(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが設けられた基板に半導体素子を搭載し、半導体素子と前記配線パターンのボンディング部とをワイヤボンディングにより電気的に接続し、前記半導体素子を樹脂封止して形成する半導体装置の製造方法において、
前記基板として、前記半導体素子を収容する搭載穴を厚さ方向に貫通して設けた基板を使用し、前記基板の一方の面に前記搭載穴の開口部を塞ぐ保護テープを貼着した後、
前記搭載穴に半導体素子を位置合わせし、半導体素子の電極端子形成面を接着面側として前記保護テープに半導体素子を接着し、
保護テープに半導体素子を支持した状態で半導体素子を裏面側から研削して半導体素子の厚さを薄くした後、
前記樹脂封止を含む前記ワイヤボンディング以降の加工を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
保護テープに半導体素子を支持した状態で半導体素子を裏面側から研削する際に、あわせて基板の他方の面側を研削して基板の厚さを薄くすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体素子を裏面側から研削して半導体素子の厚さを薄くした後、
基板の他方の面に他の保護テープを貼着し、基板の一方の面から保護テープを除去して、前記半導体素子の電極端子形成面を露出させ、
該半導体素子の電極端子形成面に他の半導体素子を積み重ねて接合した後、
前記各々の半導体素子と配線パターンのボンディング部とをワイヤボンディングすることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板として、第１の半導体素子を収容する搭載穴とボンディング部を露出させるボンディング穴を設けた基板を使用し、
保護テープに第１の半導体素子を支持した状態で第１の半導体素子を裏面側から研削して半導体素子の厚さを薄くした後、
前記第１の半導体素子の研削面上に第２の半導体素子を積み重ねて接合し、
次いで、第２の半導体素子と前記ボンディング穴内で露出するボンディング部とをワイヤボンディングした後、
前記基板の他方の面側を樹脂封止し、
次に、前記保護テープを除去して前記第１の半導体素子の電極端子形成面を露出させ、前記第１の半導体素子と前記ボンディング部の露出面とをワイヤボンディングした後、
前記基板の一方の面側に露出する前記第１の半導体素子の電極端子形成面およびボンディングワイヤを樹脂により封止することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１の半導体素子の研削面上に第２の半導体素子を積み重ねて接合した後、第２の半導体素子の電極端子形成面上にさらに他の半導体素子を積み重ねて接合し、
前記第２の半導体素子と他の半導体素子とボンディング部とをワイヤボンディングによって接続した後、
前記基板の一方の面側に露出する前記第１の半導体素子の電極端子形成面およびボンディングワイヤを樹脂により封止することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体素子を樹脂封止した後、配線パターンのランド部に外部接続端子を接合することを特徴とする請求項１、２、３、４または５記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、より詳細には基板に半導体素子を搭載した半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板に半導体素子を搭載した半導体装置として、従来、ＢＧＡ(Ball Grid Array)、ＬＧＡ(Land Grid Array)等の製品が知られている。これらの半導体装置の製造方法としては、基板に半導体素子を搭載した後、半導体素子と基板に形成された配線パターンとをワイヤボンディングによって電気的に接続し、半導体素子を樹脂封止し、基板に外部接続端子を接合して製品とする方法が一般になされている。
【０００３】
ところで、電子機器に搭載される半導体素子の高機能化に伴い、これらの半導体素子を搭載するパッケージは多ピンになるとともに、より高密度に配線パターンが形成されるようになってきた。また、一方、半導体装置を搭載する電子機器を小型化する要請から、高機能を保持しながら、半導体装置を限界的にまで小型化することが求められるようになってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前述した基板に半導体装置を搭載した半導体装置製品について、小型化、薄型化を図る方法として従来なされている方法は、より薄い基板を使用すること、薄い半導体素子を搭載すること、ワイヤボンディング時のボンディングワイヤの高さを低く抑えること、封止樹脂の厚さを薄くするといった方法である。たとえば、基板としてプリント基板を使用すると基板が厚くなるから、より薄く形成できるテープ状の基板を使用すること、半導体素子の裏面を研削して薄くした半導体素子を搭載するといったことが行われている。
【０００５】
しかしながら、厚さの薄い基板を使用し、半導体素子を研削して薄型化して使用するといった従来方法では、使用する各部材の厚さによって製品全体の厚さが規定されるから、半導体装置の厚さを薄くしたとしても１ｍｍ程度の厚さとするのが限界であった。したがって、半導体装置全体の厚さをさらに薄くする必要がある場合には、従来方法ではほとんど不可能であり、半導体装置の小型化の要請に十分に応えることができない。また、最近の半導体装置では半導体素子を複数枚積み重ねて搭載する製品が多くなってきた。このような半導体素子を積み重ねる形式の半導体装置の場合も、効果的に薄型化できることが求められるようになってきた。
【０００６】
本発明はこれらの課題を解消すべくなされたものであり、その目的とするところは、基板に半導体素子を搭載して成る半導体装置において、半導体装置の全体の厚さを効果的に薄くして半導体装置の小型化に好適に対応することができる半導体装置およびその製造方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は次の構成を備える。
すなわち、配線パターンが設けられた基板に半導体素子を搭載し、半導体素子と前記配線パターンのボンディング部とをワイヤボンディングにより電気的に接続し、前記半導体素子を樹脂封止して形成する半導体装置の製造方法において、前記基板として、前記半導体素子を収容する搭載穴を厚さ方向に貫通して設けた基板を使用し、前記基板の一方の面に前記搭載穴の開口部を塞ぐ保護テープを貼着した後、前記搭載穴に半導体素子を位置合わせし、半導体素子の電極端子形成面を接着面側として前記保護テープに半導体素子を接着し、保護テープに半導体素子を支持した状態で半導体素子を裏面側から研削して半導体素子の厚さを薄くした後、前記樹脂封止を含む前記ワイヤボンディング以降の加工を施すことを特徴とする。
【０００８】
また、前記保護テープに半導体素子を支持した状態で半導体素子を裏面側から研削する際に、あわせて基板の他方の面側を研削して基板の厚さを薄くすることを特徴とする。これによって、半導体装置をさらに薄く形成することが可能となる。
また、前記半導体素子を裏面側から研削して半導体素子の厚さを薄くした後、基板の他方の面に他の保護テープを貼着し、基板の一方の面から保護テープを除去して、前記半導体素子の電極端子形成面を露出させ、該半導体素子の電極端子形成面に他の半導体素子を積み重ねて接合した後、前記各々の半導体素子と配線パターンのボンディング部とをワイヤボンディングすることを特徴とする。
【０００９】
また、前記基板として、第１の半導体素子を収容する搭載穴とボンディング部を露出させるボンディング穴を設けた基板を使用し、保護テープに第１の半導体素子を支持した状態で第１の半導体素子を裏面側から研削して半導体素子の厚さを薄くした後、前記第１の半導体素子の研削面上に第２の半導体素子を積み重ねて接合し、次いで、第２の半導体素子と前記ボンディング穴内で露出するボンディング部とをワイヤボンディングした後、前記基板の他方の面側を樹脂封止し、次に、前記保護テープを除去して前記第１の半導体素子の電極端子形成面を露出させ、前記第１の半導体素子と前記ボンディング部の露出面とをワイヤボンディングした後、前記基板の一方の面側に露出する前記第１の半導体素子の電極端子形成面およびボンディングワイヤを樹脂により封止することを特徴とする。
また、前記第１の半導体素子の研削面上に第２の半導体素子を積み重ねて接合した後、第２の半導体素子の電極端子形成面上にさらに他の半導体素子を積み重ねて接合し、前記第２の半導体素子と他の半導体素子とボンディング部とをワイヤボンディングによって接続した後、前記基板の一方の面側に露出する前記第１の半導体素子の電極端子形成面およびボンディングワイヤを樹脂により封止することを特徴とする。
【００１０】
また、前記半導体素子を樹脂封止した後、配線パターンのランド部に外部接続端子を接合することを特徴とする。これによって、外部接続端子つきの半導体装置として提供することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実施の形態を示す説明図である。以下、製造工程を順に説明する。
本実施形態では、半導体素子を搭載する基板１０としてテープ基板を使用する。図１(a)はポリイミド等の電気的絶縁性を有する絶縁性フィルム１２の一方の面に配線パターン１４を形成した基板１０を示す。絶縁性フィルム１２の片面に銅箔が被着されたテープ基板を被加工品とし、銅箔を所定のパターンにエッチングすることによって、所定の配線パターン１４を有する基板１０を得ることができる。
【００１２】
図１(a)に示す基板１０において、１４ａはボンディングワイヤを介して半導体素子と電気的に接続するためのボンディング部、１４ｂははんだボール等の外部接続端子を接合するランド部である。基板１０におけるこれらのボンディング部１４ａ、ランド部１４ｂ等の構成は、従来の半導体装置に用いられている基板の構成と同様である。図１(a)に示す基板１０において特徴的な構成は、基板１０に搭載する半導体素子の搭載位置に合わせて、絶縁性フィルム１２に半導体素子を収容する搭載穴１６を貫通させて設けたことにある。なお、ランド部１４ｂはランド部１４ｂとなる配線パターンが露出する開口穴を絶縁性フィルム１２に設けて形成されている。
【００１３】
搭載穴１６は、絶縁性フィルム１２に所定のパターンで配線パターン１４を形成した後、基板１０をプレス抜き加工することによって形成することができる。なお、プレス抜き加工によってあらかじめ絶縁性フィルム１２に搭載穴１６を形成した後、絶縁性フィルム１２の片面に銅箔を被着したテープ基板を被加工品として銅箔をエッチングすることにより、配線パターン１４および搭載穴１６が形成された基板１０を得ることができる。
テープ基板に設ける配線パターン１４は必ずしも１層のものに限られるものではない。層間に絶縁層を介することにより、配線パターン１４を多層に形成した基板１０を使用することもできる。
【００１４】
なお、図１では、説明上、基板１０で半導体素子を搭載する１単位部分を示しているが、実際に製造工程で取り扱う基板１０は、半導体素子を搭載する単位部分が縦横に多数個連接されたものである。
本実施形態で、図１に示す基板１０の厚さは絶縁性フィルム１２と配線パターン１４の厚さを合わせて５０〜８０μｍ程度である。
【００１５】
図１(b)は、半導体素子を搭載する前工程として、基板１０の配線パターン１４を形成した面の全面に保護テープ１８を貼着し、搭載穴１６の開口部を保護テープ１８によって塞いだ状態を示す。保護テープ１８は基板１０に設けた搭載穴１６内で半導体素子を仮に支持するためのものである。このため保護テープ１８としては、基板１０に貼着される面にあらかじめ接着層が設けられているものを使用する。
【００１６】
図１(c)は、基板１０の搭載穴１６に位置合わせして半導体素子２０を保護テープ１８に貼り付け、保護テープ１８を介して基板１０に半導体素子２０を支持した状態を示す。半導体素子２０は電極端子が形成されている面を保護テープ１８に接着する。通常使用されている半導体素子２０は、厚さ３００〜４００μｍ程度である。したがって、保護テープ１８に半導体素子２０を接着した状態で半導体素子２０の裏面側が搭載穴１６から外方に延出するようになる。
【００１７】
図１(d)は、本発明方法において特徴的な製造工程であり、半導体素子２０を裏面側から研削して半導体素子２０の厚さを薄くしたことを示す。この研削工程では、半導体素子２０を研削すると同時に基板１０の絶縁性フィルム１２を研削して半導体素子２０と基板１０の厚さをともに薄くする。これによって、半導体素子２０と基板１０の研削面は同一高さ面となる。本実施形態ではこの研削工程により基板１０と半導体素子２０の厚さを３０〜５０μｍ程度まで薄くした。半導体素子２０の裏面側には回路が形成されていないから、半導体素子２０を裏面側から研削して厚さを薄くすることは特性的に問題にならない。なお、半導体素子２０を研削する際に基板１０までも研削する必要がない場合には、半導体素子２０を基板１０と同程度の厚さまで研削することで止めてもよい。
【００１８】
図１（ｅ）は、次に、基板１０の外部接続端子を接合する面側に保護テープ２２を貼着し、基板１０の配線パターン１４を形成した面から保護テープ１８を剥離して除去した状態を示す。保護テープ１８を剥離することにより、半導体素子２０の電極端子を形成した面および基板１０の配線パターン１４を形成した面が露出する。
図１（ｆ）は、半導体素子２０と基板１０のボンディング部１４ａとの間をワイヤボンディングして配線パターン１４と半導体素子２０とを電気的に接続した状態を示す。２４がボンディングワイヤである。ワイヤボンディングの際のボンディングワイヤ２４の高さは０．１ｍｍ程度以下に設定する。
【００１９】
図１（ｇ）は、保護テープ２２によって半導体素子２０が搭載された基板１０の片面側を全面にわたって樹脂封止した状態を示す。封止樹脂２６により、半導体素子２０およびボンディングワイヤ２４および配線パターン１４が完全に封止される。本実施形態では封止樹脂２６を厚さを０．３ｍｍ以下とした。
図１（ｈ）は、図１（ｇ）に示す状態から保護テープ２２を剥離して除去した状態を示す。基板１０に半導体素子２０を搭載した後、基板１０の外部接続端子を接合する面側を保護テープ２２により全面にわたって被覆して樹脂封止したことにより、封止樹脂２６が搭載穴１６内に入り込み、半導体素子２０は研削面のみ外部に露出した状態で樹脂封止される。図１（ｈ）に示した状態で基板１０と半導体素子２０は封止樹脂２６によって一体に支持され、単体のパッケージとして提供することが可能となる。
【００２０】
図１（ｉ）は、ランド部１４ｂに外部接続端子２８としてのはんだボールを接合した状態である。外部接続端子２８の高さは０．１５ｍｍ程度である。
外部接続端子２８を接合した後、基板１０を半導体装置ごとに個片に分割することによって単体の半導体装置が得られる。
【００２１】
本実施形態の製造方法によって得られた半導体装置の厚さは、基板１０と封止樹脂２６の厚さおよび外部接続端子２８の高さを合わせて０．５ｍｍ以下となる。このように半導体装置全体の厚さを薄く形成できたのは、できるだけ薄い基板１０を使用すること、封止樹脂２６の厚さを薄くすること、外部接続端子２８の高さを低くしたことはもちろんであるが、半導体素子２０の厚さを薄くするため半導体素子２０を研削して薄型化したことと、基板１０に設けた搭載穴１６に半導体素子２０を収容して、半導体素子２０の厚さを基板１０の厚さ内に吸収する構成としたことによる。
また、上記製造方法によって得られた半導体装置は、半導体素子２０の裏面が外部に露出しているから、半導体素子２０からの熱放散性が良好になるという利点もある。
なお、本実施形態ではランド部１４ｂに外部接続端子２８を接合する構成としたが、ＬＧＡのように、ランド部１４ｂに外部接続端子２８を接合せずに製品とする場合は、さらに半導体装置を薄く形成することができる。
また、本実施の形態においては基板１０として絶縁性フィルム１２を基材とするテープ基板を使用したが、基板は樹脂基板以外の基板を使用することも可能である。
【００２２】
なお、上記実施形態においては、基板１０に１枚の半導体素子２０を搭載して半導体装置を形成したが、上記製造方法において基板１０に２枚以上の半導体素子を搭載して半導体装置とすることも可能である。
図２は、２枚の半導体素子２０ａ、２０ｂを第１の半導体素子２０ａの上に第２の半導体素子２０ｂを積み重ねるように接合して搭載した例である。この実施形態の半導体装置を製造する場合は、図１（ｅ）において基板１０の下面に保護テープ２２を貼着して、保護テープ１８を除去し、半導体素子２０ａの電極端子形成面を露出させた状態で、第２の半導体素子２０ｂを半導体素子２０ａの上に接合して搭載する。この場合、第２の半導体素子２０ｂは第１の半導体素子２０ａの電極配置に干渉しないよう第１の半導体素子２０ａよりも小型のものを使用する。
【００２３】
第１の半導体素子２０ａに第２の半導体素子２０ｂを接合した後は、通常のワイヤボンディング法によって各々の半導体素子２０ａ、２０ｂとボンディング部１４ａとをワイヤボンディングすればよい。ワイヤボンディング後は、図１（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）と同様な方法で半導体素子２０ａ、２０ｂを樹脂封止し、外部接続端子２８を接合することにより、図２に示すような２枚の半導体素子２０ａ、２０ｂを積み重ねて搭載した半導体装置を得ることができる。
【００２４】
図３は、本発明に係る半導体装置の製造方法の第２の実施の形態を示す説明図である。本実施形態では基板に２枚の半導体素子を積み重ねて搭載する。
図３(a)は、テープ基板からなる基板１０に半導体素子２０を搭載する搭載穴１６を設け、基板１０の外部接続端子を接合する面に保護テープ１８を貼着した状態を示す。基板１０は絶縁性フィルム１２の一方の面に配線パターン１４を設け、ボンディング部１４ａとランド部１４ｂとを露出させて、基板１０の配線パターン１４を設けた面をソルダーレジスト１３によって被覆したものである。
【００２５】
本実施形態では基板１０に半導体素子を積み重ねて搭載し、各々の半導体素子とボンディング部とをワイヤボンディングによって電気的に接続する方法として、基板１０に設けたボンディング部１４ａに基板１０の上面と下面の双方からワイヤボンディングして接続する方法によっている。すなわち、半導体素子２０を収容する搭載穴１６の周囲に半導体素子２０と電気的に接続されるボンディング部１４ａを搭載穴１６を囲むように配置し、これらのボンディング部１４ａの配置に合わせて絶縁性フィルム１２にボンディング穴１７を設けることによりボンディング部１４ａの上面をボンディング穴１７内で露出させ、基板１０の下面ではボンディング部１４ａの下面を露出させるようにソルダーレジスト１３を設けている。
【００２６】
図３(b)は、基板１０の搭載穴１６に位置合わせして第１の半導体素子２０ａの電極端子形成面を保護テープ１８に貼り付け、保護テープ１８を介して基板１０に半導体素子２０ａを支持した状態である。
図３(c)は、半導体素子２０ａの裏面側を研削して半導体素子２０ａの厚さを薄くするとともに、基板１０の絶縁性フィルム１２を研削して基板１０の厚さを薄くした状態である。上述した第１の実施形態の場合と同様に、半導体素子２０ａの研削面と絶縁性フィルム１２の研削面が同一高さ面となる。実施形態では研削後の状態で、半導体素子２０ａと絶縁性フィルム１２の厚さを５０μｍ程度とした。
【００２７】
図３(d)は、半導体素子２０ａと絶縁性フィルム１２とを研削した後、第１の半導体素子２０ａに第２の半導体素子２０ｂを積み重ねるようにして接合し、第２の半導体素子２０ｂと配線パターン１４のボンディング部１４ａとをワイヤボンディングして電気的に接続した状態を示す。第２の半導体素子２０ｂは電極端子形成面を外面側として裏面を第１の半導体素子２０ａの裏面に接合して積み重ねる。第２の半導体素子２０ｂは第２の半導体素子２０ａの裏面に接合するから第１の半導体素子２０ａと第２の半導体素子２０ｂとは同一の大きさのものが使用できる。第２の半導体素子２０ｂは接合前にあらかじめ裏面を研削して５０μｍ程度の厚さに形成したものを使用する。
【００２８】
第２の半導体素子２０ｂとボンディング部１４ａとのワイヤボンディングは、ボンディング穴１７内で露出しているボンディング部１４ａの上面にワイヤボンディングする操作となる。絶縁性フィルム１２は研削により薄く形成されているから、ボンディング穴１７の開口面積を適当に設定することにより、従来のボンディングツールを用いて容易にワイヤボンディングすることができる。
【００２９】
図３（ｅ）は、基板１０の半導体素子２０ａ、２０ｂが搭載された面側を全面にわたって樹脂封止した状態を示す。半導体素子２０ａ、２０ｂは保護テープ１８によって支持された状態で樹脂封止され、封止樹脂２６によって半導体素子２０ａ、２０ｂおよびボンディングワイヤ２４が封止される。
図３（ｆ）は、樹脂封止後に、保護テープ１８を基板１０から剥離し、第１の半導体素子２０ａとボンディング部１４ａとをワイヤボンディングにより電気的に接続した状態を示す。保護テープ１８を基板１０から剥離することにより半導体素子２０ａの電極端子形成面とボンディング部１４ａの下面が露出する。半導体素子２０ａとボンディング部１４ａとは通常のワイヤボンディング法によって電気的に接続することができる。
【００３０】
図３（ｇ）は、半導体素子２０ａとボンディング部１４ａとをワイヤボンディングした後、半導体素子２０ａの電極端子形成面とボンディングワイヤ２４とボンディング部１４ａの露出部分を樹脂３０によって封止し、ランド部１４ｂに外部接続端子２８を接合して半導体装置とした状態を示す。樹脂３０によって封止する操作はポッティング等による。
【００３１】
本実施形態の製造方法によれば、第１の半導体素子２０ａについては基板１０に設けた搭載穴１６に収容して搭載する方法としたことによって、効果的に半導体装置の全体の厚さを薄くすることが可能となった。また、第１の半導体素子２０ａについては基板１０の下面側からボンディング部１４ａにワイヤボンディングし、第２の半導体素子２０ｂについては基板１０の上面側からボンディング部１４ａにワイヤボンディングする構成としたことにより、半導体素子を積み重ねて搭載した半導体装置でなおかつ半導体装置の厚さを効果的に薄くすることが可能となっている。本製造方法によれば、封止樹脂２６の厚さを薄くし、外部接続端子２８に高さを低くすることによって０．６ｍｍ程度の厚さ以内で半導体装置を製造することが可能となる。
【００３２】
なお、上記実施形態で基板１０に搭載した半導体素子は２枚であるが、３枚以上の半導体素子を搭載することも可能である。
図４は、上記実施形態と同様な方法により基板１０に３枚の半導体素子２０ａ、２０ｂ、２０ｃを搭載した半導体装置を示す。この実施形態の半導体装置を製造する場合は、図３（ｃ）に示すように第１の半導体素子２０ａの裏面を研削した後、第２の半導体素子２０ｂを第１の半導体素子２０ａに接合し、さらに第３の半導体素子２０ｃを第２の半導体素子２０ｂに接合する。第３の半導体素子２０ｃは第２の半導体素子２０ｂの電極端子形成面に接合するから、第２の半導体素子２０ｂの電極と干渉しないよう第３の半導体素子２０ｃは第２の半導体素子２０ｂよりも小さな素子を使用する。
【００３３】
第２の半導体素子２０ｂに第３の半導体素子２０ｃを接合した後、第２の半導体素子２０ｂおよび第３の半導体素子２０ｃとボンディング部１４ａとをワイヤボンディングによって電気的に接続する。半導体素子２０ｂ、２０ｃを積み重ねた状態でボンディング部１４ａとワイヤボンディングする方法は従来方法と同様である。
半導体素子２０ｂ、２０ｃとボンディング部１４ａとをワイヤボンディングした後は、図３（ｅ）に示すように、基板１０の片面側を樹脂封止し、半導体素子２０ａ、２０ｂ、２０ｃを封止樹脂２６によって封止した後、図３（ｆ）、（ｇ）に示すと同様に保護テープ１８を剥離して除去し、第１の半導体素子２０ａとボンディング部１４ａとをワイヤボンディングし、第１の半導体素子２０ａ、ボンディングワイヤ２４を樹脂３０によって封止し、ランド部１４ｂに外部接続端子２８を接合することによって図４に示す半導体装置を得ることができる。
【００３４】
図４に示すように、半導体素子を３枚以上積み重ねるようにして搭載した半導体装置の場合も、本発明に係る半導体装置の構成によれば、基板の厚さによって半導体素子の厚さを吸収することができ、効果的に半導体装置の厚さを薄くすることが可能となる。そして、本発明に係る半導体装置によれば、従来の基板に半導体素子を搭載した半導体装置の２分の１程度の厚さにまで薄くすることが可能となり、電子装置の小型化に好適に対応することが可能になる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置およびその製造方法によれば、上述したように、半導体装置の薄型化を好適に図ることができ、これによって電子装置の小型化に好適に対応することができる半導体装置として提供することができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実施形態を示す説明図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の第２の実施形態を示す説明図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の他の実施形態を示す断面図である。
【符号の説明】
１０  基板
１２  絶縁性フィルム
１３  ソルダーレジスト
１４  配線パターン
１４ａ  ボンディング部
１４ｂ  ランド部
１６  搭載穴
１７  ボンディング穴
１８、２２  保護テープ
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ  半導体素子
２４  ボンディングワイヤ
２６  封止樹脂
２８  外部接続端子
３０  樹脂
【図１】
0003689355.tif 000002
【図２】
0003689355.tif 000003
【図３】
0003689355.tif 000004
【図４】
0003689355.tif 000005