(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
速度Ｖｃで回転し、像担持体に幅ｗのニップで圧接する接触帯電ローラと、
該接触帯電ローラに定電流回路により定電流制御した交流電圧と定電圧回路により定電圧制御した直流電圧とを重畳して印加するバイアス印加手段
とを具えた画像形成装置の接触帯電装置において、
前記定電流回路に、所定の周波数成分若しくは該所定の周波数以上の周波数成分を減衰させる周波数フィルタを具え、
前記所定の周波数を、Ｖｃ／ｗ以下に設定したことを特徴とする画像形成装置の接触帯電装置。
【請求項２】
前記画像形成装置の接触帯電装置は、前記周波数フィルタの前記所定の周波数を変更する減衰周波数変更手段を具えるようにしたことを特徴とする請求項（１）記載の画像形成装置の接触帯電装置。
【請求項３】
前記減衰周波数変更手段は、前記速度Ｖｃに基づき前記所定の周波数を変更するようにしたことを特徴とする請求項（２）記載の画像形成装置の接触帯電装置。
【請求項４】
前記像担持体と前記接触帯電ローラは、画像形成装置に着脱自在なプロセスカートリッジ内に配設され、
前記減衰周波数変更手段は、前記プロセスカートリッジが交換された際、前記所定の周波数を変更するようにしたことを特徴とする請求項（２）記載の画像形成装置の接触帯電装置。
【請求項５】
前記減衰周波数変更手段は、前記画像形成装置が所定時間停止した際、前記所定の周波数を変更するようにしたことを特徴とする請求項（２）記載の画像形成装置の接触帯電装置。
【請求項６】
前記減衰周波数変更手段は、前記接触帯電ローラの種類に応じて、前記所定の周波数を変更するようにしたことを特徴とする請求項（２）記載の画像形成装置の接触帯電装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子写真システムを採用した画像形成装置に関し、特に接触帯電ローラに定電流制御した交流電圧と定電圧制御した直流電圧とを重畳して印加する接触帯電装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真システムを採用した画像形成装置には、一般に、像担持体に一様に帯電を施す帯電装置が配設されている。
【０００３】
この従来の画像形成装置の帯電装置には、像担持体を圧接する接触帯電ローラと、該接触帯電ローラに電圧を印加するバイアス印加手段とを具え、該バイアス印加手段を介し接触帯電ローラにより像担持体表面に帯電を施すようにした接触帯電装置がある。
【０００４】
この従来の接触帯電装置１は、その概念構成図で示す図８のように、回転駆動する像担持体３と、像担持体３に圧接する接触帯電ローラ４と、該接触帯電ローラ４に定電流制御した交流電圧と定電圧制御した直流電圧とを重畳して印加するバイアス印加手段１３とから構成されている。
【０００５】
このうち、接触帯電ローラ４は弾性部材から構成され、その要部拡大断面図で示す図９のように幅ｗのニップで像担持体３に圧接している。なお、図９では、図８と同一部分を同一符号で示している。
【０００６】
また、この従来の接触帯電装置１ではバイアス印加手段１３は、図８で示すように、交流電圧を定電流制御する定電流回路１４と、直流電圧を定電圧制御する定電圧回路１８と、定電流回路１４により制御された交流電圧と定電圧回路１８により制御された直流電圧とを重畳して接触帯電ローラ４に印加する重畳印加手段１９とから構成される。
【０００７】
このうち、定電流回路１４は、交流電圧を発生する正弦波発生手段１５と、正弦波発生手段１５により発生した交流電圧を増幅して重畳印加手段１９に送出する電圧増幅手段１６と、重畳印加手段１９による印加により像担持体４に流れる電流を検知する電流検知手段１７とから構成されており、電圧増幅手段１６は電流検知手段１７により検知された電流の周波数成分に基づき直接電圧増幅率を変更して交流電圧を増幅する。
【０００８】
また、電圧増幅率制御では、周波数とゲインの関係を示す図１０のように、ノイズとされる高周波数域を除き、電流検知手段１７により検知された電流の周波数成分は、どのような周波数成分のものについても一律に応答させている。
【０００９】
このような従来の接触帯電装置１では、接触帯電ローラ４に、バイアス印加手段１３により定電流制御した交流電圧と定電圧制御した直流電圧とを重畳して印加すると、接触帯電ローラ４のニップ前後で（＋）／（−）の交互放電が起こり、像担持体３の表面３ａは最終的に直流電圧成分の電圧近くの電圧値に収束し、一様に帯電する。
【００１０】
一方、この従来の接触帯電装置１を具えた画像形成装置２では、図８で示すように、接触帯電装置１により一様に帯電された像担持体３の表面３ａに、露光手段５により画像を露光して静電潜像を形成し、さらに該静電潜像を現像手段６により現像してトナー像を形成し、該トナー像を転写手段７によって転写材８に転写し、これにより転写材８に画像を出力するようにしている。
【００１１】
また、この従来の接触帯電装置１では、バイアス印加手段１３は、図８で示すように、交流電圧を定電流制御する定電流回路１４と、直流電圧を定電圧制御する定電圧回路１８と、定電流回路１４により制御された交流電圧と定電圧回路１８により制御された直流電圧とを重畳して接触帯電ローラ４に印加する重畳印加手段１９とから構成され、その定電流回路１４では、電流検知手段１７により検知された電流の周波数成分に基づいて、図１０で示すようにノイズとされる高周波数域を除きどのような周波数成分のものについても一律に応答させて電圧増幅率制御することとしているから、これにより、接触帯電ローラ４の抵抗むらがある場合でも過大な電圧を印加することなく放電に必要な電圧を印加することが可能となり、また環境によって接触帯電ローラ４の抵抗が変化するような場合でも帯電むらが生じることを可及的に防止している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の接触帯電装置１によると、像担持体３に幅ｗのニップで圧接する接触帯電ローラ４は弾性体から構成されているから、画像形成装置を長時間停止させた状態にすると、図９と同一部分を同一符号で示す図１１のように、接触帯電ローラ４には像担持体を圧接し続けたことによって、ニップによる凹み４ａが画像形成装置２の駆動後にもその一部に依然として残り、そのため、像担持体３は凹み４ａのある接触帯電ローラ４により帯電することとなるが、バイアス印加手段１３では定電流制御した交流電圧を定電圧制御した直流電圧に重畳して印加するとともに、その定電流回路１４では、電流検知手段１７により検知された電流の周波数成分に基づいて、ノイズとされる高周波数域を除きどのような周波数成分のものについても一律に応答させて電圧増幅率制御することとしているから、特にハーフトーン画像を出力する際には、接触帯電ローラ４の凹み４ａによって、その出力画像に接触帯電ローラ４の回転ピッチで濃度むらが顕著に生じるという問題があった。
【００１３】
このハーフトーン画像の濃度むらは、凹み４ａによる接触帯電ローラ４のインピーダンスの変化、および定電流回路１４のフィードバック制御による応答のおくれ等により、接触帯電ローラ４に印加するバイアスが接触帯電ローラ４の周期で変動してしまうために、接触帯電ローラ４の凹み４ａに接触する部分が、凹み４ａ以外の部分と同様に帯電しないためと考えられる。
【００１４】
この発明は上述した事情に鑑み、接触帯電ローラの変形によって発生する画像の濃度むらを可及的に防止し画像品質を高める画像形成装置の接触帯電装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、この発明では、速度Ｖｃで回転し像担持体に幅ｗのニップで圧接する接触帯電ローラと、該接触帯電ローラに定電流回路により定電流制御した交流電圧と定電圧回路により定電圧制御した直流電圧とを重畳して印加するバイアス印加手段とを具えた画像形成装置の接触帯電装置において、前記定電流回路に、所定の周波数成分若しくは該所定の周波数以上の周波数成分を減衰させる周波数フィルタを具え、前記所定の周波数を、Ｖｃ／ｗ以下に設定するようにしている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係わる画像形成装置の接触帯電装置について詳述する。
【００１７】
この発明の第１の実施例の接触帯電装置２１は、図１で示すように、プロセススピードＶｐで回転する前記像担持体３と、像担持体３に圧接する接触帯電ローラ４と、該接触帯電ローラ４を定電流制御した交流電圧と定電圧制御した直流電圧とを重畳して印加するバイアス印加手段２３を具えている。なお、図１は、この発明に係わる接触帯電装置の構成を示す概念構成図で、図８と同一部分を同一符号で示している。
【００１８】
このうち、前記接触帯電ローラ４は、従来同様（図９）、幅ｗのニップで像担持体３に圧接する。
【００１９】
また、バイアス印加手段２３は、図１で示すように、交流電圧を定電流制御する定電流回路２４と、直流電圧を定電圧制御する定電圧回路１８と、定電流回路２４により制御された交流電圧と定電圧回路１８に制御された直流電圧とを重畳して印加する重畳し、接触帯電ローラ４に印加する重畳印加手段１９とから構成されている。
【００２０】
また、このうちの定電流回路２４は、交流電圧を発生する正弦波発生手段１５と、正弦波発生手段１５により発生した交流電圧を増幅し、重畳印加手段１９に送出する電圧増幅手段２６と、重畳印加手段１９による印加により像担持体３に流れる電流を検知する電流検知手段１７と、該電流検知手段１７により検知された電流の周波数成分のうち、所定の周波数以上の周波数成分を減衰させる周波数フィルタ２７とを具え、電圧増幅手段２６では周波数フィルタ２７を通過した周波数成分に基づき電圧増幅率を変更して交流電圧を増幅する。
【００２１】
また、このうちの周波数フィルタ２７は、所定の周波数（以下、減衰周波数という）Ｖｃ／ｗ以下のものは減衰させないように設定している。
【００２２】
ここで、Ｖｃは接触帯電ローラ４の回転速度である。
【００２３】
本実施例では、接触帯電ローラ４は像担持体３につれ回りしているので、接触帯電ローラ４が回転する速度Ｖｃは、プロセススピードＶｐと一致し、Ｖｃ＝Ｖｐである。しかし、この発明の接触帯電装置では、接触帯電ローラ４が回転する速度Ｖｃは必ずしもプロセススピードＶｐと同一でなくてもよい。
【００２４】
なお、この第１の実施例の接触帯電装置２１を具えた画像形成装置２２では、従来同様、接触帯電装置２１により一様に帯電された像担持体３の表面３ａに、露光手段５により画像を露光して静電潜像を形成し、さらに該静電潜像を現像手段６により現像してトナー像を形成し、該トナー像を転写手段７によって転写材８に転写し、これにより転写材８に画像を出力する。
【００２５】
この第１の実施例の接触帯電装置２１では、定電流回路２４に、電流検知手段１７により検知された電流の周波数成分のうち減衰周波数以上の周波数成分を減衰させる周波数フィルタ２７を具えるとともに、この減衰周波数をＶｃ／ｗ以下に設定し、さらに、電圧増幅手段ではこの周波数フィルタ２７を通過した周波数成分に基づき電圧増幅率を変更して交流電圧を増幅するようにしたから、電圧増幅率制御において、周波数とゲインの関係を示す図２のように、電流検知手段１７により検知された周波数成分のうち、減衰周波数以下の周波数成分については従来のように応答し、減衰周波数以上の周波数成分については応答をなまらるようにし、これにより、ニップによる凹み４ａが形成されている場合には従来に比し凹み４ａによる変化に緩やかに応答して電圧増幅率を変更するようにした。
【００２６】
このようにすると、画像形成装置２２を長時間停止後に駆動させた際、ニップによる凹み４ａが残った接触帯電ローラ４により像担持体３を帯電する場合であっても、ハーフトーン画像を出力する際に、その出力画像に接触帯電ローラ４の回転ピッチ４で、濃度むらが生じることを可及的に防止することができた。
【００２７】
また、この第１の実施例の接触帯電装置２１では、周波数フィルタ２７は、減衰周波数Ｖｃ／ｗ以上の周波数成分を減衰することとしたが、この発明の周波数フィルタはこれに限定せず、周波数フィルタ２７は減衰周波数Ｖｃ／ｗの周波数成分のみを減衰するものであってもよい。
【００２８】
また、この第１の実施例の接触帯電装置２１では、上述のように、その定電流回路２４に周波数フィルタ２７を具えることとしたが、この発明の接触帯電装置は、定電流回路２４の構成に、図１と同一部分を同一符号で示す図３のように、さらに上述した減衰周波数を変更する減衰周波数変更手段３８を具えた定電流回路３４から構成されていてもよい。
【００２９】
次に、減衰周波数変更手段を具えた接触帯電装置について、第２の実施例の接触帯電装置４１、第３の実施例の接触帯電装置５１、第４の実施例の接触帯電装置６１、第５の実施例の接触帯電装置７１で説明する。
【００３０】
第２の実施例の接触帯電装置４１は、図１と同一部分を同一符号で示す図４のように、周波数フィルタ２７を具えた定電流回路４３に、プロセススピードＶｐの切り替えに応じて、周波数フィルタ２７の減衰周波数を切り替える減衰周波数変更手段４８を具えている。
【００３１】
本実施例でも、接触帯電ローラ４は像担持体３とつれ回りするので、接触帯電ローラ４の回転速度ＶｃがプロセススピードＶｐと一致し、Ｖｃ＝Ｖｐであることとして説明する。
【００３２】
この減衰周波数変更手段４８は、像担持体３を回転駆動するモータのプロセススピードＶｐを切り替えるプロセススピード切替手段４９によって、プロセススピードＶｐが通常の速度から低い速度に切り替えられた際、減衰周波数を低く設定する。
【００３３】
近年、画像形成装置の高解像度が進んでいるが、レーザ露光装置のポリゴンミラーの回転数や画像信号の周波数の制限等により、高解像度時にはプロセススピードＶｐを低下させることにより高解像度を実現することが公知技術として提案されているが、この第２の実施例の接触帯電装置４１では、プロセススピード切替手段４９によってプロセススピードＶｐが通常の速度から低い速度に切り替えられた際には、周波数フィルタ２７の減衰周波数を減衰周波数変更手段４８によって低く変化させるので、ハーフトーン画像での接触帯電ローラ４の凹み４ａによる濃度むらを抑えることのできる減衰周波数を設定でき、プロセススピードＶｐが通常の速度に切り替えられた際には周波数フィルタ２７の減衰周波数を減衰周波数変更手段４８によって高く変化させるので過大に定電流制御の反応を遅くすることがないため、定電流制御の反応が遅すぎて接触帯電ローラ４の抵抗むらに対応しきれずに帯電むらが生じる虞を防止することができる。
【００３４】
また、第２の実施例の接触帯電装置４１では、減衰周波数変更手段４８は、プロセススピード切替手段４９によりプロセススピードＶｐが通常の速度から低い速度に切り替えられた際、周波数フィルタ２７の減衰周波数を低く設定することとしたが、減衰周波数変更手段４８はこれに限定せず、プロセススピードＶｐに基づいて減衰周波数を変更するものであればよく、例えば、減衰周波数変更手段は、プロセススピードＶｐの変化の大きさに応じて減衰周波数を変更するものであってもよい。
【００３５】
また、本実施例では、接触帯電ローラ４の回転速度ＶｃとプロセススピードＶｐとが、Ｖｃ＝Ｖｐであることとして説明したが、接触帯電ローラ４の回転速度Ｖｃと、プロセススピードＶｐが異なる場合には、接触帯電ローラ４の回転速度Ｖｃの変化に応じて減衰周波数を変更してもよい。
【００３６】
また、第２の実施例の接触帯電装置４１では、減衰周波数変更手段４８はプロセススピードＶｐに基づいて減衰周波数を変更するものとしたが、減衰周波数変更手段４８はこれに限定せず、ニップ幅ｗの変化の大きさに応じて減衰周波数を変更するものでもよい。
【００３７】
次に、ニップ幅ｗの変化の大きさに応じて周波数フィルタの減衰周波数を変更する第３の実施例の接触帯電装置について説明する。
【００３８】
この第３の実施例の接触帯電装置５１は、図１と同一部分を同一符号で示す図５のように、周波数フィルタ２７を具えた定電流回路５４に、ニップ幅ｗの変化が大きい場合に周波数フィルタ２７の減衰周波数を切り替える減衰周波数変更手段５８を具えている。
【００３９】
この減衰周波数変更手段５８は、接触帯電ローラ４および像担持体３を内部に具え、画像形成装置５２に着脱自在に装着されるプロセスカートリッジが交換されたことをプロセスカートリッジ交換検出手段５９によって検出した際、接触帯電ローラ４を所定回転させた後、減衰周波数を高く設定する。
【００４０】
第３の実施例の接触帯電装置５１によると、プロセスカートリッジが交換されたことを検出した際、減衰周波数変更手段５８によって減衰周波数を高く設定するので、定電流制御の反応が遅すぎて接触帯電ローラ４の抵抗むらに対応しきれずに帯電むらが生じてしまう虞を、更に可及的に防止することができた。
【００４１】
なお、第３の実施例の接触帯電装置５１でハーフトーン画像を出力する際、その出力画像に接触帯電ローラ４の回転ピッチで濃度むらが生じることは可及的に防止されたことは言うまでもない。
【００４２】
なお、この第３の実施例の接触帯電装置５１では、プロセスカートリッジの交換後の接触帯電ローラ４は短時間で凹みを回復することが比較的容易であるため、プロセスカートリッジが交換されたことを検出した際、接触帯電ローラ４を所定回転させた後に、周波数フィルタ２７の減衰周波数を切り替えるようにタイミング制御している。
【００４３】
また、第３の実施例の接触帯電装置５１では、周波数変更手段５８はプロセスカートリッジが交換された際、周波数フィルタ２７の減衰周波数を高く設定するものとしたが、減衰周波数変更手段５８はこれに限定せず、ニップ幅ｗの変化の大きさに応じて周波数フィルタ２７の減衰周波数を変更するものであればよく、たとえば、画像形成装置の停止時間に応じて、減衰周波数を変更するものであってもよい。
【００４４】
次に、ニップ幅ｗの変化の大きさに応じて減衰周波数を変更する接触帯電装置の別の実施例として、画像形成装置の停止時間に応じて、減衰周波数を変更する第４の実施例の接触帯電装置について説明する。
【００４５】
第４の実施例の接触帯電装置６１は、図１と同一部分を同一符号で示す図６のように、周波数フィルタ２７を具えた定電流回路６４に、画像形成装置６２が所定時間以上停止した際、周波数フィルタ２７の減衰周波数を切り替える減衰周波数変更手段６８を具えている。
【００４６】
この周波数変更手段６８は、像担持体３を回転駆動するモータの停止状態を検出するタイマー６９によって画像形成装置６２が所定時間以上停止したことを検出した際、減衰周波数を高く設定する。
【００４７】
この第４の実施例の接触帯電装置６１によると、タイマー６９により画像形成装置６２が所定時間以上停止したことを検出した際、減衰周波数変更手段６８によって減衰周波数を高く設定するので、ニップ幅ｗの変化が大きい場合でも定電流制御の反応が遅すぎて接触帯電ローラの抵抗むらに対応しきれず、帯電むらが生じてしまう虞を、さらに可及的に防止することができた。
【００４８】
なお、第４の実施例の接触帯電装置６１でハーフトーン画像を出力する際、その出力画像に接触帯電ローラ４の回転ピッチで、濃度むらが生じることを可及的に防止することができたことは言うまでもない。
【００４９】
なお、この第４の実施例の接触帯電装置６１では、画像形成装置６２の停止時間をタイマー６９で検出するとともに、停止時間が所定以上であることが検出された場合、周波数フィルタ２７の減衰周波数を高く設定することとしたが、これに限定せず、像担持体３を駆動するモータの回転数をカウンタで検出し該回転数から接触帯電装置６１の経時的変化を考慮し、減衰周波数を変更するようにしてもよいし、また、タイマー６９またはカウンタを使用して接触帯電装置６１の停止時間およびその経時的変化に基づいて、減衰周波数を変更するようにしてもよい。
【００５０】
次に、ニップ幅ｗの変化の大きさに応じて減衰周波数を変更する接触帯電装置のさらに別の実施例として、接触帯電ローラ４の種類に応じて減衰周波数を変更する第５の実施例の接触帯電装置について説明する。
【００５１】
また、この第５の実施例の接触帯電装置７１は、図１と同一部分を同一符号で示す図７のように、周波数フィルタ２７を具えた定電流回路７４に、プロセスカートリッジ内の接触帯電ローラ４の種類を接触帯電ローラ種類判別手段７９によって判別するとともに、判別された接触帯電ローラ４の材質、径等に応じて、減衰周波数を変更する周波数変更手段７８を具えている。
【００５２】
第５の実施例の接触帯電装置７１によると、プロセスカートリッジを交換した際、プロセスカートリッジ毎に記憶された内部に配設された接触帯電ローラ４の種類を接触帯電ローラ種類判別手段７９によって判別し、判別された接触帯電ローラ４の種類に応じて減衰周波数を変更するので、ニップ幅ｗの変化が大きい場合でも定電流制御の反応が遅すぎて接触帯電ローラ４の抵抗むらに対応しきれずに帯電むらが生じてしまう虞を、さらに可及的に防止することができた。
【００５３】
なお、第５の実施例の接触帯電装置７１でハーフトーン画像を出力する際、その出力画像に接触帯電ローラ４の回転ピッチで濃度むらが生じることを可及的に防止することができたことは言うまでもない。
【００５４】
また、第３の実施例の接触帯電装置５１、第４の実施例の接触帯電装置６１、第５の実施例の接触帯電装置７１では、減衰周波数変更手段は、それぞれプロセスカートリッジの交換、画像形成装置の停止時間、接触帯電ローラ４の種類に応じ、減衰周波数を変更することとしたが、減衰周波数変更手段はこれに限定されず、減衰周波数変更手段はニップ幅ｗに基づいて減衰周波数を変更するものであればよい。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明では、速度Ｖｃで回転し像担持体に幅ｗのニップで圧接する接触帯電ローラと、該接触帯電ローラに定電流回路により定電流制御した交流電圧と定電圧回路により定電圧制御した直流電圧とを重畳して印加するバイアス印加手段とを具えた画像形成装置の接触帯電装置において、前記定電流回路に、所定の周波数成分若しくは該所定の周波数以上の周波数成分を減衰する周波数フィルタを具え、前記所定の周波数を、Ｖｃ／ｗ以下に設定することとしたから、画像形成装置を長時間停止後に駆動させた際ニップによる凹みが残った接触帯電ローラにより像担持体を帯電する場合であっても、通常の画像を出力する際、その出力画像に帯電むらを生じることを可及的に防止することができるとともに、ハーフトーン画像を出力する際にも、その出力画像に接触帯電ローラの回転ピッチで濃度むらが生じることを可及的に防止することができる。
【００５６】
したがって、この発明の接触帯電装置によると、接触帯電ローラの変形によって発生する濃度むらを可及的に防止し、画像品質の高い画像形成装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、この発明の第１の実施例の接触帯電装置の構成を示す概念構成図。
【図２】図２は、この発明の接触帯電装置の定電流回路を構成する電圧増幅手段の周波数特性を示す図。
【図３】図３は、この発明の接触帯電装置であって、減衰周波数変更手段を具えた接触帯電装置の構成を示す概念構成図。
【図４】図４は、この発明の第２の実施例の接触帯電装置の構成を示す概念構成図。
【図５】図５は、この発明の第３の実施例の接触帯電装置の構成を示す概念構成図。
【図６】図６は、この発明の第４の実施例の接触帯電装置の構成を示す概念構成図。
【図７】図７は、この発明の第５の実施例の接触帯電装置の構成を示す概念構成図。
【図８】図８は、従来の接触帯電装置の構成を示す概念構成図。
【図９】図９は、従来の接触帯電装置の要部拡大断面図。
【図１０】図１０は、従来の接触帯電装置の定電流回路を構成する電圧増幅手段の周波数特性を示す図。
【図１１】図１１は、従来の接触帯電装置の要部拡大断面図。
【符号の説明】
３…像担持体
４…接触帯電ローラ
１８…定電流回路
２１、３１、４１、５１、６１、７１…接触帯電装置
２２、３２、４２、５２、６２、７２…画像形成装置
２３、３３、４３、５３、６３、７３…バイアス印加手段
２４、３４、４４、５４、６４、７４…定電流回路
２７…周波数フィルタ
３８、４８、５８、６８、７８…減衰周波数変更手段
【図１】
0003713992.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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