(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に窒化物系化合物半導体層を積層してなる窒化物系化合物半導体レーザであって、
活性層を含むメサの外側を埋め込み層で埋め込み、基板表面と平行方向に屈折率差を利用して作り付けられた反導波型の第１の導波構造と、発振光に対して損失を有する材料、又は第１の導波構造を形成する埋め込み層とは異なる屈折率を有する材料からなり、第１の導波構造の外側に形成され、基本横モード以外の高次のモードを吸収する第２の導波構造とを具備してなることを特徴とする窒化物系化合物半導体レーザ。
【請求項２】
第１の導波構造における埋め込み層の基板表面と平行な方向の厚さを、１〜４μｍの範囲に設定したことを特徴とする請求項１記載の窒化物系化合物半導体レーザ。
【請求項３】
第１の導波構造が半導体層から形成されており、第２の導波構造が半導体層又は半導体以外の材料から形成されていることを特徴とする請求項１記載の窒化物系化合物半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化合物半導体材料を用いた半導体素子に係わり、特にＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＧａＮなど窒素を含む化合物半導体からなる窒化物系化合物半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高密度光ディスクシステム等への応用を目的として短波長の半導体レーザの開発が進められている。この種のレーザでは、記録密度を高めるために発振波長を短くすることが要求されている。短波長の半導体レーザとしてＩｎＧａＡｌＰ材料による６００ｎｍ帯光源は、ディスクの読み込み、書き込みのどちらも可能なレベルにまで特性改善され、既に実用化されている。
【０００３】
また、さらなる記録密度向上を目指して青色体半導体レーザの開発が盛んに行われており、既にＩＩ−ＶＩ族系による半導体レーザは発振動作が確認された。しかし、信頼性が１００時間程度にリミットされるなど実用化への障壁は多く、また波長も４８０ｎｍ以下は作ることが困難であるなど、次世代の光ディスクシステム等への応用には材料的なリミットが数多く存在する。
【０００４】
一方、ＧａＮ系半導体レーザは、３５０ｎｍ以下まで短波長が可能で、信頼性に関してもＬＥＤにおいて１万時間以上の信頼性が確認されるなど有望であり盛んに研究、開発が行われている。室温での電流注入によるレーザ発振も確認された。このようにナイトライド系は、材料的に次世代の光ディスクシステム光源必要な条件を満たす優れた材料である。
【０００５】
光ディスクシステム等へ応用可能にするためには、レーザの発振ビーム特性が重要となり、発光部に接合平面に平行方向に横モード制御構造を形成することが必須となる。横モード制御構造は通常活性層を一部残し、異なる屈折率を有する半導体層で埋め込むなどの方法で作り付けることができる。
【０００６】
ところが、ＢＨ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｈｅｔｅｒｏ  ）構造のような実屈折率導波型では、高次モードがカットオフとなるようにメサ幅を波長程度に低減する必要があるが、発振波長がそもそも短いため、〜０．５μｍ程度の極めて狭いメサ幅の制御が必要となる。このような狭い幅の半導体レーザを製作すること自体プロセス上困難であり、歩留まりも極めて悪く、素子抵抗は５０Ωを越える大きなものとなり、レーザ発振自身が困難となる。そして、例え発振しても、著しく素子の信頼性は損なわれていた。
【０００７】
なお、埋め込み層を発振光に対して損失を持つ材料で形成すれば、高次モードはカットオフとなるため、メサ幅を数μｍ程度にまで広くする設計は可能となる。しかし、この場合は基本モードも光損失を受けるため、しきい値が上昇する問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、ＧａＮ系材料を用いた横モード制御レーザにおいては、メサ幅を極めて狭くする必要があり、プロセスが非常に困難であるという問題点があった。また、メサ幅を広くするために、埋め込み層として発振光に対して損失を持つ材料を用いると、しきい値が上昇する問題があった。
【０００９】
本発明は、上記の事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、メサ幅を極端に狭くすることなく特性の優れた横モード制御を実現することができ、かつしきい値の低減をはかり得る窒化物系化合物半導体レーザを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
（構成）
本発明の骨子は、サファイアなどの基板上に構成された窒化物系系半導体レーザ素子の構造に関して、基本横モードを得るための導波構造とは別に高次のモードをカットオフするための導波構造を別に作りつけ、基本モードと高次モードを選択的に制御することにより、プロセス上の許容度、再現性も確保したレーザの寸法を実現し、良好な特性を得るようにするものである。
【００１１】
即ち本発明は、基板上に窒化物系化合物半導体層を積層してなる窒化物系化合物半導体レーザであって、活性層を含むメサの外側を埋め込み層で埋め込み、基板表面と平行方向に屈折率差を利用して作り付けられた反導波型の第１の導波構造と、発振光に対して損失を有する材料、又は第１の導波構造を形成する埋め込み層とは異なる屈折率を有する材料からなり、第１の導波構造の外側に形成され、基本横モード以外の高次のモードを吸収する第２の導波構造とを具備してなることを特徴とする。
【００１２】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものがあげられる。
（１）  第１の導波構造と第２の導波構造との間隔、即ち第１の導波構造における埋め込み層の接合面と平行な方向の厚さを、１〜１０μｍの範囲に設定したこと。
（２）  第１の導波構造と第２の導波構造との間隔、即ち第１の導波構造における埋め込み層の接合面と平行な方向の厚さを、１〜４μｍの範囲に設定したこと。
【００１４】
(3) 第１の導波構造が半導体層から形成されており、第２の導波構造が半導体以外の材料から形成されていること。
(4) 第１の導波構造及び第２の導波構造共に、半導体層から形成されていること。
【００１５】
(5) 窒化物系化合物半導体層は、Ｉｎx Ａｌy Ｇａz Ｎ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１）であること。
(6) 基板は、サファイア又はＳｉＣであること。
【００１６】
（作用）
本発明によれば、第１の導波構造の外側に第２の導波構造を設け、この第２の導波構造により基本横モード以外の高次のモードに大きな損失を持与えるか、モードが立ちにくくしているので、基本モードに損失を与えることなく高次モードをカットオフすることができる。そしてこの場合、メサ幅を極端に狭くしなくても高次モードがカットオフとなることから、メサ幅は十分広くでき、歩留まりの向上と共に素子抵抗の低減をはかることができる。さらに、基本モードは損失を受けないため、しきい値が上昇する不都合もない。従って、プロセスの再現性に優れ製造が優しく、低しきい値動作が可能となり、その有用性は大である。
【００１７】
また、第１の導波構造を反導波構造とすることで、さらにプロセスの許容度を確保することができる。また、半導体層により導波構造を形成することで自己整合型のプロセスを可能にしたり、一部半導体以外の材料を適宜採用することで再成長などを省略化することも可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によつて説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図である。
【００１９】
各窒化物層は全てＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により成長を行った。成長条件に関して、圧力は常圧、バッファ層以外のＧａＮ，ＡｌＧａＮ層の成長は、基本的には窒素，水素，アンモニアを混合した雰囲気で１０００℃から１１００℃の範囲、活性層を含む成長は、窒素とアンモニア雰囲気で７００℃から８５０℃の範囲とした。
【００２０】
図中１１はサファイア基板であり、１２は低温成長（５５０℃）のＧａＮバッファ層（厚さ０．０３μｍ）である。１３は高温（１１００℃）で成長したｎ−ＧａＮコンタクト層（Ｓｉドープ；５×１０１８ｃｍ−３、厚さ３μｍ）、１４はＡｌ／Ｔｉ／Ａｕからなるｎ側電極、１５はｎ−Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層（Ｓｉドープ；１×１０１８ｃｍ−３、厚さ０．３２μｍ）である。１６は多重量子井戸構造（ＭＱＷ）と光ガイド層を含む活性層部であり、厚さ０．０５μｍのＧａＮからなる光ガイド層を有し、井戸層は３ｎｍ厚のＩｎ０．２０Ｇａ０．８０Ｎの５層からなり、バリヤ層は厚さ６ｎｍのＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎから構成される。
【００２１】
１７はｐ−Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層（Ｍｇドープ；５×１０１９ｃｍ−３、厚さ０．３５μｍ）、１８はｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層（Ｍｇドープ；５×１０１９ｃｍ−３、厚さ０．３μｍ）である。１９は再成長により形成したｐーＧａＮ埋め込みコンタクト層（Ｍｇドープ；８×１０１９ｃｍ−３、厚さ０．８μｍ）であり、最上部を高濃度化（Ｍｇドープ；２×１０２０ｃｍ−３、厚さ０．１μｍ）している。２０はＰｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極、２１はＳｉＯ２  誘電体膜、２２はＡｕ電極パッド。なお、サファイア基板１１には（０００１）ｃ面を用いており、レーザミラーはへき開により形成している。
【００２２】
本構造を実現するには、図中１２から１８までの結晶成長後、光リソグラフィ技術とドライエッチング技術を用いて図中１６〜１８が示すような第１のメサを形成後、１９，２０の層を再成長した。その後、光リソグラフィ技術とドライエッチング技術を繰り返し用いて、第１のメサの外側に第２のメサを形成し、さらに開口部を有する誘電体膜２１上に電極パッド２２を形成し、コンタクト層１３上にｎ側電極１４を形成した。
【００２３】
ここで、接合面と平行な方向において、第１及び第２のメサ、即ち第１のメサと埋め込みコンタクト層１９で第１の導波構造が形成され、電極パッド２２で第２の導波構造が形成されることになる。第１の導波構造における第１のメサの幅、即ち残した活性層の幅は３μｍ、外側のメサ（第２のメサ）の幅は６μｍとした。第２のメサの外側には電極パッド２２としてのＡｕが接触している。
【００２４】
本構造は、活性層部分のクラッドを含む実効屈折率は第１のメサの埋め込み層であるＧａＮよりも小さい、反導波構造となっている。活性層部分で定常解として立つモード光は基本モード、高次モード共にＧａＮ部分にしみ出すが、高次モードは基本モードよりも外側に広がるため、その外側のＡｕで吸収を受け、カットオフとなる。導波構造よりも反導波構造の方が高次モードの広がりが大きいため、メサ幅を広くかつ外側のメサとの間隔も広く取れる。一方でしきい電流値自身は電流注入面積を小さくした方がある範囲までは低減できるので、プロセスの精度を高めれば、内側のメサ幅は１μｍ程度にまでは狭くできる。
【００２５】
第１の導波構造と第２の導波構造の間隔、即ち内側のメサと外側のメサの間隔（本実施形態ではＧａＮ埋め込みコンタクト層１９の厚さとなる）は大きいほどプロセス許容度は増すが、しみ出した高次モード光の電界強度が小さくなり過ぎるとカットオフが不可能となるため、適した領域が存在する。本実施形態のようにプロセスで作り付ける場合は１μｍ以上が再現性の上からも必要となり、上限としてカットオフが必要な１０μｍ以下、更には発振波長の１０倍程度以下、約４μｍ以下が望ましい。なお、後述するような自己整合型の場合は下限条件は断面構造にも依存し、１μｍ以下の設定も可能である。
【００２６】
本実施形態では内側のメサ幅は３μｍの場合、しきい値６５ｍＡで室温連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は５．５Ｖであった。メサ幅を１μｍとした場合、しきい値は３５ｍＡまで下がったが動作電圧は７Ｖまで上昇した。ビーム特性は単峰であり、非点隔差は５μｍと十分小さな値が得られた。最高光出力は連続発振で１０ｍＷまで得られ、信頼性に関しても室温で１０００時間以上安定に動作した。
【００２７】
これらの特性は、基板は下のままヒートシンクにボンディングした構造で得られた。実際のプロセスでは内側のメサは必ずしも外側のメサの中心に位置せず、フォトリソグラフィプロセスの際の位置ずれにより、偏心することもあるが、高次モードが立ちにくい方向となるので素子特性上、大きな問題は生じない。
【００２８】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図である。ここではメサ構造付近の構造を拡大して示している。また、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００２９】
各窒化物層は、全て第１の実施形態と同様に、ＭＯＣＶＤ法により成長を行った。成長条件等も同様である。そして、図中の１３〜２０までの各窒化物層の形成を行った後に、第２のメサはチャネル型に掘り込むことで形成した。誘電体膜２１及び電極パッド２２も第１の実施形態と同様にして形成した。
【００３０】
本実施形態では、レーザ構造のｐ側部分は比較的平坦にすることができる。そして、このレーザを接合面（ｐ側）をヒートシンクにマウントしたところ、しきい電流値やビーム特性は第１の実施形態と同様であったが、最高連続発振温度は５０℃から８０℃まで高くすることができた。信頼性試験も高温で試すことが可能となり、５０℃で１０００時間以上安定に動作するのを確認した。
【００３１】
（第３の実施形態）
図３は、本発明の第３の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図である。ここでも第２の実施形態と同様に、メサ構造付近の構造を拡大して示している。また、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３２】
各窒化物層は、全て第１、第２の実施形態と同様に、ＭＯＣＶＤ法により成長を行った。成長条件等も同様である。本実施形態では、第２の実施形態と同様に第２のメサをチャネル型に掘り込むことで形成したが、これに加えてチャネル内にＺｎＯ膜２３を形成し、これを第２の導波路構造として用いた。
【００３３】
即ち、Ａｕパッド２２を形成する前に全面にＺｎＯ膜２３をスピンコートにより形成し、ＲＩＥによりバックエッチングすることでチャネル中のみにＺｎＯ膜２３を残した。ここで、ＺｎＯのバンドギャップは３．３５ｅＶとＧａＮと類似であるが、スピンコートによる膜形成ではバンドギャップにだれを生じ、発振波長光に適度な吸収を持たせることができる。
【００３４】
本実施形態では、非常に横モードの制御性が良くなり、キンクなどのモードの不安定性は殆ど観察されなかった。これは、Ａｕを用いて高次モードに吸収を持たせるよりも、ＺｎＯを用いることにより吸収がより大きくなったためと考えられる。この吸収層はスピンコートで形成するポリイミドなど有機系のものでも良い。また、ＣＶＤ法によりポリＳｉなどをつけても良く、Ｗ，Ｍｏなどの金属を用いても良い。本構造では種々の吸収層が適用可能である。
【００３５】
（第４の実施形態）
図４は、本発明の第４の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３６】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第１のメサの埋め込みをＧａＮコンタクト層１９ではなく、ｐ−Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎ層２４（Ｍｇドープ；５×１０１９ｃｍ−３、厚さ０．４５μｍ）で行ったことにある。このｐ−ＡｌＧａＮ埋め込み層２４はｐ−ＧａＮコンタクト層１９を成長する前に第１のメサ上にＳｉＯ２  ストライプを残し、選択成長を行うことで形成した。
【００３７】
また、ｐ−ＡｌＧａＮ埋め込み層２４を形成したことにより、ｐ−ＧａＮコンタクト層１９の厚さは０．５μｍと第１の実施形態よりも薄くした。さらに、第１の導波構造における第１のメサの幅、即ち残した活性層１６の幅は１．５μｍ、外側のメサ（第２のメサ）の幅は３μｍとした。
【００３８】
本実施形態では、活性層部分のクラッドを含む実効屈折率は第１のメサの埋め込み層であるＡｌＧａＮよりも大きい、導波構造となっている。そしてこの場合、しきい値２５ｍＡで室温連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は５．５Ｖであった。ビーム特性は単峰であり、非点隔差は３μｍと十分小さな値が得られた。最高光出力は連続発振で１０ｍＷまで得られ、信頼性に関しても室温で１０００時間以上安定に動作した。
【００３９】
これらの特性は、基板は下のままヒートシンクにボンディングした構造で得られた。本実施形態では、埋め込み層をｐ−ＡｌＧａＮとしたためｎ−ＡｌＧａＮとの接合でのビルトインポテンシャルが大きくなり、活性層外側でのリーク電流を低減できる。また、埋め込み層のＡｌＧａＮはＺｎなどをドープした高抵抗層としても良い。
【００４０】
（第５の実施形態）
図５は、本発明の第５の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００４１】
図中の１１〜２２は第１の実施形態で説明したのと同じであり、２５はＺｎドープの高抵抗ＧａＮ埋め込み層である。但し、Ａｕ電極パッド２２はｐ側電極を兼ねている。製造方法は今までの実施形態と類似である。メサの幅、即ち残した活性層１６の幅は２μｍとした。本構造は、活性層部分のクラッドを含む実効屈折率はメサの埋め込み層２５であるＧａＮよりも小さい、反導波構造となっている。
【００４２】
本実施形態では、外側のメサをわざわざ設けず、ｎ面を出すためのメサと活性層を１．５μｍまで近接させた。活性層部分からしみ出した高次モードはｎ面メサの外側のＡｕで吸収を受け、カットオフとなる。このような非対称の吸収層設定であるが、高次モードを立ちにくくする観点では問題ない。
【００４３】
本実施形態では、しきい値７０ｍＡで室温連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は５．５Ｖであった。本実施形態はプロセス上、ｎ面出しメサを第２のメサと兼ねられるため大幅に工程を短縮できた。
【００４４】
（第６の実施形態）
図６は、本発明の第６の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００４５】
本実施形態では、第１のメサの埋め込みを２６，２７，２８で行っている。即ち、第１のメサを形成した後に、メサ上にＳｉＯ２  を残し、選択成長により自己整合的に順次ｐ−Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎの埋め込み層２６，ｎ−Ｉｎ０．２  Ｇａ０．８  Ｎ電流狭窄・光吸収層２７，ＧａＮ電流狭窄層２８を形成することにより得られる。ここで、２６は基本モード用の低屈折率層として、２７は高次モード用の光吸収層として、２８は電流狭窄の安定性のために設けたものである。
【００４６】
本実施形態では、第１のメサを形成した後に、ｐ−ＡｌＧａＮの埋め込み層２６，ｎ−ＩｎＧａＮ電流狭窄・光吸収層２７，ＧａＮ電流狭窄層２８を形成することにより、第１のメサの両側に、基本モード用の低屈折率層と高次モード用の光吸収層を作り付けることができた。メサの幅、即ち残した活性層１６の幅は２μｍとした。本構造は、活性層部分のクラッドを含む実効屈折率はメサの埋め込み層であるＡｌＧａＮよりも大きい、導波構造となっている。
【００４７】
本実施形態では、しきい値３０ｍＡで室温連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は５．５Ｖであった。本実施形態は、プロセス上の再現性に著しい再現性と工程数低減をもたらした。
【００４８】
（第７の実施形態）
図７は、本発明の第７の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００４９】
本実施形態が第６の実施形態と異なる点は、ｐ−ＡｌＧａＮの埋め込み層２６の代わりにｐ−ＧａＮの埋め込み層２９を用いたことにある。メサの幅、即ち残した活性層１６の幅は３μｍとした。本構造は、活性層部分のクラッドを含む実効屈折率はメサの埋め込み層であるＧａＮよりも小さい、反導波構造となっている。
【００５０】
本実施形態でも、第１のメサを形成後、メサ上にＳｉＯ２  を残し、選択成長により自己整合的に順次、２９，２７，２８と基本モード制御用の埋め込み層と、高次モード用の光吸収層をメサ側面に精度良く作り付けることができた。
【００５１】
本実施形態では、しきい値３８ｍＡで室温連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は４．５Ｖであった。本実施形態も第６の実施形態と同様に、プロセス上の再現性に著しい再現性と工程数低減をもたらした。
【００５２】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では基板としてサファイアを用いたが、これに限らず単結晶であればＳｉＣなども適用可能で、さらにＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、Ｓｉ，Ｇｅなどを用いても良い。実施形態では、対象層をＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系材料として記述したが、Ｉｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃ，Ｎｉなどの元素を混晶にならない不純物程度の量、含んでいても良い。さらに、必ずしも基板側をｎ型にする必要はなく、ｐ，ｎ導電型を全て逆にしてもよい。
【００５３】
実施形態では、活性層までエッチングしてメサを形成し、メサ側部を埋め込むいわゆるＢＨ構造を中心に詳述したが、活性層をエッチングせず、活性層面より上の導波構造を用いる構造としても良い。さらに、発光部上のクラッドを凹部にエッチングし高屈折率層で埋め込む構造に適用も可能である。また、高次モードに吸収を与える層、構造もレーザのしきい値に悪影響を与えないものであれば種々の適用が可能である。さらには、導波路構造、受光素子、トランジスタなどの光デバイス分野へも適用が可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、基本横モードを得るための導波構造とは別に高次のモードをカットオフするための導波構造を別に作り付け、基本モードと高次モードを選択的に制御することによって、メサ幅は十分広く取れ、素子抵抗が十分に低く、製造方法も簡単な優れた窒化ガリウム系横モード型半導体レーザが実現できる。この半導体レーザは、低しきい値化が可能で、ビーム特性も良く、信頼性も大幅に向上することから、その有用性は絶大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図。
【図２】第２の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図。
【図３】第３の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図。
【図４】第４の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図。
【図５】第５の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図。
【図６】第６の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図。
【図７】第７の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図。
【符号の説明】
１１…サファイア基板
１２…ＧａＮバッファ層
１３…ｎ−ＧａＮコンタクト層
１４…ｎ側電極
１５…ｎ−Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層
１６…ＭＱＷ及び光ガイド層を含む活性層部
１７…ｐ−Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層
１８…ｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層
１９…ｐ−ＧａＮコンタクト層
２０…ｐ側電極
２１…ＳｉＯ２  誘電体膜
２２…Ａｕ電極パッド
２３…ＺｎＯ埋め込み層
２４…ｐ−Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎ埋め込み層
２５…高抵抗ＧａＮ埋め込み層
【図１】
0003617910.tif 000002
【図２】
0003617910.tif 000003
【図３】
0003617910.tif 000004
【図４】
0003617910.tif 000005
【図５】
0003617910.tif 000006
【図６】
0003617910.tif 000007
【図７】
0003617910.tif 000008