(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、
前記絶縁テープの片面上に選択的に形成された配線層と、
前記配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、
前記配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が前記開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、
前記半導体接続用電極から連続的に形成され、前記半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材と
を備え、
前記絶縁テープは、前記開口部の周縁から内側に延長して形成され、前記先端接続部材を支持し、前記半導体チップの搭載時には前記半導体チップを支持するための支持部材を備えたことを特徴とするテープキャリア。
【請求項２】
略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、
前記絶縁テープの片面上に選択的に形成された第１配線層と、
前記絶縁テープの他の片面上に選択的に形成された第２配線層と、
前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する層間接続部材と、
前記第１配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、
前記第２配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が前記開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、
前記半導体接続用電極から連続的に形成され、前記半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材と
を備え、
前記絶縁テープは、前記開口部の周縁から内側に延長して形成され、前記先端接続部材を支持し、前記半導体チップの搭載時には前記半導体チップを支持するための支持部材を備えたことを特徴とするテープキャリア。
【請求項３】
略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、
前記絶縁テープの片面上に選択的に形成された配線層と、
前記配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、
前記配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が前記開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、
前記絶縁テープから連続的に形成され、前記半導体接続用電極の先端よりも前記開口部の内側に位置する支持部を有し、前記支持部で前記半導体チップを支持する支持手段と、
前記支持部に支持され、前記半導体接続用電極に電気的に接続された半導体チップと
を備え、
前記支持手段は、前記半導体チップが搭載される前に、前記半導体接続用電極から連続的に形成されて前記半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材を支持し、前記先端接続部材が除去されて前記半導体チップが搭載された後に、前記半導体チップを支持したことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載のテープキャリアを製造するためのテープキャリア製造方法において、
前記絶縁テープの略中央に前記開口部及び前記支持部材を形成する開口部形成工程と、
前記開口部の形成された絶縁テープの片面に導電箔を貼着する導電箔貼着工程と、
前記貼着された導電箔をパターニングして前記配線層、前記各ランド、前記半導体接続用電極及び前記先端接続部材を形成するパターニング工程と、
前記パターニング工程の後、電解めっきにより、前記各ランドの表面に前記めっき層を形成する電解めっき工程と
を含んでいることを特徴とするテープキャリア製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載のテープキャリアを製造するためのテープキャリア製造方法において、
前記開口部の形成される絶縁テープの片面に第１導電箔を貼着する第１貼着工程と、
前記貼着された絶縁テープと前記第１導電箔との略中央に、前記開口部及び前記支持部材を形成する開口部形成工程と、
前記開口部の形成された絶縁テープの他の片面に第２導電箔を貼着する第２貼着工程と、
前記第１導電箔をパターニングして前記第１配線層及び前記各ランドを形成する第１パターニング工程と、
前記各ランドと前記第２導電箔とを電気的に接続するように複数の層間接続部材を選択的に形成する層間部材形成工程と、
前記各層間接続部材を露出させないように前記第２導電箔をパターニングして前記第２配線層、前記半導体接続用電極及び前記先端接続部材を形成する第２パターニング工程と、
前記第２パターニング工程の後、電解めっきにより、前記各ランドの表面に前記めっき層を形成する電解めっき工程と
を含んでいることを特徴とするテープキャリア製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップのパッケージに用いられるテープキャリア及びその製造方法に係わり、特に、電解めっきのための配線を低減して集積度を向上し得るテープキャリア及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、ノートブック型パソコン、ハンディビデオ機器及び携帯電話などの携帯可能な電子機器が広く販売されている。このため、これら電子機器内に半導体装置を実装する際のパッケージに対して小形化、高機能化の要求が高まりつつある。
【０００３】
この種のパッケージには、ＬＳＩ等の半導体チップを搭載可能なＢＧＡ(Ball Grid Array) 型あるいはＱＦＰ(Quad Flat Package) 型などのチップキャリアが用いられている。この種のチップキャリアとしては、例えばＢＧＡ型が特開平７−２２５３８号公報に開示され、特に、薄型化のためにテープを用いたものが知られているため、以下、チップキャリアをテープキャリアと称して説明する。なお、テープキャリアに半導体チップが搭載されて樹脂封止されることにより、外部要素のマザーボード等に実装可能な半導体装置が製造される。
【０００４】
図１５及び図１６はこの種のＢＧＡ型のテープキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図である。図１５（ａ）に示すように、２５μｍ厚のポリイミドテープ１の片面に接着剤２が塗布され、図１５（ｂ）に示すように、この接着剤２上にＧＮＤ配線層となる３５μｍ厚の第１銅箔３が貼付けられる。また、図７（ｃ）に示すように、ポリイミドテープ１の他の片面にも接着剤４が塗布され、しかる後、図１５（ｄ）に示すように、半導体チップを搭載するための開口部５（以下、デバイスホールという）が金型を用いて打抜きにより形成される。
【０００５】
続いて、図１５（ｅ）に示すように、この接着剤４上に配線層となる１８μｍ厚の第２銅箔６が貼付けられ、図１５（ｆ）に示すように、１回目に貼付けた銅箔３がエッチングされて複数のランド３ａを有するＧＮＤ（第１）配線層３ｂが形成される。
【０００６】
また、図１５（ｇ）に示すように、エキシマレーザ（又は金型による打抜き）により、ポリイミドテープ１に第２銅箔６に達する深さの穴７（ブラインドホール）が形成され、レーザ加工後の酸化を阻止するため、洗浄工程により洗浄される。
【０００７】
この洗浄の後、乾燥されると、この穴７は導電性金属のめっき（又は導電性ペーストの印刷）により充填され、図１６（ｈ）に示すように、第２銅箔６とＧＮＤ配線層３ｂとが電気的に接続されてバイアホール８が形成される。
【０００８】
また、この第２銅箔６が図１６（ｉ）に示すようにエッチングされ、デバイスホール５近傍に複数の半導体接続用電極６ａを有する第２配線層６ｂが形成される。さらに、図１６（ｊ）に示すように、この第２配線層６ｂ及びＧＮＤ配線層３ｂの表面が金等のめっき処理によりめっき層９等で被覆される。
【０００９】
また、これらの各配線層３ｂ，６ｂを後工程にて用いられるハンダ等から保護するため、図１６（ｋ）に示すように、ソルダーレジスト（ＳＲ）からなる表面保護層１０が各半導体接続用電極６ａ及び各ランド３ａ以外の各配線層３ｂ，６ｂの表面に選択的に形成される。
【００１０】
しかる後、図１６（ｌ）に示すように、各ランド３ａに夫々ハンダボール１１がマウントされ、テープキャリアが完成される。
続いて、以上のような製造工程において、図１６（ｊ）のめっき工程について詳述する。
【００１１】
通常、各ランド３ａをめっきする際には、電解めっきが用いられる。この電解めっきは、導通部のみをめっき可能な特長を有し、また、無電解めっきに比べ、安価でめっき速度の早い利点をもっている。
【００１２】
具体的には、電解めっきでは、各ランド３ａ及び各半導体接続用電極６ａを互いに等電位とする必要上、図１７に示すように、各スプロケットホール１２列の内側で且つ、最終製品となる部分を囲む梯子形状に形成された主めっきリード１３と、最終製品における各ランド（外部接続用電極）３ａとの間を導通させるようにめっきリード１４が形成されている。
【００１３】
ところで、ＱＦＰ型のテープキャリアの場合、ランド３ａが無く、外部接続用電極がアウターリードとなるため、各アウターリードを相互に接続することにより、外部接続用電極相互の導通を容易に確保可能となっている。
【００１４】
これに対し、上述したＢＧＡ型のテープキャリアの場合、外部接続用電極がランド３ａとなり、各ランド３ａが半導体接続用電極６ａを始端とする電気的導通の終端であってマトリックス状に配置されるため、ＱＦＰ型と比べ、外部接続用電極相互の導通を確保しにくくなっている。
【００１５】
例えば、ＢＧＡ型のテープキャリアでは、半導体接続用電極６ａと各ランド１３との間に種々のパターンの回路用の配線層３ｂ，６ｂが形成されているが、デバイスホール５側の各ランド３ａについては、これらの配線層３ｂ，６ｂの間を通るようにめっきリード１４を形成する必要があるからである。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたようにＢＧＡ型のテープキャリアでは、デバイスホール５側の各ランド３ａについては、めっきリード１４を回路用の各配線層３ｂ，６ｂの間を通して形成する必要があるが、半導体チップの多ピン化に伴い、デバイスホール５側の各ランド３ａの全てを外周側の主めっきリード１３に接続することが困難となる問題がある。
【００１７】
また、めっきリード１４は、最終製品では電気的に不要であるにも関わらず、多ピン化に伴い、隣接するめっきリード１４又はランド３ａと短絡する可能性を増大させる問題があり、信頼性を低下させる原因ともなっている。
【００１８】
さらに、多数のめっきリード１４の存在により、回路の配線パターンの設計における自由度が制約され、基板設計の難易度を高めるという問題がある。
すなわち、図１７では、デバイスホール５の周囲にランド３ａが２重に囲うように形成されているが、内周側のランドから、外周側のランドの間を通って、めっきリード１４が主メッキリード１３に接続されている。
【００１９】
多ピン化と共にランド３ａはデバイスホール５の周囲を３重、４重に囲うように形成され、外周側のランドの間を通るめっきリードの本数は増加し、３重以上になると、外周側のランドと接続される回路用の配線ともさらに交錯することになる。
【００２０】
つまり、多ピン化につれて設計の自由度が飛躍的に低下し、難易度が飛躍的に高くなっていくという問題がある。
さらに、めっきリード１４は、最終製品では不要であるにも関わらず、正規の回路の配線パターンとの間で静電容量を形成することにより、電気的ノイズの原因となり、電気的信頼性を低下させる問題がある。
【００２１】
本発明は上記実情を考慮してなされたもので、多ピン化の際に、めっきリードを原因とする短絡、絶縁性低下、静電容量の発生等を無くし、電気的信頼性を向上し得るテープキャリア及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、配線パターンの設計の自由度を向上し得るテープキャリア及びその製造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に対応する発明は、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、前記絶縁テープの片面上に選択的に形成された配線層と、前記配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、前記配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が前記開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、前記半導体接続用電極から連続的に形成され、前記半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材とを備え、前記絶縁テープとしては、前記開口部の周縁から内側に延長して形成され、前記先端接続部材を支持し、前記半導体チップの搭載時には前記半導体チップを支持するための支持部材を備えたテープキャリアである。
【００２３】
また、請求項２に対応する発明は、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、前記絶縁テープの片面上に選択的に形成された第１配線層と、前記絶縁テープの他の片面上に選択的に形成された第２配線層と、前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する層間接続部材と、前記第１配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、前記第２配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が前記開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、前記半導体接続用電極から連続的に形成され、前記半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材とを備え、前記絶縁テープは、前記開口部の周縁から内側に延長して形成され、前記先端接続部材を支持し、前記半導体チップの搭載時には前記半導体チップを支持するための支持部材を備えたテープキャリアである。
【００２５】
また、請求項３に対応する発明は、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、前記絶縁テープの片面上に選択的に形成された配線層と、前記配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、前記配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が前記開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、前記絶縁テープから連続的に形成され、前記半導体接続用電極の先端よりも前記開口部の内側に位置する支持部を有し、前記支持部で前記半導体チップを支持する支持手段と、前記支持部に支持され、前記半導体接続用電極に電気的に接続された半導体チップとを備え、前記支持手段としては、前記半導体チップが搭載される前に、前記半導体接続用電極から連続的に形成されて前記半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材を支持し、前記先端接続部材が除去されて前記半導体チップが搭載された後に、前記半導体チップを支持した半導体装置である。
【００２６】
さらに、請求項４に対応する発明は、請求項１に対応するテープキャリアを製造するためのテープキャリア製造方法において、前記絶縁テープの略中央に前記開口部及び前記支持部材を形成する開口部形成工程と、前記開口部の形成された絶縁テープの片面に導電箔を貼着する導電箔貼着工程と、前記貼着された導電箔をパターニングして前記配線層、前記各ランド、前記半導体接続用電極及び前記先端接続部材を形成するパターニング工程と、前記パターニング工程の後、電解めっきにより、前記各ランドの表面に前記めっき層を形成する電解めっき工程とを含んでいるテープキャリア製造方法である。
【００２７】
また、請求項５に対応する発明は、請求項２に対応するテープキャリアを製造するためのテープキャリア製造方法において、前記開口部の形成される絶縁テープの片面に第１導電箔を貼着する第１貼着工程と、前記貼着された絶縁テープと前記第１導電箔との略中央に、前記開口部及び前記支持部材を形成する開口部形成工程と、前記開口部の形成された絶縁テープの他の片面に第２導電箔を貼着する第２貼着工程と、前記第１導電箔をパターニングして前記第１配線層及び前記各ランドを形成する第１パターニング工程と、前記各ランドと前記第２導電箔とを電気的に接続するように複数の層間接続部材を選択的に形成する層間部材形成工程と、前記各層間接続部材を露出させないように前記第２導電箔をパターニングして前記第２配線層、前記半導体接続用電極及び前記先端接続部材を形成する第２パターニング工程と、前記第２パターニング工程の後、電解めっきにより、前記各ランドの表面に前記めっき層を形成する電解めっき工程とを含んでいるテープキャリア製造方法である。
（作用）
従って、請求項１に対応する発明は以上のような手段を講じたことにより、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、絶縁テープの片面上に選択的に形成された配線層と、配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、半導体接続用電極から連続的に形成され、半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材とを備えたので、半導体接続用電極相互を電気的に接続する先端接続部材を設けたことにより、半導体接続用電極に接続された各ランドを互いに導通させるので、従来の主めっきリードと各ランドとを接続するめっきリードの本数を低減させ、配線パターン間の絶縁層の面積を増加させるので、多ピン化の際に、めっきリードを原因とする短絡、絶縁性低下、静電容量の発生等を無くし、電気的信頼性を向上させることができると共に、配線パターンの設計の自由度を向上させることができる。
また、絶縁テープとしては、開口部の周縁から内側に延長して形成され、先端接続部材を支持し、半導体チップの搭載時には半導体チップを支持するための支持部材を備えたので、テープキャリアの取扱上で先端接続部材に力が加わったとしても、支持部材が先端接続部材を支持するので、先端接続部材の変形を阻止することができる。また、テープキャリアの取扱上で半導体チップに力が加わっても、半導体チップ並びに半導体接続用電極を変形やゆがみ等から保護することができる。また、この場合、支持部材の除去工程を省略することができ、さらに容易に製造することができる。
【００２８】
また、請求項２に対応する発明は、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、絶縁テープの片面上に選択的に形成された第１配線層と、絶縁テープの他の片面上に選択的に形成された第２配線層と、第１配線層と第２配線層とを電気的に接続する層間接続部材と、第１配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、第２配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、半導体接続用電極から連続的に形成され、半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材とを備え、絶縁テープとしては、開口部の周縁から内側に延長して形成され、先端接続部材を支持し、半導体チップの搭載時には半導体チップを支持するための支持部材を備えたので、請求項１に対応する作用と同様の作用を奏する２層構造のテープキャリアを実現することができる。
【００３０】
さらに、請求項３に対応する発明は、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、絶縁テープの片面上に選択的に形成された配線層と、配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、絶縁テープから連続的に形成され、半導体接続用電極の先端よりも開口部の内側に位置する支持部を有し、支持部で半導体チップを支持する支持手段と、支持部に支持され、半導体接続用電極に電気的に接続された半導体チップとを備え、支持手段としては、半導体チップが搭載される前に、半導体接続用電極から連続的に形成されて半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材を支持し、先端接続部材が除去されて半導体チップが搭載された後に、半導体チップを支持しているので、支持手段が、半導体チップの搭載時には半導体チップを安定させて製造工程の信頼性を向上でき、また、支持部材が、絶縁テープから延長されて形成されているので、半導体チップの下に位置しても電気特性に影響を与えず、もって、製品特性の安定性を確保することができる。また、支持手段が、半導体チップが搭載される前には先端接続部材を支持するので、テープキャリアの取扱上で先端接続部材に力が加わったとしても、先端接続部材の変形を阻止することができる。
【００３１】
さらに、請求項４に対応する発明は、開口部形成工程では、絶縁テープの略中央に開口部及び支持部材が形成され、導電箔貼着工程では、開口部の形成された絶縁テープの片面に導電箔が貼着され、パターニング工程では、貼着された導電箔をパターニングして配線層、各ランド、半導体接続用電極及び先端接続部材が形成され、電解めっき工程では、パターニング工程の後、電解めっきにより、各ランドの表面にめっき層が形成されるので、請求項１に対応する作用と同様の作用を奏するテープキャリアを容易且つ確実に製造することができる。
【００３２】
また、請求項５に対応する発明は、第１貼着工程では、開口部の形成される絶縁テープの片面に第１導電箔が貼着され、開口部形成工程では、貼着された絶縁テープと第１導電箔との略中央に、開口部及び支持部材が形成され、第２貼着工程では、開口部の形成された絶縁テープの他の片面に第２導電箔が貼着され、第１パターニング工程では、第１導電箔がパターニングされて第１配線層及び各ランドが形成され、層間部材形成工程では、各ランドと第２導電箔とを電気的に接続するように複数の層間接続部材が選択的に形成され、第２パターニング工程では、各層間接続部材を露出させないように第２導電箔がパターニングされて第２配線層、半導体接続用電極及び先端接続部材が形成され、電解めっき工程では、第２パターニング工程の後、電解めっきにより、各ランドの表面にめっき層が形成されるので、請求項２に対応する作用と同様の作用を奏するテープキャリアを容易且つ確実に製造することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリアの概略構成を示す平面図であり、図２はこのテープキャリアにおけるデバイスホール周辺の構成を模式的に示す平面図であり、図３はこのテープキャリアの構成を模式的に示す断面図であって、図７乃至図９と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【００３４】
すなわち、本実施の形態に係るテープキャリアは、主めっきリードと半導体接続用電極との間の導通を確保しつつ、配線パターン間のめっきリードの減少を図るものであり、具体的には、図１乃至図３に示すように、半導体接続用電極６ａの先端を互いに接続する先端接続部材２１を備えている。
【００３５】
ここで、先端接続部材２１は、図２に示すように、半導体接続用電極６ａから連続的に形成され、半導体接続用電極６ａの櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する四角枠状のものであり、ある主めっきリード１３から半導体接続用電極６ａに至る導通を他の全ての半導体接続用電極６ａに拡張する機能を有し、さらに他の半導体接続用電極６ａを介して他の各ランド３ａにまで当該導通を拡張する機能をもっている。
【００３６】
一方、各めっきリード１４は、各ランド３ａを主めっきリード１３に導通させるための配線であり、図１に示すように、従来よりも本数が低減されている。なお、この低減分は、半導体接続用電極６ａに導通した各ランド３ａの個数に対応している。すなわち、半導体接続用電極６ａに導通した各ランド３ａでは、離間した位置の主めっきリード１３に対して先端接続部材２１を介して導通がとられるため、めっきリード１４が省略可能となるからである。
【００３７】
但し、本実施の形態では、半導体接続用電極６ａに導通した各ランド３ａに対しても、主めっきリード１３との導通を直接とるためのめっきリード１４をテープキャリアの各辺毎に１本づつ形成している。これは、省略可能なめっきリードを全て省略するよりも、テープキャリアの各辺毎に１本程度めっきリード１４を残した方が、電解めっき時の電流密度がより均一化されるため、めっき層９の品質向上の観点から好ましいからである。
【００３８】
次に、以上のようなテープキャリアの製造方法及び作用を説明する。
（製造方法）
始めに、前述同様に、２５μｍ厚のポリイミド（絶縁）テープ１の片面上に接着剤２を介して３５μｍ厚の第１銅箔３が貼着され、この貼着されたポリイミドテープ１と第１銅箔３との略中央が金型で打ち抜かれることにより、図４（ａ）に示すように、半導体チップ搭載用のデバイスホール５が形成される。
【００３９】
続いて、ポリイミドテープの他の片面上に第２銅箔６が貼着され、しかる後、第１銅箔３がパターニングされてＧＮＤ（第１）配線層３ｂ及び各ランド３ａが形成される。また前述同様に、図４（ｂ）に示すように、ＧＮＤ配線層３ｂ又は各ランド３ａと第２銅箔６とを電気的に接続するように各ランド３ａ側からポリイミドテープ１を貫通するように各バイアホール（層間接続部材）８が選択的に形成される。
【００４０】
次に、各バイアホール８を露出させないように第２銅箔６がパターニングされて第２配線層６ｂ、半導体接続用電極６ａ及び先端接続部材２１が形成され、しかる後、図４（ｃ）に示すように、電解めっきにより、各ランド３ａの表面にめっき層９が形成される。
【００４１】
ここで、めっき層９の形成工程においては、まず、主めっきリード１３及び先端接続部材２１の両方にめっき電極（図示せず）が接続される。次に、電解めっきにより、ＧＮＤ配線層３ｂ、第２配線層６ｂ、半導体接続用電極６ａ及び各ランド３ａの表面に、５μｍ厚のニッケルめっき層が形成され、同様に電解めっきにより、このニッケルめっき層上に０．３μｍ厚の金めっき層が形成される。
【００４２】
また、ニッケル及び金のめっき層９の形成の後、エポキシ樹脂からなるソルダレジストが表面保護層１０として形成され、図３に示した構造の出荷可能なテープキャリアが完成する。
【００４３】
次いで、先端接続部材２１を露出させるように、表面保護層１０上にレジスト層が選択的に形成され、テープキャリア全体がエッチングされることにより、先端接続部材２１が半導体接続用電極６ａから除去され、もって、半導体接続用電極６ａの先端が相互に分離される。しかる後、レジスト層が除去され、最終的にテープキャリアが完成される。
【００４４】
このテープキャリアは、図５に示すように、デバイスホール５の周縁よりも内側に位置するように、半導体チップ２２が半導体接続用電極６ａに電気的に接続され、しかる後、各ランド３ａを露出させるようにしつつ全体が絶縁樹脂２３にて封止され、これら各ランド３ａにハンダボール１１が形成される。また、このチップキャリアは、各ハンダボール１１が形成されると、各ハンダボール１１を介してマザーボード等の外部要素と接続可能な半導体装置となる。
（作用）
テープキャリアの製造工程において、半導体接続用電極６ａ相互を電気的に接続する先端接続部材２１を設けたことにより、半導体接続用電極６ａに接続された各ランド３ａを互いに導通させるので、従来の主めっきリード１３と各ランド３ａとを接続するめっきリード１４の本数を低減させ、配線パターン間の絶縁層の面積を増加させるので、多ピン化の際に、めっきリード１４を原因とする短絡、絶縁性低下、静電容量の発生等を無くし、電気的信頼性を向上させることができると共に、配線パターンの設計の自由度を向上させることができる。
【００４５】
また、半導体チップ２２の搭載前には先端接続部材２１が除去されるので、半導体チップ２２の搭載から樹脂封止まで等の半導体装置の製造工程や完成した半導体装置の電気特性に対して影響を与えず、もって、製品特性の安定性を確保することができる。
【００４６】
上述したように第１の実施の形態によれば、めっきリード１４の本数を低減できるため、多ピン化の際に、めっきリードを原因とする短絡、絶縁性低下、静電容量の発生等を無くし、電気的信頼性を向上させることができると共に、配線パターンの設計の自由度を向上させることができる。
【００４７】
また、半導体チップ２２の搭載前には先端接続部材２１が除去されるので、製造工程や完成品の電気特性に影響を与えず、製品特性の安定性を確保することができる。
【００４８】
さらに、最終製品の半導体装置の製造までを含む全工程を評価しても、先端接続部材２１が半導体接続用電極６ａと同時に形成されるため、従来と比べて先端接続部材２１の除去工程が付加されただけであるので、本発明に係るテープキャリア及び半導体装置を容易且つ確実に製造することができる。
【００４９】
また、本発明に係るテープキャリアは、先端接続部材２１の除去前又は除去後のいずれでも出荷可能な物品であるため、例えば先端接続部材２１の除去前の状態で出荷される場合、実質的に工程数を増加させずに製造することができる。
【００５０】
また、本発明に係る先端接続部材は、２層の配線層３ｂ，６ｂをもつ２層構造のチップキャリアに容易に適用できるが、同様の製造工程により製造できる３層以上の配線層をもつチップキャリアにも、容易に適用させることができる。
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係るテープキャリアについて説明する。
【００５１】
図６はこのテープキャリアにおけるデバイスホールの周辺構成を模式的に示す平面図であり、図１乃至図５と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【００５２】
すなわち、本実施の形態に係るテープキャリアは、第１の実施の形態における先端接続部材２１の保護を図るものであり、具体的には、図６に示すように、ポリイミドテープ１において、デバイスホール５の周縁から内側に延長して形成され、先端接続部材２１を支持する支持部材３０を備えている。
【００５３】
ここで、支持部材３０は、デバイスホール５の四隅から内側に延長して形成されるアーム部３１と、アーム部３１先端に保持され、先端接続部材２１と同一形状を有する支持枠部３２とを備えており、前述した製造工程におけるデバイスホール５を打ち抜く際に、用いる金型の形状を支持部材３０の形状と同一形状にすることにより、形成可能となっている。
【００５４】
また、支持部材３０は、前述した製造工程における先端接続部材２１の除去後、デバイスホール５の四隅に位置するアーム部３１の基端３１ａが切断されることにより、テープキャリアから除去可能となっている。
【００５５】
以上のような構成としても、第１の実施の形態と同様にめっきリード１４の本数の低減に伴う効果を得ることができ、さらに、テープキャリアの取扱上で先端接続部材２１に力が加わったとしても、支持部材３０が先端接続部材２１を支持するので、先端接続部材２１の変形を阻止することができる。
【００５６】
また、この支持部材３０は、先端接続部材２１の除去後、テープキャリアから除去されるので、第１の実施の形態と同様に、製造工程や完成品の電気特性に影響を与えず、製品特性の安定性を確保することができる。
【００５７】
さらに、最終製品の半導体装置の製造までを含む全工程を評価しても、支持部材３０がデバイスホール５と同時に形成され、且つ先端接続部材２１が半導体接続用電極６ａと同時に形成されるため、従来と比べて先端接続部材２１及び支持部材３０の除去工程が付加されただけであるので、本発明に係るチップキャリア及び半導体装置を容易且つ確実に製造することができる。
【００５８】
また同様に、本発明に係るテープキャリアは、先端接続部材２１の除去前又は除去後及び支持部材３０の除去前又は除去後のいずれでも出荷可能な物品であるため、例えば、先端接続部材２１の除去前の状態で出荷される場合、実質的に工程数を増加させずに製造することができる。
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態に係るテープキャリアについて説明する。
【００５９】
図７はこのテープキャリアの概略構成を示す平面図であり、図８はこのテープキャリアの構成を模式的に示す断面図であって、第１の実施の形態とは異なり、１層の配線層を有する１層構造のテープキャリアを示している。
【００６０】
このテープキャリアは、略中央に半導体チップを搭載するためのデバイスホール４０が形成された絶縁性のポリイミドテープ４１と、ポリイミドテープ４１の片面上に選択的に形成された配線層４２と、配線層４２から連続的に形成され、且つ表面にめっき層４３ａを有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランド４３と、配線層４２から連続的に櫛歯状に形成され、先端４４ａがデバイスホールの周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極４４と、半導体接続用電極４４から連続的に形成され、半導体接続用電極４４の櫛歯状の先端４４ａを互いに電気的に接続する先端接続部材４５とを備えている。
【００６１】
なお、先端接続部材４５は、図２に示した部材２１と同一形状の四角枠状に形成されている。
また、各ランド４３は、各めっきリード４６を個別に介して主めっきリード４７と導通されており、各めっきリード４６は、第１の実施の形態と同様に、従来よりも本数が低減されている。
【００６２】
次に、以上のようなテープキャリアの製造方法及び作用を説明する。
（製造方法）
前述同様に、２５μｍ厚のポリイミドテープ４１の略中央が金型で打ち抜かれることにより、半導体チップ搭載用のデバイスホール４０が形成され、図９（ａ）に示すように、このデバイスホール４０を有するポリイミドテープ４１の片面に接着剤４８を介して導電箔４２ａが貼着される。
【００６３】
続いて、図９（ｂ）に示すように、貼着された導電箔４２ａがパターニングされて配線層４２、各ランド４３、半導体接続用電極４４及び先端接続部材４５が形成される。
【００６４】
また、電解めっきにより、前述同様に、配線層４２、各ランド４３、半導体接続用電極４４及び先端接続部材４５の表面に、５μｍ厚のニッケルめっき層及び０．３μｍ厚の金めっき層からなるめっき層４３ａが順次形成される。
【００６５】
しかる後、表面保護層４９が形成され、図１０に示す構造の出荷可能なテープキャリアが完成される。また、前述同様に、選択エッチングにて先端接続部材４５が除去されると、最終的にテープキャリアが完成される。なお、この最終的な完成品を出荷しても良いのは言うまでもない。
【００６６】
このテープキャリアは、前述同様に、図１１に示すように、半導体チップ５１が半導体接続用電極４４に電気的に接続され、各ランド４３を露出させつつ全体が絶縁樹脂５２にて封止され、各ランド４３にハンダボール５３が形成されると、各ハンダボール５３を介してマザーボード等の外部要素と接続可能な半導体装置となる。
（作用）
前述同様にめっきリードの本数を低減しつつ、１層構造のテープキャリアを容易且つ確実に形成することができる。
【００６７】
また、テープキャリアを１層構造としたことにより、製造に手間のかかるバイアホールを無くして回路構成並びに製造工程を簡略化でき、もって、信頼性を向上させることができる。
【００６８】
上述したように第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態の効果を奏する１層構造のテープキャリアを実現することができる。
（第４の実施の形態）
次に、本発明の第４の実施の形態に係るテープキャリアについて説明する。
【００６９】
図１２はこのテープキャリアの構成を模式的に示す断面図であり、図１３はデバイスホール周辺の構成を模式的に示す平面図であって、図７乃至図１１と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。
【００７０】
すなわち、本実施の形態に係るテープキャリアは、第３の実施の形態の構成に加え、電解めっき前の先端接続部材４５の保護を図るため、ポリイミドテープ４１において、デバイスホール４０の周縁から内側に延長して形成され、先端接続部材４５を支持する支持部材６０を備えている。
【００７１】
ここで、支持部材６０は、前述同様に、デバイスホール４０の四隅を基端６１ａとしてデバイスホール内側に延長して形成されるアーム部６１と、アーム部先端に保持され、先端接続部材４５と同一形状を有する支持部６２とを備えている。
【００７２】
但し、本実施の形態に係るテープキャリアは、最終工程まで支持部材６０を有している。すなわち、半導体チップ５１を搭載して半導体装置を製造してもアーム部基端６１ａから切断されない。なお、完成品の半導体装置は、図１４に示す構造となる。
【００７３】
以上のような構成により、電解めっき前では、前述同様に、支持部材６０が先端接続部材４５を支持するため、先端接続部材４５の変形を阻止することができる。
【００７４】
また、電解めっき後で半導体チップ５１を搭載するときには、支持部材６０が半導体チップ５１を支持し、半導体チップ５１と半導体接続用電極４４とを電気的に接続する際に半導体チップ５１を安定させるので、半導体装置の製造工程の信頼性を向上させることができる。
【００７５】
さらに、支持部材６０は、ポリイミドテープ４１が延長されて形成されているので、完成品の半導体装置にて半導体チップ５１の下に位置したとしても、半導体装置の電気特性には影響を与えず、製品特性の安定性を確保することができる。
【００７６】
上述したように第４の実施の形態によれば、第３の実施の形態の効果に加え、さらに、電解めっき前には先端接続部材４５の変形を防止できると共に、電解めっき後の搭載時には半導体チップ５１を安定させることができ、もって、製造工程の信頼性を向上させることができる。
（他の実施の形態）
なお、上記第１の実施の形態では、２層の配線層３ｂ，６ｂをもつ２層構造のチップキャリアを例に挙げて説明したが、これに限らず、同様の製造工程により製造できる３層以上の配線層をもつ多層構造のチップキャリアとしても、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。
【００７７】
上記第１乃至第４の実施の形態では、表面のめっき層９，４３ａを金とした場合について説明したが、これに限らず、外部接続用のハンダボール１１，５３に対して良好な親和性をもつ材料をめっき層９，４３ａとしても、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。具体的には、例えば、すず、ニッケル、銀、パラジウム、ハンダ等の材料をめっき層とすることが親和性や導電性の観点から好ましい。
【００７８】
また、上記第１及び第２（あるいは第３及び第４）の実施の形態では、めっき電極が主めっきリード１３（，４７）と先端接続部材２１（，４５）との両方に接続された場合を説明したが、これに限らず、半導体接続用電極６ａ（，４４）に導通する各ランド３ａ（，４３）のうちの少なくとも１つが主めっきリード１３（，４７）に接続されることにより、めっき電極が主めっきリード１３（，４７）又は先端接続部材２１（，４５）のいずれか一方に接続されて電解めっきが行なわれても、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。
【００７９】
さらに、上記第１乃至第４の実施の形態では、先端接続部材２１，４５を半導体接続用電極６ａ，４４から除去するためにエッチングを用いた場合を説明したが、これに限らず、金型を用いた打ち抜きにより先端接続部材２１，４５を切り離すようにしても、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。
【００８０】
また、第２の実施の形態では、先端接続部材２１の除去後、支持部材３０をテープキャリアから除去する場合を説明したが、これに限らず、支持部材３０をテープキャリアから除去せずに半導体チップ２２の支持体として用いる構成としても、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができ、さらに、テープキャリアの取扱上で半導体チップ２２に力が加わっても、半導体チップ２２並びに半導体接続用電極６ａを変形や歪み等から保護することができる。また、この場合、支持部材３０の除去工程を省略することができ、さらに容易に製造することができる。
【００８１】
また一方、第４の実施の形態では、支持部材６０をテープキャリアから除去せずに半導体チップ５１の支持体として用いる場合を説明したが、これに限らず、先端接続部材４５の除去後、支持部材６０をテープキャリアから除去した構成としても、半導体チップ搭載時の支持体としての効果を除き、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。
その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１の発明によれば、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、絶縁テープの片面上に選択的に形成された配線層と、配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、半導体接続用電極から連続的に形成され、半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材とを備えたので、半導体接続用電極相互を電気的に接続する先端接続部材を設けたことにより、半導体接続用電極に接続された各ランドを互いに導通させるので、従来の主めっきリードと各ランドとを接続するめっきリードの本数を低減させ、配線パターン間の絶縁層の面積を増加させるので、多ピン化の際に、めっきリードを原因とする短絡、絶縁性低下、静電容量の発生等を無くし、電気的信頼性を向上させることができると共に、配線パターンの設計の自由度を向上できるテープキャリアを提供できる。
また、絶縁テープとしては、開口部の周縁から内側に延長して形成され、先端接続部材を支持し、半導体チップの搭載時には半導体チップを支持するための支持部材を備えたので、テープキャリアの取扱上で先端接続部材に力が加わったとしても、支持部材が先端接続部材を支持するので、先端接続部材の変形を阻止することができる。また、テープキャリアの取扱上で半導体チップに力が加わっても、半導体チップ並びに半導体接続用電極を変形やゆがみ等から保護することができる。また、この場合、支持部材の除去工程を省略することができ、さらに容易に製造することができる。
【００８３】
従来は特に多ピン化につれて設計の自由度が飛躍的に低下していたため、このような本発明の効果は、開口部の周囲を、外部要素と電気的に接続するランドが３重以上に囲うような多ピンのテープキャリアには特に顕著なものとなっている。
【００８４】
また、請求項２の発明によれば、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、絶縁テープの片面上に選択的に形成された第１配線層と、絶縁テープの他の片面上に選択的に形成された第２配線層と、第１配線層と第２配線層とを電気的に接続する層間接続部材と、第１配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、第２配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、半導体接続用電極から連続的に形成され、半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材とを備え、絶縁テープとしては、開口部の周縁から内側に延長して形成され、先端接続部材を支持し、半導体チップの搭載時には半導体チップを支持するための支持部材を備えたので、請求項１の効果を奏する２層構造のテープキャリアを提供できる。
【００８６】
さらに、請求項３の発明によれば、略中央に半導体チップを搭載するための開口部が形成された絶縁テープと、絶縁テープの片面上に選択的に形成された配線層と、配線層から連続的に形成され、且つ表面にめっき層を有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランドと、配線層から連続的に櫛歯状に形成され、先端が開口部の周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極と、絶縁テープから連続的に形成され、半導体接続用電極の先端よりも開口部の内側に位置する支持部を有し、支持部で半導体チップを支持する支持手段と、支持部に支持され、半導体接続用電極に電気的に接続された半導体チップとを備え、支持手段としては、半導体チップが搭載される前に、半導体接続用電極から連続的に形成されて半導体接続用電極の櫛歯状の先端を互いに電気的に接続する先端接続部材を支持し、先端接続部材が除去されて半導体チップが搭載された後に、半導体チップを支持しているので、支持手段が、半導体チップの搭載時には半導体チップを安定させて製造工程の信頼性を向上でき、また、支持部材が、絶縁テープから延長されて形成されているので、半導体チップの下に位置しても電気特性に影響を与えず、もって、製品特性の安定性を確保できる半導体装置を提供できる。また、支持手段が、半導体チップが搭載される前には先端接続部材を支持するので、テープキャリアの取扱上で先端接続部材に力が加わったとしても、先端接続部材の変形を阻止することができる。
【００８７】
さらに、請求項４の発明によれば、開口部形成工程では、絶縁テープの略中央に開口部及び支持部材が形成され、導電箔貼着工程では、開口部の形成された絶縁テープの片面に導電箔が貼着され、パターニング工程では、貼着された導電箔をパターニングして配線層、各ランド、半導体接続用電極及び先端接続部材が形成され、電解めっき工程では、パターニング工程の後、電解めっきにより、各ランドの表面にめっき層が形成されるので、請求項１の効果を奏するテープキャリアを容易且つ確実に製造できるテープキャリア製造方法を提供できる。
【００８８】
また、請求項５の発明によれば、第１貼着工程では、開口部の形成される絶縁テープの片面に第１導電箔が貼着され、開口部形成工程では、貼着された絶縁テープと第１導電箔との略中央に、開口部及び支持部材が形成され、第２貼着工程では、開口部の形成された絶縁テープの他の片面に第２導電箔が貼着され、第１パターニング工程では、第１導電箔がパターニングされて第１配線層及び各ランドが形成され、層間部材形成工程では、各ランドと第２導電箔とを電気的に接続するように複数の層間接続部材が選択的に形成され、第２パターニング工程では、各層間接続部材を露出させないように第２導電箔がパターニングされて第２配線層、半導体接続用電極及び先端接続部材が形成され、電解めっき工程では、第２パターニング工程の後、電解めっきにより、各ランドの表面にめっき層が形成されるので、請求項２の効果を奏するテープキャリアを容易且つ確実に製造できるテープキャリア製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリアの概略構成を示す平面図
【図２】同実施の形態におけるテープキャリアのデバイスホール周辺の構成を模式的に示す平面図
【図３】同実施の形態におけるテープキャリアの構成を模式的に示す断面図
【図４】同実施の形態におけるテープキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図
【図５】同実施の形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図
【図６】本発明の第２の実施の形態におけるデバイスホール周辺の構成を模式的に示す平面図
【図７】本発明の第３の実施の形態に係るテープキャリアの概略構成を示す平面図
【図８】同実施の形態におけるテープキャリアの構成を模式的に示す断面図
【図９】同実施の形態におけるテープキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図
【図１０】同実施の形態におけるテープキャリアの構成を模式的に示す断面図
【図１１】同実施の形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図
【図１２】本発明の第４の実施の形態に係るテープキャリアの構成を模式的に示す断面図
【図１３】同実施の形態におけるデバイスホール周辺の構成を模式的に示す平面図
【図１４】同実施の形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図
【図１５】従来のテープキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図
【図１６】従来のテープキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図
【図１７】従来のテープキャリアの概略構成を示す平面図
【符号の説明】
１，４１…ポリイミドテープ
２，４，４８…接着剤
３…第１銅箔
３ａ，４３…ランド
３ｂ…ＧＮＤ配線層
５，４０…デバイスホール
６…第２銅箔
６ａ，４４…半導体接続用電極
６ｂ…第２配線層
７…穴
８…バイアホール
９…めっき層
１０…表面保護層
１１，５３…ハンダボール
１２…スプロケットホール
１３、４７…主めっきリード
１４、４６…めっきリード
２１，４５…先端接続部材
２２，５１…半導体チップ
２３，５２…絶縁樹脂
３０，６０…支持部材
３１…アーム部
３１ａ，６１ａ…基端（アーム部）
３２，６２…支持部
４２ａ…導電箔。
【図１】
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【図２】
0003684700.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003684700.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0003684700.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0003684700.tif 000016
【図１６】
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【図１７】
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