(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の少なくとも一部に1535nmないし1567nmの範囲で発振波長が異なる複数個の分布帰還型レ−ザ又は分布反射型レ−ザからなる半導体レーザを集積した半導体光素子の製造方法であって、上記一部に、幅がそれぞれ異なる複数対の絶縁膜マスクを形成し、有機金属気相成長によって光導波層及び活性層を積層し、上記複数対の絶縁膜マスクによって形成された複数の光導波層上に同一周期の回折格子を形成し、その後埋込ヘテロ構造を形成し、上記複数個の半導体レ−ザのそれぞれの発振波長と活性層の発光ピ−ク波長の離調量が実質的に等しい複数個の半導体レーザを形成することを特徴とする半導体光素子の作製方法。
【請求項２】
半導体基板の少なくとも一部に1535nmないし1567nmの範囲で発振波長が異なる複数個の分布帰還型レ−ザ又は分布反射型レ−ザからなる半導体レーザを集積した半導体光素子の製造方法であって、上記半導体基板上に同一周期の回折格子を形成し、上記回折格子上に幅がそれぞれ異なる複数対の絶縁膜マスクを形成し、有機金属気相成長によって上記半導体レーザを構成する光導波層及び活性層を積層し、その後埋込ヘテロ構造を形成し、上記複数個の半導体レ−ザのそれぞれの発振波長と活性層の発光ピ−ク波長の離調量が実質的に等しい複数個の半導体レーザを形成することを特徴とする半導体光素子の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は半導体光素子に係り、さらに詳しく言えば、出力光波長が異なる複数個の半導体レーザが単一の半導体基板上に形成された素子、特に、光通信用モジュール、光通信システム、光ネットワ−クにおいて周波数多重、波長多重伝送に好適な半導体光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信システムの伝送容量を拡大する方式として周波数多重方式、波長多重方式が検討されている。発振波長の異なる単一波長レーザを複数個同一基板上に有する集積化アレイ光源は波長／周波数多重方式の重要デバイスとして研究開発が盛んに進められている。従来の多波長レーザアレイの報告例では全ての波長に対して同一の結晶成長で形成された同じ発光ピーク波長を有する活性層を用い、電子線描画装置等を用いて回折格子の周期を各波長毎に制御した多波長化を試みていた。例えば、オプティカル・ソサイエティ・オブ・アメリカ他、オプティクス・アンド・フォトニクス・ニュース（Ｏ．Ｐ．Ｎ．）２４ー２６頁１９９３年３月が挙げられる。
【０００３】
しかし、この多波長レーザアレイを作製するためには電子線描画装置の利用等が必要で、作製が複雑であるばかりでなく、発振波長と活性層の利得ピーク波長の差（離調量）が各半導体レーザで異なるため、特性の均一化に不利であるという問題がある。従来の報告例では、発振波長は制御されているものの離調量の増大に伴いレーザの発振しきい値や発振効率が大きく低下している。さらに、高速変調時に重要となる緩和振動周波数やスペクトル線幅等も同様に劣化する。これは単一の半導体基板に形成される半導体レーザの数（チャンネル数）が増すほど、また、周波数／波長帯域が広いほど問題となるため、更なる広帯域化に向けて解決すべき点の一つである。
【０００４】
また、有機金属気相成長での選択成長を用いて光導波路の層厚を制御することにより同じ周期の回折格子を用いて波長の異なる発振を行う分布反射型レーザが報告されている。例えば、第５４回応用物理学会学術講演会講演予稿集２７ｐ−Ｈ−１８、１９９３年９月が挙げられる。この場合も活性層は同一の利得ピーク波長を有する活性層が用いられているめ上記の特性が不均一となる問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の主な目的は、静特性、動特性が均一でかつ発振波長の異なる複数の分布帰還型レーザ又は分布反射型レーザを同一基板上に集積した半導体光素子を提供することである。
本発明の他の目的は、静特性、動特性が均一でかつ発振波長の異なる複数の分布帰還型レーザ又は分布反射型レーザを極めて簡易に、同一基板上に集積する半導体光素子の作製方法を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、光変調器をモノリシック集積した上記半導体発光素子に適用した構造及び作製法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体発光素子は、発振波長及び活性層の発光ピ−ク波長が異なる分布帰還型レ−ザ又は分布反射型レ−ザを複数個同一基板面内に、且つ各レ−ザ間での発振波長及び活性層の発光ピ−ク波長の大小の順が同じであるように構成した。
【０００７】
上記本発明の半導体発光素子を作成するために、半導体レーザの光導波路が形成される位置に間隙が設けられたストライプ状の対をなす絶縁膜マスクを形成する。上記対をなす絶縁膜マスクは複数対で、各対のストライプの幅はそれぞれ異なる。上記絶縁膜マスクを形成した半導体基板上に有機金属気相成長法によって結晶成長（選択成長）を行い光導波層、活性層を形成する。上述の作製工程において、上記絶縁膜マスクを形成記前又は上記光導波層を形成した後、半導体基板の少なくと半導体レーザが形成される領域全体に同一の周期を持つ回折格子を形成する工程を設ける。絶縁膜マスクの寸法が異なったものを用いることにより光導波路の膜厚、即ち、導波路の有効屈折率と活性層の利得ピーク波長とを同時に制御する。
【０００８】
また、上記半導体光素子には、同一基板上に上記半導体レーザの出力光を変調するための光変調器を集積する。上記光変調器を集積の光導波層、活性層等の素子形成層は半導体レーザの素子形成層と同じ結晶成長工程によって行う。
【０００９】
【作用】
分布帰還型レーザ、分布反射型レーザ等の、光導波路層近くに回折格子が設けられた半導体レーザの波長特性は、図１（ａ）に示すように、活性層の構成によって決まる緩慢な変化をする特性ｃ１と回折格子の構成によって急激な変化をする特性ｃ２をもつ。特性ｃ１の最大値を持つ活性層の発光ピ−ク波長λｐと特性ｃ２の波長である発振波長λｏは異なり、この波長差すなわち離調量ｄをもつ。前述のように、離調量ｄが大きくなると、レーザの発振しきい値や発振効率が大きく低下する。
【００１０】
本発明の波長多重半導体発光素子は、図１（ｂ）に示すように、同一基板面内に積層される複数の半導体レーザの発振波長（λｏ１、λｏ２、…λｏｎ）及び活性層の発光ピ−ク波長が（λｐ１、λｐ２、…λｐｎ）が各レ−ザ間で大小の順が同じである、すなわち、λｏ１＜λｏ２＜、…＜λｏｎ  かつ
λｐ１＜λｐ２＜、…＜λｐｎとなるように設定されているので、各半導体レーザの離調量ｄ１、ｄ２、…ｄｎをほぼ等しくすることができ、それによって、発振しきい値や発振効率を低下させることなく、各半導体レーザの静特性、動特性が均一となる。
【００１１】
上記波長特性を持つ複数の半導体レーザは、本発明の半導体レーザ素子の製造方法によって簡易な方法によって実現される。即ち、単一周期の回折格子を持つ半導体基板上に、光導波層、活性層を有機金属気相成長での選択成長を行うことによって、単一周期の回折格子にかかわらず、選択成長によって、各半導体レーザの光導波層の実効屈折率ｎｅｆｆが層の厚さにほぼ比例して変化するので、発振波長λｐｉ（ｉ＝１，２，…ｎ）＝２ｎｅｆｆΛ（Λは回折格子の周期）の異なった複数種の半導体レーザが、簡易な結晶成長工程によって実現される。
【００１２】
なお、同一の半導体基板上に形成された複数種の半導体レーザはそのまま波長多重半導体光素子として利用されるが、個々に分離することによって、単一の発振波長の半導体光素子として利用できることはいうまでもない。この場合本発明の半導体レーザの作成方法は、発振波長の異なった多種類の発光素子を一度に実現できる効果を持つ。
また、上記原理を分布反射型レーザ、光変調器等をモノリシック集積にした集積化光源、ＧａＡｓ等を用いた波長多重光源等に適用した場合においても上記と全く同様の効果が得られる。
【００１３】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
＜実施例１＞
図２は本発明による半導体光素子の製造方法の一実施例の工程を示す斜視図である。図２（ａ）に示すように、ＩｎＰ半導体基板１上に絶縁膜マスク２を形成する。絶縁膜マスク２のパターンは並行に向かいあった１対のＳｉＯ２ストライプで構成され、２つのストライプ間の間隔Ｗｇは１０μｍ、マスクの幅Ｗｍは１０から４０μｍの範囲で２μｍ間隔で変化している。マスク基板１上に有機金属気相成長法を用いて厚さ０．２μｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．３０μｍ）光導波層３、厚さ６ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．６０μｍ）４を井戸層、厚さ８ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．３０μｍ）５を障壁層とする１０周期の多重量子井戸（以下、ＭＱＷと略称）構造を成長する、すなわち、選択成長する。
【００１４】
上記選択成長によって、上記マスクの間隔Ｗｇに成長された光導波層３、井戸層４、障壁層５の層の厚さ及び組成は、図２（ｂ）のように、上記マスク２の幅Ｗｍに応じて変わる。次に、この基板上に公知の方法で、周期２４０ｎｍの回折格子６を基板全面に形成し、埋込ヘテロ構造の発振波長が異なる複数個の分布帰還型レーザ７−１、７ー２…７−７ｎを作製する（図２（Ｃ））。
【００１５】
図３は上記実施例の複数個の分布帰還型レーザの発振波長、利得ピーク波長等のマスクの幅Ｗｍ依存性を示す実測値である。図３（ａ）に示すように、マスクの幅Ｗｍの増大に伴い、発振波長、利得ピーク波長とも長くなっている。発振波長は１５３５ｎｍから１５６５ｎｍまでほぼ２ｎｍ間隔で変化した。一方、利得ピーク波長は１５４５ｎｍから１５８５ｎｍまで変化した。発振波長の長波長化は光導波層３、井戸層４、障壁層５の膜厚が選択成長により厚くなり、光導波路の実効屈折率ｎｅｆｆが増大したためであり、利得ピーク波長の長波長化は井戸層厚の増大により量子準位エネルギーが減少したためである。図３（ａ）から、発振波長と利得ピーク波長の差、すなわち離調量が、全てのマスク幅Ｗｍ値に対して離調量は−２０ｎｍから−１０ｎｍとなって、差が少ないことがわかる。
【００１６】
図３（ｂ）は上記実施例の複数個の分布帰還型レーザの発振しきい値電流、発振効率の分布である。上記離調量の変化が少ないことを反映して全てのチャンネルに対ししきい値電流は１３〜１５ｍＡ、発振効率は０．２７〜０．３Ｗ／Ａと均一である。さらに図３（ｃ）に示すように、レーザの緩和振動周波数、スペクトル線幅も同様に均一化されいる。
【００１７】
＜実施例２＞
図４は本発明による波長多重発光素子の製造方法の第２の実施例の工程を示す斜視図である。本実施例は回折格子が形成された基板上に、有機金属気相成長法を用いて光導波層、活性層を選択成長した点で実施例１と異なるが、他の工程は実施例１と実質的に同様である。図４（ａ）において、一定周期２４０ｎｍの回折格子１１が形成された（１００）ｎ−ＩｎＰ基板１２上にＳｉＯ２マスク１３を公知の手法で形成する。ここで、マスク１３は幅Ｗｍが１０〜４０μｍの範囲で２μｍピッチで１６種類に変化した２本のストライプからなり、ストライプの間隔は１６μｍの一定である。次に有機金属気相成長法を用いてＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．３０μｍ）の光導波層１４を厚さ０．２μｍ、厚さ６ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．６０μｍ）を井戸層１５、厚さ８ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１５μｍ）を障壁層１６とする５周期の多重量子井戸（ＭＱＷ）構造及びｐ型ＩｎＰクラッド層１７を成長する（図４（ｂ））。次に従来しられている方法により、同一基板上に埋込ヘテロ構造の複数の分布帰還型レーザアレイ１８−１、１８−２、…１８−ｎを形成している（図４（ｃ））。分布帰還型レーザアレイ１８−１、１８−２、…１８−ｎの両側には分離用の溝が設けられている。
【００１８】
１６個の分布帰還型レーザアレイ１８−１、１８−２、…１８−ｎの発振波長は１５４２ｎｍから１５６０ｎｍの範囲でほぼ１．２ｎｍ間隔で変化した。一方、利得ピーク波長は１５４５ｎｍから１５７５ｎｍまで変化した。従って、全ての幅Ｗｍ値に対して離調量は−１５ｎｍから−３ｎｍの範囲となっている。このように離調量のチャンネル間分布が少ないことを反映して全てのチャンネルに対し、しきい値電流は１３〜１５ｍＡ、発振効率は０．２７〜０．３Ｗ／Ａと均一となった。である。さらにレーザの緩和振動周波数、スペクトル線幅も同様に均一化された。１６チャンネルの個々のレーザを毎秒２．５ギガビットで変調することにより、本実施例では毎秒４０ギガビットの変調が実現できた。
【００１９】
＜実施例３＞
図５は本発明による波長多重発光素子の製造方法の第３の実施例の工程を示す斜視図である。本実施例は複数の半導体レーザのそれぞれに光変調器が組み合わされたものが同一の半導体基板に集積されたものである。図５（ａ）において、一部分に一定周期２３９．５ｎｍの回折格子２１が形成された（１００）ｎ−ＩｎＰ基板２２上に、ＳｉＯ２マスク２３を回折格子２１が形成されている領域の一部に公知の手法で形成する。ここで、マスク２３は幅Ｗｍが１０〜３１μｍの範囲で１．４μｍピッチで１６種変化した２本のストライプからなり、２本のストライプの間隔は１６μｍで一定である。次に、有機金属気相成長法を用いてＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．３０μｍ）の下側光導波層０．１５μｍ２４、格子定数がＩｎＰのそれより０．３％短い厚さ６．５ｎｍのＩｎＧａＡｓを井戸層２５、厚さ８ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１５μｍ）を障壁層２６とする７周期のＭＱＷ構造、厚さ０．０５μｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．３０μｍ）の上側光導波層２７及びｐ型ＩｎＰクラッド層２８を成長する（図５（ｂ））。次に従来しられている方法により、埋込ヘテロ構造の複数の分布帰還型レーザ２９−１、２９−２…２９−１６及び複数の埋込ヘテロ構造の光変調器３０−１、３０−２、…３０−１６を集積している（図５（ｃ））。
【００２０】
本実施例によれば、発振波長、利得ピーク波長ともマスク２３の幅Ｗｍの増大に伴い長波長化した。１６個の分布帰還型レーザ２９−１、２９−２…２９−１６の発振波長は１５４９ｎｍから１５６１ｎｍの範囲でほぼ０．８ｎｍ間隔で変化し、利得ピーク波長は１５４５ｎｍから１５７０ｎｍまで変化した。従って、全てのＷｍ値に対して離調量は−９ｎｍから＋４ｎｍの範囲になっている。このように離調量の変化が少ないことを反映して全てのチャンネルに対ししきい値電流は１４〜１５ｍＡ、発振効率は０．１２〜０．１３Ｗ／Ａと均一である。さらに、分布帰還型レーザ２９−１、２９−２…２９−１６及び光変調器３０−１、３０−２、…３０−１６の構成層は同じ結晶成長工程で実現される。本実施例により１６個の光変調器集積分布帰還型レーザを毎秒１０ギガビットで変調することにより、毎秒１６０ギガビット変調が実現できた。
【００２１】
＜実施例４＞
図６は、本発明による波長多重発光素子の製造方法の第４の実施例の工程を示す斜視図である。本実施例は第３の実施例において光変調器の部分も選択成長によって構成したものである。図６（ａ）に示すように、一部分に一定周期２３９．５ｎｍの回折格子３１が形成された（１００）ｎ−ＩｎＰ基板３２上にＳｉＯ２マスク３３を公知の手法で形成する。ここで、回折格子３１が形成された領域のマスクは幅Ｗｍが２０〜４１μｍの範囲で１．４μｍピッチで１６種に変化した２本のストライプからなり、その間隔は１６μｍで一定である。また、回折格子３１が形成されていない領域のマスクは幅Ｗｍは４〜７μｍの範囲で０．２μｍピッチで１６種変化した２本のストライプからなり、その間隔は１０μｍで一定である。
【００２２】
次に、有機金属気相成長法を用いて厚さ０．１２μｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．３０μｍ）の下側光導波層３４、厚さ５．８ｎｍで格子定数がＩｎＰのそれより０．４％短いＩｎＧａＡｓを井戸層３５、７ｎｍ厚のＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１５μｍ）を障壁層３６とする７周期のＭＱＷ構造、厚さ０．０４μｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．３０μｍ）上側光導波層３７及びｐ型ＩｎＰクラッド層３８を成長する（図６（ｂ））。次に公知の手法により、埋込ヘテロ構造の複数の分布帰還型レーザ２９−１、２９−２…２９−１６及び埋込ヘテロ構造の光変調器３０’−１、３０’−２、…３０’−１６を集積している（図６（ｃ））。発振波長、利得ピーク波長ともマスクの幅Ｗｍの増大に伴い長波長化した。１６個の分布帰還型レーザ２９−１、２９−２…２９−１６の発振波長は１５４９ｎｍから１５６１ｎｍの範囲でほぼ０．８ｎｍ間隔で変化し、利得ピーク波長は１５４５ｎｍから１５７０ｎｍまで変化した。従って、全てのＷｍ値に対して離調量は−９ｎｍから＋４ｎｍとなっている。このように各レーザの離調量の分布が少ないことを反映して全てのチャンネルに対ししきい値電流は１４〜１５ｍＡ、発振効率は０．１２〜０．１３Ｗ／Ａと均一である。また、本実施例では光変調器部の光吸収端波長も変調器部に施した選択成長マスクによって１４９５ｎｍから１５０７ｎｍの範囲でほぼ０．８ｎｍ間隔で変化し変化している。従って、レーザ部の発振波長と光変調器部の光吸収端波長の差である変調器の離調量も５０ｎｍ程度とほぼ一定となっている。この結果、変調器の駆動電圧、線幅増大係数も均一化されている。同様に１６チャンネルの個々の光変調器集積分布帰還型レーザを毎秒１０ギガビットで変調することにより、本実施例では毎秒１６０ギガビットの変調が実現できた。
【００２３】
＜実施例５＞
図７は本発明による波長多重発光素子の一実施例の斜視図である。実施例２とほぼ同様の作製方法で平均波長間隔０．３２ｎｍの３電極位相シフト型分布帰還型レーザ３９−１、３９−２、…３９−３を１００チャンネル同一基板上に作製した例である。全チャンネルを毎秒１０ギガビットで周波数変調することにより、本実施例では毎秒１テラビットの変調が実現できた。
【００２４】
＜実施例６＞
図８は、本発明による波長多重発光素子の製造方法の更に他の実施例の作製工程を示す斜視図である。本実施例は一部分に一定周期２３９．５ｎｍの回折格子４１が形成された（１００）ｎ−ＩｎＰ基板４２上にＳｉＯ２マスク４３を公知の手法で形成する。ここで、回折格子４１が形成された領域のマスクは幅Ｗｍが３〜６μｍの範囲で０．２μｍピッチで１６種変化した２本のストライプからなり、その間隔は１６μｍで一定である。また、回折格子４１が形成されていない領域のマスクは幅Ｗｍが３０〜５１μｍまで１．４μｍピッチで１６種変化した２本のストライプからなり、その間隔は１０μｍ一定である。次に有機金属気相成長法を用いて厚さ０．１２μｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．３０μｍ）下側光導波層４４、格子定数がＩｎＰのそれより０．４％短い厚さ３．６ｎｍのＩｎＧａＡｓの井戸層４５、厚さ７ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．１５μｍ）の障壁層４６とする７周期のＭＱＷ構造、厚さ０．０４μｍの  ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．３０μｍ）上側光導波層４７、及びｐ型ＩｎＰクラッド層４８を成長する（ｂ）。次に公知の手法により、埋込ヘテロ構造の複数の分布反射型レーザ４９−１、４９−２、４９−ｎを作製する（図８（ｃ））。レーザの発振波長、活性領域の利得ピーク波長ともＷｍの増大に伴い長波長化した。１６チャンネルの発振波長は１５４６ｎｍから１５５８ｎｍの範囲でほぼ０．８ｎｍ間隔で変化し、利得ピーク波長は１５５０ｎｍから１５６２ｎｍまで変化した。従って、全てのＷｍ値に対して離調量は全て−４ｎｍ程度に均一化されている。このようにレーザの離調量の分布が少ないことを反映して全てのチャンネルに対ししきい値電流は１４〜１５ｍＡ、発振効率は０．３０〜０．３２Ｗ／Ａと均一である。また、本実施例では公知の手法により各領域に流す電流を制御することにより各チャンネル当たり２ｎｍの発振波長制御を実現できた。１６個の個々のレーザを波長掃引することにより、本実施例では最大１２ｎｍの波長掃引が実現できた。
【００２５】
＜実施例７＞
図９は、本発明による半導体光素子を使用した波長多重光通信用送信モジュールの一実施例を示す平面図である。サブマウント５１上に上記実施例１〜６のいずれかを光源５２とし、各半導体レーザの光軸上に対応して非球面レンズが配置されたレンズアレイ５３を介しアイソレータアレイ５４、先球ファイバアレイ５５を固定し、さらに変調駆動回路アレイ５６を内蔵した波長多重化光通信用送信モジュール５７である。本モジュールを用いれば毎秒４０〜１６０ギガビット、低チャーピングの高速送信光信号を非常に容易に且つ廉価で作製することが可能となる。
【００２６】
【発明の効果】
本発明の半導体光素子よれば、静特性、動特性が均一でかつ発振波長の異なる分布帰還型レーザ、分布反射型レーザを極めて簡易な作製法で同一基板上に作製できる。本発明を用いれば、素子性能、歩留まりが飛躍的に向上するだけでなく、この半導体光素子を適用した光通信システムの大容量化、長距離化を容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の作用を説明するため波長特性図である。
【図２】本発明による半導体光素子の製造方法の一実施例の工程を示す斜視図である。
【図３】図２の半導体光素子の特性の実測図である。
【図４】本発明による波長多重発光素子の製造方法の第２の実施例の工程を示す斜視図である。
【図５】本発明による波長多重発光素子の製造方法の第３の実施例の工程を示す斜視図である。
【図６】本発明による波長多重発光素子の製造方法の第４の実施例の工程を示す斜視図である。
【図７】本発明による波長多重発光素子の他の実施例の構成を示す斜視図である。
【図８】本発明による波長多重発光素子の製造方法の第５の実施例の工程を示す斜視図である。
【図９】本発明による波長多重発光素子を用いた波長多重光通信用送信モジュールの一実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
１…ＩｎＰ半導体基板、
２…絶縁体パターニングマスク、
３…ＩｎＧａＡｓＰ導波層、
４…ＩｎＧａＡｓＰ井戸層、
５…ＩｎＧａＡｓＰ障壁層、
６…回折格子、
７…分布帰還型レーザアレイ
１１…回折格子、
１２…（１００）ｎ−ＩｎＰ基板、
１３…ＳｉＯ２マスク、
１４…ＩｎＧａＡｓＰ導波層、
１５…ＩｎＧａＡｓＰ井戸層、
１６…ＩｎＧａＡｓＰ障壁層、
１７…ｐ−ＩｎＰクラッド層、
１８…分布帰還型レーザアレイ
２１…回折格子、
２２…（１００）ｎ−ＩｎＰ基板、
２３…ＳｉＯ２マスク、
２４…下側ＩｎＧａＡｓＰ導波層、
２５…ＩｎＧａＡｓ井戸層、
２６…ＩｎＧａＡｓＰ障壁層、
２７…上側ＩｎＧａＡｓＰ導波層、
２８…ｐ−ＩｎＰクラッド層、
２９…分布帰還型レーザアレイ
３０…光変調器アレイ
３１…回折格子、
３２…（１００）ｎ−ＩｎＰ基板、
３３…ＳｉＯ２マスク、
３４…下側ＩｎＧａＡｓＰ導波層、
３５…ＩｎＧａＡｓ井戸層、
３６…ＩｎＧａＡｓＰ障壁層、
３７…上側ＩｎＧａＡｓＰ導波層、
３８…ｐ−ＩｎＰクラッド層、
３９…３電極位相シフト型分布帰還型レーザアレイ
４１…回折格子、
４２…（１００）ｎ−ＩｎＰ基板、
４３…ＳｉＯ２マスク、
４４…下側ＩｎＧａＡｓＰ導波層、
４５…ＩｎＧａＡｓ井戸層、
４６…ＩｎＧａＡｓＰ障壁層、
４７…上側ＩｎＧａＡｓＰ導波層、
４８…ｐ−ＩｎＰクラッド層、
４９…分布帰還型レーザアレイ
５１…サブマウント、
５２…光源、
５３…非球面レンズアレイ、
５４…アイソレータアレイ、
５５…先球ファイバアレイ、
５６…変調駆動回路アレイ、
５７…波長多重化光通信用送信モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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