(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶材料を収容し加熱して融解させる加熱容器と、前記加熱容器上において昇降可能に構成された昇降部材と、前記加熱容器上において昇降可能に構成された整流筒を有し、引上げ法により前記結晶材料の単結晶を育成する単結晶引上げ装置において、さらに前記昇降部材及び前記整流筒に着脱可能な昇降治具を備え、前記昇降部材が種子結晶を保持する種子結晶保持具を有し、前記昇降治具が前記種子結晶保持具に着脱可能である装置を用い、
前記加熱容器内に未融解の前記結晶材料を収容させる場合に、前記整流筒及び前記昇降部材に昇降治具を装着した後に前記昇降部材を引上げて、前記整流筒を引上げ、前記整流筒の下端と前記加熱容器上部とを離間させ、前記結晶材料を融解し融液となった場合に、前記整流筒を下降させ、前記加熱容器の上方に支持した後、前記昇降治具を前記整流筒からはずして上昇させ、その後該昇降治具を前記昇降部材から離脱させ、かわりに前記昇降部材に前記種子結晶を保持させ、前記単結晶の育成を行うことを特徴とする単結晶引上げ装置の整流筒昇降方法。
【請求項２】
結晶材料を収容し加熱して融解させる加熱容器と、前記加熱容器上において昇降可能に構成された昇降部材と、前記加熱容器の上方に支持可能な整流筒を有し、前記昇降部材に種子結晶を保持させ前記昇降部材を引下げ前記種子結晶を前記結晶材料の融液に接触させた後に前記整流筒から前記融液に向けて気体を吹き付けつつ前記昇降部材を引上げ前記結晶材料の単結晶を育成する単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構であって、
前記昇降部材及び前記整流筒に着脱可能な昇降治具を備え、前記昇降部材が前記種子結晶を保持する種子結晶保持具を有し、前記昇降治具が前記種子結晶保持具に着脱可能であり、前記加熱容器内に融解していない前記結晶材料を収容させる場合には、前記整流筒及び前記昇降部材に昇降治具を装着した後に前記昇降部材を引上げ前記整流筒の下端と前記加熱容器上部とを離間させ、前記結晶材料を融解し融液となった場合には、前記整流筒を下降させ、前記加熱容器の上方に支持した後、前記昇降治具を前記整流筒からはずして上昇させ、該昇降治具を前記昇降部材から離脱させ、かわりに前記昇降部材に前記種子結晶を保持させるものであることを特徴とする単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構。
【請求項３】
請求項２記載の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、
前記整流筒の上部には第１の係止部を設け、かつ、前記昇降治具には前記第１の係止部により係止される第２の係止部を設けたことを特徴とする単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、
前記第１の係止部は、前記整流筒とは別体で形成され前記整流筒の上部に取り付けられることを特徴とする単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構。
【請求項５】
請求項２ないし請求項４のうちのいずれか１項に記載の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、
前記昇降治具は耐熱材料で形成されたことを特徴とする単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構。
【請求項６】
請求項４又は請求項５記載の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、
前記第１の係止部は耐熱材料で形成されたことを特徴とする単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構。
【請求項７】
請求項２ないし請求項６のうちのいずれか１項に記載の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、
前記加熱容器と前記昇降部材と前記整流筒を収納する収納体と、
前記加熱容器の上方となる前記収納体の内面に支持される位置決め治具を備え、
前記整流筒の側方には第１の係合部を設けるとともに、前記位置決め治具には前記第１の係合部と係合する第２の係合部を設け、かつ、
前記位置決め治具の位置の前記収納体の内面には第３の係合部を設けるとともに、前記位置決め治具の側方には前記第３の係合部と係合する第４の係合部を設けたこと
を特徴とする単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多結晶材料を融解し種子結晶を多結晶材料の融液から引き上げることにより単結晶を得る単結晶引上げ装置の整流筒を昇降させる方法及びそのための機構に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、シリコン等の半導体の多結晶材料から単結晶を得る方法として、引上げ法（Czochralski （チョクラルスキー）法：以下、「ＣＺ法」という。）と、浮遊帯法（Floating Zone 法）が知られている。ＣＺ法は、多結晶材料をいったん融解し、種子結晶を原料融液から引き上げることにより単結晶を得る方法であり、種子結晶を引き上げる手段としてシャフトを用いる方法とケーブルを用いる方法とがある。
【０００３】
ケーブルを用いた従来の単結晶引上げ装置の構成の例を図３に示す。図に示すように、この単結晶引上げ装置１００は、チャンバ１０１と、チャンバ１０１中に設けられたルツボ１０２と、ルツボ１０２の周囲に配置されたヒータ１０５と、ルツボ１０２を回転させるルツボ保持軸１０７及び回転機構１０８と、シリコンの種子結晶Ｓを保持するシードチャック２２と、シードチャック２２を引き上げるケーブル１１０と、ケーブル１１０を回転又は巻き取る巻取機構１０９と、整流筒１を備えて構成されている。巻取機構１０９は、モータ等の巻取駆動源（図示せず）と、ケーブルを巻き取るドラム（図示せず）と、これら全体を旋回させるモータ等の旋回駆動源（図示せず）を有している。
【０００４】
上記のチャンバ１０１は、ルツボ１０２等を収納するメインチャンバ１０１Ｍと、メインチャンバ１０１Ｍの上方に設けられたプルチャンバ１０１Ｐを有している。メインチャンバ１０１Ｍとプルチャンバ１０１Ｐの接合部付近には、環状の突出部１０１Ｒが設けられており、この突出部１０１Ｒに整流筒１の上部が係止されることにより整流筒１はルツボ１０２の上方に支持される。
【０００５】
ルツボ１０２の内側には、融液Ｌを収容する石英部１０３が設けられ、石英部１０３の外側には黒鉛部１０４が設けられている。また、ヒータ１０５の外側周囲には断熱材１０６が配置されている。
【０００６】
次に、上記の単結晶引上げ装置１００による単結晶育成方法について説明する。
まず、ルツボ１０２内にシリコンの高純度多結晶材料を入れ、ヒータ１０５によりシリコンの融点（約１４００°Ｃ）以上に加熱して融解する。次に、ケーブル１１０を巻き出すことにより融液Ｌの表面略中心部に種子結晶Ｓの先端を接触又は浸漬させる。その後、ルツボ保持軸１０７を適宜の方向に回転させるとともに、ケーブル１１０を回転させながら巻き取り種子結晶Ｓを引き上げることにより、単結晶育成が開始される。以後、メインチャンバ１０１Ｍに設けられた観測窓１０１Ｗを通して、整流筒１の所定箇所に設けられた窓（図示せず）を介して内部の単結晶体を観察したり、所要のデータ等を測定し、引上げ速度と温度を適切に調節することにより、略円柱形状の単結晶インゴットＣを得ることができる。
【０００７】
上記した単結晶育成時には、石英ルツボとシリコン融液の反応によりＳｉＯ蒸気が発生するが、これを除去するため、プルチャンバ１０１Ｐの上方からアルゴンガスＧ1 を送り込み、整流筒１からルツボ１０２へ向けて吹き出させてＳｉＯ蒸気をメインチャンバ１０１Ｍの下方へ強制的に送り、アルゴンガスとＳｉＯ蒸気との混合気体Ｇ2 をメインチャンバ１０１Ｍの下方から真空ポンプ（図示せず）等により強制排出している。
【０００８】
図４は、従来の単結晶引上げ装置１００において、種子結晶Ｓを保持しケーブル１１０に吊すために用いられていたシードチャック２２とケーブル１１０の端部付近の詳細構成を示した断面図である。
図に示すように、このシードチャック２２は、チャック本体２３と、シードピン２４と、ケーブルピン２９と、ナット３０を有して構成されている。チャック本体２３は、炭素材からなり、ほぼ円柱状に形成されている。また、チャック本体２３の底部には上方に向け盲孔状に形成された凹部２３Ｈ1 が設けられており、この凹部２３Ｈ1 に種子結晶Ｓを挿入した後、シードピン２４を挿入することにより、種子結晶Ｓがチャック本体２３に係止される。シードピン２４は、モリブデン、タンタル、炭素材等の耐熱性材料により形成されている。
【０００９】
ケーブル１１０の先端には、取付金具２６が固定されており、取付金具２６には、ピン孔２６Ｈが設けられている。また、チャック本体２３の上部には下方に向け盲孔状に形成され取付金具２６を収納可能な凹部２３Ｈ2 が設けられている。また、チャック本体２３の上部には、さらに、水平方向に貫通するピン孔２３Ｈ3 が設けられている。また、ケーブルピン２９の先端には雄ネジが形成されており、ナット３０には雌ネジが形成されている。
したがって、凹部２３Ｈ2 に取付金具２６を挿入した後、ケーブルピン２９を挿入し、ナット３０により締め付けることにより、ケーブル１１０にシードチャック２２を取り付けることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の単結晶引上げ装置では、まず最初にルツボ１０２内に融解する前のシリコン材料を充填する必要があり、融解した場合に所定の容積とさせるためには、融解前のシリコン材料をルツボ１０２のかなり上方まで盛り上げねばならなかったが、従来の構造では、整流筒１にシリコン材料が接触してしまう、という問題があった。
【００１１】
これを解決するため、▲１▼ルツボを下降させる装置を付加する案、▲２▼ルツボ内に充填するシリコン材料の量を減らし盛り上がる山の高さを低くする案、▲３▼シリコン充填時のみ整流筒を上昇させる専用の装置を付加する案などが考えられた。
しかし、上記の▲１▼案及び▲３▼案では、単結晶引上げ装置の改造コストが膨大となり、▲２▼案では育成される単結晶の生産効率が悪化する、という問題があった。
【００１２】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、本発明の解決しようとする課題は、未融解材料充填時に整流筒に接触することがなく簡易かつ低コストに実現しうる単結晶引上げ装置の整流筒昇降方法及びそのための機構を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の単結晶引上げ装置の整流筒昇降方法は、結晶材料を収容し加熱して融解させる加熱容器と、前記加熱容器上において昇降可能に構成された整流筒を有し、引上げ法により前記結晶材料の単結晶を育成する単結晶引上げ装置において、前記加熱容器内に未融解の前記結晶材料を収容させる場合に、前記整流筒を引上げ、前記整流筒の下端と前記加熱容器上部とを離間させることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構は、結晶材料を収容し加熱して融解させる加熱容器と、前記加熱容器上において昇降可能に構成された昇降部材と、前記加熱容器の上方に支持可能な整流筒を有し、前記昇降部材に種子結晶を保持させ前記昇降部材を引下げ前記種子結晶を前記結晶材料の融液に接触させた後に前記整流筒から前記融液に向けて気体を吹き付けつつ前記昇降部材を引上げ前記結晶材料の単結晶を育成する単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構であって、前記昇降部材及び前記整流筒に着脱可能な昇降治具を備え、前記加熱容器内に融解していない前記結晶材料を収容させる場合には、前記整流筒及び前記昇降部材に昇降治具を装着した後に前記昇降部材を引上げ前記整流筒の下端と前記加熱容器上部とを離間させることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構は、前記単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、前記昇降部材は前記種子結晶を保持する種子結晶保持具を有し、前記昇降治具は前記種子結晶保持具に着脱可能であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構は、前記の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、前記整流筒の上部には第１の係止部を設け、かつ、前記昇降治具には前記第１の係止部により係止される第２の係止部を設けたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構は、前記の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、前記第１の係止部は、前記整流筒とは別体で形成され前記整流筒の上部に取り付けられることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構は、前記の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、前記昇降治具は耐熱材料で形成されたことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構は、前記の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、前記第１の係止部は耐熱材料で形成されたことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構は、前記の単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構において、前記加熱容器と前記昇降部材と前記整流筒を収納する収納体と、前記加熱容器の上方となる前記収納体の内面に支持される位置決め治具を備え、前記整流筒の側方には第１の係合部を設けるとともに、前記位置決め治具には前記第１の係合部と係合する第２の係合部を設け、かつ、前記位置決め治具の位置の前記収納体の内面には第３の係合部を設けるとともに、前記位置決め治具の側方には前記第３の係合部と係合する第４の係合部を設けたことを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明に係る単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構の一実施形態の構成を示したものであり、図１（Ａ）は全体の構成を示す分解斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）における昇降治具３の先端付近のさらに詳細な構成を示す斜視図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）における整流筒１と補助治具２との関係を示す断面図である。
【００２２】
図１（Ａ）に示すように、この単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構は、整流筒１と、補助治具２と、昇降治具３と、位置決め治具４と、ボルト５を備えている。
整流筒１は、黒鉛等の炭素材，炭素繊維強化炭素複合材料，窒化物セラミックス、炭化物セラミックス等により形成され、略円筒状の筒体１Ｂと、筒体１Ｂの上部に設けられた略環状の鍔部１Ｒを有して構成されている。筒体１Ｂの円筒側面の３箇所には、円筒の軸方向に形成された溝部１Ｇが形成されている。また、鍔部１Ｒの３箇所には、雌ネジ孔１Ｈが設けられている。
【００２３】
補助治具２は、整流筒１の鍔部１Ｒとほぼ同形状の環状に形成された環体２Ｒと、環体２Ｒの内側の開口の側面から開口の中心へ向けて突出した３個の突出部２Ｐを有して構成されている。また、環体２Ｒの３箇所には、ボルト孔２Ｈが設けられている。上記の環体２Ｒの内径は、整流筒１の内径と等しいかあるいはそれより大きく形成されている。
【００２４】
上記した整流筒１の鍔部１Ｒと、補助治具２は、図１（Ｃ）に示すように、各ボルト孔２Ｈにボルト５を上方から挿通し、雌ネジ孔１Ｈに螺合させることにより接合される。
【００２５】
昇降治具３は、種子結晶Ｓとほぼ同形状の柱状に形成された軸部３Ｐと、軸部３Ｐの下端の略円盤状部から外側へ向けて突出した３個の腕部３Ａを有して構成されている。また、図１（Ｂ）に示すように、腕部３Ａの先端には、切欠部３Ｃが設けられている。この切欠部３Ｃは、上記した補助治具２の突出部２Ｐよりもわずかに大きく形成されている。また、軸部３Ｐの中心から腕部３Ａの先端までの長さは、整流筒１の内側の開口の半径よりもわずかに小さく、かつ補助治具２の内側の開口の半径よりも小さく形成されている。
上記の軸部３Ｐを、予めケーブル１１０に装着されたシードチャック２２のチャック本体２３の凹部２３Ｈ1 に挿入した後、シードピン２４を挿入することにより、昇降治具３をケーブル１１０に装着することができる。
【００２６】
位置決め治具４は、整流筒１の筒体１Ｂの外径よりもわずかに大きな内径を有する環状に形成された環体４Ｒと、環体４Ｒの内側の開口の側面から開口の中心へ向けて突出した３個の突出部４Ｐを有して構成されている。この突出部４Ｐは、上記した整流筒１の筒体１Ｂの側面の溝部１Ｇよりもわずかに小さく形成されている。また、環体４Ｒの外側面の１箇所には、切欠部４Ｃが設けられている。この切欠部４Ｃは、上記した単結晶引上げ装置１００のメインチャンバ１０１Ｍとプルチャンバ１０１Ｐの接合部付近に設けられた環状の突出部１０１Ｒ上に設けられたキー突起（図示せず）と係合可能となっている。
【００２７】
上記した補助治具２，昇降治具３，位置決め治具４は、モリブデン，タングステン，ＳＵＳ（ステンレス鋼）もしくは炭素材等の耐熱性材料で形成されている。
【００２８】
次に、上記した単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構による整流筒昇降方法について、図１及び図２を参照しつつ説明する。
まず、図２（Ａ）の状態に先立ち、単結晶引上げ装置１００の組立て時に、メインチャンバ１０１Ｍとプルチャンバ１０１Ｐの接合部付近に設けられた環状の突出部１０１Ｒ上に上記の位置決め治具４を載置し、位置決め治具４の外側の切欠部４Ｃを、突出部１０１Ｒ上に設けられたキー突起（図示せず）と係合させておく。そして、この位置決め治具４の内側の突出部４Ｐと整流筒１の側面の溝部１Ｇが係合するようにしてゆっくり落とし込み、位置決め治具４上に整流筒１の鍔部１Ｒを支持させておく。
また、同じく図２（Ａ）の状態に先立ち、ケーブル１１０にシードチャック２２を装着し、シードチャック２２の種子結晶保持用の凹部２３Ｈ1 を利用して昇降治具３の軸部３Ｐをシードチャック２２に取付けておく。
【００２９】
この状態で、上記の巻取機構１０９によりケーブル１１０を巻き出して昇降治具３を下降させ、昇降治具３の腕部３Ａと、補助治具２の突出部２Ｐとが、互いに干渉しないように昇降治具３の腕部３Ａの向きを調整すれば、腕部３Ａは、補助治具２の突出部２Ｐをかわして整流筒１の開口内へ入り込む。
【００３０】
この位置で巻取機構１０９を停止させ、ケーブル１１０の巻き出しを停止させて昇降治具３を停止させる。次に、巻取機構１０９によりケーブル１１０を回転させ、昇降治具３の腕部３Ａの切欠部３Ｃが、補助治具２の突出部２Ｐの直下にくるようにする。
【００３１】
この状態で上記の巻取機構１０９によりケーブル１１０を巻き取って昇降治具３を上昇させると、昇降治具３の腕部３Ａの切欠部３Ｃに、補助治具２の突出部２Ｐが嵌合し係止される。したがって、この状態で巻取機構１０９によりケーブル１１０をさらに巻き取ると、昇降治具３とともに整流筒１が上昇する（図２（Ａ）参照）。そして、適宜の位置でケーブル１１０の上昇を停止させ、その位置で整流筒１を一時支持する。
【００３２】
このようにすれば、図２（Ａ）に示すように、整流筒１の下端とルツボ１０２の上部との間が離間し、融解前のシリコン材料Ｍをルツボ１０２のかなり上方まで盛り上げることができ、育成される単結晶の生産効率を高い値に維持することができる。
【００３３】
次に、シリコン材料がルツボ１０２内で融解し融液Ｌとなった場合には、単結晶育成時にルツボ１０２の直上に整流筒１を配置する必要があるから、上記の巻取機構１０９によりケーブル１１０を再び巻き出して昇降治具３を下降させて整流筒１を下降させ、位置決め治具４の内側の突出部４Ｐと整流筒１の側面の溝部１Ｇが係合するようにしてゆっくり落とし込み、位置決め治具４上に整流筒１の鍔部１Ｒを支持させた後、ケーブル１１０の巻き出しを停止させる。
【００３４】
この状態では、整流筒１が、位置決め治具４によって規制され、かつ、位置決め治具４の外側の切欠部４Ｃは、プルチャンバ１０１Ｐ内側面に設けられた突出部１０１Ｒ上に設けられたキー突起（図示せず）と係合しているから、整流筒１がプルチャンバ１０１Ｐの軸を回転軸として回転することが阻止される。このため、整流筒１の所定箇所に設けられた窓（図示せず）の位置が回転してずれることがなく、メインチャンバ１０１Ｍの観測窓１０１Ｗを通しての単結晶体の観察・測定等に支障が生じることがない。
【００３５】
その後、巻取機構１０９によりケーブル１１０をさらに巻き出して昇降治具３を下降させると、昇降治具３の腕部３Ａの切欠部３Ｃと補助治具２の突出部２Ｐとの嵌合がはずれ、昇降治具３の腕部３Ａの切欠部３Ｃが、補助治具２の突出部２Ｐの直下に離れる。
【００３６】
この状態で巻取機構１０９によりケーブル１１０を回転させ、昇降治具３の腕部３Ａの切欠部３Ｃが、補助治具２の突出部２Ｐの直下位置からはずれるようにする。そして、この状態で巻取機構１０９によりケーブル１１０を巻き取って昇降治具３を上昇させると、昇降治具３は補助治具２からはずれて上方に引き上げられる（図２（Ｂ）参照）。
その後、シードチャック２２から昇降治具３を離脱させ、かわりに種子結晶Ｓを装着して融液Ｌへ向けて引下げ、以後ＣＺ法によって単結晶育成を行なうことができる。
【００３７】
上記実施形態において、チャンバ１０１は収納体に相当し、ルツボ１０２は加熱容器に相当している。また、ケーブル１１０とシードチャック２２は昇降部材に相当している。また、チャック本体２３は、種子結晶を保持するとともにケーブルに取り付けられる種子結晶保持具に相当している。
また、補助治具２の突出部２Ｐは第１の係止部に相当し、昇降治具３の腕部３Ａの先端の切欠部３Ｃは第２の係止部に相当している。
また、整流筒１の筒体１Ｂの側面の溝部１Ｇは第１の係合部に相当している。また、位置決め治具４の内側の突出部４Ｐは第２の係合部に相当している。また、プルチャンバ１０１Ｐの下端付近の内側面の突出部１０１Ｒ上に設けられたキー突起（図示せず）は、第３の係合部に相当している。そして、位置決め治具４の外側の切欠部４Ｃは第４の係合部に相当している。
【００３８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３９】
例えば、上記実施形態においては、単結晶を得るための材料としてシリコン等の半導体を例に挙げて説明したが、本発明はこれには限定されず、他の結晶材料であってもよい。
【００４０】
また、上記実施形態においては、加熱融解された結晶材料の融液上において昇降可能に構成された昇降部材としてケーブルを有する例に挙げて説明したが、本発明はこれには限定されず、他の昇降部材、例えばシャフトを有するものであってもよい。
【００４１】
また、上記実施形態においては、整流筒１，補助治具２，位置決め治具４は略円筒形状又は略環状に形成されたものを例に挙げて説明したが、本発明はこれには限定されず、四角形断面、多角形断面や楕円断面等、任意の断面形状であってもよい。
【００４２】
また、上記実施形態においては、整流筒上部の第１の係止部が突出部であり、昇降治具の第２の係止部が切欠部である例について説明したが、本発明はこれには限定されず、逆に、第１の係止部が切欠部であり第２の係止部が突出部であってもよい。この場合には、切欠部は、補助治具の開口の内側に向けて設けられた突出部の下面等に設けることになる。あるいは、他の係止構造であってもよい。
【００４３】
また、上記実施形態においては、整流筒と補助治具とを別体で形成しボルト等によって接合した例について説明したが、本発明はこれには限定されず、第１の係止部を整流筒と一体成形してもよい。
【００４４】
さらに、上記実施形態においては、整流筒の第１の係合部が溝部であり位置決め治具の第２の係合部が突出部である例について説明したが、本発明はこれには限定されず、逆に、第１の係合部が整流筒側方に設けられた突条部であり、第２の係合部が位置決め治具の内側に設けられた切欠部であってもよい。あるいは、他の係合構造であってもよい。
【００４５】
また、上記実施形態においては、収納体の第３の係合部が突出部であり位置決め治具の第４の係合部が切欠部である例について説明したが、本発明はこれには限定されず、逆に、第３の係合部が切欠部であり第４の係合部が突出部であってもよい。あるいは、他の係合構造であってもよい。
【００４６】
また、上記実施形態においては、昇降治具の腕部，各突出部，ボルト孔，溝部等が３個である例について説明したが、本発明はこれには限定されず、４個以上であってもよい。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る単結晶引上げ装置の整流筒昇降方法又は単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構によれば、加熱容器内に未融解の結晶材料を収容させる場合に、整流筒を引上げ、整流筒の下端と加熱容器上部とを離間させるようにしたので、未融解材料充填時に整流筒に接触することがなく、簡易かつ低コストに実現することができる。
また、整流筒の所定箇所に設けられた窓等の位置が回転してずれることがなく、収納体の観測窓等を通して行なう単結晶体の観察・測定等に支障が生じることがない、という利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構の一実施形態の構成を示す図である。
（Ａ）  全体構成を示す分解斜視図
（Ｂ）  昇降治具の先端付近の斜視図
（Ｃ）  整流筒と補助治具との関係を示した断面図
【図２】図１に示す単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構を用いた整流筒昇降方法を説明する図である。
（Ａ）  整流筒を上昇させた状態
（Ｂ）  整流筒を下降させた状態
【図３】単結晶引上げ装置の全体構成を示す断面図である。
【図４】単結晶引上げ装置におけるシードチャック及びケーブル端部付近の詳細構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  整流筒                        １Ｂ  筒体
１Ｇ  溝部                        １Ｈ  雌ネジ孔
１Ｒ  鍔部                        ２  補助治具
２Ｈ  ボルト孔                    ２Ｐ  突出部
２Ｒ  環体                        ３  昇降治具
３Ａ  腕部                        ３Ｃ  切欠部
３Ｐ  軸部                        ４  位置決め治具
４Ｃ  切欠部                      ４Ｐ  突出部
４Ｒ  環体                        ５  ボルト
２２  シードチャック
２３  チャック本体                ２３Ｈ1 ，２３Ｈ2   凹部
２３Ｈ3   ピン孔                  ２４  シードピン
２６  取付金具                    ２６Ｈ  ピン孔
２９  ケーブルピン                ３０  ナット
１００  単結晶引上げ装置          １０１  チャンバ
１０１Ｍ  メインチャンバ          １０１Ｐ  プルチャンバ
１０１Ｒ  突出部                  １０１Ｗ  観測窓
１０２  ルツボ                    １０３  石英部
１０４  黒鉛部                    １０５  ヒータ
１０６  断熱材                    １０７  ルツボ保持軸
１０８  回転機構                  １０９  巻取機構
１１０  ケーブル
Ｃ  単結晶インゴット
Ｌ  シリコン融液
Ｍ  シリコン材料
Ｓ  種子結晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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