(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学露光装置を用い３回以上の多重露光によって格子パターンをフォトレジストに露光する格子パターンの露光方法であって、異なるライン・アンド・スペース・パターンをポジ型フォトレジストの現像液への溶解に必要な臨界露光量未満で露光し、３回以上の重複露光部分での露光量を臨界露光量以上とし、部分的に分断された形状を有するライン・アンド・スペース・パターンを多重露光して格子欠陥を含んだ格子パターンをパターニングすることを特徴とする格子パターンの露光方法。
【請求項２】
光学露光装置を用い３回以上の多重露光によって格子パターンをフォトレジストに露光する格子パターンの露光方法であって、異なるライン・アンド・スペース・パターンをネガ型フォトレジストの現像液への不溶解に必要な臨界露光量未満で露光し、３回以上の重複露光部分での露光量を臨界露光量以上とし、部分的に分断された形状を有するライン・アンド・スペース・パターンを多重露光して格子欠陥を含んだ格子パターンをパターニングすることを特徴とする格子パターンの露光方法。
【請求項３】
光学露光装置を用いてフォトレジストに格子パターンを露光する露光方法において、異なるライン・アンド・スペース・パターンの３回以上の多重露光によって格子パターンをパターニングする際に、周期的に分断された形状を有するライン・アンド・スペース・パターンを６０°または３０°傾けて多重露光してパターンをパターニングすることを特徴とする格子パターンの露光方法。
【請求項４】
光学露光装置を用いてフォトレジストに格子パターンを露光する露光方法において、異なるライン・アンド・スペース・パターンの３回以上の多重露光によって格子パターンをパターニングする際に、部分的に分断された形状を有するライン・アンド・スペース・パターンを多重露光して格子欠陥を含んだ格子パターンをパターニングすることを特徴とする格子パターンの露光方法。
【請求項５】
光学露光装置を用いてフォトレジストに格子パターンを露光する露光装置において、異なるライン・アンド・スペース・パターンの３回以上の多重露光によって格子パターンをパターニングする際に、部分的に分断された形状を有するライン・アンド・スペース・パターンを多重露光して格子欠陥を含んだ格子パターンをパターニングすることを特徴とする格子パターンの露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフォトレジストの露光方法に関し、特に光学露光装置を用いてフォトレジストに格子パターンを露光する露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造過程の中に大きく分けて成膜、エッチング、リソグラフィーがある。この内、リソグラフィーは、基板にフォトレジストと呼ばれる有機膜を形成し、通常、ステッパーと呼ばれる露光装置により、遮光物質でパターンを形成した露光マスクを通して光やＸ線を照射し、照射した部分のみ、あるいは逆に照射されなかった部分のみ有機膜を現像液で取り除き、基板上に露光マスクと同じパターンあるいはその縮小パターンを形成する技術である。この他、電子線を一筆書きの要領で基板上の有機膜に照射し、その後現像してパターンを形成する方法もある。ここでは光やＸ線の照射と電子線の照射を含めて「露光」と呼ぶ。
【０００３】
このようなリソグラフィーの技術を用いて、基板上に円や四角などの微細なパターンを格子状に規則的に並べた格子パターンを形成したい場合がある。特に微細な格子パターンを要する光学素子として２次元周期構造フォトニック結晶があるが、これはサブミクロンの円や四角の誘電体柱を図１０のような正方格子１や図１１のような六方格子２、あるいは図１２のような蜂の巣状格子３の構造のもので、その作製にはこれらの格子状のフォトレジストパターンを必要とする。
【０００４】
この種の微細な格子パターンの露光方法では、できるだけ微細なフォトレジストパターンを寸法精度良く形成することが重要な要素の一つとなっている。
【０００５】
フォトレジストの格子パターンを形成する方法として半導体装置の製造分野で最もよく用いられるｇ線（波長４８６ｎｍ）やｉ線（波長３５６ｎｍ）を利用する光学露光装置（ここでは「ステッパー」と同意）を用いる場合は、単純に所望の格子パターンあるいはその拡大パターンを有する露光マスクを通して露光し、直接フォトレジストをパターニングする。これらの光学露光装置を用いる場合、パターンニングできるフォトレジスト格子パターンの格子点最小寸法は、「抜き」（現像後フォトレジストが除去されるとういう意）または「残し」（現像後フォトレジストが残るという意）のどちらであっても、用いられる光の波長によって制限される。用いられる光の波長が短い程、微細な格子パターンを形成でき、ｇ線よりもｉ線を用いる方が微細な格子パターンの形成が可能である。ｉ線ステッパーで更に微細な格子パターンを形成したい場合は位相シフトマスクを用いるなどの超解像技術を併用することができる。光学露光方式で更に微細な格子パターンを形成したい場合は、露光波長が更に短い波長２４９ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー露光機が用いられることもある。
【０００６】
しかしながら、ｇ線、ｉ線およびＫｒＦエキシマレーザーを用いるこれらの光学露光法で露光マスク上の格子パターンを単純に転写する方法では、形成できる格子点の最小サイズに限界があり、先に述べたフォトニック結晶用の微細な格子パターンを形成するには不十分である。抜きおよび残しのパターン共に、実際に形成できる格子点の最小寸法はｇ線で０．７ミクロン程度、ｉ線で０．５ミクロン程度、ＫｒＦエキシマレーザーで０．４５ミクロン程度である。ｉ線と位相シフトマスクを併用すると、ＫｒＦエキシマレーザーと同じ０．４５ミクロン程度の格子点パターンとなる。ＫｒＦエキシマレーザー用の位相シフトマスクは技術的困難が多く現時点で実用化されていない。これら従来技術により解像できる最小寸法に対して例えば、図１１のような六方格子を形成する円柱形格子点のフォトニック結晶の場合、円柱の直径は０．２５ミクロンから０．４ミクロン程度と光学露光できる最小寸法よりも小さい。
【０００７】
そこで、例えば「電子情報通信学会誌  Ｖｏｌ．７７  Ｎｏ.１１ｐｐ１０９２−１１０８  １９９４年１１月」の特集記事「リソグラフィー」にまとめられているように、Ｘ線を用いたＸ線露光や電子線を用いた電子線露光が用いることが開示されている。Ｘ線露光や電子線露光では露光に用いるＸ線の波長（１ｎｍ程度）や加速電子線のド・ブロイ波長が、光露光で用いられるｇ線やｉ線やＫｒＦエキシマレーザーの波長に比べて十分小さいので、Ｘ線露光の場合で最小０．１ミクロン径の円からなるフォトレジスト格子パターンまで、また、電子線露光の場合は０．１ミクロン以下の径の円からなるフォトレジスト格子パターンをも形成でき、２次元周期構造フォトニック結晶用微細格子フォトレジストパターン形成において一応の効果を奏している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の格子パターンの露光方法のうち、Ｘ線露光は、露光に用いるＸ線マスクの作製が困難であるという問題を新たにもたらしている。Ｘ線マスクは厚さ２ミクロン程度のＳｉなどでできた薄膜上に厚さ１ミクロン程度のＡｕなどの重金属でパターンを形成したものである。その薄さのためにパターンの歪みを制御するのが困難であり、Ｘ線マスクの作製を技術的に困難なものにしている。自ずとＸ線マスクの作製費用は光学露光マスクに比べて桁違いに高額である。また、強力なＸ線源としてシンクロトロン放射光源（ＳＯＲ）が使われるが、それ自体、極めて大規模で高価な光源であるため、Ｘ線露光システムは光学露光装置（ステッパー）に比べて入手、設置が格段に困難である。従って、Ｘ線露光技術を用いて微細な格子パターンを露光するだけで製造コストが大幅に上昇してしまうという問題を発生する。
【０００９】
他方、電子線露光は、Ｘ線露光のようなマスク作製や設備の入手といった点に問題は生じないものの、大面積の露光ができないという問題を新たにもたらしている。電子線を用いて一回の電子線走査で露光できる面積はせいぜい数百ミクロン角程度である。それ以上の面積を露光したい場合は、露光したい面積を数百ミクロン角以下の面積に小分けにし、一回の小面積露光が終わる毎に基板を載せたステージを動かして次の領域の露光をするといった手順を繰り返し、露光領域を繋ぎ合わせなければならない。繋ぎ合わされた境界では、ステージの移動精度の誤差やパターン自体の歪みのために一般にパターンが不連続になる。このことは、規則正しい格子点の配置が重要な格子パターンの形成には致命的である。従って、格子パターンの露光を行う場合には数百ミクロン角以下のパターンしか形成できない。光学露光ならば格子パターンでも十数ミリ角以上の大面積が露光できることに比べると、僅か１／１０００から１／１００程度の面積の格子パターンしか露光できないことになる。
【００１０】
また、電子線露光は、電子線で一筆書きのようにしてパターンを書いていくので、露光に要する時間が全面一括で露光する光学露光に比べて格段に長いという欠点がある。これは微細格子パターンを有する素子の製造スループットを極端に低下させ、素子の製造に要する期間（ＴＡＴ：Ｔｕｒｎ  Ａｒｏｕｎｄ  Ｔｉｍｅ）を増大させると共に、製造コストをも増加させる原因となる。
【００１１】
更に付け加えるならば、電子線露光用のフォトレジストは光学露光用のフォトレジストに比べて一般にドライエッチング耐性が低いという欠点を有する。
【００１２】
本発明の主な目的の一つは汎用的に用いられる光学露光装置を用いて、従来の露光方法では達成できなかった微細な格子点寸法を有するフォトレジスト格子パターンを形成する新たな方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の主な他の目的は、上記の新たな方法を用いる場合に、格子パターンを整形する方法、および格子パターンに格子欠陥を意識的に導入する方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の格子パターンの露光方法は、光学露光装置を用いてフォトレジストに格子パターンを露光する露光方法において、異なるパターンの少なくとも２回以上の多重露光によって格子パターンをパターニングする。
【００１５】
異なるパターンの多重露光を行い、多重露光部の現像液への高い溶解特性または非露光部の現像液への非溶解性を利用して格子パターンをフォトレジストにパターニングすることができるので、電子線露光法に比べて露光が高速に行えると同時に、光学露光法の解像限界に達する微細パターン解像特性が得られる。
【００１６】
異なるパターンは、それぞれライン・アンド・スペース・パターンであってよい。多重露光の各回の露光量が全てフォトレジストの現像液への溶解に必要な臨界露光量以上であってよい。
【００１７】
多重露光の各回の露光量が全て臨界露光量未満で、少なくとも２回以上の重複露光部分の露光量が臨界露光量以上であってよい。
【００１８】
２つのライン・アンド・スペース・パターンを互いに９０°傾けて露光して正方格子パターンをパターニングしてもよい。
【００１９】
２つのライン・アンド・スペース・パターンを互いに６０°または３０°傾けて露光して六方格子パターンをパターニングしてもよい。
【００２０】
周期的に分断された形状のスペース・パターンを有するライン・アンド・スペース・パターンを６０°または３０°傾けて多重露光して蜂の巣状格子パターンをパターニングしてもよい。
【００２１】
部分的に分断された形状のスペース・パターンを有するライン・アンド・スペース・パターンを多重露光して格子欠陥を含んだ格子パターンをパターニングしてもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
図１は本発明の格子パターンの露光方法の一実施形態の手順を示し、図２は図１の格子パターンの露光方法が適用された露光装置のステップ１における状態を示し、図３は同じくステップ２における同露光装置の状態を示す。
【００２４】
本実施形態の格子パターン露光方法は、図１および２に示すように、まず、等間隔の平行な線パターンから成るライン・アンド・スペース・パターン(以下Ｌ／Ｓパターンと称する)１５を有する露光マスク１４を用いて、基板１８上に塗布したフォトレジスト２３に第１の露光を行う（ステップＳ１）。ここで、図２のフォトレジスト２３にはＬ／Ｓパターン１５が縮小投影され、露光領域１７のように転写される。次に、図１および３に示すように、露光マスク１４上のＬ／Ｓパターン１５の線方向とゼロより大きい角度θを成すＬ／Ｓパターン２０を有する露光マスク２１を用いて、フォトレジスト２３の露光領域１７に重ねて第２の露光を行う（ステップＳ２）。このように２重露光により、最終的に露光領域２２ができる。図４はフォトレジスト２３上の第１の露光による露光パターン７を示し、図５はフォトレジスト２３上の露光パターン７と同じ位置におけるθ＝９０°としたときの第２の露光による露光パターン８を示し、図６の９は露光パターン７と露光パターン８が重ねられた露光パターンを示している。
【００２５】
第１の露光における露光光６の光量をＥ１、第２の露光における露光光１９の露光量をＥ２とすると、図６において第１の露光と第２の露光両方で光が照射された部分１０と、第１の露光のみ光が照射された部分１１と、第２の露光のみ光が照射された部分１２と、第１の露光と第２の露光の両方で光が照射されなかった部分１３の全露光量はそれぞれ、部分１０がＥ１＋Ｅ２、部分１１がＥ１、部分１２がＥ２、部分１３が０となる。さて、フォトレジストの現像液への溶解度はポジ形フォトレジストの場合、露光量に対して図７に示すような非線型の溶解度特性を有する。今、フォトレジスト２３の現像液への溶解に必要な臨界露光量を図７からＥ０１とすると、Ｅ１＞Ｅ０１かつＥ２＞Ｅ０１のとき、第１の露光で光が照射された部分と第２の露光で光が照射された部分の全ては感光に必要な臨界露光量Ｅ０１を超える露光量を受けるので、図８（a）の斜線で示した感光部４が現像液に溶解し、残りの非感光部５が残った格子パターンが形成される。フォトレジスト２３がネガ型の場合は、図９に示すように、臨界露光量Ｅ０２を超える露光量を照射された部分の現像液への溶解度が急激に低下する。したがって、Ｅ１＞Ｅ０２かつＥ２＞Ｅ０２であれば、図８（b）の斜線で示した非感光部２４が現像液に溶解し、残りの感光部２５が残った格子パターンが形成される。
【００２６】
フォトレジスト２３がポジ型で、Ｅ１＋Ｅ２＞Ｅ０１かつＥ０１＞Ｅ１かつＥ０１＞Ｅ２の関係にある場合には、第１の露光と第２の露光の両方で光が照射された部分１０のみ十分な露光量を得て感光することになる。したがって、現像によって図６の部分１０のフォトレジストが溶解して無くなり、それ以外の部分１１と部分１２と部分１３が残った格子パターンが形成される。フォトレジスト２３がネガ型であれば、現像によって部分１０が残り、他の部分が抜けた格子パターンが形成される。なお、Ｅ１とＥ２の値は同じでも異なっていてもよい。
【００２７】
θ＝９０°であれば、上記の方法によって形成されるフォトレジストパターンは正方格子で、図１０の正方格子１と格子点の配置が同じである。言うまでもなく角度θを９０°に限る必要は無い。例えばθ＝６０°とし、ポジ型レジストで露光量をＥ１＋Ｅ２＞Ｅ０１かつＥ０１＞Ｅ１かつＥ０１＞Ｅ２の条件とすると、図１３のように、ひし形の格子点から成る六方格子（三角格子と呼ばれることもある）ができる。第１の露光パターン２６と第２の露光パターン２７が互いに６０°をなし、両方の露光で２重露光された領域が六方格子の格子点２８を成している。これは、図１１の六方格子２と格子点の配置が同じである。図１２の蜂の巣状格子３格子点のような配置に露光するには、例えば、図１４のように、第１の露光パターン２９と第２の露光パターン３０を、ポジ型レジストの場合、Ｅ１＋Ｅ２＞Ｅ０１かつＥ０１＞Ｅ１かつＥ０１＞Ｅ２の条件で露光すれば蜂の巣状格子パターン３１が得られる。
【００２８】
露光条件をＥ１＋Ｅ２＞Ｅ０１かつＥ０１＞Ｅ１かつＥ０１＞Ｅ２の代わりに、 Ｅ１＞Ｅ０１かつＥ２＞Ｅ０１にしてもよいし、ポジ形フォトレジストの代わりにネガ形フォトレジストを用いてもよいことは言うまでもない。後者の場合、現像液への溶解に必要な臨界露光量はＥ０２とする。
【００２９】
蜂の巣状格子３は六方格子２から格子点を部分的に取り除いたパターンと見なすことができる。言い換えれば、蜂の巣状格子３は六方格子２の一部分に格子点の存在しない部分、すなわち格子欠陥が導入されたものである。
したがって、図１４に示された蜂の巣状格子パターンの多重露光方法は格子パターンに格子欠陥を導入する方法を与えている。すなわち、格子欠陥を形成したい部分におけるＬ／Ｓパターンのライン（Ｌ）またはスペース（Ｓ）を欠陥部で分断しておく。この方法を用いれば、格子パターンの任意の部位に格子欠陥を導入することができる。格子点一つが欠落している格子欠陥は点欠陥といわれるが、点欠陥が連続して並んだ線欠陥や、ある領域内の格子点が無いような格子欠陥も同様に形成できる。図１７は正方格子中にＬ形格子欠陥３７を導入するときに用いられる、重ねられた２つのＬ／Ｓパターンの例３６を示している。なお、「ラインの分断」とは、分断部分をスペースで埋めることを意味し、「スペースの分断」とは、分断部分をラインで埋めることである。
【００３０】
第１の露光と第２の露光の２回に分けた２重露光で格子パターンを形成することにより、露光マスクのパターンを格子パターンからＬ／Ｓパターンに分解することができるが、これによって以下のような利点が生じる。すなわち、格子パターンを１回で直接フォトレジストに転写する場合に比べて、より微細な格子パターンを形成することができる。同じ強度のｉ線を用いて、図１５（a）のように、一辺０．３５ミクロンの四角が繰り返し周期０．７ミクロンで並んでいる周期四角パターン３２を露光する場合の線Ａ−Ａ’に沿った光強度分布と、図１５（a）のように、幅０．３５ミクロンの開口線が繰り返し周期０．７ミクロンで並んでいるＬ／Ｓパターン３３の線Ｂ−Ｂ’に沿った光強度分布を同時に図１６に示す。図１６から、周期四角パターン３２の場合の光強度３５のピーク値が、Ｌ／Ｓパターン３３の場合の光強度３４のピーク値に比べて１／３程度に小さいのに、すそ引きは逆に大きいことが分かる。その結果、周期四角パターン３２の場合は四角の開口部分と非開口部分との光強度のコントラストが殆ど無くなり、フォトレジストにはパターンが転写されない。それに対して、Ｌ／Ｓパターンの場合は開口部と非開口部の光強度のコントラストが大きく、フォトレジストにパターンが転写される。この両者の違いは、転写しようとするパターンの形状から生じる。パターンサイズが波長程度に小さくなると、光の回折により、非開口部にも光がもれるために、開口部と非開口部の光強度のコントラストが小さくなり始める。図１５（b）のＬ／Ｓパターン３３の場合は、最小寸法が光の波長程度になっているのがｘ方向のみでｙ方向は余裕があるが、図１５（a）の周期四角パターン３２の場合は、ｘ方向とｙ方向の両方で波長程度に小さい寸法であるため、コントラストの低下はｘ方向とｙ方向の２重に作用する。すなわち、Ｌ／Ｓパターン３３の場合のコントラスト低下を１／ｋ（ｋ＞１）とすると、周期四角パターン３２の場合のコントラスト低下は１／（ｋ×ｋ）となる。そのため、微細な格子パターンを直接フォトレジストに転写しようとすると、解像できる最小寸法は波長の大きさよりも大きくなってしまう。それに対して、格子パターンをＬ／Ｓパターンの多重露光で形成すれば、波長限界、すなわちｉ線では０．３５ミクロン程度の格子パターンを転写することができ、２次元周期構造フォトニック結晶作製に必要な格子パターンを転写することが可能となる。上述のパターンサイズとｉ線の組み合わせの場合、 ｋの値は２程度で、１／ｋ＝０．５、また、１／（ｋ×ｋ）＝０．２５である。 ｉ線ステッパーが利用できるということは、電子線露光では困難な高速の大面積格子パターンの作製が行えることを意味し、生産性が飛躍的に高まる。また、電子線露光用フォトレジストよりもドライエッチング耐性の優れる光学露光用フォトレジストマスクを利用できることになる。
【００３１】
波長限界以上の解像度を得るのに利用される位相シフトマスクをこの方法に併用すると、波長限界を破って、さらに微細な格子パターンが形成できる。ｉ線を用いる場合、格子点の大きさが０．２５ミクロン角、繰り返し周期０．５ミクロン程度まで可能となり、波長１ミクロンの光に対応したより微細な格子パターンのフォトニック結晶が作製可能になる。また、繰り返し周期が０．７〜０．８ミクロンの１．５５ミクロン波長用のフォトニック結晶用のパターニングを、本発明と位相シフトマスクの併用により作製すれば、パターニング精度に余裕を持たせることができる。なお、位相シフトマスクは波長限界以上の解像度を得るための超解像技術の一つである。本発明は、輪帯照明法などの他の超解像技術とも併用することができる。
【００３２】
これまでの実施の形態では、２重露光によって格子パターンを形成する方法について述べたが、３重以上の露光を行ってもよい。３重以上の露光を行うと、格子点の形状を円形に近づけることができる。図１８はＬ／Ｓパターンの３重露光によって六方格子パターンを転写する例を示す。 Ｌ／Ｓパターン３８とＬ／Ｓパターン３９とＬ／Ｓパターン４０を連続して露光し、ポジ形フォトレジストを用いて３重露光された部分４１だけ現像液に溶解する露光強度に設定すれば、格子点の形を六角形にすることができる。フォトレジストがポジ形であるか、ネガ形であるかの選択、および、これまで説明したものも含めて色々な露光強度の設定条件の組み合わせが可能で、それに応じて格子点の抜きや残しの選択、格子点形状の選択、例えば正方形やひし形や六角形などの選択が可能であることは言うまでもない。
【００３３】
２重露光での格子点形成の利点の一つに、２回の露光の位置合わせが多少ずれても完全な格子パターンが形成できることが挙げられる。他方、３重以上の多重露光による格子点形成の利点は、フォトレジスト上で多重露光された部分と、そうでない部分の積算光強度比大きくとることが可能なことである。すなわち、格子点部分の光強度とその周囲の光強度のコントラストを多重露光の回数分だけ倍化することができ、より微細な格子点パターンを解像できるという利点がある。
【００３４】
現像処理は多重露光後に行うのが最も解像度が良いが、多重露光の合間に現像処理やベーク処理を挿入してもよい。
【００３５】
本発明は上記実施態様に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、適宜変更され得ることは言うまでもない。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、光を用いて異なる格子パターンを多重露光することにより、多重露光部の現像液への高い溶解特性または非露光部の現像液への非溶解性を利用して格子パターンをフォトレジストにパターニングすることができるので、電子線露光法に比べて露光が高速に行えると同時に、微細な格子点を複数のＬ／Ｓパターンへ分解することにより、光学露光法の解像限界に達する微細パターン解像特性が得られる、すなはち、従来不可能であった波長程度のパターンサイズ、例えば、ｉ線を用いる場合は１辺０．３５ミクロン、または直径０．３５ミクロンの格子点を形成できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の格子パターンの露光方法の手順を示すフローチャートである。
【図２】図１の格子パターンの露光方法が適用された露光装置のステップ１における状態を示す模式斜視図である。
【図３】図２の露光装置のステップ２における状態を示す模式斜視図である。
【図４】図２の状態で露光されたフォトレジスト２３上の露光パターンを示す図である。
【図５】図３の状態でフォトレジスト２３上の露光パターン７と同じ位置におけるθ＝９０°としたときの露光による露光パターンを示す図である。
【図６】図４の露光パターン７と図５の露光パターン８が重ねられた露光パターンを示す図である。
【図７】ポジ型フォトレジストの溶解度−露光量特性を示すグラフである。
【図８】  (a)は第１の露光の露光量と第２の露光の露光量の一状態における現像後のフォトレジスト２３を示す図、(b)は(a)と異なる状態における現像後のフォトレジスト２３を示す図である。
【図９】ネガ型フォトレジストの溶解度−露光量特性を示すグラフである。
【図１０】正方格子を示す模式図である。
【図１１】六方格子を示す模式図である。
【図１２】蜂の巣状格子を示す模式図である。
【図１３】六方格子の多重露光法を説明する模式図である。
【図１４】蜂の巣状格子の露光法を説明する模式図である。
【図１５】  (a)は周期四角パターンの一例の模式図、(b)はＬ／Ｓパターンの一例の模式図である。
【図１６】本発明と従来の方法の違いを説明するグラフである。
【図１７】正方格子中にＬ形格子欠陥を導入するときに用いられる、重ねられた２つのＬ／Ｓパターンの例を示す図である。
【図１８】Ｌ／Ｓパターンの３重露光によって六方格子パターンを転写する例を説明する図である。
【符号の説明】
１  正方格子
２  六方格子
３  蜂の巣状格子
４、２５  感光部
５、２４  非感光部
６、１９  露光光
７、８、９  露光パターン
１０，１１，１２，１３、４１  部分
１４、２１  露光マスク
１５、２０、３３  Ｌ／Ｓパターン
１６  縮小光学レンズ
１７、２２  露光領域
１８  基板
２３  フォトレジスト
２６、２９  第１の露光パターン
２７、３０  第２の露光パターン
２８  六方格子の格子点
３１  蜂の巣状格子の格子点
３２  周期四角パターン
３４  Ｌ／Ｓパタ−ン光強度
３５  周期四角パターン光強度
３６  ２つのＬ／Ｓパタ−ン
３７  Ｌ形格子欠陥
３８，３９，４０  Ｌ／Ｓパタ−ン
【図１】
0003695430.tif 000002
【図２】
0003695430.tif 000003
【図３】
0003695430.tif 000004
【図４】
0003695430.tif 000005
【図５】
0003695430.tif 000006
【図６】
0003695430.tif 000007
【図７】
0003695430.tif 000008
【図８】
0003695430.tif 000009
【図９】
0003695430.tif 000010
【図１０】
0003695430.tif 000011
【図１１】
0003695430.tif 000012
【図１２】
0003695430.tif 000013
【図１３】
0003695430.tif 000014
【図１４】
0003695430.tif 000015
【図１５】
0003695430.tif 000016
【図１６】
0003695430.tif 000017
【図１７】
0003695430.tif 000018
【図１８】
0003695430.tif 000019