(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に蒸気を供給して、基板の表面に処理を施す基板表面処理装置において、
基板を保持しつつ、基板の中心を通り基板に垂直な回転軸を中心に基板を回転させる基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板に向けて蒸気を供給する蒸気供給機構とを備え、
上記蒸気供給機構は、
上記基板保持手段に保持された基板に対向する位置に設けられ、蒸気の導入口を有する供給室と、
上記基板保持手段を含む空間と上記供給室内の空間とを仕切るように設けられ、上記供給室内の蒸気を上記基板保持手段に保持された基板に供給するためのスリット状の蒸気供給孔を有する整流部材と、を備えることを特徴とする基板表面処理装置。
【請求項２】
上記蒸気供給孔は、基板保持手段に保持されている基板の表面に平行な平面内において延びるように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板表面処理装置。
【請求項３】
上記整流部材は、基板保持手段に保持されている基板の表面に対向し、該基板の表面に平行な上記平面内において上記蒸気供給孔の周囲に広がる整流面を有することを特徴とする請求項２に記載の基板表面処理装置。
【請求項４】
上記蒸気供給孔は、上記基板の回転軸に交差するように設けられていることを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の基板表面処理装置。
【請求項５】
上記蒸気供給孔は、少なくとも基板の回転半径を覆う範囲に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の基板表面処理装置。
【請求項６】
上記蒸気供給孔は、少なくとも基板の回転直径を覆う範囲に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の基板表面処理装置。
【請求項７】
上記蒸気供給孔に連通し、互いに平行に向かい合う一対の面で挟まれた通路をさらに有することを特徴とする請求項１から６までのいずれかに記載の基板表面処理装置。
【請求項８】
上記基板保持手段に保持されている基板を加熱する基板加熱手段をさらに備えることを特徴とする請求項１から７までのいずれかに記載の基板表面処理装置。
【請求項９】
上記蒸気は、基板の表面の膜を除去するための酸を含む蒸気であることを特徴とする請求項１から８までのいずれかに記載の基板表面処理装置。
【請求項１０】
上記供給室は、少なくとも基板の回転半径を覆うように設けられたことを特徴とする請求項１から９までのいずれかに記載の基板表面処理装置。
【請求項１１】
上記供給室は、少なくとも基板の回転直径を覆うように設けられたことを特徴とする請求項１から１０までのいずれかに記載の基板表面処理装置。
【請求項１２】
上記供給室は、円筒状の内部空間を有することを特徴とする請求項１から１１までのいずれかに記載の基板表面処理装置。
【請求項１３】
上記供給室内で上記整流部材のスリット状の蒸気供給孔上に設けられたノズルブロックをさらに備え、
上記ノズルブロックは、上記蒸気供給孔と上記供給室内の空間とを連通させる通路を有することを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の基板表面処理装置。
【請求項１４】
上記供給室内の空間が上記ノズルブロックにより一方および他方の拡散室に分離されたことを特徴とする請求項１３に記載の基板表面処理装置。
【請求項１５】
上記ノズルブロックの側面に上記通路を通して蒸気供給孔に連通するブロック孔が開口したことを特徴とする請求項１３または１４に記載の基板表面処理装置。
【請求項１６】
上記ブロック孔は、上記導入口とは反対側に開口したことを特徴とする請求項１５に記載の基板表面処理装置。
【請求項１７】
基板の表面に蒸気を供給して、基板の表面に処理を施す基板表面処理方法において、
基板の中心を通り基板に垂直な回転軸を中心に基板を回転させる基板回転工程と、
上記基板保持手段に保持された基板に対向する位置に設けられた供給室内に蒸気を導入する蒸気導入工程と、
上記基板保持手段を含む空間と上記供給室内の空間とを仕切るように設けられた整流部材のスリット状の蒸気供給孔から上記基板回転工程において回転されている基板の表面に対して蒸気を供給する蒸気供給工程と、
を備えることを特徴とする基板表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板の表面に蒸気を供給して、基板の表面に処理を施す基板表面処理装置および基板表面処理方法に関する。たとえば、塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸（ＨＦおよび無水ＨＦを含む）、酢酸などのような酸を含む蒸気を基板の表面に導き、いわゆる気相エッチング処理によって基板の表面の膜を除去するための基板表面膜除去装置および基板表面膜除去方法、あるいは、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）などのようなレジスト密着強化剤の蒸気を基板の表面に導き、いわゆるＨＭＤＳ処理によって基板の表面にレジストの密着をよくするためのレジスト密着強化膜を塗布するためのレジスト密着強化剤塗布装置およびレジスト密着強化剤塗布方法などに関する。
【０００２】
また、処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置およびプラズマディスプレイ用ガラス基板、ならびに光、磁気および光磁気ディスク用基板などの各種の基板が含まれる。また、基板の材質としては、シリコン、ガラス、樹脂およびセラミックなどの材質が含まれる。
【０００３】
なお、基板表面膜除去装置および基板表面膜除去方法の場合には、基板表面の膜の除去は、所定の膜の一部または全部の選択的除去を目的としていてもよく、また、基板表面の洗浄を目的としていてもよい。
【０００４】
【従来の技術】
半導体装置製造工程の半導体ウエハ（以下「ウエハ」という。）上にメモリキャパシタ膜を作製する工程においては、ウエハの温度を５０℃〜８０℃に加熱した状態でウエハ表面へふっ酸蒸気を供給することにより、熱酸化膜またはＣＶＤ（化学的気相成長）酸化膜をエッチングストッパ膜として、ＢＳＧ（Boron-Silicate Glass）、ＰＳＧ（Phosphor-Silicate Glass）、ＢＰＳＧ（Boron-doped Phosphor-Silicate Glass）などの犠牲酸化膜を選択的にエッチング除去している。あるいは、半導体装置製造工程の洗浄工程においては、このふっ酸蒸気のエッチングによるリフトオフ効果を利用して、ウエハ表面の異物を除去してウエハ表面を洗浄している。
【０００５】
一方、半導体装置の特にフォトリソ工程においては、フォトレジスト膜のウエハに対する密着性をよくするために、ウエハ上へのフォトレジスト膜の塗布前に、ウエハの温度を４０℃〜１１０℃に加熱した状態でＨＭＤＳなどのレジスト膜密着強化剤の蒸気をウエハ表面に向けて供給して、ウエハ表面に密着強化剤の膜を塗布している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のふっ酸蒸気によるエッチングおよび洗浄プロセスは、極めて微妙なプロセスである。このプロセスには、ウエハ表面上におけるふっ酸蒸気の濃度や流量が大きく関与している。すなわち、ウエハ表面へのふっ酸蒸気の供給が不均一であると、ウエハの面内で均一なエッチング処理および洗浄処理を行うことができない。またこれと同様に、上述のレジスト膜密着強化剤の蒸気による塗布プロセスにおいても、ウエハ表面へのレジスト膜密着強化剤の供給が不均一であると、ウエハの面内で均一な塗布処理を行うことができない。すなわち、いずれの蒸気による処理プロセスにおいても、ウエハ表面への供給が不均一であると、ウエハの面内で均一な処理を行うことができない。
【０００７】
これらのウエハの面内で均一な処理を行うために、従来は、所定のノズル（以下、導入ノズルという）から容器内に蒸気を導入して一時的に収容し、その後、この容器の底面に設けられて多数の貫通孔がほぼ全体に形成された円形のパンチングプレートを介して蒸気を供給するようにしていた。しかしながら、上記導入ノズルの配置により、このノズルの延長線上付近の領域の貫通孔からの蒸気の流量だけが多くなってしまったり、貫通孔の孔径や加工具合などの微妙なバラツキによって各貫通孔からの蒸気の流量が不均一になったりするため、現実には、上記問題は十分には解決されていなかった。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、蒸気を用いた基板表面の処理を基板面内で均一に行うことができる基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板の表面に蒸気を供給して、基板の表面に処理を施す基板表面処理装置において、基板を保持しつつ、基板の中心を通り基板に垂直な回転軸を中心に基板を回転させる基板保持手段（４５）と、この基板保持手段に保持された基板に向けて蒸気を供給する蒸気供給機構（９０）とを備え、蒸気供給機構は、基板保持手段に保持された基板に対向する位置に設けられ、蒸気の導入口（３６ａ）を有する供給室（９１）と、基板保持手段を含む空間と供給室内の空間とを仕切るように設けられ、供給室内の蒸気を基板保持手段に保持された基板に供給するためのスリット状の蒸気供給孔（９３ａ）を有する整流部材（９３）とを備えることを特徴とする基板表面処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じである。
【００１１】
この構成によれば、蒸気が導入口から供給室内に供給される。この場合、蒸気は、供給室において流路の断面積が拡大されて広がった後、蒸気供給孔から吐出される。これにより、蒸気供給孔での蒸気の流量分布がより均一化されるため、基板表面での蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にでき、蒸気を用いた基板表面の処理を、基板の面内でさらに均一に行うことができる。また、基板保持手段によって基板が回転されつつ、その基板の表面にスリット状の蒸気供給孔から蒸気がほぼカーテン状に供給される。これによると、蒸気供給孔がスリット形状であるので、多数の貫通孔から蒸気を供給する従来の技術のように導入ノズルの配置や蒸気供給孔の孔径や加工のバラツキなどによって、蒸気供給孔からの蒸気の流量分布が不均一になることが抑制され、基板が回転されている限り、基板表面での蒸気の濃度分布や流量分布を均一にできる。このため、蒸気を用いた基板表面の処理を、基板の面内で均一に行うことができる。
【００１２】
ここで、「スリット状」とは、幅に比べて長さが長い細長い形状のことを指す。また、「スリット状の蒸気供給孔」は、たとえば、薄板材に開けられたスリット状の貫通孔であってもよいし、ブロック状の部材に開けられたスリット状の開口部であってもよいし、あるいは、隙間をもって向かい合う２枚の平板のスリット状の開口部であってもよい。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板表面処理装置において、蒸気供給孔（９３ａ）は、基板保持手段に保持されている基板の表面に平行な平面内において延びるように設けられていることを特徴とする基板表面処理装置である。
【００１４】
この構成によれば、蒸気供給孔は基板の表面に平行な方向に延びて設けられている。これにより、蒸気供給孔から基板表面までの距離はどの位置においても一定であるため、基板表面での蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にできるので、蒸気を用いた基板表面の処理を、基板の面内でさらに均一に行うことができる。
【００１５】
なお、この請求項２に記載の発明において、請求項３に記載の発明のように、整流部材（９３）は、基板保持手段に保持されている基板の表面に対向し、該基板の表面に平行な上記平面内において上記蒸気供給孔の周囲に広がる整流面（９３の下面）を有することが好ましい。この場合には、基板に平行で蒸気供給孔を含む平面内において広がる整流面を有するような整流部材が設けられている。これにより、基板表面と整流部材の整流面との間は、平行な２面で囲まれた処理空間となるため、基板の回転による乱流が最小限に抑えられる。このため、基板の処理空間における蒸気の流れが乱されて偏ってしまうことがないので、基板表面での蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にでき、蒸気を用いた基板表面の処理を、基板の面内でさらに均一に行うことができる。
【００１６】
なお、整流部材は、蒸気供給孔を含み基板表面に平行に対向する平面（整流面）を有するものであればよく、たとえば、少なくとも一つの整流面が形成された薄板状の部材であってもよいし、少なくとも一つの整流面が形成されたブロック状部材であってもよい。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から３までのいずれかに記載の基板表面処理装置において、蒸気供給孔（９３ａ）は、基板の回転軸（ＯＷ）に交差するように設けられていることを特徴とする基板表面処理装置である。
【００１８】
この構成によれば、基板の回転軸の延長線上に少なくとも蒸気供給孔が開口している。これにより、基板の回転中心（回転軸と基板との交点）においても確実に蒸気が供給される。このため、基板の回転中心を含む基板表面全域での蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にでき、蒸気を用いた基板表面の処理を、基板の面内でさらに均一に行うことができる。
【００１９】
なお、この請求項４に記載の発明において、請求項５に記載の発明のように、蒸気供給孔（９３ａ）は、少なくとも基板の回転半径を覆う範囲に設けられているのが好ましい。この場合、基板の回転中心から基板の回転外周に至る範囲全域に対して確実に蒸気が供給される。これにより、基板が回転している限り、基板表面全域での蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にでき、蒸気を用いた基板表面の処理を、基板の面内でさらに均一に行うことができる。
【００２０】
ここで、「基板の回転外周」とは、基板が回転する際に、基板の回転中心から最も遠い基板上の点が描く円軌跡のことで、「基板の回転半径」とは、この基板の回転外周の半径のことである。たとえば、基板が円形の場合は、回転外周は基板自体の外周に等しく、回転半径は基板自体の半径に等しいが、基板が角形、たとえば長方形である場合には、回転外周は基板の角部が描く円軌跡であり、回転半径は基板の対角線の長さの半分に等しい。
【００２１】
なお、さらに、請求項６に記載の発明のように、蒸気供給孔（９３ａ）は、少なくとも基板の回転直径を覆う範囲に設けられていることが好ましい。この場合、基板の回転外周から回転中心を介して反対側の回転外周に至る範囲全域に対して確実に蒸気が供給される。これによれば、請求項５の発明に比べてさらに、基板が１回転する間に２回の蒸気供給を行うことができ、仮にスリット状の孔の幅が長さ方向に関して不均一であったとしても、２回の蒸気供給によってこの不均一さを平均化することができる。このため、基板表面全域での蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にでき、蒸気を用いた基板表面の処理を、基板の面内でさらに均一に行うことができる。
【００２２】
なお、基板が１回転する間の蒸気供給の回数を増加させればさせるほど蒸気の濃度分布や流量分布の均一性を向上できることになる。たとえば、蒸気供給孔を、基板の回転軸を中心とする十字状や放射状のスリット状の孔とすればよい。しかし、このような構成にすると、結局、蒸気供給孔の開口面積の合計が増えるため、蒸気供給孔での蒸気の流量分布の均一性が低下してしまい、基板表面での濃度や流量の分布は必ずしもよくなるとは限らない。
【００２３】
ここで、「基板の回転直径」とは、基板の回転外周の直径であり、言い換えれば、基板の回転半径の２倍である。たとえば、基板が円形の場合は、回転直径は基板自体の直径に等しいが、基板が角形、たとえば長方形である場合には、回転直径は基板の対角線の長さに等しい。
【００２４】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１から６までのいずれかに記載の基板表面処理装置において、蒸気供給孔に連通し、互いに平行に向かい合う一対の面で挟まれた通路（９２ｂ）をさらに有することを特徴とする基板表面処理装置である。
【００２５】
この構成によれば、蒸気は、平らな隙間状の通路を介して蒸気供給孔から基板へと供給される。これにより、蒸気供給孔からの蒸気の吐出方向が安定し、蒸気供給孔付近での蒸気の乱流を抑制するため、基板表面への蒸気の供給を確実に行うことができ、蒸気を用いた基板表面の処理を、基板の面内でさらに均一に行うことができる。
【００２６】
ここで、「一対の面」とは、一対の平面であってもよいし、一対の曲面であってもよいが、蒸気の吐出方向の安定性を考慮すると、一対の平面である方が好ましい。
【００２７】
また、請求項８に記載の発明は、請求項１から７までのいずれかに記載の基板表面処理装置において、基板保持手段に保持されている基板を加熱する基板加熱手段（４５ｂ）をさらに備えることを特徴とする基板表面処理装置である。
【００２８】
この構成によれば、基板加熱手段によって蒸気が供給されている基板を加熱することができる。これにより、蒸気による基板処理に最適な温度とすることができ、基板処理を良好に行うことができる。
【００２９】
たとえば、基板の処理がエッチング処理である場合には、エッチング処理速度を増減させたり、エッチング選択比を大きくすることができ、また、密着強化剤塗布処理である場合には、密着強化剤塗布膜の均一性を向上させることができる。
【００３０】
ここで、「基板加熱手段」とは、基板保持手段内に内蔵された面発熱ヒータであってもよいし、基板保持手段の上方に設けられた赤外線ランプまたはセラミックヒータであってもよい。
【００３１】
また、請求項９に記載の発明は、請求項１から８までのいずれかに記載の基板表面処理装置において、上記蒸気は、基板の表面の膜を除去するための酸を含む蒸気であることを特徴とする基板表面処理装置である。
【００３２】
この構成によれば、酸を含む蒸気が蒸気供給孔から基板に供給され、基板表面をエッチング処理または洗浄処理することができ、請求項１から８までのいずれかに記載の基板表面処理装置との組合わせにより、蒸気を用いて基板表面を均一に気相エッチングまたは気相洗浄することができる。
【００３３】
ここで、「酸を含む蒸気」とは、塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸（ＨＦおよび無水ＨＦを含む）、または酢酸であってもよい。
【００３４】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項１から９までのいずれかに記載の基板表面処理装置において、供給室は、少なくとも基板の回転半径を覆うように設けられたことを特徴とする基板表面処理装置である。
【００３５】
また、請求項１１に記載の発明は、請求項１から１０までのいずれかに記載の基板表面処理装置において、供給室は、少なくとも基板の回転直径を覆うように設けられたことを特徴とする基板表面処理装置である。
【００３６】
また、請求項１２に記載の発明は、請求項１から１１までのいずれかに記載の基板表面処理装置において、供給室は、円筒状の内部空間を有することを特徴とする基板表面処理装置である。
【００３７】
また、請求項１３に記載の発明は、請求項１から１２までのいずれかに記載の基板表面処理装置において、供給室内で整流部材のスリット状の蒸気供給孔上に設けられたノズルブロック（９２）をさらに備え、ノズルブロックは、蒸気供給孔と供給室内の空間とを連通させる通路（９２ｂ）を有することを特徴とする基板表面処理装置である。
【００３８】
また、請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の基板表面処理装置において、供給室内の空間がノズルブロックにより一方および他方の拡散室（９１Ａ，９１Ｂ）に分離されたことを特徴とする基板表面処理装置である。
【００３９】
また、請求項１５に記載の発明は、請求項１３または１４に記載の基板表面処理装置において、ノズルブロックの側面に通路を通して蒸気供給孔に連通するブロック孔（９２ａ）が開口したことを特徴とする基板表面処理装置である。
また、請求項１６に記載の発明は、請求項１５に記載の基板表面処理装置において、ブロック孔は、導入口とは反対側に開口したことを特徴とする基板表面処理装置である。
【００４０】
また、請求項１７に記載の発明は、基板の表面に蒸気を供給して、基板の表面に処理を施す基板表面処理方法において、基板の中心を通り基板に垂直な回転軸を中心に基板を回転させる基板回転工程と、基板保持手段に保持された基板に対向する位置に設けられた供給室内に蒸気を導入する蒸気導入工程と、基板保持手段を含む空間と供給室内の空間とを仕切るように設けられた整流部材のスリット状の蒸気供給孔から基板回転工程において回転されている基板の表面に対して蒸気を供給する蒸気供給工程と、を備えることを特徴とする基板表面処理方法である。
【００４１】
この方法によれば、上記請求項１に記載の基板表面処理装置の発明の効果と同様に、基板表面の面内で均一な処理を行うことができるので、処理均一性が良好な基板を提供することができる。
【００４２】
なお、この請求項１７の基板表面処理方法の発明に関しても、上記請求項１から１６までのいずれかに記載の基板表面処理装置の発明に関して上述したとおりの変形と同様の変形を行うことができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付けの図面を参照して詳細に説明する。
【００４４】
図１は、この発明の一実施形態に係る基板表面膜除去装置の構成を説明するための図解的な平面図である。この装置は、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗの表面に形成された酸化膜を除去するための装置である。より具体的には、たとえば、ウエハＷ上に形成された熱酸化膜上にメモリキャパシタ形成のために使用される犠牲酸化膜（ＢＰＳＧ膜など）が形成されている場合に、この犠牲酸化膜を選択的に除去するための装置である。この処理のために、この基板表面膜除去装置では、ふっ酸の蒸気をウエハＷの表面に供給することにより、ふっ酸の気相エッチング処理によって膜除去工程が行われる。
【００４５】
装置の構成について説明すると、この装置は、処理前のウエハＷを収容したカセットＣＬが置かれるローダ部１０と、ウエハＷの表面に対して、ふっ酸蒸気による気相エッチング処理を行う気相エッチング処理部４０と、この気相エッチング処理後のウエハＷを水洗し、その後、水切り乾燥を行う水洗・乾燥処理部５０と、水洗・乾燥処理部５０によって処理された後のウエハＷを収容するためのカセットＣＵが載置されるアンローダ部６０と備えている。
【００４６】
ローダ部１０およびアンローダ部６０は、この基板表面処理装置の前面パネル７７の背後に配置されている。ローダ部１０、気相エッチング処理部４０、水洗・乾燥処理部５０、およびアンローダ部６０は、平面視においてほぼＵ字形状のウエハ搬送径路７８に沿って、この順に配列されている。
【００４７】
ローダ部１０と気相エッチング処理部４０との間には、ローダ部１０に置かれたカセットＣＬから処理前のウエハＷを１枚ずつ取り出して、気相エッチング処理部４０に搬入するローダ搬送ロボット７１が配置されている。また、気相エッチング処理部４０と水洗・乾燥処理部５０の間には、気相エッチング処理後のウエハＷを気相エッチング処理部４０から取り出して、水洗・乾燥処理部５０に搬入する中間搬送ロボット８１が配置されている。そして、水洗・乾燥処理部５０とアンローダ部６０の間には、水洗・乾燥処理後のウエハＷを水洗・乾燥処理部５０から取り出してアンローダ部６０に置かれたカセットＣＵに収容するためのアンローダ搬送ロボット７２が配置されている。
【００４８】
ローダ搬送ロボット７１、中間搬送ロボット８１およびアンローダ搬送ロボット７２は、それぞれ、下アームＬＡと上アームＵＡとを有する屈伸式のロボットの形態を有している。下アームＬＡは、図示しない回動駆動機構によって水平面に沿って回動されるようになっている。この下アームＬＡの先端に、上アームＵＡが水平面に沿う回動が自在であるように設けられている。下アームＬＡが回動すると、上アームＵＡは、下アームＬＡの回動方向とは反対方向に、下アームＬＡの回動角度の２倍の角度だけ回動する。これによって、下アームＬＡと上アームＵＡとは、両アームが上下に重なり合った収縮状態と、両アームが径路７８に沿って一方側または他方側に向かって展開された伸長状態とをとることができる。
【００４９】
このようにして、ローダ搬送ロボット７１、中間搬送ロボット８１およびアンローダ搬送ロボット７２は、処理部間またはカセット−処理部間で、径路７８に沿ってウエハＷの受渡し行うことができる。
【００５０】
気相エッチング処理後のウエハＷを水洗および乾燥させる水洗・乾燥処理部５０は、たとえば、ウエハＷを水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持されたウエハＷに対して純水を供給する純水供給ノズルを備えている。この構成によって、ウエハＷの表面および／または裏面に純水を供給してウエハＷの表面を水洗する。水洗終了後は、純水の供給を停止し、スピンチャックを高速回転させることによって、ウエハＷの表面の水分を振り切って乾燥する。
【００５１】
図２は、気相エッチング処理部４０の構成を説明するための図解的な断面図である。気相エッチング処理部４０は、ハウジング４１内に、ふっ酸水溶液４２を密閉状態で貯留し、ウエハＷに向けて供給すべきふっ酸蒸気を発生させるふっ酸蒸気発生機構４３を備えている。このふっ酸蒸気発生機構４３の下部には、ふっ酸蒸気をウエハＷに向けて供給するためのふっ酸蒸気供給部９０が設けられている。さらに、このふっ酸蒸気供給部９０には、ほぼ円筒状の供給室９１と、この供給室９１の底部を閉塞するように、ウエハＷとほぼ平行に設けられ、細長形状のスリット孔９３ａが形成された円板状の整流板９３と、が備えられている。このふっ酸蒸気供給部９０においては、ふっ酸蒸気は、供給室９１内部を通過して、整流板９３のスリット孔９３ａからウエハＷの上面に供給される。なお、このふっ酸蒸気供給部９０周辺の詳しい構成については後述する。
【００５２】
整流板９３の下方には、処理対象のウエハＷを整流板９３に対向させた状態で水平に保持するホットプレート４５が配置されている。このホットプレート４５の内部には、ウエハＷを所定の温度（たとえば、４０℃〜８０℃）で加熱するためのヒータ４５ｂが設けられている。さらに、ホットプレート４５は、モータ等を含む回転駆動機構４６によってウエハＷの中心を通る鉛直軸ＯＷ（以下、回転軸ＯＷという）まわりに回転（自転）されるスピン軸４７の上端に固定されている。なお、上述のとおり、ＢＰＳＧ膜と熱酸化膜とでは、一定の温度（たとえば、４０℃〜８０℃の範囲内の所定温度）でのふっ酸蒸気によるエッチングレートが大きく異なるから、これを利用して、ウエハＷの表面のＢＰＳＧを選択的に取り除くことができる。そこで、ホットプレート４５は、ウエハＷを上記一定の温度に保持するように、内部のヒータ４５ｂへの通電が行われている。
【００５３】
ホットプレート４５の平面視における外方側には、ハウジング４１の底面４１ａに対して上下に収縮するベローズ４８が設けられている。このベローズ４８は、上端縁に設けられている円環状の当接部４８ａを整流板９３の周囲（ふっ酸蒸気発生機構４３の下面）に当接させて、ホットプレート４５の周縁の空間を密閉して処理室８５を形成する密閉位置（図において実線で示す位置）と、その上端縁がホットプレート４５の上面４５ａによりも下方に退避した退避位置（図２において２点鎖線で示す位置）との間で、図示しない駆動機構によって伸長／収縮駆動されるようになっている。
【００５４】
ベローズ４８の内部空間は、ハウジング４１の底面４１ａにおいて開口する排気口４９ａに接続された排気配管４９を介して、排気源５５により排気されるようになっている。また、この排気口４９ａは、ホットプレート４５に保持されたウエハＷよりも下方に位置しており、ウエハＷの上方から供給されたふっ酸蒸気を円滑に排気できるようになっている。なお、この排気源５５は、排気ブロワまたはエジェクタなどの強制排気機構であってもよいし、当該基板表面処理装置が設置されるクリーンルームに備えられた排気設備であってもよい。
【００５５】
ホットプレート４５の側方には、ウエハＷを搬入するための搬入用開口２１、およびウエハＷを排出するための搬出用開口２２が、ハウジング４１の側壁に形成されている。これらの開口２１，２２には、それぞれシャッタ３８，３９が配置されている。ウエハＷの搬入時には、ベローズ４８が退避位置（図２の破線の位置）に下降させられるとともに、シャッタ３８が開成され、ローダ搬送ロボット７１（図１参照）によって、ホットプレート４５にウエハＷが受け渡される。また、ウエハＷの搬出時には、ベローズ４８が退避位置とされるとともに、シャッタ３９が開成されて、ホットプレート４５上のウエハＷが中間搬送ロボット８１に受け渡されて搬出される。なお、開口２１およびシャッタ３８と、開口２２およびシャッタ３９との配置関係は、実際には、平面視でこれらとウエハＷの中心とを結ぶ２本の線分が直交するようになっているが、この図２においては、図示の簡略化のため、これらの配置関係が、平面視でこれらとウエハＷの中心とを結ぶ２本の線分が一直線上に重なるように（ウエハＷの中心に対してほぼ点対称の位置関係に）描かれている。
【００５６】
ふっ酸蒸気発生機構４３には、ふっ酸水溶液４２の液面の上方の空間３５に、キャリアガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給配管５４が接続されている。また、この空間３５は、バルブ３７を介して、ウエハＷへとふっ酸蒸気を導くためのふっ酸蒸気供給路３６に接続することができるようになっている。ふっ酸蒸気供給路３６には、窒素ガス供給源３１からの窒素ガスが、流量コントローラ（ＭＦＣ）３２、バルブ３３および窒素ガス供給配管３４を介して供給されるようになっている。また、窒素ガス供給源３１からの窒素ガスは、流量コントローラ５２およびバルブ５３を介して、窒素ガス供給配管５４に与えられるようになっている。なお、窒素ガスの供給／停止を切り換えるバルブ３３，５３、および窒素ガスの供給量を変化させる流量コントローラ３２，５２は、コントローラ８０によって制御されるようになっている。
【００５７】
また、ふっ酸蒸気発生機構４３内に貯留されるふっ酸水溶液４２は、いわゆる疑似共沸組成となる濃度（たとえば、１気圧、室温（２０℃）のもとで、約３９．６％）に調製されている。この疑似共沸組成のふっ酸水溶液４２は、水とフッ化水素との蒸発速度が等しく、そのため、バルブ３７からふっ酸蒸気供給路３６を介してふっ酸蒸気が導かれることによってふっ酸蒸気発生機構４３内のふっ酸水溶液４２が減少したとしても、ふっ酸蒸気供給路３６に導かれるふっ酸蒸気の濃度は不変に保持される。なお、図２中、符号４４は、ふっ酸蒸気発生機構４３内のふっ酸水溶液４２を一定の温度に保持するための温調水が流通する温調配管を示している。
【００５８】
ここで、ふっ酸蒸気供給部９０周辺の構成を図３を用いてさらに詳細に説明する。ウエハＷの上方には、ふっ酸蒸気供給路３６からのふっ酸蒸気およびキャリアガスとしての窒素ガスが導かれる内部空間を有する供給室９１が形成されており、前述の整流板９３が、この供給室９１の底面を塞ぐように設けられている。なお、供給室９１の内部空間はウエハＷの回転軸ＯＷを中心軸とする円筒空間となっている。また、供給室９１の内周面９１ａには、ふっ酸蒸気供給路３６に連通し、供給室９１内にふっ酸蒸気を導入するための導入口３６ａが開口している。
【００５９】
そして、整流板９３の中央部には、図３における紙面の手前から奥の方向に直線状に延びたスリット孔９３ａが貫通して形成されており、このスリット孔９３ａの上方を覆うように、整流板９３上にノズルブロック９２が設けられている。このノズルブロック９２の図２における右側面には、スリット孔９３ａと同様な長さのスリット状のブロック孔９２ａが開口しており、また、ノズルブロック９２の内部には、平らな隙間状のブロック通路９２ｂが、ブロック孔９２ａとスリット孔９３ａを連通するように形成されている。なお、このブロック通路９２ｂは、互いに平行に向かい合う一対の平面（図３におけるブロック通路９２ｂの左右の平面）で挟まれて設けられる。
【００６０】
このノズルブロック９２によって、供給室９１の内部は、図３における左右の２つの拡散室９１Ａおよび９１Ｂに分割されており、また、これら２つの拡散室９１Ａ，９１Ｂは、供給室９１の天井面とノズルブロック９２との間の隙間９１ｈで連通されている。これらの構成によると、ふっ酸蒸気供給路３６を介して導入口３６ａから導かれたふっ酸蒸気は、まず、左の拡散室９１Ａに導入された後、隙間９１ｈを通過して右の拡散室９１Ｂに導入され、そして、ブロック孔９２ａおよびブロック通路９２ｂを介して、スリット孔９３ａからウエハＷの上方へと供給される。
【００６１】
なお、図３および図４で示したように、導入口３６ａの断面積よりも拡散室９１Ａの断面積の方が大きく、また、隙間９１ｈの断面積よりも拡散室９１Ｂの断面積の方が大きくなっている。このため、拡散室９１Ａおよび９１Ｂは、ともにふっ酸蒸気を拡散させることができる蒸気拡散室として機能することとなり、ふっ酸蒸気の濃度分布および流量分布を均一化させる働きを持つことになる。
【００６２】
ここで、図３におけるＡ−Ａ断面の平面図を図４に示す。この図４に示すように、スリット孔９３ａ（およびブロック通路９２ｂ）は、その長さのほぼ中央で、ウエハＷの回転軸ＯＷに交差（本実施形態の場合は、直交）するように設けられている。また、スリット孔９３ａの長さは、ウエハＷの直径以上の長さとなっており、ウエハＷの直径を覆う範囲に設けられている。この構成によると、ウエハＷを回転させている限り、ウエハＷの全面に向けてふっ酸蒸気が供給されることになるので、ウエハＷ表面でのエッチング処理を均一化できる。
【００６３】
ここで、処理室８５内でのウエハＷの処理動作について説明する。ウエハＷの表面の膜を除去する膜除去工程を行う時には、ベローズ４８は整流板９３の周縁に密着した密着位置（図２の実線の位置）まで上昇させられて、ホットプレート４５を取り囲む密閉した処理室８５が形成される。この状態で、コントローラ８０は、バルブ３３，３７，５３を開成状態に保持する。これにより、ふっ酸蒸気発生機構４３内の空間３５において生成されたふっ酸蒸気は、窒素ガス供給配管５４からの窒素ガスによって、バルブ３７を介し、ふっ酸蒸気供給路３６へと押し出される。このふっ酸蒸気は、さらに、窒素ガス供給配管３４からの窒素ガスによって、導入口３６ａから供給室９１内へと導入され、さらに整流板９３上のノズルブロック９２や整流板９３に形成されたスリット孔９３ａを介して、回転するウエハＷの表面へと供給される。そして、ウエハＷの表面では、ふっ酸蒸気とウエハＷの表面の酸化膜（酸化シリコン）とが反応し、これにより、酸化膜の除去が達成される。
【００６４】
以上のようにして膜除去工程を予め定めた一定の時間だけ行った後には、コントローラ８０は、バルブ３７，５３を閉じて、膜除去工程を停止させる。それとともに、コントローラ８０は、バルブ３３を継続して開成状態にしておくとともに、流量コントローラ３２を制御して配管３４中を流通する窒素ガスの流量を増大させ、この窒素ガスを整流板９３のスリット孔９３ａを介して、ウエハＷの表面に供給する。これによって、ウエハＷの表面付近に存在している水分子およびふっ酸分子が置換除去され、排気配管４９を介する処理室８５の排気によって、処理室８５外へと運び去られる。このようにして膜除去工程の直後に、ウエハＷの表面には不活性ガスとしての窒素ガスが供給されると、ウエハＷの表面付近の水およびふっ酸の分子がすみやかに除去され、気相エッチング処理がすみやかに停止する。そして、膜除去工程後の窒素ガスの供給は、一定時間（たとえば１０秒以上。２０秒程度が好ましい。）にわたって継続され、その後、コントローラ８０は、バルブ３３を閉じて窒素ガスの供給を停止して一連の気相エッチング処理を終了する。
【００６５】
以上に説明した一実施形態によると、ホットプレート４５によってウエハＷが回転されつつ、そのウエハＷの表面にスリット孔９３ａからふっ酸蒸気がほぼカーテン状に供給される。このため、ウエハＷが回転されている限り、ウエハＷ表面でのふっ酸蒸気の濃度分布や流量分布を均一にでき、蒸気を用いたウエハＷ表面の気相エッチング処理を、ウエハＷの面内で均一に行うことができる。
【００６６】
また、スリット孔９３ａはウエハＷの表面に平行な方向に延びて設けられているので、スリット孔９３ａからウエハＷ表面までの距離はどの位置においても一定であり、したがって、ウエハＷ表面でのふっ酸蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にできる。
【００６７】
また、ウエハＷ表面に平行でスリット孔９３ａの周囲に広がる整流面（整流板９３の下面）を有する整流板９３が設けられている。これにより、ウエハＷの回転による乱流が最小限に抑えられるため、ウエハＷの処理空間におけるふっ酸蒸気の流れが乱されて偏ってしまうことがないので、ウエハＷ表面でのふっ酸蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にできる。
【００６８】
また、ウエハＷの回転軸ＯＷの延長線上に少なくともスリット孔９３ａが開口しているから、ウエハＷの回転中心（回転軸ＯＷとウエハＷとの交点）を含むウエハＷ表面全域でのふっ酸蒸気の流量分布をさらに均一にできる。
【００６９】
また、スリット孔９３ａは、ウエハＷの回転半径（ウエハＷの半径）を覆う範囲に設けられているので、ウエハＷの回転中心からウエハＷの回転外周（ウエハＷの外周）に至る範囲全域に対して確実にふっ酸蒸気が供給される。これにより、ウエハＷが回転している限り、ウエハＷ表面全域での蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にできる。
【００７０】
なお、この実施形態においては、さらに、スリット孔９３ａは、ウエハＷの回転直径（ウエハＷの直径）をも覆う範囲に設けられているので、仮にスリット孔９３ａの幅が長さ方向に関して不均一であったとしても、この不均一さを平均化することができる。このため、ウエハＷが回転している限り、ウエハＷ表面全域での蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にできる。
【００７１】
また、ふっ酸蒸気は、平らな隙間状のブロック通路９２ｂを介してスリット孔９３ａからウエハＷへと供給される。これにより、スリット孔９３ａからのふっ酸蒸気の吐出方向が安定し、スリット孔９３ａ付近での蒸気の乱流を抑制するため、ウエハＷ表面へのふっ酸蒸気の供給を確実に行うことができる。
【００７２】
また、供給室９１内を流れるふっ酸蒸気は、拡散室９１Ａおよび９１Ｂにおいてその流路の断面積が拡大されて広がった後、スリット孔９３ａから吐出される。これにより、スリット孔９３ａでのふっ酸蒸気の流量分布がより均一化されるため、ウエハＷ表面でのふっ酸蒸気の濃度分布や流量分布をさらに均一にできる。
【００７３】
また、ヒータ４５ｂによってふっ酸蒸気が供給されているウエハＷを加熱することができるので、ウエハＷを気相エッチング処理に最適な温度とすることができ、エッチング処理速度を増減させたり、エッチング選択比を大きくすることができる。
【００７４】
（他の実施形態および参考例）
【００７５】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することも可能である。
【００７６】
上述の一実施形態では、ウエハＷ表面に平行な整流板９３の上にノズルブロック９２が設けられているが、このような場合には、導入口３６ａから導入されたふっ酸蒸気は、供給室９１内で拡散されてすぐにスリット孔９３ａからウエハＷ表面に供給されることになる。
【００７７】
また、上述の一実施形態では、整流部材としての整流板９３は薄板材で形成されているが、すくなくともウエハＷ表面に平行な整流面を有するものであればよく、ウエハＷに平行な平面が形成されたブロック状の部材であってもよい。
【００７８】
図５は参考例のふっ酸蒸気供給部の周辺の構成を説明するための側方から見た図解的な断面図である。ここで、この構成について簡単に説明すると、ホットプレート４５に保持されたウエハＷの上方には、ウエハＷ表面にふっ酸蒸気を供給するためのふっ酸蒸気供給部２９０が備えられている。このふっ酸蒸気供給部２９０は、図５における手前から奥の方向に長く延びた外形を有し、ウエハＷ表面に向けてふっ酸蒸気を吐出するスリットノズル２９２と、このスリットノズル２９２と導入口３６ａとを接続する接続配管２９３とからなっている。また、このスリットノズル２９２には、スリットノズル２９２の図５における左側面において配管２９３が接続される丸孔状のノズル開口２９２ａと、このノズル開口２９２ａに連通する直方体状の拡散室２９２ｂと、この拡散室２９２ｂに連通する平らな隙間状のノズル通路２９２ｃと、このノズル通路２９２ｃに連通する細長形状のスリット孔２９２ｄと、が形成されている。これらの構成により、導入口３６ａから導入されたふっ酸蒸気は、接続配管２９３、ノズル開口２９２ａ、拡散室２９２ｂ、およびノズル通路２９２ｃを順に通過して、スリット孔２９２ｄからウエハＷ表面へ供給されることになる。
【００７９】
なお、スリット孔２９２ｄは、上述の一実施形態と同様に、平面視でウエハＷの直径を覆う範囲に設けられている。また、ノズル通路２９２ｃは一対の面で挟まれた通路となっており、拡散室２９２ｂは上述の蒸気拡散室としての機能を有している。
【００８０】
また、この図５で示した参考例においては、スリットノズル２９２とホットプレート４５とを相対的に往復移動させるモータやシリンダなどの往復移動手段（図示せず）を備えるのが好ましい。具体的には、図５の紙面左右方向（Ｆの方向）に沿う方向、すなわち、スリット孔２９２ｄの延びる方向に直交しウエハＷに平行な方向にスリットノズル２９２の移動を案内するガイドレール（案内機構）を設け、モータ等により、このガイドレールに沿ってスリットノズル２９２をウエハＷおよびホットプレート４５に対して往復して揺動させてもよい。なお、このスリットノズル２９２を揺動させる範囲は、ウエハＷの全面を覆う範囲とするのが好ましい。また、上述の一実施形態（図２〜図４）においても、たとえば、ホットプレート４５を紙面左右方向に往復して揺動させることができる。このようにすれば、スリットノズル２９２とウエハＷおよびホットプレート４５とを相対的に揺動させることができ、ウエハＷに対する蒸気の供給位置が常に変化するので、ウエハＷ上方の処理空間における蒸気の濃度や流量が均一化される。
【００８１】
また、上述の実施形態および参考例では、スリット孔９３ａ，２９２ｄはウエハＷの表面に平行な方向に延びて設けられているが、これに限らず、ウエハＷの表面に対して傾斜した方向に延びていてもよい。たとえば、ウエハＷの周辺部ではふっ酸蒸気の濃度低下のためにエッチングレートが低下する場合があるので、このような場合には、ウエハＷの中心から外周に行くにしたがってウエハＷ表面に近づくように傾斜する山形状のスリット孔としてもよい。
【００８２】
また、上述の実施形態では、平面視でスリット孔９３ａは一直線状に延びているが、たとえば、平面視で曲線状に延びるものであってもよいし、ウエハＷの回転軸ＯＷを中心として平面視で十字状または放射状に延びるものであってもよい。
【００８３】
また、上述の実施形態では、基板保持手段としてのホットプレート４５にはヒータ４５ｂが設けられているが、特に基板保持手段にヒータ４５ｂが設けられている必要はない。またこの基板加熱手段としてのヒータ４５の代わりに、たとえば、ウエハＷの上方に設けられた赤外線ランプまたはセラミックヒータを用いてもよい。
【００８４】
また、上述の実施形態および参考例では、スリット孔９３ａ，２９２ｄに至るまでの流路の途中には、蒸気拡散室としての拡散室９１Ａ，９１Ｂ，２９２ｂが設けられているが、この蒸気拡散室を設ける場合、その蒸気拡散室の数は２つ以上であることが好ましい。
【００８５】
なお、上述の実施形態では、ウエハＷ表面を処理するための蒸気としてふっ酸蒸気を用いているが、塩酸、硝酸、硫酸、または酢酸などのような酸を含む蒸気であれば何でもよい。たとえば、上記酸を含む水溶液自体の蒸気であってもよく、上記酸を含むガス（気相状態のもの）を水蒸気中に混合したものであってもよい。また、レジスト密着強化膜をウエハＷ表面で均一に塗布するレジスト密着強化剤塗布装置およびレジスト密着強化剤塗布方法に本発明を適用してもよく、この場合、ウエハＷ表面を処理するための蒸気としては、ＨＭＤＳなどのようなレジスト密着強化剤の蒸気が用いられる。
【００８６】
また、上述の実施形態においては、処理対象の基板は、半導体用のウエハＷであるが、液晶表示装置およびプラズマディスプレイ用ガラス基板、ならびに光、磁気および光磁気ディスク用基板などの各種の基板であってもよい。また、その基板の外形も、円形に限らず、角型であってもよい。
【００８７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【００８８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、請求項１に係る発明の基板表面処理装置によると、基板表面での蒸気の濃度分布や流量分布を均一にでき、蒸気を用いた基板表面の処理を基板の面内で均一に行うことができるという効果を奏する。
【００８９】
また、請求項２に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１に記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【００９０】
また、請求項３に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項２に記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【００９１】
また、請求項４に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１から３までのいずれかに記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【００９２】
また、請求項５に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項４に記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【００９３】
また、請求項６に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項５に記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【００９４】
また、請求項７に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１から６までのいずれかに記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【００９５】
また、請求項８に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１から７までのいずれかに記載の発明において、蒸気による基板処理に最適な温度とすることができ、基板処理を良好に行うことができるという効果を奏する。
【００９６】
また、請求項９に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１から８までのいずれかに記載の発明において、特に、基板表面を均一に気相エッチングまたは気相洗浄することができるという効果を奏する。
【００９７】
また、請求項１０に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１から９までのいずれかに記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【００９８】
また、請求項１１に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１から１０までのいずれかに記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【００９９】
また、請求項１２に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１から１１までのいずれかに記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【０１００】
また、請求項１３に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１から１２までのいずれかに記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【０１０１】
また、請求項１４に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１３に記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【０１０２】
また、請求項１５に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１３または１４に記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【０１０３】
また、請求項１６に係る発明の基板表面処理装置によると、請求項１５に記載の発明の効果をさらに向上させることができる。
【０１０４】
さらに、請求項１７に係る発明の基板表面処理方法によると、請求項１に記載の発明の基板表面処理装置と同様の効果を奏する基板表面処理方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板表面処理装置の構成を説明するための図解的
な平面図である。
【図２】この発明の一実施形態に係る気相エッチング処理部の構成を説明するための側
方から見た図解的な断面図である。
【図３】この発明の一実施形態に係るふっ酸蒸気供給部９０周辺の構成を説明するため
の側方から見た図解的な断面図である。
【図４】この発明の一実施形態に係るふっ酸蒸気供給部９０の周辺の構成を説明するた
めの図３Ａ−Ａ断面における図解的な断面図である。
【図５】参考例のふっ酸蒸気供給部の周辺の構成を説明するための側方から見た図解的な断面図である。
【符号の説明】
２１    搬入用開口
２２    搬出用開口
３１    窒素ガス供給源
３２    流量コントローラ
３３    バルブ
３４    窒素ガス供給配管
３５    空間
３６    ふっ酸蒸気供給路
３６ａ  導入口
３７    バルブ
３８，３９  シャッタ
４０    気相エッチング処理部（基板表面処理装置）
４１    ハウジング
４１ａ  ハウジングの底面
４２    ふっ酸水溶液
４３    ふっ酸蒸気発生機構
４４  温調配管
４５    ホットプレート（基板保持手段）
４５ａ  ホットプレートの上面
４５ｂ  ヒータ（基板加熱手段）
４６    回転駆動機構
４７    スピン軸
４８    ベローズ
４９    排気配管
４９ａ  排気口
５２    流量コントローラ
５３    バルブ
５４    窒素ガス供給配管
５５    排気源
８０    コントローラ
８５    処理室
９０    ふっ酸蒸気供給部（蒸気供給機構）
９１    供給室
９１Ａ  拡散室（蒸気拡散室）
９１Ｂ  拡散室（蒸気拡散室）
９１ａ  内周面
９１ｈ  隙間
９２  ノズルブロック
９２ａ  ブロック孔
９２ｂ  ブロック通路（通路）
９３    整流板（整流部材）
９３ａ  スリット孔（蒸気供給孔）
２９０    ふっ酸蒸気供給部（蒸気供給機構）
２９２  スリットノズル
２９２ａ  ノズル開口
２９２ｂ  拡散室（蒸気拡散室）
２９２ｃ  ノズル通路（通路）
２９２ｄ  スリット孔（蒸気供給孔）
２９３  接続配管
ＯＷ    回転軸（基板の回転軸）
Ｗ      ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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