(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状のＰ型半導体に平板状のＮ型半導体を接合したｐｎ接合構造の平板状のダイオードチップ（１）、板状で、一方端部またはその近傍に前記ダイオードチップが接続されるものであり、他方先端部にＮ先端部を有するＮ側リード端子（１１）、一方端部またはその近傍に前記ダイオードチップが接続されるものであり、他方先端部にＰ先端部を有するＰ側リード端子（１３）からなり、
前記Ｎ側リード端子、前記ダイオードチップ、前記Ｐ側リード端子をこの順に下から上に積層し、前記Ｎ側リード端子と前記Ｎ型半導体の電極面、前記Ｐ側リード端子と前記Ｐ型半導体の電極面を接続し、被覆体（１５）により前記ダイオードチップ（１）を覆ったダイオードであって、
前記被覆体の上下範囲は、前記被覆体の下端面（１６ｂ）が、前記Ｎ側リード端子の一部であってＮ型半導体が接続されている部分の裏面が作る裏平面（３６）と、前記Ｎ側リード端子の一部であってＮ型半導体が接続されている部分の表面が作る表平面（３５）の間、前記裏平面（３６）と同一平面、または前記表平面（３５）と同一平面のいずれかの平面位置にあり、前記被覆体の上端面（１６ａ）が、前記Ｐ側リード端子の一部であってＰ型半導体が接続されている部分の表面（４０）よりも上方に位置し、
前記被覆体の平面範囲は、前記ダイオードチップを基準位置として、前記Ｎ先端部方向の前記被覆体の側端面（１７）が、前記裏平面への前記ダイオードチップの正投影輪郭線（２ｂ）よりも外側で、前記Ｎ先端部の前記裏平面への正投影輪郭線（３７）よりも内側に位置し、かつ、前記Ｐ先端部方向の前記被覆体の側端面（１８）が、前記裏平面への前記ダイオードチップの正投影輪郭線（２ａ）よりも外側で、前記Ｐ先端部の前記裏平面への正投影輪郭線（３８）よりも内側に位置し、
前記Ｎ側リード端子に、切り欠きおよび／または凸凹を形成し、
前記Ｐ側リード端子が下に折り曲げられ、前記Ｐ先端部（１３ａ）が、前記Ｎ側リード端子の裏面に接触する仮想平面よりも下に位置する半被覆ダイオード。
【請求項２】
請求項１記載の半被覆ダイオードを太陽電池モジュールの逆流防止用バイパスダイオードに用いた太陽電池モジュール用端子ボックス。
【請求項３】
前記半被覆ダイオードの前記Ｎ側リード端子が接続されるＮ端子板に凸凹構造を設け、前記凸凹構造に、前記半被覆ダイオードの前記Ｎ側リード端子を嵌合して、前記半被覆ダイオードの水平方向の移動を規制したことを特徴とする請求項２記載の太陽電池モジュール用端子ボックス。
【請求項４】
平板状のＰ型半導体に平板状のＮ型半導体を接合したｐｎ接合構造の平板状のダイオードチップ（２０１）、板状のＮ側リード端子（２１１）、一方端部またはその近傍に前記ダイオードチップが接続されるＰ側リード端子（２１３）からなり、
前記Ｎ側リード端子、前記ダイオードチップ、前記Ｐ側リード端子をこの順に下から上に積層し、前記Ｎ側リード端子と前記Ｎ型半導体の電極面、前記Ｐ側リード端子と前記Ｐ型半導体の電極面を接続し、
前記Ｎ側リード端子の下面はＮ接続面であり、前記Ｐ側リード端子は、折り曲げられて、前記Ｎ接続面の延長面であるＮ延長面（２３７）と同一平面上にあるＰ接続面（２１３ｂ）を有し、被覆体（２１５）により前記ダイオードチップを覆ったダイオードであって、
前記被覆体の上下範囲は、
前記Ｎ延長面上であって、前記Ｎ接続面と前記Ｐ接続面の間隔面（２４１）および／又は前記間隔面の最短間隔距離を示す仮想線（２４２）と直交する方向への前記間隔面の延長面（２４４ａ、２４４ｂ）において、前記被覆体の下端面が、前記Ｎ延長面よりも下方に位置し、
前記被覆体の下端面（２１６ｂ）が、前記以外の部分において、前記Ｎ延長面（２３７）と、前記Ｎ側リード端子の一方表面であってＮ型半導体が接続されている部分である表平面（２３５）の間、前記Ｎ延長面（２３７）と同一平面、または前記表平面（２３５）と同一平面のいずれかの平面位置にあり、
前記被覆体の上端面（２１６ａ）が、前記Ｐ側リード端子の一部であってＰ型半導体が接続されている部分の表面よりも上方に位置する半被覆ダイオード。
【請求項５】
請求項４に記載した半被覆ダイオードにおいて、
前記被覆体の平面範囲は、前記ダイオードチップを基準位置として、前記Ｐ接続部方向の前記被覆体の側端面（２１８）が、前記Ｐ接続面の前記Ｎ延長面への正投影輪郭線（２１３ａ）と同一または外側に位置し、かつ、前記Ｐ接続部方向と反対方向にある前記被覆体の側端面（２１７）が、前記Ｎ接続面の前記Ｎ延長面への正投影輪郭線（２１１ａ）と同一または外側に位置する請求項４記載の半被覆ダイオード。
【請求項６】
請求項４乃至５いずれか記載の半被覆ダイオードを太陽電池モジュールの逆流防止用バイパスダイオードに用いた太陽電池モジュール用端子ボックス。
【請求項７】
太陽電池モジュールの出力取り出し方法において、
太陽電池モジュールのプラス出力電極とマイナス出力電極の間に、逆流防止用バイパスダイオードとして請求項１、４、５いずれか記載の半被覆ダイオードを接続し、前記プラス出力電極とマイナス出力電極から電力を取り出す太陽電池モジュールの出力取り出し方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリード端子を設けたダイオードと、太陽電池モジュールを相互に接続する際に使用する端子ボックスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池システムは、通常、複数の太陽電池モジュールを直列又は並列に接続して構成される。この接続にあたり、太陽電池モジュールのプラス出力電極とマイナス出力電極間に逆流防止用バイパスダイオードが接続される。
従来の逆流防止用バイパスダイオードは、ｐｎ接合のダイオードチップとダイオードチップに接続されたピン状のリード端子からなりダイオードチップ部分が樹脂で被覆されている（以下、パッケージダイオードという）。
【０００３】
また、図１に示す、ｐｎ接合のダイオードチップとリード端子が開放状態のダイオードも使用されている（以下、ベアチップダイオードという）。図１中（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。図中、１はダイオードチップである。ダイオードチップ１にＮ側リード端子９１とＰ側リード端子９３が半田付けされている。９２はＮ側リード端子９１に開けられた位置決め用の穴である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ダイオードに通電すると発熱する。パッケージダイオードは、ダイオードチップが樹脂で被覆されており熱を放熱することが困難である。また、リード端子がピン状であるため熱伝導性が悪く、リード端子を伝導しての放熱も困難である。このため、ダイオードの耐久性が悪くなる問題点がある。
【０００５】
一方、ベアチップダイオードは機械的な衝撃に弱く、実装前、実装中、さらには、他の部品の実装や水密にするための樹脂充填など実装後の取り扱いに注意が必要である。また、リード端子が平板状であるために位置決めが困難である。この点を解決するために、位置決め用の穴９２が設けられているものもあるが、上記取り扱いの難点と相まって、端子ボックスなどに実装する場合の半田付け作業に困難を伴う。さらに、半田付けを行う相手側の端子板などの熱容量が大きく、高熱量の半田コテを使用せざるを得ない場合には、ベアチップ側のダイオードチップとリード端子を接続している半田が溶融し、ダイオードチップが剥離する場合も起こり得る。
【０００６】
そこで、本発明は放熱作用を保持していて、機械的衝撃に強く、取り扱いが容易なダイオードを得ることを課題とする。また、本発明は実装時の位置決めが容易なダイオードを得ることを課題とする。さらに、本発明は実装時にベアチップとリード端子を接続している半田が溶融しても、ダイオードチップが剥離しないダイオードを得ることを課題とする。
また、本発明の課題は、作成が容易で耐久性があるダイオードを取り付けた太陽電池モジュール接続用の端子ボックスを得ることにある。
【０００７】
さらに、本発明の課題は、長期間安定して出力を取り出すことが出来る太陽電池モジュールの出力取り出し方法を得ることにある。
本発明のその他の課題は、以下の発明の説明によって明らかになる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（第１の発明にかかる半被覆ダイオードと太陽電池モジュール用端子ボックス）
【０００９】
第１の発明にかかる半被覆ダイオードは、平板状のＰ型半導体に平板状のＮ型半導体を接合したｐｎ接合構造の平板状のダイオードチップ（１）、板状で、一方端部またはその近傍に前記ダイオードチップが接続されるものであり、他方先端部にＮ先端部を有するＮ側リード端子（１１）、一方端部またはその近傍に前記ダイオードチップが接続されるものであり、他方先端部にＰ先端部を有するＰ側リード端子（１３）からなり、前記Ｎ側リード端子、前記ダイオードチップ、前記Ｐ側リード端子をこの順に下から上に積層し、前記Ｎ側リード端子と前記Ｎ型半導体の電極面、前記Ｐ側リード端子と前記Ｐ型半導体の電極面を接続し、被覆体（１５）により前記ダイオードチップ（１）を覆ったダイオードであって、前記被覆体の上下範囲は、前記被覆体の下端面（１６ｂ）が、前記Ｎ側リード端子の一部であってＮ型半導体が接続されている部分の裏面が作る裏平面（３６）と、前記Ｎ側リード端子の一部であってＮ型半導体が接続されている部分の表面が作る表平面（３５）の間、前記裏平面（３６）と同一平面、または前記表平面（３５）と同一平面のいずれかの平面位置にあり、前記被覆体の上端面（１６ａ）が、前記Ｐ側リード端子の一部であってＰ型半導体が接続されている部分の表面（４０）よりも上方に位置し、前記被覆体の平面範囲は、前記ダイオードチップを基準位置として、前記Ｎ先端部方向の前記被覆体の側端面（１７）が、前記裏平面への前記ダイオードチップの正投影輪郭線（２ｂ）よりも外側で、前記Ｎ先端部の前記裏平面への正投影輪郭線（３７）よりも内側に位置し、かつ、前記Ｐ先端部方向の前記被覆体の側端面（１８）が、前記裏平面への前記ダイオードチップの正投影輪郭線（２ａ）よりも外側で、前記Ｐ先端部の前記裏平面への正投影輪郭線（３８）よりも内側に位置し、前記Ｎ側リード端子に、切り欠きおよび／または凸凹を形成し、前記Ｐ側リード端子が下に折り曲げられ、前記Ｐ先端部（１３ａ）が、前記Ｎ側リード端子の裏面に接触する仮想平面よりも下に位置する。
【００１０】
第１の発明にかかる半被覆ダイオードにおいては、Ｐ側リード端子の先端は、Ｎ側リード端子の裏面に接触する仮想平面よりも下に位置する。このため実装時に、被接続体であるＰ側端子板の係合穴などに係合して当該先端部が固定される。また、Ｎ側リード端子に、切り欠きおよび／または凸凹を形成しているので、被接続体であるＮ側端子板などの上で前記先端部を中心とする回転運動も制限される。従って、半被覆ダイオード実装時の位置決めが容易になる。さらに、Ｎ側リード端子の裏面には被覆がないので、ダイオードチップのｎ型半導体による発熱は、Ｎ側リード端子からＮ端子板に放熱される。また、ダイオードチップとＮ側リード端子、Ｐ側リード端子の接続部分は被覆に覆われているため、機械的な衝撃にも強い。
【００１１】
半被覆ダイオードにおいて、Ｎ側リード端子とＰ側リード端子の方向は自由に定めることができる。したがって、Ｎ側リード端子、ダイオードチップ、Ｐ側リード端子を直列に位置付けることも出来るし、ダイオードチップを交点にして、Ｎ側リード端子とＰ側リード端子が９０度の方向に向かうように位置付けることも出来る。
前記切り欠きおよび／または凸凹には貫通穴も含まれる。当該切り欠きおよび／または凸凹は、Ｎ側リード端子の一部分であって、ダイオードチップが接続された部分以外の部分に設けることが好ましい。
【００１２】
第１の発明にかかる太陽電池モジュール用端子ボックスは、第１の本発明にかかる半被覆ダイオードを太陽電池モジュールの逆流防止用バイパスダイオードに用いたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態にあっては、太陽電池モジュール用端子ボックスは、前記半被覆ダイオードの前記Ｎ側リード端子が接続されるＮ端子板に凸凹構造を設け、前記凸凹構造に、前記半被覆ダイオードの前記Ｎ側リード端子を嵌合して、前記半被覆ダイオードの水平方向の移動を規制してもよい。
【００１４】
本端子ボックスにおいてＮ端子板に設ける凸凹構造には、半球状、円柱状、かまぼこ形状などの凸部または凹部、さらには、貫通穴、非貫通穴も含まれる。また、本端子ボックスに取り付けられる前記半被覆ダイオードの前記Ｎ側リード端子は、切り欠きおよび／または凸凹を形成したものであってもよく、凸凹のないものであってもよい。Ｎ側リード端子とＮ端子板の凸凹構造の嵌合には、Ｎ端子板に段状部分を設け、段状部分の側面とＮ側リード端子の側面が当接する構造も含まれる。
【００１５】
（第２の発明にかかる半被覆ダイオードと太陽電池モジュール用端子ボックス）
【００１６】
第２の発明にかかる半被覆ダイオードは平板状のＰ型半導体に平板状のＮ型半導体を接合したｐｎ接合構造の平板状のダイオードチップ、板状のＮ側リード端子、一方端部またはその近傍に前記ダイオードチップが接続されるＰ側リード端子からなり、前記Ｎ側リード端子、前記ダイオードチップ、前記Ｐ側リード端子をこの順に下から上に積層し、前記Ｎ側リード端子と前記Ｎ型半導体の電極面、前記Ｐ側リード端子と前記Ｐ型半導体の電極面を接続し、前記Ｎ側リード端子の下面はＮ接続面であり、前記Ｐ側リード端子は、折り曲げられて、前記Ｎ接続面の延長面であるＮ延長面と同一平面上にあるＰ接続面を有し、被覆体により前記ダイオードチップを覆ったダイオードであって、前記被覆体の上下範囲は、前記Ｎ延長面上であって、前記Ｎ接続面と前記Ｐ接続面の間隔面および／又は前記間隔面の最短間隔距離を示す仮想線と直交する方向への前記間隔面の延長面において、前記被覆体の下端面が、前記Ｎ延長面よりも下方に位置し、前記被覆体の下端面が、前記以外の部分において、前記Ｎ接続面と、前記Ｎ側リード端子の一方表面であってＮ型半導体が接続されている部分である表平面の間、前記Ｎ延長面と同一平面、または前記表平面と同一平面のいずれかの平面位置にあり、前記被覆体の上端面が、前記Ｐ側リード端子の一部であってＰ型半導体が接続されている部分の表面よりも上方に位置する。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態にあっては、半被覆ダイオードにおいて、前記被覆体の平面範囲は、前記ダイオードチップを基準位置として、前記Ｐ接続部方向の前記被覆体の側端面が、前記Ｐ接続面の前記Ｎ延長面への正投影輪郭線と同一または外側に位置し、かつ、前記Ｐ接続部方向と反対方向にある前記被覆体の側端面が、前記Ｎ接続面の前記Ｎ延長面への正投影輪郭線と同一または外側に位置してもよい。
【００１８】
第２の発明にかかる太陽電池モジュール用端子ボックスは、第２の本発明にかかる半被覆ダイオードを太陽電池モジュールの逆流防止用バイパスダイオードに用いたことを特徴とする。
【００１９】
（太陽電池モジュールの出力取り出し方法）
本発明にかかる太陽電池モジュールの出力取り出し方法は、太陽電池モジュールのプラス出力電極とマイナス出力電極の間に、逆流防止用バイパスダイオードとして第１または第２の本発明にかかる半被覆ダイオードを接続し、前記プラス出力電極とマイナス出力電極から電力を取り出すことを特徴とする。
本発明の太陽電池モジュールの出力取り出し方法は、端子ボックスを使用する出力取り出し方法のみならず、端子ボックスを使用しない出力取り出し方法にも適用される。すなわち、太陽電池モジュールに端子部分を一体的に形成するモジュールであっても、当該端子部分に半被覆ダイオードを接続して、本発明の出力取り出し方法を適用することができる。
【００２０】
以上説明した本発明の実施の形態は、可能な限り組み合わせて実施することが出来る。
【発明の効果】
【００２１】
（第１の発明）
【００２２】
第１の発明にかかる半被覆ダイオードは、実装時の位置決めが容易となる効果がある。また、Ｎ側リード端子と接続相手側端子板との接続媒体を介する熱的接触面が大きくなる（たとえば半田が広範囲に広がる）効果がある。
さらに、放熱作用を保持しつつ、かつ、機械的衝撃に対して強度が向上し、取り扱いが容易となる。さらにまた、実装時にダイオードチップとリード端子を接続している半田が溶融しても、ダイオードチップが剥離しない。また、Ｎ側リード端子の接続相手側端子板をも、放熱手段に使うことができる効果を有する。
【００２３】
本発明にかかる太陽電池モジュール用の端子ボックスは、逆流防止用のダイオードの実装が容易となり、実装後の加工、取り扱いが容易となる効果がある。また、ダイオードの放熱効果が高いので、耐久性が向上する。
【００２４】
（第２の発明）
【００２５】
第２の発明にかかる半被覆ダイオードは、機械的衝撃に対して強度が向上し、取り扱いが容易となる。また、実装時にダイオードチップ側のチップとリード端子を接続している半田が溶融しても、ダイオードチップが剥離しない。また、実装時の位置決めが容易となる。さらに、Ｎ側リード端子の接続相手側端子板を放熱手段に使うことができる。
【００２６】
本発明にかかる太陽電池モジュール用の端子ボックスは、逆流防止用のダイオードの実装が容易となり、実装後の加工、取り扱いが容易となる効果がある。また、ダイオードの放熱効果が高いので耐久性が向上する。
【００２７】
（太陽電池モジュールの出力取り出し方法）
本発明にかかる太陽電池モジュールの出力取り出し方法は、出力を長期間安定に取り出すことが出来る方法となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
ダイオードチップの発熱は、主としてＮ型半導体の発熱に起因する。
【００２９】
（第１の発明）
【００３０】
第１の発明にかかる半被覆ダイオードのＮ側リード端子は、板状であり面積が広く、またＮ側リード端子の裏面は被覆がないので、Ｎ型半導体の熱がＮ側リード端子から放熱される。
【００３１】
また、本発明にかかる半被覆ダイオードでは、Ｐ側リード端子の一部分が下に折り曲げられ、その先端部分であるＰ先端部はＮ側リード端子の裏面に接触する仮想平面よりも下に位置する。半被覆ダイオードを実装する電気部品の一対の端子板は、通常、一対の端子板の表面が同一面である。Ｐ端子板にＰ先端部を受け入れる貫通穴または窪みを設けておけば、実装時に半被覆ダイオードと一対の端子板との位置は１点が固定される。
【００３２】
さらに、本発明にかかる半被覆ダイオードでは、Ｎ側リード端子の一部分に切り欠きおよび／または凸凹が形成される。電気部品のＮ端子板にこれらと嵌合する凸凹を形成すれば、実装時の水平方向移動がさらに規制される。ここで、被覆体を手掛かりにして、半被覆ダイオードを一対の端子板に押し付けることが可能であり、水平方向の位置固定作業がこの手掛かりにより容易となる効果もある。もっとも、嵌合の状態によっては、半被覆ダイオードの自重量と嵌合のみにより位置固定される場合もある。
以上述べた位置決め容易化により、半田付けなどの電気的接続、固定作業が容易となり、さらに接続部分の強度も向上する。
また、切り欠きおよび／または凸凹加工により、Ｎ側リード端子の裏面は加工部分周辺と他の部分に微小な段差が生じる。接続相手側端子板の表面は、通常、平坦面であり、Ｎ側リード端子と接続相手側端子は密着しない。ここに半田付けを行うと、微小間隔部分に溶融した半田が浸入し、半田の面積が増大する作用がもたらされる。接触面積が増大するので、ダイオードチップの熱は、リード端子を伝導し、接触面を通過して接続相手側端子板にも伝導し、接続相手側端子板もまた、放熱手段として作用する。
【００３３】
また、本発明の好適な実施例にかかる端子ボックスでは、Ｎ端子板の表面に凸凹構造が形成される。半被覆ダイオードのリード端子をこの凸凹構造に嵌合すれば、実装時の水平方向移動がさらに規制され、接続部分の強度もさらに増大する。さらに、凸凹加工により、Ｎ端子板の加工部周辺と他の部分の表面に微細な段差を生じるので、実装する端子板との間に微細な隙間が生じ、半田などがさらに広範囲に広がる。その結果、Ｎ側リード端子とＮ端子板との熱移動が良好となる。
【００３４】
以上では、Ｎ側リード端子とＮ端子板の接続は通常の半田によるものとして説明したが、例えばソルダーペーストと加熱炉を用いる半田付け、導電性接着剤を使用する接続の場合にも、同様な作用が生じる。
【００３５】
（第２の発明）
【００３６】
第２の発明にかかる半被覆ダイオードのＮ側リード端子は、一方表面にダイオードチップが取り付けられ、その裏面は被覆が無く、端子板に接続される。よって、ダイオードチップのＮ型半導体で発生する熱は、Ｎ側リード端子を伝導して、直下の端子板に伝達され、端子板から放熱される。半被覆ダイオードの小型化の観点から、Ｎ側リード端子の平面大きさをダイオードチップの平面大きさと同じ程度にすることが好ましい。
【００３７】
また、被覆体は、Ｎ接続面とＰ接続面の間隔部分が、これらの接続面よりも下方に突出している。半被覆ダイオードが接続される一対の端子板の間隔部分にこの下方に突出した部分を位置付けることにより、実装時に位置決めを容易に行うことができる。通常この半被覆ダイオードは、接続面と端子板間にソルダーペーストを付けて加熱し、半田付けによる実装を行うが、半田付け前に位置決めがなされるので、不測の振動により、ダイオードが移動し、例えば、端子板が短絡してしまうような不具合を防止出来る。
【００３８】
下方突出部分は、Ｎ接続面とＰ接続面の間隔部分（乃至間隔部分の特定方向への延長部分）の、どこかの１点に設ければ、位置決めの役割を果たし、本発明の技術範囲に含まれる。好ましくは、下方突出部分の平面形状は、半被覆ダイオードが接続される一対の端子板の間隔部分に嵌り合う線分形状であり、更に好ましくは、間隔部分に嵌り合う面形状である。
【００３９】
また、被覆体の平面範囲は、他の電気部品との短絡などの事故なく、狭い空間に密集して実装できる点から、Ｎ接続面とＰ接続面が全て被覆される範囲とすることが好ましい。さらに、半被覆ダイオードを小型化する観点から、Ｎ接続面とＰ接続面を含みその近傍外周を覆うか、または、Ｎ接続面とＰ接続面の側端部と同一面とすることが好ましい。
【００４０】
Ｎ接続面および／又はＰ接続面に、凸凹又は下に凸の突出部を設けても良い。さらに、下方に突出する脚部を設けても良い。また、被覆体の側端面よりもＮ側リード端子の一部分がはみ出す構造とした場合には、当該はみ出した部分に、第１の発明で説明したと同様な切り欠きおよび／又は凸凹を設けることも出来る。さらに、下方に突出する脚部を設けても良い。このようにすれば、半被覆ダイオードがより安定して位置決めされる。
【００４１】
（出力取り出し方法）
半被覆ダイオードは全体を薄く出来るので、太陽電池モジュールのプラス出力電極とマイナス出力電極の間に接続する逆流防止用バイパスダイオードとして、当該出力電極と共に、太陽電池モジュールの一部として組み込むことができる。また、このように組み込んだパイパスダイオードは、太陽電池モジュールのガラス板のたわみなどに起因する機械的衝撃に耐える程度が高まる。太陽電池モジュールに半被覆ダイオードと当該出力電極を組み込むと、太陽電池モジュール用端子ボックスは不要になり、接続線、接続部分が少なくなり、容積の減少と信頼性の向上に寄与する。
【００４２】
（第１、第２の発明にかかる共通事項）
【００４３】
第１と第２の発明において、ダイオードチップの平面形状は、特に制限はないが、通常、正方形、長方形、正６角形、正８角形である。平板状のダイオードチップとは、平面形状が正方形の場合に、その一辺と厚さの比が、通常２倍以上、好ましくは４倍以上、さらに好ましくは８倍以上の立体形状をいう。その他の平面形状の場合には、同様な面積を有する平面と厚さの関係を有する立体形状をいう。
【００４４】
ダイオードチップの電気規格は、特に制限されない。しかし、第１と第２の発明は、比較的電気容量の大きいダイオードチップに適用することが相応しい。このようなダイオードは、発熱による劣化が特に問題となり、放熱が重要だからである。比較的に大きな電気容量とは、ＶＲＭが、通常５００Ｖ（ボルト）以上、より好ましくは６００Ｖ以上、さらに好ましくは５００Ｖ以上１２００Ｖ以下、もっとも好ましくは６００Ｖ以上１２００Ｖ以下をいい、Ｉ０が、通常８Ａ（アンペア）以上、より好ましく１０Ａ以上、さらに好ましくは１０Ａ以上５０Ａ以下である。ＶＲＭとＩ０の組合せは、通常、５００Ｖ８Ａ以上であり、好ましくは６００Ｖ１０Ａ以上、さらに好ましくは、６００Ｖ１０Ａ以上１２００Ｖ５０Ａ以下である。
【００４５】
ｐｎ接合平板状ダイオードチップを厚さ０．１５ｍｍ〜０．３１ｍｍ程度で作成した場合には、上記の規格を満たすダイオードチップは、通常、一辺２．５ｍｍ以上、好ましくは、２．７ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下、より好ましくは２．７ｍｍ以上８．０ｍｍ以下である正方形板状体またはこれらと面積の等しいその他の平面形状の板状体である。
【００４６】
Ｎ側リード端子の平面は、平板状ダイオードチップがはみ出すことなく、載る大きさが必要である。よって、Ｎ側リード端子の幅方向（図３（ａ）において紙面上下方向）長さの最小値は、通常、ダイオードチップの１辺長さ以上である。また、その最大値は、半被覆ダイオードの全体大きさ、放熱性能、ダイオードチップの大きさが異なってもＮ側リード端子部品の共通化を図るなどの観点から定められる。ダイオードチップの幅方向長さに比較して、通常５倍以下、好ましくは３倍以下、より好ましくは２倍以下、最も好ましくは１．５倍以下である。
【００４７】
被覆体は、型枠にＮ側リード端子とＰ側リード端子を接続したダイオードチップを入れ、流動状態としたエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサルファイト（ＰＰＳ）樹脂などを流し込んで固化し、一体的に形成することができる。また、同様な樹脂で成型したキャップ形状体を作り、Ｎ側リード端子とＰ側リード端子を接続したダイオードチップにはめ込んで形成することもできる。半被覆ダイオードの機械的強度補強効果の点で、一体的に形成することが好ましい。
被覆体の形状は、掴み持ちの容易性から直方体にすることが好ましいが、半球形、かまぼこ形、多角体など任意の形状にすることもできる。
【００４８】
以下に実施例により、本発明にかかる半被覆ダイオード、太陽電池モジュール用端子ボックス、太陽電池の出力取り出し方法をさらに説明する。この発明の実施例に記載されている部材や部分の寸法、材質、形状、その相対位置などは、とくに特定的な記載のない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例にすぎない。
【実施例１】
【００４９】
図２は太陽電池システムの説明図である。４１は太陽電池モジュールであり、矢印４２は太陽電池モジュール４１の表面を示し、矢印４３は裏面を示す。太陽電池モジュール４１の表面が太陽光を受けると発電され、その電力は太陽電池モジュール４１の側面に取り付けられた端子ボックス４４を経由して、外部接続用ケーブル４５から出力される。４６は、外部接続用ケーブル４５のコネクタである。端子ボックス４４内には、逆流防止用の半被覆ダイオードが取り付けられている。
【００５０】
端子ボックス４４は太陽電池モジュール４１の裏面に取り付けられることもある。
複数の太陽電池モジュールの出力電力は直列に接続して取り出されることもあり、並列に接続して取り出されることもある。
【００５１】
図３は半被覆ダイオードの説明図である。図４は、半被覆ダイオードの実装状態を示す斜視図である。
図３中、（ａ）は半被覆ダイオード６の平面説明図であり、（ｂ）は半被覆ダイオード６の側面説明図である。半被覆ダイオード６は、板状のＮ側リード端子１１の一方端部表面にダイオードチップ１を載せ、Ｎ側リード端子１１とダイオードチップ１のＮ型半導体１ａの電極面を半田付けで電気的に接続、結合している。Ｐ側リード端子１３のダイオードチップ接続側は、正方形状の頭部となっている。ダイオードチップ１のＰ型半導体１ｂの電極面にＰ側リード端子１３の上記頭部を重ねて、半田付けで電気的に接続、結合している。
【００５２】
１５は被覆体である。被覆体１５は、型枠にＮ側リード端子１１とＰ側リード端子１３を接続したダイオードチップ１を入れ、エポキシ樹脂を流し込んで固化し、一体的に形成したものである。
【００５３】
符号１７は、被覆体１５のＮ先端部１１ａ（Ｎ側リード端子１１において、ダイオードチップ１が接続された端部と反対側にある端部）側の側端面を示す。側端面１７は、ダイオードチップのＮ先端部１１ａ側の端面位置（矢印２ｂで示す）と、Ｎ先端部１１ａの位置（矢印３７で示す）との間の任意の位置に定めることができる。側端面１７とＮ先端部１１ａ間の間隔は、好ましくは２ｍｍ以上、より好ましくは５ｍｍ以上、さらに好ましくは８ｍｍ以上とする。半被覆ダイオード６の実装時に、接続側の端子板とＮ側リード端子１１との半田付け作業を容易にするためである。
【００５４】
符号１８は、被覆体１５のＰ先端部１３ａ（Ｐ側リード端子１３において、ダイオードチップ１が接続された端部と反対側にある端部）側の側端面を示す。側端面１８は、ダイオードチップのＰ先端部１３ａ側の端面位置（矢印２ａで示す）と、Ｐ先端部１３ａの位置（矢印３８で示す）との間の任意の位置に定めることができる。側端面１８とダイオードの端部２ａの距離を大きくすると半被覆ダイオードの横方向（図３（ａ）において紙面左右方向）への対引張り力が向上する。
【００５５】
側端面１８とＰ先端部１３ａの水平面への投影間隔は、好ましくは２ｍｍ以上、より好ましくは５ｍｍ以上とする。半被覆ダイオード６の実装時に、端子板とＰ側リード端子１３との半田付け作業を容易にするためである。
矢印１６ａは、被覆体１５の上端面を示す。被覆体１５の上端面はＰ側リード端子１３の表面（矢印４０で示す）よりも上方に位置付ける。被覆の実効を図るためである。
【００５６】
矢印１６ｂは、被覆体１５の下端面を示す。被覆体１５の下端面は、Ｎ側リード端子の表平面（矢印３５で示す）と同一平面、Ｎ側リード端子の裏平面（矢印３６で示す）と同一平面、これら２平面（矢印３５と矢印３６）間の任意の位置、のいずれかに定めることができる。下端面位置１６ｂは、半被覆ダイオード６の強度補強の点から、裏平面３６と同一または裏平面３６の近接位置に定めることが好ましい。ここで、表平面とは、Ｎ側リード端子１１の一部であってＮ型半導体が接続されている部分の表面が作る面をいい、裏平面とは、Ｎ側リード端子１１の一部であってＮ型半導体が接続されている部分の裏面が作る面をいう。通常、表平面、裏平面は、Ｎ側リード端子１１全体の表面、裏面と同一である。しかし、Ｎ側リード端子１１として、部分厚さが異なる板状体を使用する場合には、これらが異なる場合がある。
【００５７】
矢印３１、３２は、ダイオードチップ１の中心からその外周を見て、延長線上にＮ先端部、Ｐ先端部がない方向の、被覆体１５の端面である。矢印３１、３２は任意の位置に定めることができる。通常は、ダイオード端部２ｃ、２ｄの外側であり、好ましくは、Ｎ側リード端子の外側である。
【００５８】
なお、被覆体１５は、通常直方体であるが、半球形など直方体以外の形状の場合には前記被覆体１５の側端面は、Ｎ先端部１１ａ、Ｐ先端部１３ａに最近接する点とし、また、上端面、下端面も各々最上部の点、最下部の点とする。
【００５９】
本実施例において、被覆体１５の大きさは、図３（ａ）において、紙面横方向が８．５ｍｍ、縦方向が９．５ｍｍであり、また、厚さ４．５ｍｍである。
なお、ダイオードチップ１は、その一辺をＮ側リード端子の短辺と面一にして取り付けることが半被覆ダイオードの小型化の観点から望ましい。しかし、Ｎ側リード端子の短辺から距離をおいて、ダイオードチップを取り付けることもできる。このようにすれば、小型化は犠牲になるが放熱の観点からは好ましい。
【００６０】
Ｐ側リード端子１３は、下向きに折り曲げられていて、脚１４を形成し、そのＰ先端１３ａは、Ｎ側リード端子１１の裏側平面が接触する仮想平面よりも下側に位置している。Ｎ側リード端子１１が等厚平板状である場合には、裏側平面が接触する仮想平面と裏平面（矢印３６）は等しい平面である。
また、Ｎ側リード端子１１には貫通穴６５が空けられている。この貫通穴６５の一の目的は端子板との半田付けにおいて半田がＮ側リード端子１１のより広い範囲に広がるように中央部から半田を挿入するためであり、また、他の目的は、端子板に形成された凸部と共同して半被覆ダイオード６の水平位置を規制するために設けられる。
【００６１】
半被覆ダイオード６の水平移動を規制するために設けるＮ側リード端子１１の切り欠きおよび／または凸凹、およびＮ端子板の凸凹構造を、図５を参照して説明する。
図５には、Ｎ側リード端子１１とＮ端子板２１（電気部品中で半被覆ダイオードが取り付けられる一対の端子板のうちでＮ側リード端子が接続される端子板）のみを図示し、被覆体、Ｐ側リード端子などは図示していない。
【００６２】
（ａ）に示すＮ側リード端子１１は、貫通穴６５が形成され、Ｎ端子板２１の表面には貫通穴６５に対応する位置に、上に凸の円柱状の凸部６７が形成されている。貫通穴６５は、Ｎ側リード端子１１上でダイオードチップ１が接続された場所以外の位置にあり、また、図示しない被覆体１５が被さらない位置に形成されている。貫通穴６５は凸部６７に嵌合する。
【００６３】
（ｂ）に示すＮ側リード端子１１は、その裏面に下に凸の凸部６８が形成されている。Ｎ端子板２１には、凸部６８に対応する位置に、貫通穴６９が形成されている。凸部６８は貫通穴６９に嵌合する。
（ｃ）に示すＮ側リード端子１１は、その裏面に上に凸の凹部７０が形成されている。Ｎ端子板２１には、その表面の凹部７０に対応する位置に上に凸の凸部７１が形成されている。凹部７０は凸部７１に嵌合する。
【００６４】
（ｄ）に示すＮ側リード端子１１は、そのＮ先端部１１ａに一部切欠き７２が形成されている。Ｎ端子板２１には、その表面の切り欠き７２に対応する位置に、上に凸の凸部７３が形成されている。切り欠き７２は凸部７３に嵌合する。
（ｅ）に示すＮ側リード端子１１は、その側面端部に切り欠き７４、７５が形成されている。Ｎ端子板２１には、その表面の切り欠き７４、７５に対応する位置に、上に凸の凸部７６、７７が形成されている。切り欠き７４は凸部７６に嵌合し、切り欠き７５は凸部７７に嵌合する。
【００６５】
（ａ）〜（ｅ）において嵌合とは、隙間無く嵌め合う関係のみならず、受け側が大きく、入れ側が小さい関係をも意味する。受け側と入れ側に微細な隙間があり、溶融した半田が入り込む大小関係であることが、特に好ましい。
（ｂ）〜（ｅ）においては、Ｎ側リード端子１１に設ける凸凹、切り欠きは、任意の位置に形成することができるが、被覆体１５に覆われない位置に設けることが好ましい。
【００６６】
図５（ｆ）は、Ｎ端子板２１に段状部分７８を形成したものである。Ｎ側リード端子１１には、切り欠きおよび／または凸凹は設けられていない。実装にあたっては、Ｎ先端部１１ａが、段状部分７８の側面に位置付けられ、位置決めがなされる。また、段状部分７８は、半田付け時に溶融した半田が、Ｎ端子板状の半田付けを意図する領域７９にとどまり、不用な領域８０に流れることを防止する作用もある。これにより、半田付け作業が容易化される。なお、段状部分７８は、Ｎ側リード端子１１の切り欠きおよび／または凸凹と、Ｎ端子板の凸凹構造の嵌合と併用して用いることができる。
【００６７】
さらに、Ｎ側リード端子１１とＮ端子板２１の双方に貫通穴を設け、２つの貫通穴にリベットを通して、固定・接続もでき、また、２つの貫通穴にボルトを通してナットで固定・接続することも出来る。
【００６８】
Ｎ側リード端子１１の切り欠きおよび／または凸凹は、反面で熱伝導を減少させる。そこで、このような切り欠きおよび／または凸凹は、Ｎ側リード端子１１上でダイオードチップ１から一定距離離れて設けることが好ましい。図３を参照して、矢印６６はこのような構造のダイオードチップ側最接近位置である。矢印６６は、ダイオードチップのＮ先端側側端部（矢印２ｂ）から、ダイオードチップの一辺の１／２相当距離以上離すことが好ましい。
Ｎ側リード端子１１は全体が等しい厚さの板状体であることが好ましい。また、平面形状は、矢印６６で示す凸凹、切り欠きなどの始まり位置までくびれ部分がないことが好ましい。
【００６９】
本実施例では一辺５．０ｍｍの正方形状のダイオードチップを使用し、Ｎ側リード端子１１は厚さ１．３ｍｍ、幅７．６ｍｍ、長さ１２ｍｍの錫めっきした銅板を使用した。Ｐ側リード端子１３は厚さ０．４ｍｍ、幅１．３ｍｍの錫めっきした銅板を使用し、頭部の一辺は４ｍｍとした。
【００７０】
図４を参照して半被覆ダイオード６の実装について説明する。２１は太陽電池のプラス側出力を中継するＮ端子板である。２２は太陽電池のマイナス側出力を中継するＰ端子板である。Ｎ端子板２１の表面には、円柱状の凸部６７が形成されている。Ｐ端子板２２には係合穴２３が開けられている。
【００７１】
実装時には、半被覆ダイオード６の被覆体１５を掴み持ちして取扱うことができる。半被覆ダイオード６の脚部１４を係合穴２３に挿し込んで、また、貫通穴６５を端子板表面の凸部６７に嵌合して、半被覆ダイオード６を位置決めする。脚部１４が貫通穴である係合穴２３に挿し込まれるので、半被覆ダイオードは１点が固定され、さらに、貫通穴６５と凸部６７が嵌合し、水平方向移動（回転移動）が規制される。当該係合と嵌合により位置決めされ、半被覆ダイオードの自重量により下方向に押付けられるので、必ずしも、半被覆ダイオードを端子板に押付ける必要はない。貫通穴６５と凸部６７の加工により生じた微細な段差が半田付け作業時にも維持され、溶融状態の半田がＮ側リード端子１１と端子板２１の接触面の広い範囲に広がることができる。
【００７２】
図６は端子ボックス４４の内部構造を示す説明図である。２１はＮ端子板（プラス側端子板）であり、２２はＰ端子板（マイナス側端子板）である。太陽電池モジュールのプラス側出力線（図示しない）は、Ｎ端子板２１上の固定領域２４に半田付けされる。また、太陽電池モジュールのマイナス側出力線（図示しない）は、Ｐ端子板２２上の固定領域２５に半田付けされる。Ｎ端子板２１とＰ端子板２２の間に逆流防止のために、半被覆ダイオード６が接続されている。
【００７３】
Ｎ端子板２１、Ｐ端子板２２は係合凹部と端子ボックスのケース基板に設けられた係合子３０を係合させ、また、Ｎ端子板２１、Ｐ端子板２２に設けられた貫通穴にケース基板から伸びた突起２６を挿入し、菊座からなる端子板押さえ２７を突起２６に嵌めこんで固定している。
外部接続用のケーブル４５の芯線は、Ｎ端子板２１、Ｐ端子板２２にそれぞれかしめ止め、スポット溶接、半田付け、ビス止め、あるいはこれらの併用により接続される。２８は外部接続ケーブル４５の抜け止めリングであり、ケースのくびれ部２９と共同して、外部接続ケーブル４５とケースを固定している。
【００７４】
このような部品類を実装した後に、ケースは内部構造を水密に樹脂封止される。その後、図示しない蓋を密閉して端子ボックスが完成する。前記の樹脂封止は行わないこともある。端子ボックスは太陽電池モジュールの接続に使用される。
本実施例では、２本の外部接続ケーブル４５が直列方向に配置されているが、２本の外部接続ケーブル４５が並列方向に配置されても良い。また、端子ボックスは、実施例に示した２端子型のみならず、３端子型、４端子型、５端子型などの端子ボックスとすることもできる。
【実施例２】
【００７５】
図７は第２の実施例にかかる半被覆ダイオードの説明図である。図８は半被覆ダイオードの実装状態を示す斜視図である。
図７中、（ａ）は半被覆ダイオード２０６の平面説明図であり、（ｂ）は半被覆ダイオード２０６の側面説明図であり、（ｃ）は半被覆ダイオード２０６の底面説明図である。半被覆ダイオード２０６は、板状のＮ側リード端子２１１の一方表面にダイオードチップ２０１を載せ、Ｎ側リード端子２１１とダイオードチップ１のＮ型半導体２０１ａの電極面を半田付けで電気的に接続、結合している。Ｐ側リード端子２１３のダイオードチップ接続側は、正方形状の頭部となっている。ダイオードチップ２０１のＰ型半導体２０１ｂの電極面に、Ｐ側リード端子２１３の上記頭部を重ねて、半田付けで電気的に接続、結合している。
【００７６】
２１５は被覆体である。被覆体２１５は、型枠にＮ側リード端子２１１とＰ側リード端子２１３を接続したダイオードチップ２０１を入れ、エポキシ樹脂を流し込んで固化し、一体的に形成したものである。
２１１ｂはＮ側リード端子２１１の裏面であり、端子板との接続面（Ｎ接続面と呼ぶ）である。また、Ｎ接続面の延長面をＮ延長面と定義する。Ｎ延長面を矢印２３７で示している。Ｐ側リード端子２１３は途中で折り曲げられ、ダイオードチップに接続された端部の他方端部は、下面に開放した端子板との接続面（Ｐ接続面と呼ぶ）２１３ｂを形成している。Ｐ接続面２１３ｂはＮ接続面２１１ｂと同一平面（すなわちＮ延長面）上にある。
【００７７】
被覆体２１５には、Ｎ接続面２１１ｂとＰ接続面２１３ｂの間隔部分で、下方突出部２１９が形成されている。突出部２１９はＮ接続面２１１ｂの一辺に平行に（図７（ｃ）では紙面上下方向）に被覆体２１５の１端面から対面する端面まで連続した直方体状である。
突出部２１９は、また、Ｎ延長面上において、Ｎ接続面２１１ｂとＰ接続面２１３ｂの間隔部分２４１、および／またはＮ接続面２１１ｂとＰ接続面２１３ｂの間隔部分２４１の最短の間隔距離を示す仮想線分２４２と直交する方向（矢印２４３で示す）への間隔部分２４１の延長面（２４４ａ、２４４ｂ）に設けることができる。突出部の突出距離は任意に定めることが出来るが、接続相手方の端子板の厚さ（例えば、０．５ｍｍ〜２．０ｍｍ）と同程度にすることが好ましい。
【００７８】
被覆体２１５は、その他の部分で、すなわち、Ｎ延長面上において間隔部分２４１と間隔部分の前記延長面（２４４ａ、２４４ｂ）を除いた部分では、その下端面はＮ延長面と等しい位置にある。
この部分では、被覆体２１５の下端面は、Ｎ側リード端子の表面（矢印２３５で示すと同一面、ないし、Ｎ側リード端子の表面（矢印２３５）とＮ延長面（矢印２３７）の間の、任意の位置とすることも出来る。下端面位置２１６ｂは、半被覆ダイオード２０６の強度補強の点から、Ｎ延長面（矢印２３７）と同一またはＮ延長面（矢印２３７）の近接位置に定めることが好ましい。
【００７９】
被覆体２１５の上端面（矢印２１６ａで示す）は、Ｐ側リード端子２１３の上端面よりも上方の任意の位置に定めることが出来る。
また、被覆体２１５の平面範囲は、Ｎ接続面とＰ接続面が部分的に被覆される範囲とすることも出来、また、全て被覆される範囲とすることもできる。
矢印２１８は、ダイオードチップ１の中心からその外周を見て、延長線上にＰ接続面がある方向での、Ｎ延長面への被覆体２１５の正投影輪郭線位置である。被覆体２１５の輪郭線位置２１８は、Ｐ接続面の外側位置２１３ａと同一またはより外側にすることが好ましい。
【００８０】
矢印２１７は、ダイオードチップ１の中心からその外周を見て、延長線上にＰ接続面がある方向と反対側での、Ｎ延長面への、被覆体２１５の正投影輪郭線位置である。被覆体２１５の輪郭線位置２１７は、Ｎ接続面の外側位置２１１ａと同一またはより外側にすることが好ましい。
なお、被覆体２１５は、通常直方体であるが、半球形など直方体以外の形状の場合には前記被覆体２１５の側端面は、ダイオード２０１の中心から見て、Ｎ接続面、Ｐ接続面の外端部に最近接する点とし、また、上端面、下端面も各々最上部の点、最下部の点とする。
【００８１】
本実施例において、被覆２１５の大きさは、図７（ａ）において、紙面横方向が１５ｍｍ、縦方向が７ｍｍであり、また、厚さ２ｍｍである。
本実施例では一辺５ｍｍの正方形状のダイオードチップを使用し、Ｎ側リード端子１１は厚さ０．４ｍｍ、幅６ｍｍ、長さ６ｍｍの錫めっきした銅板を使用した。Ｐ側リード端子１３は厚さ０．２ｍｍ、幅３ｍｍの錫めっきした銅板を使用し、頭部の一辺は４ｍｍとした。被覆体の下方突出部２１９の幅５ｍｍ、突出長さは１．５ｍｍである。
【００８２】
図８を参照して半被覆ダイオード６の実装について説明する。２２１は太陽電池のプラス側出力を中継するＮ端子板である。２２２は太陽電池のマイナス側出力を中継するＰ端子板である。Ｎ端子板２２１とＰ端子板２２２の間に５ｍｍの間隙がある。
実装時には、半被覆ダイオード２０６の被覆体２１５を掴み持ちして取扱うことができる。半被覆ダイオードの接続面と端子板の間にソルダーペーストを塗り、半被覆ダイオード２０６の突出部２１９を端子板の間隙部に嵌めこみ位置付ける。これを加熱炉中で加熱して、半田付けする。また、導電接着剤により、接続・結合することも出来る。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明にかかる半被覆ダイオードは、例えば、太陽電池モジュールの逆流防止用ダイオードに使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】従来例のベアチップダイオードを示す図である。
【図２】太陽電池システムの説明図である。
【図３】第１の発明にかかる半被覆ダイオードの説明図である。
【図４】第１の発明にかかる半被覆ダイオードの実装状態を示す斜視図説明図である。
【００８５】
【図５】Ｎ側リード端子の切り欠きおよび／または凸凹、およびN端子板の凸凹構造の説明図である。
【図６】端子ボックスの内部構造を示す説明図である。
【図７】第２の発明にかかる半被覆ダイオードの説明図である。
【図８】第２の発明にかかる半被覆ダイオードの実装状態を示す斜視図説明図である。
【符号の説明】
【００８６】
１  ダイオードチップ
２ａ、２ｂ  ダイオードチップの正投影輪郭線を示す矢印
６  半被覆ダイオード
１１  Ｎ側リード端子
１１ａ  Ｎ先端部
１３  Ｐ側リード端子
１３ａ  Ｐ先端部
１５  被覆体
１６ａ  被覆体の上端面を示す矢印
１６ｂ  被覆体の下端面を示す矢印
１７  被覆体のＮ先端部側の側端面
１８  被覆体のＰ先端部側の側端面
２１  Ｎ端子板
２２  Ｐ端子板
３５  Ｎ側リード端子の表平面を示す矢印
３６  Ｎ側リード端子の裏平面を示す矢印
３７  Ｎ先端部１１ａの裏平面への正投影輪郭線の位置を示す矢印
３８  Ｐ先端部１３ａの裏平面への正投影輪郭線の位置を示す矢印
４０  Ｐ側リード端子の表面を示す矢印
４１  太陽電池モジュール
４４  端子ボックス
【００８７】
２０１  ダイオードチップ
２０６  半被覆ダイオード
２１１  Ｎ側リード端子
２１１ａ  Ｎ接続面のＮ延長面への正投影輪郭線の位置を示す矢印
２１１ｂ  Ｎ接続面
２１３  Ｐ側リード端子
２１３ａ  Ｐ接続面のＮ延長面への正投影輪郭線の位置を示す矢印
２１３ｂ  Ｐ接続面
２１５  被覆体
２１６ａ  被覆体の上端面を示す矢印
２１６ｂ  突出部を除く被覆体の下端面を示す矢印
２１７  被覆体のＮ接続部方向の側端面
２１８  被覆体のＰ接続部方向の側端面
２１９  被覆体の突出部
２２１  Ｎ端子板
２２２  Ｐ端子板
２３５  表平面
２３７  Ｎ延長面
２４１  Ｎ接続面とＰ接続面の間隔面
２４２  Ｎ接続面とＰ接続面の間隔面の最短間隔距離を示す仮想線
２４４ａ、２４４ｂ  Ｎ接続面とＰ接続面の間隔面の延長面
【要約】
【課題】  放熱作用を保持しつつ、また、接続相手側端子板をも放熱板として使用可能であり、かつ、機械的衝撃に強いダイオードを得る。
【解決手段】  Ｎ側リード端子１１、ダイオードチップ１、Ｐ側リード端子１３を積層し被覆体１５によりダイオードチップ１を覆った半被覆ダイオードである。被覆体１５は、Ｎ側リード端子１１の表面の一部、ダイオードチップ１、Ｐ側リード端子１３の表面の一部を覆っている。Ｎ側リード端子１１の裏面は、被覆体に覆われず露出状態にある。
【選択図】  図４
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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