(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構成を具備する錫又は錫合金電気メッキ浴。
（１）第１錫塩、または第１錫塩と鉛、銅、亜鉛、コバルト、ニッケルの中から選ばれる少なくとも１種類の金属塩
（２）錯化剤
（３）光沢剤として、下記一般式［Ａ］で示されるポリオキシエチレンアルキルアミン
一般式［Ａ］
【化式１】
0003627484.tif 000006
（ただし、Ｒは炭素数６〜１８のアルキル基、ｍ＋ｎは２〜４の整数）
（４）ｐＨ３〜ｐＨ１０
【請求項２】
前記（２）の錯化剤は、クエン酸、グルコン酸、ピロリン酸、及びこれらの塩、またはグルコノラクトンのうち少なくとも１種類を用いることを特徴とする請求項１に記載の錫又は錫合金電気メッキ浴。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の錫又は錫合金電気メッキ浴を用いて電子部品を電気メッキすることを特徴とする錫又は錫合金の電気メッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品のメッキ工程に用いられる錫又は錫合金電気メッキ浴、およびそれを用いた電気メッキ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
通常、セラミック、ガラス、プラスチック等を素材とした電子部品には、その電極の半田濡れ性の向上等を目的として、錫もしくは錫合金メッキが施されるが、金属をメッキする場合とは異なり、様々な問題が発生する。
【０００３】
例えば、一般的によく知られたホウフッ化浴、硫酸浴、有機スルホン酸浴等の強酸浴（ｐＨ１以下）を用いて、鉛ガラス被覆したＩＣ部品やある種のセラミックを用いたチップ部品をメッキした場合、本来絶縁体であるガラスやセラミックにメッキが付くと言った現象が生じるものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
かかる問題に対処するため、クエン酸、グルコン酸、ピロリン酸やこれらの塩等を使用したｐＨ２〜ｐＨ１０の浴（特公昭５９−４８８７５号、特公昭５７−６３６８９号、特公昭５７−１６１９２号）も検討されている。しかしながら、鉛ガラスやセラミックへのメッキ液の浸食は抑えられるものの、鉛ガラスやセラミック上への金属析出は完全には抑え切れていない。特に電流密度を高くした場合には顕著となる。
【０００５】
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので、電子部品がメッキ液で浸食されることなく、且つ、電流密度を高くしても、絶縁体部への金属析出が起こらないような錫又は錫合金電気メッキ浴およびそれを用いた電気メッキ方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するために錫又は錫合金電気メッキ浴およびそれを用いた電気メッキ方法を完成するに至った。
本願第１の発明の錫又は錫合金電気メッキ浴は、（１）第１錫塩、または第１錫塩と鉛、銅、亜鉛、コバルト、ニッケルの中から選ばれる少なくとも１種類の金属塩と、（２）錯化剤と、（３）光沢剤として、上記一般式［Ａ］で示されるポリオキシエチレンアルキルアミンと、（４）ｐＨ３〜ｐＨ１０とを具備することに特徴がある。
【０００７】
また、本願第２の発明の錫又は錫合金電気メッキ浴においては、前記（２）の錯化剤は、クエン酸、グルコン酸、ピロリン酸、及びこれらの塩、またはグルコノラクトンのうち少なくとも１種類を用いることが好ましい。
【０００８】
また、本願第３の発明の錫又は錫合金の電気メッキ方法は、上記の錫又は錫合金電気メッキ浴を用いて電子部品を電気メッキすることに特徴がある。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本願第１の発明の錫又は錫合金電気メッキ浴が上記のような構成により、本発明の目的を達成できる理由は次の通りである。
すなわち、以下のような現象（１）〜（２）を突き止め、下記の一般式で示されるような光沢剤（ポリオキシエチレンアルキルアミンもしくはポリオキシエチレンアルキルアミド）を加え、ｐＨ３〜ｐＨ１０の錫又は錫合金電気メッキ浴が、上記課題に対して極めて有効となることを見い出した。
【００１０】
（１）電子部品の構成材料であるセラミックやガラスの溶出は、ｐＨに大きく依存し、特にｐＨ２以下またはｐＨ１０以上の領域で顕著となる。
（２）絶縁体部への金属析出は、絶縁体部の浸食度合いと、メッキ浴の光沢剤の種類に大きく影響される。
【００１１】
一般式［Ａ］
【００１２】
【化式３】
0003627484.tif 000002
【００１３】
（ただし、Ｒは炭素数６〜１８のアルキル基、ｍ＋ｎは２〜１１の整数）
一般式［Ｂ］
【００１４】
【化式４】
0003627484.tif 000003
【００１５】
（ただし、Ｒは炭素数６〜１８のアルキル基、ｍ＋ｎは２〜１１の整数）。
【００１６】
本願第１の発明で示される光沢剤が界面活性剤として上記課題に対して有効に作用する詳細な機構は明らかでないが、下記（１）〜（２）のような構造であることが上記金属析出の抑制に作用しているものと思われる。
（１）Ｒで示されるアルキル基がある程度の大きさを持つ（直鎖状の場合は炭素数８以上、環状の場合は炭素数６以上）。
（２）窒素原子が被メッキ物に対して接近でき、且つ、界面活性剤同士が密に詰まって吸着できるように、ｍ＋ｎで示されるエチレンオキサイド基の付加数が小さい（２〜１６）。
【００１７】
Ｒで示されるアルキル基は、炭素数６〜１８、好適には１２〜１６であって、直鎖でも分岐を持っていてもまたは環状であっても良い。炭素数が６より小さい場合には抑制効果を失い、１８より大きい場合には還元分解されやすくなる。
【００１８】
上記光沢剤において、ｍ、ｎで示されるエチレンオキサイド基の付加数は重要で、多過ぎる場合には、溶解性は高まるものの抑制効果が失われる。具体的な範囲としては、通常、ｍ＋ｎは１１以下、より好ましくは４以下である。
【００１９】
なお、光沢剤［Ｂ］は溶解度が低いため、ｍ＋ｎが少ない場合には、分散剤を併用してやる必要がある。よって、溶解度の点では上記一般式［Ａ］の方が有利である。
【００２０】
次に、上記光沢剤の添加量であるが、還元分解されにくい性質を持つため、有効範囲は極めて広い。ただ、多量に加え過ぎると気泡性が高くなるため作業上の問題が出てくる。このため、添加量は多くし過ぎないことが望ましく、通常、０．１〜２０ｇ／ｌ、より好ましくは０．５〜５ｇ／ｌである。
【００２１】
本願第１の発明で用いられる錯化剤は、以下（１）〜（２）のような理由からメッキ浴がｐＨ３〜ｐＨ１０の領域内であれば、特に限定されない。
（１）ガラスやセラミックの浸食は、錯化剤種よりも浴のｐＨに影響される。
（２）ガラスやセラミック上への金属析出は、本発明によって示される光沢剤によって抑制される。
【００２２】
本願第１の発明で用いられる金属塩は上記のような金属塩のうち少なくとも１種類であれば特に限定されない。
【００２３】
本願第２の発明では上記の錯化剤を使用することがより好適であることを示している。
【００２４】
次に、本発明を実施例に基づき、さらに具体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
【００２５】
【実施例】
表１に試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．１１の組成とｐＨと浴温（℃）を示す。
【００２６】
【表１】
0003627484.tif 000004
【００２７】
また、表１の試料からなるメッキ浴を使用し、鉛ガラスを焼き付けた（３φ）５×５ｍｍニッケル単板に電流密度（Ａ／ｄｍ２）とメッキ時間（ｍｉｎ）を変えてメッキ処理した。そのときの鉛ガラスの浸食状態と鉛ガラス上へのメッキの付き方を表２に示す。
【００２８】
なお、表２のガラス部の浸食の中で、○と示したものは浸食が観察されない状態を表し、△と示したものは僅かに浸食が観察される状態を表し、×と示したものははっきりと浸食が観察される状態を表している。また、表２のガラス部のメッキの中で、○と示したものはガラス上に金属析出がほとんど認められない状態を表し、△と示したものはガラス上に金属析出がわずかに認められる状態を表し、×と示したものはガラス上に著しい金属析出が認められる状態を表している。
【００２９】
【表２】
0003627484.tif 000005
【００３０】
表２からも明らかなように、試料９で示される強酸浴では、ガラス部の浸食もガラス部への金属析出も認められる。これに対し、試料１０、１１で示されるような弱酸性の浴では、ガラス部の浸食は抑えられるものの、電流密度が高くなった場合にはガラス部への金属析出が認められる。
【００３１】
一方、試料１〜試料８で示される浴の場合、電流密度を高くしてもガラス部の浸食もガラス部への金属析出も認められない。
【００３２】
なお、試料１〜８と試料９〜１１で操作温度が異なるため、操作温度を２５℃、６０℃に変えて同様の実験を行ったが、４０℃で得られた結果と同様の良好な結果が得られた。
【００３３】
【発明の効果】
本発明を用いれば、電子部品がメッキ液で浸食されることなく、且つ、電流密度を高くしても、絶縁体部への金属析出が起こらないようにすることが可能である。