(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が半田付けによって部品搭載面に搭載された基板と、この基板と前記電子部品とを電磁遮蔽する導電性のキャップとを備えた高周波モジュールにおいて、
前記電子部品の間の基板上に絶縁樹脂が塗布されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記絶縁樹脂が、隣接する電子部品の固定用としても用いられていることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】
電子部品が半田付けによって部品搭載面に搭載された矩形の基板と、この基板と前記電子部品とを電磁遮蔽する導電性のキャップとを備え、前記キャップは、前記基板の４つの辺のそれぞれに対応する側壁と天板とからなり、かつ下面が開口した高周波モジュールにおいて、
前記キャップが、側壁の下端部において、部品搭載面に形成された接地電極に半田付けされているとともに、前記側壁の下端部に沿った方向において、前記接地電極の長さが前記下端部の長さより長く形成され、かつ、前記接地電極の両端部に絶縁樹脂が塗布されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項４】
前記側壁の下端部に沿った方向において、前記接地電極の長さが前記下端部の長さより短く形成され、かつ、前記接地電極の長手方向に沿って延長した位置であって、前記接地電極の端部の近傍位置に絶縁樹脂が塗布されていることを特徴とする請求項３記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記側壁の下端部に沿った方向において、前記接地電極が電極の形成されない非形成部を挟んで２分され、かつ、前記非形成部に絶縁樹脂が塗布されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記絶縁樹脂が、電子部品の固定用としても用いられていることを特徴とする請求項３から請求項５までのいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項７】
互いに対向する一対の側壁の下端部には、部品搭載面と平行となる平面部が形成され、かつ、前記平面部の形状が互いに対称形状であることを特徴とする請求項３から請求項６までのいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記側壁の下端面が接地電極に半田付けされるとともに、平面視において、前記キャップ形状が前記基板形状より小さく形成され、かつ、前記接地電極の幅が側壁の厚みの２倍より広く形成されていることを特徴とする請求項３から請求項６までのいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項９】
少なくとも４つの側壁の下端部が接地電極に接続されていることを特徴とする請求項３から請求項８までのいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
前記側壁の端部には切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項３から請求項９までのいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１１】
前記絶縁樹脂は、リフロー炉のプリヒートゾーンにおいては硬化しない状態に留まるとともに、前記リフロー炉のリフローゾーンにおいて硬化する熱硬化特性を有することを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１２】
前記基板の四隅のそれぞれには周面状の隅用凹部が形成されるとともに、前記基板の側面のそれぞれには周面状の辺用凹部が形成され、平面視において、前記隅用凹部が中心角度が９０度近傍となる扇状を呈するとともに、前記辺用凹部が略半円状を呈し、かつ、前記隅用凹部の周面の半径が前記辺用凹部の周面の半径より大きく形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１３】
前記基板の部品搭載面にはレジストが形成されるとともに、前記レジストの非形成部を介して、前記キャップが接地電極となるパターンランドに半田付けされ、かつ、互いに対向する前記側壁に対応する接地電極となる一対のパターンランドにあっては、前記レジストの非形成部の形状が対称形状に形成されていることを特徴とする請求項３から請求項１２までのいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１４】
前記電子部品の電極における部品搭載面に対応した面である接続面の形状に対し、前記部品搭載面に形成されるとともに前記接続面が接続される電極用接続ランドの形状を小さく形成したことを特徴とする請求項１から請求項１３までのいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１５】
前記電子部品の半田付け、および前記キャップの半田付けに鉛レス半田が用いられていることを特徴とする請求項３から請求項１４までのいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５までのいずれかに記載の高周波モジュールの製造方法であって、
複数の前記基板用のエリアに分割され、かつ前記エリアのそれぞれに前記電子部品と前記キャップとが搭載された綴り基板をリフローするリフロー工程と、
リフロー工程が終了した綴り基板の状態において、前記エリアを単位としてトリミングを行うトリミング工程と、
トリミング工程が終了した綴り基板を前記基板に分割する分割工程とからなることを特徴とする高周波モジュールの製造方法。
【請求項１７】
前記リフロー工程においては、前記綴り基板が、前記キャップが半田を介して前記基板に搭載された状態でリフローされることを特徴とする請求項１６記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１８】
前記半田が鉛レス半田である請求項１７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板と電子部品とを電磁遮蔽する導電性のキャップを備えた高周波モジュール、および、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高周波モジュールの従来技術について、特公平１１−８６６８号として開示された技術を含め、図１８を参照しつつ説明する。なお、同図における（ａ）から（ｅ）は、製造工程を示した斜視図、（ｇ）は完成品の外観を示す斜視図となっている。
【０００３】
（ａ）における符号９１７は、複数の基板用のエリアに分割された綴り基板となっている。また、（ｂ）における符号９１８は、高周波回路部を形成するための電子部品である。また、（ｄ）における符号９１９は、分割された基板を示している。また、（ｅ）における符号９２０は、基板９１９と電子部品９１８とを電磁遮蔽するための導電性のキャップを示している。
【０００４】
詳細には、（ａ）に示すように、綴り基板９１７の各エリアの所定の位置に半田ペーストが塗布される。次いで、（ｂ）に示すように、塗布された半田ペースト上に電子部品９１８が搭載される。そして、リフロー炉において半田ペーストが溶融される。このため、電子部品９１８は、エリアのそれぞれに形成されたパターン（図示を省略）を介して電気的に接続される。すなわち、エリア上に高周波回路部が形成される。次いで、（ｄ）に示すように、ダイシングにより、綴り基板９１７は、個々の基板９１９に分割される。そして、（ｅ）に示すように、凹部１９１１に対応する突起部２０１１が形成された導電性のキャップ９２０が、基板９１９に搭載される。また、凹部１９１１に形成され、接地電極となる金属膜に、突起部２０１１が、半田により電気的に接続される。そして、周波数を調整するためのレーザートリミングが行われた後、電気的な特性検査を経て、（ｇ）に示す完成品となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記技術を用いる場合には、以下に示す問題を生じていた。すなわち、図１９に示すように、工程Ｓ１１〜Ｓ１３においては、基板９１９は、個々に分割される以前の綴り基板９１７の状態にある。この状態において、電子部品９１８が基板９１９に半田接続される。
【０００６】
一方、Ｓ１５〜Ｓ１８の工程においては、基板９１９は、個々に分割された状態にある。つまり、キャップ９２０を基板９１９に搭載する工程Ｓ１５、キャップ９２０を基板９１９に半田付けする工程Ｓ１６、および、トリミングの工程Ｓ１７は、分割された基板９１９を対象として行われる。
【０００７】
つまり、キャップ９２０の搭載や半田付け、および、トリミングは、個々に分割された基板９１９ごとに繰り返される作業となる。従って、キャップ９２０の搭載や半田付け、および、トリミングは、作業回数が多くなる。また、分割された基板９１９を対象として、製造工程を自動化するには、多大な投資が伴うことになる。その結果、高周波モジュールの低コスト化を進めることが困難となっていた。
【０００８】
また、高周波モジュールは小型化が要求されているので、電子部品９１８の部品間距離が狭隣接となるように設計される場合が多い。同様に、キャップ９２０と電子部品９１８との距離も、狭隣接となるように設計される場合が多い。
【０００９】
一方、高周波モジュール内の半田は、従来、高温半田（例えば融点が２２０℃以上）が用いられていた。これに対し、高周波モジュールを購入したユーザの元でリフローが行われる場合、ユーザ側では融点が１８３℃の共晶半田を用いていた。つまり、ユーザの元でリフローが行われても、高周波モジュール内の半田は若干軟化するものの再溶融することはなく、従って、電子部品９１８やキャップ９２０が移動することはなかった。
【００１０】
ところが、最近では、地球環境等を考慮して、ユーザが鉛レス半田を用いてリフローを行うようになってきている。この鉛レス半田は、例えば融点が２２０℃のものを用いた場合、高周波モジュール内の半田付けに用いられている高温半田とほぼ同じ融点である。従って、高周波モジュールを購入したユーザの元で鉛レス半田を用いてリフローが行われると、高周波モジュール内の電子部品９１８およびキャップ９２０の半田接合部が再溶融し、電子部品９１８やキャップ９２０の移動が生じる。その結果、電子部品９１８相互における半田タッチや、キャップ９２０と電子部品９１８との間の半田タッチを招いており、これらの問題を解決して、品質の安定化が求められる状況下にある。
【００１１】
本発明は上記課題を解決するため創案されたものであって、その目的は、電子部品間の基板上に絶縁樹脂（絶縁接着剤）を塗布することにより、接着剤の塗布点数の削減と、リフロー時に発生するセルフアライメントによる部品間タッチの発生を抑制することのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００１２】
また、上記目的に加え、電子部品間の基板上に塗布した絶縁樹脂（絶縁接着剤）を電子部品の固定用としても用いることにより、リフロー時に発生するセルフアライメントによる部品間タッチの発生を抑制するとともに、電子部品の取り付けの機械的な強度を高めることのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００１３】
また、本発明の高周波モジュールは、部品搭載面に形成された接地電極にキャップを半田付けする構造とすることにより、個々の基板に分割されない状態において、キャップの取り付けとトリミングとを行うことのできる高周波モジュールを提供することにある。また、キャップの側壁の下縁の端部に絶縁樹脂（接着剤）を塗布することにより、リフロー時のセルフアライメントによる電子部品とキャップとの半田タッチの発生を抑制することのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００１４】
また、上記目的に加え、半田付け部に絶縁樹脂（接着剤）が絡まらないようにすることにより、リフロー時での接地電極とキャップの側壁との半田の接合不良の発生を防止することのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００１５】
また、上記目的に加え、電子部品およびキャップが狭隣接で設けられるときにも、半田タッチの発生を防止することのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００１６】
また、上記目的に加え、ダイシングのバラツキによるキャップ側壁への損傷を防止することのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００１７】
また、上記目的に加え、高周波特性を安定化することのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００１８】
また、上記目的に加え、リフロー時の熱量バランスの偏りの防止と熱伝達のバラツキの抑制とを行うことのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００１９】
また、上記目的に加え、リフローゾーンでの半田溶融時に発生するセルフアライメント効果を損なうことなく、電子部品やキャップの固定を実現し、ユーザでのリフロー時における電子部品間の半田タッチの発生や、電子部品とキャップとの間の半田タッチの発生を防止することのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００２０】
また、上記目的に加え、ツームストーンや位置ズレの発生、あるいは、電子部品相互の半田タッチの発生を抑制することのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００２１】
また、上記目的に加え、リフロー時のセルフアライメント効果を増大させることにより、キャップ内壁と電子部品との間の半田タッチの発生の防止、およびキャップ位置ズレの抑制を行うことのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００２２】
また、上記目的に加え、電子部品の位置ズレを防止することにより、電子部品を狭隣接間搭載するときにも、電子部品間の半田タッチの発生やツームストーンの発生を抑制することのできる高周波モジュールを提供することにある。
【００２３】
また、本発明は、綴り基板状態における工程を増加させることによって、ハンドリング作業の短縮を図ることにより、加工コストを低減することのできる高周波モジュールの製造方法を提供することにある。
【００２４】
また、上記目的に加え、キャップが基板上で半田を介して搭載されている状態でリフローすることにより、キャップに対するセルフアライメント効果を高めることのできる高周波モジュールの製造方法を提供することにある。
【００２５】
また、上記目的に加え、電子部品の半田付け、およびキャップの半田付けに鉛レス半田を用いることにより、地球環境に優しい高周波モジュールおよびその製造方法を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明に係る高周波モジュールは、電子部品が半田付けによって部品搭載面に搭載された基板と、この基板と前記電子部品とを電磁遮蔽する導電性のキャップとを備えた高周波モジュールにおいて、前記電子部品の間の基板上に絶縁樹脂（絶縁接着剤）が塗布されている。
【００２７】
すなわち、電子部品の間の基板上に絶縁樹脂が塗布されているので、リフロー時に発生するセルフアライメントによる部品間の半田タッチが、絶縁接着剤で阻止される。また、絶縁接着剤の塗布点数が削減される。
【００２８】
また、上記構成に加え、絶縁樹脂（絶縁接着剤）が、隣接する電子部品の固定用としても用いられている。
【００２９】
すなわち、リフロー時に発生するセルフアライメントによる部品間の半田タッチが、絶縁接着剤で阻止される。また、電子部品のそれぞれに対し、接着剤の量が確保されるので、電子部品の取り付けの機械的な強度を高めることができる。
【００３０】
また、本発明の高周波モジュールは、電子部品が半田付けによって部品搭載面に搭載された矩形の基板と、この基板と前記電子部品とを電磁遮蔽する導電性のキャップとを備え、前記キャップは、前記基板の４つの辺のそれぞれに対応する側壁と天板とからなり、かつ下面が開口した高周波モジュールにおいて、前記キャップが、側壁の下端部において、部品搭載面に形成された接地電極に半田付けされているとともに、前記側壁の下端部に沿った方向において、前記接地電極の長さが前記下端部の長さより長く形成され、かつ、前記接地電極の両端部に絶縁樹脂（絶縁接着剤）が塗布されている。
【００３１】
すなわち、キャップは部品搭載面に半田付けされる。このため、キャップを半田付けするに際し、基板を個々に分割することによって、基板の側面を露出させる必要がない。また、キャップの半田付けが終了したときには、トリミングを行うことができる。また、側壁の下端部の、下端部に沿った方向における端部と、接地電極との間隙が、絶縁接着剤によって、ほぼ塞がれた状態となる。このため、リフロー時に発生するセルフアライメントが生じるときにも、電子部品との間に半田タッチが生じることが阻止される。
【００３２】
また、上記構成に加え、キャップの側壁の下端部に沿った方向において、接地電極の長さが、下端部の長さより長く形成され、かつ、接地電極の両端部に絶縁樹脂（絶縁接着剤）が塗布された場合を示している。
【００３３】
すなわち、絶縁接着剤は電極の無いところに位置するので、半田は絶縁接着剤と絡まないようになる。このため、リフロー時での半田接合を損なう事態の発生が防止される。
【００３４】
また、上記構成に加え、キャップの側壁の下端部に沿った方向において、接地電極が、電極の形成されない非形成部を挟んで２分され、非形成部に絶縁樹脂（絶縁接着剤）が塗布されている。
【００３５】
すなわち、絶縁接着剤は電極の無いところに位置するので、半田は絶縁接着剤と絡まないようになる。かつ、リフロー時の熱で絶縁接着剤が軟化して周囲に滲むことが防止される。このため、リフロー時での接地電極と側壁の下端部との半田接合を損なう事態の発生が防止される。
【００３６】
また、上記構成に加え、互いに対向する一対の側壁の下端部には、部品搭載面と平行となる平面部が形成され、この平面部の形状を、互いに対称形状としている。
【００３７】
すなわち、搭載時に、キャップに位置ズレが生じた場合にも、リフローを行うと、セルフアライメント効果により、キャップの位置ズレが補正される。
【００３８】
また、上記構成に加え、キャップの側壁の下面が接地電極に半田付けされる構成において、平面視するとき、キャップの形状が基板の形状より小さく形成され、かつ、接地電極の幅が、側壁の厚みの２倍より広くされている。
【００３９】
すなわち、搭載時に、キャップに位置ズレが生じた場合にも、リフローを行うと、セルフアライメント効果により、キャップの位置ズレが補正される。また、接地電極の幅が、厚みの２倍となっているので、セルフアライメントを生じさせる半田の表面張力が、最大限に引き出される。また、ダイシング用の工具の通過経路と側壁との間に間隙が確保される。
【００４０】
また、上記構成に加え、キャップは、少なくとも４箇所において接地電極に接続されている。
【００４１】
すなわち、周波数が高くなるときにも、キャップによる電磁遮蔽が十分なものとなる。
【００４２】
また、上記構成に加え、側壁の端部に切り欠き部が形成されている。
【００４３】
すなわち、キャップが搭載された状態で、綴り基板の状態にある基板をリフロー炉に投入したときにも、切り欠き部において空気が通過するため、キャップの内部に熱風がバランスよく伝達される。
【００４４】
また、上記構成に加え、接着剤は、リフロー炉のプリヒートゾーンにおいては硬化しない状態に留まるとともに、リフロー炉のリフローゾーンにおいて硬化する熱硬化特性を有している。
【００４５】
すなわち、リフローゾーンでの半田溶融時に発生するセルフアライメント効果を損なうことなく、電子部品やキャップが基板に固定される。かつ、ユーザの元でリフローされるときには、電子部品やキャップは、固定された状態にある。
【００４６】
また、上記構成に加え、基板の四隅のそれぞれには周面状の隅用凹部が形成されるとともに、側面のそれぞれには周面状の辺用凹部が形成され、平面視においては、隅用凹部が中心角度が９０度近傍となる扇状を呈し、辺用凹部が略半円状を呈し、隅用凹部の周面の半径を辺用凹部の周面の半径より大きくしている。
【００４７】
すなわち、綴り基板の状態においてリフローするときには、熱量バランスが安定化されるとともに、熱伝達のバラツキが減少する。
【００４８】
また、上記構成に加え、基板の部品搭載面にはレジストが形成され、レジストの非形成部を介して、キャップが接地電極となるパターンランドに半田付けされる構成において、互いに対向する側壁に対応する接地電極となる一対のパターンランドにあっては、非形成部の形状が対称形状となっている。
【００４９】
すなわち、対向する非形成部の形状が対称となっているので、リフロー時のセルフアライメント効果が最大限に活かされる。
【００５０】
また、上記構成に加え、電子部品の電極における部品搭載面に対応した面である接続面の形状に対し、部品搭載面に形成されるとともに、前記接続面に接続される電極用接続ランドの形状を小さくしている。
【００５１】
すなわち、リフローにおける半田溶融時に発生するセルフアライメントの動きが規制される。
【００５２】
また、本発明に係る高周波モジュールの製造方法は、複数の基板用のエリアに分割され、かつ前記エリアのそれぞれに電子部品とキャップとが搭載された綴り基板をリフローするリフロー工程と、リフロー工程が終了した綴り基板の状態において、前記エリアを単位としてトリミングを行うトリミング工程と、トリミング工程が終了した綴り基板を基板に分割する分割工程とからなっている。
【００５３】
すなわち、個々に分割された基板に対する工程は、例えば、性能検査の工程などのように、少数の工程となる。
【００５４】
また、上記構成に加え、リフロー工程においては、綴り基板が、キャップが半田を介して基板に搭載された状態でリフローされる。
【００５５】
すなわち、リフローにおいて、半田溶融時に発生する表面張力が最大限に引き出され、セルフアライメント効果が高められる。
【００５６】
また、本発明に係る高周波モジュールおよびその製造方法では、電子部品の半田付け、およびキャップの半田付けに鉛レス半田を用いている。これにより、地球環境に優しい高周波モジュールおよびその製造方法を実現することができる。
【００５７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施例の形態を、図面を参照しつつ説明する。
【００５８】
図２は、本発明に係る高周波モジュールの一実施形態に使用される基板を示す平面図であり、具体的には、個々に分割される以前の綴り基板の状態にある場合を示している。
【００５９】
同図（ａ）は、電子部品が搭載される以前の状態を示しており、（ｂ）は、電子部品が搭載された状態を示している。また、１０１は綴り基板を示しており、１は、単位となる基板を示している。
【００６０】
基板１の部品搭載面１０５には、電子部品７ａ〜７ｃのための電極７ａａ，７ａｂ，〜，７ｃａ，７ｃｂ、および、電子部品７ｄ，７ｅのための電極が半田印刷されている。また、導電性のキャップのための接地電極２ａ，２ｂが半田印刷されている。また、絶縁樹脂である絶縁接着剤（以下、単に接着剤という）６ａ〜６ｇが、電極の半田印刷が終了した後において、塗布されている。そして後、電子部品７ａ〜７ｅが搭載される。なお、これらの半田印刷に用いる半田として、本実施形態では鉛レス半田を用いている。
【００６１】
図３は、導電性のキャップを示す形状図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）側面図である。
【００６２】
キャップ８は、基板１の４つの辺のそれぞれに対応する側壁８０ａ，８０ｂと、天板８９とを備えており、下面が開口した形状となっている。そして、このキャップ８は、側壁８０ａ，８０ｂの下端部８１ａ，８１ｂにおいて、部品搭載面に形成された接地電極２ａ，２ｂに半田付けされるようになっている。
【００６３】
すなわち、基板１は、綴り基板１０１の状態において、電子部品７ａ〜７ｅとキャップ８とが搭載された後、リフロー炉に投入され、図１に示すような実装完成品となる。
【００６４】
つまり、キャップ８は、部品搭載面１０５に形成された接地電極２ａ，２ｂに、その下端部８１ａ，８１ｂが半田接続される。従って、綴り基板１０１の状態において、基板１にキャップ８を半田付けすることができるようになっている。また、接着剤６ａ〜６ｇが塗布されていることで、リフロー時に発生する半田溶融時のセルフアライメントにより、狭隣接で設けられた電子部品７ａ〜７ｅの間に、半田タッチが発生することが防止される。また、ユーザの元で、図１に示す実装完成品がリフローされ、半田が再溶融するときにも、電子部品７ａ〜７ｅやキャップ８の間において、半田タッチの発生が防止される。
【００６５】
以上を要約すると、半田印刷と接着剤の塗布、および、電子部品７ａ〜７ｅとキャップ８との搭載が終了したときには、綴り基板１０１の状態において、複数枚の基板１を、一括してリフローすることができる。
【００６６】
すなわち、図４に示すように、綴り基板１０１の状態で、半田印刷（工程Ｓ１）、接着剤６ａ〜６ｇの塗布（工程Ｓ２）、電子部品７ａ〜７ｅの搭載（工程Ｓ３）、キャップ８の搭載（工程Ｓ４）、リフロー（工程Ｓ５）、トリミング（工程Ｓ６）までを行うことができる。従って、製造工程が効率化されるので、製造コストの大幅な低減に寄与できる。
【００６７】
図５は、電子部品と接着剤との関係を示す説明図である。
【００６８】
同図における構成は、接着剤が電子部品の間に塗布された場合を示している。すなわち、電子部品７ａと７ｂの間、７ｂと７ｃの間、７ｄと７ｅの間にのみ、接着剤６ｂ，６ｃ，６ｆが塗布されている。
【００６９】
このようにする場合、リフロー時に発生するセルフアライメントによる部品間の半田タッチが、接着剤で阻止されるので、不良発生が抑制され、歩留りの向上が図れる。また、接着剤の塗布点数が削減されることになる。
【００７０】
すなわち、従来のように、接着剤が塗布されない場合、部品を狭隣接間（０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ）配置にすると、リフロー時に発生するセルフアライメントにより、部品間に半田タッチが発生する。また、部品間が狭隣接のときには、半田タッチした製品の修理が難しく、歩留りの低下が余儀なくされていたが、これらの課題が解決されることになる。
【００７１】
図６は、電子部品と接着剤との関係を示す説明図である。
【００７２】
同図における構成は、電子部品のそれぞれの取り付け位置に対応して接着剤が塗布された場合を示している。すなわち、電子部品７ａ〜７ｅのそれぞれにおいては、部品搭載面との間、および、隣接する電子部品との間の双方に渡るように、接着剤６ｈ〜６ｌが塗布されている。
【００７３】
このようにする場合、リフロー時に発生するセルフアライメントによる部品間の半田タッチが、接着剤で阻止されるので、不良発生が抑制され、歩留りの向上が図れる。また、電子部品７ａ〜７ｅと接着剤６ｈ〜６ｌとが、１対１で相対するので、電子部品７ａ〜７ｅに対し、接着剤６ｈ〜６ｌの量を確保されるので、電子部品７ａ〜７ｅの取り付けの機械的強度アップが図れる。
【００７４】
図７（ａ），（ｂ）は、キャップの側壁と接着剤との関係を示す説明図である。
【００７５】
同図における構成は、キャップ８の側壁８０ａ，８０ｂの下端部８１ａ，８１ｂに沿った方向においては、接地電極２ａａ，２ｂａの長さが、下端部８１ａ，８１ｂの長さより長く形成され、接地電極２ａａ，２ｂａの端部に接着剤９ａａ，９ｂａが塗布された場合を示している。
【００７６】
すなわち、側壁８０ａに対応する接地電極２ａａの長さＬ２ａａは、側壁８０ａの下端部８１ａの長さＬ８１ａより長く形成されている。また、側壁８０ｂに対応する接地電極２ｂａの長さＬ２ｂａは、側壁８０ｂの下端部８１ｂの長さＬ８１ｂより長く形成されている。そして、接地電極２ａａ，２ｂａのそれぞれにおいては、端部の両側に接着剤９ａａ，９ｂａが塗布されている。
【００７７】
このようにする場合、側壁８０ａ，８０ｂの下端部８１ａ，８１ｂの、下端部８１ａ，８１ｂに沿った方向における端部と、接地電極２ａａ，２ｂａとの間隙が、接着剤９ａａ，９ｂａによって、ほぼ塞がれた状態となる。このため、リフロー時に発生するセルフアライメントが生じるときにも、電子部品７ａ〜７ｅとキャップ８との間に半田タッチが生じることが阻止される。従って、不良発生が抑制され、歩留りの向上が図れる。
【００７８】
図８（ａ），（ｂ）は、キャップの側壁と接着剤との関係を示す説明図である。
【００７９】
同図における構成は、キャップ８の側壁８０ａ，８０ｂの下端部８１ａ，８１ｂに沿った方向においては、接地電極２ａｂ，２ｂｂの長さが、下端部８１ａ，８１ｂの長さより長く形成され、接地電極２ａ，２ｂの端部に接着剤９ａａ，９ｂａが塗布された場合を示している。
【００８０】
すなわち、側壁８０ａに対応する接地電極２ａｂの長さＬ２ａｂは、側壁８０ａの下端部８１ａの長さＬ８１ａより短く形成されている。また、側壁８０ｂに対応する接地電極２ｂｂの長さＬ２ｂｂは、側壁８０ｂの下端部８１ｂの長さＬ８１ｂより短く形成されている。そして、接地電極２ａｂ，２ｂｂの長手方向に沿って延長した位置であって、かつ、接地電極２ａｂ，２ｂｂの端部の近傍位置には接着剤９ａｂ，９ｂｂが塗布されている。
【００８１】
このようにする場合、接着剤９ａｂ，９ｂｂは、電極の無いところに位置するので、クリーム半田１０ａ，１０ｂは接着剤９ａｂ，９ｂｂと絡まないようになる。このため、リフロー時での接地電極２ａｂ，２ｂｂと側壁８０ａ，８０ｂの下端部８１ａ，８１ｂとの半田接合を損なう事態の発生が防止され、安定した半田接合が可能となる。
【００８２】
図９は、キャップの側壁と接着剤との関係を示す説明図である。
【００８３】
同図における構成は、キャップ８の側壁８０ａ，８０ｂの下端部８１ａ，８１ｂに沿った方向において、接地電極が、電極の形成されない非形成部２１ａ，２１ｂを挟んで２分されている。そして、非形成部２１ａ，２１ｂに接着剤９ａｃ，９ｂｃが塗布された場合を示している。
【００８４】
すなわち、側壁８０ａに対応する接地電極は、２ａｃ−１と２ａｃ−２との２つの電極に分割され、その間には、電極の無いエリアである非形成部２１ａが設けられている。また、側壁８０ｂに対応する接地電極は、２ｂｃ−１と２ｂｃ−２との２つの電極に分割され、その間には、電極の無いエリアである非形成部２１ｂが設けられている。そして、非形成部２１ａ，２１ｂにのみ、接着剤９ａｃ，９ｂｃが塗布されている。
【００８５】
なお、非形成部２１ａ，２１ｂの形成方法については、エッチングによって、非形成部２１ａ，２１ｂとなる部分の金属膜を取り去る方法、などを用いることができる。
【００８６】
このようにする場合、接着剤９ａｂ，９ｂｂは、電極の無いところに位置するので、クリーム半田１０ｃ，１０ｄは接着剤９ａｃ，９ｂｃと絡まないようになる。かつ、リフロー時の熱で接着剤９ａｃ，９ｂｃが軟化して周囲に滲むことが防止される。このため、リフロー時での接地電極２ａｃ−１，２ａｃ−２，２ｂｃ−１，２ｂｃ−２と側壁８０ａ，８０ｂの下端部８１ａ，８１ｂとの半田接合を損なう事態の発生が防止され、安定した半田接合が可能となる。
【００８７】
図１０（ａ），（ｂ）は、キャップのセルフアライメント効果を示すための説明図である。
【００８８】
同図おける構成は、互いに対向する一対の側壁８０ｂの下端部８１ｂには、部品搭載面１０５と平行となる平面部８２が形成され、この平面部８２の形状を、互いに対称形状とした場合を示している。
【００８９】
すなわち、一対の側壁８０ｂの下端部８１ｂのそれぞれには、側壁８０ｂの下縁を折曲することによって、部品搭載面１０５と平行となる平面部８２が形成されている。また、この平面部８２の折り曲げ方向は、互いに対向した外方向となっている。また、平面部８２の幅は、互いに同一となっている。
【００９０】
このようにする場合、図１０の上部側に示したように、搭載時に、キャップ８に位置ズレが生じた場合にも、リフローを行った後では、図１０の下部側に示すように、キャップ８の位置ズレが補正される。これは、クリーム半田３１ａ，３１ｂの溶融時に発生する表面張力とキャップ８の自重との力関係により生じる補正力（セルフアライメント）によるものである。
【００９１】
なお、上記した構成（側壁８０ｂの下端部８１ｂに平面部８２を形成した構成）の場合では、側壁８０ｂの下端部８１ｂにおいて、部品搭載面１０５と平行となる面の面積が確保されるので、セルフアライメントを生じさせる半田の表面張力が、最大限に引き出されることになる。このため、電子部品７ａ〜７ｅとキャップ８とを、狭隣接間（０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ）搭載するときにも、半田タッチの発生が防止されるので、半田接続の安定と製造工程の歩留り向上が実現できる。
【００９２】
図１１（ａ），（ｂ）は、キャップのセルフアライメント効果を示すための説明図である。
【００９３】
同図おける構成は、キャップ８ｄの側壁８０ａ，８０ｂの下面８３ａ，８３ｂが接地電極２ａｄ，２ｂｄに半田付けされる構成において、平面視するとき、キャップ８の形状が基板１の形状より小さく形成され、かつ、接地電極２ａｄ，２ｂｄの幅ｌａ，ｌｂが、側壁８０ａ，８０ｂの厚みｔの２倍より広くした場合を示している。
【００９４】
すなわち、側壁８０ａ，８０ｂのそれぞれは、下端部８１ａ，８１ｂが折曲されることなく、下面８３ａ，８３ｂが、直接に、接地電極２ａｄ，２ｂｄに半田付けされるようになっている。また、接地電極２ａｄ，２ｂｄの各幅ｌａ，ｌｂは、キャップ８ｄを構成する金属板の厚みｔの２倍に形成されている。
【００９５】
このようにする場合、図１１の上部側に示したように、搭載時に、キャップ８ｄに位置ズレが生じた場合にも、リフローを行った後では、図１１の下部側に示すように、キャップ８ｄの位置ズレが補正される。これは、クリーム半田の溶融時に発生する表面張力とキャップ８ｄの自重との力関係により生じる補正力（セルフアライメント）によるものである。
【００９６】
なお、上記した構成（接地電極２ａｄ，２ｂｄの各幅ｌａ，ｌｂを、キャップ８ｄを構成する金属板の厚みｔの２倍にする構成）の場合では、接地電極２ａｄ，２ｂｄの幅ｌａ，ｌｂが、厚みｔの２倍となっているので、セルフアライメントを生じさせる半田の表面張力が、最大限に引き出されることになる。このため、電子部品７ａ〜７ｅとキャップ８ｄとを、狭隣接間（０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ）搭載するときにも、半田タッチの発生が防止されるので、半田接続の安定と製造工程の歩留り向上が実現できる。
【００９７】
また、綴り基板１０１の状態にある基板１を、ダイシングによって、個々の基板１に分割するときには、図１２に示すように、ダイシング用の工具の通過経路と側壁８０ａ，８０ｂとの間に、間隙ｘが確保される。このため、ダイシングにバラツキが生じるときにも、キャップ８ｄの側壁８０ａ，８０ｂにおける損傷の発生が防止されるので、製造工程の安定と歩留りの向上が図れる。
【００９８】
また、図７〜図１２を参照しつつ説明したように、キャップ８は、少なくとも４箇所において接地電極２ａ，２ｂに接続されている。すなわち、４つの側壁８０ａ，８０ｂの下端部８１ａ，８１ｂを介して、接地電極２ａ，２ｂに接続されている。このため、周波数が８００ＭＨｚ以上の高周波モジュールにおいても、高周波特性の安定化が図れ、安定した製品を提供することができる。
【００９９】
また、キャップ８の側壁８０ｂの下端部８１ｂにのみ平面部８２を形成し、側壁８０ａの下端部８１ａについては、平面部を形成しない構成（下端部８１ａにのみ平面部を形成し、下端部８１ｂについては、平面部を形成しない構成とすることもできる）としているので、高周波特性の安定化を損なうことなく、製品の小型化を行うことができる（下端部８１ａにも平面部を形成する場合では、この平面部の分だけ、形状が大きくなる）。
【０１００】
図１３は、キャップの詳細な形状を示す説明図であり、（ａ）は背面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は正面図、（ｄ）は側面図である。
【０１０１】
同図は、側壁８０ａ，８０ｂの下端部８１ａ，８１ｂに沿った方向において、側壁８０ａ，８０ｂの端部に切り欠き部４０ａ，４０ｂが形成された場合を示している。
【０１０２】
すなわち、側壁８０ａの下端部８１ａに沿っては、側壁８０ａの長手方向における両端部側に、下端部８１ａの方向に細長い切り欠き部４０ａａ，４０ａｂが形成されている。そして、下端部８１ａに沿った方向において、切り欠き部４０ａａ，４０ａｂの長さＬ４０ａａ，Ｌ４０ａｂと、側壁８０ａの長さＬ８ａとの関係が、
Ｌ４０ａａ＋Ｌ４０ａｂ≧（１／２）Ｌ８ａ
を満たすようになっている。
【０１０３】
また、側壁８０ｂの下端部８１ｂに沿っては、側壁８０ｂの長手方向における両端部側に、下端部８１ｂの方向に細長い切り欠き部４０ｂａ，４０ｂｂが形成されている。そして、下端部８１ｂに沿った方向において、切り欠き部４０ｂａ，４０ｂｂの長さＬ４０ｂａ，Ｌ４０ｂｂと、側壁８０ｂの長さＬ８ｂとの関係が、
Ｌ４０ｂａ＋Ｌ４０ｂｂ≦（１／２）Ｌ８ｂ
を満たすようになっている。
【０１０４】
このようにする場合、電子部品７ａ〜７ｅが搭載されるとともに、キャップ８が搭載された状態で、綴り基板１０１の状態にある基板１をリフロー炉に投入したときにも、切り欠き部４０ａａ，４０ａｂ，４０ｂａ，４０ｂｂにおいて空気が通過するため、キャップ８の内部に熱風をバランスよく伝達させることができるので、電子部品７ａ〜７ｅおよびキャップ８の半田付けが安定化されることになる。
【０１０５】
また、切り欠き部４０ａａ，４０ａｂ，４０ｂａ，４０ｂｂは、上記条件を満たす形状となっているので、キャップ８はキャップ８の内部を電磁遮蔽する。このため、所定の高周波特性が損なわれることなく確保されるため、高周波特性が安定化される。
【０１０６】
図１４は、リフロー温度プロファイルを示す説明図である。
【０１０７】
本実施形態において使用される接着剤は、リフロー炉のプリヒートゾーンにおいては硬化しない状態に留まるとともに、リフロー炉のリフローゾーンにおいて硬化する熱硬化特性を有している。
【０１０８】
すなわち、上記において説明した実施形態の全てにおいて使用される接着剤（電子部品７ａ〜７ｅの下面やキャップ８の側壁８０ａ，８０ｂの下縁の接着に用いた接着剤）は、リフロー炉のプリヒートゾーン５１である１５０℃近傍の温度範囲では硬化せず、リフローゾーン５２である２１０℃以上の温度範囲で硬化する熱硬化特性を備えている。このような接着剤としては、例えば株式会社弘輝製のセルフアライメント用接着剤ＪＵ−Ｒ１（成分：エポキシ系樹脂、粘度（Ｐｓ）：６００、構造粘性化：４．５、表面絶縁抵抗（Ω）：１×１０13以上、硬化条件：２１０〜２３０℃）を用いることができる。図１４は、主にこのＪＵ−Ｒ１のリフロー温度プロファイルを示している。すなわち、プリヒートゾーンである１５０℃近傍の温度範囲では硬化しないため、半田溶融時に発生するセルフアライメント効果を損なうことがなく、リフローゾーンである２１０℃以上の温度範囲で硬化する。
【０１０９】
このため、リフローゾーンでの半田溶融時に発生するセルフアライメント効果を損なうことなく、電子部品７ａ〜７ｅやキャップ８を基板１に固定することができる。かつ、ユーザの元で実施形態に対するリフローが行われるときには、電子部品７ａ〜７ｅやキャップ８は、既に硬化した接着剤によって固定されているので、半田再溶融時の電子部品間の半田タッチや、電子部品とキャップとの半田タッチが防止される。すなわち、品質の安定化と機械的強度を確保した高周波モジュールを提供することができる。
【０１１０】
図１５は、基板に形成された凹部の形状を示す説明図である。
【０１１１】
同図は、基板１の四隅のそれぞれには周面状の隅用凹部１１が形成されるとともに、基板１の側面のそれぞれには周面状の辺用凹部１２が形成された場合を示しており、平面視においては、隅用凹部１１が中心角度が９０度近傍となる扇状を呈し、辺用凹部１２が略半円状を呈している。また、隅用凹部１１の周面の半径が辺用凹部１２の周面の半径より大きくなっている。
【０１１２】
すなわち、隅用凹部１１は、基板１が個々に分割される以前の綴り基板１０１にある状態において、４枚の基板１の角が出会う位置を中心とする孔１１１の周面により形成されている。また、辺用凹部１２は、綴り基板１０１にある状態において、２枚の基板１が共有する辺を中心する孔１２１の周面により形成されている。そして、孔１１１の半径は、孔１２１の半径より大きくなっている。
【０１１３】
このため、綴り基板１０１の状態においてリフローするときには、熱量バランスが安定化されるとともに、熱伝達のバラツキが減少する。その結果、ツームストーンや位置ズレの発生、あるいは、電子部品７ａ〜７ｅ相互の半田タッチの発生が抑制されるので、製品品質が向上されるとともに、歩留りの向上を図ることができる。
【０１１４】
図１６は、基板に形成されたレジストの形状を示す説明図である。
【０１１５】
同図は、基板１の部品搭載面１０５にはレジストが形成され、前記レジストの非形成部Ｎ２ａ，Ｎ２ｂを介して、キャップ８が接地電極となるパターンランドＰ２ａ，Ｐ２ｂに半田付けされる場合を示している。そして、互いに対向する側壁８０ａ，８０ｂに対応する接地電極となる一対のパターンランドＰ２ａ，Ｐ２ｂにあっては、レジストの非形成部Ｎ２ａ，Ｎ２ｂの形状が対称形状となっている。
【０１１６】
すなわち、互いに対向する側壁８０ａに対応した接地電極となるパターンランドＰ２ａにおける非形成部Ｎ２ａの形状は、互いに対称となっている。また、互いに対向する側壁８０ｂに対応した接地電極となる一対のパターンランドＰ２ｂは、互いに非対称となるように形成されているが、パターンランドＰ２ｂにおける非形成部Ｎ２ｂの形状は、互いに対称となっている。なお、レジストは、エッチング等の方法により除去される。
【０１１７】
このため、接地電極２ａ，２ｂとなるパターンランドＰ２ａ，Ｐ２ｂを、任意の形状とするときにも、非形成部Ｎ２ａ，Ｎ２ｂの形状を、キャップ８の下端部８１ａ，８１ｂに対応した形状とすることができる。また、対向する非形成部Ｎ２ａ，Ｎ２ｂの形状が対称となっているので、リフロー時のセルフアライメント効果を最大限に活かすことができる。このため、キャップ８の内壁と電子部品７ａ〜７ｅとの半田タッチやキャップ８の位置ズレの発生を抑制することができ、安定した製造品質の確保ができる。また、歩留りの向上が図れる。
【０１１８】
図１７は、電子部品の電極形状と電極用接続ランドの形状との関係を示す説明図であり、（ａ）は電子部品の搭載前の状態、（ｂ）は電子部品を搭載した状態を示している。
【０１１９】
同図は、電子部品７ａ〜７ｃの電極Ｔ７ａａ，Ｔ７ａｂ，Ｔ７ｂａ，・・・における部品搭載面１０５に対向した面である接続面の形状に対し、部品搭載面１０５に形成されるとともに、前記接続面に接続される電極用接続ランド７ａａ，７ａｂ〜７ｃａ，７ｃｂの形状を小さくした場合を示している（ＣＲ７ａａ，ＣＲ７ａｂ〜ＣＲ７ｃａ，ＣＲ７ｃｂはクリーム半田を示している）。
【０１２０】
すなわち、電子部品７ｂの電極Ｔ７ｂａを例にとると、電極用接続ランド７ｂａは、その幅Ｗ１が、電極Ｔ７ｂａの幅Ｗ２より狭くなるように形成されている（その他の電極Ｔ７ａａ，Ｔ７ａｂ，・・・と電極用接続ランド７ａａ，７ａｂ〜７ｃａ，７ｃｂの関係についても同様となっている）。
【０１２１】
なお、電子部品７ａ〜７ｃを搭載するときには、押し込み荷重によって、電極用接続ランド７ａａ，７ａｂ〜７ｃａ，７ｃｂのそれぞれに対応して形成されたクリーム半田ＣＲ７ａａ，ＣＲ７ａｂ〜ＣＲ７ｃａ，ＣＲ７ｃｂに広がり（滲み出し）が生じる。このため、幅Ｗ１と幅Ｗ２との比率については、上記した広がりが生じるときにも、電子部品７ａ〜７ｃがクリーム半田によって繋がる恐れが発生しないように設定される。
【０１２２】
このため、リフローにおける半田溶融時に発生するセルフアライメントの動きが規制される。従って、電子部品を狭隣接（０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ）で搭載するときにも、電子部品の間の半田タッチ、位置ズレ、ツームストーン、等の発生が抑制され、製造品質の安定化と歩留りの向上が図れる。
【０１２３】
なお、本実施形態の高周波モジュールの製造方法について、図４を参照しつつ、改めて説明する。
【０１２４】
本製造方法は、複数の基板１用のエリアに分割され、かつ前記エリアのそれぞれに電子部品７ａ〜７ｅとキャップ８とが搭載された綴り基板１０１をリフローするリフロー工程（Ｓ５）と、リフロー工程（Ｓ５）が終了した綴り基板１０１の状態において、前記エリアを単位としてトリミングを行うトリミング工程（Ｓ６）と、トリミング工程（Ｓ６）が終了した綴り基板１０１を基板１に分割する分割工程（Ｓ７）とからなっている。
【０１２５】
このため、個々に分割された基板１に対する工程は、性能検査の工程（Ｓ８）のみとなり、それ以前の工程（Ｓ１〜Ｓ７）は、綴り基板１０１を加工対象とする工程となる。従って、１枚の綴り基板１０１が、例えば、３００枚の基板１に分割されるような構成の場合では、キャップ８を搭載する工程（Ｓ４）、および、トリミングの工程（Ｓ６）が、極めて簡単化される。かつ、キャップ８の半田付けの工程が、綴り基板１０１の状態で行われるリフローの工程（Ｓ５）において、完了する。このため、大幅にハンドリング作業の短縮が図れ、加工コストが低減されるので、高周波モジュールの価格を低価格とすることができる。
【０１２６】
また、図７〜図１２を参照しつつ説明したように、リフロー工程（Ｓ５）においては、綴り基板１０１が、キャップ８が半田を介して基板１に搭載された状態でリフローされる。すなわち、キャップ８が、クリーム半田（１０ａ〜１０ｄ等）を介して搭載された状態で、綴り基板１０１はリフローされる。このため、リフローにおいて、半田溶融時に発生する表面張力が最大限に引き出され、セルフアライメント効果が高められる。その結果、電子部品７ａ〜７ｅやキャップ８を、狭隣接（０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ）搭載するときにも、半田接続の安定と製造工程の品質向上と歩留り向上とが実現される。
【０１２７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る高周波モジュールは、電子部品が半田付けによって部品搭載面に搭載された基板と、この基板と前記電子部品とを電磁遮蔽する導電性のキャップとを備えた高周波モジュールにおいて、前記電子部品の間の基板上に絶縁樹脂（絶縁接着剤）が塗布されている。従って、電子部品の間の基板上に絶縁樹脂が塗布されているので、リフロー時に発生するセルフアライメントによる部品間の半田タッチが、絶縁接着剤で阻止される。また、絶縁接着剤の塗布点数を削減することができる。
【０１２８】
また、さらに、絶縁樹脂（絶縁接着剤）が、隣接する電子部品の固定用としても用いられている。従って、リフロー時に発生するセルフアライメントによる部品間の半田タッチが、絶縁接着剤で阻止される。また、電子部品のそれぞれに対し、接着剤の量が確保されるので、電子部品の取り付けの機械的な強度を高めることができる。
【０１２９】
また、本発明の高周波モジュールは、電子部品が半田付けによって部品搭載面に搭載された矩形の基板と、この基板と前記電子部品とを電磁遮蔽する導電性のキャップとを備え、前記キャップは、前記基板の４つの辺のそれぞれに対応する側壁と天板とからなり、かつ下面が開口した高周波モジュールにおいて、前記キャップが、側壁の下端部において、部品搭載面に形成された接地電極に半田付けされているとともに、前記側壁の下端部に沿った方向において、前記接地電極の長さが前記下端部の長さより長く形成され、かつ、前記接地電極の両端部に絶縁樹脂（絶縁接着剤）が塗布されている。すなわち、キャップは部品搭載面に半田付けされる。このため、キャップを半田付けするに際し、基板を個々に分割することによって、基板の側面を露出させる必要がない。また、キャップの半田付けが終了したときには、トリミングを行うことができる。また、側壁の下端部の、下端部に沿った方向における端部と、接地電極との間隙が、絶縁接着剤によって、ほぼ塞がれた状態となる。このため、リフロー時に発生するセルフアライメントが生じるときにも、電子部品との間に半田タッチが生じることを阻止することができる。
【０１３０】
また、さらに、キャップの側壁の下端部に沿った方向において、接地電極の長さが、下端部の長さより長く形成され、かつ、接地電極の両端部に絶縁接着剤が塗布された場合を示している。従って、絶縁接着剤は電極の無いところに位置するので、半田は絶縁接着剤と絡まないようになる。このため、リフロー時での半田接合を損なう事態の発生を防止することができる。
【０１３１】
また、さらに、キャップの側壁の下端部に沿った方向において、接地電極が、電極の形成されない非形成部を挟んで２分され、非形成部に絶縁接着剤が塗布されている。従って、絶縁接着剤は電極の無いところに位置するので、半田は絶縁接着剤と絡まないようになる。かつ、リフロー時の熱で絶縁接着剤が軟化して周囲に滲むことが防止される。このため、リフロー時での接地電極と側壁の下端部との半田接合を損なう事態の発生を防止することができる。
【０１３２】
また、さらに、互いに対向する一対の側壁の下端部には、部品搭載面と平行となる平面部が形成され、この平面部の形状を、互いに対称形状としている。従って、搭載時に、キャップに位置ズレが生じた場合にも、リフローを行うと、セルフアライメント効果により、キャップの位置ズレが補正されるので、電子部品とキャップとを狭隣接間搭載するときにも、半田タッチの発生を防止することができる。
【０１３３】
また、さらに、キャップの側壁の下面が接地電極に半田付けされる構成において、平面視するとき、キャップの形状が基板の形状より小さく形成され、かつ、接地電極の幅が、側壁の厚みの２倍より広くされている。従って、リフローを行うと、セルフアライメント効果により、キャップの位置ズレが補正される。また、接地電極の幅が、厚みの２倍となっているので、セルフアライメントを生じさせる半田の表面張力を、最大限に引き出すことができる。かつ、ダイシング用の工具の通過経路と側壁との間に間隙が確保される。このため、ダイシングにバラツキが生じるときにも、キャップの側壁における損傷の発生を防止することができる。
【０１３４】
また、さらに、キャップは、少なくとも４箇所において接地電極に接続されている。従って、周波数が高くなるときにも、キャップによる電磁遮蔽が十分なものとなり、高周波特性を安定化することができる。
【０１３５】
また、さらに、側壁の端部に切り欠き部が形成されている。従って、キャップが搭載された状態で、綴り基板の状態にある基板をリフロー炉に投入したときにも、切り欠き部において空気が通過するため、キャップの内部に熱風がバランスよく伝達される。このため、リフロー時の熱量バランスの偏りの防止と熱伝達のバラツキの抑制とを行うことができる。
【０１３６】
また、さらに、接着剤は、リフロー炉のプリヒートゾーンにおいては硬化しない状態に留まるとともに、リフロー炉のリフローゾーンにおいて硬化する熱硬化特性を有している。従って、リフローゾーンでの半田溶融時に発生するセルフアライメント効果を損なうことなく、電子部品やキャップの固定を実現し、ユーザでのリフロー時における電子部品の半田タッチの発生や、電子部品とキャップとの間の半田タッチの発生を防止することができる。
【０１３７】
また、さらに、基板の四隅のそれぞれには周面状の隅用凹部が形成されるとともに、側面のそれぞれには周面状の辺用凹部が形成され、平面視においては、隅用凹部が中心角度が９０度近傍となる扇状を呈し、辺用凹部が略半円状を呈し、隅用凹部の周面の半径を辺用凹部の周面の半径より大きくしている。従って、綴り基板の状態においてリフローするときには、熱量バランスが安定化されるとともに、熱伝達のバラツキが減少するので、ツームストーンや位置ズレの発生、あるいは、電子部品相互の半田タッチの発生を抑制することができる。
【０１３８】
また、さらに、基板の部品搭載面にはレジストが形成され、レジストの非形成部を介して、キャップが接地電極となるパターンランドに半田付けされる構成において、互いに対向する側壁に対応する接地電極となる一対のパターンランドにあっては、非形成部の形状が対称形状となっている。従って、リフロー時のセルフアライメント効果が最大限に活かされる。このため、キャップの内壁と電子部品との半田タッチの発生の防止とキャップの位置ズレの抑制とを行うことができる。
【０１３９】
また、さらに、電子部品の電極における部品搭載面に対応した面である接続面の形状に対し、部品搭載面に形成されるとともに、前記接続面に接続される電極用接続の形状を小さくしている。従って、リフローにおける半田溶融時に発生するセルフアライメントの動きが規制されるので、電子部品を狭隣接で搭載するときにも、電子部品の間の半田タッチや位置ズレやツームストーンの発生を抑制することができる。
【０１４０】
また、本発明に係る高周波モジュールの製造方法は、複数の基板用のエリアに分割され、かつ前記エリアのそれぞれに電子部品とキャップとが搭載された綴り基板をリフローするリフロー工程と、リフロー工程が終了した綴り基板の状態において、前記エリアを単位としてトリミングを行うトリミング工程と、トリミング工程が終了した綴り基板を基板に分割する分割工程とからなっている。従って、個々に分割された基板に対する工程は、例えば、性能検査の工程などのように、少数の工程となる。このため、大幅にハンドリング作業の短縮が図れるので、加工コストを低減することができる。
【０１４１】
また、さらに、リフロー工程においては、綴り基板が、キャップが半田を介して基板に搭載された状態でリフローされる。従って、リフローにおいて、半田溶融時に発生する表面張力が最大限に引き出されるので、キャップに対するセルフアライメント効果を高めることができる。
【０１４２】
また、さらに、電子部品の半田付け、およびキャップの半田付けに鉛レス半田を用いている。従って、地球環境に優しい高周波モジュールおよびその製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波モジュールの一実施形態の実装完成品を示す外観斜視図である。
【図２】実施形態に使用される基板を示す平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は導電性のキャップの形状を示す説明図である。
【図４】本発明に係る高周波モジュールの製造方法の一実施形態を示す工程流れ図である。
【図５】電子部品と接着剤との関係を示す説明図である。
【図６】電子部品と接着剤との関係を示す説明図である。
【図７】（ａ），（ｂ）はキャップの側壁と接着剤との関係を示す説明図である。
【図８】（ａ），（ｂ）はキャップの側壁と接着剤との関係を示す説明図である。
【図９】（ａ），（ｂ）はキャップの側壁と接着剤との関係を示す説明図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）はキャップのセルフアライメント効果を示すための説明図である。
【図１１】（ａ），（ｂ）はキャップのセルフアライメント効果を示すための説明図である。
【図１２】ダイシングによる切断位置とキャップの側壁との位置関係を示す説明図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）はキャップの詳細な形状を示す説明図である。
【図１４】リフロー温度プロファイルを示す説明図である。
【図１５】基板に形成された凹部の形状を示す説明図である。
【図１６】基板に形成されたレジストの形状を示す説明図である。
【図１７】（ａ），（ｂ）は電子部品の電極形状と接続ランドの形状との関係を示す説明図である。
【図１８】（ａ）〜（ｇ）は従来の製造方法の各工程を示す斜視図である。
【図１９】製造方法の従来技術を示す工程流れ図である。
【符号の説明】
１  基板
２ａ，２ｂ  接地電極
２ａａ，２ｂａ，２ａｂ，２ｂｂ  接地電極
２ａｃ，２ｂｃ，２ａｄ，２ｂｄ  接地電極
６ａ〜６ｌ  接着剤（絶縁樹脂）
７ａ〜７ｅ  電子部品
７ａａ，７ａｂ〜７ｃａ，７ｃｂ  電極
８  キャップ
１０ａ〜１０ｄ  クリーム半田
１１，１２  周面
２１ａ，２１ｂ  電極の非形成部
５１  プリヒートゾーン
５２  リフローゾーン
８０ａ，８０ｂ  側壁
８１ａ，８１ｂ  下端部
８２  平面部
８９  天板
９ａａ，９ｂａ  接着剤
１０１  綴り基板
１０５  部品搭載面
Ｎ２ａ，Ｎ２ｂ  レジストの非形成部
Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ  接地電極用のパターンランド
【図１】
0003698305.tif 000002
【図２】
0003698305.tif 000003
【図３】
0003698305.tif 000004
【図４】
0003698305.tif 000005
【図５】
0003698305.tif 000006
【図６】
0003698305.tif 000007
【図７】
0003698305.tif 000008
【図８】
0003698305.tif 000009
【図９】
0003698305.tif 000010
【図１０】
0003698305.tif 000011
【図１１】
0003698305.tif 000012
【図１２】
0003698305.tif 000013
【図１３】
0003698305.tif 000014
【図１４】
0003698305.tif 000015
【図１５】
0003698305.tif 000016
【図１６】
0003698305.tif 000017
【図１７】
0003698305.tif 000018
【図１８】
0003698305.tif 000019
【図１９】
0003698305.tif 000020