(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超電導遷移温度ＴC 以下の温度に冷却した超電導体にパルス磁場を印加することにより，上記超電導体に着磁する方法において，
上記パルス磁場の印加は，上記超電導体の温度を下げながら複数回繰り返して行うことを特徴とする超電導体の着磁方法。
【請求項２】
請求項１記載の超電導体の着磁方法を実施するための超電導磁石装置であって，該超電導磁石装置は，断熱容器内に配設された超電導体と，該超電導体を冷却するための冷却装置と，上記超電導体にパルス磁場を印加するための着磁コイルとからなることを特徴とする超電導磁石装置。
【請求項３】
請求項２において，上記超電導磁石装置は，上記超電導体を加熱するためのヒータを有することを特徴とする超電導磁石装置。
【請求項４】
請求項２又は３において，上記冷却装置は冷凍機であり，該冷凍機には上記超電導体を冷却するためのコールドヘッドを設けてあることを特徴とする超電導磁石装置。
【請求項５】
請求項２又は３において，上記冷却装置は冷媒循環型の冷却装置であり，該冷却装置は，上記超電導体と冷媒とを収納した冷媒容器と，該冷媒容器に冷媒移送管を介して連結された冷媒冷却装置とよりなり，該冷媒冷却装置により冷却した冷媒を上記冷媒容器内との間に循環させるように構成してあることを特徴とする超電導磁石装置。
【請求項６】
請求項２又は３において，上記冷却装置は冷媒貯留型の冷却装置であり，該冷却装置は，上記超電導体と冷媒とを収納した冷媒容器と，該冷媒容器内の上記冷媒の蒸気圧を調整するための排気装置とを有することを特徴とする超電導磁石装置。
【請求項７】
請求項２〜６のいずれか１項において，上記超電導体は，ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（ここに，ＲＥはＹ，希土類元素，又はこれらの元素の組み合わせ）であることを特徴とする超電導磁石装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は，バルク形状（塊状）の超電導体に高い磁場を捕捉させて磁石として用いる場合の，超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
例えば，溶融法により作製されたＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（ＲＥはＹ又は希土類元素）の高温超電導体は１Ｔ（テスラ）を越える大きな磁場を捕捉することができ，従来の永久磁石を凌ぐ性能の磁石となることが知られている。
この超電導体を簡便に着磁する方法としては，例えば特開平６−１６８８２３号公報（文献１），Ｊａｐａｎｅａｓｅ  Ｊｏｕｎａｌ  ｏｆ  ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ  Ｖｏｌ３５（１９９６）ｐ．ｐ．２１１４−２１２５（文献２），特願平８−１８００５８号（文献３）に記載されているごとく，パルス磁場を超電導体に印加する方法（パルス着磁法）が開示されている。
【０００３】
即ち，上記文献１，２によれば，高温超電導体を液体窒素で７７Ｋに冷却した後，高温超電導体の周囲に配置した着磁コイルにパルス電流を通電することにより超電導体に図１１に示すごときパルス磁場Ｐを印加する。これにより，超電導体は，いわゆるピン止め力によって磁場を捕捉して強力な磁石となる。
このパルス着磁法によれば，従来の他の方法（ＦＣ法，ＺＦＣ法）に比べて非常に簡便に超電導体に着磁することができ，この方法を利用した超電導磁石装置はコンパクトにすることができる。
【０００４】
また，文献２においては，超電導体に最大の磁場を捕捉させるためには，印加するパルス磁場の大きさに最適値（最適印加磁場）があることが報告されている。また，パルス着磁法における最適印加磁場は，磁場をかけずに冷却した後静磁場を印加する方法（ＺＦＣ法）における最適印加磁場より大きくなることが報告されている。
また，文献３には，液体窒素に代えて冷凍機を用いて超電導体を冷却する方法が示されている。
【０００５】
【解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来のパルス着磁法において従来よりもさらに強力な磁石を得ようとする場合には，次のような問題点がある。この問題点を明らかにするために，超電導体が磁場を捕捉するメカニズムをあらためて簡単に説明する。
【０００６】
まず，超電導体は，超電導遷移温度ＴC 以下の温度において，臨界電流密度ＪC によって決定されるピン止め力により磁束を捕捉することができる。このピン止め力によって捕捉可能な磁束の密度（捕捉可能磁場）は，図１２（ａ）に示すごとく，超電導体の幅方向において，端部を原点として一定の勾配Ｑを持って分布し，中心部分が最も高くなるという特性がある。
【０００７】
また，上記ピン止め力を決定する臨界電流密度ＪC は，超電導体の材料固有の特性の一つであり，一般的に低温になるほど向上するものである。そのため，超電導体を低温化すれば，臨界電流密度ＪC によって決定されるピン止め力も向上し，上記の捕捉可能磁場の分布の勾配は急峻となり（Ｑ→Ｒ），さらに中心部分の捕捉可能磁場が高くなる。
【０００８】
次に，超電導体が実際に捕捉できる磁場は，超電導体内に侵入した磁束の密度（侵入磁場）を越えることはできない。従って，超電導体が実際に捕捉する磁場（捕捉磁場）を高めるためには超電導体の中心部分にできるかぎり高い磁場を侵入させる必要がある。
一方，パルス着磁法により超電導体内に侵入する侵入磁場Ｓの分布は，図１２（ｂ）に示すごとく，また文献１〜３にも示されているように，上記の捕捉可能磁場Ｒの分布とは逆形状の分布となり，超電導体の端部が最も高く，中心部分が最も低い分布形状となる。
【０００９】
そのため，図１３（ａ）に示すごとく，捕捉可能磁場Ｒの分布を越える十分な侵入磁場Ｓの分布を付与できた場合には，最大限の捕捉磁場Ｂが得られる。一方，図１３（ｂ）に示すごとく，超電導体に付与した侵入磁場Ｓの分布が超電導体の中心部分において捕捉可能磁場Ｒを越えない場合には，特に中心部分の捕捉磁場Ｂが低くなってしまう。
【００１０】
以上のような特性を有する超電導体を従来よりも強力な磁石とするためには，超電導体の捕捉可能磁場を高めることと，これに対応する侵入磁場が得られる高いパルス磁場を印加することが必要である。
超電導体の捕捉可能磁場を高めるためには，超電導体の大径化，超電導体自体の組織制御による臨界電流密度ＪC の向上，超電導体の低温化による臨界電流密度ＪC の向上等の方法がある。
【００１１】
一方，パルス着磁法において従来よりも高い磁場を印加するためには，着磁コイルの巻数を多くしたり，パルス電流を供給する電源を大型化したり，さらには，大きな電磁力に耐えうるように着磁コイル全体を頑丈な構造にする必要がある。このようなことは，パルス着磁法が他のＺＦＣ法等よりも簡便な装置で容易に超電導体を着磁できるという大きな特徴を損なってしまう。
【００１２】
本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので，捕捉可能磁場特性の優れた超電導体に，コンパクトな装置で高い磁場を捕捉させることができる，超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置を提供しようとするものである。
【００１３】
【課題の解決手段】
請求項１の発明は，超電導遷移温度ＴC 以下の温度に冷却した超電導体にパルス磁場を印加することにより，上記超電導体に着磁する方法において，
上記パルス磁場の印加は，上記超電導体の温度を下げながら複数回繰り返して行うことを特徴とする超電導体の着磁方法にある。
【００１４】
本発明において最も注目すべきことは，上記パルス磁場の印加は，上記超電導体の温度を下げながら複数回繰り返して行うことである。即ち，超電導体の温度を超電導遷移温度ＴC から超電導体を磁石として使用する温度（オペレーション温度）Ｔ0 に下げる間において，パルス磁場を複数回繰り返して印加することである。
【００１５】
次に，本発明の作用につき説明する。
本発明の超電導体の着磁方法においては，上記のごとく，超電導体の温度を下げながら複数回繰り返してパルス磁場を印加する。そのため，印加可能なパルス磁場による超電導体への侵入磁場の大きさがオペレーション温度Ｔ0 における捕捉可能磁場に満たない場合においても，超電導体に高い磁場を捕捉させることができる。
【００１６】
即ち，超電導体を磁石として使用する場合には，そのオペレーション温度Ｔ0 における捕捉可能磁場に十分なパルス磁場を印加して，最大限の磁場を捕捉させることが理想的である（図１３（ａ））。しかしながら，装置のコンパクト化等の観点から，オペレーション温度Ｔ0 における捕捉可能磁場に満たない磁場しか印加できない場合には，超電導体の中心部分の捕捉磁場が低くなってしなう（図１３（ｂ））。
【００１７】
これに対し，本発明においては，超電導体がオペレーション温度Ｔ0 に冷却されている途中，即ち上記Ｔ0 よりも高い温度においても超電導体にパルス磁場を印加する。
超電導体の温度が上記Ｔ0 よりも高い温度（Ｔ1 ）の場合（図１（ａ））には，捕捉可能磁場（Ｒ1 ）は上記Ｔ0 のときよりも若干小さくなるものの，超電導体内への侵入磁場（Ｓ1 ）は高くなる。そのため，上記Ｔ0 よりも高い温度（Ｔ1 ）において着磁させた超電導体の捕捉磁場（Ｂ1 ）の中心部分は，オペレーション温度Ｔ0 において着磁する場合（図１３（ｂ））よりも高くなる。
【００１８】
次いで，超電導体の温度が少し下がった温度（Ｔ2 ）の状態（図１（ｂ））においては，捕捉可能磁場（Ｒ2 ）は若干増加するが，超電導体内への侵入磁場（Ｓ2 ）は減少する。そのため，この状態で超電導体にパルス磁場を印加した場合には，超電導体は，上記１回目の着磁における中心部分の捕捉磁場（Ｂ1 ）を維持したまま，周辺部分の捕捉磁場（Ｂ2 ）を増加させる。
【００１９】
そして，このような，超電導体の温度を下げながらのパルス磁場の印加を複数回繰り返して行うことにより，従来の方法により着磁した場合に比べ，大幅に捕捉磁場を増加させることができる。
即ち，本発明に着磁された超電導体の捕捉磁場（図１（ｃ），図３）は，従来の方法により着磁させた場合（図１３（ｂ），図４）に比べて，超電導体の中心部分の捕捉磁場が大幅に増加し，かつ周辺部分の捕捉磁場は従来と同等に維持される。
【００２０】
それ故，本発明においては，パルス磁場を印加させる着磁コイル等の装置が従来と同様にコンパクトであっても，超電導体に捕捉させる磁場を増加させることができる。
なお，上記超電導体は，オペレーション温度Ｔ0 に一旦冷却した後，再び加熱して，さらに冷却しながらパルス磁場の印加を行ってもよい。また，パルス磁場の印加の回数は，２回以上であれば特に制限はない。ただし，オペレーション温度Ｔ0 における印加は最後に必ず行うことが好ましい。
【００２１】
次に，上記の超電導体の着磁方法を実施するための装置として，次の装置がある。
即ち，請求項２の発明のように，上記の超電導体の着磁方法を実施するための装置であって，断熱容器内に配設された超電導体と，該超電導体を冷却するための冷却装置と，上記超電導体にパルス磁場を印加するための着磁コイルとからなることを特徴とする超電導磁石装置がある。
【００２２】
上記断熱容器は，外部からの熱の侵入を極力防いで上記超電導体の温度の上昇を防止し，かつ超電導体の冷却を容易にするためのものである。具体的には，例えば，輻射シールド板を備えた真空断熱槽といった本格的な断熱対策を施したものがある。また，例えば，単にＦＲＰや発泡スチロールといった熱伝導度の極めて低い材料を構成材料として用いた簡便なものもある。
【００２３】
上記着磁コイルは，鋸波，矩形波，正弦波，コンデンサ放電波形等の種々の波形の単発又は複数の短時間電流（パルス電流）を通電することにより，パルス磁場を発生するものである。例えばコンデンサ放電を利用する場合には，着磁コイルの寸法，コイルの巻数，全回路の抵抗・インダクタンス・静電容量等を調整することによりパルス磁場の大きさやパルスの立ち上がり時間を制御することができる。
【００２４】
また，着磁コイルの材質は，パルス通電時の発熱をヒータによる加熱と同じように利用する場合には適当な抵抗率を持った常電導体が，発熱を抑える場合には低抵抗の銅やアルミニウムもしくは超電導体が用いられる。
また，着磁コイルの配置は，上述した文献１，２に示されているごとく，上記断熱容器の中に超電導体と共に収納されていてもよいし，文献３に示されているごとく，上記断熱容器の外に配設してあってもよい。また，着磁コイルは，必ずしも上記超電導体の周囲にある必要はなく，超電導体の上面又は下面の少なくとも一部分に対向していればよい。
【００２５】
上記冷却装置は，上記超電導体を直接冷却するものであって，後述するごとく，種々の構成をとることができる。
また，上記超電導体は，バルク形状（塊状）であり，その形状は，円柱状，角柱状等，種々の形状をとることができる。また，上記超電導体は，いわゆるピン止め点を有するものであって，例えば後述する高温超電導体を用いる。
【００２６】
このような構成の本発明の超電導磁石装置を用いれば，上記の優れた超電導体の着磁方法を容易に実施することができる。また，本発明の超電導磁石装置は，上記のごとく簡単な構成であるため非常にコンパクトである。それ故，本発明の超電導磁石装置は，種々の機器における磁石装置として有効に利用することができる。
【００２７】
また，請求項３の発明のように，上記超電導磁石装置は，上記超電導体を加熱するためのヒータを有する構成をとることもできる。この場合には，超電導体を一旦オペレーション温度Ｔ0 に冷却した後に超電導体の温度を上昇させることができ，その後，超電導体の温度を再度下げながら上記の超電導体の着磁方法を実施することができる。
【００２８】
また，請求項４の発明のように，上記冷却装置は冷凍機であり，該冷凍機には上記超電導体を冷却するためのコールドヘッドを設けることができる。この場合には，超電導体の冷却を効率よく，かつ精度よく行うことができ，上記の超電導体の着磁方法の効果を十分に発揮させることができる。
【００２９】
また，請求項５の発明のように，上記冷却装置は冷媒循環型の冷却装置であり，該冷却装置は，上記超電導体と冷媒とを収納した冷媒容器と，該冷媒容器に冷媒移送管を介して連結された冷媒冷却装置とよりなり，該冷媒冷却装置により冷却した冷媒を上記冷媒容器内との間に循環させるように構成することもできる。
【００３０】
この場合には，冷媒の性質を利用して精度の高い温度制御を行うことができる。
また，上記冷媒としては，例えば，酸素，窒素，ネオン，水素，ヘリウム等の液体もしくは気体を用いる。
【００３１】
また，請求項６の発明のように，上記冷却装置は冷媒貯留型の冷却装置であり，該冷却装置は，上記超電導体と冷媒とを収納した冷媒容器と，該冷媒容器内の上記冷媒の蒸気圧を調整するための排気装置とを有する構成をとることもできる。
この場合には，装置構成を簡単にすることができる。
【００３２】
また，請求項７の発明のように，上記超電導体は，ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（ここに，ＲＥはＹ，希土類元素，又はこれらの元素の組み合わせ）であることが好ましい。ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の超電導体は，いわゆるピン止め点を無数に有し，かつ比較的高温において超電導状態となる。そのため，比較的高温域において用いる超電導磁石として非常に優れた性能を発揮させることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
実施形態例１
本発明の実施形態例にかかる超電導体の着磁方法につき，図１〜図６を用いて説明する。
本例の超電導体の着磁方法は，図１，図２に示すごとく，いわゆるパルス着磁方法において，パルス磁場の印加を，上記超電導体の温度を下げながら複数回繰り返して行う方法である。
【００３４】
本例における超電導体としては，ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系（ここに，ＲＥはＹ，希土類元素，又はこれらの元素の組み合わせ）の高温超電導体を用いた。この高温超電導体のオペレーション温度Ｔ0 における捕捉可能磁場Ｒ0 の分布を図５に示す。また，温度Ｔ0 よりも高い温度Ｔ1 ，Ｔ2 （Ｔ1 ＞Ｔ2 ＞Ｔ0 ）における捕捉可能磁場Ｒ1 ，Ｒ2 の分布についても併せて図５に示す。
また，本例において印加可能な最大のパルス磁場を印加した場合の，各温度における超電導体内への侵入磁場Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ0 の分布を，図６に示す。
【００３５】
次に，本例における着磁手順を図２に示す。図２は，横軸に時間，縦軸に超電導体の温度をとり，パルス磁場の印加タイミングを矢印Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 により示した。
同図よりわかるように，本例においては，超電導体の温度を超電導遷移温度ＴC からオペレーション温度Ｔ0 に下げる間において，Ｔ1 ，Ｔ2 の途中温度でパルス磁場を印加し，最後にオペレーション温度Ｔ0 において再度パルス磁場を印加した。即ち，本例においては，超電導体の温度を下げながら３回繰り返してパルス磁場を印加した。
【００３６】
そして，図１（ａ）に示すごとく，温度Ｔ1 における第１回目のパルス磁場Ｐ1 の印加によって侵入磁場Ｓ1 が付与された。この侵入磁場Ｓ1 は，温度Ｔ1 における捕捉可能磁場Ｒ1 を超電導体全域にわたって上回っている。そのため，この第１回目のパルス磁場Ｐ1 の印加によって，捕捉可能磁場Ｒ1 に対応する最大限の捕捉磁場Ｂ1 が得られた。
【００３７】
次いで，図１（ｂ）に示すごとく，温度Ｔ2 における第２回目のパルス磁場Ｐ2 の印加によって侵入磁場Ｓ2 が付与された。この侵入磁場Ｓ2 は，上記の侵入磁場Ｓ1 よりは小さくなる（図６）。一方，温度Ｔ2 における捕捉可能磁場Ｒ2 は上記の捕捉可能磁場Ｒ1 よりも大きくなる（図５）。そのため，超電導体の周辺部分にあらたに捕捉磁場Ｂ2 が得られた。
【００３８】
次いで，図１（ｃ）に示すごとく，温度Ｔ0 における第３回目のパルス磁場Ｐ3 の印加によって侵入磁場Ｓ0 が付与された。この侵入磁場Ｓ0 は，上記の侵入磁場Ｓ1 ，Ｓ2 よりは小さくなる（図６）。一方，温度Ｔ0 における捕捉可能磁場Ｒ0 は上記の捕捉可能磁場Ｒ1 ，Ｒ2 よりも大きくなる（図５）。そのため，超電導体の周辺部分にさらに大きな捕捉磁場Ｂ0 が得られた。
【００３９】
これにより，図３（ａ）に示すごとき分布形状の捕捉磁場Ｂを有する超電導磁石が得られた。
また，この捕捉磁場Ｂの分布形状は，時間とともに図３（ｂ）に示すごとく若干平準化された。
【００４０】
次に，比較のために，オペレーション温度Ｔ0 において，上記と同じ強さのパルス磁場を１回だけ印加した場合の捕捉磁場Ｂの分布形状を図４に示す。
図４と図３（ａ）との比較から知られるように，本例の方法によれば，超電導体の中心部分における磁束の密度を従来の方法よりも高くすることができる。
【００４１】
実施形態例２
本例においては，上述した実施形態例１を実施するための超電導磁石装置につき，図７を用いて説明する。
本例の超電導磁石装置１は，図７に示すごとく，断熱容器２内に配設された超電導体１０と，該超電導体１０を冷却するための冷却装置としての冷凍機３と，上記超電導体１０にパルス磁場を印加するための着磁コイル４とからなる。
【００４２】
断熱容器２は，図７に示すごとく，ＦＲＰ材料を用い，超電導体１０と，後述する冷凍機３のコールドヘッド３１とを収納している。断熱容器２内部は，外部からの熱の侵入をできる限り防ぐべく，真空状態にしてある。
着磁コイル４は，図７に示すごとく，超電導体１０の周囲に位置するように，上記の断熱容器２の外方に配設してある。また，着磁コイル４は，コンデンサ放電を利用したパルス電源４１に電気的に接続されている。
【００４３】
本例における冷却装置は，図７に示すごとく，コンプレッサ３２，コールドヘッド３１を有する冷凍機３よりなる。コールドヘッド３１は，熱を奪って冷却する部分であって，熱伝導性に優れた銅部材３５を介して超電導体１０に連結してある。
【００４４】
本例の超電導磁石装置１によれば，上記の冷凍機３により，超電導体１０の温度を精度よくかつ効率的に冷却しながら，上記着磁コイル４によって容易にパルス磁場を複数回繰り返して印加することができる。そのため，上記実施形態例１に示した超電導体の着磁方法を容易に実施することができる。
また，本例の装置１は，上記のごとく，着磁コイル４を断熱容器２の外方に設けてある。そのため，着磁後においては，着磁コイル４を分離した状態で使用することができる。そのため，さらにコンパクトな超電導磁石装置として使用することができる。
【００４５】
実施形態例３
本例においては，図８に示すごとく，上記実施形態例２の超電導磁石装置１の超電導体１０の周囲に，超導体１０を加熱するためのヒータ６を設けた。ヒータ６としては，マンガニン線を用いた。
その他は，実施形態例２と同様である。
【００４６】
本例の場合には，オペレーション温度Ｔ0 に冷却された超電導体１０を短時間で容易に温度上昇させることができる。そのため，例えば超電導体１０の捕捉磁場が経時的に減少した場合等において，容易に再着磁を行うことができる。その他，実施形態例２と同様の作用効果が得られる。
【００４７】
実施形態例４
本例の超電導磁石装置１０４は，図９に示すごとく，超電導体１０の冷却装置として，冷媒循環型の冷却装置７を用いた。この冷媒循環型の冷却装置７は，超電導体１０及び着磁コイル４と冷媒９とを収納した冷媒容器７１と，これに冷媒移送管７２を介して連結された冷媒冷却装置７３とよりなる。
【００４８】
そして，冷媒冷却装置７３により冷却した冷媒９を冷媒容器７１内との間に循環させるように構成してある。また，冷媒容器７１は，真空状態に減圧した真空層７５を介して真空容器７６に収納されている。これら，真空容器７６，真空層７５，冷媒容器７１が断熱容器２０４を構成している。
【００４９】
また，本例における冷媒９としては，液体窒素を用いている。そのため，超電導体１０の温度を，液体窒素の沸点である７７Ｋ以下に精度良く制御することができる。その他は，実施形態例２と同様の効果が得られる。
【００５０】
実施形態例５
本例の超電導磁石装置１０５は，図１０に示すごとく，超電導体１０の冷却装置として，冷媒貯留型の冷却装置８を用いた。この冷媒貯留型の冷却装置８は，超電導体１０及び着磁コイル４と冷媒９とを収納した冷媒容器８１と，冷媒容器８１内の冷媒９の蒸気圧を調整するための真空排気装置８３とを有する。
【００５１】
冷媒容器８１と真空排気装置８３との間は，排気間８２により連結してあり，排気管８２には，圧力計８２１を配設してある。
また，冷媒容器８１は，真空状態に減圧した真空層８５を介して真空容器８６に収納されている。これら，真空容器８６，真空層８５，冷媒容器８１が断熱容器２０５を構成している。
【００５２】
本例の場合には，上記の真空排気装置８３により冷媒容器内の蒸気を排気することにより，冷媒９の蒸発が促され，その蒸発熱によって冷媒９の温度を低下させることができる。したがって，冷媒９の温度制御，即ち超電導体１０の温度制御を容易に行うことができる。
その他は，実施形態例２，４と同様の作用効果を得ることができる。
【００５３】
【発明の効果】
上述のごとく，本発明によれば，捕捉可能磁場特性の優れた超電導体に，コンパクトな装置で高い磁場を捕捉させることができる，超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例１における，（ａ）温度Ｔ1 ，（ｂ）温度Ｔ2 ，（ｃ）温度Ｔ0 における，侵入磁場分布と捕捉磁場分布を示す説明図。
【図２】実施形態例１における，超電導体の温度とパルス磁場の印加のタイミングを示した説明図。
【図３】実施形態例１における，（ａ）最終的に捕捉された磁場分布，（ｂ）経時的に変化した捕捉磁場分布，を示す説明図。
【図４】実施形態例１における，比較例の捕捉磁場分布を示す説明図。
【図５】実施形態例１における，超電導体の温度と捕捉可能磁場の分布との関係を示す説明図。
【図６】実施形態例１における，超電導体の温度と侵入磁場の分布との関係を示す説明図。
【図７】実施形態例２の超電導磁石装置の構成を示す説明図。
【図８】実施形態例３の超電導磁石装置の構成を示す説明図。
【図９】実施形態例４の超電導磁石装置の構成を示す説明図。
【図１０】実施形態例５の超電導磁石装置の構成を示す説明図。
【図１１】従来例における，パルス磁場を示す説明図。
【図１２】従来例における，（ａ）捕捉可能磁場分布，（ｂ）侵入磁場分布，を示す説明図。
【図１３】従来例における，（ａ）最適印加磁場を印加した場合，（ｂ）最適印加磁場に満たない磁場を印加した場合，の捕捉磁場を示す説明図。
【符号の説明】
１，１０４，１０５．．．超電導磁石装置，
１０．．．超電導体，
２，２０４，２０５．．．断熱容器，
３．．．冷凍機，
３１．．．コールドヘッド，
４．．．着磁コイル，
６．．．ヒータ，
７．．．冷媒循環型の冷却装置，
８．．．冷媒貯溜型の冷却装置，
９．．．冷媒，
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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