(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面及び裏面を有する略板形状をなし、上記主面に搭載する電子部品の接続端子とハンダ接続させる主面側接続端子と、上記裏面で接続する他の基板の接続端子と機械的に接触接続させる裏面側接続端子と、を備える配線基板の製造方法であって、
第１Ａｕメッキを施し、上記主面側接続端子の表面に第１主面側Ａｕメッキ層を、及び、上記裏面側接続端子の表面に第１裏面側Ａｕメッキ層を形成する第１Ａｕメッキ工程と、
上記第１主面側Ａｕメッキ層を保護層で覆うマスキング工程と、
上記マスキング工程後、上記第１裏面側Ａｕメッキ層を除去する第１裏面側Ａｕメッキ層除去工程と、
第２Ａｕメッキを施し、上記第１裏面側Ａｕメッキ層が除去された裏面側接続端子の表面に、上記第１主面側Ａｕメッキ層よりも厚い第２裏面側Ａｕメッキ層を形成する第２Ａｕメッキ工程と、
上記第２Ａｕメッキ工程後、上記保護層を除去する保護層除去工程と、
を備え、
前記第１Ａｕメッキは、第１置換Ａｕメッキであり、
前記第２Ａｕメッキは、第２置換Ａｕメッキであり、
前記第２Ａｕメッキ工程は、
第２薄付置換Ａｕメッキを施し、前記第１裏面側Ａｕメッキ層が除去された裏面側接続端子の表面に、第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層を形成する第２薄付置換Ａｕメッキ工程と、
第２厚付置換Ａｕメッキを施し、上記第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層上に、第２裏面側厚付置換Ａｕメッキ層を形成する第２厚付置換Ａｕメッキ工程と、
を備える
配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接続端子を備える配線基板に関し、特に、主面と裏面にそれぞれ接続端子を備える配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、主面と裏面にそれぞれ接続端子を備える配線基板が知られている。例えば、図１１に示す配線基板１０１が挙げられる。
この配線基板１０１は、主面１０１Ａ及び裏面１０１Ｂを有する略板形状をなし、主面１０１Ａには主面側接続端子１０３が、裏面１０１Ｂには裏面側接続端子１０５がそれぞれ多数形成されている。そして、この配線基板１０１は、図中に破線で示すＩＣチップ１１１の接続端子１１３を主面側接続端子１０３にハンダ接合させることにより、ＩＣチップ１１１を主面１０１Ａ側に搭載することができる。一方、図中に破線で示すマザーボード１２１の接続端子１２３を裏面側接続端子１０５にハンダ接合させることにより、マザーボード１２１を裏面１０１Ｂ側に接続させることができる。
【０００３】
このような配線基板１０１の主面側接続端子１０３は、銅からなる接続パッド上に、酸化防止のため、厚さ３〜７μｍ程度のＮｉメッキ層が形成され、さらにその上に、厚さ０．０５μｍ程度の薄いＡｕメッキ層が形成されたものである。
このようにＡｕメッキ層を薄くするのは、Ａｕメッキ層が厚いと、主面側接続端子１０３とＩＣチップ１１１の接続端子１１３をハンダ付けしたときに、金属間化合物の生成により、ハンダ付け性が低下し、その接続信頼性が低下するからである。即ち、ハンダ接合の際、ハンダと主面側接続端子１０３との接合界面に、主面接続端子１０３のＡｕメッキとハンダ中のＳｎとの拡散により、Ａｕ−Ｓｎの硬くて脆い金属間化合物が形成される。このため、配線基板１０１とＩＣチップ１１１との接合強度の低下を招くのである。従って、このような金属間化合物の生成による問題を解消し、主面側端子１０３との接続信頼性を高めるために、Ａｕメッキ層は、なるべく薄くしておくのが好ましい。
また、配線基板１０１の裏面側接続端子１０５も、同様に、銅からなる接続パッド上に、厚さ３〜７μｍ程度のＮｉメッキ層が形成され、さらにその上に、上述した理由から、厚さ０．０５μｍ程度の薄いＡｕメッキ層が形成されている。
【０００４】
ところで、近年、上記配線基板１０１を改良したものとして、図１２に示す配線基板２０１が開発されている。
この配線基板２０１は、その主面２０１Ａに主面側接続端子２０３が、裏面２０１Ｂに裏面側接続端子２０５がそれぞれ形成されている。そして、配線基板２０１の主面２０１Ａには、ＩＣチップ２１１の接続端子２１３を主面側接続端子２０３とハンダ接合させることにより、ＩＣチップ２１１を搭載することができる。一方、裏面２０１Ｂには、マザーボード２２１の接続端子２２３と、ハンダではなく、ソケット等で機械的に接触接合させることにより、マザーボード２２１を接続させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１２に示す配線基板２０１では、裏面側接続端子２０５とマザーボード２２１の接続端子２２３とを接触接合させるので、この接触により裏面側接続端子２０５の表面に形成されたＡｕメッキ層が剥がれてしまうことがある。このような場合、Ａｕメッキ層が剥がれた部分に、Ｎｉメッキ層が露出するので、裏面側接続端子２０５とマザーボード２２１の接続端子２２３との接触抵抗が大きくなるなどの不具合が発生することがある。
【０００６】
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであって、主面に搭載する電子部品との接続信頼性も、裏面で接続する他の基板との接続信頼性も向上させることができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
その解決手段は、主面及び裏面を有する略板形状をなし、上記主面に搭載する電子部品の接続端子とハンダ接続させる主面側接続端子と、上記裏面で接続する他の基板の接続端子と機械的に接触接続させる裏面側接続端子と、を備える配線基板の製造方法であって、第１Ａｕメッキを施し、上記主面側接続端子の表面に第１主面側Ａｕメッキ層を、及び、上記裏面側接続端子の表面に第１裏面側Ａｕメッキ層を形成する第１Ａｕメッキ工程と、上記第１主面側Ａｕメッキ層を保護層で覆うマスキング工程と、上記マスキング工程後、上記第１裏面側Ａｕメッキ層を除去する第１裏面側Ａｕメッキ層除去工程と、第２Ａｕメッキを施し、上記第１裏面側Ａｕメッキ層が除去された裏面側接続端子の表面に、上記第１主面側Ａｕメッキ層よりも厚い第２裏面側Ａｕメッキ層を形成する第２Ａｕメッキ工程と、上記第２Ａｕメッキ工程後、上記保護層を除去する保護層除去工程と、を備え、前記第１Ａｕメッキは、第１置換Ａｕメッキであり、前記第２Ａｕメッキは、第２置換Ａｕメッキであり、前記第２Ａｕメッキ工程は、第２薄付置換Ａｕメッキを施し、前記第１裏面側Ａｕメッキ層が除去された裏面側接続端子の表面に、第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層を形成する第２薄付置換Ａｕメッキ工程と、第２厚付置換Ａｕメッキを施し、上記第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層上に、第２裏面側厚付置換Ａｕメッキ層を形成する第２厚付置換Ａｕメッキ工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【００２２】
本発明によれば、第１Ａｕメッキ工程で、第１主面側Ａｕメッキ層及び第１裏面側Ａｕメッキ層を形成した後、第１主面側Ａｕメッキ層を保護層で覆い、第１裏面側Ａｕメッキ層だけを除去する。その後、第２Ａｕメッキ工程で、第１主面側Ａｕメッキ層よりも厚い第２裏面側Ａｕメッキ層を形成する。
従って、電子部品の接続端子とハンダ接続させる主面側接続端子と、他の基板の接続端子と機械的に接触接続させる裏面側接続端子とを備える配線基板において、主面側接続端子のＡｕメッキ層（第１主面側Ａｕメッキ層）を薄く、一方、裏面側接続端子のＡｕメッキ層（第２裏面側Ａｕメッキ層）を厚く形成することができる。
このような配線基板は、主面側接続端子と電子部品の接続端子とのハンダ付け性を高くし、接続信頼性を向上させると共に、裏面側接続端子と他の基板の接続端子との接続信頼性も向上させることができる。
また、本発明では、厚い第２裏面側Ａｕメッキ層を形成するにあたり、予め第１裏面側Ａｕメッキ層を除去するので、この層がマスキング工程において空気中にさらされ、あるいは高温にさらされることにより、その上にＡｕメッキが形成されにくくなるなどの製造条件の不安定を生じることがない。従って、第２Ａｕメッキ工程で、確実に第２裏面側Ａｕメッキ層を厚く形成することができる。
電子部品と接続させる主面側接続端子や他の基板と接続させる裏面側接続端子は、いずれも、各端子が電気的に独立していることが多いので、第１Ａｕメッキや第２Ａｕメッキとしては、無電解のＡｕメッキを用いるのが好ましい。
しかし、無電解Ａｕメッキであっても、還元Ａｕメッキなどは、シアン化金カリウムなどを用いた強アルカリメッキ液であることが多いため、メッキ中に保護層の成分がメッキ液に溶解してメッキ状態が変動するなどの不具合を起こすことがある。さらに、樹脂製の配線基板の製造においては、ソルダーレジスト層がメッキ液に侵されたり、メッキ液がソルダーレジスト層の下に潜り込んで、いわゆるハローイングが生じる危険もある。
これに対し、本発明では、酸性または中性である第１置換Ａｕメッキ及び第２置換Ａｕメッキを用いているので、保護層が溶解してメッキ状態が変動するなどの不具合やハローイング等の不具合が生じるのを抑制することができる。
さらに、本発明では、第１裏面側Ａｕメッキ層が除去された裏面側接続端子上に、第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層を形成し、その後、その上に第２裏面側厚付置換Ａｕメッキ層を形成する。
このように２回に分けてＡｕメッキ層を形成すれば、裏面側Ａｕメッキ層（第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層及び第２裏面側厚付置換Ａｕメッキ層）の厚みのばらつきを抑えることができる。また、予め第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層を形成することにより、第２裏面側厚付置換Ａｕメッキ層のメッキ時間を短縮することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（実施形態）
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態の配線基板１について、図１に断面図を、図２に部分拡大断面図を示す。
この配線基板１は、主面１Ａ及び裏面１Ｂを有する略板形状をなしている。そして、この配線基板１は、主面１Ａに図１中に破線で示すＩＣチップ（電子部品）８１をハンダ接続することができる一方、裏面１Ｂに図１中に破線で示すマザーボード（他の基板）９１をソケットで機械的に接触接続させることができる。
【００２４】
配線基板１は、図２に示すように、その中心に略板状のコア基板３を備える。コア基板３の主面１Ａ側には、主面側樹脂絶縁層５が積層され、さらにその上には、主面側ソルダーレジスト層７が積層されている。同様に、コア基板３の裏面１Ｂ側には、裏面側樹脂絶縁層９が積層され、さらにその上には、裏面側ソルダーレジスト層１１が積層されている。
【００２５】
このうちコア基板３には、これを貫通する略円筒状のコア貫通孔１３が多数形成されている。コア貫通孔１３内には、その内周面に沿って略円筒状のスルーホール導体１５が形成され、さらに、その内部には、樹脂充填体１７が充填されている。また、コア基板３と主面側樹脂絶縁層５との層間には、スルーホール導体１５と接続する配線やパッド等の主面側第１導体層１９が形成されている。同様に、コア基板３と裏面側樹脂絶縁層９との層間には、スルーホール導体１５と接続する配線やパッド等の裏面側第１導体層２１が形成されている。
主面側樹脂絶縁層５内には、これを貫通し、主面側第１導体層１９と接続する主面側ビア導体２３が多数形成されている。一方、裏面側樹脂絶縁層９内にも、これを貫通し、裏面側第１導体層２１と接続する裏面側ビア導体２５が多数形成されている。
【００２６】
主面側樹脂絶縁層５と主面側ソルダーレジスト層７との層間には、主面側ビア導体２３と接続する配線やパッド等の主面側第２導体層２７が形成されている。このうち主面側パッド２９が、主面側ソルダーレジスト層７を貫通して形成された主面側開口３１内にそれぞれ露出している。
同様に、裏面側樹脂絶縁層９と裏面側ソルダーレジスト層１１との層間には、裏面側ビア導体２５と接続する配線やパッド等の裏面側第２導体層３５が形成されている。このうち裏面側パッド３７が、裏面側ソルダーレジスト層１１を貫通して形成された裏面側開口３９内にそれぞれ露出している。
【００２７】
主面側パッド２９上には、酸化防止等のため、厚さ約６μｍの主面側Ｎｉメッキ層４３が形成され、さらにその上には、厚さが０．０３〜０．１２μｍ（本実施形態では０．０５μｍ）で、置換Ａｕメッキよりなる主面側置換Ａｕメッキ層４５が形成されている。
本実施形態では、これら主面側パッド２９、主面側Ｎｉメッキ層４３及び主面側置換Ａｕメッキ層４５により、主面１ＡでＩＣチップ８１の接続端子８３とハンダ接続させるための主面側接続端子３３が構成されている。
【００２８】
一方、裏面側パッド３７上には、主面側接続端子３３と同様に、厚さ約６μｍの裏面側Ｎｉメッキ層５３が形成され、さらにその上には、置換Ａｕメッキからなる裏面側置換Ａｕメッキ層５５が形成されている。ただし、この裏面側置換Ａｕメッキ層５５は、主面側置換Ａｕメッキ層４５よりも厚く、０．２μｍ以上（本実施形態では０．８μｍ）とされている。
なお、これら裏面側パッド３７、裏面側Ｎｉメッキ層５３及び裏面側置換Ａｕメッキ層５５により、裏面１Ｂでマザーボード９１の接続端子９３と機械的に接触接続させるための裏面側接続端子４１が構成されている。
【００２９】
このような配線基板１は、主面側置換Ａｕメッキ層４５が、０．０３μｍ以上０．１２μｍ以下と薄くされている一方、裏面側置換Ａｕメッキ層５５は、０．２μｍ以上と厚くされている。
従って、主面側接続端子３３とＩＣチップ８１の接続端子８３とをハンダ付けしたときに、主面側接続端子３３のＡｕとハンダ中のＳｎとにより生じる金属間化合物がごくわずかであるので、主面側接続端子３３のハンダ付け性を高くし、主面側接続端子３３とＩＣチップ８１の接続端子８３との接続信頼性を向上させることができる。これと共に、裏面側接続端子４１とマザーボード９１の接続端子９３とを機械的に接触接合させたときに、裏面側置換Ａｕメッキ層５５が剥がれて下地の裏面側Ｎｉメッキ層５３が露出し、接触抵抗が大きくなるなどの不具合が防止される。このため、裏面側接続端子４１とマザーボード９１の接続端子９３との接続信頼性も向上させることができる。
【００３０】
次いで、上記配線基板１の製造方法について、図３〜図８を参照しつつ説明する。
まず、公知の手法により、主面１Ａと裏面１Ｂを有する略板形状をなし、主面側パッド２９と裏面側パッド３７が露出した図３に示す配線基板６１を製作する。
即ち、両面に銅箔が張られたコア基板３を用意し、所定の位置にコア貫通孔１３を多数形成する。そして、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを順に施して、コア基板３の両面の銅箔上にＣｕメッキ層を、及び、コア貫通孔１３の内周面にスルーホール導体１５を形成する。その後、スルーホール導体１５内に樹脂ペーストを印刷充填し、加熱硬化させて樹脂充填体１７を形成する。その後、両面の上記Ｃｕメッキ層上に所定のパターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出するＣｕメッキ層及び銅箔をエッチング除去して、所定パターンの主面側第１導体層１９及び裏面側第１導体層２１を形成する。
【００３１】
次に、このコア基板３の両面に、半硬化の樹脂絶縁層をそれぞれ形成し、所定パターンを有するマスクを用いて露光し、さらに現像する。その後、加熱処理し硬化させて、主面側ビア導体２３を形成するための主面側有底孔６３を有する主面側樹脂絶縁層５、及び、裏面側ビア導体２５を形成するための裏面側有底孔６５を有する裏面側樹脂絶縁層９を形成する。
その後、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを順に施して、主面側樹脂絶縁層５及び裏面側樹脂絶縁層９上にＣｕメッキ層を、主面側有底孔６３内に主面側ビア導体２３を、及び、裏面側有底孔６５内に裏面側ビア導体２５をそれぞれ形成する。その後、両面の上記Ｃｕメッキ層上に所定のパターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出するＣｕメッキ層をエッチング除去して、所定パターンの主面側第２導体層２７及び裏面側第２導体層３５を形成する。
【００３２】
次に、主面側樹脂絶縁層５上及び裏面側樹脂絶縁層９上に半硬化のソルダーレジスト層をそれぞれ形成し、所定パターンを有するマスクを用いてそれぞれ露光し、さらに現像する。その後、加熱処理し硬化させて、主面側パッド２９が露出する主面側開口３１を有する主面側ソルダーレジスト層７、及び、裏面側パッド３７が露出する裏面側開口３９を有する裏面側ソルダーレジスト層１１を形成する。このようにして、図３に示す配線基板６１が製作される。
【００３３】
次に、Ｎｉメッキ工程において、上記配線基板６１にＮｉ−Ｐメッキ（ＥＥＪＡ社製ＮＰ−７０００）を施し、主面側開口３１から露出する主面側パッド２９上に、厚さ約６μｍの主面側Ｎｉメッキ層４３を、及び、裏面側開口３９から露出する裏面側パッド３７上に、厚さ約６μｍの裏面側Ｎｉメッキ層５３を形成する（図４参照）。
【００３４】
次に、第１置換Ａｕメッキ工程のおいて、図４に示すように、第１置換Ａｕメッキ（ＥＥＪＡ社製レクトロレスＡｕ１２００）を施し、主面側接続端子３３の主面側Ｎｉメッキ層４３上に、厚さ０．０５μｍの第１主面側置換Ａｕメッキ層４５（主面側置換Ａｕメッキ層４５）を、及び、裏面側接続端子４１の裏面側Ｎｉメッキ層５３上に、厚さ０．０５μｍの第１裏面側置換Ａｕメッキ層６２を形成する。
その際、この第１置換Ａｕメッキは、弱酸性のメッキ液（ｐＨ＝約５）であるので、主面側ソルダーレジスト層７や裏面側ソルダーレジスト層１１がメッキ中に溶解することが防止される。また、メッキ液が主面側ソルダーレジスト層７や裏面側ソルダーレジスト層１１の下に潜り込んでハローイングを引き起こすことも防止される。
【００３５】
次に、マスキング工程において、図５に示すように、配線基板６１の主面１Ａ略全面に、保護フィルム６８と、この保護フィルム６８の粘着剤が主面側接続端子３３等へ付着するのを防止するための粘着防止フィルム６９とを有する保護層６７を張り付け、第１主面側置換Ａｕメッキ層４５を保護層６７で覆う。
なお、図示しないが、この保護層６７は、配線基板６１の周縁部で保護フィルム６８が配線基板６１に粘着して固着されている。このような保護層６７は、粘着防止フィルム６９を有し、その周縁部にのみ主面側接続端子３３を包囲するように露出した保護フィルム６８を有しているので、保護フィルム６８の粘着剤が主面側接続端子３３に付着することなく、第１主面側置換Ａｕメッキ層４５を保護することができる。
【００３６】
次に、第１裏面側Ａｕメッキ層除去工程において、図６に示すように、配線基板６１を、Ａｕ剥離液（ＥＥＪＡ社製ＧＳ−Ｎソルト）で処理し、第１裏面側置換Ａｕメッキ層６２を除去し、下地の裏面側Ｎｉメッキ層５３を露出させる。このとき、第１主面側置換Ａｕメッキ層４５は保護層６７で覆われているので、エッチング除去されることはない。
このように、本実施形態では、後述する裏面側置換Ａｕメッキ層５５を形成するにあたり、第１裏面側置換Ａｕメッキ層６２を除去するので、この層がマスキング工程によって空気中にさらされ、あるいは高温にさらされることにより、その上にＡｕメッキが形成されにくくなるなどの製造条件の不安定を生じることがない。従って、後述する工程で、確実に厚い裏面側置換Ａｕメッキ層５５を形成することができる。
【００３７】
次に、第２置換Ａｕメッキ工程のうち第２薄付置換Ａｕメッキ工程において、図７に示すように、配線基板６１に第２薄付置換Ａｕメッキ（ＥＥＪＡ社製レクトロレスＳＴ）を施し、裏面側接続端子４１の裏面側Ｎｉメッキ層５３上に、厚さ約０．１μｍの第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層５６を形成する。
その際、この第２薄付置換Ａｕメッキは、中性のメッキ液（ｐＨ＝約７）であるので、保護層６７や裏面側ソルダーレジスト層１１がメッキ中に溶解することが防止される。また、メッキ液が裏面側ソルダーレジスト層１１の下に潜り込んでハローイングを引き起こすことも防止される。
【００３８】
引き続き、第２置換Ａｕメッキ工程のうち第２厚付置換Ａｕメッキ工程において、図８に示すように、配線基板６１に第２厚付置換Ａｕメッキ（ＥＥＪＡ社製レクトロレスＭＴ）を施し、裏面側接続端子４１の第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層５６上に、第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層５６よりも厚く、厚さ約０．７μｍの第２裏面側厚付置換メッキ層５７を形成する。これにより、第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層５６と、第２裏面側厚付置換メッキ層５７とからなる裏面側置換Ａｕメッキ層５５（厚さ約０．８μｍ）が形成される。
【００３９】
その際、この第２厚付置換Ａｕメッキも、弱酸性のメッキ液（ｐＨ＝約５．５）であるので、保護層６７や裏面側ソルダーレジスト層１１が溶解することが防止される。また、メッキ液が裏面側ソルダーレジスト層１１の下に潜り込んでハローイングを引き起こすことも防止することができる。
このように、本実施形態では、先に第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層５６を形成し、その後、第２裏面側厚付置換Ａｕメッキ層５７を形成しているので、裏面側置換Ａｕメッキ層５５の厚みのばらつきを抑制することができる。また、第２厚付け置換Ａｕメッキのメッキ時間を短縮することができる。
【００４０】
次に、保護層除去工程において、配線基板６１の主面１Ａに形成された保護層６７を、手指により剥離する。なお、図示しないが、保護層６７の一部が、配線基板６１の外側へはみ出すように予め張り付けておくと、保護層６７の除去が容易となる。
以上のようにして、図１及び図２に示す配線基板１が完成する。
【００４１】
このような製造方法によれば、ＩＣチップ８１の接続端子８３とハンダ接続させる主面側接続端子３３と、マザーボード９１の接続端子９３と機械的に接触接続させる裏面側接続端子４１とを備える配線基板１において、主面側接続端子３３の主面側置換Ａｕメッキ層４５（第１主面側置換Ａｕメッキ層４５）を薄く、裏面側接続端子４１の裏面側置換Ａｕメッキ層５５（第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層５６及び第２裏面側厚付置換メッキ層５７）を厚くすることができる。
従って、主面側接続端子３３とＩＣチップ８１の接続端子８３とのハンダ付け性を高くし、接続信頼性を向上させると共に、裏面側接続端子４１とマザーボード９１の接続端子９３との接続信頼性も向上させることができる。
【００４２】
（参考形態１）
次いで、上記実施形態の第１の参考形態について、図９を参照しつつ説明する。本参考形態の配線基板は、上記実施形態の配線基板１と同様であるが、その製造方法につき、裏面側置換Ａｕメッキ層５５の形成に関連する工程が、上記実施形態と異なる。
配線基板の製造にあたり、上記実施形態と同様にして、第１裏面側置換Ａｕメッキ層除去工程まで行う。即ち、主面１Ａと裏面１Ｂを有する略板形状をなし、主面側パッド２９と裏面側パッド３７が露出した図３に示す配線基板６１を製作する。そして、Ｎｉメッキ工程、第１置換Ａｕメッキ工程、マスキング工程、及び第１裏面側Ａｕメッキ層除去工程を順に行う。
【００４３】
次に、本参考形態では、第２置換Ａｕメッキ工程において、図９に示すように、配線基板６１に第２厚付置換Ａｕメッキ（ＥＥＪＡ社製レクトロレスＭＴ）を施し、裏面側接続端子４１の裏面側Ｎｉメッキ層５３上に、厚さ約０．８μｍの第２裏面側厚付置換Ａｕメッキ層２５６を形成し、裏面側置換Ａｕメッキ層５５とする。即ち、上記実施形態では、２回に分けて置換Ａｕメッキを行い、裏面側置換Ａｕメッキ層５５を形成したところ、本参考形態では、１回の置換Ａｕメッキにより裏面側置換Ａｕメッキ層５５を形成する。従って、上記実施形態の製造方法よりも工程を単純にすることができる。
【００４４】
この場合も、上記実施形態と同様に、第２厚付置換Ａｕメッキが、弱酸性のメッキ液（ｐＨ＝約５．５）であるので、保護層６７や裏面側ソルダーレジスト層１１が溶解することが防止される。また、メッキ液が裏面側ソルダーレジスト層１１の下に潜り込んでハローイングを引き起こすことも防止される。
なお、第２置換Ａｕメッキ工程後は、上記実施形態と同様に、保護層除去工程において、配線基板６１の主面１Ａに形成された保護層６７を除去し、配線基板を完成させる。
【００４５】
このような方法で製造しても、ＩＣチップ８１の接続端子８３とハンダ接続させる主面側接続端子３３と、マザーボード９１の接続端子９３と機械的に接触接続させる裏面側接続端子４１とを備える配線基板において、主面側接続端子３３の主面側置換Ａｕメッキ層４５を薄く、裏面側接続端子４１の裏面側置換Ａｕメッキ層５５を厚くすることができる。
従って、主面側接続端子３３とＩＣチップ８１の接続端子８３とのハンダ付け性を高くし、接続信頼性を向上させると共に、裏面側接続端子４１とマザーボード９１の接続端子９３との接続信頼性も向上させることができる。
【００４６】
（参考形態２）
次いで、上記実施形態の第２の参考形態について、図１０を参照しつつ説明する。本参考形態の配線基板も、上記実施形態の配線基板１と同様であるが、その製造方法につき、裏面側置換Ａｕメッキ層５５の形成に関連する工程が、上記実施形態と異なる。
本参考形態の製造方法は、図３に示す配線基板６１を製作し、Ｎｉメッキ工程、第１置換Ａｕメッキ工程、及びマスキング工程を行うまでは、上記実施形態と同様である。しかし、第１裏面側Ａｕメッキ層除去工程を行わずに、マスキング工程後、第２置換Ａｕメッキ工程に進む。従って、第１裏面側置換Ａｕメッキ層６２を除去することなく、第１裏面側置換Ａｕメッキ層６２上にそのまま第２裏面側置換Ａｕメッキ層３５６を形成しているから、配線基板の生産性を高くすることができる。
【００４７】
第２置換Ａｕメッキ工程では、図１０に示すように、配線基板６１に第２厚付置換Ａｕメッキ（ＥＥＪＡ社製レクトロレスＭＴ）を施し、第１裏面側置換Ａｕメッキ層６２上に、厚さ約０．４μｍの第２裏面側置換Ａｕメッキ層３５６を形成する。
この場合も、第２置換Ａｕメッキは、弱酸性のメッキ液（ｐＨ＝約５．５）であるので、保護層６７や裏面側ソルダーレジスト層１１が溶解することが防止され、また、ハローイングも防止される。
【００４８】
このような方法で製造しても、ＩＣチップ８１の接続端子８３とハンダ接続させる主面側接続端子３３と、マザーボード９１の接続端子９３と機械的に接触接続させる裏面側接続端子４１とを備える配線基板において、主面側接続端子３３の主面側置換Ａｕメッキ層４５を薄く、裏面側接続端子４１の裏面側置換Ａｕメッキ層５５（第１裏面側置換Ａｕメッキ層６２及び第２裏面側置換Ａｕメッキ層３５６）を厚くすることができる。
従って、主面側接続端子３３とＩＣチップ８１の接続端子８３とのハンダ付け性を高くし、接続信頼性を向上させると共に、裏面側接続端子４１とマザーボード９１の接続端子９３との接続信頼性も向上させることができる。
【００４９】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態及び参考形態１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態等では、樹脂製の配線基板１について示したが、セラミック製の配線基板についても、同様に本発明を適用することができる。
【００５０】
また、上記実施形態等では、第１置換Ａｕメッキ工程後にマスキング工程を行う製造方法について示したが、Ｎｉメッキ工程後、第１置換Ａｕメッキ工程前にマスキングを行う方法によっても、上述した配線基板１を製造することができる。
例えば、Ｎｉメッキ工程後、配線基板６１の裏面１Ｂ略全面に保護層を形成し、第１置換Ａｕメッキを施して、主面側置換Ａｕメッキ層４５だけを形成する。その後、上記保護層を除去し、今度は配線基板６１の主面１Ａ略全面に保護層を形成する。そして、第２置換Ａｕメッキ工程により、裏面側置換Ａｕメッキ層５５を形成する。その後、上記保護層を除去すれば、配線基板１が完成する。
このような製造方法では、第１裏面側置換Ａｕメッキ層６２が形成されないので、マスキング工程を２度行う代わりに、第１裏面側Ａｕメッキ層除去工程を要しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係る配線基板の断面図である。
【図２】実施形態に係る配線基板の部分拡大断面図である。
【図３】実施形態に係る配線基板の製造方法を示す図であり、主面側パッドと裏面側パッドが露出した配線基板を示す説明図である。
【図４】実施形態に係る配線基板の製造方法のうち、第１置換Ａｕメッキ工程後の様子を示す説明図である。
【図５】実施形態に係る配線基板の製造方法のうち、マスキング工程後の様子を示す説明図である。
【図６】実施形態に係る配線基板の製造方法のうち、第１裏面側Ａｕメッキ層除去工程後の様子を示す説明図である。
【図７】実施形態に係る配線基板の製造方法のうち、第２薄付置換Ａｕメッキ工程後の様子を示す説明図である。
【図８】実施形態に係る配線基板の製造方法のうち、第２厚付置換Ａｕメッキ工程後の様子を示す説明図である。
【図９】参考形態１に係る配線基板の製造方法のうち、第２置換Ａｕメッキ工程後の様子を示す説明図である。
【図１０】参考形態２に係る配線基板の製造方法のうち、第２置換Ａｕメッキ工程後の様子を示す説明図である。
【図１１】従来技術に係る配線基板を示す部分拡大断面図である。
【図１２】従来技術に係る配線基板を示す部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１        配線基板
１Ａ      主面
１Ｂ      裏面
３３      主面側接続端子
４１      裏面側接続端子
４５      主面側置換Ａｕメッキ層（第１主面側置換Ａｕメッキ層）
５５      裏面側置換Ａｕメッキ層
６２      第１裏面側置換Ａｕメッキ層
５６      第２裏面側薄付置換Ａｕメッキ層
５７      第２裏面側厚付置換Ａｕメッキ層
６７      保護層
８１      ＩＣチップ（電子部品）
９１      マザーボード（他の基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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