(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光受信モジュールを製造する方法であって、
フォトダイオードが固着された第１の金属電極層と第２の金属電極層とが設けられた第１の面を備える平行平板コンデンサの第２の面上の第３の金属電極層と、前置増幅器を含む半導体チップとをリードフレームの搭載部に固着する工程と、
前記前置増幅器と前記フォトダイオード上の電極との間、および前記前置増幅器の入力と前記平行平板コンデンサの前記第２の金属電極層との間をボンディングワイヤで配線する工程と、
前記平行平板コンデンサの前記第１および第２の金属電極層に電源電圧を印加すると共に前記リードフレームをグランド電位に設定して、製造工程の途中に検査を行う工程と、
該検査が終了した後に、前記平行平板コンデンサの前記第１および第２の金属電極層と前記リードフレームの電源ラインとをボンディングワイヤを用いて配線する工程と
を備える、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記半導体チップは、前記前置増幅器に加えて、別の前置増幅器を含んでおり、
リードフレームの搭載部に固着する前記工程では、ダミーコンデンサの一端子を前記第１の金属電極層上に固着しており、
ボンディングワイヤで配線する前記工程では、該検査に先立って、前記ダミーコンデンサの他端子を前記別の前置増幅器の入力とボンディングワイヤで配線する、ことを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項３】
第１の面と、該第１の面と反対側の第２の面と、前記第１の面上に設けられた第１および第２の金属電極層と、前記第２の面上に設けられた第３の金属電極層とを有する平行平板コンデンサと、
前記平行平板コンデンサの前記第１の金属電極層に固着されたフォトダイオードと、
前記平行平板コンデンサの前記第１の金属電極層に固着された一端子と他端子とを有するダミーコンデンサと、
前記平行平板コンデンサの前記第３の金属電極層が固着された搭載部と、前記第１および第２の金属電極層にボンディングワイヤで接続された電源ラインとを有するリードフレームと、
前記フォトダイオードにボンディングワイヤで接続された入力を有する第１の前置増幅器と前記ダミーコンデンサの前記他端子にボンディングワイヤで接続された入力を有する第２の前置増幅器とを含んでおり、前記リードフレームの前記搭載部上に固着された半導体チップと
を備える、ことを特徴とする光受信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信用の光受信モジュールに関し、特に、電子デバイスをリードフレームに搭載して樹脂封止する構造を有する光受信モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
初期の光受信モジュールは、小型化を主たる目的としていたため、同軸型のものが主流であった。これは、通常のＴＯ型パッケージ内に、光ファイバより出射される光信号を集光するためのレンズが配置され、更に、集光された光信号を受光するために前記集光レンズに光軸合わせされたフォトダイオード等の光電変換素子と、光電変換素子より出力される微弱な電気信号を信号処理可能な電圧レベルまで増幅する前置増幅器、電源バイパスコンデンサ等を内蔵した構造を有していた。しかし、この光受信モジュールは、光信号を電気信号に変換しその電気信号を増幅して出力するという比較的単純な機能を備えるにすぎなかった。
【０００３】
近年になって、より高度の信号処理機能を備え且つ小型化の要請にも対応し得る光受信モジュールの開発が望まれるにようになった。かかる要請に対応し得る光受信モジュールとしては、光電変換素子と電源バイパスコンデンサ及び前置増幅器に加えて、コンパレータとクロック信号復元回路等の信号処理回路を樹脂封止することにより全体的に一体化されたユニットを形成し、このユニットをモジュール匡体に組み付けることによって、高機能で小型且つ機械的強度にも優れた構造を実現したものが知られている。
【０００４】
例えば、この高機能の光受信モジュールは、製造工程において所定形状のリードフレームを用意し、このリードフレームの所定の搭載部上に、ベアチップの状態の光電変換素子と前置増幅器及び種々の信号処理回路等の電子デバイスを搭載し、これらの電子デバイス同士及びリードフレームのリードピンとの間をボンディングワイヤにて配線し、光信号が透過し得る樹脂にて全体を封止した後、リードフレームの不要な部分を裁断して除去することによりユニットが形成されている。そして、光ファイバのフェルールを受納するためのスリーブに対して、集光レンズを介して前記ユニット中の光電変換素子の受光面を光軸合わせし、その状態でモジュール匡体に組み付けることにより高機能で小型且つ機械的強度の優れた光受信モジュールが形成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このようなリードフレーム上に光電変換素子及びその他の電子デバイスを搭載して樹脂封止した光受信モジュールにあっては、前記製造工程の途中で、組立て不備等に起因する電子デバイスの不良の有無などを検査することができず、たとえ不良品になるものであっても全ての製造工程を経た後でなければその発見のための検査をすることができないという問題があった。また、当然に、製造工程の途中で、電子デバイスの特性評価等を行うこともできなかった。
【０００６】
即ち、図１０に示すように、製造工程途中のリードフレームは、複数のリードピンを分離させないために所謂バリ（補強部）で連結したり、光電変換素子を搭載するための搭載部や他の電子デバイスを搭載するための搭載部も同様に他の補強部（図示せず）で連結することによって、これらの各部分が一体化された状態にある。このため、たとえボンディングワイヤによる配線が施された後であっても、未だ補強部が除去されていないリードピンに電源を接続すれば電気的短絡を招来するので、製造工程途中での検査を行うことができなかった。
【０００７】
特に、光電変換素子及び他の電子デバイスを各搭載部と共に樹脂封止した後、樹脂封止の対象外である前記補強部を裁断して除去するので、樹脂封止の前に補強部を除去して光電変換素子及び他の電子デバイスを検査することは、実質的にできなかった。
【０００８】
また、同図において、フォトダイオード等の光電変換素子の裏面（受光面とは反対側の面）が半導体の電極を兼ねているので前記リードフレームの所定の搭載部上にその裏面を直接半田付けし、この搭載部に一体接続している所定の電源電圧印加用リードピンに電源電圧Ｖccを印加することによって光電変換素子のバイアスを設定するようにし、一方、ＭＯＳやバイポーラ、ＧａＡｓ等の半導体プロセスにて製造された他の電子デバイス（例えば、信号処理回路）の裏面を他の搭載部に直接半田付けし、この搭載部はグランド用リードピンを通じてグランド電位に設定することにより他の電子デバイスを作動させる場合がある。しかし、製造工程の途中では、これらの搭載部が未だ補強部によって電気的に連結されているため、光電変換素子と他の電子デバイスを同時に正規のバイアスに設定することが不可能であるため、製造工程の途中でこれらの電子デバイスを検査することができなかった。
【０００９】
そして、最終的に不良品になるものであっても全ての製造工程に通さなければならないため、製造コストの低減化を阻む要因ともなっていた。
【００１０】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、製造工程の途中でも、検査を行うことができる構造を有する光受信モジュールを提供することを目的よする。
【００１１】
かかる目的を達成するために本発明は、光受信モジュールを製造する方法であって、（ａ）フォトダイオードが固着された第１の金属電極層と第２の金属電極層とが設けられた第１の面を備える平行平板コンデンサの第２の面上の第３の金属電極層と、前置増幅器を含む半導体チップとをリードフレームの搭載部に固着する工程と、（ｂ）前記前置増幅器と前記フォトダイオード上の電極との間、および前記前置増幅器の入力と前記平行平板コンデンサの前記第２の金属電極層との間をボンディングワイヤで配線する工程と、（ｃ）前記平行平板コンデンサの前記第１および第２の金属電極層に電源電圧を印加すると共に前記リードフレームをグランド電位に設定して、製造工程の途中に検査を行う工程と、（ｄ）該検査が終了した後に、前記平行平板コンデンサの前記第１および第２の金属電極層と前記リードフレームの電源ラインとをボンディングワイヤを用いて配線する工程とを備える。
この方法では、前記半導体チップは、前記前置増幅器に加えて、別の前置増幅器を含んでおり、リードフレームの搭載部に固着する前記工程では、ダミーコンデンサの一端子を前記第１の金属電極層上に固着しており、ボンディングワイヤで配線する前記工程では、該検査に先立って、前記ダミーコンデンサの他端子を前記別の前置増幅器の入力とボンディングワイヤで配線することができる。
また、かかる目的を達成するために本発明の光受信モジュールは、（ａ）第１の面と、該第１の面と反対側の第２の面と、前記第１の面上に設けられた第１および第２の金属電極層と、前記第２の面上に設けられた第３の金属電極層とを有する平行平板コンデンサと、（ｂ）前記平行平板コンデンサの前記第１の金属電極層に固着されたフォトダイオードと、（ｃ）前記平行平板コンデンサの前記第１の金属電極層に固着された一端子と他端子とを有するダミーコンデンサと、（ｄ）前記平行平板コンデンサの前記第３の金属電極層が固着された搭載部と、前記第１および第２の金属電極層にボンディングワイヤで接続された電源ラインとを有するリードフレームと、（ｅ）前記フォトダイオードにボンディングワイヤで接続された入力を有する第１の前置増幅器と前記ダミーコンデンサの前記他端子にボンディングワイヤで接続された入力を有する第２の前置増幅器とを含んでおり、前記リードフレームの前記搭載部上に固着された半導体チップとを備える。
加えて、光信号を受信し電気信号に変換する光電変換素子をリードフレーム上に備える光受信モジュールであって、前記光電変換素子を、平行平板コンデンサを介して前記リードフレーム上に搭載する構造を備えることとした。また、前記平行平板コンデンサーは、前記光電変換素子の電源バイパスコンデンサであることとした。さらに、前記光電変換素子により変換された電気信号を増幅する前置増幅器を備え、前記光電変換素子の出力と前記前置増幅器の入力がボンディングワイヤにより接続されることととした。さらにまた、前記光電変換素子により変換された電気信号を増幅する前置増幅器を備え、前記光電変換素子の出力と前記前置増幅器の入力がボンディングワイヤにより接続され、前記平行平板コンデンサーは、前記前置増幅器の電源バイパスコンデンサであることととした。
【００１２】
【作用】
平行平板コンデンサの介在により光電変換素子とリードフレームが電気的に分離される。リードフレームの補強部が除去される前であっても、光電変換素子を適正なバイアスに設定して検査等が行われる。
【００１３】
【実施の形態】
以下、本発明の光受信モジュールの実施の形態を図面と共に説明する。図１は、光受信モジュールの回路例、図２ないし図６はこの回路が組込まれたユニットの製造工程及び要部構造を示す。
【００１４】
図１において、光信号ｈνを受光するためのフォトダイオード２のカソードが電源ラインＶccに接続され、そのアノードが前置増幅器６の入力接点に接続され、更にカソードとグランドラインＧＮＤ間に電源バイパスコンデンサ４が接続される。前置増幅器６は、入力接点と反転出力接点間に電流／電圧変換（Ｉ−Ｖ変換）用の抵抗１０が接続され、その電源供給用接点が電源ラインＶccに、グランド接点がグランドラインＧＮＤに接続される。前置増幅器６の反転出力接点と非反転出力点が夫々カップリングコンデンサ１２，１４を通じてコンパレータ１６の反転入力接点と非反転入力点に接続され、更にコンパレータ１６の電源供給用接点が電源ラインＶccに、グランド接点がグランドラインＧＮＤに接続される。また、コンパレータ１６の電源供給用接点とグランドラインＧＮＤ間に電源バイパスコンデンサ１８が接続される。コンパレータ１６の反転出力接点と非反転出力点がクロック信号復元回路等の信号処理回路２０の入力接点に接続され、この信号処理回路２０の出力接点が所定のリードピンに接続されたり、次段の信号処理回路（図示せず）に接続されるようになっている。また、信号処理回路２０の電源供給用接点が電源ラインＶccに、グランド接点がグランドラインＧＮＤに接続されると共に、この電源供給用接点とグランドラインＧＮＤ間に他の電源バイパスコンデンサが接続される。
【００１５】
ここで、フォトダイオード２、電源バイパスコンデンサ４，８、前置増幅器６及び抵抗１０、コンパレータ１６、信号処理回路２０の夫々は、図１中の点線にて示す如く、個別の半導体チップ（ベアチップ）のままでリードフレームに搭載され、各ベアチップに形成されている所定のボンディングパッド（図中、□で示す）ＢＰにボンディングワイヤＢＷ，ＢＷ’を接続することにより配線がなされる。また、前置増幅器６及び抵抗１０はＧａＡｓ半導体にてＩＣ化されたベアチップ、コンパレータ１６と信号処理回路２０は夫々シリコン半導体にてＩＣ化されたベアチップである。
【００１６】
そして、光信号ｈνがフォトダイオード２で電気信号に変換され、前置増幅器６で信号処理可能な電圧レベルに増幅されて、コンパレータ１６に入力することにより、コンパレータ１６の各出力接点から光信号ｈνに相当する反転信号ＱBと非反転信号Ｑが出力され、信号処理回路２０がこれらの信号ＱB，Ｑに基づいて信号処理を行う。
【００１７】
次に、かかる回路を組み込んだユニットの構造を製造工程に沿って説明する。図２に示すように、各ユニットに対応する所定形状のパターンが連続形成されたリードフレーム１００が用意され、製造ラインで自動組立が行われる。このリードフレーム１００は銅板に錫メッキ等を施した導電性平板にて形成され、フォトダイオード２等の複数のベアチップを搭載するための比較的大面積の搭載部１０２と複数のリードピン１０４が補強部によって一体化されている。
【００１８】
搭載部１０２の中央部分に、電源バイパスコンデンサ４，８となるダイキャップ等の平行平板コンデンサ２２を共晶半田などで固着し、その平行平板コンデンサ２２上にフォトダイオード２を共晶半田などで固着したり、予め平行平板コンデンサ２２上にフォトダイオード２を固着しておき平行平板コンデンサ２２を搭載部１０２の中央部分に共晶半田などで固着する。更に、フォトダイオード２の近傍に前置増幅器６、他の部分にコンパレータ１６及び信号処理回路２０、リードフレーム１００の他の所定部分にコンデンサ１２，１４，１８その他の受動素子（マイクロチップ）を共晶半田などで固着する。
【００１９】
フォトダイオード２は、図３に示すように、ｎ+半導体基板上にｎ，ｉ，ｐ+層が積層され、ｐ+層の所定部分に直径が数十μｍないし数百μｍの円形受光面を確保するようにしてｐ電極及びＳｉＯ2絶縁層が積層され、ｎ+半導体基板の裏面に電源電圧Ｖccを印加するためのｎ電極層が形成されて成るｐｉｎ型光電変換素子が用いられている。平行平板コンデンサ２２は、図４に示す如く、厚さ約１５０μｍで長さ及び幅が夫々数百μｍに形成された高誘電体材料からなる薄板の裏面全体に金属電極層２２ａがコーティングされ、表面には相互に分離された一対の金属電極層２２ｂ，２２ｃがコーテングされることにより、夫々数ｐＦないし数十ｐＦの２個のコンデンサ４，８が形成されている。
【００２０】
そして、平行平板コンデンサ２２の金属電極層２２ａを搭載部１０２に直接固着し、コンデンサ４を形成している表面側の金属電極層２２ｂにフォトダイオード２のｎ電極層を直接固着することにより、図１に示すフォトダイオード２と電源バイパスコンデンサ４の接続を実現している。
【００２１】
このように各電子デバイスをリードフレーム１００の所定部分に搭載した後、ボンディングワイヤによる配線処理を行う。但し、各電子デバイスに設けられている電源電圧供給用のボンディングパッドとリードフレーム１００の電源ラインＶccとの間を接続すべきボンディングワイヤＢＷ’は配線せず（電気的に開放状態のままにする）、各電子デバイス間を接続するためのボンディングパッド間とグランドラインＧＮＤについてのボンディングワイヤＢＷだけを配線することによって、製造工程途中での検査を行う。
【００２２】
即ち、リードフレーム１００の電位を計測用電源のグランド電位に設定し、計測用電源の電源電圧Ｖccに設定された探針（プローブ）の先端を各電子デバイスの電源電圧供給用のボンディングパッドに接触させることで、図１に示した回路と等価なバイアスを設定し、計測器に接続された計測用短針を各電子デバイスの所望の部分に接触させることにより検査を行う。
【００２３】
より具体的に述べれば、平行平板コンデンサ２２の金属電極層２２ｂと２２ｃに電源電圧Ｖccに設定された短針を接触させることにより、フォトダイオード２の裏面側（アノード側）へ直接電源電圧Ｖccを印加すると共に、前置増幅器６にはボンディングワイヤＢＷを介して電源電圧Ｖccを印加する。このとき、平行平板コンデンササ２２によりフォトダイオード２とリードフレーム１００間が電気的に分離されるので、リードフレーム１００がグランド電位であってもフォトダイオード２に適正な電源電圧Ｖccを印加することができる。
【００２４】
したがって、従来の技術では、かかるフォトダイオードがリードフレームに直付されていることから、このリードフレームの補強部を除去してフォトダイオード搭載部と他の電子デバイスの搭載部を電気的に分離した後でなければ検査することができなかったのに対し、この実施の形態では、フォトダイオード２と他の電子デバイス６，１６，２０が同一の搭載部１０２上に搭載され、且つフォトダイオード２と他の電子デバイス６，１６，２０を動作させるためのバイアス設定条件が相違する場合であっても、これらの電子デバイスを適正なバイアスに設定することができるので、製造工程の途中での検査を実施することができる。
【００２５】
次に、この製造工程途中の検査が終了すると、前記の短針を取り外し、電源電圧印加用のボンディングパッドＢＰとリードフレーム１００の電源印加用リードピン間をボンディングワイヤＢＷ’で接続した後に金型の中へ搬送して、図２中の点線で示す範囲内の部分を樹脂封止し、更にリードフレーム１００の補強部や不要部分を裁断して除去することにより、個々のユニットを完成する。尚、樹脂は光信号ｈνに対して透明な硬化樹脂が使用される。また、前記検査で不良箇所が発見された場合には、該当するユニットについてのその後の製造工程が省略され、正常なユニットについての製造だけを継続する等の選別処理が行われる。
【００２６】
そして、完成された正常なユニットについてのみ、光ファイバのフェルールを受納するためのスリーブに対して、集光レンズを介してフォトダイオード２の受光面を光軸合わせし、その状態でモジュール筐体に組み付けることにより、高性能で小型且つ機械的強度に優れた光受信モジュールを完成する。
【００２７】
尚、リードフレーム１００と各電子デバイスを前記の金型によって単に樹脂封止する場合を述べたが、樹脂封止の際に、前記スリーブと集光レンズをもフォトダイオード２の受光面に対向させて一体に樹脂形成することもできる。
【００２８】
また、フォトダイオード２の裏面と平行平板コンデンサ２２の表面側電極層２２ｂの接続、平行平板コンデンサ２２の裏面２２ａとリードフレーム１００の接続、前置増幅器６とコンパレータ１６及び信号処理回路２０をリードフレーム１００に接続するために共晶半田を用いる場合を説明したが、かかる接続構造に限らず、導電性の樹脂（接着材）や導電性の接着シートなどによって接続してもよい。
【００２９】
また、図３に示すｐｉｎ型光電変換素子を用いる場合を述べたが、本発明は、かかる構造の光電変換素子に限定されるものではない。例えば、図５に示すように半絶縁性基板を用いた光電変換素子にあっては、図６に示すように、その光電変換素子を平行平板コンデンサ２２の一方の表面側金属層２２ｂに直接搭載し、その光電変換素子の表面側に設けられたｐ電極をワイヤボンディングにて表面側金属層２２ｂに接続し、出力接点と前置増幅器の入力接点間を他のボディングワイヤＢＷ”で接続することにより、製造工程途中での検査が可能な構造を実現することができる。
【００３０】
また、一個の搭載部１０２上にフォトダイオード２と平行平板コンデンサ２２、前置増幅器６、コンパレータ１６及び信号処理回路２０を搭載して樹脂封止する構造を説明したが、かかる構造に限定されるものではなく、例えば、フォトダイオード２と平行平板コンデンサ２２及び前置増幅器６を搭載するための第１の搭載部と、コンパレータ１６及び信号処理回路２０を搭載するための第２の搭載部とに分離した形状のリードフレームを使用し、夫々の搭載部に上記各構成要素を搭載した後、一括して樹脂封止するようにしてもよい。尚、フォトダイオード２と前置増幅器６を別個の搭載部に振り分けて搭載することは、雑音成分の増加を招来する等の点で好ましくない。
【００３１】
次に、他の実施の形態を図７ないし図９と共に説明する。尚、図７は光受信モジュールに搭載される他の回路例、図８はこの回路動作を説明するための波形図、図９はこの回路が組み込まれたユニットの要部構造を示す。また、図７において図１と同一又は相当する部分を同一符号にて示している。
【００３２】
図７において、図１の回路との相違点を述べると、Ｉ−Ｖ変換用の抵抗１０ａ，１０ｂが設けられた同一特性の反転増幅器からなる２個の前置増幅器６ａ，６ｂが備えられ、これらの前置増幅器６ａ，６ｂ及び抵抗１０ａ，１０ｂはＧａＡｓ半導体にてＩＣ化されたベアチップのままでリードフレームに搭載される。また、フォトダイオード２のアノード・カソード間の接合容量と等しい値のダミーコンデンサ２４が、アノードと前置増幅器６ａの入力接点間に接続され、カソードと前置増幅器６ｂの入力接点間に接続され、夫々の前置増幅器６ａ，６ｂの出力接点がカップリングコンデンサ４２，４４を通じてコンパレータ１６の入力接点に接続される。
【００３３】
そして、光信号ｈνがフォトダイオード２で電気信号に変換され、前置増幅器６ｂで信号処理可能な電圧レベルに増幅され、その交流成分がカップリングコンデンサ４４を介してコンパレータ１６の非反転入力接点に入力する。また、前置増幅器６ａは、ダミーコンデンサ２４に生じる電圧を増幅し、その交流成分をコンパレータ１６の反転入力接点に入力する。ここで、ダミーコンデンサ２４はフォトダイオード２の接合容量と等しい値に設定されているので、電源ラインＶccに電圧変動が発生した場合、前置増幅器６ｂにはこの電圧変動成分に光信号成分が重畳した信号が入力することになり、一方の前置増幅器６ａには、フォトダイオード２と等しい電圧変動成分が入力することになり、夫々の前置増幅器６ａ，６ｂからは図８（ａ）に示すような電圧変動成分を含む信号が出力される。これらの出力信号の交流成分がカップリングコンデンサ４２，４４を通じてコンパレータ１６に入力され、夫々の交流成分の電圧レベルを比較することにより、電圧変動成分が実質的に相殺され、図８（ｂ）に示すような光信号ｈνのみに相当する非反転信号Ｑと反転信号ＱBが出力される。このように、この回路は、フォトダイオード２の接合容量と等しい値のダミーコンデンサ２４を設けることによって、電源ラインＶccに対する雑音抑制効果を発揮する構成となっている。
【００３４】
かかる回路を組み込んだユニットの製造工程では、図２に示したのと同様のリードフレーム１００が用意され、図９に示すように、搭載部１０２の中央部分に平行平板コンデンサ２２を共晶半田などにより固着し、平行平板コンデンサ２２の一方のコンデンサ４の金属電極層２２ｂ上に、フォトダイオード２のｎ電極層とダミーコンデンサ２４の一方の端子２４ａが共晶半田などにより固着する。更に、フォトダイオード２の近傍に前置増幅器６ａ，６ｂ及び抵抗１０ａ，１０ｂが形成されたベアチップ、他の部分にコンパレータ１６及び信号処理回路２０の各ベアチップ、リードフレームの他の所定部分にコンデンサ１２，１４，１８その他の受動素子（マイクロチップ）を共晶半田などにより固着する。
【００３５】
そして、これらの電子デバイスに設けられている電源電圧供給用のボンディングパッドとリードフレーム１００の電源ラインＶccとの間を接続すべきボンディングワイヤＢＷ’は配線せず、各電子デバイス間を接続するためのボンディングパッド間とグランドラインＧＮＤについてのボンディングワイヤＢＷだけを配線することによって、製造工程途中での検査を行う。
【００３６】
即ち、平行平板コンデンサ２２の金属電極層２２ｂと２２ｃに電源電圧Ｖccに設定された短針を接触させることにより、フォトダイオード２の裏面側（アノード側）とダミーコンデンサ２４の一端２４ａに適正な電源電圧Ｖccを印加すると共に、前置増幅器６ａ，６ｂにはボンディングワイヤＢＷを介して適正な電源電圧Ｖccを印加し、ダミーコンデンサ２４の他端２４ｂと前置増幅器６ａの入力接点、フォトダイオード２のカソードと前置増幅器６ｂの入力接点をボンディングワイヤＢＷで接続する。このとき、平行平板コンデンサ２２によりフォトダイオード２及びダミーコンデンサ２４がリードフレーム１００とは電気的に分離されるため、リードフレーム１００がグランド電位であっても、フォトダイオード２及びダミーコンデンサ２４に適正な電源電圧Ｖccを印加することができ、製造工程の途中に検査を実施することができる。
【００３７】
次に、この製造工程途中の検査が終了すると、前記の短針を取り外し、電源電圧印加用のボンディングパッドＢＰとリードフレーム１００の電源印加用リードピン間をボンディングワイヤＢＷ’で接続した後に金型の中へ搬送して樹脂封止し、更に、リードフレーム１００の補強部や不要部分を裁断して除去することにより、個々のユニットを完成する。尚、樹脂は光信号ｈνに対して透明な硬化樹脂が使用される。また、前記検査で不良箇所が発見された場合には、該当するユニットについてのその後の製造工程が省略され、正常なユニットについての製造だけを継続する等の選別処理が行われる。そして、完成された正常なユニットだけについて、光ファイバのフェルールを受納するためのスリーブに対して、集光レンズを介してフォトダイオード２の受光面を光軸合わせし、その状態でモジュール筐体に組み付けることにより、高性能で小型且つ機械的強度に優れた光受信モジュールを完成する。
【００３８】
このように、これらの実施の形態によれば、リードフレーム上に平行平板コンデンサを介して光電変換素子を搭載するようにしたので、製造工程の途中で、リードフレームに対して電気的に分離した状態で光電変換素子を適正なバイアスに設定して検査を行うことができる。また、この平行平板コンデンサは、単に光電変換素子とリードフレームとの間を電気的に分離するだけでなく、ボンディングワイヤにて所定の配線を行うことにより、光電変換素子と前置増幅器の電源バイパスコンデンサに利用することができるという効果が得られる。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、リードフレームの補強部が裁断されて分離される以前の製造工程の途中であっても、光電変換素子に適正な電源電圧を印加して検査を行うことができる。そして、不良の検出されたものについての製造工程を省略し、正常なものについての製造だけを継続する等の選別処理を行うことにより、製造コストの低減化を図ることができる。
【００４０】
また、光電変換素子を搭載するための平行平板コンデンサをその光電変換素子や他の電子デバイスの電源バイパスコンデンサとして使用することができる等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光受信モジュールに搭載される回路例を示す回路図である。
【図２】リードフレームの形状を示す説明図である。
【図３】光電変換素子の一例の構造を示す説明図である。
【図４】平行平板コンデンサと光電変換素子とリードフレームの接続構造を説明するための説明図である。
【図５】他の光電変換素子の構造を示す説明図である。
【図６】平行平板コンデンサと他の光電変換素子とリードフレームの接続構造を説明するための説明図である。
【図７】光受信モジュールに搭載される他の回路例を示す回路図である。
【図８】他の回路の動作を説明するための波形図である。
【図９】他の回路における平行平板コンデンサと光電変換素子とリードフレームの接続構造を説明するための説明図である。
【図１０】従来の光受信モジュールの構造を示す説明図である。
【符号の説明】
２…光電変換素子、４，８，１８…電源バイパスコンデンサ、６，６ａ，６ｂ…前置増幅器、１０，１０ａ，１０ｂ…抵抗、１２，１４，４２，４４…カップリングコンデンサ、１６…コンパレータ、２０…信号処理回路、２４…ダミーコンデンサ、１００…リードフレーム、１０２…搭載部、１０４…リードピン、ＢＰ…ボンディングパッド、ＢＷ，ＢＷ’，ＢＷ”…ボンディングワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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