(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶インゴットからスライス切断された半導体ウエハを熱処理するための熱処理炉用の測温ウエハであって、
前記半導体ウエハの実ウエハから選ばれたウエハにより測温ウエハとしてのダミーウエハ(1)を構成し、
表面(1a)に点在する円形の凹部(2)を形成した前記ダミーウエハ(1)と、前記凹部(2)に対応する熱電対(4)とから成り、
前記凹部(2)の底部に直径方向に位置すると共に該凹部の周縁近傍に位置して貫通する一対の挿通孔(8)(8)を開設し、一対の熱電対素線(4b)(4b)のそれぞれを前記一対の挿通孔(8)(8)に挿通せしめることにより熱電対(4)の温接点部(4a)を凹部(2)の中心に配置せしめた状態で、該凹部(2)に充填した無機質の耐熱セメントから成る耐熱固着剤(9)により熱電対(4)を固定したことを特徴とする半導体ウエハ熱処理炉用の測温ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ熱処理炉用の測温ウエハに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハは、単結晶インゴットからスライス切断された後、面取、洗浄、乾燥、熱処理、研磨等の種々の処理工程を経て、最終製品となる。例えば、前記熱処理には、酸化膜等の均一な薄膜を形成するために行われるものであり、ＣＶＤ装置や、エピタキシャル装置等の熱拡散処理装置が用いられる。
【０００３】
そこで、半導体ウエハは、熱処理炉により熱処理を施されるが、このような熱処理炉としては、複数枚のウエハを水平姿勢にて上下に積層状に配列する水平型熱処理炉と、複数枚のウエハを起立姿勢にて列設する縦型熱処理炉とが知られている。何れの熱処理炉においても、複数枚のウエハに対して均一な熱処理を施す必要があるため、炉内の加熱ヒーターに対する制御が重要となる。例えば、半導体ウエハを収納する反応管内壁に熱電対を配設せしめ、反応管の内部温度を常時制御する技術や（特開平３−２７３６１９号）、ウエハを支持する支持部内に熱電対を配置し、ウエハの周辺温度が所定の適正値に保持されるようにヒーター温度を制御する技術（特開平４−２０６８１６号、特開平５−１３６０７１号）が公知である。
【０００４】
ところで、前述のような炉内の温度制御は、炉内に配置されたウエハの実際の温度に反映させることが必要なため、実ウエハ（半導体ウエハの製品となる真正ウエハ）を熱処理する前に、治具ウエハ（実ウエハと同種の疑似ウエハ）を炉内に配置し、治具ウエハの温度をシュミレーションすることにより、予め炉内のヒーターを制御することが好ましい。
【０００５】
このため、例えば、ウエハ内部に熱電対材料を埋設することにより特別に製作した治具ウエハ（特開昭６２−１６５３２５号）や、一対のウエハ間に熱電対材料をサンドイッチすることにより特別に製作した治具ウエハ（特開昭６２−１６５３３６号）や、石英ガラスにより形成すると共に内部に熱電対を埋設した治具ウエハ（実開平５−６３４０号）等が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前述のような治具ウエハは、実ウエハの温度分布をシュミレーションできるものでなければならないため、実ウエハと形状が同一且つ熱容量が等しくなるように設計される。然しながら、このような治具ウエハを特別に製作することは、必ずしも容易でない。
【０００７】
この点について、本発明者らが知見したところによると、単結晶インゴットからスライス切断することにより半導体ウエハ（実ウエハ）を製造し、各種熱処理が行われ、実ウエハとして製品化への加工が施されるわけであるが、前記熱処理炉の性能や形状等から、特に炉の入口部分近傍のウエハには十分な熱処理等が施されず、実ウエハとして使用できないウエハが発生する。そこで、本発明者らは、このような実ウエハとして使用できないウエハを利用すれば、実ウエハと同材質で且つ同一形状（同一肉厚、同一輪郭形状）のウエハを測温用ウエハ（以下ダミーウエハという）として簡単に得ることができ、しかも、前述のようなシュミレーションを行うために最も有利であることを知得した。
【０００８】
ところで、このようなダミーウエハを測温ウエハとして実用化するためには、該ダミーウエハに熱電対を設ける必要があるが、その際、解決すべき種々の課題がある。
【０００９】
例えば、ダミーウエハの表面に熱電対の温接点部を接着剤により接着固定する技術が考えられるが、この場合、ダミーウエハの表面は接着剤が肉盛り状となり、表面が平坦でなくなり接着剤による凸部を形成してしまうため、他の部分とは熱容量が異なるため、温度分布のシュミレーションのためには好ましくない。
【００１０】
また、２枚のダミーウエハの間に熱電対をサンドイッチ状に埋入固定する技術が考えられるが、この場合、加工が煩雑であるばかりでなく、熱電対の温接点部のみならず素線までもがウエハ間に挟まれるので、複数個所に温接点を設けることは極めて困難である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記ダミーウエハを使用すると共に、前述したような熱電対の取付けに伴う課題を解決した測温ウエハを提供するものであり、その手段として構成したところは、単結晶インゴットからスライス切断された半導体ウエハを熱処理するための熱処理炉用の測温ウエハであって、前記半導体ウエハの実ウエハから選ばれたウエハにより測温ウエハとしてのダミーウエハを構成し、表面に点在する円形の凹部を形成した前記ダミーウエハと、前記凹部に対応する熱電対とから成り、前記凹部の底部に直径方向に位置すると共に該凹部の周縁近傍に位置して貫通する一対の挿通孔を開設し、一対の熱電対素線のそれぞれを前記一対の挿通孔に挿通せしめることにより熱電対の温接点部を凹部の中心に配置せしめた状態で、該凹部に充填した無機質の耐熱セメントから成る耐熱固着剤により熱電対を固定した点にある。
【００１２】
前述の通り、ダミーウエハは、実ウエハと同形同材であることが好ましく、本発明によれば、実ウエハから選ばれたウエハにより測温ウエハとしてのダミーウエハが構成されている。
【００１３】
本発明によれば、一対の挿通孔は、凹部の直径方向に位置すると共に該凹部の周縁近傍に設けられている。
【００１４】
ダミーウエハの表面に点在する凹部は、ダミーウエハのほぼ中心に位置する凹部と、該ウエハに同心状に描かれる仮想の小径円上に所定間隔をあけて配置された複数の凹部と、該小径円と同心状に描かれる仮想の大径円上に所定間隔をあけて配置された複数の凹部を含むことが好ましい。
【００１５】
そこで、本発明によれば、一対の熱電対素線のそれぞれをダミーウエハの凹部に対して、前記一対の挿通孔に挿通せしめることにより熱電対の温接点部を凹部の中心に配置せしめた状態で、該凹部に無機質の耐熱セメントから成る耐熱固着剤を充填することにより、熱電対が固定される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づいて本発明の好ましい実施形態を詳述する。
【００１７】
図１において、ダミーウエハ１の表面１ａには、多数の凹部２が点在するように形成されている。例えば、ダミーウエハ１ａのほぼ中心に位置する凹部２ａと、該ウエハ１ａに同心状に描かれる仮想の小径円３Ｓ上に所定間隔をあけて配置された複数の凹部２ｂと、小径円３Ｓと同心状に描かれる仮想の大径円３Ｌ上に所定間隔をあけて配置された複数の凹部２ｃが形成されている。図例の場合、４個の凹部２ｂと４個の凹部２ｃがそれぞれ小径円３Ｓ及び大径円３Ｌ上に等間隔をあけて配置され、小径円３Ｓ上の凹部２ｂと大径円３Ｌ上の凹部２ｃを相互に円周に対して約４５度だけ位相をずらせて配置することにより、ダミーウエハ１の全体に対し凹部２ａ、２ｂ、２ｃが均等に分散され、後述する熱電対によりダミーウエハ１の全体にわたる温度分布を測定可能となるように構成している。
【００１８】
前記凹部２のそれぞれには熱電対４の温接点部が挿入され、該温接点部を凹部の底部に接触せしめた状態で、該凹部に耐熱固着剤を充填し、該耐熱固着剤中に温接点部を埋設している。それぞれの熱電対４の一対の素線４ｂ、４ｂは、コネクタ５に導かれ、そこで熱電対又は補償導線６に接続される。尚、温接点部から延びる熱電対の素線４ｂは、適宜、耐熱性の被覆材により被覆することが好ましい。
【００１９】
通常、半導体ウエハの熱処理炉は、炉内温度が８００〜１０００度Ｃであるため、樹脂系接着剤では炉内温度に耐え得ない。このため、前記耐熱固着剤は、無機質の耐熱セメントが好ましく、特に、シリカ及びアルミナを主成分とする耐熱セメントを用いれば、熱膨張率が低く耐剥離性に優れ、粘度が高いため乾燥が早く、しかも、約１６００度Ｃの耐熱温度を満足する。
【００２０】
ダミーウエハ１は、例えば、単結晶シリコンインゴットからスライス切断された直径２００mmφ、厚さ０．７６mmの円板状であり、前記凹部２は、ダミーウエハ１の表面を座ぐり加工することにより、直径３mmφ程度の円形凹部を構成する。そして、熱電対の温接点部を凹部２に埋没せしめ且つ凹部２の底部に接触せしめた状態で、該凹部２に耐熱固着剤が充填され固化せしめられる。この際、耐熱固着剤は、凹部２に充填されるのでダミーウエハ１の表面から大きく突出することはない。尚、充填された耐熱固着剤の表面とダミーウエハの表面を平坦とすることが好ましい。
【００２１】
（実施例）
図２は、凹部２と熱電対４の接続態様の実施例を示しており、凹部２の底部７には、相互に間隔をあけて貫通する一対の挿通孔８、８が開削により開設されている。凹部２を円形凹部に形成した図示実施例において、一対の挿通孔８、８は、凹部２の直径方向に位置し且つ凹部２の周縁近傍に設けられている。
【００２２】
そこで、熱電対４は、温接点部４ａを凹部２の底部７に接触せしめると共に、一対の素線４ｂ、４ｂのそれぞれをダミーウエハ１の表面１ａの側から一対の挿通孔８、８に挿入し、ダミーウエハ１の裏面１ｂの側に挿出せしめられ、この状態で凹部２に耐熱固着剤９が充填される。従って、該耐熱固着剤９が固化することにより、凹部２に対して熱電対４が固定され、固化した耐熱固着剤中に温接点部４ａが埋設される。
【００２３】
この実施例によれば、熱電対４を凹部２に埋没するに際し、先ず、一対の素線４ｂ、４ｂのそれぞれをダミーウエハ１の表面１ａの側から挿通孔８、８に挿入し、ダミーウエハ１の裏面１ｂの側に挿出せしめた後、該素線４ｂ、４ｂを挿出方向に引込めば、温接点部４ａが凹部２の底部７に確実に接支される。
【００２４】
しかも、熱電対４は、素線４ｂ、４ｂが引込まれる方向に対して、温接点部４ａの近傍部を凹部２に巻掛状に係止されているので、外力によりダミーウエハ１から脱落する虞れはない。
【００２５】
【発明の効果】
本発明によれば、単結晶インゴットからスライス切断された半導体ウエハを熱処理するための熱処理炉用の測温ウエハを提供するに際して、前記半導体ウエハの実ウエハから選ばれたウエハにより構成されたダミーウエハ１に多数の熱電対４を配設する構成であり、該ダミーウエハ１の表面１ａに点在する円形の凹部２の底部に直径方向に位置すると共に該凹部の周縁近傍に位置して貫通する一対の挿通孔８、８を開設し、一対の熱電対素線４ｂ、４ｂのそれぞれを前記一対の挿通孔８、８に挿通せしめることにより熱電対４の温接点部４ａを凹部２の中心に配置せしめた状態で、該凹部２に無機質の耐熱セメントから成る耐熱固着剤９を充填することにより、熱電対４を固定する構成であるから、次のような格別な効果を奏する。
【００２６】
（１）測温ウエハとしてのダミーウエハ１は、前記半導体ウエハの実ウエハから選ばれたウエハにより構成されているので、実ウエハと同材質で且つ同一形状（同一肉厚、同一輪郭形状）のものとされ、従って、上述のようなシュミレーションを行うために最も有利となる。
【００２７】
（２）そして、ダミーウエハ１に熱電対４を配設するに際して、ダミーウエハ１に形成した凹部２に一対の挿通孔８、８を形成し、該挿通孔８、８に一対の熱電対素線４ｂ、４ｂを挿通せしめる構成であるから、熱電対素線４ｂ、４ｂの引張り及び押込みの双方の外力に対して熱電対４を強固に固定し、温接点部４ａを凹部２の底部に係止できる利点があることは勿論であり、更に、この点に関して、特に本発明によれば、ダミーウエハ１が単結晶インゴットからスライス切断されたものでありながら、凹部２を円形に形成し、一対の挿通孔８、８を凹部２の底部の直径方向に位置し且つ該凹部２の周縁近傍に位置して貫通形成する構成としているので、前述のような熱電対４の配設構造と温接点部４ａの係止構造を良好に実現することができ、しかも、このような構成の凹部２に配設された熱電対４により良好な測温を可能にする。
【００２８】
（３）そして、熱電対４を固定するために凹部２に充填される耐熱固着剤９は、無機質の耐熱セメントにより構成されているので、熱膨張率が低く耐剥離性に優れ、粘度が高いため乾燥が早く、高温の耐熱温度を満足し、しかも、ダミーウエハ１の表面１ａに凸部を形成することがないので、ダミーウエハ１の温度分布を好適にシュミレーションすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１実施態様を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
【図２】本発明の実施例を示し、（Ａ）は凹部を示す平面図、（Ｂ）は凹部と熱電対を示す断面図、（Ｃ）は凹部に熱電対を植設した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１    ダミーウエハ
１ａ  表面
１ｂ  裏面
２    凹部
２ａ、２ｂ、２ｃ  凹部
４    熱電対
４ａ  温接点部
４ｂ  素線
７    凹部の底部
８    挿通孔
９    耐熱固着剤
【図１】
0003663035.tif 000002
【図２】
0003663035.tif 000003