(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
摺動可能な半径ｒ１の円柱形状である下芯金を有した下パンチをダイスのキャビティ内に嵌挿した下型の前記キャビティ内に、前記下芯金を前記キャビティ内に突出させた状態で、所定量の誘電体粉末を充填する充填工程と、
摺動可能な半径ｒ２の円柱形状である上芯金を有した上パンチが前記キャビティ内を摺動することができる上型と、前記下芯金の中心と前記上芯金の中心との距離をＰとしたときに、前記上芯金の下端面が前記下芯金の上端面と０≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２の関係をもって接触するようにして、前記下型を、接触させるアプローチ工程と、
前記上芯金と前記下芯金を接触させた状態で、前記上芯金と前記下芯金を前記下パンチ側に摺動させ、前記キャビティ内に充填された前記誘電体粉末が、加圧圧縮後の誘電体ブロックの形状を下型と上型の加圧方向に関して予め設定した圧縮比の逆数である相似比で拡大した形状となるように、前記上芯金と前記下芯金の接触位置を前記キャビティ内の所定の位置に移送する移送工程と、
前記上芯金と前記下芯金を接触させた状態で、前記上パンチと前記下パンチにて前記キャビティ内の前記誘電体粉末を、前記キャビティ内の各部位において上芯金と下芯金との接触位置を基準としてその上下方向の圧縮比が等しくなるように、加圧圧縮して誘電体ブロックを成形する加圧工程と、
を備えたことを特徴とする誘電体ブロックのプレス成形方法。
【請求項２】
前記下型の位置と前記上型の位置をそれぞれサーボ制御することを特徴とする請求項１記載の誘電体ブロックのプレス成形方法。
【請求項３】
前記誘電体ブロックが誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサのいずれか一方の誘電体ブロックであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の誘電体ブロックのプレス成形方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体ブロックのプレス成形方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種のプレス成形方法として、実開昭５５−７１６９７号公報に開示された方法が知られている。図１７において５０７はダイスであり、５０８は上パンチ、５０９は下パンチである。上パンチ５０８は下降したときダイス５０７内に入るものであり（図１８参照）、下パンチ５０９はダイス５０７内に位置しているものである。上パンチ５０８と下パンチ５０９には、それぞれ偏心した位置に芯金５１０，５１１が昇降自在に嵌挿されており、ともにスプリング５１２，５１３により、近接する方向に加圧されるようになっている。
【０００３】
この成形型は、図１９に示した、軸部に設けた孔５１６がステップ部５１５を有している誘電体ブロック５２０を成形するためのものである。図１７に示すように、この成形型において、下パンチ５０９の芯金５１１を所定の高さまで上昇させ、上パンチ５０８を下降させて、芯金５１０を芯金５１１に接触させた状態で誘電体セラミック粉末５１４を圧縮すると（図１８参照）、図１９に示すような誘電体ブロック５２０が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、誘電体ブロック５２０のプレス成形において、孔５１６のステップ部５１５近傍にクラックを発生させることなくプレス成形を行うためには、誘電体セラミック粉末５１４を加圧圧縮する工程にて、上下パンチ５０８，５０９間で加圧成形される部位Ａ２のセラミック密度と、芯金５１０と下パンチ５０９間で加圧成形される部位Ａ３のセラミック密度と、芯金５１１と上パンチ５０８間で加圧成形される部位Ａ１のセラミック密度とを一定にする必要がある。
【０００５】
しかしながら、従来のプレス成形方法では、対向する上下の芯金５１０，５１１の接触位置の制御をスプリング５１２，５１３のばね力のバランスで行っており、加圧途中における芯金５１０，５１１の接触位置を精度良く制御することは難しかった。このため、部位Ａ２と部位Ａ１間、並びに、部位Ａ２と部位Ａ３間には、セラミック密度の差が生じ、ステップ部５１５近傍にクラックが発生し易いという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、加圧途中における上下の芯金の接触位置の精度を高め、ステップ部近傍にクラックが発生し難い誘電体ブロックのプレス成形方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】
前記目的を達成するため、本発明に係る誘電体ブロックのプレス成形方法は、
（ａ）摺動可能な半径ｒ１の円柱形状である下芯金を有した下パンチをダイスのキャビティ内に嵌挿した下型の前記キャビティ内に、前記下芯金を前記キャビティ内に突出させた状態で、所定量の誘電体粉末を充填する充填工程と、
（ｂ）摺動可能な半径ｒ２の円柱形状である上芯金を有した上パンチが前記キャビティ内を摺動することができる上型と、前記下芯金の中心と前記上芯金の中心との距離をＰとしたときに、前記上芯金の下端面が前記下芯金の上端面と０≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２の関係をもって接触するようにして、前記下型を、接触させるアプローチ工程と、
（ｃ）前記上芯金と前記下芯金を接触させた状態で、前記上芯金と前記下芯金を前記下パンチ側に摺動させ、前記キャビティ内に充填された前記誘電体粉末が、加圧圧縮後の誘電体ブロックの形状を下型と上型の加圧方向に関して予め設定した圧縮比の逆数である相似比で拡大した形状となるように、前記上芯金と前記下芯金の接触位置を前記キャビティ内の所定の位置に移送する移送工程と、
（ｄ）前記上芯金と前記下芯金を接触させた状態で、前記上パンチと前記下パンチにて前記キャビティ内の前記誘電体粉末を、前記キャビティ内の各部位において上芯金と下芯金との接触位置を基準としてその上下方向の圧縮比が等しくなるように、加圧圧縮して誘電体ブロックを成形する加圧工程と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
以上の方法により、移送工程において、キャビティ内の誘電体粉末に殆ど圧力を加えない状態で、予め、キャビティ内の誘電体粉末を、加圧圧縮後の誘電体ブロックの形状を下型と上型の加圧方向に関して予め設定した圧縮比の逆数である相似比で拡大した形状に成形しておく。この後、キャビティ内の誘電体粉末をキャビティ内の各部位において上下方向の圧縮比が等しくなるように加圧圧縮することにより、キャビティ内の誘電体粉末の密度が略均一になる。従って、誘電体フィルタや誘電体デュプレクサ等の誘電体ブロックに成形された孔のステップ部近傍にクラックが発生し難くなる。
【００１０】
また、上型の位置と下型の位置をそれぞれサーボ制御することにより、加圧途中における上下の芯金の接触位置を精度良く制御することができ、より確実にキャビティ内の誘電体粉末の密度を均一化することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る誘電体ブロックのプレス成形方法の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。
【００１２】
［第１実施形態、図１〜図７］
図１に本第１実施形態のプレス成形方法で得られる誘電体ブロックの斜視図を示し、図２に、その正面図を示す。この誘電体ブロック１は、誘電体フィルタ用として使用される。図１に示すように、誘電体ブロック１の対向する面１ａ，１ｂを貫通して二つの同軸共振器孔２ａ，２ｂが成形されている。それぞれの同軸共振器孔２ａ，２ｂは、横断面円形の大径孔部２２ａ，２２ｂと、その大径孔部２２ａ，２２ｂに連通した横断面円形状の小径孔部２３ａ，２３ｂとを有している。
【００１３】
小径孔部２３ａ，２３ｂの軸は、それぞれ大径孔部２２ａ，２２ｂの軸に対して偏心している。すなわち、大径孔部２２ａ，２２ｂの半径をｒ１、小径孔部２３ａ，２３ｂの半径をｒ２、大径孔部２２ａ，２２ｂの軸と小径孔部２３ａ，２３ｂの軸相互のずれ距離をＰ（図２参照）とすると、ｒ１−ｒ２≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２を満足する。従って、同軸共振器孔２ａ，２ｂは、屈曲した形状、つまり小径孔部２３ａ，２３ｂが大径孔部２２ａ，２２ｂからはみ出している形状を有している。大径孔部２２ａと小径孔部２３ａのステップ部２４ａの位置と、大径孔部２２ｂと小径孔部２３ｂのステップ部２４ｂの位置は、長さＬの同軸共振器孔２ａ，２ｂの中央（Ｌ／２）である。
【００１４】
ただし、大径孔部２２ａ，２２ｂの軸と小径孔部２３ａ，２３ｂの軸相互のずれ距離Ｐは、関係式０≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２を満足していればよく、Ｐ＝０の場合、つまり、大径孔部２２ａ，２２ｂの軸と小径孔部２３ａ，２３ｂの軸が一致している場合でもよい。
【００１５】
次に、上記で説明した誘電体ブロック１を成形するためのプレス成形装置の概要を説明する。図３に示すように、該装置は下型６と上型７を有している。下型６はダイス５と、下パンチ６１と、下パンチ６１に対して摺動可能な下芯金７１ａ，７１ｂとを備えている。ダイス５は横断面略矩形状のキャビティ５１を有しており、そのキャビティ５１の内部に下パンチ６１を嵌挿している。下芯金７１ａ，７１ｂの形状は半径ｒ１の円柱形状である。また、上型７は、上パンチ６２と、上パンチ６２に対して摺動可能な上芯金７２ａ，７２ｂとを備えている。上芯金７２ａ，７２ｂの形状は半径ｒ２の円柱形状である。
【００１６】
下型６の位置と上型７の位置はそれぞれサーボ制御されている。下芯金７１ａ，７１ｂ、ダイス５、上パンチ６２および上芯金７２ａ，７２ｂの駆動（下降又は上昇）は、それぞれＡＣサーボモータＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４を利用している。そして、下パンチ６１の上面を基準面とし、この基準面から上パンチ６２の下面の位置、上芯金７２ａ，７２ｂの下面の位置、下芯金７１ａ，７１ｂの上面の位置およびダイス５の上面までの距離をリニアスケール（図示せず）で測定し、それぞれの測定された位置情報に基づいてＡＣサーボモータＭ１〜Ｍ４を数値制御する。つまり、上パンチ６２、上下芯金７２ａ，７２ｂ，７１ａ，７１ｂおよびダイス５の「実際（動作途中）の位置」と「指定している位置（目標値入力信号）」との間に位置ずれが生じていないかどうかを、スケールフィードバック制御を用いて常に監視し、補正するように制御する。
【００１７】
次に、上記で説明した誘電体ブロック１のプレス成形方法を説明する。図３に示すように、下芯金７１ａ，７１ｂを、予め、面ｆ１の位置まで上昇させ、その後、Ｂａ−Ｔｉ系セラミックやＢａ−Ｔｉ−Ｎｄ系セラミックなどの誘電体粉末４を所定量充填する（充填工程）。本第１実施形態では誘電体粉末４の上面が面ｆ１と略同一になるまでキャビティ５１内に誘電体粉末４を充填した。
【００１８】
次に、上型７を下降させ、図４に示すように、上パンチ６２および上芯金７２ａ，７２ｂのそれぞれの下端面が、下芯金７１ａ，７１ｂの上端面に接触する位置に上型７が達すると、上型７の下降を一旦停止する（アプローチ工程）。上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂが接触した部分は、後工程で、同軸共振器孔２ａ，２ｂのステップ部２４ａ，２４ｂを成形する。
【００１９】
次に、図５に示すように、キャビティ５１内の誘電体粉末４に圧力を加えないようにして、上芯金７２ａ，７２ｂの下端面と下芯金７１ａ，７１ｂの上端面をそれぞれ接触させた状態で、上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂを下パンチ６１側へ摺動させる。そして、上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂの接触位置Ｆがキャビティ５１内の所定の位置に達すると、上下芯金７２ａ，７２ｂ，７１ａ，７１ｂの下降を一旦停止する（移送工程）。
【００２０】
こうして、予め、キャビティ５１内の誘電体粉末４を、加圧完了後の誘電体ブロック１の形状に対して加圧方向へ拡大した形状に成形しておく。そして、上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂの接触位置Ｆは、下パンチ６１の上面と上パンチ６２の下面の間の距離をＬ１とすると、下パンチ６１の上面から距離Ｌ１／２の位置にある。なお、上パンチ６２は、誘電体粉末４に接している。
【００２１】
次に、図６に示すように、ダイス５と上パンチ６２と下芯金７１ａ，７１ｂと上芯金７２ａ，７２ｂを下側方向に移動させ、誘電体粉末４を加圧圧縮して誘電体ブロック１の形状に成形する（加圧工程）。このとき、上芯金７２ａ，７２ｂの下端面と下芯金７１ａ，７１ｂの上端面をそれぞれ接触させた状態で、上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂを下方向に摺動させる。そして、加圧圧縮中は、上芯金７２ａ，７２ｂと下芯金７１ａ，７１ｂの接触位置Ｆが、常に下パンチ６１の上面の位置と上パンチ６２の下面の位置の中間になるように、上パンチ６２と下芯金７１ａ，７１ｂと上芯金７２ａ，７２ｂをスケールフィードバック制御しながらサーボモータＭ１，Ｍ３，Ｍ４によって下降させる。なお、下芯金７１ａ，７１ｂの下降に併せてダイス５も、サーボモータＭ２によって下降させる。
【００２２】
上記加圧工程が完了後、図７に示すように、ダイス５と下芯金７１ａ，７１ｂを下方向に移動させ、上パンチ６２と上芯金７２ａ，７２ｂを上方向に移動させて、成形された誘電体ブロック１を取り出す（開放工程）。
【００２３】
以上の方法で得られた誘電体ブロック１は移送工程において、キャビティ５１内の誘電体粉末４に殆ど圧力を加えない状態で、予め、キャビティ５１内の誘電体粉末４を、加圧圧縮後の誘電体ブロック１の形状を下型６と上型７の加圧方向に拡大した形状に成形し、その後、キャビティ５１内の誘電体粉末４を加圧圧縮するので、キャビティ５１内の誘電体粉末４の密度を略均一にすることができる。従って、同軸共振器孔２ａ，２ｂのステップ部２４ａ，２４ｂ近傍にクラックが発生し難い誘電体ブロック１を得ることができる。
【００２４】
また、上型７の位置と下型６の位置をそれぞれサーボ制御しているので、加圧途中における上下の芯金７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂの接触位置Ｆを精度良く制御することができ、より確実にキャビティ５１内の誘電体粉末４の密度を均一化することができる。
【００２５】
［第２実施形態、図８〜図１４］
図８に本第２実施形態のプレス成形方法で得られる誘電体ブロックの斜視図を示し、図９に、その正面図を示す。この誘電体ブロック２は、第１実施形態で得られる誘電体ブロック１と同様に誘電体フィルタ用として使用される。図８に示すように、誘電体ブロック２の対向する面１ａ，１ｂを貫通して二つの同軸共振器孔２ａ，２ｃが成形されている。それぞれの同軸共振器孔２ａ，２ｃは、横断面円形の大径孔部２２ａ，２２ｃと、その大径孔部２２ａ，２２ｃに連通した横断面円形状の小径孔部２３ａ，２３ｃとを有している。一方の小径孔部２３ａの軸は、大径孔部２２ａの軸に対して偏心している。他方の小径孔部２３ｃの軸は、大径孔部２２ｃの軸に対して略一致している。
【００２６】
次に、上記で説明した誘電体ブロック２を成形するためのプレス成形装置の概要を説明する。なお、第１実施形態と同一の部品および同一の部分には同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００２７】
図１０に示すように、該装置は下型６と上型７を有している。下型６はダイス５と下パンチ６１と、下パンチ６１に対して摺動可能な下芯金７１ａ，７１ｃとを備えている。下芯金７１ｃは、半径ｒ１の円柱部７４ａの上に、これと同じ中心軸を有し、半径ｒ１より小さい半径ｒ２の円柱部７４ｂを設けた形状をしている。つまり、下芯金７１ｃは、大径孔部２２ｃを成形する部位と小径孔部２３ｃを成形する部位を一体化したものである。円柱部７４ａと７４ｂの段部７３は、後工程で、同軸共振器孔２ｃのステップ部２４ｃを成形する。また、上型７は、上パンチ６２と、上パンチ６２に対して摺動可能な上芯金７２ａとを備えている。上パンチ６２には孔６２ａが設けられており、この孔６２ａは下芯金７１ｃの円柱部７４ｂが嵌挿して摺動可能である。
【００２８】
従って、本第２実施形態では、同軸共振器孔２ａ，２ｃは、大径孔部２２ａ，２２ｃの半径をｒ１、小径孔部２３ａ，２３ｃの半径をｒ２、大径孔部２２ａ，２２ｃの軸と小径孔部２３ａ，２３ｃの軸相互のずれ距離をＰ（図９参照）とすると、それぞれ関係式０≦Ｐ≦ｒ１＋ｒ２と０≦Ｐ≦ｒ１−ｒ２を満足する範囲で、大径孔部２２ａ，２２ｃの軸を基準にして小径孔部２３ａ，２３ｃの軸を偏心させることができる。言い換えると、同軸共振器孔２ａは小径孔部２３ａが大径孔部２２ａからはみ出している形状を有し、同軸共振器孔２ｃは小径孔部２３ｃが大径孔部２２ｃ内に収まる形状を有している。
【００２９】
下型６の位置と上型７の位置はそれぞれサーボ制御されている。下芯金７１ａ，７１ｃ、ダイス５、上パンチ６２および上芯金７２ａの駆動（下降または上昇）はそれぞれＡＣサーボモータＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５を利用している。下パンチ６１の上面を基準面とし、この基準面から上パンチ６２の下面の位置、上芯金７２ａの下面の位置、下芯金７１ａ，７１ｃの上面の位置およびダイス５の上面までの距離をリニアスケール（図示せず）で測定し、それぞれの測定された位置情報に基づいて、サーボモータＭ１〜Ｍ５を数値制御する。
【００３０】
次に、上記で説明した誘電体ブロック２のプレス成形方法を説明する。図１０に示すように、下芯金７１ａ，７１ｃを、予め、面ｆ１の位置まで上昇させ、その後、誘電体粉末４を所定量充填する（充填工程）。本第２実施形態では誘電体粉末４の上面が面ｆ１と同一になるまでキャビティ５１内に誘電体粉末４を充填した。
【００３１】
次に、上型７を下降させ、図１１に示すように、上パンチ６２および上芯金７２ａのそれぞれの下端面が、下芯金７１ａの上端面に接触する位置に上型７が達すると、上型７の下降を一旦停止する（アプローチ工程）。上芯金７２ａと下芯金７１ａが接触した部分は、第１実施形態と同様に、後工程で、同軸共振器孔２ａのステップ部２４ａを成形する。
【００３２】
次に、図１２に示すように、キャビティ５１内の誘電体粉末４に圧力を加えないようにして、上芯金７２ａの下端面と下芯金７１ａの上端面を接触させた状態で、上芯金７２ａと下芯金７１ａを下パンチ６１側へ摺動させる。そして、上芯金７２ａと下芯金７１ａの接触位置Ｆがキャビティ５１内の所定の位置に達すると、上芯金７２ａと下芯金７１ａの下降を停止する（移送工程）。なお、本第２実施形態では、下芯金７１ｃの段部７３の位置をすでにキャビティ５１内の所定の位置に設定しているので、移送工程中に下芯金７１ｃを上昇または下降させる必要がない。
【００３３】
こうして、予め、キャビティ５１内の誘電体粉末４を、加圧圧縮完了後の誘電体ブロック２の形状に対して加圧方向へ拡大した形状に成形しておく。そして、上芯金７２ａと下芯金７１ａの接触位置Ｆと下芯金７１ｃの段部７３は、下パンチ６１の上面と上パンチ６２の下面の間の距離をＬ１とすると、下パンチ６１の上面から距離Ｌ１／２の位置にある。
【００３４】
次に、図１３に示すように、ダイス５と上パンチ６２と下芯金７１ａ，７１ｃと上芯金７２ａを下側方向に移動させ、誘電体粉末４を加圧圧縮して誘電体ブロック２の形状に成形する（加圧工程）。このとき、上芯金７２ａの下端面と下芯金７１ａの上端面を接触させた状態で、上芯金７２ａと下芯金７１ａを下方向に摺動させる。そして、加圧圧縮中は、上芯金７２ａと下芯金７１ａの接触位置Ｆと下芯金７１ｃの段部７３の位置が、常に下パンチ６１の上面の位置と上パンチ６２の下面の位置の中間になるように、上パンチ６２と下芯金７１ａ，７１ｃと上芯金７２ａをスケールフィードバック制御しながらサーボモータＭ１，Ｍ２，Ｍ４，Ｍ５によって下降させる。
【００３５】
次に、図１４に示すように、ダイス５と下芯金７１ａ，７１ｃを下方向に移動させ、上パンチ６２と上芯金７２ａを上方向に移動させ、成形された誘電体ブロック２を取り出す（開放工程）。なお、下芯金７１ａ，７１ｃの下降に併せてダイス５も、サーボモータＭ３によって下降させる。
【００３６】
本第２実施形態のプレス成形方法は、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００３７】
［他の実施形態、図１５、図１６］
本発明は、前記第１実施形態や第２実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００３８】
例えば、第１実施形態や第２実施形態では、アプローチ工程と移送工程の工程間に上型７を一旦停止するとしたが、これに限定されるものではなく、連続的にアプローチ工程から移送工程に移ってもよい。同様に、移送工程と加圧工程の工程間に上下芯金７２ａ，７２ｂ，７１ａ，７１ｂの下降を一旦停止するとしたが、これに限定されるものではなく、連続的に移送工程から加圧工程に移ってもよい。
【００３９】
さらに、上芯金７２ａ，７２ｂがそれぞれ下芯金７１ａ，７１ｂに誘電体粉末４を挟むことなく接触していればよく、下芯金７１ａ，７１ｂの上面を誘電体粉末４の上面より突出させた状態で、アプローチ工程を行ってもよい。
【００４０】
また、前記第１実施形態の加圧工程では、下パンチ６１を固定して、上パンチ６２や上下芯金７２ａ，７１ａなどを下パンチ６１側に下降させ、誘電体粉末４を加圧圧縮しているが、必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、上下芯金７２ａ，７１ａの接触位置Ｆを固定して、下パンチ６１を上昇させると共に、上パンチ６２を下降させ、接触位置Ｆを中心にして上下方向から上パンチ６２と下パンチ６１にて誘電体粉末４を加圧圧縮してもよい。
【００４１】
また、誘電体ブロックに成形される同軸共振器孔の数や形状などは任意である。例えば、図１５および図１６に示した誘電体デュプレクサ用として使用される誘電体ブロック１１に対しても本発明を適用することができる。図１５は誘電体ブロック１１の正面図、図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ断面図を示す。誘電体ブロック１１には、７個の同軸共振器孔９ａ〜９ｇが成形されている。
【００４２】
同軸共振器孔９ａ〜９ｃ，９ｅ，９ｇは、大径孔部の軸と小径孔部の軸が互いにずれている。しかも、同軸共振器孔９ｅ，９ｇは、小径孔部が大径孔部からはみ出している。一方、同軸共振器孔９ｄ，９ｆは、大径孔部の軸と小径孔部の軸が互いに一致している。特に、同軸共振器孔９ｄは大径孔部の径と小径孔部の径が等しい。
【００４３】
そして、同軸共振器孔９ａ〜９ｃと同軸共振器孔９ｅ，９ｇと同軸共振器孔９ｆのそれぞれのステップ部は、同軸共振器孔の軸方向の任意の位置に設けられている。この場合、圧縮工程では、加圧圧縮中の下芯金と上芯金の接触位置や下芯金の段部の位置は、上パンチの下面の位置からの距離と下パンチの上面の位置からの距離の比が常に一定になるように設定される。
【００４４】
また、上芯金と下芯金の形状は円柱形状として説明していたが、これに限定されるものではなく、例えば、横断面が矩形や楕円形の柱状芯金であってもよい。矩形の上下芯金を使用すれば、横断面が矩形の孔が得られる。また、円形状と矩形状が混在する芯金を有する型であってもよい。さらに、一つの同軸共振器孔を、例えば、円形状の上芯金と矩形状の下芯金とを組み合わせて成形してもよい。
【００４５】
また、誘電体ブロックは一つの同軸共振器孔に対して大径孔部と小径孔部の二つの径を有する孔で構成されているが、これらの径の関係はｒ１＞ｒ２の関係に限定されるものではなく、ｒ１＜ｒ２やｒ１＝ｒ２の関係でもよい。
【００４６】
また、下芯金や上芯金などの上昇及び下降にはＡＣサーボモータを用いたが、これに限定されるものではなく、所定の精度で位置決め制御できる他のモータやシリンダ等を用いてもよい。
【００４７】
また、上芯金と下芯金のずれの方向は、図１５において左右横方向に限定されるものではなく縦方向や斜め方向であってもよい。
【００４８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、移送工程において、キャビティ内の誘電体粉末に殆ど圧力を加えない状態で、予め、キャビティ内の誘電体粉末を、加圧圧縮後の誘電体ブロックの形状を下型と上型の加圧方向に関して予め設定した圧縮比の逆数である相似比で拡大した形状に成形し、この後、キャビティ内の誘電体粉末をキャビティ内の各部位において上下方向の圧縮比が等しくなるように加圧圧縮することにより、キャビティ内の誘電体粉末の密度を略均一にすることができる。従って、誘電体フィルタや誘電体デュプレクサ等の誘電体ブロックに成形された孔のステップ部近傍にクラックが発生し難くなる。
【００４９】
また、上型の位置と下型の位置をそれぞれサーボ制御することにより、加圧途中における上下の芯金の接触位置を精度良く制御することができ、より確実にキャビティ内の誘電体粉末の密度を均一化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプレス成形方法で成形された誘電体ブロックの一例を示す斜視図。
【図２】図１に示した誘電体ブロックの正面図。
【図３】図１に示した誘電体ブロックのプレス成形方法を示す縦概略断面図。
【図４】図３に続く工程を示す縦概略断面図。
【図５】図４に続く工程を示す縦概略断面図。
【図６】図５に続く工程を示す縦概略断面図。
【図７】図６に続く工程を示す縦概略断面図。
【図８】本発明に係るプレス成形方法で成形された誘電体ブロックの他の例を示す斜視図。
【図９】図８に示した誘電体ブロックの正面図。
【図１０】図８に示した誘電体ブロックのプレス成形方法を示す縦概略断面図。
【図１１】図１０に続く工程を示す縦概略断面図。
【図１２】図１１に続く工程を示す縦概略断面図。
【図１３】図１２に続く工程を示す縦概略断面図。
【図１４】図１３に続く工程を示す縦概略断面図。
【図１５】本発明に係るプレス成形方法で成形された誘電体ブロックのさらに他の例を示す正面図。
【図１６】図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ断面図。
【図１７】従来のプレス成形方法を示す縦概略断面図。
【図１８】図１７に続く工程を示す縦概略断面図。
【図１９】（１）は図１８の工程後に成形される誘電体ブロックの正面図、（２）はその断面図。
【符号の説明】
１，２，１１…誘電体ブロック
２ａ，２ｂ，２ｃ，９ａ〜９ｇ…同軸共振器孔
４…誘電体粉末
５…ダイス
６…下型
７…上型
２２ａ〜２２ｃ…大径孔部
２３ａ〜２３ｃ…小径孔部
２４ａ，２４ｂ…ステップ部
５１…キャビティ
６１…下パンチ
６２…上パンチ
７１ａ〜７１ｃ…下芯金
７２ａ，７２ｂ…上芯金
Ｍ１〜Ｍ５…サーボモータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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