(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光応答基を高分子側鎖に導入、または光応答基を高分子に分散した極性可逆媒体と、
画像信号に応じて前記極性可逆媒体に波長λ1の光を照射することによって、前記光応答基の原子価異性化に基づいて前記極性可逆媒体上に親水性を発現させる記録手段と、
液体インクを用いて前記極性可逆媒体を現像する現像手段と、
前記極性可逆媒体上の現像されたインクを転写体に転写する転写手段と、
前記極性可逆媒体に波長λ2の光を照射または熱を加えることによって、前記光応答基の逆異性化に基づいて前記極性可逆媒体上に疎水性を可逆的に再現させる消去手段と、を有する印写装置において、
光応答基は、
一般式が
【化１】
0003608235.tif 000014
で示される２、３−エポキシインダノン誘導体であることを特徴とする印写装置。
【請求項２】
一般式が（化１）で示される２、３−エポキシインダノン誘導体を光応答基として、高分子側鎖に導入、または高分子に分散した、請求項１記載の印写装置に供される極性可逆媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、プリンター、複写機、ファクシミリ等に利用できる新規な印写技術であり、さらに詳しくは光そして又は熱により親水性‐疎水性の可逆変換を制御できる極性可逆媒体を用い、親水性インクまたは疎水性インクを転写体に転写させ、文字・画像を得ることができる印写方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、プリンターは普通紙対応、高速性、高画質、低価格化等のニーズが求められており、様々なプリンターが提案され商品化されている。その中で代表的なものに、熱記録、インクジェット、電子写真法などがあるが、電子写真法を用いたレーザープリンターは、高速、高画質、低騒音等の優れた機能を持ち、従来のインパクトプリンターに代わって、汎用大型コンピューターの出力装置として発展し、現在ではレーザープリンターは、転写型感熱プリンター、インクジェットプリンターと並んで代表的なノンインパクトプリンターとして使用されている。しかしながら、電子写真法は帯電や定着の為の複雑なプロセスを有し、それに伴って多くの消耗品材料が必要であり、また消費電力が高いことや装置が高価格であるといった欠点がある。またコロナ放電を用いて帯電したり、帯電プロセスにおけるオゾンの発生や感光体にセレンなどの有害物質を使用することから、対環境性の面からも問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第一の目的は、従来の電子写真装置に必要とされていた感光体およびその周辺の電子部品の排除による低価格化、更には電子写真プロセスの簡素化ができる印写方法を提供するものである。本発明の第二の目的は、コロナ放電を用いた帯電や帯電プロセスにおけるオゾンの発生がないといった対環境性を克服した印写方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、光応答基を高分子側鎖に導入、または高分子に分散した極性可逆媒体に、光照射または熱を印加することによって、前記光応答基の原子価異性化による前記極性可逆媒体上の親水性と疎水性とを可逆変換する記録及び消去手段と、液体インクを用いて前記極性可逆媒体を現像する現像手段と、前記極性可逆媒体上の現像されたインクを転写体に転写する手段とを有することを特徴とする印写装置である。
【０００５】
【作用】
本発明は上記構成により、極性可逆媒体上に画像信号に応じた光照射によって潜像が形成され、発現した親水部のみに親水インクが付着し、またはその逆に疎水部のみに疎水インクが付着し潜像が可視画像化され、インクが転写体に転写して印字画像を得ることから、電子写真法の構成より簡素化され、対環境性を克服した新規印写方法を提供することができる。
【０００６】
【実施例】
以下本発明の一実施例について説明する。
【０００７】
図１は、この発明の方法を採用した記録装置の一実施例を示す構成図である。この記録装置は、光により選択的に極性が可逆変換する極性可逆媒体１をドラム２の表面上にコートしてある。ドラム２は印字情報に同期して回転する。ドラム２の上部には、画像信号に応じて光照射させることにより、潜像を形成する記録手段３が設置してある。インク４はインクリザーバー５に貯められ、現像ローラー６を経て潜像が形成された極性可逆媒体１上に転写される。ドラム２と転写ローラー７の間に転写体８が搬送される。さらにドラム２の左部には、クリーニング手段９、極性可逆媒体１上の親水部から疎水部への変換用の消去手段１０が設けられている。以上のように構成された記録装置について以下にその動作について説明する。形成する潜像は画像信号に応じて波長λ１の光を記録手段３から、２、３−エポキシインダノンを光応答基とする極性可逆媒体１上に照射させ、表面に親水部を形成させることにより得られる。インクリザーバー５に浸した現像ローラー６においてインク４により潜像を可視画像化する。可視画像にされたドラム２上の極性可逆媒体１はドラム２の回転により転写ローラー７の位置まで搬送され、同期して搬送された転写体８に転写される。そして、極性可逆媒体１上の残留インクは、クリーニング手段９により除去される。印字が終了した潜像は、波長λ２の光または熱の印加による消去手段１０により消去され、次の画像形成に備えられる。
【０００８】
図２を用いて詳しく印写プロセスについて説明する。極性可逆媒体１は、光応答基である２、３ーエポキシインダノン誘導体を高分子側鎖に導入、または高分子へ分散させることにより得られるが、光応答基は２、３ーエポキシインダノン誘導体以外でも、原子価異性化により親水性と疎水性を可逆変換するフォトクロミック分子であってもよい。極性可逆媒体１を支持体１１にコーテイングする（２．１）。極性可逆媒体上に画像信号に応じて光照射１２（波長２５４〜３７０ｎｍ）すると、極性可逆媒体１上は光照射された部分が選択的に疎水部から親水部に変換される（２．２）。次に親水性インク１３または疎水性インク１４を極性可逆媒体上の親水部または疎水部に付着させ、転写体に転写することにより文字・画像が得られる（２．３）。
【０００９】
その後、極性可逆媒体１上に波長５１０〜６００ｎｍの光照射１５による親水部の一括変換（２．４）により、疎水性が再現する（２．５）。
【００１０】
図３は、この発明の方法を採用した記録装置の一実施例を示す構成図である。この記録装置は、光により選択的に極性が可逆変換する極性可逆媒体１を表面にコートしたベルト部材１６は、一対の搬送ローラ１７、１８に張った状態にあり印字情報に同期して回転する。ベルト部材１６の下側に画像信号に応じて光照射させることにより、潜像を形成する記録手段３が設置してある。インク４はインクリザーバー５に貯められ、現像ローラー６を経て潜像が形成された極性可逆媒体１上に転写される。搬送ローラー１８側と転写ローラー７の間に転写体８が搬送される。さらにベルト部材１６の上部には、クリーニング手段９、極性可逆媒体１上の親水部から疎水部への変換用の消去手段１０が設けられている。以上のように構成された記録装置について以下にその動作について説明する。形成する潜像は画像信号に応じて波長λ１の光を記録手段３から、２、３−エポキシインダノンを光応答基とする極性可逆媒体１上に照射させ、表面に親水部を形成させることにより得られる。インクリザーバー５に浸した現像ローラー７においてインク４により潜像を可視画像化する。可視画像にされたベルト部材１６上の極性可逆媒体１は搬送ローラー１７、１８により転写ローラー７の位置まで搬送され、同期して搬送された転写体８に転写される。そして、極性可逆媒体１上の残留インクは、クリーニング手段９により除去される。印字が終了した潜像は、波長λ２の光または熱の印加による消去手段１０により消去され、次の画像形成に備えられる。
【００１１】
図４は、この発明の方法を採用した印写プロセスの一実施例である。フォトクロミック分子を光応答基として高分子側鎖に導入、または高分子に分散した極性可逆媒体１９を支持体１４にコーテイングする（４．１）。極性可逆媒体１９上に紫外光照射して極性を疎水性から親水性に一括変換した後（４．２）、記録手段２０としてＬＥＤプリントヘッド、又は液晶シャッター、そして又はポリゴンミラー等を用いて可視光照射すると、極性可逆媒体１９上は選択的に親水性と疎水性が発現することによって潜像が形成される（４．４）。次に親水性インク１３または疎水性インク１４を極性可逆媒体１９上の親水部または疎水部に付着させ（４．５）、転写体に転写することにより文字・画像が得られる。その後、極性可逆媒体１９上に紫外光照射して（４．６）、極性可逆媒体１９上を親水性に変換して次の画像形成に備えられる（４．７）。
【００１２】
次に、極性可逆媒体について詳しく説明する。
２、３−エポキシインダノンを光応答基とした極性可逆媒体の一般式は（化２）に示される。
【００１３】
【化２】
0003608235.tif 000002
【００１４】
１）波長λ１の光照射により、前記光応答基の２、３−エポキシインダノンからベンゾピリリウム−４−オキサイドへ原子価異性化し、親水性は双極イオン構造による双極子モーメントの増加に由来する。
２）波長λ２の光照射そして又は熱を印加することにより、前記光応答基のベンゾピリリウム−４−オキサイドから２、３−エポキシインダノンへ逆異性化し、疎水性は双極子モーメントの減少に由来する。
【００１５】
本発明で極性可逆媒体の光応答基として使用した２、３−エポキシインダノン誘導体は、一般式が（化３）で示される。
【００１６】
【化３】
0003608235.tif 000003
【００１７】
【化４】
0003608235.tif 000004
【００１８】
（化４）に示したようにジクロロジアリールメタン誘導体と酸ハロゲン化物誘導体を反応させてインデノン誘導体とし、これをエポキシ化することによって得られる。但し、Ｒ１からＲ１４は、水素原子、電子供与性置換基、電子吸引性置換基、アルキル基、アリール基あるいは重合用のビニル基を示すが、これ以外の他の置換基であってもよい。具体的には下記の化合物
【００１９】
【化５】
0003608235.tif 000005
【００２０】
【化６】
0003608235.tif 000006
【００２１】
【化７】
0003608235.tif 000007
【００２２】
【化８】
0003608235.tif 000008
【００２３】
【化９】
0003608235.tif 000009
【００２４】
【化１０】
0003608235.tif 000010
【００２５】
【化１１】
0003608235.tif 000011
【００２６】
【化１２】
0003608235.tif 000012
【００２７】
【化１３】
0003608235.tif 000013
【００２８】
（化５）、（化６）、（化７）、（化８）、（化９）、（化１０）、（化１１）、（化１２）、（化１３）が例示される。
【００２９】
液体インクは、従来公知のインクが使用できる。例えば、親水性インクにはインクジェットプリンターで使用されているインクが採用できる。また疎水性インクとしては、水なし平版で使用されているインクが採用できる。
【００３０】
実施例１
（化５）の５−１で示される２、３−エポキシインダノン誘導体の合成。
【００３１】
メシチレン２５ｇ（２０８ｍｍｏｌ）を２００ｍｌの濃塩酸に溶解させ、１６．９ｍｌのホルムアルデヒド溶液（３７％）をゆっくり加えながら６時間５５℃で撹はんした。室温に冷却後、反応混合物を１８０ｍｌのベンゼンで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を濃縮してα２−クロロイソドウレン３０．２ｇ（収率８６％）を得た。
【００３２】
次に、シアン化ナトリウム１７．８ｇ（３６２ｍｍｏｌ）を９０ｍｌの水と１３０ｍｌのエタノールに溶解させ、α２−クロロイソドウレン３０．２ｇ（１７９ｍｍｏｌ）のエタノール溶液（５０ｍｌ）をゆっくり加えながら、３時間加熱還流した。室温に冷却後、反応混合物を２００ｍｌのベンゼンで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を濃縮して、メシチルアセトニトリル２５．７ｇ（収率９０％）を得た。
【００３３】
次に、メシチルアセトニトリル２５．７ｇ（１６１ｍｍｏｌ）を１４０ｍｌの水と１２０ｍｌの濃硫酸に溶解させ、６時間加熱還流した。室温に冷却後、反応混合物に４００ｍｌの水を加えて希釈し、吸引ろ過した。数回水で洗浄した後、４５℃で真空乾燥してメシチル酢酸２５．５ｇ（収率８９％）を得た。
【００３４】
次に、メシチル酢酸４．７ｇ（２６．４ｍｍｏｌ）に２．５ｍｌの塩化チオニルをゆっくり加えながら、１２時間加熱還流した。反応混合物を減圧蒸留してメシチル酢酸塩化物４．７ｇ（収率９０％）を得た。
【００３５】
このようにして得られたメシチル酢酸塩化物４．７ｇ（２４．０ｍｍｏｌ）とジフェニルジクロロメタン５．２ｍｌ（２４．０ｍｍｏｌ）を混合し、油浴上で１２時間２００℃に加熱した。５０℃に冷却後、反応混合物をベンゼンで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を濃縮して残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ベンゼン−ヘキサン）によって分離精製し、黄色結晶の２−メシチル−３−フェニルインデノン１．９ｇ（収率２４％）を得た。
【００３６】
次に、１．０ｇの２−メシチル−３−フェニルインデノンを６０ｍｌのエタノールと混合し加熱した。この溶液に３．２ｍｌの水酸化ナトリウム水溶液（１Ｎ）を加えた後、０．８５ｍｌの過酸化水素水（３０％）をゆっくり加えて１時間加熱還流した。室温に冷却後、５０ｍｌの水を加えて９０ｍｌのベンゼンで抽出した後、飽和食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を濃縮して残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ベンゼン−ヘキサン）によって分離精製し、黄色結晶の２−メシチル−３−フェニル−２、３−エポキシインダノン０．９ｇ（収率８５％）を得た。
【００３７】
融点１１６．７−１１７．６℃
１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ／ｐｐｍ１．７９（ｓ，３Ｈ），２．１２（ｓ，３Ｈ），２．５１（ｓ，３Ｈ），６．５０（ｓ，１Ｈ），６．８２（ｓ，１Ｈ），７．１８−７．８５（ｍ，９Ｈ）
分子量測定（ＥＩ）ｍ／ｚ３４０．４（Ｍ＋）、分子量３４０．４２
元素分析値  Ｃ２４Ｈ２０Ｏ２として
計算値  Ｃ，８４．６８％Ｈ，５．９２％
実測値  Ｃ，８４．７６％Ｈ，５．９９％
図５は、上記した２−メシチル−３−フェニル−２、３−エポキシインダノンのアセトニトリル溶液に波長３１３ｎｍ（２ｍＷ）の光を８分間照射した直後の電子スペクトル変化を示したものである。原子価異性体であるベンゾピリリウム−４−オキサイドの吸収極大波長（λｍａｘ）は５００ｎｍであり、溶液は赤色に呈色した。ベンゾピリリウム−４−オキサイドから２、３−エポキシインダノンへの戻り速度が、比較的遅く溶液中においても安定なフォトクロミズムを示した。また、ベンゾピリリウム−４−オキサイドへ波長５４６ｎｍ（３ｍＷ）の光を８分間照射すると、元の２、３−エポキシインダノンへ逆異性化し、このような光照射の繰り返しによる安定なフォトクロミズムが溶液中で観測された。
【００３８】
上記した２−メシチル−３−フェニル−２、３−エポキシインダノンを光応答基として、高分子へ分散させることにより極性可逆媒体を得ることができる。但し、光応答基を分散する高分子の種類としては、例えば、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及び上記樹脂の混合物または共重合体等を使用できるが、上記以外の樹脂であってもよい。この極性可逆媒体の光照射に伴う親水性‐疎水性の変化をフィルム上でのぬれ測定（接触角）から評価した。２−メシチル−３−フェニル−２、３−エポキシインダノンとポリスチレンを塩化メチレンに溶解させ、ガラス板上にフィルムを作成し、風乾後十分に真空乾燥する。このフィルムの光照射前後における純水の接触角θを接触角測定器で測定したところ、接触角の変化は、２−メシチル−３−フェニル−２、３−エポキシインダノンのポリスチレン中における組成比に依存し、９５゜〜１０５゜程度の疎水性から５０゜〜６０゜程度の親水性の可逆変化が得られた。また、ポリスチレン以外にもポリエチレンやポリプロピレンといった疎水性ポリマーを樹脂マトリックスとした極性可逆媒体を用いて接触角を測定したところ、同程度の親水性、疎水性の可逆変化が得られた。
【００３９】
上記した２−メシチル−３−フェニル−２、３−エポキシインダノンをポリスチレンに分散して得られた極性可逆媒体と、上記した公知の親水性インクあるいは疎水性インクを用いて、図１の構成の記録装置に装着して印字を行った結果、普通紙に良好に記録することができた。
【００４０】
実施例２
（化７）の５−１９で示される２、３−エポキシインダノン誘導体の合成。
【００４１】
ナフタレン１０ｇ（７８．０ｍｍｏｌ）と安息香酸９．５ｇ（７８．０ｍｍｏｌ）を１４０ｍｌのポリリン酸に溶解させ、７０℃で８時間撹はんした。反応混合物を水で分解、１５０ｍｌのベンゼンで抽出し、ベンゼン層を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄して未反応の安息香酸を除去した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を濃縮して残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ベンゼン−ヘキサン）によって分離精製し、α−ナフチルフェニルケトン１５．０ｇ（収率８３％）を得た。
【００４２】
次に、α−ナフチルフェニルケトン７．３ｇ（３１．３ｍｍｏｌ）と五塩化リン６．５ｇ（３１．３ｍｍｏｌ）を混合し、２時間加熱した。室温に冷却後、５０ｍｌのベンゼンを加えて溶媒を減圧留去することの繰り返しを３回行って、粗結晶のα−ナフチルフェニルジクロロメタン５．４ｇ（収率６０％）を得た。
【００４３】
次に、α−ナフチル酢酸３．９ｇ（２０．９ｍｍｏｌ）に３．１ｍｌの塩化チオニルをゆっくり加えながら、１２時間加熱還流した。反応混合物を減圧蒸留してα−ナフチル酢酸塩化物３．９ｇ（収率９１％）を得た。
【００４４】
このようにして得られたα−ナフチルフェニルジクロロメタン５．４ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）とα−ナフチル酢酸塩化物３．９ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）を混合し、油浴上で１２時間２００℃に加熱した。５０℃に冷却後、反応混合物をベンゼンで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を濃縮して残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ベンゼン−ヘキサン）によって分離精製し、赤色結晶の２，３−ビス（α−ナフチル）インデノン１．５ｇ（収率２１％）を得た。
【００４５】
次に、１．０ｇの２，３−ビス（α−ナフチル）インデノンを５０ｍｌのエタノールと混合し加熱した。この溶液に３．６ｍｌの水酸化ナトリウム水溶液（１Ｎ）を加えた後、０．８５ｍｌの過酸化水素水（３０％）をゆっくり加えて１時間加熱還流した。室温に冷却後、５０ｍｌの水を加えて８０ｍｌのベンゼンで抽出した後、飽和食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を濃縮して残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ベンゼン−ヘキサン）によって分離精製し、黄色結晶の２，３−ビス（α−ナフチル）−２、３−エポキシインダノンを０．９ｇ（収率８５％）得た。
【００４６】
融点１９８．８−１９９．５℃
１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ／ｐｐｍ７．２７−７．９９（ｍ，１８Ｈ）
分子量測定（ＥＩ）ｍ／ｚ３９８．２（Ｍ＋）、分子量３９８．４６
元素分析値  Ｃ２９Ｈ１８Ｏ２として
計算値  Ｃ，８７．４１％Ｈ，４．５５％
実測値  Ｃ，８７．６２％Ｈ，４．５９％
実施例１と同様に、上記した２，３−ビス（α−ナフチル）−２、３−エポキシインダノンをポリスチレンに分散して得られた極性可逆媒体と、上記した公知の親水性インクあるいは疎水性インクを用いて、図１の構成の記録装置に装着して印字を行った結果、普通紙に良好に記録することができた。
【００４７】
実施例３
（化８）の５−２９で示される２、３−エポキシインダノン誘導体の合成。
【００４８】
９−アントラセンメタノール１２ｇ（５７．６ｍｍｏｌ）に４．８ｍｌの塩化チオニルをゆっくり加えながら、３時間加熱還流した。未反応の塩化チオニルを減圧留去して９−クロロメチルアントラセン１２ｇ（収率９２％）を得た。
【００４９】
次に、シアン化ナトリウム４．５ｇ（９１．８ｍｍｏｌ）を７０ｍｌのジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と３０ｍｌの水に溶解させ、９−クロロメチルアントラセン１２ｇ（５３．０ｍｍｏｌ）のジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ，５０ｍｌ）溶液をゆっくり加えながら、１２時間室温で撹はんした。反応混合物に５００ｍｌの水を加えて吸引濾過、数回水で洗浄して９−アントラセンアセトニトリル１１ｇ（収率９５％）を得た。
【００５０】
次に、９−アントラセンアセトニトリル１１ｇ（５０．３ｍｍｏｌ）と水酸化ナトリウム４．９ｇ（１２３ｍｍｏｌ）を６０ｍｌのセロソルブに溶解させ、２時間加熱還流した。室温に冷却後、水を加えて希釈し６Ｎ塩酸で酸性化した。反応混合物を吸引濾過、数回水で洗浄した。これを３００ｍｌの３％炭酸ナトリウム水溶液に加熱して溶解させ、６０℃に冷却後、濾過した。濾液を氷冷し、６Ｎ塩酸で酸性化して９−アントラセン酢酸９．６ｇ（収率８１％）を得た。
【００５１】
次に、９−アントラセン酢酸４．１ｇ（１７．３ｍｍｏｌ）に８．０ｍｌの塩化チオニルをゆっくり加えながら、１時間室温で撹はんした。未反応の塩化チオニルを減圧留去して９−アントラセン酢酸塩化物４．０ｇ（収率９１％）を得た。
【００５２】
このようにして得られた９−アントラセン酢酸塩化物４．０ｇ（１５．３ｍｍｏｌ）とジフェニルジクロロメタン３．３ｍｌ（１５．３ｍｍｏｌ）を混合し、油浴上で１２時間２００℃に加熱した。５０℃に冷却後、反応混合物をベンゼンで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を濃縮して残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ベンゼン−ヘキサン）によって分離精製し、赤色結晶の２−アンスリル−３−フェニルインデノン１．６ｇ（収率２８％）を得た。
【００５３】
次に、１．０ｇの２−アンスリル−３−フェニルインデノンを５０ｍｌのエタノールと混合し加熱した。この溶液に３．８ｍｌの水酸化ナトリウム水溶液（１Ｎ）を加えた後、１．２ｍｌの過酸化水素水（３０％）をゆっくり加えて１時間加熱還流した。室温に冷却後、５０ｍｌの水を加えて８０ｍｌのベンゼンで抽出した後、飽和食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を濃縮して残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ベンゼン−ヘキサン）によって分離精製し、黄色結晶の２−アンスリル−３−フェニル−２、３−エポキシインダノンを０．９ｇ（収率８７％）得た。
【００５４】
融点１９６．３−１９７．２℃
１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ／ｐｐｍ７．４４−７．６１（ｍ，１１Ｈ），７．７８−７．８１（ｍ，７Ｈ）
分子量測定（ＥＩ）ｍ／ｚ３９８．１（Ｍ＋）、分子量３９８．４６
元素分析値  Ｃ２９Ｈ１８Ｏ２として
計算値  Ｃ，８７．４１％Ｈ，４．５５％
実測値  Ｃ，８７．５５％Ｈ，４．５９％
実施例１と同様に、上記した２−アンスリル−３−フェニル−２、３−エポキシインダノンをポリスチレンに分散して得られた極性可逆媒体と、上記した公知の親水性インクあるいは疎水性インクを用いて、図１の構成の記録装置に装着して印字を行った結果、普通紙に良好に記録することができた。
【００５５】
実施例４
（化８）の５−３２で示される２、３−エポキシインダノン誘導体の合成。
【００５６】
ｐ−メトキシベンゾフェノン３．３ｇ（１５．３ｍｍｏｌ）に１５ｍｌの塩化チオニル、０．４ｍｌのジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）をゆっくり加えながら、１６時間加熱還流した。塩化チオニルとジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を減圧留去してｐ−アニシルフェニルジクロロメタン４．０ｇ（収率９８％）を得た。
【００５７】
このようにして得られたｐ−アニシルフェニルジクロロメタン４．０ｇ（１５．２ｍｍｏｌ）とフェニル酢酸塩化物２．０ｍｌ（１５．２ｍｍｏｌ）を混合し、油浴上で１２時間２００℃に加熱した。５０℃に冷却後、反応混合物をベンゼンで抽出した。これを飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を濃縮して残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ベンゼン−ヘキサン）によって分離精製し、赤色結晶の２，３−ジフェニル−６−メトキシインデノン２．３ｇ（収率４８％）を得た。
【００５８】
次に、１．０ｇの２，３−ジフェニル−６−メトキシインデノンを５０ｍｌのエタノールと混合し加熱した。この溶液に３．２ｍｌの水酸化ナトリウム水溶液（１Ｎ）を加えた後、０．９ｍｌの過酸化水素水（３０％）をゆっくり加えて１時間加熱還流した。室温に冷却後、６０ｍｌの水を加えて９０ｍｌのベンゼンで抽出した後、飽和食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を濃縮して残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ベンゼン−ヘキサン）によって分離精製し、淡黄色結晶の２，３−ジフェニル−２、３−エポキシ−６−メトキシインダノンを０．９５ｇ（収率９０％）得た。
【００５９】
融点１１０．０−１１１．０℃
分子量測定（ＥＩ）ｍ／ｚ３２８（Ｍ＋）、分子量３２８．３６
元素分析値  Ｃ２２Ｈ１６Ｏ２として
計算値  Ｃ，８０．４７％Ｈ，４．９１％
実測値  Ｃ，８０．６１％Ｈ，４．９８％
実施例１と同様に、上記した２，３−ジフェニル−２、３−エポキシ−６−メトキシインダノンをポリスチレンに分散して得られた極性可逆媒体と、上記した公知の親水性インクあるいは疎水性インクを用いて、図１の構成の記録装置に装着して印字を行った結果、普通紙に良好に記録することができた。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように本発明では光応答基として、原子価異性化により双極子モーメントが変化する２、３−エポキシインダノンを高分子側鎖に導入、または高分子へ分散した極性可逆媒体は、極性可逆媒体上の親水性‐疎水性の可逆変換を制御でき、小型化、高速化、低価格化、低消費電力化が可能で、信頼性の高い優れた印写技術を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における一実施例の概略構成図
【図２】本発明の印写プロセスの概略図
【図３】本発明における一実施例の概略構成図
【図４】本発明の印写プロセスの概略図
【図５】２−メシチル−３−フェニル−２、３−エポキシインダノンをアセトニトリル中において光照射した場合の電子スペクトル変化を示す図
【符号の説明】
１  極性可逆媒体
２  ドラム
３  記録手段
４  インク
５  インクリザーバー
６  現像ローラー
７  転写ローラー
８  転写体
９  クリーニング手段
１０  消去手段
１１  支持体
１２  光照射（２５４〜３７０ｎｍ）
１３  親水性インク
１４  疎水性インク
１５  光照射（５１０〜６００ｎｍ）
１６  ベルト部材
１７  搬送ローラー
１８  搬送ローラー
１９  フォトクロミック分子を光応答基とした極性可逆媒体
２０  ＬＥＤプリントヘッド、又は液晶シャッター、そして又はポリゴンミラー等を用いた記録手段
【図１】
0003608235.tif 000015
【図２】
0003608235.tif 000016
【図３】
0003608235.tif 000017
【図４】
0003608235.tif 000018
【図５】
0003608235.tif 000019