(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性基板と、
前記圧電性基板上に形成されており、表面波伝搬方向に沿って配置された入力側インターデジタルトランスデューサ及び出力側インターデジタルトランスデューサと、
前記入力側インターデジタルトランスデューサ及び出力側インターデジタルトランスデューサのうち一方の表面波伝搬方向外側に配置された反射器とを備え、該反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサが重み付けされている、トランスバーサル型弾性表面波フィルタであって、
前記反射器に隣接するインターデジタルトランスデューサを表面波が通過する際及び反射器で反射された表面波が該インターデジタルトランスデューサを通過する際に、それぞれ、表面波が第１，第２の電気信号に変換され、かつ第１の電気信号と第２の電気信号との位相差が生じないように、反射器と該反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサとの間隔が設定されており、
前記反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサの励振強度の最も強い部分が反射器側に位置するように該インターデジタルトランスデューサが重み付けされていることを特徴とする、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
前記反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサを、反射器側から第１，第２のグループに該インターデジタルトランスデューサの表面波伝搬方向中央において分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値が、第２のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
前記反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサを、反射器側から順に第１〜第３のグループに分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度積算値が、第１のグループが正規型のインターデジタルトランスデューサで構成された場合の電極指対の励振強度積算値の８０％以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項４】
反射器の表面波伝搬方向に沿う寸法が、反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサの表面波伝搬方向の寸法よりも短くされている、請求項１〜３のいずれかに記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項５】
前記反射器のフィルタ中心周波数における反射率がほぼ１００％である、請求項１〜４のいずれかに記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項６】
重み付けが施されているインターデジタルトランスデューサの１周期の長さをλとし、該インターデジタルトランスデューサと反射器との間隔Ｌが、（ｎ／２−１／８）λ±０．０４λ（ｎは自然数）の範囲にある、請求項１〜５のいずれかに記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項７】
重み付けが施されている前記インターデジタルトランスデューサとは反対側のインターデジタルトランスデューサの表面波伝搬方向外側に配置された反射器をさらに備える、請求項１〜６のいずれかに記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項８】
圧電性基板と、
前記圧電性基板上に形成されており、表面波伝搬方向に沿って配置された入力側インターデジタルトランスデューサ及び出力側インターデジタルトランスデューサとを備えるトランスバーサル型弾性表面波フィルタであって、
前記入力側インターデジタルトランスデューサ及び出力側インターデジタルトランスデューサの一方の表面波伝搬方向外側の圧電性基板の端面が反射端面を構成しており、該反射端面に隣接するインターデジタルトランスデューサが重み付けされており、
該重み付けされている前記インターデジタルトランスデューサを表面波が通過する際、及び反射端面で反射された表面波が該インターデジタルトランスデューサを通過する際に、それぞれ、表面波が第１，第２の電気信号に変換され、かつ第１の電気信号と第２の電気信号との位相差が生じないように、反射端面と該反射端面に隣接しているインターデジタルトランスデューサとの間隔が設定されており、
前記反射端面に隣接しているインターデジタルトランスデューサの励振強度の最も強い部分が、前記反射端面側に位置するように該インターデジタルトランスデューサが重み付けされていることを特徴とする、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項９】
前記反射端面に隣接しているインターデジタルトランスデューサを、該インターデジタルトランスデューサの表面波伝搬方向中央において、反射端面側から第１，第２のグループに分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値が、第２のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値よりも大きいことを特徴とする、請求項８に記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項１０】
前記反射端面に隣接しているインターデジタルトランスデューサを、表面波伝搬方向に沿って、反射端面側から第１〜第３のグループに分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度積算値が、第１のグループが正規型のインターデジタルトランスデューサで構成された場合の励振強度積算値の８０％以上であることを特徴とする、請求項８または９に記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項１１】
重み付けが施されているインターデジタルトランスデューサと、前記反射端面との間の間隔Ｌが、ｎλ／２±０．０４λ（ｎは０または自然数）の範囲にある、請求項８〜１０のいずれかに記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項１２】
重み付けが施されている前記インターデジタルトランスデューサが、スプリット電極を有する、請求項１〜１１のいずれかに記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項１３】
重み付けが施されている前記インターデジタルトランスデューサの電極指の全てがスプリット電極である、請求項１２に記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項１４】
重み付けが施されている前記インターデジタルトランスデューサ内に、表面波を機械的に反射させる電極をさらに備えることを特徴とする、請求項１２に記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載のトランスバーサル型弾性表面波フィルタを帯域フィルタとして有することを特徴とする通信機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランスバーサル型弾性表面波フィルタに関し、特に、入力側インターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴ）または出力側ＩＤＴの表面波伝搬方向外側の少なくとも一方に反射器または反射端面が構成されているトランスバーサル型弾性表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機などの帯域フィルタとして、弾性表面波フィルタが幅広く用いられている。中でも、ＩＦ段に用いられる帯域フィルタとして、トランスバーサル型弾性表面波フィルタが知られている。
【０００３】
トランスバーサル型弾性表面波フィルタは、群遅延時間偏差が平坦であり、通過帯域近傍の減衰量が十分であるという特徴を有する。従って、トランスバーサル型弾性表面波フィルタはＩＦフィルタとして適している。また、近年、ＣＤＭＡ方式の携帯電話におけるＩＦフィルタでは、広帯域の特性が要求されるが、このような広帯域の特性にもトランスバーサル型弾性表面波フィルタは容易に対応することができる。
【０００４】
しかしながら、トランスバーサル型弾性表面波フィルタでは、挿入損失が大きく、かつ素子サイズが大きくならざるを得なかった。
そこで、従来より、挿入損失の低減及び小型化を図るために種々の試みがなされている（例えば、特開平１１−１８６８６５号公報あるいは特公平７−３６５０１号公報など）。
【０００５】
図１２は、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの一例を示す模式的平面図である。ここでは、圧電基板（図示せず）に、入力側ＩＤＴ１０１と出力側ＩＤＴ１０２とが表面波伝搬方向に沿って配置されている。入力側ＩＤＴ１０１には、所望の特性が得られるように間引き重み付けが施されており、かつ挿入損失を低減するために一方向性電極１０３が内部に構成されている。
【０００６】
他方、図１３は、従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの他の例を示す平面図であり、特開平１１−１８６８６５号公報に開示されている構造を示す。このトランスバーサル型弾性表面波フィルタ２０１では、圧電基板２０２上に、入力側ＩＤＴ２０３、出力側ＩＤＴ２０４及び反射器２０５が表面波伝搬方向に沿って配置されている。また、入力側ＩＤＴ２０３、出力側ＩＤＴ２０４及び反射器２０５が配置されている構造と並んで同様に表面波伝搬方向に沿って入力側ＩＤＴ２０６、出力側ＩＤＴ２０７及び反射器２０８が構成されている。ＩＤＴ２０６，２０７の極性はＩＤＴ２０３，２０４の極性に対して反転されている。
【０００７】
入力側ＩＤＴ２０３，２０６は共通接続されており、入力端子ＩＮに接続されている。また、出力側ＩＤＴ２０４，２０７も共通接続されて出力端子ＯＵＴに接続されている。
【０００８】
入力側ＩＤＴ２０３，２０６と出力側ＩＤＴ２０４，２０７は、それぞれ、間隔Ｗ１，Ｗ３だけ隔てられており、Ｗ１＝Ｗ３である。
なお、出力側ＩＤＴ２０４と反射器２０５との間の表面波伝搬方向に沿う間隔Ｗ２は、出力側ＩＤＴ２０７と反射器２０８との表面波伝搬方向に沿う間隔Ｗ４と異ならされており、Ｗ２−Ｗ４＝λ／４とされている（なお、λは表面波の波長を示す）。
【０００９】
トランスバーサル型弾性表面波フィルタ２０１では、入力側ＩＤＴ２０３，２０６に電気信号が入力され、表面波に変換される。これらの表面波は、それぞれ、出力側ＩＤＴ２０４，２０７に向かって伝搬するが、出力側ＩＤＴ２０４，２０７では電気信号に変換されず通過するように、出力側ＩＤＴ２０４，２０７が構成されている。そして、出力側ＩＤＴ２０４，２０７を通過した表面波が反射器２０５，２０８で反射され、反射された表面波が出力側ＩＤＴ２０４，２０７で電気信号に変換され、出力が取り出される。この構造では、ＩＤＴ２０３，２０４に対してＩＤＴ２０６，２０７の極性が反転されているが、Ｗ２−Ｗ４＝λ／４とされているので、反射器２０５，２０８で反射された表面波の位相は同じとなり、従って、出力側ＩＤＴ２０４，２０７から、同じ位相の電気信号が取り出される。
【００１０】
図１３に示したトランスバーサル型弾性表面波フィルタ２０１では、入出力側ＩＤＴ２０３，２０４，２０６，２０７の重み付けと、一方向性電極等の反射電極の配置位置によって決まる特性の他に、反射器２０５，２０８による反射特性も利用される。従って、通過帯域近傍の減衰量を拡大し得るとされている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
近年、携帯電話機等の移動体通信機の小型化及び軽量化が進んでいる。従って、使用されるＩＦフィルタでも小型化が要求されている。
【００１２】
しかしながら、図１２に示したトランスバーサル型弾性表面波フィルタでは、通過帯域の帯域幅は主にＩＤＴの対数で決定される。従って、必要な帯域幅を考慮した上で、小型化を図るために、ＩＤＴの電極指の対数を減らすことは困難であった。
【００１３】
さらに、通過帯域近傍における急峻な減衰特性を得るには、入出力側ＩＤＴに十分な重み付けを施す必要があり、その結果、ＩＤＴの電極指の総対数を多くしなければならなかった。従って、図１２に示したトランスバーサル型弾性表面波フィルタでは、素子サイズの小型化が困難であった。
【００１４】
他方、図１３に示したトランスバーサル型弾性表面波フィルタ２０１では、入力側ＩＤＴ２０３，２０６で励振された表面波が、出力側ＩＤＴ２０４，２０７で電気的にキャンセルされてそのまま通過し、反射器２０５，２０８で反射された後に初めて出力側ＩＤＴ２０４，２０７から電気信号に変換されている。しかしながら、表面波が出力側ＩＤＴ２０４，２０７を素通りするためには、出力側ＩＤＴ２０４，２０７において機械的反射があってはならない。従って、出力側ＩＤＴ２０４，２０７を、機械的反射のないスプリット電極のみから構成する必要があった。
【００１５】
しかしながら、出力側ＩＤＴ２０４，２０７で電気信号として取り出される表面波は、反射器２０５，２０８で反射された表面波だけである。すなわち、片側からの入射波だけであるため、トランスバーサル型弾性表面波フィルタ特有の双方向性損失３ｄＢが生じ、挿入損失の低減を図ることができない。
【００１６】
また、通過帯域近傍の減衰量を十分な大きさとするには、反射器２０５，２０８の反射特性を考慮するだけでは不十分であり、やはり、図１２に示したトランスバーサル型弾性表面波フィルタの場合と同様に、弾性表面波フィルタ２０１においても、入出力ＩＤＴ２０３，２０４，２０５，２０６の電極指の対数を増加させねばならなかった。従って、挿入損失が大きく、また素子サイズの小型化が難しかった。
【００１７】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、通過帯域内における挿入損失を低減することができ、通過帯域近傍における減衰量が十分であり、小型化を図ることができるトランスバーサル型の弾性表面波フィルタを提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本願の第１の発明は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されており、表面波伝搬方向に沿って配置された入力側インターデジタルトランスデューサ及び出力側インターデジタルトランスデューサと、前記入力側インターデジタルトランスデューサ及び出力側インターデジタルトランスデューサのうち一方の表面波伝搬方向外側に配置された反射器とを備え、該反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサが重み付けされている、トランスバーサル型弾性表面波フィルタであって、前記反射器に隣接するインターデジタルトランスデューサを表面波が通過する際及び反射器で反射された表面波が該インターデジタルトランスデューサを通過する際に、それぞれ、表面波が第１，第２の電気信号に変換され、かつ第１の電気信号と第２の電気信号との位相差が生じないように、反射器と該反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサとの間隔が設定されており、前記反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサの励振強度の最も強い部分が反射器側に位置するように該インターデジタルトランスデューサが重み付けされていることを特徴とする。
【００１９】
第１の発明の特定の局面では、前記反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサを、反射器側から第１，第２のグループに該インターデジタルトランスデューサの表面波伝搬方向中央において分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値が、第２のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値よりも大きくされている。
【００２０】
第１の発明の他の特定の局面では、前記反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサを、反射器側から順に第１〜第３のグループに分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度積算値が、第１のグループが正規型のインターデジタルトランスデューサで構成された場合の電極指対の励振強度積算値の８０％以上とされている。
【００２１】
第１の発明の別の特定の局面では、反射器の表面波伝搬方向に沿う寸法が、反射器に隣接しているインターデジタルトランスデューサの表面波伝搬方向の寸法よりも短くされている。
【００２２】
また、第１の発明のさらに別の特定の局面では、前記反射器のフィルタ中心周波数における反射率がほぼ１００％とされている。
第１の発明のさらに別の特定の局面によれば、重み付けが施されているインターデジタルトランスデューサの１周期の長さをλとし、該インターデジタルトランスデューサと反射器との間隔Ｌが、（ｎ／２−１／８）λ±０．０４λ（ｎは自然数）の範囲とされている。
【００２３】
第１の発明に係るトランスバーサル型弾性表面波フィルタのさらに別の特定の局面では、重み付けが施されている前記インターデジタルトランスデューサとは反対側のインターデジタルトランスデューサの表面波伝搬方向に配置された反射器がさらに備えられる。
【００２４】
本願の第２の発明は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されており、表面波伝搬方向に沿って配置された入力側インターデジタルトランスデューサ及び出力側インターデジタルトランスデューサとを備えるトランスバーサル型弾性表面波フィルタであって、前記入力側インターデジタルトランスデューサ及び出力側インターデジタルトランスデューサの一方の表面波伝搬方向外側の圧電性基板の端面が反射端面を構成しており、該反射端面に隣接するインターデジタルトランスデューサが重み付けされており、該重み付けされている前記インターデジタルトランスデューサを表面波が通過する際、及び反射端面で反射された表面波が該インターデジタルトランスデューサを通過する際に、それぞれ、表面波が第１，第２の電気信号に変換され、かつ第１の電気信号と第２の電気信号との位相差が生じないように、反射端面と該反射端面に隣接しているインターデジタルトランスデューサとの間隔が設定されており、前記反射端面に隣接しているインターデジタルトランスデューサの励振強度の最も強い部分が、前記反射端面側に位置するように該インターデジタルトランスデューサが重み付けされていることを特徴とする。
【００２５】
第２の発明の特定の局面では、前記反射端面に隣接しているインターデジタルトランスデューサを、反射端面側から第１，第２のグループに該インターデジタルトランスデューサの表面波伝搬方向中央において分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値が、第２のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値よりも大きくされている。
【００２６】
第２の発明の別の特定の局面では、前記反射端面に隣接しているインターデジタルトランスデューサを、表面波伝搬方向に沿って、反射端面側から第１〜第３のグループに分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度積算値が、第１のグループが正規型のインターデジタルトランスデューサで構成された場合の励振強度積算値の８０％以上とされている。
【００２７】
第２の発明のさらに別の特定の局面では、重み付けが施されているインターデジタルトランスデューサと、前記反射端面との間の間隔Ｌが、ｎλ／２±０．０４λ（ｎは０または自然数）の範囲とされている。
【００２８】
本発明（第１，第２の発明）の別の特定の局面では、重み付けが施されているインターデジタルトランスデューサがスプリット電極を有し、また、より限定された局面によれば、重み付けが施されているインターデジタルトランスデューサの電極指の全てがスプリット電極である。
【００２９】
本発明に係るさらに別の特定の局面によれば、上記スプリット電極を有するインターデジタルトランスデューサ内に、表面波を機械的に反射させる電極がさらに備えられる。
【００３０】
本発明のさらに他の特定の局面によれば、本発明に従って構成されたトランスバーサル型弾性表面波フィルタを帯域フィルタとして有する通信機が提供される。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３２】
図１は、本発明の第１の実施例に係るトランスバーサル型弾性表面波フィルタを示す平面図である。弾性表面波フィルタ１は、矩形板状の圧電性基板２を有する。圧電性基板２を構成する材料については特に限定されないが、例えば、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7 などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスを用いることができる。また、圧電性基板２は、アルミナなどの絶縁性基板上に、ＺｎＯ薄膜などの圧電薄膜を形成したものであってもよい。
【００３３】
本実施例では、圧電性基板２は、４５°ＸカットＺ伝搬のＬｉ2Ｂ4Ｏ7 により構成されている。
圧電性基板２の上面には、Ａｌにより、図示の電極構造が形成されている。この電極構造は、入力側ＩＤＴ３と、出力側ＩＤＴ４と、反射器５とを有する。入力側ＩＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４は、表面波伝搬方向に沿って配置されており、出力側ＩＤＴ４の表面波伝搬方向外側に反射器５が配置されている。
【００３４】
ＩＤＴ３，４は、それぞれ、複数本の電極指を有し、かつ後述するようにそれぞれ間引き重み付け法により重み付けが施されている。なお、ＩＤＴ３，４の重み付けは、アポダイズ法などの他の方法により行なわれていてもよい。
【００３５】
反射器５は、複数本の電極指の両端が短絡されているグレーティング反射器である。
入力側ＩＤＴ３は、公知の方法に従って構成された一方向性ＩＤＴである。もっとも、一方向性が完全ではないため、入力側ＩＤＴ３の表面波伝搬方向外側には、吸音材６が配置されている。吸音材６は、本実施例では、シリコーン樹脂を塗布することにより構成されているが、吸音材６を構成する材料は、特に限定されるものではない。
【００３６】
なお、ＩＤＴ３が入力側ＩＤＴであり、ＩＤＴ４が出力側ＩＤＴとされているが、これらは逆に用いられてもよい。すなわち、ＩＤＴ３が出力側、ＩＤＴ４が入力側とされていてもよい。
【００３７】
本実施例では、弾性表面波フィルタ１の中心周波数が３８０ＭＨｚとなるように設計されており、ＩＤＴ３，４及び反射器５の電極指は図１では簡略化されているが、実際には、入力側ＩＤＴ３の電極指の対数は２３０対、出力側ＩＤＴ４の電極指の対数は９０対、反射器５の電極の本数は６０本とされている。
【００３８】
入力側ＩＤＴ３は、幅の異なる電極３ａ，３ｂを有する一方向性電極を用いて構成されている。もっとも、同じ幅の２本の電極により１つの電極指が構成されている、いわゆるスプリット電極を、上記一方向性電極と組み合わせて配置してもよい。また、一方向性電極の構造については、図１に示したものに限定されず、他の構造のものを用いてもよい。
【００３９】
他方、出力側ＩＤＴ４は、図１に示すように、機械的反射を起こさない、スプリット電極を用いて構成されている。すなわち、ＩＤＴ４は、２本の等しい幅の電極４ａ，４ｂからなる電極指、すなわちスプリット電極を用いて構成されている。
【００４０】
なお、ＩＤＴ４では、電極指は全てスプリット電極を用いて構成されているが、本発明においては、反射器５に隣接するＩＤＴ４の電極指の全てがスプリット電極で構成される必要はない。すなわち、ＩＤＴ４内に、多少の機械的反射を有するスプリット電極ではない電極指、すなわち単一の電極からなる電極指が部分的に配置されていてもよい。
【００４１】
ＩＤＴ３，４には、所望のインパルス強度分布を有するように間引き重み付けが施されている。図２（ａ）及び（ｂ）は、入力側ＩＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４の重み付けを説明するための図であり、図２（ａ）及び（ｂ）の横軸は、表面波伝搬方向に沿った位置を示し、縦軸はＩＤＴ３，４における各電極指対の励振強度を示す。
【００４２】
図２（ａ）から明らかなように、入力側ＩＤＴ３では、励振強度分布はｓｉｎＸ／Ｘ（但し、Ｘ＝−２．５π〜２．５π）に近く、ＩＤＴ３の表面波伝搬方向中央の両側で励振強度分布が対称となるように重み付けが施されている。他方、出力側ＩＤＴ４の励振強度分布は、ｓｉｎＸ／Ｘ（但し、Ｘ＝−１．５π〜０）に近い分布となっている。従って、出力側ＩＤＴ４の重み付け、すなわち励振強度分布は、入力側ＩＤＴ３の励振強度分布の表面波伝搬方向中心から片側の励振強度分布に近い分布となるように重み付けが施されている。
【００４３】
なお、図２（ａ）及び（ｂ）において、横軸は各電極指対の位置に対応しており、例えば入力側ＩＤＴ３を例にとった場合、−２．５πから２．５πまでの範囲にＩＤＴ３の電極指対の位置が等間隔に割り当てられている。縦軸は、各電極指対における励振強度を示し、但し、正規型ＩＤＴの場合の各電極指対の励振強度で規格化した値を示す。
【００４４】
なお、正規型のＩＤＴでは、プラスのインパルス及びマイナスのインパルスが交互に発生するが、図２（ａ），（ｂ）では、いずれもプラスのインパルスとして強度を示している。従って、図２（ａ）及び（ｂ）における強度が負の部分は、受信信号（または送信信号）の位相が反転していることを示す。図２（ａ）及び（ｂ）に示した分布を実際のＩＤＴで実現するには、励振強度の強弱を間引きの割合で調整すればよく、励振強度が負の領域については、ＩＤＴ内の電極指の極性を反転させて位相反転することにより構成することができる。
【００４５】
本実施例の弾性表面波フィルタ１では、入力側ＩＤＴ３に入力信号が印加されると、表面波が励振される。ＩＤＴ３は、一方向性電極からなるため、ほとんどの表面波が、出力側ＩＤＴ４側に向かって伝搬し、出力側ＩＤＴ４を通過する際に、伝搬してきた表面波に基づく第１の電気信号が出力側ＩＤＴ４から取り出される。加えて、出力側ＩＤＴ４を通過した表面波は、反射器５で反射され、反射された表面波が、再度出力側ＩＤＴ４に到達し、該反射された表面波に基づく第２の電気信号も、出力側ＩＤＴ４で取り出される。
【００４６】
すなわち、出力側ＩＤＴ４により、第１，第２の電気信号が取り出される。
上記のように、ＩＤＴ４で電気信号が取り出される際の動作をわかり易くするために、出力側ＩＤＴ４に、入力側ＩＤＴ３のある０．５対の電極指対から入射されるインパルスの１つに注目する。この１つのインパルスの表面波が入力側ＩＤＴ３から、出力側ＩＤＴ４に到達すると、出力側ＩＤＴ４の入力側ＩＤＴ３に近い側から、反射器５側に向かって進行する。ＩＤＴ４を上記インパルスの表面波が通過する時間順に、ＩＤＴ４の重み付けに従って、表面波エネルギーの一部が第１の電気信号として取り出される。このときの電気信号を時間軸で見ると、時間が遅れながら順々に現れるインパルスの強度として、すなわち時間の関数として出力側ＩＤＴ４の重み付けが再現される。
【００４７】
さらに、出力側ＩＤＴ４を通過した上記インパルスの表面波は、反射器５で反射され、反射器５から出力側ＩＤＴ４に向かって進行する。この場合、上記と同様に、反射された表面波が出力側ＩＤＴ４の反射器５に近い側の電極から反射器５に遠い側の電極に向かって伝搬していき、各電極を通過する時間毎にその重み付けに従って反射された表面波のエネルギーが第２の電気信号として取り出される。第２の電気信号を時間軸で見ると、前述した図２（ｂ）に示した励振強度分布に時間的にほとんど遅れずに、かつ時間軸に対して反転された励振強度分布の電気信号として取り出される。
【００４８】
すなわち、図３において、矢印Ａで示すように、上記インパルスが入力側ＩＤＴ３から出力側ＩＤＴ４に向かって伝搬し、出力側ＩＤＴ４を通過する際には、図２（ｂ）に示した重み付けに従って、図３の下方に示す曲線Ｃで示すインパルス強度分布の第１の電気信号が取り出され、反射器５で反射された後の表面波が矢印Ｂで示すように出力側ＩＤＴ４を通過する際に、図３の曲線Ｄで示すインパルス強度分布に対応した第２の電気信号が取り出される。すなわち、出力側ＩＤＴ４の間引き重み付けの励振強度分布は、前述したようにｓｉｎＸ／Ｘ（Ｘ＝−１．５π〜０）であるにもかかわらず、出力側ＩＤＴ４から取り出される第１，第２の電気信号の合計は、電極指の対数が２倍であり、かつｓｉｎＸ／Ｘ（Ｘ＝−１．５π〜１．５π）の重み付けを施したＩＤＴから得られる出力インパルスとほぼ同等となる。
【００４９】
すなわち、反射器５を所定の位置に配置することにより、上記反射された表面波に基づく第２の電気信号を利用することができ、それによって出力側ＩＤＴ４から、２倍の電極指の対数のＩＤＴと同等のインパルスを取り出すことができる。本実施例では、上記のように出力側ＩＤＴ４から２倍のインパルスを取り出し得るように、ＩＤＴ４と反射器５との間隔が設定されている。言い換えれば、出力側ＩＤＴ４の反射器５の仮想反射面に対して対称な位置に出力側ＩＤＴ４と同じＩＤＴが存在している場合と同様の特性が得られるように出力側ＩＤＴ４と反射器５との間の間隔が調整されている。
【００５０】
本実施例では、上記出力側ＩＤＴ４が、機械的反射を有しないスプリット電極を用いて構成されているので、入射された表面波が出力側ＩＤＴ４を通過する際に不要な機械的反射が生じない。従って、出力側ＩＤＴを最初に通過する表面波により取り出されるインパルスと、反射器５で反射された表面波により取り出されるインパルスとの対称性が高められ、出力側ＩＤＴ４の設計を容易とすることができる。
【００５１】
また、本実施例では、反射器５は、出力側ＩＤＴ４の表面波伝搬方向外側のみに配置されており、それによって上記のように特性を改善することができるが、入力側ＩＤＴ３の表面波伝搬方向外側に、吸音材６に代えて第２の反射器を配置してもよい。
【００５２】
もっとも、第２の反射器を配置した場合には、反射器５と第２の反射器との間で表面波が閉じ込められ、共振現象が生じ、共振のインパルスに、本来の出力側ＩＤＴ４により取り出されるインパルスの重み付けが埋もれることがある。従って、第２の反射器を設けないことが好ましい。
【００５３】
しかしながら、第２の反射器を設ける場合、フィルタ中心周波数における反射率を約２０％以下となるように第２の反射器を構成すれば、上記共振現象を最小限に抑圧することができ、さらに弱い共振によるインパルス持続時間を積極的に利用して、そのインパルス動作を含めて入力側ＩＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４の重み付けの最適化を図ることにより、通過帯域内における挿入損失を低減することができる。
【００５４】
図４は、上記実施例の弾性表面波フィルタの第１の変形例を示す模式的平面図である。図４では、出力側ＩＤＴ１４と反射器１５とが示されているだけであり、他の部分は省略されている。まず、図４のλを定義する。図４に示されている出力側ＩＤＴ１４の上方に示されているλは、所望とする弾性表面波フィルタの中心周波数に対応する表面波の波長とほぼ一致している。他方、反射器１５の上方に示されているλｒは、反射器１５における電極ピッチの違いによる表面波の音速の違いを補正するために、出力側ＩＤＴ１４のλとは若干長さが異ならされている。
【００５５】
また、反射器１５の電極１本あたりの反射量が十分に大きく、反射器１５によるストップバンド幅が所望の帯域幅よりも十分広い場合には、反射器１５における波長λｒは所望の周波数における反射が十分である範囲で自由に変更することができる。
【００５６】
上記のように、反射器１５の波長λｒは、ある程度自由度を持つ可能性があるため、反射器１５に隣接している出力側ＩＤＴ１４と反射器１５との間の間隔Ｌは、出力側ＩＤＴ１４の波長λを基準に定義することとする。なお、間隔Ｌは、ＩＤＴ１４と反射器１５の電極指間中心距離で表され、反射器１４ではスプリット電極を用いているため、２本の電極１４ａ，１４ｂの間の中心が、電極指の中心となり、該電極１４ａ，１４ｂの中心と、反射器１５の出力側ＩＤＴ１４側の電極指１５ａの中心との間の距離が間隔Ｌとなる。なお、ＩＤＴ１４において、反射器１５に最も近い電極指が、シングル電極からなる場合には、当然のことながら、シングル電極の表面波伝搬方向中心と、反射器１５の電極指１５ａの中心との間の距離が間隔Ｌとなる。図４に示した変形例では、間隔Ｌ＝０．８７５λとされている。
【００５７】
本変形例の弾性表面波フィルタの基本的な動作原理は、上記実施例の弾性表面波フィルタ１と同じである。
図５の実線は、本変形例の弾性表面波フィルタの減衰量周波数特性を示す。また、比較のために、Ｌ＝０．８３５λの場合の減衰量周波数特性を破線で、Ｌ＝０．６２５λの場合の減衰量周波数特性を一点鎖線で示す。
【００５８】
図５から明らかなように、間隔Ｌを異ならせることにより、特性が大きく変化していることがわかる。これは、反射器１５に入射する表面波の位相と、反射した後の表面波の位相の違いが特性に大きく影響することを示している。
【００５９】
すなわち、Ｌ＝０．８７５λの場合に比べて、Ｌ＝０．８３５λの場合には、通過帯域の低域側におけるリップルＤ１の周波数位置が、中心周波数側に変動し、帯域幅が狭くなっていることがわかる。また、Ｌ＝０．６２５λの場合には、中心周波数において、大きなリップルＥの発生していることがわかる。
【００６０】
上記間隔Ｌによる特性の変化を、より詳細に調べた。結果を図６に示す。図６の横軸は、間隔Ｌを示し、縦軸は、通過帯域内におけるリップルの極の周波数位置がプロットされている。図６から明らかなように、間隔Ｌによる通過帯域内リップルの位置は、０．５λの範囲内で変化し、かつ周期性を有する。また、帯域内リップルが中心周波数（３８０ＭＨｚ）に来る場合の間隔Ｌは、ｎを自然数として（ｎ／２＋１／８）λであることがわかる。また、逆に、リップルが通過帯域内から最も離れる場合のＬは、（ｎ／２−１／８）λであることがわかる。
【００６１】
従って、フィルタの中心周波数における反射器１５への入射波と反射波との位相は、Ｌ＝（ｎ／２−１／８）λのときに一致していることがわかる。
図５及び図６から、Ｌ＝０．８７５λ、すなわち、Ｌ＝（２／２−１／８）λの場合にも、帯域のごく近傍にリップルの存在していることがわかる。これは、中心周波数において、反射器１５への入射波と反射波の位相が一致していたとしても、リップルのある周波数の表面波にとっては、位相反転部が多く存在し、表面波の打ち消し合いが多くなっていることを示している。
【００６２】
上記のように、間隔Ｌを（ｎ／２−１／８）λとすると、リップルが最も帯域内から離れる。このとき図５でＬ＝０．８７５λの特性（実線）とＬ＝０．６２５λの特性（一点鎖線）を比べると、Ｌ＝０．８７５λの特性（実線）ではリップルによって狭帯域化されていることがわかる。通常、トランスバーサル型フィルタで帯域を狭帯域にするためには対数を増やす必要があるが、本発明によればＬの値の最適化により、帯域内リップルを帯域外にシフトさせて良好な帯域内特性を得、さらに対数を増やすことなく狭帯域の特性を得ることができる。言い換えれば、より少ない対数で所望の帯域幅を確保でき、かつ通過帯域近傍の減衰量の良い特性を得ることができる。
【００６３】
また、図５及び図６から、Ｌの値を上記の（ｎ／２−１／８）λから±０．０４λずらした場合でも本発明の効果が得られ、実用に耐え得るレベルの特性となることがわかる。具体的には、±０．０４λずらしたときの特性は、通過帯域の端のところであり、またリップル近傍ではＧＤＴが悪化するため、通過帯域内でのＧＤＴの平坦性の要求に対してもこれ以上は帯域内にリップルを近づけるのは好ましくない。
【００６４】
以上のように、実施例１のＳＡＷフィルタを用い、さらに出力ＩＤＴ６１と反射器６２の間隔Ｌを（ｎ／２−１／８）λ±０．０４λとすることで、通過帯域近傍の減衰量に優れ、帯域内リップルがない良好な特性で、かつ小型のフィルタを実現することができる。
【００６５】
なお、本願発明者の実験によれば、上記関係は、前述した実施例及び上記変形例で用いた対数や重み付けのＩＤＴに限定されるものではなく、電極指の対数や、重み付けの方法を変更した場合、また他の圧電性基板を用いた場合にでも同様であることが確かめられている。
【００６６】
反射器１５の位置を表面波伝搬方向において、所定の位置からλ／８ずらし、入射波の位相と反射の位相を合致させる方法は、既に一方向性変換器において利用されている。例えば、特公平７−３６５０１号公報には、梯子型回路構成を有する弾性表面波フィルタにおいて、ＩＤＴの段間の位置に、反射ストリップを配置し、各反射ストリップをＩＤＴからｎλ／２離れた位置から、λ／８だけずらした位置とすることにより、一方向性変換器が実現されている。
【００６７】
この方法で一方向性変換器を構成するには、ＩＤＴ内に反射器を分散配置する必要があり、またＩＤＴの一部を一方向性変換器としたい場合には、その部分に反射器を挿入する必要がある。さらに、反射器を配置した部分よりも表面波伝搬方向外側のＩＤＴを有効に作用させるには、反射器による反射量が大き過ぎてはならない。
【００６８】
他方、本発明では、上記先行技術に記載の一方向性変換器とは異なり、出力側ＩＤＴ４，１４により出力される電気信号の時間軸で見たときのインパルス応答が実際の電極指の対数の２倍の時間長さに伸長され、かつその出力側ＩＤＴ４，１４の重み付けが、反射器内の等価的反射面に対して対称となるように構成されていることにある。すなわち、図３に示したように重み付けを併用することにより、インパルスの時間軸における伸長が２倍とされており、かつ反射面に対して対称なインパルス重み付けも利用することにより、インパルス応答が形成されており、それによって良好な周波数特性が実現されている。
【００６９】
本変形例では、この構造において、上記時間軸で時間的に重ならずに連なっている入射波と反射波のインパルスの位相を、上記間隔Ｌを制御することにより、所望とする周波数で揃えることを特徴とするものである。
【００７０】
図７は、本発明の他の変形例を説明するための図であり、出力側ＩＤＴ４における間引き重み付け分布を表している。第２の変形例では、出力側ＩＤＴ４の重み付け分布が変更されていることを除いては、第１の実施例と同様であるため、図１に示した実施例の構造を参照しつつ、第２の変形例を説明することとする。
【００７１】
図７の横軸は、図２と同様に、出力側ＩＤＴ４における表面波伝搬方向位置を示しており、−１．５πから０の範囲に、出力側ＩＤＴの電極指対の位置が、均等に割り当てられている。縦軸は、励振強度積算値であり、図２の励振分布をｆ（Ｘ）とすると、Ｘの位置における積算値Ｆ（Ｘ）は、
【００７２】
【数１】
0003695353.tif 000002
【００７３】
で表される。
図１の実施例では、出力側ＩＤＴ４の間引き重み付けは、ｓｉｎＸ／Ｘ（但し、Ｘ＝−１．５π〜０）の分布とされていたが、これを重み付けＰとし、このときの励振強度の積算値を図７に実線で示す。第２の変形例では、図２の実施例における重み付けを初期値として用い、間引き重み付けに最適化を施した。最適化は、入力側ＩＤＴ３の重み付けを固定し、出力側ＩＤＴ４についての最適化を施した。最適化の結果は、目標とする特性により変わるが、ここでは、最適化した例として、図７の一点鎖線Ｑ及び破線Ｒで示す重み付けを、重み付けＱ，Ｒとした。
【００７４】
図７から明らかなように、上記最適化により、重み付けは単純なｓｉｎＸ／Ｘなどの関数に従うのではなく、所望とする特性により様々に変化することがわかる。
【００７５】
しかしながら、本願発明者が検討したところ、良好な通過帯域内特性を得るには、出力側ＩＤＴ４の反射器５に近い部分で間引き重み付けをほとんど施さない方が良好な特性の得られることがわかった。
【００７６】
検討を行なったｓｉｎＸ／Ｘ（Ｘ＝−１．５π〜０）の重み付けの最適化の結果を図８に示す。図８の横軸は、出力側ＩＤＴ４を表面波伝搬方向において均等に３分割し、反射器５側から第１〜第３のグループとした場合、第１のグループの励振強度積算値を示す。ここでは、正規型のＩＤＴの励振強度積算値に対する割合（％）で、第１のグループの励振強度積算値が表されている。縦軸は、横軸に示されている重み付けにおける通過帯域内の損失及びリップル偏差を示す。図８では、重み付けの最適化を行なう際に、上記励振強度積算値に上限を設けて最適化を実行した場合の結果がプロットされている。図８から明らかなように、第１のグループにおける励振強度積算値が８０％以上の場合に、通過帯域内における損失が小さく、かつリップルの偏差も小さくなっていることがわかる。従って、好ましくは、第１のグループにおける励振強度積算値は正規型ＩＤＴの励振強度積算値の８０％以上とされる。
【００７７】
上記のように、第１のグループの励振強度積算値を相対値で８０％以上とすることにより、帯域内特性が向上されることは、以下の理由によると考えられる。第１の実施例で述べたように、反射器５で反射された後のインパルスにより出力側ＩＤＴ４から取り出される電気信号は事実上２倍となり、かつ重み付けは反射器内の等価的反射面に対して繰り返されているように構成される。励振強度の最も大きな部分を反射器から離れた位置に位置するように重み付けを施すと、出力側ＩＤＴ４により決定されるインパルス列は時間軸で見たとき最も強いピークが２つ並んで現れることになる。このような時間関数をフーリエ変換した場合、平坦な帯域内特性を得ることはできない。励振強度の積算値が小さい程通過帯域内における損失が悪化するのは、リップルの悪化が大きいために帯域内損失を大きくしてでも帯域内リップルを小さくしようとする方に最適化が働いたためである。
【００７８】
しかしながら、このことは、上記積算値が８０％以下では、良好な特性を得るのは不可能であることを意味しない。実際の弾性表面波フィルタでは、入力側ＩＤＴ３においても最適化が可能であり、出力側ＩＤＴ４のインパルスだけを見て良好な帯域内特性を得るのに不十分な特性であっても、入力側ＩＤＴ３の励振重み付けや一方向性電極との組み合わせ方により、入力側ＩＤＴ３側において出力側ＩＤＴ４の不十分な点を補うように設計することができる。
【００７９】
図９は、図１の実施例の弾性表面波フィルタの第３の変形例を説明するための模式的平面図であり、ここでは、出力側ＩＤＴ２４及び反射器２５のみが模式的に示されている。第３の変形例では、反射器２５に隣接している出力側ＩＤＴ２４に、機械的反射を有する電極２４ａ，２４ｂが配置されている。
【００８０】
本変形例の出力側ＩＤＴ２４では、機械的反射を有しないスプリット電極２４ｃ，２４ｄの他に、反射器２５に隣接する部分において機械的反射を有する電極２４ａ，２４ｂが配置されており、それによって反射器２５における反射に際しての前述した等価的反射面の位置を、出力側ＩＤＴ２４側に近づけることができ、弾性表面波フィルタの小型化を図ることができる。
【００８１】
図１０は、本発明の他の実施例としてのトランスバーサル型弾性表面波フィルタを示す平面図であり、本実施例のトランスバーサル型弾性表面波フィルタ３１では、図１に示した実施例と同様に、圧電性基板３２上に、入力側ＩＤＴ３３及び出力側ＩＤＴ３４が形成されている。もっとも、反射器は形成されていない。本実施例では、反射器の代わりに、出力側ＩＤＴ３４の表面波伝搬方向外側の圧電性基板端面が反射端面３２ａを構成している。
【００８２】
すなわち、反射器５に代えて、反射端面３２ａが用いられていることを除いては、本実施例の弾性表面波フィルタ３１は、図１に示した実施例の弾性表面波フィルタ１と同様に構成されている。
【００８３】
図１に示した実施例では、出力側ＩＤＴ４は、反射器５の反射中心を介して対称な位置に仮想のＩＤＴが位置するように、ＩＤＴ４と反射器５との間隔及びＩＤＴ４の重み付けが施されていたが、本実施例では、反射端面３２ａの位置が、該反射器５の反射中心と同じ位置に位置するように構成されている。
【００８４】
本実施例のように、反射器に代えて、反射端面３２ａを用いた場合においても、図１に示した実施例と同様に、ＩＤＴの対数を増加させることなく、通過帯域近傍における十分な減衰量を確保しつつ、挿入損失の低減を図ることができる。しかも、本実施例では、反射器を必要としないため、より一層の小型化を図ることができる。
【００８５】
なお、第２の実施例の弾性表面波フィルタ３１においても、図１に示した実施例の場合と同様に変形することができる。すなわち、反射端面３２ａに隣接しているＩＤＴ３４を、反射端面３２ａ側から該ＩＤＴの表面波伝搬方向中央において第１，第２のグループに分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値が、第２のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値よりも大きいことが好ましく、それによって良好な帯域特性を得ることができる。
【００８６】
また、反射端面３２ａに隣接しているＩＤＴ３４を、反射端面３２ａ側から第１〜第３のグループに分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度積算値が、第１のグループが正規型のＩＤＴで構成された場合の励振強度積算値の８０％以上であることが好ましい。
【００８７】
また、ＩＤＴ３４と反射端面３２ａとの間の間隔Ｌについては、図１に示した実施例の変形例から推測されるように、ｎλ／２±０．０４λ（ｎは０または自然数）の範囲とすることが望ましい。
【００８８】
図１１において、アンテナ１６１に、デュプレクサ１６２が接続されている。デュプレクサ１６２と受信側ミキサ１６３との間に、ＲＦ段を構成する弾性表面波フィルタ１６４及び増幅器１６５が接続されている。さらにミキサ１６３にＩＦ段の弾性表面波フィルタ１６９が接続されている。また、デュプレクサ１６２と送信側のミキサ１６６との間には、ＲＦ段を構成する増幅器１６７及び弾性表面波フィルタ１６８が接続されている。
【００８９】
上記通信機１６０におけるＩＦ段の弾性表面波フィルタ１６９として本発明に従って構成された弾性表面波装置を好適に用いることができる。
【００９０】
【発明の効果】
第１の発明に係る弾性表面波フィルタでは、反射器に隣接するＩＤＴを表面波が通過する際及び反射器で反射された表面波が該ＩＤＴを通過する際に、それぞれ、第１，第２の電気信号に変換され、かつ第１，第２の電気信号に位相差が生じないように、反射器と隣接しているＩＤＴとの間隔が設定されており、反射器に隣接しているＩＤＴの励振強度の最も強い部分が反射器側に位置するように該ＩＤＴが重み付けされているので、帯域外減衰量を確保したまま、反射器に隣接するＩＤＴにより取り出されるインパルスの時間長さを約２倍にすることができ、従って反射器に隣接しているＩＤＴの電極指の対数を１／２程度に減らすことができ、トランスバーサル型弾性表面波フィルタの小型化を図ることができる。
【００９１】
反射器に隣接しているＩＤＴを、反射器側から第１，第２のグループに分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値が、第２のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値よりも大きくされている場合には、通過帯域内のリップルを抑制することができ、良好な帯域特性を得ることができる。
【００９２】
同様に、反射器に隣接しているＩＤＴを、反射器側から順に第１〜第３のグループに分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度積算値が、第１のグループが正規型のＩＤＴで構成されている場合の電極指対の励振強度積算値の８０％以上である場合には、挿入損失の低減及び帯域内リップルの抑圧を図ることができる。
【００９３】
反射器に隣接しているＩＤＴの表面波伝搬方向寸法よりも反射器の表面波伝搬方向に沿う寸法を短くした場合には、反射器の小型化を図ることができ、ひいてはトランスバーサル型弾性表面波フィルタの小型化を図ることができる。
【００９４】
反射器のフィルタ中心周波数における反射率が１００％以上の場合には、帯域内挿入損失の悪化を抑制することができる。
重み付けが施されているＩＤＴがスプリット電極を有する場合、スプリット電極が機械的反射を有しないので、反射器で反射された際の反射前の表面波に基づくインパルスと反射波の表面波によるインパルスの対称性が高められる。
【００９５】
重み付けが施されているＩＤＴの電極指の全てがスプリット電極である場合には、より一層上記インパルスの対称性を高めることができる。
重み付けが施されているＩＤＴと反射器との間隔Ｌが、（ｎ／２−１／８）λ±０．０４λの場合には、通過帯域近傍の減衰量に優れ、かつ帯域内リップルの少ない良好なフィルタ特性を得ることができる。
【００９６】
第２の発明に係るトランスバーサル型弾性表面波フィルタでは、反射端面に隣接するＩＤＴを表面波が通過する際、及び反射端面で反射された表面波が該ＩＤＴを通過する際に、それぞれ第１，第２の電気信号に変換され、第１の電気信号と第２の電気信号との位相差が生じないように、反射端面と上記ＩＤＴとの間隔が設定されており、反射端面に隣接しているＩＤＴの励振強度の最も強い部分が反射端面側に位置するように該ＩＤＴが重み付けされているので、第１の発明と同様に、弾性表面波フィルタの小型化を図ることができる。
【００９７】
第２の発明において、反射端面に隣接しているＩＤＴを、反射端面側から第１，第２のグループに分割した場合に、第１のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値が、第２のグループの電極指対の励振強度の積算値の絶対値よりも大きい場合には、通過帯域内のリップルを抑制することができ、良好な帯域特性を得ることができる。
【００９８】
第２の発明において、反射端面に隣接しているＩＤＴを、反射端面側から第１〜第３のグループに分割した場合、第１のグループの電極指対の励振強度積算値が、第１のグループが正規型ＩＤＴで構成されている場合の励振強度積算値の８０％以上である場合には、通過帯域内の周波数特性を高めることができる。
【００９９】
第２の発明において、重み付けが施されているＩＤＴと、反射端面との間の間隔Ｌが、ｎλ／２±０．０４λの範囲にある場合には、通過帯域近傍の減衰量を高めることができ、帯域内リップルの少ない良好な周波数特性を得ることができる。
【０１００】
第２の発明においては、反射器を必要としないために、より一層の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る弾性表面波フィルタを示す平面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例の入力側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴの重み付けを説明するための図であり、横軸は表面波伝搬方向に沿う位置を、縦軸は励振強度を示す。
【図３】第１の実施例の弾性表面波フィルタにおける出力側ＩＤＴに入射される表面波によるインパルスの変化と、反射器で反射された表面波が出力側ＩＤＴを通過する際に取り出されるインパルス応答の変化を示す図。
【図４】第１の実施例のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの第１の変形例を説明するための模式的平面図。
【図５】図４に示した第１の変形例に係るトランスバーサル型弾性表面波フィルタ、並びに比較のために用意したトランスバーサル型弾性表面波フィルタの周波数特性を示す図。
【図６】第１の変形例に係るトランスバーサル型弾性表面波フィルタにおける、ＩＤＴと反射器との間隔Ｌと、帯域内リップルの発生する位置との関係を示す図。
【図７】第１の実施例のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの第２の変形例を説明するための図であり、横軸は出力側ＩＤＴにおける表面波伝搬方向に沿う位置を、縦軸は励振強度積算値を示す。
【図８】第１の実施例の弾性表面波フィルタの第２の変形例を説明するための図であり、横軸は出力側ＩＤＴを３分割した場合の第１のグループにおける励振強度積算値を、縦軸は帯域内挿入損失及び帯域内リップル偏差を示す。
【図９】図１に示した実施例のトランスバーサル型の弾性表面波フィルタの第３の変形例を説明するための模式的平面図。
【図１０】本発明の第２の実施例に係る弾性表面波フィルタを示す平面図。
【図１１】本発明に係る弾性表面波装置が用いられている通信機の他の例を説明するための概略ブロック図。
【図１２】従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの一例を示す模式的平面図。
【図１３】従来のトランスバーサル型弾性表面波フィルタの他の例を示す平面図。
【符号の説明】
１…弾性表面波フィルタ
２…圧電性基板
３…入力側ＩＤＴ
３ａ，３ｂ…電極
４…出力側ＩＤＴ
４ａ，４ｂ…電極
５…反射器
６…吸音材
１４…出力側ＩＤＴ
１４ａ，１４ｂ…電極指
１５…反射器
２４…出力側ＩＤＴ
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ…電極
２５…反射器
３１…弾性表面波フィルタ
３２…圧電性基板
３２ａ…反射端面
３３…入力側ＩＤＴ
３４…出力側ＩＤＴ
１６０…通信機
１６１…アンテナ
１６２…デュプレクサ
１６３，１６６…ミキサ
１６４…弾性表面波フィルタ
１６５，１６７…増幅器
１６８…弾性表面波フィルタ
１６９…弾性表面波フィルタ
【図１】
0003695353.tif 000003
【図２】
0003695353.tif 000004
【図３】
0003695353.tif 000005
【図４】
0003695353.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0003695353.tif 000012
【図１１】
0003695353.tif 000013
【図１２】
0003695353.tif 000014
【図１３】
0003695353.tif 000015