(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状の単結晶体の特定の結晶方位が単結晶体の軸線に対して特定の方向に傾斜しているような単結晶体について、その外周面におけるオリフラ加工位置を決定する方法において、次の段階を備える単結晶体のオリフラ加工位置決定方法。
（イ）円筒状の単結晶体の外周面にＸ線ビームを照射できるようにＸ線源を配置するとともに、前記外周面における所定の結晶格子面で回折した回折Ｘ線を検出できるようにＸ線検出器を配置し、かつ、前記Ｘ線源と前記外周面上のＸ線照射点と前記Ｘ線検出器とを含む回折平面が前記単結晶体の軸線に垂直になるようにＸ線源とＸ線検出器を配置する段階。
（ロ）前記Ｘ線照射点と前記Ｘ線検出器の間に、Ｘ線検出器の検出面を部分的に覆うことのできるＸ線アブソーバを配置して、前記Ｘ線アブソーバを透過しないで前記検出面に到達する回折Ｘ線は、前記検出面のうちの前記回折平面に垂直な方向における一方の側の領域に入射し、前記Ｘ線アブソーバを透過してから前記検出面に到達する回折Ｘ線は、前記検出面のうちの前記回折平面に垂直な方向における他方の側の領域に入射するように、前記Ｘ線アブソーバを位置決めする段階。
（ハ）前記単結晶体をその軸線の回りに回転させて、前記所定の結晶格子面に起因する複数の回折ピークの強度を前記Ｘ線検出器で検出する段階。
（ニ）前記複数の回折ピークの強度の相対的な大小関係とその出現順序とに基づいてオリフラ加工位置を決定する段階。
【請求項２】
前記Ｘ線アブソーバは、使用する波長のＸ線の透過率が３０〜８０％であることを特徴とする請求項１記載のオリフラ加工位置決定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、Ｘ線回折法を用いて単結晶体の外周面におけるオリエンテーションフラット（以下、オリフラと略す。）の加工位置を決定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最初に、シリコン単結晶の方位指数と面指数の表示について説明する。シリコンの結晶構造は立方晶系に属しており、例えば結晶の〔１００〕方位に対しては、これを含めて６個の等価な方位が存在する。これらの等価な方位群を＜１００＞と表示する。また、例えば結晶の（１００）面に対しては、これを含めて６個の等価な格子面が存在する。これらの等価な面群を｛１００｝と表示する。結晶の（１１０）面について言えば、これを含めて１２個の等価な格子面が存在し、これらの等価な面群を｛１１０｝と表示する。以下の説明では、このような等価方位群と等価面群を用いて、結晶の方位と面を表示することにする。
【０００３】
図９はチョクラルスキー法（融液からの引き上げ法）で製造したシリコンインゴットを円筒状に加工したシリコン単結晶体の斜視図である。このシリコン単結晶体１０は、結晶の＜１００＞方位が円筒状の単結晶体１０の軸線１２に一致している。この単結晶体の外周面にオリフラ加工を施すに当たって、そのオリフラ加工面１４が結晶の｛１１０｝面に平行になるように加工することを考える。単結晶体の外周面では、周方向に沿って９０度ずつ離れた４個所の位置において、外周面と｛１１０｝面が平行になる。そこで、単結晶体１０の外周面にＸ線を照射して、この単結晶体をその軸線回りに回転させながら、Ｘ線回折法を使って｛１１０｝面に平行な｛２２０｝面からの回折ピークを探せば（｛１１０｝面では回折しないため）、単結晶体を１回転させる間に４個の回折ピークが見つかるはずである。この回折ピークが見つかった４個の外周面位置のいずれかひとつの位置にオリフラ加工を施せばよい。ところで、外周面が｛１１０｝面に平行となるような４個所の位置は互いに等価であるから、４個の回折ピークを見つける必要はなく、最初に回折ピークが見つかった位置でオリフラ加工を施せばよい。
【０００４】
図１０は＜１００＞方位が単結晶体１０ａの軸線１２ａに対して角度δだけ傾斜しているようなシリコン単結晶体の斜視図である。この傾斜角δをオフ角（off angle）と呼んでいる。このシリコン単結晶体１０ａは、チョクラルスキー法で製造するときに、所定のオフ角となるように引き上げられているものである。このようなオフ角を付けると、ウェーハを切り出したときの特性が改善されることが知られている。このようなシリコン単結晶体１０ａの外周面で｛１１０｝面に平行となるようにオリフラ加工面１４ａを形成することを考える。この場合、シリコン単結晶体１０ａの外周面では、周方向に沿って９０度ずつ離れた４個所の位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで外周面が｛１１０｝面に「ほぼ平行」となる。＜１００＞方位が単結晶体１０ａの軸線１２ａから傾斜しているので、上述の外周面の４個所の位置Ａ〜Ｄにおいて、｛１１０｝面は外周面に正確に平行になるとは限らない。
【０００５】
ところで、外周面が｛１１０｝面にほぼ平行となる上述の４個所の位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、＜１００＞方位との相対的な位置関係を考えると、もはや互いに等価ではない。そして、オリフラ加工を形成するのに最適な位置としては、傾斜した＜１００＞方位と特定の位置関係にあるところ、例えば位置Ａ、だけというように加工面が指定されることがある。一方、｛１１０｝面に平行な｛２２０｝面の回折ピークの有無を観測するだけでは、位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの区別はできないことになり、特定の位置を決定することができない。
【０００６】
そこで、従来は、シリコンインゴットの段階でその晶癖線を光学的に検出してオリフラ加工位置をある程度予測しておき、その後、Ｘ線回折測定で厳密にオリフラ加工位置を決定していた（特開平４−２６４２４１号公報）。シリコンインゴットの晶癖線の位置と、オリフラ加工を形成すべき位置とは、特定の位置関係にあることが分かっているので、このような方法を採用することができる訳である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のオリフラ加工位置決定方法では、オフ角が付いている円筒状の単結晶体のオリフラ加工位置を決定するのに、Ｘ線検出装置のほかに光学的検出装置を必要とする問題がある。
【０００８】
この発明は上述の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、オフ角が付いている円筒状の単結晶体について、回折Ｘ線の検出できる複数の外周面位置の中から、オフ角の傾斜方向と特定の位置関係にある外周面位置だけを探すことのできるオリフラ加工位置決定方法を提供することにある。また、この発明の別の目的は、光学的検出装置などのその他の検出手段を必要とせずに、１台のＸ線検出装置を用いるだけで、オフ角の付いている単結晶体のオリフラ加工位置を決定できる方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明のオリフラ加工位置決定方法は、円筒状の単結晶体の特定の結晶方位が単結晶体の軸線に対して特定の方向に傾斜しているような単結晶体、すなわちオフ角が付いているような単結晶体に適用されるものである。そして、単結晶体の外周面にＸ線を照射して、所定の結晶格子面（この結晶格子面に平行となるようにオリフラ面を加工する）からの回折Ｘ線を検出することによって、オリフラ加工位置を決定する手法を用いるに当たって、回折Ｘ線を検出できる複数の外周面位置の中から、オフ角の傾斜方向と特定の位置関係にある外周面位置を見つけるようにしたものである。単結晶体にオフ角が付いていると、所定の結晶格子面に対して平行になる外周面位置が複数ある場合に、これらの外周面位置とオフ角の傾斜方向との位置関係は等価でなくなり、しかも、これら複数の外周面位置では必ずしも特定の結晶格子面に対して正確には平行にならない。それゆえに、これら複数の外周面位置からの回折Ｘ線の方向は、オフ角が付いていないと想定した場合の回折平面から外れる傾向がある。そこで、例えば上述の回折平面が水平であると仮定すると、この発明では、回折Ｘ線が上述の回折平面から上方に外れたときと下方に外れたときとを区別して観測できるように、Ｘ線検出器の検出面を部分的に覆うＸ線アブソーバを設けている。このようにすると、複数の外周面位置のところで回折Ｘ線を検出できる場合に、ある外周面位置からの回折Ｘ線はＸ線アブソーバに当たってこれを透過するときにＸ線強度が減衰し、別の外周面位置からの回折Ｘ線はＸ線アブソーバに当たらずにそのままＸ線検出器に入る、というふうに検出強度に違いが出る。このような検出強度の大小関係とその出現順序とに基づいて、オフ角の傾斜方向に対して特定の位置関係にある外周面位置を決定することができる。
【００１０】
以上の点をまとめると、この発明は、次の（イ）〜（ニ）の段階を備えている。（イ）円筒状の単結晶体の外周面にＸ線ビームを照射できるようにＸ線源を配置するとともに、前記外周面における所定の結晶格子面で回折した回折Ｘ線を検出できるようにＸ線検出器を配置し、かつ、前記Ｘ線源と前記外周面上のＸ線照射点と前記Ｘ線検出器とを含む回折平面が前記単結晶体の軸線に垂直になるようにＸ線源とＸ線検出器を配置する段階。（ロ）前記Ｘ線照射点と前記Ｘ線検出器の間に、Ｘ線検出器の検出面を部分的に覆うことのできるＸ線アブソーバを配置して、前記Ｘ線アブソーバを透過しないで前記検出面に到達する回折Ｘ線は、前記検出面のうちの前記回折平面に垂直な方向における一方の側の領域に入射し、前記Ｘ線アブソーバを透過してから前記検出面に到達する回折Ｘ線は、前記検出面のうちの前記回折平面に垂直な方向における他方の側の領域に入射するように、前記Ｘ線アブソーバを位置決めする段階。（ハ）前記単結晶体をその軸線の回りに回転させて、前記所定の結晶格子面に起因する複数の回折ピークの強度を前記Ｘ線検出器で検出する段階。（ニ）前記複数の回折ピークの強度の相対的な大小関係とその出現順序とに基づいてオリフラ加工位置を決定する段階。
【００１１】
Ｘ線アブソーバのＸ線透過率（Ｘ線アブソーバを透過する前のＸ線強度に対する透過後のＸ線強度の割合）は３０〜８０％の範囲内にするのが適当であり、５０％付近にするのが最適である。Ｘ線透過率が小さすぎると、回折ピークとして観測しにくくなり、Ｘ線透過率が大きすぎると、Ｘ線アブソーバを透過して減衰した場合の回折Ｘ線と、Ｘ線アブソーバに当たらないでそのままＸ線検出器に入った場合の回折Ｘ線との強度の違いが小さくなり、両者を判別しにくくなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の一実施形態を示す斜視図である。円筒状のシリコン単結晶体１６は、結晶引き上げ時に上側にあった部分（Ｔｏｐと表示）を上側に配置し、結晶引き上げ時に下側にあった部分（Ｂｏｔｔｏｍと表示）を下側に配置してある。このシリコン単結晶体１６は、結晶の＜１００＞方位が、円筒状の単結晶体１６の軸線１８に対してオフ角δだけ傾斜するように作られている。この実施形態ではδ＝４度である。
【００１３】
図２はシリコン単結晶体１６を上方から見た平面図である。単結晶体１６の外周面が結晶の｛１１０｝面にほぼ平行となるような位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、外周面に沿って９０度ずつ離れた４個所にある。この単結晶体では、オフ角δの傾斜方向３８は、位置ＡとＢを二分する方向に設定されている。
【００１４】
図１に戻って、単結晶体１６の軸線１８に垂直な平面２０内において、Ｘ線源２２とＸ線検出器２４が配置されている。Ｘ線源を出たＸ線ビーム２６は、入射スリット２８を通過してから、単結晶体１６の外周面上のＸ線照射点３０に入射する。Ｘ線照射点３０で回折したＸ線３２はＸ線検出器２４で検出される。
【００１５】
ここで、回折Ｘ線の方向のずれについて説明する。この単結晶体では、オフ角δが存在するために、回折Ｘ線が、単結晶体の軸線に垂直な平面２０（水平面）からずれる現象が生じる。図３（Ａ）は、位置ＡがＸ線照射点３０にきたときの回折Ｘ線の方向を示す正面図である。位置Ａは、オフ角δの傾斜方向に近いために、｛１１０｝面は鉛直状態からわずかに下向きになっている。したがって、入射Ｘ線ビーム２６を水平に入射させても、回折Ｘ線３２の方向は水平面よりもわずかに下向きになる。位置ＢがＸ線照射点にきたときも同様にわずかに下向きの回折Ｘ線となる。
【００１６】
一方、図３（Ｂ）は、位置ＣがＸ線照射点にきたときの回折Ｘ線の方向を示している。位置Ｃは、オフ角δの傾斜方向から遠いために、｛１１０｝面は鉛直状態からわずかに上向きになっている。したがって、入射Ｘ線ビーム２６を水平に入射させても、回折Ｘ線３２の方向は水平面よりもわずかに上向きになる。位置ＤがＸ線照射点にきたときも同様にわずかに上向きの回折Ｘ線となる。
【００１７】
ここで、回折Ｘ線のずれの程度を説明する。オフ角δが４度で、図２のような傾斜方向の場合、図１のＸ線照射点３０からＸ線検出器２４の検出窓までの距離を７０ｍｍと仮定すると、検出窓のところで、位置Ａ、Ｂからの回折Ｘ線は水平面から下に３ｍｍ程度ずれ、位置Ｃ、Ｄからの回折Ｘ線は水平面から上に３ｍｍ程度ずれる。
【００１８】
次に、この発明で重要な役割をするＸ線アブソーバを説明する。図４（Ａ）はＸ線アブソーバの配置を示す斜視図であり、図４（Ｂ）はその正面図である。Ｘ線検出器２４は公称２インチのシンチレーションカウンタである。その検出窓３４は上下に細長い長方形をしており、この検出窓３４に検出面が露出している。この実施形態では、検出窓３４の高さが５０ｍｍ、幅が１０ｍｍである。Ｘ線アブソーバ３６は、検出窓３４の上半分または下半分のいずれかを選択して覆うことができるようになっている。Ｘ線アブソーバ３６は、このＸ線回折装置で使用している特性Ｘ線の強度を半分程度に減衰させることができる。ＣｕターゲットのＫα線を用いる場合、１０〜１５μｍ程度の厚さのＮｉ箔をＸ線アブソーバとして使うと、Ｘ線透過率が５０％付近になる。これを具体的に示すと、Ｘ線アブソーバとして、厚さ５μｍのＮｉ箔を１枚使うとＸ線透過率は７８％になり、このＮｉ箔を２枚重ねて使うとＸ線透過率は５９％になり、３枚重ねると４６％、４枚重ねると３４％になる。
【００１９】
次に、オリフラ加工位置を決定する手順を説明する。まず、次のように仮定する。シリコン単結晶体の外周面において｛１１０｝面に平行となるようにオリフラ面を加工するものとし、かつ、オフ角δの傾斜方向との相対位置関係が図２の位置Ａのところ（Ｔｏｐ側から見てオフ角の傾斜方向３８から時計回りに測って一番近い位置にあるところ）にオリフラ面を加工するものとする。まず、図１において、Ｘ線源２２とＸ線検出器２４を、シリコンの｛２２０｝面（｛１１０｝面に平行）からの回折Ｘ線が検出できるような角度関係に配置する。図４のＸ線アブソーバ３６は、Ｘ線検出器２４の検出窓３４の下半分を覆うように位置決めしておく。
【００２０】
以上のようにＸ線光学系を配置したら、シリコン単結晶体１６をその軸線回りに回転させながらＸ線検出器２４で回折Ｘ線３２の強度を検出する。シリコン単結晶体１６の外周面上の回転角度位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ（外周面が結晶の｛１１０｝にほぼ平行となる位置）がＸ線照射点３０にきたときに、回折Ｘ線３２が検出されることになる。＜１００＞方位がオフ角をもっているために、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄからの回折Ｘ線はＸ線源２２とＸ線照射点３０を含む水平面２０から上または下にわずかにずれることになるが、このように多少上下にずれても、Ｘ線検出器２４の検出窓の高さが５０ｍｍあるので、回折Ｘ線３２は検出できる。
【００２１】
図５はＸ線検出器の出力パターンのグラフである。横軸はシリコン単結晶体の軸線回りの回転角度位置、縦軸はＸ線検出器の検出強度である。なお、シリコン単結晶体の回転方向は、結晶引き上げのときに上側であった部分（Ｔｏｐ側）から見て反時計方向に回転させるものと定めておく。このグラフでは、シリコン単結晶体を任意の角度位置から約２回転させた場合のパターンを示している。すなわち、角度位置Ｅ点からスタートして、１回転させてＥ点まで戻り、さらにもう１回転させている。シリコン単結晶体を１回転させる間に、｛２２０｝面からの４つの回折ピークが観測できる。位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄからのそれぞれの回折ピークに同じ符号Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを付けてある。位置Ａ、Ｂからの回折Ｘ線は、図３（Ａ）に示すように水平面から下にずれるので、図４のＸ線アブソーバ３６に当たり、ここでＸ線強度が半分程度に減衰してから、Ｘ線検出器２４に入る。そのときの回折Ｘ線のＸ線検出器への入射位置は図４（Ｂ）の領域４０のようになる。一方、位置Ｃ、Ｄからの回折Ｘ線は、図３（Ｂ）に示すように水平面から上にずれるので、図４のＸ線アブソーバ３６に当たらずに、そのままＸ線検出器２４に入る。そのときの回折Ｘ線の入射位置は図４（Ｂ）の領域４２のようになる。したがって、位置Ａ、Ｂでの回折ピークの検出強度は、位置Ｃ、Ｄでの検出強度の半分程度になる。
【００２２】
もし、任意の回転位置からシリコン単結晶体をその軸線回りに１回転させて回折Ｘ線の強度を検出すれば、強度の大きな２個の回折ピーク（以下、大ピークという。）と強度の小さい２個の回折ピーク（以下、小ピークという。）とを観測できるはずである。これらの回折ピークのうちで、オフ角δに対して図２のような位置関係にある位置Ａのところでオリフラ加工を施すと仮定すると、回折ピークの強度の大小関係とその出現順序とをもとにして、次のように位置Ａを決定することができる。すなわち、大ピークの次に現れる小ピークを見つければよく、この小ピークが位置Ａからの回折ピークであると決定できる。シリコン単結晶体の回転を開始するときには、その外周面上のＸ線照射点３０が位置Ａ〜Ｄとの関係でどのあたりにあるのかはまったく不明であるが、幸運ならば、シリコン単結晶体を半回転程度したところで大ピークの次の小ピークを見つけることができる。最悪の場合でも、１回転プラス４分の１回転だけすれば、大ピークの次の小ピークを必ず見つけることができる。
【００２３】
以上のようにして、位置Ａが決定できたら、この位置Ａのところでオリフラ加工を施せばよい。具体的には、シリコン単結晶体を挟んでＸ線回折光学系の反対側にオリフラ加工装置を設けておき、位置Ａを決定した後に、このオリフラ加工装置でオリフラ加工を施すことができる。
【００２４】
位置Ａではなくて、位置Ｂ（あるいはＣまたはＤ）にオリフラ加工を施す場合でも、上述と同様にその位置を決定できる。例えば、位置Ｂは、大ピークの次に小ピークが二つ続いたときの２番目の小ピークであり、位置Ｃは、小ピークの次の大ピークであり、位置Ｄは、小ピークの次に大ピークが二つ続いたときの２番目の大ピークである、といった具合である。
【００２５】
次に、オフ角δの傾斜方向が図２の場合とは異なっている場合を説明する。図６は図２と同様の図面であるが、オフ角の傾斜方向が異なっている。このシリコン単結晶体は、その＜１００＞方位のオフ角の傾斜方向３８ａが、ちょうど、外周面が｛１１０｝面に平行となる４個所の位置Ａ１、Ｂ１、Ｃ１、Ｄ１のいずれかの位置（例えばＡ１）の方向に一致している。この場合は、シリコン単結晶体を回転させることで、図７（Ａ）のような回折パターンが得られる。すなわち、位置Ａ１からの回折Ｘ線は、水平面から下にずれるので、図８（Ａ）に示すように領域４４のところにきて、Ｘ線アブソーバ３６に当たり、ここでＸ線強度が半分程度に減衰する。一方、位置Ｃ１からの回折Ｘ線は、水平面から上にずれるので、領域４８のところにきて、Ｘ線アブソーバ３６に当たらずに、そのままＸ線検出器２４の検出窓３４に入る。また、位置Ｂ１、Ｄ１からの回折Ｘ線は水平に出てくる（位置Ｂ１、Ｄ１では｛１１０｝面は鉛直状態を保つ）ので、領域４６のところにきて、回折Ｘ線の下半分だけがＸ線アブソーバ３６で減衰して、検出窓３４に入る。したがって、図７（Ａ）に示すように、位置Ａ１は小ピーク、位置Ｂ１、Ｄ１は中ピーク、位置Ｃ１は大ピークとなる。これにより、回折ピークの強度の大小関係とその出現順序とをもとにして、位置Ａ１〜Ｄ１を決定できる。
【００２６】
図７（Ｂ）は、図６のようなシリコン単結晶体に対して、Ｘ線アブソーバ３６の位置をずらした場合の回折パターンである。Ｘ線アブソーバ３６の上端は、図８（Ｂ）に示すように、検出窓３４の上下方向の中心線よりも下にずれていて、Ｘ線アブソーバ３６に覆われているのは、検出窓３４の下方の３分の１程度だけである。位置Ａ１からの回折Ｘ線は領域４４のところにきて、Ｘ線アブソーバ３６に当たり、ここでＸ線強度が半分程度に減衰する。一方、位置Ｃ１からの回折Ｘ線は領域４８のところにきて、Ｘ線アブソーバ３６に当たらずに、そのままＸ線検出器２４の検出窓３４に入る。そして、位置Ｂ１、Ｄ１からの回折Ｘ線は領域４６のところにきて、やはり、Ｘ線アブソーバ３６に当たらずに、そのままＸ線検出器２４の検出窓３４に入る。したがって、図７（Ｂ）に示すように、位置Ａ１は小ピーク、位置Ｂ１、Ｃ１、Ｄ１は大ピークとなる。これにより、回折ピークの強度の大小関係とその出現順序とをもとにして、位置Ａ１〜Ｄ１を決定できる。
【００２７】
なお、シリコン単結晶体を引き上げ法で製造する段階で、オフ角の傾斜方向を所望の方向に定めているので、このシリコン単結晶体から図５のような回折パターンが得られるのか、図７のようなパターンが得られるのかは、回折測定をする前から分かっているものである。
【００２８】
ところで、図４においてＸ線アブソーバの位置を上にずらして、Ｘ線検出器の上半分を覆うように変更すると、図５や図７の回折パターンにおいて回折ピークの大小関係が逆転する。その場合も、これまで述べたのと同様の手法で、目的の位置からの回折ピークを見つけることができる。
【００２９】
上述の実施形態では、単結晶体の軸線を鉛直に立てて、Ｘ線源とＸ線検出器を水平面内に配置したが、別の配置形態としてもよい。すなわち、単結晶体の軸線を水平にして、Ｘ線源とＸ線検出器を鉛直面内に配置してもよい。
【００３０】
【発明の効果】
この発明のオリフラ加工位置決定方法は、オフ角が付いている円筒状の単結晶体について、回折Ｘ線の検出できる複数の外周面位置の中から、オフ角の傾斜方向と特定の位置関係にある外周面位置を探すために、Ｘ線検出器の検出面をＸ線アブソーバで部分的に覆うようにして、複数の回折ピークの検出強度の相対的な大小関係とその出現順序とに基づいてオリフラ加工位置を決定するようにしている。これにより、光学的検出装置などのその他の検出手段を必要とせずに、１台のＸ線検出装置を用いるだけで、単結晶体のオリフラ加工位置を決定できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】シリコン単結晶体を上方から見た平面図である。
【図３】位置ＡまたはＣがＸ線照射点にきたときの回折Ｘ線の方向を示す正面図である。
【図４】Ｘ線アブソーバの配置を示す斜視図と検出器正面図である。
【図５】Ｘ線検出器の出力パターンのグラフである。
【図６】オフ角の傾斜方向が異なっている場合の図２と同様の平面図である。
【図７】図６のシリコン単結晶体についての図５と同様の出力パターンのグラフである。
【図８】Ｘ線アブソーバの配置を示す検出器正面図である。
【図９】シリコン単結晶体の斜視図である。
【図１０】＜１００＞方位が単結晶体の軸線に対して角度δだけ傾斜しているようなシリコン単結晶体の斜視図である。
【符号の説明】
１６  単結晶体
１８  軸線
２０  回折平面
２２  Ｘ線源
２４  Ｘ線検出器
２６  Ｘ線ビーム
２８  入射スリット
３０  Ｘ線照射点
３２  回折Ｘ線
３４  検出窓
３６  Ｘ線アブソーバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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