(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のランドを含む配線パターンを有する基板と、
複数の電極を有し、前記電極が前記ランドと対向するように前記基板に搭載されてなる半導体チップと、
を有し、
前記複数のランドは、複数の平行な第１の直線にそれぞれ沿った複数の第１のグループに分けられるように配列されて、前記第１の直線に沿った方向に拡がった外形をなし、
前記配線パターンは、前記複数のランドから引き出されて前記第１の直線と交差する方向にそれぞれ延びる複数の配線を含み、
前記複数の電極は、複数の平行な第２の直線にそれぞれ沿った複数の第２のグループに分けられるように、かつ、前記第２の直線に交差する方向に延びる複数の第３の直線にそれぞれ沿った複数の第３のグループに分けられるように配列されて、前記第２の直線に交差する方向に拡がった外形をなし、
前記複数のランドは、また、前記第１の直線に交差する方向に延びる複数の第４の直線にそれぞれ沿った複数の第４のグループに分けられるように配列されてなり、
同一の前記第４のグループの前記ランドは、前記第１の直線に沿った方向に、同じ長さに拡がってなり、
前記複数のランドと前記複数の電極とは、それぞれ、長手方向が交差するようにオーバーラップして電気的に接続されてなる半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第３の直線は、前記第２の直線に直交する方向に延びる半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第３の直線は、前記第２の直線に対して斜めに延びる半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
隣り合う２つの前記第３の直線は平行に延びる半導体装置。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置において、
隣り合う２つの前記第３の直線は、前記第２の直線の垂線を対称軸とする線対称である半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、
同一の前記第４のグループの前記ランドからそれぞれ引き出される１グループの前記配線は、前記同一の第４のグループの前記ランドの、前記第１の直線に沿った両側のうち同じ側から引き出されてなる半導体装置。
【請求項７】
複数の第１のランドを含む第１の配線パターンを有する第１の基板と、
複数の第２のランドを含む第２の配線パターンを有する第２の基板と、
を有し、
前記複数の第１のランドは、複数の平行な第１の直線にそれぞれ沿った複数の第１のグループに分けられるように配列されて、前記第１の直線に沿った方向に拡がった外形をなし、
前記第１の配線パターンは、前記複数の第１のランドから引き出されて前記第１の直線と交差する方向にそれぞれ延びる第１の配線を含み、
前記複数の第２のランドは、複数の平行な第２の直線にそれぞれ沿った複数の第２のグループに分けられるように配列されて、前記第２の直線に交差する方向に拡がった外形をなし、
前記第２の配線パターンは、前記複数の第２のランドから引き出されて前記第２の直線と交差する方向にそれぞれ延びる第２の配線を含み、
前記複数の第１のランドと前記複数の第２のランドとは、それぞれ、長手方向が交差するように対向して電気的に接続されてなる電子デバイス。
【請求項８】
請求項７記載の電子デバイスにおいて、
前記複数の第２のランドは、前記第２の直線に交差する方向に延びる複数の第３の直線にそれぞれ沿った複数の第３のグループに分けられるように配列されてなる電子デバイス。
【請求項９】
請求項８記載の電子デバイスにおいて、
前記第３の直線は、前記第２の直線に対して斜めに延びる電子デバイス。
【請求項１０】
請求項９記載の電子デバイスにおいて、
隣り合う２つの前記第３の直線は平行に延びる電子デバイス。
【請求項１１】
請求項９記載の電子デバイスにおいて、
隣り合う２つの前記第３の直線は、前記第２の直線の垂線を対称軸とする線対称である電子デバイス。
【請求項１２】
請求項８から請求項１１のいずれかに記載の電子デバイスにおいて、
前記複数の第１のランドは、前記第１の直線に交差する方向に延びる複数の第４の直線にそれぞれ沿った複数の第４のグループに分けられるように配列されてなる電子デバイス。
【請求項１３】
請求項１２記載の電子デバイスにおいて、
同一の前記第４のグループの前記第１のランドからそれぞれ引き出される１グループの前記第１の配線は、前記同一の第４のグループの前記第１のランドの、前記第１の直線に沿った両側のうち同じ側から引き出されてなる電子デバイス。
【請求項１４】
複数のランドを含む配線パターンを有する基板に、複数の電極を有する半導体チップを、前記電極が前記ランドと対向するように搭載して、前記電極と前記ランドとを電気的に接続させることを含み、
前記複数のランドは、複数の平行な第１の直線にそれぞれ沿った複数の第１のグループに分けられるように配列されて、前記第１の直線に沿った方向に拡がった外形をなし、
前記配線パターンは、前記複数のランドから引き出されて前記第１の直線と交差する方向にそれぞれ延びる複数の配線を含み、
前記複数の電極は、複数の平行な第２の直線にそれぞれ沿った複数の第２のグループに分けられるように、かつ、前記第２の直線に交差する方向に延びる複数の第３の直線にそれぞれ沿った第３のグループに分けられるように配列されて、前記第２の直線に交差する方向に拡がった外形をなし、
前記複数のランドは、また、前記第１の直線に交差する方向に延びる複数の第４の直線にそれぞれ沿った複数の第４のグループに分けられるように配列されてなり、
同一の前記第４のグループの前記ランドは、前記第１の直線に沿った方向に、同じ長さに拡がってなり、
前記複数のランドと前記複数の電極とを、それぞれ、長手方向が交差するようにオーバーラップさせる半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３の直線は、前記第２の直線に直交する方向に延びる半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３の直線は、前記第２の直線に対して斜めに延びる半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、
隣り合う２つの前記第３の直線は平行に延びる半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、
隣り合う２つの前記第３の直線は、前記第２の直線の垂線を対称軸とする線対称である半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１４から請求項１８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
同一の前記第４のグループの前記ランドからそれぞれ引き出される１グループの前記配線は、前記同一の第４のグループの前記ランドの、前記第１の直線に沿った両側のうち同じ側から引き出されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
第１の基板に設けられた第１の配線パターンの複数の第１のランドと、第２の基板に設けられた第２の配線パターンの複数の第２のランドとを対向させて電気的に接続することを含み、
前記複数の第１のランドは、複数の平行な第１の直線にそれぞれ沿った複数の第１のグループに分けられるように配列されて、前記第１の直線に沿った方向に拡がった外形をなし、
前記第１の配線パターンは、前記複数の第１のランドから引き出されて前記第１の直線と交差する方向にそれぞれ延びる第１の配線を含み、
前記複数の第２のランドは、複数の平行な第２の直線にそれぞれ沿った複数の第２のグループに分けられるように配列されて、前記第２の直線に交差する方向に拡がった外形をなし、
前記第２の配線パターンは、前記複数の第２のランドから引き出されて前記第２の直線と交差する方向にそれぞれ延びる第２の配線を含み、
前記複数の第１のランドと前記複数の第２のランドとを、それぞれ長手方向が交差するようにオーバーラップさせる電子デバイスの製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の電子デバイスの製造方法において、
前記複数の第２のランドは、前記第２の直線に交差する方向に延びる複数の第３の直線にそれぞれ沿った複数の第３のグループに分けられるように配列されてなる電子デバイスの製造方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の電子デバイスの製造方法において、
前記第３の直線は、前記第２の直線に対して斜めに延びる電子デバイスの製造方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の電子デバイスの製造方法において、
隣り合う２つの前記第３の直線は平行に延びる電子デバイスの製造方法。
【請求項２４】
請求項２２記載の電子デバイスの製造方法において、
隣り合う２つの前記第３の直線は、前記第２の直線の垂線を対称軸とする線対称である電子デバイスの製造方法。
【請求項２５】
請求項２１から請求項２４のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記複数の第１のランドは、前記第１の直線に交差する方向に延びる複数の第４の直線にそれぞれ沿った複数の第４のグループに分けられるように配列されてなる電子デバイスの製造方法。
【請求項２６】
請求項２５記載の電子デバイスの製造方法において、
同一の前記第４のグループの前記第１のランドからそれぞれ引き出される１グループの前記第１の配線は、前記同一の第４のグループの前記第１のランドの、前記第１の直線に沿った両側のうち同じ側から引き出されてなる電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び電子デバイス並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線パターンを有する基板に半導体チップを搭載した半導体装置が知られている。そして、配線パターンと半導体チップの電極との接続信頼性を高めることができれば、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及び電子デバイス並びにそれらの製造方法を提供することにある。
【特許文献１】特開平４−３５２１３２号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、複数のランドを含む配線パターンを有する基板と、
複数の電極を有し、前記電極が前記ランドと対向するように前記基板に搭載されてなる半導体チップと、
を有し、
前記複数のランドは、複数の平行な第１の直線にそれぞれ沿った複数の第１のグループに分けられるように配列されて、前記第１の直線に沿った方向に拡がった外形をなし、
前記配線パターンは、前記複数のランドから引き出されて前記第１の直線と交差する方向にそれぞれ延びる複数の配線を含み、
前記複数の電極は、複数の平行な第２の直線にそれぞれ沿った複数の第２のグループに分けられるように配列されて、前記第２の直線に交差する方向に拡がった外形をなし、
前記複数のランドと前記複数の電極とは、それぞれ、長手方向が交差するようにオーバーラップして電気的に接続されてなる。本発明によれば、ランドと電極とは、長手方向が交差するようにオーバーラップする。ランドの長手方向と電極の長手方向とを交差させることで、基板に半導体チップを搭載した後に両者に位置ずれが発生した場合でも、ランドと電極とが対向した状態を維持することができる。そのため、ランドと電極との電気的な接続が安定した、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（２）この半導体装置において、
前記複数の電極は、前記第２の直線に交差する方向に延びる複数の第３の直線にそれぞれ沿った複数の第３のグループに分けられるように配列されていてもよい。
（３）この半導体装置において、
前記第３の直線は、前記第２の直線に直交する方向に延びてもよい。
（４）この半導体装置において、
前記第３の直線は、前記第２の直線に対して斜めに延びてもよい。
（５）この半導体装置において、
隣り合う２つの前記第３の直線は平行に延びていてもよい。
（６）この半導体装置において、
隣り合う２つの前記第３の直線は、前記第２の直線の垂線を対称軸とする線対称であってもよい。
（７）この半導体装置において、
前記複数のランドは、前記第１の直線に交差する方向に延びる複数の第４の直線にそれぞれ沿った複数の第４のグループに分けられるように配列されていてもよい。
（８）この半導体装置において、
同一の前記第４のグループの前記ランドからそれぞれ引き出される１グループの前記配線は、前記同一の第４のグループの前記ランドの、前記第１の直線に沿った両側のうち同じ側から引き出されていてもよい。
（９）この半導体装置において、
前記同一の第４のグループの前記ランドは、前記第１の直線に沿った両側のうち同じ側に異なる長さで突出し、その突出長さが、いずれかの前記第４の直線に沿った配列順に長くなるように形成されていてもよい。
（１０）この半導体装置において、
前記同一の第４のグループの前記ランドからそれぞれ引き出される前記１グループの配線は、いずれか１つの第１の前記ランドに接続された１つの前記配線の、前記第１のランドの突出する方向の隣に、前記第１のランドの次に突出長さの長い１つの第２の前記ランドに接続された１つの前記配線が配置されていてもよい。
（１１）本発明に係る電子デバイスは、複数の第１のランドを含む第１の配線パターンを有する第１の基板と、
複数の第２のランドを含む第２の配線パターンを有する第２の基板と、
を有し、
前記複数の第１のランドは、複数の平行な第１の直線にそれぞれ沿った複数の第１のグループに分けられるように配列されて、前記第１の直線に沿った方向に拡がった外形をなし、
前記第１の配線パターンは、前記複数の第１のランドから引き出されて前記第１の直線と交差する方向にそれぞれ延びる第１の配線を含み、
前記複数の第２のランドは、複数の平行な第２の直線にそれぞれ沿った複数の第２のグループに分けられるように配列されて、前記第２の直線に交差する方向に拡がった外形をなし、
前記第２の配線パターンは、前記複数の第２のランドから引き出されて前記第２の直線と交差する方向にそれぞれ延びる第２の配線を含み、
前記複数の第１のランドと前記複数の第２のランドとは、それぞれ、長手方向が交差するように対向して電気的に接続されてなる。本発明によれば、第１のランドと第２のランドとは、長手方向が交差するようにオーバーラップする。第１のランドの長手方向と第２のランドの長手方向とを交差させることで、第１及び第２のランドが対向した状態を維持することができる。そのため、第１および第２のランドの電気的な接続が安定した、信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
（１２）この電子デバイスにおいて、
前記複数の第２のランドは、前記第２の直線に交差する方向に延びる複数の第３の直線にそれぞれ沿った複数の第３のグループに分けられるように配列されていてもよい。
（１３）この電子デバイスにおいて、
前記第３の直線は、前記第２の直線に対して斜めに延びてもよい。
（１４）この電子デバイスにおいて、
隣り合う２つの前記第３の直線は平行に延びていてもよい。
（１５）この電子デバイスにおいて、
隣り合う２つの前記第３の直線は、前記第２の直線の垂線を対称軸とする線対称であってもよい。
（１６）この電子デバイスにおいて、
前記複数の第１のランドは、前記第１の直線に交差する方向に延びる複数の第４の直線にそれぞれ沿った複数の第４のグループに分けられるように配列されていてもよい。
（１７）この電子デバイスにおいて、
同一の前記第４のグループの前記第１のランドからそれぞれ引き出される１グループの前記第１の配線は、前記同一の第４のグループの前記第１のランドの、前記第１の直線に沿った両側のうち同じ側から引き出されていてもよい。
（１８）本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数のランドを含む配線パターンを有する基板に、複数の電極を有する半導体チップを、前記電極が前記ランドと対向するように搭載して、前記電極と前記ランドとを電気的に接続させることを含み、
前記複数のランドは、複数の平行な第１の直線にそれぞれ沿った複数の第１のグループに分けられるように配列されて、前記第１の直線に沿った方向に拡がった外形をなし、
前記配線パターンは、前記複数のランドから引き出されて前記第１の直線と交差する方向にそれぞれ延びる複数の配線を含み、
前記複数の電極は、複数の平行な第２の直線にそれぞれ沿った複数の第２のグループに分けられるように配列されて、前記第２の直線に交差する方向に拡がった外形をなし、
前記複数のランドと前記複数の電極とを、それぞれ、長手方向が交差するようにオーバーラップさせる。本発明によれば、ランドと電極とを、長手方向が交差するようにオーバーラップさせる。ランドの長手方向と電極の長手方向とを交差させることで、基板と半導体チップとの位置合わせが厳密になされていない場合であっても、電極を目的のランドに接触させることができる。このことから、厳密な位置合わせを行うことなく半導体装置を製造することができ、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
（１９）この半導体装置の製造方法において、
前記複数の電極は、前記第２の直線に交差する方向に延びる複数の第３の直線にそれぞれ沿った複数の第３のグループに分けられるように配列されていてもよい。
（２０）この半導体装置の製造方法において、
前記第３の直線は、前記第２の直線に直交する方向に延びてもよい。
（２１）この半導体装置の製造方法において、
前記第３の直線は、前記第２の直線に対して斜めに延びてもよい。
（２２）この半導体装置の製造方法において、
隣り合う２つの前記第３の直線は平行に延びていてもよい。
（２３）この半導体装置の製造方法において、
隣り合う２つの前記第３の直線は、前記第２の直線の垂線を対称軸とする線対称であってもよい。
（２４）この半導体装置の製造方法において、
前記複数のランドは、前記第１の直線に交差する方向に延びる複数の第４の直線にそれぞれ沿った複数の第４のグループに分けられるように配列されていてもよい。
（２５）この半導体装置の製造方法において、
同一の前記第４のグループの前記ランドからそれぞれ引き出される１グループの前記配線は、前記同一の第４のグループの前記ランドの、前記第１の直線に沿った両側のうち同じ側から引き出されていてもよい。
（２６）この半導体装置の製造方法において、
前記同一の第４のグループの前記ランドは、前記第１の直線に沿った両側のうち同じ側に異なる長さで突出し、その突出長さが、いずれかの前記第４の直線に沿った配列順に長くなるように形成されていてもよい。
（２７）この半導体装置の製造方法において、
前記同一の第４のグループの前記ランドからそれぞれ引き出される前記１グループの配線は、いずれか１つの第１の前記ランドに接続された１つの前記配線の、前記第１のランドの突出する方向の隣に、前記第１のランドの次に突出長さの長い１つの第２の前記ランドに接続された１つの前記配線が配置されていてもよい。
（２８）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、第１の基板に設けられた第１の配線パターンの複数の第１のランドと、第２の基板に設けられた第２の配線パターンの複数の第２のランドとを対向させて電気的に接続することを含み、
前記複数の第１のランドは、複数の平行な第１の直線にそれぞれ沿った複数の第１のグループに分けられるように配列されて、前記第１の直線に沿った方向に拡がった外形をなし、
前記第１の配線パターンは、前記複数の第１のランドから引き出されて前記第１の直線と交差する方向にそれぞれ延びる第１の配線を含み、
前記複数の第２のランドは、複数の平行な第２の直線にそれぞれ沿った複数の第２のグループに分けられるように配列されて、前記第２の直線に交差する方向に拡がった外形をなし、
前記第２の配線パターンは、前記複数の第２のランドから引き出されて前記第２の直線と交差する方向にそれぞれ延びる第２の配線を含み、
前記複数の第１のランドと前記複数の第２のランドとを、それぞれ長手方向が交差するようにオーバーラップさせる。本発明によれば、第１のランドと第２のランドとを、長手方向が交差するようにオーバーラップさせる。第１のランドの長手方向と第２のランドの長手方向とを交差させることで、第１の基板と第２の基板との位置合わせが厳密になされていない場合であっても、目的のランド同士を接触させることができる。このことから、厳密な位置合わせを行うことなく電子デバイスを製造することができ、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することができる。
（２９）この電子デバイスの製造方法において、
前記複数の第２のランドは、前記第２の直線に交差する方向に延びる複数の第３の直線にそれぞれ沿った複数の第３のグループに分けられるように配列されていてもよい。
（３０）この電子デバイスの製造方法において、
前記第３の直線は、前記第２の直線に対して斜めに延びてもよい。
（３１）この電子デバイスの製造方法において、
隣り合う２つの前記第３の直線は平行に延びていてもよい。
（３２）この電子デバイスの製造方法において、
隣り合う２つの前記第３の直線は、前記第２の直線の垂線を対称軸とする線対称であってもよい。
（３３）この電子デバイスの製造方法において、
前記複数の第１のランドは、前記第１の直線に交差する方向に延びる複数の第４の直線にそれぞれ沿った複数の第４のグループに分けられるように配列されていてもよい。
（３４）この電子デバイスの製造方法において、
同一の前記第４のグループの前記第１のランドからそれぞれ引き出される１グループの前記第１の配線は、前記同一の第４のグループの前記第１のランドの、前記第１の直線に沿った両側のうち同じ側から引き出されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【０００６】
（半導体装置）
図１〜図３（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。なお、図１は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置１の概略図である。そして、図２は、半導体装置１を、基板１０と半導体チップ３０とに分離した図である。また、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、半導体装置１の一部拡大図である。ただし、図３（Ａ）では、ランド２２と電極３２との接続状態を説明するため、基板１０と半導体チップ３０とを省略してある。また、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のIIIB−IIIB線断面図である。
【０００７】
本実施の形態に係る半導体装置は、基板１０を有する。基板１０の材料は特に限定されるものではなく、有機系（例えばエポキシ基板）、無機系（例えばセラミック基板、ガラス基板）、又は、それらの複合構造（例えばガラスエポキシ基板）からなるものであってもよい。基板１０は、リジッド基板であってもよい。あるいは、基板１０は、ポリエステル基板やポリイミド基板などのフレキシブル基板であってもよい（図１参照）。基板１０は、COF（Chip On Film）用の基板であってもよい。また、基板１０は、単一の層からなる単層基板であってもよく、積層された複数の層を有する積層基板であってもよい。そして、基板１０の形状や厚みについても、特に限定されるものではない。
【０００８】
基板１０は、複数のランド２２を含む配線パターン２０を有する。配線パターン２０は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。基板１０として積層基板を用意した場合、配線パターン２０は、各層間に設けられていてもよい。また、基板１０としてガラス基板を利用する場合、配線パターン２０は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｃｒ、Ａｌなどの金属膜、金属化合物膜又はそれらの複合膜によって形成されていてもよい。配線パターン２０の形成方法は特に限定されない。例えば、スパッタリング等によって配線パターン２０を形成してもよいし、無電解メッキで配線パターン２０を形成するアディティブ法を適用してもよい。また、配線パターン２０は、ハンダ、スズ、金、ニッケル等でメッキされていてもよい。
【０００９】
図２に示すように、複数のランド２２は、複数の平行な第１の直線３１０にそれぞれ沿った複数の第１のグループ１１０に分けられるように配列されてなる。そして、複数のランド２２は、それぞれ、第１の直線３１０に沿った方向に拡がった外形をなす。図２に示すように、複数のランド２２は、第１の直線３１０に交差する方向に延びる複数の第４の直線３２０にそれぞれ沿った複数の第４のグループ１２０に分けられるように配列されていてもよい。このとき、隣り合う２つの第４の直線３２０は、平行に延びていてもよい。そして、配線パターン２０は、ランド２２から引き出されて第１の直線３１０と交差する方向にそれぞれ伸びる配線２４を含む。図２に示すように、ランド２２が複数の第４のグループ１２０に分けられるように配列されている場合、同一の第４のグループ１２０のランド２２からそれぞれ引き出される１グループの配線２４は、同一の第４のグループ１２０のランド２２の、第１の直線３１０に沿った両側のうち同じ側から引き出されていてもよい。
【００１０】
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ３０を有する（図１参照）。半導体チップ３０は複数の電極３２を有する。図２に示すように、複数の電極３２は、複数の平行な第２の直線３３０にそれぞれ沿った複数の第２のグループ１３０に分けられるように配列されてなる。そして、電極３２は、それぞれ、第２の直線３３０に交差する方向に拡がった外形をなす。図２に示すように、複数の電極３２は、第２の直線３３０に交差する方向に延びる複数の第３の直線３４０にそれぞれ沿った複数の第３のグループ１４０に分けられるように配列されていてもよい。そして、複数の第３の直線３４０は、第２の直線３３０に対して斜めに延びていてもよく、隣り合う２つの第３の直線３４０は、平行に延びていてもよい（図２参照）。なお、電極３２は、半導体チップ３０の能動面の平行な２辺（あるいは４辺）に沿って、その端部付近に並んでいてもよい。あるいは、電極３２は、半導体チップ３０の能動面の全面に、エリアアレイ状に設けられていてもよい。半導体チップ３０は、さらに、トランジスタやメモリ素子等からなる集積回路３１を有してもよい（図３（Ｂ）参照）。そして、電極３２は、半導体チップ３０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極３２は、集積回路３１と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路３１と電気的に接続されていない電極を含めて、電極３２と称してもよい。電極３２は、例えばパッドと該パッド上に形成されたバンプとを含んでいてもよい（図示せず）。
【００１１】
半導体チップ３０は、基板１０に搭載されてなる（図１及び図３（Ｂ）参照）。半導体チップ３０は、電極３２がランド２２と対向するように搭載されてなる（図３（Ｂ）参照）。そして、図３（Ａ）に示すように、ランド２２と電極３２とは、長手方向が交差するようにオーバーラップして電気的に接続されてなる。ランド２２の長手方向と電極３２の長手方向とをオーバーラップさせることで、基板１０に半導体チップ３０を搭載した後に両者に位置ずれが発生した場合でも、ランド２２と電極３２とが対向した状態を維持することができる。そのため、ランド２２と電極３２との電気的な接続が安定した、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、ランド２２と電極３２との電気的な接続は、両者を接触させることで実現してもよい。あるいは、ランド２２と電極３２との間に導電粒子を介在させて、これを介して両者の電気的な接続を図っていてもよい（図示せず）。あるいは、ランド２２と電極３２との電気的な接続に、合金接合（例えばAu−Au又はAu−Sn接合）を利用してもよい。また、半導体装置１は、図３（Ｂ）に示すように、基板１０と半導体チップ３０とを固着する補強部２１をさらに有してもよい。補強部２１の材料は樹脂であってもよいが、これに限定されるものではない。補強部２１によって、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００１２】
本実施の形態に係る半導体装置は上記のように構成されてなる。以下、その製造方法について説明する。
【００１３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、複数のランド２２を含む配線パターン２０を有する基板１０に、複数の電極３２を有する半導体チップ３０を、電極３２がランド２２と対向するように搭載して、電極３２とランド２２とを電気的に接続することを含む。先に説明したように、ランド２２は、第１の直線３１０に沿った方向に拡がった外形をなす。また、電極３２は、第２の直線３３０に交差する方向に拡がった外形をなす。そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、ランド２２と電極３２とを、長手方向が交差するようにオーバーラップさせる。これにより、基板１０と半導体チップ３０との位置合わせが容易となる。詳しくは、ランド２２と電極３２との長手方向同士を交差させることから、両者の位置合わせが厳密になされていない場合であっても、電極３２を、目的のランド２２に接触させることができる。このことから、厳密な位置合わせを行うことなく、両者を電気的に接続することが可能となり、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。なお、ランド２２と電極３２との電気的な接続には、絶縁樹脂接合（例えばＮＣＰやＮＣＦを使用した接合）、異方性導電材料接合（例えばＡＣＦやＡＣＰを使用した接合）、金属接合（例えばAu−Au又はAu−Sn接合）、はんだ接合等の、既に公知となっているいずれかの方式を適用してもよい。そして、基板１０と半導体チップ３０とを固着する補強部２１を形成する工程などを経て、半導体装置１を製造してもよい（図１参照）。そして、図４には、半導体装置１を有する表示デバイス１０００を示す。表示デバイス１０００は、例えば、液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。さらに、半導体装置１を有する電子機器として、図５にノート型パーソナルコンピュータ２０００を、図６には携帯電話３０００を、それぞれ示す。
【００１４】
（変形例）
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の変形例について説明する。なお、以下の変形例でも、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。
【００１５】
図７及び図８に示す例では、複数の電極３２は、第２の直線３３０に交差する方向に延びる複数の第３の直線３４５にそれぞれ沿った複数の第３のグループ１４５に分けられるように配列されてなる。複数の第３の直線３４５は、第２の直線３３０に対して斜めに延びている。そして、図７に示すように、複数の第３の直線３４５は、それぞれ、平行に延びている。すなわち、すべての第３の直線３４５は、平行に延びていてもよい。このとき、ランド２２は、第１の直線３１０に交差する方向に延びる複数の第４の直線３２５にそれぞれ沿った複数の第４のグループ１２５に分けられるように配列されていてもよく、複数の第４の直線３２５は、それぞれ、平行に延びていてもよい。そして、図８に示すように、ランド２２と電極３２とは、長手方向が交差するようにオーバーラップして電気的に接続されている。
【００１６】
図９及び図１０に示す例では、複数の電極３２は、複数の第３の直線３５０にそれぞれ沿った複数の第３のグループ１５０に分けられるように配列されてなる。第３の直線３５０は、第２の直線３３０に交差する方向に延びていて、隣り合う２つの第３の直線３５０は、第２の直線３３０の垂線を対称軸とする線対称となっている。このとき、ランド２２は、第１の直線３１０に交差する方向に延びる複数の第４の直線３６０にそれぞれ沿った複数の第４のグループ１６０に分けられるように配列されていてもよく、隣り合う２つの第４の直線３６０は、第１の直線３１０の垂線を対称軸とする線対称となっていてもよい。そして、図１０に示すように、ランド２２と電極３２とは、長手方向が交差するようにオーバーラップして電気的に接続されている。
【００１７】
図１１及び図１２に示す例では、複数の電極３２は、複数の第３の直線３７０にそれぞれ沿った複数の第３のグループ１７０に分けられるように配列されてなる。そして、図１１に示すように、第３の直線３７０は、第２の直線３３０に直交する方向に延びている。このとき、複数のランド２３は、複数の第４の直線３８０にそれぞれ沿った複数の第４のグループ１８０に分けられるように配列されていてもよい。図１１に示すように、第４の直線３８０は、第１の直線３１０に直交する方向に延びていてもよい。そして、同一の第４のグループ１８０のランド２３は、第１の直線３１０に沿った両側のうち同じ側に異なる長さで突出し、その突出長さが、いずれかの第４の直線３８０に沿った配列順に長くなるように形成されていてもよい。このとき、同一の第４のグループ１８０のランド２３からそれぞれ引き出される１グループの配線２４は、同一の第４のグループ１８０のランド２３の、第１の直線３１０に沿った両側のうち同じ側から引き出されていてもよい。図１１に示すように、それぞれの配線２４は、ランド２３の、第１の直線３１０に沿った両側のうちのランド２３が突出する側から引き出されていてもよい。隣り合う２つの第４のグループ１８０のランド２３は、第１の直線３１０に沿った両側のうち同じ側に突出していてもよい。図１１に示すように、複数の第４のグループ１８０は、第１の直線３１０に沿った両側のうち一方側に突出するランドからなるグループと、異なる側に突出するランドからなるグループとを含んでいてもよい。さらに、同一の第４のグループ１８０のランド２３からそれぞれ引き出される１グループの配線２４は、いずれか１つの第１のランドに接続された配線の、第１のランドの突出する方向の隣に、第１のランドの次に突出長さの長い第２のランドに接続された配線が配置されていてもよい。そして、図１２に示すように、ランド２３と電極３２とは、長手方向が交差するようにオーバーラップして電気的に接続されている。なお、本変形例では、図１３に示すように、すべての第４のグループ１８０のランド２３は、第１の直線３１０に沿った両側のうち同じ側に突出していてもよい。図１４は、このときのランド２３と電極３２との接続状態を示す図である。あるいは、図１５に示すように、隣り合う２つの第４のグループ１８０のランド２３は、それぞれ、第１の直線３１０に沿って反対方向に突出していてもよい。図１６は、このときのランド２３と電極３２との接続状態を示す図である。
【００１８】
これらの変形例によっても、上記実施の形態と同様の効果を達成することができる。なお、その他の構成については、既に説明したいずれかの内容を適用することができる。
【００１９】
（電子デバイス）
図１７〜図１９は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスについて説明するための図である。なお、以下に説明する電子デバイスに関しても、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。
【００２０】
図１７は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス２の概略図である。そして、図１８は、電子デバイス２を、第１の基板５０と第２の基板７０とに分離した図である。また、図１９は、第１のランド６２と第２のランド８２との接続状態を説明するための図である。
【００２１】
本実施の形態に係る電子デバイスは、第１の基板５０及び第２の基板７０を有する。第１の基板５０は、例えばガラス基板であってもよい。第１の基板５０は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。また、第２の基板７０は、例えばフレキシブル基板又はフィルムであってもよい。ただし、第１及び第２の基板５０，７０はこれに限られるものではない。例えば、第１の基板としてフレキシブル基板等を利用してもよく、第２の基板としてガラス基板を利用してもよい。
【００２２】
図１８に示すように、第１の基板５０は、第１の配線パターン６０を有する。第１の配線パターン６０は、複数の第１のランド６２を含む。複数の第１のランド６２は、複数の平行な第１の直線７１０にそれぞれ沿った複数の第１のグループ５１０に分けられるように配列されてなる。そして、第１のランド６２は、それぞれ、第１の直線７１０に沿った方向に拡がった外形をなす。図１８に示すように、複数の第１のランド６２は、第１の直線７１０に交差する方向に延びる複数の第４の直線７２０にそれぞれ沿った複数の第４のグループ５２０に分けられるように配列されていてもよい。第４の直線７２０は、第１の直線７１０に対して斜めに延びていてもよく、このとき、隣り合う２つの第４の直線７２０は、平行に延びていてもよい（図１８参照）。そして、第１の配線パターン６０は、第１のランド６２から引き出されて第１の直線７１０と交差する方向にそれぞれ延びる第１の配線６４を含む。図１８に示すように、第１のランド６２が複数の第４のグループ５２０に分けられるように配列されている場合、同一の第４のグループ５２０の第１のランド６２からそれぞれ引き出される１グループの第１の配線６４は、同一の第４のグループ５２０の第１のランド６２の、第１の直線７１０に沿った両側のうち同じ側から引き出されていてもよい。
【００２３】
図１８に示すように、第２の基板７０は、第２の配線パターン８０を有する。第２の配線パターン８０は、複数の第２のランド８２を含む。複数の第２のランド８２は、複数の平行な第２の直線７３０にそれぞれ沿った複数の第２のグループ５３０に分けられるように配列されてなる。そして、第２のランド８２は、それぞれ、第２の直線７３０に交差する方向に拡がった外形をなす。図１８に示すように、複数の第２のランド８２は、第２の直線７３０に交差する方向に延びる複数の第３の直線７４０にそれぞれ沿った複数の第３のグループ５４０に分けられるように配列されていてもよい。第３の直線７４０は、第２の直線７３０に対して斜めに延びていてもよく、このとき、図１８に示すように、隣り合う２つの第３の直線７４０は、平行に延びていてもよい。そして、第２の配線パターン８０は、第２のランド８２から引き出されて第２の直線７３０と交差する方向にそれぞれ延びる第２の配線８４を含む。
【００２４】
本実施の形態に係る電子デバイスでは、図１９に示すように、第１のランド６２と第２のランド８２とは、長手方向が交差するように対向して電気的に接続されてなる。第１のランド６２と第２のランド８２とを、長手方向が交差するように対向させることによって、第１及び第２のランド６２，８２との電気的な接続が安定した、信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
【００２５】
本実施の形態に係る電子デバイスは上記のように構成されてなる。以下、その製造方法について説明する。
【００２６】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、第１の基板５０に設けられた第１の配線パターン６０の複数の第１のランド６２と、第２の基板７０に設けられた第２の配線パターン８０の複数の第２のランド８２とを対向させて電気的に接続することを含む。先に説明したように、第１のランド６２は、第１の直線７１０に沿った方向に拡がった外形をなす。また、第２のランド８２は、第２の直線７３０に交差する方向に拡がった外形をなす。そして、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法では、第１及び第２のランド６２，８２を、長手方向が交差するようにオーバーラップさせる。これにより第１及び第２の基板５０，７０の位置合わせが容易となり、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することができる。
【００２７】
（変形例）
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の変形例について説明する。なお、以下の変形例でも、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。
【００２８】
図２０及び図２１に示す例では、複数の第２のランド８２は、第２の直線７３０に交差する方向に延びる複数の第３の直線７４５にそれぞれ沿った複数の第３のグループ５４５に分けられるように配列されている（図２０参照）。複数の第３の直線７４５は、第２の直線７３０に対して斜めに延びている。そして、複数の第３の直線７４５は、それぞれ、平行に延びている。このとき、第１のランド６２は、第１の直線７１０に交差する方向に延びる複数の第４の直線７２５にそれぞれ沿った複数の第４のグループ５２５に分けられるように配列されていてもよく、複数の第４の直線７２５は、それぞれ、平行に延びていてもよい。そして、図２１に示すように、第１及び第２のランド６２，８２は、それぞれ、長手方向が交差するようにオーバーラップして電気的に接続されている。
【００２９】
図２２及び図２３に示す例では、第２のランド８２は、第２の直線７３０に交差する方向に延びる複数の第３の直線７５０にそれぞれ沿った複数の第３のグループ５５０に分けられるように配列されていてもよい。第３の直線７５０は、第２の直線７３０に対して斜めに延びていてもよく、隣り合う２つの第３の直線７５０は、第２の直線７３０の垂線を対称軸とする線対称となっている。このとき、第１のランド６２は、第４の直線７６０にそれぞれ沿った複数の第４のグループ５６０に分けられるように配列されていてもよい。隣り合う２つの第４の直線７６０は、第１の直線７１０の垂線を対称軸とする線対称となっていてもよい。そして、図２３に示すように、第１及び第２のランド６２，８２は、それぞれ、長手方向が交差するようにオーバーラップして電気的に接続されている。
【００３０】
これらの変形例によっても、上記実施の形態と同様の効果を達成することができる。なお、その他の構成については、既に説明したいずれかの内容を適用することができる。
【００３１】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。
【図２】図２は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。
【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する表示デバイスを示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図８】図８は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１４】図１４は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１５】図１５は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１６】図１６は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１７】図１７は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスを説明するための図である。
【図１８】図１８は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスを説明するための図である。
【図１９】図１９は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスを説明するための図である。
【図２０】図２０は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る電子デバイスを説明するための図である。
【図２１】図２１は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る電子デバイスを説明するための図である。
【図２２】図２２は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る電子デバイスを説明するための図である。
【図２３】図２３は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る電子デバイスを説明するための図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０  基板、  ２０  配線パターン、  ２２  ランド、  ２４  配線、  ３０  半導体チップ、  ３２  電極、  １１０  第１のグループ、  １３０  第２のグループ、  ３１０  第１の直線、  ３３０  第２の直線
【図１】
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【図２】
0003707487.tif 000003
【図３】
0003707487.tif 000004
【図４】
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【図５】
0003707487.tif 000006
【図６】
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【図７】
0003707487.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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