(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、該圧電基板上に形成されたすだれ状変換器電極およびその入出力端子電極と、前記すだれ状変換器電極による弾性表面波励振部分を取り囲み前記入出力端子電極が外側になるように前記圧電基板上に一定の高さに形成された感光性ポリイミド樹脂枠と、該樹脂枠の上面から該樹脂枠の内側に形成される中空部を覆って載置され接合用ポリイミド樹脂によって接合されたカバーとが備えられた弾性表面波装置。
【請求項２】
ウエハ状の圧電基板上に多数のすだれ状変換器電極およびその入出力端子電極を形成する弾性表面波素子形成工程と、該圧電基板上に形成されたすだれ状変換器電極による弾性表面波励振部分を取り囲み前記入出力端子電極が外側になるように前記圧電基板上に一定の高さに感光性ポリイミド樹脂枠を形成する樹脂枠形成工程と、該ポリイミド樹脂枠の上から覆うカバーの接合面に予め接合用のポリイミド樹脂を塗布して半硬化状態のポリイミド樹脂層を形成するカバー形成工程と、前記ポリイミド樹脂枠の上にカバーを載せて加熱し前記半硬化状態のポリイミド樹脂層を完全硬化させることにより前記樹脂枠の内側に密封された中空部を形成させる接着工程と、前記樹脂枠の外側にはみ出ているカバーの部分を切り取るカバーダイシング工程と、ウエハを多数のチップ状の弾性表面波装置に分割して切り出す素子ダイシング工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気通信機器に高周波機能素子として用いられる弾性表面波装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高周波帯の共振子，フィルタ等に用いられる弾性表面波装置（ＳＡＷ共振子）は、弾性表面波が励振される電極面近傍に中空部を設け、かつ、気密にするため、セラミック等のパッケージを用いて溶接により封止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、セラミックパッケージ等は高価なため部品としてのコストの大きな割合を占め、又、パッケージングは、一枚の圧電基板ウエハに作り込んだ多数のＳＡＷ素子を切断分離してチップ状になった状態で行われるため、個々のチップのパッケージングに大きな工数が必要となる。
又、弾性表面波素子１チップが１パッケージに収容されるため、小形化を考えた場合、パッケージの大きさによって装置としての大きさが決定されている。又、ボンディングワイヤとキャップとが接触しないように、充分な高さのキャップが必要であり、部品の薄型化にも制約がある。
さらに、弾性表面波素子をパッケージに収容しないでチップのまま他のＩＣ回路等と回路基板に取り付けて同時に樹脂封止すると、樹脂が励振する電極表面に触れる場合があり、所望の電気的特性を満足することはできないという問題がある。
【０００４】
本発明の目的は、上記従来技術のパッケージ使用に伴う小形化，経済化の限界をとり除き、ウエハの状態で各チップの表面に中空部を設けて、パッケージングの工数を大幅に簡略化した弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための請求項１に記載した本発明の弾性表面波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に形成されたすだれ状変換器電極およびその入出力端子電極と、前記すだれ状変換器電極による弾性表面波励振部分を取り囲み前記入出力端子電極が外側になるように前記圧電基板上に一定の高さに形成された感光性ポリイミド樹脂枠と、該樹脂枠の上面から該樹脂枠の内側に形成される中空部を覆って載置され接合用ポリイミド樹脂によって接合されたカバーとが備えられたことを特徴とするものである。
【０００６】
上記本発明の弾性表面波装置の製造方法として請求項２に記載した製造方法は、ウエハ状の圧電基板上に多数のすだれ状変換器電極およびその入出力端子電極を形成する弾性表面波素子形成工程と、該圧電基板上に形成されたすだれ状変換器電極による弾性表面波励振部分を取り囲み前記入出力端子電極が外側になるように前記圧電基板上に一定の高さに感光性ポリイミド樹脂枠を形成する樹脂枠形成工程と、該ポリイミド樹脂枠の上から覆うカバーの接合面に予め接合用のポリイミド樹脂を塗布して半硬化状態のポリイミド樹脂層を形成するカバー形成工程と、前記ポリイミド樹脂枠の上にカバーを載せて加熱し前記半硬化状態のポリイミド樹脂層を完全硬化させることにより前記樹脂枠の内側に密封された中空部を形成させる接着工程と、前記樹脂枠の外側にはみ出ているカバーの部分を切り取るカバーダイシング工程と、ウエハを多数のチップ状の弾性表面波装置に分割して切り出す素子ダイシング工程とを備えたことを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１乃至図４は、請求項１に記載した本発明の弾性表面波装置の実施例を説明する構造図であり、図１は分解斜視図、図２は工程途中の斜視図、図３は外観斜視図である。
【０００８】
図において、１はすだれ状電極変換器（ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒ−ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）、２はＩＤＴ１の入出力端子電極、３は感光性ポリイミド樹脂枠、４は圧電基板、５は接合用ポリイミド樹脂層、６はカバーである。
図１〜図３の構造例は、本発明の実施例の１チップについて示してあるが、これらは、ウエハ状の圧電基板に作り込まれた多数のチップについて同時に加工処理される。
【０００９】
図１において、圧電基板４の表面に電極用の金属膜を堆積させた後、ＩＤＴ１と端子電極２をパターニングして形成する。次に、ＩＤＴ１と端子電極２との間を通り、ＩＤＴ１及びその周囲の弾性表面波励振部分を取り囲んで感光性のポリイミド樹脂枠３を形成する。この樹脂枠３の内側が振動励振面上の中空部となる。
一方、シリコン等の素材のカバー６の一方の面に半硬化状態の接合用ポリイミド樹脂層５を形成する。このポリイミド樹脂層５は、圧電基板側のポリイミド樹脂枠３と接合するために設けるので、カバー６の全面でもよいし、ポリイミド樹脂枠３に対向する部分でもよい。
【００１０】
次に、図１の矢印のようにカバー６を圧電基板４に覆せるように合わせる。
図２は、カバー６と圧電基板４を接合した後の斜視図（ａ）と側面図（ｂ）であり、圧電基板側の感光性ポリイミド樹脂枠３とカバー側の半硬化状態のポリイミド樹脂層５とを密着させ、加熱してポリイミド樹脂層５を完全硬化させる。
次に、ダイシングマシンにより、図３のように、樹脂枠３の外側にはみ出したカバー部分を切断して取り除く。
次に、ウエハをダイシングすることにより、チップ状の弾性表面波装置を得ることができる。
【００１１】
図４は、請求項２に記載した製造方法を説明する製造フローチャートの要部である。（１）〜（１９）は工程番号である。
図４において、工程（１）から（９）までは、ウエハ状のＬｉＮｂＯ３  等の圧電材料による圧電基板１上に多数の弾性表面波素子を形成する工程である。
【００１２】
すなわち、ウエハ洗浄（１）した後、電極用金属膜を蒸着し（２）、フォトレジストを塗布（３）する。次に、プリベーク（４），露光（５），現像（６），ポストベーク（７）したのちエッチング（８）を行ってレジスト剥離（９）する。
【００１３】
図４の工程（１０）から（１４）は、ウエハ状の圧電基板１に形成した多数の弾性表面波素子のＩＤＴ電極の周囲に感光性ポリイミド樹脂枠３を設ける工程であり、工程（１５），（１６）はカバー形成工程である。
【００１４】
すなわち、ＩＤＴ電極１の周囲に感光性ポリイミド樹脂を塗布（１０）し、プリベーク（１１），露光（１２），現像（１３），ボストベーク（１４）して枠３を形成した後、カバー６を洗浄（１５）し、ポリイミド樹脂を塗布（１６）して半硬化状態のポリイミド樹脂層５を形成する。
【００１５】
上記の両者を、接着工程（１７）で接合加熱して完全硬化接着を行う。次に、カバーの周囲部分をダイシング（１８）で取り去り、素子をダイシング（１９）で分割すればチップ状の弾性表面波装置が得られる。例えば、直径が３インチのウエハ状の圧電基板１枚当たり、約２００チップの弾性表面波装置を同時に作り出すことができる。
【００１６】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明を実施すれば、ウエハの状態で加工処理することにより弾性表面波の励振面に密閉空間を有する小形チップ状の弾性表面波装置が得られるので、従来のパッケージ工程が不要で、しかも、小形化を実現することができるため実用上の効果は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を説明する構造図である。
【図２】本発明の実施例を説明する構造図である。
【図３】本発明の実施例を示す構造図である。
【図４】本発明の製造フローチャートの要部である。
【符号の説明】
１  ＩＤＴ
２  端子電極
３  感光性ポリイミド樹脂枠
４  圧電基板
５  接合用半硬化ポリイミド樹脂層
５  カバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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