(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮像素子を並べて複数の撮像素子に跨る画像を撮像する撮像装置において、
各撮像素子は複数の光電変換素子を備え、各光電変換素子は光電変換部を備え、
複数の撮像素子に跨った範囲で光電変換部の重心が等間隔に並び、各撮像素子内で所定の規則に従って選ばれた複数画素領域であって複数の光電変換部より成る複数画素領域の各々において取られた複数の光電変換部の重心が、複数の撮像素子に跨った範囲で等間隔に並ぶことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
複数の前記光電変換部を各撮像素子内で所定の規則に従って選択して１つの前記画素領域とみなし、前記複数の光電変換部の信号を加算して１つの画素信号を得るための加算手段を備え、加算後の複数の前記画素領域の重心が、複数の撮像素子に跨った範囲で等間隔に並ぶことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
請求項２に記載の撮像装置において、
各光電変換部で発生した電荷の量を電圧に変換するための電荷／電圧変換手段を各光電変換部毎に備え、
前記加算手段は、複数の光電変換部で発生した電荷量に対応する電圧を相互に加算する電圧加算手段を含むことを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項３に記載の撮像装置において、
前記電圧加算手段は、１の撮像素子の複数の光電変換部でそれぞれ発生した電荷の量に対応した電圧を相互に加算する電圧加算手段であることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項３に記載の撮像装置において、
前記電圧加算手段は、複数の撮像素子に跨る複数の光電変換部でそれぞれ発生した電荷の量に対応した電圧を相互に加算する電圧加算手段であることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置において、
各撮像素子の撮像素子間の境界に隣接する光電変換素子の光電変換部の面積と、各撮像素子の撮像素子間の境界に隣接する光電変換素子に隣接する光電変換素子の光電変換部の面積が等しいことを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置と、シンチレータ板と、ファイバーオプティックプレートを備えることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項８】
請求項７に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は撮像装置に関し、特に、放射線撮像装置、放射線撮像装置システムに関する。本発明は、更に特には、Ｘ線やガンマ線等の高エネルギー放射線を使って画像を読み取る大面積放射線撮像装置とそのシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
医療のさまざまな分野でディジタル化が進んでいる。Ｘ線診断の分野でも、画像のディジタル化のため２次元の撮像装置が開発されてきている。乳房撮影用、胸部撮影用には最大４３ｃｍの大板の画像撮像装置が作られている。
また、１枚の画像を形成するために、複数の撮像素子をタイル状に並べた画像撮像装置が使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、複数の撮像素子をタイル状に並べた撮像装置は、撮像素子と撮像素子の間に隙間が生じ、画像の歪みが生じることになる。
【０００４】
また、複数の撮像素子を用いて画像を形成することによる撮像素子毎のオフセットによる画像の劣化も生じる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明による撮像装置は、複数の撮像素子を並べて複数の撮像素子に跨る画像を撮像する撮像装置において、各撮像素子は複数の光電変換素子を備え、各光電変換素子は光電変換部を備え、複数の撮像素子に跨った範囲で光電変換部の重心が等間隔に並び、各撮像素子内で所定の規則に従って選ばれた複数画素領域であって複数の光電変換部より成る複数画素領域の各々において取られた複数の光電変換部の重心が、複数の撮像素子に跨った範囲で等間隔に並ぶことを特徴とする。
【０００６】
また、本発明による撮像装置は、複数の前記光電変換部を各撮像素子内で所定の規則に従って選択して１つの前記画素領域とみなし、前記複数の光電変換部の信号を加算して１つの画素信号を得るための加算手段を備え、加算後の複数の前記画素領域の重心が、複数の撮像素子に跨った範囲で等間隔に並ぶことを特徴とする。
【０００７】
更に、本発明による撮像装置は、上記の撮像装置において、各光電変換部で発生した電荷の量を電圧に変換するための電荷／電圧変換手段を各光電変換部毎に備え、前記加算手段は、複数の光電変換部で発生した電荷量に対応する電圧を相互に加算する電圧加算手段を含むことを特徴とする。
【０００８】
更に、本発明による撮像装置は、上記の撮像装置において、前記電圧加算手段は、１の撮像素子の複数の光電変換部でそれぞれ発生した電荷の量に対応した電圧を相互に加算する電圧加算手段であることを特徴とする。
【０００９】
更に、本発明による撮像装置は、上記の撮像装置において、前記電圧加算手段は、複数の撮像素子に跨る複数の光電変換部でそれぞれ発生した電荷の量に対応した電圧を相互に加算する電圧加算手段であることを特徴とする。
【００１５】
更に、本発明による撮像装置は、上記の撮像装置において、各撮像素子の撮像素子間の境界に隣接する光電変換素子の光電変換部の面積と、各撮像素子の撮像素子間の境界に隣接する光電変換素子に隣接する光電変換素子の光電変換部の面積が等しいことを特徴とする。
【００２１】
本発明による放射線撮像装置は、上記の撮像装置と、シンチレータ板と、ファイバーオプティックプレートを備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明による放射線撮像システムは、上記の放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２４】
［実施形態１］
図１は１３８ｍｍ□の撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉを９枚タイル状に張り合わせて形成した４１４ｍｍ□の大面積Ｘ線撮像装置の撮像素子部分を示す。
【００２５】
図２は図１のＡ−Ａ’断面を示す。ユウロピウム、テルビウム等を付活性体として用いたＧｄ2Ｏ2ＳやＣｓＩなどのシンチレータからなるシンチレータ板２０１をＦＯＰ（ファイバーオプティックプレート）２０２の上に設置する。Ｘ線２０３はシンチレータに当たり、可視光に変換される。この可視光を撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉで検出する。シンチレータは、その発光波長が撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉの感度に適合するように選択するのが好ましい。２０４は、撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉの電源、クロック等を供給し、又、撮像素子から信号を取り出して処理する回路を有する外部処理基板である。２０５は、各撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉと外部処理基板とを電気的に接続するＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）である。
【００２６】
撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉのクロック等や電源の入力、画素からの信号の出力は撮像素子端部に設けた電極パッドに接続したＴＡＢ２０５を通して、撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉの裏側に配置した外部処理基板２０４との間で行う。
【００２７】
図３は現在主流の８インチウエハ３００から一個の撮像素子を取り出す場合を示す。８インチウエハ３００はＮ型ウエハであり、これを用い、ＣＭＯＳプロセスによって１３８ｍｍ□のＣＭＯＳ型撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉの各々を１枚取りで作成する。
【００２８】
図４にＣＭＯＳ型撮像素子１０１Ａ〜１０１Ｉの各画素を構成する画素部の構成図を示す。４０１は光電変換をするフォトダイオード（光電変換部）、４０２は電荷を蓄積するフローティングディフュージョン、４０３はフォトダイオード４０１が生成した電荷をフローティングディフュージョン４０２に転送する転送ＭＯＳトランジスタ（転送スイッチ）、４０４はフローティングディフュージョンに蓄積された電荷を放電するためのリセットＭＯＳトランジスタ（リセットスイッチ）、４０５は行選択をするための行選択ＭＯＳトランジスタ（行選択スイッチ）、４０６はソースフォロワーとして機能する増幅ＭＯＳトランジスタ（画素アンプ）である。
【００２９】
図５に３×３画素での全体回路の概略図を示す。
【００３０】
転送スイッチ４０３のゲートは垂直走査回路の一種である垂直シフトレジスタ５０１からのΦＴＸ５０２に接続され、リセットスイッチ４０４のゲートは垂直走査回路５０１からのΦＲＥＳ５０３に接続され、行選択スイッチ４０５のゲートは垂直走査回路５０１からのΦＳＥＬ５０４に接続されている。
【００３１】
光電変換はフォトダイオード４０１でおこなわれ、光量電荷の蓄積期間中は、転送スイッチ４０３はオフ状態であり、画素アンプを構成するソースフォロア４０６のゲートにはこのフォトダイオードで光電変換された電荷は転送されない。該画素アンプを構成するソースフォロア４０６のゲートは、蓄積開始前にリセットスイッチ４０４がオンし、適当な電圧に初期化されている。これがノイズ成分を含んだ基準信号となる。このノイズ信号は、行選択スイッチ４０５がオンにされると負荷電流源と画素アンプ４０６で構成されるソースフォロワー回路が動作状態になり、さらに転送スイッチ４０３をオンさせることでリセット時の電荷が該画素アンプを構成するソースフォロア４０６のゲートに転送され、読み出し可能となる。そして、行選択ＭＯＳ４０５により選択された行のノイズ信号出力が垂直出力線（信号出力線）５０５上に発生し、図示されない記憶素子に蓄積される。次にリセットスイッチ４０４をオフし、行選択スイッチ４０５がオンにされると、負荷電流源と画素アンプ４０６で構成されるソースフォロワー回路が動作状態になり、ここで転送スイッチ４０３をオンさせることで該フォトダイオードに蓄積されていた電荷は、該画素アンプを構成するソースフォロア４０６のゲートに転送される。ここで、行選択ＭＯＳ４０５により選択された行のフォトダイオード蓄積信号出力が垂直出力線（信号出力線）５０５上に発生する。
【００３２】
このフォトダイオードの蓄積信号にはノイズ信号が混在しており、前記、ノイズ信号と図示されない撮像素子内の引き算回路で引き算されて、撮像信号が得られる。
【００３３】
この出力は列選択スイッチ（マルチプレクサ）５０６を水平走査回路の一種である水平シフトレジスタ５０７によって駆動することにより水平出力線を介して順次出力部アンプ５０８へ読み出される。
【００３４】
図６は垂直シフトレジスタ５０１の単位ブロック（一行を選択し駆動するための単位）６０１を、撮像素子の基板上に配置した例を示す。この例では、図６は垂直シフトレジスタ５０１の単位ブロック６０１は、１画素複数画素領域（１セル）６０３に１画素回路６０２と共に配置されているが、本実施形態はこれに限られるものではない。１画素回路６０２は図４に示すものである。垂直シフトレジスタは転送信号ΦＴＸ、リセット信号ΦＲＥＳ、行選択信号ΦＳＥＬを作り出すためにスタティック型シフトレジスタ６０４と転送ゲート６０５で構成した簡単な回路を示す。これらはクロック信号線（不図示）からの信号により駆動する。シフトレジスタの回路構成はこの限りではなく、画素加算や間引き読み出し等のさまざまな駆動のさせ方により、任意の回路構成をとることができる。
【００３５】
なお、走査回路として、シフトレジスタではなく、ｎ対２nデコーダを使用することもできる。デコーダの入力に順次インクリメントするカウンタの出力を接続することにより、シフトレジスタと同様に順次走査することが可能となり、一方、デコーダの入力に画像を得たい複数画素領域のアドレスを入力することにより、ランダム走査による任意の複数画素領域の画像を得ることができる。
【００３６】
図７に本実施形態による撮像装置の図１に符号１０で示す位置の拡大図を示す。
【００３７】
図７を参照すると、撮像素子１０１Ａと撮像素子１０１Ｂは、隣接して配置されている。撮像素子１０１Ａ、１０１Ｂは、複数の光電変換素子より形成され、各光電変換素子は光電変換部を有する。撮像素子１０１Ａと撮像素子１０１Ｂとを並べたときに、間隙１０３が必然的に生じるが、間隙１０３に接する光電変換素子の光電変換部１０４の位置と幅を調整することにより、間隙１０３に接しない（内部の）光電変換素子の光電変換部１０５の重心１０６と間隙に接する光電変換素子の光電変換部１０４の重心１０７は撮像素子１０１Ａ、１０１Ｂに跨って等間隔に並んでいる。こうすることにより、撮像素子１０１Ａと撮像素子１０１Ｂとの境界において、画像が歪むことが防止される。
【００３８】
また、複数の光電変換素子から得られる信号を集めて１画素信号を得る場合にも、電圧加算をすることにより、画像の歪みが生じない。つまり、図７に示すように、複数画素領域１０８内の４つの光電変換素子の光電変換部で発生する電圧を加算することにより複数画素領域１０８についての画素信号を得ると、複数画素領域１０８についての１画素信号の位置は符号１１０に示す位置（複数画素領域１０８内の４つの光電変換素子の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）となり、また、複数画素領域１０９内の４つの光電変換素子の光電変換部で発生する電圧を加算することにより複数画素領域１０９についての１画素信号を得ても、複数画素領域１０９についての１画素信号の位置は符号１１２に示す位置（複数画素領域１０９内の４つの光電変換素子の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）となる。従って、画素重心１１０、１１２は等間隔に並ぶ。
【００３９】
図８に、４画素で発生した電圧を加算する場合の回路構成例を示す。
【００４０】
また、各画素で発生した電圧をアンプ５０８から読み出した後に、４画素の電圧を加算しても良い。複数画素領域毎に読み出す場合には、アンプ５０８の後段に図９に示すように３画素分のラッチと加算器を設けるのみで４画素加算ができる。また、１行毎に読み出す場合には、３画素分のラッチのうちの中央のラッチを（１ライン−１画素）メモリとすればよい。また、アンプ５０８の出力をＡ／Ｄ変換して、所定の書込アドレスに従ってメモリに書き込んだ後で、所定の順序の読出アドレスに従って読み出してからデジタル加算するようにしても良い。Ａ／Ｄ変換以降は、パーソナルコンピュータなどの情報処理装置で行うことも可能である。
【００４１】
［実施形態２］
実施形態２の基本的構成は実施形態１と同様である。
【００４２】
図１０に本実施形態による撮像装置の図１に符号１０で示す位置の拡大図を示す。
【００４３】
本実施形態においては、画素信号を加算する複数画素領域を符号２０８、２０９に示すようにする。複数画素領域２０８についての１画素信号の位置は、電荷加算の場合にも電圧加算の場合にも、符号２１０に示す位置（複数画素領域２０８内の４つの光電変換素子の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）となる。複数画素領域２０９についての１画素信号の位置も、電荷加算の場合にも電圧加算の場合にも、符号２１１に示す位置（複数画素領域２０９内の４つの光電変換素子の光電変換部の重心の平均位置と一致した位置）となる。
【００４４】
図１１に４画素で発生した電荷を加算する場合の回路構成図を示す。この回路構成では、フォトダイオードに蓄積された電荷を転送スイッチをＯＮにすることによりフローティングディフュージョンに転送した後にスイッチ７０１、７０２、７０３をＯＮにして４画素間で平均化し、その後に行選択スイッチをＯＮにすることにより、電荷加算により画素信号を加算した場合にも、電圧加算による画素信号を加算した場合にも、各複数画素領域についての画素重心２１０、２１１が等間隔に並ぶ。
【００４５】
［実施形態３］
実施形態３の基本的構成は実施形態１と同様である。
【００４６】
図１２に本実施形態による撮像装置の図１に符号１０で示す位置の拡大図を示す。
【００４７】
図１２の例では、間隙１０３に隣接する光電変換素子の光電変換部１０４の位置と幅のみならず、間隙１０３に隣接する光電変換素子に隣接する光電変換素子の光電変換部３０１の位置と幅も調整する。この例では、光電変換部３０１の幅を光電変換部１０４の幅と等しくすることにより、光電変換部１０４と光電変換部３０１の面積を等しくしているが、光電変換部３０１の光電変換部１０４の高さに対する相対的な高さを調整することにより、或いは、光電変換部３０１の光電変換部１０４の幅と高さに対する相対的な幅と高さを調整することにより、光電変換部１０４と光電変換部３０１の面積を等しくしても良い。すなわち、光電変換部３０１が光電変換部１０４と面積が等しくなるならば、寸法の調整箇所は問わない。
【００４８】
また、光電変換部１０４の重心位置１０７と光電変換部３０１の重心位置３０２と光電変換部１０５の重心位置１０６が等間隔で並ぶように光電変換部１０４の位置と光電変換部３０１の位置を調整する。
【００４９】
すなわち、本実施形態では、光電変換部１０４の位置と大きさと光電変換部３０１の位置と大きさを、重心位置１０６、１０７、３０２が等間隔で並び、且つ、光電変換部１０４と光電変換部３０１の面積が等しくなるように調整する。
【００５０】
また、複数の光電変換素子から得られる信号を集めて１画素信号を得る場合には、図１３に示すように、複数画素領域１０８内についての１画素信号、複数画素領域３０３についての１画素信号を得るようにする。複数画素領域３０３は、間隙１０３に隣接する２つの光電変換素子とその間隙に隣接するその２つの光電変換素子に隣接する２つの光電変換素子より成る複数画素領域である。このように複数画素領域を設定することにより、電荷加算の場合においても電圧加算の場合においても、複数画素領域１０８についての１画素信号の位置１１０と複数画素領域３０３についての１画素信号の位置１１２は等間隔で並ぶようになる。
【００５１】
［実施形態４］
実施形態４は、図１４に示すように、実施形態３において、走査回路３０４を光電変換部３０１と光電変換部１０４との間に配置したものである。走査回路３０４は、複数画素領域１０（図１）においては、垂直走査回路であるが、複数画素領域１１（図１）においては、水平走査回路である。
【００５２】
本実施形態によれば、幅を狭くした光電変換部３０１と光電変換部１０４との間にできた空きスペースに走査回路を配置することにより、各光電変換素子から１画素信号を得る場合にも複数の光電変換素子から１画素信号を得る場合にも、画素重心が等間隔で並ぶという条件を崩さないで、走査回路を撮像素子に配置することができる。
【００５３】
［実施形態５］
実施形態５は、図１５に示すように、実施形態３において、走査回路３０４を光電変換部３０１と光電変換部１０４との間に配置したものである。走査回路３０４は、複数画素領域１０（図１）においては、垂直走査回路であるが、複数画素領域１１（図１）においては、水平走査回路である。
【００５４】
本実施形態によれば、幅を狭くした光電変換部３０１と光電変換部１０４との間にできた空きスペースに走査回路を配置することにより、各光電変換素子から１画素信号を得る場合に画素重心が等間隔で並ぶという条件を崩さないで、走査回路を撮像素子に配置することができる。また、撮像素子１０１Ａと１０１Ｂの貼り合わせの間隙に隣接対向する画素１０４を加算する事で、加算画素重心１１３と、他の光電変換素子の１画素重心３０２，１０６の間隔は一致させることが可能となる。
【００５５】
実施形態５の基本的構成は以下の通りである。
【００５６】
図１４に本実施形態による撮像装置の図１に符号１０で示す位置の拡大図を示す。
【００５７】
図１４の例では、間隙１０３に隣接する光電変換素子の光電変換部１０４の位置と幅のみならず、間隙１０３に隣接する光電変換素子に隣接する光電変換素子の光電変換部３０１の位置と幅も調整する。光電変換部３０１の光電変換部１０４の相対的位置を調整することにより、光電変換素子１０４の加算重心１１３と他の光電変換素子３０２，１０６の重心が等間隔になるようにしている。
【００５８】
また、光電変換部１０４の加算重心位置１１３と光電変換部３０１の重心位置３０２と光電変換部１０５の重心位置１０６が等間隔で並ぶように光電変換部１０４の位置と光電変換部３０１の位置を調整する。
【００５９】
すなわち、本実施形態では、光電変換部１０４の位置と大きさと光電変換部３０１の位置と大きさを、貼り合わせ対向の画素加算重心位置１１３、走査回路の隣接光電変換素子重心３０２、および、その他の光電変換素子重心１０６が等間隔で並ぶように調整する。
【００６０】
このように貼り合わせ間隙部分に複数画素領域３０５を設定することにより、電荷加算の場合においても電圧加算の場合においても、複数画素領域３０５についての１画素信号の位置１１３と１画素３０１，１０５についての重心位置３０２，１０６は等間隔で並ぶようになり、画像の歪みがなくなる。また、複数画素領域の複数の光電変換部の信号を加算したことにより、撮像素子毎のオフセットの影響も少なくなる。
【００６１】
以上のように、本実施形態では、複数画素領域に含まれる部分では、複数の光電変換部の信号を加算して１画素信号を得、それ以外の領域では、各光電変換部から１画素信号を得、そして、加算によって得られた１画素信号と、各光電変換部からの１画素信号とを用いて、不図示の画像処理回路によって画像が得られるように処理を行う。
【００６２】
以上の実施形態１乃至５では、加算手段としてアナログ信号の状態で加算する例を示したが、アナログ・ディジタル変換回路によって、ディジタル信号に変換された後に加算するものであってもよい。
【００６３】
［実施形態６］
図１６は本発明による放射線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例を示したものである。
【００６４】
Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、シンチレータ２０１、ＦＯＰ２０２、撮像素子１０１Ａ、外部処理基板２０４を備える放射線撮像装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを撮像素子が光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
【００６５】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。
【００６６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、複数の撮像素子をタイル状に並べて構成する撮像装置において、撮像素子間の境界において、各光電変換素子から１画素信号を得る場合のみならず、複数の光電変換素子から１画素信号を得る場合でも、等間隔に並んだ画素信号を得ることができるので、撮像素子間の境界においても、撮像装置から得られる画像が歪むことがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態による撮像装置の平面図である。
【図２】図１の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図３】本発明の実施形態による撮像素子とその基となるウエハを示す平面図である。
【図４】本発明の実施形態による撮像素子内の１画素回路の回路図である。
【図５】本発明の実施形態による撮像素子の回路図である。
【図６】本発明の実施形態による１画素複数画素領域（セル）の構成を示す概念的平面図である。
【図７】本発明の実施形態１による複数画素領域の選び方を示す平面図である。
【図８】本発明の実施形態による４画素で発生した電圧を加算する場合の回路構成例を示す図である。
【図９】本発明の実施形態による４画素で発生した電圧を加算する場合の他の回路構成例を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態２による複数画素領域の選び方を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施形態による４画素で発生した電荷を加算する場合の回路構成例を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態３による光電変換部のレイアウトを示す平面図である。
【図１３】本発明の実施形態３による複数画素領域の選び方を示す平面図である。
【図１４】本発明の実施形態４による光電変換部及び走査回路のレイアウトを示す平面図である。
【図１５】本発明の実施形態５による光電変換部及び走査回路のレイアウトを示す平面図である。
【図１６】本発明の実施形態５による放射線撮影システムの構成を示す概念図である。
【符号の説明】
１０１Ａ〜１０１Ｉ  撮像素子
１０３  間隙
１０４、１０５、３０１、３０５  光電変換部
１０８、１０９、２０８、２０９、３０３  複数画素領域
２０１  シンチレータ板
２０２  ＦＯＰ（ファイバーオプティックプレート）
２０４  外部処理基板
２０５  ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）
３０４  走査回路
【図１】
0003715873.tif 000002
【図２】
0003715873.tif 000003
【図３】
0003715873.tif 000004
【図４】
0003715873.tif 000005
【図５】
0003715873.tif 000006
【図６】
0003715873.tif 000007
【図７】
0003715873.tif 000008
【図８】
0003715873.tif 000009
【図９】
0003715873.tif 000010
【図１０】
0003715873.tif 000011
【図１１】
0003715873.tif 000012
【図１２】
0003715873.tif 000013
【図１３】
0003715873.tif 000014
【図１４】
0003715873.tif 000015
【図１５】
0003715873.tif 000016
【図１６】
0003715873.tif 000017