(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号変換素子を有しかつ複数のめっきスルーホールが設けられた変換基板に、前記複数のめっきスルーホールに対応した箇所にＩ／Ｏ端子が突設された半導体パッケージ装着用ソケット基板が搭載され、前記めっきスルーホールに前記Ｉ／Ｏピンを接合することにより両基板同士が電気的に接続されている変換モジュールにおいて、
前記変換基板において入替接続を要する特定のＩ／Ｏ端子に対応する箇所に非導通スルーホールが形成され、その非導通スルーホールの両側開口縁に存在する一対のランドのうちソケット基板搭載側にあるものに対して前記特定のＩ／Ｏ端子がはんだ付けされ、前記非導通スルーホールのソケット基板非搭載側開口部に外部接続用端子が取り付けられ、さらに前記ソケット基板搭載側ランドと前記信号変換素子の入力側とが前記変換基板の導体パターンを介して電気的に接続され、かつ前記ソケット基板非搭載側ランドと前記信号変換素子の出力側とが電気的に接続されていることを特徴とする変換モジュール。
【請求項２】
前記非導通スルーホールは、前記変換基板に対するランド形成工程を行なった後に、前記ランド形成領域を貫通させるドリル加工を施すことにより形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の変換モジュール。
【請求項３】
前記一対のランドは前記非導通スルーホールの内径よりも大きな径の基板露出部をその一部に有するとともに、前記非導通スルーホールは前記基板露出部を貫通するように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は変換モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
パーソナルコンピュータ内のマザーボードには、ＣＰＵ（中央処理装置）としての機能を有する半導体パッケージがソケットを介して搭載されている。このような半導体パッケージとしては、現在のところ、片側面に多数のＩ／Ｏピンが立設されたＰＧＡ（ピングリッドアレイ）タイプが主流を占めている。
【０００３】
ところで、パーソナルコンピュータのユーザーは、処理の高速化を目的としたアップグレードを望む場合がある。この場合、ソケットから既存の半導体パッケージを取り外し、より高機能な半導体パッケージを新たに搭載することが必要になる。その際、高機能な半導体パッケージを複数基板からなる変換モジュールに装着したうえでマザーボードのソケットに間接的に実装することがよいと提唱されている。
【０００４】
従来の変換モジュールとしては、半導体パッケージ装着用ソケット基板及び変換基板をその主要な構成要素としたものが提案されている。変換基板（例えば両面板）は信号を変換する機能を有している。このような変換基板には複数のめっきスルーホールが設けられており、それらの下面側開口部には外部接続用ピンの基端部が挿入されている。なお、これらの外部接続用ピンはマザーボードのソケットに対して嵌脱される。ソケット基板は複数のＩ／Ｏピンを備えている。これらのＩ／Ｏピンは、ソケット基板の裏面側において前記複数のめっきスルーホールに対応した箇所に突設されている。各Ｉ／Ｏピンは各めっきスルーホールに挿入されかつはんだ付けされ、これによりソケット基板側と変換基板側との電気的な導通が図られる。また、ソケット基板のＩ／Ｏピンは自身の上端面に挿通穴を持つソケット状ピンであるため、そこには半導体パッケージのＩ／Ｏピンが嵌合される。従って、このような変換モジュールを用れば、半導体パッケージをマザーボード側に適合させることができ、そのパッケージ本来の性能が発揮されやすくなると考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最近ではより大幅なアップグレードのための変換モジュール構造として、めっきスルーホール群によって包囲される領域に半導体パッケージ等の信号変換素子を実装し、同素子により信号変換を行わせるものが提案されるに至っている。しかしながら、このような構造を採用した場合、特定のＩ／Ｏピンについて入替接続を行う必要が生じる。即ち、当該特定のＩ／Ｏピンについては、対応するめっきスルーホールを介して外部接続用ピンに直接導通させずに、導電体を用いていったん信号変換素子の入力側に接続して、その出力側から変換信号を得るためである。
【０００６】
ところが、変換基板上にソケット基板を搭載した場合には、当該特定のＩ／Ｏピンも対応するめっきスルーホールの上面側開口部に挿入された状態となる。そのため、めっきスルーホール内の銅めっき層を介して、外部接続用ピンと直接的に導通してしまう。よって、このような直接導通を何らかの手法により防止しておく必要があった。
【０００７】
また、導電体として例えばリード線を使用した場合、一連の煩雑な作業（所定長さに切断、絶縁被覆の剥離、予備はんだ付け、位置決め及びはんだ付け）が要求される。従って、作業性に劣るものとなり、しかも部品点数の増加にもつながる。一方、導体パターンを有する子基板を導電体として使用した場合には、作業性の低下という問題は起こらないものの、部品点数の増加は避けられない。
【０００８】
さらに、高コスト化の防止のためには、変換基板を多層板にすることなく極力両面板のような単純な構造にし、その上面側の導体パターンをリード線等のような別体の導電体の代わりに利用することが好ましい。
【０００９】
本発明は上記の課題を解決するためなされたものであり、その目的は、高コスト化及び部品点数の増加を伴うことなく入替接続を行うことができる構造を持つ変換モジュールを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、信号変換素子を有しかつ複数のめっきスルーホールが設けられた変換基板に、前記複数のめっきスルーホールに対応した箇所にＩ／Ｏ端子が突設された半導体パッケージ装着用ソケット基板が搭載され、前記めっきスルーホールに前記Ｉ／Ｏ端子を接合することにより両基板同士が電気的に接続されている変換モジュールにおいて、前記変換基板において入替接続を要する特定のＩ／Ｏ端子に対応する箇所に非導通スルーホールが形成され、その非導通スルーホールの両側開口縁に存在する一対のランドのうちソケット基板搭載側にあるものに対して前記特定のＩ／Ｏ端子がはんだ付けされ、前記非導通スルーホールのソケット基板非搭載側開口部に外部接続用端子が取り付けられ、さらに前記ソケット基板搭載側ランドと前記信号変換素子の入力側とが前記変換基板の導体パターンを介して電気的に接続され、かつ前記ソケット基板非搭載側ランドと前記信号変換素子の出力側とが電気的に接続されていることを特徴とする変換モジュールをその要旨とする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１において、前記非導通スルーホールは、前記変換基板に対するランド形成工程を行なった後に、前記ランド形成領域を貫通させるドリル加工を施すことにより形成されたものであるとした。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２において、前記一対のランドは前記非導通スルーホールの内径よりも大きな径の基板露出部をその一部に有するとともに、前記非導通スルーホールは前記基板露出部を貫通するように形成されているとした。
【００１３】
以下、本発明の「作用」を説明する。
請求項１に記載の発明によると、入替接続を要する特定のＩ／Ｏ端子がソケット基板搭載側ランドにはんだ付けされたとしても、スルーホール自体が非導通であるので、同Ｉ／Ｏ端子はソケット基板非搭載側に取り付けられた外部接続用端子と直接導通することがない。従って、かかる直接導通に起因するランド間のショートが未然に防止される。その代わり、変換基板の導体パターン及び信号変換素子を介して、前記特定のＩ／Ｏ端子と外部接続用端子とが間接的に導通される。その結果、前記特定のＩ／Ｏ端子についての入替接続が行われ、信号変換素子により変換された信号が外部接続用端子に出力される。このように本発明では、リード線等の別体の導電体を用いる必要がないので、部品点数の増加を伴うことなく入替接続を行うことができる。また、リード線を所定長さに切断したり、絶縁被覆を剥離したり、位置決めしたりする等の煩雑な作業も要求されないので、製造時の作業性にも優れている。さらに、あえて多層板等にして入替接続を行う必要もないので、高コスト化も確実に回避される。
【００１４】
請求項２に記載の発明によると、ランド形成領域を貫通させるようにドリル加工を施せば、非導通スルーホールの開口縁の周囲に導体が存在した状態となるため、前記特定のＩ／Ｏ端子を確実にはんだ付けすることができ、当該部位の接続信頼性の低下が防止される。また、ドリル加工であれば製造に困難さを伴うこともなく、とりわけ作業性の低下にもつながらない。
【００１５】
請求項３に記載の発明によると、ドリル加工時にランドがドリルに接触しなくなるため、ランドの剥離を確実に防止することができ、歩留まり及び信頼性の向上につながる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態のＰＧＡ用変換モジュール１を図１〜図４に基づき詳細に説明する。
【００１７】
図１，図２に示されるように、この実施形態の変換モジュール１は、ＰＧＡ２を信号変換を行なったうえでマザーボードＭＢに搭載するための装置である。変換モジュール１は複数の基板、即ち変換基板３及びソケット基板４をその主要な構成要素としている。
【００１８】
変換基板３は、矩形状をしたリジッドな両面板である。同変換基板３は、複数のめっきスルーホール５を略ロ字状に配置してなるめっきスルーホール群を備えている。各めっきスルーホール５は、その内壁面に銅めっき層Ｇ１  を有している。各めっきスルーホール５は一定のピッチで規則的に配置されている。図２に示されるように、各々のめっきスルーホール５のソケット基板非搭載側（即ち下面側）開口部には、外部接続用端子としての外部接続用ピン６の基端部が挿入されている。このピン６ははんだ付けにより接合されていてもよい。
【００１９】
めっきスルーホール群によって包囲される略正方形状の領域には、１つのダイパッド７とそれを取り囲む複数のパッド８とが形成されている。ダイパッド７上には、信号変換素子としての信号変換用ＱＦＰ（クアッドフラットパッケージ）９が表面実装されている。このＱＦＰ９は、いわゆるガルウィング状をしたリード９ａを多数有している。各リード９ａは、各パッド８に対して導電性材料であるはんだＳ１  を用いて接合されている。なお、前記パッド８のうちの１つは、入替接続用導体部としての入替接続用パッド８ａとして割り当てられている。
【００２０】
変換基板３のソケット基板搭載側（即ち上面側）においてスルーホール群により包囲されていない領域には、電子部品接続用のパッド１０が形成されている。かかるパッド１０にはＤＩＰ（デュアルインラインパッケージ）１１が表面実装されている。変換基板３の下面側にも電子部品接続用パッド１２が形成されていて、そこにはチップ抵抗１３が表面実装されている。これらの電子部品１１，１３も、各パッド１０，１２に対していずれもはんだＳ１  を用いて接合されている。また、この変換基板３の上面及び下面には、図示しない導体パターンが形成されている。上記の導体パターンは、めっきスルーホール５のランド５ａ，５ｂ、ＱＦＰ９及び電子部品１１，１３の相互間を電気的に接続している。
【００２１】
この変換基板３にはミニバイアホール１５が形成されている。ここでミニバイアホール１５とは、ピン挿通及び表裏の導通を目的とした通常のめっきスルーホールよりも小径（数１０μｍφ）であって、表裏の導通のみを目的とするものを指す。変換基板３の上下面を貫通するミニバイアホール１５の上端には、前記パッド８のうち前記変換信号が出力される側に該当するもの（図１の８ｂ参照）が電気的に接続されている。
【００２２】
次に、半導体パッケージ装着用ソケット基板４の構成について説明する。図１，図２に示されるように、前記ソケット基板４を構成する絶縁基材２１は正方形状かつ枠状をしていて、その外形の大きさは被搭載物であるＰＧＡ２の大きさにほぼ等しい。絶縁基材２１は正方形状の中央孔２２を備えている。このような中央孔２２を設けた理由は、ＱＦＰ９の収容スペースを確保するため、はんだ付けを容易に行うため、及びＱＦＰ９の発する熱を効率よく放散するためである。従って、前記中央孔２２は、ＱＦＰ９に対応する位置において当該ＱＦＰ９よりも若干大きめに形成されることがよい。
【００２３】
中央孔２２の周囲には、断面円形状であってその中央孔２２よりも遙かに小径のピン挿通孔２３が多数かつ千鳥状に形成されている。各ピン挿通孔２３にはソケット状をしたＩ／Ｏピン２４がそれぞれ挿通されている。Ｉ／Ｏ端子としてのソケット状Ｉ／Ｏピン２４の下端部は、絶縁基材２１の裏面側（下面側）から突出している。各ソケット状Ｉ／Ｏピン２４には、軸線方向に沿って延びる挿通穴２５が形成されている。この挿通穴２５にはＰＧＡ２側のＩ／Ｏピン２６が挿抜可能である。即ち、同ソケット基板４はＰＧＡ２が着脱可能な構造を表面側（上面側）に有している。
【００２４】
説明の便宜上、ソケット状Ｉ／Ｏピン２４のうち、入替接続を要する特定のＩ／Ｏピンを２４Ａで表わし、入替接続を要しないその他のＩ／Ｏピン２４と区別する。
【００２５】
図２に示されるように、変換基板３において前記特定のＩ／Ｏピン２４Ａに対応する箇所には、めっきスルーホール５ではなくて、銅めっき層Ｇ１  をその内部に持たない非導通スルーホール２７が形成されている。この非導通スルーホール２７の上側開口縁には上面側ランド２７ａが存在し、下側開口縁には下面側ランド２７ｂが存在している。これらのランド２７ａ，２７ｂは同面積かつ円形状である。非導通スルーホール２７内には銅めっき層Ｇ１  が存在していないため、これら一対のランド２７ａ，２７ｂ同士は直接的には導通していない。本実施形態では、非導通スルーホール２７の内径は、めっきスルーホール５の内径とほぼ同程度（１００〜２００μｍφ）に設定されている。このような非導通スルーホール２７の下面側開口部に対しては、外部接続用ピン６の基端部が挿入されている。このピン６ははんだ付けにより接合されることがよい。
【００２６】
本実施形態において前記特定のＩ／Ｏピン２４Ａの小径部は、他のＩ／Ｏピン２４の小径部に比べていくぶん短く形成されている。従って、入替接続を要しない他のＩ／Ｏピン２４をめっきスルーホール５の上面側開口部に挿入した場合であっても、特定のＩ／Ｏピン２４Ａについては、非導通スルーホール２７の上面側開口部に挿入されない。このとき、特定のＩ／Ｏピン２４Ａの先端面は、非導通スルーホール２７の上面側ランド２７ａとほぼ同じ高さになる。
【００２７】
前記特定のＩ／Ｏピン２４Ａは、例えば入替接続を要しないその他のＩ／Ｏピン２４の小径部を所定長さだけ切断することで得ることができる。勿論、長さの異なる２種類のＩ／Ｏピン２４，２４Ａをあらかじめ作製しておき、それらを用いても構わない。Ｉ／Ｏピン２４の小径部を折り曲げて、前記特定のＩ／Ｏピン２４Ａとして用いることも可能である。もっとも、Ｉ／Ｏピン２４Ａの長さを他のもの２４と同じにすることも許容される（図２の二点鎖線参照）。
【００２８】
特定のＩ／Ｏピン２４Ａの小径部は、上面側ランド２７ａに対してはんだＳ１  を介してはんだ付けされている。非導通スルーホール２７の上面側ランド２７ａと入替接続用パッド８ａとは、変換基板３の上面に形成された導体パターン１７を介して電気的に接続されている。また、非導通スルーホール２７の下面側ランド２７ｂとミニバイアホール１５の下端とは、変換基板３の下面側に形成された導体パターン１６を介して電気的に接続されている。
【００２９】
図１に示されるように、マザーボードＭＢにはあらかじめソケット３０がはんだ付けによって脱着不能に固定されており、変換モジュール１はこのソケット３０の上面側に搭載された状態で使用される。このとき、外部接続用ピン６は、ソケット３０の有するソケット状ピン３１の挿通穴に挿通される。なお、部品交換を行う際の便宜を図るため、当該接続部位にははんだ付けがなされない。
【００３０】
次に、この変換モジュール１を製造する方法の一例を紹介する。
まず、変換基板３及びソケット基板４をあらかじめ作製しておく。ソケット基板４は、枠状の絶縁基材２１にピン挿通孔２３を透設した後、それらに対して二種類の長さのソケット状Ｉ／Ｏピン２４，２４Ａを挿入することで得られる。
【００３１】
変換基板３は、例えば次のようなサブトラクティブプロセスに従って作製される。まず、ガラスエポキシ製絶縁基材の両面に銅箔を貼着してなる銅箔積層板を出発材料として準備する。ガラスエポキシに代えて、ガラスポリイミド製の銅張積層板を選択してもよい。前記銅張積層板に対してドリル加工を施すことにより、所定径のめっきスルーホール形成用孔及び所定径のミニバイアホール形成用孔をそれぞれ透設する。次いで、Ｐｄ等の触媒核を前記孔内に付与した後、銅張積層板の表裏両面にめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっきを行い、前記孔内及び銅箔の所定領域に銅めっきを析出させる。さらに、前記めっきレジストを剥離し、かつエッチングレジストを形成した状態で銅のエッチングを行った後、そのエッチングレジストを剥離する。以上の結果、絶縁基材にはめっきスルーホール５、ミニバイアホール１５、導体パターン１６，１７、ランド２７ａ，２７ｂ、ダイパッド７、パッド８，８ａ，８ｂ等の導体が形成される。図３（ａ），図３（ｂ）に示されるように、ミニバイアホール１５は両ランド２７ａ，２７ｂの中心位置に対応して形成されている。次いで、ランド形成領域（より具体的には両ランド２７ａ，２７ｂの中心）を貫通させるようにドリル加工を施す。これによりミニバイアホール１５を当該部分の銅めっき層Ｇ１  とともに除去し、図３（ｃ），図３（ｄ）に示されるような非導通スルーホール２７を形成する。使用されるドリルの径は、ミニバイアホール１５の径より大きく、かつランド２７ａ，２７ｂの径より小さなものであれば足りる。本実施形態では、スルーホール形成用孔を加工するためのドリルを流用している。なお、図４の参考例のように、ミニバイアホール１５を特に設けないで非導通スルーホール２７の形成を行なっても勿論よい。
【００３２】
続く第１のピン立て工程では、変換基板３の各めっきスルーホール５及び非導通スルーホール２７の下面側開口部に対して、外部接続用ピン６の基端部をプレスで圧入し、かつはんだ付けする。
【００３３】
続くはんだ印刷工程では、スクリーン印刷の手法によって、変換基板３の上面側に位置するランド５ａ，２７ａにクリームはんだを印刷する。変換基板３の上面側は、外部接続用ピン６が突出している下面側とは異なりフラットなため、印刷に適しているからである。なお、クリームはんだの印刷は、スクリーン印刷以外の手法によってなされてもよい。また、前記クリームはんだとしては、例えば共晶はんだ（Ｐｂ：Ｓｎ＝３７：６３，融点１８３℃）の粉末をベヒクルに分散させてなるもの等が使用される。このとき、ＱＦＰ９を包囲する各パッド８，８ａ，８ｂにもクリームはんだが印刷される。
【００３４】
続く第２のピン立て工程では、変換基板３のめっきスルーホール５の上面側開口部に対して各ソケット状Ｉ／Ｏピン２４の先端部を挿通させるとともに、ダイパッド７上にＱＦＰ９を固定する。このとき、図３（ｅ）に示されるように、特定のＩ／Ｏピン２４Ａの小径部もランド２７ａの中心に配置される。
【００３５】
続くリフロー工程では、ソケット基板４を搭載した変換基板３をリフロー炉内にセットした後、クリームはんだが融点する温度付近まで炉内の温度を上昇させ、はんだＳ１  を溶融させる。溶融したはんだＳ１  が冷えて硬化すると、ソケット状Ｉ／Ｏピン２４がめっきスルーホール５のランド５ａに接合され、かつＱＦＰ９の各リード９ａが各パッド８，８ａ，８ｂに接合される。このとき、非導通スルーホール２７のランド２７ａには特定のＩ／Ｏピン２４Ａが接合される。
【００３６】
次に、電子部品１１，１３を対応するそれぞれのパッド１０，１２に対して個別にはんだ付けする。
以上のようにして所望の変換モジュール１を完成させた後、その変換モジュール１にＰＧＡ２を搭載し、さらにそれをマザーボードＭＢのソケット３０に搭載する。この場合、特定のＩ／Ｏピン２４Ａを流れるＰＧＡ２の信号は、ランド２７ａ、導体パターン１７及び入替接続用パッド８ａというルートを経て、ＱＦＰ９に入力される。そこで変換された信号は、さらにＱＦＰ９から出力された後、パッド８ｂ、ミニバイアホール１５、導体パターン１６、非導通スルーホール２７のランド２７ｂ、外部接続用ピン６及びソケット状ピン３１というルートを経て、マザーボードＭＢ側に供給される。即ち、特定のＩ／Ｏピン２４Ａは、非導通スルーホール２７を介して外部接続用ピン６に直接導通されるのではなく、同外部接続用ピン６に間接的に導通された状態となる。
【００３７】
このように前記特定のＩ／Ｏピン２４Ａについて入替接続を行なうと、主としてＱＦＰ９による信号変換が図られ、ＰＧＡ２本来の機能を充分に発揮させることができる。
【００３８】
さて、以下に本実施形態において特徴的な作用効果を列挙する。
（イ）本実施形態の変換モジュール１では、非導通スルーホール２７を設けた結果、前記特定のＩ／Ｏピン２４Ａが外部接続用ピン６と直接的に導通することがなくなる。よって、かかる直接導通に起因するランド２７ａ，２７ｂ間のショートが未然に防止されている。また、本実施形態ではリード線等の別体の導電体を用いる必要がないので、部品点数の増加を伴うことなく入替接続を行うことができる。このことは高コスト化の防止にも寄与する。
【００３９】
（ロ）また、リード線を必要としない本実施形態の変換モジュール１では、その製造に際してリード線を所定長さに切断したり、絶縁被覆を剥離したり、位置決めを行なったりする等の煩雑な作業も要求されない。従って、製造時の作業性にも優れたものとなっている。
【００４０】
（ハ）さらに、本実施形態の変換モジュール１では変換基板３が両面板という単純な構造のもので足りるため、あえて変換基板３を多層板にしたり、変換基板３にビルドアップ層を形成するなどして入替接続を行うことも不要になる。よって、構造の複雑化及び高コスト化を確実に回避することができる。
【００４１】
（ニ）本実施形態における非導通スルーホール２７は、変換基板３に対するランド２７ａ，２７ｂの形成工程を行なった後に、ランド形成領域を貫通させるドリル加工を施すことにより形成されている。このような領域に加工を施せば、非導通スルーホール２７の開口縁の周囲に導体が存在した状態となる。ゆえに、その導体が例えば上面側ランド２７ａであれば、特定のＩ／Ｏピン２４Ａの小径部をその全周にわたって同ランド２７ａに確実にはんだ付けすることができる。前記導体が下面側ランド２７ｂであっても、同様に、外部接続用ピン６の基端部をその全周にわたって同ランド２７ｂに確実にはんだ付けすることができる。以上の結果、非導通スルーホール２７内に銅めっき層Ｇ１  がない構造を採った場合でも、はんだ付け部位の接続信頼性の低下が防止される。また、一般的な穴加工法であるドリル加工であれば、製造に困難さを伴うこともなく、とりわけ作業性の低下にもつながらないという利点がある。
【００４２】
（ホ）本実施形態の変換モジュール１であると、めっきスルーホール群によって包囲される領域を利用すれば、変換基板３自体の外形大型化を伴うことなく、比較的大きなＱＦＰ９を実装することができる。よって、例えば大きなＰＧＡ２を用いてアップグレードを行うような場合に有利となる。
【００４３】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、例えば次のような形態に変更することが可能である。
◎  図５（ａ）〜図５（ｅ）の手順で図５（ｆ）に示される別例の変換モジュール４１を製造してもよい。一対のランド２７ｃ，２７ｄは、非導通スルーホール２７の内径よりも大きな径の基板露出部２８をその中心部に有している。そして、前記両基板露出部２８の中心を貫通するようにドリル加工を施すことによって、非導通スルーホール２７を形成する。このような方法であると、ドリル加工時にランド２７ｃ，２７ｄがドリルに接触しなくなる。そのため、ランド２７ｃ，２７ｄの剥離を確実に防止することができ、歩留まり及び信頼性の向上につながる。
【００４４】
◎  実施形態のようなドリル加工に代えて、例えばレーザ照射加工による非導通スルーホールの形成を行なってもよい。
◎  はんだＳ１  は共晶はんだ等のように鉛及び錫を主成分として含むＰｂ−Ｓｎ系のはんだのみに限定されることはなく、例えばＡｕ系、Ｉｎ系、Ｂｉ系等のようなＰｂレスのはんだＳ１  であってもよい。
【００４５】
◎  ソケット基板４の備えるＩ／Ｏ端子はソケット状Ｉ／Ｏピン２４，２４Ａに限定されることはなく、例えばソケット状でないものであってもよい。また、前記Ｉ／Ｏ端子はピン形状のものに限らず、例えばバンプのようなものに適用されうる。同様に外部接続用ピン６についてバンプ等を採用することもできる。
【００４６】
◎  前記実施形態においては、各種電子部品１１，１３を個別はんだ付けによって実装する方法を採用していた。これに代えて、ＱＦＰ９等をはんだ付けする際に同時にそれらを一括はんだ付けすることも許容される。
【００４７】
ここで、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。
（１）  請求項１乃至３のいずれか１つにおいて、前記変換基板においてめっきスルーホール群により包囲される領域には信号変換素子が実装されている変換モジュール。この構成であると、例えば大きな信号変換素子を用いたアップグレードに有利になる。
【００４８】
（２）  請求項１乃至３、技術的思想１のいずれか１つにおいて、前記変換基板は、サブトラクティブ法により形成された導体パターンをその両面に有するとともに、ミニバイアホールを有する両面板である変換モジュール。この構成であると、変換基板が廉価なものとなり高コスト化を防止できる。
【００４９】
（３）  両端開口縁に一対のランドを有するとともに片面側開口部に外部接続用端子が取り付けられた非導通スルーホール構造を有する変換モジュール用変換基板。このような変換基板を用いれば、本発明の優れた変換モジュールを確実に得ることができる。
【００５０】
（４）  請求項１乃至３のいずれか１つの変換モジュールを製造する方法であって、前記変換基板に対するランド形成工程を行なった後、前記ランド形成領域を貫通させるドリル加工を施すことにより前記非導通スルーホールを形成する工程を行い、その後さらに前記特定のＩ／Ｏ端子を前記非導通スルーホールのソケット基板搭載側ランドにはんだ付けをする工程、及び前記ソケット基板非搭載側開口部に前記外部接続用端子を取り付ける工程を行うことを特徴とする変換モジュールの製造方法。
【００５１】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１〜３に記載の発明によれば、高コスト化及び部品点数の増加を伴うことなく入替接続を行うことができる構造を持つ変換モジュールを提供することができる。
【００５２】
請求項２に記載の発明によれば、はんだ付け部位の接続信頼性の低下及び製造時の作業性の低下を防止することができる。
請求項３に記載の発明によれば、ランドの剥離を確実に防止することができるため、歩留まり及び信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を具体化した実施形態の変換モジュールの使用状態を説明するための概略側面図。
【図２】実施形態の変換モジュールの部分拡大断面図。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、実施形態の変換モジュールの製造手順を説明するための要部拡大断面図及び要部拡大平面図。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、実施形態の変換モジュールの製造手順を説明するための要部拡大断面図及び要部拡大平面図。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、別例の変換モジュールの製造手順を説明するための要部拡大断面図及び要部拡大平面図。
【符号の説明】
１，４１…変換モジュール、３…変換基板、４…半導体パッケージ装着用ソケット基板、５…めっきスルーホール、６…外部接続用端子としての外部接続用ピン、９…信号変換素子としてのＱＦＰ、２４…Ｉ／Ｏ端子としてのＩ／Ｏピン、２４Ａ…入替接続を要する特定のＩ／Ｏ端子としての特定のＩ／Ｏピン、２７…非導通スルーホール、２７ａ，２７ｂ、２７ｃ，２７ｄ…ランド、２８…基板露出部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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