(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２のグループのリードが形成された基板と、
第１の直線に沿って並ぶ第１のグループの電極と、第２のグループの電極と、を有する半導体チップと、
を有し、
前記第１の直線に直交する複数の第２の直線によって区画された複数の領域のそれぞれに、前記第２のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配置され、それぞれの前記領域は、前記第１のグループの隣り合う一対の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた領域であり、
前記半導体チップは、前記第１のグループの電極が前記第１のグループのリードと対向し、前記第２のグループの電極が前記第２のグループのリードと対向するように、前記基板に搭載され、
前記第２のグループの各リードは、前記第１のグループのリードの間を通るように配置され、
前記第２のグループの電極は、前記第１の直線に平行な第３及び第４の直線に沿ってそれぞれ並ぶ第３及び第４のグループの電極を含み、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３のグループの２つ又はそれ以上の前記電極と、前記第４のグループの２つ又はそれ以上の前記電極と、が千鳥状に配列されてなる半導体装置。
【請求項２】
第１及び第２のグループのリードが形成された基板と、
第１の直線に沿って並ぶ第１のグループの電極と、第２のグループの電極と、を有する半導体チップと、
を有し、
前記第１の直線に直交する複数の第２の直線によって区画された複数の領域のそれぞれに、前記第２のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配置され、それぞれの前記領域は、前記第１のグループの隣り合う一対の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた領域であり、
前記半導体チップは、前記第１のグループの電極が前記第１のグループのリードと対向し、前記第２のグループの電極が前記第２のグループのリードと対向するように、前記基板に搭載され、
前記第２のグループの各リードは、前記第１のグループのリードの間を通るように配置され、
前記第２のグループの電極は、前記第１の直線に平行な第３及び第４の直線に沿ってそれぞれ並ぶ第３及び第４のグループの電極を含み、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３及び第４のグループのいずれか一方のみの２つ又はそれ以上の前記電極が配列されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第１のグループの隣り合う第１及び第２の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた第１の前記領域に、前記第３のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配列され、
前記第１のグループの前記第２の電極及び前記第２の電極と隣り合う第３の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた第２の前記領域に、前記第４のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配列されてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置が取り付けられてなる電子モジュール。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項６】
第１の直線に沿って並ぶ第１のグループの電極と、
第２のグループの電極と、
を有し、
前記第１の直線に直交する複数の第２の直線によって区画された複数の領域のそれぞれに、前記第２のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配置され、それぞれの前記領域は、前記第１のグループの隣り合う一対の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた領域であり、
前記第２のグループの電極は、前記第１の直線に平行な第３及び第４の直線に沿ってそれぞれ並ぶ第３及び第４のグループの電極を含み、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３のグループの２つ又はそれ以上の前記電極と、前記第４のグループの２つ又はそれ以上の前記電極と、が千鳥状に配列されてなる半導体チップ。
【請求項７】
第１の直線に沿って並ぶ第１のグループの電極と、
第２のグループの電極と、
を有し、
前記第１の直線に直交する複数の第２の直線によって区画された複数の領域のそれぞれに、前記第２のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配置され、それぞれの前記領域は、前記第１のグループの隣り合う一対の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた領域であり、
前記第２のグループの電極は、前記第１の直線に平行な第３及び第４の直線に沿ってそれぞれ並ぶ第３及び第４のグループの電極を含み、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３及び第４のグループのいずれか一方のみの２つ又はそれ以上の前記電極が配列されてなる半導体チップ。
【請求項８】
請求項７記載の半導体チップにおいて、
前記第１のグループの隣り合う第１及び第２の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた第１の前記領域に、前記第３のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配列され、
前記第１のグループの前記第２の電極及び前記第２の電極と隣り合う第３の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた第２の前記領域に、前記第４のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配列されてなる半導体チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、半導体チップ、電子モジュール並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＯＦ（Chip On Film）などの実装形態では、半導体チップの電極にリードが電気的に接合されている。近年、電極のピッチが狭くなってきており、これに対応してリードのピッチを狭くしなければならない。しかしながら、電極とリードの位置合わせの誤差を考慮すると、狭ピッチ化には限界がある。半導体チップの電極のピッチが狭い場合に、リードが、接合された電極の隣の電極と接触しないようにすることが難しかった。
【特許文献１】特開平７−２３５５６４号公報
【特許文献２】特開平７−２７３１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、リードと電極の接触を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、第１及び第２のグループのリードが形成された基板と、
第１の直線に沿って並ぶ第１のグループの電極と、第２のグループの電極と、を有する半導体チップと、
を有し、
前記第１の直線に直交する複数の第２の直線によって区画された複数の領域のそれぞれに、前記第２のグル宇尾ープの２つ又はそれ以上の前記電極が配置され、それぞれの前記領域は、前記第１のグループの隣り合う一対の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた領域であり、
前記半導体チップは、前記第１のグループの電極が前記第１のグループのリードと対向し、前記第２のグループの電極が前記第２のグループのリードと対向するように、前記基板に搭載され、
前記第２のグループの各リードは、前記第１のグループのリードの間を通るように配置されてなる。本発明によれば、第１及び第２のグループの電極が、上述したように配列されているので、広いピッチを確保することができ、リードと電極の接触を防止することができる。
（２）この半導体装置において、
前記第２のグループの電極は、全て、前記第１の直線に平行な１つの直線に沿って並んでもよい。
（３）この半導体装置において、
前記第２のグループの電極は、前記第１の直線に平行な複数の直線に沿って並ぶ複数グループの電極に分けられるように配列されていてもよい。
（４）この半導体装置において、
前記第２のグループの電極は、前記第１の直線に平行な第３及び第４の直線に沿ってそれぞれ並ぶ第３及び第４のグループの電極を含み、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３のグループの少なくとも１つの前記電極と、前記第４のグループの少なくとも１つの前記電極と、が配列されていてもよい。
（５）この半導体装置において、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配列され、
それぞれの前記領域内で、前記第３のグループの一対の前記電極を挟むようにこれらに接するとともに前記第１の直線に直交する一対の第５の直線に挟まれるように、前記第４のグループの少なくとも１つの前記電極が配列されていてもよい。
（６）この半導体装置において、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３のグループの２つ又はそれ以上の前記電極と、前記第４のグループの２つ又はそれ以上の前記電極と、が千鳥状に配列されていてもよい。
（７）この半導体装置において、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３及び第４のグループのいずれか一方のみの２つ又はそれ以上の前記電極が配列されていてもよい。
（８）この半導体装置において、
前記第１のグループの隣り合う第１及び第２の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた第１の前記領域に、前記第３のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配列され、
前記第１のグループの前記第２の電極及び前記第２の電極と隣り合う第３の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた第２の前記領域に、前記第４のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配列されていてもよい。
（９）本発明に係る電子モジュールは、上記半導体装置が取り付けられてなる。
（１０）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
（１１）本発明に係る半導体チップは、第１の直線に沿って並ぶ第１のグループの電極と、
第２のグループの電極と、
を有し、
前記第１の直線に直交する複数の第２の直線によって区画された複数の領域のそれぞれに、前記第２のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配置され、それぞれの前記領域は、前記第１のグループの隣り合う一対の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた領域である。本発明によれば、第１及び第２のグループの電極が、上述したように配列されているので、広いピッチを確保することができ、リードに対する電極の接触を防止することができる。
（１２）この半導体チップにおいて、
前記第２のグループの電極は、全て、前記第１の直線に平行な１つの直線に沿って並んでもよい。
（１３）この半導体チップにおいて、
前記第２のグループの電極は、前記第１の直線に平行な複数の直線に沿って並ぶ複数グループの電極に分けられるように配列されていてもよい。
（１４）この半導体チップにおいて、
前記第２のグループの電極は、前記第１の直線に平行な第３及び第４の直線に沿ってそれぞれ並ぶ第３及び第４のグループの電極を含み、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３のグループの少なくとも１つの前記電極と、前記第４のグループの少なくとも１つの前記電極と、が配列されていてもよい。
（１５）この半導体チップにおいて、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配列され、
それぞれの前記領域内で、前記第３のグループの一対の前記電極を挟むようにこれらに接するとともに前記第１の直線に直交する一対の第５の直線に挟まれるように、前記第４のグループの少なくとも１つの前記電極が配列されていてもよい。
（１６）この半導体チップにおいて、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３のグループの２つ又はそれ以上の前記電極と、前記第４のグループの２つ又はそれ以上の前記電極と、が千鳥状に配列されていてもよい。
（１７）この半導体チップにおいて、
一対の前記第２の直線によって挟まれた各領域内に、前記第３及び第４のグループのいずれか一方のみの２つ又はそれ以上の前記電極が配列されていてもよい。
（１８）この半導体チップにおいて、
前記第１のグループの隣り合う第１及び第２の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた第１の前記領域に、前記第３のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配列され、
前記第１のグループの前記第２の電極及び前記第２の電極と隣り合う第３の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた第２の前記領域に、前記第４のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配列されていてもよい。
（１９）本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の直線に沿って並ぶ第１のグループの電極と、第２のグループの電極と、を有する半導体チップを、第１及び第２のグループのリードが形成された基板に搭載すること、及び、
前記第１のグループの電極と前記第１のグループのリードとをそれぞれ接合し、前記第２のグループの電極と前記第２のグループのリードとをそれぞれ接合すること、
を含み、
前記第１の直線に直交する複数の第２の直線によって区画された複数の領域のそれぞれに、前記第２のグループの２つ又はそれ以上の前記電極が配置され、
それぞれの前記領域は、前記第１のグループの隣り合う一対の前記電極を挟むようにこれらに接する一対の前記第２の直線に挟まれた領域であり、
前記第２のグループの各リードは、前記第１のグループのリードの間を通るように配置されてなる。本発明によれば、第１及び第２のグループの電極が、上述したように配列されているので、広いピッチを確保することができ、リードと電極の接触を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。図２は、図１に示す半導体装置の一点鎖線で囲んだ部分の拡大図であり、図３は、図２に示すもののIII-III線断面図である。
【０００７】
半導体装置は、半導体チップ１０を有する。半導体チップ１０は、長方形の面を有する形状（直方体）であってもよい。半導体チップ１０には集積回路１２が形成されている。集積回路１２を覆うように、図示しないパッシベーション膜（電気的絶縁膜）が形成されていてもよい。
【０００８】
半導体チップ１０は、第１の直線Ｌ１に沿って並ぶ第１のグループの電極１４を有する。第１のグループの電極１４は一列に並んでいる。第１の直線Ｌ１は、半導体チップ１０の縁（例えば長方形の面の長辺）に平行な直線であってもよい。第１のグループの電極１４は、第１の直線Ｌ１と半導体チップ１０の縁との間に配列されていてもよい。第１のグループの電極１４は、等ピッチで配列されていてもよい。
【０００９】
半導体チップ１０は、第２のグループの電極１６を有する。第２のグループの電極１６は、直線Ｌに沿って一列に並んでいる。直線Ｌは、半導体チップ１０の縁（例えば長方形の面の長辺）に平行な直線であってもよい。直線Ｌは、第１の直線Ｌ１と平行に延びている。直線Ｌは、第１の直線Ｌ１よりも半導体チップ１０の中央近くに位置するものであってもよい。第２のグループの電極１６は、直線Ｌによって区画される一対の領域のうち、半導体チップ１０の中央に近い側に配列されていてもよい。第２のグループの電極１６は、不均等なピッチで配列されていてもよい。例えば、図２に示すように、第２のグループの電極１６を、隣同士の電極のピッチがＰ１，Ｐ２（Ｐ１＜Ｐ２）となるように配列してもよい。第２のグループの電極１６を２つ以上（図２では２つ）の電極１６ごとに区分けしたときに、区分けされた２つ以上の電極１６のピッチがＰ１であり、区分けされた２つ以上の電極１６とその隣の電極１６とのピッチがＰ２である。
【００１０】
第１の直線Ｌ１に直交する複数の第２の直線Ｌ２によって区画された複数の領域１８のそれぞれに、第２のグループの２つ又はそれ以上の電極１６が配置されている。なお、それぞれの領域１８は、第１のグループの隣り合う一対の電極１４を挟むようにこれらに接する一対の第２の直線Ｌ２に挟まれた領域である。
【００１１】
本実施の形態によれば、第１及び第２のグループの電極１４，１６が、上述したように配列されているので、広いピッチを確保することができ、リード２２，２４と電極１４，１６の接触を防止することができる。
【００１２】
第１及び第２のグループの電極１４，１６は、第１の直線Ｌ１及び直線Ｌ間の領域２６を挟む両側にそれぞれ配置されている。第１及び第２のグループの電極１４，１６は、パッド及びその上に設けられたバンプであってもよく、金や銅などの金属で形成されていてもよい。第１及び第２のグループの電極１４，１６は、半導体チップ１０の内部に電気的に接続されており、第１及び第２のグループの電極１４，１６のうち２つ以上の電極（全ての電極又は全てではないが複数の電極）は、集積回路１２に電気的に接続されている。第１及び第２のグループの電極１４，１６は、図示しないパッシベーション膜から露出するように形成されていてもよい。
【００１３】
半導体装置は、基板２０を有する。基板２０は、フィルムやプレートであってもよい。基板２０は、半導体チップ１０よりも熱膨張率（例えば線膨張率）が大きい材料で形成されている。基板２０は、半導体チップ１０よりも熱伝導率が低いなどの理由で、放熱性が低くてもよい。基板２０は、ポリイミド樹脂などの樹脂で形成されていてもよいし、樹脂などの有機材料及び無機材料の混合材料で形成されてもよい。
【００１４】
基板２０に半導体チップ１０が搭載されている。半導体チップ１０の実装形態は、ＣＯＦ（Chip On Film）であってもよい。半導体チップ１０の第１及び第２のグループの電極１４，１６を有する面が基板２０に対向している。
【００１５】
基板２０には、第１のグループのリード２２が形成されている。第１のグループのリード２２（それらの一部分）は、それぞれ、第１のグループの電極１４（それらの一部分）と対向しており、接合されていてもよい。接合とは、両者の材料からなる金属共晶を形成する接合のみならず、両者間に導電粒子が介在する接合も含む。第１のグループのリード２２は、第１のグループの電極１４が並ぶ基準となる第１の直線Ｌ１に交差（例えば直交）する方向に延びている。第１のグループのリード２２は、第２のグループの電極１６（あるいは直線Ｌ）から離れる方向に引き出されている。
【００１６】
基板２０には、第２のグループのリード２４が形成されている。第２のグループのリード２４（それらの一部分）は、それぞれ、第２のグループの電極１６（それらの一部分）と対向しており、接合されていてもよい。接合とは、両者の材料からなる金属共晶を形成する接合のみならず、両者間に導電粒子が介在する接合も含む。第２のグループのリード２４は、第２のグループの電極１６が並ぶ基準となる直線Ｌに交差（例えば直交）するように延びている。第２のグループのリード２４は、第１の直線Ｌ１に近づく方向に、第２のグループの電極１６から引き出され、第１の直線Ｌ１と交差している。
【００１７】
第２のグループの各リード２４は、第１のグループの電極１４（あるいは第１のグループのリード２２）間を通るように引き出されている。詳しくは、第１のグループの隣り合う一対の電極１４の間に、第２のグループの２つ又はそれ以上（図２では２つ）のリード２４が通るように形成されている。
【００１８】
第２のグループの各リード２４は、第１の直線Ｌ１及び直線Ｌ間の領域２６で屈曲するように形成されている。ここで、屈曲とは角を有しないように曲がった形状であってもよい。角を有しないことによって、第２のグループのリード２４は、変形しても応力が局部的に集中しないので断線しにくくなっている。第２のグループの各リード２４は、第１の直線Ｌ１及び直線Ｌ間の領域２６内の部分を除き、設計上（電極１６との接合前に）、直線状（屈曲しないよう）に形成されていてもよい。
【００１９】
図２において、第１のグループの各リード２２の右隣に、第２のグループの１つのリード２４が、領域２６で、半導体チップ１０の右方向（図１参照）に屈曲して引き出されている。一般化して言うと、第１のグループの各リード２２の隣（第１の直線Ｌ１及び直線Ｌに沿った方向の半導体チップ１０の両端部のうち近い方の端部方向の隣）に、第２のグループの１つのリード２４が、第１の直線Ｌ１及び直線Ｌ間の領域２６で、半導体チップ１０の近い方の端部方向に屈曲して引き出されている。第２のグループの２つ又はそれ以上のリード２４のうち最も外側の一対のリード（図２の例では２つのリード２４）は、第１の直線Ｌ１及び直線Ｌ間の領域２６で、相互に接近する方向に屈曲して引き出されている。
【００２０】
第１及び第２のグループのリード２２，２４の少なくとも一方は、銅などの金属で形成されている。第１のグループのリード２２（又は第２のグループのリード２４）の、全体が基板２０に付着していてもよいし、少なくとも半導体チップ１０とオーバーラップする部分が基板２０に付着してもよい。付着とは、接着剤を介する貼り付けのみならず、基板２０に直接密着することも含む。
【００２１】
図３に示すように、半導体チップ１０と基板２０との間には樹脂（アンダーフィル材又は接着剤）２８が設けられてもよい。樹脂２８は、収縮力によって第１及び第２のグループの電極１４，１６及び第１及び第２のリード２２，２４を相互に圧接させてもよい。樹脂２８は、半導体チップ１０と基板２０との間で、両者の熱膨張率の差によって生じる応力を分散又は吸収するものであってもよい。第２のグループのリード２４が、角を有しないように曲がっていれば、樹脂２８を設けるときに、その前駆体（液体又はペースト）の流動性又は充填性がよい。
【００２２】
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。本実施の形態では、上述した半導体チップ１０及び基板２０を用意する。図２に示すように、第２のグループの各リード２４は、第１の部分３０を含み、第１の部分３０から延びる屈曲部３２を含み、屈曲部３２から延びる第２の部分３４を含む。また、第２のグループの各リード２４の、少なくとも第２の部分３４（あるいは全体）は、基板２０に付着（例えば、接着剤によって接着又は直接的に密着）している。この特徴は、次に述べる接合や加熱の工程を行う前にすでに、リード２４が有しているものである。第２のグループの２つ又はそれ以上のリード２４の最も外側の一対のリード２４は、それぞれの屈曲部３２で、第１の部分３０から第２の部分３４に向かって、相互に接近する方向に屈曲していてもよい。
【００２３】
本実施の形態では、半導体チップ１０と基板２０を加熱してもよい。加熱の目的は、半導体チップ１０と基板２０を接着する熱硬化性接着剤を硬化させるためであってもよいし、第１及び第２のグループの電極１４，１６及び第１及び第２のリード２２，２４を接合するためであってもよいし、これら両方のためであってもよい。加熱によって、半導体チップ１０と基板２０は膨張する。
【００２４】
本実施の形態では、半導体チップ１０を基板２０に搭載する。また、第１のグループのいずれかの電極１４（その一部）と、第１のグループの各リード２２（その一部）と、を接合する。第２のグループのいずれかの電極１６（その一部）と、第２のグループの各リード２４の第１の部分３０（図２参照）と、を接合する。これらの接合は、加熱を行いながら行ってもよい。または、接合前に、予備加熱を行い、本加熱を行いながら接合を行ってもよい。
【００２５】
接合時に、第１のグループのリード２２は、第１のグループの電極１４との接合部から、第２のグループの電極１６とは反対方向に引き出されるように配置される。第２のグループの各リード２４の第１の部分３０は、第２のグループのいずれかの電極１６と対向する。第２のグループの各リード２４の屈曲部３２は、第１の直線Ｌ１及び直線Ｌ間の領域２６に配置される。第２のグループの各リード２４の第２の部分３４は、第１のグループの電極１４間を通る。
【００２６】
接合時に、第１の直線Ｌ１及び直線Ｌに沿った方向の半導体チップ１０の両端部のうち近い方の端部方向（図１及び図２においては右方向）の、第１のグループの各リード２２の隣に、第２のグループの１つのリード２４の屈曲部３２が、第１の部分３０から第２の部分３４に向かって、半導体チップ１０の近い方の端部方向（図１及び図２においては右方向）に屈曲している。また、第２のグループの２つ又はそれ以上のリード２４は、第１のグループの隣り合う一対の電極１４の間を通るように配置される。その他の詳細は、構成について上述した内容が該当する。
【００２７】
以上のプロセスを含む方法によって、本実施の形態に係る半導体装置を製造することができる。さらに、半導体チップ１０と基板２０の熱膨張率（例えば線膨張率）に差がある場合、半導体装置の製造方法は、半導体チップ１０及び基板２０を放熱させるとともに収縮させることをさらに含んでもよい。
【００２８】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、上述した半導体装置の説明から導き出すことができるプロセスを含んでもよい。また、本発明に係る半導体装置は、上記プロセスを経て得られる構造を含んでもよい。
【００２９】
本実施の形態によれば、第２のグループの各リード２４は、屈曲しているので、その屈曲部３２がさらに曲がりやすい。屈曲部３２は、第１の直線Ｌ１及び直線Ｌ間の領域２６に位置しており、この領域２６は、第１及び第２のグループの電極１４，１６の間の領域なので、リード２４が屈曲しても電極１４，１６には接触しにくい。こうして、リード２４と電極１４，１６の接触を防止することができる。
【００３０】
図４は、本実施の形態に係る半導体装置の変形例を説明する図である。第１の実施の形態で使用した用語と同じ用語（符号を除く）には、同じ内容が該当する。本変形例では、第２のグループの２つ又はそれ以上（図４では３つ）の電極４６が、一対の第２の直線Ｌ２に挟まれるとともに接するように位置している。第１のグループの一対の電極４４のピッチ（又は間隔）と、一対の第２の直線Ｌ２に挟まれた第２のグループの最も離れた一対の電極４６のピッチ（又は間隔）と、が等しくなっていてもよい。
【００３１】
これ以外の点について、本変形例に係る半導体装置及びその製造方法並びに半導体チップには、上述した実施の形態で説明した内容が該当する。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。第１の実施の形態で使用した用語と同じ用語（符号を除く）には、同じ内容が該当する。本実施の形態では、第２のグループの電極５２は、第１の直線Ｌ１に平行な複数の直線（例えば第３及び第４の直線Ｌ３，Ｌ４）に沿って並ぶ複数グループの電極（例えば第３及び第４のグループの電極５３，５４）に分けられるように配列されている。
【００３３】
一対の第２の直線Ｌ２によって挟まれた各領域５８内に、第３のグループの少なくとも１つの、あるいは、２つ又はそれ以上（図５では２つ）の電極５３が配列されている。各領域５８内に、第４のグループの少なくとも１つ（図５では１つ）の電極５４が配列されている。各領域５８内で、第３のグループの一対の電極５３を挟むようにこれらに接するとともに第１の直線Ｌ１に直交する一対の第５の直線Ｌ５に挟まれるように、第４のグループの少なくとも１つの電極５４が配列されている。
【００３４】
これ以外の点について、本実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法並びに半導体チップには、第１の実施の形態及びその変形例で説明した内容が該当する。
【００３５】
（第３の実施の形態）
図６は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。第１及び第２の実施の形態で使用した用語と同じ用語（符号を除く）には、同じ内容が該当する。本実施の形態では、第２のグループの電極６２は、第１の直線Ｌ１に平行な複数の直線（例えば第３及び第４の直線Ｌ３，Ｌ４）に沿って並ぶ複数グループの電極（例えば第３及び第４のグループの電極６３，６４）に分けられるように配列されている。
【００３６】
一対の第２の直線Ｌ２２によって挟まれた各領域６８内に、第３のグループの少なくとも１つの、あるいは、２つ又はそれ以上（図６では４つ）の電極６３が配列されている。各領域６８内に、第４のグループの少なくとも１つの、あるいは、２つ又はそれ以上（図６では２つ）の電極６４が配列されている。各領域６８内で、第３のグループの隣り合う一対の電極６３を挟むようにこれらに接するとともに第１の直線Ｌ１に直交する一対の第５の直線Ｌ５５に挟まれるように、第４のグループの少なくとも１つ（図６では１つ）の電極６４が配列されている。
【００３７】
本実施の形態では、各領域６８内に、第３のグループの２つ又はそれ以上の電極６３と、第４のグループの２つ又はそれ以上の電極６４と、が千鳥状に配列されている。
【００３８】
これ以外の点について、本実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法並びに半導体チップには、第１の実施の形態及びその変形例並びに第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
【００３９】
（第４の実施の形態）
図７は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。第１〜第３の実施の形態で使用した用語と同じ用語（符号を除く）には、同じ内容が該当する。本実施の形態では、第２のグループの電極７２は、第１の直線Ｌ１に平行な複数の直線（例えば第３及び第４の直線Ｌ３，Ｌ４）に沿って並ぶ複数グループの電極（例えば第３及び第４のグループの電極７３，７４）に分けられるように配列されている。
【００４０】
第１のグループの隣り合う第１及び第２の電極８０，８２を挟むようにこれらに接する一対の第２の直線Ｌ２Ａを引いたときに、その一対の第２の直線Ｌ２Ａによって挟まれた第１の領域７６内には、第３のグループの２つ又はそれ以上の電極７３が配列されている。第１の領域７６内には、第４のグループの電極７４が配列されないようになっている。
【００４１】
第１のグループの第２の電極８２及び第２の電極８２と隣り合う第３の電極８４を挟むようにこれらに接する一対の第２の直線Ｌ２Ｂを引いたときに、その一対の第２の直線Ｌ２Ｂによって挟まれた第２の領域７８内には、第４のグループの２つ又はそれ以上の電極７４が配列されている。第２の領域７８内には、第３のグループの電極７３が配列されないようになっている。
【００４２】
これ以外の点について、本実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法並びに半導体チップには、第１の実施の形態及びその変形例並びに第２及び第３の実施の形態で説明した内容が該当する。
【００４３】
図８には、上述した実施の形態で説明した半導体装置１が取り付けられた電子モジュール（例えば液晶モジュール）１０００が示されている。この半導体装置を有する電子機器として、図９にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図１０には携帯電話３０００が示されている。
【００４４】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外した内容を含む。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外した内容を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図２】図２は、図１に示す半導体装置の一点鎖線で囲んだ部分の拡大図である。
【図３】図３は、図２に示すもののIII-III線断面図である。
【図４】図４は、本実施の形態に係る半導体装置の変形例を説明する図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図６】図６は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図７】図７は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係る半導体装置が取り付けられた電子モジュールを示す図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０…半導体チップ  １２…集積回路  １４…第１のグループの電極  １６…第２のグループの電極  １８…領域  ２０…基板  ２２…第１のグループのリード  ２４…第２のグループのリード  ２６…領域  ２８…樹脂  ３０…第１の部分  ３２…屈曲部  ３４…第２の部分  ４４…第１のグループの電極  ４６…第２のグループの電極  ５２…第２のグループの電極  ５３…第３のグループの電極  ５４…第４のグループの電極  ５８…領域  ６２…第２のグループの電極  ６３…第３のグループの電極  ６４…第４のグループの電極  ６８…領域  ７２…第２のグループの電極  ７３…第３のグループの電極  ７４…第４のグループの電極  ７６…第１の領域  ７８…第２の領域  ８０…第１の電極  ８２…第２の電極  ８４…第３の電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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