(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に、一端側が筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成る同軸コネクタの前記中心導体に電気的に接続される線路導体および該線路導体の両側に形成された同一面接地導体が設けられており、該同一面接地導体は、前記一端側に所定長さで前記線路導体に略平行に形成された広間隔部および該広間隔部から漸次前記線路導体に近づくように形成された傾斜部が設けられ、かつ該傾斜部から他端側に略所定間隔をもって形成された狭間隔部が設けられており、前記中心導体の先端が前記広間隔部と前記傾斜部との接点に位置しており、前記中心導体と前記線路導体とを接続する導電性接着剤のメニスカスが前記線路導体上の前記傾斜部に相当する部位にかけて位置していることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
上側主面に半導体素子を載置するための載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔から成る前記同軸コネクタの取着部が設けられた枠体と、前記取着部に嵌着された前記同軸コネクタとを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記枠体の前記貫通孔の下方の部位に請求項１に記載の回路基板を上面に設置した棚部が設けられていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
上側主面に半導体素子を載置するための載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔または切欠き部から成る同軸コネクタの保持部材の取付部が設けられた枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成り、前記取付部に嵌着された同軸コネクタとを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記保持部材は、前記枠体外側より前記同軸コネクタが挿着されるように前記枠体内側にかけて貫通孔が形成され、前記枠体内側の前記貫通孔の下方の部位に回路基板を上面に設置した棚部が設けられ、前記回路基板は、その上面に一端側が前記中心導体に他端側が前記半導体素子にそれぞれ電気的に接続される線路導体および該線路導体の両側に形成された同一面接地導体が設けられており、該同一面接地導体は、前記一端側に前記回路基板の端から所定長さで前記線路導体に略平行に形成された広間隔部および該広間隔部から漸次前記線路導体に近づくように形成された傾斜部が設けられ、かつ該傾斜部から前記他端側に略所定間隔をもって形成された狭間隔部が設けられており、前記中心導体の先端が前記線路導体上の前記傾斜部に相当する部位に位置していることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項２または請求項３記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記同軸コネクタに前記線路導体を介して電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、信号入出力部に同軸コネクタを用いた半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信分野で用いられる半導体素子や、マイクロ波帯，ミリ波帯等の高周波信号で駆動する各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージという）には、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に接続するための入出力端子として同軸コネクタが用いられている。この同軸コネクタを具備した半導体パッケージを図４に断面図で示す。同図において、２１は基体、２２は枠体、２３は同軸コネクタ、２４は蓋体、２６は回路基板である。
【０００３】
基体２１は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）等の金属から成る略四角形の板状体であり、その上側主面の略中央部には、ＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子２５を搭載して成る回路基板２６を載置する載置部２１ａが形成されている。載置部２１ａには、半導体素子２５が、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）質セラミックス等から成る回路基板２６に搭載された状態で載置固定される。
【０００４】
なお、回路基板２６に搭載された半導体素子２５は、その電極が、回路基板２６に被着形成されている線路導体２６ａにボンディングワイヤ２７等を介して電気的に接続されている。
【０００５】
基体２１の上側主面の外周部には載置部２１ａを囲繞するようにして枠体２２が立設されており、枠体２２は基体２１とともにその内側に半導体素子２５を収容する空所を形成する。この枠体２２は基体２１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体２１と一体成形される、または基体２１に銀ろう等のろう材を介してろう付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって基体２１の上側主面外周部に立設される。
【０００６】
枠体２２の側部には同軸コネクタ２３が嵌着される貫通孔２２ｂが形成されており、貫通孔２２ｂ内に同軸コネクタ２３を嵌め込むとともに半田等の封着材２８を貫通孔２２ｂ内の隙間に挿入し、しかる後、加熱して封着材２８を溶融させ、溶融した封着材２８を毛細管現象により同軸コネクタ２３と貫通孔２２ｂの内面との隙間に充填させることによって、同軸コネクタ２３が貫通孔２２ｂ内に封着材２８を介して嵌着接合される。
【０００７】
同軸コネクタ２３は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体２３ａの中心軸部分に、信号線路としてＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る棒状の中心導体２３ｂが絶縁体２３ｃを介して固定されて成る。そして、接地導体としての外周導体２３ａが封着材２８を介して枠体２２に電気的に接続されており、特性インピーダンスに整合された同軸線路モードの信号線路を形成している。また、中心導体２３ｂが半田等から成る導電性接着材２６ｂを介して回路基板２６の線路導体２６ａに電気的に接続される。線路導体２６ａは、所定の特性インピーダンスに整合されたマイクロストリップ線路となっている。
【０００８】
そして、枠体２２の上面に蓋体２４をろう付け法やシームウエルド法等の溶接法によって接合し、基体２１、枠体２２および蓋体２４から成る容器内部に半導体素子２５を収容し気密に封止することによって製品としての半導体装置となる。
【０００９】
なお、図４において、２１ｂは基体２１を外部電気回路基板等にネジ止めするための貫通孔、２２ｃは同軸コネクタプラグ２９を嵌め込むための貫通孔、２９は同軸コネクタプラグ、３０は外部電気回路に接続された同軸ケーブルである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体パッケージでは、同軸コネクタ２３の中心導体２３ｂと回路基板２６の線路導体２６ａとの接続部において、中心導体２３ｂと線路導体２６ａとを導電性接着材２６ｂで接続することによって、線路導体２６ａの表面に中心導体２３ｂが載置されることから、接続部の電気的な容量成分が付加されて容量成分が増加し、接続部において信号線路のインピーダンスが低下していた。即ち、容量成分は線路導体２６ａと回路基板２６下面の接地導体との間で発生しているが、中心導体２３ｂと線路導体２６ａとの接続部ではほぼ中心導体２３ｂの表面積の分だけ容量成分を発生させる対向電極の面積が増大することになり、そのため容量成分が増加することとなる。
【００１１】
その結果、接続部でインピーダンスの整合がとれなくなり、半導体パッケージ内の信号線路の接続部で高周波信号の反射損失が大きくなり、高周波信号を効率よく伝送するのが困難になるという問題があった。
【００１２】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、高周波信号の伝送効率に優れた半導体パッケージを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の回路基板は、上面に、一端側が筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成る同軸コネクタの前記中心導体に電気的に接続される線路導体および該線路導体の両側に形成された同一面接地導体が設けられており、該同一面接地導体は、前記一端側に所定長さで前記線路導体に略平行に形成された広間隔部および該広間隔部から漸次前記線路導体に近づくように形成された傾斜部が設けられ、かつ該傾斜部から他端側に略所定間隔をもって形成された狭間隔部が設けられており、前記中心導体の先端が前記広間隔部と前記傾斜部との接点に位置しており、前記中心導体と前記線路導体とを接続する導電性接着剤のメニスカスが前記線路導体上の前記傾斜部に相当する部位にかけて位置していることを特徴とする。
本発明の半導体パッケージは、上側主面に半導体素子を載置するための載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔から成る前記同軸コネクタの取着部が設けられた枠体と、前記取着部に嵌着された前記同軸コネクタとを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記枠体の前記貫通孔の下方の部位に請求項１に記載の回路基板を上面に設置した棚部が設けられていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子を載置するための載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔または切欠き部から成る同軸コネクタの保持部材の取付部が設けられた枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成り、前記取付部に嵌着された同軸コネクタとを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記保持部材は、前記枠体外側より前記同軸コネクタが挿着されるように前記枠体内側にかけて貫通孔が形成され、前記枠体内側の前記貫通孔の下方の部位に回路基板を上面に設置した棚部が設けられ、前記回路基板は、その上面に一端側が前記中心導体に他端側が前記半導体素子にそれぞれ電気的に接続される線路導体および該線路導体の両側に形成された同一面接地導体が設けられており、該同一面接地導体は、前記一端側に前記回路基板の端から所定長さで前記線路導体に略平行に形成された広間隔部および該広間隔部から漸次前記線路導体に近づくように形成された傾斜部が設けられ、かつ該傾斜部から前記他端側に略所定間隔をもって形成された狭間隔部が設けられており、前記中心導体の先端が前記線路導体上の前記傾斜部に相当する部位に位置していることを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体パッケージによれば、枠体の貫通孔の下方の部位に設けられた棚部の上面または保持部材の枠体内側の棚部の上面に、回路基板が設置されており、回路基板は、その上面に一端側が中心導体に他端側が半導体素子にそれぞれ電気的に接続される線路導体および線路導体の両側に形成された同一面接地導体が設けられており、同一面接地導体は、一端側に回路基板の端から所定長さで線路導体に略平行に形成された広間隔部および広間隔部から漸次線路導体に近づくように形成された傾斜部が設けられ、かつ傾斜部から他端側に略所定間隔をもって形成された狭間隔部が設けられている。
【００１６】
本発明は、以下の特徴的な２つの構成およびそれによる作用効果を有する。１つは、枠体の内面または保持部材の枠体内側に棚部を設け、この棚部上面に回路基板を載置固定した構成であり、これにより、従来のように回路基板を基体上面に載置固定し回路基板上面に半導体素子を載置固定した構成よりも、回路基板を小型化できるため、それに伴い半導体パッケージを大幅に小型化できるという作用効果を有する。
【００１７】
また次の特徴的な構成は、狭間隔部よりも特性インピーダンスを高く設定された広間隔部に中心導体の先端ではない部位（本体部）が位置するようにし、そして広間隔部と狭間隔部との間に狭間隔部の特性インピーダンスに整合するような傾斜部を設け、その傾斜部に相当する線路導体上の部位に半田等の導電性接着剤のメニスカスが位置するようにした構成である。
【００１８】
この構成により以下のような作用効果を奏する。即ち、広間隔部に相当する線路導体の部位に中心導体の本体部を接続した箇所では、中心導体の接続による容量成分の発生によりインピーダンスが低くなり、もともと広間隔部によりインピーダンスを高く設定していたものが特性インピーダンスに近似することになる。
【００１９】
また、傾斜部では、中心導体の先端と線路導体との間に裾野状になった導電性接着剤のメニスカスが形成される。傾斜部では狭間隔部に向かって漸次インピーダンスが低くなっており、裾野状のメニスカス部では狭間隔部に向かって漸次容量成分が低下することによって漸次インピーダンスが高くなっている。従って、傾斜部では、傾斜部によるインピーダンスの漸次低下と、裾野状のメニスカス部によるインピーダンスの漸次増加とが相殺されて、特性インピーダンスに近似した略一定のインピーダンスとなる。
【００２０】
従って、回路基板上の同一面接地導体と同軸コネクタの中心導体とを上記のように構成することにより、中心導体を回路基板の線路導体上に接続させてもインピーダンスの急激な変化を抑制できるため、高周波信号の反射損失が低減し、良好な伝送特性を得ることができる。
【００２１】
さらに本発明において、同軸コネクタの挿着部と回路基板設置用の棚部を同軸コネクタの保持部材に設けて保持部材を枠体に嵌着した場合、保持部材の厚みを枠体に比べ厚くするなどして保持部材の体積を大きくすることによって、半導体パッケージをネジ止め等により外部回路基板等に装着する際に枠体に加わる歪みが保持部材で分散および吸収される。その結果、同軸コネクタと回路基板に不要な応力および歪みが伝わることを防止できる。
【００２２】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記同軸コネクタに前記線路導体を介して電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００２３】
本発明は、この構成により、上記本発明の半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体パッケージを以下に詳細に説明する。図１は本発明の半導体パッケージについて実施の形態の一例を示す断面図であり、１は基体、２は枠体、３は同軸コネクタ、４は蓋体、６は回路基板である。
【００２５】
本発明の基体１はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法、または射出成形と切削加工等を施すことによって、所定の形状に製作される。基体１の上側主面の略中央部には、ＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子５を載置するための載置部１ａが設けられており、載置部１ａには半導体素子５を搭載して成る回路基板６が載置固定される。半導体素子５は、その電極が、回路基板６の上面に被着形成されている線路導体６ａにボンディングワイヤ７等を介して電気的に接続されている。つまり、線路導体６ａは、その一端側が中心導体３ｂに、他端側が半導体素子５にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２６】
また、基体１の上側主面の外周部には載置部１ａを囲繞するようにして枠体２が立設接合されており、枠体２は基体１とともにその内側に半導体素子５を収容する空所を形成する。この枠体２は、基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体１と一体成形される、または基体１に銀（Ａｇ）ろう等のろう材を介してろう付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって基体１の上側主面の外周部に立設される。枠体２の側部には同軸コネクタ３が嵌着される貫通孔２ｂが形成されている。貫通孔２ｂ内に同軸コネクタ３を嵌め込むとともに半田等の封着材８を貫通孔２ｂとの隙間に挿入する。しかる後、加熱して封着材８を溶融させ、溶融した封着材８は毛細管現象により同軸コネクタ３と貫通孔２ｂの内面との隙間に充填されることによって、同軸コネクタ３が貫通孔２ｂ内に封着材８を介して嵌着接合される。
【００２７】
枠体２の内面の貫通孔２ｂの下方の部位に回路基板６を上面に設置する棚部２ａが設けられ、棚部２ａ上面に回路基板６が設置される。回路基板６は半導体素子５と中心導体３ｂとを電気的に接続する線路導体６ａがその上面に形成されており、下面には接地導体層６ｇが形成されている。棚部２ａには半田等の接合材６ｈを載置し、接合材６ｈの上に回路基板６を接地導体層６ｇ側の面（下面）が接合材６ｈ側になるようにして載置する。しかる後、加熱して接合材６ｈを溶融させ、棚部２ａ上面に回路基板６が固定される。
【００２８】
同軸コネクタ３は、内部に収容する半導体素子５を外部の同軸ケーブル１０に電気的に接続するものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体３ａの中心軸に同じくＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る中心導体３ｂが絶縁体３ｃを介して固定された構造をしている。
【００２９】
中心導体３ｂを伝送される高周波信号は、貫通孔２ｂ，２ｃ部において貫通孔２ｂ，２ｃの中心軸を同軸線路のモードで伝送され、特性インピーダンス値に整合されている。中心導体３ｂが枠体２の内面から突出して線路導体６ａと半田等の導電性接着材６ｂにより接続された部分以降では、高周波信号は回路基板６の上面に被着形成された線路導体６ａ上を伝送される。
【００３０】
本発明では、中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続部（以下、単に「接続部」といえば線路導体６ａと中心導体３ｂとの接続部をいうこととする）において、図２（ａ）は、中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続部における線路方向に平行な面での部分断面図であり、線路導体６ａと中心導体３ｂとを接続することにより、接続部では信号線路が中心導体３ｂ，線路導体６ａおよび導電性接着材６ｂから成っている。
【００３１】
図２（ｂ）の上面図に示すように、線路導体６ａの両側には同一面接地導体６ｆが設けられており、同一面接地導体６ｆは、一端側に回路基板６の端から所定長さ（０．１〜１ｍｍ程度）で線路導体６ａに略平行に形成された広間隔部６ｃおよび広間隔部６ｃから漸次線路導体６ａに近づくように形成された傾斜部６ｄが設けられ、かつ傾斜部６ｄから他端側に略所定間隔（高周波信号の波長の１／４の整数倍）をもって形成された狭間隔部６ｅが設けられている。
【００３２】
広間隔部６ｃの線路方向の長さが０．１ｍｍ未満では、中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続面積が小さくなるため、強固に接続することが困難になる。そのため、中心導体３ｂが線路導体６ａからはずれ易くなり、高周波信号の伝送効率が劣化し易くなる。広間隔部６ｃの線路方向の長さが１ｍｍを超える場合、中心導体３ｂと線路導体６ａとが接続される部位が長くなるのに伴い、枠体２内側に向かって高周波信号が放射され易い部位が長くなるため、高周波信号の伝送効率が劣化し易くなる。
【００３３】
これは、狭間隔部６ｅよりも特性インピーダンスを高く設定された広間隔部６ｃに中心導体３ｂの本体部が位置するようにし、そして広間隔部６ｃと狭間隔部６ｅとの間に狭間隔部６ｅの特性インピーダンスに整合するような傾斜部６ｄを設け、その傾斜部６ｄに相当する線路導体６ａ上の部位に半田等の導電性接着剤のメニスカスが位置するようにした構成である。
【００３４】
即ち、広間隔部６ｃに相当する線路導体６ａの部位に中心導体３ｂの本体部を接続した箇所では、中心導体３ｂの接続による容量成分の発生によりインピーダンスが低くなり、もともと広間隔部６ｃによりインピーダンスを高く設定していたものが特性インピーダンスに近似することになる。
【００３５】
また、傾斜部６ｄでは、中心導体３ｂの先端と線路導体６ａとの間に裾野状になった導電性接着剤６ｂのメニスカスが形成される。傾斜部６ｄでは狭間隔部６ｅに向かって漸次インピーダンスが低くなっており、裾野状のメニスカス部では狭間隔部６ｅに向かって漸次容量成分が低下することによって漸次インピーダンスが高くなっている。従って、傾斜部６ｄでは、傾斜部６ｅによるインピーダンスの漸次低下と、裾野状のメニスカス部によるインピーダンスの漸次増加とが相殺されて、特性インピーダンスに近似した略一定のインピーダンスとなる。
【００３６】
従って、回路基板６上の同一面接地導体６ｆと同軸コネクタ３の中心導体３ｂとを上記のように構成することにより、中心導体３ｂを回路基板６の線路導体６ａ上に接続させてもインピーダンスの急激な変化を抑制できるため、高周波信号の反射損失が低減し、良好な伝送特性を得ることができる。
【００３７】
また、図２において傾斜部６ｄの線路方向での長さをＬとしたとき、Ｌは０．１ｍｍ≦Ｌ≦２ｍｍとするのが好ましい。Ｌ＜０．１ｍｍの場合、傾斜部６ｄの長さが短かすぎるため、中心導体３ｂの先端のメニスカス部の位置が前後した場合、メニスカス部が広間隔部６ｃ側や狭間隔部６ｅ側に入り込み易くなり、信号線路のインピーダンスを特性インピーダンスに近い値とすることが困難となり、接続部での高周波信号の反射損失を低減することが難しくなる。Ｌ＞２ｍｍの場合、導電性接着剤６ｂのメニスカス部の大きさに比して傾斜部６ｄが長すぎるため、裾野状のメニスカス部が狭間隔部６ｅ側に略到達せずに傾斜部６ｄの途中までにしか形成されない。そのため、線路導体６ａの傾斜部６ｄに相当する部位でメニスカス部のない部位において、インピーダンスが特性インピーダンスよりも大きくなり、高周波信号の反射損失が大きくなる。
【００３８】
なお、傾斜部６ｄの接続部では、導電性接着剤６ｂの量を適宜調整することにより裾野状のメニスカス部の線路方向での長さを調整でき、それによって信号線路のインピーダンスを微妙に調整して特性インピーダンスに高精度に整合させることもできる。また、傾斜部６ｄの中で中心導体３ｂの先端の位置を線路方向に前後させて信号線路のインピーダンスを微妙に調整して特性インピーダンスに高精度に整合させることもできる。このようにして、半導体パッケージ内において、反射損失や透過損失等の伝送損失の小さい良好な伝送特性の信号線路が形成される。
【００３９】
本発明の回路基板において、中心導体３ｂの先端は広間隔部６ｃと傾斜部６ｄとの接点に位置しており、線路導体６ａ上の中心導体３ｂの先端に形成されるメニスカス部は、線路導体６ａの傾斜部６ｄの始点に相当する位置（広間隔部６ｃと傾斜部６ｄとの接点に相当する位置）から、好ましくは、終点に相当する位置（傾斜部６ｄと狭間隔部６ｅとの接点に相当する位置）にかけて形成されていることが良く、インピーダンスの変化をほとんど発生させないものとなる。
【００４０】
なお、枠体２の貫通孔２ｃ内に挿入固定される同軸コネクタプラグ９は、外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０と枠体２に嵌着された同軸コネクタ３とを接続するためのプラグである。
【００４１】
そして、本発明の半導体パッケージは、半導体素子５の電極と回路基板６の上面に形成された線路導体６ａとを電気的に接続し、線路導体６ａと中心導体３ｂとを導電性接着材６ｂを介して電気的に接続し、しかる後、枠体２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体４を半田付け法やシームウエルド法により接合することにより製品としての半導体装置となる。この半導体装置は、基体１の対向する端部に設けられた貫通孔１ｂをネジ止めすることで外部電気回路基板に実装され、同軸コネクタプラグ９と外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０とを接続することにより、内部に収容する半導体素子５が外部電気回路に電気的に接続され、半導体素子５が高周波信号で作動することとなる。
【００４２】
次に、図３は本発明の半導体パッケージについて実施の形態の他の例を示す断面図であり、１は基体、２は枠体、３は同軸コネクタ、４は蓋体、６は回路基板、１１は保持部材である。図３のように、保持部材１１に設けられた、枠体２内外を貫通する貫通孔１１ｂに、同軸コネクタ３を外側より挿着し、保持部材１１を枠体２に嵌着させる。
【００４３】
枠体２の側面には保持部材１１が嵌着される取付部２ｄが形成されている。取付部２ｄは、枠体２内外を貫通する貫通孔であったり、枠体２の基体１との接合面側から逆Ｕ字型に切り欠いて枠体２内外を貫通する切欠き部であったり、枠体２の蓋体４との接合面側からＵ字型に切り欠いて枠体２内外を貫通する切欠き部であれば良い。
【００４４】
保持部材１１には、回路基板６を上面に設置するための棚部１１ａと、同軸コネクタ３を挿着するための貫通孔１１ｂが設けられている。棚部１１ａには半田等の接合材６ｈを載置し、接合材６ｈの上に線路導体６ａと接地導体層６ｇとを具備した回路基板６を、接地導体層６ｇ側の面（下面）が接合材６ｈ側になるようにして設置する。貫通孔１１ｂは枠体２外側より同軸コネクタ３が挿着されるように枠体２内側にかけて形成され、貫通孔１１ｂ内には同軸コネクタ３を嵌め込むとともに半田等の封着材８を貫通孔１１ｂとの隙間に挿入する。中心導体３ｂの先端部は、線路導体６ａの上面の傾斜部６ｄの部位に半田等の導電性接着剤６ｂを介して載置される。
【００４５】
しかる後、加熱して接合材６ｈと封着材８および導電性接着剤６ｂを溶融させ、接合材６ｈにより回路基板６が棚部１１ａに強固に固定され、溶融した封着材８は毛細管現象により外周導体３ａと貫通孔１１ｂの内面との隙間に充填されることによって、外周導体３ａが貫通孔１１ｂ内に半田等の封着材８を介して挿着され、導電性接着剤６ｂにより中心導体３ｂと線路導体６ａとが接続される。
【００４６】
中心導体３ｂを伝送される高周波信号は、貫通孔１１ｂ，１１ｃ部において貫通孔１１ｂ，１１ｃの中心軸を伝送されることにより同軸線路を伝送され、保持部材１１の枠体２内側の面から出て線路導体６ａおよび導電性接着剤６ｂに達した後は、線路導体６ａ上を伝送される。この同軸線路と線路導体６ａは、所定の特性インピーダンス値に整合されている。導電性接着剤６ｂによる接続部において、上述したように中心導体３ｂの先端の位置、線路導体６ａの位置、および導電性接着剤６ｂの量により、信号線路のインピーダンスが所望の値に設定される。このようにして、半導体パッケージ内において、反射損失や透過損失等の伝送損失のない良好な信号線路が形成される。
【００４７】
保持部材１１の貫通孔１１ｃ内に挿入固定される同軸コネクタプラグ９は、外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０と保持部材１１に挿着された同軸コネクタ３とを接続するためのプラグであり、その外周面はネジ状となっており、内周面にねじ切りを有する貫通孔１１ｃにネジ止めされる。
【００４８】
そして、本発明の半導体パッケージは、半導体素子５の電極と回路基板６の上面に被着された線路導体６ａとをボンディングワイヤ７により電気的に接続し、しかる後、枠体２の上面に鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る蓋体４を半田付け法やシームウエルド法により接合することにより製品としての半導体装置となる。この半導体装置は、基体１が外部電気回路基板に実装され、同軸コネクタプラグ９と外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０とを接続することにより、内部に収容する半導体素子５が外部電気回路に電気的に接続され、半導体素子５が高周波信号で作動することとなる。
【００４９】
この構成において、同軸コネクタ３および回路基板６が保持部材１１に保持されて、その保持部材１１が枠体２に嵌着されて取り付けられる。基体１の端部を貫通孔１ｂを通してネジ止め等することによって半導体パッケージを外部回路基板等に装着する際、枠体２に歪みが発生した場合においても、枠体２から同軸コネクタ３および回路基板６に伝わろうとする歪みは、保持部材１１において分散および吸収される。従って、同軸コネクタ３および回路基板６に加わる応力や歪みを小さくすることができ、絶縁体３ｃと回路基板６にクラックが発生するのを防止できる。保持部材１１で歪みを有効に分散させるためには、つまり単位体積当たりの変形を小さくさせかつ歪みを吸収させるためには、保持部材１１の体積が大きいのがよく、保持部材１１の厚みを枠体２より肉厚にするなどして体積を大きくする。
【００５０】
本発明における高周波信号の好ましい周波数は５〜１００ＧＨｚ程度であり、この場合に高周波信号の伝送特性を良好なものとすることができる。
【００５１】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【００５２】
【発明の効果】
本発明は、枠体の貫通孔の下方の部位に設けられた棚部の上面または保持部材の枠体内側の棚部の上面に、回路基板が設置されており、回路基板は、その上面に一端側が中心導体に他端側が半導体素子にそれぞれ電気的に接続される線路導体および線路導体の両側に形成された同一面接地導体が設けられており、同一面接地導体は、一端側に回路基板の端から所定長さで線路導体に略平行に形成された広間隔部および広間隔部から漸次線路導体に近づくように形成された傾斜部が設けられ、かつ傾斜部から他端側に略所定間隔をもって形成された狭間隔部が設けられている。
【００５３】
本発明は、枠体の内面または保持部材の枠体内側に棚部を設け、この棚部上面に回路基板を載置固定したことにより、従来のように回路基板を基体上面に載置固定し回路基板上面に半導体素子を載置固定した構成よりも、回路基板を小型化できるため、それに伴い半導体パッケージを大幅に小型化できるという作用効果を有する。
【００５４】
また、狭間隔部よりも特性インピーダンスを高く設定された広間隔部に中心導体の先端ではない部位（本体部）が位置するようにし、そして広間隔部と狭間隔部との間に狭間隔部の特性インピーダンスに整合するような傾斜部を設け、その傾斜部に相当する線路導体上の部位に半田等の導電性接着剤のメニスカスが位置するようにした構成により、以下のような作用効果を奏する。
【００５５】
即ち、広間隔部に相当する線路導体の部位に中心導体の本体部を接続した箇所では、中心導体の接続による容量成分の発生によりインピーダンスが低くなり、もともと広間隔部によりインピーダンスを高く設定していたものが特性インピーダンスに近似することになる。また傾斜部では、中心導体の先端と線路導体との間に裾野状になった導電性接着剤のメニスカスが形成される。傾斜部では狭間隔部に向かって漸次インピーダンスが低くなっており、裾野状のメニスカス部では狭間隔部に向かって漸次容量成分が低下することよって漸次インピーダンスが高くなっている。従って、傾斜部では、傾斜部によるインピーダンスの漸次低下と、裾野状のメニスカス部によるインピーダンスの漸次増加とが相殺されて、特性インピーダンスに近似した略一定のインピーダンスとなる。
【００５６】
従って、回路基板上の同一面接地導体と同軸コネクタの中心導体とを上記のように構成することにより、中心導体を回路基板の線路導体上に接続させてもインピーダンスの急激な変化を抑制できるため、高周波信号の反射損失が低減し、良好な伝送特性を得ることができる。
【００５７】
さらに本発明は、同軸コネクタの挿着部と回路基板設置用の棚部を同軸コネクタの保持部材に設けて保持部材を枠体に嵌着した場合、保持部材の厚みを枠体に比べ厚くするなどして保持部材の体積を大きくすることによって、半導体パッケージをネジ止め等により外部回路基板等に装着する際に枠体に加わる歪みが保持部材で分散および吸収される。その結果、同軸コネクタと回路基板に不要な応力および歪みが伝わることを防止できる。
【００５８】
また本発明は、同軸コネクタの保持部材は、枠体外側より同軸コネクタが挿着されるように枠体内側にかけて貫通孔が形成され、枠体内側の貫通孔の下方の部位に棚部が設けられ、かつ棚部の上面に半導体素子と中心導体とを電気的に接続する線路導体が上面に形成された回路基板が設置されており、基体をネジ止め等によって外部回路基板等に固定する際、枠体に歪みが発生した場合においても、枠体から同軸コネクタおよび回路基板に伝わろうとする歪みは、保持部材において分散および吸収され、同軸コネクタの絶縁体と回路基板にクラックが発生するのを防止できる。その結果、同軸コネクタの絶縁体にクラックが発生するのを防止して半導体パッケージの気密の信頼性を向上するとともに、同軸コネクタの中心導体を伝送する高周波信号の伝送特性を向上することができ、回路基板にクラックが発生するのを防止して線路導体の断線を防止し高周波信号の伝送特性を向上させ得る。
【００５９】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定されて同軸コネクタに線路導体を介して電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことにより、上記本発明の作用効果を有する半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の例を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体パッケージ内に収容された回路基板を示し、（ａ）は線路方向に平行な面における回路基板の部分断面図であり、（ｂ）は回路基板の上面図である。
【図３】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図４】従来の半導体パッケージの断面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
２ａ，１１ａ：棚部
２ｂ，１１ｂ：貫通孔
２ｄ：取付部
３：同軸コネクタ
３ａ：外周導体
３ｂ：中心導体
３ｃ：絶縁体
５：半導体素子
６：回路基板
６ａ：線路導体
６ｃ：広間隔部
６ｄ：傾斜部
６ｅ：狭間隔部
６ｆ：同一面接地導体
１１：保持部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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