(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載する半導体チップ搭載領域と、前記半導体チップ搭載領域から所定の間隔を隔てて形成された複数のリードとを具備し、前記半導体チップ搭載領域は、前記リードの底面よりも上方に底面を有し、かつ前記底面から突出せしめられた少なくとも１つの突出部を有し、前記突出部の先端面が、前記リードの底面と一致するように構成されているリードフレームであって、
前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域に、絶縁性部材を介して貼着された柱状突起であることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域の中央部に形成された1個の柱状突起からなることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域の中央部と、前記半導体チップ搭載領域の対角線上とに形成された複数個の突起からなることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域の中央部と、前記中央部を囲むようにその周辺の複数箇所に形成された複数個の突起からなることを特徴とする請求項１または２に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域の中央部と、前記中央部を囲むと共に、前記中央部に位置するものよりも径大となるようにその周辺の複数箇所に形成された複数個の突起からなることを特徴とする請求項１または２に記載のリードフレーム。
【請求項６】
表面に、半導体チップを搭載する半導体チップ搭載領域と、前記半導体チップ搭載領域から所定の間隔を隔てて形成された複数のリードと、前記半導体チップ搭載領域に搭載され、前記リードの各ボンディング領域とワイヤボンディングにより接続された半導体チップと、少なくとも前記リードの前記他端部分の底面側が露呈するように前記半導体チップおよび前記リードの先端部分を被覆する封止樹脂とを具備し、前記半導体チップ搭載領域は、前記リードの前記底面よりも上方に底面を有し、かつ前記底面から突出せしめられた少なくとも１つの前記半導体チップ搭載領域に絶縁性部材を介して貼着された柱状突出部を有し、前記突出部の先端面が、前記リードの前記底面と一致するように構成され、前記半導体チップ搭載領域は前記封止樹脂で被覆されており、前記突出部の底面のみが前記封止樹脂から露呈せしめられていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームおよびこれを用いた半導体装置にかかり、特に、樹脂封止体の側面ではなく、底面にリードが露出するように形成された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器に装着される半導体装置は、携帯電話、ＰＤＡなどの携帯用端末等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。
【０００３】
そしてその小型化、薄型化および軽量化、さらには高集積化を実現すべく、半導体装置の実装においては種々の提案がなされており、リードフレーム、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを使用するＴＢＧＡ、フレキシブルなプリント基板を使用するＰＢＧＡやＣＳＰ（チップサイズパッケージ）と呼ばれる、チップのサイズと同等のウェハスケールＣＳＰ、またはチップサイズよりも若干大きいサイズのＣＳＰなどが開発されている。なかでもＳＯＮ（Small Outline Non-leaded package）、ＱＦＮ（Quad FlatNon-leaded package）と呼ばれる、樹脂封止体の側面ではなく、底面にリードが露出するように形成されたタイプの半導体装置が注目されている。
【０００４】
例えばＱＦＮタイプの半導体装置は図９（ａ）に斜視図および図９（ｂ）に裏面図、図１０に断面図を示すように、リード２は封止樹脂６からなるパッケージの側面には突出することなく、裏面に露呈しており、小型でかつコンパクトな面実装タイプの半導体装置を構成するものである。
【０００５】
このような半導体装置では、半導体チップ4を搭載するための半導体チップ搭載領域（パッド）１が封止樹脂６から露呈しており、リード２と同一面上に形成されている。この構造ではプリント基板１０への装着に際しては、図１２に示すように、プリント基板１０上の回路パターン13は、リード２に対応する個所以外はレジスト１１で被覆されており、このレジスト１１から露呈する回路パターン１３の領域のみが半田１２を介してリード２と接続されている。
【０００６】
この半導体装置は図１１（ａ）乃至（ｅ）にその製造工程図を示すように、図１３に示すような一括モールド（ＭＡＰ：Mold Array Package）タイプのリードフレームを用いて形成される。
【０００７】
すなわちまず図１１（ａ）に示すように、リードフレーム形成用の条材の表面および裏面にパターン形成用のレジストパターン（図示せず）を形成し、これをマスクとして、エッチングを行い、半導体チップを搭載するためのパッド１とこのパッドの周りに先端が位置するように形成されたリード２とを有するリードフレームが形成される。このリードフレームは、図１３に示すように、パッド１がサポートバー7で支持され、全体としては多数のリードフレームが配列された状態で形成される。
【０００８】
このようなリードフレームを用い、図１１（ｂ）に示すように裏面側に樹脂の漏れを防止するためのカバーフィルム3を貼着する。こののち、図１１（ｃ）に示すように半導体チップ4をパッド１上に固着したのち、ワイヤボンディング法を用いて、半導体チップのボンディングパッドとリード2の先端とをボンディングワイヤ５によって接続する。そして一括して樹脂封止を行ない、図１１（ｄ）に示すように封止樹脂６で半導体チップ４およびボンディングワイヤが覆われるように金型（図示せず）内で成型する。
【０００９】
そして最後に、カバーフィルム3を除去し、ダイシングにより個々の半導体装置に分離し、図１１（ｅ）に示すような半導体装置が形成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この種の半導体装置には以下のような問題点があった。半導体チップ４を搭載したパッド１全面を封止樹脂６の外部に露出するタイプの場合、封止樹脂６とパッド１との界面に剥離が生じるおそれがあり、またパッケージの反りの一因にもなる。
【００１１】
さらに又図１２に示したように、このような半導体装置を実装するためのプリント基板１０上の回路パターン１３は、リード２に対応する個所以外はレジスト１１で被覆されており、このレジスト１１から露呈する回路パターン１３の領域のみが半田１２を介してリード２と接続されている。
【００１２】
しかしながら図１２に示すように、レジスト１１は厚さが薄いため、露出したパッド１が実装基板１０上の回路パターン１１と電気的に接触してしまうおそれもある。
【００１３】
また、このタイプの半導体装置に置いては、樹脂封止時にリード２およびパッド１の露出面に樹脂漏れが発生するのを防止するため、リードフレームの裏面前面にカバーフィルム３を貼着している。このようなカバーフィルム3は、リードフレームの形状加工後に貼着され、この状態で半導体チップ4の搭載やワイヤボンディングが行なわれるが、これらの工程においては、ヒータプレートなどによりパッド１の下面を支持する必要があるため、パッド１の下面ではカバーフィルム３を除去しなければならないという問題があった。
【００１４】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、封止樹脂との密着性が良好で、実装時のショート不良のない信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明では、半導体チップを搭載する半導体チップ搭載領域と、前記半導体チップ搭載領域から所定の間隔を隔てて形成された複数のリードとを具備し、前記半導体チップ搭載領域は、前記リードの底面よりも上方に底面を有し、かつ前記底面から突出せしめられた少なくとも１つの突出部を有し、前記突出部の先端面が、前記リードの底面と一致するように構成されているリードフレームであって、
前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域に、絶縁性部材を介して貼着された柱状突起であることを特徴とすることを特徴とする。
【００１６】
かかる構成によれば、半導体チップ搭載領域は突出部を除いて裏面側も封止樹脂で被覆されることになり、樹脂との接触面積が増大し、樹脂と半導体チップ搭載領域であるパッドとの密着性が向上する。また封止樹脂からなるパッケージの反りも防止される。
【００１７】
また実装基板上の配線パターンと半導体チップ搭載領域との電気的接触が生じる危険性が低減される。またこの突出部を避けるように回路パターンを形成することにより、半導体チップ搭載領域と回路パターンとの電気的接触はほぼ完全に防ぐことが可能となる。また、半導体チップ搭載領域にのみポストを形成しており、リード底面は全面が封止樹脂から露出するようにすることができ、実装面積に影響を与えることなく形成することができるため、実装性も良好である。
【００１８】
さらにリードフレームの裏面にカバーフィルムを貼付した状態で半導体チップの搭載およびワイヤボンディングを行なうに際しても、突出部（ポスト）により半導体チップ搭載領域を支持することができる。
【００１９】
望ましくは、前記半導体チップ搭載領域および前記リードおよび前記突出部は同一の条材を成型加工して一体的に形成されたものであることを特徴とする。かかる構成によれば、上記効果に加え、容易に作業性よく形成される。
【００２０】
望ましくは、前記半導体チップ搭載領域は前記突出部を残してハーフエッチングすることにより形成されたものであることを特徴とする。かかる構成によれば、通常の成型加工において、裏面側マスクを修正するのみでよく、容易にハーフエッチングを行なうのみで形成でき、極めて容易に作業性よく形成される。
【００２１】
望ましくは、前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域に、絶縁性部材を介して貼着された柱状体であることを特徴とする。かかる構成によれば、突出部と半導体チップ搭載領域とは別部材で形成され、突出部が絶縁性接着剤などの絶縁性部材を介して前記突出部に固着せしめられるようにすれば、前記突出部は前記半導体チップ搭載領域に搭載される半導体チップと何ら電気的接続をなしておらず、したがって実装基板上の回路パターンに接触したとしても不良を生じることはない。また、この突出部の裏面に酸化膜を形成するなど絶縁処理をしておくようにしてもよい。
【００２２】
望ましくは、前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域の中央部に形成された1個の柱状突起からなることを特徴とする。かかる構成によれば、露出面積が小さいため、封止樹脂の剥離防止効果も高くまた、回路パターンとの接触を効果的に防止することができる。
【００２３】
望ましくは、前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域の中央部と、前記半導体チップ搭載領域の対角線上とに形成された複数個の突起からなることを特徴とする。かかる構成によれば、上記効果に加え、組み立て実装時の安定性が向上する。
【００２４】
また、前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域の中央部と、前記中央部を囲むようにその周辺の複数箇所に形成された複数個の突起からなることを特徴とする。かかる構成によれば、上記効果に加え、組み立て実装時の安定性が向上する。
【００２５】
望ましくは、前記突出部は、前記半導体チップ搭載領域の中央部と、前記中央部を囲むと共に、前記中央部に位置するものよりも径大となるようにその周辺の複数箇所に形成された複数個の突起からなることを特徴とする。突起の形成をハーフエッチングにより行なう場合、突出部を径大とすることにより、エッチングによる形成が容易となる。
【００２６】
さらに、本発明の半導体装置では、表面に、半導体チップを搭載する半導体チップ搭載領域と、前記半導体チップ搭載領域から所定の間隔を隔てて形成された複数のリードと、前記半導体チップ搭載領域に搭載され、前記リードの各ボンディング領域とワイヤボンディングにより接続された半導体チップと、少なくとも前記リードの前記他端部分の底面側が露呈するように前記半導体チップおよび前記リードの先端部分を被覆する封止樹脂とを具備し、前記半導体チップ搭載領域は、前記リードの前記底面よりも上方に底面を有し、かつ前記底面から突出せしめられた少なくとも１つの前記半導体チップ搭載領域に絶縁性部材を介して貼着された柱状突出部を有し、前記突出部の先端面が、前記リードの前記底面と一致するように構成され、前記半導体チップ搭載領域は前記封止樹脂で被覆されており、前記突出部の底面のみが前記封止樹脂から露呈せしめられていることを特徴とする。かかる構成によれば、突出部を除いて半導体チップ搭載領域の裏面側にも封止樹脂が入り込むため密着性が向上し、樹脂抜けが防止され信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また封止樹脂からなるパッケージの反りも防止される。
【００２７】
また実装基板上の配線パターンと半導体チップ搭載領域との電気的接触の危険性が低減される。またこの突出部を避けるように回路パターンを形成することにより、半導体チップ搭載領域と回路パターンとの電気的接触はほぼ完全に防ぐことが可能となる。また、半導体チップ搭載領域にのみポストを形成しており、リード底面は全面が封止樹脂から露出するようにすることができ、実装面積に影響を与えることなく形成することができるため、実装性も良好である。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の参考例について図面を参照しつつ詳細に説明する。本発明の参考例のリードフレームおよびこれを用いた半導体装置について説明する。図１（ａ）に本発明の第1の実施の形態のリードフレームを用いて形成した半導体装置の斜視図、図１（ｂ）にその裏面図、図２にこのリードフレームの裏面図を示す。
【００２９】
このリードフレームは図12に示したのと同様のＭＡＰタイプのリードフレームであり、半導体チップ搭載領域であるパッド1の裏面側が柱状突起１Ｐを除いてハーフエッチングにより肉薄化されたことを特徴とするもので、他部については図9乃至12に示した従来の半導体装置およびリードフレームと同様に形成されている。
【００３０】
すなわちこの半導体装置は、図１（ａ）および（ｂ）に示すように柱状突起１Ｐの頂面およびリード２が封止樹脂6から露呈せしめられ、パッド1の大部分が封止樹脂６で被覆され、面実装が可能となるように構成されたものである。なおパッド１はサポートバー7によって４方向から支持がなされている。また半導体チップ４とリードとの間はボンディングワイヤ５によって接続されている。
【００３１】
このリードフレームは、板厚０．２ｍｍの銅あるいは鉄−ニッケル製条材をエッチングすることにより形成されたもので、ダイパッド2の周りに、所定の間隔を隔てて多数のリード２を配列したもので、リード1は長さ０．４２ｍｍ、幅０．２３ｍｍであり、パッドは径０．２ｍｍの柱状突起１Ｐを中央部に残して、他の領域は全体にわたって、０．１ｍｍ程度にハーフエッチングにより肉薄化されている。このリードフレームは他の部分については通常のＭＡＰタイプのリードフレームである。
【００３２】
このリードフレームを用いた半導体装置の製造に際しては、図３（ａ）乃至（ｆ）にその製造工程図を示すように、条材をパターンエッチングした後、パッド裏面側の中央部を除く領域のレジストを除去し裏面からハーフエッチングを行うことによって肉薄部の形成を行うが、この例では、裏面側に微細なレジストパターンを残しておくことによって容易に柱状突起１Ｐを形成するものである。
【００３３】
すなわちまず図３（ａ）に示すように、リードフレーム形成用の条材1の表面および裏面にパターン形成用のレジストパターンＲ１，Ｒ２を形成するとともに、肉薄部の突出部を形成すべくパッドの裏面側の中央を除く領域に開口を有するレジストパターンＲ２を形成した点が従来例と異なる点である。他はまったく同様に形成される。
【００３４】
そしてこの状態で、エッチングを行い、図３（ｂ）に示すように、中央部に柱状突起１Ｐを備えた肉薄のパッド１を有するリードフレームが形成される。
【００３５】
このリードフレームのパッド１に、図３（ｃ）に示すように、ポリイミドテープからなるカバーフィルム３を貼着する。
【００３６】
そして図３（ｄ）に示すように、半導体チップ４を搭載し、ワイヤボンディングを行い、図３（ｅ）に示すように、通常の方法で樹脂封止を行い、図３（ｆ）に示すように、カバーフィルム３を剥離し、ダイシングにより個々に分離し、図1（ａ）および（ｂ）に示したような半導体装置を得る。
【００３７】
すなわち通常は図１３に示したようなリードフレームに半導体チップの搭載およびワイヤボンディングを行い、一体的に樹脂封止を行った後、個々の半導体装置に分割する。
【００３８】
このようにして形成された半導体装置によれば、パッド裏面の肉薄部に封止樹脂６が入り込むため樹脂抜けが防止され信頼性の高い半導体装置を提供することができる。またプリント基板などの回路基板への実装が安定かつ容易で信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
【００３９】
次に、本発明の第１の実施の形態について説明する。本発明の第１の実施の形態のリードフレームについて説明する。この例では、図４に示すように、肉薄に形成したパッド1Ｓの裏面に絶縁性接着剤8を介して柱状突起１Ｐを貼着したことを特徴とするものである。
他については前記第1の実施の形態とまったく同様に形成する。
【００４０】
かかる構成によれば、柱状突起１Ｐと半導体チップ搭載領域とは別部材で形成され、柱状突起１Ｐが絶縁性接着剤などの絶縁性部材を介して柱状突起１Ｐに固着せしめられているため、柱状突起１Ｐは半導体チップ４と何ら電気的接続をなしておらず、したがって実装基板上の回路パターンに接触したとしても不良を生じることはない。また、この柱状突起１Ｐの裏面に酸化膜を形成するなど絶縁処理をしておくようにしてもよい。
【００４１】
また、リード２についても、半導体チップ搭載領域側の先端部分で他端部分よりも肉薄となるように形成し、少なくともボンディング領域の裏面側で、裏面側に突出する盛り上がり領域を形成し、リードの他端部分の底面と突出部の先端面の高さとが一致するように形成してもよい。
【００４２】
かかる構成によれば、パッドのハーフエッチング工程と同時にリードの肉薄化が可能となり、リードの加工精度も向上し、高精度のパターンを得ることができると共に、盛り上がり領域の形成により、ワイヤボンディングにおけるリードの変形を抑制し、安定した強度でかつ伝送損失が少なく歩留まりの高い半導体装置を提供することが可能となる。
【００４３】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本発明の第２の実施の形態の半導体装置について説明する。前記第1の実施の形態では、柱状突起１Ｐは５個形成されているが、この例では、図５に示すように、パッド1の中央部に形成された1個の柱状突起１Ｐからなることを特徴とする。他については第1の実施の形態と同様に形成されている。かかる構成によれば、露出面積がより小さいため、封止樹脂の剥離防止効果も高くまた、回路パターンとの接触を効果的に防止することができる。
【００４４】
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。本発明の第３の実施の形態の半導体装置について説明する。前記第1の実施の形態では、柱状突起１Ｐは５個、前記第３の実施の形態では、１個形成されているが、この例では、図６に示すように、パッド1の中央部および対角線上に形成された計９個の柱状突起１Ｐからなることを特徴とする。他については第1の実施の形態と同様に形成されている。かかる構成によれば、上記効果に加え、組み立て実装時の安定性が向上する。
【００４５】
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。本発明の第４の実施の形態の半導体装置について説明する。前記第４の実施の形態では、柱状突起１Ｐはパッド1の中央部および対角線上に形成されているが、この例では、図７に示すように、パッド1の中央部と、前記中央部を囲むようにその周辺の複数箇所に形成された計９個の突起からなることを特徴とする。かかる構成によれば、上記効果に加え、組み立て実装時の安定性が向上する。
【００４６】
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。本発明の第５の実施の形態の半導体装置について説明する。前記参考例、第３、４の実施の形態では、柱状突起１Ｐは同じ大きさに形成されているが、この例では、図８に示すように、パッド1の中央部と、前記中央部を囲むとともに、中央部に位置するものよりも径大となるようにようにその周辺の複数箇所に形成された計９個の突起からなることを特徴とする。
【００４７】
かかる構成によれば、突起の形成をハーフエッチングにより行なう場合、突出部を径大とすることにより、エッチングによる形成が容易となる。
【００４８】
なお、前記実施の形態では、リードフレームはエッチングにより形成したが、プレス成型の後、ハーフエッチングをするようにしてもよいことはいうまでもない。また、パッドとリードとを別体で形成したものも有効である。加えて、リード長、リード幅、リードの厚さおよび柱状突起の径などについては適宜変更可能である。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明のリードフレームによれば、突出部を除いて半導体チップ搭載領域の裏面側にも封止樹脂が入り込むため密着性が向上し、樹脂抜け防止が可能で信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また封止樹脂からなるパッケージの反りの防止も抑制される。
【００５０】
また本発明の半導体装置によれば、実装基板上の配線パターンと半導体チップ搭載領域との電気的接触の危険性が低減され、またこの突出部を避けるように回路パターンを形成することにより、半導体チップ搭載領域と回路パターンとの電気的接触はほぼ完全に防ぐことが可能となる。
【００５１】
また、本発明の半導体装置は、半導体チップ搭載領域にのみポストが形成されており、リード底面は全面が封止樹脂から露出するようにすることができ、実装面積に影響を与えることなく形成することができるため、実装性も良好である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の参考例の半導体装置を示す斜視図および裏面図である。
【図２】本発明の参考例のリードフレームを示す図である。
【図３】本発明の参考例の半導体装置の製造工程図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態のリードフレームを示す説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の半導体装置を示す裏面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の半導体装置を示す裏面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態の半導体装置を示す裏面図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態の半導体装置を示す裏面図である。
【図９】従来例の半導体装置を示す図である。
【図１０】従来例の半導体装置の断面図である。
【図１１】従来例のリードフレームの製造工程図である。
【図１２】従来例の半導体装置説明図である。
【図１３】ＭＡＰタイプのリードフレームを示す図である。
【符号の説明】
１ パッド
１Ｐ 柱状突起
２ リード
３ カバーフィルム
４ 半導体チップ
５ ボンディングワイヤ
６ 封止樹脂
７ サポートバー
８ 絶縁性接着剤
１０ プリント基板
１１ 回路パターン
１２ 半田
１３ レジスト
【図１】
0003638136.tif 000002
【図２】
0003638136.tif 000003
【図３】
0003638136.tif 000004
【図４】
0003638136.tif 000005
【図５】
0003638136.tif 000006
【図６】
0003638136.tif 000007
【図７】
0003638136.tif 000008
【図８】
0003638136.tif 000009
【図９】
0003638136.tif 000010
【図１０】
0003638136.tif 000011
【図１１】
0003638136.tif 000012
【図１２】
0003638136.tif 000013
【図１３】
0003638136.tif 000014