(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのパネルと、
２つの回路基板と、を有し、
前記２つの回路基板の各々には、電流を供給する電源キャパシタと、電気信号を伝達するための配線パターンが形成され、前記電源キャパシタからの前記パネルへ電流を供給するための中継基板と、を有し、
前記中継基板の配線パターンは、電流を供給する１箇所の入口と、前記パネル側に電流を供給する２箇所の出口と、前記１箇所の入口と前記２箇所の出口とをそれぞれ結ぶ２つの経路と、を有し、
前記配線パターン上の前記出口と前記入口の間で、且つ前記配線パターンの前記２つの経路のうち電流が流れやすい一方の経路側にスリットが形成されたこと
を特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記スリットの形状は、多角形の組み合わせからなること
を特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記スリットの形状は、前記２つの経路のうちでインダクタンス値のより大きい経路に対応する電流の出口に近い側に、凸部を有するＬ字形になっていること
を特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記スリットの形状は、曲線で構成されること
を特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記配線パターンは、前記中継基盤の表裏２層のそれぞれに形成されたこと
を特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記配線パターンとは別の層に渦電流層を有すること
を特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記渦電流層は、前記配線パターンを投影した領域を含む大きさを有すること
を特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記渦電流層は、前記配線パターン上の前記２つの経路のうちインダクタンス値のより大きい経路を投影した領域を含む大きさを有すること
を特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記渦電流層は、前記配線パターンと１箇所で電気的に接続されたこと
を特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種パワーエレクトロニクス機器に用いられる回路基板の構造に関し、特に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）で利用される駆動基板の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、配線パターンのインダクタンスバランスを調整する手法としては、次のようなものが知られている。例えば、特開平１１-１８６６９１号公報には、回路素子の回路特性を調整する手法として、回路素子が微小な隙間を介して隣接するようにパターン形成し、隣接するパターン部の間に金属バンプを形成し、隣接するパターン部の間を短絡させることにより、回路特性を調整するものが記載されている。また、特開平１-９６９９０号公報には、基板上に複数本の平行導体を形成し、これらの間を短絡する複数本のボンディングワイヤによってインダクタンス値を調整するものが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の公報記載の技術では、金属バンプやボンディングワイヤといった新たな部品の追加を伴うので、工程数の増加につながるという問題がある。また、部品を後付けするため、部品の搭載位置やインダクタのインダクタンス値を少しずつ変化させながら、経路のインダクタンス値が求める値に近付くように調整する手法を取らざるを得ず、配線パターンの解析によってインダクタンスの値をある程度推測するという手法を取ることができない。
【０００４】
本発明の目的は、配線パターンの形状等を制御することによって、回路基板における複数の経路間のインダクタンスバランスの制御を実現することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る回路基板は、電気信号を伝達するための配線パターンが形成された回路基板において、前記配線パターンは、少なくとも電流の入口を１箇所と電流の出口を２箇所備え、前記入口と前記出口２箇所とをそれぞれ結ぶ第一の経路と第二の経路とが前記配線パターン上に存在し、電流が前記配線パターン上を平面状に流れる回路基板である。
【０００６】
そして、第１の回路基板は、前記第一の経路と前記第二の経路のインダクタンスのバランスをとるためのスリット領域を有することを特徴とする。当該スリット領域は、例えば、当該スリット領域が存在しないときに、前記第一の経路と前記第二の経路のうちでインダクタンス値のより小さい経路が通る領域を含むように設けられる。
【０００７】
この場合において、前記スリット領域の形状は、多角形の組み合わせからなるようにしてもよい。例えば、前記第一の経路と前記第二の経路のうちでインダクタンス値のより大きい経路に対応する電流の出口に近い側に、凸部を有するＬ字形になっているようにしてもよい。また、前記スリット領域の形状は、曲線で構成されるようにしてもよい。
【０００８】
また、第２の回路基板は、前記配線パターンは、当該回路基板の表裏２層に存在し、表面にある前記配線パターンの電流の入口と裏面にある前記配線パターンの電流の入口とは電気的に接続されており、表面に存在する前記第一の経路及び前記第二の経路と、裏面に存在する前記第一の経路及び前記第二の経路とがそれぞれ同一になることを特徴とする。
【０００９】
以上の場合において、前記配線パターンとは別の層に渦電流層を備えるようにしてもよい。
【００１０】
この場合、前記渦電流層は、前記配線パターンを投影した領域を含む大きさを有するようにしてもよく、また、前記第一の経路と前記第二の経路のうちでインダクタンス値のより大きい経路を投影した領域を含む大きさを有するようにしてもよい。また、前記第一の経路と前記第二の経路のうちでインダクタンス値のより小さい経路を投影した領域での渦電流の形成を妨げるスリット領域を有するようにしてもよい。また、前記渦電流層は、前記配線パターンと１箇所で電気的に接続されていてもよい。
【００１１】
本発明に係るディスプレイ装置は、上記いずれかの回路基板を備えたディスプレイ装置である。そして、第１のディスプレイ装置は、出力用の半導体スイッチング素子を通って０．５μｓで２０Ａ以上立ち上がる電流が前記配線パターン上を流れるとき、前記第一の経路と前記第二の経路との電圧ドロップの差が５Ｖ以下であることを特徴とする。
【００１２】
また、第２のディスプレイ装置は、前記配線パターン上を流れる電流の変化率をΔｉ／Δｔとし、許容可能な電圧ドロップの差をΔＶとしたときに、前記第一の経路と前記第二の経路とのインダクタンスの差ΔＬが、ΔＬ＝ΔＶ／（Δｉ／Δｔ）で表される値以下になることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００１４】
《第１実施形態》
まず、本発明が適用されるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の構成について説明する。
【００１５】
図１は、ＰＤＰを駆動基板側から見た斜視図である。同図に示すように、本ＰＤＰは、サステインＹ基板２０と、サステインＸ基板２１と、Ｙ側出力素子２２と、Ｘ側出力素子２３と、Ｙ側電源キャパシタ２４と、Ｘ側電源キャパシタ２５と、Ｙ側中継基板２６と、Ｘ側中継基板２７と、Ｙ側ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit board）２８と、Ｘ側ＦＰＣ２９と、戻りアース板２００と、ベース板２０１と、接着シート２０２と、パネル２０３と、パネル２０４とを備える。
【００１６】
サステインＸ基板２１には、Ｘ側電源キャパシタ２５とＸ側出力素子２３が搭載されており、サステインＹ基板２０には、Ｙ側電源キャパシタ２４とＹ側出力素子２２が搭載されている。
【００１７】
また、サステインＸ基板２１には、Ｘ側中継基板２７が接続され、Ｘ側ＦＰＣ２９を介してパネル２０４に接続される。サステインＹ基板２０も同様に、Ｙ側中継基板２６およびＹ側ＦＰＣ２８を介してパネル２０４に接続される。パネル２０３は、接着シート２０２を介してベース板２０１に固定されている。
【００１８】
パネル２０４とパネル２０３の内部には、ＸｅやＮｅなどの希ガスが封入されており、Ｘ側出力素子２３、Ｙ側出力素子２２及びアドレス側出力素子（不図示）それぞれの電圧を変化させることによって、パネル２０３と２０４の内部のガスを放電させ、発生した紫外線で蛍光体を発光させている。
【００１９】
発光の際の経路を、サステインＸ基板２１を例にとって説明する。Ｘ側電源キャパシタ２５から供給された電流は、Ｘ側出力素子２３の上相を通ってＸ側中継基板２７で２経路に分かれ、Ｘ側ＦＰＣ２９を通って、パネル２０４を流れる。パネル２０４を通った電流は、サステインＹ基板２０のＹ側出力素子２２の下相を通って、Ｙ側のアースに達する。Ｙ側のアース及びＸ側のアースは、戻りアース板２００とそれぞれつながっており、Ｙ側のアースに達した電流は、戻りアース板２００を通って、最終的にＸ側電源キャパシタ２５のアースに到達し、ループとして形成される。
【００２０】
サステインＹ基板２０についても同様に、Ｙ側電源キャパシタ２４から供給された電流は、Ｙ側出力素子２２上相→Ｙ側中継基板２６→Ｙ側ＦＰＣ２８→パネル２０４→Ｘ側出力素子２３下相→Ｘ側アース→戻りアース板２００を通って、Ｘ側電源キャパシタ２５のアースに到達し、ループが形成される。
【００２１】
次に、Ｙ側中継基板２６の構成について説明する。なお、Ｘ側中継基板２７についても以下同様に考えて良い。
【００２２】
図２は、Ｙ側中継基板２６の構成を示す図である。Ｙ側中継基板２６は、配線パターン２０５，２０６が表裏面に形成された２層基板であり、厚さは１．６ｍｍである。本基板２６は、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁物によって構成される。図２では、配線パターン２０５と２０６の形状が異なる場合を示している。
【００２３】
同図に示すように、配線パターン２０５は、１箇所の電流の入口２０７と２箇所の電流の出口２０８，２０９を備えており、配線パターン２０６も、１箇所の電流の入口２１０と２箇所の電流の出口２１１，２１２を備えている。
【００２４】
配線パターン２０５の電流の入口２０７と配線パターン２０６の電流の入口２１０は、ともにサステインＹ基板２０に接続される。配線パターン２０５の電流の出口２０８，２０９と配線パターン２０６の電流の出口２１１，２１２は、それぞれＹ側ＦＰＣ２８を介してパネル２０４に接続される。これにより、Ｙ側中継基板２６に入力された電流は、配線パターン２０５，２０６のそれぞれで２経路に分かれ、表裏あわせて、４経路に分かれて、パネル２０４に供給される。
【００２５】
電流は、配線パターン上ではそのエネルギーが最も低くなるように分布する。配線パターン２０５，２０６のように同一配線パターン上で複数の経路が存在する場合、同方向に流れる電流に対しては反発するような力が働き、逆方向に流れる電流に対しては引張るような力が働く。
【００２６】
図３は、配線パターン２０５，２０６における電流の経路の様子を示す図である。電流の入口２０７から電流の出口２０８，２０９へ流れる電流に関して、配線パターン２０５上で電流密度の等高線が形成される。電流密度の最も高い部分を電流の経路とすると、電流の入口２０７から電流の出口２０８へ流れる電流に対しては、経路３４が形成される。同様に、電流の入口２０７から電流の出口２０９へ流れる電流に対しては、経路３５が形成される。配線パターン２０６についても、電流の入口２１０から電流の出口２１１、２１２へと経路３０４、３０５が形成される。経路３４と３５は、配線パターン２０５上で一部分を共有しており、完全に分離してはいない。経路３０４、３０５も同様に、互いに一部分を共有している。
【００２７】
配線パターン２０５において、電流の入口２０７は、電流の出口２０８と２０９を結ぶ対称線よりも電流の出口２０８に近い位置にある。したがって、配線パターン２０５が、金属箔がなく電気信号を伝達できない領域であるスリット３６を持たないベタパターンであった場合、経路３４と３５に流れる電流値に差ができ、インダクタンスの差が生じる。配線パターン２０５上で、電流が流れやすい経路３４側にスリット３６を入れることにより、経路３４と３５に流れる電流値をバランスさせることができる。配線パターン２０６についても同様に考えられ、スリット３６および３０６の左右方向の長さを変えることにより、経路３５および３０５の電流値を調節することができる。
【００２８】
次に、配線パターン２０５および２０６における電流間の相互作用について説明する。配線パターンの一部３７において、経路３４はスリット３６の上下で右方向と左方向の逆向きの電流となるため、電流間には引張り力が働く。逆向きに流れる２電流が作る磁界は互いに打ち消し合うため、経路３４のインダクタンスの増加分は、スリット３６によって経路長が増えることによるインダクタンスの増加分よりも小さくなる。配線パターンの一部３８では、経路３４と３５が同方向に流れているため反発力が働き、経路３４はスリット３６側に、経路３５は配線パターン３０の外側に押し出されるように電流が分布する。
【００２９】
配線パターン２０６でも同様の相互作用が働いている。配線パターンの一部３０７では、スリット３０６の上下で経路３０４の電流に引張り力が働き、磁界の打ち消し合いによりインダクタンスの増加が抑えられる。配線パターンの一部３０８では、経路３０４と３０５の反発力のため、経路３０４はスリット３０６側に、経路３０５は配線パターン２０６の外側に押し出される。
【００３０】
配線パターンの一部３８， ３０８では、同一パターン上での反発力のほかに、表裏面の配線パターン２０５と２０６の形状が異なるために起きる相互作用もある。電流の出口２１２は電流の出口２０９よりも右側に存在するため、同方向の電流が流れる経路３５と３０５の間には反発力が働き、経路３５は左側に、経路３０５は右側に押し出される。配線パターンの一部３０９においても、同方向の電流が流れる経路３４と３０４の間には反発力が働き、経路３０４が左側に押し出される。このように、表裏面の配線パターン２０５と２０６の形状が異なっているときは、電流の反発力により、経路３４と３０４のインダクタンスおよび経路３５と３０５のインダクタンスを揃えることができない。
【００３１】
このように経路によってインダクタンスの値が変わると、インダクタンスに起因する電圧ドロップの値が変化する。この電圧ドロップの差は、パネル２０４の輝度の差を生じさせ、ＰＤＰの性能を大きく損なう。同一配線パターン上においても、電流の入口と２箇所ある電流の出口の位置関係により２つの経路のインダクタンスが異なった場合、電圧ドロップの値に差が生じる。したがって、表裏面の配線パターン２０５，２０６のインダクタンスバランスを図るためには、配線パターンの形状を基板表裏面で同一にする必要がある。
【００３２】
図４は、形状と大きさを表裏面で揃えた配線パターンを示す図である。同図（ａ）は、基板表面の配線パターン１０を示し、同図（ｂ）は、基板裏面の配線パターン１００を示す。配線パターン１０および１００を同一形状にすることにより、表裏の配線パターン間でインダクタンスのバランスを図っている。
【００３３】
配線パターン１０および１００は、厚さ３５μｍの銅箔から成り、寸法は、左右方向の長さが１８０ｍｍ程度、上下方向の幅が３０ｍｍ程度である。スリット１６および１０６の左右方向の長さは１５０ｍｍ程度、上下方向の幅は８ｍｍ程度である。基板表面の配線パターン１０では、電流の入口１１から電流の出口１２，１３へと経路１４，１５が形成され、基板裏面の配線パターン１００では、電流の入口１０１から電流の出口１０２，１０３へと経路１０４，１０５が形成される。経路１４と１５は、配線パターン１０上で一部分を共有しており、経路１０４，１０５も同様に配線パターン１００上で一部分を共有している。なお、配線パターン１０および１００のどちらかに、経路１４，１５，１０４，１０５に影響を与えない配線パターンが追加されていてもよい。
【００３４】
次に、図４に示すような構成を有する配線パターンのインダクタンス値について説明する。この場合、配線パターン１０と１００は同一形状なので、電流間の相互作用は、表裏面で等しいと見なせる。従って、以下、表面の配線パターン１０についてのみ説明する。
【００３５】
配線パターン１０上で、電流が流れやすい経路１４側にスリット１６を入れることにより、経路１４と１５に流れる電流値をバランスさせる。スリット１６の左右方向の長さを変えることにより、経路１５の電流値を調節することができる。スリット１６により、経路１４と１５の間には反発力が働き、経路１４はスリット１６側に、経路１５は配線パターン１０の外側に寄る。スリット１６の上下方向の幅を調整することにより、経路１４のインダクタンスの値を調節することができる。
【００３６】
図５は、配線パターン１０上での電流の相互作用を説明するために、電流が流れる２経路を回路的に表した図である。配線パターンは、回路的にはインダクタンス成分で表すことができる。電源４０が接続された回路は、経路１４に対応する回路で、経路１４の部分経路１１０，１１１をそれぞれインダクタンス４２，４３で表し、電流４００，４０１が同図に示した向きに流れるとする。
【００３７】
電源４１が接続された回路は、経路１５に対応する回路で、経路１５の部分経路１１２，１１３をそれぞれインダクタンス４４，４５で表し、電流４０２，４０３が同図に示した向きに流れるとする。
【００３８】
電流４００と４０１は逆向きなので、インダクタンス４２と４３の間では相互インダクタンス４６によりインダクタンスが低減する。同様に、インダクタンス４３と４４の間では相互インダクタンス４７によりインダクタンスが低減する。また、電流４００と４０２は同じ向きなので、インダクタンス４４と４２の間では相互インダクタンス４８によりインダクタンスが増加する。したがって、経路１４のインダクタンスは、インダクタンス４２＋インダクタンス４３−相互インダクタンス４６−相互インダクタンス４７＋相互インダクタンス４８となる。同様に、経路１５のインダクタンスは、インダクタンス４４＋インダクタンス４５−相互インダクタンス４７＋相互インダクタンス４８となる。
【００３９】
図６は、スリット１６を入れたときと入れないときのインダクタンスの変化の様子を示す図である。同図の縦軸は、インダクタンス値、横軸は経路を表す。すなわち、白丸５０，５１は、それぞれ、スリット１６を入れないときの経路１４，１５のインダクタンス値を示し、黒丸５２，５３は、スリット１６を入れたときの経路１４，１５のインダクタンス値を示している。
【００４０】
ＰＤＰ装置の放電維持期間、即ちパネルのガスが放電して画像を表示する期間においては、出力用の半導体スイッチング素子を通って０.５μsで２０Ａ以上（例えば、１００Ａ／μｓで）立ち上がる電流が配線パターン１０上を流れる。配線パターン１０がベタパターンの場合には、経路１４と１５のインダクタンスの差は、例えば、１５０ｎＨになるので、電流の時間変化率を１００Ａ／μｓとすると、このインダクタンスの差は電圧ドロップの差１５Ｖに相当する。このような大きな電圧ドロップの差は、パネルの輝度の差を生じさせ、ＰＤＰの性能を大きく損なう。
【００４１】
一方、経路１４のインダクタンスを経路１５に揃えるため、配線パターンにスリット１６を入れ、スリット１６の長さと幅を調整すると、経路１４，１５ともにインダクタンスの値はスリット１６がないときに比べ増加するが、経路１４と１５のインダクタンスの差を１０ｎＨ以下、電圧ドロップの差に換算して１Ｖ以下にすることができ、スリット１６を入れることによってインダクタンスバランスを改善することができる。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態では、配線パターン１０およびスリット１６の調節によって複数の経路間のインダクタンスのバランスを制御するので、解析によってある程度パターン形状を決めてから、実測で確認し、最終形状を詰めていくという手法を取ることができる。
【００４３】
《第２実施形態》
図７は、スリットの形状をＬ字形にした場合の配線パターンを示す図である。
【００４４】
配線パターン６０は、図４と同様に、Ｙ側中継基板２６の表裏面に配置される。配線パターン６０は、電流の入口６１と電流の出口６２，６３を備え、電流の入口６１から電流の出口６２と６３へはそれぞれ経路６４と６５が形成される。経路６４と６５は、配線パターン６０上で一部分を共有しており、完全に分離してはいない。
【００４５】
経路６４と６５のインダクタンスバランスを改善するために配線パターン６０に長方形の切れ込み部６６を入れる点は図４と同じであるが、ここでは更に配線パターンの一部６８において、切れ込み部６６の右上側境界の一部と一致するように長方形の穴６７が設けられており、切れ込み部６６と穴６７は組み合わさってＬ字形スリットを形成している。穴６７は、切れ込み部６６に対して、電流の出口６３に近い側に設けられており、切れ込み部６６と穴６７の間を電流は通りぬけることができない。
【００４６】
図８は、長方形のスリットを入れたときと、Ｌ字形のスリットを入れたときのインダクタンスの変化の様子を示す図である。同図の縦軸は、インダクタンスの値、横軸は経路を表す。すなわち、白丸７０，７１は、それぞれ、長方形のスリットを入れたときの経路６４，６５のインダクタンス値を示し、黒丸７２，７３は、それぞれ、Ｌ字形のスリットを入れたときの経路６４，６５のインダクタンス値を示している。
【００４７】
スリットをＬ字形にすることにより、長方形の場合に比べて、経路６５の電流の出口６３に回り込む電流がより多くなる。さらに、配線パターンの一部６８において、穴６７の左側を流れる経路６４の電流の向きと穴６７の右側を流れる経路６５の電流の向きは逆方向なので、磁界の打ち消し効果が働く。穴６７の左右方向の幅を１ｍｍ程度として、磁界の打ち消し効果を増加させることにより、電流が流れにくい経路６５のインダクタンスを減らすことができる。
【００４８】
また、経路６４については、Ｌ字形スリットにすることにより経路全体の長さが大きくなるが、穴６７の左側と穴６７の右側を流れる経路６４の逆方向電流により磁界が打ち消し合うため、経路６４のインダクタンスの増加を抑制することができる。このように、スリットを多角形の組み合わせとすることにより、長方形のスリットだけではインダクタンスのバランスを図ることが難しい配線パターンでも、インダクタンスを制御することができる。
【００４９】
《第３実施形態》
図９は、曲線から成るスリットが入った配線パターンを示す図である。
【００５０】
配線パターン８０は、左右方向の長さよりも上下方向の長さの方が長いパターンである。配線パターン８０は、電流の入口８１と電流の出口８２，８３を備え、電流の入口８１から電流の出口８２，８３へはそれぞれ経路８４，８５が形成される。経路８４と８５は、配線パターン８０上で一部分を共有している。
【００５１】
配線パターン８０がベタパターンの場合、電流は経路８５より経路８４に多く流れるので、スリット８６を入れることにより、経路８５に流れる電流がより多くなる。図４のスリット１６や図７のＬ字形スリットのように、スリット形状が多角形もしくはその組み合わせである場合、スリット右側の頂点付近の狭い領域に電流が集中し、インダクタンスが上昇する原因となる。曲線で構成されたスリット８６にすることにより、電流の集中を防ぐことができる。
【００５２】
経路８４に関しては、経路長が長くなることによるインダクタンス増加の効果と、スリット８６の前後で逆方向電流の磁界の打ち消し合いによるインダクタンス低減の効果とがあり、スリット８６の左右方向の長さと上下方向の幅でインダクタンス値を調節することができる。
【００５３】
曲線から成るスリット８６は、同程度の長さと幅を持つ多角形のスリットよりもインダクタンスを低減させることができる。さらに、電流の集中を防ぐことによる単位面積当たりの発熱量を抑えることができる。
【００５４】
《第４実施形態》
図１０は、スリットの代わりに穴を設けた配線パターンを示す図である。配線パターン９０は、電流が主に流れるパターンの形状が四角形でない場合を表している。
【００５５】
同図に示すように、配線パターン９０は、電流の入口９１と電流の出口９２，９３を備え、電流の入口９１と電流の出口９２，９３は、配線パターン９０上の任意の位置に存在しうる。電流の入口９１から電流の出口９２，９３へはそれぞれ経路９４，９５が形成され、経路９４と９５は、配線パターン９０上で一部分を共有している。
【００５６】
配線パターン９０がベタパターンの場合、電流は経路９５より経路９４に多く流れる。経路９５に回り込む電流をより多くするために、配線パターン９０上に穴９６を設けて、電流が流れることができない領域であるスリットとして用いる。穴９６の左側の境界は配線パターン９０の境界と接していないが、穴９６の境界と配線パターン９０の境界との距離を小さくすることで電流を流れにくくし、経路９４が穴９６の右側に形成されるようにして、経路９４のインダクタンスを経路９５に揃える。
【００５７】
穴９６は、経路９４の電流の集中を防ぐため曲線で構成されており、経路９４と経路９５のインダクタンスの差がそれほど大きくないときは、穴９６の左側の境界と配線パターン９０の左側の境界との距離をパラメータとして、穴９６の左右に流れる電流を調節することもできる。
【００５８】
《第５実施形態》
図１１は、スリットを複数有する配線パターンを示す図である。
【００５９】
配線パターン１０００は、電流の入口１００１と電流の出口１００２，１００３を備えている。電流の入口１００１から電流の出口１００２，１００３へは、それぞれ経路１００４，１００５が形成され、経路１００４と１００５は、配線パターン１０００上で一部分を共有している。
【００６０】
配線パターン１０００がスリット１００６，１００７，１００８の存在しないベタパターンの場合、電流は経路１００５より経路１００４に多く流れるので、経路１００５に回り込む電流をより多くするために、配線パターン１０００上にスリット１００６を設ける。
【００６１】
スリット１００６の左右方向の長さや上下方向の幅を調節しても、経路１００４のインダクタンスが経路１００５よりも小さいときは、経路１００４，１００５のインダクタンスのバランスを図るために、経路１００４の経路長をさらに長くすることが必要である。このような場合には、配線パターン１０００上にスリット１００７，１００８をさらに設けることで、経路１００４のインダクタンスを増加させる。
【００６２】
そして、スリット１００６に関しては、経路１００４の部分経路１０１０と１０１１の逆方向電流によるインダクタンス低減効果を働かせるため、スリット１００６の上下方向の幅は１ｍｍ程度と狭くとる。部分経路１０１１は、経路１００５に対してもインダクタンス低減効果を持つ。スリット１００７と１００８に関しては、部分経路１０１１，１０１２，１０１３が互いに他の経路のインダクタンスを低減する効果を弱めるため、スリット１００７と１００８の上下方向の幅は３ｍｍ以上と広くとる。
【００６３】
本実施形態は、配線パターンに入れるスリット本数をパラメータとして、インダクタンスの大きく異なる経路間のインダクタンスバランスを制御するものである。
【００６４】
《第６実施形態》
図１２は、スリットの入った配線パターンが複数存在する基板を示す図である。
【００６５】
同図に示すように、基板１１１７上には、配線パターン１１００と１１１０が存在する。配線パターン１１００は、電流の入口１１０１と電流の出口１１０２，１１０３を備え、電流の入口１１０１から電流の出口１１０２，１１０３へはそれぞれ経路１１０４と１１０５が形成される。経路１１０４と１１０５は、配線パターン１１００上で一部分を共有している。
【００６６】
同様に、配線パターン１１１０上には、電流の入口１１１１から電流の出口１１１２，１１１３へと経路１１１４，１１１５が形成され、経路１１１４と１１１５は、配線パターン１１１０上で一部分を共有している。
【００６７】
配線パターン１１００上の経路１１０４と１１０５のインダクタンスのバランスを図るためにスリット１１０６が設けられている。配線パターン１１１０に対しても、同様にスリット１１１６が設けられている。
【００６８】
電流が周りの空間に作る磁界の大きさは、電流との距離が大きくなるにつれて小さくなるので、一般に、基板の表裏面にある配線パターン間よりも、基板の同一面にある配線パターン間の方が、電流による相互作用が小さくなる。したがって、基板の同一面に複数の配線パターンが存在した場合、ある配線パターンに対するインダクタンスのバランスを考慮する際に、別の配線パターンへの影響を考慮することなく、個々の配線パターンに対してインダクタンスバランスを制御することができる。
【００６９】
《第７実施形態》
次に、渦電流層を設けた実施形態について説明する。
【００７０】
まず、渦電流層が配線パターンのインダクタンスに及ぼす影響について説明する。
【００７１】
図１３は、渦電流によって配線パターンのインダクタンスが低減する原理を説明するための図である。
【００７２】
同図（ａ）において、配線パターン１４００上を電流１４０２が流れているとき、電流１４０２は周囲の空間に磁界を作る。配線パターン１４００と平行に、ベタパターンである渦電流層１４０１が存在するとき、電流１４０２の作る磁界が渦電流層１４０１を貫き、渦電流層１４０１には、電流１４０２の作る磁界の変化を妨げる向きに電流が流れる。この電流を渦電流と呼ぶ。
【００７３】
渦電流層１４０１が、配線パターン１４００を渦電流層１４０１に投影した領域を必ず含むような大きさを持つ場合、電流１４０２の真下では、渦電流１４０３は電流１４０２と逆向きに流れる。また、その周辺部では、電流１４０２と同方向に渦電流１４０３が流れ、全体として８の字のループを形成する。電流１４０２の真下では、渦電流１４０３は電流１４０２と逆向きに流れ、電流１４０２が作る磁界を渦電流１４０３が作る磁界が打ち消すので、配線パターン１４００のインダクタンスが低減する。この効果を渦電流効果と呼ぶ。渦電流効果の大小は渦電流層１４０１の大きさおよび配線パターン１４００と渦電流層１４０１との距離に依存する。渦電流層１４０１が大きくなればなるほど８の字の渦電流ループが形成されやすくなり、配線パターン１４００と渦電流層１４０１との距離が小さくなればなるほど磁界の打ち消し効果が大きくなるので、配線パターン１４００のインダクタンス低減効果が大きくなる。
【００７４】
同図（ｂ）は、パターンを２層分使って渦電流ループを形成する場合を示す図である。配線パターン１４１０上を流れる電流１４１５に対して、渦電流層１４１１に電流１４１５と逆向きの渦電流１４１６が流れる。渦電流層１４１１は渦電流層１４１２とスルーホール群１４１３，１４１４によって接続される。渦電流層１４１２上では渦電流１４１６と向きが反対で大きさの等しい渦電流１４１７が流れ、渦電流ループを形成する。同図（ｂ）では、渦電流層１４１１が、配線パターン１４１０を渦電流層１４１１に投影した領域を含むような大きさを持っていればよく、同図（ａ）に比べて渦電流層１４１１の面積を小さくすることができる。
【００７５】
同図（ｂ）の渦電流効果は、配線パターン１４１０と渦電流層１４１１，１４１２との距離に依存する。配線パターン１４１０と渦電流層１４１１との距離が小さくなるほど、また、配線パターン１４１０と渦電流層１４１２との距離が大きくなるほど、配線パターン１４１０のインダクタンス低減効果が大きくなる。
【００７６】
図１４は、渦電流層によるインダクタンス低減効果を説明するために、図１３（ａ）の構成を回路的に表した図である。なお、図１３（ｂ）に関しても同様に考えることができる。
【００７７】
配線パターン１４００および渦電流層１４０１は、それぞれインダクタンス１５０１，１５０２で表され、インダクタンス１５０１には電源１５００が接続され、電流１５０４が流れる。インダクタンス１５０２には渦電流１５０５が電流１５０４と逆方向に流れるので、磁界の打ち消し効果がある。インダクタンス１５０１と１５０２の間には相互インダクタンス１５０３が働き、配線パターン１４００のトータルのインダクタンスは、インダクタンス１５０１−相互インダクタンス１５０３となる。つまり、渦電流層１４０１により、配線パターン１４００のインダクタンスを低減することができる。
【００７８】
図１５は、基板の内層２層を渦電流層として使用する場合を示す図である。
【００７９】
基板１２００は、厚さ１.６ｍｍの４層基板であり、表裏面に配線パターン１２０１，１２０２が存在する。配線パターン１２０１，１２０２は、厚さ３５μｍの銅箔から成り、左右方向の長さは１８０ｍｍ程度、上下方向の幅は３０ｍｍ程度である。
【００８０】
基板１２００の内層２層のベタパターンは、渦電流層１２０３，１２０４として使用し、渦電流層１２０３と配線パターン１２０１の距離および渦電流層１２０４と配線パターン１２０２の距離は、ともに０．１ｍｍである。表裏面のインダクタンスバランスを図るために、配線パターン１２０１，１２０２の形状を同一にしている。
【００８１】
なお、渦電流層１２０３は配線パターン１２０１と１箇所で電気的に接続されていても良く、渦電流層１２０４も配線パターン１２０２と１箇所で電気的に接続されていても良い。また、渦電流層１２０３と渦電流層１２０４は、パターンの端部１２０５と１２０６でそれぞれスルーホールにより電気的に接続されていても良い。
【００８２】
図１６は、基板表面の配線パターンと渦電流層の位置関係を示す図である。同図に示すように、図１５と配線パターンの形状は異なるが、配線パターン１３００は、図１５の配線パターン１２０１に対応し、渦電流層１３１５は、図１５の渦電流層１２０３に対応する。実際には、配線パターン１３００と渦電流層１３１５の間には、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁物が存在する。
【００８３】
配線パターン１３００上で、電流の入口１３０１から電流の出口１３０２，１３０３へはそれぞれ経路１３０４と１３０５が形成される。経路１３０４と１３０５は配線パターン１３００上で一部分を共有しており、完全に分離してはいない。
【００８４】
渦電流層１３１５により経路１３０４と１３０５のインダクタンスはともに下がるが、渦電流のループができやすい経路に対してインダクタンス低減効果がより大きくなる。
【００８５】
配線パターン１３００がスリット１３０６，１３０７，１３０８の存在しないベタパターンの場合、電流は経路１３０４より経路１３０５に多く流れるので、経路１３０５に回り込む電流をより多くするために、配線パターン１３００上にスリット１３０６を設ける。配線パターンの一部１３１４でスリット１３０６をＬ字形にすることで、経路１３０５に回り込む電流がより多くなる。
【００８６】
スリット１３０６の左右方向の長さや上下方向の幅を調節したり、Ｌ字形部分の左右方向の幅や上下方向の長さを調節したりしても、経路１３０４のインダクタンスが経路１３０５よりも小さいときは、経路１３０４と１３０５のインダクタンスのバランスを図るために、配線パターン１３００上にさらにスリット１３０７，１３０８を設ける。スリット１３０７，１３０８により、経路１３０４の経路長が長くなり、インダクタンスが増加する。
【００８７】
スリット１３０６に関しては、経路１３０４の部分経路１３１０と１３１１の逆方向電流によるインダクタンス低減効果を働かせるため、スリット１３０６の上下方向の幅は１ｍｍ程度と狭くとる。部分経路１３１１は、経路１３０５に対してもインダクタンス低減効果を持つ。スリット１３０７と１３０８に関しては、部分経路１３１１，１３１２，１３１３が互いに他の経路のインダクタンスを低減する効果を弱めるため、スリット１３０７と１３０８の上下方向の幅は３ｍｍ以上と広くとる。基板裏面についても同様に考えて良い。
【００８８】
図１７は、渦電流層の有無によるインダクタンスの変化の様子を示す図である。同図の縦軸は、インダクタンスの値、横軸は経路を表す。すなわち、白丸１６００と１６０１は、それぞれ、渦電流層１３１５がないときの経路１３０４と１３０５のインダクタンス値を示し、黒丸１６０２と１６０３は、それぞれ、渦電流層１３１５を入れたときの経路１３０４と１３０５のインダクタンス値を示している。
【００８９】
渦電流層１３１５なしで経路１３０４と１３０５のインダクタンスバランスを図った配線パターンに渦電流層１３１５を入れると、ほぼ一定の方向に電流が流れる経路１３０５よりも、スリットを挟んで逆方向に電流が流れる経路１３０４に対してインダクタンス低減効果が大きくなる。したがって、経路１３０４の経路長をより長くする必要がある。渦電流層１３１５を入れ、スリット１３０６，１３０７，１３０８の形状を調整することにより、経路１３０４と１３０５のインダクタンスの絶対値を半分程度に低減することができる。
【００９０】
《第８実施形態》
図１８は、渦電流効果を選択的に用いる基板の構造を示す図である。
【００９１】
配線パターン１７００と渦電流層１７０７との距離は０.１ｍｍであり、配線パターン１７００上で、電流の入口１７０１から電流の出口１７０２，１７０３へと経路１７０４，１７０５が形成される。経路１７０４と１７０５は、配線パターン１７００上で一部分を共有している。配線パターン１７００には、スリット１７０６を設け、電流が流れにくい経路１７０５に回り込む電流をより多くしている。
【００９２】
渦電流層をベタパターンにすると、経路１７０４と１７０５のインダクタンスはともに下がるが、渦電流のループができやすい経路１７０４の方がインダクタンス低減の効果が大きくなる。ここでは、経路１７０４と１７０５のインダクタンス値を下げるとともに、インダクタンス差を小さくするために、経路１７０５に対して主に渦電流効果を働かせることを考える。具体的には、経路１７０４と１７０５が分かれた後の経路１７０４を渦電流層１７０７に投影した領域を渦電流層１７０７が含まないような形状にする。これにより、渦電流効果が主にインダクタンスの大きい経路１７０５に働くので、経路１７０４と１７０５のインダクタンスのバランスを図るのが容易になる。
【００９３】
《第９実施形態》
図１９は、渦電流層にスリットを入れた場合を示す図である。
【００９４】
配線パターン１８００と渦電流層１８０７との距離は０.１ｍｍであり、配線パターン１８００上で、電流の入口１８０１から電流の出口１８０２，１８０３へと経路１８０４，１８０５が形成される。経路１８０４と１８０５は、配線パターン１８００上で一部分を共有している。配線パターン１８００には、スリット１８０６を設け、電流が流れにくい経路１８０５に回り込む電流をより多くしている。
【００９５】
渦電流層をベタパターンにすると、経路１８０４と１８０５のインダクタンスはともに下がるが、渦電流ループのできやすい経路１８０４に対してインダクタンス低減効果が大きくなる。ここでは、経路１８０４に対する渦電流効果を抑えるため、渦電流層１８０７にスリット１８０８を入れている。スリット１８０８により渦電流ループが形成されにくくなる経路１８０４に対しては渦電流効果が小さくなる。渦電流ループが形成されやすい経路１８０５に対しては渦電流効果が大きいので、経路１８０４と１８０５のインダクタンスのバランスを図ることができる。
【００９６】
本実施形態は、配線パターンだけでなく、渦電流層のパターンを調節することによって、配線パターンの複数の経路のインダクタンスバランスを制御するものである。
【００９７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、インダクタンス値が異なる複数の経路のインダクタンスのバランスの改善または制御が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を駆動基板側から見た斜視図である。
【図２】  サステイン基板とパネルとをつなぐ中継基板の構成を示す図である。
【図３】  配線パターンにおける電流の経路の様子を示す図である。
【図４】  本発明による配線パターンの構成を示す図である。
【図５】  電流が流れる２経路を回路的に表した図である。
【図６】  スリットの有無によるインダクタンスの変化の様子を示す図である。
【図７】  スリットの形状をＬ字形にした場合の配線パターンを示す図である。
【図８】  スリットの形状の違いによるインダクタンスの変化の様子を示す図である。
【図９】  曲線から成るスリットが入った配線パターンを示す図である。
【図１０】  スリットの代わりに穴を設けた配線パターンを示す図である。
【図１１】  スリットを複数有する配線パターンを示す図である。
【図１２】  スリットの入った配線パターンが複数存在する基板を示す図である。
【図１３】  渦電流によって配線パターンのインダクタンスが低減する原理を説明するための図である。
【図１４】  図１３（ａ）を回路的に表した図である。
【図１５】  内層２層を渦電流層として使用する基板の構成を示す図である。
【図１６】  基板表面から見た配線パターンと渦電流層の位置関係を示す図である。
【図１７】  渦電流層の有無によるインダクタンスの変化の様子を示す図である。
【図１８】  渦電流効果を選択的に用いる基板の構造を示す図である。
【図１９】  渦電流層にスリットを入れた場合を示す図である。
【符号の説明】
１０，１００，２０５，２０６，６０，８０，９０，１０００，１１００，１１１０，１２０１，１２０２，１３００，１４００，１４１０，１７００，１８００  配線パターン
１１，１０１，２０７，２１０，６１，８１，９１，１００１，１１０１，１１１１，１３０１，１７０１，１８０１  電流の入口
１２，１３，１０２，１０３，２０８，２０９，２１１，２１２，６２，６３，８２，８３，９２，９３，１００２，１００３，１１０２，１１０３，１１１２，１１１３，１３０２，１３０３，１７０２，１７０３，１８０２，１８０３電流の出口
１４，１５，１０４，１０５，３４，３５，３０４，３０５，６４，６５，８４，８５，９４，９５，１００４，１００５，１１０４，１１０５，１１１４，１１１５，１３０４，１３０５，１７０４，１７０５，１８０４，１８０５  経路
１６，１０６，３６，３０６，６６，８６，１００６，１００７，１００８，１１０６，１１１６，１３０６，１３０７，１３０８，１７０６，１８０６，１８０８  スリット
２０  サステインＹ基板
２１  サステインＸ基板
２２  Ｙ側出力素子
２３  Ｘ側出力素子
２４  Ｙ側電源キャパシタ
２５  Ｘ側電源キャパシタ
２６  Ｙ側中継基板
２７  Ｘ側中継基板
２８  Ｙ側ＦＰＣ
２９  Ｘ側ＦＰＣ
２００  戻りアース板
２０１  ベース板
２０２  接着シート
２０３，２０４  パネル
４０，４１，１５００  電源
４２，４３，４４，４５，５０１，１５０２  インダクタンス
４６，４７，４８，１５０３  相互インダクタンス
４００，４０１，４０２，４０３，１４０２，１４１５，１５０４  電流
６７，９６  穴
１１１７，１２００  基板
１２０３，１２０４，１３１５，１４０１，１４１１，１４１２，１７０７，１８０７  渦電流層、
１４０３，１４１６，１４１７，１５０５  渦電流
１４１３，１４１４  スルーホール群
【図１】
0003686568.tif 000002
【図２】
0003686568.tif 000003
【図３】
0003686568.tif 000004
【図４】
0003686568.tif 000005
【図５】
0003686568.tif 000006
【図６】
0003686568.tif 000007
【図７】
0003686568.tif 000008
【図８】
0003686568.tif 000009
【図９】
0003686568.tif 000010
【図１０】
0003686568.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
0003686568.tif 000013
【図１３】
0003686568.tif 000014
【図１４】
0003686568.tif 000015
【図１５】
0003686568.tif 000016
【図１６】
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【図１７】
0003686568.tif 000018
【図１８】
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【図１９】
0003686568.tif 000020