(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
記録媒体の進行方向の前後に所定の間隔を開けて互いに対向するように配置された磁極部分を含むと共に、前記媒体対向面から離れた位置において互いに磁気的に連結された第１および第２の磁性層と、
非磁性材料よりなり、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられたギャップ層と、
少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、
前記第２の磁性層は、磁極部分を含み、媒体対向面における幅がトラック幅を規定する磁極部分層と、前記磁極部分層と前記第１の磁性層とを磁気的に接続するヨーク部分層とを有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記磁極部分層の前記ギャップ層側の面は、前記薄膜コイルの前記第２の磁性層側の面よりも前記第１の磁性層から離れた位置に配置され、
前記ヨーク部分層は、前記磁極部分層の幅方向の両側面のうちの少なくとも一部において、前記磁極部分層に対して磁気的に接続され、
前記磁極部分層と前記ヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、前記ヨーク部分層の前記ギャップ層側の端部の少なくとも一部は、前記磁極部分層の前記ギャップ層側の端部よりも前記第１の磁性層に近い位置に配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記ヨーク部分層は、更に、前記磁極部分層の媒体対向面とは反対側の端面の少なくとも一部において、前記磁極部分層に対して磁気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記磁極部分層と前記ヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、前記ヨーク部分層の前記ギャップ層側の端部は、前記磁極部分層から離れるに従って徐々に前記第１の磁性層に近づいていることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記磁極部分層と前記ヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、前記磁極部分層の前記ギャップ層側の端部と前記ヨーク部分層の前記ギャップ層側の端部は、段差なく連続していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記磁極部分層と前記ヨーク部分層との接続面の少なくとも一部は、前記磁極部分層の前記ギャップ層側の面に垂直な方向に対して傾いていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記磁極部分層と前記ヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、前記ヨーク部分層の厚みは前記磁極部分層の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記ヨーク部分層は、更に、前記磁極部分層の前記ギャップ層とは反対側の面において、前記磁極部分層に対して磁気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
更に、前記磁極部分層の前記ギャップ層とは反対側の面に接する非磁性層を備え、前記ヨーク部分層は、前記非磁性層を介して前記磁極部分層の前記ギャップ層とは反対側の面に隣接し、前記非磁性層を介して前記磁極部分層に磁気的に接続されていることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記ヨーク部分層は、更に、前記磁極部分層の前記ギャップ層側の面において、前記磁極部分層に対して磁気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記磁極部分層の飽和磁束密度は、前記ヨーク部分層の飽和磁束密度以上であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
更に、再生素子としての磁気抵抗効果素子を備えたことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
垂直磁気記録方式に用いられることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体の進行方向の前後に所定の間隔を開けて互いに対向するように配置された磁極部分を含むと共に、前記媒体対向面から離れた位置において互いに磁気的に連結された第１および第２の磁性層と、非磁性材料よりなり、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、前記第２の磁性層は、磁極部分を含み、媒体対向面における幅がトラック幅を規定する磁極部分層と、前記磁極部分層と前記第１の磁性層とを磁気的に接続するヨーク部分層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１の磁性層を形成する工程と、
前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記ギャップ層を形成する工程と、
前記第２の磁性層を形成する工程とを備え、
前記磁極部分層の前記ギャップ層側の面は、前記薄膜コイルの前記第２の磁性層側の面よりも前記第１の磁性層から離れた位置に配置され、
前記ヨーク部分層は、前記磁極部分層の幅方向の両側面のうちの少なくとも一部において、前記磁極部分層に対して磁気的に接続され、
前記磁極部分層と前記ヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、前記ヨーク部分層の前記ギャップ層側の端部の少なくとも一部は、前記磁極部分層の前記ギャップ層側の端部よりも前記第１の磁性層に近い位置に配置されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第２の磁性層を形成する工程は、
前記ギャップ層の上に、前記磁極部分層を構成する材料よりなる被エッチング層を形成する工程と、
前記被エッチング層の上に、前記磁極部分層の形状に対応したマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて、ドライエッチングによって、前記被エッチング層を選択的にエッチングして前記磁極部分層の外形を決定すると共に、前記ギャップ層の一部をエッチングして、前記磁極部分層と前記ヨーク部分層との磁気的な接続部分の近傍における前記ヨーク部分層の下地の形状を決定する工程と、
前記下地の上に前記ヨーク部分層の少なくとも一部を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記磁極部分層の外形を決定すると共に前記ヨーク部分層の下地の形状を決定する工程は、前記下地の上面が、前記磁極部分層から離れるに従って徐々に前記第１の磁性層に近づくように、前記下地の形状を決定することを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記磁極部分層の外形を決定すると共に前記ヨーク部分層の下地の形状を決定する工程は、前記磁極部分層の前記ヨーク部分層に接続される面の少なくとも一部が、前記磁極部分層の前記ギャップ層側の面に垂直な方向に対して傾くように、前記磁極部分層の外形を決定することを特徴とする請求項１４または１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも書込み用の誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。
【０００３】
長手磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドは、一般的に、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面）と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側においてギャップ部を介して互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁性層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた構造になっている。
【０００４】
一方、垂直磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドには、長手磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドと同様の構造のリングヘッドと、一つの主磁極によって記録媒体の面に対して垂直方向の磁界を印加する単磁極ヘッドとがある。単磁極ヘッドを用いる場合には、記録媒体としては一般的に、基板上に軟磁性層と磁気記録層とを積層した２層媒体が用いられる。
【０００５】
ところで、近年の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドではトラック幅の縮小が望まれている。そのため、上記単磁極ヘッドにおいても主磁極の幅の縮小が望まれている。しかしながら、従来、主磁極の幅の縮小を妨げる以下の２つの問題点があった。
【０００６】
第１の問題点は、主磁極の幅を例えば０．５μｍ以下とするような主磁極の高精度のパターニングが困難なことである。すなわち、主磁極は、例えば、フォトリソグラフィ技術によって形成されたレジストフレームを用いて、電気めっき法（フレームめっき法）によって形成される。ところが、従来、主磁極は、コイルを覆って盛り上がった絶縁層の上に形成されるため、レジストフレームも凹凸の高低差の大きな絶縁層の上に形成されることになる。この場合、レジストの膜厚を均一にすることは難しいため、レジストフレームを精度よくパターニングすることが難しい。そのため、主磁極の高精度のパターニングが困難になる。
【０００７】
第２の問題点は、主磁極の幅を縮小すると、磁束が主磁極の先端に到達する前に飽和してしまい、媒体対向面において主磁極の先端より発生される磁界が小さくなることである。
【０００８】
従来、長手磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドにおいても同様な問題点があった。この問題点を解決するために、長手磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドでは、一方の磁性層を、媒体対向面に露出する磁極部分を含み、媒体対向面における幅がトラック幅を規定する磁極部分層と、この磁極部分層へ磁束を導くヨーク部分層とに分けた構造が多く採用されている。この構造によれば、磁極部分層の飽和磁束密度をヨーク部分層の飽和磁束密度よりも大きくすることで磁束を効率的に磁極部分の先端まで導くことが可能になり、且つ幅の小さな磁極部分を形成することが可能になる。
【０００９】
従来、長手磁気記録方式用の薄膜磁気ヘッドでは、一方の磁性層を磁極部分層とヨーク部分層とに分けた構造とする場合、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な結合は、磁極部分層のギャップ部とは反対側の面でのみ行われることが多かった。しかし、この構造では、磁極部分層とヨーク部分層との結合部分の面積が小さいため、結合部分で磁束が飽和しやすく、特に近年の書き込み磁界の増大の要求に応えることができない。そこで、特開平１１−１０２５０６号公報、特開２０００−５７５２２号公報、特開２０００−６７４１３号公報等に示されるように、磁極部分層のギャップ部とは反対側の面のみならず、磁極部分層の側面や磁極部分層の媒体対向面とは反対側の面でも、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な結合を行わせる構造の薄膜磁気ヘッドが提案されている。
【００１０】
一方、垂直記録方式用の薄膜磁気ヘッドに関しては、「日経エレクトロニクス２０００年９月２５日号（ｎｏ．７７９），ｐ．２０６」における図２に、単磁極ヘッドの構造の一例が示されている。ここで、図５０を参照して、この単磁極ヘッドの構成について簡単に説明する。この単磁極ヘッドは、再生ヘッドにおけるシールド層を兼ねた補助磁極１０８と、この補助磁極１０８の上において薄膜コイル１１０を形成すべき位置に形成された絶縁層１０９Ａと、この絶縁層１０９Ａの上に形成された薄膜コイル１１０と、この薄膜コイル１１０を覆う絶縁層１０９Ｂとを備えている。絶縁層１０９Ａには、媒体対向面（図５０における右側の端面）から離れた位置において、コンタクトホール１０９ａが形成されている。単磁極ヘッドは、更に、コンタクトホール１０９ａが形成された位置において補助磁極１０８の上に形成された磁性材料よりなる連結部１１４と、絶縁層１０９Ａおよび絶縁層１０９Ｂを覆うように、連結部１１４の周囲に形成された絶縁層１０９Ｃと、この絶縁層１０９Ｃの上に形成された主磁極１１５と、この主磁極１１５を覆う保護層１１７とを備えている。主磁極１１５は、一端部は媒体対向面（図５０における右側の端面）に露出し、他端部は連結部１１４に接続されている。
【００１１】
なお、図５０に示したような構成と同等の構成の単磁極ヘッドは、特開平７−１６１０１９号公報にも開示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
垂直磁気記録方式用のヘッドでは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を大きくすることが重要である。しかしながら、前記の各公報に示された薄膜磁気ヘッドは、いずれも、構造上、長手記録方式用のヘッドであり、垂直記録方式には適していない。具体的に説明すると、各公報に示された薄膜磁気ヘッドでは、いずれも、トラック方向についてのギャップ部の長さが短いと共に、ヨーク部分層はコイルを迂回するように配置され、必ず磁極部分層のギャップ部とは反対側の面に対して磁気的に接続される。そのため、各公報に示された薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界が小さくなるという問題点がある。
【００１３】
一方、図５０に示したような垂直磁気記録方式用の単磁極ヘッドでは、主磁極を構成する磁性層が薄く、単層で形成されている。従って、この構造の単磁極ヘッドでは、主磁極を構成する磁性層の途中で磁束が飽和しやすく、媒体対向面において主磁極より発生される磁界が小さくなるという問題点がある。また、この単磁極ヘッドでは、媒体対向面において主磁極より発生される磁界のうち、記録媒体の面に対して垂直な方向の成分を、記録媒体の面に対して水平な方向の成分に比べて相対的に大きくするためには、ギャップ部の長さ、すなわち主磁極と補助磁極との間の距離を大きくする必要がある。そのため、この単磁極ヘッドでは、コイルと主磁極との間の距離が大きくなり、主磁極が、コイルから発生される磁界を効率よく吸収することができず、この点からも、媒体対向面において主磁極より発生される、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界が小さくなるという問題点がある。また、この単磁極ヘッドでは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を大きくするためにギャップ部の長さを大きくすると、磁路長が長くなって、高周波特性が悪化するという問題点がある。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁極部分より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくすることができるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
記録媒体の進行方向の前後に所定の間隔を開けて互いに対向するように配置された磁極部分を含むと共に、媒体対向面から離れた位置において互いに磁気的に連結された第１および第２の磁性層と、
非磁性材料よりなり、第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられたギャップ層と、
少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、
第２の磁性層は、磁極部分を含み、媒体対向面における幅がトラック幅を規定する磁極部分層と、磁極部分層と第１の磁性層とを磁気的に接続するヨーク部分層とを有し、
磁極部分層のギャップ層側の面は、薄膜コイルの第２の磁性層側の面よりも、第１の磁性層から離れた位置に配置され、
ヨーク部分層は、磁極部分層の幅方向の両側面のうちの少なくとも一部において、磁極部分層に対して磁気的に接続され、
磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層のギャップ層側の端部の少なくとも一部は、磁極部分層のギャップ層側の端部よりも第１の磁性層に近い位置に配置されているものである。
【００１６】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層のギャップ層側の面は、薄膜コイルの第２の磁性層側の面よりも第１の磁性層から離れた位置に配置され、ヨーク部分層は、磁極部分層の幅方向の両側面のうちの少なくとも一部において、磁極部分層に対して磁気的に接続されているので、媒体対向面において磁極部分より発生される磁界のうち、記録媒体の面に対して垂直な方向の成分を、記録媒体の面に対して水平な方向の成分に比べて相対的に大きくすることが可能になる。また、本発明では、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層のギャップ層側の端部の少なくとも一部は、磁極部分層のギャップ層側の端部よりも第１の磁性層に近い位置に配置されているので、ヨーク部分層と薄膜コイルとの間の距離が小さくなり、これにより、薄膜コイルから発生される磁界を効率よく吸収することが可能になる。
【００１７】
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、ヨーク部分層は、更に、磁極部分層の媒体対向面とは反対側の端面の少なくとも一部において、磁極部分層に対して磁気的に接続されていてもよい。
【００１８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層のギャップ層側の端部は、磁極部分層から離れるに従って徐々に第１の磁性層に近づいていてもよい。
【００１９】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、磁極部分層のギャップ層側の端部とヨーク部分層のギャップ層側の端部は、段差なく連続していてもよい。
【００２０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極部分層とヨーク部分層との接続面の少なくとも一部は、磁極部分層のギャップ層側の面に垂直な方向に対して傾いていてもよい。
【００２１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層の厚みは磁極部分層の厚みよりも大きくてもよい。
【００２２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、ヨーク部分層は、更に、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面において、磁極部分層に対して磁気的に接続されていてもよい。この場合、薄膜磁気ヘッドは、更に、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面に接する非磁性層を備え、ヨーク部分層は、非磁性層を介して磁極部分層のギャップ層とは反対側の面に隣接し、非磁性層を介して磁極部分層に磁気的に接続されていてもよい。
【００２３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、ヨーク部分層は、更に、磁極部分層のギャップ層側の面において、磁極部分層に対して磁気的に接続されていてもよい。
【００２４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極部分層の飽和磁束密度は、ヨーク部分層の飽和磁束密度以上であってもよい。
【００２５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、再生素子としての磁気抵抗効果素子を備えていてもよい。
【００２６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、垂直磁気記録方式に用いられるものであってもよい。
【００２７】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体の進行方向の前後に所定の間隔を開けて互いに対向するように配置された磁極部分を含むと共に、媒体対向面から離れた位置において互いに磁気的に連結された第１および第２の磁性層と、非磁性材料よりなり、第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、第２の磁性層は、磁極部分を含み、媒体対向面における幅がトラック幅を規定する磁極部分層と、磁極部分層と第１の磁性層とを磁気的に接続するヨーク部分層とを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
第１の磁性層を形成する工程と、
薄膜コイルを形成する工程と、
ギャップ層を形成する工程と、
第２の磁性層を形成する工程とを備え、
磁極部分層のギャップ層側の面は、薄膜コイルの第２の磁性層側の面よりも第１の磁性層から離れた位置に配置され、
ヨーク部分層は、磁極部分層の幅方向の両側面のうちの少なくとも一部において、磁極部分層に対して磁気的に接続され、
磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層のギャップ層側の端部の少なくとも一部は、磁極部分層のギャップ層側の端部よりも第１の磁性層に近い位置に配置されるものである。
【００２８】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁極部分層のギャップ層側の面は、薄膜コイルの第２の磁性層側の面よりも第１の磁性層から離れた位置に配置され、ヨーク部分層は、磁極部分層の幅方向の両側面のうちの少なくとも一部において、磁極部分層に対して磁気的に接続されるので、媒体対向面において磁極部分より発生される磁界のうち、記録媒体の面に対して垂直な方向の成分を、記録媒体の面に対して水平な方向の成分に比べて相対的に大きくすることが可能になる。また、本発明では、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層のギャップ層側の端部の少なくとも一部は、磁極部分層のギャップ層側の端部よりも第１の磁性層に近い位置に配置されるので、ヨーク部分層と薄膜コイルとの間の距離が小さくなり、これにより、薄膜コイルから発生される磁界を効率よく吸収することが可能になる。
【００２９】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第２の磁性層を形成する工程は、ギャップ層の上に、磁極部分層を構成する材料よりなる被エッチング層を形成する工程と、被エッチング層の上に、磁極部分層の形状に対応したマスクを形成する工程と、マスクを用いて、ドライエッチングによって、被エッチング層を選択的にエッチングして磁極部分層の外形を決定すると共に、ギャップ層の一部をエッチングして、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分の近傍におけるヨーク部分層の下地の形状を決定する工程と、下地の上にヨーク部分層の少なくとも一部を形成する工程とを含んでいてもよい。
【００３０】
磁極部分層の外形を決定すると共にヨーク部分層の下地の形状を決定する工程は、下地の上面が、磁極部分層から離れるに従って徐々に第１の磁性層に近づくように、下地の形状を決定してもよい。
【００３１】
また、磁極部分層の外形を決定すると共にヨーク部分層の下地の形状を決定する工程は、磁極部分層のヨーク部分層に接続される面の少なくとも一部が、磁極部分層のギャップ層側の面に垂直な方向に対して傾くように、磁極部分層の外形を決定してもよい。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図１は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図１において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図２は図１のＡ−Ａ線断面の一例を示す断面図、図３は図１のＡ−Ａ線断面の他の例を示す断面図である。図４は図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。図５は図１に示した薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
【００３３】
図１ないし図３に示したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に形成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に形成された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の上に、絶縁層４を介して形成された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に絶縁層４を介して形成された磁性材料よりなる上部シールド層６とを備えている。下部シールド層３および上部シールド層６の厚みは、それぞれ例えば１〜２μｍである。
【００３４】
ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面（エアベアリング面）ＡＢＳに配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。
【００３５】
薄膜磁気ヘッドは、更に、上部シールド層６の上に形成された非磁性層７と、この非磁性層７の上に形成された磁性材料よりなる第１の磁性層８と、この第１の磁性層８の上において薄膜コイル１０を形成すべき位置に形成された絶縁層９Ａと、この絶縁層９Ａの上に形成された薄膜コイル１０と、少なくとも薄膜コイル１０の巻線間に充填された絶縁層９Ｂとを備えている。絶縁層９Ａには、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において、コンタクトホール９ａが形成されている。
【００３６】
第１の磁性層８の厚みは例えば１〜２μｍである。第１の磁性層８を構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合金すなわちパーマロイでもよいし、後述するような高飽和磁束密度材でもよい。また、第１の磁性層８は、２つ以上の層で構成してもよい。
【００３７】
絶縁層９Ａは、アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料よりなり、その厚みは例えば０．１〜１μｍである。
【００３８】
薄膜コイル１０は、銅等の導電性の材料よりなり、その巻線の厚みは例えば０．３〜２μｍである。薄膜コイル１０の巻数は任意であり、巻線のピッチも任意である。
【００３９】
絶縁層９Ｂは、形成時に流動性を有する非導電性且つ非磁性の材料よりなる。具体的には、絶縁層９Ｂは、例えば、フォトレジスト（感光性樹脂）のような有機系の非導電性非磁性材料によって形成してもよいし、塗布ガラスよりなるスピンオングラス（ＳＯＧ）膜で形成してもよい。
【００４０】
薄膜磁気ヘッドは、更に、コンタクトホール９ａが形成された位置において第１の磁性層８の上に形成された磁性材料よりなる連結部１４Ｃと、薄膜コイル１０、絶縁層９Ａおよび絶縁層９Ｂを覆うように形成された絶縁層９Ｃとを備えている。連結部１４Ｃは、後述する第２の磁性層１４の一部となる。薄膜コイル１０は、連結部１４Ｃの回りに巻回されている。
【００４１】
連結部１４Ｃの形状は、例えば、厚みが２〜４μｍ、奥行き（媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向の長さ）が２〜１０μｍ、幅が５〜２０μｍである。連結部１４Ｃを構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合金すなわちパーマロイでもよいし、後述するような高飽和磁束密度材でもよい。
【００４２】
絶縁層９Ｃは、絶縁層９Ｂよりも耐食性、剛性および絶縁性が優れた非導電性且つ非磁性の材料よりなる。このような材料としては、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ２）等の無機系の非導電性非磁性材料を用いることができる。媒体対向面ＡＢＳにおける絶縁層９Ａおよび絶縁層９Ｃの合計の厚みは、例えば２〜４μｍである。
【００４３】
絶縁層９Ａ，９Ｂ，９Ｃは、第１の磁性層８と後述する第２の磁性層１４との間に設けられるギャップ層９を構成する。
【００４４】
薄膜磁気ヘッドは、絶縁層９Ｃの上に形成された磁性材料よりなる第２の磁性層１４を備えている。第２の磁性層１４は、前述の連結部１４Ｃと、磁極部分を含む磁極部分層１４Ａと、ヨーク部分となり、連結部１４Ｃを介して磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８とを磁気的に接続するヨーク部分層１４Ｂとを有している。磁極部分層１４Ａは、媒体対向面ＡＢＳから連結部１４Ｃにかけて、絶縁層９Ｃの上に形成されている。また、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面は、薄膜コイル１０の第２の磁性層１４側の面よりも第１の磁性層８から離れた位置に配置されている。連結部１４Ｃの第１の磁性層８とは反対側の端部（以下、上端部と言う。）は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面に磁気的に接続されている。
【００４５】
ヨーク部分層１４Ｂは、媒体対向面ＡＢＳから離れた所定の位置から連結部１４Ｃにかけて、絶縁層９Ｃの上に形成されている。図２または図３に示したように、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの幅方向の両側面において、磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接続されている。
【００４６】
本実施の形態では、図２または図３に示したように、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面ＡＢＳに平行な断面において、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部の少なくとも一部は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部よりも第１の磁性層８に近い位置に配置されている。図２に示した例では、上記断面中の磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分において、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部よりも第１の磁性層８に近い位置に配置されている。すなわち、上記断面において、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部とヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部との間には段差が生じている。一方、図３に示した例では、上記断面において、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部とヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部は、段差なく連続している。
【００４７】
薄膜磁気ヘッドは、更に、磁極部分層１４Ａの上に形成された非磁性層１５を備えている。非磁性層１５は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面の全面に接している。薄膜磁気ヘッドは、更に、アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料よりなり、第２の磁性層１４を覆うように形成された保護層１７を備えている。
【００４８】
磁極部分層１４Ａの厚みは、好ましくは０．１〜０．８μｍであり、更に好ましくは０．１〜０．３μｍである。
【００４９】
図４に示したように、磁極部分層１４Ａは、媒体対向面ＡＢＳ側に配置された第１の部分１４Ａ１と、この第１の部分１４Ａ１よりも媒体対向面ＡＢＳから離れた位置に配置された第２の部分１４Ａ２とを含んでいる。第１の部分１４Ａ１は、第２の磁性層１４における磁極部分となる。第１の磁性層８における磁極部分は、第１の磁性層８のうちギャップ層９を介して上記第１の部分１４Ａ１に対向する部分を含む。
【００５０】
第１の部分１４Ａ１は、トラック幅と等しい幅を有している。すなわち、第１の部分１４Ａ１の媒体対向面ＡＢＳにおける幅がトラック幅を規定している。第２の部分１４Ａ２の幅は、第１の部分１４Ａ１との境界位置では第１の部分１４Ａ１の幅と等しく、その位置から媒体対向面ＡＢＳより遠ざかる程、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。ヨーク部分層１４Ｂは、第２の部分１４Ａ２のうちの幅が一定の部分の両側面に接するように配置されている。
【００５１】
第１の部分１４Ａ１の媒体対向面ＡＢＳにおける幅、すなわちトラック幅は、好ましくは０．５μｍ以下であり、更に好ましくは０．３μｍ以下である。ヨーク部分層１４Ｂが接する部分における第２の部分１４Ａ２の幅は、第１の部分１４Ａ１の媒体対向面ＡＢＳにおける幅よりも大きく、例えば２μｍ以上である。
【００５２】
ヨーク部分層１４Ｂの厚みは、例えば１〜２μｍである。ヨーク部分層１４Ｂは、図２または図３に示したように、磁極部分層１４Ａの幅方向の両側面に磁気的に接続されている。また、ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから例えば１．５μｍ以上離れた位置に配置されている。
【００５３】
磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度以上となっている。磁極部分層１４Ａを構成する磁性材料としては、飽和磁束密度が１．４Ｔ以上の高飽和磁束密度材を用いるのが好ましい。高飽和磁束密度材としては、鉄および窒素原子を含む材料、鉄、ジルコニアおよび酸素原子を含む材料、鉄およびニッケル元素を含む材料等を用いることができる。具体的には、高飽和磁束密度材としては、例えば、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、ＦｅＮやその化合物、Ｃｏ系アモルファス合金、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）も含む。）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ（必要に応じてＯ（酸素原子）も含む。）の中のうちの少なくとも１種類を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｎｉ，Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｕ（いずれも化学記号）の中から選択された少なくとも１種類である。
【００５４】
ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性材料としては、例えば、飽和磁束密度が１．０Ｔ程度となる鉄およびニッケル元素を含む材料を用いることができる。このような材料は、耐食性に優れ、且つ磁極部分層１４Ａを構成する材料よりも高抵抗である。また、このような材料を用いることにより、ヨーク部分層１４Ｂの形成が容易になる。
【００５５】
また、ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性材料としては、磁極部分層１４Ａを構成する磁性材料と同じ組成系のものを用いることもできる。この場合には、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度を、磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度よりも小さくするために、ヨーク部分層１４Ｂを構成する磁性材料としては、磁極部分層１４Ａを構成する磁性材料に比べて、鉄原子の組成比の小さい材料を用いるのが好ましい。
【００５６】
非磁性層１５の平面的な形状は、磁極部分層１４Ａと同様である。また、非磁性層１５は、媒体対向面ＡＢＳに露出している。非磁性層１５の厚みは、好ましくは０．５μｍ以下である。また、非磁性層１５は、省くことも可能である。
【００５７】
非磁性層１５を構成する材料としては、例えば、チタンまたはタンタルを含む材料（合金および酸化物を含む。）や、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ２）等の無機系の非導電性非磁性材料を用いることができる。また、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによって形成する場合には、非磁性層１５を構成する材料として、磁極部分層１４Ａを構成する材料、およびギャップ層９のうちの磁極部分層１４Ａに接する絶縁層９Ｃを構成する材料よりもドライエッチングに対するエッチング速度が小さい材料を用いるのが好ましい。このような材料としては、例えばチタンまたはタンタルを含む材料（合金および酸化物を含む。）を用いることができる。
【００５８】
図５に示したように、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部分層１４Ａの面の形状は、記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置される下辺が上辺よりも小さい台形であることが好ましい。また、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面と、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部分層１４Ａの面における側辺とのなす角度は９２〜１１０゜が好ましい。
【００５９】
以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面ＡＢＳと再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面ＡＢＳ側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層６を備えている。
【００６０】
記録ヘッドは、媒体対向面ＡＢＳ側において記録媒体の進行方向Ｔの前後に所定の間隔を開けて互いに対向するように配置された磁極部分を含むと共に、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において互いに磁気的に連結された第１の磁性層８および第２の磁性層１４と、非磁性材料よりなり、第１の磁性層８と第２の磁性層１４との間に設けられたギャップ層９と、少なくとも一部が第１の磁性層８および第２の磁性層１４の間に、これらの磁性層８，１４に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル１０とを備えている。
【００６１】
第２の磁性層１４は、磁極部分を含み、媒体対向面ＡＢＳにおける幅がトラック幅を規定する磁極部分層１４Ａと、ヨーク部分となり、連結部１４Ｃを介して磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８とを磁気的に接続するヨーク部分層１４Ｂと、連結部１４Ｃとを有している。ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの幅方向の両側面に磁気的に接続されている。また、磁極部分層１４Ａの飽和磁束密度は、ヨーク部分層１４Ｂの飽和磁束密度以上となっている。
【００６２】
本実施の形態によれば、第２の磁性層１４が磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとを有するようにしたので、記録媒体に印加される磁界の強度を低下させることなくトラック幅を縮小することが可能になる。
【００６３】
また、本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａよりも比電気抵抗率の大きな材料で形成されている。これにより、本実施の形態に係るヘッドは、第２の磁性層１４において発生する渦電流を減少させることができ、高周波特性の優れたヘッドとなる。
【００６４】
また、本実施の形態では、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面は、薄膜コイル１０の第２の磁性層１４側の面よりも第１の磁性層８から離れた位置に配置されている。従って、本実施の形態によれば、ギャップ層９の長さが大きくなり、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分より発生される磁界のうち、記録媒体の面に対して垂直な方向の成分を、記録媒体の面に対して水平な方向の成分に比べて相対的に大きくすることが可能になる。
【００６５】
また、本実施の形態によれば、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの幅方向の両側面に磁気的に接続されているので、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分より発生される磁界のうち、記録媒体の面に対して垂直な方向の成分を、記録媒体の面に対して水平な方向の成分に比べて相対的に大きくすることが可能になる。
【００６６】
また、本実施の形態では、図２または図３に示したように、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面ＡＢＳに平行な断面において、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部の少なくとも一部は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部よりも第１の磁性層８に近い位置に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、ヨーク部分層１４Ｂと薄膜コイル１０との間の距離が小さくなり、ヨーク部分層１４Ｂによって、薄膜コイル１０から発生される磁界を効率よく吸収することが可能になる。
【００６７】
これらのことから、本実施の形態によれば、磁極部分より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくすることができる。本実施の形態において、磁極部分層１４Ａに高飽和磁束密度材を用いた場合には、特に、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくすることができ、保磁力の大きな記録媒体への記録も可能となる。
【００６８】
ところで、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面ＡＢＳに平行な断面において、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部の少なくとも一部を、途中に段差が生じるように第１の磁性層８に近づけると、ヨーク部分層１４Ｂにおいて段差の部分で磁束の漏れが生じるおそれがある。これに対し、本実施の形態では、図２または図３に示したように、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部は、磁極部分層１４Ａから離れるに従って徐々に第１の磁性層８に近づいている。従って、本実施の形態によれば、ヨーク部分層１４Ｂにおける磁束の漏れを防止して、記録媒体の面に垂直な方向の磁界をより大きくすることができる。
【００６９】
また、図２に示した例では、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面ＡＢＳに平行な断面において、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部とヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部との間に段差が生じている。この場合、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの間の段差の部分で磁束の漏れが生じるおそれがある。これに対し、図３に示した例では、上記断面において、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部とヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部は段差なく連続している。図３に示した例によれば、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの間の段差の部分で磁束の漏れを防止して、記録媒体の面に垂直な方向の磁界をより大きくすることができる。従って、図２に示した例よりも図３に示した例の方が好ましい。
【００７０】
また、本実施の形態では、図２または図３に示したように、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの接続面の少なくとも一部は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面に垂直な方向に対して傾いている。従って、本実施の形態によれば、上記接続面が磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面に垂直な場合に比べて接続面の面積が大きくなり、接続面を介してヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ効率よく磁束を導くことが可能になる。
【００７１】
本実施の形態において、上記接続面は、この接続面と磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面とのなす角度θが９０°を超えるように傾いているのが好ましい。また、本実施の形態において、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部分層１４Ａの面の形状は、記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置される下辺が上辺よりも小さい台形形状とするのが好ましい。すなわち、媒体対向面に露出する磁極部分層１４Ａの面における磁極部分層１４Ａの幅方向の各辺が、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面となす角度は９０°超えているのが好ましい。これにより、薄膜磁気ヘッドを垂直磁気記録方式に用いた場合には、スキュー角が生じたときの記録トラック幅の変化を抑えることができる。磁極部分層１４Ａの両側面、および媒体対向面に露出する磁極部分層１４Ａの面における磁極部分層１４Ａの幅方向の各辺が、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面となす角度は、全て９２〜１１０゜であることが好ましい。
【００７２】
ここで、図２および図３に示したように、図１におけるＡ−Ａ線断面と、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続面を含む断面とが交差してできる直線上において、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９とは反対側の端部の位置を点ａ、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の端部の位置を点ｂ、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部の位置を点ｃ、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９側の端部の位置を点ｄとする。
【００７３】
本実施の形態では、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面ＡＢＳに平行な断面において、ヨーク部分層１４Ｂの厚みは磁極部分層１４Ａの厚みよりも大きくなっている。すなわち、図２または図３に示した断面において、線分ａｄの長さは線分ｂｃの長さよりも大きい。このような構成により、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの接続部分の近傍において、ヨーク部分層１４Ｂ側での磁束の飽和を防止することができる。これにより、ヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ効率よく磁束を導くことが可能になり、その結果、磁極部分層１４Ａの媒体対向面側の端部より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくすることが可能になる。
【００７４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、垂直磁気記録方式に用いるのに適している。この薄膜磁気ヘッドを垂直磁気記録方式に用いる場合、第２の磁性層１４の磁極部分層１４Ａにおける第１の部分１４Ａ１が主磁極となり、第１の磁性層８の磁極部分が補助磁極となる。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを垂直磁気記録方式に用いる場合には、記録媒体としては２層媒体と単層媒体のいずれをも使用することが可能である。
【００７５】
また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、記録媒体の面に垂直な方向の磁界は長手方向の磁界よりも大きく、ヘッドが発生する磁気エネルギを効率よく、記録媒体に伝達することができる。従って、この薄膜磁気ヘッドによれば、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくくして、線記録密度を高めることができる。
【００７６】
図１に示したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第１の磁性層８を記録媒体の進行方向Ｔの後側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダにおける空気流入端側）に配置し、第２の磁性層１４を記録媒体の進行方向Ｔの前側（薄膜磁気ヘッドを含むスライダにおける空気流出端側）に配置するのが好ましい。しかし、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを垂直磁気記録方式に用いる場合には、第１の磁性層８と第２の磁性層１４の配置は、上記の配置とは逆でもよい。
【００７７】
また、図４に示したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置に配置されている。これにより、ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部より発生される磁界によって記録媒体に情報の書き込みが生じることを防止することができる。
【００７８】
また、図１に示したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面の全面に接する非磁性層１５を備えている。非磁性層１５がない場合には、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによって形成する際や、ヨーク部分層１４Ｂを電気めっき法によって形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面がダメージを受け、この面に例えば０．１〜０．３μｍ程度の凹凸が生じる。本実施の形態では、非磁性層１５を設けていることから、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによって形成する際や、ヨーク部分層１４Ｂを電気めっき法によって形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面がダメージを受けることを防止でき、その面を平坦にすることができる。
【００７９】
また、本実施の形態では、非磁性層１５が媒体対向面ＡＢＳに露出しているので、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の端部を平坦に保つことができる。これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層１４Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向について均一化することができる。その結果、記録媒体におけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を向上させることができる。
【００８０】
また、非磁性層１５を、磁極部分層１４Ａを構成する材料、およびギャップ層９のうちの磁極部分層１４Ａと接する部分を構成する材料よりもドライエッチングに対するエッチング速度が小さい材料で構成した場合には、磁極部分層１４Ａをドライエッチングによって形成する際に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面がダメージを受けることを防止することができる。
【００８１】
また、図１に示したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル１０のうち第１の磁性層８と第２の磁性層１４の間に配置された部分は、第１の磁性層８と第２の磁性層１４の中間の位置よりも第１の磁性層８に近い位置に配置されている。これにより、第２の磁性層１４よりも体積の大きな第１の磁性層８によって、薄膜コイル１０から発生する磁界を効率よく吸収でき、薄膜コイル１０が第２の磁性層１４に近い場合に比べて、第１の磁性層８および第２の磁性層１４における磁界の吸収率を高めることができる。
【００８２】
また、図１に示したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層９は、形成時に流動性を有する材料よりなり、少なくとも薄膜コイル１０の巻線間に充填された第１の部分（絶縁層９Ｂ）と、この第１の部分よりも耐食性、剛性および絶縁性が優れた材料よりなり、薄膜コイル１０および第１の部分を覆い、第１の磁性層８および第２の磁性層１４に接する第２の部分（絶縁層９Ａ，９Ｃ）とを有している。ギャップ層９の第２の部分は、媒体対向面ＡＢＳに露出している。薄膜コイル１０の巻線間に隙間なく非磁性材料を充填することは、スパッタリング法では困難であるが、有機系の材料のように流動性を有する非磁性材料を用いた場合には容易である。しかし、有機系の材料は、ドライエッチングに対する耐性、耐食性、耐熱性、剛性等の点で信頼性に乏しい。本実施の形態では、上述のように、形成時に流動性を有する材料によって薄膜コイル１０の巻線間に充填された第１の部分（絶縁層９Ｂ）を形成し、この第１の部分よりも耐食性、剛性および絶縁性が優れた材料によって、薄膜コイル１０および第１の部分を覆い、第１の磁性層８および第２の磁性層１４に接する第２の部分（絶縁層９Ａ，９Ｃ）を形成するようにしたので、薄膜コイル１０の巻線間に隙間なく非磁性材料を充填でき、且つギャップ層９の信頼性を高めることができる。
【００８３】
また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５を備えている。これにより、誘導型電磁変換素子を用いて再生を行う場合に比べて、再生性能を向上させることができる。また、ＭＲ素子５は、シールド層３，６によってシールドされているので、再生時の分解能を向上させることができる。
【００８４】
次に、図６ないし図２３を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図６、図８、図１０、図１２、図１４、図１６、図１８、図２０および図２２は、媒体対向面および基板の面に垂直な断面を表している。また、図７、図９、図１１、図１３、図１５、図１７、図１９、図２１および図２３は、図１におけるＡ−Ａ線断面に対応する断面を表している。
【００８５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、基板１の上に絶縁層２を形成する。次に、絶縁層２の上に下部シールド層３を形成する。次に、下部シールド層３の上に、絶縁層４の一部となる絶縁膜を形成し、この絶縁膜の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、絶縁層４の他の一部となる新たな絶縁膜で覆い、ＭＲ素子５およびリードを絶縁層４内に埋設する。
【００８６】
次に、絶縁層４の上に上部シールド層６を形成し、その上に非磁性層７を形成する。次に、この非磁性層７の上に、第１の磁性層８を所定の形状に形成する。次に、図示しないが、非磁性層７および第１の磁性層８をアルミナ等の非磁性材料で覆い、第１の磁性層８が露出するまで非磁性材料を研磨して、第１の磁性層８の上面を平坦化する。なお、図６ないし図２３では、基板１ないし非磁性層７を省略している。
【００８７】
次に、図６および図７に示したように、第１の磁性層８の上に、アルミナ等の非導電性且つ非磁性の材料をスパッタして、絶縁層９Ａを形成する。次に、周知のフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用いて、連結部１４Ｃを形成すべき位置において、絶縁層９Ａにコンタクトホール９ａを形成する。次に、周知のフォトリソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっき法）を用いて、絶縁層９Ａの上に薄膜コイル１０を形成する。次に、周知のフォトリソグラフィ技術を用いて、少なくとも薄膜コイル１０の巻線間に充填される絶縁層９Ｂを形成する。
【００８８】
次に、周知のフォトリソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっき法）を用いて、コンタクトホール９ａが形成された位置において第１の磁性層８の上に連結部１４Ｃを形成する。連結部１４Ｃの厚みは、例えば２〜４μｍとする。次に、スパッタ法を用いて、薄膜コイル１０、絶縁層９Ａ、絶縁層９Ｂおよび連結部１４Ｃを覆うように絶縁層９Ｃを形成する。この時点における絶縁層９Ｃの厚みは、連結部１４Ｃを十分に覆うことができる厚みであればよく、例えば５μｍとする。
【００８９】
次に、図８および図９に示したように、例えば化学機械研磨を用いて、絶縁層９Ｃおよび連結部１４Ｃの上面を平坦化する。この時点で、第１の磁性層８の上面から絶縁層９Ｃおよび連結部１４Ｃの上面までの距離は、例えば２〜４μｍとする。また、媒体対向面における絶縁層９Ａおよび絶縁層９Ｃの厚みの総和は、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）のギャップ長となる。
【００９０】
次に、図１０および図１１に示したように、絶縁層９Ｃおよび連結部１４Ｃの上に、磁極部分層１４Ａを構成する材料よりなる被エッチング層１４Ａｅを形成する。被エッチング層１４Ａｅの厚みは、好ましくは０．１〜０．８μｍとし、更に好ましくは０．３〜０．８μｍとする。被エッチング層１４Ａｅの形成方法は、電気めっき法でもよいし、スパッタ法でもよい。被エッチング層１４Ａｅの表面の粗さが大きい場合（例えば、算術平均粗さＲａが１２オングストローム以上の場合）の場合は、化学機械研磨等によって被エッチング層１４Ａｅの表面を研磨して平坦化することが好ましい。
【００９１】
次に、被エッチング層１４Ａｅの上に、非磁性層１５ｅを形成する。非磁性層１５ｅの厚みは、好ましくは０．５μｍ以下とする。
【００９２】
次に、図示しないが、非磁性層１５ｅの上に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材料は例えば鉄−ニッケル合金とする。
【００９３】
次に、図１２および図１３に示したように、上記電極層の上に、磁極部分層１４Ａおよび非磁性層１５の形状を決定するためのマスク３２を形成する。このマスク３２の厚みは０．３〜４μｍとし、材料は例えば鉄−ニッケル合金とする。マスク３２の材料は、後で行われるドライエッチングに対する耐性に優れた材料であることが好ましい。マスク３２の材料が鉄−ニッケル合金の場合には、マスク３２の形成方法としては、例えばフレームめっき法が用いられる。また、マスク３２はフォトレジストによって形成してもよい。この場合には、マスク３２はフォトリソグラフィ技術を用いて形成される。
【００９４】
次に、図１４および図１５に示したように、マスク３２を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術によって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅをエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４Ａの外形を決定すると共に、絶縁層９Ｃの一部をエッチングして、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分の近傍におけるヨーク部分層１４Ｂの下地の形状を決定する。また、このエッチングにより、媒体対向面における磁極部分層１４Ａの幅を、トラック幅の規格に一致するように規定してもよい。
【００９５】
本実施の形態では、上記のエッチングの際に、磁極部分層１４Ａの媒体対向面ＡＢＳとは反対側の端面（以下、後端面と言う。）および両側面の少なくとも一部に傾斜を付ける。このとき、媒体対向面に露出する磁極部分層１４Ａの面の形状も決定する。上記各面に傾斜を付ける方法としては、例えば、エッチング方法としてイオンミリングを用いる場合には、イオンの照射方向を基板の面（非磁性層１５および磁極部分層１４Ａの面）に垂直な方向に対して傾いた方向から照射する方法が挙げられる。磁極部分層１４Ａの後端面と両側面、および媒体対向面に露出する磁極部分層１４Ａの面における磁極部分層１４Ａの幅方向の各辺が、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面となす角度は、全て９２〜１１０゜であることが好ましい。この場合には、一度のエッチングで同時に、磁極部分層１４Ａの後端面と両側面、および媒体対向面に露出する磁極部分層１４Ａの面の形状を決定することができる。
【００９６】
エッチングは、図１５に示した絶縁層９Ｃの斜面の上端が、磁極部分層１４Ａの両側面と磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面とが交わる位置と一致したところで終了するとよい。このとき、マスク３２は、残っていてもよいし、不要ならば除去してもよい。また、このエッチングによって、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分の近傍におけるヨーク部分層１４Ｂの下地の上面が、磁極部分層１４Ａから離れるに従って徐々に第１の磁性層８に近づくように、下地の形状が決定される。
【００９７】
次に、図示しないが、非磁性層１５および絶縁層９Ｃの上に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材料は例えば鉄−ニッケル合金とし、下地にＴｉ（チタン）を成膜してもよい。
【００９８】
次に、図１６および図１７に示したように、上記電極層の上に、フォトレジストによって、ヨーク部分層１４Ｂの形状に対応した空隙部を有するレジストフレーム３５を形成する。
【００９９】
次に、図１８および図１９に示したように、レジストフレーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめっき法）によって、電極層の上にヨーク部分層１４Ｂを形成する。次に、レジストフレーム３５を除去する。なお、ヨーク部分層１４Ｂは、リフトオフ法を用いて形成することも可能であるが、ヨーク部分層１４Ｂの形状を下地の形状に追従させるためには電気めっき法を用いるのが最も好ましい。
【０１００】
次に、図示しないが、電極層のうち、ヨーク部分層１４Ｂの下に存在する部分以外の部分をドライエッチングで除去する。
【０１０１】
次に、図２０および図２１に示したように、非磁性層１５およびヨーク部分層１４Ｂを覆うように保護層１７Ａを形成する。保護層１７Ａの厚みは、積層面における凹凸の高低差の１．５〜２倍程度が好ましい。
【０１０２】
次に、図２２および図２３に示したように、例えば化学機械研磨を用いて、非磁性層１５が露出するまで保護層１７Ａを研磨して、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９とは反対側の面のうち、少なくとも磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接続される部分の近傍を、非磁性層１５のギャップ層９とは反対側の面および保護層１７Ａの上面と共に平坦化する。
【０１０３】
次に、図１に示したように、積層面の全体を覆うように保護層１７Ｂを形成する。次に、保護層１７Ｂの上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行って、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１０４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の作用、効果の他に、以下のような作用、効果が得られる。
【０１０５】
本実施の形態において、被エッチング層１４Ａｅを形成する工程の後で、研磨により、被エッチング層１４Ａｅの上面を平坦化した場合には、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の端部を完全に平坦化することができる。これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層１４Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向について均一化することができ、その結果、記録媒体におけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を向上させることができる。
【０１０６】
また、本実施の形態では、被エッチング層１４Ａｅを形成する工程の前に、研磨により、被エッチング層１４Ａｅの下地となる絶縁層９Ｃおよび連結部１４Ｃの上面を平坦化している。これにより、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の端部を平坦化することができる。また、被エッチング層１４Ａｅをスパッタ法によって形成する場合には、被エッチング層１４Ａｅの成膜時の膜厚均一性がよいため、媒体対向面ＡＢＳにおいて、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の端部も平坦化することができる。これらのことから、媒体対向面ＡＢＳにおいて磁極部分層１４Ａより発生される磁界を、トラックに交差する方向について均一化することができ、その結果、記録媒体におけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を向上させることができる。
【０１０７】
また、本実施の形態において、磁極部分層１４Ａを形成する工程は、被エッチング層１４Ａｅを形成し、被エッチング層１４Ａｅの上に非磁性層１５ｅを形成し、非磁性層１５ｅの上に、磁極部分層１４Ａの形状に対応したマスク３２を形成し、このマスク３２を用いて、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅをエッチングして、磁極部分層１４Ａの外形を決定している。従って、本実施の形態によれば、被エッチング層１４Ａｅの上面を非磁性層１５ｅで保護した状態で磁極部分層１４Ａの外形を決定できるので、媒体対向面において磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の端部の平坦性を維持することができる。
【０１０８】
また、本実施の形態では、マスク３２を用いて、ドライエッチングによって、被エッチング層１４Ａｅを選択的にエッチングして磁極部分層１４Ａの外形を決定すると共に、絶縁層９Ｃの一部をエッチングして、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分の近傍におけるヨーク部分層１４Ｂの下地の形状を決定している。従って、本実施の形態によれば、簡単に、磁極部分層１４Ａの外形と、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分の近傍におけるヨーク部分層１４Ｂの下地の形状とを決定することができる。
【０１０９】
また、本実施の形態において、ドライエッチングに対する耐性に優れたマスク３２を用いた場合には、磁極部分層１４Ａを構成する材料がドライエッチングに対する耐性に優れている場合でも、マスク３２を用いたドライエッチングによって磁極部分層１４Ａの外形を決定することが可能になる。
【０１１０】
また、本実施の形態において、ヨーク部分層１４Ｂを形成する工程は、電気めっき法によってヨーク部分層１４Ｂを形成してもよい。この場合には、ヨーク部分層１４Ｂを容易に形成できると共に、ヨーク部分層１４Ｂを、その下地の形状によく追従した形状に形成することが可能になる。
【０１１１】
なお、本実施の形態では、非磁性層１５を設けずに、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面を保護層１７Ａの上面と共に平坦化してもよい。この場合、磁極部分層１４Ａの形成方法は、実施の形態において説明した方法に限定されず、例えば、フレームめっき法等によって形成してもよい。また、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面の平坦化工程において、磁極部分層１４Ａの厚みが実施の形態において挙げた磁極部分層１４Ａの範囲内に入るようにするとよい。
【０１１２】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図２４ないし図２６を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図２４は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図２４は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図２４において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図２５は図２４のＢ−Ｂ線断面図である。図２６は図２４に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【０１１３】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層１４Ａは、媒体対向面ＡＢＳから、媒体対向面ＡＢＳと連結部１４Ｃとの間の所定の位置にかけて、絶縁層９Ｃの上に形成されている。本実施の形態において、ヨーク部分層１４Ｂは、連結部１４Ｃの上端部と磁極部分層１４Ａの後端面とを磁気的に接続する。ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９とは反対側の面のうち、磁極部分層１４Ａの後端面および幅方向の両側面において磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接続される部分の近傍は、非磁性層１５のギャップ層９とは反対側の面および保護層１７Ａの上面と共に平坦化されている。
【０１１４】
次に、図２７ないし図３２を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図２７ないし図３２は、媒体対向面および基板の面に垂直な断面を表している。なお、図２７ないし図３２では、基板１ないし非磁性層７を省略している。
【０１１５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図１０および図１１に示したように、非磁性層１５ｅを形成し、この非磁性層１５ｅの上に電気めっき法のための図示しない電極層を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【０１１６】
本実施の形態では、次に、図２７に示したように、上記電極層の上に、本実施の形態における磁極部分層１４Ａおよび非磁性層１５の形状を決定するためのマスク３２を形成する。この状態における図２４のＢ−Ｂ線断面に対応する断面図は、図１３と同様である。
【０１１７】
次に、図２８に示したように、マスク３２を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術によって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅをエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４Ａの外形を決定する。この状態における図２４のＢ−Ｂ線断面に対応する断面図は、図１５と同様である。
【０１１８】
次に、図示しないが、非磁性層１５および絶縁層９Ｃの上に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を形成する。
【０１１９】
次に、図２９に示したように、上記電極層の上に、フォトレジストによって、ヨーク部分層１４Ｂの形状に対応した空隙部を有するレジストフレーム３５を形成する。この状態における図２４のＢ−Ｂ線断面に対応する断面図は、図１７と同様である。
【０１２０】
次に、図３０に示したように、レジストフレーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめっき法）によって、電極層の上にヨーク部分層１４Ｂを形成する。次に、レジストフレーム３５を除去する。なお、ヨーク部分層１４Ｂは、リフトオフ法を用いて形成することも可能であるが、ヨーク部分層１４Ｂの形状を下地の形状に追従させるためには電気めっき法を用いるのが最も好ましい。この状態における図２４のＢ−Ｂ線断面に対応する断面図は、図１９と同様である。
【０１２１】
次に、図示しないが、電極層のうち、ヨーク部分層１４Ｂの下に存在する部分以外の部分をドライエッチングで除去する。
【０１２２】
次に、図３１に示したように、非磁性層１５およびヨーク部分層１４Ｂを覆うように保護層１７Ａを形成する。この状態における図２４のＢ−Ｂ線断面に対応する断面図は、図２１と同様である。
【０１２３】
次に、図３２に示したように、例えば化学機械研磨を用いて、非磁性層１５が露出するまで保護層１７Ａを研磨して、ヨーク部分層１４Ｂのギャップ層９とは反対側の面のうち、少なくとも磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接続される部分の近傍を、非磁性層１５のギャップ層９とは反対側の面および保護層１７Ａの上面と共に平坦化する。この状態における図２４のＢ−Ｂ線断面に対応する断面図は、図２３と同様である。
【０１２４】
次に、図２４に示したように、積層面の全体を覆うように保護層１７Ｂを形成する。次に、保護層１７Ｂの上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行って、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１２５】
本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの幅方向の両側面のみならず、磁極部分層１４Ａの後端面においても、磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接続されている。そのため、本実施の形態によれば、ヨーク部分層１４Ｂと磁極部分層１４Ａとの接続部分の面積を大きくすることができ、磁束を効率よくヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ導くことができる。従って、本実施の形態によれば、磁極部分より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界をより大きくすることができる。
【０１２６】
また、本実施の形態では、被エッチング層１４Ａｅをドライエッチングすることによって、磁極部分層１４Ａの後端面から連結部１４Ｃの上端部にかけて緩やかな傾斜を持つように、ヨーク部分層１４Ｂの下地の形状が決定される。従って、この下地の上にヨーク部分層１４Ｂを形成することにより、連結部１４Ｃと磁極部分層１４Ａとの間を最短距離で結ぶ磁気経路を形成することが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、磁路長を短縮でき、高周波特性を向上させることが可能になる。
【０１２７】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１２８】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図３３ないし図３５を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図３３は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図３３は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図３３において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図３４は図３３のＣ−Ｃ線断面図である。図３５は図３３に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【０１２９】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの後端面および幅方向の両側面において磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されていると共に、その媒体対向面ＡＢＳ側の一部は非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面に隣接し、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されている。ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから例えば１．５μｍ以上離れた位置に配置されている。
【０１３０】
次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図３０に示したように、ヨーク部分層１４Ｂを形成し、レジストフレーム３５を除去し、電極層のうち、ヨーク部分層１４Ｂの下に存在する部分以外の部分をドライエッチングで除去する工程までは、第２の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、図３３および図３４に示したように、非磁性層１５およびヨーク部分層１４Ｂを覆うように、第１および第２の実施の形態における保護層１７Ｂと同様の保護層１７を形成する。次に、保護層１７の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行って、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１３１】
本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の一部が、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されている。従って、本実施の形態によれば、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂが磁気的に接続する部分の面積が大きくなり、ヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへより効率よく磁束を導くことが可能になる。
【０１３２】
また、本実施の形態において、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの接続面は、この接続面と磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面とのなす角度が９０°を超えるように傾いているのが好ましい。この場合には、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面において磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂが磁気的に接続する部分の面積が大きくなり、ヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへより効率よく磁束を導くことが可能になる。
【０１３３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。
【０１３４】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図３６ないし図３８を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図３６は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図３６は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図３６において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図３７は図３６のＤ−Ｄ線断面図である。図３８は図３６に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【０１３５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａの幅方向の両側面において磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されていると共に、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面に隣接し、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されている。ヨーク部分層１４Ｂの媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから例えば１．５μｍ以上離れた位置に配置されている。
【０１３６】
次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図１８および図１９に示したように、ヨーク部分層１４Ｂを形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、図３６および図３７に示したように、非磁性層１５およびヨーク部分層１４Ｂを覆うように、第１および第２の実施の形態における保護層１７Ｂと同様の保護層１７を形成する。次に、保護層１７の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行って、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１３７】
本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂが、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されている。従って、本実施の形態によれば、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂが磁気的に接続する部分の面積が大きくなり、ヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへより効率よく磁束を導くことが可能になる。
【０１３８】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１３９】
［第５の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図３９ないし図４１を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図３９は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図３９は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図３９において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図４０は図３９のＥ−Ｅ線断面図である。図４１は図３９に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【０１４０】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層１４Ｂは、第１の磁性層８と磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面とに接し、これらに対して磁気的に接続された第１層１４Ｂ１と、この第１層１４Ｂ１と磁極部分層１４Ａの後端面および幅方向の両側面とに接し、これらに対して磁気的に接続された第２層１４Ｂ２とを含んでいる。
【０１４１】
ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ１は、コンタクトホール９ａが形成された位置から媒体対向面ＡＢＳに向けて、絶縁層９Ｃの媒体対向面ＡＢＳとは反対側の端面の位置まで、第１の磁性層８および絶縁層９Ｂの上に形成されている。コンタクトホール９ａの位置における第１層１４Ｂ１の厚みは、絶縁層９Ａと絶縁層９Ｂの合計の厚みより大きく、例えば３μｍ以上である。第１層１４Ｂ１の媒体対向面ＡＢＳ側の端部は、媒体対向面ＡＢＳから例えば１．５μｍ以上離れた位置であって、磁極部分層１４Ａの後端面よりは媒体対向面ＡＢＳに近い位置に配置されている。第１層１４Ｂ１を構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合金すなわちパーマロイでもよいし、高飽和磁束密度材でもよい。
【０１４２】
ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ１における媒体対向面ＡＢＳ側の一部および絶縁層９Ｃの上面は平坦化されている。磁極部分層１４Ａは、この平坦化された第１層１４Ｂ１および絶縁層９Ｃの上面の上に形成されている。従って、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ１は、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面の一部に接し、これに対し磁気的に接続されている。
【０１４３】
ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ２は、第１層１４Ｂ１および非磁性層１５の上に配置されている。第２層１４Ｂ２は、第１層１４Ｂ１と磁極部分層１４Ａの後端面および幅方向の両側面とに接し、これらに対して磁気的に接続されている。また、第２層１４Ｂ２の媒体対向面ＡＢＳ側の一部は、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａの上面に隣接し、非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されている。ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ２の厚みは、例えば０．５〜２μｍである。第２層１４Ｂ２を構成する磁性材料は、例えば鉄−ニッケル系合金すなわちパーマロイでもよいし、高飽和磁束密度材でもよい。
【０１４４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのその他の構成は、第３の実施の形態と同様である。
【０１４５】
次に、図４２ないし図４９を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４２ないし図４９は、媒体対向面および基板の面に垂直な断面を表している。なお、図４２ないし図４９では、基板１ないし非磁性層７を省略している。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、絶縁層９Ｂを形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【０１４６】
本実施の形態では、次に、図４２に示したように、周知のフォトリソグラフィ技術および成膜技術（例えば電気めっき法）を用いて、コンタクトホール９ａが形成された位置から媒体対向面ＡＢＳに向けて所定の位置まで、第１の磁性層８および絶縁層９Ｂの上にヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ１を形成する。この時点で、第１層１４Ｂ１の形状は、例えば、厚みが３μｍ以上、奥行き（媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向の長さ）が２〜１０μｍ、幅が５〜２０μｍである。
【０１４７】
次に、図４３に示したように、スパッタ法を用いて、絶縁層９Ａ、絶縁層９Ｂおよびヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ１を覆うように絶縁層９Ｃを形成する。この時点で、絶縁層９Ｃの厚みは、第１層１４Ｂ１の厚み以上とする。
【０１４８】
次に、図４４に示したように、例えば化学機械研磨を用いて、ヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ１が露出するまで絶縁層９Ｃの表面を研磨して、絶縁層９Ｃおよび第１層１４Ｂ１の上面を平坦化する。この時点で、第１の磁性層８の上面から絶縁層９Ｃの上面までの距離は、例えば３〜６μｍとする。
【０１４９】
次に、図４５に示したように、絶縁層９Ｃおよび第１層１４Ｂ１の上に、第１の実施の形態と同様の被エッチング層１４Ａｅおよび非磁性層１５ｅを順に形成する。
【０１５０】
次に、図示しないが、非磁性層１５ｅの上に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材料は例えば鉄−ニッケル合金とする。
【０１５１】
次に、図４６に示したように、上記電極層の上に、磁極部分層１４Ａおよび非磁性層１５の形状を決定するためのマスク３２を形成する。
【０１５２】
次に、図４７に示したように、マスク３２を用いて、イオンミリング等のドライエッチング技術によって、非磁性層１５ｅおよび被エッチング層１４Ａｅをエッチングして、非磁性層１５および磁極部分層１４Ａの外形を決定する。第１の実施の形態と同様に、上記のエッチングの際には、磁極部分層１４Ａの後端面および両側面の少なくとも一部に傾斜を付けてもよい。このとき、媒体対向面に露出する磁極部分層１４Ａの面の形状も決定する。マスク３２は、残っていてもよいし、不要ならば除去してもよい。
【０１５３】
次に、図示しないが、非磁性層１５、絶縁層９Ｃおよびヨーク部分層１４Ｂの第１層１４Ｂ１の上に、スパッタ法により、電気めっき法のための電極層を形成する。この電極層の厚みは０．１μｍ以下とし、材料は例えば鉄−ニッケル合金とし、下地にＴｉ（チタン）を成膜してもよい。
【０１５４】
次に、図４８に示したように、上記電極層の上に、フォトレジストによって、ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ２の形状に対応した空隙部を有するレジストフレーム３５を形成する。
【０１５５】
次に、図４９に示したように、レジストフレーム３５を用いて、電気めっき法（フレームめっき法）によって、電極層の上にヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ２を形成する。次に、レジストフレーム３５を除去する。
【０１５６】
次に、図示しないが、電極層のうち、ヨーク部分層１４Ｂの第２層１４Ｂ２の下に存在する部分以外の部分をドライエッチングで除去する。
【０１５７】
次に、図３９に示したように、第２の磁性層１４を覆うように保護層１７を形成する。次に、保護層１７の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面ＡＢＳの研磨、浮上用レールの作製等を行って、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１５８】
本実施の形態では、ヨーク部分層１４Ｂは、第３の実施の形態と同様に、磁極部分層１４Ａの後端面および幅方向の両側面において磁極部分層１４Ａに磁気的に接続され、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面において非磁性層１５を介して磁極部分層１４Ａに磁気的に接続されている。ヨーク部分層１４Ｂは、更に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面でも磁極部分層１４Ａに対して磁気的に接続されている。従って、本実施の形態によれば、磁極部分層１４Ａとヨーク部分層１４Ｂとの磁気的な接続部分の面積を大きくすることができ、その結果、磁束を効率よくヨーク部分層１４Ｂから磁極部分層１４Ａへ導くことができる。
【０１５９】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は第３の実施の形態と同様である。
【０１６０】
なお、本発明は上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。
【０１６１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層のギャップ層側の面は、薄膜コイルの第２の磁性層側の面よりも第１の磁性層から離れた位置に配置され、ヨーク部分層は、磁極部分層の幅方向の両側面のうちの少なくとも一部において、磁極部分層に対して磁気的に接続されているので、媒体対向面において磁極部分より発生される磁界のうち、記録媒体の面に対して垂直な方向の成分を、記録媒体の面に対して水平な方向の成分に比べて相対的に大きくすることが可能になる。また、本発明では、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層のギャップ層側の端部の少なくとも一部は、磁極部分層のギャップ層側の端部よりも第１の磁性層に近い位置に配置されているので、ヨーク部分層と薄膜コイルとの間の距離が小さくなり、これにより、薄膜コイルから発生される磁界を効率よく吸収することが可能になる。これらのことから、本発明によれば、磁極部分より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくすることができるという効果を奏する。
【０１６２】
また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドによれば、ヨーク部分層は、更に、磁極部分層の媒体対向面とは反対側の端面の少なくとも一部において、磁極部分層に対して磁気的に接続されているので、磁極部分より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界をより大きくすることができるという効果を奏する。
【０１６３】
また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドによれば、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層のギャップ層側の端部は、磁極部分層から離れるに従って徐々に第１の磁性層に近づいているので、ヨーク部分層における磁束の漏れを防止して、記録媒体の面に垂直な方向の磁界をより大きくすることができるという効果を奏する。
【０１６４】
また、請求項４記載の薄膜磁気ヘッドによれば、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、磁極部分層のギャップ層側の端部とヨーク部分層のギャップ層側の端部は、段差なく連続しているので、ヨーク部分層と磁極部分層との間における磁束の漏れを防止して、記録媒体の面に垂直な方向の磁界をより大きくすることができるという効果を奏する。
【０１６５】
また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドによれば、部分層とヨーク部分層との接続面の少なくとも一部は、磁極部分層のギャップ層側の面に垂直な方向に対して傾いているので、接続面が磁極部分層のギャップ層側の面に垂直な場合に比べて接続面の面積が大きくなり、接続面を介してヨーク部分層から磁極部分層へ効率よく磁束を導くことが可能になるという効果を奏する。
【０１６６】
また、請求項６記載の薄膜磁気ヘッドによれば、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層の厚みは磁極部分層の厚みよりも大きいので、磁極部分層とヨーク部分層との接続部分の近傍において、ヨーク部分層側での磁束の飽和を防止することができ、これにより、記録媒体の面に垂直な方向の磁界をより大きくすることができるという効果を奏する。
【０１６７】
また、請求項７または８記載の薄膜磁気ヘッドによれば、ヨーク部分層は、更に、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面において、磁極部分層に対して磁気的に接続されているので、磁極部分層とヨーク部分層が磁気的に接続する部分の面積が大きくなり、ヨーク部分層から磁極部分層へより効率よく磁束を導くことが可能になるという効果を奏する。
【０１６８】
また、請求項８記載の薄膜磁気ヘッドによれば、更に、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面の全面に接する非磁性層を備え、ヨーク部分層は、非磁性層を介して磁極部分層のギャップ層とは反対側の面に隣接し、非磁性層を介して磁極部分層に磁気的に接続されているので、磁極部分層のギャップ層とは反対側の面が、薄膜磁気ヘッドの製造工程においてダメージを受けることを防止でき、その面を平坦に保つことができる。そのため、本発明によれば、媒体対向面において、磁極部分層のギャップ層とは反対側の端部を平坦に保ち、媒体対向面において磁極部分層より発生される磁界を、トラックに交差する方向について均一化することができ、その結果、記録媒体におけるビットパターン形状の歪みを抑えて、線記録密度を向上させることができるという効果を奏する。
【０１６９】
また、請求項９記載の薄膜磁気ヘッドによれば、ヨーク部分層は、更に、磁極部分層のギャップ層側の面において、磁極部分層に対して磁気的に接続されているので、磁極部分層とヨーク部分層が磁気的に接続する部分の面積が大きくなり、ヨーク部分層から磁極部分層へより効率よく磁束を導くことが可能になるという効果を奏する。
【０１７０】
また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドによれば、磁極部分層の飽和磁束密度は、ヨーク部分層の飽和磁束密度以上であるので、第２の磁性層の途中における磁束の飽和を防止することができるという効果を奏する。
【０１７１】
また、請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドによれば、再生素子としての磁気抵抗効果素子を備えたので、誘導型電磁変換素子を用いて再生を行う場合に比べて、再生性能を向上させることができるという効果を奏する。
【０１７２】
また、請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドによれば、この薄膜磁気ヘッドが垂直磁気記録方式に用いられるようにしたので、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくくして、線記録密度を高めることができるという効果を奏する。
【０１７３】
また、請求項１３ないし１６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁極部分層のギャップ層側の面は、薄膜コイルの第２の磁性層側の面よりも第１の磁性層から離れた位置に配置され、ヨーク部分層は、磁極部分層の幅方向の両側面のうちの少なくとも一部において、磁極部分層に対して磁気的に接続されるので、媒体対向面において磁極部分より発生される磁界のうち、記録媒体の面に対して垂直な方向の成分を、記録媒体の面に対して水平な方向の成分に比べて相対的に大きくすることが可能になる。また、本発明では、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分と交わり、媒体対向面に平行な断面において、ヨーク部分層のギャップ層側の端部の少なくとも一部は、磁極部分層のギャップ層側の端部よりも第１の磁性層に近い位置に配置されるので、ヨーク部分層と薄膜コイルとの間の距離が小さくなり、これにより、薄膜コイルから発生される磁界を効率よく吸収することが可能になる。これらのことから、本発明によれば、磁極部分より発生される、記録媒体の面に垂直な方向の磁界を大きくすることができるという効果を奏する。
【０１７４】
また、請求項１４ないし１６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、簡単に、磁極部分層の外形と、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分の近傍におけるヨーク部分層の下地の形状とを決定することができるという効果を奏する。
【０１７５】
また、請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、磁極部分層とヨーク部分層との磁気的な接続部分の近傍におけるヨーク部分層の下地の上面が、磁極部分層から離れるに従って徐々に第１の磁性層に近づくように、下地の形状が決定されるので、ヨーク部分層における磁束の漏れを防止して、記録媒体の面に垂直な方向の磁界をより大きくすることができるという効果を奏する。
【０１７６】
また、請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、磁極部分層のヨーク部分層に接続される面の少なくとも一部が、磁極部分層のギャップ層側の面に垂直な方向に対して傾くように、磁極部分層の外形が決定されるので、磁極部分層のヨーク部分層に接続される面が、磁極部分層のギャップ層側の面に垂直な場合に比べて、磁極部分層とヨーク部分層との接続面の面積が大きくなり、接続面を介してヨーク部分層から磁極部分層へ効率よく磁束を導くことが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面の一例を示す断面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線断面の他の例を示す断面図である。
【図４】図１に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【図５】図１に示した薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図７】図６に示した状態における図１のＡ−Ａ線断面に対応する断面図である。
【図８】図６に続く工程を示す断面図である。
【図９】図８に示した状態における図１のＡ−Ａ線断面に対応する断面図である。
【図１０】図８に続く工程を示す断面図である。
【図１１】図１０に示した状態における図１のＡ−Ａ線断面に対応する断面図である。
【図１２】図１０に続く工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に示した状態における図１のＡ−Ａ線断面に対応する断面図である。
【図１４】図１２に続く工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に示した状態における図１のＡ−Ａ線断面に対応する断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を示す断面図である。
【図１７】図１６に示した状態における図１のＡ−Ａ線断面に対応する断面図である。
【図１８】図１６に続く工程を示す断面図である。
【図１９】図１８に示した状態における図１のＡ−Ａ線断面に対応する断面図である。
【図２０】図１８に続く工程を示す断面図である。
【図２１】図２０に示した状態における図１のＡ−Ａ線断面に対応する断面図である。
【図２２】図２０に続く工程を示す断面図である。
【図２３】図２２に示した状態における図１のＡ−Ａ線断面に対応する断面図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図２５】図２４のＢ−Ｂ線断面図である。
【図２６】図２４に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図２８】図２７に続く工程を示す断面図である。
【図２９】図２８に続く工程を示す断面図である。
【図３０】図２９に続く工程を示す断面図である。
【図３１】図３０に続く工程を示す断面図である。
【図３２】図３１に続く工程を示す断面図である。
【図３３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図３４】図３３のＣ−Ｃ線断面図である。
【図３５】図３３に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【図３６】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図３７】図３６のＤ−Ｄ線断面図である。
【図３８】図３６に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【図３９】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図４０】図３９のＥ−Ｅ線断面図である。
【図４１】図３９に示した薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図である。
【図４２】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。
【図４３】図４２に続く工程を示す断面図である。
【図４４】図４３に続く工程を示す断面図である。
【図４５】図４４に続く工程を示す断面図である。
【図４６】図４５に続く工程を示す断面図である。
【図４７】図４６に続く工程を示す断面図である。
【図４８】図４７に続く工程を示す断面図である。
【図４９】図４８に続く工程を示す断面図である。
【図５０】単磁極ヘッドの構成の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
３…下部シールド層、４…絶縁層、５…ＭＲ素子、６…上部シールド層、７…非磁性層、８…第１の磁性層、９…ギャップ層、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ…絶縁層、１０…薄膜コイル、１４…第２の磁性層、１４Ａ…磁極部分層、１４Ｂ…ヨーク部分層、１４Ｃ…連結部、１５…非磁性層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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