(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式１
【化１】
0003707969.tif 000016
［式中、 Ａは
【化２】
0003707969.tif 000017
Ｂは
【化３】
0003707969.tif 000018
を示し、Ｒ はそれぞれ独立に水素、Ｃ1-12アルキル基、Ｃ1-12アルコキシ基、Ｃ1-12アシル基、Ｃ1-12アルコキシカルボニル基、−ＣＮ基、Ｃ1-12パーフルオロアルキル基、−ＯＣＦ3基、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、フェニル基、置換フェニル基（１〜３個の置換基を有し、それぞれの置換基は同一または異なっていてもよく、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基からなる群から任意に選ばれる）、−ＳｉＲ'3 （Ｒ'は同一または異なっていてもよく、アルキル基、分岐アルキル基、環状アルキル基、フェニル基、置換フェニル基からなる群から任意に選ばれる）を示す］で示される化合物の製造方法であって、一般式２
【化４】
0003707969.tif 000019
［式中、Ａ、Ｂ、Ｒは一般式１と同じ］で示される化合物と塩基を耐圧反応器内に仕込み、一般式２で示される化合物１モルに対して２〜２０モルのトリフルオロメタンスルホニルハライド（ハロゲンはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）をボンベからガスで直接圧入するか、沸点以下に冷却後、液化注入し、０．１〜１０ＭＰａ未満となる加圧条件下にて反応させることからなる、一般式１で示される化合物の製造方法。
【請求項２】
一般式１および一般式２中、Ｒが水素、Ｃ1-7アルキル基、Ｃ1-7アルコキシ基、Ｃ1-7アシル基、Ｃ1-7アルコキシカルボニル基、−ＣＮ基、Ｃ1-7パーフルオロアルキル基、−ＯＣＦ3基、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）より成る群から独立に選ばれる基であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
一般式１で示される化合物が、一般式３乃至５の何れかで示される化合物である請求項１に記載の製造方法。
【化５】
0003707969.tif 000020
【化６】
0003707969.tif 000021
【化７】
0003707969.tif 000022
［式中、Ｒ1は水素、Ｃ1-3アルキル基、Ｃ1-3アルコキシ基、Ｆ、Ｂｒ、またはＣＮ基を示す］
【請求項４】
一般式２で示される化合物がＲ体（またはＳ体）であり、一般式１で示される化合物がＲ体（またはＳ体）である請求項１乃至３の何れかに記載の製造方法。
【請求項５】
塩基が、トリアルキルアミン、ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジメチルベンジルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、ピリジン、２，４，６−トリメチルピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ルチジン類よりなる群から選ばれる有機塩基であり、５０℃〜１５０℃の温度範囲で反応させることを特徴とする、請求項１乃至４の何れかに記載の製造方法。
【請求項６】
塩基が、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム、水素化カルシウム、アルカリ金属の炭酸塩およびアルカリ金属の炭酸水素塩よりなる群から選ばれる無機塩基であり、０℃〜５０℃の温度範囲で反応させることを特徴とする、請求項１乃至４の何れかに記載の製造方法。
【請求項７】
反応を実質的なラセミ化を伴わずに実施する、請求項４に記載の製造方法。
【請求項８】
反応系を均質化させるために必要な量のアミド類を添加して行なうことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の製造方法。
【請求項９】
溶媒非存在下において反応させることを特徴とする、請求項１乃至７の何れかに記載の製造方法。
【請求項１０】
反応後に、カラムクロマトグラフィー処理、活性炭処理および再結晶操作から選ばれる少なくとも１つの処理により精製することを特徴とする、請求項１乃至９の何れかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は２，２'−ビス（トリフルオロメタンスルホニロキシ）−１，１'−ビナフチル類の製造法に関する。該物質は触媒的不斉誘導のためのキラル配位子として重要な２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１'−ビナフチル（以下、「ＢＩＮＡＰ」）類の前駆体として有用である。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＢＩＮＡＰの製造方法としてはいくつかの方法が知られているが、１つの有効な方法として、下式に示すようにビナフトールを一旦そのジトリフレート体としそれにジフェニルホスフィンを作用させてＢＩＮＡＰとする方法が、米国特許５３９９７７１号明細書に開示されている。
【０００３】
【化８】
0003707969.tif 000002
【０００４】
ビナフトールのジトリフレート体の製造方法は文献（例えばTetrahedron Letters 1990年、985頁）にビナフトールをトリフルオロメタンスルホン酸無水物と反応させて得られることが記述されている。
【０００５】
また、ＷＯ９９／３６３９７号公報には、ＢＩＮＡＰ前駆体としてトリフレート体と同種の機能を持つ炭素数の大きなパーフルオロスルホネート体が、ビナフトールをパーフルオロアルカンスルホニルハライド（ＣnＦ2n+1ＳＯ2Ｘ、但し、ｎは４〜１０、Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ）または酸無水物（（ＣnＦ2n+1ＳＯ2）2Ｏ、但し、ｎは４〜１０）でパーフルオロアルカンスルホニル化することにより得られることが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように一般にヒドロキシル基をトリフルオロメタンスルホニル化する場合には通常、酸無水物が用いられるが、下式に示すように酸無水物はトリフルオロメタンスルホニルフルオライドよりトリフルオロメタンスルホン酸を合成し、さらに脱水縮合する操作が必要で、酸フルオライドの製造よりも工程数が多く、経済的にも高価である。
【０００７】
【化９】
0003707969.tif 000003
【０００８】
また、酸無水物には二個のトリフルオロメタンスルホニル基があるにもかかわらず、ビナフトールの反応に関与するのは一個のみであり無駄である。
【０００９】
また、上記ＷＯ９９／３６３９７号公報においては、トリフルオロメタンスルホニルフルオライドは、揮発性が高く取り扱いが困難であると記載されている。
【００１０】
そこで、本発明は、ビナフトール類のジトリフレート体を工業的に入手可能な原料を用いてビナフトール類から製造する方法を提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を加えたところ、一般式２で示される化合物と塩基を耐圧反応器内に仕込み、一般式２で示される化合物１モルに対して２〜２０モルのトリフルオロメタンスルホニルハライド（ハロゲンはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）をボンベからガスで直接圧入するか、沸点以下に冷却後、液化注入し、０．１〜１０ＭＰａ未満となる加圧条件下にて反応させることで容易に目的とするビナフトール類のジトリフレート体が得られることを見いだし本発明に至った。
【００１２】
すなわち本発明は、一般式１
【００１３】
【化１０】
0003707969.tif 000004
【００１４】
［式中、Ａは
【００１５】
【化１１】
0003707969.tif 000005
【００１６】
Ｂは
【００１７】
【化１２】
0003707969.tif 000006
【００１８】
を示し、Ｒ はそれぞれ独立に 水素、Ｃ1-12アルキル基、Ｃ1-12アルコキシ基、Ｃ1-12アシル基、Ｃ1-12アルコキシカルボニル基、−ＣＮ基、Ｃ1-12パーフルオロアルキル基、−ＯＣＦ3基、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、フェニル基、置換フェニル基（１〜３個の置換基を有し、それぞれの置換基は同一または異なっていてもよくハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基からなる群から任意に選ばれる）、−ＳｉＲ'3 （Ｒ'は同一または異なっていてもよくアルキル基、分岐アルキル基、環状アルキル基、フェニル基、置換フェニル基からなる群から任意に選ばれる）を示す］で示される化合物の製造方法であって、一般式２
【００１９】
【化１３】
0003707969.tif 000007
【００２０】
［式中、Ａ、Ｂ、Ｒは上記と同じ］で示される化合物と塩基を耐圧反応器内に仕込み、一般式２で示される化合物１モルに対して２〜２０モルのトリフルオロメタンスルホニルハライド（ハロゲンはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）をボンベからガスで直接圧入するか、沸点以下に冷却後、液化注入し、０．１〜１０ＭＰａ未満となる加圧条件下にて反応させることからなる一般式１で示される化合物の製造方法である。
【００２１】
本発明の製造方法においては、一般式２で示される化合物のヒドロキシル基のみが反応においてトリフルオロメタンスルホニル化し、他の部分、置換基は変化しない。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る製造方法の出発原料は上記一般式２で示されるものであり、生成物は一般式１の化合物であってそれぞれの式中のＡ，Ｂ，Ｒは反応の前後で変化しない。
【００２３】
これらの化合物においては、Ａが
【００２４】
【化１４】
0003707969.tif 000008
【００２５】
であり、Ｂが
【００２６】
【化１５】
0003707969.tif 000009
【００２７】
であるのが好ましい。
また、Ｒは水素、Ｃ1-7アルキル基、Ｃ1-7アルコキシ基、Ｃ1-7アシル基、Ｃ1-7アルコキシカルボニル基、−ＣＮ基、Ｃ1-7パーフルオロアルキル基、−ＯＣＦ3基、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）より成る群から独立に選ばれるのが好ましい。
【００２８】
さらに好ましくは一般式１で示される化合物が、
【００２９】
【化１６】
0003707969.tif 000010
【００３０】
【化１７】
0003707969.tif 000011
【００３１】
【化１８】
0003707969.tif 000012
【００３２】
で示される化合物であって、式中のＲ1がそれぞれ独立に水素、Ｃ1-3アルキル基、Ｃ1-3アルコキシ基、Ｆ、Ｂｒ、またはＣＮ基である化合物が好ましく、とりわけ一般式４で示される化合物であってＲが水素である、１，１'−ビ−２−ナフトールのジトリフレートが好ましい。
【００３３】
以下、本発明のビナフトール類のジトリフレート体の製造方法について、詳細に説明する。
【００３４】
本発明のビナフトール類のジトリフレート体の製造方法においては、適当な塩基の存在下、ビナフトール類にトリフルオロメタンスルホニルハライドを作用させることにより、ジトリフレート体が効率よく生成する。
【００３５】
また、ビナフトール類にはＳ体およびＲ体の光学異性体が存在するので、それに対応して、Ｓ体からはＳ体であるビナフトール類のジトリフレート体が生成し、Ｒ体からはＲ体であるジトリフレート体が生成する。本反応中にラセミ化は起こらないので、目的とする光学異性体に応じて適宜出発原料のビナフトール類のＳ体またはＲ体を使い分ければよい。
【００３６】
本反応にはトリフルオロメタンスルホニルハライド（ＣＦ3ＳＯ2Ｘ、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等から選ばれる）が用いられる。好ましくはトリフルオロメタンスルホニルフルオライドまたはトリフルオロメタンスルホニルクロライドであり、さらに好ましくは、トリフルオロメタンスルホニルフルオライドである。
【００３７】
本反応において使用されるトリフルオロメタンスルホニルハライドは、一般式２で示される化合物１モルに対して２モル以上使用すればよいが、２〜２０モル使用でき、好ましくは２〜１０モル、さらに好ましくは２〜５モル使用するのがよい。
【００３８】
本発明の製造方法において、トリフルオロメタンスルホニルハライドを使用する場合、沸点が低く揮発性であるので、ボンベからガスで直接圧入する方式もしくは、沸点以下に冷却後、液化注入する等の方法を採用することができる。
【００３９】
特にトリフルオロメタンスルホニルフルオライドを使用する場合は、沸点が低い（−２０℃）ため、加圧下において反応するのが好ましく、０．１〜１０ＭＰａ程度で行い、１．０ＭＰａ以下において行うのが好ましい。例えば反応系の温度を１００℃程度とすると圧力が４kg／cm2（０．４ＭＰａ）程度まで上昇するが、耐圧反応器を用いることにより、加熱下での反応も充分可能である。１０ＭＰａ以上の圧力下においても反応の点からは問題ないが、装置の強度が要求されるので避ける方が好ましい。
【００４０】
また、塩基としては、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリｎ−プロピルアミン、トリｎ−ブチルアミン、ジメチルラウリルアミン、ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジメチルベンジルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、ピリジン、２，４，６−トリメチルピリジン、ピリミジン、ピリダジン、３，５−ルチジン、２，６−ルチジン、２，４−ルチジン、２，５−ルチジン、３，４−ルチジン等の有機塩基が、また、例えば水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム、水素化カルシウム等の金属水素化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸リチウム等のアルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属の炭酸水素塩等の無機塩基が有効である。
【００４１】
本発明に使用される塩基は、有機塩基を使用した場合、一般式２で示された化合物１モルに対して１〜１００モル使用でき、好ましくは１〜５０モル、更に好ましくは１〜２０モル使用できる。また、無機塩基を使用した場合、１〜２０モル使用でき、好ましくは１〜１０モル、更に好ましくは１〜５モル使用する。
【００４２】
本発明の製造方法は、無溶媒で行ってもよいが、適当な溶媒を用いることも可能で、使用される溶媒としては、塩化メチレン、塩化エチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル類、ヘキサメチルリン酸トリアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドなどを挙げることができ、これらのうち二種類以上を併用することもできる。
【００４３】
これらのうち、ヘキサメチルリン酸トリアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類およびジメチルスルホキシドは特に好ましく、添加することにより反応系を均質化することができ、反応の再現性が著しく改善される。他の溶媒と併用する場合においても、反応を再現よく進行させるのに必要な量を使用することが好ましい。具体的には、一般式２で示された化合物１重量部に対し２０重量部以下、好ましくは１０重量部以下、さらに好ましくは５重量部以下使用する。
【００４４】
本発明に係るトリフルオロメタンスルホニル化反応は、塩基として有機塩基を使用したときは、−２０℃〜２００℃で反応を行わせることができ、好ましくは５０℃〜１５０℃、さらに好ましくは９０〜１１０℃の温度で反応が進行する。一方、無機塩基を使用した場合は、−２０℃〜１００℃での反応が可能で、好ましくは０℃〜５０℃、さらに好ましくは１０℃〜３０℃で反応が進行する。
【００４５】
本発明のトリフルオロメタンスルホニル化反応においては、反応終了後、ヒドロキシル基のトリフルオロメタンスルホン酸無水物によるトリフルオロメタンスルホニル化反応の処理として行われる一般的な処理をすることにより、粗生成物を得ることができる。続く精製操作としては、カラムクロマトグラフィー処理、活性炭処理、再結晶処理を適宜組み合わせて行うか、通常これらの順に行うのが好ましく、ビナフトール類のジトリフレート体を高純度かつ高収率で得ることができる。精製操作においては活性炭による吸着処理が特に有効で、量的な損失が少ない上に純度および色調の向上に効果的である。
【００４６】
【実施例】
本発明を実施例をもって説明するが、実施態様はこれらに限られない。
【００４７】
［実施例１］
ＣＦ3ＳＯ2Ｆ−Ｅｔ3Ｎ系
耐圧反応器に（Ｒ）−（＋）−１，１'−ビ−２−ナフトール（２．８６ｇ、１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）とトリエチルアミン（１４．１ｇ，１４０ｍｍｏｌ，１４ｅｑ）を仕込み、−７８℃でトリフルオロメタンスルホニルフルオライド（３．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ）を液化注入して密封した。１００℃で１６時間攪拌し、冷却後、ショートカラム（シリカゲル、展開液／酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：５）に付し流出液を濃縮し、（Ｒ）−（＋）−１，１'−ビ−２−ナフトールのジトリフレート体を得た。活性炭処理後、ｎ−ヘキサン再結晶により精製した。トータル収率は９１％であった。旋光度よりラセミ化が起こっていないことを確認した。
【００４８】
比旋光度：［α］26D＝−１４０．６°（ｃ＝１．０８８、ＣＨＣｌ3）
（Ｓ）−ジトリフレート体の文献値：［α］22D＝＋１４２°（ｃ＝１．０３５、  ＣＨＣｌ3）
他の機器データは文献値（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ、７６巻，６頁）と一致した。
【００４９】
また、（Ｓ）−（−）−１，１'−ビ−２−ナフトールについても同様に行い、（Ｓ）−（−）−１，１'−ビ−２−ナフトールのジトリフレート体を得た。
【００５０】
［実施例２］
ＣＦ3ＳＯ2Ｆ−Ｅｔ3Ｎ−ＤＭＦ系
耐圧反応器に（Ｒ）−（＋）−１，１'−ビ−２−ナフトール（２．８６ｇ，１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、トリエチルアミン（１４．１ｇ、１４０ｍｍｏｌ、１４ｅｑ）とＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）４ｍｌを仕込み、−７８℃でトリフルオロメタンスルホニルフルオライド（３．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ、２．０ｅｑ）を液化注入して密封した。１００℃で１６時間攪拌し、冷却後、ショートカラム（シリカゲル、展開液／酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：５）に付し流出液を濃縮し、（Ｒ）−（＋）−１，１'−ビ−２−ナフトールのジトリフレート体を得た。活性炭処理後、ｎ−ヘキサン再結晶により精製した。トータル収率は８９％であった。旋光度よりラセミ化が起こっていないことを確認した。他の機器データは文献値（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ、７６巻，６頁）と一致した。
【００５１】
また、（Ｓ）−（−）−１，１'−ビ−２−ナフトールについても同様に行い、（Ｓ）−（−）−１，１'−ビ−２−ナフトールのジトリフレート体を得た。
【００５２】
［実施例３］
ＣＦ3ＳＯ2Ｃｌ−ＮａＨ−ＨＭＰＡ−塩化メチレン系
反応器に（Ｒ）−（＋）−１，１'−ビ−２−ナフトール（２．８６ｇ，１０ｍｍｏｌ、１ｅｑ）、６０％水素化ナトリウム（１．２０ｇ、３０ｍｍｏｌ、３ｅｑ）とＨＭＰＡ（ヘキサメチルリン酸トリアミド）４ｍｌと塩化メチレン５０ｍｌを仕込み、０℃でトリフルオロメタンスルホニルクロライド（６．７４ｇ、４０ｍｍｏｌ、４．０ｅｑ）を添加した。２５℃で４時間攪拌後、反応終了液に水を加え酢酸エチルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、（Ｒ）−（＋）−１，１'−ビ−２−ナフトールのジトリフレート体を得た。ショートカラム（シリカゲル、展開液／酢酸エチル：ｎ−ヘキサン＝１：５）、続く活性炭処理、ｎ−ヘキサン再結晶により精製した。トータル収率は８７％であった。旋光度よりラセミ化が起こっていないことを確認した。他の機器データは文献値（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ、７６巻，６頁）と一致した。
【００５３】
また、（Ｓ）−（−）−１，１'−ビ−２−ナフトールについても同様に行い、（Ｓ）−（−）−１，１'−ビ−２−ナフトールのジトリフレート体を得た。
【００５４】
［実施例４−１０］
下記の構造を持つ類似の化合物についても実施例２と同様に得られた。
【００５５】
【化１９】
0003707969.tif 000013
【００５６】
【表１】
0003707969.tif 000014
【００５７】
［実施例１１］
下記の構造を持つ類似の化合物についても実施例２と同様に得られた。
【００５８】
【化２０】
0003707969.tif 000015
【００５９】
【発明の効果】
本発明の製造方法により、ＢＩＮＡＰ類製造前駆体として有用なビナフトール類のジトリフレート体を非常に効率よく、しかも安価で製造することが可能である。