(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子径が１〜１０００μｍである樹脂からなる基材粒子のめっき方法であって、
外周部に陰極を有し、めっき液を通過させて排出するフィルター部を有する回転可能な処理室と、該処理室の中に該陰極と接触しないように設置された陽極とを有し、処理室の回転による遠心力によって前記基材粒子を陰極に接触させながら通電と撹拌とを繰り返す回転型めっき装置を用いる方法であり、
圧縮弾性率が１００〜６００ｋｇｆ／ｍｍ２であり、かつその粒子径がめっきする基材粒子の１．５〜３０倍であるダミー粒子を同時に加えてめっきを行う
ことを特徴とする微粒子のめっき方法。
【請求項２】
基材粒子は、ニッケルめっきが施されたものであり、かつ、ダミー粒子は、ニッケルめっきが施されているものであることを特徴とする請求項１記載の微粒子のめっき方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の微粒子のめっき方法によりめっきしたことを特徴とする導電性微粒子。
【請求項４】
請求項３記載の導電性微粒子により接続されてなることを特徴とする導電接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電極間を接続するのに使用され、回路中にかかる力を緩和することにより、接続信頼性が向上した導電性微粒子及び導電接続構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子回路基盤において、ＩＣやＬＳＩを接続するためには、それぞれのピンをプリント基板上にハンダ付けする方法が用いられてきたが、この方法は生産効率が悪く、また高密度化には適さないものであった。
【０００３】
また、接続信頼性を解決するためにハンダを球状にした、いわゆるハンダボールで基板と接続するＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）等の技術が開発された。この技術によれば、基板とチップ及び基板上に実装されたハンダボールを高温で溶融しながら接続することで、高生産性、高接続信頼性を両立した電子回路を構成できる。
【０００４】
しかしながら、近年、基板の多層化が進み、基板自体の外環境変化による歪みや伸縮が発生し、結果としてその力が基板間の接続部にかかることによる断線が発生することが問題となっていた。また多層化によって、基板間の距離がほとんどとれなくなり、これを維持するために別途スペーサー等を置かなければならず手間や費用がかかることが問題となっていた。
【０００５】
これらを解決する手段として、基板等の回路に掛かる力の緩和については、基板接続部に樹脂等を塗布することにより補強することが行われており、接続信頼性の向上には一定の効果を示したが、手間がかかり、また塗布工程が増えることによる費用の増大が問題である。
【０００６】
上記の問題を解決するために、基板間の距離の維持や基板等の回路にかかる力を緩和する能力を与えるために、銅をコアとしてハンダをコーティングした粒子（特開平１１−７４３１１号公報）や、樹脂をコアとしてハンダをめっきした粒子（特開平０５−０３６３０６号公報）が提案されている。
【０００７】
また上記のハンダ層を有した微粒子の製造方法として、外周部に陰極を有し、めっき液を通過させて排出するフィルター部を有する回転可能なドームと、該ドームの中に該陰極と接触しないように設置された陽極とを有しており、ドームの回転による遠心力の効果で微粒子を陰極に接触させて通電、撹拌を繰り返す回転型めっき装置を用いた微粒子のめっき方法が提案されている（特開平９−１３７２８９号公報）。この方法では、通常のバレルめっきに比べるとめっき粒子の凝集が少なく、均一にめっきできることが知られている。
【０００８】
しかし、この回転型めっき装置を用いても、めっき基材の粒子径が小さくなり、かつめっき被膜の厚みが大きくなると凝集が発生してくる。これに対して、ステンレスやジルコニア等の硬くて、粒子径の大きなダミー粒子を加えて、解砕効果を与えながらめっきを行うと凝集が抑制されることが知られている。しかしダミー粒子を用いると、解砕の際に基材粒子と激しく衝突するため、めっき剥がれや割れなどが発生し、表面状態が大きく劣化するという問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記に鑑み、めっき粒子の凝集を抑制することができ、かつ、表面のめっき層にキズや剥がれがない微粒子を得るための微粒子のめっき方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、これら問題点を解決するためになされたもので、上記回転型めっき装置を用いて微粒子をめっきする際に、この基材粒子と同等の硬さを有しており、かつ粒子径がめっきする基材粒子の１．５〜３０倍であるダミー粒子を同時に加えてめっきを行うことを特徴とする微粒子のめっき方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１１】
本発明の導電性微粒子は樹脂及び金属ボールからなる基材粒子の表面が１層以上の金属層に覆われてなるものである。これら基材粒子の組成は特に限定されないが、実装時の応力緩和機能を持たせる機能を考えると樹脂であることが好ましい。該樹脂としては、例えばポリスチレン、ポリスチレン共重合体、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル重合体、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル等が挙げられる。これらは単独で用いられても良く、２種以上が併用されても良い。上記基材粒子の形状は球状であれば特に限定されず、例えば中空状のものであっても良い。また金属ボールとしては、銀、銅、ニッケル、珪素、金、チタン等の高融点の金属が挙げられる。
【００１２】
またこれら基材粒子の粒子径は特に限定されないが、ＢＧＡやＣＳＰといった実装材料の使用用途を考えると、１〜１０００μｍのものが有用であり、さらに回転型めっき装置での凝集のしやすさから、１〜５００μｍの粒子に対して有効である。
【００１３】
本発明の導電性微粒子は、上記基材粒子を１層以上の金属で被覆したものである。被覆する金属としては金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウム、珪素等が挙げられる。これら金属は１種でも良く、２種以上からなる合金組成としてめっき層を形成しても良い。例えば、ポリスチレン樹脂の基材粒子に、ニッケル層をめっきし、更にその上に銅や錫をめっきするといった構成が挙げられる。
【００１４】
上記金属層の厚みは特に限定されないが、導電接合や基盤接合という用途を考えた場合には、０．０１〜５００μｍであることが好ましい。０．０１μｍ未満では好ましい導電性が得られにくく、５００μｍを越えると粒子同士の合着が起こったり、基板間の距離維持や基板等の回路にかかる力を緩和する機能が低下することがある。
【００１５】
本発明の微粒子のめっき方法においては、めっき液を通過させて排出するフィルター部を有する回転可能なドームと、該ドームの中に該陰極と接触しないように設置された陽極とを有しており、ドームの回転による遠心力の効果で微粒子を陰極に接触させて通電、撹拌を繰り返す回転型めっき装置を用いる。
【００１６】
この回転型めっき装置の一例の概略図を図１に示す。該めっき装置Ａは垂直な駆動軸３の上端部に固定された円盤状のプラスチックの底板１１と、この底板１１の外周上面に、処理液のみを通すフィルター部として多孔質リング１３を配し、この多孔質リング１３上面に陰極として通電用の接触リング１２を配し、上部中央に開口８を有する円錐台形状のプラスチックの中空カバー１の外周部で多孔質リング１３と接触リング１２とを底板１１との間で狭持してなる処理室４を形成し、開口８より処理液等を処理室４に供給する供給管６と、多孔体窓から飛散した処理液を受けるプラスチックの容器５と、容器５にたまった処理液を排出する排出管７と、開口８から挿入されてめっき液に接触する陽極２ａとを有する。
【００１７】
駆動軸３を回転させながら処理室４内に、導電性下地層が形成された微粒子をめっき液に浸した状態で存在させ、接触リング１２（陰極）と陽極２ａの両電極間に通電する。微粒子は遠心力の作用で接触リング１２に押しつけられ、陽極２ａに面した微粒子にめっき層ができる。駆動軸３が停止すると、微粒子は重力の作用とめっき液の慣性による流れに引きずられて、底板中央部の平坦面に流れ落ち、混ざり合いながら、別の姿勢で遠心力の作用により、接触リング１２に押しつけられるので、陽極２ａに面した別の微粒子にめっき層ができる。このように駆動軸３の回転と停止とを繰り返すことにより、処理室４に存在する全ての微粒子に対して均一にめっきが行われる。
【００１８】
本発明においては、この際、めっきする基材粒子と同等の硬さをもち、かつその粒子径がめっきする基材粒子の１．５〜３０倍であるダミー粒子を同時に加えてめっきを行う。
【００１９】
上記ダミー粒子の硬さは、通常樹脂微粒子の硬さは、圧縮弾性率で１００〜６００ｋｇｆ／ｍｍ2であるので、これと同等の硬さを有するものが望ましい。
圧縮弾性率が１００ｋｇｆ／ｍｍ2未満であると、めっき基材との重さが異なりすぎるため、ダミーの解砕効果が不十分である。また６００ｋｇｆ／ｍｍ2を超えると、基材粒子の表面に剥がれやキズをつけるため好ましくない。
【００２０】
すなわち、ステンレスや鉄等の金属、ジルコニアやアルミナ等の無機物を使わず、樹脂組成のダミー粒子を使うのが好ましい。樹脂組成としては特に限定されないが、例えばポリスチレン、ポリスチレン共重合体、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル共重合体、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル、ナイロン等が挙げられる。これらは単独で用いられても良く、２種以上が併用されても良い。
【００２１】
ダミー粒子の粒子径はめっきする基材粒子の１．５〜３０倍程度が好ましい。ダミー粒子の粒子径が１．５倍より小さいと、めっきした粒子とダミー粒子とを分離するのが困難になるため好ましくない。また３０倍より大きいと、ダミー粒子間のすきまにめっきする基材粒子が入り込み、実質的な解砕効果が出にくいため好ましくない。
【００２２】
本発明の微粒子のめっき方法によってめっきされた微粒子は、電極間を接続するために用いられる導電性微粒子として用いることができる。上記導電性微粒子は、回路中にかかる力を緩和することにより、接続の信頼性を向上させることができる。上記導電性微粒子を用いた導電接続構造体もまた、本発明の一つである。
【００２３】
【実施例】
以下に実施例を掲げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００２４】
実施例１
セパラブルフラスコにて、ジビニルベンゼン２０重量部に重合開始剤として過酸化ベンゾイル１．３重量部を均一に混合し、これにポリビニルアルコールの３％水溶液２０重量部、ドデシル硫酸ナトリウム０．５重量部を投入しよく攪拌した後、イオン交換水１４０重量部を添加した。この溶液を攪拌しながら窒素気流下８０℃で１５時間反応を行った。得られた微粒子を熱水及びアセトンにて洗浄後、篩いにて粒子選別を行い、中心粒子径３００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径８００μｍのニッケルめっきしたダミー粒子を合成した。
【００２５】
ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した３００μｍの粒子４０ｇと８００μｍのダミー粒子２０ｍＬとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００２６】
得られた粒子を、７００μｍの目開きの篩いにてふるい、８００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は３μｍであった。また得られた粒子を、さらに３５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の１％以下であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の２％程度であった。
【００２７】
実施例２
基材粒子に、ジビニルベンゼンと４官能のアクリルモノマーを使って実施例１と同様に重合し、中心粒子径３００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。同様な処方にて、ジビニルベンゼンと４官能のアクリルモノマーで合成された中心粒子径８００μｍのニッケルめっきしたダミー粒子を得た。
【００２８】
ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した３００μｍの粒子４０ｇと８００μｍのダミー粒子２０ｍＬとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００２９】
得られた粒子を、７００μｍの目開きの篩いにてふるい、８００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は３μｍであった。また得られた粒子を、さらに３５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の１％以下であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の２％程度であった。
【００３０】
実施例３
実施例１と同様にして中心粒子径３００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径２０００μｍのニッケルめっきしたダミー粒子を合成した。
ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した３００μｍの粒子４０ｇと２０００μｍのダミー粒子３０ｍＬとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００３１】
得られた粒子を、１５００μｍの目開きの篩いにてふるい、２０００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は３μｍであった。また得られた粒子を、さらに３５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の約１％であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の２％程度であった。
【００３２】
実施例４
実施例１と同様にして中心粒子径３００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径５００μｍのニッケルめっきしたダミー粒子を合成した。
ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した３００μｍの粒子４０ｇと５００μｍのダミー粒子２０ｍＬとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００３３】
得られた粒子を、４５０μｍの目開きの篩いにてふるい、５００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は３μｍであった。また得られた粒子を、さらに３５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の１％以下であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の２％程度であった。
【００３４】
実施例５
実施例１と同様にして、中心粒子径５００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径８００μｍのニッケルめっきしたダミー粒子を合成した。
ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した５００μｍの粒子４０ｇと８００μｍのダミー粒子２０ｍＬとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００３５】
得られた粒子を、７００μｍの目開きの篩いにてふるい、８００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は２μｍであった。また得られた粒子を、さらに４５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の１％程度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の２％程度であった。
【００３６】
実施例６
実施例１と同様にして、中心粒子径１００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径５００μｍのニッケルめっきしたダミー粒子を合成した。
ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した１００μｍの粒子４０ｇと５００μｍのダミー粒子２０ｍＬとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００３７】
得られた粒子を、４５０μｍの目開きの篩いにてふるい、５００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は２μｍであった。また得られた粒子を、さらに１５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の１％程度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の１％程度であった。
【００３８】
実施例７
実施例６と同様にして、中心粒子径１００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径２０００μｍのニッケルめっきしたダミー粒子を合成した。
ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した１００μｍの粒子４０ｇと２０００μｍのダミー粒子３０ｍＬとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００３９】
得られた粒子を、１５００μｍの目開きの篩いにてふるい、２０００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は２μｍであった。また得られた粒子を、さらに１５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の２％程度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の１％程度であった。
【００４０】
実施例８
実施例１と同様にして、中心粒子径５０μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径５００μｍのニッケルめっきしたダミー粒子を合成した。
ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した５０μｍの粒子４０ｇと５００μｍのダミー粒子３０ｍＬとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００４１】
得られた粒子を、４５０μｍの目開きの篩いにてふるい、５００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は２μｍであった。また得られた粒子を、さらに１００μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の４％程度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の１％程度であった。
【００４２】
実施例９
実施例１で得られた中心粒子径３０４μｍの銅めっきした粒子４０ｇと、同じく実施例１で得られた中心粒子径８００μｍのニッケルめっきしたダミー粒子２０ｍＬとを投入し、共晶ハンダめっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、２０秒毎に回転方向を逆転させた。
得られた粒子を、７００μｍの目開きの篩いにてふるい、８００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、共晶ハンダ層の膜厚は６μｍであった。また得られた粒子を、さらに３５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の２％程度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の２％程度であった。
【００４３】
比較例１
実施例１と同様にして中心粒子径３００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した３００μｍの粒子４０ｇだけを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００４４】
このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は３μｍであった。また得られた粒子を、さらに３５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の約１０％であり、２ｍｍ角程度の大きな凝集が認められた。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の１％程度であった。
【００４５】
比較例２
実施例６と同様にして中心粒子径１００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した１００μｍの粒子４０ｇだけを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００４６】
このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は２μｍであった。また得られた粒子を、さらに３５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の約２０％であり、５ｍｍ角程度の大きな凝集が認められた。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の１％程度であった。
【００４７】
比較例３
実施例１と同様にして中心粒子径３００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した中心粒子径１００μｍの粒子４０ｇと中心粒子径１０００μｍのジルコニアボール２０ｍＬとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００４８】
得られた粒子を、９００μｍの目開きの篩いにてふるい、１０００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は３μｍであった。また得られた粒子を、さらに３５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の１％程度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は艶消しの銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の４０％程度であった。
【００４９】
比較例４
実施例１と同様にして中心粒子径３００μｍの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解めっきにより形成させた。ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した中心粒子径３００μｍの粒子４０ｇと中心粒子径１０００μｍのステンレスボール２０ｍＬとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度３０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ2、周速１８Ｈｚとして、４０秒毎に回転方向を逆転させた。
【００５０】
得られた粒子を、９００μｍの目開きの篩いにてふるい、１０００μｍのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、銅層の膜厚は３μｍであった。また得られた粒子を、さらに３５０μｍの目開きの篩いにてふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の１％程度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のうち２０００個を顕微鏡で観察したところ、外観は艶消しの銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の４０％程度であった。
【００５１】
【発明の効果】
本発明は、上述の構成よりなるので、１〜１０００μｍの導電性微粒子を、凝集が無く、めっきの表面状態が良好なまま合成でき、これを用いて導電性に優れた導電接続構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いられるめっき装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１  カバー
２  電極
２ａ  陽極
３  回転軸
５  容器
６  めっき液供給管
７  めっき液排出管
８  開口部
１１  底板
１２  接触リング
１３  多孔質リング
【図１】
0003694249.tif 000002