(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間絶縁膜を挟んで配置された走査配線と信号配線の交差する領域で走査配線あるいは信号配線あるいはその両方の配線が二股に分かれた構造をもつ平面ディスプレイパネルの配線欠陥を修正する方法であって、前記走査配線と前記信号配線との間の短絡欠陥を検出して該短絡欠陥の位置を特定し、該短絡欠陥位置を含む前記領域に液状の絶縁膜材料を塗布した後に該液状の絶縁膜材料を介してレーザ光を照射して前記短絡欠陥位置の両側で前記走査配線を切断し、その後前記液状の絶縁膜材料を硬化させるようにしたことを特徴とする平面ディスプレイパネルの配線欠陥修正方法。
【請求項２】
層間絶縁膜を挟んで配置された走査配線と信号配線とが交差する領域に前記走査配線あるいは前記信号配線あるいはその両方が二股に分かれた構造をもつ平面ディスプレイパネルの配線欠陥の修正方法であって、前記走査配線と前記信号配線との間の短絡欠陥を検出する工程と、該検出した短絡欠陥の位置を記憶する工程と、該記憶した短絡欠陥の位置の情報に基づいて該短絡欠陥を含む領域に液状の絶縁膜材料を塗布する工程と、該絶縁膜材料の塗布工程の後に前記液状の絶縁膜材料を介して前記走査配線であって前記短絡欠陥位置の両側にレーザ光を照射して前記走査配線を切断する工程と、前記液状の絶縁膜材料を硬化する工程とを備えてなることを特徴とする平面ディスプレイパネルの配線欠陥修正方法。
【請求項３】
前記走査配線の切断された領域の上部に再度前記絶縁膜材料を塗布して硬化することを特徴とする請求項１または２に記載の平面ディスプレイパネルの配線欠陥修正方法。
【請求項４】
前記液状の絶縁膜材料は前記レーザ光を透過する性質を備えてなることを特徴とする請求項１または２に記載の平面ディスプレイパネルの配線欠陥修正方法。
【請求項５】
前記液状の絶縁膜材料はＳｉＯｘ樹脂材料、ポリイミド樹脂材料、エポキシ樹脂材料、またはアクリル樹脂材料から選ばれてなることを特徴とする請求項１または２に記載の平面ディスプレイパネルの配線欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶ディスプレイパネル等の平面ディスプレイパネルに形成された配線を修正する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイパネルはパーソナルコンピュータやその他のＯＡ機器、ＴＶ等のＡＶ機器に利用されている。液晶ディスプレイパネルは液晶を電界により駆動するための画素電極と、各画素電極に独立して電圧を加えるための画素数分のＴＦＴ（＝Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｇｉｓｔｅｒ）、各ＴＦＴのスイッチングを制御するための直交する走査配線と信号配線がガラス基板上に形成されたＴＦＴパネルと、液晶を挟んで一定の間隔で配置されたカラーフィルタや対向電極等からなる対向パネルから構成されている。
【０００３】
近年ではディスプレイ画面の大型化が進み、かつ高精細化により画素の微細化も進んでいる。このため、欠陥のない製品を製造することがより困難となってきており、歩留り向上が求められている。歩留り向上のために、従来は廃棄していたような欠陥品を修正して良品として再生することも頻繁に行われるようになってきた。
【０００４】
特開平４−７２５５２号公報には、予め走査配線と信号配線の交差する部分で、走査配線を二股に分けた回路パターンとしたＴＦＴパネル製造工程において、液晶封入前の検査により走査配線と信号配線の交差部で短絡欠陥が検出された場合、各走査配線と信号配線に電圧を印加して走査配線と信号配線間の短絡部に電流を流して、短絡部での電流による発熱を赤外線により検出、欠陥場所を特定した後、ＹＡＧレーザ光等により二股に分かれた走査配線の内、短絡側の走査配線を信号配線と交差する前後で切断し、電気的に短絡部分を切り離すことにより修正することが記載されている。
【０００５】
一方、配線の断線欠陥修正については、ガラスピペットを用いて液体微量供給することにより断線部に有機錯体溶液を塗布し、その塗布部分にレーザ光を照射して有機錯体溶液を熱分解すると共に、金属膜を析出させて断線部分を電気的に接続して修正することが特開平８−１８４８４２号公報に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来の短絡欠陥修正技術においては、短絡欠陥修正用にＴＦＴパネルの走査配線と信号配線とが層間絶縁膜を挟んで交差する部分で走査配線が二股に分かれた構造になっており、二股に分かれたどちらか一方で短絡している欠陥の場合について修正を行っている。走査配線の二股に分かれた一方の交差点にある信号配線との短絡欠陥において、交差する前後の走査配線部分をＹＡＧレーザ光等にて切断、短絡欠陥部分をＴＦＴ回路から電気的に分離することで修正する。しかし、レーザ光により溶融した配線材料が切断部上にある絶縁保護膜を突き破り、切断部周囲に飛散したり、この飛散により切断部分は絶縁保護膜が無くなることになり、走査配線が液晶に対して電気的に露出してしまう。このため、修正部の絶縁保護が不十分になるだけでなく、液晶の種類によっては切断部からリーク電流が流れ出すことになる。液晶は製品の種類によって異なっており、種類によっては切断部からのリーク電流で液晶のシミ状欠陥が発生するなどの配向不良が発生してしまう可能性があった。
【０００７】
また短絡欠陥以外に、ＴＦＴパネル上の各配線を形成する工程中で異物がパネル上に付着し、配線形成後にこれを保護するために形成する絶縁保護膜が異物により正常に形成されずに絶縁保護膜形成不良が発生、形成不良部分から液晶へリーク電流が流れ出して、液晶の種類によっては液晶のシミ状欠陥が発生するなどの配向不良が発生してしまう可能性があった。
【０００８】
本発明の目的はこのような課題を解決するものであり、配線間の短絡欠陥または配線上に異物が付着した場合に発生する配線の絶縁保護不良部を修正する平面ディスプレイパネルの配線修正方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、層間絶縁膜を挟んで配置された走査配線と信号配線の交差する部分で走査配線あるいは信号配線あるいはその両方が二股に分かれた構造をもつ液晶ディスプレイパネル等の平面ディスプレイパネルの配線の欠陥を修正する方法において、走査配線と信号配線との間の短絡欠陥を検出して短絡欠陥の位置を特定し、この位置を特定した短絡欠陥が発生した走査配線と信号配線間とが交差する部分をレーザ光により切除し、この切除した箇所に局部的に絶縁膜を形成することにより短絡欠陥を修正する工程を含むようにしたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明では、層間絶縁膜を挟んで配置された走査配線と信号配線とが交差する部分に前記走査配線あるいは前記信号配線あるいはその両方が二股に分かれた構造をもつ液晶ディスプレイパネル等の平面ディスプレイパネルの配線欠陥の修正方法において、走査配線と信号配線間の短絡欠陥を検出する工程と、この検出した短絡欠陥の位置を記憶する工程と、記憶した短絡欠陥の位置の情報に基づいて短絡欠陥を発生した走査配線にレーザを照射して走査配線を切断する工程と、レーザを照射して切断した部分に局所的に絶縁膜を形成する工程とを含むようにしたことを特徴とする。
【００１１】
更に、本発明は、層間絶縁膜を挟んで配置された走査配線と信号配線とが交差する部分に前記走査配線あるいは前記信号配線あるいはその両方が二股に分かれた構造をもつ液晶ディスプレイパネル等の平面ディスプレイパネルの配線欠陥の修正方法において、走査配線と信号配線間の短絡欠陥を検出する工程と、検出した短絡欠陥の位置を記憶する工程と、記憶した短絡欠陥の位置の情報に基づいて短絡欠陥を発生した走査配線に局所的に絶縁膜材料を供給する工程と、短絡欠陥を発生した走査配線に絶縁膜材料を通してレーザを照射して走査配線を切断する工程と、レーザを照射して切断した部分に局所的に絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
更に、本発明は、層間絶縁膜を挟んで配置された走査配線と信号配線とが交差する部分に走査配線あるいは信号配線あるいはその両方が二股に分かれた構造をもつ液晶ディスプレイパネル等の平面ディスプレイパネルにおいて、走査配線と信号配線とが交差する箇所のうちの少なくとも一部の箇所において、走査配線の一部が切断され、この一部が切断された部分が絶縁膜で被覆された構造を有することを特徴とする。
【００１３】
更に、本発明は、層間絶縁膜を挟んで上下に配線が形成された平面ディスプレイパネルにおいて、上下の配線が交差する箇所のうちの少なくとも一部の箇所において、上下の配線の内の一方の配線の一部が欠落し、この一部が欠落した部分を絶縁膜で被覆した構造を有することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
〔第1の実施の形態〕
以下、図１、２、８、９、１０を用いて第1の実施の形態を説明する。図８はＴＦＴパネルの簡略化した構造を示したものである。ＴＦＴパネルはガラス基板１上に液晶の配向を電界により変えるための画素電極４、４’が配置され、この画素電極４に電圧を印加するためのＴＦＴ構造６が各画素電極４に対して形成されている。さらに、画像信号に伴って各ＴＦＴを駆動するために走査配線２と信号配線３が層間絶縁膜を挟んで直交する形で複数、例えば、ＶＧＡ（ＶｉｄｅｏＧｒａｐｈｉｃｓ  Ａｒｒａｙ）で１９２０本、ＳＶＧＡ（Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉｄｅｏ  Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ａｒｒａｙ）で２４００本、ＸＧＡ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ａｒｒａｙ）で３０００本以上が配置されている。さらに走査配線２と信号配線３を覆う絶縁保護膜が形成されている。最終的には液晶の配向をそろえるための配向膜が形成され、液晶を挟んでカラーフィルタ等を形成した対向パネルが配置される。
【００１５】
本発明の第1の実施の形態では、ＴＦＴパネルの各配線形成、絶縁保護膜形成後の走査配線と信号配線の短絡欠陥の検査工程において発見された短絡欠陥７を修正する。この走査配線と信号配線の短絡位置については特開平４−７２５５２号公報に示されているように、各走査配線と信号配線間に電圧を印加すると、正常な配線に比べて、短絡部では過電流が走査配線と信号配線間に流れ込み、その過電流による抵抗発熱が短絡配線部分に発生する。発熱による赤外線を赤外線検出器により検出することで短絡位置を特定し、その欠陥位置情報に基づいて修正を行う。
【００１６】
図８に示した短絡欠陥７のＡ−Ａ’断面を図９に示した。正常な走査配線と信号配線の交差点では信号配線３と走査配線２とは層間絶縁膜（絶縁保護膜）８により電気的に絶縁されているが、短絡欠陥部７では異物等の原因により層間絶縁不良となっていて信号配線３と走査配線２の交差部で短絡状態となっている。従来の短絡欠陥修正を考慮した回路パターンでは、この交差部で走査配線が二股に分かれており、信号配線とは２つの交差点を持っている。
【００１７】
この２交差点が同時に短絡欠陥となっている場合には短絡欠陥を修正することはできないが、どちらか１つの交差点で短絡欠陥が発生している場合には、交差点の前後、すなわちレーザ切断部１１および１１’を図９（ａ）に示すように、レーザ光９により切断して、図９（ｂ）のように短絡欠陥部７を走査配線２から電気的に切り離すことで修正を行っていた。しかし、図９（ｂ）に示すようにレーザ切断部１１および１１’上部の絶縁保護膜８の一部もレーザ光９により除去され、走査配線２の一部が液晶側に電気的に露出してしまう。また、図１０に示すようにレーザ光９により溶融、除去された走査配線２の一部である飛散した金属１０がレーザ切断部１１、１１’の周囲、直径１００〜２００μｍ程度の周囲に付着してしまう。
【００１８】
この時点では電気的には修正されて、短絡欠陥は解消されているように思われるが、このまま良品として液晶ディスプレイパネルを完成させた後、実際に通電すると液晶中に走査配線２から電界が漏れだし、そのリーク電流により液晶の種類によっては、シミ状の配向不良欠陥が発生する。
【００１９】
そこで、本発明では図１に示すようにレーザ光９により走査配線２のレーザ切断部１１、１１’を切断した後に、レーザ切断部１１、１１’の保護および飛散した金属１０を覆うために局所的に絶縁膜材料を直径１００〜２００μｍ程度にわたって塗布する。局所的に塗布する方法としては、特開平８−１８４８４２号公報に記載されているような先端直径が数μｍのガラスピペット１２に毛細管現象を利用して、予め絶縁膜材料１３を封入し、図示していないが、このガラスピペット１２をＴＦＴパネルに対してμｍオーダで制御できるマニュピレータのアーム（図示せず）に取り付ける。
【００２０】
ガラスピペット１２の末端にはガスチューブが接続されており、図示していないが1ミリ秒〜数秒に可変できるパルスにより動作する電磁弁で空気あるいは不活性ガスを流すことができるガス供給システムにガスチューブは接続されている。塗布時には図示していないが、ＴＦＴパネルを載せて水平方向に移動することができるステージと、ＴＦＴパネルと水平、垂直方向にガラスピペット１２を移動することができる前述したマニピュレータを使用して、短絡欠陥位置情報に基づいてＴＦＴパネル上の短絡欠陥部近傍（１００〜２００μｍ）へ移動し、最終的に光学顕微鏡などで塗布する場所を見ながら短絡欠陥部７上でＴＦＴパネル面に接触させる。
【００２１】
その後、前記ガス供給システムによりガラスピペット１２内部に空気あるいは不活性ガスを数十キロパスカル、１ミリ秒〜数秒間、流し込んで塗布範囲を制御しながら絶縁膜材料を吐出させて、絶縁膜材料１３を局所的に直径１００〜２００μｍ程度の範囲内に塗布する。塗布する絶縁膜材料１３は例えば、ＳｉＯx樹脂材料やポリイミド樹脂材料やエポキシ樹脂材料、あるいはアクリル樹脂材料を使用する。そして絶縁膜材料１３の特性に合わせて硬化方法は異なるが、例えばポリイミド樹脂材料の場合には一定時間、ＴＦＴパネルあるいは塗布した部分を加熱する（一定温度に保たれた焼成炉にパネルを一定時間入れるあるいは、塗布した近傍にランプを配置してランプ加熱する）ことで化学反応により硬化させて、絶縁膜を形成する。これにより、液晶ディスプレイパネル完成後も液晶に対して修正個所は電気的に絶縁されており、シミ状配向不良が発生することなく短絡欠陥部７の修正が可能となる。
〔第2の実施の形態〕
上記第1の実施の形態で示した短絡欠陥の修正を行った場合には、短絡部の交差点の前後の走査配線をレーザ光により除去する際に走査配線の溶融、飛散した金属１０のＴＦＴパネル上への付着範囲はレーザ光９の特性にもよるが、直径１００〜２００μｍの範囲で飛散する。図１に示したように、この直径１００〜２００μｍの範囲にガラスピペット１２により絶縁膜材料１３を局所的に塗布して、熱的に硬化することで絶縁膜を形成して修正部を覆ったが、形成した局所的な絶縁膜は０．３〜１μｍ程度の膜厚を持っており、修正していない場所に比べて凸形状になっている。
【００２２】
液晶を封入する前にはＴＦＴパネル全面に配向膜を形成し、液晶が配向膜によって一定の方向へ向くように設計されているが、修正した部分では凸形状になっていることで液晶の配向が乱れる。高精細のＴＦＴパネルの場合には、画素電極及びその間隔が短くなり、直径１００〜２００μｍといった範囲におよぶ修正個所の液晶の乱れが、修正個所以外の複数の画素電極間に影響する可能性がある、最悪の場合には肉眼で修正個所が確認できるようになって、検査時に不良となる可能性がある。そこで、高精細のＴＦＴパネル等の画素電極の間隔が短い製品においても、このような不良を抑制しながら修正できる方法を図３、４を用いて第2の実施の形態として説明する。
【００２３】
図３（ａ）に示すように、まずＴＦＴパネルを載せて水平方向に移動することができるステージ（図示せず）と、ＴＦＴパネルと水平、垂直方向にガラスピペット１２を移動することができるマニピュレータ（図示せず）とを使用して、欠陥位置情報に基づいてＴＦＴパネル上の短絡欠陥部近傍（１００〜２００μｍ）へ移動し、最終的に光学顕微鏡などで塗布する場所を見ながら短絡欠陥部７上でＴＦＴパネル面に接触させる。その後、前記ガス供給システムによりガラスピペット１２内部に空気あるいは不活性ガスを数十キロパスカル、１ミリ秒〜数秒間、流し込んで塗布範囲を制御しながら絶縁膜材料を吐出させて、絶縁膜材料１３を局所的に塗布する。塗布範囲１５はＴＦＴパネルの画素電極間隔に基づき、修正による不良が発生しない範囲で任意に決める。
【００２４】
次に塗布後、ガラスピペット１２をマニュピレータによりレーザ光９にあたらない場所へ退避してから、図３（ｂ）に示すようにレーザ光９により短絡欠陥部７の交差点の二股に分かれた一方の走査配線２のレーザ切断部１１および１１’を切断する。このときレーザ光９により発生する走査配線２の溶融した金属は熱的に硬化させる前の粘度の高い液体状態になっている絶縁膜材料１３内部に捕らえられ、絶縁膜材料１３の内部に留まるため、塗布した絶縁膜材料１３の周囲外には飛散しない。
【００２５】
従って、金属の飛散範囲が絶縁膜材料１３の塗布範囲１５内に制御されることで、修正による配向不良が発生しない範囲で修正が可能となる。ただし、図３（ｃ）に示すようにレーザ光９により切断した部分は絶縁膜材料１３の厚さが薄くなるため、図３（ｄ）に示すように再度ガラスピペット１２により塗布範囲１６内に絶縁膜材料１３を重ねて塗布し、絶縁膜材料１３の厚さを厚くする。なお、塗布範囲１６は塗布範囲１５の内側にする。その後、絶縁膜材料１３の特性に合わせた硬化方法により絶縁膜材料１３を硬化させて、絶縁膜を形成する。これにより、液晶ディスプレイパネル完成後も液晶に対して修正個所は絶縁されており、シミ状の配向不良が発生することなく、かつ画素電極及びその間隔が短くなった高精細のＴＦＴパネルの場合でも、修正による配向不良を発生させずに短絡欠陥部７の修正が可能となる。
この第2の実施の形態で説明した方法によれば、走査配線2の熔融した金属が周囲に飛散するのを押さえることができるので、絶縁膜材料13を塗布する範囲を走査配線２とその近傍に限定することが可能になり、周辺の画素電極へ影響を与えることなく修正することができる。
〔第3の実施の形態〕
以下、図５および６を用いて発明の実施の形態３を説明する。図５は絶縁保護膜形成後のＴＦＴパネルであり、配線形成工程にて走査配線２上に異物１７が付着したときの状態を示しており、異物１７を含むＢ−Ｂ’断面に示したように、走査配線２上に付着した異物１７が絶縁保護膜８を突き破っている。このような場合、異物１７が絶縁物あるいは導体に関わらず、液晶ディスプレイパネル完成後の通電により異物１７の周囲から封入された液晶中に走査配線２の電界が漏れだし、液晶の種類によってはシミ状の配向不良欠陥となる可能性がある。
【００２６】
この不良を防止するために、先ず、絶縁保護膜形成後にＴＦＴパネル検査工程にて異物検査を行い、配向不良欠陥を誘発する可能性のある異物１７の位置を特定する。その後、実施の形態1又は2に示したような方法と同様の処理を行うことにより、欠陥部を修正する。即ち、図６に示すように、第1及び第2の実施の形態と同様に、ＴＦＴパネルを載せて水平方向に移動することができるステージ（図示せず）と、ＴＦＴパネルと水平、垂直方向にガラスピペット１２を移動することができるマニピュレータ（図示せず）を使用して、異物検査位置情報に基づき、ＴＦＴパネル上の修正すべき異物１７近傍（１００〜２００μｍ）へ移動し、最終的に光学顕微鏡などで塗布する場所を見ながら異物１７上でＴＦＴパネル面に接触させる。
【００２７】
その後、前記ガス供給システムによりガラスピペット１２内部に空気あるいは不活性ガスを数十キロパスカル、１ミリ秒〜数秒間、流し込んで絶縁膜材料を塗布範囲を制御しながら吐出させて、異物１７にガラスピペット１２に封入した絶縁膜材料１８を塗布する。塗布した部分のＣ−Ｃ’断面に示すように絶縁膜材料１８により異物１７を完全に覆う。
【００２８】
なお、絶縁膜材料は第1及び第2の形態に示した材料の中から選択したもので、絶縁膜材料１８の特性に合わせて熱的に硬化させるなどの方法により、塗布した絶縁膜材料１８を硬化させて、絶縁膜を形成する。これにより、液晶ディスプレイパネル完成後も液晶に対して修正個所は絶縁されており、異物１７によるシミ状の配向不良欠陥の発生を抑制することが可能となる。
【００２９】
〔第4の実施の形態〕
以下、図７を用いて第4の実施の形態を説明する。第3の実施の形態においては、異物によるシミ状の配向不良欠陥の発生を抑制する方法について記載したが、この第3の実施の形態が適用できるのは、ＴＦＴパネル面から異物の頂点までの距離ｄが、液晶を挟むカラーフィルタ等を形成した対向パネルに接触しない距離Ｄ以下である必要がある。
【００３０】
一方、図７（ａ）に示すようにｄ＞Ｄで対向パネルに異物１９が接触する恐れがある場合には、まず図７（ｂ）に示すように、異物検査位置情報に基づき、ＴＦＴパネルを載せて水平方向に移動することができるステージ（図示せず）を使用して異物１９を含めた周辺の領域にレーザ光９を照射し、異物１９及びその周辺の走査配線２と絶縁保護膜８を除去する。なお、異物１９の大きさ、形状はさまざまであるが、レーザ光９は任意なスポット形状にすることができないので、異物１９より大きな面積となるスポット形状にして照射している。このため、異物１９周辺の走査配線２や絶縁保護膜８を同時に除去することになる。
【００３１】
この加工により図７（ｃ）に示すように異物１９が除去されて、対向パネルに接触することがなくなる。そして、加工部の走査配線２が露出した部分に、実施の形態１，２，３と同様に図示していないＴＦＴパネルを載せて水平方向に移動することができるステージと、ＴＦＴパネルと水平、垂直方向にガラスピペット１２を移動することができるマニピュレータ（図示せず）を使用して、異物検査位置情報に基づき、図７（ｄ）に示すようにＴＦＴパネル上の修正すべき異物１９をレーザ除去した領域近傍（１００〜２００μｍ）へ移動し、最終的に光学顕微鏡などで塗布する場所を見ながら異物１９をレーザ除去した領域上でＴＦＴパネル面に接触させる。
【００３２】
その後、前記ガス供給システムによりガラスピペット１２内部に空気あるいは不活性ガスを数十キロパスカル、１ミリ秒〜数秒間、流し込んで絶縁膜材料を塗布範囲を制御しながら吐出させて、ガラスピペット１２に封入した絶縁膜材料１８を塗布する。塗布された絶縁膜材料１８により加工部の走査配線２が露出した部分を完全に覆う。さらに、第1乃至第3の実施の形態と同様に、絶縁膜材料１８の特性に合わせて熱的に硬化させるなどの方法により、塗布した絶縁膜材料１８を硬化させて、絶縁膜を形成する。この結果、対抗パネルに接触してしまうような大きな異物が付着した場合でも、それを除去して補修することができる。これにより、ＴＦＴパネル完成後も液晶に対して修正個所は絶縁されており、異物１９によるシミ状欠陥の発生を抑制することが可能となる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、平面ディスプレイパネルの製造において発生した走査配線と信号配線間の短絡欠陥の修正を確実に行うことが可能となり、平面ディスプレイパネルの製造歩留りを向上させることができる。また、異物によるシミ状の配向不良欠陥の発生を抑制することが可能となり、これによっても平面ディスプレイパネルの製造歩留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における修正方法を示すＴＦＴパネルとガラスピペットの断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における絶縁膜材料塗布範囲を示すＴＦＴパネルの平面図である。
【図３】本発明の実施の形態２における修正方法を示すＴＦＴパネルとガラスピペットの断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２における絶縁膜材料塗布範囲を示すＴＦＴパネルの平面図である。
【図５】本発明の実施の形態３における欠陥を誘発する異物の付着の状態を示すＴＦＴパネルの平面図及びその部分断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３における修正方法を示すＴＦＴパネルの平面図及びその部分断面図である。
【図７】本発明の実施の形態４における修正方法を示すＴＦＴパネルとガラスピペットの断面図である。
【図８】ＴＦＴパネルの簡略化した構造を示す平面図である。
【図９】従来の走査配線と信号配線の短絡欠陥を修正する方法を示すＴＦＴパネルの断面図である。
【図１０】従来の走査配線と信号配線の短絡欠陥を修正する方法を示すＴＦＴパネルの平面図である。
【符号の説明】
１…ガラス基板    ２…走査配線    ３…信号配線    ４…画素電極
６…ＴＦＴ構造    ７…短絡欠陥部    ８…層間絶縁膜    ９…レーザ光
１０…飛散した金属    １１、１１’…レーザ切断部    １２…ガラスピペット
１３、１８…絶縁膜材料    １３’、１５、１６…絶縁膜材料塗布範囲
１７、１９…異物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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