(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学基材の主表面にキセノンガスのイオンビームを照射することによって前記光学基材の主表面を平滑化する工程と、
前記光学基材の平滑化された主表面上に、キセノンガスのイオンビームで支援された蒸着により、弗化バリウム膜を形成する工程と、
前記弗化バリウム膜の上にセレン化亜鉛膜を形成する工程とを備えた、赤外線レーザ用光学部品の製造方法。
【請求項２】
前記光学基材は、セレン化亜鉛を含む、請求項１に記載の赤外線レーザ用光学部品の製造方法。
【請求項３】
前記光学基材の主表面を平滑化する工程と前記弗化バリウム膜を形成する工程は、前記光学基材を２３０℃以上２８０℃以下の温度に加熱した状態で行なわれる、請求項１または請求項２に記載の赤外線レーザ用光学部品の製造方法。
【請求項４】
前記光学基材の主表面を平滑化する工程は、キセノンガスの導入時における雰囲気圧力が５×１０-3Pa以上３×１０-2Ｐａ以下の条件で、３００Ｖ以上８００Ｖ以下のイオンビーム電圧で５分間以上１０分間以下、前記光学基材の主表面上にキセノンガスのイオンビームを照射することによって行なわれる、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の赤外線レーザ用光学部品の製造方法。
【請求項５】
前記弗化バリウム膜を形成する工程は、キセノンガスの導入時における雰囲気圧力が５×１０-3Pa以上３×１０-2Ｐａ以下の条件で、１００Ｖ以上２００Ｖ以下のイオンビーム電圧で前記光学基材の主表面上にキセノンガスのイオンビームを照射しながら行なわれる、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の赤外線レーザ用光学部品の製造方法。
【請求項６】
前記弗化バリウム膜を形成する工程は、イオン電流密度が４μＡ／ｃｍ2以上の条件でキセノンガスのイオンビームを照射しながら行なわれる、請求項５に記載の赤外線レーザ用光学部品の製造方法。
【請求項７】
前記弗化バリウム膜を形成する工程は、電子ビーム加熱または抵抗加熱による蒸着で行なわれる、請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の赤外線レーザ用光学部品の製造方法。
【請求項８】
前記セレン化亜鉛膜を形成する工程は、前記光学基材を２３０℃以上２８０℃以下の温度に加熱した状態で行なわれる、請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の赤外線レーザ用光学部品の製造方法。
【請求項９】
前記セレン化亜鉛膜を形成する工程は、電子ビーム加熱または抵抗加熱による蒸着で行なわれる、請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の赤外線レーザ用光学部品の製造方法。
【請求項１０】
前記セレン化亜鉛膜を形成する工程は、イオンビームで支援された蒸着によって行なわれる、請求項９に記載の赤外線レーザ用光学部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般的には赤外線レーザ用光学部品の製造方法に関し、特定的には、高出力の炭酸ガス（ＣＯ2）レーザ等の赤外線レーザによる加工に用いられる集光レンズ、ウインドウ等で光学コーティングが施される光学部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、高出力の炭酸ガスレーザ（発振波長１０．６μｍ）等の赤外線レーザを用いる加工機械においては、発振器系や集光系の光学部品には赤外線に対して透明なセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）を光学基材とする出力鏡、終段鏡、集光レンズ等が用いられ、伝送系の光学部品にはシリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）を光学基材とするミラーが用いられている。これらの光学部品の基材表面には光学薄膜が施されることによって所望の光学性能が備えられている。特に、炭酸ガスレーザ用光学部品ではレーザ光の反射や透過により部品の表面と内部に強力なエネルギが与えられるため、基材表面に施される光学薄膜材料には、膜吸収の低い弗化トリウム（ＴｈＦ４）や化合物半導体材料のセレン化亜鉛、硫化亜鉛（ＺｎＳ）が用いられてきた。
【０００３】
近年、高出力レーザによる材料加工の実用化が進展するにつれて加工の高精度化および安定化が要求され、光学部品の光学薄膜でのレーザ光の吸収を低減する必要性がますます高まってきている。このような状況から、レーザ光の吸収が低く、かつ高い耐久性を有するレーザ用光学薄膜を得るために成膜技術の研究開発が進められている。
【０００４】
たとえば、米国特許第６，０２０，９９２号では、セレン化亜鉛からなる光学基材の上に順に、低い屈折率を有する弗化バリウム（ＢａＦ２）膜と高い屈折率を有するセレン化亜鉛膜とを積層して光学薄膜を構成することによって、０．１１〜０．１２％の吸収率を有する、赤外線レーザ用光学部品のための低吸収コーティングが得られることが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の米国特許で開示されたコーティングでは、最上層に形成されるセレン化亜鉛膜は弗化バリウム膜よりも厚く形成されるため、剥離しやすいという問題点があった。また、その弗化バリウム膜は吸湿性を有しているために、セレン化亜鉛膜の表面が損傷を受けた場合、劣化しやすく、光学部品としてコーティング全体の吸収率を低い値に維持することが困難であった。
【０００６】
さらに、セレン化亜鉛膜が厚いために対象となるレーザ光の波長領域では透過率スペクトルのピークが急峻になるので、所望の透過率を得るために成膜工程において膜厚を制御することが困難となる。その結果、コーティングの光学スペクトル特性として反射防止機能が最も高く現われるように膜厚を制御することが困難であるという問題点があった。セレン化亜鉛膜が厚いために成膜に要する蒸着時間が長くなるので、生産性が低くなるという問題点もあった。
【０００７】
なお、Ｓ．Ｓｃａｇｌｉｏｎｅ他、”Ｌａｓｅｒ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｏａｔｉｎｇｓ  ｐｒｏｄｕｃｅｄ  ｂｙ  ｉｏｎ  ｂｅａｍ  ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ”、Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ，  ２１４（１９９２）  ｐｐ．１８８−１９３には、キセノン（Ｘｅ）ガスのイオンビームで支援した電子ビーム加熱による蒸着によって、セレン化亜鉛からなる基材の上に弗化バリウム膜とセレン化亜鉛膜とを形成して炭酸ガスレーザ用光学コーティングの機械的性質を改善した例が記載されている。また、Ｍ．Ｒａｈｅ他、”Ｔｈｅ  ｅｆｆｅｃｔ  ｏｆ  ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ  ｉｎ  ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ  ａｎｄ  ＩＡＤ  ｃｏａｔｉｎｇｓ  ｏｎ  ｔｈｅ  ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｌａｓｅｒ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｄａｍａｇｅ  ａｔ  １０．６  μｍ”、ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．１８４８  Ｌａｓｅｒ−Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｄａｍａｇｅ  ｉｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  １９９２  ｐｐ．３３５−３４８には、アルゴンガスのイオンビームで支援した蒸着によって、セレン化亜鉛からなる基材の上に弗化バリウム膜を形成した例が記載されている。しかしながら、いずれの文献においても、レーザ光の吸収率を０．１５％以下に低下させた赤外線レーザ用光学部品の構成は記載されていない。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、レーザ光の吸収率を０．１５％以下に低下させることができるとともに、緻密で耐湿性が高い弗化バリウム膜を備え、耐久性を向上させた赤外線レーザ用光学部品の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願発明者は、光学基材の上に緻密な弗化バリウム膜を形成するために、イオンビームで支援した蒸着技術を種々検討した結果、光学基材の表面をイオンビームで平滑化処理した後、そのイオンビームで支援された蒸着によって弗化バリウム膜を形成すれば、赤外線レーザ用光学部品において０．１５％以下の吸収率を達成できるとともに、光学部品の耐久性を高めることができるという知見を得た。
【００１７】
この発明にしたがった赤外線レーザ用光学部品の製造方法は、光学基材の主表面にキセノンガスのイオンビームを照射することによって光学基材の主表面を平滑化する工程と、光学基材の平滑化された主表面上に、キセノンガスのイオンビームで支援された蒸着により、弗化バリウム膜を形成する工程と、弗化バリウム膜の上にセレン化亜鉛膜を形成する工程とを備える。
【００１８】
上記の光学部品の製造方法においては、光学基材の主表面が平滑化処理された後、イオンビームで支援された蒸着によって弗化バリウム膜を形成するので、緻密性を有する弗化バリウム膜を形成することができる。このため、耐湿性の高い弗化バリウム膜を得ることができる。したがって、弗化バリウム膜の上に形成されるセレン化亜鉛膜の厚みを薄くしても、高い耐久性を有する光学コーティングを光学部品に与えることができる。その結果、最上層のセレン化亜鉛膜の表面が損傷を受けても劣化し難く、光学部品としてコーティング全体の吸収率を０．１５％以下の低い値に維持することが可能となる。
【００１９】
この発明の光学部品の製造方法において、光学基材としてセレン化亜鉛を含む材料を用いるのが好ましい。
【００２０】
また、この発明の光学部品の製造方法において、光学基材の主表面を平滑化する工程と弗化バリウム膜を形成する工程は、光学基材を２３０℃以上２８０℃以下の温度に加熱した状態で行なわれるのが好ましい。
【００２１】
上記の製造方法では、弗化バリウム膜の形成時における基材の温度が相対的に低い温度であるので、弗化バリウム膜の膜厚を制御することが容易であり、高い精度でその膜厚を制御することができ、安定した透過率を得ることができる。また、基材の温度が２３０℃未満では、弗化バリウム膜の結晶成長が損なわれ、緻密な膜を形成することができないので、弗化バリウム膜の膜吸収が増大し、耐湿性が低下する。基材の温度が２８０℃を越えると、セレン化亜鉛膜の付着率の温度係数が著しく増大し、膜厚を制御することが困難となり、光学膜としての透過率特性が低下する。
【００２２】
この発明の光学部品の製造方法において、光学基材の主表面を平滑化する工程は、キセノンガスの導入時における雰囲気圧力が５×１０−３Ｐａ以上３×１０−２Ｐａ以下の条件で、３００Ｖ以上８００Ｖ以下のイオンビーム電圧で５分間以上１０分間以下、光学基材の主表面上にキセノンガスのイオンビームを照射することによって行なわれるのが好ましい。
【００２３】
上記の光学基材の主表面を平滑化する工程において、キセノンガスの導入時における雰囲気圧力が５×１０−３Ｐａ未満では、イオンソースとしてのキセノンイオンを生成するための放電安定性が低下する。上記の雰囲気圧力が３×１０−２Ｐａを越えると、キセノン原子の含有量が多くなるため、弗化バリウム膜中に取り込まれるキセノン原子が増加し、膜の吸収率が増加し、膜の応力が増加する。
【００２４】
上記の光学基材の主表面を平滑化する工程において、イオンビーム電圧が３００Ｖ未満では、光学基材の表面に吸着している物質を除去する機能や光学基材の表面を平滑化する機能が低下し、その結果として光学基材の表面を清浄化する機能が低下する。また、イオンビーム電圧が８００Ｖを越えると、光学基材の表面が荒れるという逆効果を誘発し、基材を支持している部材の表面がエッチングされるという現象が増大し、基材の表面が汚染されやすくなる。
【００２５】
上記の光学基材の主表面を平滑化する工程において、イオンビームの照射時間が５分未満では、基材の表面を平滑化する効果が不充分である。また、イオンビームの照射時間が１０分を越えると、イオンビーム電圧が８００Ｖを越える場合と同様に、基材の表面が荒れるという逆効果を誘発し、また不必要に成膜プロセス全体に要する時間が長くなる。
【００２６】
この発明の光学部品の製造方法において、弗化バリウム膜を形成する工程は、キセノンガスの導入時における雰囲気圧力が５×１０−３Ｐａ以上３×１０−２Ｐａ以下の条件で、１００Ｖ以上２００Ｖ以下のイオンビーム電圧で前記光学基材の主表面上にキセノンガスのイオンビームを照射しながら行なわれるのが好ましい。
【００２７】
上記の弗化バリウム膜を形成する工程において、キセノンガスの導入時における雰囲気圧力の上下限値の理由は、光学基材の主表面を平滑化する工程と同様である。
【００２８】
上記の弗化バリウム膜を形成する工程において、イオンビーム電圧が１００Ｖ未満では、膜を緻密にすることが困難となり、吸着した水分等が膜中に混入されやすくなる。また、イオンビーム電圧が２００Ｖを越えると、蒸着される分子に付与されるエネルギが大きくなりすぎ、弗化バリウム（ＢａＦ２）膜の組成が化学量論的組成からずれるために膜の吸収率が増大する。
【００２９】
この発明の光学部品の製造方法において、弗化バリウム膜を形成する工程は、イオン電流密度が４μＡ／ｃｍ２以上の条件でキセノンガスのイオンビームを照射しながら行なわれるのが好ましい。
【００３０】
上記の弗化バリウム膜を形成する工程において、イオン電流密度が４μＡ／ｃｍ２未満では、膜を緻密にすることが困難となり、吸着した水分等が膜中に混入されやすくなる。
【００３１】
この発明の光学部品の製造方法において、弗化バリウム膜を形成する工程は、電子ビーム加熱または抵抗加熱による蒸着で行なわれるのが好ましい。
【００３２】
この発明の光学部品の製造方法において、セレン化亜鉛膜を形成する工程は、光学基材を２３０℃以上２８０℃以下の温度に加熱した状態で行なわれるのが好ましい。成膜プロセスを単純化するために、セレン化亜鉛膜の形成工程においても、弗化バリウム膜の形成工程と同じ温度に光学基材を加熱するのが好ましい。また、セレン化亜鉛膜の形成工程において、基材の温度が２８０℃を越えると、セレン化亜鉛膜の付着率の温度係数が著しく増大し、膜厚を制御することが困難となり、光学膜としての透過率特性が低下する。
【００３３】
また、上記のセレン化亜鉛膜を形成する工程は、電子ビーム加熱または抵抗加熱による蒸着で行なわれるのが好ましい。さらに、セレン化亜鉛膜を形成する工程は、イオンビームで支援された蒸着によって行なわれるのが好ましい。イオンビームで支援された蒸着によるセレン化亜鉛膜は緻密性が高い。
【００３４】
【実施例】
（実施例）
図１に示される蒸着装置１００を用いて、セレン化亜鉛からなるレンズ基板の上に順に弗化バリウム膜とセレン化亜鉛膜とを形成して反射防止膜を備えた炭酸ガスレーザ用レンズを以下に説明する製造工程にしたがって作製した。レンズ基板としては、焦点距離が１９０．５ｍｍ、エッジの厚みが７．８７ｍｍ、中心の厚みが９．１ｍｍ、直径が５０．８ｍｍの平凸レンズを用いた。
【００３５】
まず、超音波洗浄したレンズ基板２０１と２０２を蒸着用ドーム１０１に取り付けた。電子ビーム蒸着源１０３に粒状の弗化バリウムからなる蒸着材料３００を装入し、電子ビーム蒸着源１０４にタブレット状のセレン化亜鉛からなる蒸着材料４００を装入した。
次に、排気口１０２からチャンバ１５０内のガスを排出することによってチャンバ１５０内の雰囲気圧力を所定の真空度にした。そして、基板加熱ヒータ１０８と１０９を用いてレンズ基板２０１と２０２を温度２５０℃になるまで加熱した。蒸着用ドーム１０１を回転させた。その後、ガス導入口１０５からイオンガン１０６内にキセノンガス５００を導入した。レンズ基板の温度を２５０℃に保持した状態で、イオンガン１０６を所定の電気的条件に設定し、イオンビーム電圧６００Ｖで１０分間、イオンガン１０６から点線の矢印で示すようにキセノンガスのイオンビーム５０１をレンズ基板２０１と２０２に照射することによって基板表面の清浄化処理を行なうとともに平滑化処理を行なった。キセノンガス導入時のチャンバ１５０内の雰囲気圧力は７．９８×１０−３Ｐａであった。
【００３６】
その後、イオンガン１０６のイオンビーム電圧を２００Ｖに変更した。イオン電流密度は４μＡ／ｃｍ２であった。この設定を行なうとともに、弗化バリウムからなる蒸着材料３００を電子ビームで加熱した。このようにして、レンズ基板の温度を２５０℃に保持した状態で、キセノンガスのイオンビーム５０１を照射しながら、電子ビーム加熱による蒸着法を用いて実線の矢印で示すように弗化バリウムの蒸気流３０１を照射することによりレンズ基板２０１と２０２の表面上に弗化バリウム膜を形成した。弗化バリウム膜の厚みを光学式膜厚制御器（反射式光電式膜厚モニタ）１０７で監視しながら、膜厚が１．１１μｍになるまで弗化バリウム膜を形成した。蒸着中のチャンバ１５０内の雰囲気圧力は７．９８×１０−３Ｐａであった。弗化バリウム膜の蒸着速度は０．６ｎｍ／ｓ程度であった。
【００３７】
弗化バリウム膜の形成が終了した後、引き続いて同じ設定条件を保ったまま、もうひとつの電子ビーム蒸着源１０４に装入されたセレン化亜鉛からなる蒸着材料４００を電子ビームで加熱した。このようにして、レンズ基板の温度を２５０℃に保持した状態で、キセノンガスのイオンビームを照射しながら、電子ビーム加熱による蒸着法を用いてセレン化亜鉛の蒸着流を照射することによりレンズ基板２０１と２０２の上に形成された弗化バリウム膜の上にセレン化亜鉛膜を形成した。セレン化亜鉛膜の厚みを光学式膜厚制御器（反射式光電式膜厚モニタ）１０７で監視しながら、膜厚が０．２０μｍになるまでセレン化亜鉛膜を形成した。蒸着中のチャンバ１５０内の雰囲気圧力は７．９８×１０−３Ｐａであった。セレン化亜鉛膜の蒸着速度は１．５ｎｍ／ｓ程度であった。
【００３８】
成膜プロセスの終了後、レンズ基板２０１と２０２の温度を下げ、蒸着用ドーム１０１の回転を停止した。そして、反射防止膜を備えたレンズ基板２０１と２０２をチャンバ１５０から取り出した。
【００３９】
このようにして、図２に示すように、セレン化亜鉛からなるレンズ基板２００の表面上に順に弗化バリウム膜２１０とセレン化亜鉛膜２２０を形成した。
【００４０】
弗化バリウム膜の断面を高分解能走査電子顕微鏡で観察したところ、図３に示すように、基板と弗化バリウム膜との間の界面から弗化バリウムの微細な結晶粒の成長が見られず、比較的大きな結晶粒が基板の表面から成長していることがわかった。また、上記の成膜プロセスにおいてイオンビームを用いて平滑化処理を施した後の状態で、セレン化亜鉛からなるレンズ基板の表面を原子間力顕微鏡で観察して、その表面粗さを測定したところ、凹凸表面の山と谷の高さの差の最大値で３０〜４０ｎｍであった。最外層のセレン化亜鉛膜の外表面を原子間力顕微鏡で観察したところ、表面粗さは、上記と同様の測定で４０〜５０ｎｍであった。
【００４１】
この反射防止膜が形成されたレンズの吸収率（炭酸ガスレーザ）を測定したところ、０．１１〜０．１３％の範囲内であった。なお、上記の範囲内の吸収率は、キセノンガスのイオンビームを照射しないで、電子ビーム加熱による蒸着法を用いてセレン化亜鉛膜を形成した場合でも得られた。吸収率の測定は、レンズ基板の両面に反射防止膜を形成したサンプルを用いて行なった。
【００４２】
（比較例１）
図１に示される蒸着装置１００を用いて、セレン化亜鉛からなるレンズ基板の上に順に弗化バリウム膜とセレン化亜鉛膜とを形成して反射防止膜を備えた炭酸ガスレーザ用レンズを作製した。キセノンガスのイオンビームをレンズ基板に照射することによって清浄化処理、平滑化処理を行なわなかったことと、キセノンガスのイオンビームを照射しないで、電子ビーム加熱による蒸着法を用いて弗化バリウム膜の表面上にセレン化亜鉛膜を形成したこと以外は、上記の実施例と同じ成膜プロセスで反射防止膜をレンズ基板の表面に形成した。
【００４３】
弗化バリウム膜の断面を高分解能走査電子顕微鏡で観察したところ、図４に示すように、基板と弗化バリウム膜との間の界面から弗化バリウムの微細な結晶粒（成長方向で約０．０６μｍの幅を有する結晶粒）の成長が見られることがわかった。また、上記の成膜プロセスにおいて膜形成前に研磨処理が施されたままの状態で、セレン化亜鉛からなるレンズ基板の表面を原子間力顕微鏡で観察して、その表面粗さを測定したところ、凹凸表面の山と谷の高さの差の最大値で６０〜７０ｎｍであった。最外層のセレン化亜鉛膜の外表面を原子間力顕微鏡で観察して、表面粗さを測定したところ、上記と同様の測定で６０〜７０ｎｍであった。
【００４４】
この反射防止膜が形成されたレンズの吸収率（炭酸ガスレーザ）を測定したところ、０．２３〜０．２５％の範囲内であった。吸収率の測定は、レンズ基板の両面に反射防止膜を形成したサンプルを用いて行なった。
【００４５】
（比較例２）
図１に示される蒸着装置１００を用いて、セレン化亜鉛からなるレンズ基板の上に順に弗化バリウム膜とセレン化亜鉛膜とを形成して反射防止膜を備えた炭酸ガスレーザ用レンズを作製した。キセノンガスのイオンビームをレンズ基板に照射することによって清浄化処理、平滑化処理を行なわなかったことと、キセノンガスのイオンビームを照射しないで、電子ビーム加熱による蒸着法を用いてレンズ基板の表面上に弗化バリウム膜とセレン化亜鉛膜を順に形成したこと（蒸着中のチャンバ１５０内の雰囲気圧力は１．０６４×１０−３Ｐａ）以外は、上記の実施例と同じ成膜プロセスで反射防止膜をレンズ基板の表面に形成した。
【００４６】
弗化バリウム膜の断面を高分解能走査電子顕微鏡で観察したところ、図５に示すように、弗化バリウム膜全体にわたって充填度の低い柱状晶の成長が見られることがわかった。また、上記の成膜プロセスにおいて膜形成前に研磨処理が施されたままの状態で、セレン化亜鉛からなるレンズ基板の表面を原子間力顕微鏡で観察して、その表面粗さを測定したところ、凹凸表面の山と谷の高さの差の最大値で６０〜７０ｎｍであった。最外層のセレン化亜鉛膜の外表面を原子間力顕微鏡で観察して、表面粗さを測定したところ、上記と同様の測定で１２０〜１４０ｎｍであった。
【００４７】
この反射防止膜が形成されたレンズの吸収率（炭酸ガスレーザ）を測定したところ、０．２７〜０．２９％の範囲内であった。吸収率の測定は、レンズ基板の両面に反射防止膜を形成したサンプルを用いて行なった。
【００４８】
以上の実施例では、光学部品としてレンズを例にして説明したが、レンズ以外の鏡等の光学部品でも本発明の効果を達成することができる。また、多層膜で構成された光学コーティングが施される出力鏡、終段鏡、ビームスプリッター、円偏光ミラー、ベンディングミラー等のレンズ以外の光学部品でも本発明の効果を達成することができる。
【００４９】
以上に開示された実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変更を含むものと意図される。
【００５０】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、レーザ光の吸収率を０．１５％以下に低下させることができるとともに、緻密で耐湿性が高い弗化バリウム膜を備え、耐久性を向上させた赤外線レーザ用光学部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一つの実施例で用いられた蒸着装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】この発明にしたがった赤外線レーザ用光学部品の一つの実施例の断面を模式的に示す断面図である。
【図３】この発明の実施例で作製されたレンズの弗化バリウム膜の断面を示す顕微鏡写真である。
【図４】この発明の比較例１で作製されたレンズの弗化バリウム膜の断面を示す顕微鏡写真である。
【図５】この発明の比較例２で作製されたレンズの弗化バリウム膜の断面を示す顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１００：蒸着装置、１０３，１０４：電子ビーム蒸着源、１０５：ガス導入口、１０６：イオンガン、１５０：チャンバ、２００，２０１，２０２：レンズ基板、２１０：弗化バリウム膜、２２０：セレン化亜鉛膜、３００，４００：蒸着材料、３０１：蒸着流、５００：キセノンガス、５０１：イオンビーム。
【図１】
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【図２】
0003608504.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003608504.tif 000005
【図５】
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