(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に半導体素子を載置するための載置部を有する基体と、前記上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合され、かつ側部に同軸コネクタの保持部材を嵌着させる貫通孔または切り欠き部から成る嵌着部が設けられた枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置させた中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成るとともに前記嵌着部に嵌着された同軸コネクタとを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記保持部材は、前記枠体内外を貫通するとともに外側より前記同軸コネクタを挿着する貫通孔が形成され、かつ前記枠体内側の面の前記貫通孔の下方の部位に回路基板を上面に設置した棚部が設けられ、さらに前記回路基板の表面に前記枠体内側の面より突出した前記中心導体の端部と前記半導体素子とを電気的に接続する線路導体が形成されており、前記保持部材の厚みが前記枠体より肉厚にされていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記保持部材の嵌着部と前記外周導体の挿着部との最短距離をＸ、前記外周導体の幅をｄとした場合、ｄ≧１．５ｍｍの場合にＸ≧０．２ｄであり、またはｄ＜１．５ｍｍの場合にＸ≧０．３ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記嵌着部の前記枠体内側の開口の外周部に段差部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項４】
前記保持部材の前記枠体内側の面が前記枠体内面より前記枠体内側に突出していることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は信号入出力部として同軸コネクタを具備した半導体素子収納用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信やマイクロ波帯、ミリ波帯等の高周波信号を用いる各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージという）には、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に接続するための入出力端子として同軸コネクタが設けられている。この同軸コネクタを具備した半導体パッケージを図６に断面図で示す。同図において、２１は基体、２２は枠体、２３は同軸コネクタ、２４は蓋体である。
【０００３】
基体２１は鉄−ニッケル−コバルト合金や銅−タングステンの焼結材等から成る略四角形状の板状体であり、その上側主面略中央部には、ＩＣ、ＬＳＩ、半導体レーザ（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子２５を搭載して成る回路基板２６を載置する載置部２１ａが形成されており、載置部２１ａには半導体素子２５が、例えばアルミナ質セラミックスから成る回路基板２６に搭載された状態で載置固定される。
【０００４】
なお、回路基板２６に搭載された半導体素子２５は、その電極が回路基板２６に被着形成されている線路導体２６ａにボンディングワイヤ２７等を介して電気的に接続されている。
【０００５】
基体２１の上側主面外周部には載置部２１ａを囲繞するようにして枠体２２が立設されており、枠体２２は基体２１とともにその内側に半導体素子２５を収容する空所を形成する。
【０００６】
枠体２２は基体２１と同様に鉄−ニッケル−コバルト合金や銅−タングステンの焼結材等から成り、基体２１と一体成形されることによって、あるいは基体２１に銀ろう等のろう材を介してろう付けされたり、シーム溶接法等の溶接法により接合されることによって基体２１の上側主面外周部に立設される。
【０００７】
同軸コネクタ２３は、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る円筒状の外周導体２３ａの中心部に鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る棒状の中心導体２３ｂが絶縁体２３ｃを介して固定されて成る。
【０００８】
枠体２２の側面には同軸コネクタ２３が外側より挿着される貫通孔２２ａが形成されている。貫通孔２２ａ内に外周導体２３ａを挿入するとともに半田等の封着材２８を挿入し、しかる後、加熱して封着材２８を溶融させ、溶融した封着材２８を毛細管現象により外周導体２３ａと貫通孔２２ａの内壁との隙間に充填させることによって、同軸コネクタ２３が枠体２２の貫通孔２２ａ内に半田等の封着材２８を介して挿着される。グランドとしての外周導体２３ａが封着材２８を介して枠体２２に電気的に接続され、また中心導体２３ｂが半田等から成る導電性接着材２６ｂを介して回路基板２６の線路導体２６ａに電気的に接続されることとなる。
【０００９】
この同軸コネクタ２３を備えた半導体パッケージは、内周面にネジ切りを有する貫通孔２２ｂに同軸コネクタプラグ２９のネジ状の外周面がネジ止めされ、外部電気回路に接続された同軸ケーブル３０が同軸コネクタプラグ２９に装着されることによって、内部に収納された半導体素子２５が同軸コネクタ２３の中心導体２３ｂを介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００１０】
枠体２２の上面に蓋体２４をろう付け法やシームウエルド法等の溶接法を採用して接合し、基体２１、枠体２２および蓋体２４から成る容器内部に半導体素子２５を収容し気密に封止することによって製品としての半導体装置となる。
【００１１】
この半導体パッケージは、基体２１に貫通孔２１ｂが設けられており、貫通孔２１ｂにネジを止めることにより、外部回路基板等に実装されることとなる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体パッケージでは、貫通孔２１ｂにネジを止め、外部回路基板等に実装する際、半導体パッケージの製造時に反ってしまっていた基体２１の反りが矯正されることとなり、基体２１に載置固定されていた回路基板２６にクラックが入り、線路導体２６ａが寸断され、高周波信号を伝送できなくなる原因となっていた。
【００１３】
基体２１の反りが矯正されると、枠体２２が歪み、貫通孔２２ａに挿着された外周導体２３ａに応力が加わることとなり、外周導体２３ａの内周面に介在させた絶縁体２３ｃにクラックが入ってしまい、半導体パッケージの気密性を損なうとともに、同軸コネクタ２３の中心導体２３ｂを伝送する高周波信号の伝送効率を劣化させるという問題点があった。さらに、枠体２２の歪みにより貫通孔２２ａの位置が本来あるべき位置からずれることとなり、貫通孔２２ａに挿着された外周導体２３ａがずれてしまい、同軸コネクタ２３の全体の位置もずれてしまう。そのため、中心導体２３ｂが導電性接着材２６ｂから外れ、高周波信号の伝送ができなくなる原因となっていた。
【００１４】
中心導体２３ｂのずれ量が少なく、中心導体２３ｂと導電性接着材２６ｂの接続が保たれたとしても、回路基板２６は基体２１上に載置され、同軸コネクタ２３は枠体２２の側面に設けられた貫通孔２２ａに挿着されていることから、半導体パッケージ製造時において、基体２１の上面に枠体２２を接合する位置がずれて、中心導体２３ｂと線路導体２６ａとの接続部の位置がずれることがあった。そのため、接続部におけるインピーダンスが安定せず、接続部において高周波信号の伝送効率が劣化することがあった。
【００１５】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、高周波信号の伝送効率にすぐれた半導体パッケージを提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子を載置するための載置部を有する基体と、前記上側主面の外周部に前記載置部を囲繞するように接合され、かつ側部に同軸コネクタの保持部材を嵌着させる貫通孔または切り欠き部から成る嵌着部が設けられた枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置させた中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成るとともに前記嵌着部に嵌着された同軸コネクタとを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記保持部材は、前記枠体内外を貫通するとともに外側より前記同軸コネクタを挿着する貫通孔が形成され、かつ前記枠体内側の面の前記貫通孔の下方の部位に回路基板を上面に設置した棚部が設けられ、さらに前記回路基板の表面に前記枠体内側の面より突出した前記中心導体の端部と前記半導体素子とを電気的に接続する線路導体が形成されており、前記保持部材の厚みが前記枠体より肉厚にされていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、同軸コネクタの挿着部と回路基板の設置部を保持部材に設け、保持部材を枠体に嵌着している。保持部材の厚みは枠体に比べ厚くすることにより保持部材の体積を大きくすることで、半導体パッケージをネジ止め等により外部回路基板等に装着する際の枠体に加わる歪みが、保持部材で分散および吸収され、同軸コネクタと回路基板に不要な応力および歪みが伝わることを防止できる。
【００１８】
従来基体上に載置固定されていて、基体の貫通孔をネジ止めし外部電気回路に装着する際に、クラックが入り高周波信号の伝送線路を寸断させていた回路基板は、保持部材上に設置固定されることとなり、回路基板にはほとんど歪みが加わらない状態になり、回路基板のクラック発生を有効に防止できる。また、従来枠体の側面に挿着されていた同軸コネクタも、保持部材に挿着させることとなり、半導体パッケージ製造時の中心導体と線路導体の位置ずれの低減と、半導体パッケージを外部回路基板に実装する際の同軸コネクタに伝わる応力の低減が可能となる。中心導体と線路導体の位置ずれを低減させることで、中心導体と線路導体との接続部における高周波信号の伝送特性を向上でき、同軸コネクタに伝わる応力を低減させることで、同軸コネクタの絶縁体へのクラックを防止することができる。同時に同軸コネクタに伝わる歪みを有効に防止し、同軸コネクタの位置ずれが無くなり、中心導体が線路導体から離脱することを有効に防止できる。
【００１９】
好ましくは、保持部材の嵌着部と前記外周導体の挿着部との最短距離をＸ、前記外周導体の幅をｄとした場合、ｄ≧１．５ｍｍの場合にＸ≧０．２ｄであり、またはｄ＜１．５ｍｍの場合にＸ≧０．３ｍｍであることを特徴とする。
【００２０】
Ｘ≧０．２ｄとすることにより、半導体パッケージを外部回路基板に実装する際に枠体より同軸コネクタの外周導体の挿着部に伝わる歪みを保持部材で有効に吸収し、同軸コネクタの中心導体が位置ずれして線路導体から離脱することを確実に防止することができる。また、Ｘ≧０．３ｍｍとすることにより、金属に機械加工を施し、保持部材を形成することが可能となる。
【００２１】
また本発明において、好ましくは、前記嵌着部の前記枠体内側の開口の外周部に段差部が形成されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明は、上記の構成により、枠体と保持部材間をろう付けにより接合する際、保持部材をろう付けするためのろう材が保持部材の枠体内側の面に流れ出て保持部材に設けられた棚部に不要なろう材溜りを形成するのを防止できる。
【００２３】
さらに本発明において、好ましくは、前記保持部材の前記枠体内側の面が前記枠体内面より前記枠体内側に突出していることを特徴とする。
【００２４】
本発明は、上記の構成により、枠体と保持部材間をろう付けにより接合する際、保持部材をろう付けするためのろう材が保持部材の枠体内側の面に流れ出て保持部材に設けられた棚部に不要なろう材溜りを形成するのを防止できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体パッケージを以下に詳細に説明する。図１は本発明の半導体パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、１は基体、２は枠体、３は同軸コネクタ、６は回路基板、１１は保持部材である。
【００２６】
基体１は鉄−ニッケル−コバルト合金や銅−タングステンの焼結材等から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すか、または射出成形と切削加工を施すことによって所定の形状に製作される。その上側主面の略中央部には、ＩＣ、ＬＳＩ、半導体レーザ（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子５を載置するための載置部１ａが形成されており、載置部１ａには半導体素子５が半田等の接合材により載置固定される。半導体素子５は、その電極が回路基板６に被着形成されている線路導体６ａにボンディングワイヤ７等を介して電気的に接続されている。
【００２７】
また、基体１の上側主面の外周部には載置部１ａを囲繞するようにして枠体２が接合され立設されており、枠体２は基体１とともにその内側に半導体素子５を収容する空所を形成する。
【００２８】
枠体２は基体１と同様に鉄−ニッケル−コバルト合金や銅−タングステンの焼結材等から成り、基体１と一体成形されることによって、あるいは基体１に銀ろう等のろう材を介してろう付けされたり、シーム溶接法等の溶接法により接合されることによって基体１の上側主面の外周部に立設される。
【００２９】
枠体２の側面には保持部材１１が嵌着される嵌着部２ａが形成されている。嵌着部２ａは、枠体２内外を貫通する貫通孔であったり、枠体２の基体１との接合面側から逆Ｕ字型に切り欠かれて枠体２内外を貫通する切り欠きであったり、枠体２の蓋体４との接合面側からＵ字型に切り欠かれて枠体２内外を貫通する切り欠きであっても良い。
【００３０】
嵌着部２ａ内には鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属からなる保持部材１１が挿入されるとともに保持部材１１の外周面と嵌着部２ａの内周面とが銀ろう等のろう材を介して嵌着接合されている。
【００３１】
同軸コネクタ３は、内部に収容する半導体素子５を外部の同軸ケーブル１０に電気的に接続するものであり、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る円筒状の外周導体３ａの中心軸に同じく鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る中心導体３ｂが絶縁体３ｃを介して固定された構造をしている。
【００３２】
保持部材１１には、回路基板６を上面に設置するための棚部１１ａと、同軸コネクタ３を挿入するための貫通孔１１ｂが設けられている。棚部１１ａには半田等の接合材６ｄを載置し、接合材６ｄの上に線路導体６ａと接地導体６ｃとを具備した回路基板６を、接地導体６ｃ面が接合材６ｄ側になるようにして設置する。貫通孔１１ｂは、枠体２の内外を貫通するように形成され、同軸コネクタ３を挿入するとともに外周導体３ａとの間に半田等の封着材８を挿入する。中心導体３ｂの先端部は、回路基板６の上面に突出させ、中心導体３ｂの先端部と線路導体６ａの上面との間に半田等の導電性接着材６ｂを載置する。
【００３３】
しかる後、加熱して接合材６ｄと封着材８および導電性接着材６ｂを溶融させ、接合材６ｄにより回路基板６が棚部１１ａに強固に固定され、溶融した封着材８は毛細管現象により外周導体３ａと貫通孔１１ｂの内壁との隙間に充填させることによって、外周導体３ａが貫通孔１１ｂ内に半田等の封着材８を介して挿着され、導電性接着材６ｂにより中心導体３ｂと線路導体６ａとが接続される。
【００３４】
かくして、グランドとしての外周導体３ａが保持部材１１に封着材８を介して保持部材１１に電気的に接続され、また信号線路としての中心導体３ｂが回路基板６の線路導体６ａに半田等から成る導電性接着材６ｂを介してそれぞれ電気的に接続される。
【００３５】
中心導体３ｂを伝送する高周波信号は、貫通孔１１ｂ，１１ｃ部において貫通孔１１ｂ，１１ｃの中心軸を伝送する同軸線路を伝送し、保持部材１１の枠体２内側の面から出て線路導体６ａの一端の半田等の導電性接着材６ｂに達した後は、マイクロストリップ線路となっている線路導体６ａ上を伝送する。この同軸線路とマイクロストリップ線路は、所定の特性インピーダンス値に整合されている。導電性接着材６ｂの接続部において、中心導体３ｂの先端部の位置、線路導体６ａの位置、および導電性接着材６ｂの量により、信号線路のインピーダンスが所定の値に設定されている。このようにして、半導体パッケージ内において、反射損失や透過損失等の伝送損失のない良好な信号線路が形成される。
【００３６】
保持部材１１の貫通孔１１ｃ内に挿入固定される同軸コネクタプラグ９は、外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０と保持部材１１に挿着された同軸コネクタ３とを接続するためのプラグであり、その外周面はネジ状となっており、内周面にネジ切りを有する貫通孔１１ｃにネジ止めされる。
【００３７】
そして、本発明の半導体パッケージは、半導体素子５の電極と回路基板６の上面に被着された線路導体６ａとをボンディングワイヤ７により電気的に接続し、しかる後、枠体２の上面に鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る蓋体４を半田付け法やシームウエルド法により接合することにより製品としての半導体装置となる。
【００３８】
この半導体装置は、基体１の外周側に設けられた貫通孔１ｂをネジ止めすることにより、外部回路基板に実装される。また、同軸コネクタプラグ９と外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０とを接続することにより、内部に収容する半導体素子５が外部電気回路に電気的に接続され、半導体素子５が高周波信号で作動することとなる。
【００３９】
貫通孔１ｂを外部回路基板にネジ止めして実装する際、半導体パッケージ製造時のろう付け工程において反りが発生していた基体１の反りが矯正され、基体１および枠体２に余計な応力や歪みが加わることとなる。本発明の半導体パッケージにおいては、同軸コネクタ３および回路基板６が保持部材１１を介して枠体２に設けられているため、枠体２に余計な応力や歪みが加わった場合においても、保持部材１１において分散および吸収される。保持部材１１で応力や歪みを分散させる、即ち単位体積当たりの変形を少なくさせかつ歪みを吸収させるためには、保持部材１１の体積が大きい方がよく、保持部材１１の厚みを枠体２より肉厚にすることにより体積を大きくする。
【００４０】
従来、枠体２の側面に設けられた貫通孔に挿着されていた同軸コネクタ３は、保持部材１１の貫通孔１１ｂに挿着され、また従来基体１の上側主面の載置部１ａに載置されていた回路基板６は、保持部材１１の棚部１１ａに設置され、同軸コネクタ３と回路基板６はともに保持部材１１に設けられることとなる。したがって、枠体２と基体１の接合位置がずれることによる同軸コネクタ３と回路基板６の位置ずれが解消され、同軸コネクタ３の中心導体３ｂと回路基板６の線路導体６ａとの接続部の位置を安定させることができる。
【００４１】
本発明において、図２に示すように、保持部材１１の嵌着部２ａと外周導体３ａの挿着部との最短距離をＸ、外周導体３ａの幅をｄとした場合、ｄ≧１．５ｍｍの場合にＸ≧０．２ｄであり、またはｄ＜１．５ｍｍの場合にＸ≧０．３ｍｍであるようにすると、接続部の位置をより安定させることができる。
【００４２】
Ｘ＜０．２ｄ（ただし、ｄ≧１．５ｍｍ）とした場合、枠体２より保持部材１１に伝わってくる歪みを保持部材１１で十分に吸収できず、同軸コネクタ３に応力や歪みが加わり、中心導体３ｂが位置ずれを起こす。そのため、半導体パッケージを外部回路基板に実装する際に基体１の反りが矯正されると、中心導体３ｂの先端部が導電性接着材６ｂから外れてしまう可能性があり、中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続の信頼性が低下することになる。
【００４３】
また、保持部材１１は、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属に切削加工等の機械加工を施すことによって形成されるものであるから、ｄ＜１．５ｍｍであってＸ＜０．３ｍｍの場合、機械加工の最小限界値を超えてしまい加工がきわめて困難になる。したがって、ｄ＜１．５ｍｍである場合は、Ｘ≧０．３ｍｍであることがよい。
【００４４】
好ましくは、図３に示すように、保持部材１１を嵌着するための嵌着部２ａの枠体２内側の開口から内側にかけて内法が小となる段差部１２が形成されていることが良く、この場合、枠体２と保持部材１１をろう付け等により接合する際にろう材が保持部材１１の枠体２内側の面に流れ出て棚部１１ａへ流れこむことを段差部１２により防止できる。
【００４５】
この段差部１２は、図３のように、嵌着部２ａの枠体２内側の開口において嵌着部２ａの外周部を階段状に窪ませて形成したり、図４のように、嵌着部２ａの枠体２内側の開口において角部を面取り加工して、枠体２内側の開口の外周部を斜面状にして形成することもできる。段差部１２は、枠体２と保持部材１１を接合するためのろう材が自重で保持部材１１の枠体２内側の面を垂れて、棚部１１ａへ流れ込むことを防止するのが目的であるため、段差部１２は少なくとも棚部１１ａの上方の部位に設ければ効果がある。
【００４６】
段差部１２の深さは０．１ｍｍ以上、幅は０．２ｍｍ以上、長さは棚部１１ａの幅以上であれば良い。深さが０．１ｍｍ未満の場合、段差部１２の深さが浅いため、段差部１２を越えてろう材が保持部材１１の枠体２内側の面に流れ出易くなり、幅が０．２ｍｍ未満の場合、同じく段差部１２を越えてろう材が保持部材１１の枠体２内側の面に流れ出易くなる。段差部１２の長さが棚部１１ａの幅以下であると、保持部材１１の枠体２内側の面にろう材が流れ出て、棚部１１ａへろう材が流れ込み易くなる。
【００４７】
このようにして、棚部１１ａへのろう材の流れ込みを防いで、結果として回路基板６を棚部１１ａの上面と平行になるようにして棚部１１ａに設置できる。
【００４８】
段差部１２を設ける代わりに、図５のように、保持部材１１の枠体２内側の面が枠体２内面より枠体２内側に突出した構成としても良い。保持部材１１の枠体２内側の面の突出長さは０．１ｍｍ以上であれば良く、この構成により、枠体２と保持部材１１をろう付け等により接合する際に、同様にして棚部１１ａへろう材が流れこむことを防止できる。突出長さが０．１ｍｍ未満の場合は、保持部材１１の枠体２内側の面にろう材が流れ出易くなる。この構成では、段差部１２を設ける構成と比して、枠体２に段差部１２を設けるための工程を減らすことが可能である。
【００４９】
また、段差部１２を設けるとともに、保持部材１１の枠体２内側の面が枠体２内面より枠体２内側に突出した構成でも良く、この場合段差部１２の底面から保持部材１１の枠体２内側の面までの距離が０．１ｍｍ以上であれば、保持部材１１の枠体２内側の面にろう材が流れ出るのを防ぐ点で有効である。
【００５０】
本発明においては、周波数が５〜５０ＧＨｚ程度の高周波信号の伝送特性を良好なものとすることができる。
【００５１】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更は何等差し支えない。
【００５２】
【発明の効果】
本発明は、同軸コネクタの保持部材は、枠体内外を貫通するとともに外側より同軸コネクタを挿着する貫通孔が形成され、かつ枠体内側の面の貫通孔の下方の部位に回路基板を上面に設置した棚部が設けられ、さらに回路基板の表面に枠体内側の面より突出した中心導体の端部と半導体素子とを電気的に接続する線路導体が形成されていることにより、同軸コネクタと回路基板が保持部材を介して枠体に設けられていることから、半導体パッケージをネジ止め等によって外部回路基板等に装着する際の枠体に加わる歪みが、保持部材部において分散および吸収され、保持部材に設置固定される回路基板と挿着される同軸コネクタにはほとんど歪みが発生しない状態になり、回路基板のクラックを有効に防止できるとともに同軸コネクタの絶縁体へのクラックを防止することができる。
【００５３】
回路基板のクラック防止により、回路基板上面に形成した線路導体の断線が防止され、高周波信号を効率良く伝送させることが可能となり、同軸コネクタの絶縁体へのクラックを防止することにより、半導体パッケージ内の気密に保つことと、中心導体を伝送する高周波信号の同軸線路のモードを保つことが可能となり高周波信号を効率良く伝送させることができる。
【００５４】
また、同軸コネクタと回路基板が保持部材に設けられることから、半導体パッケージの製造の際に中心導体と線路導体の位置ずれを従来よりも低減させることが可能となり、中心導体と線路導体の接続部におけるインピーダンスのばらつきを抑えることができ、高周波信号の伝送特性を向上できる。
【００５５】
外部回路基板に実装する際に、枠体に歪みが加わった場合においても同軸コネクタ挿着部に伝わる歪みを有効に防止することになるため、同軸コネクタの位置ずれが無くなり、中心導体が線路導体から外れることも有効に防止できる。
【００５６】
このようにして、回路基板のクラック防止、同軸コネクタの絶縁体のクラック防止、中心導体の線路導体に対する位置ずれ防止、中心導体の線路導体からの外れを防止を実現することとなる。また、これら効果によって、高周波信号の伝送効率に優れかつ気密性に優れた半導体パッケージを提供できる。
本発明は、好ましくは、保持部材の嵌着部と外周導体の挿着部との最短距離をＸ、外周導体の幅をｄとした場合、ｄ≧１．５ｍｍの場合にＸ≧０．２ｄであり、またはｄ＜１．５ｍｍの場合にＸ≧０．３ｍｍであることにより、保持部材の枠体への嵌着面から保持部材の同軸コネクタとの挿着面までの距離が適切に確保されることとなり、枠体より保持部材を介して同軸コネクタに伝わってくる歪みを保持部材で十分に吸収させることができる。同軸コネクタに加わる歪みを減少させることによって、半導体パッケージを外部回路基板に実装する際の中心導体の位置ずれを防止し、中心導体が線路導体から外れるのを確実に防止することができる。
【００５７】
また本発明は、好ましくは、嵌着部の枠体内側の開口の外周部に段差部が形成されていることにより、枠体と保持部材をろう付け等により接合する際に、保持部材を枠体に嵌着するためのろう材が保持部材の棚部に流れ込むのを防止する。その結果、回路基板が棚部に対して傾いて設置されることを防止し、線路導体と同軸コネクタの中心導体との接続位置を一定にすることができ、インピーダンスが安定した、より良好な高周波信号の伝送路を形成することが可能となる。
【００５８】
また本発明は、好ましくは、保持部材の枠体内側の面が枠体内面より枠体内側に突出していることにより、枠体と保持部材をろう付け等により接合する際に、保持部材を枠体に嵌着するためのろう材が保持部材の棚部に流れ込むのを防止する。その結果、回路基板が棚部に対して傾いて設置されることを防止し、線路導体と同軸コネクタの中心導体との接続位置を一定にすることができ、インピーダンスが安定した、より良好な高周波信号の伝送路を形成することが可能となる。即ち、枠体を切り欠いて段差部を設けることなく、段差部を設けた場合と同様の良好な高周波信号の伝送路を形成できる。
【００５９】
従って、本発明は５〜５０ＧＨｚ程度の高周波信号の伝送特性に優れかつ気密性に優れた半導体パッケージを構成し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体パッケージの一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体パッケージの他の実施形態を示す保持部材部の要部拡大断面図である。
【図３】本発明の半導体パッケージの他の実施形態を示す保持部材部の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の半導体パッケージの他の実施形態を示す保持部材部の要部拡大断面図である。
【図５】本発明の半導体パッケージの他の実施形態を示す保持部材部の要部拡大断面図である。
【図６】従来の半導体パッケージの断面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
２ａ：嵌着部
３：同軸コネクタ
３ａ：外周導体
３ｂ：中心導体
３ｃ：絶縁体
５：半導体素子
６：回路基板
６ａ：線路導体
１１：保持部材
１１ａ：棚部
１１ｂ：貫通孔
１２：段差部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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