(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a) 端子に接続用半田が形成された複数の配線基板を有する多数個取り基板を半田溶融可能な加熱部に配置する工程；
(b) 前記加熱部において前記多数個取り基板の複数の前記配線基板上に、表面実装形の電子部品および複数の半導体ペレットを配置する工程；
(c) 前記加熱部において、前記複数の半導体ペレットをペレット毎に１つのピン部材によってそれぞれの半導体ペレットの上方から前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットと前記配線基板との間および前記電子部品と前記配線基板との間に配置された前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融する工程；
(d) 前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程；
(e) 前記多数個取り基板をそれぞれの前記配線基板に分割する工程
を有し、
前記(c) 工程において、前記多数個取り基板は、加圧機構を有する装置内に配置され、
前記加圧機構は、複数の前記配線基板に対応して配列された複数の前記ピン部材を有し、
複数の前記半導体ペレットに対し、前記複数のピン部材がそれぞれ独立に接触可能であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記(c) 工程の後、前記半導体ペレットのボンディングパッドと前記配線基板の基板側端子とを金属製のワイヤによって接続する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、前記（b)工程において前記半導体ペレットの下面側のヒートブロックによって前記接続用半田を加熱溶融する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２において、前記(a) 工程において前記半導体ペレットを前記配線基板の主面に形成された凹部に配置する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３において、前記(a) 工程において前記半導体ペレットを前記配線基板の主面に形成された凹部に配置する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
高周波電力増幅装置の製造方法であって、
(a) 主面上に複数の電極を有する配線基板が複数配列された多数個取り基板を準備する工程；
(b) 前記多数個取り基板の各配線基板の主面上の前記複数の電極上に半田を形成する工程；
(c) 前記多数個取り基板の各配線基板上の前記半田上に、トランジスタを含む半導体ペレットを配置する工程；
(d) 前記(c) 工程の後、複数の前記半導体ペレットに対し上方から加圧した状態で、複数の前記配線基板の前記半田を加熱し溶融する工程；
(e) 前記(d) 工程の後、前記多数個取り基板をそれぞれの前記配線基板に分割する工程を有し、
前記(d) 工程において、前記多数個取り基板は、加圧機構を有する装置内に配置され、
前記加圧機構は、複数の前記配線基板に対応して配列された複数の前記ピン部材を有し、
前記(d) 工程と(e) 工程の間に、複数の前記半導体ペレットに対してそれぞれ複数の前記ピン部材を独立に接触させた状態で、前記多数個取り基板をヒートブロックから離間させ、前記半田を冷却する工程を含み、
複数の前記半導体ペレットに対し、前記複数のピン部材がそれぞれ独立に接触可能であることを特徴とする高周波電力増幅装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記(b) 工程と(d) 工程の間に、前記半導体ペレットが配置された半田とは異なる半田上に受動部品を配置する工程を含むことを特徴とする高周波電力増幅装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６において、前記(d) 工程において、前記多数個取り基板をヒートブロック上に配置し、加熱することを特徴とする高周波電力増幅装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６において、前記(d) 工程において、加圧量を可変可能であることを特徴とする高周波電力増幅装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６において、前記(d) 工程と(e) 工程の間に、前記半導体ペレットと前記配線基板をワイヤによって電気的に接続する工程を含むことを特徴とする高周波電力増幅装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項６において、前記配線基板の主面には凹部が形成され、
前記凹部内に前記電極および半田が形成され、
前記(c) 工程において、前記凹部内の半田上に前記半導体ペレットが配置されることを特徴とする高周波電力増幅装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項６において、前記高周波電力増幅装置は携帯電話に搭載可能であることを特徴とする高周波電力増幅装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項６において、前記多数個取り基板内には、前記配線基板が、第１方向および前記第１方向と直交する第２方向に沿ってそれぞれ複数配列され、
前記複数のピン部材は、前記複数の配線基板に対応して配列されていることを特徴とする高周波電力増幅装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、高周波モジュール（高周波電力増幅装置）の組み立てにおける半導体ペレット搭載時の半田接続に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ペレットを基板に搭載する際の半田接続方法としては、例えば、特開平１１−１２１９２１号公報（町田など）にその技術が記載されており、そこには、リフロー時（半田接続時）に、半導体ペレットが搭載された基板の裏面側を剣山形のピンによって支持する技術が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
チップコンデンサやチップ抵抗などの表面実装形の電子部品と、ベアチップ実装用の半導体ペレットとが配線基板に搭載されて組み立てられる半導体集積回路装置として、高周波モジュール（ＲＦモジュールともいう）と呼ばれる高周波電力増幅装置が知られている。
【０００４】
ところが、高周波モジュールの組み立てにおける電子部品と半導体ペレットの配線基板へのリフロー実装では、半導体ペレットの半田接続部にボイドが発生し、その結果、半田接続不良に至ることが問題となる。
【０００５】
さらに、半田接続時に半導体ペレットが傾いて取り付けられ、その結果、半導体ペレットの表面電極であるパッドの高さが不均一となり、ワイヤボンディング時のボンディング不良を引き起こすことが問題となる。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、半田接続部に形成されるボイドを除去して半田接続部の接続信頼性の向上を図る半導体集積回路装置の製造方法および高周波電力増幅装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、半導体ペレットの配線基板に対する取り付け水平度の向上を図る半導体集積回路装置の製造方法および高周波電力増幅装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
さらに、本発明の他の目的は、溶融によって飛散した半田異物を除去してワイヤボンディングへの悪影響を防止する半導体集積回路装置の製造方法および高周波電力増幅装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、半導体ペレットと表面実装形の電子部品とを一括リフローして半導体集積回路装置にかかる熱ストレスを低減する半導体集積回路装置の製造方法および高周波電力増幅装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
さらに、本発明の他の目的は、半導体ペレットと表面実装形の電子部品とを一括リフローしてリフロー工程の簡略化を図る半導体集積回路装置の製造方法および高周波電力増幅装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を箇条書きにして簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、端子に接続用半田が形成された複数の配線基板を有する多数個取り基板を半田溶融可能な加熱部に配置する工程、前記加熱部において前記多数個取り基板の複数の前記配線基板上に、表面実装形の電子部品および複数の半導体ペレットを配置する工程、前記加熱部において、前記複数の半導体ペレットをペレット毎に１つのピン部材によってそれぞれの半導体ペレットの上方から前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットと前記配線基板との間および前記電子部品と前記配線基板との間に配置された前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融する工程、前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを半田接続する工程、前記多数個取り基板をそれぞれの前記配線基板に分割する工程を有しており、前記一括リフローによって加熱溶融する工程において、前記多数個取り基板は、加圧機構を有する装置内に配置され、前記加圧機構は、複数の前記配線基板に対応して配列された複数の前記ピン部材を有し、複数の前記半導体ペレットに対し、前記複数のピン部材がそれぞれ独立に接触可能である。
また、本発明の高周波電力増幅装置の製造方法は、主面上に複数の電極を有する配線基板が複数配列された多数個取り基板を準備する工程、前記多数個取り基板の各配線基板の主面上の前記複数の電極上に半田を形成する工程、前記多数個取り基板の各配線基板上の前記半田上に、トランジスタを含む半導体ペレットを配置する工程、前記半導体ペレットを配置する工程の後、複数の前記半導体ペレットに対し上方から加圧した状態で、複数の前記配線基板の前記半田を加熱し溶融する工程、前記溶融する工程の後、前記多数個取り基板をそれぞれの前記配線基板に分割する工程を有し、前記溶融する工程において、前記多数個取り基板は、加圧機構を有する装置内に配置され、前記加圧機構は、複数の前記配線基板に対応して配列された複数の前記ピン部材を有し、前記溶融する工程と前記分割する工程の間に、複数の前記半導体ペレットに対してそれぞれ複数の前記ピン部材を独立に接触させた状態で、前記多数個取り基板をヒートブロックから離間させ、前記半田を冷却する工程を含み、複数の前記半導体ペレットに対し、前記複数のピン部材がそれぞれ独立に接触可能である。
【００１４】
本発明によれば、半導体ペレットを配線基板に対して加圧した状態で半田接続部を冷却することにより、半田接続部を押さえ付けた状態で冷却することができる。
【００１５】
したがって、半田接続部におけるボイドの発生を防ぐことができ、その結果、半田接続部の接続信頼性を向上させることができる。
【００１６】
さらに、半導体ペレットを配線基板に対して加圧した状態で半田接続部を冷却することにより、半導体ペレットを配線基板に対して水平に取り付けることができ、その結果、半導体ペレットの取り付け水平度を向上できる。
【００１７】
したがって、ワイヤボンディング時のボンディング精度を向上でき、その結果、ボンディング不良を低減できる。
【００１８】
また、加熱部において、半導体ペレットを配線基板に対して加圧した状態で半田接続部を冷却することにより、加熱したその場所で半田接続部を冷却することができ、これにより、冷却領域を少なくすることができる。
【００１９】
その結果、リフロー装置の大きさをコンパクトにすることができ、これにより、省スペース化を図ることができる。
【００２０】
さらに、本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、配線基板と表面実装形の電子部品およびベアチップ実装される半導体ペレットとを半田接続して前記電子部品および前記半導体ペレットを前記配線基板に実装することにより組み立てられるものであり、前記配線基板上に前記電子部品および前記半導体ペレットを配置する工程と、半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットと前記配線基板との間に配置された接続用半田を加熱溶融し、この加熱溶融中に前記加圧の量を変化させる工程と、前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを前記半田接続する工程とを有するものである。
【００２１】
本発明によれば、加熱溶融中に半導体ペレットによる加圧の量を変化させることにより、溶融中の半田接続部に掛かる圧力が変化するため、これにより、半田接続部に形成されたボイドの空気に運動エネルギを与えることができる。
【００２２】
その結果、ボイドの空気の運動エネルギが活性化され、かつ半田接続部が加圧されることにより、ボイドを外部に押し出すことができる。
【００２３】
したがって、半田接続部のボイドを除去することができ、その結果、半田接続部の接続信頼性を向上させることができる。
【００２４】
また、本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、配線基板と表面実装形の電子部品およびベアチップ実装される半導体ペレットとを半田接続して前記電子部品および前記半導体ペレットを前記配線基板に実装することにより組み立てられるものであり、前記配線基板上に前記電子部品および前記半導体ペレットを配置する工程と、半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記半導体ペレットと前記配線基板との間に配置された接続用半田を加熱溶融する工程と、前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを前記半田接続する工程と、前記加熱溶融によって飛散した半田異物を吸引して前記配線基板上から前記半田異物を除去する工程とを有するものである。
【００２５】
本発明によれば、飛散した半田異物を吸引して除去することにより、ワイヤボンディング時に半田異物が除去されているため、半田異物によるボンディング不良の発生を防止することができる。
【００２６】
さらに、本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、表面実装形の電子部品とベアチップ実装される半導体ペレットを配線基板上に配置した後、半田接続によって前記電子部品および前記半導体ペレットを前記配線基板に実装することにより組み立てられるものであり、端子に接続用半田が形成された前記配線基板上に前記電子部品および前記半導体ペレットを配置する工程と、半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融する工程と、前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを前記半田接続する工程とを有するものである。
【００２７】
本発明によれば、電子部品と半導体ペレットとを一括リフローすることにより、半導体集積回路装置にかかる熱ストレスの回数を減らすことができ、その結果、半導体集積回路装置の品質を向上できる。
【００２８】
さらに、前記一括リフローすることにより、リフロー処理を短縮することができ、その結果、リフロー工程を簡略化することができる。
【００２９】
また、前記一括リフローすることにより、リフロー装置が１台で済むため、リフロー工程への投資コストを低減できる。
【００３０】
本願発明のその他の発明の概要を項に分けて以下に示す。
１．表面実装形の電子部品とベアチップ実装される半導体ペレットを配線基板上に配置した後、半田接続によって前記電子部品および前記半導体ペレットを前記配線基板に実装することにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a) 端子に接続用半田が形成された前記配線基板上に前記電子部品および前記半導体ペレットを配置する工程と、
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融する工程と、
(c) 前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記半導体ペレットとを前記半田接続する工程とを有し、
電界効果トランジスタが形成された前記半導体ペレットを前記配線基板に実装して高周波パワーモジュールを組み立てることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
２．ベアチップ実装可能な半導体ペレットを配線基板上に配置した後、半田接続によって前記半導体ペレットを前記配線基板に実装することにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a) 端子に接続用半田が形成された前記配線基板上に前記半導体ペレットを配置する工程と、
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧しながら前記接続用半田をリフローによって加熱溶融する工程と、
(c) 前記加熱部において前記半導体ペレットを前記配線基板に対して加圧した状態で前記半導体ペレットと前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記半導体ペレットとを前記半田接続する工程とを有し、
電界効果トランジスタが形成された前記半導体ペレットを前記配線基板に実装して高周波パワーモジュールを組み立てることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
３．表面実装形の電子部品と薄板状の放熱板を配線基板上に配置した後、半田接続によって前記電子部品および前記放熱板を前記配線基板に実装し、その後、前記放熱板上にベアチップ実装可能な半導体ペレットを取り付けることにより組み立てられる半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a) 端子に接続用半田が形成された前記配線基板上に前記電子部品および前記放熱板を配置する工程と、
(b) 半田溶融可能な加熱部において前記放熱板を前記配線基板に対して加圧しながら前記接続用半田を一括リフローによって加熱溶融する工程と、
(c) 前記加熱部において前記放熱板を前記配線基板に対して加圧した状態で前記放熱板と前記配線基板との半田接続部を冷却して前記配線基板と前記電子部品および前記放熱板とを前記半田接続する工程と、
(d) 前記放熱板接続後、前記放熱板上に前記半導体ペレットを取り付ける工程とを有し、
電界効果トランジスタが形成された前記半導体ペレットを前記配線基板に実装して高周波パワーモジュールを組み立てることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３２】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００３３】
また、以下の実施の形態では便宜上、複数の発明を単一の一連の実施の形態の中で説明するが、特に明示した場合を除き、各ステップは全ての発明について必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００３４】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００３５】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００３６】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップなどを含む）は、特に明示した場合及び原理的に明らかに必須であると考えられる場合などを除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００３７】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。このことは前記数値及び範囲についても同様である。
【００３８】
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３９】
図１は本発明の半導体集積回路装置の製造方法によって組み立てられる高周波モジュールの構造の実施の形態の一例を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図、図２は図１に示す高周波モジュールの構造を示す底面図、図３は本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程で用いられるリフロー装置の構造の実施の形態の一例を示す構成概念図、図４は図３に示すリフロー装置におけるヒートブロック部の構成の一例を示すブロック構成図、図５は図３に示すリフロー装置の加圧機構の構成の一例を示す斜視図、図６は図５に示す加圧機構における剣山治具の構造の一例を示す図であり、（ａ）はプッシャーピンの側面図、（ｂ）は剣山治具の断面図、図７は図６に示す剣山治具におけるプッシャーピンの支持構造とエアー吹き出し状態の一例を示す拡大部分断面図、図８は図１に示す高周波モジュールの製造方法における組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図、図９（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ),（ｅ),（ｆ),（ｇ),（ｈ),（ｉ）は図８に示す主要工程に対応した配線基板および高周波モジュールの構造の一例を示す断面図、側面図および斜視図、図１０は図１に示す高周波モジュールの製造の際に用いられる基板とその部品搭載状態の構造の一例を示す図であり、（ａ）は多数個取り基板の斜視図、（ｂ）は配線基板の斜視図、（ｃ）は配線基板の平面図、（ｄ）は部品搭載状態を示す部分断面図、図１１（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）および図１２（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ),（ｅ）は本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程における半田接続方法の実施の形態の一例を示す部分断面図、図１３は本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程における半導体ペレット加圧状態の一例を示す概念図、図１４は本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程における半導体ペレット加圧後の冷却状態の一例を示す概念図、図１５は本発明の半導体集積回路装置の製造方法におけるリフロー工程後の部品搭載状態の一例を示す拡大部分断面図、図１６は本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程における半田異物吸引状態の一例を示す図であり、（ａ）はその構成概念図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う部分断面図である。
【００４０】
図１、図２に示す本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法によって組み立てられる半導体集積回路装置は、高周波モジュール１と呼ばれる（高周波パワーモジュールともいう）高周波電力増幅装置であり、板状の配線基板２の主面（上面）にキャップ４が重ねられ、外観的には偏平な矩形体構造のものである。
【００４１】
したがって、主に携帯用電話などの小形の携帯用電子機器などに組み込まれるものであり、電界効果トランジスタが形成されるとともにベアチップ実装される能動部品である半導体ペレット２１（集積回路ペレット）と、表面実装形のチップコンデンサやチップ抵抗などの電子部品（面実装部品または面付け部品）であるとともに受動部品であるチップ部品２２とが配線基板２上に搭載（混載）されている。
【００４２】
なお、高周波モジュール１は、図１（ａ）に示すように、キャップ４の外周縁が配線基板２の外周縁に一致するか、それよりも内側に位置するようになっており、さらに、キャップ４は、金属板を矩形箱状に絞り成形して、下面周縁に沿って突出した周壁３を有する構造となっている。
【００４３】
また、図１（ｂ）に示すように、キャップ４には、その両側中央の周壁３から下方に向けて突出するフック支持アーム１７が設けられており、さらに、このフック支持アーム１７の先端側の内側には、これも成形によって形成された突出するフック爪１８が設けられている。このフック爪１８とフック支持アーム１７とによって弾性力を有した係止部であるフック１９が形成されている。
【００４４】
なお、キャップ４の厚さは、例えば、０.1ｍｍ程度であり、メッキレスの洋白（ニッケルと銅と亜鉛の合金）や、ニッケルメッキを施したリン青銅などによって形成され、これにより、半田との濡れ性を高めている。
【００４５】
また、配線基板２の両側中央部には、フック支持アーム１７が配置される窪み１５が形成されており、この窪み１５の底には、さらに一段凹んだ引っ掛かり部１６が形成され、フック１９のフック爪１８がこの引っ掛かり部１６に係合される。
【００４６】
なお、窪み１５が形成されていることにより、フック爪１８が引っ掛かり部１６に引っ掛かった状態では、フック支持アーム１７が窪み１５より外側に突出することはない。
【００４７】
また、フック支持アーム１７が金属板によって形成されていることにより、フック１９に弾性力を作用させることができる。したがって、キャップ４の周壁３の先端が配線基板２の主面に接触し、かつ配線基板２の裏面にフック爪１８が弾力性を有して引っ掛かることにより、キャップ４を配線基板２に確実に固定することができる。
【００４８】
その際、フック１９は、配線基板２に弾性力を作用させていることにより、キャップ４を容易に取り外すこともできる。
【００４９】
なお、配線基板２とキャップ４との係止部については、他の構造であってもよい。
【００５０】
また、図２に示すように、配線基板２の裏面には、複数の外部端子５が設けられており、これらの外部端子５は、配線基板２の裏面の長手方向の両側にそれぞれほぼ一定の間隔で配置され、一方の列（図２に示す上側の列）には、左から右に向かって入力端子（Ｐｉｎ）６、グラウンド端子（ＧＮＤ）７、グラウンド端子（ＧＮＤ）８およびゲートバイアス端子（Ｖｇ）９が設けられ、かつ、他方の列（図２に示す下側の列）には、左から右に向かって出力端子（Ｐｏｕｔ）１０、グラウンド端子（ＧＮＤ）１１、グラウンド端子（ＧＮＤ）１２および電源端子（Ｖｄｄ）１３が設けられている。
【００５１】
さらに、入力端子６、ゲートバイアス端子９、出力端子１０および電源端子１３に対応する配線基板２の側面には、図１（ａ）に示すように、配線基板２の表面から裏面に至る箇所に端面スルーホール２０が設けられている。これは、高周波モジュール１をプリント配線基板などの実装基板に実装する際、各外部端子５が、配線基板２の裏面の電極部分と側面の端面スルーホール２０部分とで接続されて実装されることになり、これにより、高周波モジュール１の確実な実装を行うことができる。
【００５２】
なお、配線基板２の裏面において４つのグラウンド端子７，８，１１，１２を区画するように延在する領域には、高周波モジュール１を実装する際使用される実装用接合材（例えば、半田）に濡れない材料によって形成されたレジスト膜１４が設けられている。
【００５３】
また、高周波モジュール１では、図１（ｂ）に示すように、配線基板２の表面にチップ部品２２が搭載され、かつ配線基板２の表面に形成されたキャビティ部である凹部２ａに半導体ペレット２１が半田接続部２６を介して搭載されている。
【００５４】
さらに、チップ部品２２は、半田フィレット２５を形成して配線基板２の図１０（ｂ）に示すチップ部品用電極２ｂ（端子）と半田接続しており、一方、半導体ペレット２１は、その表面電極であるボンディングパッド２１ａ（図１３参照）が金線などのワイヤ２４によって配線基板２の基板側端子２ｅと接続されている。
【００５５】
なお、半導体ペレット２１とワイヤ２４は、エポキシ樹脂などの封止用樹脂２３によって樹脂封止されている。
【００５６】
また、高周波モジュール１の大きさは、例えば、幅８ｍｍ、長さ１２.3ｍｍ、高さ１.8ｍｍである。
【００５７】
次に、図３から図７を用いて、本実施の形態の半導体集積回路装置（高周波モジュール１）の製造方法におけるリフロー工程で用いられるリフロー装置の構成について説明する。
【００５８】
なお、図３に示すリフロー装置３０は、図１（ｂ）に示すチップ部品２２と半導体ペレット２１とが載置された配線基板２を有する図５に示す多数個取り基板２７を一括リフローによって半田接続するものであり、その際、半導体ペレット２１のみを押さえて半田溶融加熱を行い、その後、半導体ペレット２１を断続的もしくは所定時間押さえた状態を維持して冷却を行うものである。
【００５９】
さらに、半導体ペレット２１を加圧する際には、独立懸架構造で、かつ剣山形の図６（ａ）に示すようなピン部材であるプッシャーピン３６ａによって加圧する（荷重を掛ける）。
【００６０】
また、リフロー装置３０は、図１０に示すような複数の配線基板２が形成された多数個取り基板２７を用いて複数の高周波モジュール１をまとめて組み立てることが可能なものである。
【００６１】
図３に示すように、リフロー装置３０は、多数個取り基板２７を供給する基板供給部３１と、基板供給部３１から供給された多数個取り基板２７を図１３に示す基板搬送系４２に送り出す継ぎコンベア部３２と、基板搬送系４２において多数個取り基板２７を順送りする基板順送り部３３と、多数個取り基板２７を徐々に加熱するヒートブロック部３５と、ヒートブロック部３５において多数個取り基板２７の位置決めを行う基板位置決め部３４と、半導体ペレット２１を加圧するペレットコンタクト部３６と、リフロー後の多数個取り基板２７を収納するアンローダ部３７とによって構成されている。
【００６２】
また、ヒートブロック部３５は、図４に示すように、加熱または冷却温度によって分けられた５つのステーションすなわち第ｌ予備加熱部３５ａと、第２予備加熱部３５ｂと、第３予備加熱部３５ｃと、本加熱部（加熱部）３５ｄと、徐冷却部３５ｅとからなり、それぞれの前記ステーションに図１３に示すヒートブロック２８が設置されており、それぞれのヒートブロック２８を様々な温度に設定可能なようになっている。
【００６３】
これにより、予備加熱を複数回に分けて行うことにより、多数個取り基板２７の急激な温度変化を防ぐことができ、例えば、多数個取り基板２７がセラミック基板の場合には、その基板割れを防止できる。
【００６４】
また、ペレットコンタクト部３６には、図６（ａ),（ｂ）に示すように、複数のプッシャーピン３６ａを可動自在に支持するピンブロック３６ｂと、図５に示すエアー２９によるプッシャーピン３６ａへの圧力領域３６ｈを形成するエアーテンション用ブロック３６ｃと、エアーテンション用ブロック３６ｃおよびピンブロック３６ｂからなる剣山治具３６ｉをＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向およびθ回転に可動自在に支持する４軸ロボットアーム３６ｄと、エアー２９によるプッシャーピン３６ａへの圧力を調整するエアーレギュレータ３６ｅと、エアー２９の流量を調整する流量調整器３６ｆとが設置されている。
【００６５】
なお、剣山治具３６ｉを支持している４軸ロボットアーム３６ｄが、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向およびθ回転に可動自在なため、剣山治具３６ｉの動作を容易にかつ自由に設定できる。
【００６６】
また、図６（ａ）に示すプッシャーピン３６ａは、搭載される半導体ペレット２１に１対１に対応してそれぞれの半導体ペレット２１の位置に合うように設けられており、その頭部３６ｇが鍔状に形成されている。
【００６７】
したがって、ピンブロック３６ｂは、複数のプッシャーピン３６ａを独立懸架で、かつ剣山状に摺動自在に支持している。これにより、エアーテンション用ブロック３６ｃの圧力領域３６ｈにエアー２９を供給すると、エアー２９がプッシャーピン３６ａの頭部３６ｇを加圧し、これにより、プッシャーピン３６ａが半導体ペレット２１に圧力を付与する。
【００６８】
すなわち、プッシャーピン３６ａの半導体ペレット２１への圧力は、エアーテンション用ブロック３６ｃの圧力領域３６ｈに供給されるエアー２９の圧力とその流量によって制御される。
【００６９】
したがって、全プッシャーピン３６ａへの低荷重制御（数ｇ程度）を容易に行うことができる。
【００７０】
なお、プッシャーピン３６ａは、所定量ピンブロック３６ｂから突出すると、その頭部３６ｇがピンブロック３６ｂの内部受け面に突き当たり、それ以上プッシャーピン３６ａがピンブロック３６ｂから突出することはない。
【００７１】
また、エアー２９からの圧力より大きな圧力をプッシャーピン３６ａの先端側から付与すれば、プッシャーピン３６ａを押し上げることもできる。
【００７２】
なお、図７（ａ) に示すように、ピンブロック３６ｂに支持されたプッシャーピン３６ａに対して、図５に示す流量調整器３６ｆによってエアー２９の流量を調整することにより、図７（ｂ) に示すように、ピンブロック３６ｂとプッシャーピン３６ａとの隙間から流出するエアー２９の吹き出し量２９ａも調整することができる。
【００７３】
したがって、この吹き出し量２９ａを調整することにより、プッシャーピン３６ａへのフラックスなどによる摺動阻害を防止でき、その結果、半導体ペレット２１への過負荷荷重を防止できる。
【００７４】
また、図１３に示すように、基板搬送系４２には、多数個取り基板２７を支持する搬送シュート４２ｃと、この搬送シュート４２ｃが取り付けられた搬送レール４２ａと、この搬送レール４２ａを支持してかつ昇降させる昇降アクチュエータ４２ｂとが設けられており、図１４に示すように、搬送レール４２ａに取り付けられた搬送シュート４２ｃを、昇降アクチュエータ４２ｂによってヒートブロック２８とは独立させて昇降させることができる。
【００７５】
したがって、多数個取り基板２７をヒートブロック２８から離脱させる際には、昇降アクチュエータ４２ｂによって搬送レール４２ａを上昇させ、その結果、図１４に示すように、プッシャーピン３６ａが図１（ｂ）に示す半導体ペレット２１を押した状態（加圧した状態）のまま多数個取り基板２７をヒートブロック２８から離脱させることができる。
【００７６】
また、図１６（ａ）に示すように、４軸ロボットアーム３６ｄには、加熱溶融によって飛散した配線基板２（多数個取り基板２７）上の図１６（ｂ）に示す半田玉などの半田異物３９を吸引して除去する吸引ユニット３８が取り付けられている。
【００７７】
なお、吸引ユニット３８は、半田異物３９を吸引するための気流３８ｃを案内する吸引フード３８ｂと、気流３８ｃを発生させて半田異物３９を吸い取って配線基板２上から除去する吸引部３８ａとからなる。
【００７８】
次に、本実施の形態の半導体集積回路装置（高周波モジュール１）の製造方法を図８に示す製造プロセスフロー図にしたがって説明する。
【００７９】
なお、前記半導体集積回路装置の製造方法では、図１０に示すような複数の配線基板２が形成された多数個取り基板２７を用いて、１枚の多数個取り基板２７から複数の高周波モジュール１をまとめて組み立てる場合を説明する。
【００８０】
まず、図９（ａ）および図１０（ａ）に示すような、複数の配線基板２が形成された多数個取り基板２７を準備する。なお、多数個取り基板２７は、例えば、セラミック基板であり、その大きさは、一例として、配線基板２が４０個形成されている場合、７８.7５ｍｍ×７５.0０ｍｍ程度である。ただし、多数個取り基板２７は、セラミック基板以外のガラスエポキシ系基板などであってもよい。
【００８１】
なお、配線基板２は、例えば、多層配線基板であり、それぞれの配線基板２の表面には、ベアチップ実装する半導体ペレット２１およびチップ部品２２の数に応じて、図１０（ｂ）に示すように、１つまたは複数の凹部２ａやチップ部品用電極（端子）２ｂが形成されており、このチップ部品用電極２ｂが、図１０（ｃ）に示すように、様々な表面配線２ｄによって接続されている。
【００８２】
また、図１０（ｄ）に示すように、凹部２ａには半導体ペレット２１が搭載され、一方、チップ部品２２は配線基板２の表面の図１０（ｃ）に示すチップ部品用電極２ｂ上に搭載される。
【００８３】
その後、図８のステップＳ１に示す配線基板２への半田形成を行う。
【００８４】
すなわち、図９（ｂ）に示すように、半田印刷やポッティングなどによって配線基板２の凹部２ａおよびチップ部品用電極２ｂに接続用半田であるリフロー用半田２ｃを形成する。
【００８５】
さらに、ステップＳ２に示すペレット・部品搭載を行って、図９（ｃ）に示すように、多数個取り基板２７の配線基板２の凹部２ａに半導体ペレット２１を、一方、多数個取り基板２７の配線基板２の表面のチップ部品用電極２ｂにチップ部品２２を配置する。
【００８６】
その後、ステップＳ３に示すリフローを行う。
【００８７】
すなわち、多数個取り基板２７を加熱してそれぞれの配線基板２上に形成されたリフロー用半田２ｃを溶融し、これにより、図９（ｄ）に示すように、半導体ペレット２１およびチップ部品２２の半田接続を行う。
【００８８】
リフロー工程では、図３に示すリフロー装置３０において、まず、基板供給部３１から継ぎコンベア部３２を介して多数個取り基板２７を基板搬送系４２に供給する。
【００８９】
さらに、基板搬送系４２の基板順送り部３３によって図４に示す第ｌ予備加熱部３５ａに多数個取り基板２７を搬送し、そこで多数個取り基板２７を予備加熱する。この第ｌ予備加熱部３５ａにおける設定加熱温度は、例えば、８０℃であり、１枚の多数個取り基板２７の通過時間は、例えば、６０秒である。
【００９０】
その後、第２予備加熱部３５ｂ（例えば、設定加熱温度１３０℃、通過時間６０秒）、第３予備加熱部３５ｃ（例えば、設定加熱温度２１５℃、通過時間６０秒）に、順次、多数個取り基板２７を通し、多数個取り基板２７を徐々に加熱していく。
【００９１】
なお、第ｌ予備加熱から第３予備加熱までのヒートブロック２８と多数個取り基板２７の配線基板２の状態を図１１（ａ）に示す。
【００９２】
続いて、多数個取り基板２７を本加熱部３５ｄ（例えば、設定加熱温度３２５℃、通過時間６０秒）に送り、そこで、リフローを行う。
【００９３】
すなわち、本加熱部３５ｄにおいてチップ部品２２と半導体ペレット２１の両者を一括リフローする。なお、本加熱部３５ｄでのヒートブロック２８と配線基板２の状態を図１１（ｂ）に示す。
【００９４】
まず、本加熱部３５ｄでは、多数個取り基板２７の位置決めの際に、４軸ロボットアーム３６ｄに取り付けられた位置補正用の図１６（ａ）に示すカメラ３６ｊによって多数個取り基板２７の画像を取り込み、自動で多数個取り基板２７の位置を補正する。
【００９５】
続いて、４軸ロボットアーム３６ｄによって剣山治具３６ｉの位置決めを行い、各半導体ペレット２１とこれに対応するプッシャーピン３６ａとの位置決めを行う。
【００９６】
その後、半導体ペレット２１を多数個取り基板２７の配線基板２に対して加圧しながら半田接続部２６を一括リフローによって加熱溶融するとともに、この加熱溶融中に半導体ペレット２１への前記加圧の量を変化させる。
【００９７】
その際、まず、エアーレギュレータ３６ｅと流量調整器３６ｆとによってプッシャーピン３６ａに掛かるエアー２９の圧力を所定量に調整し、この状態で、図１１（ｃ）に示すように、図５に示す４軸ロボットアーム３６ｄにより剣山治具３６ｉのピンブロック３６ｂによって支持されたプッシャーピン３６ａを下降させ、図１１（ｄ）に示すように、プッシャーピン３６ａが半導体ペレット２１に接触し、プッシャーピン３６ａから半導体ペレット２１に所定量の圧力が掛かった時点で剣山治具３６ｉの下降を停止させる。
【００９８】
続いて、図１２（ａ）に示すように、プッシャーピン３６ａを上下動させ、プッシャーピン３６ａの半導体ペレット２１への加圧と離脱とを繰り返して、これにより、加熱溶融中のプッシャーピン３６ａの半導体ペレット２１への加圧量を変化させる。
【００９９】
本実施の形態では、その加圧変化を、プッシャーピン３６ａによる半導体ペレット２１への加圧を行うのと行わないのとを繰り返して行う。その際、例えば、プッシャーピン３６ａによる加圧・離脱の動作を２回ずつ行った後、最後に３回目の加圧を行って離脱させる。
【０１００】
すなわち、図１２（ｂ）に示すように、一度半導体ペレット２１をプッシャーピン３６ａによって加圧して半田接続部２６を押しつぶした後、４軸ロボットアーム３６ｄにより剣山治具３６ｉを上昇させて図１２（ｃ）に示すようにプッシャーピン３６ａを半導体ペレット２１から離脱させる。
【０１０１】
その後、再度、４軸ロボットアーム３６ｄによって剣山治具３６ｉを下降させて図１２（ｂ）に示すようにプッシャーピン３６ａによる半導体ペレット２１への加圧を行い、これにより、半田接続部２６を再度押しつぶす。
【０１０２】
その後、再び、４軸ロボットアーム３６ｄにより剣山治具３６ｉを上昇させてプッシャーピン３６ａを半導体ペレット２１から離脱させる。
【０１０３】
続いて、再び、４軸ロボットアーム３６ｄによって剣山治具３６ｉを下降させてプッシャーピン３６ａによる半導体ペレット２１への加圧を行い、これにより、半田接続部２６を再度押しつぶす。
【０１０４】
これにより、図１２（ｂ）に示すように、半導体ペレット２１と配線基板２との半田接続部２６からボイド４１を除去することができる。
【０１０５】
なお、プッシャーピン３６ａの加圧・離脱の繰り返し動作は、何回であってもよく、また、前記離脱については、必ずしも離脱させなくてもよく、プッシャーピン３６ａによる半導体ペレット２１への加圧力が弱まる程度にプッシャーピン３６ａを僅かに上昇させるだけでもよい。
【０１０６】
その後、本加熱部３５ｄにおいて半導体ペレット２１を多数個取り基板２７の配線基板２に対して加圧した状態のまま半導体ペレット２１と配線基板２との半田接続部２６を冷却して配線基板２とチップ部品２２および配線基板２と半導体ペレット２１を半田接続する。
【０１０７】
ここでは、半田接続部２６を冷却する際に、図１２（ｄ）および図１４に示すように、本加熱部３５ｄに設けられたヒートブロック２８から配線基板２（多数個取り基板２７）を離脱させて半田接続部２６の温度を下げる（冷却する）。
【０１０８】
すなわち、本加熱部３５ｄにおいて、図１４に示すように、昇降アクチュエータ４２ｂによって搬送レール４２ａを上昇させ、その結果、図１２（ｄ）に示すように、プッシャーピン３６ａが半導体ペレット２１を押した状態（加圧した状態）のまま多数個取り基板２７の配線基板２をヒートブロック２８から離脱させて半田接続部２６を冷却する。
【０１０９】
続いて、半田接続終了後、４軸ロボットアーム３６ｄによって剣山治具３６ｉを上昇させ、これにより、図１２（ｅ）に示すように、プッシャーピン３６ａを上昇させて半導体ペレット２１から離脱させる。
【０１１０】
本実施の形態によれば、半導体ペレット２１を配線基板２に対して加圧した状態で半田接続部２６を冷却することにより、半導体ペレット２１を配線基板２に対して水平に取り付けることができ、その結果、半導体ペレット２１の配線基板２に対する取り付け水平度を向上できる。
【０１１１】
これにより、図１５に示すように、半導体ペレット２１のボンディングパッド２１ａと配線基板２の基板側端子２ｅとが水平に配置されるため、ワイヤボンディング時のボンディング精度を向上でき、したがって、ボンディング不良を低減できる。
【０１１２】
その後、本実施の形態のリフロー装置３０では、本加熱部３５ｄにおいて、図１６に示すように、加熱溶融によって飛散した半田玉などの半田異物３９を吸引して配線基板２およびこれに搭載された半導体ペレット２１上から半田異物３９を除去する。
【０１１３】
すなわち、図１６（ａ）に示すように、４軸ロボットアーム３６ｄによって多数個取り基板２７上に吸引フード３８ｂを配置し、さらに、図１６（ｂ）に示すように、吸引部３８ａによって半田異物３９を吸引する。その際、吸引フード３８ｂによって気流３８ｃの通路を形成し、その結果、吸引部３８ａによって半田異物３９を吸い込み、多数個取り基板２７上から半田異物３９を除去する。
【０１１４】
その後、多数個取り基板２７を図４に示す徐冷却部３５ｅに送り、多数個取り基板２７を徐々に冷却する。
【０１１５】
なお、徐冷却部３５ｅにおけるヒートブロック２８の温度は、例えば、１８０℃であり、徐冷却部３５ｅでの通過時間は、６０秒程度である。
【０１１６】
これにより、図８に示すステップＳ３のリフロー工程を終了する。
【０１１７】
その後、ステップＳ４に示す自動検査を行う。
【０１１８】
ここでは、リフロー後の多数個取り基板２７の外観検査を行い、リフロー不良の有無を検査する。
【０１１９】
続いて、ステップＳ５に示すワイヤボンディングを行う。
【０１２０】
ここでは、例えば、図９（ｅ）に示すように、金線などのワイヤ２４を用いてワイヤボンディングを行い、半導体ペレット２１の表面電極であるボンディングパッド２１ａとこれに対応する多数個取り基板２７の配線基板２における基板側端子２ｅとをワイヤ２４によって接続する。
【０１２１】
その後、ステップＳ６に示す外観検査を行う。
【０１２２】
ここでは、ワイヤボンディング後の多数個取り基板２７の外観検査を行い、ワイヤボンディング不良の有無を検査する。
【０１２３】
その後、ステップＳ７に示すレジン（封止用樹脂）塗布を行う。
【０１２４】
ここでは、図９（ｆ）に示すように、ポッティング方法によって、多数個取り基板２７の配線基板２における図９（ｂ）に示す凹部２ａ上に封止用樹脂２３を滴下し、これによって、半導体ペレット２１およびワイヤ２４を封止用樹脂２３により樹脂封止する。
【０１２５】
その後、ステップＳ８に示すキャップ挿入を行って、図９（ｇ）に示すように配線基板２にキャップ４を取り付ける。
【０１２６】
これにより、多数個取り基板２７における各配線基板２がキャップ４によって覆われる。
【０１２７】
その後、ステップＳ９に示す基板分割を行って、多数個取り基板２７を個々の配線基板２に分割し、これにより、図９（ｈ）に示すような個々の高周波モジュール１の形態とする。
【０１２８】
その後、ステップＳ１０に示す特性選別を行って、それぞれの高周波モジュール１の電気的特性を取得するとともに、その結果により高周波モジュール１を選別する。
【０１２９】
その後、ステップＳ１１に示すテーピングを行う。
【０１３０】
すなわち、選別された複数の高周波モジュール１をテーピングして、図９（ｉ）に示すリール４３に巻き取って収納する。
【０１３１】
本実施の形態の半導体集積回路装置（高周波モジュール１）の製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【０１３２】
すなわち、高周波モジュール１を組み立てる際のリフロー工程において、ベアチップ実装可能な半導体ペレット２１を多数個取り基板２７の配線基板２に対して加圧した状態で半導体ペレット２１と配線基板２との半田接続部２６を冷却することにより、半田接続部２６を押さえ付けた状態で冷却することができる。
【０１３３】
したがって、半田接続部２６におけるボイド４１の発生を防ぐことができ、その結果、半田接続部２６の接続信頼性を向上させることができる。
【０１３４】
さらに、半導体ペレット２１を配線基板２に対して加圧した状態で半田接続部２６を冷却することにより、半導体ペレット２１を配線基板２に対して水平に取り付けることができ、その結果、半導体ペレット２１の配線基板２に対する取り付け水平度を向上できる。
【０１３５】
したがって、図１５に示すように、半導体ペレット２１のボンディングパッド２１ａと配線基板２の基板側端子２ｅとが水平に配置されるため、ワイヤボンディング時のボンディング精度を向上でき、その結果、ボンディング不良を低減できる。
【０１３６】
また、本加熱部３５ｄ（加熱部）において、半導体ペレット２１を配線基板２に対して加圧した状態で半田接続部２６を冷却することにより、加熱したその場所で半田接続部２６を冷却することができ、これにより、冷却領域を少なくすることができる。
【０１３７】
その結果、リフロー装置３０の大きさをコンパクトにすることができ、これにより、省スペース化を図ることができる。
【０１３８】
また、リフロー工程の半田接続部２６の加熱溶融中にプッシャーピン３６ａからの半導体ペレット２１による加圧の量を変化させることにより、溶融中の半田接続部２６に掛かる圧力が変化するため、これにより、半田接続部２６に形成されたボイド４１の空気に運動エネルギを与えることができる。
【０１３９】
その結果、ボイド４１の空気の運動エネルギが活性化され、かつ半田接続部２６が加圧されることにより、ボイド４１を半田接続部２６の外部に押し出すことができる。
【０１４０】
したがって、半田接続部２６のボイド４１を除去することができ、その結果、半田接続部２６の接続信頼性を向上させることができる。
【０１４１】
また、リフロー工程において、半田接続部２６の加熱溶融によって飛散した半田異物３９を吸引部３８ａによって吸引することにより、配線基板２および半導体ペレット２１上から半田異物３９を除去することができる。
【０１４２】
その結果、ワイヤボンディング時に配線基板２上および半導体ペレット２１上から半田異物３９が除去されているため、半田異物３９によるボンディング不良の発生を防止することができる。
【０１４３】
また、リフロー工程において、表面実装形のチップ部品２２とベアチップ実装可能な半導体ペレット２１とを一括リフローすることにより、製品すなわち高周波モジュール１にかかる熱ストレスの回数を減らすことができ、その結果、高周波モジュール１の品質を向上できる。
【０１４４】
さらに、チップ部品２２と半導体ペレット２１とを一括リフローすることにより、リフロー処理を短縮することができ、その結果、リフロー工程を簡略化することができる。
【０１４５】
また、チップ部品２２と半導体ペレット２１とを一括リフローすることにより、リフロー装置３０が１台で済むため、リフロー工程への投資コストを低減できる。
【０１４６】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１４７】
例えば、前記実施の形態では、リフロー工程においてプッシャーピン３６ａによって半導体ペレット２１を加圧する場合を説明したが、図１７の他の実施の形態の高周波モジュール４５（半導体集積回路装置）に示すように、放熱板であるヒートシンク４４を図６に示すプッシャーピン３６ａによって加圧してチップ部品２２との半田一括リフローを行ってもよい。
【０１４８】
すなわち、図１７に示す高周波モジュール４５は、例えば、ガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）の半導体ウェハから取得した半導体ペレット２１を搭載するものであり、まず、図４に示す本加熱部３５ｄにおいてヒートシンク４４を配線基板２に対して加圧しながら一括リフローによってチップ部品２２の半田リフローとともに半田接続部２６を加熱溶融し、さらに、前記本加熱部３５ｄにおいてヒートシンク４４を配線基板２に対して加圧した状態で半田接続部２６を冷却して配線基板２とチップ部品２２およびヒートシンク４４とを半田接続するものであり、その後、このヒートシンク４４上に銀ペーストなどの接合材４０を介して半導体ペレット２１を搭載したものである。
【０１４９】
この高周波モジュール４５の場合においても、ヒートシンク４４の半田接続において前記実施の形態の半導体ペレット２１の半田接続と同様の作用効果が得られる。
【０１５０】
なお、ヒートシンク４４は薄板状のものであり、例えば、銅板などによって形成されている。したがって、図１７に示すように、高周波モジュール４５は、薄板状のヒートシンク４４上に接合材４０を介して半導体ペレット２１が固定される構造であり、半導体ペレット２１搭載以降の組み立て工程については、前記実施の形態で説明した高周波モジュール１のものと同様である。
【０１５１】
また、前記実施の形態の半導体集積回路装置（高周波モジュール１）では、電子部品であるチップ部品２２と半導体ペレット２１とが混載される場合を説明したが、前記実施の形態で説明したリフロー装置３０を用いたリフロー技術については、半導体ペレット２１のみを配線基板２などに搭載する際にも適用可能である。
【０１５２】
すなわち、図４に示す本加熱部３５ｄにおいて半導体ペレット２１を配線基板２に対して加圧しながら半田接続部２６をリフローによって加熱溶融し、さらに、本加熱部３５ｄにおいて半導体ペレット２１を配線基板２に対して加圧した状態で半導体ペレット２１と配線基板２との半田接続部２６を冷却して配線基板２と半導体ペレット２１とを半田接続するものである。
【０１５３】
なお、前記実施の形態で説明した半導体ペレット２１は、シリコンの半導体ウェハから取得したものであってもよく、また、ガリウム・ヒ素の半導体ウェハから取得したものであってもよく、さらに、ＳＯＩ、ＧｅＳｉ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor) などを用いても良い。
【０１５４】
また、前記実施の形態で用いたエアー２９の代わりとして、窒素ガスを用いてもよい。
【０１５５】
これにより、半田接続時の半田接続部２６の酸化防止を図ることができる。
【０１５６】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０１５７】
（１）．リフロー工程において半導体ペレットを配線基板に対して加圧した状態で半田接続部を冷却することにより、半田接続部におけるボイドの発生を防ぐことができ、その結果、半田接続部の接続信頼性を向上させることができる。
【０１５８】
（２）．半導体ペレットを配線基板に対して加圧した状態で半田接続部を冷却することにより、半導体ペレットの取り付け水平度を向上できる。これにより、ワイヤボンディング時のボンディング精度を向上でき、その結果、ボンディング不良を低減できる。
【０１５９】
（３）．加熱部において半導体ペレットを配線基板に対して加圧した状態で半田接続部を冷却することにより、加熱したその場所で半田接続部を冷却することができる。その結果、リフロー装置の大きさをコンパクトにすることができ、これにより、省スペース化を図ることができる。
【０１６０】
（４）．リフロー工程において加熱溶融中に半導体ペレットによる加圧の量を変化させることにより、半田接続部に形成されたボイドの空気の運動エネルギが活性化され、これにより、ボイドを半田接続部の外部に押し出すことができる。その結果、半田接続部の接続信頼性を向上させることができる。
【０１６１】
（５）．加熱溶融によって飛散した半田異物を吸引して除去することにより、ワイヤボンディング時に半田異物が除去されているため、半田異物によるボンディング不良の発生を防止することができる。
【０１６２】
（６）．表面実装形の電子部品と半導体ペレットとを一括リフローすることにより、半導体集積回路装置にかかる熱ストレスの回数を減らすことができ、その結果、半導体集積回路装置の品質を向上できる。さらに、リフロー工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ),（ｂ) は本発明の半導体集積回路装置の製造方法によって組み立てられる高周波モジュールの構造の実施の形態の一例を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図２】図１に示す高周波モジュールの構造を示す底面図である。
【図３】本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程で用いられるリフロー装置の構造の実施の形態の一例を示す構成概念図である。
【図４】図３に示すリフロー装置におけるヒートブロック部の構成の一例を示すブロック構成図である。
【図５】図３に示すリフロー装置の加圧機構の構成の一例を示す斜視図である。
【図６】（ａ),（ｂ) は図５に示す加圧機構における剣山治具の構造の一例を示す図であり、（ａ）はプッシャーピンの側面図、（ｂ）は剣山治具の断面図である。
【図７】（ａ),（ｂ) は図６に示す剣山治具におけるプッシャーピンの支持構造とエアー吹き出し状態の一例を示す拡大部分断面図である。
【図８】図１に示す高周波モジュールの製造方法における組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図９】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ),（ｅ),（ｆ),（ｇ),（ｈ),（ｉ）は図８に示す主要工程に対応した配線基板および高周波モジュールの構造の一例を示す断面図、側面図および斜視図である。
【図１０】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は図１に示す高周波モジュールの製造の際に用いられる基板とその部品搭載状態の構造の一例を示す図であり、（ａ）は多数個取り基板の斜視図、（ｂ）は配線基板の斜視図、（ｃ）は配線基板の平面図、（ｄ）は部品搭載状態を示す部分断面図である。
【図１１】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程における半田接続方法の実施の形態の一例を示す部分断面図である。
【図１２】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ),（ｅ）は本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程における半田接続方法の実施の形態の一例を示す部分断面図である。
【図１３】本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程における半導体ペレット加圧状態の一例を示す概念図である。
【図１４】本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程における半導体ペレット加圧後の冷却状態の一例を示す概念図である。
【図１５】本発明の半導体集積回路装置の製造方法におけるリフロー工程後の部品搭載状態の一例を示す拡大部分断面図である。
【図１６】（ａ),（ｂ) は本発明の半導体集積回路装置の製造方法のリフロー工程における半田異物吸引状態の一例を示す図であり、（ａ）はその構成概念図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う部分断面図である。
【図１７】本発明による他の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法によって組み立てられる高周波モジュールの構造を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１  高周波モジュール（半導体集積回路装置）
２  配線基板
２ａ  凹部
２ｂ  チップ部品用電極（端子）
２ｃ  リフロー用半田（接続用半田）
２ｄ  表面配線
２ｅ  基板側端子
３  周壁
４  キャップ
５  外部端子
６  入力端子（Ｐｉｎ）
７，８  グラウンド端子（ＧＮＤ）
９  ゲートバイアス端子（Ｖｇ）
１０  出力端子（Ｐｏｕｔ）
１１，１２  グラウンド端子（ＧＮＤ）
１３  電源端子（Ｖｄｄ）
１４  レジスト膜
１５  窪み
１６  引っ掛かり部
１７  フック支持アーム
１８  フック爪
１９  フック
２０  端面スルーホール
２１  半導体ペレット
２１ａ  ボンディングパッド
２２  チップ部品（電子部品）
２３  封止用樹脂
２４  ワイヤ
２５  半田フィレット
２６  半田接続部
２７  多数個取り基板
２８  ヒートブロック
２９  エアー
２９ａ  吹き出し量
３０  リフロー装置
３１  基板供給部
３２  継ぎコンベア部
３３  基板順送り部
３４  基板位置決め部
３５  ヒートブロック部
３５ａ  第ｌ予備加熱部
３５ｂ  第２予備加熱部
３５ｃ  第３予備加熱部
３５ｄ  本加熱部（加熱部）
３５ｅ  徐冷却部
３６  ペレットコンタクト部
３６ａ  プッシャーピン（ピン部材）
３６ｂ  ピンブロック
３６ｃ  エアーテンション用ブロック
３６ｄ  ４軸ロボットアーム
３６ｅ  エアーレギュレータ
３６ｆ  流量調整器
３６ｇ  頭部
３６ｈ  圧力領域
３６ｉ  剣山治具
３６ｊ  カメラ
３７  アンローダ部
３８  吸引ユニット
３８ａ  吸引部
３８ｂ  吸引フード
３８ｃ  気流
３９  半田異物
４０  接合材
４１  ボイド
４２  基板搬送系
４２ａ  搬送レール
４２ｂ  昇降アクチュエータ
４２ｃ  搬送シュート
４３  リール
４４  ヒートシンク（放熱板）
４５  高周波モジュール（半導体集積回路装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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