(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトプローブを介して出力回路を半導体レーザに接続して、上記半導体レーザを発光させる半導体レーザ駆動回路において、
上記半導体レーザと上記コンタクトプローブとの間の非導通を、上記コンタクトプローブの電圧が所定値を超えたことで検出するプローブ電圧検出手段と、
上記プローブ電圧検出手段が、上記コンタクトプローブが所定値を超えたと判断した時に、上記出力回路から上記半導体レーザへの電流を遮断する遮断手段とを備えたことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路において、
上記遮断手段は、上記半導体レーザと並列に接続したバイパス回路を構成し、上記半導体レーザの駆動電圧よりも低い電圧降下を生じることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路において、
上記プローブ電圧検出手段の検出結果を保持する保持手段を有することを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体レーザ駆動回路において、
上記保持手段に保持されている検出結果に基づいて上記出力回路を制御して、上記半導体レーザの次の動作を決定する制御手段を有することを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体レーザ駆動回路において、
上記プローブ電圧検出手段の検出動作と上記遮断手段の遮断動作とに要する時間が、上記コンタクトプローブと上記半導体レーザの端子との間の機械的な断続動作時間に比べて短いことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体レーザ駆動回路において、
アナログ信号を扱う上記プローブ電圧検出手段および上記遮断手段と、デジタル信号を扱う上記保持手段および上記制御手段とを、電気的に分離する分離手段を有することを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１つに記載の半導体レーザ駆動回路を備えることを特徴とする半導体レーザチップ検査装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１つに記載の半導体レーザ駆動回路を備えることを特徴とする組立装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＣＤ−ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ  −  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ），ＣＤ−Ｒ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ  −  Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ），ＭＯ（Ｍａｇｎｅｔ  Ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｉｓｋ），ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｉｄｅｏ  Ｄｉｓｃ）等の光記録情報機器に使用される半導体レーザの半導体レーザ駆動回路に関する。また、そのような半導体レーザ駆動回路を有する半導体レーザチップ検査装置並びに組立装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体レーザ駆動回路としては、図５に示すように、半導体レーザ５１の電極に接触するコンタクトプローブ５２，５２と、半導体レーザ５１に定格を越える電流が流れないようにするバイパス用ダイオード５４，５４…と、半導体レーザ５１へ流れるサージ電流を低減するサージ電流低減用抵抗５３と、そのサージ電流を吸収するサージ電流吸収用コンデンサ５５とを有するものがある。
【０００３】
上記構成の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ５１を検査する場合、コンタクトプローブ５２，５２を半導体レーザ５１の電極に接触させて出力回路５６からの電流を半導体レーザ５１に供給して、半導体レーザ５１を発光させる。この半導体レーザ５１の光出力が定格を越えて、半導体レーザ５１が劣化しないように、バイパス用ダイオード５４，５４…、サージ電流低減用抵抗５３、およびサージ電流吸収用コンデンサ５５で半導体レーザ５１を保護している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記半導体レーザ駆動回路では、コンタクトプローブ５２，５２が半導体レーザ５１の端子から離れて所謂オープン状態になって、コンタクトプローブ５２，５２と半導体レーザ５１の端子との間が非導通になると、図６に示すように、半導体レーザ５１を流れる電流Ｉが０になるが、出力回路５６からコンタクトプローブ５２，５２の端子に印加した電圧Ｖは上昇し、最悪の場合、駆動回路が出せる最大の電圧である電源電圧近くまで上昇する。その後、再び、上記コンタクトプローブ５２，５２が半導体レーザ５１の端子に接触して導通状態になると、導通した直後に半導体レーザ５１に定格の駆動電圧以上の電圧が印加される。このため、半導体レーザ５１に瞬間的に過電流が流れてしまう。その結果、上記半導体レーザ５１は定格以上の光出力を発生することになって、半導体レーザ５１が劣化してしまうという問題がある。
【０００５】
また、上記半導体レーザ５１の電極とコンタクトプローブ５２，５２との間に瞬間的な接触不良が起こった場合に、その接触不良を検知することが出来ずにさらに電流を流そうとするために端子電圧Ｖが上昇してしまって、再び接触が復帰すると、半導体レーザ５１に過電流が流れて、半導体レーザ５１が劣化してしまうという問題もある。
【０００６】
また、上記半導体レーザ５１の電極とコンタクトプローブ５２，５２との間における大きかった接触抵抗が急に小さくなった場合においても、半導体レーザ５１に過電流が流れて、やはり半導体レーザ５１を劣化させてしまう。
【０００７】
このような半導体レーザの劣化を防ぐために、回路の最終端に保護抵抗を入れる場合も有るが、半導体レーザの電極の汚れ等による接触抵抗や接触抵抗の不安定さを無視できなくなり、半導体レーザに対して正確な駆動を行うことができない。また、電源のＯＮ／ＯＦＦ時に回路を徐々に立ち上げたり立ち下げたりする方法も考案されているが、この方法では、基板への半田付けやコネクタの場合と異なり、コンタクトプローブの接触において瞬間的に導通と非導通が繰り返されるようなチャタリング現象に対して有効ではない。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、半導体レーザに定格以上の電流が流れるのを防止して、半導体レーザの劣化を防ぐことができる半導体レーザ駆動回路を提供することにある。また、そのような半導体レーザ駆動回路を有する半導体レーザチップ検査装置並びに組立装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明の半導体レーザ駆動回路は、コンタクトプローブを介して出力回路を半導体レーザに接続して、上記半導体レーザを発光させる半導体レーザ駆動回路において、上記半導体レーザと上記コンタクトプローブとの間の非導通を、上記コンタクトプローブの電圧が所定値を超えたことで検出するプローブ電圧検出手段と、上記プローブ電圧検出手段が、上記コンタクトプローブが所定値を超えたと判断した時に、上記出力回路から上記半導体レーザへの電流を遮断する遮断手段とを備えたことを特徴としている。
【００１０】
上記請求項１の発明の半導体レーザ駆動回路によれば、上記半導体レーザの端子からコンタクトプローブが離れて非導通になった場合、または、半導体レーザの電極とコンタクトプローブとの間に瞬間的な接触不良が起こった場合、出力回路によってコンタクトプローブに印加される電圧が上昇する。そして、上記コンタクトプローブの電圧が所定値を越えると、これをプローブ電圧検出手段で検出し、出力回路から半導体レーザに流れる電流を遮断手段が遮断する。
【００１１】
したがって、上記半導体レーザの定格電圧以下に上記所定値を設定することによって、出力回路からコンタクトプローブに印加される電圧が定格を越えることを未然に防止できる。その結果、上記半導体レーザの端子とコンタクトプローブとが再び導通しても、定格を越える過電流が半導体レーザに流れず、半導体レーザの劣化を防止できる。
【００１２】
また、請求項２の半導体レーザ駆動回路は、請求項１の半導体レーザ駆動回路において、上記遮断手段は、上記半導体レーザと並列に接続したバイパス回路を構成し、上記半導体レーザの駆動電圧よりも低い電圧降下を生じることを特徴としている。
【００１３】
上記請求項２の発明の半導体レーザ駆動回路によれば、半導体レーザへの電流が遮断されて、バイパス回路に電流が流れる場合、バイパス回路の電圧降下が、半導体レーザの駆動電圧よりも低いので、バイパス回路と並列に接続した半導体レーザにかかる電圧も駆動電圧より低くなって、定格を越える電圧が半導体レーザに印加されず、半導体レーザの劣化を防止できる。
【００１４】
また、請求項３の発明の半導体レーザ駆動回路は、請求項１の半導体レーザ駆動回路において、上記プローブ電圧検出手段の検出結果を保持する保持手段を有することを特徴としている。
【００１５】
上記請求項３の発明の半導体レーザ駆動回路によれば、上記プローブ電圧検出手段による検出結果を保持手段が保持することによって、その検出結果に基づいて、半導体レーザへの電流の供給を続けることができると共に、半導体レーザへの電流の供給を停止させ続けることができる。
【００１６】
また、請求項４の発明の半導体レーザ駆動回路は、請求項３の半導体レーザ駆動回路において、上記保持手段に保持されている検出結果に基づいて上記出力回路を制御して、上記半導体レーザの次の動作を決定する制御手段を有することを特徴としている。
【００１７】
上記請求項４の発明の半導体レーザ駆動回路によれば、上記制御手段が、保持手段に保持された検出結果に基づいて半導体レーザの次の動作を決定するすることによって、半導体レーザを発光停止状態から発光状態に変えることができると共に、半導体レーザを発光状態から発光停止状態に変えることができる。
【００１８】
また、請求項５の発明の半導体レーザ駆動回路は、請求項１乃至４のいずれか１つの半導体レーザ駆動回路において、上記プローブ電圧検出手段の検出動作と上記遮断手段の遮断動作とに要する時間が、上記コンタクトプローブと上記半導体レーザの端子との間の機械的な断続動作時間に比べて短いことを特徴としている。
【００１９】
上記請求項５の発明の半導体レーザ駆動回路によれば、上記プローブ電圧検出手段の検出動作と上記遮断手段の遮断動作とに要する時間を、上記コンタクトプローブと上記半導体レーザの端子との間の機械的な断続動作時間に比べて短くすることによって、半導体レーザの端子とコンタクトプローブとの接続が回復する前に、コンタクトプローブへの電流が遮断される。その状態で、上記コンタクトプローブが半導体レーザの端子に再度接触しても、コンタクトプローブの端子電圧が半導体レーザの駆動電圧以下であるので、半導体レーザに過剰な電流が流れない。したがって、上記半導体レーザが劣化するのをより確実に防止できる。
【００２０】
また、請求項６の発明の半導体レーザ駆動回路は、請求項４の半導体レーザ駆動回路において、アナログ信号を扱う上記プローブ電圧検出手段および上記遮断手段と、デジタル信号を扱う上記保持手段および上記制御手段とを、電気的に分離する分離手段を有することを特徴としている。
【００２１】
上記請求項６の発明の半導体レーザ駆動回路によれば、アナログ信号を扱うプローブ電圧検出手段および遮断手段と、デジタル信号を扱う保持手段および制御手段とを、分離手段で電気的に分離するので、半導体レーザの駆動系統がノイズ等の悪影響を受けず、半導体レーザの駆動を安定に行うことができる。
【００２２】
また、請求項７の発明の半導体レーザチップ検査装置は、請求項１乃至６のいずれか１つの半導体レーザ駆動回路を備えることを特徴としている。
【００２３】
上記請求項７の発明の半導体レーザチップ検査装置によれば、上記半導体レーザ駆動回路を有することによって、半導体レーザを劣化させることなく検査することができる。
【００２４】
また、請求項８の発明の組立装置は、請求項１乃至６のいずれか１つの半導体レーザ駆動回路を備えることを特徴としている。
【００２５】
上記請求項８の発明の組立装置によれば、上記半導体レーザ駆動回路を有することによって、半導体レーザを劣化させることなく、半導体レーザを有するデバイスや装置等を組み立てることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体レーザ駆動回路を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２７】
図１は本発明の半導体レーザ駆動回路の概念の一例を示すブロック図である。この半導体レーザ駆動回路は、図１に示すように、コンタクトプローブ２を介して、半導体レーザを有するデバイス１に出力回路６を接続している。また、上記半導体レーザ駆動回路は、コンタクトプローブ２とデバイス１との間の非導通を、コンタクトプローブ２の電圧が所定値を越えたことで検出するプローブ電圧検出手段としての電圧検出回路３と、この電圧検出回路３の検出結果を保持する保持手段としての検出結果保持回路４と、この検出結果保持回路４に保持されている検出結果に基づいてデバイス１の次の動作を決定する制御手段としての制御回路５と、その検出結果に基づいて出力回路６からデバイス１への電流を遮断する遮断手段としての遮断回路７とを備えている。また、上記電圧検出回路３が、コンタクトプローブ２の電圧が所定値を超えたと判断した時に、遮断回路７が、出力回路６からデバイスへ流れる電流を遮断する。また、図示しないが、上記制御回路５は、検出結果保持回路４に保持されている検出結果を、例えば、外部に設けられたパソコンの画面等に表示させることも可能になっている。
【００２８】
図２は本発明の実施の一形態の半導体レーザ駆動回路を示す回路図である。この半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ１の端子に接触するコンタクトプローブ２２，２２と、図１の電圧検出回路３に相当するコンパレータ２３，検出電位設定用の電源２８と、図１の検出結果保持回路４に相当する保持回路２４と、図１の制御回路５に相当する制御回路２５と、図１の遮断回路７に相当するコンパレータ２９，ＮＰＮ型のトラジスタ２７とを有している。このトランジスタ２７のゲートに信号を出力するコンパレータ２９は、入力側の端子の一方を出力回路２６に接続し、他方を保持回路２４に接続している。また、この保持回路２４に信号を出力する回路としてコンパレータ２３を用いることによって、検出電位設定用の電源２８を取り換えて、検出の基準となる設定電圧の変更が可能である。
【００２９】
上記構成の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ２１を検査する場合、次のように動作する。
【００３０】
▲１▼  上記半導体レーザ２１の端子にコンタクトプローブ２２，２２を接触させると、コンタクトプローブ２２，２２およびトランジスタ２７を介して出力回路２６から半導体レーザ２１に電流が流れて、半導体レーザ２１が発光する。
【００３１】
▲２▼  そして、上記コンタクトプローブ２２，２２を半導体レーザ２１の端子から離して所謂オープン状態にすると、図３に示すように、図２に示す半導体レーザ２１を流れる電流Ｉが０になると共に、コンタクトプローブ２２，２２の端子に印加した電圧Ｖが上昇し始める。
【００３２】
▲３▼  上記コンタクトプローブ２２，２２の端子に印加した電圧Ｖと、検出電位設定用の電源２８で定まる所定値としての設定電圧との大小関係を示す検出結果を、図２に示すコンパレータ２３が保持回路２４に出力する。このコンパレータ２３からの検出結果は、保持回路２４で保持されると共に、保持回路２４を介して制御回路２５，コンパレータ２９に送られる。上記制御装置２５は、コンパレータ２３からの検出結果を例えば外部の表示装置に表示する。その結果、上記コンタクトプローブ２２，２２の端子に印加した電圧Ｖが設定電圧より大きいか小さいかを外部から把握することができる。
【００３３】
▲４▼  そして、上記電圧Ｖが設定電圧を越えると、コンパレータ２３からの検出結果に基づく信号が、例えば１０μｓｅｃ以下の時間でトランジスタ２７に伝達される。その結果、上記コンパレータ２９から出力された信号によってトランジスタ２７がオフ（不導通）して、コンタクトプローブ２２，２２への電流供給が停止する。このとき、上記コンパレータ２３からの検出結果を保持回路２４が保持している。つまり、上記保持回路２４は、トラジスタ２７をオフにするという信号をコンパレータ２９を介してトランジスタ２７に出力し続けている。したがって、上記コンタクトプローブ２２，２２への電流の供給を停止させ続けることができて、図３に示すように、コンタクトプローブ２２，２２の端子に印加した電圧Ｖが減少し続ける。
【００３４】
▲５▼  その後、上記電圧Ｖが低い状態で、コンタクトプローブ２２，２２が半導体レーザ２１の端子に再び接触する。すなわち、コンタクトプローブ２２，２２による導通が回復する。このとき、この導通の回復はコンタクトプローブ２３，保持回路２４を通して制御回路２５に伝達され、半導体レーザ２１を発光させる場合には、制御回路２５は、保持回路２４にリセット信号Ｒを出力する。そのリセット信号Ｒによって、コンパレータ２９からトランジスタ２７のゲートに信号が入力されて、トランジスタ２７をオン（導通）にして、半導体レーザ２１を発光させる。したがって、上記制御回路２５は、リセット信号Ｒを保持回路２４に出力することによって、発光停止状態の半導体レーザ２１を再び発光させることができる。つまり、上記制御回路２５は、保持回路２４に保持された検出結果に基づいて半導体レーザ２１の次の動作を決定するすることができる。
【００３５】
このように、上記コンタクトプローブ２２，２２を再び半導体レーザ２１の端子に接続させても、コンタクトプローブ２２，２２の端子に印加した電圧Ｖが低いままなので、半導体レーザ２１に過剰な電流が流れない。したがって、上記半導体レーザ２１の光出力が定格を越えることもなく、半導体レーザ２１の劣化を防ぐことができる。
【００３６】
また、上述のように、コンパレータ２３の検出からトランジスタ２７がオフになるまでの時間を１０μｓｅｃ以下にしたから、コンタクトプローブ２２，２２が半導体レーザ２１の端子から離れて再び接触する前に、トランジスタ２７をオフにできる。したがって、上記コンタクトプローブ２２，２２の端子に印加した電圧が高くなる前に、コンタクトプローブ２２，２２への電流の供給を遮断でき、半導体レーザ２１の駆動電圧以下の状態でコンタクトプローブ２２，２２を半導体レーザ２１に接触させることができる。その結果、上記半導体レーザ２１に定格を越える電流が流れることがなく、半導体レーザ２１の劣化をより確実に防止できる。
【００３７】
また、上記保持回路２４に保持された検出結果からコンタクトプローブ２２，２２の異常を検出した場合、制御回路２５は出力回路２６に信号を送って、出力回路２６を停止させることができる。したがって、上記コンタクトプローブ２２，２２の修理または交換を行うことができる。また、上記保持回路２４に保持された検出結果から半導体レーザ２１の端子の汚れ等を検出でき、半導体レーザ２１の品質の良し悪しを判別できる。
【００３８】
上記実施の形態では、コンタクトプローブ２２，２２が開閉する場合について説明したが、コンタクトプローブ２２，２２が半導体レーザ２１の端子に接触している状態で発生する瞬間的な非導通も検出できる。したがって、上記コンタクトプローブ２２，２２が半導体レーザ２１の端子において瞬間的な導通と非導通を繰り返すチャタリング現象に対しても、その非導通を検出できる。その結果、半導体レーザ２１に過電流が流れるのを防止して、上記半導体レーザ２１の劣化を防止できる。
【００３９】
また、上記コンタクトプローブ２２，２２と半導体レーザ２１の端子において、チャタリング現象によって非導通になっている時間はミリ秒（ｍｓｅｃ）オーダである。これに対して、上記コンパレータ２３による検出からトランジスタ２７のオフまでに要する時間は１０μｓｅｃ以下である。したがって、チャタリング現象においても、上記コンタクトプローブ２２，２２の端子に印加した電圧Ｖが半導体レーザ２１の駆動電圧以上になる前に、コンタクトプローブ２２，２２への電流を遮断できる。
【００４０】
上記図２の実施の形態では、遮断手段としてのＮＰＮ型のトランジスタ２８，コンパレータ２９を設けたが、図４に示すように、半導体レーザ４１の駆動電圧よりも低い電圧降下を生じるバイパス回路４０を設けてもよい。このバイパス回路４０は、半導体レーザ４１と並列に接続されたサイリスタ４４を有する。また、ダイオード４３，４３…とそのダイオード４３，４３…に直列に接続した抵抗４５とで構成した直列回路を半導体レーザ４１に対して並列に接続している。このダイオード４３，４３…と抵抗４５との間にサイリスタ４４のゲートを接続している。
【００４１】
上記構成のバイパス回路によれば、コンタクトプローブ４２，４２が非導通になって、出力回路２６による駆動電圧が上昇し、ダイオード４３，４３…と抵抗４５との接続点での電圧が所定値を越えると、サイリスタ４４がオンして、バイパス回路４０が導通する。これにより、上記半導体レーザ４１への電流が遮断される。ここで、バイパス回路４０に電流が流れても、バイパス回路４０の電圧降下が半導体レーザ４１の駆動電圧よりも低いから、半導体レーザ４１にかかる電圧も駆動電圧より低く、定格以上の電圧が半導体レーザ４１に印加されることはない。したがって、上記半導体レーザ４１の劣化を防止することができる。
【００４２】
また、上記図２の実施の形態では、アナログ信号を扱うコンパレータ２３およびトランジスタ２７と、デジタル信号を扱う保持回路２４および制御回路２５とを、図７に示す分離手段としての例えばフォトカプラ７１で電気的に分離してもよい。この場合、半導体レーザの駆動系統がノイズ等の悪影響を受けないので、半導体レーザの駆動を安定に行うことができる。
【００４３】
また、本実施の形態の半導体レーザ駆動回路を半導体レーザチップ検査装置に搭載した場合、半導体レーザを劣化させることなく検査することができる。
【００４４】
また、本実施の形態の半導体レーザ駆動回路を組立装置に搭載した場合、半導体レーザを劣化させることなく、半導体レーザを有するデバイスや装置等を組み立てることができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザの定格電圧以下に所定値を設定することによって、出力回路からコンタクトプローブに印加される電圧が定格を越えることを未然に防止できる。したがって、上記半導体レーザの端子とコンタクトプローブとが再び導通しても、定格を越える過電流が半導体レーザに流れず、半導体レーザの劣化を防止できる。
【００４６】
一実施形態の発明の半導体レーザ駆動回路は、バイパス回路の電圧降下が半導体レーザの駆動電圧よりも低いので、バイパス回路と並列に接続した半導体レーザにかかる電圧も駆動電圧より低く、半導体レーザが劣化するのを防止できる。
【００４７】
一実施形態の発明の半導体レーザ駆動回路は、プローブ電圧検出手段に検出結果を保持手段が保持するので、その検出結果に基づいて、半導体レーザへの電流の供給を続けることができる。
【００４８】
一実施形態の発明の半導体レーザ駆動回路は、プローブ電圧検出手段に検出結果を保持手段が保持するので、その検出結果に基づいて、半導体レーザへの電流の供給を停止させ続けることができる。
【００４９】
一実施形態の発明の半導体レーザ駆動回路は、保持手段に保持された検出結果に基づいて制御手段が半導体レーザの次の動作を決定するので、半導体レーザを発光停止状態から発光状態に変えることができる。
【００５０】
一実施形態の発明の半導体レーザ駆動回路は、保持手段に保持された検出結果に基づいて制御手段が半導体レーザの次の動作を決定するので、半導体レーザを発光状態から発光停止状態に変えることができる。
【００５１】
一実施形態の発明の半導体レーザ駆動回路は、プローブ電圧検出手段の検出動作と上記遮断手段の遮断動作とに要する時間を、上記コンタクトプローブと上記半導体レーザの端子との間の機械的な断続動作時間に比べて短くすることによって、コンタクトプローブが半導体レーザの端子に再度接触しても、コンタクトプローブの端子電圧が半導体レーザの駆動電圧以下でなので、半導体レーザに過剰な電流が流れない。したがって、上記半導体レーザが劣化するのをより確実に防止できる。
【００５２】
一実施形態の発明の半導体レーザ駆動回路は、アナログ信号を扱うプローブ電圧検出手段および遮断手段と、デジタル信号を扱う保持手段および制御手段とが、分離手段で電気的に分離するので、半導体レーザの駆動系統がノイズ等の悪影響を受けず、半導体レーザの駆動を安定に行うことができる。
【００５３】
一実施形態の発明の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ駆動回路を有するので、半導体レーザを劣化させることなく検査することができる。
【００５４】
一実施形態の発明の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザ駆動回路を有するので、半導体レーザを劣化させることなく、半導体レーザを有するデバイスや装置等を組み立てることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の半導体レーザ駆動回路の一概念を示すブロック図である。
【図２】図２は本発明の実施の一形態の半導体レーザ駆動回路の回路図である。
【図３】図３は上記実施の形態の半導体レーザ駆動回路の電気的な特性を示すグラフである。
【図４】図４は他の実施の形態の半導体レーザ駆動回路の回路図である。
【図５】図５は従来の半導体レーザ駆動回路の回路図である。
【図６】図６は上記従来の半導体レーザ駆動回路の電気的な特性を示すグラフである。
【図７】図７は本発明の半導体レーザ駆動回路に用いることが可能なフォトカプラを示す図である。
【符号の説明】
１                      デバイス
２，２２，４２  コンタクトプローブ
３            電圧検出回路
４            検出結果保持回路
５，２５        制御回路
７                        遮断回路
２１，４１        半導体レーザ
２３，２９        コンパレータ
２４                  保持回路
２７                トランジスタ
２８                検出電位設定用の電源
４０                バイパス回路
４３                ダイオード
４４                サイリスタ
４５                抵抗
７１                フォトカプラ
【図１】
0003625402.tif 000002
【図２】
0003625402.tif 000003
【図３】
0003625402.tif 000004
【図４】
0003625402.tif 000005
【図５】
0003625402.tif 000006
【図６】
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【図７】
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