(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板への酸素注入を実行するステップと、
高温アニーリング中の注入酸素拡散を制御するために、前記基板の少なくとも一部分の上にマスクを堆積するステップと、
前記マスクをパターン形成するステップと、
前記基板をアニールして埋込み酸化膜を形成するステップと
をこの順に行い、
前記マスクによって被覆される領域では、アニーリング雰囲気に直接さらされる領域より薄い埋込み酸化膜ができる、
パターン形成埋込み酸化膜（ＢＯＸ）の形成方法。
【請求項２】
前記基板がシリコン・ウェハを含み、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マスクが、酸化物の上に形成された窒化物の上に形成された低温酸化物（ＬＴＯ）の３層構造を含むアニール・マスクを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記マスクが、フォトレジスト・リソグラフィおよび反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）を使用してパターン形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基板を１３００℃ないし１４００℃のアニーリング温度でアニールし、前記アニーリングにより絶縁体上のシリコン（ＳＯＩ）層が生成されるように、前記アニーリングを８％を超える酸素を含むアルゴンの雰囲気で実行する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記雰囲気に直接さらされる開放領域に、マスクによって被覆された領域に形成される埋め込み酸化膜より厚い埋込み酸化膜が形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
横方向酸素拡散が、マスクされた領域に得られるパターン形成埋込み酸化膜のアニーリング雰囲気からマスクされたシリコン内への横方向酸素拡散を阻止するのに有効な最小面積を制限する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
パターン形成埋込み酸化膜の厚さが、所定の高温のアニーリング中に調整可能である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記埋め込み酸化膜を形成するステップの後に、前記基板の表面を平坦化するステップをさらに行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記平坦化するステップが、
アニール・マスクを剥離するステップと、
前記基板の材料をエピタキシャル成長させて、前記基板の表面にあるトレンチを充填し、
前記表面を研磨するステップと、
前記基板を酸化によって所望の厚さまで薄くし、次いで酸化物を剥離する
ステップとをこの順で行う、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
注入酸素量が前記埋込み酸化膜の厚さを制御し、前記マスクによって被覆された前記少なくとも一部分における前記埋込み酸化膜が断続することを可能にする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記注入の量を所定の水準未満に減少すると、前記マスクによって被覆された部分の下の埋込み酸化膜が形成されず、前記埋込み酸化膜が不連続な部分を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記埋め込み酸化膜を形成するステップの後に、
前記基板の表面を研磨するステップと、
前記基板の材料をエピタキシャル成長させるステップと
をさらにこの順に行う、
請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板がシリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板がシリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
基板への酸素注入を実行するステップと、
高温アニーリング中の注入酸素拡散を制御するために、前記基板の少なくとも一部分の上にマスクを堆積するステップと、
前記基板をアニールして埋込み酸化膜を形成するステップと
をこの順に行い、
前記マスクによって被覆される領域では、アニーリング雰囲気に直接さらされる領域より薄い埋込み酸化膜ができる、
パターン形成埋込み酸化膜の形成方法。
【請求項１７】
アニーリングの前にマスクをパターン形成するステップ
をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記マスクが、酸化物の上に形成された窒化物の上に形成された低温酸化物（ＬＴＯ）の３層構造を含むアニール・マスクを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記マスクが、フォトレジスト・リソグラフィおよび反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）を使用してパターン形成される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
基板を１３００℃ないし１４００℃のアニーリング温度でアニールし、前記アニーリングにより絶縁体上のシリコン（ＳＯＩ）層が生成されるように、前記アニーリングを８％を超える酸素を含むアルゴンの雰囲気で実行する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
開放領域に、マスクによって被覆された領域に形成される埋め込み酸化膜より厚い埋込み酸化膜が形成される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
横方向注入拡散が、マスクされた領域に得られるパターン形成埋込み酸化膜のアニーリング雰囲気からマスクされたシリコン内への横方向酸素拡散を阻止するのに有効な最小面積を制限する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
パターン形成埋込み酸化膜の厚さが、所定の高温のアニーリング中に調整可能である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
前記埋め込み酸化膜を形成するステップの後に、前記基板の表面を平坦化するステップをさらに行う、請求項１６に記載の方法。
【請求項２５】
前記平坦化するステップが、
アニール・マスクを剥離するステップと、
前記基板の材料をエピタキシャル成長させて、前記基板の表面にあるトレンチを充填するステップと、
前記表面を研磨するステップと、
前記基板を酸化によって所望の厚さまで薄くし、次いで酸化物を剥離するステップ
をこの順に行う、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
注入量が前記埋込み酸化膜の厚さを制御し、前記マスクによって被覆された前記少なくとも一部分における前記埋込み酸化膜が断続することを可能にする、請求項１６に記載の方法。
【請求項２７】
前記注入の量を所定の水準未満に減少すると、前記マスクによって被覆された部分の下の埋込み酸化膜が形成されず、前記埋込み酸化膜が不連続な部分を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２８】
前記埋め込み酸化膜を形成するステップの後に、
前記基板の表面を研磨するステップと、
前記基板の材料をエピタキシャル成長させるステップと
をさらにこの順に行う、
請求項１６に記載の方法。
【請求項２９】
前記基板がシリコン基板を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項３０】
前記基板がシリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項３１】
前記基板がシリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）基板を含む、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造のための新規な技術に関し、さらに詳しくは、半導体デバイスのためにパターン形成埋込み酸化膜（ＢＯＸ）を作製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＳＯＩ（絶縁体上のシリコン）ウェハを使用して製造される相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）回路は、ラッチアップが無く、寄生ドイレン・ソース・キャパシタンスが低下し、浅い接合を形成し易く、ソフト・エラーに対する耐性が向上するなど、従来のバルクＣＭＯＳに勝る重要な利点を有する（例えばJ.P. Colinge, Silicon-On-Insulator Technology: materials to VLSI, 2nd Ed., Kluwer Academic Publishers, 1997を参照されたい）。
【０００３】
ＳＯＩウェハの用途はＣＭＯＳに限定されない。マイクロマシニング分野も、センサや断熱検出器の製造にＳＯＩウェハを使用する。ＳＩＭＯＸ（酸素注入による分離）は現在、ＳＯＩ（絶縁体上のシリコン）ウェハの製造に使用される主要技術である。ＳＩＭＯＸウェハは、埋込み酸化膜（ＢＯＸ）の上に浅薄なシリコン層を有する。
【０００４】
埋込みＳｉＯ2膜（ＢＯＸ）は、シリコン・ウェハの表面の下に酸素イオンを注入し、次いでウェハを高温でアニールすることによって形成される（例えば、一般的なアニール温度は約１３００℃ないし約１４００℃である）。原子的に平坦なＳｉおよびＳｉＯ2界面を持つ均一な連続したＢＯＸが形成される。酸素注入中に、ウェハは一般的に約６００℃ないし約６５０℃に加熱される。これは、注入中に注入損傷が「自己アニール」することを可能にする。注入量によって、温度ウィンドウは２００℃から約８００℃まで拡張することができる。標準量（１０18ｃｍ-2など）の場合、約５００℃より低い温度で注入を実行すると、トップＳｉ層は注入損傷のため非晶質化し、Ｓｉオーバ層は、さらなるアニール後に多結晶質のまま維持される。高電流注入装置を使用すると、追加加熱無しでウェハ加熱が達成される。低ビーム電流注入装置の場合、外部加熱とビーム電流加熱の組合せを使用して、要求されるウェハ加熱が達成される。
【０００５】
様々なＢＯＸ厚さのパターン形成ＢＯＸを作製するための従来の努力は、主としてマスクを通して酸素を注入することに的を絞っている。ＢＯＸ層は、酸素原子が注入マスクによって遮蔽されないか部分的に遮蔽される部分でのみ、形成される。しかし、この技術は、幾つかの理由から不利である。例えば、マスクの端縁領域の下に形成される高密度の欠陥（例えば主として転位）がある。
【０００６】
さらに、ウェハ製造の観点から、顧客から出荷されたウェハにＳＩＭＯＸ注入用の顧客のマスクで注入を行うより、「すぐにアニールできる状態のＳＩＭＯＸウェハ」を出荷し、顧客がその上に顧客特有のマスクをレイアウトできるようにする方が望ましい。
【０００７】
さらに、注入マスクによって保護された領域にはＢＯＸが形成されないので、１回の注入だけでデジタル・パターン形成ＢＯＸを生成することができる。２つのＢＯＸ厚さを持つＳＯＩウェハを得るためには、補足マスクを使用する２回目の注入が必要である。したがって、そのような工程のステップ数は増加し、よって工程は面倒かつ複雑になる。
【０００８】
さらに、従来の技術は、パターン形成ＢＯＸを得るために、２回のマスク注入を必要とする。１回目の酸素注入の深さ位置と２回目の注入の深さ位置の位置合わせは、埋込み酸化膜が薄い場合には特に、容易には達成されない。この問題を図１０および図１１に示す。図１０は望ましいＢＯＸを示し、図１１は位置ずれＢＯＸを示す。したがって、従来の技術では、第１ＢＯＸが必ずしも第２ＢＯＸに整合しない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来の方法および構造の上述およびその他の問題、弱点、および欠点に鑑みて、本発明の目的は、パターン形成埋込み酸化膜（ＢＯＸ）を形成する方法を提供することである。
【００１０】
別の目的は、高温アニーリング中にＢＯＸの厚さを調整することである。
【００１１】
さらに別の目的は、選択的ＢＯＸ注入の必要性をなくすことである。
【００１２】
さらになお別の目的は、ＳＯＩ膜が端縁領域における欠陥の密度に影響しないように、パターン形成ＢＯＸを設けることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１態様では、パターン形成埋込み酸化膜を形成する方法は、基板への注入を実行し、注入拡散を制御するために基板の少なくとも一部分の上にマスクを形成し、マスクをパターン形成し、基板をアニールして埋込み酸化膜を形成することを含み、マスクによって被覆される領域は、アニーリング雰囲気に直接さらされる領域より、埋込み酸化膜が薄くなる。
【００１４】
第２態様では、パターン形成埋込み酸化膜の形成方法は、基板への注入を実行し、注入拡散を制御するために基板の少なくとも一部分の上にマスクを形成し、基板をアニールして埋込み酸化膜を形成することを含み、マスクによって被覆される領域は、アニーリング雰囲気に直接さらされる領域より埋込み酸化膜が薄くなる。
【００１５】
本発明の構造および方法の独特かつ非自明な態様により、パターン形成ＢＯＸの厚さは、高温アニーリング中に調整することができる。
【００１６】
さらに、本発明の方法は、顧客／製品に特定的な選択的ＢＯＸ注入の必要性をなくし、したがって顧客に特定的な要求をウェハ製造工程から分離する。その上、パターン形成ＢＯＸは連続酸素注入から生成されるので、ＳＯＩ膜は、端縁領域の欠陥の密度に影響を及ぼさない。さらに、本発明では、第１（例えば薄い）ＢＯＸおよび第２（例えば厚い）ＢＯＸは同一注入によって生成されるので、第１ＢＯＸと第２ＢＯＸを整合させる必要性がない。
【００１７】
さらになお、酸素注入量を限界水準にまで減少させると、マスクで被覆された領域の下のＢＯＸを完全にピンチ・オフさせることができる。これにより、酸素注入中に遮蔽マスクを使用することなく、「デジタルＢＯＸ」の作製が可能になる（図１０は、開放領域で連続したＢＯＸが得られ、マスク領域の下で断続した（ほとんどピンチ・オフした）ＢＯＸが得られた断面を示す）。
【００１８】
本発明は経験的に検証されており、パターン形成されたＳＩＭＯＸウェハの例を断面写真で示す。
【００１９】
【発明の実施の形態】
今、図面を、特に図１ないし図１０を参照すると、本発明による方法および構造の好適な実施形態が示されている。
【００２０】
第１実施形態
図１ないし図８、および図１０を参照しながら、本発明に従ってパターン形成埋込み酸化膜を作製するための方法の第１実施形態について、以下で説明する。
【００２１】
図１を参照すると、最初に注入物３（例えば酸素、埋込み窒素膜を形成するための窒素、またはそれらの組合せ；例示の目的で、以下の説明では酸素を使用する）が、約３０ＫｅＶないし約４００ＫｅＶ、より好ましくは２１０ＫｅＶのエネルギおよび約６００℃ないし６５０℃の間のウェハ温度を使用して、基板１（シリコン、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等で形成される；例示の目的で、以下の説明ではシリコン基板を使用する）に注入される。使用される一般的な注入酸素量は、１０18ｃｍ-2または２×１０17ないし４×１０17ｃｍ-2の範囲である。所望のＳＯＩおよびＢＯＸの厚さによって、他の注入エネルギおよび酸素量を使用することができる。注入領域は、図１に参照番号２で示す。
【００２２】
その後、図２に示すように、高温アニーリング中の酸素拡散を制御するためのマスクを堆積し、パターン形成する。このマスクをアニール・マスクと呼ぶ。そのようなマスクの典型的構造は、酸化物（例えば厚さ５０ｎｍ）３の上に形成された１００ｎｍの窒化物４の上に形成された５００ｎｍの低温酸化物（ＬＴＯ）５の３層構造である。他の構成および厚さもまた、実施可能である。
【００２３】
マスクは、従来のフォトレジスト・リソグラフィおよび反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）を使用して、パターン形成される。マスク・パターン形成を図３に示す。
【００２４】
埋込み酸化膜（ＢＯＸ）を形成するために、ウェハは約１３００℃ないし約１４００℃のアニーリング温度でアニールされる。アニーリングは、酸素を約８％より多く、しかし一般的には２０％含むアルゴンの雰囲気内で実行される。アニーリングにより、ＳＯＩ層６が生成される。マスクによって被覆された領域には、アニーリング雰囲気に直接さらされる領域より薄いＢＯＸ７ができる。開放領域には厚いＢＯＸ８が形成される。例えば、薄いＢＯＸ７の典型的厚さは、約１０ｎｍないし約１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、約４０ｎｍであることがより好ましい。対照的に、厚いＢＯＸ８の典型的厚さは、約１００ｎｍないし約４００ｎｍの範囲内であることが好ましく、約１００ｎｍであることがより好ましい。比較的厚いＢＯＸと比較的薄いＢＯＸの比は、用途によって異なることに注意されたい。同じことは、上述の好適なＢＯＸの厚さにも当てはまる。アニールによって形成されたパターン形成ＢＯＸを図４に示す。
【００２５】
図５は、第１実施形態による発明的方法５００の流れ図を示し、これは図１ないし図４の処理ステップを示している。
【００２６】
具体的には、図５のステップ５０１で、基板の少なくとも一部分（例えば、ブランク・シリコン・ウェハの少なくとも一部分）に酸素注入が行われる。
【００２７】
ステップ５０２では、アニーリング中の酸素拡散を制御するために、基板上にマスクが形成される。
【００２８】
ステップ５０３で、マスクがパターン形成され、ステップ５０４で、高温（例えば、約１３００℃ないし約１４００℃の間の温度で）アニーリングが行われて、絶縁体上のシリコン層が生成される。マスクによって被覆された領域には、アニーリング雰囲気に直接さらされた領域より薄い埋込み酸化膜ができる。
【００２９】
横方向の酸素拡散は、得られる最小パターン形成ＢＯＸ領域を制限することがあることに注意されたい。すなわち、マスクされた領域では、アニーリング雰囲気からの酸素がシリコン内へ拡散することが阻止される。しかし、雰囲気からマスクされたシリコン内への酸素の横方向拡散のため、マスクの端縁には遷移領域がある。遷移領域の大きさは、拡散特性距離によって決定される。この特性距離は、主としてアニール温度および酸素濃度に依存する。マスクされた領域が拡散距離より小さければ、マスキングはＢＯＸへの酸素供給を阻止するのに有効ではなく、マスクの下にはより厚いＢＯＸが得られる。
【００３０】
本発明の第１実施形態の方法により、高温アニーリング中にパターンＢＯＸの厚さを調整することができる。また、顧客／製品特定的な選択的ＢＯＸ注入の必要が無く、したがって、顧客特定的な要求がウェハ製造工程から分離される。さらに、パターン形成ＢＯＸは連続酸素注入から生成されるので、ＳＯＩ膜は、端縁領域における欠陥密度に影響を及ぼさない。
【００３１】
実際、従来の方法（例えば、遮蔽マスクを用いて酸素の選択的注入に基づいてパターン形成ＢＯＸを生成する）に比べた本発明の利点を、表１に明瞭に示す。
【表１】
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【００３２】
第２実施形態
図９を参照しながら、本発明の第２実施形態を以下で説明する。
【００３３】
具体的には、上述の第１実施形態の工程の１つの欠点は、ＳＯＩの頂面が平坦でないことである。状況によっては、これは望ましくないかもしれない。したがって、平坦化された表面を希望する場合、図９に示すように、本発明の方法９００の第２実施形態を利用することができる。第２実施形態は、第１実施形態が実行された後で実行されることに注意されたい。
【００３４】
すなわち、ステップ９０１で、アニール・マスクを剥離する（例えば、好ましくは選択的エッチングによって）。例えば、窒化物マスクは、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）によって剥離することができ、ＬＴＯおよびパッド酸化物はフッ化水素酸（ＤＨＦ  １０：１）で剥離される。
【００３５】
次いで、ステップ９０２で、シリコンをエピタキシャル成長させる。このエピタキシャル成長工程により、充分に厚い膜が成長すると、全てのトレンチが充填される。そのような厚さは、平坦化しなければならないトポグラフィに依存する。例えば、シリコン・エピタキシは一般的に、表面段差を減少または完全に除去する傾向がある。膜の堆積をどのくらい厚くすべきかは、トレンチの寸法に非常に大きく依存する。また、最初にＣＭＰによって平坦化し、後でやっとエピタキシを適用して、所望のＳＯＩの厚さを得ることも可能である。
【００３６】
ステップ９０３で、シリコンの表面を、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ）によって研磨する。
【００３７】
最後に、ステップ９０４で、ＳＯＩを酸化によって希望の厚さ（例えば、希望の用途によって異なる）まで薄くし、次いで酸化物を剥離する。
【００３８】
したがって、第２実施形態により、多くの用途に望ましい平坦化表面が生成される。
【００３９】
本発明を幾つかの好適な実施形態の点から説明したが、本発明が請求の範囲に記載する発明の精神および範囲内で変更を加えて実施できることを、当業者は理解されるであろう。
【００４０】
例えば、この方法はパターン形成ＢＯＸに焦点を置いているが、マスクを用いたアニーリングをパターン形成無しで使用して、より薄いＢＯＸを得ることができる。
【００４１】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００４２】
（１）基板への注入を実行するステップと、
注入拡散を制御するために、前記基板の少なくとも一部分の上にマスクを形成するステップと、
前記マスクをパターン形成するステップと、
前記基板をアニールして埋込み酸化膜を形成するステップと
を含み、前記マスクによって被覆される領域では、アニーリング雰囲気に直接さらされる領域より薄い埋込み酸化膜ができる、パターン形成埋込み酸化膜（ＢＯＸ）の形成方法。
（２）前記基板がシリコン・ウェハを含み、前記注入が酸素注入を含む、上記（１）に記載の方法。
（３）前記マスクが、酸化物の上に形成された窒化物の上に形成された低温酸化物（ＬＴＯ）の３層構造を含むアニール・マスクを含む、上記（１）に記載の方法。
（４）前記マスクが、フォトレジスト・リソグラフィおよび反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）を使用してパターン形成される、上記（１）に記載の方法。
（５）基板を約１３００℃ないし約１４００℃のアニーリング温度でアニールし、前記アニーリングにより絶縁体上のシリコン（ＳＯＩ）層が生成されるように、前記アニーリングを約８％を超える酸素を含むアルゴンの雰囲気で実行する、上記（１）に記載の方法。
（６）前記雰囲気に直接さらされる開放領域により厚い埋込み酸化膜が形成される、上記（１）に記載の方法。
（７）横方向酸素拡散が、得られるパターン形成埋込み酸化膜の最小面積を制限する、上記（１）に記載の方法。
（８）パターン形成埋込み酸化膜の厚さが、所定の高温のアニーリング中に調整可能である、上記（１）に記載の方法。
（９）前記基板の表面を平坦化することをさらに含む、上記（１）に記載の方法。
（１０）前記方法がさらに、
アニール・マスクを剥離するステップと、
前記基板の材料をエピタキシャル成長させて、そこにあるトレンチを充填し、
前記表面を研磨するステップと、
前記基板を酸化によって所望の厚さまで薄くし、次いで酸化物を剥離する
ステップとを含む、上記（９）に記載の方法。
（１１）酸素量が前記埋込み酸化膜の厚さを制御し、前記マスクによって被覆された前記少なくとも一部分における前記埋込み酸化膜のピンチ・オフを可能にする、上記（１）に記載の方法。
（１２）前記注入の量を所定の水準未満に減少すると、前記マスクによって被覆された前記少なくとも一部分で前記埋込み酸化膜が不連続になる、上記（１）に記載の方法。
（１３）前記基板の表面を平坦化するステップと、
前記基板の材料をエピタキシャル成長させるステップと
をさらに含む、上記（１）に記載の方法。
（１４）前記基板がシリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）基板を含む、上記（１）に記載の方法。
（１５）前記基板がシリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板を含む、上記（１）に記載の方法。
（１６）前記注入が窒素注入を含む、上記（１）に記載の方法。
（１７）前記注入が酸素および窒素の注入を含む、上記（１）に記載の方法。
（１８）基板への注入を実行するステップと、
注入拡散を制御するために、前記基板の少なくとも一部分の上にマスクを形成するステップと、
前記基板をアニールして埋込み酸化膜を形成するステップと
を含み、前記マスクによって被覆される領域では、アニーリング雰囲気に直接さらされる領域より薄い埋込み酸化膜ができる、パターン形成埋込み酸化膜の形成方法。
（１９）アニーリングの前にマスクをパターン形成するステップ
をさらに含む、上記（１８）に記載の方法。
（２０）前記マスクが、酸化物の上に形成された窒化物の上に形成された低温酸化物（ＬＴＯ）の３層構造を含むアニール・マスクを含む、上記（１８）に記載の方法。
（２１）前記マスクが、フォトレジスト・リソグラフィおよび反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）を使用してパターン形成される、上記（１８）に記載の方法。
（２２）基板を約１３００℃ないし約１４００℃のアニーリング温度でアニールし、前記アニーリングにより絶縁体上のシリコン（ＳＯＩ）層が生成されるように、前記アニーリングを約８％を超える酸素を含むアルゴンの雰囲気で実行する、上記（１８）に記載の方法。
（２３）開放領域により厚い埋込み酸化膜が形成される、上記（１８）に記載の方法。
（２４）横方向注入拡散が、得られるパターン形成埋込み酸化膜の最小面積を制限する、上記（１８）に記載の方法。
（２５）パターン形成埋込み酸化膜の厚さが、所定の高温のアニーリング中に調整可能である、上記（１８）に記載の方法。
（２６）前記基板の表面を平坦化するステップをさらに含む、上記（１８）に記載の方法。
（２７）前記方法がさらに、
アニール・マスクを剥離するステップと、
前記基板の材料をエピタキシャル成長させて、そこにあるトレンチを充填するステップと、
前記表面を研磨するステップと、
前記基板を酸化によって所望の厚さまで薄くし、次いで酸化物を剥離する
ことを含む、上記（２６）に記載の方法。
（２８）注入量が前記埋込み酸化膜の厚さを制御し、前記マスクによって被覆された前記少なくとも一部分における前記埋込み酸化膜のピンチ・オフを可能にする、上記（１８）に記載の方法。
（２９）前記注入の量を所定の水準未満に減少すると、前記マスクによって被覆された前記少なくとも一部分で前記埋込み酸化膜が不連続になる、上記（１８）に記載の方法。
（３０）前記基板の表面を平坦化するステップと、
前記基板の材料をエピタキシャル成長させるステップ
とをさらに含む、上記（１８）に記載の方法。
（３１）前記注入が酸素注入を含む、上記（１８）に記載の方法。
（３２）前記基板がシリコン基板を含む、上記（１８）に記載の方法。
（３３）前記基板がシリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板を含む、上記（１８）に記載の方法。
（３４）前記注入が窒素注入を含む、上記（１８）に記載の方法。
（３５）前記注入が酸素および窒素の注入を含む、上記（１８）に記載の方法。
（３６）前記基板がシリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）基板を含む、上記（１８）に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法に従って酸素注入により処理された構造物の断面図である。
【図２】本発明の方法に従って酸化物パッド上に堆積されたマスクを含む、図１に提示した構造物の断面図である。
【図３】マスクがパターン形成された状態の図２の構造物の断面図である。
【図４】本発明の方法に従ってアニールした後の図３の構造物の断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による発明的な方法の流れ図である。
【図６】本発明の方法によって形成された発明的な構造の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）であり、マスクで被覆された領域では薄いＢＯＸが見られ、開放領域（窒化物マスクの無い領域）ではより厚いＢＯＸが見られる。
【図７】本発明の方法によって形成された発明的な構造の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）であり、マスクで被覆された領域では薄いＢＯＸが見られ、開放領域（窒化物マスクの無い領域）ではより厚いＢＯＸが見られる。
【図８】本発明の方法によって形成された発明的な構造の走査型電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）であり、マスクで被覆された領域では薄いＢＯＸが見られ、開放領域（窒化物マスクの無い領域）ではより厚いＢＯＸが見られる。
【図９】本発明の第２実施形態による発明的な方法の流れ図である。
【図１０】従来の技術の問題点を示す断面図であり、望ましいＢＯＸを示す。
【図１１】従来の技術の問題点を示す断面図であり、位置ずれＢＯＸを示す。
【符号の説明】
１  基板
２  注入領域
３  埋込み酸化物
４  窒化物
５  低温酸化物
６  ＳＯＩ層
７  薄いＢＯＸ
８  厚いＢＯＸ
【図１】
0003698359.tif 000003
【図２】
0003698359.tif 000004
【図３】
0003698359.tif 000005
【図４】
0003698359.tif 000006
【図５】
0003698359.tif 000007
【図６】
0003698359.tif 000008
【図７】
0003698359.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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