(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔をあけて互いに平行に延在するストライプ状の２つの開口部を備えた酸化膜を半導体基板上に形成し、この酸化膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることで、前記半導体基板上に所定の間隔をあけて互いに平行に延在する２つの溝を形成する第１の工程と、
前記酸化膜を除去した後で前記２つの溝を犠牲膜で充填して前記半導体基板表面を実質的に平坦な状態とする第２の工程と、
前記半導体基板表面に第１の金属薄膜を形成する第３の工程と、
前記第１の金属薄膜上に前記２つの溝に挾まれた領域および前記溝の外側に隣接する所定の幅の領域に、前記溝に沿って平行に延在するストライプ状の第１および第２の開口部を備えたレジストパターンを形成し、前記レジストパターンの第１および第２の開口部底部に露出した前記第１の金属薄膜上にメッキにより第２の金属膜を形成して前記開口部を充填し、前記溝に挾まれた領域に配置される信号線およびその隣に配置されるグランド線を形成する第４の工程と、
レジストパターンを除去した後で前記第１の金属薄膜の露出している領域を除去する第５の工程と、
前記第５の工程の後で前記犠牲膜を除去する工程と
を少なくとも備え、
前記レジストパターンの開口部は、開口部底部の幅より開口部を深く形成することを特徴とする伝送線路の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の伝送線路の製造方法において、
前記第４の工程において、前記レジストパターンに第３の開口部を同時に形成し、その第３の開口部底部に露出する前記第１の金属薄膜上に前記第２の金属膜を同時に形成して前記信号線および前記グランド線とともに高周波素子を形成し、
前記信号線とグランド線と高周波素子とを覆って表面が実質的に平坦な状態に犠牲層を形成する第６の工程と、
前記信号線および前記高周波素子上の前記犠牲層の所定領域にそれぞれ接続口を形成する第７の工程と、
前記接続構内を含む前記犠牲層上に第２の金属薄膜を形成し、前記それぞれの接続口間にわたる開口領域を備えた新たなレジストパターンを形成し、開口領域底部に露出した前記第２の金属薄膜上に選択的にメッキにより第２の金属膜を形成して前記信号線と前記高周波素子とを接続する接続部を形成する第８の工程と、
前記新たなレジストパターンを除去した後で前記第２の金属薄膜の露出している領域を除去する第９の工程と
を備え、
前記犠牲膜は前記犠牲層とともに前記第９の工程の後で除去することを特徴とする伝送線路の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の伝送線路の製造方法において、
前記犠牲膜は、前記２つの溝が形成された前記半導体基板上に感光性を有する樹脂膜を形成し、その樹脂膜に選択的に露光光を照射して現像することで、前記溝上部に前記樹脂膜が残るようにパターニングし、その残った樹脂膜の前記半導体基板平面上に突出している部分を削除して平坦化することで形成することを特徴とする伝送線路の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の伝送線路の製造方法において、
前記樹脂膜は、感光性ポリイミドからなることを特徴とする伝送線路の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１に項記載の伝送線路の製造方法において、
前記メッキでは、電界メッキ法により金を形成することを特徴とする伝送線路の製造方法。
【請求項６】
請求項３または４記載の伝送線路の製造方法において、
前記平坦化は、化学的機械的研磨法により行うことを特徴とする伝送線路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体基板上に形成された高周波信号を伝搬する伝送線路およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、未使用周波数帯であるミリ波周波数帯の応用が提唱されている。特に、アンテナやセンサへの展開が注目を集めている。このミリ波周波数帯を利用する半導体デバイスの進歩やマイクロ波回路の集積化の要求に伴い、広帯域性や回路素子のマウントの容易さ、そして寄生素子の影響の少ないことなどの利点のため、平面形導波路であるコプレーナ線路が提案されている。
その一つとして、文献１（K.J.Herrick,T.A.Schwarz and L.P.B.Katehi,'Si-Micromachined Copanar Waveguides for Use in High-Freqency Circuits',IEEE Trans.On Microwave Theory and Techniques,Vol.46,No.6,June ,pp762-768(1998)）がある。
【０００３】
この文献１の技術では、図１０に示すように、高い比抵抗のシリコン基板１００１上にコプレーナ伝送線路を形成している。まず、図１０（ａ）に示すように、シリコン基板１００１上に、金属材料からなる信号線１００２とグランド線１００３とを膜厚１〜２μｍ程度に形成する。この信号線１００２とグランド線１００３とでコプレーナ伝送線路となる。
次に、図１０（ｂ）に示すように、その信号線１００２およびグランド線１００３をマスクとしてシリコン基板１００１を選択的にエッチングし、溝１００４を形成する。もしくは、図１０（ｃ）に示すように、信号線１００２およびグランド線１００３をマスクとしてシリコン基板１００１を選択的にエッチングし、溝１００５を形成する。
【０００４】
このようなコプレーナ伝送線路において、信号線を伝搬していく高周波信号は、シリコン基板の存在により伝送損失が発生する。このため、上述したように溝を形成することで、信号線の周りをより誘電率の低い空気の層とするようにしている。しかしながら、この文献１の技術では、その溝の大きさが、配線の寸法により決定されてしまい、配線の寸法と溝の大きさを個別に設計できないため、伝送損を最小にする最適化には限界がある。
また、その溝の形状と大きさとが、伝送線路における高周波信号やその伝送特定に影響を与えるが、溝の形状と大きさとを均一にすることがプロセス上困難なため、再現性などに問題がある。
【０００５】
一方、文献２（M.Hirano, Y.Imai, I.Toyoda, K.Nishikawa, M.Tokumitsu and K.Asai,'Three Dimensional Passive Elements for Compact GaAs MMICs',I EICE Trans. Electrpn.,Vol.E76-C,No.6 June pp961-967(1993)）に記載されているように、信号線とグランド線とを板状に形成する技術がある。
これは、図１１に示すように、高抵抗なＧａＡｓからなる基板１１０１上に、その基板１１０１主面に直交して板状の信号線１１０２およびグランド線１１０３をたたせて配置したものである。また、信号線１１０２とグランド線１１０３は、その平面に垂直な方向に平行な状態で延在している。このようにすることで、信号線１１０２の周囲のほとんどを空気の層とし、伝送損失がより低くなるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の技術では、同一基板にモノリシックに他のアンテナ素子などとともに伝送線路を形成することが困難であるという問題があった。
まず、文献１の技術では、溝の形成の再現性に難があるため、他の素子を同時に搭載した場合、伝送線路の良否が装置全体の歩留りに大きく影響してしまう。従って、より高い歩留りで高周波装置を製造しようとすれば、上述したコプレーナ伝送線路と他の素子とを個別に作成することになる。しかし、このように個別に形成していたのでは、小型化や高性能化の要求を満たすことが非常に困難である。
【０００７】
また、一般に能動素子などは、抵抗の低い半導体基板上に形成するため、上述した文献１と文献２の技術のように、基板に高抵抗な材料を用いるようにしていると、この基板上に同時に他の素子を形成することが非常に困難であった。
この発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、抵抗の低い半導体基板の上であっても、その上に形成した伝送線路の伝送損失を抑制できるようにすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明の伝送線路の製造方法は、次に示す工程を備えるようにした。まず、所定の間隔をあけて互いに平行に延在するストライプ状の２つの開口部を備えた酸化膜を半導体基板上に形成し、この酸化膜をマスクとして半導体基板をエッチングすることで、半導体基板上に所定の間隔をあけて互いに平行に延在する２つの溝を形成する第１の工程。次に、酸化膜を除去した後で２つの溝を犠牲膜で充填して半導体基板表面を実質的に平坦な状態とする第２の工程。次に、半導体基板表面に第１の金属薄膜を形成する第３の工程。
【０００９】
次に、第１の金属薄膜上に２つの溝に挾まれた領域および溝の外側に隣接する所定の幅の領域に、溝に沿って平行に延在するストライプ状の第１および第２の開口部を備えたレジストパターンを形成し、レジストパターンの第１および第２の開口部底部に露出した第１の金属薄膜上にメッキにより第２の金属膜を形成して開口部を充填し、溝に挾まれた領域に配置される信号線およびその隣りに配置されるグランド線を形成する第４の工程。次に、レジストパターンを除去した後で第１の金属薄膜の露出している領域を除去する第５の工程。次に、第５の工程の後で犠牲膜を除去する工程。
そして、レジストパターンの開口部は、開口部底部の幅より深く形成するようにした。
このようにしたので、伝送路は板状に立てた形態に形成され、電界の集中が板状の信号線の側壁に集中するようになる。
【００１０】
そのような中で、第４の工程において、レジストパターンに第３の開口部を同時に形成し、その第３の開口部底部に露出する第１の金属薄膜上に第２の金属膜を同時に形成して信号線およびグランド遷都ともに高周波素子を形成し、信号線とグランド線と高周波素子とを覆って表面が実質的に平坦な状態に犠牲層を形成する第６の工程と、信号線および高周波素子上の犠牲層の所定領域にそれぞれ接続口を形成する第７の工程と、接続構内を含む犠牲層上に第２の金属薄膜を形成し、それぞれの接続口間にわたる開口領域を備えた新たなレジストパターンを形成し、開口領域底部に露出した第２の金属薄膜上に選択的にメッキにより第２の金属膜を形成して信号線と高周波素子とを接続する接続部を形成する第８の工程と、新たなレジストパターンを除去した後で第２の金属薄膜の露出している領域を除去する第９の工程とを新たに備え、犠牲膜は犠牲層とともに第９の工程の後で除去するようにした。
【００１１】
また、犠牲膜は、２つの溝が形成された半導体基板上に感光性を有する樹脂膜を形成し、その樹脂膜に選択的に露光光を照射して現像することで、溝上部に樹脂膜が残るようにパターニングし、その残った樹脂膜の半導体基板平面上に突出している部分を削除して平坦化することで形成すればよい。
また、樹脂膜は、感光性ポリイミドを用いればよい。また、メッキでは、電界メッキ法により金を形成する。また、平坦化は、化学的機械的研磨法により行う。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下この発明の実施の形態を図を参照して説明する。
実施の形態１
以下、この発明の第１の実施の形態について説明する。この実施の形態１では、図１の斜視図に示すように、半導体基板１０１上に信号線１０２とグランド線１０３とからなる伝送線路が形成され、その信号線１０２の両脇の半導体基板１０１に溝１０４を形成し、空間が存在するようにした。また、その信号線１０２とグランド線１０３は、半導体基板１０１上に、金属薄膜１０５を介して配置されている。
【００１３】
また、信号線１０２およびグランド線１０３は、半導体基板１０１主面に平行な底面に対し、隣接する側面の方が面積が広くなるように形成されている。すなわち、信号線１０２の延在している方向に対して垂直な断面をみると、底辺よりそれに隣接する辺（高さ）の方が長い長方形となっている。
なお、図１において、その信号線１０２は、接続部１０６を介してアンテナ構造体（高周波素子）１０７と接続した状態としている。その半導体基板１０１は、比抵抗が３〜５Ωのシリコンからなり、この半導体基板１０１の他の領域には、図示していないがマイクロ波回路が形成されている。
【００１４】
次に、この実施の形態１における伝送線路の製造方法に関して説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、シリコンからなる半導体基板１０１上に、熱酸化法により酸化膜２０１を形成する。
次に、図２（ｂ）に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術により酸化膜２０１をパターニングし、所定の方向に延在するストライプ状の開口部２０１ａを形成する。
次に、図２（ｃ）に示すように、開口部２０１ａが形成された酸化膜２０１をマスクとしたウエットエッチングにより、半導体基板１０１を選択的にエッチングして、溝１０４を形成した。このウエットエッチングでは、水酸化カリウム水溶液をエッチング液として用いた。
【００１５】
次に、酸化膜２０１をＨＦ（フッ化水素）を用いてエッチング除去し、図２（ｄ）に示すように、基板１０１に溝１０４が形成された状態とした。その、溝１０４の深さは、１０μｍ程度とした。なお、図２では、溝１０４の断面形状がＶ字状としたが、これに限るものではなく、空間が形成できればどのような形状であっても良い。
次に、図２（ｅ）に示すように、溝１０４を埋め込むようにポリイミドからなる犠牲膜２０２を形成した。これは、ポリイミドを半導体基板１０１表面に塗布することでポリイミド膜を膜厚１０μｍ程度に形成した後、そのポリイミド膜を化学的機械的研磨法により平坦化エッチングすることで形成した。
【００１６】
次に、図３（ｆ）に示すように、半導体基板１０１上にクロムの層と金の層の２層構造とした金属薄膜３０１を形成し、その上に、レジストパターン３０２を形成した。その金属薄膜３０１は、クロムおよび金を０．１μｍずつ蒸着法により形成した。また、レジストパターン３０２は、膜厚１０μｍ程度に形成し、溝１０４に平行な方向に延在する開口部３０２ａ，３０２ｂ，および、開口部３０２ｃが形成されている状態とした。
次に、図３（ｇ）に示すように、開口部３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃ底部に露出している金属薄膜３０１表面に、電界メッキ法により金を膜厚１０μｍ程度メッキし、開口部３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃが金膜３０３で充填されている状態とした。
【００１７】
次いで、レジストパターン３０２を剥離した後、レジストパターン３０２下部の金属薄膜３０１を選択的に除去した。これは、まず、ヨウ素，ヨウ化アンモニウム，エタノールの水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングすることで、金属薄膜３０１の金膜の部分を除去し、その後、その下のクロム膜の部分をウエットエッチングにより除去することで行った。なお、金膜のエッチングでは、エッチング速度が毎分０．０５μｍ程度であった。
以上のことにより、図３（ｈ）に示すように、半導体基板１０１上に、金属薄膜１０５を介して信号線１０２とグランド線１０３およびアンテナ構造体１０７が形成されたことになる。
【００１８】
次いで、図３（ｉ）に示すように、まず、それら信号線１０２，グランド線１０３，アンテナ構造体１０７を埋め込むように、絶縁物からなる犠牲層３０４を半導体基板１０１上に形成した。その犠牲層３０４としては、ポリイミドを膜厚１０μｍ程度に形成することで構成した。次いで、その犠牲層３０４の所定箇所に接続口を形成し、その接続口を介して信号線１０２とアンテナ構造体１０７とを接続する接続部１０６を形成した。
【００１９】
この接続部１０６の形成は、上述した信号線１０２の形成と同様であり、まず、接続口を形成した状態で犠牲層３０４を含む全域に、クロムの層と金の層の２層構造とした金属薄膜を形成し、その上に、接続部１０６形成領域に溝（開口領域）のあるレジストパターンを形成した。次に、その溝底部に露出している金属薄膜表面に、電界メッキ法により金を１０μｍ程度メッキし、溝がメッキした金膜で充填されている状態とした。次いで、レジストパターンを剥離した後、レジストパターン下部の金属薄膜、すなわち、メッキにより形成した金からなる構造体以外の領域の金属薄膜を選択的に除去すればよい。
【００２０】
次に、犠牲層３０４および犠牲膜２０２を除去する。これは、酸素プラズマによりそれらをアッシングすることで行える。この結果、図３（ｊ）に示すように、信号線１０２の両脇の半導体基板１０１に、溝１０１ａを備えた状態で、グランド線１０３やアンテナ構造体１０７および、接続部１０６が形成された状態が得られる。
【００２１】
このように、この実施の形態１では、まず、信号線１０２とグランド線１０３の断面を半導体基板１０１主面に垂直な方向に縦長な形状とし、信号線１０２の両脇の半導体基板１０１に溝１０４を備えるようにした。このようにしたので、信号線１０２の周囲には、より多くの空間が存在することになり、信号線１０２の周囲にある半導体基板１０１の領域が相対的に少ない状態となる。この結果、以下に示すように、この実施の形態によれば、伝送の損失をより少なくすることができた。
【００２２】
まず、図４に示すように、半導体基板４０１上に膜厚３．５μｍの金属配線からなる信号線４０２とグランド線４０３とによるコプレーナ型伝送線路（ＣＰＷ）を形成した場合と、図５に示すように、半導体基板５０１上に膜厚１０μｍの金属配線からなる信号線５０２とグランド線５０３とによる伝送線路（ＳＣＰＷ）とに関して考察する。
これらの伝送特性を図６に示すが、図６において、図４の伝送線路の伝送特性を点線で示し、図５の伝送線路の伝送特性を実線で示している。
【００２３】
図６の伝送特性から明らかであるが、膜厚を厚くして板状に立てた形態の伝送線路（図５）の方が、通常のコプレーナ型の伝送線路（図４）に比較して減衰特性が良好である。線路を板状に立てたことで、電界の集中が板状の線路の側壁に集中するため、半導体基板における伝送損失が抑制されているため、図５の方が減衰特性が良好になっている。
【００２４】
しかしながら、図５の形態の伝送線路であっても、図７（ａ）に示すように、伝送線路が長くなると損失が大きくなっている。図７では、点線で伝送線路が５００μｍの場合の伝搬した信号の状態を示し、実線で伝送線路が１０００μｍの場合の伝搬した信号の状態を示している。
図７（ａ）に示すように、図５の形態の伝送線路では、５００μｍと１０００μｍとの伝送線路の長さの差により、振幅は２０．９％減衰し、また、４．１１ｐｓの遅延が発生している。
【００２５】
一方、図７（ｂ）は、前述の図１に示したこの発明の実施の形態１における伝送線路の場合である。この実施の形態１では、図７（ｂ）に示すように、５００μｍと１０００μｍとの伝送線路の長さの差により、振幅は５％程度しか減衰せず、また、遅延も３．３７ｐｓと減少している。
このように、この実施の形態１によれば、ＬＳＩなどの機能回路を形成できる半導体基板上で、損失が少なく伝搬特性に優れた伝送線路を構成できる。すなわち、同一基板にモノリシックにアンテナ構造体などの他の高周波素子などとともに伝送線路を形成でき、従って、より高集積な高周波回路素子の構造を容易に実現できるようになる。
【００２６】
実施の形態２
次に、この発明の第２の実施の形態について説明する。この実施の形態２では、次に示すようにして伝送線路を製造するようにしたものである。
まず、図２（ａ）から図２（ｄ）で説明したことと同様にして、図８（ａ）に示すように、基板１０１に溝１０４が形成された状態とする。その、溝１０４の深さは、１０μｍ程度とした。
次に、図８（ｂ）に示すように、感光性ポリイミドからなる樹脂膜８０１を全面に膜厚１０μｍ程度に形成した。この感光性ポリイミドは、ポリベンザオキサゾール前駆体からなるベース樹脂に、ポジ型の感光剤を付加して感光性を持たせている。
【００２７】
次に、図８（ｃ）に示すように、溝１０４上部に遮光体８０２を配置した状態で紫外線８０３を照射し、樹脂膜８０１の溝１０４上部以外を露光する。そして、この露光した樹脂膜８０１をアルカリ性の現像液で現像することで、図８（ｄ）に示すように、溝１０４上に現像パターン８０１ａが形成された状態とする。
次いで、この現像パターン８０１ａを加熱して熱硬化させた後、化学的機械的研磨法により切削研磨して平坦化することで、図８（ｅ）に示すように、溝１０４を埋め込むようにポリイミドからなる犠牲膜２０２を形成した。
【００２８】
以降は、前述した実施の形態１と同様であるが、まず、図８（ｆ）に示すように、半導体基板１０１上にクロムの層と金の層の２層構造とした金属薄膜３０１を形成し、その上に、レジストパターン３０２を形成した。その金属薄膜３０１は、クロムおよび金を０．１μｍずつ蒸着法により形成した。また、レジストパターン３０２は、膜厚１０μｍ程度に形成し、開口部３０２ａ，３０２ｂ，および、開口部３０２ｃが形成されている状態とした。
次に、図９（ｇ）に示すように、開口部３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃ底部に露出している金属薄膜３０１表面に、電界メッキ法により金を膜厚１０μｍ程度メッキし、開口部３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃが金膜３０３で充填されている状態とした。
【００２９】
次いで、レジストパターン３０２を剥離した後、レジストパターン３０２下部の金属薄膜３０１を選択的に除去した。これは、まず、ヨウ素，ヨウ化アンモニウム，エタノールの水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングすることで、金属薄膜３０１の金膜の部分を除去し、その後、その下のクロム膜の部分をウエットエッチングにより除去することで行った。なお、金膜のエッチングでは、エッチング速度が毎分０．０５μｍ程度であった。
以上のことにより、図９（ｈ）に示すように、半導体基板１０１上に、金属薄膜１０５を介して信号線１０２とグランド線１０３およびアンテナ構造体１０７が形成されたことになる。
【００３０】
次いで、図９（ｉ）に示すように、まず、それら信号線１０２，グランド線１０３，アンテナ構造体１０７を埋め込むように、絶縁物からなる犠牲層３０４を半導体基板１０１上に形成した。その犠牲層３０４としては、ポリイミドを膜厚１０μｍ程度に形成することで構成した。次いで、その犠牲層３０４の所定箇所に接続口を形成し、その接続口を介して信号線１０２とアンテナ構造体１０７とを接続する接続部１０６を形成した。
【００３１】
次に、例えば酸素プラズマを用い、犠牲層３０４および犠牲膜２０２を除去すれば、図１０（ｊ）に示すように、信号線１０２の両脇の半導体基板１０１に、溝１０１ａを備えた状態で、グランド線１０３やアンテナ構造体１０７および、接続部１０６が形成された状態が前述した実施の形態１と同様に得られる。
なお、上記実施の形態１，２においては、グランド線を信号線を挾むように２つ形成するようにしたが、このグランド線は１つであっても良い。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明では、まず、所定の間隔をあけて互いに平行に延在するストライプ状の２つの開口部を備えた酸化膜を半導体基板上に形成し、この酸化膜をマスクとして半導体基板をエッチングすることで、半導体基板上に所定の間隔をあけて互いに平行に延在する２つの溝を形成する。次に、酸化膜を除去した後で２つの溝を犠牲膜で充填して半導体基板表面を実質的に平坦な状態とする。次に、半導体基板表面に第１の金属薄膜を形成する第３の工程。次に、第１の金属薄膜上に２つの溝に挾まれた領域および溝の外側に隣接する所定の幅の領域に、溝に沿って平行に延在するストライプ状の第１および第２の開口部を備えたレジストパターンを形成し、レジストパターンの第１および第２の開口部底部に露出した第１の金属薄膜上にメッキにより第２の金属膜を形成して開口部を充填し、溝に挾まれた領域に配置される信号線およびその隣に配置されるグランド線を形成する。次に、レジストパターンを除去した後で第１の金属薄膜の露出している領域を除去する。次に、第５の工程の後で犠牲膜を除去する。そして、レジストパターンの開口部は、開口部底部の幅より深く形成するようにした。
【００３３】
このようにしたので、伝送路は板状に立てた形態に形成され、電界の集中が板状の信号線の側壁に集中するようになる。そして、その信号線の両脇に溝を備えるようにしたので、信号線の周囲にはより多くの空間が存在することになり、信号線の周囲にある半導体基板の領域が相対的に少ない状態となる。この結果、この発明によれば、抵抗の低い半導体基板の上であっても、その上に形成した伝送線路の伝送損失を抑制できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１における伝送線路の構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】  実施の形態１における伝送線路の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】  図２に続く、実施の形態１における伝送線路の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】  従来よりある伝送線路の構成を示す構成図である。
【図５】  伝送線路の他の形態を示す構成図である。
【図６】  図４と図５に示した伝送線路の伝送特性を示す特性図である。
【図７】  図５に示した伝送線路と実施の形態１の伝送線路とにおける振幅特性を示す特性図である。
【図８】  実施の形態２における伝送線路の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】  図８に続く、実施の形態２における伝送線路の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】  従来よりある伝送線路の構成を示す構成図である。
【図１１】  従来よりある伝送線路の他の形態を示す構成図である。
【符号の説明】
１０１…半導体基板、１０２…信号線、１０３…グランド線、１０４…溝、１０５…金属薄膜、１０６…接続部、１０７…アンテナ構造体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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