(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電子ビームを有する陰極線管と、
前記陰極線管に取り付けられた、補足電子ビーム偏向用のコイルと、
ビデオ信号エッジ部の変移を表わす信号と、
電源と帰路の間に結合され、前記変移を表わす信号に結合される入力および前記コイルに結合される出力を具え、前記変移を表わす信号に応答して電子ビーム偏向用のパルス電流を前記コイル内に発生する増幅器と、から成り、
前記電源および前記帰路内にパルス電流が実質的に流れ込まずに、前記パルス電流を主として前記コイル内および前記増幅器出力内に循環させる、前記電子ビーム偏向用の装置。
【請求項２】
走査ビーム速度変調（ＳＶＭ）信号用の増幅器であって、
前記増幅器を起動する電源と、
前記増幅器の電力帰路と、
第１、第２、第３、および第４の節点を有するブリッジ回路と、
前記第１と第２の節点をブリッジする、第１のＳＶＭ入力信号を供給する第１の手段と、
前記第２と第３の節点をブリッジする、第２のＳＶＭ入力信号を供給する第２の手段と、
前記第１と第４の節点をブリッジする第１の経路と、
前記第３と第４の節点をブリッジする第２の経路と、
前記第１または第２の経路がＳＶＭ信号を供給するとき、前記第１と第２の経路はＳＶＭコイルに電流を供給し、
前記第２と第４の節点をブリッジする、前記ＳＶＭコイルと、から成り、
ＳＶＭインパルス電流を前記ブリッジ回路内に循環させ、前記電源および前記電力帰路に流れ込まないようにする、前記走査ビーム速度変調信号用の増幅器。
【請求項３】
走査ビーム速度変調（ＳＶＭ）信号用の増幅器であって、
前記増幅器を起動する電源と、
前記増幅器の電力帰路と、
ＳＶＭ入力信号に結合され、その信号を増幅しコアリングする増幅・コアリング手段と、
ブリッジ回路を有し、増幅され且つコアリングされた信号を前記増幅・コアリング手段から受け取り、その信号に応答して電流を発生するドライブ増幅器と、
前記ブリッジ回路に結合され、前記電流に応答してビーム走査速度変調を行うためのＳＶＭコイルと、から成り、
前記電流を前記ブリッジ回路と前記コイル内に循環させ、前記電源および前記電力帰路に流れ込まないようにする、前記走査ビーム速度変調信号用の増幅器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に、走査ビーム速度変調（ＳＶＭ）に関し、特に、ＳＶＭに使用される増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
画像の見掛け上の鮮鋭度は、ビデオ信号から取り出される信号に従って走査ビームの速度を変調することにより高められる。この取り出される信号、すなわちＳＶＭ信号は、ビデオ信号の輝度成分から得られ、走査ビームの速度を変化させるのに使用される。電子ビームの速度を遅くすると、表示画像は明るくなり、電子ビームを加速すると表示画像は暗くなる。従って、エッジ部の変移に応じて表示画像の明暗を変化させることにより、水平周波数のエッジ部は視覚的に強調される。この鮮鋭度強調法により、ビデオ周波数ピーキングにより得られるよりも優れた種々の利点が得られる。例えば、ピーキングされた高輝度画素のブルーミングは避けられ、その上、ビデオ・ピーカーの帯域幅内で発生するビデオ・ノイズは強調されない。
【０００３】
走査ビームの速度は補足偏向磁界を発生するＳＶＭコイルにより変調される。このＳＶＭ磁界は、主偏向磁界と共に、ＳＶＭコイル内の電流の極性に応じて電子ビームを加速または減速させる。電子ビームの加速量または減速量はＳＶＭ電流の大きさに比例する。典型的なＳＶＭコイルの偏向感度は、例えば、１アンペアによりスクリーンの中央で１〜３ミリメーターのビーム偏向を生じる範囲にある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、ＳＶＭ信号は、高周波のビデオ成分を表わしているので、ＳＶＭコイルの電流の大きさと周波数スペクトルは容易に結合されて、不要な、外来のクロストーク成分を生じることが理解される。このようなクロストーク成分は、電源および・または帰路を経由する結合から生じる。従って、ＳＶＭコイル電流が、大地または電源に著しく流れずに、発生され循環するようにすることが有利である。
【０００５】
【発明を解決するための手段】
電子ビーム偏向装置は、走査電子ビームを有する陰極線管を含んでいる。電子ビーム補足偏向用のコイルは陰極線管に取り付けられる。増幅器が電源と帰路の間に結合され、その入力は、ビデオ信号のエッジ部の変移を表わす信号に結合される。増幅器の出力は、パルス電流を発生するコイルに結合され、前記信号に応答して電子ビームを偏向する。増幅器とコイルは、主としてコイルと増幅器の出力の中にパルス電流を循環させ、電源と電力帰路にパルス電流が実質的に流れ込まないようにする。
特許請求の範囲に記載された事項と実施例との対応関係を、図面で使われている参照符号で示すと次の通りである。
（請求項１）  走査電子ビームを有する陰極線管と、
前記陰極線管に取り付けられた、補足電子ビーム偏向用のコイル（Ｌ）と、
ビデオ信号エッジ部の変移を表わす信号と、
電源と帰路の間に結合され、前記変移を表わす信号に結合される入力および前記コイル（Ｌ）に結合される出力を具え、前記変移を表わす信号に応答して電子ビーム偏向用のパルス電流（Ｉ１、Ｉ６）を前記コイル内に発生する増幅器（Ｑ５、Ｑ６）と、から成り、
前記電源および前記帰路内にパルス電流が実質的に流れ込まずに、前記パルス電流（Ｉ１、Ｉ６）を主として前記コイル（Ｌ）内および前記増幅器（Ｑ５、Ｑ６）出力内に循環させる、前記電子ビーム偏向用の装置。
（請求項２）  走査ビーム速度変調（ＳＶＭ）信号用の増幅器であって、
前記増幅器を起動する電源と、
前記増幅器の電力帰路と、
第１（Ｓ）、第２（Ｒ）、第３（Ｔ）、および第４（Ｑ）の節点を有するブリッジ回路と、
前記第１（Ｓ）と第２（Ｒ）の節点をブリッジする、第１のＳＶＭ入力信号を供給する第１の手段（Ｑ５）と、
前記第２（Ｒ）と第３（Ｔ）の節点をブリッジする、第２のＳＶＭ入力信号を供給する第２の手段（Ｑ６）と、
前記第１（Ｓ）と第４（Ｑ）の節点をブリッジする第１の経路（Ｃ７、Ｒ１７）と、
前記第３（Ｔ）と第４（Ｑ）の節点をブリッジする第２の経路（Ｃ９、Ｒ１９）と、
前記第１または第２の経路がＳＶＭ信号を供給するとき、前記第１と第２の経路はＳＶＭコイルに電流を供給し、
前記第２（Ｒ）と第４（Ｑ）の節点をブリッジする、前記ＳＶＭコイル（Ｌ）と、から成り、
ＳＶＭインパルス電流（Ｉ１、Ｉ６）を前記ブリッジ回路内に循環させ、前記電源および前記電力帰路に流れ込まないようにする、前記走査ビーム速度変調信号用の増幅器。
（請求項３）  走査ビーム速度変調（ＳＶＭ）信号用の増幅器であって、
前記増幅器を起動する電源と、
前記増幅器の電力帰路と、
ＳＶＭ入力信号に結合され、その信号を増幅しコアリングする増幅・コアリング手段（Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５）と、
ブリッジ回路を有し、増幅され且つコアリングされた信号を前記増幅・コアリング手段（Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５）から受け取り、その信号に応答して電流（Ｉ１、Ｉ６）を発生するドライブ増幅器（Ｑ５、Ｑ６）と、
前記ブリッジ回路に結合され、前記電流（Ｉ１、Ｉ６）に応答してビーム走査速度変調を行うためのＳＶＭコイル（Ｌ）と、から成り、
前記電流（Ｉ１、Ｉ６）を前記ブリッジ回路と前記コイル（Ｌ）内に循環させ、前記電源および前記電力帰路に流れ込まないようにする、前記走査信号用の増幅器。
【０００６】
【発明の実施の形態】
図１で、走査ビーム速度変調信号すなわちＳＶＭ信号は端子ＡとＢの間に入力される。端子ＡにおけるＳＶＭ信号は、説明のために、インパルス状の波形として描かれており、対称的なピーク・ピーク値１．５ボルトを有する。ＳＶＭを取り出して処理することは本出願の部分を形成しない。低い方、すなわちＳＶＭ信号発生器からの信号接地導体は、過渡的妨害または雑音などの不要な結合を防ぐために、抵抗を介してドライブ増幅器信号接地導体に結合される。図１と図２に示す信号接地導体は全て、偏向接地導体に結合される。
【０００７】
図１の発明的ドライブ増幅器は、約５の電圧利得を有する増幅器・コアリング部１００、および電源とドライバ接地との中間に設定される電圧Ｖｃに関して対称的に構成される補助偏向コイル・ドライブ増幅器２００から成ると考える。ＮおよびＰにおいて交流結合される入力信号も電圧Ｖｃに関して対称的にバイアスされ、相補形ドライブ・トランジスタに結合される。補助偏向コイルすなわちＳＶＭコイルは、電圧Ｖｃ（点Ｑ）と、ドライブ・トランジスタのコレクタの接続点（点Ｒ）との間に結合されている。ドライブ・トランジスタはＢ級でバイアスされ、ＳＶＭ信号が負方向に変移するとＰＮＰトランジスタが導通し、ＳＶＭ信号が正方向に変移すると、ＮＰＮトランジスタが導通するようにする。従って、ＳＶＭコイルを通ってコレクタから回路点Ｑへ双方向の偏向電流が流され、僅か小量の電流成分がそれぞれのコレクタからエミッタへの回路の外部に循環する。特にドライブ段における電力の消失を抑制するために、エミッタ電流のサンプルから帰還が得られる。この減衰され濾波された信号ＳＶＭ  ＣＴＬはＳＶＭ信号処理回路（本出願の部分を形成しない）に結合される。
【０００８】
公称１．５ボルト（ピーク・ピーク値）ＳＶＭ信号が端子Ａに入力され、ＳＶＭプロセッサ信号の接地が端子Ｂに結合され、スプリアスの、不要な過渡的接地電流クロストークまたはノイズを減少させる。端子Ａにおける信号は抵抗Ｒ１を介してＮＰＮトランジスタＱ１のベースに結合される。Ｑ１はエミッタ共通増幅器として構成され、約５の利得を有する。トランジスタＱ１のエミッタは、接地されている直列抵抗Ｒ３とＲ４に接続され、その接続部、端子Ｂ、はＳＶＭプロセッサ信号の接地に接続される。トランジスタＱ１のコレクタは抵抗Ｒ２を介して電源（例えば２６ボルト）に接続される。電源は直列抵抗Ｒ７と減結合コンデンサＣ１により減結合される。また、トランジスタＱ１のコレクタは、エミッタ・ホロワ増幅器として構成されるＮＰＮトランジスタＱ２のベース端子にも結合される。トランジスタＱ２のコレクタは、減結合される２６ボルトの電源に接続され、エミッタはＮＰＮトランジスタＱ３のベース端子に直接接続される。トランジスタＱ２のエミッタはまた、接地された抵抗Ｒ６と直列に接続されている抵抗Ｒ５と抵抗Ｒ６にも接続される。これらの抵抗の接続点はＰＮＰトランジスタＱ４のベース端子に接続される。トランジスタＱ３とＱ４はエミッタ・ホロワ増幅器として構成され、トランジスタＱ４のベースにおけるＳＶＭ信号は、抵抗Ｒ５に電流が流れ込む結果として、トランジスタＱ３のベースに対して直流オフセットを有する。この直流オフセットはコアリング、すなわちＳＶＭ信号の振幅のわずかな減衰を生じる。トランジスタＱ３のエミッタは抵抗Ｒ８を介して交流結合コンデンサＣ２に結合され、同様に、トランジスタＱ４のエミッタは抵抗Ｒ１０を介して交流結合コンデンサＣ３に結合される。トランジスタＱ３とＱ４のエミッタは、無線周波妨害（ＲＦＩ）の発生を抑制する抵抗Ｒ９を介して共に接続される。コンデンサＣ２におけるＳＶＭ信号は、ＲＦＩを減じるために、接地されているコンデンサＣ４により濾波される。コンデンサＣ３における信号は、接地されているコンデンサＣ５によりＲＦＩ濾波される。ＰＮＰドライバ・トランジスタＱ５のベース端子は、コンデンサＣ２とＣ４の接続点および抵抗Ｒ１１とＲ１２の接続点に接続される。同様に、ＮＰＮドライバ・トランジスタＱ６のベース端子は、コンデンサＣ３とＣ５、および抵抗Ｒ１３とＲ１４の接続点に接続される。
【０００９】
抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４は、電源電圧＋Ｖと大地間に結合される直列接続の分圧器を形成する。電源電圧＋Ｖ（例えば、約１３５ボルト）は、直列抵抗Ｒ２０とバイパス・コンデンサＣ６（接地されている）により減結合される。抵抗Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４により形成される分圧器は対称的なので、抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１３の接続点における中心点Ｑで発生される電圧Ｖｃは電圧＋Ｖの１／２の値（例えば、約６７ボルト）であり、これはコンデンサＣ８により大地に減結合される。ＰＮＰトランジスタＱ５のエミッタはまた、直列接続のコンデンサＣ７と抵抗Ｒ１７を介して、中心点Ｑに結合される。同様に、ＮＰＮトランジスタＱ６のエミッタは、直列接続のコンデンサＣ９と抵抗Ｒ１９を介して、抵抗Ｒ１２とＲ１３の接続点に結合される。これら２つの直列結合された帰還路は、中心点Ｑにおける交流インピーダンスを効果的に減少させる。ＰＮＰトランジスタＱ５のエミッタは、直列接続された抵抗Ｒ２２とＲ２０を介して１３５ボルトの電源に接続される。抵抗Ｒ２０は、前述のように、電源からの減結合を行う。トランジスタＱ５のエミッタにおける抵抗Ｒ２２は、直流動作点を制御するために直流負帰還を与える。同様に、ＮＰＮトランジスタＱ６のエミッタは、直流動作点を制御するために、抵抗Ｒ２１を介して接地される。
【００１０】
ＳＶＭコイルＬは、ＣＲＴ管ネックに配置されており、信号接地導体または低インピーダンス導体（例えば、主偏向ヨークＬｘ）にごく接近している。このように導体がごく接近すると、コンデンサＣＳにより、漂遊結合容量が発生され、これはコイル電流の立上り時間を劣化させてＳＶＭ性能を損なうのみならず、高周波のパルス性ＳＶＭコイル電流に対して、妨害すなわちクロストークの結合路にもなる。ＳＶＭ電流の性質は放射を促し、隣接する導体に容量性結合を導く。パルス性のＳＶＭ電流を電源、および接地導体のような、戻り電流路から排除することが非常に望ましい。ビデオ信号から発生されるＳＶＭ信号成分がビデオ信号よりも先に進んでいると、不要なＳＶＭ妨害が回路に導入される。従って、不要なクロストーク信号またはグリッチは隠されずに見ることができ、ＳＶＭ回路の鮮鋭度強調作用が予期される。従って、ＳＶＭ動作周波数が高められかつドライブ電流が増加するにつれ、パルス性のＳＶＭドライブ電流を、ドライブ増幅器および補助偏向コイルすなわちＳＶＭコイルに閉じ込めることがますます重要となる。
【００１１】
図２は図１の発明的なＳＶＭ増幅器を描き直し、回路２００を対称的なブリッジとして位相幾何学的に示している。ブリッジに示されている節点Ｓ、Ｔ、Ｒ、Ｑは図１に示す同じ節点と対応しており、節点ＳとＴはそれぞれ、１３５ボルトの電源と大地との間に結合されている。トランジスタＱ５のエミッタ（節点Ｓ）は、抵抗Ｒ２２とＲ２０を介して電源に結合され、コンデンサＣ６により大地に減結合される。節点Ｔ（トランジスタＱ６のエミッタ）は抵抗Ｒ２１を介して接地される。トランジスタＱ５とＱ６のコレクタは接続され、ブリッジの駆動節点Ｒを形成し、補助偏向コイルすなわちＳＶＭコイルはブリッジの中心を横切って節点Ｑに接続される。ＳＶＭコイルＬと並列に接続される同調・減衰用の構成要素はわかりやすくするために省略されている。節点Ｑは、コンデンサＣ８により大地に減結合されると共に、直列抵抗Ｒ１１とＲ１２とＲ１３とＲ１４で形成される抵抗性分圧器により電源電圧の約１／２（例えば６７ボルト）に直流バイアスされる。トランジスタＱ５のエミッタ回路で直列に接続されたコンデンサＣ７と抵抗Ｒ１７は節点Ｑに接続される。抵抗Ｒ１９とコンデンサＣ９で形成される同様な直列接続の回路はトランジスタＱ６のエミッタから節点Ｑに接続される。従って、トランジスタＱ５とＱ６はブリッジの片側を形成し、直列接続のコンデンサと抵抗の回路は他の側を形成している。
【００１２】
処理され増幅されたＳＶＭ信号は、コンデンサＣ２とＣ３を介して、ブリッジ構成のドライバ・トランジスタＱ５とＱ６にそれぞれ交流結合される。トランジスタＱ５とＱ６はＢ級増幅器として動作し、ベースは、抵抗性分圧器Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４によりカットオフでバイアスされる。トランジスタＱ５とＱ６は、信号のコアリングが更に必要とされる場合には、抵抗値を適当に操作して更に深くバイアスされる。点Ｎにおける負のパルス性ＳＶＭ信号はトランジスタＱ５を導通させ、パルス性電流Ｉ１を、ＳＶＭコイルおよびコンデンサＣ７，Ｃ８，Ｃ９，ＳＳを介して、節点Ｑに循環させる。電流Ｉ１は本質的に２つの部分から成り（Ｉ１＝Ｉ２＋Ｉ３）、電流Ｉ２はブリッジ内を循環し、電流Ｉ３はコンデンサＣＳとＣ８を介してコイルの中を通り、コンデンサＣ６と抵抗Ｒ２２を経て戻る。トランジスタＱ５がオンになると、低インピーダンスの回路が形成され、Ｃ７より供給される電流は、ＳＶＭコイルＬおよび直列接続の抵抗Ｒ１７を通って循環する。抵抗Ｒ１７の値３．３オームは抵抗Ｒ２２の値５１オームに比較して小さいので、電流Ｉ２は電流Ｉ３に比較して大きい。例えば、図１に示す値では、電流Ｉ３は電流Ｉ２の約１／１５である。トランジスタＱ５の導通期間はＳＶＭインパルスの幅（例えば、１５０ナノセカンド）により決定される。従って、トランジスタＱ５が導通している時、トランジスタＱ５の飽和抵抗を無視すると、抵抗Ｒ１７とコンデンサＣ７により、約７５マイクロセカンドの放電時定数を有する放電路が形成される。従って、コンデンサＣ７がＳＶＭ電流を供給する時間はわずか１５０ナノセカンドぐらいにすぎないので、コンデンサＣ７両端の電圧は著しく変化せず、放電されない。コンデンサＣ８も、ＳＶＭコイルとトランジスタＱ５と抵抗Ｒ２２とコンデンサＣ６を介して、１５０ナノセカンドのパルス電流を供給し、これは直列に電流Ｉ３として現れる。漂遊コンデンサＣＳも、電流路を経て、大地およびコンデンサＣ６とＣ８を通して放電する。しかしながら、コンデンサＣ６，Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９と比較して、漂遊容量は非常に小さい（約２５ピコファラド）ので、漂遊容量で導かれるＳＶＭ電流も、ブリッジ内を循環する電流に比較して非常に小さい。典型的には電流Ｉ１の最大値は約６００ミリアンペアであり、Ｉ３は典型的には４０ミリアンペアである。
【００１３】
点ＰにおけるＳＶＭインパルス信号が正であれば、トランジスタＱ６はインパルス電流Ｉ６を節点Ｑから、本来コンデンサＣ９より供給されるＳＶＭコイルＬを介して、導く。トランジスタＱ６よりＳＶＭコイルＬに導かれる電流は本質的に２つの成分から成り（Ｉ６＝Ｉ７＋Ｉ８）、電流Ｉ７はブリッジ内を循環し、電流Ｉ８は、コンデンサＣＳと抵抗Ｒ２１を経てコイルを通って導かれ、コンデンサＣ８を経て戻る。抵抗Ｒ１９の値３．３オームは抵抗Ｒ２２の値５１オームに比較して小さいので、電流Ｉ７は電流Ｉ８に比較して大きく、Ｉ８の値はＩ７の値の約１／１５である。漂遊容量ＣＳを経て導かれるＳＶＭ電流は大地とＣ８を通って循環する。漂遊容量ＣＳが減少すれば、大地に導かれる電流Ｉ３とＩ８も直接減少する。抵抗Ｒ１９とコンデンサＣ９により形成される放電時定数は、トランジスタＱ５に関して説明したのと同様に機能する。トランジスタＱ６は約１５０ナノセカンドの間導通し、これは放電時定数の約１／５００に相当するので、コンデンサＣ９両端の電圧にあまり変化は認められない。
【００１４】
図３のＡは、１本のＴＶラインの水平期間中に発生する“パルス・バー”ビデオ信号を示す。図３のＢは図１の端子ＡにおけるＳＶＭ信号を示し、エッジ、すなわち、図３のＡに示す信号から取り出される水平方向の変移から成るが、時間の尺度を広げて描かれている。図３のＣは時刻ｔ１とｔ２で生じる電圧・電流パルスを、時間の尺度を拡大して示している。波形Ｐは点Ｐで発生するＳＶＭ電圧波形であり、これはトランジスタＱ６内にＳＶＭ電流を導通させるように結合される。信号波形Ｐは、図１の回路点Ｎに加えられる信号と同じであり、負の信号値に対してＳＶＭ電流を導通させる。波形Ｉ６は、ブリッジの構成要素、ＳＶＭコイルＬ、抵抗Ｒ１９およびコンデンサＣ９の中を循環するトランジスタＱ６のコレクタ電流を示す。波形Ｉ８は、トランジスタＱ６が導通している間ブリッジ回路から出る電流を示し、これはコレクタ電流Ｉ６の約１／１５である。
【００１５】
図４は、図２のブリッジ構成のＳＶＭ増幅器の発明的変更を示す。図４で、節点Ｓおよび節点Ｔはそれぞれ、抵抗Ｒ１７とコンデンサＣ７および抵抗Ｒ１９とコンデンサＣ９から成る直列帰還回路の接続点に再配置されている。回路の動作は図２に関して述べたものと大体同じである。しかしながら、図４に示す実施例で、入力信号の極性に応じてトランジスタＱ５またはＱ６が導通すると、パルス性電流がコンデンサＣ７またはＣ９より供給される。例えば、負方向の入力パルス（典型的には約１５０ナノセカンドの持続時間を有する）により、トランジスタＱ５はコンデンサＣ７から抵抗Ｒ１７およびＳＶＭコイルを経て電流を導く。パルス性電流Ｉ１とＩ２は本質的に等しく、パルス性電流Ｉ３は相当に減少し、漂遊容量ＣＳによる電流を本質的に含んでいる。トランジスタＱ５が導通していない時、コンデンサＣ７より供給されるパルス性電流は抵抗Ｒ２２を経て再充電される。トランジスタＱ６に関しても同様に、正の入力パルスにより、トランジスタＱ６はコンデンサＣ９から抵抗Ｒ１９およびＳＶＭコイルを経て電流を伝える。放電電流Ｉ６とＩ７は本質的に等しく、電流Ｉ８は漂遊容量ＣＳによるものである。コンデンサＣ９は、トランジスタＱ６の非導通期間中、抵抗Ｒ２１を経て再充電される。従って、図４の実施例では、インパルス電流すなわちＳＶＭ電流が発生されて、ブリッジ内を循環し、電源および帰路には存在しない。
【００１６】
【発明の効果】
この発明によるブリッジ構成のＳＶＭコイル・ドライブ増幅器は、パルス性電流を、主としてブリッジ回路内に循環するように閉じ込めるので、高周波のＳＶＭ電流が電源もしくは帰路を通って導通を妨害するのが防がれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明的な走査ビーム速度変調ドライブ増幅器と補助偏向コイルを示す。
【図２】図１のＳＶＭコイル・ドライブ増幅器を対称的なブリッジ構成で示す。
【図３】ブリッジ構成で発生されるＳＶＭ信号と電流を示す。
【図４】ブリッジ構成で描かれた図１の回路の発明的変更を示す。
【符号の説明】
１００    増幅器・コアリング部
２００    ドライブ増幅器
Ｌ      ＳＶＭコイル
Ｌｘ    主偏向ヨーク
【図１】
0003686131.tif 000002
【図２】
0003686131.tif 000003
【図３】
0003686131.tif 000004
【図４】
0003686131.tif 000005