(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとからエステル交換法にて製造された実質的に塩素原子を含まないポリカーボネートであって、（ａ）アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属含有量が１〜８００ｐｐｂ、（ｂ）芳香族モノヒドロキシ化合物含有量が１〜２００ｐｐｍ、（ｃ）分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量がＴ1〜Ｔ2重量％（但し、Ｔ1＝１，１３０，０００×（該ポリカーボネートの重量平均分子量）-1.60、Ｔ2＝１，５２０，０００×（該ポリカーボネートの重量平均分子量）-1.44）、（ｄ）末端ヒドロキシ基の全末端に占める割合が１〜３０モル％であるポリカーボネートから成形されたシートに反射層を設けたことを特徴とする耐久性、かつ反射画像性に優れた反射鏡。
【請求項２】
反射画像性が３％以下であることを特徴とする請求項１に記載の反射鏡。
【請求項３】
請求項１または２に記載の反射鏡を搭載したことを特徴とする背面投射型プロジェクションテレビ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は背面投射型プロジェクションテレビ用の光路折曲ミラー等に適した軽量反射鏡に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来反射鏡には、ガラス基板表面にアルミ等の金属を蒸着し反射面を形成した後、反射面上に数オングストローム厚の無機保護膜を蒸着処理で付着したガラス反射鏡が利用されている。
【０００３】
ガラス反射鏡は平面精度、耐久性、光学性能に優れているが、重く、割れ易い欠点を有している。このため、大画面のプロジェクションテレビへの反射鏡取り付け時の作業性が悪いことや反射鏡の破損防止のため、反射鏡の取り付け枠やキャビネットを頑丈にする必要があり、取り付け枠やキャビネットが重くなり、プロジェクションテレビの軽量化を妨げている。
【０００４】
また、特開平５−２７３４０５号ではフィルムミラーと低比重構造体とからなる軽量反射鏡が提案されているが、接着剤を用いたフィルムミラーと構造体との貼り付けがあり、このため工程が煩雑であると共に優れた反射画像性を得るには多大な困難を伴うものである。
【０００５】
ポリカーボネートに蒸着、スパッタリング等により銀等の金属膜を形成させた反射鏡が自動車の室内ミラー等に応用されている。しかしながら、通常のホスゲン法により製造されたポリカーボネートを用いた反射鏡は、ポリマー中に残存する塩素原子により反射層が腐食し耐久性に劣り、また該ポリカーボネートは不純物を多く含むことより表面平滑性に劣り、反射画像性が悪くプロジェクションテレビ等の電気製品の反射鏡には使用できなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のガラス反射鏡の重く、割れ易い欠点を改善し、かつ平易に製造でき、かつ耐久性、反射画像性に優れた軽量の反射鏡を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、この問題点を解決すべく鋭意検討を行った結果、特定のポリカーボネートに反射層を設けることにより、上記目的を達成しうる反射鏡を見いだした。
【０００８】
芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとからエステル交換法にて製造された実質的に塩素原子を含まないポリカーボネートであって、（ａ）アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属含有量が１〜８００ｐｐｂ、（ｂ）芳香族モノヒドロキシ化合物含有量が１〜２００ｐｐｍ、（ｃ）分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量がＴ1〜Ｔ2重量％（但し、Ｔ1＝１，１３０，０００×（該ポリカーボネートの重量平均分子量）-1.60、Ｔ2＝１，５２０，０００×（該ポリカーボネートの重量平均分子量）-1.44）、（ｄ）末端ヒドロキシ基の全末端に占める割合が１〜３０モル％であるポリカーボネートから成形されたシートに反射層を設けたことを特徴とする耐久性、かつ反射画像性に優れた反射鏡を提供することができる。
【０００９】
【発明の実施の態様】
以下本発明について詳細に説明する。本発明の実質的に塩素原子を含まない特定のポリカーボネートは芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとのエステル交換反応によって得られるものである。
【００１０】
本発明において、芳香族ジヒドロキシ化合物とは、ＨＯ−Ａｒ−ＯＨで示される化合物である。式中、Ａｒは２価の芳香族基を表し、例えば下記式で示される有機基である。
【００１１】
【化１】
0003686137.tif 000002
【００１２】
（式中、Ｒ1、Ｒ2は、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、環構成炭素数５〜１０のシクロアルキル基又はフェニル基であって、ｍ及びｎは１〜４の整数で、ｍが２〜４の場合には各Ｒ1はそれぞれ同一でも異なるものであっても良いし、ｎが２〜４の場合には各Ｒ2はそれぞれ同一でも異なるものであっても良い。）
【００１３】
また、芳香族基Ａｒは、例えば、−Ａｒ1−Ｙ−Ａｒ2−で示される２価の芳香族基である（式中、Ａｒ1及びＡｒ2は、各々独立にそれぞれ炭素数５〜７０を有する２価の炭素環式又は複素環式芳香族基を表し、Ｙは炭素数１〜３０を有する２価のアルカン基を表す。）。
【００１４】
２価の芳香族基Ａｒ1、Ａｒ2において、１つ以上の水素原子が、反応に悪影響を及ぼさない他の置換基、例えば、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、ビニル基、シアノ基、エステル基、アミド基、ニトロ基などによって置換されたものであっても良い。
【００１５】
複素環式芳香族基の好ましい具体例としては、１ないし複数の環形成窒素原子、酸素原子又は、硫黄原子を有する芳香族基を挙げることができる。
【００１６】
２価の芳香族基Ａｒ1、Ａｒ2は、例えば、置換又は非置換のフェニレン、置換又は非置換のビフェニレン、置換又は非置換のピリジレンなどの基を表す。ここでの置換基は前述のとおりである。
【００１７】
２価のアルカン基Ｙは、例えば、下記式で示される有機基である。
【００１８】
【化２】
0003686137.tif 000003
【００１９】
（式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、各々独立に水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、環構成炭素数５〜１０のシクロアルキル基、環構成炭素数５〜１０の炭素環式芳香族基、炭素数６〜１０の炭素環式アラルキル基を表す。ｋは３〜１１の整数を表し、Ｒ7及びＲ8は、各Ｘについて個々に選択され、お互いに独立に、水素又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｘは炭素を表す。また、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8において、１つ以上の水素原子が反応に悪影響を及ぼさない範囲で他の置換基、例えば、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、ビニル基、シアノ基、エステル基、アミド基、ニトロ基などによって置換されたものであっても良い。）
【００２０】
このような２価の芳香族基Ａｒとしては、例えば、下記式で示されるものが挙げられる。
【００２１】
【化３】
0003686137.tif 000004
【００２２】
【化４】
0003686137.tif 000005
【００２３】
【化５】
0003686137.tif 000006
【００２４】
【化６】
0003686137.tif 000007
【００２５】
【化７】
0003686137.tif 000008
【００２６】
【化８】
0003686137.tif 000009
【００２７】
【化９】
0003686137.tif 000010
【００２８】
【化１０】
0003686137.tif 000011
【００２９】
【化１１】
0003686137.tif 000012
【００３０】
【化１２】
0003686137.tif 000013
【００３１】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｍ及びｎは、前述の通りである。）
【００３２】
さらに、２価の芳香族基Ａｒは、−Ａｒ1−Ｚ−Ａｒ2−で示されるものであっても良い。
【００３３】
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2は前述の通りで、Ｚは単結合又は−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮ（Ｒ1）−などの２価の基を表す。ただし、Ｒ1は前述の通りである。）
【００３４】
このような２価の芳香族基Ａｒとしては、例えば、下記式で示されるものが
挙げられる。
【００３５】
【化１３】
0003686137.tif 000014
【００３６】
【化１４】
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【００３７】
【化１５】
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【００３８】
【化１６】
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【００３９】
【化１７】
0003686137.tif 000018
【００４０】
【化１８】
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【００４１】
【化１９】
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【００４２】
【化２０】
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【００４３】
【化２１】
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【００４４】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、ｍ及びｎは、前述の通りである。）
【００４５】
本発明で用いられる芳香族ジヒドロキシ化合物は、単一種類でも２種類以上でもかまわない。芳香族ジヒドロキシ化合物の代表的な例としてはビスフェノールＡが挙げられる。また、これら芳香族ジヒドロキシ化合物は、塩素原子とアルカリ又はアルカリ土類金属の含有量が少ない方が好ましく、できれば実質的に含有していないことが好ましい。
【００４６】
本発明で用いられるジアリールカーボネートは、下記式で表される。
【００４７】
【化２２】
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【００４８】
（式中、Ａｒ3、Ａｒ4はそれぞれ１価の芳香族基を表す。）
【００４９】
Ａｒ3及びＡｒ4は、１価の炭素環式又は複素環式芳香族基を表すが、このＡｒ3、Ａｒ4において、１つ以上の水素原子が、反応に悪影響を及ぼさない他の置換基、例えば、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、ビニル基、シアノ基、エステル基、アミド基、ニトロ基などによって置換されたものであっても良い。Ａｒ3、Ａｒ4は同じものであっても良いし、異なるものであっても良い。
【００５０】
１価の芳香族基Ａｒ3及びＡｒ4の代表例としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ピリジル基を挙げることができる。これらは、上述の１種以上の置換基で置換されたものでも良い。
【００５１】
好ましいＡｒ3及びＡｒ4としては、それぞれ例えば、下記式などが挙げられる。
【００５２】
【化２３】
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【００５３】
【化２４】
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【００５４】
【化２５】
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【００５５】
【化２６】
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【００５６】
【化２７】
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【００５７】
ジアリールカーボネートの代表例としては、下記式で示される置換又は非置換のジフェニルカーボネート類を挙げることができる。
【００５８】
【化２８】
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【００５９】
（式中、Ｒ9及びＲ10は、各々独立に水素原子、炭素数１〜１０を有するアルキル基、炭素数１〜１０を有するアルコキシ基、環構成炭素数５〜１０のシクロアルキル基又はフェニル基を示し、ｐ及びｑは１〜５の整数で、ｐが２以上の場合には、各Ｒ9はそれぞれ異なるものであっても良いし、ｑが２以上の場合には各Ｒ10はそれぞれ異なるものであっても良い。）
【００６０】
このジフェニルカーボネート類の中でも、非置換のジフェニルカーボネートや、ジトリルカーボネート、ジ−ｔ−ブチルフェニルカーボネートのような低級アルキル置換ジフェニルカーボネートなどの対称型ジアリールカーボネートが好ましいが、特にもっとも簡単な構造のジアリールカーボネートであるジフェニルカーボネートが好適である。
【００６１】
これらジアリールカーボネート類は単独で用いても良いし、２種以上を組み合わせて用いても良い。また、これらジアリールカーボネートは、塩素原子とアルカリ又はアルカリ土類金属の含有量が少ない方が好ましく、できれば実質的に含有していないことが好ましい。
【００６２】
芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリールカーボネートとの使用割合（仕込比率）は、用いられる芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリールカーボネートの種類や、重合温度その他の重合条件及び得ようとするポリカーボネートの分子量や末端比率によって異なるが、ジアリールカーボネートは芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して、通常０．９〜２．５モル、好ましくは０．９５〜２．０モル、より好ましくは０．９８〜１．５モルの割合で用いられる。
【００６３】
また、本発明においては、本発明の目的を損なわない範囲で、分岐構造を導入するための芳香族多価ヒドロキシ化合物を併用しても良いし、末端変性や分子量調節のための芳香族モノヒドロキシ化合物を併用しても良い。
【００６４】
本発明のポリカーボネートの分子量は重量平均分子量で通常１，０００〜３００，０００の範囲であり、好ましくは１，０００〜１００，０００の範囲である。
【００６５】
本発明において、該ポリカーボネートは実質的に塩素原子を含まないものであり、具体的には、▲１▼硝酸銀溶液を用いた電位差滴定法による塩素イオンの測定方法で、塩素イオンが０．５ｐｐｍ以下であり、同時に▲２▼燃焼法による塩素原子の測定方法で、塩素原子が検出限界の１０ｐｐｍ以下である。好ましくは、▲１▼塩素イオンが、上記測定法の検出限界以下の０．１ｐｐｍ以下であり、同時に▲２▼塩素原子が１０ｐｐｍ以下である。塩素原子が上記範囲を越えると、反射層を形成している金属を腐食させ、反射鏡の耐久性を低下させ好ましくない。
【００６６】
また、該ポリカーボネートとして、（ａ）アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属含有量が１〜８００ｐｐｂ、（ｂ）芳香族モノヒドロキシ化合物含有量が１〜２００ｐｐｍ、（ｃ）分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量がＴ1〜Ｔ2重量％（但し、Ｔ1＝１，１３０，０００×（該ポリカーボネートの重量平均分子量）-1.60、Ｔ2＝１，５２０，０００×（該ポリカーボネートの重量平均分子量）-1.44）、（ｄ）末端ヒドロキシ基の全末端に占める割合が１〜３０％の範囲のものが熱安定性、流動性に優れ、成形性の面より好ましく、得られる反射鏡の反射画像性に優れる。
【００６７】
本発明のポリカーボネート中に含有されるアルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属は、より好ましくは１〜４００ｐｐｂ、さらに好ましくは１〜２００ｐｐｂの範囲である。
【００６８】
アルカリ金属及びアルカリ土類金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等が挙げられる。これら金属類は、触媒残査や原材料中の不純物、製造過程で混入する異物としてポリカーボネート中に混入し、その状態もイオン、無機化合物、有機化合物との塩やコンプレックス等であり、ポリカーボネート中に存在する形態は特に限定されない。該金属類の測定は特に限定されないが、ポリカーボネートを灰化した後に原子吸光法で測定する方法が好ましい。
【００６９】
本発明のポリカーボネート中に含有される芳香族モノヒドロキシ化合物は、より好ましくは１〜１５０ｐｐｍ、さらに好ましくは５〜９０ｐｐｍの範囲である。
【００７０】
芳香族モノヒドロキシ化合物としては、重縮合過程で発生する芳香族モノヒドロキシ化合物類と、分子量調節又は特定末端基用に用いられる芳香族モノヒドロキシ化合物類が挙げられる。前者の場合、原料として用いる炭酸ジエステルの種類によって発生する芳香族モノヒドロキシ化合物の種類も異なるが、例えば、炭酸ジエステルとしてジフェニルカーボネートを使用した場合には、フェノールが発生する。後者の場合、例えば、ｔ−ブチルフェノール、ｔ−オクチルフェノール、クミルフェノール、クロマニルフェノール及びその核置換体等が一般に用いられている。
【００７１】
本発明のポリカーボネート中に含有される分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量は上述の範囲であることが好ましい。
【００７２】
分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量は、ポリカーボネートの分子量、分子量調節又は特定末端基用に用いられる芳香族モノヒドロキシ化合物類の使用量、製造方法、製造条件等により大きく変化する。本発明において残留モノマーとは、前述の芳香族ジヒドロキシ化合物及び炭酸エステルをいう。
【００７３】
また、末端比率は該ポリカーボネートの全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合は、より好ましくは１〜２０モル％の範囲にあり、さらに好ましくは１〜１５モル％の範囲にある。
【００７４】
本発明のポリカーボネートは、上記のような芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとからエステル交換法にて製造されるが、エステル交換法とは、上記化合物を触媒の存在もしくは無存在下で、減圧下及び／又は不活性ガスフロー化で加熱しながら溶融状態でエステル交換反応にて重縮合する方法をいい、その重合方法、装置等には制限はない。例えば、攪拌槽型反応器、薄膜反応器、遠心式薄膜蒸発反応器、表面更新型二軸混練反応器、二軸横型攪拌反応器、濡れ壁式反応器、自由落下させながら重合する多孔板型反応器、ワイヤーに沿わせて落下させながら重合するワイヤー付き多孔板型反応器等を用い、これらを単独もしくは組み合わせることで容易に製造できる。また、溶融状態でエステル交換反応を行いプレポリマーを製造した後、固相状態で減圧及び／又は不活性ガスフロー下で重合度を高める固相重合法でも製造できる。エステル交換の反応の温度は、通常５０〜３５０℃、好ましくは１００〜３００℃の温度の範囲で選ばれ、特に制限はない。一般に、上記範囲より高い温度では、得られるポリカーボネートの着色が大きくかつ熱安定性にも劣る傾向にある。また、上記範囲より低い温度では、重合反応が遅く実用的でない。反応圧力は、溶融重合中のポリカーボネートの分子量によっても異なり、数平均分子量が１０００以下の範囲では、５０ｍｍＨｇ〜常圧の範囲が一般に用いられ、数平均分子量１０００〜２０００の範囲では、３〜８０ｍｍＨｇの範囲が、数平均分子量が２０００以上の範囲では、１０ｍｍＨｇ以下、特に５ｍｍＨｇ以下が用いられる。
【００７５】
特に、微量成分含有量が特定範囲にある本発明ポリカーボネートを得るためには、２８０℃を越えない温度で重合するのが好ましい。これ以上の温度では、芳香族モノヒドロキシ化合物と分子量１０００以下のオリゴマー成分の含有量が増加しやすい傾向にある。前述の重合装置及び重合方法の内で、表面更新型二軸混練反応器、二軸横型攪拌反応器、自由落下させながら重合する多孔板型反応器、ワイヤーに沿わせて落下させながら重合するワイヤー付き多孔板型反応器及び固相重合法による方法が２８０℃を超えない温度でも効率的に重合できて好ましい。特に、自由落下させながら重合する多孔板型反応器、ワイヤーに沿わせて落下させながら重合するワイヤー付き多孔板型反応器を用いる方法及び固相重合法が好ましい。
【００７６】
また、重合後のポリカーボネートから微量成分を除去して、本発明のポリカーボネートを製造することも可能である。例えば、該ポリカーボネートを良溶媒に溶解し、濾過後に、貧溶媒を加え再沈する方法、微量成分を溶解し且つポリカーボネートを溶解しない溶媒、例えばアセトンのような溶媒で微量成分を抽出する方法、随伴溶媒を添加して（又は無添加で）高真空下で微量成分を強制除去する方法、ポリカーボネートが溶解しない温度で、真空又は常圧下で乾燥する方法等が挙げられる。
【００７７】
また、エステル交換法による重合は、触媒を加えずに実施することができるが、重合速度を高めるため、必要に応じて触媒の存在下で行われる。重合触媒としては、この分野で用いられているものであれば特に制限がないが、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属及びアルカリ土類金属の水酸化物類；水酸化アルミニウムリチウム、水酸化ホウ素ナトリウム、水酸化ホウ素テトラメチルアンモニウムなどのホウ素やアルミニウムの水酸化物のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、第四級アンモニウム塩類；水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カルシウムなどのアルカリ金属及びアルカリ土類金属の水素化合物類；リチウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カルシウムメトキシドなどのアルカリ金属及びアルカリ土類金属のアルコキシド類；リチウムフェノキシド、ナトリウムフェノキシド、マグネシウムフェノキシド、ＬｉＯ−Ａｒ−ＯＬｉ、ＮａＯ−Ａｒ−ＯＮａ（Ａｒはアリール基）などのアルカリ金属及びアルカリ土類金属のアリーロキシド類；酢酸リチウム、酢酸カルシウム、安息香酸ナトリウムなどのアルカリ金属及びアルカリ土類金属の有機酸塩類；酸化亜鉛、酢酸亜鉛、亜鉛フェノキシドなどの亜鉛化合物類；酸化ホウ素、ホウ素、ホウ素ナトリウム、ホウ素トリメチル、ホウ素トリブチル、ホウ素トリフェニル、（Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｒ6）ＮＢ（Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｒ6）又は（Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｒ6）ＰＢ（Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｒ6）で表されるアンモニウムボレート類又はホスホニウムボレート類（Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は前述の通り）などのホウ素の化合物類；酸化ケイ素、ケイ酸ナトリウム、テトラアルキルケイ素、テトラアリールケイ素、ジフェニル−エチル−エトキシケイ素などのケイ素の化合物類；酸化ゲルマニウム、四塩化ゲルマニウム、ゲルマニウムエトキシド、ゲルマニウムフェノキシドなどのゲルマニウムの化合物類；酸化スズ、ジアルキルスズオキシド、ジアルキルスズカルボキシレート、酢酸スズ、エチルスズトリブトキシドなどのアルコキシ基又はアリーロキシ基と結合したスズ化合物、有機スズ化合物などのスズの化合物類；酸化鉛、酢酸鉛、炭酸鉛、塩基性炭酸塩、鉛及び有機鉛のアルコキシド又はアリーロキシドなどの鉛の化合物；第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム塩、第四級アルソニウム塩などのオニウム化合物類；酸化アンチモン、酢酸アンチモンなどのアンチモンの化合物類；酢酸マンガン、炭酸マンガン、ホウ酸マンガンなどのマンガンの化合物類；酸化チタン、トタンのアルコキシド又はアリーロキシドなどのチタンの化合物類；酢酸ジルコニウム、酸化ジルコニウム、ジルコニウムのアルコキシド又はアリーロキシド、ジルコニウムアセチルアセトンなどのジルコニウムの化合物類などの触媒を挙げることができる。
【００７８】
触媒を用いる場合、これらの触媒は１種だけで用いても良いし、２種以上を組み合わせて用いても良い。また、これらの触媒の使用量は、原料の芳香族ジヒドロキシ化合物に対して、通常の１０-8〜１重量％、好ましくは１０-7〜１０-1重量％の範囲で選ばれる。また、アルカリ又はアルカリ土類金属系触媒を用い、重合後の除去作業を行わない場合は、重合後のポリカーボネート中のアルカリ及び／又はアルカリ土類金属の合計含有量が１〜８００ｐｐｂになる範囲で用いるのが好ましい。
【００７９】
本発明におけるポリカーボネートには、本発明の目的を阻害しない範囲で通常の添加剤、例えば耐熱安定剤、酸化防止剤、難燃化剤、離型剤、着色剤、滑剤、耐候性改良剤、防錆剤等を添加することができる。
【００８０】
耐熱安定剤としては、例えばリン系安定剤、フェノール系安定剤、イオウ系安定剤、エポキシ系安定剤、ヒンダードアミン系安定剤等が使用できる。特にリン系安定剤が好ましい。
【００８１】
リン系安定剤としては、リン酸類、亜リン酸エステル類、ホスフィン酸エステル類、リン酸エステル類、ホスホン酸エステル類が挙げられる。具体的には、リン酸類として、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、フェニルホスホン酸が挙げられる。
【００８２】
亜リン酸エステル類としては、亜リン酸トリエステル、亜リン酸ジエステル、亜リン酸モノエステルが挙げられ、具体的にはトリス（２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリフェニルホスファイト、テトラフェニルジプロピレングリコールホスファイト、テトラ（トリデシル）４、４’−イソプロピリデンジフェニルジホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２、６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、水添ビスフェノールＡ、ペンタエリスリトールホスファイトポリマー、テトラフェニルテトラ（トリデシル）ペンタエリスリトールテトラホスファイト、ジフェニルハイドロゲンホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ハイドロゲンホスファイト、ビス（２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ハイドロゲンホスファイト、ジクレジルハイドロゲンホスファイト、（ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ハイドロゲンホスファイト、ビス（ｐ−ヘキシルフェニル）ハイドロゲンホスファイト、フェニルジハイドロゲンホスファイト、ノニルフェニルジハイドロゲンホスファイト、２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニルジハイドロゲンホスファイト等が挙げられる。
【００８３】
ホスフィン酸エステル類としては、ホスフィン酸ジエステル、ホスフィン酸モノエステルが挙げられ、具体的には４、４’−ジフェニレンジホスフィン酸テトラキス（２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）が挙げられる。
【００８４】
リン酸エステル類としては、リン酸ジエステル、リン酸モノエステルが挙げられ、具体的にはジフェニルハイドロゲンホスフェート、ビス（ノニルフェニル）ハイドロゲンホスフェート、ビス（２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ハイドロゲンホスフェート、ジクレジルハイドロゲンホスフェート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ハイドロゲンホスフェート、ビス（ｐ−ヘキシルフェニル）ハイドロゲンホスフェート、フェニルジハイドロゲンホスフェート、ノニルフェニルジハイドロゲンホスフェート、２、４−ジ−ｔ−ブチルフェニルジハイドロゲンホスフェート等が挙げられる。
【００８５】
ホスホン酸エステル類としては、ホスホン酸モノエステルが挙げらる。
【００８６】
フェノール系安定剤としては、具体的には２、６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、２、６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−アニソール、２、６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２、２’−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、２、２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチル−ｐ−フェノール）、４、４’−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、４、４’−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、テトラキス〔メチレン−３−（３’、５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン、４、４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、ステアリル−β−（３、５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１、３、５−トリメチル−２、４、６−トリス（３、５−じ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１、１、３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、トリエチレンブリコール−ビス〔３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート等が挙げられる。〕
【００８７】
更に、リン原子を含んだフェノール系安定剤、例えば３、５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスフォネート−ジエチルエステル、ビス（３、５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホン酸エチル）カルシウム等も挙げられる。
【００８８】
イオウ系安定剤としては、スルフィン酸、スルホン酸及びそのエステル、チオエーテル化合物が挙げられ、具体的にはベンゼンスルフィン酸、ｐ−トルエンスルフィン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、及びこれら酸のメチル、エチル、ブチル、オクチル、フェニルエステルが挙げられる。また、ジラウリル−３、３’−チオジプロピオネート、ジトリデシル−３、３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３、３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３、３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール（β−ラウリルチオプロピオネート）等が挙げられる。
【００８９】
エポキシ安定剤としては、例えばエポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油等の油脂類、フェニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、テトラブロムビスフェノールＡジグリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジル化合物、３、４−エポキシシクロヘキシルメチル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３、４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２、３−エポキシシクロヘキシルメチル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、４−（３、４−エポキシ−５−メチルシクロヘキシル）ブチル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３、４−エポキシシクロヘキシルエチレンオキシド、シクロヘキシルメチル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３、４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ビスエポキシシクロヘキシルアジペート、オクタデシル−２、２’−ジメチル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、Ｎ−ブチル−２、２’−ジメチル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、シクロヘキシル−２−メチル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、Ｎ−ブチル−２−イソプロピル−３、４、−エポキシ−５−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、オクタデシル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２−エチルヘキシル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、４、６−ジメチル−２、３−エポキシシクロヘキシル−３、４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ジエチル−４、５−エポキシ−シス−１、２−シクロヘキサンカルボキシレート、ジ−ｎ−ブチル−３−ｔ−ブチル−４、５−エポキシ−シス−１、２−シクロヘキサンカルボキシレート、３、４−ジメチル−１、２−エポキシシクロヘキサン、３、５−ジメチル−１、２−エポキシシクロヘキサン、３−メチル−５−ｔ−ブチル−１、２−エポキシシクロヘキサン等のエポキシシクロヘキサン化合物、ビスエポキシジシクロペンタジエニルエーテル、ブタジエンジエポキシド、テトラフェニルエイレネポキシド、エポキシ化ポリブタジエン、４、５−エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、３−ｔ−ブチル−４、５−エポキシ無水テトラヒドロフタル酸等が挙げられる。
【００９０】
ヒンダードアミン系安定剤としては、ビス（２、２、６、６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１、２、２、６、６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、２−（３、５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス（１、２、２、６、６−ペンタメチル−４−ピペリジル）テトラキシ（２、２、６、６−テトラメチル−４−ピペリジル）１、２、３、４−ブタンテトラカルボキシレート、１−〔２−｛３−（３、５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝エチル〕−４−｛３−（３、５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝−２、２、６、６−テトラメチルピペリジン、８−ベンジル−７、７、９、９−テトラメチル−３−オクチル−１、２、３−トリアザスピロ｛４、５｝ウンデカン−２、４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２、２、６、６−テトラメチルピペラジン等が挙げられる。
【００９１】
これら耐熱安定剤は、単独で用いても良いし組み合わせて用いても良い。添加量は特に限定されないが、一般にポリカーボネート１００重量部に対して０．０００５〜０．２２重量部の範囲で用いられる。
【００９２】
これら耐熱安定剤等の添加剤をポリカーボネートに混合する方法としては、従来から公知の方法で行うことができ、特に限定されない。例えば、各成分をヘンシェルミキサー、スーパーミキサー、タンブラーミキサー、リボンブレンダー等で均一に混合した後、単軸押出機や二軸押出機、バンバリーミキサー等で混練する方法や、溶融状態のポリカーボネートに混合槽、スタチックミキサー単軸押出機、二軸又は多軸押出機を用いて添加剤を混合する方法もある。
【００９３】
上記ポリカーボネートにはポリカーボネートの特性を著しく阻害しない限り他の樹脂を混合しても良い。例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリアセタール、変性ポリフェニレンエーテル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトン、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
【００９４】
本発明芳香族ポリカーボネートと他樹脂との混合組成物を用いる場合、本発明ポリカーボネートの含有量は５０重量％以上であることが必要で、好ましくは７０重量％以上である。ポリカーボネート樹脂の含有量が少なすぎると、ポリカーボネート樹脂のエンジニアリング樹脂としての優れた特性が得られなくなる。
【００９５】
また充填剤、例えばガラス繊維、炭素繊維、金属繊維、アラミド繊維、チタン酸カリウム、炭化ケイ素、セラミック、窒化ケイ素、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、カオリン、クレー、パイロフィライト、ベントナイト、セリサイト、ゼオライト、マイカ、雲母、ネフェリンシナイト、タルク、アタルパルジャイト、ウオラストナイト、ＰＭＦ、フェライト、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ドロマイト、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化鉄、二硫化モリブデン、黒鉛、石膏、ガラスビーズ、ガラスバルーン、石英、石英ガラス等を混合できる。これら充填剤は中空であってもよく、また二種類以上を併用してもよい。
【００９６】
本発明のポリカーボネートから製造されるシートの成形方法は特に制限されるものではなく、押出成形、射出成形、圧縮成形により製造できる。成形条件としては、溶融樹脂を固化させる時徐冷させた方が画像反射性の点より好ましい。押出成形の場合、鏡面ロールの表面温度は樹脂の溶融温度を基準にしその差が１８０℃以内、好ましくは１５０℃以内である。また射出成形、圧縮成形の場合、金型又は冷却プレスの表面温度は樹脂の溶融温度を基準にしその差が２４０℃以内、好ましくは２００℃以内である。
【００９７】
シート厚さは２〜１０ｍｍのものが使用される。２ｍｍ未満ではプロジェクションテレビ用ミラーホルダーに取り付けた時歪みが生じ好ましくない。１０ｍｍを越えると軽量化効果が少ない。
【００９８】
透明基板上に反射層を設ける場合、基板の表面に設ける場合（表面鏡）と裏面に設ける場合（裏面鏡）とがあるが、裏面鏡は基板の厚さによる光路のずれにより反射画像が悪化する。プロジェクションテレビのように高精度の反射画像が必要な時は表面鏡が好ましい。
【００９９】
反射面を構成する金属としては、アルミニウム、銀等が用いられ特に反射率の優れた銀が好ましい。これら金属は蒸着、スパッタリング等により基材表面に施される。更に、反射面を保護するためシリコーン系コーティング剤やアクリル系コーティング剤が用いられる。
【０１００】
本発明の反射鏡は、反射画像性が３％以下であることが好ましい。ここで反射画像性とはＪＩＳ  Ｄ  ５７０５（自動車用ミラー装置）のひずみ検査法に準じて求めた値をいう。
【０１０１】
反射鏡をプロジェクションテレビキャビネットに取り付ける場合、本発明の目的を阻害しない範囲で反射鏡の裏面にサポートを設けてもかまわない。
【０１０２】
【実施例】
以下、本発明の実施例及び比較例によってさらに詳細に説明する。尚、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１０３】
実施例中の測定法は次の通りである。
【０１０４】
１．重量平均分子量、重量平均分子量１０００以下のオリゴマー及び残留モノマー含有量
ゲルパーミエーション  クロマトグラフィーにて測定した。カラムはＴＳＫ−ＧＥＬ（東洋曹達社製）を、溶媒はＴＨＦを使用した。
【０１０５】
２．アルカリ及びアルカリ土類金属含有量
ポリカーボネートを酸素プラズマアッシュアーにて低温灰化した後、フレームレス原子吸光法にて測定した。
【０１０６】
３．芳香族モノヒドロキシ基含有量
高速液体クロマトグラフィーにて測定した。
【０１０７】
４．末端ヒドロキシ基末端比率
ＮＭＲにて測定した。
【０１０８】
５．耐久性
反射鏡を９０℃、相対湿度８５％の条件下で１０００時間保存後、目視で判定した。
【０１０９】
６．反射画像性
ＪＩＳ  Ｄ  ５７０５（自動車用ミラー装置）のひずみ検査法に準じた。
【０１１０】
７．耐衝撃性
１２０ｍｍ×１２０ｍｍの１０枚の試験板を用意し、直径１５ｍｍの鋼球を高さ２ｍから落下させ、試験板の状態を観察した。
【０１１１】
（実施例１）
芳香族ジヒドロキシ化合物として塩素原子を実質的に含有しないビスフェノールＡを、炭酸ジエステルとして塩素原子を実質的に含有しないジフェニルカーボネート（対ビスフェノールＡモル比１．１０）を、触媒としてビスフェノールＡのジナトリウム塩（対ビスフェノールＡモル比２．８×１０-8）を用いて、溶融エステル交換法でポリカーボネートを製造した。製造は、攪拌槽型反応器３基とワイヤー付き多孔板型反応器２基からなる連続重合装置を用い、段階的に温度と減圧度を上げながら実施した。最高重合温度は２５０℃であった。
【０１１２】
得られたポリカーボネートには実質的に塩素原子は含まれておらず、ヒドロキシ基末端比率は７モル％、重量平均分子量が２２，１００であった。また、該ポリカーボネートの微量成分は、アルカリ及びアルカリ土類金属含有量が５ｐｐｂ、芳香族モノヒドロキシ化合物であるフェノール含有量が３０ｐｐｍ、分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量が０．５重量％であった。
【０１１３】
該ポリカーボネート１００重量部と、耐熱安定剤としてビス（ノニルフェニル）ハイドロゲンホスファイト０．００２重量部とトリス（２、４−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト０．０２重量部とをヘンシェルミキサーで均一に混合した後、押出機を用いて造粒し、ポリカーボネート組成物を得た。
【０１１４】
得られたポリカーボネート組成物を用いて、樹脂温度２８０℃、冷却ロール表面温度１４０℃で、幅３００ｍｍ、厚さ３ｍｍのシートを押出成形で徐冷して作製した。得られたシートを１２０ｍｍ角となるように切断し、試験用シートとした。
【０１１５】
得られた試験用シート上に銀をスパッタリングにより蒸着し、ついで光硬化型のアクリル系樹脂をコートし、紫外線で硬化させ反射鏡を作製した。
【０１１６】
該反射鏡の耐久性、反射画像性、耐衝撃性の評価結果を表１に示す。
【０１１７】
（比較例１、２）
ビスフェノールＡ、水酸化ナトリウム、ホスゲン及び触媒としてトリエチルアミン、分子量調節剤としてｐ−ｔ−ブチルフェノールとから塩化メチレン溶媒を用いてホスゲン法にてポリカーボネートを製造した。
【０１１８】
得られたポリカーボネートには塩素原子は含まれており、塩素イオンが１．２ｐｐｍであり、塩素原子が３０ｐｐｍであった。また、ヒドロキシ基末端比率は１モル％、重量平均分子量が２２，８００であった。また、該ポリカーボネートの微量成分は、アルカリ及びアルカリ土類金属含有量が８２ｐｐｂ、芳香族モノヒドロキシ化合物であるｐ−ｔ−ブチルフェノール含有量が４３ｐｐｍ、分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量が１．４重量％であった。実施例１と同様にして耐熱安定剤を添加し、ポリカーボネート組成物を得た。該組成物を用いて作製された厚さ３ｍｍのシート（比較例１）及び厚さ３ｍｍのガラス（比較例２）を用いる以外実施例１と同様にして反射鏡を作製し、同様の評価を実施し、結果を表１に示した。
【０１１９】
（実施例２）
実施例１の塩素イオンを含まないポリカーボネートを射出成形機を用いて、シリンダー温度３００℃、金型温度１１０℃で厚さ３ｍｍで１２０ｍｍ角の平板を射出成形した。得られた平板を実施例１と同様にして反射鏡を作製し、同様の評価を実施し、結果を表１に示した。なお、本発明ポリカーボネートを用いた射出成形では、一旦射出成形作業を３０分中断し成形を再会する際、１ショット目から中断前と同様の良好な成形品が得られた。
【０１２０】
（比較例３）
比較例１のポリカーボネートを用いる以外実施例２と同様にして反射鏡を作製し、同様の評価を実施し、結果を表１に示した。なお、該ポリカーボネートを用いた射出成形において、射出成形中に一旦成形を３０分中断し成形を再会する際、色ムラやヤケ、黒ゴミが発生し、良好な成形品が得られるまで２０ショット以上の捨て打ちが必要であった。
【０１２１】
（実施例３〜５）
触媒のビスフェノールＡジナトリウム塩の使用量を、使用ビスフェノールＡに対してモル比２．８×１０-7（実施例３）、モル比５×１０-7（実施例４）及びモル比１×１０-6（実施例５）用いる以外は実施例１と同様にして、重量平均分子量２２，５００のポリカーボネートを得た。実施例１と同様にして耐熱安定剤を添加し、ポリカーボネート組成物を得た。それぞれのポリカーボネートのヒドロキシ末端比率及び微量成分は以下の通りであった。
【０１２２】
実施例３のポリカーボネート：ヒドロキシ末端比率６モル％、アルカリ及びアルカリ土類金属含有量が４９ｐｐｂ、芳香族モノヒドロキシ化合物であるフェノール含有量が７９ｐｐｍ、分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量が０．５１重量％
【０１２３】
実施例４のポリカーボネート：ヒドロキシ末端比率３モル％、アルカリ及びアルカリ土類金属含有量が９２ｐｐｂ、芳香族モノヒドロキシ化合物であるフェノール含有量が１００ｐｐｍ、分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量が０．７２重量％
【０１２４】
実施例５のポリカーボネート：ヒドロキシ末端比率４モル％、アルカリ及びアルカリ土類金属含有量が１８２ｐｐｂ、芳香族モノヒドロキシ化合物であるフェノール含有量が１１３ｐｐｍ、分子量１０００以下のオリゴマー成分及び残留モノマー含有量が０．７８重量％
【０１２５】
実施例１と同様にして反射鏡を作製し、同様の評価を実施し、結果を表１に示した。
【０１２６】
【表１】
0003686137.tif 000030
【０１２７】
【発明の効果】
本発明の実質的に塩素原子を含まないポリカーボネートは成形性に優れ、かつ該ポリカーボネートからなる反射鏡は耐久性、耐衝撃性、反射画像性に優れており、プロジェクションテレビ用平面鏡として好適である。