(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着された金属製の枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された線路導体を有する誘電体から成る平板部および該平板部の上面に前記線路導体を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から構成され、かつ前記平板部の前記線路導体に略平行な側面から該側面に略面一な前記立壁部の端面にかけて該端面と略同じ幅のメタライズ層が形成されるとともに前記取付部に嵌着された前記入出力端子と、前記枠体の上面に接合される蓋体とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記メタライズ層の幅が前記平板部と前記立壁部との境界部で狭くなっていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記メタライズ層の幅広部の幅をＹ、幅狭部の幅をｃとした場合、０．２ｍｍ≦ｃ≦４Ｙ／５であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記平板部の厚さをｔ、前記立壁部側の前記幅狭部の長さをｄ、前記平板部側の前記幅狭部の長さをｅとした場合、ｔ／５≦ｄ≦４ｔ／５かつｔ／５≦ｅ≦４ｔ／５であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の各種半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージに関し、特に入出力端子の接合構造を改善したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マイクロ波帯域やミリ波帯域の高周波信号や光信号により作動する、ＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の各種半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージという）には、半導体素子と外部電気回路との高周波信号の入出力を行うための入出力端子が設けられている。この半導体パッケージのうち光通信分野に用いられる光半導体パッケージについて、図４に斜視図を示し、図５に光半導体パッケージに用いられる入出力端子の拡大斜視図を示す。
【０００３】
入出力端子１０４は、略長方形の平板部１０４ａの上面に略直方体の立壁部１０４ｂが積層されて成り、ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子である半導体素子１０９と外部電気回路（図示せず）との高周波信号の入出力を行う機能を有するとともに、光半導体パッケージの内外を遮断する機能を有する。
【０００４】
この平板部１０４ａは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）等のセラミックスから成り、その上面に、一長辺から対向する他の長辺にかけて、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）−マンガン（Ｍｎ）等のメタライズ層から成る線路導体１０４ａ−Ａが形成される。下面には、その全面に線路導体１０４ａ−Ａと同様のメタライズ層から成る下部接地導体１０４ａ−Ｃが形成され、また線路導体１０４ａ−Ａと略平行な側面には、その中央部に線路導体１０４ａ−Ａと同様のメタライズ層から成る側部接地導体１０４ａ−Ｂが形成される。
【０００５】
メタライズ層から成る、線路導体１０４ａ−Ａ，側部接地導体１０４ａ−Ｂ，下部接地導体１０４ａ−Ｃは、Ｗ，Ｍｏ−Ｍｎ等で形成されている。例えば、Ｗ等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、平板部１０４ａ用のセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておき、焼成することにより形成される。
【０００６】
一方、立壁部１０４ｂは、平板部１０４ａと同様のセラミックスから成り、その上面の全面に線路導体１０４−Ａと同様のメタライズ層から成る上部接地導体１０４ｂ−Ａが形成される。また、平板部１０４ａの線路導体１０４ａ−Ａと略平行な側面に略面一な立壁部１０４ｂの端面には、その全面に線路導体１０４ａ−Ａと同様のメタライズ層から成る端部接地導体１０４ｂ−Ｂが形成される。
【０００７】
メタライズ層から成る、上部接地導体１０４ｂ−Ａ，端部接地導体１０４ｂ−Ｂは、平板部１０４ａに形成される線路導体１０４ａ−Ａ，側部接地導体１０４ａ−Ｂ，下部接地導体１０４ａ−Ｃと同様の方法により所定パターンに印刷塗布しておき、焼成することにより形成される。
【０００８】
この光半導体パッケージは、基体１０１と、その上面に接合された枠体１０２と、この枠体１０２の側部に嵌着された入出力端子１０４、枠体１０２の側部に接合された光ファイバ固定用の筒状の固定部材１０３と、枠体１０２上面に接合されたシールリング１０６とを具備している。
【０００９】
基体１０１は、半導体素子１０９を載置する載置部１０１ａを有し、半導体素子１０９の作動時に発する熱を外部に効率よく放散する機能を有する、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属材料から成る。
【００１０】
枠体１０２は、基体１０１上面に載置部１０１ａを囲繞するように銀ロウ等のロウ材で接合され、側部に入出力端子１０４を嵌着する取付部１０２ａと、他の側部に光伝送路として機能する貫通孔１０２ｂとが形成されたものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成る。
【００１１】
入出力端子１０４の側面のメタライズ層は、立壁部１０４ｂの端部接地導体１０４ｂ−Ｂの全面と平板部１０４ａの側部接地導体１０４ａ−Ｂの中央部分に設けることにより、この側面のメタライズ層が線路導体１０４ａ−Ａに及ぼす影響は少なくなり、両者間に発生する浮遊容量は小さくなる（実開平２−８８２４２号参照）。
【００１２】
固定部材１０３は、その一端面が貫通孔１０２ｂの開口を囲むように銀ロウ等のロウ材で接合され、他の端面には光ファイバ１０８を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ１０７が金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）等の低融点ロウ材で接合される。
【００１３】
リード端子１０５は、入出力端子１０４の線路導体１０４ａ−Ａに銀ロウ等のロウ材を介して接合され、外部電気回路と入出力端子１０４との高周波信号の入出力を行うものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成る。
【００１４】
シールリング１０６は、枠体１０２上面に銀ロウ等のロウ材で接合され入出力端子１０４を挟持するとともに、上面に蓋体（図示せず）をシーム溶接等により接合するための媒体として機能する。
【００１５】
このような光半導体パッケージに、半導体素子１０９を載置部１０１ａに錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）半田等の低融点ロウ材で載置固定するとともに、線路導体１０４ａ−Ａと半導体素子１０９とをボンディングワイヤ（図示せず）で電気的に接続し、さらに固定部材１０３に、光ファイバ１０８を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ１０７を、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合した後、シールリング１０６上面に蓋体（図示せず）をシーム溶接等により接合することにより、製品としての光半導体装置となる。
【００１６】
このような光半導体装置は、例えば電気回路から供給される駆動信号によって半導体素子１０９を光励起させ、励起したレーザ光等の光を光ファイバ１０８に授受させるとともに、光ファイバ１０８内を伝送させることにより、大容量の情報を高速に伝送できる光電変換装置として機能するとともに、光通信分野等に多く用いられる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の光半導体パッケージにおいては、入出力端子１０４の側面にスクリーン印刷をすると、入出力端子１０４の立壁部１０４ｂの幅の寸法精度の誤差や僅かな印刷ズレ等に起因して、立壁部１０４ｂの端面と平板部１０４ａの側面との境界の端から、平板部１０４ａの上面における立壁部１０４ｂとの境界部に向かってメタライズ層形成用の金属ペーストがメニスカスを形成して溜まる場合があった。即ち、境界部コーナー１０４ｃに金属ペーストの溜まりが生じる場合があった。その結果、ロウ材を用いて入出力端子１０４を枠体１０２の取付部１０２ａにロウ付け接合した場合、ロウ材の溜まりが境界部コーナー１０４ｃに発生する場合があった。
【００１８】
それによって、入出力端子１０４と溜まったロウ材との熱膨張率の差により、入出力端子１０４の境界部コーナー１０４ｃに過大な応力が集中し、境界部コーナー１０４ｃ付近にクラックや割れが発生し、半導体パッケージの気密性が損なわれ、その結果、内部に収容する半導体素子１０９を長期間にわたり正常かつ安定に作動させ得なくなるという問題があった。また、境界部コーナー１０４ｃに侵入したロウ材が、線路導体１０４ａ−Ａとの間で浮遊容量を発生させ、高周波信号の伝送特性を劣化させる場合があった。
【００１９】
さらに、光半導体装置となした後、基体１０１の両端部に形成したネジ止め部（ネジ止め穴は図示せず）を外部の実装基板等に強固にネジ止めして光半導体装置を固定した場合に、固定前には基体１０１が入出力端子１０４等との熱膨張差により変形し反っていたのが、基体１０１にネジ止めした際に基体１０１の反りが強制的に戻され、入出力端子１０４に過大な応力が加わり境界部コーナー１０４ｃ付近を起点として破壊されるという場合があった。
【００２０】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、金属製の枠体に入出力端子をロウ付け接合した際に、入出力端子にクラックや割れが発生するのを防止することにより枠体と入出力端子のロウ付け部の気密性を保持し、また高周波信号の伝送特性を良好なものとして、半導体パッケージの内部に収納する半導体素子を長期間にわたり正常かつ安定的に作動させることにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着された金属製の枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された線路導体を有する誘電体から成る平板部および該平板部の上面に前記線路導体を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から構成され、かつ前記平板部の前記線路導体に略平行な側面から該側面に略面一な前記立壁部の端面にかけて該端面と略同じ幅のメタライズ層が形成されるとともに前記取付部に嵌着された前記入出力端子と、前記枠体の上面に接合される蓋体とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記メタライズ層の幅が前記平板部と前記立壁部との境界部で狭くなっていることを特徴とする。
【００２２】
本発明は、上記の構成により、金属製の枠体に入出力端子をロウ付けした際に、立壁部の端面とそれに面一な平板部の側面との境界の端から平板部の上面における立壁部との境界部に向かう部分（境界部コーナー）に溜まることがなくなることから、入出力端子にクラックや割れが発生することを大幅に抑制することができる。また、境界部コーナーにロウ材が溜まらないため、溜まったロウ材と線路導体との間で浮遊容量が発生しなくなり、高周波信号の伝送特性が良好になる。
【００２３】
本発明は、好ましくは、前記メタライズ層の幅広部の幅をＹ、幅狭部の幅をｃとした場合、０．２ｍｍ≦ｃ≦４Ｙ／５であることを特徴とする。さらに好ましくは、前記平板部の厚さをｔ、前記立壁部側の前記幅狭部の長さをｄ、前記平板部側の前記幅狭部の長さをｅとした場合、ｔ／５≦ｄ≦４ｔ／５かつｔ／５≦ｅ≦４ｔ／５であることを特徴とする。
【００２４】
本発明は、上記の構成により、より確実に入出力端子にクラックや割れが発生することを防ぐことができる。その結果、半導体パッケージの枠体と入出力端子のロウ付け部の気密性を良好なものとし、内部に収容する半導体素子を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体パッケージを添付の図面に基づいて説明する。図１は本発明の半導体パッケージの実施形態を示す斜視図であり、図２は図１の入出力端子の拡大斜視図を示し、図２の（ａ）は入出力端子の斜視図、（ｂ）は入出力端子の側部の拡大断面図である。
【００２６】
図１において、１は基体、２は枠体、３は光ファイバが取着された金属ホルダ７を固定する筒状の固定部材、４は入出力端子、６はシールリングである。これら基体１と枠体２と固定部材３と入出力端子４とシールリング６とで、内部にＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子９を収納し、シールリング６上面に蓋体を取着することにより容器が構成される。
【００２７】
図１の半導体パッケージは、ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子を収納するための光半導体パッケージであり、以下その光半導体パッケージについて説明する。
【００２８】
基体１は、その上側主面に半導体素子９を載置する載置部１ａを有し、光半導体素子である半導体素子９を支持する支持部材として機能するとともに、半導体素子９の作動時に発する熱を外部に効率良く放散する機能を有する。
【００２９】
この基体１は、その形状は略直方体または略長方形であり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等の金属材料や、アルミナ，窒化アルミニウム，ムライト等のセラミックスから成り、金属材料から成る場合には、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。一方、セラミックスから成る場合には、その原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成すとともに、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法によってセラミックグリーンシートと成し、しかる後セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層し焼成することによって作製される。
【００３０】
なお、基体１が金属材料からなる場合には、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着させておくと、基体１が酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、基体１上面の載置部１ａに半導体素子９を強固に接着固定させることができる。従って、基体１が金属材料から成る場合には、その表面に厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させておくことが好ましい。
【００３１】
一方、基体１がセラミックスから成る場合、半導体素子９を載置する載置部１ａに耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着させておくと、基体１の上側主面の載置部１ａに半導体素子９を強固に接着固定させることができる。従って、基体１がセラミックスから成る場合には、その表面に厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させておくと良い。
【００３２】
また、この基体１の上側主面には、載置部１ａを囲繞するように、側部に入出力端子４を嵌着するための貫通孔または切り欠き部から成る取付部２ａと、他の側部に光伝送路として機能する貫通孔２ｂとが形成された枠体２が、銀ロウ等のロウ材で接合されており、この枠体２の内側に半導体素子９を収納するための空所が形成される。
【００３３】
この枠体２は、基体１と同様の金属材料から成り箱状体の側壁を成すものであり、その製作は基体１と同様の加工法により、側部に取付部２ａを、他の側部（例えば取付部２ａが形成された側部に隣接する側部）に貫通孔２ｂを有するような形状に加工される。
【００３４】
なお、枠体２の基体１への接合は、基体１の上側主面と枠体２下面とを、基体１の上側主面に敷設した適度なボリュームを有するプリフォームとされた銀ロウ等のロウ材を介して接合される。さらに、枠体２表面には、基体１と同様に０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させておくと良い。
【００３５】
また、この枠体２の取付部２ａには、半導体素子９と外部電気回路との高周波信号の入出力を行う機能を有するとともに、半導体パッケージの内外部を遮断する機能を有する入出力端子４が、これに設けられているメタライズ層を介して銀ロウ等のロウ材で接合される。
【００３６】
この入出力端子４は、略長方形で板状の平板部４ａの上面に、略直方体で横倒しにされた四角柱状の立壁部４ｂが積層されて成る。
【００３７】
この平板部４ａは、アルミナ，窒化アルミニウム，ムライト等のセラミックスから成る。そして、平板部４ａの上面には、長辺の１辺から対向する他辺にかけて、Ｗ，Ｍｏ−Ｍｎ等のメタライズ層から成る線路導体４ａ−Ａが形成される。平板部４ａの下面には、全面に線路導体４ａ−Ａと同様のメタライズ層から成る下部接地導体４ａ−Ｃが形成される。
【００３８】
平板部４ａの線路導体４ａ−Ａ、側部接地導体４ａ−Ｂおよび下部接地導体４ａ−Ｃは、Ｗ，Ｍｏ，Ｍｎ等のメタライズ層が形成されており、例えばＷ等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、平板部４ａ用のセラミックグリーンシートに、予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておき、焼成することによって形成される。
【００３９】
また、平板部４ａの上面には立壁部４ｂが積層される。この立壁部４ｂは、平板部４ａと同様のセラミックスから成り、その上面の全面に線路導体４ａ−Ａと同様のメタライズ層から成る上部接地導体４ｂ−Ａが形成される。
【００４０】
立壁部４ｂの上部接地導体４ｂ−Ａ、端部接地導体４ｂ−Ｂは、平板部４ａに形成される線路導体４ａ−Ａ、側部接地導体４ａ−Ｂおよび下部接地導体４ａ−Ｃと同様の方法により所定のパターンに印刷塗布しておき、焼成することにより形成される。
【００４１】
本発明において、図２（ａ）に示すように、平板部４ａの線路導体４ａ−Ａに略平行な側面からその側面に略面一な立壁部４ｂの端面にかけてその端面と略同じ幅のメタライズ層（側部接地導体４ａ−Ｂ，端部接地導体４ｂ−Ｂ）が形成される。そして、入出力端子４の線路導体４ａ−Ａに略平行な側面の上記メタライズ層の幅が、少なくとも平板部４ａと立壁部４ｂの境界部で狭くなっている。
【００４２】
この構成により、メタライズ層形成用の金属ペーストのスクリーン印刷塗布後に境界部コーナー４ｃに金属ペーストが溜まることがなく、またロウ材が境界部コーナー４ｃに溜まることが解消されるため、ロウ材と入出力端子４との熱膨張係数の差により、入出力端子４の境界部コーナー４ｃに応力が集中することが解消される。その結果、境界部コーナー４ｃを起点としたクラックや割れ等が発生するのを大幅に抑制することができる。
【００４３】
また、図２（ｂ）に示すように、入出力端子４の側面のメタライズ層の幅広部の幅をＹ、幅狭部の幅をｃとした場合、０．２ｍｍ≦ｃ≦４Ｙ／５であることが好ましい。ｃ＜０．２ｍｍであると、メタライズ層の枠体２の取付部２ａとのロウ付け接合部分の面積が小さくなるため、光半導体パッケージの気密性を確保することが困難となる。また、ｃ＞４Ｙ／５であると、入出力端子４の平板部４ａと立壁部４ｂの境界部のメタライズ層が形成されない部分の面積が小さくなり、メタライズ層形成用の金属ペーストのスクリーン印刷後に、入出力端子４の境界部コーナー４ｃに金属ペーストが溜まってしまい、入出力端子４を枠体２の取付部２ａに銀ロウ等のロウ材で接合する際に境界部コーナー４ｃにロウ材溜まりが発生する。その結果、境界部コーナー４ｃに溜まったロウ材と入出力端子４との熱膨張係数の差により、境界部コーナー４ｃ付近を起点にしてクラックや割れ等が発生し、半導体パッケージの気密性を確保することが困難になる。さらに、境界部コーナー４ｃに侵入したロウ材が、線路導体４ａ−Ａとの間で浮遊容量を発生させ、高周波信号の伝送特性を劣化させ易くなる。
【００４４】
さらに、平板部４ａの厚さをｔ、立壁部４ｂ側のメタライズ層（端部接地導体４ｂ−Ｂ）の幅狭部の長さをｄ、平板部４ａ側のメタライズ層（側部接地導体４ａ−Ｂ）の幅狭部の長さをｅとした場合、ｔ／５≦ｄ≦４ｔ／５かつｔ／５≦ｅ≦４ｔ／５であることが好ましい。ｄ＜ｔ／５またはｅ＜ｔ／５であると、入出力端子４の平板部４ａと立壁部４ｂの境界部でメタライズ層が形成されない部分の面積が小さくなり、メタライズ層形成用の金属ペーストのスクリーン印刷後に、入出力端子４の境界部コーナー４ｃに金属ペーストが溜まってしまい、入出力端子４を枠体２の取付部２ａに銀ロウ等のロウ材で接合する際にロウ材溜まりが発生する。その結果、境界部コーナー４ｃに溜まったロウ材と入出力端子４との熱膨張係数の差により、境界部コーナー４ｃを起点にしてクラックや割れ等が発生し、半導体パッケージの気密性を確保することが困難になる。さらに、境界部コーナー４ｃに侵入したロウ材が、線路導体４ａ−Ａとの間で浮遊容量を発生させ、高周波信号の伝送特性を劣化させ易くなる。また、４ｔ／５＜ｄまたは４ｔ／５＜ｅであると、枠体２の取付部２ａとのロウ付け接合部分の面積が小さくなるため半導体パッケージの気密性の確保が困難となる。
【００４５】
図３の（ａ）〜（ｃ）は、入出力端子４の側面のメタライズ層について他の好ましい各種実施形態を示すものである。
【００４６】
図３の（ａ）はｄ＞ｅとしたものであり、ｄ＜ｅであると枠体２の取付部２ａにロウ付けした際、ロウ材の自重で垂れが発生した場合に境界部コーナー４ｃにロウ材溜まりが発生し易くなるのを防ぐことができる。
【００４７】
また、（ｂ）は、平板部４ａのメタライズ層において幅広部から幅狭部にかけて漸次幅が狭くなるように形成したものであり、これによりロウ材が自重で垂れてきた場合にメタライズ層に沿って円滑に下方に流れ易くなる。より好ましくはｄ≧ｅとするのがよい。
【００４８】
さらに、（ｃ）は、メタライズ層の幅狭部が上端側から下端側に向かって狭くなるようなテーパ状にしたものであり、ロウ材が自重で垂れた場合にさらに円滑に下方に流れ易くなる。より好ましくはｄ≧ｅとすることがよい。
【００４９】
このような光半導体パッケージに、半導体素子９を載置部１ａにＳｎ−Ｐｂ半田等の低融点ロウ材で載置固定するとともに、線路導体４ａ−Ａと半導体素子９とをボンディングワイヤで電気的に接続し、さらに固定部材３の外側端面に、光ファイバ８を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ７を、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合した後、シールリング６上面に蓋体をシーム溶接等により接合することにより、製品としての光半導体装置となる。
【００５０】
この光半導体装置は、例えば外部電気回路から供給される高周波信号等の駆動信号によって半導体素子９を光励起させ、励起したレーザ光等の光を光ファイバ８に授受させるとともに、光ファイバ８内を伝送させることにより、大容量の情報を高速に伝送できる光電変装置として機能するものであり、光通信分野等に多く用いられる。
【００５１】
かくして、本発明は、入出力端子の側面のメタライズ層の幅を入出力端子の平板部と立壁部の境界部で狭くしていることから、境界部コーナーに金属ペーストが溜まることがなくなり、ロウ材と入出力端子との熱膨張係数の差により入出力端子の境界部コーナーに応力が集中することが解消されるので、境界部コーナー付近にクラックや割れ等が発生することを大幅に抑制することができる。
【００５２】
また、本発明によれば、メタライズ層の幅狭部の形状を所定のものとすることで、より確実に入出力端子にクラックや割れ等が発生することを防ぐことができる。
【００５３】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、入出力端子の側面のメタライズ層の幅を全長のわたって狭くしてもよい。この構成により、金属ペーストが入出力端子の側面から立壁部の側面や平板部の上面に回り込んで付着することを大幅に抑制できる。この場合、立壁部の端面の幅をＹａ、メタライズ層の幅をｗとした場合、０．２ｍｍ≦ｗ≦４Ｙａ／５であることが好ましい。ｗ＜０．２ｍｍであると、メタライズ層の枠体２の取付部２ａとのロウ付け接合部分の面積が小さくなるため、光半導体パッケージの気密性を確保することが困難となる。ｗ＞４Ｙａ／５であると、平板部４ａと立壁部４ｂの境界部のメタライズ層が形成されない部分の面積が小さくなり、メタライズ層形成用の金属ペーストのスクリーン印刷後に、境界部コーナー４ｃに金属ペーストが溜まってしまい、入出力端子４を枠体２の取付部２ａに銀ロウ等のロウ材で接合する際に境界部コーナー４ｃにロウ材溜まりが発生する。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の半導体パッケージによれば、メタライズ層の幅が平板部と立壁部との境界部で狭くなっていることから、境界部コーナーに金属ペーストが溜まることがなくなるために、ロウ材と入出力端子との熱膨張係数の差により入出力端子の境界部コーナーに応力が集中することがなくなるので、入出力端子の境界部コーナー付近にクラックや割れ等が発生することを大幅に抑制することができる。
【００５５】
また本発明は、好ましくはメタライズ層の幅広部の幅をＹ、幅狭部の幅をｃとした場合、０．２ｍｍ≦ｃ≦４Ｙ／５であること、さらに好ましくは、平板部の厚さをｔ、立壁部側の幅狭部の長さをｄ、平板部側の幅狭部の長さをｅとした場合、ｔ／５≦ｄ≦４ｔ／５かつｔ／５≦ｅ≦４ｔ／５であることにより、より確実に、入出力端子にクラックや割れ等が発生することを防ぐことができる。
【００５６】
以上により、半導体パッケージの枠体と入出力端子のロウ接合部の気密性と高周波信号の伝送特性を良好なものとし、半導体パッケージの内部に収納する半導体素子を長期間にわたり正常かつ安定的に作動させ得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体パッケージの実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１の入出力端子の実施形態を示し、（ａ）は入出力端子の斜視図、（ｂ）は入出力端子の側面のメタライズ層を示す入出力端子の拡大側面図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、入出力端子の側面のメタライズ層について各種実施形態を示す入出力端子の拡大側面図である。
【図４】従来の半導体パッケージの斜視図である。
【図５】図４の入出力端子の拡大斜視図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
２ａ：取付部
４：入出力端子
４ａ：平板部
４ｂ：立壁部
９：半導体素子
【図１】
0003619450.tif 000002
【図２】
0003619450.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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