(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前記導体パターンの同じ位置において、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が開口される開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回路基板であって、
前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交差部分において、前記導体パターンには、前記導体パターンが延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる幅広部が形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
金属支持層の上に第１絶縁層が形成され、前記第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前記導体パターンの同じ位置において、前記金属支持層および前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層とが開口される開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回路基板であって、
前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交差部分において、前記導体パターンには、前記導体パターンが延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる幅広部が形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項３】
第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前記導体パターンの同じ位置において、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が開口される開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回路基板であって、
前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交差部分において、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層には、前記開口部の端縁部から前記開口部内の前記導体パターンの上に突出する突出部が、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層からそれぞれ一体として、連続して形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項４】
金属支持層の上に第１絶縁層が形成され、前記第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前記導体パターンの同じ位置において、前記金属支持層および前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層とが開口される開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回路基板であって、
前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交差部分において、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層には、前記開口部の端縁部から前記開口部内の前記導体パターンの上に突出する突出部が、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層からそれぞれ一体として、連続して形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項５】
前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板として好適に用いられる、配線回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子・電気機器などに用いられる配線回路基板には、通常、外部端子と接続するための端子部が形成されている。
【０００３】
このような端子部として、近年、電子・電気機器の高密度化および小型化に対応すべく、導体パターンの片面だけではなく、その導体パターンの両面に形成されるいわゆるフライングリードが普及しつつあり、例えば、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板などにおいては、端子部をフライングリードとして形成することが知られている。
【０００４】
より具体的には、回路付サスペンション基板は、例えば、図２１に示すように、ステンレス箔からなる支持基板１と、その支持基板１の上に形成される絶縁体からなるベース層２と、そのベース層２の上に、所定の配線回路パターンとして形成される導体パターン３と、その導体パターン３を被覆する絶縁体からなるカバー層４とを備えており、フライングリードとして形成される端子部５は、カバー層４が開口形成されることにより導体パターン３の表面を露出させるとともに、支持基板１およびベース層２を開口させることにより、導体パターン３の裏面を露出させ、その露出された導体パターン３の両面に、必要により、ニッケル／金めっきなどにより、金属めっき層６を形成することにより形成されている。
【０００５】
そして、このようなフライングリードとして形成される端子部は、例えば、ボンディングツールなどを用いて、超音波振動を加えることにより、外部端子と接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このようなフライングリードとして形成される端子部では、導体パターンの両面が露出しているので、超音波が伝達されやすく、超音波振動による接合には適している反面、物理的強度が弱く、ベース層およびカバー層の開口部の端縁部において、両面が露出する導体パターンに応力が集中して断線しやすいという不具合がある。
【０００７】
本発明は、このような不具合に鑑みなされたもので、その目的とするところは、簡易な構成により、端子部をフライングリードとして形成し、両面が露出される導体パターンの強度を確保して、その導体パターンの断線を有効に防止することのできる配線回路基板を提供することにある。
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前記導体パターンの同じ位置において、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が開口される開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回路基板であって、前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交差部分において、前記導体パターンには、前記導体パターンが延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる幅広部が形成されていることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明は、金属支持層の上に第１絶縁層が形成され、前記第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前記導体パターンの同じ位置において、前記金属支持層および前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層とが開口される開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回路基板であって、前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交差部分において、前記導体パターンには、前記導体パターンが延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる幅広部が形成されている、配線回路基板を含んでいる。
【００１３】
上記の配線回路基板によれば、開口部の端縁部と導体パターンとの交差部分において、導体パターンには、その導体パターンが延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる幅広部が形成されているので、その開口部の端縁部における導体パターンの物理的強度を補強することができる。そのため、たとえば、その端子部と外部端子とをボンディングツールにより超音波振動を加えて接続するような場合において、開口部の端縁部において両面が露出する導体パターンに応力が集中しても、その導体パターンの断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００１４】
また、本発明は、第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前記導体パターンの同じ位置において、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が開口される開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回路基板であって、前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交差部分において、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層には、前記開口部の端縁部から前記開口部内の前記導体パターンの上に突出する突出部が、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層からそれぞれ一体として、連続して形成されている、配線回路基板を含んでいる。
【００１５】
また、本発明は、金属支持層の上に第１絶縁層が形成され、前記第１絶縁層の上に導体パターンが形成され、前記導体パターンの上に第２絶縁層が形成されており、前記導体パターンの同じ位置において、前記金属支持層および前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層とが開口される開口部が形成されることにより、前記導体パターンの表面および裏面が露出する端子部が形成されている配線回路基板であって、前記開口部の端縁部と前記導体パターンとが交差する交差部分において、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層には、前記開口部の端縁部から前記開口部内の前記導体パターンの上に突出する突出部が、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層からそれぞれ一体として、連続して形成されている、配線回路基板を含んでいる。
【００１６】
上記の配線回路基板によれば、開口部の端縁部と導体パターンとの交差部分において、第１絶縁層および／または第２絶縁層には、開口部の端縁部から開口部内の導体パターンの上に突出する突出部が、前記第１絶縁層および／または前記第２絶縁層からそれぞれ一体として、連続して形成されているので、その開口部の端縁部における導体パターンの物理的強度を補強することができる。そのため、たとえば、その端子部と外部端子とをボンディングツールにより超音波振動を加えて接続するような場合において、開口部の端縁部において両面が露出する導体パターンに応力が集中しても、その導体パターンの断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００１７】
そして、上記した本発明の前記配線回路基板は、導体パターンの両面が露出するいわゆるフライングリードとして形成しても、接続信頼性が高く、回路付サスペンション基板として好適に用いることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態であって、（ａ）は、その端子部における要部断面図、（ｂ）は、その端子部における平面図である。図１（ａ）において、この配線回路基板１１は、絶縁体からなる第１絶縁層としてのベース層１２の上に、所定の配線回路パターンとして形成される導体パターン１３が形成され、その導体パターン１３の上に、絶縁体からなる第２絶縁層としてのカバー層１４が形成されている。なお、導体パターン１３は、図１（ｂ）に示すように、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される複数の配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄとして形成されている。
【００１９】
ベース層１２およびカバー層１４の絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２０】
また、ベース層１２およびカバー層１４の厚みは、通常、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
【００２１】
また、導体パターン１３を形成する導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン１３の厚みは、通常、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００２２】
そして、このような配線回路基板１１は、図３（ａ）に示すように、まず、フィルム状に形成されたベース層１２の上に、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、所定の配線回路パターンとして導体パターン１３を形成し、次いで、図３（ｂ）に示すように、その導体パターン１３の上に、例えば、フィルム状樹脂の接着、または、感光性樹脂の塗布および硬化などの公知の方法によって、カバー層１４が被覆されることによって、形成されている。
【００２３】
そして、この配線回路基板１１では、図１（ａ）に示すように、導体パターン１３の同じ位置において、カバー層１４を開口して導体パターン１３の表面を露出させるとともに、ベース層１２を開口して導体パターン１３の裏面を露出させることにより、導体パターン１３の表面および裏面を露出させ、その露出した導体パターン１３の両面に金属めっき層１５をそれぞれ形成することにより、フライングリードとして端子部１６が形成されている。
【００２４】
このような端子部１６は、図３（ｃ）に示すように、まず、カバー層１４における端子部１６が形成される部分に、ドリル穿孔、レーザ加工、エッチング、感光性樹脂のパターンニングなど公知の方法によってカバー側開口部１７を開口形成するとともに、図３（ｄ）に示すように、そのカバー側開口部１７に対向するベース層１２の部分に、同じく、ドリル穿孔、レーザ加工、エッチング、感光性樹脂のパターンニングなど公知の方法によってベース側開口部１８を開口形成する。なお、このカバー側開口部１７およびベース側開口部１８は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄを含むような矩形状に開口形成される。
【００２５】
そして、図３（ｅ）に示すように、これらカバー側開口部１７内およびベース側開口部１８内に露出した導体パターン１３の表面および裏面に、めっきにより金属めっき層１５を形成することによって、形成することができる。
【００２６】
金属めっき層１５の形成は、特に制限されず、電解めっきおよび無電解めっきのいずれの方法を用いてもよく、また、めっきに用いる金属も、特に制限されず、公知の金属を用いることができる。好ましくは、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なうことにより、ニッケルめっき層１９の上に金めっき層２０を形成する。なお、ニッケルめっき層１９および金めっき層２０の厚さは、いずれも、１〜５μｍ程度であることが好ましい。
【００２７】
そして、この配線回路基板１１では、図１（ｂ）に示すように、このようなフライングリードとして形成される端子部１６において、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部と導体パターン１３とが交差する交差部分２１における導体パターン１３には、その導体パターン１３が延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる補強部としての幅広部２２が形成されている。
【００２８】
より具体的には、この幅広部２２は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄにおける長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分２１に対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄにおける幅方向に膨出するようなほぼ円形に形成されている。
【００２９】
各幅広部２２は、図２に示すように、その幅方向の最長部分２３を境として、ほぼ外側半分がカバー層１４およびベース層１２に埋設されるとともに、ほぼ内側半分がカバー側開口部１７およびベース側開口部１８において露出するように配置されている。これによって、端子部１６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄがカバー側開口部１７内およびベース側開口部１８内の両側端部において幅方向に膨出するダンベル形状としてそれぞれ形成される。
【００３０】
また、各幅広部２２は、その幅方向の最長部分２３が、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８において露出している各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄの通常のライン幅２４に対して、１．１〜４倍、好ましくは、２〜３倍として形成されており、より具体的には、その幅方向の最長部分２３の長さが、２０〜１０００μｍで、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄが延びる方向に沿う長手方向の長さが、５０〜５００μｍで形成されている。
【００３１】
なお、各幅広部２２の形状は、その幅方向に膨出するような形状であって、通常の幅よりも広く形成されていれば、特にほぼ円形に限定されることはなく、例えば、矩形状などであってもよい。
【００３２】
そして、このような幅広部２２を有する端子部１６は、上記した導体パターン１３の形成において、幅広部２２を配線回路パターンのパターンニングとともに形成しておき、図３（ｃ）および（ｄ）に示す工程において、カバー層１４およびベース層１２を、その幅広部２２の最長部分２３が交差部分２１に配置されるように開口することによってカバー側開口部１７およびベース側開口部１８を形成した後、図３（ｅ）に示す工程において、それらカバー側開口部１７内およびベース側開口部１８内において露出する導体パターン１３の両面に金属めっき層１５を形成することにより、形成すればよい。
【００３３】
このような配線回路基板１１によれば、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部と導体パターン１３とが交差する交差部分２１における導体パターン１３には、その導体パターン１３の幅方向に広がる幅広部２２が形成されているので、そのカバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部における導体パターン１３の物理的強度を補強することができる。そのため、たとえば、その端子部１６と外部端子とをボンディングツールにより超音波振動を加えて接続するような場合において、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部において両面が露出する導体パターン１３に応力が集中しても、その導体パターン１３の断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００３４】
また、この配線回路基板１１においては、図４に示すように、このようなフライングリードとして形成される端子部１６において、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部と導体パターン１３とが交差する交差部分２１におけるカバー層１４に、カバー側開口部１７の端縁部からカバー側開口部１７内の導体パターン１３の上に突出する補強部としてのカバー側突出部２５を形成するとともに、交差部分２１におけるベース層１２にも、ベース側開口部１８の端縁部からベース側開口部１８内の導体パターン１３の上に突出する補強部としてのベース側突出部２６を形成してもよい。
【００３５】
より具体的には、これらカバー側突出部２５およびベース側突出部２６は、図４（ｂ）に示すように、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄにおける長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分２１に対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄが延びる方向に沿ってカバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部から内側にそれぞれ突出する凸状に形成されている。
【００３６】
各カバー側突出部２５および各ベース側突出部２６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄに重なり、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の内側に向かって、次第にその重なりが少なくなるような先細状（平面視略三角形状）に形成されており、これによって、端子部１６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄがカバー側開口部１７内およびベース側開口部１８内の両側端部において、各カバー側突出部２５および各ベース側突出部２６によって被覆されるような形状に形成される。
【００３７】
また、各カバー側突出部２５および各ベース側突出部２６は、図５に示すように、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８において露出している各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄのライン長さ２９に対して、４〜３０分の１、好ましくは、５〜２０分の１の突出長さ２７で突出形成されており、より具体的には、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部において、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄのライン幅２４よりもやや狭い５〜２５０μｍの基幅２８で、その内側に向かって先細状に、５〜２５０μｍの突出長さ２７で突出され、その先端部が各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄの幅方向中央部に配置されるような略三角形状に形成されている。
【００３８】
なお、各カバー側突出部２５および各ベース側突出部２６は、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄが延びる長手方向に重なって突出するような形状であれば、図５に示すような形状に限定されることはなく、例えば、図６に示すように、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部において、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄのライン幅２４よりもやや広い基幅２８で、その内側に向かって先細状に突出形成されていてもよく、さらには、略三角形状に形成しなくても、例えば、各配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよび１３ｄが延びる長手方向に重なる矩形状に形成してもよい。
【００３９】
そして、このようなカバー側突出部２５およびベース側突出部２６を有する端子部１６は、図３（ｃ）に示す工程において、カバー側突出部２５が形成されるようにカバー層１４を開口してカバー側開口部１７を形成するとともに、図３（ｄ）に示す工程において、ベース側突出部２６が形成されるようにベース層１２を開口してベース側開口部１８を形成した後、図３（ｅ）に示す工程において、それらカバー側開口部１７内およびベース側開口部１８内において露出する導体パターン１３の両面に金属めっき層１５を形成することにより、形成すればよい。
【００４０】
このような配線回路基板１１によれば、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部と導体パターン１３とが交差する交差部分２１におけるカバー層１４およびベース層１２には、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部からカバー側開口部１７内およびベース側開口部１８内の導体パターン１３の上に突出するカバー側突出部２５およびベース側突出部２６が、カバー層１４およびベース層１２からそれぞれ一体として、連続して形成されているので、そのカバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部における導体パターン１３の物理的強度を補強することができる。そのため、たとえば、その端子部１６と外部端子とをボンディングツールにより超音波振動を加えて接続するような場合において、カバー側開口部１７およびベース側開口部１８の端縁部において両面が露出する導体パターン１３に応力が集中しても、その導体パターン１３の断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００４１】
なお、この配線回路基板１１においては、必ずしも、各カバー側突出部２５および各ベース側突出部２６の両方を形成せずとも、例えば、図７に示すように、カバー側突出部２５のみを形成してもよく、また、例えば、図８に示すように、ベース側突出部２６のみを形成してもよい。
【００４２】
さらには、図示しないが、上記したように、導体パターン１３に幅広部２２を形成するとともに、カバー層１４にはカバー側突出部２５を、および／または、ベース層１２にはベース側突出部２６を形成してもよい。
【００４３】
そして、このような端子部１６を有する配線回路基板１１は、とりわけ、回路付サスペンション基板に、好適に適用することができる。
【００４４】
図９は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板を示す斜視図である。この回路付サスペンション基板３１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、外部の回路としてのリード・ライト基板３９とを接続するための配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが、所定の配線回路パターンとして一体的に形成されている。
【００４５】
図９において、この回路付サスペンション基板３１は、長手方向に延びる金属支持層としての支持基板３２の上に、絶縁体からなる第１絶縁層としてのベース層３３が形成されており、そのベース層３３の上に、所定の配線回路パターンとして導体パターン３４が形成され、その導体パターン３４の上に、絶縁体からなる第２絶縁層としてのカバー層３５（図示せず）が形成されている。なお、導体パターン３４は、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される複数の配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄとして形成されている。
【００４６】
支持基板３２の先端部には、その支持基板３２を切り込むことによって、磁気ヘッドを実装するためのジンバル３６が形成されている。また、その支持基板３２の先端部には、磁気ヘッドと各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄとを接続するための磁気ヘッド側接続端子３７が形成されるとともに、支持基板３２の後端部には、リード・ライト基板３９と各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄとを接続するための端子部としての外部側接続端子３８が形成されている。この外部側接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄの端部において、各リードライト端子５４に対応してそれぞれ形成されている。
【００４７】
そして、このような回路付サスペンション基板３１は、次のようにして形成することができる。すなわち、まず、図１０（ａ）〜（ｄ）に示すように、支持基板３２を用意して、その支持基板３２の上に、所定のパターンでベース層３３を形成する。支持基板３２としては、金属箔または金属薄板を用いることが好ましく、例えば、ステンレス、４２アロイなどが好ましく用いられる。また、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらには、１５〜３０μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さらには、１２５〜３００ｍｍのものが好ましく用いられる。
【００４８】
また、ベース層３３を形成するための絶縁体としては、特に制限されず、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、感光性樹脂が好ましく用いられ、感光性ポリイミド樹脂がさらに好ましく用いられる。
【００４９】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板３２の上に、所定のパターンでベース層３３を形成する場合には、まず、図１０（ａ）に示すように、予め用意された支持基板３２の上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を、その支持基板１２の全面に塗布した後、例えば、６０〜１５０℃で乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜３３ｐを形成する。
【００５０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、その皮膜３３ｐを、フォトマスク４０を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、図１０（ｃ）に示すように、現像することにより、皮膜３３ｐを所定のパターンとする。なお、露光のための照射光は、その露光波長が、３００〜４５０ｎｍ、さらには、３５０〜４２０ｎｍであることが好ましく、その露光積算光量が、１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２、さらには、２００〜７００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。また、照射された皮膜３３ｐの露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法により行なえばよい。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図１０においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００５１】
次いで、図１０（ｄ）に示すように、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂前駆体の皮膜３３ｐを、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるベース層３３を所定のパターンで形成する。なお、このようにして形成されるベース層３３の厚さは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００５２】
次いで、図１０（ｅ）に示すように、ベース層３３の上に、導体パターン３４を、所定の配線回路パターンとして形成する。導体パターン３４を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。所定の配線回路パターンで導体パターン３４を形成するには、ベース層３３の表面に、導体パターン３４を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、所定の配線回路パターンとして形成すればよく、この方法においては、セミアディティブ法が好ましく用いられる。
【００５３】
このようにして形成される導体パターン３４は、上記したように、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される複数の配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄのパターンであって、その厚さは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄのライン幅は、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍであり、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄ間の間隔（スペース幅）は、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍである。
【００５４】
次いで、図１０（ｆ）〜（ｉ）に示すように、導体パターン３４を、絶縁体からなるカバー層３５により被覆する。カバー層３５を形成するための絶縁体としては、ベース層３５と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００５５】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、カバー層３５を形成するには、図１０（ｆ）に示すように、まず、支持基板３２およびベース層３３の全面に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を塗布した後、ベース層３３のパターンニングと同様に、例えば、６０〜１５０℃で乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜３５ｐを形成し、次に、図１０（ｇ）に示すように、その皮膜３５ｐを、フォトマスク４１を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、図１０（ｈ）に示すように、現像することにより、皮膜３５ｐによって、導体パターン３４が被覆されるようにパターン化する。
【００５６】
なお、このパターン化において、外部側接続端子３８が形成される部分には、導体パターン３４の表面が露出するように、その外部側接続端子３８が形成される部分にフォトマスク４１を対向配置して、カバー側開口部４２が形成されるようにする。より具体的には、このカバー側開口部４２は、後述するように外部側接続端子３８をフライングリードとして形成するために、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄを含むような矩形状に開口形成される。
【００５７】
また、この露光および現像の条件は、ベース層３３を露光および現像する条件と同様の条件でよく、図１０においては、ベース層３３と同様に、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００５８】
そして、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂前駆体の皮膜３５ｐを、図１０（ｉ）に示すように、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー層３５を、導体パターン３４の上に形成する。なお、カバー層３５の厚さは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。
【００５９】
また、このカバー層３５を形成する前に、予め導体パターン３４を、ニッケルめっきによって硬質ニッケルの薄膜で保護するようにしておいてもよい。
【００６０】
そして、このようにして形成される回路付サスペンション基板３１では、図１０（ｊ）〜（ｌ）に示すように、外部側接続端子３８が、導体パターン３４の両面が露出するフライングリードとして形成されている。
【００６１】
すなわち、外部側接続端子３８を、導体パターン３４の両面が露出した端子として形成するには、まず、図１０（ｊ）に示すように、支持基板３２における外部側接続端子３８が形成される部分、すなわち、カバー層３５のカバー側開口部４２に対向する部分にベース層３３が露出するように支持基板側開口部４３を形成する。この支持基板側開口部４３の形成は、公知の方法でよく、例えば、支持基板３２における支持基板側開口部４３を形成する部分以外をすべてマスキングした後に、化学エッチングすればよい。
【００６２】
次いで、図１０（ｋ）に示すように、支持基板３２の支持基板側開口部４３内において露出しているベース層３３に、導体パターン３４が露出するようにベース側開口部４４を形成する。このベース側開口部４４の形成は、公知の方法でよいが、エッチング、とりわけ、プラズマエッチングにより形成することが好ましい。エッチングによれば、ベース層３３の露出面から、導体パターン３４の裏面までの間のベース層３３を、正確に削ることができる。
【００６３】
このプラズマエッチングでは、支持基板３２をマスクとして、その支持基板３２の支持基板側開口部４３に露出するベース層３３の全体をエッチングすればよく、例えば、所定のガスを封入した雰囲気下で対向電極間に、サンプルを配置して、高周波プラズマを発生させるようにする。所定のガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＦ４、ＮＦ３などが用いられる。好ましくは、Ａｒ、Ｏ２、ＣＦ４、ＮＦ３が用いられる。これらのガスは、所定の割合で混合して用いてもよい。また、そのガス圧（真空度）は、例えば、０．５〜２００Ｐａ、好ましくは、１０〜１００Ｐａである。また、高周波プラズマを発生させる条件としては、周波数が、例えば、１０ｋＨｚ〜２０ＭＨｚ、好ましくは、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり、処理電力が、例えば、０．５〜１０Ｗ／ｃｍ２、好ましくは、１〜５Ｗ／ｃｍ２である。周波数が１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであると、プラズマエッチング装置のマッチング（抵抗値のチューニング）がとりやすくなる。そして、このような雰囲気条件下において、例えば、０〜１２０℃、好ましくは、１０〜８０℃に温度管理された電極上にサンプルを配置して、ベース層３３をエッチングする厚さに相当する所定の時間処理すればよい。
【００６４】
そして、このようにして形成されるベース層３３のベース側開口部４４は、支持基板３２をマスクとして形成されるので、支持基板３２の支持基板側開口部４３と同じ大きさおよび形で開口形成される。
【００６５】
その後、図１０（ｌ）に示すように、このように露出している導体パターン３４の両面に、金属めっき層４５を、めっきにより同時に形成する。金属めっき層４５の形成は、特に制限されず、電解めっきおよび無電解めっきのいずれの方法を用いてもよく、また、めっきに用いる金属も、特に制限されず、公知の金属を用いることができる。好ましくは、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なうことにより、ニッケルめっき層４６の上に金めっき層４７を形成する。なお、ニッケルめっき層４６および金めっき層４７の厚さは、いずれも、１〜５μｍ程度であることが好ましい。これによって、外部側接続端子３８が、両面が露出した状態で形成される。
【００６６】
そして、この回路付サスペンション基板３１の外部側接続端子３８では、上記した配線回路基板１１と同様に、図１１に示すように、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４８における導体パターン３４に、その導体パターン３４が延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる補強部としての幅広部４９が形成されている。
【００６７】
より具体的には、この幅広部４９は、図１１（ｂ）に示すように、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄにおける長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分４８に対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄにおける幅方向に膨出するようなほぼ円形に形成されている。各幅広部４９は、上記した配線回路基板１１の幅広部２２と同様に、その幅方向の最長部分を境として、ほぼ外側半分がカバー層３５およびベース層３３に埋設されるとともに、ほぼ内側半分がカバー側開口部４２、ベース側開口部４４および支持基板側開口部４３において露出するように配置されている。これによって、外部側接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄがカバー側開口部４２内と、ベース側開口部４４内および支持基板側開口部４３内との両側端部において幅方向に膨出するダンベル形状としてそれぞれ形成される。
【００６８】
なお、各幅広部４９における幅方向の最長部分の長さや導体パターン３４が延びる方向に沿う長手方向の長さは、上記した配線回路基板１１の幅広部２２と同様でよく、また、その形状も、その幅方向に膨出するような形状であって、通常の幅よりも広く形成されていれば、特にほぼ円形に限定されることはなく、例えば、矩形状などであってもよい。
【００６９】
そして、このような幅広部４９を有する外部側接続端子３８は、上記した導体パターン３４の形成において、幅広部４９を配線回路パターンのパターンニングとともに形成しておき、図１０（ｈ）〜（ｋ）に示す工程において、カバー層３５、支持基板３２およびベース層３３を、その幅広部４９の最長部分が交差部分４８に配置されるように開口することによってカバー側開口部４２、支持基板側開口部４３およびベース側開口部４４を形成した後、図１０（ｉ）に示す工程において、それらカバー側開口部４２内と、ベース側開口部４４内および支持基板側開口部４３内とにおいて露出する導体パターン３４の両面に金属めっき層４５を形成することにより、形成すればよい。
【００７０】
このような回路付サスペンション基板３１によれば、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４８における導体パターン３４には、その導体パターン３４の幅方向に広がる幅広部４９が形成されているので、そのカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部における導体パターン３４の物理的強度を補強することができる。そのため、たとえば、その外部側接続端子３８とリードライト端子５４とをボンディングツールにより超音波振動を加えて接続するような場合において、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部において両面が露出する導体パターン３４に応力が集中しても、その導体パターン３４の断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００７１】
また、この回路付サスペンション基板３１においては、図１２に示すように、このようなフライングリードとして形成される外部側接続端子３８において、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４８におけるカバー層３５に、カバー側開口部４２の端縁部からカバー側開口部４２内の導体パターン３４の上に突出する補強部としてのカバー側突出部５０を形成するとともに、交差部分４８におけるベース層３３にも、ベース側開口部４４の端縁部からベース側開口部４４内の導体パターン３４の上に突出する補強部としてのベース側突出部５１を形成してもよい。
【００７２】
より具体的には、これらカバー側突出部５０およびベース側突出部５１は、図１２（ｂ）に示すように、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄにおける長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分４８に対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる方向に沿ってカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部から内側にそれぞれ突出する凸状に形成されている。各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１は、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄに重なり、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の内側に向かって、次第にその重なりが少なくなるような先細状（平面視略三角形状）に形成されており、これによって、外部側接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄがカバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内の両側端部において、各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１によって被覆されるような形状に形成される。
【００７３】
なお、各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１における突出長さや基幅は、上記した配線回路基板１１のカバー側突出部２５およびベース側突出部２６と同様でよく、また、その形状も、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる長手方向に重なって突出するような形状であれば、図１２（ｂ）に示すような形状に限定されることはなく、例えば、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄのライン幅よりもやや広い基幅で、その内側に向かって先細状に突出形成されていてもよく、さらには、略三角形状に形成しなくても、例えば、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる長手方向に重なる矩形状に形成してもよい。
【００７４】
そして、このようなカバー側突出部５０およびベース側突出部５１を有する外部側接続端子３８は、図１０（ｇ）〜（ｉ）に示す工程において、カバー側突出部５０が形成されるようにカバー層３５を開口してカバー側開口部４２を形成するとともに、図１０（ｋ）に示す工程において、ベース側突出部５０が形成されるようにベース層３３を開口してベース側開口部４４を形成した後、図１０（ｌ）に示す工程において、それらカバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内において露出する導体パターン３４の両面に金属めっき層４５を形成することにより、形成すればよい。
【００７５】
このような回路付サスペンション基板３１によれば、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部と導体パターン４３とが交差する交差部分４８におけるカバー層３５およびベース層３３には、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部からカバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内の導体パターン３４の上に突出するカバー側突出部５０およびベース側突出部５１が、カバー層３５およびベース層３３からそれぞれ一体として、連続して形成されているので、そのカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部における導体パターン３４の物理的強度を補強することができる。そのため、たとえば、その外部側接続端子３８とリードライト端子５４とをボンディングツールにより超音波振動を加えて接続するような場合において、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部において両面が露出する導体パターン３４に応力が集中しても、その導体パターン３４の断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００７６】
なお、この回路付サスペンション基板３１においては、必ずしも、各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１の両方を形成せずとも、例えば、図１３に示すように、カバー側突出部５０のみを形成してもよく、また、例えば、図１４に示すように、ベース側突出部５１のみを形成してもよい。
【００７７】
さらには、図示しないが、上記したように、導体パターン３４に幅広部４９を形成するとともに、カバー層３５にはカバー側突出部５０を、および／または、ベース層３３にはベース側突出部５１を形成してもよい。
【００７８】
また、この回路付サスペンション基板３１では、図１５（ａ）に示すように、導体パターン３４における外部側接続端子３８が形成される部分を、他の部分に対して支持基板３２側に凹むように形成するとともに、ベース側開口部４４および支持基板側開口部４３を、金属めっき層４５が形成される部分よりも大きく開口形成するようにして、外部側接続端子３８を形成してもよく、そのようにして形成される外部側接続端子３８において、図１２（ｂ）に示すように、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４８における導体パターン３４に、幅広部４９が形成されるようにしてもよい。
【００７９】
すなわち、このような回路付サスペンション基板３１は、例えば、図１６（ａ）に示すように、予め用意された支持基板３２上に、上記と同様にして、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜３３ｐを形成した後、図１６（ｂ）に示すように、皮膜３３ｐを露光する工程において、照射光を全く透過しないフォトマスク４０とは別に、照射光を半透過（平均透過率１〜９９％の範囲）するフォトマスク５２を、皮膜３３ｐにおける外部側接続端子３８が形成される部分に対向配置して、そのフォトマスク５２を介して皮膜３３ｐを露光させて、皮膜３３ｐにおける外部側接続端子３８が形成される部分を、他の部分に対してより少ない露光量で露光させ、次いで、図１６（ｃ）および（ｄ）に示すように、上記と同様に、現像および硬化させることにより、外部側接続端子３８が形成される部分が他の部分よりも厚さの薄いベース層３３を形成する。
【００８０】
なお、このようなフォトマスク５２は、例えば、フォトマスク５２における半透過部分の表面を微細に荒らすことにより、その表面での乱反射成分を増加させて、その部分における透過光成分を減少させるように構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク５２における半透過部分の表面に、照射光を吸収するフィルムを貼着して、その半透過部分における透過光成分を減少させるように構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク５２における半透過部分の表面に、光透過部分および遮光部分のパターンを形成して、その部分における透過光成分を減少させるように構成すればよい。
【００８１】
さらに、例えば、金属薄膜の遮光パターンが形成されているフォトマスク５２において、半透過部分の表面に、その金属薄膜よりも厚みの薄い金属薄膜を形成して、その半透過部分における透過光成分を減少させるように構成してもよい。すなわち、このようなフォトマスク５２は、例えば、半透過部分には、金属薄膜が形成されていないフォトマスク５２（従来のフォトマスク）を形成し、次いで、その半透過部分のみが露出するように、そのフォトマスク５２の上にレジストを形成して、上記の金属薄膜より厚みが薄いクロムなどの金属薄膜を蒸着またはめっきにより形成し、その後、レジストを剥離することにより形成することができる。
【００８２】
これらのうちでは、例えば、図１７に示すように、フォトマスク５２における半透過部分５３の表面に、光透過部分および遮光部分のパターンを形成することが好ましい。すなわち、このようなフォトマスク５２は、例えば、厚さ２〜５ｍｍの石英ガラスやソーダガラスなどの板状のガラスからなり、そのガラスにおける半透過部分５３に、透過率がその他の部分の透過率よりも低減するような金属薄膜のパターンが、例えば、まず、ガラスの全面にクロムなどの金属薄膜を蒸着またはめっきした後、その金属薄膜をレーザーや電子ビームなどを用いてパターン化することにより形成されている。より具体的には、このような半透過部分５３のパターンは、好ましくは、６μｍ以下のピッチ（各光透過部分および各遮光部分の幅）において、その平均透過率が８０％以下、さらには、５０％以下の繰り返しパターンとして形成されることが好ましく、図１７（ａ）に示すように、縞状のパターンで平均透過率が約５０％のもの、図１７（ｂ）に示すように、格子状のパターンで平均透過率が約２５％のもの、図１７（ｃ）に示すように、円形千鳥状のパターンで平均透過率が約２５％のもの、図１７（ｄ）に示すように、円形千鳥状で平均透過率が約７０％のものなどが用いられる。
【００８３】
なお、上記においては、ネガ型でパターンニングしているが、例えば、ポジ型でパターンニングするには、フォトマスク５２を、半透過部分の照射光の透過率を、その他の部分の照射光の透過率よりも増加させるように構成すればよい。
【００８４】
このようにして形成されるベース層３３の厚さは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、通常、１０μｍ程度である。そして、ベース層３３における外部側接続端子３８が形成される部分の厚さは、通常、その他の部分の厚みの８０％以下であり、例えば、８μｍ以下、さらには、５μｍ以下であることが好ましい。厚さが８μｍ以下であると、上記したように、他の部分の厚さが、通常１０μｍである場合には、２μｍ分について、後の工程において、開口に要する時間の短縮を図ることができる。
【００８５】
なお、ベース層３３における外部側接続端子３８が形成される部分の厚さの下限は、支持基板３２を開口する時に導体パターン３４のバリヤ層として作用し得る最低限の厚さでよく、例えば、３μｍ、さらには、１μｍ程度でよい。したがって、ベース層３３における外部側接続端子３８が形成される部分の厚さは、例えば、０．１〜８μｍ、さらには、１．０〜５μｍであることが好ましい。
【００８６】
次いで、図１６（ｅ）に示すように、このベース層３３の上に、上記と同様に、所定の配線回路パターンとして導体パターン３４を形成すれば、導体パターン３４は、ベース層３３における外部側接続端子３８が形成される部分が、ベース層３３における他の部分よりも薄く形成されていることから、その上に形成される部分、すなわち、後の工程において金属めっき層４５が形成される部分が、導体パターン３４における他の部分に対して、支持基板３２側にその薄くなった厚さ分凹むように形成される。なお、このような導体パターン３４の形成においては、幅広部４９を配線回路パターンのパターンニングとともに形成する。
【００８７】
次いで、図１６（ｆ）〜（ｉ）に示すように、上記と同様に、導体パターン３４を、カバー層３５により被覆するとともに、外部側接続端子３８が形成される部分であって、幅広部４９の最長部分が交差部分４８に配置されるようにカバー側開口部４２を形成した後、図１６（ｊ）に示すように、支持基板側開口部４３を、支持基板３２におけるカバー側開口部４２に対向する部分よりも大きくなるように形成するとともに、図１６（ｋ）に示すように、支持基板側開口部４３内において露出しているベース層３３に、幅広部４９の最長部分が交差部分４８に配置されるようにベース側開口部４４を形成する。その後、図１６（ｉ）に示すように、それらカバー側開口部４２内と、ベース側開口部４４内および支持基板側開口部４３内とにおいて露出する導体パターン３４の両面に金属めっき層４５を形成する。このようにして形成された金属めっき層４５は、その金属めっき層４５の周端縁と、ベース側開口部４４および支持基板側開口部４３の周端縁との間に、所定の間隔が隔てられる。
【００８８】
このような方法により回路付サスペンション基板３１を製造すると、ベース層３３を形成する工程において、導体パターン３４を露出させるためのベース側開口部４４の厚さをベース層３３における他の部分の厚さよりも薄く形成するので、外部側接続端子３８を形成する工程において、図１６（ｋ）に示すように、ベース層３３をエッチングする時には、他の部分の厚さよりも薄くなっている分、導体パターン３４を露出させるためのエッチング時間を短縮することができる。そのため、導体パターン３４を短時間で露出させることができ、外部側接続端子３８を、両面が露出するフライングリードとして効率よく形成することができる。
【００８９】
また、このように形成すれば、ベース側開口部４４および支持基板側開口部４３が、導体パターン３４の露出部分よりも大きく開口形成されているので、金属めっき層４５の周端縁と、ベース側開口部４４および支持基板側開口部４３の周端縁との間には、所定の間隔が設けられる。そのため、例えば、接続信頼性を向上させるべく金属めっき層４５を厚く形成しても、金属めっき層４５と支持基板３２とが接触することがなく、金属めっき層４５と支持基板３２との間の接触による短絡を確実に防止することができる。そのため、回路付サスペンション基板３２の接続信頼性および耐電圧特性の向上を図ることができる。
【００９０】
なお、この回路付サスペンション基板３１においては、金属めっき層４５の周端縁と支持基板側開口部４３の周端縁との間の間隔を、少なくとも１μｍ以上、好ましくは、２〜１００μｍ程度として形成することが好ましい。
【００９１】
また、このように形成すれば、導体パターン３４における金属めっき層４５が形成される部分が、支持基板３２側に凹むように形成されるので、支持基板３２の表面から金属めっき層４５の表面までの距離が、他の部分に対して凹んだ分だけ短くなり、金属めっき層４５が、その分、支持基板３２の外側よりに配置される。そのため、例えば、リード・ライト基板３９のリードライト端子５４との接続において、金属めっき層４５にリードライト端子５４を重ね合わせて、ボンディングツールにより超音波振動を加えて接続するような場合においては、良好な圧着性を確保することができ、接続信頼性をより一層向上させることができる。
【００９２】
なお、この回路付サスペンション基板３１においては、金属めっき層４５の表面と、ベース層３３および支持基板３２の界面との間の厚さ方向における間隔が、±６μｍ、さらには、±２μｍとなるように形成することが好ましい。
【００９３】
また、この回路付サスペンション基板３１においては、図１８に示すように、このようなフライングリードとして形成される外部側接続端子３８において、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部と導体パターン３４とが交差する交差部分４８におけるカバー層３５に、上記と同様に、カバー側開口部４２の端縁部からカバー側開口部４２内の導体パターン３４の上に突出する補強部としてのカバー側突出部５０を形成するとともに、交差部分４８におけるベース層３３にも、ベース側開口部４４の端縁部からベース側開口部４４内の導体パターン３４の上に突出する補強部としてのベース側突出部５１を形成してもよい。
【００９４】
より具体的には、これらカバー側突出部５０およびベース側突出部５１は、図１８（ｂ）に示すように、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄにおける長手方向に沿って所定の間隔を隔てて交差部分４８に対向する位置にそれぞれ（２つ）形成され、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる方向に沿ってカバー側開口部４２およびベース側開口部４４の端縁部から内側にそれぞれ突出する凸状に形成されている。各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１は、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄに重なり、カバー側開口部４２およびベース側開口部４４の内側に向かって、次第にその重なりが少なくなるような先細状（平面視略三角形状）に形成されており、これによって、外部側接続端子３８は、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄがカバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内の両側端部において、各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１によって被覆されるような形状に形成される。
【００９５】
なお、各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１における突出長さや基幅は、上記した配線回路基板１１のカバー側突出部２５およびベース側突出部２６と同様でよく、また、その形状も、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる長手方向に重なって突出するような形状であれば、図１８（ｂ）に示すような形状に限定されることはなく、例えば、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄのライン幅よりもやや広い基幅で、その内側に向かって先細状に突出形成されていてもよく、さらには、略三角形状に形成しなくても、例えば、各配線３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄが延びる長手方向に重なる矩形状に形成してもよい。
【００９６】
なお、図１８に示す回路付サスペンション基板３１では、カバー側開口部４２の開口面積に対して、ベース側開口部４４の開口面積が広く形成されているため、図１８（ａ）に示すように、カバー側突出部５０に対してベース側突出部５１が、その分、突出長さが長くなるように形成される。
【００９７】
そして、このようなカバー側突出部５０およびベース側突出部５１を有する外部側接続端子３８は、図１６（ｇ）〜（ｉ）に示す工程において、カバー側突出部５０が形成されるようにカバー層３５を開口してカバー側開口部４２を形成するとともに、図１６（ｋ）に示す工程において、ベース側突出部５０が形成されるようにベース層３３を開口してベース側開口部４４を形成した後、図１６（ｌ）に示す工程において、それらカバー側開口部４２内およびベース側開口部４４内において露出する導体パターン３４の両面に金属めっき層４５を形成することにより、形成すればよい。
【００９８】
なお、この回路付サスペンション基板３１においても、上記と同様に、必ずしも、各カバー側突出部５０および各ベース側突出部５１の両方を形成せずとも、例えば、図１９に示すように、カバー側突出部５０のみを形成してもよく、また、例えば、図２０に示すように、ベース側突出部５１のみを形成してもよい。
【００９９】
さらには、図示しないが、上記したように、導体パターン３４に幅広部４９を形成するとともに、カバー層３５にはカバー側突出部５０を、および／または、ベース層３３にはベース側突出部５１を形成してもよい。
【０１００】
なお、以上の説明においては、外部側接続端子３８をフライングリードとして形成する場合について説明したが、この回路付サスペンション基板３１においては、磁気ヘッド側接続端子３７も、外部側接続端子３８と同様のフライングリードとして形成されている。
【０１０１】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
【０１０２】
実施例１
厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４  Ｈ−ＴＡ）の上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を、乾燥後の厚さが２４μｍとなるように塗布した後、１３０℃で乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成した（図１６（ａ）参照）。次いで、皮膜を、フォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ（図１６（ｂ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、その皮膜をネガ型の画像でパターン化した（図１６（ｃ）参照）。次いで、パターン化された感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース層を所定のパターンで形成した（図１６（ｄ）参照）。
【０１０３】
また、このベース層の形成においては、露光する時に、光透過部分および遮光部分が、６μｍ以下のピッチで金属薄膜の格子状の繰り返しパターンとして形成されているフォトマスク（図１７（ｂ）に示す、平均透過率が約２５％フォトマスク５２に相当する。）を、皮膜において、後の工程において開口され、外部側接続端子が形成される部分の上に配置して、このフォトマスクを介して皮膜を露光させて、皮膜における外部側接続端子が形成される部分の露光量が、他の部分の露光量よりも低減するように露光させた（図１６（ｂ）参照）。そのため、これを現像および硬化させた後においては、ベース層における他の部分の厚さが１０μｍであるところ、その外部側接続端子が形成される部分の厚さを２μｍとして形成することができた（図１６（ｄ）参照）。
【０１０４】
次いで、ステンレス箔およびベース層の全面に、下地として、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後、所定の配線パターンと逆パターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成し、そして、電解銅めっきにより、ベース層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、所定の配線パターンの導体パターンを、セミアディティブ法により形成した（図１６（ｅ）参照）。このようにして形成された導体パターンは、ベース層における外部側接続端子が形成される部分が、ベース層における他の部分よりも薄く形成されているので、導体パターンにおける外部側接続端子が形成される部分が、導体パターンにおける他の部分に対して、ステンレス箔側に、厚さ方向において約８μｍ凹むようにして形成された。なお、この導体パターンの厚さは１０μｍで、そのパターンを、各配線の幅１１０μｍ、各配線間の間隔が２００μｍの、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される４本の配線パターンとして形成した。
【０１０５】
さらに、各配線には、次に開口形成するカバー開口部およびベース側開口部の端縁部との交差部分（各配線について２箇所）において、各配線が延びる方向と実質的に直交する幅方向に広がる略円形の幅広部（図１５（ｂ）参照）を、幅方向の最長部分の長さ２３０μｍで、長手方向の長さ１００μｍで形成した。
【０１０６】
その後、めっきレジストを、化学エッチングによって除去した後、めっきレジストが形成されていたクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除去した。
【０１０７】
次いで、導体パターンの表面、および、ステンレス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ０．１μｍの硬質のニッケル薄膜を形成した後、ニッケル薄膜およびベース層の上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を塗布した後、１３０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成した（図１６（ｆ）参照）。次いで、皮膜をフォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ（図１６（ｇ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、この皮膜によって導体層が被覆されるようにパターン化した（図１６（ｈ）参照）。次いで、パターン化された感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ３μｍのポリイミド樹脂からなるカバー層を、導体層の上に形成した（図１６（ｉ）参照）。
【０１０８】
なお、このカバー層の形成においては、パターン化する時に、導体パターンにおける外部側接続端子が形成される部分のニッケル薄膜が露出するようにカバー側開口部を形成した。
【０１０９】
次いで、外部側接続端子を、両面が露出する状態で形成した。すなわち、まず、ステンレス箔におけるカバー側開口部に対向する部分に、ベース層が露出するように、そのカバー側開口部よりも大きな支持基板側開口部を形成した（図１６（ｊ）参照）。この支持基板側開口部は、ステンレス箔における支持基板側開口部を形成する部分以外をすべてマスキングした後に、化学エッチングすることにより形成した。なお、この支持基板側開口部の形成と同時に、化学エッチングによりジンバルを所定の形状に切り抜いた。
【０１１０】
次いで、カバー側開口部内に露出しているニッケル薄膜を剥離するとともに、ステンレス箔の上に形成されているニッケル薄膜を剥離した。
【０１１１】
そして、ステンレス箔の支持基板側開口部内において露出しているベース層を開口して、導体パターンの裏面に形成される下地が露出するようにベース側開口部を形成した（図１６（ｋ）参照）。このベース側開口部は、プラズマエッチングにより形成した。プラズマエッチングでは、ステンレス箔をマスクとして、そのステンレス箔の支持基板側開口部に露出するベース層全体を、封入ガスとして、ＣＦ４とＯ２との混合ガス（ＣＦ４／Ｏ２＝２０／８０）を用い、ガス圧（真空度）２５Ｐａ、周波数１３．５ＭＨｚ、処理電力２５００Ｗの条件下において、約２分間処理した。
【０１１２】
このようにして形成されるベース側開口部は、支持基板側開口部と同じ大きさおよび形で形成され、ベース側開口部に露出する下地の周端縁と、ベース側開口部および支持基板側開口部の周端縁との間には、約５０μｍの間隔が設けられた。
【０１１３】
その後、ベース側開口部に露出する下地を剥離することによって、導体パターンの裏面を露出させた。次いで、このように露出している導体パターンの両面に、金属めっき層を、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なって、厚さ２μｍのニッケルめっき層および厚さ１μｍの金めっき層を形成することによって形成した（図１６（ｌ）参照）。
【０１１４】
このようにして形成された裏面側の金属めっき層は、その表面が、ベース層とステンレス箔との界面に対して、厚さ方向で、±２μｍで形成され、かつ、その金属めっき層の周端縁と、ベース側開口部および支持基板側開口部の周端縁との間に、４７μｍの間隔が隔てられるように形成された。
【０１１５】
これによって、各配線に幅広部が形成される導体パターンのフライングリードとして、外部側接続端子が形成されている回路付サスペンション基板を得た（図１５参照）。
【０１１６】
実施例２
導体パターンの各配線に幅広部を形成することに代えて、ベース層を開口形成してベース側開口部を形成する工程（図１６（ｋ）参照）において、各配線との交差部分（各配線について２箇所）において、ベース層に、ベース側開口部の端縁部からベース側開口部内の導体パターンの上に突出する平面視略三角形状のベース側突出部を、基幅１１０μｍおよび突出長さ２００μｍで形成した以外は、実施例１と同様の操作により、各配線の露出端部がベース側突出部によって被覆されている導体パターンのフライングリードとして、外部側接続端子が形成されている回路付サスペンション基板を得た（図２０参照）。
【０１１７】
比較例１
導体パターンの各配線に幅広部を形成しない以外は、実施例１と同様の操作により、フライングリードとして外部側接続端子が形成されている回路付サスペンション基板を得た（図２１参照）。
【０１１８】
評価
実施例１、２および比較例１で得られた回路付サスペンション基板の外部側接続端子を、金パッドからなる外部端子に、ボンディングツールを用いて超音波振動を加えて接続した後、ピール剥離試験を行ない、接続強度を測定した。
【０１１９】
その結果を、表１に示す。なお、実施例１および２の回路付サスペンション基板については、導体パターンの破壊は、いずれもカバー層およびベース層に被覆されている部分で生じた。
【０１２０】
【表１】
0003692314.tif 000002
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の配線回路基板によれば、開口部の端縁部と導体パターンとの交差部分において、第１絶縁層、第２絶縁層および導体パターンの少なくともいずれかに、開口部の端縁部における導体パターンを補強するための補強部が形成されているので、その開口部の端縁部における導体パターンの物理的強度を補強することができる。そのため、たとえば、その端子部と外部端子とをボンディングツールにより超音波振動を加えて接続するような場合において、開口部の端縁部において両面が露出する導体パターンに応力が集中しても、その導体パターンの断線を有効に防止することができ、接続信頼性を向上させることができる。
【０１２１】
そのため、本発明の配線回路基板は、導体パターンの両面が露出するいわゆるフライングリードとして形成しても、接続信頼性が高く、回路付サスペンション基板として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態（幅広部が形成される態様）であって、（ａ）は、その端子部における要部断面図、（ｂ）は、その端子部における平面図である。
【図２】図１（ｂ）に示す平面図の拡大図である。
【図３】図１に示す配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、
（ａ）は、ベース層の上に導体パターンを形成する工程、
（ｂ）は、導体パターンの上に、ベース層を形成する工程、
（ｃ）は、カバー層における端子部が形成される部分にカバー側開口部を開口形成する工程、
（ｄ）は、ベース層における端子部が形成される部分にベース側開口部を開口形成する工程、
（ｅ）は、カバー側開口部内およびベース側開口部内に露出した導体パターンの表面および裏面に金属めっき層を形成する工程
を示す。
【図４】本発明の配線回路基板の他の実施形態（カバー側突出部およびベース側突出部が形成される態様）であって、（ａ）は、その端子部における要部断面図、（ｂ）は、その端子部における平面図である。
【図５】図４（ｂ）に示す平面図の拡大図である。
【図６】図４（ｂ）に示す平面図の他の実施形態の拡大図である。
【図７】図４（ａ）に示す配線回路基板の他の実施形態（カバー側突出部のみが形成されている態様）を示す要部断面図である。
【図８】図４（ａ）に示す配線回路基板の他の実施形態（ベース側突出部のみが形成されている態様）を示す要部断面図である。
【図９】本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の平面図である。
【図１０】図９に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図であって、
（ａ）は、支持基板の上に感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、
（ｂ）は、その皮膜をフォトマスクを介して露光させる工程、
（ｃ）は、その皮膜を現像することにより所定のパターンとする工程、
（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させてベース層を形成する工程、
（ｅ）は、ベース層の上に導体パターンを形成する工程、
（ｆ）は、導体パターンの上に感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、
（ｇ）は、その皮膜をフォトマスクを介して露光させる工程、
（ｈ）は、その皮膜を現像することにより所定のパターンとする工程、
（ｉ）は、パターン化された皮膜を硬化させてカバー層を形成する工程、
（ｊ）は、支持基板における外部側接続端子が形成される部分を開口する工程、
（ｋ）は、ベース層における外部側接続端子が形成される部分を開口する工程、
（ｌ）は、露出している導体パターンの両面に金属めっき層を形成する工程
を示す。
【図１１】図９に示す回路付サスペンション基板の一実施形態（幅広部が形成される態様）であって、（ａ）は、その外部側接続端子における要部断面図、（ｂ）は、その外部側接続端子における平面図である。
【図１２】図９に示す回路付サスペンション基板の一実施形態（カバー側突出部およびベース側突出部が形成される態様）であって、（ａ）は、その外部側接続端子における要部断面図、（ｂ）は、その外部側接続端子における平面図である。
【図１３】図１２（ａ）に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態（カバー側突出部のみが形成されている態様）を示す要部断面図である。
【図１４】図１２（ａ）に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態（ベース側突出部のみが形成されている態様）を示す要部断面図である。
【図１５】図９に示す回路付サスペンション基板の一実施形態（導体パターンが凹状で、かつ、幅広部が形成される態様）であって、（ａ）は、その外部側接続端子における要部断面図、（ｂ）は、その外部側接続端子における平面図である。
【図１６】図１５に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図であって、
（ａ）は、支持基板の上に感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、
（ｂ）は、その皮膜をフォトマスクを介して露光させる工程、
（ｃ）は、その皮膜を現像することにより所定のパターンとする工程、
（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させてベース層を形成する工程、
（ｅ）は、ベース層の上に導体パターンを形成する工程、
（ｆ）は、導体パターンの上に感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、
（ｇ）は、その皮膜をフォトマスクを介して露光させる工程、
（ｈ）は、その皮膜を現像することにより所定のパターンとする工程、
（ｉ）は、パターン化された皮膜を硬化させてカバー層を形成する工程、
（ｊ）は、支持基板における外部側接続端子が形成される部分を開口する工程、
（ｋ）は、ベース層における外部側接続端子が形成される部分を開口する工程、
（ｌ）は、露出している導体パターンの両面に金属めっき層を形成する工程
を示す。
【図１７】図１６（ｂ）において、皮膜を露光させるために用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図であって、
（ａ）は、半透過部が縞状のパターンで平均透過率が約５０％のもの、
（ｂ）は、半透過部が格子状のパターンで平均透過率が約２５％のもの、
（ｃ）は、半透過部が円形千鳥状のパターンで平均透過率が約２５％のもの、
（ｄ）は、半透過部が円形千鳥状のパターンで平均透過率が約７０％のもの、
をそれぞれ示す。
【図１８】図９に示す回路付サスペンション基板の一実施形態（導体パターンが凹状で、かつ、カバー側突出部およびベース側突出部が形成される態様）であって、（ａ）は、その外部側接続端子における要部断面図、（ｂ）は、その外部側接続端子における平面図である。
【図１９】図１８（ａ）に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態（ベース側突出部のみが形成されている態様）を示す要部断面図である。
【図２０】図１８（ａ）に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態（ベース側突出部のみが形成されている態様）を示す要部断面図である。
【図２１】従来の回路付サスペンション基板であって、（ａ）は、その端子部における要部断面図、（ｂ）は、その端子部における平面図である。
【符号の説明】
１１    配線回路基板
１２    ベース層
１３    導体パターン
１４    カバー層
１６    端子部
１７    カバー側開口部
１８    ベース側開口部
２１    交差部分
２２    幅広部
２５    カバー側突出部
２６    ベース側突出部
３１    回路付サスペンション基板
３２    支持基板
３３    ベース層
３４    導体パターン
３５    カバー層
３８    外部側接続端子部
４２    カバー側開口部
４３    支持基板側開口部
４４    ベース側開口部
４８    交差部分
４９    幅広部
５０    カバー側突出部
５１    ベース側突出部
【図１】
0003692314.tif 000003
【図２】
0003692314.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
0003692314.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
0003692314.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
0003692314.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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