(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板間に液晶を配置してなる液晶装置の製造方法において、前記基板の少なくとも一方の内面上に形成された配向膜の表面にイオン照射を施して配向させる配向処理工程と、前記配向膜の不要部分をイオン照射によって選択的に除去する配向膜除去工程とを備え、
前記配向処理工程と前記配向膜除去工程とを同一のイオン照射装置内にて行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記配向膜除去工程においては、イオン源と前記配向膜の表面との間に、前記配向膜の必要部分を覆い隠すマスクを配置してイオンビームを照射することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記配向膜除去工程においては、前記配向膜の表面に対して交差する方向からイオンビームを照射することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記配向膜除去工程において、イオン電流密度が１５μＡ／ｃｍ２以上２５μＡ／ｃｍ２であり、
イオン照射時間が２０秒以上の場合、イオン加速速度が１０００Ｖ以上１５００Ｖ以下であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記配向膜除去工程において、イオン加速電圧が１５０Ｖ以上２５０Ｖ以下であり、イオン照射時間が２０秒以上の場合、イオン電流密度（μＡ／ｃｍ２）が１００以上１５０以下であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記配向膜除去工程において、イオン電流密度が１５μＡ／ｃｍ２以上２５μＡ／ｃｍ２であり、
イオン加速電圧が１５０Ｖ以上２５０Ｖ以下の場合、イオン照射時間が１００秒以上であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記配向処理工程において、前記配向膜の法線に対して以下の条件でイオン照射を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
イオン加速電圧    １００〜２００Ｖ
チャンバー真空度  １０−１〜１０−４ｔｏｒｒ
イオン照射角度    ４０〜５０度
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか一項において、前記配向膜除去工程においては、イオン源と前記配向膜を備えた前記基板とを前記配向膜の表面に対してほぼ平行な方向に相対移動させながらイオン照射を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項において、前記配向処理工程及び前記配向膜除去工程の前に、前記基板の内面上に前記配向膜を塗布する工程を備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれか一項において、前記配向処理工程と前記配向膜除去工程とを同一のイオン照射装置内にて連続的に行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までのいずれか一項において、前記配向処理工程を行ってから前記配向膜除去工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１までのいずれか一項において、前記配向処理工程においては、前記配向膜の表面に対し所定方位に向けて所定角度傾斜させた方向からイオンビームを照射することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１３】
２枚の基板間に液晶を配置してなる液晶装置の製造方法において、前記基板の少なくとも一方の内面上に形成された配向膜の表面にイオン照射を施すイオン照射工程を有し、該イオン照射工程においては、イオンビームにより、前記配向膜の必要部分に配向処理を行うとともに前記配向膜の不要部分をイオン照射によって選択的に除去する工程を備え、
前記配向処理及び前記除去は、同一のイオン照射装置内において施されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記配向膜の必要部分に対してはイオンビームの照射強度若しくは照射量を少なく、前記配向膜の不要部分に対しては照射強度若しくは照射量を多くした条件で照射を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置の製造方法に係り、特に、基板の内面を配向処理するための配向膜に関する工程技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶装置としての例えば液晶表示パネルを製造する場合には、２枚のパネル基板の内面上に配線、電極構造、アクティブ素子などを形成し、その上に有機又は無機素材からなる配向膜を形成する。配向膜は２枚のパネル基板の間に挟持される液晶層に接触して液晶分子を所定方向に配向させる機能を有するものである。
【０００３】
配向膜としては種々のものが存在するが、最もよく使われているものとしては、ポリイミド樹脂やポリビニルアルコールなどの有機素材からなるものである。これらの有機素材からなる配向膜においては、多くの場合、パネル基板の内面上に塗布した後、乾燥や焼成によって硬化させることによって形成される。配向膜を形成した後には、ラビング処理などの配向処理を施す必要がある。
【０００４】
従来、きわめて良く知られた配向処理法として、配向膜の表面を繊維や織物などによって所定方向に擦るラビング法がある。しかしながら、この方法は機械的に配向膜の表面を擦るものであるため、ラビング時に発塵しやすいことからラビング後に洗浄工程が必要となり、塵埃が残留すると液晶特性を悪化させるとともに、ラビングにより静電気が発生し易いため、静電気により液晶配向に乱れが生じたり、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子や２端子型非線形素子などのアクティブ素子が破壊される恐れがある。
【０００５】
そこで、上記ラビング法以外の配向処理方法が種々提案されている。この種の配向処理法としては、配向膜の表面に対して所定方向に直線偏光した紫外線を照射する方法や、イオンビームや紫外線を配向膜表面に対して傾斜させて照射する方法などが知られている。
【０００６】
上記配向処理の前提となる配向膜を形成する方法としては、基板上にフレキソ印刷などによって選択的に配向膜素材を塗布し、その後、乾燥若しくは焼成を行う方法が主流となっている。これは、基板表面における液晶封入領域のすぐ外側には、後に基板貼り合わせ工程においてシール材を塗布するため、シール材を基板上に高い密着性をもって塗布するには配向膜を除去することが必要となるためである。また、シール部分の外側には液晶駆動用のＩＣやフレキシブル回路基板などを実装する部分があり、この部分もまた配向膜を除去する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のように配向素材を印刷によって選択的に基板の内面上に塗布する方法においては、塗布時の手間がかかり製造コストの削減が困難であるとともに、印刷のにじみ等によってシール部分やＩＣ実装部分に配向素材が付着してしまう恐れがあり、パネル基板の貼り合わせ強度不足、ＩＣの実装不良などが発生する可能性がある。また、ＴＦＴ基板のように段差の大きい基板においては印刷によるムラ等が生じ配向不良になる可能性がある。
【０００８】
一方、基板上に配向素材を全面塗布した後に配向膜の不要部分を除去する方法においては、配向素材の塗布自体は容易でありコストもかからないが、基板外周部の配向膜を除去するための工程に手間がかかり、全体としての製造コストは印刷法による場合よりも不利になるという問題点がある。
【０００９】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、配向素材がシール部分、実装部分などに付着して不良を招くことを防止するとともに、生産性を向上させ、製造コストを低減することのできる液晶装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明が講じた手段は、２枚の基板間に液晶を配置してなる液晶装置の製造方法において、前記基板の少なくとも一方の内面上に形成された配向膜の表面にイオン照射を施して配向させる配向処理工程と、前記配向膜の不要部分をイオン照射によって選択的に除去する配向膜除去工程とを備えていることを特徴とする。
【００１１】
この手段によれば、イオン照射によって配向膜の配向処理と不要部分の除去とを共に行うことができるので、印刷法において問題となる周囲部分への配向素材の付着を回避できると同時に、製造時の手間を低減して生産性を高めることができ、液晶装置の品位低下を抑制しながら製造コストの低減を図ることが可能である。イオン照射においては、比較的小さい照射エネルギーにて所定の配向処理を施すことができ、また、比較的大きな照射エネルギーとすることによって配向膜を簡単に除去することができる。照射するイオン種としてはＡｒなどの不活性ガスイオンがある。
【００１２】
請求項１において、前記配向膜除去工程においては、イオン源と前記配向膜の表面との間に、前記配向膜の必要部分を覆い隠すマスクを配置してイオンビームを照射することが好ましい。マスクによって配向膜の必要部分を覆い隠すため、イオンビームの照射による配向膜の必要部分へのダメージや配向処理状態の乱れを防止することができる。マスクはイオンを遮断するために金属などのイオンを透過しないものが好ましい。
【００１３】
請求項１又は請求項２において、前記配向膜除去工程においては、前記配向膜の表面に対して交差する方向からイオンビームを照射することが好ましい。配向膜除去工程では、イオンビームを配向膜の表面に対して交差、好ましくはほぼ直交する方向から照射することにより、マスクずれなどによる配向膜の必要部分に対するダメージを与えにくく、除去パターンを高精度に管理できるとともに、照射イオンの照射インパクトを高めることにより除去速度を高めることができる。
【００１４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項において、前記配向膜除去工程においては、イオン源と前記配向膜を備えた前記基板とを前記配向膜の表面に対してほぼ平行な方向に相対移動させながらイオン照射を行うことが好ましい。この手段によれば、配向膜の除去速度の場所的な均一性を確保できる。
【００１５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記配向膜除去工程において、イオン電流密度が１５μＡ／ｃｍ２以上２５μＡ／ｃｍ２であり、イオン照射時間が２０秒以上の場合、イオン加速速度が１０００Ｖ以上１５００Ｖ以下であることが好ましい。かかる構成によれば、基板の表面構造に損傷を与えることなく配向膜をほぼ完全に除去することができる。
【００１６】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記配向膜除去工程において、イオン加速電圧が１５０Ｖ以上２５０Ｖ以下であり、イオン照射時間が２０秒以上の場合、イオン電流密度（μＡ／ｃｍ２）が１００以上１５０以下であることが好ましい。かかる構成によれば、基板の表面構造に損傷を与えることなく配向膜をほぼ完全に除去することができる。
【００１７】
請求項１のいずれか一項において、前記配向膜除去工程において、イオン電流密度が１５μＡ／ｃｍ２以上２５μＡ／ｃｍ２であり、イオン加速電圧が１５０Ｖ以上２５０Ｖ以下の場合、イオン照射時間が１００秒以上であることが好ましい。かかる構成によれば、基板の表面構造に損傷を与えることなく配向膜をほぼ完全に除去することができる。
【００１８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記配向処理工程において、前記配向膜の法線に対して
イオン加速電圧    １００〜２００Ｖ
チャンバー真空度  １０−１〜１０−４ｔｏｒｒ
イオン照射角度    ４０〜５０度（より好ましくは４５〜５０度）の照射条件
でイオン照射することが好ましい。かかる構成によれば、プレチルト角が高く、配向秩序を高めることが可能である。
【００１９】
請求項１から請求項７までのいずれか一項において、前記配向処理工程及び前記配向膜除去工程の前に、前記基板の内面上に前記配向膜を全面塗布する工程を備えていることが好ましい。配向膜を基板上に全面塗布することによって塗布工程を簡略化することができ、生産性を高めることが可能である。例えば、比較的手間のかからないスピンコート法を用いることができる。
【００２０】
請求項１から請求項８までのいずれか一項において、前記配向処理工程と前記配向膜除去工程とを同一のイオン照射装置内にて連続的に行うことが望ましい。両工程を同一のイオン照射装置内で連続的に行うことによって、更なる生産性の向上、並びに、管理及び作業労力の削減を図ることができる。
【００２１】
請求項１から請求項９までのいずれか一項において、前記配向処理工程を行ってから前記配向膜除去工程を行う場合がある。両工程の順序を逆にすることも可能である。
【００２２】
請求項１から請求項１０までのいずれか一項において、前記配向処理工程においては、前記配向膜の表面に対し所定方位に向けて所定角度傾斜させた方向からイオンビームを照射することが好ましい。この場合、イオン照射による配向処理条件としては、後述する実施形態において詳細に述べる各条件を採用することが望ましい。
【００２３】
次に、２枚の基板間に液晶を配置してなる液晶装置の製造方法において、前記基板の少なくとも一方の内面上に形成された配向膜の表面にイオン照射を施すイオン照射工程を有し、該イオン照射工程においては、イオンビーム若しくは前記基板を走査して、前記配向膜の必要部分に配向処理を行うとともに前記配向膜の不要部分をイオン照射によって選択的に除去することを特徴とする。この手段によれば、イオンビームの照射条件を変えるだけで配向膜の必要部分には配向処理を施すとともに配向膜の不要部分を除去することができるので、配向膜に対する配向処理と不要部分の除去とを一工程にて行うことができる。
【００２４】
請求項１３において、前記配向膜の必要部分に対してはイオンビームの照射強度若しくは照射量を少なく、前記配向膜の不要部分に対しては照射強度若しくは照射量を多くした条件で照射を行うことが好ましい。この場合、以下の実施例の記載のような条件で配向膜の不要部分に対するイオン照射を行うことによって、通常の配向膜を充分に除去することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態について詳細に説明する。図１は本実施形態の製造工程を模式的に示した説明図（ａ）及び（ｂ）である。本実施形態においては、まず、パネル基板１０の表面に配線、電極、アクティブ素子などの所要の表面構造１１を形成した後に、配向素材をスピンコート法などによってパネル基板１０の内面上に全面的に塗布する。配向素材としては、可溶性タイプのポリイミド素材、重合硬化を必要とするポリイミド素材、ポリアミック酸タイプのポリイミド素材などを用いることができる。可溶性タイプのポリイミド素材は塗布したまま配向処理を施すことができる。その他の配向素材は通常、乾燥や焼成によって硬化させる。
【００２６】
可溶性タイプのポリイミド素材としては、
【００２７】
【化１】
0003707269.tif 000002
【００２８】
【化２】
0003707269.tif 000003
【００２９】
などの主鎖を持つものが、高い電圧保持率、均一な液晶配向及び高いプレチルト角を実現するために特に適している。
【００３０】
また、ポリアミック酸タイプのポリイミド素材としては、
【００３１】
【化３】
0003707269.tif 000004
【００３２】
の主鎖部の構造を備えたものがある。
【００３３】
上記のようにして表面上に配向膜１２を形成したパネル基板１０をイオン照射装置のチャンバー内に導入した。そして、チャンバー内部を真空にして、イオン源２１からＡｒイオンを放出させ、加速電極２２によって加速して照射した。
【００３４】
このイオン照射は配向膜１２に配向処理を施すためのものである。このときの真空度は５×１０−３ｔｏｒｒであり、イオン照射角度はθ＝４５°であり、加速電圧１００Ｖ、電流密度２０μＡ／ｃｍ２  の条件でＡｒイオンを照射した。また、この照射条件で、パネル基板１０を図示矢印の方向（すなわち、パネル基板１０のパネル面に平行な（含まれる）方向であって、イオン源２１がパネル面に対して傾斜している方位に向かう方向）に１ｃｍ／秒の速度で移動（走査）させながら配向処理を実施した。もちろん、パネル基板１０の代わりにイオン源２１を走査してもよい。
【００３５】
配向処理におけるイオン照射の条件は、図２に示すイオン加速電圧と液晶分子のプレチルト角及び配向秩序度との関係（イオンの照射角度を４５°とした場合のデータである。）、図３に示す照射角度とプレチルト角及び配向秩序度との関係（イオン加速電圧を１００Ｖとした場合のデータである。）、図４に示す真空度と配向秩序度との関係（照射角度を４５°、イオン加速電圧を１００Ｖとし、イオン照射口から配向膜１２までの距離をＬとしたときのデータである。）などから最適化されることが好ましい。
【００３６】
ここで、プレチルト角は配向膜１２に接する液晶分子の角度であり、「液晶  応用」（岡野光治／小林駿介  共編）第６３頁に記載されている磁界電位法を用いて１８０°配向処理方向が異なるアンチパラレル液晶セルで測定を行ったものである。配向秩序度は、同書第２８頁に記載されているＧＨ（ゲストホスト）液晶を用いて測定を行ったものであり、少なくとも１ｃｍ２以上の面積範囲において平均をとったものである。イオン加速電圧としては、プレチルト角を高く、配向秩序度を高くするために、１００Ｖ以上、２００Ｖ以下であることが好ましい。また同様に、プレチルト角と配向秩序度の観点から、イオンの照射角度θは４０〜５０°、特に４５〜５０°であることが好ましい。さらに、イオン照射時の真空度が１０−１〜１０−４torrであり、しかも、イオン照射口から配向膜１２までの距離Ｌが１ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることが好ましい。
【００３７】
特に、液晶表示装置としては、配向膜１２の配向処理後の厚さが１０〜１００ｎｍの範囲内であることが、配向膜による電圧降下の影響を少なくし、しかも、充分な配向規制力を確保するために好ましい。
【００３８】
次に、上述のように配向処理された配向膜１２に対して、図１（ｂ）に示すように例えば、金属製のマスク１３をセットしてほぼ垂直方向からイオン照射を行う。この工程は、上記のパネル基板１０の表面上から不要な配向膜１２を除去するための配向膜除去工程である。このときのイオン加速電圧としては、配向処理を施す必要がないとともに、短時間で配向膜１２の除去を行うためには１０００Ｖ以上であることが好ましい。特に、１０００Ｖ以上１５００Ｖ以下であることが配向膜１２の除去速度を実用的な範囲にするとともに、表面構造１１へのダメージを与えない観点から望ましい。
【００３９】
配向膜のイオンビームによる除去は、イオンビームを主として配向膜を除去したい部分を中心に照射できるようにイオン源２１とパネル基板１０とを相対的に走査して行うことが好ましい。このようにすることによって、配向膜１２の不要部分を均一に除去することができる。
【００４０】
この工程では、イオンビームを配向膜１２の表面に対して垂直方向から照射することによって、配向膜１２とマスク１３との間隔が存在しても、マスク１３の平面パターンに対して精度良く一致した範囲で配向膜１２を除去できるとともに、イオンによる配向膜の除去効率を高めることができ、迅速に工程を完了させることができる。
【００４１】
図８には、イオン照射時のイオン加速電圧を変化させた場合の上記配向膜の除去率（％）を測定した結果を示す。ここでは、一例として配向膜の厚さは約５００オングストロームである。イオン電流密度は約２０μＡ／ｃｍ２、イオン照射時間は約２０秒である。尚、ここで記載のイオン照射時間とは所定の個所に実質にイオンが照射される時間を示す。従って、イオン照射する場合は所定の幅を有するイオンビームを走査させながら所定の個所を２０秒照射しても良いし、あるいはイオンビームを走査させずに一度に所定の個所にビームを２０秒照射させても良い。この図から分かるように、イオン加速電圧が１０００Ｖ以上であれば配向膜をほぼ完全に除去できる。また、イオン加速電圧は１５００Ｖ以下であると基板の表面構造に損傷を与えずに配向膜を除去することができる。尚、イオン電流密度は１５μＡ／ｃｍ２以上２５μＡ／ｃｍ２以下であり、イオン照射時間が２０秒以上であればほぼ同様な結果が得られた。
【００４２】
図９には、イオン照射時のイオン電流密度を変化させた場合の上記と同じ配向膜の除去率（％）を測定した結果を示す。ここで、イオン加速速度は約２００Ｖ、イオン照射時間は約２０秒である。この図から分かるように、イオン電流密度が１００μＡ／ｃｍ２以上であると配向膜をほぼ完全に除去できる。また、イオン電流密度が１５０μＡ／ｃｍ２以下であると基板の表面構造に損傷を与えずに配向膜を除去できる。尚、イオン加速電圧は１５０Ｖ以上２５０Ｖ以下、イオン照射時間は２０秒以上であればほぼ同様な結果が得られた。
【００４３】
図１０には、イオン照射時の基板表面のイオン照射時間の平均値を変化させた場合の上記と同じ配向膜の除去率（％）を測定した結果を示す。ここで、イオン加速電圧は約２００Ｖ、イオン電流密度は約２０μＡ／ｃｍ２である。イオン照射時間が１００秒を越えるとほぼ完全に配向膜が除去できる。尚、イオン加速電圧は１５０Ｖ以上２５０Ｖ以下、イオン電流密度は１５μＡ／ｃｍ２以上２５μＡ／ｃｍ２の場合同様な結果が得られた。
【００４４】
基板上の配向膜に配向処理を施すと共に、配向膜の不要部分を除去する方法としては、上記の説明にあるように配向処理工程と、配向膜除去工程とを順次に行っていく方法の他に、イオンビームを走査していく際に、配向膜の必要部分にはイオン照射による配向処理を施し、配向膜の不要部分にはイオン照射による膜除去処理を施すことによって、一工程で配向膜の処理をする方法がある。この方法は、配向膜の必要部分に対するイオン照射条件と、不要部分に対するイオン照射条件とを異ならせることによって実施できる。このときの配向膜の必要部分に対するイオン照射条件は上述の配向処理工程にて説明した条件を採用でき、配向膜の不要部分に対するイオン照射条件は上述の配向膜の除去工程に対する説明部分で記述した条件を採用できる。
【００４５】
なお、イオンビームの走査はイオンビームと基板のいずれを移動させることによっても行うことができる。また、このときの走査手順としては、基板上の配向膜の必要部分のみをまとめて先に走査した後にイオン照射条件を切り換えて配向膜の不要部分をまとめて走査することも可能であり、或いは、配向膜上にイオンビームを順次に走査していく際に、配向膜の必要部分の表面上にイオンビームが照射される期間と不要部分の表面上にイオンビームが照射されている期間とでイオンビームの照射条件を繰り返し切り換えるように制御することも可能である。
【００４６】
図５は、パネル基板１０の平面図である。パネル基板１０の内部に一点鎖線で示された矩形領域は液晶表示領域１０Ａであって、配向膜１２に対して配向処理を施す必要のある領域である。この液晶表示領域１０Ａの外側には図示点線で示すようにシール材が塗布される予定のシール領域１０Ｂであり、このシール領域１０Ｂには配向膜１２の素材や溶剤などが付着するとシールの接着強度が低下するため、配向膜１２を完全に除去する必要のある領域である。シール領域１０Ｂのさらに外側には駆動用ＩＣやフレキシブル配線基板などを実装する外部領域１Ｃであり、この領域においても、実装不良を防止するために配向膜１２を完全に除去する必要がある。したがって、上記の図１（ｂ）に示す工程では、マスク１３によって図５に示す液晶表示領域１０Ａにある配向膜１２の表面を完全に覆い隠し、液晶表示領域１０Ａの表面にイオンが照射されないようにして、シール領域１０Ｂ及び外部領域１０Ｃの配向膜１２を完全に除去する。
【００４７】
本実施形態は、特に、液晶プロジェクタなどの投射型表示装置のライトバルブに用いる高精細な液晶パネルを製造する場合に特に効果的である。高精細な液晶パネルでは配向不良などの影響が大きいとともに、塵埃などの存在によって表示品位が大きく損なわれるとともに、シール領域や外部領域から配向素材を完全になくすことが印刷法などでは困難であるからである。
【００４８】
図６は、本実施形態を適用したＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶パネルの素子基板上の表面構造の平面パターンを示し、図７は図６のＸ−Ｘ線に沿って切断した基板断面構造を示すものである。素子基板上には走査線１０１とデータ線１０３が縦横にそれぞれ並列するように形成され、走査線１０１は画素毎に形成されたＴＦＴ１０４のゲートに接続され、ＴＦＴ１０４のソースはデータ線１０３に接続されている。ＴＦＴ１０４のドレインは画素電極１０６に電気的接続されているとともに蓄積容量１０５に電気的接続されている。蓄積容量１０５は容量線１０２に接続されている。この蓄積容量１０５を形成する方法としては、容量線１０２の代わりに前段の走査線１０１との間に接続してもよい。ＴＦＴ１０４は図６に斜線にて示す領域に延在し、ソース１０４１はデータ線１０３に対して開口部１０４１ａにて導電接続され、ゲート１０４２は走査線１０１と交差して図示しない薄い絶縁膜を介して対向する。ドレイン１０４３は開口部１０４３ａを介して画素電極１０６と導電接続される。これらの構造から延在した下電極１０４０は容量線１０２と絶縁層を介して平面的に重なり、上記蓄積容量１０５を構成している。蓄積容量１０５は、公知のように電荷のリークに対して画素電極１０６の電位を長時間保持するためのものである。
【００４９】
図６に示すような素子基板上に配向膜を形成し、配向処理を行う場合、従来のラビング法では、素子基板上の表面構造の凹凸（例えば配線部分が凸部となる。）によって凸部の際部などにおいて配向が充分になされない場合があり、配向不良が発生する可能性がある。特に、投射型表示装置に用いられる高精細な液晶パネルでは配向不良の部分が大きく画質に影響する。
【００５０】
これに対して、本実施形態では、ラビングによる発塵や洗浄の必要性をなくすことができ、表面の凹凸による配向不良の有無にも無縁である（４０〜５０°の傾斜角でイオンを照射しても配線の凹凸による影響はほとんど発生しないため、配向不良も抑制できる。）から、支障なく製造することができる。そして、イオン照射によって配向膜の配向処理と、不要部分の除去の２つの処理を行うことができるので、生産性が向上し、製造コストも低減できる。
【００５１】
上記実施形態では、配向処理のためのイオン照射工程と、不要部分除去のためのイオン照射工程とを連続して行っているが、必ずしも連続して行う必要はなく、両工程の間に他の処理を挟んだり、或いは、両工程の間で一旦真空を解除してもよい。また、両工程の順序を逆にして行ってもよい。
【００５２】
上記両工程を同じ装置内にて連続して行うには、イオン照射装置内にマスクを交換したり、マスクを繰り出したり待避させたりする機構と、イオンビームの照射方向とパネル基板のパネル面との角度を変える機構とを設ける必要がある。この場合、イオン照射条件としては、両工程においてそれぞれ最適な条件で行うことが望ましい。例えば、不要な配向膜除去工程では４０〜５０°の傾斜角のままでも、電圧、電流密度、時間（送り速度）、真空度、イオン種の調整により除去が可能である。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、イオン照射によって配向膜の配向処理と不要部分の除去とを共に行うことができるので、印刷法において問題となる周囲部分への配向素材の付着を回避できると同時に、製造時の手間を低減して生産性を高めることができ、液晶装置の品位低下を抑制しながら製造コストの低減を図ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態における配向処理工程を示す模式的な説明図（ａ）及び配向膜除去工程を示す模式的な説明図（ｂ）である。
【図２】同実施形態における配向膜へのイオン照射において、イオン加速電圧に対する液晶のプレチルト角及び配向秩序度の変化を示すグラフである。
【図３】同実施形態における配向膜へのイオン照射において、照射角度に対するプレチルト角及び配向秩序度の変化を示すグラフである。
【図４】同実施形態における配向膜へのイオン照射において、真空度に対する配向秩序度の変化をイオン照射口から配向膜までの距離Ｌ毎に示すグラフである。
【図５】パネル面上の各領域を示すためのパネル基板の平面図である。
【図６】液晶パネルの素子基板上の表面構造の平面パターンを示す拡大平面図である。
【図７】図６のＸ−Ｘ線に沿って切断した場合の素子基板の断面構造を示す拡大断面図である。
【図８】イオン照射時のイオン加速電圧を変化させた場合の配向膜の除去率を示すグラフである。
【図９】イオン照射時のイオン電流密度を変化させた場合の配向膜の除去率を示すグラフである。
【図１０】イオン照射時のイオン照射時間を変化させた場合の配向膜の除去率を示すグラフである。
【符号の説明】
１０  パネル基板
１１  表面構造
１２  配向膜
１３  マスク
２１  イオン源
２２  加速電極
【図１】
0003707269.tif 000005
【図２】
0003707269.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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