(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧環境下にて基板に製膜を施す真空処理室と、該真空処理室にて製膜処理が施された基板が送り込まれ、該送り込まれた基板を大気圧環境に戻すとともに基板が冷却されるアンロード室とを有する製膜装置であって、
前記アンロード室には、送り込まれた前記基板の搬送方向としての巾方向に沿って配設され、長手方向に沿って間隔をあけて複数の噴出孔を有したベント管が設けられ、
該ベント管へ送り込まれたベントガスは、前記複数の噴出孔から、前記基板の搬送方向に対しての上下方向である高さ方向の略中央部分にその巾方向へわたって均一に吹き付けられ、該基板の高さ方向略中央部分から該基板の表面に沿って上下方向へ分散されて流されることを特徴とする製膜装置。
【請求項２】
前記ベント管の前記噴出孔は、送り込まれるベントガスとアンロード室内との差圧が所定圧に達するまで、音速にて噴出する径に形成されていることを特徴とする請求項１記載の製膜装置。
【請求項３】
前記アンロード室内には、前記真空処理室から複数の前記基板が送り込まれ、前記ベント管は、前記基板に沿って複数並列に配設されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の製膜装置。
【請求項４】
前記ベント管が前記アンロード室の下部及び上部にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の製膜装置。
【請求項５】
前記ベント管が前記アンロード室の内部における巾方向略全長にわたって設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の製膜装置。
【請求項６】
前記アンロード室には、送り込まれた前記基板と対向する冷却壁面を有する冷却機構が設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の製膜装置。
【請求項７】
前記冷却壁面が黒色とされていることを特徴とする請求項６記載の製膜装置。
【請求項８】
前記アンロード室から送り出される前記基板へ冷却空気を吹き付ける冷却装置を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の製膜装置。
【請求項９】
前記冷却装置は、前記基板へ向かって空気を送り出すファンと、該ファンから送り出される冷却空気を前記基板に向かって分散させる複数の孔を有した分流板とを有することを特徴とする請求項８記載の製膜装置。
【請求項１０】
前記冷却装置は、前記基板へ吹き付ける空気を清浄する空気清浄フィルタが設けられていることを特徴とする請求項８または請求項９記載の製膜装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置などの製膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、母材に製膜を施す装置としては、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置などを有する製膜装置が知られている。
この種の製膜装置としては、主として、複数の処理室を直列に並べたインライン型と、中央の基板搬送共通室の周辺に複数の基板処理室を並列に並べたクラスタ型があり、例えばこのインライン型は、図７に示すように、真空処理室１に隣接してアンロード室２が設けられている。
【０００３】
真空処理室１は、例えば１バッチあたり２枚の基板Ｋの製膜処理を行う製膜ユニット３を有し、この製膜ユニット３の両側部には、基板加熱ヒータ４が設けられている。
そして、真空処理室１では、プラズマＣＶＤ装置の場合、内部を減圧させた状態にてＳｉＨ４（シランガス）などからなる原料ガスを含む製膜ガスを送り込み、基板加熱ヒータ４によって基板Ｋを加熱しながら、非接地電極として設けられた図示しないラダー電極に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させて原料ガスを分解して、基板加熱ヒータ４よって加熱された基板Ｋ表面にシリコン系製膜が施されるようになっている。
【０００４】
アンロード室２では、真空処理室１内を減圧環境下に保った状態にて、大気圧下へ基板Ｋが取り出されるようになっており、このアンロード室２の底部中央に設けられたベントガス噴出部５からアンロード室２内へ吹き出された窒素ガス等のベントガスによってアンロード室２が大気圧に戻されるとともに、併せて基板Ｋが冷却され、その後、複数の搬送ローラ６を有する搬送装置７へ移動され、基板Ｋを支持している搬送台車８から搬送装置７の搬送ローラ６上に移載され、これら搬送ローラ６によって搬送されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、真空処理室１でのプラズマ処理時に昇温された基板Ｋは、減圧環境下での輻射を主とする伝熱のため、基板の冷却量が少なく、特に、基板Ｋが大型かつ重厚である場合は、基板の熱容量が大きいため、アンロード室２での冷却が十分行われずに、搬送装置７へ送り出されることがあった。
このため、搬送装置７を構成する搬送ローラ６等の基板Ｋに接触する部分を、耐熱性に優れた極めて高価な材料から形成しなければならず、装置の高コスト化を招いていた。
【０００６】
ここで、アンロード室２における冷却時間を長くすれば、基板Ｋを十分に冷却することができるが、この場合、アンロード室２において、基板Ｋが滞るため、生産性が大幅に低減してしまうという問題があった。
しかも、底部中央のベントガス噴出部５からベントガスを噴出させる上記アンロード室２では、ベントガスによって基板Ｋが均一に冷却されず、部分的に温度差が生じてしまい、バックリングと称する熱座屈を生じてしまい、基板Ｋを支持する部材との干渉や拘束により基板Ｋを破損するなどの悪影響を与えてしまう恐れもあった。
【０００７】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、大型の基板であっても製膜後における冷却を十分に行うことができ、装置のコスト低減及び製品の品質向上を図ることが可能な製膜装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の製膜装置は、減圧環境下にて基板に製膜を施す真空処理室と、該真空処理室にて製膜処理が施された基板が送り込まれ、該送り込まれた基板を大気圧環境に戻すとともに基板が冷却されるアンロード室とを有する製膜装置であって、前記アンロード室には、送り込まれた前記基板の搬送方向としての巾方向に沿って配設され、長手方向に沿って間隔をあけて複数の噴出孔を有したベント管が設けられ、該ベント管へ送り込まれたベントガスは、前記複数の噴出孔から、前記基板の搬送方向に対しての上下方向である高さ方向の略中央部分にその巾方向へわたって均一に吹き付けられ、該基板の高さ方向略中央部分から該基板の表面に沿って上下方向へ分散されて流されることを特徴としている。
【０００９】
すなわち、真空処理室から送り込まれた基板の巾方向に沿って配設されたベント管の複数の噴出孔から基板の高さ方向略中央部分に向かってベントガスが噴出され、基板の表面に沿って上下方向へ分散して流れるので、基板を全面にわたって均等にかつ迅速に冷却することができる。
つまり、基板を、その全面にわたって偏り無く迅速に冷却することができるので、基板が大型かつ重厚であるため熱容量が大きい場合でも、アンロード室にて短時間に十分に冷却させることができ、これにより、その後、基板を搬送する搬送装置にて基板を支持する部材として、高価な耐熱性に優れた材料を用いる必要をなくすことができ、これにより、装置のコスト低減を図ることができ、さらには、冷却時間の短縮化による生産性の向上も図ることができる。
しかも、基板を均等に冷却させることができるので、冷却の不均一による熱座屈であるバックリングの発生をなくすことができ、これにより、バックリングによる基板の破損などの悪影響をなくすことができる。
【００１０】
請求項２記載の製膜装置は、請求項１記載の製膜装置において、前記ベント管の前記噴出孔が、送り込まれるベントガスとアンロード室内との差圧が所定圧に達するまで、音速にて噴出する径に形成されていることを特徴としている。
【００１１】
このように、ベント管の各噴出孔から音速にてベントガスが噴出されることにより、いわゆるチョーク現象によって各噴出孔からの噴出速度の均一化を図り、噴き出し流量の均一化を図ることができ、これにより、基板を確実にかつ均一に冷却することができる。
しかも音速で噴き出されたベントガスは、断熱膨張するためにベントガスが冷えて、基板冷却が促進される。
【００１２】
請求項３記載の製膜装置は、請求項１または請求項２記載の製膜装置において、前記アンロード室内に、前記真空処理室から複数の前記基板が送り込まれ、前記ベント管は、前記基板に沿って複数並列に配設されていることを特徴としている。
【００１３】
つまり、複数のベント管が設けられているので、これらベント管によって、アンロード室内へ送り込まれる複数の基板へそれぞれ満遍なくベントガスを吹き付けて冷却させることができる。
【００１４】
請求項４記載の製膜装置は、請求項１〜４のいずれか１項記載の製膜装置において、前記ベント管が前記アンロード室の下部及び上部にそれぞれ設けられていることを特徴としている。
【００１５】
このように、アンロード室の下部及び上部に設けられたベント管によって、アンロード室内へ送り込まれる基板へ確実にかつ均一にベントガスを吹き付けて冷却させることができる。
【００１６】
請求項５記載の製膜装置は、請求項１〜４のいずれか１項記載の製膜装置において、前記ベント管が前記アンロード室の内部における巾方向略全長にわたって設けられていることを特徴としている。
【００１７】
すなわち、アンロード室の巾方向全長にわたる長さのベント管が設置されているので、基板を均一かつ迅速に冷却させることができるだけでなく、アンロード室内におけるベントガスが整流され、アンロード室の隅部におけるベントガスの流れのよどみを解消することができ、ベントガスのよどみによるアンロード室の隅部におけるゴミやパーティクルなどの塵の蓄積をなくすことができ、蓄積したゴミ、塵が舞い上がって基板へ付着することによる品質の低下等の不具合を解消することができる。
【００１８】
請求項６記載の製膜装置は、請求項１〜５のいずれか１項記載の製膜装置において、前記アンロード室に、送り込まれた前記基板と対向する冷却壁面を有する冷却機構が設けられていることを特徴としている。
【００１９】
このように、基板の対向位置に配設される冷却壁面を有する冷却機構が設けられているので、基板の表面に沿って流れることにより基板を冷却したベントガスを冷却機構の冷却壁面に沿って流して冷却させることができる。
【００２０】
請求項７記載の製膜装置は、請求項６記載の製膜装置において、前記冷却壁面が黒色とされていることを特徴としている。
【００２１】
減圧環境下のために輻射を主とした伝熱であるため、このように、冷却機構の冷却壁面が、その表面を黒色とすることにより、輻射率が高められているので、基板から冷却壁面への伝熱量を増加し、さらなる冷却効率の向上を図ることができる。
【００２２】
請求項８記載の製膜装置は、請求項１〜７のいずれか１項記載の製膜装置において、前記アンロード室から送り出される前記基板へ冷却空気を吹き付ける冷却装置を有することを特徴としている。
【００２３】
つまり、アンロード室から送り出された基板へ冷却装置によって空気を吹き付けることにより、基板をさらに確実に冷却することができる。これは、大気圧雰囲気であるため気体伝熱量が多く、基板冷却のための伝熱量が多くなるためである。
これにより、特に、真空処理室内における処理の温度が高い場合などにおいても、搬送装置によって搬送させる前に、確実に急速に冷却させることができる。
【００２４】
請求項９記載の製膜装置は、請求項８記載の製膜装置において、前記冷却装置が、前記基板へ向かって空気を送り出すファンと、該ファンから送り出される冷却空気を前記基板に向かって分散させる複数の孔を有した分流板とを有することを特徴としている。
【００２５】
すなわち、分流板によってファンからの空気が基板へ満遍なく分散されるので、アンロード室から送り出された基板をさらに確実にかつ満遍なく冷却することができ、基板のバックリングの発生を抑えることができる。
【００２６】
請求項１０記載の製膜装置は、請求項８または請求項９記載の製膜装置において、前記冷却装置が、前記基板へ吹き付ける空気を清浄する空気清浄フィルタが設けられていることを特徴としている。
【００２７】
このように、基板へ吹き付ける空気が空気清浄フィルタによって清浄されるので、塵や埃を基板へ付着させることなく基板をさらに冷却させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態例の製膜装置を図面を参照して説明する。
図１及び図２において、符号１１は、本実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室である。このアンロード室１１には、その底部１１ａに、搬送台車１２によって搬送される基板Ｋに沿う位置に、一対の長尺のベント管１３が設けられている。
【００２９】
これらベント管１３には、その長手方向に沿って、互いに間隔をあけて複数の噴出孔１４が形成されている。このベント管１３には、その一端に、図示しないベントガス供給源が接続されており、このベントガス供給源から窒素ガス等のベントガスが高圧にて供給されるようになっている。
そして、このベント管１３へベントガス供給源からベントガスが供給されると、このベント管１３の各噴出孔１４から、ベントガスが噴出されるようになっている。
【００３０】
ここで、このベント管１３の噴出孔１４は、供給されるベントガスの圧力に対して十分に小さい孔からなり、これら噴出孔１４から噴出されるベントガスは、ガスの供給圧とアンロード室１１の内圧との差圧が所定圧に達するまで音速にて噴出する、いわゆるチョーク現象を生じる大きさとされている。
【００３１】
そして、このように、チョーク現象を生じると、ベント管１３の噴出孔１４では、それぞれ均一な圧損を生じ、これにより、このベント管１３の噴出孔１４からは、互いに均一にベントガスが噴出される。
ここで、所定圧とは、アンロード室１１内にベントガスが噴出され、このベントガスの熱伝達によって基板Ｋが冷却されだす程度の圧力であり、具体的な一例としては、所定圧である差圧が約１０００Ｐａ程度の場合、ベント管１３の噴出孔１４の径としては、約１ｍｍ程度が好ましい。
また、これら噴出孔１４から噴出されるベントガスは、この噴出孔１４から噴出した際に、断熱膨張して低温となるために、基板Ｋの冷却が促進される。
【００３２】
また、噴出孔１４は、それぞれ噴出するベントガスの噴出方向が、搬送台車１２に支持された基板Ｋの高さ方向の略中央部分に向けられている。
これにより、このベント管１３の噴出孔１４から噴出して断熱膨張して低温となり基板Ｋに吹き付けられるベントガスは、基板Ｋの中央部分から、基板Ｋの表面に沿って上下方向へ分散されるようになっている。このため、基板Ｋ中央から周囲へと冷却されるようになり、基板Ｋ周囲よりも冷えにくい基板Ｋ中央から冷却することで、バックリングを発生させることが抑えられる。
【００３３】
そして、真空処理室１から搬送台車１２に支持されて製膜後の基板Ｋがアンロード室１１内へ移送されると、アンロード室１１内のベント管１３へ、ベントガス供給源からベントガスが高圧にて供給される。
そして、このベント管１３に供給されたベントガスは、ベントガスのガス圧と減圧状態のアンロード室１１の内圧との大きな差圧により、チョーク現象を引き起こし、これにより、ベント管１３の長手方向に沿って形成された各噴出孔１４から音速にてベントガスが噴出し、さらに断熱膨張して低温となり、搬送台車１２に支持された基板Ｋの高さ方向の中央部分に、その巾方向へわたって均一に吹き付けられる。
【００３４】
そして、このように基板Ｋの高さ方向中央部分に、巾方向へわたって均一に吹き付けられたベントガスは、基板Ｋの高さ方向中央部分から上下方向へ分散し、基板Ｋの表面に沿って流される。
これにより、基板Ｋは、その全体がベントガスによって基板Ｋ中央から周囲に向けて均一かつ迅速に冷却されるとともに、バックリング発生が抑えられる。
【００３５】
その後、内圧とガス圧との差圧が所定圧に達すると、チョーク現象がなくなり、基板Ｋは、アンロード室１１内に充填されたベントガスの熱伝達によって冷却される。
そして、このアンロード室１１内にて均一かつ十分に冷却された基板Ｋは、アンロード室１１から搬送台車１２によって搬送装置７側へ搬送され、その後、搬送台車１２から搬送台車７の搬送ローラ６上に受け渡され、これら搬送ローラ６によって次工程へ送り出される。
【００３６】
このように、上記の製膜装置によれば、真空処理室１から送り込まれた基板Ｋの巾方向に沿って配設されたベント管１３の複数の噴出孔１４から基板Ｋの高さ方向中央部分に向かってベントガスが噴出され、基板Ｋの表面に沿って上下方向へ分散して流れるので、基板Ｋを全面にわたって均等にかつ迅速に冷却することができる。
【００３７】
つまり、基板Ｋを、その全面にわたって偏り無く迅速に冷却することができるので、基板Ｋが大型かつ重厚であるため熱容量が大きい場合でも、アンロード室１１にて短時間に十分に冷却させることができ、これにより、その後、基板Ｋを搬送する搬送装置７にて基板Ｋを支持する搬送ローラ６などの部材として、高価な耐熱性に優れた材料を用いる必要をなくすことができ、これにより、装置のコスト低減を図ることができ、さらには、冷却時間の短縮化による生産性の向上も図ることができる。
【００３８】
しかも、基板Ｋを均等に冷却させることができるので、冷却の不均一による熱座屈であるバックリングの発生をなくすことができ、これにより、バックリングによる基板Ｋを破損するなどの悪影響をなくすことができる。
さらには、ベント管１３の各噴出孔１４から音速にてベントガスが噴出されることにより、いわゆるチョーク現象によって各噴出孔１４からの噴出速度の均一化を図ることができ、これにより、基板Ｋを確実にかつ均一に冷却することができる。
【００３９】
なお、上記の例では、アンロード室１１の底面１１ａに、一対のベント管１３を設置し、これらベント管１３の噴出孔１４から、それぞれの基板Ｋへベントガスを噴出させるようにしたが、一本のベント管１３に、それぞれの基板Ｋへ向かって噴出する噴出孔１４をそれぞれ形成し、この一本のベント管１３の噴出孔１４から、その両側の基板Ｋの高さ方向中央部分にベントガスを吹き付けるようにしても良い。
【００４０】
また、図３に示すものは、ベント管１３が上下に配設されたアンロード室１１である。
つまり、このアンロード室１１では、アンロード室１１内に基板Ｋが搬送されて設置された状態にて、上下に配設されたベント管１３へベントガス供給源からベントガスが供給され、これにより、これら上下のベント管１３のそれぞれの噴出孔１４からベントガスが音速にて噴出され、断熱膨張して低温となり、基板Ｋの高さ方向中央部分に、巾方向へわたって吹き付けられる。
【００４１】
これにより、アンロード室１１内に設置された基板Ｋは、その上下から噴出されるベントガスが高さ方向中央部分にて巾方向へわたって均一に吹き付けられ、その後、基板Ｋの高さ方向中央部分から上下方向へ分散し、基板Ｋの表面に沿って流される。これにより、基板Ｋは、その全体がベントガスによって均一かつ迅速に冷却される。これにより、熱座屈の発生がさらに確実に抑えられる。
【００４２】
また、上記の例では、上下にそれぞれ２本のベント管１３を備えたが、この場合も、ベント管１３の数は２本ずつに限定されることはなく、上下に一本ずつ設けても良く、あるいは、上下に３本ずつベント管１３を設け、基板Ｋをさらに満遍なくかつ迅速に冷却させるようにしても良い。
【００４３】
なお、ベント管１３としては、基板Ｋを巾方向にわたって冷却すべく、アンロード室１１内に設置された基板Ｋの巾寸法よりも長いものを用いるのが好ましく、特に、図４に示すように、アンロード室１１の巾方向略全長にわたる長さのベント管１３を設置することにより、基板Ｋを均一かつ迅速に冷却させることができるだけでなく、アンロード室１１内におけるベントガスが整流され、このアンロード室１１の隅部におけるベントガスの流れのよどみを解消することができ、ベントガスのよどみによるアンロード室１１の隅部におけるゴミやパーティクルなどの塵の蓄積をなくすことができ、蓄積したゴミ、塵が舞い上がって基板Ｋへ付着することによる品質の低下等の不具合を解消することができる。
【００４４】
また、図５に示すものは、アンロード室１１の中央部分に、冷却機構２１を備えたものである。この冷却機構２１は、その内部に、冷却媒体が循環される循環路２２が設けられ、また、アンロード室１１内に搬入される基板Ｋと対向する冷却壁面２３を有している。
この冷却壁面２３は、減圧雰囲気での輻射を主とする伝熱を促進するために、例えば、ブラスト処理等を施すことにより表面が黒色とされて輻射率が高められている。
【００４５】
そして、この例では、アンロード室１１に製膜後の基板Ｋが搬入されると、ベント管１３の噴出孔１４から噴出されたベントガスが基板Ｋの高さ方向中央部分に巾方向へわたって吹き付けられ、さらに、基板Ｋの上下方向に分散されて表面に沿って流され、これにより、基板Ｋが全体にわたって均一にかつ迅速に冷却される。
【００４６】
さらに、基板Ｋは、その冷却が、対向位置に配設された冷却壁面２３を有する冷却機構２１によって、さらに促進される。
また、基板Ｋを冷却したベントガスは、冷却媒体が循環される循環路２２が設けられた冷却機構２１の冷却壁面２３に沿って流れることにより、この冷却壁面２３との間にて円滑に熱交換が行われて冷却され、これにより、基板Ｋのベントガスの気体伝熱による冷却もさらに促進される。
【００４７】
図６に示すものは、アンロード室１１から送り出される基板Ｋを、大気圧下にて、上方から冷却する冷却装置３１を備えたものである。
この冷却装置３１は、上方から空気を吸い込み、下方へ吹き出させるファン３２を有しており、このファン３２の上方側には、ＨＥＰＡフィルタ等の空気清浄フィルタ３３が設けられ、下方側には、空気を分流させる複数の孔を有した分流板３４が設けられた構造とされている。
そして、この冷却装置３１では、アンロード室１１から搬送されて基板Ｋが送り出されると、空気清浄フィルタ３３によって清浄された空気がファン３２によって吸い込まれ、分流板３４によって基板Ｋの上方から分散されて吹き出される。
【００４８】
つまり、アンロード室１１から送り出された基板Ｋには、その上部に設けられた冷却装置３１によって清浄された空気が満遍なく吹き付けられて、アンロード室１１における冷却後に、さらに確実に急速に冷却される。
これにより、特に、真空処理室１内におけるプラズマ処理の温度が高い場合などにおいても、搬送装置７によって搬送させる前に、確実に冷却させることができる。
しかも、基板Ｋへ吹き付ける空気が空気清浄フィルタ３３によって清浄されるので、塵や埃を基板Ｋへ付着させることなく基板Ｋを冷却させることができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の製膜装置によれば、下記の効果を得ることができる。
請求項１記載の製膜装置によれば、真空処理室から送り込まれた基板の巾方向に沿って配設されたベント管の複数の噴出孔から基板の高さ方向略中央部分に向かってベントガスが噴出され、基板の表面に沿って上下方向へ分散して流れるので、基板を全面にわたって均等にかつ迅速に冷却することができる。
つまり、基板を、その全面にわたって偏り無く迅速に冷却することができるので、基板が大型かつ重厚であるため熱容量が大きい場合でも、アンロード室にて短時間に十分に冷却させることができ、これにより、その後、基板を搬送する搬送装置にて基板を支持する部材として、高価な耐熱性に優れた材料を用いる必要をなくすことができ、これにより、装置のコスト低減を図ることができ、さらには、冷却時間の短縮化による生産性の向上も図ることができる。
しかも、基板を均等に冷却させることができるので、冷却の不均一による熱座屈であるバックリングの発生をなくすことができ、これにより、バックリングによる基板の破損などの悪影響をなくすことができる。
【００５０】
請求項２記載の製膜装置によれば、ベント管の各噴出孔から音速にてベントガスが噴出されることにより、いわゆるチョーク現象によって各噴出孔からの噴出速度の均一化を図ることができ、これにより、基板を確実にかつ均一に冷却することができる。
【００５１】
請求項３記載の製膜装置によれば、複数のベント管が設けられているので、これらベント管によって、アンロード室内へ送り込まれる複数の基板へそれぞれ満遍なくベントガスを吹き付けて冷却させることができる。
【００５２】
請求項４記載の製膜装置によれば、アンロード室の下部及び上部に設けられたベント管によって、アンロード室内へ送り込まれる基板へ確実にかつ均一にベントガスを吹き付けて冷却させることができる。
【００５３】
請求項５記載の製膜装置によれば、アンロード室の巾方向全長にわたる長さのベント管が設置されているので、基板を均一かつ迅速に冷却させることができるだけでなく、アンロード室内におけるベントガスが整流され、アンロード室の隅部におけるベントガスの流れのよどみを解消することができ、ベントガスのよどみによるアンロード室の隅部におけるゴミやパーティクルなどの塵の蓄積をなくすことができ、蓄積したゴミ、塵が舞い上がって基板へ付着することによる品質の低下等の不具合を解消することができる。
【００５４】
請求項６記載の製膜装置によれば、基板の対向位置に配設される冷却壁面を有する冷却機構が設けられているので、基板の表面に沿って流れることにより基板を冷却したベントガスを冷却機構の冷却壁面に沿って流して冷却させることができる。
【００５５】
請求項７記載の製膜装置によれば、冷却機構の冷却壁面が、その表面を黒色とすることにより、輻射率が高められているので、さらなる冷却効率の向上を図ることができる。
【００５６】
請求項８記載の製膜装置によれば、アンロード室から送り出された基板へ冷却装置によって空気を吹き付けることにより、基板をさらに確実に冷却することができる。
これにより、特に、真空処理室内における処理の温度が高い場合などにおいても、搬送装置によって搬送させる前に、確実に冷却させることができる。
【００５７】
請求項９記載の製膜装置によれば、分流板によってファンからの空気が基板へ満遍なく分散されるので、アンロード室から送り出された基板をさらに確実にかつ満遍なく冷却することができ、バックリングの発生をさらに抑えることができる。
【００５８】
請求項１０記載の製膜装置によれば、基板へ吹き付ける空気が空気清浄フィルタによって清浄されるので、塵や埃を基板へ付着させることなく基板をさらに冷却させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室の概略斜視図である。
【図２】本発明の実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室の概略断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室の概略断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室の概略側面図である。
【図５】本発明の他の実施形態例の製膜装置を構成するアンロード室の概略断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態例の製膜装置を説明するアンロード室及びその下流側の斜視図である。
【図７】製膜装置の従来例を説明する製膜装置の概略斜視図である。
【符号の説明】
１  真空処理室
７  搬送装置
１１  アンロード室
１３  ベント管
１４  噴出孔
２１  冷却機構
２３  冷却壁面
３１  冷却装置
３２  ファン
３３  空気清浄フィルタ
３４  分流板
Ｋ  基板
【図１】
0003626924.tif 000002
【図２】
0003626924.tif 000003
【図３】
0003626924.tif 000004
【図４】
0003626924.tif 000005
【図５】
0003626924.tif 000006
【図６】
0003626924.tif 000007
【図７】
0003626924.tif 000008