(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す複数の処理装置に前記処理液を供給するための機構であって，
処理液を蓄えるタンクと，
前記タンクからの処理液を前記処理装置側に移送する移送経路と，
この移送経路から分岐して各々前記処理装置の処理液吐出部に通ずる分岐経路と，
前記各分岐経路に各々介装されてこの分岐経路を開閉する弁装置とを備え，
前記弁装置は，前記各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないように，その開閉が制御され，
前記タンクには，蓄える処理液の所定の上限レベルと下限レベルとが設定され，さらにこの上限レベルと下限レベルとの間の量が，各処理装置においていずれも処理液を吐出していない時間内に，当該タンク内に処理液を補充可能な量であるように，前記上限レベルと下限レベルとが設定されていることを特徴とする，処理液供給機構。
【請求項２】
被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す複数の処理装置に前記処理液を供給するための機構であって，
処理液を蓄える複数のタンクと，
前記いずれのタンクからの処理液を前記処理装置側に移送する移送経路と，
前記タンクのうち供給元となるタンクを切り替えるための切替装置と，
この移送経路から分岐して各々前記処理装置の処理液吐出部に通ずる分岐経路と，
前記各分岐経路に各々介装されてこの分岐経路を開閉する弁装置とを備え，
前記弁装置は，前記各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないようにその開閉が制御され，
前記切替装置は，前記各処理装置において処理液を吐出させている間は，切替動作が行われないように制御されていることを特徴とする，処理液供給機構。
【請求項３】
前記移送経路に，前記処理液の不純物を除去するフィルタを具備したことを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の処理液供給機構。
【請求項４】
被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す複数の処理装置に前記処理液を供給する処理液供給方法であって，
タンク内に処理液を蓄える工程と，
前記各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないように，前記タンクに接続された移送経路と当該移送経路から分岐して各々の処理装置の処理液吐出部に通じる分岐経路とを介して，前記タンク内の処理液を前記各処理液吐出部に供給する工程と，
前記移送経路において，前記処理液中の不純物を除去する工程と，
タンク内に蓄える処理液の所定の上限レベルと下限レベルとを設定する工程を具備し，
前記下限レベルは，１ロット分以上の処理が可能な量に設定されることを特徴とする，処理液供給方法。
【請求項５】
被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す複数の処理装置に前記処理液を供給する処理液供給方法であって，
タンク内に処理液を蓄える工程と，
前記各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないように，前記タンクに接続された移送経路と当該移送経路から分岐して各々の処理装置の処理液吐出部に通じる分岐経路とを介して，前記タンク内の処理液を前記各処理液吐出部に供給する工程と，
タンク内に蓄える処理液の所定の上限レベルと下限レベルとを設定する工程を具備し，
前記上限レベルと下限レベルは，この上限レベルと下限レベルとの間の量が，各処理装置においていずれも処理液を吐出していない時間内に，当該タンク内に処理液を補充可能な量であるように設定されていることを特徴とする，処理液供給方法。
【請求項６】
被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す複数の処理装置に前記処理液を供給する処理液供給方法であって，
タンク内に処理液を蓄える工程と，
前記各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないように，前記タンクに接続された移送経路と当該移送経路から分岐して各々の処理装置の処理液吐出部に通じる分岐経路とを介して，前記タンク内の処理液を前記各処理液吐出部に供給する工程と，
タンク内に蓄える処理液の所定の上限レベルと下限レベルとを設定する工程とを具備し，
前記下限レベルは，１ロット分以上の処理が可能な量に設定されることを特徴とする，処理液供給方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す処理装置に，当該処理液を供給するための機構及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば，半導体製造プロセスおけるいわゆる現像処理工程においては，通常，次のプロセスが行われている。まず，所定のパターンが露光されたレジスト膜を有する被処理基板，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）を，スピンチャックと呼ばれる回転載置台の上に保持させる。次いで，スピンチャックを回転させると共に，ウェハの中心上方の位置にて，適宜の吐出部材，例えばノズルから現像液を吐出させる。その結果，該現像液が遠心力によりウェハの表面上で均一に拡散し，塗布されることにより所望の現像処理が行われている。
【０００３】
ところで，現像処理装置に現像液を供給する機構は，例えば現像液を蓄えるタンク，現像液を所定の流量に調整する流量調節器，現像液中の不純物を除去するフィルタ，現像液を所定の温度に調整する温度調節手段，現像液の供給または停止を行うバルブ等が，パイプ等の移送経路を通じて順次接続されており，上記バルブを開放することで，現像処理装置に現像液が供給される構成となっている。そして，このような現像液供給機構は，現像処理装置が複数から成っている場合には，各装置ごとにそれぞれ独立して備えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，各現像処理装置毎に，タンクをはじめとする前記した現像液供給機構を備えた場合には，システムの大型化やシステムの製造コストの上昇を招き，さらに現像処理装置を増設した場合には，上記問題が一層顕著となる。また，現像液の供給時間は，全現像処理時間と比較すると非常に短時間であるため，現像液供給機構が使用されていない時間が多く，利用効率が良くない。
【０００５】
本発明は，従来の処理液供給機構が有する上記のような問題点に鑑みてなされたものであり，処理装置が複数備えられている場合でも，１つの処理液供給機構により処理液を各処理装置に供給することが可能な，新規かつ改良された処理液供給機構と，上記問題点を解決する処理液供給方法とを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明は，被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す複数の処理装置に処理液を供給するための機構であって，処理液を蓄えるタンクと，タンクからの処理液を処理装置側に移送する移送経路と，この移送経路から分岐して各々処理装置の処理液吐出部に通ずる分岐経路と，各分岐経路に各々介装されてこの分岐経路を開閉する弁装置とを備え，弁装置は，各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないように，その開閉が制御され，前記タンクには，蓄える処理液の所定の上限レベルと下限レベルとが設定され，さらにこの上限レベルと下限レベルとの間の量が，各処理装置においていずれも処理液を吐出していない時間内に，当該タンク内に処理液を補充可能な量であるように，前記上限レベルと下限レベルとが設定されていることを特徴としている。
【０００７】
かかる弁装置の開閉の制御は，例えば処理装置が２台である場合には，一の処理装置における処理液の吐出終了信号を受けてから，他の処理装置における処理液の吐出を開始する構成や，他の処理装置における処理液の吐出を開始する前に，一の処理装置で処理液の吐出が行われているか否かを確認する構成等によって行うことができる。
【０００８】
そして，かかる構成によれば，各分岐経路に介装されている各弁装置の制御により，各処理装置における処理液の吐出が重ならないため，複数の処理装置に処理液を供給する場合でも，１つの処理液供給機構のみで対応することができる。その結果，システムの小型化やシステムの製造コストの抑制を図ることができ，またメンテナンスが容易となると共に，利用効率を向上させることができる。
【００１０】
また，各処理装置のいずれに対しても処理液を供給していない時に，タンクに処理液を補充することができるため，タンクへの処理液補充の際に，特に処理工程を中断することなく，処理液を補充できる。その結果，スループットの向上を図ることができる。また，下限レベルを少なくとも１ロット分以上の処理が可能な量，すなわちバックアップ分以上に設定することにより，以下のような効果を得ることができる。例えばカセット内に収納された２５枚のウェハを１ロットとして，この１ロット分ごとに連続処理する現像処理工程において，一のロット分の処理が終了する前に他のロット分の処理を開始していた場合に，何らかの事情で現像液の補充が成されなくても，処理を中断することなく，少なくとも１ロット分はそのまま同一の処理液で処理を継続することができる。
【００１１】
さらに，別の観点による本発明は，被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す複数の処理装置に処理液を供給するための機構であって，処理液を蓄える複数のタンクと，いずれのタンクからの処理液を処理装置側に移送する移送経路と，タンクのうち供給元となるタンクを切り替えるための切替装置と，この移送経路から分岐して各々処理装置の処理液吐出部に通ずる分岐経路と，各分岐経路に各々介装されてこの分岐経路を開閉する弁装置とを備え，弁装置は，各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないようにその開閉が制御され，切替装置は，各処理装置において処理液を吐出させている間は，切替動作が行われないように制御されていることを特徴としている。
【００１２】
かかる構成によれば，各処理装置において処理液が吐出していない時に切替装置による切替が行われるため，特に処理工程を中断することなく，処理液を蓄えたタンクに切り替えることが可能となり，処理液を各処理装置に安定供給することができる。また，例えば２つのタンクが備えられている場合には，一のタンクから各処理装置に処理液を供給している時に，他のタンクに処理液を補充し，この補充終了後，待機させておくことにより，他のタンクへの切替後すぐに処理液を処理装置に供給することができる。なお，各弁装置の開閉の制御は，上記説明で述べたのと同様の構成で制御することができる。
なお，前記処理液供給機構は，前記移送経路に，前記処理液の不純物を除去するフィルタを具備していてもよい。
また，別の観点による本発明によれば，被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す複数の処理装置に前記処理液を供給する処理液供給方法であって，タンク内に処理液を蓄える工程と，前記各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないように，前記タンクに接続された移送経路と当該移送経路から分岐して各々の処理装置の処理液吐出部に通じる分岐経路とを介して，前記タンク内の処理液を前記各処理液吐出部に供給する工程と，前記移送経路において，前記処理液中の不純物を除去する工程と，タンク内に蓄える処理液の所定の上限レベルと下限レベルとを設定する工程を具備し，前記下限レベルは，１ロット分以上の処理が可能な量に設定されることを特徴とする処理液供給方法が提供される。
また，被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す複数の処理装置に前記処理液を供給する処理液供給方法であって，タンク内に処理液を蓄える工程と，前記各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないように，前記タンクに接続された移送経路と当該移送経路から分岐して各々の処理装置の処理液吐出部に通じる分岐経路とを介して，前記タンク内の処理液を前記各処理液吐出部に供給する工程と，タンク内に蓄える処理液の所定の上限レベルと下限レベルとを設定する工程を具備し，前記上限レベルと下限レベルは，この上限レベルと下限レベルとの間の量が，各処理装置においていずれも処理液を吐出していない時間内に，当該タンク内に処理液を補充可能な量であるように設定されていることを特徴とする処理液供給方法が提供される。
さらに，被処理基板に処理液を供給して所定の処理を施す複数の処理装置に前記処理液を供給する処理液供給方法であって，タンク内に処理液を蓄える工程と，前記各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないように，前記タンクに接続された移送経路と当該移送経路から分岐して各々の処理装置の処理液吐出部に通じる分岐経路とを介して，前記タンク内の処理液を前記各処理液吐出部に供給する工程と，タンク内に蓄える処理液の所定の上限レベルと下限レベルとを設定する工程とを具備し，前記下限レベルは，１ロット分以上の処理が可能な量に設定されることを特徴とする処理液供給方法が提供される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明にかかる処理液供給機構を現像処理装置に適用した，実施の形態について詳細に説明する。なお，以下の説明において，略同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一番号を付することにより，重複説明を省略することにする。
【００１４】
図１は，例えばウェハＷに対して洗浄処理，レジストの定着性を高めるアドヒージョン処理，レジスト液の塗布処理，これらの処理後に実施される適宜の加熱処理，および該加熱処理後にウェハＷを所定温度にまで冷ます冷却処理，および露光後の現像処理や加熱処理などの処理を個別に行う各種処理装置を１つのシステムとしてまとめた塗布現像処理システム１００の概観を示している。そして，本実施の形態にかかる現像液供給機構は，現像処理装置１２８，１２９としてこの塗布現像処理システム１００にユニットとして組み込まれている。
【００１５】
この塗布現像処理システム１００は，１ロット分のウェハＷ，例えば２５枚のウェハＷを収納する収納体であるカセットＣを整列して複数載置する載置部１０２と，この載置部１０２に載置されたカセットＣ内のウェハＷを取り出して，メイン搬送アーム１０４へと搬送する搬送機構１０６とを備えている。また，搬送機構１０６は、カセットＣの整列方向に沿って設けられている搬送路１０８上を移動自在になっている。そして，ウェハＷに対して所定の処理を行う各種の処理装置は，２つのメイン搬送アーム１０４，１１０の各搬送路１１２，１１４を挟んだ両側に配置されている。
【００１６】
さらに，カセットＣから取り出されたウェハＷの表面を洗浄するため，ウェハＷを回転させながらブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１１６，ウェハＷに対して高圧ジェット洗浄する水洗洗浄装置１１８，ウェハＷの表面を疎水化処理してレジストの定着性を向上させるアドヒージョン処理装置１２０，ウェハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置１２２，回転するウェハＷの表面にレジスト液を塗布するレジスト液塗布装置１２４，レジスト液塗布後のウェハＷを加熱したり，露光後のウェハＷを加熱する加熱処理装置１２６，露光後のウェハＷを回転させながらその表面に現像液を供給して現像処理する現像処理装置１２８，１２９が配置されている。そして，これら各処理装置は，ある程度集約化されており，適当な処理装置群にまとめることで，設置スペースの縮小，並びに処理効率の向上が図られている。また，これら各種処理装置に対するウェハＷの搬入出は，２つのメイン搬送アーム１０４，１１０によって行われている。また，これら各処理装置等は，ケーシング１３０内に配置されている。そして，本実施の形態にかかる処理液供給機構は，現像処理装置１２８，１２９に適用されている。
【００１７】
次に，本実施の形態にかかる現像液供給機構を用いた現像処理装置１２８，１２９について説明する。ただし，現像処理装置１２８と１２９は同一の構成のため，以下では現像処理装置１２８を主として説明する。図２に示したように，現像処理装置１２８のケーシング１２８ａ内のウェハＷを収容する処理容器１３２の中には，ウェハＷを真空によって水平状態に吸着保持するスピンチャック１３４が備えられており，このスピンチャック１３４は，処理容器１３２の下方に装備されているパルスモータなどの駆動機構１３６によって回転自在である。また，駆動機構１３６は，制御器１３８（図３を参照。）により制御されると共に，この制御器１３８は，駆動機構１３６内に設けられている不図示のエンコーダから発振されるパルスの波形を一周期分ごとにカウントする。従って，制御器１３８に所定の数値を設定することによって，スピンチャック１３４の回転数を任意に制御することができる。
【００１８】
また，処理容器１３２内の雰囲気は、処理容器１３２の底部中心から、外部に設置されている真空ポンプなどの排気手段（図示せず。）によって排気される。さらに，処理液となる現像液やリンス液となる純水は，スピンチャック１３４の外方から，処理容器１３２の底部に設けられた排液管１４０を通じて，処理容器１３２の下方に設置されているドレインタンク１４２へと排出される。
【００１９】
そして，現像処理装置１２８においては，ウェハＷに吐出される現像液は現像液吐出ノズルＮ１から，またリンス液はリンス液吐出ノズルＮ２から、それぞれ別々に吐出される構成となっている。そして，現像液吐出ノズルＮ１及びリンス液吐出ノズルＮ２は，それぞれに対応するノズルホルダ１４４，１４６によって保持されていると共に，これらノズルホルダ１４４，１４６は，ケーシング１２８ａ側壁の一対のレール１４８に水平移動自在なように取り付けられている。そして，ノズルホルダ１４４，１４６内には，不図示の駆動機構が設けられており，この駆動機構は制御器１３８（図３を参照。）によって制御されている。従って，制御器１３８からの制御信号によって駆動機構が所定の回転をすることにより，ノズルホルダ１４４，１４６はレール１４８に沿って所定の平行移動を行う構成となっている。
【００２０】
また，現像液吐出ノズルＮ１及びリンス液吐出ノズルＮ２が，ケーシング１２８ａの側壁付近の所定の位置で待機する待機位置において，現像液吐出ノズルＮ１及びリンス液吐出ノズルＮ２の吐出口下方には，それぞれに対応する排出部１５０，１５２が配置されている。そして，これら排出部１５０，１５２には，それぞれに対応する排液管１５４，１５６が接続されているとともに，これら排液管１５４，１５６はドレインタンク１４２に接続されている。
【００２１】
次に，本実施の形態にかかる現像液供給機構，すなわち現像液吐出ノズルＮ１への現像液の供給構成について説明する。現像液吐出ノズルＮ１には，現像液を供給する分岐管１５８が接続されており，この分岐管１５８は，図３に示したように，現像液の供給及び停止を行うバルブ１６０を介して移送管１６２に接続されている。さらに，この移送管１６２は，現像液を所定の温度，例えば２３℃に調整する熱交換器１６４，現像液中に混入した不純物を除去するフィルタ１６６，現像液の流量を調整する流量調節器１６８を介して，現像液を蓄えているタンク１７０に接続されている。
【００２２】
また，移送管１６２には，現像処理装置１２９の現像液吐出ノズル（図示せず。）に現像液を供給する分岐管１７２が接続されていると共に，この分岐管１７２には，バルブ１６０と共に制御されるバルブ１７４が介在している。従って，現像処理装置１２８及び１２９に対して，タンク１７０から移送管１６２までの流量調節器１６８，フィルタ１６６等は，共用される構成となっている。また，バルブ１６０及び１７４は，制御器１３８によりその開閉が制御される構成となっている。
【００２３】
そして，タンク１７０には，供給管１７６，バルブ１７８を介してタンク１７０内に現像液を補充する現像液供給源１８０が接続されている。さらに，タンク１７０には，ガス供給管１８２，バルブ１８４を介してタンク１７０内を所定の圧力雰囲気にまで加圧するするための不活性ガス，例えばＮ2ガスを供給するガス供給源１８６が接続されている。さらにまた，タンク１７０には，排気管１８８，バルブ１９０を介してタンク１７０内を所定の圧力雰囲気にまで減圧する，例えば真空ポンプから成る真空引き機構１９２が接続されている。
【００２４】
また，タンク１７０には，現像処理装置１２８，１２９においていずれも現像液を吐出していない時間内に，該タンク１７０内に現像液を補充可能な量となるように上限レベルＨと下限レベルＬとが設定されている。従って，特に処理を中断することなく，タンク１７０内に現像液を補充することができる。さらに，下限レベルＬは，少なくとも１ロット分以上の処理が可能な量，すなわちバックアップ分以上に設定されている。従って，一のロット分の処理が終了する前に他のロット分の処理を開始していた場合に，何らかの事情で現像液の補充が成されなくても，処理を中断することなく，少なくとも１ロット分はそのまま同一の処理液で処理を継続することができる。
【００２５】
本実施の形態にかかる現像液供給機構を用いた現像処理装置１２８，１２９の主要部は，以上のように構成されている。次に，図２，３を参照しながら，現像処理装置１２８，１２９への現像液の供給構成及び現像液の供給制御について説明する。まず，図２に示した現像処理装置１２８の処理容器１３２内のスピンチャック１３４上にウェハＷが載置されると，真空によって吸着保持される。次いで，制御器１３８からの制御信号により，スピンチャック１３４が回転し，所定の回転数に維持されると共に，所定の現像液を供給する現像液吐出ノズルＮ１がノズルホルダ１４４と共にウェハＷ上の所定の吐出位置に移動する。
【００２６】
この際，図３に示したタンク１７０内には，例えば現像液が所定の上限レベルＨまで蓄えられていると共に，ガス供給源１８６からＮ2ガスが供給され，加圧吐出するための所定の圧力雰囲気まで加圧されている。そして，制御器１３８からの制御信号によりバルブ１６０が開放されると，タンク１７０内の現像液は移送管１６２に介在している流量調節器１６８，フィルタ１６６，熱交換器１６４を通過して所望の状態に整えられた後，分岐管１５８，バルブ１６０を介して現像液吐出ノズルＮ１に供給され，この現像液吐出ノズルＮ１からウェハＷ上に吐出される。この間に，例えば現像処理装置１２９内にもウェハＷが搬送され，現像処理装置１２８と同様に現像処理の準備が行われている。そして，現像処理装置１２８においては，ウェハＷ上に所定量の現像液が塗布された後，制御器１３８からの制御信号によりバルブ１６０が閉じられると共に，スピンチャック１３４の回転が停止される。また，同時に現像液吐出ノズルＮ１は，所定の待機位置まで移動する。
【００２７】
次いで，現像液を塗布されると共に，回転が停止されたウェハＷは，そのまま所定時間放置され，現像が行われる。この際，制御器１３８において現像処理装置１２８での現像液吐出工程が終了したことを確認した上で，図１に示した現像処理装置１２９に現像液を供給すべく，制御器１３８からの制御信号によりバルブ１７４が開放される。そして，現像処理装置１２８においては，制御器１３８からの制御信号により，再びスピンチャック１３４が回転を開始すると共に，ウェハＷに塗布された現像液を洗い流す，例えば超純水から成るリンス液を吐出するリンス液吐出ノズルＮ２がノズルホルダ１４６と共にウェハＷ上の所定の吐出位置に移動する。そして，制御器１３８の制御により，不図示のリンス液供給源から供給されたリンス液が，所定時間または所定量，リンス液吐出ノズルＮ２よりウェハＷ上に吐出され，現像液が洗い流される。スピンチャック１３４の回転は，リンス液の吐出終了後も継続して行われ，その遠心力によりウェハＷ上に残留したリンス液が弾きとばされると共に，ウェハＷの乾燥が行われる。
【００２８】
そして，所定時間経過後，制御器１３８の制御信号によりスピンチャック１３４の回転が停止され，ウェハＷは次の処理工程のため搬送される。次いで，現像処理装置１２９においても，現像処理装置１２８と同様の現像処理及び現像液の除去処理が行われ，現像処理済みのウェハＷが外部へ搬送される。次いで，現像処理装置１２８内へ未処理のウェハＷが搬送され，上記と同様の現像処理が行われると共に，現像処理装置１２９内へも未処理のウェハＷが搬送され，処理が行われる。
【００２９】
このように，本実施の形態を実施可能な現像処理装置１２８，１２９においては，現像処理装置１２８での現像液の吐出と現像処理装置１２９での現像液の吐出とが同時に行われることなく，必ず一方の装置でのみ現像液の吐出が行われる構成となっている。従って，タンク１７０内の圧力雰囲気が所望の加圧状態に維持されるため，ウェハＷに対して現像液を均一に加圧吐出させることができる。また，例えば現像処理装置１２８での処理が，何らかの原因により所定の時間内に終了しなかった場合でも，現像処理装置１２９での処理は開始されないように構成されている。
【００３０】
次に，現像処理装置１２８，１２９への現像液の供給制御，すなわちバルブ１６０，１７４の開閉制御と，タンク１７０への現像液の補充制御について図４を参照しながら説明する。前述したように，現像液は，現像処理装置１２８への供給終了後，現像処理装置１２９に供給され，少なくとも１ロット分は順次交互に供給される。従って，バルブ１６０，１７４の開閉についても，図４に示したように，バルブ１６０の開閉後，バルブ１７４の開閉が行われ，再びバルブ１６０の開閉が行われている。ただし，バルブ１６０の開閉及びバルブ１７４の開閉が行われた後，次にバルブ１６０の開閉及びバルブ１７４の開閉が行われるまでには，所定の間隔が設けられている。なお，この間隔は，レジスト液塗布装置１２４，加熱処理装置１２６等の各種処理装置における処理工程や，現像処理装置１２８，１２９における現像処理や現像液の除去処理，乾燥，ウェハＷの搬送等によって必然的に生じるものである。
【００３１】
また，現像処理装置１２８，１２９に現像液を供給する際には，タンク１７０内は所定の圧力雰囲気に加圧されており，この圧力雰囲気により現像液が押し出されることにより，現像処理装置１２８，１２９に供給される構成となっている。そこで，本実施の形態にかかる現像液供給機構においては，現像処理装置１２８，１２９の両方に現像液が供給されていない時間，すなわちバルブ１６０，１７４の両方が閉じられている時に，タンク１７０内に現像液を補充する構成とした。
【００３２】
すなわち，バルブ１６０，１７４が閉じられている時に，バルブ１８４を閉じてガス供給源１８６からタンク内への不活性ガスの供給を停止する。同時に，真空引き機構１９２を作動させると共に，バルブ１９０を開放することにより，タンク１７０内は所定の圧力雰囲気にまで減圧される。次いで，バルブ１７８を開放することにより，現像液供給源１８０よりタンク１７０内に上限レベルＨまで所定量の現像液が補充される。そして，補充終了後は，バルブ１７８，１９０が閉じられると共に，バルブ１８４が再び開放されることにより，タンク１７０内は所定の圧力雰囲気に加圧され，待機状態となる。なお，バルブ１７８，１８４，１９０は，制御器１３８により開閉が制御されている。
【００３３】
従って，図４に示したように，バルブ１６０，１７４のいずれも開放されていないときに，タンク１７０内は所定の圧力雰囲気まで減圧され，現像液が供給されると共に，バルブ１６０，１７４の開放時までには，タンク１７０内は所定の圧力雰囲気にまで加圧され，待機状態となっている。
【００３４】
以上，説明したように，本実施の形態にかかる現像液供給機構を用いた現像処理装置１２８，１２９においては，移送管１６２からタンク１７０に至るまでの現像液供給機構が共用されているため，システムの大型化を抑制することができ，またシステムの製造コストを抑えることができる。さらに，現像液供給機構のメンテナンスが容易となると共に，利用効率を大幅に向上させることができる。
【００３５】
次に，他の実施の形態にかかる現像液供給機構について説明する。当該現像液供給機構は，図５に示したように，移送管１６２に，分岐管２００，２０２を接続し，そのうち分岐管２００には，バルブ２０４を介してタンク２０６を接続し，他の分岐管２０２には，バルブ２０８を介してタンク２１０を接続した構成となっている。さらに，バルブ２０４，２０８には，制御器２１２が接続されており，この制御器２１２の制御信号によりバルブ２０４，２０８の開閉が制御される構成となっている。
【００３６】
そして，例えばタンク２０６内の現像液が下限レベルＬとなった時には，図６に示したように，バルブ１６０の開閉及びバルブ１７４の開閉が行われた後，再びバルブ１６０の開閉及びバルブ１７４の開閉が行われるまでの間に，制御器２１２からの制御信号によってバルブ２０４を閉じると共に，バルブ２０８を開放する。その結果，現像処理工程に影響を与えることなく，所定の上限レベルＨまで現像液が蓄えられているタンク２１０に切り替えることができる。なお，タンク２０６，２１０の上限レベルＨ及び下限レベルＬの設定は，図３に示したタンク１７０を同様に設定されている。
【００３７】
ところで，例えばタンク２０６からタンク２１０に切り替えた直後には，移送管１６２から現像処理装置１２８，１２９に至るまでの現像液供給機構内に，タンク２０６から供給されていた現像液が残留している。従って，切替後で，かつ処理が行われていない時に，上記残留分を模擬吐出させる構成としても良い。この場合には，例えば図２に示した現像処理装置１２８においては，現像液吐出ノズルＮ１から模擬吐出された現像液は，排出部１５０に排出された後，排液管１５４を介して，ドレインタンク１４２内に蓄えられる。このように，残留分を模擬吐出させることで，特に変質しやすい現像液を用いた場合に，この現像液が変質することによる不測の事態を防止することができる。
【００３８】
以上，本発明の好適な実施の形態について，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００３９】
例えば，上記実施の形態において，塗布現像処理システム１００に２つの現像処理装置１２８，１２９を設けた構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，さらに複数の現像処理装置を設けた構成としても本発明は実施可能である。
【００４０】
さらに，上記実施の形態において，本発明を現像処理装置１２８，１２９に適用することにより，具体化した例について説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，各種塗布装置に対しても適用が可能であると共に，また被処理基板としては，ウェハだけではなく，例えばＬＣＤ用ガラス基板であっても実施可能である。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，各分岐経路に各々介装されている弁装置が，各処理装置において処理液を吐出させる時間が重ならないように，その開閉が制御されているため，処理装置が複数であっても，１つの処理液供給機構を共用して利用することができる。従って，システムの大型化及びシステムの製造コストを抑制することができると共に，メンテナンスが容易となり，利用効率が向上する。また，処理液蓄えるタンクを複数備えて，処理液が下限レベルに達した時に他のタンク切り替える構成とした場合でも，切替装置が各処理装置において処理液を吐出している時間には切替動作を行わないように制御されているため，処理工程を中断することなく，安定した処理を行うことができ，その結果スループットが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用可能な現像処理装置を組み込んだ塗布現像処理システムの概略的な斜視図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムにおける現像処理装置の概略的な断面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムにおける現像処理装置に現像液を供給する現像液供給機構の概略的な説明図である。
【図４】図３に示した現像液供給機構のバルブ等の動作タイミングを示す概略的な説明図である。
【図５】図１に示した塗布現像処理システムにおける現像処理装置に現像液を供給する他の現像液供給機構の概略的な説明図である。
【図６】図５に示した他の現像液供給機構のバルブ等の動作タイミングを示す概略的な説明図である。
【符号の説明】
１００      塗布現像処理システム
１２８，１２９      現像処理装置
１３２      処理容器
１３４      スピンチャック
１３６      駆動機構
１３８      制御器
１５８，１７２      分岐管
１６０，１７４      バルブ
１６２      移送管
１６４      熱交換器
１６６      フィルタ
１６８      流量調節器
１７０      タンク
１８０      現像液供給源
１８６      ガス供給源
１９２      真空引き機構
Ｎ１        現像液吐出ノズル
Ｗ        ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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