(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に遮光機能及び／又は位相シフト機能を有する薄膜とレジスト膜とを形成する工程と、前記レジスト膜のうちの不要な部分を溶媒によって溶解除去する不要膜除去工程とを有するフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記不要膜除去工程は、前記レジスト膜が形成されている側の基板表面をカバー部材で覆い、このカバー部材の上から溶媒を供給してこの溶媒をカバー部材の所定部位に設けられた溶媒供給孔を通じてレジスト膜の不要な部分を溶媒で溶解して除去するとともに、
前記カバー部材は、前記基板表面のレジスト膜の不要な部分以外の領域においては前記カバー部材の前記レジスト膜に対向する内壁と前記レジスト膜表面との間の間隙の大きさを、前記カバー部材への溶媒の供給により発生したカバー部材表面の不均一な温度分布の影響により前記基板表面のレジスト膜に感度ムラを与える温度分布が生じない大きさに設定されたものであることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
前記カバー部材を構成する材料として、樹脂材料，ガラス材料、セラミックス材料及びそれらの複合材料のいずれかの材料を用いることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
前記レジスト膜は未ベークの状態のレジスト膜であることを特徴とする請求項１又は２記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記基板表面のレジスト膜の不要な部分の領域においては、前記カバー部材の内壁と前記レジスト膜表面との間の間隙を、この間隙に溶媒を供給したとき溶媒が間隙中をつたわって間隙中に拡がることが可能な大きさに設定したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
前記基板及びカバー部材をともに回転させながら溶媒供給孔を通じてレジスト膜の不要な部分を溶媒で溶解して除去することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項６】
前記溶媒は、カバー部材の上から供給するのに加えて、基板の裏面側からもレジスト膜の不要な部分の領域に向けて供給するようにしたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項７】
基板表面に形成されたレジスト膜のうちの不要な部分を溶媒によって溶解除去する不要膜除去装置であって、
前記レジスト膜が形成されている側の前記基板表面を覆うカバー部材と、このカバー部材の上から溶媒を供給する溶媒供給装置とを有し、
前記カバー部材は、前記溶媒供給装置によって供給された溶媒をレジスト膜の不要な部分に供給して不要膜を溶解除去する溶媒供給孔を有し、かつ、前記基板表面のレジスト膜の不要な部分以外の領域においては前記カバー部材の前記レジスト膜に対向する内壁と前記レジスト膜との間の間隙の大きさを、前記カバー部材への溶媒の供給により発生したカバー部材表面の不均一な温度分布の影響により前記基板表面のレジスト膜に感度ムラを与える温度分布が生じない大きさにしたものであることを特徴とする不要膜除去装置。
【請求項８】
前記カバー部材を構成する材料として、樹脂材料，ガラス材料、セラミックス材料及びそれらの複合材料のいずれかの材料を用いることを特徴とする請求項８に記載の不要膜除去装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、例えば、フォトマスクブランク、半導体基板、磁気ディスク基板及びカラーフィルター等の基板表面の一部に形成された不要膜を除去する不要膜除去方法及びその装置並びにフォトマスブランクスの製造方法に関する。
【従来の技術】
【０００２】
半導体装置、フォトマスク、磁気ディスク基板、カラーフィルター等を製造する分野においては、基板の一主表面に形成された塗布膜その他の膜のうちの不要な一部分を除去することがしばしば要求される。 例えば、基板上にレジストあるいはＳＯＧ（スピン・オン・グラス）膜等を塗布する際に、略水平に保持した基板上に塗布液を滴下しつつ基板を回転することによりその遠心力を利用して基板上に均一な塗布膜を形成するスピンコート法を用いた場合、塗布膜が基板の全面に均一に形成させるような低速で回転させると、基板表面の周縁部に働く遠心力が小さくなり、塗布液が基板表面の周縁部に溜まり、その部分の膜厚が厚くなってしまう。
【０００３】
このように、基板表面の周縁部が盛り上がると、例えば塗布液がＳＯＧの場合は、その部分にクラックが入りやすくなる。また、ＳＯＧが基板表面の周縁部に形成されている位相シフトマスクを露光装置に取り付けるときに、基板周縁部を支持する構造となっている場合があるが、この場合に基板周辺部が盛り上がっていると良好に保持されないことになる。さらに、塗布液がレジストの場合は例えばフォトマスクを重ねて密着露光を行う際に、フォトマスクとレジスト塗布膜とが良好に密着されないという問題が生ずる。したがって、このような場合には基板表面周縁部の不要な塗布膜を除去する必要がある。
【０００４】
このような不要な膜を除去する従来技術として、特公昭５８−１９３５０号公報、特開平６−２６２１２４号公報、特開平７−２０６２３号公報等に開示されている方法がある。特公昭５８−１９３５０号公報に開示の方法は、基板を、その表面を上向きにターンテーブルに載置して回転し、下方からノズルによって溶媒を噴射させたりあるいは、基板表面に中空のピラミッド形状をなしたカバーを配置し、ピラミッドの頂点の上から溶媒を供給して周縁部に供給するようにしたものである。
【０００５】
また、特開平６−２６２１２４号公報に開示の方法は、処理液を供給すべき部位の基板表面と間隙形成部材との間の間隙を所定の間隙にして処理液がその部位に確実に供給されるようにしたものである。さらに、特開平７−２０６２３号公報に開示の方法は、カバー部材に設けられた気体導入口から気体を供給し、溶媒が基板中心部に侵入するのを防止したものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、例えば、基板表面に形成された膜がレジスト膜の場合には、レジスト膜材料の種類によっては、レジストに加えられた温度履歴が露光感度に敏感に影響するものもある。このようなレジスト膜の場合には、温度履歴が膜の場所によって異なる場合には露光感度ムラが生ずることになる。それゆえ、上述の不要膜除去方法を実施する場合に、例えば、溶媒の気化熱等が影響してレジスト膜に温度分布が生ずるような環境で処理すると露光感度ムラを与えてしまうことになる。しかるに、上述の従来の方法は、いずれも、このような懸念に対して必ずしも十分に配慮されたものではなかった。
【０００７】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、処理中に基板表面に形成された膜に悪影響を及ぼす可能性のある温度分布を与えることなく不要膜を確実に除去できる不要膜除去方法及びその装置並びにフォトマスクブランク製造方法を提供することを目的としたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために、第１の手段は、
透光性基板上に遮光機能及び／又は位相シフト機能を有する薄膜とレジスト膜とを形成する工程と、前記レジスト膜のうちの不要な部分を溶媒によって溶解除去する不要膜除去工程とを有するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記不要膜除去工程は、前記レジスト膜が形成されている側の基板表面をカバー部材で覆い、このカバー部材の上から溶媒を供給してこの溶媒をカバー部材の所定部位に設けられた溶媒供給孔を通じてレジスト膜の不要な部分を溶媒で溶解して除去するとともに、前記カバー部材は、前記基板表面のレジスト膜の不要な部分以外の領域においては前記カバー部材の前記レジスト膜に対向する内壁と前記レジスト膜表面との間の間隙の大きさを、前記カバー部材への溶媒の供給により発生したカバー部材表面の不均一な温度分布の影響により前記基板表面のレジスト膜に感度ムラを与える温度分布が生じない大きさに設定されたものであることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法である。第２の手段は、前記カバー部材を構成する材料として、樹脂材料，ガラス材料、セラミックス材料及びそれらの複合材料のいずれかの材料を用いることを特徴とする第１の手段にかかるフォトマスクブランクの製造方法である。第３の手段は、前記レジスト膜は未ベークの状態のレジスト膜であることを特徴とする第１又は第２の手段にかかるフォトマスクブランクの製造方法である。第４の手段は、前記基板表面のレジスト膜の不要な部分の領域においては前記カバー部材の内壁と前記基板表面との間の間隙を、この間隙に溶媒を供給したとき溶媒が間隙中をつたわって間隙中に拡がることが可能な大きさに設定したことを特徴とする第１ないし第３の手段にかかる不要膜除去方法である。第５の手段は、前記基板及びカバー部材をともに回転させながら溶媒供給孔を通じて不要な膜部分を溶媒で溶解して除去することを特徴とする第１ないし第４のいずれかの手段にかかる不要膜除去方法である。第６の手段は、前記溶媒は、カバー部材の上から供給するのに加えて、基板の裏面側からもレジスト膜の不要な部分の領域に向けて供給するようにしたことを特徴とする第１ないし第５のいずれかの手段にかかる不要膜除去方法である。第７の手段は、基板表面に形成されたレジスト膜のうちの不要な部分を溶媒によって溶解除去する不要膜除去装置であって、前記レジスト膜が形成されている側の前記基板表面を覆うカバー部材と、このカバー部材の上から溶媒を供給する溶媒供給装置とを有し、前記カバー部材は、前記溶媒供給装置によって供給された溶媒をレジスト膜の不要な部分に供給して不要膜を溶解除去する溶媒供給孔を有し、かつ、前記基板表面のレジスト膜の不要な部分以外の領域においては前記カバー部材の前記レジスト膜に対向する内壁と前記レジスト膜との間の間隙の大きさを、前記カバー部材への溶媒の供給により発生したカバー部材表面の不均一な温度分布の影響により前記基板表面のレジスト膜に感度ムラを与える温度分布が生じない大きさにしたものであることを特徴とする不要膜除去装置である。第８の手段は、前記カバー部材を構成する材料として、樹脂材料，ガラス材料、セラミックス材料及びそれらの複合材料のいずれかの材料を用いることを特徴とする請求項８に記載の不要膜除去装置である。
【０００９】
上述の第１〜３の手段によれば、基板表面（主表面のみならず側面及び裏面も含む）の不要な膜部分以外の領域においては前記カバー部材の内壁と前記基板表面との間の間隙を、前記カバー部材からの熱伝達による影響により前記基板表面の膜に温度分布が生じない大きさに設定したことにより、処理中に基板表面に形成されたカバー部材からの熱伝達によって膜に悪影響を及ぼす可能性のある温度分布を与えることなく不要膜を除去できる。また、これにより、仮に、カバー部材表面に溶媒の気化熱等が不均一に作用して温度分布が生じたとしても、その影響が基板表面の膜に及んでその膜に温度ムラを付与するようなおそれも防止できる。したがって、例えば、上記膜が場所ごとに熱処理履歴が違うと感度ムラが生じてしまうようなレジスト膜である場合にも、有害な感度ムラを与えてしまうおそれを効果的に防止できる。さらには、カバー部材として、表面の温度ムラが内壁に到達しないようにするための特別な配慮をした部材を用いる等の必要性をなくすこともできる。また、基板表面の不要な膜部分以外の領域においては前記カバー部材の内壁と前記基板表面との間の間隙を、前記カバー部材からの熱伝達による影響により前記基板表面の膜に温度分布が生じない大きさであって、かつ、前記間隙で気体の対流が生じてこの対流によって基板主表面の膜に温度分布が生じない大きさに設定したことにより、処理中に基板表面に形成された膜に悪影響を及ぼす可能性のある温度分布付与の可能性をより効果的に防ぎながら不要膜を除去できる。また、前記基板表面の不要な膜部分の領域においては前記カバー部材の内壁と前記基板表面との間の間隙を、この間隙に溶媒を供給したとき溶媒がその表面張力の作用等により間隙中をつたわって間隙中に拡がることが可能な大きさに設定したことにより、例えば、周縁平坦部の幅自体を除去幅とすること等も可能となるなど、溶媒供給孔から供給された溶媒を確実かつ正確に不要な膜部分に供給してこれを除去できる。第４の手段によれば、前記基板表面の不要な膜部分の領域において、前記カバー部材内壁と前記基板表面との間の間隙の大きさを設定する間隙設定部材として、前記カバー部材内壁と前記基板表面との間に介在される所定の太さの紐状体を用いるようにしたことにより、間隙中に溶媒を流通させるために特別な装置等を設けることなく、極めて簡単に、所定の大きさの間隙を形成することができる。第５の手段によれば、前記基板及びカバー部材をともに回転させながら溶媒供給孔を通じて不要な膜部分を溶媒で溶解して除去するようにしたことにより、遠心力等の作用を利用して、溶媒を均等に広げてより容易・確実に不要な膜部分に供給することができる。第６の手段によれば、溶媒をカバー部材の上から供給するのに加えて基板の裏面側からも不要な膜部分の領域に向けて供給するようにしたことにより、より確実に不要膜を除去することが可能になる。なお、裏面側から供給するタイミングは、カバー部材の上から供給する溶媒供給のタイミングに対して先でもよいし、同時でもよいし、後でもよいし、あるいは、間欠的でもよい。第７及び第８の手段によれば、第１及び第２の手段にかかる方法を実施できる装置を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施例にかかる不要膜除去装置の構成を示す断面図、図２及び図３は図１の部分拡大断面図、図４は実施例にかかる不要膜除去装置の部分拡大斜視図、図５は実施例にかかる不要膜除去装置の分解斜視図である。以下、これらの図面を参照にしながら実施例にかかる不要膜除去方法及びその装置並びにフォトマスクブランク製造方法を説明する。以下の説明では、まず、不要膜が形成されたフォトマスクブランクを説明し、次に、不要膜除去装置の構成を説明し、最後に不要膜除去方法と併せてフォトマスクブランク製造方法を説明する。
【００１１】
図１ないし図５において、基板１０は、合成石英ガラスからなる透明基板（６インチ×６インチ×０．２５インチ）１１の表面にクロムからなる遮光膜１２が形成され、さらに、この遮光膜１２の上に厚さ４０００オングストロームの未ベークの状態のレジスト膜（チッソ株式会社製ＰＢＳＣ）１３がスピンコート法等で形成された（図３，図４参照）フォトマスクブランクである。
【００１２】
ここで、このレジスト膜１３は、本来、基板１１の表面の主要部にのみ形成されていればよい。しかしながら、レジスト膜１３の形成の際に、本来形成する必要のない基板１１の表面の周縁部、基板側面部及び場合によっては基板裏面部にまで形成されてしまう。この実施例にかかる不要膜除去方法及びその装置は、これらの不要膜を除去する方法及び装置である。
【００１３】
この実施例の不要膜除去装置は、図１に示されるように、回転台２０に載置保持された基板１０の上面側をカバー部材３０によって覆い、このカバー部材３０の上方からノズル４０よりＭＣＡ（メチルセロソルブアセテート）等の溶媒５０を噴出させてカバー部材３０の溶媒供給孔３１を通じて不要膜部分１３ａ（図５参照）に供給してこれを溶解除去するものである。
【００１４】
カバー部材３０は、基板１０を上方からかぶせるようにして覆うもので、中心部から周縁にかけての大部分は平坦部３２である。この平坦部３２から外周部に向けて傾斜部３３が形成され、この傾斜部３３からさらに外周部に向けて周縁平坦部３４が形成され、この周縁平坦部３４の外周端が下方に略直角に折り曲げられて、側面部３５が形成されている。
【００１５】
周縁平坦部３４には、多数の貫通孔である溶媒供給孔３１が形成されている。この溶媒供給孔３１は、溶媒５０の粘度等に応じて適切な形状、大きさ及び形成間隔が選定される。すなわち、孔形状は正方形、長方形、円形、楕円形、その他いずれでもよい。孔の大きさは、溶媒が一定の供給速度で不要膜部分にむらなく供給される大きさに設定する。また、孔どうしの間隔は、溶媒供給孔３１から供給された溶媒が不要膜全体に隙間なく行き渡らせられる間隔に設定する。
【００１６】
この実施例では、孔径を１０．０ｍｍ以下で、溶媒を孔の近辺の不要膜を溶解できる量以上の量だけ通過できる以上の大きさとし、孔どうしの間隔（孔径の外側と外側との間隔）を１０．０ｍｍ以下とした。孔径が小さすぎると、孔の近辺の不要膜を溶解できなくなり、１０ｍｍ以上にすると、除去部分とその他の部分との境界部がギザギザの状態になり易いとともに、カバー部材３０の機械的強度の維持が困難になるからである。また、孔どうしの間隔が小さすぎると、カバー部材３０の機械的強度の維持が困難になるとともに、孔径によっては、溶媒の安定供給ができなくなる場合がある。逆に、孔どうしの間隔を１０．０ｍｍ以上とすると、除去部分とその他の部分との境界部がギザギザの状態になるとともに、除去したい部分を正確に完全に除去することが困難になるからである。
【００１７】
また、基板１０の溶媒供給孔３１の適宜の数箇所（例えば４箇所）には、溶媒に耐性のある（例えば、樹脂系）糸６０が通され、カバー部材３０の内壁と基板１０の表面との間に介在されてこれらの間隙の大きさを設定するようになっている。すなわち、この糸６０は、溶媒供給孔３１を通り、周縁平坦部３４の内壁と基板１０の表面との間及び側面部３５の内壁と基板１０の側面との間を通り、さらにカバー部材３０の側面部３５の外側を通過してループ状に形成されている。
【００１８】
糸６０の太さは、周縁平坦部３４の内壁と基板１０の表面との間隙の大きさｄ1を、この間隙に溶媒を供給したとき溶媒が間隙中をつたわって間隙中に拡がることが可能な大きさに設定する。この実施例では、ｄ1を０．０５ｍｍ〜３ｍｍとする。０．０５ｍｍ以下及び３ｍｍ以上だと溶媒が間隙中をつたわって間隙中に拡がることが困難になり、除去できない部分ができたり、除去部分と他の部分との境界がギザギザ状態になる場合があるからである。
【００１９】
また、側面部３５の内壁と基板１０の側面との間隙の大きさｄ2は、この間隙中を溶媒が膜に接触しながら通過できる大きさであればよい。ｄ2の大きさは、ｄ1と同じにすることが好ましいが、ｄ1と異ならしめてもよい。異ならしめるときには、図示しないが、例えば、側面部３５に孔を別個に形成して別の太さの糸を用いてその間隙の大きさを規制するようにしてもよい。
【００２０】
カバ−部材３０の中心部から周縁にかけての大部分である平坦部３２の内壁と対向する基板表面の領域は、必要な膜の領域（不要な膜部分以外の領域）であり、この領域においては、カバー部材３０の内壁と基板１０の表面との間の間隙を、基板表面１０の膜の温度分布がカバー部材３０の内壁面からの熱伝達によって影響を受けないように所定以上大きく、かつ、間隙で気体の対流が生じてこの対流によって基板主表面の膜に温度分布が生じないように所定以下に小さく設定した値であるｄ3とする。
【００２１】
この実施例では、ｄ3を０．０５ｍｍ〜２０．０ｍｍとする。０．０５ｍｍ以下だとカバー部材からの熱伝達を受け易くなり、例えば、カバー部材表面に溶媒の気化熱が不規則に作用して大きな温度分布が生じた場合、その温度分布を直接反映してレジスト膜に温度分布を付与してしまうおそれが高くなる。一方、２０．０ｍｍ以上だと自然の対流が生じて膜に温度分布を生じさせる虞れが高くなる。ただし、この上限の場合は、例えば、強制的に間隙内の気体を均一に撹拌することによって、自然対流による温度分布発生を阻止することも可能であるので、そのような手段を用いた場合には必ずしも規制されるものではない。
【００２２】
しかしながら、この間隙を大きくすることは、必然的にカバー部材３０の平坦部３２の高さが高くなることを意味する。平坦部３２の高さが高くなり過ぎると、ノズル４０から供給される溶媒が周辺平坦部３４に至るまでの距離が長くなり、途中で気化する量が増したり、カバー部材及び基板を回転しながら処理する場合には、溶媒が周囲に飛び散るおそれも高くなる。また、装置も大型化するので望ましくない。
【００２３】
カバー部材３０を被された基板１０は、回転台２０に保持されて回転されながら処理される。回転台２０は回転軸２１に取り付けられた４本の水平方向に放射状に延びた支持腕２２と、それぞれの支持腕２２の先端部に設けられた一対の保持台座２３とを有する。保持台座２３上に、基板１０の４角を配置して保持するものである。回転軸２１は、図示しない回転駆動装置に結合され、所望の回転数で回転されるようになっている。なお、基板１０の下方にも、溶媒供給用のノズル４０ａが設けられており、該ノズル４０ａから溶媒４０ａを供給して、不要膜除去を確実にすることができるようになっている。
【００２４】
上述の装置によって、以下のようにして不要膜を除去する。まず、基板１０を回転台２０にセットしてカバー部材３０を被せたら、ノズル４０から供給量を調節しながら溶媒５０を供給する。同時に、回転台２０を回転数１００〜１０００ｒｐｍで１〜６０秒間回転させる。これにより、溶媒５０を溶媒供給孔３１を通じて不要膜部分１３ａに浸透させて溶解除去する。さらに、上記処理が終盤に近くなった時点で、ノズル４０ａから溶媒５０ａを噴出させて溶解除去をより確実なものにする。これにより、不要膜部分１３ａが除去される。これにベーク処理等を施してレジスト膜１３が基板の中央部に略正方形状に形成されたレジスト膜付きフォトマスクブランクを得る。
【００２５】
こうして得られたフォトマスクブランクのレジスト膜の状態を目視で観察した。その結果、処理中にレジストに温度分布が加えられることに起因するリング状の色ムラがみられず、また、レジスト膜と除去部分との境界線はほぼ直線状であり、除去幅がほぼ一定で正確に除去されていることがわかった。さらに、レジストを顕微鏡で観察したところ、溶媒の飛沫等によるピンホールは全くみられなかった。
【００２６】
ここで、上記第１実施例ではレジストを溶解する溶媒として、ＭＣＡ（メチルセロソルブアセテート）を用いたが、これに限られず、レジストを希釈できる溶媒等、不要膜を溶解除去できるものであればどのようなものでもよい。また、上記実施例では間隙設定部材として、樹脂系の糸を用いたが、これは、可撓性を有し、かつ溶媒に対して耐性を有するものであれば他のものでもよい。また、間隙設定部材は、糸状体に限られるものではなく、間隙を設定できるものであればどのようなものでもよく、例えば、カバー部材内壁に設けられた凸状体であってもでもよい。
【００２７】
カバー部材を構成する材料としては、熱を伝達しにくく、溶媒に対する耐性を有し、所定の機械的強度を有するものであればどのようなものであてもよい。例えば、樹脂材料、ガラス材料、セラミックス材料及びこれらの複合材料等をあげることができる。なかでも比較的熱伝達しにくく、加工が容易でかつ軽量化が容易な樹脂材料が好ましい。また、カバー部材の少なくとも基板表面の不要な膜部分以外の領域を覆う部分を上記材料で構成することが好ましい。
【００２９】
さらに、例えば、磁気ディスク媒体の保護膜の塗布、カラーフィルターの保護膜の塗布の際に形成される不要膜の除去、あるいは、ディスプレー用基板上の配線の電極部に形成される絶縁膜を除去する場合にも適用できる。 また、例えば、不要膜がレジストの場合は、溶媒としてレジストが可溶なケトン、エステル、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の液体を用いることができる。
【００３０】
また、不要膜がＳＯＧの場合は、ベークした後は塗布膜は溶けにくいので、上述の第１実施例のように、ベークする前に基板の裏面、側面及び表面周縁部の塗布膜を溶解して除去することが好ましいが、塗布膜がレジストの場合は、レジストの種類によっては、ベーク後においても溶解可能な場合もある。また、溶媒供給孔３１の設ける位置は、上記実施例に限られるものではない。
【００３１】
なお、上記実施例では、基板１０とカバー部材３０とを一体にして回転させる例を掲げたがこれは必ずしも回転させる必要はない。ただし、回転させたほうが溶媒を比較的早くかつ均一に間隙中に拡げさせることができるので好ましい。  また、基板１０とカバー部材３０との間の間隙を保つ手段として上記実施例では樹脂製の糸を用いたが、これは他の介在部材を用いてもよい。 さらに、カバー部材３０として上記実施例では、正方形状の基板に形成された塗布膜の周縁部を除去して正方形の塗布膜を残存させる例を掲げたが、基板の形状及び残存させる塗布膜の形状は、正方形に限られるものではなく、円形、三角形、多角形その他任意の形状でもよい。その場合には、カバー部材の溶媒供給面と非供給面との形状をそのように形成すればよい。
【００３２】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明は、基板表面をカバー部材で覆い、このカバー部材の上から溶媒を供給してこの溶媒をカバー部材の所定部位に設けられた溶媒供給孔を通じて不要な膜部分を溶媒で溶解して除去するとともに、基板表面の不要な膜部分以外の領域においてはカバー部材の内壁と基板表面との間の間隙を、前記カバー部材からの熱伝達による影響により前記基板表面の膜に温度分布が生じない大きさに設定したことを特徴とするもので、これにより、処理中に基板表面に形成された膜に悪影響を及ぼす可能性のある温度分布を与えることなく不要膜を確実に除去できる不要膜除去方法及びその装置並びにフォトマスクブランク製造方法を得ているものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例にかかる不要膜除去装置の断面図である。
【図２】図１の部分拡大断面図である。
【図３】図１の部分拡大断面図である。
【図４】実施例にかかる不要膜除去装置の部分拡大斜視図である。
【図５】実施例にかかる不要膜除去装置の分解斜視図である。
【符号の説明】
１０…基板、１１…透明基板、１２…遮光膜、１３…レジスト膜、２０…回転台、２１…回転軸、２２…保持腕、２３…保持台座、３０…カバー部材、３１…溶媒供給孔、３２…平坦部、３３…傾斜部、３４…周縁平坦部、３５…側面部、４０，４０ａ…ノズル、５０，５０ａ…溶媒。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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