(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液中に基板を浸漬して基板処理を行う浸漬槽と、前記浸漬槽からオーバーフローした処理液を回収する回収槽と、前記回収槽に回収された処理液を吸い込んで前記浸漬槽に供給する循環流路とを備え、前記循環流路の一部に加熱流路を設け、この加熱流路にペルチェ素子を備えた第１ヒータとジュール熱発生素子を備えた第２ヒータとを設けた基板処理装置であって、
処理液の温度を検出する液温検出器と、
基板処理温度および第１ヒータの加熱限界温度以下に設定される使用上限温度を入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された使用上限温度を記憶する記憶手段と、
前記入力手段により入力された基板処理温度が前記記憶手段に記憶された前記使用上限温度以下の場合に前記液温検出器によって検出された処理液温度が前記基板処理温度になるように前記第１ヒータを温度制御する第１温度制御部と、
前記基板処理温度が前記使用上限温度を越える場合に前記処理液温度が前記基板処理温度になるように前記第２ヒータを温度制御する第２温度制御部とを備えた基板処理装置。
【請求項２】
前記第２温度制御部は前記基板処理温度が前記使用上限温度を越える場合又は前記基板処理温度が前記使用上限温度以下でかつ前記処理液温度が前記基板処理温度未満の場合に前記処理液温度が前記基板処理温度になるように前記第２ヒータを温度制御する請求項１に記載した基板処理装置。
【請求項３】
前記加熱流路は前記第１ヒータが備えられた第１加熱流路と、この第１加熱流路と並列に設けられ、前記第２ヒータが備えられた第２加熱流路とを備え、前記第１加熱流路の前記第１ヒータの上流側に第１流路選択開閉弁が設けられ、前記第２加熱流路の前記第２ヒータの上流側に第２流路選択開閉弁が設けられ、
前記基板処理温度が前記使用上限温度を越える場合に前記第１流路選択開閉弁を閉状態とし、前記第２流路選択開閉弁を開状態とする弁制御部が設けられた請求項１又は２に記載した基板処理装置。
【請求項４】
前記第１加熱流路の第１ヒータの下流側に浸入防止開閉弁が設けられ、前記弁制御部は前記基板処理温度が前記使用上限温度を越える場合に前記第１流路選択開閉弁および浸入防止開閉弁を閉状態とし、前記第２流路選択開閉弁を開状態とする請求項３に記載した基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶ガラス基板などの薄板状基板（以下、単に「基板」という。）を処理液に浸漬して基板処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
処理液を用いて基板に種々の基板処理を行う基板処理装置には、貯留された処理液中に基板を浸漬して処理を行う一方、処理液をフィルターを通して循環使用するものがある。
【０００３】
図３はかかる基板処理装置の一例を示すものであり、貯留された処理液中に複数の基板Ｗを浸漬して基板処理を行う浸漬槽１０２と、前記浸漬槽１０２からオーバーフローした処理液を回収して一時的に貯留する回収槽１０３とが隣接して形成された基板処理槽１０１を備え、前記回収槽１０３に貯留された処理液は処理液排出口１０４から循環ポンプ１０５、処理液を所定の基板処理温度に加熱する熱交換器１０６、フィルター１０７を備えた循環流路１０８を流れて前記浸漬槽１０２の処理液供給口１０９から再びアップフロー供給される。前記フィルター１０７によって、処理液が循環流路１０８を流れる際に、処理液中のパーティクルなどの不純物が除去される。なお、前記基板Ｗは昇降自在に設けられたリフタ１１０に保持され、基板処理の際には浸漬槽１０２に浸漬され、処理後に引き上げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記熱交換器１０６としては、従来、抵抗加熱ヒータが使用されていた。抵抗加熱ヒータは、通常、流入口と流出口との間をつなぐ内部配管の回りに電気抵抗素子が付設された構造をしており、この電気抵抗素子に電力を供給することで、電気抵抗素子にジュール熱を発生させ、この熱によって内部配管を介してその中を流れる処理液が加熱される。この抵抗加熱ヒータは、処理液を比較的高温まで加熱することができ、また加熱効率も比較的良好であるものの、温度制御精度が劣るという問題がある。
【０００５】
このため、近年、温度制御性に優れたペルチェ素子を発熱素子として有するヒータ（以下、「電子ヒータ」と呼ぶ場合がある。）が使用されるようになってきた。この電子ヒータは、流入口と排出口との間をつなぐ内部配管の外側に半導体素子の一種であるペルチェ素子が付設された構造をしており、その中を流れる処理液を加熱するものである。
【０００６】
前記電子ヒータは、温度制御精度に優れるものの、ペルチェ素子の特性により機器の加熱限界温度（処理液の昇温、温調可能な上限温度）が比較的低い。基板処理によっては、電子ヒータの加熱限界温度以上の高温で基板処理を行う必要がある場合がある。このような場合、一つの基板処理槽にて処理液を所定の基板処理温度に加熱することができない。また、電子ヒータは加熱効率も比較的低く、所定の基板処理温度に処理液を昇温するのに時間がかかるため、生産性の低下が余儀なくされる。
【０００７】
本発明はかかる問題に鑑みなされたもので、基板処理温度が電子ヒータの加熱限界温度を越える場合においても処理液を所定の基板処理温度に加熱することができ、また電子ヒータにより循環流路を流れる処理液を基板処理温度になるように温度制御するに際し、処理液を速やかに基板処理温度に昇温することができる基板処理装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、処理液中に基板を浸漬して基板処理を行う浸漬槽と、前記浸漬槽からオーバーフローした処理液を回収する回収槽と、前記回収槽に回収された処理液を吸い込んで前記浸漬槽に供給する循環流路とを備えた基板処理装置であって、前記循環流路の一部に加熱流路を設け、この加熱流路にペルチェ素子を備えた第１ヒータとジュール熱発生素子を備えた第２ヒータとを設けたものである。
【０００９】
この発明によると、加熱流路にペルチェ素子を備えた第１ヒータとジュール熱発生素子を備えた第２ヒータとが設けられているので、基板処理温度が第１ヒータの加熱限界温度を越える場合には、第２ヒータを使用することができ、一つの浸漬槽で広範囲の基板処理温度に基づく基板処理を行うことができる。また、第１ヒータにより処理液の温度制御を行う場合においても、処理液が基板処理温度に昇温されるまで、加熱効率の良好なジュール熱発生素子を備えた第２ヒータによる加熱を利用することができるため、基板処理温度までの昇温時間を短縮することができ、生産性の向上に寄与することができる。
【００１０】
請求項１に係る発明は、さらに、処理液の温度を検出する液温検出器と、基板処理温度および第１ヒータの加熱限界温度以下に設定される使用上限温度を入力する入力手段と、前記入力手段により入力された使用上限温度を記憶する記憶手段と、前記入力手段により入力された基板処理温度が前記記憶手段に記憶された前記使用上限温度以下の場合に前記液温検出器によって検出された処理液温度が前記基板処理温度になるように前記第１ヒータを温度制御する第１温度制御部と、前記基板処理温度が前記使用上限温度を越える場合に前記処理液温度が前記基板処理温度になるように前記第２ヒータを温度制御する第２温度制御部とを備えたものである。
【００１１】
さらに備えた上記構成によると、予め第１ヒータの使用上限温度を記憶手段に記憶させておくことにより、基板処理温度に応じて第１ヒータあるいは第２ヒータが選択使用され、処理液が所定の基板処理温度になるように温度制御されるので、広範囲の基板処理温度に基づく基板処理を行うことができる。しかも、オぺレータは基板処理温度、第１ヒータの使用上限温度を入力するだけでよく、基板処理温度に応じて第１ヒータおよび第２ヒータを操作する必要がないため、操作性、処理の安定性にも優れる。
【００１２】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記第２温度制御部は前記基板処理温度が前記使用上限温度を越える場合又は前記基板処理温度が前記使用上限温度以下でかつ前記処理液温度が前記基板処理温度未満の場合に前記処理液温度が前記基板処理温度になるように前記第２ヒータを温度制御するものである。
【００１３】
この発明によると、基板処理温度が第１ヒータの使用上限温度以下で、第１ヒータによる温度制御を行う場合でも、基板処理温度までの昇温を加熱効率の良好な第２ヒータを利用して昇温することができるため、所定の基板処理温度まで速やかに昇温することができ、生産性に優れる。
【００１４】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に記載記載された基板処理装置において、前記加熱流路は前記第１ヒータが備えられた第１加熱流路と、この第１加熱流路と並列に設けられ、前記第２ヒータが備えられた第２加熱流路とを備え、前記第１加熱流路の前記第１ヒータの上流側に第１流路選択開閉弁が設けられ、前記第２加熱流路の前記第２ヒータの上流側に第２流路選択開閉弁が設けられ、前記基板処理温度が前記使用上限温度を越える場合に前記第１流路選択開閉弁を閉状態とし、前記第２流路選択開閉弁を開状態とする弁制御部が設けられたものである。
【００１５】
前記第１ヒータには加熱限界温度があり、基板処理温度が前記加熱限界温度以下の場合には、基板処理温度に加熱された処理液が第１ヒータに流れても問題はない。しかし、基板処理温度が加熱限界温度よりも高い場合には、基板処理温度に加熱された処理液が第１ヒータに流れると、処理液が第１ヒータを加熱限界温度以上の温度に逆に加熱するようになり、構造的あるいは電気的に問題が生じるおそれがあり、ヒータの寿命が低下したり、著しい場合にはヒータが損傷するおそれがある。
【００１６】
かかる問題に対して、この発明では、第２ヒータを用いて、処理液を第１ヒータの使用上限温度を越える高温に加熱する場合、弁制御手段により第１流路選択開閉弁を閉状態とし、第２流路開閉弁を開状態とするので、循環流路を流れる高温の処理液は第２加熱流路のみを流れ、第１加熱流路には流れないため、第１ヒータは高温の処理液の流通によって加熱されず、ヒータ寿命の低下やヒータの損傷を防止することができる。
【００１７】
請求項４に係る発明は、請求項３に記載記載された基板処理装置において、前記第１加熱流路の第１ヒータの下流側に浸入防止開閉弁が設けられ、前記弁制御部は前記基板処理温度が前記使用上限温度を越える場合に前記第１流路選択開閉弁および浸入防止開閉弁を閉状態とし、前記第２流路選択開閉弁を開状態とするものである。
【００１８】
この発明によると、第２ヒータにより処理液を第１ヒータの使用上限温度を越えるような高温の基板処理温度に加熱する場合、弁制御部により第１加熱流路の第１流路選択開閉弁および浸入防止開閉弁を閉状態とすることで、第１加熱流路内の第１流路選択開閉弁と流入開閉弁との間、すなわち第１ヒータの設置部は完全に遮断された状態となる。このため、前記合流部から第１ヒータの設置部までの流路長が短い場合であっても、第１加熱流路と第２加熱流路との合流部から第１加熱流路側に回り込んだ高温の処理液が第１ヒータの設置部まで浸入するおそれは皆無であり、高温の処理液による第１ヒータへの加熱を確実に防止することができる。このため、配管のコンパクト化を達成しつつ、ヒータ寿命の低下やヒータの損傷をより確実に防止することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は、実施形態にかかる基板処理装置の要部構成を示しており、この基板処理装置は、複数の基板Ｗを処理液中に浸漬して基板処理を行う浸漬槽２と、この浸漬槽２からオーバーフローした処理液を回収して一時的に貯留する回収槽３とからなる基板処理槽１を有し、前記回収槽３に貯留された処理液を前記浸漬槽２にアップフロー供給する循環流路３０を備えている。前記回収槽３は浸漬槽２の一側壁を構成する仕切壁５を介して浸漬槽２に隣接して配置されている。前記浸漬槽２は平面視方形状をなしており、前記仕切壁５を除く他の側壁にはオーバーフローした処理液を回収槽３に導入する回収溝６が付設されている。なお、前記基板処理槽１は耐薬品性に優れたフッ素樹脂や石英などによって形成される。
【００２０】
前記浸漬槽２の底部には処理液供給口８が設けられ、処理液供給口８の近傍上部には処理液供給口８から供給された処理液が上方に噴出するのを防止する噴出防止板９が処理液供給口８を覆うように付設されている。また、浸漬槽２の下部と基板Ｗを浸漬する上部との間には、多数の細孔が開設された整流板１０が付設されている。この整流板１０は、前記噴出防止板９によって横方向に分流した処理液を上方に均一に流れるようにするものである。また、浸漬槽２には、貯留された処理液の温度を検出する液温検出器１１が付設されている。なお、浸漬槽２には、循環流路３０とは別に、新しい処理液を浸漬槽２の上部開口から供給する処理液供給管（図示省略）が設けられている。
【００２１】
前記循環流路３０は、前記回収槽３の底部に設けられた処理液排出口１４から、循環ポンプ３１、第１加熱流路３２および第２加熱流路３３、フィルター３４を介して前記浸漬槽２の処理液供給口８に連通している。前記第１加熱流路３２および第２加熱流路３３は、循環ポンプ３１の下流側の分岐部とフィルター３４の上流側の合流部との間に並列配置されている。前記第１加熱流路３２には、ぺルチェ素子を備えた電子ヒータである第１ヒータ３６が備えられ、前記第２加熱流路３３には抵抗加熱ヒータや誘導加熱ヒータ等のジュール熱発生素子を有する第２ヒータ３７が備えられている。なお、前記抵抗加熱加熱ヒータは、流入口と流出口との間に設けられた内部配管に、ニクロム線やカンタル線等のような電気抵抗により発熱する線材あるいはそれらと同材質の面状発熱体を付設して、ジュール熱で内部配管内の液体を加熱するものである。また、前記誘導加熱ヒータは、流入口と流出口との間に設けられた内部配管あるいはその内部に設けられた金属発熱部材を、内部配管の外周部に付設された高周波コイルにより誘導加熱し、内部配管や金属発熱部材にジュール熱を発生させ、内部配管内の液体を加熱するものである。なお、前記金属発熱部材を誘導加熱する場合は、前記内部配管は合成樹脂等の非導電性材料により形成される。
【００２２】
前記第１加熱流路３２の第１ヒータ３６の上流側には第１流路選択開閉弁３８が設けられ、下流側には浸入防止開閉弁４０が設けられている。一方、第２加熱流路３３の第２ヒータ３７の上流側には第２流路選択開閉弁３９が設けられている。また、前記加熱流路３２，３３の合流部とフィルター３４との間には循環開閉弁４３が設けられ、この開閉弁４３の下流側には廃液開閉弁４４を介して廃液管４５が接続されている。また、前記循環流路３０の循環ポンプ３１の吸い込み側とフィルター３４の排出側にはバイパス開閉弁４６を有するバイパス管４７が接続されている。
【００２３】
前記基板処理装置には、同装置が備える各機器の動作制御や、第１ヒータ３６、第２ヒータ３７等を用いて処理液温度を制御する制御部５１が設けられている。処理液温度制御に関して入出力関係を述べれは、図２に示すように、制御部５１には、入力機器として前記液温検出器１１、基板処理温度ＴＷや第１ヒータ３６の使用上限温度ＴＵ等を入力するキーボード、スイッチ等の入力手段５２が接続される。また出力機器として前記第１ヒータ３６、第２ヒータ３７、第１流路選択開閉弁３８、第２流路選択開閉弁３９、浸入防止開閉弁４０および各機器の動作状態やデータ処理結果を表示するＣＲＴや液晶表示装置等の表示手段（図示省略）が接続される。前記制御部５１は、ＣＰＵ、記憶装置、入出力インターフェイスを備え、記憶装置には処理液温度制御プログラムが格納されている。
【００２４】
基板処理の際には、前記循環開閉弁４３を開状態とし、前記バイパス開閉弁４６および廃液開閉弁４４を閉状態とし、循環ポンプ３１を作動させて、回収槽３に貯留された処理液を処理液排出口１４から循環流路３０内に吸い込み、後述する処理液温度制御により所定の基板処理温度に加熱し、フィルター３４を通して処理液中のパーティクル等を濾過しつつ、浸漬槽２の処理液供給口８から浸漬槽２内にアップフロー供給する。そして、浸漬槽２からオーバーフローして回収槽３に回収された処理液は再び循環流路３０を通って濾過された後、浸漬槽２に供給される。このように処理液は一定時間循環使用に供され、その間に複数の基板Ｗを一括して浸漬槽２に浸漬し、処理後に搬出する基板処理が所定回数繰り返される。一定時間使用後の処理液は、基板処理槽１から廃棄され、必要に応じて純水洗浄された後、新しい処理液が供給される。処理液を廃棄する場合、循環ポンプ３１を停止し、循環開閉弁４３を閉動作し、バイパス開閉弁４６および廃液開閉弁４４を開動作して浸漬槽２、回収槽３および循環流路３０内の処理液を前記廃液管４５から排出する。
【００２５】
ここで、前記制御部５１による処理液温度制御を図２に示した制御機能ブロック図を参照して説明する。なお、この制御機能ブロック図には、処理液温度制御以外の制御機能については記載省略している。
【００２６】
処理液温度制御に際し、オぺレータは入力手段５２より、第１ヒータ３６の使用上限温度ＴＵおよび基板処理温度ＴＷを制御部５１に入力する。前記使用上限温度ＴＵは、第１ヒータ３６の加熱限界温度あるいはそれ以下の近傍温度に設定される。使用上限温度ＴＵは、記憶手段５４に記憶される。前記基板処理温度ＴＷは比較手段５５に入力されるとともに、温度差演算手段５６に入力される。前記比較手段５５は使用上限温度ＴＵと基板処理温度ＴＷとを比較し、ＴＵ＜ＴＷあるいはＴＵ≧ＴＷを判定し、一方前記温度差演算手段５６は基板処理温度ＴＷと液温検出器１１によって入力された処理液温度ＴＬとの温度差（ＴＷ−ＴＬ）を演算する。前記比較手段５５によって判定された結果を表す判定信号（例えば、ＴＵ＜ＴＷの場合を「１」、ＴＵ≧ＴＷの場合を「０」とする。）および前記温度差演算手段５６によって演算された（ＴＷ−ＴＬ）値は第１温調部５８、第２温調部５９および弁選択操作部６０に出力される。
【００２７】
前記第２温調部５９では、ＴＵ＜ＴＷ（判定信号が「１」）の場合、並びにＴＵ≧ＴＷ（判定信号が「０」）かつ（ＴＷ−ＴＬ）値が正値のとき、（ＴＷ−ＴＬ）値が０となるように第１ヒータ３６を温度調節する。すなわち、基板処理温度ＴＷが第１ヒータ３６の使用上限温度ＴＵを越える場合に、第２ヒータ３７を用いて処理液を基板処理温度ＴＷになるように加熱する。また、基板処理温度ＴＷが使用上限温度ＴＵ以下の場合においても、処理液温度ＴＬが基板処理温度ＴＷに達するまでは第２ヒータ３７を用いて処理液が基板処理温度ＴＷになるように加熱する。なお、比較手段５５、温度差演算手段５６および第２温調部５９は、本発明の第２温度制御部に相当するものである。
【００２８】
一方、第１温調部５８は、ＴＵ≧ＴＷ（判定信号が「０」）の場合、（ＴＷ−ＴＬ）値が０となるように第１ヒータ３６を温度調節する。すなわち、基板処理温度ＴＷが第１ヒータ３６の使用上限温度ＴＵ以下の場合に、第１ヒータ３６を用いて処理液を基板処理温度ＴＷになるように加熱する。この場合、上記のように、第２ヒータ３７による加熱が併用されるので、基板処理温度ＴＷまでの昇温時間を第１ヒータ３６を単独使用する場合に比して短縮することができる。なお、比較手段５５、温度差演算手段５６および第１温調部５８は、本発明の第１温度制御部に相当するものである。
【００２９】
本実施形態では、第１ヒータ３６の使用上限温度ＴＵを基準として基板処理温度ＴＷがＴＵ以下の場合に第１ヒータ３６を用い、ＴＵ超の場合に第２ヒータ３７を用いるので、前記使用上限温度ＴＵ以下およびＴＵを越える広範囲の基板処理温度ＴＷに対して、処理液を所定のＴＷにするように温度制御することができる。さらに、ＴＷがＴＵ以下の場合でも、第１ヒータ３６による加熱のみならず、処理液温度ＴＬがＴＷになるまで第２ヒータ３７を併用することができるので、処理液がＴＷに加熱されるまでの昇温時間を第１ヒータ３６を単独使用する場合に比して短縮することができ、生産性に優れる。
【００３０】
前記弁選択操作部６０は、第１ヒータ３６および第２ヒータ３７の使用に応じて第１加熱流路３２及び／又は第２加熱流路３３に処理液を流すためのものである。すなわち、ＴＵ＜ＴＷ（判定信号が「１」）の場合には、第２流路選択開閉弁３９を開状態に、第１流路選択開閉弁３８および浸入防止開閉弁４０を閉状態に操作する。これにより、処理液が第２ヒータ３７により加熱される一方、ＴＵを越える高温の処理液が、第１加熱流路３２内の第１ヒータ３６の設置部に浸入することを完全に阻止することができ、第１ヒータ３６が高温の処理液により加熱されることを確実に防止することができる。
【００３１】
一方、ＴＵ≧ＴＷ（判定信号が「０」）の場合で、（ＴＷ−ＴＬ）値が正値のとき、すなわち処理液温度ＴＬが基板処理温度ＴＷ未満のときには第２流路選択開閉弁３８、第１流路選択開閉弁３８および浸入防止開閉弁４０の全てを開状態に操作する。これにより、処理液が基板処理温度ＴＷに到達するまで、第１ヒータ３６による加熱に加えて、第２ヒータ３７による急速加熱を併用することができるようになる。そして、（ＴＷ−ＴＬ）値が０あるいは負値になったとき、すなわち処理液が基板処理温度ＴＷに到達した後には第２流路選択開閉弁３９を閉状態にする。これにより、循環流路３０を流れる処理液を第１加熱流路３２のみに流して、第１ヒータ３６により効率的かつ高精度に温度制御することができる。なお、比較手段５５、温度差演算手段５６および弁選択操作部６０は、本発明の弁制御部に相当するものである。
【００３２】
上記実施形態によれば、第１加熱流路３２に第１流路選択開閉弁３８および浸入防止開閉弁４０を、第２加熱流路３３に第２流路選択開閉弁３９を設けたが、第１加熱流路３２において、両流路の合流部から第１ヒータ３６の設置部までの流路長を長くとることができれば、必ずしも浸入防止開閉弁４０を設けなくてもよい。第２ヒータ３７によって加熱された高温の処理液が前記合流部より第１加熱流路３２側に回り込んでも、処理液は第１加熱流路３２内を流れることができないので、高温の処理液が前記合流部から第１ヒータ３６の設置部まで浸入することができないからである。
【００３３】
また、上記実施形態によれば、第１加熱流路３２に第１流路選択開閉弁３８を、第２加熱流路３３に第２流路選択開閉弁３９を別個に設けたが、第１加熱流路３２および第２加熱流路３３の分岐部に、処理液が流れる流路として第１加熱流路３２のみ、第２加熱流路３３のみ、あるいは第１加熱流路３２および第２加熱流路３３の両流路を選択できる複合弁を設けるようにしてもよい。この場合、前記複合弁は第１流路選択開閉弁３８および第２流路選択開閉弁３９に相当する。
【００３４】
また、第１ヒータ３６に加熱限界温度以上の処理液を流しても、構造的、電気的に問題がない場合、例えば第１ヒータ３６に冷却能に優れた冷却手段が付設されている場合には、前記開閉弁３８，３９，４０は必ずしも必要ではない。また、このような場合には、加熱流路３２，３３を並列に設ける必要はなく、直列に設けてもよい。もっとも、加熱流路を並列に設ける場合は、第１ヒータ３６又は第２ヒータ３７による加熱効率を高めるには、第１流路選択開閉弁３８および第２流路選択開閉弁３９を設け、使用するヒータに応じて加熱流路に処理液を流すようにするのがよい。
【００３５】
また、上記実施形態では、基板処理温度ＴＷが使用上限温度ＴＵ以下で、処理液温度ＴＬが基板処理温度ＴＷ未満の場合に、第１ヒータ３６のほかに第２ヒータ３７を用いて処理液が基板処理温度ＴＷになるように温度制御するものであるが、この場合、処理液は昇温過程で定常状態になっていないので、第２ヒータ３７の加熱目標温度を必ずしも基板処理温度ＴＷにする必要はなく、基板処理温度ＴＷの近傍の温度としてもよい。また、第２ヒータ３７および第１ヒータ３６によって処理液を加熱する必要はなく、加熱効率の良好な第２ヒータ３７のみによって処理液を加熱するようにし、処理液がＴＷあるいはその近傍温度になった後、処理液が基板処理温度ＴＷになるように第１ヒータ３６の温度制御を開始するようにしてもよい。
【００３６】
【発明の効果】
本発明の基板処理装置によれば、基板処理温度が第１ヒータの加熱限界温度を越える場合おいても、第２ヒータを用いて処理液を所定の基板処理温度に加熱することができる。また、基板処理温度が前記加熱限界温度以下で、第１ヒータにより処理液が基板処理温度になるように温度調節する場合においても、基板処理温度に昇温する際に加熱効率の良好な第２ヒータを利用することができるので、昇温時間の短縮、ひいては生産性の向上を図ることができる。しかも、予め第１ヒータの使用上限温度を記憶手段に記憶させておくことにより、基板処理温度に応じて第１ヒータあるいは第２ヒータが選択使用され、処理液が所定の基板処理温度になるように第１、第２温度制御部により温度制御されるので、広範囲の基板処理温度に基づく基板処理を行うことができる。しかも、オぺレータは基板処理温度、第１ヒータの使用上限温度を入力するだけでよく、基板処理温度に応じて第１ヒータおよび第２ヒータを操作する必要がないため、操作性、処理の安定性にも優れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態にかかる基板処理装置の要部構成図である。
【図２】基板処理装置に設けられた制御部の処理液温度制御を実現する制御機能ブロック図である。
【図３】従来の基板処理装置の要部構成図である。
【符号の説明】
１  基板処理槽
２  浸漬槽
３  回収槽
１１  液温検出器
３０  循環流路
３２  第１加熱流路
３３  第２加熱流路
３６  第１ヒータ
３７  第２ヒータ
３８  第１流路選択開閉弁
３９  第２流路選択開閉弁
４０  浸入防止開閉弁
５１  制御部
５２  入力手段
５４  記憶手段
５５  比較手段
５６  温度差演算手段
５８  第１温調部（５８、５５、５６とで第１温度制御部）
５９  第２温調部（５９、５５、５６とで第２温度制御部）
６０  弁選択操作部（６０、５５、５６とで弁制御部）
【図１】
0003701478.tif 000002
【図２】
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【図３】
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