(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の相導体と第２の相導体との間に絶縁物を挟んで積層させた第１の積層導体と、第１の相導体と第２の相導体との間に絶縁物を挟んで積層させた第２の積層導体とを直線状に接続する積層導体の接続装置において、
第１の積層導体と第２の積層導体とを直線状に接続する接続部分に、電流の流れる方向に第１の相と第２の相の接続端子が近接して配置されるとともに、電流の流れる方向と直交する方向に第１の相および第２の相の接続端子が並列に配置されるように、複数の第１の相および第２の相の接続端子を設け、
複数の第１の相および第２の相の接続端子は、それぞれ第１の積層導体と第２の積層導体との接続部分を貫通する柱状導体で構成されるとともに、複数の第１の相および第２の相の接続端子のそれぞれが他の相の相導体を貫通する部分は絶縁物でおおわれるようにしたことを特徴とする積層導体の接続装置。
【請求項２】
第１の相導体と第２の相導体との間に絶縁物を挟んで積層させた第１の積層導体と、第１の相導体と第２の相導体との間に絶縁物を挟んで積層させた第２の積層導体とを直角に接続する積層導体の接続装置において、
第１の積層導体と第２の積層導体とを直角に接続する接続部分に、第１の積層導体を流れる電流の方向に第１の相と第２の相の接続端子が交互に配置されるとともに、第１の積層導体を流れる電流の方向と直交する方向にも第１の相と第２の相の接続端子が交互に配置されるように、複数の第１の相および第２の相の接続端子を設け、
複数の第１の相および第２の相の接続端子は、それぞれ第１の積層導体と第２の積層導体との接続部分を貫通する柱状導体で構成されるとともに、複数の第１の相および第２の相の接続端子のそれぞれが他の相の相導体を貫通する部分は絶縁物でおおわれるようにしたことを特徴とする積層導体の接続装置。
【請求項３】
第１の相導体と第３の相導体との間及び第３の相導体と第２の相導体との間にそれぞれ絶縁物を挟んで積層させた第１の積層導体と、第１の相導体と第３の相導体との間及び第３の相導体と第２の相導体との間にそれぞれ絶縁物を挟んで積層させた第２の積層導体とを直線状に接続する積層導体の接続装置において、
第１の積層導体と第２の積層導体とを直線状に接続する接続部分に、電流の流れる方向に第１の相と第３の相と第２の相の接続端子が近接して配置されるとともに、電流の流れる方向と直交する方向に各相の接続端子が並列に配置されるように、複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子を設け、
複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子は、それぞれ第１の積層導体と第２の積層導体との接続部分を貫通する柱状導体で構成されるとともに、複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子のそれぞれが他の相の相導体を貫通する部分は絶縁物でおおわれるようにしたことを特徴とする積層導体の接続装置。
【請求項４】
第１の相導体と第３の相導体との間及び第３の相導体と第２の相導体との間にそれぞれ絶縁物を挟んで積層させた第１の積層導体と、第１の相導体と第３の相導体との間及び第３の相導体と第２の相導体との間にそれぞれ絶縁物を挟んで積層させた第２の積層導体とを直角に接続する積層導体の接続装置において、
第１の積層導体と第２の積層導体を直角に接続する接続部分に、第１の積層導体を流れる電流の方向に第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子が第１の相の次には第３の相、第３の相の次には第２の相、第２の相の次には第１の相と循環するような順に配置されるとともに、電流の流れる方向と直交する方向にも第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子が第１の相の次には第３の相、第３の相の次には第２の相、第２の相の次には第１の相と循環するような順に配置されるように、複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子を設け、
複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子は、それぞれ第１の積層導体と第２の積層導体との接続部分を貫通する柱状導体で構成されるとともに、複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子のそれぞれが他の相の相導体を貫通する部分は絶縁物でおおわれるようにしたことを特徴とする積層導体の接続装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電力変換装置などにおいて使用される積層導体の接続装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電力変換装置は、平滑コンデンサと、インバータ回路を構成するスイッチング素子と、これらを接続する導体とから構成されており、前記スイッチング素子を動作させて電力変換を行っている。ところが、前記スイッチング素子のオンオフ時に、インバータ回路を接続する導体のインダクタンスの影響で、前記スイッチング素子の端子間にサージ電圧が発生するので、これを低減させるために接続導体の低インダクタンス化を図る必要があり、これを実現する方法として、導体を流れる電流が互いに打ち消し合うように配置し、さらに各相の導体間を絶縁物で絶縁した上で密着させて配置する密着積層導体構成が採られている。その上、密着積層導体は、幅広で薄い板状の導体を密着積層させた構成として、インダクタンスの低減を図ると同時に拡げて表皮効果を出すことにより、さらに低インダクタンス化をはかっている。
【０００３】
ところが、密着積層導体同士を接続するときは接続端子部分を絶縁できないために、それぞれの相間の絶縁距離を確保する必要があるので、端子部分を密着積層構成にすることができなかった。
【０００４】
図１１に従来の２レベルの密着積層導体の接続装置の構成を示す。（ａ）はその斜視図であり、（ｂ）は要部の断面図である。図１１に示すように、第１の密着積層導体１０は２層構成からなっており、第１層にＰ相導体１１ｐ、第２層にＮ相導体１１ｎを配置し、それぞれの導体を絶縁する絶縁物１５で各導体を絶縁しており、これと接続する第２の密着積層導体１２も同様に２層構成で、第１層にＰ相導体１３ｐ、第２層にＮ相導体１３ｎを配置し、それぞれの導体を絶縁する絶縁物１６で各導体を絶縁しており、これらを接続する接続端子として、Ｐ相接続端子１４ｐ、Ｎ相接続端子１４ｎがある。
【０００５】
図１１（ｂ）に示すように、第１の密着積層導体１０のＰ相導体１１ｐに取り付けられたＰ相接続端子１４ｐは、第２の密着積層導体１２のＰ相導体１３ｐにネジにて接続されている。Ｎ相導体についても同様である。
【０００６】
図１３に、２レベルの電力変換装置の回路図を示す。同図に示すように、この回路は、平滑コンデンサ２０とスイッチング素子２１と、これらを接続する第１の密着積層導体１１ｐ、１１ｎ、第２の密着積層導体１３ｐ、１３ｎ、Ｐ相接続端子１４ｐ、Ｎ相接続端子１４ｎから構成される。
【０００７】
次に、電流の経路についてみると、この回路には図１３に示すとおり、電流１８ｐ、１８ｎが流れているため、図１１（ａ）に示すとおり、Ｐ相導体を流れる電流１８ｐは、第１の密着積層導体１０のＰ相導体１１ｐ内部を分布して流れているが、密着積層導体１０、１２の接続部分では、Ｐ相接続端子１４ｐ部分にて一点に集中した後、第２の密着積層導体１２のＰ相導体１３ｐ内部に広がって流れる。Ｎ相導体でも同様の流れとなり、矢印１８ｎのように流れる。なお、他の電流モードでは、各相の電流の向きが逆転する。
【０００８】
図１２に従来の３レベルの密着積層導体の接続装置の構成を示す。（ａ）はその斜視図であり、（ｂ）は要部の断面図である。図１２に示すように、第１の密着積層導体１０は３層構成からなっており、第１層にＰ相導体１１ｐ、第２層にＣ相導体１１ｃ、第３層にＮ相導体１１ｎを配置しており、これと接続する第２の密着積層導体１２も同様に３層構成となっており、第１層にＰ相導体１３ｐ、第２層にＣ相導体１３ｃ、第３層にＮ相導体１３ｎを配置しており、これらを接続する接続端子として、Ｐ相端子１４ｐ、Ｃ相端子１４ｃ、Ｎ相端子１４ｎがある。
【０００９】
図１２（ｂ）に示すように、第１の密着積層導体１０のＰ相導体１１ｐに取り付けられたＰ相端子１４ｐは、第２の密着積層導体１２のＰ相導体１３ｐにネジにて接続されている。Ｃ相導体、Ｎ相導体についても同様である。
【００１０】
図１４に３レベルの電力変換装置の回路図を示す。同図に示すように、この回路は、平滑コンデンサ２０とスイッチング素子２１と、これらを接続する第１の密着積層導体１１ｐ、１１ｃ、１１ｎ、第２の密着積層導体１３ｐ、１３ｃ、１３ｎ、Ｐ相接続端子１４ｐ、Ｃ相接続端子１４ｃ、Ｎ相接続端子１４ｎから構成される。
【００１１】
次に、電流の経路についてみると、この回路には図１４に示すとおり、電流１８ｐ、１８ｃ、１８ｎが流れているため、図１２（ａ）に示すとおり、Ｐ相導体を流れる電流１８ｐは、第１の密着積層導体１０のＰ相導体１１ｐ内部を分布して流れているが、密着積層導体１０、１２の接続部分では、Ｐ相接続端子１４ｐ部分にて一点に集中した後、第２の密着積層導体１２のＰ相導体１３ｐ内部に広がって流れる。これは、Ｃ相導体やＮ相導体でも同様の流れとなり、それぞれ、矢印１８ｃ、矢印１８ｎのように流れる。なお、他の電流モードでは、各相の電流の向きが異なるが流れる経路は同一となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、密着積層導体同士を接続する場合は、接続端子の近くでは各相の電流の向きが図１１（ａ）の矢印１８ｐと１８ｎおよび、図１２（ａ）の矢印１８ｐと１８ｃと１８ｎに示すとおり、互いに平行ではなくなるために打ち消し合う効果が減少し、さらに、端子部分では各相間の距離が離れるために、打ち消し合う効果がさらに減ってインダクタンスの低減効果が減少する。また、接続端子部分は電流が集中するため、通電容量を決める要素となる導体接続部の温度上昇に悪影響を与えていた。
【００１３】
本発明は、従来のこのような点に鑑み為されたもので、積層導体の接続部分に複数の接続端子を分布させて配置した上で、各相の接続端子を近接させることにより、導体の配置と電流分布および接続部分の電流の向きを悪化させないようにした積層導体の接続装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の本発明は、第１の相導体と第２の相導体との間に絶縁物を挟んで積層させた第１の積層導体と、第１の相導体と第２の相導体との間に絶縁物を挟んで積層させた第２の積層導体とを直線状に接続する積層導体の接続装置において、
第１の積層導体と第２の積層導体とを直線状に接続する接続部分に、電流の流れる方向に第１の相と第２の相の接続端子が近接して配置されるとともに、電流の流れる方向と直交する方向に第１の相および第２の相の接続端子が並列に配置されるように、複数の第１の相および第２の相の接続端子を設け、
複数の第１の相および第２の相の接続端子は、それぞれ第１の積層導体と第２の積層導体との接続部分を貫通する柱状導体で構成されるとともに、複数の第１の相および第２の相の接続端子のそれぞれが他の相の相導体を貫通する部分は絶縁物でおおわれるようにしたことを特徴とする。
【００１５】
請求項１に記載の本発明によれば、導体の接続部分に各相の接続端子が均等な分布に配置され、その上、第１の相（例えばＰ相）と第２の相（例えばＮ相）の電流の方向が接続端子部分でも平行になるため、電流分布が均等で、かつ、接続部分でも電流が打ち消し合うためインダクタンスの増加を抑制できる。また、接続端子数を増加させれば導体幅を大きくしても電流分布は均等であり、さらに、１つの接続端子部分の通電する電流が減少するため、導体端子部での温度上昇を抑制でき、通電容量を増加させることができる。
【００１６】
請求項２に記載の本発明は、第１の相導体と第２の相導体との間に絶縁物を挟んで積層させた第１の積層導体と、第１の相導体と第２の相導体との間に絶縁物を挟んで積層させた第２の積層導体とを直角に接続する積層導体の接続装置において、
第１の積層導体と第２の積層導体とを直角に接続する接続部分に、第１の積層導体を流れる電流の方向に第１の相と第２の相の接続端子が交互に配置されるとともに、第１の積層導体を流れる電流の方向と直交する方向にも第１の相と第２の相の接続端子が交互に配置されるように、複数の第１の相および第２の相の接続端子を設け、
複数の第１の相および第２の相の接続端子は、それぞれ第１の積層導体と第２の積層導体との接続部分を貫通する柱状導体で構成されるとともに、複数の第１の相および第２の相の接続端子のそれぞれが他の相の相導体を貫通する部分は絶縁物でおおわれるようにしたことを特徴とする。
【００１７】
請求項２に記載の本発明によれば、導体の接続部分に各相の接続端子が均等な分布に配置されるので、電流分布が均等になり、さらに、第１の相（例えばＰ相）と第２の相（例えばＮ相）の電流が導体接続部の全体にわたって平行に流れるため、接続部分でのインダクタンスの増加を抑制できる。また、接続端子数を増加させれば導体幅を大きくしても電流分布は均等であり、さらに、１つの接続端子を通電する電流が減少するため、導体端子部での温度上昇を抑制でき、通電容量を増加させることができる。
【００１８】
請求項３に記載の本発明は、第１の相導体と第３の相導体との間及び第３の相導体と第２の相導体との間にそれぞれ絶縁物を挟んで積層させた第１の積層導体と、第１の相導体と第３の相導体との間及び第３の相導体と第２の相導体との間にそれぞれ絶縁物を挟んで積層させた第２の積層導体とを直線状に接続する積層導体の接続装置において、
第１の積層導体と第２の積層導体とを直線状に接続する接続部分に、電流の流れる方向に第１の相と第３の相と第２の相の接続端子が近接して配置されるとともに、電流の流れる方向と直交する方向に各相の接続端子が並列に配置されるように、複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子を設け、
複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子は、それぞれ第１の積層導体と第２の積層導体との接続部分を貫通する柱状導体で構成されるとともに、複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子のそれぞれが他の相の相導体を貫通する部分は絶縁物でおおわれるようにしたことを特徴とする。
【００１９】
請求項３に記載の本発明によれば、導体の接続部分に各相の接続端子が均等な分布で配置され、その上、第１の相（例えばＰ相）と第３相（例えばＣ相）の電流の方向、および第３の相（例えばＣ相）と第２の相（例えばＮ相）の電流の方向が接続端子部分でも平行になるため、電流分布が均等で、かつ、接続部分でも電流が打ち消し合うためインダクタンスの増加を抑制できる。また、接続端子数を増加させれば、導体幅を大きくしても電流分布は均等であり、さらに、１つの接続端子部分の通電する電流が減少するため、導体端子部での温度上昇を抑制でき、通電容量を上昇させることができる。
【００２０】
請求項４に記載の本発明は、第１の相導体と第３の相導体との間及び第３の相導体と第２の相導体との間にそれぞれ絶縁物を挟んで積層させた第１の積層導体と、第１の相導体と第３の相導体との間及び第３の相導体と第２の相導体との間にそれぞれ絶縁物を挟んで積層させた第２の積層導体とを直角に接続する積層導体の接続装置において、
第１の積層導体と第２の積層導体を直角に接続する接続部分に、第１の積層導体を流れる電流の方向に第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子が第１の相の次には第３の相、第３の相の次には第２の相、第２の相の次には第１の相と循環するような順に配置されるとともに、電流の流れる方向と直交する方向にも第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子が第１の相の次には第３の相、第３の相の次には第２の相、第２の相の次には第１の相と循環するような順に配置されるように、複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子を設け、
複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子は、それぞれ第１の積層導体と第２の積層導体との接続部分を貫通する柱状導体で構成されるとともに、複数の第１の相、第３の相、および第２の相の接続端子のそれぞれが他の相の相導体を貫通する部分は絶縁物でおおわれるようにしたことを特徴とする。
【００２１】
請求項４に記載の本発明によれば、導体の接続部分に各相の接続端子が均等に配置されるので、電流分布が均一となり、さらに、第１の相（例えばＰ相）と第３の相（例えばＣ相）の電流の方向、および、第３の相（例えばＣ相）と第２の相（例えばＮ相）の電流の方向が導体接続部の全体にわたって平行に流れるため、接続部分でのインダクタンスの増加を抑制できる。また、接続端子数を増加させれば導体幅を大きくしても電流分布は均等であり、さらに、１つの接続端子を通電する電流が減少するため、導体端子部での温度上昇を抑制でき、通電容量を上昇させることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の図において、同符号は同一部分または対応部分を示す。
【００２３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態として、２レベルの密着積層導体を直線状に接続する積層導体の接続装置について説明する。即ち、この実施形態は、例えば、平滑コンデンサとスイッチング素子からなる電力変換装置において、平滑コンデンサとスイッチング素子を接続するための、Ｐ相導体とＮ相導体との間に絶縁物を挟んで密着積層させた第１及び第２の密着積層導体を、直線状に接続する積層導体の接続装置である。
【００２４】
図１はその構成を示すもので、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその要部の断面図である。また、図２は電流経路を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図である。
【００２５】
図１に示すように、第１の密着積層導体１０は２層構成となっており、第１層にＰ相導体１１ｐ、第２層にＮ相導体１１ｎを配置し、これらの導体を絶縁物１５で絶縁しており、これと接続する第２の密着積層導体１２も同様に２層構成となっており、第１層にＰ相導体１３ｐ、第２層にＮ相導体１３ｎを配置し、これらの導体を絶縁物１６で絶縁している。これらを接続する接続端子は、Ｐ相接続端子１４ｐ（図１（ａ）の◎印）、Ｎ相接続端子１４ｎ（図１（ａ）の○印）があり、端子部分は図１（ｂ）のように他相の導体に穴をあけて絶縁物でおおい、接続端子を貫通させるように配置している。それぞれの端子配置は、電流の流れる方向にＰ相接続端子１４ｐ、Ｎ相接続端子１４ｎの順に、近接させて配置している。そして、各相の接続端子と直角をなす方向に、同じ相の並列端子を配置している。なお、この実施形態の構成図では３並列になっている。
【００２６】
次に、電流の経路については、図２に示すように、Ｐ相電流１８ｐは、第１の密着積層導体のＰ相導体１１ｐ→Ｐ相接続端子１４ｐ→第２の密着積層導体のＰ相導体１３ｐの順番に流れ、Ｎ相電流１８ｎは、第２の密着積層導体のＮ相導体１３ｎ→Ｎ相接続端子１４ｎ→第１の密着積層導体のＮ相導体１１ｎの順番に流れる。なお、他の電流モードの場合は、各相の電流の向きが逆転する。
【００２７】
このようにすると、導体の接続部分に各相の接続端子が均等な分布に配置され、その上、Ｐ相とＮ相の電流の方向が接続端子部分でも平行になるため、電流分布が均等で、かつ、接続部分でも電流が打ち消し合うためインダクタンスの増加を抑制できる。また、接続端子数を増加させれば導体幅を大きくしても電流分布は均等であり、さらに、１つの接続端子部分の通電する電流が減少するため、導体端子部での温度上昇を抑制でき、通電容量を増加させることができる。
【００２８】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態として、２レベルの密着積層導体を直角に接続する積層導体の接続装置について説明する。即ち、この実施形態は、例えば、平滑コンデンサとスイッチング素子からなる電力変換装置において、平滑コンデンサとスイッチング素子を接続するための、Ｐ相導体とＮ相導体との間に絶縁物を挟んで密着積層させた第１及び第２の密着積層導体を、直角に接続する積層導体の接続装置である。
【００２９】
図３はその構成を示す斜視図である。また、図４は電流経路を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図である。
【００３０】
図３に示すように、第１の密着積層導体１０は２層構成となっており、第１層にＰ相導体１１ｐ、第２層にＮ相導体１１ｎを配置して、これらの導体を絶縁物１５で絶縁しており、これと接続する第２の密着積層導体１２も同様に２層構成となっており、第１層にＰ相導体１３ｐ、第２層にＮ相導体１３ｎを配置して、これらの導体を絶縁物１６で絶縁しており、これらを接続する接続端子として、Ｐ相接続端子１４ｐ（図３ａの◎印）、Ｎ相接続端子１４ｎ（図３ａの○印）があり、端子部は、図１（ｂ）に示す第１の実施形態の場合と同様に、他相の導体に穴をあけて絶縁物で覆い、接続端子を貫通させるように配置している。それぞれの端子配置は、第１の密着積層導体１０を流れる電流の方向にＰ相接続端子１４ｐ→Ｎ相接続端子１４ｎの順に交互に、近接させて配置している。また第１の密着積層導体１０を流れる電流の方向と直交する方向にもＰ相接続端子１４ｐ→Ｎ相接続端子１４ｎの順に交互に、近接させて配置している。なお、この実施形態の構成図では、Ｐ相とＮ相の接続端子対が８並列になっている。
【００３１】
次に、電流の経路については、図４に示すように、Ｐ相電流１８ｐは、第１の密着積層導体のＰ相導体１１ｐ→Ｐ相接続端子１４ｐ→第２の密着積層導体のＰ相導体１３ｐの順番に流れ、Ｎ相電流１８ｎは、第２の密着積層導体のＮ相導体１３ｎ→Ｎ相接続端子１４ｎ→第１の密着積層導体のＮ相導体１１ｎの順番に流れる。なお、他の電流モードの場合は、各相の電流の向きが逆転する。
【００３２】
このようにすると、導体の接続部分に各相の接続端子が均等な分布に配置されるので、電流分布が均等になり、さらに、Ｐ相とＮ相の電流が導体接続部の全体にわたって平行に流れるため、接続部分でのインダクタンスの増加を抑制できる。また、接続端子数を増加させれば導体幅を大きくしても電流分布は均等であり、さらに、１つの接続端子を通電する電流が減少するため、導体端子部での温度上昇を抑制でき、通電容量を増加させることができる。
【００３３】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態として、３レベルの密着積層導体を直線状に接続する積層導体の接続装置について説明する。即ち、この実施形態は、例えば、平滑コンデンサとスイッチング素子からなるＮｅｕｔｒａｌ  Ｐｏｉｎｔ  Ｃｌａｍｐ電力変換装置（以下ＮＰＣ電力変換装置）において、平滑コンデンサとスイッチング素子を接続するための、Ｐ相導体とＣ相導体およびＣ相導体とＮ相導体との間に絶縁物をそれぞれ挟んで密着積層させた第１及び第２の密着積層導体を、直線状に接続する積層導体の接続装置である。
【００３４】
図５はその構成を示すもので、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその要部の断面図である。また、図６及び図７は電流経路を示す図で、それぞれの（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図である。
【００３５】
図５に示すように、第１の密着積層導体１０は３層構成となっており、第１層にＰ相導体１１ｐ、第２層にＣ相導体１１ｃ、第３層にＮ相導体１１ｎを配置し、これらの導体を絶縁物１５で絶縁しており、これと接続する第２の密着積層導体１２も同様に３層構成となっており、第１層にＰ相導体１３ｐ、第２層にＣ相導体１３ｃ、第３層にＮ相導体１３ｎを配置して、これらの導体を絶縁物１６で絶縁しており、これらを接続する接続端子として、Ｐ相接続端子１４ｐ（図５ａの◎印）、Ｃ相接続端子１４ｃ（図５ａの●印）、Ｎ相接続端子１４ｎ（図５ａの○印）があり、端子部分は、図５（ｂ）に示すように、他相の導体に穴をあけて絶縁物でおおい、接続端子を貫通させるように配置している。それぞれの端子配置は、電流の流れる方向に各相端子をＰ相、Ｃ相、Ｎ相の順に、近接させて配置し、各相の端子と直角をなす方向に（即ち電流の流れる方向と直交する方向に）、同じ相の並列端子を配置している。なお、この実施形態の構成図では３並列になっている。
【００３６】
次に、電流の経路については、図６に示すように、Ｐ相電流１８ｐは、第１の密着積層導体のＰ相導体１１ｐ→Ｐ相接続端子１４ｐ→第２の密着積層導体のＰ相導体１３ｐの順番に流れ、Ｃ相電流１８ｃは、第２の密着積層導体のＣ相導体１３ｃ→Ｃ相接続端子１４ｃ→第１の密着積層導体のＣ相導体１１ｃの順番に流れる。同様に、図７に示すように、Ｃ相電流１８ｃは、第２の密着積層導体のＣ相導体１３ｃ→Ｃ相接続端子１４ｃ→第１の密着積層導体のＣ相導体１１ｃの順番に流れ、Ｎ相電流１８ｎは、第１の密着積層導体のＮ相導体１１ｎ→Ｎ相接続端子１４ｎ→第２の密着積層導体のＮ相導体１３ｎの順番に流れる。なお、他の電流モードの場合は、各相の電流の向きが変わる。
【００３７】
このようにすると、導体の接続部分に各相の接続端子が均等な分布で配置され、その上、Ｐ相とＣ相の電流の方向、および、Ｃ相とＮ相の電流の方向が接続端子部分でも平行になるため、電流分布が均等で、かつ、接続部分でも電流が打ち消し合うためインダクタンスの増加を抑制できる。また、接続端子数を増加させれば、導体幅を大きくしても電流分布は均等であり、さらに、１つの接続端子部分の通電する電流が減少するため、導体端子部での温度上昇を抑制でき、通電容量を上昇させることができる。
【００３８】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態として、３レベルの密着積層導体を直線状に接続する積層導体の接続装置について説明する。即ち、この実施形態は、例えば、平滑コンデンサとスイッチング素子からなるＮＰＣ電力変換装置において、平滑コンデンサとスイッチング素子を接続するための、Ｐ相導体とＣ相導体およびＣ相導体とＮ相導体との間に絶縁物をそれぞれ挟んで密着積層させた第１及び第２の密着積層導体を、直角に接続する積層導体の接続装置である。
【００３９】
図８はその構成を示す斜視図である。また、図９及び図１０は電流経路を示す図で、それぞれの（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図である。
【００４０】
図８に示すように、第１の密着積層導体１０は３層構成となっており、第１層にＰ相導体１１ｐ、第２層にＣ相導体１１ｃ、第３層にＮ相導体１１ｎを配置して、これらの導体を絶縁物１５で絶縁しており、これと接続する第２の密着積層導体１２も同様に３層構成となっており、第１層にＰ相導体１３ｐ、第２層にＣ相導体１３ｃ、第３層にＮ相導体１３ｎを配置して、これらの導体を絶縁物１６で絶縁しており、これらを接続する接続端子として、Ｐ相接続端子１４ｐ（図７の◎印）、Ｃ相接続端子１４ｃ（図７の●印）、Ｎ相接続端子１４ｎ（図７の○印）があり、端子部は、図５（ｂ）に示す第３の実施形態の場合と同様に、他相の導体に穴をあけて絶縁物でおおい、接続端子を貫通させるように配置している。それぞれの端子配置は、第１の密着積層導体１０を流れる電流の方向にＰ相接続端子→Ｃ相接続端子→Ｎ相接続端子の順に循環するように配置している。また、第１の密着積層導体１０を流れる電流の方向と直交する方向にも（即ち第２の密着積層導体１２を流れる電流の方向にも）Ｐ相接続端子→Ｃ相接続端子→Ｎ相接続端子の順に循環するように配置している。なお、この実施形態の構成図では３並列になっている。
【００４１】
次に、電流の経路については、図９に示すように、Ｐ相電流１８ｐは、第１の密着積層導体のＰ相導体１１ｐ→Ｐ相接続端子１４ｐ→第２の密着積層導体のＰ相導体１３ｐの順番に流れ、Ｃ相電流１８ｃは、第２の密着積層導体のＣ相導体１３ｃ→Ｃ相接続端子１４ｃ→第１の密着積層導体のＣ相導体１１ｃの順番に流れる。同様に、図１０に示すように、Ｃ相電流１８ｃは第２の密着積層導体のＣ相導体１３ｃ→Ｃ相接続端子１４ｃ→第１の密着積層導体のＣ相導体１１ｃの順番に流れ、Ｎ相電流１８ｎは第１の密着積層導体のＮ相導体１１ｎ→Ｎ相接続端子１４ｎ→第２の密着積層導体のＮ相導体１３ｎの順番に流れる。なお、他の電流モードの場合は、各相の電流の向きが変わる。
【００４２】
このようにすると、導体の接続部分に各相の接続端子が均等に配置されるので、電流分布が均一となり、さらに、Ｐ相とＣ相の電流の方向、および、Ｃ相とＮ相の電流の方向が導体接続部の全体にわたって平行に流れるため、接続部分でのインダクタンスの増加を抑制できる。また、接続端子数を増加させれば導体幅を大きくしても電流分布は均等であり、さらに、１つの接続端子を通電する電流が減少するため、導体端子部での温度上昇を抑制でき、通電容量を上昇させることができる。
【００４３】
【発明の効果】
このように、本発明の積層導体の接続装置によれば、電力変換装置などに用いる積層導体同士を接続する場合においても、導体の電流分布およびインダクタンスを悪化させない上に、電流集中による加熱を抑制することができる。さらに、積層導体の大電流化に対しても、接続端子数を増加させるだけで電流集中も回避でした上での対応が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態に係る積層導体の接続装置の構成を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部断面図。
【図２】  本発明の第１の実施形態における電流経路を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図。
【図３】  本発明の第２の実施形態に係る積層導体の接続装置の構成を示す斜視図。
【図４】  本発明の第２の実施形態における電流経路を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図。
【図５】  本発明の第３の実施形態に係る積層導体の接続装置の構成を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部断面図。
【図６】  本発明の第３の実施形態における電流経路（Ｐ相、Ｃ相）を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図。
【図７】  本発明の第３の実施形態における電流経路（Ｃ相、Ｎ相）を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図。
【図８】  本発明の第４の実施形態に係る積層導体の接続装置の構成を示す斜視図。
【図９】  本発明の第４の実施形態における電流経路（Ｐ相、Ｃ相）を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図。
【図１０】本発明の第４の実施形態における電流経路（Ｃ相、Ｎ相）を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図。
【図１１】従来の２レベルの密着積層導体の接続装置の構成を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部断面図。
【図１２】従来の３レベルの密着積層導体の接続装置の構成を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部断面図。
【図１３】２レベルの電力変換装置の回路図。
【図１４】３レベルの電力変換装置の回路図。
【符号の説明】
１０…第１の密着積層導体
１１ｐ…第１の密着積層導体のＰ相導体
１１ｃ…第１の密着積層導体のＣ相導体
１１ｎ…第１の密着積層導体のＮ相導体
１２…第２の密着積層導体
１３ｐ…第２の密着積層導体のＰ相導体
１３ｃ…第２の密着積層導体のＣ相導体
１３ｎ…第２の密着積層導体のＮ相導体
１４ｐ…Ｐ相接続端子
１４ｃ…Ｃ相接続端子
１４ｎ…Ｎ相接続端子
１５…第１の密着積層導体の絶縁物
１６…第２の密着積層導体の絶縁物
１８ｐ…Ｐ相導体を流れる電流の方向
１８ｃ…Ｃ相導体を流れる電流の方向
１８ｎ…Ｎ相導体を流れる電流の方向
２０…平滑コンデンサ
２１…スイッチング素子
【図１】
0003717106.tif 000002
【図２】
0003717106.tif 000003
【図３】
0003717106.tif 000004
【図４】
0003717106.tif 000005
【図５】
0003717106.tif 000006
【図６】
0003717106.tif 000007
【図７】
0003717106.tif 000008
【図８】
0003717106.tif 000009
【図９】
0003717106.tif 000010
【図１０】
0003717106.tif 000011
【図１１】
0003717106.tif 000012
【図１２】
0003717106.tif 000013
【図１３】
0003717106.tif 000014
【図１４】
0003717106.tif 000015