(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１電極膜とπ−共役型高分子よりなる有機発光層と第２電極膜を有する有機発光ダイオードであって、上記有機発光層がπ−共役型高分子膜をラビング処理して、このπ−共役型高分子の主鎖をそのラビング方向に配向させてなるπ−共役型高分子膜からなり、上記有機発光層の平均表面粗さが１０ｎｍ以上であって、且つ、有機発光層の厚みをｔ（ｎｍ）とするとき、ｔ×０．８より求められる値以下であることを特徴とする有機発光ダイオード。
【請求項２】
π−共役型高分子が液晶性π−共役型高分子である請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項３】
基板上に第１電極膜を形成し、この第１電極膜の上にπ−共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、この有機発光層をラビング処理して、上記π−共役型高分子の主鎖をそのラビング方向に配向させた後、上記有機発光層の上に第２電極膜を形成することを特徴とする有機発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
基板上に第１電極膜と下地層とπ−共役型高分子よりなる有機発光層と第２電極膜を有する有機発光ダイオードであって、上記有機発光層が下地層にラビングによる配向処理を施した後、この下地層の上にπ−共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、次いで、この有機発光層を上記π−共役型高分子の軟化点以上の温度に加熱する処理を施して、π−共役型高分子膜を上記下地層のラビング方向に配向させ、その後、上記有機発光層の上に第２電極膜を形成してなり、上記有機発光層の平均表面粗さが１０ｎｍ以上であって、且つ、有機発光層の厚みをｔ（ｎｍ）とするとき、ｔ×０．８より求められる値以下であることを特徴とする有機発光ダイオード。
【請求項５】
π−共役型高分子が液晶性π−共役型高分子である請求項４に記載の有機発光ダイオード。
【請求項６】
基板上に第１電極膜を形成し、この第１電極膜の上に有機発光層の下地層を形成し、この下地層にラビングによる配向処理を施した後、この下地層の上にπ−共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、次いで、この有機発光層を上記π−共役型高分子の軟化点以上の温度に加熱する処理を施し、その後、上記有機発光層の上に第２電極膜を形成して、上記有機発光層に１０ｎｍ以上であって、且つ、有機発光層の厚みをｔ（ｎｍ）とするとき、ｔ×０．８より求められる値以下である平均表面粗さを有せしめることを特徴とする有機発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、有機発光ダイオード及びその製造方法に関し、詳細には、偏光を発光する有機発光ダイオード及びその製造方法に関し、特には、液晶ディスプレイ用光源として用いて好適な有機発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、さまざまな機器の表示素子あるいは光源として発光ダイオード（以降、ＬＥＤという）が広く使われている。そして、それらＬＥＤに用いられる発光層は、主に金属間化合物半導体（無機半導体）である。
【０００３】
ところで、ＬＥＤを表示素子あるいは光源として使う際には、発光色が紫から赤の可視域すべての色を網羅することが望ましいが、発光層として無機半導体を用いたＬＥＤの一つの問題点として、青色の発光を得ることが一般に困難であることが挙げられる。これは、無機半導体においては、輻射再結合による発光の波長（色）を決める禁制帯のエネルギー幅（Eg）の制御範囲に制限があるためであり、特に青色発光に対応する約３eV以上のEgを有する半導体をつくるのが難しいからである。
【０００４】
この問題は、最近Tangら（C.W. Tang and S.A. Vanslyke; Appl. Phys. Lett.51(1987)913 ）によって報告された有機化合物を発光層として用いたＬＥＤ（有機ＬＥＤ）により、解決されると期待されている。これは、有機化合物という物質の一群は、一般に、分子の骨格構造、官能基の種類、位置や数、あるいは分子集合組織を変えることによってEgが大きく変化するという特長を有するからである。
【０００５】
又、さらに最近になって、有機化合物の中の合成高分子、特にπ−共役型高分子を発光層として用いる方法が報告された（J.H. Burroughes, D.D.C. Bradley,A.R. Brown, R.N. Marks, K. Mackay, R.H. Friend, P.L. Burns, and A.B. Ho-lmes; Nature, 347 (1990)539 ）。ここで、合成高分子の中、特にπ−共役型高分子が選ばれるのは、ポリエチレンやポリエステル類等の非共役型高分子はその吸収が通常紫外域にあり、しかも絶縁体であるのに対し、π−共役型高分子はその分子構造を修飾することにより、可視光の光子エネルギー範囲をほぼカバーする約１〜４eVの間でEgを変化させ得ることと、ＬＥＤとして動作するのに適当な導電性を有することによる。
【０００６】
上記高分子を発光層として用いる方法によれば、高分子はキャスティングやスピンコート等の方法により容易に成型できることから、大面積の有機ＬＥＤを低コストでつくることも可能になった。又、高分子は通常非晶質であるので、ジュール熱による結晶化にともない発光効率が低下するという低分子化合物ＬＥＤ特有の問題が起こり難いという利点もある。
【０００７】
かかる合成高分子を発光層として用いる方法を適用した有機ＬＥＤ（有機高分子ＬＥＤ）に関し、上記の他に報告されたものとしては、例えば青色発光の有機高分子ＬＥＤがある（Y. Ohmori, M. Uchida, K. Muro, and K.Yoshino ; Jpn. J. Appl. Phys.  30 (1991) L1941 ）。
【０００８】
従来、最も普通の有機高分子ＬＥＤは次のような製造方法によりつくられる。即ち、それは、In-Sn 酸化物等の透明電極（正孔注入電極）を表面に塗布したガラス基板上に、発光層である高分子の薄膜を形成した後、その上に電子注入用の金属電極膜を蒸着するという製造方法である。このとき、金属電極膜としては、発光層（高分子）への電子注入を容易にするために、Mg，AlやCa等の仕事関数の小さな金属よりなるものが選ばれる。
【０００９】
このようにして得られた素子（有機高分子ＬＥＤ）をＬＥＤとして動作させるには、通常、金属電極膜に負、透明電極に正のバイアスを印加する。すると、それぞれの電極から電子と正孔が注入され、それらの一部が輻射再結合したとき発光する。尚、上記の基本構造に加えて、発光効率を高めたり、長寿命化を図るために、電子輸送層や正孔輸送層を併用することもよく行われる。
【００１０】
いまのところ、有機高分子ＬＥＤの有力な用途と目されているのが、液晶ディスプレイ用光源（バックライト）である。それは、フレキシブルで、大面積のＬＥＤが容易に得られるという特長が生かされるからである。この液晶ディスプレイ用光源としてＬＥＤが使用される場合、ＬＥＤに必要とされる性能は偏光を発光するということである。
【００１１】
現有の液晶ディスプレイでは、光源から発する常光を偏光フイルターを通して偏光に変えて使用しているが、光源そのものが偏光を発光すれば、次のような利点が生じる。即ち、光源そのものが偏光を発光すれば、偏光フイルターを省略でき、液晶ディスプレイ装置の構造を簡略にすることができ、又、偏光フイルターによる光の損失がないために偏光フイルターがある場合に比して低電圧で同一所要光量を得ることができ、換言すれば、電圧／光量の低減化（光量／電圧の増大化）がはかれ、そのため低電圧で液晶ディスプレイを動作させることができるという利点がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
このように光源そのものが偏光を発光すれば、それは有機ＬＥＤの実用化において一つのブレイクスルー（突破口）である。しかし、有機ＬＥＤに使用される有機化合物は一般に非晶質であるので、そのままで偏光を発光させることはできない。そこで、光源そのものが偏光を発光するようにするには、何らかの工夫あるいは手段が必要である。
【００１３】
かかる手段としては、これまでのところ、先ず、Friendら（R.H. Friend,  D.D.C. Bradley, and P.D. Townsend ; J. Phys. D; Appl. Phys. 20(1987)1367）によって報告された手段を挙げることができる。この手段は、Friendらが報告しているように、延伸により一軸配向させた高分子を発光層として使用するものであり、これによれば偏光の光ルミネッセンスが得られる。しかしながら、この手段は、高分子膜を延伸して発光層となすものであるから、ＬＥＤの発光層として適当とされる１μm 以下の厚さで、且つ大面積の高分子薄膜（発光層）を製造することが極めて困難であるという問題点を有している。
【００１４】
次に、最近Dyreklevら（P. Dyreklev, M. Berggren, O. Ingandas, M.R. Andersson, O. Wennerstrom, and T. Hiertberg ; Adv. Mat. 7 (1995)43）によって報告された手段を挙げることがきる。この手段は、ポリエチレンフイルム上にポリチオフェン誘導体をキャストした後、これを延伸して、ポリエチレン上に配向したポリチオフェン誘導体を得、次に、このポリチオフェン誘導体のみをＬＥＤ素子中に熱転写し、これを発光層として使用するものであり、かかる方法によりDyreklevらは偏光を発光するＬＥＤを作製したと報告している。しかしながら、この手段は、大面積の発光層を有するＬＥＤを効率よく製造するには複雑すぎるという問題点がある。
【００１５】
本発明は、この様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、前記Friendらによって報告された手段及びDyreklevらによって報告された手段が有する問題点を解消し、偏光を発光し得、又、ＬＥＤの発光層として適当な薄さで、且つ大面積の発光層を有し、しかも容易に製造できる有機ＬＥＤ及びその製造方法を提供しようとするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を達成するために、本発明に係る有機ＬＥＤ（発光ダイオード）及びその製造方法は次のような構成としている。即ち、請求項１記載の有機ＬＥＤは、一対の電極間に有機発光層を有する有機ＬＥＤであって、前記有機発光層が、ラビングによる配向処理がされたπ−共役型高分子よりなることを特徴とする有機ＬＥＤである。
【００１７】
請求項２記載の有機ＬＥＤは、前記π−共役型高分子の主鎖がラビング方向に配向している請求項１記載の有機ＬＥＤである。請求項３記載の有機ＬＥＤは、前記有機発光層の平均表面粗さが、10ｎｍ以上、有機発光層の厚み（ｎｍ）×0.8 より求められる値以下である請求項１又は２記載の有機ＬＥＤである。請求項４記載の有機ＬＥＤは、前記π−共役型高分子が液晶性π−共役型高分子である請求項１、２又は３記載の有機ＬＥＤである。
【００１８】
請求項５記載の有機ＬＥＤの製造方法は、基板上に第１電極膜を形成し、該第１電極膜の上にπ−共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、該有機発光層にラビングによる配向処理を施した後、該有機発光層の上に第２電極膜を形成することを特徴とする有機ＬＥＤの製造方法である。
【００１９】
請求項６記載の有機ＬＥＤの製造方法は、基板上に第１電極膜を形成し、該第１電極膜の上に有機発光層の下地層を形成し、該下地層にラビングによる配向処理を施した後、該下地層の上にπ−共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、その後、該π−共役型高分子よりなる有機発光層を該π−共役型高分子の軟化点以上の温度で加熱する処理を施し、しかる後、該有機発光層の上に第２電極膜を形成することを特徴とする有機ＬＥＤの製造方法である。
【００２０】
【作用】
有機ＬＥＤは一対の電極間に有機発光層を有するＬＥＤ、即ち、第１電極膜と第２電極膜との間に有機発光層を有するＬＥＤである。かかる有機ＬＥＤには、第１電極膜と有機発光層との間に中間層（電子輸送層又は正孔輸送層、あるいは有機発光層の下地層等）を設けたもの、有機発光層と第２電極膜との間に中間層（正孔輸送層又は電子輸送層、あるいは第２電極膜の下地層等）を設けたもの、又、これら中間層を全く設けないものも含まれる。
【００２１】
本発明は、かかる有機ＬＥＤにおいて、有機発光層が、ラビングによる配向処理がされたπ−共役型高分子よりなるとき、或いは、有機発光層が、ラビングによる配向処理が施された下地層（有機発光層の下地層）の上に形成されたπ−共役型高分子であって、その形成後に該π−共役型高分子の軟化点以上の温度で加熱する処理が施されたものよりなるとき、有機ＬＥＤは偏光を発光し得るということを見い出し、かかる新規知見に基づき完成されたものである。
【００２２】
以下、この内容についてより詳細に説明する。
有機ＬＥＤの有機発光層として延伸等により配向させたπ−共役型高分子を使用したものは、前記Friendらによって報告された手段等からわかる如く、偏光を発光し得る。即ち、延伸等の手段によって有機発光層を構成するπ−共役型高分子の主鎖を配向させた状態にすることができれば、偏光を発光し得るはずである。これは、擬一次元半導体と見做されるπ−共役型高分子においては、その主鎖内を一次元的に動く励起子の再結合によってもたらされる発光はもともと強く偏光していると考えられるから、各分子主鎖をマクロスコピックな領域にわたって配向させることができれば偏光発光が観測されると期待されるからである。
【００２３】
そこで、本発明者らは有機発光層を構成するπ−共役型高分子（π−共役型高膜）のπ−共役型高分子主鎖を配向させる方法について検討した。その結果、π−共役型高分子膜をラビング処理することにより、π−共役型高分子主鎖を優先配向させ得ることを見い出した。それは、このラビング処理されたπ−共役型高分子膜の吸収スペクトルや光ルミネッセンスが、ラビングの方向に関して強い異方性を示すことから確認された。即ち、このラビング処理されたπ−共役型高分子膜に対し、ラビング方向に平行に偏光した光を照射すると、ラビング方向に垂直に偏光した光を照射した場合と比べて、強い吸収とルミネッセンスが認められた。そして、有機ＬＥＤの有機発光層が、かかるラビングによる配向処理がされたπ−共役型高分子膜よりなるとき、偏光を発光し得ることが確認された。
【００２４】
本発明は、上記の如き知見に基づき完成されたものである。即ち、本発明に係る有機ＬＥＤは、一対の電極間に有機発光層を有する有機ＬＥＤであって、該有機発光層が、ラビングによる配向処理がされたπ−共役型高分子よりなるものとしている（請求項１記載の有機ＬＥＤ）。従って、この有機ＬＥＤは、π−共役型高分子の主鎖が配向した状態になっており、そのため、偏光を発光し得る。
【００２５】
ここで、ラビングによる配向処理とは、ラビングによりπ−共役型高分子主鎖を優先配向させる処理のことである。このラビングとは、有機発光層を形成するπ−共役型高分子膜の表面を布や紙等で一定の方向にこする処理である。かかる処理は、前記Friendらによって報告された手段（高分子膜の延伸）の場合に比べ、はるかに簡単であり、極めて容易にできる処理であり、有機発光層の厚さがＬＥＤの発光層として適当な薄さ（１μm 以下）で、且つ有機発光層が大面積である場合にも、比較的容易に適用できるものである。又、Dyreklevらによって報告された手段（キャスト→延伸→熱転写）の場合に比べると、処理内容、処理工程が著しく簡単な処理であり、処理効率が極めて高く、経済的にも優れている。
【００２６】
従って、本発明に係る有機ＬＥＤは、偏光を発光し得、又、ＬＥＤの発光層として適当な薄さで、且つ大面積の発光層を有するものとなり、しかも容易に製造できるものである。
【００２７】
前記ラビングによる配向処理はπ−共役型高分子の主鎖をラビング方向に配向させることができるので、前記π−共役型高分子の主鎖がラビング方向に配向したものにでき、それによれば、確実に効率よく偏光を発光し得る（請求項２記載の有機ＬＥＤ）。
【００２８】
ところで、液晶ディスプレイの分野において、ラビングは、液晶に優先配向を付与するために液晶の基板に対して一般的に行われる処理の一つであり、文献（J.S. Patel, T.M. Leslie, and J.W. Goodby : Ferroelectrics 59(1984)137 ）記載の如く、基板上に予め塗布されたポリイミドやポリビニルアルコール等の高分子膜の表面を布や紙等で一定の方向にこする処理である。かかる処理をした基板を使って液晶セルを構成すると、ラビング方向にそろった液晶の優先配向（モノドメイン）を得ることができる。その作用は、ラビングによってできる高分子膜表面の微細な溝状の凹凸が、その排除体積効果によって棒状の液晶分子の配向を誘起することにあると考えられる。
【００２９】
本発明においては、前述の如くラビングによってπ−共役型高分子に配向がもたらされるが、その機構については、上記のことを考慮すると次のように推定される。即ち、ラビングによってπ−共役型高分子膜の表面に微細な溝状の凹凸が形成されるのに伴い、このπ−共役型高分子膜が一方向に伸ばされるような塑性変形を受け、この塑性変形が膜の延伸と同様の効果をもたらし、その結果、π−共役型高分子主鎖が配向するものと推定される。
【００３０】
このことから、ラビングによってπ−共役型高分子膜の表面に形成される微細な溝状の凹凸の状態と、そのπ−共役型高分子の配向とは密接な関係があると考えられる。そして、この凹凸の状態を表すものの一つとして表面粗さがある。そこで、ラビング後のπ−共役型高分子膜の表面粗さと、そのπ−共役型高分子の配向との関係、更には、偏光の発光の効率との関係を調べた。その結果、ラビング後のπ−共役型高分子膜の平均表面粗さが10ｎｍ以上であるとき、確実にπ−共役型高分子が配向し、より効率よく偏光を発光し得ることがわかった。
【００３１】
従って、前記有機発光層（即ち、ラビングによる配向処理がされたπ−共役型高分子膜）は、平均表面粗さ：10ｎｍ以上になるようにすることが望ましい。しかし、平均表面粗さが、有機発光層の厚み：ｔ（ｎｍ）×0.8 より求められる値を超えると、π−共役型高分子膜が破壊したり、電極同士が接触して電極間での短絡が起こる恐れがあるので、 0.8ｔｎｍ以下にすることが望ましい（請求項３記載の有機ＬＥＤ）。
【００３２】
又、前記π−共役型高分子として液晶性π−共役型高分子を用いることが望ましく、そうすると偏光を発光するものをより容易に得ることができる（請求項４記載の有機ＬＥＤ）。これは、液晶性π−共役型高分子自体が配向形成能を有しているからである。即ち、該高分子は、異方性の強い分子形状（一般には棒状ないし平板状）と、熱運動や外力による分子の再配列を可能にする可塑性とを有しており、そのため、前述のラビングによる配向処理の効果がより顕著にあらわれるからであると考えられる。かかる液晶性π−共役型高分子としては、ポリ（2,5-ジノニルオキシ-1,4- フェニレンビニレン）〔M. Hamaguchi and K.Yoshino ;Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L1478 〕など、公知のものを使用することができる。
【００３３】
本発明に係る有機ＬＥＤの製造方法は、前述の如く、基板上に第１電極膜を形成し、該第１電極膜の上にπ−共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、該有機発光層にラビングによる配向処理を施した後、該有機発光層の上に第２電極膜を形成するようにしている（請求項５記載の有機ＬＥＤの製造方法）。それ故、有機発光層が、ラビングによる配向処理が施されたπ−共役型高分子よりなる有機ＬＥＤが得られる。この有機ＬＥＤは、π−共役型高分子の主鎖が配向した状態になっており、そのため偏光を発光し得る。又、上記ラビングによる配向処理は、前述の如く、極めて容易にでき、且つ処理工程が著しく簡単な処理である。従って、本発明に係る有機ＬＥＤの製造方法は、偏光を発光し得、又、ＬＥＤの発光層として適当な薄さで、且つ大面積の発光層を有する有機ＬＥＤを容易に製造できる。
【００３４】
上記方法はπ−共役型高分子よりなる有機発光層にラビングによる配向処理を施こして該π−共役型高分子を配向させるものであるが、下記の如きラビング及び熱処理工程を含む製造方法によっても有機発光層のπ−共役型高分子を配向させることができる。即ち、その製造方法は、基板上に第１電極膜を形成し、該第１電極膜の上に有機発光層の下地層を形成し、該下地層にラビングによる配向処理を施した後、該下地層の上にπ−共役型高分子よりなる有機発光層を形成し、その後、該π−共役型高分子よりなる有機発光層を該π−共役型高分子の軟化点以上の温度で加熱する処理を施し、しかる後、該有機発光層の上に第２電極膜を形成することを特徴とする有機ＬＥＤの製造方法である（請求項６記載の有機ＬＥＤの製造方法）。そして、この製造方法によれば、上記下地層のラビングによる配向処理、及び、その後に形成されたπ−共役型高分子よりなる有機発光層の加熱処理により、上記下地層のラビング方向にそろったπ−共役型高分子の配向が形成される（π−共役型高分子を配向させ得る）ことができ、引いては偏光を発光し得る有機ＬＥＤが得られることがわかった。
【００３５】
この場合のπ−共役型高分子の配向形成の機構は、必ずしも明確ではないが、液晶セルでの配向形成機構と類似であると推察される。即ち、一般に剛直な主鎖を持ち、分子形状の異方性の高いπ−共役型高分子が、下地層の溝状凹凸表面と相互作用して、配向が誘起されるものと考えられる。より詳細には、上記ラビングによって有機発光層の下地層の表面に微細な溝状の凹凸が形成され、その後に形成されたπ−共役型高分子よりなる有機発光層の加熱処理により、この層が軟化し、下地層の溝状凹凸表面に沿って一方向に伸ばされるように流動変形し、その結果配向がもたらされるものと考えられる。
【００３６】
かかるπ−共役型高分子の配向の形成手段は、前記Friendらによって報告された手段に比べ、簡単、容易にできる手段であり、又、Dyreklevらによって報告された手段に比べると、工程が著しく簡単な手段である。従って、かかる手段を採用する製造方法（請求項６記載の有機ＬＥＤの製造方法）によれば、偏光を発光し得、又、ＬＥＤの発光層として適当な薄さで、且つ大面積の発光層を有する有機ＬＥＤを容易に製造できる。
【００３７】
ここで、π−共役型高分子よりなる有機発光層の加熱処理に際し、加熱温度を該π−共役型高分子の軟化点以上としているのは、π−共役型高分子の配向を形成させ、引いては偏光を発光し得るようにするためであり、換言すれば、該π−共役型高分子の軟化点未満にするとπ−共役型高分子の配向の形成が不充分となり、引いては偏光を発光し得なくなるからである。尚、加熱処理時の雰囲気は、酸化による発光層の劣化を防ぐ観点から、不活性ガス或いは真空中とすることが望ましい。
【００３８】
前記有機発光層の下地層としては、ポリイミド、ナイロン、ポリビニルアルコール等、前述の液晶セル基板のラビング膜として知られるものの他、π−共役型高分子膜も用いることができる。後者のπ−共役型高分子膜は適当な導電性を有するという利点もある。
【００３９】
本発明において、ラビングは、簡便には前述の液晶の分野において一般的な公知の方法で行うことができる。例えば、図１に示す如く、レーヨン等の布が表面に巻付けられたドラム１を回転させておく。そして、π−共役型高分子膜（又は有機発光層の下地層）２が表面に形成された基板３を、ドラム１表面とわずかに接触させながら、一定の方向に動かすことによって、高分子膜（又は下地層）２の表面に微細な溝状凹凸を形成させる。このとき、ドラム１の形状、寸法や表面材質、基板３への押しつけ圧力、回転速度、基板３の送り速度、処理の回数等の操作パラメータは、高分子膜（又は下地層）２の性質や、得たい有機ＬＥＤの性能等を考慮して適宜選択される。尚、図１において４は台座である。
【００４０】
π−共役型高分子膜（π−共役型高分子よりなる有機発光層）の形成方法は、特に制限されるものではなく、公知の方法を用いることができる。その代表的なものとしては、π−共役型高分子を含む溶液から基板上にスピンコートする方法が挙げられる。
【００４１】
有機発光層として用いるπ−共役型高分子は、特に制限されるものではなく、例えばポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリ（1,4-フェニレン）等、或いはそれらの誘導体を用いることができる。又、発光層は一種類の純粋なπ−共役型高分子である必要はなく、非共役型を含む複数の高分子との共重合体としたり、或いはこれらの混合物を用いることもできる。更には、低分子化合物を添加してもよい。
【００４２】
有機ＬＥＤの構造に関し、最もシンプルなものは一対の電極間に一つの有機発光層を有するものであるが、本発明はそれに限定されず、２種以上の有機発光層を有するものや、正孔（ホール）輸送層、電子輸送層等と組合わせた所謂多層膜ないしhetero structure（ヘテロストラクチャー）の有機ＬＥＤとすることもできる。特に、ラビング処理の際にπ−共役型高分子膜が部分的に破壊されて電極間が短絡するのを防ぐためには、正孔輸送層等の下地層を予め電極上に形成しておくことが有効である。
【００４３】
【実施例】
（実施例１）
ガラス基板上に正孔注入電極（第１電極膜）としてIn-Sn oxide(酸化物）膜を蒸着により形成し、その上に有機発光層としてポリ（3-オクチルチオフェン）よりなるπ−共役型高分子膜を下記方法により形成した。即ち、文献（R.Sugimoto, S.Takeda, H.B.Gu, and K.Yoshino ; Chemistry Express,vol.1(1986) 635 ）に記載の方法にしたがってポリ（3-オクチルチオフェン）を調製し、これを１wt％含有させたクロロフォルム溶液を準備し、この溶液からスピンコート（回転速度2000rpm ）によりポリ（3-オクチルチオフェン）膜を形成した。この膜厚は約1000Åであった。
【００４４】
上記ポリ（3-オクチルチオフェン）膜に対し、図１に示した方法により次のようにしてラビング処理を施した。即ち、長さ：約２mmのレーヨン繊維がほぼ垂直に密に植えられてなるラビング用布を巻き付けた直径：３cm，長さ：10cmのステンレス鋼製ドラムを60rpm で回転させておく。そして、上記ポリ（3-オクチルチオフェン）膜形成後のものを、ドラム下部表面回転方向と対向する方向（図１で左方向）に送り速度：５cm／秒で移動させながらドラム表面と接触させる操作を30回繰り返してラビング処理した。このとき、押し込み深さ（ドラム表面の繊維先端が被処理材表面に触れる位置からさらに被処理材表面をドラムに近付ける距離）は約0.5mm とした。
【００４５】
しかる後、ポリ（3-オクチルチオフェン）膜の上に、電子注入用電極（第２電極膜）として膜厚：約1000ÅのMg膜を真空蒸着により形成することにより、有機ＬＥＤ（π−共役型高分子ＬＥＤ）を得た。なお、ＬＥＤの発光領域は、５mm四方とした。
【００４６】
このようにして得られた有機ＬＥＤについて、電子注入用電極（Mg膜）側が負となるように直流電界を印加しながら、ガラス基板を通して出てくる発光の強度を光電子増倍管を使って測定した。このとき、光電子増倍管とＬＥＤとの間に、光軸と直交するように偏光板を挿入した。偏光の発光の特性（偏光の程度）は、光軸の周りに偏光板を回転させたときの、偏光板の偏光方向とＬＥＤの前記膜のラビング方向とのなす角度による発光強度の変化から評価した。そして、偏光板の偏光方向をラビング方向と平行としたときの発光強度と、ラビング方向と垂直としたときの発光強度との比（即ち、発光の異方性比）を求めた。その結果を表１に示す。これよりわかる如く、上記有機ＬＥＤは、異方性比：1.9 の偏光を発光する。
【００４７】
（比較例１）
ラビング処理を施こさず、この点を除き実施例１と同様の材料を用い、同様の方法により有機ＬＥＤを作製し、同様の方法により発光特性を調べた。その結果、表１に示す如く異方性比：１であり、偏光を発光しなかった。
【００４８】
（実施例２）
ガラス基板上に正孔注入電極（第１電極膜）としてIn-Sn 酸化物膜を蒸着により形成した。その上に市販のポリアミック酸（ポリイミドの前駆体）の薄膜をスピンコートにより形成した後、窒素中、250 ℃で１時間熱処理し、約 500Å厚さのポリイミドの薄膜に転化した。そして、この薄膜（有機発光層の下地層）に実施例１と同様の方法によりラビング処理を施した。
【００４９】
次に、この薄膜の上に有機発光層としてポリ（3-オクチルチオフェン）膜を実施例１と同様の方法により形成した後、窒素中で熱処理をした。このとき、加熱温度は、ポリ（3-オクチルチオフェン）の軟化点が約150 ℃であることから、それより高い160 ℃とした。しかる後、電子注入用電極として実施例１と同様の方法によりMg膜を形成して有機ＬＥＤを得た。そして、実施例１と同様の方法により発光特性を調べた。その結果、発光の異方性比は1.7 であった（表１）。
【００５０】
（比較例２）
ポリイミド薄膜へのラビング処理を施こさず、この点を除き実施例２と同様の材料を用い、同様の方法により有機ＬＥＤを作製し、同様の方法により発光特性を調べた。その結果、異方性比：１であり、偏光を発光しなかった（表１）。
【００５１】
（実施例３）
有機発光層として、前記ポリ（3-オクチルチオフェン）膜に代えて、液晶性π−共役型高分子の一つであるポリ（2,5-ジノニルオキシ-1,4- フェニレンビニレン）の膜を形成し、この点を除き実施例１と同様の材料を用い、同様の方法により有機ＬＥＤを作製した。このとき、上記膜は、文献〔M. Hamaguchi and K.Yoshino ;Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L1478 〕に記載の方法にしたがって調製したポリ（2,5-ジノニルオキシ-1,4- フェニレンビニレン）を用いて形成した。尚、該膜形成後、該膜は実施例１と同様法によりラビング処理される。
【００５２】
上記有機ＬＥＤについて実施例１と同様の方法により発光特性を調べた。その結果、異方性比：2.9 の偏光を発光した。
【００５３】
（比較例３）
有機発光層へのラビング処理を施こさず、この点を除き実施例３と同様の材料を用い、同様の方法により有機ＬＥＤを作製し、同様の方法により発光特性を調べた。その結果、異方性比：１であり、偏光を発光しなかった（表１）。
【００５４】
（実施例４）
有機発光層として、実施例２のポリ（3-オクチルチオフェン）膜に代えて、実施例３に示した液晶性π−共役型高分子膜、即ちポリ（2,5-ジノニルオキシ-1,4- フェニレンビニレン）膜を用い、この点と下記熱処理温度の点を除き実施例２と同様の材料を用い、同様の方法により有機ＬＥＤを作製した。但し、上記液晶性π−共役型高分子膜の形成後の熱処理温度は、該高分子の軟化点：190 ℃より高温の230 ℃とした。
【００５５】
上記有機ＬＥＤについて実施例１と同様の方法により発光特性を調べた。その結果、異方性比：2.5 の偏光を発光した。
【００５６】
（比較例４）
有機発光層の下地層（ポリイミド薄膜）へのラビング処理を施こさず、この点を除き実施例４と同様の材料を用い、同様の方法により有機ＬＥＤを作製し、同様の方法により発光特性を調べた。その結果、異方性比：１であり、偏光を発光しなかった（表１）。
【００５７】
0003694060.tif 000002
【００５８】
【発明の効果】
本発明は以上の如き構成を有し作用をなすものであり、偏光を発光し得、又、ＬＥＤ発光層として適当な薄さで、且つ大面積の発光層を有する有機ＬＥＤ（発光ダイオード）を簡単で容易な製造法により経済性よく得ることができるという効果を奏する。そして、かかる有機ＬＥＤは、液晶ディスプレイ用光源（バックライト）等の如き機器の光源として好適に用いることができ、換言すれば、比較的簡単に且つ経済性よく、それら機器における偏光フイルターを不要とすることができ、それにより機器構造の簡略化がはかれ、且つ、より低電圧で所要光量を得ることができ（電圧／光量の低減化がはかれ）、そのため低電圧で液晶ディスプレイを動作させることができるようになるという効果が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係るラビング処理方法の一例を示す側断面図である。
【符号の説明】
１--ラビング布が巻付けられたドラム、２--π−共役型高分子膜又は有機発光層の下地層等の被処理膜、３--基板、４--台座。
【図１】
0003694060.tif 000003