(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザをパルス電流で駆動してレーザ光を出射させて光記録媒体に照射し、該光記録媒体により反射された光を受光して信号を再生する光ピックアップ装置であって、
該パルス電流が継続している間に該光記録媒体で反射された光が該半導体レーザに戻ってくるように構成され、
該パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚおよびデューティー５０％以下の重畳パルスを用いて該半導体レーザが駆動され、
該半導体レーザの主出射面側の反射率を、緩和振動数、装置の光路長、パルス電流の周波数、パルス電流の幅およびパルス電流の振幅に応じて、スクープが２００％以下になるように設定してある、光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記半導体レーザがダブルヘテロ構造で、共振器長が５００μｍ、装置の光路長が２０ｍｍ以上、パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚである場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を１７％以上２１％以下とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記半導体レーザがマルチカンタムウェル構造で、共振器長が８００μｍ、装置の光路長が２０ｍｍ以上、パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚである場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を１０％以上１５％以下とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記半導体レーザがマルチカンタムウェル構造で、共振器長が６００μｍ、装置の光路長が２０ｍｍ以上、パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚである場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を１０％以上１５％以下とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク等の光記録媒体に情報を記録し、または記録された情報を再生する光ピックアップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の光ピックアップ装置として、例えば図３に示すようなものが知られている。この光ピックアップ装置は、レーザ光源１と、コリメートレンズ２と、偏光ビームスプリッター３と、１／４波長板４と、対物レンズ５と、ディテクターレンズ（集光レンズ）７と、受光素子８とを備えている。
【０００３】
この光ピックアップ装置において、レーザ光源１からの出射光（往路光９）は、コリメートレンズ２により平行光線とされ、偏光ビームスプリッター３を透過する。そして、１／４波長板４によって偏光方向が４５゜変化され、対物レンズ５によって光記録媒体６に集束される。光記録媒体６により反射された光信号（復路光１０）は、１／４波長板４によって偏光方向が再度４５゜変化されて元の光から９０゜変化する。そして、偏光ビームスプリッター３によって反射され、ディテクターレンズ７によって受光素子８に集束される。この受光素子８により光信号が電気信号に変換されて記録が再生される。
【０００４】
さらに、従来技術として、図４に示すようなものも知られている。この光ピックアップ装置は、レーザ光源１と、コリメートレンズ２と、対物レンズ５と、受光素子８と、回折格子１１、１２とを備えている。
【０００５】
この光ピックアップ装置において、光源１からの出射光（往路光９）は、回折格子１２によって記録、再生信号用の０次光とトラッキング誤差検出用の±１次光に分離される。また、光記録媒体６から反射された光信号（復路光１０）は、回折格子１１によって受光素子８に集束される。そして、受光素子８により光信号が電気信号に変換されて記録が再生されるときに、フォーカス誤差とトラッキング誤差が修正される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図３に示した従来の光ピックアップ装置においては、光記録媒体６からの反射光をレーザ光源１に戻り難くするために、１／４波長板４と偏光ビームスプリッター３とディテクターレンズ７といった部品が必要になる。このように部品点数が増えると、光ピックアップ装置の組み立て調整が困難となり、装置の小型化および軽量化を図ることができないという問題がある。
【０００７】
また、図４に示した従来の光ピックアップ装置においては、光記録媒体６から反射された光信号がレーザ光源１に戻ってくる構造を取っている。よって、光記録媒体６に情報を記録するために、レーザ端面反射率が低い高出力のレーザ光源１を用いた場合、光記録媒体６から反射された光信号がレーザ光源１の内部に入ってレーザ内部で増幅されるため、ノイズやスクープ等の悪影響が生じる。なお、スクープは、光記録媒体６からの戻り光が無い状態でのレーザ光源１による光出力をＰ１、光記録媒体６からの戻り光がある状態でのレーザ光源１による光出力をＰ２とした場合、スクープ＝Ｐ２／Ｐ１（％）で表される。
【０００８】
さらに、図３および図４に示した従来の光ピックアップ装置においては、いずれの構成でも、レーザ光源１をパルス電流で駆動し、レーザ光源１が光っていない状態のときに光記録媒体６からの反射光が戻ってくるように、重畳パルスの形状と光ピックアップ装置の光路長とを調整するため、これらの設定が困難であった。
【０００９】
本発明はこのような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、光ディスク等の光記録媒体から反射光が半導体レーザに戻ってくる光ピックアップ装置において、レーザ内部への光の進入を緩和してノイズやスクープを減らすことができ、部品点数を減らして小型化および軽量化を図ることができ、さらに、重畳パルス条件や光路長の調整が容易な光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の光ピックアップ装置は、半導体レーザをパルス電流で駆動してレーザ光を出射させて光記録媒体に照射し、該光記録媒体により反射された光を受光して信号を再生する光ピックアップ装置であって、該パルス電流が継続している間に該光記録媒体で反射された光が該半導体レーザに戻ってくるように構成され、該パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚおよびデューティー５０％以下の重畳パルスを用いて該半導体レーザが駆動され、該半導体レーザの主出射面側の反射率を、緩和振動数、装置の光路長、パルス電流の周波数、パルス電流の幅およびパルス電流の振幅に応じて、スクープが２００％以下になるように設定してあり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１１】
前記半導体レーザがダブルヘテロ構造で、共振器長が５００μｍ、装置の光路長が２０ｍｍ以上、パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚである場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を１７％以上２１％以下とすることができる。
【００１２】
前記半導体レーザがマルチカンタムウェル構造で、共振器長が８００μｍ、装置の光路長が２０ｍｍ以上、パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚである場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を１０％以上１５％以下とすることができる。
【００１３】
前記半導体レーザがマルチカンタムウェル構造で、共振器長が６００μｍ、装置の光路長が２０ｍｍ以上、パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚである場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を１０％以上１５％以下とすることができる。
【００１４】
以下に、本発明の作用について説明する。
【００１５】
本発明にあっては、半導体レーザより出射された光が光記録媒体に照射され、光記録媒体に反射された光が半導体レーザに戻ってくる構成の光ピックアップ装置において、レーザ出射面側の反射率を高くして、半導体レーザ内部に光が入り難くする。よって、光ディスク等の光記録媒体に情報を記録するために用いられるような高出力レーザにおいて、図４に示した従来例と同様に、半導体レーザに光が戻ってくる構成としても、スクープ率を低減可能である。
【００１６】
半導体レーザの主出射面側の反射率は、レーザチップの構造および共振器長から決まる緩和振動数と、光ピックアップ装置の光路長と、重畳パルス電流の周波数、幅および振幅に応じて、スクープが２００％以下になるように設定することができる。スクープが２００％を超えると、光記憶媒体に合焦した時の戻り光量が増大し、レーザノイズが発生しやすく、ＬＤパワーも増大するため、３Ｔ〜１１Ｔの信号振幅比率が崩れる等の問題が発生するからである。
【００１７】
このように、光記録媒体に反射された光が半導体レーザに戻ってくる構成では、図３に示した従来例のように１／４波長板や偏光ビームスプリッタ、ディテクターレンズ等の部品が不要であるので、組立調整が容易で装置の小型化および軽量化を図ることが可能である。
【００１８】
さらに、パルス電流が継続して半導体レーザが光っている状態で光記録媒体から反射光が戻ってきても、光を内部に入り難くすることができる。よって、図３および図４に示した従来例のように、レーザ光源が光っていない状態のときに光記録媒体から反射光が戻ってくるように重畳パルスの形状や光路長の調整を行う必要がなく、重畳パルス条件や光路長の調整が容易である。
【００１９】
例えば、半導体レーザがダブルヘテロ構造で、共振器長が５００μｍ、装置の光路長が２０ｍｍ以上、パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚである場合、半導体レーザの主出射面側の反射率を１７％以上２１％以下とする。半導体レーザの主出射面側の反射率が６％未満の場合には、スクープが２００％を超えるからである。
【００２０】
また、半導体レーザがマルチカンタムウェル構造で、共振器長が８００μｍ、装置の光路長が２０ｍｍ以上、パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚである場合、半導体レーザの主出射面側の反射率を１０％以上１５％以下とする。半導体レーザの主出射面側の反射率が１０％未満の場合には、スクープが２００％を超えるからである。
【００２１】
さらに、半導体レーザがマルチカンタムウェル構造で、共振器長が６００μｍ、装置の光路長が２０ｍｍ以上、パルス電流の周波数が１５０〜２５０ＭＨｚである場合に、半導体レーザの主出射面側の反射率を１０％以上１５％以下とする。半導体レーザ素子の主出射面側の反射率が１０％未満の場合には、スクープが２００％を超えるからである。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
図１は本発明の一実施形態である光ピックアップ装置である。
【００２４】
この光ピックアップ装置は、レーザ光源１と、レーザ光源１からトラッキング誤差検出信号を発生させるための回折格子１２と、レーザ光源１から出射された光９を平行光にするためのコリメートレンズ２と、この平行光を光ディスク等の光記録媒体６に集束させるための対物レンズ５と、光記録媒体６により反射された光信号を受光素子８に回折するための回折格子１１と、回折格子１１により回折された光信号を電気信号に変換するための受光素子８を備えている。この構成では、図４に示した従来の光ピックアップ装置と同様に、光記録媒体６により反射された光がレーザ光源１に戻ってくる。
【００２５】
この光ピックアップ装置は、図２に示すようにしてスクープを測定することができる。
【００２６】
ここでは、レーザ光源１から出射された光を回折する回折格子１５と、回折格子１５によって回折された光１３を受光素子１６に反射させるための反射鏡１４と、回折光１３の光信号を電気信号に変換するための受光素子１６が設けられている。
【００２７】
そして、光記録媒体６からの戻り光が無い状態でのレーザ光源１による光出力Ｐ１、および光記録媒体６からの戻り光がある状態でのレーザ光源１による光出力Ｐ２から、
スクープ＝Ｐ２／Ｐ１（％）
によってスクープを求めることができる。
【００２８】
本実施形態の光ピックアップ装置においては、光路長を２０ｍｍ以上に設定し、周波数１５０〜２５０ＭＨｚ、Ｄｕｔｙ５０％以下、および振幅６０ｍＡ以上の重畳パルスを用いて、レーザ光源１の構造、共振器長Ｌおよび主出射面の反射率Ｒｆを下記表１に示すように設定することにより、スクープを２００％以下にすることが可能である。
【００２９】
【表１】
0003620822.tif 000002
【００３０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、半導体レーザをパルス電流で駆動して出射させたレーザ光を光記録媒体に照射し、光記録媒体により反射された光が半導体レーザに戻ってくる構成の光ピックアップにおいて、半導体レーザの主出射面側の反射率を高くすることにより、レーザ内部への戻り光の進入を緩和することができるので、レーザノイズおよびスクープ現象を低減することができる。また、従来の光ピックアップ装置に比べて部品点数を削減することができるので、組立調整が容易で低コスト化を図ることができ、しかも光ピックアップ装置の小型化および軽量化を図ることができる。さらに、パルス電流が継続している間に半導体レーザに光が戻ってきてもよいので、従来の光ピックアップ装置に比べて重畳パルスの条件や光路長の調整を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である光ピックアップ装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態である光ピックアップ装置において、スクープを測定する場合の構成を示す断面図である。
【図３】従来の光ピックアップ装置の構成を示す断面図である。
【図４】従来の他の光ピックアップ装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  レーザ光源
２  コリメートレンズ
３  偏光ビームスプリッター
４  １／４波長板
５  対物レンズ
６  光記録媒体
７  集光レンズ
８、１６  信号検出用受光素子
９  往路光
１０  復路光
１１  回折格子
１２  回折格子（３ビーム生成用）
１３  回折光
１４  反射鏡
１５  回折格子（スクープ測定用）
【図１】
0003620822.tif 000003
【図２】
0003620822.tif 000004
【図３】
0003620822.tif 000005
【図４】
0003620822.tif 000006