(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に設けられた載置手段に基板を載置し，該載置手段の内部に設けられた発熱手段によって，前記載置した基板を所定温度に加熱する加熱処理装置において，
前記処理容器内に気体を供給する供給手段と，
前記処理容器内に供給する前に気体を予め前記所定温度に加熱する加熱手段とを備え，
前記処理容器の下方又は側方に前記供給手段の供給口が設けられ，
さらに前記供給口近傍に整流機構が設けられたことを特徴とする，加熱処理装置。
【請求項２】
処理容器内に設けられた載置手段に基板を載置し，該載置手段の内部に設けられた発熱手段によって，前記載置した基板を所定温度に加熱する加熱処理装置において，
前記処理容器内に気体を供給する供給手段と，
前記処理容器内に供給する前に気体を予め前記所定温度に加熱する加熱手段とを備え，
前記載置手段の周囲に前記供給手段の供給口が設けられ，
さらに前記供給口近傍に整流機構が設けられたことを特徴とする，加熱処理装置。
【請求項３】
前記載置した基板の処理対象面に対して垂直になるように支持された整流機構に，前記載置した基板の処理対象面に対して平行になるように形成された整流通路が設けられたことを特徴とする，請求項１又は２に記載の加熱処理装置。
【請求項４】
前記整流機構が，前記処理容器内に供給する前に気体を予め前記所定温度に加熱する加熱手段であることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の加熱処理装置。
【請求項５】
前記載置した基板の上方空間を前記所定温度に温度調整する温度調整手段を有することを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の加熱処理装置。
【請求項６】
前記処理容器の上方又は側方に，前記供給手段によって供給された気体を排出する排気機構を備えたことを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の加熱処理装置。
【請求項７】
前記排気機構と前記載置手段との間に位置する整流機構を有することを特徴とする，請求項６に記載の加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えばＬＣＤ基板や半導体ウェハ等のような基板を加熱する加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から，半導体デバイスの製造工程において，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）などの基板の表面に対して，フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジストに露光し，その後に現像処理する一連の処理が施される。
【０００３】
この塗布現像処理においては，ウェハにレジストを塗布するレジスト塗布処理，レジスト塗布処理後のウェハを露光する露光処理，ウェハを現像する現像処理等が行われており，これら処理の前後では，必要に応じてウェハの加熱処理（ベーク）が行われている。すなわち，ウェハの乾燥を目的とした，いわゆる脱水ベークや，レジスト中のレジスト溶剤の加熱除去を目的とした，いわゆるプリベーク（ＰＲＥＢＡＫＥ），露光処理と現像処理との間に行う，いわゆるポスト・エクスポージャ・ベーク（以下，「ＰＥＢ」と称する。），そして現像処理の終了後に行うポストベーク（ＰＯＢＥＢＡＫＥ）などが行われている。
【０００４】
以上のような加熱処理を行う加熱処理装置は，処理容器内に設けられた載置台にウェハＷを載置し，この載置台の内部に埋設された発熱体（ヒータ等）を高温度（例えば１２０℃）に発熱させて，このウェハＷを加熱するように構成されている。そして，この発熱体の影響によって，載置台の周辺の温度もほぼ１２０゜にまで上昇するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来の加熱処理装置においては，処理容器の内側面や天井面に，格別に温度調整手段等が設けられていないので，載置台から離れ，処理容器の内側面側や天井面側に近づくにつれて，温度も１２０゜から徐々に低下することになり，処理容器内の雰囲気の温度分布が，不均一な状態となってしまっている。これにより，載置台に載置したウェハの上方空間には渦等の対流が発生し，この対流が，加熱処理中に例えばウェハに形成されたレジスト膜や現像処理後のウェハに接触すると，例えばレジスト膜の膜厚の不均一や現像むら等を引き起こし，歩留まりを低下させるおそれがある。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされてものであり，その目的は，加熱処理中に，基板の上方空間の温度分布を均一にすることができる加熱処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために，本発明の加熱処理装置は，処理容器内に設けられた載置手段に基板を載置し，該載置手段の内部に設けられた発熱手段によって，前記載置した基板を所定温度に加熱する加熱処理装置において，前記処理容器内に気体を供給する供給手段と，前記処理容器内に供給する前に気体を予め前記所定温度に加熱する加熱手段とを備え，前記処理容器の下方又は側方に前記供給手段の供給口が設けられ，さらに前記供給口近傍に整流機構が設けられたことを特徴としている。
【０００８】
本発明によれば，まず加熱処理中に，所定温度に加熱した気体を載置した基板の上方空間に流通させてこの基板の上方空間の温度分布を均一にすることができる。従って，温度分布を乱す対流の発生を抑制でき，所期の加熱処理を達成することが可能となる。また整流機構によって，気体の流れを，所望の方向に整えることができる。
【０００９】
この場合，載置した基板の処理対象面に対して平行になるように，加熱した気体を流通させるのが好ましい。
【００１０】
そうすると加熱した気体を載置した基板の処理対象面に対して平行に流通させるので，基板の上方空間の温度分布の均一性が向上する。従って，処理不良を防止することができる。
【００１１】
また前記基板の一方端から他方端に向かって基板の処理対象面に対して平行になるように，前記加熱した気体を流通させるようにしてもよい。
【００１２】
前記基板と載置手段との間隔は，５mm以下で，かつ接触しない程度に離間していることが好ましい。５mmを超えると，ウエハＷの上方空間に複数の不要な渦流が発生するおそれがあるからである。さらに前記加熱した気体の温度は，前記基板を所定温度に加熱かる載置手段の温度と略同一に設定されることが好ましい。
【００１４】
また本発明によれば，処理容器内に設けられた載置手段に基板を載置し，該載置手段の内部に設けられた発熱手段によって，前記載置した基板を所定温度に加熱する加熱処理装置において，前記処理容器内に気体を供給する供給手段と，前記処理容器内に供給する前に気体を予め前記所定温度に加熱する加熱手段とを備え，前記載置手段の周囲に前記供給手段の供給口が設けられ，さらに前記供給口近傍に整流機構が設けられたことを特徴とする，加熱処理装置が提供される。
【００１６】
この場合，請求項３に記載したように，前記載置した基板の処理対象面に対して垂直になるように支持された整流機構，例えば整流板に，前記載置した基板の処理対象面に対して平行になるように形成された整流通路が設けられていることが好ましい。
【００１７】
かかる構成によれば，載置した基板の処理対象面に対して平行になるように形成された整流通路を介して，この基板の処理対象面に対して垂直になるように支持された整流板を，加熱した気体が通過するので，載置した基板の処理対象面に対して平行になるように，気体を良好かつ確実に整流することができる。
【００１８】
請求項４に記載したように，前記整流機構は，前記処理容器内に供給する前に気体を予め前記所定温度に加熱する加熱手段としてもよい。かかる構成によれば，整流機構が，気体を整流する機能だけでなく，気体を加熱する機能も兼ね備えるので，装置を簡素化することができる。しかも，気体を基板の上方空間に流通させる直前に加熱するので，そのまま所定温度を維持して気体を流通させることができるという利点がある。
【００１９】
請求項５に記載したように，前記基板の上方空間を前記所定温度に温度調整する温度調整手段を設ければ，基板の上方空間を一様に所定温度にまで温度調整できる。これにより，この上方空間の温度分布を，より確実に均一にすることができる。
【００２０】
さらに請求項６に記載したように，前記処理容器の上方又は側方に，前記供給手段によって供給された気体を排出する排気機構を付加してもよい。そうすれば，整然と特定の気流によって排気ができる。この場合，特に請求項７に記載したように，前記排気機構と載置手段との間にさらに整流機構を設けるようにすれば，円滑で気流を乱さない排気が実現できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下，添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態にかかる加熱処理装置は，塗布現像処理システムの構成要素の一部となっている。そこで，まず塗布現像処理システムについて説明する。図１は塗布現像処理システム１の平面図であり，図２はその正面図，図３は背面図である。
【００２２】
図１及び図２に示すように，塗布現像処理システム１は，例えば２５枚のウェハＷを収納可能なカセットＣを４個載置できるカセットステーション２を有し，このカセットステーション２には，カセットＣや後述する第３の処理装置群７に対して，ウェハＷの搬入・搬出を行うウェハ搬送体２０が設けられている。
【００２３】
また，塗布現像処理システム１には，ウェハＷに対して所定の処理を施す処理ステーション３が配置され，その中心部に主搬送装置２１が設けられている。そして，第１及び第２の処理装置群５，６が塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群７がカセットステーション２の隣接して配置され，第４の処理装置群８が後述するインタフェイス部４に隣接して配置され，破線で示した第５の処理装置群９が背面側に配置されている。
【００２４】
第１及び第２の処理装置群５，６では，カップＣＰ内でウェハＷにレジスト塗布処理を行うレジスト塗布装置（ＣＯＴ）１１と，カップＣＰ内でウェハＷに現像処理を行う現像処理装置（ＤＥＶ）１２とが２段に重ねられている。図３に示すように，第３の処理装置群７では，冷却処理を行う冷却処理装置（ＣＯＬ）１３と，レジストとウェハＷとの定着性を高めるための疎水化処理装置（ＡＤ）１４と，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩＭ）１５と，ウェハＷを待機させるエクステンション装置（ＥＸＴ）１６と，本実施の形態にかかる加熱処理装置としての２個のプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７及び２個のポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）１８とが８段に重ねられている。第４の処理装置群８では，冷却処理装置１３と，エクステンション冷却処理装置（ＥＸＴＣＯＬ）１９と，エクステンション装置１６と，冷却処理装置１３と，２個のプリベーキング装置１７及び２個のポストベーキング装置１８とが８段に重ねられている。なお，個々の処理装置群における装置の配置は，現像塗布処理の目的や用途に合わせて任意に変更することが可能である。
【００２５】
上記処理ステーション３に隣接したインターフェイス部４の中央部には，ウェハ搬送体２２が設けられている。このウェハ搬送体２２は，第４の処理装置群８やインターフェイス部４に隣接した露光装置（図示せず）側のウェハ受け渡し台（図示せず）にウェハＷを搬送するように構成されている。
【００２６】
次に，本実施の形態にかかるプリベーキング装置１７及びポストベーキング装置１８は何れも同様の構成を有しているので，レジスト塗布処理後にウェハＷ上に残存したレジスト溶剤の加熱除去を目的とした加熱処理を行うプリベーキング装置１７を，例にとって説明する。図４は，プリベーキング装置１７の内部構造を示す断面図であり，図５は，プリベーキング装置１７の内部構造を示す平面図である。
【００２７】
図４及び図５に示すように，プリベーキング装置１７に設けられた処理容器３０は，略円形筒状の外形をなしており，処理容器３０の上部部材３１の下面は，処理容器３０内の雰囲気を効率よく排気口３２へと誘導するように傾斜が付けられている。処理容器３０の内部中央には，ウェハＷを載置する載置台３３が設けられており，この載置台３３は円柱状に形成されている。この載置台３３の内部にはウェハＷを所定温度として１２０℃に加熱するために，発熱体３４（例えば発熱エレメント）が埋設されている。この発熱体３４は，処理容器３０の外部に設けられた交流電源３５からの電力が供給されると，ウェハＷを加熱することができる構成となっている。
【００２８】
処理容器３０の下方には，気体供給管４０が接続され，気体供給管４０の途中に，気体４１を加熱する加熱手段としてのヒータ４２が介装されている。このヒータ４２は，気体４１を１２０゜に加熱し，この気体４１の温度を，上記発熱体３４がウェハＷを加熱する温度と等しくする機能を有している。そして，気体供給管４０は，載置台３３の周囲に複数配置された供給口４３を介して，処理容器３０内に通じている。載置台３３の周縁部には，ウェハＷに対して垂直になるように固定された整流機構としての略環状の整流板４４が設けられており，これにより，供給口４３近傍には，丁度，この整流板４４が配置されることになる。
【００２９】図６に示すように，整流板４４には，ウェハＷに対して平行方向になるように形成された複数の整流通路４５が，規則正しく格子状に並べられて設けられている。そして，このような整流通路４５を介して，気体４１が整流板４４を通過することになるので，ウェハＷの表面に形成されたレジスト膜（処理対象面）に対して平行になるように，気体４１を良好かつ確実に整流することができるようになっている。
【００３０】
なお，現像後にウェハＷ上に残存した現像液やリンス液の加熱除去を目的とした加熱処理を行うポストベーキング装置１８も，プリベーキング装置１７と同一の構成を有しており，同様に予め１２０℃に加熱された気体をウェハＷの上方空間に流通させながら，ウェハＷを加熱処理できるように構成されている。
【００３１】
次に，以上のように構成されたプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７の作用について，塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの塗布現像処理に基づいて説明する。まず，ウェハ搬送体２０によってカセットＣから取り出されたウェハＷは，アライメント装置（ＡＬＩＭ）１５において位置合わせが行われる。主搬送装置２１がアライメント装置１５からウェハＷを受け取り，疎水化処理装置（ＡＤ）１４に搬入し，疎水化処理が行われる。そして，第３の処理群７又は第４の処理群８の冷却処理装置（ＣＯＬ）１３において冷却処理を行った後に，第１の処理群５又は第２の処理群６のレジスト塗布装置（ＣＯＴ）１１にウェハＷを搬入し，レジスト塗布処理を行う。その後，第３の処理群７又は第４の処理群８のプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７で加熱処理を行う。
【００３２】
ここで，プリベーキング装置１７で行われる加熱処理について説明する。図３に示したように，処理容器３０では，発熱体３４に電力が供給され，所定温度として１２０℃でウェハＷを加熱し，ウェハＷ上から残存したレジスト溶剤を除去する。この場合，加熱処理を良好に行うためには，処理容器３０内の雰囲気において，ウェハＷの上方空間３７の温度分布を均一に保ち，温度分布を乱す対流を発生させないことが大切である。
【００３３】
そこで，本実施の形態によれば，処理容器３０内に供給する気体４１を，ヒータ４２によって予め１２０℃に加熱し，供給口４３を介して処理容器３０の内部中央に流入する直前に，整流板４４によって，ウェハＷの表面に形成されたレジスト膜（処理対象面）に対して平行になるように整流する。こうして，１２０℃に加熱した気体４１を，ウェハＷの上方空間３７に流通させるので，ウェハＷの上方空間３７の温度分布を均一にすることができる。従って，上方空間３７の温度分布を乱す対流の発生を抑制することができる。
【００３４】
そして，処理容器３０の内部中央まで流れた気体４１を，排気口３２より排気する。この間，気体４１をレジスト膜に対して平行に流通させているので，ウェアＷの上方空間３７の温度分布の均一性が向上する。従って，レジスト膜の膜厚の不均一を防止でき，所期の加熱処理を達成することが可能となる。
【００３５】
以上のような処理が終了した後，ウェハＷを，エクステンション冷却装置（ＥＸＴＣＯＬ）１９で冷却処理し，第４の処理群８のエクステンション装置（ＥＸＴ）１６内に載置する。ウェハ搬送体２２を反対側から搬入させて，ウェハＷを露光装置（図示せず）側に搬送する。そして，露光処理後に，ウェハＷを再び第４の処理群８のエクステンション装置１６に搬入し，これを介して主搬送装置２１に受け渡す。第１の処理群５又は第２の処理群６の現像処理装置（ＤＥＶ）１２にウェハＷを搬入し，現像処理を行う。その後，第３の処理群７又は第４の処理群８のポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）１８で加熱処理を行う。その後，第３の処理群５又は第４の処理群６の冷却処理装置１３で冷却処理が行われ，一連の現像塗布処理の工程が終了する。
【００３６】
ポストベーキング装置１８で加熱処理を行う場合にも，先に説明したプリベーキング装置１７と同様な工程が適用され，信頼性のある加熱処理がなされることになる。また，現像塗布処理の用途に合わせて，脱水ベークやＰＥＢの工程が行われる場合にも，以上のような加熱処理が適切になされる。
【００３７】
かくして，本実施の形態のプリベーキング装置１７によれば，加熱処理において，予め１２０℃に加熱された気体４１を，ウェハＷの表面に対して平行になるようにして，ウェハＷの上方空間３７に流通させることができるので，上方空間３７の温度分布を乱す対流の発生を抑制でき，処理不良を防止することができる。従って，所期の加熱処理を達成することが可能となる。
【００３８】
次に，第２の実施の形態として，ウェハＷの上方空間を１２０℃に温度調整する温度調整機構を設ける場合について説明する。図７は，第２の実施の形態にかかるプリベーキング装置５０の内部構造の断面図であるが，例えば，この図７に示すように，処理容器３０の上部部材３１に，温度調整機構としての発熱体５１を埋設し，交流電源５２からの電力が供給されると，この発熱体５１が発熱して，ウェハＷの上方空間３７を１２０℃に加熱する構成になっている。なお，上部部材３１に発熱体５１を埋設した以外は，先に説明したプリベーキング装置１７と同一の構成であるので，同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一符号を付することにより，重複説明を省略する。
【００３９】
かかる構成によれば，加熱処理中に，気体４１を流通させる共に，ウェハＷの上方空間３７が一様に１２０℃に温度調整される。これにより，ウェハＷの上方空間３７の温度分布を，より確実に均一にすることができる。従って，対流の抑制や処理不良を効果的に防止することができる。
【００４０】
また，整流板に，加熱機能を付加してもよい。ヒータ４２を気体供給管４０に介装する代わりに，図８に示すように，整流板６０に発熱体６１を埋設する。交流電源６２からの電力が供給されると，発熱体６１が発熱し，整流板６０が気体４１を加熱する構成になっている。
【００４１】
かかる構成によれば，整流板６０が，気体４１を整流する機能だけでなく，気体４１を加熱する機能も兼ね備えるので，装置を簡素化することができる。また，上記ヒータ４２と整流板６０で２回，気体４１を加熱するようにしてもよい。この場合，一旦ヒータ４２で加熱された気体４１を，処理容器３０内に流入させるまでの間に，その温度が低下しても，整流板６０によって再び加熱することができるので，そのまま１２０℃の気体をウェハＷの上方空間３７に流通させることができる。
【００４２】
次に，第３の実施の形態として，整流板を設けないで，処理容器の側壁内部に発熱体を埋設する場合について説明する。図９は，第３の実施の形態にかかるプリベーキング装置７０の内部構造の断面図であるが，まず，プリベーキング装置７０の内部構造を説明すると，図９に示すように，外側ケース７１内には，処理容器７２が設けられており，この処理容器７２の上面の開口を，蓋体７３によって塞ぎ，処理容器７２内の雰囲気を密封するようにしている。処理容器７２内には，支持部材７４によって支持された載置台７５が設けられており，この載置台７５の内部には，交流電源７６によって発熱する発熱体７７が埋設されている。
【００４３】
処理容器７２の底部には，ヒータ（図示せず）によって予め１２０℃に加熱された気体７８を供給する気体供給管７９が接続されており，気体供給管７９から供給された気体７８は，処理容器７２の下方から処理容器７２の側壁７２ａと支持部材７４との間に沿って上昇した後に，載置台７５の上方を流れて，蓋体７３に接続された排気管８０を通じてプリベーキング装置７０外に排気されるようになっている。処理容器７２の側壁７２ａの内部には，交流電源８１によって発熱する発熱体８２が埋設されており，交流電源８１からの電力が供給されると，この発熱体８２が発熱して，側壁７２ａ近傍の雰囲気を１２０℃にまで加熱する構成になっている。
【００４４】
さらに，図１０に示すように，支持部材７４には支持部材７４と側壁７２ａとの間で溜め部９０を形成する溜め部形成部材９１が設けられている。この溜め部形成部材２０１により，加熱される気体７８を十分に熱することができるよう構成されている。したがって，気体７８の温度ムラがなくなり，ウェハに対して良好な加熱処理を行うことが可能となる。
【００４５】
以上のような構成においては，先に説明した整流板に加熱機能を付加した場合と同様に，温度が１２０℃から低下した気体７８を，処理容器７２の側壁７２ａに沿って上昇している間に再び加熱することができ，そのまま１２０℃の気体７８を誠置台７５の上方に流通させることができる。従って，載層台７５に載置されたウェハに対して良好な加熱処理を行うことが可能となる。
【００４６】
次に，第４の実施の形態についてウェハＷの上方空間に水平流を形成する機構を設ける場合について説明する。図１１は，第４の実施の形態にかかるプリベーキング装置１０１の内部構造の断面図であり，まず，プリベーキング装置１０１の内部構造を説明すると，図１１に示すように，処理容器３０の上部部材１１０は平坦に構成され，その上部部材１１０には，前記したような気体４１を排気する排気口３２は備えられておらず，ウェハＷの一方側（図中の左側）からのみ気体４１が供給されるよう構成されている。そしてそのようにしてウェハＷの上方空間に供給された気体４１は，ウェハＷの他方側（図中の右側）から排出されるように構成されている。
【００４７】
この排出の機構は，整流板４４を介して排気口１１１から排気経路としての排気管１１２を通じて排気され，この排気経路の途中には，排気流量を調整可能な排気流量調整機構，例えばバタフライバルブ１１３が設けられ構成されている。
【００４８】
また，気体４１が供給される側の整流板４４の近傍には，供給する気体４１が所望の温度に設定されているかを検知するための温度検出器，例えば温度センサー１１４が備えられている。この温度センサー１１４で検出したデータは，制御機構，例えばＣＰＵ１１５によって判断され，この判断に基づいてヒーター４２を制御するよう構成されている。なお，ＣＰＵ１１５は，交流電源３５及びバタフライバルブ１１３も各々所望の条件に制御するよう構成されている。
なお，先に説明したプリベーキング装置１７と同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一符号を付することにより，重複説明を省略する。
【００４９】
かかる構成の第４の実施の形態によれば，気体４１を流通させている加熱処理中に，一方向側から他方向側に向かって流すことが可能となるのでより気体４１を水平に維持することができる。したがって，ウェハＷの上方空間において不要な渦流等の気流の乱れの発生を抑制することができ，ウエハＷの上方空間３７が一様に１２０℃に温度調整される。これにより，ウェハＷの上方空間３７の温度分布を，より確実に均一にすることができる。従って，対流の抑制や処理不良を効果的に防止することができる。
【００５０】
次に，第５の実施の形態として，ウェハＷの上方に整流板を設ける場合について説明する。図１２は，第５の実施の形態にかかるプリベーキング装置１２１の内部構造の断面図であり，本実施の形態においては，図１２に示すように，ウェハＷの上方に整流板１２２が設けられている。この整流板１２２には，複数の穴又は孔１２３が分散して設けられており，この孔１２３の径の大きさは周縁から中央に向かうほど大きくなるよう設定されている。なお，先に説明したプリベーキング装置１７と同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一符号を付することにより，重複説明を省略している。
【００５１】
かかる構成の第５の実施の形態によれば，ウェハＷの上方位置の排気口３２から集中して排気されるのを整流板１２２により緩和することが可能となる。したがってウェハＷの上方空間３７に圧力の分布の不均衡や不要な渦流等の気流の乱れの発生を抑制することができ，ウェハＷの上方空間３７が一様に１２０℃に温度調整される。これにより，ウェハＷの上方空間３７の温度分布を，より確実に均一にすることができる。従って，対流の抑制や処理不良を効果的に防止することができる。
【００５２】
またこの第５の実施の形態においては孔１２３の径の大きさは周綾から中央に向かうほど大きくなるよう設定したが，径の大きさは逆に周縁から中央に向かうほど小さくなるよう設定してもよく，径方向に不均等，例えば周辺と中央部に密集させたり等に粗密領域を形成して構成しても良い。
【００５３】
次に，第６の実施の形態として，ウェハＷの上方に整流板を設ける場合について説明する。図１３は，図５にて説明したプリべーキング装置の内部構造の平面図における載置台３３の周囲に複数配置された供給口４３の他の例について示している。図１３におけるそれぞれの供給口４３は，同一の方向かつ所定の角度に気体４１を吹き出すよう構成されており，それぞれの供給口４３によって吹き出す気体４１にてウェハＷの上方に一定方向に流通する渦流を形成するよう構成されている。
【００５４】
したがってウェハＷの上方空間３７に一定方向に流通する渦流を形成したことにより，ウェハＷに対する熱の均一性が増すことになり，かつ不要な渦流等の気流の乱れの発生を抑制することができ，ウェハＷの上方空間３７が一様に１２０℃に温度調整される。これにより，ウェハＷの上方空間３７の温度分布を，より確実に均一にすることができる。従って，対流の抑制や処理不良を効果的に防止することができる。
【００５５】
なお，本発明は，これら実施の形態に限定されるものではなく，種々の態様を取り得るものである。例えば，気体供給管４０を処理容器３０の側方に接続してもよい。これにより，より容易にウェハＷの表面に対して平行に流通する気体４１を，処理容器３０内に供給することができる。また，基板は上記ウェハＷに限るものではなく，ＬＣＤ基板，ガラス基板，ＣＤ基板，フォトマスク，プリント基板，セラミック基板等でも可能である。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば，基板の上方空間の温度分布の均一をすることができるので，温度分布を乱す対流の発生を抑制でき，処理不良を防止することができる。従って，所期の加熱処理を達成することが可能となる。
【００５７】
そして本発明によれば，整流機構によってより好適に気流を整流することが可能である。
【００５８】
請求項４の発明によれば，装置の簡素化を実現でき，請求項５の発明によれば，基板の上方空間を，より確実に均一にすることができる。そして請求項６の場合には，気流を整序しやすく，特に請求項７の場合には，さらに整流された雰囲気とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかるプリベーキング装置を備えた現像塗布処理システムの平面図である。
【図２】図１の現像塗布処理システムの正面図である。
【図３】図１の現像塗布処理システムの背面図である。
【図４】本実施の形態にかかるプリベーキング装置の内部構造の断面図である。
【図５】本実施の形態にかかるプリベーキング装置の内部構造の平面図である。
【図６】整流通路が設けられた整流板の斜視図である。
【図７】第２の実施の形態にかかるプリベーキング装置の内部構造の断面図である。
【図８】発熱体が埋設された整流板の断面図である。
【図９】第３の実施の形態にかかるプリベーキング装置の内部構造の断面図である。
【図１０】図９のプリベーキング装置の要部拡大説明図である。
【図１１】第４の実施の形態にかかるプリベーキング装置の内部構造の断面図である。
【図１２】第５の実施の形態にかかるプリベーキング装置の内部構造の断面図である。
【図１３】第６の実施の形態にかかるプリベーキング装置の内部構造の平面図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
１７    プリベーキング装置
３０    処理容器
３３    載置台
３７    上方空間
４０    気体供給管
４１    気体
４２    ヒータ
４３    供給口
４４    整流板
４５    整流通路
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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