(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動空間を有する基体と、前記振動空間を被覆するように前記基体表面に形成された支持膜と、該支持膜の前記振動空間と反対の部位に設けられ、前記基板表面への投影形状が矩形である凹部と、少なくとも該凹部の底面に形成され、前記基板表面への投影形状が矩形である第１電極と、該第１電極の上に形成され、前記基板表面への投影形状が矩形である圧電体と、該圧電体の上に形成され、前記基板表面への投影形状が矩形である第２電極とを具備し、圧電体を第１電極と第２電極で挟持した振動体を形成し、前記凹部、前記第１電極、前記圧電体及び第２電極の矩形形状の一辺とがそれぞれ略平行に配置され、前記凹部の特定の辺の幅をｘ、前記凹部の底面に形成された前記第１電極の前記特定の辺と略平行な辺の幅をａ、前記第１電極に対向して形成された前記第２電極の前記特定の辺と略平行な辺の幅をｂ、前記圧電体の前記特定の辺と略平行な辺の幅をｃとした時に、下記条件を満足することを特徴とする圧電共振子。
ａ≧ｘ
ｂ≧ｘ
ｃ＞ｘ
ただし、ａ＞ｘかつｂ＞ｘを除く。
【請求項２】
前記第１電極表面および前記基体表面の少なくとも１方の上に、且つ前記圧電体の周囲に該圧電体を延出するように、弾性定数が前記圧電体よりも大きい絶縁体を設けたことを特徴とする請求項１記載の圧電共振子。
【請求項３】
絶縁体が、アルミナ、ジルコニア、ダイヤモンド、ＢＮ、Ｂ４Ｃ、ＳｉＣおよびＳｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも１種を主成分とし、圧電体がＰｂとＴｉとを主成分とするペロブスカイト型複合酸化物からなることを特徴とする請求項１又は２記載の圧電共振子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話、無線ＬＡＮ等に用いられる圧電共振子やフィルターに関するものであり、特に、基体表面の支持膜上に圧電体の両面に電極を形成した振動発生部を設けてなる圧電共振子に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、無線通信や電気回路に用いられる周波数の高周波数化に伴い、これらの電気信号に対して用いられるフィルターも高周波数に対応したものが開発されている。特に、最近注目されているのは、固体の表面を伝わる音響波である弾性表面波を用いたＳＡＷフィルターである。このフィルターは、固体表面上に形成した櫛形の電極間に印加される高周波電界と弾性表面波の共振を用いており、１ＧＨｚ程度までの共振周波数を持つフィルターが作製されている。
【０００３】
しかしながら、ＳＡＷフィルターでは、その櫛形電極間距離が共振周波数に反比例するという関係にあるため、１ＧＨｚを越える周波数領域では櫛形電極間距離が１μｍ以下となり、電極作製が非常に困難であった。
【０００４】
今後、無線通信に用いられる電磁波の周波数は、ますます高くなるものと予想され、既に、数ＧＨｚ以上の規格策定の動きもあることから、それらの周波数に対応した、安価で高性能なフィルターが求められている。
【０００５】
例えば、特開昭６０−６８７１０号公報には、こうした要求に対して、圧電体薄膜を利用した共振子が提案されている。これは、入力される高周波電気信号に対して、圧電体が振動を起こし、その振動が圧電体の厚み方向において共振（厚み縦振動）を起こすことを用いた共振子である。
【０００６】
この共振子は、弾性表面波ではなく固体中を伝播する弾性波を用いることから、バルク・アコースティック・ウェーブ・レゾネーター（以下、ＢＡＷＲという）と呼ばれている。このＢＡＷＲを構成する圧電体の膜厚制御は、０．３μｍ以下の精度で作製可能であるため、ＳＡＷフィルターに比べてより高い周波数の共振周波数を持つレゾネーターが作製可能になると期待され、開発が進められてきた。
【０００７】
従来のＢＡＷＲとしては、図９に示すように、基体１と、該基体１表面に形成された支持膜２と、該支持膜２上に形成された第１電極３と、該第１電極３上に形成された圧電体４と、該圧電体４上に形成された第２電極５とからなるものである（ＵＳＰ４，３２０，３６５）。第１電極３と第２電極５が圧電体４を挟持して振動体６が構成されている。支持膜２は、基体１に形成された振動空間Ａを被覆して基体１表面に形成されている。対向して形成された第１電極３、第２電極５と、これらの第１電極３、第２電極５の間の圧電体４から構成された振動体６の振動発生部７（破線で示す）が励振され、これによって支持膜２の振動発生部７の部位が振動することになる。すなわち、図９において２本の破線で挟まれた第１電極３、第２電極５、圧電体４、支持膜２が振動する。
【０００８】
従来のＢＡＷＲでは、圧電体材料としてＺｎＯ、ＡｌＮ、ＣｄＳ等が用いられ、基体材料として主にＳｉが、電極材料としてＡｌ、Ａｕが、振動体を支える支持膜としてはＳｉＯ2 が用いられてきた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＢＡＷＲでは、振動体６の振動発生部７で振動が励起されるが、圧電体４のみならず、第１電極３および第２電極５や振動体６を支持する支持膜２も振動しており、エネルギーの閉じ込めに関しては、振動体６と共に支持膜２を考慮する必要があったが、十分な検討がされていなかった。
【００１０】
即ち、従来は、図９に示すように、破線で挟まれた領域で示された振動発生部７の支持膜２と、その他の非振動部８の支持膜２とが同一の厚さであったため、振動体６において、振動発生部７の圧電体４から隣接する非振動部８の圧電体４を介してエネルギーが漏れ出てしまうために、エネルギー閉じ込め効果が小さく、これにより、共振周波数、あるいは反共振周波数近傍において主要振動以外の不要な振動によるスプリアスが励振されるようになり、特性が悪くなるという問題があった。
【００１１】
本発明の目的は、高周波用のフィルターを構成できるとともに、厚み縦振動モードの効率的なエネルギー閉じ込めを可能とし、主要振動以外の不要な振動を抑制してスプリアスの発生を防止でき、インピーダンス特性の良好な圧電共振子を提供することにある。
【００１２】
本発明の圧電共振子は、振動空間を有する基体と、前記振動空間を被覆するように前記基体表面に形成された支持膜と、該支持膜の前記振動空間と反対の部位に設けられ、前記基板表面への投影形状が矩形である凹部と、少なくとも該凹部の底面に形成され、前記基板表面への投影形状が矩形である第１電極と、該第１電極の上に形成され、前記基板表面への投影形状が矩形である圧電体と、該圧電体の上に形成され、前記基板表面への投影形状が矩形である第２電極とを具備し、圧電体を第１電極と第２電極で挟持した振動体を形成し、前記凹部、前記第１電極、前記圧電体及び第２電極の矩形形状の一辺とがそれぞれ略平行に配置され、前記凹部の特定の辺の幅をｘ、前記凹部の底面に形成された前記第１電極の前記特定の辺と略平行な辺の幅をａ、前記第１電極に対向して形成された前記第２電極の前記特定の辺と略平行な辺の幅をｂ、前記圧電体の前記特定の辺と略平行な辺の幅をｃとした時に、ａ≧ｘ、ｂ≧ｘ、ｃ＞ｘ（ただし、ａ＞ｘかつｂ＞ｘを除く）を満足するものである。
【００１３】
更に、前記第１電極表面および前記基体表面の少なくとも１方の上に、且つ前記圧電体の周囲に該圧電体を延出するように、弾性定数が前記圧電体よりも大きい絶縁体を設けたことが好ましい。また、絶縁体は、アルミナ、ジルコニア、ダイヤモンド、ＢＮ、Ｂ４Ｃ、ＳｉＣおよびＳｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも１種を主成分とし、圧電体がＰｂとＴｉとを主成分とするペロブスカイト型複合酸化物からなることが好ましい。
【００１４】
【作用】
本発明の圧電共振子では、対向して形成された第１電極、第２電極と、これらの第１電極、第２電極の間の圧電体とから構成された実際に振動する部分（振動発生部）が当接する支持膜に凹部が形成されおり、振動発生部が支持膜の凹部内に収容されているため、振動発生部の圧電体の厚みを非振動部の圧電体の厚みよりも大きくすることができ、振動発生部における圧電体の音速は、隣接する非振動部の圧電体の音速よりも小さくなる。
【００１５】
その結果、振動発生部と、この振動発生部が当接した支持膜とからなる振動する部位の共振周波数が、隣接する非振動部の共振周波数よりも小さくなり、厚み縦振動のエネルギーが振動発生部に効果的に閉じ込められる。そのために、使用する厚み縦振動モードの共振周波数、反共振周波数近傍において非振動部に起因する不要振動が抑制されて、スプリアスの発生が抑制される。
【００１６】
また、振動発生部を構成する圧電体の周囲に絶縁体が設けられており、該絶縁体の弾性定数を前記圧電体の弾性定数よりも大きくすることによって、絶縁体の音速を圧電体の音速よりも大きくすることができる。その結果、振動発生部と、この振動発生部が当接した支持膜とからなる振動する部位の共振周波数が、その他の部位の共振周波数よりも小さくなり、厚み縦振動のエネルギーが振動発生部に効果的に閉じ込められる。そのために、使用する厚み縦振動モードの共振周波数、反共振周波数近傍において非振動部に起因する不要振動が抑制されて、スプリアスの発生が抑制される。
【００１７】
特に、絶縁体を、アルミナ、ジルコニア、ダイヤモンド、ＢＮ、Ｂ4 Ｃ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 を主成分とし、圧電体をＰｂとＴｉとを主成分とするペロブスカイト型複合酸化物とすることにより、絶縁体の弾性定数を圧電体の弾性定数よりも大きくできるので、エネルギーを効率よく振動発生部に閉じ込めることができ、スプリアスをより高効率で除去した圧電共振子を実現することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の圧電共振子は、基体の上に、支持膜、圧電体薄膜、電極薄膜が形成された薄膜圧電共振子であり、図１および図２に示すように、振動空間Ａを有する基体１１と、該基体１１の表面に振動空間Ａを被覆するように形成された支持膜１２と、該支持膜１２の上面に形成された第１電極１３と、第１電極１３上に形成された圧電体１４と、該圧電体１４上に形成された第２電極１５とから構成されている。
【００１９】
支持膜１２上には第１電極１３と第２電極１５とにより圧電体１４を挟持した振動体１６が形成されている。振動体１６は、第１電極１３と、第２電極１５と、圧電体１４との層状構造を有している。尚、圧電体１４の幅は第１電極１３または第２電極１５の幅よりも長くても何ら差し支えない。この振動体１６には、対向して形成された第１電極１３、第２電極１５とこれらの第１電極１３、第２電極１５の間の圧電体１４とからなり、実際に振動を発生させる振動発生部１７が形成されている。また、振動体１６の振動発生部１７以外の部分は非振動部１８とされている。
【００２０】
支持膜１２の振動体１６側表面には凹部１９が形成されており、凹部１９の幅をｘ、凹部１９底面および支持膜１２表面に形成された第１電極１３の幅をａ、第１電極１３に対向して形成された第２電極１５の幅をｂ、圧電体１４の幅をｃとした時に、ａ≧ｘ、ｂ≧ｘ、ｃ＞ｘ（ただし、ａ＞ｘかつｂ＞ｘを除く）を満足していることが必要である。
【００２１】
すなわち、本発明の圧電共振子では、図１に示したように支持膜１２の振動体１６側表面に凹部１９が形成されており、この凹部１９に振動発生部１７が収容されていることになり、振動発生部１７の圧電体１４の厚みが、隣接する非振動部１８の圧電体１４の厚みよりも大きくなっている。
【００２２】
基体１１は、例えばシリコンから成り、エッチングにより振動空間Ａが形成されている。基体１１の振動空間Ａは、振動発生部１７の振動を基体１１に伝達しないための空間であって、基体１１に貫通孔を形成したり、基体１１の支持膜１２を形成する部分に凹状の窪みを形成したりすることにより作製される。
【００２３】
支持膜１２は、スパッタ法やＣＶＤ法等の方法で形成され、０．５〜５μｍの厚みが望ましく、特には、１〜３μｍが好ましい。０．５μｍ以下では、支持膜強度が不十分で、膜が自立できずに破壊されやすい。また、５μｍ以上では、共振周波数が低下して高周波化に対応できない。
【００２４】
圧電体１４は、ゾル・ゲル法、又はセラミック・スラリーを塗布し、加熱焼成する方法、あるいは気相合成法等で形成することが出来る。圧電体１４の厚みは使用する共振子の周波数帯にもよるが、1 〜５００μｍ程度が望ましく、特には、２〜２００μｍが均一な膜を得るために望ましい。
【００２５】
支持膜１２の弾性定数を、支持膜１２の音速が、圧電体１４の音速よりも大きくなるように、圧電体１４の弾性定数に比べて大きくする必要がある。例えば、アルミナ、ジルコニア、ダイヤモンド、ＢＮ、Ｂ4 Ｃ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 の弾性定数の大きな材料を主成分とする材質からなる薄膜層とするのが望ましい。特には、ダイヤモンド、立法晶ＢＮ、Ｂ4 Ｃ、ＳｉＣが弾性定数と強度の点で望ましい。なお、Ｃ3 Ｎ4 を使用しても差し支えない。
【００２６】
圧電体１４は、金属元素としてＰｂ、Ｔｉを主成分とするペロブスカイト型複合酸化物からなる圧電材料であることが望ましく、特には、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系、またはＰｂＴｉＯ3 等の圧電材料からなることが望ましい。Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系圧電材料は、従来のＺｎＯ、ＡｌＮ等のｃ軸配向性の圧電材料を用いていた場合に比べ、圧電体の電気機械結合係数が大きく、特に、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系圧電材料はＭＰＢ近傍（組成相境界）の組成を用いると電気機械結合係数が大きく、圧電共振子の周波数差△Ｆ（＝反共振周波数―共振周波数）を増大することができる。
【００２７】
尚、アルミナの弾性定数は４０４ＧＰａ、ジルコニアの弾性定数は３２３ＧＰａ、ＳｉＣの弾性定数は４３４ＧＰａ、Ｓｉ3 Ｎ4 の弾性定数は３２３ＧＰａ、ダイヤモンドの弾性定数は９６０ＧＰａ、Ｂ4 Ｃの弾性定数は４５０ＧＰａ、およびＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 の弾性定数は７０ＧＰａである。
【００２８】
また、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系圧電材料を用いると、Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）比や、Ｂサイト置換イオン種及びその置換イオン量をコントロールすることにより共振周波数の温度係数を自由にコントロールすることが可能であり、共振周波数の温度係数が所望の極性を持つ圧電材料を比較的容易に作製することが可能であり、従来のＺｎＯ、ＡｌＮ等のｃ軸配向性の圧電材料を用いていた場合に比べて、共振周波数の温度係数のコントロールが可能であり、支持膜１２の厚み、共振周波数の温度係数に応じた材料の開発が可能である。圧電体１４の薄膜作製には、成膜時に結晶軸をｃ軸方向に配向させることにより、圧電性を示す膜を形成することができる。また、圧電性が弱い場合には、直流電圧を印加して圧電性を付与しても良い。
【００２９】
この圧電体１４を挟む第１電極１３および第２電極１５には、従来、多用されているＡｌ、Ｐｔ、Ａｕ等比較的反応性の低い金属材料が用いられる。圧電体１４の材料との反応を考慮すると、電極材料としては、反応性の低いＰｔ、Ａｕが望ましい。第１電極１３と第２電極１５の材質は異なっても良い。
【００３０】
また、図１および図２に示すように、支持膜１２の振動体１６側の表面に凹部１９を形成し、凹部１９を覆うように第１電極１３を形成する必要があり、その際には、凹部１９のコーナー部２０には、半径が1 〜２００μｍ程度のアールを付けるか、又はコーナー部２０を斜めにしてテーパーを形成するのが望ましい。このようにすることで、第１電極１３が形成しやすくなり、第１電極１３の断線等を防ぐことが可能となる。
【００３１】
尚、図１および図２に示した圧電共振子の例では、第２電極１５は支持膜１２の凹部１９の底面と同面積であるが、第１電極１３は凹部１９の底面に比べて大きくなっている。しかし、図３または図４に示すように、第１電極１３も第２電極１５と同様に支持膜１２の凹部１９の底面と同程度の面積に形成しても良い。さらに、第１電極１３が支持膜１２の凹部１９の底面と同程度の面積で、かつ第２電極１５が支持膜１２の凹部１９の底面に比べて大きくなっても何ら差し支えない。
【００３２】
尚、図２において、第１電極と第２電極に高周波を印加するために取り出し電極２５、２６が形成されている。
【００３３】
また、図４に示すように、第１電極１３と圧電体１４と第２電極１５とを薄膜形成法により積層する際に、振動発生部１７の圧電体１４の表面２１と、非振動部１８の圧電体１４の表面２２との高さが一致せず、凹凸があっても凹凸の大きさが振動発生部１７の厚みの１／１０以下の範囲であれば、差し支えない。
【００３４】
以上のように構成された圧電共振子では、支持膜１２の振動体１６側表面に凹部１９を形成したので、振動発生部１７の圧電体１４を隣接する非振動部１８の圧電体１４よりも厚くでき、振動発生部１７の圧電体１４における音速を非振動部１８の圧電体１４における音速よりも小さくすることができ、振動発生部１７に厚み縦振動のエネルギーを十分に閉じ込め、使用する共振周波数、反共振周波数近傍におけるスプリアスを抑制することができる。
【００３５】
このような効果は、圧電体１４を金属元素としてＰｂ、Ｔｉを含有するペロブスカイト型複合酸化物を主成分とする圧電材料を用いて構成し、支持膜１２を圧電体１４よりも音速が大きな材料、特に、アルミナ、ジルコニア、ダイヤモンド、ＢＮ、Ｂ4 Ｃ、ＳｉＣおよびＳｉ3 Ｎ4 の材料から構成すると、より効果的である。
【００３６】
すなわち、このような材料からなる支持膜１２を用いることにより、音速を大きくでき、また共振周波数の高周波化を促進できるので、支持膜１２にＳｉＯ2 等を用いていた従来の場合に比べて共振周波数を大きくすることができるとともに、上記の材料は機械的強度に優れるので、膜厚が比較的小さな場合でも、振動体１６を機械的に支える強度を得ることができる。
【００３７】
したがって、従来のＳｉＯ2 では、充分な機械的強度を得るために、支持膜１２の薄層化に限界があるが、ダイヤモンド薄膜等の前記材料を用いると、機械的強度によって決定される限界膜厚を小さくできる。また、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 系圧電材料を圧電体１４として用いることにより、周波数差ΔＦを大きくできる。
【００３８】
実際に、図１および図２に示すような構造では、圧電体１４の音速に比べて支持膜１２の音速が大きいために、振動体１６の振動発生部１７と支持膜１２の振動発生部１７とからなる共振子としての共振周波数は、圧電体１４の共振周波数よりも小さくなってしまう。したがって、共振子の共振周波数を高くするためには、支持膜１２の音速を高くすると同時に、支持膜１２の膜厚を小さくすることが望ましい。ダイヤモンド薄膜等の前記材料の高音速特性と高強度特性とを合わせると、従来技術の圧電共振子に比べて高い共振周波数を実現できる。
【００３９】
図５では、振動空間Ａを有する基体３１と、該基体３１の表面に振動空間Ａを被覆するように形成された支持膜３２と、該支持膜３２の上面に形成された振動発生部３６と、絶縁体４３とから構成されている。
【００４０】
振動発生部３６は、前記支持膜３２の上面に形成された第１電極３３と第１電極３３上に形成された圧電体３４と、該圧電体３４上に形成された第２電極３５とから構成されている。また、絶縁体４３は、振動発生部３６を構成する圧電体３４の周囲に、該圧電体３４とは異なる材料から形成されており、絶縁体４３の弾性定数が前記圧電体３４の弾性定数よりも大きくなるような材料から構成されている。
【００４１】
絶縁体４３の材料としては、振動発生部３６の圧電体３４材料よりも弾性定数の大きい材質を主成分とすることが良い。絶縁体４３の材料としては、特には、アルミナ、ジルコニア、ダイヤモンド、ＢＮ、Ｂ4 Ｃ、ＳｉＣおよびＳｉ3 Ｎ4 を主成分とされている。なお、Ｃ3 Ｎ4 を使用しても差し支えない。このような構成にすると絶縁体４３の音速を圧電体３４の音速よりも大きくすることができるので、厚み縦振動のエネルギーを効率よく閉じ込めることが可能となり、その結果としてスプリアスの発生をなお一層抑制することができる。
【００４２】
図６は、本発明のその他の例を示すものである。支持膜５２は振動体５６側に凹部５９を有しており、かつ、第１電極５３の上面に形成された圧電体５４と、該圧電体５４の周囲に該圧電体５４よりも弾性定数が大きい絶縁体６３とが設けられている。これにより、絶縁体６３の音速を圧電体５４の音速よりも大きくすることができるので、図１の圧電共振子よりも、更に厚み縦振動のエネルギーを効率よく閉じ込め、その結果スプリアスの発生をより抑制できる。
【００４３】
なお、図３〜６において、図示されてはいないが、実際に共振子として使用するためには、第１電極および第２電極には取り出し用の電極を形成することは言うまでもない。
【００４４】
本発明者等は、図１に示す本発明の圧電共振子と、図９に示す従来の圧電共振子とについてインピーダンス特性の解析を実施した。図１に示す本発明の圧電共振子においては、支持膜をダイヤモンドとし、圧電体をＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 とした。そして、本発明の圧電共振子の解析条件に関しては、振動発生部１７の支持膜１２の厚み（凹部１９の深さ）を１．０μｍとし、非振動部１８の支持膜１２の厚みを２．０μｍとした。一方、従来の圧電共振子の解析条件に関しては、図９における振動発生部７及び非振動部８の支持膜２の厚みを５．０μｍとした。また、電極厚みは両方とも０．１μｍとして解析した。
【００４５】
解析結果を図７（従来例）および図８（本発明）に記載した。図７から、従来の共振子では、基本波（ｆ１）及び２倍波（ｆ２）の共振周波数、反共振周波数近傍に多数のスプリアスが発生したのに対し、本発明の共振子では、基本波（ｆ１）及び、２倍波（ｆ２）の共振周波数、反共振周波数近傍のスプリアスが抑制され、厚み縦振動の単一共振による共振ピークが得られていることがわかる。
【００４６】
これにより、本発明の圧電共振子では、厚み縦振動の基本モード及びその高次モードの振動を振動発生部に効率良く閉じ込めることができ、不要振動によるスプリアス発生が少なくなり、特性の良好な圧電共振子が得られることが判る。
【００４７】
【発明の効果】
本発明の圧電共振子では、振動発生部の圧電体の厚みを非振動部の圧電体の厚みよりも厚くすること、あるいは、振動発生部における圧電体の周囲に、圧電体よりも弾性定数が大きい絶縁体を形成することによって、絶縁体（非振動部）の共振周波数を振動発生部の共振周波数よりも大きくでき、厚み縦振動のエネルギーを効率よく振動発生部に閉じこめ、使用する厚み縦振動モードの共振周波数、反共振周波数近傍において不要な振動に起因するスプリアスの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の圧電共振子を示す断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】本発明の圧電共振子の他の例を示す断面図である。
【図４】本発明の圧電共振子のさらに他の例を示す断面図である。
【図５】振動発生部における圧電体の周囲に絶縁体を設けた本発明の圧電共振子を示す断面図である。
【図６】支持膜に凹部を形成し、振動発生部における圧電体の周囲に絶縁体を設けた本発明の圧電共振子を示す断面図である。
【図７】従来の圧電共振子のインピーダンス特性である。
【図８】本発明の圧電共振子のインピーダンス特性である。
【図９】従来の圧電共振子を示す断面図である。
【符号の説明】
１１、３１、５１・・・基体
１２、３２、５２・・・支持膜
１３、３３、５３・・・第１電極
１４、３４、５４・・・圧電体
１５、３５、５５・・・第２電極
１６、５６・・・振動体
１７、３６、５７・・・振動発生部
１８、３８、５８・・・非振動部
１９、５９・・・凹部
４３、６３・・・絶縁体
Ａ・・・振動空間
【図１】
0003715831.tif 000002
【図２】
0003715831.tif 000003
【図３】
0003715831.tif 000004
【図４】
0003715831.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003715831.tif 000007
【図７】
0003715831.tif 000008
【図８】
0003715831.tif 000009
【図９】
0003715831.tif 000010