(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部が形成された回路基板と、該回路基板の凹部内に実装された発熱性を有する回路部品とを備え、回路基板の前記凹部が形成された側を親回路基板に対向させて実装されるハイブリッドモジュールにおいて、
前記凹部の底面にはグランドパターンが形成され、
前記凹部の壁面には前記グランドパターンと接続する金属膜が形成され、
前記凹部の底面には前記グランドパターンと接合する金属壁が前記親回路基板に対向するように立設され、
前記凹部には前記回路部品を封止する樹脂が充填されている
ことを特徴とするハイブリッドモジュール。
【請求項２】
前記回路部品は、前記グランドパターンと接合している
ことを特徴とする請求項１記載のハイブリッドモジュール。
【請求項３】
前記回路部品は、前記凹部の底面において前記金属壁に囲まれている
ことを特徴とする請求項１又は２何れか１項記載のハイブリッドモジュール。
【請求項４】
前記回路部品を複数備え、
凹部に実装された回路部品の間には前記金属壁が形成されている
ことを特徴とする請求項１〜３何れか１項記載のハイブリッドモジュール。
【請求項５】
前記金属壁は、親回路基板と対向する面が前記回路基板の親回路基板と対向する面と同一面上に配置されるよう形成されている
ことを特徴とする請求項１〜４何れか１項記載のハイブリッドモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路パターンが形成された回路基板に、積層コンデンサや積層インダクタ等のチップ部品や、半導体部品等の回路部品を実装して電子回路を形成するハイブリッドモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のハイブリッドモジュールとしては、図１５に示すようなものが知られている。図１５は、従来のハイブリッドモジュールを示す側面断面図である。このハイブリッドモジュール２００は、回路基板２０１上にチップ状電子部品２０２及び発熱性を有する半導体素子等の回路部品２０３を実装したものである。
【０００３】
この回路基板２０１は、熱伝導率が良好な窒化アルミニウム系のセラミック基板や、ガラスエポキシ系のプリント基板などである。チップ状電子部品２０２は、回路基板２０１上に形成された回路パターン２０６に半田付けされている。回路部品２０３は、半田バンプ２０３ａを介して回路パターン２０６上に接合されている。ここで、チップ状電子部品２０２は、例えば積層コンデンサ等の受動部品である。また、回路部品２０３は、例えばＦＥＴ等の能動部品である。
【０００４】
回路基板２０１の側面には、親回路基板Ｓと接続するための端子電極２０１ａが形成されている。この端子電極２０１ａは、親回路基板Ｓに形成された回路パターンＳｐに半田付けされている。また、回路基板２０１の親回路基板Ｓと対向する主面２０１ｂは、親回路基板Ｓに形成された導体膜Ｓｆを介して接合されている。この導体膜Ｓｆは、ハイブリッドモジュール２００の熱を親回路基板Ｓに効率的に伝導するためのものであり、熱伝導性の良好な部材からなる。
【０００５】
このような構成により、このハイブリッドモジュール２００では、回路基板２０１に実装された回路部品２０３から発生する熱が、回路基板２０１及び導体膜Ｓｆを介して親回路基板Ｓ或いはグランドなどの広いエリアを有する導体膜へと伝導され、放熱される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このハイブリッドモジュール２００では、回路部品２０３に発生する熱は回路部品２０３の半田バンプ２０３ａを介して回路基板２０１に伝導され、さらに、回路基板２０１及び導体膜Ｓｆを介して親回路基板に伝導されるため、熱伝導が低いという問題があった。また、熱伝導率を高めるために用いられる窒化アルミニウム系セラミックは、一般的なアルミナ系の基板材料に比べて高価であり、経済性に欠けるという問題があった。また、プリント基板を用いる場合には、より熱伝導率を高める工夫が必要であった。さらに、全ての部品を回路基板２０１の片面上に実装するので、高密度化が困難であるという問題もあった。
【０００７】
このような問題を解決するために、図１６に示すようなハイブリッドモジュールが提案されている。図１６は従来の他のハイブリッドモジュールを示す側面断面図である。
【０００８】
このハイブリッドモジュール２１０では、回路基板２０１の裏面側に凹部２１１を形成するとともに、この凹部２１１に回路部品２０３を実装したものである。具体的には、この凹部２１１は、底面に回路パターン２０６が露出するよう回路基板２０１の裏面に形成される。回路部品２０３は、半田バンプ２０３ａを介して凹部２１１の回路パターン２０６に実装されている。回路部品２０３の表面側には放熱板２１２が接着されている。凹部２１１には回路部品２０３を封止する封止用樹脂２１３が充填されている。
【０００９】
このような構成により、回路部品２０３に発生する熱は、放熱板２１２に伝導され、この放熱板２１２を介して親回路基板に放熱されるので、放熱効率を向上させることができる。また、回路基板２０１の両面に部品を配置できるので高密度化が実現できる。
【００１０】
しかしながら、このハイブリッドモジュール２１０では、回路部品２０３の一面側は回路基板２０１に実装されるとともに、他面側は放熱板２１２に接着している。このため、ハイブリッドモジュール２１０の実装時の熱や回路部品２０３から発生する熱により各部材の歪み差が生じると、この歪み差による応力を逃がしたり吸収したりできず各界面（接着面）において剥離が生じるおそれがある。これによりハイブリッドモジュール２１０の信頼性、特に機械的な衝撃に対する信頼性が低下するという問題があった。また、このハイブリッドモジュール２１０では、端子電極２０１ａを介して親回路基板に接地するので、高周波域での接地性が十分でない場合があった。すなわち、親回路基板との接続経路が長くなるのでインダクタンスが無視できなくなるものである。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１の発明では、凹部が形成された回路基板と、該回路基板の凹部内に実装された発熱性を有する回路部品とを備え、回路基板の前記凹部が形成された側を親回路基板に対向させて実装されるハイブリッドモジュールにおいて、前記凹部の底面にはグランドパターンが形成され、前記凹部の壁面には前記グランドパターンと接続する金属膜が形成され、前記凹部の底面には前記グランドパターンと接合する金属壁が前記親回路基板に対向するように立設され、前記凹部には前記回路部品を封止する樹脂が充填されていることを特徴とするものを提案する。
【００１３】
本発明によれば、凹部の底面には金属壁及びグランドパターンが形成され、また凹部の壁面には金属膜が形成されているので、凹部に実装された回路部品に発生する熱がグランドパターンから金属膜及び金属壁に伝導する。したがって、回路部品の熱を効率的に親回路基板に伝達することができる。また、金属壁，金属膜，グランドパターンのシールド効果により、高周波回路に適したものとなる。
【００１６】
さらに、請求項２の発明では、請求項１記載のハイブリッドモジュールにおいて、前記回路部品は、前記グランドパターンと接合していることを特徴とするものを提案する。
【００１７】
本発明によれば、回路部品に発生する熱が効率的にグランドパターンに伝導するので放熱効率が向上したものとなる。
【００２２】
さらに、請求項３の発明では、請求項１又は２何れか１項記載のハイブリッドモジュールにおいて、前記回路部品は、前記凹部の底面において前記金属壁に囲まれていることを特徴とするものを提案する。
【００２３】
本発明によれば、回路部品が金属壁に囲まれているので、回路部品のシールド性が向上する。これにより、さらに高周波回路に適したものとなる。
【００２４】
さらに、請求項４の発明では、請求項１〜３何れか１項記載のハイブリッドモジュールにおいて、前記回路部品を複数備え、凹部に実装された回路部品の間には前記金属壁が形成されていることを特徴とするものを提案する。
【００２５】
本発明によれば、各回路部品間のシールド効果により相互干渉を軽減することができるので、ハイブリッドモジュールの回路特性を向上させることができる。
【００２６】
さらに、請求項５の発明では、請求項１〜４何れか１項記載のハイブリッドモジュールにおいて、前記金属壁は、親回路基板と対向する面が前記回路基板の親回路基板と対向する面と同一面上に配置されるよう形成されていることを特徴とするものを提案する。
【００２７】
本発明によれば、このハイブリッドモジュールを親回路基板に実装した際に金属壁が親回路基板に当接するので、回路部品に発生する熱を金属壁を介して親回路基板に放熱することができる。また、金属壁を親回路基板のグランドパターンに接続すれば、金属壁によるシールド効果が向上するので、さらに高周波回路に適したものとなる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールについて図１〜図６を参照して説明する。図１は第１の実施形態にかかるハイブリッドモジュールを主面側から見た外観斜視図、図２は樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の平面図、図３は回路部品の実装構造を説明する図２についての拡大図、図４は図２のＡ−Ａ’線についての断面図、図５は図２のＢ−Ｂ’線についての断面図、図６は第１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールの親回路基板への実装を説明する断面図である。
【００２９】
このハイブリッドモジュール１０は、親回路基板（図示省略）に実装されて使用されるものである。このハイブリッドモジュール１０は、回路パターンが形成された回路基板１１と、回路基板１１に実装された複数のチップ状電子部品１２と、回路基板１１に実装された発熱性を有する半導体素子等の回路部品１３とを主たる構成要素とする。
【００３０】
回路基板１１は、複数の絶縁体層１４と電極層１５により形成された矩形の多層プリント基板である。多層プリント基板としては、例えば、絶縁体層１４がエポキシ系の材料からなり、電極層１５がＣｕからなるものである。
【００３１】
回路基板１１の底面、すなわち、親回路基板への実装時に親回路基板と対向する主面１６には、回路部品１３を実装するための凹部１７が形成されている。この凹部１７は、少なくとも回路部品１３が収容できる大きさとなっている。
【００３２】
前記回路基板１１の電極層１５は、回路部品１３に発生する熱を放熱するとともにグランドパターンとして機能するグランド電極１５ａと、回路部品１３やチップ状電子部品１２と導通接続して電気回路を形成するための回路電極１５ｂとからなる。ここで、グランド電極１５ａは、熱伝導率を考慮して回路電極１５ｂよりも層厚を大きく設定してある。
【００３３】
グランド電極１５ａは、回路基板１１の内部に埋設されており、回路基板１１の一側面から該側面に対向する側面に亘って横長矩形に形成されている。また、グランド電極１５ａは、前記凹部１７の底面に露出している。さらに、グランド電極１５ａには、凹部１７の底面において開口する接続口１８が形成されている。この接続口１８の内側には、回路部品１３と接続するための接続端子１９が形成されている。
【００３４】
回路電極１５ｂは、回路基板１１の上面及び内部において所定パターンに形成されており、必要に応じて電極間をビアホール２０により接続されている。また、回路電極１５ｂは、ビアホール２０を介して前記接続端子１９と接続されている。
【００３５】
回路基板１１の凹部１７の全壁面には、金属膜２１が形成されている。この金属膜２１は、凹部１７の底面から回路基板１１の主面１６に亘って形成されている。また、この金属膜２１は、凹部１７の底面において前記グランド電極１５ａに導通接続している。この金属膜２１の材質としては、熱伝導率及び導電率が良好な金属が望ましい。具体的には、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ等である。本実施の形態では、Ｃｕを主成分とするものを用いた。この金属膜２１の形成は、導電性ペーストを壁面に塗布して形成される。このような金属膜２１により、グランド電極１５ａに伝導する熱が金属膜２１にも伝導する。また、凹部１７の内面のほとんどがグランド電極１５ａ及び金属膜２１に覆われるので、該凹部１７内が電気的にシールドされる。
【００３６】
回路基板１１の凹部１７底面には、金属壁２２が形成されている。この金属壁２２は、前記グランド電極１５ａと導通接続している。また、この金属壁２２は凹部１７のほぼ中央付近に形成されている。さらに、この金属壁２２は、その上面、すなわち、親回路基板に対向する面が、回路基板１１の主面１６と同一面上となるような高さに形成されている。この金属壁２２の材質としては、熱伝導率及び導電率が良好な金属が望ましい。例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ等である。本実施の形態では、Ｃｕを主成分とするものを用いた。この金属壁２２の形成は、例えば、金属片を導電性樹脂により接着して形成したり、メッキ処理により形成する。このような金属壁２２により、グランド電極１５ａに伝導する熱が金属壁２２にも伝導する。また、金属壁２２により凹部１７内のシールド効果を向上させることができる。
【００３７】
回路部品１３は、回路基板１１の凹部１７に露出するグランド電極１５ａに接着されている。回路部品１３は、上面側に複数の端子電極２３を備えており、背面側をグランド電極１５ａに接着されている。回路部品１３とグランド電極１５ａとの接着は、例えば導電性樹脂接着法や高温半田接着法などが用いられる。この回路部品１３は、例えばＧａＡｓＭＥＳ型ＦＥＴ、ＧａＡｓＰＨＥＭＴ型ＦＥＴ、ＩｎＰ系ＦＥＴ等の発熱性を有するチップである。回路部品１３の端子電極２３は、グランド電極１５ａの接続口１８の内側に形成されている接続電極１９及びグランド電極１５ａと、Ａｕ線やＡｌ線等の導電部材２４を用いて電気的に接続している。この接続は、ワイヤボンディング法が用いられる。
【００３８】
また、回路基板１１の凹部１７には、回路部品１３を封止するための絶縁性樹脂２５が充填されている。この絶縁性樹脂２５としては、例えばエポキシ系やアクリル系のものが用いられる。
【００３９】
回路基板１１の側面には、前記グランド電極１５ａ又は回路電極１５ｂと接続する外部電極２６が形成されている。この外部電極２６のうち前記グランド電極１５ａと接続するものは、放熱効率及び接地性を考慮して回路基板１１の側面に幅広に形成されている。また、回路基板１１の上面側の回路電極１５ｂには、チップ状電子部品１２が半田付けされている。さらに、回路基板１１の上面側には、金属製のケース２７が被装されている。
【００４０】
このようなハイブリッドモジュール１０は、図６に示すように、凹部１７が形成された主面１６を親回路基板３０に対向させて実装される。親回路基板３０には、回路パターン３１が形成されている。ハイブリッドモジュール１０は、外部電極２６、金属膜２１及び金属壁２２を回路パターン３１に半田付けして実装される。ここで、グランド電極１５ａと接続する外部電極２６、金属膜２１及び金属壁２２は、回路パターン３１のグランドに接続される。
【００４１】
このようなハイブリッドモジュール１０によれば、回路基板１１は多層構造のプリント基板により形成され、また、回路部品１３は回路基板１１の主面１６に形成した凹部１７に実装されるので、実装密度が向上する。
【００４２】
また、回路部品１３は回路基板１１の凹部１７に露出する電極層１５のグランド電極１５ａに接着されているので、回路部品１３に発生した熱はグランド電極１５ａに伝導する。さらに、該グランド電極１５ａは凹部１７に形成された金属壁２２及び金属膜２１と接続しているので、回路部品１３からの熱は該金属壁２２及び金属膜２１を介して親回路基板３０に放熱される。また、回路部品１３から絶縁性樹脂２５に伝導した熱が、金属膜２１及び金属壁２２を介して親回路基板３０に放熱される。さらに、グランド電極１５ａに伝導した熱は、外部電極２６を介しても親回路基板３０に放熱される。したがって、回路部品１３の放熱効率が優れたハイブリッドモジュールとなる。特に、金属壁２２が回路部品１３の近傍に形成されているので、放熱効率が良好である。
【００４３】
さらに、凹部１７の底面にはグランド電極１５ｂが形成されており、壁面には金属膜２１が形成され、さらに底面には金属壁２２が形成されているので、回路部品１３が外部から受ける電気的影響が軽減される。すなわち、シールド効果に優れたものとなる。特に、金属膜２１及び金属壁２２を親回路基板３０のグランドに接続するとシールド効果がさらに向上する。また、外部電極２６を介して接地するのと比較して、経路が短距離となるので電気的特性が改善される。具体的にはグランドまでのインダクタンス値を軽減できる。したがって、このハイブリッドモジュール１０は、高周波回路に適したものとなる。
【００４４】
なお、本実施の形態では、金属壁２２は凹部１７の底面に立設するように形成し、金属壁２２と金属膜２１とは直接接合していないが、金属壁と金属膜２１と導電接続するように形成していもよい。このようなハイブリッドモジュールについて図７〜図９を参照して説明する。図７〜図９は樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図である。
【００４５】
例えば、図７に示すハイブリッドモジュール４０では、凹部１７の底面に、凹部１７の壁面に形成された金属膜２１と導通接続するように金属壁４１が形成されている。この金属壁４１は、一端部が金属膜２１と接続している。また、この金属壁４１の材質や形成方法については、前記金属壁２２と同様である。また、回路基板１１や回路部品１３等の他の構成については、前述したハイブリッドモジュール１０と同様である。
【００４６】
また、例えば、図８に示すハイブリッドモジュール５０では、凹部１７の底面に、凹部１７の壁面に形成された金属膜２１と導通接続するように金属壁５１が形成されている。この金属壁５１は、両端部が金属膜２１と接続している。また、この金属壁５１の材質や形成方法については、前記金属壁２２と同様である。また、回路基板１１や回路部品１３等の他の構成については、前述したハイブリッドモジュール１０と同様である。
【００４７】
さらに、例えば、図９に示すハイブリッドモジュール６０では、凹部１７の底面に、凹部１７の壁面に形成された金属膜２１と導通接続するように金属壁６１が形成されている。この金属壁６１は、十文字状に形成されており、各端部が金属膜２１と接続している。また、この金属壁６１の材質や形成方法については、前記金属壁２２と同様である。また、回路基板１１や回路部品１３等の他の構成については、前述したハイブリッドモジュール１０と同様である。
【００４８】
このようなハイブリッドモジュール４０，５０，６０では、金属壁４１，５１，６１と金属膜２１が接続しているので、凹部１７内のシールド効果がさらに向上したものとなる。また、金属壁４１，５１，６１と金属膜２１の間で熱伝導が行われるので、回路部品１３の放熱効率も向上したものとなる。つまり、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールとなる。
【００４９】
また、本実施の形態では、金属壁２２を凹部１７の底面に一つ形成したが、複数形成してもよい。このようなハイブリッドモジュールについて図１０を参照して説明する。図１０は樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図である。
【００５０】
図１０に示すハイブリッドモジュール７０は、凹部１７の底面に２つの金属壁７１が形成されている。回路部品１３は、金属壁７１の間に実装されている。この金属壁７１の材質や形成方法については、前記金属壁２２と同様である。また、回路基板１１や回路部品１３等の他の構成については、前述したハイブリッドモジュール１０と同様である。
【００５１】
このようなハイブリッドモジュール７０では、金属壁７１が複数設けられているので、回路部品１３の放熱性がさらに向上したものとなる。また、凹部１７内のシールド効果がさらに向上したものとなる。つまり、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールとなる。
【００５２】
さらに、本実施の形態では、金属壁２２を回路部品１３の側方に形成したが、凹部１７の底面において回路部品１３を囲むように形成してもよい。このようなハイブリッドモジュールについて図１１を参照して説明する。図１１は樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図である。
【００５３】
図１１に示すハイブリッドモジュール８０は、金属壁８１が回路部品１３を囲むように形成されている。すなわち、４片の金属壁８１ａ〜８１ｄが回路部品１３の四方を囲むように形成されている。回路部品１３は金属壁８１によって囲まれた閉じた平面内に実装されている。この金属壁８１の材質や形成方法については、前記金属壁２２と同様である。また、回路基板１１や回路部品１３等の他の構成については、前述したハイブリッドモジュール１０と同様である。
【００５４】
このようなハイブリッドモジュール８０では、回路部品１３の周囲に金属壁８１が形成されているので、放熱性がさらに向上したものとなる。また、凹部１７内のシールド効果がさらに向上したものとなる。つまり、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールとなる。
【００５５】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施形態にかかるハイブリッドモジュールについて図１２を参照して説明する。図１２は樹脂を取り除いた第２の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の平面図である。なお、図において第１の実施の形態と都道いつの部材については同一の符号を付した。
【００５６】
このハイブリッドモジュール９０が、第１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュール１０と相違する点は、回路部品を複数設けた点にある。すなわち、図１２に示すように、回路基板１１の凹部１７には、２つの回路部品９１及び９２が実装されている。回路部品９１及び９２は、両部品間に金属壁２２が配置されるように実装されている。各回路部品９１，９２としては、第１の実施の形態と同様の半導体素子が用いられる。また、各回路部品９１，９２の実装方法についても第１の実施の形態と同様である。さらに、回路基板１１や回路部品１３等の他の構成についても、前述したハイブリッドモジュール１０と同様である。
【００５７】
このようなハイブリッドモジュール９０では、各回路部品９１，９２間に金属壁２２が配置されているので、両部品間の電気的な相互干渉を防止することができる。したがって、各回路部品９１，９２の動作モードや動作周波数が異なる場合に適している。例えば、高周波増幅回路等に有効である。つまり、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールとなる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、金属壁２２は凹部１７の底面に立設するように形成し、金属壁２２と金属膜２１とは直接接合していないが、図７〜図９を参照して前述したように、金属壁と金属膜２１と導電接続するように形成していもよい。この場合には、各回路部品９１，９２の間に金属壁を形成すれば、さらに、両部品間の電気的な相互干渉を防止することができる。また、回路部品は２個以上実装するようにしてもよい。
【００５９】
（第３の実施の形態）
次に本発明の第３の実施形態にかかるハイブリッドモジュールについて図１３を参照して説明する。図１３は樹脂を取り除いた第３の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の平面図である。なお、図において第１の実施の形態と都道いつの部材については同一の符号を付した。
【００６０】
このハイブリッドモジュール１００が、第１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュール１０と相違する点は、凹部１７の壁面には金属膜を形成していない点にある。回路基板１１や回路部品１３等の他の構成についても、前述したハイブリッドモジュール１０と同様である。
【００６１】
このようなハイブリッドモジュール１００によれば、第１の実施の形態と比較すると、金属膜による放熱性の向上及びシールド効果の向上は図れない。しかしながら、金属壁２２により回路部品１３の放熱性が向上したものとなる。また、金属２２による凹部１７内のシールド効果が向上したものとなる。つまり、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールとなる。
【００６２】
（第４の実施の形態）
次に本発明の第４の実施形態にかかるハイブリッドモジュールについて図１４を参照して説明する。図１４は第４の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの断面図である。なお、図において第１の実施の形態と同一の部材については同一の符号を付した。
【００６３】
このハイブリッドモジュール１１０が、第１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュール１０と相違する点は、凹部１７に形成した金属壁１１１にある。すなわち、金属壁１１１は、回路基板１１の主面１６にまで達しない高さに形成されている。したがって、ハイブリッドモジュール１１０を親回路基板に実装する際には、金属壁１１１が直接親回路基板に当接することがない。回路基板１１や回路部品１３等の他の構成についても、前述したハイブリッドモジュール１０と同様である。
【００６４】
このようなハイブリッドモジュール１１０によれば、第１の実施の形態と比較すると、金属壁１１１による放熱性及びシールド効果は低下したものとなる。しかしながら、金属壁１１１を形成していない場合と比較すると、金属壁１１１が絶縁性樹脂２５よりも熱伝導率が高いことから、回路部品１３の放熱効率が向上したものとなる。また、金属壁１１１を形成していない場合と比較すると、金属壁１１１により凹部１７内のシールド効果も発揮される。つまり、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールとなる。
【００６５】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１の発明によれば、凹部の底面には金属壁及びグランドパターンが形成され、また凹部の壁面には金属膜が形成されているので、凹部に実装された回路部品に発生する熱がグランドパターンから金属膜及び金属壁に伝導する。したがって、回路部品の熱を効率的に親回路基板に伝達することができる。また、金属壁，金属膜，グランドパターンのシールド効果により、高周波回路に適したものとなる。
【００６７】
さらに、請求項２の発明によれば、前記回路部品が凹部底面のグランドパターンと接合している、回路部品に発生する熱が効率的にグランドパターンに伝導する。したがって、さらに放熱効率が向上したものとなる。
【００７０】
さらに、請求項３の発明によれば、回路部品が金属壁に囲まれているので、回路部品のシールド性が向上する。これにより、さらに高周波回路に適したものとなる。
【００７１】
さらに、請求項４の発明によれば、複数の回路部品の間に前記金属壁が形成されているので、各回路部品間のシールド効果により相互干渉を軽減することができる。したがって、ハイブリッドモジュールにおける回路の特性を向上させることができる。
【００７２】
さらに、請求項５の発明によれば、このハイブリッドモジュールを親回路基板に実装した際に金属壁が親回路基板に当接するので、回路部品に発生する熱を金属壁を介して親回路基板に放熱することができる。また、金属壁を親回路基板のグランドパターンに接続すれば、金属壁によるシールド効果が向上するので、さらに高周波回路に適したものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態にかかるハイブリッドモジュールを主面側から見た外観斜視図
【図２】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図３】回路部品の実装構造を説明する図２についての拡大図
【図４】図２のＡ−Ａ’線についての断面図
【図５】図２のＢ−Ｂ’線についての断面図
【図６】第１の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールの親回路基板への実装を説明する断面図
【図７】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図８】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図９】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図１０】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図１１】樹脂を取り除いた第１の実施形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図１２】樹脂を取り除いた第２の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図１３】樹脂を取り除いた第３の実施形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図
【図１４】第４の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの断面図
【図１５】従来のハイブリッドモジュールを示す側面断面図
【図１６】従来の他のハイブリッドモジュールを示す側面断面図
【符号の説明】
１０，４０，５０，６０，７０，８０，９０，１００，１１０…ハイブリッドモジュール、１１…回路基板、１２…チップ状電子部品、１３，９１，９２…回路部品、１４…絶縁体層、１５…電極層、１５ａ…グランド電極、１５ｂ…回路電極、１６…主面、１７…凹部、２１…金属膜、２２，４１，５１，６１，７１，８１，１１１…金属壁、２５…絶縁性樹脂、３０…親回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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