(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドであって、
再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、
始点から折返点までの間を蛇行する上り部、及び、前記折返点から前記始点の近傍にある終点まで前記上り部に沿って蛇行する下り部を有し、通電されることで発熱する発熱体と、を備え、
前記磁気抵抗効果素子は、前記電磁変換素子と前記基台との間に位置し、
前記発熱体は、前記磁気抵抗効果素子及び前記電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられた薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記発熱体において、前記上り部と前記下り部との間隔は、前記上り部の一の部分と前記上り部の一の部分に隣り合う前記上り部の他の部分との間隔、及び、前記下り部の一の部分と前記下り部の一の部分に隣り合う前記下り部の他の部分との間隔よりも狭くされた請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドであって、
再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、
第一の点から第二の点まで延在する上り部、前記第二の点の近傍にある第三の点から前記第一の点の近傍にある第四の点まで前記上り部に沿って延在する下り部、及び、前記第二の点と前記第三の点とを接続する折返し部を有する単位部が前記上り部の延在方向に交差する方向に複数並設されると共に前記単位部同士で隣り合う前記第一の点と前記第四の点とを各々接続する接続部を有し、通電されることにより発熱する発熱体と、
を備え、
前記発熱体において、前記単位部同士の間の距離は前記各単位部における前記上り部と前記下り部との間の距離よりも長くされ、
前記磁気抵抗効果素子は、前記電磁変換素子と前記基台との間に位置し、
前記発熱体は、前記磁気抵抗効果素子及び前記電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられた薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記発熱体は、さらに、複数の前記接続部に沿って設けられた第一補助部を有する請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記発熱体は、さらに、複数の前記折返し部に沿って設けられた第二補助部を有する請求項３又は４に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記発熱体を複数備える請求項１〜５の何れか一項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
基台と、前記基台上に形成される薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、
再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、
始点から折返点までの間を蛇行する上り部、及び、前記折返点から前記始点の近傍にある終点まで前記上り部に沿って蛇行する下り部を有し、通電されることで発熱する発熱体と、を備え、
前記磁気抵抗効果素子は、前記電磁変換素子と前記基台との間に位置し、
前記発熱体は、前記磁気抵抗効果素子及び前記電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられたヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項８】
基台と、前記基台上に形成される薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルと、を備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、
再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、
第一の点から第二の点まで延在する上り部、前記第二の点の近傍にある第三の点から前記第一の点の近傍にある第四の点まで前記上り部に沿って延在する下り部、及び、前記第二の点と前記第三の点とを接続する折返し部を有する単位部が前記上り部の延在方向に交差する方向に複数並設されると共に前記単位部同士で隣り合う前記第一の点と前記第四の点とを各々接続する接続部を有し、通電されることにより発熱する発熱体と、
を備え、
前記発熱体において、前記単位部同士の間の距離は前記各単位部における前記上り部と前記下り部との間の距離よりも長くされ、
前記磁気抵抗効果素子は、前記電磁変換素子と前記基台との間に位置し、
前記発熱体は、前記磁気抵抗効果素子及び前記電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられたヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項９】
基台と、前記基台上に形成される薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドと対向する記録媒体と、を備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、
再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、
始点から折返点までの間を蛇行する上り部、及び、前記折返点から前記始点の近傍にある終点まで前記上り部に沿って蛇行する下り部を有し、通電されることで発熱する発熱体と、を備え、
前記磁気抵抗効果素子は、前記電磁変換素子と前記基台との間に位置し、
前記発熱体は、前記磁気抵抗効果素子及び前記電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられたハードディスク装置。
【請求項１０】
基台と、前記基台上に形成される薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドと対向する記録媒体と、を備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、
再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、
第一の点から第二の点まで延在する上り部、前記第二の点の近傍にある第三の点から前記第一の点の近傍にある第四の点まで前記上り部に沿って延在する下り部、及び、前記第二の点と前記第三の点とを接続する折返し部を有する単位部が前記上り部の延在方向に交差する方向に複数並設されると共に前記単位部同士で隣り合う前記第一の点と前記第四の点とを各々接続する接続部を有し、通電されることにより発熱する発熱体と、
を備え、
前記発熱体において、前記単位部同士の間の距離は前記各単位部における前記上り部と前記下り部との間の距離よりも長くされ、
前記磁気抵抗効果素子は、前記電磁変換素子と前記基台との間に位置し、
前記発熱体は、前記磁気抵抗効果素子及び前記電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられたハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子（ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子）や電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
書込用の電磁変換素子や再生用の磁気抵抗効果素子が設けられた薄膜磁気ヘッドは、ハードディスク装置への記録再生時に、記録媒体であるハードディスクから浮上するように構成されている。具体的には、薄膜磁気ヘッドをジンバルに搭載し、該ジンバルを可撓性のサスペンションアームの先端部に取り付けることでヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を構成する。そして、ハードディスクの回転に伴う空気流が薄膜磁気ヘッドの下方に流れることでサスペンションアームが撓み、該ヘッドが浮上する。
【０００３】
そして、ハードディスクの高密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの空隙すなわちヘッド浮上量は、２０ｎｍから１５ｎｍ、更には１０ｎｍと極限まで小さくなってきている。
【特許文献１】
特開平５−２０６３５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
さらなる高密度化のためには、薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子や磁気抵抗効果素子と、ハードディスクと、の間の距離を従来よりも微少にすることが求められている。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子や磁気抵抗効果素子と、記録媒体との間隔をより微少にすることが可能な薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドであって、再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、上記ヘッド本体部に設けられ、始点から折返点までの間を蛇行する上り部及び上記折返点から上記始点の近傍にある終点まで上記上り部に沿って蛇行する下り部を有し通電されることで発熱する発熱体と、を備え、磁気抵抗効果素子は、電磁変換素子と基台との間に位置し、発熱体は、磁気抵抗効果素子及び電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられている。
【０００７】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、通電によって発熱体が発熱して薄膜磁気ヘッドが熱膨張するので、磁気抵抗効果素子や電磁変換素子を記録媒体側に突出させることができる。また、発熱体への通電量を制御することにより磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と記録媒体との間の距離を制御できる。さらに、発熱体は、始点から折返部までの上り部が蛇行されると共に、折返部から始点近傍までの下り部が上り部に沿うように蛇行されているので、上り部と下り部とにおいて通電により発生する各磁界が互いにほぼキャンセルされる。このため、発熱体からの磁界が磁気抵抗効果素子や電磁変換素子等に影響を与えにくくなる。これらによって、ハードディスク装置の高密度化が可能となる。
また、上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上記薄膜磁気ヘッドは基台上に形成され、上記磁気抵抗効果素子は、上記電磁変換素子と上記基台との間に位置し、上記発熱体は、上記磁気抵抗効果素子及び電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けている。これにより、発熱体を電磁変換素子及び磁気抵抗効果素子から各々離すことができ、電磁変換素子及び磁気抵抗効果素子が発熱による悪影響を受けることを抑制できる。
【０００８】
ここで、上記他の薄膜磁気ヘッドにおいて、上記発熱体において、上記上り部と上記下り部との間隔は、上記上り部の一の部分と上記上り部の一の部分に隣り合う上記上り部の他の部分との間隔、及び、上記下り部の一の部分と上記下り部の一の部分に隣り合う上記下り部の他の部分との間隔よりも狭くされることが好ましい。
【０００９】
これによれば、互いに近接するように設けられた上り部と下り部とが、この上り部と下り部とから遠く離れた他の上り部と下り部とから磁界の影響を受けにくくされ、互いに近接するように設けられた上り部と下り部毎に通電により発生する磁界がより好適にキャンセルされる。
【００１０】
また、本発明に係る他の薄膜磁気ヘッドは、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドであって、再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、第一の点から第二の点まで延在する上り部、上記第二の点の近傍にある第三の点から上記第一の点の近傍にある第四の点まで上記上り部に沿って延在する下り部、及び、上記第二の点と上記第三の点とを接続する折返し部を有する単位部が上記上り部の延在方向に交差する方向に複数並設されると共に上記単位部同士で隣り合う上記第一の点と上記第四の点とを各々接続する接続部を有し、通電されることにより発熱する発熱体と、を備え、上記発熱体において、上記単位部間の距離は上記各々の単位部の上記上り部と上記下り部との間の距離よりも長くされ、磁気抵抗効果素子は、電磁変換素子と基台との間に位置し、発熱体は、磁気抵抗効果素子及び電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられている。
【００１１】
本発明に係る他の薄膜磁気ヘッドによれば、通電によって発熱体が発熱して薄膜磁気ヘッドが熱膨張するので、磁気抵抗効果素子や電磁変換素子を記録媒体側に突出させることができる。また、発熱体への通電量を制御することにより磁気抵抗効果素子や電磁変換素子と記録媒体との間の距離を制御できる。さらに、発熱体の各単位部において、上り部と下り部とが互いに沿うように設けられると共に、単位部同士の間隔が各単位部における上り部と下り部との間隔よりも広くされているので、各単位部の上り部と下り部とにおいて通電により発生する各磁界が各単位部毎にほぼキャンセルされる。このため、発熱層からの磁界が磁気抵抗効果素子や電磁変換素子等に影響を及ぼしにくくなる。これらによって、ハードディスクの高密度化が可能となる。
また、上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上記薄膜磁気ヘッドは基台上に形成され、上記磁気抵抗効果素子は、上記電磁変換素子と上記基台との間に位置し、上記発熱体は、上記磁気抵抗効果素子及び電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けている。これにより、発熱体を電磁変換素子及び磁気抵抗効果素子から各々離すことができ、電磁変換素子及び磁気抵抗効果素子が発熱による悪影響を受けることを抑制できる。
【００１２】
ここで、上記発熱体は、さらに、複数の上記接続部に沿って設けられた第一補助部を有することが好ましい。
【００１３】
これによれば、各接続部により発生する磁界が、第一補助部によって発生する磁界によってほぼキャンセルされる。
【００１４】
また、上記発熱体は、さらに、複数の上記折返し部に沿って設けられた第二補助部を有することが好ましい。
【００１５】
これによれば、各折返し部で発生する磁界が、第二補助部によって発生する磁界によってほぼキャンセルされる。
【００１６】
また、上述の何れかの薄膜磁気ヘッドにおいて、上記発熱体を複数備えていてもよい。この場合は、発熱体の配置の自由度が増す。
【００２４】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、基台と、前記基台上に形成される薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、前記薄膜磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、始点から折返点までの間を蛇行する上り部、及び、前記折返点から前記始点の近傍にある終点まで前記上り部に沿って蛇行する下り部を有し、通電されることで発熱する発熱体と、を備え、磁気抵抗効果素子は、電磁変換素子と基台との間に位置し、発熱体は、磁気抵抗効果素子及び電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられている。
【００２５】
また、本発明に係る他のヘッドジンバルアセンブリは、基台と、上記基台上に形成される薄膜磁気ヘッドと、上記基台を固定するジンバルと、を備え、上記薄膜磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、第一の点から第二の点まで延在する上り部、上記第二の点の近傍にある第三の点から上記第一の点の近傍にある第四の点まで上記上り部に沿って延在する下り部、及び、上記第二の点と上記第三の点とを接続する折返し部を有する単位部が上記上り部の延在方向に交差する方向に複数並設されると共に上記単位部同士で隣り合う上記第一の点と上記第四の点とを各々接続する接続部を有し、通電されることにより発熱する発熱体と、を備え、上記発熱体において、上記単位部同士の間の距離は上記各単位部における上記上り部と上記下り部との間の距離よりも長くされ、磁気抵抗効果素子は、電磁変換素子と基台との間に位置し、発熱体は、磁気抵抗効果素子及び電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられている。
【００２６】
また、本発明にかかるハードディスク装置は、基台と、上記基台上に形成される薄膜磁気ヘッドと、上記薄膜磁気ヘッドと対向する記録媒体と、を備え、上記薄膜磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、始点から折返点までの間を蛇行する上り部、及び、上記折返点から上記始点の近傍にある終点まで上記上り部に沿って蛇行する下り部を有し、通電されることで発熱する発熱体と、を備え、磁気抵抗効果素子は、電磁変換素子と基台との間に位置し、発熱体は、磁気抵抗効果素子及び電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられている。
【００２７】
また、本発明にかかる他のハードディスク装置は、基台と、上記基台上に形成される薄膜磁気ヘッドと、上記薄膜磁気ヘッドと対向する記録媒体と、を備え、上記薄膜磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果素子及び書込用の電磁変換素子と、第一の点から第二の点まで延在する上り部、上記第二の点の近傍にある第三の点から上記第一の点の近傍にある第四の点まで上記上り部に沿って延在する下り部、及び、上記第二の点と上記第三の点とを接続する折返し部を有する単位部が上記上り部の延在方向に交差する方向に複数並設されると共に上記単位部同士で隣り合う上記第一の点と上記第四の点とを各々接続する接続部を有し、通電されることにより発熱する発熱体と、を備え、上記発熱体において、上記単位部同士の間の距離は上記各単位部における上記上り部と上記下り部との間の距離よりも長くされ、磁気抵抗効果素子は、電磁変換素子と基台との間に位置し、発熱体は、磁気抵抗効果素子及び電磁変換素子を挟んで記録媒体対向面と反対側に設けられている。
【００２８】
本発明のヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置では、前述の薄膜磁気ヘッドを備えていることにより、上述と同様の作用効果を得ることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００３０】
（第一実施形態）
図１は、本実施形態の薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す図である。ハードディスク装置１は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Ｈｅａｄ  Ｇｉｍｂａｌｓ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）１５を作動させて、高速回転するハードディスク（記録媒体）２の記録面（図１の上面）に、薄膜磁気ヘッド１０によって磁気情報を記録及び再生するものである。ヘッドジンバルアセンブリ１５は、薄膜磁気ヘッド１０が形成されたヘッドスライダ１１を搭載したジンバル１２と、これが接続されたサスペンションアーム１３とを備え、支軸１４周りに例えばボイスコイルモータによって回転可能となっている。ヘッドジンバルアセンブリ１５を回転させると、ヘッドスライダ１１は、ハードディスク２の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移動する。
【００３１】
図２は、ヘッドスライダ１１の拡大斜視図である。ヘッドスライダ１１は、略直方体形状をなし、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）を主とする基台１１ａ上に、薄膜磁気ヘッド１０が形成されている。同図における手前側の面は、ハードディスク２の記録面に対向する記録媒体対向面であり、エアベアリング面（ＡＢＳ：Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）Ｓと称される。ハードディスク２が回転する際、この回転に伴う空気流によってヘッドスライダ１１が浮上し、エアベアリング面Ｓはハードディスク２の記録面から離隔する。薄膜磁気ヘッド１０には、薄膜磁気ヘッド１０を保護するために、図中破線で示したオーバーコート層２１（詳しくは後述）が設けられている。オーバーコート層２１上には、記録用パッド１８ａ，１８ｂ、再生用パッド１９ａ，１９ｂ、及び、後述するヒータ用パッド８６ａ、８６ｂが取り付けられており、図１に示したサスペンションアーム１３には、各パットに接続される、電気信号の入出力用の配線（図示省略）が取付けられている。尚、エアベアリング面Ｓに、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）等のコーティングを施してもよい。なお、図２においては、上述の各パッドは、再生用パッド１９ａ，１９ｂ，ヒータ用パッド８６ａ，８６ｂ、記録用パッド１８ａ，１８ｂ，の順で並んでいるが、並び方は任意である。
【００３２】
図３は、薄膜磁気ヘッド１０におけるエアベアリング面Ｓに対して垂直な方向の断面図である。薄膜磁気ヘッド１０は、基台１１ａ上に形成されており、基台１１ａ側から順に、磁気抵抗効果素子としてＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子４０を有する再生ヘッド部３０と、誘導型の電磁変換素子としての記録ヘッド部６０と、記録ヘッド部６０上に設けられたオーバーコート層２１と、を主として有する複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。
【００３３】
基台１１ａは、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等からなるウエハ状の基板であり、この基台１１ａ上には、アルミナ等の絶縁材料からなるアンダーコート層１１３が厚さ約１μｍ〜約１０μｍで形成されている。
【００３４】
再生ヘッド部３０は、アンダーコート層１１３上に設けられており、アンダーコート層１１３側から順に、下部シールド層３２、ＧＭＲ素子４０を含みこのＧＭＲ素子４０を上下から挟む絶縁層３６、及び、上部シールド層３８、が積層されることにより構成されている。ＧＭＲ素子４０は、磁気抵抗変化率が高い巨大磁気抵抗効果を利用したものであり、多層構造（図示は省略）を有してＡＢＳ面側に露出している。下部シールド層３２及び上部シールド層３８は、不要な外部磁界をＧＭＲ素子４０が感知するのを防止する機能を有し、磁性材料を含む。下部シールド層３２の厚みは厚さ約１μｍ〜約３μｍであり、上部シールド層３８の厚みは約１μｍ〜約４μｍである。また、絶縁層３６の厚みは０．０５μｍ〜１．０μｍである。尚、本明細書において、シールド層のように「上部」及び「下部」という語を用いる場合があるが、「下部」とは基台１１ａに近い側であることを意味し、「上部」とは基台１１ａから遠い側であることを意味する。
【００３５】
記録ヘッド部６０は、再生ヘッド部３０上に絶縁層３９を介して形成されており、長手記録方式の誘導型磁気変換素子となっている。尚、絶縁層３９としては厚さ約０．１μｍ〜約２．０μｍのアルミナ等を利用できるが、必ずしも設ける必要はない。そして、記録ヘッド部６０は、絶縁層３９側から順に、軟磁性材料からなる下部磁極６１、非磁性の絶縁材料からなるギャップ層６３を有している。また、ギャップ層６３上には、ＡＢＳ面側に磁極部分層６４ａが、ＡＢＳ面から離れた側に上下２段の薄膜コイル７０を含む絶縁層７２が積層されている。さらに、磁極部分層６４ａ上及び絶縁層７２上には、薄膜コイル７０の一部を下部磁極６１との間に挟むと共に、エアベアリング面Ｓから離れた側で下部磁極６１と磁気的に連結するヨーク部分層６４ｂを有している。そして、下部磁極６１、ギャップ層６３、薄膜コイル７０、絶縁層７２、上部磁極６４が記録ヘッド部６０を構成している。
【００３６】
下部磁極６１は、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料であり、例えば、厚さ約１μｍ〜約３μｍ程度で形成される。
【００３７】
ギャップ層６３は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やレジスト等の非磁性絶縁体、あるいは、非磁性導電体と非磁性絶縁体との組合せであり、例えば、厚さ約０．０５μｍ〜約０．５μｍ程度に形成される。
【００３８】
磁極部分層６４ａは、ヨーク部分層６４ｂとともに上部磁極６４を構成するものであり、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）の他、（１）鉄及び窒素原子を含む材料、（２）鉄、ジルコニア、及び酸素原子を含む材料、並びに、（３）鉄及びニッケル元素を含む材料等で形成することができる。磁極部分層６４ａの厚みは、例えば約０．５μｍ〜約３．５μｍ程度であり、好ましくは１．０μｍ〜２．０μｍである。
【００３９】
ヨーク部分層６４ｂの材質は磁極部分層６４ａと同様であり、例えば、厚さ約１μｍ〜約５μｍ程度である。
【００４０】
また、薄膜コイル７０は、Ｃｕ等の導体で、例えば、各厚みは約１μｍ〜約３μｍ程度である。
【００４１】
また、絶縁層７２は、アルミナ等の絶縁体で、例えば、厚さ約０．１μｍ〜約３．０μｍ程度である。
【００４２】
そして、薄膜コイル７０に記録電流を流すと、磁極部分層６４ａと下部磁極６１との間に磁束が発生し、ハードディスク２等の記録媒体に情報を記録することができる。
【００４３】
オーバーコート層２１は、薄膜磁気ヘッド１０の記録ヘッド部６０を保護するための厚さ約５μｍ〜約３０μｍのアルミナ等の絶縁材料からなる層であり、記録ヘッド部６０上に設けられている。また、オーバーコート層２１において、ＡＢＳ面と、基台１１ａから一番遠い上面と、によって形成される稜部には、切欠部１００が形成されている。
【００４４】
そして、このオーバーコート層２１中には、Ｃｕ，ＮｉＦｅ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等で形成された発熱層（発熱体）８０が設けられている。この発熱層８０は、ＡＢＳ面Ｓから所定距離離間されて、オーバーコート層２１内に上部シールド層３８等と平行に形成されている。
【００４５】
発熱層８０には図中上方に伸びたＣｕ等の導電材料からなる導電部８４ａ，８４ｂが電気的に接続されており、該導電部８４ａ，８４ｂの上端にはそれぞれヒータ用パッド８６ａ，８６ｂが取り付けられている。なお、同様にして、記録ヘッド部６０は記録用パッド１８ａ，１８ｂ（図２参照）と、再生ヘッド部３０の磁気抵抗効果素子４０は再生用パッド１９ａ，１９ｂと、各々接続されているが、図３においては簡単のため図示を省略している。
【００４６】
図４は、発熱層８０の一例を示す平面図である。図４の発熱層８０のＩＩＩ−ＩＩＩ断面が図３の発熱層の断面に対応する。また、エアベアリング（ＡＢＳ）面Ｓは、図４中の水平方向かつ図４の紙面に垂直な方向に延びて、発熱層８０よりも図４中下方に位置している。このように、発熱層８０は、一本のラインを層内で蛇行させた構造となっており、ラインの両端にはそれぞれ引出電極８５ａ，８５ｂを有している。引出電極８５ａ，８５ｂは、それぞれ図３に示した導電部８４ａ，８４ｂに接続されている。
【００４７】
より具体的には、所定の始点１８０から折返点１８１まで矩形波状に蛇行するように形成された上り部１８６と、折返点１８１から始点１８０の近傍の終点１８２まで上り部１８６に沿って蛇行しながら戻るように形成された下り部１８７を有しており、互いに沿うように形成された上り部１８６と下り部１８７との間隔１９０は、互いに面する上り部１８６同士の間隔１９２や、互いに面する下り部１８７同士の間隔１９３よりも狭くされている。
【００４８】
具体的には、発熱層８０の寸法として、例えば、間隔１９０を２μｍとし、間隔１９２，１９３を６μｍとし、上り部１８６や下り部１８７のライン幅を２μｍとすることができるがこれに限定されない。
また、発熱層８０において、ＡＢＳ面Ｓに対して略垂直な方向に延在する部分の長さの総和は、ＡＢＳ面Ｓに対して略平行な方向に延在する部分の長さの総和よりも大きくなるようにされている。
【００４９】
次に、このような構成の薄膜磁気ヘッド１０、ヘッドジンバルアセンブリ１５、及びハードディスク装置１の作用を説明する。図５に示すように、ハードディスク２が図中矢印方向に回転すると、空気流によって薄膜磁気ヘッド１０は浮上し、記録ヘッド部６０の上部磁極６４側がハードディスク２に近づくようにうつむく姿勢（前傾姿勢）となる。この際、発熱層８０に通電すると、当該発熱層８０から発生する熱によって薄膜磁気ヘッド１０における発熱層８０の周囲が熱膨張し、薄膜磁気ヘッド１０及び基台１１ａのＡＢＳ面Ｓが、記録媒体２側に向かって二点鎖線で示すように突出する。これにより、ＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０とハードディスク２との間隔が低減され、高い再生出力が得られると共に、より高密度の書込等を行うことができる。ここで、発熱層８０への通電量を制御することにより、突出量を調節でき、記録ヘッド部６０やＧＭＲ素子４０と記録媒体２との間の距離を制御できる。
【００５０】
また、発熱層８０においては、図４に示すように、上り部１８６と下り部１８７とが互いに寄り添うようにして蛇行しているので、アンペールの右ねじの法則から分かるように、始点１８０及び終点１８２と、折返点１８１との間において上り部１８６と下り部１８７とから発生する磁界が、互いにうち消し合う。このため、磁界の漏洩が少なくなって記録ヘッド部６０や磁気抵抗効果素子４０に悪影響を及ぼしにくくなる。また、間隔１９０が間隔１９３や間隔１９２よりも狭くされているので、互いに近接するように設けられた上り部１８６と下り部１８７とが、この上り部１８６と下り部１８６とから遠く離された他の上り部１８６と下り部１８７とから磁界の影響を受けにくくされ、通電により発生する磁界が互いに近接する上り部１８６の一部と下り部１８６の一部毎により好適にキャンセルされる。このため、特に、発熱層８０の最外側の下り部１８６Ａや上り部１８７Ａからの磁界の漏洩が少なくされる。
【００５１】
また、発熱層８０が、オーバーコート層２１中に設けられているので、ＧＭＲ素子４０と発熱層８０との間隔は、記録ヘッド部６０と発熱層８０との間隔よりも広くなっている。このため、特に発熱による影響を比較的受けやすいＧＭＲ素子４０が高温による悪影響を受けにくくされ、信頼性を向上できる。
また、発熱層８０において、ＡＢＳ面Ｓに対して略垂直な方向に延在する部分の長さの総和が、ＡＢＳ面Ｓに対して略平行な方向に延在する部分の長さの総和よりも大きくなるようにされている。このため、発熱層８０自体の膨張により薄膜磁気ヘッドがＡＢＳ面Ｓに対して垂直な方向に膨張しやすくなり、ＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０を効率よく記録媒体２に向かって突出させられる。
【００５２】
また、薄膜磁気ヘッド１０のオーバーコート層２１には切欠部１００が形成されているので、薄膜磁気ヘッド１０のＡＢＳ面Ｓが熱膨張によりハードディスク２に突出しても、記録媒体２と接触しにくくなっている。なお、この切欠部１００の形状は、本実施形態のような１段の切欠に限られず、多段の切欠としてもよいし傾斜面を有する切欠等としてもよい。
【００５３】
以上説明したように、本実施形態によれば、ハードディスク２との距離を低減でき、さらなる高密度化が可能な薄膜磁気ヘッド１０、ヘッドジンバルアセンブリ１５及びハードディスク装置１が提供される。
【００５４】
次に、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を説明する。尚、公知の製造過程については、説明を簡略化する。
【００５５】
まず、図６に示すように、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等からなる基板である基台１１ａ上に、スパッタリング法によって、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなるアンダーコート層１１３を形成する。
【００５６】
次に、アンダーコート層１１３の上に、例えばめっき法によって、パーマロイ等の磁性材料からなる下部シールド層３２を形成する。さらに、下部シールド層３２上に、公知の手法によってＧＭＲ素子４０と、これを上下左右から挟むＡｌ２Ｏ３等の絶縁層３６を形成する。ＧＭＲ素子４０は、実際は複数の膜から構成されるが、図においては単層で示している。また、このＧＭＲ素子４０は、ＡＢＳ面側に形成される。続いて、絶縁層３６上に、例えばめっき法によって上部シールド層３８を形成する。以上により、再生ヘッド部３０が得られる。
【００５７】
次に、上部シールド層３８上に、例えばスパッタリング法によって、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる絶縁層３９を形成する。
【００５８】
次いで、絶縁層３９上に、パーマロイからなる下部磁極６１を例えばスパッタリング法で形成する。次に、下部磁極６１上に例えばスパッタリング法で非磁性材料からなるギャップ層６３を形成する。さらに、ギャップ層６３上に、フォトリソグラフィやドライエッチング等を用いた公知の方法で、２段の薄膜コイル７０を有する絶縁層７２と、上部磁極６４の磁極部分層６４ａと、上部磁極６４のヨーク部分層６４ｂと、を形成する。ここで、薄膜コイル７０の一部が、下部磁極６１と上部磁極６４との間に挟まれるようにこれらを形成する。本実施形態では２段の薄膜コイル７０を形成するが、段数はこれに限られず、また、ヘリカルコイルのようなものを形成してもよい。これにより、記録ヘッド部６０が完成する。
【００５９】
次に、記録ヘッド部６０を覆うように、非磁性のオーバーコート下層２１ａを形成する。そして、オーバーコート下層２１ａ上に、スパッッタリングによって導電性材料による発熱層８０を形成する。
【００６０】
ここで、発熱層８０をスパッタリングで形成すると、発熱層８０の膜厚のバラツキを低減でき、薄膜磁気ヘッド毎の発熱層８０の抵抗値のバラツキを低減できる。具体的には、例えば、ＮｉＦｅの発熱層８０をメッキ法で２４４７個形成した場合、発熱層の抵抗値の標準偏差は１１．６Ωであったのに対し、ＮｉＦｅの発熱層８０をスパッタ法を用いて７９３１個形成した場合は発熱層の抵抗値の標準偏差は４．６６Ωとなった。なお、発熱層８０をメッキ法で作成することもできる。
【００６１】
次に、発熱層８０の引出電極８５ａ，８５ｂ上に、例えばめっき法によって導電部８４ａ，８４ｂを形成し、その後、スパッタ法によって、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料を上層として積層し、例えば、ポリッシング法によってこの絶縁材料を所望の高さとし、オーバーコート上層２１ｂとする。その後、導電部８４ａ，８４ｂの上端部にヒーター用パッド８６ａ、８６ｂを配設する。ここで、オーバーコート下層２１ａ及びオーバーコート上層２１ｂがオーバーコート層２１に対応する。なお、図示は省略するが、このとき、図示しない記録用パッドや再生用パッドも形成する。さらに、オーバーコート層２１の稜部を切削して、切欠部１００を形成する。
【００６２】
以上により、本実施形態の薄膜磁気ヘッド１０が完成する。
【００６３】
このように、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１０は、比較的複雑な再生ヘッド部３０及び記録ヘッド部６０の形成工程の後に行われる、比較的簡単なオーバーコート層２１を形成する工程において発熱層８０を形成すればよいので、低コストでの製造が可能となる。
【００６４】
続いて、イオンミリング等によって基台１１ａにスライダレールを形成することにより、図２に示したヘッドスライダ１１が得られ、このヘッドスライダ１１をジンバル１２に搭載した後、サスペンションアーム１３に接続することにより図１に示したヘッドジンバルアセンブリ１５が完成する。また、ヘッドジンバルアセンブリ１５を作製した後、ヘッドスライダ１１がハードディスク２上を移動可能で、且つ、磁気信号の記録及び再生が可能となるように組み立てることにより、図１に示したハードディスク装置１が完成する。
【００６５】
次に、本実施形態に係る変形例の構成を説明する。本実施形態においては、発熱層８０の位置はオーバーコート層２１内に限定されない。例えば、図７に示すように、発熱層８０が、アンダーコート層１１３内に設けられていてもよい。この構成では、特に、記録ヘッド部６０に比して発熱層８０に近いＧＭＲ素子４０を記録媒体２側に突出させることができる。
【００６６】
また、図８に示すように、発熱層８０が、記録ヘッド部６０やＧＭＲ素子４０を挟んでＡＢＳ面と反対側に設けられていてもよい。この構成では、発熱層８０が、記録ヘッド部６０及びＧＭＲ素子４０から各々離れているので、特に、記録ヘッド部６０やＧＭＲ素子４０が発熱による悪影響を受けにくくされる。
【００６７】
さらに、例えば、図９に示すように、２つの発熱層８０，８０を有していても良い。この変形例では、発熱層８０，８０は、基台１１ａの表面に平行かつエアベアリング面Ｓに平行な方向に互いに離間されている。この構成では、特に、発熱層８０の配置の自由度が高まる。なお、この場合の発熱層８０の基台１１ａからの高さは、記録ヘッド部６０や再生ヘッド部３０と同じ高さでもよく、アンダーコート層１１３内となる高さでも良く、オーバーコート層２１内となる高さでも良い。また、発熱層８０、８０のＡＢＳ面Ｓ側からの距離や離間される距離も限定されない。また、３つ以上の発熱層を有していても良い。
【００６８】
また、本実施形態においては、例えば、図８に２点鎖線で示すように、発熱層８０を取り囲むＮｉＦｅ，ＦｅＡｌＳｉ合金等等の磁性材料からなるシールド層１８５が形成されていてもよい。この場合、発熱層８０への通電時に、上述の構成によってもキャンセルされなかった微少な磁界が発生したとしても、このようなシールド層１８５に残存磁界が吸収されることで、再生時にＧＭＲ素子４０が不要な磁界を感知したり、記録ヘッド部６０における記録媒体２への書込に影響を及ぼしたりすることを防止できる。
【００６９】
ここで、シールド層１８５は、例えば、発熱層８０における底面の少なくとも一部を覆う第１層１８５ａと、上面の少なくとも一部を覆う第２層１８５ｂと、発熱層８０のエアベアリング面Ｓ側に位置すると共に第１層１８５ａと第２層１８５ｂとを接続する第３層１８５ｃとから構成されている。このように第３層１８５ｃで発熱層８０のエアベアリング面Ｓ側を覆うと共に第１層１８５ａと第２層１８５ｂによってそれぞれ下側と上側を覆うことで、ＧＭＲ素子４０等に磁界による悪影響を及ぼすことを効果的に防止できる。また、発熱層８０からの磁界の遮蔽率を向上させるために、第１層１８５ａ、第２層１８５ｂ、及び第３層１８５ｃのエアベアリング面Ｓから見た幅を、発熱層８０の幅よりも広くすることが好ましい。更に、第１層１８５ａ及び第２層１８５ｂは、発熱層８０の一部でなく全面を覆うような寸法にしてもよい。
【００７０】
（第二実施形態）
次に、図１０を参照して、第二実施形態に係る薄膜磁気ヘッドを説明する。本実施形態が第一実施形態と異なる点は、発熱層８０の形態のみであるので、以下発熱層のみについて述べる。
【００７１】
この発熱層８０は、ヘヤピン形状の単位部２８８を複数有すると共に、この単位部２８８同士を接続する接続部２８７を複数有し、層内を蛇行している。
【００７２】
単位部２８８は、第一の点２８１と第二の点２８２との間をほぼ直線状に結びエアベアリング面Ｓに対してほぼ垂直に延在する上り部２８８ａと、第二の点２８２の近傍の第三の点２８３から第一の点２８１の近傍の第四の点２８４までほぼ上り部２８８ａに沿って直線状に延在する下り部２８８ｂと、第二の点２８２と第三の点２８３とを接続する折返し部２８８ｃと、を有し、略Ｕ字形状を成している。
【００７３】
そして、この単位部２８８は、図１０の左右方向、すなわち、上り部２８８ａの延在方向に交差する方向に複数設けられている。
【００７４】
また、これらの単位部２８８同士は、各々接続部２８７によって各々直列に接続されており、全体で一つの抵抗体を構成している。具体的には、隣り合う単位部２８８の第一の点２８１と第四の点２８４とが接続部２８７によって各々接続されている。また、最外側の単位部２８８Ｚ，２８８Ｙの端部は、それぞれ、引出電極８５ａ、８５ｂと接続されている。
【００７５】
そして、単位部２８８における上り部２８８ａと下り部２８８ｂとの間隔８９ａは、単位部２８８同士の間隔８９ｂよりも小さくされている。
【００７６】
具体的には、発熱層８０の寸法として、例えば、間隔８９ａを２μｍとし、間隔８９ｂを６μｍとし、単位部２８８や接続部２８７の幅を２μｍとすることができるがこれに限定されない。
また、発熱層８０において、ＡＢＳ面Ｓに対して略垂直な方向に延在する部分（上り部２８８ａ、下り部２８８ｂ）の長さの総和は、ＡＢＳ面Ｓに対して略平行な方向に延在する部分（接続部２８７、折返し部２８８ｃ）の長さの総和よりも大きくなるようにされている。
【００７７】
そして、ヒータ用パッド８６ａ，８６ｂ間に電圧を印加して発熱層８０に通電することで（例えば２０ｍＡ程度の電流を流す）、発熱層８０が発熱するようになっている。なお、この発熱層８０の設置場所は、第一実施形態において示されたように、何れの場所でもよい。
【００７８】
本実施形態によれば、第一実施形態と同様に、発熱層８０の熱によって薄膜磁気ヘッド１０が熱膨張し、ＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０とハードディスク２との間隔が低減され、高い再生出力を得ることができると共に、より高密度の書込等を行うことができる。また、発熱層８０への通電量を制御することにより記録ヘッド部６０の上部磁極６４や下部磁極６１あるいはＧＭＲ素子４０と記録媒体２との間の距離を制御できる。
【００７９】
さらに、発熱層８０においては、図１０に示すように、各単位部２８８における上り部２８８ａと下り部２８８ｂとが互いに沿うように設けられているので、アンペールの右ねじの法則から分かるように、各単位部２８８の上り部２８８ａと下り部２８８ｂとにおいて通電により発生する各磁界が互いにキャンセルされる。また、このような単位部２８８同士の間隔８９ｂが各単位部２８８における上り部２８８ａと下り部２８８ｂとの間隔８９ａよりも広くされているので、各単位部２８８が隣接する単位部２８８からの磁界の影響を受けにくくなり、各単位部２８８毎に磁界がキャンセルされる。このため、特に、並設された単位部２８８の内の最外側の単位部２８８Ｚ、２８８Ｙからの磁界の漏洩が少なくされる。
また、発熱層８０において、ＡＢＳ面Ｓに対して略垂直な方向に延在する部分の長さの総和が、ＡＢＳ面Ｓに対して略平行な方向に延在する部分の長さの総和よりも大きくなるようにされているので、ヒーター自体がＡＢＳ面Ｓに対して垂直な方向に膨張しやすくされており、ＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０を効率よく記録媒体２に向かって突出させられる。
【００８０】
（第三実施形態）
次に、図１１を参照して、第三実施形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。本実施形態が第二実施形態と異なる点は、発熱層８０の形態のみであるので、以下発熱層のみについて述べる。本実施形態の発熱層８０が、第二実施形態に係る発熱層８０と異なる点は、さらに、各接続部２８７に沿って配設された第一補助部１０１を備える点と、各折返し部２８８ｃに沿って配設された第二補助部１０２を備える点である。
【００８１】
第二補助部１０２の一端は、並設された複数の単位部２８８の内の最外側の一方の単位部２８８Ｙの一端に、単位部２８８Ｙと平行に設けられた第二接続部１０３を介して接続されている。第二接続部１０３と単位部２８８Ｙとの距離は、単位部２８８同士の間の距離と同程度とされている。そして、この第二補助部１０２の他端は、引出電極８５ｂと接続されている。
【００８２】
また、第一補助部１０１の一端は、並設された複数の単位部２８８の内の最外側の他方の単位部２８８Ｚの一端と接続され、第一補助部１０１の他端は、第三接続部１０４を介して引出電極８５ａと接続されている。ここで、第三接続部１０４は、第二接続部１０３に沿って設けられている。第三接続部１０４と第二接続部１０３との間の距離は、単位部２８８における上り部と下り部との間の距離と同程度とされている。
【００８３】
このような構成の発熱層８０とした場合、第二実施形態の同様の作用効果が得られるのに加えて、次のような作用効果が得られる。すなわち、各単位部２８８における折返し部２８８ｃで発生する磁界が、これら各折返し部２８８ｃに沿う第二補助部１０２によって発生する磁界により低減される。また、各接続部２８７で発生する磁界が、第一補助部１０１によって発生する磁界により低減される。さらに、第二接続部１０３によって発生する磁界は、第三接続部１０４によって発生する磁界によってキャンセルされる。このため、第二実施形態に係る発熱層８０よりも、漏れ磁界をより低減させることが可能となり、ＧＭＲ素子４０や記録ヘッド部６０に与える影響がより低くなる。
【００８４】
以上、本発明者らによってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【００８５】
例えば、上記実施形態においては、薄膜磁気ヘッドはＧＭＲ素子４０と記録ヘッド部６０とを共に有しているが、何れか一方を有する薄膜磁気ヘッドとしても良い。
【００８６】
また、発熱層８０は、第一実施形態に示された場所に限らず、薄膜磁気ヘッド１０の何れの場所に設けてもよい。また、２つ以上の発熱層８０を有していても良い。また、発熱層８０のＡＢＳ面側からの距離も限定されない。また、上記実施形態において、ＡＢＳ面Ｓに対して略垂直な方向に延在する部分の長さの総和が、ＡＢＳ面Ｓに対して略平行な方向に延在する部分の長さの総和よりも大きくなるように発熱層８０が形成されているが、この条件を満たさない構成、例えば、ＡＢＳ面Ｓが、図４中の垂直方向かつ図４の紙面に対して垂直な方向に延びて、発熱層８０よりも図４中左方に位置する構成としても動作は可能である。さらに、発熱層８０の形態も限定されない。
【００８７】
また、薄膜磁気ヘッドを面内記録方式ではなく、垂直記録方式としてもよい。
【００８８】
更に、再生ヘッド部３０において、上述のＧＭＲ素子４０の代わりに、ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ）−ＧＭＲ素子、異方性磁気抵抗効果を利用するＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子、トンネル接合で生じる磁気抵抗効果を利用するＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ−ｔｙｐｅ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子等の他のＭＲ素子を利用してもよい。
【００８９】
また、図２においては、記録ヘッド部６０やＧＭＲ素子４０を含む薄膜磁気ヘッド１０が、スライダ１１の先端部の内、トラックラインと直交するトラック幅方向の一方側の端部に設けられているが、他方側の端部でも、トラック幅方向の中央部に設けられていてもよく、要は、薄膜磁気ヘッド１０が、スライダ１１でＡＢＳ面Ｓに臨む位置に設けられていれば良い。
【００９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子や磁気抵抗効果素子と、記録媒体と、の間隔をより微少することが可能な薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るハードディスク装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】ヘッドスライダを示す斜視図である。
【図３】第一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図である。
【図４】第一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの発熱層を示す平面図である。
【図５】第一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドのヘッド本体部が熱膨張している様子を示す模式図である。
【図６】第一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図７】第一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を示す断面図である。
【図８】第一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの他の変形例を示す断面図である。
【図９】第二実施形態に係る薄膜磁気ヘッドにおけるさらに他の変形例を示すものであり、エアベアリング面に垂直に破断した斜視図である。
【図１０】第二実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの発熱層を示す平面図である。
【図１１】第三実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの発熱層を示す平面図である。
【符号の説明】
１・・・ハードディスク装置、２・・・ハードディスク（記録媒体）、１０・・・薄膜磁気ヘッド、１１・・・ヘッドスライダ、１１ａ…基台、１２・・・ジンバル、１３・・・サスペンションアーム、１５・・・ヘッドジンバルアセンブリ、１１３・・・アンダーコート層、２１・・・オーバーコート層、３０・・・再生ヘッド部、３２・・・下部シールド層、３８・・・上部シールド層、４０・・・ＧＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）、６０・・・記録ヘッド部（電磁変換素子）、７０・・・薄膜コイル、８０・・・発熱層（発熱体）、１０１…第一補助部、１０２…第二補助部、１８０…始点、１８１・・・折返点、１８２…終点、１８５・・・シールド層、１８６…上り部、１８７…下り部、２８１…第一の点、２８２…第二の点、２８３…第三の点、２８４…第四の点、２８７…接続部、２８８…単位部、２８８ａ…上り部、２８８ｂ…下り部、２８８ｃ…折返し部、Ｓ・・・エアベアリング面（記録媒体対向面）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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