(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域と、
前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有する排気カバーと、
前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う排気手段と、
前記被処理体を加熱する際に、前記第１の領域の外周と前記排気カバーとの隙間を塞ぐシャッター部材と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項２】
被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域と、
前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有する排気カバーと、
排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う排気手段とを具備し、
前記排気手段が、前記被処理体を加熱しないときにも前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行うことを特徴とする加熱処理装置。
【請求項３】
被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域と、
前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有し、箱型の構造で、側面から前記排気手段に接続された排気カバーと、
前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う排気手段と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項４】
被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域と、
前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有する排気カバーと、
前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う排気手段と、
前記排気カバーを加熱するための加熱手段と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項５】
被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域と、
前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有する排気カバーと、
前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う排気手段と、
前記排気孔の入口に取り付けられた、多数の透孔を有する板状部材と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項６】
被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域を備え、
前記第１の領域とこの第１の領域を取り囲む第２の領域とを同時に排気するようにしたことを特徴とする加熱処理装置。
【請求項７】
請求項６記載の加熱処理装置であって、
前記被処理体を加熱しないときにも前記第１の領域及び前記第２の領域を排気するようにしたことを特徴とする加熱処理装置。
【請求項８】
請求項５記載の加熱処理装置であって、
前記第１の領域の透孔の径と前記第２の領域の透孔の径とは異なることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項９】
請求項５または８記載の加熱処理装置であって、
前記第１の領域の透孔の径は、前記第２の領域の透孔の径より小さいことを特徴とする加熱処理装置。
【請求項１０】
請求項１記載の加熱処理装置であって、
前記シャッター部材には、加熱機構が設けられていることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のうちいずれか１項に記載の加熱処理装置であって、
前記排気手段の排気経路には、排気する気体に含まれる不純物の除去をおこなうトラップ部が設けられていることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のうちいずれか１項に記載の加熱処理装置であって、
前記排気カバー内の不純物の除去をおこなう洗浄機構を備えていることを特徴とする加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレジスト処理工程において半導体ウェハ等の被処理体を加熱処理する加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスでは、フォトリソグラフィー技術が利用されている。フォトリソグラフィー技術においては、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」と呼ぶ。）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジストを所定パターンに露光処理し、さらに現像処理する。これによりウェハ上に所定パターンのレジスト膜が形成され、さらに成膜及びエッチング処理することにより所定パターンの回路が形成される。
【０００３】
従来から、これら一連のレジスト処理は、例えばレジスト液塗布ユニットや現像処理ユニット、加熱処理ユニット等が一体化された塗布現像処理システムを用いて行われている。
【０００４】
図１３は従来の塗布現像処理システムにおける加熱処理ユニットの一例を示す正面図である。
図１３に示すように、加熱処理ユニット１０１のほぼ中央にウェハＷを加熱処理するためのホットプレート１０２が配置され、ホットプレート１０２表面からウェハＷの受け渡しのための複数の支持ピン１０３が出没可能となっている。また、ホットプレート１０２の周囲には、ホットプレート１０２を取り囲むように出没可能とされたシャッター部材１０４が配置されている。
【０００５】
ホットプレート１０２の上面には、ホットプレート１０２上の雰囲気を排気するための排気カバー１０５が配置されている。排気カバー１０５は、ホットプレート１０２とほぼ等しい直径の円錐形状を有し、そのほぼ中央（ホットプレート１０２のほぼ中央に対応する位置）より図示を省略した排気装置に接続されている。
【０００６】
そして、支持ピン１０３がホットプレート１０２から突き出て、シャッター部材１０４が没した状態で、図示を省略した搬送装置からウェハＷを受け渡される。
【０００７】
次に、支持ピン１０３が下降してホットプレート１０２より没し、シャッター部材１０４が上昇し、ホットプレート１０２とシャッター部材１０４と排気カバー１０５との間で閉空間が形成される。この状態で、ウェハＷが加熱処理され、排気カバー１０５を介して揮発した溶剤の排気が行われる。
【０００８】
この後、支持ピン１０３が上昇してウェハＷをホットプレート１０２から浮かせ、同時にシャッター部材１０４が下降し、搬送装置へウェハＷが受け渡される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した加熱処理ユニット１０１では、加熱処理の際にホットプレート１０２とシャッター部材１０４と排気カバー１０５との間で形成される閉空間内に揮発した溶剤の雰囲気が充満しているため、特に加熱処理終了後にウェハＷを搬送装置へ受け渡すためにシャッター部材１０４が下降したときに、揮発した溶剤が加熱処理ユニット１０１の外に漏れ、他のプロセスに悪影響を与える、という課題がある。また、上述した従来の排気カバー１０５はその中央より排気装置に接続される構造であるため、排気カバー１０５内における排気の流れに偏りを生じて均一に排気ができず、ウェハＷにおけるレジスト膜厚の均一性を悪化させる、という課題もある。さらに、揮発した溶剤が排気カバー１０５の温度の低い部分に結露し、この量が多くなると結露した溶剤がウェハＷ上に落下する、という課題もある。
【００１０】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、揮発した溶剤が装置外へ漏れることがない加熱処理装置を提供することを目的としている。
本発明の別の目的は、均一に排気を行うことができる加熱処理装置を提供することを目的としている。
本発明のさらに別の目的は、揮発した溶剤が結露して被処理体上に落下することがない加熱処理装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、請求項１記載に係る本発明の加熱処理装置は、被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域と、前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有する排気カバーと、前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う排気手段と、前記被処理体を加熱する際に、前記第１の領域の外周と前記排気カバーとの隙間を塞ぐシャッター部材とを具備するものである。
【００１３】
請求項２に係る本発明の加熱処理装置は、被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域と、前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有する排気カバーと、前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う排気手段とを具備し、前記排気手段が、前記被処理体を加熱しないときにも前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行うものである。
【００１４】
請求項３に係る本発明の加熱処理装置は、被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域と、前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有し、箱型の構造で、側面から前記排気手段に接続された排気カバーと、前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う排気手段とを具備し、前記排気カバーが、箱型の構造で、側面から前記排気手段に接続されているものである。
【００１５】
請求項４に係る本発明の加熱処理装置は、被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域と、前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有する排気カバーと、前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う排気手段と、前記排気カバーを加熱するための加熱手段とを具備するものである。
【００１６】
請求項５に係る本発明の加熱処理装置は、被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域と、前記第１の領域及びこの第１の領域を取り囲む第２の領域と対面するように設けられた排気孔を有する排気カバーと、前記排気孔を介して前記第１及び第２の領域の排気を行う排気手段と、前記排気孔の入口に取り付けられた、多数の透孔を有する板状部材とを具備するものである。
【００１７】
請求項６に係る本発明の加熱処理装置は、被処理体が載置され加熱される第１の領域を有する加熱処理領域を備え、前記第１の領域とこの第１の領域を取り囲む第２の領域とを同時に排気するようにしたものである。
【００１８】
請求項７に係る本発明の加熱処理装置は、請求項６記載の加熱処理装置であって、前記被処理体を加熱しないときにも前記第１の領域及び前記第２の領域を排気するようにしたものである。
【００１９】
請求項１、６記載に係る本発明では、被処理体が載置され加熱される第１の領域を取り囲む第２の領域についても排気を行うように構成したので、第１の領域中で揮発した溶剤が第２の領域においても排気され、当該装置外へ漏れることはない。また、第２の領域から周囲の溶剤を含まない気体を排気カバー内に取り入れるようになるので、排気カバー内における揮発溶剤の濃度が薄まり、揮発した溶剤が排気カバー内に結露して付着することが少なくなる。
【００２０】
請求項１に係る本発明では、被処理体を加熱する際に、第２の領域についての排気に加えて、シャッター部材によって第１の領域の外周と排気カバーとの隙間を塞いでいるので、第２の領域で排気カバー内に流れる排気が第１の領域で排気カバー内に流れる排気の流れを乱すようなことがなくなり、揮発した溶剤が当該装置外へ漏れることはない。
【００２１】
請求項２、７に係る本発明では、被処理体を加熱しないときにも第１及び第２の領域を排気するように構成したので、加熱処理終了後においても揮発した溶剤が当該装置外へ漏れることはない。
【００２２】
請求項３に係る本発明では、排気カバーが箱型の構造であるので、排気カバー内が排気すべき気体を一旦蓄えるバッファーとして機能することになり、またその側面から排気を行うようにしたので、排気カバー内をより均一に排気することができ、従って排気カバーによってより均一な排気を行うことができる。
【００２３】
請求項４に係る本発明では、排気カバーを加熱しているので、揮発した溶剤が排気カバー内に結露して付着することがなくなる。
【００２４】
請求項５に係る本発明では、多数の透孔を有する板状部材を排気孔の入口に取り付けたので、より均一な排気を行うことが可能となる。また、排気カバーに揮発した溶剤が結露してもその溶剤が被処理体上に落下する可能性が低くなる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの平面図、図２は図１に示した塗布現像処理システムの正面図、図３は図１に示した塗布現像システムの背面図である。
【００２６】
図１乃至図３に示すように、この塗布現像処理システム１は、カセットステーション１０、処理ステーション１１及びインターフェイス部１２を一体に接続した構成を有している。カセットステーション１０では、ウエハＷがカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位で、外部から塗布現像処理システム１に搬入され、また塗布現像処理システム１から外部に搬出される。また、カセットＣに対してウエハＷが搬出・搬入される。処理ステーション１１では、塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インターフェイス部１２では、この塗布現像処理システム１に隣接して設けられる露光装置１３との間でウエハＷが受け渡される。
【００２７】
カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に複数個、例えば４個のカセットＣが、それぞれのウエハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置される。このカセットＣ配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収容されたウエハＷのウエハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスする。
【００２８】
ウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３における多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００２９】
処理ステーション１１では、図１に示すように、その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設けられ、その周りに各種処理ユニットが１組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニット群を構成している。かかる塗布現像処理システム１においては、５つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能な構成であり、第１及び第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２はシステム正面側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配置され、さらに破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５を背面側に配置することが可能となっている。搬送装置２２は、θ方向に回転自在でＺ方向に移動可能に構成されており、各処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しが可能とされている。
【００３０】
第１の処理ユニット群Ｇ１では、図２に示すように、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。そして第１の処理ユニット群Ｇ１と同様に、第２の処理ユニット群Ｇ２においても、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
【００３１】
図２に示すように、この塗布現像処理システム１の上部には、例えばＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタ２３が、前記３つのゾーン（カセットステーション１０、処理ステーション１１、インターフェイス部１２）毎に設けられている。この高性能フィルタ２３の上流側から供給された空気は、当該高性能フィルタ２３を通過する際に、パーティクルや有機成分が捕集、除去される。したがって、この高性能フィルタ２３を介して、上記のカセット載置台２０、ウエハ搬送体２１の搬送路２１ａ、第１〜第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、後述する第３〜第５の処理ユニット群Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５及びインターフェイス部１２には、上方からの清浄な空気のダウンフローが、同図の実線矢印または点線矢印の方向に供給されている。
【００３２】
第３の処理ユニット群Ｇ３では、図３に示すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００３３】
同様に、第４の処理ユニット群Ｇ４では、図３に示すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、冷却処理も兼ねたエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００３４】
このように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）やエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。
【００３５】
インターフェイス部１２では、図１に示すように、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。図１及び図２に示すように、このインターフェイス部１２の正面側には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺露光装置２４が配設されている。
【００３６】
インターフェイス部１２の中央部には、ウエハ搬送体２５が設けられている。ウエハ搬送体２５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセットＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２４にアクセスできるようになっている。ウエハ搬送体２５は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、処理ステーション１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置１３側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００３７】
図４は本発明の加熱処理装置に係るポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の正面図である。
図４に示すように、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）のほぼ中央には、ウェハＷを加熱処理するためのホットプレート３１が配置されている。このホットプレート３１内には、例えば加熱された流体が流れる配管（図示を省略）が設けられ、この配管に加熱された流体を流すことでホットプレート３１が加熱されるようになっている。このホットプレート３１には、ウェハＷの受け渡しのための複数の支持ピン３２が出没可能に配置され、ホットプレート３１の裏面に配置された昇降機構３３により昇降されるようになっている。
【００３８】
また、ホットプレート３１の周囲には、ホットプレート３１を取り囲むようにシャッター部材３４が出没可能に配置され、ホットプレート３１の裏面に配置された昇降機構３５により昇降されるようになっている。さらに、シャッター部材３４の内壁には、高温ガス、例えば不活性ガスとしてのＮ２を噴出するための噴出孔３６が多数設けられている。噴出孔３６は高温ガス供給装置（図示を省略）に接続されている。
ホットプレート３１の上面には、箱型の構造の排気カバー３７が配置されている。
【００３９】
図５はこの排気カバー３７を図４におけるＡ−Ａ矢視方向から見た図である。図４及び図５に示すように、この排気カバー３７のホットプレート３１と対面する面には、排気孔３８が設けられている。この排気孔３８は、ホットプレート３１上の第１の領域▲１▼ばかりでなく、この第１の領域▲１▼を取り囲む第２の領域▲２▼まで及ぶ大きさにされている。そして、排気孔３８の入口には、多数の透孔３９を有する板状部材４０が配置されている。
【００４０】
また、この排気カバー３７の上部には、排気カバー３７内を加熱するための加熱装置４１が配置されている。
さらに、排気カバー３７の一側面には、排気パイプ４２が接続され、排気パイプ４２には排気装置４３が接続されている。そして、上記の第１の領域▲１▼及び第２の領域▲２▼が排気孔３８を介してこの排気装置４３により排気されるようになっている。
【００４１】
次に動作について説明する。
まず、支持ピン３２がホットプレート３１から突き出て、シャッター部材３４が没した状態で、搬送装置２２から支持ピン３２上にウェハＷが受け渡される。次に、支持ピン３２が下降してホットプレート３１より没し、シャッター部材３４が上昇し、ホットプレート３１とシャッター部材３４と排気カバー３７との間で閉空間が形成される。この状態で、ウェハＷが加熱処理される。
【００４２】
図６はそのときの図４の一部拡大図である。
図６の実線矢印に示すように、排気カバー３７は、ホットプレート３１上の第１の領域▲１▼ばかりでなく、この第１の領域▲１▼を取り囲む、即ちシャッター部材３４の外周の第２の領域▲２▼についても排気を行う。
【００４３】
この後、支持ピン３２が上昇してウェハＷをホットプレート３１から浮かせ、同時にシャッター部材３４が下降し、搬送装置２２へウェハＷが受け渡される。
【００４４】
図７はそのときの図４の一部拡大図である。
この場合も、即ちウェハＷを加熱していないときにも、図７の実線矢印に示すように、排気カバー３７は、ホットプレート３１上の第１の領域▲１▼及びそれを取り囲む第２の領域▲２▼の排気を行う。
【００４５】
以上のように、この実施の形態によれば、ホットプレート３１上の第１の領域▲１▼及びそれを取り囲む第２の領域▲２▼の排気を行うようにしたので、第１の領域▲１▼中で揮発した溶剤が第２の領域▲１▼においても排気され、当該ユニット外へ漏れることはなく、他のプロセスへ悪影響を与えることはなくなる。しかも、揮発溶剤の濃度が高くなる加熱処理の際には、シャッター部材３４によって第１の領域▲１▼と第２の領域▲２▼を塞いでいるので、第２の領域▲２▼で排気カバー３７内に流れる排気が第１の領域▲１▼で排気カバー３７内に流れる排気の流れを乱すようなことがなくなるので、揮発した溶剤がシャッター部材３４より漏れることが少なくなり、これによっても揮発した溶剤が当該ユニット外へ漏れることはなくなる。加えて、加熱処理を行っていないときにも排気カバー３７により排気を行っているので、加熱処理終了後にウェハＷを搬送装置２２へ受け渡すためにシャッター部材３４が下降したときであっても揮発した溶剤がユニット外に漏れることもなくなる。
【００４６】
また、この実施の形態によれば、第２の領域▲２▼から周囲の溶剤を含まない気体を排気カバー３７内に取り入れるようになるので、排気カバー３７内における揮発溶剤の濃度が薄まり、揮発した溶剤が排気カバー３７内に結露して付着することが少なくなる。しかも、加熱装置４１により排気カバー３７内を加熱するように構成したので、結露が生じることは皆無となる。
【００４７】
さらに、排気カバー３７が箱型の構造であるので、排気カバー３７内が排気すべき気体を一旦蓄えるバッファーとして機能することになり、またその側面から排気を行うようにしたので、排気カバー３７内をより均一に排気することができ、従って排気カバー３７によってより均一な排気を行うことができる。
【００４８】
次に本発明の他の実施の形態について説明をおこなう。図８は、図６で示した図４の一部拡大図の他の実施の形態である。
この図８に示すように、シャッター部材３４の内部には加熱機構、例えばヒーター２００とシャッター部材３４の温度を検出する温度検出機構、例えば熱電対２０１が設けられている。前記ヒーター２００は、電力供給装置、例えば交流電源２０２に接続され、この交流電源２０２からの電力により所定の温度にシャッター部材３４の温度を設定可能に構成されている。また、前記熱電対２０１の温度検出データは制御機構、例えばＣＰＵ２０３に取りこまれ、温度検出データに基づいて、ＣＰＵ２０３は、前記交流電源２０２にヒーター２００に送る電力の量を指示するよう構成している。このように、シャッター部材３４の温度を所望の温度、例えばウェハＷから揮発した溶剤の付着を抑制する温度に設定できるので、前記溶剤が付着してパーティクルとなる発生要因を予防することが可能となり、ウェハＷの処理の歩留まりを向上することができる。
【００４９】
また、シャッター部材３４に設けられた噴出孔３６から噴出するＮ２の温度を所望の温度に加熱することができるので、Ｎ２の温度と処理空間内の温度とを略同温に設定しておけばウェハＷの温度がＮ２の吹き出し部分での温度低下を抑えることができ、ウェハＷの温度の面内均一性を高めることができ、ウェハＷの処理の歩留まりを向上することができる。
【００５０】
また、第１の領域▲１▼の上方の透孔３９はその孔径がφｘ２に設定され、また第２の領域▲２▼の上方の透孔３９はその孔径がφｘ１に設定されている。これらの孔径の関係は、φｘ１＞φｘ２の関係に設定されている。
したがって、第１の領域▲１▼からの孔単位の排気量は第２の領域▲２▼の孔単位の排気量より小さくなる、このように、第１の領域▲１▼の透孔３９と第２の領域▲２▼の透孔３９の径を変化させる事によりシャッター部材３４内の処理空間からの排気量を調節でき、その処理空間の保温性を高め、ホットプレート３１の温度を安定化することができる。その結果、ウェハＷの温度の面内均一性が良くなり処理の歩留まりを向上することができる。
また、前述において第１の領域▲１▼の上方の透孔３９の孔径と第２の領域▲２▼の上方の透孔３９の孔径φｘ１の関係をφｘ１＞φｘ２の関係に設定したが、ウェハＷの処理プロセス等において、これらの関係をφｘ１＜φｘ２に設定しても良いことは言うまでもない。
【００５１】
また、排気カバー３７の側壁には、さらに透孔３９ａが設けられており、この透孔３９ａからも気体を吸引可能に構成している。このように排気カバー３７の側壁にも透孔３９ａを設けたことにより、第１の領域▲１▼の透孔３９と第２の領域▲２▼の透孔３９から吸引した垂直流の気体をより水平流に加速することができ、排気カバー３７内での渦流の発生を抑制でき、さらに排気カバー３７内での吸引した気体に含有する溶剤の付着を抑制することができる。したがって、前記溶剤が付着してパーティクルとなる発生要因を予防することが可能となり、ウェハＷの処理の歩留まりを向上することができ、排気カバー３７内を洗浄するメンテナンス時間の周期を延命化することができ装置の稼働率を向上することができる。
【００５２】
次に本発明の他の実施の形態について説明をおこなう。図９は、図４で示したポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の正面図の他の実施の形態である。この図９に示すように、排気装置４３側の排気経路としての排気パイプ４２の下方壁２１０は、排気装置４３方向に所定の角度θで下降傾斜するよう構成されている。これは、万が一にも排気カバー３７内に結露等が生じた際、排気装置４３方向にその液体が流れるようにしたものである。したがって、排気カバー３７の透孔３９から結露した液体が漏れ出しウェハＷへの付着を防止しているので、ウェハＷの処理の歩留まりを向上することができるよう構成されている。
【００５３】
さらに、下方壁２１０の排気装置４３側には、結露した液体を収容する溜め部２１１を有するトラッブ部２１２が配置されている。このトラッブ部２１２の溜め部２１１の下方位置には溜め部２１１に収納される結露した液体を排出するための排出口２１３が設けられ、この排出口２１３は排液路２１４に接続され、排出されるよう構成されている。
さらに、溜め部２１１・排出口２１３・排液路２１４の側方には、加熱機構、例えばヒーター２１５が設けられており、結露した液体が固化するのを防止している。
【００５４】
また、トラッブ部２１２の上方位置には、排気カバー３７内の気体に含まれる溶剤等を強制的に液化するための冷却機構２１６が設けられており、冷却機構２１６には、冷却機構２１６に電力を供給する電力供給機構としての直流電源が接続されている。したがって、冷却機構２１６により排気カバー３７内の気体に含まれる溶剤等は強制的に液化されトラッブ部２１２に回収される。
このように構成されたことにより、排気装置４３による排気気体に溶剤等が含まれないために、排気装置４３の寿命を延命化することができる。
【００５５】
次に本発明の他の実施の形態について説明をおこなう。図１０は、図５で示した排気カバーを図４におけるＡ−Ａ矢視方向から見た図の他の実施の形態である。
この図１０に示すように、排気カバー３７を排気する排気経路としての排気パイプ４２が複数方向、例えば４方向に設けられている。これらの４方向に設けられた排気パイプ４２は排気装置４３に接続される。このように、４方向から排気パイプ４２によって排気カバー３７内を排気するので、より均一に排気カバー３７内を排気することができ、ウェハＷ上の排気ムラを防止することが可能となる。
したがって、ウェハＷの処理の歩留まりを向上することができる。
【００５６】
次に本発明の他の実施の形態について説明をおこなう。図１１は、図４で示した加熱処理装置に係るポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の正面図の他の実施の形態である。
この図１１に示すように、排気カバー３７内には、この排気カバー３７内を移動可能に構成された洗浄機構としての洗浄ブラシ２２０が配置されている。
この洗浄ブラシ２２０は、図１２に示すように洗浄ブラシ２２０は、アーム部２２１により保持されると共にこのアーム部２２１の移動により回動可能に構成されている。また、洗浄ブラシ２２０は胴体部２２２とこの胴体部２２２に植毛された複数の毛体２２３とで構成されている。
この洗浄ブラシ２２０は、ウェハＷの処理後或いは装置のメンテナンス時に稼動し、排気カバー３７内に付着した不要物を清掃することができる。
これにより、排気カバー３７内を洗浄するメンテナンス時間の周期を延命化することができ装置の稼働率を向上することができる。
【００５７】
また、シャッター部材３４に設けられた複数の噴出孔３６は高温ガス供給装置、例えば不活性ガスとしてのＮ２供給装置２３０と処理空間及び排気カバー３７内に付着した不要物を清掃する洗浄ガスを供給する洗浄ガス供給装置２３１とのそれぞれの一方を選択可能とする三方弁２３２と接続されている。
この三方弁２３２は、制御機構としてのＣＰＵ２０３の指示信号２３４により制御される。
すなわち、ウェハＷの処理中においては、ＣＰＵ２０３の指示信号２３４により三方弁２３２はＮ２供給装置２３０と接続され、ウェハＷの処理後或いは装置のメンテナンス時の所定の時期、つまり洗浄を必要とする時期においてＣＰＵ２０３の指示信号２３４により三方弁２３２は洗浄ガス供給装置２３１と接続される。
このように構成したことで、有効に装置内に付着した溶剤等を洗浄することができるのでパーティクルとなる発生要因を予防することが可能となり、ウェハＷの処理の歩留まりを向上することができる。
また、前述の洗浄ブラシでの洗浄と共に併用することでさらに洗浄効率を高めることも可能である。
【００５８】
なお、本発明は上述した実施の形態には限定されない。
例えば、上記実施の形態では、排気孔３８が矩形であったが、これに限らず円形としたもよい。排気孔を円形とすることで、排気のバランスがよくなり、上述した乱流が発生する可能性をさらに低くすることができる。
また、被処理体としてはウェハＷばかりでなく、他の被処理体、例えばＬＣＤ基板等にも本発明を当然適用できる。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１、６記載に係る本発明によれば、第１の領域中で揮発した溶剤が第２の領域においても排気され、当該装置外へ漏れることはなくなる。また、第２の領域から周囲の溶剤を含まない気体を排気カバー内に取り入れるようになるので、排気カバー内における揮発溶剤の濃度が薄まり、揮発した溶剤が排気カバー内に結露して付着することが少なくなる。
【００６０】
請求項１に係る本発明によれば、第２の領域で排気カバー内に流れる排気が第１の領域で排気カバー内に流れる排気の流れを乱すようなことがなくなり、揮発した溶剤が当該装置外へ漏れることはなくなる。
【００６１】
請求項２、７に係る本発明によれば、加熱処理終了後においても揮発した溶剤が当該装置外へ漏れることはなくなる。
【００６２】
請求項３に係る本発明によれば、排気カバーによってより均一な排気を行うことができるようになる。
【００６３】
請求項４に係る本発明によれば、揮発した溶剤が排気カバー内に結露して付着することがなくなる。
【００６４】
請求項５に係る本発明によれば、より均一な排気を行うことが可能となる。また、排気カバーに揮発した溶剤が結露してもその溶剤が被処理体上に落下する可能性が低くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本発明の加熱処理装置に係るポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の正面図である。
【図５】排気カバーを図４におけるＡ−Ａ矢視方向から見た図である。
【図６】図４の一部拡大図である。
【図７】図４の一部拡大図である。
【図８】図６の他の実施の形態を示す図である。
【図９】図４の他の実施の形態を示す図である。
【図１０】図５の他の実施の形態を示す図である。
【図１１】図４の他の実施の形態を示す図である。
【図１２】図１１の一部拡大斜視図である。
【図１３】従来の加熱処理ユニットの正面図である。
【符号の説明】
３１    ホットプレート
３４    シャッター部材
３７    排気カバー
３８    排気孔
３９    透孔
４０    板状部材
４１    加熱装置
４３    排気装置
Ｗ      ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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