(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜上にレジストを形成する工程と、
所定の波長以下の光を、フォトマスクを介して前記レジストに露光する工程と、
前記レジスト上に、酸触媒反応により現像液への溶解性が変化する層を形成する工程と、
前記層を形成した後、ベークを行う工程と、
前記レジストおよび前記層を現像して、前記レジストおよび前記層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記レジストおよび前記層をマスクとして、前記被加工膜をドライエッチングする工程とを含み、
前記層が、ノルボルネンと無水マレイン酸との共重合体、又はその誘導体からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜上にレジストを形成する工程と、
所定の波長以下の光を、フォトマスクを介して前記レジストに露光する工程と、
前記レジスト上に、酸触媒反応により現像液への溶解性が変化する層を形成する工程と、
前記層を形成した後、ベークを行う工程と、
前記レジストおよび前記層を現像して、前記レジストおよび前記層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記レジストおよび前記層をマスクとして、前記被加工膜をドライエッチングする工程とを含み、
前記層が、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のtert−ブトキシカルボネート、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のtert−ブチルエステル、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のエトキシエチルエーテル、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のテトラヒドロピラニルエーテル、４−ヒドロキシスチレン−tert−ブチルアクリレート共重合体、ポリ（３−ヒドロキシスチレン）のtert−ブトキシカーボネート、又はそれらの誘導体からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の製造方法において、
前記層を５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載の製造方法において、
前記所定の波長が１９３ｎｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にArFリソグラフィ技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程において、縮小投影露光装置による写真製版プロセスを用いて微細回路パターンが形成されている。
近年のデバイスの高集積化・微細化に対応するため、露光波長の短波長化よる高解像度化が行われており、現在ではArFエキシマレーザ光（λ=193nm）を光源とした露光装置が実用化されようとしている。さらに、F2レーザ光（λ=157nm）を光源とするリソグラフィの検討も盛んに行われている。
【０００３】
ところで、KrFリソグラフィ（λ=248nm）用のレジストに用いられているベース樹脂（図４参照）は、ベンゼン環構造を有しており、短波長の露光光（例えば、ArFレーザ光）の吸収が大きい。このため、例えばArFレーザ光のような短波長の露光光源に対しては使用することができない。
そこで、ArFリソグラフィ用のレジスト（以下、「ArFレジスト」という。）では、ArFレーザ光の吸収が少ない脂肪族系ベース樹脂（図６参照）が主に用いられている。すなわち、ArFリソグラフィでは、酸触媒反応により脱離しアルカリ現像液に対する溶解性を変化させる基を側鎖に有する脂肪族系ベース樹脂と、活性光線の照射により酸を発生する光酸発生剤とを含む化学増幅型レジストが用いられている。
【０００４】
以下、従来の半導体装置の製造方法、詳細には、ArFリソグラフィを用いた、従来の微細パターン形成方法について説明する。
図７及び図８は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０００５】
先ず、図７（ａ）に示すように、基板１上に被加工膜２を形成する。
次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト塗布装置でスピン塗布法を用いて、被加工膜２上に40nm〜110nm程度の厚さで反射防止膜３を形成し、さらに反射防止膜３上に200nm〜600nm程度の厚さでArFレジスト４を形成する。
そして、図７（ｃ）に示すように、縮小投影露光装置で、ArFレーザ光７をフォトマスク６を介してArFレジスト４に選択的に照射（露光）する。この時、ArFレジスト４のうちArFレーザ光７が露光された部分（以下、「露光部」という。）４１では、レジスト４に含まれる光酸発生剤から酸が発生する。
【０００６】
次に、図８（ｄ）に示すように、温度100℃〜150℃で60sec〜90secの時間だけベーク（露光後ベーク）を行う。この時、露光部４１では、アルカリ現像液に対する溶解性を阻害する側鎖部の基が、酸触媒反応により脂肪族系ベース樹脂から脱離する。これにより、アルカリ現像液に対する溶解性が高い露光部４２となる。
そして、図８（ｅ）に示すように、アルカリ現像液による現像処理を行う。これにより、ドライエッチング加工時のマスク材料となるArFレジストパターン４３が得られる。
【０００７】
次に、図８（ｆ）に示すように、ArFレジストパターン４３をマスクとして、プラズマ８を用いたドライエッチング処理を行う。これにより、反射防止膜３および被加工膜２がパターニングされ、反射防止膜パターン３２および被加工膜パターン２２となる。
最後に、図８（ｇ）に示すように、ArFレジストパターン４３および反射防止膜パターン３２をプラズマアッシング処理やウェット処理により除去する。これにより、被加工膜パターン２２が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記ArFレジスト４を用いた従来の半導体装置の製造方法には、以下のような問題があった。
先ず、第１の問題について説明する。
ArFレジスト４のベース樹脂はベンゼン環構造を有していないため、プラズマを用いたドライエッチング処理時の耐性（以下、「ドライエッチング耐性」という。）が、従来のKrFレジストやｉ線レジスト等に比べ劣ってしまうという問題があった。このため、所望の寸法でArFレジストパターン４３を形成できたとしても、被加工膜２を所望の寸法および形状に仕上げることができないという問題があった。以下、この問題について、詳細に説明する。
【０００９】
図９は、ArFレジストとKrFレジストのドライエッチング耐性を比較するための断面図である。
図９（ａ），（ａ’）に示すように、被加工膜２上に形成された反射防止膜３上に、ArFレジストパターン４３およびKrFレジストパターン１４３が所望の寸法でそれぞれ形成されている。
【００１０】
図９（ｂ），（ｂ’）は、プラズマ８を用いたドライエッチング処理が行われた後の、各レジストパターン４３，１４３を示している。
図９（ｂ’）に示すように、KrFレジストパターン１４３は、レジスト表面が荒れることなく、且つ異方的に膜厚ｂだけ膜減りしている。従って、KrFレジストパターン１４３が、高いドライエッチング耐性を有することが分かる。
一方、図９（ｂ）に示すように、ArFレジストパターン４３は、KrFレジストマスク１４３（図９（ｂ’）参照）と比較して、レジストの膜減り量が多く、且つレジスト表面が荒れている。さらに、ArFレジストパターン４３の上面から被加工膜２の内部に達するスパイク状のエッチング（以下、「スパイク」という。）２００が発生している。このため、反射防止膜パターン３２や被加工膜パターン２２の寸法や形状が、規定された通りには仕上がらなくなる。
【００１１】
ドライエッチング後、各レジストパターン４３，１４３および反射防止膜パターン３１，３２を、プラズマアッシング処理やウェット処理により除去する。
ここで、図９（ｃ’）に示すように、KrFレジストパターン１４３を用いた場合には、所望の寸法および形状の被加工膜パターン２３に仕上げることができる。すなわち、KrFレジストパターン１４３の寸法通りに、被加工膜２を仕上げることができる。
一方、図９（ｃ）に示すように、ArFレジストパターン４３を用いた場合には、上述したレジストパターン４３の表面荒れやスパイク２００により、被加工膜２を所望の寸法および形状に加工することができないという問題があった。また、ArFレジストパターン４３と被加工膜２２との間に寸法差が生じてしまうという問題があった。
【００１２】
次に、第２の問題について説明する。
図１０は、従来のレジストプロセスにおいて、酸の熱拡散を説明するための断面図である。
図１０（ａ）に示すように、ArFレーザ光７をフォトマスク６を用いてArFレジストに照射する際に、空間像９が形成される。
そして、上記空間像９がArFレジスト４に照射されると、図１０（ｂ）に示すように、ArFレジスト４中に潜像（Latent image）１００が形成される。この潜像１００は、ArFレジスト４で発生する酸の分布と等価である。ここで、▲１▼ArFレジスト４とその周りの空間との屈折率と、ArFレジスト４とその下地（例えば反射防止膜や被加工膜）との屈折率と、が異なること、▲２▼下地からの反射光との干渉が生じること、によって、ArFレジスト４（露光部４１）の表面近傍での酸（酸触媒反応部）の分布は、レジスト内部の酸の分布よりも高くなっている。
【００１３】
次に、図１０（ｃ）に示すように、露光後に行われるベークによって、露光部４１の表面近傍に多く存在する酸が熱拡散し、酸触媒反応部が再分布する（参照符号１０１）。
しかし、ベークによって酸が熱拡散しても、ArFレジスト４における酸の分布は均一にならず、レジスト４表面における酸の分布が、レジスト内部の酸の分布よりも高いという問題は依然として解決されない。このため、ArFレジストパターン４３のトップ部が膜減りしてしまい、被加工膜パターン２２の形状が劣化してしまう問題があった。
【００１４】
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたもので、ArFリソグラフィにより形成された微細レジストパターンのドライエッチング耐性を向上させることを目的とする。また、本発明は、レジストパターントップ部の形状を改善することにより、被加工膜を寸法および形状制御性良く加工することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決する為の手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜上にレジストを形成する工程と、
所定の波長以下の光を、フォトマスクを介して前記レジストに露光する工程と、
前記レジスト上に、酸触媒反応により現像液への溶解性が変化する層を形成する工程と、
前記層を形成した後、ベークを行う工程と、
前記レジストおよび前記層を現像して、前記レジストおよび前記層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記レジストおよび前記層をマスクとして、前記被加工膜をドライエッチングする工程とを含み、
前記層が、ノルボルネンと無水マレイン酸との共重合体、又はその誘導体からなることを特徴とするものである。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜上にレジストを形成する工程と、
所定の波長以下の光を、フォトマスクを介して前記レジストに露光する工程と、
前記レジスト上に、酸触媒反応により現像液への溶解性が変化する層を形成する工程と、
前記層を形成した後、ベークを行う工程と、
前記レジストおよび前記層を現像して、前記レジストおよび前記層をパターニングする工程と、
パターニングされた前記レジストおよび前記層をマスクとして、前記被加工膜をドライエッチングする工程とを含み、
前記層が、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のtert−ブトキシカルボネート、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のtert−ブチルエステル、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のエトキシエチルエーテル、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のテトラヒドロピラニルエーテル、４−ヒドロキシスチレン−tert−ブチルアクリレート共重合体、ポリ（３−ヒドロキシスチレン）のtert−ブトキシカーボネート、又はそれらの誘導体からなることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記層を５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで形成することが好適である。
【００２３】
本発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記所定の波長が１９３ｎｍであることが好適である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図中、同一または相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。
【００２５】
実施の形態１．
図１及び図２は、本発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。具体的には、図１及び図２は、ArFリソグラフィを用いた、本実施の形態１による微細パターン形成方法を工程順に示した断面図である。
【００２６】
先ず、図１（ａ）に示すように、基板１上に被加工膜２を形成する。ここで、基板１は、シリコン基板のような半導体基板に限らず、石英基板のような絶縁基板や、セラミック基板であってよい。また、被加工膜２としては、絶縁膜や導電膜が挙げられる。
次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト塗布装置でスピン塗布法を用いて、被加工膜２上に40nm〜110nm程度の厚さで反射防止膜３を形成し、さらに反射防止膜３上に200nm〜600nm程度の厚さでArFレジスト４を形成する。ここで、ArFレジスト４は、酸触媒反応により脱離しアルカリ現像液に対する溶解性を変化させる基を側鎖に有する脂肪族系ベース樹脂と、活性光線の照射により酸を発生する光酸発生剤とを含む化学増幅型レジストである。なお、反射防止膜３をＣＶＤ法により形成してもよい。
【００２７】
そして、図１（ｃ）に示すように、縮小投影露光装置で、ArFレーザ光７をフォトマスク６を介してArFレジスト４に選択的に照射（露光）する。この時、ArFレジスト４のうちArFレーザ光７が露光された部分（以下、「露光部」という。）４１では、当該ArFレジスト４に含まれる光酸発生剤から酸が発生する。
【００２８】
次に、図１（ｄ）に示すように、ArFレジスト４上に、酸触媒反応により現像液への溶解性が変化する層、詳細には酸触媒反応により脱離しアルカリ現像液に対する溶解性を変化させる基を側鎖による物質の層を形成する。本実施の形態１では、上記層としてベンゼン環構造を有するKrFレジスト用のベース樹脂を50nm〜200nm程度の厚さで形成する。ここで、ベンゼン環を有するKrFレジスト用のベース樹脂の一例を図４に示す。具体的には、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のtert−ブトキシカルボネート、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のtert−ブチルエステル、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のエトキシエチルエーテル、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）のテトラヒドロピラニルエーテル、４−ヒドロキシスチレン−tert−ブチルアクリレート共重合体、ポリ（３−ヒドロキシスチレン）のtert−ブトキシカーボネート、及び、それらの誘導体等である。
かかるKrFレジスト用のベース樹脂は、ArFレジスト４に含まれるベース樹脂と同一の反応機構で極性が変化する。すなわち、露光後ベーク（後述）で起こる酸触媒反応により、アルカリ現像液に対する溶解を阻害する側鎖部の基がベース樹脂から脱離する。
また、KrFレジスト用のベース樹脂は、ベンゼン環構造を有するため、高いドライエッチング耐性を有する（後述）。
【００２９】
次に、図２（ｅ）に示すように、温度100℃〜150℃で60sec〜90secの時間だけベーク（「露光後ベーク」ともいう。）を行う。この時、詳細は後述するが、露光部４１の表面近傍に多く存在する酸がベース樹脂５に熱拡散することにより、露光部４１およびその直上のベース樹脂５では、アルカリ現像液に対する溶解性を阻害する側鎖部の基が酸触媒反応により脱離する。このため、脱離反応が起こった露光部４２およびベース樹脂５２は、アルカリ現像液に対する溶解性が高くなる。
【００３０】
次に、図２（ｆ）に示すように、アルカリ現像液による現像処理を行う。これにより、ArFレジスト４１およびベース樹脂５がパターニングされる。すなわち、ドライエッチング加工時のマスク材料となるArFレジストパターン４３およびベース樹脂パターン５３が形成される。ここで、上述したように、ベース樹脂５は、ArFレジスト４に含まれるベース樹脂と同一の反応機構で極性が変化するため、現像によりArFレジスト４とベース樹脂５とを同時にパターニングすることができる。
【００３１】
次に、図２（ｇ）に示すように、ArFレジストパターン４３およびベース樹脂パターン５３をマスクとして、プラズマ８を用いたドライエッチング処理を行う。これにより、反射防止膜３および被加工膜２が微細加工され、反射防止膜パターン３１および被加工膜パターン２１となる。
そして、図２（ｈ）に示すように、レジストパターン４３および反射防止膜パターン３１をプラズマアッシング処理やウェット処理により除去する。これにより、所望の寸法および形状の被加工膜パターン２１が得られる。
【００３２】
次に、図３を参照して、本実施の形態１におけるドライエッチング耐性向上の原理を説明する。
図３は、本実施の形態１において、ドライエッチング耐性向上の原理を説明するための断面図である。
図３（ａ）は、ドライエッチング加工時のマスク材料となるArFレジストパターン４３およびベース樹脂パターン５３を示したものである。
図３（ｂ）は、プラズマ８の照射によるArFレジストパターン４３およびベース樹脂パターン５３へのダメージを示したものである。図３（ｂ）に示すように、ベース樹脂パターン５３のみがプラズマ８の照射により所定の膜厚ａだけ膜減りしている。従って、ベース樹脂パターン５３がArFレジストパターン４３のマスクとなるため、ArFレジストパターン４３はプラズマ８によるダメージを受けにくくなる。このため、ｉ線やKrFレジストマスクと同等のドライエッチング耐性が得られる。よって、被加工膜２を、ArFレジストパターン４３により規定された寸法通りに仕上げることができる。
そして、図３（ｃ）に示すように、ArFレジストパターン４３および反射防止膜パターン３１をプラズマアッシング処理やウェット処理により除去する。ArFレジストパターン４３は表面荒れやスパイク等が形成されないため、所望の寸法および形状の被加工膜パターン２１を形成することができる。
【００３３】
次に、図５を参照して、本実施の形態１のレジストプロセスにおける酸の熱拡散について説明する。
図５は、本発明の実施の形態１によるレジストプロセスにおいて、酸の熱拡散を説明するための断面図である。
図５（ａ）は、ArFレーザ光７をフォトマスク６を用いてArFレジスト４に照射する際に形成される空間像９を示している。
この空間像９がArFレジスト４に照射されると、図５（ｂ）に示すように、ArFレジスト４中に潜像（Latent image）１００が形成される。この潜像１００は、ArFレジスト４で発生する酸の分布と等価である。この時、▲１▼ArFレジスト４とその周りの空間との屈折率と、ArFレジスト４とその下地（例えば反射防止膜や被加工膜）との屈折率とが異なること、▲２▼下地からの反射光との干渉が生じること、によって、ArFレジスト４の表面近傍での酸の分布は、レジスト内部の酸の分布より高くなる。次に、図５（ｃ）に示すように、露光後ベークを行う前に、KrFレジストのベース樹脂（図４参照）をArFレジスト４上に形成する。
そして、露光後ベークを行う。この露光後ベークによって、露光部４１の表面近傍に多く存在する酸が熱拡散して、図５（ｃ）の参照符号１１０に示すように酸が再分布し、酸触媒反応部１１１（図５（ｄ）参照）の分布が改善される。ここで、従来の酸の再分布（図１０（ｃ）参照）に比べて、レジスト表面部での酸の量を大幅に減少させることができる。従って、レジストパターントップ部の膜減りを抑制することができる。これにより、所望の寸法および形状の被加工膜パターンを得ることができる。
【００３４】
以上説明したように、本実施の形態１による半導体装置の製造方法では、ArFレーザ光７を露光した後、露光後ベークに先立って、ベンゼン環構造を有するベース樹脂５をArFレジスト４上に形成した。そして、露光後ベークを行うことにより、ArFレジスト４の露光部４１表面からベース樹脂５に酸を熱拡散させ、現像によりArFレジスト４とベース樹脂５とをパターニングした。そして、ArFレジストパターン４３とベース樹脂パターン５３とをマスクとして用いて、被加工膜２をドライエッチング処理した。
【００３５】
本実施の形態１によれば、ベース樹脂５は高いドライエッチング耐性を有するため、従来のようにArFレジストパターンの表面荒れやスパイクの発生を防止することができる。従って、ArFリソグラフィにより形成された微細レジストパターン４３のドライエッチング耐性を向上させることができる。これにより、被加工膜２を所望の寸法および形状で微細加工することができる。また、ArFレジストパターン４３と被加工膜パターン２１の寸法差や形状劣化を抑えることができる。
【００３６】
また、露光後ベーク時に、ArFレジスト４の表面近傍の酸がベース樹脂５に熱拡散するため、従来よりもArFレジスト４の表面部での酸の量を大幅に減少させることができる。これにより、レジストパターントップ部の膜減りを大幅に抑制することができる。従って、所望の寸法および形状の被加工膜パターン２１が得られる。
【００３７】
実施の形態２．
前述した実施の形態１では、ArFレジスト４を形成した後、露光後ベークに先立って、ArFレジスト４上にKrFレジスト用のベンゼン環構造を有するベース樹脂５を形成した。
本発明の実施の形態２では、上記KrFレジスト用のベース樹脂５の代わりに、ArFレジスト用の共重合系ベース樹脂、ArFレジスト用のアクリル系ベース樹脂の少なくとも何れか１つを、ArFレジスト４上に形成した。
ここで、上記共重合系ベース樹脂の一例を図６（ｂ）に示す。具体的には、ノルボルネンと無水マレイン酸との共重合体、及びその誘導体等である。また、上記アクリル系ベース樹脂の一例を図６（ａ）に示す。具体的には、アクリル系樹脂、及びその誘導体等である。
なお、この共重合系ベース樹脂およびアクリル系ベース樹脂は、実施の形態１と同様に、50nm〜200nm程度の厚さで形成した。その他の製造方法についても実施の形態１と同様であるため、本実施の形態２ではその説明を省略する。
【００３８】
本実施の形態２では、実施の形態１のベンゼン環構造を有するベース樹脂の代わりにアクリル系ベース樹脂又は共重合系ベース樹脂を用いた。
すなわち、ArFレーザ光７をArFレジスト４に露光した後、露光後ベークに先立って、アクリル系ベース樹脂又は共重合系ベース樹脂をArFレジスト４上に形成した。その後、露光後ベークによりArFレジスト４の露光部４１からベース樹脂に酸を熱拡散させ、現像によりArFレジスト４とベース樹脂とをパターニングした。そして、ArFレジストパターンとベース樹脂パターンをマスクとして用いて、被加工膜２をドライエッチング処理した。
この場合も、実施の形態１と同様に、露光後ベーク時に、ArFレジスト４の表面近傍の酸がベース樹脂５に熱拡散するため、ArFレジスト４の表面部での酸の量を減少させることができる。これにより、従来と比べて、レジストパターントップ部の膜減りを大幅に抑制することができる。従って、所望の寸法および形状で被加工膜２を微細加工することができる。
また、ベース樹脂の膜厚の分だけ、ドライエッチングに用いるマスクの膜厚が増加するため、高いドライエッチング耐性を有するエッチングマスクが得られる。
【００３９】
なお、本実施の形態２において、アクリル系ベース樹脂、共重合系ベース樹脂の少なくとも１つをベース樹脂としたが、実施の形態１によるベンゼン環構造を有するベース樹脂との積層構造を有するものであってもよい。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、ArFリソグラフィにより形成された微細レジストパターンのドライエッチング耐性を向上させることができる。また、レジストパターントップ部の形状を改善することができ、被加工膜を寸法および形状制御性良く加工することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明するための断面図である（その１）。
【図２】  本発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明するための断面図である（その２）。
【図３】  本発明の実施の形態１において、ドライエッチング耐性向上の原理を説明するための断面図である。
【図４】  本発明の実施の形態１において、ベンゼン環構造を有するベース樹脂の一例を示す図である。
【図５】  本発明の実施の形態１によるレジストプロセスにおいて、酸の熱拡散を説明するための断面図である。
【図６】  本発明の実施の形態２において、アクリル系ベース樹脂および共重合系ベース樹脂の一例を示す図である。
【図７】  従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図である（その１）。
【図８】  従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図である（その２）。
【図９】  ArFレジストマスクとKrFレジストマスクのドライエッチング耐性を比較するための断面図である。
【図１０】  従来のレジストプロセスにおいて、酸の熱拡散を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  被加工膜
３  反射防止膜
４  ArFレジスト
５  ベース樹脂
６  フォトマスク
７  ArFレーザ光
８  プラズマ
９  空間像
２１  被加工膜パターン
３１  反射防止膜パターン
４１，４２  露光部
４３  ArFレジストパターン
５２  ベース樹脂
５３  ベース樹脂パターン
１００  潜像
１１１  分布
ａ  膜厚
【図１】
0003638266.tif 000002
【図２】
0003638266.tif 000003
【図３】
0003638266.tif 000004
【図４】
0003638266.tif 000005
【図５】
0003638266.tif 000006
【図６】
0003638266.tif 000007
【図７】
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【図８】
0003638266.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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