(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品（９）が搭載された複数の基板（３）と、前記複数の基板が同一平面上に接合された支持部材（４）とを有し、前記各々の基板において前記電子部品と前記基板とがボンディングワイヤ（１１）によって電気的に接続されてなる半導体装置において、
前記各々の基板毎に、前記基板における前記電子部品、及び、前記ボンディングワイヤの配置領域を囲う囲み部材（１２）が設けられており、
前記基板のうち前記囲み部材で囲まれた領域内は、ゲル材料よりなる封止材（１３）が充填され、この封止材によって前記電子部品、及び、前記ボンディングワイヤが封止されており、
前記囲み部材の表面には、この囲み部材の内外を連通する開口部（１２ｂ、１２ｃ）が３つあり、これら３つの開口部のうち２つの開口部（１２ｂ）は前記封止材の注入口であり、それらの間にある１つの開口部（１２ｃ）は前記封止材を注入する際の空気抜き用であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
電子部品（９）が搭載された複数の第１の基板（３）と、前記複数の第１の基板が同一平面上に接合された支持部材（４）と、前記複数の第１の基板が搭載された第２の基板（１）とを有し、前記各々の第１の基板において前記電子部品と前記第１の基板とがボンディングワイヤ（１１）によって電気的に接続され、前記複数の第１の基板と前記第２の基板とが接続端子（５）を介して電気的に接続されてなる半導体装置において、
前記各々の第１の基板毎に、前記第１の基板における前記電子部品、及び、前記ボンディングワイヤの配置領域を囲う囲み部材（１２）が設けられており、
前記第１の基板のうち前記囲み部材で囲まれた領域内は、ゲル材料よりなる封止材（１３）が充填され、この封止材によって前記電子部品、及び、前記ボンディングワイヤが封止されており、
前記囲み部材の表面には、この囲み部材の内外を連通する開口部（１２ｂ、１２ｃ）が３つあり、これら３つの開口部のうち２つの開口部（１２ｂ）は前記封止材の注入口であり、それらの間にある１つの開口部（１２ｃ）は前記封止材を注入する際の空気抜き用であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記接続端子は複数個設けられ、前記複数個の接続端子の位置決めを行うための整列板（６）が備えられており、前記複数個の接続端子の位置が前記整列板により固定された状態で、前記第１の基板と前記第２の基板とが前記複数個の接続端子を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の基板としてプリント基板を用い、前記整列板の熱膨張率が１３〜１８〔ｐｐｍ〕であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記封止材の針入度が４０〜１７０〔１／１０ｍｍ〕であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記支持部材が、前記電子部品からの発熱を放熱するための放熱部材であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記囲み部材がシリコーンゴムからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ボンディングワイヤがＡｕからなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ボンディングワイヤがＡｌからなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に電子部品が搭載され、この電子部品と基板とがボンディングワイヤにより電気的に接続され、電子部品とボンディングワイヤとが被覆され封止されてなる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図８は、従来の半導体装置２００の一例を示す斜視図であり、図９は図８における要部構成を示す部分断面図である。この半導体装置２００では、様々な電子部品２０１等が搭載されたマザーボード２０２に対して、複数のセラミック基板２０４が略垂直に配置されている。
【０００３】
各々のセラミック基板２０４の一面には電子部品２０３が搭載され、各々のセラミック基板２０４の他面側がシリコーン系の塗布剤２１０によって１つの放熱部材２０５に接合されている（図９参照）。また、各セラミック基板２０４のマザーボード２０２側の端部には接続端子（クリップ端子）２０６の一端が接合されている。この接続端子２０６は整列板２０７を通して位置決めされており、接続端子２０６の他端がマザーボード２０１に対して電気的に接続されている。
【０００４】
また、これらの部材２０１〜２０７はケース２０８に収容されている。また、セラミック基板２０４に搭載された電子部品２０３は、例えば外部環境から保護したり放熱性を向上させたりするために、ケース２０８の突出部２０８ａにより囲まれて、樹脂２０９等により封止されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この様な構成の半導体装置２００においては、図８、９に示すように、工程上効率を良くするために、以下のようにしている。複数のセラミック基板２０４を１つの支持部材（図示例では放熱部材）２０５の同一面に配置し、電子部品２０３の全てを樹脂２０９等により一括して封止している。このような場合、この樹脂２０９としては、一般的には、取り扱い上の利点から粘性の高いシリコーンゴム等の樹脂を用いている。
【０００６】
ただし、電子部品２０３とセラミック基板２０４とを細いボンディングワイヤにより電気的に接続している場合は、樹脂を注入する際にボンディングワイヤが断線したり歪んだりする恐れがある。また半導体装置２００を冷熱サイクルに曝した場合、樹脂２０９が歪むことによりワイヤが歪んだり断線したりする恐れがある。特に、ワイヤ径が１５０〔μｍ〕未満の場合、この様な問題が顕著である。従って、電子部品２００を封止するには粘性の低いシリコーンゲルを用いるのが望ましい。
【０００７】
しかしながら、シリコーンゲルを用いて放熱部材２０５の同一面上に配置された電子部品２０３の全てを一括して封止すると以下のような問題がある。まず、大きな体積（面積）に粘性の低いゲルが配置されるため、半導体装置２００が振動した場合にゲルが振動してボンディングワイヤが断線する恐れがある。また、ゲルを注入する際にセラミック基板２０４と放熱部材２０５との段差部等において気泡が溜まりやすい。その結果、細いボンディングワイヤの周辺に気泡が存在すると、半導体装置２００の冷熱サイクルによって気泡の周辺でゲルの歪みが変化するため、ボンディングワイヤが歪んでしまう。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑み、電子部品とボンディングワイヤとが封止材により封止された半導体装置において、ボンディングワイヤの歪みや断線を抑制した半導体装置を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、電子部品を搭載した複数の基板（３）と、複数の基板を同一平面上に接合した支持部材（４）とを有し、各々の基板において電子部品と基板とをボンディングワイヤ（１１）によって電気的に接続してなる半導体装置において、各々の基板毎に、基板における電子部品、及び、ボンディングワイヤの配置領域を囲う囲み部材（１２）を設け、基板のうち囲み部材で囲まれた領域内をゲル材料よりなる封止材（１３）で充填し、この封止材によって電子部品、及び、ボンディングワイヤを封止しており、囲み部材の表面には、この囲み部材の内外を連通する開口部（１２ｂ、１２ｃ）が３つあり、これら３つの開口部のうち２つの開口部（１２ｂ）は封止材の注入口であり、それらの間にある１つの開口部（１２ｃ）は封止材を注入する際の空気抜き用であることを特徴としている。
【００１０】
本発明では基板毎に電子部品を封止材によって封止することにより、従来のように、支持部材の同一平面上に配置された電子部品の全てを一括して封止する場合に比べて、封止材を配置する体積を小さくできる。封止材は充填される体積が大きいほど振幅が大きいため、本発明により封止材の振幅を低減することができる。
【００１１】
また、基板毎に囲み部材を配置しているため、基板と支持部材との段差部を除いてゲル材料により封止することができる。そのため、気泡の形成を抑制することができる。従って、ボンディングワイヤが封止材の振動により断線したり、封止材の歪みが気泡により変化してボンディングワイヤが歪んだりすることを抑制できる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、電子部品（９）を搭載した複数の第１の基板（３）と、複数の第１の基板を同一平面上に接合した支持部材（４）と、複数の第１の基板を搭載する第２の基板（１）とを有し、各々の第１の基板において電子部品と第１の基板とをボンディングワイヤ（１１）によって電気的に接続し、複数の第１の基板と第２の基板とを接続端子（５）を介して電気的に接続してなる半導体装置において、各々の第１の基板毎に、第１の基板における電子部品、及び、ボンディングワイヤの配置領域を囲う囲み部材（１２）を設け、第１の基板のうち囲み部材で囲まれた領域内をゲル材料よりなる封止材（１３）で充填し、この封止材によって電子部品、及び、ボンディングワイヤを封止しており、囲み部材の表面には、この囲み部材の内外を連通する開口部（１２ｂ、１２ｃ）が３つあり、これら３つの開口部のうち２つの開口部（１２ｂ）は封止材の注入口であり、それらの間にある１つの開口部（１２ｃ）は封止材を注入する際の空気抜き用であることを特徴としている。
【００１３】
これにより、請求項１と同様の効果を発揮することができる。また、接続端子を用いて第１の基板と第２の基板を電気的に接続する場合、支持部材の同一平面上に形成された全ての電子部品を一括して封止材により封止しようとすると、接続端子が配置されている部位から封止材が漏れる恐れがある。しかし、本発明では、基板ごとに囲み部材で囲んでいるため、接続端子を封止材の外に設けて封止材の漏れを防止することができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、請求項２の発明において、接続端子を複数個設け、、複数個の接続端子の位置決めを行うための整列板（６）を備え、複数個の接続端子の位置を整列板により固定した状態で、第１の基板と第２の基板とを複数個の接続端子を介して電気的に接続していることを特徴としている。これにより、接続端子が複数個ある場合に、容易にこれら複数個の接続端子を第２の基板に搭載することができる。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、第２の基板としてプリント基板を用い、整列板の熱膨張率が１３〜１８〔ｐｐｍ〕であることを特徴としている。本発明では、第２の基板と整列板の熱膨張係数が近いため、半導体装置を冷熱サイクルに曝した場合にも、整列板にクラックが生じず、好適に第１の基板と第２の基板の接続を維持することができる。
【００１６】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の発明において、封止材の針入度が４０〜１７０〔１／１０ｍｍ〕であることを特徴としている。封止材が軟らかすぎると封止材の振幅が大きくなりボンディングワイヤが断線する。一方、封止材が硬すぎると半導体装置の冷熱サイクルにより封止材が歪んだ場合に、封止材がボンディングワイヤの周囲を流れるように変形することができずにボンディングワイヤも歪む。従って、本発明程度の針入度が好適である。
【００１７】
請求項６に記載の発明のように、請求項１〜５の発明において、支持部材として電子部品からの発熱を放熱するための放熱部材を用いると好適である。
【００１８】
また、請求項７に記載の発明のように、請求項１〜６の発明において、囲み部材としてはシリコーンゴムを用いることができる。
【００１９】
また、請求項１〜７の発明において、請求項８に記載の発明のように、ボンディングワイヤとしてはＡｕからなるものを用いることができる。また、請求項９に記載の発明のように、ボンディングワイヤとしてＡｌからなるものを用いることができる。
【００２０】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図に示す実施形態について説明する。図１は本実施形態に係る半導体装置１００の全体構成を示す斜視図である。なお、図１では、セラミック基板３を覆っているカバー１７（後述の図３参照）を省略して示している。図１に示すように、第２の基板としてのプリント基板であるマザーボード１にはマイコン等の様々な電子部品２が搭載されている。また、マザーボード１には、第１の基板としてのセラミック基板３が放熱部材（支持部材）としての放熱フィン４に搭載された状態で複数個配置されている。この放熱フィン４としては例えばＡｌ（アルミニウム）からなるものを用いることができる。
【００２２】
セラミック基板３とマザーボード１とは接続端子（クリップ端子）５を介して電気的に接続されている。この接続端子５は整列板６により位置決めされている。放熱フィン４におけるセラミック基板３が搭載された側とは反対側に、コネクタ７が配置されている。図示していないがコネクタ７のリード端子がマザーボード１に半田付されて電気的に接続されている。
【００２３】
また、マザーボード１とマザーボード１上に搭載された各部材２〜７とがケース８により覆われている。ケース８には放熱フィン４の近傍において突出部８ａが形成されており、放熱フィン４には、複数個のセラミック基板３が並んでいる方向の両端部においてケース８の突出部８ａに対応する位置に突出部４ａが形成されている。そして、このケース８の突出部８ａと放熱フィン４の突出部４ａとが当接して、セラミック基板３上に搭載された電子部品（図示せず）からの発熱を、放熱フィン４を介してケース８に伝え、放熱を行うようになっている。
【００２４】
次に、この放熱フィン４及びセラミック基板３の近傍の構成について説明する。図示例では、１つの放熱フィン４に対して３個のセラミック基板３が接合されている。図２は、複数個のセラミック基板３のうちの１つセラミック基板３を図１中の矢印Ａ方向から見た図であり、図３は、セラミック基板３の厚み方向の概略断面図である。なお、図３では、マザーボード１、コネクタ７及びケース８を省略している。図２、３に示すように、セラミック基板３には複数個の半導体チップ等の電子部品９が搭載されている。これらのセラミック基板３は、例えばセラミック基板３毎に１つの電気的な機能を有するようになっている。
【００２５】
セラミック基板３上には部品搭載用のランド（図示せず）とワイヤボンディング用のランド（図示せず）が形成されている。これらのランドとしては例えばＡｇ（銀）厚膜を用いることができる。部品搭載用のランドに対しては導電性接着剤１０を介して電子部品９が接合されている。この導電性接着剤１０としては、例えばエポキシ樹脂にＡｇフィラーを添加したものを用いることができる。また、電子部品９上のランド（図示せず）とセラミック基板３上のワイヤボンディング用のランドとが、ボンディングワイヤ１１により電気的に接続されている。このボンディングワイヤ１１としては細いワイヤを用いており、例えば直径が１５０〔μｍ〕未満のワイヤを用いている。本例では、ボンディングワイヤ１１としてＡｕ（金）を用いている。
【００２６】
セラミック基板３の各々において、搭載された電子部品９とボンディングワイヤ１１の配置領域を囲う囲み部材１２が設けられている。この囲み部材１２はセラミック基板３における外周の一回り内側において、シリコーン系の接着剤１４によってセラミック基板３に接着されている。また、セラミック基板３のうち囲み部材１２で囲まれた領域内は封止材としてのシリコーンゲル１３で充填され、このシリコーンゲル１３によって電子部品９、及びボンディングワイヤ１１がシリコーンゲル１３によって覆われて封止されている。この囲み部材１２はシリコーンゲル１３の形状を維持するためのものであり、本実施形態ではシリコーンゴムからなるものを用いている。
【００２７】
また、囲み部材１２の表面には、囲み部材１２の内外を連通する開口部１２ｂ、１２ｃがある。この開口部１２ｂ、１２ｃは、シリコーンゲル１３を注入するためのものであり、本例では３つある。この３つの開口部１２ｂ、１２ｃのうち両端の開口部１２ｂはシリコーンゲル１３の注入口であり、中央の開口部１２ｃはシリコーンゲル１３を注入する際の空気抜き用である。
【００２８】
ここで用いられるシリコーンゲル１３としては、硬すぎるものや軟らかすぎるものは望ましくない。シリコーンゲル１３が硬すぎる場合、半導体装置１００の冷熱サイクルによりシリコーンゲル１３が歪んだ際に、シリコーンゲル１３がボンディングワイヤ１１の周囲を流れるように変形することができないため、ボンディングワイヤ１１も歪んでしまう。また、電子部品９にも応力が加わり電子部品９の接続信頼性も低下してしまう。一方、シリコーンゲル１３が軟らかすぎる場合、半導体装置１００が振動してシリコーンゲル１３に振動が加わった際にシリコーンゲル１３の振幅が大きくなり、この振動によりボンディングワイヤ１１が断線してしまう。
【００２９】
そこで、本発明者らはシリコーンゲル１３の硬さを様々に変化させて、ボンディングワイヤ１１の耐振性と冷熱サイクル時の寿命とを調査した。その結果、シリコーンゲル１３を、シリコーンゲル１３の硬さを示す指標である針入度が４０〜１７０〔１／１０ｍｍ〕（ＪＩＳ Ｋ ２２２０参照）であるものとすれば好適であることを見出した。
【００３０】
セラミック基板３における囲み部材１２の外側にはランド２２が形成され、ランド２２上に接続端子５の一端が配置されている。この接続端子５は半田１５によりランド２２に電気的に接続されている。このようにして構成された各々のセラミック基板３が、シリコーン系の接着剤１６により放熱フィン４に接合されている。また、複数個のセラミック基板３と各セラミック基板３に搭載された電子部品９とが一括してカバー１７により覆われている。このカバー１７はＰＢＴ等の硬い部材からなり、電子部品９を保護するためのものである。このカバー１７は放熱フィン４のうちセラミック基板３が搭載された面の外縁部において、シリコーン系の接着剤１８により放熱フィン４に固定されており、接続端子５とセラミック基板３との接続部付近まで覆っている。
【００３１】
このようにして、放熱フィン４に搭載されたセラミック基板３は、図１に示すように、マザーボード１とセラミック基板３とが略垂直の位置関係になるようにマザーボード１に対して搭載されている。この際、複数個の接続端子５は整列板６に固定された状態で、マザーボード１に対して半田付されて電気的に接続されている。具体的には、整列板６に形成された複数個の穴に接続端子５を通すことにより接続端子５の位置を固定し、マザーボード１に対して搭載している。
【００３２】
この整列板６としては、マザーボード１と熱膨張率が近似した部材を用いることが望ましい。これは、冷熱サイクルによって各部材が変形した場合に、整列板６にクラックが生じること無く接続端子５の接続を維持するためである。本実施形態ではマザーボード１として熱膨張率が約１５．５〔ｐｐｍ〕であるガラスエポキシ基板を用いているため、整列板６の熱膨張率としては１３〜１８〔ｐｐｍ〕であるものを用いると好適である。
【００３３】
本実施形態では、複数個のセラミック基板３を用いており、接続端子５がセラミック基板３の並んでいる方向に長く配列しているため長い整列板６が必要になる。そして、整列板６は長いほど冷熱サイクルによる変形量が大きくなるため、特に、マザーボード１と熱膨張係数が近似した整列板６を用いると好適である。なお、長い整列板６が必要でない場合は、整列板６としてＰＢＴからなるものを用いても良い。このようにして、本実施形態の半導体装置１００が構成されている。
【００３４】
本実施形態では、セラミック基板３毎にシリコーンゲル１３によって電子部品９とボンディングワイヤ１１とを封止することにより、従来のように、放熱フィン４の同一平面上に配置された電子部品９を一括して封止する場合に比べて、シリコーンゲル１３を配置する体積を小さくできる。一般に、シリコーンゲルは充填される体積が大きいほど、そのシリコーンゲルに振動が加わった場合のシリコーンゲルの振幅が大きくなる。そのため、本実施形態のように、セラミック基板３毎の小さい体積を一括してシリコーンゲル１３により封止することにより、シリコーンゲル１３の振幅を低減してボンディングワイヤ１１が断線することを抑制できる。
【００３５】
また、仮に、放熱フィン４上に配置された電子部品９を一括して封止すると、セラミック基板３と放熱フィン４との段差部において気泡が溜まりやすい。そして、この気泡が存在する部位では半導体装置１００の冷熱サイクルによってシリコーンゲル１３の歪みが変化するため、気泡が細いボンディングワイヤ１１の近傍に存在してしまうと、ボンディングワイヤ１１も歪んだり断線したりする。しかし、本実施形態では、セラミック基板３毎に囲み部材１２を配置しているため、セラミック基板３と放熱フィン４との段差部を除いてシリコーンゲル１３により封止することができる。その結果、気泡の発生を最小限に抑え、ボンディングワイヤ１１の歪みや断線を抑制することができる。
【００３６】
また、不用な部位にシリコーンゲル１３を注入する必要が無いためシリコーンゲル１３の使用量を抑えることができる。また、セラミック基板３とマザーボード１とを接続端子５により電気的に接続しているため、仮に、放熱フィン４に搭載された電子部品９の全てを一括してシリコーンゲル１３により封止しようとすると、囲み部材１２を接続端子５上に配置しなければいけない。この場合、囲み部材１２の形状が接続端子５との接続部位において複雑になったり、接続端子５との接続部位においてシリコーンゲル１３が囲み部材１２の外に漏れたりする可能性がある。
【００３７】
そこで、この場合、接続端子５を回避して囲み部材１２を形成しようとすると、複数個のセラミック基板３を用いているため、セラミック基板３と放熱フィン４との接続部位上に囲み部材１２を配置しなければいけない場合がある。この場合も、セラミック基板３と放熱フィン４との接続部位において、上記接続端子５上に囲み部材１２を配置した場合と同様の問題が生じる。しかし、本実施形態では、セラミック基板３毎にシリコーンゲル１３で封止しているため、この様な問題が無い。
【００３８】
次に、上記構成の半導体装置１００のうち、電子部品９をセラミック基板３に搭載し、セラミック基板３を放熱フィン４に搭載する方法について図に示す工程順に説明する。
【００３９】
まず、図４（ａ）に示すように、セラミック基板３を用意し、一般的な厚膜スクリーン印刷手法により回路（図示せず）を形成し、部品搭載用のランドとワイヤボンディング用のランドを形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、例えば７０〔μｍ〕のメタルマスクを用いて、スクリーン印刷法により、部品搭載用のランド上に導電性接着剤１０を塗布する。
【００４０】
そして、図４（ｃ）に示すように、各電子部品９を搭載して、例えば１５０〔℃〕の温度で導電性接着剤１０を硬化させる。その後、接続端子５（図４では図示せず）をセラミック基板３に配置して、ディスペンサを用いて接続端子５の接続部に半田ペーストを供給し、例えば２３０〔℃〕のＩＲリフロー炉を用いて半田付する。次に、図４（ｄ）に示すように、セラミック基板３全体を洗浄液１９に浸けて半田ペーストに含まれていたフラックスを清浄する。そして、図４（ｅ）に示すように、電子部品９上のランドとセラミック基板３上のワイヤボンディング用のランドとをボンディングワイヤ１１により接続する。
【００４１】
次に、図５（ａ）に示すように、ディスペンサによりシリコーン系の接着剤１４をセラミック基板３上に塗布する。その後、図５（ｂ）に示すように、囲み部材１２を接着剤１４上に搭載し、例えば１５０〔℃〕に加熱して接着剤１４を硬化させ、囲み部材１２をセラミック基板３に固定する。続いて、図５（ｃ）に示すように、ディスペンサ２０によって囲み部材１２の注入口１２ｂからシリコーンゲル１３を注入して、図５（ｄ）に示す状態にする。
【００４２】
その後、図６（ａ）に示すように、セラミック基板３全体を減圧環境下において、シリコーンゲル１３中の気泡２１を取り除く。そして、シリコーンゲル１３を硬化させるために、例えば１４５〔℃〕に加熱して、高温時に６（ｂ）に示す状態になる。そして、室温時に熱収縮して、図６（ｃ）に示す状態になる。次に、図６（ｄ）に示すように、セラミック基板３をシリコーン系の接着剤１６によって放熱フィン４に接合する。最後に、図７に示すように、カバー１７で複数個のセラミック基板３を覆い、セラミック基板３の放熱フィン４への搭載が完了する。なお、図４〜７の工程図は、１つのセラミック基板３における概略断面図にて示している。
【００４３】
また、本実施形態では、Ａｕからなるボンディングワイヤ１１を用いているが、Ａｌからなるボンディングワイヤも用いることができる。また、ＡｕやＡｌ以外の材料からなる直径が１５０〔μｍ〕未満の細いボンディングワイヤを用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る１つのセラミック基板の概略図である。
【図３】本実施形態に係るセラミック基板の厚み方向の概略断面図である。
【図４】電子部品をセラミック基板に搭載し、セラミック基板を放熱フィンに搭載する方法を断面にて示す工程図である。
【図５】図４に続く工程図である。
【図６】図５に続く工程図である。
【図７】図６に続く工程図である。
【図８】従来の半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図９】従来の半導体装置の要部構成を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１…マザーボード（第２の基板）、３…セラミック基板（第１の基板）、
４…放熱フィン（支持部材、放熱部材）、５…接続端子、
６…整列板、１１…ボンディングワイヤ、１２…囲み部材、
１３…シリコーンゲル（封止材）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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