(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、
被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる複数の液処理ユニットと、
前記複数の液処理ユニットのそれぞれに対応して設けられ、対応する液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた複数の熱的処理ユニットセクションと、
前記各液処理ユニットから搬出された被処理基板を対応する熱的処理ユニットセクションへ搬送する複数の搬送装置と
を具備し、
前記複数の液処理ユニットおよび複数の熱的処理ユニットセクションは、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に２列に配置され、
前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこれら２列の間に配置されていることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、
処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板が収納される収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入出部と
を具備し、
前記処理部は、
被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる複数の液処理ユニットと、
前記複数の液処理ユニットのそれぞれに対応して設けられ、対応する液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた複数の熱的処理ユニットセクションと、
前記各液処理ユニットから搬出された被処理基板を対応する熱的処理ユニットセクションへ搬送する複数の搬送装置と
を有し、
前記複数の液処理ユニットおよび複数の熱的処理ユニットセクションは、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に２列に配置され、
前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこれら２列の間に配置され、被処理基板は前記搬入出部から前記処理部へ搬入された後、前記２列の一方に沿って搬送され、Ｕターンした後に前記２列の他方に沿って搬送されて前記搬入出部へ搬出されることを特徴とする処理装置。
【請求項３】
前記複数の熱的処理ユニットセクションは、それぞれに対応する搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニットブロックを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、
処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入出部と、
処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡しを行うインターフェイス部とを具備し、
前記処理部は、
被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第１の熱的処理ユニットセクションと、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第２の熱的処理ユニットセクションと、
前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第３の熱的処理ユニットセクションと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第１の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記レジスト処理ユニットへ搬送する第１の搬送装置と、
前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第２の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記インターフェイス部へ搬送する第２の搬送装置と、
前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第３の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第３の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記搬入出部へ搬送する第３の搬送装置と
を有し、
前記処理部における前記洗浄処理ユニット、前記レジスト処理ユニット、前記現像処理ユニット、および前記複数の熱的処理ユニットセクションは、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に２列に配置され、
前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこれら２列の間に配置され、被処理基板は、前記搬入出部から前記処理部へ搬入された後、前記列の一方に沿って、前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト処理ユニットを経て前記インターフェイス部に至り、露光装置による露光後、前記インターフェイス部から前記列の他方に沿って前記現像処理ユニットを経て前記搬入出部へ至ることを特徴とする処理装置。
【請求項５】
前記第１、第２および第３の熱的処理ユニットセクションは、それぞれ、第１、第２および第３の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニットブロックを有することを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
前記搬出入部と前記処理部との受け渡しは、前記第３の搬送装置により行われることを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）ガラス基板等の被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造においては、被処理基板であるＬＣＤガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成する。
【０００３】
このフォトリソグラフィー技術では、被処理基板であるＬＣＤ基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
【０００４】
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。このような処理システムは、基本的にランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近時、ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものまで出現するに至り、上述のような平面的な配置を有する処理システムではフットプリントが極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点からフットプリントの縮小が強く求められている。
【０００６】
フットプリントを小さくするためには、処理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現行の処理システムにおいては、スループット向上の観点から搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ高精度に移動させることには自ずから限界がある。また、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化しており、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困難である。
【０００７】
フットプリントを小さくする他の手段としては、中央搬送装置を用いずに処理の順に処理ユニットを配置することが考えられるが、この場合には全体のフットプリントは小さくなるものの、ユニットを搬送順にシリアルに配置するため、装置長が長くなってしまうという問題がある。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、装置構成上の問題を伴うことなく、高いスループットと小さいフットプリントを兼備することができ、しかも装置長を比較的短くすることができる、複数の処理ユニットを備えた処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決する手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる複数の液処理ユニットと、前記複数の液処理ユニットのそれぞれに対応して設けられ、対応する液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた複数の熱的処理ユニットセクションと、前記各液処理ユニットから搬出された被処理基板を対応する熱的処理ユニットセクションへ搬送する複数の搬送装置とを具備し、前記複数の液処理ユニットおよび複数の熱的処理ユニットセクションは、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に２列に配置され、前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこれら２列の間に配置されていることを特徴とする処理装置を提供する。
【００１０】
また、本発明の第２の観点では、被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板が収納される収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入出部とを具備し、前記処理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる複数の液処理ユニットと、前記複数の液処理ユニットのそれぞれに対応して設けられ、対応する液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた複数の熱的処理ユニットセクションと、前記各液処理ユニットから搬出された被処理基板を対応する熱的処理ユニットセクションへ搬送する複数の搬送装置とを有し、前記複数の液処理ユニットおよび複数の熱的処理ユニットセクションは、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に２列に配置され、前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこれら２列の間に配置され、被処理基板は前記搬入出部から前記処理部へ搬入された後、前記２列の一方に沿って搬送され、Ｕターンした後に前記２列の他方に沿って搬送されて前記搬入出部へ搬出されることを特徴とする処理装置を提供する。
【００１１】
この場合に、前記複数の熱的処理ユニットセクションは、それぞれに対応する搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニットブロックを有することが好ましい。
【００１２】
本発明の第３の観点では、被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入出部と、処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡しを行うインターフェイス部とを具備し、前記処理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第１の熱的処理ユニットセクションと、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第２の熱的処理ユニットセクションと、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第３の熱的処理ユニットセクションと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第１の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記レジスト処理ユニットへ搬送する第１の搬送装置と、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第２の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記インターフェイス部へ搬送する第２の搬送装置と、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第３の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第３の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記搬入出部へ搬送する第３の搬送装置とを有し、前記処理部における前記洗浄処理ユニット、前記レジスト処理ユニット、前記現像処理ユニット、および前記複数の熱的処理ユニットセクションは、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に２列に配置され、前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこれら２列の間に配置され、被処理基板は、前記搬入出部から前記処理部へ搬入された後、前記列の一方に沿って、前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト処理ユニットを経て前記インターフェイス部に至り、露光装置による露光後、前記インターフェイス部から前記列の他方に沿って前記現像処理ユニットを経て前記搬入出部へ至ることを特徴とする処理装置を提供する。
【００１３】
この処理装置において、前記第１、第２および第３の熱的処理ユニットセクションは、それぞれ、第１、第２および第３の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニットブロックを有することが好ましい。また、前記搬出入部と前記処理部との受け渡しは、前記第３の搬送装置により行うことができる。
【００１４】
本発明によれば、洗浄処理、レジスト処理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して設け、複数の液処理ユニットおよび複数の熱的処理ユニットセクションを、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に２列に配置し、これらの列に沿って被処理基板を流しながら一連の処理を行うようにしたので、高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができフットプリントを小さくすることができる。また、複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部を上記２列の間に配置したので、その分処理装置の長さを短くすることができる。さらに、上述のように処理ユニットを所定間隔をおいて実質的に２列に配置したので、これら列の間の空間をメンテナンススペースとして利用することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。
【００１６】
このレジスト塗布現像処理装置１００は、複数のＬＣＤガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００１７】
カセットステーション１は、カセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００１８】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に沿って伸びる平行な２列のライン２ａ，２ｂを有しており、一方のライン２ａ側にカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびレジスト処理ユニット２３が配列され、他方のライン２ｂのインターフェイスステーション３側には現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４が設けられている。また、上記ライン２ａにおけるスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびレジスト処理ユニット２３の間の部分には第１の熱的処理ユニットセクション２６が設けられ、ライン２ａおよび２ｂのインターフェイスステーション３に隣接する部分には第２の熱的処理ユニットセクション２７が設けられ、ライン２ｂのカセットステーション１側の部分には第３の熱的処理ユニットセクション２８が設けられている。さらに、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられ、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の下流側に隣接してｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５が設けられている。ライン２ａおよび２ｂは所定間隔をおいて設けられており、その間には空間２０が形成されている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラブ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するためのものであり、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うためのものである。
【００１９】
上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。このスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われる。
【００２０】
上記現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、その中で基板Ｇが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４においても、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われる。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００２１】
レジスト処理ユニット２３は、図２のその内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをスピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、およびステージ５４に載置された基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイドレール５５にガイドされて移動する一対のサブアーム５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられている。そして、ガイドレール５５は搬出口５８から外側に延びておりサブアーム５６により基板Ｇの搬出が可能となっている。なお、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、後述する第１の搬送装置３３により行われる。
【００２２】
第１の熱的処理ユニットセクション２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有している。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は空間２０内に設けられている。そして、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１とレジスト処理ユニット２３との間に第１の搬送装置３３が設けられている。
【００２３】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された３つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５，３６を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ブロック（ＴＢ）３６はインターフェイスステーション３に隣接して空間２０内に設けられている。そして、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送装置３７が設けられている。
【００２４】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８，３９を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３９は空間２０のカセットステーション１側端部に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８，３９の間に第３の搬送装置４０が設けられている。
【００２５】
これら第１から第３の熱的処理ユニットセクション２６〜２８における各熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）は図３に示すように構成されている。すなわち、第１の熱的処理ユニットセクション２６の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、図３の（ａ）に示すように、下から順に基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６１、基板Ｇの受け渡しを行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）６２、脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６３、基板Ｇに対して疎水化処理（アドヒージョン処理）を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段積層して構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、図３の（ｂ）に示すように、下から順に基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６５，６６、およびアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６７が３段積層して構成されている。また、第２の熱的処理ユニットセクション２７の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、図３の（ｃ）に示すように、下から順に基板Ｇに対してプリベーク処理を施すプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）６８、エクステンションユニット（ＥＸＴ）６９、２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１が４段積層して構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、図３の（ｄ）に示すように、クーリングユニット（ＣＯＬ）７２、エクステンションユニット（ＥＸＴ）７３、２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７４，７５が４段積層して構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３６は、図３の（ｅ）に示すように、基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行う２つのエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６，７７が２段積層して構成されている。第３の熱的処理ユニットセクション２８の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、図３の（ｆ）に示すように、下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）７８、エクステンションユニット（ＥＸＴ）７９、基板に対してポストベーク処理を施す２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８０，８１が４段積層して構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３９は、図３の（ｇ）に示すように、４つのポストベーク処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８２，８３，８４，８５が４段積層して構成されている。
【００２６】
上記第１の搬送装置３３は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１および３２の各ユニットおよびレジスト処理ユニット２３にアクセス可能に構成されており、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１から搬出されてエクステンションユニット（ＥＸＴ）６２に受け渡された基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２に属する熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２７】
第２の搬送装置３７は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５，３６の各ユニットにアクセス可能に構成されており、レジスト処理ユニット２３から搬出されてエクステンションユニット（ＥＸＴ）７３に受け渡された基板Ｇの受け取り、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５，３６に属するユニット間の基板Ｇの搬入出、およびエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６または７７への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２８】
第３の搬送装置４０は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８，３９の各ユニットにアクセス可能に構成されており、エクステンションユニット（ＥＸＴ）７９に受け渡された基板Ｇの受け取り、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８，３９に属するユニット間の基板Ｇの搬入出、カセットステーション１の搬送装置１１への基板Ｇの受け渡しおよびカセットステーション１の搬送装置１１からの基板Ｇの受け取り、さらにはスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２への基板Ｇの搬入を行う。
【００２９】
上記第１から第３の搬送装置３３，３７，４０はいずれも、図４に示す構造を有している。すなわち、これら搬送装置は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモーター９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９７によって行われる。これら搬送装置はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、各ユニットにアクセス可能である。
【００３０】
なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１内の基板Ｇは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６２に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第１の搬送装置３３により搬送される。また、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、上述したように第１の搬送装置３３により直接行われるが、レジスト処理ユニット２３から基板Ｇを搬出する際には、サブアーム５６により基板Ｇが搬出口５８を通って熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６９まで搬送され、そこで突出されたピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの搬入は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のエクステンションユニット（ＥＸＴ）７３において図示しないピンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させることにより、エクステンションユニット（ＥＸＴ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の基板Ｇは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のエクステンションユニット（ＥＸＴ）７９に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第３の搬送装置４０により搬送される。
【００３１】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間での間で基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００３２】
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２の第３の搬送装置４０に受け渡され、この第３の搬送装置４０によりエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、第３の搬送装置４０により、基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラブ洗浄処理ユニットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６２に搬出される。
【００３３】
エクステンションユニット（ＥＸＴ）６２に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６により以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６１，６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６５，６６のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６７のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯＬ）６５，６６のいずれかに搬送されて冷却される。この際の搬送処理は全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もある。
【００３４】
その後、基板Ｇは第１の搬送装置３３によりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａで基板Ｇに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム５６により減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム５６により周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Ｇはサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。
【００３５】
このようにして塗布処理が終了し、サブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６９に受け渡される。エクステンションユニット（ＥＸＴ）６９に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３７により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）６８，７０，７１および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７４，７５のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７２またはエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６，７７に搬送されて所定温度に冷却される。
【００３６】
その後、基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）７２で冷却された場合には第２の搬送装置３７によりエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６，７７に搬送された後、エクステンションクーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６，７７で冷却された場合にはそのまま、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００３７】
露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５下段の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、再び処理ステーション２に搬入される。すなわち、基板Ｇは搬送装置４２により第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３６のエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７６，７７のいずれかに搬送された後、第２の搬送装置３７により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のエクステンションユニット（ＥＸＴ）７３に搬送される。そして、エクステンションユニット（ＥＸＴ）７３においてピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４からエクステンションユニット（ＥＸＴ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
【００３８】
現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内で搬送され、かつその外へ延長する搬送機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のエクステンションユニット（ＥＸＴ）７９に搬出される。
【００３９】
エクステンションユニット（ＥＸＴ）７９に配置された基板Ｇは、第３の搬送装置４０により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８０，８１および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３９のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８２，８３，８４，８５のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のクーリングユニット（ＣＯＬ）７８に搬送されて所定温度に冷却された後、第３の搬送装置４０によりカセットステーション１の搬送装置１１に受け渡され、搬送装置１１によりカセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００４０】
以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４をその中で基板Ｇが略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ごとに、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第１から第３の熱的処理ユニットセクション２６，２７，２８を設け、さらにこれらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ならびに熱的処理ユニットセクション２６，２７，２８を、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に２列のライン２ａ，２ｂに配置し、これらのライン２ａ，２ｂに沿って基板Ｇを流しながら一連の処理を行うようにしたので、高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができフットプリントを小さくすることができる。また、熱的処理ユニットブロック３２，３６，３９をライン２ａ，２ｂの間の空間２０に配置したので、熱的処理ユニットの一部がライン２ａ，２ｂ上ではなく空間２０に配置されたこととなり、その分装置全体の長さを短くすることができる。また、このような空間２０をメンテナンススペースとして利用することができる。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇを回転させずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し方式であるので、従来基板Ｇを回転させる際に多く発生していたミストを減少させることが可能となる。
【００４１】
また、第１から第３の熱的処理ユニットセクション２６，２７，２８を熱的処理ユニットを複数段積層した熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）で構成したので、その分さらにフットプリントを小さくすることができるとともに、熱的処理を基板Ｇの搬送を極力少なくして基板Ｇの処理の流れに沿って行うことができるようになるので、よりスループットを高めることができる。また、各熱的処理ユニットセクションにそれぞれ対応して各熱的処理ユニットセクション専用の第１から第３の搬送装置３３，３７，４０を設けたので、このことによってもスループットを高くすることができる。
【００４２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに限るものではない。また、処理に関しても上記のようにレジスト塗布現像処理装置による処理に限られるものではなく、液処理と熱的処理を行う他の装置に適用することも可能である。さらに被処理基板としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これに限らずカラーフィルター等の他の被処理基板の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもない。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、所定の液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して設け、複数の液処理ユニットおよび複数の熱的処理ユニットセクションを、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に２列に配置し、これらの列に沿って被処理基板を流しながら一連の処理を行うようにしたので、高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができフットプリントを小さくすることができる。また、複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部を上記２列の間に配置したので、その分処理装置の長さを短くすることができる。さらに、上述のように処理ユニットを所定間隔をおいて実質的に２列に配置したので、これら列の間の空間をメンテナンススペースとして利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部を示す平面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の各熱的処理ユニットブロックの構成を説明するための模式図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いられる第１から第３の搬送装置の構造を説明するための模式図。
【符号の説明】
１……カセットステーション
２……処理ステーション
３……インターフェイスステーション
２０……空間
２１……スクラブ洗浄処理ユニット（液処理ユニット）
２３……レジスト処理ユニット（液処理ユニット）
２４……現像処理ユニット（液処理ユニット）
２６……第１の熱的処理ユニットセクション
２７……第２の熱的処理ユニットセクション
２８……第３の熱的処理ユニットセクション
３１，３２，３４，３５，３６，３８，３９……熱的処理ユニットブロック
３３……第１の搬送装置
３７……第２の搬送装置
４０……第３の搬送装置
１００……レジスト塗布現像処理装置（処理装置）
Ｇ……ＬＣＤガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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