(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸化ストロンチウム、有機系粘結剤、及び水酸化ストロンチウム以外のアルカリ土類金属水酸化物を用いて成形し、該有機系粘結剤は無水物換算で水酸化ストロンチウム１００重量部に対して０．１〜４０重量部、該水酸化ストロンチウム以外のアルカリ土類金属水酸化物は水酸化ストロンチウム１モルに対して０．０５〜１モルであり、有害なフッ素系ガスを含むガスと接触させ、該フッ素系ガスを除去する有害ガスの浄化剤。
【請求項２】
有機系粘結剤がポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、メチルセルロースおよびカルボキシメチルセルロースから選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の浄化剤。
【請求項３】
成形助剤として用いる水酸化ストロンチウム以外のアルカリ土類金属水酸化物が水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウムから選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の浄化剤。
【請求項４】
フッ素系ガスがフッ化水素、フッ素、六フッ化タングステン、四フッ化珪素、三フッ化硼素の少なくとも１種以上である請求項１に記載の浄化剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有害ガスの浄化剤に関し、さらに詳細には、フッ化水素、フッ素、六フッ化タングステン、四フッ化珪素、三フッ化硼素など、主として半導体製造工程などで使用された後、排出される有害ガス、特にフッ素原子を含むフッ素系ガスの浄化に用いる浄化剤に関する。
【０００２】
近年、半導体工業やオプロエレクトロニクス工業の発展とともにフッ化水素、フッ素、六フッ化タングステン、四フッ化珪素、三フッ化硼素などフッ素系ガスの種類および使用量が増加している。
これらのフッ素系ガスはシリコン半導体や化合物半導体製造工業などにおいて、結晶性シリコン、アモルファスシリコンあるいは酸化シリコン膜の膜成長、あるいは、エッチングガスとして不可欠な物質である。またこれらのフッ素系ガスは、半導体製造工程などでそのまま、あるいはヘリウム、アルゴン、窒素、水素などで希釈された状態で使用された後、そのまま、あるいはさらに窒素、空気などのガスで希釈された状態で排出されることから、そのガス濃度は一定していない。
そしてこれらのフッ素系ガスは、いずれも毒性が高く、人体および環境に悪影響を与えるので、これらフッ素系ガスを含む有害ガスは半導体製造工程などで使用された後、大気に放出するに先立って浄化する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】
従来、ガス中に含まれるフッ素系ガスを含めハロゲン系ガスを除去する手段として、スクラバー、スプレー塔、回転式微細気泡発生装置などを用い、これらのガスを水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液と接触させて吸収分解させる湿式法（特開昭６１−２０４０２２号公報、特開昭６２−１２５８２７号公報など）、およびマグネシウム、ナトリウム、カリウムの酸化物、炭酸塩などの吸着剤（特開昭６３−２３２８４４号公報、特開昭６０−６８０５１号公報）、あるいはソーダライムなどを有効成分とする浄化剤など固形状のものを充填筒に充填し、これらの有害ガスを流して浄化する乾式法が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、湿式法は一般的に後処理に困難性があり、装置が複雑で大型となるばかりでなく、設備、保守ともに多額の費用を要するという問題点がある。
一方、乾式法として、マグネシウム、ナトリウム、カリウムの酸化物、炭酸塩などの吸着剤が用いられるが、吸着剤単位容積当たりの除去能力が小さいという不都合がある。
また、亜鉛化合物とアルカリ金属化合物などを活性炭に含浸させた浄化剤も知られているが、その除去容量が必ずしも十分とはいえず、フッ素系ガス濃度が高かったり、処理ガス量が多い場合には、処理しきれないという問題点があるばかりでなく、活性炭を用いた浄化剤はフッ素など反応性の極めて高いガスの処理においては火災の危険性もある。
【０００５】
さらに、ソーダライムは上記の浄化剤よりは幾分処理量が大きいものの、浄化剤が乾燥したり、フッ素系ガス濃度が低濃度の場合には、除去能力が大幅に低下するという問題点がある。
従って、有害ガスが低濃度であり、しかも乾燥状態といった、半導体製造プロセスなどから排出されるような種々のフッ素系ガスに対して除去性能が優れ、浄化の際に火災などの危険性がなく、かつ、高い効率で除去できる浄化剤の出現が望まれていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、これらの問題点を解決するべく鋭意検討を重ねた結果、主成分として水酸化ストロンチウムに成形剤として有機系粘結剤を用いるとともに、成形助剤としてストロンチウム以外のアルカリ土類金属の水酸化物を用いて浄化剤とすることにより、フッ素系ガスの除去に対し、大きな浄化能力を有するとともに、乾燥した状態においても除去能力の低下することがなく、しかも、火災の恐れがない、優れた安全性を有することを見出し、本発明を完成した。すなわち本発明は、水酸化ストロンチウム、有機系粘結剤、及び水酸化ストロンチウム以外のアルカリ土類金属水酸化物を用いて成形し、該有機系粘結剤は無水物換算で水酸化ストロンチウム１００重量部に対して０．１〜４０重量部、該水酸化ストロンチウム以外のアルカリ土類金属水酸化物は水酸化ストロンチウム１モルに対して０．０５〜１モルであり、有害なフッ素系ガスを含むガスと接触させ、該フッ素系ガスを除去する有害ガスの浄化剤である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の浄化剤は、半導体プロセスから排出される排ガスなど、フッ素系ガスを含む有害なガスの浄化に適用される。
浄化の対象となる有害ガスとしては、窒素、アルゴン、ヘリウム、および空気などにフッ素系ガス、例えば、フッ化水素、フッ素、三フッ化硼素、六フッ化タングステンまたは四フッ化珪素などのフッ素系ガスの１種以上を含むガスである。
【０００８】
本発明において、浄化剤の主成分として水酸化ストロンチウムが用いられる。水酸化ストロンチウム［Ｓｒ（ＯＨ）2 ］は、例えば、塩化ストロンチウムと苛性ソーダとの反応によって製造することもできるが、８水和物などの形で純度９８％以上のもが市販されているので、通常はこれらの市販品を用いることができる。
水酸化ストロンチウムが８水和物の場合には、そのまま用いてもよいが、８０℃程度に加熱すると比較的容易に安定な１水和物が得られるので、この１水和物相当とした形で用いてもよく、また結晶水を含まない無水物を用いてもよい。
【０００９】
水酸化ストロンチウムは成形して浄化剤とされるが、成形に際しては成形性および成形強度を高めるなどの目的で、成形剤としてポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどの有機系の粘結剤をそれぞれ単独、あるいはこれらを併用して用いられる。成形剤の添加量は、水酸化ストロンチウムの結晶水量、成型条件などによって定められるが、水酸化ストロンチウムの無水物換算で１００重量部に対し、通常は０．１〜４０重量部、好ましくは０．５〜２０重量部である。
【００１０】
また、さらに成形性を高めるために、成形助剤としてストロンチウム以外のアルカリ土類金属の水酸化物が添加される。ストロンチウム以外のアルカリ土類金属の水酸化物は水酸化ストロンチウムの浄化能力を低下させることなく成形性を高められるほか、それ自身も浄化能力を有することから、好都合である。
さらにフッ素、フッ化水素のような除去対象の有害ガス種によっては、成型助剤として加えた水酸化ストロンチウム以外のアルカリ土類金属水酸化物が水酸化ストロンチウムと相乗効果を示すことから極めて好都合である。
それらのアルカリ土類金属としては、水酸化マグネシウム［Ｍｇ（ＯＨ）2 ］、水酸化カルシウム［Ｃａ（ＯＨ）2 ］、水酸化バリウム［Ｂａ（ＯＨ）2 ］などであり、通常はこれらの市販品を用いることができる。
【００１１】
これらのストロンチウム以外のアルカリ土類金属の水酸化物はそれぞれ単独で用いることもできるが、２種以上混合して用いてもよい。
水酸化ストロンチウムに対するストロンチウム以外のアルカリ土類金属の水酸化物との混合割合については、ストロンチウム以外のアルカリ土類金属の水酸化物の割合が多すぎる場合は浄化能力が低下すること、また少なすぎる場合は浄化能力が低下するとともに成形性も悪くなることから、水酸化ストロンチウムおよびストロンチウム以外のアルカリ土類金属の水酸化物合計量（以下Ｍと略記する）のモル比（Ｓｒ：Ｍ）で通常は１：０．０５〜１、好ましくは１：０．１〜０．５程度である。
【００１２】
本発明の浄化剤におけるフッ素系ガスの浄化能力は、浄化剤中の水分量によって影響されることが少なく、浄化剤中の水分が微量であっても浄化することができる。しかし、浄化能力をより高めるなどの目的で浄化剤に適量の水を含ませてもよい。その場合の水の含有量としては、水酸化ストロンチウムの水和物を構成している水分などを含め、成形調製後の含水率として、通常は３０重量％以下、好ましくは１５重量％以下とされる。
【００１３】
浄化剤を調製する方法には種々の方法があるが、例えば水酸化ストロンチウムとその他のアルカリ土類金属水酸化物を所定の割合で予備的に混合したものに、有機系粘結剤の水溶液を加えてかき混ぜ、得られたスラリーまたはケーキを押し出し成型し、適当な長さに切断して得られたペレットを乾燥機中で所定の水分量になるように乾燥して浄化剤とする方法、または、上記のようなスラリーまたはケーキを乾燥した後粉砕し、打錠成型する方法、あるいはスラリーまたはケーキを造粒機などを用いて、粒状に成型する方法などがある。
このほか、水酸化ストロンチウム、有機系粘結剤、ストロンチウム以外のアルカリ土類金属の水酸化物を所定割合で均一に混合し、成形できる方法であれば本発明の浄化剤の調製方法に適用することができる。
これらのうち成形性および形状、大きさの選択の容易さなどから押し出し成型によりペレット状とするのが一般的に好ましい。
【００１４】
成形体の大きさおよび形状には特に制限はないが、球形、円柱状、円筒形および粒状などが代表例として挙げられる。その大きさは球状であれば直径０．５〜１０ｍｍ、ペレット、タブレットなど円柱状であれば直径０．５〜１０ｍｍ、高さ２〜２０ｍｍ程度であり、粒状、破砕状など不定形のものであれば、ふるいの目の開きで０．８〜６ｍｍ程度のものである。
成形体を浄化筒に充填した場合の充填密度は通常は０．４〜２．０ｇ／ｍｌ程度のものである。
【００１５】
本発明の浄化剤は固定床の他、移動床、流動床として用いることも可能であるが、通常は固定床として用いられる。浄化剤は浄化筒内に充填され、フッ素系ガスを含有する有害ガスはこの浄化筒内に流され、浄化剤と接触させることにより、有害成分であるフッ素系ガスが除去される。
本発明の浄化剤が適応される有害ガス中に含まれるフッ素系ガスの濃度に特に限定はないが、一般的に半導体製造時に排出される数万ｐｐｍの高濃度から数ｐｐｍの低濃度まで浄化が可能である。
【００１６】
浄化筒はフッ素系ガスの濃度、浄化対象となる有害ガスの量、許容できる圧力損失などに応じて設計される。
浄化筒内の浄化剤の充填長はガスの流量および有害ガスの濃度などによって異なり一概に特定はできないが、実用上通常は５０〜１５００ｍｍ程度とされる。
浄化筒の内径は筒内を流れるガスの空筒基準線速度（ＬＶ）が０．１〜１５０ｃｍ／ｓｅｃ程度となるように設計される。
一般的にはこれらの条件は充填層の圧力損失、ガスの接触効率およびフッ素系ガスの濃度などによって定められる。
【００１７】
接触温度は通常は０〜９０℃、好ましくは室温付近の温度（０〜４０℃）で操作され、特に加熱や冷却を必要としない。なお、接触開始後は反応熱により、フッ素系ガスの種類、濃度などによっては温度が若干上昇することもあるが、活性炭など可燃物を使用していないため発火などの危険性はない。
接触時の圧力に特に制限はなく、通常は常圧で行われるが、０．５〜２ｋｇ／ｃｍ2 ａｂｓのような減圧乃至加圧下で操作することも可能である。
次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの例により限定されるものではない。
【００１８】
【実施例】
実施例１
水酸化ストロンチウム［Ｓｒ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏ］（純度９９％）２４８ｇを乾燥機中８０℃で１８時間乾燥することによって、乾燥水酸化ストロンチウム１３０ｇを得た。このものは１水和物に相当する重量であった。
この乾燥水酸化ストロンチウム１３０ｇに水酸化カルシウム（関東化学（株）製、試薬１級、）３５ｇを混合し（モル比、Ｓｒ：Ｃａ＝１：０．５）、これにポリビニルアルコール（ＰＶＡと略記、信越化学工業（株）製、ＰＡ−０５）８ｇを４８ｇの水に溶かした溶液を加えてかき混ぜた。得られたケーキを１．６ｍｍφのノズル板より押し出し、得られた成形物を切断して長さ３〜５ｍｍ程度のペレットとし、乾燥機中１００℃で約２４時間乾燥することによって１６０ｇの浄化剤Ａを得た。この浄化剤Ａの充填密度は０．６０ｇ／ｍｌであった。
また、浄化剤Ａの含水率を乾量式水分計（株式会社チノー製、ＣＺＡ１０００）で測定したところ、０．９重量％であった。
【００１９】
次に、この浄化剤Ａを内径４０ｍｍ、長さ２００ｍｍの石英ガラス製の浄化筒に１２５．６ｍｌ（充填長１００ｍｍ）充填し、これに六フッ化タングステンガスを１０００ｐｐｍ含有する窒素を２０℃、常圧下で２２６０ｍｌ／ｍｉｎ（空筒基準線速度ＬＶ＝３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で流通させ、破過までの時間を測定し、これより浄化剤１リットル当たりに対する六フッ化タングステンガスの除去量を求めた。
六フッ化タングステンガスの破過の検知は浄化筒出口ガスの一部をサンプリングし、フッ化物用の検知器（バイオニクス機器（株）製、ＴＧ−３７００）を用いて測定した。なお、六フッ化タングステンガスの検知下限界は０．６ｐｐｍである。浄化剤組成を表１に、浄化試験結果を表２に示した。
【００２０】
実施例２〜６
水酸化ストロンチウム［Ｓｒ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏ］２４７ｇに水酸化カルシウム３５ｇを混合し、これにポリビニルアルコール８ｇを４８ｇの水に溶かした溶液を加えてかき混ぜた。得られたケーキから実施例１と同様の方法で、１５８ｇの浄化剤Ｂを得た。この浄化剤Ｂの充填密度は０．５７ｇ／ｍｌであった。また、含水率は１．２重量％であった。
【００２１】
この浄化剤Ｂについて、実施例１と同様の方法で、六フッ化タングステン、四フッ化珪素、三フッ化ホウ素、フッ素、フッ化水素の浄化試験を行った。
それぞれのフッ素系ガスの供給濃度はいずれも１０００ｐｐｍで行った。また破過検知は浄化筒出口ガスの一部をサンプリングし、下記フッ化物用の検知器（バイオニクス機器（株）製）を用いて測定した。なお、それぞれのフッ素系ガスの検知下限界は下記の通りである
0003701741.tif 000002
浄化剤組成を表１に、浄化試験結果を表２に示した。
【００２２】
実施例７
水酸化ストロンチウム［Ｓｒ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏ］２４７ｇに水酸化カルシウム３５ｇを混合し、これにメチルセルロース（ＭＣと略記、関東化学（株）製）８ｇを４８ｇの水に溶かした溶液を加えてかき混ぜた。得られたケーキから実施例１と同様の方法で１６０ｇの浄化剤Ｃを得た。
この浄化剤Ｃの充填密度は０．５８ｇ／ｍｌであった。また、含水率は１．０重量％であった。
この浄化剤Ｃについて、実施例１と同様にして、六フッ化タングステンを１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化試験を行った。
浄化剤組成を表１に、浄化試験結果を表２に示した。
【００２３】
実施例８
水酸化カルシウムの添加量を７ｇに変えたほかは、実施例２と同様にして、１３５ｇの浄化剤Ｄを得た。
この浄化剤Ｄの充填密度は０．５５ｇ／ｍｌであった。また、含水率は１．２重量％であった。
この浄化剤Ｄについて、実施例１と同様にして、六フッ化タングステンを１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化試験を行った。
浄化剤組成を表１に、浄化試験結果を表２に示した。
【００２４】
実施例９
水酸化カルシウムに代えて水酸化マグネシウム［Ｍｇ（ＯＨ）2 ］（関東化学（株）製、試薬１級）５４ｇを用いたほかは、実施例２と同様にして、１８１ｇの浄化剤Ｅを得た。
この浄化剤Ｅの充填密度は０．６５ｇ／ｍｌであった。また、含水率は１．２重量％であった。
この浄化剤Ｅについて、実施例１と同様にして、六フッ化タングステンを１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化試験を行った。
浄化剤組成を表１に、浄化試験結果を表２に示した。
【００２５】
実施例１０
水酸化カルシウムに代えて、水酸化バリウム［Ｂａ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏ］（関東化学（株）製、試薬１級）８０ｇを用いたほかは、実施例２と同様にして、２０９ｇの浄化剤Ｆを得た。この浄化剤Ｆの充填密度は０．６８ｇ／ｍｌであった。また、含水率は１．３重量％であった。
この浄化剤Ｆについて、実施例１と同様にして、六フッ化タングステンを１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化試験を行った。
浄化剤組成を表１に、浄化試験結果を表２に示した。
【００２６】
実施例１１
水酸化ストロンチウム［Ｓｒ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏ］２４７ｇに水酸化カルシウム３５ｇ、水酸化マグネシウム５４ｇを混合し、これにポリビニルアルコール８ｇを４８ｇの水に溶かした溶液を加えてかき混ぜた。得られたケーキを実施例１と同様にして、２１５ｇの浄化剤Ｇを得た。この浄化剤Ｇの充填密度は０．６４ｇ／ｍｌであった。また、含水率は０．９重量％であった。
この浄化剤Ｇについて、実施例１と同様にして、六フッ化タングステンを１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化試験を行った。
浄化剤組成を表１に、浄化試験結果を表２に示した。
【００２７】
比較例１
粒径が３．５〜５．５ｍｍのソーダーライム（和光純薬（株）製、ソーダーライム２号）を窒素気流中、１００℃の乾燥噐にて２４時間乾燥させた。この乾燥ソーダーライムの充填密度は０．７８ｇ／ｍｌであり、含水率は１．０重量％であった。
この乾燥ソーダーライムを用い、実施例１と同様にして、六フッ化タングステンを１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化試験を行った。結果を表３に示した。
【００２８】
比較例２
粒度５〜８ｍｅｓｈのヤシガラ活性炭（ＢＥＴ法表面積で１２００ｍ2 ／ｇ）に水酸化ナトリウム水溶液を含浸させた後、窒素気流中、１００℃の乾燥器で２４時間乾燥させ、水酸化ナトリウム１０重量％担持の浄化剤Ｉを得た。この浄化剤Ｉの充填密度は０．６３ｇ／ｍｌであり、含水率は０．５重量％であった。
この浄化剤Ｉを用い、実施例１と同様にして、六フッ化タングステンを１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化試験を行った。結果を表３に示した。
【００２９】
【表１】
0003701741.tif 000003
【００３０】
【表２】
0003701741.tif 000004
【００３１】
【表３】
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【００３２】
実施例１２
水酸化ストロンチウム［Ｓｒ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏ］２６６ｇに水酸化カルシウム７４ｇを混合し、これにポリビニルアルコール８ｇを４８ｇの水に溶かした溶液を加えてかき混ぜた。得られたケーキを押し出し成型し、直径１．６ｍｍφ、長さ３〜５ｍｍ程度のペレットとし、乾燥器中１００℃で２４時間乾燥し、２０２ｇの浄化剤Ｊを得た。この浄化剤Ｊの充填密度は０．６ｇ／ｍｌであった。また含水率は０．９重量％であった。
この浄化剤Ｊについて、実施例１と同様の方法でフッ化水素を１０００ｐｐｍ含有する窒素について浄化試験を行った。浄化剤組成を表４に、浄化試験結果を表５に示した。
【００３３】
実施例１３
水酸化カルシウムの添加量を３７ｇに変えたほかは、実施例１２と同様にして１６０ｇの浄化剤Ｋを得た。この浄化剤Ｋの充填密度は０．５ｇ／ｍｌであった。また含水率は０．９重量％であった。
この浄化剤Ｋについて、実施例１と同様の方法でフッ化水素を１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化試験を行った。浄化剤組成を表４に、浄化試験結果を表５に示した。
【００３４】
実施例１４
水酸化ストロンチウム［Ｓｒ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏ］２６６ｇに水酸化カルシウム１４ｇを混合し、これにポリビニルアルコール６ｇを３６ｇの水に溶かした溶液を加えてかき混ぜた。得られたケーキを押し出し成型し、直径１．６ｍｍφ、長さ３〜５ｍｍ程度のペレットとし、乾燥器中１００℃で２４時間乾燥し、１３５ｇの浄化剤Ｌを得た。この浄化剤Ｌの充填密度は０．５７ｇ／ｍｌであった。また含水率は１．２重量％であった。
この浄化剤Ｌについて、実施例１と同様の方法でフッ化水素を１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化試験を行った。浄化剤組成を表４に、浄化試験結果を表５に示した。
【００３５】
実施例１５
水酸化ストロンチウム［Ｓｒ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏ］２６６ｇに水酸化カルシウム３．５ｇを混合し、これにポリビニルアルコール４ｇを２４ｇの水に溶かした溶液を加えてかき混ぜた。得られたケーキを押し出し成型し、直径１．６ｍｍφ、長さ３〜５ｍｍ程度のペレットとし、乾燥器中１００℃で２４時間乾燥し、１２０ｇの浄化剤Ｍを得た。  この浄化剤Ｍの充填密度は０．５８ｇ／ｍｌであった。また含水率は１．０重量％であった。
この浄化剤Ｍについて、実施例１と同様の方法でフッ化水素を１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化試験を行った。浄化剤組成を表４に、浄化試験結果を表５に示した。
【００３６】
実施例１６〜１９
実施例１２〜１５で調製した浄化剤Ｊ〜Ｍについて、実施例１と同様の方法でフッ素を１０００ｐｐｍ含有する窒素の浄化実験を行った。浄化剤組成を表４に、浄化試験結果を表５に示した。
【００３７】
比較例３
水酸化ストロンチウム［Ｓｒ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏ］２６６ｇに水酸化カルシウム１１１ｇを混合し、これにポリビニルアルコール１０ｇを４８ｇの水に溶かした溶液を加えてかき混ぜた。得られたケーキを押し出し成型し、直径１．６ｍｍφ、長さ３〜５ｍｍ程度のペレットとし、乾燥器中１００℃で２４時間乾燥し、２３５ｇの浄化剤Ｎを得た。この浄化剤Ｎの充填密度は０．５５ｇ／ｍｌであった。また含水率は１．２重量％であった。
この浄化剤Ｎについて、実施例１と同様の方法でフッ化水素の浄化試験を行った。浄化剤組成を表６に、浄化試験結果を表７に示した。
【００３８】
比較例４
水酸化ストロンチウム［Ｓｒ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏ］２６６ｇにポリビニルアルコール８ｇを４８ｇの水に溶かした溶液を加えてかき混ぜた。得られたケーキを押し出し成型し、直径１．６ｍｍφ、長さ３〜５ｍｍ程度のペレットとし、乾燥器中１００℃で２４時間乾燥し、１２０ｇの浄化剤Ｏを得た。この浄化剤Ｏの充填密度は０．４８ｇ／ｍｌであった。また含水率は１．２重量％であった。
なお、この浄化剤Ｏの調製において、押し出し成形時の形状保持性が悪かったほか、乾燥の過程で一部が粉化した。
この浄化剤Ｏについて、実施例１と同様の方法でフッ化水素の浄化試験を行った。浄化剤組成を表６に、浄化試験結果を表７に示した。
【００３９】
比較例５〜６
比較例３〜４で調製した浄化剤Ｎ〜Ｏについて、実施例１と同様の方法でフッ素の浄化実験を行った。浄化剤組成を表６に、浄化試験結果を表７に示した。
【００４０】
【表４】
0003701741.tif 000006
【００４１】
【表５】
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【００４２】
【表６】
0003701741.tif 000008
【００４３】
【表７】
0003701741.tif 000009
【００４４】
【発明の効果】
本発明の有害ガスの浄化剤は、フッ素系ガスの除去能力が大きく、六フッ化タングステン、フッ化水素、フッ素、四フッ化珪素などのフッ素系ガスを効率よく、しかも、安全に除去することができるので、半導体製造工程などから排出されるフッ素系ガスを含む有害ガスの浄化に優れた効果が得られる。