(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられたアクティブマトリクス素子と、
前記アクティブマトリクス素子上に設けられかつ表面が平坦な絶縁層と、
前記表面が平坦な絶縁層上に設けられた反射画素電極と、
前記反射画素電極上に設けられ８０ｎｍから１７０ｎｍの膜厚を有する窒化シリコンからなる誘電体膜と
を有する液晶表示素子。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられたアクティブマトリクス素子と、
前記アクティブマトリクス素子が配置された前記第１の基板上に設けられかつ表面が平坦な絶縁層と、
前記表面が平坦な絶縁層上に設けられた反射画素電極と、
前記反射画素電極上に設けられ８０ｎｍから１７０ｎｍの膜厚を有する窒化シリコンからなる誘電体膜と、
第２の基板と、
前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持される液晶層と
を有する液晶表示素子。
【請求項３】
基板にアクティブマトリクス素子を形成する工程と、
前記アクティブマトリクス素子が設けられた前記基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の表面を平坦化する工程と、
平坦化された前記絶縁層上に反射画素電極を形成する工程と、
前記反射画素電極上に８０ｎｍから１７０ｎｍの膜厚を有する窒化シリコンからなる誘電体膜を形成する工程と
を含む液晶表示素子の製造方法。
【請求項４】
第１の基板にアクティブマトリクス素子を形成する工程と、
前記アクティブマトリクス素子が設けられた前記第１の基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の表面を平坦化する工程と、
平坦化された前記絶縁層上に反射画素電極を形成する工程と、
前記反射画素電極上に８０ｎｍから１７０ｎｍの膜厚を有する窒化シリコンからなる誘電体膜を形成する工程と、
前記第１の基板および対向する第２の基板により液晶層を挟持する工程と
を含む液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス素子およびその製造方法に係り、特に、アクティブマトリクス方式の反射型液晶表示素子において、良好な反射特性を持つ反射画素電極の膜を形成し、反射画素電極の反射率を維持しながら、この反射画素電極の劣化を防止する手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の反射型液晶表示素子を用いる反射型液晶表示装置は、例えば、特開平4 −178625号公報に記載されている。
【０００３】
図７は、従来の反射型液晶表示素子の構造の一例を示す断面図である。従来の反射型液晶表示素子においては、アクティブマトリクス素子１８からの電圧は、画素電極３２に印加される。画素電極３２と液晶層９とを分離するとともに、アクティブマトリクス素子１８の表面を平坦にするために、画素電極３２と液晶層９との間に、誘電体層３３と誘電体ミラー３４とが設けられている。誘電体ミラー３４は、誘電体多層膜からなる。このように画素電極３２と液晶層９とを分離すると、画素電極３２に使用できる材料への制限が緩和される。
【０００４】
一般に、反射型液晶表示素子の画素電極に金属を用いて反射面とした場合は、液晶と直接に接する界面で金属面が腐食し、画素電極の反射率が低下するという問題があった。また、この腐食につれて、液晶が劣化し、面内輝度むらや色むらを生じるという問題もあった。
【０００５】
金属の画素電極を反射面として用いる代わりに、上記従来例のように誘電体ミラー３４を反射面として使い、画素電極３２と液晶層９を空間的に分離すると、これらの問題が、一応解決される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、誘電体ミラーを備えた従来の反射型液晶表示装置には、依然として、以下のような問題があった。
【０００７】
誘電体ミラー３４は、二酸化チタンと二酸化シリコンのように屈折率の異なる物質の薄膜を交互に重ね合わせた多層膜として形成される。この多層膜の層数を増加させるほど、誘電体ミラー３４による反射率は増加するが、多層膜の層数の増加は、電気的容量の低下を伴う。
【０００８】
また、誘電体ミラー３４から漏れて透過した光は、誘電体ミラー３４と画素電極３２との間に形成され平坦にされた可視光吸収率の高い誘電体層３３に吸収される構造になっている。
【０００９】
このように、従来技術においては、画素電極３２上に形成された誘電体層３３と液晶９との間に、誘電体ミラー３４を配置しており、液晶層９を介して画素電極３２とこれに対向する透明電極１０との間に印加した電圧が、誘電体ミラー３４にも分担して印加されるために、液晶９への実効印加電圧が低下し、液晶素子の駆動が困難になる。
【００１０】
さらに、画素電極３２の隙間から漏れた光が、アクティブマトリクス素子１８などの回路部に侵入すると、保持容量から電荷が流出して、いわゆる光リークが生ずる。この光リークを防止する誘電体ミラー３４の反射の効果と、液晶９への実効印加電圧の低下の弊害とは、いわゆるトレードオフの関係にある。
【００１１】
しかし、上記従来技術では、このトレードオフの関係が、考慮されていなかった。また、誘電体多層膜を形成する工程は複雑であり、反射型液晶表示素子のコストアップの原因になる。反射画素電極と液晶層とを空間的に分離するための保護膜は必須であるが、この保護膜による反射画素電極の反射率の低下は避けなければならない。
【００１２】
本発明の目的は、良好な反射特性を持つ反射画素電極の膜を形成でき、光リークによる電気容量の低下を防ぐとともに画素電極の腐食による反射率の低下を防止する手段を備えたアクティブマトリクス素子および液晶表示素子を提供することである。
【００１３】
本発明の他の目的は、良好な反射特性を持つ反射画素電極の膜を形成でき、光リークによる電気容量の低下を防ぐとともに画素電極の腐食による反射率の低下を防止する処理を含む液晶表示素子の製造方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、基板と、基板上に設けられたアクティブマトリクス素子と、アクティブマトリクス素子上に設けられかつ表面が平坦な絶縁層と、表面が平坦な絶縁層上に設けられた反射画素電極と、反射画素電極上に設けられ８０ｎｍから１７０ｎｍの膜厚を有する窒化シリコンからなる誘電体膜とを有する液晶表示素子を提案する。
【００１５】
本発明は、また、基板と、基板上に設けられたアクティブ素子と、アクティブ素子上に設けられかつ表面が平坦な絶縁層と、表面が平坦な絶縁層上に設けられた反射画素電極と、反射画素電極上に設けられた誘電体膜と
を有するアクティブマトリクス素子を提案する。
【００１６】
本発明は、また、第１の基板と、第１の基板上に設けられたアクティブマトリクス素子と、アクティブマトリクス素子が配置された第１の基板上に設けられかつ表面が平坦な絶縁層と、表面が平坦な絶縁層上に設けられた反射画素電極と、反射画素電極上に設けられ８０ｎｍから１７０ｎｍの膜厚を有する窒化シリコンからなる誘電体膜と、第２の基板と、第１の基板および第２の基板の間に挟持される液晶層とを有する液晶表示素子を提案する。
【００１７】
本発明は、上記他の目的を達成するために、基板にアクティブマトリクス素子を形成する工程と、アクティブマトリクス素子が設けられた基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層の表面を平坦化する工程と、平坦化された絶縁層上に反射画素電極を形成する工程と、反射画素電極上に８０ｎｍから１７０ｎｍの膜厚を有する窒化シリコンからなる誘電体膜を形成する工程とを含む液晶表示素子の製造方法を提案する。
【００１８】
本発明は、また、基板にアクティブ素子を形成する工程と、アクティブ素子が設けられた基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層の表面を平坦化する工程と、平坦化された絶縁層上に反射画素電極を形成する工程と、反射画素電極上に誘電体膜を形成する工程とを含むアクティブマトリクス素子の製造方法を提案する。
【００１９】
本発明は、さらに、第１の基板にアクティブマトリクス素子を形成する工程と、アクティブマトリクス素子が設けられた第１の基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層の表面を平坦化する工程と、平坦化された絶縁層上に反射画素電極を形成する工程と、反射画素電極上に８０ｎｍから１７０ｎｍの膜厚を有する窒化シリコンからなる誘電体膜を形成する工程と、第１の基板および対向する第２の基板により液晶層を挟持する工程とを含む液晶表示素子の製造方法を提案する。
【００２０】
本発明においては、絶縁層の表面を平坦化し、平坦化された絶縁層上に反射画素電極を形成するので、安定した反射画素電極の膜を形成でき、しかも良好な反射特性が得られる。
【００２１】
また、図１に示すように、反射画素電極７と液晶９とを単層の誘電体膜８により空間的に分離するので、反射画素電極７と液晶９とが接する場合に生じていた反射画素電極７の腐食による反射率の低下や液晶９の特性の劣化が発生せず、反射型液晶表示素子の信頼性が高まる。
【００２２】
反射型液晶表示素子を画像表示素子として用いる場合、可視光領域において良好な反射特性を有することが望ましい。そこで、本発明では、入射光強度の波長分散と各波長毎の反射率と人間の比視感度曲線との組合せから求められる白色光の反射率が最も高くなる膜厚に誘電体膜８の膜厚ｄを設定した。
【００２３】
ここで、誘電体膜９の好適な膜厚ｄを求める過程を説明する。液晶の屈折率をｎ1，誘電体膜８の屈折率をｎ2，反射画素電極７の複素屈折率を屈折率をｎ3，消衰係数をk3としてｎ′3=ｎ3+ｉk3とおくと、反射画素電極７に垂直に入射する照射光に対する反射型液晶表示素子の反射率Ｒは、波長をλとして、次のように表される。ただし、個々のパラメータは、数式２〜数式５に示す通りである。数式１から数式５により、反射型液晶表示素子の反射率の波長依存性が得られる。
【００２４】
【数１】
0003700081.tif 000002
【００２５】
【数２】
0003700081.tif 000003
【００２６】
【数３】
0003700081.tif 000004
【００２７】
【数４】
0003700081.tif 000005
【００２８】
【数５】
0003700081.tif 000006
さらに、図２に示した人間の比視感度特性曲線Ｖ(λ)および入射光強度の波長分布Ｉ (λ)を用いて、数式６により、反射型液晶表示素子の白色光の反射率における誘電体膜８の膜厚依存性Ｒa(ｄ)を求める。ただし、Ｇは、反射型液晶表示素子の入射光の波長領域全域に亘り積分することを意味する。
【００２９】
【数６】
0003700081.tif 000007
誘電体膜８の膜厚ｄを０ｎｍから増加させていくと、誘電体膜８および液晶９の界面での反射光と誘電体膜８および画素電極７の界面での反射光との干渉効果により、得られた白色光の反射率Ｒa(ｄ)は、低下するが、さらに膜厚ｄを増加させると、やがて上昇し、極大となる。さらに膜厚ｄを増加させると、再び白色光の反射率Ｒa(ｄ)は減少するが、また膜厚ｄを増加させると、反射率Ｒa(ｄ)は再び上昇する。このように誘電体膜８の膜厚ｄの増加に伴い、白色光の反射率Ｒa(ｄ)は、増減を繰り返す。
【００３０】
上記の干渉効果に寄与する項は、数式１におけるcosineの項であり、具体的には数式５に示すβである。可視光の波長λの領域は、３８０ｎｍから７００ｎｍ程度すなわち３８０ｎｍ＜λ＜７００ｎｍである。また誘電体膜８の屈折率ｎ2は、１.５から２.０程度である。
【００３１】
したがって、ｄ≪λの場合には、可視光領域でのβの変動幅Δβは、２π以下であり、図３の左に示すように、反射率Ｒ(λ)が増減する波長間隔は、可視光領域の波長幅と同程度となる。反射率Ｒ(λ)の極大波長と比視感度曲線の極大波長とを一致させると、白色光の反射率Ｒa(ｄ)を高めることが可能になる。
【００３２】
一方、ｄ≫λでは、Δβ≫２π・ｎ2となり、数式１のcosineの項が波長の僅かな変化により大きく変化し、したがって、反射率Ｒ(λ)が増減する波長間隔が狭くなり、図３の右に示すように、可視光領域内で、反射率Ｒ(λ)は、増減を多数回繰り返すこととなる。
【００３３】
したがって、反射率Ｒ(λ)のスペクトルおよび比視感度曲線(図２)の波長毎の積をとり、反射型液晶表示素子への入射光の全波長領域に亘り積分して求められる白色光の反射率Ｒa(ｄ)は、その振幅の中心値に平均化され、誘電体膜８の膜厚が入射光の波長に比べて十分厚い場合の反射率に漸近する。すなわち白色光の反射率Ｒa(ｄ)の増減の幅は、誘電体膜８の膜厚ｄを増加させると小さくなる。
【００３４】
通常、保護膜として十分な膜厚の領域は、数１０ｎｍ以上であるが、この領域において、白色光の反射率Ｒa(ｄ)が、誘電体膜８の膜厚ｄが入射光の波長に比べて十分厚い場合の反射率よりも高いのは、白色光の反射率Ｒa(ｄ)が極大になるときの膜厚領域である。
【００３５】
特に、膜厚ｄを０から増加させたときの最初の極大値(第１極大値)は、干渉効果により、誘電体膜８を塗布しない場合の白色光の反射率と同等の値を示すために、第１極大値に対応した膜厚ｄが、誘電体膜８の膜厚として最も好適である。
【００３６】
誘電体膜８は、単層膜なので、構造が単純であり、反射型液晶表示素子を容易かつ安価に製造できる。また、誘電体膜８の膜厚は、投射光の波長程度であるため、液晶９に比べ十分薄く、誘電体膜８への容量分担による液晶駆動電圧の低下が少ない。
【００３７】
【発明の実施の形態】
次に、図１〜図６を参照して、本発明によるアクティブマトリクス素子および反射型液晶表示素子および液晶表示装置の実施例を説明する。
【００３８】
図１は、本発明による反射型液晶表示素子の一実施例の構造を示す断面図である。本実施例の反射型液晶表示素子は、アクティブマトリクス素子１８を形成したモノリシック集積回路基板を反射基板として用い、この反射基板と透明電極１０を有するガラス基板１１との間に、高分子分散型液晶９を挟持した構成となっている。高分子分散型液晶９は、電圧を印加しないときは散乱状態にあり、印加電圧の増加に従い散乱性が減少し、透過状態に変化する特性を持つ。高分子分散型液晶９は、偏光膜および配向膜が不要であり、光利用効率の良い液晶である。
【００３９】
反射基板は、シリコン基板１に、液晶駆動用のアクティブ素子として、ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを形成してある。すなわち、シリコン基板１のｐ型ウエル２の上に，ソース拡散層１２と、ソース電極３と、ドレイン拡散層１４と、ドレイン電極１５と、ポリシリコンゲート１３などからＭＯＳトランジスタが形成されている。また、層間絶縁のために，第１スピンオングラス絶縁層１６を設けてある。さらに、ＭＯＳトランジスタ層への光の侵入を防止するため、第２スピンオングラス絶縁層４を介して、遮光配線層５を設けてある。遮光配線層５を設ける構造の例は、例えば特開平6−194690号公報に既に記載されており、光リークへの対策には、これで十分である。
【００４０】
反射画素電極７の材料としては、可視光領域での反射率が良好な金属が好ましく、アルミニウムや銀が、候補として挙げられる。ここでは、反射画素電極７の材料として、アルミニウムを用いた例について説明する。
【００４１】
反射画素電極７は、平坦な面上に形成したほうが、安定な膜を形成でき、しかも良好な反射特性が得られる。そこで、反射画素電極７の下地として設ける酸化シリコン層６は、表面研磨により、平坦にしておくことが望ましい。
【００４２】
ＭＯＳトランジスタで制御された電気信号は、スルーホールコンタクト１７を経て、反射画素電極７に与えられ、対向する透明電極１０との間の高分子分散型液晶９に駆動電圧を印加する。
【００４３】
反射画素電極７と高分子分散型液晶９との間に保護膜として設けられる誘電体膜８に求められる特性は、良好な絶縁性を有すること、可視光領域で良好な透過特性を示すこと、誘電率が大きいこと、形成が容易であることなどである。
【００４４】
これらの条件を満たす材料のひとつとして窒化シリコンが挙げられる。窒化シリコンは、可視光領域において吸収がなく、非常に良好な透過特性を示し、層間絶縁膜として半導体プロセス上よく用いられる材料である。また、窒化シリコンの誘電率は、約９と高く、高分子分散型液晶９の誘電率と同等である。さらに、窒化シリコン膜の透水性は、酸化シリコン膜などに比べ小さく、金属画素電極７の保護膜としては、好適な材料である。
【００４５】
窒化シリコン膜８の成膜方法としては、プラズマ−化学気相堆積(プラズマ−ＣＶＤ)法、電子サイクロトロン共鳴−化学的気相堆積(ＥＣＲ−ＣＶＤ)法、スパッタ法などが挙げられる。
【００４６】
本実施例においては、半導体プロセス上よく使用されるプラズマ−ＣＶＤ法を用いているが、他の２方法でも、同等の特性を示す窒化シリコン膜８を成膜できる。
【００４７】
図４は、誘電体膜８の材料として窒化シリコンを用い、比視感度を考慮した本実施例の反射型液晶表示素子における白色光反射率の窒化シリコン膜厚依存性の計算値である。ここでは、反射画素電極７の材料としてアルミニウムを用い、液晶の屈折率を１.５と仮定した。
【００４８】
図４によれば、膜厚が増加するにつれて、反射率の増減がみられる。反射率のピーク値をとる膜厚は、ｍを自然数，ｎを窒化シリコンの屈折率，ｄを窒化シリコン膜の膜厚，λを入射光の波長として、ｎｄ＝ｍλ/２によりおおまかに説明できる。課題を解決する手段において既に説明したように、反射型液晶表示素子の反射率は、比視感度を考慮して最適化される必要がある。また、アルミニウムの複素屈折率に波長依存性があると、反射率のピーク値をとる膜厚は、ｎｄ＝ｍλ/２で求められる膜厚とは異なる。
【００４９】
反射率のピーク値は、窒化シリコンの膜厚が増加するにつれて減少し、やがては一定値，約８５％になる。
【００５０】
窒化シリコンの膜厚ｄが十分薄い条件で、一定値８５％に比べて反射率が大きい膜厚の範囲、すなわち反射率が極大となる膜厚ｄの範囲を求めると、膜厚ｄの薄い方から順に、第１極大としては８０ｎｍから１７０ｎｍ、第２極大としては２３０ｎｍから３００ｎｍのように求められる。
【００５１】
また、０ｎｍから３０ｎｍの領域も反射率が一定値８５％より大きいが、均一に成膜することが困難な膜厚であり、誘電体膜８が保護膜として機能し得る範囲外であるので、ここでは除外した。
【００５２】
さらに、窒化シリコンの膜厚ｄが増加するにつれて、反射率のピーク値が減少していくこと、および、容量分担による液晶への印加電圧が減少することを考慮に入れ、成膜条件により窒化シリコン膜の屈折率が変動することを考えると、望ましい膜厚ｄの範囲は、８０ｎｍから１７０ｎｍとなる。中でも、白色光の反射率の極大値に対応する膜厚である１２５ｎｍが最適な膜厚である。
【００５３】
次に、誘電体膜８の容量分担による液晶の印加電圧への影響について考えてみる。先にも述べたように、窒化シリコンの誘電率は、約９であり、液晶９の誘電率もこれと同等の値である。典型的な液晶９の膜厚は、約１０μｍである。したがって、窒化シリコンの容量分担による液晶の印加電圧の低下は、たかだか１％であり、液晶表示素子の表示特性への影響は、極く小さい。
【００５４】
対向電極の電圧とフレーム毎反転を行なっている画素電極の電圧の中心電圧との間に電位差が生じた場合、液晶に直流電圧が印加され、フレーム毎の輝度に明暗の差いわゆるフリッカーが生じる。
【００５５】
誘電体膜８は、良好な絶縁性を持ちかつ液晶９に比べて１００倍程度の大きさの容量であるため、液晶９への直流電圧印加を防止するための直流成分遮断容量としての機能も果たす。したがって、誘電体膜８は、フレーム周波数の１/２周波数に同期した明滅であるフリッカーの発生を防ぐ効果がある。
【００５６】
図５は、本発明の反射型液晶表示素子を用いた投射型液晶表示装置の一実施例の構成を示すブロック図である。この液晶表示装置では、光源１９からの出射光を放物面鏡２０により平行光線とした後、コンデンサレンズ２１，鏡２２，第１絞り２３，レンズ２４を経て、ダイクロイックプリズム２５に入射させる。ダイクロイックプリズム２５は、入射光を赤，青，緑の三原色に色分離し、出射させる。ダイクロイックプリズム２５の３つの側面には、出射光に応じて赤色用反射型液晶表示素子２６，緑色用反射型液晶表示素子２７，青色用反射型液晶表示素子２８を配置し、各色の光を画像信号により変調する。変調された各色の反射光は、再びダイクロイックプリズム２５で合成され、レンズ２４，第２絞り２９，投射レンズ３０を経て、スクリーン３１に投射される。
【００５７】
このとき、３つの反射型液晶表示素子２６，２７，２８は、各画素毎に画像信号に応じて、散乱，反射の状態をとる。このうち、正反射された光は、レンズ２４で第２絞り２９の位置に集光され、第２絞り２９を通過し、投射レンズ３０を経て、スクリーン３１に至る。一方、散乱された光の大部分は、第２絞り２９の位置で集光されずに、ほとんど遮断され、スクリーン３１には至らない。
【００５８】
このため、３つの反射型液晶表示素子２６，２７，２８の散乱，反射の状態に応じて、スクリーン３１上に、各色毎に明暗の状態を作り出し、カラー画像を投射できる。
【００５９】
以下に述べる方針により、各反射型液晶表示素子への入射光の波長領域および比視感度に対応して、赤色用反射型液晶表示素子２６，緑色用反射型液晶表示素子２７，青色用反射型液晶表示素子２８における誘電体膜の膜厚を最適化すると、各反射型液晶表示素子の反射率がさらに高くなり、投射型液晶表示装置の明るさが、より向上する。
【００６０】
ここでは、一例として、反射画素電極７の材料としてアルミニウムを用いて、誘電体膜８の材料として窒化シリコンを用いた反射型液晶表示素子について説明する。赤色用反射型液晶表示素子２６への入射光の波長領域を５８０ｎｍ以上とし、緑色用反射型液晶表示素子２７への入射光の波長領域を４９０ｎｍから５８０ｎｍとし、青色用反射型液晶表示素子２８への入射光の波長領域を４９０ｎｍ以下とする。
【００６１】
図６は、各々の波長領域毎に反射率Ｒ(ｄ)を求めた結果を示す特性図である。図４に示した反射型液晶表示素子の反射率における窒化シリコン膜の膜厚が可視光領域における最適な窒化シリコン膜の膜厚１２５ｎｍであるときの反射率と、各々の反射率の極大値とを比べた場合、赤色用反射型液晶表示素子２６の窒化シリコン膜厚を１３７ｎｍにすると、０.３％だけ反射率が増加し、緑色用反射型液晶表示素子２７の窒化シリコン膜厚を１２０ｎｍにすると、０.１％だけ反射率が増加し、青色用反射型液晶表示素子２８の窒化シリコン膜厚を１０２ｎｍにすると、１.９％だけ反射率が増加し、投射型液晶表示装置を明るくできる。
【００６２】
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁層の表面を平坦化し、平坦化された絶縁層上に反射画素電極を形成するので、良好な反射特性の反射画素電極の膜を形成でき、光リークによる電気容量の低下を防ぐとともに画素電極の腐食による反射率の低下を防止する手段を備えたアクティブマトリクス素子および液晶表示素子が得られる。
【００６３】
また、反射画素電極と液晶層との間に、単層の誘電体膜を形成し、この単層の誘電体膜の膜厚を反射画素電極の材料の光学定数と単層の誘電体膜の光学定数と比視感度とに応じて決定してあるので、画素電極の反射率を損なうことなく、画素電極の腐食などの劣化を防止できる。
【００６４】
さらに、誘電体の膜厚は、液晶層の厚みに比べ十分薄く、誘電体の容量分担による液晶駆動電圧の低下が少ない。
【００６５】
誘電体膜が単層であるため、構造が単純であり、反射型液晶表示素子を容易かつ安価に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による反射型液晶表示素子の一実施例の構造を示す断面図である。
【図２】人間の比視感度曲線を示す特性図である。
【図３】入射光の波長λと誘電体膜の膜厚ｄとの関係を変えたときの反射率Ｒ(λ)の波長依存性を示す特性図である。
【図４】反射画素電極としてアルミニウムを用い、誘電体膜として窒化シリコンを使用した場合の反射型液晶表示素子の反射率の誘電体膜に対する膜厚依存性を示す特性図である。
【図５】本発明による反射型液晶表示素子を用いた液晶表示装置の一実施例の構成を示す図である。
【図６】反射画素電極としてアルミニウムを用い、誘電体膜として窒化シリコンを使用し、入射光の波長領域５８０ｎｍ以上を赤色とし、波長領域４９０ｎｍから５８０ｎｍを緑色とし、波長領域４９０ｎｍ以下を青色とした場合の反射型液晶表示素子の反射率の誘電体膜に対する膜厚依存性を示す特性図である。
【図７】従来の反射型液晶表示素子の構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１  シリコン基板
２  ｐ型ウエル
３  ソース電極
４  第２スピンオングラス絶縁層
５  遮光配線層
６  酸化シリコン層
７  反射画素電極
８  誘電体膜
９  高分子分散型液晶
１０  透明電極
１１  ガラス基板
１２  ソース拡散層
１３  ポリシリコンゲート
１４  ドレイン拡散層
１５  ドレイン電極
１６  第１スピンオングラス絶縁層
１７  スルーホールコンタクト
１８  アクティブマトリクス素子
１９  光源
２０  放物面鏡
２１  コンデンサレンズ
２２  鏡
２３  第１絞り
２４  レンズ
２５  クロスダイクロイックプリズム
２６  赤色用反射型液晶表示素子
２７  緑色用反射型液晶表示素子
２８  青色用反射型液晶表示素子
２９  第２絞り
３０  投射レンズ
３１  スクリーン
３２  画素電極
３３  誘電体層
３４  誘電体ミラー
【図１】
0003700081.tif 000008
【図２】
0003700081.tif 000009
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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