(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部シールド層と、磁気抵抗効果素子と、上部シールド層とを有する再生用ヘッドと、前記上部シールド層上に絶縁層を介して対向する下部コア層と、磁気ギャップ層と、上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層間に形成されたコイル層とを有する記録用ヘッドとからなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部シールド層と下部コア層間の一部が、磁性材料で形成される導電層で導通接続されており、前記上部コア層の基端部はハイト方向後方で前記下部コア層上に磁気的に接続されており、前記導電層の前端面は前記基端部の前端面よりもハイト方向後方に形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
下部シールド層と、磁気抵抗効果素子と、上部シールド層とを有する再生用ヘッドと、前記上部シールド層上に絶縁層を介して対向する下部コア層と、磁気ギャップ層と、上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層間に形成されたコイル層とを有する記録用ヘッドとからなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部シールド層と下部コア層間の一部が、磁性材料で形成される導電層で導通接続されており、前記上部コア層と下部コア層間は、ハイト方向後方でバックギャップ層を介して磁気的に接続されており、前記導電層の前端面は前記バックギャップ層の前端面よりもハイト方向後方に形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記導電層は前記下部コア層と同一材料で形成される請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記導電層の膜面と平行な方向における断面積は、１μｍ2以上で５００μｍ2以下で形成される請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
。
【請求項５】
前記下部コア層と前記上部シールド層は異なる磁性材料で形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記薄膜磁気ヘッドの前端面には保護層が形成され、前記保護層の膜厚は、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下である請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記保護層は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous  Carbon）のうち１種または２種以上で形成される請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
（ａ）下部シールド層、磁気抵抗効果素子及び上部シールド層を有する再生ヘッドを形成する工程と、
（ｂ）前記上部シールド層上の一部に磁性材料からなる導電層を形成するとともに、前記導電層の周囲に絶縁層を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁層上から前記導電層上にかけて下部コア層を形成する工程と、
（ｄ）前記下部コア層上にコイル層、上部コア層を形成し、前記下部コア層、コイル層、及び上部コア層を有する記録用ヘッドを形成する工程とを有し、
前記（ｄ）工程で、前記下部コア層上に磁気的に接続する上部コア層の基端部の前端面を、あるいは前記（ｄ）工程で、前記下部コア層と上部コア層の基端部間に形成されるバックギャップ層の前端面を、前記導電層の前端面より記録媒体側に位置するように形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記（ｂ）工程及び（ｃ）工程に代えて以下の工程を有する請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ｅ）前記上部シールド層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層に前記上部シールド層にまで貫通する穴部を形成し、前記穴部内から前記絶縁層上にかけてメッキ下地層を形成する工程と、
（ｆ）前記メッキ下地層上に下部コア層をメッキ形成し、前記穴部内に前記下部コア層と一体となる導電層を形成する工程。
【請求項１０】
前記（ｃ）工程及び（ｆ）工程で、前記上部シールド層とは異なる磁性材料で、下部コア層を形成する請求項８または９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記（ｄ）工程の後、前記記録媒体との対向面に保護層を形成し、このとき前記保護層の膜厚を、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下で形成する請求項８ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記保護層を、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral Amorphous  Carbon）のうち１種または２種以上で形成する請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録用ヘッドと、前記記録用ヘッド上に絶縁層を介して形成された再生用ヘッドとから構成されるピギーバック（piggy  back）型の薄膜磁気ヘッドに係り、特に高記録密度化においても前記記録用ヘッドと再生用ヘッド間の磁気的な干渉を抑制すると共に、耐腐食性を向上させることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１７は従来における薄膜磁気ヘッドの構造の部分縦断面図である。ここで縦断面とは薄膜磁気ヘッドをハイト方向（図示Ｙ方向）であって膜厚方向と平行に切断した断面のことを言う。縦断面の意味は以下同じである。
【０００３】
図１７に示す符号１は、アルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）からなるスライダであり、このスライダ１上にＡｌ2Ｏ3膜２を介して薄膜磁気ヘッド３が形成される。
【０００４】
図１７に示す薄膜磁気ヘッド３は、再生用のＭＲヘッドｈ１と記録用のインダクティブヘッドｈ２とが積層された構造であり、前記ＭＲヘッドｈ２は磁性材料製の下部シールド層４、例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用した磁気抵抗効果素子５、前記下部シールド層４上と前記磁気抵抗効果素子５の上下に形成される絶縁材料製のギャップ層６、および前記ギャップ層６上に形成された磁性材料製の上部シールド層７から構成される。
【０００５】
図１７に示すタイプの薄膜磁気ヘッド３では、前記上部シールド層７がインダクティブヘッドｈ２の下部コア層としても機能する。すなわち前記上部シールド層７は、ＭＲヘッドｈ１のシールドとしての機能と、インダクティブヘッドｈ２のコアとしての機能の双方を兼ね備える。
【０００６】
前記インダクティブヘッドｈ２は、下部コア層７、Ａｌ2Ｏ3などで形成された磁気ギャップ層８、コイル層９、前記コイル層９の上下に形成される絶縁層１０、および上部コア層１１とから構成される。
【０００７】
図１７に示すように前記上部コア層１１の先端部１１ａは薄膜磁気ヘッド３の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）で前記下部コア層７上に磁気ギャップ層８を介して対向し、前記上部コア層１１の基端部１１ｂはハイト方向後方（図示Ｙ方向）における下部コア層７表面に磁気的に接続される。
【０００８】
前記上部コア層１１上はＡｌ2Ｏ3などで形成された保護層１２に覆われている。
【０００９】
図１７に示すように、前記薄膜磁気ヘッド３の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）には、所定の厚みを持った例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）で形成された保護層１３が形成されている。
【００１０】
しかし図１７に示す薄膜磁気ヘッドの構造では以下の問題が発生した。すなわち図１７に示す薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲヘッドｈ１のシールドとして機能する上部シールド層７がインダクティブヘッドｈ２の下部コア層としても機能するため、例えば記録時における下部コア層７の磁気的作用が、再生に切換えられた際にも若干残り、前記下部コア層７の再生時における上部シールドとしての機能を低減させる結果となり、特にこのような記録と再生との切換時における磁気的な干渉の問題は高記録密度化にともなって益々顕著になった。
【００１１】
このため図１７に示す薄膜磁気ヘッドの構造は図１８のように改良された。なお図１８で図１７と同じ符号の層は、図１７と同じ層を示している。図１８では、上部シールド層１４と下部コア層１５とが別々に形成され、前記上部シールド層１４と下部コア層１５間には、例えばＡｌ2Ｏ3などの絶縁層１６が介在している。
【００１２】
図１８に示すようにＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２とが同じ層を兼用せず完全に分離して形成される薄膜磁気ヘッドは、ピギーバック（piggy  back）型の薄膜磁気ヘッドと呼ばれている。
【００１３】
ピギーバック型の薄膜磁気ヘッドであれば、高記録密度化においてもＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２間での磁気的な干渉を抑制でき、記録及び再生特性の双方を適切に向上させることができると考えられた。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら図１８に示す構造の薄膜磁気ヘッドのように下部コア層１５と上部シールド層１４とを分離すると、前記下部コア層１５と上部シールド層１４とが腐食しやすくなるといった問題点が指摘された。この問題点は高記録密度化が進むにつれて益々顕著になる。
【００１５】
高記録密度化をより効果的に実現するには、スペーシングロスを低減させる必要がある。スペーシングロスを低減させるには、図１８に示す薄膜磁気ヘッド３の前端面（記録媒体Ｄに対向する側の面）から前記記録媒体Ｄ表面までの浮上距離Ｈ１を短くすればよい。
【００１６】
前記浮上距離Ｈ１を短くするには、前記薄膜磁気ヘッド３が記録媒体Ｄ上に浮上した際の浮上量を低減させること、また前記薄膜磁気ヘッド３の前端面に形成された保護層１３の膜厚Ｔ１を薄くする必要がある。
【００１７】
しかしながら、前記保護層１３の膜厚Ｔ１を薄くすると、前記保護層１３にはピンホール等の欠陥が形成され、例えば前記磁気ヘッド３を製造する過程で使用される溶剤や空気中の水分が前記保護層１３内に浸透して下部コア層１５及び上部シールド層１４にまで到達しやすくなる。このとき下部コア層１５と上部シールド層１４間には電位差が生じているため、前記下部コア層１５と上部シールド層１４間の電位差による電池効果により、下部コア層１５及び上部シールド層１４の双方、あるいはどちらか一方を特に腐食させるといった問題が発生した。
【００１８】
また図１８のようなピギーバック型の場合は、下部コア層１５と上部シールド層１４とを別々に形成することから、前記下部コア層１５及び上部シールド層１４とを別々の磁性材料で形成することも可能であり、かかる場合、下部コア層１５と上部シールド層１４間の電位差がさらに大きくなるため、特にイオン化傾向が高い側の層が電池効果で激しく腐食し、記録特性及び再生特性が大きく低下しやすい。
【００１９】
また上記した腐食の問題を解決することは高記録密度化を図る上で重要であるが、耐腐食性を向上させると同時に、ピギーバック型としたことの優位点、すなわちＭＲヘッドｈ１とインダクティブヘッドｈ２間の磁気的な干渉を適切に低減させるという効果が低下しないようにしなければならない。
【００２０】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、インダクティブヘッドとＭＲヘッド間の磁気的な干渉を低減させるという効果を保持すると共に、下部コア層と上部シールド層間を導電層で電気的に繋いで、前記下部コア層と上部シールド層とを同電位にし、前記下部コア層と上部シールド層の耐腐食性を適切に向上させることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下部シールド層と、磁気抵抗効果素子と、上部シールド層とを有する再生用ヘッドと、前記上部シールド層上に絶縁層を介して対向する下部コア層と、磁気ギャップ層と、上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層間に形成されたコイル層とを有する記録用ヘッドとからなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部シールド層と下部コア層間の一部が、磁性材料で形成される導電層で導通接続されており、前記上部コア層の基端部はハイト方向後方で前記下部コア層上に磁気的に接続されており、前記導電層の前端面は前記基端部の前端面よりもハイト方向後方に形成されていることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明のように前記上部シールド層と下部コア層の一部を導電層で導通接続させると前記上部シールド層と下部コア層は同電位になるから、薄膜磁気ヘッドの前端面（記録媒体と対向する側の面）に形成される保護層がスペーシングロス低減のために薄くされても、従来に比べて溶剤や空気中の水分の浸透などによって引き起こされる電池効果は低減され、前記上部シールド層と下部コア層との耐腐食性を向上させることができる。
【００２３】
また本発明のように前記上部シールド層と下部コア層間を導電層で導通接続させても、前記導電層は前記上部シールド層と下部コア層間の一部分にのみ設けられているだけであるから、記録時及び再生時における下部コア層と上部シールド層間の磁気的な干渉を、前記下部コア層と上部シールド層とを同一の層で兼用していた従来（図１７の従来例）に比べて小さくでき、ピギーバック型としての優位性を保つことが可能である。
【００２４】
本発明では、前記導電層は、磁性材料で形成されており、前記導電層は前記下部コア層と同一材料で形成されることが好ましい。これにより前記導電層の製造工程を容易化できる。
【００２６】
また本発明では、前記上部コア層の基端部はハイト方向後方で前記下部コア層上に磁気的に接続されており、前記導電層の前端面は前記基端部の前端面よりもハイト方向後方に形成されている。
【００２７】
あるいは本発明では、前記上部コア層と下部コア層間は、ハイト方向後方でバックギャップ層を介して磁気的に接続されており、前記導電層の前端面は前記バックギャップ層の前端面よりもハイト方向後方に形成されている。
【００２８】
上記したように、前記導電層の前端面が、上部コア層の基端部の前端面、あるいはバックギャップ層の前端面よりもハイト側に形成されていると、前記導電層が磁性材料であっても、下部コア層及び上部コア層間を経る記録磁界が前記導電層を通って前記上部シールド層に影響を及ぼすことは少なくあるいは影響を及ぼすことが無く、したがって適切に記録時及び再生時の下部コア層と上部シールド層間の磁気的な干渉を抑制できる。
【００２９】
また本発明では、前記導電層の膜面と平行な方向における断面積は、１μｍ2以上で５００μｍ2以下で形成されることが好ましい。これにより、さらに適切に記録時及び再生時の前記下部コア層と上部シールド層間の磁気的な干渉を抑制することができる。
【００３０】
また本発明では、前記下部コア層と前記上部シールド層は異なる磁性材料で形成されることが好ましい。下部コア層に求められる磁気特性は特に高飽和磁束密度Ｂｓである。一方、前記上部シールド層に求められる磁気特性は特に高透磁率や低磁歪定数であり、飽和磁束密度Ｂｓは下部コア層ほど高くする必要性がない。このように下部コア層及び上部シールド層に必要な磁気特性はそれぞれ異なるため、下部コア層及び上部シールド層をぞれぞれ異なる磁性材料で形成し、前記下部コア層のコア機能及び上部シールド層のシールド機能を向上させることが好ましい。
【００３１】
また本発明では、前記薄膜磁気ヘッドの前端面には保護層が形成され、前記保護層の膜厚は、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下であることが好ましい。これにより適切にスペーシングロスを低減でき、高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できる。また本発明では、前記保護層は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral  Amorphous  Carbon）のうち１種または２種以上で形成されることが好ましい。
【００３２】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
（ａ）下部シールド層、磁気抵抗効果素子及び上部シールド層を有する再生ヘッドを形成する工程と、
（ｂ）前記上部シールド層上の一部に磁性材料からなる導電層を形成するとともに、前記導電層の周囲に絶縁層を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁層上から前記導電層上にかけて下部コア層を形成する工程と、
（ｄ）前記下部コア層上にコイル層、上部コア層を形成し、前記下部コア層、コイル層、及び上部コア層を有する記録用ヘッドを形成する工程とを有し、
前記（ｄ）工程で、前記下部コア層上に磁気的に接続する上部コア層の基端部の前端面を、あるいは前記（ｄ）工程で、前記下部コア層と上部コア層の基端部間に形成されるバックギャップ層の前端面を、前記導電層の前端面より記録媒体側に位置するように形成することを特徴とするものである。
【００３３】
上記の本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、適切に且つ容易に下部コア層と上部シールド層間の一部に導電層を形成でき前記下部コア層と上部シールド層とを導通接続させ、前記下部コア層と上部シールド層とを同電位にできることにより、耐腐食性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
また本発明では、前記（ｄ）工程で、前記下部コア層上に磁気的に接続する上部コア層の基端部の前端面を、あるいは前記（ｄ）工程で、前記下部コア層と上部コア層の基端部間に形成されるバックギャップ層の前端面を、前記導電層の前端面より記録媒体側に位置するように形成する。これにより、より適切に記録時及び再生時の下部コア層と上部シールド層間の磁気的な干渉を抑制できる薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００３４】
また本発明では、前記（ｂ）工程及び（ｃ）工程に代えて以下の工程を有することが好ましい。
（ｅ）前記上部シールド層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層に前記上部シールド層にまで貫通する穴部を形成し、前記穴部内から前記絶縁層上にかけてメッキ下地層を形成する工程と、
（ｆ）前記メッキ下地層上に下部コア層をメッキ形成し、前記穴部内に前記下部コア層と一体となる導電層を形成する工程。
【００３５】
これにより前記下部コア層と導電層とを同じ工程時に同時に形成できる。従って前記導電層の製造を容易化できて好ましい。
【００３７】
また本発明では、前記（ｃ）工程及び（ｆ）工程で、前記下部コア層を上部シールド層とは異なる磁性材料で形成することが好ましい。
【００３８】
本発明の薄膜磁気ヘッドはピギーバック型であるから前記下部コア層と上部シールド層とを別々の磁性材料で形成することができる。このとき下部コア層のコア機能を向上させるために必要な磁気特性、および上部シールド層のシールド機能を向上させるために必要な磁気特性を有する材質を選択することが好ましい。
【００３９】
また本発明では、前記（ｄ）工程の後、前記記録媒体との対向面に保護層を形成し、このとき前記保護層の膜厚を、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下で形成することが好ましい。これによりスペーシングロスを低減でき、高記録記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００４０】
また本発明では、前記保護層を、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral  Amorphous  Carbon）のうち１種または２種以上で形成することが好ましい。
【００４１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明における第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である。なお以下では、図１に示す図示Ｘ方向をトラック幅方向と呼び、図示Ｙ方向をハイト方向と呼ぶ。図示Ｚ方向は記録媒体Ｄの移動方向である。
【００４２】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、再生用のＭＲヘッドｈ１と記録用のインダクティブヘッドｈ２とが兼用層を持たずにそれぞれ別々に分離形成されたピギーバック型（piggy  back）型と呼ばれるタイプの薄膜磁気ヘッドである。
【００４３】
図１に示す符号２０は、アルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）などで形成されたスライダである。本発明における薄膜磁気ヘッド２１は、前記スライダ２０上にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁層２２を介して形成される。
【００４４】
図１に示すように前記絶縁層２２の上にはパーマロイ（ＮｉＦｅ系合金）やセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）などの磁性材料で形成された下部シールド層２３が形成されている。
【００４５】
前記下部シールド層２３上にはギャップ層２４を介して磁気抵抗効果素子２５が形成される。前記磁気抵抗効果素子２５の前端面は、図１に示すように前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）と同一面上に形成される。前記磁気抵抗効果素子２５は、例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用したスピンバルブ型薄膜素子に代表される巨大磁気抵抗効果素子、トンネル効果（ＴＭＲ効果）を利用したトンネル型磁気抵抗効果型素子、異方性磁気効果（ＡＭＲ効果）を利用した異方性磁気抵抗効果素子である。
【００４６】
図１に示すようにギャップ層２４は前記磁気抵抗効果素子２５上にも形成され、前記磁気抵抗効果素子２５の上下（図示Ｚ方向）が前記ギャップ層２４によって囲まれた状態になっている。なお通常、前記磁気抵抗効果素子２５の下側に形成されるギャップ層２４を下部ギャップ層、前記磁気抵抗効果素子２５の上側に形成されるギャップ層２４を上部ギャップ層と呼ぶが、図１では前記下部ギャップ層と上部ギャップ層を図面的に簡略し、一つのギャップ層２４として示している。
【００４７】
図１に示すように前記ギャップ層２４上にはパーマロイなどの磁性材料で形成された上部シールド層２６が形成されている。
【００４８】
図１に示すように、前記下部シールド層２３及び上部シールド層２６の前端面は、磁気抵抗効果素子２５の前端面とともに薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）と同一面上に形成される。
【００４９】
図１に示す下部シールド層２３から上部シールド層２６までが再生用ヘッド、すなわちＭＲヘッドｈ１である。
【００５０】
図１に示すように前記上部シールド層２６上にはＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された絶縁層（分離層）２７が形成されている。
【００５１】
図１に示すように前記絶縁層２７上にはＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）などの磁性材料で形成された下部コア層２８が形成されている。
【００５２】
前記下部コア層２８上には前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面からハイト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置に、例えば有機材料で形成されたＧｄ決め層２９が形成されている。前記Ｇｄ決め層２９よりもさらにハイト方向後方（図示Ｙ方向）には、磁性材料製のバックギャップ層３０が形成されている。前記バックギャップ層３０は前記下部コア層２８と磁気的に接続されている。
【００５３】
図１に示すように前記Ｇｄ決め層２９上から薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）にかけて、下から下部磁極層３１、磁気ギャップ層３２及び上部磁極層３３からなる磁極層３４が形成されている。前記下部磁極層３１や上部磁極層３３はＮｉＦｅ系合金、ＣｏＦｅ系合金、ＣｏＦｅＮｉ系合金などの磁性材料で形成される。一方、前記磁気ギャップ層３２はＮｉＰなどのメッキ形成可能な非磁性導電材料で形成される。
【００５４】
図１に示すように前記磁極層３４とバックギャップ層３０間であって前記下部コア層２８上には、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁下地層３５を介して、Ｃｕなどの非磁性導電材料で形成された第１コイル層３６が巻回形成されている。
【００５５】
前記第１コイル層３６の各導体部間はレジストなどの有機絶縁材料層３７によって埋められており、前記第１コイル層３６上及び前記有機絶縁材料層３７上はＡｌ2Ｏ3などの無機絶縁材料層３８などによって覆われている。前記無機絶縁材料層３８、磁極層３４及びバックギャップ層３０のそれぞれの表面はＣＭＰ技術等を用いて平坦化されている。
【００５６】
図１に示すように、前記無機絶縁材料層３８上には第２コイル層３９が巻回形成されている。図１に示すように前記第２コイル層３９はレジストなどの有機絶縁材料層４０によって覆われており、さらに前記有機絶縁材料層４０上にはＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成された上部コア層４１が例えばフレームメッキ法などで形成されている。図１に示すように前記上部コア層４１の先端部４１ａは、前記上部磁極層３３上に磁気的に接続されている。この実施形態では前記先端部４１ａの前端面は、薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）と同一面上で形成されず、ハイト方向（図示Ｙ方向）に後退しているが、前記先端部４１ａの前端面が前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面と同一面上に形成されていてもよい。
【００５７】
また前記上部コア層４１の基端部４１ｂは前記バックギャップ層３０上に磁気的に接続されている。
【００５８】
図１に示す下部コア層２８から上部コア層４１までの各層で記録用ヘッド、すなわちインダクティブヘッドｈ２が構成される。
【００５９】
インダクティブヘッドｈ２では、前記第１コイル層３６及び第２コイル層３９に記録電流が流れると記録磁界が発生し、上部磁極層３３−上部コア層４１−バックギャップ層３０−下部コア層２８−下部磁極層３１を経る磁路が形成される。前記磁気ギャップ層３２を挟んだ下部磁極層３１と上部磁極層３３間からの漏れ磁界によって記録媒体Ｄに信号が記録される。
【００６０】
図１に示すように、前記上部コア層４１上はＡｌ2Ｏ3などの保護層４２によって覆われている。また図１に示すように前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面（記録媒体Ｄと対向する側の面）には保護層４４が形成されている。前記保護層４４はＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral  Amorphous  Carbon）のうち１種または２種以上で形成されることが好ましい。
【００６１】
本発明における薄膜磁気ヘッドの特徴的部分について以下に説明する。上部シールド層２６と下部コア層２８間の一部は、導電層４３によって導通接続されている。前記導電層４３によって前記上部シールド層２６と下部コア層２８間が導通接続されると前記上部シールド層２６と下部コア層２８とを同電位にすることが可能である。
【００６２】
このため前記薄膜磁気ヘッド２１の製造工程時に、前記薄膜磁気ヘッドを溶剤に浸したとき、前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護膜４３から前記溶剤が浸透して、また磁気ヘッドの駆動時のときなどに空気中の水分が前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護膜４３から浸透して、前記溶剤や水分が前記上部シールド層２６及び下部コア層２８に到達しても、前記上部シールド層２６と下部コア層２８間には電気効果が発生しにくくあるいは発生せず、前記上部シールド層２６及び下部コア層２８の腐食を従来に比べて適切に抑制することができる。
【００６３】
また本発明のように前記上部シールド層２６と下部コア層２８間を導電層４３で導通接続させても、前記導電層４３は前記上部シールド層２６と下部コア層２８間の一部分にのみ設けられているだけであるから、下部コア層２８と上部シールド層２６間の磁気的な干渉を、前記下部コア層２８と上部シールド層２６とを同一の層で形成していた従来（図１７の従来例）に比べて小さくでき、ピギーバック型としての優位性を適切に保つことが可能である。また前記導電層４３が非磁性導電材料で形成されていると、前記下部コア層２８と上部シールド層２６間の磁気的な干渉を、前記導電層４３が形成されていない従来（図１８の従来例）と同様に緩和でき、より適切にピギーバック型としての優位性を保つことが可能になる。
【００６４】
また本発明では、前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面に形成された保護層４４の膜厚は、０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下であることが好ましい。これにより前記薄膜磁気ヘッド２１の前端面と記録媒体Ｄ間の浮上距離Ｈ２を縮めることができ、スペーシングロスの低減を図ることができる。また本発明では、このように保護層４４の膜厚が薄く形成されることにより、前記保護層４４にピンホール等の欠陥が形成され、薄膜磁気ヘッド２１の製造工程時に使用される溶剤や空気中の水分が下部コア層２８及び上部シールド層２６にまでより浸透しやすくなっても、本発明では上記したように前記下部コア層２８と上部シールド層２６とが同電位にされたことで、前記下部コア層２８及び上部シールド層２６間に電池効果が発生しにくく、前記下部コア層２８及び上部シールド層２６は従来に比べて腐食され難くなり、再生特性及び記録特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になっている。
【００６５】
次に前記導電層４３の材質について以下に説明する。前記導電層４３は磁性材料で形成されてもよい。本発明では前記導電層４３が磁性材料で形成されても、前記導電層４３は下部コア層２８と上部シールド層２６間の一部にのみ形成されているだけであるから、従来のように下部コア層２８と上部シールド層２６とが同一の層で形成されていた場合に比べて、記録時及び再生時における前記下部コア層２８と上部シールド層２６間の磁気的な干渉を適切に抑制でき、ピギーバック型としての優位性を保つことが可能である。
【００６６】
また特に前記導電層４３を磁性材料で形成する場合、前記導電層４３を前記下部コア層２８と同一材料で形成でき、前記導電層４３の形成を容易化できる。
【００６７】
図２は、下部コア層２８と導電層４３とが同一材料で形成されて一体化された状態を示す部分拡大縦断面図である。
【００６８】
図２に示すように前記上部シールド層２６上には絶縁層２７が形成され、この絶縁層４３には前記上部シールド層２６上面にまで貫通する穴部２７ａが形成されている。そして前記絶縁層２７上から前記穴部２７ａから露出する上部シールド層２６上にかけてメッキ下地層４５が形成されている。前記メッキ下地層４５はＮｉＦｅ系合金などであり、例えばスパッタ成膜される。そして前記メッキ下地層４５上に下部コア層２８を電気メッキ法によりメッキ形成する。このとき前記絶縁層２７に形成された穴部２７ａ内にもメッキ層が形成され、このメッキ層は前記下部コア層２８と上部シールド層２６間を導通接続させる導電層４３として機能するのである。
【００６９】
あるいは本発明では前記導電層４３は、下部コア層２８とは別個に形成されてもよい。その状態は図３の部分拡大断面図に示されている。
【００７０】
図３に示す前記上部シールド層２６上には導電層４３が形成されている。前記導電層４３は、磁性材料で形成されていてもよいし、非磁性導電材料で形成されていてもよい。
【００７１】
図３に示すように前記導電層４３の周囲は前記絶縁層２７によって覆われている。図３に示すように、前記導電層４３の上面と前記絶縁層２７の上面とが同一平面で形成されることが好ましいがそうでなくてもよい。前記導電層４３の上面から前記絶縁層２７の上面にかけてメッキ下地層４６が形成され、前記メッキ下地層４６上に下部コア層２８がメッキ形成されている。
【００７２】
なお前記導電層４３が非磁性導電材料で形成されると上記したように、下部コア層２８と上部シールド層２６間の記録時及び再生時における磁気的な干渉を、従来のピギーバック型の薄膜磁気ヘッドと同等に抑制でき、ピギーバック型としての優位性を効果的に保つことができる。
【００７３】
また本発明では前記非磁性導電材料には、ＮｉＰ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕから１種または２種以上が選択されることが好ましい。
【００７４】
次に前記導電層２９の形成位置について以下に説明する。図４は薄膜磁気ヘッド２１を上から見た部分平面図であるが、前記導電層２９の形成位置を見やすくするため、前記薄膜磁気ヘッド２９を構成する上部シールド層２６、導電層４３、下部コア層２８及びバックギャップ層３０のみが主として図示されている。
【００７５】
図４に示すように、前記導電層２９の前端面４３ａは、前記バックギャップ層３０の前端面３０ａよりもハイト方向後方（図示Ｙ方向）に後退して形成されていることが好ましい。
【００７６】
本発明における薄膜磁気ヘッド２１のインダクティブヘッドｈ２では記録時、上部磁極層３３−上部コア層４１−バックギャップ層３０−下部コア層２８−下部磁極層３１を経る磁路が形成される。
【００７７】
このとき仮に前記導電層４３が磁性材料であり、前記導電層４３の前端面４３ａが前記バックギャップ層３０の前端面３０ａよりも記録媒体Ｄ側（図示Ｙ方向とは逆方向）にあると、記録磁界の一部は、前記バックギャップ層３０から前記下部コア層２８及び前記導電層４３を介して上部シールド層２６に導かれやすくなる。
【００７８】
このため前記記録磁界の一部が前記導電層４３を介して上部シールド層２６に導かれないようにするためには、前記導電層４３の前端面４３ａは、前記バックギャップ層３０の前端面３０ａよりもハイト方向後方（図示Ｙ方向）に後退して形成されていることが好ましい。これにより記録磁界は導電層４３を介して上部シールド層２６に導かれ難くなり、記録時及び再生時において、従来（図１８を参照）のピギーバック型の薄膜磁気ヘッドと同様に下部コア層２８と上部シールド層２６間の磁気的な干渉を小さくできる薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００７９】
またより好ましくは、前記導電層４３の前端面４３ａは、前記バックギャップ層３０の後端面３０ｂよりもハイト方向後方（図示Ｙ方向）に形成されている方が、前記記録磁界が前記導電層４３を介して上部シールド層２６に導かれるのをより効果的に抑制でき、記録時及び再生時において、下部コア層２８と上部シールド層２６間の磁気的な干渉をより小さくできる薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００８０】
また前記導電層４３は下部コア層２８及び上部シールド層２６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の真ん中に形成されていることが好ましい。前記下部コア層２８及び上部シールド層２６に対する外部磁場の影響等を弱くすることができ、再生特性及び記録特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００８１】
なお前記導電層４３が非磁性導電材料で形成される場合は、記録磁界が前記下部コア層２８から前記導電層４３を介して上部シールド層２６に導かれることはないので、前記導電層４３の前端面４３ａがバックギャップ層３０の前端面３０ａより記録媒体Ｄ側に位置していても、前記導電層４３が磁性材料で形成されている場合に比べて、下部コア層２８と上部シールド層２６間で磁気的な干渉が大きくなる等の問題は生じないものと考えられる。
【００８２】
また本発明では図５（本発明の薄膜磁気ヘッドの第２実施形態であり、前記薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である）のように、上部コア層４１とバックギャップ層３０とが一体化し、前記上部コア層４１の基端部４１ｂが前記下部コア層２８上面に磁気的に接続されていてもよい。
【００８３】
かかる場合でも、前記導電層４３の前端面４３ａは、前記基端部４１ｂの前端面４１ｃよりもハイト方向後方（図示Ｙ方向）に後退して形成されていることが好ましく、より好ましくは前記基端部４１ｂの後端面４１ｄよりもハイト方向後方に形成されていることである。これにより前記導電層４３が磁性材料で形成されている場合でも記録磁界が下部コア層２８から前記導電層４３を介して上部シールド層２６に導かれるのを適切に抑制でき、今後の高記録密度化においても記録特性及び再生特性に優れた薄膜磁気ヘッド２１を形成することが可能である。なお図５は上部コア層４１の基端部４１ｂ構造が図１と異なるだけで、その他の構造は図１と同じであるので、説明を省略する。
【００８４】
また前記導電層４３の膜面（図示Ｘ方向とＹ方向とで形成される面）と平行な方向における断面積は、１μｍ2以上で５００μｍ2以下で形成されることが好ましい。前記導電層４３の膜面と平行な方向の断面積が１μｍ2よりも小さくなると、前記導電層４３の形成を所定形状で形成することが困難で、前記下部コア層２８と上部シールド層２６間を適切に導通接続させにくくなり好ましくない。
【００８５】
一方、前記導電層４３の膜面と平行な方向の断面積が５００μｍ2よりも大きくなると、特に前記導電層４３が磁性材料で形成される場合、記録時及び再生時において前記下部コア層２８と上部シールド層２６間が磁気的に干渉しやすくなり、ピギーバック型としての優位性を保てなくなり好ましくない。
【００８６】
また本発明では、前記導電層４３の膜面と平行な方向の断面積は、下部コア層２８の膜面と平行な方向の断面積に対し０．１％以上で６０％以下であることが好ましい。また前記導電層４３の膜面と平行な方向の断面積は、上部シールド層２６の膜面と平行な方向の断面積に対し０．０５％以上で３０％以下であることが好ましい。理由は上記した導電層４３の断面積の数値限定の理由と同様である。
【００８７】
次に前記導電層４３の形状について以下に説明する。図４に示すように前記導電層４３の膜面と平行な方向における断面の形状は略四角形であるが、前記断面の形状が略丸形状等であってもかまわない。また前記導電層４３の縦断面の形状は図１では略直方形状であるが、これが略台形状など他の形状であってもかまわない。
【００８８】
次に前記導電層４３以外の図１の薄膜磁気ヘッド２１の特徴的部分について以下に説明する。
【００８９】
図１に示すように下部シールド層２３と上部シールド層２６間の一部にも導電層４７が形成され、前記下部シールド層２３と上部シールド層２６間が導通接続されている。前記導電層４７は非磁性導電材料で形成されても磁性材料で形成されてもどちらでもよいが非磁性導電材料で形成されることが好ましい。
【００９０】
上記のように前記下部シールド層２３と上部シールド層２６間が導電層４７により導通接続されることにより、前記下部シールド層２３と上部シールド層２６とが同電位となり、前記下部シールド層２３及び上部シールド層２６の耐腐食性を向上させることができ、前記シールド層２３、２６のシールド機能を適切に保つことができ、再生特性の向上を図ることができる。
【００９１】
次に前記下部コア層２８と上部シールド層２６との材質について以下に説明する。前記下部コア層２８は、高記録密度化に適切に対応するために高い飽和磁束密度Ｂｓを有する磁性材料で形成されることが好ましい。一方、上部シールド層２６は、シールド機能を向上させるべく、高い透磁率、および低い磁歪定数を有する磁性材料で形成されることが好ましい。このように下部コア層２８と上部シールド層２６に求められる磁気特性は異なるので、前記下部コア層２８及び上部シールド層２６はそれぞれ必要な磁気特性を有する異なる材質で形成されることが好ましい。
【００９２】
前記上部シールド層２６は、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）やセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）などで形成される。またＣｏ―Ｚｒ―Ｎｂ（コバルト―ジルコニウム―ニオブ）系アモルファス合金やＣｏ―Ｈｆ―Ｔａ（コバルト―ハフニウム―タンタル）系アモルファス合金などで形成されてもよい。
【００９３】
前記上部シールド層２６はメッキや蒸着法、スパッタ法などで形成される。
また前記下部コア層２８は、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）やＣｏＦｅ系合金、ＣｏＦｅＮｉ系合金などで形成される。これら材質で形成された下部コア層２８は電気メッキ法によりメッキ形成される。あるいは前記下部コア層２８は、組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏで示され、Ｍは、Ａｌ，Ｓｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｇまたは希土類元素のうち一種類の元素または２種類以上の元素で構成される軟磁性材料などにより形成されてもよい。前記軟磁性材料による下部コア層２８はスパッタ法や蒸着法によって形成される。
【００９４】
本発明では、前記下部コア層２８と上部シールド層２６とが共にＦｅと、Ｆｅ以外の磁性元素とを含有する磁性材料で形成されるとき、例えば前記下部コア層２８と上部シールド層２６とが共にＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）で形成されるとき、Ｆｅ組成比は前記下部コア層２８側の方が上部シールド層２６側よりも大きいことが好ましい。これにより前記下部コア層２８は高い飽和磁束密度を有し、一方上部シールド層２６は飽和磁束密度が低くなるものの、高い透磁率、低い磁歪定数を得ることが可能になる。
【００９５】
本発明では、上記したように下部コア層２８と上部シールド層２６とが異なる材質で形成されていても、前記下部コア層２８と上部シールド層２６間の一部が導電層４３で導通接続されていることにより、前記下部コア層２８と上部シールド層２６とを同電位にできるので、前記下部コア層２８と上部シールド層２６との耐腐食性を従来に比べて向上させることができ、高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッド２１を形成することができる。
【００９６】
なお前記下部コア層２８と上部シールド層２６は同じ磁性材料で形成されてもよい。
【００９７】
図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッド２１の製造方法について以下に説明する。まず、図１に示すスライダ２０上に下部シールド層２３、磁気抵抗効果素子２５、ギャップ層２４及び上部シールド層２６を有してなる再生用のＭＲヘッドｈ１を形成する。
【００９８】
次に図６（製造工程中の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図）に示すように前記上部シールド層２６上にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などで形成された絶縁層２７をスパッタ法や蒸着法により形成する。このとき前記絶縁層２７を５００Å以上で１００００Å以下で形成することが好ましい。
【００９９】
次に図７（製造工程中の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図）に示すように、前記絶縁層２７上にレジスト層５１を形成し、露光現像により前記レジスト層５１に穴部５１ａを形成する。そして前記穴部５１ａから露出する前記絶縁層２７をＲＩＥ法やイオンミリング法などを用いて削り、前記穴部５１ａから前記上部シールド層２６の上面を露出させる。そして前記レジスト層５１を除去する。
【０１００】
次に図８（製造工程中の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図）に示すように前記絶縁層２７上から前記絶縁層２７に形成された穴部２７ａから露出する上部シールド層２６上にかけてメッキ下地層４５をスパッタ法や蒸着法により形成する。前記メッキ下地層４５はＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成されてもよいし、Ｃｕなどの非磁性導電材料で形成されてもよい。
【０１０１】
図９（製造工程中の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図）に示す工程では、前記メッキ下地層４５上に下部コア層２８をメッキ形成する。このとき前記メッキ層は前記絶縁層２７上のみならず前記絶縁層２７の穴部２７ａから露出する前記上部シールド層２６上にも形成される。上部シールド層２６上に前記メッキ下地層２７を介して形成されたメッキ層は、下部コア層２８と上部シールド層２６間を導通接続させる導電層４３として機能する。
【０１０２】
次に図１０（製造工程中の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図）に示す工程では、前記下部コア層２８上に例えば有機材料製のＧｄ決め層２９及び下部磁極層３１、磁気ギャップ層３２及び上部磁極層３３から成る磁極層３４を形成した後、前記磁極層３４上から前記下部コア層２８上にかけてレジスト層４８を形成し、その後前記下部コア層２８上に形成されたレジスト層４８に露光現像により穴部４８ａを形成して前記下部コア層２８表面を露出させる。
【０１０３】
このとき前記穴部４８ａの記録媒体Ｄ側の前端面４８ｂが、前記導電層４３の記録媒体Ｄ側の前端面４３ａよりも記録媒体側（図示Ｙ方向とは逆方向）に形成されるように、前記レジスト層４８に穴部４８ａを設けることが好ましい。
【０１０４】
そして図１１（製造工程中の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図）に示すように、前記レジスト層４８に形成された穴部４８ａ内に磁性材料製のバックギャップ層３０をメッキ形成する。
【０１０５】
前記バックギャップ層３０を形成する前に前記穴部４８ａ内にメッキ下地層をスパッタなどにより形成しておいてもよいが、形成しなくても前記バックギャップ層３０の下は下部コア層２８なので適切に下部コア層２８上から前記バックギャップ層３０をメッキ成長させることができる。そして前記レジスト層４８を除去する。前記レジスト層４８に形成された穴部４８ａの前端面４８ｂを、導電層４３の前端面４３ａよりも記録媒体側に形成したことで、前記バックギャップ層３０の前端面３０ａを前記導電層４３の前端面４３ａよりも記録媒体側（図示Ｙ方向とは逆方向）に形成することが可能になる。そして前記レジスト層４８を除去する。
【０１０６】
次は図１に示す絶縁下地層３５を前記磁極層３４上から下部コア層２８上及びバックギャップ層３０上にかけて形成した後、前記絶縁下地層３５上に第１コイル層３６をパターン形成し、さらに前記第１コイル層３６を構成する各導体部間を有機絶縁材料から成る有機絶縁材料層３７で埋めた後、前記有機絶縁材料層３７上に無機絶縁材料から成る無機絶縁材料層３８を形成する。次に前記無機絶縁材料層３８上をＣＭＰ技術などを用いて平坦化し、前記無機絶縁材料層３８上面と磁極層３４上面及びバックギャップ層３０上面とを同一平面とした後、前記無機絶縁材料層３８上に第２コイル層３９をパターン形成し、前記第２コイル層３９を有機材料で形成された有機絶縁材料層４０で覆う。前記有機絶縁材料層４０の前記バックギャップ層３０上に穴部を形成した後、前記穴部から露出するバックギャップ層３０上から前記有機絶縁材料層４０上にかけて上部コア層４１をフレームメッキ法などで形成すると、図１に示す構造の薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１０７】
次に図３のように導電層４３を下部コア層２８とは別の材質である磁性材料あるいは非磁性導電材料で形成する場合の方法について図１２を用いて以下に説明する。図１２は本発明における薄膜磁気ヘッドの製造工程中の部分拡大縦断面図である。
【０１０８】
図１２に示す工程ではまず前記上部シールド層２６上にレジスト層（図示しない）を用いて導電層４３をメッキ形成し、前記レジスト層を除去する。次に前記上部シールド層２６上及び導電層４３上に絶縁層２７をスパッタ法や蒸着法などによって形成する。そして前記絶縁層２７の上面と前記導電層４３の上面とが同一面上になるまで前記絶縁層２７及び導電層４３をＣＭＰ技術などを用いて削り込む。これによって前記導電層４３の上面が露出し、次に図３に示すように前記絶縁層２７上から前記導電層４３上にかけてメッキ下地層４６をスパッタ法や蒸着法により形成した後、前記メッキ下地層４６上に下部コア層２８をメッキ形成する。その後は、図１０及び図１１に示す工程と同じ工程を施す。
【０１０９】
なお図１２工程のようにＣＭＰ技術などによる研削工程を使用せず、上部シールド層２６の上に導電層４３及び絶縁層２７を形成するには、例えば図１３及び図１４に示す工程を用いて前記導電層４３及び絶縁層２７を形成することもできる。
【０１１０】
図１３工程では、まず前記上部シールド層２６上の全面に導電層４３を形成する。次に前記導電層４３の上にレジスト層４９を露光現像により形成する。なお前記レジスト層４９はリフトオフ用のレジスト層であってもよい。そして前記レジスト層４９に覆われていない前記導電層４３をイオンエッチングやＲＩＥ法などを用いて削り取る（図１３に示す点線部分の導電層４３が削り取られる）。
【０１１１】
これにより前記上部シールド層２６上の一部に導電層４３及びレジスト層４９が残された状態になっている。ここで前記レジスト層４９を除去せずに、図１４工程では、前記導電層４３が形成されていない前記上部シールド層２６上に絶縁層２７をスパッタ法や蒸着法などにより形成する。なお前記絶縁層２７を構成する絶縁材料の層２７ｂは前記レジスト層４９の上面にも形成される。このとき前記絶縁層２７の上面２７ａの位置が前記導電層４３の上面４３ｂの位置と同一になるまで前記絶縁層２７を形成する。これにより前記導電層４３の上面４３ｂと前記絶縁層２７の上面２７ａとが同一平面となるが、同一平面にならなくてもよく、前記絶縁層２７の上面２７ａの位置が、前記導電層４３の上面４３ｂの位置よりも若干上あるいは下に位置していてもよい。すなわち前記導電層４３の上面４３ａと絶縁層２７の上面２７ａ間に多少、段差があっても前記絶縁層２７及び導電層４３上に適切に下部コア層２８をメッキ形成できれば問題はない。
【０１１２】
前記絶縁層２７を形成後、前記レジスト層４９を除去し、前記絶縁層２７上から前記導電層４３上にかけてメッキ下地層４６を形成した後、前記メッキ下地層４６上に下部コア層２８をメッキ形成する。
【０１１３】
図１３及び図１４に示す製造工程を用いれば、図１２工程のようにＣＭＰ技術などによる研削工程を省くことができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【０１１４】
図１５及び図１６は、前記導電層４３の別の製造方法を示す一工程図である。図１５及び図１６は、本発明における製造工程中の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図である。
【０１１５】
図１５に示す工程では前記上部シールド層２６を例えばメッキ形成した後、前記上部シールド層２６上に露光現像によりレジスト層５０を形成する。次に前記レジスト層５０に覆われていない前記上部シールド層２６表面を所定深さまで、イオンミリングやＲＩＥ法などにより削り込む（図１５に示す点線部分が削り込まれた部分である）。これにより前記レジスト層５０下には前記上部シールド層２６表面から前記上部シールド層２６と一体化された突出部が形成され、この突出部が導電層４３として機能する。
【０１１６】
次に図１６に示す工程では本発明における記レジスト層５０に覆われていない前記上部シールド層２６上に絶縁層２７をスパッタ法あるいは蒸着法などにより形成する。このとき前記絶縁層２７を構成する絶縁材料の層２７ｂは前記レジスト層５０上にも形成される。前記絶縁層２７の上面の位置が前記導電層４３の上面の位置と同一になるまで前記絶縁層２７を形成することが好ましいが、多少、前記絶縁層２７の上面が前記導電層４３の上面の上側あるいは下側に位置していてもかまわない。そして前記レジスト層５０を除去し、前記絶縁層２７上から前記導電層４３上にかけてメッキ下地層を形成した後、前記メッキ下地層上に下部コア層２８をメッキ形成する。
【０１１７】
図１５及び図１６に示す製造工程では、前記導電層４３を上部シールド層２６と同じ材質で同一工程で形成することができ、製造工程の簡略化を図ることが可能である。
【０１１８】
図５に示すようなバックギャップ層３０が形成されず、上部コア層４１の基端部４１ｂが前記下部コア層２８上面に磁気的に接続されるようにするには、まず図１０工程及び図１１工程を使用せず、下部コア層２８上に第１コイル層３６やそれを覆う有機絶縁材料層３７及び無機絶縁材料層３８を形成し、さらに前記無機絶縁材料層３８上に第２コイル層３９及び有機絶縁材料層４０を形成する。次に前記有機絶縁材料層３７、４０及び無機絶縁材料層３８に、前記下部コア層２８表面にまで貫通する穴部を形成する。そして前記有機絶縁材料層４０上から前記穴部内にかけて上部コア層４１をフレームメッキ法で形成すると図５に示す構造の薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１１９】
なお図５に示すように、前記上部コア層４１の基端部４１ｂの前端面４１ｃが、導電層４３の前端面４３ａよりも記録媒体Ｄ側に位置するように、前記上部コア層４１をパターン形成することが好ましい。本発明では、前記導電層４３の形成位置及び上部コア層４１の基端部４１ｂの形成位置を、それぞれの製造工程時に適切に調整することで、容易に前記上部コア層４１の基端部４１ｂの前端面４１ｃを、導電層４３の前端面４３ａよりも記録媒体Ｄ側に位置させることができる。
【０１２０】
また本発明では前記下部コア層２８と上部シールド層２６とを別々の材質で形成することが可能である。下部コア層２８に使用される磁性材料には、飽和磁束密度Ｂｓが高い材質を、上部シールド層２６に使用される磁性材料には、透磁率が高く、また磁歪定数が低い材質を選択することが好ましい。
【０１２１】
また本発明では図１及び図５に示す上部コア層４１上にＡｌ2Ｏ3などの保護層４２を形成した後、前記薄膜磁気ヘッド２１及び前記保護層４２の前端面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ｔａ−Ｃ（Tetrahedral  Amorphous  Carbon）のうち１種または２種以上からなる保護層４４を形成するが、このとき、前記保護層４４の膜厚を０．５ｎｍ以上で５ｎｍ以下で形成することが好ましい。これによりスペーシングロスが少なく、高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッドを形成することが可能になる。また前記保護層４４が上記した数値範囲内に薄く形成されても本発明では、前記上部シールド層２６及び下部コア層２８が導電層４３によって導通接続され、前記上部シールド層２６と下部コア層２８とが同電位にされているので、前記薄膜磁気ヘッドの製造工程時に使用される溶剤や空気中の水分などが前記保護層４４内に浸透し、前記溶剤や水分が前記上部シールド層２６及び下部コア層２８にまで到達しても、前記上部シールド層２６及び下部コア層２８が腐食されるのを従来に比べて適切に抑制することが可能である。
【０１２２】
以上のように本発明によれば、下部コア層２８と上部シールド層２６とが別々に形成された、いわゆるピギーバック型の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部コア層２８と上部シールド層２６間に一部、導電層４３を形成し、前記下部コア層２８と上部シールド層２６間を導通接続させることにより、前記下部コア層２８と上部シールド層２６とを同電位にでき、薄膜磁気ヘッドの製造工程中における溶剤や空気中の水分などが前記保護層４４内を浸透し、前記溶剤や水分が前記下部コア層２８及び上部シールド層２６に到達しても、前記下部コア層２８及び前記上部シールド層２６が腐食されるのを従来に比べて適切に抑制することができる。
【０１２３】
また本発明では前記下部コア層２８と上部シールド層２６間が一部のみ導電層４３によって導通接続されているだけなので、記録時及び再生時における前記下部コア層２８と上部シールド層２６間の磁気的な干渉は、前記下部コア層２８と上部シールド層２６とが同一の層で形成されていた場合に比べて適切に抑制されており、ピギーバック型の優位性を適切に保つことができる。
【０１２４】
前記ピギーバック型の優位性をさらに適切に保つには、特に前記導電層４３が磁性材料で形成されている場合、前記導電層４３の前端面４３ａが前記バックギャップ層３０の前端面３０ａ、あるいは前記上部コア層４１の基端部４１ｂの前端面４１ｃよりもハイト方向後方に形成されているようにすることであり、これにより記録磁界が前記導電層４３を介して上部シールド層２６に導かれることは無く、記録時及び再生時における前記下部コア層２８及び上部シールド層２６間の磁気的な干渉をより適切に抑制することが可能になっている。
【０１２５】
また本発明では、前記導電層４３は下部コア層２８と同じ材質で同一工程時に形成されることが好ましく、これにより前記導電層４３の形成工程を簡略化することができる。
【０１２６】
また本発明では、前記下部コア層２８と上部シールド層２６とを別の材質で形成することも可能であり、これにより下部コア層２８の飽和磁束密度Ｂｓを大きくしてコア機能を高めると共に、上部シールド層２６の透磁率を大きくしてシールド機能を高めることが可能である。
【０１２７】
また前記下部コア層２８と上部シールド層２６とを別の材質で形成した場合でも、前記下部コア層２８と上部シールド層２６間に導電層４３を形成することで、前記下部コア層２８と上部シールド層２６とを同電位にでき、スペーシングロス低減のために保護層４４が薄く形成されても前記下部コア層２８及び上部シールド層２６の耐食性を向上させることができ、高記録密度化に適切に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１２８】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、再生用のＭＲヘッドと記録用のインダクティブヘッドとが完全に分離形成されたピギーバック型の薄膜磁気ヘッドにおいて、下部コア層と上部シールド層間の一部を導電層で導通接続させることにより、前記下部コア層と上部シールド層とを同電位にすることができ、製造工程時の溶剤や空気中の水分がＤＬＣなどで形成された保護層内を通って前記下部コア層や上部シールド層にまで到達しても、前記下部コア層と上部シールド層とが電池効果によって腐食され難く、従来に比べて耐食性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造できる。
【０１２９】
特に本発明では、前記保護層がスペーシングロス低減のために薄く形成され、前記溶剤等が前記下部コア層や上部シールド層に到達しやすくなっても上記した腐食の問題を適切に解決することができ、高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できる。
【０１３０】
また本発明では、下部コア層と上部シールド層間に導電層を形成しても、記録時及び再生時において下部コア層及び上部シールド層間の磁気的な干渉を適切に抑制でき、ピギーバック型としての優位性を保つことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施形態の薄膜磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分縦断面図、
【図２】導電層付近の構造のみを拡大した本発明における薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図、
【図３】図２とは別の形態の導電層付近の構造のみを拡大した本発明における薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図、
【図４】図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図５】本発明における第２の実施形態の薄膜磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分縦断面図、
【図６】図１及び図２の本発明における薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図７】図６の次に行なわれる一工程図、
【図８】図７の次に行なわれる一工程図、
【図９】図８の次に行なわれる一工程図、
【図１０】図９の次に行なわれる一工程図、
【図１１】図１０の次に行なわれる一工程図、
【図１２】図３に示す形態の導電層の製造工程を示す一工程図、
【図１３】図１２とは別の方法で形成された導電層の製造工程を示す一工程図、
【図１４】図１３の次に行なわれる一工程図、
【図１５】本発明における別の導電層の製造方法を示す一工程図、
【図１６】図１５の次に行なわれる一工程図、
【図１７】従来における薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１８】従来におけるピギーバック型の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【符号の説明】
２１  薄膜磁気ヘッド
２６  上部シールド層
２７  絶縁層
２８  下部コア層
３０  バックギャップ層
３０ａ  （バックギャップ層の）前端面
４１  上部コア層
４１ｃ  （上部コア層の）前端面
４３、４７  導電層
４３ａ  （導電層の）前端面
４４  保護層
４８、４９、５０、５１  レジスト層
Ｄ  記録媒体
ｈ１  ＭＲヘッド
ｈ２  インダクティブヘッド
【図１】
0003694471.tif 000002
【図２】
0003694471.tif 000003
【図３】
0003694471.tif 000004
【図４】
0003694471.tif 000005
【図５】
0003694471.tif 000006
【図６】
0003694471.tif 000007
【図７】
0003694471.tif 000008
【図８】
0003694471.tif 000009
【図９】
0003694471.tif 000010
【図１０】
0003694471.tif 000011
【図１１】
0003694471.tif 000012
【図１２】
0003694471.tif 000013
【図１３】
0003694471.tif 000014
【図１４】
0003694471.tif 000015
【図１５】
0003694471.tif 000016
【図１６】
0003694471.tif 000017
【図１７】
0003694471.tif 000018
【図１８】
0003694471.tif 000019