(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面に冷却流体用の流路が形成された第１の冷却ブロックと、前記一方主面を覆い、前記流路を液密にシールするようにロウ付けにより接合される第２の冷却ブロックとを備え、
前記第１の冷却ブロックの一方主面とは反対側の他方主面が前記半導体素子の外部主電極の主面に圧接され、前記半導体素子が通電中に発生する熱を外部に放散させる半導体素子用冷却装置において、
前記第１の冷却ブロックの前記他方主面の、少なくとも前記半導体素子の外部主電極の主面に圧接される圧接面の表面硬度が、加圧成形処理によりビッカース硬度でＨＶ＝７０〜９０の範囲となっていることを特徴とする半導体素子用冷却装置。
【請求項２】
半導体素子の外部主電極の主面に圧接され、該半導体素子が通電中に発生する熱を外部に放散させる半導体素子用冷却装置の製造方法であって、
（ａ）一方主面に冷却流体用の流路が形成された第１の冷却ブロックを準備する工程と、
（ｂ）前記一方主面を覆い、前記流路を液密にシールするように第２の冷却ブロックをロウ付けにより接合する工程と、
（ｃ）接合済みの前記第１および第２の冷却ブロックを加圧成形用金型に搭載し、前記第１および第２の冷却ブロックを加圧成形することで、前記第１の冷却ブロックの一方主面とは反対側の他方主面の、少なくとも前記半導体素子の外部主電極の主面に圧接される圧接面の表面硬度をビッカース硬度でＨＶ＝７０〜９０の範囲にする工程とを備える、半導体素子用冷却装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１および第２の冷却ブロックの材質は、銅あるいはアルミニウム、またはこれらの合金の何れかであって、
前記所定の圧力は、４．９×１０７〜９．８×１０７Ｐａ（５００〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ２）の範囲の圧力である、請求項２記載の半導体素子用冷却装置の製造方法。
【請求項４】
前記加圧成形用金型は、
前記第１および第２の冷却ブロックを収容する有底無蓋の箱状の下金型と、
前記下金型の上部開口部から挿入され、前記第１および第２の冷却ブロックを押圧する上金型とを備え、
前記他方主面を押圧する前記上金型の先端部は、その平面度が５μｍ以下であって、
前記工程（ｃ）は、
前記第１および第２の冷却ブロックを加圧成形すると同時に、前記他方主面の平面度を５μｍ以下にする工程を含む、請求項３記載の半導体素子用冷却装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子から発生する熱を外部に伝導し放散するための半導体素子用冷却装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
大電力用の半導体素子としては、ＧＴＯサイリスタ（ｇａｔｅ  ｔｕｒｎ  ｏｆｆ  ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）やＩＧＢＴ（ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  ｇａｔｅ  ｂｉｐｏｌａｒ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などがある。これらの外観形状は、筒状の絶縁体を間に挟んで、当該絶縁体の両端にそれぞれ外部主電極が配設された構成となっている。そして、外部主電極の外側主面には、大電力用の半導体素子が通電中に発生する熱を効率よく放散させるための液冷式の半導体素子用冷却装置が配設されている。
【０００３】
図５に半導体素子用冷却装置１０の平面構成を示し、図６に、図５におけるＡ−Ａ線での断面構成を示す。
【０００４】
図６に示すように、半導体素子用冷却装置１０は冷却ブロック本体１と、該冷却ブロック本体１の下面側に接合された蓋ブロック２とを備えて直方体形状をなしている。これら冷却ブロック本体１や蓋ブロック２の材質としては熱伝導性の観点から通常、銅材（タフピッチ銅）が使用されている。
【０００５】
冷却ブロック本体１は、一方主面にくし歯状の冷却フィン部４ａを有した構造となっている。冷却フィン部４ａは、冷却ブロック本体１に所定深さの溝部４を縦横に複数形成することで設けられている。蓋ブロック２は冷却ブロック本体１に対応する矩形の平板状に形成されている。
【０００６】
そして、溝部４の開口側を覆うように、蓋ブロック２がロウ付けにより接合され、冷却ブロック本体１と蓋ブロック２とが液密にシールされた構造となっている。このような構造とすることで、溝部４は冷却ブロック本体１および蓋ブロック２を冷却するための冷却液を案内する流路を構成することになる。なお、冷却ブロック本体１と蓋ブロック２との間には、ロウ材３が介在している。
【０００７】
また、冷却ブロック本体１の一側面に、溝部４に通じる流入管５が接続されると共に、冷却ブロック本体１の他側面にも、溝部４に通じる排出管６が接続されており、冷却液が流入管５を通じて溝部４に案内され、全ての溝部４を満たした後、排出管６より排出されるように構成されている。
【０００８】
なお、後に説明するが、蓋ブロック２とは反対側の面が半導体素子に圧接される面となるので、これを圧接面ＰＳ１と呼称する。
【０００９】
ここで、半導体素子用冷却装置１０を半導体素子に取り付けた状態を図７に示す。図７においては、半導体素子としてＧＴＯサイリスタ１１を例示しており、ＧＴＯサイリスタ１１の２つの外部主電極１２にそれぞれ圧接面ＰＳ１が接触するように半導体素子用冷却装置１０が配設されている。
【００１０】
ＧＴＯサイリスタ１１の本体である素子部は絶縁筒１３の内部に配置されており、２つの外部主電極１２を外部からの圧力で内部方向に付勢し、素子部に設けられた内部主電極に圧接することで、電気的な接続を保つ構成になっている。半導体素子用冷却装置１０は、この外部からの圧力によって外部主電極１２に圧接され、半導体素子用冷却装置１０との接触を保つ構成となっている。
【００１１】
この状態で半導体素子用冷却装置１０に冷却液を流し、ＧＴＯサイリスタ１１に通電すれば、通電中に発生する熱は、外部主電極１２の主面から冷却ブロック本体１や蓋ブロック２側に伝導され、冷却液を通じて外部に放熱される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体素子用冷却装置１０は以上のように構成されているが、以下に説明する２つの問題を有していた。
第１の問題は、先に説明したように半導体素子用冷却装置１０においては、図６に示すように、冷却ブロック本体１と蓋ブロック２とをロウ付けにより接合している。そして、この種のロウ付けに際して、一般にロウ材３として銀ロウ等が用いられている。
【００１３】
従って、このロウ付け時におけるロウ材３の溶融温度は６００〜８００℃程度であり、この熱が銅製の冷却ブロック本体１および蓋ブロック２に伝わり、その材料となっている銅の軟化によって変形が生じることがあった。
【００１４】
すなわち、ＧＴＯサイリスタ１１は使用に際して、外部から圧力が加えられた状態となり、それが長期間に渡って維持されることになる。そして、先に説明したように外部からの圧力は半導体素子用冷却装置１０にも加わり、半導体素子用冷却装置１０は外部主電極１２に圧接され続けることになる。この外部からの圧力は９．８×１０６〜１４．７×１０６Ｐａ（１００〜１５０ｋｇｆ／ｃｍ２）にもなり、ロウ付け時における銅の軟化と相俟って、冷却ブロック本体１の圧接面ＰＳ１が変形し、圧接力が不均一になるという事態を招いていた。
【００１５】
ここで、図８〜図１０を用いて、冷却ブロック本体１の圧接面ＰＳ１の変形状態を説明する。図８は、ＧＴＯサイリスタ１１と半導体素子用冷却装置１０との圧接状態を長期に渡って維持した後の、ＧＴＯサイリスタ１１の外部主電極１２の圧接面を示す平面図である。そして、図９は、図８におけるＢ−Ｂ線での断面図である。
【００１６】
また、図１０は、ＧＴＯサイリスタ１１と半導体素子用冷却装置１０との圧接状態を長期に渡って維持した後の、半導体素子用冷却装置１０の断面図である。
【００１７】
図８に示すように、外部主電極１２の圧接面ＰＳ２には、半導体素子用冷却装置１０の冷却フィン部４ａおよび溝部４の形状を反映した凹凸模様が表われている。これは外部主電極１２も、素子パッケージの工程におけるロウ付け工程で加熱され、冷却ブロック本体１と同様に軟化していることを示している。
【００１８】
なお、図９に示すように、半導体素子用冷却装置１０の冷却フィン部４ａに対応して凹部１４が形成され、溝部４に対応して凸部１５が形成され、凹凸模様を構成している。
【００１９】
また、図１０に示すように、半導体素子用冷却装置１０の圧接面ＰＳ１においては、冷却フィン部４ａに対応して凸部１６が形成され、溝部４に対応して凹部１７が形成され、外部主電極１２の圧接面ＰＳ２とは反転した凹凸模様を構成している。
【００２０】
このように、半導体素子用冷却装置１０および外部主電極１２の圧接面ＰＳ１およびＰＳ２において凹凸模様が形成されるということは、圧接力に差があることを示すものであり、このような圧接状態においては、ＧＴＯサイリスタ１１の冷却が不十分となり素子特性の劣化を招来する等の第１の問題があった。
【００２１】
圧接力の不均一を改善するには、冷却ブロック本体１の変形を防ぐ必要があり、そのために冷却ブロック本体１の圧接面ＰＳ１側の厚み、すなわち図７に示す寸法ｔを厚くする方法が考えられるが、この方法では半導体素子用冷却装置１０の冷却能力の低下を招来するという問題があった。
【００２２】
第２の問題は、冷却ブロック本体１の圧接面ＰＳ１の平面化工程のコストが増大することである。平面化工程は冷却ブロック本体１と蓋ブロック２を銀ロウ付けにより接合した後、ロウ付の際に発生する熱ひずみによる反りや、ロウ材の厚み差による傾きなどに起因する平行度不良を修正するとともに、表面粗さ（平面度）を規定値以内に加工するために不可欠な工程である。
【００２３】
これら規定値はＧＴＯサイリスタの場合、平面度５〜１０μｍ、平行度２０〜５０μｍ程度となっている。そして、平面化は従来、旋盤やフライス盤による切削加工や研磨加工により行われていたので、加工に相当の時間を要し、製造コストを増加させていた。
【００２４】
本発明は上記のような問題を解消するためになされたもので、半導体素子が均一に圧接されて効率のよい冷却ができ、半導体素子の電気的特性の安定化や信頼度の向上が図れるとともに、製造コストを低減した半導体素子用冷却装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る請求項１記載の半導体素子用冷却装置は、一方主面に冷却流体用の流路が形成された第１の冷却ブロックと、前記一方主面を覆い、前記流路を液密にシールするようにロウ付けにより接合される第２の冷却ブロックとを備え、前記第１の冷却ブロックの一方主面とは反対側の他方主面が前記半導体素子の外部主電極の主面に圧接され、前記半導体素子が通電中に発生する熱を外部に放散させる半導体素子用冷却装置において、前記第１の冷却ブロックの前記他方主面の、少なくとも前記半導体素子の外部主電極の主面に圧接される圧接面の表面硬度が、加圧成形処理によりビッカース硬度でＨＶ＝７０〜９０の範囲となっている。
【００２６】
本発明に係る請求項２記載の半導体素子用冷却装置の製造方法は、半導体素子の外部主電極の主面に圧接され、該半導体素子が通電中に発生する熱を外部に放散させる半導体素子用冷却装置の製造方法であって、一方主面に冷却流体用の流路が形成された第１の冷却ブロックを準備する工程（ａ）と、前記一方主面を覆い、前記流路を液密にシールするように第２の冷却ブロックをロウ付けにより接合する工程（ｂ）と、接合済みの前記第１および第２の冷却ブロックを加圧成形用金型に搭載し、前記第１および第２の冷却ブロックを加圧成形することで、前記第１の冷却ブロックの一方主面とは反対側の他方主面の、少なくとも前記半導体素子の外部主電極の主面に圧接される圧接面の表面硬度をビッカース硬度でＨＶ＝７０〜９０の範囲にする工程（ｃ）とを備えている。
【００２７】
本発明に係る請求項３記載の半導体素子用冷却装置の製造方法は、前記第１および第２の冷却ブロックの材質は、銅あるいはアルミニウム、またはこれらの合金の何れかであって、前記所定の圧力が、４．９×１０７〜９．８×１０７Ｐａ（５００〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ２）の範囲となっている。
【００２８】
本発明に係る請求項４記載の半導体素子用冷却装置の製造方法は、前記加圧成形用金型は、前記第１および第２の冷却ブロックを収容する有底無蓋の箱状の下金型と、前記下金型の上部開口部から挿入され、前記第１および第２の冷却ブロックを押圧する上金型とを備え、前記他方主面を押圧する前記上金型の先端部は、その平面度が５μｍ以下であって、前記工程（ｃ）は、前記第１および第２の冷却ブロックを加圧成形すると同時に、前記他方主面の平面度を５μｍ以下にする工程を含んでいる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
＜実施の形態＞
＜装置構成＞
本発明に係る実施の形態として、図１に半導体素子用冷却装置１０Ａの平面構成を示し、図２に、図１おけるＡ−Ａ線での断面構成を示す。
【００３０】
図２に示すように、半導体素子用冷却装置１０Ａは冷却ブロック本体１Ａ（第１の冷却ブロック）と、該冷却ブロック本体１Ａの下面側に接合された蓋ブロック２Ａ（第２の冷却ブロック）とを備えて直方体形状をなしている。これら冷却ブロック本体１Ａや蓋ブロック２Ａの材質としては銅あるいはアルミニウム、またはこれらの合金の何れかが使用されるが、一般的には熱伝導性の観点から、銅材（タフピッチ銅）が使用されている。
【００３１】
冷却ブロック本体１Ａは、一方主面にくし歯状の冷却フィン部４ａを有した構造となっている。冷却フィン部４ａは、冷却ブロック本体１Ａに所定深さの溝部４を縦横に複数形成することで設けられている。
【００３２】
蓋ブロック２Ａは冷却ブロック本体１Ａに対応する矩形の平板状に形成されている。そして、溝部４の開口側を覆うように、蓋ブロック２Ａがロウ付けにより接合され、冷却ブロック本体１Ａと蓋ブロック２Ａとが液密にシールされた構造となっている。このような構造とすることで、溝部４は冷却ブロック本体１Ａおよび蓋ブロック２Ａを冷却するための冷却液を案内する流路を構成することになる。なお、冷却ブロック本体１Ａと蓋ブロック２Ａとの間には、ロウ材３が介在している。
【００３３】
なお、蓋ブロック２Ａが接合される主面とは反対側の主面において、平面視輪郭形状が矩形となった凹状領域が形成されており、これが後に説明するように、半導体素子に圧接される圧接面ＰＳ３となる。この圧接面ＰＳ３の表面硬度は、ビッカース硬度でＨＶ＝７０〜９０程度となっている。
【００３４】
また、蓋ブロック２Ａの外側主面にも凹状領域が存在するが、こちらは、後に説明する外部からの圧力が加わる面であるので加圧面ＡＳと呼称する。
【００３５】
なお、図１に示すように、冷却ブロック本体１Ａの一側面に、溝部４に通じる流入管５が接続されると共に、冷却ブロック本体１Ａの他側面にも、溝部４に通じる排出管６が接続されており、冷却液が流入管５を通じて溝部４に案内され、全ての溝部４を満たした後、排出管６より排出されるように構成されている。
【００３６】
ここで、半導体素子用冷却装置１０Ａを半導体素子に取り付けた状態を図３に示す。図３においては、半導体素子として円盤形状のＧＴＯサイリスタ１１を例示しており、ＧＴＯサイリスタ１１の２つの外部主電極１２の圧接面ＰＳ２に、それぞれ半導体素子用冷却装置１０Ａの圧接面ＰＳ３が接触するように半導体素子用冷却装置１０Ａが配設されている。
【００３７】
ＧＴＯサイリスタ１１の本体である素子部は絶縁筒１３の内部に配置されており、円盤形状の２つの外部主電極１２を外部からの圧力で内部方向に付勢し、素子部に設けられた内部主電極に圧接することで、電気的な接続を保つ構成になっている。半導体素子用冷却装置１０Ａも、この外部からの圧力によって外部主電極１２に圧接され、半導体素子用冷却装置１０Ａと外部主電極１２との接触を保つ構成となっている。
【００３８】
ここで、外部から加わる圧力は、９．８×１０６〜１４．７×１０６Ｐａ（１００〜１５０ｋｇｆ／ｃｍ２）であるが、圧接面ＰＳ３の表面硬度は、後述するような硬化処理を行うことで、ビッカース硬度でＨＶ＝７０〜９０程度となっているので、圧接によって圧接面ＰＳ３が変形するという事態は防止される。従って、ＧＴＯサイリスタ１１の使用に際して、外部から圧力が加えられた状態が長期間に渡って維持される場合であっても、半導体素子用冷却装置１０Ａおよび外部主電極１２の圧接面ＰＳ３およびＰＳ２において凹凸模様が形成されるということはなく、圧接力は均一に外部主電極１２の圧接面ＰＳ２に与えられ、ＧＴＯサイリスタ１１は十分冷却され、素子特性の劣化を招来することはない。
【００３９】
＜製造方法＞
ここで、以上説明した半導体素子用冷却装置１０Ａの製造方法について説明する。
まず、一方主面にくし歯状の冷却フィン部４ａを有した冷却ブロック本体１Ａを形成する。冷却フィン部４ａは、熱伝導性の良好な銅やアルミニウムのブロック材に切削加工を施し、所定深さの溝部４を縦横に複数形成することで得られる。本実施の形態では、銅を使用する例について説明する。なお、鍛造により冷却ブロック本体１Ａを形成しても良い。
【００４０】
次に、冷却ブロック本体１Ａに対応する矩形の平板状の蓋ブロック２Ａを準備し、ロウ材３を冷却ブロック本体１Ａと蓋ブロック２Ａとの間に挟んで、加熱することによりロウ材３を溶かして、冷却ブロック本体１Ａと蓋ブロック２Ａとを液密に接合する。
【００４１】
次に、図４に示すように、接合済みの冷却ブロック本体１Ａと蓋ブロック２Ａとを加圧成形用金型２０にセットする。
【００４２】
ここで、加圧成形用金型２０の構成について説明する。加圧成形用金型２０は、冷却ブロック本体１Ａおよび蓋ブロック２Ａを収容する有底無蓋の箱状の下金型２１と、下金型２１の上部開口部から挿入され、冷却ブロック本体１Ａおよび蓋ブロック２Ａを押圧する上金型２２とで構成されている。
【００４３】
下金型２１の内部形状は、冷却ブロック本体１Ａおよび蓋ブロック２Ａの輪郭形状にほぼ合致する形状であり、蓋ブロック２Ａが底部側に位置するように冷却ブロック本体１Ａおよび蓋ブロック２Ａを配置する。
【００４４】
下金型２１の底部の角部には逃げ溝２３が形成されており、冷却ブロック本体１Ａおよび蓋ブロック２Ａの挿入の際には空気抜きとして機能し、挿入をスムーズにできる。
【００４５】
上金型２２の先端部ＴＰは凸部になっており、上金型２２の内壁との間に隙間が形成されている。その差し渡し寸法はＧＴＯサイリスタ１１の外部主電極１２の直径より大きくなっている。そして、上金型２２の先端部の平面視輪郭形状が、冷却ブロック本体１Ａに相似する矩形形状であれば、図１に示すように平面視輪郭形状が矩形となった圧接面ＰＳ３が形成されることになる。なお、上金型２２の先端部の平面視輪郭形状は、ＧＴＯサイリスタ１１の外部主電極１２の直径より大きな直径を有する円形形状でも良い。
【００４６】
また、上金型２２の先端部ＴＰの平面度は５μｍ以下、上金型２２と下金型２１の平行度は２０μｍ以下となるよう製作されている。
【００４７】
ここで、製造工程の説明に戻る。上記のような加圧成形用金型２０に接合済みの冷却ブロック本体１Ａと蓋ブロック２Ａとをセットし、図中において矢示するように上金型２２を下降させて、圧力４．９×１０７Ｐａ〜９．８×１０７Ｐａ（５００〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ２）を加えると、上金型２２の先端部ＴＰが接触する冷却ブロック本体１Ａの表面が陥没し、凹状の圧接面ＰＳ３が形成され、半導体素子用冷却装置１０Ａが完成する。
【００４８】
この加圧成形工程により、ロウ付け工程に起因して軟化していた冷却ブロック本体１Ａおよび蓋ブロック２Ａが塑性変化し、その表面硬度はビッカース硬度でＨＶ＝７０〜９０程度となる。なお、軟化した状態の表面硬度は、ビッカース硬度でＨＶ＝４０〜６０程度あり、軟化する前の銅（タフピッチ銅）のビッカース硬度はＨＶ＝９０〜１００程度であるので、加圧成形工程により、軟化する前の硬度にまでほぼ回復したことになる。
【００４９】
このように、冷却ブロック本体１Ａの圧接面ＰＳ３の表面硬度を高めることで、圧接によって圧接面ＰＳ３が変形するという事態を防止できるので、冷却ブロック本体１Ａの圧接面ＰＳ３側の厚み、すなわち図３に示す寸法ｔを厚くする必要はなく、表面硬度が増加したことにより逆に薄くすることも可能となる。寸法ｔが薄くなれば、それに比例して伝導熱抵抗が低下し、半導体素子用冷却装置１０Ａの冷却能力が向上することになる。なお、加圧成形を行う場合、寸法ｔは５ｍｍ程度にすることもできる。
【００５０】
また、上金型２２の先端部ＴＰの平面度は５μｍ以下、上金型２２と下金型２１の平行度は２０μｍ以下に設定しているので、冷却ブロック本体１Ａの圧接面ＰＳ３の平面度は５μｍ以下、平行度は２０μｍ以下となり、加圧成形工程と同時に平面化工程も施されることになる。従って、従来のように、旋盤やフライス盤による切削加工や研磨加工を必要とする平面化工程が不要となり、加工時間を短縮して製造コストを削減することが可能となる。
【００５１】
なお、下金型２１の底部の角部には逃げ溝２３が形成されているので、加圧成形工程により、蓋ブロック２Ａの外側主面に凹状の加圧面ＡＳが形成されることになる。この面は冷却ブロック本体１Ａの圧接面ＰＳ３ほど、平面度や平行度は要求されないが、上述したように加圧成形用金型２０の加工精度が高く設定されているので、圧接面ＰＳ３に準じた平面度や平行度が得られることになる。
【００５２】
＜変形例＞
なお、以上説明した半導体素子用冷却装置１０Ａにおいては、上金型２２の先端部ＴＰは凸部になっており、上金型２２の内壁との間に隙間が形成されている例を示したが、これは、加圧によって冷却ブロック本体１Ａが圧縮された場合に、圧縮力の逃げ場とするものであり、結果的に圧接面ＰＳ３が凹状となっていた。
【００５３】
しかし、この圧縮力の逃げ場を形成せず、上金型２２の先端部ＴＰの差し渡し寸法を冷却ブロック本体１Ａの寸法とほぼ同じにすれば、圧接面ＰＳ３は凹状にはならない。
【００５４】
また、下金型２１の底部の角部に逃げ溝２３が形成されているが、これは必ずしも必要なものではなく、省略することもでき、その場合は加圧面ＡＳは凹状にはならない。
【００５５】
また、冷却ブロック本体１Ａが、くし歯状の冷却フィン部４ａを有した構造となっていたが、この構造はくし歯状に限定されるものではなく、Ｕ字状やうず巻き状であっても本願発明を適用することで同様の作用効果を得ることができる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明に係る請求項１記載の半導体素子用冷却装置によれば、第１の冷却ブロックと第２の冷却ブロックとが、ロウ付けにより接合され、ロウ付けに際しての加熱によりそれらの表面が軟化するような場合であっても、第１の冷却ブロックの他方主面の、少なくとも半導体素子の外部主電極の主面に圧接される圧接面の表面硬度が、加圧成形処理により、ビッカース硬度でＨＶ＝７０〜９０となるので、半導体素子の外部主電極の主面に圧接される圧力が、例えば９．８×１０６〜１４．７×１０６Ｐａ（１００〜１５０ｋｇｆ／ｃｍ２）である場合でも圧接によって圧接面が変形するという事態は防止される。従って、半導体素子の使用に際して、外部から圧力が加えられた状態が長期間に渡って維持される場合であっても、冷却流体用の流路の形状を反映した凹凸模様が半導体素子用冷却装置の圧接面に形成されるということはなく、半導体素子用冷却装置が外部主電極に均一に圧接され、半導体素子が確実に冷却され、素子特性の劣化を招来することが防止される。
【００５７】
本発明に係る請求項２記載の半導体素子用冷却装置の製造方法によれば、請求項１記載の半導体素子用冷却装置に適した製造方法が得られる。
【００５８】
本発明に係る請求項３記載の半導体素子用冷却装置の製造方法によれば、第１および第２の冷却ブロックの材質が、銅あるいはアルミニウム、またはこれらの合金の何れかである場合に、圧接面の表面硬度を、ビッカース硬度でＨＶ＝７０〜９０とすることができる。
【００５９】
本発明に係る請求項４記載の半導体素子用冷却装置の製造方法によれば、第１および第２の冷却ブロックの加圧成形と同時に他方主面、すなわち圧接面の平面度を５μｍ以下にすることができ、半導体素子用冷却装置に要求される平面度を満足することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体素子用冷却装置の平面構成を説明する図である。
【図２】本発明に係る半導体素子用冷却装置の断面構成を説明する図である。
【図３】本発明に係る半導体素子用冷却装置を半導体素子に取り付けた状態を示す図である。
【図４】本発明に係る半導体素子用冷却装置の製造工程を説明する図である。
【図５】従来の半導体素子用冷却装置の平面構成を説明する図である。
【図６】従来の半導体素子用冷却装置の断面構成を説明する図である。
【図７】従来の半導体素子用冷却装置を半導体素子に取り付けた状態を示す図である。
【図８】従来の半導体素子用冷却装置の問題点を説明する図である。
【図９】従来の半導体素子用冷却装置の問題点を説明する図である。
【図１０】従来の半導体素子用冷却装置の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
１Ａ  冷却ブロック本体（第１の冷却ブロック）、２Ａ  蓋ブロック（第２の冷却ブロック）、３  ロウ材、ＰＳ３  圧接面、１１  ＧＴＯサイリスタ（半導体素子）、１２  外部主電極、２０  加圧成形用金型、２１  下金型、２２  上金型、ＴＰ  先端部。
【図１】
0003629124.tif 000002
【図２】
0003629124.tif 000003
【図３】
0003629124.tif 000004
【図４】
0003629124.tif 000005
【図５】
0003629124.tif 000006
【図６】
0003629124.tif 000007
【図７】
0003629124.tif 000008
【図８】
0003629124.tif 000009
【図９】
0003629124.tif 000010
【図１０】
0003629124.tif 000011