(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素としてＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、ＺｒおよびＳｎを含むペロブスカイト型複合酸化物からなる膜厚２μｍ以下の誘電体薄膜であって、前記金属元素酸化物のモル比による組成式を
（１−ｘ―ｙ）Ｐｂａ（Ｍｇｂ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３・ｘＰｂａＺｒＯ３・ｙＰｂａＳｎＯ３
と表した時、前記ｘ、ｙが下記点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ａで囲まれる領域の範囲内であり、かつ、前記ａおよびｂが
１≦ａ≦１．１０
１≦ｂ≦１．１５
を満足するとともに、測定周波数１ｋＨｚ（室温）における比誘電率が１０００以上であり、かつ、測定周波数１００ＭＨｚ（室温）における比誘電率が１０００以上であることを特徴とする誘電体薄膜。
（  ｘ    、  ｙ    ）
Ａ（０．０１、０．０１）
Ｂ（０．０１、０．１０）
Ｃ（０．２０、０．１０）
Ｄ（０．３０、０．０５）
Ｅ（０．３０、０．０１）
【請求項２】
請求項１記載の誘電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成してなることを特徴とするセラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は誘電体薄膜およびこの誘電体薄膜を用いたセラミックコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来技術】
２種以上の金属からなる複合ペロブスカイト型複合酸化物、特にＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 （以下、ＰＭＮという）は室温で大きな比誘電率を有するため、コンデンサ材料として有用であることが知られている。
【０００３】
このようなＰＭＮ焼結体として、従来、ＰｂＯ粉末とＭｇＣＯ3 粉末とＮｂ2 Ｏ5 粉末とを一括して混合粉砕し、焼結する固相焼結法が知られている。しかしながら、このような一括して混合粉砕する固相焼結によるＰＭＮ焼結体の作製では、ほぼペロブスカイト単相からなる焼結体を得るのは困難であり、低温で安定なパイロクロア相が生成し易く、また生成したパイロクロア相は比誘電率が低いため、結果として焼結体の比誘電率が低くなり、コンデンサ材料として不適当な場合が多い。
【０００４】
このため、固相焼結法では、ＭｇＮｂ酸化物（ＭｇＮｂ2 Ｏ6 ）とＰｂ原料、およびＴｉ原料を反応させるコランバイト法による合成が行われている。この方法によれば、ほぼペロブスカイト単相の焼結体を得ることが可能となり、比誘電率を１５０００以上とすることができる。しかしながら、従来、これらバルク材料は比誘電率の周波数分散が大きく、１ＭＨｚ以上の高周波では比誘電率が小さくなり、コンデンサとして機能しなくなると考えられていた。
【０００５】
一方、電子機器の小型、薄形化に伴い、電子部品の小型化，薄膜化が要求されている。特に受動部品であるコンデンサの小型、薄形化は必須となっている。また、コンピュータ等の高速デジタル回路を用いた電子機器は高周波化の流れにあり、数１０ＭＨｚから数１００ＭＨｚの動作周波数帯域が重要になってきている。これにともない、コンデンサ等の受動部品も高周波もしくは高速デジタルパルスに対して優れた特性を示すことが必須になってきている。
【０００６】
近年、ＰＭＮ等の高誘電率材料を薄膜化し、薄膜コンデンサに応用しようとされているが、従来の固相焼結法では膜厚はせいぜい１０μｍ程度であった。また薄膜においても固相焼結法による焼結体と同様、低温で安定なパイロクロア相が生成し易く、ほぼペロブスカイト単相からなる膜を得るのが困難となり、コンデンサ材料として不適当な場合が多い。特に薄膜化する場合、下部電極との格子の不整合および化学結合の相違等でパイロクロア相が生成し易いという問題がある言われており（例えば、特開平６−５７４３７号公報参照）、パイロクロア相の少ないペロブスカイト単相のＰＭＮ薄膜を得るのが困難であった。
【０００７】
これらのパイロクロア相生成の問題を解決する手法として、ゾルゲル法で作製されたＰＭＮ薄膜においては、急速昇温焼成法（特開平２−１７７５２１号公報参照）やシーディング法（特開平６−５７４３７号公報参照）等の種々の手法が提案されており、ペロブスカイト単相に近いＰＭＮ薄膜が得られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、急速昇温焼成法，シーディング法によるＰＭＮ薄膜では、ほぼペロブスカイト単相からなる膜が得られているが、未だ室温における比誘電率が低く、ＰＭＮ系材料本来の特性が発揮されていないのが現状であった。
【０００９】
また、典型的なコンデンサ材料であるＢａＴｉＯ3 、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 のようなリラクサ材料は１ＫＨｚ程度の低周波数においては大きな比誘電率を示し、コンデンサ材料として優れた材料であるが、周波数分散が大きいため、高周波領域における比誘電率の減少が大きく、高周波領域では高誘電率材料として使えないと考えられてきた（特開平６−７７０８３号公報参照）。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題の解決方法を鋭意検討した結果、バルクにおいて、マクロな自発分極を持たないため、ＤＣバイアス依存性が小さく、かつ大きな比誘電率を持つＰＭＮに、反強誘電体であるためＤＣバイアス依存性が小さくかつＰＭＮと固溶して大きな比誘電率を示すＰｂＺｒＯ3 と、ＰｂＺｒＯ3 と同様に高誘電率が期待できかつＰｂＺｒＯ3 の固溶により高温側にシフトした誘電率のピークを低温側にシフトできると期待できるＰｂＳｎＯ3 を固溶した材料を薄膜化することにより、ＤＣバイアス印加下でも大きな比誘電率を示し、かつ高周波領域においても比誘電率の減少が小さくなることを知見し、本発明に至った。
【００１１】
即ち、本発明の誘電体薄膜は、金属元素としてＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、ＺｒおよびＳｎを含むペロブスカイト型複合酸化物からなる膜厚２μｍ以下の誘電体薄膜であって、前記金属元素酸化物のモル比による組成式を、（１−ｘ―ｙ）Ｐｂａ（Ｍｇｂ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３・ｘＰｂａＺｒＯ３・ｙＰｂａＳｎＯ３と表した時、前記ｘ、ｙが下記点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ａで囲まれる領域の範囲内であり、かつ、前記ａおよびｂが、１≦ａ≦１．１０、１≦ｂ≦１．１５を満足するとともに、測定周波数１ｋＨｚ（室温）における比誘電率が１０００以上であり、かつ、測定周波数１００ＭＨｚ（室温）における比誘電率が１０００以上である。
（  ｘ    、  ｙ    ）
Ａ（０．０１、０．０１）
Ｂ（０．０１、０．１０）
Ｃ（０．２０、０．１０）
Ｄ（０．３０、０．０５）
Ｅ（０．３０、０．０１）
【００１２】
本発明のセラミックコンデンサは、上記誘電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成してなるものである。
【００１３】
【作用】
本発明の誘電体薄膜によれば、マクロな自発分極を持たないためＤＣバイアス特性に優れ、かつ高誘電率であるＰＭＮに、反強誘電体であるためＤＣバイアス依存性が小さく、ＰＭＮとの固溶により比誘電率の向上が期待できるＰｂＺｒＯ3 と、ＰＭＮ及びＰｂＺｒＯ3 と同一構造で室温およびＰＭＮより低温側に比誘電率のピークを持つために、室温より高温側に比誘電率のピークを持つＰＭＮ−ＰｂＺｒＯ3 固溶体の比誘電率の最大となる温度を室温付近に制御できるＰｂＳｎＯ3 を固溶することにより、室温において高誘電率でＤＣバイアス特性に優れた材料になる。
【００１４】
また、薄膜にすることにより、ペロブスカイト型複合酸化物の平均結晶粒径がサブミクロンのオーダに小さくなり、より常誘電体的性質が支配的になるため、静電容量の温度特性及びＤＣバイアス特性を良好とすることができる。
【００１５】
さらに、１００ＭＨｚの様な高周波においても、強誘電性の起源であるマクロな自発分極がないために自発分極に起因する誘電率の周波数分散が小さく、高周波においても大きな比誘電率を示す。
【００１６】
本発明のセラミックコンデンサでは、上記したような優れた特性を有する誘電体薄膜の両面に、例えば、膜厚０．０５μｍ以上の白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）薄膜である一対の電極を対向して形成することにより、高周波においても高誘電率で優れたセラミックコンデンサを得ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の誘電体薄膜は、膜厚２μｍ以下の誘電体薄膜であり、例えば、ゾルゲル法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等により作製されるものである。ここで、膜厚２μｍ以下の誘電体薄膜としたのは、これより厚くなると工程数が増加し、また、コンデンサを構成した場合、容量が小さくなるからである。誘電体薄膜の膜厚は、製造の容易性、膜質劣化の点で１μｍ以下が望ましく、さらに膜の絶縁性を考慮すると特に０．３〜１μｍが望ましい。
【００１８】
また、モル比による組成式を、（１−ｘ―ｙ）Ｐｂa （Ｍｇb/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ・ｘＰｂa ＺｒＯ3 ・ｙＰｂa ＳｎＯ3 と表した時、前記ｘ、ｙが、図１に示した点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ａで囲まれる領域の範囲内を満足し、かつａ及びｂが１≦ａ≦１．１０、１≦ｂ≦１．１５を満足するものである。
【００１９】
このように、ＰｂＺｒＯ3 量を示すモル比ｘを図１の線分Ｃ−Ｄ−Ｅ以下としたのは、ｘが線分Ｃ−Ｄ−Ｅより大きくなると室温での比誘電率が急激に小さくなるため、１００ＭＨｚにおいて比誘電率が１０００より小さくなるからである。
【００２０】
比誘電率を向上するにはｘの範囲は０．０１≦ｘ≦０．２０が望ましい。
【００２１】
また、ＰｂＳｎＯ3 量を示すモル比ｙを線分Ｂ−Ｃ−Ｄ以下としたのは、ｙが線分Ｂ−Ｃ−Ｄより多くなると、生成される主結晶相が低誘電率構造であるパイロクロアになるからである。比誘電率を向上するにはｙの範囲は０．０１≦ｙ≦０．０５が望ましい。従って、上記組成式におけるｘ、ｙは、０．０１≦ｘ≦０．２０であり、かつ０．０１≦ｙ≦０．０５であることが望ましい。
【００２２】
また、ａを１〜１．１としたのは、ａが１よりも小さい場合には、パイロクロア相が生成し、比誘電率が低下するからであり、１．１よりも大きい場合にはＰｂＯが粒界に析出し、比誘電率が低下するからである。ａは特性の再現性が良いという理由から１．０５〜１．１であることが望ましい。
【００２３】
さらに、ｂを１〜１．１５としたのは、ｂが１よりも小さい場合や１．１５よりも大きい場合には、比誘電率が低下するからである。ｂは特性の再現性が良いという理由から１〜１．１であることが望ましい。
【００２４】
また、本発明のセラミックコンデンサは、上記した誘電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成してなるものであり、誘電体薄膜と電極とを交互に積層した積層セラミックコンデンサも含むことは勿論である。
【００２５】
コンデンサの電極としては、厚さ０．０５μｍ以上の配向した白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）薄膜等があり、これらのうちでも配向した白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）薄膜が最適である。Ｐｔ、Ａｕは膜との反応性が小さく、また酸化されにくい為、膜との界面に低誘電率相が形成されにくいからである。
【００２６】
膜厚を０．０５μｍ以上としたのは０．０５μｍ未満であると高周波領域における等価直列抵抗が大きくなるためである。配向した白金（Ｐｔ）薄膜とは、配向性または単結晶的白金（Ｐｔ）薄膜であり、配向性を有するＰｔ薄膜とは、３つの結晶軸のうち一つの軸が膜表面に近似的に垂直な方向に揃った膜であり、単結晶的Ｐｔ薄膜とは３つの結晶軸が全て揃った膜である。このような電極は、スパッタ蒸着やレーザ蒸着法等物理的蒸着において、電極が形成される基板温度を４５０℃以上とすることにより得られるもので、これらのうちでも、基板温度を４５０℃以上としたスパッタ蒸着が望ましい。
【００２７】
また、金属薄膜を蒸着する基板としては、アルミナ、サファイア、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ3 単結晶、チタン被覆シリコン、または銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、ステンレススティール（ＳＵＳ）薄膜もしくは薄板が望ましい。特に薄膜との反応性が小さく、安価で硬度が大きく、かつ金属薄膜の結晶性という点からアルミナ、サファイアが望ましく、高周波領域における低抵抗化の点で銅（Ｃｕ）薄板または銅（Ｃｕ）薄膜が望ましい。
【００２８】
本発明のセラミックコンデンサは、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ等を基板上にスパッタ法、蒸着法、グラビア印刷等の手法により成膜して下部電極を形成し、この下部電極膜の表面に、上記誘電体薄膜を上記方法で成膜して形成し、この後に誘電体薄膜表面に下部電極と同様にして上部電極を成膜することにより得られる。また、積層セラミックコンデンサは誘電体薄膜と電極とを交互に積層することにより得られる。
【００２９】
本発明の誘電体薄膜は、例えば、以下のようにして作製される。先ず、Ｍｇ、及びＮｂの有機酸塩、無機塩、アルコキシドから選択される少なくとも１種のＭｇ化合物、Ｎｂ化合物をＭｇ：Ｎｂ＝ｂ：２（１≦ｂ≦１．１５）のモル比でＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアルキル基）で示される溶媒に混合する。混合後、高い比誘電率を得るために、所定の操作を行い、ＩＲスペクトルにおいて６５６ｃｍ-1付近に吸収を有し、他の求核性の有機金属化合物の存在下においても安定なＭｇ−Ｏ−Ｎｂ結合を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を合成する。
【００３０】
ＩＲスペクトルにおいて６５６ｃｍ-1付近に吸収を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を得るには、以下のような方法がある。
【００３１】
第１の方法として、ＭｇおよびＮｂのアルコキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点まで溶液の温度を上昇させ、還流操作を行う方法。
【００３２】
第２の方法として、上記のようにＭｇおよびＮｂのアルコキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点まで溶液の温度を上昇させ、還流操作による複合化を行った後、無水酢酸、エタノールアミン、アセチルアセトン等に代表される安定化剤を添加する方法。
【００３３】
第３の方法として、Ｍｇのカルボン酸塩とＮｂのアルコキシドとの還流操作により、分子内での脱エステル反応を促進する方法。
【００３４】
第４の方法として、Ｍｇの水酸化物とＮｂのアルコキシド、あるいはＭｇのアルコキシドとＮｂの水酸化物の還流操作により、分子内での脱アルコール反応を促進する方法。
【００３５】
第５の方法として、鉛前駆体の求核性を小さくする為、鉛前駆体に前述の無水酢酸，エタノールアミン、アセチルアセトン等の安定化剤を添加する方法。
【００３６】
以上のいずれかの手法を用いることにより、他の求核性有機金属化合物の存在下においても安定なＭｇ−Ｏ−Ｎｂ結合を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を合成できる。これらのうちでも、第１または第２の方法が最も望ましい。
【００３７】
また、合成した上記ＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液に水と溶媒の混合溶液を適下し、部分加水分解を行い、前述のＭｇＮｂ複合アルコキシドが重縮合したＭｇＮｂゾルを形成させる。部分加水分解とは、分子内のアルコキシル基の一部を水酸基と置換し、置換された分子内での脱水、あるいは脱アルコール反応により、重縮合させる方法である。
【００３８】
次にＳｎの有機酸塩、無機塩、アルコキシドから選ばれる少なくとも１種のＳｎ化合物をＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアルキル基）で示される溶媒に混合し、Ｓｎ溶液を作製する。
【００３９】
Ｚｒの有機酸塩、アルコキシド等から選択される１種のＺｒ化合物をＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアルキル基）で示される溶媒に混合し、Ｚｒ溶液を作製する。
【００４０】
作製したＭｇ−Ｎｂ溶液とＺｒ溶液とＳｎ溶液をＭｇ−Ｎｂ：Ｚｒ：Ｓｎ＝（１―ｘ―ｙ）：ｘ：ｙのモル比で混合し、１２４℃で還流した後、室温に冷却し、アセチルアセトン等のキレート剤をＭｇ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｓｎ溶液の金属量の０．５倍量以上加え、混合する。
【００４１】
次に、鉛（Ｐｂ）の有機酸塩、無機塩、アルコキシドから選択される少なくとも１種の鉛化合物をＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアルキル基）で示される溶媒に混合し、Ｐｂ前駆体溶液を作製する。鉛化合物が結晶水を含む場合には、作製したＰｂ前駆体溶液中に水が存在しないように脱水処理する。
【００４２】
作製したＰｂ前駆体溶液もしくは酢酸鉛・３水和物のような鉛（Ｐｂ）の有機酸塩とＭｇ―Ｎｂ―Ｚｒ−Ｓｎ溶液、あるいはＭｇ―Ｎｂ―Ｚｒ―ＳｎゾルをＰｂ：（Ｍｇ＋Ｎｂ＋Ｚｒ＋Ｓｎ）＝ａ：〔（ｂ＋２）／３＋〔（１−ｂ）／３〕（ｘ＋ｙ）〕（１≦ａ≦１．１０、１≦ｂ≦１．１５）のモル比で混合し、ＰＭＮ―ＰＺ−ＰＳ前駆体溶液とする。
【００４３】
作製した塗布溶液を基板上にスピンコート法，ディップコート法，スプレー法等の手法により、成膜する。
【００４４】
成膜後、３００℃〜４００℃の温度で１分間熱処理を行い、膜中に残留した有機物を燃焼させ、ゲル膜とする。１回の膜厚は０．１μｍ以下が望ましい。
【００４５】
成膜−熱処理を所定の膜厚になるまで繰り返した後、７５０℃〜８５０℃で焼成を行い、本発明の結晶質の誘電体薄膜が作製される。得られた誘電体薄膜の膜厚は２μｍ以下であるが、これより厚くなると工程数が増加し、また、コンデンサを構成した場合、容量が小さくなるからである。
【００４６】
【実施例】
ＭｇエトキシドとＮｂエトキシドを１．０５：２のモル比で秤量し、２−メトキシエタノ−ル中で還流操作（１２４℃で１７時間）を行い、１Ｍ（ｍｏｌ／ｌ）濃度のＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液を合成した。ＩＲスペクトルにおいて、６５６ｃｍ-1付近にＭｇ−Ｏ−Ｎｂ結合による吸収が見られた。
【００４７】
次にＺｒプロポキシドを２−メトキシエタノ−ルに室温で溶解し、１Ｍ濃度のＺｒ溶液を作製した。
【００４８】
次にＳｎプロポキシドを２−メトキシエタノ−ルに室温で混合し、１Ｍ濃度のＳｎ溶液を作製した。
【００４９】
１Ｍ濃度のＳｎ溶液と、Ｚｒ溶液を、ＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液に、（Ｍｇ＋Ｎｂ）：Ｚｒ：Ｓｎ＝１−ｘ―ｙ：ｘ：ｙの比率で混合し、その後、アセチルアセトンをＭｇ−Ｎｂ―Ｚｒ―Ｓｎ溶液の全金属量の１倍量添加後、室温で１０分間撹拌し、安定化させた。
【００５０】
酢酸鉛・３水和物と２−メトキシエタノールをＭｇ−Ｎｂ−Ｚｒ―Ｓｎ溶液にＰｂ：（Ｍｇ＋Ｎｂ＋Ｚｒ＋Ｓｎ）＝１．０５：〔３．０５／３〕（１−ｘ―ｙ）＋（ｘ＋ｙ）となるように混合し、１時間室温で撹拌することにより、１Ｍ濃度のＰｂ1.05（Ｍｇ1.05/3Ｎｂ2/3 ）(1-x-y) Ｚｒx Ｓｎy Ｏ3 前駆体溶液を合成した。
【００５１】
電極となるＰｔ（１１１）が６５０℃でスパッタ蒸着されたサファイア単結晶基板上の上記Ｐｔ電極の表面に、前記塗布溶液をスピンコーターで塗布し、乾燥させた後、３８０℃で熱処理を１分間行い、ゲル膜を作製した。塗布溶液の塗布−熱処理の操作を１１回繰り返した後、８２０℃で０．５分間（大気中）の急速昇温焼成を行い、膜厚０．８２μｍのＰｂ1.05（Ｍｇ1.05/3Ｎｂ2/3 ）(1-x-y) Ｚｒx Ｓｎy Ｏ3 薄膜を得た。得られた薄膜のＸ線回折結果より、ペロブスカイト生成率を計算すると約９５％であった。
【００５２】
作製した０．８２μｍ膜厚の薄膜表面に直径０．２ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により形成し、セラミックコンデンサを作製した後、５００℃で１０分間熱処理した。ＬＣＲメータ（ヒュウレットパッカード社製４２８４Ａ）を用いて、２５℃、１ｋＨｚ（ＡＣ１００ｍＶ）の条件で比誘電率を求めた。
【００５３】
さらに、ＤＣバイアス特性を、室温において電圧を印加しない場合の比誘電率Ｋ0 、直流電界３Ｖ／μｍの電圧を印加したときの比誘電率をＫ1 とした時に、（Ｋ0 −Ｋ1 ）／Ｋ0 ×１００で求め、表１に記載した。
【００５４】
次に、作製した０．８２μｍ膜厚の膜の表面に直径０．０５ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により形成し、セラミックコンデンサを作製した後、５００℃で１０分間熱処理した。このセラミックコンデンサについて、インピーダンスアナライザ（ヒュウレットパッカード社製ＨＰ４２９１Ａ，フィクスチャーＨＰ１６０９２Ａ）およびマイクロプローブを用いて１ＭＨｚ〜１．８ＧＨｚにおける特性評価を行った。インピーダンスー周波数特性の測定により、１００ＭＨｚにおける等価直列容量を評価し、比誘電率を求めた。これらの結果を表１に記載する。
【００５５】
【表１】
0003652074.tif 000002
【００５６】
この表１から判るように、本発明の誘電体薄膜は、１００ＭＨｚにおいて１０００以上の高誘電率を有するのに対して、比較例ではいずれも１００ＭＨｚにおける比誘電率が１０００よりも低いことが判る。
【００５７】
また、ＭｇエトキシドとＮｂエトキシドの比をｂ（０．９〜１．２）：２とし、ＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液を合成し、酢酸鉛・３水和物と２−メトキシエタノールをＭｇ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｓｎ溶液にＰｂ：（Ｍｇ＋Ｎｂ＋Ｚｒ＋Ｓｎ）＝ａ（０．９〜１．２）：〔〔ｂ（０．９〜１．２）＋２〕／３〕（１−ｘ−ｙ）＋（ｘ＋ｙ）となるように混合する以外は、上記例と同様に誘電体薄膜を作製し、また、上記例と同様にして特性を測定した。その結果も表１の試料Ｎo.１７〜２５に記載した。
【００５８】
この表１から、本発明の誘電体薄膜は、１００ＭＨｚにおいて１０００以上の高誘電率を有し、また、３Ｖ／μｍの電界印加下においても比誘電率の減少率が３０％未満であるの対して、比較例ではいずれも１ｋＨｚにおける比誘電率が１０００よりも低いことが判る。
【００５９】
尚、−２５℃の静電容量の変化率ＴＣＣ（％）は、−２５℃の静電容量をＣ-25 とし、２５℃の静電容量をＣ25とした時、（Ｃ-25 −Ｃ25）×１００／Ｃ25で求め、８５℃の静電容量の変化率（％）は、８５℃の静電容量をＣ85とし、２５℃の静電容量をＣ25とした時、（Ｃ85−Ｃ25）×１００／Ｃ25で求めた。
【００６０】
さらに、本発明者は、試料Ｎo.６からなる組成であって、塗布溶液の塗布−熱処理の操作の繰り返し回数を変化させ、厚みを１μｍ、２μｍとする以外は上記と同様にして誘電体薄膜を作製し、上記と同様に特性を測定し、厚みが１μｍの場合を試料Ｎo.２６、厚みが２μｍの場合を試料Ｎo.２７として記載した。
【００６１】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の誘電体薄膜は、ＤＣバイアス特性、温度特性が優れているうえに、１００ＭＨｚの様な高周波においても比誘電率が大きい為、素子の小型化を図ることができるとともに、ＩＣまわりのデカップリングコンデンサ等の高周波で用いられるコンデンサとして広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】上記組成式におけるｘ、ｙの範囲を示す図である。
【図１】
0003652074.tif 000003