(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に複数の電極パッドを有する半導体チップと、
第一の面に複数の導体リードを備え、該第一の面にその主面を向けて上記半導体チップを搭載する絶縁基板であって、上記第一の面と反対側の第二の面側に上記導体リードのインナーリード及び上記複数の電極パッドを露出させる開口を備えたものと、
上記開口を通して上記インナーリードと上記電極パッドとを電気的に接続する導体ワイヤと、
少なくとも上記導体ワイヤ及び上記開口を覆う封止材料と、
上記絶縁基板の第二の面側に配置され、上記導体リードのアウターリードと電気的に接続される外部接続端子と、
を有し、
上記開口は、少なくとも上記複数の電極パッドを露出させる第一の開口と、上記インナーリードを露出させる第二の開口とを備え、上記導体ワイヤは、上記第一の開口と上記第二の開口の間の上記絶縁基板による壁を越えて配置される半導体装置。
【請求項２】
上記第一の開口及び上記第二の開口は、それぞれ直線的に並んで配置される複数の開口に分離されたものである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記第一及び第二の開口を間にしてその両側に沿ってリードフレームを備えた請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記絶縁基板は、その第二の面側に上記アウターリードを露出させる複数のビアホールを備え、上記外部接続端子は、該ビアホールを介して上記アウターリードに電気的に接続される半田バンプである請求項１、２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記半導体チツプは、主面の略中央で一列に上記複数の電極パッドを配置したものである請求項１、２、３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記インナーリードは、上記電極パッドの列の両側に沿って配置され、上記アウターリードは、上記電極パッドの列によって分けれらた上記半導体装置の主面の各側で二次元的に配置されている請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記絶縁基板が可撓性絶縁フィルムである請求項１、２、３、４、５又は６に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記絶縁基板は、上記半導体チップの主面と同じ平面的サイズを有するものである請求項１、２、３、４、５、６又は７に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記絶縁基板は、上記半導体チップの主面よりも大きい平面的サイズを有し、上記半導体チップの周囲に露出した上記絶縁基板の第一の面上に、上記半導体チップの側面と接着される補強部材を備えた請求項１、２、３、４、５、６、７又は８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記補強部材がモールド樹脂である請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記補強部材は、上記半導体チップの裏面と同じ高さで該裏面と連続する第一の面と、上記絶縁基板の端面の位置で上記第一の面と略直角に交わる第二の面とを備える請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
主面に複数の電極パッドを有する半導体チップを形成する工程と、
絶縁基板の第一の面上に、複数の導体リードを形成する工程と、
上記絶縁基板の第一の面と反対側の第二の面側から、上記絶縁基板における、上記導体リードのインナーリードの位置及び上記半導体チップの電極パッドに対応する位置に開口を形成すると共に、上記導体リードのアウターリードの位置にビアホールを形成する工程と、
上記絶縁基板の第一の面上にその主面を向けて上記半導体チップを搭載する工程と、
上記開口を通して上記インナーリードと上記電極パッドとを導体ワイヤにより電気的に接続する工程と、
少なくとも上記導体ワイヤ及び上記開口を封止材料により封止する工程と、
上記絶縁基板の第二の面側から、上記ビアホールを通して上記アウターリードに外部接続端子を電気的に接続する工程と、
を有し、
上記絶縁基板に開口を形成する工程は、少なくとも上記複数の電極パッドを露出させる第一の開口と、上記インナーリードを露出させる第2の開口とを形成するものである半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
主面に複数の電極パッドを有する半導体チップを形成する工程と、
上記半導体チップよりも大きい平面的サイズを有する絶縁基板の第一の面上に複数の導体リードを形成する工程と、
上記絶縁基板の第一の面と反対側の第二の面側から、上記絶縁基板における、上記導体リードのインナーリードの位置及び上記半導体チップの電極パッドに対応する位置に開口を形成すると共に、上記導体リードのアウターリードの位置にビアホールを形成する工程と、
上記絶縁基板の第一の面上にその主面を向けて上記半導体チップを搭載する工程と、
上記開口を通して上記インナーリードと上記電極パッドとを導体ワイヤにより電気的に接続する工程と、
少なくとも上記導体ワイヤ及び上記開口を封止材料により封止する工程と、
上記半導体チップの周囲に露出した上記絶縁基板の第一の面上に上記半導体チップの側面と接着される補強部材を設置する工程と、
上記絶縁基板の第二の面側から、上記ビアホールを通して上記アウターリードに外部接続端子を電気的に接続する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
上記開口の両側にリードフレームを配置し、該リードフレーム間にモールド樹脂を注入して上記導体ワイヤ及び上記開口を封止する請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
上記補強部材をモールド樹脂により構成し、上記導体ワイヤ及び上記開口を封止する工程と共に形成する請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置のパッケージ構造に関し、特にＣＳＰ型の半導体装置に適用して好適なる半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の飛躍的な技術進歩は、携帯型電話機、電子情報端末、携帯型コンピュータ等、人々が持ち運べる小型・軽量の電子情報機器を生み出した。マイクロプロセッサの実装密度は１８ヶ月で２倍になる、というムーアの法則に沿って年々、一つの半導体チップに実装されるトランジスタの数が上昇している。その一方で、従来からあるＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔ−ｌｉｎｅ  Ｊ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の半導体装置におけるパッケージサイズは、数ミリ〜十数ミリという半導体チップのサイズに比して、大型である。これは、更なる電子部品の高密度実装、延いては電子情報機器の小型化を実現する上での妨げになる。
【０００３】
ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）は、集積回路パッケージのサイズを、チップサイズと同等あるいは僅かに大きい程度に高密度化したパッケージである。現在、既に多くの種類のＣＳＰ型半導体装置が提案されている。ＣＳＰの量産化における一つの問題は、ＱＦＰ等の従来のパッケージに比べて、その製造コストが高いということである。複雑な構造や製造工数の増加は、パッケージのコストを引き上げる主要な要因である。
【０００４】
ＣＳＰ型の半導体装置の一形態に、絶縁基板上に、その主面を上に向けて半導体チップを搭載し、基板上の導体リードとチップの電極パッドをワイヤボンディングにより接合する構造のものがある。この場合、電極パッド、導体リード及びこれらを接続する導体ワイヤは、外気に晒すことはできないので、樹脂によりこれらを完全に覆う必要が生じる。しかしながら樹脂による封止によりパッケージの厚みは増し、また半導体チップの放熱性が低下する。さらには、メモリーＩＣなどの、チップ主面の中央一列に電極パッドを備える、いわゆるセンターボンド型の半導体チップにおいては、上記構造の実用化には至っていない。
【０００５】
一方、チップ主面を絶縁基板側に向けて搭載する、いわゆるフリップチップ実装タイプのＣＳＰ型半導体装置がある。フリップチップ実装タイプの半導体装置は、上記パッケージの厚みを抑え、またチップの放熱性を向上させる上で有効な技術ではある。しかし、ワイヤボンディングの場合に比して、電極パッドと導体リードとの接続信頼性が低く、またその接合部分が見えにくいので、接続の良否の確認が困難であるという問題がある。
【０００６】
ＣＳＰ型の半導体装置のもう一つの問題は、チップサイズによってその接続端子数が規定されることである。最も効率的に接続端子数を確保する方法は、チップ主面上で二次元的に端子を配列できるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）技術を用いることである。しかしながら、それでも半導体チップのサイズは、数ミリ〜十数ミリに過ぎないので、端子数を上げるために端子ピッチを狭くするなどの工夫が必要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ＣＳＰ型の半導体装置に適用して好適なる、製造コストを抑えることができる簡易で量産性の高い構造の半導体装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の別の目的は、ワイヤボンディングを用いた半導体装置において、パッケージの厚みを抑え、また半導体チップの放熱性を向上することである。
【０００９】
さらに本発明の別の目的は、ＣＳＰ型の半導体装置において、接続端子数を多く確保できるようにすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第一の面に複数の導体リードを備える絶縁基板を含む。主面に複数の電極パッドを備える半導体チップは、その主面を上記第一の面に向けて上記絶縁基板上に搭載される。絶縁基板は、上記第一の面と反対側の第二の面側に上記導体リードのインナーリード及び上記複数の電極パッドを露出させる開口を備える。上記開口を通して伸びる導体ワイヤにより、上記インナーリードと電極パッドとが電気的に接続される。上記導体ワイヤ及び上記開口は、ポッティング又はモールディングの方法により与えられる樹脂等によって封止され外気から遮断される。導体リードのアウターリードには、絶縁基板の第二の面側に配置される外部接続端子が接続される。ここで、上記導体リードのインナーリード及びアウターリードは、必ずしも導体リードの端部を意味しない。すなわち、インナーリードは電極パッドからの導体ワイヤが接続される導体リード上の領域を指し、アウターリードは上記外部接続端子が接続される導体リード上の領域を指すものである。
【００１１】
本発明に係る半導体装置において、これに実装される半導体チップの形状及び電極パッドの配置は限定されないが、半導体チップの主面の略中央に一列に上記複数の電極パッドを配置した、いわゆるセンターボンド構造の半導体チップに適用してもっとも好適である。また、上記外部接続端子は、絶縁基板の面上に二次元的に配列された半田バンプであることが好ましい。この場合、各半田バンプは絶縁基板に形成したビアホールを介して基板反対側のアウターリードと接合される。更に、本発明において上記絶縁基板は、セラミックその他硬質の絶縁材料を用いることができるが、好ましくは、ポリイミドその他の可撓性絶縁材料が用いられる。
【００１２】
ここで上記絶縁基板に形成される上記開口は、上記導体リードのインナーリード用及び上記電極パッド用としての２つの開口を別々に形成しても良く、また共通の一つの開口としても良い。別の開口を形成した場合には、上記導体ワイヤはこれら開口間の上記絶縁基板による壁を越えて配置されることとなる。導体ワイヤの樹脂封止の際に、上記壁は樹脂の圧力に対し導体ワイヤの形状を維持し、これが潰れて他の導体ワイヤやインナーリードと接触する可能性を極小にする。また、上記開口は、主として絶縁基板の強度や連続性を維持する目的で、さらに複数に分割して構成することが好ましい。開口のサイズは特に限定されないが、上記導体ワイヤによる電極パッドとインナーリードの接合の自動化の妨げにならない程度のものが必要である。
【００１３】
上記導体ワイヤ及び開口は、ポッティング又はモールディングの方法により与えられる樹脂によって封止するのが好ましい。モールド注入時に、樹脂が絶縁基板面に広がるのを阻止するためのダムとして、上記開口の両側に沿ってリードフレームを備えることができる。
【００１４】
本発明は、その対象とする半導体パッケージを特に限定しないが、ＣＳＰ型の半導体パッケージにおいて採用されることが好ましい。
【００１５】
更に本発明は、上記絶縁基板が、上記半導体チップの主面よりも大きい平面的サイズを有し、上記半導体チップの周囲に露出した上記絶縁基板の第一の面上に、上記半導体チップの側面と接着される補強部材を備えた構造の半導体装置を含む。補強部材は半導体チップと一体となって、あたかもチップサイズが一回り大きくなったような外観を呈する。絶縁基板の面積は、半導体チップの主面の面積の約１００％〜１５０％程度が好適である。これによりチップサイズのパッケージに実装できる外部端子数をより多くすることができる。上記補強部材は、好ましくはモールド樹脂である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面に沿って説明する。本発明をＣＳＰ型のパッケージを有するメモリー装置に適用した例を示す。図１は本実施形態に係るメモリー装置をその実装面側から見た図であり、図２はその断面図である。メモリー装置は、半導体集積回路チップ（以下、半導体チップ１という）と絶縁基板３を含んで構成されている。半導体チップ１は、その主面１ａ、すなわち集積回路を形成した面の略中央に、一列に並んで配列された複数の電極パッド２を有する。半導体チップ１の主面１ａは、その内部に作り込んだ回路を保護するために、後述する様に複数の層の膜で覆われるが、電極パッド２の領域だけがその膜に開口が形成されている。
【００１７】
絶縁基板３は、ポリイミド樹脂製のフィルムであり、接着層８を介して上記半導体チップ１の主面１ａに接着される。接着層８としては、熱可塑性ポリイミドを用いることが好ましいが、エポキシ系樹脂を使用することもできる。絶縁基板３は、上記主面１ａに接着される側の面に、複数の導体リード７を備える。絶縁基板３上に導体リード７を形成する一つの好適な方法は、絶縁基板３上に銅箔を接着し、フォトリソグラフィ技術を用いて該銅箔をエッチングすることにより、必要な導体パターンを得る方法である。この場合、銅の酸化を防止するために、その表面に金又はニッケル等のメッキを施すのが好ましい。各導体リード７は、絶縁基板３の対向する２側辺から中央の電極パッド２の列に向かって伸びている。導体リード７の中央側の端部７ａは、上記電極パッド２の列の両側で、これに沿って並んでいる。このリードの端部７ａは、導体リード７の本来の線幅よりも幅広に形成されており、ここに後述する導体ワイヤ９の一端が接続される。以下、この端部７ａをインナーリードと呼ぶ。
【００１８】
各導体リード７の任意の中間位置には、円形状の領域７ｂが形成されている。導体リード７の配列全体を離れて見た場合に、上記円形状の領域７ｂは、電極パッド２の列の両側で、各２列に整列して配置されている。この領域７ｂには、後述する半田バンプ１１が接合される。以下、この領域７ｂをアウターリードと呼ぶ。各導体リード７は、アウターリード７ｂよりも更に、絶縁基板３の両側辺に向かって伸びているスタブ７ｃの領域を含んでいる。スタブ７ｃは、半導体チップの電極パッド２と半田バンプ１１とを電気的に接続するためには機能しないが、導体リード７の製造上必要であり、また半導体装置のプローブテストにおける接触子が当接するエリアとして用いることができる。
【００１９】
図３に、上記導体リード７の絶縁基板３上における配置が最も明確に示されている。絶縁基板３は両側にスプロケットホールを備えたテープ状のフィルムとして供給される。図はこのフィルムから絶縁基板３を切り出す前のものを示している。導体リード７のいくつかは、基板の側辺から伸びてアウターリード７ｂで終わり、電極パッドの側に伸びていない。これらの導体リードは、電気的には機能しないダミーのリードである。フィルム上に導体リード７を形成した後、仮想線で示した半導体チップ１の外形線の位置で、絶縁基板３が切り出される。
【００２０】
上記絶縁基板３は、基本的に２種類の用途に分けられる複数の開口を有している。最初の種類の開口は、上記電極パッド２の列に対応する位置に形成された電極パッド用開口４である。電極パッド用開口４は、絶縁基板３に半導体チップ１を搭載した状態で、絶縁基板３の実装面側に電極パッド２を露出させる。図４は導体リード７を絶縁基板３上に形成する前の工程における絶縁フィルムの状態を示している。ここには、既に上記電極パッド用開口４を含む多数の開口が形成されている。以下、図１及び図２と共に、図４を参照する。上記電極パッド用開口４は、電極パッド２の列に沿って一直線状に配置された３つの開口に分けられて形成されている。電極パッド２を露出させる目的からすれば、開口４は一つの連続した領域で良いが、柔軟なポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁基板３の形状を維持するために複数の開口に分けられている。２番目の種類の開口は、導体リード７のインナーリード７ａの列に対応して形成されたインナーリード用開口５である。インナーリード用開口５は、上記電極パッド用開口４の両側に、これに沿って形成される。インナーリード用開口５も、上記電極パッド用開口４と同じように、複数に分けられた開口によって構成されている。インナーリード７ａとインナーリード用開口５との位置関係は、図３に最も明確に示されている。一つの実施例において、上記電極パッド用開口４及びインナーリード用開口５の幅は、何れも０．５ｍｍである。
【００２１】
図１及び図２に示されるように、導体ワイヤ９は、上記電極パッド用開口４及び上記インナーリード用開口５を介して、電極パッド２とインナーリード７ａとを電気的に接続する。従来からのワイヤボンディングの手法を採用して、上記接続を実現することができる。導体ワイヤ９は、電極パッド用開口４とインナーリード用開口５との間にある絶縁基板の領域３ａ（以下、この領域をここでは壁と呼ぶ）を跨ぐようにして設置される。樹脂１０は、上記導体ワイヤ９及びすべての開口４、５を覆って、これらが外気に晒されないように保護する。ポッティング、すなわち液状の樹脂を上記領域に滴下し、キュアして硬化させる方法によって、上記樹脂１０を形成する。上記壁３ａは、上記樹脂１０の成型の際に導体ワイヤ９が潰れないようにガイドとしての機能を発揮する。
【００２２】
次に、絶縁基板３には、更に上記導体リード７のアウターリード７ｂに対応する位置にビアホール６を有する。ビアホール６は、円形のアウターリード７ｂよりも一回り小さい円形の穴である。アウターリード７ｂの裏面側は、ビアホール６を介して絶縁基板３の実装面側に露出される。そしてこのビアホール６上に半田バンプ１１が形成される。図２に示すように、ビアホール６内にはスキージを用いて半田が充填され、この上に別の工程で形成した半田ボールが移載される。これをリフロー炉を通して溶融し、アウターリード７ｂに接合された半田バンプ１１を得る。一つの実施例において、アウターリード７ｂの径を０．８ｍｍとし、ビアホール６の径を０．５ｍｍとした。また、半田バンプ１１のピッチを約１．２７ｍｍとし、（具体的な寸法を入れてください）０．７５ｍｍ径の半田ボールを用いた。バンプのピッチは、この他１．０ｍｍ、０．８ｍｍ、０．５ｍｍ等が採択できるが、搭載する半田ボールの直径は、これらピッチの約５０％が好適である。
【００２３】
図５は、絶縁基板３に搭載する前の半導体チップ１の主面側の平面図である。半導体チップ１の主面１ａ上には複数の保護膜が形成されており、その最上位の層が接着層８である。主面１ａの電極パッド２を露出させるために、保護膜に開口１９が形成されている。
【００２４】
図６（Ａ）〜（Ｇ）は、上記半導体チップ１上に保護膜及び上記開口１９を形成する工程を示している。ダイシング前のウェハの段階で、最初に、半導体チップ１上にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕからなる金属をパターンニングして電極パッド２を形成した後、チップ全体にシリコン酸化膜１５を付着させる（工程（Ａ））。プラズマエッチングにより、電極パッド２上の酸化膜を除去する（工程（Ｂ））。シリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）からなるパッシベーション層１６を酸化膜１５上に付着させる（工程（Ｃ））。更に、パッシベーション層１６上に感光性ポリイミド１７を付着させる（工程（Ｄ））。感光性ポリイミド１７は、半導体チップ１を絶縁基板３上に接着するための接着層８として機能する。電極パッド２上をマスク１８で覆い、３５０〜４７０ｎｍ波長の紫外線を用いて感光性ポリイミド１７を反応させる（工程（Ｅ））。感光性ポリイミド１７を現像して、マスク１８で覆われた領域を除去し、その後、約３５０℃で上記ポリイミド１７を熱縮合反応させる（工程（Ｆ））。最後に、プラズマエッチングにより電極パッド２上のパッシベーション層１６を除去することにより、電極パッド２を露出させる。
【００２５】
次に、本発明の別の実施形態について説明する。図７は、本発明の他の実施形態におけるメモリー装置の断面図を示している。本実施形態において、先の実施形態と同じ構成部分には、同じ符号を用いており、それらの説明はここでは省略する。本実施形態におけるメモリー装置が、先のメモリー装置と異なる最初の点は、半導体チップ１よりも幅広の絶縁基板３を有し、これに伴ってその面に６列の半田バンプ１１の列を備えている点である。先のメモリー装置における端子数は、５２ピン（１３×４列）であったが、本メモリー装置では、７８ピン（１３×６列）の端子を装備することができる。すなわち、絶縁基板３の幅を、半導体チップ１の幅を超えて広げることにより、実装できる半田バンプ１１の数をそのピッチを変えることなく増加している。なお、図では明らかにされていないが、本実施形態において絶縁基板３の縦方向の幅、すなわち図面の奥行き方向の幅は、先の例の場合と同じく、半導体チップ１の幅に等しい。
【００２６】
上記絶縁基板３における半導体チップ１を越えて突出した部分の裏面側には、補強部材２０が備えられる。補強部材２０は、半導体チップ１の両辺に沿って設けられる直方体状の樹脂製ブロックである。後述するように、モールド成型法により該補強部材２０を形成する。補強部材２０の内側の一面は、絶縁基板３の裏面に接着され、また他の一面は半導体チップ１の側面に接着され、これによって補強部材２０はメモリー装置に一体となる。また補強部材２０の外側の一面は半導体チップ１の裏面と連続し、また他の一面は絶縁基板１の端部の位置に揃えられている。
【００２７】
本メモリー装置が先のメモリー装置と異なる第２の点は、樹脂１０をモールド成型法によって成型すると共に、絶縁基板３の開口４、５の両側に沿ってリードフレーム２１（図９参照）により与えられるダムリード２１ａを備えた点である。ダムリード２１ａは、モールド成型時における樹脂の流れを規制するためのものである。ダムリード２１ａは、絶縁基板３の面にエポキシ系又はポリイミド系の接着剤を介して接着され、樹脂１０成型後も取り外されることなく、メモリー装置の一部を構成する。このようにダムリード２１ａを用いて樹脂１０をモールド成型する最大の理由は、上記補強部材２０の成型と共にこれを成型することができる点にある。
【００２８】
図８は、上記補強部材２０及び樹脂１０の成型法を示す図である。絶縁基板３上に半導体チップ１を搭載し、ワイヤボンディングを行なった後に、リードフレームのダムリード２１ａを絶縁基板３上に接着する。図９に示すように、一つのリードフレーム２１には、複数のメモリー装置分のダムリード２１ａが形成されており、各ダムリード２１ａはリードフレーム２１から切り離されることなく、テープ状フィルムとして供給される絶縁基板３の面に接着される。一つのメモリー装置に対し、４本のダムリード２１ａが対応し、内側の２本は絶縁基板３の開口４、５の両側に配置され、樹脂１０成型時のダムとして機能する。外側の２本は、テープ状フィルムの絶縁基板として切り出される領域の外側に接着され、モールド金型２２で絶縁基板３を挟み込むための押えとして機能する。リードフレームとしては、４２アロイ、銅等が使用できる。モールド金型２２の間に、メモリー装置を５００〜１０００トンの圧力でしっかりと挟み込み、図中Ａ及びＢで示される空間内に、プランジャーで加圧してモールド樹脂を注入する。樹脂が熱硬化するまでキュアを行ない、図７に示すように樹脂１０及び補強部材２０を得る。そして、テープ状フィルムから絶縁基板３を打ち抜きにより切り出す。次いで、スキージを用いてビアホール６に半田を充填し、その上に半田ボールを移載してリフローし、半田バンプ１１を得る。以上により、メモリー装置が完成される。
【００２９】
以上、本発明の実施形態を図面に沿って説明した。本発明の適用範囲が、上記実施形態において示した事項に限定されないことは明らかである。本発明が対象とする半導体装置は、表面実装型の論理ＩＣ、アナログＩＣその他のあらゆる半導体装置を含んでおり、上記メモリー装置に限定されない。また、ＢＧＡ以外のパッケージにおいても本発明を適用可能である。上記補強部材２０は、他の方法により与えられる樹脂ブロックでも良いし、また金属等樹脂以外の部材を用いても良い。
【００３０】
【発明の効果】
本発明によって、製造コストを抑えることができる簡易で量産性の高い構造の半導体装置が得られる。この技術は、ＣＳＰ型の半導体装置に適用して好適である。
【００３１】
本発明は、ワイヤボンディングを用いた半導体装置において、パッケージの厚みを抑え、またその放熱性を向上する。
【００３２】
また本発明は、ＣＳＰ型の半導体装置において、接続端子数を多く確保できるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るメモリー装置をその実装面側から見た斜視図である。
【図２】図１の断面図である。
【図３】導体リードを絶縁基板上に形成した後の絶縁フィルムの平面図である。
【図４】導体リードを絶縁基板上に形成する前の絶縁フィルムの平面図である。
【図５】絶縁基板に搭載する前の半導体チップの主面側の平面図である。
【図６】半導体チップ上に保護膜及び開口を形成する工程を示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態におけるメモリー装置の断面図である。
【図８】モールド金型内にメモリー装置を納めた状態の断面図である。
【図９】リードフレームの平面図である。
【符号の説明】
１    半導体チップ
１ａ  主面
２    電極パッド
３    絶縁基板
３ａ  壁
４    電極パッド用開口
５    インナーリード用開口
６    ビアホール
７    導体リード
７ａ  インナーリード
７ｂ  アウターリード
７ｃ  スタブ
８    接着層
９    導体ワイヤ
１０    樹脂
１１    半田バンプ
２０    補強部材
２１    リードフレーム
２１ａ  ダムリード
２２    モールド金型
【図１】
0003611948.tif 000002
【図２】
0003611948.tif 000003
【図３】
0003611948.tif 000004
【図４】
0003611948.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003611948.tif 000008
【図８】
0003611948.tif 000009
【図９】
0003611948.tif 000010