(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディジタル伝送を行う伝送装置において、
ネットワークから送られたバーストセルを格納して、前記バーストセルの遅延ゆらぎと、冗長系の伝送路構成により生じるセル到着遅延差とを吸収し、容量情報を生成する遅延吸収手段と、
セルの状態遷移を監視する状態遷移監視手段と、
前記セルを格納して、前記セルのデセル化時に生じるセルゆらぎを吸収するセルゆらぎ吸収手段と、
前記容量情報、前記状態遷移及び前記セルゆらぎ吸収手段での前記セルの読み出し周期の少なくとも１つにもとづいて、前記遅延吸収手段から固定速度の前記セルの読み出し要求制御を行うセル読み出し要求制御手段と、
前記ネットワークからクロック情報を受信して、前記セルゆらぎによって生じる前記クロック情報の受信周期変動を吸収し、１クロック情報の周期内に１つ以上の前記クロック情報を取得できない状態がＮ回連続した場合には、前記クロック情報の取得異常と判断して通知し、取得異常通知の解除を行う場合には、ｎクロック情報周期内に保護回数ｎ個の前記クロック情報を取得できたか否かを判別する解除タイミング系列を、所定周期分ずらして複数設け、複数の解除タイミング系列の中で、最も速く保護回数に達したタイミングで取得異常通知の解除を行うクロック情報制御手段と、
を有することを特徴とする伝送装置。
【請求項２】
前記セル読み出し要求制御手段は、前記状態遷移の異常が検出された場合、自走クロックで前記セルの読み出し要求を行うことを特徴とする請求項１記載の伝送装置。
【請求項３】
前記セル読み出し要求制御手段は、前記状態遷移の異常が検出され、かつ前記容量情報から容量が少ないことを判断した場合、前記セルの読み出し要求を行わないことを特徴とする請求項１記載の伝送装置。
【請求項４】
前記セル読み出し要求制御手段は、前記遅延吸収手段を初期化した後、または前記遅延吸収手段のアンダフローが解除となった後は、前記遅延吸収手段の容量が中心値に回復するまで、前記セルの読み出し要求を行わないことを特徴とする請求項１記載の伝送装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は伝送装置に関し、特にＡＴＭ（Asynchronous Transfer Mode) のディジタル伝送を行う伝送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＡＴＭはデータ、音声、動画などからなるマルチメディア通信をそれぞれが必要とする速度や品質に合わせて１つのネットワークで提供するコネクション型の通信方式であり、標準化されて開発が進んでいる。
【０００３】
一方、ITU-T I.363 が規定するＡＴＭの機能層の１つにＡＡＬ（ＡＴＭアダプテーション層：ATM adaptation layer) がある。ＡＡＬは伝送サービスの特性に応じて、データのセル化、デセル化を行う機能層であり、ＡＡＬのタイプの１つであるＡＡＬ１は、ＣＢＲ（固定速度：Constant Bit Rate)の音声・映像データを対象にする。
【０００４】
ここで、ＡＡＬ１の伝送装置は、ＣＢＲ信号を受信して必要な処理を施した後、再びＣＢＲ信号に再生して送信する。この場合、受信したＣＢＲ信号は、ＡＴＭネットワークを経由する間に通過するクロスコネクト装置や、セル損失・セル誤配等の原因によって、遅延ゆらぎが発生している。このため、遅延ゆらぎを吸収するＣＤＶ（セル遅延変動許容値：Cell Delay Variation) 吸収バッファが伝送装置には必要となる。
【０００５】
また、通常、伝送路は冗長系構成となっており、障害発生時には無瞬断切り替えを行ってデータを保証している。この場合、０系から受信するセル及び１系から受信するセルには、大きな遅延差が発生している。したがって、障害発生時に無瞬断切り替えを行うためには、セル到着遅延差を吸収するためのセル到着遅延差吸収バッファも伝送装置には必要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のような従来の伝送装置では、ＣＤＶ吸収バッファの容量は数ｍｓ、セル到着遅延差吸収バッファの容量は数十ｍｓであるため、非常に大きなメモリを２箇所に別々に配置しており、実装面積及び回路規模が増大するといった問題があった。
【０００７】
また、セルに付せられた有効なシーケンスカウント値を受信できない場合には、セルが連続して廃棄されるので、ＣＤＶ吸収バッファにはアンダフローが生じることになる。従来では、装置の初期化時やアンダフロー時、ＣＤＶ吸収バッファからセルの効率のよい読み出し制御が行われていなかったため、誤動作を生じる場合があるといった問題があった。
【０００８】
さらに、保守用のセルが連続した場合や、セル廃棄が連続するような状況では、回線障害ではないのに、クロック情報であるＲＴＳ（Residual Time Stamp)値が受信できなくなる。従来では、ＲＴＳ値の取得異常状態を検出して、通知する機能がなかったため、保守性が低いといった問題があった。
【０００９】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、回路規模を小型化し、高品質なＡＡＬの伝送制御を効率よく行う伝送装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、図１のような、ディジタル伝送を行う伝送装置１０において、ネットワークから送られたバーストセルを格納して、バーストセルの遅延ゆらぎと、冗長系の伝送路構成により生じるセル到着遅延差とを吸収し、容量情報を生成する遅延吸収手段１１と、セルの状態遷移を監視する状態遷移監視手段１２と、セルを格納して、セルのデセル化時に生じるセルゆらぎを吸収するセルゆらぎ吸収手段１３と、容量情報、状態遷移及びセルゆらぎ吸収手段１３でのセルの読み出し周期の少なくとも１つにもとづいて、遅延吸収手段１１から固定速度のセルの読み出し要求制御を行うセル読み出し要求制御手段１４と、を有することを特徴とする伝送装置１０が提供される。
【００１１】
ここで、遅延吸収手段１１は、ネットワークから送られたバーストセルを格納して、バーストセルの遅延ゆらぎと、冗長系の伝送路構成により生じるセル到着遅延差とを吸収し、容量情報を生成する。状態遷移監視手段１２は、セルの状態遷移を監視する。セルゆらぎ吸収手段１３は、セルを格納して、セルのデセル化時に生じるセルゆらぎを吸収する。セル読み出し要求制御手段１４は、容量情報、状態遷移及びセルゆらぎ吸収手段１３でのセルの読み出し周期の少なくとも１つにもとづいて、遅延吸収手段１１から固定速度のセルの読み出し要求制御を行う。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は伝送装置の原理図である。伝送装置１０は、ＡＴＭのＡＡＬ１の機能を終端して、ＡＴＭのディジタル伝送を行う。伝送装置１０は、例えば交換局に配置され、ＡＴＭネットワークから受信したＡＴＭセルから、ビデオ信号等を含む情報セルを抽出し、ＴＶ局内のビデオ装置に伝送したりする。
【００１３】
遅延吸収手段１１は、ＡＴＭネットワークから送られたＡＴＭのバーストセルを格納する。そして、バーストセルの遅延ゆらぎと、０系と１系からなる冗長系の伝送路構成により生じるセル到着遅延差とを吸収する。そして、セルを現在どのくらい格納しているかを示す容量情報を生成する。
【００１４】
状態遷移監視手段１２は、セルの状態遷移を監視する。なお、セルの状態遷移については図２で後述する。
セルゆらぎ吸収手段１３は、セルを格納して、セルのデセル化時に生じるセルゆらぎを吸収する。詳細は図３で後述する。
【００１５】
セル読み出し要求制御手段１４は、容量情報、状態遷移及びセルゆらぎ吸収手段１３でのセルの読み出し周期の少なくとも１つにもとづいて、遅延吸収手段１１から固定速度（以下、ＣＢＲ）のセルの読み出し要求制御を行う。
【００１６】
次にセルの状態遷移について説明する。図２は状態遷移を示す図である。セルの状態には、Start 、Out Of Sync 、 Sync 、Out Of Sequence 、Invalid がある。また、セルには１つずつ番号が付けられており、この番号のことをＳＣ（シーケンスカウント値：Sequence Count) と呼ぶ。
【００１７】
〔Ｓ１〕Startは初期化時の状態である。
〔Ｓ１ａ〕Start時、セルを受信した場合に、そのセルが無効セルの場合はStartにとどまる。そして、その無効セルは廃棄する。
〔Ｓ１ｂ〕Start時、セルを受信した場合に、そのセルが有効セルの場合はOut Of Sync へ遷移する（同期はまだとれていない）。そして、そのセルは廃棄する。
【００１８】
〔Ｓ２ａ〕Out Of Syncで不連続ＳＣを受信した場合はOut Of Syncにとどまる。例えば、セルがＳＣ１で、次に受信したセルがＳＣ４の場合、数字の並びが正常でないから（２セル分欠落している）Out Of Syncにとどまる。そして、そのセルは廃棄する。
〔Ｓ２ｂ〕Out Of Sync時、無効ＳＮを受信した場合は、Startへ遷移する。そして、そのセルは廃棄する。
【００１９】
〔Ｓ２ｃ〕Out Of Sync時、連続ＳＣを受信した場合はSyncへ遷移する。例えば、セルのＳＣが０（以降、ＳＣ０というように表記する）で、次に受信したセルがＳＣ１の場合、数字の並びが正常であるから（同期がとれているから） Sync へ遷移する。そして、そのセルは受け入れる。
〔Ｓ３ａ〕Syncで連続ＳＣを受信した場合はSyncにとどまる。そして、そのセルは受け入れる。
【００２０】
〔Ｓ３ｂ〕Sync時、不連続ＳＣを受信した場合はOut Of Sequenceへ遷移する。そして、そのセルは受け入れる。例えば、ＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ５、ＳＣ３、ＳＣ４と受信すると、ＳＣ５のところでＳＣ不連続となるため、Out Of Sequence へ遷移する。ここで、ＳＣ５が誤配であることがわかる。
〔Ｓ３ｃ〕Sync時、無効ＳＮを受信した場合は、Invalidへ遷移する。そして、そのセルは受け入れる。
【００２１】
〔Ｓ４ａ〕Out Of Sequence時、無効ＳＮを受信した場合は、Startへ遷移する。そして、そのセルは廃棄する。
〔Ｓ４ｂ〕Out Of Sequence時、不連続ＳＣを受信した場合はOut Of Syncへ遷移する。そして、そのセルは廃棄する。
〔Ｓ４ｃ〕Out Of Sequence時、ＳＮ誤り推定（最後の有効なセルより２大きいＳＣ／セル受け入れ）、セル損失（前のセルのＳＣと連続／ダミーセル挿入とセル受け入れ）、セル誤配（最後の有効なセルと連続のＳＣ／セル廃棄）の場合はSyncへ遷移する。
【００２２】
〔Ｓ５ａ〕Invalid時、セル誤配、ＳＮ誤り推定の場合はSyncへ遷移する。
〔Ｓ５ｂ〕Invalid時、無効ＳＮを受信した場合は、Startへ遷移する。そして、そのセルは廃棄する。
〔Ｓ５ｃ〕Invalid時、不連続ＳＣを受信した場合はOut Of Syncへ遷移する。そして、そのセルは廃棄する。
【００２３】
次に伝送装置１０の構成及び動作について詳しく説明する。図３は伝送装置１０の構成を示す図である。
遅延吸収バッファ１１ａは、遅延吸収手段１１に対応し、従来のＣＤＶ吸収バッファとセル到着遅延差吸収バッファを１つにまとめたバッファである。遅延吸収バッファ１１ａは、セル読み出し要求信号ＲｃにもとづいてＣＢＲ化されたＡＴＭセルＣ１を出力する。
【００２４】
また、遅延吸収バッファ１１ａは、自己のバッファ容量状態を示す容量情報を出力し、アンダフローになった場合にはアンダフロー通知信号Ｕ１を出力する。ＯＡＭ ( Operation And Maintenance )セル検出手段１５は、遅延吸収バッファ１１ａから出力されるＡＴＭセルＣ１から、保守用のセルであるＯＡＭセル（VP/VC-AIS セル、VP/VC-RDI セル、VP/VC-CCセルや装置内監視セル等）を検出し、検出したＯＡＭセルを保守制御側へ、ＯＡＭセル以外のユーザＡＴＭセルをＳＮ／ＳＮＰ処理手段１２ａへ送信する。
【００２５】
ＳＮ ( Sequence Number）／ＳＮＰ（SN Protection ）処理手段１２ａは、状態遷移監視手段１２を含み、ITU-T I.363.1 に示されたSAR-PDU ヘッダのＳＮフィールドとＳＮＰフィールドを用いたセルの有効・無効判定やＳＣの連続性監視によるセル損失・誤配の判定を行なって、状態遷移の監視を行ない、状態通知信号を出力する。そして、ユーザＡＴＭセルを書き込みイネーブルＷＮと共にデセル化バッファ１３ａへ出力する。なお、ユーザＡＴＭセルの中の CSIビットからクロック情報であるＲＴＳ値の取得も行なう。
【００２６】
また、セル損失の補完が必要な場合は、セル補完信号をデセル化バッファ１３ａへ出力し、読み出しトリガをＯＦＦ（セル読み出し要求制御手段１４に対して、セルの読み出し要求を禁止する）にする。通常運用中は読み出しトリガはＯＮである（セル読み出し要求制御手段１４に対して、セルの読み出し要求を許可する）。
【００２７】
デセル化バッファ１３ａは、セルゆらぎ吸収手段１３を含み、ＯＡＭセル検出手段１５によるＯＡＭセルの除去や、無効セル・誤配セルの廃棄などのデセル化処理によって発生する数セル分の小さなゆらぎを吸収して、ＣＢＲ信号を出力する。また、網クロックからＲＴＳ値にもとづいて再生したＲＴＳクロックへのクロック乗り換えを行う。なお、出力後のＣＢＲ信号は、例えばビデオ装置等に送信される。
【００２８】
さらに、デセル化バッファ１３ａからは、ＣＢＲ信号の読み出し周期を知らせるための読み出し周期信号と、アンダフロー時にはその旨を示すアンダフロー通知信号Ｕ２とを出力する。
【００２９】
ＲＴＳ制御手段１６は、クロック情報制御手段に対応し、セルゆらぎによって生じる受信周期変動を吸収したＲＴＳ値を出力する。ＲＴＳ値から再生されたクロックは、ＣＢＲ信号のクロックとして用いられる。
【００３０】
ここで、遅延吸収バッファ１１ａから読み出すＡＴＭセルＣ１をＣＢＲに制御しても、セル廃棄によるゆらぎによってＲＴＳの受信周期もゆらぐ。したがって、ＲＴＳ制御手段１６は、内部に設置されたバッファにより、受信周期によるゆらぎを吸収する。なお、この場合、従来回路のような数ｍｓ単位の大きなバッファは必要なく、実際にはわずか１４０μｓ程度ですむ。
【００３１】
また、ＲＴＳ制御手段１６は、有効セルを受信できない場合には、ＲＴＳ値を取得できないため、装置内部で生成した自走ＲＴＳクロックへの切り替え指示を行う。この場合、切り替え要求のトリガとして、状態通知信号（ Start、Out Of Sync の少なくとも１つ）あるいはアンダフロー通知信号Ｕ２のいずれかがアクティブの場合に、切り替え指示をＯＮにする。さらに、ＲＴＳ値を受信できない場合には、警報信号Ｋ１で異常を外部へ通知する。
【００３２】
ＡＡＬ１状態通知手段１７は、状態通知信号により StartまたはOut Of Sync の状態が連続していることを認識すると、警報信号Ｋ２でＡＡＬ１の状態遷移の異常を外部へ通知する。
【００３３】
セル読み出し要求制御手段１４は、遅延吸収バッファ１１ａからの容量情報にもとづいて、デセル化バッファ１３ａからＣＢＲ信号を読み出す速度（読み出し周期信号により認識）に合わせたＡＴＭセルを、遅延吸収バッファ１１ａから読み出すようにセル読み出し要求信号Ｒｃを作成する。
【００３４】
また、遅延吸収バッファ１１ａの初期化時やＡＡＬ１異常検出時には、遅延吸収バッファ１１ａのセル蓄積量が中心値を保持するようなセル読み出し要求信号Ｒｃを作成する。
【００３５】
ここで、セル読み出し要求制御手段１４は、状態遷移の異常が検出された場合、遅延吸収バッファ１１ａがアンダフローしないように、自走ＲＴＳクロックでセルの読み出し要求を行う。
【００３６】
また、セル読み出し要求制御手段１４は、状態遷移の異常が検出され、かつ容量情報から容量が少ないことを判断した場合、セルの読み出し要求を行わない。さらに、セル読み出し要求制御手段１４には、外部からセル読み出し要求モードの設定ができる。例えば、セル蓄積量が中心値の近傍に至るまで、セルの読み出しを行わない等のモードを外部から設定可能である。
【００３７】
次にセル読み出し要求制御手段１４について説明する。図４、図５はセル読み出し要求制御の動作を示すタイムチャートである。なお、図中の容量監視とは、デセル化バッファ１３ａの容量状態を表している。
【００３８】
運用中は、遅延吸収バッファ１１ａで、０系、１系から伝送されてきたバースト的なＡＴＭセルの遅延差が吸収されるとともに、ネットワーク上で発生したＣＤＶも吸収され、バッファ容量が中心値付近になるように蓄積される。遅延吸収バッファ１１ａの容量を中心値付近に保つ制御は、セル読み出し要求制御手段１４で行なわれており、その動作例を図に示している。
【００３９】
また、図ではデセル化バッファ１３ａの容量を５段、閾値を３としている。閾値が３とは、デセル化バッファ１３ａに３セル分書き込んだらＣＢＲ信号の読み出しを開始するということを意味する。このバッファ容量と閾値は、ネットワークの伝送周波数と、ＣＢＲ信号のクロック周波数及びオーバフロー／アンダフローに対するマージンにより決定される値であり、可変設定できる。
【００４０】
〔Ｓ１０〕リセット解除直後の遅延吸収バッファ１１ａ及びデセル化バッファ１３ａの容量は空である。したがって、遅延吸収バッファ１１ａの容量情報もＬである。この容量情報は、遅延吸収バッファ１１ａの蓄積量が中心値を超えたらＨ、中心値を下回ったらＬとなる信号である。この信号がＬの間は、遅延吸収バッファ１１ａからのセル読み出し要求は行わず、遅延吸収バッファ１１ａにセルが蓄積されるのを待つ。
〔Ｓ１１〕容量情報がＬからＨに変化したら、セル読み出し要求を開始し、デセル化バッファ１３ａが閾値を超えるまでの間は連続でセル読み出し要求を行う。
【００４１】
図の例では、最初のセル読み出し要求に対して、遅延吸収バッファ１１ａから読み出されたセル１は、ＳＮ／ＳＮＰ処理手段１２ａでまだＳＣの同期が取れていないため廃棄され、状態遷移がStart からOut Of Sync に遷移する。
【００４２】
次のセル２からはＳＮ／ＳＮＰ処理手段１２ａで、ＳＣの同期が取れるためすべて受け入れられる。そしてデセル化バッファ１３ａの閾値３セルに達したら、デセル化バッファ１３ａはＣＢＲ信号の読み出しを開始する。
〔Ｓ１２〕セル読み出し要求制御手段１４では、デセル化バッファ１３ａから読み出されるＣＢＲ信号の周期と、ＳＮ／ＳＮＰ処理手段１２ａで有効と判定され、デセル化バッファ１３ａに書き込まれるセル数（実際に書き込むのはペイロードのみ）の監視結果から、デセル化バッファ１３ａの蓄積量を把握し、蓄積量が３になったらセル読み出し要求を行ない、４以上になったらセル読み出し要求を行なわない。これにより、遅延吸収バッファ１１ａから読み出されるセル間隔をＣＢＲとすることが可能である。
【００４３】
図６はセル読み出し要求制御の動作を示すタイムチャートである。セル廃棄によって発生する、ゆらぎを吸収する場合であり、Ｆａｓｔ−ＳＮアルゴリズムの場合を示している。
〔Ｓ２０〕遅延吸収バッファ１１ａから読み出されたセルが誤配セルであった場合、ＳＮ／ＳＮＰ処理手段１２ａの状態遷移は、SyncからOut Of Sequence に遷移するが、この時点では誤配かどうかの判定がつかない。例えば、図ではセル５の次に受信したセル（誤配セル）は、セル６を受信するまで誤配かどうかの判定はつかない。Ｆａｓｔ−ＳＮアルゴリズムの場合では、この誤配セルをデセル化バッファ１３ａに書き込む。
〔Ｓ２１〕デセル化バッファ１３ａの容量は４セルにアップし、通常と変わらない。そして、次のセル６を受信した時、前回のセルが誤配セルであったとの判定を下すことができる。Ｆａｓｔ−ＳＮアルゴリズムの場合では、このセル６を廃棄することになる。
【００４４】
このため、セル６はデセル化バッファ１３ａに書き込まれないから、すぐに次のセルを遅延吸収バッファ１１ａに要求する。このように、誤配セルを受信した場合は、±１セルのゆらぎが発生するが、デセル化バッファ１３ａで容易に吸収が可能である。
〔Ｓ２２〕一方、遅延吸収バッファ１１ａからの読み出しセルが、ＯＡＭセルの連続であった場合は、ＯＡＭセル検出手段１５でセルが廃棄される。図に示すように、ＯＡＭセルの場合もすぐに次のセルを遅延吸収バッファ１１ａに要求し、デセル化バッファ１３ａの容量が閾値の３セルを超えるまで再要求を繰り返す。
【００４５】
図の例では４回の再要求を行うことで、その後はＣＢＲのセル間隔に復旧する。このように、ＯＡＭセルが連続した場合は、数セル分のゆらぎが発生することになる。実際には、ＯＡＭセルが連続して発生するのは障害時であり、通常運用では、数セル分のゆらぎに耐えられるようにデセル化バッファ１３ａの容量を持っていれば十分吸収できる。
【００４６】
次にＲＴＳ値の取得異常検出時の動作について説明する。図７はＲＴＳ値の取得異常検出時の動作を示すタイムチャートである。図の読み出しタイミングとは、ＲＴＳ制御手段１６からの読み出しタイミング、書き込みタイミングとは、ＲＴＳ制御手段１６への書き込みタイミングのことである。ＲＴＳ取得状態は、Ｌで正常、Ｈで取得異常を示す。
【００４７】
まず、ＲＴＳ値から再生したＣＢＲ信号のクロック周波数の１ＲＴＳ周期内に、ＲＴＳ制御手段１６への書き込みタイミング（ＲＴＳ値の受信タイミング）があったかなかったかを監視し、ある場合はＲＴＳ値の受信、ない場合はＲＴＳ値の未受信としてカウントする。そのカウント数が保護回数分連続したらＲＴＳ値の取得異常を検出する。図では例として、保護回数３段の場合を示している。
【００４８】
図８はＲＴＳ値の取得異常解除時の動作を示すタイムチャートである。ｎＲＴＳ周期内にｎ個のＲＴＳ値を取得できた場合に解除とする。すなわち、ここではクロック保護回数分のＲＴＳ周期内に、保護回数分のＲＴＳ値を受信したら解除とする。
【００４９】
これは、ＲＴＳ異常の復旧時は、セルの受信周期がＣＢＲとならずに不安定なことが予想されるために、１ＲＴＳ周期内にＲＴＳ値を受信したかどうかという方法では、解除に時間がかかる。このため、ｎＲＴＳ周期内にｎ個の受信とすることで不安定な受信周期に対応するものである。
【００５０】
図では保護回数２段の場合を示している。保護回数２段の場合は、解除タイミングＡ、ＢとＲＴＳ受信回数Ａ、Ｂを持っており、監視周期の２ＲＴＳ周期に対してそれぞれ１ＲＴＳずつズレた周期を監視する。
【００５１】
そして、解除タイミング周期内にＲＴＳの受信タイミングがあったら、ＲＴＳ受信回数をカウントＵＰし、そのカウント数が保護回数に達したらＲＴＳ取得異常を解除する。図では、Ａの方が早くＲＴＳ受信２回となったため解除タイミングＡによって解除されている。
【００５２】
次にＡＡＬ１異常時のセル読み出し要求制御について説明する。図９、図１０はセル読み出し要求制御の動作を示すタイムチャートである。図は、ＳＮ／ＳＮＰ処理手段１２ａの状態遷移が Sync で通常の状態から、無効ＳＮを持つセルを連続して受信し、ＡＡＬ１異常を検出した例とする。
【００５３】
まず、ＡＡＬ１異常の検出と同時に、セル読み出し要求モードが遅延吸収バッファ１１ａのバッファ容量に追従するモードへと切り替わる。そして、容量情報の参照タイミングで、容量情報がＨであったら、セル読み出し要求信号Ｒｃを出力し、Ｌの時は出力しない。これにより、ＡＡＬ１異常時に遅延吸収バッファ１１ａの容量が低下する（アンダフロー）ことを防ぐことが可能になる。
【００５４】
次にセル損失検出について説明する。デセル化バッファ１３ａのバッファ制御に対しては、Ｒｏｂｕｓｔ−ＳＮまたはＦａｓｔ−ＳＮの２つの制御がある。
図１１はＲｏｂｕｓｔ−ＳＮの場合とＦａｓｔ−ＳＮの場合における制御の違いを示す概念図である。例えば、セル損失検出において、図では入力セルに対して、セルＣ３の直後にセルＣ７がきているので、この間に３連続してセル損失が起きている。
【００５５】
このような場合、Ｒｏｂｕｓｔ−ＳＮは、デセル化バッファ１３ａからＳ３１のようなＣＢＲ信号を出力する制御である。また、Ｆａｓｔ−ＳＮは、デセル化バッファ１３ａからＳ３２のようなＣＢＲ信号を出力する制御である。
【００５６】
図１２はセル損失検出の動作を示すタイムチャートである。Ｒｏｂｕｓｔ−ＳＮの場合のタイムチャートを示している。セルは、ヘッダとペイロードから構成されており、ヘッダ内のＳＣは０〜７で巡回している。なお、以降では、ペイロードのデータ番号をセルの番号として表す。例えば、ペイロードＤ６のセルはセルＣ６と表記する。
【００５７】
図に示す入力セルに対し、セルＣ６（ここまでがＳＹＮＣ）の次にセルＣ１３（ここでOut Of Sequence）が現れ、その後にセルＣ１４（これ以降でＳＹＮＣ）、有効空きセル…と続いている、したがって、セルＣ６とセルＣ１３の間で６個のセルが連続して損失していることがわかる（セルＣ６の受信後、セルＣ１３、セルＣ１４と続いたことにより、セルＣ６とセルＣ１３の間でのセル損失発生を認識している）。
【００５８】
損失情報出力は、図のような波形で出力され、これによりＳＣ保持のＳＣ６がセルＣ１５のペイロードの開始位置まで伸ばされる。ＳＳＣ保持は、ＳＣ保持をリタイミングした信号で、０〜７のＳＣをカウントするＳＣＲカウンタのカウント値と同一位相になっている。
【００５９】
シフトレジスタは、ＳＳＣ保持とＳＣＲカウンタの信号から、入力セルのペイロードを所定の時間シフトする。蓄積ＦＦは、シフトレジスタからの出力を図に示すような間隔でラッチする。そして、デセル化バッファ１３ａへの書き込みタイミングは，蓄積ＦＦのＤ４、Ｄ５、Ｄ６を図のようなタイミングで書き込み、損失情報出力が“Ｈ”の間は書き込みディセーブルとし、その後、蓄積ＦＦのＤ１３、Ｄ１４を図のようなタイミングで書き込む。
【００６０】
図１３はセル損失検出の動作を示すタイムチャートである。Ｆａｓｔ−ＳＮの場合のタイムチャートを示している。入力セルからシフトレジスタの波形までは、図１２と同様である。また、デセル化バッファ１３ａへの書き込みタイミングは，入力セルのペイロードＤ５、Ｄ６、Ｄ１３を図のようなタイミングで書き込み、損失情報出力が“Ｈ”の間は書き込みディセーブルとし、その後、シフトレジスタのＤ１４と入力セルのペイロードＤ１５以降を図のようなタイミングで書き込む。
【００６１】
次にセル誤配検出について説明する。図１４はセル誤配検出の動作を示すタイムチャートである。Ｒｏｂｕｓｔ−ＳＮの場合のタイムチャートを示している。
図に示す入力セルに対し、セルＣ３の次にＳＣ７の誤配セルが現れ、その後にセルＣ４、セルＣ５…と続いている。状態遷移は、ＳＹＮＣ→Out Of Sequence→ＳＹＮＣの順に図に示す位相で遷移する。ＳＣ保持は、図に示すような位相であり、ＳＳＣ保持は、ＳＣ保持をリタイミングした信号で、０〜７のＳＣをカウントするＳＣＲカウンタのカウント値と同一位相になっている。また、ＳＣＲカウンタのカウント値４が、ＳＳＣ保持の７と４にまたがって伸びている。
【００６２】
シフトレジスタは、ＳＳＣ保持とＳＣＲカウンタの信号から、入力セルを所定の時間シフトする。蓄積ＦＦは、シフトレジスタからの出力を図に示すような間隔でラッチする。そして、デセル化バッファ１３ａへの書き込みタイミングは，蓄積ＦＦのＤ１、Ｄ２、Ｄ３を図のようなタイミングで書き込み、誤配の部分では書き込みディセーブルとし、その後、蓄積ＦＦのＤ４、Ｄ５を図のようなタイミングで書き込む。
【００６３】
図１５はセル誤配検出の動作を示すタイムチャートである。Ｆａｓｔ−ＳＮの場合のタイムチャートを示している。入力セルからシフトレジスタの波形までは、図１４と同様である。また、デセル化バッファ１３ａへの書き込みタイミングは，入力セルのペイロードＤ２、Ｄ３及び誤配ペイロードを図のようなタイミングで書き込み、そして図に示す区間を書き込みディセーブルとし、その後、入力セルのペイロードＤ５、Ｄ６以降を図のようなタイミングで書き込む。
【００６４】
次にＳＮエラー保護機能の誤り推定について説明する。図１６はＳＮエラー保護機能の誤り推定の動作を示すタイムチャートである。Ｒｏｂｕｓｔ−ＳＮの場合のタイムチャートを示している。
【００６５】
図に示す入力セルに対し、セルＣ３の次にＳＣ７及びペイロードＤ４のセル（ＳＮエラーセルと呼ぶ）が現れ、その後にセルＣ５、セルＣ６…と続いている（セルＣ３の受信後、ＳＣ７及びペイロードＤ４のセル、セルＣ５と続いたことにより、ＳＣ７及びペイロードＤ４のセルがＳＮエラーセルであることを認識している）。
【００６６】
状態遷移は、ＳＹＮＣ→Out Of Sequence→ＳＹＮＣの順に図に示す位相で遷移する。ＳＣ保持は、図に示すような位相であり、ＳＳＣ保持は、ＳＣ保持をリタイミングした信号で、０〜７のＳＣをカウントするＳＣＲカウンタのカウント値と同一位相になっている。シフトレジスタは、ＳＳＣ保持とＳＣＲカウンタの信号から、入力セルを所定の時間シフトする。蓄積ＦＦは、シフトレジスタからの出力を図に示すような間隔でラッチする。そして、デセル化バッファ１３ａへの書き込みタイミングは，蓄積ＦＦのＤ１〜Ｄ６…を図のような位相タイミングで書き込む。
【００６７】
図１７はＳＮエラー保護機能の誤り推定の動作を示すタイムチャートである。Ｆａｓｔ−ＳＮの場合のタイムチャートを示している。入力セルからシフトレジスタの波形までは、図１６と同様である。また、デセル化バッファ１３ａへの書き込みタイミングは，入力セルのペイロードＤ２〜Ｄ７…を図のような位相タイミングで書き込む。
【００６８】
以上説明したように、伝送装置１０は、１つの遅延吸収バッファ１１ａにより、バーストセルの遅延ゆらぎ及びセル到着遅延差を吸収する構成としたので、回路を小型化することが可能になる。
【００６９】
また、セル読み出し要求制御手段１４により、遅延吸収バッファ１１ａのバッファ容量を管理しながら、効率よくセルを読み出すことが可能になる。さらに、ＲＴＳ値の取得状態に異常が発生した場合には、その異常を外部のオペレータに通知することができるので、保守の効率性を向上させることが可能になる。
【００７０】
なお、上記の説明では、受信したバーストＡＴＭセルに対する本発明の適用を中心に説明したが、ＡＴＭセル以外の他のバースト信号に対しても適用可能である。
【００７１】
（付記１）  ディジタル伝送を行う伝送装置において、
ネットワークから送られたバーストセルを格納して、前記バーストセルの遅延ゆらぎと、冗長系の伝送路構成により生じるセル到着遅延差とを吸収し、容量情報を生成する遅延吸収手段と、
セルの状態遷移を監視する状態遷移監視手段と、
前記セルを格納して、前記セルのデセル化時に生じるセルゆらぎを吸収するセルゆらぎ吸収手段と、
前記容量情報、前記状態遷移及び前記セルゆらぎ吸収手段での前記セルの読み出し周期の少なくとも１つにもとづいて、前記遅延吸収手段から固定速度の前記セルの読み出し要求制御を行うセル読み出し要求制御手段と、
を有することを特徴とする伝送装置。
【００７２】
（付記２）  前記セル読み出し要求制御手段は、前記状態遷移の異常が検出された場合、自走クロックで前記セルの読み出し要求を行うことを特徴とする付記１記載の伝送装置。
【００７３】
（付記３）  前記セル読み出し要求制御手段は、前記状態遷移の異常が検出され、かつ前記容量情報から容量が少ないことを判断した場合、前記セルの読み出し要求を行わないことを特徴とする付記１記載の伝送装置。
【００７４】
（付記４）  前記セル読み出し要求制御手段は、前記遅延吸収手段を初期化した後、または前記遅延吸収手段のアンダフローが解除となった後は、前記遅延吸収手段の容量が中心値に回復するまで、前記セルの読み出し要求を行わないことを特徴とする付記１記載の伝送装置。
【００７５】
（付記５）  前記ネットワークからクロック情報を受信し、前記セルゆらぎによって生じる前記クロック情報の受信周期変動を吸収するクロック情報制御手段をさらに有することを特徴とする付記１記載の伝送装置。
【００７６】
（付記６）  前記クロック情報制御手段は、前記クロック情報を受信できない場合は、自走クロックに切り替えるための切り替え指示を行うことを特徴とする付記５記載の伝送装置。
【００７７】
（付記７）  前記クロック情報制御手段は、１クロック情報の周期内に１つ以上のクロック情報を取得できない状態がＮ回連続した場合に、前記クロック情報の取得異常と判断して通知することを特徴とする付記５記載の伝送装置。
【００７８】
（付記８）  前記クロック情報制御手段は、ｎクロック情報周期内にｎ個のクロック情報を取得できた場合に、前記クロック情報の取得異常通知の解除を行うことを特徴とする付記５記載の伝送装置。
【００７９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の伝送装置は、バーストセルの遅延ゆらぎ及びセル到着遅延差を吸収して容量情報を生成する遅延吸収手段を設け、遅延吸収手段の容量情報、セルの状態遷移及びセルゆらぎ吸収手段でのセルの読み出し周期の少なくとも１つにもとづいて、遅延吸収手段から固定速度のセルの読み出し要求制御を行う構成とした。これにより、従来のように非常に大きなメモリを複数箇所に配置する必要がないために回路規模を小型化でき、かつセルの効率のよい読み出し要求制御を行うため、高品質な伝送制御を行うことが可能になる。
また、伝送装置のクロック情報制御手段では、クロック情報の取得異常を検知して通知することができ、かつ保護回数が設定された複数の解除タイミング系列の中で最も速く保護回数に達したタイミングで解除するので、不安定な受信周期を持つクロック情報に対しても、適切に取得異常の回復を認識して、すばやく取得異常通知の解除を行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  伝送装置の原理図である。
【図２】状態遷移を示す図である。
【図３】伝送装置の構成を示す図である。
【図４】セル読み出し要求制御の動作を示すタイムチャートである。
【図５】セル読み出し要求制御の動作を示すタイムチャートである。
【図６】セル読み出し要求制御の動作を示すタイムチャートである。
【図７】ＲＴＳ値の取得異常検出時の動作を示すタイムチャートである。
【図８】ＲＴＳ値の取得異常解除時の動作を示すタイムチャートである。
【図９】セル読み出し要求制御の動作を示すタイムチャートである。
【図１０】セル読み出し要求制御の動作を示すタイムチャートである。
【図１１】Ｒｏｂｕｓｔ−ＳＮの場合とＦａｓｔ−ＳＮの場合における制御の違いを示す概念図である。
【図１２】セル損失検出の動作を示すタイムチャートである。
【図１３】セル損失検出の動作を示すタイムチャートである。
【図１４】セル誤配検出の動作を示すタイムチャートである。
【図１５】セル誤配検出の動作を示すタイムチャートである。
【図１６】ＳＮエラー保護機能の誤り推定の動作を示すタイムチャートである。
【図１７】ＳＮエラー保護機能の誤り推定の動作を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
１０  伝送装置
１１  遅延吸収手段
１２  状態遷移監視手段
１３  セルゆらぎ吸収手段
１４  セル読み出し要求制御手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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