(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パターンを形成するためのガラス基板において、
液晶パターンを形成する面の反対側の面の複数部分に、各部分が接続されるようにして、単極型静電チャック上に十分な強度で固定できるように、アースを行うための導電性薄膜または半導体薄膜を形成することを特徴とする液晶表示基板。
【請求項２】
前記導電性薄膜または半導体薄膜が、光透過性であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空雰囲気を使用する製造装置（スパッタ装置、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｅ）装置など）内のテーブルに、静電チャックによる固定を可能とする液晶表示基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示パネルは、一般に大きな液晶基板から複数のパネルが得られるように製作される。この液晶基板には、例えば３００×４００ｍｍ、３６０×４６５ｍｍ、３７０×４７５ｍｍなどの大きさのものが用いられ、さらに大きな６５０×５５０ｍｍのものも使用され始めている。また、基板の厚みは、１．１ｍｍ、０．７ｍｍのものが主に使用されている。この液晶基板の構造は、一般に図７に示すように絶縁性のガラス基板１の一方の面に導電性、半導電性、絶縁性の各薄膜による液晶パターン２が形成されている。
【０００３】
この液晶基板の製造装置において、液晶基板をステージに固定する方法として、大気雰囲気中で使用される装置では、真空吸着が用いられる。図８は、この真空吸着によって液晶基板１１をステージ８に固定した状態の断面を示す。吸着穴８ａが設けられたステージ８の表面に液晶基板１１が載置され、外部真空源９によって減圧（−５００ｍｍＨｇ程度）されて、大気圧との差圧によって吸着される。しかし、真空雰囲気中での液晶基板のステージへの固定には、大気雰囲気中のように真空吸着を使用できない。
【０００４】
ところで、一般に真空雰囲気を用いるシリコンウェハーの製造装置では、シリコンウェハーの固定に、正・負の電荷間に働くクーロン力によって吸着固定する静電チャックを用いる。図９は、シリコンウェハー１２を静電チャック４に固定した状態を示す。静電チャック４上にシリコンウェハー１２が載置され、シリコンウェハー１２を接地する。そして外部電源６によって静電チャック電極５に電圧が印加されると、静電チャック表面に電荷が誘導され、静電気力によってシリコンウェハー１２が吸着固定される。
【０００５】
しかし、液晶基板に用いられているガラス基板は、シリコンウェハーのように半導電性でなく絶縁性であるため、静電気力による静電チャックでは十分な固定力を得ることができない。
【０００６】
図１０は、静電チャック４上に液晶基板１１が載置された状態を示し、液晶パターン２が接地されている。この状態で、外部電源６によって静電チャック電極５に電圧が印加されると、図１１に示すように静電チャック表面４ａに電荷（＋極性）が誘導され、この電荷によって液晶パターン２には誘導電荷（−極性）が発生する。しかし静電チャック表面４ａの電荷と液晶パターン２の誘導電荷とでは、ガラス基板１の厚さ（１．１ｍｍまたは０．７ｍｍ）を隔てており、十分な静電気力による固定力を得ることができない。また、ガラス基板１は絶縁物であり、静電チャック４と接する面に十分な電荷を発生させることができないため、静電チャック表面４ａとガラス基板１との間の誘導電荷による静電気力は期待できない。
【０００７】
このため、真空雰囲気を用いる液晶基板の製造装置では、図１２に示すように液晶基板１１をステージ１３に固定せずに載置するだけか、図１３に示すように器械的押さえ１４によってステージ１３に固定する。この器械的押さえ１４による固定の場合、ガラス基板１表面に形成する薄膜パターン２のため、液晶基板１１の周辺部のみを固定する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一般に液晶基板は平坦度が悪く、真空雰囲気中で成膜するスパッタ装置、ＣＶＤ装置などで、図１４、図１５に示すように、ステージ１３上に液晶基板１１を載置し、さらに温度を上昇させると、固定せずに載置しただけの状態や、器械的に周辺部のみをステージ１３に固定した状態では、液晶基板１１に反りを生じ、成膜時に対極との間で異常放電を生じやすい。さらに液晶基板の割れを生じる場合もある。
【０００９】
また今後、液晶基板の大型化、薄板化が進むと基板はさらに反り易くなる。このため、安定した成膜を行うためには、基板のステージへの固定の平坦度が重要であり、真空装置内での液晶基板の固定方法は重要な課題である。
【００１０】
そこで本発明は、上記従来の問題点を解消すべくなされたものであり、静電気力による静電チャックを用いて、真空装置内でもステージに十分な強度で固定できるように、液晶パターンを形成する面の反対側の面に、導電性薄膜または半導体薄膜を形成した液晶表示基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明の請求項１に記載の液晶表示基板は、液晶パターンを形成するためのガラス基板において、液晶パターンを形成する面の反対側の面の複数部分に、各部分面が接続されるようにして、単極型静電チャック上に十分な強度で固定できるように、アースを行うための導電性薄膜または半導体薄膜を形成することを特徴とする構成を有する。
【００１２】
本発明の請求項２に記載の液晶表示基板は、請求項１に記載の液晶表示基板を構成する手段において、前記導電性薄膜または半導体薄膜が、光透過性であることを特徴とする。
【００１３】
上記の構成によって、本発明の請求項１に記載の液晶表示基板は、液晶パターンを形成する面の反対側の面に、導電性薄膜または半導体薄膜を形成したので、静電チャックを用いて、真空装置内でもステージに十分な強度で固定できる。
【００１４】
本発明の請求項２に記載の液晶表示基板は、導電性薄膜または半導体薄膜が、光透過性であるので、後のパターン形成工程にて、背面露光が必要となった場合でも、導電性薄膜または半導体薄膜を除去する必要がない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１は本発明の実施の形態の液晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。ガラス基板１の一方の表面には液晶パターン２が形成され、対向する他方の面（裏面）全体にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜（導電性薄膜）３が形成されている。
【００１６】
図２は、本実施の形態の液晶表示基板１０を静電チャック４上に載置した状態を示し、ＩＴＯ膜３が接地されている。この状態で、外部電源６によって静電チャック電極５に電圧が印加されると、図３に示すように静電チャック電極５に印加された電圧によって、静電チャック表面４ａに電荷（＋極性）が誘導され、この電荷によってＩＴＯ膜３には反対の極性の誘導電荷（−極性）が発生する。このため、静電チャック表面４ａの電荷とＩＴＯ膜３の誘導電荷との間の静電気力で吸着力を生ずる。
【００１７】
次に図４に示す構成で、プッシュゲージ７を用いて、液晶表示基板１０と静電チャック４との吸着固定強度の測定を行った。液晶表示基板１０を静電チャック４上に載置して、ＩＴＯ膜３を接地し、外部電源６によって静電チャック電極５に電圧を印加し、プッシュゲージ７に力を加える。そして、液晶表示基板１０が動き始める最小のプッシュゲージの値（固定力）を測定した。その結果を表１に示す。
【００１８】
【表１】
0003625003.tif 000002
【００１９】
この測定結果から、静電チャックに与える電圧が１５０〜２００Ｖ程度で、製造工程にて必要な固定強度が得られる。さらに液晶表示基板１０が、ステージとしての静電チャック４に密着し、反りを生じなくなる。
【００２０】
本実施の形態の液晶表示基板１０は、裏面に形成する導電性薄膜としてＩＴＯ膜３を用いているので光透過性が高く、後のパターン形成工程にて背面露光が必要となった場合でも、ＩＴＯ膜３を除去せずに、そのまま処理を行うことができる。
【００２１】
また本実施の形態の液晶表示基板では、導電性薄膜としてＩＴＯ膜を用いたが、他の導電性薄膜または半導体薄膜でも、同様の吸着効果が得られる。また、裏面に形成する導電性薄膜または半導体薄膜は、真空装置を用いた製造工程後、除去しても良いし、残したまま液晶表示パネルとしても良い。
【００２２】
次に図５は、本発明の他の実施の形態の液晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。ガラス基板１の一方の表面には液晶パターン２が形成され、対向する他方の面に部分的にＩＴＯ膜３ａが形成されている例である。
【００２３】
次に図６は、液晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。ガラス基板１の一方の表面には液晶パターン２が形成され、対向する他方の面の周辺部にＩＴＯ膜３ｂが形成されている例である。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明の請求項１に記載の液晶表示基板は、液晶パターンを形成する面の反対側の面に、導電性薄膜または半導体薄膜を形成したので、静電チャックを用いて、真空装置内でもステージに十分な強度で固定できる。このため、スパッタ装置、ＣＶＤ装置などで、温度を上昇させて処理しても、液晶基板に反りを生じなくなり、その結果、成膜精度を向上させ、さらに成膜時に対極との間で異常放電を生じにくくなる。
【００２５】
本発明の請求項２に記載の液晶表示基板は、導電性薄膜または半導体薄膜が、光透過性であるので、後のパターン形成工程にて、背面露光が必要となった場合でも、導電性薄膜または半導体薄膜を除去する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の液晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。
【図２】本発明の液晶表示基板を静電チャック上に載置した状態を示す図である。
【図３】静電チャック表面と液晶表示基板の誘導電荷を示す図である。
【図４】プッシュゲージを用いた吸着固定強度測定の構成図である。
【図５】本発明の他の実施の形態の液晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。
【図６】  液晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。
【図７】液晶基板の構造を示す図である。
【図８】液晶基板をステージに吸着固定した状態の断面図である。
【図９】シリコンウェハーを静電チャックに固定した状態を示す図である。
【図１０】静電チャック上に液晶基板を載置した状態を示す図である。
【図１１】静電チャック表面と液晶基板に電荷が誘導された状態を示す図である。
【図１２】液晶基板をステージに載置した状態を示す図である。
【図１３】液晶基板を器械的にステージに固定した状態を示す図である。
【図１４】ステージ上の液晶基板の反りの状態を示す図である。
【図１５】ステージ上の液晶基板の反りの状態を示す図である。
【符号の説明】
１  ガラス基板
２  液晶パターン
３  ＩＴＯ膜（導電性薄膜）
４  静電チャック
５  静電チャック電極
６  外部電源
７  プッシュゲージ
１０  液晶表示基板
【図１】
0003625003.tif 000003
【図２】
0003625003.tif 000004
【図３】
0003625003.tif 000005
【図４】
0003625003.tif 000006
【図５】
0003625003.tif 000007
【図６】
0003625003.tif 000008
【図７】
0003625003.tif 000009
【図８】
0003625003.tif 000010
【図９】
0003625003.tif 000011
【図１０】
0003625003.tif 000012
【図１１】
0003625003.tif 000013
【図１２】
0003625003.tif 000014
【図１３】
0003625003.tif 000015
【図１４】
0003625003.tif 000016
【図１５】
0003625003.tif 000017