(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各端縁寄りに複数のスルーホール１１が形成され、該各スルーホール１１の内壁面に導体層１２が形成されると共に、上面に該導体層１２の上端縁に導通した各接続用導体パターン２１が形成され、且つ下面に該導体層１２の下端縁に導通した各ランド電極部２２１を備えた給電用導体パターン２２が形成された基板本体１の上面側に、所定のリードフレーム３を、該リードフレーム３の各インナーリード部３１を上記各スルーホール１１に位置合わせした状態で配置した後に、該リードフレーム３の上記各端縁外へのはみ出し部３２を、該はみ出し部３２の下方側で、且つ該基板本体１を取り囲む箇所に配置された外側遮蔽部材５１で保護しながら、上記基板本体１の下面側を所定の溶融半田に浸して、該溶融半田を該基板本体１の下面側より上記各スルーホール１１内に進入させ、該溶融半田による上記各導体層１２内の充填並びに、上記各接続用導体パターン２１及び上記各インナーリード部３１の導通を行なう半田処理工程を経て電子部品搭載用基板を製造する方法において、
該半田処理工程の際に、上記基板本体１の下面側の上記スルーホール１１よりも該基板本体１の内寄りに、内側遮蔽部材５２を段差状に配置し、かつ上記各スルーホールが、上記基板本体の各端縁に沿って略千鳥状に配置されると共に、上記内側遮蔽部材の外周端縁が該略千鳥状に略追随したジグザグ状の経路線を描き、該内側遮蔽部材５２の外周端面部５２１と、上記基板本体１の下面の該内側遮蔽部材５２及び上記各スルーホール１１で挟まれた露出面部１５とが形成する角部６に、スルーホールの周囲に上記溶融半田の存在しない非接触空間６１を形成しつつ、該溶融半田を該各スルーホール１１内へ進入させることを特徴とする電子部品搭載用基板の製造方法。
【請求項２】
上記外側遮蔽部材及び上記内側遮蔽部材が一体である請求項１記載の電子部品搭載用基板の製造方法。
【請求項３】
上記内側遮蔽部材が、上記基板本体１の下面に取着された板状体、リング状体、若しくはテープ状物で構成される請求項１又は２記載の電子部品搭載用基板の製造方法。
【請求項４】
上記外周端面部及び上記各ランド電極部の距離が０〜１．２ｍｍであり、該外周端面部の高さが０．３〜１．０ｍｍである請求項１乃至３のいずれかに記載の電子部品搭載用基板の製造方法。
【請求項５】
各端縁寄りに複数のスルーホール１１が形成され、該各スルーホール１１の内壁面に導体層１２が形成されると共に、上面に該導体層１２の上端縁に導通した各接続用導体パターン２１が形成され、且つ下面に該導体層１２の下端縁に導通した各ランド電極部２２１を備えた給電用導体パターン２２が形成された基板本体１の上面側に、所定のリードフレーム３を、該リードフレーム３の各インナーリード部３１を上記各スルーホール１１に位置合わせした状態で配置した後に、該リードフレーム３の上記各端縁外へのはみ出し部３２を、該はみ出し部３２の下方側で、且つ該基板本体１を取り囲む箇所に配置された外側遮蔽部材５１で保護しながら、該基板本体１の所定の１つの端縁を先頭にして、上記基板本体１の下面側を所定の溶融半田に浸しつつ搬送して、該溶融半田を該基板本体１の下面側より上記各スルーホール１１内に進入させ、該溶融半田による上記各導体層１２内の充填並びに、上記各接続用導体パターン２１及び上記各インナーリード部３１の導通を行なう半田処理工程を経て電子部品搭載用基板を製造する方法において、
該半田処理工程の際に、上記基板本体１の下面側の少なくとも該基板本体１の上記一つの端縁寄りで、且つ少なくとも該一の端縁寄りに形成された各スルーホール１１よりも該基板本体１の内寄りに、内側遮蔽部材５２を段差状に配置し、かつ上記各スルーホールが、上記基板本体の各端縁に沿って略千鳥状に配置されると共に、上記内側遮蔽部材の外周端縁が該略千鳥状に略追随したジグザグ状の経路線を描き、該内側遮蔽部材５２の外周端面部５２１と、上記基板本体１の下面の該内側遮蔽部材５２及び上記各スルーホール１１で挟まれた露出面部１５と、が形成する角部６に、スルーホールの周囲に上記溶融半田の存在しない非接触空間６１を形成しつつ、該溶融半田を該各スルーホール１１内へ進入させることを特徴とする電子部品搭載用基板の製造方法。
【請求項６】
上記外周端面部及び上記各ランド電極部の距離が０〜１．２ｍｍであり、該外周端面部の高さが０．３〜１．０ｍｍである請求項５記載の電子部品搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、電子部品搭載用基板（以下、「搭載用基板」という。）の製造方法に関し、更に詳しく言えば、高密度化の要請に的確に対応しつつ、高精度で、高い信頼性を備えた搭載用基板を製造する方法に関するものである。本発明は、半導体搭載用のパッケージ等の製造に利用される。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、図１に示す様な搭載用基板において、基板本体１の上面側に形成された接続用導体パターン２１と、リードフレーム３のインナーリード部３１との電気的な接続を半田Ｈ等を用いて行っている。そして、この接続は、例えば、以下の手順で行われる。即ち、基板本体１に設けられたスルーホール１１の内壁面に、Ｎｉめっき、Ａｕめっき等を施して導体層１２を形成した後に、基板本体１を、その下面１ａ側を所定のはんだ槽内で噴流する溶融はんだＨの液面に浸しながら搬送する。このとき、この溶融はんだＨが、基板本体１の下面１ａ側より、スルーホール１１内に浸入し、上昇して、インナーリード部３１に到達し、この接続が行わる。
【０００３】
一方、この半田による接続工程（以下、「半田処理工程」という。）の際に、リードフレーム３のうちで、基板本体１の外側に、はみ出した部分（例えば、アウターリード部等）３２に、溶融半田Ｈが付着することを防止する必要がある。このため、この工程の際、図１１及び図１２（ａ）に示す様に、搭載基板１に対し、若干のクリアランスを持って、その形状と略同形状の開口部Ｋを備えた枠状の治具（外側遮蔽部材）８５等を用い、このはみ出し部３２を保護することが行われている。（但し、図１１の点線は、この治具８５を多連状に並べた治具体８５Ｌを示している。）そして、この種の治具８５は、図１２（ｂ）、図１３及び１４に示す様に、上記はみ出し部３２の下方側で、且つ基板本体１を取り囲む箇所において、はみ出し部３２と溶融半田Ｈとを遮蔽することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、この種の搭載用基板では、高密度化の要請から、インナーリード部３１の微細化、基板本体１の上下面に形成される各導体パターン２１、２２のリードピッチの微細化が大きく進行している。このため、上記接続作業の際に、基板本体１の下面１ａにおいて、隣接する２つ以上の給電用パターン２２に跨がって半田が付着する所謂「半田ブリッジ」と称される不具合が生じ易くなっている。
一方、基板本体１の下面１ａにソルダーレジストを配置し、この様な不具合を回避しようとしても、各給電用パターン２２のうちで、少なくともラウンド電極部２２１は、その機能上、上記溶融半田Ｈに対して露出した状態にする必要がある。その結果、この様なソルダーレジストを用いても、上記ピッチ間隔が狭くなっていることと相まって、隣接するラウンド電極部２２１間の半田ブリッジを回避することは困難である。
【０００５】
尚、給電パターン２２が、基板本体１のリードフレームとの反対面（下面）側に必要なのは以下の理由による。半導体搭載部（電子部品搭載部）の周りのパターンには、Ｎｉ、Ａｕめっきが必要で、そのためにはめっきリード線（めっきリード部）が必要である。そして、半田接合のために、リードフレームとパターンのギャップを小さくする必要があり、そのため、めっきリード線（めっきリード部）は、リードフレームの反対面に設ける必要があるからである。
従って、従来より、上記高密度化の要請に応えつつ、上記不具合を生ずることのない搭載基板の製造方法の出現が望まれていた。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、高密度化の要請に的確に対応しつつ、高精度で、高い信頼性を備えた搭載用基板を製造する方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記「不具合」を解消するために、鋭意研究を重ねた。その結果、上記半田処理工程の際に、基板本体１の下面１ａ側の各スルーホール１１の周囲（特に、各スルーホール１１の前方側の周囲）に供給される過剰な溶融半田が、上記「不具合」の要因の１つとなっているのではないかとの知見を得た。即ち、図１４に示す様に、上記周囲に溶融半田Ｈが、満遍なく供給され、過剰気味になるために、各給電用パターン２２（特に、ランド電極部２２１）に付着して、過大な半田膜等を形成したり、各給電用パターン２２（特に、ランド電極部２２１）間を跨ぐ様に、付着することが要因の１つとなっているのではないかとの知見を得たのである。
【０００８】
そして、上記各スルーホール１１の周囲に、適量の溶融半田を供給しつつ、半田処理工程を行えば、上記「不具合」を生じさせないと考え、本第１〜５発明を完成した。
また、上記半田処理工程を、基板本体１を、溶融半田に浸しつつ、搬送して行った場合に、基板本体１の特定の端縁寄りに形成された給電用パターン２２に、上記「不具合」を生じさせ易いことを発見して、本第６及び７発明を完成したのである。
【０００９】
即ち、本第１発明の搭載用基板の製造方法は、各端縁寄りに複数のスルーホールが形成され、該各スルーホールの内壁面に導体層が形成されると共に、上面に該導体層の上端縁に導通した各接続用導体パターン（以下、「接続用パターン」という。）が形成され、且つ下面に該導体層の下端縁に導通した各ランド電極部を備えた給電用導体パターン（以下、「給電用パターン」という。）が形成された基板本体の上面側に、所定のリードフレームを、該リードフレームの各インナーリード部を上記各スルーホールに位置合わせした状態で配置した後に、該リードフレームの上記各端縁外へのはみ出し部を、該はみ出し部の下方側で、且つ該基板本体を取り囲む箇所に配置された外側遮蔽部材で保護しながら、上記基板本体の下面側を所定の溶融半田に浸して、該溶融半田を該基板本体の下面側より上記各スルーホール内に進入させ、該溶融半田による上記各導体層内の充填並びに、上記各接続用パターン及び上記各インナーリード部の導通を行なう半田処理工程を経て搭載用基板を製造する方法において、該半田処理工程の際に、上記基板本体の下面側の上記スルーホールよりも該基板本体の内寄りに、内側遮蔽部材を段差状に配置し、該内側遮蔽部材の外周端面部と、上記基板本体の下面の該内側遮蔽部材及び上記各スルーホールで挟まれた露出面部とが形成する角部に、上記溶融半田の非接触空間を形成しつつ、該溶融半田を該各スルーホール内へ進入させることを特徴とする。
【００１０】
上記「基板本体」は、開口部を備えないものであっても、開口部若しくは凹部を中央寄りに備えるものであってもよい。前者の場合には、上記「基板本体」の中央寄りの部分を、後者の場合には開口部若しくは凹部を、それぞれ、所定の電子部品を搭載するための「搭載部」とすることができる。
上記「各スルーホール」の配置状態は、種々選択できるが、上記基板本体の各端縁に沿って略千鳥状に配置することができる。この場合には、給電用パターンのリードピッチの細分化をある程度、進行させても、隣接するランド電極部間の距離を、ある程度、確保できる。
また、各スルーホールが千鳥状に配置される場合には、本第２発明に示す様に、上記内側遮蔽部材の外周端縁に該略千鳥状に略追随したジグザグ状の経路線を描かせてもよい。この場合には、例えば、図８に示す様に、千鳥状に並ぶ各ランド電極部２２１ｇ、２２１ｈの基板本体の内寄り端部（以下、「先端部」という。）２２１ｇ1 、２２１ｈ1 と、内側遮蔽部材５２ｇの外周端面部５２１ｇの距離を、内側遮蔽部材５２ｇ全体を通じて略一定にしたり、所望の大きさにコントロールすることが容易である。
【００１１】
上記外側遮蔽部材及び上記内側遮蔽部材を、本第３発明に示す様に、一体で構成してもよい。
また、外側遮蔽部材及び上記内側遮蔽部材を、別体で構成してもよい。この場合には、本第４発明に示す様に、内側遮蔽部材を、基板本体の下面に取着される板状体、リング状体、若しくはテープ状物（例えば、厚手の樹脂テープや薄手の樹脂テープを貼り合わせて厚手にしたもの等）で構成してもよい。尚、本第４発明に示す場合、半田処理工程の後に、通常、内側遮蔽部材は基板本体より取り除かれることとなるが、取り除かずに、製品の一部としてもよい。
【００１２】
更に、上記「外側遮蔽部材」としては、上記従来の「枠状の治具」等を用いてもよい。
また、上記外側遮蔽部材及び上記内側遮蔽部材の材質としては、使用する溶融半田に濡れを生じ難く、溶融半田に対する耐熱性を備えたものが選択される。例えば、ガラスエポキシ、ガラスポリイミド等の強化プラスチック、ステンレス、チタン等の金属、所定のセラミックスにより構成されるものを例示できる。
【００１３】
また、本第５発明に示す様に、上記外周端面部及び上記各ランド電極部の距離が０〜１．２ｍｍであり、該外周端面部の高さであることが上記各発明の目的をより、確実に達成する上で好ましい。
上記距離が０未満（マイナスの値は、内側遮蔽部材が給電用パターンの上に乗かかった状態を示す。）であったり、上記高さが０．３未満であれば、本来、半田の供給が必要な部分への十分な半田供給がなされなくなり、本各発明の目的を確実に達成できない恐れがある。また、上記距離が１．２ｍｍを越えたり、上記高さが１．０ｍｍを越えれば、非接触空間が形成される箇所が、各ランド電極部（各スルーホール）より、遠くなり過ぎてしまい、上記各発明の目的を十分に達成できない恐れがあるからである。
【００１４】
更に、上記「非接触空間」は、スルーホールの周囲に、溶融半田の存在しない非接触空間を形成し、この周囲に供給される溶融半田の量を減じ、適切なものにコントロールする役割を担っている。但し、外周端面部と、露出面部とが形成する角部の全体が、この非接触空間を形成する必要はない。例えば、露出面部のうちのスルーホール（各ランド電極部）寄りの箇所、外周端面部の下方側の箇所に溶融半田が接触していても、本発明の目的を達成することができる。
【００１５】
上記「溶融半田」が入れられる半田槽の形式は特に問わず、例えば、噴流式、静止式、オーバーフロー式等を例示できる。
また、基板本体の溶融半田に対する浸漬、引き上げ方向は特に問わず、垂直、斜め、水平等の各方向を使用する半田装置の可動方向にあわせる等して、選択できる。
更に、上記半田処理工程を、上記基板本体を所定の半田槽内で搬送して行う場合には、本第６発明に示す様に、上記内側遮蔽部材を、基板本体の全ての端縁寄りに形成する必要はない。以下に示す理由により、少なくとも、この搬送方向の先頭側に位置する端縁（例えば、図３のＡ1 ）寄りに形成すれば足りる。
【００１６】
一般に、この種の搭載用基板では、図３に示す様に、基板本体１の下面１ａの各端縁Ａ1 〜Ａ4 寄りの領域ａ1 〜ａ4 に、各給電用導体パターン２２が形成されていることが多い。これらの各給電用導体パターン２２では、上記ランド電極部２２１が基板本体１の中央寄り（同図の点線で囲まれた部分の周囲）に配置され、上記めっきリード部２２２が、これらのランド電極部２２１より、各端縁Ａ1 〜Ａ4 方向に延設された状態で配置されている。そして、上記搬送方向を同図の矢印Ｘの方向とした場合に、端縁Ａ1 寄りに形成された給電用導体パターン２２、即ち、めっきリード部２２２、ランド電極部２２１の順に、上記溶融半田を通過する給電用導体パターン２２において、半田ブリッジを生じ易い。一方、めっきリード部２２２及びランド電極部２２１が略同時に通過する端縁Ａ3 、Ａ4 寄りのパターン２２や、ランド電極部２２１、めっきリード部２２２の順で通過する端縁Ａ4 寄りのパターン２２では上記の様な不具合を生じ難い。
【００１７】
そして、溶融半田から最後に離れる部分（以下、「終端部」という。）が、幅広のランド電極部２２１のみとなるパターン２２においては、該ランド電極部２２１が溶融半田から離れるときの「溶融半田のきれ」の悪さと、上記高密度化によるランド電極部２２１と隣接する他の給電用導体パターン２２（他のランド電極部２２１）との間隔の狭さ等を要因として、上記「不具合」を生じ易いからである。
また、本第６発明に示す場合にも、本第７発明に示す様に、上記外周端面部及び上記各ランド電極部の距離が０〜１．２ｍｍであり、該外周端面部の高さが０．３〜１．０ｍｍであることが、同発明の目的をより確実に達成する上で好ましい。
【００１８】
尚、上記各発明において、上記「溶融半田」が、接続用導体パターンと、インナーリード部との電気的な接続のみならず、両者の機械的な接続（物理的な接続）を担うこともできる。但し、本出願人が既に提案（特開平６−２９５９６２号公報）している様に、この機械的な接続を、専ら、基板本体の上面（基板本体の少なくとも外周部）とインナーリード部との間に配置した接着剤により行えば、搭載基板の精度、信頼性等を一層、向上させることができる。
【００１９】
【作用】
上記各発明では、基板本体の下面側に、内側遮蔽部材を配置した状態で、半田処理工程を行う。この部材は、基板本体の下面側のスルーホールよりも内寄りに段差状に配置される。この結果、その外周端面部と、基板本体の下面のこの部材及び各スルーホールで挟まれた露出面部とが角部を形成する。そして、この角部に、溶融半田の接触しない非接触空間を形成しつつ、上記半田処理工程を行うものである。
【００２０】
従って、この空間の体積分だけ、基板本体の下面側の各スルーホールの周囲に供給される溶融半田の量は減り、溶融半田の供給量が過剰になることが防止できる。この結果、給電用パターンのピッチ間隔が小さくなっても、隣接する各パターンに、半田ブリッジが生じ難くなる。
また、基板本体（各パターン、導体層の形成された部分を除く。）及び内側遮蔽部材は、一般に、半田濡れの生じ難い材質で構成される。従って、上記角部は、半田濡れを生じ難い材質で構成され、上記非接触空間を容易に形成できる。
【００２１】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（１）実施例１
本実施例では、図１に示す様な搭載基板を、図２に示す様な治具体５Ｌを用いて作製した。
上記搭載基板は、図１に示す様に、基板本体１と、各接続用パターン２１と、各給電用導体パターン２２と、各導体層１２と、リードフレーム３と、各半田部Ｈとを備えている。
【００２２】
上記基板本体１は、略矩形状の平面形状を備え、略中央寄りの上面の部分を搭載部Ｔとし、搭載部Ｔの周囲にスルーホール（０．３ｍｍφ）１１を千鳥状に多数配置している。但し、基板本体１の略中央寄りに開口部を形成したり、上下両面のいずれかに凹部を形成し、これらを搭載部Ｔとすることもできる。
また、上記各導体層１２は、上記スルーホール１１の内壁面に形成されており、更に、上記各接続用パターン２１は、この導体層１２の上端縁１２１に導通した状態で、基板本体１の上面の搭載部Ｔの周囲に所定の間隔（約；０．３ｍｍ）をおきながら形成されている。尚、各接続用パターン２１のスルーホール１１の上端の周囲側に位置する部分２１１は、接続パッドとして作用する。
【００２３】
更に、上記各給電用パターン２２は、図３に示す様に、基板本体１の下面１ａの搭載部Ｔの周囲に相当する箇所に、所定の間隔をおきながら形成されている。この各給電用パターン２２は、上記導体層１２の下端縁１２２に導通した状態で、スルーホール１１の周囲に形成された各ランド電極部（各給電用パターン２２の形成方向に直交する方向に沿った幅；約０．３ｍｍ）２２１と、各ランド電極部２２１より基板本体１の各端縁Ａ1 〜Ａ4 側に延設された各めっきリード部（幅；０．２ｍｍ、全長；２ｍｍ）２２２とを備えている。但し、図５に示す様に、各ランド電極部２２１は、各スルーホール１１の形成状態に対応して、基板本体の各端縁Ａ1 〜Ａ4 に近接するもの（以下、「端寄り電極部」２２１ａという。）と、離間するもの（（以下、「内寄り電極部」２２１ｂという。）と、に分けられる。
【００２４】
上記リードフレーム３は、所要の金属箔（例えば、三菱電機社製の「ＭＦ２０２−Ｈ」、厚み；０．１５ｍｍ）からなり、上記基板本体１の上部適所に配置されている。
また、上記各半田部Ｈは、各導体層１２内と、各接続用導体パターン２１のスルーホール１１の周辺の部分２１１及び上記各インナーリード部３１の間の隙間と、を略充填すると共に、各給電用パターン２２の表面にも付着した状態になっている。尚、この半田部Ｈを構成する半田としては、例えば、錫−鉛、錫−銀、錫−アンチモン等の各種半田を用いることができるが、半田接合後の基板本体１の熱劣化、半田の耐熱性等を考慮して、所謂、９：１半田（錫と鉛が９：１で混合された半田）を用いることが特に好ましい。
【００２５】
また、この各半田部Ｈは、主に、各インナーリード部３１及び各接続用導体パターン２１の電気的な接続を行うものである。そして、両者の機械的な接続は、主に、基板本体１の上面の各端縁（Ａ1 〜Ａ4 ）寄りの部分と、各インナーリード部３１との間に配置された接着剤（例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、トリアジン樹脂系等の液状、若しくはＢステージのシート状の接着剤）７によりなされている。
上記治具体５Ｌは、上記基板本体１よりも、幅の広いステンレス板で構成されると共に、全体を通じて略一定の厚み（０．６ｍｍ）を備えている。また、この治具体５Ｌは、多数の治具５を長手方向に多連状に配置した長尺状のものである。そして、図２に示す点線５８で区画される各部分が、各治具５となり、個々の治具５に相当する部分毎に、上記各基板本体１が搭載されることになる。
【００２６】
また、各治具５に相当する部分毎に、略矩形を描きながら並ぶ、４つの開口孔５３１〜５３４が設けられている。そして、これらの開口孔５３１〜５３４の描く矩形は、上記基板本体１の外周縁の形状に、略一致している。
更に、各治具５に相当する部分では、開口孔５３１等の外側の箇所が外側遮蔽部（材）５１となり、開口孔５３１等の内側の箇所が内側遮蔽部（材）５２となっている。このうち、外側遮蔽部５１は、後述の様に、上記リードフレーム３のアウターリード部３２を保護する役割を担い、内側遮蔽部５２は、上記基板本体１の下面１ａのスルーホール１１よりも内寄りの箇所を覆うことになる。
【００２７】
そして、本実施例では、以上の様に構成される搭載基板を、以下の様に作製した。
先ず、ガラス布に、ビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸させた基材の両面に銅箔を積層させた両面銅張積層板を用意する。この積層板は、上記基板本体１の多ピース分のサイズを備えている。また、この積層板の代わりに、所定の耐熱性絶縁樹脂（エポキシ、ポリイミド、テフロン等）を含浸させたガラス布積層板や、所定のセラミック積層板等を用いてもよい。
次いで、この積層板の基板本体１の各ピースに該当する箇所毎に、ドリル加工を施して上記各スルーホール１１を形成する。更に、各スルーホール１１の内壁面に銅めっきを施して銅めっき層を形成する。
【００２８】
更に、この積層板に所定のエッチング処理を施して、上記各接続用パターン２１及び上記各給電用パターン２２を、各ピースに相当する箇所毎に形成する。
次いで、上記各給電用パターン２２の一部に、スクリーン印刷法で、ソルダーレジストを印刷塗布して加熱硬化させる。但し、このソルダーレジストの印刷塗布工程は省略することもできる。
更に、上記各パターン２１、２２及び銅めっき層に、ニッケルめっき層、及び金めっき層を形成する。このとき、スルーホール１１内に、上記導体層１２が形成されることになる。
【００２９】
次いで、上記積層板を、金型による打ち抜き加工、ルーター加工若しくはダイシングにより、各ピース毎に切断する。尚、上記搭載部Ｔが、基板本体１の中央寄りに開けられた開口部等により構成される場合には、所望の箇所に、ルーター加工若しくはレーザー加工が施され、この開口部等が形成されることになる。
更に、各基板本体１の上面の各端縁Ａ1 〜Ａ4 寄りに相当する箇所に、上記接着剤７を配置する。更に、各基板本体１の上面の所望の箇所に、上記リードフレーム３の各インナーリード部３１を接合固定する。その際、各インナーリード部３１は、対応関係にあるスルーホール１１の上部に重なる様に位置合わせされることになる。尚、この接合固定に際し、プレスによる熱圧着、常温での加圧接着の後の加熱硬化等が行われる。
【００３０】
その後、各基板本体１の所定の端縁（Ａ1 〜Ａ4 のいずれの端縁でもよい。）を先頭にして、各搭載用基板１を、その下面側を所定のはんだ槽内で噴流する溶融はんだの液面に浸しながら搬送して、半田処理を行う。
この搬送は、図４（ａ）に示す様に、各基板本体１を、上記治具体５Ｌの各治具５の上に位置合わせしながら、同図（ｂ）及び図５に示す様に搭載して行われる。具体的には、上記リードフレーム３のアウターリード部３２が、外側遮蔽部５１の上方に位置し、また、各基板本体１の各スルーホール１１が、上記開口孔５３１等の上方に位置し、更に、各基板本体１の下面１ａの各スルーホール１１よりも内寄りの部分が、内側遮蔽部５２で隠蔽される様に載置される。
【００３１】
そして、図６に示す様に、各基板本体１の下面１ａと、内側遮蔽部５２の下面５２ａとで段差状態を形成する。このときの内側遮蔽部５２の外周端面部５２１と、上記端寄り電極部２２１ａとの距離は、０．２ｍｍとなり、外周端面部５２１と上記内寄り電極部２２１ｂとの距離は、０．９５ｍｍとなる。
そして、この搬送中に、図４（ｂ）及び６に示す様に、溶融半田Ｈは、スルーホール１１内に浸入し、次いで、スルーホール１１内を上昇し、基板本体１の上面に到達し、更に、上記各接続用パターン２１のスルーホール１１の周囲に位置する部分（接続パッド）２１１を介し、上記インナーリード部３１に迄達する。これにより、各接続用パターン２及びインナーリード部３１の電気的な接続を完了する。
【００３２】
そして、この電気的な接続を完了し、基板本体１（搭載用基板）を半田槽内より取り出せば、その下面側の各給電用パターン２２の表面が、半田により被覆されていることが確認できる。このとき、この半田による被覆は、略各給電用パターン２２の表面のみに限られ、複数の給電用パターン２２を跨いだ状態で半田が付着している部分は存在しない。
本実施例では、上記半田処理の際、図６に示す様に、内側遮蔽部５２の外周端面部５２１と、基板本体１の下面１ａの露出面部１５とが角部６を形成する。また、基板本体１及び内側遮蔽部５２は、半田濡れの生じ難い材質で構成されている。このため、この角部６に、溶融半田の接触しない非接触空間６１を形成しつつ、上記半田処理が行われる。この結果、この空間６１の体積分の溶融半田Ｈが、基板本体１の下面１ａのスルーホール１１の周囲から排除され、この周囲に供給される溶融半田Ｈの量が適量となる。従って、給電用パターン２２のピッチ間隔が小さくなっても、隣接する各パターン２２に、半田ブリッジを生じ難い。
【００３３】
尚、本実施例では、内側遮蔽部５２が、全体を通じて面一の板状のものであるが、これを枠状のもの〔例えば、図７（ａ）の内側遮蔽部材５２ｅがこれに該当する。〕とすることもできる。また、本実施例では、内側遮蔽部（材）５２と、外側遮蔽部（材）５１とを一体としたが、これらを別体としてもよい。更に、この別体となる場合には、内側遮蔽部（材）５２が、基板本体１の一部を構成していてもよい。
また、これらを別体にする場合、図７（ａ）に示す様に、基板本体１の所望の箇所に、接着剤７７ｅ、両面テープ等で取着する内側遮蔽部５２ｅであってもよい。更に、同図（ｂ）に示す様に、所定の樹脂板や、テープ状物等により、内側遮蔽部（材）５２ｆを構成することもできる。
【００３４】
（２）実施例２
本実施例では、内側遮蔽部５２ｇを図８に示す様なものとした。その他の点は、実施例１と同様である。
この内側遮蔽部５２ｇの外周端縁は、基板本体１の設けられた各スルーホール１１の千鳥状の配置状態に追随したジグザグ状の経路線５９ｇを描いている。そして、端寄り電極部２２１ｇと内側遮蔽部材５２ｇの外周端面部５２１ｇとの距離、及び内寄り電極部２２１ｈと外周端面部５２１ｈとの距離は、いずれも、０．４ｍｍとなっている。従って、本実施例では、角部６、ひいては、非接触空間６１の大きさが、各ランド電極部２２１ｇ、２２１ｈが千鳥状に形成されているにも係わらず、内側遮蔽部材５２ｇ全体を通じて略一定となる。従って、より一層、高精度に搭載基板を製造することができる。
【００３５】
（３）実施例３
本実施例では、図９に示す様な治具体５Ｒを用いた。その他の点は、実施例１と同様である。
この治具体５Ｒは、内側遮蔽部５２ｒを、基板本体１の半田層内での搬送方向の先頭側に位置する端縁（図３のＡ1 ）寄りにのみ、配置するものである。
上記の如く、基板本体１を半田槽内で搬送しながら、半田処理を行う場合には、各給電用パターン２２のうちで、幅広のランド電極部２２１のみを終端部とする部分で、特に、半田ブリッジを生じ易い。本実施例は、この点に着目して、治具体５Ｒの単純化を図ったのである。そして、本実施例の場合も、上記各実施例と同様に、高密度で、精度及び信頼性の高い搭載基板を得ることができる。
但し、本治具体５Ｒは、基板本体の半田層内で搬送せずに行う場合にも、使用することができる。
【００３６】
尚、本発明においては、前記具体的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。即ち、各実施例で用いた基板本体１は、各ランド電極部２２１を千鳥状に配置するものであったが、各ランド電極部２２１の配置状態が、これと異なる基板本体（例えば、各ランド電極部２２１を各端縁Ａ1 〜Ａ4 に沿って直線状に配置した基板本体）を用いてもよい。
また、上記各給電用パターン２２は、ランド給電部２２１と、めっきリード部２２２とで構成されているが、図１０（ａ）に示す様に、各ランド給電部２２１の先端部（めっきリード部２２２の延設方向に対向する端部）より、補助リード部２２３を延設することもできる。この場合には、基板本体１の特定の端縁（図３のＡ1 ）寄りに位置する給電パターン、即ち、半田槽内を搬送する際に、めっきリード部２２２、ランド電極部２２１の順に溶融半田を通過するパターン２２において、「半田のきれ」が良く、隣接する他のパターンとのピッチ間隔を十分なものとできる補助リード部２２３が終端部となる。従って、上記各実施例に示す各方法において、この様な基板本体１等が用いられれば、より一層、確実に高性能な搭載基板を得ることができる。
【００３７】
また、同図に示す場合、この様な補助リード部２２３を、基板本体１等の全ての給電用パターン２２が備えなくてもよい。例えば、上記めっき槽内を搬送する際に、先頭側に位置する端縁（図３のＡ1 ）寄りに位置する給電用パターン２２のみが備えていてもよい。上述の如く、この先頭側に位置する端縁寄りに位置する給電用パターン２２において、特に半田ブリッジを生じ易いからである。
更に、各ランド電極部２２１の配置状態が千鳥状の場合、これらの補助リード部２２３を、同図（ｂ）に示す様に、端寄り電極部２２１ａのみから延設してもよい。
また、各実施例では、基板本体１等の搭載部Ｔの周囲を取り囲む状態で各パターン２１、２２が形成された搭載基板について述べたが、基板本体１等の搭載部Ｔを挟み対向する１組の端縁（例えば、図３のＡ1 及びＡ2 ）寄りにのみ各パターン２１、２２が形成された搭載基板の製造にも本発明を応用できる。
更に、本発明の製造方法は、搭載用基板以外の配線基板について応用することもできる。また、上記リードフレーム３と、接続用パターンの電気的な接続を行うのが、半田以外の「ろう材」である場合についても本発明を応用できる。更に、上記各実施例では、基板本体１等の平面形状が矩形状、若しくは四角リング状である場合について述べたが、これらの平面形状を製品の仕様等に応じて種々選択（例えば、円形等）することもできる。
【００３８】
【発明の効果】
上記各発明の製造方法によれば、高密度化の要請に的確に対応しつつ、半田ブリッジの生じない高精度で、高い信頼性を備えた搭載基板を確実に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で製造する電子部品搭載用基板の一部縦断面図である。
【図２】実施例１で使用する治具体の一部平面図である。
【図３】各実施例及び従来例に係わる電子部品搭載部品を構成する基板本体の下面側の概略を示す底面図である。
【図４】（ａ）は実施例１において基板本体を治具体に取着する手順を示す一部縦断面図、（ｂ）は治具本体に取着した基板本体を溶融半田に浸した状態を示す一部縦断面図である。
【図５】実施例１において、基板本体と治具本体とを組付けた状態を示す一部底面図である。
【図６】実施例１において溶融半田がスルーホール内に進入していく状況を説明するための一部縦断面図である。
【図７】（ａ）は実施例１の変形例に係わる治具体を説明するための一部縦断面図、（ｂ）実施例１の変形例に係わる治具体を説明するための一部縦断面図である。
【図８】実施例２において、基板本体と治具本体とを組付けた状態を示す一部底面図である。
【図９】（ａ）は実施例２の治具本体の一部平面図、（ｂ）は実施例２の治具本体の一部縦断面図である。
【図１０】（ａ）は各実施例で用いた基板本体の変形例を示す一部底面図、（ｂ）は各実施例で用いた基板本体の変形例を示す一部底面図である。
【図１１】従来例に係わる治具体の一部平面図である。
【図１２】（ａ）は従来例において基板本体を治具体に取着する手順を示す一部縦断面図、（ｂ）は従来例において治具本体に取着した基板本体を溶融半田に浸した状態を示す一部縦断面図である。
【図１３】従来例において、基板本体と治具本体とを組付けた状態を示す一部底面図である。
【図１４】従来例において溶融半田がスルーホール内に進入していく状況を説明するための一部縦断面図である。
【符号の説明】
１；基板本体、１１；スルーホール、１２；導体層、１５；露出面部、２１；接続用パターン、２２；給電用導体パターン、２２１；ランド電極部、２２２；めっきリード部、３；リードフレーム、３１；インナーリード部、３２；はみ出し部、５Ｌ；治具体、５；治具、５１；外側遮蔽部（材）、５２；内側遮蔽部（材）、５２１；外周端面部、６；角部、６１；非接触空間、Ｈ；溶融半田、Ｔ；搭載部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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