(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子と、
該半導体レーザ素子から出射され、外部で反射されて戻ってきた光を回折するホログラムを有するホログラム素子と、
該ホログラム素子により回折された±１次回折光のいずれか一方を受光して信号を検出する信号検出用受光素子とを少なくとも備え、
該半導体レーザ素子、該ホログラム素子および該信号検出用受光素子が同一のブロックに搭載されており、
前記ブロックは、寸法精度および寸法安定性に優れた材質であって、金属、配線パターンを形成可能なセラミック、液晶ポリマーまたはエンジニアリングプラスティックからなり、
前記ブロックは、内部に前記半導体レーザ素子が光を上方に出射するように配置される空洞と、前記半導体レーザ素子から上方に出射される光が前記ホログラム素子を通過するように該空洞を覆って該ホログラム素子が搭載される天面と、前記空洞とは隔壁を介して設けられ前記信号検出用受光素子が前記半導体レーザ素子の発光点よりも下方に位置するように搭載される部分とを有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記ホログラムにより回折された±１次回折光のうち、信号検出に寄与しない回折光を、前記ブロックの天面で遮断して前記空洞の内部に直接進入しないようになっている請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記ホログラム素子は、前記半導体レーザ素子側の表面に前記ホログラムを有する請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記半導体レーザ素子の下方に、レーザ出力モニター用受光素子をさらに有する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記隔壁は、前記ホログラムにより回折された光のうち、信号検出に用いられる光が前記信号検出用受光素子に入射する経路部分に切り欠きを有する請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばコンパクトディスクシステムやビデオディスクシステム等の光ディスクシステムにおいて使用される光ピックアップに組み込まれる、ホログラム付きの半導体レーザ装置（以下、ホログラムレーザと称する）に関する。特に、光ディスクに反射して戻ってきた半導体レーザ素子の光をホログラム素子により回折し、記録信号を正確に読み出すためのトラッキング信号、フォーカス信号、記録信号等を分離して受光素子または受光素子付き信号処理集積回路へ各々導いて出力信号を得ることが可能なホログラムレーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６に従来のホログラムレーザ１００の概略構成を示す。なお、この図においては、簡単のため、配線関係は省略して示している。
【０００３】
このホログラムレーザ１００においては、金属からなるブロック３に半導体レーザ素子４、レーザ出力モニター用受光素子５ａ一体型サブマウント５、信号検出用受光素子２が搭載され、ホログラム素子１は上記ブロック３を覆うようにかぶせられたキャップ６の天面６ａに搭載されている。キャップ６はアイレット７の上面７ａに設けられ、ブロック３はアイレット７の上面７ａに一体的に形成されている。
【０００４】
ホログラム素子は、通常、ガラスやアクリル樹脂等の光透過特性の良い材料によって作製される。このホログラム素子１において、通常、ホログラム１ｂはその上面１ａに形成されている。
【０００５】
信号検出用受光素子２は、Ｓｉ基板上に、複数の受光部に分割されたフォトダイオード２ａを形成したものである。通常、この信号検出用受光素子２には信号処理用回路も一体的に形成されているので、信号検出用受光素子２を以下ＯＰＩＣと称する。
【０００６】
このＯＰＩＣ２は、半導体レーザ素子４の発光点Ａよりも上部に配置されており、半導体レーザ素子４の後端面から出射されるモニター光Ｌの影響を受けないようにされている。
【０００７】
このように構成されたホログラムレーザ１００においては、光ディスクにより反射されて戻ってきた信号光のうち、ホログラム１ｂで回折された＋１次回折光および−１次回折光Ｊ、Ｋのいずれかを利用して信号検出が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以下、信号検出に用いる回折光をＫ、不要な回折光をＪとして説明を行う。
【０００９】
ホログラムレーザの組立調整時においては、ＯＰＩＣ２上の規定の位置Ｂへ信号光Ｋが入射するように、できるだけ容易に、かつ、精度良くホログラム素子１の位置を調整することが最大の課題である。
【００１０】
ここで、信号光Ｋが入射する規定の位置Ｂは、レーザ発光点Ａの位置と、ホログラム形成面１ａの位置と、ＯＰＩＣ２の位置とによってほぼ決定される。このうち、ホログラム素子１はキャップ６の天面６ａに搭載されるので、高さ方向（ｚ方向）に調整することはできない。
【００１１】
このため、例えばＯＰＩＣ２とキャップ６の高さ方向の距離のばらつきを吸収するためには、ホログラム素子１をキャップ６の天面６ａの平面内で平行移動または回転して調整する必要がある。しかし、この場合には、ホログラム１ｂの中心と半導体レーザ素子４の発光点Ａの位置とがずれることになるので、ホログラムレーザとしての性能を低下させる要因となる。
【００１２】
さらに、ＯＰＩＣ２の受光部（フォトダイオード２ａ）において例えばｘ方向の長さを長くすることにより、ホログラム素子１の平行移動に伴う信号光入射位置Ｂのｘ方向の変化を吸収する必要がある。その結果、ＯＰＩＣ２の受光部２ａの寸法を大きくする必要が生じ、周波数応答特性が低下するため、高速化された光ディスクシステムに用いることができないという問題が発生する。
【００１３】
また、半導体レーザ素子４の発光点Ａは、光学設計の際には集光レンズ（図示せず）の後側焦点の位置にあるものとして設計するが、実際の組立調整時にはホログラムレーザ１００の基準面であるアイレット７の上面７ａからの高さだけで調整される。
【００１４】
従って、高さ方向に関して、半導体レーザ素子４の発光点Ａの位置は、ブロック３の厚さのばらつき分だけばらつくことになる。同様に、ホログラム１ｂの位置はキャップ６の高さおよびホログラム素子１の厚さのばらつき分だけばらつき、ＯＰＩＣ２の位置はブロック３の厚さおよびＯＰＩＣ２の厚さのばらつき分だけばらつくことになる。
【００１５】
このばらつきについて、図７を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
基準面７ａから半導体レーザ素子４の発光点Ａまでの高さの設計値をｚ1とし、そのばらつきの標準偏差値をΔｚ1とする。同様に、基準面７ａからＯＰＩＣ２への信号光の入射点Ｂまでの高さの設計値をｚ2とし、そのばらつきの標準偏差値をΔｚ2とし、基準面７ａからキャップ６のホログラム搭載面（天面）６ａまでの高さの設計値をｚ3とし、そのばらつきの標準偏差値をΔｚ3とする。
【００１７】
キャップ６のホログラム搭載面６ａからホログラム１ｂ（ホログラム１ｂの形成面１ａ）までの高さをｚ4とし、そのばらつきの標準偏差値をΔｚ4とすると、ホログラム１ｂからＯＰＩＣ２への信号光の入射点Ｂまでのｚ方向の距離ｚ5のばらつきの標準偏差Δｚ5は、
Δｚ5＝√（Δｚ22＋Δｚ32＋Δｚ42）  ・・・（１）
となる。
【００１８】
特に、キャップ６は金属の薄板をプレス加工して作製されるため、高さのばらつきΔｚ3が大きく、これがホログラム１ｂの位置を精度良く決定するために調整時間が長くかかる原因となっていた。即ち、画像認識等によりホログラム素子１の位置を測定する際に、最終的に必要な精度に対してずれが大きすぎる場合が多く、粗調整を行ってから最終調整を行う等、組立工程が複雑になっていた。
【００１９】
このようにホログラム１ｂとＯＰＩＣ２との位置調整が終わった段階で、半導体レーザ素子の発光点Ａとホログラム１ｂとのｚ方向の距離ｚ6のばらつきの標準偏差Δｚ6は、
Δｚ6＝√（Δｚ12＋Δｚ32＋Δｚ42）  ・・・（２）
となる。
【００２０】
従って、半導体レーザ素子の発光点Ａとホログラム１ｂとのｚ方向の距離ｚ6においても、キャップ６の高さのばらつきΔｚ3の影響を受ける。その結果、ホログラム１ｂとＯＰＩＣ２との位置関係を最適化してしまうと、半導体レーザ素子４とホログラム１ｂとの位置関係が悪くなるおそれがあり、両方を同時に最適化するように調整しなければならない。
【００２１】
ところが、設計時に考慮するべき寸法ばらつきは、高さ方向（ｚ方向）に限らず、ｘ方向およびｙ方向のばらつきも考慮する必要があり、また、半導体レーザ素子の発振波長の変化等、組立調整では除けない要因もある。また、キャップ６およびホログラム素子１のみならず、他の半導体レーザ装置を構成する部材の寸法ばらつきの許容範囲（以下、公差と称する）をできる限り小さくしなければならず、部品の作製が困難になるという問題があった。
【００２２】
さらに、組立調整に時間をかけることも避ける必要がある。即ち、ＯＰＩＣ２とホログラム１との距離の設計値からのずれは、調整により幾らでも小さくすることができるが、精度良く調整しようとすれば調整に時間がかかり、作製時間が長くなるため、実用的ではない。
【００２３】
本発明はこのような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、半導体レーザ装置を構成する部材の搭載位置精度を高くして調整に要する時間を短くすることができ、各部材に必要とされる精度が低く、部品の作製が容易であり、さらに、ＯＰＩＣの受光部を小さくして光ディスクシステムの高速化を図ることができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子から出射され、外部で反射されて戻ってきた光を回折するホログラムを有するホログラム素子と、該ホログラム素子により回折された±１次回折光のいずれか一方を受光して信号を検出する信号検出用受光素子とを少なくとも備え、該半導体レーザ素子、該ホログラム素子および該信号検出用受光素子が同一のブロックに搭載されており、前記ブロックは、寸法精度および寸法安定性に優れた材質であって、金属、配線パターンを形成可能なセラミック、液晶ポリマーまたはエンジニアリングプラスティックからなり、前記ブロックは、内部に前記半導体レーザ素子が光を上方に出射するように配置される空洞と、前記半導体レーザ素子から上方に出射される光が前記ホログラム素子を通過するように該空洞を覆って該ホログラム素子が搭載される天面と、前記空洞とは隔壁を介して設けられ前記信号検出用受光素子が前記半導体レーザ素子の発光点よりも下方に位置するように搭載される部分とを有することを特徴とする。
【００２７】
前記ホログラムにより回折された±１次回折光のうち、信号検出に寄与しない回折光を、前記ブロックの天面で遮断して前記空洞の内部に直接進入しないようになっていてもよい。
【００２８】
前記ホログラム素子は、前記半導体レーザ素子側の表面に前記ホログラムを有していてもよい。
【００２９】
前記半導体レーザ素子の下方に、レーザ出力モニター用受光素子をさらに有していてもよい。
【００３１】
前記隔壁は、前記ホログラムにより回折された光のうち、信号検出に用いられる光が前記信号検出用受光素子に入射する経路部分に切り欠きを有していてもよい。
【００３２】
以下に、本発明の作用について説明する。
【００３３】
本発明にあっては、半導体レーザ素子とホログラム素子と信号検出用受光素子が同一のブロックに搭載され、寸法精度を高くできないキャップを用いていないので、部材の搭載精度が高くなり、調整に要する時間が短くなる。また、各部材に必要な精度を低くすることができ、ＯＰＩＣの受光部を小さくして光ディスクシステムの高速化を図ることができる。
【００３４】
上記ブロックとして、寸法精度および寸法安定性に優れた材質を用いることにより、さらに部材の搭載精度を高くすることができる。特に、金属を用いれば、発熱による半導体レーザ素子の温度上昇を防止して信頼性を向上することができ、さらに、ＯＰＩＣの温度上昇による暗電流の増加等の特性劣化を防止することができる。また、配線パターンを形成可能なエンジニアリングプラスティック、例えば液晶ポリマー等は、高耐熱成形が可能で、メッキも可能であり、精度も良いので、量産性を向上することができる。さらに、配線パターンを形成可能なセラミックを用いれば、温度上昇を防止すると共に、金属以上に搭載精度の向上を図ることができる。
【００３５】
上記ホログラムにより回折された±１次回折光のうち、信号検出に寄与しない回折光を、上記ブロックの天面で遮断することにより、ＯＰＩＣの受光部に不要な光が直接入射しないようにすることができる。
【００３６】
上記ホログラム素子は、上記ホログラムを半導体レーザ素子側の表面に形成することにより、ホログラム素子の厚みによるばらつき要因が無くなるので、搭載精度をより一層高くすることができる。
【００３７】
上記半導体レーザ素子の後端面側に、さらに受光素子を設けてレーザ出力をモニターしてもよい。この場合、半導体レーザ素子が設けられている部分と、信号検出用受光素子が設けられている部分との間に隔壁を設ければ、半導体レーザ素子の後端面側から出射されるモニター光がＯＰＩＣに入射せず、良好な信号特性が得られる。
【００３８】
この隔壁は、上記ホログラムにより回折された光のうち、信号検出に用いられる光がＯＰＩＣに入射する経路部分を削って開けることにより、上記半導体レーザ素子の後端面側から出射されるモニター光がＯＰＩＣに入射しないようにすると共に、ＯＰＩＣに充分高い強度の信号光を入射することができる。よって、Ｓ／Ｎ比を高くして、より良好な信号特性が得られる。
【００３９】
さらに、上記ＯＰＩＣ２を半導体レーザ素子の発光点より下部に配置することにより、ホログラムとＯＰＩＣとの距離を長くして、回折角を小さく保つことが可能となる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４１】
（実施形態１）
図１は本実施形態１のホログラムレーザ２００の概略構成を示す斜視図であり、図２はそのＰ−Ｐ’線部分の断面図である。なお、図１においては、簡単のため、ホログラム素子１を省略して示している。
【００４２】
このホログラムレーザ２００は、半導体レーザ素子４、レーザ出力モニター用受光素子５ａ一体型サブマウント５および信号検出用受光素子２を搭載しているブロック３１に、天面３１ａを基準面としてホログラム素子１も搭載している。このホログラム素子１は、キャップに搭載する場合と同様に、ＵＶ樹脂等の接着剤によりブロック３１に固定されている。なお、図１中、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３はＯＰＩＣ２の受光素子である。また、リードは図示していないが、メッキにより配線してもよく、別のものを付加してもよい。
【００４３】
このホログラムレーザ２００の構成によれば、図６に示した従来のホログラムレーザ１００のように、寸法精度の高くできない薄板をプレスして作製されるキャップを用いていないので、ホログラム素子１の搭載精度を高くすることができる。さらに、ブロック３１に半導体レーザ素子４、ＯＰＩＣ２、ホログラム素子１を搭載し、ブロック３１の天面３１ａを基準面としているので、より搭載精度を高くすることができる。
【００４４】
以下、この点について、図３を参照しながら詳細に説明する。
【００４５】
半導体レーザ素子４とＯＰＩＣ２は、ブロック３１の天面（上面）３１ａを基準として搭載してあるので、基準面３１ａからホログラム１ｂ（ホログラム１ｂの形成面１ａ）までのｚ方向の距離ｚ14、および基準面３１ａからＯＰＩＣ２への信号光の入射点Ｂまでのｚ方向の距離ｚ12は、いずれも規定の値から機械精度の範囲で変動するだけである。その変動量の標準偏差を各々Δｚ14およびΔｚ12とすると、ホログラム１ｂからＯＰＩＣ２への信号光の入射点Ｂまでのｚ方向の距離ｚ15の変動量の標準偏差Δｚ15は、
Δｚ15＝√（Δｚ122＋Δｚ142）  ・・・（３）
となる。
【００４６】
一方、基準面３１ａから半導体レーザ素子４の発光点Ａまでのｚ方向の距離ｚ11の変動量（ばらつき）の標準偏差値をΔｚ11とすると、ホログラム１ｂと半導体レーザ素子４の発光点Ａとのｚ方向の距離ｚ16のばらつきの標準偏差Δｚ16は、
Δｚ16＝√（Δｚ112＋Δｚ142）  ・・・（４）
となる。
【００４７】
従って、ｚ15およびｚ16は、いずれも、変動量の大きいキャップの厚さの変動量が無い分だけ、図７を用いて説明した従来のホログラムレーザ１００に比べて変動量が小さくなる。
【００４８】
即ち、ブロック３１に直接ホログラム素子１を搭載することによって、ホログラム素子１と半導体レーザ素子４の距離、およびホログラム素子１とＯＰＩＣ２に距離のばらつきは、従来構造に比べてキャップの高さばらつきの分が無くなるために小さくなって、より一層精度が向上する。なお、ｘ方向およびｙ方向のばらつきについては、セラミック等の材料を用いることにより材料精度が上がれば、向上させることができる。但し、外形の形状によっても効果が異なる。
【００４９】
このように、キャップ高さばらつきの要因を減らすことができ、基準面合わせによりレーザやホログラム等の取り付けが容易であるので、組立調整に要する時間も短くすることができる。また、キャップを設けていないので、部品点数も少なくすることができる。さらに、ＯＰＩＣとキャップの高さ方向の距離のばらつきを吸収するためにホログラム素子をキャップの天面の平面内で平行移動または回転移動させる調整移動量を従来に比べて小さくすることができるので、ホログラムの中心と半導体レーザ素子の発光点Ａとの位置ずれが小さく、ホログラムレーザとしての性能を高くすることができる。また、高さ方向のばらつき要因を減らすことにより、従来のようにＯＰＩＣの受光部寸法を大きくして信号光入射位置Ｂのｘ方向の変化を吸収する必要がない。よって、受光部サイズを小さくすることができ、高速の光ディスクシステムに対応することができる。
【００５０】
このブロック３１としては、寸法精度および寸法安定性に優れた材質を用いるのが望ましい。例えばＣｕやＦｅ等の金属、配線パターンを形成可能な液晶ポリマーやポリフタルアミド樹脂等のエンジニアリングプラスティック、またはＡｌＮ等のセラミックを用いることができるが、これらに限定されるわけではない。
【００５１】
なお、本実施形態では、キャップを用いていないために半導体レーザ素子４が外気に直接曝されることになるが、半導体レーザ素子４の作製技術の向上によって、ホログラムレーザ２００の信頼性が損なわれることはない。
【００５２】
さらに、本実施形態においては、ホログラム１ｂによって回折される光のうち、信号検出に寄与しない回折光Ｊをブロック３１の天面３１ａに入射させて遮断することにより、直接パッケージ内部へ進入しないようにしている。このような配置は、回折角θとホログラム素子１の厚さｄによって簡単に設定することができる。即ち、回折光Ｊとブロック３１の天面３１ａとの交点のｘ座標は、
ｘ＝ｄ・ｔａｎθ  ・・・（５）
によって計算される。
【００５３】
なお、本実施形態では、ＯＰＩＣ２が半導体レーザ素子４の発光点Ａの高さと同じ程度であるかまたはより高い位置にあり、ホログラム１ｂがホログラム素子１の上面にある場合の例について説明している。この場合には、信号光Ｋはホログラム１ｂで回折され、ホログラム素子１の中を通過してＯＰＩＣ２の上に落射する。この場合、ホログラムの中を光が進み、そこで距離を取ることができるので、ブロック（ステム）を薄くすることができる。本実施形態では、従来のようにキャップを用いないことにより、ホログラム素子１の厚みが厚くなっているが、これによって特性的には問題は生じない。材料コストについても、樹脂ホログラム等を用いれば、大きな影響は生じない。
【００５４】
（実施形態２）
図４は本実施形態２のホログラムレーザ３００の概略構成を示す斜視図である。
【００５５】
このホログラムレーザ３００は、ＯＰＩＣ２が半導体レーザ素子４の発光点Ａより下部に配置されている。
【００５６】
このため、ブロック３２の上面３２ａに搭載されたホログラム素子１中を通過した信号光Ｋが、ブロック３２で遮断されないように、その経路部分に切り欠きを設けている。なお、この場合には、半導体レーザ素子４の搭載位置によっては、半導体レーザ素子４の後端面から出射されるモニター光がＯＰＩＣ２の受光部に回り込むおそれがある。よって、信号光Ｋの経路以外は半導体レーザ素子４を収納した空洞部とＯＰＩＣ２を搭載した部分との間をブロック３２でふさぐことにより、遮光している。
【００５７】
（実施形態３）
図５（ａ）は本実施形態３のホログラムレーザ４００の概略構成を示す斜視図であり、（ｂ）はその断面図である。
【００５８】
このホログラムレーザ４００は、ＯＰＩＣ２が半導体レーザ素子４の発光点Ａより下部に配置されている。また、ブロック３３の上面３３ａに搭載されたホログラム素子１は、その下面、即ち、半導体レーザ素子４の発光点Ａ側にホログラム１ｂが形成されている。
【００５９】
本実施形態によれば、ホログラム素子１の厚みばらつきに起因するホログラム１ｂと半導体レーザ素子４の発光点Ａとの距離のばらつきが生じないので、さらに位置精度を向上させることができる。
【００６０】
本実施形態においても、ホログラム１ｂで回折された信号光Ｋが、ブロック３３で遮断されないように、その経路部分に切り欠きを設けている。また、図５（ｂ）に示すように、半導体レーザ素子４の後端面から出射されるモニター光ＬがＯＰＩＣ２の受光部に照射されないように、半導体レーザ素子４を収納した空洞部とＯＰＩＣ２を搭載した部分との間をブロック（隔壁）３３ｂでふさいでいる。
【００６１】
さらに、ＯＰＩＣ２を半導体レーザ素子の発光点より下部に形成してあるので、ホログラムとＯＰＩＣ２との距離を長くすることができ、回折角を小さく保つことができる。
【００６２】
なお、本実施形態では他の実施形態に比べてホログラム素子１を薄くしてあるが、これは、ホログラムを半導体レーザ素子側に設けたためであり、これによって特性上や製造上の影響は生じない。
【００６３】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、半導体レーザ素子やＯＰＩＣが搭載されたブロック上にホログラム素子を搭載することにより、部材の搭載精度を高くして調整に要する時間を短くすることができる。また、各部材に必要な精度を低くしてもよいので、部品の作製が容易になる。さらに、従来のようにＯＰＩＣの受光部を大きくする必要がないので、高速化された光ディスクシステムにも対応することができる。
【００６４】
上記ブロックとして、金属や配線パターンを形成可能な液晶ポリマーやエンジニアリングプラスティック、セラミック等を用いれば、さらに寸法精度および寸法安定性を高くすることができ、信頼性を向上することができる。
【００６５】
上記ホログラムにより回折された±１次回折光のうち、信号検出に寄与しない回折光を、上記ブロックの天面で遮断することにより、ＯＰＩＣの受光部に不要な光が直接入射しないようにすることができる。よって、信号をより正確に読み出すことができる。
【００６６】
上記ホログラムを、ホログラム素子の半導体レーザ素子側の表面に形成することにより、ホログラム素子の厚みによるばらつき要因が無くなるので、さらに搭載精度を高くすることができる。また、ＯＰＩＣを半導体レーザ素子の発光点よりも下部に配置することにより、ホログラムとＯＰＩＣの距離を長くして、ホログラムの回折角を小さく保つことができる。よって、ホログラムのピッチを大きくして生産を安定化することができる。
【００６７】
半導体レーザ素子が設けられている部分と、信号検出用受光素子が設けられている部分との間に隔壁を設ければ、半導体レーザ素子の後端面側から出射されるモニター光がＯＰＩＣに入射するのを防ぐことができる。よって、信号をより正確に読み出すことができる。
【００６８】
この隔壁は、上記ホログラムにより回折された光のうち、信号検出に用いられる光がＯＰＩＣに入射する経路部分を削って開けることにより、上記半導体レーザ素子の後端面側から出射されるモニター光がＯＰＩＣに入射しないようにすると共に、ＯＰＩＣに充分高い強度の信号光を入射することができる。よって、Ｓ／Ｎ比を高くして、より良好な信号特性が得られ、より正確に信号光を読み出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１のホログラムレーザの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１のＰ−Ｐ’線部分の断面図である。
【図３】実施形態１のホログラムレーザについて、部材の搭載精度を説明するための図である。
【図４】実施形態２のホログラムレーザの概略構成を示す斜視図である。
【図５】（ａ）は実施形態３のホログラムレーザの概略構成を示す斜視図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図６】従来のホログラムレーザの概略構成を示す断面図である。
【図７】従来のホログラムレーザについて、部材の搭載精度を説明するための図である。
【符号の説明】
１  ホログラム素子
１ａ  ホログラム素子の上面
１ｂ  ホログラム
２  ＯＰＩＣ
２ａ  ＯＰＩＣの受光部
３、３１、３２、３３  ブロック
４  半導体レーザ素子
５  レーザ出力モニター用受光素子一体型サブマウント
５ａ  レーザ出力モニター用受光素子
６  キャップ
６ａ  キャップの上面
７  アイレット
７ａ  アイレットの上面
３１ａ、３２ａ、３３ａ  ブロックの上面
３３ｂ  隔壁
Ａ  半導体レーザ素子の発光点
Ｂ  ＯＰＩＣへの信号光の入射点
Ｊ  信号検出に用いられない回折光
Ｋ  信号検出に用いられる回折光
【図１】
0003698243.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003698243.tif 000008