(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置させる載置台と、この載置台上において基板を昇降させるピンとを備えた処理装置において、
前記載置台の側方に配置されたイオナイザと、
前記ピンを昇降させる昇降機構と、
前記昇降機構及びイオナイザの稼働を制御するコントローラとを具備し、
前記コントローラは、
載置台上から基板を持ち上げる動作を開始するまでに、前記イオナイザによって基板の側方からイオンの供給を開始させ、
前記イオンの供給を継続しながら、少なくとも基板の一部が載置台の上面に接触している間は、ピンを上昇させて第１の速度で基板を持ち上げ、
前記イオンの供給を継続しながら、基板が載置台の上面から完全に離れた後は、前記第１の速度よりも速い第２の速度でピンを上昇させて基板を持ち上げるように、
前記昇降機構及びイオナイザを制御することを特徴とする、処理装置。
【請求項２】
前記イオナイザが、前記ピンによって載置台上から持ち上げられた基板の上面と下面の両方に対してイオンを供給できる位置に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記載置台を収納するケーシングをさらに備え、
前記イオナイザは前記ケーシングの外側に配置され、少なくとも前記載置台の上面に向けてイオン化した気体を吐出することを特徴とする、請求項１に記載の処理装置。
【請求項４】
前記載置台を収納するケーシングをさらに備え、
前記イオナイザは前記ケーシングの外側に配置され、少なくとも前記載置台の上面と、載置している基板の下面との間の部分に向けてイオン化した気体を吐出することを特徴とする、請求項１に記載の処理装置。
【請求項５】
前記イオナイザは、気体をイオン化する放電電極と、この放電電極に向けて気体を供給する気体供給手段とを備えていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の処理装置。
【請求項６】
前記放電電極は、基板の長手方向に沿った位置に配置されていることを特徴とする、請求項５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記放電電極は、載置台側からみて、上下交互に配置されていることを特徴とする、請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】
載置台上から基板を持ち上げるに際し、
載置台上から基板を持ち上げる動作を開始するまでに、基板の側方からイオンの供給を開始し、
イオンの供給を継続しながら、少なくとも基板の一部が載置台の上面に接触している間は、第１の速度で基板を持ち上げ、
イオンの供給を継続しながら、基板が載置台の上面から完全に離れた後は、前記第１の速度よりも速い第２の速度で基板を持ち上げることを特徴とする、処理方法。
【請求項９】
前記基板が載置台の上面から完全に離れた後、一定の間載置台上から基板を持ち上げる動作を停止し、
その後、載置台上から基板を第２の速度で持ち上げることを特徴とする、請求項８に記載の処理方法。
【請求項１０】
前記一定の間は、基板の振動が停止するまでの時間であることを特徴とする、請求項９に記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＬＣＤ基板や半導体ウェハのような基板の乾燥処理などを行う処理装置と処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレー（ＬＣＤ）や半導体などの製造においては、基板であるＬＣＤ基板や半導体ウェハの上面にレジスト膜パターンを形成させるために、いわゆるリソグラフィ処理が行われる。このリソグラフィ処理は、基板の洗浄、基板の乾燥、基板の表面へのレジスト膜の塗布、そのレジスト膜の露光、現像など、種々の処理工程を含んでいる。これらの処理工程において、例えば上記乾燥処理を行うために加熱装置が用いられている。そして、この加熱装置の一例として、基板を載置台上に載置することにより、基板を加熱するように構成されたものが知られている。この加熱装置は、基板の受取り、受渡し時に載置台から上方に突出して基板の下面を支持する複数本のピンを備えており、これらピンの昇降により、載置台の上方において基板を受け取り、その受け取った基板をピンの下降によって載置台上に受け渡すように構成されている。また、載置台上において加熱した後、その基板をピンで下方から突き上げることにより、基板を載置台の上方に持ち上げるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら特にＬＣＤ基板などのような絶縁材料からなる基板を載置台上に載置した場合は、基板と載置台上面との間で静電気が発生しやすい。このため、載置台上から基板をピンで持ち上げる際に、基板が載置台の上面と接着してスムーズに持ち上げられない場合がある。特にＬＣＤ基板などは薄いガラスの板で構成されていてたわみを生じやすく、載置台上から剥がしづらい。また、載置台の上方に基板を持ち上げた際に、分極作用によって基板の上下の面に互いに反対の極性の電荷が帯電してしまう心配がある。
【０００４】
したがって、本発明の目的とするところは、載置台上から持ち上げられる基板の上下面の帯電を効果的に除去できる装置及び方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、基板を載置させる載置台と、この載置台上において基板を昇降させるピンとを備えた処理装置において、前記載置台の側方に配置されたイオナイザと、前記ピンを昇降させる昇降機構と、前記昇降機構及びイオナイザの稼働を制御するコントローラとを具備している。そして前記コントローラは、載置台上から基板を持ち上げる動作を開始するまでに、前記イオナイザによって基板の側方からイオンの供給を開始させ、前記イオンの供給を継続しながら、少なくとも基板の一部が載置台の上面に接触している間は、ピンを上昇させて第１の速度で基板を持ち上げ、前記イオンの供給を継続しながら、基板が載置台の上面から完全に離れた後は、前記第１の速度よりも速い第２の速度でピンを上昇させて基板を持ち上げるように、前記昇降機構及びイオナイザを制御することを特徴としている。
この処理装置において基板とは、例えばＬＣＤ基板や半導体ウェハなどである。そのような基板を載置台の上方においてピンの上端で受け取り、ピンの下降により基板を載置台上に載置させる。そして、載置台上において例えば加熱等の処理を基板に対して施す。この処理後、ピンを上昇させて、載置台上から基板を持ち上げる。この基板を持ち上げる際に、基板の側方に配置したイオナイザからイオンを吹き付け、基板の上下面の帯電を除去する。
【０００６】
この請求項１の処理装置においては、請求項２に記載したように、前記イオナイザが、前記ピンによって載置台上から持ち上げられた基板の上面と下面の両方に対してイオンを供給できる位置に配置されていることが好ましい。そうすれば、イオナイザで作り出したイオンを基板の上下両方の面に吹きつけることができ、基板の上下面の帯電を効果的に除去することができる。
【０００７】
さらに請求項３によれば、前記ケーシングの外側に、少なくとも前記載置台の上面に向けてイオン化した気体を吐出するイオナイザを備えたことを特徴とする処理装置が提供される。
【０００８】
この請求項３の処理装置は、ケーシングの外側から、載置台の上面に向けてイオン化した気体を吐出するイオナイザを備えているので、前記請求項１と同様、基板の帯電を効果的に除去できる。ここで載置台の上面に向けて吐出するとは、上面の側方、斜め上方から吐出することをも含む意味である。
【０００９】
請求項４の処理装置は、前記ケーシングの外側に、少なくとも前記載置台の上面と載置している基板の下面との間の部分に向けてイオン化した気体を吐出するイオナイザを備えている。この場合も、前記請求項３の場合と同様、基板の帯電を除去してピンによる基板の載置台から離脱を容易にしている。
【００１０】
イオナイザは、請求項５に記載したような、気体をイオン化する放電電極と、この放電電極に向けて気体を供給する気体供給手段とを備えていることが提案できる。さらにこの放電電極は、基板の長手方向に沿った位置に配置することが提案でき、ＬＣＤ基板の場合、効果的に除電を実施することが可能である。また請求項７のように載置台側からみて、上下交互に放電電極を配置するようにすれば、偏りなくイオン化した気体を供給することが可能である。
【００１１】
請求項８の発明は、載置台上から基板を持ち上げるに際し、載置台上から基板を持ち上げる動作を開始するまでに、基板の側方からイオンの供給を開始し、イオンの供給を継続しながら、少なくとも基板の一部が載置台の上面に接触している間は、第１の速度で基板を持ち上げ、イオンの供給を継続しながら、基板が載置台の上面から完全に離れた後は、前記第１の速度よりも速い第２の速度で基板を持ち上げる処理方法である。この処理方法において、請求項９に記載したように、前記基板が載置台の上面から完全に離れた後、一定の間載置台上から基板を持ち上げる動作を停止し、その後、載置台上から基板を第２の速度で持ち上げるように構成しても良い。その場合、前記一定の間は、請求項１０に記載したように、基板の振動が停止するまでの時間とするのが良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照しながら本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、ＬＣＤ基板（ガラス基板）をフォトリソグラフィ技術を用いて処理する塗布現像処理システム１の斜視図であり、この塗布現像処理システム１は第１の実施の形態にかかる処理装置としての加熱装置２０を備えている。
【００１３】
この塗布現像処理システム１は、例えば矩形状のＬＣＤ基板Ｇを搬入・搬出するローダ部２と、ＬＣＤ基板Ｇを処理する第１の処理部３と、この第１の処理部３とインターフェイス部４を介して連設された第２の処理部５と、この第２の処理部５と例えば露光装置６等との間でＬＣＤ基板Ｇを授受するためのインターフェイス部７から構成されている。
【００１４】
ローダ部２には、カセットステーション１０が設けられており、このカセットステーション１０には未処理のＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１１と、処理済みのＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１２とがそれぞれ複数個載置自在である。またローダ部２には、未処理のＬＣＤ基板Ｇを搬入または搬出するためのサブ搬送アーム１３が備えられている。なお、サブ搬送アーム１３はＹ、Ｚ方向への移動とθ方向に回転可能に構成されている。
【００１５】
第１の処理部３には、ＬＣＤ基板Ｇに対して所定の処理を施す各種の処理装置がメイン搬送アーム１５の搬送路１６を挟んで両側に配置されている。搬送路１６の一方の側に、カセット１１から取り出されたＬＣＤ基板Ｇを洗浄するためのブラシ洗浄装置１７、現像装置１８が並んで配置され、搬送路１６を挟んで反対側に、ＬＣＤ基板Ｇに疎水化処理を施すアドヒージョン装置１９、加熱装置２０、ＬＣＤ基板Ｇを所定の温度に冷却する冷却装置２１が適宜多段に配置されている。
【００１６】
第２の処理部５には、メイン搬送アーム２２の搬送路２３の一方の側に、本実施の形態にかかる塗布・周縁部除去装置２４が配置され、搬送路２２を挟んで反対側には、加熱装置２０、冷却装置２１が適宜多段に配置されている。
【００１７】
インターフェイス部７には、ＬＣＤ基板Ｇを一時待機させるためのカセット２５と、このカセット２５との間でＬＣＤ基板Ｇの出入れを行うサブ搬送アーム２６と、ＬＣＤ基板Ｇの受渡し台２７が設けられている。なお、これら第１の処理部３及び第２の処理部５の構成、各種装置の配列等は適宜変更することが可能である。
【００１８】
上記のように構成される塗布現像処理システム１に組み込まれた第１の実施の形態にかかる加熱装置２０の構成について説明する。この加熱装置２０のケーシング４１ａによって囲まれた処理室４１内には、ＬＣＤ基板Ｇを載置する載置台４２が配置されており、載置台４２の内部には、載置台４２を介してＬＣＤ基板Ｇを加熱するための加熱手段であるヒータ４３が設置されている。載置台４２は、例えばアルミニウム合金等により構成されており、載置台４２には、図示しない温度センサが取り付けられており、例えば１２０℃〜１５０℃等の所定の加熱温度に温度設定可能に構成されている。
【００１９】
処理室４１の上部には、処理室４１の上部を覆い、載置台４２との間で処理空間４４を形成するカバー部材である処理室上壁４５が配置されている。この処理室上壁４５の中央部には、排気口４５ａが設けられている。処理室上壁４５は、後述する間隔設定用突起を介してシャッター部材である開閉扉４６に取り付けられている。開閉扉４６の昇降により、処理室４１と処理室上壁４５との間の開口部４７を開閉して処理空間４４の形成・開放を行うことができる。
【００２０】
載置台４２は、例えば４つの貫通孔４８が設けられており、これらの貫通孔４８には、それぞれＬＣＤ基板受け渡し時にＬＣＤ基板Ｇを支持するために支持ピン５０が遊嵌状態で貫挿されている。すなわち貫通孔４８は、支持ピン５０の水平移動を許容する大きさを有する。支持ピン５０は、下端に脚部５０ａを有するステンレス鋼製のピン本体５０ｂと、このピン本体５０ｂの上端部に装着される、例えばＰＥＥＫ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ−ｅｔｈｅｒ−ｋｅｔｏｎｅ）製の耐蝕性を有するピン補助体とで構成されており、脚部５０ａが保持部材５１の上面に突設された筒状の支持部材５２にて水平方向に移動可能に支持されている。
【００２１】
上記のように４本の支持ピン５０を保持する保持部材５１は、昇降機構５３に連結されて昇降可能に、すなわち支持ピン５０を載置台４２の貫通孔４８を挿通して上方に突出可能に構成されている。この場合昇降機構５３は、駆動モータであるステッピングモータ５４と、このステッピングモータ５４により駆動される駆動プーリ５５と、この駆動プーリ５５の上方に配設される従動プーリ５６と、これら駆動プーリ５５と従動プーリ５６に掛け渡され保持部材５１を連結するタイミングベルト５７とで構成されている。したがって、ステッピングモータ５４の正逆回転によって支持ピン５０と載置台４２とが相対的に上下移動し得るように構成されている。
【００２２】
上記開閉扉４６は、角形筒状の本体４６ａの上端に内向き水平片４６ｂを設けた形状となっており、処理室上壁４４の下面と対向する内向き水平片４６ｂの上面の四隅には、所定の高さ寸法ｈ例えば１〜５ｍｍの間隔設定用突起６０が突設されている。前記開閉扉４６は本体４６ａの下端部に突設されたブラケット４６ｃに昇降機構、例えばエアーシリンダ６１のピストンロッド６１ａが連結されており、エアーシリンダ６１の駆動により昇降移動し、処理室４１の開口部４７を開閉すると共に、処理空間４４を形成・解放するようになっている。
【００２３】
開閉扉４６が上昇して間隔設定用突起６０が処理室上壁４５の下面に当接することによって、処理室上壁４５の下面と開閉扉４６の上面との間に所定の寸法ｈに設定保持された空気導入口６２が形成される。したがって、ＬＣＤ基板Ｇの加熱処理時に、一定した外部の空気が空気導入口６２を介して処理空間４４内に流入し、排気口４５ａから排気される空気流量を均一にすることができ、ＬＣＤ基板Ｇの加熱温度を均一にすることができる。
【００２４】
前記処理室４１の一側の開口部４７は、メイン搬送アーム１５が進入、退出して、支持ピン５０上のＬＣＤ基板Ｇを受け取ったり、支持ピン５０上にＬＣＤ基板Ｇを渡す。他側の開口部４７ａの外側には、除電装置としてのイオナイザ７０が配置されている。このイオナイザ７０は、一端部が閉口した本体７１と、この本体７１の一側に上下二段に配置されたノズル７２、７３を有している。これらノズル７２、７３は、等ピッチ（例えば約９０mm間隔）で配置され、かつ上段のノズル７２と、下段のノズル７３とは、上からみて重ならないように配置されている。イオナイザ７０のノズル７２、７３は、図５に示したように、ＬＣＤ基板Ｇの長辺に沿って配置されている。
【００２５】
本体７１の他端部には、ガス導入部７４が設けられて、このガス導入部７４にフレッシュエアや窒素ガスその他の不活性ガスを供給すると、前記ノズル７２、７３から吐出される。各ノズル７２、７３には、針状の放電電極７５が設けられている。電力ケーブル７６から電力が供給されると、放電電極７５が放電し、ノズル７２、７３から吐出される前記フレッシュエアや窒素ガスその他の不活性ガスがイオン化され、吐出される気体の流れに乗って、ノズルの吹出方向に吐出される。電力は、電源７７から供給され、フレッシュエアなどは、気体供給源７８から供給される。
【００２６】
この電力、気体の供給、すなわちイオナイザ７０の動作は、コントローラ８１によって制御される。またこのコントローラ８１は、開閉扉４６を駆動するエアーシリンダ６１の作動を行う、バルブ８２、８３の開閉をも制御している。バルブ８２を開放すると、ガス供給源８４からのガスがエアーシリンダ６１内に供給され、ピストンロッド６１ａを押し上げる。これによって開閉扉４６が上昇して、開口部６２が閉鎖される。バルブ８３を開放すると、ガス供給源８４からのガスがエアーシリンダ６１内の他の空間に供給され、ピストンロッド６１ａを押し下げる。これによって開閉扉４６が下降して、開口部６２が開放される。
【００２７】
コントローラは、開閉扉４６を開放する際に、イオナイザ７０を作動させる。したがって、イオン化した気体は図６に示したように、ノズル７２、７３から処理室４１内の載置台４２の上面とＬＣＤ基板Ｇの裏面に向けて放出される。それによってＬＣＤ基板Ｇの電荷を中和して除去する。したがって、その後支持ピン５０を上昇させてＬＣＤ基板Ｇを載置台４２の上面から持ち上げることが円滑に行える。
【００２８】
ノズル７２は、ＬＣＤ基板Ｇにおけるメイン搬送アーム１５側、ノズル７３はＬＣＤ基板Ｇの手前側に向けてイオン化した気体を吐出する。したがって、ＬＣＤ基板Ｇ全体に偏りなくイオンを供給でき、効果的にＬＣＤ基板Ｇの除電がなされる。
【００２９】
次に本発明の第２の実施の形態について説明する。図７に示すレジスト処理システム１０１は、その一端側にカセットステーション１０３を備えている。このカセットステーション１０３にはＬＣＤ基板Ｇを収容した複数のカセット２が載置されている。カセットステーション１０３のカセット１０２の正面側にはＬＣＤ基板Ｇの搬送及び位置決めを行うと共に、ＬＣＤ基板Ｇを保持してメインアーム１０４との間で受け渡しを行うための補助アーム１０５が設けられている。メインアーム１０４は、処理システム１０１の中央部を長手方向に移動可能に、二基直列に配置されており、その移送路の両側には、現像装置１０６その他の各種処理装置が配置されている。
【００３０】
図示の処理システム１にあっては、カセットステーション１０３側の側方には、ＬＣＤ基板Ｇをブラシ洗浄するためのブラシスクラバ１０７及び高圧ジェット水により洗浄を施すための高圧ジェット洗浄機１０８等が並設されている。また、メインアーム１０４の移送路を挟んで反対側に現像装置１０６が二基並設され、その隣りに二基の加熱装置１０９が積み重ねて設けられている。
【００３１】
これら各機器の側方には、接続用インターフェースユニット１１０を介して、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト膜を塗布する前にＬＣＤ基板Ｇを疎水処理するアドヒージョン装置１１１が設けられ、このアドヒージョン装置１１１の下方には冷却用クーリング装置１１２が配置されている。また、これらアドヒージョン装置１１１及びクーリング装置１１２の側方に加熱装置１１３が二列に二個づつ積み重ねて配置される。メインアーム１０４の移送路を挟んで反対側にはＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を塗布することによってＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト膜（感光膜）を形成するレジスト膜塗布装置１１４が二台並設されている。図示はしないが、これらレジスト膜塗布装置１１４の側部には、ＬＣＤ基板Ｇ上に形成されたレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装置等が設けられる。
【００３２】
メインアーム１０４はＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、およびＺ軸駆動機構を備えており（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各方向は図１に示す）、更に、Ｚ軸を中心に回転するθ回転駆動機構をそれぞれ備えている。このメインアーム１０４がレジスト処理システム１０１の中央通路に沿って適宜走行して、各処理装置１０６、１０９、１１１〜１１３の間でＬＣＤ基板Ｇを搬送する。そしてメインアーム１０４は、各処理装置１０６、１０９、１１１〜１１３内に処理前のＬＣＤ基板Ｇを搬入し、また、各処理装置１０６、１０９、１１１〜１１３内から処理後のＬＣＤ基板Ｇを搬出する機能を有している。
【００３３】
これらの各装置のなかで、加熱装置１０９および加熱装置１１３は何れも同様の構成を備えているので、加熱装置１０９について代表して以下に説明する。図８に示すように、加熱装置１０９は、ケーシング１２０の内部に、ＬＣＤ基板Ｇを載置するための載置台１２１を備えている。図示はしないが、載置台１２１はヒータを内蔵しており、載置台１２１上に載置したＬＣＤ基板Ｇを加熱することによって、ＬＣＤ基板Ｇの乾燥処理を行うことができるように構成されている。
【００３４】
この載置台１２１には、ＬＣＤ基板Ｇの受取り、受渡し時に載置台１２１上面から上方に突出してＬＣＤ基板Ｇの下面を突き上げる複数本、例えば４本のピン１２２が昇降自在に嵌挿されている。これらピン１２２の下端部は昇降枠１２３を介して、ステッピングモータを内蔵した昇降機構１２４に支持されている。
【００３５】
ケーシング１２０の前記メインアーム１０４の移送路に面する側面には、ＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための窓１２５が形成されており、この窓１２５は、シャッタ１２６によって開閉されるようになっている。なお、図示はしないが、このシャッタ１２６による開閉操作を検知するためのセンサを備えている。このシャッタ１２６の上昇により開放された窓１２５を介して、図９に示すように、ＬＣＤ基板Ｇはメインアーム１０４によってケーシング１２０の内部に搬入される。そして、こうして搬入したＬＣＤ基板Ｇを、ピン１２２で突き上げることによりメインアーム１０４から受け取り、メインアーム１０４がケーシング１２０外に退出した後、ピン１２２が下降することにより、ＬＣＤ基板Ｇが載置台１２１上に載置されるようになっている。
【００３６】
図８に示すように、ケーシング１２０の上方には、載置台１２１上においてＬＣＤ基板Ｇを加熱した際に発生するガスを排出するための排気ダクト１２７が接続されている。
【００３７】
また、ケーシング１２０の内部において載置台１２１上に載置されたＬＣＤ基板Ｇの側方には、本発明の特徴とするイオナイザ１３０が配置されている。また、このイオナイザ１３０と前述の昇降機構１２４の稼働は、コントローラ１３１によって制御される構成になっている。イオナイザ１３０の内部に放電極と対向電極を備えており、放電極に交流電圧を印加し、対向電極に直流電圧を印加することによって両電極間でコロナ放電を発生させた状態でイオナイザ１３０内に清浄な空気を供給することにより、その気流でイオンを放出することが可能である。後述するように、ピン１２２によってＬＣＤ基板Ｇが載置台１２１上から持ち上る際に、このイオナイザ１３０からイオンが放出されることにより、ＬＣＤ基板Ｇの上面と下面の両方に対してイオンが供給されるように構成されている。
【００３８】
さて、この加熱装置１０９を用いてＬＣＤ基板Ｇを加熱して乾燥処理する場合について説明すると、先ず、図７に示すようにカセットステーション１０３に載置されたカセット１０２内から補助アーム１０５によってＬＣＤ基板Ｇを取り出し、これをメインアーム１０４に受け渡す。メインアーム１０４はＬＣＤ基板Ｇをブラシスクラバ１０７に搬入し、ブラシスクラバ１０７はそのＬＣＤ基板Ｇをブラシ洗浄処理する。なお、プロセスに応じて高圧ジェット洗浄機１０８内にて高圧ジェット水によりＬＣＤ基板Ｇを洗浄するようにしてもよい。このようにして洗浄したＬＣＤ基板Ｇをメインアーム１０４で搬送して、加熱装置１０９内に搬入する。
【００３９】
このＬＣＤ基板Ｇの搬入時には、図１０に示すように、加熱装置１０９においてケーシング１２０の窓１２５は、シャッタ１２６の上昇により開放した状態になっている。そして、この開放された窓１２５を介してメインアーム１０４がケーシング１２０内部に進入し、これによりＬＣＤ基板Ｇが載置台１２１の上方に搬入された状態となる。
【００４０】
この搬入後、ピン１２２が上昇してメインアーム１０４で支持していたＬＣＤ基板Ｇ下面を突き上げ、ピン１２２上端にＬＣＤ基板Ｇを受け取る。その後、図１１に示すように、メインアーム１０４が窓１２５を介してケーシング１２０外に退出する。
【００４１】
こうしてメインアーム１０４がケーシング１２０外に退出すると、図１２に示すように、シャッタ１２６が下降してケーシング１２０内は密閉状態となる。なお、このシャッタ１２６の下降は図示しないセンサによって確認される。その確認後、ピン１２２が下降してＬＣＤ基板Ｇは載置台１２１上に載置される。そして、載置台１２１に内蔵しているヒータの熱によってＬＣＤ基板Ｇを加熱して、ＬＣＤ基板Ｇの乾燥処理が行われる。また、同時に排気ダクト１２７からの排気が行われ、ＬＣＤ基板Ｇを加熱した際に発生するガスがケーシング１２０外に排出される。
【００４２】
次に、ＬＣＤ基板Ｇの乾燥処理が終了すると、ピン１２２が上昇して載置台１２１上面から上方に突出し、ＬＣＤ基板Ｇの下面を突き上げ始める。また、このピン１２２の上昇によって載置台１２１上からＬＣＤ基板Ｇを持ち上げる動作を開始するまでに、ＬＣＤ基板Ｇの側方に配置されているイオナイザ１３０からイオンの供給を開始する。なお、ＬＣＤ基板Ｇの乾燥処理が終了した後、予め定めておいたシーケンスによって、所定の時間が経過したらイオナイザ１３０からイオンの供給を開始するようにしても良い。
【００４３】
なお、このＬＣＤ基板Ｇの持ち上げ動作の開始時においては、図１３に示すように、ＬＣＤ基板Ｇの一部（特に周辺部）が載置台１２１の上面とまだ接触した状態となっている。特に、ＬＣＤ基板などは薄いガラス板で構成されていてたわみを生じやすく、周辺部が静電気によって載置台１２１上面に接触して剥がしづらい。かかる場合、最初からあまり速い速度でＬＣＤ基板Ｇを突き上げると、今まで静電気によって載置台１２１上面に接触していたＬＣＤ基板Ｇの周辺部が離れた瞬間に、反動でピン１２２の上でＬＣＤ基板Ｇが跳ね上がってしまう心配がある。このようにＬＣＤ基板Ｇがピン１２２上で跳ね上がってしまうと、ピン１２２上からメインアーム１０４に受け渡す際にＬＣＤ基板Ｇの位置が定まらなくなり、搬送不良を引き起こす原因となる。
【００４４】
そこで、このようにピン１２２を上昇させて載置台１２１上からＬＣＤ基板Ｇを持ち上げるに際し、少なくともＬＣＤ基板Ｇの一部が載置台１２１の上面に接触している間は、コントローラ１３１の制御によって昇降機構１２４に内蔵されているステッピングモータの回転数を相対的に低回転にして、第１の速度でピン１２２を上昇させ、ＬＣＤ基板Ｇの周辺部が離れた瞬間におけるＬＣＤ基板Ｇの跳ね上がりを防止する。なお、このように第１の速度で載置台１２１上からＬＣＤ基板Ｇを持ち上げている間においても、イオナイザ１３０からのイオンの供給を継続して行う。これにより、載置台１２１上面とＬＣＤ基板Ｇ下面との隙間にイオンを供給し、除電を行う。
【００４５】
こうして第１の速度でピン１２２を上昇させることにより、ＬＣＤ基板Ｇが載置台１２１の上面から完全に離れた後は、ＬＣＤ基板Ｇがピン１２２上で跳ね上がる心配が無くなるので、コントローラ１３１の制御によって昇降機構１２４に内蔵されているステッピングモータの回転数を相対的に高回転にして、第１の速度よりも速い第２の速度でピン１２２を上昇させて良い。但し、この場合、図１４に示すように、ＬＣＤ基板Ｇ全体が載置台１２１の上面から完全に離れた直後に一定の間、コントローラ１３１の制御によって昇降機構１２４に内蔵されているステッピングモータの回転を中断させることによりピン１２２の上昇を一時停止し、載置台１２１上からＬＣＤ基板Ｇを持ち上げる動作を停止することが好ましい。
【００４６】
即ち、前述のように載置台１２１上からＬＣＤ基板Ｇを持ち上げる初期の段階において第１の速度でピン１２２をゆっくりと上昇させることにより、ＬＣＤ基板Ｇの跳ね上がりを防止することが可能となる。しかしながら、いくらゆっくりとＬＣＤ基板Ｇを持ち上げたとしても、ＬＣＤ基板Ｇの周辺部が離れた瞬間におけるＬＣＤ基板Ｇの振動を完全に防止することは困難である。一方、ＬＣＤ基板Ｇの振動が生じている状態で第１の速度よりも速い第２の速度ですぐにピン１２２を上昇させると、ピン１２２上端に支持しているＬＣＤ基板Ｇのずれが発生する心配が残ってしまう。
【００４７】
そこで、図１４に示すように、ＬＣＤ基板Ｇ全体が載置台１２１の上面から完全に離れた直後にＬＣＤ基板Ｇの上昇動作を一時停止し、ＬＣＤ基板Ｇの振動が無くなってから、再びＬＣＤ基板Ｇを上昇させるようにするのが良い。ＬＣＤ基板Ｇの上昇動作を一時停止する操作は、コントローラ１３１の制御によって昇降機構１２４に内蔵されているステッピングモータの回転を一時的に停止させることによって行うことができるが、その停止時間は、ＬＣＤ基板Ｇの大きさ、形状、厚さ、材質などといった種々の要因で異なり、例えば５秒間程度以上とすることができる。なお、こうしてＬＣＤ基板Ｇの上昇動作を一時停止させている間、および再びピン１２２の上昇を再開して第２の速度でＬＣＤ基板Ｇを持ち上げている間においても、イオナイザ１３０からのイオンの供給を継続して行い、ＬＣＤ基板Ｇの除電を行う。
【００４８】
こうして、図１５に示すように、ピン１２２の上昇が終了して、除電の済んだＬＣＤ基板Ｇが載置台１２１の上方に支持された状態となると、シャッタ１２６が上昇し、窓１２５が開放させられる。このシャッタ１２６の上昇と窓１２５の開放は図示しないセンサによって検出される。そして、センサの検出により、イオナイザ１３０からのイオンの供給が停止する。なお安全を図るために、予め定めておいたシーケンスによって、所定の時間が経過したらイオナイザ１３０からのイオンの供給を停止するようにしても良い。また、このセンサの検出によって窓１２５の開放を確認した後、開放された窓１２５を介してメインアーム１０４がケーシング１２０内部に進入する。
【００４９】
このメインアーム１０４の進入後、ピン１２２が下降し、ピン１２２上端で支持していたＬＣＤ基板Ｇをメインアーム１０４に受け渡す。そして、ＬＣＤ基板Ｇはメインアーム１０４の退出に伴ってケーシング１２０外に搬出される。
【００５０】
こうして乾燥処理の終了したＬＣＤ基板Ｇは、次いでアドヒージョンユニット１１１にてアドヒージョン処理される。更に、クーリングユニット１１２でＬＣＤ基板Ｇを冷却した後に、コーティングユニット１１４にてレジストをＬＣＤ基板Ｇの表面に塗布する。そして、ＬＣＤ基板Ｇを加熱装置１１３で加熱処理した後に、露光装置（図示せず）でレジスト膜を露光処理する。そして、露光後のＬＣＤ基板Ｇを現像装置１０６内へ搬入し、現像処理が行われる。そして現像処理の終了後、ＬＣＤ基板Ｇはメインアーム１０４で現像装置１０６から搬出され、そのＬＣＤ基板Ｇは加熱装置１０９で再び加熱されて乾燥され、さらにカセットステーション１０３のカセット１０２内に収納される。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、基板の側方にイオナイザを配置しているので、基板の上面と下面との両方に対してイオンを供給することができ、基板の裏面も除電することがてきる。また本発明によれば、基板を載置台から持ち上げる際の跳ね上がりや位置ズレを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる加熱装置を組み込んだ塗布現像処理システムの全体概要を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる加熱装置の断面図である。
【図３】図２の加熱装置に用いたイオナイザの正面図である。
【図４】図２の加熱装置に用いたイオナイザの平面図である。
【図５】図３のイオナイザの配置を示す平面からみた説明図である。
【図６】図２の加熱装置において開閉扉が開放した状態の断面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態にかかる加熱装置を組み込んだ塗布現像処理システムの全体概要を示す斜視図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態にかかる加熱装置の断面図である。
【図９】メインアームによる載置台上へのＬＣＤ基板の受け渡しを示す斜視図である。
【図１０】メインアームによってケーシング内へＬＣＤ基板を搬入した状態を示す加熱装置の断面図である。
【図１１】ピンの上端にＬＣＤ基板を受け取った状態を示す加熱装置の断面図である。
【図１２】ＬＣＤ基板を載置台上に載置した状態を示す加熱装置の断面図である。
【図１３】ＬＣＤ基板を載置台上から持ち上げ始める状態を示す拡大断面図である。
【図１４】ＬＣＤ基板の上昇を一時停止した状態を示す加熱装置の断面図である。
【図１５】メインアームによってケーシング内からＬＣＤ基板を搬出する状態を示す加熱装置の断面図である。
【符号の説明】
１    処理システム
２０    加熱装置
４１    処理室
４１ａ  ケーシング
４２    載置台
５０    支持ピン
７０    イオナイザ
７８    気体供給源
Ｇ    ＬＣＤ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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