(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を増幅する増幅素子と、
前記増幅素子の入力にバイアス電流を供給するバイアス回路と、
カソードが前記増幅素子の入力に接続され、かつ前記バイアス回路に対し並列接続になるように接続されたダイオードとを備え、
前記ダイオードのアノード側には定電圧が与えられている
高周波増幅回路。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波増幅回路において、
前記定電圧は、接地電圧である
ことを特徴とする高周波増幅回路。
【請求項３】
請求項１に記載の高周波増幅回路において、
前記定電圧は、正の電圧である
ことを特徴とする高周波増幅回路。
【請求項４】
請求項３に記載の高周波増幅回路において、
前記定電圧を出力する定電圧源と、
前記定電圧源の出力に一端が接続された抵抗と、
アノードが前記抵抗の他端に接続され、カソードが接地され、前記ダイオードの温度特性の補償を行う温度補償用ダイオードとを更に備え、
前記ダイオードのアノード側には、前記温度補償用ダイオードのアノードの電圧が与えられている
ことを特徴とする高周波増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を用いた増幅回路に関し、特に移動体通信で使用されるような高周波信号を増幅する高周波増幅回路の高出力化技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、世界各国で、携帯電話や携帯情報端末のように様々な移動体通信機器が実用化されている。移動体通信のシステムとして、例えば、日本では９００ＭＨｚ、１．５ＧＨｚ帯のセルラ方式による携帯電話システムや１．９ＧＨｚ帯のパーソナルハンディホンシステム（ＰＨＳ）、世界的にはＧＳＭ（ｇｌｏｂａｌ  ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  ｍｏｂｉｌｅ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）、アメリカのＰＣＳ（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  ｓｅｒｖｉｃｅ）やＣＤＭＡ（ｃｏｄｅ  ｄｉｖｉｓｉｏｎ  ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ａｃｃｅｓｓ）が挙げられる。今後、アナログ方式、ディジタル方式に次ぐ、第三世代の方式として、ＩＭＴ２０００が実用化される予定である。
【０００３】
移動体通信端末、特に携帯端末においては、端末の小型、軽量化が必須の流れである。高周波部品、特に高周波増幅器は、これまでは通常、負電源電圧動作を行っていたので、負電圧発生回路が必要であった。ところが、高周波増幅器を正電源電圧のみで動作させることができるようになり、負電圧発生回路が不要になったため、端末の小型化、軽量化が実現されるようになってきた。
【０００４】
すなわち、高周波信号を送信するための電力増幅器では、例えばＧａＡｓ（ガリウム砒素）系ＭＥＳＦＥＴ（ｍｅｔａｌ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のように、負電源電圧動作をさせる必要があるデバイスがこれまで用いられてきた。ところが、このようなデバイスから、正電源電圧のみで動作可能なヘテロバイポーラトランジスタ（以下、ＨＢＴと称する）への置き換えが進みつつある。なお、実用上の観点から、ＨＢＴのベースにバイアスを与えるための回路には、ＨＢＴの温度特性を補償する機能が必要となる。
【０００５】
図７は、従来の高周波増幅回路の回路図である。図７において、高周波増幅を行うトランジスタ１１のベースには、バイアス回路３０からバイアス電流Ｉｂが供給されるとともに、高周波信号が入力整合回路２１を介して入力されている。トランジスタ１１のコレクタには、コレクタ電圧Ｖｃｃが与えられ、コレクタ電流Ｉｃが供給されている。また、トランジスタ１１のコレクタは、出力整合回路２２を介して高周波信号を出力する。
【０００６】
また、特開平１１−８８０６５号公報には、トランジスタの出力の歪みを低く抑えるために、トランジスタの入力にダイオードを接続した高周波増幅器が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図８は、図７の高周波増幅回路における入力電力Ｐｉｎに対する出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃの関係を表すグラフである。図７の従来の高周波増幅回路においては、図８のように、入力電力Ｐｉｎが約１７．５ｄＢｍ以上になると、入力電力Ｐｉｎの増加に対する出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃの増加率が低下する。すなわち、利得圧縮が大きくなってしまう。更に、入力電力Ｐｉｎが約２１．５ｄＢｍ以上の場合は、入力電力Ｐｉｎが増加すると、出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃが減少してしまうという問題があった。この問題が生じる理由について説明する。
【０００８】
図９は、図７の高周波増幅を行うトランジスタ１１のベース電圧Ｖｉｎの波形を表すグラフである。図９（ａ）のように入力電力Ｐｉｎが１４ｄＢｍの場合、ベース電圧Ｖｉｎは常に正の電圧を示す。これに対して、図９（ｂ）のように入力電力Ｐｉｎが１９ｄＢｍの場合、ベース電圧Ｖｉｎは周期的に負の値となり、その最小値は約−０．８５Ｖである。図８及び図９は、回路シミュレーションを行って求められたグラフである。
【０００９】
図７において、出力抵抗３６を流れるバイアス電流Ｉｂは、バイアス回路３０の出力ＢＣｏｕｔからトランジスタ１１のベースに向かって流れる。通常、入力電力Ｐｉｎが増加するのに従ってバイアス電流Ｉｂの直流成分が増えるので、出力抵抗３６で生じる電圧降下のため、トランジスタ１１のベース電圧Ｖｉｎは低下する。入力電力Ｐｉｎが増加して１９ｄＢｍ程度になると、ベース電圧Ｖｉｎが負の電圧となる期間が生じ、バイアス回路３０の出力ＢＣｏｕｔからトランジスタ１１のベースに向かって流れる電流は更に増え、ベース電圧Ｖｉｎの低下が大きくなる。このため、入力電力Ｐｉｎの増加に対する出力電力Ｐｏｕｔ及び動作電流Ｉｃの増加は小さくなる。そして、入力電力Ｐｉｎが更に大きくなると、入力電力Ｐｉｎが増加するにもかかわらず出力電力Ｐｏｕｔ及び動作電流Ｉｃは減少してしまうようになる。
【００１０】
このように、図７のような従来の高周波増幅回路においては、バイアス回路３０からトランジスタ１１に流れるバイアス電流の影響のため、出力電力Ｐｏｕｔをあまり大きくすることができなかった。
【００１１】
一方、特開平１１−８８０６５号公報に開示された高周波増幅器は、トランジスタのゲート耐圧が高い場合であっても出力の歪みが小さくなるようにするものであり、高周波増幅器の高出力化を図ったものではない。
【００１２】
本発明は、移動体通信で使用されるような高周波信号を増幅する高周波増幅回路を高出力化することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、請求項１の発明が講じた手段は、高周波増幅回路として、高周波信号を増幅する増幅素子と、前記増幅素子の入力にバイアス電流を供給するバイアス回路と、カソードが前記増幅素子の入力に接続され、かつ前記バイアス回路に対し並列接続になるように接続されたダイオードとを備え、前記ダイオードのアノード側には定電圧が与えられているものである。
【００１４】
請求項１の発明によると、増幅素子への入力が大きく、増幅素子の入力の電圧が低下した場合であっても、増幅素子の入力に電流を供給して、増幅素子の入力の電圧の低下を小さくすることができる。したがって、高周波増幅回路を高出力化することができる。
【００１５】
また、請求項２の発明では、請求項１に記載の高周波増幅回路において、前記定電圧は、接地電圧であることを特徴とする。
【００１６】
請求項２の発明によると、ダイオードのアノード側に接地電圧が与えられているので、増幅素子の入力の電圧が大きく低下することを防ぐことができる。
【００１７】
また、請求項３の発明では、請求項１に記載の高周波増幅回路において、前記定電圧は、正の電圧であることを特徴とする。
【００１８】
請求項３の発明によると、ダイオードのアノード側に正の電圧が与えられているので、増幅素子の入力の電圧の低下を小さくする効果が大きい。
【００１９】
また、請求項４の発明では、請求項３に記載の高周波増幅回路において、前記定電圧を出力する定電圧源と、前記定電圧源の出力に一端が接続された抵抗と、アノードが前記抵抗の他端に接続され、カソードが接地され、前記ダイオードの温度特性の補償を行う温度補償用ダイオードとを更に備え、前記ダイオードのアノード側には、前記温度補償用ダイオードのアノードの電圧が与えられていることを特徴とする。
【００２０】
請求項４の発明によると、ダイオードの温度が変化した場合であっても、ダイオードが増幅素子の入力に供給する電流の変化を抑えることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅回路の回路図である。図１の高周波増幅回路は、増幅素子としてのトランジスタ１１と、ダイオード１２と、入力整合回路２１と、出力整合回路２２と、バイアス回路３０とを備えている。これらの構成要素は、同一の半導体基板上に形成されており、半導体基板上に形成された配線によって相互に接続されている。
【００２３】
トランジスタ１１は、ＧａＡｓ系ＨＢＴであり、高周波信号の増幅を行う。トランジスタ１１の入力としてのベースには、バイアス回路３０からバイアス電流Ｉｂが供給されるとともに、高周波信号が入力整合回路２１を介して入力されている。また、トランジスタ１１のベースには、ダイオード１２のカソードが接続されている。トランジスタ１１のコレクタには、コレクタ電圧Ｖｃｃが与えられ、コレクタ電流Ｉｃが供給されている。また、トランジスタ１１のコレクタは、出力整合回路２２を介して高周波信号を出力する。トランジスタ１１のエミッタは接地されている。ダイオード１２のアノードは接地されているので、トランジスタ１１のベース電圧Ｖｉｎが低下すると、ダイオード１２はトランジスタ１１のベースに電流を供給する。
【００２４】
入力整合回路２１は、図１の高周波増幅回路に入力される高周波信号を出力する回路（図示せず、出力インピーダンスは例えば５０Ω）と、トランジスタ１１の入力インピーダンスとの間のインピーダンス整合を行う。出力整合回路２２は、図１の高周波増幅回路が出力する高周波信号を入力とする回路（図示せず、入力インピーダンスは例えば５０Ω）と、トランジスタ１１の出力インピーダンスとの間のインピーダンス整合を行う。図１の高周波増幅回路は、入力される高周波信号の入力電力Ｐｉｎを増幅して出力電力Ｐｏｕｔを出力する。
【００２５】
バイアス回路３０は、トランジスタ３１と、レファレンス抵抗３２と、ダイオード３３，３４と、エミッタ抵抗３５と、出力抵抗３６とを備えている。バイアス回路３０は、基本的には、直流増幅を行うトランジスタ３１と、レファレンス抵抗３２、エミッタ抵抗３５により構成されたエミッタフォロア回路である。
【００２６】
トランジスタ３１のベースには、レファレンス抵抗３２の一端及びダイオード３３のアノードが接続されている。レファレンス抵抗３２の他端には電圧Ｖｒｅｆが与えられている。ダイオード３３のカソードは、ダイオード３４のアノードに接続され、ダイオード３４のカソードは接地されている。トランジスタ３１のコレクタには、コレクタ電圧Ｖｄｃが与えられている。トランジスタ３１のエミッタには、エミッタ抵抗３５及び出力抵抗３６の一端が接続されている。エミッタ抵抗３５の他端は接地されている。出力抵抗３６の他端はバイアス回路３０の出力ＢＣｏｕｔとなっており、トランジスタ１１のベースに接続されている。
【００２７】
図１の高周波増幅回路は、例えば９００ＭＨｚ帯の高周波信号の増幅を行うものである。この場合の回路構成素子の仕様の例を示す。トランジスタ１１，３１は、エミッタサイズがそれぞれ４３２０μｍ２、２４０μｍ２である。ダイオード３３，３４は、ともにエミッタサイズ６０μｍ２のトランジスタのベース・コレクタ間を短絡し、ダイオードとして用いたものである。エミッタ抵抗３５及び出力抵抗３６の値は、それぞれ２ｋΩ、４５Ωである。コレクタ電圧Ｖｃｃ，Ｖｄｃはともに３．５Ｖ、電圧Ｖｒｅｆは２．９Ｖである。
【００２８】
トランジスタ１１に入力整合回路２１から高周波信号が入力されていないアイドリング状態のときに、所定のコレクタ電流Ｉｃが流れるように、出力抵抗３６からトランジスタ１１のベースに流れ込むアイドリング電流を求めることができる。レファレンス抵抗３２の値は、アイドリング電流がこの求められた値となるように定められる。
【００２９】
図２は、図１の高周波増幅回路における入力電力Ｐｉｎに対する出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃの関係を表すグラフである。入力信号の周波数は９００ＭＨｚである。入力電力Ｐｉｎを０ｄＢｍから２５ｄＢｍまで増加させた場合、出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃは単調に増加し、入力電力Ｐｉｎが１７．５ｄＢｍ以上でも増加率が大きく低下したり、減少したりすることがない。図７の高周波増幅回路における図８のグラフと比べると、入力電力Ｐｉｎが１９ｄＢｍのとき、出力電力Ｐｏｕｔが約０．４ｄＢ高くなっている。
【００３０】
図３は、図１の高周波増幅を行うトランジスタ１１のベース電圧Ｖｉｎの波形を表すグラフであって、入力電力Ｐｉｎが１９ｄＢｍの場合について示している。図３に示すように、ベース電圧Ｖｉｎの最小値は約−０．５４Ｖである。この値は、図７の高周波増幅回路の同条件におけるベース電圧Ｖｉｎの波形（図９（ｂ））の最小値である約−０．８５Ｖよりも正の方向にシフトしている。図２及び図３は、回路シミュレーションを行って求められたグラフである。
【００３１】
図１の高周波増幅回路の動作について説明する。バイアス電流Ｉｂは、トランジスタ３１のエミッタから、出力抵抗３６及びバイアス回路３０の出力ＢＣｏｕｔを経由して、トランジスタ１１のベースに向かって流れる。通常、入力電力Ｐｉｎが増加するのに従ってバイアス電流Ｉｂの直流成分（平均電流）が増えるので、出力抵抗３６で生じる電圧降下のため、トランジスタ１１のベース電圧Ｖｉｎの極小値は低下する。このため、入力電力Ｐｉｎが増加していくと、ベース電圧Ｖｉｎが負の電圧となる期間が生じるようになる。そして、ベース電圧Ｖｉｎの絶対値がダイオード１２のフォワード電圧以下になると、ダイオード１２からトランジスタ１１のベースに電流が流れ込む。
【００３２】
このとき、ダイオード１２を有しない図１の高周波増幅回路の場合と比べると、出力抵抗３６からトランジスタ１１のベースに流れるバイアス電流Ｉｂの直流成分（平均電流）が少ないので、出力抵抗３６で生じる電圧降下が小さく、トランジスタ１１のベース電圧Ｖｉｎの低下が小さい。この結果、出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃは、入力電力Ｐｉｎが増加すると、減少することなく単調に増加する。ベース電圧Ｖｉｎの最小値のシフトの大きさ（図３と図９（ｂ）との間におけるベース電圧Ｖｉｎ波形の最小値の差）は、ダイオード１２のフォワード電圧、エリアサイズに依存する。
【００３３】
このように、図１の高周波増幅回路は、ダイオード１２を備え、トランジスタ１１のベース電圧Ｖｉｎの最小値があまり小さくならない。したがって、入力電力Ｐｉｎが大きい場合であっても、入力電力Ｐｉｎが増加すると出力電力Ｐｏｕｔが減少するという現象が生じにくく、高周波増幅回路の高出力化を図ることができる。
【００３４】
なお、図１のトランジスタ１１、ダイオード１２、バイアス回路３０等の構成要素は、同一の半導体基板上に形成され、半導体基板上に形成された配線によって相互に接続されているとして説明したが、これらは個別部品が実装基板上に配置されたハイブリッド回路であってもよい。例えば、トランジスタ１１のベースとバイアス回路３０の出力ＢＣｏｕｔとの間は、ボンディングワイヤなどで接続されていてもよい。
【００３５】
また、ダイオード１２と抵抗とが直列に接続された回路でダイオード１２を置き換えてもよい。例えば、ダイオード１２のアノードが抵抗を介して接地されていてもよい。
【００３６】
また、バイアス回路３０において、出力抵抗３６に代えてスパイラルインダクタ等を用いても同様である。
【００３７】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る高周波増幅回路の回路図である。図４の高周波増幅回路は、図１の高周波増幅回路において、ダイオード１２の代わりにダイオード１３を備え、基準電圧設定回路４０を更に備えたものである。その他の構成要素については、第１の実施形態で説明したものと同様なので、同一の参照番号を付してその説明を省略する。これらの構成要素は、同一の半導体基板上に形成されており、半導体基板上に形成された配線によって相互に接続されている。
【００３８】
基準電圧設定回路４０は、定電圧源としての電圧変換回路４１と、抵抗４２と、温度補償用ダイオード（以下では単にダイオードと称する）４３とを備えている。電圧変換回路４１には、電源電圧Ｖａが入力され、電圧変換回路４１の出力には、抵抗４２を介してダイオード４３のアノードが接続されている。ダイオード４３のカソードは接地されている。
【００３９】
ダイオード４３のアノードは、ダイオード１３のアノードに接続されており、ダイオード１３のカソードはトランジスタ１１のベースに接続されている。ダイオード４３のアノードの電圧は基準電圧Ｖｐである。電圧変換回路４１は、ほぼ一定の正の電圧を出力している。
【００４０】
図４の高周波増幅回路は、ダイオード１３のアノードに、正の電圧である基準電圧Ｖｐを与える点に特徴がある。基準電圧Ｖｐは、例えば、図９（ｂ）に示すような、所定の動作条件における図７の高周波増幅回路のベース電圧Ｖｉｎの最小値の絶対値（約０．８５Ｖ）に、ダイオード１３のフォワード電圧を加えた値とする。ダイオード４３は、適切な値に設定された抵抗４２とともに、ダイオード１３の温度変化による電流の大きさの変化を抑える温度補償回路として動作する。
【００４１】
例えば、ダイオード１３，１４のフォワード電圧は、ともに０．８〜１．０Ｖとし、抵抗４２の抵抗値は１ｋΩとする。電圧変換回路４１には、バッテリ等の電源電圧Ｖａの代わりに、コレクタ電圧Ｖｃｃ，Ｖｄｃ、電圧Ｖｒｅｆ等が入力されることとしてもよい。また、基準電圧設定回路４０は、正の電圧を出力するものであれば、図４に示されたもの以外であってもよい。
【００４２】
図５は、図４の高周波増幅回路における入力電力Ｐｉｎに対する出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃの関係を表すグラフである。入力電力Ｐｉｎを０ｄＢｍから２５ｄＢｍまで増加させた場合、出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃは単調に増加し、入力電力Ｐｉｎが１７．５ｄＢｍ以上でも増加率が大きく低下したり、減少したりすることがない。図７の高周波増幅回路における図８のグラフと比べると、入力電力Ｐｉｎが１９ｄＢｍのとき、出力電力Ｐｏｕｔが約１．４ｄＢ高くなっている。
【００４３】
図６は、図４の高周波増幅を行うトランジスタ１１のベース電圧Ｖｉｎの波形を表すグラフである。図６（ａ）は入力電力Ｐｉｎが１９ｄＢｍの場合の波形であり、ベース電圧Ｖｉｎの最小値は約０．３Ｖである。この値は、図７の高周波増幅回路の同条件におけるベース電圧Ｖｉｎの波形（図９（ｂ））の最小値約−０．８５Ｖよりも正の方向にシフトしている。また、図６（ｂ）は入力電力Ｐｉｎが２２．５ｄＢｍの場合の波形である。ベース電圧Ｖｉｎの最小値は約０．１Ｖであり、負の値にはなっていない。図５及び図６は、回路シミュレーションを行って求められたグラフである。
【００４４】
図４の高周波増幅回路では、ダイオード１３のアノードに正の電圧を与えているので、ダイオード１３からトランジスタ１１のベースに流れ込む電流は、図１の高周波増幅回路のダイオード１２の場合よりも大きい。したがって、図４の高周波増幅回路の方が、ベース電圧Ｖｉｎを正の方向にシフトする効果が大きいので、入力電力Ｐｉｎが大きいときに、出力電力Ｐｏｕｔをより大きくすることができる。
【００４５】
このように、図４の高周波増幅回路は、ダイオード１３のアノードに正の電圧が与えられ、トランジスタ１１のベース電圧Ｖｉｎの最小値があまり小さくならない。したがって、入力電力Ｐｉｎが大きい場合であっても、入力電力Ｐｉｎが増加すると出力電力Ｐｏｕｔが減少するという現象が生じにくく、高周波増幅回路の高出力化を図ることができる。また、温度補償用ダイオード４３及び抵抗４２を備えているので、ダイオード１３の温度変化によって生じる、トランジスタ１１のベースに流れ込む電流の大きさの変化を抑えることができる。
【００４６】
なお、図４のトランジスタ１１、ダイオード１３、バイアス回路３０、基準電圧設定回路４０等の構成要素は、同一の半導体基板上に形成され、半導体基板上に形成された配線によって相互に接続されているとして説明したが、これらは個別部品が実装基板上に配置されたハイブリッド回路であってもよい。例えば、トランジスタ１１のベースとバイアス回路３０の出力ＢＣｏｕｔとの間は、ボンディングワイヤなどで接続されていてもよい。
【００４７】
また、ダイオード４３と抵抗とが直列に接続された回路でダイオード４３を置き換えてもよく、この場合にはダイオード４３のサイズを適切なものとすればよい。
【００４８】
また、ダイオード１３と抵抗とが直列に接続された回路でダイオード１３を置き換えてもよい。例えば、ダイオード１３のアノードが抵抗を介してダイオード４３のアノードに接続されていてもよい。
【００４９】
なお、以上の実施形態において、図１のダイオード１２、図４のダイオード１３，４３として、トランジスタのコレクタ−ベース間やエミッタ−ベース間のｐｎ接合をダイオードとして用いたｐｎダイオードや、ショットキーダイオード、ｐｉｎダイオード等を用いることができる。
【００５０】
また、図１のダイオード１２、図４のダイオード１３，４３は、それぞれ、同様のダイオードを複数個直列に接続した回路や、並列に接続した回路で置き換えてもよい。
【００５１】
また、トランジスタ１１は、ＧａＡｓ系ＨＢＴであるとして説明したが、Ｓｉ系など他の材料を用いたバイポーラトランジスタであってもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によると、移動体通信機器に用いられる高周波増幅回路を高出力化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅回路の回路図である。
【図２】図１の高周波増幅回路における入力電力Ｐｉｎに対する出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃの関係を表すグラフである。
【図３】図１の高周波増幅を行うトランジスタのベース電圧Ｖｉｎの波形を表すグラフである。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る高周波増幅回路の回路図である。
【図５】図４の高周波増幅回路における入力電力Ｐｉｎに対する出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃの関係を表すグラフである。
【図６】図４の高周波増幅を行うトランジスタのベース電圧Ｖｉｎの波形を表すグラフである。
【図７】従来の高周波増幅回路の回路図である。
【図８】図７の高周波増幅回路における入力電力Ｐｉｎに対する出力電力Ｐｏｕｔ及びコレクタ電流Ｉｃの関係を表すグラフである。
【図９】図７の高周波増幅を行うトランジスタのベース電圧Ｖｉｎの波形を表すグラフである。
【符号の説明】
１１，３１  トランジスタ（増幅素子）
１２，１３，３３，３４  ダイオード
２１  入力整合回路
２２  出力整合回路
３０  バイアス回路
３６  出力抵抗
４０  基準電圧設定回路
４１  電圧変換回路（定電圧源）
４２  抵抗
４３  温度補償用ダイオード
Ｉｂ  バイアス電流
Ｐｉｎ  入力電力
Ｐｏｕｔ  出力電力
【図１】
0003606807.tif 000002
【図２】
0003606807.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003606807.tif 000005
【図５】
0003606807.tif 000006
【図６】
0003606807.tif 000007
【図７】
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【図８】
0003606807.tif 000009
【図９】
0003606807.tif 000010