(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電路と、前記導電路の上面を露出させ、前記上面以外の面を被覆する絶縁性樹脂とを具備し、
前記導電路は、パッドと前記パッドから連続して延在する配線とを含み、
前記パッドおよび前記配線の上面は、前記絶縁性樹脂の表面よりも内部に位置し、
前記絶縁性樹脂から露出する前記パッドの上面は、回路素子実装用に利用され、
前記回路素子の最下部は、前記絶縁性樹脂の表面よりも内部に位置され、
前記導電路の湾曲した側面と同一の曲面を描く前記絶縁性樹脂が、前記導電路の上面よりも外部に突出することを特徴とする実装基板。
【請求項２】
曲面を描く前記導電路の側面は、エッチングにより形成されることを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【請求項３】
前記導電路の上面には、前記導電路とは材料が異なる導電被膜が形成されることを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【請求項４】
前記導電被膜は、ニッケルまたは銀から成ることを特徴とする請求項３記載の実装基板。
【請求項５】
前記導電路は銅から成ることを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【請求項６】
前記絶縁性樹脂は、単一の樹脂層から成ることを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【請求項７】
前記導電路は、ボンディングパッドまたはダイパッドを構成することを特徴とすることを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、実装基板、実装基板の製造方法および電子回路素子の実装方法に関し、特に導電路が絶縁性樹脂に埋め込まれたほぼ平坦な表面を有する実装基板、実装基板の製造方法および電子回路素子の実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器にセットされる電子回路装置は、導電路が形成されたプリント基板、セラミック基板の上に電子回路素子が実装されて構成され、例えば、プリント基板の製造から電子回路素子の実装までは、図１４の如き工程を経て形成されていた。
【０００３】
まず図１４Ａの如く、導電路１０１の支持部材となる支持基板１０２が用意される。この支持基板１０２は、ガラス繊維にエポキシ樹脂が充填された樹脂基板であり、厚みは、１ｍｍ程度である。
【０００４】
続いて図１４Ｂの如く、接着性樹脂１０３が被覆された銅箔１０４を前記支持基板１０２に圧着または熱圧着し、貼り合わせている。この銅箔１０４の厚みは、一般には１８μｍ、３５μｍである。
【０００５】
続いて、図１４Ｃの如く、前記銅箔１０４をパターニングして、導電路１０１を形成することにより、１ｍｍと厚い支持基板１０２の上に、１８μｍ、または３５μｍの厚さを有する導電路１０１が貼り合わされたプリント基板１０５が完成する。
【０００６】
最後に、図１４Ｄに示す如く、電子回路素子１０５が実装される。ここで１０５Ａは、通常のトランスファーモールドで封止されたパッケージで、半導体チップの周囲を樹脂層で被覆し、この樹脂層の側部から外部接続用のリード端子が導出されたものである。また１０５Ｂは、ＢＧＡ、ＣＳＰ等のフェイスダウン型の半導体装置で、チップ表面には外部接続用に半田ボールが形成されているものである。更に１０５Ｃは、チップコンデンサ、チップ抵抗等の受動素子である。
【０００７】
以上の製造方法により、電子回路素子を導電路で電気的に接続し所定の回路が実現された電子回路装置が完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
これら電子回路素子１０５がプリント基板１０５上に実装されて構成される電子回路装置は、携帯電話等の小型、軽量の電子機器に実装されるため、軽薄短小が望まれて来ている。
【０００９】
しかしプリント基板、金属基板またはセラミック基板等から成る支持基板１０２は、その厚みが１ｍｍと厚く、これを薄くすることは、限界に来ていた。しかも、電子回路素子が基板上に実装されて構成される電子回路装置は、支持基板の厚みがあるために、全体として厚くなり、サイズが大きくなったり、その重量を低減できず、電子機器全体の大きさを小さくできない問題があった。
【００１０】
また電子回路素子を回路として組む場合、必要最小限の構成要素は電子回路素子１０５と導電路１０１等の接続手段であり、支持基板１０２は不要である。しかし図１４の様の如き製法では、銅箔１０４を加工するためにこの支持基板１０２が必要であり、省略することは不可能であった。これは、セラミック基板、フレキシブルシートの上に導電路を形成する場合でも同じ事が言える。
【００１１】
また支持基板１０２に導電路が単に被着される構造であるため、導電路が剥がれたり、反ったりする問題があった。特に接着面積が非常に少ないパッドは、この剥がれが顕著であり、また細く長い配線は、配線の反り、剥がれが顕著であった。
【００１２】
更には、図１４Ｄの如く、電子回路素子１０５の電極が、前記導電路上に精度良く載置されず、導電路からずれて載置される場合があった。この場合、導電路１０１の厚みが１８μｍ、３５μｍと厚いため、実装された電子回路素子１０５を水平にずらすことができない問題があった。例えば図１４Ｄの電子回路素子１０５Ａを参照すれば、水平にずらすとリードが導電路１０１の側壁に当接し、ずらしずらい問題があった。この場合、作業者が電子回路素子１０５Ａをピックアップし、再配置しなければならなかった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の課題に鑑みて成され、第１に、絶縁性樹脂に埋め込まれた導電路を有し、前記絶縁性樹脂表面と前記導電路表面を実質的に一致させたことで解決するものである。
【００１４】
導電路と絶縁性樹脂で同一面を形成するため、実装された電子回路素子は、導電路の側面に当たることなくずらすことができる。特に位置ずれして実装された電子回路素子を水平方向にずらして配置し直すことができる。また電子回路素子の実装後、ロウ材が溶けていれば、ずれて実装された電子回路素子は、溶けたロウ材の表面張力により、導電路上部に自ら戻ろうとし、電子回路素子自身による再配置が成される。
【００１５】
第２に、絶縁性樹脂に埋め込まれた導電路を有し、前記絶縁性樹脂表面と前記導電路表面を実質的に一致させ、前記導電路の側面を湾曲させることで解決するものである。
【００１６】
特に、導電路の側面が湾曲しているために、アンカー効果が発生し、導電路の抜けが抑止できる。特に細く長い配線は、前記湾曲構造により反り、剥離が防止できる。
【００１７】
第３に、絶縁性樹脂に埋め込まれた導電路を有し、前記絶縁性樹脂表面と前記導電路表面を実質的に一致させ、前記導電路裏面は、前記導電路を構成する第１の材料と異なる第２の材料が形成されていることで解決するものである。
【００１８】
一般に、絶縁性樹脂と第１の材料の熱膨張係数の差により、実装基板自身が反ったり、また導電路が湾曲したり剥がれたりする。また第１の材料の熱伝導率が絶縁性樹脂の熱伝導率よりも優れているため、第１の材料の方が先に温度上昇して膨張する。そのため、第１の材料よりも熱膨張係数の小さい第２の材料を被覆することにより、導電路の反り、剥がれ、実装基板の反りを防止することができる。特に第１の材料としてＣｕを採用した場合、第２の材料としてはＡｇまたはＮｉ等が良い。
【００１９】
第４に、絶縁性樹脂に埋め込まれた導電路を有し、前記絶縁性樹脂表面と前記導電路表面を実質的に一致させ、前記導電路裏面は、前記導電路を構成する第１の材料と異なる第２の材料で形成され、前記第２の材料によりひさしを形成することで解決するものである。
【００２０】
導電路の表面に第２の材料から成る被膜を形成することにより、導電路に固定されたひさしが形成できる。よって第２の解決手段と同様にアンカー効果を発生させることができ、導電路の反り、抜けを防止することができる。
【００２１】
第５に、前記第１の材料は、Ｃｕを主材料として構成され、前記第２の材料は、ＮｉまたはＡｇを主材料として構成されることで解決するものである。ＣｕとＮｉは塩化第二鉄または塩化第二銅等のエッチャントでエッチングでき、またＮｉはＣｕよりもエッチングレートが小さいため、Ｎｉによるひさしが形成できる。またＡｇとＣｕは、選択的にエッチングが可能であるため、ひさしが形成できる。
【００２２】
第６に、前記絶縁性樹脂は、単一の樹脂から成ることで解決するものである。
【００２３】
図１２の如き従来構造において、導電路１０１の剥離を防止するには、導電路をカバーする別の樹脂が必要となる。しかしここでは、導電路が絶縁性樹脂に埋め込まれたり、導電路の側面にアンカー効果を持たせたりするため、単一の絶縁性樹脂と導電路で構成できる。
【００２４】
第７に、前記導電路表面は、前記絶縁性樹脂表面よりも低く形成されることで解決するものである。
【００２５】
下方に位置する様に導電路を形成すると、導電路の周囲には絶縁性樹脂の凹み部が形成される。よってリードが前記導電路上に配置されれば、絶縁性樹脂からなる凹み部の側壁がストッパーとなって、電子回路素子のずれを防止できる。また導電路からずれてリードが配置されても、リードは絶縁性樹脂上に位置するので、水平にずらすことも可能となる。
【００２６】
第８に、前記導電路を、電極、ボンディングパッド、ダイパッド領域、または配線として用いられることで解決するものである。
【００２７】
第９に、導電箔を用意し、少なくとも導電路と成る領域を除いた前記導電箔を、前記導電箔の厚みよりも薄く除去して分離溝を形成し、前記導電箔表面および前記分離溝に絶縁性樹脂を付着し、前記導電箔の裏面を化学的または物理的に除くことにより、前記分離溝によって分離された導電路を形成することで解決するものである。
【００２８】
本方法に依れば、構成材料は、導電箔と絶縁性樹脂の必要最小限で製造でき、しかも導電路の材料となる導電箔を支持基板として絶縁性樹脂が被着でき、また導電箔を導電路として分離するときは、絶縁性樹脂を支持基板にして分離加工できる。従って、従来例で説明した如く、本来回路を構成する上で必要としないプリント基板が要らなくなり、コスト的にも安価にできる。またプリント基板が不要であり、しかも導電路が絶縁性樹脂に埋め込まれているため、絶縁性樹脂と導電箔の厚みの調整により、非常に薄い基板が形成できるメリットもある。
【００２９】
また導電箔の厚みよりも薄く取り除く工程（例えばハーフエッチング）は、導電路を個々に分離せずに取り扱えるため、後の絶縁性樹脂の被覆工程の作業性が向上する。
【００３０】
第１０に、前記導電箔の裏面を研削、研磨またはエッチングし、前記絶縁性樹脂の表面と前記導電路の表面を実質的に一致させることで解決するものである。
【００３１】
絶縁性樹脂が露出するまで、導電箔の裏面を削ったり、エッチングしたりすることによって、導電路の表面と絶縁性樹脂の表面を一致させることができるため、その後の電子回路素子の実装、再配置が容易となる。
【００３２】
第１１に、前記導電箔は、導電性の第１の材料の上に導電性の第２の材料が形成され、前記分離溝が形成された際に、前記第２の材料でひさしが形成されることで解決するものである。
【００３３】
導電路として分離されるとき、図３の様に導電路の裏面にひさしが形成されるため、ひさしによるアンカー効果を発生させることができる。
【００３４】
第１２に、前記第１の材料を、Ｃｕを主材料として構成し、前記第２の材料を、Ｎｉを主材料として構成することで解決するものである。塩化第二鉄、塩化第二銅のエッチャントで導電路を形成すると、Ｎｉのエッチングレートが小さいため、Ｎｉのひさしが形成できる。
【００３５】
第１３に、導電箔を用意し、導電路と成る領域に耐食性の導電被膜を形成し、前記導電被膜をマスクとして、前記導電箔の厚みよりも薄く除去して分離溝を形成し、前記導電箔表面および前記分離溝に絶縁性樹脂を付着し、前記導電箔の裏面を化学的または物理的に除くことにより、前記分離溝によって分離された導電路を形成することで解決するものである。
【００３６】
第１４に、前記耐食性の導電被膜として、Ａｇ、Ａｕ、ＰｔまたはＰｄのいずれか一つが用いられることで解決するものである。
【００３７】
例えばエッチング液に対して耐食性のあるＡｇを導電路と成る部分に被着すれば、このＡｇの被膜がエッチング保護膜となり、レズストを採用することなく分離溝を形成できる。これは、他の導電被膜でも同様である。しかもこれら耐食性の導電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッドとしてそのまま活用できる。
【００３８】
例えばＡｇは、Ａｕと接着するし、ロウ材も被着できる。またチップ裏面にＡｕが被覆されていれば、そのままＡｇ被膜と熱圧着できる。またＡｕもロウ材と接着するし、Ａｕ細線とも接着できる。従ってこれらの被膜をそのままダイパッド、ボンディングパッドとして活用できる。
【００３９】
第１５に、前記絶縁性樹脂を、単一の樹脂から成すことで解決するものである。
【００４０】
第１６に、前記導電路表面を、前記絶縁性樹脂表面よりも低くなるように形成することで解決するものである。
【００４１】
第１７に、絶縁性樹脂に埋め込まれた導電路を有し、前記絶縁性樹脂表面と前記導電路表面を実質的に一致させた実装基板を用意し、
前記導電路に電子回路素子を実装し、前記電子回路素子の位置をずらして再配置することで解決するものである。
【００４２】
導電路の表面と絶縁性樹脂の表面が実質的に一致しているため、電子回路素子が誤配置されても、簡単にずらすことができる。
【００４３】
第１８に、絶縁性樹脂に埋め込まれた導電路を有し、前記絶縁性樹脂表面と前記導電路表面を実質的に一致させた実装基板を用意し、
前記導電路と電子回路素子をロウ材を介して実装し、溶融されたロウ材の表面張力により前記電子回路素子の位置をずらして再配置することで解決するものである。
【００４４】
電子回路素子の位置がずれて配置されても、ロウ材が溶けている限り、導電路上に自然に再配置されるため、実装装置や作業者による再配置を減少させることができる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
実装基板を説明する第１の実施の形態
まず本発明の実装基板について図１を参照しながらその構造について説明する。図面には波線が設けられ、左側と右側に分けられ、それぞれ異なる構造の実施の形態が示されている。
【００４６】
図１左側には、絶縁性樹脂５０に埋め込まれた導電路５１を有し、前記絶縁性樹脂５０の表面と導電路５１の表面を一致させた実装基板５２が示されている。
【００４７】
本構造は、複数の導電路５１とこの導電路５１を埋め込む絶縁性樹脂の２つの材料で構成され、導電路５１間には、この絶縁性樹脂５０でなる離間部７２Ａが設けられる。そしてこの離間部７２Ａの表面と導電路５１の表面は、実質一致している構造となっている。
【００４８】
絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また導電路５１としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔、またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等をもちいることができる。
【００４９】
本構造の特徴は、絶縁性樹脂５０の表面と導電路５１の表面が実質一致している点であり、段差が設けられないので、実装された電子回路素子５３をそのまま水平に移動できる特徴を有する。この特徴は、図５に於いて後述する。
実装基板を説明する第２の実施の形態
次に図１の右側に示された実装基板５２を説明する。
【００５０】
この実装基板５２は、絶縁性樹脂５０に埋め込まれた導電路５１を有し、前記絶縁性樹脂５０の表面と導電路５１の表面が一致している。また、この実装基板５２は、前記導電路５１の裏面には、導電路５１を構成する第１の材料と異なる第２の材料が構成されている。
【００５１】
また本構造は、図１の左側の構造と実質同一であるが、導電路５１の裏面に第２の材料がが形成されている。よって図１右側で説明した特徴の他に、以下の２つの特徴を有する。
【００５２】
第１の特徴は、導電路や実装基板の反りを防止するするために第２の材料を設ける点である。
【００５３】
一般に、絶縁性樹脂と第１の材料の熱膨張係数の差により、実装基板自身が反ったり、また導電路が湾曲したり剥がれたりする。また第１の材料の熱伝導率が絶縁性樹脂の熱伝導率よりも優れているため、第１の材料の方が先に温度上昇して膨張する。そのため、第１の材料よりも熱膨張係数の小さい第２の材料を被覆することにより、導電路の反り、剥がれ、実装基板の反りを防止することができる。特に第１の材料としてＣｕを採用した場合、第２の材料としてはＡｇまたはＮｉ等が良い。
【００５４】
第２の特徴は、第２の材料によりアンカー効果を持たせている点である。第２の材料によりひさし７１が形成され、しかも導電路５１と被着したひさし７１が絶縁性樹脂５０に埋め込まれているため、アンカー効果を発生し、導電路５１の抜けを防止できる構造となる。
実装基板を説明する第３の実施の形態
続いて図６の左側に示された実装基板６０について説明する。この実装基板６０は、絶縁性樹脂５０に埋め込まれた導電路５１を有し、前記絶縁性樹脂５０の表面と導電路５１の表面が一致している。また、実装基板６０に埋め込まれた導電路５１の側面は、湾曲に成っている。
【００５５】
湾曲構造以外は図１の左側に示す実装基板５２と実質同一であるため、この湾曲構造についてのみ説明する。
【００５６】
この湾曲構造は、後の製造方法の説明でで明らかとなるが非異方性のエッチングにより形成される。特に、導電路５１の側面に於いて、所定の位置よりも上方および／または下方の側面が外に突出している構造と成っているため、この湾曲構造によりアンカー効果を発生し、導電路５１の抜けを防止できる特徴を有している。
実装基板を説明する第４の実施の形態
続いて図６の右側に示された実装基板６０について説明する。この実装基板６０は、導電路裏面のひさし７１が図６左側と異なるだけで、他は実質同一である。
【００５７】
今までの説明から明らかなように、アンカー効果を発生させるためには、主に２種類の構造があり、一つ目の構造はひさし７１であり、二つ目の構造は、導電路５１の側面の湾曲構造である。本実装基板６０では、この２つの構造を採用することにより、導電路５１の抜けを更に防止しているものである。また７０μｍのＣｕ箔に１μｍから７μｍのＮｉを被着し、塩化第二鉄または塩化第二銅でウェットエッチングしていくと、ひさし７１の長さは、約５〜１５μｍに生成される。
実装基板を説明する第５の実施の形態
続いて図９の左側に示す実装基板６１について説明する。
【００５８】
この実装基板６１は、絶縁性樹脂５０に埋め込まれた導電路５１を有し、前記絶縁性樹脂５０の表面よりも導電路５１の表面が低くなるように形成されている。尚、この導電路５１の表面が低く形成されている点を除いては、図１の左側と実質同一である。
【００５９】
この実装基板６１の特徴は、この導電路５１の表面が低く形成される点にある。この低く形成された導電路５１に電子回路素子のリード端子が適切に配置されたら、リード端子５５の接続部は、凹み部６３が形成されているので、凹み部６３の側壁に当接してずれない特徴を有する。尚、詳細は図１０Ｂで説明する。
実装基板を説明する第６の実施の形態
続いて図９の右側に示す実装基板６１について説明する。
【００６０】
この実装基板６１は、絶縁性樹脂５０に埋め込まれた導電路５１を有し、前記絶縁性樹脂５０の表面よりも導電路５１の表面が低くなるように形成され、しかも導電路５１の裏面に、第１の材料と異なる第２の材料が形成され、ひさし７１が形成されている。尚、ひさし７１が形成されている点を除いては、図９の左側と実質同一である。
【００６１】
この実装基板６１の特徴は、この導電路５１の表面が低く形成される事により、一度導電路５１に適切に電子回路素子が配置されたら、この電子回路素子のリード端子は、凹み部６３の側壁に当接してずれない特徴を有する。更にはひさしのアンカー効果により導電路５１が抜けない特徴を有するものである。
実装基板を説明する第７の実施の形態
続いて図１１の左側に示す実装基板６２について説明する。この実装基板６２は、絶縁性樹脂５０に埋め込まれた導電路５１を有し、前記絶縁性樹脂５０の表面よりも導電路５１の表面が低くなるように形成され、且つ導電路５１の側面が湾曲に構成されているものである。尚、この導電路５１の表面が低く形成されている点を除いては、図６の左側と実質同一である。
【００６２】
この実装基板６２の特徴は、この導電路５１の表面が低く形成される事により、一度導電路５１に適切に電子回路素子が配置されたら、この電子回路素子のリード端子５５は、凹み部６３の側壁に当接してずれない特徴を有し、更には湾曲構造により導電路５１が抜けない特徴を有するものでる。
実装基板を説明する第８の実施の形態
続いて図１１の右側に示す実装基板６２について説明する。この実装基板６２は、絶縁性樹脂５０に埋め込まれた導電路５１を有し、前記絶縁性樹脂５０の表面よりも導電路５１の表面が低くなるように形成され、且つ導電路５１の側面が湾曲に成ると同時にひさし７１も形成されているものである。尚、このひさしが形成されている点を除いては、図１１の左側と実質同一であり、導電路５１が絶縁性樹脂５０よりも低く形成されている点以外は、図６の右側と実質同一である。
【００６３】
この実装基板６２の特徴は、この導電路５１の表面が低く形成される事により、一度導電路５１に適切に電子回路素子が配置されたら、この電子回路素子のリード端子５５は、凹み部６３の側壁に当接してずれない特徴を有し、同時に湾曲構造とひさし構造により導電路５１が抜けない特徴を有するものでる。
続いて、図４を参照して導電路として何が形成されるか述べる。この導電路５１は、様々なパターンに形成できることから、各種の電極、ダイパッド、ボンディングパッドまたは配線として採用できる。特にこの導電路を配線に応用することは非常に意義がある。つまりハイブリッド基板、プリント基板の配線パターンを考えると、配線は細く、基板の一端から他端まで延在するような長いものがある。この細く長い配線は、熱が加わることで簡単に反り、熱サイクルが加わると剥がれてしまう問題がある。またボンディングパッド等のサイズの小さい導電路は、接着面積が少ないために剥がれやすい。しかし本発明では、導電路５１が絶縁性樹脂５０に埋め込まれ、側面が湾曲構造で、および／またはひさしが形成されることで、アンカー効果を発生するため、これらの問題が一度に解決される特徴を有する。これは今まで述べた全ての実装基板に言えることである。
実装基板の製造方法を説明する第１の実施の形態
次に図２の左側、図３の左側、図１の左側を使って実装基板５２の製造方法について説明する。
【００６４】
まず図２の如く、シート状の導電箔７０を用意する。この導電箔７０は、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等が採用される。
【００６５】
導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮すると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましく、ここでは７０μｍ（２オンス）の銅箔を採用した。しかし３００μｍ以上でも１０μｍ以下でも基本的には良い。後述するように、導電箔７０の厚みよりも浅い分離溝７２Ｂが形成できればよい。
【００６６】
尚、シート状の導電箔７０は、所定の幅でロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた導電箔が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。
続いて、少なくとも導電路５１となる領域を除いた導電箔７０を、導電箔７０の厚みよりも薄く除去する工程がある。そしてこの除去工程により形成された分離溝７２Ｂおよび導電箔７０に絶縁性樹脂５０を被覆する工程がある。
【００６７】
例えば、Ｃｕ箔７０の上に、ホトレジストを形成し、導電路５１となる領域を除いた導電箔７０が露出するようにホトレジストをパターニングし、前記ホトレジストを介してエッチングすればよい。
【００６８】
エッチングにより形成された分離溝７２の深さは、例えば５０μｍであり、その側面は、粗面となるため絶縁性樹脂５０との接着性が向上される。
【００６９】
またここの分離溝７２の側壁は、模式的にストレートで図示しているが、除去方法により異なる構造となる。この除去工程は、ウェットエッチング、ドライエッチング、レーザによる蒸発、ダイシングが採用できる。また、プレスにより銅箔をへこましてもよい。ウェットエッチングの場合、エッチャントは、塩化第二鉄または塩化第二銅が主に採用され、前記導電箔は、このエッチャントの中にディッピングされるか、このエッチャントでシャワーリングされる。ここでウェットエッチングは、一般に非異方性にエッチングされるため、側面は湾曲構造になる。詳細は、図６〜図８の製造方法で説明する。
【００７０】
またドライエッチングの場合は、異方性、非異方性でエッチングが可能である。現在では、Ｃｕを反応性イオンエッチングで取り除くことは不可能といわれているが、スパッタリングで除去できる。またスパッタリングの条件によって異方性、非異方性でエッチングできる。
【００７１】
またレーザでは、直接レーザ光を当てて分離溝を形成でき、エッチング用のマスクが不要となる。
【００７２】
またダイシングでは、曲折した複雑なパターンを形成することは不可能であるが、格子状の分離溝を形成することは可能である。
【００７３】
尚、図２の左側に於いて、エッチング液に対して耐食性のある導電被膜を導電路と成る部分に選択的に被着すれば、この導電被膜がエッチング保護膜となり、レジストを採用することなく分離溝をエッチングできる。この導電被膜として考えられる材料は、Ａｇ、Ａｕ、ＰｔまたはＰｄ等である。しかもこれら耐食性の導電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッドとしてそのまま活用できる特徴を有する。
【００７４】
例えばＡｇは、Ａｕと接着するし、ロウ材とも接着する。よってチップ裏面にＡｕ被膜が被覆されていれば、そのままＡｇ被膜にチップを熱圧着でき、また半田等のロウ材を介してチップを固着できる。またＡｇの導電被膜にはＡｕ細線が接着できるため、ワイヤーボンディングも可能となる。従ってこれらの導電被膜をそのままダイパッド、ボンディングパッドとして活用できるメリットを有する。
【００７５】
一方、前記導電箔７０および分離溝７２Ｂに絶縁性樹脂５０を付着する工程は、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはディッピングにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
【００７６】
本実施の形態では、導電箔７０表面に被覆された絶縁性樹脂の厚さは、約１００μｍ程度である。この厚みは、強度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能である。
【００７７】
本工程の特徴は、絶縁性樹脂５０を被覆する際、導電路５１となる導電箔７０が支持基板となることである。従来では、図１４Ｃの様に、本来必要としない支持基板１０２を採用して導電路１０１を形成しているが、本発明では、支持基板となる導電箔７０は、電極材料として必要な材料である。そのため、構成材料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの低下も実現できる。
【００７８】
また分離溝７２Ｂは、導電箔の厚みよりも浅く形成されているため、導電箔７０が導電路５１として個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔７０として一体で取り扱え、絶縁性樹脂をモールドする際、金型への搬送、実装の作業が非常に楽になる特徴を有する。（以上図３の左側参照）
続いて図１の如く、導電箔７０の裏面を化学的および／または物理的に除き、導電路５１として分離する工程がある。図３では、導電箔７０が下方に位置しているが、図１では、導電箔７０を上から除くため反転されている。ここで前記除く工程は、研磨、研削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。
【００７９】
実験では研磨装置または研削装置により全面を３０μｍ程度削り、絶縁性樹脂５０を露出させている。その結果、約４０μｍの厚さの導電路５１となって分離される。また絶縁性樹脂５０が露出する手前まで、導電箔７０を全面ウェトエッチングし、その後、研磨または研削装置により全面を削り、絶縁性樹脂５０を露出させても良い。
【００８０】
この結果、絶縁性樹脂５０に導電路５１の表面が露出する構造となる。この状態を示したものが、図４である。図４Ａは、トランジスタの実装基板として応用されたものであり、図４Ｂは、電子回路素子が複数個構成され、配線Ｈが設けられることにより回路を構成する実装基板として応用されたものである。どちらも大板で用意され、マトリックス状に形成され、電子回路素子の実装前または実装後に点線の所で分割される。しかし大板のままで１つの回路を作り、そのまま使用しても良い。
【００８１】
また絶縁性樹脂５０に導電路５１が埋め込まれ、絶縁性樹脂５０の表面と導電路５１の表面が一致する平坦な実装基板が実現できる。
【００８２】
本工程の特徴は、絶縁性樹脂５０を支持基板として活用し導電路５１の分離ができることにある。絶縁性樹脂５０は、導電路５１を埋め込む材料として必要な材料であり、図１２Ｃの従来の製造方法のように、不要な支持基板１０２を必要としない。従って、最小限の材料で製造でき、コストの低減が実現できる特徴を有する。
【００８３】
尚、導電路５１裏面からの絶縁性樹脂の厚さは、前工程の絶縁性樹脂の付着の時に調整できる。従って実装基板５２としての厚さは、厚くも薄くもできる特徴を有する。ここでは、１４０μｍ厚の絶縁性樹脂５０に４０μｍの導電路５１が埋め込まれた実装基板になる。（以上図１を参照）
実装基板の製造方法を説明する第２の実施の形態
次に図２の右側、図３の右側、図１の右側を使ってひさし７１を有する実装基板５２の製造方法について説明する。尚、第２の材料５８が被着される以外は、図２の左側、図３の左側、図１の左側と実質同一であるため、詳細な説明は省略する。
【００８４】
まず図２の右側の如く、第１の材料から成る導電箔７０の上にエッチングレートの小さい第２の材料５８が被覆された導電箔７０を用意する。
【００８５】
例えばＣｕ箔の上にＮｉを被着すると、塩化第二鉄または塩化第二銅でＣｕとＮｉが一度にエッチングでき、エッチングレートの差によりＮｉがひさし７１と成って形成されるため好適である。太い実線がＮｉ５８であり、その膜厚は１〜１０μｍ程度が好ましい。またＮｉの膜厚が厚い程、ひさし７１が形成されやすい。
【００８６】
また第２の材料は、第１の材料と選択エッチングできる材料を被覆しても良い。この場合、まず第２の材料から成る被膜を導電路５１の形成領域に被覆するようにパターニングし、この被膜をマスクにして第１の材料から成る被膜をエッチングすればひさしが形成できるからである。第２の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ等が考えられる。
【００８７】
続いて、少なくとも導電路５１となる領域を除いた導電箔７０を、導電箔７０の厚みよりも薄く取り除く工程がある。そしてこの取り除き工程により形成された分離溝７２Ｂおよび導電箔７０に絶縁性樹脂５０を被覆する工程がある。
【００８８】
Ｎｉ５８の上に、ホトレジストを形成し、導電路５１となる領域を除いたＮｉ５８が露出するようにホトレジストをパターニングし、前記ホトレジストを介してエッチングすればよい。
【００８９】
前述したように塩化第二鉄、塩化第二銅のエッチャントを採用しエッチングすると、ＮｉのエッチングレートがＣｕのエッチングレートよりも小さいため、エッチングが進むにつれてひさし７１がでてくる。
【００９０】
尚、前記導電箔７０および分離溝７２Ｂに絶縁性樹脂５０を被覆する工程、導電箔７０の裏面を化学的および／または物理的に除き、導電路５１として分離する工程（図１）は、前製造方法と同一であるためその説明は省略する。
実装基板の製造方法を説明する第３の実施の形態
続いて、導電路の側面が湾曲している実装基板６０の製造方法を図７の左側、図８の左側、図６の左側を参照しながら説明する。
【００９１】
まず図７の左側の如く、シート状の導電箔７０を用意する。ここでは、非異方性的にエッチングし、側面を湾曲構造にするため、７０μｍ（２オンス）の銅箔を採用した。余り薄いと、エッチングスピードが速いために、分離溝７２Ｂが裏面まで貫通してしまう点が考慮されている。
【００９２】
続いて、少なくとも導電路５１となる領域を除いた導電箔７０を、導電箔７０の厚みよりも薄く取り除く工程がある。この取り除き工程により、分離溝７２Ｂが形成され、その後、導電箔７０および前記分離溝７２に絶縁性樹脂５０を被覆する工程がある。
【００９３】
例えば、図８Ａの左側に於いてＣｕ箔７０の上に、ホトレジストを形成し、導電路５１となる領域を除いた導電箔７０が露出するようにホトレジストをパターニングし、前記ホトレジストを介してエッチングする。
【００９４】
本製造方法ではウェットエッチングまたはドライエッチングで、非異方性的にエッチングされ、その側面は、粗面となり、しかも湾曲となる特徴を有する。尚、エッチングにより形成された分離溝７２の深さは、約５０μｍである。
【００９５】
ウェットエッチングの場合、エッチャントは、塩化第二鉄または塩化第二銅が採用され、前記導電箔は、このエッチャントの中にディッピングされるか、このエッチャントがシャワーリングされる。
【００９６】
特に図８Ｂの如く、エッチングマスクとなるホトレジストＰＲの直下は、横方向のエッチングが進みづらく、それより深い部分が横方向にエッチングされる。図のように分離溝７２Ｂの側面のある位置から上方に向かうにつれて、その位置に対応する開口部の開口径が小さくなれば、逆テーパー構造となり、アンカー構造を有する構造となる。またシャワーリングを採用することで、深さ方向に向かいエッチングが進み、横方向のエッチングは抑制されるため、このアンカー構造が顕著に現れる。
【００９７】
また、図７の左側において、導電路に対応する部分をＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属を部分メッキし、この金属をマスクにしてウェットエッチングしても、前述した原理により同様なアンカー構造を形成できる。
【００９８】
一方、前記導電箔７０および分離溝７２Ｂに絶縁性樹脂５０を被覆する工程は、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはディッピングにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現でき、導電箔７０からの被覆厚さは、１００μｍ程度である。この厚みは、強度が考慮されて厚くすることも薄くすることも可能である。
【００９９】
本工程の特徴は、絶縁性樹脂５０を被覆する際、導電路５１となる導電箔７０が支持基板となることである。従来では、図１４Ｃの様に、本来必要としない支持基板１０２を採用して形成しているが、本発明では、導電箔７０は、電極材料として必要なものであるため、従来の製造方法よりも材料の無駄が極力省けるメリットを有する。また分離溝は、導電箔の厚みよりも浅く形成されているため、導電路として個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔７０として取り扱え、金型への搬送、実装がし易い特徴を有する。（以上図８Ａ左側参照）
続いて図６の左側の如く、導電箔７０の裏面を化学的および／または物理的に除き、導電路５１として分離する工程がある。図８Ａでは、導電箔７０が下方に位置しているが、図６では、導電箔７０を上から除くため反転されている。ここで前記除く工程は、研磨、研削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。
【０１００】
ここでは研磨装置または研削装置により全面を３０μｍ程度削り、絶縁性樹脂５０を露出させている。その結果、約４０μｍの厚さで導電路５１が簡単に分離される。
【０１０１】
また絶縁性樹脂５０が露出する手前まで、導電箔７０を全面エッチングし、その後、研磨または研削装置により全面を削り、絶縁性樹脂５０を露出させても良い。また導電箔が導電路として分離されるまで、裏面からエッチングしても良い。
【０１０２】
この結果、絶縁性樹脂５０に導電路５１の表面が露出する構造となる。しかも絶縁性樹脂５０に導電路５１が埋め込まれ、絶縁性樹脂５０の表面と導電路５１の表面が一致する平坦な基板が実現できる。
【０１０３】
本工程の特徴は、絶縁性樹脂５０を支持基板として導電路５１の分離作業ができることにある。絶縁性樹脂５０は、導電路５１を埋め込む材料として必要な材料であり、図１４Ｃの従来構造のように、不要な支持基板１０２を必要としない。従って、最小限の材料で製造でき、コストの低減が実現できる特徴を有する。
【０１０４】
また導電路５１の側面が湾曲構造となり、導電路５１が絶縁性樹脂５０から抜けない構造となる。ここでも、１４０μｍ厚の絶縁性樹脂５０に４０μｍの導電路５１が埋め込まれたことになる。（以上図６を参照）
実装基板の製造方法を説明する第４の実施の形態
続いて、導電路の側面が湾曲し、ひさしが設けられた実装基板６０の製造方法を図７の右側、図８の右側、図６の右側を参照しながら説明する。尚、ひさし７１が形成される以外は、前製造方法と同じであるため、説明は簡略する。
【０１０５】
まず図７の左側の如く、第２の材料５８が被着されたシート状の導電箔７０を用意する。
【０１０６】
続いて、少なくとも導電路５１となる領域を除いた導電箔７０を、導電箔７０の厚みよりも薄く取り除く工程がある。この取り除き工程により、分離溝７２Ｂが形成され、その後、導電箔７０および前記分離溝７２に絶縁性樹脂５０を被覆する工程がある。
【０１０７】
例えば、図８Ａの左側に於いてＮｉ５８の上に、ホトレジストを形成し、導電路５１となる領域を除いたＮｉ５８が露出するようにホトレジストをパターニングし、前記ホトレジストを介してエッチングする。その結果、Ｎｉのひさしが形成される。
【０１０８】
続いて、前記導電箔７０および分離溝７２Ｂに絶縁性樹脂５０を被覆する。
（以上図８Ａ左側参照）
続いて図６の右側の如く、導電箔７０の裏面を化学的および／または物理的に除き、導電路５１として分離する。
【０１０９】
この結果、絶縁性樹脂５０に導電路５１の表面が露出する構造となる。しかも絶縁性樹脂５０に導電路５１が埋め込まれ、絶縁性樹脂５０の表面と導電路５１の表面が一致する平坦な基板が実現できる。また導電路５１の側面が湾曲構造で且つひさし７１が形成されるため、導電路５１が絶縁性樹脂５０から抜けない構造となる。（以上図６を参照）
実装基板の製造方法を説明する第５の実施の形態
続いて、図２の左側、図３の左側、図１の左側および図９の左側を参照して、導電路５１が低く設けられた実装基板６１の製造方法を説明する。尚、図２の左側、図３の左側、図１の左側までは、同一の製造方法により形成されるため、その説明は省略する。
【０１１０】
図１の工程で導電路５１の表面と絶縁性樹脂５０の表面を一致させた後、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより前記導電路５１を更にエッチングすれば、図９の左側の如く、導電路５１の表面が絶縁性樹脂５０の表面よりも下方に位置される。
【０１１１】
また図３の左側に於いて、全面エッチングをして行けば、自然と導電路５１が分離され、更に続けることで導電路５１の表面は絶縁性樹脂の表面よりも低く形成される。
【０１１２】
この導電路５１を低く形成する工程により、凹み部６３が設けられるため、リード端子５５のずれを防止することができる。
実装基板の製造方法を説明する第６の実施の形態
続いて、図２の右側、図３の右側、図１の右側および図９の右側を参照してひさしを有する実装基板６１の製造方法を説明する。尚、図２の右側、図３の右側、図１の右側までは、同一の製造方法により形成されるため、その説明は省略する。
【０１１３】
図１の工程で導電路５１の表面と絶縁性樹脂５０の表面を一致させた後、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより前記導電路５１を更にエッチングすれば、図９の右側の如く、導電路５１の表面が絶縁性樹脂５０の表面よりも下方に位置される。
【０１１４】
また図３の右側に於いて、全面エッチングをして行けば、自然と導電路５１が分離され、更に続けることで導電路５１の表面は絶縁性樹脂の表面よりも低く形成される。
実装基板の製造方法を説明する第７の実施の形態
続いて、図７の左側、図８Ａの左側、図６の左側および図１１の左側を参照して実装基板６２の製造方法を説明する。尚、図７の左側、図８Ａの左側、図６の左側までは、同一の製造方法により形成されるため、その説明は省略する。
【０１１５】
図６の工程で導電路５１の表面と絶縁性樹脂５０の表面を一致させた後、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより前記導電路５１を更にエッチングすれば、図１１の左側の如く、導電路５１の表面が絶縁性樹脂５０の表面によりも下方に位置される。
【０１１６】
また図８の左側に於いて、全面エッチングをして行けば、自然と導電路５１が分離され、更に続けることで導電路５１の表面は絶縁性樹脂の表面よりも低く形成される。
実装基板の製造方法を説明する第８の実施の形態
続いて、図７の右側、図８Ａの右側、図６の右側および図１１の右側を参照して実装基板６２の製造方法を説明する。尚、図７の右側、図８Ａの右側、図６の右側までは、同一の製造方法により形成されるため、その説明は省略する。
【０１１７】
図６の工程で導電路５１の表面と絶縁性樹脂５０の表面を一致させた後、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより前記導電路５１を更にエッチングすれば、図１１の右側の如く、導電路５１の表面が絶縁性樹脂５０の表面によりも下方に位置される。
【０１１８】
また図８の右側に於いて、全面エッチングをして行けば、自然と導電路５１が分離され、更に続けることで導電路５１の表面は絶縁性樹脂の表面よりも低く形成される。
実装基板を説明する第９の実施の形態
続いて、図１２に示す実装基板８０について、図２、図３および図１２を参照して説明する。
また図２および図３は、同一であるためその説明は省略する。図３に於いて、導電路５１に対応する部分が被覆されたエッチングマスクを形成し、そのまま導電箔７０が導電路５１として分離されるまでエッチングすると、図１２の実装基板８０が形成できる。この構造は、導電路５１の表面が絶縁性樹脂５０の表面よりも突出して形成されるが、一部が絶縁性樹脂５０に埋め込まれているため、導電路５１の抜けを防止できる。
実装基板を説明する第１０の実施の形態
更に、図１３に示す実装基板８１について図７、図８、図１３を参照して説明する。図８に於いて、導電路５１に対応する部分が被覆されたエッチングマスクを形成し、そのまま導電箔７０が導電路５１として分離されるまでエッチングすると、図１３の実装基板８１が形成できる。この構造は、導電路５１の表面が絶縁性樹脂５０の表面よりも突出して形成されるが、一部が絶縁性樹脂５０に埋め込まれているため、導電路５１の抜けを防止できる。
実装方法を説明する第１の実施の形態
続いて、図５を使って、電子回路素子の実装方法について説明する。図５Ｂは、パッケージ型の電子回路素子５６が実装されものである。
【０１１９】
仮に導電路５１からずれてリードが取り付けられると、従来の方法では段差が邪魔をしてずらすことができないが、本発明では、絶縁性樹脂５０の表面と導電路５１の表面が一致しているため、簡単にずらすことができる。
【０１２０】
また半田ペーストを塗布し、電子回路素子５６を仮固定した時、電子回路素子がずれて配置される場合がある。しかし導電路の表面と絶縁性樹脂の表面は、一致しているため、簡単に電子回路素子を水平方向にずらすだけで、適切な位置に再配置することができる。これは実装機器を使用した際、たんに横方向にずらせば良いため、実装機器の作業性が向上する。
【０１２１】
更には、前記ペーストによる仮固定の際、電子回路素子がずれて配置されても、半田リフロー工程で、溶融された半田の表面張力により自然に再配置される。特に、導電路の表面と絶縁性樹脂の表面が一致しているため、この再配置が容易に行われる特徴を有する。
【０１２２】
また本構造を採用すれば、導電路５１からずれて電子回路素子５６、５７が固着されても、ロウ材を再度溶融することによって、電子回路素子は、溶融ロウ材の表面張力により、自然に導電路５１上に戻り、適切な位置に再配置される特徴を有する。
【０１２３】
最近は、導電路５１のサイズ、電子回路素子のサイズが共に微小であり、電子回路素子がずれて載置される事が良くあるが、この実装基板構造を採用することに、電子回路素子がずれて固着される不具合を抑制することができる。（以上図５参照）
実装方法を説明する第２の実施の形態
続いて、図１０に於いて、電子回路素子の実装方法を説明する。ここでは導電路５１の表面が絶縁性樹脂の表面よりも低く形成されているために、凹み部６３が形成される。例えば電子回路素子５６のリード端子５５が導電路５１上に配置されると、この周囲は凹み部６３で成るため、この周囲に形成された段差により、リード端子がずれることなく配置される。
【０１２４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、導電路と絶縁性樹脂の必要最小限で構成され、無駄のない実装基板となる。従来、導電路を製造する場合には、支持基板が必要であるが、絶縁性樹脂を付着する際は、支持基板として導電路となる導電箔を採用し、また導電路を分離する際は、導電路を埋め込む絶縁性樹脂を支持基板としている。よって余分な構成要素が無く、コストを大幅に低減できる実装基板を実現できる。また絶縁性樹脂の被覆膜厚、導電箔の厚みを調整することにより、非常に薄い実装基板が可能となる。
【０１２５】
また導電路と絶縁性樹脂で同一面を形成するため、実装された電子回路素子は、導電路の側面に当たることなくずらすことができる。
【０１２６】
また導電路の裏側に第２の材料を形成しているため、熱膨張係数の違いにより実装基板の反り、導電路、特に細長い配線の反り、剥離を抑制することができる。
【０１２７】
更には導電路の側面が湾曲しているために、アンカー効果が発生し、導電路の抜けを抑止できる。特に細く長い配線は、前記湾曲構造により反り、剥離が防止できる。
【０１２８】
また導電路の表面に第２の材料から成る被膜を形成することにより、導電路に固定されたひさしが形成できる。よってアンカー効果を発生させることができ、導電路の反り、抜けを防止することができる。
【０１２９】
またＣｕとＮｉは塩化第二鉄または塩化第二銅等のエッチャントでエッチングでき、またＮｉはＣｕよりもエッチングレートが小さいため、Ｎｉによるひさしが形成できる。
【０１３０】
また導電路の材料となる導電箔を支持基板として絶縁性樹脂が被着でき、また導電箔を導電路として分離する時は、裏返すことにより絶縁性樹脂を支持基板にして分離加工できる。従って、導電箔と絶縁性樹脂の必要最小限で製造できる。従来例で説明した如く、本来回路を構成する上で必要としないプリント基板が要らなくなり、コスト的にも安価にできる。またプリント基板が不要であること、導電路が絶縁性樹脂に埋め込まれていること、更には絶縁性樹脂と導電箔の厚みの調整が可能であることにより、非常に薄い実装基板が形成できるメリットもある。
【０１３１】
また導電箔の厚みよりも薄く取り除く工程（例えばハーフエッチング）は、導電路を個々に分離せずに取り扱えるため、後の絶縁性樹脂の被覆工程に於いて、作業性が向上する。
【０１３２】
また導電路と絶縁性樹脂で同一面を形成するため、実装された電子回路素子は、導電路の側面に当たることなくずらすことができる。特に位置ずれして実装された電子回路素子を水平方向にずらして配置し直すことができる。また電子回路素子の実装後、ロウ材が溶けていれば、ずれて実装された電子回路素子は、溶けたロウ材の表面張力により、導電路上部に自ら戻ろうとし、電子回路素子自身による再配置が可能となる。
【０１３３】
また絶縁性樹脂よりも下方に位置する様に導電路の表面を形成すると、導電路の周囲には絶縁性樹脂の凹み部が形成される。よってリードが前記導電路上に配置されれば、絶縁性樹脂からなる凹み部の側壁がストッパーとなって、電子回路素子のずれを防止できる。また導電路からずれてリードが配置されても、リードは絶縁性樹脂上に位置するので、水平にずらすことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実装基板を説明する図である。
【図２】本発明の実装基板の製造方法を説明する図である。
【図３】本発明の実装基板の製造方法を説明する図である。
【図４】図３の斜視図である。
【図５】電子回路素子が実装された本発明の実装基板を説明する図である。
【図６】本発明の実装基板を説明する図である。
【図７】本発明の実装基板の製造方法を説明する図である。
【図８】本発明の実装基板の製造方法を説明する図である。
【図９】本発明の実装基板を説明する図である。
【図１０】電子回路素子が実装された実装基板を説明する図である。
【図１１】本発明の実装基板を説明する図である。
【図１２】本発明の実装基板を説明する図である。
【図１３】本発明の実装基板を説明する図である。
【図１４】従来の実装基板の製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
５０            絶縁性樹脂
５１            導電路
５２            実装基板
５３            半導体素子
５４            封止樹脂
５５            リード端子
５６            電子回路素子
５８            第２の材料（Ｎｉ）
７０            導電箔
７１            ひさし
７２            分離溝
【図１】
0003643743.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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