(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に液晶を滴下し、前記基板の液晶滴下面側を対向基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶注入を行う液晶表示装置の製造方法において、
前記２枚の基板の一方に形成された複数の柱状スペーサの支柱高さを測定し、
予め求めておいた、柱状スペーサの支柱高さと滴下すべき液晶量との関係に基づいて、測定された前記柱状スペーサの支柱高さから最適滴下量を予測し、
予測値に基づいて滴下液晶量を制御すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記最適液晶量の予測は、多面取り基板にあってはパネル形成領域毎に行うこと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記最適液晶量の予測は、前記２枚の基板の一方にメインシールを形成する工程と並行に行われること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記最適液晶量の予測は、前記液晶を滴下する基板ステージ上で行うこと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、滴下注入法を用いて２枚の基板間に液晶を封止する液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置のなかでも、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス型のカラー液晶表示装置はフラットパネルディスプレイの主流として注目され、高品質で大量生産できる製造方法が要求されている。
【０００３】
液晶表示装置の製造工程は大別すると、ガラス基板上に配線パターンや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子（アクティブマトリクス型の場合）等を形成するアレイ工程と、配向処理やスペーサの配置、及び対向するガラス基板間に液晶を封入するセル工程と、ドライバＩＣの取付けやバックライト装着などを行うモジュール工程とからなる。
【０００４】
このうちセル工程で行われるスペーサの配置プロセスでは、ビーズ状の多数の球状粒子を基板面に散布する方法と、球状粒子に代えて、対向するガラス基板の一方または双方に柱状スペーサを形成する方法のいずれかが用いられる。これらの方法で形成されるスペーサは、対向するガラス基板間のセルギャップ（セル厚）を一定に保つために用いられる。
【０００５】
また、液晶注入プロセスでは、ＴＦＴが形成されたアレイ基板と、それに対向してカラーフィルタ（ＣＦ）等が形成された対向基板とをシール剤を介して貼り合わせた後シール剤を硬化させ、次いで液晶と基板とを真空槽に入れてシール剤に開口した注入口を液晶に浸けてから槽内を大気圧に戻すことにより基板間に液晶を封入する方法（真空注入法）が用いられている。
【０００６】
それに対し近年、例えばアレイ基板周囲に枠状に形成したメインシールの枠内の基板面上に規定量の液晶を滴下し、真空中でアレイ基板と対向基板とを貼り合せて液晶封入を行う滴下注入法が注目されている。この滴下注入法は、従来の液晶表示パネルの製造に広く用いられてきた真空注入法と比較して、第１に液晶材料の使用量を大幅に低減できること、第２に液晶注入時間を短縮できること等から、液晶表示パネル製造のコストを低減し量産性を向上させる可能性を有しているため、液晶表示パネル製造工程での適用が強く望まれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
滴下注入法では、液晶滴下注入装置（ディスペンサ）を用いて所定量の液晶を基板上に滴下する。ところが、ディスペンサの滴下精度やセルギャップのばらつきにより、貼り合わせる２枚の基板間に封止される液晶量に過不足が生じるという問題がある。封止された液晶量が不足しているといわゆる気泡ができてしまう。また封止液晶量が多いと表示むらを生じる。これら気泡や表示むらを生じているパネルはいずれも不良品となる。
【０００８】
セルギャップを柱状スペーサで確保する方法では、基板上に数ミクロンの高さの樹脂製支柱を形成するため、基板間で支柱高さ（膜厚）にばらつきが生じ易い。基板間での支柱高さのばらつきが大きいと、ある基板用に設定した液晶滴下量を他の基板にそのまま適用すると、液晶量が多過ぎたり少な過ぎたりする事態を生じる。１枚のガラス基板から複数の液晶表示パネルを形成する多面取り用基板でも、各表示パネル形成領域間で支柱高さにばらつきを生じる可能性がある。このため、多面取りガラス基板内の最適液晶滴下量は各表示パネル形成領域毎に異なる場合が生じる。
【０００９】
また、セルギャップをビーズ散布により確保する方法では、大きさのほぼ揃った球状粒子が使用されるが、ビーズの散布数（散布密度）により貼り合わせる２枚の基板間に封止される最適液晶量が異なるので上記と同様に滴下液晶量の過不足が生じる場合がある。
【００１０】
本発明の目的は、滴下注入法において、基板毎に最適な滴下量で液晶を滴下できる液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上に液晶を滴下し、前記基板の液晶滴下面側を対向基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶注入を行う液晶表示装置の製造方法において、貼り合わせる２枚の基板間のセル厚を決定するために設けられた柱状スペーサの支柱高さを測定して前記２枚の基板間に封止される最適液晶量を予測し、予測値に基づいて滴下液晶量を制御することを特徴とする液晶表示装置の製造方法により達成される。
【００１２】
上記本発明の液晶表示装置の製造方法において、前記最適液晶量の予測は、多面取り基板にあってはパネル形成領域毎に行うことを特徴とする。
【００１３】
上記本発明の液晶表示装置の製造方法において、前記最適液晶量の予測は、前記２枚の基板の一方にメインシールを形成する工程と並行に行われることを特徴とする。
【００１４】
上記本発明の液晶表示装置の製造方法において、前記最適液晶量の予測は、前記液晶を滴下する基板ステージ上で行うことを特徴とする。
【００１５】
上記目的は、基板上に形成された柱状スペーサの支柱高さを測定する支柱高さ測定装置と、前記支柱高さ測定装置により測定された前記柱状スペーサの支柱高さに応じて液晶滴下量を制御して前記基板上に液晶を滴下する液晶滴下装置とを有することを特徴とするインラインプロセス装置によって達成される。
【００１６】
また、上記目的は、基板上に形成された柱状スペーサの支柱高さを測定すると共に、液晶を封止するためのシール剤を前記基板上に描画する支柱高さ測定及びシール描画装置と、前記支柱高さ測定及びシール描画装置により測定された前記柱状スペーサの支柱高さに応じて液晶滴下量を制御して前記基板上に液晶を滴下する液晶滴下装置とを有することを特徴とするインラインプロセス装置によって達成される。
上記本発明のインラインプロセス装置において、前記液晶滴下量の制御は、液晶の滴下回数、或いは滴下量を調整することにより行われることを特徴とする。
さらに、上記目的は、基板上に液晶を滴下し、前記基板の液晶滴下面側を対向基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶注入を行う液晶表示装置の製造方法において、前記２枚の基板の一方に形成された複数の柱状スペーサの支柱高さを測定し、予め求めておいた、柱状スペーサの支柱高さと滴下すべき液晶量との関係に基づいて、測定された前記柱状スペーサの支柱高さから最適滴下量を予測し、予測値に基づいて滴下液晶量を制御することを特徴とする液晶表示装置の製造方法によって達成される。
【００１７】
本発明によれば、滴下注入法を用いる液晶表示装置の製造方法において、柱状スペーサの支柱高さを測定し、その測定値に基づいて最適液晶量を滴下することができる。また、球状粒子を散布する場合は、その散布密度を測定してそれに基づいて最適液晶量を滴下することができる。したがって、本発明によれば、液晶表示パネル毎に最適な液晶量を滴下でき、液晶量の不足によるいわゆる気泡や液晶量の過多による表示むらをなくすことができ、安定した量産が可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製造方法を図１乃至図１１を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いるＣＦ基板の構成例であって、ＭＶＡ方式（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）液晶表示装置で用いられるＣＦ基板を示している。このＣＦ基板は、樹脂重ねによりブラックマトリクス（ＢＭ）を形成する際に、さらに突起構造を重ねてスペーサを兼ねる支柱を設けたスペーサレスＣＦの一例である。
【００１９】
図１（ａ）において、斜線を付した部分はそれぞれ色樹脂Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されてカラーフィルタとして機能する部分である。それ以外の部分は色樹脂が重ね合わされてブラックマトリクスＢＭとして機能する。その上に突起２０、２０ｃが形成される。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。図１（ｂ）より、ガラス基板２２上に色樹脂Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されるが、横方向の各画素間では２色の色樹脂が重ね合わされてブラックマトリクスＢＭが形成されている。また、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。格子点を除く部分は２色の樹脂が重ね合わされてブラックマトリクスＢＭとなっているが、格子点においては、３色の色樹脂が重ね合わされ、さらに、突起２０の一部である突起２０ｃが重ね合わされ、その部分が柱状スペーサ（支柱）として機能している。
【００２０】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いるフランジャーポンプ式のディスペンサの概略の構成について図２を用いて説明する。図２において、ディスペンサ３０は、中空の円筒形状の筐体３２を有しており、円筒形状の中心軸をほぼ鉛直方向に向けて使用するようになっている。筐体３２内には、円筒形状の中心軸に沿って細長い棒状のピストン３４が鉛直方向に移動可能に支持されている。ピストン３４の先端部は、筐体３２の鉛直下方端に設けられたノズル３６内方を移動することができるようになっている。筐体３２のノズル３６近傍の側壁の開口からは、液晶収納容器３８内の液晶が供給管４０を介して図示の矢印に沿ってノズル３６にまで流入できるようになっている。ノズル３６内に達した液晶は、ノズル３６でのピストン３４先端の移動量に依存してノズル３６から滴下するようになっており、外力を受けない限り液晶自身の表面張力によりノズル３６から吐出しないようになっている。
【００２１】
筐体３２内の空気室の側壁には、鉛直方向に離れて設けられた２つの空気流入口４２、４４が取り付けられている。ピストン３４には、空気室内を２つに分離する隔壁４６が固定されている。隔壁４６は、ピストン３４と共に、空気流入口４２、４４の間の空気室内壁を摺動することができるようになっている。したがって、隔壁４６は、空気流入口４２から空気室内に空気が流入すると鉛直下方に圧力を受けて下方に移動し、空気流入口４４から空気室内に空気が流入すると鉛直上方に圧力を受けて上方に移動する。これにより、ピストン３４を鉛直方向に所定量移動させることができるようになっている。
【００２２】
空気流入口４２、４４は、ポンプコントローラ４８に接続されている。ポンプコントローラ４８は、空気を吸入して所定のタイミングで空気流入口４２、４４のいずれかに空気を送り込むようになっている。
【００２３】
以上説明した構成のディスペンサ３０は、１ショット当り５ｍｇの液晶５０を滴下するようになっている。なお、この１ショット当りの液晶滴下量は、筐体３２上方に突出したピストン３４に固定されたマイクロゲージ５２を用いて、ピストン３４の鉛直方向の移動量を制御することにより調整するこができるようになっている。
【００２４】
次に、本発明の実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いる滴下注入法の概要を図３を用いて説明する。まず、図３（ａ）に示すように、例えば、ＴＦＴ等のスイッチング素子が形成されたアレイ基板６０の基板面上の複数箇所に、ディスペンサ３０（図示せず）から液晶６２を滴下する。次いで、表示領域内に共通（コモン）電極やカラーフィルタが形成され、表示領域外周囲に紫外線（ＵＶ）照射で硬化するＵＶシール剤６４が塗布された対向基板であるＣＦ基板６６を位置合わせしてアレイ基板６０に貼り付ける。この工程は真空中で行われる。次いで、貼り合わせた基板を大気中に戻すと図３（ｂ）に示すように、貼り合わされたアレイ基板６０とＣＦ基板６６間の液晶６２が大気圧により拡散する。次に、図３（ｃ）に示すように、シール剤６４の塗布領域（メインシール）に沿う移動方向６８でＵＶ光源７０を移動させながらＵＶ光７２をシール剤６４に照射し、シール剤６４を硬化させる。これにより、アレイ基板６０とＣＦ基板６６との間のセルギャップ（セル厚）が、図１で示した複数の突起２０ｃにより確保された液晶表示パネルができあがる。
【００２５】
ここで、セル厚と最適滴下量との関係は、例えば図４に示すようになっている。図４は、額縁部対角の長さが１５インチでセル厚が５μｍの液晶表示パネルについて示している。これ以降の各図においても当該液晶表示パネルを例にとって説明するものとする。図４は、横軸に液晶の滴下量（ｍｇ）をとって最適滴下量の範囲及び液晶量の過不足について示しており、図中ほぼ中央に示す２５０ｍｇが最適滴下量であることを示している。なお、当該液晶表示パネルでの滴下量マージン（最適滴下量の範囲）２００は、最適滴下量の±２．０％であり、２４５ｍｇ〜２５５ｍｇの範囲となる。滴下量が２４５ｍｇ以下の範囲２０２では液晶量が不足し、いわゆる気泡が生じて不良パネルとなる。また、滴下量が２５５ｍｇを超える範囲２０４では余分の液晶が周囲の額縁部分に押しやられ、額縁部分のセル厚の増加による表示むらが生じて不良パネルとなる。
【００２６】
図５は、液晶表示パネルの柱状スペーサの支柱高さと最適液晶量との関係を示している。図５において、横軸は支柱高さ（μｍ）を表し、縦軸は最適液晶量（ｍｇ）を表している。図５に示すように、支柱高さが５μｍを中心に±０．２μｍの範囲内でばらつくと、最適液晶量は２５０ｍｇを中心に±１０ｍｇの範囲内でばらつく。
【００２７】
図４との比較から分かるように、１５インチパネルの場合、セル厚が５μｍであると、最適滴下量の範囲は、支柱高さが５±０．１μｍの範囲内にある場合に得られる。実際、支柱高さのばらつきは同一ロットであればほぼ±０．１μｍ以内に収まっている。ところが、成膜条件などにより異なるロット同士の場合には、±０．２μｍのばらつきが生じ得る。また、１枚のガラス基板から複数のパネルを形成する多面取りの場合、ガラス基板上の各パネル形成領域に形成される柱状スペーサの支柱高さが各パネル形成領域間で±０．１μｍ程度相違することがあり得る。
【００２８】
支柱高さの相違に対する最適滴下量の範囲は例えば図６に示すようになる。図６の横軸は滴下量（ｍｇ）を表している。図６において、支柱高さが５μｍの場合の最適滴下範囲２１０は、２４５ｍｇ〜２５５ｍｇである。これは、図４に示した最適滴下量の範囲２００と同一である。これに対し支柱高さが４．９μｍの場合の最適滴下範囲２１２は２４０〜２５０ｍｇである。また、支柱高さが５．１μｍの場合の最適滴下範囲２１４は２５０〜２６０ｍｇである。
【００２９】
液晶の滴下量が支柱高さ５μｍ用に設定してあるとして、実際に液晶滴下する基板の支柱高さが、図６に示すように４．９μｍであったり５．１μｍであったりすると次のような問題が生じる。すなわち、最適滴下範囲２１２の基板に最大許容滴下量の２５０ｍｇを越える範囲（矢印２１６で示す）の液晶が滴下されると液晶過多が生じる。あるいは、最適滴下範囲２１４の基板に最小許容滴下量の２５０ｍｇより少ない範囲（矢印２１８で示す）の液晶が滴下されると液晶不足が生じる。
【００３０】
このように、支柱高さに対して滴下量が２．０％以上違うと不良が発生する。換言すれば、支柱高さが０．１μｍ違うとすれば、５μｍのセル厚に対し２％の狂いが生じる。セル厚が５μｍであると仮定して液晶の滴下量を固定してしまうと、基板毎の支柱高さのばらつきを吸収できるマージンが全くないためディスペンサ等の他の要素が原因で液晶滴下量がばらついたらパネル不良が生じてしまう。
【００３１】
そこで、本実施の形態では、図３を用いて説明した滴下注入工程において、柱状スペーサの支柱高さを予め測定し、測定値に基づいて液晶滴下量を制御できるようにしている。
【００３２】
図７は、支柱高さを測定する方法を例示している。図７は、１枚のガラス基板８０から２枚の液晶表示パネル８２を作製する２面取りの場合を示している。例えば柱状スペーサが形成された２枚のＣＦ基板８２を図示のようにＡ面、Ｂ面として、Ａ面とＢ面のそれぞれで、複数点（図示例では数字１〜数字５の５箇所）の支柱高さをレーザ変位計８４で測定して平均値を求める。なお、ＣＦ基板面は所定の配向処理等が既に施されている。
【００３３】
次に、配向処理後のＴＦＴ基板側には熱併用型のＵＶシール剤を塗布する。次いで、図７に示した方法で予め測定されたＣＦ基板側の支柱高さに基づいて、ＴＦＴ基板側に滴下する液晶の量を制御する。
【００３４】
液晶滴下には、図８に示すように、ディスペンサを２台用意する。一方のディスペンサ９０は、図２で説明したものと同一であり、１ショット当たり５ｍｇの液晶を滴下するように調整されている。他方のディスペンサ９２は、ディスペンサ９０と同一構造を有しているが、マイクロゲージ５２を調節して１ショット当たり２ｍｇの液晶を滴下するように調整されている。
【００３５】
図８に示すように、ＴＦＴ基板を形成するガラス基板９４も、ＣＦ基板形成用のガラス基板８０（図７参照）と同様に、２枚のＴＦＴ基板９６を得る２面取りの構成になっている。各ＴＦＴ基板形成する領域８２には、外周囲に枠状に塗布したＵＶシール剤によりメインシール９８が形成されている。
【００３６】
まず、ＵＶシール剤９８の枠内のＴＦＴ基板９６を形成する面上に、１ショット５ｍｇに調整したディスペンサ９０を用い、予め測定したＣＦ基板側に配置した柱状スペーサの支柱高さの平均値に基づいて所定量の液晶１００を滴下する。例えばＣＦ基板のできあがりの寸法測定（抜き取り）でＡ面が平均５μｍ、Ｂ面が平均５．１μｍの支柱高さを有している場合を例にとって説明する。
【００３７】
Ａ面に対向するＴＦＴ基板が形成される面では、標準としてディスペンサ９０により１ショット５ｍｇの液晶を５０ショット滴下する。例えば基板毎あるいは所定間隔での抜き取りにより柱状スペーサの支柱高さを測定し、０．１μｍの増減ばらつきで１ショット増加、もしくは１ショット減の制御をする。
【００３８】
Ｂ面に対向するＴＦＴ基板が形成される面では、標準としてディスペンサ９０により１ショット５ｍｇの液晶を５１ショット滴下する。例えば基板毎あるいは所定間隔での抜き取りにより柱状スペーサの支柱高さを測定し、０．１μｍの増減ばらつきで１ショット増加、もしくは１ショット減の制御をする。
【００３９】
ディスペンサ９０は滴下量について±１％のばらつきを有しているので、滴下量マージン内で滴下するには、図６で説明した支柱高さ毎の最適滴下範囲の中央部近くへ滴下量を制御しないと不良が発生する可能性がある。また、１ショットの滴下量設定値が大きくて微細な調整に不具合が生じる場合がある。そのような場合には、滴下量の少ないディスペンサ９２で調整分の液晶１０１を滴下して微調整する。
【００４０】
次いで、このようにして滴下量を制御したガラス基板同士を、図３（ｂ）で説明したように真空中で貼り合わせる。大気解放時面内が真空に保たれているため、差圧でギャップ形成が完了する。その後、シール剤９８にＵＶ光を照射して一次硬化し、次いでオーブンにて熱硬化を行う。貼り合わせた２枚のガラス基板の各面の所定位置をスクライブして切断することにより、２枚の液晶表示パネルが得られる。
【００４１】
なお、ディスペンサのショット数が、５０回と多いため滴下される液晶の総滴下量にばらつきがでる可能性がある。したがって、（１）必要な全重量または全体積に応じた液晶を予め定量後、全液晶を滴下する方法、または（２）パネルを重量計に設置して液晶をディスペンサで滴下しつつ、積算された重量の変化量をモニタして滴下量を決める方法を含めてもよい。
【００４２】
次に、図９乃至図１１を用いて、本実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いるインラインプロセス装置の構成例について説明する。図９は、支柱高さ測定とシール描画を並行して行う場合の装置構成を示している。
図９において、ＣＦ基板とＴＦＴ基板は、共に配向処理を終えて洗浄機１２５０、１２２に搬入されてそれぞれ洗浄される。洗浄されたＣＦ基板は、支柱高さ測定装置１２４に搬送される。洗浄されたＴＦＴ基板は、シール描画装置１２６に搬送される。
【００４３】
支柱高さ測定装置１２４は、例えばレーザ変位計を備えている。ＣＦ基板に形成された柱状スペーサの複数点の支柱高さが測定され、その平均値が支柱高さ測定結果として液晶滴下装置１２８に与えられる。一方、シール描画装置１２６は、図２に示したディスペンサと同様の構造・機能を有しており、ＵＶシール剤をＴＦＴ基板の外周囲に枠状に描画してメインシールを形成する。メインシールの形成されたＴＦＴ基板は、液晶滴下装置１２８に搬送される。
【００４４】
液晶滴下装置１２８は、図２に示したディスペンサを有し、ＣＦ基板での支柱高さの測定結果に基づく所定量の液晶をＴＦＴ基板のメインシール内に滴下する。次いで、ＣＦ基板とＴＦＴ基板は真空貼り合わせ装置１３０に搬送されて所定のセルギャップを保って貼り合わされ、ＵＶ硬化装置１３２にて硬化処理を受けた後下流装置へ搬送される。
【００４５】
次に、図１０を用いて本実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いるインラインプロセス装置の他の構成例について説明する。図１０は、支柱高さ測定とシール描画を同一の基板でほぼ同時に行う場合の装置構成を示している。図１０において、洗浄されたＣＦ基板は、支柱高さ測定及びシール描画装置１２５に搬入され、支柱高さの測定とシール描画がほぼ同時に行われる。シール描画は、基板面の起伏をレーザ変位計で監視しながら行われるので、当該レーザ変位計を支柱高さの測定にも用いるようにしている。したがって、洗浄されたＴＦＴ基板は、シール描画されることなくそのまま液晶滴下装置１２８に挿入される。この場合には、ＣＦ基板にシール描画が行われる。図１０の構成によれば、ＴＦＴ基板側のシール描画装置が省略できるので、装置の設置スペースを減らすことができる。
【００４６】
次に、図１１を用いて本実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いるインラインプロセス装置のさらに他の構成例について説明する。図１１は、支柱高さ測定と液晶滴下をほぼ同時に行う場合の装置構成を示している。図１１において、洗浄されたＣＦ基板は、支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９に搬送される。また、シール描画装置１２６でシール描画がなされたＴＦＴ基板も支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９に搬入される。
【００４７】
支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９は、ディスペンサに加え、支柱高測定用の小型のレーザ変位計が液晶滴下のＸＹステージに組み込まれている。したがって、支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９では、ＣＦ基板上の柱状スペーサの支柱高さの測定値に基づく所定量の液晶をＣＦ基板またはＴＦＴ基板に滴下する。図１１の構成によっても、装置の設置スペースを減らすことができる。
【００４８】
以上の過程で作製された液晶表示パネルは、支柱高さに応じて液晶量が決定されている。そのため、液晶の不足によるいわゆる気泡や過多によるギャップ不良は全く発生しないことになるので、極めて安定した表示品質を保つことができるようになる。また、製作日が異なるＣＦ基板を混在してプロセス上に流すことは、従来では不良の発生を意味していたが、本実施の形態によれば、その制約がなくなるだけでなく、同一ロット内での最適滴下量の変動や、多面取り用ガラス基板面内での最適滴下量の変動を全て吸収できるので、滴下注入法による液晶表示装置の量産に対応できるようになる。
【００４９】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
たとえば、上記実施の形態では柱状スペーサをＣＦ基板側に設けているが、それに限らずＴＦＴ基板側に設けてもよく、また、ＣＦ基板とＴＦＴ基板の双方に設けるようにしてもよい。
【００５０】
また、セル厚を柱状スペーサにより確保する例で説明したが、本発明はそれに限らず、片方基板にビーズを散布してセル厚を確保する方法にも同様に適用可能である。ビーズ散布の場合には、従来から他目的で測定しているビーズの散布密度を滴下量制御にフィードバックさせ、散布密度に基づいて所定量の液晶を滴下するようにすれば上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上の通り本発明によれば、液晶表示パネル毎に最適な液晶量を滴下できるので、いわゆる気泡や液晶過多によるギャップ不良をなくすことができ、安定した量産が可能となる。したがって、本発明によれは、滴下注入プロセスによる不良を低減させて、現行の真空注入プロセス並みの歩留りを達成できるようになる。また、滴下注入法の適用による工程の簡略化によるコスト低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いるＣＦ基板の構成例を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いるディスペンサの説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いる滴下注入法の説明図である。
【図４】最適滴下量の範囲と液晶量の過不足の説明図である。
【図５】支柱高さと最適液晶量との関係図である。
【図６】各種の支柱高さに対する最適滴下量の範囲の説明図である。
【図７】高さ測定の説明図である。
【図８】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いる滴下注入法における滴下量制御の説明図である。
【図９】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いるインラインプロセス装置の構成例を示す図である。
【図１０】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いるインラインプロセス装置の他の構成例を示す図である。
【図１１】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製造方法で用いるインラインプロセス装置のさらに他の構成例を示す図である。
【符号の説明】
２０、２０ｃ  突起
３０  ディスペンサ
３２  筐体
３４  ピストン
３６  ノズル
３８  液晶収容器
４０  供給管
４２、４４  空気流入口
４６  隔壁
４８  ポンプコントローラ
５０  液晶
５２  マイクロゲージ
６０  アレイ基板（ＴＦＴ基板）
６２  液晶
６４  ＵＶシール剤
６６  ＣＦ基板
６８  移動方向
７０  ＵＶ光源
７２ ＵＶ光
８０  ガラス基板
８２  パネル（ＣＦ基板）となる基板面
８４  レーザ変位計
９０、９２  ディスペンサ
９４  ガラス基板
９６  ＴＦＴ基板となる基板面
９８  ＵＶシール剤
１００、１０１  液晶
１２０、１２２  洗浄機
１２４  支柱高さ測定装置
１２５  支柱高さ測定及びシール描画装置
１２６  シール描画装置
１２８  液晶滴下装置
１２９  支柱高さ測定及び液晶滴下装置
１３０  真空貼り合わせ装置
１３２  ＵＶ硬化装置
【図１】
0003678974.tif 000002
【図２】
0003678974.tif 000003
【図３】
0003678974.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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