(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成したレジストマスクを除去するにあたって、フレームが形成されたステージ上に前記基板を載置し、当該基板を加熱する工程と、前記フレームに大気圧下でプラズマを照射する工程と、前記ステージをプラズマガンに対して相対移動させ、前記基板を加熱した状態のまま前記レジストマスクに対して前記プラズマを照射する工程とを有することを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項２】
請求項１において、前記フレームは石英ガラス製であることを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項３】
請求項１において、前記レジストマスクに対して前記プラズマ照射を行った後、前記基板に洗浄処理を行うことを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項４】
請求項３において、前記洗浄処理に用いる洗浄液は、水あるいは水を主成分とする洗浄液であることを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項５】
請求項１、３のいずれか一項において、前記プラズマは、少なくとも酸素ガスを含むガス中で発生させることを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項６】
請求項１において、前記基板の温度が４０℃から２００℃までの範囲に設定されていることを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項７】
請求項１、６のいずれか一項において、前記プラズマ照射を加熱下で行う際に、基板温度の上昇に伴って前記基板の面内方向における温度ばらつきに起因する基板の反りが発生した後、当該反りが回復する状態まで前記基板の面内方向における温度ばらつきを減少させてから前記プラズマ照射を開始することを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項８】
請求項７において、加熱された前記基板の温度のばらつきは、設定温度に対して±７℃以内であることを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項９】
請求項１において、前記基板上における前記プラズマ照射領域を移動させていく際に当該プラズマ照射領域の移動速度を切り換えることを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項１０】
請求項１、３、５、６、７、９のいずれか一項において、前記基板上の所定領域が開口されたマスクによって前記基板上を覆った状態で前記プラズマ照射を行うことを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記マスクは絶縁性物質からなることを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項１２】
請求項１０において、前記マスクは金属からなり、電気的に浮いた状態であることを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項１３】
請求項１において、前記プラズマガンと前記基板との距離を調整できることを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記プラズマガンと前記基板との距離は０．５ｍｍから１０ｃｍの間で可変であることを特徴とするレジストマスクの除去方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれか一項に規定するレジストマスクの除去方法を用いたトランジスタの製造方法であって、当該トランジスタを製造するのに用いる膜の選択的なエッチング工程、および前記トランジスタを製造するのに用いる半導体層に対して不純物を選択的に導入する不純物導入工程のいずれか、又は両者に用いたレジストマスクを、前記レジストマスクの除去方法によって除去することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に規定するトランジスタの製造方法を用いた液晶パネルの製造方法であって、前記トランジスタとして画素スイッチング用あるいは駆動回路用の薄膜トランジスタをアクティブマトリクス基板上に形成した後、該アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶を封入することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング工程あるいは不純物導入工程などで用いたレジストマスクの除去方法、この方法を用いたトランジスタ並びに液晶パネルの製造方法、およびレジストマスク除去装置に関するものである。さらに詳しくは、大気圧下でのレジストマスク除去技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶パネルを構成するアクティブマトリクス基板に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）などを形成するには、基板上に形成した膜を選択的にエッチング除去する工程、基板上に形成した絶縁性の膜を選択的にエッチング除去してコンタクトホールを形成する工程、および基板上に形成した半導体膜に選択的に不純物導入を行う工程のいずれの工程においてもレジストマスクが使用される。また、これらの工程で用いたレジストマスクはいずれも、次の工程を行う前に除去される。このようなレジストマスクの除去を行うには、従来、加熱した硫酸によりレジストマスクを炭化、分解させてから、有機溶剤で洗い落とす方法が実施されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、硫酸を用いてレジストマスクを除去する方法では、まず、硫酸の使用によって多大な薬品コストがかかる。また、使用済の硫酸の処理にも多大なコストがかかるとともに、環境汚染の問題もある。さらに、硫酸により炭化、分解させたレジストマスクを洗い落とすための有機溶剤にも多大な薬品コストがかかるとともに、使用済の有機溶剤の処理にも多大なコストがかかる。さらにまた、硫酸を用いたレジストマスクの除去方法では、コンタクトホール内にレジストマスクの滓が残るのを避けることが困難である。また、半導体膜に選択的に不純物導入を行う工程で用いたレジストマスクは変質し、硫酸で除去しにくいものになっているので、レジストマスクを除去するのに必要な処理時間が長いという問題点がある。
【０００４】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、使用する薬品やその廃液処理に多大なコストがかからず、かつ、コンタクトホール内のレジストマスクの残滓や不純物導入後のレジストマスクであっても短時間のうちに確実に除去することのできるレジストマスクの除去方法、この方法を用いたトランジスタ並びに液晶パネルの製造方法、およびレジストマスク除去装置を実現することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のレジストマスク除去方法では、基板上に形成したレジストマスクを除去するに当たって、フレームが形成されたステージ上に前記基板を載置し、当該基板を加熱する工程と、前記フレームに大気圧下でプラズマを照射する工程と、前記ステージをプラズマガンに対して相対移動させ、前記基板を加熱した状態のまま前記レジストマスクに対して前記プラズマを照射する工程とを有することを特徴とする。また、前記フレームは石英ガラス製であることが好ましい。
【０００６】
また、前記レジストマスクに対して前記プラズマ照射を行った後、前記基板に洗浄処理
を行ってもよく、該洗浄処理に用いる洗浄液は、たとえば水あるいは水を主成分とする洗
浄液である。また、前記プラズマは、たとえば、少なくとも酸素ガスを含むガス中で発生
させる。
【０００７】
本発明では、基板上に形成したレジストマスクを除去するにあたって、レジストマスクに対して大気圧下でプラズマを照射すると、レジストマスクが分解し、除去される。しかも、基板上に残ったレジストマスクの滓は、水あるいは水を主成分とする洗浄剤で容易に除去できる状態になっている。それ故、硫酸を用いてレジストマスクを炭化させて除去する方法と違って、多大なコストをかけて硫酸あるいは有機溶剤（洗浄液）の廃液処理を行う必要がなく、かつ、環境汚染の問題もない。また、プラズマ照射によれば、コンタクトホール内のレジストマスクの残滓や不純物導入を行った後のレジストマスクであっても容易に分解するので、処理時間が短くて済む。さらにまた、プラズマ照射は大気圧下で行うので、真空雰囲気中でのプラズマ照射と違って、真空引きや真空状態の解除といった時間のかかる工程が不要である。それ故、各種半導体装置などを大量生産、連続生産するのに適している。また、大気圧下でのプラズマ照射でよいので、処理装置の構成を簡略化でき、安価な設備で済むという利点がある。
【０００８】
本発明において、前記プラズマ照射および前記洗浄処理により除去されるレジストマスクは、前記基板上に形成した膜を選択的にエッチング除去するのに用いたレジストマスク、前記基板上に形成した絶縁性の膜を選択的にエッチング除去してコンタクトホールを形成するのに用いたレジストマスク、あるいは前記基板上の半導体層に選択的に不純物導入を行うのに用いたレジストマスクである。
【０００９】
また、本発明では、前記基板を加熱した状態で前記プラズマ照射を行うことが好ましい。たとえば、前記基板を４０℃から２００℃までの温度に加熱した状態で前記のプラズマ照射を行う。すなわち、プラズマ照射を用いてレジストマスクを除する際にもレジストマスクを加熱した方が短時間で除去できる。
【００１０】
また、前記プラズマ照射を加熱下で行う際には、基板温度の上昇に伴って前記基板の面内方向における温度ばらつきに起因する基板の反りが発生した後、当該反りが回復するまで前記基板の面内方向における温度ばらつきが減少してから前記プラズマ照射を開始することが好ましい。レジストマスクの除去を加熱して行うと、基板温度の上昇に伴って基板に反りが発生する。但し、このような反りは基板の面内方向における温度ばらつきに起因するものであるので、基板全体が均一に加熱されると反りが回復する。それ故、プラズマ照射は、反りが概ね回復する基板温度に達した以降、プラズマ照射を開始するように予備加熱時間を確保することが好ましい。たとえば、加熱された前記基板の温度の面内ばらつきが±７℃以内の条件下で前記プラズマ照射を行うことが好ましい。
【００１１】
また、前記基板上における前記プラズマ照射領域を移動させていく際に、当該プラズマ照射領域の移動速度を切り換えることが好ましい。
【００１２】
また、前記基板上の所定領域に対向する領域が開口されたマスクで当該基板上を覆った状態で前記プラズマ照射を行ってもよい。この場合に、マスクは絶縁性物質からなることが好ましい。また、前記マスクが金属からなる場合には、マスクは、電気的に浮いた状態であることが好ましい。
【００１３】
本発明のトランジスタの製造方法は、前述のレジストマスクの除去方法を用いてトランジスタを製造することを特徴とする。すなわち、トランジスタを製造するのに用いる膜の選択的なエッチング工程、および前記トランジスタを製造するのに用いる半導体層に対して不純物を選択的に導入する不純物導入工程で用いたレジストマスクを前記プラズマ照射および前記洗浄処理によって除去することを特徴とする。
【００１４】
また、前記トランジスタとして画素スイッチング用あるいは駆動回路用の薄膜トランジスタをアクティブマトリクス基板上に形成した後、該アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶を封入して液晶パネルを製造することを特徴とする。
【００１５】
また、前述に規定するレジストマスクの除去方法を実施するためのレジストマスク除去装置であって、前記基板を載置するステージと、該ステージとの間に大気圧下でプラズマを発生させるプラズマガンと有することを特徴とする。
【００１６】
前記ステージにはヒータが内蔵されていることが好ましい。
【００１７】
さらに、前記ステージを前記プラズマガンに対して相対移動させる移動機構を有し、該移動機構は、前記プラズマガンに対する前記ステージの移動速度が切り換え可能になっていることが好ましい。
【００１８】
前記基板上の所定領域に対向する領域が開口されたマスクを当該基板と前記プラズマガンとの間に配置することがある。
【００１９】
本発明において、前記プラズマガンと前記基板との距離を可変できるように形成されていることが好ましい。たとえば、前記プラズマガンと前記基板との距離は０．５ｍｍから１０ｃｍの間で可変であることが好ましい。
【００２０】
また、本発明に係るレジストマスク除去装置には、大気圧下でプラズマを発生させるプラズマガンと、前記プラズマガンから発生されるプラズマのパワーを調整するパワー調整手段と、プラズマ照射の際、酸素を導入するための酸素導入手段と、酸素の流量を調整する酸素流量調整手段と、基板を載置するためのステージと、前記基板を加熱するための加熱手段と、前記基板を載置するためのステージを移動させる移動手段と、前記基板と前記プラズマガンとの距離を調整するための距離調整手段とを有することを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
［レジストマスクの除去方法］
基板上に形成した半導体膜、金属膜、あるいは絶縁膜を選択的にエッチング除去する工程、基板上に形成した絶縁性の膜を選択的にエッチング除去してコンタクトホールを形成する工程、および基板上の半導体層にイオン注入あるいはイオンドーピングなどの方法で選択的に不純物導入を行う工程では、基板の表面にフォトレジストを塗布した後、露光、現像を行ってレジストマスクを形成する。このようなレジストマスクは、いずれも次の工程を開始するまでに除去されるべき性質ものである。
【００２２】
このようなレジストマスクを除去するにあたって、本形態では、まず、レジストマスクに対して大気圧下でプラズマ照射を行う。ここで、プラズマ照射は、たとえば、酸素ガスを含むガス中で行う。その結果、有機物であるレジストマスクは、プラズマ（放電ガス）と化学反応を起こし、分解される。このような分解生成物は、気体となって排気される。
【００２３】
次に、プラズマ照射を行った基板に対して、水、あるいは水を主成分とする洗浄液を用いて洗浄処理を行う。その結果、レジストマスクの分解生成物の一部が基板上に付着している場合でも、このような分解生成物は、水あるいは水を主成分とする洗浄剤で洗い落とせる状態にある。従って、従来用いていた有機溶剤などを用いなくても、水あるいは水を主成分とする洗浄剤で基板に付着していた分解生成物を洗い落とすことができる。
【００２４】
このように、本形態によれば、あくまでアッシング（大気圧下でのプラズマエッチング）によってレジストマスクを分解し、かつ、プラズマエッチング後に行う洗浄処理に水、あるいは水を主成分とする洗浄液を用いるので、硫酸を用いてレジストマスクを炭化させて除去する方法等と違って、多大なコストをかけて硫酸あるいは有機溶剤の廃液処理を行う必要がなく、かつ、環境汚染の問題もない。また、プラズマ照射によれば、後述するＴＦＴの製造方法において、コンタクトホール内のレジストマスクの残滓や不純物導入を行った後のレジストマスクであっても容易に、かつ、確実に分解するので、処理工程が短くて済む。さらに、プラズマ照射は大気圧下で行うので、真空雰囲気中でのプラズマ照射と違って、真空引きや真空状態の解除といった時間のかかる工程が不要である。それ故、液晶パネル用の基板などを大量生産するのに適している。また、大気圧下でのプラズマ照射でよいので、以下に説明するように、処理装置の構成を簡略化でき、安価な設備で済むという利点がある。
【００２５】
［レジストマスクの除去装置］
このようなレジスト除去方法を実施するために、本形態のレジスト除去装置は、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように構成されている。図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本形態のレジスト除去装置のうち、プラズマ照射室の構成をプラズマガンの図示を省略して示す平面図、およびプラズマ照射室の縦断面図である。
【００２６】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態のレジスト除去装置３００に構成されているプラズマ照射室３１０に対しては、これからレジストマスクを除去しようとする基板Ｐを載置する金属製のステージ３２０と、このステージ３２０との間に大気圧下でプラズマ３４０を発生させるプラズマガン３７０と、ステージ３２０をプラズマガン３７０に対して相対移動させる移動機構３５０（矢印Ｍで示す。）とが構成されている。ここで、プラズマガン３７０およびステージ３２０に対しては、これらの相対距離を調整する距離調整手段（図示せず。）が構成されており、プラズマガン３７０とステージ３２０上の基板Ｐとの距離を０．５ｍｍから１０ｃｍまでの範囲で調整する。すなわち、アッシング量のばらつきを抑えるという観点からすれば、プラズマガン３７０とステージ３２０上の基板Ｐとの距離については、後述するように、１．２ｍｍから１．３ｍｍの範囲が最適であり、かつ、アッシングを軽く行う場合には、プラズマガン３７０とステージ３２０上の基板Ｐとの距離を０．５ｃｍから１０ｃｍまでの範囲に設定するからである。
【００２７】
ここに示す基板Ｐは、液晶パネルのアクティブマトリクス基板に用いる矩形の絶縁基板であり、石英ガラス製のフレーム３６０で囲まれた状態でステージ３２０上に載置されている。ステージ３２０の内部には、基板Ｐ上のレジストマスク（図示せず。）を加熱するためのヒータ３８０が内蔵されている。
【００２８】
図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本形態のレジスト除去装置に用いたプラズマガンを基板Ｐの搬送方向（矢印Ｍ）に沿って切断した断面図、およびこのプラズマガンを基板Ｐの搬送方向（矢印Ｍ）に直交する方向に沿って切断した断面図である。
【００２９】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態で用いたプラズマガン３７０は、所定の隙間を介して対向するアルミニウム製の電極３７１、３７２と、これらの電極３７１、３７２の間に区画形成されたガス流路３７３とが構成されている。ここで、プラズマガン３７０は、基板Ｐの幅方向全体に向けてプラズマ処理可能な長さ寸法を有する。電極３７１、３７２の下端部は、石英からなるカバー３９１、３９２で覆われている。ガス流路３７３（酸素導入手段）では、酸素流量調整装置（酸素流量調整手段／図示せず。）を介して酸素ガスを含むヘリウムガス（不活性ガス）がガス流路３７３の下端開口に向けて供給されている。また、プラズマガン３７０には、プラズマのパワーを調整するためのパワー調整手段（図示せず。）、および冷却水を通す流路（図示せず。）も形成されている。さらに、電極３７１、３７２とステージ３２０との間にはＲＦ電源（図示せず。）が電気的に接続されている。従って、酸素ガスの流量をたとえば１００ＳＣＣＭ、ヘリウムガスの流量をたとえば１５ＳＬＭ〜２０ＳＬＭに設定した状態で、ＲＦ電源によって電極３７１、３７２とステージ３２０との間に７８０Ｗ位の出力で高周波電圧を印加すると、プラズマガン３７０と基板Ｐとの間にプラズマ３４０が発生し、基板Ｐ上のレジストマスクはプラズマ照射される。それ故、プラズマガン３７０によってプラズマ３４０を発生させながら、ステージ３２０を矢印Ｍで示すように移動させていくと、基板Ｐの全面にプラズマ３４０が照射されることになる。この際に、基板Ｐは、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、石英ガラス製のフレーム３６０で囲まれているので、プラズマ３４０の発生が不安定な初期段階は、石英ガラス製のフレーム３６０にプラズマ照射が行われ、プラズマ３４０の発生が安定になってから基板Ｐに対するプラズマ照射が行われる。また、プラズマガン３７０の端部で発生する不安定なプラズマ３４０は、石英ガラス製のフレーム３６０に照射されるので、基板Ｐに対するプラズマ照射は安定な状態で行われる。
【００３０】
ここで、プラズマ照射室３７３は、外部から区画形成された密閉型になっているものの、内部はあくまで大気圧状態にあり、真空雰囲気にはなっていない。従って、ここで発生するプラズマ３４０は、大気圧下で発生させたプラズマである。
【００３１】
このように構成したレジスト除去装置１において、基板Ｐ上の所定領域のみにプラズマ３４０を照射する場合には、図１（Ｃ）に示すように、この所定領域に対向する領域が窓開け部分４０１（開口）になっているマスク４００を基板Ｐ上を覆うようにプラズマ処理室３１０内に配置し、この状態でプラズマ照射を行う。この場合に、マスク４００は絶縁性物質からなることが好ましい。また、マスク４００が金属からなる場合には、マスク４００は、電気的に浮いた状態であることが好ましい。
【００３２】
このように構成したプラズマ照射室３１０において、基板Ｐへのプラズマ照射時間（基板の搬送速度の逆数）とレジストマスクのアッシング量（除去できたレジストマスクの厚さ）との関係を図３に示す。この図には、処理対象としたレジストマスクのうち、ネガ型のフォトレジスト２種類をそれぞれ２００℃でポストベークを行ったレジストマスクのデータを実線Ｌ１、Ｌ２で示す。また、ポジ型のフォトレジスト２種類をそれぞれ１３０℃でポストベークを行ったレジストマスクのデータを実線Ｌ３、Ｌ４で示す。さらに、ポジ型のフォトレジスト２種類をそれぞれ１５０℃でポストベークを行ったレジストマスクのデータを実線Ｌ５、Ｌ６で示す。
【００３３】
図３から明らかなように、基板Ｐへのプラズマ照射時間が長いほど、すなわち、基板Ｐの搬送速度が遅いほど、レジストマスクのアッシング量が増大していく傾向にあることがわかる。従って、本形態のレジスト除去装置３００では、基板Ｐ上に分布するレジストマスクの厚さが領域毎に異なる場合に高い処理効率を得ることができるように、図１（Ｂ）に矢印Ｍで示した移動機構３５０は、ステージ３２０の移動速度を切り換えることができるようになっている。
【００３４】
図４に、プラズマガン３７０と基板Ｐとのギャップと、アッシング量のばらつき（ＣＶ＝アッシング量の３σ／アッシング量の平均値）との関係を示す。この図から明らかなように、プラズマガン３７０と基板Ｐとのギャップは１．２ｍｍ〜１．３ｍｍの範囲で極小になり、この範囲からギャップ大の方およびギャップ小の方のいずれにずれても、アッシング量のばらつきが増大する傾向にある。そこで、本形態のレジスト除去装置では、プラズマガン３７０と基板Ｐとのギャップを１．２ｍｍ〜１．３ｍｍの範囲に設定してある。また、プラズマガン３７０と基板Ｐとのギャップばらつきがアッシング量のばらつきの原因となることから、プラズマガン３７０と基板Ｐとのギャップが１．２ｍｍ〜１．３ｍｍの範囲内にあるように、プラズマガン３７０に対する基板Ｐの水平姿勢に高い精度を確保してある。
【００３５】
さらに、レジスト除去装置３００において、プラズマ３４０を照射してレジストマスクの除去を行う際には基板Ｐ（レジストマスク）を１５０℃位に加熱して行うことが効果的である。そこで、本形態では、図１（Ｂ）に示したように、ステージ３２０にヒータ３８０を内蔵させてあるが、基板Ｐを加熱すると、基板Ｐに反りが発生してレジストマスクを効果的に除去できない。そこで、本形態では、以下のようにして基板内の温度ばらつきを計測し、各部位での温度と基板の反りとの関係を調査した。すなわち、図５に示すように、基板Ｐ上の９箇所に熱電対５０１をポリイミドテープ５０２によって固定し、各部位の温度が設定温度１４０℃に到達するまでの温度の時間的変化、および基板の反りとの関係を温度測定器５０５によって計測した。その結果、各部位での計測結果をまとめて図６に示すように、基板Ｐをステージ３２０上に載置した以降、約２５秒から約３０秒経過後、基板温度の上昇に伴って基板Ｐの面内方向における温度ばらつきに起因して基板Ｐに反りが発生することが確認できた。また、基板Ｐをステージ３２０上に載置した以降、約１１０秒経過したとき、基板Ｐの面内方向における温度ばらつきがかなり減少すると、基板Ｐの反りがかなり回復する。それ故、本形態のレジスト除去装置３００では、基板Ｐを処理する前に約１３０秒間の予備加熱を行う条件設定にしてある。
【００３６】
［アクティブマトリクス基板の製造への適用］
以上説明したレジストマスクの除去方法および除去装置は、各種の半導体製造プロセスに有用であることから、その適用例として液晶パネルのアクティブマトリクス基板の製造に適用した例を説明する。
【００３７】
（アクティブマトリクス基板の構成）
図７および図８はそれぞれ、アクティブマトリクス型の液晶表示装置用の液晶パネルの平面図およびそのＨ−Ｈ′線における断面図である。
【００３８】
これらの図において、液晶パネルＬＰは、アクティブマトリクス基板ＡＭと、石英基板や高耐熱ガラス基板などの透明な絶縁基板２００に対向電極７１およびマトリクス状の遮光膜ＢＭ１が形成された対向基板ＯＰと、これらの基板間に封入、挟持されている液晶ＬＣとから概略構成されている。アクティブマトリクス基板ＡＭと対向基板ＯＰとはギャップ材含有のシール材を用いたシール層８０によって所定の間隙を介して貼り合わされ、これらの基板間に液晶ＬＣが封入されている。シール層８０には、エポキシ樹脂や各種の紫外線硬化樹脂などを用いることができる。また、ギャップ材としては、約２μｍ〜約１０μｍの無機あるいは有機質のファイバ若しくは球を用いることができる。対向基板ＯＰはアクティブマトリクス基板ＡＭよりも小さく、アクティブマトリクス基板ＡＭの周辺部分は、対向基板ＯＰの外周縁よりはみ出た状態に貼り合わされる。従って、アクティブマトリクス基板ＡＭの走査線駆動回路６０およびデータ線駆動回路７０は、対向基板ＯＰの外側に位置している。また、アクティブマトリクス基板ＡＭの入出力端子８１も対向基板ＯＰの外側に位置しているので、入出力端子８１にはフレキシブルプリント配線基板（図示せず。）を配線接続することができる。ここで、シール層８０は部分的に途切れているので、この途切れ部分によって、液晶注入口８３が構成されている。このため、対向基板ＯＰとアクティブマトリクス基板ＡＭとを貼り合わせた後、シール層８０の内側領域を減圧状態にすれば、液晶注入口８３から液晶ＬＣを減圧注入でき、液晶ＬＣを封入した後、液晶注入口８３を封止剤８２で塞げばよい。なお、対向基板ＯＰには、シール層８０の内側に表示領域を見切りするための遮光膜ＢＭ２も形成されている。
【００３９】
なお、データ線駆動回路６０および走査線駆動回路７０をアクティブマトリクス基板ＡＭの上に形成する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ  オートメイテッド、ボンディング）基板をアクティブマトリクス基板ＡＭの周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。また、アクティブマトリクス基板ＡＭおよび対向基板ＯＰの光入射側の面あるいは光出射側には、使用する液晶ＬＣの種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。
【００４０】
また、このように形成した液晶パネルＬＰは、たとえば、投射型液晶表示装置（液晶プロジェクタ）において使用される。この場合、３枚の液晶パネルＬＰがＲＧＢ用のライトバルブとして各々使用され、各液晶パネルＬＰの各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、液晶パネルＬＰにはカラーフィルタが形成されていない。但し、対向基板ＯＰにおいて、アクティブマトリクス基板ＡＭの各画素電極９ａに対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜とともに形成することにより、投射型液晶表示以外にも、カラー液晶テレビなどといったカラー液晶表示装置を構成することができる。さらに、対向基板ＯＰに対して、各画素に対応するようにマイクロレンズを形成することにより、入射光の画素電極９ａに対する集光効率を高めることができるので、明るい表示を行うことができる。さらにまた、対向基板ＯＰに何層もの屈折率の異なる干渉層を積層することにより、光の干渉作用を利用して、ＲＧＢ色をつくり出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付きの対向基板によれば、より明るいカラー表示を行うことができる。
【００４１】
図９は、液晶パネルの構成を示すブロック図である。
【００４２】
図９に示すように、液晶表示装置用のアクティブマトリクス基板ＡＭ上には、データ線９０および走査線９１が形成されている。走査線９１には各画素において画素電極（後述する。）に接続する画素用ＴＦＴ１００のゲートが接続し、データ線９０には画素用ＴＦＴ１００のソースが接続している。各画素には画素用ＴＦＴ１００を介して画像信号が入力される液晶セル９４が存在する。データ線９０に対しては、シフトレジスタ８４、レベルシフタ８５、ビデオライン８７、アナログスイッチ８６を備えるデータ線駆動回路６０がアクティブマトリクス基板ＡＭ上に形成されている。走査線９１に対しては、シフトレジスタ８８およびレベルシフタ８９を備える走査線駆動回路７０がアクティブマトリクス基板ＡＭ上に形成されている。
【００４３】
各画素には、容量線９８との間に保持容量４０（容量素子）が形成され、この保持容量４０は、液晶セル９４での電荷の保持特性を高める機能を有している。保持容量４０は前段の走査線９１との間に形成されることもある。
【００４４】
いずれの場合でも、図１０に一部の画素を抜き出して示すように、保持容量４０は、画素用ＴＦＴ１００を形成するための半導体膜１ａ（シリコン膜／図２に斜線を付した領域）の延設部分に相当する半導体４０ａ（シリコン膜／図２に斜線を付した領域）を導電化したものを第１電極４１とし、この第１電極４１に対して容量線９８が第２電極４５として重なった構造になっている。なお、前段の走査線９１との間に保持容量４０を形成する場合には、走査線９１からの張り出し部分が第２電極４５として第１電極４１に重なった構造になる。なお、図１０において、画素用ＴＦＴ１００のゲート電極３ａは、走査線９１のうち半導体膜１ａと重なる部分であり、ソース電極６ａはデータ線９０の一部である。なお、画素用ＴＦＴ１００には、画素電極９ａが電気的に接続している。
【００４５】
（アクティブマトリクス基板ＡＭの製造方法）
このような構成のアクティブマトリクス基板ＡＭを製造する方法を、図１１ないし図１５を参照して説明する。これらの図は、本形態のアクティブマトリクス基板ＡＭの製造方法を示す工程断面図であり、いずれの図においても、図１０のＡ−Ａ′線における断面に相当する。但し、ここでは画素用ＴＦＴ１００の製造方法のみについて説明することし、保持容量４０などの製造方法の説明および図示を省略する。
【００４６】
まず、図１１（Ａ）に示すように、ガラス基板、たとえば無アリカリガラスや石英などからなる透明な絶縁基板１０の表面に直接、あるいは絶縁基板１０の表面に形成した下地保護膜（図示せず。）の表面全体に、減圧ＣＶＤ法などにより厚さが約２００オングストローム〜約２０００オングストローム、好ましくは約１０００オングストロームのポリシリコン膜からなる半導体膜１を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクＲＭ１を形成する。この半導体膜１の形成は、アモルファスシリコン膜を堆積した後、５００℃〜７００℃の温度で１時間〜７２時間、好ましくは４時間〜６時間の熱アニールを施してポリシリコン膜を形成したり、ポリシリコン膜を堆積した後、シリコンを打ち込み、非晶質化した後、熱アニールにより再結晶化してポリシリコン膜を形成する方法を用いてもよい。
【００４７】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、レジストマスクＲＭ１を介して半導体膜１をパターニングし、側に島状の半導体膜１ａ（能動層）を形成する。
【００４８】
次に、島状にパターニングした半導体膜１ａの表面に残るレジストマスクＲＭ１に対し、図１ないし図８を参照して説明した大気圧下でのプラズマ照射、および水あるいは水系洗浄液での洗浄処理を行い、図１１（Ｃ）に示すように、レジストマスクＲＭ１を除去する。
【００４９】
次に、図１１（Ｄ）に示すように、ＣＶＤ法などにより半導体膜１ａの表面に厚さが約５００オングストローム〜約１５００オングストロームのシリコン酸化膜からなるゲート酸化膜２を形成する。あるいは、熱酸化膜を約５０オングストローム〜約１０００オングストローム、好ましくは３００オングストローム形成した後、全面にＣＶＤ法などによりシリコン酸化膜を約１００オングストローム〜約１０００オングストローム、好ましくは５００オングストローム堆積し、それらによりゲート絶縁膜２を形成してもよい。また、ゲート絶縁膜２としてシリコン窒化膜を用いてもよい。
【００５０】
次に、図１１（Ｅ）に示すように、ゲート電極などを形成するためのタンタル膜３を絶縁基板１０全面に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクＲＭ２を形成する。
【００５１】
次に、図１１（Ｆ）に示すように、レジストマスクＲＭ２を介してタンタル膜３をパターニングし、ゲート電極３ａを形成する。
【００５２】
次に、ゲート電極３ａの形成に用いたレジストマスクＲＭ２に対し、図１ないし図８を参照して説明した大気圧下でのプラズマ照射、および水あるいは水系洗浄液での洗浄処理を行い、図１２（Ａ）に示すように、レジストマスクＲＭ２除去する。
【００５３】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、画素ＴＦＴ部および駆動回路のＮチャネルＴＦＴ部の側には、ゲート電極３ａをマスクとして、約０．１×１０１３／ｃｍ２ 〜約１０×１０１３／ｃｍ２ のドーズ量で低濃度の不純物イオン（リンイオン）の打ち込みを行い、画素ＴＦＴ部の側には、ゲート電極３ａに対して自己整合的に低濃度のソース領域１ｂ、および低濃度のドレイン領域１ｃを形成する。ここで、ゲート電極３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分は半導体膜１ａのままのチャネル領域となる。
【００５４】
次に、図１２（Ｃ）に示すように、画素ＴＦＴ部では、ゲート電極３ａよりの幅の広いレジストマスクＲＭ３を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を約０．１×１０１５／ｃｍ２ 〜約１０×１０１５／ｃｍ２ のドーズ量で打ち込み、高濃度のソース領域１ｄおよびドレイン領域１ｅを形成する。
【００５５】
これらの不純物導入工程に代えて、低濃度の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極３ａより幅の広いレジストマスクＲＭ３を形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、ゲート電極３ａの上に高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込んで、セルフアライン構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもとよいことは勿論である。
【００５６】
また、図示を省略するが、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を形成するために、前記画素部およびＮチャネルＴＦＴ部をレジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１５／ｃｍ２ 〜約１０×１０１５／ｃｍ２ のドーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。なお、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様に、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１３／ｃｍ２ 〜約１０×１０１３／ｃｍ２ のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成した後、ゲート電極よりの幅の広いマスクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０１５／ｃｍ２ 〜約１０×１０１５／ｃｍ２ のドーズ量で打ち込み、ＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ化が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵化が可能となる。
【００５７】
次に、不純物の導入に用いたレジストマスクＲＭ３に対し、図１ないし図８を参照して説明した大気圧下でのプラズマ照射、および水あるいは水系洗浄液での洗浄処理を行い、図１２（Ｄ）に示すように、レジストマスクＲＭ３を除去する。ここで、不純物の導入に用いたレジストマスクＲＭ３は変質していて、硫酸による処理では短時間のうちの除去できなかったが、本発明を適用したレジスト除去方法であれば、短時間のうちに処理できる。
【００５８】
次に、図１２（Ｅ）に示すように、ゲート電極３ａの表面側にＣＶＤ法などにより、酸化シリコン膜やＮＳＧ膜（ボロンやリンを含まないシリケートガラス膜）などからなる第１の層間絶縁膜４を３０００オングストローム〜１５０００オングストローム程度の膜厚で形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、第１の層間絶縁膜４にコンタクトホールや切断用孔を形成するためのレジストマスクＲＭ４を形成する。
【００５９】
次に、図１３（Ａ）に示すように、レジストマスクＲＭ４を介して第１の層間絶縁膜４にエッチングを行い、第１の層間絶縁膜４のうち、ソース領域１ｄおよびドレイン領域１ｅに対応する部分にコンタクトホール４ａ、４ｄをそれぞれ形成する。
【００６０】
次に、コンタクトホール４ａ、４ｄの形成に用いたレジストマスクＲＭ４に対し、図１ないし図８を参照して説明した大気圧下でのプラズマ照射、および水あるいは水系洗浄液での洗浄処理を行い、図１３（Ｂ）に示すように、レジストマスクＲＭ４を除去する。ここで、硫酸による処理ではコンタクトホール４ａ、４ｄ内のレジストマスクの残滓を確実に除去することはできなかったが、本発明を適用したレジスト除去方法であれば、コンタクトホール４ａ、４ｄ内のレジストマスクの残滓であっても確実に除去することができる。それ故、コンタクトホール４ａ、４ｄを介しての電気的な接続部分の信頼性を向上することができる。
【００６１】
次に、図１３（Ｃ）に示すように、第１の層間絶縁膜４の表面側に、ソース電極などを構成するためのアルミニウム膜６をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、レジストマスクＲＭ５を形成する。
【００６２】
次に、レジストマスクＲＭ５を介してアルミニウム膜６にエッチングを行い、図１３（Ｄ）に示すように、ソース領域１ｄに第１のコンタクトホール４ａを介して電気的に接続するアルミニウム膜からなるソース電極６ａ（データ線の一部）と、ドレイン領域１ｅに第２のコンタクトホール４ｄを介して電気的に接続するドレイン電極６ｄとを形成する。
【００６３】
次に、ソース電極６ａおよびドレイン電極６ｄの形成に用いたレジストマスクＲＭ５に対し、図１ないし図８を参照して説明した大気圧下でのプラズマ照射、および水あるいは水系洗浄液での洗浄処理を行い、図１３（Ｅ）に示すように、レジストマスクＲＭ５を除去する。
【００６４】
次に、図１４（Ａ）に示すように、ソース電極６ａおよびドレイン電極６ｄの表面側に、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物の塗布膜を焼成した絶縁膜７１を形成する。さらに、この絶縁膜７１の表面に、ＴＥＯＳを用いたＣＶＤ法によりたとえば４００℃程度の温度条件下で厚さが約５００オングストローム〜約１５０００オングストロームのシリコン酸化膜からなる絶縁膜７２を形成する。これらの絶縁膜７１、７２によって、第２の層間絶縁膜７が形成される。
【００６５】
ここで、ペルヒドロポリシラザンとは無機ポリシラザンの一種であり、大気中で焼成することによってシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料である。たとえば、東燃（株）製のポリシラザンは、−（ＳｉＨ2 ＮＨ）−を単位とする無機ポリマーであり、キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無機ポリマーの有機溶媒溶液（たとえば、２０％キシレン溶液）を塗布液としてスピンコート法（たとえば、２０００ｌｒｐｍ、２０秒間）で塗布した後、４５０℃の温度で大気中で焼成すると、水分や酸素と反応し、ＣＶＤ法で成膜したシリコン酸化膜と同等以上の緻密なアモルファスのシリコン酸化膜を得ることができる。従って、この方法で成膜した絶縁膜７１（シリコン酸化膜）は、層間絶縁膜として用いることができるとともに、ドレイン電極６ｄに起因する凹凸などを平坦化してくれる。それ故、液晶の配向状態が凹凸に起因して乱れることを防止できる。
【００６６】
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２の層間絶縁膜７にコンタクトホールを形成するためのレジストマスクＲＭ６を形成する。
【００６７】
次に、レジストマスクＲＭ６を介して第２の層間絶縁膜７にエッチングを行い、図１４（Ｂ）に示すように、ドレイン電極６ｄに対応する部分にコンタクトホール７１ａ、７２ａからなる第３のコンタクトホール８ａを形成する。
【００６８】
次に、第３のコンタクトホール８ａの形成に用いたレジストマスクＲＭ６に対し、図１ないし図８を参照して説明した大気圧下でのプラズマ照射、および水あるいは水系洗浄液での洗浄処理を行い、図１４（Ｃ）に示すように、レジストマスクＲＭ６を除去する。ここでも、本発明を適用したレジスト除去方法であれば、コンタクトホール８ａ内のレジストマスクの残滓であっても確実に除去することができる。
【００６９】
次に、図１４（Ｄ）に示すように、第２の層間絶縁膜７の表面側に、ドレイン電極を構成するための厚さが約４００オングストローム〜約２０００オングストロームのＩＴＯ膜９（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、ＩＴＯ膜９をパターニングするためのレジストマスクＲＭ７を形成する。
【００７０】
次に、レジストマスクＲＭ７を介してＩＴＯ膜９にエッチングを行って、図１５（Ａ）に示すように、第３のコンタクトホール８ａを介してドレイン電極６ｄに電気的に接続する画素電極９ａを形成する。
【００７１】
しかる後に、画素電極９ａの形成に用いたレジストマスクＲＭ７に対し、図１ないし図８を参照して説明した大気圧下でのプラズマ照射、および水あるいは水系洗浄液での洗浄処理を行い、図１５（Ｂ）に示すように、レジストマスクＲＭ７を除去する。
【００７２】
このようにして、図７〜図１０を参照して説明したアクティブマトリクス基板ＡＭを形成する。次に、アクティブマトリクス基板ＡＭおよび対向基板ＯＰのそれぞれの表面にポリイミド膜（図示せず。）を形成した後、ラビング処理を行う。次に、アクティブマトリクス基板ＡＭと対向基板ＯＰとをシール材８０によって貼り合わせた後、これらの基板間に液晶ＬＣを封入し、液晶パネルＬＰを製造する。
【００７３】
なお、各画素に形成される画素スイッチング用のＴＦＴとしては、正スタガ型またはコプラーナ型のポリシリコンＴＦＴを用いた例で説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴなど、他の形式のＴＦＴを画素スイッチング用に用いてもよい。
【００７４】
このように、液晶パネルＬＰのアクティブマトリクス基板ＡＭを製造する過程では、レジストマスクの形成工程と、それを除去する工程とをそれぞれ７回ずつ行う。それでも、本形態では、絶縁基板１０上に形成したレジストマスクＲＭ１〜ＲＭ７を除去するにあたって、レジストマスクに対して大気圧下でプラズマを照射してレジストマスクＲＭ１〜ＲＭ７を分解し、除去してから、水あるいは水を主成分とする洗浄剤で除去する。それ故、低コストで済むとともに、環境汚染の問題もない。また、プラズマ照射によれば、コンタクトホール４ａ、４ｄ、８ａ内のレジストマスクの残滓や不純物導入を行った後のレジストマスクＲＭ３であっても容易に分解するので、生産性が向上する。さらにまた、プラズマ照射は大気圧下で行うので、真空雰囲気中でのプラズマ照射と違って、アクティブマトリクス基板ＡＭなどの大量生産、連続生産に適している。また、大気圧下でのプラズマ照射でよいので、処理装置の構成を簡略化でき、安価な設備で済むという利点がある。
【００７５】
［液晶パネルの使用例］
このようにして液晶パネルＬＰを透過型で構成した場合の電子機器への使用例を、図１６および図１７を参照して説明する。
【００７６】
上記形態の液晶パネルＬＰを用いて構成される電子機器（液晶表示装置）は、図１６に示すブロック図に示すように、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、表示駆動装置１００４、液晶パネル１００６（液晶パネルＬＰ）、クロック発生回路１００８、および電源回路１０１０を含んで構成される。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ、ＲＡＭなどのメモリ、テレビ信号などを同調して出力する同調回路などを含んで構成され、クロック発生回路１００８からのクロックに基づいて表示情報を処理して出力する。この表示情報出力回路１００２は、たとえば増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、あるいはクランプ回路等を含んで構成され、液晶パネル１００６を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に電力を供給する。
【００７７】
このような構成の電子機器としては、図１７を参照して後述する投射型液晶表示装置（液晶プロジェクタ）、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどを挙げることができる。
【００７８】
図１７に示す投射型表示装置は、液晶パネルＬＰをライトバルブとして用いた投射型プロジェクタであり、たとえば３枚プリズム方式の光学系を用いている。図１７において、液晶プロジェクタ１１００では、白色光源のランプユニット１１０２から出射された投射光がライトガイド１１０４の内部で、複数のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色に分離され（光分離手段）、それぞれの色の画像を表示する３枚の液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｇ、１１１０Ｂ（液晶パネルＬＰ）に導かれる。そして、それぞれの液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｇ、１１１０Ｂによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２（光合成手段）に３方向から入射される。ダイクロイックプリズム１１１２では、レッドＲおよびブルーＢの光が９０°曲げられ、グリーンＧの光は直進するので、各色の光が合成され、投射レンズ１１１４を通してスクリーンなどにカラー画像が投射される。
【００７９】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明では、基板上に形成したレジストマスクを除去するにあたって、レジストマスクに対して大気圧下でプラズマを照射した後、基板上に残ったレジストマスクの滓を、水あるいは水を主成分とする洗浄剤で除去する。従って、多大なコストをかけて硫酸あるいは有機溶剤（洗浄液）の廃液処理を行う必要がなく、かつ、環境汚染の問題もない。また、プラズマ照射によれば、コンタクトホール内のレジストマスクの残滓や不純物導入を行った後のレジストマスクであっても容易に分解するので、処理時間が短くて済む。さらにまた、プラズマ照射は大気圧下で行うので、真空雰囲気中でのプラズマ照射と違って、真空引きや真空状態の解除といった時間のかかる工程が不要である。それ故、各種半導体装置などを大量生産、連続生産するのに適している。また、大気圧下でのプラズマ照射でよいので、処理装置の構成を簡略化でき、安価な設備で済むという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明を適用したレジスト除去装置のうち、プラズマ照射室の構成をプラズマガンの図示を省略して示す平面図、プラズマ照射室の縦断面図、および基板の所定領域のみにプラズマを照射するためのマスクをプラズマ照射室に配置した状態を示す説明図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明を適用したレジスト除去装置に用いたプラズマガンを基板の搬送方向に沿って切断した断面図、およびこのプラズマガンを基板の搬送方向に直交する方向に沿って切断した断面図である。置し、この状態でプラズマ照射を行う。
【図３】図１に示すレジスト除去装置における基板へのプラズマ照射時間（基板の搬送速度の逆数）とレジストマスクのアッシング量（除去できたレジストマスクの厚さ）との関係を示すグラフである。
【図４】図１に示すレジスト除去装置におけるプラズマガンと基板とのギャップと、アッシング量のばらつき（ＣＶ＝アッシング量の３σ／アッシング量の平均値）との関係を示すグラフである。
【図５】図１に示すレジスト除去装置における基板上の温度ばらつきを形成する方法を示す説明図である。
【図６】図５に示す方法で計測した温度ばらつきと基板の反りとの関係を示すグラフである。
【図７】アクティブマトリクス型の液晶表示装置用の液晶パネルの平面図である。
【図８】図７のＨ−Ｈ′線における断面図である。
【図９】液晶パネルの構成を示すブロック図である。
【図１０】アクティブマトリクス基板に形成された画素の構成を示す平面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｆ）は  アクティブマトリクス基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｅ）は  アクティブマトリクス基板の製造方法において、図１１に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図１３】（Ａ）〜（Ｅ）は  アクティブマトリクス基板の製造方法において、図１２に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図１４】（Ａ）〜（Ｄ）は  アクティブマトリクス基板の製造方法において、図１３に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）は  アクティブマトリクス基板の製造方法において、図１４に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図１６】図７および図８に示す液晶パネルの使用例を示す液晶表示装置の回路構成を示すブロック図である。
【図１７】図７および図８に示す液晶パネルの使用例を示す投射型液晶表示装置の全体構成図である。
【符号の説明】
１    半導体膜
１ａ  半導体膜
１ｂ  低濃度のソース領域
１ｃ  低濃度のドレイン領域
１ｄ  ソース領域
１ｅ  ドレイン領域
２    ゲート絶縁膜
３    タンタル膜
３ａ  ゲート電極
４、７  層間絶縁膜４ａ、４ｄ、８ａ  コンタクトホール７    第２の層間絶縁膜
６    アルミニウム膜６ａ  ソース電極６ｄ  ドレイン電極
９    ＩＴＯ膜
９ａ  画素電極
１０  絶縁基板
７１  対向電極
２００  絶縁基板
３０  データ線
４０ａ  シリコン膜
１００  画素用ＴＦＴ
３００  レジスト除去装置
３１０  プラズマ照射室
３２０  ステージ
３４０  プラズマ
３５０  移動機構
３７０  プラズマガン
４００  マスク
４０１  マスクの窓開け部分
ＡＭ  アクティブマトリクス
ＢＭ１、ＢＭ２  遮光膜
ＬＣ  液晶
ＬＰ  液晶パネル
ＯＰ  対向基板
Ｐ    基板
ＲＭ１〜ＲＭ７  レジストマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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