(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々に透明電極パターンが形成された一対の高分子基板と、前記一対の高分子基板を互いに対向させてなる間隙に設けられた液晶層を備える液晶表示装置の製造方法であって、
長尺の長さが短尺の幅よりも長い第一の高分子基板に、長尺方向に多数の透明電極パターンを形成するパターニング工程と、
前記第一の高分子基板に垂直配向膜を形成する垂直配向膜形成工程と、
前記第一の高分子基板を長尺方向に連続的に移動させながら、前記液晶層の液晶分子が倒れる方向を規定する配向工程と、
長尺の長さが短尺の幅よりも長い第二の高分子基板に、長尺方向に多数の透明電極パターンを形成するパターニング工程と、
前記第二の高分子基板に垂直配向膜を形成する垂直配向膜形成工程と、
前記第二の高分子基板を長尺方向に連続的に移動させながら、前記液晶層の液晶分子が倒れる方向を規定する配向工程と、
長尺状の前記第一の高分子基板と前記第二の高分子基板を対向させて張り合わせる工程と、
前記第一の高分子基板と前記第二の高分子基板が対向してなる間隙に誘電異方性が負の液晶を設ける工程と、を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記配向工程において、前記第一または第二の高分子基板を長尺方向に連続的に移動させながら前記垂直配向膜に一方向の光を照射することにより、液晶分子の倒れる方向が該高分子基板の光学的異方性の進相軸もしくは遅相軸と平行に規定されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記配向工程において、前記第一または第二の高分子基板を長尺方向に連続的に移動させながら、該高分子基板の光学的異方性の進相軸もしくは遅相軸と平行にラビングすることにより液晶分子が倒れる方向を規定することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第一または第二の高分子基板に係る前記垂直配向膜形成工程及び前記配向工程で該高分子基板を長尺方向に連続的に移動できるように、前記パターニング工程内、もしくは、前記パターニング工程と前記垂直配向膜形成工程との間に、該高分子基板のバッファを設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記垂直配向膜が、光により構造変化する官能基を含んだ高分子材で形成されたことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記高分子材が、ポリイミド系、シンナメート系、カルコン系、アゾベンゼン系のうち、少なくとも１つを含んだことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は高分子基板を用いた液晶表示装置の製造方法に関し、詳しくは高分子基板を用いて、簡便に且つ量産性に優れた液晶表示装置を製造する方法に関する。
背景技術
従来の、高分子基板を用いたＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶表示装置の構成を第７図に示す。第７図を参照して高分子基板を用いたＳＴＮ液晶表示装置製造方法の一例を説明する。ポリカーボネート等よりなる高分子基板２１上にＩＴＯからなる透明電極２２が形成される。次に、高分子基板２１上にポリアミック酸もしくはポリイミド溶液を印刷し、硬化させ、ポリイミドからなる配向膜２３が形成される。次に、この基板２１を綿やレーヨン繊維からなるバフ布でラビングすることにより配向させる。対向するもう一つの高分子基板２４上にも同様にＩＴＯからなる透明電極２５と、配向膜２６を形成し、先の基板２１のラビング方向とは２００〜２６０°程度の角度を成すようにラビング配向される。この２枚の基板を相対向させてシール剤２７で一体化し、間隙に液晶２８を封入して、ＳＴＮ液晶表示装置を形成する。このような高分子基板を用いたＳＴＮ表示装置は、基板が従来のガラスではなく高分子であるがために、割れにくく、軽量の表示装置が実現できる。さらには、ＳＴＮ表示モードを使っているため、時分割駆動の電極本数を増やしても表示品質の劣化が少なく、大容量ディスプレーを実現できるものである。
もう一つ高分子基板を採用する利点は、高分子基板に可撓性があるために、今までのガラス基板の加工工程処理のように枚葉で処理する以外の、いわゆるRoll to Rollによる連続加工処理が可能になることである。Roll to Rollによる連続加工では、ロール状に巻き取られた高分子基板３１を用いて、配向膜印刷工程、配向膜固化工程、配向工程と連続的に加工することができ、非常に簡便で量産性に優れた製造方法である。
しかしながら、ＳＴＮ表示モードでの配向膜の配向は、ホモジニアス（平行）配向であり、また、上下両基板の配向角度も２００〜２６０°と製造する製品の仕様によりなす角度が一定していない。
このように、加工するためのラビング方向が製品によって一定しないために、ツーリング変更時にラビリングバフ布の擦る方向をいちいち基板流動方向に対して所定の角度に替えなければならず、大変な手間を要する。Roll to Rollによる連続加工では、長尺方向に長く連続した基板を用いるため１ロール全部を処理してから、ラインを停止し、ツーリング変更を行うことになる。ＳＴＮ液晶表示装置の場合には、配向方向により電気光学特性や視野角等の重要な特性が決定されるため、製品毎に配向方向がいちいち変わると言っても過言ではない。製品毎に連続ラインを停止させていたのでは、枚葉処理のガラス基板の加工工程よりも生産性が落ちてしまうことになる。
また、ホモジニアス配向を得るためのラビング工程では、ラビングする際の擦る力が比較的強いために、ガラスより遙に柔らかい高分子基板を傷つけることになり、表示品位に重大な欠陥をもたらすことがある。
さらに、このような角度の一定しないホモジニアス配向のために、高分子基板は高い光学的等方性が要求される。なぜならば、ＳＴＮ液晶表示装置の場合、セルの外側に偏光素子を配置し、液晶分子には直線偏光光線が入射するように光学設計されている。従来、液晶表示装置に一般的に用いられてきたガラス基板は、光学的に等方性であり、どういう方向で入射した直線偏光の光であっても、そのままの方向の直線偏光の光として出射する。そのため、ＳＴＮの光学設計は基板を無視して設計できたのである。
しかし、高分子基板は殆どの場合、ｘとｙ方向の屈折率に異方性があり、光学的に等方ではない。すなわち、このｘ，ｙ方向以外の方向から入射する直線偏光は高分子基板から出射する時には楕円偏光となり、ＳＴＮ液晶表示装置の光学設計を大きく狂わせることとなる。この問題の解決方法は２つ考えられる。１つは、用いる高分子基板の光学的異方性をなくすことである。しかし、高分子基板の光学的異方性を無くすためには、材料分子自体の光学的異方性を少なくすることと、基板作製時に材料分子を１方向に並ばせない配慮が必要で作製が非常に複雑となり、材料自体も選択の範囲が非常に限られた物になっていた。もう１つは、液晶分子の基板上での配向方向と高分子基板の光学異方性の進相軸方向もしくは遅相軸方向をそろえる方法である。この方法を採れば、高分子基板に入射した直線偏光は出射時に楕円偏光にはならず直線偏光のままなので、光学設計が大きく狂わずに済む。しかし、長尺のRoll状の高分子基板の場合、その製造方法からくる制約のために、光学異方性の進相軸方向もしくは遅相軸方向は長尺辺に対して平行か垂直かのいずれかにならざるをえない。そのため、ＳＴＮで要求されるような２００〜２６０°の間の任意の角度には設定できない。かといって、パターンの採り方を配向方向に揃えるようにすると、高分子基板の中のパターン利用率が大幅に落ちてしまい、且つ、後の上下基板の組立工程での組み合わせ方が大変複雑になってしまう。
このように、従来の高分子基板を用いた表示装置の製造方法には上述した課題があり、高分子基板の可撓性を生かしてロールｔｏロールでの製造方法を簡単に実現することができなかった。そこ、本発明は、簡便で生産性が高く、さらに高分子基板を傷つけない製造方法を提供することを目的としている。
発明の開示
本発明は、高分子基板の配向処理に垂直配向（ＶＡ）モードを用いることにより、垂直配向膜形成工程、垂直配向膜硬化工程で、高分子基板を長尺方向に連続的に移動して製造することを見い出したものである。
すなわち、長尺長が短尺長よりも長い高分子基板を用いて、表示装置を製造する際に、高分子基板上に垂直配向膜材料を設ける工程と、この材料を固化させて垂直配向膜を得る工程を、高分子基板を長尺方向に連続的に移動させて行うこととした。換言すると、高分子基板を垂直配向（ＶＡ）モードで配向することにより、配向膜の形成を高分子基板を連続的に移動させながら行うことを可能とした。
さらに、垂直配向膜を形成した後、液晶分子が倒れる方向を規定する工程（配向工程）を、引き続いて高分子基板を長尺方向に連続的に移動させて行うこととした。垂直配向モードでは、液晶の特性仕様が変わっても一定方向のラビングで良いため、長尺方向に高分子基板を移動させながら配向処理を行うことが可能となり、生産性が著しく向上する。
具体的な配向の方法としては、高分子基板を移動させる方向にラビングする方法や、あるいは、光により構造変化する官能基を配向膜に含ませて一定方向から光を照射しながら高分子基板を移動させて配向処理を行う方法がある。
また、高分子基板に透明電極パターンを形成する工程と、高分子基板に垂直配向膜を形成する工程を、高分子基板を長尺方向に連続的に流動できるように、これらの工程の間に連続的に流動する高分子基板のバッファを設けることとした。これにより、一旦停止しないと露光処理ができないパターニング工程と、連続的に処理できる垂直配向膜形成工程とを、高分子基板の流動を止めずに連続的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による表示装置の構成の断面を示す図であり、第２図は本発明による表示装置の製造工程を模式的に示す図であり、
第３図および第４図は本発明にかかる表示装置の他の構成の断面を示す図であり、第５図および第６図は本発明にかかる表示装置の他の製造工程を模式的に示す図であり、第７図は従来の表示装置の構成の断面を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
以下に、図面に基づいて発明の実施の形態を説明する。
本発明による垂直配向（ＶＡ）モードを用いた高分子基板の液晶表示装置の構成、及び、その製造方法の模式図を第１図〜第６図に示す。垂直配向（ＶＡ）モードは従来から知られている表示モードであり、時分割特性にも優れ、良好な表示特性が得られる。
本発明の、高分子基板を用いた液晶表示装置に垂直配向（ＶＡ）モードを利用した典型的な構成を第１図に示す。誘電異方性が負の液晶分子８がセル内で高分子基板１に対して垂直方向からやや傾いた方向に配向されることにより、透明電極２へ電圧が印加される時には傾いた方向に液晶分子が一様な方向に倒れ、均一な光学変化を引き起こしている。通常、このような初期配向を作り出すのは、基板面に垂直配向膜３を形成し、一方向にラビングすることにより行われる。このように述べると、ＳＴＮ表示モードと同じように思われるが、ラビングは単に倒れる方向を決めるだけなので、一定の一方向で良いということに本質的な違いがある。つまり、本発明のように、高分子基板を用いた表示装置に垂直配向モードを用いると、長尺の基板移動方向のみに上下基板ともラビングして良く、表示装置の特性仕様が変更しても本質的にはこの方向は変更する必要がない。そして、上下基板を組み立てるときに第１図に示すように上基板と下基板のラビング方向が逆になるようにすれば良いだけである。この時、高分子基板の流動方向、すなわち光学的異方性の進相軸もしくは遅相軸は常にラビング方向、すなわち基板表面の液晶分子の配向方向と平行であり、ＳＴＮの時のような高分子基板の持つ光学的異方性が光学設計に悪影響を及ぼすことはない。そのため、高分子基板の選択は透明性や耐久性、コストを重視して選択することができ、大いに簡便に製造できることとなる。
また、本発明によれば、ラビングの強さも倒れる方向を決めるだけなので強くラビングする必要はなく、柔らかい高分子基板を痛める恐れはない。このような垂直配向モードも基板が従来のガラス基板であれば、ＳＴＮモードと同様に枚葉処理工程しかできず、垂直配向モード独自が持つ、簡便な製造方法という特徴が全く生かされないのである。本発明のように連続処理が可能な高分子基板と組み合わせることにより、初めて簡便な製造方法の特徴が生かされる。
このように、高分子基板に垂直配向モードを採用した本願発明の製造方法の模式図を第２図に示す。長尺方向に長く連続した高分子基板がロール状に巻き取られており、この高分子基板３１が、配向膜を設ける工程、配向膜を固化する工程３３、配向工程３４と、連続的に加工されることとなる。すなわち、配向膜形成からラビングまでの配向処理が連続処理により可能になる。
また、第１図で示した垂直配向モードの液晶表示装置の構成の他に、垂直配向モードで液晶分子の倒れる方向を１画素内で１８０°異なる逆向きの２方向にすることにより、表示の視角特性が良くなることが知られている。その一例を第３図に示す。図示するように、高分子基板１０上に山型の傾斜を持つ傾斜膜１２を形成し、その上に垂直配向膜１３を形成する。このような構成により、ラビングしなくても、透明電極１１へ電圧を印加すれば、液晶分子１９は山の頂点の両側では倒れる方向が逆になり視角特性を良好にする初期傾斜が得られる。この場合はラビング工程そのものが必要ないため、高分子基板の連続加工工程には何の阻害もなくなるだけでなく、柔らかい高分子基板表面には何物も触れることがないので、表面が傷つくことは全くない。
また、垂直配向モードで液晶分子の倒れる方向を１画素内で２方向以上にするもう一つの方法として、第４図に示すような構成がある。図示するように、高分子基板１００上の透明電極１０１にスリットを入れ、その部分の電界の向きを歪ませ、液晶分子１０７の倒れる方向を規定する方法もある。このスリット電極１０１上に垂直配向膜１０２を形成することによりラビングしなくても、液晶分子１０７は電極スリット両側での電界の傾きにより倒れる方向が逆になり視角特性を良好にする初期傾斜が得られる。この場合もラビング工程そのものが必要ないため、高分子基板の連続加工工程には何の阻害もない。
さらに、最近、高分子配向膜をラビングにより配向方向を規制するのではなく、一定方向の光照射で配向させる配向膜が開発されている。原理的にはポリイミド系、シンナメート系、カルコン系、アゾベンゼン系等の高分子に光により構造変化をきたす官能基を導入し、照射する光の方向によりに官能基が立体的に構造変化をして、高分子全体の配置を揃えるというものである。この方法も本発明に適用ができ、前述の高分子の初期構造を垂直配向するように設計し、膜にしてから基板に垂直方向から傾けた光もしくは傾いた偏光を持つ光を照射することにより達成される。この場合もラビングする必要がないため、高分子基板の連続加工工程には何の阻害もなく、第２図における配向工程３４でラビングの代わりに一定方向の光照射をすれば良い。
一般に、液晶表示装置の全製造工程の中で電極をパターニングするための露光工程では、連続的に高分子基板を移動させて行うことができない。露光工程はどうしてもマスクと基板の特定の位置をアライメントして紫外線を照射する必要があるので、一定時間、基板を制止させる必要がある。露光工程で基板が制止する度に、他の工程の動きをいちいち制止させるのは、本発明の簡便且つ高い生産性を有する製造方法という目的に反してしまう。
したがって、パターニング工程は別途、逐次移動させて加工を行い、パターニングされた高分子基板を第２図に示したようにロール状に巻き取っておく。次にこのロール状の高分子基板３１を配向膜を設ける工程３２、配向膜を固化する工程３３、配向工程３４と連続的に加工する手段をとる必要がある。
もう一つの方法として、Roll to Rollの加工工程にパターニング工程も設け、このパターニング工程内、もしくは、パターニング工程と配向膜を設ける工程との間にパターニング工程での露光時に基板を制止させる分のバッファを設ける方法がある。
第５図はパターニング工程内に基板バッファを設けた例である。高分子基板ロールから供給された高分子基板は工程内に基板バッファを設けたパターニング工程４１へと移動する。この中で露光の際の停止分の基板を工程内に蓄積できるバッファが設けてあり、出口で基板の流れが停止しないようになっている。その後、高分子基板は、配向膜を設ける工程４２、配向膜を固化する工程４３、配向工程４４と連続的に加工される。
第６図にパターニング工程と配向膜印刷工程間にバッファを設けた例を示す。ロール状に巻き取られた高分子基板は５１のパターニング工程に移動し、その中で制止処理の露光工程を通る。次に基板は５２のバッファロールに入る。バッファロールは、最初は連続経路から逸れた位置に設けられており、基板は迂回して移動することになる。しかし、パターニング工程内で次の制止、露光が始まると、バッファロールは基板の経路方向に移動し、次の配向膜を設ける工程５３に連続的に高分子基板を供給し続ける。以降、配向膜を固化する工程５４、配向工程５５と基板は連続的に処理され、簡便且つ高い生産性の、液晶表示装置の製造方法が提供される。
本発明に用いる高分子基板は、透明な高分子であれば制限はなく、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ），ポリカーポネート（ＰＣ），ポリアリレート（ＰＡＲ），アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ），ポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），耐熱ポリオレフィン樹脂，アリルジグリコールカーボネート樹脂（ＡＤＣ樹脂），アクリル樹脂，ノルボルネン樹脂，マレイミド樹脂，透明エポキシ樹脂，透明ポリイミド樹脂等からなり、その厚みは０．１〜１．０ｍｍの範囲で適宜選択される。ＳＴＮでは進相軸と遅相軸での光学異方性Δｎｄは５ｎｍ以下が望ましいとされているが、本発明では全くその制限はない。
以下に、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明する。
（実施例１）
第１図を参照して本発明による高分子基板を用いた表示装置の一例を説明する。高分子基板１を形成している高分子は、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポリアリレート（ＰＡＲ），アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ），ポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），アリルジグリコールカーボネート樹脂（ＡＤＣ樹脂），アクリル樹脂，ノルボルネン樹脂，マレイミド樹脂，透明エポキシ樹脂，透明ポリイミド樹脂から適宜選択できる。本実施例では０．２ｍｍ厚で進相軸と遅相軸の光学異方性すなわち基板の長尺方向と短尺方向の光学異方性Δｄｎが１０ｎｍのＰＥＳ基板を用いた。次に低温スパッタ等でＩＴＯからなる透明電極２を形成する。この基板を別途、逐次移動のパターニング工程により透明電極のパターニング加工を施し、ロール状に巻き取った後、図２に示す連続処理工程を適用して加工した。すなわち、本実施例では、ポリイミド系高分子の垂直配向剤を高分子基板上に印刷し、これを固化して垂直配向膜を形成し、さらに、長尺方向に平行の一定方向にかなり弱く垂直配向膜を擦ることでラビングを行った。
このように、本実施例では、第１図中の配向膜３にポリイミド系高分子の垂直配向剤を用い、ラビング工程は通常のＳＴＮ液晶表示装置よりかなり弱く長尺方向に平行の一定方向に擦ったため、ラビングによる傷つきが無く、また、どのような製品に対してもラビング方向を変えるというツーリング変更の必要が無く、大いに高い生産性を示した。
同様に第１図中の透明電極５と配向膜６が形成された高分子基板４を同じ工程で処理し、高分子基板１とラビング方向が相対向するようにシール剤７で貼り合わせ、間隙に誘電異方性が負の液晶を封入して液晶表示装置とする。
このように製造された液晶表示装置は基板が高分子であるため軽く、割れない特徴を有し、且つ、表示特性もＳＴＮ液晶表示装置と比べても遜色のないものであった。本実施例により、従来と遜色のない高分子基板の表示装置が簡便に且つ、高い生産性で製造できることとなった。
（実施例２）
第３図は高分子基板を用いた表示装置の別の一例を示す図である。高分子基板１０に含まれる高分子は、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポリアリレート（ＰＡＲ），アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ），ポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），アリルジグリコールカーボネート樹脂（ＡＤＣ樹脂），アクリル樹脂，ノルボルネン樹脂，マレイミド樹脂，透明エポキシ樹脂，透明ポリイミド樹脂から適宜選択できる。本実施例では０．１ｍｍ厚で進相軸と遅相軸の光学異方性すなわち基板の長尺方向と短尺方向の光学異方性Δｎｄが１５ｎｍのＰＣ基板を用いた。次に低温スパッタ等でＩＴＯからなる透明電極１１を形成する。この基板を第５図に示す連続処理工程を適用して加工した。
本実施例ではパターニング工程４１で透明電極のパターニングの他に第３図中の山型の傾斜を持つ傾斜膜１２をフォトレジストを用いて作製した。この上にポリイミド系高分子の垂直配向剤からなる配向膜１３を形成し、ラビング工程は行わずに加工したところ、ラビングしていたときに見られた傷つきが全く無く、また、どのような製品に対してもラビング方向を変えるというツーリング変更の必要が無く、大いに高い生産性を示した。
同様に第３図に示した、透明電極１５と傾斜膜１６と配向膜１７が形成された高分子基板１４を同じ工程で処理し、高分子基板１０と傾斜膜１６の山と谷が相対向するようにシール剤１８で貼り合わせ、間隙に誘電異方性が負の液晶を封入して液晶表示装置とする。
このよう製造された液晶表示装置は基板が高分子であるため軽く、割れない特徴を有し、且つ、表示特性もＳＴＮ液晶表示装置と比べても遜色のないものであった。本実施例により、従来と遜色のない高分子基板の表示装置が簡便に且つ、高い生産性で製造できることとなった。
（実施例３）
第４図は高分子基板を用いた表示装置の別の一例の構成を示す図である。高分子基板１００に含まれる高分子は、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポリアリレート（ＰＡＲ），アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ），ポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），アリルジグリコールカーボネート樹脂（ＡＤＣ樹脂），アクリル樹脂，ノルボルネン樹脂，マレイミド樹脂，透明エポキシ樹脂，透明ポリイミド樹脂から適宜選択できる。本実施例では０．１５ｍｍ厚で進相軸と遅相軸の光学異方性すなわち基板の長尺方向と短尺方向の光学異方性Δｎｄが１０ｎｍのアモルファスポリオレフィン基板を用いた。次に低温スパッタ等でＩＴＯからなる透明電極１０１を形成する。この基板を第６図に示す連続処理工程を適用して加工した。本実施例ではパターニング工程にて、透明電極１０１に第４図で示したスリットが入いるように透明電極をパターニング形成した。この高分子基板上にポリイミド系高分子の垂直配向剤からなる配向膜１０２を形成し、ラビング工程は行わずに加工したところ、ラビングしていたときに見られた傷つきが全く無く、また、どのような製品に対してもラビング方向を変えるというツーリング変更の必要が無く、大いに高い生産性を示した。
同様に第４図で示した透明電極１０４と配向膜１０５が形成された高分子基板１０３を同じ工程で処理し、高分子基板１００とシール剤１０６で貼り合わせ、間隙に誘電異方性が負の液晶を封入して液晶表示装置とする。
このよう製造された液晶表示装置は基板が高分子であるため軽く、割れない特徴を有し、且つ、表示特性もＳＴＮ液晶表示装置と比べても遜色のないものであった。本実施例により、従来と遜色のない高分子基板の表示装置が簡便に且つ、高い生産性で製造できることとなった。
（実施例４）
第１図における高分子基板１を０．１５ｍｍ厚の進相軸と遅相軸の光学異方性すなわち基板の長尺方向と短尺方向の光学異方性Δｎｄが２０ｎｍのポリアリレート基板とし、配向膜３をシンナメート系のポリビニルシンナメート垂直配向膜を用いて、第２図に示した連続処理工程を行う。この場合には、第２図における配向工程３４において、垂直方向からわずかに傾いた方向の光を照射する。すなわち、ラビングする必要がない。このような連続処理工程により配向膜３を形成し、ラビング工程は行わずに加工したところ、ラビングしていたときに見られた傷つきが全く無く、また、どのような製品に対しても、配向方向を変えるツーリング変更の必要が無い、大いに高い生産性を有する製造方法であった。
このように製造された液晶表示装置は基板が高分子であるため軽く、割れない特徴を有し、且つ、表示特性もＳＴＮ液晶表示装置と比べても遜色のないものであった。本実施例により、従来と遜色のない高分子基板の表示装置が簡便に且つ、高い生産性で製造できることとなった。
（実施例５）
実施例４における配向膜３をカルコン系高分子とし、以下、実施例４と同様に高分子基板の表示装置を製造したところ、実施例４と同様の効果が得られた。
（実施例６）
実施例４における配向膜３をアゾベンゼン系高分子とし、以下、実施例４と同様に高分子基板の表示装置を製造したところ、実施例４と同様の効果が得られた。
上述した各実施例にて詳しく説明したように、本発明による表示装置の製造方法は、高分子基板を用いた液晶表示装置を従来と遜色のない表示品位を保ったまま、高い生産性を持って製造できるものであり、従来のガラス基板を用いた液晶表示装置に比べ、割れない、薄い、軽い、以外にも生産性の高い製造方法の採用により、低コストで提供できるものである。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、高分子基板を用いて、ロールｔｏロールで連続的に製造する場合に有用であり、生産性の高い製造方法が可能となり、低コストで高分子基板の液晶表示装置を製造のに適している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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