(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体両端の両電極端子を導通させるために、これら両電極端子の導通区間に所定幅をもって成膜された厚膜抵抗体を有し、その厚膜抵抗体には、抵抗値の粗調整用および微調整用としたＬ型のトリミング溝が別々に形成されているチップ抵抗器であって、
上記抵抗値の粗調整用および微調整用とした各トリミング溝は、上記厚膜抵抗体の一辺側から幅方向に切り込み始めて形成された第１線形部と、その第１線形部に続いて上記厚膜抵抗体の導通区間方向に折れ曲がるように形成された第２線形部とを有し、そのうちの上記微調整用の第１線形部は、上記粗調整用の第１線形部よりも短く、かつ、微調整用の第２線形部が粗調整用の第１線形部と交差する恰好に形成されていることを特徴とする、チップ抵抗器。
【請求項２】
上記微調整用の第１線形部から第２線形部へと折れ曲がる部位は、上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記一方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に位置する一方、上記微調整用の第２線形部の終端は、上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記他方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に位置している、請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
チップ抵抗器の本体両端に位置する両電極端子の導通区間に所定幅をもって厚膜抵抗体を成膜した後、その厚膜抵抗体に抵抗値の粗調整用および微調整用としたＬ型のトリミング溝をレーザ加工により別々に形成することで、上記チップ抵抗器の抵抗値を調整しながら製造するチップ抵抗器の製造方法であって、
上記粗調整用のトリミング溝の一部として、上記厚膜抵抗体の一辺側から幅方向に切り込み始めて第１線形部を形成する工程と、
上記粗調整用の第１線形部に続いて上記厚膜抵抗体の導通区間方向に折れ曲がるように粗調整用の第２線形部を形成する工程と、
上記粗調整用の第２線形部を形成した後、上記微調整用のトリミング溝の一部として、上記厚膜抵抗体の一辺側から幅方向に切り込み始めて上記粗調整用の第１線形部よりも短く微調整用の第１線形部を形成する工程と、
上記微調整用の第１線形部に続いて上記厚膜抵抗体の導通区間方向に折れ曲がるようにしつつ、さらに進んで粗調整用の第１線形部と交差する恰好に微調整用の第２線形部を形成する工程と、
を有することを特徴とする、チップ抵抗器の製造方法。
【請求項４】
上記微調整用の第１線形部から第２線形部へと折り曲げ始める際には、その微調整用の第１線形部が上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記一方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に達した所定の状態とされる一方、上記微調整用の第２線形部を形成し終える際には、その第２線形部の終端が上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記他方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に達した所定の状態とされる、請求項３に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、たとえば表面実装部品として用いられる角形などといったチップ抵抗器、およびそのチップ抵抗器の抵抗値を調整しながら製造するチップ抵抗器の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
表面実装部品として代表的な角形のチップ抵抗器は、その本体両端に両電極端子を有するとともに、これら両電極端子の導通区間に成膜された厚膜抵抗体を有して構成されている。こうしたチップ抵抗器を製造する際には、抵抗値を所期の値に調整すべく上記厚膜抵抗体にレーザ加工が施され、そうして厚膜抵抗体には、抵抗値調整用のトリミング溝が形成されている。
【０００３】
図９ないし図１２は、従来のチップ抵抗器におけるトリミング溝の各例を説明するために示した説明図であって、これらの図に示すように、従来のチップ抵抗器においては、ダブルＩ型、ＬＩ型、ダブルＬ型、あるいはコの字型といったトリミング溝Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓを厚膜抵抗体１２０に形成することで抵抗値の調整が図られている。
【０００４】
図９に示すダブルＩ型、および図１０に示すＬＩ型のチップ抵抗器では、まず、両電極端子１１０，１１０の導通区間に厚膜抵抗体１２０を成膜した後、抵抗値粗調整用としてＩ型、Ｌ型のトリミング溝Ｐ１，Ｑ１が厚膜抵抗体１２０の一辺１２０ａ側から幅方向Ｗにそって切り込み形成される。その後、先のトリミング溝Ｐ１，Ｑ１とは別にして抵抗値微調整用のＩ型のトリミング溝Ｐ２，Ｑ２が厚膜抵抗体１２０の一辺１２０ａ側から幅方向Ｗにそって切り込み形成され、その際に実測される抵抗値が所期の値に達した時点で２本目のトリミング溝Ｐ２，Ｑ２が形成終了とされている。その結果、両電極端子１１０，１１０の導通区間における通電領域が図中一点鎖線で示す導通ラインＥＬによって部分的に小幅化された状態となる。つまり、レーザ加工を施す前に一定値で示される抵抗値は、トリミング溝の形成に応じて増大するように変化し、最終的に２本目のトリミング溝Ｐ２，Ｑ２が終端近くに達すると、微小に変化する抵抗値が所期の値に達することで抵抗値全体の調整が終了とされている。
【０００５】
また、図１１に示すダブルＬ型のチップ抵抗器は、上記ダブルＩ型またはＬＩ型に近似する形態であるが、２本目のトリミング溝Ｒ２が１本目のトリミング溝Ｒ１とは逆方向となる導通区間方向Ｙにそって折り曲げられたＬ型の形状とされている。
【０００６】
さらに、図１２に示すコの字型のチップ抵抗器では、厚膜抵抗体１２０の一辺１２０ａ側から幅方向Ｗにそって第１線形部Ｓ１が切り込み形成され、それに続いて導通区間方向Ｙにそって折れ曲がるように第２線形部Ｓ２が形成され、さらにそれに続いて幅方向Ｗに折れ曲がって厚膜抵抗体１２０の一辺１２０ａに達するように第３線形部Ｓ３が形成されている。
【０００７】
要するに、各図に示したチップ抵抗器では、最初のトリミング溝Ｐ１，Ｑ１，Ｒ１，Ｓ１によって大まかな通電領域幅が決められることにより、抵抗値の粗調整が行われる一方、最後のトリミング溝Ｐ２，Ｑ２，Ｒ２，Ｓ３によって導通ラインＥＬが若干変更されることで、最終的に抵抗値の微調整が行われるのである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記トリミング溝Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓを有する各チップ抵抗器では、それぞれの形態に応じて抵抗値を高精度に調整できないという難点があった。
【０００９】
つまり、図９および図１０に示すチップ抵抗器では、最終的な抵抗値の微調整用としてＩ型のトリミング溝Ｐ２，Ｑ２が形成されるが、このＩ型のトリミング溝Ｐ２，Ｑ２では、その終端Ｐ２ａ，Ｑ２ａにてレーザ加工特有の細かな亀裂（マイクロクラック）が幅方向Ｗに延びるように派生する。こうした亀裂は、導通ラインＥＬに対して多分に影響を及ぼし、波及的に通電領域幅が不確定な状態とされることから、抵抗値を高精度に調整する際には亀裂分の誤差が生じるものとされていた。
【００１０】
一方、図１１に示すチップ抵抗器では、最終的にＬ型のトリミング溝Ｒ２が形成され、そうしたトリミング溝Ｒ２における終端Ｒ２ａの亀裂が導通区間方向Ｙに延びる状態となるので、それほど多分に導通ラインＥＬに対して亀裂の影響が及ぶことなく、調整後の抵抗値においても亀裂分の誤差ができる限り排除されている。そうした点では、先のダブルＩ型、ＬＩ型といったチップ抵抗器に比べてダブルＬ型は有利であるが、最終形態としてトリミング溝Ｒ２が形成された状態では、そのトリミング溝Ｒ２の折れ曲がる部位Ｒ２ｂから導通区間方向Ｙに延びた終端Ｒ２ａまでの部分において、導通ラインＥＬの直線的形態が乱れることで通電領域幅が不安定な状態とされる。要するにそうした部分では、トリミング溝Ｒ２を形成した後においても抵抗値が微量変化する現象（オーバーシュート）が生じ、調整後の抵抗値に不安定な要素が含まれてしまっていた。
【００１１】
しかも、上記したダブルＩ型、ＬＩ型、ダブルＬ型では、レーザ加工などに際してトリミング溝Ｐ，Ｑ，Ｒの１箇所にでも加工屑が付着すると、その箇所が短絡した状態となってリーク電流が生じる。そのようなリーク電流によっては、導通ラインＥＬの変更を余儀なくされてしまい、そうした加工屑の付着は、抵抗値を所期の値とすることが困難な不良原因の一つとされていた。
【００１２】
これらの各種問題に対し、図１２に示すチップ抵抗器では、コの字型のトリミング溝Ｓが形成されているので、先に説明した亀裂をほとんど無視することができる。さらに、コの字型のトリミング溝Ｓでは、仮に１箇所が短絡しても他の箇所が絶縁状態であれば、導通ラインＥＬに何ら影響が及ぶことなく、そのような点においてもコの字型は優れていると言える。このように上記した各種問題がコの字型のトリミング溝Ｓでは解消されるが、そうしたコの字型における最終形態の第３線形部Ｓ３は、折れ曲がった部位Ｓ３ａから終端Ｓ３ｂに達するまで、ある程度抵抗値を予測することにより形成されている。そうした場合、第３線形部Ｓ３を要因として各チップ抵抗器の抵抗値にばらつきが生じることとなり、このような点においてコの字型のトリミング溝Ｓでは、ダブルＩ型、ＬＩ型、ダブルＬ型といったトリミング溝Ｐ，Ｑ，Ｒよりも高精度に抵抗値を調整することができなかった。
【００１３】
本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ダブルＬ型に属するトリミング溝としつつも、独特のトリミング形態とすることで高精度に調整された抵抗値を得ることができるチップ抵抗器、およびその製造方法を提供することをその課題とする。
【００１４】
【発明の開示】
上記課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１５】
すなわち、本願発明の第１の側面により提供されるチップ抵抗器は、本体両端の両電極端子を導通させるために、これら両電極端子の導通区間に所定幅をもって成膜された厚膜抵抗体を有し、その厚膜抵抗体には、抵抗値の粗調整用および微調整用としたＬ型のトリミング溝が別々に形成されているチップ抵抗器であって、上記抵抗値の粗調整用および微調整用とした各トリミング溝は、上記厚膜抵抗体の一辺側から幅方向に切り込み始めて形成された第１線形部と、その第１線形部に続いて上記厚膜抵抗体の導通区間方向に折れ曲がるように形成された第２線形部とを有し、そのうちの上記微調整用の第１線形部は、上記粗調整用の第１線形部よりも短く、かつ、微調整用の第２線形部が粗調整用の第１線形部と交差する恰好に形成されていることを特徴としている。
【００１６】
このような本願発明の第１の側面にかかるチップ抵抗器の好ましい実施の形態としては、上記微調整用の第１線形部から第２線形部へと折れ曲がる部位は、上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記一方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に位置する一方、上記微調整用の第２線形部の終端は、上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記他方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に位置している構成とすることができる。
【００１７】
また、上記したチップ抵抗器を抵抗値の調整を行いながら製造する方法としては、以下に述べる製造方法が適用可能であり、そうした製造方法を経て上記チップ抵抗器が完成される。
【００１８】
すなわち、本願発明の第２の側面により提供されるチップ抵抗器の製造方法は、チップ抵抗器の本体両端に位置する両電極端子の導通区間に所定幅をもって厚膜抵抗体を成膜した後、その厚膜抵抗体に抵抗値の粗調整用および微調整用としたＬ型のトリミング溝をレーザ加工により別々に形成することで、上記チップ抵抗器の抵抗値を調整しながら製造するチップ抵抗器の製造方法であって、上記粗調整用のトリミング溝の一部として、上記厚膜抵抗体の一辺側から幅方向に切り込み始めて第１線形部を形成する工程と、上記粗調整用の第１線形部に続いて上記厚膜抵抗体の導通区間方向に折れ曲がるように粗調整用の第２線形部を形成する工程と、上記粗調整用の第２線形部を形成した後、上記微調整用のトリミング溝の一部として、上記厚膜抵抗体の一辺側から幅方向に切り込み始めて上記粗調整用の第１線形部よりも短く微調整用の第１線形部を形成する工程と、上記微調整用の第１線形部に続いて上記厚膜抵抗体の導通区間方向に折れ曲がるようにしつつ、さらに進んで粗調整用の第１線形部と交差する恰好に微調整用の第２線形部を形成する工程とを有することを特徴としている。
【００１９】
このような本願発明の第２の側面にかかるチップ抵抗器の製造方法の好ましい実施の形態としては、上記微調整用の第１線形部から第２線形部へと折り曲げ始める際には、その微調整用の第１線形部が上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記一方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に達した所定の状態とされる一方、上記微調整用の第２線形部を形成し終える際には、その第２線形部の終端が上記厚膜抵抗体の一辺側に接する上記他方の電極端子の接点と上記粗調整用の第２線形部とを最短距離で結んだ導通ライン上付近に達した所定の状態とされる方法を採用することができる。
【００２０】
要するに、本願発明にかかるチップ抵抗器およびその製造方法では、第１線形部と第２線形部とを有するダブルＬ型のトリミング溝が厚膜抵抗体に対して形成され、しかも、微調整用の第２線形部が粗調整用の第１線形部と交差する恰好として部分的に絶縁された領域を有した形態とされる。このようなＬ型のトリミング溝のみでは、各トリミング溝における第２線形部の終端が導通区間方向に延びた状態とされることから、レーザ加工などによる細かな亀裂も導通区間方向に延びた状態となり、そのような亀裂の導通ラインに対する影響が緩和されている。その結果、トリミング溝の終端に派生する亀裂によっても、波及的に通電領域幅が制限を受けることなく、抵抗値を高精度に調整する際には亀裂分の誤差をほとんど無視することができる。
【００２１】
また、トリミング溝の形成順序としては、粗調整用の次に微調整用のものが形成されるのであるが、微調整用の第２線形部の終端が導通ライン上付近に達して抵抗値の調整を最終的に終えた状態では、そうした導通ラインの直線的形態が各トリミング溝における第２線形部の終端によって極端に乱されることはなく、調整後の抵抗値を安定した一定の値に保つことができる。
【００２２】
さらに、レーザ加工などにおいてトリミング溝の１箇所に加工屑が付着することによっても、他の箇所が絶縁状態であれば、粗調整用および微調整用としたトリミング溝により囲まれた絶縁領域にリーク電流が生じることはなく、こうしたリーク電流に基づく不良原因が確率的に低減されるので、抵抗値を所期の値として正確に調整することができる。
【００２３】
さらにまた、粗調整用および微調整用のトリミング溝は、各々の所定部位が導通ライン上付近に達した際、所定の状態とした抵抗値の実測に応じて適正なＬ型形状に形成されることとなる。最終的には、微調整用のトリミング溝における第２線形部の終端が導通ライン上付近に達することにより、抵抗値の微調整を終えて全体としての抵抗値が得られるので、各チップ抵抗器ごとに確実に抵抗値を所期の値へと近づけることができ、各チップ抵抗器間で抵抗値にばらつきを生じることなく、高精度に調整を終えた一定の抵抗値で示されるチップ抵抗器を得ることができる。
【００２４】
したがって、本願発明の第１および第２の側面にかかるチップ抵抗器、およびその製造方法によれば、ダブルＬ型に属するトリミング溝を厚膜抵抗体に形成することによっても、独特のトリミング形態とすることで高精度に調整された抵抗値を安定的に得ることができる。
【００２５】
本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【００２７】
図１は、本願発明にかかるチップ抵抗器の一実施形態を上面側から示した平面図、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う切断面を示した断面図である。なお、図１においては、本願発明の特徴をより明瞭とするために、一部上面側に設けられる部材を省略して示している。
【００２８】
図１および図２に示すように、本願発明にかかるチップ抵抗器Ａは、表面実装部品として角形に形成されたものであって、チップ本体１０、両電極端子１１，１１、厚膜抵抗体１２、第１オーバーコート層１３、および第２オーバーコート層１４などを具備して概略構成されている。そして、図１に良く表すように、厚膜抵抗体１２には、Ｌ型のトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が２本にわたって形成されており、そうしたことからチップ抵抗器Ａは、ダブルＬ型に属するものとされている。
【００２９】
チップ本体１０の両端には、両電極端子１１，１１が接合されているとともに、これら両電極端子１１，１１に接した状態でチップ本体１０の上面１０ａにおける導通区間Ｃには、所定幅をもって厚膜抵抗体１２が成膜されている。この厚膜抵抗体１２に形成された符号Ｂ１で示すトリミング溝は、粗調整用として形成されたものである一方、符号Ｂ２で示すトリミング溝は、微調整用として形成されたものである。なお、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２は、後述する製造工程中において抵抗値を調整するために形成されたものである。
【００３０】
チップ本体１０は、たとえばセラミック基板などを所定形状に加工して形成されたものであって、所定の厚みを有して角形状に形成されており、その長手方向両端に両電極端子１１，１１が接合されている。
【００３１】
両電極端子１１，１１は、たとえば銀などを主成分とした導電性を有するものであって、その表面には、たとえばはんだメッキなどが施されている。各電極端子１１は、図２に良く表すように、チップ本体１０の上面１０ａおよび下面１０ｂを部分的に覆いつつ、チップ本体１０の一端側面１０ｃ全体を覆うように被膜形成されている。
【００３２】
厚膜抵抗体１２は、所定の電気的抵抗特性を有する金属膜、あるいは酸化金属膜などを後述する印刷プロセスなどにより形成したものであって、両電極端子１１，１１の上面一部に接するように導通区間Ｃ全体にわたって成膜されている。この厚膜抵抗体１２における導通区間Ｃの途中には、後述するレーザ加工により抵抗値の粗調整用、および微調整用としたトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が形成されている。なお、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２は、厚膜抵抗体１２の表面全体にわたって第１オーバーコート層１３が被膜形成された後に形成したものであり、このトリミング溝Ｂ１，Ｂ２については後の説明にて詳述する。
【００３３】
第１オーバーコート層１３および第２オーバーコート１４は、たとえばガラスなどを主成分として厚膜抵抗体１２を保護するために被膜形成されたものである。第１オーバーコート層１３は、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２を形成する際などの表面保護用として設けられたものであり、一方、第２オーバーコート層１４は、さらに第１オーバーコート層１３の上から厚膜抵抗体１２を保護するために設けられたものである。
【００３４】
要点について図１を参照して説明すると、厚膜抵抗体１２に形成されたトリミング溝Ｂ１，Ｂ２は、ダブルＬ型として形成されたものであるが、その特徴としては、粗調整用のトリミング溝Ｂ１に対して微調整用のトリミング溝Ｂ２が交差する恰好に形成されている点にある。
【００３５】
さらに具体的に説明すると、粗調整用および微調整用とした各トリミング溝Ｂ１，Ｂ２は、厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側からレーザ加工により幅方向Ｗに切り込み始めて形成された第１線形部Ｂ１ａ，Ｂ２ａと、その第１線形部Ｂ１ａ，Ｂ２ａに続いて厚膜抵抗体１２の導通区間方向Ｌに折れ曲がるように形成された第２線形部Ｂ１ｂ，Ｂ２ｂとを有したＬ型形状とされている。そして、微調整用の第１線形部Ｂ２ａは、粗調整用の第１線形部Ｂ１ａよりも短く、しかもその第１線形部Ｂ１ａから導通区間方向Ｌに離れた位置に形成され、かつ、微調整用の第２線形部Ｂ２ｂは、粗調整用の第１線形部Ｂ１ａと交差する恰好に形成されている。
【００３６】
また、微調整用の第１線形部Ｂ２ａから第２線形部Ｂ２ｂへと折れ曲がる部位Ｂ２ｃは、厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側に接する図中右側の電極端子１１の接点１１ａと、粗調整用の第２線形部Ｂ１ｂの終端Ｂ１ｂａとを最短距離で結んだ導通ラインＥＬ１上付近に位置するように形成されている。その一方、微調整用の第２線形部Ｂ２ｂの終端Ｂ２ｂａは、厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側に接する図中左側の電極端子１１の接点１１ｂと、粗調整用の第１線形部Ｂ１ａから第２線形部Ｂ１ｂへと折れ曲がる部位Ｂ１ｃとを最短距離で結んだ導通ラインＥＬ２上付近に位置するように形成されている。
【００３７】
ここで、図中一点鎖線で示す導通ラインＥＬ１，ＥＬ２とは、厚膜抵抗体１２にトリミング溝Ｂ１，Ｂ２を形成することにより、両電極端子１１，１１の導通区間Ｃにて通電状態となる領域を仮想的に示したものである。こうした導通ラインＥＬ１，ＥＬ２は、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２の形状、位置などに応じて微妙に変化するものとされる。図１を一例として説明すれば、導通ラインＥＬ１，ＥＬ２が厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側から緩やかに立ち上がる恰好、すなわちトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が短い場合には、厚膜抵抗体１２における電流の通電領域幅が幅方向Ｗに大きく占めることとなり、両電極端子１１，１１間の抵抗値がそれほど大きく変化することはない。一方、導通ラインＥＬ１，ＥＬ２が厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側から急峻に立ち上がる恰好、すなわちトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が深く切り込まれた状態では、厚膜抵抗体１２における電流の通電領域幅が幅方向Ｗに狭められる結果、両電極端子１１，１１間の抵抗値が大きく増加することとなる。このような原理に基づいてチップ抵抗器Ａを製造する際には、以下に説明する抵抗値の調整方法が採用されている。
【００３８】
つまり、抵抗値を調整する際には、両電極端子１１，１１間の抵抗値を実測しながらレーザ加工によりトリミング溝Ｂ１，Ｂ２を切り込み形成するとともに、実測される抵抗値に応じてトリミング溝Ｂ１，Ｂ２の形成プロセスが適宜制御される。そうすると、厚膜抵抗体１２に対してトリミング溝Ｂ１，Ｂ２を形成する前に一定値で示された抵抗値は、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２の形成段階に応じて増加するように変化することとなり、こうして変化する抵抗値が所期の目標とされた値に達することで最終的に抵抗値の調整が終了されるのである。
【００３９】
次に、上記チップ抵抗器Ａの製造方法について、特に抵抗値を調整する際のプロセスを重点的に図面を参照しながら説明する。
【００４０】
図３ないし図８は、チップ抵抗器の製造方法を説明するために、各製造工程における製造状態を示した説明図であって、まず、上記構成を有するチップ抵抗器Ａを製造するにあたっては、図３に示すように、セラミックなどでできた基板２０が用いられる。この基板２０は、上記チップ抵抗器Ａの多数個を配列するだけの大きさを有するものであり、その表面上には、チップ抵抗器Ａのそれぞれに対応して一定区画が割り当てられるように縦横のスクライブ線２１ａ，２１ｂが形成されている。こうした縦の各スクライブ線２１ａには、その両側に架け渡るように上記電極端子１１の原形となる導体パターン２２が印刷プロセスなどで形成される。その後、図３に示す一例では、横方向にわたる導体パターン２２，２２間に上記厚膜抵抗体１２が印刷プロセスなどにより形成され、さらに乾燥、焼成などを経た厚膜抵抗体１２の上面側から上記第１オーバーコート層１３が印刷プロセスなどにより形成される。こうして第１オーバーコート層１３に保護された厚膜抵抗体１２を表面に有する基板２０は、たとえば縦のスクライブ線２１ａに沿って切り分けられ、縦方向にチップ抵抗器Ａを並べた形態の中間品が取り出されることとなる。
【００４１】
次に、図４から図７に示す工程順に抵抗値の調整を伴う製造プロセスが進められる。なお、図４ないし図７においては、チップ抵抗器Ａの１個分しか示さないが、実際には、基板２０を切り分ける前に各チップ単位ごとに、あるいは中間品とした形態で抵抗値の調整が行われる。
【００４２】
図４から図７に示す各工程においては、第１オーバーコート層１３の表面側からレーザ加工を施すことにより、厚膜抵抗体１２に対してトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が切り込み形成される。この際、両電極端子１１，１１の原形となる両導体パターン２２，２２には、抵抗値を実測するための図示しない測定プローブが接触した状態とされる。こうした測定プローブを介して抵抗値を実測しながらトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が形成され、所期の抵抗値となるようにチップ抵抗器Ａ全体の抵抗値が調整されるのである。
【００４３】
抵抗値の調整方法における第１プロセスでは、図４に示すように、厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側における所定箇所からレーザ光が幅方向Ｗに切り込み始められ、これにより粗調整用のトリミング溝Ｂ１の一部とした第１線形部Ｂ１ａが形成される。こうした粗調整用の第１線形部Ｂ１ａを形成する際には、実測抵抗値が所期の最終目標値のたとえば数十パーセントに達した時点で全長が形成されるように制御される。そうすると、図中一点鎖線で示すように導通ラインＥＬが形成され、その導通ラインＥＬによって導通区間Ｃにおける通電領域が幅方向Ｗに規制されることとなり、実測抵抗値としては、第１線形部Ｂ１ａを形成する前よりも増大した値が得られることとなる。
【００４４】
続いて抵抗値調整の第２プロセスでは、図５に一例として示すように、上記粗調整用の第１線形部Ｂ１ａに連続して導通区間方向Ｌにそって右側に折れ曲がるように、粗調整用の第２線形部Ｂ１ｂが厚膜抵抗体１２に対して形成される。こうした粗調整用の第２線形部Ｂ１ｂを形成する際には、所期の最終目標値からたとえば数パーセント差し引いた抵抗値が実測された時点で終端Ｂ１ｂａとするように制御される。そうすると、図４に示す導通ラインＥＬが第２線形部Ｂ１ｂの長さ分だけ変形する結果、第１線形部Ｂ１ａから第２線形部Ｂ１ｂへと折れ曲がる部位Ｂ１ｃおよび第２線形部Ｂ１ｂの終端Ｂ１ｂａに応じて符号ＥＬ１，ＥＬ２で示す導通ラインが形成され、第１プロセスで実測された抵抗値よりも増大した抵抗値が実測されることとなる。こうして粗調整用のトリミング溝Ｂ１が形成されると、実測抵抗値として最終抵抗値にある程度まで近づけられた値が得られ、抵抗値の粗調整が完了することとなる。
【００４５】
さらに、抵抗値調整の第３プロセスでは、図６に示すように上記粗調整用のトリミング溝Ｂ１とは別箇所にて、厚膜抵抗体１２の一辺１２ａ側における所定箇所からレーザ光が幅方向Ｗに切り込み始められ、これにより微調整用のトリミング溝Ｂ２の一部とした第１線形部Ｂ２ａが形成される。こうした微調整用の第１線形部Ｂ２ａを形成する際には、所期の最終目標値からたとえば１パーセント差し引いた抵抗値が実測された時点で全長が形成されるように制御される。そうすると、微調整用の第１線形部Ｂ２ａが導通ラインＥＬ１上付近に達して上記粗調整用の第１線形部Ｂ１ａよりも短く形成され、そうした微調整用の第１線形部Ｂ２ａによって導通ラインＥＬ１が微妙に変化することとなり、実測抵抗値としては、粗調整用のトリミング溝Ｂ１のみの場合よりも若干増加した値が得られることとなる。
【００４６】
続いて抵抗値調整の最終段階となる第４プロセスにおいては、図７に示すように、上記微粗調整用の第１線形部Ｂ２ａに連続して導通区間方向Ｌにそって左側に折れ曲がるように、微調整用の第２線形部Ｂ２ｂが厚膜抵抗体１２に対して形成される。こうした微調整用の第２線形部Ｂ２ｂを形成する際には、その第２線形部Ｂ２ｂが粗調整用の第１線形部Ｂ１ａを通り越して交差するように制御される。そうすると、最終的には、次に示す図８または先に示した図１に示すように、粗調整用および微調整用のトリミング溝Ｂ１，Ｂ２により囲まれた絶縁領域が形成されることとなる。さらにプロセスが進められると、図８または図１に示すように微調整用の第２線形部Ｂ２ｂの終端Ｂ２ｂａは、導通ラインＥＬ２付近に達した状態とされる。この際、実測抵抗値が所期の最終目標値にほとんど達した時点で第２線形部Ｂ２ｂの終端Ｂ２ｂａが止められた状態とされ、そうして抵抗値全体の調整が終了することとなる。
【００４７】
つまり、抵抗値調整の第１から第４までのプロセスによれば、都合４回の抵抗値調整が行われ、最初に行われる２回のプロセスで抵抗値の粗調整が行われる一方、後に行われる２回のプロセスにより抵抗値の微調整が行われるのである。
【００４８】
以上のようにして抵抗値の調整を終えると、図８に示すように、第１オーバーコート層１３の表面には、さらに第２オーバーコート層１４が印刷プロセスなどによりパターン形成され、その後、図中二点鎖線で示すラインＣＬ１，ＣＬ２にそって裁断することにより、図１に示す形態のチップ抵抗器Ａがほぼ完成した状態で得られる。さらに最終工程においては、電極端子１１の露出した表面に対してはんだメッキなどを施すために、チップ抵抗器Ａの多数個が一度にメッキ処理される。
【００４９】
ここで、上記メッキ処理においては、第２オーバーコート層１４が厚膜抵抗体１２を完全に被覆しているため、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２に対してメッキ処理が施されることはほとんどない。しかしながら、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２の形状などによっては、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２の表面にて第２オーバーコート層１４が不完全に被覆した状態も希に想定される。そうした場合には、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２のいずれか一方にのみメッキされる確率が高いことから、そのような状態においても両トリミング溝Ｂ１，Ｂ２で囲まれた絶縁領域に何ら影響が及ぶことなく、導通区間Ｃにリーク電流を生じる確率が低減される。
【００５０】
つまり、上記製造方法を経て完成されたチップ抵抗器Ａでは、第１線形部Ｂ１ａ，Ｂ２ａと第２線形部Ｂ１ｂ，Ｂ２ｂとを有するダブルＬ型のトリミング溝Ｂ１，Ｂ２が厚膜抵抗体１２に対して形成され、しかも、微調整用の第２線形部Ｂ２ｂが粗調整用の第１線形部Ｂ１ａと交差する恰好として部分的に絶縁された領域が形成される。このようなＬ型のトリミング溝Ｂ１，Ｂ２では、折れ曲がった部位Ｂ１ｃ，Ｂ２ｃにレーザ加工による亀裂（マイクロクラック）がほとんど生じず、そのような折れ曲がった部位Ｂ１ｃ，Ｂ２ｃが導通ラインＥＬ１，ＥＬ２付近に位置しても、導通ラインＥＬ１，ＥＬ２の形態に及ぼす影響が少なくされている。
【００５１】
その一方、各トリミング溝Ｂ１，Ｂ２における第２線形部Ｂ１ｂ，Ｂ２ｂの終端Ｂ１ｂａ，Ｂ２ｂａは、導通区間方向Ｌに延びた状態とされ、これらの終端Ｂ１ｂａ，Ｂ２ｂａにてレーザ加工による細かな亀裂が導通区間方向Ｌに延びた状態で生じることとなる。そうした状態では、そのようなレーザ加工による亀裂が導通ラインＥＬに対して斜め方向から切れ込む恰好となり、それほど導通ラインＥＬの形態に影響を及ぼすことなく、各トリミング溝Ｂ１，Ｂ２の終端Ｂ１ｂａ，Ｂ２ｂａに派生する亀裂によっても、波及的に通電領域幅がそれほど制限を受けることもない。そのため、抵抗値を高精度に調整する際には亀裂分の誤差をほとんど無視することができる。
【００５２】
また、トリミング溝Ｂ１，Ｂ２の形成順序としては、粗調整用のトリミング溝Ｂ１の次に微調整用のトリミング溝Ｂ２が形成されるが、最終的に微調整用のトリミング溝Ｂ２の終端Ｂ２ｂａが導通ラインＥＬ２上付近に達して抵抗値の調整を終えた状態では、各導通ラインＥＬ１，ＥＬ２の直線的形態が各トリミング溝Ｂ１，Ｂ２における第２線形部Ｂ１ｂ，Ｂ２ｂの終端Ｂ１ｂａ，Ｂ２ｂａによって極端に大きく乱されることはない。言い換えれば、厚膜抵抗体１２における導通区間Ｃにおいては、電流の通電領域幅が定位的形態の各導通ラインＥＬ１，ＥＬ２に応じて適正に規制された状態にあり、したがって、微調整用のトリミング溝Ｂ２をＬ型に形成して調整を終えた後には、抵抗値を安定して一定した所期の目標値に保つことができる。
【００５３】
さらに、レーザ加工などに際してトリミング溝Ｂ１，Ｂ２の１箇所に加工屑が付着することによっても、他の箇所が絶縁状態であれば、粗調整用および微調整用としたトリミング溝Ｂ１，Ｂ２で囲まれた絶縁領域にリーク電流が生じることはなく、こうしたリーク電流に基づく不良原因が確率的に低減されているので、抵抗値を所期の目標値として正確に調整することができ、耐電圧特性に優れたチップ抵抗器Ａを得ることができる。
【００５４】
さらにまた、粗調整用および微調整用のトリミング溝Ｂ１，Ｂ２は、各々の所定部位が導通ラインＥＬ１，ＥＬ２上付近に達した際、実測抵抗値に応じた適正なＬ型形状として形成される。最終的には、微調整用のトリミング溝Ｂ２の終端Ｂ２ｂａが導通ラインＥＬ２上付近に達することで抵抗値の微調整を終えて全体としての抵抗値が得られるので、各チップ抵抗器Ａごとに確実に抵抗値を所期の目標値へと近づけることができ、各チップ抵抗器Ａ間で抵抗値にばらつきを生じることなく、高精度に調整された一定の抵抗値を有するチップ抵抗器Ａを得ることができる。
【００５５】
したがって、上記構成を有するチップ抵抗器Ａ、およびその製造方法によれば、ダブルＬ型に属するトリミング溝Ｂ１，Ｂ２を厚膜抵抗体１２に形成することによっても、独特のトリミング形態とすることで高精度に調整された抵抗値を安定的に得ることができる。
【００５６】
なお、上記実施形態においては、粗調整用および微調整用の終端Ｂ１ｂａ，Ｂ２ｂａがその位置で止められた恰好とされているが、他の例としては、さらに各終端Ｂ１ｂａ，Ｂ２ｂａから幅方向Ｗに折れ曲げたような第３線形部を厚膜抵抗体２の一辺１２ａ側に達するように連続形成しても良い。そうして形成された第３線形部は、導通ラインＥＬ１，ＥＬ２の形態に何ら影響を及ぼすものではなく、しかも、そのような第３線形部を追加することによって絶縁領域が増えることから、リーク電流の発生する確率がさらに低減することで耐電圧特性を向上することができる。
【００５７】
また、上記実施形態では、微調整用の折れ曲がる部位Ｂ２ｃが導通ラインＥＬ１上付近に達することで抵抗値の微調整が行われるとしたが、このような微調整用の折れ曲がる部位Ｂ２ｃは、極端に導通ラインＥＬ１を越えない状態であれば良い。仮に微調整用の折れ曲がる部位Ｂ２ｃが導通ラインＥＬ１を越えない状態であっても、微調整用の終端Ｂ２ｂａがもう一方の導通ラインＥＬ２上付近に達することで最終的に抵抗値の微調整が行われるからである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明にかかるチップ抵抗器の一実施形態を上面側から示した平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う切断面を示した断面図である。
【図３】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するために、各製造工程における製造状態を示した説明図である。
【図４】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するために、各製造工程における製造状態を示した説明図である。
【図５】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するために、各製造工程における製造状態を示した説明図である。
【図６】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するために、各製造工程における製造状態を示した説明図である。
【図７】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するために、各製造工程における製造状態を示した説明図である。
【図８】図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するために、各製造工程における製造状態を示した説明図である。
【図９】従来のチップ抵抗器におけるトリミング溝の一例を説明するために示した説明図である。
【図１０】従来のチップ抵抗器におけるトリミング溝の一例を説明するために示した説明図である。
【図１１】従来のチップ抵抗器におけるトリミング溝の一例を説明するために示した説明図である。
【図１２】従来のチップ抵抗器におけるトリミング溝の一例を説明するために示した説明図である。
【符号の説明】
１０                  チップ本体
１１                  電極端子
１１ａ，１１ｂ        厚膜抵抗体の一辺側に接する各電極端子の接点
１２                  厚膜抵抗体
１２ａ                厚膜抵抗体の一辺
Ａ                    チップ抵抗器
Ｂ１                  抵抗値の粗調整用のトリミング溝
Ｂ１ａ                粗調整用の第１線形部
Ｂ１ｂ                粗調整用の第２線形部
Ｂ１ｃ                粗調整用の折れ曲がる部位
Ｂ２                  抵抗値の微調整用のトリミング溝
Ｂ２ａ                微調整用の第１線形部
Ｂ２ｂ                微調整用の第２線形部
Ｂ２ｃ                微調整用の折れ曲がる部位
Ｃ                    導通区間
ＥＬ，ＥＬ１，ＥＬ２  導通ライン
Ｗ                    幅方向
Ｙ                    導通区間方向
【図１】
0003727806.tif 000002
【図２】
0003727806.tif 000003
【図３】
0003727806.tif 000004
【図４】
0003727806.tif 000005
【図５】
0003727806.tif 000006
【図６】
0003727806.tif 000007
【図７】
0003727806.tif 000008
【図８】
0003727806.tif 000009
【図９】
0003727806.tif 000010
【図１０】
0003727806.tif 000011
【図１１】
0003727806.tif 000012
【図１２】
0003727806.tif 000013