(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレイクスルーエッチングとメインエッチングとオーバーエッチングを実施するエッチング方法であって、前記ブレイクスルーエッチングステップにおける一つの発光スペクトル強度に基づき、前記メインエッチングステップ及び前記オーバーエッチングステップにおけるエッチングパラメータを調整してエッチングを行うものであり、前記メインエッチングステップにおけるエッチングパラメータとしてのガス流量比を、ＣＤ−ｌｏｓｓをゼロに抑えるように調整し、前記調整したガス流量比で前記メインエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
アルミ合金のエッチング方法であって、前記アルミ合金表面のアルミナ層を除去するブレイクスルーエッチングステップと、前記アルミ合金のバルク部分をエッチングするメインエッチングステップと、前記アルミ合金のオーバーエッチング量に対応したエッチング時間だけエッチングを行うオーバーエッチングステップとを含み、前記ブレイクスルーエッチングステップにおける一つの発光スペクトル強度に基づき、前記メインエッチングステップ及び前記オーバーエッチングステップにおけるエッチングパラメータを調整してエッチングを行うものであり、前記メインエッチングステップにおけるエッチングパラメータとしてのガス流量比を、ＣＤ−ｌｏｓｓをゼロに抑えるように調整し、前記調整したガス流量比で前記メインエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。
【請求項３】
前記発光スペクトル強度はＡｌＣｌ*のラジカルの発光強度であることを特徴とする請求項２記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記オーバーエッチングステップは前記メインエッチングステップと同じエッチング条件で行うことを特徴とする請求項２または３記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高密度半導体集積回路の製造に用いるドライエッチング加工技術に係るエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路は、微細化の一途をたどり、加工技術であるドライエッチングには、ますます高精度な加工が求められている。
以下図面を参照しながら、従来のドライエッチング方法の一例について説明する。
【０００３】
図１０はシリコン基板（Ｓｉ基板）上のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 膜）をエッチングする従来のドライエッチング方法の一例の処理の流れを示す概略図であり、シリコン酸化膜のドライエッチング方法は、以下の工程１）〜５）からなり、各工程を図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
１）レジストパターン形成：図２（ａ）に示すように、Ｓｉ基板２１上に存在するＳｉＯ2 膜２２の上にエッチングマスクとなるレジスト２３のパターンを形成する。
【０００４】
２）寸法測定：１）レジストパターン形成にて形成したマスクの寸法を測定する。具体的には、図２（ａ）のレジスト２３の寸法（線幅）の測定のことで、レジスト２３の仕上がりが規定通りできているかどうかをチェックするために、寸法測定を行っている。
３）エッチング処理：図２（ｂ）に示すように、レジスト２３をマスクとしてＳｉ基板２１上のＳｉＯ2 膜２２をドライエッチングする。エッチング処理は、例えば図１０に示したように、ガス流量はＣＨＦ3 ：３０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ：３ｓｃｃｍとし、ガス圧力は３００ｍＴｏｒｒ、電極間距離は３０ｍｍ、基板温度は２０Ｃ、高周波電力は５００Ｗ、終点検出はＣＯの発光の２次微分係数がゼロになるところをとり、オーバーエッチングは３０％施す、というものである。
【０００５】
２次微分係数がゼロになるところというのは、エッチングが終了した時点を意味する。この点は図１１に示す。図１１において、（ａ）はレジスト開口部における被エッチング物がＳｉＯ2 膜２２である場合におけるＣＯの発光強度の時間的な変化を示し、（ｂ）は同図（ａ）の２次微分係数を示し、破線を引いている時点が、エッチングが終了して２次微分係数がゼロとなる時刻である。
【０００６】
また、オーバーエッチングが３０％というのは、被エッチング物であるＳｉＯ2 膜の膜厚を１００％としたときに、その膜厚に対して３０％分追加エッチングすることを意味する。
４）レジスト剥離：被エッチング物であるＳｉＯ2 膜２２のエッチング（メインエッチングおよびオーバーエッチング）が完了した後に、図２（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 膜２２上のレジスト２３を剥離する。
【０００７】
５）寸法測定：図２（ｃ）に示すように、レジスト２３の剥離後に、エッチング後のＳｉＯ2 膜２２の溝の間隔ｘの寸法測定を行い、ＳｉＯ2 膜のエッチングによる仕上がり寸法が規定通りできているかどうかをチェックする。
このドライエッチング方法によれば、ＣＯの発光の２次微分係数がゼロになる点を検出するという終点検出を行うことで、いろいろな膜厚ばらつき、エッチング速度のばらつきに関係なく、一定のオーバーエッチングを施すことができる。
【０００８】
これは、上記のようて終点検出を行うと、ウェハによって膜厚のばらつきがある場合においても、またエッチング速度がばらついた場合においても、エッチングが終了した時点を確実に検出することができ、この時点からオーバーエッチングを始めることができる。この際、所定の膜厚のＳｉＯ2 膜２２をエッチングする場合のエッチング開始時から終点検出されるまでの所要時間を１００％として、一定のオーバーエッチング処理を行うために、膜厚のばらつき、エッチング速度のばらつきに関係なく一定のエッチング処理を行うことができる。なお、一定のオーバーエッチングというのは、オーバーエッチング時間の間にエッチングされるであろうエッチング量が一定であることをいう。
【０００９】
図１０では、３０％のオーバーエッチングであるので、オーバーエッチング時間は、ＳｉＯ2 膜２２の膜厚の３０％をエッチングするのに要する時間であり、従来例では、エッチング速度が一定、つまりエッチングされる膜厚とエッチング時間とが比例関係にあることを前提としていて、３０％のオーバーエッチングは、エッチング開始時から終点検出されるまでの所要時間を１００％としたときに、その３０％に相当する時間だけエッチングをさらに行うことになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したようなドライエッチング方法では、つぎのような問題がある。
第１に、微細パターンでのＲＩＥ−ｌａｇと呼ばれる現象に対して、エッチング条件は、図１０に示したように、レジスト２３の寸法測定値に対しての反映がなされていないということである。ＲＩＥ−ｌａｇというのは、開口寸法が小さくなるにつれてエッチング速度が低下していく現象をいう。
【００１１】
レジスト２３の寸法測定値に対してエッチング条件の内容が反映されないと、寸法測定値の違いに関係なく、同じ条件（例えばレジストなしでＳｉＯ2 膜の前面エッチングを行う場合のエッチング速度を基にエッチング条件を作成し、終点検出も広い面でエッチングの終点検出を行う）でエッチング処理がなされることになる。
【００１２】
ところが、上記ＲＩＥ−ｌａｇがあるために、寸法測定時にレジスト２３の寸法が小さい場合には、レジスト２３間の微小な開口部の場所には、十分なエッチング処理がなされず、残渣として残ることが考えられる。これが問題となる。
第２に、ドライエッチングにおいては、エッチング開口面積（ウェハ上のレジストに覆われていない部分の面積のウェハ全面に対する割合）の大きさにより、加工形状が変化するという現象が起こるが、このような現象に対しては処理マージンを見込む程度の方法しか採れない。
【００１３】
上述のエッチング開口面積により加工形状が変化する現象というのは、例えばアルミ合金をエッチングする場合に、エッチング開口面積が大きいほどエッチング形状は逆テーパー状となり、エッチング開口面積が小さいほどエッチング形状は順テーパー状となる現象をいう。また、処理マージンを見込むというのは、小さい開口部でも所定のエッチングができるように、時間を長くするなどの処理を行うことをいうが、このような処理を行うと、処理条件が一定であるということであるから、開口寸法が大きい場合には、必要以上のエッチングを施すことになり、例えばＳｉＯ2 ／Ｓｉという構成でＳｉＯ2 をエッチングする場合に、Ｓｉのエッチング時間が長くなるということになる。したがって、Ｓｉの削れ量、格子欠陥等の量も大きくなる。
【００１４】
本発明の目的は、エッチング開口面積をエッチング処理条件に反映させ、エッチング開口面積に対応した最適なエッチングを行うことができるエッチング方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載のエッチング方法は、ブレイクスルーエッチングとメインエッチングとオーバーエッチングを実施するエッチング方法であって、ブレイクスルーエッチングステップにおける一つの発光スペクトル強度に基づき、メインエッチングステップ及びオーバーエッチングステップにおけるエッチングパラメータを調整してエッチングを行うものであり、メインエッチングステップにおけるエッチングパラメータとしてのガス流量比を、ＣＤ−ｌｏｓｓをゼロに抑えるように調整し、調整したガス流量比でメインエッチングを行うことを特徴とする。
この方法によると、ブレイクスルーエッチングステップにおける一つの発光スペクトル強度からメインエッチングおよびオーバーエッチングステップにおけるエッチングパラメータを決定し、発光スペクトル強度はエッチング開口面積に対応しているので、エッチング開口面積をエッチング処理条件に反映させることができ、エッチング開口面積に対応した最適なエッチングを行うことができる。
【００１７】
請求項２記載のエッチング方法は、アルミ合金のエッチング方法であって、アルミ合金表面のアルミナ層を除去するブレイクスルーエッチングステップと、アルミ合金のバルク部分をエッチングするメインエッチングステップと、アルミ合金のオーバーエッチング量に対応したエッチング時間だけエッチングを行うオーバーエッチングステップとを含み、ブレイクスルーエッチングステップにおける一つの発光スペクトル強度に基づき、メインエッチングステップ及びオーバーエッチングステップにおけるエッチングパラメータを調整してエッチングを行うものであり、メインエッチングステップにおけるエッチングパラメータとしてのガス流量比を、ＣＤ−ｌｏｓｓをゼロに抑えるように調整し、調整したガス流量比でメインエッチングを行うことを特徴とする。
この方法によると、ブレイクスルーエッチングステップにおける一つの発光スペクトル強度からメインエッチングおよびオーバーエッチングステップにおけるエッチングパラメータを決定し、発光スペクトル強度はエッチング開口面積に対応しているので、エッチング開口面積をエッチング処理条件に反映させることができ、エッチング開口面積に対応した最適なエッチングを行うことができる。
【００１８】
請求項３記載のエッチング方法は、請求項２記載のエッチング方法において、発光スペクトル強度はＡｌＣｌ*のラジカルの発光強度であることを特徴とする。
【００２０】
請求項４記載のエッチング方法は、請求項２または３記載のエッチング方法において、オーバーエッチングステップは前記メインエッチングステップと同じエッチング条件で行うことを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
以下図面を参照しながら、本発明の第１の実施の形態のドライエッチング方法について説明する。
図１はシリコン基板（Ｓｉ基板）上のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 膜）をエッチングする本発明のドライエッチング方法の第１の実施の形態における処理の流れを示す概略図であり、シリコン酸化膜のドライエッチング方法は、以下の工程１）〜５）からなり、各工程を図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【００２３】
１）レジストパターン形成：図２（ａ）に示すように、Ｓｉ基板２１上に存在するＳｉＯ2 膜２２の上にエッチングマスクとなるレジスト２３のパターンを形成する。
２）寸法測定：１）レジストパターン形成にて形成したマスクの寸法を測定する。具体的には、図２（ａ）のレジスト２３の寸法（線幅）の測定のことで、レジスト２３の仕上がりが規定通りできているかどうかをチェックするために、寸法測定を行っている。この際、レジストの寸法測定値をｄとする。
【００２４】
３）エッチング処理：図２（ｂ）に示すように、レジスト２３をマスクとしてＳｉ基板２１上のＳｉＯ2 膜２２をドライエッチングする。エッチング処理は、例えば図１に示したように、ガス流量はＣＨＦ3 ：３０ｓｃｃｍ、Ｏ2 ：３ｓｃｃｍとし、ガス圧力は３００ｍＴｏｒｒ、電極間距離は３０ｍｍ、基板温度は２０Ｃ、高周波電力は５００Ｗ、終点検出はＣＯの発光の２次微分係数がゼロになるところをとり、オーバーエッチングは従来例と同様に３０％施すが、３０％の決定の仕方が従来例とは異なり、図３の関係に従ってエッチング時間を決定するというものである。
【００２５】
図３は、エッチング深さ（Å）とエッチング時間（ｓｅｃ）との関係を示すグラフで、直線はエッチング時間とエッチング深さが比例する場合を示している。この直線関係は従来の考え方でのエッチング深さとエッチング時間の関係、つまりレジスト無しで全面エッチングするときのエッチング深さとエッチング時間の関係を示すことになる。また、図３の曲線は本発明でのエッチング深さとエッチング時間の関係を示す。つまり、レジスト２３の寸法測定値ｄが所定の値のときのエッチング深さとエッチング時間の関係を示す。図３の曲線は、寸法測定値ｄをパラメータとして、エッチング深さをｐとし、広い部分でのエッチング深さをｐ0 とし、ａを定数としたときに、次式から求められる（Proceeding of Microprocess Conferene 1988,p138) 。
【００２６】
ｐ＝１／（１／ａ×ｄ＋１／ｐ0 ）
この式で表されるエッチング深さは、実際のエッチング時間とエッチング深さの関係によく合致する。そして、エッチングの時間の決定は、図３の関係に従って決定する。
なお、広い部分でのエッチング深さｐ0 は、終点検出時間とエッチング速度（図３の直線の勾配）とから得られ、広い部分でのエッチング深さｐ0 をエッチング速度ｖ×時間ｔの積で表すと、以下のようになる。
【００２７】
ｐ＝１／｛１／ａ×ｄ＋１／（ｖ×ｔ）｝
上記のように、レジスト２３を設けた状態でのエッチングでは、エッチング深さとエッチング時間の関係は図３のように、リニアではなく、曲線関係であるので、従来のように直線で見積もっていたエッチング深さより浅い深さとなる。
図４には、レジスト２３の寸法測定値ｄをパラメータ（寸法小，寸法大，寸法∞）として、上式に従ったエッチング深さとエッチング時間の関係を示している。図４は、寸法測定値ｄが小さいほど曲率が大きくなって、エッチング深さの増加が少なくなっていることを示している。
【００２８】
ここで、図３を参照しながら、オーバーエッチング時間の決定方法について説明する。例えば、エッチング対象であるＳｉＯ2 膜２２の膜厚が１００００Åであり、膜厚の３０％分つまり３０００Å相当のオーバーエッチングを行う場合について説明する。終点検出は図３の直線の特性でエッチングされる部分で行われるので、直線が１００００Åのエッチング深さの位置と交わる点の時間が終点検出時間となり、図３では終点検出時間が２５０秒である。一方、実際のエッチングは、図３の曲線に従って進行するので、曲線が１３０００Åのエッチング深さの位置と交わる点の時間がオーバーエッチングの終了時刻となり、メインエッチングおよびオーバーエッチングを含めて４５０秒要するので、３０％のオーバーエッチングをかけるには、終点検出時から２００秒間（＝４５０−２５０）オーバーエッチングを施すことになる。したがって、レジスト２３の寸法測定値ｄに基づいて図３の曲線の関係に従ってオーバーエッチング時間が決められることになる。
【００２９】
４）レジスト剥離：被エッチング物であるＳｉＯ2 膜２２のエッチング（メインエッチングおよびオーバーエッチング）が完了した後に、図２（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 膜２２上のレジスト２３を剥離する。
５）寸法測定：図２（ｃ）に示すように、レジスト２３の剥離後に、エッチング後のＳｉＯ2 膜２２の溝の間隔ｘの寸法測定を行い、ＳｉＯ2 膜のエッチングによる仕上がり寸法が規定通りできているかどうかをチェックする。
【００３０】
このドライエッチング方法によれば、ＣＯの発光の２次微分係数がゼロになる点を検出するという終点検出を行い、さらにレジスト２３の寸法測定値ｄの大きさに基づき図３に従ってエッチング時間を決めているので、いろいろな膜厚ばらつき、エッチング速度のばらつきに関係なく、さらにレジストの寸法に関係なく一定のオーバーエッチングを施すことができる。
【００３１】
なお、上記のオーバーエッチング時間の決定に際して、レジストをマスクとしてエッチングしたときのレジストの寸法とエッチング深さの関係を示すテーブルに基づいて、レジストの寸法測定値からエッチング時間を算出してエッチングを行うことも可能である。このエッチング時間は以下のように算出できる。つまり、一次近似によりエッチング深さが求められるので、それをもとに、狙いのレジスト寸法の部分のエッチング深さをエッチングするのに要する時間を算出することができる。言い換えると、エッチング速度がテーブルより求められるので、それから、所定のエッチング深さをエッチングするための時間を算出できる。
【００３２】
表１にレジストの寸法とエッチング深さの関係を示すテーブルの一例を示す。
【００３３】
【表１】
0003679195.tif 000002
【００３４】
また、この時間の計算をエッチング制御装置あるいはＣＩＭ（Computer-Integrated-Manufacturing ）システム（コンピュータ総合生産システム）自体で自動計算してもよい。
〔第２の実施の形態〕
ここで、レジストの寸法測定値を基にエッチングパラメータを決める第２の実施の形態について、図５を参照して説明する。例えばアルミエッチングを考えた場合、ＡｌＣｌ* のラジカルの発光強度とエッチング面積（レジストに覆われていない面積）の関係は、図５のようになり、ＡｌＣｌ* のラジカルの発光強度からエッチング面積がわかる。一方、アルミエッチングでは、エッチングガスとしてＢＣｌ3 ＋Ｃｌ2 の混合ガスを用い、ＲＩＥによってエッチングする。この場合に、エッチング面積とＣｌ2 流量、エッチング形状の関係はおおよそ図６のようになる。なお、図３において、（ａ）には、ＳｉＯ2 膜上のＡｌを示し、（ｂ）はＡｌのエッチング壁の角度θとＣｌ2 流量、エッチング面積の関係を示している。つまり、Ｃｌ2 流量が増えるほどエッチング形状が逆テーパー形状になり、Ｃｌ2 流量が減るほどエッチング形状が順テーパー形状となる。また、エッチング面積が大きいほどエッチング形状が逆テーパー形状となり、エッチング面積が小さいほどエッチング形状が順テーパー形状となる。したがって、ＡｌＣｌ* のラジカルの発光強度を検出して、その値からエッチング面積を求め、Ａｌのエッチング形状ができるだけ９０度に近づくようにＣｌ2 流量を決定する。
【００３５】
この実施の形態によると、エッチング面積に応じてエッチングパラメータを変更しているので、エッチング形状を適正な状態にすることができる。
〔第３の実施の形態〕
以下、この発明の第３の実施の形態のドライエッチング方法について図面を参照しながら説明する。
【００３６】
図７は本発明の第３の実施の形態における多段階のエッチングステップを有するドライエッチング方法（アルミエッチング）の処理段階を示すフローである。以下、このフローについて説明する。
１）ブレイクスルーエッチング：ブレイクスルーエッチングを行い、このときに、特定波長、例えばＡｌＣｌ* のラジカルの発光強度を測定する。
【００３７】
２）メインエッチング：１）のブレイクスルーエッチング時に測定した発光強度をもとに、エッチングパラメータとしてガス流量比を調整した上で、メインエッチングを行う。
３）オーバーエッチング：２）メインエッチングと同じエッチング条件でオーバーエッチングをオーバーエッチング量に対応したエッチング時間だけ行う。つまり、ＡｌＣｌ* のラジカルの発光強度に基づいて設定したパラメータで、オーバーエッチングを行う。
【００３８】
ここで、多段階のエッチングステップを有するドライエッチングについてもう少し説明する。
例えばアルミ合金のエッチングの場合、通常表面にアルミナ層ができているが、これを除去しないとエッチングが進行しない。このため、ある程度、形状は犠牲にしたアルミナをエッチングするためのプロセス条件（プラズマ処理条件）でエッチングを行う（これが第１ステップのブレイクスルーエッチング）。つぎに、アルミ合金バルク部分をエッチングする。このバルク部分のエッチングは形状に留意したエッチング条件を選択する必要性がある。こうしたエッチング条件を第２ステップとして選択する（メインエッチング）。
【００３９】
上記の各エッチングにおけるエッチング条件は、ブレイクスルーエッチングにおけるＡｌＣｌ* のラジカルの発光強度に基づいて塩素流量等の一部のパラメータの変更が行われる他、概略以下の通りであり、エッチングのフローは図１のフローと同様である。
エッチング条件
ＣＨ3 Ｃｌ          ：  ５ｓｃｃｍ
Ｃｌ2               ：４５ｓｃｃｍ
ＢＣｌ3             ：３６ｓｃｃｍ
Ｎ2                 ：４５ｓｃｃｍ
ガス圧力            ：２５０ｍＴｏｒｒ
高周波電力          ：３００Ｗ
ここで、ブレイクスルーエッチングにおける発光強度とウェハのエッチング面積の関係は例えば図８に示すようになる。同図（ａ）は発光強度と波長の関係を示し、同図（ｂ）は発光強度および塩素流量とエッチング面積の関係を示している。同図から、発光強度が低いほどエッチング面積が小さく、発光強度が大きいほど、エッチング面積が大きいことが分かる。なお、図８には、ＣＤ−ｌｏｓｓが０のときの塩素流量とエッチング面積との関係も示している。なお、ＣＤ−ｌｏｓｓとは、寸法変換差のことで、レジスト寸法とエッチング寸法の差を示し、単位は横方向の距離を示す。
【００４０】
図９にはエッチング面積とエッチング形状（ＣＤ−ｌｏｓｓ）、ガス流量の関係を示す。つまり、図９には、エッチング面積をパラメータとして、ＣＤ−ｌｏｓｓと塩素流量の関係を示している。図９から、ＣＤ−ｌｏｓｓをゼロにする場合、エッチング面積が大きくなるに従って塩素流量を低く抑えなくてはならない。
【００４１】
なお、エッチング形状については、エッチング側壁の角度を見ると、ＣＤ−ｌｏｓｓが＋側ではエッチング側壁角度＞９０度、−側ではエッチング側壁角度＜９０度となり、エッチング形状は垂直な方が望ましい。それは、設計通りに寸法が仕上がるからである。
また、ＣＤ−ｌｏｓｓが正の値とは、寸法的にいうと、エッチング後寸法がレジスト寸法より太ることを示し、負の値とは、エッチング後寸法がレジスト寸法より細ることを意味し、０のときは、エッチング後寸法とレジスト寸法とが一致し、設計寸法通りに仕上がるので、好ましい。
【００４２】
この実施の形態では、図８および図９の関係から、メインエッチング条件はブレイクスルーエッチングにおける発光強度からメインエッチングの塩素流量を変更し、ＣＤ−ｌｏｓｓをゼロに抑えるようにする。
この実施の形態によると、ブレイクスルーエッチングステップにおける一つの発光スペクトル強度からメインエッチングおよびオーバーエッチングステップにおけるエッチングパラメータを決定し、発光スペクトル強度はエッチング開口面積に対応しているので、エッチング開口面積をエッチング処理条件に反映させることができ、エッチング開口面積に対応した最適なエッチングを行うことができる。
【００４３】
【発明の効果】
請求項１記載のエッチング方法によれば、ブレイクスルーエッチングステップにおける一つの発光スペクトル強度からメインエッチングおよびオーバーエッチングステップにおけるエッチングパラメータを決定し、発光スペクトル強度はエッチング開口面積に対応しているので、エッチング開口面積をエッチング処理条件に反映させることができ、エッチング開口面積に対応した最適なエッチングを行うことができる。
【００４４】
請求項２記載のエッチング方法によれば、ブレイクスルーエッチングステップにおける一つの発光スペクトル強度からメインエッチングおよびオーバーエッチングステップにおけるエッチングパラメータを決定し、発光スペクトル強度はエッチング開口面積に対応しているので、エッチング開口面積をエッチング処理条件に反映させることができ、エッチング開口面積に対応した最適なエッチングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明のドライエッチング方法における第１の実施の形態のフローを示す概略図である。
【図２】ＳｉＯ2 膜のエッチングの工程を示す概略断面図である。
【図３】第１の実施の形態におけるエッチング深さとエッチング時間の関係を示す特性図である。
【図４】レジスト寸法をパラメータとするエッチング深さとエッチング時間の関係を示す特性図である。
【図５】ラジカル発光強度とエッチング面積の関係を示す特性図である。
【図６】（ａ）はエッチング形状を示す概略図、（ｂ）はエッチング壁の角度と塩素流量およびエッチング面積の関係を示す特性図である。
【図７】この発明のドライエッチング方法における第３の実施の形態のフローを示す概略図である。
【図８】（ａ）はプラズマの発光強度と波長の関係を示す特性図、（ｂ）は発光強度および塩素流量とエッチング面積の関係を示す特性図である。
【図９】塩素流量とＣＤ−ｌｏｓｓの関係を示す特性図である。
【図１０】従来のドライエッチング方法のフローを示す概略図である。
【図１１】（ａ）はＣＯの発光強度の時間変化を示す特性図、（ｂ）は発光強度の２次微分係数の時間変化を示す特性図である。
【符号の説明】
２１    Ｓｉ基板
２２    ＳｉＯ2 膜
２３    レジスト
【図１】
0003679195.tif 000003
【図２】
0003679195.tif 000004
【図３】
0003679195.tif 000005
【図４】
0003679195.tif 000006
【図５】
0003679195.tif 000007
【図６】
0003679195.tif 000008
【図７】
0003679195.tif 000009
【図８】
0003679195.tif 000010
【図９】
0003679195.tif 000011
【図１０】
0003679195.tif 000012
【図１１】
0003679195.tif 000013