(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体の電力導入窓とこの電力導入窓の一端を封じ所定電圧が印加される導電性の電極とにより構成される放電容器と、前記放電容器を備え、これと連通される真空容器と、前記放電容器内でプラズマを発生するための環状のアンテナを備えたプラズマ生成機構と、前記真空容器の内部を減圧状態に保つための排気機構と、前記真空容器内に反応ガスを導入するガス導入機構と、前記電極に対し所定の間隔をあけ、前記放電容器の内部空間に接近させて前記真空容器内に設置される基板保持機構と、前記放電容器内に磁場を形成するための磁場形成機構を備えたプラズマ処理装置において、
前記磁場形成機構によって形成される磁力線は、前記電力導入窓を横切ることなく前記電力導入窓に対して実質的に沿い、かつ前記放電容器の中心方向に曲がり、前記放電容器の出口方向に凸形状となるように形成され、前記磁力線と前記電極によって囲まれた領域は環状であって前記放電容器内に形成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記磁場形成機構は、前記放電容器の中心軸の回りに同心円状に配置される複数の環状の永久磁石を含み、前記永久磁石の各々の前記電極に向かう磁極の配置について、前記電力導入窓の上方に配置される最外周の前記永久磁石の磁極とこの最外周の永久磁石の内側の近くに位置する２つの前記永久磁石の磁極が同極であり、かつ外側に位置する前記３つの永久磁石より内側に配置される前記永久磁石の磁極は隣合うもの同士が異極であることを特徴とした請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記磁場形成機構は、環状のヨークと前記ヨークの電極側面の内外周縁に固定された２つの環状の永久磁石とからなる磁気回路ユニットであって径が異なる複数の前記磁気回路ユニットを含み、前記複数の磁気回路ユニットは同心円状に配置されることを特徴とした請求項１または２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記磁場形成機構は、電極側が開いた断面コの字型であって環状のヨークと前記ヨーク内に付設された電磁石からなる磁気回路ユニットと、この磁気回路ユニットの周囲に同心円状に配置される２つの環状の永久磁石を含み、前記電力導入窓の上方に配置される外側の前記永久磁石の磁極と、内側の前記永久磁石の磁極および前記磁気回路ユニットの外側の磁極とが同極であることを特徴とした請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記磁場形成機構の前記磁気回路ユニットは、電極側が開いた断面コの字型であって環状のヨークと前記ヨーク内に付設された電磁石とからなる磁気回路ユニットであって径が異なる複数の前記磁気回路ユニットから構成され、前記複数の磁気回路ユニットは同心円状に配置されることを特徴とした請求項４のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記電力導入窓は筒体形状を有し、この電力導入窓の近傍に形成される前記磁力線は前記電力導入窓に対して実質的に平行に形成され、環状の前記アンテナは前記電力導入窓の周囲に配置されることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記電力導入窓は天井部のないドーム形状を有し、この電力導入窓の近傍に形成される前記磁力線は前記電力導入窓に対して実質的に沿うように膨出した湾曲形状に形成され、環状の前記アンテナは前記電力導入窓の周囲に配置されることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記磁場形成機構の温度制御と、前記電極の温度制御とを独立させたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記アンテナが単一ループであることを特徴とする請求項１，６，７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置に関し、特に、プラズマ発生機構で生成されたプラズマを利用し、主にプラズマＣＶＤおよびプラズマエッチングへの応用されるプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のプラズマ処理装置の例として誘導結合型プラズマ処理装置を挙げることができる。誘導結合型プラズマ処理装置は、処理される基板が配置された真空容器と、真空容器の上側に取り付けられ、真空容器の内部空間と通じている放電容器を備える。放電容器は、側部周囲壁を形成する誘電体製の円筒状電力導入窓と、この円筒状電力導入窓の上端を閉じる電極と、当該円筒状電力導入窓の周囲に配置され、放電容器内に高周波電力を供給する環状アンテナから構成される。放電容器の下部は開放され、上記真空容器の内部空間に通じている。放電容器の内部空間にはプラズマが生成され、この放電容器は誘導結合型プラズマ源となる。真空容器内に配置される基板は、放電容器の下部開口部を通して、その内部空間に生成されるプラズマに臨む。
【０００３】
誘導結合型プラズマ処理装置の上記放電容器では、直径が３００ｍｍ以上に大径化された基板に対応するために、その口径（下部開口部の直径）を大きくすることにより、内部空間に生成されるプラズマの面積を広くするようにしていた。またプラズマ処理装置の占有体積を小さくするために、放電容器から基板までの距離を短くするようしていた。
【０００４】
また、誘導結合型プラズマ源である放電容器において磁場形成機構を備えない場合には、内部に生成されるプラズマの密度分布が、放電圧力に依存して大きく変化することが判っている（例えば、K.Takagi, Y.Nakgawa, and T.Tsukada :第36回真空に関する連合講演会( 東京,1995),13pA-1 ）。例えば１０Ｐａ程度以上の放電圧力では、電力導入窓の内面近くに偏ったリング状プラズマ密度分布となり、１Ｐａ前後の放電圧力では、放電容器の中心近傍がプラズマ密度の高い分布となる。
【０００５】
そこで、放電容器を取り囲むように電磁石を配置し、放電容器の内部に生成されるプラズマの密度分布を制御するようにした構成も提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
放電容器内で生成されたプラズマの特性の不均一性は、基板における処理の不均一性に直接反映されるので、当該不均一性をなくすようにすることが要求される。プラズマ密度の分布はプラズマ特性の１つであり、従って、上記のごとくプラズマ密度の分布を変化させる放電圧力すなわちプラズマ処理を行う圧力は、プラズマ処理特性を決定する重要な因子の１つとなる。
【０００７】
しかし、プラズマ密度の分布は前述の通り放電圧力によって大きく変化するため、放電圧力を調整するだけでプラズマ密度分布を制御し、良好な均一性のプラズマ処理を行えるようにすることは困難である。また、従来のごとく放電容器を取り囲む電磁石を載置してプラズマ密度分布を制御することは可能であるが、処理装置が大型化するという問題が生じる。さらに基板を貫く磁力線の密度の不均一性に基づいて、基板にダメージが発生するという問題が生じる。
【０００８】
かかる問題を解決すべく、本発明者らは、先に、放電容器の電極の大気側箇所に特定の形状、配置、磁極配列を有する複数の永久磁石からなる磁場形成機構を備え、この磁場形成機構によって放電容器内のプラズマ密度の分布の均一性を高めるようにした誘導結合型プラズマ処理装置を提案した（特願平８−９４９１２号）。当該磁場形成機構によれば、生成される磁場をほぼ放電容器内に限定することができるという利点もある。例えば放電容器の出口（下部開口部）付近において磁場強度が１ Gauss以下であることから、磁場の不均一が原因とされるダメージも抑制できる。さらに磁場の効果により、プラズマ中の電子が電極で消滅する確率が減少し、プラズマの維持効率が上昇し、プラズマ密度が２倍程度にまで上昇するという利点も有する。
【０００９】
しかしながら、本願発明者らが提案した上記誘導結合型プラズマ処理装置のプラズマ源の構成では、±１０％以内の均一なプラズマが得られる領域がφ１８０ｍｍ程度の領域であり、φ３６２ｍｍの放電容器の断面に対して面積で３０％以下である。従って、例えばφ３００ｍｍ程度の領域で±１０％以下の良好な均一性のプラズマを得るためには、放電容器の大型化で対応せざるを得ず、不十分である。放電容器の大型化することなく上記プラズマの条件を満たすには、プラズマの良好な均一性の領域をさらに拡大することが要求される。
【００１０】
本発明の目的は、上記課題を解決することにあり、本願発明者らが提案した誘導結合型プラズマ処理装置のプラズマ源をさらに改善し、放電容器内でのプラズマの均一性の領域を拡大し、放電容器出口近傍における基板の処理の均一性をさらに高め、かつ、放電容器と基板の間の距離を可能な限り小さくして占有体積を小さくしたプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
第１の本発明（請求項１に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記目的を達成するためのものであり、誘電体製の電力導入窓とこの電力導入窓の一端を封じ所定電圧が印加される導電性の電極とからなる放電容器、この放電容器を備えてこれと連通される真空容器、上記放電容器内でプラズマを発生するための環状のアンテナを備えたプラズマ生成機構、真空容器の内部を減圧状態に保つための排気機構、真空容器内に反応ガスを導入するガス導入機構、電極に対し所定の間隔をあけ、放電容器の内部空間に接近させた状態で真空容器内に設置される基板保持機構、放電容器内に磁場を形成するための磁場形成機構を備えており、さらに特徴的構成として、上記磁場形成機構によって形成される磁力線が、電力導入窓を横切ることなくこの電力導入窓に対して実質的に沿うように、かつ放電容器の中心方向に曲がり、放電容器の出口方向に凸形状となるように形成され、さらに当該磁力線と電極によって囲まれた領域は環状の形態を有するものであって放電容器内に形成される。
【００１２】
第１の本発明の構成では、電極の大気側の箇所に配置された磁場形成機構の所定の構成に基づいて、上記磁力線分布を有する磁場を放電容器内に形成することができ、この磁力線分布に従えば、電子の運動が制御され、電子を放電容器内に反射することで、電極および電力導入窓における電子の消滅を低減し、プラズマに対する放電容器壁の影響を小さく抑えることができる。また放電容器内に形成される磁力線の分布形状を所望の状態に制御し、プラズマ密度の均一性を制御し、放電容器内でのプラズマの均一性の領域をいっそう拡大し、放電容器出口近傍における基板の処理の均一性をさらに高めることができる。
【００１３】
第２の本発明（請求項２に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記の第１の発明において、磁場形成機構が、放電容器の中心軸の回りに同心円状に配置される複数の環状の永久磁石を含み、永久磁石の各々の電極に向かう磁極の配置において、電力導入窓のほぼ直上の近くに配置される最外周の永久磁石の磁極とこの最外周の永久磁石の内側の近くに位置する２つの永久磁石の磁極が同極であり、かつ外側に位置する３つの永久磁石より内側に配置される永久磁石の磁極は隣合うもの同士で異極となるように構成されることを特徴とする。
【００１４】
第３の本発明（請求項３に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記の第１または第２の発明において、磁場形成機構が、環状のヨークとヨークの電極側面の内外周縁に固定された２つの環状の永久磁石とからなる磁気回路ユニットであって径が異なる複数の磁気回路ユニットを含み、複数の磁気回路ユニットは同心円状に配置されることを特徴とする。
【００１５】
第４の本発明（請求項４に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記の第１の発明において、磁場形成機構が、電極側が開いた断面コの字型であって環状のヨークとヨーク内に付設された電磁石からなる磁気回路ユニットと、この磁気回路ユニットの周囲に同心円状に配置される２つの環状の永久磁石を含み、電力導入窓の直上近傍に配置される最外周の永久磁石の磁極と、内側の永久磁石の磁極および磁気回路ユニットの外周の磁極とが同極であることを特徴とする。
【００１６】
第５の本発明（請求項５に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記の第４の発明において、磁場形成機構の磁気回路ユニットが、電極側が開いた断面コの字型であって環状のヨークとヨーク内に付設された電磁石とからなる磁気回路ユニットであって径が異なる複数の磁気回路ユニットから構成され、複数の磁気回路ユニットは同心円状に配置されることを特徴とする。
【００１７】
第６の本発明（請求項６に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記の第１の発明において、電力導入窓は筒体形状を有し、この電力導入窓の近傍に形成される磁力線は電力導入窓に対して実質的に平行に形成され、環状のアンテナは電力導入窓の周囲に配置されることを特徴とする。
【００１８】
第７の本発明（請求項７に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記の第１の発明において、電力導入窓は天井部のないドーム形状を有し、この電力導入窓の近傍に形成される磁力線は電力導入窓に対して実質的に沿うように膨出した湾曲形状に形成され、環状のアンテナは電力導入窓の周囲に配置されることを特徴とする。
【００１９】
第８の本発明（請求項８に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記の第１の発明において、磁場形成機構の温度制御と、電極の温度制御とを独立させたことを特徴とする。
【００２０】
第９の本発明（請求項９に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記の各の発明において、アンテナが好ましくは単一ループであることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２２】
図１〜図５は本発明に係るプラズマ処理装置の第１の実施形態を示す。図１において、１１は誘電体製の電力導入窓であり、この電力導入窓１１は例えば内径φ３６２ｍｍ、高さ１００ｍｍの円筒形状を有する。この電力導入窓１１は、基板の大径化に応じて大きな口径を有するように形成されている。電力導入窓１１の材質としては例えば耐熱衝撃性が強い石英が使用される。１２は金属製の円板形状をした電極で、電極１２は、円筒状電力導入窓１１の上方端部を封じる真空フランジの役目を持ち、電力導入窓１１と共に放電容器１３を形成する。放電容器１３は真空容器１４の上に配置され、互いの内部空間が通じ、放電容器１３と真空容器１４は全体として真空槽を形成している。真空容器１４の下部は、図示例では開放されているが、実際の装置では真空槽を形成すべく閉じた構造となっている。また電極１２は、好ましくは接地電位に保持され、かつヒータ線１５による温度調整機構を備える。電極１２は例えば７０℃以上の温度に保持される。電極１２に、直流バイアス電圧と交流バイアス電圧を並列に導入することもできる。
【００２３】
さらに電極１２では、その上側すなわち大気側の箇所に、磁場形成機構が設けられる。磁場形成機構は、図１および図２に示されるように、同心円状にかつ電極１２に対して非接触状態で配置された複数の環状のヨーク１６ｂ〜１６ｅおよび中心位置に配置された円板状のヨーク１６ａと、ヨーク１６ｂ〜１６ｅの各々の下側であって内側縁（内周縁）と外側縁（外周縁）に固定された環状の２つの永久磁石５０３〜５１０およびヨーク１６ａの下側であって中心位置とその周囲位置に固定された永久磁石５０１，５０２とからなる磁場形成機構が設けられる。この磁場形成機構は、電極１２の放電容器側の表面近傍および放電容器１３の内部に所望の磁力線分布を持つ磁場を形成する。
【００２４】
本実施形態では反応ガスを真空容器１４の内部に導入するためのガス導入機構を図示していないが、通常、真空容器１４にガス導入口が設けられ、反応ガスを導入できるようになっている。また電極１２に、シャワーヘッド状のガス導入口を設けることも可能である。ガス導入機構には、従来から知られたものが使用される。
【００２５】
真空容器１４の内部であって放電容器１３の下側位置には基板保持機構１７が設けられる。基板保持機構１７の基板載置面は、電極１２に対して一定の間隔で対向した状態で真空容器１４のほぼ上端に位置し、基板保持機構１７は放電容器１３の内部空間に可能な限り接近して配置される。基板保持機構１７は、その上部を放電容器１３の内部に挿入するようにして配置することもできる。基板保持機構１７の上には被処理基板１８が配置される。基板１８の被処理面は、放電容器１３の内部空間に臨んでいる。放電容器１３の内部空間は、プラズマが生成される領域である。放電容器１３の内部で生成されたプラズマは、基板１８の表面を処理する。
【００２６】
円筒形の電力導入窓１１の周囲に配置された偏平な環状部材１９は環状（ループ）アンテナである。環状アンテナ１９は、本実施形態では、電力導入窓１１の中央の位置（軸方向の中心位置）、すなわち、真空容器１４の上面から約５０ｍｍ離れた位置に、電力導入窓１１の全周囲を取り囲むように配置されている。環状の偏平な断面を有するアンテナ１９は、電力導入窓１１の投影面積が小さくなるように形成されている。環状アンテナ１９を支持する構造の図示は省略されているが、通常、絶縁物質で作られた支持部材で上記位置に配置される。環状アンテナ１９に対しては、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波電力が供給される。この場合において、環状アンテナ１９と、接地電位に保持された真空容器１４または電極１２との距離が４０ｍｍ以下のときには大気放電が発生するので、これを避けるべく環状アンテナ１９と接地電位である部分（電極１２と真空容器１４）との距離を５０ｍｍと設定した。ただし、環状アンテナ１９と接地電位である部分との距離は、整合回路の違い、あるいは、使用する高周波電力および高周波電力の周波数に依存して異なるものである。
【００２７】
また環状アンテナ１９と接地電位の部分との間をテフロン等の絶縁体により埋め、大気放電の発生を抑制することで、放電容器の高さをさらに短くすることもできる。
【００２８】
図１に示されたプラズマ処理装置の基本動作を概説する。この装置を動作させるには、一度、真空容器１４に付設された排気機構１４ａ（よく知られたものが使用され、具体的に図示せず）によって真空容器１４および放電容器１３の内部を所定の真空状態にし、その後、図示しない反応ガス導入系により反応ガスを放電容器１３内に導入すると共に、同時に真空排気して１００Ｐａ以下の所定の減圧状態を保つ。次に、図示されない電力導入機構により環状アンテナ１９に高周波電力を導入して放電容器１３内でプラズマを生成し、反応ガスの粒子を活性化させる。本実施形態では、放電容器１３の内径を例えば３６２ｍｍとして、この放電容器１３内に直径３００ｍｍ以上の大きな面積を持つプラズマが生成される。真空容器１４内の基板保持機構１７上に、電極１２に対向するように設置された基板１８の表面は、放電容器１３内で生成されたプラズマ中の活性種によって処理される。
【００２９】
図１および図２に従って磁場形成機構に関する構造およびヒータ線１５に関する構造を詳述する。図２は図１中のＣ１−Ｃ１線断面図である。
【００３０】
電極１２の大気側には、電極の中心位置に円板状のヨーク１６ａを位置し、さらにその周囲に、環状のヨーク１６ｂ〜１６ｅが同心円状に配置されている。ヨーク１６ａの下面には中心位置に永久磁石５０１とその周囲に永久磁石５０２が固定され、ヨーク１６ｂ〜１６ｅの各々の下面には内外に位置する２つの環状の永久磁石の組（５０３，５０４）、（５０５，５０６）、（５０７，５０８）、（５０９，５１０）が固定される。かかる構成によって、それぞれ、磁気回路ユニット８０１〜８０５が形成される。環状のヨーク１６ｂ〜１６ｅと永久磁石５０２〜５１０は、外側へ行くほど直径が大きくなる。なお最外周に配置される磁気回路ユニット８０５は、好ましくは、その外周縁の永久磁石５１０が電力導入窓１１の真上近傍に配置されるように寸法が設計されている。
【００３１】
ヨーク１６ａ〜１６ｄに固定された永久磁石５０１〜５０８の電極１２に向かう磁極がＳ，Ｎ，Ｓ，Ｎ，Ｓ，Ｎ，Ｓ，Ｎの配列で構成されている。従って内側または内周縁の永久磁石５０１，５０３，５０５，５０７の電極に向かう磁極がＳ極、そして外側または外周縁の永久磁石５０２，５０４，５０６，５０８の電極に向かう磁極がＮ極となる。すなわち、磁気回路ユニット８０１〜８０４の永久磁石５０１〜５０８の電極に向かう磁極は、隣り合う永久磁石同士で異極となる構成である。またヨーク１６ｅに固定された永久磁石５０９，５１０は電極１２に向かう磁極が共にＮになるように配置される。すなわち最外周の永久磁石の磁極から内側に向かって３つの環状の永久磁石５０８〜５１０の磁極は同極のＮである。なお電極１２に向かう永久磁石５０１〜５１０の磁極の配列構成は、本実施形態と逆でも良い。
【００３２】
またすべてのヨーク１６ａ〜１６ｅは、各永久磁石が電極１２に直接に接触しないように配置され、電極１２の熱が各永久磁石に直接伝達されない構造とすることで各永久磁石の温度上昇を抑制し、さらに各ヨーク１６ａ〜１６ｅの上側に水冷管２０を備えて冷却することによって、電極１２からの熱輻射、対流等による各永久磁石の温度上昇を抑制し、永久磁石の劣化を防いでいる。ヨーク１６ａ〜１６ｅを支持する構造は図示されていないが、自明の機械的支持構造が使用される。なお図２において、１３ａは放電容器１３の中心軸であり、これは電極１２の中心とも一致している。
【００３３】
本実施形態では電極１２と永久磁石５０１〜５１０の間を大気としているが、１００Ｐａ程度以下の真空、あるいはテフロン等で他の断熱層を形成することで、熱の伝達をさらに抑制することが可能である。
【００３４】
また図２に示すように、金属製の電極１２にヒータ線１５を埋め込むことにより、好ましくは電極１２の放電容器側表面の温度が制御される。本実施形態の場合、電力導入窓１１に設けた電極１２は、上記温度調整機構（ヒータ線１５）により７０℃程度以上の所定温度に保持されている。また温度調整機構により、プラズマ中の粒子のうちプラズマ処理に必要な活性種の相対的な割合が制御される（例えば、菅井他、第41回応用物理学関連連合講演会予稿集  第二分冊 p536 ）。ただし、当該効果は、プラズマに接触する面積のうち、前記所定温度の面積が相対的に広いほど有効になる。そこで本実施形態では、電力導入窓１１の高さを１００ｍｍ以下と小さくし、所定温度に加熱することが難しい電力導入窓１１の面積を、所定温度を常時維持することが容易な電極１２の面積に対して相対的に小さくすることによって、上記効果を大きくした。
【００３５】
また電極１２を加熱することにより、絶縁体の堆積物が電極１２に付着することを抑制できる。その結果、電極１２の表面電位が常に接地電位に保持されるため、これに直接接触しているプラズマのプラズマ空間電位を安定させる効果もある。通常、異なる電位である複数面に接触しているプラズマのプラズマ空間電位は、プラズマが接触している最大面積である面の電位を基準として決定される。このため、プラズマの接する面の内、最大面積である面の電位を安定な電位、例えば接地電位、とすることで、プラズマ空間電位は安定する傾向となる。本実施形態で示すように、放電容器出口に基板保持機構１７が配置される構造では、電極１２と電力導入窓１１のうちプラズマの接する面積の広い方によってプラズマ空間電位の基準が決定される。そこで、電力導入窓１１の高さを１００ｍｍ以下と短くし、プラズマが接触する電力導入窓１１の面積に対するプラズマの接触する電極１２の接地面の面積の相対比を大きくし、電極１２の表面電位、すなわち接地電位をプラズマの基準電位とすることで、放電容器内のプラズマ空間電位を安定させ、同時に、プラズマ空間電位の再現性を向上させることが可能である。従って、電極１２の加熱により、プラズマ処理に使用するプラズマのプラズマ空間電位を一定とすることが可能なことから、プラズマ処理の再現性を向上させるためにも有効な手段となる。さらに、本実施形態の放電容器１３の口径のみを直径３００ｍｍ以上に大口径化した場合には、さらに当該面積の相対比は大きくなり、前記効果をさらに大きくすることができる。
【００３６】
次に、図３〜図５と前述した図１および図２を参照して本実施形態によるプラズマ処理装置の特性を説明する。
【００３７】
図３は本実施形態における磁場シミュレーションの結果としての磁力線３１の分布形状を示す。ここで使用される放電容器１３の内径は３６２ｍｍである。電極１２の大気側には磁気回路ユニット８０１〜８０５が同心円状に配置されている。各磁気回路ユニット８０１〜８０５の磁極の配列は前述の通りである。磁気回路ユニット８０１〜８０５の電極１２に対する配置は、電極１２との距離（電極上面と磁極面との距離）が、図２および図３に示すように、内側の磁気回路ユニットから３１ｍｍ、１８ｍｍ、１８ｍｍ、１８ｍｍ、５ｍｍとなるように設定されている。磁気回路ユニット８０１〜８０５で形成される放電容器１３内の磁力線３１の内、電極１２の中心付近を貫く磁力線３１は、電極１２の中心近傍である直径（φ）が約１００ｍｍ以内の領域を貫通し、電力導入窓１１の内側壁面を横切ることなく、電極１２の周縁部である電力導入窓１１の内側壁面から約３０ｍｍの内側近傍の場所Ａを集中的に貫いている。そして図３で明らかなように、最外周の磁力線３１と電極１２に囲まれた領域に存在する放電容器１３内のすべての磁力線は、放電容器１３の出口（下側開口部）側に凸となっており、電極中心部から電極周縁部に至る磁力線の経路において放電容器１３を壁部（電極１２および電力導入窓１１）を横切ることはない。従って、かかる磁力線３１に基づいて、特に最外周の磁力線３１と電極１２で取り囲まれた空間領域が、放電容器中心軸１３ａを中心として環状に電極１２の真空側に形成される。
【００３８】
図４は、磁気回路ユニット８０１〜８０５により形成された電力導入窓１１の近傍から出て電極１２に入る磁力線３１での電子３２の運動を簡単に示す。磁力線３１がプラズマ中に存在すると、電子３２は磁力線３１を旋回中心とする螺旋運動を行う。ここで、磁力線３１を旋回中心として螺旋運動をしている電子３２の旋回半径は磁束密度によって変化し、磁束密度の低い磁場ほど旋回半径が大きくなる。本実施形態の磁束分布では、電極１２から放電容器出口に向かって磁束密度が小さくなっているため、一周の旋回を終えた電子３２の旋回中心は、元の磁力線３１のよりも放電容器出口に近い磁力線３１となり、放電容器出口の方向に向かって曲がっていくことになる。いわゆるドリフトと呼ばれる現象である。最終的には、電子３２は磁力線３１の捕捉から逃れ、電極１２と反対の方向の真空容器出口に向かって移動する。従って、放電容器１３内に形成された磁場の勾配により、電極１２に入射して消滅する電子を抑制することができる。この際に、放電容器１３内における磁場の勾配を局所的に制御することで、電子３２の反射する方向を制御することが可能である。また本実施形態における電力導入窓１１近傍の磁力線３１は、電力導入窓１１を横切ることなく、電力導入窓１１の内面とほぼ平行な軌跡を描いている。このため、磁力線３１に捕捉されて電力導入窓１１に向かって移動している電子３２は、電力導入窓１１に衝突することなく、磁力線３１に沿って電極１２に向かっていく。そして、電極１２に近づくに従って磁場強度が大きくなるために、電極１２近傍にまで達した電子３２は磁場により反射される。このとき、反射された電子３２は、磁力線３１に捕捉された状態で放電容器１３の中心方向に戻っていく。このため、本実施形態で示した磁力線３１の分布形状によれば、電力導入窓１１での電子３２の損失も抑制することができる。
【００３９】
以上の作用に基づき電子３２を放電容器１３内に反射することによって、プラズマに対する放電容器壁の影響を小さく抑え、プラズマの効率的な維持が可能である。
【００４０】
図５は、内径３６２ｍｍの放電容器を用い、放電圧力１．３Ｐａとした場合の放電容器出口近傍でのＡｒプラズマの放電容器半径方向のプラズマ密度分布を示す。図で特性Ａ１は上記第１実施形態の磁場形成機構を有する例、特性Ｂ１は磁場形成機構がない場合の例である。また横軸は放電容器１３の中心軸１３ａから距離（ｍｍ）を示し、縦軸はプラズマ密度（ｃｍ-3）を示す。なお図５に示された放電のための条件は、正確には、放電ガス：アルゴン（Ａｒ）、放電圧力１．３Ｐａ、放電電力１０００Ｗ、放電容器：内径３６２ｍｍ；高さ１００ｍｍ、真空容器：直径４６０ｍｍである。測定の条件は、放電容器１３の出口から５０ｍｍの位置で測定が行われた。
【００４１】
プラズマ密度の均一性は下記の表１に示される。図５と表１では、本実施形態で示した磁場形成機構の効果の比較として、磁場形成機構のない従来装置の場合を示す。
【００４２】
【表１】
0003666999.tif 000002
【００４３】
電極１２に磁場形成機構を設置しない従来の場合には、放電容器１３の中心近傍のプラズマ密度が相対的に高くなった。プラズマの均一性は、半径９０ｍｍ以内の領域で±１４％、半径１２０ｍｍ以内の領域で±２３％、半径１５０ｍｍ以内の領域で±２８％であった。電力導入窓１１の近傍でのプラズマ密度の減少の主たる原因は、放電圧力１．３Ｐａにおいては、プラズマ中の粒子の拡散が大きく、放電容器内壁での電子３２の消滅が大きいためと考えられる。
【００４４】
本実施形態で説明した上記磁場形成機構を設置した場合のプラズマ密度は、図５に示す通り、磁場形成機構を設置していない場合と比較して約２．５倍以上に増加した。これは、電極１２の表面に磁場を形成することにより、電極１２での電子３２の消滅が減少したことと、電力導入窓１１での電子３２の消滅が減少したことによると考えられる。プラズマ密度の均一性は、半径９０ｍｍ以内の領域で±７％、半径１２０ｍｍ以内の領域で±７％、半径１５０ｍｍ以内の領域で±１７％であった。±１０％以内の良好な均一性の領域が半径１２０ｍｍ以上の領域に拡大した。さらに、半径１５０ｍｍ以内でのプラズマの均一性も、磁場形成機構がない場合と比較して改善されており、電力導入窓１１近傍でもプラズマ維持が効率的に行われていることを示している。従って、以上の結果から、本実施形態の図４に示した放電容器１３内の磁力線３１が電力導入窓１１の近くで電力導入窓１１の内面とほぼ平行であることにより、電力導入窓１１でのプラズマの消滅をも抑制することが可能であることが判明した。
【００４５】
以上の結果から、プラズマの均一性とプラズマの効率的な維持を達成するためには、放電容器１３内の磁力線３１が集中して電極１２を貫く位置が、電極１２の電力導入窓１１の内面近傍で、すなわち、本実施形態の図１〜図３に示したように、電力導入窓１１から約３０ｍｍの近傍もしくはこれよりも近い領域であり、かつ、この領域を貫いて電力導入窓１１近傍を通過する磁力線３１が、電力導入窓１１を横切ることなく、電力導入窓１１と実質的に平行である磁力線３１を放電容器内に形成する、ことが必要である。
【００４６】
上記のような磁力線３１を放電容器１３内に形成するためには、電極１２上に、電極１２に向かう３つの同心状の同極の磁極（永久磁石５０８〜５１０の下側磁極）が存在し、かつ、そのうちの最外周に位置する磁極が好ましくは電力導入窓１１の位置とほぼ一致するような同程度の寸法を有し、かつ、他の２つの磁極が最外周の磁極の内側近傍に配置される寸法を有することが必要がある。特に最外周の永久磁石５１０の磁極部分の位置に関しては、電力導入窓１１よりも外側に例えば３０ｍｍ程度ずらすことも可能である。最外周の永久磁石５１０の磁極部が電力導入窓１１よりも例えば３０ｍｍ程度外側に位置をずらしたとしても、上記の条件、すなわち、磁力線３１が電力導入窓１１を横切ることなく、これに実質的に平行であるという条件が満足されることは、図３と図７の磁力線分布図から容易に予測できる。なお、最外周の磁極の寸法が電力導入窓１１より小さい場合には、プラズマの均一性は本実施例と同程度であるが、プラズマ密度は低くなる（第４３回応用物理学関係連合講演会  講演予稿集No.1，P38. 28a−SZM −24）。
【００４７】
また図２に示した例で、アンテナ１９が設置されている放電容器断面箇所で磁場強度が１０Gauss 、放電容器出口から５０ｍｍ離れた箇所で１Gauss 以下であった。プラズマ処理が行われる基板１８の位置近傍に当たる放電容器出口から５０ｍｍでは、ほぼ磁場のない状態が達成される。従って、基板１８がプラズマ処理される際に、基板１８を貫く磁力線３１の密度の不均一性に起因すると考えられるチャージアップ等のダメージを最小に抑えることができる。
【００４８】
図６と図７に基づいて第１の実施形態の変形例を説明する。図６は第１実施形態の磁場形成機構で最内周の磁気回路ユニット８０１を除いた場合の構成を示し、図７はこの場合の磁場シミュレーションの結果として磁場形成機構により形成される放電容器内の磁力線分布を示す。図７から明らかなように、第１の実施形態における磁場形成機構の最内周の磁気回路ユニット８０１を除いても、放電容器１３内の磁力線３１は実質的に同様な分布を有する。このことから、図６で示した磁場形成機構を放電容器３に適用しても、第１の実施形態による磁場形成機構と同様の効果が得られる。
【００４９】
以上の結果から、放電容器１３内に本実施形態で示した磁力線３１の分布を形成することにより、プラズマ維持効率の向上によるプラズマ密度の上昇と同時に、プラズマ密度の均一性を向上させることができる。従って、例えば直径３００ｍｍ以上の面積で良好な均一のプラズマ生成する場合、従来のプラズマ処理装置に比べ、放電容器を小さくすることが可能となり、装置全体の占有体積を小さくすることができる。また、電極１２の放電容器内部側の表面近傍にのみ磁場を形成することから、基板１８を貫く磁力線３１は発生せず、基板のダメージを抑制できる。
【００５０】
図８は本発明の第２の実施形態を示し、図２と同様な図であって、放電容器と磁場形成機構の縦断面図を示す。電極１２の大気側に、磁気回路ユニット６０１とその周囲の第１の実施形態で示した磁気回路ユニット８０５が、放電容器中心軸１３ａを中心とする同心円状に配置されている。磁気回路ユニット６０１は、断面形状が下方に開いたコの字型で、全体形状が放電容器中心軸１３ａの回りに環状であるヨーク４１と、このヨーク４１の内部に収容された電磁石（電磁石巻線）４２とで構成される。磁気回路ユニット６０１は、断面コの字型のヨーク４１の開放側が電極１２に向い、ヨーク４１の開放側で放電容器１３内に磁場を形成する。図示されるごとく、ヨーク４１の磁極は、内周縁の下部がＳ極、外周縁の下部がＮ極になるように形成される。磁気回路ユニット８０５の形状、寸法、磁極配置は前述の第１実施形態の場合と同じである。従って磁気回路ユニット６０１は、ヨーク４１の外周側の磁極と磁気回路ユニット８０５の電極側に向かう磁極とが同極となるように構成される。磁気回路ユニット６０１と磁気回路ユニット８０５は、電極１２と非接触状態で配置され、それぞれ水冷管４３、水冷管２０により冷却されている。
【００５１】
上記構成を有する磁場形成機構によれば、放電容器１３内に第１の実施形態と同様の磁場を形成することができ、同様な効果を発揮することができる。さらに本実施例によれば、電磁石４２に流れる電流を制御することにより、機械的に磁場形成機構を移動させることなく、放電容器１３内に形成される磁場強度と磁場配置を制御できる。
【００５２】
図９は第２の実施形態の変形例を示す。この実施形態では、上記磁気回路ユニット６０１を、同心円状に配置された複数の環状の磁気回路ユニット６０２〜６０４で置き換えている。磁気回路ユニット６０２〜６０４は、断面がコの字型の環状のヨーク５１と、ヨーク５１に収容される電磁石５２とから構成される。そしてヨーク５１の開放側が電極１２に向かう配置とし、ヨーク５１の開放側で放電容器１３内に磁場を形成する。各磁気回路ユニット６０２〜６０４の電磁石５２では、ヨーク５１の内周端がＳ、外周端がＮとなるように電流が流れる。また各磁気回路ユニット６０２〜６０４も水冷管５３で冷却されている。この構成によっても、放電容器１３内の電極近傍の領域に任意の磁場強度と磁場配置をより弾力的に形成することができる。
【００５３】
図１０は、本発明の第３の実施形態を示し、図２と同様な図であって、放電容器と磁場形成機構の縦断面図を示す。本実施形態による磁場形成機構は、第１実施形態で用いた磁気回路ユニット８０１〜８０４と、新たな磁気回路ユニット８０６とが電極１２の大気側に同心円状に配置される。磁気回路ユニット８０６は、電極１２の大気側位置に配置される磁場形成機構で最外周に配置される。また磁気回路ユニット８０６は、環状ヨーク１６ｆに固定された内外の永久磁石５１１，５１２の電極側磁極が共にＳ極になっており、かつ電極１２からの距離が磁気回路ユニット８０２〜８０４と同じになっている。磁気回路ユニット８０１〜８０４，８０６の他の構成は、図２で説明した構成と同じである。
【００５４】
さらに新たな磁気回路ユニット６０５が磁気回路ユニット８０１〜８０４，８０６の外周に配置される。磁気回路ユニット６０５は、最外周の磁気回路ユニット８０６との境界部分が電力導入窓１１のほぼ直上近傍となる寸法を有し、磁気回路ユニット８０６および電力導入窓１１の外側に配置され、かつ放電容器１３の周囲に配置される。磁気回路ユニット６０５は、断面がほぼ矩形となるように形成され、かつ放電容器１３を囲むように環状の形状を有するヨーク６１と、ヨーク６１内に設けられる環状の電磁石６２とで構成される。電磁石６２の内径は、放電容器１３の外径よりも大きな寸法とし、電磁石６２は放電容器１３の高さより高い位置に固定している。電磁石６２はヨーク６１により周囲を覆われた状態にある。ただし電磁石６２とヨーク６１の間には中空部となる空間が設けられ、この空間を形成するヨーク６１の内周側の側壁と下部壁の一部は切り欠かれている。断面がほぼ矩形型のヨーク６１の切り欠き部の一端が電力導入窓１１の直上近傍、そして他の一端が電力導入窓１１の下端となるように構成され、配置される。磁気回路ユニット６０５による磁場は、ヨーク６１の切り欠き部により放電容器１３内に形成される。アンテナ１９は、放電容器１３の側壁、ヨーク６１、電磁石６２で囲まれた空間内に配置される。
【００５５】
磁気回路ユニット８０１〜８０４の永久磁石の電極側の磁極は、第１実施形態と同様に、隣り合う永久磁石の電極側の磁極と異極となっている。最外周の磁気回路ユニット８０６に設けられた永久磁石５１１、５１２の電極１２の側の磁極は前述の通り同一でＳ極とした。この際、上記磁気回路ユニット６０５における電力導入窓１１の直上となるヨーク６１の一端は、磁気回路ユニット８０６の永久磁石８０６の電極１２に向かう磁極と同極、すなわちＳ極としている。磁気回路ユニット８０１〜８０４，８０６と磁気回路ユニット６０５は、第１および第２の実施形態と同様に電極１２と非接触状態で配置される。また磁気回路ユニット８０６，６０５も水冷管２０，６３により冷却されている。
【００５６】
以上の磁場形成機構の構成により、放電容器１３の内部に第１の実施形態と同様の磁束分布を形成することができる。また本実施形態によれば、電磁石６２に流れる電流を制御することにより、放電容器１３内の電力導入窓１１近傍に形成される磁場強度と磁場配置を弾力的に制御できる。さらに本実施形態では、図１０に示すように、電磁石６２の内径が放電容器１３の外径よりも大きくし、かつ、ヨーク６１の内周側部分６１ａのみを取り外し可能である様に接合部６１ｂを設けた。これにより、電磁石６３を固定した状態で電極１２と電力導入窓１１の取り外しが可能となる。この際、第２の実施形態の構成に比較して電極１２上の永久磁石を使用した磁気回路ユニット８０１〜８０４，８０６は軽量であり、取り外しが容易であるため、保守が容易となる。
【００５７】
図１１は、本発明の第４の実施形態を示し、図２と同様な図であって、放電容器と磁場形成機構の縦断面図を示す。本実施形態による磁場形成機構では、図９を参照して説明した第２実施形態の変形例で用いた磁気回路ユニット６０２，６０３と、磁気回路ユニット６０６を電極１２の大気側に設けると共に、図１０で説明した第３実施形態による磁気回路ユニット６０５を配置している。電極１２の上側に配置される磁気回路ユニット６０６は、電磁石７２が断面コの字型ヨーク７１により囲まれて構成される。また断面コの字型のヨーク７１は、外側縁を二重とし、同一磁極（Ｎ極）を２つ形成した構造である。磁気回路ユニット６０５は、第３の実施形態の場合と同様に配置される。ただし磁気回路ユニット６０５では電流の通電方向を反対にして磁極の配置を反対にしている。その他の構造は、前述の各実施形態で説明されたものと同じである。以上の構成により、外周部に３つのＮ極が並び、放電容器１３の内部に第１の実施形態と実質的に同じ磁場を形成できる。さらに、各電磁石５２，６２，７２を流れる電流を制御することにより、機械的に磁場形成機構を移動させることなく、放電容器内に形成する磁場の磁場強度と磁場配置を制御できる。特に、前述の各実施形態に比較して、より弾力的な放電容器内の磁場制御が可能である。
【００５８】
図１２は上記第４実施形態の変形例である。この実施形態では、上記実施形態の磁気回路ユニット６０５，６０６を、磁気回路ユニット６０７，６０８で置き換えている。磁気回路ユニット６０７，６０８は、前述のヨーク６１，７１においてそれぞれ内周側と外周側を切り欠いてなるヨーク１６１，１７１を備えている。、磁気回路ユニット６０７，６０８の各ヨーク１６１，１７１は、両者の中間に位置するヨーク８１で連結するように構成して、電力導入窓１１の直上近傍に３つの同一の磁極（Ｎ極）を形成している。従って接合部１６１ａと１７１ａが形成される。その他の構成は、図１１で説明したもの同じである。この構成によれば、図１１に示した磁場形成機構の形成する磁場と同様の磁場を放電容器１３の内部空間に形成することが可能である。
【００５９】
なお第４実施形態の他の変形例として最外周の磁気回路ユニット６０５のヨーク６１の内周側のＮ極を二重にすることも可能である。
【００６０】
前述の各実施形態では円筒形の電力導入窓の例を説明した。本発明の構成は天井部のないドーム状（または半球状）の電力導入窓に対しても適用できる。図１３は本発明の第５実施形態を示し、ドーム状の電力導入窓８２を用いた放電容器の断面図を示す。電極１２の大気側には磁場形成機構が配置されている。また、電力導入窓８２の外側のほぼ中央位置に、電力導入窓８２の外側にはその外面に対して断面の長手方向がほぼ直交するごとく断面形状が偏平な環状のアンテナ８３が配置されている。磁場形成機構は、５重の環状の磁気回路ユニット８０１〜８０４，８０７を同心円状に配置することで構成される。ここで、磁気回路ユニット８０７は、ヨーク１６ｇの内周縁の永久磁石５１３の電極１２側の面に向かう磁極がＳ、外周縁の永久磁石５１４の電極３側の面に向かう磁極がＮである。すなわち磁気回路ユニット８０１〜８０４，８０７の永久磁石５０１〜５０８，５１３，５１４の電極１２側の面に向かう磁極は、隣り合う永久磁石５０１〜５０８，５１３，５１４の電極１２に向かう磁極と異極になる構成になっている。磁気回路ユニット８０１〜８０５，８０７は、電極１２の熱が直接伝達されないように電極１２に非接触状態で配置し、同時に磁気回路ユニット８０７も磁気回路ユニット８０１〜８０４と同様に水冷管２０により水冷して、電極１２からの熱輻射、対流による磁気回路ユニット８０７の温度上昇を抑制し、永久磁石５１３、５１４の劣化を防いでいる。本実施形態でも、電極１２と磁気回路ユニット８０１〜８０４，８０７の間を１００Ｐａ程度以下の真空またはテフロン等の他の断熱層を形成することで、熱の伝達をさらに抑制することできる。
【００６１】
図１４は、本実施形態における磁場シュミレーションの結果として、磁場形成機構によって形成される放電容器内の磁力線３１の分布を示す。磁気回路ユニット８０１〜８０４，８０７の電極１２に対する配置は、例えば、電極１２との距離を内周側から１８ｍｍ、１８ｍｍ、１８ｍｍ、５ｍｍ、５ｍｍとした。５重の磁気回路ユニット８０１〜８０４，８０７で形成される放電容器内の磁力線３１のうち、電極１２の中心付近を貫く磁力線３１は、電極１２の中心近傍である約φ１００ｍｍ以内の領域を貫通し、ドーム状の電力導入窓８２の内壁を横切ることなくこれに実質的に沿うように形成され、電極１２の周辺部である磁気回路ユニット８０７の直下の電極１２の箇所１３を集中して貫いている。そして、磁力線３１と電極１２に囲まれた領域に存在する放電容器内のすべての磁力線３１は、放電容器出口側に凸となっており、電極１２から電極１２に至る経路においては放電容器を横切ることはない。従って、磁力線３１と電極１２とで取り囲まれた空間が、放電容器１３の中心軸１３ａを中心として環状に電極１２の真空側に形成されている。この構成により、ドーム状の電力導入窓８２を用いた場合にも、第１から第４の実施形態の円筒状の電力導入窓１１と同様にプラズマの均一性を良好とすることが可能である。本実施形態では、磁気回路ユニット８０７の永久磁石５１３，５１４の配置を磁気回路ユニット８０１〜８０４と同一としたが、第１の実施形態で用いた磁気回路ユニット８０５の永久磁石５０９，５１０の配置と同一とし、永久磁石５０９，５１０の間の距離を広くする、または、永久磁石５０８，５０９間の距離を狭くする、または、これらの永久磁石５０８〜５１０の強度を変化させることで、ドーム状を電力導入窓とした場合にも対応可能である。
【００６２】
以上の各実施形態では、１ループアンテナを用いた誘導結合型プラズマ源の実施例を示したが、多重ループアンテナを用いたプラズマ源にも本発明の構成を適用できるのは勿論である。また本発明の実施形態では、円筒状電力導入窓１１を用いた例を示したが、矩形または多角形状の筒となった放電容器に対しても本発明を適用できるのは勿論である。さらに上記実施形態の放電容器の内径は最も好ましい例として３６２ｍｍとしたが、これに限定されるものではなく、これよりも大きくてもよい。
【００６３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように本発明によれば、誘導結合型プラズマ処理装置において放電容器の電極の外側または放電容器の側部周囲に所定構造の磁場形成機構を設け、放電容器内の磁力線分布を所定のものにしたため、放電容器の内部および出口近傍でのプラズマの均一性を制御でき、±１０％以内の均一性の良好な領域は放電容器の断面積に対し面積で４５％程度にまで拡大することができる。このため、被処理基板の面積に対する放電容器の口径を小さくでき、かつ放電容器出口近傍で被処理基板の均一な処理を行うことできる。従って、プラズマ処理装置全体の小型化が達成される。また放電容器の口径の大型化により、例えば直径が３００ｍｍ以上の基板の大径化にも対応可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置の一部を切り欠いた外観斜視図である。
【図２】図１中のＣ１−Ｃ１線断面図である。
【図３】第１実施形態による磁場形成機構により形成された磁力線分布形状の磁場シミュレーション結果を示す図である。
【図４】第１実施形態による磁力線分布での電子の運動状態を示す図である。
【図５】内径３６２ｍｍの放電容器を用い放電圧力１．３Ｐａとした場合の放電容器出口から５０ｍｍでのＡｒプラズマのプラズマ密度分布を示す特性図である。
【図６】第１実施形態の変形例を示す図２と同様な断面図である。
【図７】第１実施形態の変形例による磁場形成機構により形成された磁力線分布形状の磁場シミュレーション結果を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置についての放電容器と磁場形成機構を示す図２と同様な断面図である。
【図９】第２実施形態の変形例を示す図２と同様な断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係るプラズマ処理装置についての放電容器と磁場形成機構を示す図２と同様な断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係るプラズマ処理装置についての放電容器と磁場形成機構を示す図２と同様な断面図である。
【図１２】第４実施形態の変形例を示す図２と同様な断面図である。
【図１３】本発明の第５実施形態に係るプラズマ処理装置についての放電容器と磁場形成機構を示す図２と同様な断面図である。
【図１４】第５実施形態による磁場形成機構により形成された磁力線分布形状の磁場シミュレーション結果を示す図である。
【符号の説明】
１１，８２                電力導入窓
１２                      電極
１３                      放電容器
１３ａ                    放電容器の中心軸
１４                      真空容器
１５                      ヒータ線
１６ａ〜１６ｆ            ヨーク
１７                      基板保持機構
１８                      基板
１９，８３                環状アンテナ
３１                      磁力線
３２                      電子
４１，５１，６１，７１    ヨーク
４２，５２，６２，７２    電磁石
５０１〜５１２            永久磁石
６０１〜６０８            磁気回路ユニット
８０１〜８０６，８０７    磁気回路ユニット
【図１】
0003666999.tif 000003
【図２】
0003666999.tif 000004
【図３】
0003666999.tif 000005
【図４】
0003666999.tif 000006
【図５】
0003666999.tif 000007
【図６】
0003666999.tif 000008
【図７】
0003666999.tif 000009
【図８】
0003666999.tif 000010
【図９】
0003666999.tif 000011
【図１０】
0003666999.tif 000012
【図１１】
0003666999.tif 000013
【図１２】
0003666999.tif 000014
【図１３】
0003666999.tif 000015
【図１４】
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