(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法であって、前記絶縁部材の上側表面に給電膜を形成した後、前記給電膜側から前記下層配線を底部とする開口部を形成し、前記給電膜を電極として前記開口部に露出する前記給電膜の縁端部のみより金属めっきを成長させ、前記下層配線に密着する金属めっきを前記開口部に充填し、これを導体部とすることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁部材の上側表面に前記給電膜と前記保護膜とを厚み方向に形成した後、前記開口部を形成し、前記開口部に露出する前記給電膜の縁端部のみより金属めっきを成長させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法であって、前記絶縁部材の上側表面に給電膜と保護膜を厚み方向に形成した後、前記導体部の形成領域に前記保護膜と前記給電膜とに前記下層配線を底部とする開口部を形成し、前記給電膜を電極として前記開口部に露出する前記給電膜の縁端部のみより金属めっきを成長させ、当該金属めっきが前記下層配線層に達した後は、前記給電膜と前記下層配線層とを電極とし、前記下層配線に密着する金属めっきを前記開口部に充填させ、これを導体部とすることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁部材への前記給電膜の形成に代えて、前記絶縁部材を絶縁樹脂付き銅箔としたことを特徴とする請求項１または請求項３何れかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、芯材に配線層を順次積層した電子部品の製造方法および電子部品に係り、特に前記配線層において層間接続をなす導電体を形成するのに好適な電子部品の製造方法および電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、芯材の表面に順次配線層を積層させ、これら積層された配線層間の接続を行うことで立体的な配線構造を形成するようにした電子部品が知られている。
【０００３】
そして前記配線層においては、層間接続をなす導体部を形成するための製造方法が種々提案・開示されている。図８は、電子部品の従来における配線層の製造過程を示した工程説明図である。
【０００４】
電子部品を構成する配線層では、同図（１）に示すように一定の厚みを有した絶縁材料からなる基材１と、この基材１の裏面および当該基材１の内部に形成された下層配線２とを有している。
【０００５】
このような形態からなる配線層の表面側に導体部３と、上層配線４（ともに図１０（３）を参照）を形成するには、まず銅箔５が一面に形成された前記配線層１の表面側に、保護膜となるドライフィルム６を貼り付ける。そして当該ドライフィルム６を基材１に貼り付けた後は、同図（２）に示すように前記ドライフィルム６に対し露光および現像処理を行い、前記導体部３の形成領域に開口部７を形成する。その後は、同図（３）に示すように前記開口部７の底面に露出する銅箔を異なるエッチングによって除去し基材１を露出させるとともに、この露出した基材１の表面に対しブラスト処理を施し、前記基材１の下方に位置する下層配線２を露出させる。ブラスト処理によって開口部７の底面に下層配線２が露出した状態を同図（４）に示す。
【０００６】
ところで上記従来例では、基材１に対する穴加工をブラスト処理によって行うようにしたが、この方法に限定されることもなく、他の方法を用いるようにしてもよい。
【０００７】
図９は、レーザ加工を用いて開口部を形成する手順を示した工程説明図である。そして同図（１）は、レーザ加工前の配線層の状態を示しており、当該配線層の加工をなすレーザ加工機（図示せず）は、この配線層の上方に配置されている。
そしてレーザ加工機が備える位置決め機構を用い、開口部７の形成予定位置にレーザ照射部を移動させることで、銅箔５および基材１の穴あけ加工を個別に行う。レーザ加工によって開口部７を形成した後の状態を同図（２）に示す。
【０００８】
なお上述した銅箔５への加工には、ＹＡＧレーザ（yttrium aluminum garnet laser）が用いられ、また絶縁樹脂からなる基材１への加工には、炭酸ガスレーザが用いられるのが一般的である。そしてこれら異なるレーザは加工効率向上の見地から同一の位置決め機構に搭載し、（銅箔５と基材１との）連続加工を行うようにすればよい。またＹＡＧレーザを用いる代わりに、銅箔のみをエッチングでパターンニングしてもよい。
【０００９】
こうして配線層の表面に下層配線２が露出する開口部７を形成した後は、当該開口部７に金属材を充填させ導体部３を形成する。
【００１０】
図１０は、開口部に導体部を形成する手順を示す工程説明図である。
開口部に導体部を形成するには、まず同図（１）に示すように、開口部７が形成された配線層の表側に、基材１との密着性を向上させる目的から無電解めっきを施し無電解めっき層８を形成する。そして当該無電解めっき層８を形成した後は、この無電解めっき層８を電極として電解めっきを施し、開口部７を埋めるよう電解めっき層９を無電解めっき層８の上層に析出させる。電解めっき層９を形成した後の状態を同図（２）に示す。
【００１１】
このように電解めっき層９を形成した後は、これら銅箔５と無電解めっき層８と電解めっき層９に対し、サブトラクティブ法を用い、同図（３）に示すように導体部３および上層配線４を形成する。
【００１２】
ところで上記従来例では、無電解めっき層を用い基材１と導体部３との密着性の向上を図るようにしたが（例えば、特許文献１参照）、前記無電解めっき層に代えて他の処理を適用する方法も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】
特開平１１−３４３５９３号公報（【０００２】）
【特許文献２】
特開２００１−２１７５５３号公報（【請求項６】）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし上述した無電解めっき（および無電解めっきに代わるその他の方法）を用いた場合では以下に示すような問題点があった。
【００１４】
すなわち図１０（２）に示すように、無電解めっき層を形成した後に、電解めっきを施し開口部７を金属材で埋めようとすると、配線層の片側表面全体に電解めっき層９が厚く形成されてしまい、この結果、同図（３）に示すようにエッチングにて配線パターンを形成する際に、当該配線パターンの断面が台形になってしまい、寸法精度の低下や、幅の狭い配線パターンが形成できなくなるといった問題点があった。
【００１５】
また無電解めっき層８を形成し、これを電極として電気めっきを施すと、この無電解めっき層８における表面と穴の内側とでは、表面の方が新鮮なめっき液が多くあたる。このため当該表面での電気めっき層９の成長が促進され、この結果、開口部７に金属材が充填される前に、前記開口部７ が（電気めっき層９によって）塞がれ、導体部３の内部に空隙（いわゆるボイド）が生じてしまうおそれがあった。
【００１６】
また無電解めっきを使用せず、他の前処理を施す場合でも同様の問題が生じるおそれがあった。
【００１７】
ところで無電解めっきを使用する場合には、導体以外の部分（絶縁体部分）にもメッキを付着させるため、金属触媒が用いられる。しかしこの金属触媒が配線層の表面に残留すると、絶縁抵抗値が低下したり、配線パターンの短絡等の障害を引き起こす可能性があった。なお近年の電子部品では狭ピッチ化が進んでおり、上記障害のおそれは一層高まっている。
【００１８】
本発明は、上記従来の問題点に着目し、電気めっきの前処理である無電解めっき、またはそれに準じる他の前処理を廃止することで、工程の簡略化を達成するとともに、電気的信頼性の向上を達成することが可能なのできる電子部品の製造方法および電子部品を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、配線層にあらかじめ形成された銅箔を電極として、開口部端面より露出する銅箔から電気めっきを成長させれば、無電解めっき層を電極として用いずとも導体部を形成することができるという知見に基づいてなされたものである。
【００２０】
すなわち本発明に係る電子部品の製造方法は、下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法であって、前記絶縁部材の上側表面に給電膜を形成した後、この給電膜側から前記下層配線を底部とする開口部を形成し、前記給電膜を電極として前記開口部から前記給電膜の縁端部より金属めっきを成長させ、前記下層配線に密着する金属めっきを前記開口部に充填し、これを導体部とする手順とした。
【００２１】
ここで前記絶縁部材の上側表面に給電膜と保護膜を厚み方向に形成した後、開口部を形成し、前記開口部から露出する前記給電膜より金属めっきを成長させればよい。
【００２２】
更に具体的には、下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法であって、前記絶縁部材の上側表面に給電膜と保護膜を厚み方向に形成した後、前記導体部の形成領域に前記保護膜と前記給電膜とに前記下層配線を底部とする開口部を形成し、前記給電膜を電極として前記開口部から露出する前記給電膜より金属めっきを成長させ、当該金属めっきが前記下層配線層に達した後は、前記給電膜と前記下層配線層とを電極とし、前記下層配線に密着する金属めっきを前記開口部に充填させ、これを導体部とする手順とした。
【００２３】
なお前記絶縁部材への前記給電膜の形成に代えて、前記絶縁部材を絶縁樹脂付き銅箔としたり、あるいは接着シートと銅箔に相当する金属箔とを重ね合わせて、プレスにより形成する方法でもよい。
【００２４】
そして本発明に係る電子部品は、下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に上層配線が形成されるとともに、前記絶縁部材を貫通する導体部によって前記下層配線と前記上層配線とが接続される構造を有した電子部品であって、前記下層配線と前記上層配線との接続をなす前記導体部は、電気めっきによる金属の析出のみで形成することとした。
【００２５】
上記構成によれば、まず給電膜や保護膜が積層された絶縁部材の上方からエッチング処理を行う。そしてエッチング処理を行った後は、露出した絶縁部材に対し、ブラスト処理やレーザ加工によって絶縁部材を除去し、当該絶縁部材の下方に位置する下層配線を露出させ開口部を形成する。
【００２６】
このように開口部を形成した後は、前記給電膜を電極として電気めっきを行うと、めっきによって析出される金属は、開口部における給電膜の縁端部が電流密度集中効果により特に成長する。そして成長した金属めっきが、開口部の底面に露出する下層配線に差し掛かると、今度は、給電膜の端面に加え前記下層配線も電極として作用する。このため前記金属めっきは、給電膜の端面を起点とするだけでなく、下層配線からも成長する。このように給電膜の端面と下層配線を起点とした金属めっきの成長が続くと、開口部の内側は金属めっきによって充填され導体部が形成される。そして導体部を形成した後は、導体部の上側を研磨等によってあらかじめ設定した高さを得たのち、サブトラクティブ法やセミアディティブ法によってパターンニングを行うようにすればよい。このような手順を行えば、無電解めっきあるいはこれに代わる他の処理が不要になり電気めっき処理だけで導体部を形成することが可能になる。
【００２７】
そして本発明においては、下層に回路パターンがすでに形成されており、下層側から給電ができない場合であっても対処することが可能である。また給電部の縁端部を利用しているためめっきの析出速度が速く、さらにめっきの成長後は、前記縁端部と開口部の底面とを電極としてめっきを析出させることから、めっきの析出速度を向上させることが可能になる。
【００２８】
なお上記構成では構成の都合上、下層配線と、この下層配線の上側に位置する導体部としたが、この上下関係に限定されることもなく、上記プロセスで製造した電子部品は、前記導体部を下側とし、前記下層配線を前記導体部の上側に配置するように使用してもよいことはいうまでもない。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る電子部品の製造方法、および電子部品について好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００３０】
本実施の形態に係る電子部品は、芯材の両側表面に、順次配線層を積層させた形態となっている。そしてこれら積層された配線層間の接続を行うことで立体的な配線構造を形成している。
【００３１】
図１は、配線層に導体部を形成した直後の形態を示す要部断面図である。
同図に示すように、本実施の形態に係る電子部品を構成する配線層１０は、一定の厚みを有した絶縁部材からなる基材１２と、当該基材１２の上表面に一様に形成された銅箔１４と、前記基材１２の内部に形成された下層配線となる柱状導体１６を有している。
【００３２】
そして柱状導体１６の上方には、基材１２と銅箔１４とを貫通する開口部１８が形成され、この開口部１８の内部には金属材からなる導体部２０が形成されている。ところで上層配線の基となる銅箔１４と前記柱状導体１６との電気的接続をなす導体部２０は、例えば無電解めっき等の前処理を行わず、電気めっきのみによって形成されたものである。ゆえに本実施の形態にかかる製造方法で製造された配線層１０では、導体部２０を形成する際に、無電解めっき等の前処理工程が不要になることから、製造工程の短縮化が達成される。さらに前記前処理工程を不要としたことで、例えば無電解めっき処理の導体以外の部分（絶縁体部分）にもめっきを付着させるための金属触媒が銅箔１４側に残留するのを防止でき、電子部品の信頼性を向上させることが可能になる。
【００３３】
このように特徴を備えた電子部品の製造方法を以下に示す。
図２および図３は、柱状導体の上方に導体部を形成する手順を示す工程説明図である。
【００３４】
下層配線となる柱状導体１６の上方に導体部２０を形成するには、まず図２（１）に示すように、給電膜となる銅箔１４の上面にドライフィルム（保護膜）２４を貼り合わせる。そしてこのドライフィルム２４を貼り合わせた後は、当該ドライフィルム２４に対し同図（２）に示すようにフォトエッチングを行い、開口部１８の形成対象領域に当該開口部１８の縁部に相当する穴を形成する。
【００３５】
こうしてドライフィルム２４に開口部１８の縁部に相当する穴を形成した後は、前記ドライフィルム２４の下側に露出する銅箔１４に対してエッチングを行い、当該銅箔１４を除去する。エッチングにより前記銅箔１４を除去した後の状態を同図（３）に示す。
【００３６】
前記エッチングによって銅箔１４を除去し、基材１２の表面を露出させた後は、この基材１２に対し同図（４）に示すようにブラスト処理を行い、柱状導体１６の上部に位置する基材１２を除去し、柱状導体１６の頭部を露出させる。
【００３７】
なお本実施の形態では、柱状導体１６の上部に位置する銅箔１４と基材１２を除去するのに、エッチングとブラスト処理を用いるようにしたがこの形態に限定されることもなく、例えば、レーザ加工機を用い、銅箔１４と基材１２に応じたレーザ照射を行うことで、これら部材の除去を行うようにしてもよい（例えば、銅箔１４に対してはＹＡＧレーザを用い、基材１２に対しては、炭酸ガスレーザを用いる等）。
【００３８】
このように上記工程によって基材１２に開口部１８を形成した後は、図３（１）に示すように、銅箔１４を給電膜（いわゆる電極）として電気めっきを行う。なお本実施の形態では、エッチングおよびブラスト処理で用いたドライフィルム２４をそのまま残したまま電気めっきを行うこととしたが、これは縁端部への電流密度集中効果に加え、上面に露出した銅箔１４の表面をドライフィルム２４で覆うことで、より積極的に縁端部を利用して導体を析出させるためである。
【００３９】
ここで開口部１８の内壁面にはエッチングによって（あるいはレーザ加工によって）銅箔１４の縁端部となる端面が露出しているので、この銅箔１４を給電膜として、電気めっきを施すと銅箔１４の端面より、導体部２０の基となる金属材２６が析出され、当該金属材２６が開口部１８内で成長する。
【００４０】
こうして時間経過とともに金属材２６が成長していくと、当該金属材２６が柱状導体１６の上面２８に達する。この状態を同図（２）に示す。このように金属材２６が柱状導体１６の上面２８に達すると、銅箔１４と柱状導体１６とは電気的に接続がなされ、柱状導体１６の上面２８もめっき析出用の電極となり、前記上面２８にも金属材２６が析出され、導体部２０が形成される。この状態を同図（３）に示す。
【００４１】
そして導体部２０が形成された後は、同図（４）に示すように、ドライフィルム２４を除去し、その後、同図（５）に示すようにサブトラクティブ法やセミアデティブ法によって銅箔１４に対しパターンニングを行い、前記銅箔１４から上層配線３０を形成すればよい。また上記電気めっきにより形成された導体部２０の高さを、前記上層配線３０の高さに揃えたり、導体部２０の表面を平坦にする必要があるが、これに関しては、導体部２０を形成した後に、その上面を研磨し前記上層配線３０との高さを揃えるようにしたり、あるいは導体部２０を形成する際に、タイマー管理や（電気めっきの）電流管理や、めっき液への添加剤を行うことで調整を行うようにすればよい。
【００４２】
このように柱状導体１６がすでに形成された配線層１０においては、パターンニング前の銅箔１４を給電膜として、開口部１８に金属材２６を成長させれば、開口部１８が複数であっても電荷を加えることが可能となり、複数の導体部２０を形成することができる。また上述したように、本実施の形態に係る製造方法を使用して、配線層１０を形成すれば、無電解めっき等の前工程が削除できることから工程削除による製造過程の簡略化と、前記無電解めっき等に用いる金属触媒が不要になり、配線層１０や、当該配線層１０を積層されて形成される電子部品の信頼性を向上させることができる。なお導体部２０は、柱状導体１６の上面２８と、上層配線３０の端面とに強固に接続されていることから、配線層１０自体に外力が加わっても、前記導体部２０が開口部１８より脱落するのを防止することができる。またドライフィルム２４で銅箔１４の表面を覆うことによって、めっきを表層につけないので、サブトラクティブ法でも台形になる割合（すなわちテーパ部分の割合）を小さくすることが可能になる。
【００４３】
図４および図５は、基材の裏面および内部に配線層が形成された基材に対し導体部を形成する手順を示す工程説明図である。
【００４４】
なお同工程において、上述した工程における共通の部材に関しては、同一の番号を付与し説明を行うこととする。
【００４５】
これらの図に示すように、基材１２の背面側にもすでにパターンニングが形成された配線層１０に対しても、本実施の形態に係る製造方法を用いれば、電解めっきのみによって上層配線３０側に露出する導体部２０を形成することが可能になる。
【００４６】
すなわち図４（１）に示すように、配線層１２の上面にドライフィルム２４を貼り合わせ、その後同図（２）〜（４）に示すように、前記ドライフィルム２４へのフォトエッチングと、銅箔１４へのエッチング、および基材１２へのブラスト処理を行い、前記基材１２の表面に開口部１８を形成する。そして開口部１８の形成によって、当該開口部１８の底面に接続対象となる下層配線３２を露出させた後は、図５（１）に示すように、銅箔１４を給電膜として開口部１８内に金属材２６を析出させ、これを成長させる。そして同図（２）に示すように前記金属材２６が下層配線３２の上面３４に達した後は、銅箔１４の端面と、下層配線３２の上面３４を電極として、金属材２６を成長させ、導体部２０を形成する。この状態を同図（３）に示す。
【００４７】
このように導体部２０を形成した後は、同図（４）に示すようにドライフィルム２４を除去し、その後、同図（５）に示すように銅箔１４に対しパターンニングを施し、上層配線３０を形成すればよい。
【００４８】
このように基材１２の背面側にすでに配線パターンが形成され、下層配線側を電極として用いることができない場合であっても、上層配線３０の基となる銅箔１４を給電膜として使用すれば、無電解めっき等の前処理工程を適用することなく、電気めっき工程のみで導体部２０を形成することかできる。
【００４９】
ところで本実施の形態では、端縁部への電流密度を集中させる見地から、ドライフィルムを銅箔の表面に残した形態で電気めっきを行うようにしたが、この形態に限定されることもなく、ドライフィルムを銅箔の表面に残さずとも本発明を達成することが可能である。
【００５０】
図６および図７は、柱状導体の上方に導体部を形成する他の手順を示す工程説明図である。なお既に図２と図３を用いて説明した導体部の形成方法に共通する部材については、同一の番号を用いて説明を行うものとする。
【００５１】
下層配線となる柱状導体１６の上方に導体部２０を形成するには、まず図６（１）に示すように、給電膜となる銅箔１４の上面にドライフィルム（保護膜）２４を貼り合わせる。そしてこのドライフィルム２４を貼り合わせた後は、当該ドライフィルム２４に対し同図（２）に示すようにフォトエッチングを行い、開口部１８の形成対象領域に当該開口部１８の縁部に相当する穴を形成する。
【００５２】
こうしてドライフィルム２４に開口部１８の縁部に相当する穴を形成した後は、前記ドライフィルム２４の下側に露出する銅箔１４に対してエッチングを行い、当該銅箔１４を除去する。エッチングにより前記銅箔１４を除去した後の状態を同図（３）に示す。
【００５３】
前記エッチングによって銅箔１４を除去し、基材１２の表面を露出させた後は、この基材１２に対し同図（４）に示すようにブラスト処理を行い、柱状導体１６の上部に位置する基材１２を除去し、柱状導体１６の頭部を露出させる。
【００５４】
このように上記工程によって基材１２に開口部１８を形成した後は、図７（１）に示すように、銅箔１４の上層に位置するドライフィルム２４を除去し、前記銅箔１４を露出させる。
【００５５】
前記ドライフィルム２４を除去した後は、銅箔１４を給電膜（いわゆる電極）として電気めっきを行う。このように表面が露出した銅箔１４を給電膜とすれば、銅箔１４が露出する部分に金属材２６が析出されるが、ここで銅箔１４においては、当該銅箔１４の表面よりもその縁端部に電流密度が集中するので、縁端部でのめっきの成長が表面部分よりも早まる。端縁部でめっきが進行している状態を同図（２）に示す。
【００５６】
そして同図（２）の状態から時間経過により、縁端部でのめっきの成長が進行すると、同図（３）に示すように金属材２６が柱状導体１６の上面２８に達する。このように金属材２６が柱状導体１６の上面２８に達すると、銅箔１４と柱状導体１６とは電気的に接続がなされ、柱状導体１６の上面２８もめっき析出用の電極となり、前記上面２８にも金属材２６が析出され、導体部２０が形成される。この状態を同図（４）に示す。
【００５７】
そして導体部２０が形成された後は、同図（５）に示すように、サブトラクティブ法やセミアデティブ法によって銅箔１４に対しパターンニングを行い、前記銅箔１４から上層配線３０を形成すればよい。
【００５８】
なお本実施の形態では構成の都合上、下層配線と、この下層配線の上側に位置する導体部としたが、この上下関係に限定されることもなく、上記プロセスで製造した配線層ならびにこれを用いた電子部品は、前記導体部（上層配線側）を下側とし、前記下層配線を前記導体部の上側に配置するように使用してもよいことはいうまでもない。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、下層配線を覆う絶縁部材の上側表面に前記下層配線から接続される導体部を露出させる電子部品の製造方法であって、前記絶縁部材の上側表面に給電膜を形成した後、この給電膜側から前記下層配線を底部とする開口部を形成し、前記給電膜を電極として前記開口部から前記給電膜の縁端部より金属めっきを成長させ、前記下層配線に密着する金属めっきを前記開口部に充填し、これを導体部としたことから、従来から行っていた無電解めっき工程（あるいはこれに代わる他の処理工程）を削除することができるので、製造工程の簡略化が達成できるとともに、金属触媒の残留等を解決することができるので、電気的信頼性を向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】配線層に導体部を形成した直後の形態を示す要部断面図である。
【図２】柱状導体の上方に導体部を形成する手順を示す工程説明図である。
【図３】柱状導体の上方に導体部を形成する手順を示す工程説明図である。
【図４】基材の裏面および内部に配線層が形成された基材に対し導体部を形成する手順を示す工程説明図である。
【図５】基材の裏面および内部に配線層が形成された基材に対し導体部を形成する手順を示す工程説明図である。
【図６】柱状導体の上方に導体部を形成する他の手順を示す工程説明図である。
【図７】柱状導体の上方に導体部を形成する他の手順を示す工程説明図である。
【図８】電子部品の従来における配線層の製造過程を示した工程説明図である。
【図９】電子部品のレーザ加工を用いて開口部を形成する手順を示した工程説明図である。
【図１０】電子部品の開口部に導体部を形成する手順を示す工程説明図である。
【符号の説明】
１………基材
２………下層配線
３………導体部
４………上層配線
５………銅箔
６………ドライフィルム
７………開口部
８………無電解めっき層
９………電解めっき層
１０………配線層
１２………基材
１４………銅箔
１６………柱状導体
１８………開口部
２０………導体部
２４………ドライフィルム
２６………金属材
２８………上面
３０………上層配線
３２………下層配線
３４………上面
【図１】
0003674927.tif 000002
【図２】
0003674927.tif 000003
【図３】
0003674927.tif 000004
【図４】
0003674927.tif 000005
【図５】
0003674927.tif 000006
【図６】
0003674927.tif 000007
【図７】
0003674927.tif 000008
【図８】
0003674927.tif 000009
【図９】
0003674927.tif 000010
【図１０】
0003674927.tif 000011