(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁面の一部が誘電体からなるマイクロ波導入窓で構成され、プラズマを用いた処理を行なう処理室と、
マイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、
前記マイクロ波発生手段で発生させたマイクロ波を前記マイクロ波導入窓を介して前記処理室に導入する導波管と、
前記導波管から前記マイクロ波導入窓へマイクロ波を通すためのスロット形成部を有するスロット板と、
前記マイクロ波導入窓に対して位置を変更可能なように前記スロット板を駆動するスロット板駆動手段とを備え、
前記スロット板が前記マイクロ波導入窓に対して移動することによって、前記スロット形成部においてマイクロ波を通す部分の位置、数および面積の少なくともいずれかを変更でき、
前記スロット形成部には、前記スロット板の移動方向に並んで配置された複数のスロットが１つの前記マイクロ波導入窓に対して形成されており、前記スロット板の移動によって前記複数のスロットの内からマイクロ波を通すスロットとマイクロ波を通さないスロットとを選択できることを特徴とする、プラズマプロセス装置。
【請求項２】
前記マイクロ波導入窓は前記処理室の壁面において矩形状の開放面を有し、前記スロット板は前記矩形状の短辺方向に移動可能であり、前記短辺方向に並んだ前記複数のスロットからマイクロ波を通すスロットとマイクロ波を通さないスロットとを選択できることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマプロセス装置。
【請求項３】
同一の被処理物に対して複数のプロセス条件で連続してプラズマ処理を行なう際に、前記スロット板を移動させてマイクロ波を通すスロットを変更することを特徴とする、請求項１または２に記載のプラズマプロセス装置。
【請求項４】
積層膜を有する被処理物のプラズマ処理に用いられることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマプロセス装置。
【請求項５】
壁面の一部が誘電体からなるマイクロ波導入窓で構成され、プラズマを用いた処理を行なう処理室と、
マイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、
前記マイクロ波発生手段で発生させたマイクロ波を前記マイクロ波導入窓を介して前記処理室に導入する導波管と、
前記導波管から前記マイクロ波導入窓へマイクロ波を通すためのスロット形成部を有するスロット板と、
前記マイクロ波導入窓に対して位置を変更可能なように前記スロット板を駆動するスロット板駆動手段とを備え、
前記スロット板が前記マイクロ波導入窓に対して移動することによって、前記スロット形成部においてマイクロ波を通す部分の位置、数および面積の少なくともいずれかを変更でき、
前記スロット形成部には、前記スロット板の移動方向に対して開口面積および開口位置の少なくともいずれかが変化するスロットが形成されていることを特徴とする、プラズマプロセス装置。
【請求項６】
前記マイクロ波導入窓が複数個、前記処理室の壁面に互いに平行でマトリクス状に配置されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
【請求項７】
前記導波管の１つ毎に前記スロット板と前記スロット板駆動手段とが設けられていることを特徴とする、請求項６に記載のプラズマプロセス装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子や液晶表示素子の製造などにおいて、マイクロ波により励起するプラズマ発生方法を利用したエッチング処理装置または成膜処理装置として用いられるプラズマプロセス装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体やＴＦＴ（Thin Film Transistor）液晶基板の製造プロセスにおいて、マイクロ波を用いたプラズマ処理技術は、高いプラズマ密度が得られ、かつイオンエネルギが制御しやすいことにより広く用いられている。
【０００３】
しかし、一般的に広い領域で均一にプラズマを発生させることは難しく、また近年、半導体やＴＦＴ液晶基板の需要の拡大や処理基板の大型化に伴い生産効率の向上や大型基板における均一なプラズマ処理を行なう技術が一層必要となっている。
【０００４】
上記の問題点を解決するため、プラズマプロセス装置においてスロット板を用いる手法がある。そのスロット板を用いたプラズマプロセス装置について図１０を用いて説明する。
【０００５】
図１０は、従来のスロット板を用いたプラズマプロセス装置の構成を、導波管の短辺方向の断面で示す構造図である。図１０を参照して、チャンバ本体１０２には、チャンバ上蓋１０１がＯリング１０９を介して処理室１０６内を真空封止するよう設置されており、処理室１０６内には被処理基板１０８を設置する基板ホルダ１０７が設置されている。また、Ｏリング１１０を介して、チャンバ上蓋１０１にアルミナなどの誘電体で構成された矩形状のマイクロ波導入窓１１１が埋設されている。
【０００６】
チャンバ上蓋１０１の真空側には誘電体板１１５が誘電体板固定部材１１６により固定されている。マイクロ波導入窓１１１と誘電体板１１５とは接触するように固定されている。チャンバ本体１０２下部の開口部１０２ａから図示しない真空ポンプで排気することにより、処理室１０６内は真空状態にされる。また、チャンバ本体１０２には、反応ガスを導入するためのガス導入口１０５が設けられている。
【０００７】
チャンバ上蓋１０１には、導波管１０３が設置されている。この導波管１０３には、図示しないマイクロ波発生器が接続されている。マイクロ波導入窓１１１と導波管１０３との間には金属製のスロット板１０４が設けられており、スロット板１０４には複数のスロット１０４ａが設けられている。
【０００８】
図１１を参照して、導波管１０３の開口部に当接する部分に矩形状のスロット１０４ａが設けられている。スロット１０４ａは、導波管開口部１０３ａとマイクロ波導入窓１１１との間に配置されている。また、スロット１０４ａは、プロセス条件に対して均一にプラズマ処理が実現できるような位置に配置されるとともにサイズを有している。
【０００９】
この従来のプラズマプロセス装置の動作においては、まずマイクロ波発振器（図示せず）で発生したマイクロ波が、導波管１０３、スロット板１０４のスロット１０４ａおよびマイクロ波導入窓１１１を介して、誘電体板１１５から処理室１０６に放射され、ガス導入口１０５より導入された反応ガスをプラズマ化する。そして、励起されたプラズマによって被処理基板１０８にプラズマ処理が施される。このとき、スロット１０４ａの配置、サイズが最適化されているため、被処理基板１０８に対して均一なプラズマ処理がなされる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
近年、液晶や半導体の素子材料として、２層、３層といった多層膜が用いられている。また、液晶基板や半導体ウェハの大面積化が進んでいる。このため、異なる膜種を有する大面積の被処理物に対して均一なプラズマ処理を同一反応室内で連続的に行なうことが多くなっている。このような場合、以下に記すような問題点がある。この問題点を、ドライエッチングプロセスの場合について説明する。
【００１１】
異なる材料の膜をエッチングする場合や同一材料の膜であっても要求されるエッチング性能（形状、選択比など）が異なる場合においては、それぞれに応じたプロセスガス、エッチングモード、エッチング装置を選択する必要があり、装置の汎用性が低下してしまう。
【００１２】
また、複数の異なる材料の膜を積層した積層膜をエッチングする場合においては、ある１種類の材料の膜に最適な装置、条件を選択すると他の材料の膜のエッチングに対しては必ずしも最良の均一性が得られないため、積層膜全体では良好な均一性が得られなくなる。
【００１３】
さらに、等方性エッチングや異方性エッチングを組合せて行なうことにより、所望の形状にエッチングを行なう場合もプロセスガスなどのプロセス条件は異なる。このとき、マイクロ波プラズマ源においてはプロセス条件が大きく変わると、１つのスロットパターンで大面積の基板またはウェハ上の各種材料を所望の形状に均一にエッチング処理することが困難となる。
【００１４】
本発明の目的は、大面積の基板またはウェハ上の処理対象膜の材料が異なったり、複数の材料からなる積層膜を処理するようなプロセス条件が大きく変化するような場合にもプラズマ処理の均一性を保つことができるプラズマプロセス装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマプロセス装置は、処理室と、マイクロ波発生手段と、導波管と、スロット板と、スロット板駆動手段とを備えている。処理室は、壁面の一部が誘電体からなるマイクロ波導入窓で構成され、プラズマを用いた処理を行なうものである。マイクロ波発生手段は、マイクロ波を発生させるものである。導波管は、マイクロ波発生手段で発生させたマイクロ波をマイクロ波導入窓を介して前記処理室に導入する。スロット板は、導波管からマイクロ波導入窓へマイクロ波を通すためのスロット形成部を有する。スロット板駆動手段は、マイクロ波導入窓に対して位置を変更可能なようにスロット板を駆動する。スロット板がマイクロ波導入窓に対して移動することによって、スロット形成部においてマイクロ波を通す部分の位置、数および面積の少なくともいずれかを変更できる。スロット形成部には、スロット板の移動方向に並んで配置された複数のスロットが１つのマイクロ波導入窓に対して形成されており、スロット板の移動によって複数のスロットの内からマイクロ波を通すスロットとマイクロ波を通さないスロットとを選択できる。
【００１６】
本発明のプラズマプロセス装置によれば、スロット板がマイクロ波導入窓に対して移動することによって、スロット形成部におけるマイクロ波を通す部分の位置、数および面積の少なくともいずれかを変更できるため、プロセス毎に最適なスロットの開口状態に制御することができる。これにより、均一なプロセスを安定して実現することができる。
【００１８】
また、複数のスロットのうちからプロセス毎に最適なスロットに切換えることができ、最適な条件でプロセスを実施することができる。
【００１９】
上記プラズマプロセス装置において好ましくは、マイクロ波導入窓は処理室の壁面において矩形状の開放面を有し、スロット板は矩形状の短辺方向に移動可能であり、短辺方向に並んだ複数のスロットからマイクロ波を通すスロットとマイクロ波を通さないスロットとを選択できる。
【００２０】
このようにスロット板を開放面の短辺方向に移動させてスロットを切換えることで、開放面の長辺方向へ移動させるよりもスロット板の移動量を少なくすることができる。
【００２１】
上記のプラズマプロセス装置において好ましくは、同一の被処理物に対して複数のプロセス条件で連続してプラズマ処理を行なう際に、スロット板を移動させてマイクロ波を通すスロットを変更する。
【００２２】
これにより、複数のプロセス条件に最適なスロットの開口状態に制御できるため、複数のプロセスを均一に安定して実施することが可能となる。
【００２３】
上記のプラズマプロセス装置において好ましくは、積層膜を有する被処理物のプラズマ処理に用いられる。
【００２４】
上述したように複数のプロセスを均一に安定して実施することができるため、積層膜の各膜の処理を最適な条件で行なうことが可能となる。
【００２５】
本発明のプラズマプロセス装置は、処理室と、マイクロ波発生手段と、導波管と、スロット板と、スロット板駆動手段とを備えている。処理室は、壁面の一部が誘電体からなるマイクロ波導入窓で構成され、プラズマを用いた処理を行なうものである。マイクロ波発生手段は、マイクロ波を発生させるものである。導波管は、マイクロ波発生手段で発生させたマイクロ波をマイクロ波導入窓を介して前記処理室に導入する。スロット板は、導波管からマイクロ波導入窓へマイクロ波を通すためのスロット形成部を有する。スロット板駆動手段は、マイクロ波導入窓に対して位置を変更可能なようにスロット板を駆動する。スロット板がマイクロ波導入窓に対して移動することによって、スロット形成部においてマイクロ波を通す部分の位置、数および面積の少なくともいずれかを変更できる。スロット形成部には、スロット板の移動方向に対して開口面積および開口位置の少なくともいずれかが変化するスロットが形成されている。
【００２６】
これにより、スロット板の移動によってスロットの開口状態を制御することが可能となる。
【００２７】
上記のプラズマプロセス装置において好ましくは、マイクロ波導入窓が複数個、処理室の壁面に互いに平行でマトリクス状に配置されている。
【００２８】
これにより、処理室の広い範囲にわたってスロットの開口状態を制御することが可能となる。
【００２９】
上記のプラズマプロセス装置において好ましくは、導波管の１つ毎にスロット板とスロット板駆動手段とが設けられている。
【００３０】
これにより、導波管毎にスロットの開口状態を制御することが可能となる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
【００３２】
（実施の形態１）
まず図１〜図３を用いて本発明の実施の形態１について説明する。
【００３３】
図１および図２の各々は、本発明の実施の形態１におけるプラズマプロセス装置の構成を示す導波管の短辺方向および長辺方向の各断面構造図である。また図３は、図１および図２に示すプラズマプロセス装置に用いられるスロット板の構成を概略的に示す斜視図である。なお、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線の断面に対応し、図１は図２のＩ−Ｉ線の断面に対応している。
【００３４】
図１および図２を参照して、本実施の形態のプラズマプロセス装置は、チャンバ上蓋１と、チャンバ本体２と、導波管３と、スロット板４と、基板ホルダ７と、マイクロ波導入窓１１と、導入窓保持部材１２と、駆動ギヤ１３と、駆動モータ１４と、誘電体板１５と、誘電体板固定部材１６と、エンドポイントディテクタ１７と、コントローラ１８と、マイクロ波発生器１９とを主に有している。
【００３５】
チャンバ本体２上には、チャンバ上蓋１がＯリング９を介して処理室６内を真空封止するように設置されている。チャンバ本体２の底面には、チャンバ上蓋１と対向するように基板ホルダ７が設置されており、その基板ホルダ７上には被処理基板８が設置される。
【００３６】
チャンバ上蓋１には、アルミナなどの誘電体で構成された矩形状のマイクロ波導入窓１１が埋設されている。このマイクロ波導入窓１１は、導入窓保持部材１２によりチャンバ上蓋１に固定されている。チャンバ上蓋１と、マイクロ波導入窓１１との間には、Ｏリング１０が処理室６内を真空封止するために設けられている。
【００３７】
チャンバ本体２下部の開口部２ａは図示しない真空ポンプに接続されており、その真空ポンプによって処理室６内を排気することにより処理室６内は真空状態にされる。また、チャンバ本体２には、反応ガスを導入するためのガス導入口５が設けられている。
【００３８】
チャンバ上蓋１の処理室６側では誘電体板１５が誘電体板固定部材１６によって固定されている。マイクロ波導入窓１１と誘電体板１５とは常に接触状態にあり、マイクロ波導入窓１１から誘電体板１５へマイクロ波は伝搬する。チャンバ上蓋１上には、導波管３が設置されており、その導波管３の上部開口部３ｂには、マイクロ波発生器１９が接続されている。これにより、マイクロ波発生器１９で生成したマイクロ波は導波管３内の上部開口部３ｂから導波管開口部３ａへ伝搬する。
【００３９】
また、マイクロ波導入窓１１と導波管３との間には金属製のスロット板４が設置されており、チャンバ上蓋１の上部には、スロット板４をスライドさせるスロット板駆動部が設けられている。このスロット板駆動部は、駆動ギヤ１３と駆動モータ１４とからなっている。この駆動モータ１４の動力が駆動ギヤ１３を介してスロット板４のラック部４ｄに伝えられることでスロット板４は駆動される。
【００４０】
図３を参照して、スロット板４には、複数のスロット組４ａ、４ｂ、４ｃが導波管３の短辺方向に並んで配置されている。スロット組４ａ、４ｂ、４ｃの各々は、導波管３の長辺方向に並んで配置された複数のスロットからなり、かつ、それぞれ異なるプロセス条件において適したスロットの配置とサイズとを有している。つまり、積層膜の各膜のエッチングを同一装置で連続的に行なう場合、エッチングの途中でエッチング対象膜が変化することになる。このため、エッチングの各段階で反応ガスのガス種、ガス流量、ガス圧、マイクロ波の投入パワーなどのプロセス条件が変更される。プロセス条件の変更に伴って、各プロセス条件に適したスロットの配置やサイズも異なるため、各プロセス条件毎にスロット組が設けられる。たとえば、３つのプロセス条件が必要な場合には、図３に示すように３つのスロット組４ａ、４ｂ、４ｃが必要となる。
【００４１】
スロット板４は、図３中の矢印方向に自由に動けるように導波管３に設置されている。スロット板４の端部にはラック４ｄが切られている。そのラック４ｄには、駆動モータ１４に接続された駆動ギヤ１３が噛み合っており、スロット板４はモータ１４の駆動力によって駆動される。駆動モータ１４が回転するとスロット板４は導波管３の短辺方向へ移動し、スロット板４に設けられたスロット４ａ、４ｂ、４ｃが導波管開口部３ａの下をスライドする。これにより、導波管開口部３ａの真下にスロット組４ａ、４ｂ、４ｃのいずれかが来るよう位置決めされる。
【００４２】
このように各プロセス条件毎に最適なスロット組を導波管開口部３ａに位置決めすることで、最適な条件で積層膜などに連続したプロセスでエッチングなどの処理が実行される。
【００４３】
本実施の形態では、３つのスロット組４ａ、４ｂ、４ｃを設けた場合について示しているが、スロット組は３つに限定されるものではなく、所望のプロセスを実施するのに必要な数のスロット組が用意されればよい。
【００４４】
また、スロット板４と導波管３と導入窓保持部材１２および上蓋１との間は、マイクロ波が大気側に漏れないよう、また不要な放電が発生しないように十分に導通がとられている。
【００４５】
次に、本実施の形態のプラズマプロセス装置をエッチング装置として用いた場合の動作について説明する。
【００４６】
処理室６内は、チャンバ本体２の開口部２ａに接続された真空ポンプ（図示せず）により真空状態に保持されている。マイクロ波発生器１９により発せられたマイクロ波が導波管３の上部開口部３ｂから導波管開口部３ａへ導かれ、スロット板４のスロット組４ｂを通過する。アルミナなどの誘電体からなるマイクロ波導入窓１１はマイクロ波を通すため、スロット組４ｂを通過したマイクロ波はマイクロ波導入窓１１を通って、誘電体板１５の処理室６側の前面から処理室６内に放射される。
【００４７】
マイクロ波を処理室６内に放射する前に、プロセスガスが処理室６の側面上部に配置された反応ガス導入口５より処理室６内へ供給され、処理室６内が所定のガス圧とされる。この状態で、マイクロ波が処理室６内に放射されると、処理室６内においてプラズマが生成される。そして、生成されたプラズマにより、基板ホルダ７に保持された基板８に対してプラズマ処理が行なわれる。
【００４８】
このとき、基板８には３種の異なる材質からなる膜が積層されているとすると、まず最上層の第１の膜がエッチングされ、次はその下の第２の膜、さらにその下の第３の膜へとエッチングが進行する。第１の膜、第２の膜、そして第３の膜では膜の材料が異なるため、エッチングのためのプロセスガスのガス種、流量、ガス圧などのプロセス条件が異なる。そこで、エッチングのプロセスが第１の膜から第２の膜へ変わるときと、第２の膜から第３の膜に変わるときとに、エッチングプロセス条件が変更される。
【００４９】
スロット板４のスロット組４ｂ、４ａ、４ｃは、それぞれ第１の膜、第２の膜、第３の膜のエッチングプロセス条件で大型の基板またはウェハ全面にわたって均一にエッチングできる位置、サイズのものが用意されている。そこで、最上層の第１の膜のエッチングにスロット組４ｂを、次の第２の膜のエッチングにスロット組４ａを、最下層の第３の膜のエッチングにスロット組４ｃを、それぞれ使用すれば基板全面にわたって均一にエッチングすることができる。
【００５０】
まず、スロット組４ｂを通過したマイクロ波で生成されたプラズマにより、第１の膜がプラズマ処理される。そのときのプラズマの発光などがエンドポイントディテクタ１７によって観察される。エンドポイントディテクタ１７は、第１の膜のエッチングプロセスの終了を検出すると、その検出信号をコントローラ１８に送る。コントローラ１８はエンドポイントディテクタ１７からの情報をもとにプロセスガスのガス種、ガス圧、投入パワーなどのエッチングプロセス条件を第２の膜用に変更する。また、これと同時に、コントローラ１８は駆動モータ１４を駆動させ、スロット組４ａの位置が導波管開口部３ａと重なるようにスロット板４を移動させる。
【００５１】
プロセス条件の設定とスロット板４の移動が完了した後、第２の膜に対するプロセスが実行される。そして、第１の膜のときと同様に、第２の膜のエッチングプロセス終了が検出されると、エッチングプロセス条件が第３の膜用に変更され、それと同時にスロット板４がスロット板駆動機構によりスロット組４ｃの位置が導波管開口部３ａと重なるように移動される。そして第３の膜に対するプロセスが実行される。このようにして、数種の異なる材質からなる膜が積層された積層膜を最適な処理条件で連続してプラズマ処理を施すことができる。
【００５２】
本実施の形態では、各膜のプロセスの終了は、エンドポイントディテクタ１７によって検出されるが、検出方法はこれに限定されるものではなく、プロセス時間の管理によって検出されてもよい。
【００５３】
上記のようにして各膜の材料に合せて最適なエッチング条件とスロット組とを選択することにより、大面積基板またはウェハに対して均一なエッチングを実現することが可能となる。
【００５４】
上記では、積層膜の各膜で材料が異なる場合について説明したが、本実施の形態のプラズマプロセス装置の使用はこのような積層膜のエッチングに限定されるものではない。つまり、同一基板に対して等方性のエッチングと異方性のエッチングとを使い分けるような場合にも、プロセス途中でプロセス条件を変更する必要がある。このときに、それぞれのプロセス条件において均一に処理できるスロット組を用意しておき、プロセス条件の変更時にスロット組も切換えることによって大面積基板に対して均一な処理が可能となる。
【００５５】
以上のように、本実施の形態のプラズマプロセス装置では大面積の基板またはウェハに対し複数のプロセス条件で連続して均一なプラズマプロセスを実現することができる。
【００５６】
（実施の形態２）
図４および図５を用いて本発明の実施の形態２について説明する。
【００５７】
図４は本発明の実施の形態２におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す導波管の短辺方向の断面図であり、図５は図４のプラズマプロセス装置に用いられるスロット板の構成を概略的に示す斜視図である。
【００５８】
図４および図５を参照して、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、スロット板およびスロット板駆動手段が複数個設けられている点において異なる。複数のスロット板２０、２１、２２、２３のそれぞれには、スロット組２０ａ〜２０ｃ、２１ａ〜２１ｃ、２２ａ〜２２ｃ、２３ａ〜２３ｃの各々が設けられており、各スロット板２０、２１、２２、２３のそれぞれは各導波管開口部３ａ下をスライド可能となっている。各スロット板２０、２１、２２、２３は、駆動ギヤ２４、２５、２６、２７の各々を介して、スロット板駆動手段からの動力が各スロット板２０、２１、２２、２３のラック部２０ｄ、２１ｄ、２２ｄ、２３ｄに伝えられて駆動される。
【００５９】
各スロット板２０、２１、２２、２３の位置は独立に制御される。つまり、スロット板２０、２３のみ駆動させたり、またスロット板２１、２２のみ駆動させたり、スロット板２０、２１、２２、２３のいずれか１つのみを駆動させるといったスロット板の独立した制御が可能となる。そのため、プロセス条件変更時に導波管３毎にスロット組を選択でき、プラズマ処理条件に対するスロットの設定範囲が広がる。
【００６０】
なお、図４のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面は図２の構成と同様であるため、その図示を省略する。また、上記以外の構成については、上記した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６１】
また、本実施の形態のプラズマプロセス装置をエッチング装置として用いた場合の動作については、各スロット板２０、２１、２２、２３の位置を独立に制御すること以外は上記の実施の形態１の動作とほぼ同じである。
【００６２】
以上のように、本実施の形態のプラズマプロセス装置では、各スロット板２０、２１、２２、２３の位置を独立に制御可能とすることにより、大面積の基板またはウェハに対し複数のプロセス条件で連続して均一なプラズマプロセスを実現することができる。
【００６３】
（実施の形態３）
図６〜図８を用いて、本発明の実施の形態３について説明する。
【００６４】
図６は本発明の実施の形態３におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す導波管の短辺方向の断面図である。また図７は図６のプラズマプロセス装置に用いられるスロット板の構成を概略的に示す斜視図であり、図８は図６のプラズマプロセス装置のスロット板の移動による開口面積の調整を説明するための図である。
【００６５】
図６〜図８を参照して、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、１つの導波管３毎に１列のスロット組３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄの各々が設けられている点において異なる。このスロット組３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄの各々は、スロット板３０のスライド方向（導波管３の断面の短辺方向）に対して開口面積および開口位置の少なくともいずれかが変化するような形状の複数のスロットを有している。
【００６６】
導波管開口部３ａとスロット組３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄとは図８に示すような配置関係を有している。スロット組３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄの各スロットのスライド方向の幅は導波管開口部３ａの幅よりも大きく、導波管開口部３ａとスロット組３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄとが交差する図中斜線部が開口部となる。
【００６７】
スロット板３０は導波管３の下をスライド可能となっている。スロット板３０は、駆動ギヤ３１を介して、スロット板駆動機構からの動力が各スロット板３０のラック部３０ｅに伝えられて駆動される。
【００６８】
なお、図６のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面は図２の構成と同様であるため、その図示を省略する。また、上記以外の構成については、上記した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６９】
また、本実施の形態のプラズマプロセス装置をエッチング装置として用いた場合の動作については、１つの導波管３に対して１列のスロット組でスロットの位置とサイズを連続的に変化させる以外は上記の実施の形態１の動作とほぼ同じである。
【００７０】
本実施の形態では、スロット板３０がスライドすることにより、１つの導波管３に対して１列のスロット組でスロットの位置とサイズを連続的に変化させることが可能であり、プロセス中にスロットの位置およびサイズの微調整が可能である。また、プロセス条件変更時のスロットの切換えが連続的に可能となり、放電を維持したままプロセス条件の変更が可能となる。
【００７１】
以上により、本実施の形態のプラズマプロセス装置では、大面積の基板またはウェハに対し複数のプロセス条件で連続して均一なプラズマプロセスを実現することができる。
【００７２】
上述した実施の形態１〜３では、プラズマプロセス装置をエッチング装置に適用した構成について説明したが、本発明のプラズマプロセス装置の適用範囲はこれに限られるものではなく、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置などとして設計し得ることはいうまでもない。
【００７３】
また、上述した実施の形態１〜３では、マイクロ波導入窓１１が図２に示すように導波管３の長辺方向に分割されていない構成について説明したが、図９に示すように導波管３の長辺方向に２つ、または３つ以上に分割されていてもよい。この場合、誘電体板１５も、マイクロ波導入窓１１に対応させて導波管３の長辺方向に分割される。
【００７４】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のプラズマプロセス装置によれば、スロット板がマイクロ波導入窓に対して移動することによって、スロット形成部におけるマイクロ波を通す部分の位置、数および面積の少なくともいずれかを変更できるため、プロセス毎に最適なスロットの開口状態に制御することができる。これにより、均一なプロセスを安定して実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す導波管の短辺方向の断面構造図である。
【図２】  本発明の実施の形態１におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す導波管の長辺方向の断面構造図である。
【図３】  図１および図２に示すプラズマプロセス装置に用いられるスロット板とスロット板駆動機構部との構成を示す斜視図である。
【図４】  本発明の実施の形態２におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す導波管の短辺方向の断面構造図である。
【図５】  図４に示すプラズマプロセス装置に用いられるスロット板とスロット板駆動機構部の構成を示す概略斜視図である。
【図６】  本発明の実施の形態３におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す導波管の短辺方向の断面構造図である。
【図７】  図６に示すプラズマプロセス装置に用いられるスロット板とスロット板駆動機構部との構成を示す概略斜視図である。
【図８】  図６に示すプラズマプロセス装置に用いられるスロット板のスロットと導波管開口部との配置関係を示す図である。
【図９】  本発明の実施の形態１〜３におけるプラズマプロセス装置においてマイクロ波導入窓が導波管の長辺方向に分割された構成を概略的に示す導波管の短辺方向の断面構造図である。
【図１０】  従来のプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す導波管の短辺方向の断面構造図である。
【図１１】  図１０に示すプラズマプロセス装置に用いられるスロット板の構成を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１  チャンバ上蓋、２  チャンバ本体、３  導波管、４  スロット板、５  ガス導入口、６  処理室、７  基板ホルダ、８  被処理基板、９，１０  Ｏリング、１１  マイクロ波導入窓、１２  導入窓保持部材、１３  駆動ギヤ、１４  駆動モータ、１５  誘電体板、１６  誘電体板固定部材、１７  エンドポイントディテクタ、１８  コントローラ、１９  マイクロ波発生器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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