(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製基板を備え、この金属製基板上にＭＭＩＣを取り付けて封止した構造のマイクロ波回路用パッケージにおいて、
同一の金属製基板上に複数のＭＭＩＣを取り付けると共に、各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取り付けて封止し、
前記金属製基板上にフレームを取り付け、このフレームおよびこれに当接する上蓋でＭＭＩＣを封止すると共に、前記誘電体のスペーサをＭＭＩＣの基板よりも高くし、前記誘電体を前記フレームの材質と同一にしたことを特徴とするマイクロ波回路用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）等を使用したマイクロ波回路を封止して回路形成するのに好適なマイクロ波回路用パッケージの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開平４−１２９４０２号公報に記載されているように、一般にＧａＡｓＦＥＴ等のＭＭＩＣ素子を使用したマイクロ波回路は、ＭＭＩＣ素子そのものとこれを駆動する駆動回路とが接続されて構成される。
【０００３】
半導体チップで構成されたＭＭＩＣ素子は、一般には気密状態にシーリング（封止）されて使用されるので、駆動回路とともに図１０のように接続構成されていた。
【０００４】
即ち、チップ状のＭＭＩＣ素子１は、その駆動回路２１を形成したセラミックの回路基板２とともに、コバール（ｋｏｖａｒ）等の金属製基板（ベースプレート）３上にマウントされている。
【０００５】
駆動回路２１は、抵抗体やコンデンサ・チップ、トランジスタ・チップ等、単体部品からなる他の回路素子２１Ａにより、ハイブリッド構成されている。
【０００６】
この駆動回路２１の一端はボンディングワイヤ４１によって前記金属製基板３に絶縁して貫通されたバイアス供給用の直流（ＤＣ）端子３１に接続されている。
【０００７】
また、金属製基板３上にマウントされたＭＭＩＣ素子１も、同じく絶縁して貫通された高周波（ＲＦ）端子３２とボンディングワイヤ４２によって接続されている。
【０００８】
駆動回路２１の出力端とＭＭＩＣ素子１との間は、ボンディングワイヤ４３によって接続構成されているから、ＤＣ端子３１から供給の直流電力は駆動回路２１により所定のバイアス電圧に変換された後ＭＭＩＣ素子１に印加され、ＭＭＩＣ素子１の高周波出力はボンディングワイヤ４２からＲＦ端子３２を経て導出される。なお、３１Ａ，３２Ａは絶縁体を示す。
【０００９】
また、金属製基板３にはパッケージ用のセラミックからなるフレーム５を介して上蓋６が密封されるように取付けられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記構成のマイクロ波回路用パッケージ５０では、金属製基板３上の同一面にＭＭＩＣ素子１及び駆動回路２１がともにマウントされて（取り付けられて）いるが、全体の小型化と高集積化の観点から、ＭＭＩＣ素子をこれを組み合わせて構成されたＭＭＩＣとし、複数のＭＭＩＣをマウントする（取り付ける）ことが望まれる。
【００１１】
しかし、金属製基板３が広くなると、箱状のパッケージ内空間容積が大きくなるのは避けられず、その結果、マイクロ波帯（１〜１００ＧＨｚ）の不要波モードが発生したり、異常共振回路が形成されやすくなり、マイクロ波回路としての所望の機能が得られないおそれがある。
【００１２】
そこで本発明は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上にＭＭＩＣ等を取り付けて封止した構造のマイクロ波回路用パッケージにおいて、上記従来の課題を解決し、パッケージ内容積をより小さく構成し得て、同時に安定した高周波特性が得られる信頼性の高いマイクロ波回路用パッケージを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るマイクロ波回路用パッケージは、金属製基板を備え、この金属製基板上にＭＭＩＣを取り付けて封止した構造のマイクロ波回路用パッケージにおいて、同一の金属製基板上に複数のＭＭＩＣを取り付けると共に、各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取り付けて封止し、金属製基板上にフレームを取り付け、このフレームおよびこれに当接する上蓋でＭＭＩＣを封止すると共に、誘電体のスペーサをＭＭＩＣの基板よりも高くし、誘電体をフレームの材質と同一にしたことを特徴とする。
【００１４】
各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さく構成でき、不要波モードや異常共振等を引き起こさないようにすることができる。
【００１５】
また、各ＭＭＩＣを誘電体のスペーサで仕切りこの誘電体に対して略対称に配置することで、各ＭＭＩＣを同一の共振系でパッケージングでき、不要波モードや異常共振等を引き起こさないようにすることができると共に、各ＭＭＩＣの動作特性を均一にすることができ、マイクロ波回路の信頼性を高めることができる。
【００１６】
誘電体のスペーサをＭＭＩＣの基板よりも高くし、この誘電体をフレームの材質と同一にすることで、各ＭＭＩＣをあたかもフレームで仕切って取り囲むようにすることができ、この誘電体に対してＭＭＩＣを略対称に配置することで、各ＭＭＩＣを同一の共振系でパッケージングでき、不要波モードや異常共振等を引き起こさないようにすることができるとともに、各ＭＭＩＣの動作特性を均一にすることができ、マイクロ波回路の信頼性を高めることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づいて説明する。
なお、図１０に示した従来の構成と同一構成には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００１８】
図１は、本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的断面図である。
図２は、本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的平面図であり、図１においてフレーム５と上蓋６（例えば、誘電体で構成した上蓋）を取り除いた場合の平面図に対応し、丸数字２−丸数字２矢視断面図が図１に対応している。
【００１９】
図１と図２に示すマイクロ波回路用パッケージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２を取り付けて封止した構造をなしている。
同一の金属製基板３上に複数のＭＭＩＣ１１，１２を取り付けると共に、各ＭＭＩＣ１１，１２を仕切る誘電体のスペーサ１５を取り付けて封止してある。
【００２０】
ＭＭＩＣ１１の一端（電源供給端）は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３４，３５とボンディングワイヤ４４，４５によって接続されている。
【００２１】
ＭＭＩＣ１２の一端（電源供給端）は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３６，３７とボンディングワイヤ４６，４７によって接続されている。
【００２２】
各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さく構成し、誘電体のスペーサに対して各ＭＭＩＣと各ＤＣ端子を略対称に配置している。
【００２３】
ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、ＲＦ端子１１Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
【００２４】
ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、ＲＦ端子１２Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１２Ｂ，１２Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
【００２５】
ＤＣ端子３４〜３７を金属製基板３面の垂直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ａ〜１１Ｃ，１２Ａ〜１２Ｃを金属製基板３の対向する辺に設けて金属製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ばすことで、このマイクロ波回路用パッケージ１０の隣接配置および高密度実装ができるようにしている。
【００２６】
図３は、本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的断面図である。
図４は、本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的平面図であり、図３においてフレーム５と上蓋６を取り除いた場合の平面図に対応し、丸数字４−丸数字４矢視断面図が図３に対応している。
【００２７】
図３と図４に示すマイクロ波回路用パッケージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２，１３を取り付けて封止した構造をなしている。
同一の金属製基板３上に複数のＭＭＩＣ１１，１２，１３を取り付けると共に、ＭＭＩＣ１１，１２を仕切る誘電体のスペーサ１５と、ＭＭＩＣ１２，１３を仕切る誘電体のスペーサ１６とを取り付けて封止してある。
【００２８】
ＭＭＩＣ１１の一端（電源供給端）は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３４，３５とボンディングワイヤ４４，４５によって接続されている。
【００２９】
ＭＭＩＣ１２の一端（電源供給端）は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３６，３７とボンディングワイヤ４６，４７によって接続されている。
【００３０】
ＭＭＩＣ１３の一端（電源供給端）は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３８，３９とボンディングワイヤ４８，４９によって接続されている。
【００３１】
各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さく構成し、誘電体のスペーサに対して各ＭＭＩＣと各ＤＣ端子を略対称に配置している。
【００３２】
ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、ＲＦ端子１１Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
【００３３】
ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、ＲＦ端子１２Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１２Ｂ，１２Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
【００３４】
ＭＭＩＣ１３の高周波入力端は、ＲＦ端子１３Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１３の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１３Ｂ，１３Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
【００３５】
ＤＣ端子３４〜３９を金属製基板３面の垂直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ａ〜１１Ｃ，１２Ａ〜１２Ｃ，１３Ａ〜１３Ｃを金属製基板３の対向する辺に設けて金属製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ばすことで、このマイクロ波回路用パッケージ１０の隣接配置および高密度実装ができるようにしている。
【００３６】
図５は、本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的断面図である。
図６は、本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的平面図であり、図５においてフレーム５と上蓋６を取り除いた場合の平面図に対応し、丸数字６−丸数字６矢視断面図が図５に対応している。
【００３７】
図５と図６に示すマイクロ波回路用パッケージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２を取り付けて封止した構造をなしている。
金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の基板（ＭＭＩＣチップ）と略同一の高さの誘電体基板１４を取り付けて封止すると共に、この誘電体基板１４上にストリップ導体（不図示）を設け、このストリップ導体と誘電体基板１４と金属製基板３とでマイクロストリップ線路を形成している。
例えば、ストリップ導体の幅を０．４８ｍｍとし、ストリップ導体の高さを０．００６ｍｍとし、誘電体基板１４の高さは０．５１ｍｍとしてその材料にアルミナ磁器を使用する。
【００３８】
ＭＭＩＣ１１の一端は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３４，３５とボンディングワイヤ４４，４５によって接続されている。
【００３９】
ＭＭＩＣ１２の一端は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３６，３７とボンディングワイヤ４６，４７によって接続されている。
【００４０】
金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の基板と略同一の高さの誘電体基板１４を取り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さく構成している。
【００４１】
ＭＭＩＣ１１，１２とマイクロストリップ線路とをビームリード１１Ｄ，１２Ｄで接続している。
ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）とビームリード１１Ｄによって接続されている。
ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）とビームリード１２Ｄによって接続されている。
【００４２】
ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１２Ｂ，１２Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
【００４３】
また、誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）は、ＲＦ端子１４Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）により種々の回路素子を形成してもよく、例えば、高周波信号を分配する分配器を形成して、ＲＦ端子数を削減してもよい。
【００４４】
ＤＣ端子３４〜３７を金属製基板３面の垂直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃ，１２Ｂ，１２Ｃ，１４Ａを金属製基板３の対向する辺に設けて金属製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ばすことで、このマイクロ波回路用パッケージ１０の隣接配置および高密度実装ができるようにしている。
【００４５】
図７は、本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的平面図であり、フレームと上蓋を取り除いた場合の平面図に対応し、丸数字７−丸数字７矢視断面図は図１のようになる。
【００４６】
図７に示すマイクロ波回路用パッケージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２を取り付けて封止した構造をなしている。
同一の金属製基板３上に複数のＭＭＩＣ１１，１２を取り付けると共に、各ＭＭＩＣ１１，１２を仕切る誘電体のスペーサ１５を取り付けて封止してある。
また、金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の基板（ＭＭＩＣチップ）と略同一の高さの誘電体基板１４を取り付けて封止すると共に、この誘電体基板１４上にストリップ導体（不図示）を設け、このストリップ導体と誘電体基板１４と金属製基板３とでマイクロストリップ線路を形成している。
【００４７】
ＭＭＩＣ１１の一端は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３４，３５とボンディングワイヤ４４，４５によって接続されている。
【００４８】
ＭＭＩＣ１２の一端は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３６，３７とボンディングワイヤ４６，４７によって接続されている。
【００４９】
各ＭＭＩＣ１１，１２を仕切る誘電体のスペーサ１５を取り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さく構成し、誘電体のスペーサ１５に対して各ＭＭＩＣと各ＤＣ端子を略対称に配置している。
また、金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の基板と略同一の高さの誘電体基板１４を取り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さく構成している。
【００５０】
ＭＭＩＣ１１，１２とマイクロストリップ線路とをビームリード１１Ｄ，１２Ｄで接続している。
ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）とビームリード１１Ｄによって接続されている。
ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）とビームリード１２Ｄによって接続されている。
【００５１】
ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１２Ｂ，１２Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
【００５２】
また、誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）は、ＲＦ端子１４Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）により種々の回路素子を形成してもよく、例えば、高周波信号を分配する分配器を形成して、ＲＦ端子数を削減してもよい。
【００５３】
ＤＣ端子３４〜３７を金属製基板３面の垂直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃ，１２Ｂ，１２Ｃ，１４Ａを金属製基板３の対向する辺に設けて金属製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ばすことで、このマイクロ波回路用パッケージ１０の隣接配置および高密度実装ができるようにしている。
【００５４】
図８は、本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的断面図である。
図９は、本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的平面図であり、図８においてフレーム５と上蓋６を取り除いた場合の平面図に対応し、丸数字９−丸数字９矢視断面図が図８に対応している。
【００５５】
図８と図９に示すマイクロ波回路用パッケージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２を取り付けて封止した構造をなしている。
また、金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の基板（ＭＭＩＣチップ）と略同一の高さの誘電体基板１４を取り付けて封止すると共に、この誘電体基板１４上にストリップ導体（不図示）を設け、このストリップ導体と誘電体基板１４と金属製基板３とでマイクロストリップ線路を形成している。
更に、誘電体基板１４をＴ字型にして各ＭＭＩＣ１１，１２を仕切るように取り付けて封止している。
【００５６】
ＭＭＩＣ１１の一端は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３４，３５とボンディングワイヤ４４，４５によって接続されている。
【００５７】
ＭＭＩＣ１２の一端は、金属製基板３を絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス供給用のＤＣ端子３６，３７とボンディングワイヤ４６，４７によって接続されている。
【００５８】
各ＭＭＩＣ１１，１２を仕切る誘電体基板１４を取り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さく構成し、Ｔ字型の誘電体基板１４における中央の突起部に対して各ＭＭＩＣと各ＤＣ端子を略対称に配置している。
また、金属製基板３上にＭＭＩＣ１１，１２の基板と略同一の高さの誘電体基板１４を取り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さく構成している。
【００５９】
ＭＭＩＣ１１，１２とマイクロストリップ線路とをビームリード１１Ｄ，１２Ｄで接続している。
ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）とビームリード１１Ｄによって接続されている。
ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）とビームリード１２Ｄによって接続されている。
【００６０】
ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出力端は、各々ＲＦ端子１２Ｂ，１２Ｃとボンディングワイヤによって接続されている。
【００６１】
また、誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）は、ＲＦ端子１４Ａとボンディングワイヤによって接続されている。
誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）により種々の回路素子を形成してもよく、例えば、高周波信号を分配する分配器を形成して、ＲＦ端子数を削減してもよい。
【００６２】
ＤＣ端子３４〜３７を金属製基板３面の垂直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃ，１２Ｂ，１２Ｃ，１４Ａを金属製基板３の対向する辺に設けて金属製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ばすことで、このマイクロ波回路用パッケージ１０の隣接配置および高密度実装ができるようにしている。
【００６３】
なお、上記の各実施形態において、誘電体基板１４上のストリップ導体（マイクロストリップ線路のストリップ導体）とＲＦ端子１４Ａとを金等のビームリードや帯状リボンで接続してもよい。
ＭＭＩＣ１１，１２，１３の高周波入力端とＲＦ端子１１Ａ，１２Ａ，１３Ａとを金等のビームリードや帯状リボンで接続してもよい。
ＭＭＩＣ１１，１２，１３の高周波出力端とＲＦ端子１１Ｂ，１１Ｃ，１２Ｂ，１２Ｃ，１３Ｂ，１３Ｃとを金等のビームリードや帯状リボンで接続してもよい。
ビームリード１１Ｄ，１２Ｄに代えて、帯状リボンを用いてもよい。
ＲＦ端子と金属製基板３との間に誘電体を介在させてもよい。
【００６４】
上記の各実施形態において、ボンディングワイヤを用いずに金等のビームリードや帯状リボンで接続し、上蓋を低くしてマイクロ波回路用パッケージの小型化を図ってもよい。
【００６５】
また、マイクロ波回路用パッケージのフレーム５の材質で誘電体のスペーサ１５を形成してもよく、マイクロ波回路用パッケージのフレーム５の内側に金属膜を形成してある場合は、誘電体のスペーサ１５の表面（または側面）に金属膜を形成してもよい。
【００６６】
ＲＦ端子１１Ａ〜１１Ｃ，１２Ａ〜１２Ｃ，１３Ａ〜１３Ｃ，１４Ａは、ＤＣ端子３４〜３９と同様に、金属製基板３面の垂直方向に伸ばしてもよい。
ＲＦ端子のボンディング部は常に幅広にする必要はなく、幅を狭くしてもよい。
【００６７】
本発明を特願平７−２３９３１１号にて提案しているレーダーモジュール及びアンテナ装置に適用してもよい。
例えば、ＭＭＩＣ中に４個の高周波数の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と２個のミキサーを備え、このＭＭＩＣをマイクロ波回路用パッケージに複数取り付けてマルチチップ回路を構成してもよい。
【００６８】
誘電体基板１４上のストリップ導体（不図示）により種々の回路素子を形成する場合は、ストリップ導体を一部広くしたり、または狭くしたりすることにより分布定数形回路素子を形成できる。図１１にマイクロストリップ線路（のストリップ導体）で形成した回路素子を例示する。
なお、上記実施形態は本発明の一例であり、本発明は上記実施形態に限定されない。
【００６９】
【発明の効果】
本発明のマイクロ波回路用パッケージによれば、各ＭＭＩＣを仕切る誘電体のスペーサを取り付けて封止することで、パッケージ内容積をより小さく構成でき、不要波モードや異常共振等を引き起こさないようにすることができる。
【００７０】
また、各ＭＭＩＣを誘電体のスペーサで仕切りこの誘電体に対して略対称に配置することで、各ＭＭＩＣを同一の共振系でパッケージングでき、不要波モードや異常共振等を引き起こさないようにすることができると共に、各ＭＭＩＣの動作特性を均一にすることができ、マイクロ波回路の信頼性を高めることができる。
【００７１】
さらに、本発明のマイクロ波回路用パッケージによれば、誘電体のスペーサをＭＭＩＣの基板よりも高くし、この誘電体をフレームの材質と同一にすることで、各ＭＭＩＣをあたかもフレームで仕切って取り囲むようにすることができ、この誘電体に対してＭＭＩＣを略対称に配置することで、各ＭＭＩＣを同一の共振系でパッケージングでき、不要波モードや異常共振等を引き起こさないようにすることができるとともに、各ＭＭＩＣの動作特性を均一にすることができ、マイクロ波回路の信頼性を高めることができる。
【００７２】
以上から、本発明によれば、パッケージ内容積を小さく構成でき、安定した高周波特性が得られる信頼性の高いマイクロ波回路用パッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的断面図
【図２】  本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的平面図
【図３】  本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的断面図
【図４】  本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的平面図
【図５】  本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的断面図
【図６】  本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的平面図
【図７】  本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的平面図
【図８】  本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的断面図
【図９】  本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的平面図
【図１０】  従来のマイクロ波回路用パッケージを示す断面図
【図１１】  マイクロストリップ線路で形成した回路素子の説明図
【符号の説明】
１…ＭＭＩＣ素子
２…回路基板
３…金属製基板
５…フレーム
６…上蓋
１０，５０…マイクロ波回路用パッケージ
１１，１２，１３…ＭＭＩＣ
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ…高周波端子（ＲＦ端子）
１１Ｄ…ビームリード
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ…高周波端子（ＲＦ端子）
１２Ｄ…ビームリード
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ…高周波端子（ＲＦ端子）
１４Ａ…高周波端子（ＲＦ端子）
１４…誘電体基板
１５，１６…誘電体のスペーサ
２１…駆動回路
２１Ａ…回路素子
３１，３２，３４〜３９…直流端子（ＤＣ端子）
３１Ａ，３２Ａ，３４Ａ〜３９Ａ…絶縁体
４１〜４９…ボンディングワイヤ
Ｌ…長さ
λg …波長
【図１】
0003638173.tif 000002
【図２】
0003638173.tif 000003
【図３】
0003638173.tif 000004
【図４】
0003638173.tif 000005
【図５】
0003638173.tif 000006
【図６】
0003638173.tif 000007
【図７】
0003638173.tif 000008
【図８】
0003638173.tif 000009
【図９】
0003638173.tif 000010
【図１０】
0003638173.tif 000011
【図１１】
0003638173.tif 000012