(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ギャップを有する磁気ヨークと、
所定の信号磁界の向きに応じて磁化の向きが動く磁化自由層と、前記磁化自由層に積層形成された非磁性層と、前記非磁性層に積層形成され、前記所定の信号磁界の中でも実質的に磁化の向きが変わらない磁化固着層とを有する磁気抵抗効果膜と、
を備え、前記磁気抵抗効果膜の前記磁化固着層の膜面の面積は、前記磁化自由層の膜面の面積よりも小さくなるように構成され、前記磁気ヨークの媒体対向面と反対側の面のうち磁気ギャップおよびこれに隣接する部分が前記磁化固着層の媒体対向面側の膜面に接することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記磁気ヨークは前記磁化固着層の媒体対向面側の膜面を除いて前記磁気抵抗効果膜と絶縁膜によって電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
所定の信号磁界の向きに応じて磁化の向きが動く磁化自由層と、前記磁化自由層に積層形成された非磁性層と、前記非磁性層に積層形成され、前記所定の信号磁界の中でも実質的に磁化の向きが変わらない磁化固着層とを有する磁気抵抗効果膜を、前記磁気抵抗効果膜の前記磁化固着層の膜面の面積が前記磁化自由層の膜面の面積よりも小さくなるように形成する工程と、
前記磁化固着層の前記非磁性層と反対側の膜面のほぼ全面が底面となるコンタクトホールを有する絶縁膜を前記磁気抵抗効果膜上に形成する工程と、
前記コンタクトホール内に磁気ギャップを有し、前記磁化固着層の前記非磁性層と反対側の膜面と接する磁気ヨークを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記コンタクトホールは、前記ピン層と自己整合的に形成されることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドを再生磁気ヘッドとして備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気ディスク装置に関する。より詳細には、本発明は主にハードディスク・ドライブ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）装置などにおいて使用される水平型（ホリゾンタル又はプレーナ型）の薄膜磁気ヘッドの再生用ヘッドとその製造方法ならびに磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ディスク装置をＡＶ（音響映像機器）用途で使用することを狙って、ヘッドの低価格化がすすめられているが、水平型薄膜磁気ヘッドはスライダー浮上面をウェハ基板単位で加工することができるため、低価格化を実現するヘッド構造として注目されている。
【０００３】
一般に磁気ヘッドは、磁気情報を記録媒体に書き込むための記録部と、記録媒体の磁気情報を読み出す再生部から構成される。記録部には一般的には、コイルとこれを上下に包み且つ磁気的に結合された磁極から構成されたいわゆる誘導型のヘッドが用いられる。再生部は、高記録密度の磁気情報に対応するために、磁気抵抗効果（以下、ＭＲとも言う）ヘッドが用いることが近年提案されている。磁気抵抗効果ヘッドの中でも、近年では、巨大磁気抵抗効果（以下、ＧＭＲとも言う）を利用するヘッドが良く知られている。また最近では、より大きな抵抗変化率を得るために、膜の主平面方向にセンス電流を通電する従来の方式から、膜厚方向にセンス電流を流す方式（垂直通電方式）で使用するＭＲ膜を用いることが提案されている。
【０００４】
膜厚方向にセンス電流を流して使用する膜の代表的なものとしてはスピントンネル磁気抵抗効果（以下、ＴＭＲとも言う）膜が挙げられる。
【０００５】
垂直通電型ＭＲ膜を使用した従来の磁気ヘッドとしては例えば特開平１１−３１６９１９号公報に開示されている。この従来の磁気ヘッドでは、図６に示すように、フリー層２１，絶縁層２２，固定層２３，および反強磁性膜２４からなる垂直通電型ＭＲ膜２５にセンス電流２８を供給する電極４０のコンタクト面積が垂直通電型ＭＲ膜２５の膜面積より小さくなっている。従って垂直通電型ＭＲ膜２５に接合している細い電極（ピラー電極）４０部分から発生する電流磁界が垂直通電型ＭＲ膜２５に影響を及ぼしてしまう。なお、図６において、符号３０は電極膜、符号３２は磁区制御膜、符号３３は絶縁膜、符号３５は貫通孔、符号４２は上部シールド膜、符号４４は下部シールド膜である。
【０００６】
一方、特開平１１−３１６９１９号公報には、垂直通電型ＭＲ膜をシールド型磁気ヘッドに応用した例が開示されている。一般にシールド型ヘッドは、媒体対向面（以下、ＡＢＳ面とも言う）にＭＲ膜を露出させ記録媒体に接近させた状態で使用するので記録媒体からＭＲ膜に多くの磁束を流入させることができるため、優れた再生感度を得ることが可能という長所がある反面、製造過程におけるＡＢＳ面研磨でのＭＲ膜の磨耗、劣化が発生しやすいこと、また媒体走行中のＭＲ膜の耐久性に乏しいという短所がある。
【０００７】
今後更に高密度化が進むに連れ、記録ビットの微小化が進むので、記録媒体から発生する少ない磁束を高感度で検出する必要がある。
【０００８】
これには、ヘッドの浮上量を下げ、極低浮上走行または接触走行が効果的である。しかしながら上述したシールド型ヘッドは、直接ＭＲ膜そのものへのダメージがかかるため、適していない。極低浮上走行又は接触走行にも対応可能なヘッド構造としては、ヨーク型ヘッドが知られている。ヨーク型ヘッドは、磁気ヨークで記録媒体からの磁束を吸い上げＭＲ素子へ流入させ、ＭＲ素子が磁束を検出して抵抗が変化し、電圧変化を再生信号として取り出している。このヨーク型ヘッドの特長としては、記録媒体から発生する磁束が直接ＭＲ膜に流入するシールド型ヘッドに比較して大きな電圧変化を起こすことは困難であるが、ＭＲ膜が媒体対向面から後退する構造のため、極低浮上走行又は接触走行での使用は容易であることが挙げられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の技術では、膜面方向に通電して使用するＭＲ膜より大きな抵抗変化率を得られる垂直通電型ＭＲ膜を、センス電流を供給するための電極からの電流磁界の影響が少ない状態で、接触走行も実現可能なヨーク型ヘッドに搭載することができなかった。
【００１０】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、垂直通電ＭＲ膜の電極から発生する電流磁界がＭＲ膜へ与える影響を可及的に小さくできる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明による薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップを有する磁気ヨークと、
所定の信号磁界の向きに応じて磁化の向きが動く磁化自由層と、前記磁化自由層に積層形成された非磁性層と、前記非磁性層に積層形成され、前記所定の信号磁界の中でも実質的に磁化の向きが変わらない磁化固着層とを有する磁気抵抗効果膜と、を備え、前記磁気抵抗効果膜の前記磁化固着層の膜面の面積は、前記磁化自由層の膜面の面積よりも小さくなるように構成され、前記磁気ヨークの媒体対向面と反対側の面のうち磁気ギャップおよびこれに隣接する部分が前記磁化固着層の媒体対向面側の膜面に接することを特徴とする。
【００１２】
このように構成された本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、磁気抵抗効果膜を垂直方向に流れる電流が通過する面積が最小の部分は、ピン層から構成されることになる。このため、従来の場合と異なり、ピラー電極が存在せず、磁気抵抗効果膜の電極から発生する電流磁界が磁気抵抗効果膜に与える影響を可及的に小さくできる。
【００１３】
なお、前記磁気ヨークは前記ピン層の上面を除いて前記磁気抵抗効果膜と絶縁膜によって電気的に絶縁されていることが好ましい。
【００１４】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法は、所定の信号磁界の向きに応じて磁化の向きが動く磁化自由層と、前記磁化自由層に積層形成された非磁性層と、前記非磁性層に積層形成され、前記所定の信号磁界の中でも実質的に磁化の向きが変わらない磁化固着層とを有する磁気抵抗効果膜を、前記磁気抵抗効果膜の前記磁化固着層の膜面の面積が前記磁化自由層の膜面の面積よりも小さくなるように形成する工程と、前記磁化固着層の前記非磁性層と反対側の膜面のほぼ全面が底面となるコンタクトホールを有する絶縁膜を前記磁気抵抗効果膜上に形成する工程と、前記コンタクトホール内に磁気ギャップを有し、前記磁化固着層の前記非磁性層と反対側の膜面と接する磁気ヨークを形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
このように構成された本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、ピン層面積と磁気ヨークとのコンタクト面積を略等しくでき、かつピン層から磁気ヨークに流れた電流は、磁気ヨーク全体に拡散していくのでピラー電極に相当する部分を無くすることができる。これにより、従来の場合と異なり、ピラー電極が存在せず、磁気抵抗効果膜の電極から発生する電流磁界が磁気抵抗効果膜に与える影響を可及的に小さくできる。また、フリー層は磁気ヨークからの磁束を吸い上げるに適当な面積に広げることができる。また、生産性よく形成することが可能である。特に、磁気抵抗効果膜と磁気ヨーク間に配置される絶縁膜に前記ピン層に自己整合されたコンタクトホールを形成する工程を使用することにより、コンタクトホールを通常のステッパーによる露光・現像で作成したレジストマスクによるエッチングによって作った場合には困難だった、ピン層面積相当のコンタクトホールをアライメントずれなく作ることが可能になり、歩留まりが向上する。
【００１６】
また、本発明による磁気ディスク装置は、上述の薄膜磁気ヘッドを再生磁気ヘッドとして備えていることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態の構成を図１に示す。この第１の実施形態は、水平型薄膜磁気ヘッドであって、トラック長手方向の断面図を図１に示す。この実施形態の薄膜磁気ヘッドは、フリー層２、スペーサ層３、およびピン層４を有し磁気記録媒体（図示せず）からの磁気信号を検知する磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜ともいう）５と、磁気ギャップ１４を有し上記磁気記録媒体からの磁気信号を上記ＭＲ膜５に導く磁気ヨーク１３ａとを備えている。
【００１８】
フリー層２は上面がほぼ平坦の凸部を有し、この凸部上にスペーサ層３およびピン層４が順次積層された構成となっている。すなわちフリー層２の膜面面積よりもピン層２の膜面面積が小さくなるように構成されている。そして、ＭＲ膜５上には、ピン層４の上面を除いて絶縁膜８が形成されている。
【００１９】
また、磁気ヨーク１３ａは、媒体対向面の反対側の面の磁気ギャップ１４を含む一部分でピン層４の上面と電気的に接続され、その接続面積がほぼピン層４の膜面の面積で規定されるように構成されている。すなわちＭＲ膜５の、ピン層の上面を除いた部分と磁気ヨーク１３ａとは絶縁膜８によって電気的に絶縁される構成となっている。したがって、絶縁膜８に設けられたコンタクトホール９を介して、磁気ヨーク１３ａとピン層４とが接続される構成となっているとも言うことができる。
【００２０】
また、磁気ギャップ１４は絶縁膜１１ａで埋め込まれており、磁気ヨーク１３ａの上記凸部の媒体対向面を除いた磁気ヨーク１３ａ上には例えば酸化アルミニウム等の絶縁膜１５によって覆われた構成となっている。なお、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの媒体対向面にはＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）膜１７が形成されている。
【００２１】
そして、フリー層２の下面、すなわち媒体対向面側の面と反対側の面には、ＭＲ膜５を垂直に通電するための電極の一方（図示せず）が設けられ、他方の電極を磁気ヨーク１３ａが兼用する構成となっている。なお、ＭＲ膜５を流れるセンス電流は、フリー層２の下面に形成された電極から、フリー層２、スペース層３、ピン層４、および磁気ヨーク１３ａの順で流れる。
【００２２】
このように構成された本実施形態の薄膜磁気ヘッドによれば、ＭＲ膜を垂直方向に流れる電流が通過する面積が最小の面は、ピン層４と磁気ヨーク１３ａとの接続面、すなわちピン層４の膜面となる。このため、従来の場合と異なり、ピラー電極が存在せず、ＭＲ膜５の電極から発生する電流磁界がＭＲ膜５に与える影響を可及的に小さくできる。
【００２３】
なお、フリー層２膜面面積よりも小さく加工されている部分は、ピン層４だけでも良く、それもピン層４の上側部分の一部だけでも構わない。ピン層４に加えてスペーサ層３がフリー層２の膜面面積よりも小さくなっていても構わないし、図１に図示したように、ピン層４、スペーサ層３に加えてフリー層２の上側部分の一部が小さく加工されていてもよい。少なくともピン層４の一部がフリー層２膜面より小さくなっていることが必要なのであり、これは、ＭＲ膜５が４層以上の多層膜から構成されている場合でも同様である。
【００２４】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図２および図３を参照して説明する。この第２の実施形態は、図１に示す第１の実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、その製造工程断面図を図２および図３に示す。
【００２５】
まず、図示しない基板上に電極膜３０を形成し、この電極膜３０上にフリー層２、スペーサ層３、ピン層４を順次形成する（図２（ａ）参照）。次に、ピン層３上にフォトレジストからなるレジストパターン７をマスクに例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いてピン層４およびスペーサ層３をエッチングするとともにフリー層２の一部をエッチングする（図２（ｂ）参照）。なお、このときエッチングする膜はピン層４のみでも構わないし、ピン層４およびスペーサ層３のみをエッチングしても良い。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すように、レジストパターン７を残したまま全面に絶縁膜８を形成し、その後、図２（ｄ）に示すようにレジストパターンを除去する。これにより、リフトオフが行われる。本実施形態では、ピン層４エッチングと絶縁膜８のリフトオフは同じレジストマスクで行なっているので、絶縁膜８に形成されるコンタクトホール９とピン層２は自己整合される。なお、自己整合の方法はこれに限られるものではない。
【００２７】
次に、図３（ａ）に示すように、全面に例えばＡｌＯｘからなる絶縁膜１１を成膜する。そして、絶縁膜１１上に図示しないマスクを形成し、エッチングを行なうことにより、後述の磁気ギャップ１４を埋める絶縁体１１ａを形成する（図３（ｂ）参照）。その後、図３（ｃ）に示すように、全面に磁気ヨークとなる磁性膜１３を成膜する。そして、この磁性膜１３上に例えばＡｌＯｘからなる保護膜１５を成膜した後、図３（ｄ）に示すように、媒体対向面を例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等によって平坦化することにより磁気ヨーク１３ａを形成し、続いて媒体対向面をＤＬＣ膜１７で被覆する。これにより、薄膜磁気ヘッドが作成される。
【００２８】
このように構成された本実施形態においては、ＭＲ膜５は、基板面側にフリー層２、スペーサ層３、ピン層４の順に一括成膜で形成した後、ピン層４の膜面を小さく加工できるため、ＭＲ膜５の積層途中にピン層４のパターニング、平坦化等の工程を経る必要が無く、ＭＲ膜５の特性の信頼性が向上する。また、ピン層４面積と磁気ヨーク１３ａとの接続面積を略等しくできるため、ピン層４から磁気ヨーク１３ａに流れた電流は、磁気ヨーク１３ａ全体に拡散していくのでピラー電極に相当する部分を無くすることができる。また、フリー層２は磁気ヨーク１３ａからの磁束を吸い上げるに適当な面積に広げることができる。また、生産性よく形成することが可能である。特に、ＭＲ膜５と磁気ヨーク１３ａ間に配置される絶縁膜８にピン層４に自己整合されたコンタクトホール９を形成する工程を使用することにより、コンタクトホール９を通常のステッパーによる露光・現像で作成したレジストマスクによるエッチングによって作った場合には困難だった、ピン層面積相当のコンタクトホールをアライメントずれなく作ることが可能になり、歩留まりが向上する。
【００２９】
なお、この実施形態によって製造された薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ膜の電極から発生する電流磁界がＭＲ膜へ与える影響を可及的に小さくすることができることは言うまでもない。
【００３０】
（第３の実施形態）
本発明の別の実施形態を図７を参照して説明する。この第３の実施の形態は、水平型磁気ヘッドであって、トラック長手方向の断面図を図７に示す。この実施の形態の薄膜磁気ヘッドは、フリー層２、スペーサ層３、及びピン層４を有し磁気記録媒体（図示せず）からの磁気信号を検知するＭＲ膜５と、磁気ギャップ１４を有し上記磁気記録媒体からの磁気信号を上記ＭＲ膜５に導く磁気ヨーク１３ａとを備えている。ＭＲ膜５は、ピン層４、スペーサ層３、フリー層２の一部がピン層４と略同じ面積に加工された凸形状をしている。この凸形状は、最上面のピン層２表面以外は、絶縁膜８で覆われている。絶縁膜８とピン層２の膜面は高さがほぼ一致した平坦面を形成している。ピン層２と絶縁膜８の上には、磁気ヨーク１３ａが積層されている。磁気ヨーク１３ａは、ピン層２の表面ほぼ中心に磁気ギャップ１４を具備している。磁気ギャップ１４は、磁気ヨーク１３ａを形成後、イオンミリング、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ、集束イオンビームエッチング等の手法を用いて、溝を切り、そこに非磁性材料を成長させる方法で形成することも可能である。磁気ヨーク１３ａには、トラック長手方向の媒体対向面の長さを規定するための加工が施されている。媒体対向面より後退した磁気ヨーク１３ａの表面は、酸化アルミニウム等からなる保護膜１５で覆われ、媒体対向面に露出した磁気ヨーク１３ａと保護膜１５の表面はＤＬＣ膜１７で覆われている。
【００３１】
この構造によっても、ＭＲ膜５に垂直通電するための電極からピラー部分を無くすことができるため、電極からのＭＲ膜５への電流磁界の影響を無くすことが可能になる。また、ＭＲ膜５を成膜するときに、途中で平坦化工程やエッチング工程を経る必要がないため、一括で積層構造を作れることになり、ＭＲ膜５の特性が安定する。
【００３２】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態を図８を参照して説明する。この第４の実施の形態は、水平型磁気ヘッドであって、トラック長手方向の断面図を図８に示す。この実施の形態の薄膜磁気ヘッドは、フリー層２、スペーサ層３、及びピン層４を有し磁気記録媒体（図示せず）からの磁気信号を検知するＭＲ膜５と、磁気ギャップ１４を有し上記磁気記録媒体からの磁気信号を上記ＭＲ膜５に導く磁気ヨーク１３ａとを備えている。ＭＲ膜５は、ピン層４、スペーサ層３、フリー層２の一部がピン層４と略同じ面積に加工された凸形状をしている。この凸形状は、最上面のピン層２表面以外は、絶縁膜８で覆われている。絶縁膜８の膜厚はＭＲ膜５の凸形状近傍ではＭＲ膜５の凸形状の高さとほぼ等しくなっているが、凸形状から離れるに従い増加している。ピン層２と絶縁膜８の上には、磁気ヨーク１３ａが積層されている。ピン層２と絶縁膜８の上には、磁気ヨーク１３ａが積層されている。磁気ヨーク１３ａは、ピン層２の表面ほぼ中心に磁気ギャップ１４を具備している。磁気ギャップ１４は、磁気ヨーク１３ａを形成後、イオンミリング、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ、集束イオンビームエッチング等の手法を用いて、溝を切り、そこに非磁性材料を成長させる方法で形成することも可能である。または、予め磁気ギャップ１４となる非磁性材料からなる凸部を形成し、その後磁気ヨーク１３ａとなる磁性材料を磁気ギャップ１４を取り囲むように成膜形成しても良い。その成膜方法は、スパッタリング、めっき、その他の方法でも可能である。磁気ヨーク１３ａには、トラック長手方向の媒体対向面の長さを規定するための加工が施されている。媒体対向面より後退した磁気ヨーク１３ａの表面は、酸化アルミニウム等からなる保護膜１５で覆われ、媒体対向面に露出した磁気ヨーク１３ａと保護膜１５の表面はＤＬＣ膜１７で覆われている。
【００３３】
この構造によっても、ＭＲ膜５に垂直通電するための電極からピラー部分を無くすことができるため、電極からのＭＲ膜５への電流磁界の影響を無くすことが可能になる。また、ＭＲ膜５を成膜するときに、途中で平坦化工程やエッチング工程を経る必要がないため、一括で積層構造を作れることになり、ＭＲ膜５の特性が安定する。また、絶縁膜８の膜厚が厚くなっているため、フリー層２の下に配置された広い面積をもつ下部電極（図示せず）と磁気ヨーク１３ａとの絶縁性が改善される。
【００３４】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施の形態を図４および図５を参照して説明する。この実施の形態は、磁気ディスク装置であって、この磁気ディスク装置の概略構成を図４に示す。すなわち、本実施の形態の磁気ディスク装置１５０は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。図４において、磁気ディスク２００は、スピンドル１５２に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示しないモータにより矢印Ａの方向に回転する。磁気ディスク２００は、磁気ディスク２００に格納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ１５３は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に取り付けられている。ここで、ヘッドスライダ１５３は、例えば、前述したいずれかの実施形態にかかる磁気ヘッドをその先端付近に搭載している。
【００３５】
磁気ディスク２００が回転すると、ヘッドスライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク２００の表面から所定の浮上量をもって保持される。
【００３６】
サスペンション１５４は、図示しない駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５５の一端に接続されている。アクチュエータアーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイルモータ１５６は、アクチュエータアーム１５５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。
【００３７】
アクチュエータアーム１５５は、固定軸１５７の上下２箇所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６により回転摺動が自在にできるようになっている。
【００３８】
図５は、アクチュエータアーム１５５から先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡大斜視図である。すなわち、磁気ヘッドアッセンブリ１６０は、例えば駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５１を有し、アクチュエータアーム１５５の一端にはサスペンション１５４が接続されている。
【００３９】
サスペンション１５４の先端には、上記実施形態のいずれかで説明した磁気ヘッドを具備するヘッドスライダ１５３が取り付けられている。なお、再生ヘッドと記録用ヘッドを組み合わせても良い。サスペンション１５４は信号の書き込みおよび読み取り用のリード線１６４を有し、このリード線１６４とヘッドスライダ１５３に組み込まれた磁気ヘッドの各電極とが電気的に接続されている。図５の符号１６５は磁気ヘッドアッセンブリ１６０の電極パッドである。
【００４０】
ここで、ヘッドスライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）と磁気ディスク２００の表面との間には、所定の浮上量が設定されている。
【００４１】
なお、磁気ディスク装置に関しても、再生のみを実施するものでも、記録・再生を実施するものあっても良く、また、媒体は、ハードディスクには限定されず、その他、フレキシブルディスクや磁気カードなどのあらゆる磁気記録媒体を用いることが可能である。さらに、磁気記録媒体を装置から取り外し可能にした、いわゆる「リムーバブル」の形式の装置であっても良い。
【００４２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ＭＲ膜の電極から発生する電流磁界がＭＲ膜へ与える影響を可及的に小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施形態の構成を示す断面図。
【図２】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第２の実施形態の構成を示す工程断面図。
【図３】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第２の実施形態の構成を示す工程断面図。
【図４】本発明による磁気ディスク装置の概略構成を示す要部斜視図。
【図５】アクチュエータアームから先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡大斜視図。
【図６】従来の水平型薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図。
【図７】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第３の実施形態の構成を示す工程断面図。
【図８】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の第４の実施形態の構成を示す工程断面図。
【符号の説明】
２  フリー層
３  スペーサ層
４  ピン層
５  磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）
７  レジストパターン
８  絶縁膜
９  コンタクトホール
１１ａ  絶縁膜
１３  磁性膜
１３ａ  磁気ヨーク
１４  磁気ギャップ
１５  保護膜（絶縁膜）
１７  ＤＬＣ膜
【図１】
0003619767.tif 000002
【図２】
0003619767.tif 000003
【図３】
0003619767.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0003619767.tif 000007
【図７】
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【図８】
0003619767.tif 000009