(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層及び第２の層を積層したプリント配線基板構造の製造方法であって、
（Ａ）前記第１の層及び前記第２の層のそれぞれを、
絶縁ベース部材に開口を形成するステップと、
前記絶縁ベース部材の第１表面と第２表面と前記開口の内壁とに導電層を連続的に形成するステップと、
前記開口内に充填材を充填し、前記第１表面上の前記導電層に対して同じ高さになるように、そして、前記第２表面上の前記導電層に対して同じ高さになるように前記充填材を平坦化するステップと、
前記第１表面上の前記導電層とこれに隣接する前記充填材との上に第１フォトレジスト層を形成し、前記第２表面上の前記導電層とこれに隣接する前記充填材との上に第２フォトレジスト層を形成するステップと、
前記第１表面上の導電層のうち前記開口を取り囲む第１領域とこれに隣接する前記充填材とを少なくとも覆うように前記第１フォトレジスト層をパターン化すると共に、前記第２表面上の導電層のうち前記開口を取り囲む第２領域とこれに隣接する前記充填材とを少なくとも覆うように前記第２フォトレジスト層をパターン化するステップと、
前記第１フォトレジスト層で覆われていない前記第１表面上の導電層を除去することにより、前記第１表面上の導電層の前記第１領域を形成すると共に、前記第２フォトレジスト層で覆われていない前記第２表面上の導電層を除去することにより、前記第２表面上の導電層の前記第２領域を形成するステップと、
前記第１フォトレジスト層と前記第２フォトレジスト層とを除去するステップとにより形成し、
（Ｂ）前記第１の層の前記絶縁ベース部材の前記第２表面上の導電層の第２領域及びこれに隣接する前記充填材と、前記第２の層の前記絶縁ベース部材の前記第１表面上の導電層の第１領域及びこれに隣接する前記充填材とを導電性接着剤により接着することを特徴とする、プリント配線基板構造の製造方法。
【請求項２】
前記充填材が導電ペーストである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記充填材が非導電ペーストである、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記導電ペーストの材料が、銅、金及びダイアモンド・ダストから成る群から選択される、請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記導電層の材料が、銅、ニッケル及びアルミニウムから成る群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
第１の層及び第２の層を積層したプリント配線基板構造の製造方法であって、
（Ａ）前記第１の層及び前記第２の層のそれぞれを、
絶縁ベース部材に開口を形成するステップと、
前記絶縁ベース部材の第１表面と第２表面と前記開口の内壁とに第１導電層を連続的に形成するステップと、
前記開口内に充填材を充填し、前記第１表面上の前記第１導電層に対して同じ高さになるように、そして、前記第２表面上の前記第１導電層に対して同じ高さになるように前記充填材を平坦化するステップと、
前記第１表面上の前記第１導電層とこれに隣接する前記充填材との上に第２導電層を形成し、前記第２表面上の前記第１導電層とこれに隣接する前記充填材との上に第３導電層を形成するステップと、
前記第２導電層の上に第１フォトレジスト層を形成し、前記第３導電層の上に第２フォトレジスト層を形成するステップと、
前記第２導電層のうち、上記充填材を覆う部分と該部分から延在して前記開口を取り囲む部分とからなる第２導電層部分を少なくとも覆うように前記第１フォトレジスト層をパターン化すると共に、前記第３導電層のうち、上記充填材を覆う部分と該部分から延在して前記開口を取り囲む部分とからなる第３導電層部分を少なくとも覆うように前記第２フォトレジスト層をパターン化するステップと、
前記第１フォトレジスト層で覆われていない前記第２導電層及びこれの下の前記第１導電層を除去することにより、前記第２導電層部分とこれに整列する第１導電層の第１領域とを形成すると共に、前記第２フォトレジスト層で覆われていない前記第３導電層及びこれの下の前記第１導電層を除去することにより、前記第３導電層部分とこれに整列する第１導電層の第２領域とを形成するステップと、
前記第１フォトレジスト層と前記第２フォトレジスト層とを除去するステップとにより形成し、
（Ｂ）前記第１の層の前記絶縁ベース部材の前記第２表面上の前記第３導電層部分と、前記第２の層の前記絶縁ベース部材の前記第１表面上の前記第２導電層部分とを導電性接着剤により接着することを特徴とする、プリント配線基板構造の製造方法。
【請求項７】
前記充填材が導電ペーストである、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記充填材が非導電ペーストである、請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記導電ペーストの材料が、銅、金及びダイアモンド・ダストから成る群から選択される、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記第１導電層の材料が、銅、ニッケル及びアルミニウムから成る群から選択される、請求項６記載の方法。
【請求項１１】
前記第２導電層及び前記第３導電層の材料が、銅である、請求項６記載の方法。
【請求項１２】
第１の層及び第２の層を積層したプリント配線基板構造であって、
前記第１の層及び前記第２の層のそれぞれは、
（ａ）第１表面及び第２表面を有し、前記第１表面から前記第２表面へ貫通する開口を有する絶縁ベース部材と、
（ｂ）前記第１表面上に設けられ前記開口を取り囲む導電性の第１領域、前記第２表面上に設けられ前記開口を取り囲む導電性の第２領域、並びに前記開口の内壁に設けられ前記導電性の第１領域と前記導電性の第２領域を接続する導電層と、
（ｃ）前記開口内に設けられた非導電ペーストであって、前記第１表面側の前記非導電ペーストの第１面は前記導電性の第１領域と同じ高さであり、前記第２表面側の前記非導電ペーストの第２面は前記導電性の第２領域と同じ高さである、前記非導電ペーストと、
（ｄ）前記導電性の第１領域と前記非導電ペーストの第１面との上に重なるように設けられ前記導電性の第１領域に接続する導電性の第３領域と、
（ｅ）前記導電性の第２領域と前記非導電ペーストの第２面との上に重なるように設けられ前記導電性の第２領域に接続する導電性の第４領域とを備え、
前記第１の層の前記導電性の第４領域と前記第２の層の前記導電性の第３領域とが導電性接着剤により接着されていることを特徴とするプリント配線基板構造。
【請求項１３】
前記導電性の第１領域、前記導電性の第２領域及び前記開口の内壁に設けられた導電層の材料が、銅、ニッケル及びアルミニウムから成る群から選択される、請求項１２記載のプリント配線基板構造。
【請求項１４】
前記導電性の第３領域及び前記導電性の第４領域の材料が、銅である、請求項１２記載のプリント配線基板構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層プリント回路基板または多層配線基板の製造方法に関し、特に、標準のプリント配線基板（ＰＷＢ）構造と比較して、入出力（Ｉ／Ｏ）の数の増加を可能にするために、階層配線構造において、いわゆるｚ軸すなわち多層電気相互接続を生成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント配線基板の複雑性が増すにつれ、各内層上で配線密度を増加する必要性が一層重要となる。多くの複雑なＰＷＢは現在、１．０ｍｍ（４０ミル）の配線グリッドを有する。将来的なアプリケーションが、配線グリッドを０．５０ｍｍ以下に発展させる必要性を駆り立てるであろう。これはより小さな線幅及び線間隔を必要とする他に、配線グリッド（ピッチ）が減少するので、内層上及び外側の配線面の回路基板上において、より小さな配線バイアを要求することになる。結果的に、より小さなバイア・ホールがＰＷＢの長さ全体を通じて形成されなければならず、それにより、非常に高いアスペクト比（ＰＷＢの厚さをバイアの直径により除算した値）への挑戦、並びに、こうしたバイアを形成するために要求される処理を阻害することになる。バイアはまた、より緩いグラウンド・ルールの配線密度で通常使用されるＰＷＢの内層上の貴重な面積、いわゆるリアル・エステート（real estate）を消費する。
【０００３】
階層設計に従い製造されるＰＷＢは、様々な配線ピッチの内層を使用し、これらは一緒に積み重ねられて、要求される配線グリッドを形成する。更に、配線バイアだけが、その配線網の電気接続が必要とされる基板の長さを通じて延びる場合、ＰＷＢの全長に渡り延びるバイアにより通常消費されるリアル・エステートが開放され、回路トレースのために使用可能になる。
【０００４】
有機ラミネートなどの誘電材料から成る基板を含む多層プリント配線基板構造において、階層電気接続を使用する概念は、技術的に次のような点で知られている。すなわち、ラミネートのそれぞれの層内に形成される相互接続バイアまたはホール内に、様々な導電要素が挿入され、要求される様々な一部のまたは全部の層の中間に配置されるコンポーネントとの電気接続を形成する。
【０００５】
積層構造の形成につながる誘電層の中間に、複数の導電配線層を含む多層プリント配線基板の製造及び採用は、技術的に及び業界において周知である。特に、配線層上での接続のためのランドの形成、及び実質的に１つの層を貫通するか、プリント配線基板誘電材料層の一部のまたは全部の層を貫通するスルーホールまたはバイアの形成、更に、層間接続を生成するための導電材料によるバイアのコーティングなどは、周知である。
【０００６】
ある層の両面上に、または多層プリント配線基板の追加の層の表面上に配置される電気コンポーネントの相互接続を提供するために、ラミネートのそれぞれの重畳層を通じて延びる様々なホールまたはバイアの間で、適切な位置合わせが達成される。それにより、バイアまたはホールを導電ペーストなどの導電材料により充填する際に、適切な層間電気相互接続を提供することが必要である。
【０００７】
本願の出願人に権利譲渡されたMizumotoらによる米国特許第５９５６８４３号は、多層プリント配線基板及びその形成方法に関し、そこでは基板が、電気接続コンポーネントが表面に形成される複数の誘電層から形成され、それらが隣接層の中間に外部的にまたは内部的に配置される。更に、隣接層間を接続するために、垂直方向に位置合せされるスルーホールまたはバイアが提供される。各ホールには、ホールまたはバイアの表面を覆う導電めっき層または類似の構造が設けられ、ペースト状の導電材料または非導電材料が、各めっきホールに充填される。この文献で述べられる前述の製造方法及び結果の構造は、一般に満足のいくものであるが、本発明は、電気相互接続を有する多層構造を組み込むこうした積層プリント配線基板構造の製造コストを本質的に低減することにより、一層の改善を図るものであり、本質的に、最適な経済的製造条件の下で、より高い処理歩留りの獲得を可能にする。より高い歩留りは、個々の層を処理能力及び物理的制限内で処理することにより得られる。また、各層が並列に処理されるので、個々の層が大きな多層基板にラミネートされる前に、完全にテストされる。
【０００８】
Yasumotoらによる米国特許第４６１２０８３号は、３次元半導体素子を形成するプロセスを開示し、そこでは多層構造の様々なラミネート層が互いに重畳され、ラミネートされる各層内において、様々な導電性相互接続の形成を容易にする。これは比較的複雑な製造手順を必要とし、多層半導体素子の様々な層の中間に、適切な電気相互接続を提供するが、製造コストを大幅に増加させる追加の処理を必要とする。
【０００９】
Hubnerによる米国特許第５９０２１１８号は、３次元回路構造を形成する方法を開示し、そこでは半導体素子の様々な層が、金属コンポーネントの使用を通じて相互接続され、これらはそれぞれの層内に位置合わせされて形成されるホールと整合するように配置される。この構造は複雑であり、結果的に製造及び組み立ての間の位置合わせが困難であり、多層すなわち積層電気回路構造の形成において、製造コストの増大につながる。
【００１０】
IBM Technical Disclosure Bulletin、Volume 33、No．7、December 1990、"Automatic Method for Registration and Stacking of Laminates"は、プリント回路基板製造において使用される薄いラミネートを自動的に位置合わせし、積み重ねる方法について述べている。これは半導体構造を形成する薄いラミネートの層を位置合わせし積み重ねる、一般に満足のいく方法を提供するが、様々な電気コンポーネント、相互接続、及び層の正確な位置決めを提供するために、処理装置が高価なロボットの使用を必要とし、極めて複雑である。
【００１１】
IBM Technical Disclosure Bulletin、Volume 27、No．5、October 1984、"Multilayer Subsurface Circuit Board Constructions"は、多層プリント回路基板または配線基板の層の重ね合わせを開示し、そこでは金属導体ピンが、層内に位置合わせされ、予め形成されたホールまたはバイアを通じて挿入され、次にホールが少なくとも部分的に導電ペーストにより充填される。それにより、プリント回路または配線回路基板を形成する積層基板の内層及び外層上に配置される電気コンポーネントの相互接続が提供される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術においては、多層プリント回路基板を構成する層の上面及び下面の導電層パターンをめっきスルーホールを介して接続するために、上面、スルーホールの内壁及び下面に導電層をめっきした後に、上面及び下面の導電層をエッチング剤によりパターン化する。このパターン化のときに、エッチング剤がスルーホール内の導電層を除去してしまうことを防止するために、スルーホールの上部及び下部にテント状にフォトレジストを設けるか、又はスルーホール内の導電層の全面を液体フォトレジストにより覆わねばならなかった。パターンの解像度を増大するためにフォトレジストの厚さは薄くなる。フォトレジストが薄くなると、テント状のフォトレジストは、破壊されやすく、又、スルーホール内の導電層の全面を液体フォトレジストにより被覆すること困難であった。このために、スルーホール内の導電層がエッチングされてしまい信頼性が低下していた。本発明はこの問題を解決する。更に、本発明は、絶縁ベース部材の開口内に充填される非導電ペーストが、後続の化学的処理中に影響されたり、後続の熱処理中に流動してしまうという問題を解決する。本質的に、本発明は、多層プリント回路基板または配線基板の高密度配線構造において、ｚ軸相互接続を生成するための方法及び構造を提供することにより、従来技術を改善し、標準の配線基板設計に比較して、入出力（Ｉ／Ｏ）数を多大に増加させる。
【００１３】
従って、本発明の目的は、ｚ軸相互接続を有する多層プリント配線基板構造を形成する、新たな単純化された方法を提供することである。
【００１４】
本発明の別の目的は、位置合わせされる複数のホールまたはバイアにより電気的に相互接続される複数の回路面を有する、積層多層プリント配線基板構造を形成する方法を提供することである。これらのホールまたはバイアは、プリント配線基板内に隣接して重畳される１つ以上のラミネート層を貫通して形成され、ホールの各々が、要求される表面間及び層間電気接続を形成する導電ペーストにより充填される。
【００１５】
本発明の別の目的は、バイアを介して達成される層間電気相互接続を有する、積層多層プリント配線基板から成る構造を提供することであり、これらのバイアが導電ペーストにより充填され、ラミネートが電気入出力の数に関し、所望の密度を有する必要な構造を形成する。
【００１６】
更に本発明の別の目的は、バイアを介して達成される層間電気相互接続を有する、積層多層プリント配線基板から成る構造を提供することであり、これらのバイアが非導電ペーストにより充填され、各内層内のバイアが金属の別の層によりオーバめっきされて、導電接着剤が施されるパッドが形成され、これらが接合されて、電気入出力の数に関し所望の密度を有する必要な構造を形成する。
【００１７】
本発明は、多くの異なる層間接続、及び当業者には明らかであろう結果の構造を生成する柔軟性を提供する。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
基本的に、本発明は、高いＩ／Ｏ歩留りを有するこうしたラミネート多層プリント配線基板（ＰＷＢ）の製造において、各それぞれの層が、その特定の厚さのための最適な条件で個々に処理されるという点で、改善され単純化された処理を可能にする。この場合、各層には要求されるホールまたはホールの配列、或いはバイアが形成される。これらの層の各々内のそれぞれのバイアは、層の両面に配置されるコンポーネントまたは配線に関する電気相互接続を容易にするために、或いはラミネートの際に、隣接層または隣接表面上のコンポーネントまたは配線との電気相互接続を容易にするために充填され、製造プロセスを経済的及び効率的に最適化する。構造内のバイアは、ラミネーション・プロセスの間に、導電材料により充填されてもよい。この導電材料は、ホール内に押し込められるキャリア上にマスクを用いて選択的に、または非選択的に被覆される。
【００１９】
特に、本発明は各層の厚さがアスペクト比ドリリングにより管理されることを容易にする。このドリリングは、単純な信号層または多層パネルから成る層の厚さが、プリント配線基板の直径及びパネル厚さに最適なドリリング・プロセスに、または他のホールまたはバイア生成プロセスに、個別に適合化されることを可能にする。
【００２０】
本発明は業界で遭遇する製造問題及びコスト問題を解決し、後者にはプリント配線基板に与えられる追加の薄層が含まれ、最新技術に比較してレイヤ数及び厚さを低く抑える一方で、高いＩ／Ｏ歩留りを獲得する。これは好ましいことである。なぜなら、プリント配線基板の厚さが増加するとき、ｚ軸すなわち多層相互接続、要するにめっきスルーホール（ＰＴＨ）において、高アスペクト比処理を達成すること、並びに回路化のための銅めっき表面の厚さを達成することが、益々困難になるからである。本発明はこれらの特定の制限を受けない。なぜなら、各層内にホールを生成するプロセスが、プリント配線基板の個々の層のラミネーションの前に、より薄い単層内で実現されるからである。
【００２１】
更に、本質的に多面電気相互接続を形成するために、各層内に設けられるホールまたはバイアの各々が、導電ペーストにより充填されるので、貫通する電気接続を生成するために、実質的にホールのためにめっきが全くまたはほとんど必要とされない。そのため、外部回路が特定の物理アプリケーション及び顧客の要求通り、微細化または高密度化される。これは特に、ホールまたはバイアのめっきの必要性を潜在的に排除するので、生産時間を大幅に減少させる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１を参照すると、多層プリント配線基板１０の形成のために、複数の別々の層１２、１４、１６及び１８が示され、この例では基板１０が合計４つの層から構成される。周知のように、各層は本来、有機基板などの誘電材料から成り、それらのそれぞれの両方の表面、すなわち１２ａ、１２ｂ、１４ａ、１４ｂ、１６ａ、１６ｂ、及び１８ａ、１８ｂ上には、好適な回路化めっきすなわち配線が設けられる。これは周知のように、マスクなどを用いて選択的に付着される。各層１２、１４、１６及び１８は、そこに形成されるホールまたはバイアのサイズに応じて、好適には約０．５０ｍｍ（約２０ミル）乃至約２．５４ｍｍ（約１００ミル）の範囲内で、厚さ"ｔ"を有する。
【００２３】
層１２、１４、１６、１８のラミネーション前に、各層内に複数のホールまたはバイア２０、２２、２４、２６が形成される。各層は、その両面及び重畳される層が電気的に相互接続されるか否かに応じて、異なる配列または数のホールを形成される。従って、例えば最上層１２に最も多数のスルーホールまたはバイア２０が設けられ、隣接層１４はそれより少ない数のホール２２を有し、続く層１６及び１８は、更に少ない数のホール２４及び２６を有するかもしれない。或いは、全く逆の順序であってもよい。
【００２４】
連続的に重畳される層１２、１４、１６、１８のホール２０、２２、２４、２６は、互いに軸方向に位置合わせされるように穴を開けられる。従って、例えば、最上層１２内のホール２０は、層１２の両側の表１２ａ及び１２ｂ上の電気コンポーネントとの電気接続を提供し、幾つかは表面１４ａ及び第２の層１４内に形成される選択ホール２２との接続を提供する。同様に、第２の層１４内のホール２２は、表面１４ｂ及びホール２４との接続、更に第３の層１６との接続を提供し、第３の層内のホールは、第４の層１８内に形成されるホール２６との接続を提供する。
【００２５】
図１に示される個々の層の形成について、次に述べることにする。図２に示されるように、これは図１の層１２、１４、１６、及び１８の開始構造を示す基本層１３が開示される。この例では、基本層１３は厚さ"ｔ"を有し、ここでは実質的に１内部要素を有する多層要素として示されるが、この層は物理設計による要求に応じて、０乃至任意の数の内部要素を有し得る。しかしながら、後に形成するホール即ち開口のアスペクト比を制限することが、本発明の趣旨であるので、説明上、内部要素を２つまでに制限することが好ましい。
【００２６】
図２では、絶縁ベース部材１３が示され、これは本発明では、最終的なプリント配線基板一体構造を生成するために使用される。本発明は図２に示される特定の構成に制限されるものではなく他の構成も容易に可能である。ベース部材１３は第１及び第２の導電層４０及び４１を含み、これらは第１及び第２の誘電層７、８及び導電面５０を挟む。好適な実施例では、２つの導電層の各々が銅または周知の導電材料から成り、各々が約６．３５μｍ（約０．２５ミル）乃至約７６．２μｍ（約３．０ミル）の厚さを有し、好適には約１９．０５μｍ（約０．７５ミル）の厚さである。２つの誘電層の各々は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂（ＦＲ４）から成り、各々は約５０．８μｍ（約２ミル）乃至約５０８μｍ（約２０ミル）の厚さを有する。この特定の材料において、約５０．８μｍ（約２ミル）以下の厚さは好ましくない。なぜなら、結果の構造が浅薄で、続く製造プロセスでの扱いが困難であるからである。一方、約５０８μｍ（約２０ミル）以上の厚さも好ましくない。なぜなら、こうした厚い誘電層は、比較的大きな導体線幅及び厚さを要求することに加え、最適なパッケージ電気性能の達成を阻止するからである。更に本発明の目的は、アスペクト比などの項目に対する物理的制限を有することにより、最適なプロセス歩留りを可能にする個々の層を提供することである。
【００２７】
誘電層７及び８の間には導電面５０が設けられ、これは好適には銅または他の周知の導電材料から成り、約３．１７５μｍ（約０．１２５ミル）乃至約７６．２μｍ（約３．０ミル）の範囲の厚さを有する。約３．１７５μｍ（約０．１２５ミル）以下の厚さの導電面５０は、結果の構造が比較的高い温度に晒されるときに、好ましくないことが判明するであろう。更に、約７６．２μｍ（３．０ミル）よりも大きい厚さは、従来のめっき技術によりこうした層を形成するのに必要な追加の時間、及び線幅制御に関連する課題により、好ましくないことが判明するであろう。また、導電面５０は個々に処理されてもよく、薄い層の取り扱いが困難であることが判明しよう。
【００２８】
図２に示されるように、領域５１が絶縁ベース部材１３内に配置される。領域５１は絶縁ベース部材１３のラミネーションの前に行われる、導電面５０を個別化する間に形成される。プリント配線基板内のこうした領域は、業界では"クリアランス・ホール"として知られている。内部の導電面５０に接触することなく、表面２１上の導電層と表面２３の導電層との間の電気接触を提供することが所望される場合、導電面５０にクリアランス・ホールが設けられねばならない。クリアランス・ホールは、続いてバイア・ホールを形成するプロセスの間にこのプロセスの公差に起因してバイア・ホールが導電面５０に接触しないように、バイア・ホールよりも実質的に大きな直径を有する。ある表面から内部導電面５０へ直接導電路を形成する場合には、クリアランス・ホールは設けられない。
【００２９】
図２に示される結果の構造は、好適には約１１９．３８μｍ（約４．７ミル）乃至約１１１７．６μｍ（約４４ミル）の範囲内の厚さを有し、より好適には、約２０３．２μｍ（約８ミル）の厚さを有する。
【００３０】
導電層４０及び４１及び誘電層７及び８は、ラミネーション・プロセスを用いて導電面５０に接着される。こうしたプロセスは既知であるので、ここでは説明を省略する。
【００３１】
ベース部材１３は少なくとも２つの表面、すなわち第１の表面２１及び第２の表面２３を含むように示される。
【００３２】
２つの導電層及び２つの誘電層がベース部材１３として示されるが、本発明はこれに制限されるものではない。特に、ここで教示する有利な結果を得るためには、１つのこうした導電層と、１つのこうした誘電層だけを提供することが必要である。内部導電面（例えば電源、グラウンドまたは信号用）を最終構造の一部として組み込むことが望まれる場合、各々に対して少なくとも２つの層が使用される。当然ながら、最終製品の動作要件に応じて、幾つかの導電層と誘電層、及び対応する内部導電面が使用されてもよい。
【００３３】
図３を参照すると、内壁９を有する開口５が、ベース部材１３を実質的に貫通して形成される。１つの開口だけがベース部材１３内に形成されて示されるが、回路基板の最終的な電気要件に応じて、ベース部材１３内に複数の開口が形成される。開口５は好適にはホールであり、機械ドリリングにより形成されるが、パンチングやレーザ・ドリリングなどの、他のホール形成技術も使用される。開口５は約１０１．６μｍ（約４ミル）乃至約３５５．６μｍ（約１４ミル）の、好適には約２０３．２μｍ（約８ミル）の直径で形成される。開口５はまた、予め形成されたクリアランス・ホール５１を通過するように示されるが、ホール形成に携わる当業者であれば、寸法安定性及び位置決めに関連して、開口５が中心からオフセットされてよいことが理解できよう。オフセット量は設計により規定され、しばしば許可されるオフセット量に制限が存在する。また、開口５が内部導電面５０を直接貫通しても良いことが理解できよう。
【００３４】
図３に示されるようなベース部材１３の要素が使用される。なぜなら、ベース実現構造は、本発明の他の実施例にも適用可能であるからである。
【００３５】
図４に示される好適な実施例の次のステップでは、ベース部材１３のそれぞれの表面２１及び２３上に及び開口５の内壁９上に、第１の導電層６０が提供される。図４に示されるように、この導電層６０は、実質的にベース部材１３の厚さ全体及びホール５の内壁９の表面を覆う。第１の導電層６０はニッケル、アルミニウム、または銅から成るが、好適には銅が使用される。この第１の導電層の厚さは、約７．６２μｍ（約０．３ミル）乃至約３８．１μｍ（約１．５ミル）であるが、好適には約２０．３２μｍ（約０．８ミル）乃至約３０．４８μｍ（約１．２ミル）である。
【００３６】
第１の導電層は、電気めっき、スパッタ、マグイオン（mag-ion）または周知の他の技術などの、従来のめっき法により付着される。これらの方法は、金属付着のための触媒として作用するために、パラジウム・スズ粒子を含む粒子から成るシード層（seed layer）などの、初期導電層（１０Å乃至６０Åの厚さを有する）を使用する。更に電気めっきなどの方法では、電気共通層を生成するために、非常に薄い初期金属付着（０．２５４μｍ乃至５．０８μｍ（０．０１ミル乃至０．２ミル））が触媒層上に付着されることが知られている。他の技術も類似の非常に薄い層を付着して実現し得る。様々な技術のために、この薄い層は示されず、第１の層の基本の厚さだけが示される。
【００３７】
本発明の実施例では、電気めっきプロセスが使用される。
【００３８】
第１の導電層の付着後、ホール５の直径が約２０３．２μｍ（約８ミル）から約１５２．４μｍ（約６ミル）に低減されるが、約５０．８μｍ（約２ミル）乃至約３０４．８μｍ（約１２ミル）程度であってもよい。ホール壁９上の第１の導電層は、基本的に層６０と同一の厚さではない。めっきにおいて、"均一電着性（throwing power）"と呼ばれる既知の現象が存在し、これは実質的に、バイア・ホール内に第１の導電層をめっきするめっきプロセスの能力を意味する。これはホール壁９上の第１の導電層の厚さを、第１及び第２の表面（すなわち６０）上の第１の導電層の厚さで除した百分率として表される。業界では一般に、ホール壁９上のバイア５の長さ内の第１の導電層が、ホール壁９に沿う任意のポイントにおける最小厚さとして規定される。ほとんどのめっきプロセスは、１００％未満の"電着（throw）"をバイア・ホール内に生成する（すなわち、単位時間当たり、ホール壁内よりも表面上により多くの銅がめっきされる）。本発明はアスペクト比を制限することにより開口５全体に渡り、１００％の均一電着性を獲得するアプローチを容易にする。
【００３９】
次に述べる層間接続技術は、個々の要素の接合に関するので、内部開口上の接合層に対して、内部支持材を提供することが必要である。これは標準のラミネーション充填プロセスでは成功裡に達成できない。なぜなら、ラミネーション・サイクルの間に、誘電材料から過剰な樹脂が開口内に流れ込むからである。ホールを樹脂材料により充填するとき、熱膨張率の不一致から、接合後のパッケージ信頼性が低下する。従って、実質的に開口を導電性のまたは非導電性の永久材料により充填することが必要である。これはベース部材の熱膨張率に一致し、前の金属めっき浴と互換性のある材料を用いて行われて、例えばBhattによる米国特許第 '８４４で述べられるエポキシ樹脂ベースの材料などが使用される。銅ベースの導電接着剤ペーストなどの導電材料が、Ablestick社から商標名"Abelbond 8175"として、またE. I. duPont DeNemours社から商標名"CB100"として市販されている。２つの共通の技術が充填材をめっきスルー・ラミネーションまたはスクリーニングに導入するために使用可能であるが、他の注入技術も使用可能である。未充填のまま留まるめっきスルーホール（ツーリング・ホール、位置合わせホール等）が存在する場合、Bhattによる米国特許第５４８７２１８号で述べられるような選択的方法が使用される。他の方法も、続くニッケル、金、パラジウムなどの金属被覆などの充填材の接着や、銅と酸化物プロセス（例えば亜塩素酸塩）の処理を改善するために導入され得る。これらの方法は既知であり、ここでは説明を省略する。
【００４０】
図５は、開口５を永久材料３０により充填した後の、結果の構造を示す。開口は充填された開口５の外部表面が、ベース部材１３上の第１の導電層６０と実質的に平坦になるように充填され、それにより、後述する続くフォトリソグラフィ及び接合プロセスのために平坦な表面を提供する。しかしながら、図５に示されるように、表面上に過剰な充填材が存在し得る。
【００４１】
図６は、機械または化学研磨などの平坦化ステップが実行された後の、結果の表面を示す。これらの方法は既知であるので、ここでは説明を省略する。
【００４２】
図７は、プロセスにおける等価な状態での本発明の第２の実施例を示す。この第２の実施例では、導電層６０がベース部材１３に付着されない。従って、開口５の内壁は、前述の永久充填材により充填されるとき、金属被覆を有さない。この実施例では、好適な充填材が導電性であり、上面から下面への電気接続を提供する。ホール壁９は充填材と直接接触する。導電面５０との接続を有することが望まれる場合、充填材と導電面５０との直接接触が提供される。
【００４３】
当業者であれば、開口５の内壁上に金属被覆を有するような、他の中間構造を生成することができよう。これは単に上面及び下面に金属被覆を付着しないか、或いは、係属中の米国特許出願第３４５５７３号（本出願人整理番号ＥＮ９９８１１３）"Fine Pitch Circuitization with filled PTH's"で述べられるように、実質的に金属被覆を除去することによる。これらの中間構造は設計に依存し、個々の層が異なる設計規則の適用を要求する。
【００４４】
図８に示されるように、フォトイメージング（フォトレジスト）材料７０及び７１の層が、ベース部材１３の両側のそれぞれの表面上に付着される。１例では、フォトレジストの層が、約７．６２μｍ（約０．３ミル）乃至約５０．８μｍ（約２．０ミル）の厚さを有する。好適な材料はネガティブ作用フォトレジストであり、例えばMacDermid社から販売される商標名"ＭＩシリーズ"や、E. I. duPont DeNemours社から販売される商標名"フォトレジスト３１２０"などの、様々な例が知られている。ネガティブ作用フォトレジストは、付着後に好適なフォトマスクを通じて露光されると、露光領域に物理及び化学変化が生じ、これらの領域が続いて適用される現像液に対して不溶性となる。フォトマスクを用いて露光する方法は既知であり、接触式及び非接触式がある。この実施例では非接触方法（すなわち映写法（projection））を使用するが、何れの方法であっても問題ない。露光に続き、レジスト被覆されたベース部材１３が現像液（例えば炭酸ナトリウムまたは炭酸プロピレン）中に浸され、硬化した露光領域に過剰な影響を及ぼすことなく非露光領域が除去される。必要に応じて、残りの露光部分を更に硬化するために、ベーキングや他のプロセスが使用される。
【００４５】
重要な点として、めっきスルー・バイアはフォトイメージング層７０及び７１により覆われ、（フォトレジストの除去の後）ホール５の周辺に、完全な途切れのない導電層を提供する。業界において、フォトイメージング材料はめっきスルーホールを覆わねばならない（液体の場合、ホール壁の全長を被覆しなければならない）。付着されるフォトイメージング材料が薄いほど、露光されるパターンの解像度は良好になる。微細線回路を達成するより薄いフォトイメージング材料の使用は、（それが液体か固体かに関わらず）導電路を必要とするめっきスルー・バイアがエッチングされるのを防がねばならない。開口５は永久に充填されるホールを有し、フォトレジストの支持を提供する。エッチングから保護されるめっきバイアを有することにより、非常に薄いフォトイメージング層が使用可能になる。なぜなら、テントを達成する（または液体のためにホール壁を被覆する）心配が不要であるからである。これはまた、プロセスのロバスト性を提供するのに対して従来のテンティング・プロセスでは、破壊または位置づれしたテントがエッチングを可能にする。この方法により、フォトイメージング材料がプロセス・エラーにより完全に欠落しない限り、導電路はエッチングから保護される。
【００４６】
図９では、前述の露光及び除去（現像）工程後のベース部材１３が示される。フォトレジスト層７０及び７１の一部だけが取り残され、これらの部分が参照番号７３により示されている。フォトレジストの除去された部分は開口７５を形成し、最終的に回路が形成されるそれぞれの表面上の、事前に選択された領域が露光される。所定のパターンが両方の表面上に設けられる。
【００４７】
ネガティブ作用フォトレジスト・プロシージャについて述べたが、本発明はこれに限られるものではない。代わりに、ポジティブ作用フォトレジストを使用することも可能であり、この場合、フォトマスク下の露光領域が現像液中に浸され、除去される。従って、本発明は１つ以上の容認される技術に適応可能である。
【００４８】
図１０に示されるように、ベース部材１３がエッチング・プロセスに晒され、フォトレジスト現像及びフォトレジスト・ストリッピング・プロセス後に残存する露出部分（例えばサイト７５）内の、銅または類似の導電材料が除去される。
【００４９】
好適な実施例では、露出領域はウェット・エッチングにより除去され、これは既知の技術、好適には塩化第２銅または塩化第２鉄により実行される。ウェット・エッチングは周知であるので、ここでは説明を省略する。露出領域７５のウェット・エッチングは、実質的に、露出された第１の導電層６０と導電層４０及び４１を除去し、第１の誘電層７及び第２の誘電層８の露出部分を取り残す。非露出部分７３は、第１の誘電層７及び第２の誘電層８上に回路パターンを画定する。
【００５０】
更に、フォトレジストを例えば炭酸プロピレン、炭酸ナトリウムまたは水酸化ナトリウムなどの、既知の好適な溶剤を用いて剥ぎ取ることにより、フォトレジスト層７０及び７１の残存部分が除去される。レーザ・アブレーションや機械除去、またはそれらの組み合わせなどの他の除去技術もフォトレジスト層を除去するために使用可能である。１例では、ベース部材１３の表面上の第１の導電層の露出領域が、１つ以上の回路トレースまたはコンタクト・パッド領域８０として作用する。露出コンタクト・パッド領域に加え、最終製品の動作要件に応じて、ベース部材１３上の１つ以上の領域８１を露出することも可能である。この領域８１はランド領域であり、スルーホール５を取り囲み、必要に応じて回路の上下の層と内部導電面５０とを相互接続する。
【００５１】
また、図１０は中間結果の構造であり、この実施例にもとづき、本方法は図６または図７のいずれかに至るように選択される。そして、この構造が、最終接合及び結果の一体構造を達成するために使用される。
【００５２】
図１１は、本発明の別の実施例を示し、この実施例で形成される構造は、導電層６５、好適には銅が、図６に示されるステップに続き、ベース部材１３全体上にめっきされ、次に前述の処理に晒された結果の構造である。図７の後に、同じ第２の金属被覆ステップを実施することも可能であることが理解できよう。この実施例により得られる利点は、第２の金属化ステップの後、充填材が、続くウェット化学反応への露出から保護される点である。選択される充填材に応じて充填材の成分がウェット化学反応に有害であったり、これらの化学反応により影響されたりする。第２の金属被覆により得られる別の利点は、充填材が完全に硬化され、ベーキングなどの続く熱処理において、流動しないようにされる点である。更に別の利点は、ランド領域８１が比較的大きく取れることである。続く接合ステップにおいて、導電接着剤ペーストがランド領域８１上に施される。ランド領域は開口の直径そのものに比べ、ペーストを位置決めするためのより大きなターゲットを提供する。パッドだけに制限されるように、ラミネーションの間により少量のペーストが使用され、絞り出されるので、隣接導体への導電路を生成する可能性が低減される。
【００５３】
図１２は、内部開口のために、前述の実施例により生成される複数の内部構造を示し、当業者であれば、どれが相互に互いに排他的であるかが理解できよう。
【００５４】
このように、図１０及び図１１に示される構成ブロックは、一体構造を形成するために必要とされる層となる。図１の層１２、１４、１６及び１８は、前述の方法により形成されるが、本発明はこれらにより示される層に限られるものではない。
【００５５】
図１３では、多層プリント配線基板１０の一体構造を形成するために、個々の層１２、１４、１６、１８がラミネートされる前に、ホールまたはバイア２０、２２、２４及び２６の各々が、銅組成物、金、またはダイアモンド・ダスト・ペーストなどの導電ペースト３０を付着され、これは好適には、充填材として前述したような導電接着剤ペースト組成物である。こうした材料は、スクリーニングまたはステンシリングなどの既知の方法により施される。導電接着剤ペーストは、既に充填されたバイア上に少量存在するように施される。施されるペーストの量は、バイアのサイズ及び要求される位置決めに依存する。導電ペーストのこれらの領域は、ラミネーションの際に層１２、１４、１６、１８の隣接面の間の導電性相互接続を形成する。これらの層は、ラミネーション・プロセスの間に、導電路を形成するパッドまたは位置合わせホール間に押し込められる、導電ペースト材料を圧縮することにより接合される。
【００５６】
図１４を参照すると、層１２、１４、及び１６の鏡像として、追加の層３２、３４、３６が、層１８に対する追加のラミネーションとして示され、積層プリント配線基板４０としてのより大きな構造を提供する。この構造は、追加のホールまたはバイア４２、４４、及び４６を介する必要な相互接続を有し、これらのホールは、素子の上下層に加え、中間層の間の直接電気相互接続を形成するように位置合わせされ、必要な数の入出力（Ｉ／Ｏ）に対して要求されるラミネート層を有する、できるだけ大きな素子を生成する。
【００５７】
前述の構成は、非常に単純であることにより、多層プリント配線またはプリント回路基板を最低コストで、最小の複雑性により、安価に且つ確実に生成する独特な方法を提供する。そこでは基本的に、相互接続を形成する隣接層の様々なホールが、互いに適切に位置合わせされ、適切な接触を保証するように考慮される。このタイプの構造は、必要な数の入出力の形成を可能にし、また、カスタマイズされたアプリケーションに対応するプリント配線基板を形成するために、必要な数のラミネート層の形成を可能にする。
【００５８】
本発明により提供される利点は、設計の柔軟性において、及び多層プリント配線の階層電気接続の使用において容易に明らかになろう。これは層を階層的に積み重ねることにより、高いＩ／Ｏ数を達成する。
【００５９】
本発明は特に、好適な実施例に関連して述べられてきたが、当業者であれば、形態及び詳細な面での他の変更についても、本発明の趣旨及び範囲から逸れることなく可能であることが理解できよう。
【００６０】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００６１】
（１）ｚ軸電気相互接続を形成するように、誘電材料から成る複数の個々の層から形成される積層多層プリント配線基板を生成する方法であって、
第１の前記誘電層内にスルーホールを所定の配列で形成するステップと、
前記スルーホールを導電ペーストで充填するステップと、
少なくとも第２の前記誘電層内に、スルーホールを第２の配列で形成するステップと、
前記第２の誘電層内の前記スルーホールを導電ペーストで充填するステップと、
前記第１及び第２の誘電層をそれぞれの表面が接触するようにラミネートするステップと
を含み、前記第１の誘電層内の前記選択的スルーホールの少なくとも一部が、前記第２の誘電層内の前記スルーホールの一部に位置合わせされ、位置合わせされた前記ホール内の前記導電ペーストが、互いに電気的に導通する方法。
（２）前記第１の誘電層内の前記ホールの数及び配列が、前記第２の誘電層内の前記ホールの数及び配列と異なる、前記（１）記載の方法。
（３）前記第２の誘電層が前記第１の誘電層よりも少ないスルーホールを有する、前記（２）記載の方法。
（４）第３の誘電層が多数のスルーホールを特定の配列で形成され、
前記第３のスルーホールを導電ペーストで充填するステップと、
前記第３の誘電層を前記第１の誘電層から遠位的に、前記第２の誘電層の表面にラミネートするステップと
を含み、前記第３の誘電層内の少なくとも指定された前記スルーホールが、前記第２の誘電層内及び前記第１の誘電層内の選択的スルーホールと位置合わせされ、位置合わせされた前記スルーホール内の前記導電ペーストが、互いに電気的に導通する、前記（１）記載の方法。
（５）第４の誘電層が少なくとも１つのスルーホールを形成され、
前記少なくとも１つのスルーホールを導電ペーストで充填するステップと、
前記第４の誘電層を前記第２の誘電層から遠位的に、前記第３の誘電層の表面にラミネートするステップと
を含み、前記少なくとも１つのスルーホールが、前記第３の誘電層内のスルーホールと位置合わせされ、位置合わせされた前記スルーホール内の前記導電ペーストが、互いに電気的に導通する、前記（４）記載の方法。
（６）前記第４の層内の前記少なくとも１つのスルーホールが、前記第２及び第１の誘電層内のスルーホールと電気的に導通するように位置合わせされる、前記（５）記載の方法。
（７）導電ペーストにより充填されるスルーホールを有する追加の誘電層が、先行する前記誘電層にラミネートされ、界面電気接続を提供する相互に位置合わせされたスルーホールを有する、複数の層を含むプリント配線基板構造を形成する、前記（５）記載の方法。
（８）前記誘電層の各々が有機材料から成る、前記（１）記載の方法。
（９）前記導電ペーストが銅、銀、スズ、金及びパラジウムを含む材料のグループから選択される、前記（１）記載の方法。
（１０）前記誘電層がエポキシ・ガラス繊維材料と共にラミネートされる、前記（１）記載の方法。
（１１）前記誘電層が非強化エポキシまたはフォトイメージング材料と共にラミネートされる、前記（１）記載の方法。
（１２）充填された前記ホールが、ラミネーションの前に導電接着剤を付着される、前記（１）記載の方法。
（１３）前記導電接着剤がステンシリングまたはスクリーニングにより付着される、前記（１２）記載の方法。
（１４）前記ラミネーションを実現する材料が、前記誘電層のスルーホールに一致するホール・パターンを有する、前記（１）記載の方法。
（１５）充填された前記ホールが、該ホール壁全体を通じて金属被覆を付着される、前記（１）記載の方法。
（１６）充填された前記ホールが、該ホール壁全体を通じて金属被覆を有さない、前記（１）記載の方法。
（１７）充填された前記スルーホールが、前記ペースト充填材上に、キャップを生成する金属被覆層を有する、前記（１）記載の方法。
（１８）充填された前記スルーホールが、前記ペースト充填材上に、金属被覆層を有さない、前記（１）記載の方法。
（１９）ｚ軸電気相互接続を形成するように、誘電材料から成る複数の個々の層から形成される積層多層プリント配線基板であって、
導電ペーストにより充填されるスルーホールの配列を有する第１の誘電層と、
導電ペーストにより充填されるスルーホールの第２の配列を有する第２の誘電層と
を含み、前記第１及び第２の誘電層がそれぞれの表面が接触するようにラミネートされ、前記第１の誘電層内の前記スルーホールの少なくとも一部が、前記第２の誘電層内の前記スルーホールの一部に位置合わせされ、位置合わせされた前記ホール内の前記導電ペーストが、互いに電気的に導通するプリント配線基板。
（２０）前記第１の誘電層内の前記ホールの数及び配列が、前記第２の誘電層内の前記ホールの数及び配列と異なる、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（２１）前記第２の誘電層が前記第１の誘電層よりも少ないスルーホールを有する、前記（２０）記載のプリント配線基板。
（２２）第３の誘電層が多数のスルーホールを特定の配列で形成され、
前記第３のスルーホールが導電ペーストで充填され、
前記第３の誘電層が前記第１の誘電層から遠位的に、前記第２の誘電層の表面にラミネートされ、
前記第３の誘電層内の少なくとも指定された前記スルーホールが、前記第２の誘電層内及び前記第１の誘電層内の選択的スルーホールと位置合わせされ、位置合わせされた前記スルーホール内の前記導電ペーストが、互いに電気的に導通する、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（２３）第４の誘電層が少なくとも１つのスルーホールを形成され、
前記少なくとも１つのスルーホールが導電ペーストで充填され、
前記第４の誘電層が前記第２の誘電層から遠位的に、前記第３の誘電層の表面にラミネートされ、
前記少なくとも１つのスルーホールが、前記第３の誘電層内のスルーホールと位置合わせされ、位置合わせされた前記スルーホール内の前記導電ペーストが、互いに電気的に導通する、前記（２２）記載のプリント配線基板。
（２４）前記第４の層内の前記少なくとも１つのスルーホールが、前記第２及び第１の誘電層内のスルーホールと導通するように位置合わせされる、前記（２３）記載のプリント配線基板。
（２５）導電ペーストにより充填されるスルーホールを有する追加の誘電層が、先行する前記誘電層にラミネートされ、界面電気接続を提供する相互に位置合わせされたスルーホールを有する、複数の層を含むプリント配線基板構造を有する、前記（２３）記載のプリント配線基板。
（２６）前記誘電層の各々が有機材料から成る、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（２７）前記導電ペーストが銅、銀、スズ、金及びパラジウムを含む材料のグループから選択される、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（２８）前記誘電層がエポキシ・ガラス繊維材料と共にラミネートされる、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（２９）前記誘電層が非強化エポキシまたはフォトイメージング材料と共にラミネートされる、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（３０）充填された前記ホールが、ラミネーションの前に導電接着剤を付着される、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（３１）前記導電接着剤がステンシリングまたはスクリーニングにより付着される、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（３２）前記ラミネーション材料が、前記誘電層のスルーホールに一致するホール・パターンを設けられる、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（３３）充填された前記ホールが、該ホール壁全体を通じて金属被覆を付着される、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（３４）充填された前記ホールが、該ホール壁全体を通じて金属被覆を有さない、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（３５）充填された前記ホールが、前記ペースト充填材上に、キャップを生成する金属被覆層を有する、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（３６）充填された前記ホールが、前記ペースト充填材上に、金属被覆層を有さない、前記（１９）記載のプリント配線基板。
（３７）前記ペーストが銅、銀、スズ、金、パラジウム、及び樹脂材料を含む材料のグループから選択される非導電ペーストである、前記（１９）記載の方法。
（３８）前記第１の誘電層が導電ペーストにより被覆される、前記（１）記載の方法。
（３９）前記第１の誘電層上に被覆される導電材料を前記ラミネーションの間に、前記スルーホール内に導入することにより、前記導電ペーストが前記スルーホール内に充填される、前記（３８）記載の方法。
（４０）前記第１の誘電層の被覆が、マスクを用いて、またはマスクを用いずに、選択的に行われる、前記（３８）記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ラミネーション前の、本発明に従うプリント配線基板（ＰＷＢ）の別々の個々の層を示す図である。
【図２】  プリント配線基板の層の形成において使用される、開始構造としての基本層を示す図である。
【図３】  図２に続き、内壁を有する開口がベース部材を貫通して形成された図である。
【図４】  図３に続き、ベース部材のそれぞれの表面上及び開口の内壁上に、第１の導電層が提供された図である。
【図５】  図４に続き、開口を永久材料により充填した後の結果の構造を示す図である。
【図６】  図５に続き、機械または化学研磨などの平坦化ステップが実行された後の、結果の表面を示す図である。
【図７】  プロセスにおいて、図６と等価な状態での本発明の第２の実施例を示す図である。
【図８】  図６に続き、フォトイメージング材料の層が、ベース部材の両側のそれぞれの面上に付着された図である。
【図９】  図８に続き、露光及び除去（現像）工程後のベース部材を示す図である。
【図１０】  図９に続き、ベース部材がエッチング・プロセスに晒され、露出部分内の導電材料が除去された図である。
【図１１】  本発明の別の実施例を示し、導電層が図６に示されるステップに続き、ベース部材全体上にめっきされ、次に図８乃至図１０と同様の処理に晒された結果の構造を示す図である。
【図１２】  内部開口として、本発明の実施例により生成される複数の内部構造を示す図である。
【図１３】  一体構造を形成するようにラミネートされたプリント配線基板の層を示す図である。
【図１４】  必要な数の入出力（Ｉ／Ｏ）を提供するために、必要に応じてより大きな構造を形成するための、プリント配線基板の複数の層のラミネーションを示す図である。
【符号の説明】
７、８、１２、１４、１６、１８、３２、３４、３６  誘電層
５、７５  開口
９  内壁
１０  多層プリント配線基板
１３  ベース部材
２０、２２、２４、２６、４２、４４、４６  スルーホール（バイア）
３０  導電ペースト（永久材料）
４０、４１、６０、６５  導電層
５０  導電面
５１  クリアランス・ホール
７０、７１  フォトレジスト層（フォトイメージング層）
７３  非露出領域
７５  露出領域
８０  コンタクト・パッド（回路トレース）
８１  ランド領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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