(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源から引き出されたイオンビームを、質量分析磁石で質量分析すると共に軌道を偏向させた後に、後段で加減速する加減速機構を持つイオン注入装置において、
質量分析磁石と加減速機構との間に偏向装置を付加し、偏向装置の作用時および非作用時の両方において、ウエハ基板入射手前の一定区間の最終的なビーム軌道が一致するように、偏向装置の作用方向角度を定めて配置したことを特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】
前記加速減速機構のビーム軌道上の下流側に、エネルギーコンタミネーションを起こす不要な粒子を除去するための分離スリットを設けたことを特徴とする請求項１のイオン注入装置。
【請求項３】
前記偏向装置の偏向平面が、前記質量分析磁石の偏向平面と同一平面上になるようにしたことを特徴とする請求項１のイオン注入装置。
【請求項４】
前記偏向装置による偏向を電場を使用して行うことを特徴とする請求項１のイオン注入装置。
【請求項５】
前記偏向装置による偏向を電磁石による磁場を使用して行うことを特徴とする請求項１のイオン注入装置。
【請求項６】
前記加減速機構により加減速を行わない場合において、前記偏向装置を作用させない状態においても、イオンビームがウエハー基板まで輸送されるようビーム軌道を構成したことを特徴とする請求項１のイオン注入装置。
【請求項７】
前記ウエハ基板入射手前の一定区間の最終的なビーム軌道が一致するように、前記偏向装置を３段に構成して、偏向動作を３段階実施するようにしたことを特徴とする請求項１のイオン注入装置。
【請求項８】
前記偏向装置を２段で構成して、イオンビームを本来のビーム軌道からずれた軌道で質量分析磁石から出すことで予備偏向を行うことを特徴とする請求項１のイオン注入装置。
【請求項９】
前記ビーム軌道のずれは、前記質量分析磁石の設定磁場を通常より弱くもしくは強く設定することにより行われることを特徴とする請求項８のイオン注入装置。
【請求項１０】
前記質量分析磁石はイオン軌道を９０度前後偏向させる形式であり、第１段の偏向装置は、質量分析磁石の直後に置き、最終段の偏向装置は前記加減速機構である後段電極部の直前に配置するよう構成したことを特徴とする請求項１のイオン注入装置。
【請求項１１】
前記加減速機構の直前に、質量分析スリットを設けたことを特徴とする請求項２のイオン注入装置。
【請求項１２】
前記加減速機構の直前に、質量分析スリットを設け、加減速機構から適宜間をあけて、前記分離スリットを設けたことを特徴とする請求項２のイオン注入装置。
【請求項１３】
前記質量分析スリットは質量分析磁石を経たビームの収束点と略一致させるよう構成したことを特徴とする請求項１１のイオン注入装置。
【請求項１４】
イオン源と、イオン源から引き出されたイオンビームを質量分析する質量分析磁石と、質量分析された所望のイオンのみを通過可能にした質量分析スリットと、質量分析スリットを通過したイオンが導かれるウエハー処理室とを有するイオン注入装置において、
質量分析磁石と質量分析スリットとの間に設けられた第１の領域と、
質量分析スリットとウエハー処理室との間に設けられた第２の領域と、
第１の領域内に設けられ、かつ質量分析されたイオンビームを所定のビーム軌道を通過するように偏向させる偏向装置と、
前記質量分析スリットの直後の第２の領域内に後段電極部を設け、
前記第１の領域内で発生し、前記偏向装置および後段電極部を通過したイオンビームから上記ビーム軌道からずれたエネルギーコンタミネーションを起こす不要な粒子を除去するための分離スリットを第２の領域内に設けたことを特徴とするイオン注入装置。
【請求項１５】
前記偏向装置は、前記質量分析スリットに隣接して設けられていることを特徴とする請求項１４に記載のイオン注入装置。
【請求項１６】
前記質量分析スリットは、前記後段電極部とともに質量分析された所望のイオンを加減速させる機能をも有することを特徴とする請求項１４に記載のイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン注入装置に関する。特に、シリコンウェハー等にイオンを注入するためのイオン注入装置において、所望のエネルギー以外のエネルギーを持つイオンの混入（エネルギーコンタミネーション）の無いイオンビームを得ることが可能なイオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近のイオン注入では、半導体デバイスの微細化に伴い、注入深さを浅くするために、イオンエネルギーの低エネルギー化が進んでいる。
【０００３】
しかし、低エネルギー領域では、イオンソースからの引き出し電圧が低くなることによる引き出し効率の低下と、イオンビーム自身の電荷でお互いが反発してイオンビームが広がってしまうこと（空間電荷効果）による輸送効率の低下のため、十分なイオンビーム電流が取れないという問題があった。
【０００４】
そのため、比較的高い引き出し電圧でイオンソースから引き出し、そのエネルギーのままイオンを質量分析・輸送し、ターゲットであるシリコンウェハー近傍 で逆電圧をかけることにより、イオンを減速（後段減速：ディセル）し、所望の低エネルギーを得る方法が用いられている。
【０００５】
この減速による方法では、より高いイオン電流を得られるという利点がある反面、質量分析後から減速位置までの区間においてイオンが残留ガスと作用して電荷を失い中性粒子となった場合には、減速用の逆電界の作用を受けないため、減速前に持っているエネルギーのままで注入される。そのため、所望の低エネルギーイオンとは異なるエネルギーを持つイオンが混入することが知られている。
【０００６】
また、逆に、より高エネルギーのイオンビームを得るために、質量分析後に再度、順電界をかけてイオンを加速する（後段加速：ポストアクセル）タイプのイオン注入装置においても、質量分析後から後段加速位置までの区間においてイオンが残留ガスと作用して電荷を失い中性粒子となった場合には、加速用の順電界の作用を受けないため、加速前に持っているエネルギーのままで注入される。
【０００７】
反対に、同区間においてイオンが残留ガスと作用してさらに電子を失い、より価数の高いイオンとなった場合には、加速用の順電界の作用を価数倍受けるため、所望のエネルギー以上に加速されて注入される。
【０００８】
このように後段加速の装置においても所望のエネルギーイオンとは異なるエネルギーを持つイオンが混入するエネルギーコンタミネーションが起こるのである。
【０００９】
ここで、後段減速あるいは後段加速を用いるイオン注入装置の一般的構成を図４に示す。
【００１０】
図４において、イオンソース４１から引き出されたイオンビームは質量分析磁石４２とその後にある質量分析スリット４３とにより質量分析され、必要なイオン種だけが選別される。すなわち、質量分析磁石４２を通過した直後（Ａ点）では、所望のイオンのみが質量分析スリット４３を通過できる軌道上にある。また、Ａ点での所望のイオンのエネルギーはイオンソース４１の引き出し電圧とイオンの価数のみで決まるため均一である。
【００１１】
質量分析スリット４３を通過後、イオンは後段電極部４４で後段減速または後段加速される。減速されるか加速されるかは、後段電極部４４に印加される電界の向きによって決まる。逆電界であれば減速、順電界であれば加速である。
【００１２】
一般に質量分析スリット４３は、後段電極部４４の上流側近傍に置かれることが多いが、後段電極部４４の電極の一部で質量分析スリット４３の機能を兼用させる場合も多い。
【００１３】
具体的な例として、ボロンの１価のイオン(B+)を、後段減速を用いて0.5keVのエネルギーでウエハー処理室４５内のシリコンウェハー４６に注入する場合を説明する。
【００１４】
この場合、１keV以下の低い引き出し電圧でイオンソース４１からイオンを引 き出して、後段減速せずそのまま注入する第一モード（ドリフトモード）と、ある程度の電圧、例えばｎkeVで引き出し、後段減速部４４で減速電界をかけ、最 終的に１keV以下のエネルギーのイオンにする第二モード（ディセルモード）と がある。
【００１５】
第一モードでは、引き出し電圧が低いために引き出し効率が良くないのと、空間電荷効果によるビームの発散のために輸送効率が高くないので、ビーム電流は少なくなる。エネルギーコンタミネーションが起こらない反面、ビーム電流が少ないことにより、目的の注入量を得るためには、注入時間が長くかかるという問題がある。
【００１６】
第二モードは、引き出し電圧を高くして、第一モードよりも電流を増やそうという方法である。例えば、イオンソース４１から数〜１０keVで引き出した場合 、後段電極部４４までは、数〜１０keVのイオンとして輸送し、後段電極部４４ で１／２〜１／１０のエネルギーとなるように減速電界をかけ、最終的に１keV 以下のイオンビームを得る。
【００１７】
しかし、質量分析磁石４２を通過後（Ａ点）から減速位置までの区間（図４の区間Ｂ）において、そのごく一部のイオンがわずかに存在している残留ガスと作用して、電荷を失い中性粒子となってしまうことがある。そうすると、そのごく一部のイオンの中性粒子化したものは、その減速用の逆電界の作用を受けないため、減速前に持っている数〜１０keVのエネルギーのままで注入される。そのた め、所望の１keV以下ボロンだけでなく、数〜１０keVのボロンも注入されてしまうことになる。
【００１８】
このように、ディセル作用の第二モードでは、第一モードよりもビーム電流値が多く取れ、その分、注入時間が短くて済むという利点がある反面、所望のエネルギーでない粒子の混入（エネルギーコンタミネーション）が起こるという問題がある。
【００１９】
ビーム電流をできるだけ高くするという観点からは、減速比（減速後のエネルギーに対する減速前のエネルギーの比）はできるだけ高いほうが良いが、減速比が高くなればなるほどエネルギーコンタミネーションの量も増えるというのが、一般的傾向である。
【００２０】
図５は、ディセル作用の第二モードでエネルギーコンタミネーションが起こった典型的な例として、注入粒子の深さ分布を第一モードとディセル作用の第二モードで比較したものである。
【００２１】
ディセル作用の第二モードでの注入粒子の深さ分布には、減速前のエネルギーの高い粒子の成分が入っているのが分かる。
【００２２】
後段加速、後段減速のある装置で、エネルギーコンタミネーションをなくす方法としては、後段の加減速機構のビーム軌道上の下流側に、電場あるいは磁場で再度偏向させる機構を配置する方法がある。この方法は、特に後段加速の装置においては従来より広く用いられている方法である。この従来技術の構成を図６に模式的に示す。
【００２３】
図６において、イオンソース６１から引き出されたイオンビームは質量分析磁石６２とその後にある質量分析スリット６３とにより質量分析され、必要なイオン種だけが選別される。すなわち、質量分析磁石６２を通過した直後（Ａ点）では、所望のイオンのみが質量分析スリット６３を通過できる軌道上にある。質量分析スリット６３を通過後、イオンは後段電極部６４で後段減速または後段加速される。
【００２４】
このような構成の下、区間Ｂでイオン価数が変化し、加減速機構である後段電極部６４で所望のイオンとは異なるエネルギーになったイオンあるいは中性粒子は、下流の偏向装置６７で分離され、所望のエネルギーを持つイオンのみが、所望のイオンビーム軌道６８を通って、ウェハー処理室６５内のウエハー基板６６に導かれる。ここで、軌道６９ａは、価数が増えたイオンのビーム軌道（偏向が異なる）を示し、軌道６９ｂは、中性化した粒子のビーム軌道（偏向されない）を示す。
【００２５】
これらの従来技術の欠点は、
(1) 余分な偏向装置を下流に置くために、その分スペースが必要であり、装置サイズが大きくなってしまうこと、
(2) 減速（ディセル作用の第二モード）で低エネルギーイオンを得ようとする場合には、低エネルギーに減速されてからの輸送距離が長くなってしまうために、空間電荷効果によるビームの発散が起こり、結局ビーム電流が低下してしまって、ディセル作用の第二モードで使う利点が失われてしまうこと、
である。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、後段減速（ディセル）を用いた場合でも、後段加速（ポストアクセル）を用いる場合でも、エネルギーコンタミネーションの無いイオンビームを得られるようにしたイオン注入装置を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、イオン源から引き出されたイオンビームを、質量分析磁石で質量分析すると共に軌道を偏向させた後に、後段で加減速する加減速機構を持つイオン注入装置において、質量分析磁石と加減速機構との間に偏向装置を付加し、偏向装置の作用時および非作用時の両方において、ウエハ基板入射手前の一定区間の最終的なビーム軌道が一致するように、偏向装置の作用方向角度を定めて配置した。
【００２８】
さらに、前記加速減速機構のビーム軌道上の下流側に、エネルギーコンタミネーションを起こす不要な粒子を除去するための分離スリットを設けた。
【００２９】
ここで、前記偏向装置の偏向平面が、前記質量分析磁石の偏向平面と同一平面上になるようにした。
【００３０】
前記偏向装置による偏向は、電場を使用して行っても良いが、より好ましくは、電磁石による磁場を使用して行う。
【００３１】
また、前記加減速機構により加減速を行わない場合において、前記偏向装置を作用させない状態においても、イオンビームがウエハー基板まで輸送されるようビーム軌道を構成した。
【００３２】
また、前記ウエハ基板入射手前の一定区間の最終的なビーム軌道が一致するように、前記偏向装置を３段に構成して、偏向動作を３段階実施するようにした。
【００３３】
前記偏向装置を３段で構成する代わりに、前記偏向装置を２段で構成して、イオンビームを本来のビーム軌道からずれた軌道で質量分析磁石から出すことで予備偏向を行うようにしても良い。
【００３４】
その際、前記ビーム軌道のずれは、前記質量分析磁石の設定磁場を通常より弱くもしくは強く設定することにより行われる。
【００３５】
ここで、前記質量分析磁石はイオン軌道を９０度前後偏向させる形式であり、第１段の偏向装置は、できるだけ質量分析磁石の近くに置き、最終段の偏向装置はできるだけ後段電極部の近くに配置するよう構成した。
【００３６】
さらに、前記質量分析スリットの直後に前記加減速機構を設けた。
【００３７】
また、前記質量分析スリットの直後に前記加速速機構を設け、加減速機構から適宜間をあけて、前記分離スリットを設けた。
【００３８】
ここで、前記質量分析スリットは質量分析磁石を経たビームの収束点と略一致させるよう構成した。
【００３９】
また、本発明では、イオン源と、イオン源から引き出されたイオンビームを質量分析する質量分析磁石と、質量分析された所望のイオンのみを通過可能にした質量分析スリットと、質量分析スリットを通過したイオンが導かれるウエハー処理室とを有するイオン注入装置において、質量分析磁石と質量分析スリットとの間に設けられた第１の領域と、質量分析スリットとウエハー処理室との間に設けられた第２の領域と、第１の領域内に設けられ、かつ質量分析されたイオンビームを所定のビーム軌道を通過するように偏向させる偏向装置と、第２の領域内に設けられ、かつ第１の領域内で発生し、上記ビーム軌道からずれたエネルギーコンタミネーションを起こす不要な粒子を除去するための分離スリットとを有する。
【００４０】
前記偏向装置は、前記質量分析スリットに隣接して設けらのが好ましい。
【００４１】
また、前記質量分析スリットは、質量分析された所望のイオンを加減速させる機能をも有するようにするのが望ましい。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図を用いて説明する。
【００４３】
（第１の実施の形態）
まず、本発明の第１の実施の形態を図１を用いて説明する。
【００４４】
図１は、質量分析磁石１０２から後段電極部１０４までの間に、３段以上の偏向装置１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃを付加する例である。
【００４５】
イオンソース１０１から引き出された必要なイオンビームは、質量分析磁石１０２の直後の第１段の偏向装置１０７ａによって初期の軌道から外れ、曲げ戻しのための偏向装置１０７ｂを経て、最終的には、後段電極部１０４直前の最終段の偏向装置１０７ｃによって、本来のビーム軌道１１２に戻される。途中に少なくとも１個の曲げ戻しのための偏向装置１０７ｂが必要なので、最低３個の偏向装置１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃを付加する必要がある。
【００４６】
一方、イオンビームのうちイオンから中性化した粒子は、磁場によっても電場によっても曲げられることはないが、質量分析磁石１０２の直後で、最初の偏向作用を受ける第１段の偏向装置１０７ａから、最終段の偏向装置１０７ｃまでの範囲区間の中で偏向作用を受けた後でイオンから中性化した粒子は、本来のビーム軌道１１２からはずれて、後段電極部１０４の前で失われるか、後段電極部１０４を通過してもコンタミネーション除去用のスリット１１１に当たって、最終的にウェハー処理部１０５内のウエハー基板１０６までは到達しない。ここで、軌道１０９は、中性化した粒子のビーム軌道（偏向されない）を示す。
【００４７】
イオンビームの中性化とは逆に、帯電によりイオンの価数が増えた場合には、所望の価数のイオンよりもより強い偏向作用を受けるために、本来のビーム軌道１１２から外れて、後段電極部１０４の前で失われるか、後段電極部１０４を通過してもコンタミネーション除去用のスリット１１１に当たって、最終的にウェハー処理室内１０５のウエハー基板１０６まで到達しない。ここで、軌道１１０は、価数が増えたイオンビームのビーム軌道（偏向が大きい）を示す。
【００４８】
この方法で除去できるイオンから中性化した粒子は、第１段の偏向装置１０７ａから最終段の偏向装置１０７ｃまでに発生するものだけであるので、第１段の偏向装置１０７ａは、できるだけ質量分析磁石１０２の近くに置き、最終段の偏向装置１０７ｃはできるだけ後段電極部１０４の近くに置く必要がある。
【００４９】
この方法では、後段加速または後段減速をしない場合には、偏向装置１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃを作用させる必要がない。その場合には、質量分析磁石１０２以降のビーム軌道は直線軌道１１２となる。質量分析スリット１０３は、後段電極部１０４の電極の一部で機能を兼用させてもよい。
【００５０】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態を図２を用いて説明する。
【００５１】
第２の実施の形態では、質量分析磁石２０２から後段電極部２０４までの間に付加する偏向装置が、最小２個２０７ａ，２０７ｂにまで減らせられるようにした。
【００５２】
後段加速または後段減速をする場合には、質量分析磁石２０２の磁場を通常より弱く（または強く）作用させ、本来のビーム軌道２１２からずれた軌道２１３でイオンソース２０１からのイオンビームが質量分析磁石２０２から出るようにする。
【００５３】
その後、イオンビームは、第１段の偏向装置２０７ａによって初期の軌道方向に曲げられ、後段電極部２０４直前の最終段の偏向装置２０７ｂによって、本来のビーム軌道２１２に戻される。イオンから中性化した粒子は磁場によっても電場によっても曲げられないので、最終段の偏向装置２０７ｂより上流の区間でイオンから中性化した粒子は、後段電極部２０４の前で失われるか、後段電極部２０４を通過してもコンタミネーション除去用のスリット２１１に当たって、最終的にウェハー処理部２０５内のウエハー基板２０６まで到達しない。ここで、軌道２０９は、中性化した粒子のビーム軌道（偏向されない）を示す。
【００５４】
中性化とは逆に、イオンの価数が増えた場合には、所望の価数のイオンよりもより強い偏向作用を受けるために、本来の軌道２１２から外れ後段電極部２０４前で失われるか、後段電極部２０４を通過してもコンタミネーション除去用のスリット２１１に当たって、最終的にウエハー処理室２０５内のウェハー基板２０６まで到達しないここで、軌道２１０は、価数が増えたイオンビームのビーム軌道（偏向が大きい）を示す。
【００５５】
この方法では、最終段の偏向装置２０７ｂまでに発生する中性粒子は除去できるので、第１段の偏向装置２０７ａを置く位置は、質量分析磁石２０２から離れても良くなる。ただし、最終段の偏向装置２０７ｂはできるだけ後段電極部２０４の近くに置く必要がある。
【００５６】
この方法でも、後段加速または後段減速をしない場合には、偏向装置２０７ａ，２０７ｂを作用させる必要がない。その場合には、質量分析磁石２０２の磁場の設定は通常の値になり、通常のビーム軌道２１２になる。質量分析スリット２０３は、後段電極部２０４の電極の一部で機能を兼用させてもよい。
【００５７】
ここで、上記第１及び第２の実施の形態のどちらの場合でも、偏向装置１０７，２０７の偏向平面は必ずしも質量分析磁石１０２，２０２の偏向平面と同一でなくとも原理的には問題ない。しかし一般的には、質量分析磁石１０２，２０２の偏向平面と同一平面上でビームが偏向されるように、偏向装置１０７，２０７の偏向方向を決めるのが最も有利である。
【００５８】
ここでは、説明のため、質量分析磁石１０２，２０２の偏向平面が水平（高さ一定）であると仮定する。一般的な質量分析磁石１０２，２０２では、磁石通過後にビームが偏向面上で収束し、その収束点に幅の狭い質量分析スリット１０３，２０３を置き、運動量の異なるイオンを効率的に分析できるようにしている。その収束点では、偏向面内のビームサイズ（幅）は最小となるが、偏向平面に垂直な方向のビームサイズ（高さ）は、必ずしも小さくはない。
【００５９】
したがって質量分析スリット１０３，２０３は、幅が狭く、高さがそれに比べて大きい開口寸法を持ったものになるのが普通である。というのは、偏向装置１０７，２０７の偏向方向を、質量分析磁石１０２，２０２の偏向平面と同一平面上でビームが偏向されるようにしておくと、わずかな偏向量で、開口幅の狭い質量分析スリット１０３，２０３を通過できなくなるのに対し、例えば、質量分析磁石１０２，２０２の偏向平面に垂直な方向に偏向させて分離しようとすると、幅に比べて大きい寸法である質量分析スリット１０３，２０３の開口高さ分だけ偏向させないと質量分析スリット１０３，２０３で分離できないからである。
【００６０】
また、付加する偏向装置１０７，２０７は、磁場でも電場でも、原理的には問題ない。しかし一般的には、磁場の方が有利である。偏向電場をかけると、その電場が作用している領域から、正電荷であるイオンビームが作り出す空間電荷を抑制している電子が全く無くなってしまい、空間電荷効果が強く働くようになり、イオンビームが発散して輸送効率が低下するからである。特に低エネルギー領域では空間電荷によるビームの発散が顕著であるので、後段減速による低エネルギーでは磁場が必須である。
【００６１】
（その他の実施の形態）
次に、本発明のその他の実施の形態を図３を用いて説明する。
【００６２】
その他の実施の形態では、質量分析磁石３０２から後段電極部３０４までの間に偏向装置３０７が一個のみ設けられている。ここで、図３に示されているように、偏向装置３０７は、区画（領域）Ｂ内の質量分析スリット３０３の直前に設けられ、分離スリット３１１は、区間（領域）Ａ内に設けられている。
【００６３】
図３において、イオンソース３０１から引き出されて質量分析磁石３０２を通過したイオンビームは、区画（領域）Ｂ内を進行し、質量分析スリット３０３の直前の偏向装置３０７により、所望のビーム軌道３１０に曲げられる。所望のビーム軌道３１０を通過したイオンビームは、ウェハー処理部内３０５のウエハー基板３０６まで到達する。
【００６４】
イオンから中性化した粒子は磁場によっても電場によっても曲げられないので、偏向装置３０７より上流の区間でイオンから中性化した粒子は、後段電極部３０４の前で失われるか、後段電極部３０４を通過してもコンタミネーション除去用のスリット３１１に当たって、最終的にウェハー処理部内３０５のウエハー基板３０６まで到達しない。ここで、軌道３０９は、中性化した粒子のビーム軌道（偏向されない）を示す。
【００６５】
中性化とは逆に、イオンの価数が増えた場合には、所望の価数のイオンよりもより強い偏向作用を受けるために、中心軌道から外れ後段電極部３０４の前で失われるか、後段電極部３０４を通過してもコンタミネーション除去用のスリット３１１に当たって、最終的にウエハー処理室３０５内の基板ウェハー３０６まで到達しない。ここで、軌道３０８は、価数が増えたイオンビームのビーム軌道（偏向が大きい）を示す。
【００６６】
また、質量分析スリット３０３は、後段電極部３０４の電極の一部で機能を兼用させてもよい。
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば、後段加速あるいは後段減速するための後段電極をもつイオン注入装置において、後段加速あるいは後段減速する場合に、後段電極よりビーム軌道上の下流側のビーム軌道長さを長くすることなしに、エネルギーコンタミネーションのほとんど無いビームを得ることができるようになる。
【００６８】
特に、後段減速（ディセル作用の第二モード）による低エネルギーイオンに対しては、エネルギーコンタミネーションの問題から開放されることで、減速比を大きくすることができるようになり、その分、電流値も増大する。
【００６９】
そして、通常のドリフトモード、加減速モード、偏向付加加減速モードの切り替えが簡単に実施でき、種々の注入条件に広く対応できるものである。
【００７０】
また、通常のビームラインとその各部材の構成を変更する必要が無しに、質量分析と分析スリットの間の部分に偏向装置を設けることによって、イオン注入装置全体としても構成がそのままで変更がほとんど必要なく、エネルギーコンタミネーションの除去が達成できるすぐれた特徴を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるイオン注入装置の概略構成図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態によるイオン注入装置の概略構成図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態によるイオン注入装置の概略構成図である。
【図４】従来のイオン注入装置の概略構成図である。
【図５】従来のイオン注入装置によるエネルギーコンタミネーションの例を示す図である。
【図６】従来の他のイオン注入装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１０１，２０１，３０１  イオンソース
１０２，２０２，３０２  質量分析磁石
１０３，２０３，３０３  質量分析スリット
１０４，２０４，３０４  後段電極部
１０５，２０５，３０５  ウエハー処理室
１０６，２０６，３０６  ウエハー基板
１０７，２０７，３０７  偏向装置
【図１】
0003727047.tif 000002
【図２】
0003727047.tif 000003
【図３】
0003727047.tif 000004
【図４】
0003727047.tif 000005
【図５】
0003727047.tif 000006
【図６】
0003727047.tif 000007