(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
８００〜１０００℃で焼成可能なガラス−セラミック材料から成る単層または多層の基体上に、表面配線となる導体膜を一体的に焼成して成る低温焼成セラミック回路基板において、前記ガラス−セラミック材料は、結晶化温度が焼成温度よりも低く、且つ軟化点が５５０〜６５０℃の結晶化ガラスと無機質フィラーとから成るとともに、前記導体膜を、少なくとも０．５ｗｔ％のＰｔを含むＡｇ系導体により形成したことを特徴とする低温焼成セラミック回路基板。
【請求項２】
前記結晶化ガラスが、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、これらの置換誘導体の結晶の少なくとも１種類を析出させてなることを特徴とする請求項１に記載の低温焼成セラミック回路基板。
【請求項３】
前記結晶化ガラスの組成が、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＣａＯ、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−ＣａＯ−Ｂ２Ｏ３、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３のいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の低温焼成セラミック回路基板。
【請求項４】
前記結晶化ガラス中にＰｂＯまたはＢ２Ｏ３が含有されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の低温焼成セラミック回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ガラス−セラミック材料から成る単層または内部配線となる導体膜を挟持・積層した多層の基体上に表面配線となる導体を一体的に焼結した低温焼成セラミック回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、低温焼成セラミック多層回路基板は、基板材料をガラスとアルミナなどの無機物フィラーから成り、これにより、焼成温度を８００〜１０００℃で可能とすることで、低抵抗導体材料であるＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどを内部配線として用いることができるようになった。
【０００３】
基板材料と内部配線となる導体膜の関係においては、デラミネーションなどが発生せず強固に接着すること、焼結挙動が近似し基板の反りが発生しないように、特に基板材料のガラス成分を調整し、また内部配線となる導体膜の導電性ペースト材料を調整していた。
【０００４】
尚、低温焼成セラミック多層回路基板の表面には表面配線が形成されるが、一般に焼成した後に、Ａｇ、Ｃｕなどの導電性ペーストを別途印刷し、焼きつけていた。これは、表面配線には半田などを介して電子部品などが搭載されため、接着強度が強いこと、基板に反り変形などを与えないことに加え、半田濡れ性が良好なことが要求されるためである。
【０００５】
そこで、表面配線となる導体膜を焼成前の基体に形成し、基体と低温で同時焼成したセラミック多層回路基板が、例えば特公平４−７７４０３号に提案されている。
【０００６】
これは、表面配線となる導体膜がＡｇ、Ｐｄを主成分として、さらに、Ｃｒ、ＴｉＯ2 、Ｔｈを所定量添加した金属粉末を用いた導電性ペーストによって形成されるものであった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の従来技術では、表面配線では、Ａｇ、Ｐｄを添加した場合、例えば、Ｐｄの添加量が比較的少ない場合には、表面配線上に半田を介して電子部品を接合する半田による半田食われが顕著となってしまう。
【０００８】
また、半田食われを防止するために、Ｐｄの添加量を増加させると、焼成時の比較的低い温度からＡｇとＰｄとの反応が顕著となり、導体自身を硬化させてしまい、基板から剥離が発生しやすい傾向があり、また、高価となってしまう。
【０００９】
さらに、半田くわれ性を考慮して、Ｐｄに代えてＰｔを用いることが考えられる。この場合、Ｐｔの添加量は、Ａｇ、Ｐｔ等の金属成分中、少なくとも０．５ｗｔ％添加すればよく、添加量も少なくて済み、コスト的にも有利となる。
【００１０】
しかし、このようにＡｇ、Ｐｔを含む導電性ペーストにより形成された導体膜の収縮開始温度は約６００℃以下で始まり、収縮終了温度が７５０〜８００℃程度となり、一般のガラス−セラミック材料からなる基体側の収縮挙動に合わなく、例えば、導体膜の収縮終了温度前後でガラス−セラミック材料のガラスの軟化や結晶化反応が行われるため、基体側に反りが発生してまう。
【００１１】
本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、基体側の焼結挙動とＡｇ、Ｐｔを含む表面配線となる導体膜との焼結挙動を近似させ、表面配線の半田濡れ性、基板との接合強度が良好で、且つ半田食われが発生せず、しかも基板の反りを発生することがない、安価な低温焼成セラミック回路基板を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、８００〜１０００℃で焼成可能なガラス−セラミック材料から成る単層または多層の基体上に、表面配線となる導体膜を一体的に焼成して成る低温焼成セラミック回路基板において、前記ガラス−セラミック材料は、結晶化温度が焼成温度よりも低く、且つ軟化点が５５０〜６５０℃の結晶化ガラスと無機質フィラーとから成るとともに、前記導体膜を、少なくとも０．５ｗｔ％のＰｔを含むＡｇ系導体により形成したことを特徴とする低温焼成セラミック回路基板である。また本発明は、前記結晶化ガラスが、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、これらの置換誘導体の結晶の少なくとも１種類を析出させてなることを特徴とする低温焼成セラミック回路基板である。また本発明は、前記結晶化ガラスの組成が、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＣａＯ、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−ＣａＯ−Ｂ２Ｏ３、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３のいずれかであることを特徴とする低温焼成セラミック回路基板である。また本発明は、前記結晶化ガラス中にＰｂＯまたはＢ２Ｏ３が含有されていることを特徴とする低温焼成セラミック回路基板である。
【００１３】
要するに、軟化点が５５０〜６５０℃のガラス−セラミック材料の基体上に、少なくとも０．５ｗｔ％のＰｔを含むＡｇ系導電性ペーストでもって表面配線となる導体膜を形成した後に一体焼結した低温焼成セラミック回路基板である。
【００１４】
焼成後基体となるガラス−セラミック材料は、結晶化ガラスと無機物フィラーとから成り、焼成前においては、結晶化ガラスを構成するガラス成分、無機物フィラー、スラリー化またはテープ化するための有機バインダー、有機溶剤などのビヒクルを含むものである。
【００１５】
無機物フィラーとは、アルミナ、クリストバライト、石英、コランダム、ムライト、ジルコニア、コージェライトなどが例示でき、１種類または複数種類を含むものであり、総称してセラミック材料という。このセラミック材料の平均粒径は、１．０〜６．０μｍ程度が望ましい。
【００１６】
結晶化ガラスとは、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶であり、焼成後に少なくともその１種類を析出するようにガラスフリットの組成を制御する。
【００１７】
例えば、アノーサイト系の結晶化ガラスを析出させるためのガラスフリットとの組成は、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＣａＯなどが例示でき、コージェライト／ガーナイト／アノーサイト系のの結晶化ガラスを析出させるためのガラスフリットとの組成は、ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−ＣａＯ−Ｂ2 Ｏ3 などが例示でき、コージェライト／ガーナイト／ウイレマイト系のの結晶化ガラスを析出させるためのガラスフリットとの組成は、ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 などが例示できる。
【００１８】
尚、ガラスフリットの平均粒径は、１．０〜５．０μｍ程度が望ましい。
【００１９】
また、本発明におけるガラス−セラミック材料の焼成における収縮開始温度、即ちガラスフリットの軟化点温度を５５０〜６５０℃に制御するためには、上述のガラス組成中に、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 などを添加するとともに、その添加量により制御することができる。
【００２０】
また、セラミック材料とガラス材料との構成比率は、セラミック材料が１０〜６０ｗｔ％、好ましくは３０〜５０ｗｔ％、ガラス材料が９０〜４０ｗｔ％、好ましくは７０〜５０ｗｔ％である。セラミック材料が１０ｗｔ％未満で、ガラス材料が９０ｗｔ％を越えると、焼成後の基板の強度が低下してしまい、セラミック材料が６０ｗｔ％を越え、ガラス材料が４０ｗｔ％未満であると、基体の緻密性が損なわれる。
【００２１】
表面配線を形成するための導電性ペーストは、金属粉末としてＡｇ、少なくともＰｔを含み、さらにペースト化するために有機バインダー、有機溶剤などのビヒクルを均質混合されたものを用いる。
【００２２】
焼成後においては、ビヒクル成分が焼失されるため、表面配線には、実質的にＡｇ、Ｐｔが夫々単体の状態、または固溶した状態で、または合金の状態で存在することになる。
【００２３】
Ａｇ、Ｐｔの組成比率は、重量比率で、Ａｇが９９．５ｗｔ％以下、Ｐｔが０．５ｗｔ％以上である。尚、Ｐｔは高価な材料であるため、その添加量は少ない程望ましい。また、Ｐｔの添加量が５〜１０ｗｔ％以上添加しても、添加した割りに半田濡れ性、基体との接合強度、反りなどの効果の伸びは小さく、１０ｗｔ％を越えてもその効果は頭打ちとなってしまう。従って、Ｐｔの実用的な範囲を考慮すれば、Ｐｔの上限は１０ｗｔ％程度であり、好ましくは５ｗｔ％と言える。
【００２４】
また、表面配線の耐マイグレーション性を高めるために、Ｐｄを１０ｗｔ％を上限に添加しても構わない。１０ｗｔ％を越えると、上述した従来技術での問題が発生してしまう。
【００２５】
以上の点から、導電性ペーストを作成する上での金属粉末の実用的な一範囲として、Ａｇ粉末が８０〜９９．５ｗｔ％、Ｐｔ粉末が０．５〜１０ｗｔ％、Ｐｄ粉末が０〜１０ｗｔ％が挙げられる。上述のＡｇ粉末の平均粒径は０．２〜７．０μｍで、より好ましくは０．５〜５．０μｍである。この範囲から外れると焼成後の基体の反りが顕著となる。
【００２６】
Ｐｔ粉末の平均粒径は１μｍ以下であり、また、Ａｇとの共沈反応による粉末を用いたり、Ａｇ粉末にコーティングした状態で用いてもよい。
【００２７】
さらに、金属粉末以外にホウケイ酸低融点ガラス、ＳｉＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 などの金属酸化物や焼成後に金属酸化物となる例えばシランカップリング剤などを添加しても構わない。このホウケイ酸低融点ガラスや金属酸化物等は、主に基体との接合強度を向上させるために添加するものである。尚、過剰の添加は、表面配線の表面にホウケイ酸低融点ガラスや金属酸化物などが析出することになるため、逆に半田濡れ性を低下させてしまう。このため、ホウケイ酸低融点ガラスの添加は、１．０ｗｔ％以下にし、金属酸化物の添加は、５．０ｗｔ％以下にすることが重要である。
【００２８】
具体的には、上述のガラス−セラミック材料を含むスラリーから形成したグリーンシートを用い、内部のグリーンシート上にビアホール導体を含む内部配線となる導体膜を形成する。また、表層となるグリーンシート上に上述の導電性ペーストの印刷により、ビアホール導体を含む表面配線となる導体膜を形成する。
【００２９】
尚、内部配線となる導体膜は、直接半田などが付着することがないため、軟化点が６００℃前後の低融点ガラスの添加したＡｇ系導電性ペーストを用いても構わない。
【００３０】
その後、各グリーンシートを積層順序を考慮して積層する。
【００３１】
また、ガラス−セラミック材料を含むスラリーと内部配線となる導電性ペーストとを塗布・印刷を繰り返し、表層となる絶縁層をガラス−セラミック材料を含むスラリーを塗布・印刷し、乾燥後、上述の導電性ペーストでビアホール導体を含む表面配線を印刷により形成する。尚、ガラス−セラミック材料を含むスラリーに光硬化可能なモノマーを添加しておき、グリーンシート、または塗布・印刷した絶縁膜を選択的な露光・現像処理しても構わない。
【００３２】
このようして得られた積層体を焼成処理する。焼成処理は、大気雰囲気・中性雰囲気で処理された、積層体内の有機ビヒクルを焼失させる比較的低い温度、例えば５００℃までの脱バンダー工程と、それ以上の温度からピーク温度８００〜１０００℃、例えば９５０℃までの焼結工程とからなる。
【００３３】
その後、焼成された積層体上に、必要に応じて表面配線に接続するように厚膜抵抗体膜を形成したり、絶縁保護膜を形成する。
【００３４】
最後に表面配線にリフロー半田接合などによって電子部品の接合を行う。
【００３５】
【作用】
以上のように、本発明の表面配線となる導体膜が、少なくとも０．５ｗｔ％のＰｔを含むＡｇ系導体から成っているため、従来のＰｄを含むＡｇ系導体に比較して、半田濡れ性、基板との接合強度が同等程度に維持でき、さらに、半田食われ性が向上する。
【００３６】
尚、焼成工程において、表面配線となる導体膜は、収縮開始温度が約６００℃、収縮終了温度が約７５０〜８５０℃となるものの、この導体膜と一体的に焼成する基体（積層体）は、軟化点が５５０〜６５０℃となるガラス成分を含有するガラス−セラミック材料を用いているため、表面配線となる導体膜とガラス−セラミック材料の焼結挙動を近似させることができるため、基板側に反りなど発生を防止できる。
【００３７】
特に、ガラス−セラミック材料のガラス結晶化温度が、焼成温度よりも低いために、焼結工程において、ガラス成分が結晶化され、表面配線となる導体膜上に浮き上がることもなくなる。
【００３８】
これらによって、従来のＡｇ、Ｐｄを表面配線に用いたものに比較にして、安価で、高密度化、電子部品との接合信頼性の高い表面配線を有する低温焼成セラミック回路基板となる。
【００３９】
【実施例】
以下、本発明の図面に基づいて説明する。図１は本発明の低温焼成セラミック回路基板の断面図である。尚、基板は複数のガラス−セラミック層が多層化された積層回路基板を例に説明する。
【００４０】
図において、１０は低温焼成セラミック回路基板であり、低温焼成セラミック回路基板１０は、積層体（基体）１と表面に形成された表面配線２から構成され、さらにこの表面配線２上には半田６を介して電子部品５が搭載されている。
【００４１】
積層体１は、例えば７層のガラス−セラミック層１ａ〜１ｇからなり、その層１ａ〜１ｇ間には、内部配線３が形成されている。また、各ガラス−セラミック層１ａ〜１ｇには、その厚み方向に内部配線３間を接続するため、また内部配線３と表面配線２とを接続するためのビアホール導体４が形成されている。
【００４２】
上述の低温焼成セラミック回路基板１０の製造方法を簡単に説明すると、
まず、ガラス−セラミック層となるグリーンシートを作成する。例えばグリーンシートは、例えば、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＣａＯ−ＰｂＯなどのガラス粉末、例えばアルミナセラミック粉末の無機物フィラーと、例えばアルキルメタクリレートなどの有機バインダーと、例えばＤＢＰなどの可塑剤と、例えばトルエンなどの有機溶剤とを混合し、ボールミルで４８時間混練しスラリーを形成する。  ここで、セラミック粉末、結晶化ガラスとなるガラス粉末の混合比率は、セラミック粉末３０ｗｔ％、ガラス粉末７０ｗｔ％である。
【００４３】
このスラリーをドクターブレード法などによりテープ成型を行い、所定寸法に切断してグリーンシートを作成する。
【００４４】
次に、内部配線３間を接続したり、内部配線３と表面配線２とを接続するビアホール導体４となる貫通穴を、夫々のグリーンシートの所定位置にパンチングなどにより穿設する。
【００４５】
次に、表面配線２となる導電性ペーストを用いて、表層のガラス−セラミック層１ａとなるグリーンシートの貫通穴に充填するとともに、そのグリーンシート上に所定形状の表面配線２となる導体膜を印刷形成する。
【００４６】
ここで、表面配線となる導電性ペーストは、所定量のＡｇ粉末、Ｐｔ粉末、必要に応じて所定量のＰｄ粉末などの金属粉末と、必要に応じて例えば所定量のホウケイ酸系の低融点ガラスと、、必要に応じて例えばＳｉＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 などの金属酸化物と、例えばエチルセルロースなどの有機バインダーと、例えば２．２４−トリメチル−１．３−ペンタジオールモノイソブチレートなどの有機溶剤を混合して、３本ロールミルで混練して形成する。
【００４７】
また、内部配線３となる導電性ペーストを用いて、内部側のガラス−セラミック層１ｂ〜１  となるグリーンシートの貫通穴に充填するとともに、そのグリーンシート上に所定形状の内部配線３となる導体膜を印刷形成する。
【００４８】
ここで、内部配線３となる導電性ペーストは、例えば所定量のＡｇ粉末などの低抵抗金属粉末と、例えば所定量のホウケイ酸系の低融点ガラスと、例えばエチルセルロースなどの有機バインダーと、例えば２．２４−トリメチル−１．３−ペンタジオールモノイソブチレートなどの有機溶剤を混合して、３本ロールミルで混練して形成する。
【００４９】
このようにして得られたグリーンシートを積層順序に応じて、積層して、積層体１を形成して、一体的に焼成する。具体的には、焼成処理は、昇温過程で５００℃前後までの脱バインダー工程と、９５０℃までの焼結工程とから成る。
【００５０】
焼結工程において、５５０〜６５０℃で積層体１の各ガラス−セラミック層１ａ〜１ｇのガラス−セラミック材料のガラス成分が軟化する。同時に６００℃以下で表面配線２となる導体膜が焼結反応により収縮開始を行う。
【００５１】
また、８００℃前後で、上述ガラス−セラミック材料のガラス成分における収縮が略終了することになる。同時に、表面配線２となる導体膜が焼結反応により収縮が終了する。
【００５２】
従って、ガラス−セラミック材料のガラス成分の軟化点が、表面配線２となる導体膜の収縮開始温度と略同等になり、表面配線２となる導体膜の焼結・収縮が略終了する温度（８００℃前後）であり、ガラス−セラミック材料の焼結・収縮終了温度（８５０〜９５０℃）では、表面配線２となる導体膜の焼結・収縮されているので、基体側の反りを有効に防止できる。
【００５３】
その後、焼成された積層体１に、必要に応じて表面配線２に接続するように厚膜抵抗体膜を焼きつけたり、また、絶縁保護膜を被覆したりして、最後に、各種電子部品５を半田６により接合する。
【００５４】
具体的には、電子部品５が搭載される表面配線２上にクリーム状の半田６を塗布し、各種電子部品５を載置する。これにより、電子部品５はクリーム状の半田６によって仮保持されることになる。
【００５５】
この状態で２３０℃前後の熱処理を行うリフロー炉に投入して、クリーム状の半田を溶融して、徐冷・硬化して半田６接合を行い、低温焼成セラミック回路基板１０が完成する
〔実験例〕
ガラス−セラミック材料として、上述の少なくともアノーサイト系結晶が析出できるガラスフリットと、アルミナ粉末と、固形成分（ガラスフリット、アルミナ粉末）の重量比で１０％のアクリル樹脂と、同４０％のトルエンと、同１０％のＤＢＰとから成るスラリーより、ドクターブレード法を用いて、２００μｍのグリーンシートを形成した。尚、結晶化のためのガラス成分以外に、軟化点を調整するための酸化物成分（ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 ）を所定量含有させ、表１に示すように軟化点に制御する。
【００５６】
次に、平均粒径３μｍのＡｇ粉末と、平均粒径０．５μｍのＰｔ粉末と、必要に応じて平均粒径０．５μｍのＰｄ粉末と、必要に応じて平均粒径０．５μｍのホウケイ酸ガラス粉末、必要に応じて所定量のＳｉＯ2 、ＳｎＯなどの金属酸化物と、チタネート系カップリング剤とに、エチルセルロース、ペンタンジオールモノイソブチレートを適量加え、３本ロールミルで混練しペーストを形成した。
【００５７】
次に、上述のグリーンシート上に上述の導電性ペーストをスクリーン印刷方法で所定形状の導体膜を形成し、５枚重ね合わせて加熱圧着し、表面配線２となる導体膜を有する積層体１（基体）を作成して、その後、大気雰囲気で９００℃で焼成した。
【００５８】
焼成した基体にロジン系フラックス溶液に浸漬した後、２３０℃の２％Ａｇ入りＳｎ−Ｐｂ共晶半田浴中に漬け、半田濡れ性を評価した。半田濡れ性の評価として、表面配線の表面積中９０％以上の濡れがある場合を「優」とし、それ以下を「劣」とした。接着強度は、２ｍｍ角の表面配線上に０．６ｍｍφの錫メッキ銅線を半田を行い、ピール法でその強度を測定した。接着強度の評価として、１ｋｇ以上あれば、実用的な条件を満足するものである。
【００５９】
また、焼成後の寸法で８．５ｍｍ角の表面配線を形成し、反りの状況を測定した。
【００６０】
その結果を、表１に表す。尚、表１の基板の軟化点は、上述の軟化点調整用ガラス成分の配合比率を制御することによって達成する。
【００６１】
【表１】
0003686687.tif 000002
【００６２】
表１において、試料１〜７においては、半田濡れ性がよく、接着強度２．２ｋｇ／２ｍｍ角以上の強い値を示し、基板の反りも小さい。
【００６３】
これに対して、試料８は、半田濡れ性は良好であり、接着強度も高いものの、基体基板の軟化点が高いため、基体の反りが発生してしまう。
【００６４】
また、試料９は、さらに基体の軟化点が高く、表面配線２となる導体膜の収縮反応が終了した後に基板側のガラス材料が軟化するため、基板の反りが大きく、さらに、基板側のガラス成分が表面に浮き上がり、表面配線２の表面にも析出されるための半田濡れ性が極めて劣るものとなり、接合強度の測定が不可能となる。
【００６５】
尚、試料４、５から理解できるように、Ｐｔの添加量を増やしても、半田濡れ性や接着強度の作用効果は大きく変化せず、むしろコストを考慮した場合には、実用的ではない。
【００６６】
また、試料６、７から理解できるように、ガラス、酸化物などを添加して基板との接合強度を向上させることはできるものの、本発明者らの他の実験により、ガラスの添加量が例えば２．０ｗｔ％、金属酸化物の添加量が５．０ｗｔ％を越えると表面配線２の表面にその成分が析出されることになり、半田濡れ性が低下することを確認した。このため、ガラス、金属酸化物などを添加する場合であっても、ガラスは２．０ｗｔ％以下の範囲で、金属酸化物５．０ｗｔ％以下の範囲で添加しなければならない。
【００６７】
また、基体側の軟化点温度を種々変化させて検討した結果、上述の少なくとも０．５ｗｔ％のＰｔを含むＡｇ系導電性ペーストを用いる場合、基板側のガラス−セラミック材料のガラスの軟化点温度は、５５０〜６５０℃に設定する必要があり、５５０℃を下回った場合には、脱バインダー工程の有機成分が完全に焼失される前にガラスが軟化するため、デラミネーションなどの問題が発生する。また、６５０℃以上となると、上述の試料８のように基板の反りが顕著となる。
【００６８】
尚、上述の実施例では、基体が複数のガラス−セラミック層１ａ〜１ｇからなる積層体１であるが、単体のガラス−セラミック層であっても、この未焼成ガラス−セラミック基体上に表面配線となる導体膜を形成して、基体と導体膜を一体的に焼成しても構わない。
【００６９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、基体側の焼結挙動とＡｇ、Ｐｔを含む表面配線となる導体膜との焼結挙動を近似させ、表面配線の半田濡れ性、基板との接合強度が良好で、且つ半田食われが発生しせず、しかも基板の反りを発生させることがない、安価な低温焼成セラミック回路基板となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る低温焼成セラミック回路基板の断面図である。
【符号の説明】
１０・・・・・・低温焼成セラミック回路基板
１・・・・・・基体（積層体）
１ａ〜１ｇ・・・ガラス−セラミック層
２・・・・・・・表面配線
３・・・・・・・内部配線
４・・・・・・・ビアホール導体
５・・・・・・・電子部品
６・・・・・・・半田
【図１】
0003686687.tif 000003