(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
0003606224.tif 000018
［式中Ｚは下記一般式（２）
【化２】
0003606224.tif 000019
（式中、Ｒ１及びＲ２は、独立に−Ｏ−、−ＣＯ−又は式：
【化４】
0003606224.tif 000020
で表される２価の基を表わし、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシル基又はアリール基を表わし、ａは１〜３の整数を示し、ｂ、ｃ及びｄは、独立に０〜４の整数を示す。）
で表わされる２価の芳香族基であり、Ｙは、下記一般式（４）及び一般式（５）
【化５】
0003606224.tif 000021
【化６】
0003606224.tif 000022
（式中、Ｒ７及びＲ８は、独立に−Ｏ−又は−ＣＯ−を表わし、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、独立に、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシル基又はアリール基を表わし、ｆは０〜３の整数を示し、ｇ、ｈ、ｉ及びｊは、独立に０〜４の整数を示す。）で表される２価の芳香族基からなる群から選ばれる少なくとも１種の２価の芳香族基である。］
で表される繰返し単位を有する重合体。
【請求項２】
下記一般式（６）
【化７】
0003606224.tif 000023
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、請求項１において一般式（１）に関して定義したとおりであり、Ｘはハロゲン原子を表わす。）
で表わされる化合物と、下記一般式（８）及び一般式（９）
【化９】
0003606224.tif 000024
【化１０】
0003606224.tif 000025
（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ及びｊは、請求項１において一般式（４）又は一般式（５）に関して定義したとおりである。）
で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物とを触媒の存在下で重合することを特徴とする請求項１記載の重合体の製造方法。
【請求項３】
触媒が遷移金属化合物及び塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項２記載の重合体の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の重合体を含有する膜形成用組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な膜形成に好適である重合体、その製造方法及びそれを含む膜形成用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子材料用途において、近年、高集積化、多機能化、高性能化に伴い、回路抵抗や配線間のコンデンサー容量が増大して、消費電力が増加するだけでなく、遅延時間も増大して、デバイスの信号スピードが低下したり、クロストークの大きな要因となっている。そのため、寄生抵抗や寄生容量を下げることが求められており、その解決策の一つとして、配線の周辺を低誘電性の層間絶縁膜で被うことにより、寄生容量を下げてデバイスの高速化に対応しようとしている。また、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）関連用途では、低誘電性に加え、さらに透明性も要求されている。
【０００３】
この要求に適応する耐熱性の有機材料として、ポリイミドが広く知られているが、ポリイミドは極性の高いイミド基を含むため、誘電性、吸水性の点、さらに着色するという問題があり、満足なものが得られていない。また、ポリイミドを焼成するためには、３５０〜４００℃で１時間程度の焼成時間が必要である。
【０００４】
一方、極性基を含まない高耐熱性の有機材料として、ポリフェニレンが知られている。このポリフェニレンは耐熱性に優れるが、有機溶媒に対する溶解性が劣るので、一般に側鎖に可溶性基を導入して溶媒に対する溶解性を高めている。このようなポリフェニレンとしては、例えば、米国特許第５，２１４，０４４号明細書、国際出願ＷＯ９６／２８４９１号明細書、ヨーロッパ特許公開第６２９２１７号公報などに記載されているポリマーを挙げることができる。
これらのポリマーは、基本的にポリパラフェニレン構造を主としており、屈曲性モノマーを一部共重合するなどしているものの、特定の有機溶媒にしか溶けず、溶媒に溶解した場合剛直分子に起因する高粘度溶液の問題もあり、加工性の点で満足できるものではなかった。
【０００５】
さらに、耐溶剤性の付与、耐熱性、機械的性質の改善などのために、ポリフェニレン系ポリマーの架橋についても検討され、従来から、アセチレン結合を利用して架橋させることが知られているが、塗膜の密着性に問題があった。
また、ポリアリーレンの加工性や溶解性を高めるため、ポリマー中にエーテル基を導入することも検討されているが、得られるポリマーの耐熱性に問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような背景のもとになされたもので、短時間焼成が可能であり、耐熱性、密着性及びクラック耐性に優れ、低誘電性の膜を得ることができる膜形成用組成物、そのための重合体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記課題を解決すべく、鋭意研究した結果、特定の繰返し単位を有する重合体を溶媒に溶解させた組成物は膜形成性に優れ、上記課題を解決するものであるとの知見を得、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、
第一に、下記一般式（１）
【０００８】
【化１１】
0003606224.tif 000002
［式中Ｚは下記一般式（２）
【０００９】
【化１２】
0003606224.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、独立に−Ｏ−、−ＣＯ−又は式：
【００１１】
【化１４】
0003606224.tif 000004
で表される２価の基を表わし、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシル基又はアリール基を表わし、ａは１〜３の整数を示し、ｂ、ｃ及びｄは、独立に０〜４の整数を示す。）
で表わされる２価の芳香族基であり、Ｙは、下記一般式（４）及び一般式（５）
【００１２】
【化１５】
0003606224.tif 000005
【００１３】
【化１６】
0003606224.tif 000006
（式中、Ｒ７及びＲ８は、独立に−Ｏ−又は−ＣＯ−を表わし、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、独立に、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシル基又はアリール基を表わし、ｆは０〜３の整数を示し、ｇ、ｈ、ｉ及びｊは、独立に０〜４の整数を示す。）で表される２価の芳香族基からなる群から選ばれる少なくとも１種の２価の芳香族基である。］
で表される繰返し単位を有する重合体を提供する。
第二に、下記一般式（６）
【００１４】
【化１７】
0003606224.tif 000007
【００１５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、前記一般式（１）に関して定義したとおりであり、Ｘはハロゲン原子を表わす。）
で表わされる化合物と、下記一般式（８）及び一般式（９）
【００１６】
【化１９】
0003606224.tif 000008
【００１７】
【化２０】
0003606224.tif 000009
（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ及びｊは、前記一般式（４）又は一般式（５）に関して定義したとおりである。）
で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物とを触媒の存在下で重合することを特徴とする重合体の製造方法を提供する。
第三に、前記重合体を含有する膜形成用組成物を提供する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
（重合体）
本発明の重合体は、下記一般式（１）で表される繰返し単位を有す重合体である。
【００１９】
【化２１】
0003606224.tif 000010
［式中Ｚは下記一般式（２）
【００２０】
【化２２】
0003606224.tif 000011
【００２１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、独立に−Ｏ−、−ＣＯ−又は式：
【００２２】
【化２４】
0003606224.tif 000012
で表される２価の基を表わし、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立に、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシル基又はアリール基を表わし、ａは１〜３の整数を示し、ｂ、ｃ及びｄは、独立に０〜４の整数を示す。）
で表わされる２価の芳香族基であり、Ｙは、下記一般式（４）及び一般式（５）
【００２３】
【化２５】
0003606224.tif 000013
【００２４】
【化２６】
0003606224.tif 000014
（式中、Ｒ７及びＲ８は、独立に−Ｏ−又は−ＣＯ−を表わし、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、独立に、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシル基又はアリール基を表わし、ｆは０〜３の整数を示し、ｇ、ｈ、ｉ及びｊは、独立に０〜４の整数を示す。）で表される２価の芳香族基からなる群から選ばれる少なくとも１種の２価の芳香族基である。］
(重合体の製造）
この重合体は、下記一般式（６）
【００２５】
【化２７】
0003606224.tif 000015
【００２６】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、前記一般式（１）に関して定義したとおりであり、Ｘはハロゲン原子を表わす。）
で表わされる化合物と、下記一般式（８）及び一般式（９）
【００２７】
【化２９】
0003606224.tif 000016
【００２８】
【化３０】
0003606224.tif 000017
（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ及びｊは、前記一般式（４）又は一般式（５）に関して定義したとおりである。）
で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物とを触媒の存在下で重合することにより、製造される。
【００２９】
一般式（６）で表わされる化合物としては、例えば、１，２−ビス（２−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（２−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（３−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（３−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（２−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（２−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（２−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−ヨードフェノキシ）ベンゼン、
【００３０】
１−（２−ブロモベンゾイル）−３−（２−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１−（２−ヨードベンゾイル）−３−（２−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１−（３−ブロモベンゾイル）−３−（３−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１−（３−ヨードベンゾイル）−３−（３−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１−（４−ブロモベンゾイル）−３−（４−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１−（４−ヨードベンゾイル）−３−（４−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１−（３−ブロモベンゾイル）−４−（３−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１−（３−ヨードベンゾイル）−４−（３−ヨードフェノキシ）ベンゼン、１−（４−ブロモベンゾイル）−４−（４−ブロモフェノキシ）ベンゼン、１−（４−ヨードベンゾイル）−４−（４−ヨードフェノキシ）ベンゼン、
【００３１】
２，２’−ビス（２−ブロモフェノキシ）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（２−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（２−ブロモフェノキシ）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（２−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（２−ブロモフェノキシ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（２−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（３−ブロモフェノキシ）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（３−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（３−ブロモフェノキシ）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（３−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（３−ブロモフェノキシ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（３−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（４−ブロモフェノキシ）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（４−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（４−ブロモフェノキシ）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（４−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（４−ブロモフェノキシ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（４−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノン、
【００３２】
２，２’−ビス（２−ブロモベンゾイル）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（２−ヨードベンゾイル）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（２−ブロモベンゾイル）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（２−ヨードベンゾイル）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（２−ブロモベンゾイル）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（２−ヨードベンゾイル）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（３−ブロモベンゾイル）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（３−ヨードベンゾイル）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（３−ブロモベンゾイル）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（３−ヨードベンゾイル）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（３−ブロモベンゾイル）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（３−ヨードベンゾイル）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（４−ブロモベンゾイル）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（４−ヨードベンゾイル）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（４−ブロモベンゾイル）ベンゾフェノン、２，４’−ビス（４−ヨードベンゾイル）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（４−ブロモベンゾイル）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（４−ヨードベンゾイル）ベンゾフェノン、
【００３３】
３，４’−ビス  （２−ブロモフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス  （２−ヨードフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス  （３−ブロモフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス  （３−ヨードフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス  （４−ブロモフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス  （４−ヨードフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （２−ブロモフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （２−ヨードフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （３−ブロモフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （３−ヨードフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （４−ブロモフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （４−ヨードフェノキシ）ジフェニルエーテル、
３，４’−ビス  （２−ブロモベンゾイル）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス  （２−ヨードベンゾイル）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス  （３−ブロモベンゾイル）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス  （３−ヨードベンゾイル）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス  （４−ブロモベンゾイル）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス  （４−ヨードベンゾイル）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （２−ブロモベンゾイル）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （２−ヨードベンゾイル）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （３−ブロモベンゾイル）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （３−ヨードベンゾイル）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （４−ブロモベンゾイル）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス  （４−ヨードベンゾイル）ジフェニルエーテルなどを挙げることができる。これらの化合物は１種単独で使用しても２種以上を同時に使用してもよい。
【００３５】
一般式（８）で表わされる化合物としては、例えば、４，４’−ジエチニルビフェニル、３，３’−ジエチニルビフェニル、３，４’−ジエチニルビフェニル、４，４’−ジエチニルジフェニルエーテル、３，３’−ジエチニルジフェニルエーテル、３，４’−ジエチニルジフェニルエーテル、４，４’−ジエチニルベンゾフェノン、３，３’−ジエチニルベンゾフェノン、３，４’−ジエチニルベンゾフェノン、２，４，４’−トリエチニルジフェニルエーテルなどを挙げることができる。これらの化合物は１種単独で使用しても２種以上を同時に使用してもよい。
【００３６】
一般式（９）で表わされる化合物としては、例えば、１，２−ジエチニルベンゼン、１，３−ジエチニルベンゼン、１，４−ジエチニルベンゼン、２，５−ジエチニルトルエン，３，４−ジエチニルトルエンなどを挙げることができる。これらの化合物は１種単独で使用しても２種以上を同時に使用してもよい。
【００３７】
本発明の重合体は、上記一般式（６）で表される化合物と、前記一般式（８）及び一般式（９）で表わされる化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物を触媒の存在下で重合させることにより得られ、この際、一般式（６）で表される化合物と、一般式（８）で表される化合物及び／又は一般式（９）で表される化合物の使用割合は、前者の化合物の総量１モルに対して、後者の化合物の総量が０．８〜１．２モル、好ましくは０．９〜１．１モル、特に好ましくは０．９５〜１．０５である。後者の化合物の総量が０．８モル未満の場合や１．２モルを越える場合は、得られる重合体の分子量が上昇しにくい。
【００３８】
本発明の製造方法においては、これらの化合物を、遷移金属化合物を含む触媒の存在下で重合させることが好ましく、遷移金属化合物及び塩基性化合物を含む触媒であることがより好ましく、下記の（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）成分から構成されるものが特に好ましい。
（ａ）パラジウム塩及びパラジウムに対しさらに配位子として結合するか、配位子として結合する基（原子団）を供給して錯体（錯イオンを含む）を形成し得る物質（以下、配位子形成体という）、又はパラジウム錯体（必要に応じて配位子形成体を加えてもよい）
（ｂ）１価の銅化合物
【００３９】
（ｃ）塩基性化合物
上記パラジウム塩としては、例えば、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム等を挙げることができる。配位子形成体としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリシアノフェニルホスフィン、トリシアノメチルホスフィン等を挙げることができる。中でも、トリフェニルホスフィンが好ましい。これらの化合物は１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００４０】
パラジウム錯体としては、例えば、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジブロモビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジヨードビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリ−ｏ−トリルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリシアノフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリシアノメチルホスフィン）パラジウム、ジブロモビス（トリ−ｏ−トリルホスフィン）パラジウム、ジブロモビス（トリシアノフェニルホスフィン）パラジウム、ジブロモビス（トリシアノメチルホスフィン）パラジウム、ジヨードビス（トリ−ｏ−トリルホスフィン）パラジウム、ジヨードビス（トリシアノフェニルホスフィン）パラジウム、ジヨードビス（トリシアノメチルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリ−ｏ−トリルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリシアノフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリシアノメチルホスフィン）パラジウム等を挙げることができる。中でも、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムが好ましい。これらの化合物は１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００４１】
１価の銅化合物としては、例えば、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）等を挙げることができる。
これらの化合物は１種単独で使用してもよく、２種以上を同時に使用してもよい。
【００４２】
上記の触媒の使用割合としては、下記のとおりである。
パラジウム塩の使用割合は、一般式（６）〜（９）で表される化合物の総量１モルに対し、好ましくは、０．０００１〜１０モル、さらに好ましくは、０．００１〜１モルである。０．０００１モル未満であると重合が十分に進行しないことがあり、一方、１０モルを超えると精製が困難となることがある。
また、配位子形成体の使用割合は、一般式（６）〜（９）で表される化合物の総量１モルに対し、好ましくは、０．０００４〜５０モル、さらに好ましくは０．００４〜５モルである。０．０００４モル未満であると重合が十分に進行しないことがあり、一方、５０モルを超えると精製が困難となることがある。
【００４３】
パラジウム錯体の使用割合は、一般式（６）〜（９）で表される化合物の総量１モルに対し、好ましくは、０．０００１〜１０モル、さらに好ましくは０．００１〜１モルである。０．０００１モル未満であると重合が十分に進行しないことがあり、一方、１０モルを超えると精製が困難となることがある。
１価の銅化合物の使用割合は、一般式（６）〜（９）で表される化合物の総量１モルに対し、好ましくは、０．０００１〜１０モル、さらに好ましくは０．００１〜１モルである。０．０００１モル未満であると重合が十分に進行しないことがあり、一方、１０モルを超えると精製が困難となることがある。
【００４４】
また、塩基性化合物としては、例えば、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、ジエチルアミン、アンモニア、ｎ−ブチルアミン、イミダゾール等を挙げることができる。中でも、ジエチルアミン、ピペリジン、ｎ−ブチルアミンが好ましい。これらの化合物は１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００４５】
塩基性化合物の使用割合は、一般式（６）〜（９）で表される化合物の総量１モルに対し、好ましくは、１〜１０００モル、さらに好ましくは１〜１００モルである。１モル未満であると重合が十分に進行しないことがあり、一方、１００モルを超えると経済的ではなくなる。
【００４６】
本発明の製造方法では、必要に応じて溶媒を用いることができる。重合溶媒としては特に制限はないが、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒；
ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ジエチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジグライム、アニソール、ジエチレンクリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクルペンタノン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は十分に乾燥、脱酸素して用いることが好ましい。これらの溶媒は１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００４７】
重合溶媒中におけるモノマー（重合成分）濃度は、１〜８０重量％が好ましく、５〜６０重量％がより好ましい。
また、重合温度は、好ましくは、０〜１５０℃、さらに好ましくは５〜１００℃である。また、重合時間は、好ましくは、０．５〜１００時間、さらに好ましくは１〜４０時間である。
【００４８】
（膜形成用組成物）
本発明の膜形成用組成物は、上記の本発明の重合体（以下、重合体（１）という）を溶媒に溶解して調製される。
この際使用することができる溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及び非プロトン系溶媒の群から選ばれた少なくとも１種が挙げられる。
【００４９】
ここで、アルコール系溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系溶媒；
【００５０】
エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジオール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−２，４，２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価アルコール系溶媒；
【００５１】
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多価アルコール部分エーテル系溶媒；などを挙げることができる。これらのアルコール系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００５２】
ケトン系溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５−ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘプタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。これらのケトン系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００５３】
アミド系溶媒としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−ホルミルピロリジン、Ｎ−アセチルモルホリン、Ｎ−アセチルピペリジン、Ｎ−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これらアミド系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００５４】
エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００５５】
非プロトン系溶媒としては、例えばアセトニトリル、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルスルファミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルモルホロン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール、Ｎ−メチル−Δ３  −ピロリン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチル−４−ピペリドン、Ｎ−メチル−２−ピペリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチルテトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノンなどを挙げることができる。これら非プロトン系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００５６】
本発明の膜形成用組成物には、さらに本発明の効果を損なわない程度にコロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、重合体（１）以外の有機ポリマー、界面活性剤、シランカップリング剤、トリアゼン化合物、ラジカル発生剤、重合性の二重結合を含有する化合物、重合性の三重結合を有する化合物などの成分を添加してもよい。
【００５７】
コロイド状シリカとは、例えば、高純度の無水ケイ酸を前記親水性有機溶媒に分散した分散液であり、通常、平均粒径が５〜３０ｍｎ、好ましくは１０〜２０ｍｎ、固形分濃度が１０〜４０重量％程度のものである。このような、コロイド状シリカとしては、例えば、日産化学工業（株）製、メタノールシリカゾル及びイソプロパノールシリカゾル；触媒化成工業（株）製、オスカルなどが挙げられる。これらの使用量は、重合体（１）１００重量部に対して、通常、１〜２０重量部にすることが好ましい。
【００５８】
コロイド状アルミナとしては、日産化学工業（株）製のアルミナゾル５２０、同１００、同２００；川研ファインケミカル（株）製のアルミナクリアーゾル、アルミナゾル１０、同１３２などが挙げられる。これらの使用量は、重合体（１）１００重量部に対して、通常、１〜２０重量部にすることが好ましい。
上記有機ポリマーとしては、例えば、糖鎖構造を有する重合体、ビニルアミド系重合体、（メタ）アクリル系重合体、芳香族ビニル化合物系重合体、デンドリマー、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体などを挙げることができる。
【００５９】
ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキシド構造などを有する重合体が挙げられる。
【００６０】
具体的には、ポリオキシメチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなどのエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエーテルエステル型化合物などを挙げることができる。
【００６１】
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマーとしては、下記のようなブロック構造を有する化合物が挙げられる。
−（Ｘ’）ｐ  −（Ｙ’）ｑ  −’
−（Ｘ’）ｐ  −（Ｙ’）ｑ  −（Ｘ’）ｒ  −
〔一般式中、Ｘ’は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−で表される基を、Ｙ’は−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−で表される基を示し、ｐは１〜９０、ｑは１０〜９９、ｒは０〜９０の数を示す。〕
【００６２】
これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げることができる。これらは、１種単独で使用しても２種以上を同時に使用してもよく、これらの使用量は、重合体（１）１００重量部に対して、通常、１〜３０重量部にすることが好ましい。
【００６３】
界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げることができる。
【００６４】
フッ素系界面活性剤としては、例えば、１，１，２，２−テトラフロロオクチル（１，１，２，２−テトラフロロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テトラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフロロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロデカン、Ｎ−［３−（パーフルオロオクタンスルホンアミド）プロピル］−Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ−カルボキシメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル−Ｎ−エチルスルホニルグリシン塩、リン酸ビス（Ｎ−パーフルオロオクチルスルホニル−Ｎ−エチルアミノエチル）、モノパーフルオロアルキルエチルリン酸エステルなどの末端、主鎖及び側鎖の少なくとも何れかの部位にフルオロアルキル又はフルオロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活性剤を挙げることができる。
【００６５】
また、市販品では、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３〔以上、大日本インキ化学工業（株）製〕、エフトップＥＦ３０１、同３０３、同３５２〔新秋田化成（株）製〕、フロラードＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１〔住友スリーエム（株）製〕、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ−１０６〔旭硝子（株）製〕、ＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００〔裕商（株）製〕、ＮＢＸ−１５〔（株）ネオス〕などの名称で市販されているフッ素系界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上記メガファックＦ１７２，ＢＭ−１０００，ＢＭ−１１００，ＮＢＸ−１５が特に好ましい。
【００６６】
シリコーン系界面活性剤としては、例えば、ＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ９４ＰＡ〔いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製〕などを用いることができる。これらの中でも、上記ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡが特に好ましい。
【００６７】
界面活性剤の使用量は、重合体（１）１００重量部に対して、通常、０．００００１〜１重量部である。これらは、１種単独で使用しても２種以上を同時に使用してもよい。
【００６８】
シランカップリング剤としては、例えば、３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリプロポキシシラン、ビニルトリブトキシシラン、ｐ−トリルトリメトキシシラン、ｐ−トリルトリエトキシシラン、ｍ−エチニルフェニルトリメトキシシラン、ｐ−エチニルフェニルトリメトキシシラン、ｍ−エチニルフェニルトリエトキシシラン、ｐ−エチニルフェニルトリエトキシシランなどが挙げられる。また、これらのアルコキシシランの加水分解物及び／又は縮合物を使用することができる。
【００６９】
これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよく、これらの使用量は、重合体（１）１００重量部に対して、通常、０．１〜１０重量部にすることが好ましい。
【００７０】
トリアゼン化合物としては、例えば、１，２−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、１，３−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、１，４−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフェニル）エーテル、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフェニル）メタン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフェニル）スルホン、ビス（３，３−ジメチルトリアゼニルフェニル）スルフィド、２，２−ビス〔４−（３，３−ジメチルトリアゼニルフェノキシ）フェニル〕−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（３，３−ジメチルトリアゼニルフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，３，５−トリス（３，３−ジメチルトリアゼニル）ベンゼン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−メチル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−フェニル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−プロペニル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−フルオロ−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３，５−ジフルオロ−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレン、２，７−ビス（３，３−ジメチルトリアゼニル）−９，９−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（３，３−ジメチルトリアゼニル）フェニル］フルオレンなどが挙げられる。
これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよく、これらの使用量は、重合体（１）１００重量部に対して、通常、１〜１０重量部にすることが好ましい。
【００７１】
ラジカル発生剤としては、例えば、イソブチリルパーオキサイド、α，α’−ビス（ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、ジ−ｎプロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ジメトキブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、スクシニックパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｍ−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロデカン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−３，３，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｐ−メンタンヒドロパーオキサイ���、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシルヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイドなどの有機過酸化物；
【００７２】
ジベンジル、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン、α，α’−ジメトキシ−α，α’−ジフェニルビベンジル、α，α’−ジフェニル−α−メトキシビベンジル、α，α’−ジフェニル−α，α’−ジメトキシビベンジル、α，α’−ジメトキシ−α，α’−ジメチルビベンジル、α，α’−ジメトキシビベンジル、３，４−ジメチル−３，４−ジフェニル−ｎ−ヘキサン、２，２，３，３−テトラフェニルコハク酸ニトリルなどのビベンジル化合物を挙げることができる。
【００７３】
これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよく、これらの使用量は、重合体（１）１００重量部に対して、通常、０．５〜１０重量部にすることが好ましい。
【００７４】
重合性の二重結合を含有する化合物としては、例えば、アリルベンゼン、ジアリルベンゼン、トリアリルベンゼン、アリルオキシベンゼン、ジアリルオキシベンゼン、トリアリルオキシベンゼン、α，ω−ジアリルオキシアルカン類、α，・−ジアリルアルケン類、α，ω−ジアリルアルケン類、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、Ｎ−アリルフタルイミド、Ｎ−アリルピロメリットイミド、Ｎ、Ｎ’−ジアリルウレア、トリアリルイソシアヌレート、２，２’−ジアリルビスフェノールＡなどのアリル化合物；
【００７５】
スチレン、ジビニルベンゼン、トリビニルベンゼン、スチルベン、プロペニルベンゼン、ジプロペニルベンゼン、トリプロペニルベンゼン、フェニルビニルケトン、メチルスチリルケトン、α，ω−ジビニルアルカン類、α，ω−ジビニルアルケン類、α，ω−ジビニルアルキン類、α，ω−ジビニルオキシアルカン類、α，ω−ジビニルアルケン類、α，ω−ジビニルアルキン類、α，ω−ジアクリルオキシアルカン類、α，ω−ジアクリルアルケン類、α，ω−ジアクリルアルケン類、α，ω−ジメタクリルオキシアルカン類、α，ω−ジメタクリルアルケン類、α，ω−ジメタクリルアルケン類、ビスアクリルオキシベンゼン、トリスアクリルオキシベンゼン、ビスメタクリルオキシベンゼン、トリスメタクリルオキシベンゼン、Ｎ−ビニルフタルイミド、Ｎ−ビニルピロメリットイミドなどのビニル化合物；
２，２’−ジアリル−４，４’−ビフェノールを含むポリアリーレンエーテル、２，２’−ジアリル−４，４’−ビフェノールを含むポリアリーレンなどを挙げることができる。
【００７６】
これらは、１種又は２種以上を同時に使用してもよく、これらの使用量は、重合体（１）１００重量部に対して、通常、０．５〜１０重量部にすることが好ましい。
【００７７】
重合性の三重結合を含有する化合物としては、例えば、前記一般式（３）や一般式（４）で表される化合物が挙げられる。また、重合性の三重結合を含有する化合物としては、そのほか、エチニルベンゼン、ビス（トリメチルシリルエチニル）ベンゼン、トリス（トリメチルシリルエチニル）ベンゼン、トリエチニルベンゼン、ビス（トリメチルシリルエチニルフェニル）エーテル、トリメチルシリルエチニルベンゼンなどを挙げることができる。
【００７８】
これらの重合性の三重結合を含有する化合物は、１種単独で使用してもよく２種以上を同時に使用してもよく、これらの使用量は、重合体（１）１００重量部に対して、通常、１〜２０重量部にすることが好ましい。
【００７９】
本発明の膜形成用組成物における全固形分濃度は、１〜３０重量％が好ましく、２〜２０重量％がより好ましい。全固形分濃度は、使用目的に応じて適宜調整されるが、組成物の全固形分濃度が１〜３０重量％であると、保存安定性に優れ、塗膜の膜厚を適当な範囲とすることできる。
【００８０】
本発明の膜形成用組成物を、シリコンウエハ、ＳｉＯ２ウエハ、ＳｉＮウエハなどの基材（又は基板）に塗布する際には、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー法などの塗装手段が用いられる。その後、常温で乾燥するか、あるいは８０〜６００℃程度の温度で、通常、５〜２４０分程度加熱して乾燥・硬化させて塗膜（例えば層間絶縁膜）を形成させることができる。この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行うことができる。また、電子線や紫外線を照射することによっても、塗膜を形成させることができる。この際の塗膜の厚さ（固型分）を、１回塗りでは０．０２〜１．５μｍ程度、２回塗りでは０．０４〜３μｍ程度にすることができる。
【００８１】
本発明の膜形成用組成物は短時間焼成で塗膜とすることができ、この塗膜は耐熱性、密着性及びクラック耐性に優れ、低誘電性であることから、ＬＳＩ、システムＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭなどの半導体素子用層間絶縁膜として、エッチングストッパーや化学機械研磨ストッパー、半導体素子の表面コート膜などの保護膜として、多層レジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜などの用途に有用である。
【００８２】
【実施例】
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
なお、実施例及び比較例中の部及び％は、特記しない限り、それぞれ重量部及び重量％を示している。
また、実施例中における各特性の評価は、次のようにして測定したものである。
【００８３】
（重量平均分子量（Ｍｗ））
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した。
試料：テトラヒドロフランを溶媒として使用し、重合体１ｇを、１００ｃｃのテトラヒドロフランに溶解して調製した。
標準ポリスチレン：米国プレッシャーケミカル社製の標準ポリスチレンを使用した。
装置：米国ウオーターズ社製の高温高速ゲル浸透クロマトグラム（モデル１５０−Ｃ    ＡＬＣ／ＧＰＣ）
カラム：昭和電工（株）製のＳＨＯＤＥＸ    Ａ−８０Ｍ（長さ５０ｃｍ）
測定温度：４０℃
流速：１ｃｃ／分
【００８４】
（比誘電率）
８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法により膜形成用組成物を塗布し、ホットプレート上で８０℃で２分間、１８０℃で２分間乾燥し、さらに３９０℃の窒素雰囲気のホットプレート上で１０分間焼成し、ウエハ上に被膜を形成させた。さらに、この被膜の上にアルミニウムを蒸着し、比誘電率評価用試料を作製した。比誘電率は、横川・ヒューレットパッカード（株）製のＨＰ１６４５１Ｂ電極及びＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメーター用いて、１０ｋＨｚにおける容量値から算出した。
【００８５】
（クラック耐性）
８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法により膜形成用組成物を塗布し、ホットプレート上で８０℃で２分間、１８０℃で２分間乾燥し、さらに３９０℃の窒素雰囲気のホットプレート上で１０分間焼成し、ウエハ上に塗膜を形成させた。この際、最終的な塗膜の膜厚は５μｍとした。得られた塗膜が形成されたウエハを純水中に２時間浸漬し、塗膜の外観を３５万ルクスの表面観察用ランプで観察し、クラック耐性を評価した。
【００８６】
（塗膜密着性）
厚さ１０００ÅのＳｉＯ膜の上に厚さ１０００ÅのＳｉＮ膜が積層されている８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法により膜形成用組成物を塗布し、ホットプレート上で８０℃で２分間、１８０℃で２分間を乾燥し、さらに３９０℃の窒素雰囲気のホットプレート上で１０分間を焼成し、ウエハ上に塗膜を形成させた。得られた塗膜に対して１００℃、湿度１００％ＲＨ、２気圧の条件でＰＣＴ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｏｋｅｒ  Ｔｅｓｔ）を２４時間行った。さらにこのウエハ上にエポキシ樹脂を用いてスタッドピン１０本を固定し、１５０℃で１時間乾燥させた。このスタッドピンをセバスチャン法により引き抜き試験行い、塗膜密着性を評価した。
【００８７】
（ガラス転移温度（Ｔｇ））
８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法により膜形成用組成物を塗布し、ホットプレート上で８０℃で２分間、１８０℃で２分間乾燥し、さらに３９０℃の窒素雰囲気のホットプレート上で１０分間焼成し、ウエハ上に塗膜を形成させた。このウエハから塗膜を剥離し、これをＤＳＣ（示差走査熱量計）法により、窒素雰囲気中、昇温速度１０℃／分の条件で５００℃まで測定を行った。
【００８８】
実施例１
温度計、アルゴンガス導入管、攪拌装置を備えた１０００ｍｌ三口フラスコにテトラヒドロフラン１２０ｍｌ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム３．４６ｇ、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム２．１ｇ、ヨウ化銅１．４４ｇ）、ピペリジン２０ｍｌ、４，４’−ビス（２−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノン１８５．７２ｇを加えた。次に、４，４’−ジエチニルジフェニルエーテル６５．４８ｇを加え２５℃で２０時間反応させた。この反応液を酢酸５リットルで再沈殿を２回繰り返した後、シクロヘキサノンに溶かし超純水で２回洗浄し、メタノール５リットルで再沈殿し、沈殿を濾過、乾燥して重量平均分子量３５，０００の重合体Ａを得た。
【００８９】
この重合体Ａ  ３ｇをシクロヘキサノン２７ｇに溶解し、この溶液を０．２μｍ孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い、膜形成用組成物を得た。
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレート上で８０℃で２分間、１８０℃で２分間乾燥し、さらに３９０℃の窒素雰囲気のホットプレート上で１０分間焼成し、塗膜を形成させた。
【００９０】
得られた塗膜の比誘電率は２．９２と低い値であり、塗膜構成物質にＴｇは認められなかった。この塗膜のクラック耐性を評価したところ、純水浸漬後もクラックは認められなかった。また、塗膜の密着性を評価したところ、スタッドピン１０本共にウエハと塗膜の界面での剥離は認められなかった。
【００９１】
実施例２
実施例１において、４，４’−ビス（２−ヨードフェノキシ）ベンゾフェノンの代わりに４，４’−（２−ヨードベンゾイル）ジフェニルエーテル１８９．０６ｇを用いたこと以外は実施例１と同様に操作を行い、重量平均分子量３８，０００の重合体Ｂを得た。この重合体Ｂの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトルを図１及び図２に示す。
この重合体Ｂ  ３ｇをシクロヘキサノン２７ｇに溶解し、この溶液を０．２μｍ孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い膜形成用組成物を得た。
【００９２】
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレート上で８０℃で２分間、１８０℃で２分間を乾燥し、さらに３９０℃の窒素雰囲気のホットプレート上で１０分間を焼成し、塗膜を形成させた。
得られた塗膜の比誘電率は２．９８と低い値であり、塗膜構成物質にＴｇは認められなかった。この塗膜のクラック耐性を評価したところ、純水浸漬後もクラックは認められなかった。また、塗膜の密着性を評価したところ、スタッドピン１０本共にウエハと塗膜の界面での剥離は認められなかった。
【００９３】
比較例１
９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン３５．０４ｇと水酸化ナトリウム水溶液１６．００ｇをジメチルアセトアミドと共にフラスコに入れ、窒素雰囲気下で１６０℃で２０時間加熱を行った。この際、発生する水蒸気を系外に除去した。この溶液に１，４、４−ビスフハオロベンゾフェノン１４．７０ｇと塩化第一銅２．２ｇを加え、１６０℃で８時間反応を行った。反応液を冷却したのち、溶液中の不溶物をろ過で除去し、メタノール中に再沈殿を行った。この沈殿物をイオン交換水で十分洗浄したのち、沈殿物をシクロヘキサノンに溶解させ、不溶物を除去したのち、アセトン中に再沈殿させた。この沈殿物を６０℃の真空オーブン中で２４時間乾燥させることで、重量平均分子量２４，０００の重合体Ｃを得た。
【００９４】
この重合体Ｃ  ３ｇをシクロヘキサノン２７ｇに溶解し、この溶液を０．２μｍ孔径のテフロン製フィルターでろ過を行った。
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレート上で８０℃で２分間、１８０℃で２分間乾燥し、さらに３９０℃の窒素雰囲気のホットプレート上で１０分間焼成し、塗膜を形成させた。
得られた塗膜の比誘電率は２．８７と低い値であったが、塗膜構成物質のＴｇが２５０℃に認められた。また、塗膜の密着性を評価したところ、スタッドピンの８本でウエハと塗膜の界面での剥離が認められた。
【００９５】
比較例２
メチルトリメトキシシラン７７．０４ｇと酢酸２ｇを、イソプロピルアルコール２９０ｇに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を６０℃に安定させた。次に、イオン交換水８４ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、６０℃で２時間反応させたのち、反応液（１）（縮合物）を得た。
この反応液を０．２μｍ孔径のテフロン製フィルターでろ過を行った。
【００９６】
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレート上で８０℃で２分間、１８０℃で２分間乾燥し、さらに３９０℃の窒素雰囲気のホットプレート上で１０分間焼成し、塗膜を形成させた。
得られた塗膜の比誘電率は３．４４と高い値であった。また、塗膜のクラック耐性を評価したところ、５μｍの塗膜でクラックが生じておりクラック耐性に劣るものであった
【００９７】
【発明の効果】
本発明の重合体を含有する膜形成用組成物を基材（又は基板）上に塗布すると短時間焼成で塗膜が得られ、この塗膜は耐熱性、密着性及びクラック耐性に優れ、低誘電性である。したがって、この塗膜は、例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用である。また、本発明の製造方法によれば、このような重合体を容易に製造することができる。
【００９８】
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例２で得られた重合体の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図２】実施例２で得られた重合体のＩＲスペクトルを示す図である。
【図１】
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【図２】
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