(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極層上に磁気抵抗効果積層膜を成膜し、該成膜した磁気抵抗効果積層膜に対してトラック幅を規定するパターニングを行うと共に該パターニングした磁気抵抗効果積層膜のトラック幅方向の両側に少なくとも第１の絶縁層を含む層を形成し、該パターニングした磁気抵抗効果積層膜及び前記少なくとも第１の絶縁層を含む層上に第１の付加上部金属層を成膜し、該第１の付加上部金属層及び該磁気抵抗効果積層膜に対してトラック幅と垂直方向の長さを規定するパターニングを行って磁気抵抗効果積層体を得ると共に、前記磁気抵抗効果積層膜のトラック幅と垂直方向の長さを規定するパターニング用のマスクを用いたリフトオフ処理によって、該第１の付加上部金属層及び該磁気抵抗効果積層体の周囲に第２の絶縁層を形成し、エッチングにより前記磁気抵抗効果積層体上の前記第１の付加上部金属層上に形成された前記第２の絶縁層を除去した後、該第１の付加上部金属層及び前記第２の絶縁層上に第２の付加上部金属層を形成し、該第２の付加上部金属層上に上部電極層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１の絶縁層及び前記少なくとも第１の絶縁層を含む層が、前記磁気抵抗効果積層膜のトラック幅を規定するパターニング用のマスクを用いたリフトオフ処理によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記磁気抵抗効果積層体が、トンネル磁気抵抗効果積層体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果積層体が、垂直方向電流通過型巨大磁気抵抗効果積層体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項５】
ウエハ上に多数の薄膜磁気ヘッドを形成し、該ウエハを複数の薄膜磁気ヘッドが列状に並ぶ複数のバーに分離し、該各バーを研磨した後、該各バーを複数の個々の薄膜磁気ヘッドに分離することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体等の磁界強度を信号として読み出しを行う磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の大容量小型化に伴い、高感度かつ高出力の薄膜磁気ヘッドが要求されている。この要求に対応するため、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）読出しヘッド素子を有するＧＭＲヘッドの特性改善が進んでおり、一方では、ＧＭＲヘッドの２倍以上の抵抗変化率が期待できるトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）読出しヘッド素子を有するＴＭＲヘッドの開発も積極的に行われている。
【０００３】
ＴＭＲヘッドと一般的なＧＭＲヘッドとでは、センス電流の流れる方向の違いからヘッド構造が互いに異なっている。一般的なＧＭＲヘッドのように、積層面（膜面）に対して平行にセンス電流を流すヘッド構造をＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｎｅ）構造と呼び、ＴＭＲヘッドのように膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すヘッド構造をＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）構造と呼んでいる。最近は、後者のＣＰＰ構造を有するＧＭＲヘッドの開発が行われている（例えば、特許文献１、２、３、４）。
【０００４】
ＣＰＰ構造は、磁気シールド層そのものを電極として用いることができるため、ＣＩＰ構造における狭リードギャップ化において深刻な問題となっている磁気シールド層と素子との間の短絡（絶縁不良）が本質的に生じない。このため、ＣＰＰ構造は、高記録密度化に非常に有利となっている。
【０００５】
最近のＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドとしては、ＣＩＰ構造のＧＭＲヘッドの場合と同様のスピンバルブ磁性多層膜（スペキュラー型磁性多層膜、デュアルスピンバルブ型磁性多層膜を含む）を有するものも検討されている。
【０００６】
このようなＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドやＴＭＲヘッドを形成する場合、従来は主にリフトオフ法が用いられていた。
【０００７】
図１は、ＴＭＲヘッドをリフトオフ法によって形成する一部工程を示す平面図及びその断面図である。
【０００８】
同図（Ａ１）及び（Ａ２）に示すように、まず、図示しない基板上に形成されたこれも図示しない絶縁層上に、下部電極兼下部磁気シールド層１０を成膜し、さらにその上にＭＲ多層膜１１″を構成する下部金属層１２″、下部強磁性層（ピン層及びピンド層）１３″、トンネルバリア層１４″、上部強磁性層（フリー層）１５″及び上部金属層１６″を順次成膜する。
【０００９】
次いで、その上に２層のフォトレジストパターンを形成し、イオンミリングによってＭＲ多層膜１１″をパターニングしてＭＲ積層膜１１′を得た後、その上に絶縁層及び硬磁性層（磁気バイアス層）を成膜し、フォトレジストパターンを剥離して、即ち、リフトオフによって同図（Ｂ１）及び（Ｂ２）に示すように絶縁層１７及び硬磁性層１８を得る。
【００１０】
その後、その上に２層のフォトレジストパターンを形成し、イオンミリングによってＭＲ多層膜１１′をさらにパターニングして下部金属層１２、下部強磁性層（ピン層及びピンド層）１３、トンネルバリア層１４、上部強磁性層（フリー層）１５及び上部金属層１６からなるＭＲ積層体１１を得た後、その上に絶縁層をスパッタリングで成膜し、フォトレジストパターンを剥離して、即ち、リフトオフによって同図（Ｃ１）及び（Ｃ２）に示すように絶縁層１９を得る。なお、同図（Ｃ１）は、（Ｃ２）のＣ−Ｃ線断面図であり、（Ｂ２）のＢ−Ｂ線断面図である（Ｂ１）とは異なる方向から見ていることに注意すべきである。
【００１１】
次いで、同図（Ｄ１）及び（Ｄ２）に示すように、その上に付加上部金属層２０及び上部電極兼上部磁気シールド層２１を成膜する。
【００１２】
図２は上述の絶縁層１９のリフトオフ工程を図１の（Ｃ２）のＣ−Ｃ線断面でより詳細に示す断面図である。なお、同図は、ＭＲ積層体のＡＢＳとなる側とは反対側の領域、即ち、ウエハ工程の後で行われるＭＲ積層体の高さ（ＭＲハイト）加工で除去されない領域を示すものである。
【００１３】
同図（Ａ）に示すように、ＭＲ多層膜１１′上の表面酸化膜２２上に２層フォトレジストパターン２３を形成する。
【００１４】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、イオンミリングを行うことによってＭＲ多層膜１１′をパターニングしてＭＲ積層体１１を得る。この場合、２層フォトレジストパターン２３の庇の下であるアンダーカット２４の領域Ａに再付着物２５が形成されてしまう。
【００１５】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、その上から絶縁層１９′をスパッタリングで成膜する。この場合、２層フォトレジストパターン２３のアンダーカット２４の領域に絶縁層の乗り上げ部１９ａが生じる。
【００１６】
その後、同図（Ｄ）に示すように、２層フォトレジストパターン２３を除去してリフトオフを行う。
【００１７】
従来のＴＭＲヘッドにおいては、このようなリフトオフ法が用いられているため、ＭＲ積層体１１のＡＢＳとは反対側の端部において絶縁層１９の乗り上げ部１９ａが生じてしまう。
【００１８】
再付着物２５及び乗り上げ部１９ａは、２層フォトレジストパターン２３のアンダーカット２４の領域Ａの表面酸化膜２２上に形成されるものである。このアンダーカット領域Ａの長さは、２層フォトレジストパターン２３を形成する際に定まるものであり、例えば３０〜６０ｎｍとなっている。この領域Ａの長さを小さくすると、絶縁層１９を成膜し、リフトオフする際にバリが生じ易くなる。従って、このようなバリが生じないようにリフトオフを行うためには、領域Ａの長さが数十ｎｍとなるようにアンダーカット領域Ａを形成しなければならない。この領域には、大気暴露によって形成される酸化膜２２上に上述のごとく再付着物２５及び乗り上げ部１９ａが必然的に形成されてしまう。
【００１９】
【特許文献１】特開平５−２７５７６９号公報
【特許文献２】特開平４−３６０００９号公報
【特許文献３】特開平５−９００２６号公報
【特許文献４】特開平９−１２９４４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
このような乗り上げ部１９ａは、ＭＲハイト加工後に、深刻な問題を発生させる。近年の高記録密度化に伴い、ＭＲハイトのターゲットは１００ｎｍ以下となってきており、この場合、領域Ａ以外の領域が非常に小さくなってしまう。領域Ａは、酸化膜２２、再付着物２５及び乗り上げ部１９ａが存在して高抵抗となっており、電気的に良好な接触を行っているその他の領域（領域Ａ以外の領域）が非常に狭くなる。その結果、直列抵抗成分が増大し、ＭＲ特性の劣化やヘッドの高抵抗化による周波数特性の劣化等の深刻な問題が発生する。
【００２１】
領域Ａにおける乗り上げ部１９ａを除去するためには、図３（Ａ）に示すように、付加上部金属層２０及び上部電極兼上部磁気シールド層２１を成膜する前にドライエッチングを行い、図３（Ｂ）に示すように、絶縁層１９の乗り上げ部１９ａの全てと上部金属層１６の一部とを同時に除去することが考えられる。その後、図３（Ｃ）に示すように、付加上部金属層２０及び上部電極兼上部磁気シールド層２１が成膜される。
【００２２】
このようなドライエッチングで乗り上げ部１９ａを完全に除去するためには、上部金属層１６がある程度（１０ｎｍ）以上の厚みを有することが必要である。しかしながら、上部金属層１６が厚くなると、イオンミリングによりＭＲ多層膜１１′をパターニングする際に狭幅の上部強磁性層（フリー層）１５を形成することが難しくなる。このため、上部金属層１６はできるだけ薄いことが望ましい。即ち、トラック方向の記録密度を高めるべくフリー層幅を狭くするためには上部金属層を薄くする（例えば５ｎｍ以下）必要があり、逆に、絶縁層の乗り上げ部を完全に除去するためには上部金属層を厚くする（例えば１０ｎｍ以上）必要がある。
【００２３】
従って、本発明の目的は、ＭＲハイト後端の再付着や乗り上げを完全に除去でき、しかもフリー層幅を狭くすることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明によれば、下部電極層上にＭＲ積層膜を成膜し、成膜したＭＲ積層膜に対してトラック幅を規定するパターニングを行うと共にパターニングしたＭＲ積層膜のトラック幅方向の両側に少なくとも第１の絶縁層を含む層を形成し、パターニングしたＭＲ積層膜及び少なくとも第１の絶縁層を含む層上に第１の付加上部金属層を成膜し、第１の付加上部金属層及びＭＲ積層膜に対してトラック幅と垂直方向の長さ（ＭＲハイト方向の長さ）を規定するパターニングを行ってＭＲ積層体を得ると共に、このＭＲ積層膜のトラック幅と垂直方向の長さ（ＭＲハイト方向の長さ）を規定するパターニング用のマスクを用いたリフトオフ処理によって、第１の付加上部金属層及びＭＲ積層体の周囲に第２の絶縁層を形成し、エッチング（ドライエッチング、又はドライエッチング及びウェットエッチング）によりＭＲ積層体上の第１の付加上部金属層上に形成された第２の絶縁層を除去した後、第１の付加上部金属層及び第２の絶縁層上に第２の付加上部金属層を形成し、第２の付加上部金属層上に上部電極層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００２５】
第１の絶縁層及び少なくとも第１の絶縁層を含む層が、ＭＲ積層膜のトラック幅を規定するパターニング用のマスクを用いたリフトオフ処理によって形成されることが好ましい。
【００２７】
ＭＲ積層体が、ＴＭＲ積層体か又はＣＰＰ構造のＧＭＲ積層体であることも好ましい。
【００２８】
ウエハ上に多数の薄膜磁気ヘッドを上述の方法で形成し、ウエハを複数の薄膜磁気ヘッドが列状に並ぶ複数のバーに分離し、各バーを研磨した後、各バーを複数の個々の薄膜磁気ヘッドに分離することも好ましい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、上部金属層を薄く成膜しておき、ＭＲ積層体のミリング時にフリー層の幅を狭く形成することができ、しかも、ＭＲハイト後端部における絶縁層の乗り上げ部をＭＲ積層体を削ることなく完全に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図４は本発明の一実施形態としてＴＭＲヘッドのウエハを形成する一部工程を示す平面図及びその断面図である。
【００３４】
同図（Ａ１）及び（Ａ２）に示すように、まず、図示しない基板上に形成されたこれも図示しない絶縁層上に、下部電極兼下部磁気シールド層４０を成膜し、さらにその上にＭＲ多層膜４１″を構成する下部金属層４２″、下部強磁性層（ピン層及びピンド層）４３″、トンネルバリア層４４″、上部強磁性層（フリー層）４５″及び上部金属層４６″を順次成膜する。この場合、上部金属層４６″は、従来の上部金属層より薄くしておく。
【００３５】
次いで、その上に２層のフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジストパターンをマスクとして用いたイオンミリングによって、ＭＲ多層膜４１″に対してトラック幅を規定するパターニングを行うことによりＭＲ積層膜４１′を得る。この場合、上部金属層４６″が薄いので、上部強磁性層（フリー層）４５″の幅を狭くすることが可能となる。次いで、その上に絶縁層及び硬磁性層（磁気バイアス層）を成膜し、フォトレジストパターンを剥離して、即ち、リフトオフすることによって同図（Ｂ１）及び（Ｂ２）に示すように絶縁層４７及び磁気バイアス層４８を得る。
【００３６】
次いで、同図（Ｃ１）及び（Ｃ２）に示すように、スパッタリングによりその上に第１の付加上部金属層４９′を成膜する。このように、第１の付加上部金属層４９′は、ＭＲ多層膜４１″のトラック幅を規定するパターニングの後工程で成膜される。
【００３７】
その後、第１の付加上部金属層４９′の上にフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジストパターンをマスクとして用いたイオンミリングによってＭＲ多層膜４１′に対してトラック幅と垂直方向の長さ（ＭＲハイト方向の長さ）を規定するパターニングを行って下部金属層４２、下部強磁性層４３、トンネルバリア層４４、上部強磁性層４５及び上部金属層４６からなるＭＲ積層体４１とその上に積層された第１の付加上部金属層４９とを得た後、その上から絶縁層をスパッタリングで成膜し、フォトレジストパターンを剥離して、即ち、リフトオフによって同図（Ｄ１）及び（Ｄ２）に示すように絶縁層５０を得る。なお、同図（Ｄ１）は、（Ｄ２）のＣ−Ｃ線断面図であり、（Ｃ２）のＢ−Ｂ線断面図である（Ｃ１）とは異なる方向から見ていることに注意すべきである。
【００３８】
次いで、ドライエッチングを行って絶縁層５０の乗り上げ部５０ａの全て、再付着物及びその下の酸化層と第１の付加上部金属層４９の一部とを同時に除去した後、同図（Ｅ１）、（Ｅ２）及び（Ｅ３）に示すように、その上に第２の付加上部金属層５１及び上部電極兼上部磁気シールド層５２を成膜する。なお、同図（Ｅ１）は（Ｅ３）のＣ−Ｃ線断面図であり、同図（Ｅ２）は（Ｅ３）のＢ−Ｂ線断面図であることに注意すべきである。
【００３９】
この場合、ドライエッチングのみを行う代わりに、絶縁層５０のみを溶かし、付加上部金属層は溶かさない液体によりウェットエッチングを行って乗り上げ部５０ａを除去し、再付着物及びその下の酸化層をドライエッチングで除去するようにしても良い。
【００４０】
同図（Ｅ１）及び（Ｅ２）に示すように、絶縁層５０上に形成された付加上部金属層は第２の付加上部金属層５１のみであり磁気バイアス層４８上に形成された付加上部金属層は第１の付加上部金属層４９及び第２の付加上部金属層５１である。従って、絶縁層５０上に形成された付加上部金属層の厚さＴ１は、磁気バイアス層４８上に形成された付加上部金属層の厚さＴ２より小さくなっている。
【００４１】
通常はこのようにして形成された読出しヘッド素子の上に書込みヘッド素子部を形成して薄膜磁気ヘッドウエハを完成する。
【００４２】
図５はこのようにして形成された薄膜ヘッド磁気ヘッドウエハからバーを得てＭＲハイト加工するまでの工程を説明する平面図、斜視図及び側面図である。
【００４３】
同図（Ａ）に示すように、薄膜ヘッド磁気ヘッドウエハ５３の集積面上には、多数の薄膜磁気ヘッド５４がマトリクス状に並んで形成されている。まず、このウエハ５３を切断し、同図（Ｂ）に示すように、複数の薄膜磁気ヘッド５４が列状に並ぶバー５５を形成する。次いで、このバー５５のＡＢＳ側の面５５ａを研磨してＭＲハイト加工を行う。このＭＲハイト加工は、同図（Ｃ）に示すように、薄膜磁気ヘッド５４の磁気ヘッド素子部５４ａがＡＢＳに露出するまで行われる。
【００４４】
以上の工程を用いることにより、本実施形態によれば、トラック幅を規定するミリング時には上部金属層４６″が薄いことからフリー幅を狭くすることができ、しかも、ＭＲ素子のハイト後端部における絶縁層の乗り上げ部等の除去時には上部金属層４６′のみならず第１の付加上部金属層４９′も存在するため、ＭＲ積層体を削ることなく乗り上げ部等を完全に除去することができる。
【００４５】
さらに、図６（Ａ）に示すように、リフトオフ法による従来の製造方法によれば、ＭＲ積層体１１のＡＢＳとは反対側の端部の領域Ａにおいて、ＭＲ積層体１１上に酸化膜や再付着物２５及び乗り上げ部１９ａが残ってしまい、これが矢印６０で示す電流の流れを阻害してしまうが、本実施形態によれば、図６（Ｂ）に示すように、ＭＲ積層体４１上のＡ領域に再付着物や乗り上げ部が完全に除去されるので、直列抵抗成分が低くなってヘッド抵抗が低くなり、ＭＲ特性が向上すると共に周波数特性が向上する。
【実施例】
【００４６】
比較例として図１の従来技術による製造方法を用いたＴＭＲヘッドを、実施例として図４に示した製造方法を用いてＴＭＲヘッドをそれぞれ作成した。
【００４７】
膜構成としては、比較例では、下部電極兼下部磁気シールド層１０が２μｍ厚のＮｉＦｅ、下部金属層１２が５ｎｍ厚のＴａ、下部強磁性層１３が下側から、２ｎｍ厚のＮｉＦｅ、１５ｎｍ厚のＰｔＭｎ、２ｎｍ厚のＣｏＦｅ、０．８ｎｍ厚のＲｕ及び３ｎｍ厚のＣｏＦｅの多層膜、トンネルバリア層１４が０．６ｎｍ厚のＡｌ２Ｏ３、上部強磁性層１５が下側から１ｎｍ厚のＣｏＦｅ及び３ｎｍ厚のＮｉＦｅの多層膜、上部金属層１６が１８ｎｍ厚のＴａ、絶縁層１７が５ｎｍ厚のＡｌ２Ｏ３、硬磁性層１８が下側から５ｎｍ厚のＣｒＴｉ、２５ｎｍ厚のＣｏＣｒＰｔ及び２０ｎｍ厚のＴａの多層膜、絶縁層１９が６０ｎｍ厚のＡｌ２Ｏ３、付加上部金属層２０が５ｎｍ厚のＴａ、上部電極兼上部磁気シールド層２１が２μｍ厚のＮｉＦｅである。トラック幅を規定するフォトレジスト幅は８０ｎｍとした。
【００４８】
また、実施例では、下部電極兼下部磁気シールド層４０が２μｍ厚のＮｉＦｅ、下部金属層４２が５ｎｍ厚のＴａ、下部強磁性層４３が下側から、２ｎｍ厚のＮｉＦｅ、１５ｎｍ厚のＰｔＭｎ、２ｎｍ厚のＣｏＦｅ、０．８ｎｍ厚のＲｕ及び３ｎｍ厚のＣｏＦｅの多層膜、トンネルバリア層４４が０．６ｎｍ厚のＡｌ２Ｏ３、上部強磁性層４５が下側から１ｎｍ厚のＣｏＦｅ及び３ｎｍ厚のＮｉＦｅの多層膜、上部金属層４６が５ｎｍ厚のＴａ、絶縁層４７が５ｎｍ厚のＡｌ２Ｏ３、硬磁性層４８が下側から５ｎｍ厚のＣｒＴｉ、２５ｎｍ厚のＣｏＣｒＰｔ及び２０ｎｍ厚のＴａの多層膜、絶縁層５０が６０ｎｍ厚のＡｌ２Ｏ３、第１の付加上部金属層４９が１６ｎｍ厚のＴａ、第２の付加上部金属層５１が５ｎｍ厚のＴａ、上部電極兼上部磁気シールド層５２が２μｍ厚のＮｉＦｅである。トラック幅を規定するフォトレジスト幅は１１０ｎｍとした。
【００４９】
ＴＭＲヘッド素子部を形成した後、書込みヘッド素子部を形成してウエハ工程を終了させた。その後、ウエハをバーに切断し、ダイヤモンド粒子による研磨を行ってＭＲハイトを０．１μｍに加工した。次いで、３ｎｍ厚のダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）によるヘッド保護膜をその上に形成し、バーを切断して個々の浮上型薄膜磁気ヘッドのサンプルを得て、再生出力を測定した。この測定は、浮上高さ１０ｎｍ、磁気媒体保護膜を３ｎｍ厚とし、バイアス電圧を１５０ｍＶとして行った。その測定結果を次の表１に示す。
【００５０】
【表１】
0003695459.tif 000002
【００５１】
この表１から分かるように、実施例のＴＭＲヘッドではフォトレジスト幅１１０ｎｍであり、これは比較例のＴＭＲヘッドのフォトレジスト幅８０ｎｍよりかなり広いにもかかわらず、ほぼ同等のフリー幅（光学的な幅）及び有効トラック幅（磁気学的な幅、実際にヘッドとして使用したときの幅）が得られている。その理由は、上部金属層４６を５ｎｍ厚と薄くできたためにトラック幅を規定するミリングにおいてフリー幅を狭くできるためである。従って、フォト装置の精度及び制御性において、図４の製造方法は量産性が高く有利である。
【００５２】
さらに、実施例は、比較例に比してヘッド抵抗が低く、Ｓ／Ｎも良好である。これは、絶縁層の乗り上げ部が完全に除去できたため余分な直流抵抗成分を排除できることによると思われる。
【００５３】
このように、本発明によれば、同じフリー幅を得るために従来技術よりフォトレジスト幅を広くすることができ、かつＭＲハイト後端部の絶縁層の乗り上げ部を完全に除去できるので、Ｓ／Ｎをより向上させることができる。
【００５４】
上述した実施形態及び実施例は、ＭＲ積層体のトラック幅方向の両側に磁気バイアス層が形成されているが、磁気バイアス層をＭＲ積層体のフリー層に積層させた構成の薄膜磁気ヘッドに対しても本発明は適用可能であり、同様の作用効果を得ることができる。
【００５５】
以上述べた実施形態及び実施例は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】ＴＭＲヘッドをリフトオフ法によって形成する一部工程を示す平面図及びその断面図である。
【図２】絶縁層のリフトオフ工程を図１の（Ｃ２）のＣ−Ｃ線断面でより詳細に示す断面図である。
【図３】乗り上げ部を除去するための工程を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態としてＴＭＲヘッドのウエハを形成する一部工程を示す平面図及びその断面図である。
【図５】形成された薄膜ヘッド磁気ヘッドウエハからバーを得てＭＲハイト加工するまでの工程を説明する平面図、斜視図及び側面図である。
【図６】リフトオフ法による従来技術によって製造した薄膜磁気ヘッドと図４の実施形態によって製造した薄膜磁気ヘッドとの構造の違いを説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０、４０  下部電極兼下部磁気シールド層
１１、４１  ＭＲ積層体
１１′、４１′  ＭＲ積層膜
１１″、４１″  ＭＲ多層膜
１２、１２′４２、４２′  下部金属層
１３、１３′、１３″、４３、４３′、４３″  下部強磁性層（ピン層及びピンド層）
１４、１４′、１４″、４４、４４′、４４″  トンネルバリア層
１５、１５′、１５″、４５、４５′、４５″  上部強磁性層（フリー層）
１６、１６′、１６″、４６、４６′、４６″  上部金属層
１７、１９、１９′、４０  絶縁層
１８、４８  硬磁性（磁気バイアス）層
１９ａ、４０ａ  乗り上げ部
２０  付加上部金属層
２１、５２  上部電極兼上部磁気シールド層
２２  表面酸化膜
２３  ２層フォトレジストパターン
２４  アンダーカット
２５  再付着物
４９、４９′  第１の付加上部金属層
５１  第２の付加上部金属層
５３  ウエハ
５４  薄膜磁気ヘッド
５４ａ  磁気ヘッド素子部
５５  バー
５５ａ  ＡＢＳ側の面
【図１】
0003695459.tif 000003
【図２】
0003695459.tif 000004
【図３】
0003695459.tif 000005
【図４】
0003695459.tif 000006
【図５】
0003695459.tif 000007
【図６】
0003695459.tif 000008