(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に電極が形成された被めっき物に対し、還元剤の添加されためっき浴を使用して無電解めっきを施し、電子部品を製造する電子部品の製造方法において、
前記還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含有するめっき浴中で、前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性媒体と前記被めっき物とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記被めっき物と前記導電性媒体とを投入した容器を前記めっき浴の満たされためっき浴槽内で回転、揺動、傾斜、又は振動させて前記被めっき物と前記導電性媒体とを混合させることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記導電性媒体は、平均径が１．０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記導電性媒体としてニッケル片又はニッケル合金片を使用すると共に、ニッケル化合物を主成分としリン酸系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記ニッケル片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にニッケルを主成分とする第１のめっき皮膜を形成し、次いで該第１のめっき皮膜の形成された被めっき物を金化合物を含有しためっき浴中に浸漬し、前記第１のめっき皮膜の表面に金を析出させて第２のめっき皮膜を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記導電性媒体として金、ニッケル、パラジウム、コバルト、白金、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共に、ニッケル、コバルト、パラジウム、又は金の中から選択された１種の金属塩を主成分としリン酸系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記導電性媒体としてニッケル、コバルト、パラジウム、白金、金、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共に、ニッケル、コバルト、パラジウム又は金の中から選択された１種の金属塩を主成分としホウ素系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記めっき浴は、前記４種の金属塩に白金を加えた５種の中から選択された１種の金属を含有した金属塩を主成分としていることを特徴とする請求項６記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記導電性媒体としてコバルト、ニッケル、白金、パラジウム、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共に、ニッケル、コバルト、パラジウム、金又は白金の中から選択された１種の金属塩を主成分とし窒素化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記金属片とを混入し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記電極は、銅電極、銅合金電極、銀電極、ニッケル電極又は銀合金電極であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記銀合金電極は、銀を主成分としパラジウムを副成分としていることを特徴とする請求項９記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記導電性媒体として銅、金、銀、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共に、銅、銀、又は金の中から選択された１種の金属塩を主成分としアルデヒド系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記金属片とを混入し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記電極は、ニッケル電極であることを特徴とする請求項１１記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載の電子部品の製造方法で製造されていることを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の製造方法、及び電子部品に関し、特に、積層コンデンサやノイズフィルタ等のチップ型電子部品の製造方法、及び該製造方法を使用して製造された電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品の分野では、近年、ボンディング性やはんだ付け性、導電性樹脂接合性、耐熱性、耐蝕性等の諸機能を向上させて信頼性に優れた高機能の電子部品を得るべく、電極表面にニッケルめっき及び金めっきを施すことが盛んに行なわれている。
【０００３】
ところで、めっき方法を被覆方法から分類した場合、周知のように、金属イオンを含有しためっき液に電気を流して電気分解を行ない金属を被めっき物上に析出させる電解めっきと、無電解めっきとに大別される。また、無電解めっきには、めっき液に還元剤を添加し該還元剤の酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応を利用する自己触媒型と、溶液中の金属イオンと素地金属間で生じる置換反応を利用した置換型とがある。
【０００４】
そして、自己触媒型の無電解めっきでは、還元剤の酸化反応に対し電極表面を触媒活性な表面にする必要があり、このため従来より、Ｐｄ（パラジウム）を含有した触媒液に被めっき物を浸漬して電極に表面処理を施し、電極表面を触媒活性化することが行われている。
【０００５】
しかしながら、上述したようにＰｄを含有した触媒液に被めっき部材を浸漬した場合、電極以外の部分にもＰｄが付着して触媒活性化され、このため該Ｐｄを核としたＮｉめっき等が進行し、その結果、電極以外の部分にもＮｉ等が析出する虞がある。しかも、Ｐｄ触媒を付与するための前処理として脱脂工程やエッチング工程が必要になる等製造工程が煩雑であり、このため従来より、この種のめっき処理は主として電解めっきにより行われていた。
【０００６】
その一方で、近年になって、還元剤としてホウ素系化合物を使用した場合は、Ｐｄによる触媒処理を行わなくとも電極上に直接無電解めっきを施すことのできることが判明し、かかる知見に基づき無電解めっきによりＣｕ電極の表面にＮｉ−Ｂ層、Ｎｉ−Ｐ層、及びＡｕ層を順次積層した技術が提案されている（特開平１０−１３５６０７号公報）。
【０００７】
この従来技術では、被めっき物にＰｄ触媒を付与することなく無電解めっきを施すことができ、これによりＮｉ−Ｂ層、Ｎｉ−Ｐ層、及びＡｕ層を順次積層しているので、電極以外の部分にめっき皮膜が形成されることなく、電極表面上にのみＮｉ系皮膜及びＡｕ皮膜を形成することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記めっき方法の内、電解めっきには以下のような問題点があった。すなわち、
（１）多数の端子を具備した多端子電子部品では、各端子への給電状態を均一にすることが困難であり、このため各端子間でめっき皮膜の膜厚が均一性を欠き、めっき皮膜の膜厚にバラツキが生じる。この場合、必要最小限の膜厚を確保しなければならないため、最小膜厚を基準にめっき皮膜が形成可能となるようなめっき条件の設定を行う必要があり、このため全体的には膜厚が厚くなり、したがって、特にＡｕめっきの場合は素材自体が高価であるためコストの高騰化を招き、またＮｉめっきの場合は皮膜応力によってＮｉめっき皮膜が電極から剥離する虞がある。
【０００９】
（２）また、チップ型電子部品のような小形物品では、従来より所謂バレルめっきでめっき処理することが広く実用化されているが、今日では電子部品の更なる小形化が要請されている。
【００１０】
しかしながら、斯かる電子部品の小形化に伴なってバレル内壁等に形成された多数の孔に該電子部品の挟まる虞があり、このため前記孔の開孔径を小さくする必要が生じる一方で、該開孔径を小さくするとめっき液の流れが悪くなる。
【００１１】
また、バレルめっきの場合、電極への導電性を確保する観点から、多数の導電性媒体（メディア）をバレル装置内に投入してめっき処理が行なわれる。したがって、電子部品の小形化が進行するに伴ない、導電性媒体も例えば直径０．８ｍｍ以下の小径のものを使用せざるを得なくなり、このため１ｍｍ程度の比較的大きな直径の導電性媒体が混入した安価な導電性媒体（所謂「スチールショット」）を使用することができなくなる。つまり、経済的観点からは、形状が不揃いだが安価なスチールショットをバレル装置内に投入してめっき処理を行うのが望ましいが、電子部品の小形化に伴ない、バレルの開孔径も小さくせざるを得なくなり、その結果導電性媒体は斯かる開孔径の小さな孔に挟まることがあるため、高価な小径の導電性媒体や形状の揃ったスチールボールを使用せざるを得なくなり、生産コストの急騰化を招来する。
【００１２】
（３）また、電解バレルめっきでＡｕ皮膜を形成する場合、電子部品の電極上のみならず、導電性媒体にもＡｕが被着するため、高価なＡｕを必要以上に消費し、特にボンディング用にＡｕめっきを施す場合は厚い膜厚が必要となるため、生産コストが高騰化する。
【００１３】
（４）さらに、バリスタ等のセラミックス材料を素体とする低抵抗の電子部品の場合は、電解めっきにより電子がセラミック素体表面にまで流れるため、セラミック素体の表面にもめっき金属が異常析出する。特に、バレルめっきでは電位分布が複雑であるため、斯かるめっき金属のセラミック素体への異常析出を回避するのは困難である。
【００１４】
等の問題点があった。
【００１５】
一方、特開平１０−１３５６０７号公報に示された無電解めっき法では、電極表面上にＰｄ触媒を付与することなく、めっき処理を施すことができるので、電極上にのみ所望のめっき皮膜を形成することが可能であるが、Ｎｉ−Ｂ層の表面に直接置換型Ａｕめっきを施した場合はＮｉ−Ｂ層とＡｕ層との間で十分な密着性を保持することができない虞があり、このため、Ｎｉ−Ｂ層の表面にＡｕとの密着性に良好なＮｉ−Ｐ層を形成する必要がある。したがって電極とＡｕ層との間に二層のめっき皮膜、すなわち、Ｎｉ−Ｂ層及びＮｉ−Ｐ層を形成しなければならず、製造プロセスが複雑であるという問題点があった。しかも、無電解めっきでＮｉ−Ｂ皮膜を形成する場合は、通常、還元剤として高価なジメチルアミンボラン（（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３；以下「ＤＭＡＢ」という）を使用しているため、生産コストの高騰化を招来するという問題点があった。
【００１６】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、安価にして所望箇所にのみ所望のめっき皮膜を形成することのできる電子部品の製造方法、及び該製造方法を使用して製造される低コストで信頼性に優れた電子部品を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
従来のように、チップ型電子部品のような小形部品を電解めっき法でバレルめっきする場合は、上述したようにバレル内に小径の導電性媒体を投入してめっき処理を行なわなければならず、しかも、導電性媒体の表面にもめっき金属が析出するため、その分だけ金属が余計に必要となって生産コストの高騰化を招来し、さらに多端子電子部品の場合は膜厚分布が大きくなる等の問題点がある。そして、斯かる問題点を解消するのは電解めっきでは技術的に困難と考えられる。
【００１８】
そこで、本発明者らは無電解めっきに着目し、所望箇所にのみめっき皮膜を形成する方法を得るべく鋭意研究したところ、還元剤の酸化反応に対し触媒活性でない電極材料であっても、前記酸化反応に対し触媒活性な金属片を被めっき物と混合させ該金属片を被めっき物に接触させることにより、被めっき物の電極が触媒活性化し、電極以外の部分に金属を異常析出させることなく、電極表面にのみ所望の均一膜厚を有するめっき皮膜を形成することができるという知見を得た。
【００１９】
本発明は斯かる知見に基づきなされたものであって、本発明に係る電子部品の製造方法は、表面に電極が形成された被めっき物に対し、還元剤を添加しためっき浴を使用して無電解めっきを施し、電子部品を製造する電子部品の製造方法において、前記還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含有するめっき浴中で、前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性媒体と前記被めっき物とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴としている。
【００２０】
自己触媒型の無電解めっきは、金属のカソード析出反応と還元剤のアノード酸化反応が並列的に進行し、これにより還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な可逆電位を有する金属を素地金属である電極上に析出させることができるが、斯かる自己触媒型の無電解めっきが定常的に進行するためには、析出金属が還元剤のアノード酸化反応に対して触媒活性を有していることが必要である。
【００２１】
しかるに、上記製造方法によれば、還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性媒体を被めっき物と混合させて電極表面を触媒活性化させているので、還元剤の酸化反応で生じた電子が該電極に供給されて電極表面にのみ所望の金属が析出し、めっき皮膜が形成される。
【００２２】
また、前記導電性媒体と前記被めっき物とを混合せる方法として、回転バレル方式、揺動バレル方式、傾斜バレル方式、或いは振動バレル方式等、任意の電解バレル方式を使用することができる。
【００２３】
すなわち、本発明は、前記被めっき物と前記導電性媒体とを投入した容器を前記めっき浴の満たされためっき浴槽内で回転、揺動、傾斜、又は振動させて前記被めっき物と前記導電性媒体とを混合させることを特徴としている。
【００２４】
ところで、従来より行われている電解めっきでは、バレル装置の開孔径を或る程度大きくしないと電流が流れにくくなって電流分布に乱れが生じ、このため径の小さな導電性媒体や、形状が不揃いなスチールショットを使用するのは好ましくないとされているが、無電解めっきでは、バレル装置の開孔径を小さくしても反応上問題は少なく、したがって開孔径を極力小さくすることが可能であり、したがって、導電性媒体の形状の自由度は大きく、様々な形状の導電性媒体を使用することができる。すなわち、平均径を１．０ｍｍ程度の径の大きな導電性媒体を使用することにより、導電性媒体がバレルの孔に挟まるのを回避することが可能となり、また小形の電子部品を製造する場合であっても、高価な小径の導電性媒体や形状が揃ったスチールボールを使用する必要がなくなる。
【００２５】
したがって、本発明は、前記導電性媒体は、平均径が１．０ｍｍ以上であることを特徴としている。ここで、平均径について単に球形の平均径で述べたが、球形以外のときの様々な立体形においては、平均径とは、立体の最大径の平均として取り扱われる。
【００２６】
さらに、本発明の電子部品の製造方法は、前記導電性媒体としてＮｉ又はＮｉ合金片を使用すると共に、Ｎｉ化合物を主成分としリン酸系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記Ｎｉ片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にＮｉを主成分とする第１のめっき皮膜を形成し、次いで該第１のめっき皮膜が形成された被めっき物をＡｕ化合物を含有しためっき浴中に浸漬し、前記第１のめっき皮膜の表面にＡｕを析出させ第２のめっき皮膜を形成することを特徴としている。
【００２７】
上記製造方法によれば、リン酸系化合物の酸化反応によって生じた電子が、Ｎｉ片を介して触媒活性化された電極上に供給され、酸化還元反応により電極上にはＮｉを主成分とする第１のめっき皮膜が形成される。そして、第１のめっき皮膜が形成された被めっき物をＡｕ化合物を主成分とするめっき浴中に浸漬することにより、電気化学的に卑なＮｉが溶解して電子を放出し、放出された電子によって電気化学的に貴なＡｕイオンが還元され、これにより第１のめっき皮膜（Ｎｉ−Ｐ皮膜）上に第２の皮膜（Ａｕ皮膜）が形成される。
【００２８】
また、本発明は、上述したように還元剤の酸化反応に対し電極表面を触媒活性化させることによって自己触媒的に持続的な金属の析出させ、これによりめっき皮膜を形成している。
【００２９】
したがって、各種還元剤の酸化反応に対し触媒活性な金属を適宜選択することにより、触媒活性を有さない素地金属上にもめっき皮膜を形成することが可能になると考えられる。
【００３０】
ところで、還元剤としては、一般に広く使用されているリン酸系化合物、ホウ素系化合物、窒素化合物、及びアルデヒド系化合物について、金属の触媒活性に関する研究報告が既になされている。
【００３１】
例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔは、リン酸系還元剤である次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２）の酸化反応に対しＣｕやＡｇよりも触媒活性であることが報告されている（大野  湶、若林  理、春山  志郎著「無電解めっきにおける次亜リン酸ナトリウムのアノード酸化に対する金属の触媒活性」：金属表面技術、vol.34、Ｎｏ．12、1983、pp594-599；以下、「文献１」という）。
【００３２】
すなわち、文献１によれば、ＮａＨ２ＰＯ２の酸化反応に対しては、導電性媒体としてＡｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＰｔを使用することにより、ＮａＨ２ＰＯ２の酸化反応に対し触媒活性度の低いＣｕやＡｇ等の電極表面上にもＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ等のめっき皮膜を容易に形成することが可能となる。
【００３３】
すなわち、本発明の電子部品の製造方法は、前記導電性媒体としてＡｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔ、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、又はＡｕの中から選択された１種の金属塩を主成分としリン酸系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴としている。
【００３４】
また、還元剤としてテトラホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４）やＤＭＡＢ（（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３）等のホウ素系化合物を使用した場合、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕは、これらホウ素系化合物の酸化反応に対しＣｕやＡｇよりも触媒活性であることが報告されている（大野  湶、若林  理、春山  志郎著「無電解めっきにおけるホウ水素化ナトリウムおよびジメチルアミンボランのアノード酸化に対する金属の触媒活性」：電気化学、vol.53、Ｎｏ．3、1985、pp196-201；以下、「文献２」という）。
【００３５】
文献２によれば、上記ホウ素系化合物の酸化反応に対しては、導電性媒体としてＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＡｕを使用することにより、ホウ素系化合物の酸化反応に対し触媒活性度の低いＣｕやＡｇ等の電極表面上にもＮｉ、Ｃｏ、又はＡｕ等のめっき皮膜を容易に形成することが可能となる。
【００３６】
すなわち、本発明の電子部品の製造方法は、前記導電性媒体としてＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ又はＡｕの中から選択された１種の金属塩を主成分としホウ素系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記金属片とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴としている。
【００３７】
また、ホウ素系化合物がテトラヒドロホウ酸系化合物の場合、Ｐｔの可逆電位はテトラヒドロホウ酸系化合物の酸化還元電位よりも貴であり、したがってこの場合、めっき浴としては、上記Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ又はＡｕに加え、Ｐｔを含有した金属塩を含むものの中から選択してもよい。
【００３８】
すなわち、前記めっき浴は、前記４種の金属塩に白金を加えた５種の中から選択された１種の金属塩を主成分としていることを特徴としている。
【００３９】
さらに、還元剤として窒素化合物としてのヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）を使用した場合、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＰｄはＮ２Ｈ４の酸化反応に対しＣｕやＡｇよりも触媒活性であることが報告されている（大野  湶、若林  理、春山  志郎著「無電解めっきにおけるホルムアルデヒドおよびヒドラジンのアノード酸化に対する金属の触媒活性」：電気化学、vol.53、Ｎｏ．3、1985、pp190-195；以下、「文献３」という）。
【００４０】
文献３によれば、Ｎ２Ｈ４の酸化反応に対しては、導電性媒体としてＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、及びＰｄを使用することにより、Ｎ２Ｈ４の酸化反応に対し触媒活性度の低いＣｕやＡｇ等の電極表面上にもＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、及びＰｔめっき皮膜を容易に形成することができる。
【００４１】
すなわち、本発明の電子部品の製造方法は、前記導電性媒体としてＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、又はＰｔの中から選択された１種の金属塩を主成分とし窒素化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記金属片とを混入し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成することを特徴としている。
【００４２】
また、本発明は、還元剤の酸化反応に対して電極が触媒活性でないか低い場合を前提としており、斯かる電極材料として通常はＣｕ、Ａｇ、又はＡｇ−Ｐｄが存在する。
【００４３】
すなわち、本発明は、前記電極は、Ｃｕ電極、Ｃｕ合金電極、Ａｇ電極、Ｎｉ電極又はＡｇ合金電極であることを特徴としている。
【００４４】
また、上記文献３には、還元剤としてホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）を使用した場合、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇは、ＨＣＨＯの酸化反応に対しＮｉよりも触媒活性であることも報告されており、したがって、導電性媒体としてＣｕ、Ａｕ、Ａｇを使用することにより、ＨＣＨＯに対し触媒活性度の低いＮｉ電極上にも、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇのめっき皮膜を容易に形成することが可能となる。
【００４５】
すなわち、本発明の電子部品の製造方法は、前記導電性媒体としてＣｕ、ＡｕＡｇ、又はこれらの合金の中から選択された少なくとも１種以上の金属片を使用すると共に、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕの中から選択された１種の金属塩を主成分としアルデヒド系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記金属片とを混入し、前記無電解めっきを施して前記電極（Ｎｉ電極）上にめっき皮膜を形成することを特徴としている。
【００４６】
また、本発明に係る電子部品は、上記製造方法で製造されていることを特徴としている。
【００４７】
本発明の電子部品は、Ｐｄを含んだ触媒液で表面処理することなく、電極部分にのみ、めっきされた膜厚の均一性が良好な電子部品を低コストで容易に得ることができる。
【００４８】
特に、Ａｕとの密着性の良好なＮｉ−Ｐ層を銅電極上に直接形成することが可能であるので、信頼性に優れた高品質な電子部品を安価で得ることができる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳説する。
【００５０】
図１は本発明に係る電子部品の製造方法により製造されるチップ型電子部品の一実施の形態を模式的に示した断面図である。
【００５１】
同図において、セラミック素体１は、チタン酸バリウムやチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等のセラミック材料により角板形状に形成されており、該セラミック素体１の両端部にはＣｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等からなる電極部２が形成されている。そして、前記電極部２の表面にはＮｉ−Ｐ皮膜３が被着され、該Ｎｉ−Ｐ皮膜３の表面にはＡｕ皮膜４が被着されている。
【００５２】
次に、該電子部品の製造方法について説明する。
【００５３】
まず、所定の成形・焼成処理を経て形成されたセラミック焼結体を角板形状に切り出してセラミック素体１を作製し、次いで、周知の方法により、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の電極材料をセラミック素体１の両端部に印刷して焼き付け、該セラミック素体１の両端部に電極部２を形成する。
【００５４】
そして、本実施の形態では、無電解めっきにより電極部２の表面にＮｉ−Ｐ皮膜３及びＡｕ皮膜４を形成している。すなわち、還元剤を使用した自己触媒型の無電解めっき（以下、「自己触媒型めっき」という）により膜厚３〜６μｍのＮｉ−Ｐ皮膜３を形成し、Ｎｉとの間での置換反応を利用した置換型の無電解めっき（以下、「置換型めっき」という）により膜厚０．２μｍ以下のＡｕ皮膜４を形成している。
【００５５】
以下、Ｎｉ−Ｐ皮膜３及びＡｕ皮膜４の形成方法について詳述する。
【００５６】
（１）Ｎｉ−Ｐ皮膜３
本実施の形態では、還元剤を使用した自己触媒型めっきによりＮｉ−Ｐ皮膜３を形成しているが、斯かる自己触媒型めっきは、金属のカソード析出反応と還元剤のアノード酸化反応が並列して進行する。
【００５７】
そして、自己触媒型めっきが定常的に進行するためには還元剤の酸化還元電位が電極部２を構成する金属材料の析出電位よりも電気化学的に卑であることが必要であり、斯かる観点から、本実施の形態では酸化還元電位Ｅが約−１．１１９Ｖ（ｖｓ．ＮＨＥ；以下同じ）と低く、強い還元性を示すＮａＨ２ＰＯ２を使用している。
【００５８】
ところで、ＮａＨ２ＰＯ２は、酸性めっき浴中では化学式（１）に示すような酸化反応が起こる。
【００５９】
Ｈ２ＰＯ２−＋Ｈ２Ｏ→Ｈ２ＰＯ３−＋２Ｈ＋＋２ｅ−…（１）
すなわち、ＮａＨ２ＰＯ２は化学式（１）に示すような酸化反応を起こして電子を放出し、該電子が放出されるとその一部が電極部２に供給され、電極部２の表面にＮｉ−Ｐが析出する。
【００６０】
しかしながら、斯かるＮｉ−Ｐが析出するためには、電極部２を構成する電極材料が、ＮａＨ２ＰＯ２の酸化反応に対し触媒活性である必要があるのに対し、前記電極材料はＮａＨ２ＰＯ２の酸化反応に対し触媒活性を有さないか、或いは触媒活性度が極めて低いとされている。
【００６１】
そこで、本実施の形態では、ＮａＨ２ＰＯ２に対して触媒活性な導電性媒体として平均径が１ｍｍのＮｉ片を析出金属であるＮｉ成分の含有しためっき浴中に必要量混入させ、該めっき浴中で所定回転数で回転させ、めっき浴中の被めっき物とＮｉ片とを接触させることにより電極表面を触媒活性化している。
【００６２】
すなわち、めっき浴中で被めっき物がＮａＨ２ＰＯ２に対し触媒活性な多数のＮｉ片と接触状態となって電極表面が触媒活性化され、その一方でめっき浴中では化学式（２）、（３）に示す反応が進行し、Ｎｉ−Ｐ皮膜３が電極部２の表面に形成される。
【００６３】
Ｎｉ２＋＋２ｅ−→Ｎｉ…（２）
Ｈ２ＰＯ２−＋２Ｈ＋＋ｅ−→２Ｈ２Ｏ＋Ｐ…（３）
尚、めっき浴組成としては、めっき浴中での酸化還元反応によりＮｉ−Ｐ皮膜３が電極部２の表面に形成されれば特に限定されるものではなく、例えば塩化ニッケル等の酸性ニッケルを主成分としＮａＨ２ＰＯ２を還元剤として含有すると共に、錯化剤や水素イオン指数ｐＨの変動を防止するための緩衝剤を含んだめっき浴や、必要に応じて安定剤や界面活性剤等を添加させためっき浴を使用することができる。
【００６４】
また、めっき浴中でＮｉ片と被めっき物とを混合させるための回転容器としては、電解バレルめっきで使用されるバレル容器を使用するのが経済的観点から安価で済み、好ましい。
【００６５】
尚、本実施の形態では、めっき浴を回転させてＮｉ片と被めっき物とを混合させているが、無電解めっきでは、電解めっきのように電流分布の乱れを考慮する必要がないため、バレル孔径や開孔率は電解めっきほど気にする必要はなく、したがって回転バレル方式の他、揺動バレル方式、傾斜バレル方式、振動バレル方式等、種々の方式を使用して所望の無電解めっきを行うことができる。
【００６６】
（２）Ａｕ皮膜４
Ａｕは高価な金属であり、必要最小限の膜厚を確保することができれば十分であることから、Ａｕ皮膜４は、Ｎｉ−Ｐ皮膜３が大概被覆された時点で反応性が低下する置換めっきで形成される。
【００６７】
すなわち、Ａｕよりも電気化学的に卑なＮｉ−Ｐ皮膜が形成された被めっき物をＡｕの含有しためっき浴中に浸漬すると、化学式（４）、（５）に示すように、卑な金属であるＮｉの溶解で電子が放出され、該電子によって貴なＡｕイオンが還元され、その結果、Ｎｉ−Ｐ皮膜３上にはＡｕ皮膜４が形成される。
【００６８】
Ｎｉ→Ｎｉ２＋＋２ｅ−…（４）
Ａｕ＋＋ｅ−→Ａｕ…（５）
このように本実施の形態では、まず、必要量のＮｉ片と被めっき物とをめっき浴中で混合させて電極部２をＮｉ片と接触させ、これにより電極表面を触媒活性化させている。そして、還元剤であるＮａＨ２ＰＯ２の酸化還元電位よりも可逆電位が電気化学的に貴なＮｉ−Ｐを電極部２の表面に析出させ、これによりＮｉ−Ｐ皮膜３を電極表面に形成しているので、従来のようにＰｄ触媒を電極表面に付与する必要もなく、電極表面にのみめっき皮膜を形成させることができる。
【００６９】
すなわち、本実施の形態では、析出金属と還元剤の間で起こる酸化還元反応によってのみめっき反応が進行して触媒活性化された電極表面にめっき皮膜を形成しているので、電極以外の部分にめっき金属が異常析出することもなく、電極表面にのみめっき皮膜を形成させることができる。
【００７０】
また、上述したチップ型電子部品のように小形部品の場合であっても、電解めっきのような小径の導電性媒体を使用する必要がなく、生産コストの高騰化を回避することができ、また簡易な方法で所望のめっき処理を行うことができる。
【００７１】
さらに、電解めっきの場合と異なり、めっき浴中には電流が流れず、したがって電流分布の影響もなく、めっき浴と接触する電極全体で均一に析出反応が進行するため、複雑な電極パターンを有する多端子型電子部品に適用した場合であっても各端子間の膜厚分布を略均一に制御することができ、めっき材料を必要以上に消費するのを回避することができ、斯かる点からも生産コストが高騰するのを回避することができる。
【００７２】
ところで、本発明は、上述したように還元剤の酸化反応に対して本来触媒活性でない電極表面を導電性媒体と接触させて触媒活性な表面とし、還元剤と析出金属間で生じる酸化還元反応により電極表面上に金属を析出させている。
【００７３】
したがって、種々の還元剤の酸化反応に対し触媒活性な金属を適宜選択することにより、還元剤、導電性媒体、及び電極材料とを種々組み合わせることにより、本発明の所期の目的を達成することができる。
【００７４】
以下、還元剤としてＮａＨ２ＰＯ２、ＮａＢＨ４、（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３、Ｎ２Ｈ４、ＨＣＨＯを使用した場合について説明する。
【００７５】
（１）ＮａＨ２ＰＯ２
〔課題を解決するための手段〕の項で紹介した文献１には、ＮａＨ２ＰＯ２の酸化反応に対し、アノード酸化開始電位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ａｕ＞Ｎｉ＞Ｐｄ＞Ｃｏ＞Ｐｔ＞Ｃｕ＞Ａｇの順序で触媒活性の低下することが報告されている。
【００７６】
したがって、ＣｕやＡｇに比べて触媒活性度の高いＡｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｐｔを導電性媒体として被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極やＡｇ電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることにより、該電極表面をＮａＨ２ＰＯ２の酸化反応に対し触媒活性なものとすることができる。
【００７７】
すなわち、ＮａＨ２ＰＯ２のアノード酸化反応は酸性水溶液中では化学式（６）、アルカリ水溶液中では化学式（８）で夫々表わされ、酸化還元電位Ｅは酸性水溶液中では数式（７）、アルカリ水溶液中では化学式（９）で夫々表わされる。
【００７８】
Ｈ２ＰＯ２−＋Ｈ２Ｏ→Ｈ２ＰＯ３−＋２Ｈ＋＋２ｅ−…（６）
Ｅ＝−０．５０−０．０６ｐＨ  …（７）
Ｈ２ＰＯ２−＋３ＯＨ−→ＨＰＯ３２−＋２Ｈ２Ｏ＋２ｅ−…（８）
Ｅ＝−０．３０−０．０９ｐＨ  …（９）
ここで、ｐＨは酸性水溶液又はアルカリ性水溶液の水素イオン指数である。
【００７９】
そして、ＮａＨ２ＰＯ２の酸化還元電位Ｅよりも可逆電位が電気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自己触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を形成することができる。
【００８０】
尚、この場合、めっき浴としては、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、或いはＡｕを含有した金属塩を使用することができる。
【００８１】
（２）ＮａＢＨ４
〔課題を解決するための手段〕の項で紹介した文献２には、ＮａＢＨ４の酸化反応に対し、アノード酸化開始電位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ｎｉ＞Ｃｏ＞Ｐｄ＞Ｐｔ＞Ａｕ＞Ａｇ＞Ｃｕの順序で触媒活性の低下することが報告されている。
【００８２】
したがって、ＣｕやＡｇに比べて触媒活性度の高いＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕを導電性媒体として被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極やＡｇ電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることにより、該電極表面をＮａＢＨ４の酸化反応に対し、触媒活性なものとすることができる。
【００８３】
すなわち、ＮａＢＨ４のアノード酸化反応は化学式（１０）で表わされ、酸化還元電位Ｅは数式（１１）で表わされる。
【００８４】
ＢＨ４−＋８ＯＨ−→ＢＯ２−＋６Ｈ２Ｏ＋８ｅ−…（１０）
Ｅ＝−０．４５−０．０６ｐＨ  …（１１）
そして、ＮａＢＨ４の酸化還元電位Ｅよりも可逆電位が電気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自己触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を形成することができる。
【００８５】
尚、この場合、めっき浴としては、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ或いはＰｔを含有した金属塩を使用することができる。
【００８６】
また、本実施の形態では、還元剤としてＮａＢＨ４について説明したが、ＮａＢＨ４と同様の性状を示すＫＢＨ４についても同様である。
【００８７】
（３）（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３
上記文献２には、（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３の酸化反応に対し、アノード酸化開始電位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ｎｉ＞Ｃｏ＞Ｐｄ＞Ａｕ＞Ｐｔ＞Ａｇの順序で触媒活性の低下することが報告されている。
【００８８】
したがって、ＣｕやＡｇに比べて触媒活性度の高いＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔを導電性媒体として被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極やＡｇ電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることにより、該電極表面を（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３の酸化反応に対し、触媒活性なものとすることができる。
【００８９】
すなわち、（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３のアノード酸化反応は水素発生を含む場合は化学式（１２）で表わされ、イオン化する場合は化学式（１３）で表わされる。
【００９０】
0003678195.tif 000002
そして、（ＣＨ３）２ＮＨＢＨ３の酸化還元電位Ｅよりも可逆電位が電気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自己触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を形成することができる。
【００９１】
尚、この場合、めっき浴としては、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ或いはＡｕを含有した金属塩を使用することができる。
【００９２】
（４）Ｎ２Ｈ４
〔課題を解決するための手段〕の項で紹介した文献３には、Ｎ２Ｈ４の酸化反応に対し、アノード酸化開始電位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ｃｏ＞Ｎｉ＞Ｐｔ＞Ｐｄ＞Ｃｕ＞Ａｇ＞Ａｕの順序で触媒活性の低下することが報告されている。
【００９３】
したがって、ＣｕやＡｇに比べて触媒活性度の高いＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、を導電性媒体として被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＣｕ電極やＡｇ電極或いはＡｇ−Ｐｄ電極に接触させることにより、該電極表面をＮ２Ｈ４の酸化反応に対し、触媒活性なものとすることができる。
【００９４】
すなわち、Ｎ２Ｈ４のアノード酸化反応は水素を発生する場合は化学式（１４）、水素を発生しない場合は化学式（１６）で夫々表わされ、酸化還元電位Ｅは水素を発生する場合は数式（１５）、水素を発生しない場合は数式（１７）で夫々表わされる。
【００９５】
Ｎ２Ｈ４＋２ＯＨ−→Ｎ２＋Ｈ２＋２Ｈ２Ｏ＋２ｅ−  …（１４）
Ｅ＝１．５７−０．０６ｐＨ  …（１５）
Ｎ２Ｈ４＋４ＯＨ−→Ｎ２＋４Ｈ２Ｏ＋４ｅ−  …（１６）
Ｅ＝−０．３１−０．０６ｐＨ  …（１７）
そして、Ｎ２Ｈ４の酸化還元電位Ｅよりも可逆電位が電気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自己触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を形成することができる。
【００９６】
尚、この場合、めっき浴としては、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ或いはＰｔを含有した金属塩を使用することができる。
【００９７】
（５）ＨＣＨＯ
上記文献３には、ＨＣＨＯの酸化反応に対し、アノード酸化開始電位から各種金属の触媒活性を評価すると、Ｃｕ＞Ａｕ＞Ａｇ＞Ｐｔ＞Ｐｄ＞Ｎｉ＞Ｃｏの順序で触媒活性の低下することが報告されている。
【００９８】
したがって、Ｎｉに比べて触媒活性度の高いＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄを導電性媒体として被めっき物と混合させ、該導電性媒体をＮｉ電極に接触させることにより、該電極表面をＨＣＨＯの酸化反応に対し、触媒活性なものとすることができる。
【００９９】
すなわち、ＨＣＨＯのアノード酸化反応は水素を発生する場合は化学式（１８）、水素を発生しない場合は化学式（２０）で夫々表わされ、酸化還元電位Ｅは水素を発生する場合は数式（１９）、水素を発生しない場合は数式（２１）で夫々表わされる。
【０１００】
２ＨＣＨＯ＋４ＯＨ−→２ＨＣＯＯ−＋Ｈ２＋２Ｈ２Ｏ＋２ｅ−  …（１８）
Ｅ＝０．３２−０．１２ｐＨ  …（１９）
ＨＣＨＯ＋３ＯＨ−→ＨＣＯＯ−＋２Ｈ２Ｏ＋２ｅ−  …（２０）
Ｅ＝０．１９−０．０９ｐＨ  …（２１）
そして、ＨＣＨＯの酸化還元電位Ｅよりも可逆電位が電気化学的に貴な金属イオンを含有しためっき浴中で自己触媒めっきが進行し、これにより所望のめっき皮膜を形成することができる。
【０１０１】
尚、この場合、めっき浴としては、Ｃｕ、Ａｇ或いはＡｕを含有した金属塩を使用することができる。
【０１０２】
また、本実施の形態では、還元剤としてＨＣＨＯについて説明したが、ＮａＢＨ４と同様のアルデヒド系化合物であるグリオキシル酸（ＣＨＯＣＯＯＨ）についても同様である。
【０１０３】
そして、上記（１）〜（５）の結果を纏めると表１のようになる。
【０１０４】
【表１】
0003678195.tif 000003
この表１からも明らかなように、還元剤、析出金属、導電性媒体、及び電極材料を種々組み合わせて所望のめっき処理を実行することができ、これによりチップ型のみならずプリント基板等、様々な用途に使用される種々の電子部品のめっき処理に対し広汎な適用が可能となる。
【０１０５】
以上詳述したように本発明によれば、各種還元剤の酸化反応に対し触媒活性度の低い電極材料に対しても導電性媒体を介して電極材料を触媒活性化することができ、これにより、種々の還元剤に対し自己触媒めっきによるめっき皮膜の形成が可能となる。
【０１０６】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【０１０７】
〔第１の実施例〕
（実施例１）
本発明者らは、縦３．２ｍｍ、横１．６ｍｍ、厚さ１．０ｍｍのセラミック素体の両端部にＣｕ電極を形成して被めっき物を１０個作製した。
【０１０８】
次いで、下記のめっき組成を有するめっき浴（第１のめっき浴）を満たした内容積が１．９０×１０−４ｍ３のバレルに上記１０個の被めっき物を浸漬すると共に、直径約１ｍｍのＮｉ片を７．９ｇ（約１５００個）バレルに入れ、０．０５ｓ−１（＝３ｒｐｍ）の回転速度で該バレルを３０分間回転させ、自己触媒めっきを施してＣｕ電極の表面にＮｉ−Ｐ皮膜を形成した。
【０１０９】
〔第１のめっき浴組成〕
金属塩  ：  塩化ニッケル３０．０ｋｇ／ｍ３
還元剤  ：  ホスフィン酸ナトリウム１０．０ｋｇ／ｍ３
錯化剤  ：  クエン酸ナトリウム１０．０ｋｇ／ｍ３
グリコール酸ナトリウム１０．０ｋｇ／ｍ３
ｐＨ    ：  ４．２
浴  温  ：  ８５℃
次に、Ｎｉ―Ｐ皮膜の形成された被めっき物を下記のめっき組成を有するめっき浴（第２のめっき浴）中に浸漬し、置換めっきを施してＮｉ−Ｐ皮膜の表面にＡｕ皮膜を形成し、実施例１の試験片を作製した。
【０１１０】
〔第２のめっき浴組成〕
金属塩  ：  亜硫酸金５．５ｋｇ／ｍ３
錯化剤  ：  亜硫酸ナトリウム１５．０ｋｇ／ｍ３
エチレンジアミン四酢酸・２ナトリウム４５．０ｋｇ／ｍ３
ｐＨ    ：  ６．８
浴  温  ：  ８５℃
（実施例２）
実施例１と同様のセラミック素体の両端部にＡｇ−Ｐｄ電極を形成し、実施例１と同様の手順でＡｇ−Ｐｄ電極の表面にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を形成し、実施例２の試験片を作製した。
【０１１１】
（実施例３）
実施例１と同様のセラミック素体の両端部にＡｇ電極を形成し、実施例１と同様の手順でＡｇ電極の表面にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を形成し、実施例３の試験片を作製した。
【０１１２】
表２は、各実施例の膜厚を示している。
【０１１３】
尚、膜厚測定は、蛍光Ｘ線膜厚計（セイコーインスツルメンツ社製ＳＥＡ５１２０）で測定した。
【０１１４】
【表２】
0003678195.tif 000004
この表２から明らかなように、ホスフィン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２）に触媒活性を示さない電極材料であってもＰｄ触媒を付与することなく自己触媒めっきにより電極表面にＮｉ−Ｐ皮膜を形成することができ、その後置換めっきによりＮｉ−Ｐ皮膜上にＡｕ皮膜を形成することのできることが確認された。
【０１１５】
〔第２の実施例〕
本発明者らは、縦０．６ｍｍ、横０．３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのセラミック素体を使用し、第１の実施例の実施例１と同様の手順で１０個の試験片を作製し、これら試験片の中から４個の試験片をサンプリングして第１の実施例と同様、膜厚測定を行った。
【０１１６】
表３はその測定結果を示している。
【０１１７】
【表３】
0003678195.tif 000005
この表３から明らかなように、小形のチップ型電子部品においても平均径１ｍｍのＮｉ片をバレル内に投入して被めっき物と混合・接触させて電極表面を触媒活性な表面なものとすることにより、Ｃｕ電極の表面にＮｉ−Ｐ皮膜を形成することができる。また、置換めっきでＡｕ皮膜を形成することにより、膜厚が０．１０μｍ以下の薄膜を容易に得ることができることが確認された。
【０１１８】
〔第３の実施例〕
本発明者らは、縦４．５ｍｍ、横２．０ｍｍ、厚み０．５ｍｍのセラミック素体の表面に複雑な所定形状のＣｕ製の電極パターンを形成し、第１の実施例の実施例１と同様にしてＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を形成し、実施例２１の試験片を作製した。
【０１１９】
また、本発明者らは、上述と同様の電極パターンが形成されたセラミック素体に電解めっきを施し、電極パターン上にＮｉ皮膜及びＡｕ皮膜を形成し、比較例２１の試験片を作製した。
【０１２０】
尚、電解めっきにおける電流密度はＮｉめっきの場合は、０．３Ａ／ｄｍ２、Ａｕめっきの場合は、０．１Ａ／ｄｍ２に設定して行った。
【０１２１】
次いで、本発明者らは、図２に示すように、中央部から少し右寄りの点ａ、中央部から少し左寄りの点ｂ、点ｃ、両左隅の点ｄ、点ｅ、右両隅の点ｆ、点ｇについて、各皮膜の第１の実施例と同様の方法で膜厚を測定した。
【０１２２】
表４はその測定結果を示す。
【０１２３】
【表４】
0003678195.tif 000006
この表４から明らかなように比較例２１は、電流分布に差があるため、Ｎｉ皮膜は各測定点間で０．６９μｍ〜１３．４２μｍのばらつきが生じ、またＡｕ皮膜は各測定点間で０．０２μｍ〜０．１９μｍのばらつきが生じた。特に、Ａｕ皮膜の場合は各測定点で必要最低限の膜厚が得られるように電流密度を設定してめっき処理を行うため、電流分布の差により異常に厚い膜厚を有する箇所が生じた（本実施例ではセラミック素体の両端部ｄ〜ｇの膜厚が中央部ａ〜ｃの膜厚よりも厚い）。
【０１２４】
これに対し実施例２１は、電極表面全域でめっきが均一に進行するため、膜厚も均一性が良好なものとなり、低コストで効率良く所望のめっき皮膜が形成されることが確認された。
【０１２５】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る電子部品の製造方法は、表面に電極が形成された被めっき物に対し、還元剤を添加しためっき浴を使用して無電解めっきを施し、電子部品を製造する電子部品の製造方法において、前記還元剤の酸化還元電位よりも電気化学的に貴な析出電位を有する金属イオンを含有するめっき浴中で、前記還元剤の酸化反応に対し触媒活性を示す導電性媒体と前記被めっき物とを混合し、前記無電解めっきを施して前記電極上にめっき皮膜を形成するので、被めっき物の電極が導電性媒体と接触することにより電極表面が触媒活性化され、これにより還元剤と析出金属間での酸化還元反応により電極表面にめっき皮膜が形成され、均一な膜厚のめっき皮膜を有する電子部品を製造することができる。
【０１２６】
すなわち、電解めっきのように電極部分以外の非金属部分に金属が異常析出することなく、また、多端子用電子部品の場合であっても電極部にのみ所望の均一な膜厚を有するめっき皮膜を形成することができる。しかも、めっき皮膜の均一性が良好であり、また導電性媒体に金属が析出することもなく、したがって析出金属が必要以上に消費されることもなく、コストが高騰するのを抑制することができる。
【０１２７】
また、前記被めっき物と前記導電性媒体とを投入した容器を前記めっき浴の満たされためっき浴槽内で回転させて前記被めっき物と前記導電性媒体とを混合させることにより、導電性媒体と被めっき物とを容易に接触させることができ、電極表面を触媒活性な状態とすることができる。
【０１２８】
また、前記導電性媒体の平均径を１．０ｍｍ以上とすることにより、電解バレルめっきで使用されるバレル容器で上記無電解めっきを行った場合でも、バレルの開孔部に導電体媒体が挟まるのを回避することができ、また、高価な小径の導電性媒体を使用する必要もなく、小形の電子部品を製造する場合であってもコストの急騰化を生じることなく、製造することができる。
【０１２９】
特に、前記導電性媒体としてＮｉ片又はＮｉ合金片を使用すると共に、Ｎｉ化合物を主成分としリン酸系化合物を前記還元剤として含有しためっき浴中で、前記被めっき物と前記Ｎｉ片とを混合し、無電解めっきを施して前記電極上にＮｉを主成分とする第１のめっき皮膜を形成し、次いで該第１のめっき皮膜が形成された被めっき物をＡｕ化合物を主成分とするめっき浴中に浸漬して第１のめっき皮膜の表面にＡｕを析出させて第２のめっき皮膜を形成することにより、自己触媒めっきによって均一性の良好な任意の膜厚を有する第１のめっき皮膜（Ｎｉ−Ｐ皮膜）が形成され、さらに置換めっきによって第２のめっき皮膜（Ａｕ皮膜）が形成されることとなり、特にＡｕ皮膜は均一性が良好で必要以上の膜厚とはならず、必要最小限のコストでもって電子部品を製造することができる。
【０１３０】
また、本発明によれば、還元剤としてリン酸系化合物、ホウ素系化合物、窒素化合物、アルデヒド系化合物を使用した場合も、還元剤の酸化反応に対して触媒活性な金属を適宜選択し、還元剤、析出金属、導電性媒体、及び電極材料を種々組み合わせることにより、所望のめっき処理を施すことができ、これによりチップ型のみならずプリント基板等、広汎な様々な用途に適用される種々の電子部品のめっき処理に適用することができる。
【０１３１】
また、本発明に係る電子部品は、上記製造方法で製造されているので、従来のこの種無電解めっきのようにＰｄを含んだ触媒液で表面処理することなく、電極部分にのみ均一にめっき皮膜が形成された電子部品を容易に得ることができる。
【０１３２】
特に、Ａｕとの密着性の良好なＮｉ−Ｐ層を銅電極上に直接形成することが可能であるので、高品質な信頼性に優れた電子部品を安価で得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法で製造された電子部品の一実施の形態を示す断面図である。
【図２】第３の実施例における膜厚測定点を示す図である。
【符号の説明】
１  セラミック素体
２  電極部（電極）
３  Ｎｉ−Ｐ皮膜（第１のめっき皮膜）
４  Ａｕ皮膜（第２のめっき皮膜）
【図１】
0003678195.tif 000007
【図２】
0003678195.tif 000008