(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを複数枚積層状態に支持する支持台と、
積層状態の最上部に位置する半導体ウェーハの一側端面に係合して、その半導体ウェーハを横方向に押圧移動させる搬送部材と、
積層状態の２枚目以降に位置する半導体ウェーハの他側端面に当接して、それらの半導体ウェーハが横方向に移動されるのを規制する規制部材とを備え、
積層状態の最上部の半導体ウェーハが横方向に移動されるとき、上記搬送部材に設けられ、上から２枚目以降の半導体ウェーハの表面に液体を噴射するための第１の噴射手段、および、上記規制部材に設けられ、この移動する半導体ウェーハの裏面に液体を噴射するための第２の噴射手段の少なくともいずれか一方を設けた半導体ウェーハの搬送装置であって、
上記支持台の下方に液体を収容した収容槽を設け、この収容槽に上記半導体ウェーハを支持台ごと収容して、収容槽内の液体に各半導体ウェーハを浸漬可能とした半導体ウェーハの搬送装置。
【請求項２】
上記支持台は、半導体ウェーハを積層状態で支持するその上面に対する鉛直な線が、上記収容槽の鉛直線に対して所定角度傾斜して設けられた請求項１に記載の半導体ウェーハの搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体ウェーハの搬送装置、例えば半導体ウェーハを搬送する際に使用される半導体ウェーハの搬送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハは、円柱状の半導体インゴットを所定厚さにスライス加工することにより、平面円形の薄板状に形成される。半導体ウェーハの直径には４インチ、８インチ、１２インチ等のものがある。スライス加工された半導体ウェーハは、ラップ盤にてラップ処理を施された後、洗浄装置へ搬送され、ウェーハ表面に付着した遊離砥粒を洗浄除去する洗浄処理が施される。
【０００３】
従来、このように半導体ウェーハを装置間で搬送する場合には、次のような搬送方法を採る搬送装置が用いられていた。
（１）多数の棚を備えた多段バスケット内に半導体ウェーハを１枚ずつ分離して収容し、その多段バスケットを搬送装置に装着する。搬送装置はプッシャーを備えており、そのプッシャーが、多段バスケットの各棚と対応する位置へ順に移動し、各棚から半導体ウェーハを１枚ずつ取り出して搬送する。
（２）搬送装置の支持台の上面に、複数の半導体ウェーハを積層状態で載置する。搬送装置は吸着盤を備えており、その吸着盤が、支持台の最上部に位置する半導体ウェーハから順に１枚ずつ吸着して搬送する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、これらの従来のウェーハ搬送方法においては、次のような問題があった。
上記（１）においては、作業者が手作業により、多段バスケットの各棚に半導体ウェーハを１枚ずつ収容して搬送装置に装着する必要がある。そのため、作業が繁雑で時間がかかった。
上記（２）においては、積層状態の最上部に位置する半導体ウェーハの表面を吸着盤により吸着して搬送するため、この吸着搬送時に２枚目以降の半導体ウェーハが張り付いて、最上部の半導体ウェーハと同時に搬送されるおそれがあった。また、吸着盤により半導体ウェーハの表面を吸着するため、その半導体ウェーハの表面に吸着跡が残って汚損し、製品の品質が低下するおそれもあった。
【０００５】
この発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、以下の目的を有するものである。
（Ａ）半導体ウェーハを１枚ずつ容易かつ迅速に搬送することが可能な半導体ウェーハの搬送装置を提供する。
（Ｂ）上記（Ａ）において、搬送途中の半導体ウェーハの汚損を防止することが可能な半導体ウェーハの搬送装置を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、半導体ウェーハを複数枚積層状態に支持する支持台と、積層状態の最上部に位置する半導体ウェーハの一側端面に係合して、その半導体ウェーハを横方向に押圧移動させる搬送部材と、積層状態の２枚目以降に位置する半導体ウェーハの他側端面に当接して、それらの半導体ウェーハが横方向に移動されるのを規制する規制部材とを備え、積層状態の最上部の半導体ウェーハが横方向に移動されるとき、上記搬送部材に設けられ、上から２枚目以降の半導体ウェーハの表面に液体を噴射するための第１の噴射手段、および、上記規制部材に設けられ、この移動する半導体ウェーハの裏面に液体を噴射するための第２の噴射手段の少なくともいずれか一方を設けた半導体ウェーハの搬送装置であって、上記支持台の下方に液体を収容した収容槽を設け、この収容槽に上記半導体ウェーハを支持台ごと収容して、収容槽内の液体に各半導体ウェーハを浸漬可能とした半導体ウェーハの搬送装置を、その要旨とする。
【０００７】
【０００８】
請求項２に記載の発明は、上記支持台は、半導体ウェーハを積層状態で支持するその上面に対する鉛直な線が、上記収容槽の鉛直線に対して所定角度傾斜して設けられた請求項１に記載の半導体ウェーハの搬送装置をその要旨とする。
【０００９】
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の一実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
図１および図２に示すように、上面を開口した水槽１１は基台１２上に載置されている。水槽１１の上端開口の外周縁には溢水溝１３が形成されている。投入ステーション１４および搬送ステーション１５は水槽１１の上方に並設されている。所定厚さの半導体ウェーハ１６が複数枚積層された状態で、投入ステーション１４から搬送ステーション１５に投入される。洗浄装置１７は搬送ステーション１５の側方に隣接して設置されている。積層状態の半導体ウェーハ１６が１枚ずつ、搬送ステーション１５から洗浄装置１７に搬送される。
【００１１】
ブラケット１８は上記投入ステーション１４において、水槽１１の上端開口部付近に配設されている。ブラケット１８の上面には一対の第１ガイドレール１９が所定間隔をおいて平行に敷設されている。支柱２０は水槽１１の側部において基台１２上に立設されている。支柱２０の上端には一対の支持アーム２１が搬送ステーション１５側に向かって突設されている。
【００１２】
一対の昇降アーム２２は上記搬送ステーション１５において、支柱２０の側面に昇降可能に支持されている。これらの昇降アーム２２の水平腕部２２ａ上には一対の第２ガイドレール２３が取付板２４を介して、第１ガイドレール１９と同一間隔をおいて同一方向に延長配置されている。そして、この昇降アーム２２が図示しない昇降用モータ等を含む駆動機構により駆動されて昇降することとなる。この昇降アーム２２の昇降により、図１に示すように、第２ガイドレール２３が第１ガイドレール１９の延長線上に配置されるよう構成されている。
【００１３】
支持台２５は上記第１ガイドレール１９および第２ガイドレール２３上に移動可能に支持されている。支持台２５の一端上面には支持台２５を移動させるための操作ハンドル２６が突設されている。一対の位置決め部材２７は支持台２５の上面両側に突出配置されている。投入ステーション１４において、支持台２５上に複数枚の半導体ウェーハ１６を支持する際に、この位置決め部材２７により半導体ウェーハ１６が所定の積層状態に位置決め保持される。
【００１４】
検出レバー２８は、その中間部において支軸２９により、上記一方の昇降アーム２２の垂直腕部２２ｂに回動可能に取り付けられている。検出レバー２８の下端は、支持台２５の端部と係合可能に対応している。バネ３０は検出レバー２８の上端と昇降アーム２２との間に掛装されている。このバネ３０は検出レバー２８を図１の時計回り方向に回動付勢している。検出スイッチ３１は検出レバー２８の上端と対向するように、昇降アーム２２の垂直腕部２２ｂに配設されている。
【００１５】
そして、支持台２５上に積層状態で支持された半導体ウェーハ１６は、支持台２５の移動により、図１に鎖線で示す投入ステーション１４の位置から、同図に実線で示す搬送ステーション１５の位置に移動される。このとき、検出レバー２８が支持台２５と係合して図１の反時計回り方向に回動され、検出スイッチ３１から検出信号が出力されて、搬送ステーション１５への半導体ウェーハ１６の移動完了が検出される。
【００１６】
その後、図１および図２に鎖線で示すように、駆動機構により昇降アーム２２が水槽１１内に下降されて、支持台２５上の半導体ウェーハ１６が水槽１１中の水（純水）に浸漬される。これにより、半導体ウェーハ１６が湿潤されるとともに、各半導体ウェーハ１６の表裏面間に水が浸入して剥離性が高められる。
【００１７】
ブラケット３２は上記搬送ステーション１５において、一対の支持アーム２１の先端部間に架設されている。このブラケット３２には一対のガイド筒３３が所定間隔をおいて貫設されている。一対のガイドロッド３４はガイド筒３３に上下動可能に嵌挿されている。これら一対のガイドロッド３４の各下端には支持板３５が固定されている。ストップネジ３６は各ガイドロッド３４の上端に回動調節可能に螺合されている。このストップネジ３６がガイド筒３３の上端に係合することによって、支持板３５の下降位置が規制されるように構成されている。
【００１８】
昇降用シリンダ３７は上記ブラケット３２の上面に配設されている。この昇降用シリンダ３７のピストンロッド３８の下端がカップリング３９を介して支持板３５に連結されている。そして、この昇降用シリンダ３７が突出動作されたときには、ガイド筒３３とガイドロッド３４との案内作用により、支持板３５が下降されるとともに、昇降用シリンダ３７が没入動作されたときには、支持板３５が上昇されるように構成されている。
【００１９】
そして、この実施形態においては、図２に示すように、上記半導体ウェーハ１６の支持台２５を支持する昇降アーム２２、および搬送部材４５を支持する支持板３５の鉛直線Ｌ１が、上方に行くほど洗浄装置１７から次第に離間するように、水槽１１の鉛直線Ｌ２に対して所定角度傾斜されている。これにより、昇降アーム２２上の支持台２５に積層支持された半導体ウェーハ１６は、洗浄装置１７側ほど次第に高くなるように傾斜状態で配置されている。また、最上部に位置する半導体ウェーハ１６が後述する搬送部材４５により移動されるとき、水槽１１の上端開口縁から徐々に離間して斜上方へ搬送されるように構成されている。
【００２０】
エアセンサ４０は上記支持板３５の側下部に取付板４１を介して吊下支持されている。支持板３５が下降されるとき、このエアセンサ４０の下面から検出用エアが噴射される。そして、昇降用シリンダ３７により支持板３５が下降されたとき、図２に鎖線で示すように、このエアセンサ４０の下面が支持台２５上に積層支持されている最上部の半導体ウェーハ１６に近接配置される。これにより、エアセンサ４０の下面から噴出している検出用エアの背圧が変化して、支持台２５の下降位置が検出される。
【００２１】
一対のガイドロッド４２は上記昇降アーム２２上の第２ガイドレール２３と直交する方向へ延びるように、支持板３５の下面に一対のブラケット４３を介して平行に延長配置されている。移動体４４はガイドロッド４２に移動可能に支持されている。この移動体４４の下面にはブロック状の搬送部材４５が取り付けられている。そして、昇降用シリンダ３７により支持板３５が下降されたとき、図２に鎖線で示すように、この搬送部材４５が支持台２５上に積層支持されている最上部の半導体ウェーハ１６の一側端面に対向配置される。この搬送部材４５の刃ウェーハ１６に対する対向部分は、三角形状に切り欠かれて凹状に形成されている。例えばその切り欠き部分の頂角は１０５度に形成されており、半導体ウェーハ１６の側面（面取り面）に、この搬送部材４５の凹状の対向面が係合するものである。
【００２２】
移動用シリンダ４６は、上記支持台３５の下面にその軸線がこの下面と平行になるように固設されている。移動用シリンダ４６のピストンロッド４７の先端が移動体４４に連結されている。そして、図２に鎖線で示すように、搬送部材４５が最上部の半導体ウェーハ１６の一側端面に対向配置された状態で、この移動用シリンダ４６が没入動作されたとき、搬送部材４５が洗浄装置１７側に向かって移動される。これにより、搬送部材４５が最上部の半導体ウェーハ１６の側端面に係合して、その半導体ウェーハ１６が洗浄装置１７に向かって横方向に搬送移動される。
【００２３】
噴射手段を構成する第１噴射機構４８は上記搬送部材４５に内装されている。そして、搬送部材４５により最上部の半導体ウェーハ１６が洗浄装置１７に向かって横方向へ搬送移動されるとき、この第１噴射機構４８から２枚目以降の半導体ウェーハ１６の表面に向かって、液体としての純水が噴射される。これにより、２枚目以降の半導体ウェーハ１６が下方に押し付けられて、搬送中の半導体ウェーハ１６の裏面に張り付くおそれが抑制される。第１噴射機構４８は、所定圧の純水の供給源に連通された多数のノズルを備え、これらのノズルから下方に向かって純水を噴射可能に構成されている（図６参照）。
【００２４】
ブロック状の規制部材４９は上記支持台２５上の半導体ウェーハ１６と洗浄装置１７との間に位置するように、支持ロッド５０を介して、一方の支持アーム２１の側面に上下方向へ位置調節可能に支持されている。規制部材４９は、搬送部材４５に対しては半導体ウェーハ１６を間に挟んで略１８０度離間した位置に配設されている。そして、上記搬送部材４５により最上部の半導体ウェーハ１６が一側端面から押し付けられて、洗浄装置１７側に搬送移動されるとき、この規制部材４９が積層状態の２枚目以降に位置する半導体ウェーハ１６の他側端面に当接される。この上下位置の調節は、例えば支持ロッド５０の上端部の調節ネジにより行うことができる。これにより、２枚目以降のウェーハ１６が最上部のウェーハ１６の搬送に連れて横方向へ移動されないように規制される。この規制部材４９の半導体ウェーハ１６への当接・係合面は半導体ウェーハ１６の形状に対応して所定の曲率で湾曲して形成されている。また、この規制部材４９の上面は平坦に形成されており、この上面に最上部の半導体ウェーハ１６が移載可能に配設されることとなる。
【００２５】
噴射手段を構成する第２噴射機構５１は上記規制部材４９に内装されている。そして、搬送部材４５により最上部の半導体ウェーハ１６が洗浄装置１７に向かって横方向へ搬送移動されるとき、この第２噴射機構５１から搬送中の半導体ウェーハ１６の裏面に向かって、液体としての純水が噴射される。これにより、搬送中の半導体ウェーハ１６に浮遊力が付与されて、その半導体ウェーハ１６の搬送が円滑化されるとともに、半導体ウェーハ１６の裏面の汚れが除去される。また、第２噴射機構５１において、支持台２５に積層支持された半導体ウェーハ１６と隣接する部分からは、支持台２５の最上部の半導体ウェーハ１６と２枚目の半導体ウェーハ１６との間に水流が当たるように、所定角度で水が噴射されるように構成されている。これにより、最上部の半導体ウェーハ１６と２枚目の半導体ウェーハ１６との間に水が侵入して剥離性が高められ、最上部の半導体ウェーハ１６を２枚目以降の半導体ウェーハ１６から分離し易くなる。この第２噴射機構５１は、所定圧の純水の供給源に連通された多数のノズルを備え、これらのノズルから上方に向かって純水を噴射可能に構成されている（図５，図６参照）。
【００２６】
洗浄装置１７の外壁には挿入口５３が形成されている。そして、搬送部材４５により支持台２５上から１枚ずつ搬送移動されてくる半導体ウェーハ１６が、挿入口５３から洗浄装置１７内へ取り込まれて、表面に付着した遊離砥粒等の洗浄除去が行われるようになっている。
【００２７】
次に、上記のように構成された半導体ウェーハの搬送装置の動作について説明する。
さて、この半導体ウェーハの搬送装置を起動させると、図示しない駆動機構により昇降アーム２２が昇降されて、搬送ステーション１５の第２ガイドレール２３が投入ステーション１４の第１ガイドレール１９と同一高さ位置に配置される。この状態で、作業者が手作業により、図２に鎖線で示すように、投入ステーション１４において支持台２５上に複数枚の半導体ウェーハ１６を載置して、位置決め部材２７により積層状態に位置決め保持する。
【００２８】
次に、支持台２５を投入ステーション１４から搬送ステーション１５に移動させると、図３に示すように、積層状態の半導体ウェーハ１６が搬送ステーション１５に投入されて、水槽１１の上方に配設される。このとき、検出レバー２８が支持台２５と係合して回動され、検出スイッチ３１から検出信号が出力されて、搬送ステーション１５への半導体ウェーハ１６の移動完了が検出される。
【００２９】
このように、搬送ステーション１５への半導体ウェーハ１６の移動が完了すると、駆動機構により昇降アーム２２が水槽１１内に下降されて、図４に示すように、支持台２５上の半導体ウェーハ１６が水槽１１中の水に浸漬される。これにより、半導体ウェーハ１６が湿潤されるとともに、各ウェーハ１６間に水が浸入して剥離性が高められる。
【００３０】
その後、図５に示すように、駆動機構により昇降アーム２２が上昇されて、支持台２５上の半導体ウェーハ１６が水槽１１の水中から引き上げられる。また、昇降用シリンダ３７により支持板３５が下降されて、搬送部材４５が支持台２５上に積層支持されている最上部の半導体ウェーハ１６の一側端面に対向配置される。それとともに、エアセンサ４０の下面が支持台２５上の最上部の半導体ウェーハ１６に近接配置され、エアセンサ４０の下面から噴出している検出用エアの背圧の変化に基づいて、支持台２５の下降位置が検出される。
【００３１】
このとき、規制部材４９が積層状態の２枚目以降に位置する半導体ウェーハ１６の他側端面に対向配置され、その規制部材４９内の第２噴射機構５１から水が噴射される。第２噴射機構５１において、支持台２５に積層支持された半導体ウェーハ１６と隣接する部分からの水の噴射は、図５の矢印Ａに示す所定角度でなされる。そのため、支持台２５の最上部の半導体ウェーハ１６と２枚目の半導体ウェーハ１６との間に水流が当たる。これにより、最上部の半導体ウェーハ１６と２枚目の半導体ウェーハ１６との間に水が侵入して剥離性が高められ、最上部の半導体ウェーハ１６を２枚目以降の半導体ウェーハ１６から分離し易くなる。
【００３２】
そして、図６に示すように、移動用シリンダ４６の没入動作により、搬送部材４５が洗浄装置１７側に向かって移動され始める。これにより、搬送部材４５が最上部の半導体ウェーハ１６の一側端面に係合して、その半導体ウェーハ１６が洗浄装置１７に向かって横方向に搬送移動される。半導体ウェーハ１６は規制部材４９の上面に移載されることとなる。このとき、第２噴射機構５１から搬送中の半導体ウェーハ１６の裏面に向かって水が噴射される。これにより、搬送中の半導体ウェーハ１６に浮遊力が付与されて、その半導体ウェーハ１６の搬送が円滑化されるとともに、半導体ウェーハ１６の裏面の汚れが除去される。
【００３３】
また、最上部の半導体ウェーハ１６が一側端面から押し付けらて、洗浄装置１７側に搬送移動されるとき、規制部材４９が積層状態の２枚目以降に位置する半導体ウェーハ１６の他側端面に当接する。これにより、２枚目以降の半導体ウェーハ１６が最上部の半導体ウェーハ１６の搬送に連れて横方向へ移動されないように規制される。
【００３４】
さらに、搬送部材４５により半導体ウェーハ１６が洗浄装置１７に向かって搬送移動されるときには、その搬送部材４５内の第１噴射機構４８から２枚目以降の半導体ウェーハ１６の表面に向かって水が噴射される。これにより、２枚目以降の半導体ウェーハ１６が下方に押し付けられて、搬送中の半導体ウェーハ１６の裏面に張り付くことが防止される。
【００３５】
その後、図７に示すように、搬送部材４５により支持台２５上から搬送移動されてくる半導体ウェーハ１６は、挿入口５３から洗浄装置１７内へ取り込まれる。そして、この洗浄装置１７において、半導体ウェーハ１６の表裏面に付着している遊離砥粒等が洗浄除去される。
【００３６】
このように、半導体ウェーハ１６の搬送が終了すると、図８に示すように、移動用シリンダ４６の突出動作により、搬送部材４５が元位置に復帰移動される。その後、図４に示すように、駆動機構により昇降アーム２２が水槽１１内に下降されて、支持台２５上の半導体ウェーハ１６が水槽１１中の水に再び浸漬される。
【００３７】
以上のように、図４〜図８の動作が繰り返し行われることにより、支持台２５上に積層支持された半導体ウェーハ１６が、１枚ずつ洗浄装置１７に搬送移動されて洗浄処理される。
【００３８】
このように、本実施形態によれば、以下の作用および効果を得ることができる。
（ａ）作業者が手作業により、投入ステーション１４において支持台２５上に複数枚の半導体ウェーハ１６を載置して、位置決め部材２７により積層状態に位置決め保持する。このため、作業者の作業はごく簡単で時間もかからない。
【００３９】
（ｂ）支持台２５上に複数枚の半導体ウェーハ１６が積層支持された状態で、最上部に位置する半導体ウェーハ１６が、搬送部材４５により一側端面から押し付けられて横方向へ搬送移動されるようになっている。このとき、積層状態の２枚目以降に位置する半導体ウェーハ１６の他側端面には規制部材４９が当接されて、それらの半導体ウェーハ１６が最上部の半導体ウェーハ１６の搬送に連れて、横方向へ移動されるのを阻止するようになっている。このため、半導体ウェーハ１６を１枚ずつ確実に分離させた状態で、洗浄装置１７へ容易かつ迅速に搬送することができる。また、半導体ウェーハ１６の表面を吸着することなく、その一側端面を押し付けて移動させているので、半導体ウェーハ１６の表面に吸着跡等の汚損が生じることはなく、製品の品質が低下することを防止することができる。
【００４０】
（ｃ）規制部材４９の第２噴射機構５１において、支持台２５に積層支持された半導体ウェーハ１６と隣接する部分からは、支持台２５の最上部の半導体ウェーハ１６と２枚目の半導体ウェーハ１６との間に水流が当たるように、所定角度で水が噴射されるようになっている。このため、最上部の半導体ウェーハ１６と２枚目の半導体ウェーハ１６との間に水が侵入して剥離性が高められ、最上部の半導体ウェーハ１６を２枚目以降の半導体ウェーハ１６から分離し易くなる。その結果、積層状態の半導体ウェーハ１６を１枚ずつ確実に分離させて搬送することができる。
【００４１】
（ｄ）搬送部材４５により最上部の半導体ウェーハ１６が横方向に搬送移動されるとき、規制部材４９の第２噴射機構５１から搬送中の半導体ウェーハ１６の裏面に水が噴射されるようになっている。このため、搬送中の半導体ウェーハ１６に浮遊力が作用して、その半導体ウェーハ１６の搬送を円滑化することができるとともに、半導体ウェーハ１６の裏面の汚れを除去することができる。
【００４２】
（ｅ）搬送部材４５により最上部の半導体ウェーハ１６が横方向に搬送移動されるとき、搬送部材４５の第１噴射機構４８から２枚目以降の半導体ウェーハ１６の表面に水が噴射されるようになっている。このため、２枚目以降の半導体ウェーハ１６が下方に押し付けられて、その半導体ウェーハ１６が搬送中の半導体ウェーハ１６の裏面に張り付くことを防止することができる。したがって、積層状態の半導体ウェーハ１６を、１枚ずつより確実に分離させて、洗浄装置１７へ搬送することができる。加えて、液体により、２枚目の半導体ウェーハ１６の表面の汚れを除去することができる。
【００４３】
（ｆ）半導体ウェーハ１６の支持台２５を支持する昇降アーム２２、および搬送部材４５を支持する支持板３５の鉛直線Ｌ１が、上方に行くほど洗浄装置１７から次第に離間するように、水槽１１の鉛直線Ｌ２に対して所定角度傾斜されている。このため、昇降アーム２２上の支持台２５に積層支持された半導体ウェーハ１６は、洗浄装置１７側ほど次第に高くなるように傾斜状態で配置され、最上部に位置する半導体ウェーハ１６が搬送部材４５により移動されるとき、水槽１１の上端開口縁から徐々に離間するように斜上方へ搬送される。したがって、半導体ウェーハ１６が搬送移動の途中で、水槽１１の上端開口縁と干渉するおそれを防止することができる。
【００４４】
なお、この発明は、次のように変更して具体化することも可能である。
（１）図９に示すように、水槽１１内に水の噴射ノズル５４を設ける。そして、水槽１１中の水に浸漬された積載状態の半導体ウェーハ１６の側部へ向かって、各噴射ノズル５４から図９の矢印Ｂに示すように水を噴射させる。このようにすれば、各半導体ウェーハ１６間に水が侵入して剥離性がさらに高められる。なお、噴射ノズル５４を複数個設け、各噴射ノズル５４の位置を適宜に設定すれば、半導体ウェーハ１６の積載数が多い場合でも、各半導体ウェーハ１６に対して均等に水を噴射することができる。
（２）支持台２５に対する半導体ウェーハ１６の積層支持構成を適宜に変更する。
（３）支持台２５をシリンダ等の駆動手段により、投入ステーション１４と搬送ステーション１５との間で移動させるように構成する。
（４）半導体ウェーハ１６を搬送移動させるための搬送部材４５の形状構成および移動構成を適宜に変更する。
（５）２枚目以降の半導体ウェーハ１６の移動を規制するための規制部材４９の形状構成および支持構成を適宜に変更する。
（６）第１噴射機構４８および第２噴射機構５１から噴射される液体として、上記実施形態の水に代えて、洗浄液を含む液体を使用する。
（７）半導体ウェーハ１６を上記実施形態の洗浄装置１７とは異なる装置へ搬送する場合に適用する。
【００４５】
以上、各実施形態について説明したが、各実施形態から把握できる請求項以外の技術的思想について、以下にそれらの効果と共に記載する。
（ア）請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体ウェーハの搬送装置において、液体を収容した収容槽１１を備え、その収容槽に上記半導体ウェーハ１６を支持台２５ごと収容して、収容槽内の液体に各半導体ウェーハを浸漬した後に上記搬送部材４５による搬送を行う半導体ウェーハの搬送装置とする。
このようにすれば、積層された各半導体ウェーハが液体によって剥離しやすくなるため、半導体ウェーハを１枚ずつ搬送するのが容易になる。
【００４６】
（イ）上記（ア）に記載の半導体ウェーハの搬送装置において、上記支持台２５の鉛直線Ｌ１が、上記収容槽１１の鉛直線Ｌ２に対して所定角度傾斜している半導体ウェーハの搬送装置とする。
このようにすれば、支持台に積層支持された半導体ウェーハは傾斜状態で配置され、最上部に位置する半導体ウェーハが搬送部材により移動されるとき、半導体ウェーハが搬送移動の途中で、収容槽の上端開口縁と干渉するおそれを防止することができる。
【００４７】
ところで、この明細書において、発明の構成に係る部材は以下のように定義されるものとする。
（ａ）半導体ウェーハとは、シリコンウェーハ・ガリウムヒ素ウェーハだけでなく、清浄な状態で１枚ずつ搬送する必要のある半導体ウェーハ全般を含むものである。
（ｂ）液体とは、水（純水）だけでなく、洗浄液を含むものとする。
【００４８】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、半導体ウェーハを１枚ずつ容易かつ迅速に搬送することが可能な半導体ウェーハの搬送装置を提供することができる。
すなわち、支持台上に半導体ウェーハが複数枚積層した状態で支持される。その後、積層状態の最上部に位置する半導体ウェーハの一側端面に搬送部材が係合され、その搬送部材により最上部の半導体ウェーハが横方向に押圧移動される。このとき、積層状態の２枚目以降に位置する半導体ウェーハの他側端面には規制部材が当接されて、それらの半導体ウェーハが最上部の半導体ウェーハとともに、横方向へ移動されないように規制される。このため、積層状態の半導体ウェーハを１枚ずつ確実に分離させた状態で搬送することができる。また、半導体ウェーハの表面を吸着することなく、その一側端面を押し付けて移動させているので、半導体ウェーハの表面に吸着跡等の汚損が生じることはない。
【００４９】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果をさらに高めることが可能であり、加えて、搬送途中の半導体ウェーハの汚損を防止することが可能な半導体ウェーハの搬送装置を提供することができる。
【００５０】
請求項１に記載の発明によれば、搬送部材により最上部の半導体ウェーハが横方向に移動されるとき、規制部材から搬送中の半導体ウェーハの裏面に液体が噴射される。このため、搬送中の半導体ウェーハに浮遊力が作用して、半導体ウェーハの搬送を円滑化することができる。加えて、液体によって半導体ウェーハの裏面の汚れを除去することができる。
【００５１】
請求項１に記載の発明によれば、搬送部材により最上部の半導体ウェーハが横方向に移動されるとき、搬送部材から２枚目以降の半導体ウェーハの表面に液体が噴射される。このため、２枚目以降の半導体ウェーハが下方に押し付けられて、その半導体ウェーハが搬送中の半導体ウェーハに張り付くのを防止することが可能になり、半導体ウェーハの搬送を円滑化することができる。加えて、液体により、２枚目の半導体ウェーハの表面の汚れを除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の一実施形態の部分破断正面図である。
【図２】  この発明の一実施形態の部分破断側面図である。
【図３】  この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図４】  この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図５】  この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図６】  この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図７】  この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図８】  この発明の一実施形態の動作を説明するための説明図である。
【図９】  この発明の別の実施形態の動作を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１１…収容槽としての水槽、
１６…半導体ウェーハ、
２５…支持台、
４５…搬送部材、
４８…第２の噴射手段としての第１噴射機構、
４９…規制部材、
５１…第２の噴射手段としての第２噴射機構。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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