(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（Ａ）〜（Ｅ）の工程を備えることを特徴とする、セラミックス基板のメタライズ方法。
（Ａ）  粒径が１〜５００ｎｍであり、金属及び金属酸化物から選択される少なくとも一種の微粒子を含む微粒子分散層を、セラミックス基板表面に形成する工程
（Ｂ）  微粒子分散層が形成されたセラミックス基板を、酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液にて処理することにより、セラミックス基板にセラミックスと金属との反応生成物を介して接合する金属微粒子を形成する工程
（Ｃ）  セラミックス基板に接合された金属微粒子をめっき触媒核として、無電解めっき法により第一のめっき層を形成する工程
（Ｄ）  第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液にて処理することにより、セラミックス基板にセラミックスと金属との反応生成物を介して接合する金属被膜を形成する工程
（Ｅ）  セラミックス基板表面に接合された金属被膜をめっき触媒核として、無電解めっき法により、第二のめっき層を形成する工程
【請求項２】
工程（Ａ）における微粒子が、銅及び酸化銅のうちの少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１記載のセラミックス基板のメタライズ方法。
【請求項３】
工程（Ａ）における微粒子が、ニッケル及び酸化ニッケルのうちの少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１記載のセラミックス基板のメタライズ方法。
【請求項４】
工程（Ａ）における微粒子分散層の分散溶媒が、高分子及びオリゴマーのマトリックスのうちの少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載のセラミックス基板のメタライズ方法。
【請求項５】
工程（Ｃ）にて形成される第一のめっき層と工程（Ｅ）にて形成される第二のめっき層のうちの少なくとも一方を、無電解銅めっき法により形成することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のセラミックス基板のメタライズ方法。
【請求項６】
工程（Ｃ）にて形成される第一のめっき層と工程（Ｅ）にて形成される第二のめっき層のうちの少なくとも一方を、無電解ニッケルめっき法により形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のセラミックス基板のメタライズ方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のセラミックス基板のメタライズ方法により製造されるメタライズドセラミックス基板に、エッチング工法により導体回路を形成することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載のセラミックス基板のメタライズ方法において、工程（Ａ）にて微粒子分散層を所望の導体回路パターン状に形成することにより、無電解めっき処理後に得られる第一のめっき層及び第二のめっき層が、所望の導体回路パターンとなるように形成することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載のセラミックス回路基板の製造方法により製造して成ることを特徴とするセラミックス回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品として利用されるセラミックス基板のメタライズ方法、このセラミックス基板のメタライズ方法を利用したセラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器の回路基板を製造する方法として、セラミックス基板をメタライズして表面に金属層を形成し、この金属層に導体回路を形成することが行われていた。
【０００３】
このようなセラミックス回路基板を製造するにあたって用いられるセラミックス基板としては、アルミナ、ジルコニア、窒化アルミニウム、フェライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素、チタン酸バリウムなどの酸化物系、窒化物系、炭化物系のセラミックスや、石英、サファイア、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなどの焼成可能な単結晶や、ホウ珪酸ガラスなどの低温焼成ガラスセラミックス基板等が挙げられる。また、このようなセラミックス基板に金属層を密着性良く形成するために行われていた、従来のメタライズ方法としては、次に示すような無電解めっき法や物理蒸着法が挙げられる。
【０００４】
無電解めっき法は、まずセラミックス基板の表面を化学的もしくは物理的な方法で粗化し、その後ＳｎＣｌ２の濃塩酸溶液中で処理することにより表面の感受性化を行い、次にＰｄＣｌ２の濃塩酸溶液中で処理し、セラミックス表面にＰｄ（パラジウム）微粒子からなる無電解めっきの触媒核を形成する。そしてこれを金、銀、銅、ニッケルなどの無電解めっき浴中に浸漬して無電解めっき処理を施し、金属層を形成するものである。
【０００５】
しかし、このような無電解めっき法によるメタライズ方法は、パラジウム微粒子と基板表面との接着がそれほど強固なものとは言えないという問題に加えて、パラジウム微粒子の吸着を上げる目的で、基板表面を粗化していることから、製造されるセラミックス回路基板の高周波特性が悪くなってしまうという問題があった。また、表面を粗化することが困難なセラミックス基板、例えば高純度アルミナ基板や窒化アルミ基板に対して適用することが困難であるという問題もあった。
【０００６】
一方、物理蒸着法は、まずセラミックス基板を真空中に配置し、例えばアルゴンスパッタリングなどの方法により金属を気化し、基板上に金属を堆積させて金属層を形成するものである。ここで金、銀、銅、ニッケルなどによって金属層を形成する場合は、金属層とセラミックス層との間に十分な密着力が得られないため、比較的密着力の優れた中間層を形成した後、所望の金属膜を形成するものである。
【０００７】
このような物理蒸着法は無電解めっき法では導体回路を形成できない高純度アルミナや窒化アルミ基板などへも導体回路を形成することが可能であり、表面を粗化することなく所望の金属膜を形成することができるので高周波特性にも優れているという利点を有してはいるが、通常はコスト的に無電解めっき法よりも不利となる問題があった。
【０００８】
また、上記のようなメタライズ方法における問題点を解決して、平滑なセラミックス基板に強固な密着力を持つ導体層を形成するためのセラミックス基板のメタライズ方法として、特許第二８５３５５１号等に開示されているような技術が提案されている。
【０００９】
特許第二８５３５５１号に開示されているセラミックス基板のメタライズ方法では、最初に、平滑なセラミックス基板上に銅含有層を形成する。この銅含有層は、有機金属レジネート、スパッタ、無電解めっき法により形成される。次いで、酸化雰囲気中で焼成して、還元性溶液に入れて銅膜に還元し、その後に無電解銅めっきにて導体層を形成するものである。
【００１０】
しかし、この特許第二８５３５５１号に開示されている方法の場合、銅含有層の膜厚制御が困難であるという問題点に加えて、このような銅含有層では無電解めっきの触媒としてのめっき析出能力が低いという問題点があった。
【００１１】
また、セラミックス基板に銅含有層を形成するにあたって、セラミックス基板と銅含有層とを積極的に反応させて密着力を向上させるための方法として、特開平７−２５４７６９号公報、特開平８−１２５３０７号公報、特開平８−１７５８８９号公報、特開平９−６４５３４号公報等に開示されているような技術が提案されている。
【００１２】
これらの公報に開示されている技術では、セラミックス基板と反応もしくは拡散させるために、バナジウムやビスマスやマグネシウムを銅含有層に添加して、セラミックス基板と銅含有層との密着性を向上させている。
【００１３】
しかし、これらの方法の場合であっても、銅含有層の膜厚制御が困難であるという問題点に加えて、このような銅含有層では無電解めっきの触媒としてのめっき析出能力が低いという問題点があった。更に、フォトエッチングにより導体回路を形成した場合、導体回路以外の部分にもバナジウム、ビスマス、マグネシウムが残留して絶縁不良が発生するおそれがあり、また後処理として無電解ニッケル−金めっきを施す際にブリッジが発生するという問題点があった。ここで言うブリッジとは、導体回路間にめっき層が析出し、回路が短絡してしまう現象のことである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記のような問題を解決するものであり、セラミックス基板の表面を粗化する必要がなく、膜厚制御が容易であり、しかも微粒子を触媒として無電解めっきの析出性を向上することができる、セラミックス基板のメタライズ方法、このセラミックス基板のメタライズ方法を利用することにより、セラミックス基板上に微細ラインの導体回路を形成しても導体回路間の優れた絶縁性を維持することができるセラミックス回路基板の製造方法、およびこの製造方法によって製造されるセラミックス回路基板を提供することを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係るセラミックス基板のメタライズ方法では、粒径が１〜５００ｎｍであり、金属及び金属酸化物から選択される少なくとも一種の微粒子を含む微粒子分散層を、セラミックス基板表面に形成し、この微粒子分散層を酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液に浸漬等することにより還元し、セラミックス基板にセラミックスと金属との反応生成物を介して接合する金属微粒子を形成し、この金属微粒子をめっき触媒核として無電解めっきで第一のめっき層を形成する。
【００１６】
続いて、酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液に浸漬等することにより、セラミックス表面に反応生成物を介してさらに強固に接着した金属被膜を形成する。この金属被膜をめっき触媒核として使用し、無電解めっき処理によってこの上に第二のめっき層を形成して、膜厚を厚くメタライズを行うことができ、セラミックス基板の表面を粗化する必要もなく、しかもセラミックス基板１上に微細ラインを形成することができる。
【００１７】
また、請求項２の発明は、請求項１において、微粒子分散層を構成する微粒子として銅及び酸化銅から選択される少なくとも１種のものを用い、この微粒子を溶剤に分散させて調製される微粒子分散液をセラミックス基板の表面に塗布、乾燥するなどして微粒子分散層を形成し、焼成後、第一のめっき層を形成するための無電解めっき処理を施すことを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項３の発明は、請求項１において、微粒子分散層を構成する微粒子としてニッケル及び酸化ニッケルから選択される少なくとも１種のものを用い、この微粒子を溶剤に分散させて調製される微粒子分散液をセラミックス基板の表面に塗布、乾燥するなどして微粒子分散層を形成し、焼成後、第一のめっき層を形成するための無電解めっき処理を施すことを特徴とするものである。
【００１９】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、微粒子分散層を、金属及び金属酸化物から選択される少なくとも一種の微粒子を高分子及びオリゴマーのうち少なくとも１種からなる分散溶媒に分散させて形成し、焼成後、第一のめっき層を形成するための無電解めっき処理を施すことを特徴とするものである。
【００２０】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、第一のめっき層と第二のめっき層の少なくとも一方を、無電解銅めっき法により形成することを特徴とするものである。
【００２１】
また請求項６の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、第一のめっき層５と第二のめっき層の少なくとも一方を、無電解ニッケルめっき法により形成することを特徴とするものである。
【００２２】
また本発明の請求項７に係るセラミックス回路基板の製造方法は、請求項１乃至６のいずれかに記載のセラミックス基板のメタライズ方法によりメタライズドセラミックス基板を形成し、更にエッチング工法により導体回路を形成することを特徴とするものである。
【００２３】
これにより、エッチング処理が施された部分には金属が残留せず、導体回路間の絶縁性に優れ、後加工において無電解ニッケル−金めっきを施す際にもブリッジが発生することがない微細ラインの導体回路を形成することができるものである。
【００２４】
また本発明の請求項８に係るセラミックス回路基板の製造方法は、請求項１乃至６のいずれかに記載のセラミックス基板のメタライズ方法において、微粒子分散層を形成する際に、所望の導体回路パターン状に形成することにより、無電解めっき処理後に得られる第一のめっき層及び第二のめっき層が、所望の導体回路パターンとなるようにすることを特徴とするものである。
【００２５】
これにより、導体回路間の絶縁性に優れ、後加工において無電解ニッケル−金めっきを施す際にもブリッジが発生することがない微細ラインの導体回路を形成することができるものである。
【００２６】
また本発明の請求項９に係るセラミックス回路基板は、請求項７又は８に記載のセラミックス回路基板の製造方法にて製造して成ることを特徴とするものである。
【００２７】
これにより、導体回路間の絶縁性に優れ、後加工において無電解ニッケル−金めっきを施す際にもブリッジが発生することがない微細ラインの導体回路が形成されたセラミックス回路基板を得ることができるものである。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００２９】
本発明では、下記（Ａ）〜（Ｅ）の工程を順次経ることにより、セラミックス基板１のメタライズを行う。
（Ａ）  粒径が１〜５００ｎｍであり、金属及び金属酸化物から選択される少なくとも一種の微粒子を含む微粒子分散層を、セラミックス基板１表面に形成する工程
（Ｂ）  微粒子分散層が形成されたセラミックス基板１を、酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液にて処理することにより、セラミックス基板１にセラミックスと金属との反応生成物３を介して接合する金属微粒子４を形成する工程（Ｃ）  セラミックス基板１に接合された金属微粒子４をめっき触媒核として、無電解めっき法により第一のめっき層５を形成する工程
（Ｄ）  第一のめっき層５が形成されたセラミックス基板１を酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液にて処理することにより、セラミックス基板１にセラミックスと金属との反応生成物を介して接合する金属被膜７を形成する工程
（Ｅ）  セラミックス基板表面に接合された金属被膜７をめっき触媒核として、無電解めっき法により、第二のめっき層８を形成する工程
第一の工程である工程（Ａ）では、セラミックス基板１に微粒子分散層を形成する。
【００３０】
使用するセラミックス基板１は特に限定しないが、例えば、アルミナ、ジルコニア、窒化アルミニウム、フェライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素、チタン酸バリウムなどの酸化物系、窒化物系、炭化物系のセラミックスや、石英、サファイア、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなどの焼成可能な単結晶や、ホウ珪酸ガラスなどの低温焼成ガラスセラミックス基板等が使用できる。
【００３１】
また微粒子分散層を形成するための微粒子としては、金属または金属酸化物から選ばれる少なくとも１種のものを用いるものであり、例えば銅又は酸化銅の微粒子を用いることができるほか、ニッケル又は酸化ニッケルの微粒子を用いることができる。
【００３２】
またこの金属又は金属酸化物の微粒子としては、粒径が１〜５００ｎｍの範囲にあるものを用いる。このような極微小の粒径を有する微粒子はそれよりも大きい粒径のものと比べて極めて高い反応性を有しており、これを用いることによって前記のようなセラミックス基板表面を粗化や感受性化することなく、セラミックス基板表面に銅やニッケル等の微粒子からなるめっきのための触媒核を形成することができ、しかも、セラミックス基板と触媒核との間の接着力は強固なものとなる。ここでこの微粒子の粒径が５００ｎｍよりも大きくなると、セラミックス基板との反応性が乏しくなって密着力が得られなくなり、しかも比表面積が小さくなることから無電解めっきの触媒核としての能力が充分に得られなくなる。また、粒径が１ｎｍより小さい金属微粒子を作るのは事実上困難であるため、この金属又は金属酸化物の粒径の下限は実質的には１ｎｍとなる。
【００３３】
このような１〜５００ｎｍという微小粒径を有する金属又は金属酸化物の微粒子は、従来から知られている適宜の方法にて作製することができる。例えば特開平３―３４２１１号公報に開示されているガス中蒸発法と呼ばれる方法では、ヘリウム等の不活性ガスを導入したチャンバ内で金属を蒸発させ、不活性ガスとの衝突により冷却され凝縮した生成直後の微粒子が孤立状態にある段階でα−テレピオール、トルエンなどの有機溶剤の蒸気を導入して微粒子表面の被覆を行うことによって銅もしくは酸化銅の微粒子が得られる。このような方法にて得られる微粒子を市販しているメーカとしては、真空冶金（株）製等が知られている。
【００３４】
金属又は金属酸化物の他の作製法としては一般に良く知られている還元法、アトマイズ法等を挙げることができ、市販しているメーカとしては日本アトマイズ加工、福田金属泊粉、同和鉱業、三井金属工業等を挙げることができる。
【００３５】
微粒子分散層は、上記のような金属又は金属酸化物の微粒子を溶剤に分散させて微粒子分散液を調製し、この微粒子分散液をセラミックス基板の表面に塗布した後乾燥して溶剤を揮散させることにより形成することができる。
【００３６】
溶剤としては特に限定しないが、微粒子の分散性や経時安定性を有し、かつセラミックス基板との充分な濡れ性を有するものを用いることが好ましく、例えばα−テレピネオール、メタノール、エタノール、水、カルビトール、メタクレゾール等を用いることが好ましい。また、セラミックス基板との濡れ性を向上するために溶剤に界面活性剤を添加しても良い。
【００３７】
微粒子分散液中における金属又は金属酸化物の微粒子の分散量は用途に応じて適当に調整することができるものであるが、通常は微粒子を均一に塗布でき、かつ焼成によって連続膜が生成されるように、０．００１〜１０質量％の範囲に調整することが好ましい。
【００３８】
このような微粒子分散液をセラミックス基板の表面に塗布するにあたっては、塗膜の厚さが１０〜１０００ｎｍとなるようにすることが好ましい。塗布方法はスピンコート法、ディップ法、スクリーン印刷法、刷毛塗り、スプレーなど様々な方法を採ることができ、セラミックス基板の一面又は両面に、全面もしくは、適宜のパターン形状に塗布することができる。
【００３９】
微粒子分散液の塗膜の乾燥は、オーブンなどを用いて行うことができる。乾燥温度は適宜設定されるが、溶剤を充分に揮散させるためには８０℃以上とすることが好ましく、また微粒子の焼結が進みすぎないように３００℃以下の温度で行うことが好ましい。
【００４０】
また、微粒子分散層を、高分子及びオリゴマーの少なくとも一方からなるからなる分散溶剤を用い、この高分子及びオリゴマーの少なくとも一方からなるマトリックス中に微粒子を分散させて構成することもできる。この場合、高分子やオリゴマーが金属や金属酸化物の微粒子の周囲に付着して微粒子の凝集を防ぐことができ、後述する微粒子分散層の焼成過程における微粒子の粒成長を抑制して、微粒子の微細な粒径を保持することができる。
【００４１】
マトリックスを構成する高分子又はオリゴマーとしては、分子の末端もしくは側鎖にシアノ基（−ＣＮ）、アミノ基（−ＮＨ３）、そしてチオール基（−ＳＨ）から選ばれた少なくとも１種の官能基を有し、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ナイロン１１等の骨格からなるものを用いることが好ましい。特に末端ジアミンポリエチレンオキサイドは、金属又は金属酸化物の微粒子の分散性が良好であるため、好適に用いることができる。またこの高分子又はオリゴマーとしては、融点もしくは軟化点が４０〜１００℃のものを用いることが好ましく、また特に制限するものではないが数平均分子量が５００〜５０００のものを用いることが好ましい。
【００４２】
微粒子を高分子及び／又はオリゴマーのマトリックス中に分散させた微粒子分散層を形成するにあたっては、まず上記のような高分子及び／又はオリゴマーを薄膜状に成形し、その表面に真空蒸着法等によって粒径１〜５００ｎｍの金属又は金属酸化物の微粒子を形成する。この蒸着した金属又は金属酸化物は微粒子になって薄膜表面に密集するが、一部の微粒子は薄膜中へ侵入して分散を始めている。必要に応じて続いて加熱することにより、微粒子の薄膜中への侵入を促進して、薄膜中に微粒子をほぼ均一に分散させる。
【００４３】
このようにして得られる、金属又は金属酸化物の微粒子が付着又は分散した高分子及び／又はオリゴマーの薄膜を、溶剤中に分散させて、高分子及び／又はオリゴマーと金属又は金属酸化物の微粒子とが分散した微粒子分散液を調製する。次いで、この微粒子分散液をセラミックス基板の表面に塗布して塗膜を形成し、この塗膜を乾燥して溶剤を揮散させることにより、高分子及び／又はオリゴマーのマトリックスと、このマトリックス中に分散された微粒子とからなる微粒子分散層を形成することができる。
【００４４】
上記溶剤としては特に限定されず、前記における溶剤中に微粒子を分散させた微粒子分散液の場合と同様のものを用いることができる。
【００４５】
微粒子分散液中における金属又は金属酸化物の微粒子や高分子又はオリゴマーの分散量は用途に応じて適宜に調整することができるものであるが、金属又は金属酸化物の微粒子の分散量については、通常は微粒子を均一に塗布でき、かつ焼成によって連続膜が生成されるように、０．０１〜８０質量％の範囲に調整することが好ましい。
【００４６】
このような微粒子分散液をセラミックス基板の表面に塗布する。この塗膜の厚さは１０〜１０００ｎｍとなるようにすることが好ましい。塗布方法はスピンコート法、ディップ法、スクリーン印刷法、刷毛塗り、スプレーなど様々な方法を採ることができ、セラミックス基板の一面又は両面に、全面もしくは、適宜のパターン形状に塗布することができる。
【００４７】
微粒子分散液の塗膜の乾燥は、オーブンなどを用いて行うことができる。乾燥温度は適宜設定されるが、溶剤を充分に揮散させるためには８０℃以上とすることが好ましく、また微粒子の焼結が進みすぎないように３００℃以下の温度で行うことが好ましい。
【００４８】
また、高分子及び／又はオリゴマーのマトリックスと、このマトリックス中に分散された微粒子にて構成される微粒子分散層は、次のようにして形成することもできる。
【００４９】
まず、高分子及び／又はオリゴマーを上記のような溶剤に溶解することによって得られたペースト状物をセラミックス基板上に塗布して薄膜を形成する。塗布方法はスピンコート法、ディップ法、スクリーン印刷法、刷毛塗り、スプレーなど様々な方法を採ることができ、セラミックス基板の一面又は両面に、全面もしくは、適宜のパターン形状に塗布することができる。
【００５０】
続いて、この薄膜の上に真空蒸着法等により、金属又は金属酸化物を形成する。この蒸着した金属又は金属酸化物は微粒子になって薄膜表面に密集するが、一部の微粒子は薄膜中へ侵入して分散を始めている。続いて加熱することにより、微粒子の薄膜中への侵入を促進して、薄膜中に微粒子をほぼ均一に分散させ、この薄膜を微粒子分散層として形成するものである。
【００５１】
次に、第二の工程（工程（Ｂ））においては、まずの微粒子分散層を酸素含有雰囲気中で焼成する。このとき、微粒子分散層中の溶媒等が揮散して、残存する微粒子２がセラミックス基板１上に分散した状態で焼き付けられる。ここで特に微粒子分散層を微粒子と高分子及び／又はオリゴマーにて構成している場合は、高分子及び／又はオリゴマーが揮散した際に、微粒子がセラミックス基板１上にほぼ均一に分散される。
【００５２】
焼成によりセラミックス基板１上に焼き付けられた微粒子２は、微粒子分散層中の微粒子として金属の微粒子を用いている場合は、酸素含有雰囲気で酸化されることにより、金属酸化物又は金属と金属酸化物との混合物となり、また微粒子分散層中の微粒子として金属酸化物の微粒子を用いている場合には、金属酸化物のままとなる。従って、焼成によりセラミックス基板１上に焼き付けられた微粒子２は、金属酸化物又は金属と金属酸化物との混合物から構成され、この微粒子２がセラミックス基板１の表面に分散した状態となる。
【００５３】
またこの焼成過程においては、セラミックス基板１に焼き付けられた微粒子２は、微粒子２中の金属とセラミックスとの反応生成物３を介してセラミックス基板１に接合される。このとき図１（ａ）に示すように、微粒子２とセラミックス基板１との界面において、微粒子２中の金属とセラミックス基板１を構成するセラミックスとが反応して、固溶体又は金属間化合物からなる反応生成物３が生成し、この反応生成物３によって微粒子２がセラミックス基板１に対して接合されるものである。例えば微粒子分散層を形成するための微粒子として銅又は酸化銅からなるものを用い、セラミックス基板１としてアルミナ焼結体からなるものを用いると、焼成後はセラミックス基板１上に酸化銅又は銅と酸化銅とからなる微粒子２が分散した状態となり、更に、微粒子２とセラミックスとの界面に反応生成物３としてＣｕＡｌ２Ｏ４もしくはＣｕＡｌＯ２が生成して、この反応生成物３によって微粒子２がセラミックス基板１に接合される。
【００５４】
この焼成にて形成される反応生成物３中には、不安定な結晶構造を有する化合物を含有させることが好ましく（その理由は後述する工程（Ｃ）の説明において詳述する）、そのためには、微粒子分散層の焼成はベルト炉などを用いて、好ましくは焼成温度４００〜８００℃、焼成時間１０〜６０分間の条件で、空気中で行うものである。この焼成温度が４００℃に満たないと反応生成物３が生成されにくくなって、微粒子２とセラミックス基板１との間の接合強度が十分に得られなくおそれがあり、また焼成温度が８００℃を超えると反応生成物３中に不安定な結晶構造を有する化合物が生成されにくくなる。
【００５５】
次いで、セラミックス基板１を還元性溶液に浸漬するなどして、微粒子２が接合された面を還元性溶液にて処理することにより、セラミックス基板１に接合されている金属酸化物又は金属と金属酸化物とからなる微粒子２を還元し、金属微粒子４とする。還元性溶液としては特に限定するものではなく、金属酸化物を金属に還元することができる適宜のものを用いることができ、例えば、水素化ホウ素塩水溶液、次亜リン酸水溶液等を用いることができる。
【００５６】
このようにすると、図１（ｂ）に示すように、セラミックス基板１の表面には、微粒子分散層が形成されていた領域に、反応生成物３を介してセラミックス基板１に強固に接合された多数の金属微粒子４が、セラミックス基板１にほぼ均一に分散かつ固着された状態で形成される。
【００５７】
次に、第３の工程（工程（Ｃ））においては、セラミックス基板１の表面に接合された金属微粒子４をめっき触媒核として、無電解めっき法により、第一のめっき層５を形成する。
【００５８】
すなわち、このセラミックス基板１を無電解金属めっき液に浸漬すると、セラミックス基板１の表面の金属微粒子４がめっき触媒核として作用し、図１（ｃ）に示すように金属微粒子４が分散・結合されている領域において第一のめっき層５が選択的に形成される。このとき、金属微粒子４はほぼ均一に分散していることから、金属微粒子４が分散・結合されている領域においては第一のめっき層５の析出にばらつきが生じにくくなり、膜厚が均一な第一のめっき層５を形成することができる。しかも上記のように金属微粒子４はセラミックス基板１上に接合されているため、セラミックス基板１に粗化処理が施されていなくても金属微粒子４による反応接着によって、第一のめっき層５とセラミックス基板１との間に高い密着性が付与される。
【００５９】
このようにしてセラミックス基板１に対して無電解めっき処理を施すことにより形成される第一のめっき層５の金属は、用途や、使用する微粒子の種類等に応じて適宜選択することができるが、例えば微粒子分散層を構成する微粒子として銅又は銅酸化物を用いている場合は無電解めっき処理として無電解銅めっき処理や無電解ニッケルめっき処理等を施すことができる。また微粒子分散層を構成する微粒子としてニッケル又は酸化ニッケルを用いている場合は無電解めっき処理として無電解銅めっき処理や無電解ニッケルめっき処理を施すことができる。
【００６０】
続いて、この第一のめっき層５が形成されたセラミックス基板を酸素含有雰囲気中にて焼成する。
【００６１】
この焼成過程においては、図１（ｄ）に示すように、第一のめっき層５の表層側は金属微粒子４と一体となって、焼成により金属酸化物又は金属と金属酸化物とからなる被膜６となり、また第一のめっき層５とセラミックス基板１との界面側においては、第一のめっき層５を構成する金属とセラミックス基板１を構成するセラミックスとが反応して、固溶体又は金属間化合物からなる反応生成物３が生成する。そして、この反応生成物３によって被膜６がセラミックス基板１に対して接合される。このとき、図１（ａ）〜（ｃ）に示される金属微粒子４を固着していた反応生成物３はこの焼成過程にて生成される反応生成物３と一体となり、被膜６とセラミックス基板１との界面に層状に反応生成物３が形成される。
【００６２】
例えば第一のめっき層５として銅からなるものを用い、セラミックス基板１としてアルミナ焼結体からなるものを用いると、焼成後はセラミックス基板１上に、酸化銅又は銅と酸化銅とからなる被膜６が形成されると共に、反応生成物３としてＣｕＡｌ２Ｏ４もしくはＣｕＡｌＯ２が生成して、この反応生成物３によって被膜６がセラミックス基板１に接合される。
【００６３】
この焼成の過程においては、セラミックス基板１にはあらかじめ金属微粒子４が反応生成物３を介して接合されているので、この反応生成物３の存在によって、第一のめっき層５を構成する金属とセラミックス基板１を構成するセラミックスとの反応による反応生成物３の生成が促進されて、被膜６とセラミックス基板１との接合強度がより強固となる。特に金属微粒子４とセラミックス基板１とを接合している反応生成物３中に、前述のように不安定な結晶構造を有する化合物が含有されていると、第一のめっき層５を構成する金属とセラミックス基板１を構成するセラミックスとの反応による反応生成物３の生成が著しく促進されて、被膜６とセラミックス基板１との接合強度が更に強固なものとなる。
【００６４】
尚、図面上では、被膜６と反応生成物３、あるいはセラミックス基板１のセラミックスと反応生成物３とは、明確に分離されているようになっているが、実際には、通常、被膜６と反応生成物３との間及びセラミックスと反応生成物３との間は組成が連続的に変化し、明確な界面が形成されない。
【００６５】
次いで、セラミックス基板１を還元性溶液に浸漬するなどして、被膜６が接合された面を還元性溶液にて処理することにより、セラミックス基板１に接合されている金属酸化物又は金属と金属酸化物とからなる被膜６を還元する。このようにすると、図１（ｅ）に示すように、被膜６が還元されて得られる金属被膜７が反応生成物３を介してセラミックス基板１に強固に接合した状態で形成される。この還元性溶液は工程（Ｂ）で使用したものと同じでよく、特に限定しない。
【００６６】
次に、第４の工程（工程（Ｄ））においては、セラミックス基板１に接合して形成された金属被膜７をめっき触媒核として、無電解めっきにより、図２（ａ）に示すように第二のめっき層８を形成する。この第二のめっき層８は、第一のめっき層５と同様にして形成することができる。
【００６７】
第二のめっき層８の膜厚は、配線導体として必要な、所望の膜厚に適宜設定すれば良く、特に限定するものではない。
【００６８】
以上のように、工程（Ａ）〜（Ｄ）を経ることによりセラミックス基板１のメタライズを行うと、セラミックス基板１の表面に接合された金属微粒子４をめっき触媒核として無電解めっき処理により金属の層を形成していくことから、めっき処理の効率が高くなると共にめっき処理における金属の析出量のばらつきが抑制されて、金属の層の膜厚を容易に制御することができる。しかも、形成される金属の層は、セラミックス基板１を予め粗面化するなどの前処理を施さなくても、セラミックス基板１との界面の全体に亘って形成された反応生成物３を介して強固に接合され、また金属の層を二段階の無電解めっき処理にて形成することから、厚膜の金属の層を容易に形成することが可能となるものである。
【００６９】
ここで、工程（Ｃ）において無電解めっき処理にて形成する第一のめっき層５には次の二つの役割がある。
▲１▼焼成処理により、セラミックス基板１との界面側においてセラミックスとの接着に寄与する反応生成物３を生成する役割
▲２▼焼成処理に続く還元処理において還元されて金属被膜７となる被膜６を生成する役割
このため、第一のめっき層５の膜厚は０．１〜５μｍの範囲とすることが好ましい。この第一のめっき層５の膜厚が０．１μｍに満たない場合、前記二つの役割のうち▲１▼の割合が多くなり、相対的に▲２▼の役割が少なくなってしまうことが懸念される。このような場合、続く、工程（Ｄ）における第二のめっき層８の形成に必要なめっき触媒核が得られない恐れがある。また、第一のめっき層５の膜厚が５μｍを超える場合、前記２点の役割は両方満足するが、めっき層形成中あるいは形成後に、内部応力のためにセラミックス基板１から剥離する恐れがあり好ましくない。
【００７０】
また、工程（Ｃ）における第一のめっき層５の焼成は、上記の役割▲１▼▲２▼を充足するように雰囲気酸素濃度及び焼成温度が制御された条件で行うことが好ましく、特にベルト炉などを用いて、酸素濃度１０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍ、焼成温度８００以上、焼成時間１０〜６０分間の条件で行うことが好ましい。焼成雰囲気は、例えば窒素やアルゴンガスといった不活性ガス中に所定濃度の酸素を混入させたものとすることができる。
【００７１】
上記の焼成温度が８００℃に満たないと反応生成物３による接着強度が十分に得られないおそれがある。また焼成は第一のめっき層５が溶融しない条件で行うことが好ましく、このため焼成を第一のめっき層５を構成する金属の融点未満（銅の場合は１０８３℃未満）の温度で行うことが好ましい。また上記の焼成時の雰囲気中の酸素濃度が１０ｐｐｍに満たないと反応生成物３の生成が十分になされず、▲１▼の役割を十分に果たせなくなるおそれがあり、またこの酸素濃度が５００ｐｐｍを超えると第一のめっき層５とセラミックスとの反応が進行しすぎて、被膜６の生成量が低減し、▲２▼の役割が十分に果たせなくなるおそれがある。
【００７２】
上記のようにしてメタライズされたセラミックス基板１に導体回路１０を形成することにより、セラミックス回路基板１１を作製することができる。セラミックス基板１に導体回路１０を形成するにあたっては、次に示すような、いわゆるフォトエッチング法を適用することができる。
【００７３】
まず、上記のメタライズ方法においてセラミックス基板１の一面又は両面の全面に亘って金属被膜７及び第二のめっき層８を形成しておき、このセラミックス基板１の第二のめっき層８の全面をレジスト膜で被覆する。レジスト膜は紫外線硬化性樹脂からなるドライフィルムやレジストインク等により形成することができる。次いで、透明部分が所望の導体回路１０のネガパターン状に形成された製造用フィルム（ネガフィルム）をレジスト膜の上方に配置し、紫外線露光ランプを照射して露光することによりレジスト膜の露光部分を硬化させる。
【００７４】
露光後、ネガフィルムを取り除き、アルカリ性溶液等にて処理するなどしてレジスト膜の非露光部分を現像して除去する。このときセラミックス基板１には図２（ｂ）に示すように、硬化したレジスト膜９が、所望の導体パターンと同一形状に残存する。
【００７５】
次に、エッチング液を用いてセラミックス基板１の表面を処理することにより、図２（ｃ）に示すように、レジスト膜９にて被覆されていない金属被膜７及び第二のめっき層８を金属微粒子４ごと除去し、残存する金属被膜７及び第二のめっき層８によって所望の導体パターンを有する導体回路１０を形成する。このとき微粒子分散層を形成するための微粒子として銅又は酸化銅、あるいはニッケル又は酸化ニッケルを用い、第一のめっき層５及び第二のめっき層８として無電解銅めっき層又は無電解ニッケルめっき層にて形成していると、銅又はニッケルにて構成される金属被膜７及び第二のめっき層８がエッチングにて除去されることとなり、エッチング処理によって金属被膜７及び第二のめっき層８を確実に除去し、導体回路１０間における金属の残存を確実に防止することができる。尚、反応生成物３はエッチングにて除去されずにセラミックス基板１に残存する。
【００７６】
ここで、エッチング液としてはエッチング処理にて除去される金属被膜７及び第二のめっき層８を構成する金属に応じて適宜のものを用いることができ、例えば金属被膜７及び第二のめっき層８として銅から構成されるものを形成している場合は、例えば塩化第二鉄、塩化第二銅水溶液などのような銅のエッチング液を用いることができる。
【００７７】
また、金属微粒子４、第一のめっき層６及び第二のめっき層８を、同一の金属にて形成することにより、セラミックス基板１に同一の金属のみからなる金属の層を形成すると、エッチング処理時におけるエッチング処理として、その金属をエッチング処理するのに最適なエッチング液を選択し、エッチング処理を効率よく行うようにすることができる。例えば微粒子分散層として銅及び酸化銅から選択される微粒子を含むものを形成し、第一のめっき層６と第二のめっき層８を共に無電解銅めっき処理により形成することにより、金属の層を銅のみにて形成したり、あるいは微粒子分散層としてニッケル及び酸化ニッケルから選択される微粒子を含むものを形成し、第一のめっき層６と第二のめっき層８を共に無電解ニッケルめっき処理により形成することにより、金属の層をニッケルのみにて形成した場合に、各金属をエッチング処理するのに最適なエッチング液を選択し、エッチング処理を効率よく行うようにすることができるものである。
【００７８】
続いて、図２（ｄ）に示すように、回路パターン上に被覆しているレジスト膜９を例えばジクロロメタン等の溶剤を用いて除去する。
【００７９】
このようにすると、セラミックス基板１上に所望の導体パターンを有する導体回路１０が形成されたセラミックス回路基板１１が形成される。このようにしてセラミックス回路基板１１を形成すると、セラミックス基板１上における導体回路１０間では金属被膜７及び第二のめっき層８がエッチングにより除去されているため、導体回路１０間に金属が残存するようなことがなく、従って、導体回路１０を回路の幅（ライン幅）や回路間の間隔（スペース幅）が小さい微細パターンとして形成しても、導体回路１０間の絶縁不良やブリッジの発生は起こらないものである。
【００８０】
このセラミックス回路基板１１には必要に応じて、後工程として、導体回路１０に無電解ニッケル−金めっき（第二のめっき層８の金属がニッケルの場合は金めっき）を施すことができる。このような金めっきや無電解ニッケル−金めっき処理を施す場合であっても、セラミックス基板１上における導体回路１０間ではめっき触媒核となる金属微粒子４がエッチングにより除去されているため、導体回路１０間にめっき層が形成されるようなことがなく、導体回路１０を微細パターンとして形成しても、導体回路１０間の絶縁不良やブリッジの発生は起こらないものである。
【００８１】
また、セラミックス基板１上に導体回路１０を形成するにあたっては、図３，４に示すように、上記の工程（Ａ）〜（Ｄ）よりなるメタライズ工程において、セラミックス基板１の表面に微粒子分散層を、スクリーン印刷などの手法により所望の導体回路の導体パターン形状に形成して、非導電パターン部分には微粒子分散層を形成しないようにしても良い（図３（ａ）参照）。図３（ｂ）〜図４（ｂ）に示される各工程では、微粒子分散層の形成時に導体パターン形状に形成している以外は、図１（ａ）〜図２（ａ）に示される各工程と同様の操作がなされている。
【００８２】
この場合は、めっき触媒核となる金属微粒子４がセラミックス基板１の表面に導体パターン形状に形成され、図３（ｃ）に示すように、第一の無電解めっき処理においてこの金属微粒子４が分散・結合されている領域に選択的に第一のめっき層５が形成されることとなって、図４（ｂ）に示すように第二の無電解めっき処理後のセラミックス基板に金属被膜７及び第二のめっき層８からなる導体回路１０が形成されるものである。このため、上記のようなエッチング処理を施すことなく図４（ｂ）に示すようにセラミックス基板１に導体回路１０を形成してセラミックス回路基板１１を得ることができるものである。
【００８３】
このようにしてセラミックス回路基板１１を形成する場合であっても、セラミックス基板１上における導体回路１０間では元々めっき触媒核となる金属微粒子４が形成されておらず、第一のめっき層５及び第二のめっき層８が形成されることがないものであり、従って、導体回路１０を回路の幅（ライン幅）や回路間の間隔（スペース幅）が小さい微細パターンとして形成しても、導体回路１０間の絶縁不良やブリッジの発生は起こらないものである。
【００８４】
また、このように形成されるセラミックス回路基板１１においても、必要に応じて、後工程として、導体回路１０に金めっきや無電解ニッケル−金めっきを施すことができるが、このような金めっきや無電解ニッケル−金めっき処理を施す場合であっても、導体回路１０間にめっき層が形成されるようなことがなく、導体回路１０を微細パターンとして形成しても、導体回路１０間の絶縁不良やブリッジの発生は起こらないものである。
【００８５】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって詳述する。
【００８６】
（実施例１）
ガス中蒸発法と呼ばれる方法によって製造された粒径が５ｎｍの銅微粒子を用い、この銅微粒子を０．５質量％の濃度でエタノール中に分散させて微粒子分散液を調製した。
【００８７】
また、セラミックス基板として９６％アルミナ焼結体からなるセラミックス基板を用いた。
【００８８】
上記の微粒子分散液をスピンコート法にて回転数２０００ｒｐｍの条件でセラミックス基板表面に塗布した後、セラミックス基板をオーブン中にて１５０℃で２０分間乾燥させることにより溶剤を揮散させ、微粒子分散層を形成した。
【００８９】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間１０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【００９０】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【００９１】
続いて、この第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素濃度１００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【００９２】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚１０μｍの第二のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【００９３】
上記セラミックス基板の表面のめっき層全面をレジストインク（東京応化工業製；「感光樹脂  ＰＯ−２」）にて被覆してレジスト膜を形成した後、このレジスト膜の上方にネガフィルムを配置し、紫外線露光ランプを照射して露光することにより硬化させ、非露光部分を現像して除去した。更に塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング処理を施して、非導電パターンのめっき層を除去し、残存するめっき層にて導体回路を形成した。次いで、ジクロロメタンにて処理することにより導体回路上のレジスト膜を除去することにより、ライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセラミックス回路基板を形成した。
【００９４】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【００９５】
（実施例２）
ガス中蒸発法と呼ばれる方法によって製造された粒径が４００ｎｍの銅微粒子を用い、この銅微粒子を０．５質量％の濃度でエタノール中に分散させて微粒子分散液を調製した。
【００９６】
また、セラミックス基板として９６％アルミナ焼結体からなるセラミックス基板を用いた。
【００９７】
そして、実施例１と同様の手順により、セラミックス基板上に微粒子分散層を形成した。
【００９８】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度８００℃、最高温度での処理時間３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【００９９】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【０１００】
続いて、この第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１０１】
そして、実施例１と同様の手順により、セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセラミックス回路基板を形成した。
【０１０２】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１０３】
（実施例３）
末端ジアミンポリエチレンオキサイド（サイエンスポリマープロダクト社製；融点４２．８℃、数平均分子量４０００）を膜厚８００ｎｍの薄膜に調整し、その表面に銅を真空蒸着することによって粒径が５ｎｍの銅の微粒子を形成した。ここで薄膜と微粒子の総量に対する微粒子の割合が１０質量％となるようにした。
【０１０４】
この銅の微粒子が形成された薄膜を、銅の微粒子の濃度が０．５質量％となるようにエタノールに溶解して微粒子分散液を調製した。
【０１０５】
得られた微粒子分散液を用い、９６％アルミナ焼結体からなるセラミックス基板に実施例１と同様の手順により、セラミックス基板上に微粒子分散層を形成した。
【０１０６】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１０７】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【０１０８】
続いて、この第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度９００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１０９】
そして、実施例１と同様の手順により、セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセラミックス回路基板を形成した。
【０１１０】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１１１】
（実施例４）
実施例３と同様にして得られる微粒子分散液を用い、９６％アルミナ焼結体からなるセラミックス基板表面にスクリーン印刷法で、ライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの導体回路の導体パターンと２ｍｍ角パターン形状に塗布した。
【０１１２】
このセラミックス基板をオーブン中１５０℃で２０分間乾燥させることにより溶剤を揮散させ、微粒子分散層を形成した。
【０１１３】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度４００℃、最高温度での処理時間６０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１１４】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【０１１５】
続いて、この第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素濃度３００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度８００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１１６】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚１０μｍの第二のめっき層をセラミックス基板に形成した。このときめっき層は導体パターン状に形成され、このめっき層によってセラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路が形成されて、セラミックス回路基板を得た。
【０１１７】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１１８】
（実施例５）
実施例３と同様にして得られる微粒子分散液を、９６％アルミナ焼結体からなるセラミックス基板表面にスクリーン印刷法で、ライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの導体回路の導体パターンと２ｍｍ角パターン形状に塗布した。
【０１１９】
このセラミックス基板をオーブン中１５０℃で２０分間乾燥させることにより溶剤を揮散させ、微粒子分散層を形成した。
【０１２０】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度６００℃、最高温度での処理時間３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１２１】
続いて、無電解ニッケルめっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【０１２２】
続いて、この第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素濃度１００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１２３】
続いて、無電解ニッケルめっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚１０μｍの第二のめっき層をセラミックス基板に形成した。このときめっき層は導体パターン状に形成され、このめっき層によってセラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路が形成されて、セラミックス回路基板を得た。
【０１２４】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１２５】
（実施例６）
末端ジアミンポリエチレンオキサイド（サイエンスポリマープロダクト社製；融点４２．８℃、数平均分子量４０００）を膜厚８００ｎｍの薄膜に調整し、その表面にニッケルを真空蒸着することによって粒径が１０ｎｍのニッケルの微粒子を形成した。ここで薄膜と微粒子の総量に対する微粒子の割合が１０質量％となるようにした。
【０１２６】
このニッケルの微粒子が形成された薄膜を、ニッケルの微粒子の濃度が０．５質量％となるようにエタノールに溶解して微粒子分散液を調製した。
【０１２７】
得られた微粒子分散液を９６％アルミナ焼結体からなるセラミックス基板に、スクリーン印刷法で、ライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの導体回路の導体パターンと２ｍｍ角パターン形状に塗布した。
【０１２８】
このセラミックス基板をオーブン中１５０℃で２０分間乾燥させることにより溶剤を揮散させ、微粒子分散層を形成した。
【０１２９】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度８００℃、最高温度での処理時間２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１３０】
続いて、無電解ニッケルめっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【０１３１】
続いて、この第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１３２】
続いて、無電解ニッケルめっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚１０μｍの第二のめっき層をセラミックス基板に形成した。このときめっき層は導体パターン状に形成され、このめっき層によってセラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路が形成されて、セラミックス回路基板を得た。
【０１３３】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１３４】
（実施例７）
実施例１と同様にして得られる微粒子分散液を用い、窒化アルミ焼結体からなるセラミックス基板に実施例１と同様の手順により、セラミックス基板上に微粒子分散層を形成した。
【０１３５】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１３６】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【０１３７】
続いて、この第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１３８】
そして、実施例１と同様の手順により、セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセラミックス回路基板を形成した。
【０１３９】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１４０】
（実施例８）
実施例３と同様にして得られる微粒子分散液を用い、９９％アルミナ焼結体からなるセラミックス基板に実施例１と同様の手順により、セラミックス基板上に微粒子分散層を形成した。
【０１４１】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１４２】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【０１４３】
続いて、この第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１４４】
そして、実施例１と同様の手順により、セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセラミックス回路基板を形成した。
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１４５】
（実施例９）
実施例３と同様にして得られる微粒子分散液を用い、炭化珪素焼結体からなるセラミックス基板に実施例１と同様の手順により、セラミックス基板上に微粒子分散層を形成した。
【０１４６】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度８００℃、最高温度での処理時間２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１４７】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【０１４８】
続いて、この第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素濃度３００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１４９】
そして、実施例１と同様の手順により、セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセラミックス回路基板を形成した。
【０１５０】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１５１】
（実施例１０）
実施例１と同様にして得られる微粒子分散液を用い、石英ガラス基板に実施例１と同様の手順により、微粒子分散層を形成した。
【０１５２】
続いて石英ガラス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度６００℃、最高温度での処理時間２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１５３】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミックス基板に形成した。
【０１５４】
続いて、この第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素濃度４００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度８００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１５５】
その後は、実施例１と同様の手順により、石英ガラス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路を形成して石英ガラス回路基板を得た。
【０１５６】
この石英ガラス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層と石英ガラス基板との良好な密着性が確認された。また、石英ガラス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、石英ガラス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１５７】
（実施例１１）
実施例１と同様にして得られる微粒子分散液を用い、サファイア基板に実施例１と同様の手順により、微粒子分散層を形成した。
【０１５８】
続いてサファイア基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このサファイア基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１５９】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のサファイア基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をサファイア基板に形成した。
【０１６０】
続いて、この第一のめっき層が形成されたサファイア基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このサファイア基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１６１】
その後は、実施例１と同様の手順により、サファイア基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路を形成してサファイア回路基板を得た。
【０１６２】
このサファイア回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とサファイア基板との良好な密着性が確認された。また、サファイア回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、サファイア基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１６３】
（実施例１２）
実施例１と同様にして得られる微粒子分散液を用い、ニオブ酸リチウム基板に実施例１と同様の手順により、ニオブ酸リチウム基板上に微粒子分散層を形成した。
【０１６４】
続いてニオブ酸リチウム基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度６００℃、最高温度での処理時間６０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このニオブ酸リチウム基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１６５】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のニオブ酸リチウム基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をニオブ酸リチウム基板に形成した。
【０１６６】
続いて、この第一のめっき層が形成されたニオブ酸リチウム基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度９００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１６７】
その後は、実施例１と同様の手順により、ニオブ酸リチウム基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路を形成してニオブ酸リチウム回路基板を得た。
【０１６８】
このニオブ酸リチウム回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とニオブ酸リチウム基板との良好な密着性が確認された。また、ニオブ酸リチウム回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、ニオブ酸リチウム基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１６９】
（実施例１３）
実施例１と同様にして得られる微粒子分散液を用い、低温焼成ガラスセラミックス基板に実施例１と同様の手順により、低温焼成ガラスセラミックス基板上に微粒子分散層を形成した。
【０１７０】
続いて低温焼成ガラスセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度５００℃、最高温度での処理時間３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、この低温焼成ガラスセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１７１】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記の低温焼成ガラスセラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層を低温焼成ガラスセラミックス基板に形成した。
【０１７２】
続いて、この第一のめっき層が形成された低温焼成ガラスセラミックス基板を酸素濃度５００ｐｐｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度７００℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、この低温焼成ガラスセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１７３】
その後は、実施例１と同様の手順により、低温焼成ガラスセラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路を形成して低温焼成ガラスセラミックス回路基板を得た。
【０１７４】
この低温焼成ガラスセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層と低温焼成ガラスセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、低温焼成ガラスセラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、低温焼成ガラスセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１７５】
（比較例１）
ガス中蒸発法と呼ばれる方法によって製造された粒径が５ｎｍの銅微粒子を用い、この銅微粒子を０．５質量％の濃度でエタノール中に分散させて微粒子分散液を調製した。
【０１７６】
また、セラミックス基板として９６％アルミナ焼結体からなるセラミックス基板を用いた。
【０１７７】
上記の微粒子分散液をスピンコート法にて回転数２０００ｒｐｍの条件でセラミックス基板表面に塗布した後、セラミックス基板をオーブン中１５０℃で２０分間乾燥させることにより溶剤を揮散させ、微粒子分散層を形成した。
【０１７８】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間１０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１７９】
続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基板を浸漬して膜厚１０μｍのめっき層をセラミックス基板に形成した。
【０１８０】
上記セラミックス基板の表面のめっき層全面をレジストインク（東京応化工業製；「感光樹脂  ＰＯ−２」）にて被覆してレジスト膜を形成した後、このレジスト膜の上方にネガフィルムを配置し、紫外線露光ランプを照射して露光することにより硬化させ、非露光部分を現像して除去した。更に塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング処理を施して、非導電パターンのめっき層を除去し、残存するめっき層にて導体回路を形成した。次いで、ジクロロメタンにて処理することにより導体回路上のレジスト膜を除去することにより、ライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路を有するセラミックス回路基板を形成した。
【０１８１】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、２０Ｎ（２ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以下の接着強度を示し、めっき層とセラミックス基板との密着性が不充分であることが確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１８２】
（比較例２）
比較例１と同様にして得られる微粒子分散液を用い、窒化アルミ焼結体からなるセラミックス基板に、比較例１と同様の手順にて微粒子分散層を形成した。
【０１８３】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１８４】
その後は、比較例１と同様の手順により、セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路を形成してセラミックス回路基板を得た。
【０１８５】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、２０Ｎ（２ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以下の接着強度を示し、めっき層とセラミックス基板との密着性が不充分であることが確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１８６】
（比較例３）
比較例１と同様にして得られる微粒子分散液を用い、９９％アルミナ焼結体からなるセラミックス基板に、比較例１と同様の手順にて微粒子分散層を形成した。
【０１８７】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１８８】
その後は、比較例１と同様の手順により、セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路を形成してセラミックス回路基板を得た。
【０１８９】
このセラミックス回路基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、２０Ｎ（２ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以下の接着強度を示し、めっき層とセラミックス基板との密着性が不充分であることが確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。
【０１９０】
（比較例４）
微粒子径１，０００ｎｍの銅の微粒子を用い、この微粒子を０．５質量％の濃度でエタノール中に分散させて微粒子分散液を調製した。
【０１９１】
また、セラミックス基板として９６％アルミナ焼結体からなるセラミックス基板上に比較例１と同様に微粒子分散層を形成した。
【０１９２】
続いてセラミックス基板を空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度８００℃、最高温度での処理時間３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。
【０１９３】
その後は、比較例１と同様の手順により、セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路を形成してセラミックス回路基板を得た。
【０１９４】
このセラミックス回路基板に対して実施例１と同様のテープ剥離試験を行ったところ、めっき層に剥離が観察され、めっき層とセラミックス基板との密着性が不充分であることが確認された。
【０１９５】
以上の結果を表１にまとめて示す。
【０１９６】
【表１】
0003610050.tif 000002
【０１９７】
【発明の効果】
上記のように本発明に係るセラミックス基板のメタライズ方法は、（Ａ）粒径が１〜５００ｎｍであり、金属及び金属酸化物から選択される少なくとも一種の微粒子を含む微粒子分散層を、セラミックス基板表面に形成する工程、（Ｂ）微粒子分散層が形成されたセラミックス基板を、酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液にて処理することにより、セラミックス基板にセラミックスと金属との反応生成物を介して接合する金属微粒子を形成する工程、（Ｃ）セラミックス基板に接合された金属微粒子をめっき触媒核として、無電解めっき法により第一のめっき層を形成する工程、（Ｄ）第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液にて処理することにより、セラミックス基板にセラミックスと金属との反応生成物を介して接合する金属被膜を形成する工程、並びに（Ｅ）セラミックス基板表面に接合された金属被膜をめっき触媒核として、無電解めっき法により、第二のめっき層を形成する工程からなるため、微粒子分散層の焼成後にセラミックス基板の表面にめっき触媒核となる金属微粒子がほぼ均一に分散された状態で接合されることとなって、無電解めっき処理による第一のめっき層の析出性が高くなると共に第一のめっき層の析出量のばらつきの発生が抑制されて無電解めっき処理によって形成される第一のめっき層の膜厚を容易に制御することができる。
【０１９８】
また、第一のめっき層の焼成・還元により形成される金属被膜をめっき触媒核として第二のめっき層を形成することにより、無電解めっき処理による第二のめっき層の析出性が高くなると共に第二のめっき層の析出量のばらつきの発生が抑制されて無電解めっき処理によって形成される第二のめっき層の膜厚を容易に制御することができ、これにより金属被膜と第二のめっき層からなる金属の層の厚みを用に制御することができると共に、厚膜の金属の層を容易に形成することが可能となる。
【０１９９】
しかも、形成される金属の層は、セラミックス基板を予め粗面化するなどの前処理を施さなくても、微粒子分散層の焼成時と第一のめっき層の焼成時に形成された反応生成物を介して、セラミックス基板との界面の全体に亘って強固に接合され、高い接合強度を有するものである。
【０２００】
上記工程（Ａ）における微粒子としては、銅及び酸化銅のうちの少なくとも１種を用いることができ、またニッケル及び酸化ニッケルのうちの少なくとも１種を用いることもできる。
【０２０１】
また、上記工程（Ａ）における微粒子分散層の分散溶媒として、高分子及びオリゴマーのマトリックスのうちの少なくとも１種を用いると、微粒子分散層中に微粒子を容易に分散させることができて、微粒子分散層を焼成して得られるめっき触媒核となる金属の微粒子を、セラミックス基板上にほぼ均一に分散させて形成することが容易となると共に、微粒子分散層の焼成過程における微粒子の粒成長を抑制して、微粒子の微細な粒径を保持することができ、第一のめっき層の膜厚の制御を更に容易に行うことができるものである。
【０２０２】
上記工程（Ｃ）にて形成される第一のめっき層と工程（Ｅ）にて形成される第二のめっき層のうちの少なくとも一方を、無電解銅めっき法により形成することができ、また第一のめっき層と工程（Ｅ）にて形成される第二のめっき層のうちの少なくとも一方を、無電解ニッケルめっき法により形成することもできる。
【０２０３】
また本発明に係るセラミックス回路基板の製造方法は、上記のようなセラミックス基板のメタライズ方法により製造されるメタライズドセラミックス基板に、エッチング工法により導体回路を形成するものであり、セラミックス基板に予め粗面化処理等を行わなくても、膜厚が制御されると共にセラミックス基板との密着性が高い導体回路を形成することができるものである。またエッチング処理が施された部分においては金属の層を容易に除去することができて、この部分には金属が残留しないようにすることができ、導体回路間にめっき層が形成されたり金属微粒子が残存したりするようなことがなく、従って、導体回路を微細パターンとして形成した場合であっても導体回路間の絶縁不良やブリッジの発生が起こらないようにすることができるものである。
【０２０４】
また本発明に係る他のセラミックス回路基板の製造方法は、上記のようなセラミックス基板のメタライズ方法において、工程（Ａ）にて微粒子分散層を所望の導体回路パターン状に形成することにより、無電解めっき処理後に得られる第一のめっき層及び第二のめっき層が、所望の導体回路パターンとなるように形成するものであり、セラミックス基板に予め粗面化処理等を行わなくても、膜厚が制御されると共にセラミックス基板との密着性が高い導体回路を形成することができるものである。また、セラミックス基板上における導体回路間では元々めっき触媒核となる金属微粒子が形成されず、めっき層が形成されることがないものであり、従って、導体回路を微細パターンとして形成しても、導体回路間の絶縁不良やブリッジの発生は起こらないようにすることができるものである。
【０２０５】
また本発明に係るセラミックス回路基板は、上記のようなセラミックス回路基板の製造方法により製造されるものであるため、膜厚が制御されると共にセラミックス基板との密着性が高い導体回路が形成され、また導体回路を微細パターンとして形成した場合であっても導体回路間の絶縁不良やブリッジの発生が起こらないようにすることができるものであり、また後工程として、導体回路に無電解ニッケル−金めっき等を施す場合であっても、セラミックス基板上における導体回路間ではめっき層が形成されるようなことがなく、導体回路を微細パターンとして形成しても、導体回路間の絶縁不良やブリッジの発生が起こらないようにすることができるものである
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）は粒子分散層が形成されたセラミックス基板を空気雰囲気下にて焼成して、セラミックス基板表面に微粒子を反応接着させた状態を示す断面図、（ｂ）はセラミックス基板上に反応接着された微粒子を還元して金属微粒子とした粒子にした状態を示す断面図、（ｃ）はセラミックス基板を無電解めっき液に浸漬し、金属微粒子を触媒として第一のめっき膜を作製した状態を示す断面図、（ｄ）は第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を、酸素濃度が制御された雰囲気下にて焼成して、セラミックス表面に被膜を焼き付けた状態を示す断面図、（ｅ）はセラミックス基板に焼き付けられた被膜を還元して、セラミックス表面に焼き付いた金属被膜を形成した状態を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）はセラミックス表面に焼き付いた金属被膜を触媒として第二のめっき層を作製した状態を示す断面図、（ｂ）はセラミックス基板上に形成された金属の層にレジスト膜を形成した後、導体回路形成部分以外のレジスト膜を除去し、残存するレジスト膜で導体回路形成部分を被覆した状態を示す断面図、（ｃ）はセラミックス基板上に形成された金属の層の導体回路形成部分以外の金属をエッチングにより除去した状態を示す断面図、（ｄ）は（ｃ）におけるレジスト膜を除去して、微細ラインを有するセラミックス回路基板を形成した状態を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、（ａ）及び（ｂ）は粒子分散層が形成されたセラミックス基板を空気雰囲気下にて焼成して、セラミックス基板表面に微粒子を反応接着させた状態を示す断面図、（ｃ）はセラミックス基板上に反応接着された微粒子を還元して金属微粒子とした粒子にした状態を示す断面図、（ｄ）はセラミックス基板を無電解めっき液に浸漬し、金属微粒子を触媒として第一のめっき膜を作製した状態を示す断面図、（ｅ）は第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を、酸素濃度が制御された雰囲気下にて焼成して、セラミックス表面に被膜を焼き付けた状態を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、（ａ）はセラミックス基板に焼き付けられた被膜を還元して、セラミックス表面に焼き付いた金属被膜を形成した状態を示す断面図、（ｂ）はセラミックス表面に焼き付いた金属被膜を触媒として第二のめっき層を作製した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１  セラミックス基板
３  反応生成物
４  金属微粒子
５  第一のめっき層
７  金属被膜
８  第二のめっき層
９  レジスト膜
１０  導体回路
１１  セラミックス回路基板
【図１】
0003610050.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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