(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に所定の薄膜を形成する成膜装置であって、
所定温度に加熱され、原料ガスとの接触によって化学種を生成する触媒体と、
前記原料ガスを前記触媒体と接触するように供給するとともに、前記接触により生成された前記化学種を含むガスを、前記基板の表面の一部のみに供給するガス供給手段と、
該ガス供給手段によって前記基板の表面の一部に供給された前記化学種を含むガスが、前記基板から離れる方向へ排出されるように、前記ガス供給手段に接近して設けられたガス排出手段と、
前記ガス供給手段及び前記ガス排出手段に対して前記基板をその表面に沿った方向へ相対的に移動させる移動手段と、
を具備し、
前記ガス供給手段及び前記ガス排出手段の各々の先端部は、Ｕ字状又は円弧状の滑らかなガス流が形成されるように、前記ガス供給手段によるガス供給位置を挟んでほぼ対称的に傾斜して設けられており、
前記触媒体は、前記ガス供給手段のガス流路内に、前記基板の表面に直接対向しないように配置されていることを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、触媒反応に基づいて薄膜を形成する成膜装置に関する。特に、加熱触媒体に起因する基板の温度上昇を抑制しつつ、大面積基板に対して、均一に、しかも高速にて成膜を行うことが可能な触媒反応に基づく成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ、ＬＣＤ、薄膜太陽電池等のデバイス製造プロセスにおける薄膜形成方法、特にシリコン系薄膜の形成方法としては、比較的低温にて成膜できることから、現在、プラズマＣＶＤ法が主流となっている。
【０００３】
しかしながら、プラズマＣＶＤ法においては、プラズマ中の荷電粒子が基板に与えるダメージの大きいこと、膜中に取込まれる水素濃度が高いこと等が間題視されている。
【０００４】
このために、プラズマを用いることなく、しかも、低水素含有の薄膜（シリコン系薄膜）を形成できる技術として、Ｃａｔ−ＣＶＤ法という技術が最近注目を集めている。
【０００５】
この成膜法は、所定の温度に加熱した触媒体を成膜チャンバ内に配置し、チャンバ内に供給した原料ガスをこの触媒体に接触させ、接触反応によって生成された化学種に基づいて基板上に所定の薄膜を形成する方法である。
【０００６】
この方法によって形成できる薄膜としては、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＳｉＮｘ等、多様であるが、特に、この方法によって作製されたａ−Ｓｉ膜は、光劣化の少ない高安定化効率の太陽電池用の発電層として、大いに期待されている。
【０００７】
Ｃａｔ−ＣＶＤ法に基づく成膜装置については、特開昭６３−４０３１４号公報、特開平１１−５４４４１号公報等に記載されているが、特に、特開平１１−５４４４１号公報に記載の装置は、触媒体が基板に与える熱の抑制にも有効である。
【０００８】
以下、Ｃａｔ−ＣＶＤ法に基づく成膜装置の従来例として、特開平１１−５４４４１号公報に記載の装置を、図５に基づいて説明する。
【０００９】
図５に示す成膜装置は、箱状のチャンバ１０１と、チャンバ１０１の上面中央からチャンバ１０１の内部に挿入されたガス供給管１０３と、ガス供給管１０３の下端部に取り付けられた横長直方体状の触媒容器１０４とを備えている。触媒容器１０４の内部には、コイル状の触媒体１０５が設けられている。触媒容器１０４の底面部１０４ｂには、複数のガス吹出口１０６が設けられている。
【００１０】
基板１０９は、触媒容器１０４の下方に設けられた基板ホルダー１１０の上に、触媒容器１０４の底面部１０４ｂに平行となるように保持される。
【００１１】
成膜作業では、ガス供給源１０２によりガス供給管１０３に原料ガス１０７が供給される。その原料ガス１０７は、触媒容器１０４内にて加熱された触媒体１０５と接触することにより、成膜に適した化学種１０８を生成する。この化学種１０８を含むガスが、触媒容器１０４の底面部１０４ｂのガス吹出口１０６からシャワー方式により基板１０９の表面に供給される。これにより、基板１０９の表面に薄膜が形成され、薄膜を形成した残りの化学種１０８が、排気系１１１により基板１０９の側方からチャンバ１０１外へ排出される。
【００１２】
このような構成の成膜装置によれば、プラズマダメージがなく、しかも、水素含有率の低い、きわめて高品質の膜が得られる。又、触媒体１０５による原料ガスの分解確率が高いため、高速の成膜が可能となる。更に、図５に示す成膜装置では、触媒容器１０４が、触媒体１０５と基板１０９とを隔絶しているため、触媒体１０５から基板１０９への熱輻射による基板１０９の温度上昇が抑制される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の成膜装置では、以下のような３つの問題点がある。
【００１４】
第１の問題は、基板の温度上昇である。図５に示す成膜装置では、化学種を含む原料ガスは、触媒容器１０４のガス吹出口１０６より、基板１０９に対して略直角に吹き出され、その後、基板１０９の表面に沿って流れ、チャンバ側壁の排気系１１１から排気される。即ち、ガスが基板１０９の表面全域に沿って流れるため、ガス流れのコンダクタンスがあまり大きくない。この影響は、特に大面積の基板を用いる場合に顕著となる。
【００１５】
このように、ガス流れのコンダクタンスが大きくないと、大流量のガスを流すことができない。なお、触媒容器１０４内の空間とチャンバ１０１内の空間との差圧をかなり大きくすることによって、ある程度は、ガス流量を増加させることも可能ではあるが、この場合には、大流量のガスを供給しようとしたときに流れに乱れが生じ、膜の品質や成膜の均一性が損なわれることになる。このように、ガス流のコンダクタンスが大きくないと、ガス流量が制限され、ガス流量が小さいと、ガス流による基板１０９の表面への化学種１０８の供給（輸送）が困難になる。すなわち、ガス流によって化学種１０８を基板１０９に供給（輸送）するのに要する時間が科学種１０８の寿命よりも長くなってしまう。
【００１６】
そこで、ガス流量が小さい状態のまま、化学種１０８の寿命よりも短い時間で、基板１０９の表面に化学種１０８を供給（輸送）するためには、触媒体１０５、すなわち媒容器１０４を基板１０９に接近させることが必要になる。その結果、触媒容器１０４を用いているにもかかわらず、触媒体１０５（触媒容器１０４）からの熱輻射により基板１０９が温度上昇する。このように、触媒容器１０４を用いることによる基板１０９の温度上昇を抑制するという効果が薄れてしまう。
【００１７】
第２の問題は、成膜の不均一である。上記したように、ガス流れのコンダクタンスが大きくなく、排気系１１１に近い部分と遠い部分とでは流れの状態が異なる。また、基板１０９上において、ガス吹出口１０６と対向する部分には化学種１０８が多く到達するが、それ以外の部分に到達する化学種１０８は少ない。その結果、基板１０９の表面における成膜の均一性を得る事が困難になる。この影響は、特に大面積の基板１０９を用いた場合に顕著となる。
【００１８】
第３の問題は、十分な成膜速度が確保されないことである。上記したように、ガス流れのコンダクタンスが大きくなく、ガス流量が制限されるため、単位時間当たりに触媒体１０５と接触する原料ガス分子の数が制限され、成膜速度向上の妨げとなる。
【００１９】
本発明は、このような従来の問題を解決するものであり、その目的は、ガス流れのコンダクタンスを大きくすることができ、これにより基板の温度上昇の問題、成膜の不均一の問題、及び成膜速度の不足の問題を全て解決できる成膜装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の成膜装置は、基板の表面に所定の薄膜を形成する成膜装置であって、所定温度に加熱され、原料ガスとの接触によって化学種を生成する触媒体と、前記原料ガスを前記触媒体と接触するように供給するとともに、前記接触により生成された前記化学種を含むガスを、前記基板の表面の一部のみに供給するガス供給手段と、該ガス供給手段によって前記基板の表面の一部に供給された前記化学種を含むガスが、前記基板から離れる方向へ排出されるように、前記ガス供給手段に接近して設けられたガス排出手段と、前記ガス供給手段及び前記ガス排出手段に対して前記基板をその表面に沿った方向へ相対的に移動させる移動手段と、を具備し、前記ガス供給手段及び前記ガス排出手段の各々の先端部は、Ｕ字状又は円弧状の滑らかなガス流が形成されるように、前記ガス供給手段によるガス供給位置を挟んでほぼ対称的に傾斜して設けられており、前記触媒体は、前記ガス供給手段のガス流路内に、前記基板の表面に直接対向しないように配置されていることを特徴とし、そのことによって上記目的が達成される。
【００２１】
即ち、本発明の成膜装置では、基板の表面の一部に供給されたガスは、基板から離れる方向へ排出されることにより、そのガスは基板の表面に限定的に供給されて皮膜を形成する。その結果、基板の表面全体に供給される場合と比べて、基板上でのガスの流動経路を短くでき、そのガス流れのコンダクタンスを大きくできる。
【００２２】
従って、ガス供給手段からガス排出手段にかけて大流量のガスを流すことができ、その結果、触媒体から基板までの距離を大きくしても、化学種の寿命よりも短い時間で、化学種を高速のガス流によって基板に供給することができる。このように、触媒体から基板までの距離を大きくできるので、触媒体からの輻射熱による基板の温度上昇を抑制することができる。
【００２３】
また、ガス供給手段及びガス排出手段に対して基板が表面に沿った方向へ相対的に移動することにより、基板の表面の一部に限定的にガスが供給されるにもかかわらず、基板の表面全体に皮膜を形成できる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
【００３１】
＜実施形態１＞
図１は本発明の実施形態１を示す。実施形態１の成膜装置は、直方体状のチャンバ１と、略角筒状のガス供給管３と、ガス供給管３の周囲に配置された一対のガス排出管４と、ガス供給管３の内部に配置された触媒体６と、チャンバ１内において、これらのガス供給管３およびガス排出管４の下方に設けられた基板ホルダー９とを備えている。
【００３２】
成膜対象物である基板８は、基板ホルダー９の上に水平に支持されており、移動手段１０による基板ホルダー９の水平方向の直線駆動により、特定の水平方向（Ｘ方向）に移動する。
【００３３】
ガス供給手段である略角筒状のガス供給管３は、基板ホルダー９上に支持された基板８の表面の一部に、所定の隙間をあけて直角に対向している。より具体的には、基板８の表面のＸ方向の一部分に、Ｘ方向に直角な水平方向の全域にわたって直角に対向している。これにより、ガス供給管３は、原料ガス源２から供給される原料ガス７を、内部の触媒体６を経由して、基板ホルダー９上に支持された基板８の表面のＸ方向の一部分に、Ｘ方向に直角な水平方向の全域にわたって真上から供給する。
【００３４】
ガス排出手段である一対のガス排出管４は、ガス供給管３の周囲であるＸ方向の両側に、両側の側壁部５を利用して、垂直かつ一体的に設けられている。各ガス排出管４は、Ｘ方向に偏平な略角筒状に形成され、ガス供給管３と共に、チャンバ１内に垂直に配置されている。そして、ガス供給管３のＸ方向の近接位置にて、基板８の表面のＸ方向の一部分に、Ｘ方向に直角な水平方向の全域にわたって直角に対向している。
【００３５】
ガス供給管３の内部に配置された触媒体６は、ガス供給管３の内部を流れる原料ガスの分子と接触しやすいように、その表面積が広いことが望まれる。例えば、触媒体６は、コイル状であって、通電により所定温度に加熱される。触媒体６の材質としては、タングステン、モリブデンなどが用いられ、１５００〜２０００℃程度に加熱される。
【００３６】
基板ホルダー９は、前述したとおり、その上に基板８を水平に支持し、移動手段１０によりＸ方向に駆動される。これにより、基板ホルダー９は、その上の基板８をＸ方向に移動させる。また、内部に設けられたヒータまたは冷却機構（図示せず）により、必要に応じて基板８を所定の温度に加熱または冷却する。
【００３７】
次に、実施形態１の成膜装置を用いて、基板８の表面に薄膜を形成する方法について説明する。
【００３８】
基板ホルダー９上に支持された基板８をＸ方向に移動させながら、原料ガス供給源２からガス供給管３に原料ガス７を供給する。原料ガス源２からガス供給管３に供給された原料ガス７は、ガス供給管３内の触媒体６と接触し、この触媒反応によって、ガス内に化学種が生成される。生成された化学種を含むガスは、ガス供給管３内にて垂直な下向きのガス流とされ、基板８の表面のＸ方向の一部分に、Ｘ方向に直角な水平方向の全域にわたって真上から直角に衝突する。これにより、基板８の表面のＸ方向の一部分に、化学種に基づく薄膜が形成される。
【００３９】
基板８の表面のＸ方向の一部分に衝突したガスは、周囲、特にＸ方向の両側に広がろうとするが、ガス供給管３のＸ方向の両側にガス排出管４が、それぞれ隣接して設けられていることにより、Ｘ方向の両側に分かれた後、直ちに向きを上方へ変更して基板８の表面から離れ、各ガス排出管４にそれぞれ流入する。そして、各ガス排出管４内にて垂直な上向きの排出ガス流となってチャンバ１の外部へ排出される。
【００４０】
そして、基板８をＸ方向に移動させることにより、基板８の表面のＸ方向一端からＸ方向他端へ順次薄膜が形成され、最終的に基板８の表面全体に薄膜が形成される。
【００４１】
このように、本実施形態１の成膜装置では、基板８の表面のＸ方向の一部に、化学種を含むガスが限定的に供給される。また、基板ホルダー９がＸ方向へ連続的に水平移動することにより、基板８の全面に成膜が行われる。基板８の表面の一部に、化学種を含むガスを限定的に供給するとともに、基板８の表面の一部に供給された前記ガスをその供給位置の近傍で基板８上から速やかに排出することにより、ガス流れのコンダクタンスが大きくなり、大流量のガスを供給することが可能となる。
【００４２】
使用される原料ガスとしては、アモルファスや多結晶のシリコン薄膜を形成する場合は、ＳｉＨ4等のシラン系ガスが単体で、または水素などの他のガスと混合して用いられる。また、ガスの分解を安定化させるために、さらにＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスを加えてもよい。このような原料ガスが触媒体６と接触して生成される化学種は、明確ではないが、例えばＳｉＨ3のようなシリコン薄膜形成にとって望ましい化学種であると予測される。
【００４３】
チャンバ１内の圧力は適宜に設定すれば良いが、成膜速度を高めるためには、比較的高圧力とすることが望まれ、例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒ程度に設定される。ガス流量に関しては、本実施形態においては、非常に大きく設定することができるが、例えば、数ＳＬＭ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｌｉｔｅｒ／Ｍｉｎ）〜数１０ＳＬＭに設定される。
【００４４】
基板８の温度については、例えば、アモルファスシリコン薄膜を形成する場合には、２００℃前後程度に設定される。
【００４５】
触媒体６から基板８までの距離Ｌについては、本実施形態１では、後述するように、大きく設定することができる。その距離Ｌは、ガスの圧力及び流量によって異なるが、本実施形態１では、後述する理由により、０．１Ｔｏｒｒ以上で数ＳＬＭ程度の場合には１０ｃｍ以上とすることができ、触媒体６が基板８に与える熱の影響を抑制できる。このように、触媒体６からの熱の影響を抑制できるため、基板温度を上記したような適正な温度に管理することが可能である。
【００４６】
次に、本実施形態１の効果を説明する。
【００４７】
（１）実施形態１の成膜装置によれば、化学種を含むガスは、ガス供給管３から基板８の表面の一部にのみ供給され、そのガス供給位置に近接して設けられた各ガス排気管４から即時に排気される。即ち、図５に示す成膜装置のように、基板８の表面全域に沿ってガスが流れないために、ガス流れのコンダクタンスを大きくすることができ、流れに乱れを生じることなく、ガス供給管３からガス排気管４にかけて大流量のガスを高速で流すことができる。その結果、触媒体６から基板８までの距離Ｌを大きくしても、化学種の寿命よりも短い時間で、化学種を高速ガス流によって基板８に供給することができる。このように、触媒体６から基板８までの距離Ｌを大きくできるので、触媒体６からの輻射熱による基板８の温度上昇を抑制することができる。
【００４８】
なお、ガス供給管３は、化学種を含むガスを、基板８の表面に対して直角に衝突させるが、ガス排出管４は、ガス供給管３の周囲、ここではＸ方向の両側に、ガス供給管３に接近して配置されている。このため、基板８の表面に衝突したガスは、効率よく基板８上から排出され、ガス流れのコンダクタンスの増大に寄与する。
【００４９】
（２）また、薄膜は、流れに乱れのない高速のガス流によって輸送された化学種に基づき、ガス供給管３と対向する非常に小さい領域にのみ形成されるので、この部分では、均一な良質の膜が得られる。そして、移動手段１０によって基板８を移動させることにより、この均一な良質の膜を、基板８の表面全域にわたって形成することができる。
【００５０】
（３）また、ガス供給管３からガス排出管４にかけて大流量のガスを流すことができるから、ガス供給管３の内部で触媒体６と単位時間当たりに接触する原料ガス分子の数を増やすことができ、これによって、化学種の数を増加させることができ、成膜速度を向上させることができる。
【００５１】
これらの効果、特に上記（１）の効果は、高速ガス流による化学種の輸送効果によって得られるものであるから、ガス流による化学種の輸送が主体となるような場合、すなわち、化学種の平均自由行程が短い高圧力の場合に、より顕著なものとなる。
【００５２】
なお、触媒体６の形状はコイル状に限らず、原料ガスと接触する表面積が大きく設計されたものであれば良い。また、基板８への輻射熱の影響をさらに小さくするためには、同時に、基板８と対向する部分の面積を小さくすることが望ましい。このことから、触媒体６の形状としては、例えば、図２に示すように、ガス流の方向に沿って広い表面積を有する板状体とすることが好ましい。このような形状とすることにより、ガスとの接触面積を小さくすることなく、基板８と対向する部分の面積を小さくでき、基板８への輻射熱の影響を、効率良く低減することができる。
【００５３】
また、ガス供給管３の内部に配置される触媒体６は１個に限らず、複数個設けてもよい。例えば、図３に示すように、ガス流の方向に沿って複数個の触媒体６を設ければ、流れの上流側の触媒体６によって分解されなかった原料ガスも、下流側の触媒体６によって分解され得る。したがって、ガスの分解効率が向上し、さらに成膜速度を向上させることができる。
【００５４】
なお、本発明は、Ｃａｔ−ＣＶＤ装置に関する改良発明であるから、ダメージのない、低水素含有の薄膜を形成できることは当然である。
【００５５】
＜実施形態２＞
図４は本発明の実施形態２の成膜装置を示す。この成膜装置は、ガス供給手段であるガス供給管３及びガス排出手段であるガス排出管４の構造のみが、前述した図１に示す成膜装置と相違する。これ以外の部分は同じ構造であるので、共通部分については同じ番号を付して説明を省略する。
【００５６】
図４に示す成膜装置では、ガス供給管３は、上部の垂直な直線部３ａと、その下方に形成された曲線部３ｂとを有している。曲線部３ｂは、基板８に接近するにつれてガス排出管４に接近するように湾曲しており、しかも、その断面積が、順次小さくなっている。一方、ガス排出管４も、上部の垂直な直線部４ａと、その下方に形成された曲線部４ｂとを有しており、曲線部４ｂは、ガス供給管３の曲線部３ｂと対称的に、基板８に接近するにつれて、ガス供給管３に接近するように湾曲しており、しかも、その断面積が、順次、小さくなっている。
【００５７】
このような構成により、ガス供給管３のガス出口から流出したガスは、下方に向かって突出した円弧を描いて、基板８とは小さな傾斜角度で基板８の表面に供給され。その後、基板８に対して小さな傾斜角度でガス排出管４のガス入口へ排出される。これにより、ガス供給管３のガス出口からガス排出管４のガス入口に向けて、滑らかな一続きのＵ字状あるいは円弧状のガス流が形成される。
【００５８】
このように、ガス供給管３及びガス排出管４は、基板８上のガス衝突位置のＸ方向両側に対称的に設けられ、しかも、それぞれの下部に、相互に接近する傾斜状態になるように、それぞれ湾曲させた曲線部３ｂ，４ｂを有しているために、ガスの流れの流線に急激な変化が加わらず、図１に示す成膜装置の場合よりも、ガス流れのコンダクタンスを大きくすることができ、その結果、さらに大流量のガスを流すことができる。従って、第１実施形態で述べた効果は、より顕著なものとなる。
【００５９】
また、図４に示す成膜装置では、ガス供給管３が、直線部３ａの下方に曲線部３ｂを有する構造になっているため、触媒体６を直線部３ａに配置することにより、その触媒体６は下方の曲線部３ｂを構成する壁部３ｂ’によって、基板８から遮蔽された状態になり、触媒体６が基板８に直接対向することが回避される。これにより、触媒体６から基板８への輻射熱を、より効果的に抑制することができる。
【００６０】
【発明の効果】
本発明の成膜装置は、このように、原料ガスを、所定温度に加熱された触媒体と接触させることにより生成される化学種に基づき、基板の表面に所定の薄膜を形成する際に、化学種を含むガスが基板の表面の一部にのみに限定的に供給され、また、基板の表面の一部に供給されたガスが、基板から離れる方向に排出されるために、ガス流れのコンダクタンスを大きくすることができる。つまり、基板上に大流量のガスを流すことができ、ガス流主体の化学種の輸送が可能になる。その結果、触媒体から基板までの距離を大きくしても、化学種の寿命よりも短い期間で化学種を基板に供給することができる。このように、触媒体から基板までの距離を大きくすることができるので、触媒体からの輻射熱による基板の温度上昇を抑制することができる。
【００６１】
また、薄膜は、ガス供給管と対向する非常に小さい領域に形成されるので、この部分では、均一な良質の膜が得られる。そして、移動手段によって基板を移動させることにより、この均質な良質の膜を大面積の基板の表面に形成することができる。
【００６２】
また、ガス供給管からガス排気管にかけて大流量のガスを流すことができるから、ガス供給管の内部で触媒体と接触する原料ガス分子の数を増やすことができ、これによって化学種の数を増加させることができ、成膜速度を向上させることができる。
【００６３】
また、基板の表面の一部に供給されたガスが、その供給位置の近傍で基板上から速やかに排出されるように、ガス供給手段の近傍にガス排出手段を設けることにより、ガス流れのコンダクタンスをさらに大きくすることができ、上記した３つの効果、すなわち、基板の温度上昇の抑制、大面積基板に対する成膜の均一化、及び成膜速度の高速化に関して、より一層大きな効果が得られる。
【００６４】
また、ガス供給手段により、化学種を含むガスを前記基板の表面に対して略直角に供給し、基板の表面に供給されたガスが、ガス供給位置の周囲で基板上から排出されるように、ガス供給手段の周囲にガス排出手段を設けることにより、ガス流れのコンダクタンスを大きくすることができ、上記した３つの効果、すなわち、基板の温度上昇の抑制、大面積基板に対する成膜の均一化、及び成膜速度の高速化に関して、大きな効果が得られる。
【００６５】
さらに、ガス供給手段からガス排出手段にかけて略Ｕ字状又は略円弧状の滑らかなガス流が形成されるように、ガス供給手段及びガス排出手段を、ガス供給位置を挟んで略対称的に傾斜して設けることにより、ガス流れのコンダクタンスを大きくすることができ、上記した３つの効果、すなわち、基板の温度上昇の抑制、大面積基板に対する成膜の均一化、及び成膜速度の高速化につき、さらに大きな効果が得られる。
【００６６】
この場合、ガス供給手段内において、基板の表面と直接対向しない位置に、触媒体を配置することにより、触媒体から基板への輻射熱が効果的に抑制される。
【００６７】
また、触媒体を、ガス供給手段の内部を流れるガス流に沿って広い表面積であって、前記ガス流に対して直角方向の表面積が小さくなるように形成することにより、触媒体から基板への輻射熱が効果的に抑制される。
【００６８】
さらに、触媒体を、ガス供給手段の内部を流れるガス流の方向に間隔を隔てて複数個配置することにより、化学種の生成効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の成膜装置の実施の形態の一例を示す概略構成図である。
【図２】その成膜装置の他の例を示す要部の概略構成図である。
【図３】その成膜装置のさらに他の例を示す要部の概略構成図である。
【図４】本発明の成膜装置の実施の形態の他の例を示す概略構成図である。
【図５】従来の成膜装置の説明図である。
【符号の説明】
１  チャンバ
２  原料ガス源
３  ガス供給管（ガス供給手段）
３ａ  直線部
３ｂ  曲線部
４  ガス排出管（ガス排出手段）
４ａ  直線部
４ｂ  曲線部
５  側壁部
６  触媒体
７  原料ガス
８  基板
９  基板ホルダー
１０  移動手段
【図１】
0003644864.tif 000002
【図２】
0003644864.tif 000003
【図３】
0003644864.tif 000004
【図４】
0003644864.tif 000005
【図５】
0003644864.tif 000006