(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉウェハなどの第１の基板の片面上に所定の形状の薄膜を形成し、前記第１の基板の前記片面と対向する位置に第２の基板を設け、前記第１の基板の前記片面上の前記薄膜と前記第２の基板の片面を接合し、前記薄膜を前記第１の基板から剥離して前記第２の基板上に転写し、前記薄膜の形成と前記薄膜と前記第２の基板の接合を繰り返して複数の前記薄膜を前記第２の基板上に積層することにより微小構造体を製造する方法において、
前記第２の基板を設ける工程は、前記第２の基板の前記片面側に島状の突起を形成する工程と、前記突起の表面をコート層で覆う工程を有し、
前記第２の基板上へ転写する工程、及び前記第２の基板上に積層する工程は、前記コート層で覆われた前記突起上へ転写する工程、及び前記コート層で覆われた前記突起上に積層する工程であることを特徴とする微小構造体の製造方法。
【請求項２】
前記突起を形成する工程は、前記第２の基板の前記突起以外の領域をエッチング除去して形成することを特徴とする請求項１記載の微小構造体の製造方法。
【請求項３】
前記突起を形成する工程は、前記第２の基板上に薄膜層を形成し、前記第２の基板の前記突起以外の領域の前記薄膜層をエッチング除去して形成したことを特徴とする請求項１記載の微小構造体の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜層を形成する工程は、前記薄膜層を１０ＧＰａ以下のヤング率にすることを特徴とする請求項３記載の微小構造体の製造方法。
【請求項５】
前記薄膜層を形成する工程は、ポリイミドの薄膜を形成することを特徴とする請求項３又は４記載の微小構造体の製造方法。
【請求項６】
前記コート層で覆う工程は、前記微小構造体の材料と同じ材料で覆うことを特徴とする請求項１記載の微小構造体の製造方法。
【請求項７】
前記コート層で覆う工程は、前記微小構造体の材料と異なる材料で覆うことを特徴とする請求項１記載の微小構造体の製造方法。
【請求項８】
前記コート層で覆う工程は、前記微小構造体の材料と選択的にエッチングすることができる異なる材料で覆うことを特徴とする請求項１記載の微小構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は金属材料や絶縁材料を微細、かつ精密に加工して微小構造体を製造する方法に関し、特に、金属材料や絶縁材料の薄層を微小構造体の断面形状にパターニシグし、これらを積層して微小構造体を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、部品製造において、積層造形方法がコンピュータで設計された複雑な形状の３次元物体を短期間で形成する方法として急速に普及している。この積層造形方法で作成された３次元物体は、種々の装置の部品のモデル（プロトタイプ）として、部品の動作や形状の良否を調べるために利用されている。この積層造形方法は、サイズが数ｃｍ以上の比較的大きな部品に適用されることが多かったが、近年においては、精密に加工して形成される微小構造体、例えば、微小ギアや微細光学部品にもこの方法が適用されている。
【０００３】
図８は、積層造形方法による従来の微小構造体の製造方法を示す。図８において、まず、基板としてＳｉウェハ５１を準傭し、表面に熱酸化膜５６を０．１μｍ成長させ、その上にスパッタリング法によりＡｌ薄膜５２を０．５μｍの厚さで着膜する（８０１）。
【０００４】
次に、基板表面にフォトレジスト５７を塗布し、通常のフォトリソグラフィ法によりＡｌ薄膜５２をエッチングし、所望の微小構造体の第１の断面形状を有する薄膜（第１のＡｌ薄膜）５３を形成する（８０２）。第１のＡｌ薄膜５３を形成した後、フォトレジスト５７を剥離液にて除去する。このようにして形成した第１のＡｌ薄膜５３は、解像度１μｍ以下、精度０．１μｍ以下の微細かつ精密なものとなっている。
【０００５】
次に、第１のＡｌ薄膜５３が形成されたＳｉウェハ（基板）５１を真空槽５９内に導入し、真空槽５９内にあるステージ５４と対向させ、真空槽５９内を約１０−６Ｐ  ａ程度まで排気する。そしてステージ５４の表面及び第１のＡｌ薄膜５３の表面にＡｒガス５８を源とするＦＡＢ（Ｆａｓｔ  Ａｔｏｍ  Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ  ）処理を施す（８０３）。これはＡｒガス５８を１ＫＶ程度の電圧で加速して第１のＡｌ薄膜５３及びステージ５４の表面に照射し、これらの表面の酸化膜、不純物などを除去し清浄な表面を形成する。
【０００６】
次に、ステージ５４とＳｉウェハ５１を接近させ清浄なステージ５４の表面と清浄な第１のＡｌ薄膜５３の表面を接触させ、更に荷重Ｐとして５０ｋｇｆ／ｃｍ２をかけ５分間押し付けて、ステージ５４と第１のＡｌ薄膜５３の表面を接合する（８０４）。
【０００７】
そして、ステージ５４とＳｉウェハ５１を元のように引き離すと、第１のＡｌ薄膜５３とステージ５４との接合力の方が、第１のＡｌ薄膜５３とＳｉウェハ５１との密着力よりも大きいため、第１のＡｌ薄膜５３はＳｉウェハ５１の熱酸化膜５６からステージ５４側に転写される（８０５）。
【０００８】
同様にして、第２のＡｌ薄膜を形成してＦＡＢ処理を施し、接合転写することにより、第１のＡｌ薄膜５３の上に第２のＡｌ薄膜を積層する。最初の工程との違いは、ＦＡＢ処理の工程において、２回目のときはステージ５４表面にＦＡＢ処理をするのではなく、第１のＡｌ薄膜５３の裏面（それまでＳｉウェハ５１に接触していた面）に照射し、そこを清浄化することである。また、第１のＡｌ薄膜５３と第２のＡｌ薄膜の相対的な位置出しを行うために、ステージ５４側又はＳｉウェハ５１側に、ｘ−ｙ（水平）平面内のアライメント機構（図示せず）が設けられている。
【０００９】
以上の各工程を繰り返して順にＡｌ薄膜を積層することにより、微小構造体５５が製造できる（８０６）。この様な方法により製造した微小構造体５５はＡｌ製であるが、他の材料で製造するには、基板上に形成する薄膜を他の金属（銅、インジウムなど）やセラミックスなどの絶縁体（アルミナ、炭化けい素）にすれば良い。
【００１０】
図９は、積層造形方法による従来の他の微小構造体の製造方法の一部を示す。図９（ａ）は、薄膜パターン５３ａの隙間をエッチバックする方法を示し、図９（ｂ）は、薄膜パターン５３ｂの下層に緩衝層６５を挿入する方法を示す。図９（ａ）及び（ｂ）によると、微小構造体の製造歩留まりを向上させ、接合面同士の面接触を確実にし、バーティクル６０（図９（ａ））などの異物によるボイドの発生を避けることができる。
【００１１】
ここで、ステージ５４などの対向基板は、微小構造体５５を構成する薄膜を積層する基板であり、Ｓｉウェハ５１などのパターン基板よりも小さく１０ｍｍ角程度で十分であるため、通常はＳｉウェハやガラス基板をこの１０ｍｍ角程度の大きさにカットして使われる。カットにはダイサなどが用いられ、このカットの際に対向基板のエッジ部にチッピングが発生したり、それに伴ってパーティクルが生じたりしてしまう。そこで、このエッジ部のダメージを回避するために、Ｓｉウェハなどの対向基板のエッジ部の内側に島状台地を形成するようにしている。これは、Ｓｉウェハ同士の常温接合の場合に用いられ、ＳｉウェハをＫＯＨによりエッチングして島状台地となる領域以外を３０μｍ程エッチング除去して、高さ３０μｍの島状台地を形成し、エッジ部のダメージを回避している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図８及び図９に示したような従来の微小構造体の製造方法によれば、島状台地は、Ｓｉウェハ同士の接合に用いられるため、表面はＳｉのままであり、これに対して微小構造体を形成する材料はＡｌなどの金属やシリコン窒化膜などの絶縁体である場合が多いため、これら微小構造体の材料とＳｉが常温接合で強固に接合することができない場合が生じるという問題があった。また、逆に、強固に按合できた場合、完成した微小構造体を取り出すときに、強固に接合しているため、島状台地から微小構造体を分離できなくなるといった問題があった。
【００１３】
更に、対向基板がＳｉウェハやガラス基板の場合、これらの剛性が高いため、面同士の平行度が悪いと接合面同士が確実に接触することができず、微小構造体の製造歩留まりを著しく低下させるという問題があった。
【００１４】
従って、本発明の目的は、微小構造体が形成される島状台地と完成した微小構造体の接合力を制御でき、基板上の薄膜の面接触を確実なものとし、均等な圧着荷重がかかるようにして薄膜パターンの転写歩留まりを高めることができる微小構造体の製造方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以上に述べた目的を実現するため、Ｓｉウェハなどの第１の基板の片面上に所定の形状の薄膜を形成し、第１の基板の片面と対向する位置に第２の基板を設け、第１の基板の片面上の薄膜と第２の基板の片面を接合し、薄膜を第１の基板から剥離して第２の基板上に転写し、薄膜の形成と薄膜と第２の基板の接合を繰り返して複数の薄膜を第２の基板上に積層することにより微小構造体を製造する方法において、第２の基板を設ける工程は、第２の基板の片面側に島状の突起を形成する工程と、突起の表面をコート層で覆う工程を有し、第２の基板上へ転写する工程、及び第２の基板上に積層する工程は、コート層で覆われた突起上へ転写する工程、及びコート層で覆われた突起上に積層する工程であることを特徴とする微小構造体の製造方法を提供する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下本発明の微小構造体の製造方法を詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の微小構造体の製造方法の全体的なフローチャートである。図１において、まず、Ｓｉウェハ基板の片面に島状台地を形成し、この表面に表面コート層を被覆して対向基板を作製する（１００）。次に、Ｓｉウェハ基板の片面にポリイミドなどで緩衝層及び離型層を形成し、この離型層上に微小構造体の一部となる薄膜パターンを形成して、パターン基板を作製する（２００）。次に、対向基板とパターン基板の位置決め（２０５）後、ＦＡＢ処理で薄膜パターン等の接合面を清浄して接合し、パターン基板から対向基板へ薄膜パターンを転写する（３００）。このステップ２５０とステップ３００の工程を所定回数繰り返すことによって、微小構造体の薄膜パターンが順次対向基板側へ積層転写され、所定の形状の微小構造体が製造される（４００）。以下、この各工程について具体的な実施の形態の一例を述べながら詳述する。
【００１８】
図２は、図１のステップ１００の一例を示す。図２において、まず、対向基板としてＳｉウェハを用意し、Ｓｉウェハ基板２１の片側表面に熱酸化膜２２を０．５μｍ形成する（１０１）。次に、この熱酸化膜２２を、フォトレジスト２３を用いた通常のフォトリソグラフィ法により、島状のパターン３０（数ミリ角から十数ミリ角程度）にパターニングする（１０２）。
【００１９】
次に、熱酸化膜のパターン３０をマスクにして、Ｓｉウェハ基板２１を深さ約２０μｍだけエッチングする（１０３）。具体的には、加熱した水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用いて、異方性エッチングで約１５分間エッチングする。この後、熱酸化膜のパターン３０をバッファードフッ酸で剥離し、Ｓｉウェハ基板２１の片面に、島状台地２４が完成する。尚、ここで、ＳｉのエッチングにＫ０Ｈ溶液を用いた湿式エッチングを採用したが、ｄｅｅｐ  ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチング方式を用いて、より深くＳｉウェハ基板２１をエッチングすることもできる。
【００２０】
更に、熱酸化膜のパターン３０を剥離したＳｉウェハ基板２１の島状台地２４側に、スパッタリング法によりＡｌを０．３μｍ着膜し、表面コート層２５を形成する。ここで、スバッタ圧力０．５Ｐａ、Ｓｉウェハ基板２１の温度は室温とする。着膜中は水晶振動子式膜厚計で常時Ａｌの膜厚をモニタし、表面コート層２５の厚さが０．３μｍに達したところで着膜を終了する。この表面コート層２５（Ａｌ膜）の厚さは、Ｓｉウエハの表面を被覆するだけで十分なので、０．１μｍ以上あれば充分である。また、表面コート層２５の膜厚を厚く形成すると、Ａｌの表面粗さが大きくなり好ましくないので、表面コート層２５は、必要以上に厚くしないようにし、約１μｍ程度がその上限である。最後に基板を島状台地２４の周囲でダイシングして対向基板が完成する（１０４）。このダイシングの際、Ｓｉウェハ基板２１のエッジ部分に多少のチッピングが生じるが、島状台地２４の高さが２０μｍ程あるので、後の接合工程に支障が生じない。
【００２１】
次にパターン基板の作製プロセス（図１のステップ２００）を説明する。
【００２２】
図３は、図１のステップ２００の一例を示す。図３において、まず、パターン基板としてＳｉウェハを用意し、Ｓｉウェハ基板１１の片側表面にカップラ剤を塗布した後、その上にポリイミドをスピンコーティングにより約５μｍ塗布し、最高温度約３５０℃でベイクして緩衝層１６を形成する。ここで、緩衝層１６のポリイミドのヤング率は約３ＧＰａであり、Ｓｉウェハ基板１１のヤング率１８０ＧＰａよりも十分に小さくなっている。次に、Ｓｉウェハ基板１１表面をフッ素原子を含むガスにさらし、ポリイミドの緩衝層１６の表面をフッ素化して離型層１７を形成する（２０１）。具体的には、Ｓｉウェハ基板１１をドライエッチング装置などの真空装置（図示せず）に導入し、ＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理（ガス流量１００ｓｃｃｍ、放電パワー５００Ｗ、圧力１０Ｐａ、時間１０分）を行うことにより、ポリイミドの緩衝層１６の表面をフッ化し、疎水性にする。
【００２３】
次に、スパッタリング法によりＡｌ膜１２を約１．０μｍの厚さで着膜する（２０２）。ここで、ターゲットに高純度Ａｌを使用し、スバッタ圧力は０．５Ｐａ、Ｓｉウェハ基板１１の温度は室温とする。着膜中は水晶振動子式膜厚計で常時Ａｌ膜１２の膜厚をモニタし、Ａｌ膜１２の厚さが１．０μｍに達したところで着膜を終了する。このＡｌ膜１２の厚さの分布は、１．０±０．０２μｍ以下である。このＡｌ膜１２の厚さが、最終的に得られる微小構造体のＺ軸（高さ）精度を決めるため、このＡｌ膜１２の膜厚及び膜厚分布には十分配慮する必要がある。
【００２４】
このＡｌ膜１２を、通常のフォトリソグラフィ法により、微小構造体の複数の断面形状にパターニングして、薄膜パターン３１、３２を形成する（２０３）。
【００２５】
図４は、図１のステップ２５０及びステップ４００の一例を示す。図４において、Ｓｉウェハ基板（バターン基板）１１とＳｉウェハ基板（対向基板）２１を真空槽（図示せず）内に導入し、Ｓｉウェハ基板１１側又はＳｉウェハ基板２１側に設けられたｘ−ｙ（水平）平面内のアライメント機構（図示せず）によって、Ｓｉウェハ基板２１の島状台地２４とＳｉウェハ基板１１上の薄膜パターン３１、３２の相対的な位置出し（図１のステップ２５０）を行った後、両方の基板１１、２１の表面にＡｒガスでＦＡＢ処理を施して島状台地２４上の表面コート層２５と薄膜パターン３１、３２の表面を清浄する。その後、両基板１１、２１を接近させ（３０１）、清浄な表面コート層２５と清浄な薄膜パターン３１、３２のそれぞれの表面を接触させて、所定の荷重をかけて数分間押し付け、島状台地２４のＡｌ表面コート層２５とＡｌ薄膜パターン３１、３２の表面を接合する。ここで、Ａｌ−Ａｌ常温接合は、バルクのＡｌ接合並みの接合力があり、表面コート層２５が無い場合のＳｉ−Ａｌ接合よりもはるかにその接合力が強い。
【００２６】
次に、パターンＳｉウェハ基板１１と対向Ｓｉウェハ基板２１を元のように引き離すと、薄膜パターン３１、３２とＳｉウェハ基板１１の間には、ポリイミドの緩衝層１６をフッ素化して形成された離型層１７があり、薄膜パターン３１、３２と離型層１７の密着力が、対向Ｓｉウェハ基板２１と薄膜パターン３１、３２との接合力よりも小さいため、薄膜パターン３１、３２は、Ｓｉウェハ基板１１側から対向Ｓｉウェハ基板２１側に転写される（３０２）。
【００２７】
以下同様にして、図４のステップ３０１及びステップ３０２（図１のステップ２５０及びステップ３００）の工程を繰り返すことにより、対向Ｓｉウェハ基板２１上に微小構造体５が製造される（４０１）。ここで、２回目以降の工程では、ＦＡＢ処理は、Ｓｉウェハ基板２１上に積層された薄膜パターンの表面とＳｉウェハ基板１１上の新たな薄膜パターンの表面に施される。また、Ｓｉウェハ基板２１上に積層された薄膜パターンとＳｉウェハ基板１１上の新たな薄膜パターンの相対的な位置出しは、Ｓｉウェハ基板１１側又はＳｉウェハ基板２１側に設けられているｘ−ｙ（水平）平面内のアライメント機構（図示せず）によって、行われる。この様にして製造された微小構造体５は、電鋳や成形で作製される微小部品の型として利用される。Ａｌ−Ａｌ接合の接合強度が大きいため、微小構造体５を対向Ｓｉウェハ基板２１から分離することは困難であるが、この微小構造体５を樹脂成形の型として用いる用途には支障が無い。
【００２８】
図５は、図２から図４で示したＳｉウェハ基板１１、２１の他の形態例を示す。図５において、対向Ｓｉウェハ基板２１には、図２及び図４で示した島状台地２４の代わりに島状の凸部３が形成されている。この凸部３は、ＫＯＨを用いた異方性エッチングによりＳｉウェハ基板２１をエッチングして、段差約２０μｍの島状の凸部３にしたものである。この凸部３の表面を、図２に示したのと同様な方法で、０．３μｍの厚さのＡｌ表面コート層２５で被覆する。
【００２９】
また、パターンＳｉウェハ基板１１側においては、Ｓｉウェハ基板１１上に、ポリイミドの緩衝層１６を形成し、この緩衝層１６上に薄膜パターン３１、３２が形成されている。即ち、図３及び図４で示した離型層１７を設けずに、薄膜パターン３１、３２を直接緩衝層１６上に形成したものになっている。
【００３０】
図６は、図２で示した図１のステップ１００の他の実施の形態例を示す。まず、対向基板としてＳｉウェハを用意し、Ｓｉウェハ基板２１の片側表面にカップラ剤を塗布した後、スピンコート法によりポリイミドを約１５μｍ塗布する。そして、最高温度３５０℃でキュアして、島状台地の元となるポリイミド層２６を形成する（１１１）。
【００３１】
次に、ポリイミド層２６の表面にＡｌをスパッタリング法により０．５μｍ着膜し、フォトレジスト２３を用いた通常のフォトリソグラフィ法により、島状のＡｌマスクパターン２７を形成する（１１２）。これは次の工程でポリイミド層２６をドライエッチングする際のマスクになる。
【００３２】
そして、ポリイミド層２６をＲＩＥでエッチングして、高さ約１５μｍのポリイミドの島状台地２８を形成する（１１３）。このエッチングのガスにはＣＦ４と０２の混合ガスを用いる。
【００３３】
次に、マスクとして用いたＡｌマスクパターン２７をエッチングして除去し、図２と同様にして、全面にＡｌをスパッタリング法により０．３μｍ着膜して表面コート層２５を形成する。最後にＳｉウェハ基板２１を島状台地２８の周囲でダイシングして、対向Ｓｉウェハ基板２１が作製される（１１４）。このダイシングの際、エッジ部分に多少のチッピングが生じるが、島状台地２８の高さが１５μｍ程度あるので、後の接合工程（図１のステップ３００）に支障はない。尚、ここで、ポリイミド層２６の厚さを約１５μｍとしたが、チッピングの影響を回避できる膜厚であればよい。この後の工程は、図３及び図４と全く同様の工程である。
【００３４】
図６に示したＳｉウェハ基板２１によれば、島状台地２８のポリイミドのヤング率が約３ＧＰａであり、Ｓｉウェハ基板１１及び２１のヤング率約１８０ＧＰａに比べ数十分の一と非常に小さいため、圧接荷重に対して変形し易く、その結果、パターンＳｉウェハ基板１１と対向Ｓｉウェハ基板２１の平行度が多少悪い状態で圧接されても、ポリイミドの島状台地２８が変形して、表面コート層２５と薄膜パターン３１、３２の表面同士は平行となり、薄膜パターン３１、３２のＳｉウェハ基板２１側への転写歩留まりが向上する。
【００３５】
尚、図６では島状台地２８としてポリイミド２６を用いたが、ヤング率が基板よりも十分に小さい材料であれば特にポリイミドに限定するものではなく、例えば、基板がＳｉウェハの場合、ヤング率が１０ＧＰａ以下の材料を島状台地とすれば同様の効果を得ることができる。
【００３６】
図７（ａ）は、図６で示した対向側の基板の他の形態例を示す。図７（ａ）において、対向Ｓｉウェハ基板２１上のポリイミド２６の島状台地２８の表面を、図６で示したＡｌ表面コート層２５とは異なる材料のインジウム（Ｉｎ）からなるＩｎ表面コート層７で覆ったものである。
【００３７】
図７（ｂ）は、図７（ａ）で示したＳｉウェハ基板２１上のＩｎ表面コート層７に微小構造体５が製造されたものを示す。微小構造体５がＡｌの場合、ＡｌとＩｎの常温接合強度は比較的弱いため、僅かな力でＡｌの微小構造体５をＩｎ表面コート層７から分離することができる。但し、積層転写時に確実に薄膜パターン３１、３２がパターンＳｉウェハ基板１１の表面から剥離するように、離型層１７とＡｌ薄膜パターン３１、３２との密着力を可能な限り低くしておく必要がある。
【００３８】
更に、対向基板側の表面コート層を銅Ｃｕで形成することもできる。この場合、Ａｌ−Ｃｕの接合強度はＡｌ−Ａｌの接合に比べると弱いもののＡｌ−Ｉｎの接合強度よりも大きいため、離型層１７の密着力はあまり低くする必要はない。微小構造体５の製造後は、対向Ｓｉウェハ基板２１を銅のエッチング液に浸漬してＣｕ表面コート層を選択エッチングすることにより、微小構造体５を容易に分離することができる。尚、微小構造体５の材料と表面コート層の材料の組み合わせはＡｌとＣｕに限定するものではなく、互いに常温接合可能で且つ選択エッチングが可能な材料の組み合わせであればよい。
【００３９】
【発明の効果】
以上述べた通り、本発明の微小構造体の製造方法によれば、対向基板上に島状の台地を形成し、且つその表面を表面コート層で覆うこととしたため、対向基板エッジ部のチッピングやパーティクルからの面接触の妨害を回避でき、また、表面コート層と微小構造体との接合強度を制御することができ、薄膜の確実な積層と完成後の微小構造体の基板からの分離を容易することができる。更に、島状台地をシリコンやガラスなど剛性の高い材料からポリイミドなどの剛性の小さな材料に変更することにより、接合面の面接触を確実にして積層転写効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の微小構造体の製造方法のフローチャートを示す図である。
【図２】本発明の微小構造体の製造方法の対向基板の作製行程を示す図である。
【図３】本発明の微小構造体の製造方法のパターン基板の作製工程を示す図である。
【図４】本発明の微小構造体の製造方法の積層工程を示す図である。
【図５】本発明の対向基板とパターン基板の実施の一形態を示す図である。
【図６】本発明の微小構造体の製造方法の対向基板の作製行程を示す図である。
【図７】本発明の対向基板の実施の一形態を示す図である。
【図８】従来の微小構造体の製造工程を示す図である。
【図９】従来の対向基板とパターン基板の実施の一形態を示す図である。
【符号の説明】
３  島状凸部
５、５５  微小構造体
７、２５  表面コート層
１１、２１、５１  Ｓｉウェハ基板
１２  Ａｌ膜
１６、６５  緩衝層
１７  離型層
２２  熱酸化膜
２３、５７  フォトレジスト
２４、２８  島状台地
２６  ポリイミド層
２７  Ａｌマスクパターン
３０  熱酸化膜パターン
３１、３２、５３ａ、５３ｂ  薄膜パターン
５２  ＡＩ薄膜
５３  第１のＡｌ薄膜
５４  ステージ
５６  酸化膜
５８  Ａｒガス
５９  真空槽
６０  パーティクル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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