(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体基板の表面からドライエッチング法によりバイアホールを形成する工程において、誘導結合プラズマエッチング装置を用いてＣl2ガスとＳiＣl4ガスによりエッチングすることによって、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールを形成するバイアホール形成方法を用いた化合物半導体装置の製造方法であって、
上記バイアホール形成方法により化合物半導体基板にバイアホールを形成し、
上記バイアホール内に金属層を形成し、
上記化合物半導体基板の裏面に、上記バイアホール内に形成された上記金属層に電気的に接続されたプレーテッドヒートシンク層を形成することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
【請求項２】
化合物半導体基板の表面からドライエッチング法によりバイアホールを形成する工程において、誘導結合プラズマエッチング装置を用いてＣl2ガスとＳiＣl4ガスによりエッチングすることによって、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールを形成するバイアホール形成方法を用いた化合物半導体装置の製造方法であって、
上記バイアホール形成方法により、化合物半導体基板上に並列に配置された半導体素子の近傍にバイアホールを夫々形成し、
上記バイアホール内に金属層を形成し、
上記化合物半導体基板の裏面に、上記バイアホール内に形成された上記金属層に電気的に接続されたプレーテッドヒートシンク層を形成することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の化合物半導体装置の製造方法において、
上記誘導結合プラズマエッチング装置のエッチング圧力が２０ｍＴorr未満であることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の化合物半導体装置の製造方法において、
上記化合物半導体基板の材料は、ＧaＡs,ＩnＰまたはＧaＮのうちのいずれか1つであることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
【請求項５】
化合物半導体基板に形成され、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールと、
上記バイアホール内に形成された金属層と、
上記化合物半導体基板の裏面に形成され、上記バイアホール内に形成された上記金属層に電気的に接続されたプレーテッドヒートシンク層とを備えたことを特徴とする化合物半導体装置。
【請求項６】
化合物半導体基板上に並列に配置された半導体素子の近傍に形成され、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールと、
上記バイアホール内に形成された金属層と、
上記化合物半導体基板の裏面に形成され、上記バイアホール内に形成された上記金属層に電気的に接続されたプレーテッドヒートシンク層とを備えたことを特徴とする化合物半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高周波・高出力用素子等が形成される化合物半導体基板にバイアホール加工を行うバイアホール形成方法を用いた化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、バイアホール形成方法としては、特開平１１−１６８９４号公報に記載されたものがある。このバイアホール形成方法は、図１２に示すように、エッチングマスク５０２を用いた化合物半導体基板５０１のドライエッチングにおいてＳiＣl4ガスにＯ2ガスを添加することによって、バイアホール５０３の寸法制御性を向上させることができ、化合物半導体基板５０１表面に対して側壁が垂直なバイアホール形状が得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、高周波で高出力用素子が形成される化合物半導体装置の場合、素子動作時の発熱により素子特性が不安定となる。この熱を放熱する手段として、基板を貫通するバイアホール内に形成された金属層を基板裏面のＰＨＳ(Plated Heat sink：プレーテッドヒートシンク)層に接続して放熱する方法がある。上記バイアホール形成方法におけるドライエッチング条件では、バイアホールが基板表面に対して垂直な形状または基板表面の開口部が底部よりも広い形状となるため、基板裏面側に向って断面積が同じままか小さくなるので、バイアホール内に形成された金属層の熱抵抗の低減が難しいという問題がある。
【０００４】
そこで、この発明の目的は、バイアホール内に形成される金属層の熱抵抗を低減でき、化合物半導体基板上に形成された素子の放熱効率を向上できる化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の化合物半導体装置の製造方法は、化合物半導体基板の表面からドライエッチング法によりバイアホールを形成する工程において、誘導結合プラズマエッチング装置を用いてＣl2ガスとＳiＣl4ガスによりエッチングすることによって、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールを形成するバイアホール形成方法を用いた化合物半導体装置の製造方法であって、上記バイアホール形成方法により化合物半導体基板にバイアホールを形成し、上記バイアホール内に金属層を形成し、上記化合物半導体基板の裏面に、上記バイアホール内に形成された上記金属層に電気的に接続されたプレーテッドヒートシンク層を形成することを特徴としている。
【０００６】
上記バイアホール形成方法によれば、上記誘導結合プラズマエッチング装置を用いてＣl2ガスとＳiＣl4ガスによりエッチングすることによって、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールを容易に形成することが可能となる。そして、そのような形状のバイアホール内に形成された金属層の熱抵抗を低減し、そのバイアホール内の金属層を介して上記化合物半導体基板上に形成する素子から熱を放熱することによって、放熱効率を向上させることができる。したがって、上記化合物半導体装置の製造方法によれば、上記バイアホール形成方法により化合物半導体基板に底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールを形成し、そのバイアホール内に金属層を形成して、化合物半導体基板の裏面に、バイアホール内に形成された金属層に電気的に接続されたプレーテッドヒートシンク層を形成する。そうすることによって、上記プレーテッドヒートシンク層に向って断面が広くなったバイアホール内の金属層を介して、化合物半導体基板上に形成される素子の熱をプレーテッドヒートシンク層に放熱するので、熱抵抗を効果的に低減できる。
【０００７】
また、この発明の化合物半導体装置の製造方法は、化合物半導体基板の表面からドライエッチング法によりバイアホールを形成する工程において、誘導結合プラズマエッチング装置を用いてＣl2ガスとＳiＣl4ガスによりエッチングすることによって、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールを形成するバイアホール形成方法を用いた化合物半導体装置の製造方法であって、上記バイアホール形成方法により、化合物半導体基板上に並列に配置された半導体素子の近傍に、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールを夫々形成し、上記バイアホール内に金属層を形成し、上記化合物半導体基板の裏面に、上記バイアホール内に形成された上記金属層に電気的に接続されたプレーテッドヒートシンク層を形成することを特徴としている。
【０００８】
上記バイアホール形成方法によれば、上記誘導結合プラズマエッチング装置を用いてＣl2ガスとＳiＣl4ガスによりエッチングすることによって、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールを容易に形成することが可能となる。そして、そのような形状のバイアホール内に形成された金属層の熱抵抗を低減し、そのバイアホール内の金属層を介して上記化合物半導体基板上に形成する素子から熱を放熱することによって、放熱効率を向上させることができる。したがって、上記化合物半導体装置の製造方法によれば、上記バイアホール形成方法により、化合物半導体基板上に並列に配置された半導体素子の近傍にバイアホールを夫々形成し、バイアホール内に金属層を形成し、化合物半導体基板の裏面に、バイアホール内に形成された金属層に電気的に接続されたプレーテッドヒートシンク層を形成する。そうすることによって、上記化合物半導体基板上に並列に配置された半導体素子の並列接続が可能となる。また、上記プレーテッドヒートシンク層に向って断面が広くなったバイアホール内の金属層を介して、化合物半導体基板上に並列に配置された半導体素子の熱をプレーテッドヒートシンク層に放熱するので、熱抵抗を低減できると共に、バイアホール内の金属層のインダクタンスを低減することができる。
【０００９】
また、一実施形態の化合物半導体装置の製造方法は、上記誘導結合プラズマエッチング装置のエッチング圧力が２０ｍＴorr未満であることを特徴としている。
【００１０】
上記実施形態の化合物半導体装置の製造方法によれば、上記バイアホールの底面部のエッチング角度を９０゜未満の形状で加工でき、それによりバイアホールの底面部を表面の開口部よりも確実に広くすることができる。
【００１１】
また、一実施形態の化合物半導体装置の製造方法は、上記化合物半導体基板の材料は、ＧaＡs,ＩnＰまたはＧaＮのうちのいずれか1つであることを特徴としている。
【００１２】
上記実施形態の化合物半導体装置の製造方法によれば、上記化合物半導体基板の材料としてＧaＡs,ＩnＰまたはＧaＮのうちのいずれか1つを用いることによって、放熱効率のよい高周波,高出力用の化合物半導体装置を得ることができる。
【００１３】
また、この発明の化合物半導体装置は、化合物半導体基板に形成され、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールと、上記バイアホール内に形成された金属層と、上記化合物半導体基板の裏面に形成され、上記バイアホール内に形成された上記金属層に電気的に接続されたプレーテッドヒートシンク層とを備えたことを特徴としている。
【００１４】
また、この発明の化合物半導体装置は、化合物半導体基板上に並列に配置された半導体素子の近傍に形成され、底面部の幅が表面の開口幅よりも広いバイアホールと、上記バイアホール内に形成された金属層と、上記化合物半導体基板の裏面に形成され、上記バイアホール内に形成された上記金属層に電気的に接続されたプレーテッドヒートシンク層とを備えたことを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００１６】
(第１実施形態)
図１,図２はこの発明の第１実施形態のバイアホール形成方法を用いたエッチング加工を説明する断面図である。
【００１７】
図１に示すように、ＧaＡsからなる半導体基板１の表面に、膜厚２０μｍ程度のポジ型フォトレジスト(例えば東京応化工業製ＡＺ４９０３)を用いて、開口幅Ｗ１が１０μｍ,長さＬが５０μｍの矩形パターンのエッチングマスク２を通常の露光現像方法により形成する。上記エッチングマスク２の側壁を半導体基板１表面に対して略垂直にしている。
【００１８】
次に、図２に示すように、誘導結合プラズマ(ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma)エッチング装置を用いて、半導体基板１にエッチング深さＺが１００μｍ程度のバイアホール３を形成する。このとき、バイアホール３の底面部の幅Ｗ２が表面の開口幅Ｗ１よりも広くなるドライエッチング条件を設定する。そのドライエッチング条件としてエッチングガスにＣl2ガスとＳiＣl4ガスの混合ガスを用い、流量比Ｃl2／(Ｃl2＋ＳiＣl4)が０.２〜０.８の範囲で、エッチング圧力２０ｍＴorr未満、マイクロ波パワー６００〜８００Ｗ、ＲＦパワー密度０.１〜０.１５Ｗ／ｃｍ2で３０分間のエッチングを行う。
【００１９】
また、図３は上記バイアホール形成方法のエッチング方法を用いたバイアホール３の底面部エッチング角度θ(底面と側壁とのなす角度)を示しており、図４は上記バイアホール３の底面部エッチング角度θのエッチング圧力依存性を示すデータである。
【００２０】
図４に示すように、上記ドライエッチング条件においてエッチング圧力が２０ｍＴorr未満のとき、バイアホール３の底面部のエッチング角度θを９０゜未満の形状で加工できる。このエッチング角度θを９０゜未満とすることにより、バイアホール３の底面部の幅Ｗ２を表面の開口幅Ｗ１よりも広くすることができる。
【００２１】
ここで、上記バイアホール形成方法におけるエッチング機構の概要を説明する。上記半導体基板１をＣl2ガスとＳiＣl4ガスの混合ガスでエッチングを行った場合の反応生成物として、揮発性がそれほど高くないＧaＣl3やエッチングマスク２内のＯ2とＳiＣl4のＳiが結合したＳiＯ2などが生成される。このＧaＣl3やＳiＯ2がバイアホール３の側壁やエッチングマスク２の側壁に吸着することでエッチングの保護層となる。この保護層の吸着とエッチングのバランスを調整することにより、基板表面の開口部よりも底面側に向って断面が広い形状のバイアホール３が形成される。なお、ＧaＮ基板を用いた場合も、同様のエッチング機構で同様のバイアホール形状が形成されると共に、ＩnＰ基板を用いた場合は、反応生成物としてＩnＣlが形成され、このＩnＣlが保護層となり、同様のバイアホール形状が形成される。
【００２２】
なお、エッチングマスク材としてフォトレジストを用いたが、ＳiＮ膜やＳiＯ2膜などの無機の絶縁膜をエッチングマスク材として用いても同様の効果を得ることができる。
【００２３】
図５(a)〜(c)は上記バイアホール形成方法を用いてバイアホールの形成から基板裏面のＰＨＳ層の形成までについて説明する断面図である。
【００２４】
図５(a)に示すように、ＧaＡsからなる半導体基板１０１の表面に、フォトレジストによる幅１０μｍ,長さ５０μｍ程度の矩形パターンのエッチングマスク１０２を通常のフォトリソグラフィー技術により形成する。次に、誘導結合プラズマエッチング装置を用いて、エッチングガスにＣl2とＳiＣl4ガスの混合ガスを用い、流量比Ｃl2／(Ｃl2＋ＳiＣl4)が０.２〜０.８の範囲で、エッチング圧力２０ｍＴorr未満、マイクロ波パワー６００〜８００Ｗ、ＲＦパワー密度０.１〜０.１５Ｗ／ｃｍ2で３０分間、半導体基板１０１をエッチングすることにより、深さ１００μｍ程度のバイアホール１０３を形成する。
【００２５】
次に、図５(b)に示すように、給電メタル１０４(例えばＴi／Ａu)を蒸着法等により数１００ｎｍ成膜し、電界メッキ法等により給電メタル１０４上にＡuを成膜して、バイアホール１０３内および半導体基板１０１表面に埋め込み金属層１０５を形成する。
【００２６】
次に、図５(ｃ)に示すように、ＧaＡsからなる半導体基板１０１の裏面からバイアホール１０３の底面部の埋め込み金属層１０５が露出するまで、半導体基板１０１の裏面側を研摩等により薄くした後、半導体基板１０１の裏面にＡuなどを成膜してＰＨＳ層１０６を形成して、バイアホール１０３内の埋め込み金属層１０５とＰＨＳ層１０６を電気的に接続する。
【００２７】
このように、上記第１実施形態のバイアホールの形成方法によれば、断面形状が開口部よりも底部に向って広いバイアホール１０３を容易に形成することが可能となり、そのような形状のバイアホール１０３内に形成された埋め込み金属層１０５の熱抵抗を低減し、そのバイアホール１０３内の埋め込み金属層１０５を介して半導体基板１０１上に形成する素子から熱を放熱することによって、放熱効率を向上させることができる。
【００２８】
(第２実施形態)
次に、この発明の第２実施形態のバイアホール形成方法およびそれを用いた化合物半導体装置の製造方法について説明する。
【００２９】
図６はＨＢＴ(Heterojunction Bipolar Transistor:ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)近傍にバイアホールを形成したときのＨＢＴからの放熱経路を説明する断面図であり、図７は上記バイアホールの底面部エッチング角度と熱抵抗を示す実験結果である。
【００３０】
図６に示すように、ＧaＡsからなる半導体基板２０１上に形成されたＨＢＴ２００近傍に第１実施形態で示したエッチング方法によりバイアホール２０３を形成し、バイアホール２０３内および半導体基板２０１上に、ＨＢＴ２００のエミッタ層２０７と接続された埋め込み金属層２０５を形成する。上記埋め込み金属層２０５は、エアーブリッジ２１１を用いた構造とする。
【００３１】
上記ＨＢＴ２００を動作させたときにＨＢＴ２００内部で生じる熱をエミッタ層２０７からバイアホール２０３内の埋め込み金属層２０５を介して半導体基板２０１裏面に形成されたＰＨＳ層２０６に放熱する。図６において、矢印２１０はＨＢＴ２００からの放熱経路を示すものである。
【００３２】
上記ＨＢＴ２００(図６に示す)の構造を用いて、その素子特性から熱抵抗を求めた結果、図７に示すように、バイアホール２０３の底面部エッチング角度が小さい程、熱抵抗が小さくなることが分かる。
【００３３】
これは、バイアホール２０３内の埋め込み金属配線２０５の体積が増加することによるためである。また、放熱効果が高くなることと同様の理由でインダクタンスも低減できる。このようにＨＢＴ２００近傍にバイアホール２０３を形成することによりＨＢＴ２００からの放熱効果を向上できる。しかし、バイアホール２０３のエッチング時に半導体基板２０１の表面近傍でエッチングマスクの開口幅からエッチング幅が広がってしまうと素子の部分までエッチングされ素子特性の劣化を招くことになる。そこで、ＨＢＴ２００近傍にバイアホール２０３を形成するときのエッチング条件としては、エッチングマスク２０２の開口幅を維持しながら深さ方向に広がるバイアホール形状となる条件の範囲で行う必要がある。
【００３４】
このように、上記ＰＨＳ層２０６に向って断面が広くなったバイアホール２０３内の埋め込み金属配線２０５を介して、半導体基板２０１上に形成されるＨＢＴ２００の熱をＰＨＳ層２０６に放熱するので、熱抵抗を効果的に低減することができる。
【００３５】
(第３実施形態)
次に、この発明の第３実施形態のバイアホール形成方法およびそれを用いた化合物半導体装置の製造方法について説明する。
【００３６】
図８は互いに隣接するＨＢＴ間に形成されたバイアホールを介してＨＢＴを並列接続した状態を示す平面図であり、図９は図８のIX−IX線から見た断面図である。
【００３７】
図８,図９に示すように、ＧaＡsからなる半導体基板３０１上に、ＨＢＴ３００のエミッタ層３０７,ベース層３０８およびコレクタ層３０９をそれぞれ形成し、上記第１実施形態に示すバイアホール形成方法を用いてバイアホール３０３を形成する。次に、上記バイアホール３０３内および半導体基板３０１上に埋め込み金属層３０５を形成して、埋め込み金属層３０５を介して各ＨＢＴ３００のエミッタ層３０７と半導体基板３０１の裏面に形成されたＰＨＳ層３０６とを電気的に接続する。このとき、埋め込み金属層３０５がベース層３０８やコレクタ層３０９と接触しないようにエアーブリッジ３１１を用いた構造とする。このエアーブリッジ３１１の代わりにポリイミドなどの有機膜やＳiＮ膜などの無機膜を層間絶縁膜として用いても同様の効果が得られる。
【００３８】
このように、上記半導体基板３０１上に並列に配置されたＨＢＴ３００の並列接続が可能となり、ＰＨＳ層３０６に向って断面が広くなったバイアホール３０３内の埋め込み金属層３０５を介して、半導体基板３０１上に並列に配置されたＨＢＴ３００の熱をＰＨＳ層３０６に放熱するので、熱抵抗を低減できると共に、バイアホール３０３内の埋め込み金属層３０５のインダクタンスを低減することができる。したがって、素子性能が良好でかつ安定動作が可能な化合物半導体装置を製造することができる。
【００３９】
(第４実施形態)
次に、この発明の第４実施形態のバイアホール形成方法および化合物半導体装置の製造方法について説明する。
【００４０】
図１０は互いに隣接するＭＥＳＦＥＴ(Metal Semiconductor Field Effect Transistor:メタル・セミコンダクタ・電界効果トランジスタ)の間に形成されたバイアホールを介してＭＥＳＦＥＴを並列接続した状態を示す平面図であり、図１１は図１０のXI−XI線から見た断面構造を示すものである。
【００４１】
図１０,図１１に示すように、ＧaＡsからなる半導体基板４０１上にＭＥＳＦＥＴ４００のソース領域４１５,ゲート電極４１４およびドレイン領域４１２をそれぞれ形成する。次に、上記第１実施形態に示すエッチング方法により、バイアホール４０３をソース領域４１５内に形成する。次に、上記バイアホール４０３内に埋め込まれたソース電極４１６を形成し、そのソース電極４１６を介して、ソース領域４１５と半導体基板４０１の裏面に形成されたＰＨＳ層４０６と電気的に接続する。
【００４２】
このように、上記半導体基板４０１上に並列に配置されたＭＥＳＦＥＴ４００の並列接続が可能となり、ＰＨＳ層４０６に向って断面が広くなったバイアホール４０３内の埋め込み金属層４０５を介して、半導体基板４０１上に並列に配置されたＭＥＳＦＥＴ４００の熱をＰＨＳ層４０６に放熱するので、熱抵抗を低減できると共に、バイアホール４０３内の埋め込み金属層４０５のインダクタンスを低減することができる。したがって、素子性能が良好でかつ安定動作が可能な化合物半導体装置を製造することができる。
【００４３】
この第４実施形態のバイアホール形成方法および化合物半導体装置の製造方法は、ＨＥＭＴ(High Electron Mobility Transistor:電子移動度トランジスタ)にも適用可能であり、同様の効果が得られる。
【００４４】
上記第１〜第４実施形態では、ＧaＡsからなる半導体基板１,１０１,２０１,３０１,４０１を用いたが、ＩnＰまたはＧaＮ等の他の化合物半導体からなる半導体基板を用いてもよい。
【００４５】
【発明の効果】
以上より明らかなように、この発明の化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置によれば、バイアホールの形状の制御性を向上させて、素子の近傍に配置するバイアホールを化合物半導体基板の深さ方向に断面が広い形状にすることが可能となる。その結果、バイアホール内の埋め込み金属層の熱抵抗を低減して素子の放熱効果を向上できると共に、バイアホール内の埋め込み金属層のインダクタンスを低減することができる。さらに、化合物半導体基板の裏面に形成されたプレーテッドヒートシンク層に向って断面が広くなったバイアホール内の金属層を介して、化合物半導体基板上に形成される素子の熱をプレーテッドヒートシンク層に放熱するので、熱抵抗を効果的に低減することができる。したがって、素子特性の向上と動作の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１はこの発明の第１実施形態のバイアホール形成方法を用いたエッチング加工を説明する断面図である。
【図２】  図２は図１に続くバイアホール形成方法のエッチング加工を説明する断面図である。
【図３】  図３は上記バイアホール形成方法を用いたバイアホールの底面部エッチング角度を示す図である。
【図４】  図４は上記バイアホールの底面部エッチング角度のエッチング圧力依存性を示す図である。
【図５】  図５(a)〜(c)はバイアホール形成から基板裏面ＰＨＳ層までの製造方法を説明する断面図である。
【図６】  図６はバイアホールをＨＢＴ近傍に形成したときのＨＢＴからの放熱経路を説明する断面図である。
【図７】  図７はバイアホールの底面部エッチング角度と熱抵抗を示す実験結果である。
【図８】  図８は互いに隣接するＨＢＴ間に形成されたバイアホールを介してＨＢＴを並列接続した状態を示す平面図である。
【図９】  図９は図８のIX−IX線から見た断面図である。
【図１０】  図１０は互いに隣接するＭＥＳＦＥＴ間に形成されたバイアホールを介してＭＥＳＦＥＴを並列接続した状態を示す平面図である。
【図１１】  図１１は図１０のXI−XI線から見た断面図である。
【図１２】  図１２は従来のバイアホール形成方法を用いて形成されたバイアホールの断面図である。
【符号の説明】
θ…底面部エッチング角度、
Ｌ…開口長さ、
Ｗ１…開口幅、
Ｗ２…底面幅、
Ｚ…エッチング深さ、
１,１０１,２０１,３０１,４０１…半導体基板、
２,１０２…エッチングマスク、
３,１０３,２０３,３０３,４０３…バイアホール、
４,１０４…給電メタル、
５,１０５,２０５,３０５…埋め込み金属層、
６,１０６,２０６,３０６…ＰＨＳ層、
２０７,３０７…エミッタ層、
２０８,３０８…ベース層、
２０９,３０９…コレクタ層、
２１０…放熱方向を示す矢印、
２１１,３１１…エアーブリッジ、
４１２…ドレイン領域、
４１３…ドレイン電極、
４１４…ゲート電極、
４１５…ソース領域、
４１６…ソース電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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