(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１４８）に薄膜を付着させるスパッタリングシステム（１０）であって、
排気可能な室（１２）と、
該室（１２）内の基板（１４８）と、
該室（１２）内に配置され、背面およびスパッタリング表面（１４６）を有するターゲット（１４４）と、
該ターゲット（１４４）を浸食して前記薄膜を形成するための材料を提供するプラズマを生成する手段（１０８，１５２）にして、前記ターゲット（１４４）の浸食は、プラズマの形状によって画定される浸食パターンで発生するようにされた、前記手段（１０８，１５２）と、
前記ターゲット（１４４）の背面の背後にあって、該ターゲット（１４４）のスパッタリング表面に磁界を提供する永久磁石構造（２８，３６〜５０）にして、該永久磁石構造（２８，３６〜５０）はプラズマの形状を画定する形状を有し、該永久磁石構造（２８，３６〜５０）のこの形状は、その中にギャップ（１３８）を有し、可動永久磁石セグメント（３６〜５０）の少なくとも一部が該ギャップ（１３８）内に形成された不規則なループを含み、該可動永久磁石セグメント（３６〜５０）は、プラズマの形状を変更するために磁石キャリア（２０）の表面に沿って摺動変位し得るようになっている、前記永久磁石構造（２８，３６〜５０）と、
前記ターゲット（１４４）の寿命の過程で該ターゲット（１４４）が浸食されるにつれてプラズマの形状を変化させるように、該ターゲット（１４４）の寿命の早期の初期位置から別の位置へと前記可動永久磁石セグメント（３６〜５０）を調節するよう作動可能な制御装置（１１４）と、
を含むスパッタリングシステム。
【請求項２】
可動永久磁石セグメント（３６〜５０）が永久磁石構造（２８，３６〜５０）の中心から様々な半径においてギャップ（１３８）内に配置される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
ループが自身内にギャップ（１３８）を有し、可動永久磁石セグメント（３６〜５０）が、磁石構造の中心から様々な半径にあるギャップ（１３８）に配置される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
制御装置が、セグメント（３６〜５０）と係合し、ターゲット（１４４）の寿命の過程でそれが浸食させるにつれ、セグメント（３６〜５０）を初期位置からその後の位置へと漸進的に移動させてプラズマの形状を変化させ、それによって浸食パターンを変化させるための位置決め手段（５２、５４、５８、６４、６６、７０、１０４）を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
ギャップ（１３８）内の磁石セグメントの動作が、ターゲットに加えられたエネルギー量の監視に応答して、制御装置（１１４）によって制御される、請求項２から４いずれか１項に記載のシステム。
【請求項６】
ギャップ（１３８）内の各磁石セグメント（３６〜５０）が係合部材（５２）を含む、請求項２から４いずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
係合部材（５２）が、ギャップ（１３８）内の磁石セグメントの動作を案内するため、案内要素（５４）を通って延在し、案内要素が、永久磁石構造を支持するプレート（２０）内に形成される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
位置決め手段が、係合部材（５２）と係合するヨーク要素（５８）を含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
位置決め手段が、さらに、ヨーク要素（５８）を動作させ、したがって磁石セグメント（３６〜５０）を動作させるヨーク要素（５８）と係合可能な回転軸（７０）を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
ヨーク要素（５８）が、軸（７０）の端部と接触する１対の案内要素（６４）を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
制御装置（１１４）が、前記磁石セグメントの少なくとも１つを再配置して、ドエルの調節を提供するよう作動可能である、請求項１から４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１２】
ループが内側および外側部分を有し、回転ドエルがループの外側部分で増加する、請求項１から４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１３】
制御装置（１１４）が、前記ターゲットに加えられたエネルギーを監視し、エネルギーの監視に応答して形状を変化させる手段を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
スパッタリングした材料のほぼ一様な層を基板（１４８）にスパッタリングする方法であって、スパッタリングターゲット（１４４）背面の背後にあって、スパッタリングターゲット（１４４）のスパッタリング表面に第１形状を有する磁界トンネルを提供する形状を有する磁石アセンブリ（２８、３６〜５０）を設けるステップを含み、形状がループを含み、さらに、プラズマを生成し、それでスパッタリングターゲットを浸食するステップを含む方法であって、形状が可動永久磁石セグメント（３６〜５０）の少なくとも一部に形成された不規則なループを含み、方法が、さらに、ターゲットの浸食状態の変化を判別することと、浸食状態の変化の判別にしたがって、可動磁石セグメント（３６〜５０）を、ターゲット（１４４）の寿命の早期における初期位置から、異なる位置へと移動させ、トンネルの形状を初期位置からその後の位置へと変化させ、それによってターゲットの浸食につれてプラズマの形状を変化させることを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
判別するステップが、スパッタリングターゲットに送出されたエネルギーの累積量を監視するステップを含み、移動させるステップが、スパッタリングターゲットに送出されたエネルギーの累積量の関数として、可動磁石セグメント（３６〜５０）を移動させるステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
移動させるステップが、スパッタリングターゲット（１４４）の外側部分でプラズマのドエルを増加させるため、可動磁石セグメント（３６〜５０）を移動させるステップを含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
移動させるステップが、前記磁石アセンブリ（２８、３６〜５０）によって生成された磁界の外側への回転ドエルが増加するよう、スパッタリングターゲット（１４４）にエネルギーを加えながら、磁界トンネルの形状を変化させるステップを含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１８】
移動させるステップが、さらに、エネルギーがスパッタリングターゲットの寿命にわたってスパッタリングターゲットに送出されるにつれ、可動セグメント（３６〜５０）を、スパッタリングターゲット（１４４）が新しい場合の、中心の基準軸に対する中間半径から漸進的により大きい半径へと移動させるステップを含む、請求項１４から１５いずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
移動させるステップが、一連の基板（１４８）を順次スパッタコーティングするプロセスを中断せずに実行される、請求項１４から１５いずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
１９９０年１２月１３日に出願され「MAGNETRON SPUTTER COATING METHOD AND APPARATUS WITH ROTATING MAGNET CATHOD」と題した米国特許第５，１３０，００５号の開示を参照して、本明細書の説明をする。
【０００２】
（発明の分野）
本発明は、スパッタリングプロセスに使用するカソードに関し、特にスパッタリングターゲットの浸食によって生じる蒸着膜の厚さの変化を補償する、磁石形態が可変のスパッタリングカソードアセンブリに関する。
【０００３】
（発明の背景）
スパッタリングプロセスでは、スパッタリングカソードアセンブリを一般的に使用し、金属または他の導電性材料を薄膜として半導体ウェーハなどの基板の表面に付着させる。スパッタリングカソードアセンブリは、スパッタリングターゲットが基板の近傍に配置された真空室を含む。エネルギーをターゲットに加えると、最終的に原子がスパッタリングされてターゲットの表面から除去され、基板上に付着する。
【０００４】
基板の外縁より基板の中心付近に配置されるターゲット構造（つまりスパッタリングソース）が多い結果、頻繁に一様でない膜が生じる。理論的に、他の全てのパラメータが等しい状態で、一様な浸食プロフィールを有する無限に大きいターゲットなら、ターゲットのサイズによる膜の不均一性を克服することができる。したがって、ターゲットを、コーティングされる基板の表面に対して大きくすることが望ましい。しかし、使用できるスパッタリングターゲットのサイズには実際的な限界がある。通常、コーティングされる基板の直径よりほぼ２分の１大きい直径を有するターゲットを設けることにより、妥協する。にもかかわらず、このように妥協しても、一様に浸食されたターゲットを使用した結果、基板の縁から基板の中心に向かって移動すると、厚さが増加する膜が形成されてしまう。
【０００５】
高速蒸着を考慮に入れるような多くの工業用プロセスでは、マグネトロンで強化したプラズマ生成および形成技術を使用して、スパッタリングターゲットの望ましい浸食プロフィールを確立する。より最近では、スパッタコーティング機器製造業者が、回転磁石パッケージを使用してマグネトロンによるプラズマ強化を補助するスパッタコーティングターゲットおよびカソードアセンブリを提供している。このような回転磁石カソードアセンブリの一つが、「MAGNETRON SPUTTER COATING METHOD AND APPARATUS WITH ROTATING MAGNET CATHODE」と題し、Materials Research Corporationに譲渡された米国特許第５，１３０，００５号に記載され、図示されている。
【０００６】
カソードアセンブリの設計は、縁コーティングの厚さ減少の効果、および膜の不均一性に寄与する他の要因を補償するため、ターゲットの浸食プロフィールを形成するよう最適化されている。これは、プラズマの形成に使用する磁石アセンブリを選択的に構成することによって達成されることが多い。例えば、基板の縁における膜の薄さを補償するため、磁石アセンブリは、往々にして、ターゲットの縁の周囲でプラズマの継続時間を延長するよう設計される。これにより、ターゲットは、ターゲットの縁付近で浸食が高速化し、基板の縁付近でターゲットの露出が減少することを補償する。
【０００７】
図１および図２を参照すると、回転磁石アセンブリが図示されている。磁石キャリアプレート２０が、軸１８の中心軸２６を中心に回転可能であるよう配置される。プレート２０は、一定の所定の形状を有する磁気材料２８アレイを含む。特に、磁気材料２８は、不規則で部分的に形成されたループの中心軸２６から様々な半径に配置された部分があるよう、適宜形成される。この形状では、磁気材料２８は、磁北極が外周面３２にあり、磁南極が内周面３４にあるよう配向される。スパッタリングプラズマおよびその結果生じた磁気材料２８に隣接する第１ターゲット７２の浸食の形状は、第１ターゲット７２の表面上に閉ループ磁界トンネルを生成する磁北極３２と磁南極３４の間に延在する磁束路７６によって画定される。
【０００８】
磁気材料２８を第１ターゲット７２に対して回転させると、第１ターゲット７２に浸食プロフィール７４が形成される。プロフィール７４は、ほぼ円形の「標的」パターンを含み、プロフィール７４の深い方の部分と浅い方の部分とは、磁気材料２８の特定のパターン形状によって形成される。プロフィール７４の第１最外部分は、磁気材料２８の最外区域７９の回転ドエルに占有され、第１ターゲット７２の中心部分８２の浸食深さは、磁気材料２８の中心区域８４に占有される。同様に、第１最外部分７８と中心部分８２との間にある中間部分８６の浸食は、磁気材料２８の中間区域８８の回転ドエルから生じる。ここで「回転ドエル」とは、回転サイクルの一部分であって、その一部分の間に、中心から所定の半径にあるターゲットの環状部分の上に磁石が現れる、回転サイクルの一部分のことである。例えば、後述する図６に示された磁石の上に中心から所定の半径の円が描かれ、その円と磁石とが重なる円の部分の合計の全円弧の長さが角度で測られたとして、３６０°に対するその全円弧の長さの角度の割合が「回転ドエル」である。従って、所定の半径にある磁石の２５％回転ドエルということは、所定の半径にある磁石の５０％回転ドエルに対比して、ターゲットの１／２の浸食をもたらすということになる。
【０００９】
プロフィール７４の形状は、第１ターゲット７２および基板９４のサイズおよび第１ターゲット７２と基板９２間の間隔などの他の要因に加えて、膜厚の一様性を決定する要因である。さらに、厚さの一様性は、ターゲットの寿命を通して一定ではない。第１ターゲット７２が新しい場合、初期スパッタリング表面９０はほぼ平面であり、スパッタリング材料でコーティングする基板９２から既知の距離にある。浸食が進行するにつれ、表面９０は徐々にプロフィール７４の形状をとる。浸食とともに、表面９０と基板９２間の距離が増加する。
【００１０】
これらの変化の効果を図３に示す。図３は、６インチ基板の直径で、スパッタリングされた材料の厚さを示す。曲線９４は、第１ターゲット７２が新しく、表面９０がほぼ平坦な場合に得られる、スパッタリング材料の厚さを示す。ターゲットの浸食が進行するにつれ、曲線９６で示すようにターゲットの寿命の中間点で一様性が劣化する。第１ターゲット７２が寿命の最後に近づくにつれ、スパッタリング材料の厚さは、曲線９８で示す厚さまで劣化する。第１ターゲット７２が浸食するにつれてスパッタリング材料の厚さが変化しこれにより基板９２の縁に向かって膜厚が減少する。
【００１１】
これらの欠点は、磁気材料２８を、最外区域７９で最も高いドエル時間を提供するよう適合させた異なる形状の磁気材料と定期的に交換し、第１ターゲット７２の第１最外部分７８でのスパッタリングを増加させることにより、補正することができる。しかし、磁気材料２８の交換には、プレート２０を外してスパッタリングシステムを停止する必要があり、その結果、コストが増加し、生産性が低下する。
【００１２】
さらに、スパッタリングターゲットは、材料または結晶構造によって、スパッタリングプロセスでのパフォーマンスが異なることが知られている。図４Ａを参照すると、アルミニウム製第２ターゲット１２４上の位置１２２からスパッタリングした材料１２０の角度分布が図示されている。この分布は、スパッタリングした材料の大部分が、主にターゲット表面に対して垂直に位置することを示す。図４Ｂを参照すると、テルビウムまたは金から作成した第３ターゲット１２８上の位置１２６からスパッタリングした材料１３２の角度分布が図示されている。ここでは、スパッタリングされた材料は、図４Ａに図示したものより、ローブ１３０に沿って小さい角度で分布している。以上およびその他の材料で付着の一様性を最適にするには、磁石構造を交換する必要がある。しかし、前述したように、それには望ましくないスパッタリングシステムの停止が必要である。
【００１３】
（発明の概要）
基板に薄膜を付着させるスパッタリングシステムが開示され、システムは、基板を含み排気可能な室を含む。特に室内に、ターゲットが設けられ、ターゲットは後面とスパッタリング面を有する。システムは、ターゲットを浸食して薄膜を形成する材料を提供するプラズマを含み、ターゲットの浸食は所定の浸食パターンで発生して、プラズマの形状によって制御される。また、プラズマの形状を制御するためにターゲットに磁界を提供する磁石構成が提供され、磁石構成は、ターゲットの背面に隣接して配置される。システムは、スパッタリング表面に対向して基板を支持する支持部、およびターゲットの所定の部分における磁界のドエル時間を調節してプラズマの形状を変化させ、ターゲットの浸食パターンを変化させる調節構成も含む。
【００１４】
（発明の詳細な説明）
本発明は、多くの異なる形態での実施形態が可能であるが、特定の実施形態について図面で示して、詳細に説明するものであり、本明細書の開示は本発明の原理の一例として見なされ、図示し、説明する特定の実施形態に本発明を制限するものでないことが理解される。以下の説明では、図１から図１０の同じ部品、類似した部品または相当する部分を説明するのに、同様の参照番号を使用する。
【００１５】
次に、図５を参照すると、本発明によるスパッタリングシステム１０が図示されている。システム１０は、着脱式に底部ハウジング１６に取り付けて空隙または室１２を形成する静止カバー１４を含む。空隙１２は、ポンプ１４２によってスパッタリングに適切な真空レベルまで排気される。第４ターゲット１４４を空隙１２内に配置する。第４ターゲット１４４はスパッタリング表面１４６を含み、ここからターゲット材料を除去して、最終的に基板１４８上に付着し、薄膜を形成する。システム１０は、基板１４８を概ねスパッタリング表面１４６に対向する位置に保持する支持部１５０も含む。使用時には、アルゴンなどのスパッタリングガスを、ノズル１５２を通して空隙１２に導入する。次に、電源１０８で第４ターゲット１４４にマイナスの電圧を加えて、第４ターゲット１４４から電子を放出させ、このようにカソード素子１５４を形成する。さらに、支持部１５０および基板１４８をアース１５６に接続し、アノード素子１５８を形成する。
【００１６】
静止カバー１４を通って軸１８が突き出している。非磁性ステンレス鋼または他のこのような材料で作成した磁石キャリアプレート２０を、軸１８の内端で取り付け、静止カバー１４とほぼ平行に空隙１２内に配置する。プレート２０は、軸１８を取り付ける第１表面２２、および磁気材料２８を取り付ける第２表面２４を有する。プレート２０は、軸１８の中心軸２６を中心に回転する。軸１８の外端、つまり空隙１２の外側にある軸１８の端部は、選択された速度で軸１８を回転する駆動モータ（図示せず）に結合される。次に、図５の線６−６に沿ったシステム１０の部分図である図６を参照する。本発明によると、最外区域７９以外に位置する磁気材料２８の部分を除去し、ギャップ１３８によって分離された第１端１３４および第２端１３６を形成する。第１端１３４と第２端１３６の間のギャップ１３８には、複数の磁気セグメント３６〜５０が配置される。磁気セグメント３６〜５０は、除去された磁気材料２８の部分の形状に類似した形状に配置される。しかし、磁気セグメント３６〜５０は、所望に応じて他の形状で配置してもよいことが理解される。
【００１７】
磁気セグメント３８〜４８はそれぞれ、それぞれが隣接する磁気セグメントとほぼ接触するよう配置される。さらに、磁気セグメント３６および５０は、一方側でそれぞれ隣接する磁気セグメント３８および４８とほぼ接触し、反対側ではそれぞれ第１端１３４および第２端１３６と接触する。磁気セグメント３６〜５０は、磁気材料２８と同じ磁気方向である。さらに、磁気材料２８は、スパッタリングプロセスを強化するのに適した磁界強度を生成するのに十分な、金属または電磁石などの知られている任意の磁気材料を含むことができる。
【００１８】
図５と関連させて図７を参照すると、図５の線７−７に沿ったシステム１０の部分図が図示されている。磁気セグメント３６〜５０はそれぞれ、垂直に延在するピン５２を有し、これはプレート２０の複数のスロット５４のうち対応する１つを通して突き出す。スロット５４は、矢印５６の方向における各ピン５２の、したがって磁気セグメント３６〜５０の移動を制御する。システム１０は、さらに、矢印５６で示す方向にプレート２０をスライドさせるようになっているヨーク５８を含む。ヨーク５８は、隔置されて対向する上部６０および下部６２凸状表面を含み、砂時計形の口５９を形成する。上部６０および下部６２表面は、プレート２０を通って突き出す各ピン５２の部分と係合可能である。上部表面６０は、最初は最内位置に、つまり中心軸２６に最も近い位置にある。その結果、各ピン５２と上部表面６０とが接触し、したがってピンが上部表面６０に対応する円弧形の形状に配置される。この位置で、磁気セグメント３６〜５０は、図６に関して前述したように構成される。したがって、磁気セグメント３６〜５０は、磁気材料２８と関連して、新しいスパッタリングターゲットについて図３の曲線９４で示したものとほぼ類似した膜厚の一様性を提供する。
【００１９】
ヨーク５８は、弓形の形状を有する１対のガイド６４を含む。ガイド６４は、各ガイド６４の第１端が第２端よりさらに隔置され、漏斗形の構成を形成するよう配置される。また、システム１０は、回転自在に軸７０に取り付けられるローラ６６を含む。ガイド６４は、プレート２０の各回転中にローラ６６を捕捉する働きをする。軸７０は、軸７０の回転によりアーム６８が限定された円弧で揺動するよう、中心軸２６から偏る。したがって、軸７０が時計回りに回転すると、ローラ６６は中心軸２６に近づき、反時計回りに回転すると、ローラ６６は中心軸２６から遠ざかる。これにより、ヨーク５８はローラ６６の位置に応じ、これに対応して上下する。ピン５２およびヨーク５８の位置は、ローラ６６がガイド６４と係合しないプレート２０の回転部分の間に、摩擦によって維持される。本発明によると、これによって軸２６に対して磁気セグメント３６〜５０を周期的に調節することができる。
【００２０】
第４ターゲット１４４が浸食されるにつれ、ヨーク５８は漸進的に外側に移動し、中心軸２６から離れる。これが発生すると、磁気セグメント４２、４４に関連するピン５２は、最初に上部表面６２と係合し、軸２６から離れる。ヨーク５８が引き続き外方向に移動すると、ヨーク５８は、磁気セグメント４０、４６、次に磁気セグメント３８、４８、そして最終的に磁気セグメント３６、５０に関連するピンと順次係合する。図８を参照すると、ヨーク５が最外位置に到達すると、磁気セグメント３６、５０は中心軸２６に最も近い位置になり、磁気セグメント３８、４８および４０、４６は漸進的に遠い位置になって、磁気セグメント４２、４４は中心軸２６から最も遠い位置になり、円弧形の形状を形成する。本発明によると、磁気セグメント３６〜５０が漸進的に外方向に移動するにつれ、第４ターゲット１４４の縁に沿った回転ドエルの程度が増加する。図９を参照すると、比較のために、回転ドエル増加の効果が、前述した第１ターゲット７２に関連して図示されている。特に、回転ドエルの増加は、第１ターゲット７２に形成される浸食パターンを外方向にシフトさせて、第２最外部分１４０（点線で図示）を形成し、これは第１最外部分７８より中心軸２６から離れている。図１０を参照すると、これは最終的に、曲線１００（点線で図示）で示すように膜厚が一様になり、これは曲線９６（ターゲットの寿命の中間点）または曲線９８（ターゲット寿命の最後に近づく）より大きく改善され、新しいターゲット（曲線９４）とほぼ同程度となる。
【００２１】
再び図５を参照すると、軸７０は静止カバー１４を通過し、絶縁継手１０２通してモータ１０４と結合する。Advanced Energy, Inc.が製造するような電源１０８が、ケーブル接続部１１０を通してスパッタリング電力を提供する。システム１０は、それぞれ第１ケーブル１１２および第２ケーブル１１６によって電源１０８とモータ１０４の間に接続された制御装置１１４も含む。任意のターゲットの寿命は、ターゲットの交換が必要になる前に吸収するエネルギーの総量（キロワット時）で表現することができる。したがって、本明細書で述べる磁石の再構成は、オペレータが対応せずに実行されるよう、自動化することができる。特に、電力使用量は制御装置１１４に転送され、これはコンピュータのコードを記憶するメモリおよびマイクロプロセッサを含むことができる。コンピュータコードは、ターゲット寿命の所定の段階における様々なタイプのスパッタリングターゲットについて、磁気セグメント３６〜５０の好ましい配置の相関をとる参照用テーブルを含む。システム１０は、さらに、軸７０の位置を検出する位置センサ１０６を含む。この情報は制御装置１１４にも提供される。次に、制御装置１１４は、第４ターゲット１４４が浸食されるにつれ、軸７０を介してヨーク４６の位置を適切に調節するよう、モータ１０４を作動させる。これにより、膜の一様性を改良するため、第４ターゲット１４４の縁付近で回転ドエルを増加させるよう、前述したように磁気セグメント３６〜５０が外方向に移動することができる。モータ１０４はステッパモータでよく、磁気セグメント３６〜５０は、開ループの方法でのスパッタリング電力に関係なく、制御装置１１４によって生成された信号に応答して、定期的に漸進的に調節することができる。
【００２２】
特定の例示的な好ましい実施形態について説明し、添付の図面で図示してきたが、このような実施形態は広範囲の本発明を単に例示するものであり、これを制限するものではないことを理解されたい。さらに、請求の範囲にある本発明の精神および範囲から逸脱することなく、当業者には様々な変形または変更が想起されるので、本発明は、図示し、説明した特定の構造および配置構成に制限されないことを理解されたい。例えば、他の形態の磁石および機構を使用してもよい。特に、特定の磁石形状では、移動シャントまたは磁極片とともに静止磁石を使用して、同じ効果を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来の回転式磁石アセンブリを示す。
【図２】  従来の回転式磁石アセンブリおよびターゲットの浸食プロフィールの側面図を示す。
【図３】  ターゲットの寿命の様々な段階における膜の一様性を示す。
【図４Ａ】  アルミニウムのターゲットからスパッタリングした材料の角度分布を示す。
【図４Ｂ】  アルミニウムのターゲットからスパッタリングした材料の角度分布を示す。
【図５】  本発明による可変磁石カソードを有するスパッタリングシステムの図である。
【図６】  磁石セグメントを示す、図５の線６−６に沿ったシステムの部分図である。
【図７】  中心軸に対して最内位置にあるヨークを示す、図５の線７−７に沿ったシステムの部分図である。
【図８】  ヨークが中心軸に対して最外位置に到達し、したがって磁石セグメントを最外区域に配置した場合のシステムの図である。
【図９】  図２に示した浸食プロフィールの最外部分で、本発明による外方向へのシフトを示す。
【図１０】  磁石セグメントの外方向への配置により、膜の一様性が改良されたことを示す曲線を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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