(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路が形成された素子本体と、
該素子本体の表面上に第１の配置形態で形成された第１の電極と、
前記表面を覆うように形成されると共に、前記素子本体に対し剥離可能な構成で配設された絶縁部材と、
該絶縁部材上に前記第１の配置形態と異なる第２の配置形態で形成された第２の電極と、
前記絶縁部材が前記素子本体に配設された状態において前記第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する電極接続手段と、
前記絶縁部材と前記素子本体との間に配設されており、前記絶縁部材と前記素子本体との剥離を容易とするための剥離剤と、を具備することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子において、
前記電極接続手段は、
前記絶縁部材に形成されており、前記第１の電極と対向する位置に形成されたスルーホール電極と、
前記絶縁部材に形成されており、一端が前記第２の電極に接続すると共に、他端が前記スルーホール電極に接続された配線と、
により構成されることを特徴とする半導体素子。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置において、
前記絶縁部材を多層構造とし、各層間に内層配線を形成したことを特徴とする半導体素子。
【請求項４】
電子回路が形成された素子本体と、該素子本体の表面上に第１の配置形態で形成された第１の電極と、前記表面を覆うように形成されると共に、前記素子本体に対し剥離可能な構成で配設された絶縁部材と、該絶縁部材上に前記第１の配置形態と異なる第２の配置形態で形成された第２の電極と、前記絶縁部材が前記素子本体に配設された状態において前記第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する電極接続手段とを具備する半導体素子において、前記素子本体から前記絶縁部材を剥離することにより電極形態を変更する半導体素子の電極形態変更方法であって、
前記絶縁部材を機械的手段を用いて前記素子本体から剥離させることを特徴とする半導体素子の電極形態変更方法。
【請求項５】
電子回路が形成された素子本体と、
該素子本体の表面上に第１の配置形態で形成された第１の電極と、
前記表面を覆うように形成されると共に、前記素子本体に対し剥離可能な構成で配設された絶縁部材と、
該絶縁部材上に前記第１の配置形態と異なる第２の配置形態で形成された第２の電極と、
前記絶縁部材が前記素子本体に配設された状態において前記第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する電極接続手段とを具備してなる半導体素子において、前記素子本体から前記絶縁部材を剥離することにより電極形態を変更する半導体素子の電極形態変更方法であって、
前記絶縁部材を化学的手段を用いて前記素子本体から剥離させることを特徴とする半導体素子の電極形態変更方法。
【請求項６】
半導体素子と、
前記半導体素子と電気的に接続されたリードと、
前記半導体素子を封止するパッケージとを具備する半導体装置において、
前記半導体素子を、
電子回路が形成された素子本体と、
該素子本体の表面上に第１の配置形態で形成された第１の電極と、
前記表面を覆うように形成されると共に、前記素子本体に対し剥離可能な構成で配設された絶縁部材と、
該絶縁部材上に前記第１の配置形態と異なる第２の配置形態で形成された第２の電極と、
前記絶縁部材が前記素子本体に配設された状態において前記第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する電極接続手段と、
前記絶縁部材と前記素子本体との間に配設されており、前記絶縁部材と前記素子本体との剥離を容易とするための剥離剤とを具備する構成としたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子及びその電極形態変更方法に係り、特に種々のパッケージに搭載される半導体素子及びその電極形態変更方法に関する。
近年、半導体装置は種々の電子機器に搭載されるようになってきており、これに伴いパッケージ構造も搭載される電子機器の装置搭載スペースに対応するよう種々のものが提供されている。よって、半導体装置に内設される半導体素子も、パッケージ構造に適合した構成とする必要がある。
【０００２】
【従来の技術】
上記のように、パッケージ構造が多様化すると、パッケージ内に配設される半導体素子（半導体チップ）が同一であっても、半導体パッケージの構造が異なる場合が発生する。これは、特に汎用の半導体装置においてよく発生することである。
【０００３】
具体例を図６及び図７を用いて説明する。図６に示す半導体装置１Ａは、リード６が矩形状とされた樹脂パッケージ４Ａの短辺側から延出するよう構成されたパッケージ構造とされている（以下、この構造の樹脂パッケージを横長パッケージ４Ａという）。
これに対し、図７に示す半導体装置１Ｂは、リード６が矩形状とされた樹脂パッケージ４Ｂの長辺側から延出するよう構成されたパッケージ構造とされている（以下、この構造の樹脂パッケージを縦長パッケージ４Ｂという）。しかるに、各樹脂パッケージ４Ａ，４Ｂ内に搭載される半導体素子２Ａ，２Ｂは機能的に同一の半導体素子である。
【０００４】
続いて、上記した半導体装置１Ａ，１Ｂの半導体素子２Ａ，２Ｂとリード６との接続構造について図８及び図９を用いて説明する。
図８は、横長パッケージ４Ａにおける半導体素子２Ａとリード６との接続構造を示している。同図に示すように、パッケージが横長形状とされた横長パッケージ４Ａでは、内設する半導体素子２Ａも横長となるよう配設する必要がある。
【０００５】
また、半導体素子２Ａに形成された電極８Ａとリード６とはワイヤ９により電気的に接続されるが、このワイヤ９の長さは損失低減を図る面からなるべく短くする必要がある。このため、従来の横長パッケージ４Ａでは、半導体素子２Ａの短辺側に電極８Ａを配設することが行なわれていた。
一方、図９は、縦長パッケージ４Ｂにおける半導体素子２Ｂとリード６との接続構造を示している。同図に示すように、パッケージが縦長形状とされた縦長パッケージ４Ｂでは、内設する半導体素子２Ｂも横長となるよう配設する必要がある。また、前記のようにワイヤ９の長さは損失低減を図る面からなるべく短くする必要があるため、従来の縦長パッケージ４Ｂでは半導体素子２Ｂの長辺側に電極８Ｂを配設することが行なわれていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、図６及び図８に示す半導体素子２Ａと、図７及び図９に示す半導体装置２Ｂは同一機能を有した半導体素子である。しかるに、従来の構成では、パッケージ構造が異なると、これに伴い電極８Ａ，８Ｂの形成位置が異なってしまい、よって別個の構成とされた半導体素子２Ａ，２Ｂを夫々製造する必要があった。このように、従来では電極８Ａ，８Ｂ以外は同一の構成であるにも拘わらず、単に電極８Ａ，８Ｂの形成位置の違いのみで夫々半導体素子２Ａ，２Ｂを形成せねばならず製造効率が悪いという問題点があった。
【０００７】
また、製造された半導体装置の在庫管理上では、次のような問題点があった。即ち、顧客からの受注に対し、短納期で製品を出荷するためには需要を見込んで半導体装置を工場に仕込んでおく必要があるが、パッケージ構造によって異なる半導体素子を搭載する従来構成では、見込みを間違えた場合には、不良在庫や、或いは在庫不良が発生してしまう。よって、上記の見込みの判断が非常に難しくなり、在庫管理の面からも従来構成の半導体装置は望ましくなかった。
【０００８】
一方、上記の問題点を解決する手段として、半導体素子上に、横長パッケージ用の電極（横長用電極）と、縦長用パッケージ用の電極（縦長用電極）を共に配設する構成とすることが考えられる。
しるかに、単に半導体素子の同一面上に横長用電極と縦長用電極とを併せて形成した構成では、従来の半導体素子２Ａ，２Ｂに対し電極数が２倍となってしまい、これに伴い電極形成スペースが大きくなり半導体素子が大型化してしまうという新たな問題点が生じてしまう。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、各種パッケージ構造に容易に対応しうる半導体素子及びその電極形態変更方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次に述べる各種手段を講じることにより解決することができる。
請求項１記載の発明に係る半導体素子では、
電子回路が形成された素子本体と、
該素子本体の表面上に第１の配置形態で形成された第１の電極と、
前記表面を覆うように形成されると共に、前記素子本体に対し剥離可能な構成で配設された絶縁部材と、
該絶縁部材上に前記第１の配置形態と異なる第２の配置形態で形成された第２の電極と、
前記絶縁部材が前記素子本体に配設された状態において前記第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する電極接続手段と、
前記絶縁部材と前記素子本体との間に配設されており、前記絶縁部材と前記素子本体との剥離を容易とするための剥離剤と、を具備することを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項２記載の発明では、
前記請求項１記載の半導体素子において、
前記電極接続手段が、
前記絶縁部材に形成されており、前記第１の電極と対向する位置に形成されたスルーホール電極と、
前記絶縁部材に形成されており、一端が前記第２の電極に接続すると共に、他端が前記スルーホール電極に接続された配線と、
により構成されることを特徴とするものである。
【００１２】
また、請求項３記載の発明では、
前記請求項１または２記載の半導体装置において、
前記絶縁部材を多層構造とし、各層間に内層配線を形成したことを特徴とするものである。
また、請求項４記載の発明では、
電子回路が形成された素子本体と、該素子本体の表面上に第１の配置形態で形成された第１の電極と、前記表面を覆うように形成されると共に、前記素子本体に対し剥離可能な構成で配設された絶縁部材と、該絶縁部材上に前記第１の配置形態と異なる第２の配置形態で形成された第２の電極と、前記絶縁部材が前記素子本体に配設された状態において前記第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する電極接続手段とを具備する半導体素子において、前記素子本体から前記絶縁部材を剥離することにより電極形態を変更する半導体素子の電極形態変更方法であって、
前記絶縁部材を機械的手段を用いて前記素子本体から剥離させることを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項５記載の発明では、
電子回路が形成された素子本体と、
該素子本体の表面上に第１の配置形態で形成された第１の電極と、
前記表面を覆うように形成されると共に、前記素子本体に対し剥離可能な構成で配設された絶縁部材と、
該絶縁部材上に前記第１の配置形態と異なる第２の配置形態で形成された第２の電極と、
前記絶縁部材が前記素子本体に配設された状態において前記第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する電極接続手段とを具備してなる半導体素子において、前記素子本体から前記絶縁部材を剥離することにより電極形態を変更する半導体素子の電極形態変更方法であって、
前記絶縁部材を化学的手段を用いて前記素子本体から剥離させることを特徴とするものである。
また、請求項６記載の発明では、
半導体素子と、
前記半導体素子と電気的に接続されたリードと、
前記半導体素子を封止するパッケージとを具備する半導体装置において、
前記半導体素子を、
電子回路が形成された素子本体と、
該素子本体の表面上に第１の配置形態で形成された第１の電極と、
前記表面を覆うように形成されると共に、前記素子本体に対し剥離可能な構成で配設された絶縁部材と、
該絶縁部材上に前記第１の配置形態と異なる第２の配置形態で形成された第２の電極と、
前記絶縁部材が前記素子本体に配設された状態において前記第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する電極接続手段と、
前記絶縁部材と前記素子本体との間に配設されており、前記絶縁部材と前記素子本体との剥離を容易とするための剥離剤とを具備する構成としたことを特徴とするものである。
【００１６】
上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、
素子本体上には第１の電極が形成され、またこの素子本体上に形成された絶縁部材上には第２の電極が形成される。よって、第１の電極と第２の電極は絶縁部材を介して積層された構成となり、第１及び第２の電極を設けても素子本体の面積が増大することはなく小型化を図ることができる。
【００１７】
また、絶縁部材が素子本体に配設された状態において第１の電極と第２の電極とは電極接続手段により電気的に接続されている。よって、絶縁部材が素子本体に配設された状態では、第２の電極に外部端子（例えばリード）を接続することにより、電気的接続手段によりこの外部端子は半導体素子と接続された構成となる。
【００１８】
一方、絶縁部材は素子本体に剥離可能な構成で配設されており、また電気的接続手段は素子本体から絶縁部材が剥離することにより、第１の電極と第２の電極との電気的接続を解除する構成とされている。よって、絶縁部材が素子本体から剥離した状態では、第１の電極が素子本体上に露出して存在する構成となり、外部端子を第１の電極に接続することにより、外部端子と半導体素子とは電気的に接続された構成となる。
【００１９】
即ち、絶縁部材が配設された状態と、絶縁部材が素子本体から剥離された状態とで、電極の配設形態を異ならせることができる。よって、パッケージ構造に応じて電極の形成位置を変更する必要がある場合であっても、絶縁部材をそのまま配設した状態にするか、或いは絶縁部材を素子本体から剥離するのみで容易にパッケージ構造に対応した電極形態を実現することができる。
また、絶縁部材と素子本体との間に剥離剤を配設することにより、絶縁部材を素子本体から剥離する処理を容易に行なうことができる。
【００２０】
また、請求項２記載の発明によれば、
第１の電極と対向する位置に形成されたスルーホール電極と、一端が第２の電極に接続すると共に他端がスルーホール電極に接続された配線とにより電気的接続手段を構成したことにより、簡単な構成で第１の電極と第２の電極を電気的に接続することができる。
【００２１】
また、スルーホール電極及び配線は、いずれも絶縁部材に配設されているため、絶縁部材を素子本体から剥離し排除することにより、電気的接続手段も併せて排除される。よって、絶縁部材を素子本体から剥離した後に、電気的接続手段が第１の電極と外部端子との接続に悪影響を及ぼすようなことはない。
また、請求項３記載の発明によれば、
絶縁部材を多層構造とすると共に各層間に内層配線を形成したことにより、各層毎に電極の配設形態を設定できるため、複数のパッケージ形態（即ち、電極の配設形態）に容易に対応することができる。具体的には、絶縁部材が５層構造であり、その３層目に所望する配設形態で電極が形成されていた場合には、上部の２層のみを剥離させることにより、所望の電極の配設形態を実現することができる。
【００２３】
また、請求項４または請求項５記載の発明によれば、
絶縁部材を機械的手段或いは化学的手段を用いて素子本体から剥離させる方法を採用したことにより、比較的簡単な設備で容易に絶縁部材を素子本体から剥離させることができる。
また、請求項６記載の発明に係る半導体装置によれば、
半導体素子とリードとの離間距離を最小距離とすることができ、電気的損失の発生を抑制することができる。また、電極の配設形態がパッケージ構造に対応しているため、半導体装置の小型化を図ることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
図１乃至図３は、本発明の一実施例である半導体素子１０及び半導体装置１２Ａ，１２Ｂを説明するための図である。図１は、先に図６を用いて説明した横長パッケージに半導体素子１０を適用した半導体装置１２Ａを示しており、また図２は先に図７を用いて説明した縦長パッケージに半導体素子１０を適用した半導体装置１２Ｂを示している。まず、図１及び図３を用いて、半導体素子１０の構成について説明する。
【００２５】
半導体素子１０は、大略すると素子本体１４，第１の電極１６，第２の電極１８，スルーホール電極２０，配線２２，及び絶縁膜３０（図１では梨地で示す）等により構成されている。
素子本体１４は半導体装置１０の基板となるものであり、例えばシリコン基板或いはガリウム−砒素基板上に回路形成領域３２を有した構成とされている。本実施例に係る素子本体１４は、短辺と長辺を有した長方形状とされている。
【００２６】
第１の電極１６は素子本体１４の上面に形成されると共に、図示しない配線により回路形成領域３２に形成された電子回路に接続されている。この第１の電極１６は、図３に示されるように素子本体１４の上面に直接形成されている。また、第１の電極１６は、図１に示されるように、素子本体１４の長辺に沿って形成されている。本実施例では、この素子本体１４の長辺に沿って第１の電極１６が配設された形態を電極の第１の配設形態というものとする。
【００２７】
第２の電極１８は、絶縁膜３０（絶縁部材）に形成されている。この第２の電極１８は、図３に示されるように絶縁膜３０の上面に形成されている。また、第２の電極１８は、図１に示されるように、素子本体１４の短辺に沿って形成されている。本実施例では、この素子本体１４の短辺に沿って第２の電極１８が配設された形態を電極の第２の配設形態というものとする。
【００２８】
絶縁膜３０は、例えばオレフィン系樹脂を主成分とし、エポキシ樹脂が所定の濃度に混入されている組成の膜であり、素子本体１４の全面を覆うよう形成されている。エポキシ含有のオレフィン系樹脂は、エポキシ樹脂の分解温度以上に加熱することで離型作用を発揮する。よって、絶縁膜３０と素子本体１４との強力な密着は阻害されており、従って絶縁膜３０は素子本体１４に対し剥離可能な構成となっている。
【００２９】
また、絶縁膜３０の素子本体１４からの剥離性をより高めるためには、例えば図３に示すように素子本体１４と絶縁膜３０との界面に剥離剤３６を塗布しておいてもよい。この剥離剤３６としては、例えばエポキシ含有のオレフィン樹脂を用いることが考えられる。
但し、上記の絶縁膜３０と素子本体１４の接合力は、外部から剥離力を加えなければ絶縁膜３０が素子本体１４から剥離しない程度の強さを維持するよう構成されている。しかるに、後述するように剥離力を加えて意図的に剥離させようとした場合には、絶縁膜３０は素子本体１４から剥離する構成とされている。尚、上記の絶縁膜３０としては、エポキシ含有のオレフィン系樹脂に代えてエポキシを含有したポリイミドを用いることも可能である。
【００３０】
スルーホール電極２０及び配線２２は、前記した電極接続手段として機能するものであり、第１の電極１６と第２の電極１８を電気的に接続する機能を奏するものである。スルーホール電極２０は絶縁膜３０に上下に貫通形成された孔の内部に導電膜を形成した構成とされており、よって絶縁膜３０の上面と下面を電気的に接続する機能を有している。このスルーホール電極２０は、絶縁膜３０の第１の電極１６と対向する位置に夫々形成されている。
【００３１】
また、配線２２は、絶縁膜３０の上面に所定のパターンで形成されている。この配線２２の一端は第２の電極１８に接続されており、また他端は前記したスルーホール電極２０の上端部に電気的に接続された構成とされている。
図１に示されるように、配線２２は第１の電極１６と第２の電極１８とを接続する機能を奏している。よって、第１の電極１６と第２の電極１８とは、上記のスルーホール電極２０及び配線２２により、一対一の対応で電気的に接続された構成となっている。具体例としては、第１の電極１６ａはスルーホール電極２０ａ及び配線２２ａにより第２の電極１８ａに接続された構成となっており、これにより第１の電極１６ａと第２の電極１８ａとは対応して接続された構成となっている。
【００３２】
上記したスルーホール電極２０及び配線２２は、半導体製造技術として確立した周知の方法により形成することができる。また、第１の電極１６と第２の電極１８は、スルーホール電極２０と配線２２とよりなる電気的接続手段により接続されるため、簡単な構成で各電極１６，１８を電気的に接続することができる。
ここで、図１に示される半導体装置１２Ａに注目する。
【００３３】
半導体装置１２Ａは、絶縁膜３０が配設された状態の半導体素子１０が搭載されたものである。この半導体装置１２Ａは、図６に示されるような横長パッケージ構造を有した半導体装置である。よって、樹脂パッケージ２８Ａは横長なパッケージ構造とされており、リード２４は樹脂パッケージ２８Ａの短辺側から外部に延出する構成となっている。
【００３４】
また、横長パッケージ構造に半導体素子１０を搭載する場合、樹脂パッケージ２８Ａ内に無駄な空間部の発生を抑制する面から、半導体素子１０も横長となる向きで搭載される。このように横長となるよう半導体素子１０を樹脂パッケージ２８Ａに搭載した場合、各リード２４は半導体素子１０の短辺側と対向した状態となる。
【００３５】
本実施例に係る半導体素子１０は、絶縁膜３０が配設された状態では、第２の電極１８が最上面に位置した状態となっており、よって外部との電気的接続が可能な状態となっている。また、本実施例では第２の電極１８は、素子本体１４の短辺に沿った状態で形成された構成とされている。
従って、第２の電極１８とリード２４とをワイヤ２６で接続することにより、リード２４は第２の電極１８，配線２２，スルーホール２０，及び第１の電極１６を介して半導体素子１４に電気的に接続された状態となる。この際、第２の電極１８とリード２４とは対向した状態となっているため、第２の電極１８とリード２４との離間距離は短くなる。このため、半導体装置１２Ａの小型化を図ることができ、またワイヤ長も短くすることができるため、ワイヤ２６で発生する電気的損失を低減することができる。
【００３６】
続いて、図２に示される半導体装置１２Ｂに注目する。
半導体装置１２Ｂは、絶縁膜３０が剥離された状態の半導体素子１０が搭載されたものである。ここで、半導体装置１２Ｂの構成説明に先立ち、絶縁膜３０を素子本体１４から剥離する方法について図４及び図５を用いて説明する。
図４は、機械的手段により絶縁膜３０を素子本体１４から剥離する方法を示している。ここで、機械的手段とは、絶縁膜３０に剥離力を印加することにより剥離を行なうことをいう。
【００３７】
具体的には、本実施例では絶縁膜３０の端部（図示の例では右端部）を治具等を用いて把持し、これを上方に持ち上げる処理を行なう。この際、前記したように絶縁膜３０はエポキシ含有のオレフィン系樹脂により形成されているため、エポキシ樹脂の分解温度以上に加熱することで離型作用を発揮する。
よって、剥離作業はエポキシ樹脂の分解温度以上に加熱した環境下において実施され、これにより容易に絶縁膜３０を素子本体１４から剥離することができる。また、素子本体１４と絶縁膜３０との界面に剥離剤３６を塗布した構成では、更に容易に絶縁膜３０を素子本体１４から剥離することができる。
【００３８】
図５は、化学的手段により絶縁膜３０を素子本体１４から剥離する方法を示している。ここで、化学的手段とは、上記したような外力（剥離力）を絶縁膜３０に直接印加することなく、化学反応を利用して絶縁膜３０を素子本体１４から剥離する方法をいう。
具体的には、本実施例ではエッチング法を用いて絶縁膜３０を除去する方法を採用している。即ち、エッチング液３４として、第２の電極１８，配線２２，及び絶縁膜３０については溶解するが、素子本体１４及び第１の電極１６については溶解作用を及ぼさないものを選定する。よって、このエッチング液３４を用いてエッチングすることにより、絶縁膜３０を素子本体１４から剥離（除去）することができる。
【００３９】
上記のように、絶縁部材３０を機械的手段或いは化学的手段を用いて素子本体１４から剥離させる方法を採用したことにより、比較的簡単な設備で容易に絶縁部材３０を素子本体１４から剥離させることができる。また、前記のようにスルーホール電極２０及び配線２２は、いずれも絶縁部材３０に配設されているため、絶縁部材３０を素子本体１４から剥離し排除することにより、スルーホール電極２０及び配線２２も併せて排除される。よって、絶縁部材３０を素子本体１４から剥離した後に、これらが第１の電極１６とリード２４との接続に悪影響を及ぼすようなことはない。
【００４０】
ここで、再び図２に戻り、半導体装置１２Ｂについて説明する。
半導体装置１２Ｂは、図７に示されるような縦長パッケージ構造を有した半導体装置である。よって、樹脂パッケージ２８Ｂも縦長なパッケージ構造とされており、リード２４は樹脂パッケージ２８Ｂの長辺側から外部に延出する構成となっている。
【００４１】
また、縦長パッケージ構造に半導体素子１０を搭載する場合、樹脂パッケージ２８Ｂ内に無駄な空間部の発生を抑制する面から、半導体素子１０も縦長となる向きで搭載される。このように縦長となるよう半導体素子１０を樹脂パッケージ２８Ａに搭載した場合、各リード２４は半導体素子１０の長辺側と対向した状態となる。
【００４２】
本実施例に係る半導体素子１０は、上記のように絶縁膜３０が剥離（除去）されているため、第１の電極１６が素子本体１４上に露出した状態となっている。また、本実施例では第１の電極１６は、素子本体１４の長辺に沿った状態で形成された構成とされている。
従って、第１の電極１６とリード２４とをワイヤ２６で直接接続することが可能となり、ワイヤ２６を接続した状態でリード２４と半導体素子１０は電気的に接続された状態となる。この際、半導体装置１２Ｂにおいても、第１の電極１６とリード２４とは対向した状態となっているため、第１の電極１６とリード２４との離間距離は短くなり、半導体装置１２Ｂの小型化を図ることができる。また、ワイヤ長も短くすることができるため、ワイヤ２６で発生する電気的損失を低減することができる。
【００４３】
上記のように、本実施例に係る半導体素子１０では、素子本体１４上には第１の電極１６が形成され、またこの素子本体１４上に形成された絶縁膜３０上には第２の電極１８が形成される。よって、第１の電極１６と第２の電極１８は絶縁膜３０を介して積層された構成となり、第１及び第２の電極１６，１８を設けても素子本体１４の面積が増大することはなく小型化を図ることができる。
【００４４】
また、図１及び図３に示す例では、説明及び図示の便宜上、第１の電極１６と第２の電極１８とが上下方向に重ならない構成としたが、第１の電極１６と第２の電極１８とを重ねて形成することも可能であり、この場合には更に半導体素子１０の小型化を図ることができる。
また、上記説明から明らかなように、本実施例に係る半導体素子１０は、絶縁膜３０が配設された状態と、絶縁膜３０が素子本体１４から剥離された状態とで、電極１６，１８の配設形態を異ならせることができる。
【００４５】
よって、パッケージ構造に応じて電極１６，１８の形成位置を変更する必要がある場合であっても、絶縁膜３０をそのまま配設した状態にするか、或いは絶縁膜３０を素子本体１４から剥離するのみで容易にパッケージ構造に対応した電極形態を実現することができる。これにより、従来のように顧客からの受注に対応すべく見込み製造を行なう必要はなくなり、半導体装置１２Ａ，１２Ｂの在庫管理を容易に行なうことができる。
【００４６】
尚、上記した実施例では、絶縁膜３０を単層した構成を例に挙げて説明したが、絶縁部材を多層構造とすることも可能である。このように、絶縁部材を多層構造とした場合、各層間に内層配線を形成することができる。
この構成では、各層毎に電極の配設形態を設定できるため、複数のパッケージ形態（即ち、電極の配設形態）に容易に対応することが可能となる。具体的には、絶縁部材が５層構造であり、その３層目に所望する配設形態で電極が形成されていた場合には、上部の２層のみを剥離させることにより、所望の電極の配設形態を実現することができる。
【００４７】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発明によれば、第１の電極と第２の電極は絶縁部材を介して積層された構成となり、第１及び第２の電極を設けても素子本体の面積が増大することはなく小型化を図ることができる。
【００４８】
また、絶縁部材が配設された状態と絶縁部材が素子本体から剥離された状態とで電極の配設形態を異ならせることができるため、パッケージ構造に応じて電極の形成位置を変更する必要がある場合であっても、絶縁部材をそのまま配設した状態にするか、或いは絶縁部材を素子本体から剥離するのみで容易にパッケージ構造に対応した電極形態を実現することができる。また、絶縁部材を素子本体から剥離する処理を容易に行うことができる。
【００４９】
また、請求項２記載の発明によれば、絶縁部材が配設された状態においては、簡単な構成で第１の電極と第２の電極を電気的に接続することができる。また、絶縁部材を素子本体から剥離し排除することにより電気的接続手段も併せて排除されるため、絶縁部材を素子本体から剥離した後において、電気的接続手段が第１の電極と外部端子との接続に悪影響を及ぼすようなことはない。
【００５０】
また、請求項３記載の発明によれば、各層毎に電極の配設形態を設定できるため、複数のパッケージ形態（即ち、電極の配設形態）に容易に対応することができる。
【００５１】
また、請求項４または請求項５記載の発明によれば、比較的簡単な設備で容易に絶縁部材を素子本体から剥離させることができる。
また、請求項６記載の発明に係る半導体装置によれば、半導体素子とリードとの離間距離を最小距離とすることができ、電気的損失の発生を抑制することができると共に、電極の配設形態がパッケージ構造に対応しているため半導体装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である半導体素子を搭載した半導体装置を示す図であり、電極が第１の配設形態である状態を示す図である。
【図２】本発明の一実施例である半導体素子を搭載した半導体装置を示す図であり、電極が第２の配設形態である状態を示す図である。
【図３】電極が第１の配設形態である状態の半導体素子の断面図である。
【図４】絶縁膜を機械的手段により剥離する方法を説明するための図である。
【図５】絶縁膜を化学的手段により剥離する方法を説明するための図である。
【図６】横長パッケージを説明するための図である。
【図７】縦長パッケージを説明するための図である。
【図８】従来の半導体素子の一例を説明するための図である。
【図９】従来の半導体素子の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
１０  半導体素子
１２Ａ，１２Ｂ  半導体装置
１４，  素子本体
１６  第１の電極
１８  第２の電極
２０  スルーホール
２２  配線
２４  リード
２６  ワイヤ
２８Ａ，２８Ｂ  樹脂パッケージ
３０  絶縁膜
３２  回路形成領域
３４  エッチング液
３６  剥離剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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