈ、図１４）
プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化シリコン膜を設ける。
【０２２５】
写真処理後、ドライエッチングガスとして六弗化硫黄（ＳＦ６）を使用した写真蝕刻技術で窒化シリコン膜を選択的にエッチングすることによって、保護膜（ＰＳＶ）を形成する。
【０２２６】
《表示パネル（ＰＮＬ）と駆動回路基板ＰＣＢ１》
図１５は、図５等に示す表示パネル（ＰＮＬ）に映像信号駆動回路（Ｈ）と垂直走査回路（Ｖ）を接続した状態を示す平面図である。
【０２２７】
図１５において、ＣＨＩは表示パネル（ＰＮＬ）を駆動させる駆動ＩＣチップであり、図１５に示す下側の５個は垂直走査回路側の駆動ＩＣチップ、左の１０個は映像信号駆動回路側の駆動ＩＣチップである。
【０２２８】
ＴＣＰは図１６、図１７で後述するように駆動用ＩＣチップ（ＣＨＩ）がテープ・オートメイティド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテープキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は前記テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）やコンデンサ等が実装された駆動回路基板で、映像信号駆動回路用と走査信号駆動回路用の２つに分割されている。
【０２２９】
ＦＧＰはフレームグランドパッドであり、シールドケース（ＳＨＤ）に切り込んで設けられたバネ状の破片が半田付けされる。
【０２３０】
ＦＣは下側の駆動回路基板（ＰＣＢ１）と左側の駆動回路基板（ＰＣＢ１）を電気的に接続するフラットケーブルである。
【０２３１】
フラットケーブル（ＦＣ）としては、複数のリード線（りん青銅の素材にスズ（Ｓｎ）鍍金を施したもの）をストライプ状のポリエチレン層とポリビニルアルコール層とでサンドイッチして支持したものを使用する。
【０２３２】
《ＴＣＰの接続構造》
図１６は、走査信号駆動回路（Ｖ）や映像信号駆動回路（Ｈ）を構成する、集積回路チップ（ＣＨＩ）がフレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）の断面構造を示す断面図であり、図１７は、それを液晶表示パネル（ＰＮＬ）に接続した状態（図１６では、走査信号回路用端子（ＧＴＭ）に接続した状態）を示す要部断面図である。
【０２３３】
図１６において、ＴＴＢは集積回路（ＣＨＩ）の入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路（ＣＨＩ）の出力端子・配線部であり、端子（ＴＴＢ、ＴＴＭ）は、例えば、銅（Ｃｕ）から成り、それぞれの内側の先端部（通称インナーリード）には、集積回路（ＣＨＩ）のボンディングパッド（ＰＡＤ）がいわゆるフェースダウンボンディング法により接続される。
【０２３４】
端子（ＴＴＢ、ＴＴＭ）の外側の先端部（通称アウターリード）には、それぞれ半導体集積回路チップ（ＣＨＩ）の入力及び出力に対応し、半田付け等によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路（ＳＵＰ）、あるいは、異方性導電膜（ＡＣＦ）によって液晶表示パネル（ＰＮＬ）が接続される。
【０２３５】
パッケージ（ＴＣＰ）は、その先端部が、パネル（ＰＮＬ）側の接続端子（ＧＴＭ）が露出される保護膜（ＰＳＶ）を覆うようにパネルに接続されており、従って、外部接続端子（ＧＴＭ）（またはＤＴＭ）は、保護膜（ＰＳＶ）かパッケージ（ＴＣＰ）の少なくとも一方で覆われるので電触に対して強くなる。
【０２３６】
ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィルムであり、ＳＲＳは半田付けの際半田が余計なところへつかないようにマスクするためのソルダレジスト膜である。
【０２３７】
シールパターン（ＳＬ）の外側の上下ガラス基板の隙間は洗浄後エポキシ樹脂（ＥＰＸ）等により保護され、パッケージ（ＴＣＰ）と上部基板（ＳＵＢ２）の間には更にシリコーン樹脂（ＳＩＬ）が充填され保護が多重化されている。
【０２３８】
《駆動回路基板（ＰＣＢ２）》
駆動回路基板（ＰＣＢ２）は、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載されている。
【０２３９】
この駆動回路基板（ＰＣＢ２）には、１つの電圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を（ＴＦＴ）液晶表示装置用の情報に変換する回路を含む回路（ＳＵＰ）が搭載されている。
【０２４０】
ＣＪは外部と接続される図示しないコネクタが接続されるコネクタ接続部である。
【０２４１】
駆動回路基板（ＰＣＢ１）と駆動回路基板（ＰＣＢ２）とはフラットケーブル（ＦＣ）により電気的に接続されている。
【０２４２】
《液晶表示モジュール（ＭＤＬ）の全体構成》
図１８は、液晶表示モジュール（ＭＤＬ）の各構成部品を示す分解斜視図である。
【０２４３】
ＳＨＤは金属板から成る枠状のシールドケース（メタルフレーム）、ＬＣＷその表示窓、ＰＮＬは液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＬＣＢは導光体、ＲＭは反射板、ＢＬはバックライト蛍光管、ＬＣＡはバックライトケースであり、図に示すような上下の配置関係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＤＬが組み立てられる。
【０２４４】
モジュール（ＭＤＬ）は、シールドケース（ＳＨＤ）に設けられた爪とフックによって全体が固定されるようになっている。
【０２４５】
バックライトケース（ＬＣＡ）は、バックライト蛍光管（ＢＬ）、光拡散板（ＳＰＢ）、導光体（ＬＣＢ）、反射板（ＲＭ）を収納する形状になっており、導光体（ＬＣＢ）の側面に配置されたバックライト蛍光管（ＢＬ）の光を、導光体（ＬＣＢ）、反射板（ＲＭ）、光拡散板（ＳＰＢ）により表示面で一様なバックライトにし、液晶表示パネル（ＰＮＬ）側に出射する。
【０２４６】
バックライト蛍光管（ＢＬ）にはインバータ回路基板（ＰＣＢ３）が接続されており、バックライト蛍光管（ＢＬ）の電源となっている。
【０２４７】
《液晶層および偏向板の構成》
次に、本発明の特徴である液晶層、配向膜、偏光板等について説明する。
【０２４８】
《液晶層》
液晶層（ＬＣ）の液晶材料としては、誘電率異方性（Δε）が正で、その値が１３．２、屈折率異方性（Δｎ）が０．０８１（５８９ｎｍ、２０℃）のネマティック液晶を用いる。
【０２４９】
液晶層の厚み（ギャップ）は、３．９μｍとし、リタデーション（Δｎ・ｄ）は０．３１６とする。
【０２５０】
このリタデーション（Δｎ・ｄ）の値は、バックライト光の波長特性のほぼ平均の波長の１／２となる様に設定され、バックライト光の波長特性との組み合わせにより、液晶層の透過光が色調が白色（Ｃ光源、色度座標ｘ＝０．３１０１、ｙ＝０．３１６３）となる様に設定する。
【０２５１】
偏光板の偏光透過軸と液晶分子の長軸方向のなす角が４５°になるとき最大透過率を得ることができ、可視光の範囲ないで波長依存性がほとんどない透過光を得ることができる。
【０２５２】
なお、液晶層の厚み（ギャップ）は、ポリマビーズで制御している。
【０２５３】
また、液晶層（ＬＣ）の液晶材料は、特に限定したものではなく、誘電率異方性Δεは負でもよい。
【０２５４】
さらに、誘電率異方性（Δε）は、その値が大きいほうが、駆動電圧が低減でき、また、屈折率異方性（Δｎ）は小さいほうが、液晶層の厚み（ギャップ）を厚くでき、液晶の封入時間が短縮され、かつギャップばらつきを少なくすることができる。
【０２５５】
《初期配向方向》
配向膜ＯＲＩとしては、ポリイミドを用いる。
【０２５６】
本発明の実施の形態では、上部透明ガラス基板（ＳＵＢ２）側の上部配向膜（ＯＲＩ２）と、下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の下部配向膜（ＯＲＩ１）との両方に、ラビング処理を施すことにより、液晶分子の初期配向方向（φＬＣ１、φＬＣ２）を制御し、各画素毎に（φＬＣ１、φＬＣ２）の２方向にラビングが行われるようにしている。
【０２５７】
図１にラビング領域の分割のようすを示しており、図１に示す領域５０１と領域５０２は、それぞれ異なるラビング方向（ＲＤＲ１、ＲＤＲ２）にラビングされれる。
【０２５８】
図１９は、本発明の実施の形態における下部配向膜（ＯＲＩ１）のラビング処理方法を示す図である。
【０２５９】
図１９に示すように、１画素内で液晶層（ＬＣ）の液晶分子に２方向の初期配向方向を付与すために、下部配向膜（ＯＲＩ１）をＲＤＲ１方向に全面にラビングし、その後ホトレジストプロセスで、レジスト材（ＲＥＳ）を形成しマスキングして、ＲＤＲ２方向に再度ラビングする。
【０２６０】
これにより、レジスト材（ＲＥＳ）でマスクされていない部分は、ＲＤＲ２方向にラビングし直される。
【０２６１】
その後レジスト材（ＲＥＳ）を剥離することで、２方向のラビング処理を施すことができる。
【０２６２】
両透明ガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）のラビング方向が平行配向になるようにそれぞれの方向に、上部配向膜（ＯＲＩ２）にも図１９のプロセスでラビング処理を施す。
【０２６３】
図２２は、本発明の実施の形態における印加電界方向（ＥＤＲ）、ラビング方向（ＲＤＲ１、ＲＤＲ２）、偏光透過軸（ＭＡＸ１、ＭＡＸ２）の関係を示す図である。
【０２６４】
図２２において、φＬＣ１及びφＬＣ２はそれぞれ領域５０１と５０２での印加電界方向（ＥＤＲ）とラビング方向（ＲＤＲ１、ＲＤＲ２）のなす角度を示している。
【０２６５】
本発明の実施の形態では、φＬＣ１を７５度、φＬＣ２を１０５度とした。
【０２６６】
なお、ラビング方向（ＲＤＲ１、ＲＤＲ２）と印加電界方向（ＥＤＲ）とのなす角度は、液晶材料の誘電率異方性Δεが正であれば、４５℃以上９０℃未満または、９０°を超え１３５°以下、誘電率異方性Δεが負であれば、液晶分子が電界方向に直交する方向に回転するので、０°を超え４５°以下または１４５℃以上１８０℃未満でなければならない。
【０２６７】
したがって、本発明の実施の形態で、誘電率異方性Δεが負の液晶の場合は、φＬＣ１が１６５（−１５°）、φＬＣ２が１５度にする。
【０２６８】
《偏光板》
図２２に示すように、偏光板（ＰＯＬ）としては、下側の偏光板（ＰＯＬ１）の偏光透過軸（ＭＡＸ１）と印加電界方向（ＥＤＲ）となす角φＰ１＝９０°とし、上側の偏向板（ＰＯＬ２）の偏光透過軸（ＭＡＸ２）を、それに直交、即ちφＰ２＝０°（１８０°）に設定する。
【０２６９】
これにより、領域５０１，５０２において、本発明の実施の形態の画素に印加される電圧（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電圧）を増加させるに伴い、透過率が上昇するノーマリクローズ特性を得ることができる。
【０２７０】
［比較例１］
本比較例の液晶表示装置は、φＬＣ１＝φＬＣ＝７５度の１方向のみであり、φＰ１＝φＬＣ１＝φＬＣ＝７５°、φＰ２＝φＰ１±９０°＝１６５°（−１５°）であることを除けば、発明の実施の形態１と同一である。
【０２７１】
図２０は、本発明の実施の形態の液晶表示装置、および、比較例の液晶表示装置を駆動した際の、白色表示色調の角度依存特性を示すグラフである。
【０２７２】
図２０（ａ）は比較例の場合であり、図２０（ｂ）は本発明の実施の形態の場合である。
【０２７３】
ｘ座標、ｙ座標はそれぞれＣＩＥ１９３１ＸＹ座標系にもとづく色度座標である。
【０２７４】
本図中にはＸ座標、ｙ座標それぞれ４本の曲線が引かれている。
【０２７５】
これは、図２３に定義した視角での４方向での測定値であり、その４方向はθ＝０度、４０度、９０度、１５０度である。またθはパネル周方向の角度を示し、φはパネル垂直方向からの角度をそれぞれ示す。
【０２７６】
図２０（ａ）に示す比較例の結果では、白色色調が視角により大きく異なることが分かる。
【０２７７】
一方、図２０（ｂ）に示す本発明の実施の形態では、白色色調はほとんど変化していない。
【０２７８】
これは、２つのラビング領域での液晶分子の回転角度は、電界印加方向の法線方向（９０°）に対し、対称となるため、互いに着色を打ち消し合う効果があり、白色色調が一定である角度範囲をさらに拡大することができるためである。
【０２７９】
したがって、本発明の実施の形態によれば、全周方向でφが５０度までの範囲で完全な色調不変を実現できることが分かる。
【０２８０】
これを、半球状のグラフに示したのが、図２１である。
【０２８１】
図２１（ａ）は比較例の場合であり、図２１は（ｂ）は本発明の実施の形態の場合であり、共に白色色調の分布を示す。
【０２８２】
なお、図２１中に、色調ずれ１階調という表示があるが、これは、色調のずれを判定する便宜的尺度として本発明の実施の形態では用いており、白色色調のＸ、Ｙ座標が正面白色色調から＋０．０２以上ずれた場合を色調ずれ１階調（黄変）、−０．０２以上ずれた場合を色調ずれ１階調（青変）として定義している。
【０２８３】
比較例では、１５０度をほぼ中心とする方向で白色が青みを帯び、また４５度をほぼ中心とする方向で黄みを帯びてしまい、白色の色調に視角方向依存性が生じてしまった。
【０２８４】
一方、本発明の実施の形態では、全方位に渡りφが５０度までの範囲では完全に白色色調が均一化でき、視角方向に対する均一性を向上できる。
【０２８５】
また、非階調反転領域は、特性が平均化されて、全方位で非階調反転領域が平均化され、特定の方位で、特性が落ちるという問題が解決される。
【０２８６】
これは、コントラスト比の視角依存性についても同様である。
【０２８７】
比較例では、図２０（ａ）及び図２１（ａ）に示すように、白色色調に方向依存性が生じ、また、階調反転に弱い方位も存在する。
【０２８８】
以上、説明したように、本発明の実施の形態では、色調、階調反転、コントラスト比の視角方向に対する均一性を向上でき、ブラウン管により近い広視野角の液晶表示装置を得ることができる。
【０２８９】
［発明の実施の形態２］
本発明の実施の形態では、φＬＣ１、φＬＣ２、φＰ１、φＰ２を除けば、前記発明の実施の形態１と同一である。
【０２９０】
本発明の実施の形態では、φＬＣ１＝８８．５度、φＬＣ２＝９２．５度とし、また、φＰ１＝９０°、φＰ２＝０°に設定する。
【０２９１】
前記発明の実施の形態１と同様に、これにより、２つのラビング領域での液晶分子の回転角度は、電界印加方向の法線方向に対し、対称となるため、互いに着色を打ち消し合う効果がさらに増大し、白色色調が一定である角度範囲をさらに拡大することができる。
【０２９２】
また、同様に階調反転、コントラスト比についても全方位でより均一に平均化できる。
【０２９３】
さらに、前記発明の実施の形態１では、φＬＣ１、φＬＣ２とφＰ１の成す角度は１５度もあったため、電圧無印加時で黒レベルが十分に沈まず、コントラスト比が４に低下するという問題が生じた。
【０２９４】
これに対し、本発明の実施の形態の構成では、φＬＣ１およびφＬＣ２とφＰの成す角を０°に近くできたため、電圧無印加時の黒レベルが十分に沈み込み、コントラスト比を改善することができ、本発明の実施の形態では１００を達成できた。
【０２９５】
以上、説明したように、本発明の実施の形態では、前記発明の実施の形態１の効果に加え、コントラスト比１００以上と大幅なコントラスト比の向上させることが可能となる。
【０２９６】
視覚的にコントラスト比が１００未満であると、コントラスト比の低下にともない画質の劣化を感じるが、１００以上ではコントラスト比が向上しても画質の向上を認識し難い。
【０２９７】
したがって、コントラスト比１００を超えることは、画質上重要な境界である。
【０２９８】
本発明の実施の形態では、φＬＣ１＝８８．５度、φＬＣ２＝９２．５度としたが、それぞれより９０°に近ければ、さらにコントラスト比を向上させることができる。
【０２９９】
また、本発明の実施の形態で、誘電率異方性Δεが負の液晶の場合は、φＬＣ１が１７７．５°（−２．５°）、φＬＣ２が２．５°にする。
【０３００】
［発明の実施の形態３］
本発明の実施の形態では、φＰ１、φＰ２を除けば、前記発明の実施の形態１と同一である。
【０３０１】
本発明の実施の形態では、φＬＣ１＝４５度、φＬＣ２＝１３５度とし、かつφＰ１＝９０度、φＰ２＝０度とした。
【０３０２】
これにより、２つのラビング方向φＬＣ１及びφＬＣ２は、いずれも一方の偏向板と４５度の角度をなし、電圧無印加時に最大透過率を示す。
【０３０３】
また、電圧印加時には、それぞれの領域の液晶分子の長軸（光軸）は印加電圧方向に４５度、−４５度回転し、φＰ２と一致し黒表示を得る。
【０３０４】
即ち、電圧印加に伴って、透過率が減少するノーマリホワイトの特性を得ることができる。
【０３０５】
本発明の実施の形態では、ノーマリホワイトの特性でも、印加電界方向（ＥＤＲ）に最終的に電極間の全て領域の液晶分子が整列し、液晶分子の光軸が一方の偏光板の偏光透過軸と完全に一致させることができるため、良好な黒レベルの表示が行え、コントラスト比が前記発明の実施の形態２と同レベルまたはそれ以上になる。
【０３０６】
この結果、本発明の実施の形態では、コントラスト比が前記発明の実施の形態２の同等の１２０を得ることができた。
【０３０７】
また、本発明の実施の形態では、電界印加時に液晶分子の配列が１方向（０°）の方向にそろうため、着色の問題が生じるが、光をほとんど透過しない黒レベルの着色であるため、ほとんど着色を感じることは無い。
【０３０８】
以上、説明したように、本発明の実施の形態では、ノーマリホワイトの特性で、前記発明の実施の形態２と同等の効果を得ることができる。
【０３０９】
また、本発明の実施の形態では、電圧無印加時に白表示を行うため、電極間領域で一様な透過率を得ることができるため、より明るい白表示を行うことができる。
【０３１０】
［発明の実施の形態４］
本発明の実施の形態では、以下の構成を除けば前記発明の実施の形態３と同一である。
【０３１１】
図２４は、本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態４）であるアクティブマトリクス方式のカラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
【０３１２】
本発明の実施の形態は、ラビング方向の異なる２つの領域の配置の仕方のみが図１と相違する。
【０３１３】
図１に示すように、ラビングの境界を設けた場合、境界付近で配向不良領域（ドメイン）が発生するため、コントラスト比の低下と画質の劣化を招く。
【０３１４】
そこで、本発明の実施の形態では、ラビング方向の異なる２つの領域５０１と５０２の境界を、画素電極上に設けた。
【０３１５】
なお、ラビング方向の異なる２つの領域５０１と５０２の境界を、対向電極上に設けてもよい。
【０３１６】
これにより、ドメインが発生する領域を表示には無関係な金属電極上とすることができたため、ドメインによる表示品質の劣化とコントラスト比の低下を防ぐことができた。
【０３１７】
このため、本発明の実施の形態ではコントラスト比２００と、さらに優れた表示品質を得ることができた。
【０３１８】
以上、説明したように、本発明の実施の形態では、前記発明の実施の形態３の効果に加え、極めて広視野角で、色調の視角特性に優れ、２００という高コントラスト比を有し、表示品質にも優れた極めて高画質の液晶表示装置を得ることができる。
【０３１９】
また、本発明の実施の形態は、発明の実施の形態１または２と組み合わせることも可能であり、その組み合わせは、本発明の範疇である。
【０３２０】
［発明の実施の形態５］
本発明の実施の形態では、以下の構成を除けば発明の実施の形態１と同一である。
【０３２１】
前記各発明の実施の形態では、上部配向膜（ＯＲＩ１）および下部配向膜（ＯＲＩ２）の両方に、ラビング処理を施すことにより、液晶分子の初期配向方向（φＬＣ１、φＬＣ２）を制御した。
【０３２２】
しかし、ラビング処理を２回行うことは、どちらかの領域にはラビングされないようにマスクしなければならないため、マスク用のレジスト材の塗布やはく離などの工程が増え、スループットの低下や直材費の増加を招く。
【０３２３】
したがって、本発明の実施の形態では、ラビング処理が上下配向膜（ＯＲＩ１，ＯＲＩ２）のいずれか一方で良いようにする。
【０３２４】
本発明の実施の形態では、液晶層（ＬＣ）の液晶組成物に右旋回と左旋回のカイラル剤をほぼ５０％の比率で混合させることにより、液晶分子に平行配向の規制力を与えるようにする。
【０３２５】
これにより、片側の配向膜の配向方向が決まれば、もう一方の配向膜の配向方向もおのずと決まる。
【０３２６】
したがって、一方の配向膜にのみラビング処理を行えば良く、マスク用のレジスト材の塗布やはく離などの工程が半分に低減でき、スループットの低下や直材費の増加を抑制できる。
【０３２７】
また、本発明の実施の形態は、前記各発明の実施の形態に適用でき、それぞれの効果を再現できる。
【０３２８】
以上、説明したように、本発明の実施の形態では、発明の実施の形態１の効果に加え、ラビング処理に要するレジスト材の塗布やはく離などの工程が半分に低減でき、スループットの低下や直材費の増加を抑制できる。
【０３２９】
［発明の実施の形態６］
本発明の実施の形態では、以下の構成を除けば前記発明の実施の形態１と同一である。
【０３３０】
前記各発明の実施の形態では、上部配向膜（ＯＲＩ１）あるいは下部配向膜（ＯＲＩ２）のいずれか一方、または、両方にラビング処理を施すことにより、液晶分子の初期配向方向（φＬＣ１、φＬＣ２）を制御するようにしている。
【０３３１】
しかし、ラビング処理を２回行うことは、どちらかの領域にはラビングされないようマスクしなければならないため、マスク用のレジスト材の塗布やはく離などの工程が増え、スループットの低下や直材費の増加を招く。
【０３３２】
したがって、本発明の実施の形態では、ラビング処理を不要にする。
【０３３３】
図２５は、本発明の実施の形態における配向膜（ＯＲＩ）の配向方法を示す図である。
【０３３４】
本発明の実施の形態では、偏光方向の異なる２つの偏光レーザー光（Ｌ１、Ｌ２）を、配向方向を変えたい２つの領域にそれぞれ照射する。
【０３３５】
配向膜（ＯＲＩ）として用いるポリイミド、ポリウレタン等は、その偏光方向にしたがって、液晶分子との界面規制力が変わるため、液晶分子はレーザーの偏光方向に初期配向する。
【０３３６】
したがって、レジスト材を塗布しなくても、１画素内の配向膜（ＯＲＩ）に２方向の配向を行うことが可能である。
【０３３７】
また、本発明の実施の形態は、前記各発明の実施の形態に適用でき、それぞれの効果を再現できる。
【０３３８】
以上、説明したように、本発明の実施の形態では、発明の実施の形態１の効果に加え、ラビング処理に要するレジスト材の塗布やはく離などの工程が削減でき、スループットの低下や直材費の増加を招かない。
【０３３９】
以上、本発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更し得ることは言うまでもない。
【０３４０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
【０３４１】
（１）本発明によれば、横電界方式を採用したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、互いに色調のシフトを相殺して、白色色調の方位による依存性を大幅に低減することが可能となる。
【０３４２】
さらに、階調反転しにくい液晶分子の短軸方向と、階調反転しやすい液晶分子の長軸方向との特性が平均され、階調反転に弱い方向での非階調反転視野角を拡大することが可能となる。
【０３４３】
これにより、全方位における視野角の範囲を向上させ、かつ、階調の均一性および色調の均一性が全方位で平均化または拡大することが可能となる。
【０３４４】
（２）本発明によれば、極めて広視野角で、色調の視角特性に優れ、ブラウン管並の視野角を実現でき、高コントラスト比を有し、表示品質にも優れた極めて高画質の液晶表示装置を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一発明の実施の形態（発明の実施の形態１）であるアクティブマトリックス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とその周辺を示す要部平面図である。
【図２】図１の３−３切断線における画素の断面図である。
【図３】図１の４−４切断線における薄膜トランジスタ素子ＴＦＴの断面図である。
【図４】図１の５−５切断線における蓄積容量Ｃｓｔｇの断面図である。
【図５】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表示パネル（ＰＮＬ）のマトリクス周辺部の構成を説明するための平面図である。
【図６】発明の実施の形態１の液晶表示装置における左側に走査信号端子、右側に外部接続端子のないパネル縁部分を示す断面図である。
【図７】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表示マトリクス部（ＡＲ）の走査信号線（ＧＬ）からその外部接続端子であるゲート端子（ＧＴＭ）までの接続構造を示す図である。
【図８】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表示マトリクス部（ＡＲ）の映像信号線（ＤＬ）からその外部接続端子であるドレイン端子（ＤＴＭ）までの接続を示す図である。
【図９】発明の実施の形態１の液晶表示装置における対向電圧信号線（ＣＬ）からその外部接続端子である対向電極端子（ＣＴＭ）までの接続を示す図である。
【図１０】発明の実施の形態１の液晶表示装置における表示マトリクス部（ＡＲ）の等化回路とその周辺回路を示す図である。
【図１１】発明の実施の形態１の液晶表示装置における駆動時の駆動波形を示す図である。
【図１２】発明の実施の形態１の液晶表示装置における下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
【図１３】発明の実施の形態１の液晶表示装置における下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
【図１４】発明の実施の形態１の液晶表示装置における下部透明ガラス基板（ＳＵＢ１）側の工程Ｇ〜Ｈの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
【図１５】発明の実施の形態１における液晶表示パネル（ＰＮＬ）に周辺の駆動回路を実装した状態を示す平面図である。
【図１６】発明の実施の形態１の液晶表示装置における駆動回路を構成する集積回路チップ（ＣＨＩ）がフレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）の断面構造を示す断面図である。
【図１７】発明の実施の形態１の液晶表示装置におけるテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）を液晶表示パネル（ＰＮＬ）の走査信号回路用端子（ＧＴＭ）に接続した状態を示す要部断面図である。
【図１８】発明の実施の形態１の液晶表示装置における液晶表示モジュールの分解斜視図である。
【図１９】発明の実施の形態１における下部配向膜（ＯＲＩ１）のラビング処理方法を示す図である。
【図２０】発明の実施の形態１の液晶表示装置、および、比較例の液晶表示装置における、白色表示色調の角度依存特性を示すグラフである。
【図２１】発明の実施の形態１の液晶表示装置、および、比較例の液晶表示装置における、視野方向よる全方位の白色色調の均一領域を示すグラフである。
【図２２】発明の実施の形態１における印加電界方向（ＥＤＲ）、ラビング方向（ＲＤＲ１、ＲＤＲ２）、偏光透過軸（ＭＡＸ１、ＭＡＸ２）の関係を示す図である。
【図２３】発明の実施の形態１における視角の定義を示す図である。
【図２４】本発明の他の発明の実施の形態（発明の実施の形態４）であるアクティブマトリックス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とその周辺を示す要部平面図である。
【図２５】発明の実施の形態６における配向膜（ＯＲＩ）の配向方法を示す図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ…透明ガラス基板、ＧＬ…走査信号線、ＤＬ…映像信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＧＩ…絶縁膜、ＧＴ…ゲート電極、ＡＳ…ｉ型半導体層、ＳＤ…ソース電極またはドレイン電極、ＰＯＬ…偏光板、ＯＲＩ…配向膜、ＯＣ…オーバーコート膜、ＰＳＶ…保護膜、ＢＭ…遮光膜、ＦＩＬ…カラーフィルタ、ＬＣ…液晶層、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ｇ，ｄ…導電膜、Ｃｓｔｇ…蓄積容量、ＡＯＦ…陽極酸化膜、ＡＯ…陽極酸化マスク、ＧＴＭ…ゲート端子、ＤＴＭ…ドレイン端子、ＣＢ…共通バスライン、ＣＴＭ…対向電極端子、ＳＨＤ…シールドケース、ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＳＰＢ…光拡散板、ＬＣＢ…導光体、ＢＬ…バックライト蛍光管、ＬＣＡ…バックライトケース、ＲＭ…反射板、ＲＥＳ…レジスト材、ＭＡＳ…ホトマスク、Ｌ…偏光レーザー光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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