(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性を有する耐熱性基板に、照射光の照射により剥離を生ずる剥離層を形成する剥離層形成工程と、
前記剥離層形成工程により形成された剥離層に、第１の電極薄膜、圧電体を有する圧電膜、及び第２の電極薄膜を積層することにより圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、
前記圧電体層形成工程により形成された前記圧電体層の該第２の電極薄膜に対し、電極パターンを形成することによりミラー要素を画素ごとに形成するパターン形成工程と、
能動素子が画素ごとに設けられた能動素子基板と前記耐熱性基板に積層された圧電体層のパターン化された前記第２の電極薄膜とを、各前記能動素子と各前記ミラー要素とが対応するように電気的に接続する接続工程と、
前記剥離層に対し、前記耐熱性基板側から照射光を照射して当該剥離層に剥離を生じさせる照射分離工程と、
を備えた光変調デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記圧電体層形成工程は、前記第１の電極薄膜または前記第２の電極薄膜の少なくとも一方を、光反射性を有する材料で形成する、請求項１に記載の光変調デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記接続工程は、前記能動素子基板上の能動素子とパターン化された前記第２の電極薄膜とを対応づけて、前記能動素子基板側または前記第２の電極薄膜側のいずれか一方に接続用電極を設け、この接続用電極を他方に電気的に接続するものである請求項２に記載の光変調デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記接続工程は、前記能動素子基板上の能動素子とパターン化された前記第２の電極薄膜とを対応づけて、前記能動素子基板側および前記第２の電極薄膜側の双方に接続用電極を設け、この二つの接続用電極を互いに電気的に接続するものである請求項２に記載の光変調デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プロジェクタ等に用いられる光変調デバイスに係り、特に、反射ミラーの乱反射を防止する光変調デバイスの製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、反射ミラーにより光変調を行う光変調デバイスは、反射ミラーを設ける反射ミラー基板、および薄膜トランジスタを設ける薄膜トランジスタ基板を、互いに貼り合わせることにより製造されていた。
【０００３】
反射ミラー基板は、シリコンＳｉ等の基板に反射ミラー要素を画素ごとに二次元アレイ状に配置して形成される。シリコン基板は、反射ミラーに対応する部分がエッチングされ、窓（基板除去部）が形成される。薄膜トランジスタ基板は、ガラスや石英等からなる基板上に、薄膜トランジスタを形成して製造される。両基板は、薄膜トランジスタ要素と反射ミラー要素とを、一画素ごとに対応させて貼り合わされる。反射ミラー要素を駆動するために、薄膜トランジスタにより生成される駆動電圧を、圧電膜に供給する必要がある。このため、反射ミラー基板のうち反射ミラーを設けた面を薄膜トランジスタに対向させ、薄膜トランジスタの電極と反射ミラーの圧電膜とを電気的に接続するミラー電極接続厚膜を介し、両基板が貼り合わされていた。
【０００４】
上記の構造によれば、この表示装置を使用する際、表示に必要な照明光は、シリコン基板に設けられた窓から入射し、反射ミラーにより反射され再び窓から射出されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の光変調デバイスおよびこれを用いた表示装置では、光が乱反射し、投写画像の明るさやコントラストの低下をもたらすという問題点があった。すなわち、従来の技術では、光の入射および射出が、必ずシリコン基板に設けられた窓を通して行われていた。シリコン基板は、製造工程における取り扱いを容易に、かつ安全に行えるように、一定の膜厚（１００μｍ程度）が必要である。ところが、表示装置の高細精度化にともなって、一画素、すなわち一つの反射ミラー要素の幅を狭くすると、窓の幅に比べ側壁の高さが大きくなる。例えば、窓の幅が５０μｍとすると、窓の側壁が幅の二倍の高さとなってしまう。これでは、反射ミラーの周辺部分で反射された光が側壁に遮られたり反射したりする、いわゆる乱反射状態となる。乱反射された光に基づいて画像を表示すると、光の量が不足するため投影画像の明るさが足りなくなったり、他の画素からの光が混入するためコントラストが低下したりするのである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、耐熱性を有する耐熱性基板に、照射光の照射により剥離を生ずる剥離層を形成する剥離層形成工程と、剥離層形成工程により形成された剥離層に、第１の電極薄膜、圧電体を有する圧電膜、及び第２の電極薄膜を積層することにより圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、圧電体層形成工程により形成された圧電体層の該第２の電極薄膜に対し、電極パターンを形成することによりミラー要素を画素ごとに形成するパターン形成工程と、能動素子が画素ごとに設けられた能動素子基板と耐熱性基板に積層された圧電体層のパターン化された第２の電極薄膜とを、各能動素子と各ミラー要素とが対応するように電気的に接続する接続工程と、剥離層に対し、耐熱性基板側から照射光を照射して当該剥離層に剥離を生じさせる照射分離工程とを備える。
【００１１】
本発明によれば、圧電体層形成工程は、第１の電極薄膜または第２の電極薄膜の少なくとも一方を、光反射性を有する。
【００１２】
本発明によれば、接続工程は、能動素子基板上の能動素子とパターン化された第２の電極薄膜とを対応づけて、能動素子基板側または第２の電極薄膜側のいずれか一方に接続用電極を設け、この接続用電極を他方に電気的に接続するものである。
【００１３】
本発明によれば、接続工程は、能動素子基板上の能動素子とパターン化された第２の電極薄膜とを対応づけて、能動素子基板側および第２の電極薄膜側の双方に接続用電極を設け、この二つの接続用電極を互いに電気的に接続するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の好適な実施の形態を、図面を参照して説明する。
【００１５】
（第１形態）
本発明の実施の第１形態は、スクリーンに画像を投写するプロジェクタ装置に使用される光変調デバイスの製造方法に、本発明を適用したものである。
【００１６】
図１および図２に、本第１形態の製造方法の各工程における基板の構造図を示す。これらの構造図は、一つの基板上に多数形成する画素のうち一部を拡大して示したものである。
【００１７】
(a)  剥離層形成工程：  同図(a)に示すように、基板１０に剥離層（光吸収層）１１を形成する。基板１０は、内部を後述する照射光１２（後述）が透過可能なものとする。照射光の透過率は１０％以上であることが好ましい。透過率が低すぎると、照射光の減衰が大きくなるからである。また、基板１０は、耐熱性があり、かつ強度における高い信頼性を備えた材料である必要がある。本形態では、熱アニール工程（同図(c)）において基板全体を高温環境下におく必要があるため、この温度に対し物理的、化学的な変性を生じないものである必要がある。これらのことから、本形態では石英ガラスを用いるが、この他のソーダガラス、耐熱性ガラス等であってもよい。基板１０の厚さは、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度、好ましくは、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度とする。基板が厚すぎると照射光の減衰が多くなり、薄すぎると基板の強度が低下するからである。
【００１８】
剥離層１１は、照射光１２を吸収し、当該層内や界面において剥離を生ずるものである。すなわち、剥離層１１は、照射光により、抗生物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こす。このような剥離層１１の組成としては、以下が考えられる。
【００１９】
1)  水素を２〜１０at%程度含有した非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）
2)  酸化ケイ素またはケイ酸化合物、酸化チタンまたはチタン酸化合物、酸化ジルコニウムまたはジルコン酸化合物、酸化ランタンまたはランタン酸化合物等の各種酸化物セラミックス、誘電体あるいは半導体
3)  ジルコン酸チタン（ＰＺＴ）、ＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、ＰＢＺＴ等のセラミックスまたは誘電体
4)  窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス
５）−ＣＨ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨ−等の有機高分子材料
６）  Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｇｄ、若しくはＳｍ、またはこれらのうち少なくとも一種を含む合金
剥離層１１の厚さは、通常１nm〜２０μｍ程度、より好ましくは４０nm〜１μｍ程度にする。膜厚が薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われ、膜厚が厚すぎると、剥離に必要な照射光のパワーを大きくする必要があったり、剥離後の剥離層の残渣を除去するのに時間を要たりするからである。
【００２０】
剥離層１１の形成方法は、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。なお、この他の成膜法として、ＭＯＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ、蒸着、分子線蒸着、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェクト法、スピンコート、スプレーコート、コールコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００２１】
なお、図１および図２には図示しないが、剥離層１１の上に中間層である絶縁膜３０９を設けてもよい（図３参照）。絶縁膜は、ＳｉＯ2等の酸化ケイ素を組成とし、圧電体層３の保護の他、剥離層１１の剥離のために照射光が照射された際の断熱を行う。
【００２２】
(b)  圧電体層形成：  剥離層１１の上に、共通電極膜３００、圧電膜３０１、を積層し、圧電体層３を形成する。ただし、圧電体層３のうちミラー電極膜３０２は、熱アニールによる特性劣化を防止するために、熱アニール工程の後に形成される。共通電極膜３００の組成は、導電性があって、特性が経年変化しにくく、製造工程における熱に対する耐性が高いものが好ましい。
【００２３】
圧電膜３０１としては、電圧の印加により体積が変化する素材、例えば、スパッタ法あるいはゾルゲル法により形成されたＰＺＴ膜を用いる。ゾルゲル法によって、０．８μｍ程度の厚みの圧電膜を形成することができる。
【００２４】
なお、共通電極膜３００の形成後、公知のパターン形成技術を用いて、共通電極のパターン形成を行っておいてもよい。
【００２５】
(c)  熱アニール工程：  圧電体層３の特性を向上させるために、熱アニール（Anneal）処理を行う。基板１０の上に形成した圧電体層３を炉に入れ、基板全体を加熱する。
【００２６】
(d)  パターン形成：  熱アニール処理の後、ミラー電極膜３０２が圧電膜３０１の上に形成される。ミラー電極膜３０２の組成は、導電性があって、特性が経年変化しにくく、製造工程における熱に対する耐性が高いものが好ましい。特に、ミラー電極膜３０２は、反射ミラーとして用いられるので、照明光に対する反射率が高いものが好ましい。例えば、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ等の金属薄膜を用いる。
【００２７】
ミラー電極膜３０２に対しては、公知のパターン形成技術を用いて、パターン形成を行う。すなわち、レジスト塗布、マスク、露光、現像、およびエッチング等の処理を行って、所望の電極パターンを形成する。このパターン形成において各画素に残される電極部分が、反射ミラーであるミラー要素３０７となる。ミラー要素３０７の面積は、反射ミラーとして十分に照明光を反射できるような形状および面積とする。ミラー要素３０７のミラー電極膜３０２側の電極面積は、共通電極膜３００側の電極面積より小さくなるように、パターン形成する。電圧を両電極間に印加すると、圧電膜３０１の体積変化により、ミラー要素３０７が、同図(d)の下側に凸面となるよう変形する。
【００２８】
ミラー電極膜３０２に対するパターン形成後、薄膜トランジスタ２０５のドレイン電極に設けられたミラー電極接続厚膜２０７（後述）との電気的な接続を行う電極接続部であるバンプ３０８の形成を行う。バンプ３０８は、ミラー要素３０７の一部に形成される。バンプ３０８は、極少ない面積で薄膜トランジスタのドレインに接続されることになるため、接触抵抗が少なく、表面が酸化しにくい素材、例えば、金Ａｕが好ましい。圧電体層３と薄膜トランジスタ基板２との距離は、照射光１２の照射による熱が薄膜トランジスタ２０５に伝導しにくい距離にする必要がある。したがって、バンプ３０８のミラー電極膜３０２からの高さは、この高さとミラー電極接続厚膜２０７の高さとの合計が、この条件を満たすように設定する。
【００２９】
(e)  接続工程：  薄膜トランジスタ基板２と基板１０に形成された圧電体層３とを電気的に接続する。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板２は、通常の液晶ディスプレイ装置に頻繁に用いられている薄膜トランジスタの配列構造を備える。その製造工程も従来の方法に基づく。すなわち、薄膜トランジスタ基板２は、ガラスや石英等の基板２００上に、画素ごとの薄膜トランジスタ２０５、信号ドライバ２０１、走査ドライバ回路２０３、および配線２０２、２０４が形成される。さらに、各薄膜トランジスタのブロック（トランジスタ要素）２０８のうち、薄膜トランジスタ２０５のドレイン電極２０６には、圧電体層３のバンプ３０８に電気的に接続されるミラー電極接続厚膜２０７が、メッキ法等により２０μｍ程度の厚みで形成される。
【００３０】
薄膜トランジスタ基板２と基板１０に積層された圧電体層３とは、圧着され、互いに接続される。圧着を確実に行うため、加熱された環境化で熱圧着がされる。この圧着により、バンプ３０８とミラー電極接続厚膜２０７との接合部は合金化するので、接続抵抗を少なくし、接続強度を上げることができる。
【００３１】
(f)  照射工程：  薄膜トランジスタ基板２と圧電体層３とが接続されたら、照射光１２を基板１０の裏側から剥離層１１に向けて照射する。照射光１２は、基板１０を透過し、剥離層１１にスポット１３として照射される。これにより、基板１０と剥離層１１との界面において、あるいは剥離層１１の層内において、原子間あるいは分子間の結合力が減少あるいは消滅する。照射光３０５の照射時、剥離層１１の組成にはアブレーションが生じ、また、剥離層１１内部のガスの放出、照射光１２による融解、蒸散等の相変化が生じていると推測される。
【００３２】
照射光１２としては、剥離層１１に効率良く層内剥離または界面剥離を生じさせるものであればよい。特に、アブレーションを生じさせやすいという点で、レーザ光が好ましい。例えば、波長２４８nmまたは３０８nmのエキシマーレーザ（excimer laser）光を用いる。レーザ光の種類や波長は、剥離層１１にアブレーションを生じさせるに際しての照射光に波長依存性があるか、ガス放出、気化、昇華等の相変化を生じさせて分離させるか等を考慮して決める。
【００３３】
また、照射されるレーザ光のエネルギー密度は、エキシマーレーザ光の場合、１０〜５０００mJ/cm2程度、照射時間は、１〜１０００nsec程度、好ましくは１０〜１００nsec程度とする。エネルギー密度が低過ぎたり照射時間が短か過ぎたりすると、十分なアブレーションを生じさせることができず、一方でエネルギー密度が高過ぎたり照射時間が長過ぎたりすると、剥離層１１および圧電体層３に悪影響を与える他、薄膜トランジスタ２０５を破壊するおそれがある。また、照射光１２は、均一な強度で照射し、照射時の入射角は垂直でなくともよい。また、剥離層１１の全領域に照射するためには、複数回に分けて照射光を照射したり、同一箇所に二回以上照射してもよい。さらに、照射光におけるレーザ光の種類、その波長等を異ならせてもよい。
(g)  分離工程：  この状態において、基板１０を圧電体層３と離間させると、剥離層１１の部分において基板１０が分離される。圧電体層３の共通電極層３００側には、剥離層１１の残渣が付着しているので、洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法を用いて、これを除去する。なお、分離した基板１は、石英等の高価な材料を用いているので、新たな光変調デバイスの製造のために、再利用される。
【００３４】
図３に、上述したような製造方法により製造された光変調デバイスの構造を説明する斜視図を示す。構造の理解を容易にするため、説明の便宜上、圧電体層３と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板２を分離して図示する。
【００３５】
同図に示すように、本形態における光変調デバイスは、ミラー要素３０７が配列された圧電体層３と、各ミラー要素を駆動する薄膜トランジスタ要素２０８が配置された薄膜トランジスタ基板２とが、電気的に接続された構造となっている。圧電体層３は、本形態における製造方法により形成された共通電極膜３００、圧電膜３０１、ミラー電極膜３０２で構成されている。さらに本図では、圧電体層３を保護するための絶縁膜３０９を設けた場合を示している。
【００３６】
薄膜トランジスタ基板２には、信号ドライバ回路２０１および走査ドライバ回路２０３が形成される。信号ドライバ回路２０１は、画像の水平方向（Ｘ軸方向）のオン・オフ情報に基づくスイッチング信号を、各薄膜トランジスタ２０５のソースへ、配線２０２を介して供給する。走査ドライバ回路２０３は、表示装置から供給される画像の垂直方向（Ｙ軸方向）のオン・オフ情報に基づくスイッチング信号を、各薄膜トランジスタ２０５のゲートへ、配線２０４を介して供給する。薄膜トランジスタ２０５のドレイン電極２０６に生じた駆動電圧は、ミラー電極接続厚膜２０７を介して各ミラー要素３０７のミラー電極膜３０２に供給される。薄膜トランジスタ２０５から駆動電圧が供給されると、これに対応するミラー要素３０７のミラー電極膜３０２および共通電極膜３００間に電位差が生じ、圧電膜３０１の体積が変化する。圧電体内の体積変化の偏在により、ミラー要素は、同図上方に変形する。すなわち、駆動電圧が供給されているミラー要素３０７では、反射面が凸面鏡となり、その結像点はミラー要素３０７の裏面になる。このため、入射した照明光３０５は、この凸面鏡による反射により、広がった光束を有する反射光３０６となる。一方、駆動電圧が供給されていないミラー要素３０７では、反射面が平面鏡となっているため、反射光３０６は平行に反射される。
【００３７】
図４に、本形態の製造方法により製造された光変調デバイスを用いたプロジェクタ装置の構成図を断面で示す。
【００３８】
光源４１であるメタルハライドランプから出た光は放物面形状のリフレクタ４２で反射され、ほぼ平行な光束に変換され、ハーフミラー４３で偏向され、本形態に係る光変調デバイス４４に入射する。光変調デバイス４４の駆動電圧が供給されていないミラー要素４４１では、反射光３０６が平行であるため、ハーフミラー４３を介してレンズ４５で集光され、微小ミラー４６に入射する。微小ミラー４６は、反射面が光軸に対し一定角を有しているため、入射した光はすべて散乱され、スクリーン４９に到達しない。
【００３９】
一方、駆動電圧が供給され変形しているミラー４４２では、反射光３０６が凸面鏡の焦点４８から光が射出されるような発散する光となる。よって、この光は、レンズ４５を通り、微小ミラー４６の周囲を通過し、投写レンズ４７を介し、スクリーン４９に像を結ぶ。すなわち、光変調デバイス４４に供給される画像信号に応じて、照射光３０５が変調され、スクリーン４９に画像信号に応じた表示が行える。
【００４０】
この場合、照明光３０５の入射する面には、隔壁や基板が存在しないため、反射光３０６が散乱され投影される画像が暗くなったり、他の画素の位置に投写されたりすることがない。
【００４１】
上記のように、本第１形態によれば、基板上に剥離層を介して圧電体層を形成したので、剥離層において基板を剥離した後のミラー要素の照明光の入射面には、隔壁等の光を遮断する障害物が存在しない。したがって、障害物により散乱されることがないため、投影される画像を明るくすることができる。また、障害物による散乱がないため、コントラストが低下することもない。また、圧電体層に対する熱アニール処理を、薄膜トランジスタ基板と接続する前に行えるので、薄膜トランジスタ等に悪影響を与えることがない。
【００４２】
＜第２形態＞
本発明の実施の第２形態は、第１形態と異なるパターン形成方法および接続方法を提供するものである。
【００４３】
図５に、本第２形態における光変調デバイスの製造方法の一部を示す。本形態において剥離層形成工程（図１(a)）から熱アニール工程（同図(c)）まで、および照射工程（図２(f)）から分離工程（同図(g)）までは、前記第１形態と同様なので、説明を省略する。
【００４４】
(d)  パターン形成工程：  ミラー電極膜３０２に対するパターン形成に関しては、前記第１形態と同様である。ミラー電極膜３０２に対するパターン形成後、薄膜トランジスタ２０５のドレイン電極との電気的な接続のため、第１形態のバンプ３０８の代わりに、ミラー要素３０７の一部にドレイン電極接続厚膜３１０の形成を行う。ドレイン電極接続厚膜３１０は、メッキ法等の公知の技術により形成される。メッキに係る金属としては、接触抵抗が少なく、表面が酸化しにくい素材、例えば、金（Ａｕ）が好ましい。ドレイン電極接続厚膜３１０の高さは、圧電体層３と薄膜トランジスタ基板２との間に必要な距離（前述）に等しくする。
【００４５】
(e)  接続工程：  薄膜トランジスタ基板２におけるトランジスタ要素のドレイン電極２０６とミラー電極３０２上に形成されたドレイン電極接続厚膜３１０とを電気的に接続する。本形態で用いる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板２には、第１形態におけるミラー電極接続厚膜２０７を設けない。薄膜トランジスタ基板２と基板１０に積層された圧電体層３との接続は、前記第１形態と同様に行われる。
【００４６】
本第２形態によれば、圧電体層３に接続厚膜を設けることによっても、本発明の効果を備えた製造方法による光変調デバイスを提供できる。
【００４７】
＜第３形態＞
本発明の実施の第３形態は、第２形態とは異なり、薄膜トランジスタ基板側にのみ接続厚膜を設けるものである。
【００４８】
図６に、本第３形態における光変調デバイスの製造方法の一部を示す。本形態において剥離層形成工程（図１(a)）から熱アニール工程（同図(c)）まで、および照射工程（図２(f)）から分離工程（同図(g)）までは、前記第１形態と同様なので、説明を省略する。
【００４９】
(d)  パターン形成工程：  ミラー電極膜３０２に対するパターン形成に関しては、前記第１形態と同様である。但し、ミラー要素３０７のミラー電極３０２にはバンプ３０８を設けない。
【００５０】
(e)  接続工程：  本形態では、薄膜トランジスタ基板２のトランジスタ要素２０５におけるドレイン電極２０６に、ミラー要素３０７との電気的な接続のため、ミラー電極接続厚膜２１０の形成を行う。このミラー電極接続厚膜２１０は、第１形態のミラー電極接続厚膜２０７より、その高さが高い。この高さは、圧電体層３と薄膜トランジスタ基板２との間に必要な距離（前述）に等しくする。厚膜の形成方法については、第１形態と同様である。
【００５１】
本第３形態によれば、薄膜トランジスタ基板にのみ接続厚膜を設けることによっても、本発明の効果を備えた製造方法による光変調デバイスを提供できる。
【００５２】
＜その他の変形例＞
本発明は、上述した発明の実施の各形態に限定されず、種々に変形して適用が可能である。例えば、圧電体膜の構造、組成、膜厚に関しては上記形態に限らず、他の構造等となるよう形成してもよい。圧電体層の保護のため、絶縁膜を形成するか否かは、圧電体の性質に応じて任意に定めることができる。また、圧電膜の組成によっては、熱アニール工程を省略することができる。
【００５３】
また、ミラー要素３０７の平面的な形状として、図３に示す方形以外にも多角形、円形、および楕円等の種々の形状が考えられる。
【００５４】
さらに、ミラー要素３０７の配列としては、図３に示す二次元的配列の他に、ミラー要素が一列に並んだ一次元的配列にしてもよい。
【００５５】
さらにまた、プロジェクタ装置の光学的構成に関しては、図４および図５に限定されることなく、画素が有効か無効かに応じ光束の状態が異なる反射光を用いて、画像の投影が可能な構成であれば本発明の適用が可能である。
【００５６】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、圧電体層を形成するときの土台となる基板が剥離され、圧電体層のみが残されるので、基板が存在する場合に生ずる反射光の遮断、乱反射がない。したがって、明るく、コントラストのよい反射光を得ることができる。
【００５７】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の光変調デバイスを備えているので、スクリーンに明るく、コントラストのよい画像を投影できる。
【００５８】
請求項３乃至請求項６のいずれかに記載の発明によれば、耐熱性を有する耐熱性基板に、剥離層、圧電体層が形成され、圧電体層に対して電極パターンが形成され、能動素子基板と耐熱性基板に積層された圧電体層とが接続された後、照射分離工程により、剥離層に剥離を生じさせて耐熱性基板を分離する。したがって、これら工程により、光の照射側に基板の存在しない光変調デバイスが製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第１形態における光変調デバイスの製造方法（その１）である。
【図２】本発明の実施の第１形態における光変調デバイスの製造方法（その２）である。
【図３】第１形態の製造方法により製造された光変調デバイスの斜視図である。
【図４】第１形態の光変調デバイスを用いた表示装置の光学系の構造図である。
【図５】本発明の実施の第２形態における光変調デバイスの製造方法の一部である。
【図６】本発明の実施の第３形態における光変調デバイスの製造方法の一部である。
【符号の説明】
２…薄膜トランジスタ基板、３…圧電体層、１０…基板（耐熱性）、１１…剥離層、３００…共通電極膜、３０１…圧電膜、３０２…ミラー電極膜、３０７…ミラー要素、３０８…バンプ、３１０…ドレイン電極接続厚膜、２００…基板、２０５…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、２０６…ドレイン電極、２０７、２１０…ミラー電極接続厚膜、２０８…トランジスタ要素
【図１】
0003695494.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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