(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
排ガスを吸収液と接触させて浄化する方法において、
（ｉ）第１隔板とその上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する第３室とに区画された密閉槽におけるその第２室に排ガスを供給すること、
（ｉｉ）第２室に供給された排ガスを第１隔板に形成された複数の透孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容されている第１吸収液中に吹込むこと、
（ｉｉｉ）第１室の上部空間に存在する第１浄化排ガスを排ガス上昇筒を通して第３室に導入すること、
（ｉｖ）第３室に導入された排ガスを、第３室の上部に配設されたスプレーノズルにより形成された第２吸収液粒子と接触させて浄化すること、
（ｖ）第３室の床面を形成する第２隔板の上面に滞留する第２吸収液を前記第３室に配設されているスプレーノズルに循環させること、
（ｖｉ）第３室で第２吸収液粒子と接触した後の第２浄化排ガスを第３室に配設された浄化排ガス出口を通して排出させること、
を特徴とする排ガスの処理方法。
【請求項２】
第３室の空間部に充填層を存在させ、第３室に配設されたスプレーノズルから第２吸収液をこの充填層の上面にスプレーさせるとともに、第１室からの排ガスをこの充填層を通して上昇させることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
第１隔板とその上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する第３室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成された排ガス入口と、第３室に配設された浄化排ガス出口と、第１隔板に形成された複数の透孔と、その透孔に垂設され、第１室に収容された第１吸収液中に延びるガス分散管と、第１室と第３室とを連絡する排ガス上昇筒と、第３室の上部に配設された第２吸収液スプレーノズルと、第３室の床面を形成する第２隔板の上面に滞留する第２吸収液を第３室のスプレーノズルに循環させる配管を備えたことを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項４】
第３室の空間部に充填層を配設したことを特徴とする請求項３の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、排ガス中に含まれている汚染物質を高除去率でかつ経済的に除去し得る排ガスの処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、隔板によってその内部が２つ又は３つの室に区画された密閉容器と、その隔板に配設された多数の透孔に垂設された多数のガス分散管を備えた多管式排ガス処理装置は知られている（特公平３−７０５３２号、特開平３−７２９１３号、特開平３−２６２５１０号等）。
【０００３】
このような多管式排ガス処理装置は、排煙脱硫装置として広く利用されており、その脱硫率も９０〜９５％と比較的高いものであるが、近年においては、地球環境保全の点等から、さらに高い脱硫率で排ガスを処理することが要望されている。このような要望に対しては、ガス分散管の先端を吸収液中に沈める深度を増加させたり、吸収液のｐＨを高めて吸収液の性能を高めること等により対応されているが、しかし、前者の方法では排ガスの圧力損失が増大するために動力費用が増大し、一方、後者の方法では、排ガス処理の副生物として得られる石こう中への未反応吸収剤の混入量が増大するという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、排ガスの処理において、汚染物質除去率の高められた方法及び装置を提供することをその課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明によれば、排ガスを吸収液と接触させて浄化する方法において、
（ｉ）第１隔板とその上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する第３室とに区画された密閉槽におけるその第２室に排ガスを供給すること、
（ｉｉ）第２室に供給された排ガスを複数の第１隔板に形成された複数の透孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容されている第１吸収液中に吹込むこと、
（ｉｉｉ）第１室の上部空間に存在する第１浄化排ガスを排ガス上昇筒を通して第３室に導入すること、
（ｉｖ）第３室に導入された排ガスを、第３室の上部に配設されたスプレーノズルにより形成された第２吸収液粒子と接触させて浄化すること、
（ｖ）第３室の床面を形成する第２隔板の上面に滞留する第２吸収液を前記第３室に配設されているスプレーノズルに循環させること、
（ｖｉ）第３室で第２吸収液粒子と接触した後の第２浄化排ガスを第３室に配設された浄化排ガス出口を通して排出させること、
を特徴とする排ガスの処理方法が提供される。
【０００６】
また、本発明によれば、第１隔板とその上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する第３室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成された排ガス入口と、第３室に配設された浄化排ガス出口と、第１隔板に形成された複数の透孔と、その透孔に垂設され、第１室に収容されている第１吸収液中に延びるガス分散管と、第１室と第３室とを連絡する排ガス上昇筒と、第３室の上部に配設された第２吸収液スプレーノズルと、第３室の床面を形成する第２隔板の上面に滞留する第２吸収液を第３室のスプレーノズルに循環させる配管を備えたことを特徴とする排ガス処理装置が提供される。
【０００７】
次に、本発明を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の排ガス処理装置の模式図を示す。この図において、１は密閉槽、２は第１隔板、３は第２隔板、４は天板、５は第１室、６は第２室、７は第３室、８は排ガス導入ダクト、９はガス分散管、１０は排ガス上昇筒、１１は浄化排ガス導出ダクト、１２はミストエリミネータ、１３は第２吸収液抜出し管、１４は第２吸収液槽、１５はポンプ、１６は第２吸収液供給管、１７は第２吸収液スプレーノズル、１８は第１吸収剤供給管、１９は第２吸収剤供給管、２０は給水管、２１は酸素含有ガス供給管、２２は酸素含有ガス噴出ノズル、２３は排液管、２４は撹拌機、２５は第２吸収液導管、２６は排ガス衝突板、３１は冷却除塵塔、３２は排ガス導入ダクト、３３は冷却液抜出し管、３４はポンプ、３５は冷却液供給管、３６は冷却液スプレーノズル、Ａはフロス層（気液混合層）、Ｌ１は第１吸収液、Ｌ２は第２吸収液、Ｌ３は冷却液を各示す。
【０００８】
図１に示す本発明の排ガス処理装置は、大型の密閉槽１から構成され、その槽の内部は、第１隔板２及びその上方に位置する第２隔板３によって第１室５と第１室の上方に隣接する第２室６と第２室の上方に隣接する第３室７とに区画されている。第３室の上部空間は天板４によって密閉されている。第１隔板２には多数の透孔が配設され、これらの各透孔にはガス分散管９が垂設されている。第１隔板２は水平又はやや傾斜したものであることができる。第２隔板３は水平又は傾斜したものであることができ、その傾斜角は特に制約されない。
第１室５の内部には、第１吸収液Ｌ１が収容されている。また、第１室には、撹拌機２４と、第１吸収液Ｌ１中に酸素を供給する必要がある場合に用いられる酸素含有ガス噴出ノズル２２が配設されている。
第２室６の周壁には排ガス入口が配設され、この入口には排ガス導入ダクト８が連結されている。第２室の空間には特別の装置の配設は特に必要とされないが、必要に応じ、第３室の場合と同様に、吸収液をスプレーするためのスプレーノズル（図示されず）を配設することもできる。
第３室７の上部には、吸収液分散手段としてのスプレーノーズル１７が配設されている。
第３室７の上方に配設された天板４には、浄化排ガス出口が配設され、この出口には浄化排ガス導出ダクト１１が連結されている。
密閉槽１の外部には、第３室７の床面を形成する第２隔板３上に滞留する第２吸収液Ｌ２を第３室のスプレーノズル１７に循環させるための循環ラインが配設されている。この循環ラインは、第２吸収液抜出し管１３、第２吸収液槽１４、循環ポンプ１５及び第２吸収液供給管１６からなる。第２吸収液槽１４には、補充用の第２吸収液を得るための第２吸収剤供給管１９及び給水管２０が連結されている。
【０００９】
第１隔板２には、第１室５と第２室６との間を連絡する透孔が多数配設され、各透孔にはその先端が第１室の吸収液中に延びるガス分散管９が垂設されている。また、第１隔板２及び第２隔板３には、排ガス上昇筒１０を配設するための開口が配設され、これらの開口には、第１室５の上部空間に存在する排ガスを第３室７に導入させるための排ガス上昇筒１０が連結されている。この場合、排ガス上昇筒１０の開口端は第２隔板の上面より上方に突出し、第２隔板上の吸収液がこの排ガス上昇筒内を流下せずに、第２隔板上に滞留するようになっている。排ガス上昇筒１０の上方には、排ガス衝突板２６が配設されている。排ガス上昇筒１０の横断面形状は、円形や、正方形、長方形等の形状であることができる。
【００１０】
排ガス衝突板２６の形状は、平板状でもよいが、液膜の形成が容易で排ガス中の汚染物質が容易に分離されるように、周端部よりも中央部が上方に突出した形状、例えば、陣笠状等の形状であることができる。また、この排ガス衝突板に対しては、衝突板の中央部に、液体を衝突板の下方に液幕状又は噴霧状で分散させる液分散機構を配設することができる。図３に、液体を液幕状に分散させる液分散機構を排ガス衝突板に配設した例にして示す。この液分散機構は、衝突板の中央部下方に開口する液体導入管４１と、その液体導入管の開口部を包囲する短筒４２と、その短筒の先端開口に配設した液分散板４３から構成される。液分散板４３としては、液体を放射状に分散させる構造のものであればよい。図４及び図５に液分散板の斜視図を示す。また液分散板４３は、回転モータに接続し、回転させることにより、分散された液体の噴出し速度を高めることもできる。これによって、気液接触の効率を高めることができる。
【００１１】
本発明の排ガス処理装置に対しては、必要に応じ、その上流側に、冷却除塵塔３１を配設することができる。この冷却除塵塔３１は、密閉筒体と、その天板に連結された排ガス導入ダクト３２と、密閉筒体の下部に形成された排ガス導出口と、密閉筒体の底部に収容する冷却液Ｌ３を密閉筒体の上部に供給する冷却液循環ラインと、冷却液Ｌ３をスプレーさせるスプレーノズル３６から構成される。また、冷却液循環ラインは、冷却液抜出し管３３と循環ポンプ３４と冷却液供給管３５から構成される。
【００１２】
図１に示した装置系を用いて排ガス処理するには、排ガスを排ガス導入ダクト３２を介して冷却除塵塔３１内に導入する。冷却除塵塔３１では、冷却液Ｌ３が冷却液抜出し管３３、循環ポンプ３４及び冷却液供給管３５を通してスプレーノズル３６からスプレーされており、冷却除塵塔３１内に導入された排ガスは、このスプレーされた冷却液粒子と接触し、排ガスの除塵とともに、排ガスの冷却増湿が行われる。冷却液としては、水や、吸収液が用いられる。
【００１３】
冷却除塵塔３１で処理された排ガスは、その冷却除塵塔３１の下部に連結された本発明の排ガス処理装置の密閉槽１に連絡する排ガス導入ダクト８を介して、第２室６内に導入し、ここからガス分散管９を介して第１室５内の第１吸収液Ｌ１中に吹込まれる。吸収液Ｌ１中に吹込まれた排ガスは気泡となって上昇し、その分散管のガス噴出孔より上方には気泡と吸収液との混合相からなるフロス層Ａが形成される。排ガスが吸収液中を気泡として上昇する間に排ガス中に含まれている汚染物質は吸収液と反応し、排ガス中から除去される。
このようにして浄化された排ガスは、フロス層Ａから上部空間に放散され、ここから排ガス上昇筒１０を通って第３室７に導入される。この第３室内には、その床面を形成する第２隔板３の上面に滞留する第２吸収液Ｌ２を抜出すための第２吸収液抜出し管１３、第２吸収液槽１４、ポンプ１５、第２吸収液供給管１６を通って循環される第２吸収液がスプレーノズル１７からスプレーされている。第３室に導入された排ガスはこの吸収液粒子（平均粒子径：２００〜４０００μｍ）と接触し、排ガス中に残存する汚染物質がその吸収液粒子と反応し、排ガス中から除去される。また、第３室内には、排ガス上昇筒１０の上方に、排ガス衝突板２６が配設されており、排ガス上昇筒１０を上昇してきた排ガスはこの排ガス衝突板と衝突する。排ガス衝突板２６の下面には、排ガス中に含まれる第１吸収液Ｌ１の粒子の衝突によって、第１吸収液Ｌ１の液膜が形成されている。従って、この排ガス衝突板２６の下面に排ガスを衝突させることにより、排ガス中に含まれていた粉塵等の固体微粒子の除去とともに、排ガス中に含まれていたガス状汚染物質の除去も同時に達成することができる。
【００１４】
第３室内における吸収液粒子との接触により浄化された浄化排ガスは第３室の上方に配設された天板４の開口部に連結された浄化排ガス導出ダクト１１を通って槽外へ抜出され、ミストエリミネータ１２に導入され、ここでそのガス中に含まれていた吸収液粒子が除去された後、大気へ放出される。
スプレーノズル１７から粒子状でスプレーされた第２吸収液は第２隔板３の上面に落下滞留し、ここから第２吸収液抜出し管１３を通って第２吸収液槽１４へ返還される。
【００１５】
ガス分散管９としては、下端部の周壁面にガス噴出孔を有するものや、下端がノズル構造に形成されたもの等の各種のものを用いることができる。図６に下端部の周壁面にガス噴出孔を有するガス分散管の斜視図を示す。図６において、９はガス分散管を示し、４５はその下端部周壁面に形成されたガス噴出孔を示す。
【００１６】
第２吸収液槽１４は、第３室の床面を形成する第２隔板３の上面に滞留する第２吸収液Ｌ２を一時的に貯留させる貯槽としての作用とともに、補充用の第２吸収液の受槽としての作用を示す。補充用の第２吸収液は、これを第２吸収液槽とは別の槽において調製し、このあらかじめ調製された第２吸収液を第２吸収液槽１４に供給することができる他、図１に示すように、第２吸収液槽１４に対し、第２吸収剤供給管１９を通して第２吸収剤及び給水管２０を通して工業用水をそれぞれ導入し、この第２吸収液槽１４において補充用の第２吸収液を調製することもできる。さらに、第２吸収液槽１４からスプレーノズル１７に供給する第２吸収液がスラリー状のもので、その固形分濃度が高いときには、濾過や遠心分離等によりその固形分をあらかじめ除去した後、スプレーノズルに循環することもできる。
また、図１に示した第２吸収液槽１４の装置は必ずも必要とはされず、第２吸収液抜出し管１３は、これを循環ポンプ１５に直接連結させることもできる。この場合には、補充用の第２吸収液は、その第２吸収液抜出し管１３又は第２吸収液供給管１６に連結させることができる。
【００１７】
スプレーノズル１７に循環される第２吸収液の一部は、これを循環ライン、例えば、第２吸収液抜出し管１３や、図１に示すように第２吸収液供給管１６から抜出し、系外へ排出させることができるが、好ましくは図１に示すように、導管２５を通って第１吸収液Ｌ１中に導入させる。このような操作により、スプレーノズル１７に循環される第２吸収液の成分組成を常に所定の範囲に保持することができると共に、第２吸収液に残存する汚染物質の除去能力を第１吸収液中に移行させることができ、吸収剤全体の利用効率を高めることができる。
スプレーノズル１７からスプレーさせる吸収液の量は、標準状態に換算された排ガス量１ｍ３／ｈｒ当り、通常、０．１〜１０ｋｇ／ｈｒ、好ましくは０．２〜２ｋｇ／ｈｒである。このような吸収液量をスプレーさせることにより、排ガス中に残存する極く少量の汚染物質を効果的に除去することができる。
【００１８】
本発明装置の第３室７内には、その第２隔板３とスプレーノズル１７との間に、充填層を配設することができる。この場合の装置の模式図を図２に示す。図２において、３０は充填層を示す。図２に示した符号において、図１に示したものと同じ符号は同じ意味を示す。
【００１９】
第３室７内に充填層３０を配設するときには、排ガス上昇筒１０を通って第１室５から第３室７に上昇してきた排ガスは、スプレーノズル１７からスプレーされた吸収液が流下する充填層３０を通過し、次いでスプレーノズルからスプレーされている吸収液粒子と接触した後、浄化排ガス導出ダクト１１から排出される。そして、排ガスが充填層を通過する際には、排ガスは充填層内の充填材表面を流下する吸収液と効率よく接触することから、充填層を配設しない場合に比べて、より高い汚染物除去率が得られる。なお、充填層を配設した場合には、第２吸収液は、スプレーノズルの他に、液分散板や液分散筒等を用いて充填層に供給することもできる。
充填層３０に用いる充填材としては、従来公知の各種のもの、例えば、ラシッヒリング、テラレット、ポールリング、サドル、レッシングリング、木格子等を挙げることができる。充填層３０の厚さは特に制約されず、適宜決められるが、通常は０．５〜５ｍである。充填層は、多孔板上に充填して形成されることができるし、内面に金網を積層した多孔板上に充填して形成させることもできる。
また、図２においては、第２吸収液の一部は、導管２７を通り、排ガス上昇筒１０内に配設したスプレーノズル２８に供給されている。スプレーノズル２８からスプレーされた第２吸収液粒子は、排ガス上昇筒１０を上昇する排ガスと接触し、これによって、排ガス中に含まれている固体微粒子やガス状汚染物質が除去される。
【００２０】
本発明で用いる第１吸収液は、排ガスの種類に応じて適当に選定され、従来公知の各種のものが用いられる。このようなものとしては、例えば、排ガス中の汚染物質がＳＯ２、ＳＯ３、ＮＯ、Ｎ２Ｏ３、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ４、Ｎ２Ｏ５、ＣＯ２、ＨＣｌ、ＨＦ等の酸性物質である場合には、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物等のアルカリ性物質を含む溶液やスラリーが用いられ、特に水酸化カルシウムスラリーや、炭酸カルシウムスラリーが用いられる。また、吸収液として炭酸カルシウムスラリーや水酸化カルシウムスラリーを用いる場合、これらのカルシウム化合物は亜硫酸ガスと反応して亜硫酸カルシウムを形成するが、この場合、吸収液中に空気や酸素を導入することにより、硫酸カルシウム（石コウ）を得ることができる。また、排ガス中の汚染物質がアンモニア等のアルカリ性物質である場合には、酸性水溶液を吸収液として用いればよい。
【００２１】
本発明で用いる第２吸収液は、排ガスの種類に応じて適当に選定され、従来公知の各種のものが用いられる。このようなものとしては、例えば、排ガス中の汚染物質がＳＯ２、ＳＯ３、ＮＯ、Ｎ２Ｏ３、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ４、Ｎ２Ｏ５、ＣＯ２、ＨＣｌ、ＨＦ等の酸性物質である場合には、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物等のアルカリ性物質を含む溶液やスラリーが用いられる。また、排ガス中の汚染物質がアンモニア等のアルカリ性物質である場合には、酸性水溶液を吸収液として用いればよい。本発明で用いる第２吸収液は、第１吸収液と同種のものであってもよいし、異った種類のものであってもよい。
【００２２】
本発明において、排ガスが亜硫酸ガスを含むものであり、第１吸収液が炭酸カルシウムのスラリー液である場合、第２吸収液としては、ＮａＨＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＫＨＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３等のアルカリ金属炭酸塩や、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等のアルカリ金属水酸化物やＣａ（ＯＨ）２等のアルカリ土類金属の水酸化物を用いるのが好ましい。アルカリ金属水酸化物の場合、排ガス中のＣＯ２を吸収してその少なくとも一部は炭酸塩に変換される。第２吸収液として、このようなアルカリ性の強いアルカリ金属の水酸化物を用いるときには、排ガス中に含まれているＣＯ２を吸収して炭酸塩として吸収液中に溶解し、ｐＨ緩衝作用を発現し、第３室内においては、亜硫酸ガスの吸収に適した高いｐＨ条件で排ガスは第２吸収液と接触されることから、排ガス中の亜硫酸ガスを効率よく、しかも排ガス中の亜硫酸ガス濃度が極めて低濃度になるまで吸収除去することができ、その上、その吸収液量の循環量は少なくてすむという利点が得られる。さらに、アルカリ金属の炭酸塩や水酸化物等の水溶性のものを第２吸収液として用いる場合には、カルシウム系の吸収液を用いる場合に見られたような配管内面へのスケール発生の問題を回避することができるという利点もある。
【００２３】
【実施例】
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例１
図１に示した構造の排ガス処理装置１を用いて、ＳＯ２：２５００ｖｏｌｐｐｍ、Ｏ２：５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。
この場合の装置条件を示すと次の通りである。
（１）密閉槽１の直径：３．２ｍ
（２）第１室５の高さ：４ｍ
（３）第２室６の高さ：２ｍ
（４）第３室７の高さ：４ｍ
（５）ガス分散管９の直径：４インチ及び本数：１１０本
（６）排ガス上昇管１０の直径：４１０ｍｍ及び本数：６本
（７）第１室５における吸収液の静止液面の高さ：３ｍ
また、ガス分散管９としては、図６に示す構造のものを用い、その下端部周壁面に設けたガス噴出孔４５の位置は、吸収液面下３００ｍｍの位置に設定した。
【００２４】
図１に示す構造の装置１の第１室５内に、あらかじめ、第１吸収液として、石こう濃度：１５重量％の水スラリー液を高さ３ｍになるように収容させた。
次に、この装置の排ガス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ３／ｈの供給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止液面下２５００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス噴出ノズル２２から空気を３７０Ｎｍ３／ｈで噴出させるとともに、撹拌機２４を回転させて吸収液の撹拌を行った。また、第１室５内の第１吸収液Ｌ１に対しては、排液管２３を通して石こう濃度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈで抜出し、石こうを分離した液に炭酸カルシウムを添加混合して、ｐＨが４．５を維持するように吸収液導入管１８より供給した。
さらに、密閉槽１の外部に設置した第２吸収液槽１４にあらかじめ充填しておいた第２吸収液としての０．０２ｍｏｌ／ｌのＮａＯＨ水溶液をポンプ１５により抜出し、第３室７内に２段に配設したスプレーノズル１７（１段目高さ２ｍ、２段目高さ４ｍ）から８０ｍ３／ｈでスプレーさせた。第２隔板上面に流下してくるスプレー吸収液は、第３室下部に設けられた吸収液排出ノズルより吸収液槽１４に返送した。スプレー吸収液のｐＨは排ガスの処理と共に速やかに低下するため、２０ｗｔ％ＮａＯＨ水溶液を吸収液槽１４に供給し、スプレー吸収液のｐＨを７．５に維持させると共に、吸収液の増加分は密閉槽１の第１室５内に供給した。
前記のようにして排煙を脱硫処理した結果、９９％の高脱硫率を得ることができた。
次に、比較のために、第３室７内のスプレーノズル１７からのスプレーを停止し、ガス分散管９のガス噴出孔４５の位置を液面下３５０ｍｍまで深くして脱硫処理を行なったが、９９％の脱硫率を達成できないことがわかった。
【００２５】
実施例２
図２に示した構造の装置を用いて、ＳＯ２；２，５００ｖｏｌｐｐｍ，Ｏ２；５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。
この場合の装置条件を示すと次の通りである。
（１）密閉槽１の直径；３．２ｍ
（２）第１室５の高さ；４ｍ
（３）第２室６の高さ；２ｍ
（４）第３室７の高さ；４ｍ
（５）ガス分散管９の直径；４インチ及び本数；１１０本
（６）排ガス上昇管１０の直径；４１０ｍｍ及び本数；６本
（７）第３室７における充填層３０層厚；２ｍ
（８）第１室５における吸収液の静止液面２９の高さ；３ｍ
なお、前記充填層３０を構成する充填材としては、テラレットを用いた。
また、ガス分散管９としては、図６に示す構造のものを用い、その下端部周壁面に設けたガス噴出孔４５の位置は、吸収液面下３００ｍｍの位置に設定した。
図２に示す構造の装置の第１室５内に、あらかじめ石膏濃度１５重量％の水スラリー液を高さ３ｍになるように収容させた。
次に、この装置の排ガス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ３／ｈの供給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止液面下２，５００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス供給管２１から空気を３７０Ｎｍ３／ｈで噴出させると共に、撹拌機２４を回転させて吸収液の撹拌を行なった。第１室５内の吸収液に対しては、排液管２３を通して石膏濃度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈで抜出し、石膏を分離した液に、炭酸カルシウムを添加混合して、ｐＨが４．５を維持するように吸収剤導入管１８より供給した。
さらに、密閉槽１の外部に設置した吸収液槽１４にあらかじめ充填しておいた第２吸収液としての０．０２ｍｏｌ／ｌのＮａＯＨ水溶液をポンプ１５により抜出し、第３室７内に配設したスプレーノズル１７から３５ｍ３／ｈでスプレーさせた。第２隔板上面に流下してくるスプレー吸収液は、第３室下部に設けられた吸収液排出ノズルより吸収液槽１４に返送した。スプレー吸収液のｐＨは排ガスの処理と共に速やかに低下するために、２０ｗｔ％ＮａＯＨ水溶液を吸収液槽１４に供給し、スプレー吸収液のｐＨを７以上に維持させると共に、吸収液の増加分は導管２５により密閉槽１の第１室５内に導入した。
前記のようにして排煙を脱硫処理した結果、９９．７％の高脱硫率を得ることができた。
以上の結果から、従来法では達成困難な高脱硫率を、本発明の場合には、わずかな動力費の増加とわずかの別の吸収剤の使用により容易に達成できることがわかる。
【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、従来法では達成困難な高脱硫率を格別の処理コストの増加を必要とせず、容易に得ることができ、その産業的意義は多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の排ガス処理装置の１例についての模式図を示す。
【図２】本発明の排ガス処理装置の他の例についての模式図を示す。
【図３】液分散機構を配設した排ガス衝突板の１例についての構造説明図を示す。
【図４】液分散板の１つの例についての斜視図を示す。
【図５】液分散板の他の例についての斜視図を示す。
【図６】ガス分散管の１例についての斜視図を示す。
【符号の説明】
１  密閉槽
２  第１隔板
３  第２隔板
４  天板
５  第１室
６  第２室
７  第３室
８  排ガス導入ダクト
９  ガス分散管
１０  排ガス上昇筒
１１  浄化排ガス導出ダクト
１２  ミストエリミネータ
１３  第２吸収液抜出し管
１４  第２吸収液槽
１５  ポンプ
１６  吸収液供給管
１７  第２吸収液スプレーノズル
１８  第１吸収剤供給管
１９  第２吸収剤供給管
２０  給水管
２６  排ガス衝突板
３０  充填層
３１  冷却除塵塔
４５  ガス噴出孔
Ｌ１    第１吸収液
Ｌ２    第２吸収液
Ｌ３    冷却液
【図１】
0003610437.tif 000002
【図２】
0003610437.tif 000003
【図３】
0003610437.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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