(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
投光素子から投光された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力がハイ，ローいずれかのレベルに切り換わり、反射光の受光レベルが基準レベルを越えるか否かで、基準レベルを変化させてヒステリシス特性を持たせるように内部回路が形成されたＩＣで構成された光電スイッチにおいて、上記ＩＣの出力によりオン，オフするスイッチ手段と、このスイッチ手段のオン，オフに応じて投光素子に流れる電流量を切り換える限流要素とからなるヒステリシス回路を上記ＩＣの外付回路として備えて成ることを特徴とする光電スイッチ。
【請求項２】
上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させるように動作させて成ることを特徴とする請求項１記載の光電スイッチ。
【請求項３】
上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させるように動作させて成ることを特徴とする請求項１記載の光電スイッチ。
【請求項４】
投光素子から投光された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力がハイ，ローいずれかのレベルに切り換わり、反射光の受光レベルが基準レベルを越えるか否かで、基準レベルを変化させてヒステリシス特性を持たせるように内部回路が形成されたＩＣで構成され、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力をハイ，ローのいずれにするかを設定する出力モード切換手段を上記ＩＣが備え、このＩＣの出力モード切換手段の入力端子にハイ，ローの制御入力を選択的に印加して出力モードを切り換えるスイッチを備える光電スイッチにおいて、制御入力と出力との排他的論理和あるいは排他的否定論理和をとる論理回路と、この論理回路の出力でオン，オフするスイッチ手段と、このスイッチ手段のオン，オフに応じて投光素子に流れる電流量を切り換える限流要素とからなるヒステリシス回路を上記ＩＣの外付回路として備え、上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させるように動作させて成ることを特徴とする光電スイッチ。
【請求項５】
投光素子から投光された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力がハイ，ローいずれかのレベルに切り換わり、反射光の受光レベルが基準レベルを越えるか否かで、基準レベルを変化させてヒステリシス特性を持たせるように内部回路が形成されたＩＣで構成され、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力をハイ，ローのいずれにするかを設定する出力モード切換手段を上記ＩＣが備え、このＩＣの出力モード切換手段の入力端子にハイ，ローの制御入力を選択的に印加して出力モードを切り換えるスイッチを備える光電スイッチにおいて、制御入力と出力との排他的論理和あるいは排他的否定論理和をとる論理回路と、この論理回路の出力でオン，オフするスイッチ手段と、このスイッチ手段のオン，オフに応じて投光素子に流れる電流量を切り換える限流要素とからなるヒステリシス回路を上記ＩＣの外付回路として備え、上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させるように動作させて成ることを特徴とする光電スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、投光素子から投光された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、ハイ，ローのいずれかに切り換わる出力が得られる光量式の反射型光電スイッチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光電スイッチの小型化が進み、光電スイッチ用のＩＣも小型化されている。このＩＣの小型化に際しては、端子数をいかに少なくできるかがポイントになる。この場合、電源端子や接地端子などのＩＣの基本的に必要な端子は除き、機能の設定などを行う端子としては必要最小限のもののみとし、その他の機能はＩＣ内部で最適な値に固定しておくことが一般に行われる。このため、ヒステリシス（応差）の調整端子も省略され、ヒステリシス量をＩＣ内部で固定しておくことが多くなっている。
【０００３】
この種の光電スイッチ用のＩＣ１の一例を図７に示し、そのＩＣ１を用いて構成した光電スイッチの回路構成を図８に示す。この光電スイッチ用のＩＣ１は、投光素子としての発光ダイオードＬＥＤ1 を発光させる基本信号を発振する発振回路１１と、この発振回路１１の出力に応じて発光ダイオードＬＥＤ1 の駆動用のトランジスタＱ1 をオン，オフする駆動回路１２と、ＩＣ１内に内蔵され発光ダイオードＬＥＤ1 の光の物体などによる反射光を受光する受光素子としてフォトダイオードＰＤ1 と、フォトダイオードＰＤ1 の受光出力を増幅する増幅回路１３と、増幅回路１３の出力と基準レベルとを比較して増幅回路１３の出力が基準レベルを越える場合に出力がハイレベルとなる比較回路１４と、この比較回路１４の基準レベルを設定して感度調整を可能とする感度調整部１５と、比較回路１４の出力を積分する積分回路１６と、積分回路１６の出力を出力トランジスタＱ2 に出力する出力回路１７と、積分回路１６の出力に応じて安定表示用の発光ダイオードＬＥＤ3 の点灯を制御しＩＣ１の動作状態を示す安定表示回路１８と、駆動電源からＩＣ１の上記内部回路用の電源を作成して供給する電源回路１９とで構成してある。なお、出力回路１７の出力と出力トランジスタＱ2 のベースとの間には動作表示用の発光ダイオードＬＥＤ2 を接続してある。
【０００４】
この光電スイッチでは、発光ダイオードＬＥＤ1 から投光された光の例えば物体により反射光をフォトダイオードＰＤ1 で受光する。そして、その受光された反射光の光量を比較回路１４で基準レベルと比較し、基準レベルを越える場合の比較回路１４の出力を積分回路１６で積分し、積分回路１６の出力回路１７を介する出力で、出力トランジスタＱ2 をオン，オフさせる。つまり、この光電スイッチは、光量の大小を判別してオン，オフ出力を得る光量式の反射型光電スイッチである。
【０００５】
また、この種の別の光電スイッチ用のＩＣ１’として図１０に示すものもある。なお、このＩＣ１’を用いて構成した光電スイッチの回路構成を図１１に示す。図１０のＩＣ１’は、基本構成的には、図７のものと同じであり、その特徴とするところは、出力トランジスタＱ2 のオン，オフを、反射光の受光レベルが多いときにオンさせるモードと、反射光の受光レベルが少ない場合にオンさせるモードとの設定を行う出力モード切換回路２０と、この出力モード切換回路２０の入力端子にハイ，ローレベルの制御入力を選択的に印加するスイッチＳＷ1 とを設けある点にある。この図１１の光電スイッチの場合には、出力モード切換回路２０の入力端子に、駆動電源の電圧を印加するか、接地するかの切換をスイッチＳＷ1 で行ってモード設定を行うようにしてある。
【０００６】
ここで、上記光電スイッチ用のＩＣ１，１’では比較回路１４がヒステリシス動作するようにしてある。いま、比較回路１４の入力レベルが基準レベル以下である状態から、入力レベルが比較回路１４の基準レベルを越える状態に変化したとすると、図９に示すように、比較回路１４の基準レベルが低下する。つまり、比較回路１４の出力が反転する前後の基準レベルの差がヒステリシス量となる。なお、比較回路１４と積分回路１６とでヒステリシスを持たせることもある。すなわち、上記ＩＣ１，１’では比較回路１４（及び積分回路１６）に持たせたヒステリシス量で、ヒステリシス量が固定されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一般的にＩＣは多く使用すれば、それに伴ってコストを安くすることが可能である。そこで、光電スイッチ自体のコストダウンのために、同一のＩＣを各種のタイプの光電スイッチで極力共通使用することが試みられている。しかしながら、ヒステリシス量を調整する必要が生じることが多く、ヒステリシス量が固定されている同一ＩＣを用いて構成できないことが多かった。
【０００８】
本発明は上述の点に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、内部でヒステリシス量が固定されているＩＣを用いて構成された光電スイッチにおいて、ヒステリシス量の調整を可能とすることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、投光素子から投光された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力がハイ，ローいずれかのレベルに切り換わり、反射光の受光レベルが基準レベルを越えるか否かで、基準レベルを変化させてヒステリシス特性を持たせるように内部回路が形成されたＩＣで構成された光電スイッチにおいて、上記ＩＣの出力によりオン，オフするスイッチ手段と、このスイッチ手段のオン，オフに応じて投光素子に流れる電流量を切り換える限流要素とからなるヒステリシス回路を上記ＩＣの外付回路として備えている。
【００１０】
なお、ヒステリシス量を増加させる場合には、請求項２に示すように、上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させるように動作させればよい。
【００１１】
逆に、ヒステリシス量を減少させる場合には、請求項３に示すように、上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させるように動作させればよい。
【００１２】
また、請求項４の発明では、投光素子から投光された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力がハイ，ローいずれかのレベルに切り換わり、反射光の受光レベルが基準レベルを越えるか否かで、基準レベルを変化させてヒステリシス特性を持たせるように内部回路が形成されたＩＣで構成され、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力をハイ，ローのいずれにするかを設定する出力モード切換手段を上記ＩＣが備え、このＩＣの出力モード切換手段の入力端子にハイ，ローの制御入力を選択的に印加して出力モードを切り換えるスイッチを備える光電スイッチにおいて、ヒステリシス量を増加させるために、制御入力と出力との排他的論理和あるいは排他的否定論理和をとる論理回路と、この論理回路の出力でオン，オフするスイッチ手段と、このスイッチ手段のオン，オフに応じて投光素子に流れる電流量を切り換える限流要素とからなるヒステリシス回路を上記ＩＣの外付回路として備え、上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させるように動作させている。
【００１３】
また、請求項５の発明では、投光素子から投光された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力がハイ，ローいずれかのレベルに切り換わり、反射光の受光レベルが基準レベルを越えるか否かで、基準レベルを変化させてヒステリシス特性を持たせるように内部回路が形成されたＩＣで構成され、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力をハイ，ローのいずれにするかを設定する出力モード切換手段を上記ＩＣが備え、このＩＣの出力モード切換手段の入力端子にハイ，ローの制御入力を選択的に印加して出力モードを切り換えるスイッチを備える光電スイッチにおいて、ヒステリシス量を減少させるために、制御入力と出力との排他的論理和あるいは排他的否定論理和をとる論理回路と、この論理回路の出力でオン，オフするスイッチ手段と、このスイッチ手段のオン，オフに応じて投光素子に流れる電流量を切り換える限流要素とからなるヒステリシス回路を上記ＩＣの外付回路として備え、上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させるように動作させている。
【００１４】
【作用】
請求項１の発明は、上述のように構成することにより、出力変化に応じてヒステリシス回路で投光素子の光強度を可変して、反射光の受光レベルを可変し、光電スイッチをヒステリシス動作させる。すなわち、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量に、投光素子の光強度を可変して反射光の受光レベルを増減させる分に応じたヒステリシス量を加算あるいは減算して、ヒステリシス量を増加あるいは減少させる。
【００１５】
請求項２の発明は、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量に、投光素子の光強度を可変して反射光の受光レベルを増減させる分に応じたヒステリシス量を加えて、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量よりもヒステリシス量を増加させる。請求項３の発明では、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量から、投光素子の光強度を可変して反射光の受光レベルを増減させる分に応じたヒステリシス量を減じて、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量よりもヒステリシス量を減少させる。
【００１６】
請求項４の発明は、上述のように構成することにより、出力変化に応じてヒステリシス回路で投光素子の光強度を可変して、反射光の受光レベルを可変し、光電スイッチをヒステリシス動作させ、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量に、投光素子の光強度を可変して反射光の受光レベルを増減させる分に応じたヒステリシス量を加算して、ヒステリシス量を増加させる。
【００１７】
請求項５の発明は、上述のように構成することにより、出力変化に応じてヒステリシス回路で投光素子の光強度を可変して、反射光の受光レベルを可変し、光電スイッチをヒステリシス動作させ、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量に、投光素子の光強度を可変して反射光の受光レベルを増減させる分に応じたヒステリシス量を減算して、ヒステリシス量を減少させる。
【００１８】
【実施例】
（実施例１）
図１に本発明の一実施例を示す。本実施例の光電スイッチも従来の技術の項で説明したと同様の光量式の反射型光電スイッチであり、図７のＩＣ１を用いて構成されている。なお、ＩＣ１及び光電スイッチの回路構成は、基本構成的には、図７及び図８で説明したものと同じであるので、以下の説明では本実施例の特徴とする点についてのみ行う。
【００１９】
本実施例の光電スイッチでは、投光素子としての発光ダイオードＬＥＤ1 とトランジスタＱ1 と直列に挿入された図８における限流抵抗Ｒを、２個の抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 で構成し、出力回路１９の出力でオン，オフ制御されるトランジスタＱ3 を抵抗Ｒ1 の両端に接続してある点が、図８の従来の光電スイッチと異なる。なお、トランジスタＱ3 にはＩＣ１の出力を抵抗Ｒ3 を介して加えてある。ここで、本実施例のトランジスタＱ3 は、出力トランジスタＱ2 がオフであるときに、オフ、出力トランジスタＱ2 がオンであるときに、オンなるようにしてある。
【００２０】
本実施例の動作を図２を用いて説明する。トランジスタＱ2 がオンとなる時刻ｔ1 では、トランジスタＱ3 がオンとなり、発光ダイオードＬＥＤ1 に流れる電流Ｉは、トランジスタＱ1 のベース電位をＶａとすると、
Ｉ＝Ｖａ／Ｒ2 
となる。このため、発光ダイオードＬＥＤ1 から投光される光の光量が増加し、（光強度が強くなり）、図中の一点鎖線で示す反射光の受光レベルが増加する。
【００２１】
トランジスタＱ2 がオフとなる時刻ｔ2 では、トランジスタＱ3 がオフとなり、発光ダイオードＬＥＤ1 に流れる電流Ｉは、
Ｉ＝Ｖａ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）
となる。このため、発光ダイオードＬＥＤ1 から投光される光の光量が減少し（光強度が弱くなり）、図中の一点鎖線で示す反射光の受光レベルが減少する。
【００２２】
すなわち、ＩＣ１のヒステリシス量に、発光ダイオードＬＥＤ1 の光強度の増減に伴い反射光の受光レベルが変化する分を加えた量のヒステリシスを持たせることができる。このように、ヒステリシス量を増加させると、反射光の受光レベルの僅かな変動で出力がオン，オフする不安定な状況が発生しないようにできる。なお、抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の抵抗値の比を任意に設定することによりヒステリシス量を任意に設定することが可能であることは言うでもない。
【００２３】
（実施例２）
図３に本発明の他の実施例を示す。本実施例では、トランジスタＱ3 のベース・エミッタ間にトランジスタＱ4 を接続し、出力トランジスタＱ2 がオンのとき、トランジスタＱ3 をオフとし、出力トランジスタＱ2 がオフのとき、トランジスタＱ3 をオンするようにしたものである。つまりは、実施例１の場合とは、逆に、出力トランジスタＱ2 がオンしたときには、発光ダイオードＬＥＤ1 の発光量を低下させ、出力トランジスタＱ1 がオフしたときには、発光ダイオードＬＥＤ1 の発光量を増加させるようにしたものである。
【００２４】
本実施例の動作を図４を用いて説明する。トランジスタＱ2 がオンとなる時刻ｔ1 では、トランジスタＱ4 がオン、トランジスタＱ3 がオフとなり、発光ダイオードＬＥＤ1 に流れる電流Ｉは、
Ｉ＝Ｖａ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）
となる。このため、発光ダイオードＬＥＤ1 から投光される光の光量が減少し（光強度が弱くなり）、図中の一点鎖線で示す反射光の受光レベルが減少する。
【００２５】
トランジスタＱ2 がオフとなる時刻ｔ2 では、トランジスタＱ3 がオフとなり、発光ダイオードＬＥＤ1 に流れる電流Ｉは、
Ｉ＝Ｖａ／Ｒ2 
となる。このため、発光ダイオードＬＥＤ1 から投光される光の光量が増加し（光強度が強くなり）、図中の一点鎖線で示す反射光の受光レベルが増加する。
【００２６】
従って、ＩＣ１のヒステリシス量から、発光ダイオードＬＥＤ1 の光強度の増減に伴い反射光の受光レベルが変化する分を減じた量のヒステリシスを持たせることができる。このようにすれば、出力状態と逆に発光ダイオードＬＥＤ1 の発光量を増減することで、光電スイッチの感度をより高感度とするものである。
（実施例３）
図５に本発明のさらに他の実施例を示す。本実施例では図８のＩＣ１’を用いた光電スイッチにおいて、実施例１で説明したと同様にヒステリシス量を増加させるようにしたものである。本実施例では、回路構成的にはトランジスタＱ3 のオン，オフ制御を、出力回路１９の出力と、出力モード切換回路２０の制御入力との排他的否定論理和をとるエクスクルーシブノア回路ＥＸ−ＮＯＲの出力で行っている点に特徴がある。
【００２７】
本実施例の動作的には次表のようになる。
【００２８】
【表１】
0003679424.tif 000002
【００２９】
すなわち、本実施例では出力モードに関係なく反射光の受光レベルが増加した場合には、さらに発光ダイオードＬＥＤ1 の発光量を増加させ、反射光の受光レベルが減少したときには、発光ダイオードＬＥＤ1 の発光量を減少させるように動作する。なお、ＩＣ１’によって、出力モード切換回路２０の制御入力が逆である場合、つまりは制御入力がアースレベルのときに、反射光の受光レベルが大きい場合に出力トランジスタＱ2 がオンで、制御入力が駆動電源の電圧レベルのとき、反射光の受光レベルが小さい場合に出力トランジスタＱ2 がオンである場合には、エクスクルーシブノア回路の代わりにエクスクルーシブオア回路を用いればよい。
【００３０】
（実施例４）
図６に本発明のさらに他の実施例を示す。本実施例では図８のＩＣ１’を用いた光電スイッチにおいて、実施例２で説明したと同様にヒステリシス量を減少させるようにしたものである。本実施例では、回路構成的にはトランジスタＱ3 のオン，オフ制御を、出力回路１９の出力と、出力モード切換回路２０の制御入力との排他的否定論理和をとるエクスクルーシブオア回路ＥＸ−ＯＲの出力で行っている点に特徴がある。
【００３１】
本実施例の動作的には下表のようになる。
【００３２】
【表２】
0003679424.tif 000003
【００３３】
すなわち、本実施例では出力モードに関係なく反射光の受光レベルが増加した場合には、発光ダイオードＬＥＤ1 の発光量を減少させ、反射光の受光レベルが減少したときには、発光ダイオードＬＥＤ1 の発光量を増加させるように動作する。なお、ＩＣ１’によって、出力モード切換回路２０の制御入力が逆である場合、エクスクルーシブオア回路の代わりにエクスクルーシブノア回路を用いればよい。
【００３４】
【発明の効果】
請求項１の発明は、投光素子から投光された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力がハイ，ローいずれかのレベルに切り換わり、反射光の受光レベルが基準レベルを越えるか否かで、基準レベルを変化させてヒステリシス特性を持たせるように内部回路が形成されたＩＣで構成された光電スイッチにおいて、上記ＩＣの出力によりオン，オフするスイッチ手段と、このスイッチ手段のオン，オフに応じて投光素子に流れる電流量を切り換える限流要素とからなるヒステリシス回路を上記ＩＣの外付回路として備えているので、出力変化に応じてヒステリシス回路で投光素子の光強度を可変して、反射光の受光レベルを可変し、光電スイッチをヒステリシス動作させることができ、このためＩＣ内部で固定されたヒステリシス量に、投光素子の光強度を可変して反射光の受光レベルを増減させる分に応じたヒステリシス量を加算あるいは減算して、ヒステリシス量を増加あるいは減少させることができる。
【００３５】
請求項２の発明では、上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させるように動作させているので、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量に、投光素子の光強度を可変して反射光の受光レベルを増減させる分に応じたヒステリシス量を加えて、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量よりもヒステリシス量を増加させることができる。
【００３６】
請求項３の発明では、上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させるように動作させているので、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量から、投光素子の光強度を可変して反射光の受光レベルを増減させる分に応じたヒステリシス量を減じて、ＩＣ内部で固定されたヒステリシス量よりもヒステリシス量を減少させることができる。
【００３７】
また、請求項４の発明では、投光素子から投光された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力がハイ，ローいずれかのレベルに切り換わり、反射光の受光レベルが基準レベルを越えるか否かで、基準レベルを変化させてヒステリシス特性を持たせるように内部回路が形成されたＩＣで構成され、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力をハイ，ローのいずれにするかを設定する出力モード切換手段を上記ＩＣが備え、このＩＣの出力モード切換手段の入力端子にハイ，ローの制御入力を選択的に印加して出力モードを切り換えるスイッチを備える光電スイッチにおいて、ヒステリシス量を増加させるために、制御入力と出力との排他的論理和あるいは排他的否定論理和をとる論理回路と、この論理回路の出力でオン，オフするスイッチ手段と、このスイッチ手段のオン，オフに応じて投光素子に流れる電流量を切り換える限流要素とからなるヒステリシス回路を上記ＩＣの外付回路として備え、上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させるように動作させているようにしてあるので、出力変化に応じてヒステリシス回路で投光素子の光強度を可変して、反射光の受光レベルを可変し、光電スイッチをヒステリシス動作させることができ、このためＩＣ内部で固定されたヒステリシス量に、投光素子の光強度を可変して反射光の受光レベルを増減させる分に応じたヒステリシス量を加算して、ヒステリシス量を増加させることができる。
【００３８】
また、請求項５の発明では、投光素子から投光された光の反射光を受光素子で受光し、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力がハイ，ローいずれかのレベルに切り換わり、反射光の受光レベルが基準レベルを越えるか否かで、基準レベルを変化させてヒステリシス特性を持たせるように内部回路が形成されたＩＣで構成され、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、出力をハイ，ローのいずれにするかを設定する出力モード切換手段を上記ＩＣが備え、このＩＣの出力モード切換手段の入力端子にハイ，ローの制御入力を選択的に印加して出力モードを切り換えるスイッチを備える光電スイッチにおいて、ヒステリシス量を減少させるために、制御入力と出力との排他的論理和あるいは排他的否定論理和をとる論理回路と、この論理回路の出力でオン，オフするスイッチ手段と、このスイッチ手段のオン，オフに応じて投光素子に流れる電流量を切り換える限流要素とからなるヒステリシス回路を上記ＩＣの外付回路として備え、上記ヒステリシス回路を、反射光の受光レベルが基準レベルを越える場合に、投光素子に流れる電流量を減少させて投光素子の光強度を減少させると共に、反射光の受光レベルが基準レベルを下回る場合に、投光素子に流れる電流量を増加させて投光素子の光強度を増加させるように動作させているので、出力変化に応じてヒステリシス回路で投光素子の光強度を可変して、反射光の受光レベルを可変し、光電スイッチをヒステリシス動作させることができ、このためＩＣ内部で固定されたヒステリシス量に、投光素子の光強度を可変して反射光の受光レベルを増減させる分に応じたヒステリシス量を減算して、ヒステリシス量を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の回路図である。
【図２】同上の動作説明図である。
【図３】他の実施例の回路図である。
【図４】同上の動作説明図である。
【図５】さらに他の実施例の回路図である。
【図６】さらに別の実施例の回路図である。
【図７】光電スイッチを構成するために用いられるＩＣの内部回路構成を示すブロック図である。
【図８】同上を用いて構成した光電スイッチの回路図である。
【図９】同上の動作説明図である。
【図１０】光電スイッチを構成するために用いられる別のＩＣの内部回路構成を示すブロック図である。
【図１１】同上を用いて構成した光電スイッチの回路図である。
【符号の説明】
１，１’  ＩＣ
２０  出力モード切換回路
ＬＥＤ1   発光ダイオード
ＰＤ1   フォトダイオード
Ｑ3 ，Ｑ4   トランジスタ
Ｒ1 ，Ｒ2   抵抗
ＳＷ1   スイッチ
ＥＸ−ＮＯＲ  エクスクルーシブノア回路
ＥＸ−ＯＲ  エクスクルーシブオア回路
【図１】
0003679424.tif 000004
【図２】
0003679424.tif 000005
【図３】
0003679424.tif 000006
【図４】
0003679424.tif 000007
【図５】
0003679424.tif 000008
【図６】
0003679424.tif 000009
【図７】
0003679424.tif 000010
【図８】
0003679424.tif 000011
【図９】
0003679424.tif 000012
【図１０】
0003679424.tif 000013
【図１１】
0003679424.tif 000014