(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基体と、内部電極と、中間電極と、外部端子電極とを含むＮＴＣサーミスタであって、
前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミック層を有しており、
前記内部電極は、少なくとも一対備えられ、前記セラミック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、同一の厚み位置にあり、それぞれの一端が長さ方向に互いに間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する前記セラミック基体の両側端面に導かれており、
前記中間電極は、前記内部電極と同一の厚み位置にあり、前記内部電極から長さ方向に間隔を隔てて前記セラミック層内に配置されており、
前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端が接続されている
ＮＴＣサーミスタ。
【請求項２】
請求項１に記載されたＮＴＣサーミスタであって、前記内部電極及び前記中間電極の組み合わせは複数であり、各組のそれぞれは、厚み方向に間隔を隔てて配置されているＮＴＣサーミスタ。
【請求項３】
セラミック基体と、内部電極と、中間電極と、外部端子電極とを含むＮＴＣサーミスタであって、
前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミック層を有しており、
前記内部電極は、一対備えられ、前記セラミック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、同一の厚み位置にあり、それぞれの一端が長さ方向に互いに間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する前記セラミック基体の両側端面に導かれており、
前記中間電極は、前記内部電極間の前記間隔を埋める長さを有し、前記間隔の下側の前記セラミック層内に配置されており、
前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端が接続されている
ＮＴＣサーミスタ。
【請求項４】
セラミック基体と、内部電極と、中間電極と、外部端子電極とを含むＮＴＣサーミスタであって、
前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミック層を有しており、
前記内部電極は、２対備えられており、
各対は、前記セラミック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、厚み方向に互いに第１の間隔を隔てて配置されており、
各同一対に属する２つの内部電極は、同一の厚み位置にあり、それぞれの一端が長さ方向に互いに第２の間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する前記セラミック基体の両側端面に導かれており、
前記中間電極は、前記第２の間隔を埋める長さを有し、前記内部電極の対の間において、前記内部電極の対のそれぞれに生じる前記第１の間隔によって挟まれた前記セラミック層内に配置されており、
前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端に接続されている
ＮＴＣサーミスタ。
【請求項５】
セラミック基体と、内部電極と、中間電極と、外部端子電極とを含むＮＴＣサーミスタであって、
前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミック層を有しており、
前記内部電極は、３対以上備えられており、
各対は、前記セラミック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、厚み方向に互いに第１の間隔を隔てて配置されており、
各同一対に属する２つの内部電極は、同一の厚み位置にあり、それぞれの一端が長さ方向に互いに第２の間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する前記セラミック基体の両側端面に導かれており、
前記中間電極は、前記内部電極の対数よりも１つ少ない複数であり、それぞれは、前記第２の間隔を埋める長さを有し、隣りあう内部電極の対の間において、前記内部電極の対のそれぞれに生じる前記第１の間隔によって挟まれた前記セラミック層内に配置されており、
前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端に接続されている
ＮＴＣサーミスタ。
【請求項６】
セラミック基体と、内部電極と、中間電極と、外部端子電極とを含むＮＴＣサーミスタであって、
前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミック層を有しており、
前記内部電極は、２対備えられており、
各対は、前記セラミック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、厚み方向に互いに第１の間隔を隔てて配置されており、
各同一対に属する２つの内部電極は、同一の厚み位置にあり、それぞれの一端が長さ方向に互いに第２の間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する前記セラミック基体の両側端面に導かれており、
前記中間電極は、２つであり、それぞれは、前記第２の間隔を埋める長さを有し、前記内部電極の対の間において、前記内部電極の対のそれぞれに生じる前記第１の間隔によって挟まれ、かつ、互いに厚み方向に第３の間隔を隔てて、前記セラミック層内に配置されており、
前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端に接続されている
ＮＴＣサーミスタ。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかに記載されたＮＴＣサーミスタであって、前記セラミック層は、Mn、Ni、Co、Cu、Al、Fe、CrまたはZrの少なくとも２種を含む化合物であるＮＴＣサーミスタ。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載されたＮＴＣサーミスタであって、前記セラミック基体は、前記セラミック層の厚み方向の両面に他のセラミック層を有するＮＴＣサーミスタ。
【請求項９】
請求項８に記載のＮＴＣサーミスタであって、前記他のセラミック層は、比抵抗値が前記内部電極間に位置する前記セラミック層の比抵抗値よりも高い値を有しているＮＴＣサーミスタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、負の抵抗温度特性を有するＮＴＣサーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来よりよく知られたＮＴＣサーミスタは、セラミック基体の相対する両端部に外部端子電極を設け、外部端子電極間にあるセラミック基体を利用して必要な負の抵抗温度特性を得る単板型であった。単板型のＮＴＣサーミスタは、外部端子電極間のセラミック基体を利用して必要な負の抵抗温度特性を得るので、外部端子電極形成工程において、外部端子電極間の距離が変動した場合、得られる電気特性、例えば抵抗値が変動する。また、セラミック基体の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化した場合も、得られる負の抵抗温度特性が変動する。
【０００３】
このような問題を解決する技術として、例えば特開昭６２ー１３７８０５号公報、特開平４ー１３０７０２号公報または特開平４ー２８３９０２号公報等に開示された内部電極構造のＮＴＣサーミスタが知られている。
【０００４】
こられの公知文献に記載されたＮＴＣサーミスタは、負の抵抗温度特性を有するセラミック基体の厚み方向に、単層または複数層からなる内部電極を設け、内部電極を、長さ方向の相対する両端に設けられた外部端子電極に導通させてある。内部電極は、幅方向及び長さ方向の寸法で定まる平面積を有し、長さ方向に間隔を隔てて配置するか、または、厚み方向に間隔を隔てて面対向するように配置されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記公知文献に記載された技術においても、内部電極間の距離と、外部端子電極間の距離の相対比による影響を受けて抵抗値が変動する。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、セラミック基体の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても、安定した負の抵抗温度特性を確保し得るＮＴＣサーミスタを提供することである。
【０００７】
本発明のもう一つの課題は、外部端子電極間の距離が変動しても、安定した負の抵抗温度特性を確保し得るＮＴＣサーミスタを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係るＮＴＣサーミスタは、セラミック基体と、内部電極と、中間電極と、外部端子電極とを含む。前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミック層を有しており、前記内部電極は、少なくとも一対備えられ、前記セラミック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、同一の厚み位置にあり、それぞれの一端が長さ方向に互いに間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する前記セラミック基体の両側端面に導かれている。
前記中間電極は、前記内部電極と同一の厚み位置にあり、前記内部電極から長さ方向に間隔を隔てて前記セラミック層内に配置されている。前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端が接続されている。
別の態様として、本発明に係るＮＴＣサーミスタは、セラミック基体と、内部電極と、中間電極と、外部端子電極とを含む。前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミック層を有する。前記内部電極は、一対備えられ、前記セラミック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、同一の厚み位置にあり、それぞれの一端が長さ方向に互いに間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する前記セラミック基体の両側端面に導かれている。
前記中間電極は、前記内部電極間の前記間隔を埋める長さを有し、前記間隔の下側の前記セラミック層内に配置されている。前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端が接続されている。
更に別の態様として、本発明に係るＮＴＣサーミスタは、セラミック基体と、内部電極と、中間電極と、外部端子電極とを含む。前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミック層を有している。
前記内部電極は、２対備えられており、各対は、前記セラミック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、厚み方向に互いに第１の間隔を隔てて配置されている。各同一対に属する２つの内部電極は、同一の厚み位置にあり、それぞれの一端が長さ方向に互いに第２の間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する前記セラミック基体の両側端面に導かれている。
前記中間電極は、前記第２の間隔を埋める長さを有し、前記内部電極の対の間において、前記内部電極の対のそれぞれに生じる前記第１の間隔によって挟まれた前記セラミック層内に配置されている。前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端に接続されている。
更に別の態様として、本発明に係るＮＴＣサーミスタは、セラミック基体と、内部電極と、中間電極と、外部端子電極とを含む。前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミック層を有している。
前記内部電極は、３対以上備えられており、各対は、前記セラミック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、厚み方向に互いに第１の間隔を隔てて配置されている。各同一対に属する２つの内部電極は、同一の厚み位置にあり、それぞれの一端が長さ方向に互いに第２の間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する前記セラミック基体の両側端面に導かれている。
前記中間電極は、前記内部電極の対数よりも１つ少ない複数であり、それぞれは、前記第２の間隔を埋める長さを有し、隣りあう内部電極の対の間において、前記内部電極の対のそれぞれに生じる前記第１の間隔によって挟まれた前記セラミック層内に配置されている。前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端に接続されている。
更に別の態様として、本発明に係るＮＴＣサーミスタは、セラミック基体と、内部電極と、中間電極と、外部端子電極とを含む。前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミック層を有している。
前記内部電極は、２対備えられており、各対は、前記セラミック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、厚み方向に互いに第１の間隔を隔てて配置されている。各同一対に属する２つの内部電極は、同一の厚み位置にあり、それぞれの一端が長さ方向に互いに第２の間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する前記セラミック基体の両側端面に導かれている。
前記中間電極は、２つであり、それぞれは、前記第２の間隔を埋める長さを有し、前記内部電極の対の間において、前記内部電極の対のそれぞれに生じる前記第１の間隔によって挟まれ、かつ、互いに厚み方向に第３の間隔を隔てて、前記セラミック層内に配置されている。前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端に接続されている。
【０００９】
【作用】
セラミック基体は所要の負の抵抗温度特性を有するセラミック層を有しており、少なくとも一対備えられる内部電極のそれぞれは、セラミック層内において長さ方向に互いに間隔を隔てて対向しており、外部端子電極は内部電極の他端が接続されているから、内部電極間のセラミック層の有する負の抵抗温度特性が、外部端子電極を介してそのまま引出される。内部電極間のセラミック層の負の抵抗温度特性はセラミック基体の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても変化しない。このため、セラミック基体の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても、安定した負の抵抗温度特性を確保し得る。
【００１０】
中間電極は、内部電極の間において内部電極から間隔を隔ててセラミック層内に配置されているから、中間電極を介して、内部電極間に電界が集中し、長さ方向の両端に位置する外部端子電極間の電界が緩和される。このため、外部端子電極間で見た抵抗値が内部電極及び中間電極の間で見た抵抗値によって支配され、外部端子電極間の距離の変動に対する抵抗値の変化が小さくなり、安定した負の抵抗温度特性が得られる。
【００１１】
【実施例】
図１は本発明に係るＮＴＣサーミスタの正面断面図である。１はセラミック基体、２１、３１は内部電極、４１は中間電極、５１、６１は外部端子電極である。
【００１２】
セラミック基体１は、所要の負の抵抗温度特性を有するセラミック層１１を有している。セラミック層１１は負の抵抗温度特性を有するセラミック材料で構成されている。具体的には、セラミック層１１はＭｎ、  Ｎｉ、  Ｃｏ、  Ｃｕ、  Ａｌ、  Ｆｅ、  ＣｒまたはＺｒの少なくとも２種を含む化合物であるセラミック材料等である。
【００１３】
内部電極２１、３１は、少なくとも一対備えられる。内部電極２１、３１のそれぞれは、セラミック基体１に厚み方向Ｔ及び長さ方向Ｌを仮想したとき、一端がセラミック層１１内において長さ方向Ｌに互いに間隔Ｌ１を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の相対向する両側端面に導かれている。内部電極２１、３１はＡｇ、  ＡｇーＰｄ、  Ｐｄ、  Ａｕ、  Ｐｔ  等の貴金属またはＣｕ、Ｎｉ  等の卑金属を主成分として形成できる。
【００１４】
中間電極４１は、内部電極２１、３１の間において、内部電極２１、３１から間隔を隔ててセラミック層１１内に配置されている。中間電極４１は、内部電極２１、３１と同様に、Ａｇ、ＡｇーＰｄ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ等の貴金属またはＣｕ、Ｎｉ等の卑金属を主成分として形成できる。
【００１５】
外部端子電極５１、６１は、セラミック基体１の長さ方向Ｌの両側端面に互いに独立して付着され、内部電極２１、３１の他端が接続されている。外部端子電極５１、６１は貴金属、卑金属またはこられの組合せになる金属により、厚膜、スパッタもしくは蒸着等による薄膜またはメッキ膜として形成することができる。
【００１６】
図２は図１に示したＮＴＣサーミスタの等価回路図である。ＲＨ１は内部電極２１と中間電極４１との間に生じるＮＴＣサーミスタ要素、ＲＨ２は中間電極４１と内部電極３１との間に生じるＮＴＣサーミスタ要素である。
【００１７】
ここで、セラミック基体１は負の抵抗温度特性を有するセラミック層１１を有しており、少なくとも一対備えられる内部電極２１、３１のそれぞれは、セラミック層１１内において長さ方向Ｌに互いに間隔Ｌ１を隔てて対向しており、外部端子電極５１、６１は内部電極２１、３１の他端が接続されているから、内部電極２１ー３１間のセラミック層１１の有する負の抵抗温度特性が、外部端子電極５１、６１を介してそのまま引出される。内部電極２１ー３１間のセラミック層１１の負の抵抗温度特性はセラミック基体１の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても変化しない。このため、セラミック基体１の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても、安定した負の抵抗温度特性を確保し得る。
【００１８】
また、中間電極４１は、内部電極２１、３１の間において、内部電極２１、３１から間隔を隔ててセラミック層１１内に配置されているから、中間電極４１を介して、内部電極２１ー３１間に電界が集中し、長さ方向Ｌの両端に位置する外部端子電極５１ー６１間の電界が緩和される。このため、外部端子電極５１ー６１間で見た抵抗値が内部電極２１、３１及び中間電極４１の間で見た抵抗値によって支配され、外部端子電極５１ー６１間の距離の変動に対する抵抗値の変化が小さくなり、安定した負の抵抗温度特性が得られる。
【００１９】
更に、図１に図示されるように、内部電極２１、３１は、それぞれがセラミック層１１内の厚み方向Ｔのほぼ同一に配置されている。このような構造であると、内部電極２１、３１を同一工程において、同時に形成できる。この内部電極２１、３１の配置に対して、中間電極４１は、内部電極２１、３１からセラミック基体１の厚み方向Ｔに間隔を隔てて配置されている。中間電極４１は間隔Ｌ１をほぼ埋めるような長さを有する。従って、図２のＮＴＣサーミスタ要素ＲＨ１、ＲＨ２はセラミック層１１の厚み方向に生じる。
【００２０】
外部端子電極５１、６１は側端面から長さ方向Ｌに延びる端部７１１、８１１が内部電極２１、３１よりは外側で終っている。具体的には、端部７１１と内部電極２１との間に間隔Ｌ２が生じ、端部８１１と内部電極３１との間に間隔Ｌ３が生じるようなものである。この構造は、セラミック基体１の表面比抵抗が小さいときに、外部端子電極５１ー６１間の距離変動に伴なう抵抗値変動を抑制するのに有効である。
【００２１】
セラミック基体１は、セラミック層１１の厚み方向の両面に他のセラミック層１２、１３を有することもできる。この構造によれば、セラミック層１２、１３をセラミック層１１の比抵抗値よりも高い材料によって形成することが可能であり、それによって、外部端子電極５１ー６１間の距離の変動に対する負の抵抗温度特性の変動をより一層小さくすることができる。
【００２２】
次に図３〜図１１を参照して、本発明に係るＮＴＣサーミスタの実施例を説明する。これらの図において、図１と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示している。
【００２３】
図３の実施例では、内部電極２１、３１は、互いに、セラミック層１１内の厚み方向Ｔの異なる位置に配置されている。
【００２４】
図４の実施例では、内部電極２１、３１がセラミック層１１内の厚み方向Ｔのほぼ同一位置に配置され、中間電極４１が内部電極２１ー３１間の間隔Ｌ１内に間隔を隔てて配置されている。この電極構造によれば、中間電極４１を内部電極２１、３１と同一の工程で同時に形成できる。
【００２５】
図５の実施例では、中間電極４１、４２が複数備えられ、それぞれが互いに間隔を隔てて配置されている。中間電極４１、４２は２つであり、同一高さ位置において２つに分割されている。この構造によれば、中間電極４１、４２と内部電極２１、３１との間の電界集中を、中間電極４１ー４２間の間隔によってコントロールすることができる。
【００２６】
図６の実施例では、中間電極４１の両端が内部電極２１、３１の端部と重なり合っている。この構造は請求対象ではない。
【００２７】
図７の実施例では、内部電極２１、３１による電極対と、内部電極２２、３２による電極対の複数の電極対が備えられている。これらの電極対（２１、３１）、（２２、３２）のそれぞれはセラミック基体１の厚み方向Ｔに間隔を隔てて配置されている。図８は図７に示したＮＴＣサーミスタの等価回路図である。ＲＨ１は内部電極２１と中間電極４１との間に生じるＮＴＣサーミスタ要素、ＲＨ２は内部電極２２と中間電極４１との間に生じるＮＴＣサーミスタ要素、ＲＨ３は内部電極３１と中間電極４１との間に生じるＮＴＣサーミスタ要素、ＲＨ４は内部電極２１と中間電極４１との間に生じるＮＴＣサーミスタ要素をそれぞれ示している。図８から明らかなように、図７に示される構造の場合、内部電極対数の選択により、外部端子電極５１ー６１間で見た合成抵抗値を調整できる。
【００２８】
図９の実施例では、３つの内部電極対（２１、３１）、（２２、３２）及び（２３、３３）を有する。各電極対の間には２つの中間電極４１、４２が備えられている。
【００２９】
図１０の実施例では、２つの内部電極対（２１、３１）、（２２、３２）を有している。２つの内部電極対（２１、３１）、（２２、３２）の間に中間電極４１、４２が備えられている。
【００３０】
図１１の実施例では、２つの内部電極対（２１、３１）、（２２、３２）を有している。内部電極２１、３１の間に中間電極４１が配置され、内部電極２２、３２の間に中間電極４２が配置されている。
【００３１】
本発明に係るＮＴＣサーミスタはシート積層法によって製造できる。シート積層法によって製造する場合、まず、一面上に内部電極の群を形成したグリーンシートを用意する。グリーンシートは所定の負の抵抗温度特性を有するセラミック材料、例えばＭｎ、  Ｎｉ、  Ｃｏ、  Ｃｕ、  Ａｌ、  Ｆｅ、  ＣｒまたはＺｒの少なくとも２種を含む化合物であるセラミック材料によって構成される。これらのセラミック材料を用い公知の技術によってグリーンシートを製造する。具体的には、前述したセラミック材料を湿式混合等の手段によって均一に混合した後、乾燥させ、更に適切に選定された焼成条件で仮焼成し、仮焼粉を湿式粉砕する。粉砕された仮焼粉末にバインダを加えてスラリー化する。スラリーをドクターブレード法またはスクリーン印刷法等の手段によってシート化する。その後に乾燥させてグリーンシートを得る。
【００３２】
内部電極はＡｇ、  ＡｇーＰｄ、  Ｐｄ、  Ａｕ、  Ｐｔ  等の貴金属またはＣｕ、Ｎｉ  等の卑金属を主成分とする電極ペーストを、印刷法等の手段によって、グリーンシートの上に塗布することによって形成できる。
【００３３】
同様にして、一面上に中間電極の群を形成したグリーンシートを用意する。
【００３４】
これらのグリーンシートを重ね合せ、圧力を加えて圧着し、乾燥工程等の必要な工程を経た後、切断し、ＮＴＣサーミスタ素子を取出す。切断は、ダイシングソー等を用いて行なうことができる。このようにして取出されたＮＴＣサーミスタ素子を焼成し、焼成後に外部端子電極を付与することにより、目的のＮＴＣサーミスタが得られる。
【００３５】
次に、ＮＴＣサーミスタの具体的な製造例と、得られたＮＴＣサーミスタの特性を示す。出発原料として、Ｍｎ３０４  ，  ＮｉＯ  及びＡｌ２Ｏ３  を用い、
Ｍｎ／Ｎｉ／Ａｌ＝６６．７／２８．６／４．７  （ｍｏｌ％）
となるように秤量し、湿式混合によって均一に混合した後、乾燥させ、更に１１００℃、２時間の条件で仮焼成し、仮焼粉を湿式粉砕する。粉砕された仮焼粉末にバインダを加えてスラリーを得た。スラリーをドクターブレード法によってシート化し、その後に乾燥させてグリーンシートを得た。
【００３６】
次にこのグリーンシート上に、Ｐｄペーストを印刷し、内部電極及び中間電極用のグリーンシートを作製した。この電極用グリーンシートと別に用意された他のグリーンシートとを、目的の電極パターンとなるように重ね合わせ、４００ｋｇ／ｃｍ２  の圧力を加えて圧着した。
【００３７】
次に、乾燥工程を経た後、ダイシングソーを用いて、２．３×１．４３×１．１４  ｍｍに切断し、チップ形状にした。このチップを１３００℃、２時間の条件で焼成した。焼成済のチップの両端にディップ法によりＡｇーＰｄ  電極ペーストを塗布し、８５０℃で焼付けた。これにより、図７に示す構造を有するＮＴＣサーミスタが得られる。
【００３８】
上記のＮＴＣサーミスタを２５℃と８５℃のシリコーンオイルバスに浸漬し、直流四端子法を用いて抵抗値を測定した。比較のため、セラミック基体の相対する両端部に外部端子電極を設け、外部端子電極間にあるセラミック基体を利用して必要な負の抵抗温度特性を得る単板型のＮＴＣサーミスタ（従来品と称する）を、同一の出発原料及び同一の製造条件の下で、同一の形状となるように製造し、同一の測定条件で抵抗値を測定した。測定結果を下に示す。
【００３９】
0003632860.tif 000002
上記試験データから明らかなように、本発明に係るＮＴＣサーミスタは従来の単板型ＮＴＣサーミスタに比べて、抵抗値のバラツキが小さくなった。抵抗値及びＢ定数については、材料組成及び内部電極構成を変えることにより目的の特性を確保できる。
【００４０】
次に、１２５℃、１０００時間の高温放置試験後における抵抗変化の試験結果を下に示す。
【００４１】
0003632860.tif 000003
上記試験データから明らかなように、本発明に係るＮＴＣサーミスタは従来のＮＴＣサーミスタに比べて高温放置後の抵抗変化が著しく小さい。
【００４２】
【発明の効果】
以上述べたように本考案によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）セラミック基体の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても、安定した負の抵抗温度特性を確保し得るＮＴＣサーミスタを提供することができる。
（ｂ）外部端子電極間の距離が変動しても、安定した負の抵抗温度特性を確保し得るＮＴＣサーミスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＮＴＣサーミスタの正面断面図である。
【図２】図１に示したＮＴＣサーミスタの等価回路図である。
【図３】本発明に係るＮＴＣサーミスタの別の実施例における正面断面図である。
【図４】本発明に係るＮＴＣサーミスタの別の実施例における正面断面図である。
【図５】本発明に係るＮＴＣサーミスタの別の実施例における正面断面図である。
【図６】本発明に係るＮＴＣサーミスタの別の実施例における正面断面図である。
【図７】本発明に係るＮＴＣサーミスタの別の実施例における正面断面図である。
【図８】図７に示したＮＴＣサーミスタの等価回路図である。
【図９】本発明に係るＮＴＣサーミスタの別の実施例における正面断面図である。
【図１０】本発明に係るＮＴＣサーミスタの別の実施例における正面断面図である。
【図１１】本発明に係るＮＴＣサーミスタの別の実施例における正面断面図である。
【符号の説明】
１                セラミック基体
２１、２２、２３    内部電極
３１、３２、３３    内部電極
４１、４２          中間電極
５１、６１          外部端子電極
【図１】
0003632860.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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