(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）で表わされる反復単位、式（VI）で表わされる反復単位、ならびに、式（II）、式（III）、式（IV）および式（Ｖ）からなる群より選ばれた式で表わされる反復単位の少なくとも１種を含むケイ素含有コポリマー
【化１】
0003634798.tif 000015
（ここで、Ｒ7は、水素、炭素数１〜２０の直線状または枝状アルキル基、アルコキシ基置換アルキル基（アルコキシ基の炭素数１〜６、アルキル基部分の炭素数１〜１０）、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、シクロアルキル基置換アルキル基（シクロアルキル基の炭素数３〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数４〜２０のポリシクロアルキル基、ポリシクロアルキル基置換アルキル基（ポリシクロアルキル基の炭素数４〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数３〜１０の複素環式基、および複素環式基置換アルキル基（複素環式基の炭素数３〜１０、アルキル基部分の炭素数１〜６）からなる群より選ばれた基であり；
Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は、同一または異なり、それぞれ、水素、炭素数１〜２０の直線状または枝状アルキル基、アルコキシ基置換アルキル基（アルコキシ基の炭素数１〜６、アルキル基部分の炭素数１〜１０）、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、シクロアルキル基置換アルキル基（シクロアルキル基の炭素数３〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数４〜２０のポリシクロアルキル基、ポリシクロアルキル基置換アルキル基（ポリシクロアルキル基の炭素数４〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数３〜１０の複素環式基、複素環式基置換アルキル基（複素環式基の炭素数３〜１０、アルキル基部分の炭素数１〜６）およびケイ素含有基からなる群より選ばれた基であり、Ｒ1およびＲ2のうち少なくとも１つがケイ素含有基であり；
Ｒ4、Ｒ5、およびＲ6が、同一または異なり、それぞれ、ケイ素含有基であり；
ケイ素含有基は、
【化２】
0003634798.tif 000016
からなる群より選ばれた基であり；
式（Ｉ）と、式（VI）と、式（II）、式（III）、式（IV）および式（Ｖ）の合計とのモル比が、１：０．０５〜０．８：０．２〜０．９５である）。 
【請求項２】
Ｒ1およびＲ2のうち少なくとも１つが前記ケイ素含有基であり、他方が炭素数１〜２０の直線状または枝状アルキル基、アルコキシ基置換アルキル基（アルコキシ基の炭素数１〜６、アルキル基部分の炭素数１〜１０）、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、シクロアルキル基置換アルキル基（シクロアルキル基の炭素数３〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数４〜２０のポリシクロアルキル基、ポリシクロアルキル基置換アルキル基（ポリシクロアルキル基の炭素数４〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数３〜１０の複素環式基、および複素環式基置換アルキル基（複素環式基の炭素数３〜１０、アルキル基部分の炭素数１〜６）からなる群より選ばれた基である請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項３】
式（VI）が
【化３】
0003634798.tif 000017
で表わされるビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−カルボン酸  ｔｅｒｔ−ブチルエステル基である請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項４】
式（II）が
【化４】
0003634798.tif 000018
で表わされる５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸  ｔｅｒｔ−ブチルエステル（トリメチルシリル）メチルエステル基である請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項５】
式（III）が
【化５】
0003634798.tif 000019
で表わされるトリメチルシラニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−カルボン酸  ２−トリメチルシラニル−エチルエステル基である請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項６】
式（IV）が
【化６】
0003634798.tif 000020
で表わされる２−トリメチルシリル−５−ノルボルネン基である請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項７】
式（Ｖ）が
【化７】
0003634798.tif 000021
で表わされるビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−カルボン酸  ２−トリメチルシラニル−エチルエステル基である請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項８】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ6が、同一または異なり、酸の存在下で分解して前記ケイ素含有コポリマーをアルカリ可溶性にする保護基である請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項９】
前記保護基が
【化８】
0003634798.tif 000022
からなる群より選ばれた基である請求項８記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項１０】
Ｒ7が、酸の存在下で分解して前記ケイ素含有コポリマーをアルカリ可溶性にする保護基である請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項１１】
前記保護基が
【化９】
0003634798.tif 000023
からなる群より選ばれる請求項１０記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項１２】
有機溶剤に溶け、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００〜５０００である請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項１３】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が７０℃〜１５０℃である請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項１４】
二重層レジストシステムの上層レジストとして用いられる請求項１記載のケイ素含有コポリマー。
【請求項１５】
（ａ）請求項１記載の４〜２５重量％のケイ素含有コポリマーと、
（ｂ）０．０３〜１５重量％の光酸発生剤と、
（ｃ）６５〜９５重量％の溶剤と
を含む感光性樹脂組成物。
【請求項１６】
前記光酸発生剤が、トリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、およびスルホン酸塩からなる群より選ばれた少なくとも１種である請求項１５記載の感光性樹脂組成物。
【請求項１７】
（ｄ）（ｃ）光酸発生剤のモルを基準として１〜２０モル％のキラー塩基をさらに含む請求項１５記載の感光性樹脂組成物。
【請求項１８】
前記キラー塩基が、アミンまたはアンモニウム塩である請求項１７記載の感光性樹脂組成物。
【請求項１９】
紫外線（ＵＶ）、遠紫外線、真空紫外線（３００〜１００ｎｍ）、極端紫外線（１１〜１３ｎｍ）、電子ビーム、またはＸ線に感光する特性を有する請求項１５記載の感光性樹脂組成物。
【請求項２０】
波長１９３ｎｍまたは１５３ｎｍの光に感光する請求項１５記載の感光性樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はケイ素含有コポリマー（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）およびケイ素含有コポリマーを含む感光性樹脂組成物に関するものである。本発明のケイ素含有コポリマーおよび感光性樹脂組成物は二重層レジストシステムの上層レジストとして用いるのに適している。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の集積化が進むなか、露光工程において、より優れたパターンを形成する必要性が高まっている。マイクロ電子デバイスの製造において、２４８ｎｍと１９３ｎｍの光を用いた露光技術は共に必要とされおり、このような短波長の光で動作するのに適したフォトレジスト材料を開発する試みが数多くなされてきた。
【０００３】
単層レジストを短波長の光露光で用いるときは、たとえ反射防止レジスト層を用いたとしても、焦点深度が浅くなり、工程の安定制御能力（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｃａｐａｃｉｔｙ）も低下する。そこで、解像度と工程の安定制御能力の改善のために二重層レジストが開発されてきた。二重層レジストは、樹脂からなり、基板を平坦化し、反射を減少させる厚い下層と、ケイ素含有ポリマーからなり、感光性で、酸素プラズマエッチングに対し、優れた抵抗性を有する薄いケイ素含有最上層とを含む。
【０００４】
１９３ｎｍ用の二重層レジストに用いられる多くのケイ素含有ポリマーレジストは、アクリル酸塩系樹脂（ａｃｒｙｌａｔｅ−ｂａｓｅｄ  ｒｅｓｉｎ）であるが、以下のような短所がある。アクリル酸塩系樹脂は基幹上で不安定である。ケイ素含有量が増加すると、樹脂のＴｇも、それにともなって低下する。その上、アクリル酸塩系樹脂は、極性の高い官能基が欠けているため、樹脂下層に対する粘着性が劣っている。一旦、極性基がアクリル酸塩系樹脂に導入されると、膨潤が生じ、その結果、解像度が劣る。さらに、アクリル酸塩系樹脂は耐侵食性が劣っている。
【０００５】
そこで、近年、多くの研究者は二重層レジストシステムの上層レジストに用いる新規なケイ素含有ポリマーの開発を試みてきた。ボードマン（Ｂｏａｒｄｍａｎ）ら［ＳＰＩＥ  ３６７８，５６２（１９９９）］、ソーリヤクマラン（Ｓｏｏｒｉｙａｋｕｍａｒａｎ）ら［ＳＰＩＥ  ３９９９，１２８（２０００）］、およびキム（Ｋｉｍ）ら［ＳＰＩＥ  ３９９９，１１５（２０００）］はともに無水マレイン酸およびノルボルネンからなるケイ素含有コポリマーを合成した。無水マレイン酸およびノルボルネンはアクリル酸塩よりも構造的に硬いため、樹脂のＴｇが上昇する。さらに、無水マレイン酸の高い極性により、レジスト上層と樹脂下層とのあいだの粘着性を高めることができる。
【０００６】
しかし、レジスト樹脂システムのＴｇおよび粘着性をさらに高めるために、二重層レジストシステムに適用する新規なケイ素含有コポリマーの開発が必要とされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
以上により、本発明は、前述の課題を解決し、高いガラス転移温度および優れた極性を有する新規なケイ素含有コポリマーを提供することを目的とする。
【０００８】
本発明は、二重層レジストシステムに使用した場合に、樹脂下層に対し、優れた粘着性を有する新規なケイ素含有コポリマーを提供することを他の目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前述の目的を達成するため、本発明のケイ素含有コポリマーは、式（Ｉ）で表わされる反復単位、式（ＶＩ）で表わされる反復単位、ならびに、式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）、式（ＩＶ）および式（Ｖ）からなる群より選ばれた式で表わされる反復単位の少なくとも１種（１種または２種以上）を含む。
【００１０】
【化１１】
0003634798.tif 000002
【００１１】
ここで、Ｒ７は、水素、炭素数１〜２０の直線状または枝状アルキル基、アルコキシ基置換アルキル基（アルコキシ基の炭素数１〜６、アルキル基部分の炭素数１〜１０）、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、シクロアルキル基置換アルキル基（シクロアルキル基の炭素数３〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数４〜２０のポリシクロアルキル基、ポリシクロアルキル基置換アルキル基（ポリシクロアルキル基の炭素数４〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数３〜１０の複素環式基、および複素環式基置換アルキル基（複素環式基の炭素数３〜１０、アルキル基部分の炭素数１〜６）からなる群より選ばれた基である。
【００１２】
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、同一または異なり、それぞれ、水素、炭素数１〜２０の直線状または枝状アルキル基、アルコキシ基置換アルキル基（アルコキシ基の炭素数１〜６、アルキル基部分の炭素数１〜１０）、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、シクロアルキル基置換アルキル基（シクロアルキル基の炭素数３〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数４〜２０のポリシクロアルキル基、ポリシクロアルキル基置換アルキル基（ポリシクロアルキル基の炭素数４〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数３〜１０の複素環式基、複素環式基置換アルキル基（複素環式基の炭素数３〜１０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、およびケイ素含有基（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ｇｒｏｕｐ）からなる群より選ばれた基であり、Ｒ１およびＲ２のうち少なくとも１つがケイ素含有基である。
【００１３】
前記ケイ素含有基は、
【化１０】
0003634798.tif 000003
からなる群より選ばれた基である。
【００１４】
Ｒ4、Ｒ5、およびＲ6は、同一または異なり、それぞれ、ケイ素含有基であり、
【化１１】
0003634798.tif 000004
からなる群より選ばれたケイ素含有基である。
【００１５】
式（Ｉ）と、式（ＶＩ）と、式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）、式（ＩＶ）および式（Ｖ）の合計とのモル比は、１：０．０５〜０．８：０．２〜０．９５である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明のケイ素含有コポリマーは、各反復単位に対応する単量体（たとえば、二重結合を有する単量体）を用いて、単量体に応じて適用可能な従来の重合法のいずれかを採用することにより、調製することができる。たとえば、フリーラジカル重合、制御ラジカル重合、または基転移重合などを採用することができる。
【００１７】
前述したように、本発明のケイ素含有コポリマーは、少なくとも３種の反復単位を含む。式（Ｉ）で表わされる無水マレイン酸反復単位および式（ＶＩ）で表わされるノルボルネン反復単位は、本発明のケイ素含有コポリマーに必要な構成要素である。他の構成要素は、ケイ素含有基を有する式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）、式（ＩＶ）または式（Ｖ）で表わされる少なくとも１種のノルボルネン反復単位である。式（Ｉ）および式（ＶＩ）はケイ素を含まない反復単位である。式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）、式（ＩＶ）、および式（Ｖ）は、ケイ素を含む反復単位である。
【００１８】
本発明でいうケイ素含有基は、炭素数３〜５０、好ましくは３〜９の（アルキル基またはアルコキシ基）置換シリル基、または、（アルキル基またはアルコキシ基）置換シリル基置換アルキル基（（アルキル基またはアルコキシ基）置換シリル基の炭素数３〜５０、好ましくは３〜１０、アルキル基部分の炭素数１〜９、好ましくは１〜６）である。式（ＩＩ）中のＲ１およびＲ２のうち少なくとも１つ、式（ＩＩＩ）中のＲ３およびＲ４、式（ＩＶ）中のＲ５ならびに式（Ｖ）中のＲ６が、それぞれ、ケイ素含有基である。
【００１９】
ここで、Ｒ７は、水素、炭素数１〜２０、好ましくは１〜６の直線状および枝状アルキル基、アルコキシアルキル基（アルコキシ基部分の炭素数１〜６、好ましくは１〜３、アルキル基部分の炭素数１〜１０、好ましくは１〜６）、炭素数３〜２０、好ましくは３〜８のシクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基（シクロアルキル基部分の炭素数３〜２０、好ましくは３〜８、アルキル基部分の炭素数１〜６、好ましくは１〜３）、炭素数４〜２０、好ましくは４〜８のポリシクロアルキル基、ポリシクロアルキルアルキル基（ポリシクロアルキル基部分の炭素数４〜２０、好ましくは４〜８、アルキル基部分の炭素数１〜６、好ましくは１〜３）、炭素数３〜１０、好ましくは３〜６の複素環式基、および複素環式基置換アルキル基（複素環式基の炭素数３〜１０、好ましくは３〜６、アルキル基部分の炭素数１〜６、好ましくは１〜３）からなる群より選ばれた基である。
【００２０】
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、同一または異なり、水素、炭素数１〜２０、好ましくは１〜６の直線状または枝状アルキル基、アルコキシアルキル基（アルコキシ基部分の炭素数１〜６、好ましくは１〜３、アルキル基部分の炭素数１〜１０、好ましくは１〜６）、炭素数３〜２０、好ましくは３〜８のシクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基（シクロアルキル基部分の炭素数３〜２０、好ましくは３〜８、アルキル基部分の炭素数１〜６、好ましくは１〜３）、炭素数４〜２０、好ましくは４〜８のポリシクロアルキル基、ポリシクロアルキルアルキル基（ポリシクロアルキル基部分の炭素数４〜２０、好ましくは４〜８、アルキル基部分の炭素数１〜６、好ましくは１〜３）、炭素数３〜１０、好ましくは３〜６の複素環式基、複素環式基置換アルキル基（複素環式基の炭素数３〜１０、好ましくは３〜６、アルキル基部分の炭素数１〜６、好ましくは１〜３）、およびケイ素含有基からなる群より単独で選ばれた基である。
【００２１】
Ｒ１およびＲ２のうち少なくとも１つが前記ケイ素含有基であり、他方が炭素数１〜２０の直線状または枝状アルキル基、アルコキシ基置換アルキル基（アルコキシ基の炭素数１〜６、アルキル基部分の炭素数１〜１０）、炭素数３〜３０のシクロアルキル基、シクロアルキル基置換アルキル基（シクロアルキル基の炭素数３〜３０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数４〜２０のポリシクロアルキル基、ポリシクロアルキル基置換アルキル基（ポリシクロアルキル基の炭素数４〜２０、アルキル基部分の炭素数１〜６）、炭素数３〜１０の複素環式基、および複素環式基置換アルキル基（複素環式基の炭素数３〜１０、アルキル基部分の炭素数１〜６）からなる群より選ばれた基であることが好ましい。
【００２２】
Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、同一または異なり、単独にケイ素含有基となる。
【００２３】
前記ケイ素含有基は、炭素数３〜５０、好ましくは３〜９の（アルキル基またはアルコキシ基）置換シリル基または（アルキル基またはアルコキシ基）置換シリル基置換アルキル基（（アルキル基またはアルコキシ基）置換シリル基の炭素数３〜５０、好ましくは３〜９、アルキル基部分の炭素数１〜９、好ましくは１〜４）である。
【００２４】
たとえば、ケイ素含有基は
【００２５】
【化１２】
0003634798.tif 000005
【００２６】
からなる群より選ばれた基である。
【００２７】
ここで、Ｘ、Ｙ、およびＺは、同一または異なり、それぞれ、炭素数１〜４、好ましくは１〜２の直線状または枝状アルキル基、および炭素数１〜６、好ましくは１〜３のアルコキシ基からなる群より選ばれた基である。ｍ、ｎ、およびｐは、０または１〜６、好ましくは１〜３の整数である。ケイ素含有基の好ましい例は、Ｘ、Ｙ、およびＺが同一で、メチル基またはメトキシ基であるケイ素含有基である。
【００２８】
ケイ素含有基の代表例には
【００２９】
【化１３】
0003634798.tif 000006
【００３０】
が含まれる。
【００３１】
式（ＶＩ）の代表例は
【００３２】
【化１４】
0003634798.tif 000007
【００３３】
で表わされるビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−カルボン酸  ｔｅｒｔ−ブチルエステル（ＴＢＮＢ）基である。
【００３４】
式（ＩＩ）の代表例は
【００３５】
【化１５】
0003634798.tif 000008
【００３６】
で表わされる５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸  ｔｅｒｔ−ブチルエステル（トリメチルシリル）メチルエステル（ＴＭＳＴＢＮＢ）基である。
【００３７】
式（ＩＩＩ）の代表例は
【００３８】
【化１６】
0003634798.tif 000009
【００３９】
で表わされるトリメチルシラニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−カルボン酸  ２−トリメチルシラニル−エチルエステル（ＤＩＴＳＮＢ）基である。
【００４０】
式（ＩＶ）の代表例は
【００４１】
【化１７】
0003634798.tif 000010
【００４２】
で表わされる２−トリメチルシリル−５−ノルボルネン（ＴＳＮＢ）基である。
【００４３】
式（Ｖ）の代表例は
【００４４】
【化１８】
0003634798.tif 000011
【００４５】
で表わされるビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−カルボン酸  ２−トリメチルシラニル−エチルエステル（ＴＳＥＮＢ）基である。
【００４６】
本発明においては、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ６は、同一または異なり、酸の存在下で分解してケイ素含有コポリマーをアルカリ可溶性にする、酸に敏感な保護基（ａｃｉｄ−ｌａｂｉｌｅ  ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  ｇｒｏｕｐ）であり得る。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ６が、酸に敏感な保護基であるとき、この酸に敏感な保護基は
【００４７】
【化１９】
0003634798.tif 000012
【００４８】
からなる群より選ばれ得る。
【００４９】
Ｒ７もまた、酸の存在下で分解してケイ素含有コポリマーをアルカリ可溶性にする、酸に敏感な保護基であり得る。Ｒ７が、酸に敏感な保護基であるとき、この酸に敏感な保護基は
【００５０】
【化２０】
0003634798.tif 000013
【００５１】
からなる群より選ばれ得る。
【００５２】
式（Ｉ）と、式（ＶＩ）と、式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）、式（ＩＶ）および式（Ｖ）の合計とのモル比は１：０．０５〜０．８：０．２〜０．９５、好ましくは１：０．１５〜０．３５：０．２〜０．３５である。式（ＩＶ）のモル比が少ないと、現像できない傾向があり、多いと、樹脂のＴｇが低くなり、またはエッチング抵抗が低下する傾向がある。式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）、式（ＩＶ）および式（Ｖ）の合計のモル比が少ないと、エッチング抵抗が低下する傾向があり、多いと、樹脂のＴｇが低くなる傾向がある。
【００５３】
本発明のケイ素含有コポリマーは、有機溶剤に溶け、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００〜５０００、とりわけ１０００〜２５００でありことが好ましく、ガラス転移温度（Ｔｇ）が７０〜１５０℃、とりわけ１００〜１４０℃であることが好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）が低いケイ素含有コポリマーでは、暗腐食（ｄａｒｋ  ｅｒｏｓｉｏｎ）する傾向があり、重量平均分子量（Ｍｗ）が高いケイ素含有コポリマーでは、樹脂を合成しにくい傾向がある。ガラス転移温度（Ｔｇ）が低いケイ素含有コポリマーでは、よりよい輪郭（ｐｒｏｆｉｌｅ）が得られない傾向があり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高いケイ素含有コポリマーでは、光酸の拡散力が劣る傾向がある。
【００５４】
本発明のケイ素含有コポリマーは、二重レジストシステムの上層レジストとして用いることができる。
【００５５】
本発明は、感光性樹脂組成物を提供する。本発明の感光性樹脂組成物は、反復単位として、（ａ）式（Ｉ）で表わされる反復単位と、式（ＶＩ）で表わされる反復単位と、式（ＩＩ）、式（ＩＩＩ）、式（ＩＶ）および式（Ｖ）からなる群より選ばれた式で表わされる反復単位の少なくとも１種（１種または２種以上）とを含む前記本発明の４〜２５重量％のケイ素含有コポリマーと、
（ｂ）０．０３〜１５重量％、好ましくは０．１〜２重量％の光酸発生剤と、
（ｃ）６５〜９５重量％、好ましくは７０〜９０重量％の溶剤とを含む。
【００５６】
光酸発生剤は、いかなるものも用いることができる。好ましい光酸発生剤には、トリアリールスルホニウム塩（ｔｒｉａｒｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ  ｓａｌｔ）、ジアリールヨードニウム塩（ｄｉａｒｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ  ｓａｌｔ）、スルホン酸塩、およびこれらの２種以上の混合物が含まれるが、これらに限定しない。トリアリールスルホニウム塩の代表例には、トリフェニルスルホニウムトリフレート（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ  ｔｒｉｆｌａｔｅ）、アンチモン酸トリフェニルスルホニウム（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ  ａｎｔｉｍｏｎａｔｅ）、トリス−４−メトキシフェニルスルホニウムトリフレート（ｔｒｉｓ−４−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ  ｔｒｉｆｌａｔｅ）、トリス−４−アンチモン酸メトキシフェニルスルホニウム（ｔｒｉｓ−４−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ  ａｎｔｉｍｏｎａｔｅ）、トリス−４−メチルフェニルスルホニウムトリフレート（ｔｒｉｓ−４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ  ｔｒｉｆｌａｔｅ）、１−ナフチルメチル置換アルキルスルホニウムトリフレート（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ  ｍｅｔｈｙｌ−ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ  ａｌｋｙｌｓｕｌｆｏｎｉｕｍ  ｔｒｉｆｌａｔｅ）が含まれる。ジアリールヨードニウム塩の代表例には、ジフェニルヨードニウムトリフレート（ｄｉｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ  ｔｒｉｆｌａｔｅ）、アンチモン酸ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム（ｄｉ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ  ａｎｔｉｍｏｎａｔｅ）、およびジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート（ｄｉ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ  ｔｒｉｆｌａｔｅ）が含まれる。
【００５７】
適した溶剤は、エーテル、エチレンジオールエーテル（ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｄｉｏｌ  ｅｔｈｅｒ）、芳香族炭化水素、ケトン、エステル、またはこれらの２種以上の混合物であり得る。
【００５８】
光酸発生剤の含有量が少ないと、露光、および現像する効果を達することができない傾向があり、多いと、光酸が非露光領域に拡散するので、非露光領域を光酸に破壊される傾向がある。溶剤の含有量が少ないと、粘度が高くて薄膜に形成しにくい傾向があり、多いと、加熱することにより溶剤を除去する時間（ＳＢ時間）が長くなる傾向がある。
【００５９】
本発明の感光性樹脂組成物は、（ｄ）（ｃ）光酸発生剤のモルを基準として１〜２０モル％、好ましくは１〜５モル％のキラー塩基（ｋｉｌｌｅｒ  ｂａｓｅ）をさらに含むことができる。キラー塩基（ｋｉｌｌｅｒ  ｂａｓｅ）は、アミンまたはアンモニウム塩、たとえば、トリアルキルアミン（ｔｒｉａｌｋｙｌ  ａｍｉｎｅ）またはテトラアルキル置換アンモニウム塩（ｔｅｔｒａａｌｋｙｌ  ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｓａｌｔ）である。キラー塩基は、感光性樹脂組成物中で、よりより輪郭（ｐｒｏｆｉｌｅ）が得られる。キラー塩基の含有量が少ないと、Ｔ型先端（Ｔ−ｔｏｐ）が発生する傾向があり、多いと、露光、現像することができなくなる傾向がある。
【００６０】
本発明の感光性樹脂組成物は、紫外線（ＵＶ）、遠紫外線、真空紫外線（３００ｎｍ〜１００ｎｍ）、極端紫外線（１１〜１３ｎｍ）、電子ビーム、またはＸ線の波長に感光し、とくに１９３ｎｍまたは１７３ｎｍの波長に感光することが好ましい。
【００６１】
本発明の感光性樹脂組成物は二重層レジストシステムの上層として用いることができる。まず、シリコンウエハーに樹脂下層を塗布し、焼き付けて硬化させる。つぎに、ケイ素含有コポリマーを含む本発明の感光性樹脂組成物を、シリコンウエハーを被覆した樹脂下層上に塗布し、焼き付けて上層を形成する。
【００６２】
それから、マスクを通して樹脂下層およびケイ素含有レジスト上層を被覆したウエハーを放射線に露光し、焼き付ける。露光により、感光性樹脂組成物中の光酸発生剤が酸を発生し、発生した酸により、ケイ素含有コポリマー中の酸に敏感な保護基が遊離する。露光後、本発明のケイ素含有コポリマー中の酸に敏感な基を除去する。そして、従来の顕色剤でウエハーを現像することにより上層の露光領域を除去することができる。顕色剤としては、たとえば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、ベルベリン、１，８−ビス（ジメチルアミノ）ナフタレンを使用することができる。以上により、上層のパターンを形成することができる。
【００６３】
つぎに、パターン化したウエハーに酸素プラズマエッチングを施す。未露光領域のうち、上層表面に含まれるケイ素は酸素プラズマと反応して不揮発性生成物（ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ  ｐｒｏｄｕｃｔ）（すなわちＳｉＯ２）を形成する。露光領域のうち、下層は酸素プラズマと反応して揮発性生成物を形成し、エッチングにより直ちに蒸発する。したがって、ケイ素含有レジスト上層のパターンは樹脂下層へ移動する。
【００６４】
樹脂下層に関して、本発明に適用できる樹脂としては、フェノール樹脂、とくに、ホルムアルデヒドクレゾール（ｆｏｒｍａｌｄｅｈｙｄｅ  ｃｒｅｓｏｌ）、ホルムアルデヒドフェノールノボラック（ｆｏｒｍａｌｄｅｈｙｄｅ  ｐｈｅｎｏｌ  ｎｏｖｏｌａｋ）、ポリイミド樹脂、ポリ（メタ）アクリレート樹脂、およびスチレンアリルアルコールコポリマー樹脂（ｓｔｙｒｅｎｅ−ａｌｌｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ  ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ  ｒｅｓｉｎ）などのノボラック樹脂がある。
【００６５】
前述した本発明の目的、特徴、および長所をより一層明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態をあげ、さらに詳しく説明するが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも各種の変動や潤色を加えることができる。
【００６６】
【実施例】
＜ケイ素含有コポリマーの調製＞
実施例１：樹脂Ａ
無水マレイン酸（ＭＡ）０．０２０モル、ｔ−ブチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート（ｔ−ｂｕｔｙｌ  ５−ｎｏｒｂｏｒｎｅｎｅ−２−ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ：ＴＢＮＢ）０．０１２モル、および２−トリメチルシリル−５−ノルボルネン（２−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ−５−ｎｏｒｂｏｒｎｅｎｅ：ＴＳＮＢ）０．００８モルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６ｍｌに溶かし、この溶液を容積５０ｍｌの三つ口フラスコへ移した。そして、溶液を攪拌し、７０℃に加熱した。それから、ジメチル  ２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ−６０１、開始剤）０．００１２モルをＴＨＦ２ｍｌに溶かして、前述の溶液に加えた。この混合溶液を７０℃で１０時間攪拌した。そして、この反応溶液を大量のメタノールと水からなる混合溶液に少しずつ加えて沈殿させた。この混合液をろ過し、５０℃の真空下で１２時間乾燥させた。生成率は９５％であった。
【００６７】
得られたケイ素含有コポリマーをＧＰＣ（ウォーターズモデル（ＷＡＴＥＲＳ  Ｍｏｄｅｌ）６００）で測定したところ、重量平均分子量は２２９８であり、ＤＳＣ（パーキンエルマー（ＰＥＲＫＩＮ  ＥＬＭＥＲ）ＤＳＣ７）およびＴＧＡ（パーキンエルマーＴＧＡ７）で測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１５６℃、分解温度（Ｔｄ）は１９９℃であった。
【００６８】
実施例２：樹脂Ｂ
無水マレイン酸（ＭＡ）０．０２０モル、ｔ−ブチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート（ＴＢＮＢ）０．０１０モル、および２−トリメチルシリル−５−ノルボルネン（ＴＳＮＢ）０．０１０モルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６ｍｌに溶かし、この溶液を容積５０ｍｌの三つ口フラスコへ移した。そして、溶液を攪拌し７０℃に加熱した。それから、ジメチル  ２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ−６０１、開始剤）０．００１２モルをＴＨＦ２ｍｌに溶かして、前述の溶液に加えた。この混合溶液を７０℃で１０時間攪拌した。そして、この反応溶液を大量のメタノールと水からなる混合溶液に少しずつ加えて沈殿させた。この混合液をろ過し、５０℃の真空下で１２時間乾燥させた。生成率は９２％であった。
【００６９】
得られたケイ素含有コポリマーをＧＰＣ（ウォーターズモデル６００）で測定したところ、重量平均分子量は２０６６であり、ＤＳＣ（パーキンエルマーＤＳＣ７）およびＴＧＡ（パーキンエルマーＴＧＡ７）で測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１２３℃、分解温度（Ｔｄ）は２０９℃であった。
【００７０】
実施例３：樹脂Ｃ
無水マレイン酸（ＭＡ）０．０２０モル、ｔ−ブチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート（ＴＢＮＢ）０．００２モル、２−トリメチルシリル−５−ノルボルネン（ＴＳＮＢ）０．００２モル、および２−ｔ−ブチル  ３−トリメチルシリルメチル  ５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシレート（２−ｔ−ｂｕｔｙｌ  ３−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｍｅｔｈｙｌ  ５−ｎｏｒｂｏｒｎｅｎｅ−２，３−ｄｉｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ：ＴＭＳＴＢＮＢ）０．０１６モルをＴＨＦ１６ｍｌに溶かし、この溶液を容積１００ｍｌの三つ口フラスコへ移した。そして、溶液を攪拌し、７０℃に加熱した。それから、ジメチル  ２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ−６０１、開始剤）０．００２０モルをＴＨＦ２ｍｌに溶かして、前述の溶液に加えた。この混合溶液を７０℃で１０時間攪拌した。そして、この反応溶液を大量のメタノールと水からなる混合溶液に少しずつ加えて沈殿させた。この混合液をろ過し、５０℃の真空下で１２時間乾燥させた。生成率は３０％であった。
【００７１】
得られたケイ素含有コポリマーをＧＰＣ（ウォーターズモデル６００）で測定したところ、重量平均分子量は１５７２であり、ＤＳＣ（パーキンエルマーＤＳＣ７）およびＴＧＡ（パーキンエルマーＴＧＡ７）で測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は９２℃、分解温度（Ｔｄ）は２１２．３℃であった。
【００７２】
実施例４：樹脂Ｄ
無水マレイン酸（ＭＡ）０．０４０モル、ｔ−ブチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート（ＴＢＮＢ）０．０１６モル、２−トリメチルシリル−５−ノルボルネン（ＴＳＮＢ）０．０１６モル、および２−ｔ−ブチル  ３−トリメチルシリルメチル  ５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシレート（ＴＭＳＴＢＮＢ）０．００８モルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１２ｍｌに溶かし、この溶液を容積５０ｍｌの三つ口フラスコへ移した。そして、溶液を攪拌し、７０℃に加熱した。それから、ジメチル  ２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ−６０１、開始剤）０．００４モルをＴＨＦ４ｍｌに溶かして、前述の溶液に加えた。この混合溶液を７０℃で１０時間攪拌した。そして、この反応溶液を大量のメタノールと水からなる混合溶液に少しずつ加えて沈殿させた。この混合液をろ過し、５０℃の真空下で１２時間乾燥させた。生成率は５８％であった。
【００７３】
得られたケイ素含有コポリマーをＧＰＣ（ウォーターズモデル６００）で測定したところ、重量平均分子量は１８４０であり、ＤＳＣ（パーキンエルマーＤＳＣ７）およびＴＧＡ（パーキンエルマーＴＧＡ７）で測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は９６．２℃、分解温度（Ｔｄ）は２３８．５℃であった。
【００７４】
実施例５：樹脂Ｅ
無水マレイン酸（ＭＡ）０．０４０モル、ｔ−ブチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート（ＴＢＮＢ）０．０１６モル、２−トリメチルシリル−５−ノルボルネン（ＴＳＮＢ）０．０２０モル、および２−ｔ−ブチル  ３−トリメチルシリルメチル  ５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシレート（ＴＭＳＴＢＮＢ）０．００４モルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１２ｍｌに溶かし、この溶液を容積５０ｍｌの三つ口フラスコへ移した。そして、溶液を攪拌し、７０℃に加熱した。それから、ジメチル  ２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ−６０１、開始剤）０．００４モルをＴＨＦ４ｍｌに溶かして、前述の溶液に加えた。この混合溶液を７０℃で１０時間攪拌した。そして、この反応溶液を大量のメタノールと水からなる混合溶液に少しずつ加えて沈殿させた。この混合液をろ過し、５０℃の真空下で１２時間乾燥させた。生成率は７６％であった。
【００７５】
得られたケイ素含有コポリマーをＧＰＣ（ウォーターズモデル６００）で測定したところ、重量平均分子量は１８３５であり、ＤＳＣ（パーキンエルマーＤＣＣ７）およびＴＧＡ（パーキンエルマーＴＧＡ７）で測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は９８．６℃、分解温度（Ｔｄ）は２３１．５℃であった。
【００７６】
実施例６：樹脂Ｆ
無水マレイン酸（ＭＡ）０．０２０モル、ｔ−ブチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート（ＴＢＮＢ）０．００４モル、２−トリメチルシリル−５−ノルボルネン（ＴＳＮＢ）０．０１０モル、および（２−トリメチルシリル）エチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート｛（２−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ）ｅｔｈｙｌ  ５−ｎｏｒｂｏｒｎｅｎｅ−２−ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ：ＴＳＥＮＢ｝０．００６モルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６ｍｌに溶かし、この溶液を容積１００ｍｌの三つ口フラスコへ移した。そして、溶液を攪拌し、７０℃に加熱した。それから、ジメチル  ２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ−６０１、開始剤）０．００２モルをＴＨＦ２ｍｌに溶かして、前述の溶液に加えた。この混合溶液を７０℃で１０時間攪拌した。そして、この反応溶液を大量のメタノールと水からなる混合溶液に少しずつ加えて沈殿させた。この混合液をろ過し、５０℃の真空下で１２時間乾燥させた。生成率は８８％であった。
【００７７】
得られたケイ素含有コポリマーをＧＰＣ（ウォーターズモデル６００）で測定したところ、重量平均分子量は２５５０であり、ＤＳＣ（パーキンエルマーＤＳＣ７）およびＴＧＡ（パーキンエルマーＴＧＡ７）で測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１３１．５℃、分解温度（Ｔｄ）は１８３．５℃であった。
【００７８】
実施例７：樹脂Ｇ
無水マレイン酸（ＭＡ）０．０４０モル、ｔ−ブチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート（ＴＢＮＢ）０．００６４モル、および（２−トリメチルシリル）エチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート（ＴＳＥＮＢ）０．０３４４モルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１４ｍｌに溶かし、この溶液を容積１００ｍｌの三つ口フラスコへ移した。そして、溶液を攪拌し、７０℃に加熱した。それから、ジメチル  ２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ−６０１、開始剤）０．００４モルをＴＨＦ４ｍｌに溶かして、前述の溶液に加えた。この混合溶液を７０℃で１０時間攪拌した。そして、この反応溶液を大量のメタノールと水からなる混合溶液に少しずつ加えて沈殿させた。この混合液をろ過し、５０℃の真空下で１２時間乾燥させた。生成率は９７％であった。
【００７９】
得られたケイ素含有コポリマーをＧＰＣ（ウォーターズモデル６００）で測定したところ、重量平均分子量は２７１４であり、ＤＳＣ（パーキンエルマーＤＳＣ７）およびＴＧＡ（パーキンエルマーＴＧＡ７）で測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１１２．７℃、分解温度（Ｔｄ）は１７６．６℃であった。
【００８０】
実施例８：樹脂Ｈ
無水マレイン酸（ＭＡ）０．０４０モル、ｔ−ブチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート（ＴＢＮＢ）０．００１６モル、２−トリメチルシリル−５−ノルボルネン（ＴＳＮＢ）０．０１６モル、および（２−トリメチルシリル）エチル  ７−ｓｙｎ−（トリメチルシリル）５−ノルボルネン−２−カルボキシレート｛（２−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ）ｅｔｈｙｌ  ７−ｓｙｎ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ）５−ｎｏｒｂｏｒｎｅｎｅ−２−ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ；ＤＩＴＳＮＢ｝０．００８モルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１２ｍｌに溶かし、この溶液を容積５０ｍｌの三つ口フラスコへ移した。そして、溶液を攪拌し７０℃に加熱した。それから、ジメチル  ２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ−６０１、開始剤）０．００４モルをＴＨＦ４ｍｌに溶かして、前述の溶液に加えた。この混合溶液を７０℃で１０時間攪拌した。そして、この反応溶液を大量のメタノールと水からなる混合溶液に少しずつ加えて沈殿させた。この混合液をろ過し、５０℃の真空下で１２時間乾燥させた。生成率は５０％であった。
【００８１】
得られたケイ素含有コポリマーをＧＰＣ（ウォーターズモデル６００）で測定したところ、重量平均分子量は２４０９であり、ＤＳＣ（パーキンエルマーＤＳＣ７）およびＴＧＡ（パーキンエルマーＴＧＡ７）で測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１４３．０℃、分解温度（Ｔｄ）は２２５．０℃であった。
【００８２】
実施例９：樹脂Ｉ
無水マレイン酸（ＭＡ）０．０２０モル、ｔ−ブチル  ５−ノルボルネン−２−カルボキシレート（ＴＢＮＢ）０．００６モル、および２−ｔ−ブチル  ３−トリメチルシリルメチル  ５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシレート（ＴＭＳＴＢＮＢ）０．０１４モルをＴＨＦ１６ｍｌに溶かし、この溶液を容積５０ｍｌの三つ口フラスコへ移した。そして、溶液を攪拌し、７０℃に加熱した。それから、ジメチル  ２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ−６０１、開始剤）０．００４モルをＴＨＦ４ｍｌに溶かして、前述の溶液に加えた。この混合溶液を７０℃で１０時間攪拌した。そして、この反応溶液を大量のメタノールと水からなる混合溶液に少しずつ加えて沈殿させた。この混合液をろ過し、５０℃の真空下で１２時間乾燥させた。
【００８３】
得られたケイ素含有コポリマーをＧＰＣ（ウォーターズモデル６００）で測定したところ、重量平均分子量は１５８０であり、ＤＳＣ（パーキンエルマーＤＳＣ７）およびＴＧＡ（パーキンエルマーＴＧＡ７）で測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１１３．１℃、分解温度（Ｔｄ）は２０８．７℃であった。
【００８４】
＜感光性樹脂組成物の調製＞
実施例１〜９より得られたケイ素含有コポリマー１．７ｇ、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ硫酸塩（ＰＡＧ；光酸発生剤）０．０５１ｇ、１−ピペリジンエタノール（キラー塩基（ｋｉｌｌｅｒ  ｂａｓｅ））０．００１２ｇ、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセタート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ａｃｅｔａｔｅ：ＰＧＭＥＡ）１１ｇを混合し、１日攪拌した。この混合物を厚さ０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターでろ過した。
【００８５】
＜樹脂下層の塗布＞
ポラリス（Ｐｏｌａｒｉｓ）２０００マイクロリソグラフィークラスターコーター（Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ｃｌｕｓｔｅｒ  Ｃｏａｔｅｒ）を用いて、回転速度４０００ｒｐｍでＰＦＩ３８Ａ９レジスト（住友製）２．５ｍｌを８インチウエハーに回転塗布した。このウエハーを２５０℃で２分間焼いて熱硬化を生じさせたのち、２３℃に冷却すると、厚さ７０００Åの樹脂下層が得られた。
【００８６】
＜ケイ素含有樹脂の光露光評価＞
得られたケイ素含有樹脂２ｍｌを回転速度３０００ｒｐｍで回転してシリコンウエハー上に樹脂下層を形成し、１３０℃で９０秒焼いた。それから、ウエハーを２３℃に冷却し、厚さ２０００Åのケイ素含有レジスト上層を得た。０．６ＮＡ  ＩＳＩ  １９３ｎｍステッパ−（Ｓｔｅｐｐｅｒ）を用いてマスクを通して形成したウエハーを露光し、それから１２０〜１５０℃で９０秒間焼いた。続いてウエハーを２３℃に冷却し０．２６２Ｎの水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液を用いて６０秒間現像した。そして、ウエハーを蒸留水ですすぎ、回転乾燥させてレジストパターンを形成した。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、このレジストがライン・アンド・スペースパターン（Ｌ／Ｓパターン）０．１５μｍ以下に解像できることが確認された。ケイ素含有樹脂上層および樹脂下層は優れた成膜性と粘着性を示した。形成したウエハーは高い感光性を有し、クリア供与（ｄｏｓｅ−ｔｏ−ｃｌｅａｒ）エネルギー（Ｅ０）は３〜２０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【００８７】
＜ドライエッチング＞
ラムリサーチカンパニー（Ｌａｍ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｃｏｍｐａｎｙ）製ＴＣＰ９４００エッチャーを用いたドライエッチングにより、ケイ素含有レジスト上層のパターンを樹脂下層に移した。５００Ｗ（ソース）、７５Ｗ（バイアス）、−１０℃、圧力１０ｍＴ、Ｏ２流量２０ｓｃｃｍ、ＳＯ２流量３０ｓｃｃｍ、３０秒といった条件でドライエッチングを行なった。エッチング後のＳＥＭからの画像は側壁角が８７°以上を示し、レジストはライン・アンド・スペースパターン（Ｌ／Ｓパターン）は０．２５〜０．１３μｍ以下に解像できた。ＯＤ（Ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｅｎｓｉｔｙ）、Ｅｔｈ、およびＤＥ（ｄａｒｋ  ｅｒｏｓｉｏｎ）を含む他の結果を、表１に示す。
【００８８】
【表１】
0003634798.tif 000014
【００８９】
本発明の好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、したがって本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【００９０】
【発明の効果】
本発明は、高いガラス転移温度と優れた極性を有する新規のケイ素含有コポリマーを提供する。本発明のケイ素含有コポリマーは二重層レジストシステムに用いることができるとともに、樹脂下層に対する粘着性が優れている。