(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トラックピッチが０．７μｍ以上１．０μｍ以下で、幅（溝深さが半分になるところの溝幅）が０．２〜０．４μｍの記録再生光案内用の溝が形成された透明基板上に、少なくとも、熱分析で、主減量開始温度よりも低い温度における減量が実質的になく、かつ、主減量仮定での減量の傾きが２％／℃以上で、その総減量％が３０％以上である有機色素を含有する記録層、金属反射層、保護層の順に積層した、波長５００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下で記録再生する光記録媒体において、下記の（１）もしくは（２）の条件を満たすことを特徴とする光記録媒体。
（１）記録層が、示差熱分析での発熱のピークの大きさが−１０μＶ／ｍｇ以上、１０μＶ／ｍｇ以下の有機色素からなること。
（２）示差熱分析での発熱ピークの大きさが１０μＶ／ｍｇ以上３０μＶ／ｍｇ以下である有機色素からなる記録層の上に、銀を主成分とした金属反射層を有すること。
【請求項２】
記録を溝上で行い、記録部下の基板の溝幅（Ｗ1）が、未記録部の溝幅（Ｗ0）に対して１倍以上、１.５倍以下である請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
記録層単層の再生光波長±５ｎｍでの屈折率ｎが２.２以上、２.８以下であり、消衰係数が０.０３以上、０.０９以下である請求項１または２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
記録層の溝間上の膜厚が５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であり、記録層塗布膜の溝深さが、透明基板の溝深さの５０％以上、８０％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項５】
記録層を構成する色素が下記の構造式［Ｉ］〜［III］のいずれかで表される化合物である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【化１】
0003666152.tif 000011
（式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜６の直鎖または分岐アルキル基、または、炭素数３〜６の環状アルキル基を表し、Ｒ2、Ｒ3は炭素数１〜６の直鎖または、分岐のアルキル基、またはメトキシエチル基、エトキシエチル基を表す。Ｙ1はヒドロキシル基、カルボキシル基を表し、Ｙ2は炭素数１〜６の直鎖または分岐のハロゲン原子で置換されていても良いアルキル基を表し、Ｘ、Ｚはシアノ基、カルボン酸エステル基、または炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基を表す。Ｍ2+はニッケル、コバルト、銅の２価のイオンを表す。）
【請求項６】
該金属反射層がＴｉ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｖ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｃ，Ｂ，Ｓｕ，Ｐ，Ｚｎ，Ｍｏからなる群より選ばれる添加元素を０〜３原子％含有する銀である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項７】
該基板の厚さが０.６ｍｍ±０.０３ｍｍであり、基板の案内溝のトラックピッチが０．７μｍ以上、１．０μｍ以下であり、溝深さが１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以下で、溝幅（溝深さが半分になるところの溝幅）が０．２μｍ以上、０．３μｍ以下である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項８】
該保護層が主として紫外線硬化樹脂からなる請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光記録媒体に関し、レーザー光により記録できる光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高密度記録のため、レーザー光の発振波長の短波長化が注目され、７８０ｎｍ、８３０ｎｍよりも短波長のレーザー光で記録再生可能な光記録媒体が求められている。かかる状況においては、さまざまな記録媒体があるが、その中で、有機色素系光記録媒体は安価でプロセス上容易であるという特長を有する。
このような短波長用途の有機色素媒体の色素としては、シアニン等が提案されており、特開平６−３３６０８６号公報、特開平７−１６１０６８号公報、特開平７−２６２６０４号公報、特開平７−１２５４４１号公報、特開平７−２６６７０５号公報等がある。記録部では、７８０ｎｍでのＣＤ−Ｒと同様に、色素の熱分解による光学定数と膜厚の減少と基板の軟化による変形等が生じていると考えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来技術においては、記録時に、色素の分解のみか、基板の変形の両方により記録変調度を得ているが、記録部の変形が大きく、溝上記録の場合には隣接の溝間部に及ぶ大きなビットが形成されるため、クロストークが問題となる。これを解決すべく本発明者らは、特願平７ー２１３５０１号等において、減量が急峻で大きい色素を主成分あるいは添加することにより、記録部分の光学的変化領域を十分小さくし、かつ、記録変調度が十分大きく、反射率が高く大きな記録信号強度を得ること、及び、そのような要件を満たす色素の骨格について提案した。しかし、よりトラックピッチを狭くし、溝幅を狭くして片面約５ギガバイト以上の高容量化を目的とする場合にはクロストークが十分小さくならない場合が生じることがあった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、高密度記録を実現するために良好なクロストークの小さい微小記録部を形成し、かつ、高い変調度、高い反射率を可能とする媒体を鋭意検討した結果、本発明に到達した。
すなわち本発明の要旨は、透明基板上に、少なくとも、熱重量分析で、主減量開始温度よりも低い温度における減量が実質的になく、かつ、主減量開始温度での減量の傾きが２％／℃以上で、その総減量％が３０％以上である有機色素を含有する記録層、金属反射層、保護層の順に積層した５００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下で記録再生する光記録媒体が下記の（１）もしくは（２）の条件を満たすことである。
【０００５】
（１）記録層が、示差熱分析での発熱のピークの大きさが−１０μＶ／ｍｇ以上、１０μＶ／ｍｇ以下の色素からなること。
（２）示差熱分析での発熱ピークの大きさが１０μＶ／ｍｇ以上３０μＶ／ｍｇ以下である有機色素からなる記録層の上に、銀を主成分とした金属反射層を有すること。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明における記録層は、記録用のレーザー光を吸収することによる昇温で減量し膜厚が減少し、光学特性が変化することにより戻り光の位相が変化し、反射率が変化したところを記録部とするものである。
【０００７】
本発明において、透明基板としては、厚さ０．６±０．０３ｍｍで、ポリカーボネート、ポリメタクリレート、非晶質ポリオレフィン等の樹脂やガラス等の公知のが用いられ、サーボ用の案内溝を有している。その溝は、深さは、通常１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以下、好ましくは、１４０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以下で、溝幅は、通常０．２μｍ以上、０．４μｍ以下、トラックピッチは、通常０．７μｍ以上、１μｍ以下であり、溝形状はＵ字溝が好ましい。溝の深さは、１００ｎｍ未満の場合には、記録時に十分な変化がおきず、十分な記録変調度が得られない場合がある。２００ｎｍを越えると、溝部と溝間部の反射率差が大きすぎるため、溝上記録の場合には反射率が低くなりすぎるので良くない。溝幅は、０．２μｍ未満では十分なトラッキングエラー信号振幅を得ることが困難となる恐れがある上に、基板の溝転写率が低くなるため好ましくない。また、０．４μｍを越える溝幅の場合には、記録した時に記録部が横に広がりやすくなるので好ましくない。さらに、溝幅は狭いほど高い記録変調度を得るには有利である。しかし、前述のように、クロストークが大きくなる傾向がある。本発明では０．２〜０．３μｍの狭い溝幅の溝上で記録する場合に特に効果的である。トラックピッチは、高容量化の用途には、０．７μｍ以上、１μｍ以下が好ましい。なお、溝形状は、１μｍ以上のピッチの場合には、Ｈｅ−Ｃｄレーザーによる光学測定により求め、それよりもトラックピッチが狭い場合には、ＳＴＭやＡＦＭでプロファイルを測定して求める。なお本件に関しては、ＳＴＭとＡＦＭで求めた。
【０００８】
記録層は、通常、有機色素等をエタノール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン、ジアセトンアルコール、フッ素系アルコール等の溶媒に溶かした溶液をスピンコートして得られる。この溶媒としては、沸点が１００℃以上、１５０℃である溶媒で炭素数が３以上のフッ素系アルコール、すなわち、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロパノール、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンタノール、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブタノール等が好ましく用いられる。沸点が１００℃未満の場合には、スピンコート時に溶媒が速く気化するため、ディスクの半径４０ｍｍより外周側に塗布液がゆきつかず、半径方向の膜厚分布が極めて大きくなり、良好な特性が得られないことがあるので好ましくない。また、沸点が１５０℃を越える場合には、蒸発に時間がかかる上に、膜中に溶媒が残留しやすく、この様な場合には、良好な記録ジッターが得られないことが多いので好ましくない。膜厚は溝間部で５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度が好ましく、溝部で９０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以下が好ましい。溝間部、溝部の記録層膜厚がこの範囲よりも薄い場合には膜厚が薄すぎて十分な記録変調度が得られない恐れがある。また、この範囲を越えると、膜厚が厚すぎて記録部がトラック方向、ランド方向に広がりやすく、ジッターやクロストークが大きくなる恐れがある。実際には溝部膜厚と溝間部の膜厚を正確に知ることは困難であり、一般的には溝間部の膜厚で代用されることが多いが（例えば特開平４ー１０９４４１号公報、特開平４ー１８２９４４号公報等）、溝部の膜厚と溝間部の膜厚比は、塗布溶媒、スピンコート回転数、風速、温度、溶液濃度、溶液粘度等の成膜の条件と、溝深さ、溝幅などにより変わるため、溝部と溝間部の平均膜厚や、溝間部の膜厚と塗布膜の溝深さのみで溝部膜厚を知ることは困難である。それに対し、塗布膜の溝深さと基板の溝深さの比と溝間部の膜厚、そして基板の溝深さがわかれば、溝部の膜厚が得られるわけである。この塗布膜の溝深さは基板の溝深さの５０％以上、８０％以下であることが好ましい。この範囲未満では溝部膜厚が厚すぎるため反射率が低くなり、トッラキングエラー信号も十分とれない恐れがある。また、８０％を越えると溝部膜厚が薄すぎて十分な記録変調度が得られない恐れがある。なお、この基板の溝深さと塗布膜の溝深さの比はそれぞれをＡＦＭ（あるいはＳＴＭ）で同じ測定条件で測定して得た深さから求められる。また、溝間部の膜厚は鏡面基板上に成膜し、塗布開始部分を反射層成膜後に３次元表面粗さ計で測定し、溝間部の膜厚を求めることが出来る。本発明における膜厚（溝部）の範囲は、図１に示すように、反射率の１つ目の山の領域をカバーするものであり、例えば、特開平４ー１０９４４１号公報のｎabs・ｄ／λ（ｄを記録層の膜厚）であらわすと、図１のごとくになる。この記録層の溝部膜厚の範囲は、従来、ＣＤ−Ｒにおいて溝間部の膜厚で代表される”膜厚”に相当する範囲であり、本発明はＣＤ−Ｒよりも一山浅い範囲であり、これが５００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下であるが記録再生用高反射率高容量記録媒体の満たすべき好ましい条件である。なお、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、波長６４０ｎｍでの屈折率ｎが���.４、消衰係数ｋが０.０５とｎ＝２.３、ｋ＝０.０５、ｎ＝２.６、ｋ＝０.０８の場合について波長６４０ｎｍでのディスク反射率（金属反射層をｎ＝０.１６６、ｋ＝３.１５、膜厚１００ｎｍとした）の計算を示す。また、図２には、反射率が６０％以上となるｎabs・ｄ／λ(ｄを記録層膜厚）と消衰係数ｋの範囲を示した。これらの反射率は、溝の形状を含めない反射率なので、実際の溝上での反射率はこの値の８割程度とみなせる。なお、このような光学特性を満たす色素の単層膜は、その再生波長に最も近接する短波長側の吸収極大、あるいは、吸収の肩を、再生波長よりも４０ｎｍ〜６０ｎｍ短波長側に有する。
【０００９】
光学記録に用いられる有機色素としては、フタロシアニン系色素、シアニン色素、含金属アゾ系色素や、ジベンゾフラノン系、含金属インドアニリン等が提案されているが、記録層を構成する有機色素の熱的特性は記録特性に大きく影響する。短波長用途として充分な特性を得るためには、熱重量分析における、主減量過程での減量が、温度に対してシャープであることが必要である。なぜならば、主減量過程の反応により、有機色素膜は分解し、膜厚の減少と光学定数の変化をおこす。その結果、光学的な意味でのビット（記録部）が形成される。この時、色素の再生光波長での屈折率が２.２以上、２.８以下、好ましくは２.４以上、２.８以下、消衰係数ｋが０.０３以上、０.０９以下、好ましくは、０.０３以上、０.０６以下の範囲のものであると、ディスクの反射率が大いため、記録前後の反射率コントラストの大きいものが得られるため好ましい。また、多くの場合、記録ビットの下の基板が記録時の色素層の熱吸収による昇温で変形し、図３のごとくに溝幅が広がる。本発明ではその変形の大きさ(記録部の溝幅）が未記録部の溝幅の１.０〜１.５、すなわち、Ｗ1／Ｗ0＝１以上、１.５以下である。１.５を越える場合にはトラックピッチを０.８μｍ以下まで狭くするとクロストークが大きくなりジッターを劣化させるので好ましくない。また、記録層である色素層が光を吸収してビットが形成されるので、主減量が温度に対して緩慢である場合、すなわち、広い温度範囲にわたって減量が起こる場合には、記録層の光学変化と膜厚の変化が広い領域にわたって形成されることになる。高密度対応のビット長記録の場合にはビット同志が重なりあうためジッター、ビットの分解能が悪くなり、極めて不利である。それ故、温度に対して、急峻な減量を起こす色素が求められるのである。本発明においては、減量の過程が２段階になっている色素を用いた場合、すなはち、主減量開始温度よりも低い温度領域で減量がある色素を用いた場合も、同様な理由で不利である。本発明では、主減量過程での減量の傾きが２％／℃以上であり、その過程での総減量％が３０％以上、好ましくは、減量の傾きは１０％／℃以上であり、総減量％は３５％以上である。減量の傾きが上記範囲未満では、十分小さく、ランド方向に広がらない細い記録部が形成できなくなり、ジッター、ビットの分解能が悪くなり、高密度対応の短ビット長記録が困難である。また、総減量％が３０％未満の場合には記録前後の十分な反射率コントラストが得られず、記録変調度が小さいために十分な短ビット特性が得られない。さらに、狭いトラックピッチでのクロストークが十分小さい記録媒体を得るためには、色素の主減量過程での発熱ピークの大きさが−１０μＶ／ｍｇ以上、１０μＶ／ｍｇ以下、好ましくは−５μＶ／ｍｇ以上、５μＶ／ｍｇ以下である。この範囲を越える場合には、溝幅を０.３μｍ以下に狭めた場合のクロストークが５０％を越えてしまい、良好なジッター特性が得られない。この範囲未満の場合、吸熱性が大きすぎて記録感度が悪くなる。さらに、この発熱、吸熱のピーク幅が２０℃以下であることが好ましい。この範囲を越えると、エッジが急峻な良好な記録マークが形成されにくい。また、色素の主減量開始温度は１５０℃以上���３４０℃以下、好ましくは、１５０℃以上、２００℃以下である。
【００１０】
本発明において、減量の傾きは、以下の如くして求める。（図３を参照。）
質量Ｍ0の有機色素を窒素中で１０℃／分で昇温する。昇温に従って、質量は当初微量ずつ減少し、ほぼ直線ａ−ｂの減量線を描き、ついで急激に減量し始め、１５％以上の減量をほぼ直線ｄ1 −ｄ2 に沿って減量する。これが主減量過程であり、主減量開始温度は、Ｔ1 のことである。その後、ほぼ直線ｃ−ｃで示される減量過程におちつく。直線ｄ1 −ｄ2 と直線ｃ−ｃとの交点における温度をＴ2 、重量をｍ2 とし、初期重量をｍ1 とすれば、ここでいう減量の傾きとは、
【００１１】
【数１】
（ｍ1 −ｍ2 ）（％）／（Ｔ2 −Ｔ1 ）（℃）
で示される値で、総重量に対する減量％（総減量％）は、
【００１２】
【数２】
（ｍ1 −ｍ2 ）（％）
で示される値である。なお、図４に示されるような場合には、主減量過程の減量の傾きは
【００１３】
【数３】
（ｍ1 −ｍ2 ）（％）／（Ｔ2 −Ｔ1 ）（℃）
とし、総重量に対する減量％（総減量％）は、
【００１４】
【数４】
（ｍ1 −ｍ3 ）（％）
で示される値とする。
【００１５】
また、本発明における発熱量は以下のようにして求める。
上記減量曲線とともに、図５のような示差熱曲線（ＤＴＡ曲線）が得られる。なお、サンプルのリファレンスはサンプルの入っていないアルミ容器であり、流量２００ｍＬ／分の窒素中で毎分１０℃の昇温速度で加熱する。ここで、本測定で用いるアルミ容器は直径５ｍｍφ、高さ２．５ｍｍの容器であり、サンプルはその容器に粉末状態で入れる。サンプル量はアルミ容器の高さの８０％を越えない量を目安とする。データサンプリング間隔は１秒毎とした。
【００１６】
図に示すように、ＴＧ曲線の急峻な減量に対応する時間の近傍に、ＤＴＡでは発熱あるいは、吸熱のピークが生じる。発熱（吸熱）のピーク値は図中のＣＨをさし、本件ではリファレンスとサンプルのアルミ容器の底のまん中で測定した白金ロジウム熱電対（白金：ロジウム＝８７：１３）の起電圧差を温度差の表示とし、そのピーク値を測定サンプルの重さで割った値を求めた。なお、ピークが２つに分かれている場合には大きい方の値をとった。ピーク幅は図中Ｂ’とＤ’の時間差（分）に昇温速度の１０℃をかけて”ピーク幅（℃）”を求めた。
以上の条件を満たす色素としては
【００１７】
【化２】
0003666152.tif 000002
【００１８】
（式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜６の直鎖または分岐アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を表し、Ｒ2、Ｒ3は炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、またはメトキシエチル基、エトキシエチル基を表す。Ｙ1はヒドロキシル基、カルボキシル基を表し、Ｙ2は炭素数１〜６の直鎖または分岐のハロゲン原子で置換されていても良いアルキル基、ＸとＺはシアノ基、カルボン酸誘導体基などの電子吸引基を表す。Ｍ2+はニッケル、コバルト、銅等の２価のイオンを表す。）
が特に好ましい。例えば、
【００１９】
【化３】
0003666152.tif 000003
【００２０】
【化４】
0003666152.tif 000004
【００２１】
【化５】
0003666152.tif 000005
【００２２】
【化６】
0003666152.tif 000006
【００２３】
等が挙げられる。しかしながら、有機色素は、発熱量が１０μＶ／ｍｇ以下の色素で記録層として良好な特性を示す色素ばかりではない。従って、発熱量が１０μＶ／ｍｇを超え、３０μＶ／ｍｇ以下の有機色素の場合には、その色素層の上の金属反射層を、室温近傍での比電気抵抗値の逆数が０．２０／μΩｃｍ以上、０．３０／μΩｃｍ以下であるものとすることにより得られる”記録層の記録時の熱の急冷効果”を利用する。すなはち、ウィーデマンーフランツ則により示されるように、電気伝導度と熱伝導度との間には比例関係があるため、薄膜の熱伝導度の大小を電気伝導度から推測できる。本件では、スライドガラス上に約１００ｎｍの金属膜をスパッタしたものを四端子法で表面抵抗Ｒを測定し、比電気抵抗の逆数（電気伝導度）＝（π／ｌｎ２）・Ｒ・ｔ  （ここで、ｔは膜厚）より比電気抵抗の逆数、すなわち、電気伝導度を決定した。本件の範囲は金よりも熱伝導度の大きいものであり、それは、比電気抵抗値の逆数が０．２０／μΩｃｍ以上、０．３０／μΩｃｍ以下である。さらに、金属反射層として、ディスクの反射率を充分高いものとする必要があるため、再生光波長±５ｎｍでの屈折率、消衰係数がそれぞれ、０．１以上、０．２以下、３以上、５以下である。具体的には銀とその合金が挙げられる。この組み合わせにより、急冷現象がおきて記録ビットが隣接トラックの方向に広がるのを抑制でき、その結果、クロストークを低減できる。尚、本件では、比電気抵抗値の逆数は、金と銀とでそれぞれ、０．１５／μΩｃｍと０．２７／μΩｃｍであった。
【００２４】
金属反射層は、記録層を透過したレーザー光を効率良く反射する金属膜であり、５００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下で反射率が低下しないために、記録再生波長±５ｎｍの波長領域の光の屈折率が０．１以上、０．２以下、消衰係数ｋが３以上、５以下であるものが好ましい。好ましい金属反射膜として、特に銀を主成分とした金属反射膜が好ましい。なぜならば、銀は金属でもとくに熱伝導度が大きいため、記録層の記録時の昇温を急激に冷却する効果があり、そのために基板の変形が溝間部に大きく広がることを抑制し、クロストークが小さくなる。また銀は、金、アルミ合金などに比べると反射率が大きいため、短ビット記録をした時により大きな信号振幅が得られ、これを反射層とした場合には短ビット特性が良好となる。対候性の向上のために、また、熱伝導度の微調整のために、銀に、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂ、Ｓｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｍｏの添加元素を３原子％以下の範囲で加えることが好ましい。。金属反射層の膜厚は、好ましくは８０ｎｍ以上で、記録層の変形を抑制しすぎたり、記録感度を悪化させすぎない程度の膜厚が好ましい。
【００２５】
本発明の光学記録媒体においては、反射層の上に保護層を積層し、記録部の金属反射層の穴の発生を防止したり、変形の非対称性を抑制する効果を有している。保護層としては紫外線硬化接続が好ましい。また、通常は、１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上の膜厚にして、酸素による硬化抑制等がおこらないようにする。さらにその上にホットメルトや紫外線硬化の接着剤を１０〜２０μｍ設けて２枚の貼り合わせをしてもよい。
以下本発明を実施例を用いてより詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に限定されるものではない。
【００２６】
【実施例】
実施例１
溝深さ１５０ｎｍ、溝幅（溝の半値幅）０．２５μｍ（０．８０μｍピッチ）（以上、ＡＦＭでの測定結果）のＵ字型案内溝を有する厚さ０.６ｍｍのポリカーボネート基板上に下記構造式〔ＩＶ〕
【００２７】
【化７】
0003666152.tif 000007
【００２８】
で示される含金属アゾ色素０．０６ｇをオクタフルオロペンタノール（ＯＦＰ）５ｇに溶解し、８００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のオーブンで１時間アニール処理し、記録層とした。この色素の減量特性は図２に示されるタイプであり、主減量過程での減量が４７.０％で、温度差が７．１℃で、減量の傾きは６．６％／℃（主減量開始温度は３１３℃）、総減量％は５９.７％、発熱ピーク値は＋３.４μＶ／ｍｇ、ピーク幅は１４.７℃であった。熱重量分析、示差熱分析ははセイコー電子工業製の示差熱天秤（「ＳＳＣ５２００Ｈ」シリーズ「ＴＧ−ＤＴＡ−３２０」）を用いて測定した。この色素単層の６４０ｎｍでの屈折率ｎと消衰係数ｋはそれぞれ２.２と０.０６であり、吸収の肩は５７７ｎｍであった。
【００２９】
この記録層の上に金を１００ｎｍの厚さだけスパッタし、その状態で塗布膜の溝深さをＡＦＭで測定したところ、基板の溝深さの５５％であった。なお、記録層の溝間部膜厚は８０ｎｍであった（従って、溝部膜厚は１４０ｎｍ）。この金属層の上にＵＶ硬化樹脂（大日本インキ製「ＳＤ−３１８」）を約３μｍスピンコートして紫外線ランプで硬化してディスクを作製した。同じ様にして作製したディスクどうしをホットメルト方式で接着した。この貼り合わせディスクを６４０ｎｍの半導体レーザー評価機（開口数ＮＡ＝０．６）で、ＣＤ−Ｒの４倍速対応ＥＦＭ信号（ｎー１）Ｔを線速度２.７ｍ／ｓで記録したところ、７.４ｍＷでアイの中心が１１Ｔ波形の中心に位置する良好なアイパターンが得られた。この記録条件でＩtop＝５０％、Ｉ11/Ｉtop＝６８％で、３Ｔジッターは９ｎｓであった。この条件で記録した溝部に隣接する溝間部（ランド上）で再生したところ、信号振幅は溝部での再生振幅の３８％であり、両側のトラックの記録によるジッターの劣化は１ｎｓと十分小さなクロストーク特性を示した。このディスクの貼り合わせ面をはがし、両面テープで反射膜を剥離し、エタノールで色素を洗い流して記録部下の基板の変形をＡＦＭで観察したところ、２０ｎｍ程度の凸部が形成され、溝幅の変形は未記録部の溝幅の１.１倍と、十分スマートな記録マークが形成されていた。
【００３０】
実施例２〜５、比較例１〜２
以下の実施例、比較例で用いた基板、ＵＶ硬化樹脂層はすべて実施例１と同様であり、実施例５を除いては反射層が金１００ｎｍであり（実施例５は、銀１００ｎｍ）、色素は下記構造式のものに変え、記録条件はすべての例で全く同様とした。特性は表−１に示すとおりであり、表中でクロストークと示しているのは、両側の溝上に記録した時の、溝間部での再生信号振幅/溝上再生信号振幅（％）の値である。いずれも、溝間部の膜厚は８０ｎｍ〜９０ｎｍであり、塗布膜の溝深さは基板のそれの５５％〜６０％で、結局溝部の膜厚は１３０ｎｍ〜１４０ｎｍであった。なお、いずれも記録は、アイの中心が１１Ｔ波形の中心に位置するアイパターンが得られる記録パワーで行った。なお、ＤＴＡによる発熱量の測定に用いた試料量は、各図７〜１４のチャート上部に示す。
【００３１】
【化８】
0003666152.tif 000008
【００３２】
【化９】
0003666152.tif 000009
【００３３】
【表１】
0003666152.tif 000010
【００３４】
尚、記録パワーは実施例１〜６でそれぞれ７．４、６．６、８．６、６．４、６．５、６．５ｍＷであり、比較例１〜２でそれぞれ７．２、７．０、７．２ｍＷであった。
比較例３
基板の溝幅を０．３５μｍに変えた他は実施例６と同様にしてディスクを作成した。このディスクを実施例６と同様に記録したところ、Ｉ11／Ｉtopは５４％しか得られず、実施例６に比べはるかに小さいものであった。このことから、溝幅が狭いほど大きい記録変調度が得られることがわかる。
【００３５】
【発明の効果】
トラックピッチ、溝幅が十分小さくてもクロストークが小さい、良好な短ビットを形成し短波長記録に好適な、高反射率の高容量光記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本件でのｎabs・ｄ／λの範囲と反射率を示す計算結果の説明図。
【図２】反射率６０％以上となる、本件でのｎabs・ｄ／λと消衰係数ｋの範囲を示す説明図。
【図３】記録部と未記録部の基板の溝幅を示す説明図。
【図４】有機色素の主減量過程、主減量過程の総減量、減量の傾きを求める方法を説明するための示差熱天秤のチャートの説明図。
【図５】図４と異なる、有機色素の主減量過程、主減量過程の総減量、減量の傾きを求める方法を説明するための示唆熱天秤のチャートの説明図。
【図６】示差熱分析での発熱（吸熱）ピーク値、ピーク幅を求める方法を説明するための示差熱天秤のチャートの説明図。
【図７】実施例１の色素の示差熱天秤のチャート図。
【図８】実施例２の色素の示差熱天秤のチャート図。
【図９】実施例３の色素の示差熱天秤のチャート図。
【図１０】実施例５の色素の示差熱天秤のチャート図。
【図１１】実施例６及び比較例４の色素の示差熱天秤のチャート図。
【図１３】比較例１の色素の示差熱天秤のチャート図。
【図１４】比較例２の色素の示差熱天秤のチャート図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１４】
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