(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面に対して略垂直方向に形成された所定のギャップ長を有する磁気ギャップを介して対向配置された第１および第２の磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドを製造するにあたり、
基板上に前記第１の磁気コアに対応する形状を有する第１のレジストを形成し、この第１のレジスト上を含めて前記基板上に、前記ギャップ長未満の膜厚を有する第１の非磁性膜と前記第１の磁気コアとなる第１の軟磁性膜とを順に積層形成する工程と、
前記第１のレジストを除去した後、前記第２の磁気コアに対応する形状を有する第２のレジストを形成し、この第２のレジスト上を含めて前記基板上に、前記第１の非磁性膜との合計膜厚が前記所定のギャップ長となる膜厚を有する第２の非磁性膜と前記第２の磁気コアとなる第２の軟磁性膜とを順に積層形成する工程と、
前記第２のレジストを除去した後、前記第１の軟磁性膜および第２の軟磁性膜の表面を平坦化する工程と
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置の再生ヘッドや記録ヘッド等として使用される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ハードディスク用の薄膜磁気へッド等においては、磁気記録媒体から浮上させて記録再生を行ってきたが、記録密度の向上に伴って浮上高を低下させ、より媒体に近いところを滑空させて情報を読み取るようになってきている。しかし、  １インチ平方あたり  １０Ｇビットを超えるような情報量の記録密度になってくると、もはや磁気ヘッドの浮上によるスペーシングロスが大きくなりすぎることから、磁気へッドの十分なＳ／Ｎ比がとれなくなったり、また極低浮上による磁気へッドと記録媒体との接触による破損等の問題が無視できなくなる。そのため、磁気へッドと記録媒体とを逆に積極的に接触させて、記録再生を行うことが試みられいる。
【０００３】
一方、ある種の磁性薄膜や磁性多層薄膜等の電気抵抗が外部磁界によって変化するという、磁気抵抗効果（以下、ＭＲと記す）を利用した磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が、高記録密度システムにおける再生ヘッドとして注目されている。このようなＭＲヘッドを用いた再生ヘッドにおいても、上述したような接触方式が高記録密度対応の技術として期待されているが、ＭＲ素子を直接媒体対向面に配置した構造ではＭＲ素子が磨耗するおそれが強く、奥行き（デプス）方向の幅が変動してヘッド出力が変動するだけでなく、ＭＲ膜自体が磨耗して消滅する可能性がある。
【０００４】
そこで、ヘッド内部に配置されたＭＲ素子に、磁気ギャップを介して対向配置した一対の磁気コアからなる磁気ヨークにより信号磁界を導く、いわゆるヨーク型のＭＲヘッドの使用が検討されている。従来のヨーク型ＭＲヘッドとしては、例えば基板面に対して垂直方向に形成された磁気ギャップを介して一対の磁気コアを対向配置し、これらの下側（または上側）にＭＲ膜をストライプ方向が磁気ギャップをまたぐように形成し、このＭＲ膜のストライプ方向にセンス電流を流す構造が提案されている。
【０００５】
上述したような従来のヨーク型ＭＲヘッドを薄膜工程で作製する場合には、まずＭＲ膜とこのＭＲ膜にセンス電流を供給する一対のリードを形成する。次に、これらＭＲ膜およびリード上に第１の磁気コアを形成し、これをパターニングした後に、その上に再生磁気ギャップ膜を形成する。続けて第２の磁気コアを形成し、これら磁気コアの上面全体を平坦化することによって得ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の薄膜工程を適用して作製したヨーク型ＭＲヘッドにおいては、再生磁気ギャップの部分で磁気コアにずれが生じ、この磁気コアのずれが再生フリンジの発生原因となるという問題があった。
【０００７】
すなわち、従来のヨーク型ＭＲヘッドを媒体対向面から見た場合、図８に示すように、第１の磁気コア１と第２の磁気コア２の上面側は、基板面に対して垂直方向に形成された磁気ギャップ膜３を挟んで平坦化されているため、特に問題とはならないものの、下面側はその作製工程に起因して第２の磁気コア２の下側にのみ磁気ギャップ膜３が存在することになるため、磁気ギャップ膜３の厚さ分だけ第１の磁気コア１と第２の磁気コア２との位置がずれることになる。このずれが再生フリンジの発生原因となっている。
【０００８】
上述したような問題はヨーク型ＭＲヘッドに限らず、通常の磁気記録再生に用いられる薄膜磁気ヘッド、すなわち基板面に対して垂直方向に形成された磁気ギャップ膜を介して第１および第２の磁気コア対向配置した薄膜磁気ヘッドにおいても問題となっており、磁気ギャップ膜の膜厚分の磁気コアのずれが記録・再生フリンジの発生原因となっている。
【０００９】
薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気コアの厚さがトラック幅を決定することから、高記録密度化への対応を図るために狭トラック化した場合に、特に上記したような記録・再生フリンジが問題となる。
【００１０】
このようなことから、トラック幅を決定する一対の磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気ギャップ部分における磁気ギャップ膜の膜厚分に相当する磁気コアのずれを極力なくすことによって、記録・再生フリンジの発生を抑制することが課題とされている。
【００１１】
本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、磁気コアのずれを低減ないしは防止することによって、記録・再生フリンジの発生を抑制することを可能にした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板面に対して略垂直方向に形成された所定のギャップ長を有する磁気ギャップを介して対向配置された第１および第２の磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドを製造するにあたり、基板上に前記第１の磁気コアに対応する形状を有する第１のレジストを形成し、この第１のレジスト上を含めて前記基板上に、前記ギャップ長未満の膜厚を有する第１の非磁性膜と前記第１の磁気コアとなる第１の軟磁性膜とを順に積層形成する工程と、前記第１のレジストを除去した後、前記第２の磁気コアに対応する形状を有する第２のレジストを形成し、この第２のレジスト上を含めて前記基板上に、前記第１の非磁性膜との合計膜厚が前記所定のギャップ長となる膜厚を有する第２の非磁性膜と前記第２の磁気コアとなる第２の軟磁性膜とを順に積層形成する工程と、前記第２のレジストを除去した後、前記第１の軟磁性膜および第２の軟磁性膜の表面を平坦化する工程とを有することを特徴としている。
【００１４】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、いわゆるリフトオフプロセスを使用しているため、所定のギャップ長を  ２つに分割した膜厚を有する第１および第２の磁気ギャップ膜となる非磁性膜によって、基板面に対して略垂直方向に形成された所定のギャップ長を有する磁気ギャップを形成することができる。そして、このような磁気ギャップ形成工程を経ることによって、第１および第２の磁気コアの下側に上記した膜厚を有する磁気ギャップ膜をそれぞれ存在させることができ、従って磁気ギャップ部分における磁気コアのずれを低減することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
【００１７】
図１および図２は、本発明の薄膜磁気ヘッドをヨーク型ＭＲヘッドに適用した一実施形態を示す図であり、図１はこの実施形態のヨーク型ＭＲヘッドの要部構成を示す斜視図、図２はそれを媒体対向面から見た断面図である。ただし、図２は磁気コアおよび磁気ギャップ膜のみを図示したものである。これらの図に示すヨーク型ＭＲヘッド１１において、Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ混合基板（以下、アルチック基板と記す）等からなる基板１２上には、厚さ１０μｍ  程度のＡｌ２  Ｏ３  膜等からなる絶縁層１３が下地層として設けられている。
【００１８】
絶縁層１３上には、ＭＲ膜（磁気抵抗効果膜）１４が媒体対向面Ｓから所定距離後退した位置で、そのストライプ方向が媒体対向面Ｓと略平行となるように形成されている。ＭＲ膜１４の奥行き方向の配置位置は、記録媒体との接触によるショートや磨耗等を考慮した上で、媒体対向面Ｓに比較的近い位置とすることが好ましい。また、例えばＣｕからなる一対のリード１５は、ＭＲ膜１４のストライプ方向にセンス電流を供給するように、ＭＲ膜４のストライプ方向両端に電気的に接続されて形成されている。
【００１９】
ただし、ＭＲ膜１４およびリード１５の形状はこれら限られるものではなく、例えばＭＲ膜をストライプ方向が媒体対向面と略直交するように形成すると共に、このＭＲ膜のストライプ方向にセンス電流を供給するようにリードを形成する等、種々の形状を適用することができる。また、ＭＲ膜１４およびリード１５は、後述する磁気コア１７、１９上に形成してもよい。
【００２０】
ＭＲ膜１４としては、例えば電流の方向と磁性層の磁化モーメントの成す角度に依存して電気抵抗が変化するＮｉ８０Ｆｅ２０等からなる異方性磁気抵抗効果膜、磁性膜と非磁性膜との積層構造を有し、各磁性層の磁化の成す角度に依存して電気抵抗が変化する、いわゆるスピンバルブ効果を示すＣｏ９０Ｆｅ１０／Ｃｕ／Ｃｏ９０Ｆｅ１０積層膜等からなるスピンバルブ膜、あるいは巨大磁気抵抗効果を示す人工格子膜が例示される。
【００２１】
上述したＭＲ膜１４およびリード１５の表面は、図示を省略した厚さ５０ｎｍ程度のＡｌ２  Ｏ３  膜等からなる絶縁膜で覆われている。その上には、第１の磁気ギャップ膜１６を介して形成されたＬ字状の第１の磁気コア１７と、第２の磁気ギャップ膜１８を介して形成された逆Ｌ字状の第２の磁気コア１９とが形成されている。これら第１および第２の磁気コア１７、１９は、それらの上面が基板面と略平行な同一平面を構成するように形成されている。
【００２２】
第１および第２の磁気コア１７、１９は磁気ヨークを構成するものであり、例えばＮｉＦｅ合金、ＣｏＺｒＮｂアモルファス合金、Ｆｅ−Ｎ合金等の軟磁性材料からなるものである。また、第１および第２の磁気コア１７、１９の厚さがトラック幅となるため、第１および第２の磁気コア１７、１９の厚さは所望のトラック幅に応じて設定される。第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８は再生磁気ギャップを構成するものであり、例えばＡｌ２  Ｏ３  膜等の非磁性膜からなるものである。
【００２３】
第１の磁気ギャップ膜１６と第２の磁気ギャップ膜１８は、それぞれ第１の磁気コア１７と第２の磁気コア１９の下面および側面に沿って形成されている。すなわち、第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８は、図２に拡大して示すように、それぞれ媒体対向面Ｓ側に基板面に対して略垂直方向に配置された部分（以下、基板垂直膜部と記す）１６ａ、１８ａを有しており、これら基板垂直膜部１６ａ、１８ａは当接配置されている。そして、これら第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８の基板垂直膜部１６ａ、１８ａの合計膜厚によって、所定のギャップ長を有する再生磁気ギャップ２０が設けられている。媒体対向面Ｓ側の第１および第２の磁気コア１７、１９は、上記した再生磁気ギャップ２０を介して対向配置されている。
【００２４】
すなわち、第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８の膜厚ｔ１  、ｔ２  は、それぞれ所定のギャップ長Ｌの略半分の厚さに設定されており、このような膜厚を有する第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８の基板垂直膜部１６ａ、１８ａによって、再生磁気ギャップ２０が形成されている。このため、第１の磁気コア１７の下側には、ギャップ長Ｌの略半分の膜厚ｔ１  を有する第１の磁気ギャップ膜１６が、また同様に第２の磁気コア１９の下側には、ギャップ長Ｌの略半分の膜厚ｔ２  を有する第２の磁気ギャップ膜１８がそれぞれ形成されている。
【００２５】
再生磁気ギャップ２０の後方部分、すなわちＭＲ膜１４の配置位置付近には、再生磁気ギャップ２０より広いバックギャップ２１が設けられており、このバックギャップ２１を介して第１および第２の磁気コア１７、１９が対向配置されている。言い換えると、ＭＲ膜１４はバックギャップ２１をまたいで第１および第２の磁気コア１７、１９の双方と磁気的に結合するように形成されている。なお、バックギャップ２１に相当する部分は、第１および第２の磁気コア１７、１９の作製工程で使用されたレジストで平坦化されている。
【００２６】
次に、上述したヨーク型ＭＲヘッド１１の製造工程について、図３、図４および図５を参照して説明する。なお、図３はヨーク型ＭＲヘッド１１の要部製造工程を示す平面図、図４および図５はそれを媒体対向面から見た断面で示す要部工程図である。ただし、図４および図５は磁気コアおよび磁気ギャップ膜のみを図示したものであり、ＭＲ素子部は図示を省略している。これらの図に示すヨーク型ＭＲヘッド１１の製造工程は、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法をヨーク型ＭＲヘッドの製造工程に適用した一実施形態を示すものである。
【００２７】
まず、絶縁層１３を有するアルチック基板１２等の上に、ＭＲ膜１４とこのＭＲ膜１４にセンス電流を供給する一対のリード１５を形成する（図３−ａ）。次いで、ＭＲ膜１４およびリード１５の表面を、図示を省略したＡｌ２  Ｏ３  膜等の絶縁膜で覆い、その上に第１の磁気コア１７に対応させた形状を有する第１のレジスト２２を形成する。ここでは、Ｌ字状の第１の磁気コア１７の形成部位と、再生磁気ギャップ２０の一部となる第１の磁気ギャップ膜１６の基板垂直膜部分１６ａの形成部位とを少なくとも除いて、第１のレジスト２２を形成する（図３−ｂ）。第１のレジスト２２のパターン形状は、通常のＰＥＰ工程等で形成すればよい。
【００２８】
第１のレジスト２２を形成した後、この第１のレジスト２２上を含めて基板１２上に、第１の磁気ギャップ膜１６と、第１の磁気コア１７となるＮｉＦｅ合金膜やＣｏＺｒＮｂアモルファス合金膜等の第１の軟磁性膜１７′とを順に積層形成する（図４−ａ）。このように、第１のレジスト２２上を含めて第１の磁気ギャップ膜１６と第１の軟磁性膜１７′とを積層形成することによって、第１のレジスト２２の側面に再生磁気ギャップ２０の一部となる第１の磁気ギャップ膜１６の基板垂直膜部分１６ａが得られると同時に、第１の磁気コア１７の下側に第１の磁気ギャップ膜１６が形成される。
【００２９】
第１の磁気ギャップ膜１６の膜厚は、後に形成する第２の磁気ギャップ膜１８との合計膜厚が所定のギャップ長となるように設定されていればよい。すなわち、前述したように第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８の膜厚ｔ１  、ｔ２  をそれぞれ所定のギャップ長Ｌの略半分の厚さに設定することが望ましいが、合計膜厚が所定のギャップ長Ｌとなるように分割した膜厚ｔ１  、ｔ２  を第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８が有していれば、所定のギャップ長Ｌを有する再生磁気ギャップ２０を実現した上で、第１および第２の磁気コア１７、１９のずれを抑制することができる。
【００３０】
この後、第１のレジスト２２を除去（リフトオフ）して、第１の磁気ギャップ膜１６上に形成された第１の磁気コア形状を有する第１の軟磁性膜１７′と、再生磁気ギャップ２０の一部となる基板面に対して略垂直方向に配置された第１の磁気ギャップ膜１６の基板垂直膜部分１６ａとを得る（図３−ｃ、図４−ｂ）。次に、第１の磁気コア１７に対応する第１の軟磁性膜１７′上を含めて、第２の磁気コア１９に対応させた形状を有する第２のレジスト２３を形成する。ここでは、逆Ｌ字状の第２の磁気コア１９の形成部位と、再生磁気ギャップ２０の一部となる第２の磁気ギャップ膜１８の基板垂直膜部分１８ａの形成部位とを少なくとも除いて、第２のレジスト２３を形成する（図３−ｄ、図４−ｄ）。第２のレジスト２３のパターン形状は、第１のレジスト２２と同様に、通常のＰＥＰ工程等で形成すればよい。
【００３１】
第２のレジスト２３を形成した後、この第２のレジスト２３上を含めて基板１２上に、第２の磁気ギャップ膜１８と、第２の磁気コア１９となる第２の軟磁性膜１９′とを順に積層形成する（図４−ｄ）。このように、第２のレジスト２３上を含めて第２の磁気ギャップ膜１８と第２の軟磁性膜１９′とを積層形成することによって、基板面に対して略垂直方向に配置された第１の磁気ギャップ膜１６の基板垂直膜部１６ａに沿って、再生磁気ギャップ２０の一部となる第２の磁気ギャップ膜１８の基板垂直膜部１８ａが得られ、同時に第２の磁気コア１９の下側に第２の磁気ギャップ膜１８が形成される。第２の磁気ギャップ膜１８の膜厚ｔ２  は、上述したように第１の磁気ギャップ膜１６の膜厚ｔ１  との合計膜厚が所定のギャップ長Ｌとなるように設定する。
【００３２】
この後、第２のレジスト２３を除去（リフトオフ）して、第２の磁気ギャップ膜１８上に形成された第２の磁気コア形状を有する第２の軟磁性膜１９′と、再生磁気ギャップ２０の一部となる基板面に対して略垂直方向に配置された第２の磁気ギャップ膜１８の基板垂直膜部分１８ａとを得る（図３−ｅ、図５−ａ）。ここで、当接配置された第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８の基板垂直膜部１６ａ、１８ａの合計膜厚によって、再生磁気ギャップ２０の所定のギャップ長Ｌが得られる。
【００３３】
ここまでの段階では、第１および第２の磁気コア１７、１９に対応する第１および第２の軟磁性膜１７′、１９′の上面には凹凸が存在しており、それを平坦化することによりヨーク型ＭＲヘッド１１を完成される。すなわち、第１および第２の軟磁性膜１７′、１９′上に、これらとほぼ同一のエッチング速度が得られるレジスト２４を適当な厚さに塗布する（図５−ｂ）。この後、イオンミリング等でエッチバックし、第１および第２の軟磁性膜１７′、１９′の上面を平坦化することによって、所望の形状および厚さを有する第１および第２の磁気コア１７、１９と再生磁気ギャップ２０とを得る（図５−ｃ）。このエッチバックは、第１および第２の磁気コア１７、１９の厚さが所定のトラック幅となるように行う。
【００３４】
以上の工程により、図１および図２に示したヨーク型ＭＲヘッド１１が完成する。上述したヨーク型ＭＲヘッド１１の製造工程は、リフトオフ法を適用していると共に、第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８の合計膜厚をギャップ長Ｌに相当する厚さとしているため、所定のギャップ長Ｌを有する再生磁気ギャップ２０を得た上で、第１および第２の磁気コア１７、１９の下側にそれぞれ所定のギャップ長Ｌを分割して設定した膜厚ｔ１  、ｔ２  を有する第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８を形成することができる。すなわち、図２に示した磁気コアおよび磁気ギャップ膜形状が得られる。
【００３５】
そして、第１および第２の磁気コア１７、１９の下側に、それぞれ所定の膜厚ｔ１  、ｔ２  を有する第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８を形成することによって、再生磁気ギャップ２０の部分における第１および第２の磁気コア１７、１９のずれを低減することができる。特に、第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８の膜厚ｔ１  、ｔ２  を、ギャップ長Ｌの略半分の厚さとすることによって、再生磁気ギャップ２０の部分における第１および第２の磁気コア１７、１９のずれをほぼ解消することができる。このように、第１および第２の磁気コア１７、１９のずれを低減ないしは解消することによって、再生フリンジを大幅に低減することが可能となる。
【００３６】
図６は、本発明の薄膜磁気ヘッドを磁気記録再生に使用される薄膜磁気ヘッドに適用した実施形態を示すものであり、図１に示したヨーク型ＭＲヘッド１１に記録コイルを加えたものである。同図に示す薄膜磁気ヘッド３１においては、第１および第２の磁気コア１７、１９、第１および第２の磁気ギャップ膜１６、１８、磁気ギャップ２０、バックギャップ２１等については前述した実施形態のヨーク型ＭＲヘッド１１と同一構成とされており、第１および第２の磁気コア１７、１９の下側にはＭＲ膜１４とリード１５が形成されている。そして、バックギャップ２１側に設けられたバックコア３２を介して、記録用コイル３３が設けられている。
【００３７】
このような薄膜磁気ヘッド３１においても、第１および第２の磁気コア１７、１９のずれを低減ないしは解消することによって、記録・再生フリンジを大幅に低減することができる。
【００３８】
上述したように、本発明の薄膜磁気ヘッドは各種の磁気ヘッドに対して適用可能であるが、ＭＲ膜を用いたヨーク型ＭＲヘッドに対して特に効果的である。その理由は、再生時は磁束がヨークへ吸い込まれにくく、コイルまで磁束が届きにくいため、誘導型磁気ヘッドでの再生では感度不足となるためである。
【００３９】
【実施例】
次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの具体的な実施例について説明する。
【００４０】
実施例１
まず、アルチック基板１２上に厚さ約１０μｍ  のアルミナ絶縁層３を形成し、その上にＭＲ膜１４としてスピンバルブ膜を形成すると共に、スピンバルブ膜の長手方向の両端に厚さ  １００ｎｍのＣｕリード１５をそれぞれ形成した。スピンバルブ膜の構成は、基板１２側からＴａ  ５ｎｍ、ＮｉＦｅＣｒ合金  ４ｎｍ、ＣｏＦｅ合金  ３ｎｍ、Ｃｕ  ２．５ｎｍ、ＣｏＦｅ合金  ３ｎｍ、ＩｒＭｎ合金  ８ｎｍ、およびＴｉ  ５ｎｍの順に積層した積層膜とした。
【００４１】
上記したスピンバルブ膜１４およびＣｕリード１５の表面を厚さ約５０ｎｍのアルミナ絶縁膜で覆った後、第１のレジスト２２を第１の磁気コア形状に対応させて形成およびパターニングした。次いで、この第１のレジスト２２上を含めて、ギャップ長Ｌ（７０ｎｍ）の半分の３５ｎｍの膜厚を有するアルミナ膜を第１の磁気ギャップ膜１６として形成し、続いて磁気コア材料であるＣｏＺｒＮｂ合金膜（膜厚＝    ０．５μｍ  ）を第１の軟磁性膜１７′としてスパッタ法により成膜した。
【００４２】
次に、第１のレジスト２２をリフトオフした後、第２のレジスト２３を第２の磁気コア形状に対応させて形成およびパターニングし、その上を含めて同様に３５ｎｍの膜厚を有するアルミナ膜を第２の磁気ギャップ膜１８として形成し、続いてＣｏＺｒＮｂ合金膜（膜厚＝０．５μｍ  ）を第２の軟磁性膜１９′としてスパッタ法により成膜した。
【００４３】
第２のレジスト２３をリフトオフした後、レジスト２４を約  ３μｍ  の膜厚で塗布し、ＲＩＥ（あるいはイオンミリング）でエッチバックして平坦化を行った。エッチバックは最終的にトラック幅が  ０．４μｍ  となるように実施した。
【００４４】
さらに、磁気コアをレジストで平坦化し、図６に示すような記録コイル３３およびバックコア３２を形成した。
【００４５】
このようにして、第１および第２の磁気コア１７、１９が上面および下面共に揃ったヨーク型ＭＲヘッド１１を得た。このヨーク型ＭＲヘッド１１を用いたディスクとの接触走行状態での自己録再による孤立再生波形は、フリンジが大幅に抑制できた。
【００４６】
実施例２
まず、実施例１と同様にして、ＭＲ素子を形成してさらに絶縁膜で覆った。次に、図７（ａ）に示すように、レジスト４１を形成した後、第１の磁気コアが形成される場所に、厚さ３５ｎｍのアルミナギャップ膜４２、厚さ  ２００ｎｍのＦｅ−Ｎ合金膜４３、厚さ  ３００ｎｍのＮｉＦｅ合金膜４４を順に成膜した。次いで、リフトオフを行った（図７−ｂ）。次に、第２の磁気コアが形成される場所に、厚さ３５ｎｍのアルミナギャップ膜４５、厚さ  ２００ｎｍのＦｅ−Ｎ合金膜４６、厚さ  ３００ｎｍの  ＮｉＦｅ合金膜４７を順に成膜した（図７−ｃ）。リフトオフを行い、さらに平坦化を行った。トラック幅は  ０．４μｍ  とした。この上に記録コイル４８とバックコア４９を形成して、記録再生ヘッドを完成させた（図７−ｄ）。なお、図７（ｄ）において、５０はスピンバルブ膜、５１はリードである。
【００４７】
このようにＭＩＧ構造にすることで、Ｆｅ−Ｎ合金の高飽和磁束（Ｂｓ  ）による高保磁力媒体への良好な書き込みと、ＮｉＦｅ合金の軟磁性による良好な再生とを両立させることが可能となる。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、磁気ギャップ部分における磁気コアのずれを低減ないしは防止することができることから、記録・再生フリンジの発生を大幅に抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドをヨーク型ＭＲヘッドに適用した一実施形態の要部構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示すヨーク型ＭＲヘッドの一部を媒体対向面から見た断面で示す図である。
【図３】図１に示すヨーク型ＭＲヘッドの製造工程の一部を示す平面図である。
【図４】図１に示すヨーク型ＭＲヘッドの要部製造工程を媒体対向面から見た断面で示す図である。
【図５】図４以降のヨーク型ＭＲヘッドの要部製造工程を媒体対向面から見た断面で示す図である。
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの他の実施形態の要部構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施例２による薄膜磁気ヘッドの要部製造工程を示す図である。
【図８】従来のヨーク型ＭＲヘッドの磁気コアおよび磁気ギャップ部分を媒体対向面から見た断面で示す図である。
【符号の説明】
１１……ヨーク型ＭＲヘッド
１２……基板
１４……ＭＲ膜
１５……リード
１６……第１の磁気ギャップ膜
１７……第１の磁気コア
１８……第２の磁気ギャップ膜
１９……第２の磁気コア
２０……再生磁気ギャップ
２２……第１のレジスト
２３……第２のレジスト
３１……薄膜磁気ヘッド
【図１】
0003606992.tif 000002
【図２】
0003606992.tif 000003
【図３】
0003606992.tif 000004
【図４】
0003606992.tif 000005
【図５】
0003606992.tif 000006
【図６】
0003606992.tif 000007
【図７】
0003606992.tif 000008
【図８】
0003606992.tif 000009