(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバのドーム型エンクロージャ壁を製造する方法であって、
（ａ）ドーム型成型された誘電体プリフォームを提供することと、
（ｂ）誘電体プリフォームの表面を粗くして、約１５０〜約４５０マイクロインチの粗さ平均の粗い表面を形成することと、
（ｃ）誘電体プリフォームの粗い表面の上にプラズマスプレーされたセラミックコーティングを堆積させ、該プラズマスプレーされたセラミックコーティングが負値である平均歪度を有する粗さを有するテクスチャー加工された露出表面を含み、
前記平均歪度は、前記テクスチャー加工された露出表面全体にわたり約−０．１未満の粗さであり、
前記プラズマスプレーされたセラミックコーティングは、粗い表面に関して約７５度から約１０５度の堆積角度で堆積され、
前記プラズマ処理チャンバ内のプラズマにより生成されるスパッタされた材料が、前記テクスチャー加工された露出表面に付着する、前記方法。
【請求項２】
（ｂ）が表面をグリットブラスティングすることを含み、該グリットブラスティングステップは、
（ｉ）約３６のメッシュサイズを有するグリットを使用すること、
（ｉｉ）酸化アルミニウム粒子を含むグリットを使用すること、
（ｉｉｉ）約４０〜約５０ポンド／平方インチのまでグリットブラスト圧力を維持すること、
（ｉｖ）表面に対して約３０〜約６０度の角度を有するグリットブラスト入射角を維持すること、
の特徴のうち、少なくとも１つを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
（ｃ）が、約３０〜約６０ボルトの相対的な電圧で２つの電極を維持することによって形成されるプラズマアークを通してセラミックパウダーを導入することを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
（ｃ）が、約４５ボルトの相対的な電圧で、２つの電極を維持することによって形成されるプラズマアークを通してセラミックパウダーを導入することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
（ｃ）が、約６００アンペアの２つの電極の間で電流を維持することによって形成されるプラズマアークを通してセラミックパウダーを導入することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
（ｃ）が少なくとも約３０，０００℃の温度で維持されるプラズマアークを通してセラミックパウダーを導入することを含む、請求項１に記載の方法
【請求項７】
（ｃ）が、基板に衝突するまで、溶解した状態でセラミック材料を維持するように十分高く、セラミック材料が表面と衝突する期間溶解したままでいるように十分低い温度で、維持されるプラズマアークを通してセラミックパウダーを導入することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
（ｃ）が約−０．７〜約０．１の、複数の測定歪度の平均値である平均歪度の粗さを有するテクスチャー加工された表面を含むプラズマスプレーされたセラミックコーティングを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
（ｃ）が約５％〜約１０％の有孔性を有するセラミックコーティングにスプレーされるプラズマを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
（ｃ）が酸化アルミニウ、酸化チタン又はその混合物を含むプラズマスプレーされたセラミックコーティングを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
（ａ）がセラミック材料で構成されるドーム型成型された誘電体プリフォームを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
（ａ）が石英又は酸化アルミニウムを含むドーム型成型された誘電体プリフォームを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【背景】
本発明の実施形態は、基板を処理するためのプロセスチャンバに関する。
【０００２】
プロセスチャンバは、エネルギーを与えられたプロセスガスで基板を処理することができる。プロセスチャンバは、プロセスガスが導入されることができるプロセスゾーンを囲むエンクロージャ壁、プロセスガスにエネルギーを与えるガスエナージャイザー、及びプロセスガスを排出するための排出口を含む。一般的に、エンクロージャ壁は、エンクロージャ壁のポスト−プロセス洗浄を容易にするために平滑である。プロセスチャンバは、例えば、基板上に材料を堆積させたり、例えば、次の堆積プロセスが基板上に実施される前に基板表面をスパッタエッチングすることによって、基板から材料をエッチングするために使用されることができる。スパッタエッチングプロセスは、例えば、金属堆積ステップの前に金属層の表面から、自然の酸化物層を削除することができ、堆積金属が基板の下にある金属層で良好な電気コンタクトを作ることができるようになっている。
【０００３】
基板のこのようなスパッタ洗浄の間、基板からエッチングされた材料は、チャンバ内の他の表面上で堆積する代わりに、基板の上にしばしば再堆積する可能性がある。また、エンクロージャ壁に堆積した、基板からエッチングされた材料は、プロセスゾーンにはげ落ち、基板上に落ち、汚染する可能性がある。その理由は、エンクロージャ壁の温度の上昇が堆積物が壁からはげる原因になる熱膨張不整合ストレスを引き起こすからである。それに加えて、エンクロージャが低真空圧力に外へ排気される時、エンクロージャ壁で閉じ込められる揮発性材料の脱ガスが発生する可能性がある。これらの材料は、更に下部の基板歩留りに関与する可能性がある。
【０００４】
従って、例えば基板のスパッタエッチングにより、基板への低減された再堆積又は汚染を有する基板を処理することができるプロセスチャンバを有することが望ましい。また、プロセスチャンバのエンクロージャ壁からの脱ガスを最小にすることも望ましい。
【０００５】
【概要】
約１５０〜約４５０マイクロインチの粗さ平均を有する粗い表面を有する誘電物質と、誘電物質の粗い表面上に堆積されたプラズマスプレーされたセラミックコーティングとを含むプラズマ処理チャンバのためのドーム型エンクロージャー壁であって、該プラズマスプレーされたセラミックコーティングは、負値である平均歪度を有する粗さを備えたテクスチャー加工された（ｔｅｘｔｕｒｅｄ）露出表面を含み、それによって、プラズマ処理チャンバでプラズマによって生成されるスパッタされた材料は、テクスチャー加工された露出表面に付着することができる。
【０００６】
ドーム型エンクロージャ壁を含むチャンバを備えた基板処理装置は、（ｉ）約１５０〜約４５０マイクロインチの平均粗さを有する、粗い表面を有する誘電材料と、（ｉｉ）誘電材料の粗い表面に堆積されたプラズマスプレーされたセラミックコーティングと、を備え、該プラズマスプレーされたセラミックコーティングは、負値である平均歪度を有する粗さを備えたテクスチャー加工された露出表面と、チャンバでの基板サポートと、チャンバにプロセスガスを提供するガス供給部と、基板を処理するためにチャンバでプロセスガスのプラズマを形成するプラズマ発生器と、プロセスガスを排出する排気ダクトとを備え、それによって、チャンバでのプラズマによって生成されるスパッタされた材料は、テクスチャー加工された露出する表面に付着することができる。
【０００７】
ドーム型成型された誘電体プリフォームを提供することを含むプラズマ処理チャンバのドーム型エンクロージャ壁を製造する方法であって、約１５０〜約４５０マイクロインチまでの粗さ平均を有する粗い表面を形成するように誘電体プリフォームの表面を粗くすることと、誘電体プリフォームの粗い表面の上でプラズマスプレーされたセラミックコーティングを堆積させること、を含み、プラズマスプレーされたセラミックコーティングが負値の平均歪度を有する粗さを備えたテクスチャー加工された露出表面を含むようになっている。
【０００８】
本発明のこれらの特徴、見地及び利点は、以下の説明、添付の請求項及び本発明の実施例を図示した添付図面に関してより良く理解されるであろう。しかし、各特徴は、単に特定の図面の前後関係だけでなく、一般的に本発明で使用される可能性があり、本発明はこれらの特徴のどんな組合わせでも含むことが理解されよう。
【０００９】
【説明】
プロセスチャンバ１００（図１で示す実施形態）は、例えば、堆積及びエッチング過程を含む基板処理の多くの異なるタイプのために使用されることができる。例えば、チャンバ１００で、ガスはイオン及び中性粒子での基板のボンバードメントによって基板１１０からエッチ材料にスパッタリングを行うためにエネルギーを与えられることができ、例えば、次のプロセスのためにクリーンにして、基板１１０の表面を調製するようになっている。ガスの粒子が基板１１０をボンバードすると、基板材料は基板１１０を離れてスパッタエッチングされ、所望の基板表面が提供される。基板１１０は、半導体、誘電体又は導体層を含むウェーハを含むことができる。半導体層は、元素シリコン又はシリコン化合物等のシリコンを含む材料を含むことができる。誘電層は二酸化ケイ素、無ドープシリケートガラス、ホスホシリケートガラスの（ＰＳＧ）、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、Ｓｉ3Ｎ4或いは、ＴＥＯＳ堆積ガラスを含むことができる。導体層は、アルミニウム、銅タングステンシリサイド及びコバルトシリサイドを含むことができる。金属堆積ステップ等の、堆積ステップを受ける前に、基板１１０はスパッタエッチクリーンステップを受けることができる。一実施形態において、プロセスチャンバ１００は、下にある金属層（図示せず）を通して生じた酸化を有する自然の酸化物層（図示せず）をクリーンにして、次の金属堆積ステップが、下にある金属層との良好な電気コンタクトを作る金属層を堆積させることができるようになっている。
【００１０】
プロセスチャンバ１００の一部又は全ては、金属又はセラミック材料から製造されることができる。プロセスチャンバ１００を製造するために使用されることができる金属は、アルミニウム、陽極処理されたアルミニウム、「ＨＡＹＮＥＳ  ２４２」、「Ａｌ−６０６１」、「ＳＳ  ３０４」、「ＳＳ  ３１６」及びＩＮＣＯＮ  ＥＬを含み、陽極処理されたアルミニウムが時々好まれる。適切なセラミック材料は、石英又はアルミナを含む。例えば、１つのバージョンで、プロセスチャンバ１００は、石英等の、ＲＦ波長に実質的に浸透するセラミック材料から、製造されるエンクロージャ壁１２０を含む。エンクロージャ壁１２０は、側壁１３０、底壁１３５又はチャンバ１００の天井１４０、又は側壁１３０又は天井１４０に隣接して配置されるライナー（図示せず）等の内の壁として機能することができる。エンクロージャ壁１２０は、ベルジャー型エンクロージャとして機能するように半球形に成型されることができ、それは、チャンバ１００の側壁１３０及び底壁１３５からの分離した構造である。ドーム型エンクロージャ壁１２０は、円柱形のドーム、半球状のドーム又は他の一個又は複数半径弓形の成型されたドームであることができ、好ましくは単一構造ボデー構造として製造される。
【００１１】
プロセスチャンバ１００は、プロセスチャンバ１００で基板１１０を支援するために基板サポート１６０を含む。サポート１６０は、表面１８０を受けている基板を有する誘電層１７０によって包含される電極２００を含むことができる。電極電源２４０は、ガスにエネルギーを与えるために電極２００へのＤＣ又はＡＣバイアス電圧（例えばＲＦバイアス電圧）を提供する。電極２００の下は、クォーツプレート等の、絶縁板１９０であり、電極２００をチャンバ１００の他壁１２０から電気的に分離し、電気的に接地され又は浮いていることができ、或いは、むしろ電気的に、電極２００に関してバイアスされることができる。電気的にバイアスされた電極２００は、スパッタイオンにエネルギーを与え、基板１１０の方へ加速することによって、基板１１０をエッチングするようにする。少なくとも一部分、電気的に伝導している壁１２０は、好ましくは接地され、負電圧が、接地されるか浮いた状態でエンクロージャ壁１２０に関して、基板１１０で維持されるようになっている。任意に、サポート１６０は、また、サポート１６０に基板１１０を静電的に保持することができる静電のチャック（図示せず）を含むことができ、又は、直流電圧は静電の誘引的な力を生成するために電極２００に適用されることができる。
【００１２】
電極２００は、また、例えば、熱伝達ガス供給部（図示せず）から表面１８０まで供給部熱伝達にガスを提供するためのガスコンジット（図示せず）等の、それを通して延びた１つ以上のコンジット（図示せず）を含むことができる。熱伝達ガス（一般的にヘリウム）は、基板１１０及びサポート１６０の間で熱伝達を促進する。他のコンジット（図示せず）は、リフトメカニズム（図示せず）による基板１１０のローディング又はアンローディングのために、リフトピン（図示せず）が電極２００を通して延びることができるようなっている。プロセスチャンバ１００は、また、プロセスチャンバ１００でサポート１６０を上げ下げするためにサポートリフティングメカニズム１６２を含むことができ、基板１１０の処理を、改良又は変化する。
【００１３】
プロセスチャンバ１００の壁１２０は、エネルギーを与えられたプロセスガスからチャンバ１００の部分をシールドするガスシールド１５０としても機能することができる。例えば、ガスシールド１５０は実質的に下部のチャンバ壁１５５をプロセスガスから保護することができる。ガスシールド１５０は、サポート１６０が、プロセスチャンバ１００内で下方へ引込んだときに、基板１１０からスパッタされた材料を受けて集める。ガスシールド１５０は、チャンバ１００内でつるされることができ、クランプリング（図示せず）又はコリメータ（図示せず）が、サポート１６０がプロセスチャンバ１００内で下方へ引込んだときに、サポート１６０にわたってつるされることができる環状リング３９０を含むことができる。一実施形態において、ガスシールド１５０はアルミニウム製で酸化アルミニウムの薄膜層で覆われている。  プロセスチャンバ１００は、電気の磁気シールド１５２を更に含むことができる。プロセスチャンバ１００外部の電気又は磁気フィールドが、チャンバ１００の操作を妨げることを防止することができる。電気の磁気シールド１５２は、伝導性又は磁気合金等の、電気又は磁気シールディングを提供するための適切な材料を含む。
【００１４】
プロセスチャンバ１００は、ガス供給部２６０を含み、チャンバ１００及びガス排気２７０にプロセスガスを分散し、チャンバ１００からプロセスガスを排出するようになっている。スパッタエッチングで、プロセスガスは、不活性ガス（例えばアルゴン又はキセノン）を含み、基板材料と化学的に相互に作用しない。ガス供給部２６０は、プロセスガス供給部２８０を含むことができ、プロセスガス及び１つ以上のガスコンジット２６２を供給し、ガスインレット２６３によってプロセスガスをチャンバ１００にもたらすようになっており、１つの実施形態では、基板１１０の周辺のまわりに配置され、基板１１０の近くにプロセスガスを導入するようになっている。例えば、ガス供給部は、ガスインレットを約１〜１０含むことができる。任意に、ガス供給部２６０は、チャンバ１００にプロセスガスの流れを均一に分散するために、ガストレンチカバー２６４を更に含むことができる。ガストレンチカバー２６４は、保護コーティングで覆われていることができる。ガスインレット２６３は、チャンバ１００でプロセスガスの一様な分散を提供するためにガストレンチカバー２６４に配置される。
【００１５】
プロセスチャンバ１００は、チャンバ１００にプロセスガスの流れを制御するための１つ以上の大量流量制御装置（図示せず）を更に含む。ガス排気２７０は消費されるプロセスガスを受ける排気チャネル（図示せず）、チャンバ１００でプロセスガスの圧力を制御するスロットルバルブ（図示せず）、及び１つ以上の排気ポンプ（図示せず）を含むことができる。例えば、排気ポンプは機械的なポンプ又は３５０ｌ／ｓのレイボルドターボ式ポンブ等の、ターボ式ポンブを含むことができる。ガス排気２７０は、また、プロセスガスから望ましくないガスを減じるためのシステムを含むことができる。
【００１６】
チャンバ１００でのガス組成及び圧力は、数ミルトルの圧力のアルゴンをバックファイリングするまえにチャンバ１００を少なくとも約１０―7トルまで、チャンバ１００を排気することによって一般的に達成される。これらのガス圧で、サポート１６０はチャンバ１００内で上昇することができる。一実施形態において、プロセスチャンバ１００は、プロセスチャンバ１００で基板１１０の高さを調整するためにオペレータによって回転させられることができるノブ（図示せず）を含む。
【００１７】
プロセスチャンバ１００は、プラズマにプロセスガスにエネルギーを与えるためのプラズマ発生器３３０を更に含む。プラズマ発生器３３０は、プロセスチャンバ１００のプロセスゾーン３４０（図示）で、又はプロセスチャンバ１００の（図示せず）から上流の遠隔ゾーンで、エネルギーをプロセスガスに接続させる。１つのバージョンで、プラズマ発生器３３０は、１つ以上の誘導コイル３６０を含むアンテナ３５０を含む。誘導コイル３６０は、プロセスチャンバ１００の中心に対して円形の対称性を有することができる。一般的に、アンテナ３５０は、プロセスガスに接続される強い誘導フラックスを提供するために配置され又は形成される１つ以上のソレノイドを含む。アンテナ３５０がプロセスチャンバ１００の天井１４０の近くに配置されるとき、天井１４０の隣接の部分は、二酸化ケイ素等の、誘電材料から作られることができ、それは、ＲＦパワー等の、アンテナ３５０によって放射される電磁放射線に透過性を有する。例えば、アンテナ電源３７０は約１００〜約５０００ワットのパワーレベルで、一般的には約５０ＭＨｚ〜約６０ｋＨｚ、より一般的には約４００ｋＨｚの周波数でアンテナ３５０にＲＦパワーを提供する。ＲＦマッチネットワーク（図示せず）は、また、プロセスガスのインピーダンスにＲＦパワーと一致するために提供されることができる。他のバージョンで、プラズマ発生器３３０は、プロセスガスにエネルギーを与えるためにプロセスゾーン３４０で電界を作るための電極２００を含む。このバージョンで、電極電源（図示せず）は、約５０ｋＨｚ〜約６０ＭＨｚ、より一般的には約１３．５６ＭＨｚの周波数で電極２００にパワーを提供する。代替えとして又は更に、プラズマ発生器３３０はマイクロ波ガス活性剤（図示せず）を含むことができる。
【００１８】
チャンバ１００の１つ以上のコンポーネント４１０は、テクスチャー加工された露出表面４２２を有し、該表面は、チャンバ１００の中に環境に露出され、チャンバ１００によって提供される基板処理特性を高めるためにテクスチャー加工されている。テクスチャー加工された露出表面４２２は、コンポーネント４１０の表面であることができ、チャンバ１００で形成されるプラズマ等の、エネルギーを与えられたガスに少なくとも部分的に露出する。テクスチャー加工された露出表面４２２が、エネルギーを与えられたイオン及びプラズマ内の中立種による堆積又はボンバードメントを受けた場合、その上にテクスチャー加工された露出表面４２２を有するコンポーネント４１０は、時折置き換えられる必要があるであろう。１つのバージョンで、テクスチャー加工された表面４２２を有するコンポーネント４１０は、チャンバ１００の天井１４０として機能するドーム型エンクロージャ壁１２０を含む。
【００１９】
１つのバージョンで、テクスチャー加工された露出表面４２２は、ある歪度の粗さを有し、それは、図２で示すように、テクスチャー加工された露出表面４２２の上へのスパッタされた材料の付着及び保存を、かなり及び予想外に改良する。付着及びスパッタ粒子の保存は望ましく、基板の上へ粒子の再堆積を低減、及び、テクスチャー加工された露出表面上に形成される累算された堆積物のフレーキングオフを低減する。歪度（Ｒsk）は、次の式を使用して決定される。
【００２０】
【式１】
0003720826.tif 000002
ここで、
【００２１】
【式２】
0003720826.tif 000003
は表面４２２の自乗平均粗さである。Ｎは、各々の歪度測定値を作るために使用される表面４２２の多くの標本点であり、Ｚ1、Ｚ2．．．ＺNは、標本点で測定される平均のラインからの高さ変位である。歪度は、平均のラインに関する表面プロフィールの非対称性の測度である。図２で示すように、負歪度４２２を有する表面は、表面４２２に延びるピット等の凹面４２４を有し、主に凹面４２４の間で分散される実質的に平らなエリア４２８を有することができる。チャンバで形成されるスパッタされた又は他の材料がテクスチャー加工された露出表面４２２と接触して付着することができるように歪度は、十分に負でなければならない。適切な歪度値は、約−０．７〜約０．１まで又は約−０．５〜約０まで変動することができる。
【００２２】
一実施形態において、テクスチャー加工された露出表面４２２の平均歪度（表面４２２全体にわたる多くの正確に計った歪度値の平均を示す）は負値（ゼロより少ない）（例えば約−０．１未満）を示す。テクスチャー加工された表面４２２の負の平均歪度は、スパッタエッチングされた又はチャンバで形成された他の粒子の付着及び保持を予想外に改良する表面モルフォロジを提供することが見いだされた。それによってチャンバ性能及び基板歩留りを改良する。平均歪度値が負であることは望ましいが、多くのこのような個々の値の平均が負値であるかぎり、各個に正確に計った歪度値は負又は正であることができることが理解されなければならない。このような表面４２２に存在するトラフ及び谷が、粒子により良いグリップを認めるために、負の平均歪度を有するテクスチャー加工された露出表面４２２は、チャンバ１００で形成される粒状物質（例えば、スパッタエッチ粒子等）の付着を推進すると思われる。表面４２２を特徴づけるために使用されることができるテクスチャー加工された露出表面４２２の他の特性は、表面の粗さ平均であり、それは、テクスチャー加工された露出表面４２２に沿った粗さ特徴のピーク及び谷の平均のラインからの変位の絶対値の平均である。
【００２３】
粗さ平均、歪度又は他の特性は、針を表面４２２の上に動かすプロフィルメータによって、表面４２２上の隆起の高さの変動のトレースを生成し、又は、光線は表面４２のイメージを生成するために表面４２２から反射した電子を使用する走査型電子顕微鏡によって、決定されることができる。１つのバージョンで、コンポーネント４１０は、クーポン（図示せず）にカットされ、１つ以上の測定値が、各々のクーポンの歪度を決定するために各々のクーポンで作られる。これらの歪度測定値は、それで表面４２２の平均歪度を決定するために平均される。一実施形態において、３枚のクーポンが使用され、粗さピークと谷の高さでの変化の４つのトレースが各々のクーポンの上で作られる。例えば、天井１４０の表面４２２を測ると、１枚のクーポンは、トップであって、天井１４０の実質的に平らな部分であり、第二のクーポンは、側面であって、天井１４０の実質的に平らな部分であり、第三クーポンは、天井１４０のカーブしている部分である。負値であるテクスチャー加工された表面４２２の平均歪度は、スパッタされた材料の付着及び保持をかなり改良することが見いだされた。適切な粗さ平均値は、約１５０マイクロインチ（〜３マイクロメータ）から約４５０マイクロインチ（〜１８マイクロメータ）まで又は約〜３６０マイクロインチ（〜９マイクロメータ）から約４００マイクロインチ（〜１０マイクロメータ）までである。
【００２４】
表面４２２を特徴づけるために使用されることができるテクスチャー加工された露出表面４２２の更なる他の特性は、表面粗さの平均ピークのスロープ値である。一実施形態において、テクスチャー加工された表面４２２の平均ピークのスロープ値は、約２０から約２５まで選択されることができる。更なる他の特性は、ピークと谷との粗さ通した平均高さラインの高さを超える表面ピークの数の測定値であることができる。例えば、テクスチャー加工された表面４２２のための平均ライン上のピークの値は、約１７５〜約２２５まであるように選択されることができる。
【００２５】
粗さ平均等の表面４２２の歪度又は他の特性等の特性を測る際に、適切なカットオフ長さ及び評価長さを指定している国際規格ＡＮＳＩ／ＡＳＭＥ  Ｂ．４６．１−１９９５が使用されることができる。続く表１は、この規格によって定義される、粗さ平均、適切なカットオフ長さ及び最小及び特有の評価長さの値の間の対応を示す。
【００２６】
【表１】
0003720826.tif 000004
テクスチャー加工された露出表面４２２は、コーティング４２０の又はバルクコンポーネント４１０の表面であることができ、それは、所望のテクスチャーを有するために処理される。一実施形態において、図２で示すように、テクスチャー加工された露出表面４２２は、コンポーネント４１０の、下の粗い表面４３６のコーティング４２０の表面である（例えば、図２で示す）。このバージョンで、コンポーネント４１０は、誘電材料から、所望の形、粗さに形成されることができ、次に、プラズマスプレー等の、コーティングプロセスによってコーティングされる。例えば、誘電体は、所望の形を有する誘電体プリフォームに形成されることができる。一実施形態において、誘電体は、ＲＦエネルギーを通す材料でできており、例えばプラズマ発生器３３０からＲＦエネルギーを実質的に透過する。例えば、誘電体はセラミック材料（例えば石英又は酸化アルミニウム）であることができる。例示的なコンポーネント４１０は、天井１４０として機能するドーム型エンクロージャ壁１２０であり、石英等の誘電材料から作られる。
【００２７】
コンポーネント４１０は、少なくとも露出表面４２２の最終のテクスチャーの一部を提供する特定のレベルに粗くした表面である。粗い表面４３６は、プラズマスプレーコーティング４２０で覆われており、少なくとも部分的に表面に適合する。一方、追加のテクスチャー特性を与え、テクスチャー加工された露出表面４２２を提供し、コンポーネント４１０上への、スパッタエッチングされた材料の付着をかなり改良する。コーティング４２０は、セラミック材料（例えば、Ａ１2０3、ＴｉＯ2又は混合物等）等の、材料４２５でできていることができる。
【００２８】
コーティング４２０は、また、露出チャンバ表面４２２から、有利にアウトガスの量を減らすことができる。コーティング４２０（図２で示される）は、過剰の脱ガスを避けるために適切な厚さを有することができる。一実施形態において、コーティング４２０は、約１０ミル未満（〜２５４マイクロメータ）の厚さを有する、例えば、約１ミル（〜２５マイクロメータ）から約８ミル（〜２０３マイクロメータ）又は約３ミル（〜７６マイクロメータ）から約５ミル（〜１２７マイクロメータ）である。
【００２９】
コーティング材料４２５は、また、十分に高い有孔性を有するように調整されることができ、表面４２２の上へ粒状物質問題を発生するチャンバの粘着を促進する。コーティング材料４２５の有孔性は、その質量の体積への孔隙の体積の比である。コーティング材料４２５は、例えば、約７％等の、約５％から約１０％の有孔性を有することができる。
【００３０】
１つのバージョンで、コーティング４２０は、下記の説明されたステップでコンポーネント４１０の表面４３６に中で適用される。その実施形態を図３ａから図３ｃに示す。コーティング４２０の適用の前に、３ａ図で示すように、コンポーネント４１０の下の表面４３６は、一般的に平滑である。図３ａに言及すると、下にある表面４３６は、次に粗くなり、コーティング４２０の上に横たわる表面モルフォロジの特性のためのベースを提供する。表面４３６は、表面４３６をビードブラスティングすることによって粗くすることができる。ビードブラスティングにおいて、固体ビード４４２は、表面４３６を粗くするのに十分に適切に高い圧力（例えば、約４０から約５０（ｐｓｉ）の圧力）で空気によって表面４３６の方へ推進される。また、表面４３６と比較してビード４４２の入射角は、表面４３６を粗くするために選択され、約３０度から約６０度等の、最終コーティング４２０にスパッタされた材料の付着を推進する。例えば、表面４３６と比較したビード４４２の入射角は、約４５度であることができる。
【００３１】
一実施形態において、囲われたハウジングでのビードブラスター（図示せず）は、コンポーネント４１０の表面を粗くするために使用される。ビードは、コンポーネント４１０より高い硬度を有する材料を含み、ビードがコンポーネント４１０の表面を腐食及び粗くして粗い表面４３６を形成することができるようになっている。適切なビード材料は、例えば、アルミナ酸化物、ガラス、シリカ又は硬いプラスチックを含む。一実施形態において、ビードは、適切に表面４３６を粗粒ブラストするように選択したメッシュサイズを有する酸化アルミニウムの粗粒子を含み、それは、例えば、３６のメッシュサイズを有する酸化アルミニウム粒子の粗粒子である。表面４３６は、ある粗さ平均を有するように粗くされ、例えばの約１５０マイクロインチ（〜３マイクロメータ）から約４５０のマイクロインチ（〜１８のマイクロメータ）、又は約３６０マイクロインチ（〜９マイクロメータ）から約４００マイクロインチ（〜１０マイクロメータ）である。更に、ビードブラスターからコンポーネントまでビード４４２によって移動されるスタンドオフ距離も、表面４３６の所望の粗さを提供するようになっている。
例えば、スタンドオフ距離は、ビードブラスティングソースからコンポーネント表面４３６まで約４インチから約６インチまでであろう。
【００３２】
ビードブラスティングの後、表面４３６は、コーティング材料４２０の次の付着及び保持を改良するためにクリーンにされる。例えば、表面４３６は、表面４３６を横切って風を送る清潔な乾き空気又は窒素ガスによってクリーンにされることができる。その後、１つのバージョンでは、例えば化学的に蒸留水を使用して、或いは、超音波のすすぎで、表面４３６は更にクリーンにされる。更に、コンポーネント４１０は、洗浄プロセスから等の、どんな残渣でも焼き出すためにオーブンで焼かれる。例えば、表面４３６の上へコーティング材料４２０の次の堆積を改良するためにコンポーネント表面４３６が、少なくとも摂氏約１００の温度で焼かれることができる。
【００３３】
コンポーネント表面４３６の洗浄の後、コーティング４２０は、例えば図３ｂに示されるように、表面４３６上へプラズマスプレーされる。プラズマスプレーで、プラズマは、噴霧に形成され、少なくとも部分的に、プラズマを通して注射される微粒子コーティング材料４２５のスプレーを液化する。例えば、プラズマは、摂氏何千度もの温度に、コーティング材料４２５を加熱することによってコーティング材料４２５を液化することができる。コーティング材料４２５の液化された小滴は、粗い下の表面４３６に、高速度で当たり、急速に、図３ｃで示すように、コンフォーマルコーティング４２０を形成するために固まる。
【００３４】
１つのバージョンで、プラズマスプレートーチ７０５が、図６で示すように、コーティング材料４２５を表面４３６にプラズマスプレーするために使用される。プラズマトーチ７０５は、表面４３６からプラズマトーチ７０５の距離及び角を調整するように制御可能なロボット腕（図示せず）上に取り付けられることができる。また、プラズマトーチ７０５は、プラズマトーチ７０５が浸されるガス環境を制御するようにチャンバ（図示せず）の中にあることもできる。
【００３５】
プラズマトーチ７０５で、キャリヤガスは、２電極（例えば陰極２４２及び陽極２４４との間を流れる。キャリヤガスは、高圧のプラズマ（例えばアルゴン、窒素、水素又はヘリウム）を形成するために適切である。化学的に非活性であるため、及びそのイオン化特性のため、アルゴンが使用されることができる。２価のガス（例えば水素又は窒素）を加えることは、ガスのエンタルピーを増加させることができる。陰極２４２及び陽極２４４は、タングステン又は銅のような金属等の、プラズマを通した放電アークを生成するために適切な材料を含む。一実施形態において、陰極２４２はタングステンでできており、陽極２４４は銅でできている。更に、１つのバージョンで、過熱を防止するために、陽極は冷却（例えば水冷）される。陰極２４２及び陽極２４４は、それらの間で適切にアークを生成するために対応して成型されることができる。例えば、陰極２４２は円錐形であることができ、陽極２４４は円柱形であることができる。
【００３６】
ＡＣ高周波放電は、陰極２４２及び陽極２４４の間のアークを起こし、ＤＣパワーを使用して維持される。アークはキャリヤガスをイオン化し、高圧のプラズマを作る。ガス温度の結果的増加は、ガスの量、従ってノズル７１０を出るガスの速度及び圧力を増加させる。コーティング材料４２５は、粉末形態でガス流れ７１５に導入される。粉末にされたコーティング材料４２５は、ちょうどプラズマトーチ７０５の外側で又はノズル７１０の分岐している出口領域で導入されることができる。コーティング材料４２５は、高温、高速度プラズマ流れによって加熱され速度を増加する。
【００３７】
プラズマトーチ７０５の作動パラメータは、それがプラズマトーチ７０５からコンポーネント表面４３６までの経路を横切るときに、コーティング材料の適用の特性（例えばコーティング材料４２５の温度及び速度）を調整するために適切であるように選択される。例えば、コンポーネント表面４３６に関するコーティング材料４２５の堆積の角度、ガス流動、パワーレべル、粉末供給速度、キャリヤガス流動、プラズマトーチ７０５から基板１１０へのスタンドオフ距離は、スパッタされた材料へのコーティング材料４２５の適用及びコーティング４２０の次の粘着を改良するために適合することができる。例えば、陰極２４２及び陽極２４４の間の電圧は、約３０ボルトから約６０ボルトまで（例えば４５ボルト）、選択されることができる。その上、陰極２４２及び陽極２４４の間で流れる電流は、約５００アンペアから７００アンペア（例えば６００アンプ）まで、選択されることができる。プラズマトーチ７０５のパワーレべルは、通常約１２から約１２０キロワット（例えば約８０キロワット）の範囲である。
【００３８】
堆積のスタンドオフ距離及び角度は、表面４３６の上でコーティング材料４２５の堆積特性を調整するために選択されることができる。例えば、堆積のノズル高さ及び角度は、調整されることができ、例えば（「パンケーキ」及び「ラメラ」パターン）を形成する、溶解したコーティング材料４２５が表面４３６に衝突して飛び散るパターンを改良することができる。堆積のスタンドオフ距離及び角度も調整されることができ、表面４３６に衝突するときの、コーティング材料４２５の小滴サイズ位相、速度を改良するようになっている。一実施形態において、プラズマトーチ７０５と基板１１０との間のスタンドオフ距離は約２から約２インチ、例えば約３インチ等である。表面４３６の上のコーティング材料４２５の堆積の角度は、表面４３６に関して約７５度から約１０５度（例えば９０度）まであることができる。
【００３９】
粉末にされたコーティング材料４２５の速度は、表面４３６の上で適切にコーティング材料４２５を堆積するために調整されることができる。一実施形態において、粉末にされたコーティング材料４２５の速度は、約３００から約５５０メータ／秒である。また、プラズマトーチ７０５は、粉末にされたコーティング材料４２５がコンポーネント表面に衝突するときに、粉末にされたコーティング材料４２５の温度が少なくともコーティング材料４２５の融解温度でほぼあるように、適合することができる。融点より上の温度は、高密度及び結合力のコーティング４２０を生成することができる。例えば、プラズマの温度は、３０，０００℃を超えることができる。一実施形態において、結合力は、約２９ＭＰａから約７５ＭＰａまでである。しかし、放電についてのプラズマの温度は、また、十分に低いセットであり、コーティング材料４２５がコンポーネント表面４３６にあたる間中溶解したままである。例えば、適切な期間が、少なくとも０．０２秒又は少なくとも約０．１秒近傍であることができる。
【００４０】
本発明に従ったテクスチャー加工された表面４２２を有するコンポーネント４１０を有するプロセスチャンバ１００（図３ｃで示す実施形態）は、テクスチャー加工されたこのような表面４２２なしの通常のプロセスチャンバ（図示せず）よりもかなりの利点を有する。例えば、プロセスチャンバ１００は、基板１１０の上へスパッタされた材料の再堆積を５のファクターで低減することができる。図７の棒グラフは、チャンバが通常のコンポーネント（左バー８３０）又は本発明に従うテクスチャー加工された表面４２２を有するコンポーネント４１０（右バー８３５）、を有するかどうかの関数、更にマイクロメータでの粒度の再堆積の関数として基板１１０ごとに再堆積した粒子の正規化数を示す。データポイントは、コンポーネントの２つの通常のセットを使用している１１の基板及び、本発明に従ったテクスチャー加工された表面４２２を有する４セットのコンポーネント４１０を使用した５０の基板１１０の基づいた測定値である。各々のバー対の左右のバー８３０、８３５は、プロセスチャンバ１００での通常の内面及び基板１１０を有し、本発明に従ってテクスチャー加工された表面４２２を有するコンポーネント４１０を備える通常のプロセスチャンバで基板（図示せず）の上へ再堆積の量に対応する。粒度の範囲にわたって左右のバー８３０、８３５を比較することによって、テクスチャー加工された表面コンポーネント４１０を使用すると、基板１１０の上の材料の再堆積が約５倍、一般的に低減されるということがわかる。
【００４１】
更に、一般的にテクスチャー加工された露出表面４２２を有するコンポーネント４１０は、他の通常のコンポーネント（図示せず）より長い操作可能寿命を有する。一実施形態において、図８の棒グラフで示すように、これらのコンポーネントの寿命は、少なくとも通常のコンポーネントより約４倍長くなる。０．５マイクロメータを超えるサイズの、再堆積された粒子の操作ごとの正規化数がプロットされ、各々のバーは操作を表示する。バーは左から右に時系列に配置され、基準ナンバー８４０はコンポーネント４１０がいつ置き換えられたかを示す。左側８２０のバーは、通常のコンポーネントを使用したプロセスチャンバでの操作を表示し、右辺８２５のバーは、本発明に従うテクスチャー加工された表面４２２のコンポーネント４１０を有するプロセスチャンバ１００での操作を表示する。データポイントは、２セットの通常のコンポーネントを有するチャンバを使用した１１の基板、及び４セットのテクスチャー加工された表面コンポーネント４１０を有するチャンバを使用した５０の基板の測定値に基づく。バー８１５は、対応する類似操作で使用した通常のコンポーネントも不良データを提供したので無視されなければならない不良データポイントである。左右の側面のバー高さの中央値を、左の垂直線８０５及び右の上の他の垂直線８１０によって示す。それぞれ、左右の側面８２０、８２５の上で、中央値粒子再堆積値を比較することによって、粒子再堆積量が少なくとも本発明によるコンポーネント４１０を使用することによって約４倍一般的に低減されるということがわかる。コンポーネントの寿命は、粒子の再堆積の速度にほぼ比例し、従って、これも少なくとも約４倍一般的に低減される。
【００４２】
プロセスチャンバ１００は、プロセスチャンバ１００の操作の間、連続的にプロセス状態をモニタするか検出するため、又は基板１１０の上で伝導されているプロセスをモニタするために使用される１つ以上のディテクタ（図示せず）を含むプロセス監視システム（図示せず）等の追加のシステムを含むことができる。ディテクタは、例えば、光電子増倍管等の放射感知装置（図示せず）（しかしこれに制限されない）、又は光検出システム、圧力計（例えば圧力計）等のガス圧感知装置（図示せず）、熱電対又はＲＴＤ等の温度感知装置（図示せず）、電流を測る電流計及び電圧計（図示せず）及びチャンバコンポーネント４１５に適用される電圧、又はプロセスチャンバ１００でのプロセス状態を測定し、測定可能なプロセス状態に関して異なる電気信号等の出力信号を提供することができる他のどのデバイスをも含む。例えば、プロセス監視システムは基板の上で処理される層の厚さを決定するために使用されることができる。
【００４３】
コントローラ４８０は、種々のチャンバコンポーネント及びシステムへ／から電気信号を伝え受けているチャンバ１００の操作を制御する。例えば、コントローラ４８０への電気信号のように、プロセスチャンバ１００でプロセス監視システムによって測定されるプロセス状態は伝えられることができ、信号が閾値に到達するとプロセス状態を変える。コントローラ４８０は、本発明の説明を単純化するために図４で例示的な一個コントローラデバイスとして図で示されるが、コントローラ４８０は、プロセスチャンバ１００の異なるコンポーネント４１５に接続され、互いに接続される複数のコントローラデバイス又は複数のコントローラデバイスであることができると思われなければならない。従って、本発明は、ここで説明される実例及び例示的な実施形態に、限定されない。
【００４４】
一実施形態において、コントローラ４８０は、プロセスチャンバ１００を動かすために適切な集積回路を含む電気回路を含む電子回路ハードウェアを備える。一般に、コントローラ４８０は、データ入力を受け入れ、アルゴリズムを運転し、有効な出力信号を生じるように適合され、ディテクタ及び他のチャンバコンポーネント４１５からデータ信号を検出するためにも使用され、プロセスチャンバ１００でプロセス条件ををモニタするか、制御する。例えば、コントローラ４８０は、（ｉ）中央処理装置５００（ＣＰＵ）（周辺制御コンポーネントを有するメモリシステムに相互接続する）、（ｉｉ）プロセスチャンバ１００の特定のコンポーネント４１５を動かす特定用途向けＩＣ（ＡＳＩＣ）（図示せず）、及び（ｉｉｉ）適切なサポート回路に加えて１つ以上のコントローラインタフェースボード（図示せず）を含むコンピュータを含むことができる。通常の中央ＣＰＵ５００は、PowerPC(商標),Pentium(商標）及び他のこのようなプロセッサを含む。ＡＳＩＣは、プロセスチャンバ１００からのデータ及び他情報又は特定のチャンバコンポーネント４１５の操作の検索等の特定の課題のために設計されて及びプリプログラムされる。コントローラインタフェースボードは、例えばプロセス監視システムからの信号を処理して及び中央処理装置（ＣＰＵ）に、データ信号に５００を提供すること等の、特性信号処理課題で使用される。例えば、代表的なサポート回路は、コプロセッサ、クロック回路、キャッシュ、電源及びＣＰＵ５００と連絡する他の広く知られたコンポーネントを含む。例えば、ＣＰＵ５００は、ランダムアクセス型記憶装置（ＲＡＭ）５１０（リードオンリーメモリー（ＲＯＭ（示されない）））及び当該記述分野において広く知られた他の記憶装置とともにしばしば動く。ＲＡＭ５１０は、プロセスインプリメンテーションの間、本システムで使用されるソフトウェアインプリメンテーションを記憶するために使用されることができる。コントローラ４８０は、他のチャンバコンポーネント４１５にコントローラ４８０を接続するためのコントローラインタフェイス５０６を含む。
【００４５】
ＣＰＵ５００の出力は、ディスプレイ５３０又は他の通信デバイスに通される。入力装置５４０は、オペレータがコントローラ４８０にデータを入力することをできるようにし、操作を制御するか、コントローラ４８０でソフトウェアを変更する。例えば、オペレータ及びコンピュータシステムの間のインターフェイスは、ＣＲＴモニタ（図示せず）及びライトペン（図示せず）であることができる。ライトペンは、囲いの先端で光センサーを有するＯＲＴモニタによって放射される光を検出する。特定のスクリーン又は関数を選択するため、オペレータは、ＣＲＴモニタの表されたエリアに接触させて及びペンの上でボタンをプッシュする。新しいメニュー又はスクリーンがライトペン及びＣＲＴモニタの間で伝達を確かめるために表示され又は、接触するエリアはその色を変える。他のデバイス、例えばキーボード、マウス又はポインティング通信装置は、また、コントローラ４８０を有する通信するために使用されることができる。一実施形態において、２つのモニタ（図示せず）が使用され、１つはクリーンルーム壁にオペレータのために取り付けられ、他はサービス技術者のために壁の後に取り付けられる。両方のモニタ（図示せず）は同時に同じ情報を表示するが、１つのライトペンだけは使用可である。
【００４６】
コントローラ４８０のコンピュータプログラムコード６００は、フロッピーディスク４９１又はハードディスク４９２等の記憶装置で記憶されることができ、図５で示すように、コントローラ４８０によって実行の間、ＲＡＭ５１０に呼び出される。コンピュータプログラムコードは、例えば、アセンブリー言語、Ｃ、Ｃ＋＋又はＰａｓｃａｌ通常のコンピュータ書き込み可能プログラム言語で書き込まれることができる。適切なプログラムコードは、通常のテキストエディターを用いて単一ファイル又は複数のファイルに入力されるか及び記憶されるか、コンピュータシステムのメモリ５０３等の、コンピュータ使用可能媒体で具体化される。入力されるコードテキストが高級言語であるならば、コードはコンパイラコードにコンパイルされる。そして、それはプリコンパイルされたライブラリールーチンのオブジェクトコードを有するリンクされる。リンクされる及びコンパイルされたオブジェクトコードを実行するために、システムオペレーターは、オブジェクトコードを起動し、コンピュータシステムがメモリ５０３でコードにロードするようにし、コンピュータプログラムで識別される課題を実行する。
【００４７】
一般的に、コンピュータプログラムコード６００は、コンピュータ命令の１つ以上のセットを含む。それは、例えば、プロセスモニタリングソフトウェア６０５、終末点検出ソフトウェア６１０、及びプロセス制御ソフトウェア６２０を含み、該制御ソフトウェアは、タイミング、プロセスガス組成、チャンバ圧力及び温度、プロセスチャンバ１００の内側のＲＦパワーレべル、電極位置ぎめ及びプロセスチャンバ１００の他のプロセスパラメータを命令する。コンピュータプログラムコード６００は、プラズマ発生器３３０に接続するエネルギーのパワーレべル、ディスプレイ５３０及びプロセスチャンバ１００に導入される流れレベル及びガスの組成のためのセッティングを制御する。コンピュータプログラムコード６００の好ましいバージョンは、オペレータがプロセスレシピを入力し及び選択することができるようにし、選択されたプロセスチャンバ１００でのプロセスレシピのその実行操作するプロセスシーケンサープログラムコード６２５、及びプロセスチャンバ１００のチャンバプロセスの優先順位を管理し操作するためのチャンバ管理者プログラムコード６３０等の多重プログラムコードセット６８０を含む。タスクの１セット実行する分離したプログラムコードセット６８０を図示したがこれらのプログラムコードセット６８０が一体型であってもよく又は１つのプログラムコードのタスクが他のプログラムコードのタスクに組み込まれ、タスクの所望のセットを提供することことが理解されなければならない。従って、ここで説明したコントローラ４８０及びコンピュータプログラムコード６００は、ここで説明されるプログラムコード又はここで示されるように収容され特定の実施形態に制限されてはならず、等価関数を実行するプログラムコード又はコンピュータインストラクションの他のセットは、本発明の範囲内である。
【００４８】
操作において、オペレータは、入力装置５４０によってプロセスシーケンサープログラムコード６２５にプロセスセット及びプロセスチャンバ数を入力する。プロセスセットは、チャンバ１００で特性プロセスを実行するのに必要なプロセスパラメータで構成され、所定のセット数によって識別される。
【００４９】
プロセスシーケンサープログラムコード６２５は、特定のプロセスを実行するためにプロセスチャンバ１００を動かすために必要なプロセスパラメータの所望のセットを識別する。プロセスパラメータは、例えばプロセスガス組成及び流速、チャンバ温度及び圧力、マイクロ波又はＲＦ等のバイアスパワーレべル及び磁場パワーレべル等のガス付勢パラメータ、冷却ガス圧及びチャンバ壁温等の、プロセス状態を含む。プロセスシーケンサープログラムコード６２５は、チャンバ管理者プログラムコード６３０に、特定のプロセスにセットパラメータを渡すことによってプロセスセットを実行し、それは本プロセスセットに従ったプロセスチャンバ１００での処理タスクを制御する。例えば、チャンバ管理者プログラムコード６３０は、基板１１０をエッチング又は基板１１０上に材料を堆積するためのプログラムコードを含む。チャンバマネージャプログラム６３０は、種々のチャンバコンポーネントプログラムコードセット６８０の実行を制御し、チャンバコンポーネント４１５の操作を制御する。チャンバコンポーネント制御プログラムコードの例は、それは、サポート１６０の上へ基板１１０をロードし、取り除くロボットコンポーネントを制御する基板位置ぎめプログラムコード６４０と、を含む、ガス供給部２６０によってチャンバ１００に供給されるプロセスガスの組成及び流速を制御する、プロセスガス制御プログラムコード６５０と、１つ以上のスロットルバルブ等のガス弁の開口のサイズをセットするガス圧制御プログラムコード６６０と、及びプラズマ発生器３３０のパワーレべルを制御するプラズマ発生器プログラムコード６７０とを含む。操作で、チャンバマネージャプログラム６３０は、選択的にチャンバコンポーネントをプログラムコードセット６８０を呼び出し、実行されている特定のプロセスセットに従って、チャンバコンポーネントプログラムコードセット６８０をスケジュールし、種々のチャンバコンポーネント４１５の操作をモニタし、どのコンポーネント４１５が、実行されるプロセスセットのためのプロセスパラメータに基づく操作される必要があるかについて決定し、モニタしているステップに反応するチャンバコンポーネントプログラムコードセット６８０の実行をする。これらは、チャンバコンポーネントプログラムコードセット６８０の単なる例である。
【００５０】
本発明は、その特定の好ましいバージョンに関してかなりの詳細で説明されたが、可能な他のバージョンもある。例えば、本発明は、他のプロセスチャンバ（例えば化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスチャンバ又はエッチングチャンバ）で使用されることができた。当該技術において熟練したものにとって明らかであるように、プロセスチャンバ１００はまた、他の等価構造を含むことができる。他の例に、プロセスチャンバ１００の１つ以上コンポーネント４１０は、異なる複数のコーティング４２０を含むことができる。従って、添付の請求項は、ここで含まれる好ましいバージョンの説明に、限られていてはならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明の実施形態に従うプロセスチャンバである。
【図２】  図２は、負の歪度を有する表面粗さを備えた、テクスチャー加工された露出表面を有するコンポーネント及びテクスチャー加工された露出表面へのスパッタ粒子の付着を示すの断面部分投影図である。
【図３ａ】  図３ａは、粗くされたコンポーネントの表面の横断面図である。
【図３ｂ】  図３ｂは、表面が粗くされた後、プラズマスプレーコーティングが適用される間の、図３ａのコンポーネントの横断面図である。
【図３ｃ】  図３ｃは、図３ｂのコンポーネントの最終のテクスチャー加工された露出表面の横断面図である。
【図４】  図４は、プロセスチャンバのコントローラの実施形態の回路図である。
【図５】  図５は、コンピュータプログラムの実施形態の回路図である。
【図６】  図６は、コンポーネントの粗い表面上にコーティング材料を堆積させるプラズマトーチの横断面図である。
【図７】  図７は、通常の表面及び本発明に従ったテクスチャー加工された表面に対する、異なる粒度範囲の基板ごとの再堆積された粒子の正規化数の比較棒グラフである。
【図８】  図８は、通常の表面及び本発明に従ったテクスチャー加工された表面に対する、プロセスチャンバの基板ごとに再堆積された粒子の正規化数の比較棒グラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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