(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタ用ターゲット材料、ＩｎとＡｕとを含有する合金からなる第１ボンディング層、Ｉｎを主成分とする第２ボンディング層、およびバッキングプレートの順に構成されたスパッタ用ターゲット。
【請求項２】
前記第１ボンディング層を構成する合金が、ＳｎおよびＰｂの少なくとも１方を含有する請求項１のスパッタ用ターゲット。
【請求項３】
前記第１ボンディング層の組成は、Ａｕが０．８〜３．５wt％、Ｓｎが３０wt％以下、Ｐｂが２０wt％以下、そして残部がＩｎを含む請求項１または２のスパッタ用ターゲット。
【請求項４】
前記第２ボンディング層は、Ｉｎの含有率が９０wt％以上である請求項１ないし３のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項５】
前記スパッタ用ターゲット材料は、Ｓｉ、金属シリサイドおよびＳｉを含む合金、高融点金属およびその合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒおよびその合金、ＩＴＯ、ならびにＧｅおよびその合金から選ばれる１種である請求項１ないし４のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項６】
前記スパッタ用ターゲットの気孔率が２０％以下である請求項５のスパッタ用ターゲット。
【請求項７】
前記バッキングプレートの材料が、Ｃｕ、Ｃｕを９９．５wt％以上含有するＣｕ合金、およびＦｅを５０wt％以上含有するＦｅ合金から選ばれた１種である請求項１ないし６のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項８】
前記第１ボンディング層と前記第２ボンディング層の層厚の比が１対１〜１対５０で、かつ２層の層厚の合計が５〜８０μｍである請求項１ないし７のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項９】
前記スパッタ用ターゲット材料が、Ｓｉ単結晶、Ｓｉ多結晶、金属シリサイド、およびＳｉを３０wt％以上含有する合金のいずれかであり、スパッタ用ターゲット材料と第１ボンディング層の間に厚さ２０ｎｍ以上のシリコン酸化物層を有する請求項１ないし８のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項１０】
前記スパッタ用ターゲット材料のボンディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘが３μｍ以下である請求項１ないし９のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【請求項１１】
全体形状が凸状の湾曲状である請求項１ないし１０のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、スパッタ用ターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
スパッタは、金属、半金属等の薄膜を形成する際に使用されるもので、目的の材料、もしくはその組成の少なくとも１種の材料で構成されるスパッタターゲット材料にエネルギを与えることにより行なわれる。例えば、シリコンをターゲットとするスパッタによりシリコン系薄膜が成膜される。ＳｉＮ系薄膜の成膜でも、シリコンをターゲットとし窒素ガスにより反応性スパッタが行なわれる。また、金属シリサイド等シリコンを含有するスパッタターゲットが産業上多く使用される。これらスパッタターゲットは、通常スパッタターゲット材料を銅、銅合金、鉄合金からなるバッキングプレートにボンディングして形成されたものである。ボンディング材料は、樹脂とメタルに大別されるが、スパッタレートアップのためには、大電力がターゲットに投入されるので、一般的に熱伝導性が良好なメタルが使用されている。中でも融点が低く、柔軟性が良好なインジウムが広く使用されている。
【０００３】
しかし、シリコン系等のスパッタターゲット材料はバッキングプレート材料と熱膨張、弾性率等が大きく異なり、インジウムとの濡れ性も悪く、安定したスパッタターゲットの作製が困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、大電力を投入しても安定した成膜を長時間にわたって行なうことができるスパッタターゲットを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（１１）の本発明により達成される。
（１）スパッタ用ターゲット材料、ＩｎとＡｕとを含有する合金からなる第１ボンディング層、Ｉｎを主成分とする第２ボンディング層、およびバッキングプレートの順に構成されたスパッタ用ターゲット。
（２）前記第１ボンディング層を構成する合金が、ＳｎおよびＰｂの少なくとも１方を含有する上記（１）のスパッタ用ターゲット。
（３）前記第１ボンディング層の組成は、Ａｕが０．８〜３．５wt％、Ｓｎが３０wt％以下、Ｐｂが２０wt％以下、そして残部がＩｎを含む上記（１）または（２）のスパッタ用ターゲット。
（４）前記第２ボンディング層は、Ｉｎの含有率が９０wt％以上である上記（１）ないし（３）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（５）前記スパッタ用ターゲット材料は、Ｓｉ、金属シリサイドおよびＳｉを含む合金、高融点金属およびその合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒおよびその合金、ＩＴＯ、ならびにＧｅおよびその合金から選ばれる１種である上記（１）ないし（４）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（６）前記スパッタ用ターゲットの気孔率が２０％以下である上記（５）のスパッタ用ターゲット。
（７）前記バッキングプレートの材料が、Ｃｕ、Ｃｕを９９．５wt％以上含有するＣｕ合金、およびＦｅを５０wt％以上含有するＦｅ合金から選ばれた１種である上記（１）ないし（６）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（８）前記第１ボンディング層と前記第２ボンディング層の層厚の比が１対１〜１対５０で、かつ２層の層厚の合計が５〜８０μｍである上記（１）ないし（７）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（９）前記スパッタ用ターゲット材料が、Ｓｉ単結晶、Ｓｉ多結晶、金属シリサイド、およびＳｉを３０wt％以上含有する合金のいずれかであり、スパッタ用ターゲット材料と第１ボンディング層の間に厚さ２０ｎｍ以上のシリコン酸化物層を有する上記（１）ないし（８）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（１０）前記スパッタ用ターゲット材料のボンディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘが３μｍ以下である上記（１）ないし（９）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
（１１）全体形状が凸状の湾曲状である上記（１）ないし（10）のいずれかのスパッタ用ターゲット。
【０００６】
【作用】
本発明においては、Ｓｉ系等のスパッタターゲット材料に接する第１ボンディング層にＡｕを添加したことにより、スパッタターゲット材料に対する第１ボンディング層の濡れ性を向上し、それらの間の結合を強固なものとした。また、第２ボンディング層にはＩｎを用いることにより、通常よく使用されている銅、銅合金、鉄合金等のバッキングプレートに対して、スパッタターゲット材料を強固に結合するようにした。また、第１ボンディング層と第２ボンディング層とは、共通にＩｎを使用しているので、互いに濡れ性がよく、強固に結合する。以上により、ターゲット全体として、接着強度が高く、大電力を投入しても長時間安定したものとなった。さらに、上記のように、第２ボンディング層として、柔軟性の高いＩｎを用いたので、スパッタターゲット材料とバッキングプレートとの熱膨張の違い等によるストレスを良好に吸収でき、これによっても耐久性が向上した。
【０００７】
【具体的構成】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
【０００８】
本発明のスパッタ用ターゲットにおけるボンディング構造は、図１に示すように、インジュウム（Ｉｎ）と金（Ａｕ）とを含有する合金により構成される第１ボンディング層１、およびこの第１ボンディング層に結合したＩｎを主体成分とする第２ボンディング層２を備え、第１ボンディング層１はスパッタターゲット材料３と接合し、第２ボンディング層２はバッキングプレート４と接している。
【０００９】
第１ボンディング層には、さらに錫（Ｓｎ）および／または鉛（Ｐｂ）が含有されていることが好ましい。
【００１０】
上記したボンディング構造は、スパッタターゲット材料として、Ｓｉ、金属シリサイドおよびＳｉを含む合金、高融点金属およびその合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒおよびその合金、ＩＴＯ（組成：ＩｎＯ／ＳｎＯ比（wt％）＝９０／１０〜９８／２）、ならびにＧｅおよびその合金から選ばれる１種に用いたとき、特に好ましい。
【００１１】
上記Ｓｉとしては、Ｓｉ単結晶、Ｓｉ多結晶を用いることができる。金属シリサイドとしては、ＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 等を用いることができる。また、上記Ｓｉ系合金としては、Ｓｉ−Ｆｅ合金、Ｓｉ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等を用いることができる。
【００１２】
上記高融点金属としては、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ等を用いることができる。また、それらの合金とは、上記の高融点金属を３０wt％以上、特に５０wt％以上含有することが好ましい。このような合金としては、Ｗ−Ｔａ合金、Ｍｏ−Ｔａ合金等を挙げることができる。
【００１３】
上記Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ（以下、主金属と称することもある）の合金とは、上記の主金属を３０wt％以上、特に５０wt％以上含有することが好ましい。このような合金としては、Ｔｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｚｒ合金等を挙げることができる。
【００１４】
Ｇｅの合金も、Ｇｅを３０wt％以上、特に５０wt％以上含有することが好ましい。このような合金としてはＧｅ−Ｆｅ合金等を挙げることができる。
【００１５】
そして、スパッタターゲット材料が、ＩＴＯ、ＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 等のときには、内部に気孔を有するが、そのスパッタターゲット材料の気孔率は２０％以下、特に１０％、さらに５％以下であることが好ましい。上限気孔率が上記を越えると接合強度が低下するので、目止め等を行わなければならなくなる。この気孔率の下限値は特にないが、通常１％程度であると思われる。Ｓｉの単結晶等を用いる場合には、実質的に気孔が無く、気孔率が０％となる。
【００１６】
第１ボンディング層におけるＡｕの含有量は、０．８〜３．５wt% 、特に１〜３wt％が好ましい。Ａｕ金は上記のＳｉ等のスパッタターゲット材料とＩｎの濡れ性を改善する効果がある。０．８wt% 未満では、十分な効果が得られなくなる傾向があり、３．５wt% より多いと、第１ボンディング層材料の融点が上り、金属間化合物が析出しやすくなりスパッタターゲット材料に均一に塗布する作業性が低下してくる。
【００１７】
Ｓｎの含有量は、３０wt% 以下、特に２０wt％以下であることが好ましい。ＳｎはＡｕをＩｎにに均一に溶かし込む助剤となり添加するのが好ましいが、３０wt% を越えると第２ボンディング層によりバッキングプレートと接合する際に第２ボンディング層に錫が拡散しやすくなり第２ボンディング層の柔軟性を損なう傾向がある。このＳｎは添加しなくてもよいが、添加する場合には、５wt％以上とすることが好ましい。これ未満であると、助剤としての効果が十分に発揮されにくくなる。
【００１８】
Ｐｂの含有量は、２０wt% 以下、特に１０wt％以下であることが好ましい。ＰｂはＩｎにＡｕを添加することにより硬くなることを抑えるる効果があり添加するのが好ましいが、２０wt% を越えると第２ボンディング層との濡れ性が低下する。このＰｂは添加しなくてもよいが、添加する場合には、５wt％以上とすることが好ましい。これ未満であると、第１ボンディング層が硬くなることを抑える効果が十分に発揮されなくなってくる。
【００１９】
第１ボンディング層材料の融点は、２００〜３００℃、特に２５０〜２８０℃程度であることが好ましい。２００℃未満であると、ボンディング作業性が悪くなる傾向があり、３００℃を越えると、上記のように金属間化合物を析出しやすくなるとともに、バッキングプレート材料として無酸素銅を用いたとき、ろう付け作業中に、この無酸素銅が焼純されて、バッキングプレートの強度が低下する傾向がある。
【００２０】
そして、上記ＳｎとＰｂの総量の含有率は、５〜４０wt％、特に１０〜３５wt％程度であることが好ましい。ＳｎとＰｂはこの範囲で添加することによりボンディング性能が特に向上する。なお、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｂの他の残部は、Ｉｎであるが、全体の５wt％以下の範囲でＴｉ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｕ等が含有されていてもよい。
【００２１】
第２ボンディング層は、Ｉｎを主成分として９０wt% 以上、特に９５wt% 以上、さらに９８wt% 以上含有するものであることが好ましい。第２ボンディング層のインジュウムはスパッタターゲット材料とバッキングプレートの熱膨張率、弾性係数の違いを緩和する効果を持ち、その含有量が９０wt% 未満となると、満足のゆく柔軟性が得られなくなってくる。この第２ボンディング層には、１０wt% を限度として、Ｓｎ、Ｐｂ等を含有していてもよい。
【００２２】
第１ボンディング層と第２ボンディング層は、２層全体の層厚が５〜８０μm であり、それらの層厚の比が１対５０から１対１の範囲であることが好ましい。５μｍ未満ではボンディング層を均一に維持できなくなってくる。一方、８０μm を越えるとボンディング強度が著しく低下してくる。第１ボンディング層と第２ボンディング層の層厚の比が１対５０から１対１の範囲で２層全体の層厚が５〜８０μm であることの緩和作用が最大に生かされる。
【００２３】
また、本発明は上記スパッタターゲット材料と熱膨張率、弾性率の異なるバッキングプレート材料との組み合わせで特に効果が現れる。このようなバッキングプレート材料としては、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ合金等を挙げることができる。例えば、スパッタターゲット材料がＳｉの場合、熱膨張率αが２．４×１０-6／ｄｅｇで、もろく、一方、バッキングプレート材料としてＣｕを用いた場合、その銅の熱膨張率αが１．７×１０-5／ｄｅｇ、ヤング率が１．２３×１０-6Ｎ／ｃｍ2 であり、違いが大きい。
【００２４】
Ｃｕとしては、特に純度が９９．９６wt% 以上の無酸素銅を用いることが好ましい。Ｃｕ合金としては、Ｃｕの含有率が９９．５wt％以上であることが好ましく、その例としては、Ｚｒ−Ｃｕ合金（Ｚｒ：０．１wt％）、Ｓｎ−Ｃｕ合金（Ｓｎ：０．１wt％）、Ａｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ：０．１wt％）等が挙げられる。また、Ｆｅ合金としては、ＳＵＳ３０４（組成：Ｆｅ−１８％Ｃｒ−８％Ｎｉ）のＦｅを５０wt％以上、特に７０wt％以上含有する合金を用いることが好ましい。
【００２５】
例えば、バッキングプレートとしてよく使用され、本発明においても好ましい無酸素銅の場合、３００℃を超えると焼き鈍り現象（異常粒成長）が始まり強度特性が低下し、スパッタの冷却水圧に耐えられなくなるが、本発明のボンディング構造によれば、ボンディング作業中に３００℃を超えることがないので、上記のような焼き鈍り現象が生ぜず、耐久性が向上する。
【００２６】
さらに、本発明のスパッタ用ターゲットでは、スパッタ用ターゲット材料として、Ｓｉ系の材料を用いる場合には、スパッタターゲット材料と第１ボンディング層の間に２０nm以上のシリコン酸化物層を設けることが好ましい。このシリコン酸化物層の存在により、スパッタターゲット材料と第１ボンディング層との結合が更に強固なものとなる。このシリコン酸化物層の形成は、例えば、スパッタターゲット材料のボンディング面を熱酸化すること等により形成することができる。このシリコン酸化物層は、あまり厚すぎるとボンディング強度が低下する傾向があるので、１００ｎｍ程度以下とすることが好ましい。
【００２７】
上記スパッタターゲット材料のボンディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘは３μm 以下であることが好ましい。これにより、スパッタターゲット材料と第１ボンディング層との結合が更に強固なものとなる。このようにスパッタターゲット材料のボンディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘを小さくするため、必要な場合には、このボンディング面に、ラッビング、ポリシング、エッチング等の加工を施すことが好ましい。また、この最大表面粗度Ｒｍａｘの測定は、表面粗度計によって行う。
【００２８】
さらに、本発明のスパッタ用ターゲットでは、その全体形状がバッキングプレートを下にした状態で上方が凸となるように湾曲していることが望ましい。このような形状とすることにより、スパッタ用ターゲットにおける接着強度がさらに向上する。
【００２９】
その湾曲の度合（以下、平面度と称する）は、同一面で見たときの、最高位部（通常、中央部）と最低位部（通常、両縁部）との差Ｓ（図２参照）が０．１〜０．２mm程度であることが好ましい。なお、これは直径が５インチ程度の円板の場合である。
【００３０】
本発明のスパッタ用ターゲットは、例えば、次のようにして製造される。
【００３１】
まず、スパッタターゲット材料の接合面に第１ボンディング層を、バッキングプレートの接合面に第２ボンディング層をそれぞれ形成する。これらの層の形成は、それぞれの材料で１０〜１００μm 程度の箔を形成し、それを接着し、溶着する方法、スパッタ、蒸着、融した材料のハケの塗り等のいずれの方法であってもよい。
【００３２】
次いで、第１ボンディング層と第２ボンディング層を接触させた状態で、スパッタターゲット材料とバッキングプレートを重ね合せ、これを加熱・加圧して第１ボンディング層と第２ボンディング層を接触する。
【００３３】
加熱温度は、ボンディング材料の融点により決定され、通常２００〜２５０℃であることが好ましい。
【００３４】
加圧圧力は、１０〜１００ｇ／ｃｍ2 程度であることが好ましい。このような作業を行なう装置としては、ホットプレス等が好ましい。
【００３５】
以上により、スパッタターゲットが製造される。
【００３６】
本発明のスパッタ用ターゲットは、加圧圧力６ｋｇ／ｍ2 までで、特に６ｋｇ／ｍ2 以上で、少なくともスパッタターゲット材料の剥離が生じないことが望ましく、特に破壊も剥離も生じないことが好ましい。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
まず、下記のようにしてスパッタターゲット材料、ボンディング材料およびバッキングプレート材料を用意した。
【００３８】
スパッタターゲット材料として、５インチ径、５mm厚の単結晶シリコンをインゴットからスライスした。厚さ、外径バラツキは±０．１mm、平面度は０．０２mm以下であった。また、スパッタターゲットの全面において、最大表面粗度Ｒｍａｘは２μm で、全体の表面に厚さ１０ｎｍのシリコン酸化層が形成されていた。上記厚さ等の外観はシリコンウエーハの外観検査に関する標準仕様（ＪＥＩＤＡ−２３）による。
【００３９】
上記をそのまま用いたものをスパッタターゲット材料の試料Ｓ１とし、ボンディング面の表面をラッビングして、その最大表面粗度を５μｍとしたものを試料Ｓ２、また、酸化物層の厚さを３０ｎｍとしたものを試料３とした。
【００４０】
さらに、上記と同様に５インチ径、５mm厚のＭｏの試料Ｓ４を作製した。最大表面表面粗度Ｒｍａｘは２μｍであった。また、同様にして、Ｃｒ、ＩＴＯ，Ｇｅにより、スパッタターゲット材料として、試料Ｓ５、Ｓ６およびＳ７を作製した。以上作製した試料の材料、特性等を表１に示した。
【００４１】
【表１】
0003660013.tif 000002
【００４２】
ボンディング材料としては、純度９９．９９％のショット状のＩｎ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｂを下記表２の組成に秤量し３００℃で溶解し、棒状のインゴットである試料Ｂ１〜１５を作製した。
【００４３】
【表２】
0003660013.tif 000003
【００４４】
なお、試料Ｂ６、Ｂ７は金属間化合物が析出する傾向がみられ、均一な再溶解性がやや劣っており、また、試料Ｂ１２、Ｂ１４は金の溶解に長時間が必要であった。
【００４５】
バッキングプレートとしては、ＪＩＳ  Ｃ１０２０  １／２Ｈの８mm厚の無酸素銅板から７インチ径、６ｍｍ厚のディスク状の試料Ｐ１を旋盤加工により削りだした。この試料Ｐ１の厚さ、外径バラツキは±０．１mm、平面度は０．０２mm以下、ボンディング面の最大表面粗度Ｒｍａｘは１．５μm であった。また、同様にして、ＺｒＣｕ（Ｚｒの含有量０．１wt％）、ＳＵＳ３０４からバッキングプレート用の試料Ｐ２、Ｐ３を作製した。
【００４６】
次に、スパッタターゲット材料として、表３に示したものを用い、そのスパッタターゲット材料のボンディング面に、表３に示したボンディング材料で、厚さを５〜１０μｍに制御して、第１ボンディング層を形成した。一方、バッキングプレート材料として、表３に示したものを用い、そのバッキングプレート材料のボンディング面に、表２の試料Ｂ１５のボンディング材料（Ｉｎ：１００％）で、厚さを２５〜３０μｍに制御して、第２ボンディング層を形成した。ボンディング層の形成は、ボンディング材の箔形成により行なった。
【００４７】
以上を第１および第２ボンディング層が接触するようにして、スパッタターゲット材料とバッキングプレートを重ね合わせ、これを、２２０℃、３０ｇ／ｃｍ2 の条件で熱圧着し、スパッタ用ターゲットのサンプルNo. １〜２４を作製した。また、サンプルNo. ４において、図３に示す湾曲の度合を示す差Ｓで０．１５ｍｍに湾曲したサンプルNo. ２５を作製した。各サンプルは３０枚ずつ作製した。
【００４８】
以上のスパッタ用ターゲットのサンプルNo. １〜２５を図３に示すように耐圧容器内にセットし、アルゴンガスによりバッキングプレート面より均一に圧力（表３の示したように、圧力を変えた）をかけ、各サンプルのスパッタターゲット材料の剥離および破壊枚数を測定した。その結果を表３に示した。
【００４９】
【表３】
0003660013.tif 000004
【００５０】
【発明の効果】
以上の表３により、本発明の効果が明らかである。すなわち、本発明の実施例によるものは、上記耐圧試験において剥離、破壊ともに少なく、加圧圧力６ｋｇ／ｍ2 まで１枚もハクリ、破壊が生じなかった。特に、重要な耐剥離性に関して良好であった。特に好ましい範囲の組成をもつ第１ボンディング材料を用いたものは、加圧圧力を９ｋｇ／ｍ2 としても１枚も剥離が出なかった。
なお、スパッタターゲット材料として、Ｓｉ多結晶、金属シリサイドであるＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2 、ＴａＳｉ2 およびＮｂＳｉ2 、Ｓｉ系合金であるＳｉ−Ｆｅ合金およびＳｉ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、高融点金属であるＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、その合金であるＷ−Ｔａ合金、Ｍｏ−Ｔａ合金、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、その合金であるＴｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｚｒ合金等について、上記サンプルNo. ４と同様に第１ボンディング層の材料としてＢ４を用いて、上記と同様に耐圧試験を行ったところ、サンプルNo. ４と同等の結果が得られた。
【００５１】
単結晶シリコンの破壊によってもバッキングプレートからのハガレがないボンディングが可能となった。
【００５２】
バッキングプレートとして広く使用されている純度９９．９６wt% 以上の無酸素銅とのボンディングにおいて、ボンディング材の作業温度が３００℃以下のため、銅の焼き鈍し現象によるバッキングプレートの強度低下が抑えられた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスパッタ用ターゲットの断面図である。
【図２】スパッタ用ターゲットの好ましい形状の断面図である。
【図３】評価のための圧力容器を示す断面図である。
【符号の説明】
１  第１ボンディング層
２  第２ボンディング層
３  スパッタターゲット材料
４  バッキングプレート
【図１】
0003660013.tif 000005
【図２】
0003660013.tif 000006
【図３】
0003660013.tif 000007