(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する記録媒体対向面に近い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜コイルを前記第１の磁性層および第２の磁性層から絶縁する絶縁層とを有すると共に、前記第１の磁性層が前記ギャップ層より遠い側から順に配設された第１の磁性層部分および第２の磁性層部分を含み、前記第２の磁性層部分が記録媒体の記録トラック幅を規定するための一定幅を保ちつつ前記記録媒体対向面から前記ギャップ層に隣接して延在して第１の位置で終端し、前記第１の磁性層部分が、前記第２の磁性層部分の前記一定幅と同一の幅を保ちつつ前記記録媒体対向面またはその近傍位置から延在して前記第１の位置と同一または近傍の第２の位置で終端する一定幅部分と、前記一定幅部分の幅よりも大きな幅を有すると共に前記第２の位置から前記記録媒体対向面より離れる方向に延在して第３の位置で終端する拡幅部分とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１の磁性層を形成する工程が、
前記ギャップ層上における前記記録媒体対向面が形成されるべき位置の近傍から前記第１の位置に至る領域に、前記第２の磁性層部分の前記一定幅よりも大きい幅と、前記第１の位置において前記第２の磁性層部分の幅方向に延びる直線状の端縁とを有するように、前記第２の磁性層部分の前準備層としての前駆磁性層を選択的に形成する第１の工程と、
少なくとも前記前駆磁性層およびその周辺領域を覆うように前記絶縁層の一部の前準備層としての前駆絶縁層を形成する第２の工程と、
少なくとも前記前駆磁性層が露出するまで前記前駆絶縁層を研磨して平坦化することにより前記絶縁層の一部を形成する第３の工程と、
研磨後の平坦面上に、前記一定幅部分における前記第２の位置が前記第１の位置よりも前記記録媒体対向面から遠い側に位置するように第１の磁性層部分を選択的に形成する第４の工程と、
前記第１の磁性層部分の前記一定幅部分をマスクとして用いて前記前駆磁性層を選択的にエッチングすることにより前記第２の磁性層部分を選択的に形成する第５の工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第５の工程において、前記第２の磁性層部分の形成を反応性イオンエッチングを用いて行う
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程において、前記前駆磁性層の形成を反応性イオンエッチングを用いて行う
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第５の工程において、
前記ギャップ層および前記第２の磁性層のうち、前記第１の磁性層部分の一定幅部分の形成領域以外の領域をその厚み方向における所定の位置まで除去する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記ギャップ層上にスパッタリングを用いて磁性材層を形成したのち、この磁性材層を選択的にエッチングすることにより前駆磁性層を形成すると共に、めっき膜の成長処理を用いて前記第１の磁性層部分を形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第１の磁性層部分の一定幅部分における前記記録媒体対向面に近い側の端縁の位置が、前記記録媒体対向面の位置と一致するようにする
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第１の磁性層部分の一定幅部分における前記記録媒体対向面に近い側の端縁の位置が、前記記録媒体対向面から離れる方向にずれるようにする
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１の磁性層部分の一定幅部分における前記記録媒体対向面に近い側の端部の厚みが、前記記録媒体対向面から遠い側の端部の厚みよりも小さくなるようにする
ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第１の磁性層部分と前記第２の磁性層部分との境界面が、平面をなすようにする
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層が、前記第１の位置において前記第２の磁性層部分と接するようにする
ことを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第１の位置に位置する、前記第２の磁性層部分と前記絶縁層との境界面が、平面をなすようにする
ことを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記第２の磁性層部分と前記絶縁層との境界面が、前記第２の磁性層部分の延在方向に対して垂直になるようにする
ことを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記薄膜コイルが、その一部をなす第１の薄膜コイルを含む場合において、
前記第１の薄膜コイルを、その最も多くの部分が前記第２の磁性層部分の厚みに対応する空間領域に含まれるように形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第２の磁性層部分の厚みが、前記第１の薄膜コイルの厚みよりも大きくなるようにする
ことを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記第２の磁性層のうちの前記第１の磁性層に近い側の一部をその厚み方向における所定の位置までエッチングすることにより窪み領域を形成し、この窪み領域に前記第１の薄膜コイルを形成する
ことを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記薄膜コイルが、さらに、その一部をなすと共に前記第１の薄膜コイルと電気的に接続された第２の薄膜コイルを含む場合において、
前記第２の薄膜コイルを、その最も多くの部分が前記第１の磁性層部分の厚みに対応する空間領域に含まれるように形成する
ことを特徴とする請求項１３ないし請求項１５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記第３の位置が、前記第２の薄膜コイルよりも前記記録媒体対向面に近い側に位置する場合において、
前記第１の磁性層を、さらに、前記第１の磁性層部分と部分的にオーバーラップして磁気的に連結された第３の磁性層部分を含むように形成する
ことを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記第１の磁性層部分と前記第３の磁性層部分とがオーバーラップするオーバーラップ領域に、前記ギャップ層に隣接するように前記絶縁層の一部を形成する
ことを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記第２の磁性層部分を構成する磁性材料が、前記第１の磁性層部分を構成する磁性材料の飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有するようにする
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記第１の磁性層部分を、鉄、ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料よりなるように形成し、
前記第２の磁性層部分を、ニッケル鉄合金またはコバルト鉄合金のいずれか１つを含む磁性材料よりなるように形成する
ことを特徴とする請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】
前記第１の磁性層部分および前記第２の磁性層部分のうちの少なくとも一方を、窒化鉄、ニッケル鉄合金またはアモルファス合金のいずれか１つを含む磁性材料よりなるように形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記アモルファス合金が、コバルト鉄合金、ジルコニウムコバルト鉄合金酸化物またはジルコニウム鉄合金窒化物のいずれかである
ことを特徴とする請求項２１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２３】
前記第１の磁性層部分および前記第２の磁性層部分のうちの少なくとも一方を、鉄、ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料よりなるように形成する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ）と記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ（ｗｒｉｔｅ  ｇａｐ）を挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００４】
ここで、図３９〜図４４を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【０００５】
この製造方法では、まず、図３９に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ）よりなる基板１０１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２  Ｏ３  ；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる絶縁層１０２を、約５．０〜１０．０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層１０３上に、例えばアルミナ層を１００〜２００ｎｍの厚みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、高精度のフォトリソグラフィ処理により所望のパターンとなるように、再生用のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚みで形成する。次に、ＭＲ膜１０５の両側に、このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層（図示せず）を形成したのち、このリード層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１０５上に、シールドギャップ膜１０６を形成し、シールドギャップ膜１０４，１０６内にＭＲ膜１０５を埋設する。次に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッドおよび記録ヘッドの双方に用いる磁性材料、例えばニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）よりなる上部シールド兼下部磁極（以下、単に「下部磁極」という。）１０７を形成する。
【０００６】
次に、図４０に示したように、下部磁極１０７上に、絶縁材料、例えばアルミナよりなる記録ギャップ層１０８を形成する。次に、記録ギャップ層１０８上に、高精度のフォトリソグラフィ処理により、フォトレジスト膜１０９を所定のパターンとなるように形成する。次に、フォトレジスト膜１０９上に、電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジスト膜１０９および薄膜コイル１１０を覆うように、高精度のフォトリソグラフィによりフォトレジストを所定のパターンとなるように形成したのち、このフォトレジストに対して例えば２５０°Ｃの温度で加熱処理を施す。この加熱処理により、薄膜コイル１１０の各巻線間を絶縁させるためのフォトレジスト膜１１１が形成される。
【０００７】
次に、図４１に示したように、磁路形成のために、薄膜コイル１１０よりも後方（図４１における右側）における記録ギャップ層１０８の一部を部分的にエッチングして開口部１０８Ａを形成し、下部磁極１０７の一部を露出させる。次に、下部磁極１０７の露出面、フォトレジスト膜１１１および記録ギャップ層１０８を覆うように、電解めっき法により、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部ヨーク兼上部磁極（以下、単に「上部磁極」という。）１１２を形成する。この上部磁極１１２は、例えば、後述する図４４に示したような平面形状を有するものであり、ヨーク部１１２Ａおよびポールチップ部１１２Ｂを含んでいる。上部磁極１１２は、開口部１０８Ａにおいて下部磁極１０７と接触し、磁気的に連結されている。次に、上部磁極１１２のポールチップ部１１２Ｂをマスクとして、その周辺領域における記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７のそれぞれの一部をイオンミリングによって選択的に約０．５μｍ程度エッチングして除去する（図４３参照）。次に、上部磁極１１２を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１３を形成する。最後に、機械加工や研磨工程により、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面、すなわちエアベアリング面１２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０００８】
図４２〜図４４は、完成した状態の薄膜磁気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図４２はエアベアリング面１２０に垂直な方向における薄膜磁気ヘッドの断面を示し、図４３はエアベアリング面１２０に平行な方向における磁極部分５００の断面を拡大して示し、図４４は薄膜磁気ヘッドの平面構造を示す。図４１は、図４４におけるＸＸＸＸＩ−ＸＸＸＸＩ線に沿った矢視断面に相当する。なお、図４２〜図４４では、オーバーコート層１１３等の図示を省略している。図４４では、薄膜コイル１１０およびフォトレジスト膜１１１のそれぞれの最外端のみを図示している。
【０００９】
図４２および図４４において、「ＴＨ」はスロートハイト（Ｔｈｒｏａｔ  Ｈｅｉｇｈｔ  ）を表し、「ＭＲＨ」はＭＲハイトを表している。ここで、「スロートハイト（ＴＨ）」とは、記録ヘッドの性能を決定する要因のうちの一つであり、薄膜コイル１１０を他の導電部分と電気的に分離するための絶縁層（フォトレジスト膜１１１）の最もエアベアリング面１２０に近い側の端縁の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）からエアベアリング面１２０の位置までの長さである。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイト（ＴＨ）の最適化が望まれている。このスロートハイト（ＴＨ）は、エアベアリング面１２０を形成する際の研磨量によって制御される。一方、「ＭＲハイト（ＭＲＨ）」とは、ＭＲ膜１０５の最もエアベアリング面１２０から遠い側の端縁の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置（ＭＲＨ０位置）からエアベアリング面１２０の位置までの長さである。このＭＲハイト（ＭＲＨ）もまた、エアベアリング面１２０を形成する際の研磨量によって制御される。
【００１０】
薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因としては、スロートハイト（ＴＨ）やＭＲハイト（ＭＲＨ）等の他に、図４２に示したエイペックスアングル（Ａｐｅｘ  Ａｎｇｌｅ：θ）がある。このエイペックスアングルθは、フォトレジスト膜１１１のエアベアリング面１２０に近い側の斜面の平均斜度である。
【００１１】
図４３に示したように、記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７のそれぞれの一部が上部磁極１１２のポールチップ部１１２Ｂに対して自己整合的にエッチングされた構造は、トリム（Ｔｒｉｍ）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。「Ｐ２Ｗ」は、トリム構造を有する部分（以下、単に「磁極部分５００」という。）の幅、すなわち磁極幅（または「トラック幅」）を表している。「Ｐ２Ｌ」は、磁極部分５００の一部を構成するポールチップ部１１２Ｂの厚み、すなわち磁極長を表している。なお、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層１２１が設けられている。ただし、図３９〜図４２では、リード層１２１の図示を省略している。
【００１２】
図４４に示したように、上部磁極１１２は、その大部分を占めるヨーク部１１２Ａと、磁極幅Ｐ２Ｗとしてほぼ一定の幅を有するポールチップ部１１２Ｂとを有している。ヨーク部１１２Ａとポールチップ部１１２Ｂとの連結部分において、ヨーク部１１２Ａの外縁は、エアベアリング面１２０と平行な面に対して角度αをなしている。また、上記連結部分において、ポールチップ部１１２Ｂの外縁は、エアベアリング面１２０と平行な面に対して角度βをなしている。図４４では、例えば、αが約４５度であり、βが約９０度である場合を示している。上記したように、ポールチップ部１１２Ｂは、トリム構造を有する磁極部分５００を形成する際にマスクとして機能する部分である。図４２および図４４から判るように、ポールチップ部１１２Ｂは平坦な記録ギャップ層１０８の上に延在し、ヨーク部１１２Ａはフォトレジスト膜１１１で覆われて丘陵状に盛り上がったコイル部分（以下、「エイペックス部」という。）の上に延在している。
【００１３】
なお、上部磁極の詳細な構造的特徴に関しては、例えば、特開平８−２４９６１４号公報に記載がある。この公報では、ＴＨ０位置よりも後側（エアベアリング面１２０から離れる側）の部分の幅が徐々に大きくなるような構造を有する上部磁極について記載している。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
磁極部分５００の磁極幅Ｐ２Ｗは、磁気記録媒体上の記録トラック幅を規定するものである。記録密度を高めるためには、磁極部分５００を高い精度で形成し、磁極幅Ｐ２Ｗを微小化する必要がある。磁極幅Ｐ２Ｗが大きすぎる場合には、磁気記録媒体上の所定の記録トラック領域以外の隣接領域にも書き込みしてしまう現象、すなわちサイドイレーズ現象が発生してしまい、記録密度を向上させることができないからである。特に、近年、高面密度記録を可能とするため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成するために、約０．３μｍ以下に至る磁極幅Ｐ２Ｗの極微小化が要求されており、磁極幅Ｐ２Ｗの極微小化に係る製造技術の確立は急務である。
【００１５】
上部磁極を形成する方法としては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用いて上部磁極１１２を形成する場合には、まず、エイペックス部を含む下地上に、全体に、例えばスパッタリングにより、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を形成する。次に、電極膜上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成したのち、このフォトレジストも膜に対してフォトリソグラフィ処理を施してパターニングすることにより、めっき処理を行うためのフレームパターン（外枠）を形成する。このフレームパターンは、上部磁極１１２の平面形状に対応する開口パターンを有するものである。次に、このフレームパターンをマスクとして用いると共に先工程において形成した電極膜をシード層として用いて、電解めっき法により、フレームパターンの開口パターン中に、例えばパーマロイよりなる上部磁極１１２を形成する。
【００１６】
ところで、エイペックス部と他の部分とでは、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジストは低い方に集まることから、エイペックス部の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレジスト膜が形成される。
【００１７】
極微小な磁極幅Ｐ２Ｗを実現するためには、この磁極幅Ｐ２Ｗに対応して極微小な幅（例えば１．０μｍ以下）を有する開口パターンを備えたフレームパターンを形成する必要がある。すなわち、８〜１０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜により、１．０μｍ以下の極微小な幅を有する開口パターンを形成しなければならない。ところが、このような膜厚の厚いフォトレジスト膜を用いて、極微小な幅を有する開口パターンを備えたフレームパターンを形成することは、製造工程上極めて困難であった。
【００１８】
しかも、エイペックス部等により構成された凹凸構造を有する領域に上部磁極１１２を形成する場合には、以下のような理由により、上部磁極１１２の形成精度は大きく低下してしまうという問題があった。すなわち、上部磁極１１２を形成するためのフレームパターンの形成工程において、凹凸構造を有する領域に形成されたフォトレジスト膜に対して露光処理を施した場合には、下地（電極膜）の斜面部等から斜め方向または横方向へ反射する反射光が生じる。この反射光は、フォトレジスト膜中の露光領域を拡大または縮小させることとなる。これにより、特に、フォトレジスト膜のうち、上部磁極１１２のポールチップ部１１２Ｂに対応して極微小な幅を有する開口パターンの幅が幅方向に拡大してしまう。
【００１９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁極幅を高精度に極微小化することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面に近い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に配設された薄膜コイルと、薄膜コイルを第１の磁性層および第２の磁性層から絶縁する絶縁層とを有すると共に、第１の磁性層がギャップ層より遠い側から順に配設された第１の磁性層部分および第２の磁性層部分を含み、第２の磁性層部分が記録媒体の記録トラック幅を規定するための一定幅を保ちつつ記録媒体対向面からギャップ層に隣接して延在して第１の位置で終端し、第１の磁性層部分が、第２の磁性層部分の一定幅と同一の幅を保ちつつ記録媒体対向面またはその近傍位置から延在して第１の位置と同一または近傍の第２の位置で終端する一定幅部分と、一定幅部分の幅よりも大きな幅を有すると共に第２の位置から記録媒体対向面より離れる方向に延在して第３の位置で終端する拡幅部分とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁性層を形成する工程が、ギャップ層上における記録媒体対向面が形成されるべき位置の近傍から第１の位置に至る領域に、第２の磁性層部分の一定幅よりも大きい幅と、第１の位置において第２の磁性層部分の幅方向に延びる直線状の端縁とを有するように、第２の磁性層部分の前準備層としての前駆磁性層を選択的に形成する第１の工程と、少なくとも前駆磁性層およびその周辺領域を覆うように絶縁層の一部の前準備層としての前駆絶縁層を形成する第２の工程と、少なくとも前駆磁性層が露出するまで前駆絶縁層を研磨して平坦化することにより絶縁層の一部を形成する第３の工程と、研磨後の平坦面上に、一定幅部分における第２の位置が第１の位置よりも記録媒体対向面から遠い側に位置するように第１の磁性層部分を選択的に形成する第４の工程と、第１の磁性層部分の一定幅部分をマスクとして用いて前駆磁性層を選択的にエッチングすることにより第２の磁性層部分を選択的に形成する第５の工程とを含むようにしたものである。
【００２１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、第１の工程において、ギャップ層上における記録媒体対向面が形成されるべき位置の近傍から第１の位置に至る領域に、第２の磁性層部分の一定幅よりも大きい幅と、第１の位置において第２の磁性層部分の幅方向に延びる直線状の端縁とを有するように、第２の磁性層部分の前準備層としての前駆磁性層が選択的に形成される。続いて、第２の工程において、少なくとも前駆磁性層およびその周辺領域を覆うように、絶縁層の一部の前準備層としての前駆絶縁層が形成される。続いて、第３の工程において、少なくとも前駆磁性層が露出するまで前駆絶縁層が研磨されて平坦化されることにより、絶縁層の一部が形成される。続いて、第４の工程において、研磨後の平坦面上に、一定幅部分における第２の位置が第１の位置よりも記録媒体対向面から遠い側に位置するように第１の磁性層部分が選択的に形成される。最後に、第５の工程において、第１の磁性層部分の一定幅部分をマスクとして用いて前駆磁性層が選択的にエッチングされ、第２の磁性層部分が選択的に形成されることにより、第１の磁性層が形成される。
【００２２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性層部分の一定幅部分における記録媒体対向面に近い側の端縁の位置が、記録媒体対向面の位置と一致するようにしてもよいし、記録媒体対向面から離れる方向にずれるようにしてもよい。
【００２３】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性層部分の一定幅部分における記録媒体対向面に近い側の端部の厚みが、記録媒体対向面から遠い側の端部の厚みよりも小さくなるようにするのが好適である。
【００２４】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との境界面が、平面をなすようにしてもよい。
【００２５】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、絶縁層が、第１の位置において第２の磁性層部分と接するようにしてもよい。このような場合には、第１の位置に位置する第２の磁性層部分と絶縁層との境界面が平面をなすようにし、その境界面が第２の磁性層部分の延在方向に対して垂直になるようにしてもよい。
【００２６】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、薄膜コイルが、その一部をなす第１の薄膜コイルを含む場合において、第１の薄膜コイルを、その最も多くの部分が第２の磁性層部分の厚みに対応する空間領域に含まれるように形成してもよい。このような場合には、第２の磁性層部分の厚みが、第１の薄膜コイルの厚みよりも大きくなるようにするのが好適である。
【００２７】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の磁性層のうちの第１の磁性層に近い側の一部をその厚み方向における所定の位置までエッチングすることにより窪み領域を形成し、この窪み領域に第１の薄膜コイルを形成してもよい。
【００２８】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、薄膜コイルが、さらに、その一部をなすと共に第１の薄膜コイルと電気的に接続された第２の薄膜コイルを含む場合において、第２の薄膜コイルを、その最も多くの部分が第１の磁性層部分の一定幅部分の厚みに対応する空間領域に含まれるように形成してもよい。
【００２９】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第３の位置が第２の薄膜コイルよりも記録媒体対向面に近い側に位置する場合において、第１の磁性層を、さらに、第１の磁性層部分と部分的にオーバーラップして磁気的に連結された第３の磁性層部分を含むように形成してもよい。このような場合には、第１の磁性層部分と第３の磁性層部分とがオーバーラップするオーバーラップ領域に、ギャップ層に隣接するように絶縁層の一部を形成するのが好適である。
【００３０】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の磁性層部分を構成する磁性材料が、第１の磁性層部分を構成する磁性材料の飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有するようにしてもよい。このような場合には、第１の磁性層部分を、鉄、ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料よりなるように形成し、第２の磁性層部分を、ニッケル鉄合金またはコバルト鉄合金のいずれかを含む磁性材料よりなるように形成するのが好適である。
【００３１】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性層部分および第２の磁性層部分のうちの少なくとも一方を、窒化鉄、ニッケル鉄合金またはアモルファス合金のいずれか１つを含む磁性材料よりなるように形成してもよい。アモルファス合金としては、コバルト鉄合金、ジルコニウムコバルト鉄合金酸化物またはジルコニウム鉄合金窒化物のいずれかが好適である。
【００３２】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性層部分および第２の磁性層部分のうちの少なくとも一方を、鉄、ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料よりなるように形成してもよい。
【００３７】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第５の工程において、第２の磁性層部分の形成を反応性イオンエッチングを用いて行うようにするのが好適である。
【００３８】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の工程において、前駆磁性層の形成を反応性イオンエッチングを用いて行うようにするのが好適である。
【００３９】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第５の工程において、ギャップ層および第２の磁性層のうち、第１の磁性層部分の一定幅部分の形成領域以外の領域をその厚み方向における所定の位置まで除去するようにしてもよい。
【００４０】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ギャップ層上にスパッタリングを用いて磁性材層を形成したのち、この磁性材層を選択的にエッチングすることにより前駆磁性層を形成すると共に、第１の磁性層部分をめっき膜の成長処理を用いて形成するようにするのが好適である。
【００４７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００４８】
〔第１の実施の形態〕
まず、図１〜図１８を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。
【００４９】
図１〜図１０において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図１１〜図１７は主要な製造工程に対応する斜視構造を示している。ここで、図１１は図１に示した状態に対応し、図１２は図２に示した状態に対応し、図１３は図５に示した状態に対応する。また、図１４は図６に示した状態に対応し、図１５は図７に示した状態に対応し、図１６は図８に示した状態に対応し、図１７は図９に示した状態に対応する。ただし、図１７では、図９におけるオーバーコート層１７等の図示を省略している。図１８は、図２に示した状態に対応する平面構造を示している。
【００５０】
以下の説明では、図１〜図１８の各図中におけるＸ軸方向を「幅方向」、Ｙ軸方向を「長さ方向」、Ｚ軸方向を「厚み（深さ）方向または高さ方向」として表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面７０に近い側（または後工程においてエアベアリング面７０となる側）を「前側（または前方）」、その反対側を「後側（または後方）」と表記するものとする。
【００５１】
＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞
本実施の形態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ）よりなる基板１上に、例えばアルミナよりなる絶縁層２を、約３．０〜５．０μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２上に、例えばフレームめっき法を用いて、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）を約２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層３を形成する。フレームめっき法に関する詳細については、後述する。下部シールド層３を形成する際には、例えば、後述する図２１に示したような平面形状を有するようにする。なお、下部シールド層３を形成するためのパーマロイとしては、上記したＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％の組成を有するものの他、例えば、Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％の組成を有するものを用いるようにしてもよい。次に、全体を覆うように、例えばアルミナ層を約４．０〜５．０μｍの厚みで形成したのち、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法により、下部シールド層３が露出するまでアルミナ層の表面を研磨して全体を平坦化する。これにより、下部シールド層３の周辺領域を埋め込むように絶縁膜４が形成される。
【００５２】
次に、図１に示したように、下部シールド層３上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなるシールドギャップ膜５を約１００〜２００ｎｍの厚みで形成する。次に、シールドギャップ膜５上に、高精度のフォトリソグラフィ処理を用いて、再生ヘッド部の要部であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜６を所望の形状となるように形成する。次に、ＭＲ膜６の両側に、このＭＲ膜６と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層（図示せず）を形成する。次に、このリード層、シールドギャップ膜５およびＭＲ膜６上にシールドギャップ膜７を形成して、ＭＲ膜６をシールドギャップ膜５，７内に埋設する。シールドギャップ膜７の形成材料および形成方法等は、シールドギャップ膜５の場合とほぼ同様である。
【００５３】
次に、図１に示したように、シールドギャップ膜７上に、上部シールド層８を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。上部シールド層８の形成材料および形成方法等は、下部シールド層３の場合とほぼ同様である。次に、上部シールド層８上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなる絶縁膜９を約０．１５〜０．２μｍの厚みで形成する。
【００５４】
次に、図１に示したように、絶縁膜９上に、高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば窒化鉄（ＦｅＮ）よりなる下部磁極１０を選択的に形成する。下部磁極１０を形成する際には、例えば、後述する図２１に示したような平面形状を有するようにする。
【００５５】
ここで、下部磁極１０の形成は、以下のような手順により行う。すなわち、まず、絶縁膜９上に、例えばスパッタリングにより、例えば窒化鉄層を約２．０〜２．５μｍの厚みで形成する。続いて、所定の形状および材質（例えば、クロム等の金属材料）を有するマスクを用いて、例えばリアクティブイオンエッチング（Reactive Ion Etching；以下、単に「ＲＩＥ」という）により窒化鉄層をエッチングしてパターニングすることにより、下部磁極１０を選択的に形成する。下部磁極１０の表面は、その全域にわたってほぼ平坦となる。一般に、ＲＩＥを用いた場合のエッチング速度は、イオンミリングを用いた場合のエッチング速度よりも速い。このため、エッチング方法としてＲＩＥを用いることにより、イオンミリングを用いる場合よりも、下部磁極１０を短時間で形成することができる。ＲＩＥによるエッチング処理を用いて下部磁極１０を形成する場合には、特に、エッチング時に使用するエッチングガスの種類やエッチング時の加工温度などのエッチング条件を適正化することにより、下部磁極１０の形成に要する時間をより短縮させることが可能となる。このようなエッチング条件の適正化に関する詳細については、後述する。なお、下部磁極１０の形成材料としては、窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に高飽和磁束密度を有する磁性材料として、コバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジルコニウムコバルト鉄合金酸化物（ＦｅＣｏＺｒＯ）またはジルコニウム鉄合金窒化物（ＦｅＺｒＮ）などのアモルファス合金を用いるようにしてもよい。窒化鉄層をパターニングするためのエッチング方法としては、必ずしもＲＩＥを用いなければならないものではなく、イオンミリングを用いるようにしてもよい。ここで、下部磁極１０が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「第２の磁性層」の一具体例に対応する。
【００５６】
次に、図１に示したように、下部磁極１０上に、例えばスパッタリングにより、非磁性材料、例えばアルミナよりなる記録ギャップ層１１を約０．１〜０．１５μｍの厚みで平坦に形成する。記録ギャップ層１１を形成する際には、後工程において磁路接続部１２Ｂが形成されることとなる領域を覆わないようにする。この領域は、下部磁極１０と後工程において形成されることとなる上部磁極１２とを接続させるための開口部１１Ｋとなる。なお、記録ギャップ層１１の形成材料としては、上記したアルミナの他、アルミナと同様の非磁性金属材料、例えばニッケル銅合金（ＮｉＣｕ）などを用いるようにしてもよい。ここで、記録ギャップ層１１が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「ギャップ層」の一具体例に対応する。
【００５７】
次に、図１に示したように、全体を覆うように、例えばスパッタリングにより、高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば窒化鉄よりなる基礎磁性層１１２を約０．８〜２．０μｍの厚みで形成する。基礎磁性層１１２を構成する磁性材料としては、例えば、後工程において形成される上部磁性層１２Ｃを構成する磁性材料（例えば鉄ニッケルコバルト合金）の飽和磁束密度よりも大きい飽和磁束密度を有するものを用いるようにする。なお、基礎磁性層１１２の形成材料としては、窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に高飽和磁束密度を有するコバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジルコニウムコバルト鉄合金酸化物（ＦｅＣｏＺｒＯ）またはジルコニウム鉄合金窒化物（ＦｅＺｒＮ）などのアモルファス合金などを用いるようにしてもよい。ここで、基礎磁性層１１２が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「磁性材層」の一具体例に対応する。
【００５８】
次に、図１、図１１および図１８に示したように、基礎磁性層１１２上の所定の位置に、無機材料、例えばアルミナよりなるマスク８０Ａ，８０Ｂを選択的に形成する。マスク８０Ａを形成する際には、その形成領域が後工程において形成される上部ボールチップ１２Ａの形成領域を含むようにする。具体的には、例えば、マスク８０Ａの後端の位置がＭＲ膜６の後端の位置よりも約０．５μｍよりも小さい範囲内において後退するようにすると共に、マスク８０Ａの幅Ｗ１が後述する第２の磁極先端部１２Ａの幅Ｗ２（図７および図１５参照）よりも十分に大きくなるようにする。また、マスク８０Ｂを形成する際には、その形成領域が後工程において形成される磁路接続部１２Ｂの形成領域に対応するようにする（図１１では図示せず）。なお、マスク８０Ａの後端の位置を必ずしもＭＲ膜６の後端の位置よりも後退させなければならないものではなく、両者の位置を互いに一致させるようにしてもよい。マスク８０Ａ，８０Ｂの形成材料としては、上記したアルミナの他、窒化アルミニウムなどを用いるようにしてもよい。
【００５９】
ここで、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成は、例えば、以下のような手順により行う。すなわち、まず、例えばスパッタリングにより、基礎磁性層１１２の表面を覆うようにアルミナ層を形成する。続いて、このアルミナ層上に、例えばフレームめっき法により、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）よりなるマスクを形成する。このとき形成するマスクの平面形状は、最終的に形成するマスク８０Ａ，８０Ｂの平面形状とほぼ同様となるようにする。続いて、パーマロイよりなるマスクを用いて、例えばＲＩＥによりアルミナ層をエッチングすることによりマスク８０Ａ，８０Ｂを形成する。
【００６０】
次に、マスク８０Ａ，８０Ｂを用いて、例えばＲＩＥにより、基礎磁性層１１２をエッチングしてパターニングする。このエッチング処理により、基礎磁性層１１２のうち、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成領域以外の領域が選択的に除去され、図２および図１２に示したように、記録ギャップ層１１上における前方の領域に前駆磁性層１１２Ａが選択的に形成されると共に、開口部１１Ｋに上部磁極１２の一部を構成する磁路接続部１２Ｂが選択的に形成される。前駆磁性層１１２Ａを形成する際には、その後端部の幅方向に延びる端縁１１２ＡＴが直線状をなすようにする。特に、基礎磁性層１１２をエッチングするための手法としてＲＩＥを用いることにより、前駆磁性層１１２Ａの後端面１１２ＡＭは平面をなすと共に、記録ギャップ層１１の平坦な表面１１Ｍに対して垂直になる。前駆磁性層１１２Ａは、後工程においてエッチングしてパターニングされることにより第２の磁極先端部１２Ａとなる前準備層である。以下の説明では、このように後工程で所定の形状となるようにパターニングされることとなる前準備層を「前駆層」と称呼し、同様に表記するものとする。基礎磁性層１１２をパターニングするためのエッチング方法としてＲＩＥを用いることにより、前駆磁性層１１２Ａおよび磁路接続部１２Ｂを高精度かつ短時間で形成することができる。なお、前駆磁性層１１２Ａを形成するためのエッチング処理によりマスク８０Ａ，８０Ｂのそれぞれ自体もエッチングされ、それらの厚みは減少することとなる。エッチング処理が完了した時点で、マスク８０Ａ，８０Ｂが残存するようにしてもよいし（図２および図１２参照）、残存しないようにしてもよい。
【００６１】
次に、図３に示したように、全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜１３を約０．２〜０．５μｍの厚みで形成する。
【００６２】
次に、図３に示したように、前駆磁性層１１２Ａの形成領域よりも後方の領域（磁路接続部１２Ｂの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜１３上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１４を約０．８〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。薄膜コイル１４を形成する際には、例えば、後述する図２１に示したような巻線構造を有するようにする。なお、図３では、薄膜コイル１４の一部分のみを図示している。薄膜コイル１４を形成する際には、同時に、その内側の終端部となるコイル接続部１４Ｓを絶縁膜１３上に薄膜コイル１４と一体に形成する。このコイル接続部１４Ｓは、薄膜コイル１４と後工程において形成されるコイル接続配線１２ＣＨ（図５参照）とを電気的に接続させるためのものである。ここで、薄膜コイル１４が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「薄膜コイル」または「第１の薄膜コイル」の一具体例に対応する。
【００６３】
次に、薄膜コイル１４（コイル接続部１４Ｓを含む）の各巻線間およびその周辺に、加熱時に流動性を示す材料、例えばフォトレジストなどの有機絶縁材料を高精度のフォトリソグラフィ処理により所定のパターンとなるように形成する。次に、このフォトレジスト膜に対して、例えば２００℃〜２５０℃の範囲内における温度で加熱処理を施す。この加熱処理により、図３に示したように、フォトレジストが流動して薄膜コイル１４等の各巻線間を隙間なく埋めつくし、薄膜コイル１４等の各巻線間を絶縁化するための絶縁膜１５が形成される。絶縁膜１５を形成する際には、絶縁膜１５が薄膜コイル１４およびコイル接続部１４Ｓの双方の上面を覆わないようにしてもよいし（図３参照）、覆うようにしてもよい。
【００６４】
次に、図３に示したように、全体を覆うように、例えばスパッタリングにより、例えば前駆絶縁層１６Ｐを約２．０〜３．０μｍの厚みで形成して、前駆磁性層１１２Ａ、磁路接続部１２Ｂおよび薄膜コイル１４等によって構成された凹凸構造領域を埋設する。  
【００６５】
次に、例えばＣＭＰ法により、前駆絶縁層１６Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研磨処理により、図４に示したように、薄膜コイル１４等を埋設する絶縁膜１６が形成される。このときの研磨処理は、少なくとも前駆磁性層１１２Ａおよび磁路接続部１２Ｂが露出するまで行う。薄膜コイル１４を埋設する絶縁材（絶縁膜１３，１５，１６）と前駆磁性層１１２Ａとの境界面は平面をなし、かつ平坦な記録ギャップ層１１の表面に対して垂直になる。上記の絶縁材（絶縁膜１３）の前端の位置は、記録ヘッドの性能を決定する因子のうちの１つであるスロートハイト（ＴＨ）を決定するための基準の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）となる。ここで、絶縁膜１３，１５，１６が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「絶縁層」の一具体例に対応する。
【００６６】
次に、図５に示したように、例えばＲＩＥまたはイオンミリングにより、コイル接続部１４Ｓの上方を覆っている絶縁膜１６を部分的にエッチングして、コイル接続部１４Ｓと後工程において形成されるコイル接続配線１２ＣＨとを接続させるための開口部１６Ｋを形成する。
【００６７】
次に、図５および図１３に示したように、前駆磁性層１１２Ａ上から磁路接続部１２Ｂ上にかけての平坦領域に、例えばフレームめっき法により、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）およびコバルト（Ｃｏ）を含んで高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト合金（ＣｏＮｉＦｅ；Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなる上部磁性層１２Ｃを約２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する。上部磁性層１２Ｃを形成する際には、同時に、開口部１６Ｋにおけるコイル接続部１４Ｓの露出面上から図示しない外部回路にかけての領域にコイル接続配線１２ＣＨを形成する。この上部磁性層１２Ｃは、上部磁極１２の一部を構成するものである。なお、上部磁性層１２Ｃ等の形成材料としては、上記した３つの金属元素と共に、クロム（Ｃｒ）、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）および銅のうちの少なくとも１種を含むものを用いるようにしてもよい。
【００６８】
上部磁性層１２Ｃを形成する際には、例えば、後述する図２１に示したように、後工程においてエアベアリング面７０となる側（図５における左側）から順に、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  、中間部１２Ｃ（２）  、後端部１２Ｃ（３）  およびヨーク部１２Ｃ（４）  を含むようにする。第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  は、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅（約０．１〜０．２μｍ）を有するものである。上部磁性層１２Ｃを形成する際には、例えば、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  と中間部１２Ｃ（２）  との連結位置Ｐ２（第２の位置）が前駆磁性層１１２Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よりも後退するようにする。また、例えば、後端部１２Ｃ（３）  の後端の位置Ｐ３（第３の位置）が磁路接続部１２Ｂの後端の位置と一致するようにする。上部磁性層１２Ｃは、その後方部分において、開口部１１Ｋを通じて磁路接続部１２Ｂを介して下部磁極１０と磁気的に連結される。なお、上部磁性層１２Ｃの構造的特徴については後述する。
【００６９】
ここで、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「一定幅部分」の一具体例に対応する。また、中間部１２Ｃ(2) 、後端部１２Ｃ(3) およびヨーク部１２Ｃ(4) が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「拡幅部分」の一具体例に対応する。さらに、上部磁性層１２Ｃが、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「第１の磁性層部分」の一具体例に対応する。
【００７０】
フレームめっき法によって上部磁性層１２Ｃを形成する際には、まず、例えば、スパッタリングにより、電解めっき法におけるシード層となる電極膜（図示せず）を約７０μｍの厚みに形成する。この電極膜の形成材料としては、例えば、高飽和磁束密度を有する鉄ニッケルコバルト合金（Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）などを用いるようにする。次に、この電極膜上に、例えばポジティブ型のフォトレジスト（以下、単に「フォトレジスト」という。）を塗布して、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。次に、所定の形状パターンを有するマスク（図示せず）を用いて、フォトレジスト膜の所定の領域を選択的に露光する。次に、フォトレジスト膜の露光領域を現像することにより、フレームめっき法においてめっき処理を行う際に用いるフレームパターン（外枠）（図示せず）を形成する。このフレームパターンは、上記の露光領域に対応した開口部を備えるものである。次に、フレームパターンをマスクとして用いると共に先工程において形成した電極膜をシード層として用いて、電解めっき法により、鉄ニッケルコバルト合金（Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなる上部磁性層１２Ｃを形成する。最後に、フレームパターンを除去する。なお、コイル接続配線１２ＣＨもまた、上記した上部磁性層１２Ｃの場合と同様の形成材料および形成方法を用いて形成する。
【００７１】
次に、図６および図１４に示したように、上部磁性層１２Ｃの一部およびコイル接続配線１２ＣＨ等を覆うようにフォトレジスト膜９０を選択的に形成する。フォトレジスト膜９０を形成する際には、例えば、その大部分が上部磁性層１２Ｃにおける第１の磁極先端部１２Ｃ(1) と中間部１２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２よりも後方側の部分を覆うようにすると共に、その一部（部分９０Ｂ）が上記の連結位置Ｐ２よりも前方側に突出して第１の磁極先端部１２Ｃ(1) に部分的に乗り上げるようにする。
【００７２】
次に、上部磁性層１２Ｃおよびフォトレジスト膜９０の双方をマスクとして、例えばＲＩＥにより、前駆磁性層１１２Ａおよびその周辺領域を選択的にエッチングする。このエッチング処理により、上部磁性層１２Ｃにおける第１の磁極先端部１２Ｃ(1) と中間部１２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２よりも前方側の領域における前駆磁性層１１２Ａおよび絶縁膜１６等が選択的に除去され、図７および図１５に示したように、上部磁極１２の一部を構成する第２の磁極先端部１２Ａが形成される。前駆磁性層１１２Ａをパターニングするためのエッチング方法としてＲＩＥを用いることにより、第２の磁極先端部１２Ａを高精度かつ短時間で形成することができる。この第２の磁極先端部１２Ａは、上部磁性層１２Ｃの第１の磁極先端部１２Ｃ(1) と同様に、記録媒体上の記録トラック幅を規定する一定幅を有するものである。第２の磁極先端部１２Ａを形成するためのエッチング処理により、マスク自体、すなわち上部磁性層１２Ｃおよびフォトレジスト膜９０のそれぞれ自体もエッチングされ、その膜厚は減少する。これにより、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) における前側の部分の厚みは後側の部分の厚みよりも小さくなり、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) に段差が形成される。このとき、フォトレジスト膜９０（部分９０Ｂ）の前方部も徐々にエッチングされ、部分９０Ｂの前端の位置が除々に後退することにより、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) のうちの部分９０Ｂの近傍部分に対するエッチング量が連続的に変化し、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) に形成された段差部における段差面１２ＣＭは下地（絶縁膜１６）の平坦面１６Ｍに対して斜面をなすこととなる。
【００７３】
ここで、第２の磁極先端部１２Ａが、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「第２の磁性層部分」の一具体例に対応する。また、第２の磁極先端部１２Ａ，磁路接続部１２Ｂ，上部磁性層１２Ｃによって構成される上部磁極１２が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「第１の磁性層」の一具体例に対応する。  
【００７４】
第２の磁極先端部１２Ａを形成するためのＲＩＥによるエッチング処理を行う際には、特に、例えば、塩素（Ｃｌ2 ）、三塩化ボロン（ＢＣｌ3 ）、塩化水素（ＨＣｌ）、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、六フッ化硫黄（ＳＦ6 ）および三臭化ボロン（ＢＢｒ3 ）のうちの少なくとも１種に水素（Ｈ2 ）、酸素（Ｏ2 ）、窒素（Ｎ2 ）およびアルゴン（Ａｒ）などを添加したものを含むエッチングガスを用いると共に、加工温度を５０℃〜３００℃の範囲内となるようにするのが好適である。このようなガス雰囲気中および温度下においてＲＩＥによるエッチング処理を行うことにより、特に、窒化鉄よりなる前駆磁性層１１２Ａに対するエッチング処理の化学反応が促進されるため、第２の磁極先端部１２Ａの形成に要する時間をより短縮することができる。
【００７５】
さらに、上部磁性層１２Ｃおよびフォトレジスト膜９０をマスクとして、例えばＲＩＥにより、記録ギャップ層１１および下部磁極１０のそれぞれの一部を約０．３〜０．４μｍ程度エッチングする。このエッチング処理により、上部磁性層１２Ｃにおける第１の磁極先端部１２Ｃ(1) と中間部１２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２よりも前方の領域において、記録ギャップ層１１および下部磁極１０のうち、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) の配設領域以外の部分が選択的に除去され、掘り下げられる。このエッチング処理により、図８および図１６に示したように、トリム構造を有する磁極部分１００が形成される。この磁極部分１００は、上部磁性層１２Ｃにおける第１の磁極先端部１２Ｃ(1) と、記録ギャップ層１１の一部と、第２の磁極先端部１２Ａと、下部磁極１０のうちの第２の磁極先端部１２Ａ等に対応する部分とによって構成されている。磁極部分１００を構成する上記の各部位は、互いにほぼ同様の幅を有している。エッチング方法としてＲＩＥを用いることにより、磁極部分１００を高精度かつ短時間で形成することができる。
【００７６】
磁極部分１００を形成するためのＲＩＥによるエッチング処理を行う際には、特に、例えば、塩素と三塩化ボロンとの混合ガスをエッチングガスとして用いると共に、加工温度を１００℃〜２００℃の範囲内となるようにするのが好適である。このようなガス雰囲気中および温度下においてＲＩＥによるエッチング処理を行うことにより、磁極部分１００の形成に要する時間をより短縮することができる。
【００７７】
次に、図９に示したように、全体を覆うように、絶縁材料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料よりなるオーバーコート層１７を約２０〜４０μｍの厚みで形成する。このときの上部磁性層１２Ｃ周辺の構造は、図１７に示したようになる。
【００７８】
最後に、図１０に示したように、機械加工や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面７０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。上部磁性層１２Ｃの第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  および第２の磁極先端部１２Ａは、エアベアリング面７０に露出する。
【００７９】
＜薄膜磁気ヘッドの製造方法における作用および効果＞
次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における作用および効果について説明する。
【００８０】
本実施の形態では、後端部の幅方向に延びる端縁１１２ＡＴが直線状をなすように形成した前駆磁性層１１２Ａ上に、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  と中間部１２Ｃ（２）  との連結位置Ｐ２（第２の位置）が前駆磁性層１１２Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よりも後退するように上部磁性層１２Ｃを形成したのち、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  をマスクとして用いて前駆磁性層１１２Ａをエッチングしてパターニングすることにより第２の磁極先端部１２Ａを形成するようにしている。このような場合には、以下のような理由により、第２の磁極先端部１２Ａを高精度に形成することができる。
【００８１】
ここで、図１９は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における作用を説明するためのものである。図１９において、（Ａ）は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により形成された第２の磁極先端部１２Ａの平面構造を拡大して表し、（Ｂ）は比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法（例えばフレームめっき法）により形成された第２の磁極先端部２１２Ａの平面構造を拡大して表している。薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、特に、記録ヘッドの性能を決定する要因のうちの１つであるスロートハイト（ＴＨ）を制御するために、このスロートハイトを規定するための基準の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）を正確かつ一義的に決定する必要がある。しかしながら、図１９（Ｂ）に示した比較例の場合には、フレームめっき法を用いて極微小幅（例えば０．１μｍ）を有するポールチップ部２１２Ａを形成しようとすると、その後端部の幅方向に延びる端縁２１２ＡＴが丸みを帯び、第２の磁極先端部２１２Ａの幅が後方において小さくなってしまう。なぜなら、第２の磁極先端部２１２Ａの平面形状に対応しためっきフレームとしてのフォトレジストパターンを形成する工程において、フォトレジスト膜のうちの極微小幅を有する領域を選択的に露光しようとしても、その領域の端部近傍（特にコーナー部分）が十分に露光されず、フォトレジスト膜の露光領域が縮小するためにフォトレジストパターンを精度よく形成することができないからである。このような場合には、第２の磁極先端部２１２Ａの後端の位置において、薄膜コイル１４を埋設する絶縁材（絶縁膜１３，１５，１６）の前端の位置（スロートハイトゼロ位置）を一義的に決定することができなくなる。
【００８２】
これに対して、本実施の形態では、後端部の幅方向に延びる端縁１１２ＡＴが直線状をなすように形成された前駆磁性層１１２Ａ（図２および図１２参照）の一部として第２の磁極先端部１２Ａが形成されるため、図１９（Ａ）に示したように、端縁１１２ＡＴの一部がそのまま残存して第２の磁極先端部１２Ａの端縁１２ＡＴとなる。これにより、後微小な一定幅（例えば０．１μｍ）を有すると共に端縁１２ＡＴが直線状をなすように第２の磁極先端部１２Ａを形成することができる。このような場合には、比較例の場合とは異なり、第２の磁極先端部１２Ａの後端の位置において、絶縁材（絶縁膜１３，１５，１６）の前端の位置（スロートハイトゼロ位置）を一義的に決定することが可能となる。
【００８３】
なお、上記した第２の磁極先端部１２Ａの形成手法および効果は、薄膜磁気ヘッドの構成部品としての第２の磁極先端部１２Ａを形成する場合にのみ適用されるものではなく、薄膜磁気ヘッド以外の各種分野において極微小な幅を有する磁性層パターンを形成する場合にも適用可能である。
【００８４】
また、本実施の形態では、特に、基礎磁性層１１２をエッチングするための手法としてＲＩＥを用いるようにしているので、形成される前駆磁性層１１２Ａのエッチング端面は平面をなす。このとき、特に、前駆磁性層１１２Ａのエッチング端面が記録ギャップ層１１の平坦な表面に対して垂直になるようにすることにより、前駆磁性層１１２Ａの一部として形成される第２の磁極先端部１２Ａの後端面１２ＡＭ（図７および図１５参照）もまた、平面をなすと共に記録ギャップ層１１の平坦な表面に対して垂直をなすこととなる。このような場合には、上記したスロートハイトゼロ位置の決定がより容易になる。
【００８５】
さらに、エッチング手法としてＲＩＥを用いることにより、イオンミリングを用いる場合よりも、前駆磁性層１１２Ａを高精度かつ短時間で形成することができる。エッチング手法としてＲＩＥを用いた場合の形成精度の向上および形成時間の短縮に関する効果は、第２の磁極先端部１２Ａおよび下部磁極１０等を形成する場合においても同様である。特に、ＲＩＥによるエッチング処理を適正なエッチング条件下において行うことにより、第２の磁極先端部１２Ａ等の形成に要する時間をより短縮することができる。
【００８６】
また、本実施の形態では、図５に示したように、前駆磁性層１１２Ａをエッチングするためのマスクとしての上部磁性層１２Ｃを形成する場合に、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  と中間部１２Ｃ（２）  との連結位置Ｐ２（第２の位置）が前駆磁性層１１２Ａの後端の位置（第１の位置Ｐ１）よりも後退するようにしているため、以下のような理由により、この観点においても第２の磁極先端部１２Ａの形成精度の向上に寄与する。ここで、図２０は、上部磁性層１２Ｃの形成位置に関する作用を説明するためのものである。図２０において、（Ａ）は、本実施の形態の場合と同様に第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  と中間部１２Ｃ（２）  との連結位置Ｐ２を第２の磁極先端部１２Ａの後端の位置よりも後退させた場合の第２の磁極先端部１２Ａおよび上部磁性層１２Ｃの平面構造を表し、（Ｂ）は、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  と中間部１２Ｃ（２）  との連結位置Ｐ２を第２の磁極先端部１２Ａの後端の位置と一致させた場合の第２の磁極先端部１２Ａおよび上部磁性層１２Ｃの平面構造を表している。図２０（Ｂ）に示した場合には、上部磁性層１２Ｃの形成過程において、上記した第２の磁極先端部１２Ａの形成時におけるフォトレジストパターンの形成精度の低下と同様の要因により、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  と中間部１２Ｃ（２）  との連結部におけるコーナー部１２ＣＮが丸みを帯びると、この上部磁性層１２Ｃをマスクとしたエッチング処理により形成される第２の磁極先端部１２Ａの幅は後方において広がってしまう。これに対して、図２０（Ａ）に示した場合には、コーナー部１２ＣＮが丸みを帯びたとしても、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  のうちの一定幅を有する部分をマスクとして用いてエッチング処理を行うことにより、一定幅を有する第２の磁極先端部１２Ａを形成することができる。
【００８７】
また、本実施の形態では、記録ギャップ層１１の平坦な表面に上部磁性層１２Ｃを形成しているので、凹凸構造を有する下地上に上部磁極１１２を形成していた従来の場合とは異なり、上部磁性層１２Ｃを形成するためのフォトレジストパターンを高精度に形成することができる。このため、フレームめっき法を用いた場合においても上部磁性層１２Ｃを高精度に形成することができる。
【００８８】
また、本実施の形態では、上部磁性層１２Ｃの形成材料として、鉄、ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト合金（ＣｏＮｉＦｅ）を用いるようにしている。一般に、この鉄ニッケルコバルト合金は、パーマロイやニッケル鉄等の磁性材料よりも硬い磁性材料であるため、鉄ニッケルコバルト合金に対するエッチング速度は、パーマロイや窒化鉄等に対するエッチング速度よりも遅くなる。このため、前駆磁性層１１２Ａをパターニングするためのエッチング処理時において、前駆磁性層１１２Ａに対するエッチング量よりも上部磁性層１２Ｃ（第１の磁極先端部１２Ｃ(1) ）に対するエッチング量を小さくし、上部磁性層１２Ｃ（第１の磁極先端部１２Ｃ(1) ）の膜減りを抑制することができる。ただし、上部磁性層１２Ｃの形成時には、エッチング処理時における「膜減り」を見こして、上部磁性層１２Ｃの厚みを必要かつ十分に確保しておく必要がある。上部磁性層（第１の磁極先端部１２Ｃ(1) ）に対するエッチング量（膜減り量）は、エッチングガスの種類や加工温度などのエッチング条件を変更することにより調整可能である。
【００８９】
なお、上部磁性層１２Ｃの形成材料としての鉄ニッケルコバルト合金は、形成されることとなる上部磁性層１２Ｃの膜厚が適度に薄い場合（例えば３．０μｍ以下）にのみ使用するのが好ましい。なぜなら、例えば、鉄ニッケルコバルト合金を形成材料として用いて、３．０μｍよりも大きい厚みを有する上部磁性層１２Ｃを形成しようとすると、内部応力の蓄積に起因して鉄ニッケルコバルト合金が部分的に割れたり、剥がれてしまい、上部磁性層１２Ｃを正常に形成することが困難だからである。本実施の形態では、約２．０〜３．０μｍの厚みを有するように上部磁性層１２Ｃを形成しているので、鉄ニッケルコバルト合金などの硬い磁性材料を用いた場合においても、上記の「割れ」または「剥がれ」等を回避し、上部磁性層１２Ｃの形成を安定化させることができる。
【００９０】
また、本実施の形態では、磁極部分１００を形成するためのエッチング方法としてＲＩＥを用いるようにしたので、上記した第２の磁極先端部１２Ａの形成の場合と同様に、磁極部分１００を高精度かつ短時間で形成することができる。この場合においても、エッチング条件を適正化することにより、磁極部分１００の形成に要する時間をより短縮することができる。
【００９１】
また、本実施の形態では、薄膜コイル１４（コイル接続部１４Ｓを含む）の各巻線間を埋め込む絶縁膜１５の形成材料として、加熱時に流動性を示すフォトレジストなどの有機絶縁材料を用いるようにしたので、加熱時に流動性を示さないアルミナなどの無機絶縁材料を用いる場合とは異なり、薄膜コイル１４等の各巻線間を隙間なく埋めつくすことができ、確実に絶縁することができる。
【００９２】
また、本実施の形態では、絶縁膜１６の形成材料としてアルミナなどの無機絶縁材料を用いるようにしたので、フォトレジストなどの軟絶縁材料を用いる場合とは異なり、ＣＭＰ研磨盤の研磨面が目詰まりを起こすことを防止できると共に、研磨後の表面をより平滑に形成することができる。
【００９３】
＜薄膜磁気ヘッドの構造＞
次に、図１０（Ａ）、図１８および図２１を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面構造について説明する。
【００９４】
図２１は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面構造の概略を表すものである。なお、図２１では、絶縁膜１３，１５，１６およびオーバーコート層１７等の図示を省略している。また、薄膜コイル１４については、その最外周の一部のみを図示している。図１０（Ａ）は、図２１におけるＸＡ−ＸＡ線に沿った矢視断面に相当する。なお、図２１中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞれの表記については、図１〜図１８の場合と同様とする。
【００９５】
第２の磁極先端部１２Ａの後端の位置、すなわち薄膜コイル１４を埋設する絶縁材（絶縁膜１３，１５，１６）の前端の位置は、スロートハイト（ＴＨ）を決定する際の基準となる位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）である。スロートハイト（ＴＨ）は、絶縁膜１３の前端の位置（ＴＨ０位置）からエアベアリング面７０までの長さとして規定される。図２１における「ＭＲＨ０位置」は、ＭＲ膜６の後端の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置を表している。ＭＲハイト（ＭＲＨ）は、ＭＲハイトゼロ位置からエアベアリング面７０までの長さである。スロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）とＭＲハイトゼロ位置（ＭＲＨ０位置）とは、例えば、ほぼ一致している。
【００９６】
上部磁極１２は、上記したように、例えば、それぞれ別個に形成された第２の磁極先端部１２Ａ、磁路接続部１２Ｂおよび上部磁性層１２Ｃによって構成されている。すなわち、上部磁極１２は、これらの各部位の集合体である。
【００９７】
第２の磁極先端部１２Ａは、例えば、矩形状の平面形状を有し、全域にわたって一定幅を有するものである。
【００９８】
上部磁性層１２Ｃは、上記したように、エアベアリング面７０から順に、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  、中間部１２Ｃ（２）  、後端部１２Ｃ（３）  およびヨーク部１２Ｃ（４）  を含んでいる。これらのうち、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  、中間部１２Ｃ（２）  および後端部１２Ｃ（３）  は、例えば矩形状の平面形状を有している。第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  は、第２の磁極先端部１２Ａの幅と同様の一定幅を有すると共に、第２の磁極先端部１２Ａの長さよりも大きな長さを有している。中間部１２Ｃ（２）  は、例えば第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  の幅よりも大きな幅を有し、後端部１２Ｃ（３）  は、例えば中間部１２Ｃ（２）  の幅よりも大きな幅を有している。すなわち、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  と中間部１２Ｃ（２）  との連結部分には、幅方向の段差が形成されている。ヨーク部１２Ｃ（４）  は、薄膜コイル１４により発生した磁束を収容するものであり、後端部１２Ｃ（３）  の幅よりも大きな幅を有している。ヨーク部１２Ｃ（４）  の幅は、例えば、その後方部においてほぼ一定であり、その前方部においてエアベアリング面７０に近づくにつれて徐々に狭まるようになっている。上部磁性層１２Ｃを構成する各部位の幅方向の中心は互いに一致している。
【００９９】
第２の磁極先端部１２Ａおよび第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  は、上記したように、記録媒体上の記録トラック幅を規定する部分である。すなわち、この記録トラック幅を規定する部分は２層構造をなしている。第２の磁極先端部１２Ａおよび第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  は、例えば、共にエアベアリング面７０に露出している。
【０１００】
第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  と中間部１２Ｃ（２）  との連結部分における段差面１２ＣＤの位置は、例えば、ＴＨ０位置の位置よりも後退している。上記の連結部分において、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  の側縁面と段差面１２ＣＤとが交わるコーナー部における角度γは、例えば９０度である。なお、このコーナー部の角度γは必ずしもこれに限られるものではなく、例えば９０度ないし１２０度の範囲内となるようにするのが好適である。角度γを上記の範囲内とすることにより、中間部１２Ｃ（２）  から第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  に流入する磁束の流れを円滑化することができるからである。
【０１０１】
第２の磁極先端部１２Ａは、記録ギャップ層１１の平坦な表面上に延在している。上部磁性層１２Ｃは、第２の磁極先端部１２Ａ上から磁路接続部１２Ｂ上にかけての平坦な表面上に延在している。この上部磁性層１２Ｃは、開口部１１Ｋにおいて、磁路接続部１２Ｂを介して下部磁極１０と磁気的に連結されている。すなわち、上部磁極１２（第２の磁極先端部１２Ａ，磁路接続部１２Ｂ，上部磁性層１２Ｃ）と下部磁極１０とが接続されることにより、磁束の伝播経路、すなわち磁路が形成されている。
【０１０２】
薄膜コイル１４は、上記したように、渦巻状の平面形状を有する巻線体である。薄膜コイル１４のうち、例えば、その内側の終端部にはコイル接続部１４Ｓが形成され、外側の終端部には端子１４Ｘが形成されている。双方の部位は、薄膜コイル１４と一体をなすものである。コイル接続部１４Ｓ上にはコイル接続配線１２ＣＨが形成されており、薄膜コイル１４とコイル接続配線１２ＣＨとは、コイル接続部１４Ｓを介して電気的に接続されている。端子１４Ｘおよびコイル接続配線１２ＣＨの後端部（図示せず）は、共に図示しない外部回路に接続されており、この外部回路によって薄膜コイル１４を通電させることができるようになっている。図１０（Ａ）に示したように、薄膜コイル１４等は、例えば、第２の磁極先端部１２Ａの厚みに対応する後方領域に配設されている。
【０１０３】
〈薄膜磁気ヘッドの作用および効果〉
次に、図１０（Ａ）、図１８および図２１を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造に関する作用および効果について説明する。
【０１０４】
ここでは、まず、薄膜磁気ヘッドの基本的動作、すなわち、記録媒体に対するデータの記録動作および記録媒体からのデータの再生動作について簡単に説明する。
【０１０５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録動作時に図示しない外部回路を通じて薄膜コイル１４に電流が流れると、これに応じて磁束が発生する。このとき発生した磁束は、上部磁性層１２Ｃ内をヨーク部１２Ｃ（４）  、後端部１２Ｃ（３）、中間部１２Ｃ（２）  、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  の順に伝播し、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  のエアベアリング面７０側の先端部分に到達する。このとき、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  に伝播した磁束の一部は、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  と磁気的に連結されている第２の磁極先端部１２Ａにも伝播し、その先端部分まで到達する。第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  および第２の磁極先端部１２Ａの双方の先端部分に到達した磁束により、記録ギャップ層１１近傍の外部に記録用の信号磁界が発生する。この信号磁界により、磁気記録媒体を部分的に磁化して、情報を記録することができる。優れたオーバーライト特性を確保するためには、磁束の伝播過程における磁束の伝播を円滑にし、特に、第２の磁極先端部１２Ａの先端部分まで十分な磁束を到達させる必要がある。
【０１０６】
一方、再生時においては、再生ヘッド部のＭＲ膜６にセンス電流を流す。ＭＲ膜６の抵抗値は、磁気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出することにより、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出すことができる。
【０１０７】
本実施の形態では、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する部分を２層構造（第２の磁極先端部１２Ａ，第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  ）としているので、主要な磁束の伝播経路をなす上部磁性層１２Ｃの構造を変更することなく、第２の磁極先端部１２Ａの長さのみを変更することによりスロートハイト（ＴＨ）を調整することができる。
【０１０８】
また、本実施の形態では、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する部分を２層構造（第２の磁極先端部１２Ａ，第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  ）とし、その上層部分である第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  の形成材料として鉄ニッケルコバルト合金を用い、下層部分である第２の磁極先端部１２Ａの形成材料としてニッケル鉄を用いるようにしたので、以下のような理由により、優れたオーバーライト特性を確保することができる。すなわち、一般に、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  の形成材料として用いられる鉄ニッケルコバルト合金は、上記したように、その高い硬度特性によりエッチングマスクとして利用することが可能な反面、めっき処理時におけるその組成制御が困難である。組成制御が十分でないと、鉄ニッケルコバルト合金中において部分的に磁束密度の差異が生じ、磁束の伝播特性に偏りが生じてしまう可能性がある。一方、第２の磁極先端部１２Ａの形成材料として用いられるニッケル鉄は、形成手法としてスパッタリングを用いることにより、その組成を比較的容易に制御することができる。これらのことから、鉄ニッケルコバルト合金の組成が多少乱れ、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  内における磁束の伝播特性にばらつきが生じたとしても、組成が適正に制御されたニッケル鉄よりなる第２の磁極先端部１２Ａにおいて円滑な磁束の伝播が確保され、その先端部分まで十分な磁束が到達することとなる。このような効果は、特に、第２の磁極先端部１２Ａを構成する磁性材料（窒化鉄）として、上部磁性層１２Ｃを構成する磁性材料（鉄ニッケルコバルト合金）の飽和磁束密度よりも大きい飽和磁束密度を有するものを用いることにより顕著となる。
【０１０９】
また、本実施の形態では、第２の磁極先端部１２Ａおよび上部磁性層１２Ｃの形成材料として、共に高飽和磁束密度を有する磁性材料（例えば、窒化鉄および鉄ニッケルコバルト合金）を用いるようにしたので、記録密度を高めるために磁極幅を極微小化した場合においても、磁束の飽和現象が抑制され、磁束の伝播が円滑化される。これにより、第２の磁極先端部１２Ａおよび上部ヨーク１２Ｃの第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  のそれぞれの先端部まで十分な量の磁束が供給されるため、優れたオーバーライト特性を確保することができる。
【０１１０】
また、本実施の形態では、上部磁性層１２Ｃを構成するヨーク部１２Ｃ（４）  ，後端部１２Ｃ（３）  ，中間部１２Ｃ（２）  ，第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  の各部位の幅がこの順に小さくなるようにしているので、各部位の磁気ボリューム、すなわち、各部位の内部に収容可能な磁束の許容量もまた同じ順に小さくなる。このため、上部磁性層１２Ｃに流入した磁束は、ヨーク部１２Ｃ（４）  から第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  まで伝播する過程において、磁気ボリュームの段階的な減少に応じて段階的に収束され、磁束の伝播過程における磁束の飽和減少が抑制される。これにより、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  および第２の磁極先端部１２Ａには十分な量の磁束が供給されるため、この点もまた、優れたオーバーライト特性の確保に寄与する。
【０１１１】
さらに、本実施の形態では、上部磁性層１２Ｃにおける第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  の前方部分の厚みが後方部分の厚みよりも小さくなり、両者の間に厚み方向の段差が形成されている。このような場合には、「厚み」の減少に起因する磁気ボリュームの減少にともない、上記した「幅」の減少に起因して磁気ボリュームが減少する場合と同様に、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  内を伝播する磁束が段階的に収束され、磁束の飽和現象が抑制される。また、特に、上記の段差部における段差面１２ＣＭが斜面をなすようにしたので、この斜面部の近傍において、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  内の磁束の流れを円滑化することができる。
【０１１２】
また、本実施の形態では、第２の磁極先端部１２Ａと絶縁層１６との境界面が平面をなすようにしたので、上記の境界面が平坦でない場合とは異なり、薄膜コイル１４を埋設する絶縁材（絶縁膜１３，１５，１６）の前端の位置、すなわちＴＨ０位置を一義的に決定することができる。
【０１１３】
＜第１の実施の形態に関する変形例＞
なお、本実施の形態では、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  と中間部１２Ｃ（２）  との連結位置Ｐ２（第２の位置）を前駆磁性層１１２Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よりも後退させるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、コーナー部１２ＣＮ（図２０参照）が丸みを帯びる現象を回避し、上部磁性層１２Ｃの形成精度を十分に確保することが可能であるならば、位置Ｐ２と位置Ｐ１とを互いに一致させるようにしてもよい。
【０１１４】
また、本実施の形態では、基礎磁性層１１２（第２の磁極先端部１２Ａ）の形成材料として窒化鉄またはアモルファス合金（コバルト鉄合金等）を用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、パーマロイ（例えばＮｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％の組成を有するもの）を用いるようにしてもよいし、鉄、ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料（例えば、鉄ニッケルコバルト合金）を用いるようにしてもよい。ただし、基礎磁性層１１２の組成を適正に制御し、最終的に形成される第２の磁極先端部１２Ａの内部における磁束の伝播性を良好に確保しようとするならば、基礎磁性層１１２の形成材料として窒化鉄やアモルファス合金を用いるようにするのが好適である。なお、基礎磁性層１１２の形成方法としては、必ずしもスパッタリングおよびエッチング処理を用いる必要はなく、例えば、フレームめっき法を用いるようにしてもよい。
【０１１５】
また、本実施の形態では、基礎磁性層１１２を形成したのち、この基礎磁性層１１２をエッチングしてパターニングすることにより前駆磁性層１１２Ａを形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、エッチング処理を用いずに、前駆磁性層１１２Ａをフレームめっき法を用いて形成するようにしてもよい。もちろん、フレームめっき法を用いる場合においても、前駆磁性層１１２Ａの後端部の幅方向に延びる端縁１１２ＡＴが直線状をなすようにする。
【０１１６】
また、本実施の形態では、上部磁性層１２Ｃの形成材料として鉄ニッケルコバルト合金を用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、パーマロイ（例えばＮｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％の組成を有するもの）、窒化鉄またはアモルファス合金（例えば、コバルト鉄合金）のいずれかを用いるようにしてもよい。ただし、前駆磁性層１１２Ａのパターニング時においてマスクとして機能する上部磁性層１２Ｃの膜減り量を抑制するならば、上記実施の形態において説明したように、上部磁性層１２Ｃの形成材料として鉄ニッケルコバルト合金を用いるようにするのが好適である。なお、上部磁性層１２Ｃの形成方法としては、必ずしもフレームめっき法を用いる必要はなく、例えば、下部磁極１０等を形成した場合と同様にスパッタリングおよびエッチング処理を用いるようにしてもよい。
【０１１７】
また、本実施の形態では、基礎磁性層１１２（第２の磁極先端部１２Ａ）および上部磁性層１２Ｃの形成材料として、共に高飽和磁束密度を有する磁性材料を用いるようにしている。ここで、上記のそれぞれの部位を形成するために用いる磁性材料の飽和磁束密度は自由に設定することが可能である。具体的には、例えば、それぞれの部位の形成材料として、互いに等しい飽和磁束密度を有する２種類の磁性材料を用いるようにしてもよいし、または互いに異なる飽和磁束密度を有する２種類の磁性材料を用いるようにしてもよい。いずれの場合においても、上記実施の形態の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。ただし、互いに異なる飽和磁束密度を有する磁性材料を用いる場合には、例えば、以下のような理由により、基礎磁性層１１２を構成する磁性材料の飽和磁束密度が、上部磁性層１２Ｃを構成する磁性材料の飽和磁束密度よりも大きくなるようにするのが好ましい。すなわち、一般に、薄膜磁気ヘッドの動作（例えば情報の記録等）は、主に、第２の磁極先端部１２Ａおよび上部磁性層１２Ｃの第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  のうち、記録ギャップ層１１に近い第２の磁極先端部１２Ａの内部を伝播する磁束の作用により実行されることとなる。このため、互いに異なる飽和磁束密度を有する２種類の磁性材料を用いる場合には、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅部分（第２の磁極先端部１２Ａ，第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  ）において、上層領域としての第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  よりも下層領域としての第２の磁極先端部１２Ａにおいて飽和磁束密度が大きくなるように磁束の分布状態（以下、「飽和磁束密度プロファイル」ともいう。）を構築する必要がある。逆に言えば、異なる飽和磁束密度を有する２種類の磁性材料を選択的に用いて２層構造よりなる一定幅部分を構成するようにすることにより、この一定幅部分の飽和磁束密度プロファイルを自由に調整することが可能となる。
【０１１８】
また、本実施の形態では、第２の磁極先端部１２Ａ等を形成するためのエッチング処理時におけるマスク（フォトレジスト膜）に対するエッチング効果を利用することにより、上部磁性層１２Ｃの第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  に段差部分を設けるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、段差部分を設けないようにしてもよい。このような場合には、例えば、上部磁性層１２Ｃ（第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  ）に対するエッチング速度が周辺領域に対するエッチング速度よりも極めて遅くなるようにエッチング条件（エッチングガス，エッチング温度等）を調整し、上部磁性層１２Ｃがエッチングされないようにする。
【０１１９】
また、本実施の形態では、下部磁極１０の形成方法として、スパッタリングによって前駆層（例えば窒化鉄層）を形成したのち、その前駆層をエッチング処理によってパターニングする手法を用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、フレームめっき法を用いるようにしてもよい。このような場合には、下部磁極１０の形成材料として、例えば、Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％またはＮｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％などの組成を有するパーマロイを用いるようにしてもよい。
【０１２０】
また、本実施の形態では、下部シールド層４および上部シールド層８の形成方法として電解めっき法を用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、双方またはいずれか一方の部位の形成方法として、下部磁極１０等を形成する場合と同様の手法、すなわちスパッタリングおよびエッチング処理を用いるようにしてもよい。このような場合における上記の各部位の形成材料としては、上記したパーマロイの他、窒化鉄やアモルファス合金（例えば、コバルト鉄合金，ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金，ジルコニウム鉄窒化物）等を用いるようにしてもよい。下部磁極１０等の場合と同様の手法を用いることにより、上記の各部位を高精度かつ短時間で形成することができ、この点でも薄膜磁気ヘッド全体の製造時間の短縮に寄与することとなる。
【０１２１】
また、本実施の形態では、絶縁膜１５の形成材料としてフォトレジストを用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、フォトレジストと同様に加熱時に流動性を示すポリイミド樹脂やＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ  ）などを用いるようにしてもよい。このような場合においても、上記実施の形態の場合と同様の効果を得ることができる。
【０１２２】
また、本実施の形態では、加熱処理により流動したフォトレジストを薄膜コイル１４の各巻線間に埋め込むことにより絶縁膜１５を形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ）法を用いてアルミナよりなる絶縁膜１５を形成するようにしてもよい。ＣＶＤ法を用いることにより、加熱処理等を必要とせずに薄膜コイル１４の各巻線間にアルミナを埋め込むことができる。なお、ＣＶＤ法を用いてアルミナよりなる絶縁膜１５を形成する場合には、後工程において形成される絶縁膜１６を絶縁膜１５が兼ねるようにしてもよい。このような場合には、絶縁膜１５，１６を別個に形成する場合よりも製造工程を削減することができる。
【０１２３】
また、本実施の形態では、記録ギャップ層１１の形成材料としてアルミナを用い、またその形成手法としてスパッタリングを用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではない。記録ギャップ層１１の形成材料としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物などの無機絶縁材料を用いるようにしてもよいし、またはタンタル（Ｔａ），チタンタングステン（ＷＴｉ），窒化チタン（ＴｉＮ）などの非磁性金属を用いるようにしてもよい。また、記録ギャップ層１１の形成方法としては、スパッタリングの他、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ）法を用いるようにしてもよい。このような方法を用いて記録ギャップ層１１を形成することにより、ギャップ層内にピンホールなどが含有されることを抑制できるので、記録ギャップ層１１を介する磁束の漏れを回避することができる。このような効果は、特に、記録ギャップ層１１の厚みを薄くした場合に有益である。
【０１２４】
また、本実施の形態では、図１８に示したように、上部磁性層１２Ｃにおける第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  の前端の位置が第２の磁極先端部１２Ａの前端の位置と一致するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図２２に示したように、第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  の前端の位置が第２の磁極先端部１２Ａの前端の位置よりも後退するようにしてもよい。上記したように、薄膜磁気ヘッドの動作は、主に、第２の磁極先端部１２Ａの内部を伝播する磁束の作用により実行されることから、図２２に示したような構造を有する場合においても、上記実施の形態の場合（図１８）とほぼ同様の効果を得ることができる。なお、図２２に示したような構造を形成する際には、例えば、上部磁性層１２Ｃおよび第２の磁極先端部１２Ａ等を形成したのち、上部磁性層１２Ｃの先端部２Ｃ（１）  における前方側の一部をエッチング（例えばイオンミリング等）して選択的に除去するようにする。
【０１２５】
また、本実施の形態では、薄膜コイル１４の内側の終端部にコイル接続部１４Ｓを配設するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、薄膜コイル１４の外側の終端部にコイル接続部１４Ｓを配設するようにしてもよい。このような場合においても、コイル接続部１４Ｓと接続されるようにコイル接続配線１２ＣＨを配設することにより、上記実施の形態の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
【０１２６】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【０１２７】
まず、図２３〜図３０を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図２３〜図２７において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図２８〜図３０は、主要な製造工程に対応する斜視図である。ここで、図２８は図２３に示した状態に対応し、図２９は図２４に示した状態に対応し、図３０は図２６に示した状態に対応する。ただし、図３０では、図２７におけるオーバーコート層２７等の図示を省略している。なお、図２３〜図３０において、各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関する表記は、上記第１の実施の形態の場合と同様とし、また各図中の上記第１の実施の形態における構成要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。
【０１２８】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、図２３における絶縁層１６を形成するところまでの工程は、上記第１の実施の形態における図４に示した同工程までと同様であるので、その説明を省略する。
【０１２９】
本実施の形態では、全体を研磨して平坦化することにより絶縁層１６を形成したのち、図２３および図２８に示したように、前駆磁性層１１２Ａ上から絶縁層１６上にかけての平坦領域に、例えばフレームめっき法により、鉄、ニッケルおよびコバルトを含んで高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト合金（例えば、Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％の組成を有するもの）よりなる上部磁性層２２Ｃを約１．０〜２．０μｍの厚みで選択的に形成する。上部磁性層２２Ｃを形成する際には、同時に、磁路接続部１２Ｂ上に磁路接続部２２Ｄを選択的に形成する。上部磁性層２２Ｃおよび磁路接続部２２Ｄは、共に上部磁極２２の一部を構成するものである。なお、上部磁性層２２Ｃ等の形成材料としては、上記した３つの金属元素と共に、クロム（Ｃｒ）、ボロン（Ｂ）、金（Ａｕ）および銅（Ｃｕ）のうちの少なくとも１種を含むものを用いるようにしてもよい。
【０１３０】
上部磁性層２２Ｃを形成する際には、例えば、後述する図３１に示したように、後工程においてエアベアリング面７０となる側（図２３における左側）から順に、第１の磁極先端部２２Ｃ(1) 、中間部２２Ｃ(2) および後端部２２Ｃ(3) を含むようにする。このとき、第１の磁極先端部２２Ｃ(1) と中間部２２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２（第２の位置）が前駆磁性層１１２Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よりも後退するようにすると共に、後端部２２Ｃ(3) の後端の位置Ｐ３（第３の位置）が薄膜コイル２４よりも前方に位置するようにする。なお、上部磁性層２２Ｃの構造的特徴については後述する。
【０１３１】
ここで、第１の磁極先端部２２Ｃ(1) が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「一定幅部分」の一具体例に対応する。また、中間部２２Ｃ(2) および後端部２２Ｃ(3) が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「拡幅部分」の一具体例に対応する。さらに、上部磁性層２２Ｃが、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「第１の磁性層部分」の一具体例に対応する。
【０１３２】
次に、図２３に示したように、上部磁性層２２Ｃにおける第１の磁極先端部２２Ｃ（１）  と中間部２２Ｃ（２）  との連結位置Ｐ２よりも後方の領域を覆うようにフォトレジスト膜９１を選択的に形成する。
【０１３３】
次に、上部磁性層２２Ｃおよびフォトレジスト膜９１をマスクとして、例えばＲＩＥにより、全体にエッチング処理を施す。ＲＩＥによるエッチング処理を行う際には、例えば、上記第１の実施の形態において第２の磁極先端部１２Ａおよび磁極部分１００を形成した場合と同様に、エッチング条件（エッチングガスのガス種および加工温度等）を調整するようにする。このエッチング処理により、第１の磁極先端部２２Ｃ(1) と中間部２２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２よりも前方の領域における前駆磁性層１１２Ａ、絶縁膜１３，１６、記録ギャップ層１１および下部磁極１０のそれぞれの一部が除去され、図２４および図２９に示したように、上部磁極２２の一部を構成する第２の磁極先端部１２Ａが形成されると共に、トリム構造を有する磁極部分２００が形成される。このとき、例えば、上部磁性層２２Ｃに対するエッチング量が周辺領域に対するエッチング量よりも極めて小さくなるようにエッチング条件を調整し、上部磁性層２２Ｃの膜厚が減少しないようにする。  
【０１３４】
次に、図２５に示したように、例えばＲＩＥまたはイオンミリングにより、コイル接続部１４Ｓの上方を覆っている絶縁膜１６を部分的にエッチングして、コイル接続部１４Ｓと後工程において形成される薄膜コイル２４とを接続させるための開口部１６Ｋを形成する。
【０１３５】
次に、図２５に示したように、上部磁性層２２Ｃの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部２２Ｄの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜１６上に、例えば電解めっき法により、例えば銅よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル２４を約０．８〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。薄膜コイル２４を形成する際には、同時に、例えば、その内側の終端部におけるコイル接続部１４Ｓ上に、コイル接続部２４ＳＡを薄膜コイル２４と一体に形成する。薄膜コイル１４と薄膜コイル２４とは、開口部１６Ｋにおいて、コイル接続部１４Ｓ，２４ＳＡを介して接続される。ここで、薄膜コイル２４が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「第２の薄膜コイル」の一具体例に対応する。また、薄膜コイル１４，２４が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「薄膜コイル」の一具体例に対応する。
【０１３６】
次に、図２５に示したように、薄膜コイル２４等の各巻線間を絶縁化するための絶縁膜２５を形成する。絶縁膜２５の形成材料、形成方法および構造的特徴等は、上記第１の実施の形態において絶縁膜１５を形成した場合とほぼ同様である。
【０１３７】
次に、図２５に示したように、全体を覆うように、例えばスパッタリングにより、絶縁材料、例えば前駆絶縁層２６Ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成して、上部磁性層２２Ｃ、磁路接続部２２Ｄ、薄膜コイル２４およびコイル接続部２４ＳＡ等によって構成された凹凸構造領域を埋設する。
【０１３８】
次に、例えばＣＭＰ法により、前駆絶縁層２６Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研磨処理により、図２６に示したように、薄膜コイル２４等を埋設する絶縁膜２６が形成される。このときの研磨処理は、少なくとも上部磁性層２２Ｃおよび磁路接続部２２Ｄが露出するまで行う。ここで、絶縁膜１３，１５，１６，２５，２６が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「絶縁層」の一具体例に対応する。
【０１３９】
次に、図２６に示したように、平坦化された領域のうち、例えば、上部磁性層２２Ｃの後端部２２Ｃ(3) の上方から磁路接続部２２Ｄ上にかけての平坦領域に、上部磁極２２の一部を構成する上部ヨーク２２Ｅを約２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する。上部ヨーク２２Ｅの形成材料および形成方法は、例えば、上記第１の実施の形態における上部磁性層１２Ｃの場合とほぼ同様である。上部ヨーク２２Ｅを形成する際には、例えば、後述する図３１に示したような平面形状を有するようにする。上部ヨーク２２Ｅの構造的特徴については、後述する。ここで、上部ヨーク２２Ｅが、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「第３の磁性層部分」の一具体例に対応する。また、第２の磁極先端部１２Ａ，２２Ｃ、磁路接続部１２Ｂ，２２Ｄおよび上部ヨーク２２Ｅによって構成される上部磁極２２が、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における「第１の磁性層」の一具体例に対応する。
【０１４０】
次に、図２６に示したように、全体を覆うように、絶縁材料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料よりなるオーバーコート層２７を約２０〜４０μｍの厚みで形成する。このときの上部ヨーク２２Ｃ周辺の構造は、図３０に示したようになる。
【０１４１】
最後に、図２７に示したように、機械加工や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面７０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１４２】
図３１は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面構造の概略を表すものである。図３１において、上記第１の実施の形態における図２１に示した構成要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。なお、図３１では、絶縁膜１３，１５，１６，２５，２６およびオーバーコート層２７等の図示を省略している。また、薄膜コイル２４については、その最外周の一部のみを図示している。図２７（Ａ）は、図３１におけるＸＸＶＩＩＡ−ＸＸＶＩＩ線に沿った矢視断面に相当する。なお、図３１中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞれの表記については、図２３〜図３０の場合と同様とする。
【０１４３】
上部磁極２２は、上記したように、例えば、それぞれ別個に形成された第２の磁極先端部１２Ａ，２２Ｃ、磁路接続部１２Ｂ，２２Ｄおよび上部ヨーク２２Ｅによって構成されている。
【０１４４】
上部磁性層２２Ｃは、上記したように、エアベアリング面７０から順に、第１の磁極先端部２２Ｃ（１）  、中間部２２Ｃ（２）  および後端部２２Ｃ（３）  を含んでいる。これらの各部位は、例えば、上記第１の実施の形態における上部磁性層１２Ｃのうちの対応する各部位（例えば、第１の磁極先端部２２Ｃ（１）  に対する第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  ）とほぼ同様の構造的特徴を有するものである。
【０１４５】
上部ヨーク２２Ｅは、薄膜コイル１４，２４により発生した磁束を収容するたの大きな面積を有するヨーク部２２Ｅ(1) と、ヨーク部２２Ｅ(1) よりも小さい一定幅を有する接続部２２Ｅ(2) とを含んでいる。ヨーク部２２Ｅ(1) の幅は、例えば、その後方部においてほぼ一定であり、その前方部においてエアベアリング面７０に近づくにつれて徐々に狭まるようになっている。接続部２２Ｅ(2) の幅は、例えば、上部磁性層２２Ｃの後端部２２Ｃ(3) の幅よりも大きくなっている。ただし、必ずしもこのような場合に限らず、例えば、前者の幅が後者の幅よりも小さくなるようにしてもよい。上部ヨーク２２Ｅの前側の端縁面２２ＥＴの位置は、例えば、上部磁性層２２Ｃにおける中間部２２Ｃ(2) と後端部２２Ｃ(3) との連結位置よりも後退している。すなわち、上部ヨーク２２Ｅは、エアベアリング面７０から離れて位置している。なお、上部ヨーク２２Ｅの配設位置は、必ずしも上記のような場合に限らず、例えば、端縁面２２ＥＴの位置が中間部２２Ｃ(2) と後端部２２Ｃ(3) との連結位置とほぼ一致するようにしてもよい。上部ヨーク２２Ｅおよび上部磁性層２２Ｃの各幅方向の中心は、互いに一致している。
【０１４６】
図２７（Ａ）、図３０および図３１に示したように、上部磁性層２２Ｃは、第２の磁極先端部１２Ａ上から絶縁膜１６上にかけての平坦な領域上に延在している。上部ヨーク２２Ｅは、上部磁性層２２Ｃにおける後端部２２Ｃ(3) 上から絶縁膜２６上にかけての平坦な領域上に延在している。上部ヨーク２２Ｅは、開口部１１Ｋにおいて磁路接続部１２Ｂ，２２Ｄを介して下部磁極１０と磁気的に連結されると共に、上部磁性層２２Ｃを介して第２の磁極先端部１２Ａとも磁気的に連結されている。すなわち、上部磁極２２（第２の磁極先端部１２Ａ，上部磁性層２２Ｃ，磁路接続部１２Ｂ，２２Ｄ，上部ヨーク２２Ｅ）と下部磁極１０とが接続されることにより磁路が形成されている。
【０１４７】
図３１に示したように、薄膜コイル２４およびコイル接続部２４ＳＡは、上記第１の実施の形態における薄膜コイル１４およびコイル接続部１４Ｓと同様の構造的特徴を有するものである。薄膜コイル１４と薄膜コイル２４とは、開口部１６Ｋにおいて、コイル接続部１４Ｓ，２４ＳＡを介して接続されている。薄膜コイル１４の外側の終端部に形成された端子１４Ｘおよび薄膜コイル２４の外側の終端部に形成された端子２４Ｘは図示しない外部回路に接続されており、この外部回路を通じて薄膜コイル１４，２４を通電させることができるようになっている。
【０１４８】
なお、図３１に示した上記以外の配設物に関する構造的特徴は、上記第１の実施の形態の場合（図２１参照）と同様である。
【０１４９】
本実施の形態では、図２７および図３０に示したように、上部磁性層２２Ｃと上部ヨーク２２Ｅとがオーバーラップするオーバーラップ領域２２Ｒに、薄膜コイル１４，２４を埋設する絶縁材の一部（絶縁膜１３，１６）が記録ギャップ層１１に隣接して配設されているため、以下のような理由により、優れたオーバーライト特性を確保することができる。すなわち、上部磁極２２内を流れる磁束の伝播過程において、オーバーラップ領域２２Ｒでは、上部ヨーク２２Ｅの接続部２２Ｅ（２）  から上部磁性層２２Ｃの後端部２２Ｃ（３）  へ向かう下向きの磁束の流れが生じる。ここで、オーバーラップ領域２２Ｒに配設されている非磁性材料よりなる絶縁材の一部は、磁束の遮蔽材として機能し、その上方領域から下方領域に向かう磁束の流れを抑制することとなる。このため、接続部２２Ｅ（２）  から後端部２２Ｃ（３）  へ流入した磁束が記録ギャップ層１１を通過して下部磁極１０へ伝播すること（磁束の漏れ）を抑制することができる。したがって、上部磁性層２２Ｃ内の磁束の伝播過程において、「磁束の漏れ」に起因する磁束の伝播ロスが抑制され、第１の磁極先端部２２Ｃ（１）  および第２の磁極先端部１２Ａのそれぞれの先端部分まで必要十分な量の磁束を供給することができる。なお、上記の絶縁材の一部（絶縁膜１３，１６）は、上部磁性層２２Ｃから下部磁極１０へ磁束が伝播することを抑制すると同時に、下部磁極１０から上部磁性層２２Ｃへ磁束が伝播することをも抑制することができる。
【０１５０】
また、本実施の形態では、ＣＭＰ研磨後の平坦面上に上部磁性層２２Ｃを形成するようにしたので、上記第１の実施の形態において上部磁性層１２Ｃを平坦面上に形成した場合と同様の作用により、上部磁性層２２Ｃを高精度に形成することができる。なお、この上部磁性層２２Ｃの形成精度に係る効果は、上部ヨーク２２Ｅを形成する場合においても同様である。
【０１５１】
なお、本実施の形態では、上部ヨーク（２２Ｅ）が窒化鉄の単層構造からなる場合（図２７参照）について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば図３２に示したように、上部ヨークが、例えば窒化鉄などの高飽和磁束密度材層９２と、例えばアルミナなどの無機絶縁材層９３とが交互に積層された構造よりなる（１１２Ｅ）ようにしてもよい。上部ヨークをこのような構造とすることにより、磁路における渦電流の発生を防止し、高周波特性を向上させることができる。なお、上記の高飽和磁束密度材層９２および無機絶縁材層９３の双方の形成もＲＩＥによって行うことにより、形成時間を短縮することができる。なお、図３２において、上部ヨーク１１２Ｅ以外の部分は、上記の図２７の場合と同様である。
【０１５２】
なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造およびその製造方法に関する上記以外の作用、効果および変形例等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であるので、その説明を省略する。
【０１５３】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
【０１５４】
まず、図３３〜図３５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図３３〜図３５において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。なお、図３３〜図３５において、各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関する表記は、上記第１の実施の形態の場合と同様とし、また各図中の上記第１の実施の形態における構成要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。
【０１５５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、図３３における前駆磁性層１１２Ａを形成するところまでの工程は、上記第１の実施の形態における図３に示した同工程までと同様であるので、その説明を省略する。
【０１５６】
本実施の形態では、前駆磁性層１１２Ａを形成したのち、図３３に示したように、マスク８０Ａ，８０Ｂを用いて、例えば、上記第１の実施の形態において磁極部分１００を形成した場合とほぼ同様の条件下におけるＲＩＥにより、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成領域以外の領域における記録ギャップ層１１および下部磁極１０のそれぞれの一部を選択的にエッチングする。このエッチング処理により、下部磁極１０の一部が除去され、窪み領域１０Ｍが形成される。窪み領域１０Ｍを形成する際には、例えば、その深さが約０．５〜１．５μｍになるようにする。
【０１５７】
次に、図３３に示したように、絶縁膜１３、薄膜コイル１４、絶縁膜１５および前駆絶縁層１６Ｐを順に形成する。これらの各部位を形成する際の形成材料、形成方法、形成位置等は上記第１の実施の形態の場合とほぼ同様である。先工程において窪み領域１０Ｍを形成することにより、薄膜コイル１４の配設位置は、窪み領域１０Ｍを形成しない場合よりも低くなる。
【０１５８】
次に、例えばＣＭＰ法により、前駆絶縁層１６Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研磨処理により、図３４に示したように、薄膜コイル１４等を埋設する絶縁膜１６が形成される。このときの研磨処理は、少なくとも前駆磁性層１１２Ａおよび磁路接続部１２Ｂが露出すると共に、例えば、ポール上部磁性層前駆層１１２Ａの厚みが約０．５〜１．５μｍとなるまで行う。
【０１５９】
なお、絶縁層１６を形成したのち、上部磁性層１２Ｃ等を形成する工程は、上記第１の実施の形態の場合と同様であるので、その説明を省略する。最終的に完成する薄膜磁気ヘッドの断面構造は、図３５に示した通りである。
【０１６０】
本実施の形態では、下部磁極１０の一部をエッチングして掘り下げることにより窪み領域１０Ｍを形成し、この窪み領域１０Ｍに薄膜コイル１４を配設するようにしたので、薄膜コイル１４を形成することとなる下地の表面の位置は、エッチング処理を行わない場合における下地の表面の位置よりも低くなる。このため、後工程において、薄膜コイル１４の上方には十分な厚みを有する絶縁膜１６が形成されることとなるので、薄膜コイル１４と後工程において形成される上部ヨーク１２Ｃとの間を確実に絶縁することができる。
【０１６１】
また、薄膜コイル１４を形成することとなる下地の表面の位置を低くすることにより、薄膜コイル１４の上方における絶縁膜１６の厚みを適正に確保しつつ、前駆磁性層１１２Ａの厚みを薄くすることが可能となる。このような場合には、以下のような理由により、後工程において形成される第２の磁極先端部１２Ａの幅を高精度に一定とすることができる。すなわち、ＲＩＥを用いて前駆磁性層１１２Ａをエッチングすることにより第２の磁極先端部１２Ａを形成する場合には、前駆磁性層１１２Ａの厚みが大きいほど第２の磁極先端部１２Ａの幅を一定に制御することが困難となる。なぜなら、前駆磁性層１１２Ａの厚みが大きいと、エッチング処理が進行するにつれて発生するエッチングかすの量が多くなり、このエッチングかすの再付着により第２の磁極先端部１２Ａの幅が部分的に拡張してしまうからである。逆に言えば、前駆磁性層１１２Ａの厚みを薄くするほどエッチング処理時におけるエッチングかすの発生量が低減するため、第２の磁極先端部１２Ａの幅を高精度に一定とすることが可能となる。
【０１６２】
なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造およびその製造方法に関する上記以外の作用、効果および変形例等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であるので、その説明を省略する。
【０１６３】
なお、本実施の形態における窪み領域１０Ｍの形成に係る変形は、上記第２の実施の形態の場合にも適用可能である。図３６は、上記第２の実施の形態の場合において窪み領域１０Ｍを形成した場合の薄膜磁気ヘッドの完成状態を表すものであり、図２７に対応するものである。この場合においても、上記実施の形態の場合と同様の効果を得ることができる。
【０１６４】
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。
【０１６５】
例えば、上記各実施の形態およびその変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。また、本発明は、書き込み用の素子と読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１６６】
また、例えば、上記第１の実施の形態では、上部磁極１２のうちの記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する部分が２層構造（第２の磁極先端部１２Ａおよび第１の磁極先端部１２Ｃ（１）  ）を有する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、３層以上の多層構造を有するようにしてもよい。このような場合においても、上記第１の実施の形態の場合と同様の効果を得ることができる。特に、上部磁性層を構成する各部位の形成材料として、互いに異なる飽和磁束密度を有する複数の磁性材料を用いる場合には、上記したように、一定幅を有する部分の上層部から下層部にかけて飽和磁束密度が大きくなるように飽和磁束密度プロファイルを調整するようにするのが好ましい。もちろん、一定幅を有する部分の飽和磁束密度プロファイルを自由に調整することも可能である。なお、上記した一定幅を有する部分の構造に係る変形は、上記第２，第３の実施の形態についても適用可能である。
【０１６７】
また、上記の各実施の形態で示した上部磁極を構成する各磁性層部分（磁極先端部，上部磁性層，上部ヨーク等）の平面形状は、必ずしも図２１および図３１に示したものに限られるものではなく、各磁性層部分の磁気ボリュームを適正化し、薄膜コイルで発生した磁束を先端部の先端部分まで十分に供給し得る限り、自由に変更することが可能である。
【０１６８】
また、上記各実施の形態では、１層または２層のコイル構造を有する薄膜磁気ヘッドの構造について説明したが、各実施の形態における薄膜コイルの層数は自由に変更することが可能である。薄膜コイルの層数を増加させることにより、磁束の発生量を増加させることができる。
【０１６９】
例えば、上記第１の実施の形態では、１層のコイル構造（薄膜コイル１４）を有する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、図３７に示したように、２層のコイル構造を有するようにしてもよい。図３７は、上記第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造に関する変形例を表すものであり、図１０に対応するものである。この薄膜磁気ヘッドは、１層目の薄膜コイル１４の他に、２層目の薄膜コイル３４を備えている。この薄膜コイル３４は、例えば、上記第２の実施の形態における薄膜コイル２４とほぼ同様の構造的特徴を有するものであり、開口部１６Ｋにおいてコイル接続部１４Ｓ，３４Ｓを介して薄膜コイル１４と接続されている。薄膜コイル３４およびコイル接続部３４Ｓは、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜３５により覆われており、上部磁性層１２Ｃは、絶縁膜３５により構成されたエイペックス部を覆うように配設されている。
【０１７０】
また、例えば、上記第２の実施の形態では、２層のコイル構造（薄膜コイル１４，２４）を有する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、図３８に示したように、３層のコイル構造を有するようにしてもよい。図３８は、上記第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造に関する変形例を表すものであり、図２７に対応するものである。この薄膜磁気ヘッドは、１層目の薄膜コイル１４および２層目の薄膜コイル２４の他に、３層目の薄膜コイル４４を備えている。薄膜コイル４４の外側の終端部および内側の終端部にはそれぞれコイル接続部４４ＳＡ，４４ＳＢが配設されており、薄膜コイル４４およびコイル接続部４４ＳＡ，４４ＳＢは、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜４５により覆われている。また、上部ヨーク２２Ｅは、絶縁膜４５により構成されたエイペックス部を覆うように配設されており、上部ヨーク２２Ｅの後方にはコイル接続配線２２ＥＨが配設されている。薄膜コイル２４と薄膜コイル４４とは、開口部２６Ｋにおいてコイル接続部２４ＳＢ，４４ＳＡを介して接続されており、薄膜コイル４４とコイル接続配線２２ＥＨとは、開口部４５Ｋを通じて接続されている。薄膜コイル１４の外側の終端部に設けられた端子１４Ｘ（図３８では図示せず。図２１参照）およびコイル接続配線２２ＥＨの後端部が外部の接続回路に接続されており、この接続回路を用いて薄膜コイル１４，２４，４４を通電させることができるようになっている。薄膜コイル３４および絶縁膜３５の形成材料、形成方法および構造的特徴等は、上記第２の実施の形態における薄膜コイル２４および絶縁膜２５の場合とほぼ同様である。
【０１７１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし請求項２３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、ギャップ層上における記録媒体対向面が形成されるべき位置の近傍から第１の位置に至る領域に、第２の磁性層部分の一定幅よりも大きい幅と、第１の位置において第２の磁性層部分の幅方向に延びる直線状の端縁とを有するように、第２の磁性層部分の前準備層としての前駆磁性層を選択的に形成する第１の工程と、少なくとも前駆磁性層およびその周辺領域を覆うように、絶縁層の一部の前準備層としての前駆絶縁層を形成する第２の工程と、少なくとも前駆磁性層が露出するまで前駆絶縁層を研磨して平坦化することにより、絶縁層の一部を形成する第３の工程と、研磨後の平坦面上に、一定幅部分における第２の位置が第１の位置よりも記録媒体対向面から遠い側に位置するように、第１の磁性層部分を選択的に形成する第４の工程と、第１の磁性層部分の一定幅部分をマスクとして用いて前駆磁性層を選択的にエッチングすることにより、第２の磁性層部分を選択的に形成する第５の工程とを含むようにしたので、極微小な一定幅を有すると共に、記録媒体対向面から遠い側の端部における幅方向に延びる端縁が直線状をなすように、第２の磁性層部分を形成することができるという効果を奏する。
【０１７２】
特に、請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の磁性層部分の一定幅部分における記録媒体対向面に近い側の端部の厚みが記録媒体対向面から遠い側の端部の厚みよりも小さくなるようにしたので、一定幅部分の厚みの減少に起因する磁気ボリュームの減少にともない、一定幅部分内を伝播する磁束が段階的に収束され、磁束の飽和現象が抑制される。したがって、この観点においても優れたオーバーライト特性の確保に寄与することとなる。
【０１７３】
また、請求項１１または請求項１２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の位置に位置する第２の磁性層部分と絶縁層との境界面が平面をなすようにしたので、上記の境界面が平面をなしていない場合とは異なり、絶縁層のうちの記録媒体対向面に近い側の位置、すなわち記録ヘッドの性能を決定する要因のうちの一つであるスロートハイトゼロ位置を一義的に決定することができるという効果を奏する。
【０１７４】
また、請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性層部分の厚みが第１の薄膜コイルの厚みよりも大きくなるようにしたので、第１の薄膜コイルの上方には十分な厚みを有する絶縁材が形成されることとなる。したがって、第１の薄膜コイルをその上方領域から確実に絶縁することができるという効果を奏する。
【０１７５】
また、請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性層のうちの第１の磁性層に近い側の一部をその厚み方向における所定の位置までエッチングすることにより窪み領域を形成し、この窪み領域に第１の薄膜コイルを形成するようにしたので、第１の薄膜コイルを形成することとなる下地の表面の位置は、エッチング処理によって窪み領域を形成しない場合における下地の表面の位置よりも低くなる。このような場合には、第１の薄膜コイルの上方にはより十分な厚みを有する絶縁材が形成されることとなる。したがって、第１の薄膜コイルをその上方領域からより確実に絶縁することができるという効果を奏する。
【０１７６】
また、請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の磁性層部分と第３の磁性層部分とがオーバーラップするオーバーラップ領域に、ギャップ層に隣接するように絶縁層の一部を形成するようにしたので、この絶縁層の一部により、その上方領域から下方領域への磁束の伝播、すなわち磁束の漏れを抑制し、磁束の伝播過程における伝播ロスを低減することができるという効果を奏する。
【０１７７】
また、請求項１９または請求項２０に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性層部分を構成する磁性材料が、第１の磁性層部分を構成する磁性材料の飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有するようにしたので、第１の磁性層部分内における磁束の伝播特性にばらつきが生じたとしても、第２の磁性層部分内において円滑な磁束の伝播が確保される。したがって、この観点においても優れたオーバーライト特性の確保に寄与することとなる。
【０１８０】
また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第５の工程において、第２の磁性層部分の形成を反応性イオンエッチングを用いて行うようにしたので、第２の磁性層部分を高精度かつ短時間で形成することができるという効果を奏する。
【０１８１】
また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の工程において、前駆磁性層の形成を反応性イオンエッチングを用いて行うようにしたので、記録媒体対向面から遠い側の端面が平面をなすと共に下地に対して垂直になるように前駆磁性層を形成することができるという効果を奏する。また、反応性イオンエッチングを用いることにより、前駆磁性層を高精度かつ短時間で形成することができる。
【０１８２】
また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、ギャップ層上にスパッタリングを用いて磁性材層を形成したのち、この磁性材層を選択的にエッチングすることにより前駆磁性層を形成するようにしたので、前駆磁性層の形成材料の組成を適正に制御することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１２】図２に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１３】図５に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１４】図６に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１５】図７に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１６】図８に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１７】図９に示した断面図に対応する斜視図である。
【図１８】図２に示した断面図に対応する平面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する作用を説明するための図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する他の作用を説明するための図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面構造を表す平面図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造に関する変形例を表す斜視図である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図である。
【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図である。
【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図である。
【図２８】図２３に示した断面図に対応する斜視図である。
【図２９】図２４に示した断面図に対応する斜視図である。
【図３０】図２６に示した断面図に対応する斜視図である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面構造を表す平面図である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造に関する変形例を表す断面図である。
【図３３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図である。
【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図である。
【図３６】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用した場合に製造される薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図３７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造に関する他の変形例を表す断面図である。
【図３８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造に関する他の変形例を表す断面図である。
【図３９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を説明するための断面図である。
【図４０】図３９に続く工程を説明するための断面図である。
【図４１】図４０に続く工程を説明するための断面図である。
【図４２】従来の薄膜磁気ヘッドの要部構造を表す断面図である。
【図４３】図４２に示した薄膜磁気ヘッドにおける磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【図４４】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，９，１３，１５，１６，２５，２６，３５，４５…絶縁膜、５，７…シールドギャップ膜、６…ＭＲ膜、８…上部シールド層、１０…下部磁極、１０Ｍ…窪み領域、１１…記録ギャップ層、１２Ａ…第２の磁極先端部、１２Ｂ，２２Ｄ…磁路接続部、１２Ｃ，２２Ｃ…上部磁性層、１２Ｃ（１）  ，２２Ｃ（１）  …第１の磁極先端部、１２Ｃ（２）  ，２２Ｃ（２）  …中間部、１２Ｃ（３）  ，２２Ｃ（３）  …後端部、１２Ｃ（４）  …ヨーク部、１２ＣＨ，２２ＥＨ…コイル接続配線、１４，２４，３４，４４…薄膜コイル、１４Ｓ，２４ＳＡ，２４ＳＢ，３４Ｓ…コイル接続部、１６Ｐ，２６Ｐ…前駆絶縁層、１７，２７…オーバーコート層、２２Ｅ，１１２Ｅ…ヨーク部、２２Ｅ（１）  …ヨーク部、２２Ｅ（２）  …接続部、７０…エアベアリング面、８０Ａ，８０Ｂ…マスク、９０，９１…フォトレジスト膜、９２…高飽和磁束密度材層、９３…無機絶縁材層、１００，２００…磁極部分、１１２…基礎磁性層、１１２Ａ…前駆磁性層、ＴＨ…スロートハイト、ＭＲＨ…ＭＲハイト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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