(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２のグループのリードが形成された基板と、
平行な第１及び第２の直線間の領域を挟む両側にそれぞれ配列された第１及び第２のグループの電極を有する半導体チップと、
を有し、
前記半導体チップは、前記第１のグループの電極が前記第１のグループのリードと対向し、前記第２のグループの電極が前記第２のグループのリードと対向するように、前記基板に搭載され、
前記第２のグループの各リードは、屈曲部を有し、前記屈曲部は、その屈曲の凹側の輪郭が曲線を描くように形成され、
前記第１のグループのリードは、前記第２のグループの電極から離れる方向に引き出され、
前記第２のグループの各リードは、前記第１のグループの電極間を通るように引き出され、
前記屈曲部は、前記第１及び第２の直線間の前記領域に位置する半導体装置。
【請求項２】
第１及び第２のグループのリードが形成された基板と、
平行な第１及び第２の直線間の領域を挟む両側にそれぞれ配列された第１及び第２のグループの電極を有する半導体チップと、
を有し、
前記半導体チップは、前記第１のグループの電極が前記第１のグループのリードと対向し、前記第２のグループの電極が前記第２のグループのリードと対向するように、前記基板に搭載され、
前記第２のグループの各リードは、屈曲部を有し、前記屈曲部は、その屈曲の凹側の輪郭が曲線を描くように形成され、
前記屈曲部は、その屈曲の凸側の輪郭が角を描くように形成されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記屈曲部は、直線部に挟まれるように形成され、
前記屈曲部は、前記直線部よりも、幅の広い部分を含む半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記幅の広い部分の輪郭が前記角を含んでいる半導体装置。
【請求項５】
請求項２から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１のグループのリードは、前記第２のグループの電極から離れる方向に引き出され、
前記第２のグループの各リードは、前記第１のグループの電極間を通るように引き出され、
前記屈曲部は、前記第１及び第２の直線間の前記領域に位置する半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置が取り付けられてなる電子モジュール。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項８】
（ａ）第１及び第２のグループのリードが形成された基板と、平行な第１及び第２の直線間の領域を挟む両側にそれぞれ配列された第１及び第２のグループの電極を有する半導体チップと、を加熱するとともに膨張させること、
（ｂ）前記第１のグループのいずれかの電極と前記第１のグループの各リードを接合し、前記第２のグループのいずれかの電極と前記第２のグループの各リードの第１の部分を接合すること、及び、
（ｃ）前記半導体チップ及び前記基板を放熱させるとともに収縮させること、
を含み、
前記（ｂ）工程前に、
前記第２のグループの各リードは、前記第１の部分から延びる屈曲部と、前記屈曲部から延びる第２の部分と、をさらに含み、前記屈曲部は、その屈曲の凹側の輪郭が曲線を描くように形成され、少なくとも前記第２の部分は、前記基板に付着しており、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記半導体チップを前記基板よりも大きい比率で収縮させ、その収縮力によって、前記第２のグループのいずれかの電極に接合された前記第１の部分を介して前記屈曲部に収縮方向の力を加えて、前記屈曲部を変形させること、及び、
（ｃ２）前記基板を前記半導体チップよりも大きい比率で収縮させ、その収縮力によって、前記基板に付着する前記第２の部分に収縮方向の力を加えて、前記屈曲部を変形させることを含む半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記半導体チップを前記基板に両者間に隙間が形成されるように搭載し、
前記（ｂ）工程後に、前記半導体チップ及び前記基板の間に、アンダーフィル材を充填することをさらに含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、電子モジュール並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＯＦ（Chip On Film）の実装形態では、基板に半導体チップが搭載されている。基板と半導体チップは、熱膨張係数が異なるため、基板に形成されたリードと、半導体チップの電極との接合部分にストレスが生じる。ストレスによって、微細なリードは断線しやすくなるので、これを防止することが要求されている。
【特許文献１】特開平２００１−３２６２４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、リードの断線を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、第１及び第２のグループのリードが形成された基板と、
平行な第１及び第２の直線間の領域を挟む両側にそれぞれ配列された第１及び第２のグループの電極を有する半導体チップと、
を有し、
前記半導体チップは、前記第１のグループの電極が前記第１のグループのリードと対向し、前記第２のグループの電極が前記第２のグループのリードと対向するように、前記基板に搭載され、
前記第２のグループの各リードは、屈曲部を有し、前記屈曲部は、その屈曲の内側の輪郭が曲線を描くように形成されてなる。本発明によれば、第２のグループの各リードは、屈曲しているので、その屈曲した部分がさらに曲がりやすい。しかし、屈曲部は、その屈曲の内側の輪郭が曲線を描くので、応力が局部的に集中しにくくなっており、これにより断線を防止することができる。
（２）この半導体装置において、
前記屈曲部は、その屈曲の外側の輪郭が角を描くように形成されていてもよい。
（３）この半導体装置において、
前記屈曲部は、直線部に挟まれるように形成され、
前記屈曲部は、前記直線部よりも、幅の広い部分を含んでもよい。
（４）この半導体装置において、
前記幅の広い部分の輪郭が前記角を含んでいてもよい。
（５）この半導体装置において、
前記第１のグループのリードは、前記第２のグループの電極から離れる方向に引き出され、
前記第２のグループの各リードは、前記第１のグループの電極間を通るように引き出され、
前記屈曲部は、前記第１及び第２の直線間の前記領域に位置してもよい。
（６）本発明に係る電子モジュールは、上記半導体装置が取り付けられてなる。
（７）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
（８）本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）第１及び第２のグループのリードが形成された基板と、平行な第１及び第２の直線間の領域を挟む両側にそれぞれ配列された第１及び第２のグループの電極を有する半導体チップと、を加熱するとともに膨張させること、
（ｂ）前記第１のグループのいずれかの電極と前記第１のグループの各リードを接合し、前記第２のグループのいずれかの電極と前記第２のグループの各リードの第１の部分を接合すること、及び、
（ｃ）前記半導体チップ及び前記基板を放熱させるとともに収縮させること、
を含み、
前記（ｂ）工程前に、
前記第２のグループの各リードは、前記第１の部分から延びる屈曲部と、前記屈曲部から延びる第２の部分と、をさらに含み、前記屈曲部は、その屈曲の内側の輪郭が曲線を描くように形成され、少なくとも前記第２の部分は、前記基板に付着しており、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記半導体チップを前記基板よりも大きい比率で収縮させ、その収縮力によって、前記第２のグループのいずれかの電極に接合された前記第１の部分を介して前記屈曲部に収縮方向の力を加えて、前記屈曲部を変形させること、及び、
（ｃ２）前記基板を前記半導体チップよりも大きい比率で収縮させ、その収縮力によって、前記基板に付着する前記第２の部分に収縮方向の力を加えて、前記屈曲部を変形させることを含む。本発明によれば、第２のグループの各リードは、屈曲しているので、その屈曲した部分がさらに曲がりやすい。しかし、屈曲部は、その屈曲の内側の輪郭が曲線を描くので、応力が局部的に集中しにくくなっており、これにより断線を防止することができる。
（９）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記半導体チップを前記基板に両者間に隙間が形成されるように搭載し、
前記（ｂ）工程後に、前記半導体チップ及び前記基板の間に、アンダーフィル材を充填することをさらに含んでもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【０００６】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。図２（Ａ）は、図１に示す半導体装置の一点鎖線で囲んだ部分の拡大図であり、図３は、図２（Ａ）に示すもののIII-III線断面図である。
【０００７】
半導体装置は、半導体チップ１０を有する。半導体チップ１０は、長方形の面を有する形状（直方体）であってもよい。半導体チップ１０には集積回路１２が形成されている。集積回路１２を覆うように、図示しないパッシベーション膜（電気的絶縁膜）が形成されていてもよい。
【０００８】
半導体チップ１０は、第１の直線Ｌ１に沿って並ぶ第１のグループの電極１４を有する。第１のグループの電極１４は一列に並んでいる。第１の直線Ｌ１は、半導体チップ１０の縁（例えば長方形の面の長辺）に平行な直線であってもよい。第１のグループの電極１４は、第１の直線Ｌ１と半導体チップ１０の縁との間に配列されていてもよい。第１のグループの電極１４は、等ピッチで配列されていてもよい。
【０００９】
半導体チップ１０は、第２の直線Ｌ２に沿って並ぶ第２のグループの電極１６を有する。第２のグループの電極１６は一列に並んでいる。第２の直線Ｌ２は、半導体チップ１０の縁（例えば長方形の面の長辺）に平行な直線であってもよい。第２の直線Ｌ２は、第１の直線Ｌ１よりも半導体チップ１０の中央近くに位置するものであってもよい。第２のグループの電極１６は、第２の直線Ｌ２によって区画される一対の領域のうち、半導体チップ１０の中央に近い側に配列されていてもよい。第２のグループの電極１６は、不均等なピッチで配列されていてもよい。例えば、図２（Ａ）に示すように、第２のグループの電極１６を、隣同士の電極のピッチがＰ１，Ｐ２（Ｐ１＜Ｐ２）となるように配列してもよい。第２のグループの電極１６を２つ以上（図２（Ａ）では２つ）の電極ごとに区分けしたときに、区分けされた２つ以上の電極のピッチがＰ１であり、区分けされた２つ以上の電極とその隣の電極とのピッチがＰ２である。
【００１０】
第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２は平行に延びている。第１及び第２のグループの電極１４，１６は、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２間の領域１８を挟む両側にそれぞれ配置されている。第１及び第２のグループの電極１４，１６は、パッド及びその上に設けられたバンプであってもよく、金や銅などの金属で形成されていてもよい。第１及び第２のグループの電極１４，１６は、半導体チップ１０の内部に電気的に接続されており、第１及び第２のグループの電極１４，１６のうち２つ以上の電極（全ての電極又は全てではないが複数の電極）は、集積回路１２に電気的に接続されている。第１及び第２のグループの電極１４，１６は、図示しないパッシベーション膜から露出するように形成されていてもよい。
【００１１】
半導体装置は、基板２０を有する。基板２０は、フィルムやプレートであってもよい。基板２０は、半導体チップ１０よりも熱膨張率（例えば線膨張率）が大きい材料で形成されている。基板２０は、半導体チップ１０よりも熱伝導率が低いなどの理由で、放熱性が低くてもよい。基板２０は、ポリイミド樹脂などの樹脂で形成されていてもよいし、樹脂などの有機材料及び無機材料の混合材料で形成されてもよい。
【００１２】
基板２０に半導体チップ１０が搭載されている。半導体チップ１０の実装形態は、ＣＯＦ（Chip On Film）であってもよい。半導体チップ１０の第１及び第２のグループの電極１４，１６を有する面が基板２０に対向している。
【００１３】
基板２０には、第１のグループのリード２２が形成されている。第１のグループのリード２２（それらの一部分）は、それぞれ、第１のグループの電極１４（それらの一部分）と対向しており、接合されていてもよい。接合とは、両者の材料からなる金属共晶を形成する接合のみならず、両者間に導電粒子が介在する接合も含む。第１のグループのリード２２は、第１のグループの電極１４が並ぶ基準となる第１の直線Ｌ１に交差（例えば直交）する方向に延びている。第１のグループのリード２２は、第２のグループの電極１６（あるいは第２の直線Ｌ２）から離れる方向に引き出されている。
【００１４】
基板２０には、第２のグループのリード２４が形成されている。第２のグループのリード２４（例えばその第１の部分３０）は、それぞれ、第２のグループの電極１６（それらの一部分）と対向しており、接合されていてもよい。接合とは、両者の材料からなる金属共晶を形成する接合のみならず、両者間に導電粒子が介在する接合も含む。第２のグループのリード２４は、第２のグループの電極１６が並ぶ基準となる第２の直線Ｌ２に交差（例えば直交）するように延びている。第２のグループのリード２４は、第１の直線Ｌ１に近づく方向に、第２のグループの電極１６から引き出され、第１の直線Ｌ１と交差している。
【００１５】
第２のグループの各リード２４は、第１のグループの電極１４（あるいは第１のグループのリード２２）間を通るように引き出されている。詳しくは、第１のグループの隣り合う一対の電極１４の間に、第２のグループの２つ又はそれ以上（図２（Ａ）では２つ）のリード２４が通るように形成されている。
【００１６】
第２のグループの各リード２４は、屈曲部３２を有する。屈曲部３２は、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２間の領域１８で屈曲するように形成されていてもよい。図２（Ｂ）は、屈曲部３２の拡大図である。屈曲部３２は、その屈曲の内側の輪郭３６が曲線を描くようになっている。図２（Ｂ）に示す屈曲部３２は、Ｓ字を描くように屈曲する。その場合、屈曲部３２は、その屈曲の内側の輪郭３６を、相互に反対側の２箇所に有する。本実施の形態によれば、第２のグループの各リード２４は、屈曲しているので、その屈曲部３２がさらに曲がりやすい。しかし、屈曲部３２は、その屈曲の内側の輪郭３６が曲線を描くので、応力が局部的に集中しにくくなっており、これにより断線を防止することができる。
【００１７】
第２のグループの各リード２４は、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２間の領域１８内の部分を除き、設計上（電極１６との接合前に）、直線状（屈曲しないよう）に形成されていてもよい。例えば、屈曲部３２を挟む第１及び第２の部分３０，３４が直線部であってもよい。屈曲部３２は、第１及び第２の部分（例えば直線部）３０，３４よりも幅の広い部分を含んでもよい。すなわち、図２（Ｂ）に二点鎖線で示す部分が、第１及び第２の部分（例えば直線部）３０，３４と同じ幅の部分であり、これからのはみ出し部分３９を屈曲部３２が含んでもよい。はみ出し部分３９の輪郭が角を含んでいてもよい。屈曲部３２は、その屈曲の外側の輪郭３８が角を描くように形成されていてもよい。
【００１８】
図２（Ａ）において、第１のグループの各リード２２の右隣に、第２のグループの１つのリード２４が、領域１８で、半導体チップ１０の右方向（図１参照）に屈曲して引き出されている。一般化して言うと、第１のグループの各リード２２の隣（第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の半導体チップ１０の両端部のうち近い方の端部方向の隣）に、第２のグループの１つのリード２４が、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２間の領域１８で、半導体チップ１０の近い方の端部方向に屈曲して引き出されている。第２のグループの２つ又はそれ以上のリード２４のうち最も外側の一対のリード（図２（Ａ）の例では２つのリード２４）は、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２間の領域１８で、相互に接近する方向に屈曲して引き出されている。
【００１９】
第１及び第２のグループのリード２２，２４の少なくとも一方は、銅などの金属で形成されている。第１のグループのリード２２（又は第２のグループのリード２４）の、全体が基板２０に付着していてもよいし、少なくとも半導体チップ１０とオーバーラップする部分が基板２０に付着してもよい。付着とは、接着剤を介する貼り付けのみならず、基板２０に直接密着することも含む。
【００２０】
図３に示すように、半導体チップ１０と基板２０との間には樹脂（アンダーフィル材又は接着剤）２６が設けられてもよい。樹脂２６は、収縮力によって第１及び第２のグループの電極１４，１６及び第１及び第２のリード２２，２４を相互に圧接させてもよい。樹脂２６は、半導体チップ１０と基板２０との間で、両者の熱膨張率の差によって生じる応力を分散又は吸収するものであってもよい。第２のグループのリード２４が、角を有しないように曲がっていれば、樹脂２６を設けるときに、その前駆体（液体又はペースト）の流動性又は充填性がよい。
【００２１】
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。本実施の形態では、上述した半導体チップ１０及び基板２０を用意する。図２（Ａ）に示すように、第２のグループの各リード２４は、第１の部分（例えば直線部）３０を含み、第１の部分３０から延びる屈曲部３２を含み、屈曲部３２から延びる第２の部分（例えば直線部）３４を含む。また、第２のグループの各リード２４の、少なくとも第２の部分３４（あるいは全体）は、基板２０に付着（例えば、接着剤によって接着又は直接的に密着）している。この特徴は、次に述べる接合や加熱の工程を行う前にすでに、リード２４が有しているものである。第２のグループの２つ又はそれ以上のリード２４の最も外側の一対のリード２４は、それぞれの屈曲部３２で、第１の部分３０から第２の部分３４に向かって、相互に接近する方向に屈曲していてもよい。
【００２２】
本実施の形態では、半導体チップ１０と基板２０を加熱する。加熱の目的は、半導体チップ１０と基板２０を接着する熱硬化性接着剤を硬化させるためであってもよいし、第１及び第２のグループの電極１４，１６及び第１及び第２のリード２２，２４を接合するためであってもよいし、これら両方のためであってもよい。加熱によって、半導体チップ１０と基板２０は膨張する。
【００２３】
本実施の形態では、第１のグループのいずれかの電極１４（その一部）と、第１のグループの各リード２２（その一部）と、を接合する。第２のグループのいずれかの電極１６（その一部）と、第２のグループの各リード２４の第１の部分３０（図２（Ａ）参照）と、を接合する。これらの接合は、加熱を行いながら行ってもよい。または、接合前に、予備加熱を行い、本加熱を行いながら接合を行ってもよい。
【００２４】
接合時に、第１のグループのリード２２は、第１のグループの電極１４との接合部から、第２のグループの電極１６とは反対方向に引き出されるように配置される。第２のグループの各リード２４の第１の部分３０は、第２のグループのいずれかの電極１６と対向する。第２のグループの各リード２４の屈曲部３２は、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２間の領域１８に配置される。第２のグループの各リード２４の第２の部分３４は、第１のグループの電極１４間を通る。
【００２５】
接合時に、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の半導体チップ１０の両端部のうち近い方の端部方向（図１及び図２（Ａ）においては右方向）の、第１のグループの各リード２２の隣に、第２のグループの１つのリード２４の屈曲部３２が、第１の部分３０から第２の部分３４に向かって、半導体チップ１０の近い方の端部方向（図１及び図２（Ａ）においては右方向）に屈曲している。また、第２のグループの２つ又はそれ以上のリード２４は、第１のグループの隣り合う一対の電極１４の間を通るように配置される。その他の詳細は、構成について上述した内容が該当する。
【００２６】
以上のプロセスを含む方法によって、本実施の形態に係る半導体装置を製造することができる。さらに、半導体チップ１０と基板２０の熱膨張率（例えば線膨張率）に差がある場合、半導体装置の製造方法は、半導体チップ１０及び基板２０を放熱させるとともに収縮させることをさらに含んでもよい。
【００２７】
図４及び図５は、本発明の実施の形態において半導体チップ及び基板を放熱させるとともに収縮させるプロセスを説明する図である。基板２０は、半導体チップ１０よりも線膨張率が大きい材料で形成されている。例えば基板２０が樹脂で形成され、半導体チップ１０は主としてシリコンで形成されている。また、半導体チップ１０は、基板２０よりも放熱性が高い。
【００２８】
本実施の形態では、半導体チップ１０を基板２０よりも大きい比率で収縮させる。この収縮は、半導体チップ１０の放熱性が基板２０のそれよりも高いときに、半導体チップ１０が基板２０よりも先に放熱（又は冷却）することによって発生させてもよい。
【００２９】
図４に示すように、収縮力によって、第２のグループのいずれかの電極１６に接合された第１の部分３０を介して、屈曲部３２に収縮方向の力を加えて、この屈曲部３２を変形させる。収縮方向の力とは、半導体チップ１０の両端部から中心方向への力である。すなわち、第１の部分３０に、半導体チップ１０の端部（詳しくは、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の半導体チップ１０の両端部のうち近い方の端部）から、半導体チップ１０の中心方向への力が加えられる。したがって、第１の部分３０は、屈曲部３２を介して連続する第２の部分３４に対して、半導体チップ１０の端部からその中心方向に移動するので、これに従って屈曲部３２が変形する。
【００３０】
図４において、第１のグループの各リード２２の右隣（一般化して言うと、リード２２の、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の半導体チップ１０の両端部のうち近い方の端部方向の隣）にある第２のグループのリード２４は、その屈曲部３２の屈曲がさらに大きくなるように変形する。
【００３１】
一方、図４において、第１のグループの各リード２２の左隣（一般化して言うと、リード２２の、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の半導体チップ１０の両端部のうち遠い方の端部方向の隣）にある第２のグループのリード２４は、その屈曲が小さくなるように変形する。
【００３２】
同様に、収縮力によって、第１のグループの各リード２２の、第１のグループのいずれかの電極１４との接合部を介して、その接合部から延びる部分に収縮方向の力を加えて、これを変形させてもよい。第１のグループの各リード２２は、半導体チップ１０の端部（正確には、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の半導体チップ１０の両端部のうち近い方の端部）の方向に、電極１４から屈曲する。
【００３３】
次に、基板２０を半導体チップ１０よりも大きい比率で収縮させる。この収縮は、半導体チップ１０の放熱性が基板２０のそれよりも高い場合、半導体チップ１０及び基板２０を放熱（又は冷却）させて、先に半導体チップ１０が収縮した後に発生させてもよい。
【００３４】
図５に示すように、収縮力によって、基板２０に付着する第２の部分３４に収縮方向の力を加えて、屈曲部３２を変形させる。収縮方向の力とは、基板２０の両端部から中心方向への力である。すなわち、第２の部分３４に、基板２０の端部（詳しくは、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の基板２０の両端部のうち近い方の端部）から、基板２０の中心方向への力が加えられる。したがって、第２の部分３４は、屈曲部３２を介して連続する第１の部分３０に対して、基板２０の端部からその中心方向に移動するので、これに従って屈曲部３２が変形する。
【００３５】
図５において、第１のグループの各リード２２の右隣（一般化して言うと、リード２２の、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の基板２０の両端部のうち近い方の端部方向の隣）にある第２のグループのリード２４は、その屈曲部３２が、戻る方向に屈曲するように変形する。その結果、屈曲部３２には、第１のグループの各リード２２の右方向（一般化して言うと、リード２２の、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の基板２０の両端部のうち近い方の端部方向）への凸部（又は突起）が形成されてもよい。
【００３６】
一方、図５において、第１のグループの各リード２２の左隣（一般化して言うと、リード２２の、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の基板２０の両端部のうち遠い方の端部方向の隣）にある第２のグループのリード２４は、その屈曲が大きくなるように変形する。
【００３７】
同様に、収縮力によって、第１のグループの各リード２２の、第１のグループのいずれかの電極１４との接合部を介して、その接合部から延びる部分に収縮方向の力を加えて、これを変形させてもよい。第１のグループの各リード２２の、上述したプロセスで既に屈曲した部分（図４参照）は、戻る方向に変形する。その結果、屈曲した部分には、第１のグループの各リード２２の右方向（一般化して言うと、リード２２の、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の基板２０の両端部のうち近い方の端部方向）への凸部（又は突起）が形成されてもよい。
【００３８】
本発明に係る半導体装置は、上記プロセスを経て得られる構造を含んでもよい。また、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、上述した半導体装置の説明から導き出すことができるプロセスを含んでもよい。例えば、半導体チップ１０は、基板２０との間に隙間が形成されるように搭載してもよい。そして、半導体チップ１０及び基板２０の間に、樹脂（例えばアンダーフィル材）２６を充填してもよい。
【００３９】
本実施の形態によれば、第２のグループの各リード２４は、屈曲しているので、その屈曲部３２がさらに曲がりやすい。屈曲部３２は、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２間の領域１８に位置しており、この領域１８は、第１及び第２のグループの電極１４，１６の間の領域なので、リード２４が屈曲しても電極１４，１６には接触しにくい。こうして、リード２４と電極１４，１６の接触を防止することができる。
【００４０】
（変形例）
図６は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の第１の変形例を説明する図である。半導体チップ４０は、第１及び第２のグループの電極４２，４４（これらには、それぞれ、上述した第１及び第２のグループの電極１４，１６の内容が該当する。）を有する。基板５０は、第１及び第２のグループのリード５２，５４（これらには、それぞれ、上述した第１及び第２のグループのリード２２，２４の内容が該当する。）を有する。本変形例では、少なくとも１つ（図６では１つ）のリード５６が、第２のグループの一対のリード５４の間に配列されている。リード５６は、真っ直ぐに延びるものであってもよい。これ以外の点について、本変形例に係る半導体装置には、上述した実施の形態で説明した内容が該当する。
【００４１】
また、本変形例でも、図４及び図５を参照して説明した内容を適用して、リード５２，５４，５６を変形させてもよい。なお、リード５６の変形には、図４及び図５を参照したリード２２の変形についての内容が該当する。
【００４２】
図７は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の第２の変形例を説明する図である。半導体チップ６０は、第１及び第２のグループの電極６２，６４（これらには、それぞれ、上述した第１及び第２のグループの電極１４，１６の内容が該当する。）を有する。ただし、第１及び第２のグループの電極６２，６４は、千鳥状に配列されている。基板７０は、第１のグループのリード７２（これには、上述した第１のグループのリード２２の内容が該当する。）を有する。
【００４３】
基板７０は、第２のグループのリード７４（これには、上述した第２のグループのリード２４の内容が該当する。）を有する。１つのリード７４が、一対のリード７２の間に配列され、１つのリード７２が、一対のリード７４の間に配列されている。リード７４は屈曲しており、その詳細は、図２（Ａ）を参照して説明したリード２４についての内容が該当する。ただし、本変形例では、全てのリード７４は、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の半導体チップ１０の両端部のうち近い方の端部方向に屈曲して引き出されてなる。この点は、図２（Ａ）において、一対のリード２２間の２つのリード２４が相互に接近するのと異なる。これ以外の点について、本変形例に係る半導体装置には、上述した実施の形態で説明した内容が該当する。
【００４４】
また、本変形例でも、図４及び図５を参照して説明した内容を適用して、リード７２，７４を変形させてもよい。なお、リード７２の変形には、図４及び図５を参照したリード２２の変形についての内容が該当する。一方、リード７４の変形は、図２（Ａ）において、リード２２の右隣（一般化して言うと、第１及び第２の直線Ｌ１，Ｌ２に沿った方向の半導体チップ１０の両端部のうち近い方の端部方向の、第１のグループの各リード２２の隣）にあるリード２４の変形の内容が該当する。
【００４５】
図８には、上述した実施の形態で説明した半導体装置１が取り付けられた電子モジュール（例えば液晶モジュール）１０００が示されている。この半導体装置を有する電子機器として、図９にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図１０には携帯電話３０００が示されている。
【００４６】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外した内容を含む。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外した内容を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図２】図２（Ａ）は、図１に示す半導体装置の一点鎖線で囲んだ部分の拡大図であり、図２（Ｂ）は、屈曲部の拡大図である。
【図３】図３は、図２（Ａ）に示すもののIII-III線断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態において半導体チップ及び基板を放熱させるとともに収縮させるプロセスを説明する図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態において半導体チップ及び基板を放熱させるとともに収縮させるプロセスを説明する図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の第１の変形例を説明する図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の第２の変形例を説明する図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係る半導体装置が取り付けられた電子モジュールを示す図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０…半導体チップ  １２…集積回路  １４…第１のグループの電極  １６…第２のグループの電極  １８…領域  ２０…基板  ２２…第１のグループのリード  ２４…第２のグループのリード  ２６…樹脂  ３０…第１の部分  ３２…屈曲部  ３４…第２の部分  ３６…輪郭  ３８…輪郭  ３９…はみ出し部分  ４０…半導体チップ  ４２…第１のグループの電極  ４４…第２のグループの電極  ５０…基板  ５２…第１のグループのリード  ５４…第２のグループのリード  ５６…リード  ６０…半導体チップ  ６２…第１のグループの電極  ６４…第２のグループの電極  ７０…基板  ７２…第１のグループのリード  ７４…第２のグループのリード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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