(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＳＩチップの一面にバンプが配設されてなるバンプ付きＬＳＩチップを配線基板にフリップチップ実装する工程を評価するためのバンプ付きダミーチップであって、
透明ガラスからなり且つ寸法形状が該ＬＳＩチップと同一であるダミーチップの一面に、該バンプ付きＬＳＩチップのバンプと同一のバンプが該バンプ付きＬＳＩチップと同一の配列で且つ該バンプ付きＬＳＩチップと同一のバンプ下地金属膜を介して配設されてなることを特徴とするバンプ付きダミーチップ。
【請求項２】
請求項１記載のバンプ付きダミーチップを配線基板にフリップチップ・ボンディングした後、該ダミーチップを透してボンディング品質をチェックすることを特徴とするフリップチップ実装評価方法。
【請求項３】
請求項１記載のバンプ付きダミーチップを配線基板にフリップチップ・ボンディングし、さらに該ダミーチップと該配線基板との間隙に樹脂を充填した後、樹脂充填状況を該ダミーチップを透してチェックすることを特徴とするフリップチップ実装評価方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプ付きＬＳＩチップを配線基板にフリップチップ実装する工程を評価するためのバンプ付きダミーチップ及びそれを用いたフリップチップ実装評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
バンプ付きＬＳＩチップを配線基板にフリップチップ実装する工程（フリップチップ・ボンディングの他、洗浄，アンダーフィルを含む）を立ち上げる際、或いは、フリップチップ実装すべきバンプ付きＬＳＩチップが、チップサイズ，バンプ数，バンプ配置，バンプ材料，バンプ寸法等が異なる別の品種に切り換わる際には、バンプ付きダミーチップを配線基板にフリップチップ実装し（即ち、トライアルを行い）、そのトライアル品の品質をチェックすることで工程を評価し、その結果に応じて処理装置の微調整や処理条件の最適化を図る必要がある。その代表的な品質チェック項目は、ボンディング位置精度、バンプの接続形状、アンダーフィル樹脂充填不完全、フラックス洗浄不完全等である。
【０００３】
従来、このフリップチップ実装工程評価のためのトライアルには、バンプ付きダミーチップとしてフリップチップ実装すべき製品のバンプ付きＬＳＩチップを用いており、そして上記項目の品質チェックをＸ線透視，超音波探傷，断面研磨等の方法で行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このＸ線透視，超音波探傷，断面研磨等は簡易な作業ではなく、従って、従来技術ではフリップチップ実装工程の評価に長時間を要する、という問題があった。
【０００５】
本発明は、このような問題を解決して、トライアル品の品質チェックが簡便な手法で且つ短時間に行えるバンプ付きダミーチップ及びフリップチップ実装評価方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明においては、ＬＳＩチップの一面にバンプが配設されてなるバンプ付きＬＳＩチップを配線基板にフリップチップ実装する工程を評価するためのバンプ付きダミーチップであって、透明ガラスからなり且つ寸法形状が該ＬＳＩチップと同一であるダミーチップの一面に、該バンプ付きＬＳＩチップのバンプと同一のバンプが該バンプ付きＬＳＩチップと同一の配列で且つ該バンプ付きＬＳＩチップと同一のバンプ下地金属膜を介して配設されてなることを特徴とするバンプ付きダミーチップとしている。
【０００７】
また、本発明においては、前記のバンプ付きダミーチップを配線基板にフリップチップ・ボンディングした後、該ダミーチップを透してボンディング品質をチェックすることを特徴とするフリップチップ実装評価方法としている。
【０００８】
また、本発明においては、前記のバンプ付きダミーチップを配線基板にフリップチップ・ボンディングし、さらに該ダミーチップと該配線基板との間隙に樹脂を充填した後、樹脂充填状況を該ダミーチップを透してチェックすることを特徴とするフリップチップ実装評価方法としている。
【０００９】
即ち、本発明においては、ダミーチップが透明ガラスであるから、面倒なＸ線透視，超音波探傷，断面研磨等を行うことなく、非破壊でダミーチップを透して目視によりボンディング位置精度，バンプの接続形状，アンダーフィル樹脂の充填状況等を観察することができる。一方、ガラスは熱膨張率がＬＳＩチップを構成するＳｉに近く、またＬＳＩチップと同じ下地金属膜を形成することも可能である。従って、チップの寸法形状，バンプ，下地金属等をフリップチップ実装すべき製品に合わせておけば、透明ガラスのダミーチップを使用したトライアルの結果によりフリップチップ実装工程の評価が容易に且つ短時間にできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図１を参照しながら説明する。図１は本発明の実施形態を示す模式断面図である。同図において、１はダミーチップ、２はＵＢＭ（バンプ下地金属膜）、３はバンプ、４は表面保護膜である。
【００１１】
ダミーチップ１は材質が透明ガラスであり、その寸法形状はフリップチップ実装すべき製品のＬＳＩチップと同じである。ＵＢＭ２は板状のダミーチップ１の片面に製品のＬＳＩチップと同じ配列で形成されており、その材質（例えばＴｉ／Ｎｉ）・寸法形状も製品のＬＳＩチップと同じである。バンプ３は製品のバンプ付きＬＳＩチップのバンプと同じであり（材質は半田，Ａｕ，Ｓｎ−Ａｇ等）、これが製品のバンプ付きＬＳＩチップと同じ数量，同じ配列で、ダミーチップ１の片面にＵＢＭ２を介して形成されている。更に、ダミーチップ１のバンプ３形成面の露出部分には、製品のＬＳＩチップと同一の表面保護膜４が被着されている（例えば窒化膜，ポリイミド膜）。
【００１２】
このバンプ付きダミーチップは、次のようにして作ることができる。先ず、ウェーハ形状のガラス板の片面に、ＵＢＭとなる金属膜（例えばＴｉ／Ｎｉ）をスパッタ法で被着する。次に、この金属膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングする。次にこの金属膜をめっき導通膜としてめっき法で半田，Ａｕ，Ｓｎ−Ａｇ等のバンプを形成する。次に、このバンプをマスクとして金属膜をエッチングし、その後、このバンプ付きガラス・ウェーハをダイシングして、バンプ付きダミーチップとする。
【００１３】
尚、表面保護膜の被着やバンプのリフローが必要な場合には、ダイシング工程の前に行う。また、バンプ形成方法としては前述のめっき法の他に、印刷法，転写法，メタルジェット法，スタッドバンプ法等がある。
【００１４】
次に、本発明のフリップチップ実装工程の評価方法を説明する。先ず、前記のバンプ付きダミーチップを配線基板にフリップチップ・ボンディングした後、前記ダミーチップを透してのボンディング部分の目視観察により、ボンディング位置精度，バンプ接続形状等のボンディング品質をチェックし、その結果に基づいてフリップチップ・ボンディング工程を評価する。
【００１５】
また、フリップチップ・ボンディング後に洗浄を行い、その後、前記ダミーチップを透してボンディング部分やその周辺を目視観察して、残留するフラックスの有無等の洗浄品質をチェックし、その結果により洗浄工程を評価する。
【００１６】
また、フリップチップ・ボンディング後のダミーチップと配線基板との間隙に樹脂を充填し、前記ダミーチップを透して樹脂充填部を目視観察して、ボイド等の充填欠陥をチェックし、その結果によりアンダーフィル工程を評価する。尚、樹脂充填時に樹脂の挙動をダミーチップを透して観察することもできる。従って、樹脂の挙動も観察することにより、アンダーフィル工程の評価をより的確に行うことができる上、樹脂そのものの評価や実装部材のデザインを評価することも可能である。
【００１７】
本発明は以上の例に限定されることなく、更に種々変形して実施することができる。
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、フリップチップ実装工程の評価が簡便な手法で且つ短時間に行えるバンプ付きダミーチップ及びフリップチップ実装評価方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１  ダミーチップ
２  ＵＢＭ（バンプ下地金属膜）
３  バンプ
４  表面保護膜
【図１】
0003711801.tif 000002