(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コヒーレント光を発する光源部と、
該光源部からの光束を、法線方向基準照明光束として第１入射角により、第１法線方向測定用照明光束として第２入射角により、また前記第２法線方向測定用照明光束として第１入射角及び第２入射角とは異なる第３入射角で、位置の測定をすべき対象物に設けられている２次元パターンへ照射する照射光学系と、
前記２次元パターンからの反射光を受光する受光光学系と、
前記受光光学系で受光した反射光の内で、法線方向基準照明光束と第１法線方向測定用照明光束とを干渉させて第１法線方向測定用干渉信号を形成し、法線方向基準照明光束又は第１法線方向測定用照明光束と第２法線方向測定用照明光束とを干渉させて第２法線方向測定用干渉信号を形成する受光部と、
前記第１法線方向測定用干渉信号及び前記第２法線方向測定用干渉信号の位相に基づき対象物の法線方向の位置測定を行う信号処理部と、
を有することを特徴とする位置測定装置。
【請求項２】
前記信号処理部は前記第１法線方向測定用干渉信号と前記第２法線方向測定用干渉信号との位相差に基づいて前記対象物の法線方向の位置の測定を行う信号処理部を有することを特徴とする、請求項１に記載の位置測定装置。
【請求項３】
前記光源部は、該光源部からの光束を周波数が異なる光束として射出する周波数シフター部を更に備え、
前記光源部は、該光源部から生じる第１周波数のコヒーレント光を、法線方向基準照明光束とし、前記周波数シフター部から射出される前記法線方向基準照明光束と周波数が異なる第２周波数の光束を第１法線方向測定用照明光束とし、法線方向基準照明光束又は第１法線方向測定用照明光束のいずれか一つから分離させて第２法線方向測定用照明光束を形成する光束分離部を更に備えていることを特徴とする、請求項１に記載の位置測定装置。
【請求項４】
前記光源部は、第１平面方向測定用照明光束となる第１周波数のコヒーレント光を発する光源と、この第１平面方向測定用照明光束と周波数が異なる第２周波数の第２平面方向測定用照明光束を形成する周波数シフターとを有し、
前記照射光学系は、第１平面方向測定用照明光束と第２平面方向測定用照明光束を第１入射角で入射させ、
前記受光部は、前記受光光学系で受光した第１平面方向測定用照明光束と第２平面方向測定用照明光束の回折光の内で、前記２次元パターンによる高次回折光と０次回折光の組み合わせ及び高次回折光同士の組み合わせのいずれか一つの周波数が異なる回折光の組み合わせから前記対象物の２次元パターンを設けた平面内での平面位置測定用干渉信号を形成し、
前記信号処理部は、平面位置測定用干渉信号の位相に基づき前記対象物の２次元パターンを設けた平面内での位置を求める信号処理部とを有することを特徴とする、請求項１記載の位置測定装置。
【請求項５】
前記受光部は、第１平面位置測定用照明光束と第２平面位置測定用照明光束の前記２次元パターンによる０次回折光同士の異なる周波数の回折光の組み合わせからＸ位置測定用干渉基準信号を形成し、第１平面位置測定用照明光束の０次回折光と第２平面位置測定用照明光束の高次回折光の組合せ又は、第１平面位置測定用照明光束の高次回折光と第２平面位置測定用照明光束の０次回折光の組合せからＹ位置測定用干渉基準信号を形成し、
前記信号処理部は、Ｘ位置測定用干渉測定信号とＸ位置測定用干渉基準信号との位相差に基づき前記対象物のＸ方向の位置を求め、Ｙ位置測定用干渉測定信号とＹ位置測定用干渉基準信号との位相差に基づき前記対象物のＹ方向の位置を求めるように構成されていることを特徴とする、請求項４記載の位置測定装置。
【請求項６】
前記光源部は、前記第１平面方向測定用照明光束と法線方向基準照明光束とを共通の光束とするように構成されていることを特徴とする、請求項４記載の位置測定装置。
【請求項７】
前記照射光学系での第１法線方向位置測定用照明光束又は第２法線方向位置測定用照明光束の光路中に、その照明光束が前記２次元パターンに照射する入射角度を変化させる入射角度変化部材が配置されていることを特徴とする、請求項１又は請求項４記載の位置測定装置。
【請求項８】
前記入射角度変化部材は、第１法線方向位置測定用照明光束又は第２法線方向位置測定用照明光束の入射角度を変化させるように、その光路中に光軸と直交方向に回転軸を有する平行平面板として構成されていることを特徴とする、請求項１又は請求項４記載の位置測定装置。
【請求項９】
電子線描画装置において、
該電子線描画装置の構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけるように配置されている、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の位置測定装置を備え、
前記位置測定装置は対象物の位置を測定するための位置測定用光束を照射するための照明側光学部材と、前記対象物からの反射回折光を受光して前記対象物の位置を測定するための受光側光学部材とを有し、
前記照明側光学部材から照射して前記受光側光学部材に入射される光束が、前記電子線描画装置の構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけて透過することができるように、前記照明側光学部材及び前記受光側光学部材が前記電子線描画装置に配置されていることを特徴とする電子線描画装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加工対象物の表面を加工する加工機や測定対象物の表面状態等を測定する測定機械において、対象物の位置を制御する等の目的に利用される位置測定装置に関する。
また、本発明は位置測定装置を適用した電子線描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体露光装置では、あらかじめ作成された原画パターン（レチクル又はマスク）上の所望の回路パターンを、ウエハ上の露光領域に位置合わせした後、転写を行ってきた。この転写装置は高精度な縮小露光投影装置であり、転写される側のウエハ全面に露光できるように、ウエハ側は高精度なＸＹステージに固定されている。このウエハ光学系に対し、ステップ＆リピートするための掲記転写装置はステッパと呼ばれている。
近年のＬＳＩの高集積化により、半導体装置に要求される回路線幅は益々狭くなってきている。ステッパの縮小率は、従来１／５が主流であったが、これまでの波長限界から１μｍ以下のパターンは解像できないと言われてきた。しかし、光学系・照明系の改良やレチクル上での光の位相を調整する位相シフトマスク等の出現により、サブμｍオーダーのパターンを解像するに至っている。解像度の向上に伴って、縮小レンズの焦点深度は浅くなり、また、あらかじめ作成された原画パターンをウエハ上に転写する精度は、いっそう厳しい値が要求されるようになってきている。このため、ステッパのアライメント光学系に対して、試料の試料面方向及び焦点方向の位置を高精度に検出することが要求されている。
【０００３】
位相シフトマスクは前記原画パターン上の露光光透過部を通過する光の位相即ち透過部の光路長を、基板の厚さをエッチングすることにより減少させ、あるいは、屈折率の異なる材料を付加する等の手法で変化させるものである。したがって、位相シフトマスクの作製には、特定の光透過部の基板を厚さ方向に掘り込み、選択的に光路長を変化させる方法や、または、あらかじめパターンが描かれた基板に再度レジストを塗付し、光透過部の位相を部分的に変化させるための材料を付加した後不要部分のエッチングを行う方法が採られる。いずれの場合においても、前記パターン描画装置を用いて、所定の位置のレジストを高精度に感光させる必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
マスク上の位置合わせマークの検出に先立って、露光ビームの位置はステージ上に設けられたマーク等を用いて測定されかつ校正される。ステージの位置はレーザー干渉計により高精度にモニターされるので、レーザー干渉計の座標系を基準としてビームの位置及び変位を測定することが可能となる。
ところが、電子線露光装置では、鏡筒内部に汚れが付着すると、チャージアップのために電子ビームにドリフトが生じ、測定値が変動する。マスク上のマーク位置の測定はステージ上のマークを介した間接測定であるため、測定値に変動が生じた場合には、その原因はビームドリフトであるのか、或いは、マークそのものが変位しているためであるのかを区別することが出来ないという課題があった。
【０００５】
電子ビーム描画装置やステッパにおいて、ドリフトによる影響を受けずにマーク位置を精度良く測定するための手段として、レーザー光を用いた測定光学系を設けた装置を用いる方法が考えられる。
ここで、電子ビーム描画装置やステッパで描画する通常のマスクの基板やレジストの厚さは数十ｎｍ〜数百ｎｍのオーダーであるから、Ｚ検出分解能もこのオーダーが要求される。
位相シフトマスクでは、露光〜エッチングの工程を終えた第一層の上にさらに第二層、第三層の工程を行うので、ある層から次の層の工程に移る際、マスクは一旦露光装置からはずされ、次の層のための準備を施されてから再び露光装置に取り付けられる。このとき、取りはずされる前のマスクの位置を正確に再現しなければならないので、要求されるＺ検出範囲（ストローク）は数百μｍである。
【０００６】
したがって、Ｚ検出は数十ｎｍ〜数百ｎｍの分解能で、数百μｍのストロークが必要である。
分解能は検出ストロークを電気処理系における分割数（サンプル数）で割った値で決められる。例えば検出ストロークが５０μｍ、サンプル数が２０００のときの分解能は、
５０μｍ／２０００＝２５ｎｍ
となる。前述のようにＺ検出では数百μｍのストロークが必要であるが、例えば２００μｍのストロークで同じ２５ｎｍの分解能を得るためには、
２００μｍ／２５ｎｍ＝８０００
と４倍のサンプル数が必要となる。サンプル数が増大すると電気処理系に負担を掛け、処理時間も増大するという課題がある。
【０００７】
従って、小型で高精度な位置測定装置に対する要求があり、また、小型で高精度な位置測定装置を適用した電子線描画装置に対する要求がある。
【０００８】
【発明の目的】
そこで、本発明の目的は、
（１）少なくとも３本のレーザー光束を対象物面において異なる角度で照射して、それらの干渉光を用いて測定範囲（ダイナミックレンジ）の広い法線方向の位置測定を行う位置測定装置を提供することにある。
（２）測定範囲を拡大した法線方向の位置測定に加えて、さらに、平面方向の位置測定のための第１平面方向位置測定用照明光束と第２平面方向位置測定用照明光束とを形成照射して平面方向の測定も行う測定装置を提供することにある。
（３）第３照明光束の入射角度を変化させ、測定範囲を変更できる構成の位置測定装置を提供することにある。
（４）照射光学系中に対象物に照射する光束の照射位置を調整する光束シフト部を設けた位置測定装置を提供することにある。
（５）照射光学系中に対象物に照射する光束の集光位置を調整する集光位置変化部を設けた位置測定装置を提供することにある。
（６）対象物の位置を正確に測定することができる位置測定装置を備えた小型で高精度な電子線描画装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の位置測定装置は、コヒーレント光を発する光源部と、この光源部からの光束を、法線方向基準照明光束として第１入射角により、第１法線方向測定用照明光束として第２入射角により、また前記第２法線方向測定用照明光束として第１入射角及び第２入射角とは異なる第３入射角で、位置の測定をすべき対象物に設けられている２次元パターンへ照射する照射光学系と、２次元パターンからの反射光を受光する受光光学系と、受光光学系で受光した反射光の内で、法線方向基準照明光束と第１法線方向測定用照明光束とを干渉させて第１法線方向測定用干渉信号を形成し、法線方向基準照明光束又は第１法線方向測定用照明光束と第２法線方向測定用照明光束とを干渉させて第２法線方向測定用干渉信号を形成する受光部と、第１法線方向測定用干渉信号及び前記第２法線方向測定用干渉信号の位相に基づき対象物の法線方向の位置測定を行う信号処理部とを有する構成である。
【００１０】
このような構成により、測定範囲の広い法線方向の位置測定を行うことができる小型で高精度な位置測定装置を実現することができる。
本発明の位置測定装置の信号処理部は第１法線方向測定用干渉信号と第２法線方向測定用干渉信号との位相差に基づいて前記対象物の法線方向の位置の測定を行う信号処理部を有するのが好ましい。
このような構成により、効率的な信号の処理を行うことができ、小型で高精度な位置測定装置を実現することができる。
また、本発明の位置測定装置の光源部は、この光源部からの光束を周波数が異なる光束として射出する周波数シフター部を更に備え、上記光源部は、この光源部から生じる第１周波数のコヒーレント光を、法線方向基準照明光束とし、周波数シフター部から射出される前記法線方向基準照明光束と周波数が異なる第２周波数の光束を第１法線方向測定用照明光束とし、法線方向基準照明光束又は第１法線方向測定用照明光束のいずれか一つから分離させて第２法線方向測定用照明光束を形成する光束分離部を更に備えているのが好ましい。
【００１１】
このような構成により、小型で高精度な位置測定装置の光源を実現することができる。
また、本発明の位置測定装置の光源部は、第１平面方向測定用照明光束となる第１周波数のコヒーレント光を発する光源と、この第１平面方向測定用照明光束と周波数が異なる第２周波数の第２平面方向測定用照明光束を形成する周波数シフターとを有し、照射光学系は、第１平面方向測定用照明光束と第２平面方向測定用照明光束を第１入射角で入射させ、受光部は、受光光学系で受光した第１平面方向測定用照明光束と第２平面方向測定用照明光束の回折光の内で、２次元パターンによる高次回折光と０次回折光の組み合わせ及び高次回折光同士の組み合わせのいずれか一つの周波数が異なる回折光の組み合わせから対象物の２次元パターンを設けた平面内での平面位置測定用干渉信号を形成し、信号処理部は、平面位置測定用干渉信号の位相に基づき対象物の２次元パターンを設けた平面内での位置を求める信号処理部とを有するのが好ましい。
【００１２】
このような構成により、小型で高精度な位置測定装置を実現することができる。
また、本発明の位置測定装置の受光部は、第１平面位置測定用照明光束と第２平面位置測定用照明光束の２次元パターンによる０次回折光同士の異なる周波数の回折光の組み合わせからＸ位置測定用干渉基準信号を形成し、第１平面位置測定用照明光束の０次回折光と第２平面位置測定用照明光束の高次回折光の組合せ又は、第１平面位置測定用照明光束の高次回折光と第２平面位置測定用照明光束の０次回折光の組合せからＹ位置測定用干渉基準信号を形成し、信号処理部は、Ｘ位置測定用干渉測定信号とＸ位置測定用干渉基準信号との位相差に基づき対象物のＸ方向の位置を求め、Ｙ位置測定用干渉測定信号とＹ位置測定用干渉基準信号との位相差に基づき対象物のＹ方向の位置を求めるように構成するのが好ましい。
【００１３】
このような構成により、確実に回折光を受光して、効率的な信号の処理を行うことができ、小型で高精度な位置測定装置を実現することができる。
また、本発明の位置測定装置の光源部は、第１平面方向測定用照明光束と法線方向基準照明光束とを共通の光束とするように構成されているのが好ましい。
このような構成により、小型で高精度な位置測定装置を実現することができる。
また、本発明の位置測定装置の照射光学系での第１法線方向位置測定用照明光束又は第２法線方向位置測定用照明光束の光路中に、その照明光束が前記２次元パターンに照射する入射角度を変化させる入射角度変化部材が配置されているのが好ましい。
【００１４】
このような構成により、測定範囲を変更できる小型で高精度な位置測定装置を実現することができる。
また、本発明の位置測定装置の入射角度変化部材は、第１法線方向位置測定用照明光束又は第２法線方向位置測定用照明光束の入射角度を変化させるように、その光路中に光軸と直交方向に回転軸を有する平行平面板として構成されているのが好ましい。
このような構成により、測定範囲を変更できる小型で高精度な位置測定装置を実現することができる。
更に、本発明は、電子線描画装置において、電子線描画装置の構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけるように配置されている上記の本発明の位置測定装置を備え、位置測定装置は対象物の位置を測定するための位置測定用光束を照射するための照明側光学部材と、対象物からの反射回折光を受光して対象物の位置を測定するための受光側光学部材とを有し、照明側光学部材から照射して受光側光学部材に入射される光束が、電子線描画装置の構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけて透過することができるように、照明側光学部材及び受光側光学部材が電子線描画装置に配置されている構成とした。
【００１５】
この構成により、加工すべき対象物の位置を精確に測定することができ、電子線描画装置により極めて高い精度で加工対象物を加工することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面により説明する。
本発明の位置測定装置は、図１に示すように、照明光学系１００と、補正光学系２００と、照射光学系３００と、受光光学系４００とを備える。
〔１〕  照明光学系１００
図１及び図１の部分拡大図である図１６から図１８を参照すると、光源１は照明光束となるコヒーレント光を発する光源であり、波長λ＝６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光源である。光源１から照射される干渉性の強いコヒーレントであるレーザー光は、リレーレンズ１０２を介してビームスプリッター１０３で、第１照明光束１０４と第２照明光束１０５とに分岐される。
【００１７】
第１照明光束１０４はリレーレンズ１０６を介して第１周波数シフター１０８に導かれ、第１周波数シフター１０８は第１照明光束１０４を変調して第１測定用照明光束１１０を形成する。第２照明光束１０５はリレーレンズ１０７を介して第２周波数シフター１０９に導かれ、第２周波数シフター１０９は第２照明光束１０５を変調して第２測定用照明光束１１１を形成する。
音響光学素子（ＡＯＭ）を周波数シフターとして用いるのが好ましい。第１測定用照明光束１１０の周波数シフターによる変調周波数は８０．０５ＭＨｚであり、第２測定用照明光束１１１の周波数シフターによる変調周波数は８０．０６２５ＭＨｚである。周波数シフター１０８、１０９により、周波数が互いに僅かに異なる第１測定用照明光束１１０及び第２測定用照明光束１１１が形成される。この場合に、第１測定用照明光束１１０と第２測定用照明光束１１１の周波数の差Δｆは１２．５ＫＨｚとなる。第１測定用照明光束１１０と第２測定用照明光束１１１を互いに重ね合わせて、干渉させると、その干渉結果の強度は、周波数Δｆのうなり（ビート信号）になる。
【００１８】
ビームスプリッター１１２は、第１測定用照明光束１１０を第１平面位置測定用照明光束１１４と第１法線方向測定用照明光束１１５とに分岐させる。
ビームスプリッター１１３は、第２測定用照明光束１１１を第２平面位置測定用照明光束１１６と第２法線方向測定用照明光束１１７とに分岐させる。
第１平面位置測定用照明光束１１４、第１法線方向測定用照明光束１１５、第２平面位置測定用照明光束１１６、第２法線方向測定用照明光束１１７は、それぞれリレーレンズ１１８、１１９、１２０、１２１を介して調整光学系２００に、その光軸に対して互いに平行な光束として導かれる。
但し、第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７は、それぞれ第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６とは別個の測定用照明光束から分岐させることも可能である。
【００１９】
ここで、照明光学系１００において、リレーレンズ１０２、１０６、１０７により光源１と第１周波数シフター１０８及び第２周波数シフター１０９は共役関係となる。
〔２〕  調整光学系２００
調整光学系２００は、図２から図４に示すように、第１平面位置測定用照明光束１１４、第１法線方向測定用照明光束１１５、第２平面位置測定用照明光束１１６及び第２法線方向測定用照明光束１１７を、所定の照射条件に適合するように補正を施す光学系である。その補正には、第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７の照射角度を第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６に対して調整を行う照射角度調整、これら４本の照明光束１１４〜１１７が照射する対象物上の平面位置を調整する平面位置調整、及び、これら４本の照明光束１１４〜１１７のビームウエスト位置が対象物１０上に来るように調整するビームウエスト位置調整の３種類がある。
【００２０】
第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７の照射角度調整は、それぞれの光路に挿入されている平行平面板２０１、２０２を光軸と直交する回転軸を中心に回転させることにより行われる。第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７は、平行平面板２０１、２０２の回転により鉛直方向に平行移動し、その結果、後述する投影レンズによる照射角度が変化する。ここで、「鉛直方向」とは、４本の照明光束１１４〜１１７を含むような面に対して垂直な方向をいう。
４本の測定用照明光束１１４〜１１７は、それぞれの光路で２つのミラー（図示せず）により光束の間隔を狭くされ、頂角の等しい一組のウエッジプリズム２０３、２０４に入射する。
【００２１】
４本の測定用照明光束１１４〜１１７の平面位置の調整は、水平方向を調整のための中心軸として、ウエッジプリズム２０３、２０４の交差角度の調整及び交差中心方向の調整により行われる。
調整前の位置からの距離は、ウエッジプリズム２０３、２０４の交差角度を調整することによって決定される。又、調整前からの変化の方向はウエッジプリズム２０３、２０４が交差する中心方向を調整することにより決定される。このようにして調整を行うことにより、４本の測定用照明光束１１４〜１１７の平面位置の調整を上下左右の任意の方向で行うことができる。
４本の測定用照明光束１１４〜１１７は、ウエッジプリズム２０３、２０４で平面位置調整を行った後、フォーカスレンズ２０５、２０６に入射する。
【００２２】
フォーカスレンズ２０５、２０６は、その間隔が変化することにより、各光束が光軸と平行であるという条件を維持しつつ、各光束と光軸との間隔を変更できるように構成されており、４本の測定用照明光束１１４〜１１７のビームウエストが対象物１０上に来るように、ビームウエストの位置を光軸方向に調整することができる。
本発明の実施の形態では、光源側にある調整レンズ２０５は平凸レンズで形成され、対象物側の調整レンズ２０６は平凹レンズ２０６で形成されている。
従って、フォーカスレンズ２０５と２０６との間の間隔を広げると、ビームウエストの位置が光源側に近づくように変化する。
但し、光源１のある側のフォーカスレンズ２０５を平凹レンズ２０６で形成し、対象物１０のある側のフォーカスレンズ２０６を平凸レンズで形成することも可能である。
【００２３】
このように、光軸付近に第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６を配置し、これらを基準として照射角度の調整を行う第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７を周辺に（両脇に）配置することにより、照射角度調整を行う光学素子である平行平面板２０１、２０２をそれらの光路中に配置しかつ光軸と直交する回転軸を中心に回転可能とする機構を組み込みやすくすることができる。
【００２４】
〔２−１〕  マニュアル調整
上述した調整光学系２００のビームの調整方法について説明する。以下では、位置を優先した調整方法について説明する。
初期状態では、ウエッジプリズム２０３、２０４は１８０度回転されたように反対方向を向いて配置され、見掛け上、プリズムのパワーがない状態とされている。また、調整レンズ２０５と２０６は両者の間隔が略ゼロとなるように配置され、パワーがない状態であることとする。
この位置を優先した調整方法においては、ウエッジプリズム２０３、２０４を用いて初期状態でのビームの照射位置を本来照射したいマーク１２上に移動させ、次に調整レンズ２０５及び２０６を用いて、４本の測定用照明光束１１４〜１１７のビームウエストが対象物１０上に来るようにビームウエスト位置を調整する。
具体的にいえば、ビームの移動方向は、ウエッジプリズム２０３、２０４の交叉角度の２等分線方向と一致するので、初期状態におけるビーム照射位置を基準として、ビームを照射したいマーク１２の方向とウエッジプリズム２０３、２０４の交叉角度の２等分線方向が一致するように両プリズムを回転させる。
次に、ビームの移動距離は、ウエッジプリズム２０３、２０４の交叉角度が１８０度から０度に近づくにつれてビームの移動距離が大きくなるので、ウエッジプリズム２０３、２０４の交叉角度の２等分線方向を維持したまま互いのウエッジプリズム２０３、２０４の交叉角度を調整することにより、対象物１０上の２次元パターン１２上を照射するように調整することができる。
このように、４本の測定用照明光束１１４〜１１７のビーム位置を対象物１０上の２次元パターン１２上に来るように調整したあと、干渉信号の強度が最大となるなどの影響要素に基づき、ビームウエスト位置を対象物１０上の２次元パターン１２上になるように調整レンズ２０５と２０６との間の間隔を調整する。
本発明の実施の形態では、光源１のある側の調整レンズ２０５を平凸レンズで形成し、対象物１０のある側の調整レンズ２０６を平凹レンズ２０６で形成したので、調整レンズ２０５と調整レンズ２０６との間の間隔を広げるにつれて、ビームウエスト位置は光源側に近づく。
【００２５】
〔３〕  照射光学系３００
照射光学系３００は、図２から図４に示すように、折り返しミラー３０１、３０２及び照射レンズ３０３を備え、第１平面位置測定用照明光束１１４、第２平面位置測定用照明光束１１６、第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７の４本の光束を対象物１０上の２次元パターン１２上に一点に照射する。
【００２６】
このとき照射光学系３００は、上記補正光学系２００によって所定の補正がされた結果、第１平面位置測定用照明光束１１４、第２平面位置測定用照明光束１１６をいっしょに、対象物１０を含む平面の法線に対して入射角θ１で照射し、第１法線方向測定用照明光束１１５を入射角θ１とは異なる入射角θ２で照射し、第２法線方向測定用照明光束１１７をθ１及びθ２とは異なる入射角θ３で照射する。
照射レンズ３０３を含む照射光学系３００は、ビームウエスト位置調整用の調整レンズ２０５及び調整レンズ２０６が作用しない状態で、すなわち、調整レンズ２０５と調整レンズ２０６とが互いに接触した状態で、ビームウエスト位置がビームウエスト位置調整範囲の最遠点となるように設定されている。
【００２７】
ビームウエスト位置調整用の調整レンズ２０５と調整レンズ２０６との間の間隔を適当に定めることにより、対象物１０上に測定照明光束のビームウエストが来るように調整することができる。種々の調整が終了した時点で、光源１、周波数シフター１０８、１０９及び対象物１０はすべて共役関係を形成する。
対象物１０上の２次元回折パターン１２は市松格子より形成される。この市松格子はＸ方向及びＹ方向に、それぞれ等しいピッチｄを持つ。
対象物１０上の市松格子に入射した４本の測定用照明光束は、この市松格子により反射し、回折する。
今、第１平面位置測定用照明光束１１４のみに注目すると、入射角θと１次光回折光のＸ方向の回折角θｘ及びＹ方向の回折角θｙとの関係は次式で与えられる。
【００２８】
ｓｉｎθｘ＝±λ／ｄ                          （１）
ｓｉｎθｙ＝ｓｉｎθ±λ／ｄ                  （２）
（１）式及び（２）式を満たす第１平面位置測定用照明光束の正反射光（回折０次光）、回折１次光のマッピングを、図５及び図６に示す。（２次以上の高次に関しては省略してある。）
図５は対象物１０上の２次元パターン１２に第１平面位置測定用照明光束１１４が、２次元パターン１２の法線１２Ｔに対して角度θで入射した状態を示す。図６は対象物１０上の２次元パターン１２に４本の測定用照明光束１１４〜１１７が入射した状態を示す。
図７及び図８に示すように、第１平面位置測定用照明光束１１４、第２平面位置測定用照明光束１１６、第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７は、対象物面法線を軸とし互いに僅かな角度＋α回転させた方向から入射されているので、それぞれの０次光、回折１次光は、他の測定用照明光束の０次光、回折１次光と重ならずに、分離して単独に取り出すことが可能である。
【００２９】
また入射角に関しては、図８に示すように、第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６は入射角θ１で、第１法線方向測定用照明光束１１５は入射角θ２で、第２法線方向測定用照明光束１１７は入射角θ３で、それぞれ対象物１０上の２次元回折パターン１２に照射される。
図９は、第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６の０次光及び回折１次光と第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７の０次光のマッピングである。
本発明の実施の形態においては、図５、図６及び図９に示すように、回折光マッピングが反射回折となっているため、Ｘ軸の正方向は図中で左方向であり、Ｙ軸の正方向は図中で下方向であって、一般の座標系とは異なっている。
【００３０】
受光光学系４００は、図１０、図１１及び図１９に示すように、前記２次元パターン上の反射点から拡がる回折光を受光するように配置される。しかし、電子ビーム描画装置やステッパなどでは描画光学系や投影光学系などの装置の部材７１０がスペースの大半を占めており、受光光学系のためのスペースは限られることが多い。
従って、受光光学系全体の大きさを決める回折角が小さくでき、かつ受光部での各回折光の分岐、重ね合わせが容易になるよう互いに適度な間隔が保たれている配置が要求される。また、照射光学系側も受光光学系側と同様に、装置の部材によりそのスペースは限られている。
受光光学系側で０次光のＹ方向回折角は入射角と同じくθである。１次回折光のＹ方向回折角θｙについて（２）式を参照すると、複合のマイナスの式を満たすθｙはθよりも小さい値になる。つまり、−１次回折光は０次光に対し描画光学系や投影光学系など装置の部材側に現れるため、それらの部材により遮られる傾向がある。
【００３１】
この場合には、受光光学系側と照射光学系側での光束の通過位置は非対称となり、−１次光が装置本来の部材に遮られないように設定すると、入射側により入射角θを大きくとりデットゾーンを設けることとなる。
また、入射角θを大きくすると反射回折光の各偏光成分（Ｓ偏光、Ｐ偏光）の回折効率の差も大きくなり、受光部での重ね合わせ干渉性に影響を及ぼす。ところが（２）式の複合のプラスの式を満たすθｙはθよりも大きく、＋１次回折光は０次光に対し対象物側に現れる。
したがって０次光が部材に遮られていなければ、＋１次光も装置の部材７１０にさえぎられることは無い。よって＋１次光を用いれば入射角θは部材に遮られない範囲で最小の値にでき、偏光成分による回折効率の差を小さくできる。
【００３２】
（２）式の複合のプラスの式と（１）式を同時に満たす１次回折光は、Ｘ方向に＋１次、Ｙ方向に＋１次の回折光とＸ方向に−１次、Ｙ方向に＋１次の回折光である。これらは互いに隣り合う象限（（Ｘ、Ｙ）象限及び（−Ｘ、Ｙ）象限）に含まれており、これらの光線を用いることで受光側光学系の省スペース化にも貢献できる。
図１４は、位置合わせマークで回折された回折光のうち、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の測定に用いる回折光マッピングを示す。
ここで、ｆ１（０）は第１平面位置測定用照明光束１１４が位置合わせマークで回折されたあとの０次の回折光であり、ｆ２（０）は第２平面位置測定用照明光束１１６が位置合わせマークで回折されたあとの０次の回折光である。
【００３３】
ｆ１（Ｘ，Ｙ）は第１平面位置測定用照明光束１１４が位置合わせマークで回折されたあとのＸ方向が＋１次でＹ方向が＋１次の回折光である。
ｆ１（−Ｘ，Ｙ）は第１平面位置測定用照明光束１１４が位置合わせマークで回折されたあとのＸ方向が−１次でＹ方向が＋１次の回折光である。
ｆ２（Ｘ，Ｙ）は第２平面位置測定用照明光束１１６が位置合わせマークで回折されたあとのＸ方向が＋１次でＹ方向が＋１次の回折光である。
ｆ２（−Ｘ，Ｙ）は第２平面位置測定用照明光束１１６が位置合わせマークで回折されたあとのＸ方向が−１次でＹ方向が＋１次の回折光である。
ｆ１’（０）は第１法線方向測定用照明光束１１５が位置合わせマークで回折されたあとの０次の回折光である。
【００３４】
ｆ２’（０）は第２法線方向測定用照明光束１１７が位置合わせマークで回折されたあとの０次の回折光である。
受光光学系を小さくするためのもう一つの方法は、対物レンズ４１０の径を小さくすることである。レンズ径を小さくするためには、０次光と１次光の回折角の差を小さくすればよい。回折角の差を小さくする方法として、（１）式、（２）式より２次元回折パターンのピッチを大きくする、または光源波長λを小さくすることが挙げられる。
通常回折パターンのピッチは数μｍ〜数十μｍ程度である。このときλ＝６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光源を用いると、回折角を十分小さくすることができる。また対象物面上にはレジストが塗布されていることが多いが、この波長はレジストを感光しない程度に十分長い波長である。
【００３５】
さらに対物レンズ４０１の光軸と対象物の法線との成す角βを、第１照明光束の０次光と対象物の法線との成す角をθ、第１照明光束の＋１次回折光のＹ方向の回折角をθｙとして次式で与えられるようにする。
β＝（θ＋θｙ）／２
これは０次光と回折１次光の中間の角度で、この光軸を取ることにより対象物から遠い位置に配置しても、レンズ径を小さくできる。また対象物上の反射点から対物レンズまでの距離が長いほど各回折光の間隔が広くなり、受光部での各回折光の分岐、重ね合わせ干渉が容易になるという利点もある。
図１０は、投光光学系及び受光光学系の例で、波長λ＝６３３ｎｍ、第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６の入射角θ＝７０°、回折格子ピッチｄ＝２０μｍ、照射レンズ３０３の焦点距離は１３３ｍｍ、受光側対物レンズの焦点距離は２２０ｍｍである。
【００３６】
照射レンズ３０３に入射する４本の照明光束は互いに平行で間隔が３ｍｍであるから、この間隔は受光側対物レンズ４０１を通過した後に約５ｍｍとなる。
また、１次光の回折角に関しては、（１）式及び（２）式を用いて、θｘ＝１．８°、θｙ＝７６．２５°となる。受光側対物レンズ４０１の光軸の角度βは７３°で、このときレンズ径はφ４０ｍｍとなり、４本の照明光束を部材７１０に衝突することなく透過させることができる。
受光側対物レンズ４０１は、対象物１０上の反射点から１焦点距離分の位置に配置され、対象物１０上の反射点から拡がる多数の反射回折光を互いに平行にする役割を担う。受光側対物レンズ４０１により互いに平行にされた各回折光は、折り返しミラー４０２、４０３により受光部に導かれ、さらに折り返しミラー４０４、４０５により、０次光及び１次光は同一平面内に納められる。
【００３７】
次に、受光部５００の構成の詳細を図１２に示す。受光部は前記受光光学系４００で受光した回折光の内で、隣り合う象限、ここでは（＋Ｘ、＋Ｙ）象限及び（−Ｘ、＋Ｙ）象限に含まれる第１平面位置測定用照明光束１１４と第２平面位置測定用照明光束１１６の前記２次元パターンによる高次回折光と０次光の組み合わせ及び高次回折光同士の組合せのいずれか一つの異なる周波数の回折光の組み合わせから、対象物を含む平面内での位置測定用干渉測定信号を形成する。
対象物を含む平面内のＸ方向の位置測定用干渉測定信号は、第１平面位置測定用照明光束１１４の前記２次元パターンによる回折光の内で、Ｘ方向に−１次、Ｙ方向に＋１次の回折光５１２と、第２平面位置測定用照明光束１１６の前記２次元パターンによる回折光の内、Ｘ方向に＋１次、Ｙ方向に＋１次の回折光５１４をビームスプリッター５３０で重ね合わせて形成する。Ｘ位置測定用干渉信号をフォトセンサ５５０で受光する。
【００３８】
対象物を含む平面内のＹ方向の位置測定用干渉測定信号は、第１平面位置測定用照明光束１１４の前記２次元パターンによる回折光の内で、Ｘ方向に＋１次、Ｙ方向に＋１次の回折光５１１と、ビームスプリッター５３１で第２平面位置測定用照明光束１１６の０次光５１３から分岐された光線を、ビームスプリッター５３２で重ね合わせ形成する。Ｙ位置測定用干渉測定信号はフォトセンサ５５１で受光する。
対象物を含む平面の法線方向、即ちＺ方向を照射角度θ２で照射した際に得られる第１Ｚ方向位置測定用干渉測定信号は、第２平面位置測定用照明光束１１６の０次光５１３からビームスプリッター５３３で分岐された光線と、第１法線方向測定用照明光束１１５の０次光５１７をビームスプリッター５３４で重ね合わせ形成する。Ｚ位置測定用干渉信号はフォトセンサ５５２で受光する。
【００３９】
対象物を含む平面の法線方向、即ちＺ方向を照射角度θ３で照射した際に得られる第２Ｚ方向位置測定用干渉測定信号は、第１平面位置測定用照明光束１１６の０次光５１０からビームスプリッター５３５で分岐された光線と、第２法線方向測定用照明光束１１５の０次光５１６をビームスプリッター５３６で重ね合わせて形成する。Ｚ位置測定用干渉信号はフォトセンサ５５３で受光する。
受光部ではさらに、第１平面位置測定用照明光束１１４の０次光５１０と第２平面位置測定用照明光束の０次光５１３をミラー５３７を介してビームスプリッター５３８で重ね合わせて、Ｘ位置測定用干渉基準信号兼Ｚ位置測定用基準信号を形成する。Ｘ位置測定用干渉基準信号兼Ｚ位置測定用干渉基準信号は、フォトセンサ５５４で受光する。
【００４０】
また、第１平面位置測定用照明光束１１４の０次光５１０からビームスプリッター５３９で分岐された光線と、第２平面位置測定用照明光束１１６の２次元パターンによる回折光の内で、Ｘ方向に−１次、Ｙ方向に＋１次の回折光５１５をビームスプリッター５４０で重ね合わせ、Ｙ位置測定用干渉基準信号を形成する。Ｙ位置測定用干渉基準信はフォトセンサ５５５で受光する。
各干渉測定信号及び干渉基準信号は僅かに異なる周波数のを持つ二つの光線の重ね合わせ干渉、即ちヘテロダイン干渉によるうなり（ビート信号）である。第１平面位置測定用照明光束及び第１法線方向測定用照明光束（両者を以下「第１測定光束」という）の周波数をｆ１、第２平面位置測定用照明光束及び第２法線方向測定用照明光束の周波数（両者を以下「第２測定光束」という）をｆ２とする。
【００４１】
各光束の２次元回折パターンによる多数の回折光の内、ある回折光の複素振幅を、それぞれ、
ａ１＝Ａ１＊ｅｘｐ［−ｉ（２πｆ１ｔ＋φ１）］
ａ２＝Ａ２＊ｅｘｐ［−ｉ（２πｆ２ｔ＋φ２）］
で表すとする。ただしφ１は第１照明光束の初期位相、φ２は第２照明光束の初期位相、ｔは時間である。
これらの光線を重ね合わせた強度信号は、
0003713355.tif 000002
となる。ただしΔｆ＝ｆ１−ｆ２である。
これは周波数がΔｆのビート信号で、その位相成分は、
φ１−φ２                                            （３）
である。
【００４２】
第１照明光束または第２照明光束の対象物上の２次元パターンによる多数の高次回折光の内、Ｘ方向に＋１次、Ｙ方向に＋１次の回折光に注目する。２次元回折パターンを含む対象物がＸ方向にΔＸ、Ｙ方向にΔＹ変位したときこの回折光の位相は、第１照明光束及び第２照明光束のいずれの場合においても、
２π（ΔＸ＋ΔＹ）／ｄ＝φｘ＋φｙ
だけ変化する。ここでｄは２次元回折パターンのピッチである。また対象物のＺ方向の移動に対しても位相は変化するので、その値をφｚとする。
【００４３】
したがって、対象物がＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に変化したときの、この回折光の位相変化量は、
φｘ＋φｙ＋φｚ                                    （４）
である。
Ｘ方向に−１次、Ｙ方向に＋１次の回折光の場合はφｘの符号が変わり、対象物のＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の変位に対する位相変化量は、
−φｘ＋φｙ＋φｚ                                  （５）
となる。
０次光は対象物のＸ方向、Ｙ方向の変位に対しては位相は変化せず、Ｚ方向の変位に対してのみ位相変化する。ただし、第１照明光束及び第２照明光束のうち法線方向測定用照明光束は、入射角の違いから対象物のＺ方向の変位ΔＺ対しての位相変化量が異なる。
【００４４】
対象物のＺ方向の変位に対する第１照明光束の位相変化量φｚ及び対象物のＺ方向の変位に対する第２照明光束の位相変化量φｚ’は、
φｚ  ＝４πΔＺ／λ＊ｃｏｓθ１                    （６）
φｚ’＝４πΔＺ／λ＊ｃｏｓθ２                    （７）
で与えられる。
Ｘ位置測定用干渉測定信号の位相成分は、（３）式のφ１に（４）式を代入し、φ２に（５）式を代入して、
（φｘ＋φｙ＋φｚ）−（−φｘ＋φｙ＋φｚ）＝２φｘ    （８）
となる。
Ｘ位置測定用干渉基準信号の位相成分は、（３）式のφ１、φ２に（６）式を代入して、
φｚ−φｚ＝０                                      （９）
となる。
【００４５】
したがって、Ｘ位置測定用干渉測定信号の（８）式とＸ位置測定用干渉基準信号の（９）式はＹ方向の位置情報を等しく含み（この場合０）、（８）式と（９）式の差をとれば２φｘとして、対象物を含む平面内のＸ方向の位置情報が得られる。
Ｙ位置測定用干渉測定信号の位相成分は、（４）式及び（６）式より、
（φｘ＋φｙ＋φｚ）−φｚ＝φｘ＋φｙ               (１０）
である。
Ｙ位置測定用干渉基準信号の位相成分は、（５）式及び（６）式より、
φｚ−（−φｘ＋φｙ＋φｚ) ＝φｘ−φｙ            （１１）
である。
【００４６】
したがって、Ｙ位置測定用干渉測定信号の（９）式とＹ位置測定用干渉基準信号の（１０）式は、Ｘ方向の位置情報を等しく含み、（９）式と（１０）式の差をとれば２φｙとして、対象物を含む平面内のＹ方向の位置情報が得られる。
また、第１Ｚ位置測定用干渉測定信号の位相成分は、（６）式及び（７）式より、
φｚ’−φｚ＝４π（ｃｏｓθ２−ｃｏｓθ１）／λ＊ΔＺ   (１２）
となり、また、第２Ｚ位置測定用干渉測定信号の位相成分は、（６）式及び（７）式より、
φｚ’−φｚ＝４π（ｃｏｓθ３−ｃｏｓθ１）／λ＊ΔＺ   (１３）
となり、これはΔＺに比例した値である。
【００４７】
Ｚ位置測定用干渉基準信号（兼Ｘ位置測定用干渉基準信号）の位相成分は、式 (９）より０である。
したがって、 (１２）式と (９）式の差をとれば、Ｚ方向 (対象物を含む平面の法線方向）の位置情報がそのまま (１２）式として得られる。
第１Ｚ位置測定用干渉信号とＺ位置測定用干渉基準信号との位相差Φｚ１（ΔＺ）及び第２Ｚ位置測定用干渉信号とＺ位置測定用干渉基準信号との位相差Φｚ２（ΔＺ）は、（１２）式及び（１３）式より、それぞれ、
Φｚ１（ΔＺ）＝４π（ｃｏｓθ１−ｃｏｓθ２）／λ＊ΔＺ
Φｚ２（ΔＺ）＝４π（ｃｏｓθ１−ｃｏｓθ３）／λ＊ΔＺ
で与えられる。ここでは、Ｚ位置測定用干渉基準信号からＺ位置測定用干渉信号を引くこととする（つまり括弧の中の符号が反転する）。
【００４８】
いま、第１Ｚ位置測定用干渉信号の検出ストロークをＺ１、第２Ｚ位置測定用干渉信号の検出ストロークをＺ２とする（Ｚ１＞Ｚ２）。
ΔＺ＝Ｚ１で、Φｚ１（ΔＺ）＝２π、
ΔＺ＝Ｚ２で、Φｚ２（ΔＺ）＝２π
となるから、
Φｚ１（ΔＺ）＝２π／Ｚ１＊ΔＺ    （ａ）
Φｚ２（ΔＺ）＝２π／Ｚ２＊ΔＺ    （ｂ）
と表せられる。図１３の左側の波形中、実線は（ａ）式の信号を示し、点線は（ｂ）式の信号を示している。
Φｚ２（ΔＺ）とΦｚ１（ΔＺ）の差、つまり（ｂ）式と（ａ）式の差をとると、
0003713355.tif 000003
となる。
【００４９】
（ａ）式、（ｂ）式と（ｃ）式の形を見比べると、（ｃ）式は検出ストロークがＺ１＊Ｚ２／（Ｚ１−Ｚ２）のＺ位置測定用干渉信号を表していると考えることができる。この（ｃ）式の信号は、図１３右側の波形として示してある。
式よりθ２＝７０．３９°、θ３＝７０．４８°とすれば、Ｚ１＝  ５０μｍ、Ｚ２＝４０μｍとなる。これらを（ｃ）式に代入すると、
ΔΦ（ΔＺ）＝２π／２００μｍ＊ΔＺ
となる。したがってストロークが２００μｍのＺ位置測定用干渉信号が得られる。このときサンプル数は、ストロークが５０μｍで分解能が２５ｎｍのときの２０００に等しい。つまり、分解能が２５ｎｍ、サンプル数２０００のまま検出ストローク、すなわち検出可能な範囲を２００μｍに拡大することができる。
【００５０】
いま、各方向の位置測定用干渉基準信号を便宜上、Ｘ方向が式（９）式、Ｙ方向が（１１）式、Ｚ方向が（９）式としたが、これをＸ方向が（８）式、Ｙ方向が（１０）式、Ｚ方向が（１２）式としても符号が反転するだけで、各方向の位置情報を得ることができる。
（１３）式より、所望のＺ検出ストロークを得るための第１法線方向測定照明光束の入射角θ２が求まる。
例えば、（１２）式において５０μｍの検出ストロークが得たい場合、左辺に２π、右辺のΔＺに５０μｍを代入する。
ただし、θ２の値はθ１よりも大きく、つまり、第１照明光束よりも対象物側にとりたいので、第２Ｚ位置測定用干渉基準信号から第１Ｚ位置測定用干渉基準信号を引くと、
２π＝４π（ｃｏｓ７０°−ｃｏｓθ２）／６３３ｎｍ×５０μｍ
これより、θ２＝７０．３９°を得る。
【００５１】
信号処理部６００は、位置測定用干渉測定信号の位相に基づき対象物を含む平面内及び対象物を含む平面の法線方向の位置を求める。Ｘ方向の位置測定用干渉測定信号はフォトセンサ５５０で受光し、Ｘ位置測定用干渉基準信号はフォトセンサ５５４で受光する。フォトセンサ５５０とフォトセンサ５５４で受光した信号の位相差を位相計６１０で測定する。
Ｙ位置測定用干渉測定信号はフォトセンサ５５１で受光し、Ｙ位置測定用干渉基準信号はフォトセンサ５５５で受光する。フォトセンサ５５１とフォトセンサ５５５で受光した信号との位相差を位相計６１１で測定する。
第１Ｚ方向位置測定用干渉測定信号は、フォトセンサ５５２で受光し、Ｚ位置測定用基準信号はフォトセンサ５５４で受光する。
【００５２】
フォトセンサ５５２で受光した信号とフォトセンサ５５４で受光した信号との位相差を位相計６１２で測定する。
第２Ｚ方向位置測定用信号は、フォトセンサ５５３で受光し、Ｚ方向位置測定用基準信号はフォトセンサ５５４で受光する。
フォトセンサ５５３で受光した信号とフォトセンサ５５４で受光した信号との位相差を位相計６１３で測定する。
演算処理部６２０は、位相計６１０の位相差に基づき対象物を含む平面内のＸ方向の位置を求め、位相計６１１の位相差に基づき対象物を含む平面内のＹ方向の位置を求め、そして、位相計６１２及び６１３の位相差に基づき対象物を含む平面内のＺ方向の位置を求める。演算処理部６２０で、対象物のＸＹＺ変位に対し、各方向の変位成分を独立に測定することが可能となり、これにより、対象物の位置合わせを初めとする種々の制御を行うことができる。
〔４〕  本発明の位置測定装置の適用
本発明の位置測定装置は、例えば、電子線描画装置のような荷電粒子線装置、及び、半導体露光装置などの対象物の位置合わせを正確に行うことを必要とする装置に適用することができる。
【００５３】
ここで、電子線描画装置を一例にとって説明する。図１５を参照すると、電子線描画装置は、電子線を発生する電子銃、電子ビームの向きを変更するＸ方向走査電極及びＹ方向走査電極などを内蔵した電子光学系７３０と、使用の際において真空状態とされるチャンバー内に配置される描画対象物７３２を載置可能とし、その水平面内のＸ、Ｙ方向及び法線方向であるＺ方向に移動可能とするステージ７３４とを備える。
そして、本発明の位置測定装置の照明光学系１００、補正光学系２００及び照射光学系３００を含む照明側光学筐体７４０と、受光光学系４００を含む受光側光学筐体７４２をステージ７３４の両側に配置する。照明側光学筐体７４０及び受光側光学筐体７４２は、電子光学系７３０等の電子線描画装置の各構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけるように配置されている。そして、照明側光学筐体７４０から照射して受光側光学筐体７４２に入射される光束が、電子光学系７３０等の電子線描画装置の各構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけて透過することができるように、照明側光学筐体７４０及び受光側光学筐体７４２は配置されている。
【００５４】
電子線描画装置は、制御回路からの種々の信号に応じて、電子光学系及びステージが所定の動作を行い描画対象物となるマスクやウエハなどに所定のパターンを電子線によって形成するものである。
具体的には、本発明の位置測定装置を適用した電子線描画装置により、エンコーダのパターン、位相シフトマスク等の半導体製造用マスクを加工することができる。
また、本発明の位置測定装置を適用した半導体露光装置により、半導体ウェハ、半導体製造用マスクを加工することができる。
【００５５】
【発明の効果】
（１）本発明により、少なくとも３本のレーザー光束を対象物面において異なる角度で照射して、それらの干渉光を用いてダイナミックレンジの広い法線方向の位置測定を行うために、ストロークの異なる２本のＺ位置測定用干渉信号の位相差をとることができ、同じ分解能のままサンプル数を増やすことなく（電気処理系への負担、処理時間を増大させることなく）検出ストロークを拡大することが可能となる。
（２）本発明により、小型で高性能な位置測定装置を適用した半導体露光装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の位置測定装置の実施の形態の光学系を示す概略図である。
【図２】本発明の位置測定装置の実施の形態の調整光学系及び照射光学系を示す斜視図である。
【図３】本発明の位置測定装置の実施の形態の調整光学系及び照射光学系を示す平面図である。
【図４】本発明の位置測定装置の実施の形態の調整光学系及び照射光学系を示す側面図である。
【図５】本発明の位置測定装置の実施の形態における対象物上の２次元回折パターンによる第１平面位置測定用照明光束の回折光マッピングである。
【図６】本発明の位置測定装置の実施の形態における対象物上の２次元回折パターンに測定用照明光束が入射した状態を示す斜視図である。
【図７】本発明の位置測定装置の実施の形態における対象物上の２次元回折パターンに測定用照明光束が入射した状態を示す平面図である。
【図８】本発明の位置測定装置の実施の形態における対象物上の２次元回折パターンに測定用照明光束が入射した状態を示す側面図である。
【図９】本発明の位置測定装置の実施の形態における対象物上の２次元回折パターンによる平面位置測定用照明光束と法線方向測定用照明光束の回折光マッピングである。
【図１０】本発明の位置測定装置の実施の形態における平面位置測定用照明光束と法線方向測定用照明光束及びその回折光との装置部材との位置関係を示す側面図である。
【図１１】本発明の位置測定装置の実施の形態における平面位置測定用照明光束と法線方向測定用照明光束及びその回折光との装置部材との位置関係を示す平面図である。
【図１２】本発明の位置測定装置の実施の形態の受光光学系の構成を示す概略ブロック線図である。
【図１３】本発明の位置測定装置の実施の形態の信号波形図である。
【図１４】本発明の位置測定装置の実施の形態における位置合わせマークで回折された回折光のうち、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の測定に用いる回折光マッピングである。
【図１５】本発明の位置測定装置を適用した電子線描画装置の実施の形態の概略部分断面図である。
【図１６】本発明の位置測定装置の実施の形態の図１の照明光学系の部分の部分拡大図である。
【図１７】本発明の位置測定装置の実施の形態の図１の対象物の部分の部分拡大図である。
【図１８】本発明の位置測定装置の実施の形態の図１の受光光学系の部分の部分拡大図である。
【図１９】本発明の位置測定装置の実施の形態の図１１の対象物の部分の部分拡大図である。
【符号の説明】
１  光源
１０  対象物
１２  ２次元回折パターン
１００  照明光学系
１０２  リレーレンズ
１０３  ビームスプリッター
１０４  第１照明光束
１０５  第２照明光束
１０６、１０７  リレーレンズ
１０８  第１周波数シフター
１０９  第２周波数シフター
１１０  第１測定用照明光束
１１１  第２測定用照明光束
１１２、１１３  ビームスプリッター
１１４  第１平面位置測定用照明光束
１１５  第１法線方向測定用照明光束
１１６  第２平面位置測定用照明光束
１１７  第２法線方向測定用照明光束
２００  補正光学系
２０１、２０２  平行平面板
２０３、２０４  ウエッジプリズム
２０５、２０６  フォーカスレンズ
３００  照射光学系
３０１、３０２  折り返しミラー
３０３  照射レンズ
４００  受光光学系
４０１  受光側対物レンズ
４０２〜４０５  折り返しミラー
５００  受光部
５１２  第１平面位置測定用照明光束の（−１、＋１）次回折光
５１４  第２平面位置測定用照明光束の（＋１、＋１）次回折光
５１５  第２平面位置測定用照明光束の（−１、＋１）次回折光
５１１  第１平面位置測定用照明光束の（＋１、＋１）次回折光
５１０  第１平面位置測定用照明光束の０次光
５１３  第２平面位置測定用照明光束の０次光
５１７  第１法線方向測定用照明光束の０次光
５１６  第２法線方向測定用照明光束の０次光
５５０〜５５５  フォトセンサ
６００  信号処理部
６１０  位相計（Ｘ）
６１１  位相計（Ｙ）
６１２  位相計（Ｚ１）
６１３  位相計（Ｚ２）
６２０  演算処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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