(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面上に接続パッドを有する基板と、一主面のうち該接続パッドに対応する位置に取付パッドを有する取付基板と、の間に介在させ、第１面側で該接続パッドと接続させ、第２面側で該取付パッドと接続させることにより該基板と取付基板とを接続させるための中継基板であって、
第１面と第２面とを有する略板形状の中継基板本体と、
第１面上に形成され、上記接続パッドと接続するための第１面側接続端子と、
第２面上に形成され、上記取付パッドと接続するための第２面側接続端子と、
上記第１面および第２面の双方から識別可能に形成されてなる標識と、を有し、
上記第１面側接続端子および第２面側接続端子は、上記中継基板本体の第１面と第２面との間を貫通する複数の貫通孔に貫挿された軟質金属からなり、
上記標識は、上記中継基板本体における第１面と第２面との間を貫通する貫通孔により形成されていると共に、
上記標識は、上記複数の貫通孔のうちのいくつかの断面形状を他の貫通孔の断面形状と異ならせることにより形成され、且つ該貫通孔内に上記軟質金属が貫挿されている、
ことを特徴とする中継基板。
【請求項２】
一主面上に接続パッドを有する基板と、一主面のうち該接続パッドに対応する位置に取付パッドを有する取付基板と、の間に介在させ、第１面側で該接続パッドと接続させ、第２面側で該取付パッドと接続させることにより該基板と取付基板とを接続させるための中継基板であって、
第１面と第２面とを有する略板形状の中継基板本体と、
第１面上に形成され、上記接続パッドと接続するための第１面側接続端子と、
第２面上に形成され、上記取付パッドと接続するための第２面側接続端子と、
上記第１面および第２面の双方から識別可能に形成されてなる標識と、を有し、
上記第１面側接続端子および第２面側接続端子は、上記中継基板本体の第１面と第２面との間を貫通する複数の貫通孔に貫挿された軟質金属からなり、
上記標識は、上記中継基板本体における第１面と第２面との間を貫通する貫通孔により形成されていると共に、
上記標識は、上記第１面側接続端子および第２面側接続端子が設けられる貫通孔以外に形成され、且つ上記軟質金属が貫挿されないダミーの貫通孔よりなる、
ことを特徴とする中継基板。
【請求項３】
前記ダミーの貫通孔は、前記接続端子の配列領域内に形成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の中継基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一主平面（基板面）上に複数の接続端子（接続パッド）を有するＢＧＡ型集積回路基板等の基板と、この接続端子に対応する位置に同様に接続端子（取付パッド）を備え、この基板を取り付けるためのマザーボード等の取付基板との間に介在させる中継基板であって、中継基板の基板面に位置決めや品番表示のためなどの標識を形成した中継基板、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
近年の集積回路（ＩＣ）技術の進展により、ＩＣチップに設けられる入出力端子の数が増大し、それに伴い、ＩＣチップを搭載するＩＣ搭載基板に形成される入出力端子の数も増大している。しかし、入出力端子を基板の周縁部に設ける場合には、端子の数に従って基板サイズの増大を招き、ＩＣ搭載基板のコストアップや歩留りの低下を生じ、好ましくない。
【０００３】
そこで、ＩＣ搭載基板の主表面（平面）にピンを格子状または千鳥状に並べるいわゆるＰＧＡ（ピングリッドアレイ）型基板が広く用いられる。しかし、更に端子数を増加したり、サイズを小さくするには、基板表面にピンを取り付けるＰＧＡ型基板では限界がある。
【０００４】
そこで、以下のような手法が行われている。即ち、基板表面上にピンに代えてパッド（ランド）を格子状または千鳥状に並べて形成し、このパッドに、略球状（ボール状）の高温ハンダやＣｕ、Ａｇ等のハンダ濡れ性の良い金属からなる端子部材をあらかじめ共晶ハンダ付けしたバンプを設けておく。一方、相手方のマザーボードなどのプリント基板（ＰＣＢ）にもＩＣ搭載基板のパッドと対応する位置にパッドを形成し、このパッドに共晶ハンダペーストを塗布しておく。その後、両者を重ねて加熱し、ハンダペーストを溶融させてハンダ付けすることによって、端子部材を介して両者を接続することがなされる。一般には、パッドのみ格子状に設けた基板はＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）型基板と呼ばれる。
【０００５】
ところで、このようにＩＣ搭載基板およびプリント基板の平面上に線状や格子状（千鳥状も含む）にパッドやバンプ端子などを形成し、ＩＣ搭載基板とプリント基板を接続する場合には、ＩＣ搭載基板とプリント基板の材質の違いにより熱膨張係数が異なるので、平面方向に熱膨張差が発生する。すなわち、端子部材から見ると、接続しているＩＣ搭載基板およびプリント基板が平面方向についてそれぞれ逆方向に寸法変化しようとするので、端子部材やパッドにはせん断応力が働くこととなる。
【０００６】
このせん断応力は、接続される端子のうち、最も離れた２つの端子間で最大となる。すなわち、例えば端子群が格子状にかつ最外周の端子が正方形をなすように形成されている場合は、それぞれこの正方形の最外周の対角上に位置する２つの端子間で最も大きな熱膨張差が発生し、最も大きなせん断応力が掛かることとなる。特に、ＬＧＡ型やＢＧＡ型などの基板をプリント基板と接続する場合には、端子間の間隔（ピッチ）が比較的大きく、従って、最も離れた端子間の距離が大きくなりやすい。さらに、ＬＧＡ型やＢＧＡ型基板にセラミック製基板を用いた場合、一般に用いられるガラスエポキシ製のプリント基板とは、熱膨張係数が大きく異なるので、発生するせん断応力が大きくなる。
【０００７】
このようなせん断応力が掛かると、パッドから端子部材と共にハンダが外れることがある。また、繰り返し熱応力によってパッド近傍のハンダに、パッド表面に沿ってハンダの薄皮１枚を残すようにして、パッドに略平行なクラックが入り、ついには破壊（破断）することもあり、高い接続信頼性を得ることはできなかった。パッド近傍のハンダは、多くの場合上述のように共晶ハンダが用いられ、比較的硬くて脆く、また熱や応力により経時変化を生じやすいために繰り返し応力でクラックを生ずるからである。
【０００８】
この問題は、特に、比較的熱膨張係数の小さいセラミック製のＬＧＡ型基板（またはＢＧＡ型基板）と比較的熱膨張係数の大きいガラスエポキシ等の樹脂製プリント基板との間で生じやすい。なお、この場合には、クラックはセラミック基板側のパッド近傍の共晶ハンダ部分で生じることが多い。セラミックは硬く、応力を吸収しがたいが、樹脂製プリント基板は比較的柔らかく、また樹脂製プリント基板上に形成されたＣｕ等からなるパッドも柔らかいので応力を吸収するからである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
これに対して、本発明者らは、特願平９−８２０３３号および特願平９−８２１２３号において、基板と取付基板との間に中継基板を介在させることで、基板と取付基板との接続を用意し、しかもその中継基板本体に貫挿した軟質金属体の突出部の変形等により応力を緩和させることを提案している。
【００１０】
このような中継基板では、基板の接続パッドと配線基板の取付パッドとを中継基板を介して正確に接続する必要があるため、精密な位置合わせが必要である。しかし、中継基板に位置決めの等を示す標識が形成されていないと、基板と中継基板とを、または中継基板と取付基板とを接続する際に、黙視または拡大して確認しつつセットする必要があった。
【００１１】
また、基板とプリント基板と接続する中継基板は、その性質上接続端子の長さが制限されており、中継基板と基板、または中継基板とプリント基板の間隔が非常に小さな値になる場合には、黙視等での位置決めが困難であった。さらに、中継基板本体の第１面および第２面に形成された接続端子の高さが異なる場合、形成された接続端子の高さが高い方の基板面に標識を形成した場合、標識が認識しにくいという問題があった。
【００１２】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、中継基板の表面に認識が容易な標識を形成することによって、上述した課題を解決することができる中継基板、およびその製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決する手段】
まず、請求項１に記載の解決手段は、一主面上に接続パッドを有する基板と、一主面のうち該接続パッドに対応する位置に取付パッドを有する取付基板と、の間に介在させ、第１面側で該接続パッドと接続させ、第２面側で該取付パッドと接続させることにより該基板と取付基板とを接続させるための中継基板であって、
第１面と第２面とを有する略板形状の中継基板本体と、第１面上に形成され、上記接続パッドと接続するための第１面側接続端子と、第２面上に形成され、上記取付パッドと接続するための第２面側接続端子と、上記第１面および第２面の双方から識別可能に形成されてなる標識と、を有し、
上記第１面側接続端子および第２面側接続端子は、上記中継基板本体の第１面と第２面との間を貫通する複数の貫通孔に貫挿された軟質金属からなり、
上記標識は、上記中継基板本体における第１面と第２面との間を貫通する貫通孔により形成されていると共に、上記標識は、上記複数の貫通孔のうちのいくつかの断面形状を他の貫通孔の断面形状と異ならせることにより形成され、且つ該貫通孔内に上記軟質金属が貫挿されている、
ことを特徴とする中継基板である。
なお、ここでいう断面形状とは、貫通孔の貫通方向に垂直な断面の形状を指す。
【００１４】
本発明によれば、中継基板本体を貫通する貫通孔が標識となるため、第１面側および第２面側の双方から正確かつ確実に識別でき、基板や取付基板との接続時に精度良く位置決めすることができる。しかも、第１面側接続端子および第２面側接続端子が柔らかい軟質金属体から形成されているので、基板および取付基板の間で生じる熱応力を吸収でき、耐久性に優れた中継基板に、容易に標識を形成することができる。すなわち、上記複数の貫通孔を形成する際に、貫通孔のうちの１つまたは２つ以上を他の貫通孔の断面形状と異ならせることにより、識別可能にしたものであり、他の貫通孔と同時に形成可能である。さらに、このような標識は、接続端子が形成される貫通孔を標識として用いるので、標識を形成するための余分なスペースを必要とせず、中継基板のほぼ全域に接続端子を形成できる。加えて、標識が両面から認識可能に形成されるというメリットもある。
【００１５】
ここで、軟質金属体とは、柔らかい金属からなるものを指し、具体的な材質としては、鉛（Ｐｂ）やスズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）やこれらを主体とする合金などが挙げられ、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダ（例えば、Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％合金、Ｐｂ９５％−Ｓｎ５％合金等）やホワイトメタルなどが挙げられる。また、低融点とするため、ＢｉやＩｎ等の金属の添加、あるいは主成分とするものであっても良い。なお、鉛、スズ等は再結晶温度が常温にあるので、塑性変形しても再結晶する。したがって、繰り返し応力がかかっても容易に破断（破壊）に至らないので都合がよい。その他、純度の高い銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）も柔らかいので用いることができる。。
【００１６】
第１面側接続端子および第２面側接続端子は、それぞれ電気的に接続されておればよく、その接続方法は中継基板本体に形成された内部配線、ビアなど特に限定されない。本発明の中継基板は、基板と取付基板の間に介在して、それぞれと接続するものであるので、便宜的に基板と接続する側を第１面側、取付基板と接続する側を第２面側として両者を区別することとする。
【００１７】
また、中継基板の材質としては、接続する基板や取付基板の材質や熱膨張係数等を考慮して選択すればよいが、例えば、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミックなどのセラミックが挙げられる。また、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ポリイミド樹脂、ガラス−ＢＴ樹脂等の複合材料、エポキシ等の樹脂とセラミック粉末の複合材料等を用いることもできる。なお、中継基板本体の材質をセラミックとすると、中継基板本体の強度が高く、さらには耐熱性が高いので、高強度で、リワークなどによって繰り返し加熱されても変形を生じない点で好ましい。
【００１８】
加えて、本発明に使用される着色剤としては、例えば、酸化クロム、酸化コバルト、チタニア（ＴｉＯ2）、タングステン、タングステン酸化物、モリブデン、モリブデン酸化物等が挙げられ、これらの１種のみ或いは２種以上組み合わせて用いられる。ただし、着色剤はこれらに限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、適宜材料を選択することができることは言うまでもない。
【００１９】
また、セラミック材料としては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム、ムライト等公知のセラミック材料を用いることができる。
【００２０】
さらに、請求項２の解決手段は、一主面上に接続パッドを有する基板と、一主面のうち該接続パッドに対応する位置に取付パッドを有する取付基板と、の間に介在させ、第１面側で該接続パッドと接続させ、第２面側で該取付パッドと接続させることにより該基板と取付基板とを接続させるための中継基板であって、
第１面と第２面とを有する略板形状の中継基板本体と、第１面上に形成され、上記接続パッドと接続するための第１面側接続端子と、第２面上に形成され、上記取付パッドと接続するための第２面側接続端子と、上記第１面および第２面の双方から識別可能に形成されてなる標識と、を有し、
上記第１面側接続端子および第２面側接続端子は、上記中継基板本体の第１面と第２面との間を貫通する複数の貫通孔に貫挿された軟質金属からなり、
上記標識は、上記中継基板本体における第１面と第２面との間を貫通する貫通孔により形成されていると共に、上記標識は、上記第１面側接続端子および第２面側接続端子が設けられる貫通孔以外に形成され、且つ上記軟質金属が貫挿されないダミーの貫通孔よりなる、
ことを特徴とする中継基板である。
【００２１】
本発明によれば、中継基板本体を貫通する貫通孔が標識となるため、第１面側および第２面側の双方から正確かつ確実に識別でき、基板や取付基板との接続時に精度良く位置決めすることができる。しかも、接続端子を形成しないダミーの貫通孔を中継基板本体に形成することにより位置決め等の認識が容易になるため、このダミーの貫通孔は、接続端子が形成される貫通孔と同時に形成可能であり、新たな工程を必要とせずに形成可能である。また、両面から認識可能である点でも優れている。
【００２２】
さらに、上記ダミー貫通孔には、軟質金属体からなる接続端子が形成されないので、中継基板を固定するためのピン等を挿入するができる。ピン等で固定することにより、基板や取付基板と接続する際に位置ずれを起こすこともない。
特に、接続端子形成可能な貫通孔を中継基板ほぼ全域に設け、そのうちの１つまたは２つ以上をダミー貫通孔（標識）とし、その他には接続端子を形成すると、ダミー貫通孔の数や位置によって他の品番と区別できる。また、ほぼ全域に貫通孔を形成した中継基板本体を汎用品として用いることができるので、異なる品番であっても、同じ金型で形成可能である。
【００２３】
また、請求項３に記載の解決手段は、請求項２の中継基板であって、前記ダミーの貫通孔は、前記接続端子の配列領域内に形成されている、中継基板である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図とともに説明する。
（参考形態１）
図１は、本発明の前提となる参考形態にかかる中継基板１０の部分拡大断面図である。即ち、この中継基板１０は、アルミナ（９１ｗ％、平均粒径２．８μｍ）、ガラス成分（８ｗ％）、顔料（酸化クロムとモリブデン酸化物を併せて１ｗ％）からなり、厚さ０．３ｍｍ、一辺２５ｍｍの正方形の断面形状をなし、第１面１ａと第２面１ｂとの間を貫通する複数の貫通孔Ｈ（内径０．８ｍｍ）を有する黒色のセラミック製中継基板本体１を有する。この貫通孔Ｈは、１．２７ｍｍピッチで格子状に縦横各１９ヶ（合計３６１ヶ）穿孔されている。また、この貫通孔Ｈ内に貫挿され、両面より突出した第１突出部（第１面側接続端子）６ａおよび第２突出部（第２面側接続端子）６ｂを備えた軟質金属体６を有する。さらに、第１突出部６ａの上部には共晶ハンダ（Ｐｂ３７％−Ｓｎ６３％）からなるハンダ層７（高さ０．０８ｍｍ）を備えている。
【００２５】
このような中継基板１０には、第１面側（図中上面）から認識可能に形成した標識層９（φ１．２７ｍｍ）が形成されいる。標識層９は、アルミナ（８０％、平均粒径５％）、ガラス成分２０％で構成されている。標識層９は、焼結時に生じる中継基板から標識層９への顔料の拡散を抑制するために、中継基板本体よりも平均粒径の大きなアルミナを用い、かつガラス成分を多く含んで形成されているが、焼成時の拡散によりごく微量の顔料を含んでいる。黒色の中継基板本体１に対して標識層９は白色系であるので、両者の色調は大きく異なり、認識が容易である。
【００２６】
なお、中継基板本体１の貫通孔Ｈの内周および貫通孔縁にはタングステン下地金属層２（厚さ約１０μｍ）およびその上に形成された無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層３（厚さ約２μｍ）が形成され、このＮｉ−Ｂメッキ層３に軟質金属体６が溶着している。ここで、第１突出部６ａの第１面１ａからの突出高さ（第１突出高さ）Ｚ１は０．００１２ｍｍであり、第２突出部６ｂの第２面１ｂからの突出高さ（第２突出高さ）Ｚ２は、１．４５ｍｍとされている。すなわち、突出高さＺ１とＺ２が異なるように形成されており、更にいえば、突出高さは、Ｚ１＜Ｚ２とされている。また、略柱状とされた第２突出部６ｂの径は、０．８８ｍｍとされている。
【００２７】
次いで、この中継基板１０を、例えば以下のようにして基板および取付基板と接続する。まず、中継基板１０と接続する基板として図２（ａ）に示すような、厚さ１．０ｍｍ、一辺２５ｍｍの略正方形状のＬＧＡ型基板２０を用意した。このＬＧＡ型基板２０は、中継基板本体と同様にアルミナセラミックからなり、図中上面２０ａにＩＣチップをフリップチップ接続により載置するためのフリップチップパッド２１を備え、図中下面２０ｂに外部接続端子として接続パッド２２を備えている。この接続パッド２２は、直径０．８６ｍｍで、中継基板１０の軟質金属体６の位置に適合するように、ピッチ１．２７ｍｍの格子状に縦横１９ヶ配列され、下地のモリブデン層上に無電解Ｎｉ−Ｂメッキが施され、さらに酸化防止のために薄く無電解金メッキが施されている。また、図示しない内部配線によってフリップチップパッド２１と接続パッド２２とがそれぞれ接続している。
【００２８】
また、取付基板として、図２（ｂ）に示すようなプリント基板４０を用意した。プリント基板４０は、厚さ１．６ｍｍ、一辺３０ｍｍの略正方形状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料（ＪＩＳ：ＦＲ−４）からなり、主面４０ａには、ＬＧＡ型基板２０の接続パッド２２と、したがって、中継基板１０の軟質金属体６と対応する位置に、取付パッド４２が形成されている。この取付パッド４２は、厚さ２５μｍの銅からなり、直径約０．７２ｍｍで、ピッチ１．２７μｍで格子状に縦横各１９ヶ、径３６１ヶ形成されている。
【００２９】
まず、あらかじめ取付パッド４２の上に低融点ハンダペースト（共晶ハンダペースト）Ｓを約２５０μｍの厚さに塗布したプリント基板４０の上に、標識層９を認識しつつ、中継基板１０を載置し、更に中継基板４０の上にＬＧＡ型基板を載置する。これらを最高温度２２０℃のリフロー炉を通過させ、共晶ハンダからなるハンダ層７およびハンダペーストＳを溶融させ、図３に示すように基板２０−中継基板１０−プリント基板４０の三者を接続した構造体５０を形成した。なお、ハンダペーストＳは溶融し、ハンダ層８として、第２突出部６ｂと取付パッド４２とを接続している。
【００３０】
ところで、中継基板に、標識が設けられていないと、プリント基板４０に載置する際に正確に位置決めすることが困難であり、作業性が悪い。また、標識層を設けたとしても、標識層と中継基板本体との色調差が無いかわずかである場合には、認識が困難であるばかりか、誤認が生じる可能性もある。
それに対して、前記参考形態の中継基板１０によれば、黒色の中継基板本体１と色調差が明確な標識層９が設けられているので、標識層９の認識が容易であり、したがって、位置決めが容易である。また、中継基板本体１と標識層９はともにアルミナからなるので、焼成の際に両者の間ではがれ等が生じにくい。
【００３１】
なお、上述の例では、基板２０、中継基板１０、およびプリント基板４０を同時に接続する例を示したが、中継基板とプリント基板４０、または基板２０と中継基板１０を先に接続しておいてもよい。また、標識層９は、必要に応じて、第１面１ａまたは第２面１ｂのいずれか、または両方の面に適宜形成すればよい。ついで、この中継基板１０の製造方法について説明する。
【００３２】
まず、アルミナを主成分とするセラミックグリーンシートＧを用意する。このグリーンシートＧは、平均粒径が２．８μｍのアルミナ、その他にガラス成分（ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＣａＯ等）を含み、更にバインダ樹脂、溶剤、および着色剤（酸化モリブデン、モリブデン酸化物）が添加されている。このグリーンシートＧの第１面（図中上面）の所定の位置に、図４（ａ）に示すように、アルミナを主成分とするアルミナペーストＡ（未焼成標識層）をスクリーン印刷により形成する。ただし、このアルミナペーストには、着色剤は含んでいない。
【００３３】
ついで、このグリーンシートＧにパンチング加工により貫通孔Ｈを形成し、図４（ｂ）に示すように、貫通孔Ｈの内面および貫通孔縁ＨＰにタングステンペーストＰを塗布する。ついで、このシートＧを還元雰囲気中で最高温度約１５５０℃にて焼成し、図４（ｃ）に示すような黒色のセラミック製中継基板本体１、タングステンを主成分とする下地金属層２、および標識層９を形成する。焼成後の中継基板本体（以下、単に本体ともいう）１は、厚さ０．３ｍｍで、一辺２５ｍｍの略正方形状を有し、第１面１ａと第２面１ｂとの間を貫通する貫通孔Ｈの内径はφ０．８ｍｍで、１．２７ｍｍのピッチで格子状に、縦横各１９ヶ、計３６１ヶ（＝１９×１９）の貫通孔が形成されている。また、下地金属層２の厚さは約１０μｍである。
【００３４】
さらに、この下地金属層２上に、図４（ｄ）に示すように、厚さ約２μｍの無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層３を形成して、両者で後述するように軟質金属を溶着する金属層４を形成する。さらに、Ｎｉ−Ｂメッキ層３の酸化防止のため、Ｎｉ−Ｂメッキ層３上に厚さ０．１μｍの無電解金メッキ層（図示しない）を形成する。
【００３５】
ついで、貫通孔Ｈ内に軟質金属体６を貫挿する。この参考形態では溶融軟質金属受け治具Ｎを用いて柱状の軟質金属体６を形成する。すなわち、図５（ａ）に示すように、耐熱性があり、且つ溶融した高温ハンダに濡れない材質であるカーボンからなるハンダ片保持治具Ｎの上面には、貫通孔Ｈにそれぞれ対応した位置に直径０．９ｍｍ、深さ１．９５ｍｍで、先端が円錐状の凹部Ｎ１が形成されている。また、保持治具Ｎの凹部Ｎ１の頂部（図中最下部）には、保持治具Ｎを下方に貫通する小径（φ０．２μｍ）のガス抜き孔Ｎ２がそれぞれ形成されている。
【００３６】
まず、この保持治具Ｎの各凹部Ｎ１に直径０．８ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％ハンダ）ボールＤ１を投入しておく。本例では、各凹部にそれぞれ２ヶ投入した。次いで、凹部Ｎ１の端部（上端）に直径１．０ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％ハンダ）ボールＤ２を載置する。このとき、凹部Ｎ１内に既に投入されているボールＤ１とボールＤ２とが接触しないで、かつ後述する高温ハンダの溶融時には両者が接触するように、間隔をわずかに空けておくのが好ましい。このようにするとボールＤ２が凹部Ｎ１の上端縁にぴったりと接触して動かなくなり（あるいは動きにくくなり）、後述する中継基板本体１を載せるときに位置合わせが容易となる。
【００３７】
その後、図５（ｂ）に示すように、ボールＤ２の図中上方に中継基板本体１を載置する。このとき、貫通孔ＨボールＤ２がはまるように標識層９を認識しつつ位置決めする。さらに、中継基板本体１の上方、すなわち、ボールＤ２のある側とは反対側から耐熱性があり溶融した高温ハンダに濡れない材質であるステンレスからなる荷重治具Ｑの平面（図中下面）Ｑ１を本体１の上面に押し当てるようにして載せて、下方に圧縮する。
【００３８】
ついで、窒素雰囲気下で最高温度３６０℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入し、高温ハンダボールＤ１、Ｄ２を溶融させる。すると、溶融した高温ハンダＤ２は、荷重治具Ｑにより図中下方に押し下げられた本体１の貫通孔Ｈ内に貫挿されると共に、貫通孔Ｈの内周の金属層４と溶着する。一方、貫通孔Ｈの上端部では、荷重治具Ｑの平面Ｑ１に倣って平面状になる。また、高温ハンダＤ２は、保持治具Ｎの凹部Ｎ１内にも注入される。すると、溶融した高温ハンダＤ１と接触し、両方の表面張力により一体になろうとする。ところが、ハンダＤ２は、金属層４と溶着し、本体と一体となっているので、本体１から離れて下方に落下することができないため、重力に抗して高温ハンダＤ１を上方に引き上げる形で一体化する。なお、本体１は荷重治具Ｑにより保持治具Ｎの上面Ｎ３に押し当てられた状態まで押し下げられる。
【００３９】
また、ガス抜き孔Ｎ２は、高温ハンダボールＤ１、Ｄ２を溶融させるときに、凹部Ｎ１内に閉じこめられた空気を逃がす役割をする。ただし、受け治具Ｎがハンダに濡れず、ガス抜き孔Ｎ２が小径であるので、ハンダがガス抜き孔Ｎ２に侵入することはない。
【００４０】
その後、冷却して高温ハンダを凝固させると、図６に示すように、中継基板本体１の図中下方側には、側面は凹部Ｎ１の側壁の形状に倣い、図中下端、すなわち、頂部は略半球状となった第２突出部６ｂを有し、上方側にはほとんど突出しない形状の軟質金属体６が貫挿された中継基板１０が形成された。なお、Ｎｉ−Ｂメッキ層３上の金メッキ層は、溶融した高温ハンダ中に拡散して消滅するので、高温ハンダとＮｉ−Ｂメッキ層３とが直接接続し、高温ハンダからなる軟質金属体６は、中継基板本体１に固着される。
【００４１】
（実施形態１）
次いで、本発明の実施形態１について説明する。本実施形態の中継基板１００は、上述した実施形態１の中継基板１０と比べ、標識層９の有無以外はほぼ同様な形状であり、製造方法もほぼ同様である。したがって、同様な部分については省略し、異なる部分についてのみ説明する。
すなわち、前記参考形態１ではほぼ全域に断面形状が円形の貫通孔Ｈを形成したのに対し、本実施形態では貫通孔のうちの１つの形状を略正方形とする。このように複数の貫通孔のうちのいくつかを他と異なる断面形状にし、それを標識として利用する。
【００４２】
まず、図７（ａ）に示すように、厚さ０．３ｍｍ、１辺２５ｍｍの正方形の断面形状をなす黒色のセラミック製中継基板本体１０１に、第１面１０１ａと第２面１０１ｂとを貫通する複数の平面視略円形の貫通孔Ｈ１（内径０．８ｍｍ）および平面視略正方形の貫通孔Ｈ２（１辺０．７ｍｍ）を形成する。
【００４３】
さらに、図７（ｂ）に示すように、上記実施形態１と同様の方法により、軟質金属体１０６を貫通孔Ｈ１およびＨ２に貫挿して形成する。ただし、貫通孔Ｈ２に軟質金属体１０６を形成する際には、貫通孔Ｈ２の形状に応じて治具の凹部形状や高温ハンダボールの大きさや数量を適宜変更するとよい。なお、貫通孔Ｈ１およびＨ２の平面面積がほぼ同一になるようにすると、同じ大きさのハンダボールを同数用いても略同一の高さを有する接続端子を形成することができる。
【００４４】
なお、図７（ｃ）に示す中継基板１１０は、図７（ｂ）に示した中継基板１００と比べ、貫通孔の形成位置のみ異なっている。このような中継基板１００、１１０を用いれば、貫通孔Ｈ２の形成箇所や数量を組み合わせることにより幾通りもの標識パターンが実現可能である。また、標識として用いる貫通孔Ｈ２にも軟質金属体１０６が貫挿され、接続端子として用いられるので、標識を形成するスペースが不要である。
【００４５】
（実施形態２）
次いで、実施形態２について説明する。本実施形態の中継基板１２０は、上述した実施形態１の中継基板１０と比べ、標識層９の有無以外はほぼ同様な形状であり、製造方法もほぼ同様である。したがって、同様な部分については省略し、異なる部分についてのみ説明する。すなわち、上記実施形態１ではほぼ全域に形成された貫通孔Ｈのすべてに軟質金属体６を貫挿し、接続端子を形成したのに対し、本実施形態では貫通孔Ｈのなかに接続端子を形成しないダミーの貫通孔Ｈ３を形成する。このように複数の貫通孔のうちのいくつかは接続端子を形成しない貫通孔Ｈ３とし、この貫通孔Ｈ３を認識することによって、位置決めや他の品番と区別するための標識として利用する。
【００４６】
まず、図８（ａ）に示すように、厚さ０．３ｍｍ、１辺２５ｍｍの正方形の断面形状をなす黒色のセラミック製中継基板本体１２１に、第１面１２１ａと第２面１２１ｂとを貫通する複数の平面視略円形の貫通孔Ｈ（内径０．８ｍｍ）を中継基板本体１２１のほぼ全域に形成する。
【００４７】
次いで、貫通孔Ｈのうちの大多数には軟質金属体１２６を貫挿し接続端子を形成するのに対し、所定の数および位置の貫通孔には、図８（ｂ）に示すように、軟質金属体を形成せずに標識用のダミー貫通孔Ｈ３とする。また、図８（ｃ）に示す中継基板１３０は、中継基板１２０に対し、ダミー貫通孔Ｈ３の形成箇所のみ変更したものである。
【００４８】
本実施形態における中継基板１２０を用いれば、ダミー貫通孔Ｈ３を標識として用いるので、中継基板本体１２１ａおよび１２１ｂの両面から認識可能である。また、このダミー貫通孔Ｈ３に位置決めピンを挿入させて中継基板１２０を固定しつつ、基板または取付基板と接続することもできるので、接続時の位置ずれを防止することも可能である。また、図８（ａ）に示すように中継基板本体１２１のほぼ全域に貫通孔Ｈを形成したものに対してダミー貫通孔Ｈ３の形成数や位置のみ変更することにより品番を区別するようにすると、同じ金型で複数の品番が形成できるので金型のコストを低減できる。
【００４９】
（参考形態２）
さらに、参考形態２について説明する。
参考形態２は、前記実施形態１および２とは、接続端子３の配列領域以外に標識を設ける点で異なっている。すなわち、図９（ａ）に示すように、接続端子が設けられる以外の領域（本例ではコーナ部）に標識用貫通孔Ｈ４を設けた中継基板１４０である。
なお、図９（ｂ）に示すように、貫通孔ではなく、切り欠きＣ等を形成した参考形態の中継基板１５０も利用できる。このような標識は、中継基板の性能を損なわない範囲で、どこに形成してもよいが、略全面に接続端子が形成されているような中継基板においては、コーナ部分に設けることが好ましい。
図９（ａ）および（ｂ）では、接続端子３の配列領域内に形成された貫通孔Ｈのすべてに接続端子３が形成されている。
【００５０】
本発明で使用される中継基板本体の材料としては、上記実施形態に限定されることはない。すなわち、上記実施形態１では、中継基板本体に用いられるセラミック材料として、アルミナを用いた例を示したが、その他にもアルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミックなどのセラミックを用いることができる。また、上記実施形態２乃至４においては、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミック等のセラミック材料や、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ポリイミド樹脂、ガラス−ＢＴ樹脂等の複合材料、エポキシ等の樹脂とセラミック粉末との複合材料等を用いることもできる。さらに、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、本発明の範囲内において適宜変更して適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の前提となる参考形態１にかかる中継基板の部分拡大断面図。
【図２】上記中継基板と接続する基板および取付基板の断面図。
【図３】上記中継基板と基板および取付基板とを接続した状態を示す断面図。
【図４】上記中継基板の製造工程のうち、中継基板本体の製造までを説明する説明図。
【図５】上記中継基板の製造工程のうち、高温ハンダボールを貫通孔に貫挿する工程を説明する説明図。
【図６】上記中継基板の製造工程のうち、軟質金属体を貫通孔に貫挿した状態を説明する説明図。
【図７】本発明の実施形態１にかかる中継基板の平面図。
【図８】本発明の実施形態２にかかる中継基板の平面図。
【図９】（ａ）は参考形態にかかる中継基板の平面図、（ｂ）は参考形態の平面図。
【符号の説明】
１００、１１０、１２０、１３０：中継基板
１０１、１１１、１２１、１３１：中継基板本体
Ｇ：セラミックグリーンシート
２：下地金属層
３：メッキ層
４：金属層
６：軟質金属体
６ａ：第１突出部（第１面側接続端子）
６ｂ：第２突出部（第２面側接続端子）
７：ハンダ層
Ａ：アルミナペースト（未焼成標識層）
９：標識層
Ｈ、Ｈ１、Ｈ２：貫通孔
Ｈ３：標識用ダミー貫通孔
２０：基板
２２：接続パッド
４０：取付基板
４２：取付パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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