(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に所要の配線パタ−ンを形成できるパタ−ンでマスクパタ−ンを形成した可撓性絶縁べ−ス材を密着液を介して放熱板に密着させた状態で、前記マスクパタ−ン開口部の前記可撓性絶縁べ−ス材上および前記マスクパタ−ン上に、スパッタリング法または蒸着法で導電膜を形成し、前記マスクパタ−ンを該マスクパタ−ン上の導電膜と共に除去することにより、配線パタ−ンを形成することを特徴とする可撓性回路基板の製造法。
【請求項２】
前記密着液が高真空下でもガスの発生しない耐熱性高真空用シリコングリスである請求項１の可撓性回路基板の製造法。
【請求項３】
前記マスクパタ−ンがフォトレジスト材を使用して形成された請求項１又は２の可撓性回路基板の製造法。
【請求項４】
前記スパッタリング法又は蒸着法で形成される配線パタ−ンの材質がチタンである請求項１〜３のいずれかの可撓性回路基板の製造法。
【請求項５】
前記スパッタリング法又は蒸着法により前記所要の配線パタ−ンを形成する工程の前に、サブトラクティブ法又はアディティブ法で前記配線パタ−ンの下地を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかの可撓性回路基板の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリング法又は蒸着法によるリフトオフ法を採用しながら電解メッキ手段等では形成できない金属で所要の配線パタ−ンを好適に形成可能な可撓性回路基板の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の可撓性回路基板を製作する従来の手法としては、サブトラクティブ法又はアディティブ法がある。サブトラクティブ法は、可撓性絶縁べ−ス材に銅箔等の導電層を積層したもの又は可撓性絶縁べ−ス材の少なくとも一方面に電解メッキ等の手段で導電層を一様に形成したものを用意し、その導電層の必要部分をフォトレジスト材等を用いてマスキング処理した後、露出している不要な導電層領域をエッチング手段で除去することによって所要の配線パタ−ンを形成するものである。
【０００３】
また、アディティブ法によって可撓性回路基板を製作するには、適当な可撓性絶縁べ−ス材の表面にメッキリ−ドとなるシ−ド層を形成した後、所要の配線パタ−ンを形成できるパタ−ンでシ−ド層の表面にフォトレジスト材等を用いてマスクパタ−ンを形成し、次に、電解メッキ法によりシ−ド層の露出した領域に銅等の導電性部材を被着して配線パタ−ンを形成し、また、必要に応じてそれらの配線パタ−ンの表面には同じく電解メッキ法で金等の異種金属を用いて表面導電層を形成し、最後に、不要となったマスクパタ−ン及びその底部に位置するシ−ド層の領域を除去することにより、可撓性絶縁べ−ス材の上面にシ−ド層部分、配線パタ−ン及び表面導電層等から構成される所要の配線パタ−ンを形成するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の手法では、必要な配線パタ−ンの形成を電解メッキ手段で行うのが主体である為、配線パタ−ンの材質は電解メッキ法で形成可能な材質に限定されてしまう。従って、実装時に於ける電子部品との電気的接合性或いは配線パタ−ンの耐環境性等を高める為に、配線パタ−ンを電解メッキでは形成できないチタンなどの金属で形成することは不可能であった。
【０００５】
このような不都合を解消する他の手法としてはリフトオフ法がある。このリフトオフ法は、可撓性絶縁べ−ス材の表面の不要領域部分にフォトレジスト材等を用いてマスキング処理を施した後、スパッタリング法又は蒸着法により所要の金属を被着させて導電層を形成し、次いで不要となったマスク部材を除去することにより所要の配線パタ−ンを形成するものである。
【０００６】
しかし、可撓性絶縁べ−ス材は薄く剛性がない為に放熱板に密着しないことから、スパッタリング又は蒸着時にマスク部材の放熱が十分に行われない為、このマスク部材が熱による損傷を受けて適正な配線パタ−ンを形成することが不可能な場合がある。
【０００７】
そこで、本発明では、スパッタリング法又は蒸着法によるリフトオフ法を採用した場合でも電解メッキ手段等では形成できない金属で所要の配線パタ−ンを好適に形成可能な可撓性回路基板の製造法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
その為に、本発明に係る可撓性回路基板の製造法では、上面に所要の配線パタ−ンを形成できるパタ−ンでフォトレジスト材等のマスクパタ−ンを形成した可撓性絶縁べ−ス材を高真空下でもガスの発生しない耐熱性高真空用シリコングリス等からなる密着液を介して放熱板に密着させた状態で前記可撓性絶縁べ−ス材の上面にスパッタリング法又は蒸着法でチタン等の金属によって所要の配線パタ−ンを形成するものである。
【０００９】
その場合、前記スパッタリング法又は蒸着法により前記所要の配線パタ−ンを形成する工程の前に、サブトラクティブ法又はアディティブ法で前記配線パタ−ンの下地を形成することもできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図示の実施例を参照しながら本発明を更に詳述する。図１は、本発明の一実施例による可撓性回路基板の製造工程図である。
【００１１】
先ず、図１（１）の如く、ポリイミドフィルム等の適当な可撓性絶縁べ−ス材１の表面に所要の配線パタ−ンを形成できるパタ−ンでフォトレジスト材等を用いてマスクパタ−ン２を形成する。
【００１２】
上記のマスクパタ−ン２の膜厚は、形成すべき所要の配線パタ−ンの厚みより厚く形成し、また、そのマスクパタ−ン２の側面形状は垂直又は逆台形に形成することができる。
【００１３】
次いで、同図（２）の如く、可撓性絶縁べ−ス材１の裏面に耐熱性であって高真空下でもガスの発生しない高真空用シリコングリス等からなる密着液６を一様に介在させて放熱板５を配置し、これにより可撓性絶縁べ−ス材１と放熱板５とを密着液６を介して均一に密着させて、マスクパタ−ン２の放熱性を確保しておく。
【００１４】
そこで、矢印で示す如く、電解メッキ法では形成できないチタン等の金属をスパッタリング法又は蒸着法により被着して配線パタ−ン３を形成するが、その際にはマスクパタ−ン２の上面にも被着層４が形成される。
【００１５】
斯かるリフトオフ法による配線パタ−ン３の形成時には、可撓性絶縁べ−ス材１と放熱板５とが密着液６を介して均一に密着して、マスクパタ−ン２の放熱性が確保されているので、スパッタリング又は蒸着時にマスクパタ−ン２の損傷が好適に防止され、これにより精度の良好な高品質の配線パタ−ン３を形成することができる。
【００１６】
最後に、同図（３）のように、被着層４と共に不要となったマスクパタ−ン２を除去することにより、可撓性絶縁べ−ス材１の上面に電解メッキ法では形成できないチタン等の金属からなる所要の配線パタ−ン３を形成した可撓性回路基板を得ることができる。
【００１７】
なお、上記のリフトオフ法による配線パタ−ン３の形成前に、サブトラクティブ法又はアディティブ法でその配線パタ−ンの下地を形成することもできる。
【００１８】
【発明の効果】
本発明による可撓性回路基板の製造法によれば、リフトオフ法による配線パタ−ンの形成時に、可撓性絶縁べ−ス材と放熱板とが密着液を介して均一に密着して、マスクパタ−ンの放熱性が確保されているので、スパッタリング又は蒸着時にマスクパタ−ンの損傷が好適に防止され、従って、精度の良好な高品質の配線パタ−ンを形成することができる。
【００１９】
上記手法の採用により、本発明によれば従来の電解メッキ手段では形成できないチタン等の金属をスパッタリング法又は蒸着法で被着して確実に所要の配線パタ−ンを形成することができる。
【００２０】
従って、実装時に於ける電子部品との電気的接合性或いは配線パタ−ンの耐環境性等を高めることの可能な可撓性回路基板を安定的に製作できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による可撓性回路基板の製造工程図。
【符号の説明】
１  可撓性絶縁べ−ス材
２  マスクパタ−ン
３  配線パタ−ン
４  被着層
５  放熱板
６  密着液
【図１】
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