(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
約１５６５〜１６２５ｎｍの波長領域における光信号放射の増幅に適合するＥｒドープされたファイバ増幅器を含む物品であって、
前記増幅器は、入力を有する長さＬのＥｒドープされた光ファイバと、前記光信号放射およびポンプ光を前記Ｅｒドープされた光ファイバに結合させるための単数または複数のカプラとを含み、
前記増幅器は、前記長さＬのＥｒドープされた光ファイバ中に配置された無反射の光フィルタ手段をさらに含み、前記光フィルタ手段は、４００ｄＢ・ｎｍよりも大きい性能指数（ＦＯＭ）を前記増幅器に提供するように選択され、前記性能指数は、１５２０〜１５６５ｎｍの波長領域に亘るＦＬ（λ）の積分であり、ＦＬ（λ）は、前記長さＬのＥｒドープされた光ファイバにおける前記光フィルタ手段による波長λにおける全損失であることを特徴とする物品。
【請求項２】
前記光フィルタ手段は、前記１５２０〜１５６５ｎｍの波長領域において波長依存吸収を提供するように選択されることを特徴とする請求項１記載の物品。
【請求項３】
前記光フィルタ手段は、前記１５２０〜１５６５ｎｍの波長領域においてフィルタリングを提供するように選択された少なくとも１つの個別のフィルタエレメントを含むことを特徴とする請求項１記載の物品。
【請求項４】
前記少なくとも１つの個別のフィルタエレメントは、ブレーズドブラッグフレーティング、長周期ファイバグレーティング、誘電性フィルタ、ヒューズドファイバカプラ、およびヒューズドバイコニックファイバカプラからなるフィルタエレメントのグループから選択されることを特徴とする請求項３記載の物品。
【請求項５】
前記少なくとも１つの個別のフィルタエレメントが、ブレーズドブラッググレーティングであることを特徴とする請求項３記載の物品。
【請求項６】
前記Ｅｒドープされたファイバ増幅器が、入力段を有する多段ファイバ増幅器であり、前記光フィルタ手段が、前記入力段に配置されていることを特徴とする請求項１記載の物品。
【請求項７】
前記光フィルタ手段が、１５２０〜１５６５ｎｍの波長領域において、波長依存吸収を提供するように選択された分散型フィルタ手段をさらに含むことを特徴とする請求項３記載の物品。
【請求項８】
前記ＦＯＭが５００ｄＢ・ｎｍよりも大きいことを特徴とする請求項１記載の物品。
【請求項９】
前記光フィルタ手段が、２つ以上の個別のフィルタエレメントを含むことを特徴とする請求項３記載の物品。
【請求項１０】
前記２つ以上の個別のフィルタエレメントが、ブレーズドブラッググレーティングであることを特徴とする請求項９記載の物品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｌバンド光ファイバ増幅器を含む物品（例えば、光ファイバ通信システムまたはそのようなシステムにおいて使用するための部品）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｅｒドープされたファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）は、光ファイバ通信システムにおいて広く使用されている。伝統的に、ＥＤＦＡは、一般にＣバンド（“Ｃ”は、“ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ（通常の）”を指す）と呼ばれる範囲の、約１５２５ｎｍから約１５６５ｎｍまでの波長範囲において使用される。
【０００３】
設置された光ファイバ（例えば、分散シフトファイバ）のかなりの割合は、４波混合のような非線形効果のために、Ｃバンド波長範囲全体におけるマルチチャネル高密度波長分割多重（ＤＷＤＭ）動作に適さない。したがって、典型的には１５６５ｎｍよりも大きい設置された光ファイバに対して上述された動作波長を含む波長範囲において動作することができる光ファイバ増幅器を利用可能にすることが望ましい。。
【０００４】
最近、約１５６５〜１６２５ｎｍの範囲におけるＥＤＦＡの使用が報告されてきた。例えば、Ｊ．Ｆ．  Ｍａｓｓｉｃｏｔｔ  等による、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  Ｖｏｌ．  ２８，  ｐｐ．  １９２４−１９２５  （１９９２）  を参照のこと。この動作範囲は、現在一般にＬバンドと呼ばれ、“Ｌ”は、“ｌｏｎｇ（長い）”を意味する。単一ＥＤＦＡにおけるＣバンドおよびＬバンドの両方での動作も、報告されている。Ｙ．  Ｓｕｎ  等による、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  （ＥＣＯＣ  ’９８），  ｐｐ．  ５３−５４  （１９９８）  を参照のこと。
【０００５】
現在のところ、ＬバンドＥＤＦＡの報告されている性能は、ＣバンドＥＤＦＡにおいて日常的に利用可能なものに対して劣っている。例えば、ＬバンドＥＤＦＡの雑音指数（ＮＦ）は、一般に、ＣバンドＥＤＦＡの場合よりも１〜２ｄＢ高く、前者の出力電力は、典型的に、後者のものよりも１から数ｄＢ低い。ＬバンドＥＤＦＡの潜在的な利点から、望ましくはＣバンドＥＤＦＡに匹敵する改善された性能を有するＬバンドＥＤＦＡを利用可能にすることが強く望まれている。本願は、そのようなＥＤＦＡを開示する。
【０００６】
図１は、通常のＥｒドープされたファイバ（ＥＤＦ）のベースモデリングパラメータを示す。符号１０および１１は、それぞれ吸収および利得を示す。ＣバンドおよびＬバンドも示されている。ファイバは、０．２３の開口数（ＮＡ）、８５０ｎｍのカットオフ波長、コアにおける９．０×１０２５イオン／ｍ３と推定されたＥｒ濃度、コア中の１２Ｍ％Ａｌ、および０．２３のＮＡを提供するための適切なＧｅを有する。図１の吸収曲線は、全てのエルビウムイオンが接地状態で測定された。利得曲線は、高い（＞３００ｍＷ）９８０ｎｍポンプパワーレベルの存在において測定された。これは、全てのＥｒイオンを励起状態（全反転）に置くことが期待される。
【０００７】
図２は、図１のファイバにより達成される可能な正味利得スペクトルを示す。これらは、次式で決定される図１の利得および損失スペクトルの全ての線形的組合せである。
【数１】
0003634708.tif 000002
ここで、ｇ＊およびαは、図１の利得および損失パラメータであり、Ｉ￣ｎｖは、ファイバの長さに沿うイオンの平均反転である。
【０００８】
ＥＤＦＡにおける低い雑音指数（ＮＦ）を得るために、実質的に全てのイオンが励起状態になければならないことが知られている。これは、図２の１００％反転利得を生成する。実際において、ＥＤＦＡの入力端の実質的な部分において、この高い反転利得形状（例えば、約１０ｄＢよりも大きな利得を生成するために十分な）を得ることが、低いＮＦを提供するために適切である。
【０００９】
図２の１００％反転曲線の利得形状は、Ｌバンドにおける場合よりもＣバンドにおいて実質的に高いことが分かる。したがって、高度に反転されたＥＤＦは、Ｌバンド全体において１０ｄＢ以上の利得を蓄積するために、十分に長い場合、Ｃバンドにおけるいくつかの波長は、非常に大きな利得（例えば、５０ｄＢ、１００ｄＢさえも）を受けることになる。実際そのような利得レベルは、以下の理由により得ることはできない。
【００１０】
この状況を分析して、Ｃバンドにおける増幅された自発放出（ＡＳＥ）は、高いパワーレベルまで蓄積し、Ｅｒイオンの実質的な割合を接地状態に導き利得を減少させかつＮＦを増大させることを発見した。また、Ｃバンドにおいて蓄積されるパワーおよびＡＳＥとして放出されるパワーは、失われて、Ｌバンドにおける信号パワーとして放出に利用可能ではなく、したがって増幅器効率を低下させる。
【００１１】
我々の分析に基づいて、ＣバンドＡＳＥは、典型的には、Ｌバンド増幅器における劣化の最大の原因であると結論づけた。
【００１２】
Ｌバンドの少なくとも一部分において動作するＥＤＦＡは、ＡＳＥフィルタを有するＥＤＦＡとして知られている。例えば、Ｍ．  Ｙａｍａｄａ  等による、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  Ｖｏｌ．  ３３（８），  Ｐ．  ７１０  （１９９７）は、１．５５μｍバンドＥＤＦＡおよび１．５８μｍバンドＥＤＦＡを並列構成で含む広帯域および利得平坦増幅器を開示する。Ｈ．  Ｏｎｏ  等による、ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  Ｖｏｌ．  ９（５），  Ｐ．  ５９６  （１９９７）は、１．５７〜１．６０μｍ波長領域において使用するための利得平坦ＥＤＦＡを開示する。
【００１３】
また、Ｙ．  Ｓｕｎ  等による、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  Ｖｏｌ．  ３３，  ｐ．  １９６５  （１９９７）  を参照のこと。ヨーロッパ特許出願  Ｎｏ．９４１１５４７９．１は、とりわけ、段間にＡＳＥフィルタを有する２段ファイバ増幅器を開示する。Ｍ．  Ｋａｋｕｉ  等による、ＯＦＣ  ’９６  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ，  ＷＦ３  は、ＷＤＭ伝送のためのＡＳＥ除去フィルタとしてチャープドファイバグレーティングを使用するＥＤＦＡを開示する。Ｊ．Ｌ．  Ｚｙｓｋｉｎｄ  等による、ＯＦＣ  ’９４  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ，  ＷＫ８  は、ＡＳＥフィルタを含むカウンターポンプされた第１段を有する２段ＥＤＦＡを開示する。米国特許第５，４０６，４１１号は、ＡＳＥフィルタを含む多段ファイバ増幅器を開示する。
【００１４】
米国特許第５，４３０，５７２号は、とりわけ、Ｃバンドにおける１５５０ｎｍの近くでの利得を助けるために約１５３０ｎｍのピークに対するＡＳＥフィルタリングを開示する。そのようなフィルタは、ローマグニチュード狭帯域デバイスである。米国特許第５，７０１，１９４号は、「隣接帯域」における信号に対するＡＳＥの差動減衰を開示する。また、これは１５５０ｎｍの近くのＣバンド利得を助けるための１５３０ｎｍ近くにおけるローマグニチュードＡＳＥフィルタリングを示す。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＣバンドＥＤＦＡに望ましくは匹敵する改善された性能を有するＬバンドＥＤＦＡ（Ｅｒドープされたファイバ増幅器）を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
ＡＳＥ蓄積の問題は、例えば図２の５０％反転曲線に対応する低い反転状態において、ＥＤＦＡを動作させることにより低減させることができる。しかし、この解決方法は、利得がＣバンドおよびＬバンドの両方において減少するので、所望の利得を得るために遙かに長いＥＤＦを使用することが必要とされる。また、この解決方法は、ＮＦを大幅に増大させることになる。明らかに、比較的低い反転におけるＥＤＦＡの動作は、このアプローチを望ましくないものにする欠点を有している。
【００１７】
我々は、ＥＤＦＡへの適切なフィルタ手段の設置が、増幅器特性を実質的に改善することができることを発見した。
【００１８】
具体的には、本発明は、１５６５〜１６２５ｎｍの波長領域における光信号の増幅に適合するＥＤＦＡを含む物品において具現化される。ここで、増幅器は長さＬのＥｒドープされた光ファイバを含む。
【００１９】
重要なことに、ＥＤＦＡは、長さＬのＥｒドープされた光ファイバ中に配置された光フィルタ手段をさらに含む。この光フィルタ手段は、４００ｄＢ・ｎｍよりも大きい良さの指数を有する増幅器を提供するように選択される。ここで、この良さ指数（性能指数，ｆｉｇｕｒｅ  ｏｆ  ｍｅｒｉｔ，ＦＯＭ）は、１５２０ｎｍから１５６５ｎｍの波長領域におけるＦＬ（λ）の積分であり、ＦＬ（λ）は、長さＬにおけるフィルタ手段による波長λにおける全損失である。
【００２０】
好ましい実施形態において、光フィルタ手段は、ＥＤＦにおいて１つまたは２つ以上の広帯域の（典型的には、Ｃバンドの実質的に全てをカバーする）かつ深い（典型的には１０ｄＢよりも大きい損失の）フィルタを含む。我々の知る限り、そのようなＥＤＦＡは、先行技術により開示または示唆されていない。
【００２１】
改善された増幅器特性が単一のブロードアンドディープフィルタ（例えば、約４０ｎｍおよび１０ｄＢ）で得ることができるが、ＦＯＭ＞４００ｄＢ・ｎｍを生じるように選択された２つ以上のフィルタをＥＤＦの異なる場所に配置することにより、さらによい結果がしばしば得られる。
【００２２】
１つまたは２つ以上の個別フィルタを含む光フィルタ手段が現在のところ好ましいが、本発明はこれに限定されない。例えば、分散型フィルタ手段も可能であり、考察されている。そのような分散型フィルタ手段は、１５２０〜１５６５ｎｍ波長領域において波長依存吸収を提供するように選択される。個別フィルタエレメントは、ブレーズドブラッググレーティング（ｂｌａｚｅｄ  Ｂｒａｇｇ  ｇｒａｔｉｎｇ）、反射モードコンバータ、誘電性フィルタ、ヒューズドファイバカプラおよびヒューズドバイコニックファイバカプラ（ｆｕｓｅｄ  ｂｉｃｏｎｉｃ  ｆｉｂｅｒ  ｃｏｕｐｌｅｒ）からなるフィルタエレメントのグループから例えば選択される。そのようなフィルタエレメントは、当業者に知られている。光フィルタ手段は、個別フィルタ手段と分散型フィルタ手段との組合せであってもよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の重要な側面は、４００ｄＢ・ｎｍよりも大きいＦＯＭを有する増幅器を提供するように選択されたＥｒドープされたファイバにおけるフィルタ手段を提供することである。ここで、ＦＯＭは、１５２０〜１５６５ｎｍの波長領域におけるＦＬ（λ）の積分であり、ＦＬ（λ）はＥｒドープされたファイバの長さＬにおける光フィルタ手段によるλにおける全損失である。
【００２４】
ＦＯＭは、次式で表現することもできる。
【数２】
0003634708.tif 000003
上記の表現は、ｄＢで表される損失ＦＬ１（λ），ＦＬ２（λ），…ＦＬｎ（λ）を有するｎ個の個別フィルタリングデバイスの存在を許容する。これらのデバイスは、ＥＤＦの長さＬ中の位置ｚ１，ｚ２，…ｚｎに配置されている。また、ｄＢ／ｍで表される分散された不飽和損失αｄ（λ，ｚ）の存在を許容する。この表現において、積分は、ａ＝１５２０ｎｍからｂ＝１５６５ｎｍまでのスペクトル領域、およびＥＤＦＡ長さ、即ちｚ＝０ないしＬについて行われる。
【００２５】
上記の表現は、個別フィルタ手段または分散型フィルタ手段によるかどうかにかかわらず、ＬバンドＥＤＦＡ中の全てのＣバンド損失の和である。
【００２６】
図３は、本発明の例示的な実施形態、即ち、大きなＦＯＭを有する間隔をおいて配置された複数のＣバンド除去フィルタを有するＬバンドＥＤＦＡ３０を示す。Ｌバンド信号は、図示しない送信器から図示しない受信機へ、通常の伝送ファイバ３１上を伝播し、ポンプ放射は、図示しないポンプ源からファイバ３２を通ってＷＤＭ３３に伝播する。結合された信号およびポンプ放射は、ＥＤＦ３４に結合されて、流さＬのＥＤＦを通過した後、増幅されたＬバンド信号は、典型的には、通常のダウンストリーム伝送ファイバ３１に結合される。
【００２７】
いくつかの（例えば３個の）Ｃバンド除去フィルタ３５１，３５２および３５３が、ＥＤＦ中に配置される。アップストリームフィルタ３５１は、ＥＤＦの入力端から所定距離Ｌ１に配置され、フィルタ３５２は、フィルタ３５１から所定距離Ｌ２に配置されて、フィルタ３５３は、フィルタ３５２から所定距離Ｌ３間隔をおかれる。例示的なシングルステートＥＤＦＡにおけるＥＤＦの全体長さはＬである。
【００２８】
好ましい実施形態において、フィルタは、公知の方法でＥＤＦ中に形成される。しかし、これは必要条件ではなく、グレーティングは長いＥｒフリーファイバ中に形成することができ、その中にグレーティングを有するファイバは、適切な長さのＥＤＦにつなぎ合わせることができる。
【００２９】
図４は、２つのＣバンドフィルタのフィルタ損失を概略的に示す。両方のフィルタは、３０ｄＢのフィルタ損失を有する。曲線４１は、１５２０〜１５６３ｎｍの範囲をカバーする実質的な全Ｃバンドフィルタに対するものであり、曲線４２は、例えば１５２０〜１５５０ｎｍの範囲をカバーする部分的Ｃバンドフィルタについてのものである。前者は、ＦＯＭ＝１２９０ｄＢ・ｎｍを有し、後者は、ＦＯＭ＝９００ｄＢ・ｎｍを有する。
【００３０】
図１のデータおよび図４のフィルタ特性は一緒に、図３に示されているＥＤＦＡの特性の通常の数字的シミュレーションにおいて使用された。これは、Ｌｕｃｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社のＳｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｆｉｂｅｒ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  から商業的に入手可能なＯＡＳＩＸシミュレーションツールを使用して、図示されているように−１０ｄＢｍの全信号パワーおよびＬ１＝Ｌ２＝Ｌ３＝６ｍおよびＬについて行われた。ポンプ光は、９８０ｎｍにおいて１００ｍＷであり、信号と共に伝播すると仮定された。上記のパラメータは例にすぎない。
【００３１】
しかし、このシミュレーションの結果は、実際のＬバンドＥＤＦＡにおいて得ることができる増幅器特性を示す。例えば、図１のモデル化パラメータは、Ｌｕｃｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社から商業的に入手可能なＥＤＦの利得および吸収特性によく一致する。６ｍのフィルタ間隔は、これがＣバンド中のＡＳＥがＬバンド特性を害するファイバにおけるレベルに達する前に、図１のファイバに対する最大長さであることが分かったからである。明らかに、ファイバ間隔は、６ｍよりも小さくてもよいが、異なるＥＤＦに対しては６ｍよりも大きくてもよい。
【００３２】
図５は、上記の数字的シミュレーションにより決定されたＥＤＦ長さの関数としての出力パワーを示す。曲線５１は、フィルタなしの場合であり、曲線５２〜５６は、それぞれ６，１２および１８ｍにおける３個のフィルタ（各３０ｄＢ）、６ｍにおける１個のフィルタ（３０ｄＢ）、１２ｍにおける１個のフィルタ（３０ｄＢ）、１８ｍにおける１個のフィルタ（３０ｄＢ）および６ｍおよび１２ｍにおける２個のフィルタ（各３０ｄＢ）の場合である。全てのフィルタは、図４の曲線４１に示されているように、全Ｃバンドフィルタである。曲線５２および５６は、本質的に区別不可能である。
【００３３】
このシミュレーションは、単一の適切に配置された全Ｃバンドフィルタであっても、大幅に改善された出力パワーを生じることを明確に示しており、また、１個よりも多いフィルタが使用される場合、さらに大幅な改善が得られることを示している。
【００３４】
図６は、上述したＬバンドＥＤＦＡの最も悪いチャネルのＮＦを示している。曲線６１〜６６は、それぞれＣバンドフィルタなし、６，１２および１８ｍにおける３個の全Ｃバンドフィルタ、６ｍにおける１個の全Ｃバンドフィルタ、１２ｍにおける１個の全Ｃバンドフィルタ、１８ｍにおける１個の全Ｃバンドフィルタ、および６および１２ｍにおける２個の全Ｃバンドフィルタに対応する。全てのフィルタは、３０ｄＢフィルタである。図６は、単一の適切に配置された全Ｃバンドフィルタ（大きなＦＯＭを有する）の存在がＮＦを改善することができ、１個よりも多い数のフィルタが使用される場合さらなる改善が得られることを示す。
【００３５】
図７は、Ｃバンドフィルタなし（曲線７１）、６ｍ、１２ｍおよび１８ｍにおける３個の全Ｃバンド３０ｄＢフィルタ（曲線７２）、６ｍにおける１個の全Ｃバンド３０ｄＢフィルタ（曲線７３）および６ｍにおける１個の全Ｃバンド９０ｄＢフィルタ（曲線７４）について、ＥＤＦ長さと出力パワーとの関係を示す。図７の結果は、最もよい結果に対して、Ｃバンド損失は、２つ以上の間隔をおいて配置されたフィルタにおいて、ＥＤＦに沿って好都合に分散していることを示す。
【００３６】
図８は、上述したＬバンドＥＤＦＡについて、ＥＤＦ長さと最も悪いチャネルのＮＦとの関係を示す。曲線８１は、Ｃバンドフィルタがない場合であり、曲線８２は、６ｍ、１２ｍおよび１８ｍに３個の全（３０ｄＢ）Ｃバンドフィルタがある場合、６ｍに１個の全（３０ｄＢ）Ｃバンドフィルタがある場合、および６ｍに１個の全（９０ｄＢ）Ｃバンドフィルタがある場合である。これらの曲線は、高いＦＯＭの単一の全Ｃバンドフィルタであっても、ＮＦを改善することができることを示している。
【００３７】
図９および１０は、フィルタ幅の効果を示す。曲線９１および１０１は、ＣバンドフィルタのないＥＤＦＡであり、曲線９２および１０２は、６ｍ、１２ｍおよび１８ｍに３個の（３０ｄＢ）全Ｃバンド（１５２０〜１５６３ｎｍ）フィルタを有するＥＤＦＡであり、曲線９３および１０３は、６ｍ、１２ｍおよび１８ｍに３個の（３０ｄＢ）部分的Ｃバンド（１５２０〜１５５０ｎｍ）フィルタを有するＥＤＦＡである。これらの曲線は、全Ｃバンドフィルタを部分的Ｃバンドフィルタで置き換えることは、出力パワーおよびＮＦにおけるかなり小さな改善の結果となることを示す。
【００３８】
図１１は、６ｍ、１２ｍおよび１８ｍに配置された３個の全Ｃバンドフィルタを有する上述のＥＤＦＡについて、フィルタ長さを変化させた場合の、ＥＤＦ長さに対するＬバンド中の出力パワーを示す。曲線１１１〜１１５は、それぞれ、フィルタなし（即ち、０ｄＢ）、５ｄＢフィルタ、１０ｄＢフィルタ、２０ｄＢフィルタ、２５ｄＢおよび３０ｄＢフィルタについてのものである。これらの曲線は、約２５〜３０ｄＢフィルタ長まで、フィルタ長さを増加させると出力パワーが改善することを明確に示している。大幅な改善（例えば、最大５０％以上可能である）が、約１０ｄＢの結合フィルタ損失で、２個または３個の全Ｃバンドフィルタで得ることができる。
【００３９】
図１２は、上述のＥＤＦＡについての最も悪いチャネルのＮＦを示し、曲線１２１〜１２４は、それぞれ、Ｃバンドフィルタなし、３個の５ｄＢフィルタ、３個の１０ｄＢフィルタ、および３個の２０ｄＢ、２５ｄＢまたは３０ｄＢフィルタの場合についてのものである。また、この図は、約１０ｄＢの結合フィルタ損失で、２〜３個の全Ｃバンドフィルタにより大幅な改善が得られることを示す。
【００４０】
Ｌバンド増幅器性能におけるいくつかの改善が、約４００ｄＢ・ｎｍよりも大きいＦＯＭ（例えば、フィルタ強度１０ｄＢ以上およびフィルタ帯域幅４０ｎｍ以上）の単一Ｃバンドフィルタが提供される場合に得ることができる。このフィルタ帯域幅は、通常と同様に、半値幅（ＦＷＨＭ）として定義される。
【００４１】
上記した結果は、得ることのできる結果の例であるが、本発明はこの開示された実施形態に限定されない。様々なＣバンド除去フィルタが、大幅に改善したＬバンド性能を得ることができ、かつ考えられる。望ましくは、フィルタは、Ｌバンドにおいて並びにポンプ波長（典型的には９８０ｎｍまたは１４８０ｎｍ）において最小の挿入損失（例えば、＜０．１ｄＢ）を有する大きな反射減衰量（例えば、＞４０ｄＢ）を有する。大きな反射減衰量は、例えばアイソレータまたはサーキュレータの手段により得ることができる。しかし、これらのデバイスは、典型的には望ましくない挿入損失を追加する。
【００４２】
本発明による例示的なＥＤＦＡの上述したシミュレーション結果は、従来技術によるＥＤＦＡに実質的に対応するシミュレーション結果に匹敵する。Ｃバンドにおいて１５２５ｎｍから１５４０ｎｍの（強度および幅が異なることを除いて図４に示されている）２０ｄＢＡＳＥフィルタで、１５４５〜１５６０ｎｍの１６チャネル（１ｎｍ間隔）を有するＣバンドに１００ｍＷの９８０ｎｍポンプ光、−１０ｄＢｍ全信号入力が仮定された。
【００４３】
上記したファイバおよび増幅器構成がシミュレーションに使用された。この場合に、５ｍフィルタ間隔が最適であることが分かった。出力およびＮＦの実質的に最大の改善が、帯域幅１５２５〜１５４０ｎｍを有する単一１５ｄＢフィルタにより達せられた。２個のフィルタの使用は、実質的に改善を生じなかった。最大の必要とされるフィルタＦＯＭは、３００ｄＢ・ｎｍ（１５ｎｍにおいて２０ｄＢ）である。このＦＯＭは、我々の知る限り、従来使用されていたいかなるＦＯＭよりも大きい。ＦＯＭ＝３００ｄＢ・ｎｍを有するＣバンドＡＳＥフィルタは、ＬバンドＥＤＦＡに対して小さな改善しか生じなかった。
【００４４】
帯域幅のほとんどにおいて実質的に平坦な強度を有する３０ｎｍ以上の帯域幅を有するフィルタが知られている。例えば、Ａ．  Ｖｅｎｇｓａｒｋａｒ  等によるＯＦＣ  ’９５，  ＰＤ４−１；  Ｅｒｄｏｇａｎ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｊ．  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａ  Ａ，  Ｖｏｌ．  １３，  ｐｐ．  ２９６−３１３  （１９９６）および米国特許第５，７４０，２９２号を参照のこと。
【００４５】
図１３は、本発明による物品、即ち本発明によるＬバンドＥＤＦＡを含む光ファイバ通信システム１３０を概略的に示す。符号１３１〜１３５は、それぞれ、ＷＤＭ送信器、通常の伝送ファイバ、ＬバンドＥＤＦＡ、および受信機である。通常の構成要素（例えば、マルチプレクサおよびデマルチプレクサ）は示されていない。
【００４６】
個別光フィルタをＥＤＦ中に配置することは、ＬバンドＥＤＦＡの増幅器特性において望ましい改善が得られる唯一の方法ではない。例えば、分散型損失手段を備えることも同様の結果を得る。そのような損失手段は、ＥＤＦ中の適切に選択されたドーパントであってもよいし、または適切に選択された導波路構造であってもよい。損失メカニズムは、ＥＤＦの少なくとも使用部分において活性であり、典型的にはＥＤＦ全体において活性であり、ＥＤＦのいかなる部分においても、Ｃバンドにおける最大の蓄積利得を約３０ｄＢ低く維持するように選択される。
【００４７】
図１４は、本発明によるさらなる例示的なＬバンド増幅器１４０を概略的に示す。この増幅器は、二段からなり、入力段（第１段）は、３１ｍのＥｒドープされたファイバであり、出力段（第２段）は、１３０ｍの同じＥｒドープされたファイバである。ファイバは、１５３０ｎｍにおいて６ｄＢ／ｍのピーク吸収を有する。入力段は、区分間のインラインＡＳＥフィルタにより、それぞれ長さ６．５ｍ、４．５ｍおよび２０ｍのファイバの３つの区分に分割されている。
【００４８】
２つの段は、それぞれ９８０ｎｍの１００ｍＷおよび１４８０ｎｍの１１０ｍＷのポンプ光で共にポンプされる。ポンプ光は、ＷＤＭカプラの手段により通常の方法で増幅器に結合される。通常の光アイソレーションが、第２段から第１段へのＡＳＥフィードバックを防止するために増幅器段間に配置される。図示しない通常の送信器からの信号放射は、Ｌバンド増幅器へ通常の伝送ファイバ中を伝播する。ポンプ光（９８０ｎｍ）は、図示しない通常のポンプ源により提供されて、通常のファイバ１４２を通してＷＤＭカプラ１４４に伝播されて、増幅器入力段に入力される。
【００４９】
入力段は、２個のインラインＡＳＥフィルタ１４７および１４８を有する。符号１４６および１４５は、それぞれ、通常の光アイソレータおよび１４８０ｎｍポンプ光を第２の増幅器段に結合させるためのＷＤＭカプラである。１４８０ｎｍポンプ光は、図示しない通常のポンプ光源により提供され、ファイバ１４３を通してＷＤＭカプラに伝播される。増幅された信号放射は、図示しない利用手段、例えば増幅器および受信器に伝送可能に信号を接続する伝送ファイバに提供される。
【００５０】
上述した２段Ｌバンド光増幅器の性能を測定した。入力飽和信号は、５ｎｍ間隔を開けて配置された１５７０〜１６００ｎｍに７個のチャネルに構成された。各チャネル中のパワーは、増幅器への全入力パワーが−１１．５ｄＢｍとなるように−２０ｄＢｍに設定された。出力パワースペクトルは図１５に示されている。全出力パワーは、増幅器が９８０ｎｍの１００ｍＷおよび１４８０ｎｍの１１０ｍＷのポンプ光でポンプされた場合、１７．１ｄＢｍであった。増幅器の電力変換効率（ＰＣＥ）は、２４．３％であり、これは量子限界の３１％に対応する。
【００５１】
２個以上の増幅器段を有する本発明によるＬバンドＥＤＦＡにおいて、これは、通常Ｃバンドフィルタ手段を含む入力段である。２個以上の段を有するＥＤＦＡにおいて、ＥＤＦの長さは、Ｃバンドフィルタ手段を含む段におけるＥＤＦの長さであると理解される。
【００５２】
図１６は、２段の上述したＥＤＦＡの測定された利得および雑音を示す。利得スペクトルは、帯域において小さなプローブ信号を調節することにより、かつ７個の飽和信号が同調されたときにその利得を測定することにより得られた。プローブ信号の大きさは、利得スペクトルに影響を与えることのないように、−４０ｄＢｍ（７個の飽和信号から２０ｄＢ低い）に設定された。
【００５３】
増幅器の利得が２７ｄＢを超える帯域は、３３ｎｍであり、帯域における利得変動は約１．７ｄＢであった。単純な利得透過フィルタは、１ｄＢ低いところまで利得変動を減少することができる。増幅器帯域における外部光雑音指数は、４．５ｄＢ低かった。これは、ＷＤＭカプラの損失およびエルビウムファイバに対する重ねつなぎを含む。最も低い雑音指数は、１５７０ｎｍにおいて３．７５ｄＢであり、最も高い雑音指数は、１６０２ｎｍにおいて４．４５ｄＢであった。
【００５４】
図１７は、本発明による上述した例示的な増幅器における使用に適したブレーズドファイバブラッググレーティングの伝達スペクトルを示す。通常の光ファイバ（Ｌｕｃｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社から入手可能な５Ｄファイバ）が、重水素と共に通常の方法でロードされ、チャープドブレーズドブラッググレーティングが、位相マスクを介するＵＶ（２４２ｎｍ）暴露によりファイバコアに書き込まれる。
【００５５】
公称の位相マスク間隔は、１．０７６ｎｍであり、位相マスク間隔に置けるチャープは、２ｎｍ／ｃｍである。グレーティングの長さは、１．５ｃｍであり、そのプロファイルは、ほぼガウス分布である。グレーティングブレイズは、ファイバに対して位相マスクを傾けることにより得られる。増幅器の各フィルタは、３．５度および６度の位相マスクチルト角を有する２つのグレーティングからなり、それぞれ１５６０ｎｍおよび１５３０ｎｍに近い最大クラッディングモード損失を与える。各グレーティングにおける屈折率変調は、約０．００３である。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ＣバンドＥＤＦＡに望ましくは匹敵する改善された性能を有するＬバンドＥＤＦＡ（Ｅｒドープされたファイバ増幅器）を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】商業的に入手可能なＥＤＦのモデル化パラメータを波長の関数として示す図。
【図２】様々なレベルのイオン反転について波長の関数として利得を示す図。
【図３】本発明による例示的なＬバンドＥＤＦＡを示す概略図。
【図４】全Ｃバンドフィルタのフィルタ損失および部分Ｃバンドフィルタのフィルタ損失を示す図。
【図５】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレーション結果を示す図。
【図６】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレーション結果を示す図。
【図７】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレーション結果を示す図。
【図８】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレーション結果を示す図。
【図９】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレーション結果を示す図。
【図１０】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレーション結果を示す図。
【図１１】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレーション結果を示す図。
【図１２】本発明によるＥＤＦＡのシミュレーション結果およびＣバンド除去フィルタのないＥＤＦＡのシミュレーション結果を示す図。
【図１３】ＬバンドＥＤＦＡを有するＷＤＭファイバ伝送システムを示す図。
【図１４】本発明による例示的なＬバンドＥＤＦＡを示す図。
【図１５】本発明によるＥＤＦＡの出力スペクトルを示す図。
【図１６】本発明によるＥＤＦＡの利得および雑音指数を示す図。
【図１７】例示的なブレーズドファイバブラッググレーティングの伝達スペクトルを示す図。
【符号の説明】
３０  ＬバンドＥＤＦＡ
３１  ダウンストリーム伝送ファイバ
３２  ファイバ
３４  ＥＤＦ
１４２  ファイバ
１４４，１４５  ＷＤＭカプラ
１４６  光アイソレータ
１４７，１４８  インラインＡＳＥフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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