(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部磁気コアを形成し、その上にギャップ膜を形成する工程と、
前記ギャップ膜の上に上部磁気コアの先端部を形成する工程と、
その後保護膜を被覆し、前記上部磁気コアの先端部を前記保護膜で埋め込んだ後、ケミカルメカニカルポリッシングにより前記上部磁気コアの先端部の表面を露出させて前記保護膜を平坦化する工程と、
平坦化された前記保護膜の上にコイル及び絶縁膜を形成する工程と、
ネガレジストを塗布し、前記ネガレジストの露光・現像によりフレームを形成する工程と、
前記フレームを用いてめっき法により前記上部磁気コアの先端部の一部と前記絶縁膜上に、上部磁気コアの後部を媒体対向面に露出しないように形成する工程とを有し、
媒体対向面と前記上部磁気コアの後部の端部との距離は０．２〜１．５μｍである磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１の磁気ヘッドの製造方法において、
前記保護膜はＡｌ2Ｏ3である磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項１乃至請求項２のいずれかの磁気ヘッドの製造方法において、
前記保護膜は上部磁気コアの先端部の媒体対向面と反対側の端面に接し、前記コイルと前記ギャップ膜の間に形成される磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
下部磁気コアを形成し、その上にギャップ膜を形成する工程と、
前記ギャップ膜の上に上部磁気コアの先端部を形成する工程と、
前記上部磁気コアの先端部を形成する工程後Ａｌ2Ｏ3又はＳｉＯ2を堆積し、ケミカルメカニカルポリッシングで研磨し、Ａｌ2Ｏ3又はＳｉＯ2膜を形成する工程と、
前記Ａｌ2Ｏ3又はＳｉＯ2膜の上にコイル及び絶縁膜を形成する工程と、
前記コイル及び絶縁膜を形成する工程後ネガレジストを塗布し、露光・現像してフレームを形成する工程と、
前記フレームを用いてめっき法により前記上部磁気コアの先端部の一部と前記絶縁膜上に、上部磁気コアの後部を媒体対向面に露出しないように形成する工程とを有し、
前記Ａｌ2Ｏ3又はＳｉＯ2膜を形成する工程において、前記上部磁気コアの先端部の上に堆積されたＡｌ2Ｏ3又はＳｉＯ2は除去され、
媒体対向面と前記上部磁気コアの後部の端部との距離は０．２〜１．５μｍである磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項４の磁気ヘッドの製造方法において、
前記Ａｌ2Ｏ3又はＳｉＯ2膜と媒体対向面との間に前記上部磁気コアの先端部は形成され、
前記Ａｌ2Ｏ3又はＳｉＯ2膜と前記上部磁気コアの先端部の上面は平坦に合わせられている磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかの磁気ヘッドの製造方法において、
前記上部磁気コアの後部の端部と媒体対向面との間の距離は,ギャップ深さを決定する位置と媒体対向面との間の距離よりも小さい磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかの磁気ヘッドの製造方法において、
前記上部磁気コアの先端部の飽和磁束密度（Ｂｓ）は、前記上部磁気コアの後部の飽和磁束密度（Ｂｓ）より大きい磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかの磁気ヘッドの製造方法は、さらに  再生ヘッドを形成する工程とを有し、
前記再生ヘッドのシールドは前記下部磁気コアと兼用される磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置等の記録・再生に用いられる薄膜磁気ヘッド及びそれを搭載した磁気ディスク装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置では、記録媒体上のデータは磁気ヘッドによって読み書きされる。磁気ディスクの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面記録密度を高密度化する必要がある。面記録密度向上の方法は、トラック密度と、線記録密度を向上させることである。このうちトラック密度向上のためには、磁気ヘッドのトラック幅を微細，高精度化する必要がある。トラック幅が狭くなると、再生出力が小さくなるため、再生ヘッドを現在、広く用いられている磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）から巨大磁気抵抗効果型ヘッド（ＧＭＲヘッド）にする必要がある。
【０００３】
記録ヘッドのトラック部分を含む磁気コア形成方法としては、イオンミリング等のドライエッチングを用いる方法及びフレームめっき法を用いることが広く知られている。
【０００４】
イオンミリング等のドライエッチングを用いる方法では、パーマロイ等の磁性膜をスパッタリングで形成した後、ホトリソグラフィーにより該磁性膜上にレジストのパターンを形成する。次に該レジストのパターンをマスクとして該磁性膜にイオンミリング等のドライエッチングを施す。これにより、上部磁気コアを形成する。
【０００５】
一方、フレームめっき法では、めっき用の下地膜が形成された基板上に、ホトリソグラフィーによりレジストのフレームを形成し、その後該フレームが形成された基板上にパーマロイ等の磁性膜をめっきしする。次にホトリソグラフィーにより該フレームで囲まれた領域をレジストでマスクして、ウエットエッチングにより不要な磁性膜を除去し、磁気コアを形成する。
【０００６】
前述したように磁気ディスク装置の高記録密度化を達成するためには、磁気ヘッドの狭トラック化及び高精度化を図る必要がある。また、一方、磁気コア先端部であるトラック部分での磁気的飽和を避けるためには、磁気コアの膜厚を厚くする必要があり、その膜厚は、２から数μｍが必要である。しかしながら、このような厚い膜をイオンミリング等のドライエッチングを用いる方法では、ホトリソグラフィーによって形成されたレジストパターンの寸法バラツキに、当該レジストパターンをマスクとして磁性膜をドライエッチングする際の寸法バラツキが重畳されるため、上部磁気コアを高精度に形成することができない。この点、フレームめっき法では、レジストフレームの寸法精度がそのまま上部磁気コアの寸法精度のバラツキになるので、寸法精度の点で、イオンミリング等のドライエッチングを用いる方法に比べて有利である。
【０００７】
レジストフレームに用いるレジストはめっき膜厚以上必要であるため、レジスト膜厚は、半導体素子の製造で用いられている膜厚、約１μｍよりもはるかに厚く、最低でも２〜３μｍから１０μｍもの膜厚が必要である。露光装置であるミラープロジェクションアライナやステッパでは、パターンの解像度（Ｒ）はレンズの開口数（ＮＡ），露光波長（λ）及び定数（ｋ1）を用いて、
Ｒ＝ｋ1・λ／ＮＡ
で表わされる。さらに焦点深度（ＤＯＦ）は、定数（ｋ2）を用いて、
ＤＯＦ＝ｋ2・λ／ＮＡ2
と表わされる。これらの式から分かるように、解像度を上げるためには露光波長を短くし、レンズの開口数を高める必要がある。しかし、このとき焦点深度は浅くなってしまう。このためパターンを微細化するためには、波長を短波長化し、レンズの開口数を大きくし、レジスト膜厚を薄膜化する必要がある。または、同じ解像度を得ながら、必要な焦点深度を得るためには、波長を短波長化し、レンズの開口数を小さくする必要がある。広く用いられている高圧水銀ランプを光源とするとき、ｇ線(波長：４３６ｎｍ)を用いて露光した場合、レジスト膜厚が８μｍにおいて、２.０μｍまで解像できる。波長の短いｉ線(波長：３６５ｎｍ）の場合、８μｍのレジスト膜厚で１.３μｍまで解像できる。ｉ線の場合、レジスト膜厚を１μｍ以下まで薄膜化することにより、０.５μｍまで解像可能となるが、フレームとしてのレジスト膜厚が不足するため、磁気コアの形成に用いることはできない。
【０００８】
特開平7−296328 号公報には、二酸化珪素膜上に膜厚０.７〜０.８μｍのレジスト層を形成し、エッチングを行うことによりノッチ構造体を形成し、その部分に磁性膜を形成することにより記録ヘッドのトラック幅を画定する方法が開示されている。しかし、特開平7−296328 号公報の発明では、レジストパターンをマスクにエッチングを行うため、レジストパターンの寸法精度のばらつきにエッチングでの精度のばらつきが重畳され精度が悪くなる。また、上部磁極層の磁極端部が媒体対向面に現れ、この上部磁極層の磁極端部から漏れる磁束により、磁化信号を書き込み、あるいは消してしまい、実効トラック幅が大きくなる問題がある。
【０００９】
この問題の解決の為に上部磁極層の磁極端部を媒体対向面に現れないようにフレームめっき法により形成する場合には、図１に示すようにコイル絶縁膜からのハレーションによってフレームが形成できない問題があることが分かった。この問題を解決する方法として、特開平6−20227号公報には後部のフレームをネガレジストを用いて形成する方法が開示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平6−20227号公報の発明では、コイル絶縁膜の段差を形成後、先端部の形成を行うため、レジスト膜厚がコイル絶縁膜の段差の下で厚くなるため、１.５μｍ 程度のレジストパターン形成を行うことは困難である。また、トラック幅が１.５μｍ 程度に狭小化すると狭い部分で磁気的飽和が起こることにより媒体対向面に磁界が出にくくなるい問題が生じる。また、磁気ディスク装置のデータの転送速度を向上するためには、記録ヘッドの高周波での特性の改善が必要である。そのためには上部磁気コアの材料を最適化し、例えば磁区がトラック幅方向を向き、かつ渦電流損失低減のために比抵抗率を大きくする等の必要がある。一方、前述のように先端部での磁気的飽和を避けるためには、高飽和密度の材料を使う必要があり、これらの要求の満足する材料を探索することは困難である。
【００１１】
そのため１.５μｍ 以下の狭トラック幅をもつ、あるいはデータの高速転送にも対応した記録再生分離型薄膜磁気ヘッドとそれを搭載した面記録密度５Ｇbit／in2 以上の磁気ディスク装置を作製できなかった。
【００１２】
本発明の目的は１μｍ以下の狭トラック幅をもち、あるいはデータの高速転送にも対応した記録再生分離型薄膜磁気ヘッドを用いた面記録密度５Ｇbit／in2以上の磁気ディスク装置を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、面記録密度が５Ｇbit／in2以上の磁気ディスク装置であって、巨大磁気抵抗効果を用いた再生ヘッドと、上部磁気コアが先端部と後部からなり、該上部磁気コアのトラック幅が１.５μｍ 以下でかつ該先端部と該後部の接合の端部の位置が媒体対向面からギャップ深さを決定する位置の間にある記録用薄膜磁気ヘッドと備えたことを特徴とする磁気ディスク装置である。
【００１４】
本発明は、転送速度が５０ＭＨｚ以上の磁気ディスク装置であって、磁気抵抗効果または巨大磁気抵抗効果を用いた再生ヘッドと、上部磁気コアが先端部と後部からなり、該上部磁気コアの該先端部と該後部の接合の端部の位置が媒体対向面からギャップ深さを決定する位置の間にある記録用薄膜磁気ヘッドを備えたことを特徴とする磁気ディスク装置である。
【００１５】
さらに前記上部磁気コアの前記後部をフレームめっき法で形成し、該フレームがネガレジストまたは電子線描画用レジストで形成されている薄膜磁気ヘッドを備えている。
【００１６】
また、前記上部磁気コアの前記先端部が飽和磁束密度（Ｂｓ）が１.５Ｔ 以上の磁性膜を含むことを特徴とする。後部の飽和磁束密度は、先端部の飽和磁束密度とは異なっても良い。
【００１７】
さらに、製造方法として、前記上部磁気コアの先端部を形成後、該上部磁気コアの先端部を非磁性保護膜により被覆し、該非磁性保護膜を上方より該上部磁気コアが露出するまで除去することによって、上部磁気コアの後部との磁気的結合を得る。前記非磁性保護膜のエッチング方法が、研磨またはドライエッチングによるエッチバック法である。
【００１８】
前記エッチバックを行うためのドライエッチング用ガスとして、ＣＦ4，C4F8 ，ＣＨＦ3，ＢＣｌ3，Ｃｌ2，ＳｉＣｌ4，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ及びＸｅのうち一種以上のガスを用いることを特徴とする。
【００１９】
前述のように磁気ディスク装置の高記録密度化のためには、磁気ヘッドの狭トラック化が必須である。狭トラック化のためには、微細レジストパターンを形成する必要があり、微細レジストパターンを形成するために、レジストを露光する光の波長は、水銀ランプのｇ線（波長：４３６ｎｍ）から波長の短いｉ線（波長：３６５ｎｍ）を用いるようになり、さらに波長の短いＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を用いている。前述のように解像度と焦点深度を得るためには露光する光の波長を短波長化し、レンズの開口数（ＮＡ）を低くする必要がある。しかしながら、３μｍ以上の膜厚のレジストを用いて０.５μｍ 以下のパターンを形成するのは難しく、上部磁気コアを形成できない。そこで、上部磁気コアの先端部のみを先に形成し、続いて後部を形成する方法を行う場合、後部を媒体対向面に露出すると露出した部分から漏えいする磁界による磁化信号の書き込み等の問題がある。一方、後部領域を媒体対向面に現れないようにする場合には、コイル絶縁膜からのハレーションによってフレームが形成できない問題がある。図１にポジレジストを用いてフレームを形成する場合のハレーションの概略を示す。
【００２０】
このため、上部磁気コアの後部を形成するためのフレームにネガレジストを用いるか或いは電子線描画用のレジストを用いることによって、ハレーションの問題が無いことを見いだした。ネガレジストの場合は光が当った部分のレジストのパターンが残るため、フレームとして残る部分に光を照射し、コイル絶縁膜の斜面部からの反射光は、フレームとして残る部分にあたるため、図１に示すようなフレームがえぐれる問題は起こらない。この概略を図２に示す。このようなレジストとして、東京応化工業（株）より、ＴＳＭＲ−ｉＮ０１０等が入手可能である。また、電子線レジストでは、コイル絶縁膜の斜面部から反射する電子の動く距離が短いため、ポジレジストでもフレームのくびれの問題無く、もちろんネガレジストでも前述の理由で問題無くフレームを形成できる。電子線レジストとしては、例えばシプレイ・ファーイースト（株）よりSAL601が入手可能である。
【００２１】
先端部の形成方法は従来のフレームめっき法を用いればよく、コイル絶縁膜の段差が無い状態で露光を行うため、ハレーションの問題も無く、１μｍ以下のトラック幅のフレームを形成できる。
【００２２】
また、１μｍ程度のトラック幅になると、先端部が飽和するため、磁界が媒体対向面上に出にくくなる。この解決手段として、上部磁気コアの後部の断面積を大きくし、かつ先端部と後部の接続部を媒体対向面に近づけることが望ましく、接続部の端部を媒体対向面とギャップ深さの間にすることが望ましい。
【００２３】
先端部を一旦保護膜で埋め込む方法は、通常のスパッタ法でＡｌ2Ｏ3または  ＳｉＯ2 等を形成すれば良い。また、上部磁気コアの先端部と後部を磁気的に接続するためには、該保護膜をケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）で研磨するか、または該保護膜上にレジスト膜を形成し、ベークによってレジスト膜を平坦化した後、レジストと保護膜を等しい速度でイオンミリング或いはリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により、エッチバックすることにより、先に形成した上部磁気コアの先端部の表面を出し、その上に後部を形成すればよい。エッチバックを行うには、ガスとしてＣＦ4，Ｃ4Ｆ8，ＣＨＦ3，ＢＣｌ3，Ｃｌ2，ＳｉＣｌ4 ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ及びＸｅのうち１種以上を用いればよい。例えば保護膜がＡｌ2Ｏ3の場合、ＣＨＦ3とＡｒの混合ガスまたはＢＣｌ3を用いればよく、保護膜がＳｉＯ2の場合のＣＦ4を用いればよい。エッチング装置としては、通常の平行平板型のＲＩＥよりも高密度プラズマ源を搭載した装置の方が高速エッチングが可能でスループットの向上が図れる。高密度プラズマ源としては、電子サイクロトロン共鳴型（ＥＣＲ）や誘導結合型（ＩＣＰ）及びヘリコン型のものがありエッチング速度については、いずれの装置も従来の平行平板型の約１０倍の高速エッチングが可能である。
【００２４】
巨大磁気抵抗効果としては、Ｆｅ／Ｃｒ等の多層膜を用いた多層膜型，Ｃｕ等の非磁性膜をＣｏまたはＮｉＦｅ等の磁性膜で挟み、片側の磁性膜の磁化をFeMn等の反強磁性膜で固定したスピンバルブ型，Ａｌ2Ｏ3等の絶縁性非磁性膜をＣｏまたはＮｉＦｅ等の磁性膜で挟み、片側の磁性膜の磁化をＦｅＭｎ等の反強磁性膜で固定したトンネル接合型等がある。これらの膜に電極を設置するが、その電極間隔を狭くすることによって再生トラックを狭トラック化する。これらの電極間隔は現在リフトオフ法により形成されているが、リフトオフ法で形成できるトラック幅の限界は０.７μｍ で、それ以下を形成する場合はリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）が必要となる。電極材料としては、Ｔａ，Ｗ等の高融点金属を用いる。
【００２５】
記録ヘッドのトラック部分を含む磁気コア形成方法としては、イオンミリング等のドライエッチングを用いる方法及びフレームめっき法を用いることが広く知られている。
【００２６】
イオンミリング等のドライエッチングを用いる方法では、パーマロイ等の磁性膜をスパッタリングで形成した後、ホトリソグラフィーにより該磁性膜上にレジストのパターンを形成する。次に該レジストのパターンをマスクとして該磁性膜にイオンミリング等のドライエッチングを施す。これにより、上部磁気コアを形成する。
【００２７】
一方、フレームめっき法では、めっき用の下地膜が形成された基板上に、ホトリソグラフィーによりレジストのフレームを形成し、その後該フレームが形成された基板上にパーマロイ等の磁性膜をめっきしする。次にホトリソグラフィーにより該フレームで囲まれた領域をレジストでマスクして、ウエットエッチングにより不要な磁性膜を除去し、磁気コアを形成する。
【００２８】
前述したように磁気ディスク装置の高記録密度化を達成するためには、磁気ヘッドの狭トラック化及び高精度化を図る必要がある。また、一方、磁気コア先端部であるトラック部分での磁気的飽和を避けるためには、磁気コアの膜厚を厚くする必要があり、その膜厚は、２から数μｍが必要である。しかしながら、この再生出力が小さくなるため、再生ヘッドを現在、広く用いられている磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）から巨大磁気抵抗効果型ヘッド（ＧＭＲヘッド）にする必要がある。巨大磁気抵抗効果としては、Ｆｅ／Ｃｒ等の多層膜を用いた多層膜型，Ｃｕ等の非磁性膜をＣｏまたはＮｉＦｅ等の磁性膜で挟み、片側の磁性膜の磁化をＦｅＭｎ等の反強磁性膜で固定したスピンバルブ型，Ａｌ2Ｏ3等の絶縁性非磁性膜をＣｏまたはＮｉＦｅ等の磁性膜で挟み、片側の磁性膜の磁化をFeMn等の反強磁性膜で固定したトンネル接合型等がある。これらの膜に電極を設置するが、その電極間隔を狭くすることによって再生トラックを狭トラック化する。これらの電極間隔は現在リフトオフ法により形成されているが、リフトオフ法で形成できるトラック幅の限界は０.７μｍ で、それ以下を形成する場合はリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）が必要となる。電極材料としては、Ｔａ，Ｗ等の高融点金属を用いる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面を用いて説明する。図３は本発明の実施の形態の磁気ディスク装置の概念の概略図である（但し、図の拡大倍率は均一では無い）。磁気ディスク装置は、磁気ディスク１上に、支持体２の先端に固定された磁気ヘッド３によって磁化信号４の記録再生を行う。図４に記録再生分離型磁気ヘッドの概略を示す。巨大磁気抵抗効果膜５を用いた再生ヘッドの上に記録ヘッドが積層された構造となっている。
【００３０】
この磁気ヘッドの製造工程において、上部磁気コアの先端部を形成後、保護膜を形成し、エッチバックする工程について図５を用いて説明する。記録ヘッドの下部磁気コアを兼用するシールドをもつ再生ヘッドを形成後、記録ヘッド用のギャップ膜を形成し、上部磁気コアの先端部用のフレームを形成する。このフレームを用いて飽和磁束密度（Ｂｓ）が１.６Ｔ のCoNiFeをめっきし、先端部を形成したところを図５−（ａ）に示す。但し、再生ヘッド部は省略した。図５−(ｂ)に保護膜用のＡｌ2Ｏ3をスパッタしたところを示す。基板にバイアスを印加しながら、スパッタすることでステップカバレッジを良好にすることができる。図５−（ｃ）に、続いてレジストを塗布して、全面に紫外線を照射後、１５０℃でベークし、レジスト表面を平坦にしたところを示す。図５−(ｄ)にＢＣｌ3 を用いたＲＩＥにより、保護膜とレジストを同じエッチング速度でエッチングし、先に形成した先端部の表面を保護膜から露出させたところを示す。もちろんＣＭＰ等の研磨法により、先端部の表面が露出させても良い。
【００３１】
コイルと絶縁膜を形成後、ネガレジスト（ＴＳＭＲ−ｉＮ０１０）を１０００rpm で塗布し、レジスト膜厚８μｍを得た。ｉ線ステッパによって露光後、現像によってフレームパターンを得た。ネガレジストのため、ハレーションの影響も無く、レジスト側面の角度も垂直なフレームが得られた。次に飽和磁束密度（Ｂｓ）が１.０Ｔ のＮｉＦｅをめっきし、上部磁気コアの後部を形成する。電極端子等を形成後、基板を加工し、磁気ヘッドを完成した。図６に作製したヘッドの断面の概略図を示す。（但し、再生ヘッドは省略してあり、拡大倍率は均一ではない。）ギャップ深さ（ｘ）は３.５μｍ 、上部磁気コアの先端部と後部の接続部の端部の距離（ｙ）は媒体対向面から０.５μｍ とした。上部磁気コアの先端部と後部の接続部の端部の距離（ｙ）は、０.２〜１.５μｍの範囲が望ましい。
【００３２】
完成した薄膜磁気ヘッドの概略図を図７に示す。このヘッドを搭載することにより、面記録密度１０Ｇbit／in2の磁気ディスク装置を作製できた。
【００３３】
【発明の効果】
その薄膜磁気ヘッドを用いることにより面記録密度５Ｇbit／in2以上の磁気ディスク装置を作製できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ポジ型レジストを用いた場合のフレーム形成時のハレーションの概略図である（但し、拡大倍率は均一ではない）。
【図２】ネガ型レジストを用いた場合のフレーム形成の概略図である（但し、拡大倍率は均一ではない）。
【図３】磁気ディスク装置の概念の概略図である（但し、拡大倍率は均一ではない）。
【図４】従来の磁気ヘッドの概略図である（但し、拡大倍率は均一ではない）。
【図５】本発明の実施の形態における磁気ヘッド製造工程の断面の概略図である（但し、拡大倍率は均一ではない）。
【図６】本発明の実施の形態における磁気ヘッド断面の概略図である（但し、拡大倍率は均一ではない）。
【図７】本発明の実施の形態における磁気ヘッドの概略図である（但し、拡大倍率は均一ではない）。
【符号の説明】
１…導体コイル、２…絶縁膜、３…ポジレジスト、４…ネガレジスト、１１…磁気ディスク、１２…支持体、１３…磁気ヘッド、１４…磁化信号、１５…巨大磁気抵抗効果膜、１６…電極、１７…上部磁気コア、１８…下部シールド、１９…上部シールド、２０…磁気ギャップ、２１…上部磁気コアの先端部、２２…保護膜、２３…上部磁気コアの後部。
【図１】
0003721262.tif 000002
【図２】
0003721262.tif 000003
【図３】
0003721262.tif 000004
【図４】
0003721262.tif 000005
【図５】
0003721262.tif 000006
【図６】
0003721262.tif 000007
【図７】
0003721262.tif 000008