(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
センスチャンネルに接続される抵抗器に、第１電流値で特定される第１検査電流を供給する工程と、センスチャンネルに現れる電位差を増幅するアンプから第１検査電流に基づき出力される第１出力電圧値を検出する工程と、第１電流値と異なる第２電流値で特定される第２検査電流を前記抵抗器に供給する工程と、第２検査電流に基づき前記アンプから出力される第２出力電圧値を検出する工程と、抵抗器の抵抗値、第１および第２電流値並びに第１および第２出力電圧値に基づき前記アンプの増幅特性を算出する工程と、センスチャンネルに接続される磁気抵抗効果素子に、第３電流値で特定される素子検査電流を供給する工程と、素子検査電流に基づき前記アンプから出力される検査出力電圧値を検出する工程と、第３電流値、検査出力電圧値および前記アンプの増幅特性に基づき磁気抵抗効果素子の抵抗値を特定する工程とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子の抵抗値測定方法。
【請求項２】
抵抗器に接続されるセンスチャンネルを選択する工程と、選択されたセンスチャンネルに第１電流値で特定される第１検査電流を供給させる工程と、センスチャンネルに現れる電位差を増幅するアンプから第１検査電流に基づき出力される第１出力電圧値を取得する工程と、第１電流値と異なる第２電流値で特定される第２検査電流を前記センスチャンネルに供給させる工程と、第２検査電流に基づき前記アンプから出力される第２出力電圧値を取得する工程と、抵抗器の抵抗値、第１および第２電流値並びに第１および第２出力電圧値に基づき前記アンプの増幅特性を算出する工程と、磁気抵抗効果素子に接続されるセンスチャンネルを選択する工程と、選択されたセンスチャンネルに第３電流値で特定される素子検査電流を供給させる工程と、素子検査電流に基づきアンプから出力される検査出力電圧値を取得する工程と、第３電流値、検査出力電圧値および前記アンプの増幅特性に基づき磁気抵抗効果素子の抵抗値を特定する工程とをコンピュータに実現させるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった磁気記録媒体駆動装置に組み込まれて使用される磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定する抵抗値測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、磁気抵抗効果素子では、抵抗値の大きさに応じて最大許容電流値が特定されることができる。この最大許容電流値を超えた電流値の電流が磁気抵抗効果素子に流されると、磁気抵抗効果素子の寿命は著しく短縮されてしまう。したがって、磁気抵抗効果素子に供給されるセンス電流（バイアス電流）の電流値は最大許容電流値以下に設定されなければならない。
【０００３】
最大許容電流値の特定にあたっては、個々の磁気抵抗効果素子ごとに抵抗値が特定される。抵抗値は、磁気抵抗効果素子に供給される検査電流の電流値と、こうした検査電流に基づき磁気抵抗効果素子の端子に現れる電位差の大きさすなわち電圧値とから算出される。予め決められた電流値の検査電流が磁気抵抗効果素子に供給されれば、電位差の大きさすなわち電圧値は磁気抵抗効果素子の出力として読み取られることができる。
【０００４】
以上のように測定された抵抗値が現実の抵抗値に比べて小さいと、現実の許容電流値に比べて大きな値で最大許容電流値が特定されてしまう。こうして誤って認識された最大許容電流値に基づきセンス電流が設定されると、磁気抵抗効果素子の寿命は短縮されてしまう。これまでのところ、磁気抵抗効果素子の抵抗値はそれほど高い精度で測定されてはいない。測定された抵抗値の誤差を見込んで、センス電流には、最大許容電流値を十分に下回る電流値が設定されていた。センス電流の電流値と現実の最大許容電流値との間には大きさ乖離が生じることがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
磁気ディスクといった磁気記録媒体の記録密度は年々高められる傾向にある。記録ビット長の縮小に伴い磁気抵抗効果素子の出力振幅は縮小していく。その結果、できる限り大きな電流値のセンス電流が確保されることが望まれている。電流値が小さいと、磁気抵抗効果素子の出力でＳ／Ｎ比が悪化し、磁気情報が正確に復調されなくなってしまうからである。高い精度で磁気抵抗効果素子の抵抗値が測定されることができれば、測定結果に基づき導き出される最大許容電流値と現実の最大許容電流値との乖離は解消されることができる。現実の最大許容電流値に向けてセンス電流の電流値を増大させることが可能となる。
【０００６】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、高い精度で磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定することができる抵抗値測定方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１発明によれば、センスチャンネルに接続される磁気抵抗効果素子の抵抗値の算出に先立って、センスチャンネルに現れる電位差を増幅するアンプの増幅特性を実測することを特徴とする磁気抵抗効果素子の抵抗値測定方法が提供される。
【０００８】
一般に、磁気抵抗効果素子の端子に現れる電位差はアンプで増幅された後に検出される。こうした微小な電位差を増幅するアンプでは比較的に高い精度で増幅特性すなわちゲインが設定されることはできない。アンプに要求されるゲインの設計値に対してアンプの実効ゲインはばらつく。したがって、設計値ではなく、実測された増幅特性すなわちゲインが抵抗値の算出に用いられれば、磁気抵抗効果素子の抵抗値は高い精度で導き出されることができる。
【０００９】
また、第２発明によれば、センスチャンネルに接続される抵抗器に検査電流を供給する工程と、センスチャンネルに現れる電位差を増幅するアンプから検査電流に基づき出力される出力電圧値を検出する工程と、検査電流の電流値および出力電圧値に基づきアンプの増幅特性を算出する工程とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子の抵抗値測定方法が提供される。
【００１０】
一般に、アンプの増幅特性すなわちゲインはアンプの入力電圧と出力電圧との比率によって特定されることができる。アンプの入力電圧は抵抗器の抵抗値と検査電流の電流値とに基づき決定されることができる。一方、アンプの出力電圧は実測されることができる。こうして特定された入力電圧と出力電圧とによれば、アンプの増幅特性すなわちゲインは簡単に導き出されることができる。
【００１１】
一般に、抵抗器では比較的に高い精度で抵抗値は設定されることができる。すなわち、個々の抵抗器ごとに抵抗値が実測されなくても、抵抗器の仕様書に基づき抵抗値は高い精度で特定されることができる。仕様書に記載される抵抗値は十分に信用されることができる。こうした抵抗値が用いられれば、アンプのゲインは高い精度で特定されることができる。
【００１２】
実際に磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定するにあたっては、前述のアンプにセンスチャンネルで接続される磁気抵抗効果素子に素子検査電流が供給されればよい。このとき、素子検査電流に基づきアンプから出力される検査出力電圧値は検出される。検査電流の電流値や検査出力電圧値に加えて、前述のゲインが用いられれば、磁気抵抗効果素子の抵抗値は高い精度で特定されることができる。このように個々のアンプごとにゲインが実測されない限り、磁気抵抗効果素子の抵抗値は高い精度で特定されることはできない。
【００１３】
さらに、第３発明によれば、センスチャンネルに接続される抵抗器に、第１電流値で特定される第１検査電流を供給する工程と、センスチャンネルに現れる電位差を増幅するアンプから第１検査電流に基づき出力される第１出力電圧値を検出する工程と、第１電流値と異なる第２電流値で特定される第２検査電流を前記抵抗器に供給する工程と、第２検査電流に基づき前記アンプから出力される第２出力電圧値を検出する工程とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子の抵抗値測定方法が提供される。
【００１４】
かかる抵抗値測定方法によれば、抵抗器の抵抗値と、抵抗器に供給される検査電流の第１電流値や第２電流値とに基づき、第１電流値や第２電流値の供給時に抵抗器の端子に現れる端子電圧値は特定されることができる。こうして特定される端子電圧値と、実測される第１および第２出力電圧値とに基づけば、アンプの増幅特性すなわちゲインは簡単に導き出されることができる。しかも、抵抗器の採用によれば、前述のように、アンプのゲインは高い精度で特定されることができる。
【００１５】
実際に磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定するにあたっては、前述のアンプにセンスチャンネルで接続される磁気抵抗効果素子に、第３電流値で特定される素子検査電流が供給されればよい。このとき、素子検査電流に基づきアンプから出力される検査出力電圧値は検出される。これら第３電流値および検査出力電圧値に加えて、前述のゲインが用いられれば、磁気抵抗効果素子の抵抗値は高い精度で特定されることができる。このように個々のアンプごとにゲインが実測されない限り、磁気抵抗効果素子の抵抗値は高い精度で特定されることはできない。
【００１６】
以上のような抵抗値測定方法を実現するにあたって、磁気抵抗効果素子用信号読み出し回路は、指定された電流値の電流を出力する電流源と、電流源に接続されて、複数のセンスチャンネルの中からいずれかのセンスチャンネルに選択的に電流源からの電流を振り向けるバイアス回路と、１センスチャンネルに接続される抵抗器と、振り向けられた電流に基づきセンスチャンネルに現れる電位差を増幅するアンプとを備えればよい。
【００１７】
例えば電流源は、前述のように第１および第２電流値で特定される第１および第２検査電流を出力することができる。こうした第１および第２検査電流はバイアス回路からセンスチャンネルを経て抵抗器に供給されることができる。このとき、第１検査電流や第２検査電流に基づきアンプから出力される第１出力電圧値や第２出力電圧値は検出されることができる。その結果、前述と同様に、第１および第２検査電流の第１および第２電流値と、実測される第１および第２出力電圧値とに基づきアンプの増幅特性すなわちゲインは高い精度で導き出されることができる。
【００１８】
こうした信号読み出し回路では、各センスチャンネルに個別に磁気抵抗効果素子が接続されることができる。したがって、各センスチャンネルに素子検査電流が供給されると、素子検査電流に基づきアンプから出力される検査出力電圧値は検出されることができる。素子検査電流の電流値や検査出力電圧値が特定されれば、前述と同様に、磁気抵抗効果素子の抵抗値は高い精度で特定されることができる。
【００１９】
また、前述の抵抗値測定方法を実現するにあたって、磁気記録媒体駆動装置は、磁気抵抗効果素子に接続される第１センスチャンネルと、抵抗器に接続される第２センスチャンネルと、指定された電流値の電流を出力する電流源と、第１および第２センスチャンネルに接続されて、第１および第２センスチャンネルに選択的に電流源からの電流を振り向けるバイアス回路と、第１および第２センスチャンネルに接続されて、振り向けられた電流に基づき第１および第２センスチャンネルに現れる電位差を増幅するアンプとを備えればよい。
【００２０】
例えば電流源は、前述のように第１および第２電流値で特定される第１および第２検査電流や、第３電流値で特定される素子検査電流を出力することができる。第１および第２検査電流はバイアス回路から第２センスチャンネルを経て抵抗器に供給されることができる。一方、素子検査電流はバイアス回路から第１センスチャンネルを経て磁気抵抗効果素子に供給されることができる。こうして前述の第１および第２出力電圧値や検査出力電圧値は検出されることができる。したがって、前述と同様に、実測される第１および第２出力電圧値とに基づきアンプの増幅特性すなわちゲインは高い精度で導き出されると同時に、磁気抵抗効果素子の抵抗値は高い精度で特定されることができる。
【００２１】
以上のような抵抗値測定方法を実現するにあたっては、抵抗器に接続されるセンスチャンネルを選択する工程と、第１電流値で特定される第１検査電流をセンスチャンネルに供給させる工程と、センスチャンネルに現れる電位差を増幅するアンプから第１検査電流に基づき出力される第１出力電圧値を取得する工程と、第１電流値と異なる第２電流値で特定される第２検査電流を前記センスチャンネルに供給させる工程と、第２検査電流に基づき前記アンプから出力される第２出力電圧値を取得する工程と、抵抗器の抵抗値、第１および第２電流値並びに第１および第２出力電圧値に基づき前記アンプの増幅特性を算出する工程とをコンピュータに実現させるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供されてもよい。こうした記録媒体には、例えばプリント基板に実装されたフラッシュメモリのほか、可搬性のフロッピーディスク（ＦＤ）やコンパクトディスク（ＣＤ）などが含まれることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００２３】
図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の外観を示す。このＨＤＤ１１は、平板型のベース１２と、このベース１２の平坦な表面に受け止められて、ベース１２との間に収容空間を形成するエンクロージャ本体１３とを備える。エンクロージャ本体１３は例えば絞り加工によって成型されることができる。こうしたＨＤＤ１１は、例えばワークステーションやパーソナルコンピュータ（パソコン）といったコンピュータ装置（図示せず）に組み込まれて使用されてもよく、コンピュータ装置から独立した単体の外部記憶装置として構成されてもよい。
【００２４】
ベース１２の裏面にはプリント基板（図示せず）が取り付けられる。このプリント基板の表面には、後述されるように、ＨＤＤ１１の動作を制御するＨＤＤ用制御回路が構築される。このＨＤＤ用制御回路には、プリント基板の表面に実装されて、ＩＤＥやＳＣＳＩといったインターフェースを確立する制御用コネクタ１４が接続される。コンピュータ装置のメインボードから延びる制御用ケーブル１５が制御用コネクタ１４に接続されると、ＨＤＤ用制御回路とメインボードとの間にデータの伝送経路が確立される。ＨＤＤ用制御回路は、電源用コネクタ１６から供給される電力に基づき動作する。電源用コネクタ１６には、コンピュータ装置の電源ユニットから延びる電源用ケーブル１７が接続されればよい。
【００２５】
図２に示されるように、ベース１２の表面には、スピンドルモータ２１に装着される少なくとも１枚の磁気ディスク（磁気記録媒体）２２と、支軸２３回りで揺動するキャリッジアーム２４とが搭載される。スピンドルモータ２１は回転軸回りで磁気ディスク２２を回転させる。キャリッジアーム２４の揺動は、例えば磁気回路から構成されるアクチュエータ２５の働きによって実現されることができる。ベース１２の表面にエンクロージャ本体１３が重ね合わせられると、磁気ディスク２２やキャリッジアーム２４は、ベース１２とエンクロージャ本体１３との間に形成される気密な収容空間に収容される。
【００２６】
図２から明らかなように、キャリッジアーム２４には、プリント基板の裏面から延びるフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）２６が接続される。このＦＰＣ２６の表面には、磁気ディスク２２に対する磁気情報の書き込み動作を制御する信号書き込み回路（図示せず）や、磁気ディスク２２に対する磁気情報の読み出し動作を制御する信号読み出し回路が構築される。信号読み出し回路の詳細は後述される。
【００２７】
キャリッジアーム２４の先端には磁気ヘッドアセンブリ２７が支持される。この磁気ヘッドアセンブリ２７は、例えば図３に示されるように、キャリッジアーム２４の先端に固定される剛体のフレーム２８と、このフレーム２８に片持ち支持される弾性サスペンション２９とを備える。弾性サスペンション２９の先端には、磁気ディスク２２の表面に対向するヘッドスライダ３１が固着される。このヘッドスライダ３１は、磁気ディスク２２の回転時に磁気ディスク２２の表面に沿って生成される気流の働きで磁気ディスク２２の表面から浮上することができる。その一方で、磁気ディスク２２の静止中、ヘッドスライダ３１は、弾性サスペンション２９の弾性力を受けて磁気ディスク２２の表面に押し付けられる。
【００２８】
ヘッドスライダ３１には、周知の通り、磁気ディスク２２に磁気情報を書き込む薄膜磁気ヘッド素子（図示せず）や、後述されるように磁気ディスク２２から磁気情報を読み取る磁気抵抗効果素子が搭載される。薄膜磁気ヘッド素子や磁気抵抗効果素子は、ヘッドスライダ３１の浮上中に磁気ディスク２２に対する磁気情報の書き込みや読み出しを実現する。キャリッジアーム２４やフレーム２８、弾性サスペンション２９上には、前述の信号書き込み回路や信号読み出し回路と、薄膜磁気ヘッド素子や磁気抵抗効果素子との間で信号伝送路を形成する薄膜金属パターンが描かれる。図２から明らかなように、キャリッジアーム２４が揺動すると、ヘッドスライダ３１は、磁気ディスク２２の半径方向に移動して磁気ディスク２２上の記録トラックを横切ることができる。こうしたヘッドスライダ３１の移動によれば、磁気ディスク２２に対する情報の書き込みや読み出しにあたって磁気記録再生ヘッドは目標の記録トラック上に位置決めされることができる。なお、薄膜磁気ヘッド素子の磁気生成には例えば薄膜コイルパターンが用いられればよい。磁気抵抗効果素子には例えば巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）が用いられればよい。
【００２９】
ここで、前述のＨＤＤ用制御回路や信号読み出し回路の構成を詳述する。図４から明らかなように、ＨＤＤ用制御回路３２は、例えばＨＤＤ１１の動作を全般的に制御するハードディスク（ＨＤ）コントローラ３３と、このＨＤコントローラ３３に協働して磁気ディスク２２に対する磁気情報の読み出し動作を専属的に制御するＭＰＵ（超小型演算処理装置）３４とを備える。ＨＤコントローラ３３は、インターフェース３５を通じて前述の制御用コネクタ１４に接続される。ＭＰＵ３４にはフラッシュメモリ３６が接続される。読み出し動作の制御にあたって、ＭＰＵ３４は、フラッシュメモリ３６に格納されるファームウェアやデータに基づき演算処理を実現する。
【００３０】
信号読み出し回路３７は、例えばＭＰＵ３４から供給されるデジタル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータ３８と、このＤ／Ａコンバータ３８から出力されるアナログ信号で指定される電流値の電流を出力する電流源３９とを備える。出力された電流は、電流源３９に接続されるバイアス回路４１に供給される。
【００３１】
バイアス回路４１には第１および第２センスチャンネル４２、４３が並列に接続される。各第１センスチャンネル４２には、前述の磁気ヘッドアセンブリ２７に組み込まれた磁気抵抗効果素子４４が個別に接続される。第２センスチャンネル４３には抵抗器４５が接続される。バイアス回路４１は、第１および第２センスチャンネル４２、４３の中からいずれかの１センスチャンネルに選択的に電流源３９からの電流を振り向けることができる。ただし、第１および第２センスチャンネル４２、４３は必ずしも区別される必要はなく、余った第１センスチャンネル４２が第２センスチャンネル４３に利用されてもよい。抵抗器４５には巻き線型のものが用いられればよい。
【００３２】
バイアス回路４１には、振り向けられた電流に基づきセンスチャンネル４２、４３に現れる電圧変化を増幅するデータ信号用アンプ４６と、振り向けられた電流に基づきセンスチャンネル４２、４３に現れる電位差を増幅する検査信号用アンプ４７とが接続される。データ信号用アンプ４６で増幅された電圧変化は磁気情報信号としてＨＤＤ用制御回路３２のＭＰＵ３４に送り込まれる。検査信号用アンプ４７で増幅された電位差は電圧値信号としてＭＰＵ３４に送り込まれる。
【００３３】
次にＨＤＤ１１の動作を簡単に説明する。例えば磁気情報の読み出し指令を受け取ると、ＨＤコントローラ３３は磁気ディスク２２を回転させ始める。このとき、ＭＰＵ３４では、磁気情報の読み出しに使用される１磁気抵抗効果素子４４が特定される。バイアス回路４１は、特定された磁気抵抗効果素子４４に接続される第１センスチャンネル４２を選択する。その結果、特定された磁気抵抗効果素子４４と電流源３９との間に電流経路が確立される。
【００３４】
続いてＭＰＵ３４は、センス電流の電流値を表現する電流値情報を取得する。こうした電流値情報は予めフラッシュメモリ３６に格納される。電流値情報では個々の磁気抵抗効果素子４４に固有の電流値が記述される。こうした電流値は、後述されるように、磁気抵抗効果素子４４の抵抗値に基づき決定される。ＭＰＵ３４は、取得した電流値情報を特定する指令信号をＤ／Ａコンバータ３８に送り込む。Ｄ／Ａコンバータ３８は、指令信号で指定された電流値を特定するアナログ信号を出力する。電流源３９は、アナログ信号で指定される電流値の電流を出力する。
【００３５】
電流源３９からの電流すなわちセンス電流は、選択された第１センスチャンネル４２を通じて１磁気抵抗効果素子４４に供給される。センス電流が供給された磁気抵抗効果素子４４では、磁気ディスク２２に記録された磁界の向きに応じて抵抗値が変化する。その結果、第１センスチャンネル４２に電圧変化が現れる。現れた電圧変化はデータ信号用アンプ４６で増幅された後にＭＰＵ３４に向けて出力される。こうして磁気ディスク２２に記録された磁気情報は読み取られていく。
【００３６】
いま、センス電流の電流値を決定するにあたって、個々の磁気抵抗効果素子４４ごとに抵抗値が測定される場面を想定する。こうした測定は例えばＨＤＤ１１の組立後に工場内で実施されればよい。測定にあたって、ＭＰＵ３４には、インターフェース３５を通じて作業者から指令信号が入力される。ＭＰＵ３４は、入力された指令信号に従って動作する。
【００３７】
まず、ＭＰＵ３４は、第１電流値Ｉ1 （例えば２ｍＡ）を表現する指令信号をＤ／Ａコンバータ３８に向けて出力する。Ｄ／Ａコンバータ３８は、第１電流値Ｉ1 を特定するアナログ信号を出力する。電流源３９は、第１電流値Ｉ1 で特定される第１検査電流をバイアス回路４１に向けて出力する。
【００３８】
この第１検査電流は、抵抗器４５に接続される第２センスチャンネル４３に供給される。第２センスチャンネル４３に現れる電位差は検査信号用アンプ４７で増幅される。ＭＰＵ３４は、検査信号用アンプ４７から出力される第１出力電圧値ＶBHV1を検出する。作業者は、インターフェース３５を通じて第１出力電圧値ＶBHV1を読み出すことができる。
【００３９】
続いて、ＭＰＵ３４は、第１電流値Ｉ1 と異なる第２電流値Ｉ2 （例えば５ｍＡ）を表現する指令信号をＤ／Ａコンバータ３８に向けて出力する。Ｄ／Ａコンバータ３８は、第２電流値Ｉ2 を特定するアナログ信号を出力する。電流源３９は、第２電流値Ｉ2 で特定される第２検査電流をバイアス回路４１に向けて出力する。
【００４０】
この第２検査電流は、再び抵抗器４５に接続される第２センスチャンネル４３に供給される。第２センスチャンネル４３に現れる電位差は検査信号用アンプ４７で増幅される。ＭＰＵ３４は、検査信号用アンプ４７から出力される第２出力電圧値ＶBHV2を検出する。作業者は、インターフェース３５を通じて第２出力電圧値ＶBHV2を読み出すことができる。こうして第１および第２出力電圧値ＶBHV1、ＶBHV2が検出されると、後述されるように、抵抗器４５の抵抗値や第１および第２電流値Ｉ1 、Ｉ2 に基づき検査信号用アンプ４７の増幅特性すなわちゲインは導き出されることができる。
【００４１】
その後、ＭＰＵ３４は、第３電流値ＩMRを表現する指令信号をＤ／Ａコンバータ３８に向けて出力する。Ｄ／Ａコンバータ３８は、第３電流値ＩMRを特定するアナログ信号を出力する。電流源３９は、第３電流値ＩMRで特定される素子検査電流をバイアス回路４１に向けて出力する。
【００４２】
この素子検査電流はいずれかの第１センスチャンネル４２に供給される。第１センスチャンネル４２に現れる電位差は検査信号用アンプ４７で増幅される。ＭＰＵ３４は、１磁気抵抗効果素子４４に対して検査信号用アンプ４７から出力される検査出力電圧値ＶBHV を検出する。作業者は、インターフェース３５を通じて検査出力電圧値ＶBHV を読み出すことができる。こうした素子検査電流の供給は個々の磁気抵抗効果素子４４に対して実施される。その結果、個々の磁気抵抗効果素子４４ごとに検査出力電圧値ＶBHV は取得される。
【００４３】
こうして１磁気抵抗効果素子４４に供給される素子検査電流の第３電流値ＩMRと、素子検査電流の供給時に検査信号用アンプ４７から出力される検査出力電圧値ＶBHV とが取得されると、次式に従って１磁気抵抗効果素子４４の抵抗値ＲMRは導き出されることができる。
【００４４】
【数１】
0003698940.tif 000002
このとき、定数α、βは、抵抗器４５の抵抗値ＲREや第１および第２電流値Ｉ1 、Ｉ2 、第１および第２出力電圧値ＶBHV1、ＶBHV2に基づき、
【数２】
0003698940.tif 000003
によって表現されることができる。すなわち、定数ＶOFF は、
【数３】
0003698940.tif 000004
に従って導き出される。
【００４５】
以上のように個々の磁気抵抗効果素子４４ごとに抵抗値ＲMRが特定されると、特定された抵抗値ＲMRの大きさに応じてセンス電流の電流値は決定される。決定された電流値は作業者の操作に基づきフラッシュメモリ３６に書き込まれればよい。こうしてフラッシュメモリ３６には電流値情報が格納される。
【００４６】
ここで、検査信号用アンプ４７の増幅特性すなわちゲインを考察する。こういったゲインは、図５に示されるように、例えば一次関数式で表現されることができる。
【００４７】
【数４】
0003698940.tif 000005
例えば、抵抗器４５の端子電圧値ＶRE1 、ＶRE2 が検査信号用アンプ４７で増幅されて前述の第１および第２出力電圧値ＶBHV1、ＶBHV2が得られたとすると、次式の関係が得られる。
【００４８】
【数５】
0003698940.tif 000006
このとき、端子電圧値ＶRE1 、ＶRE2 は抵抗器４５の抵抗値ＲREと第１および第２電流値Ｉ1 、Ｉ2 に基づき特定される。式［数５］に基づき連立方程式が解かれると、前述の式［数２］は得られる。式［数２］で得られる定数α、βが式［数４］に代入されると、検査信号用アンプ４７のゲインは得られる。このように、検査信号用アンプ４７のゲインは実測値に基づき高い精度で特定されることができる。
【００４９】
一般に、検査信号用アンプ４７のように微小な電位差を増幅するアンプでは比較的に高い精度で増幅特性すなわちゲインが設定されることはできない。アンプに要求されるゲインの設計値に対してアンプの実効ゲインはばらつく。以上のように実測値に基づけば、個々の検査信号用アンプ４７ごとに高い精度でゲインは特定されることができる。
【００５０】
周知の通り、検査信号用アンプ４７の増幅特性すなわちゲインは検査信号用アンプ４７の入力電圧と出力電圧との比率によって特定されることができる。前述のように、一次関数式で検査信号用アンプ４７のゲインが特定されれば、検査信号用アンプ４７のオフセット値を含んだ高い精度で検査信号用アンプ４７のゲインは表現されることができる。ゲインの精度は一層高められる。
【００５１】
こうしたゲインの検査信号用アンプ４７で磁気抵抗効果素子４４の端子電圧値ＶMRが増幅されて前述の検査出力電圧値ＶBHV が得られたとすると、次式の関係が得られる。
【００５２】
【数６】
0003698940.tif 000007
すなわち、
【数７】
0003698940.tif 000008
磁気抵抗効果素子４４では、電流値ＩMRと端子電圧値ＶMRとの間に、
【数８】
0003698940.tif 000009
が成立することから、前述のように、
【数９】
0003698940.tif 000010
は得られる。このように高い精度で特定された検査信号用アンプ４７のゲインが算出に用いられることから、高い精度で磁気抵抗効果素子４４の抵抗値ＲMRは特定されることができる。こうした抵抗値ＲMRに基づけば、磁気抵抗効果素子４４の最大許容電流値は比較的に高い精度で特定されることができる。したがって、可能な限りセンス電流の電流値を最大許容電流値に近づけることが可能となる。
【００５３】
センス電流の電流値を決定するにあたって、ＭＰＵ３４は、前述のようにインターフェース３５から入力される指令信号に従って動作するだけでなく、フラッシュメモリ３６に格納されるプログラムすなわちファームウェアに基づき動作することができる。このとき、ＭＰＵ３４は、前述と同様に、第１電流値Ｉ1 や第２電流値Ｉ2 に基づき検査信号用アンプ４７から出力される第１出力電圧値ＶBHV1や第２出力電圧値ＶBHV2を検出する。第１電流値Ｉ1 や第２電流値Ｉ2 は予めフラッシュメモリ３６に格納されていればよい。
【００５４】
続いてＭＰＵ３４は、検出された第１および第２出力電圧値ＶBHV1、ＶBHV2に基づき前述の式［数２］に従って定数α、βを算出する。この算出にあたって、ＭＰＵ３４は、例えばフラッシュメモリ３６に格納された第１および第２電流値Ｉ1 、Ｉ2 や抵抗器４５の抵抗値ＲREを参照する。こうした定数α、βによって検査信号用アンプ４７の増幅特性すなわちゲインは高い精度で特定される。
【００５５】
その後、ＭＰＵ３４は、前述と同様に、第３電流値ＩMRに基づき検査信号用アンプ４７から出力される検査出力電圧値ＶBHV を検出する。こうして検査出力電圧値ＶBHV が検出されると、ＭＰＵ３４は前述の式［数１］に従って１磁気抵抗効果素子４４の抵抗値ＲMRを算出する。このとき、第３電流値Ｉ3 はフラッシュメモリ３６から参照されればよい。
【００５６】
こうして磁気抵抗効果素子４４の抵抗値ＲMRが算出されると、ＭＰＵ３４は、予めフラッシュメモリ３６に格納された参照テーブルに従って、算出された抵抗値ＲMRに相応しいセンス電流の電流値を決定する。参照テーブルには、以下に示されるとおり、抵抗値ＲMRごとに予めセンス電流の電流値が設定される。
【００５７】
【表１】
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以上のようなＭＰＵ３４の動作は例えばＨＤＤ１１の電源が投入されるたびに実施されればよい。
【００５８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、高い精度で磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の外観を概略的に示す斜視図である。
【図２】  ＨＤＤの内部構造を概略的に示す平面図である。
【図３】  磁気ヘッドアセンブリの構造を概略的に示す一部拡大平面図である。
【図４】  ＨＤＤ用制御回路および信号読み出し回路の構成を概略的に示すブロック図である。
【図５】  検査信号用アンプのゲイン特性を概略的に示すグラフである。
【符号の説明】
３６  記録媒体としてのフラッシュメモリ、３７  磁気抵抗効果素子用信号読み出し回路、３９  電流源、４１  バイアス回路、４２  第１センスチャンネル、４３  第２センスチャンネル、４４  磁気抵抗効果素子、４５  抵抗器、４７アンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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