(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、「ビスフェノールＡ」と略称する。）と炭酸ジエステルとを、エステル交換反応させる際に、数平均分子量が２００〜３００００の消泡剤を、ビスフェノールＡの重量に対して１〜５００ｐｐｍ存在させることを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【請求項２】
消泡剤が、炭素数８以上の鎖状炭化水素構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１記載の芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【請求項３】
消泡剤が、ポリアルキレンオキシド化合物であることを特徴とする請求項１記載の芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【請求項４】
消泡剤が、ポリシロキサン化合物であることを特徴とする請求項１記載の芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エステル交換反応によるポリカーボネートの製造方法に関し、詳しくは、芳香族ジオール化合物と炭酸ジエステルとから、透明で着色のない高品質な芳香族ポリカーボネートを、激しい発泡現象を起こすことなく高い重合速度で得るための製造方法、特に光学用のポリカーボネートを得るための製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、芳香族ポリカーボネートは、耐衝撃性等の機械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性等にも優れたエンジニアリングプラスチックスとして、ＯＡ部品、自動車部品、建築材料等に幅広く用いられており、特に耐衝撃性や透明性等の特性を生かして、光学用材料として光学レンズやデイスク、シート等の用途に幅広く使用されている。
この芳香族ポリカーボネートの製造方法としては、ビスフェノール等の芳香族ジオールとホスゲンとを界面重縮合法において反応させる、いわゆるホスゲン法が工業化されている。しかし、このホスゲン法は人体に有害なホスゲンを用いなければならないこと、環境に対する負荷の高いジクロロメタン等の溶剤を必要をすること、また多量に副生する塩化ナトリウムのポリマー中への混入により、これを電子部品に用いたときの腐食等の問題点が指摘されている。
【０００３】
一方、芳香族ジオール化合物と炭酸ジエステルとを溶融状態でエステル交換し、副生するフェノール等の低分子量物を系外に取り除きながら芳香族ポリカーボネートを得る方法も、いわゆる溶融法あるいはノンホスゲン法として古くから知られている。ノンホスゲン法は界面重縮合法による上記のような問題点もなくポリカーボネートが製造できるという利点がある一方、ホスゲン法に比べて高温で重合するため、製品のポリカーボネートが着色しやすいという問題がある。また、ノンホスゲン法は、副生するフェノール等の低分子量物を減圧下で系外に取り除きながらポリカーボネートの分子量を上げて行く必要があるため、ポリカーボネートの分子量の上昇とともに系の粘度が上昇し、低分子量物の揮発による発泡現象が激しくなり、飛沫同伴や液面の急上昇を招く。この飛沫同伴や液面の急上昇は、排気系の閉塞を招いたり、重合槽上部に付着した劣化物の製品の混入による色調の悪化をもたらすため製品品質の上から好ましくないが、発泡現象を抑えようとして、排気速度をより小さくすると、十分な重合速度を得ることができず、結果的にポリマーを高温にする時間が長くなり、製品ポリカーボネートの色調の悪化を招くというジレンマがある。また、ポリカーボネートの熱滞留時間を短くするために十分な排気速度を得ようとすれば、重合槽内の液容量よりもはるかに大きい重合槽が必要になり、熱効率や生産性の点で非効率になるという欠点を有している。
この発泡現象を抑えるため、例えば特開平９−２８６８５０号公報には、液面を直接攪拌し、機械的に破泡させるいわゆる泡消し翼を装備する方法が開示されているが、機械的破泡は効果が限定される上、設備が過大になる等の問題を有していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、芳香族ジオール化合物と炭酸ジエステルとをエステル交換反応により、ポリカーボネートを製造する方法において、透明で着色のない高品質な芳香族ポリカーボネートを、激しい発泡現象を起こすことなく高い重合速度で得るための製造方法及び透明で着色のない高品質なポリカーボネートを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討を進めた結果、特定の物質を特定量使用することにより、その目的を達成できることを見出し本発明を完成させるに至った。すなわち本発明は、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、「ビスフェノールＡ」と略称する。）と炭酸ジエステルとを、エステル交換反応させる際に、数平均分子量が２００〜３００００の消泡剤を、ビスフェノールＡの重量に対して１〜５００ｐｐｍの消泡剤を存在させることを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方法に存する。
【０００６】
【発明の実施形態】
以下本発明を詳細に説明する。本発明方法において、芳香族ポリカーボネートの製造原料としては、ビスフェノールＡと炭酸ジエステルとが用いられる。
【０００９】
また、分岐状芳香族ポリカーボネートを製造しようとする場合は、少量の３価以上の多価フェノールを共重合させることもできる。また、芳香族ポリカーボネートの熱安定性や耐加水分解性を向上させる目的で、ｐ−ｔ−ブチルフェノールやｐ−クミルフェノール等の１価のフェノール類を水酸基末端の封止剤として用いることができる。
【００１０】
本発明に用いられる炭酸ジエステルとは、通常下記の一般式（２）で示される化合物である。
【００１１】
【化２】
0003711215.tif 000002
【００１２】
（式中、Ｒ1 及びＲ2 は、炭素数１〜１０の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基並びに炭素数１〜１０のアルキル基及び／又はハロゲン原子で置換されていてもよいアリール基からなる群から選ばれるものであり、Ｒ1 とＲ2 は、相互に同一又は異なるものである。）
【００１３】
炭酸ジエステルの具体例としては、ジメチルカーボネート、ジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（４−クロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）カーボネート等が挙げられ、中でもジフェニルカーボネートが好ましい。これらの化合物は２種以上併用することも可能である。
炭酸ジエステルは、芳香族ジオール化合物１モルに対して若干過剰に用いられることが一般的であり、通常１．０１〜１．３０モル、好ましくは１．０２〜１．２０モルの量で用いることが好ましい。
【００１４】
ビスフェノールＡと炭酸ジエステルとの溶融重縮合反応においては、重縮合速度を上げるため、通常エステル交換触媒が用いられ、本発明では、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、塩基性含窒素化合物、ホスホニウムヒドロキシド化合物が好適に用いられる。
【００１５】
アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム、水酸化ストロンチウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素セシウム、炭酸水素カルシウム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素ストロンチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、水素化ナトリウム、水素化アルミニウムリチウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の無機塩、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、酢酸セシウム、酢酸カルシウム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸セシウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロンチウム、等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の有機酸塩、ビスフェノールＡのナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩、セシウム塩、カルシウム塩、バリウム塩、マグネシウム塩、ストロンチウム塩、フェノールのナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩、セシウム塩、カルシウム塩、バリウム塩、マグネシウム塩、ストロンチウム塩、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチラート等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属のアルコラート等が挙げられ、中でもアルカリ金属化合物が好ましく、特にはセシウム塩が好ましい。これらの触媒は複数のものを組み合わせて用いてもよい。
【００１６】
これらのアルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物触媒の添加量に特に制限はないが、少な過ぎると十分な重合速度が得られず、多過ぎると得られるポリカーボネートの色調が悪化するため、通常芳香族ジオール化合物１モルに対して１×１０-8〜１×１０-1モル、好ましくは１×１０-7〜１×１０-3モルの範囲で用いる。
【００１７】
塩基性含窒素化合物の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等のアルキル、アリール、アルアリール基等を有するアンモニウムヒドロキシド類、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の３級アミン類、ジメチルアミン、ジエチルアミン等の２級アミン類、ｎ−ブチルアミン等の１級アミン類、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類、ニトリロ三酢酸等のイミノカルボン酸誘導体又はその塩、テトラメチルアンモニウムボロハイドライド、テトラブチルアンモニウムボロハイドライド等のアンモニウムボロハイドライド等が挙げられる。
【００１８】
また、ホスホニウムヒドロキシド化合物の具体例としては、テトラエチルホスホニウムヒドロキシド、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、テトラフェニルホスホニウムヒドロキシド、メチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド等が挙げられ、中でもテトラブチルホスホニウムヒドロキシド、テトラフェニルホスホニウムヒドロキシドが好適に用いられる。
【００１９】
これらの塩基性含窒素化合物、ホスホニウムヒドロキシド化合物は、アルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物と併用することが好ましく、中でも高温で易分解性あるいは揮発性で製品のポリカーボネート中に残存しないものが好ましく用いられる。
これらの塩基性含窒素化合物、ホスホニウムヒドロキシド化合物の添加量に特に制限はないが、通常は芳香族ジオール化合物１モルに対し、１×１０-8〜１×１０-1モル、好ましくは１×１０-7〜１×１０-2モルの範囲で用られる。
【００２０】
本発明で用いられる消泡剤とは、少量添加によって抑泡効果又は破泡効果を発現する物質であり、具体的には鉱物油、動植物油等の油脂類、金属石鹸、有機スルホン酸塩、有機リン酸塩、アルキルベンゼン化合物等の界面活性剤類、リン酸エステル、亜リン酸エステル、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、ポリアルキレンオキシド化合物、シリコーンオイル等のポリシロキサン化合物、高級アルコール及びその誘導体、高級脂肪酸及びその誘導体等が挙げられる。これら各種消泡剤の中でも、炭素数８以上の鎖状炭化水素構造を有する化合物、ポリアルキレンオキシド化合物及びポリシロキサン化合物が、消泡効果及び製品色調の点で、好ましい。
【００２１】
本発明で用いられる炭素数８以上の鎖状炭化水素構造を有する化合物とは、炭素鎖が２重結合や３重結合を含んでいてもよいし、脂環又は芳香環を含んでいてもよいし、側鎖を有していてもよいが、水素原子又はハロゲン原子のみが結合した炭素原子が８個以上、好ましくは１０個以上、特に好ましくは１２個以上鎖状に連続する構造を有することが必要である。
炭素数８以上の鎖状炭化水素構造を有する化合物の具体例としては、（１）アルカン、アルケン、アルキン、シクロアルカン、シクロアルケン、アリールアルカン、アリールアルケン、アリールアルキン等の炭化水素類、炭化水素系ワックス類、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン等のα−オレフィン、シクロペンテン、シクロヘキセン等の２重結合を有する環状炭化水素化合物、スチレン、α−メチルスチレン等の２重結合を有する芳香族炭化水素化合物、ブタジエン、１，３−ペンタジエン、クロロプレン、イソプレン等のジエン化合物の重合体又は共重合体類、（２）ドデカノール、ステアリルアルコール、ノナデカノール、ベヘニルアルコール等の高級アルコール及びそのエステル、エーテル、アルコラート等の誘導体、（３）ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、モンタン酸、オレイン酸、リノール酸等の高級脂肪酸、ドデカン２酸、ダイマー酸等のカルボキシル基を複数有する脂肪酸類、及びそのエステル、アミド、金属塩等の誘導体、（４）ドデシルアミン、ステアリルアミン等のアルキルアミン類、（５）オクチルフェノール、ノニルフェノール、デシルフェノール、ドデシルフェノール、高級アルキル基で置換されたビスフェノールＡ等のフェノール類及びそのエステル、エーテル、フェノラート等の誘導体等が挙げられ、中でも高級アルコール及びその誘導体、高級脂肪酸及びその誘導体、カルボキシル基を複数有する脂肪酸類及びその誘導体、高級アルキル基で置換されたフェノール類及びその誘導体が好ましい。
【００２２】
本発明で用いられるポリアルキレンオキシド化合物とは、下記の一般式（３）で示される構造を分子内に有する化合物である。
−（Ｏ−Ｒ3 −Ｏ）ｎ−                              （３）
（式中、Ｒ3 は、分岐していてもよい炭素数２〜６、好ましくは２〜４のアルキレン基、ｎは２以上、好ましくは４以上の整数を表す。）
該構造を有する化合物の具体例としては、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリテトラメチレンオキシド、これらの共重合体、エタノール、プロパノール、ステアリルアルコール、グリセリン、トリメチロールプロパン等のアルコール類にアルキレンオキシドが付加した構造を持つ化合物、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ドデシルフェノール、ビスフェノールＡ等のフェノール類にアルキレンオキシドが付加した構造を持つ化合物等が挙げられる。
また、得られるポリカーボネートの透明性を維持するためには、ポリアルキレンオキシド化合物は分子末端に水酸基又はそのエステル基、炭酸エステル基、エーテル基等の水酸基誘導体基、カルボキシル基又はそのエステル基、アミド基、ウレタン基等のカルボキシル基誘導体基、アミノ基又はそのアミド基、ウレタン基、尿素基等のアミノ基誘導体基等の官能基を有する構造であることが好ましく、中でも水酸基又はその誘導体基を有するものが好適に用いられる。これら官能基の導入率に特に制限はないが、通常ポリアルキレンオキシド化合物１分子に対し１〜４個である。
【００２３】
本発明で用いられるポリシロキサン化合物とは、下記の一般式（４）で示される構造を分子内に有する化合物である。
【００２４】
【化３】
0003711215.tif 000003
【００２５】
（式中、Ｒ4 、Ｒ5 は、分岐していてもよい炭素数１〜１０、好ましくは１〜４のアルキル基、特に好ましくはメチル基を示し、Ｒ4 とＲ5 は、相互に同一又は異なるものであり、ｎは６以上、好ましくは１０〜５００、特に好ましくは３０〜１００の整数を表す。）
ポリシロキサン化合物の分子末端は、通常アルキル基、中でもメチル基が一般的であるが、水酸基又はそのエステル基、炭酸エステル基、エーテル基等の水酸基誘導体基、カルボキシル基又はそのエステル基、アミド基、ウレタン基等のカルボキシル基誘導体基、アミノ基又はそのアミド基、ウレタン基、尿素基等のアミノ基誘導体基等の官能基を有する構造であってもよいし、これらの構造を持つ化合物と結合していてもよい。
【００２６】
これら消泡剤の分子量は、特に制限はないが、小さすぎると重合反応中に揮発して消泡効果がなくなり、大きすぎると抑泡、破泡効果が小さくなるため、好ましくは末端基定量法、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）、蒸気浸透圧法（ＶＰＯ）等で測定した数平均分子量が２００〜３００００、さらに好ましくは５００〜１００００、特には１０００〜５０００が好適である。これら消泡剤の添加量は、少なすぎると消泡効果が現れず、多すぎると製品の透明性等品質の悪化を招くため、原料ビスフェノールＡの重量に対して、１〜５００ｐｐｍの割合で消泡剤が存在するように添加される。これらの消泡剤は単独で用いても異なった種類のものを混合して用いてもよい。
【００２７】
本発明方法において、溶融法による芳香族ポリカーボネートの製造は、回分式、連続式、これらの組み合わせ等、何れの方法でもよいが、炭酸ジエステルの揮散によるビスフェノールＡと炭酸ジエステルのモルバランスのずれを防止するため、比較的低温、低真空からなる予備重合工程（オリゴマー化工程）と、比較的高温高真空からなる後重縮合工程（ポリマー化工程）に分割して行うことが一般的である。オリゴマー化工程の反応温度は、通常１００〜３００℃、好ましくは１８０〜２８０℃の範囲で、反応圧力は大気圧〜１ｔｏｒｒまでの範囲である。一方、ポリマー化工程の反応温度は、通常２００〜３２０℃、好ましくは２４０〜３００℃の範囲で、反応圧力は５０ｔｏｒｒ以下、最終的には１ｔｏｒｒ以下にすることが好ましい。消泡剤は、原料中もしくはオリゴマー中に、直接又は適当な溶剤で希釈して添加することができ、添加時期には特に制限はなく、重合前の原料に添加する方法、重合反応の任意の段階で添加する方法の何れでもよいが、本発明の効果を最大限に生かすには、発泡が激しくなる前の段階、特に反応圧力が３０ｔｏｒｒ以上の段階で添加することが好ましい。
【００２８】
本発明によって得られる芳香族ポリカーボネートには、他の慣用の成分、例えば熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、帯電防止剤、防腐剤、接着促進剤、着色剤、発泡剤、ブロッキング防止剤、滑剤、展着剤、殺菌剤、可塑剤、離型剤、増粘剤、防滴剤、衝撃性改良剤、無機充填剤、有機充填剤等を配合することができる。
【００２９】
【実施例】
以下、実施例に従って、本発明を具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、これらに限定されるものではない。
【００３０】
なお、測定は以下の方法で行った。
（１）粘度平均分子量（Ｍｖ）
オリゴマー又はポリカーボネートの濃度（Ｃ）０．６ｇ／ｄｌの塩化メチレン溶液を用いて、温度２０℃で測定した比粘度（ηｓｐ）から、下記の両式
ηｓｐ／Ｃ＝［η］（１＋０．２８ηｓｐ）
［η］＝１．２３×１０-4Ｍｖ0.83
を用いて算出した。
【００３１】
（２）ポリカーボネートの透明性
６０×６０×３．２ｍｍの平板をバレル温度３２０℃で射出成形し、東京電色（株）製ヘーズメーターを使用して全光線透過率で評価した。
【００３２】
（３）ポリカーボネートのＹｅｌｌｏｗ  Ｉｎｄｅｘ（ＹＩ）
上記平板を使ってミノルタ（株）製分光測色計ＣＭ−３７００ｄを用い測定した。
【００３３】
（４）消泡剤の数平均分子量（Ｍｎ）
１）炭化水素系ワックス及びポリシロキサン化合物：
炭化水素系ワックス及びポリシロキサン化合物の数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーを用い分子量既知のポリスチレンで更正し算出した。
２）ポリアルキレンオキシド化合物：
ポリアルキレンオキシド化合物の数平均分子量は、試料を無水フタル酸のピリジン溶液で処理して、両末端のＯＨ基をエステル化し、過剰の酸を水酸化ナトリウムで滴定し、エステル化に用いられた酸の量から算出した。
３）単一物質：
分子量分布のない実質的に単一物質の場合には、分子構造から算出した。
【００３４】
（５）発泡状況
重合槽内の液面上昇を目視で観察した。
【００３５】
［実施例１］
ジフェニルカーボネート・フレーク（三菱化学（株）製）２３．１ｍｏｌに、炭酸セシウム水溶液（炭酸セシウムとして０．５（μｍｏｌ／ビスフェノールＡ−ｍｏｌ））と、消泡剤として数平均分子量２２００のポリエチレンワックス１．００ｇ（ビスフェノールＡに対し２００ｐｐｍ）をトルエンで希釈したものを、マイクロシリンジで添加しよく混合した。これを１００℃にコントロールされた還流冷却器を有する４０Ｌの重合缶に仕込み、次いでビスフェノールＡ（新日鉄化学（株）製）２２．０ｍｏｌを仕込んだ。重合槽内を１０ｔｏｒｒにして窒素で大気圧にする操作を７回繰り返し、内部を窒素置換した。次に、温度２３０℃の熱媒を通じ昇温、溶解させた後、３００ｒｐｍで攪拌し、内温を２１０℃に保ちながら、４０分かけて圧力を７６０ｔｏｒｒから１００ｔｏｒｒにした。続いて、圧力を１００ｔｏｒｒに保持したまま、フェノールを留去させながら８０分オリゴマー化反応を行った。
オリゴマー化終了後、系内を窒素で０．２ＭＰａに復圧し、このオリゴマーを、１００℃にコントロールされた還流冷却器を有する４０Ｌ重合槽（大気圧）に圧送した。続いて該重合槽内を大気圧にまで放圧し、３８ｒｐｍで攪拌しながら、外部ジャケットに３００℃の熱媒を通じ、図１のラインに沿って系内を減圧にし、発泡状況を観察した。０．５ｔｏｒｒ到達後、この圧力を保持したまま９０分間縮合反応を行い、ポリマー化反応を行った。最終的な内部温度は２８０℃であった。
重合反応終了後、窒素で復圧しポリマーをストランド状で抜き出して回転式カッターでペレット化した。
【００３６】
［実施例２］
消泡剤としてステアリルアルコールを用いた他は実施例１と同様にして、発泡状態を確認し、ポリマーを得た。
【００３７】
［実施例３］
消泡剤としてステアリン酸モノグリセリドを用いた他は実施例１と同様にして、発泡状態を確認し、ポリマーを得た。
【００３８】
［実施例４］
消泡剤として下記構造を有するシリコーンオイル（信越化学工業（株）製）を用いた他は実施例１と同様にして、発泡状態を確認し、ポリマーを得た。
【００３９】
【化４】
0003711215.tif 000004
【００４０】
［実施例５］
消泡剤として下記構造を有する化合物（商品名サンニックスＰＰ−３０００、三洋化成工業（株）製）を用いた他は実施例１と同様にして、発泡状態を確認し、ポリマーを得た。
ＨＯ−（ＣＨ2 −ＣＨ(ＣＨ3 )−Ｏ）ｎ−Ｈ      Ｍｎ＝２９８０
【００４１】
［実施例６］
消泡剤として下記構造を有する化合物（商品名ＰＴＭＧ−３０００  三菱化学（株）製）を用いた他は実施例１と同様にして、発泡状態を確認し、ポリマーを得た。
ＨＯ−［（ＣＨ2 ）4  −Ｏ］ｎ−Ｈ           Ｍｎ＝２９５０
【００４２】
［比較例１］
消泡剤の量を５０ｇ（ビスフエノールＡに対し９９５５ｐｐｍ）とした以外は実施例１と同様にして発泡状態を観察し、ポリマーを得た。
【００４３】
［比較例２］
消泡剤の量を０．０００４ｍｇ（ビスフェノールＡに対し０．０８ｐｐｍ）とした以外は実施例６と同様にしてポリマーを得た。
【００４４】
［比較例３〕
消泡剤を添加しなかった以外は実施例１と同様にして発泡状況を観察し、ポリマーを得た。
【００４５】
各実施例、比較例について用いた消泡剤の量及び得られたポリマーの評価をまとめて第１表に示した。また、重合槽内の発泡状況の時間変化を図２（実施例１〜４と比較例３）と図３（実施例５、６と比較例１〜３）に示した。これらの図又は表から、比較例１では、実施例６に比べ、消泡効果、全光線透過率及び製品色調に若干の低下が認められ、比較例２では、実施例６に比べ、消泡効果及び製品色調に若干の低下が認められた。また、比較例３では、全ての実施例に比べ、消泡効果及び製品色調が不十分であった。
【００４６】
【表１】
0003711215.tif 000005
【００４７】
【発明の効果】
本発明によって、芳香族ジオール化合物と炭酸ジエステルとをエステル交換反応により、芳香族ポリカーボネートを製造する方法において、透明で着色のない高品質な芳香族ポリカーボネートを、激しい発泡現象を起こすことなく高い重合速度で得ることが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】  重合槽内の減圧プログラムを示す線図。
【図２】  重合槽内の発泡状況の時間変化を示す線図。
【図３】  重合槽内の発泡状況の時間変化を示す線図。
【図１】
0003711215.tif 000006
【図２】
0003711215.tif 000007
【図３】
0003711215.tif 000008