(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体にデータ消去用の極性のバイアス磁界とデータ書き込み用の極性のバイアス磁界を印加するためのバイアスコイルと、
前記バイアスコイルを駆動する複数のスイッチング素子を有するバイアスコイルドライバと、
前記バイアスコイルからデータ消去用の極性のバイアス磁界、或いはデータ書き込み用の極性のバイアス磁界を発生させるように前記スイッチング素子をＰＷＭ制御するＰＷＭ制御部を備えた光磁気記憶装置において、
前記ＰＷＭ制御部は、バイアスコイルの両端に電位差を加えるように、所定のスイッチング素子を制御する駆動モードと、スイッチング素子のオン抵抗を介してバイアスコイルの両端を短絡するように、所定のスイッチング素子を制御する休止モードを繰り返す手段を備え、
前記バイアス磁界を発生させるように前記スイッチング素子をＰＷＭ制御する機能を有することを特徴とする光磁気記憶装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子をＭＯＳ−ＦＥＴで構成したことを特徴とする請求項１記載の光磁気記憶装置。
【請求項３】
前記ＰＷＭ制御部は、前記バイアスコイルの電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段により検出した電流が予め設定された目標電流に達した際、前記駆動モードから前記休止モードに切り替え、さらに、所定時間経過後、休止モードから駆動モードに切り替えるモード切り替え手段を備えていることを特徴とする請求項１記載の光磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気ディスク（単に「媒体」とも記す）に対し、データの消去、書き込み、及び読み出しが可能な光磁気記憶装置に関する。
【０００２】
一般に、光ディスク（媒体）には、再生専用型、一度だけ記録可能な追記型、及び書き換え可能型が知られている。この内、本発明では、前記書き換え可能型の媒体である光磁気ディスクを使用する光磁気ディスク装置等の光磁気記憶装置に関するものである。
【０００３】
前記光磁気ディスクでは、データの再生（以下「読み出し」とも記す）を行う際、レーザ光を光磁気ディスク上に照射して再生し、データの記録（以下「書き込み」とも記す）、或いは消去を行う際は、レーザ光を光磁気ディスク上に照射すると同時に、バイアス磁界を印加する。
【０００４】
この場合、データの記録（書き込み）時には、媒体面に対して垂直なバイアス磁界を印加し、データの消去時には、前記記録時とは逆極性の垂直なバイアス磁界を印加する。
【０００５】
そして、データの書き込み時には、データの書き込みを実施する前に、書き込みを指定された媒体の領域に対して消去処理を実行し、その後、前記指定された領域にデータを書き込む（消去→書き込み→ベリファイの順）必要があり、これに伴って、前記バイアス磁界の切り換えを行うことが必要である。
【０００６】
しかし、従来の光磁気ディスク装置では前記バイアス磁界の変動が大きく、それに伴って消し残りや記録波形の振幅変動等、データ書き込み後に行うベリファイ動作が安定して行えないこともあり、この点の改善が要望されていた。
【０００７】
【従来の技術】
以下、図１４〜図１６に基づいて従来例を説明する。
§１：光磁気ディスクの記録／再生の説明
光磁気ディスクは書き換え可能型の媒体である。すなわち、光磁気ディスク装置においてその媒体である光磁気ディスクに対し、データの記録（書き込み）、再生（読み出し）、及び消去が可能でありこれらの処理は次の通りである。
【０００８】
例えば、キューリ点記録方法とよばれている方法では、次のようにしてデータの記録を行う。一般に、強磁性体では、温度が上昇すると保磁力が低下し、キューリ点温度まで温度が上昇すると、保磁力は０となって常磁性となる性質がある。
【０００９】
そこで、レーザ光の照射により光磁気ディスク（媒体）の温度を上げ、外部からバイアス磁界を印加すると、レーザ光で照射した部分の磁化は、前記バイアス磁界の方向に向く。そして、レーザ光の照射を止めて、光磁気ディスク（媒体）の温度が低下しても前記磁化方向は変化しない。この場合、前記レーザ光の照射された部分をピットと呼び、該ピット内の磁化方向によって、データの「１」、「０」を書き込む（記録する）。
【００１０】
そして、光磁気ディスクに対しレーザ光を照射すると同時に、該光磁気ディスク面に対して垂直方向の磁化を形成し、データを書き込む。また、記録されたデータを読み出す場合は、データ書き込み時よりも弱いパワーのレーザ光を照射することにより行う。但し、データの読み出し時には、バイアス磁界の印加は不要である（バイアス磁界が印加されていても差し支えはない）。
【００１１】
更に、記録されたデータの消去を行う場合には、前記書き込み時と逆極性のバイアス磁界を光磁気ディスクに印加しながら、書き込み時と同程度のパワーを有するレーザ光を照射し、全てのピットの磁化を一方向に揃えることによって行う。
【００１２】
§２：光磁気ディスク装置の説明・・・図１４参照
図１４は従来の装置説明図である。光磁気ディスク装置において、バイアス磁界を発生させる手段として、永久磁石を回転させたり、シフトさせたりする方法や、バイアスコイルに電流を流すことで磁界を発生させる方法が知られていた。しかし、前者は後者に比べ、極性が反転するまでの待ち時間が長いため、ライトのパフォーマンスに劣り、メカ部振動により騒音の原因となっている。
【００１３】
一方、後者は電流によって磁界を発生させるため、φ＝Ｌｉ（φ：磁界、Ｌ：バイアスコイルのインダクタンス、ｉ：バイアスコイルに流れる電流）の関係により電流に比例した磁界φが発生するため、必要磁界によっては、消費電力が大きくなるデメリットがある。
【００１４】
そこで、最近は、消費電力削減のために、バイアスコイルに電流を流す方法として、ＰＷＭ制御（パルス幅変調によるパルスでスイッチング素子を制御）する方法が広く採用されている。このＰＷＭ制御では、ＰＷＭパルスによりバイアスコイルドライバのスイッチング素子をオン／オフ制御することでバイアスコイルに平滑化された電流を流すことができ、電源から見た時の消費電流を低減することができる。以下、このようなＰＷＭ制御による光磁気ディスク装置の一例を説明する。
【００１５】
図示のように、光磁気ディスク装置には光磁気ディスク１が設けてあり、この光磁気ディスク１の片側にはレーザダイオード（ＬＤ）４が設けてあり、前記光磁気ディスク１の反対側にはバイアスコイル２が設けてある。
【００１６】
また、前記レーザダイオード４を制御するためレーザダイオード制御部（ＬＤ制御部）５と、前記バイアスコイル２に電流を流すバイアスコイルドライバ３と、前記バイアスコイルドライバ３のスイッチング素子をＰＷＭ制御するＰＷＭ制御部６等が設けてある。
【００１７】
バイアス磁界の制御は、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりバイアスコイルドライバ３のスイッチング素子（例えば、ＭＯＳ−ＦＥＴ）を制御し、該スイッチング素子でバイアスコイル２に電流を流すことで行う。また、レーザビームの照射制御、或いはレーザパワーの制御は、レーザダイオード制御部５がレーザダイオード４を制御することで行う。
【００１８】
そして、データの読み出しを行う際は、レーザ光を媒体に照射して読み出し、データの書き込み、或いは消去を行う際は、レーザ光を媒体に照射すると同時に、バイアスコイル２からバイアス磁界を印加することで行う。ところで、光磁気ディスク装置では、新しいデータを媒体に書き込むためには、媒体に対し消去→書き込み→ベリファイ（読み出し））の３つのシーケンスが必要である。
【００１９】
そして、消去時にはバイアス磁界を消去用の極性にし、書き込み時にはバイアス磁界を書き込み用の極性にする必要がある。なお、データの読み出し時には、バイアス磁界は不要である。
【００２０】
§３：従来例の動作（その１）の説明・・・図１５参照
図１５は従来例の動作説明図（その１）であり、Ａ図はバイアスコイルドライバの構成図、Ｂ図はスイッチの動作説明図である。以下、図１５に基づいて前記バイアスコイルドライバの動作を説明する。
【００２１】
前記バイアスコイルドライバ３の構成は図１５のＡ図のようになっている。すなわち、バイアスコイルドライバ３は、４個のスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４と、このスイッチング素子にそれぞれ並列接続されたダイオードｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４で構成されている。なお、前記ダイオードｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４はＨブリッジ型に接続され、それぞれスイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ４の保護用として使用されている。
【００２２】
そして、スイッチング素子ＳＷ１とＳＷ２の接続点ａと、スイッチング素子ＳＷ３とＳＷ４の接続点ｂ間にバイアスコイル２を接続している。また、前記スイッチング素子ＳＷ１とＳＷ３の接続点ｅを電源Ｖccに接続し、スイッチング素子ＳＷ２とＳＷ４の接続点ｆをＧＮＤ（接地電位）に接続している。
【００２３】
前記バイアスコイルドライバ３はＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスにより各スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４がオン／オフ制御され、それに伴ってバイアスコイル２に平滑化された電流が流れる。
【００２４】
この場合、光磁気ディスク（媒体）に対する消去（Erase ）、書き込み（Write ）、読み出し（Read）の各状態で前記各スイッチング素子の動作状態を図１５のＢ図に示したように制御する。なお、消去、及び書き込みの場合、バイアスコイル２に電流を流すように所定のスイッチング素子が制御され（駆動モード）、所定時間後にバイアスコイルの両端をハイインピーダンスにするように所定のスイッチング素子を制御される（休止モード）。このように、駆動→休止→駆動→・・を繰り返しながら、バイアスコイル２に所定の電流を流す。これがＰＷＭ駆動である。
【００２５】
(1) ：消去時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ４がオン、スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ３がオフに制御される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→スイッチング素子ＳＷ１→ａ点→バイアスコイル２→ｂ点→ＳＷ４→ｆ点→ＧＮＤの経路で図示丸付き数字１の方向に電流が流れる。
【００２６】
その後、休止モードではスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４が全てオフに制御される。このため休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、ＧＮＤ→ｆ点→ダイオードｄ２→ａ点→バイアスコイル２→ｂ点→ダイオードｄ３→ｅ点→電源Ｖccの経路で電流が流れ、消費される。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００２７】
(2) ：書き込み時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりスイッチング素子ＳＷ３、ＳＷ２がオン、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ４がオフに制御される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→スイッチング素子ＳＷ３→ｂ点→バイアスコイル２→ａ点→ＳＷ２→ｆ点→ＧＮＤの経路で図示丸付き数字２の方向に電流が流れる。
【００２８】
その後、休止モードではスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４が全てオフに駆動される。このため休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、ＧＮＤ→ｆ点→ダイオードｄ４→ｂ点→バイアスコイル２→ａ点→ダイオードｄ１→ｅ点→電源Ｖccの経路で電流が流れ、消費される。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００２９】
(3) ：読み出し時には、前記スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４は全てオフに制御される。このため、バイアスコイル２には電流を流さない。
§４：従来例の動作（その２）の説明・・・図１６参照
図１６は従来例の動作説明図（その２）であり、Ａ図は消去時の駆動モード、Ｂ図は消去時の休止モードを示した図である。以下、図１６に基づいて前記バイアスコイルドライバの動作を説明する。
【００３０】
前記バイアスコイルドライバ３の構成は図１６のようになっている。すなわち、バイアスコイルドライバ３は、４個のＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４と、このＭＯＳ−ＦＥＴにそれぞれ並列接続されたダイオードｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４で構成されている。この場合、前記ダイオードｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４はＭＯＳ−ＦＥＴの各内蔵ダイオードである。
【００３１】
そして、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１とＱ２の接続点ａと、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ３とＱ４の接続点ｂ間にバイアスコイル２を接続している。また、前記ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１とＱ３の接続点ｅを電源Ｖccに接続し、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ２とＱ４の接続点ｆをＧＮＤ（接地電位）に接続している。
【００３２】
前記バイアスコイルドライバ３はＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスにより各ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４がオン／オフ制御され、それに伴ってバイアスコイル２に電流が流れる。
【００３３】
この場合、光磁気ディスク（媒体）に対する消去（Erase ）、書き込み（Write ）、読み出し（Read）の各状態で前記各スイッチング素子の動作状態を前記の例と同様に、図１５のＢ図に示したように制御する。なお、消去、及び書き込みの場合、バイアスコイル２に電圧を印加したり（駆動モード）断ったり（休止モード）を繰り返すＰＷＭ制御を行う。
【００３４】
(1) ：消去時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ４がオン、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ３がオフに制御される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→Ｑ１→ａ点→バイアスコイル２→ｂ点→Ｑ４→ｆ点→ＧＮＤの経路で電流が流れ、バイアスコイル２には図示丸付き数字１の方向に電流が流れる。
【００３５】
その後、休止モードではＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４が全てオフに制御される。このため、休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、ＧＮＤ→ｆ点→ダイオードｄ２→ａ点→バイアスコイル２→ｂ点→ダイオードｄ３→ｅ点→電源Ｖccの経路で図示丸付き数字３の電流が流れ、消費される。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００３６】
(2) ：書き込み時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりＭＯＳ−ＦＥＴＱ３、Ｑ２がオン、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ４がオフに制御される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→Ｑ３→ｂ点→バイアスコイル２→ａ点→Ｑ２→ｆ点→ＧＮＤの経路で電流が流れる。
【００３７】
その後、休止モードではＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４が全てオフに制御される。このため、休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、ＧＮＤ→ｆ点→ダイオードｄ４→ｂ点→バイアスコイル２→ａ点→ダイオードｄ１→ｅ点→電源Ｖccの経路で電流が流れ、消費される。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００３８】
(3) ：読み出し時には、前記ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は全てオフに駆動される。このため、バイアスコイル２には電流を流さない。
【００３９】
【発明が解決しようとする課題】
前記のような従来のものにおいては、次のような課題があった。
前記のように、ＰＷＭ制御部の制御でバイアスコイルドライバのスイッチング素子をオン／オフ制御することにより、駆動モード時には、バイアスコイルに消去時の極性のバイアス磁界と書き込み時の極性のバイアス磁界を発生させている。
【００４０】
このＰＷＭ制御における前記休止モードの制御では、各スイッチング素子を全てオフに制御している。このため、バイアスコイルで発生したエネルギーは、スイッチング素子に並列接続されているダイオードを介して電源に電流が流れるため、前記エネルギーは高速に消費され、減衰する。
【００４１】
すなわち、ＰＷＭ制御によって、バイアスコイルに流れる平滑化された電流のリップル量が非常に大きくなる。このため、バイアスコイルから発生するバイアス磁界が強くなったり、弱くなったりして変動が大きくなり、消去時の消し残りや記録波形の振幅バラツキが非常に大きくなる。
【００４２】
その結果、データの書き込み後に行うベリファイにおいて、交替ブロックの増加になったり、最悪の場合は書き込み不良の原因にもなっていた。
本発明は、このような従来の課題を解決し、バイアスコイルに流れる電流のリップル量（変動）を低減して、バイアスコイルから発生するバイアス磁界の変動を低減することを目的とする。
【００４３】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理説明図である。本発明は前記の目的を達成するため次のように構成した。
【００４４】
(1) ：図１に示したように、光磁気ディスク装置（光磁気記憶装置）にはＰＷＭ制御部６とバイアスコイルドライバ３を備えている。また、バイアスコイルドライバ３は、４個のスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４と、前記各スイッチング素子と並列接続されたダイオードｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４で構成している。
【００４５】
そして、スイッチング素子ＳＷ１とＳＷ２の接続点ａと、スイッチング素子ＳＷ３とＳＷ４の接続点ｂ間にバイアスコイル２を接続し、スイッチング素子ＳＷ１とＳＷ３の接続点ｅを電源Ｖccに接続し、スイッチング素子ＳＷ２とＳＷ４の接続点ｆをＧＮＤ（接地電位）に接続した。
【００４６】
また、前記光磁気ディスク装置（光磁気記憶装置）を次のように構成した。
(2) ：記録媒体にデータ消去用の極性のバイアス磁界とデータ書き込み用の極性のバイアス磁界を印加するためのバイアスコイル２と、前記バイアスコイル２を駆動する複数のスイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ４を有するバイアスコイルドライバ３と、前記バイアスコイル２からデータ消去用の極性のバイアス磁界、或いはデータ書き込み用の極性のバイアス磁界を発生させるように前記スイッチング素子をＰＷＭ制御するＰＷＭ制御部６を備えた光磁気ディスク装置において、前記ＰＷＭ制御部６は、バイアスコイル２の両端に電位差を加えるように、所定のスイッチング素子を制御する駆動モードと、スイッチング素子のオン抵抗を介してバイアスコイルの両端を短絡するように、所定のスイッチング素子を制御する休止モードを繰り返す手段を備えている。
【００４７】
(3) ：前記光磁気ディスク装置において、スイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ４をＭＯＳ−ＦＥＴで構成した。
(4) ：前記光磁気ディスク装置の制御部は、バイアスコイル２の電流を検出する電流検出手段と、前記電流検出手段により検出した電流が予め設定された目標電流に達した際、前記駆動モードから前記休止モードに切り替え、所定の時間経過後、駆動モードに切り替えるモード切り替え手段を備えている。
【００４８】
（作用）
以下、前記構成に基づく作用を、図１に基づいて説明する。バイアスコイルドライバ３はＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスにより各スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４がオン／オフ制御され、それに伴ってバイアスコイル２に電流が流れる。
【００４９】
この場合、記録媒体である光磁気ディスクに対する消去（Erase ）、書き込み（Write ）、読み出し（Read）の各状態で、スイッチング素子を例えば次のようにオン／オフ制御する。なお、消去、及び書き込みの場合、バイアスコイル２に電圧を印加したり（駆動モード）断ったり（休止モード）を繰り返すＰＷＭ制御を行う。
【００５０】
(1) ：消去時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ４がオン、スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ３がオフに制御される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→ＳＷ１→ａ点→バイアスコイル２→ｂ点→ＳＷ４→ｆ点→ＧＮＤの経路で電流が流れ、バイアスコイル２には駆動モードの電流が流れる。
【００５１】
その後、休止モードではスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ３がオフ、スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４がオンに駆動される。このため、休止モードではバイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、バイアスコイル２→ｂ点→ＳＷ４→ｆ点→ＳＷ２→ａ点→バイアスコイル２の経路でループ電流が流れる。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００５２】
前記の休止モードでは、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びスイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４のオン抵抗（全体として低抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。このため、バイアスコイルの電流は変動の少ない電流となる。
【００５３】
(2) ：書き込み時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりスイッチング素子ＳＷ３、ＳＷ２がオン、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ４がオフに駆動される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→ＳＷ３→ｂ点→バイアスコイル２→ａ点→ＳＷ２→ｆ点→ＧＮＤの経路で電流が流れ、バイアスコイル２には駆動モードの電流が流れる。
【００５４】
その後、休止モードではスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ３がオフ、スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４がオンに駆動される。このため、休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、バイアスコイル２→ａ点→ＳＷ２→ｆ点→ＳＷ４→ｂ点→バイアスコイル２の経路で電流が流れる。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００５５】
前記の休止モードでは、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びスイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４のオン抵抗（全体として低抵抗）によりバイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。このため、バイアスコイルの電流は変動の少ない電流となる。
【００５６】
(3) ：読み出し時には、前記スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４は全てオフに駆動される。このため、バイアスコイル２には電流を流さない。
以上のようにして、休止モード時のバイアスコイル電流を低速で減衰させることにより、バイアスコイルに流れる電流のリップル量（バラツキ）を低減して、バイアスコイルから発生するバイアス磁界のバラツキを低減することができる。
【００５７】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
§１：光磁気ディスク装置の機構部の説明・・・図２〜図５参照
図２は光磁気ディスク装置の外観図、図３は光磁気ディスク装置の一部切断図、図４は光磁気ディスク装置内部の斜視図（Ａ図はプリント板、Ｂ図は機構部）、図５は光学系の斜視図である。以下、図２〜図５に基づいて、光磁気ディスク装置の機構部を説明する。
【００５８】
図２に示したように、光磁気ディスク装置を前面側から見ると、側面側にはフレーム８が設けてあり、該フレーム８の上側には、トップカバー１０が設けてあり、前面側には、フロントパネル９が設けてある。
【００５９】
また、後面側（フロントパネル９の反対側）には、ＳＣＳＩ（Small Computer Systems Interface）コネクタ（インターフェース用コネクタ）１１が設けてある。そして、該フロントパネル９側には媒体投入口１２が設けてあり、この媒体投入口１２から光磁気ディスク（媒体）を投入したり、排出したりするようになっている。
【００６０】
図３に示したように、光磁気ディスク装置の内部には、固定光学部１４、可動光学部１５、スピンドルモータユニット１６等が収納されている。前記トップカバー１０を取り去ると、図４に示した構造になっている。
【００６１】
すなわち、トップカバー１０の直ぐ下側には、図４のＡ図に示したプリント板（ＬＳＩ等の部品が搭載されている）１７が配置されており、このプリント板１７の下側には、図４のＢ図に示した機構部がある。
【００６２】
この機構部の上側（プリント板１７側）には、バイアスコイル２や、シャッタ開閉アーム２４等が設けてある。また、イジェクトスイッチ１９、イジェクトモータ２０等が設けてある。なお、バイアスコイル２の下側は、媒体が挿入される媒体挿入部となっており、更にその下側には可動光学部１５等が設けてある。
【００６３】
前記イジェクトモータ２０は、媒体のイジェクト（排出）時に使用するものであり、イジェクトスイッチ１９は、媒体をイジェクトする際に操作するものである。
【００６４】
前記固定光学部１４と可動光学部１５からなるヘッドの光学系は、図５に示した構造となっている。可動光学部１５には、磁気回路３０や、対物レンズ３３や、レンズアクチュエータ２９等が設けてあり、ポジショナ２６の駆動により、レール２８に沿って媒体の半径方向に移動できるようになっている。
【００６５】
また、固定光学部１４は、前記可動光学部１５に設けた光学系を除く、他の光学系、例えば、光検出器３１、レーザダイオードユニット３２や、コネクタ２７等を備えている。
【００６６】
このような構造の光学ヘッドでは、レーザダイオードユニット３２から照射されたレーザ光（レーザビーム）は、固定光学部１４内の光学系を通過し、その後、可動光学部１５内の光学系を通り、対物レンズ３３から媒体１へ照射される。また、媒体１で反射したレーザ光は、前記と逆の経路を通り、例えば、光検出器３１で検出される。
【００６７】
§２：光学系とバイアスコイルの説明・・・図６参照
図６は光学系とバイアスコイルの説明図である。図示のように前記光学系は、対物レンズ３３、反射ミラー３５、偏光ビームスプリッタ３６、収束レンズ３７、１／２波長板３８、偏光ビームスプリッタ３９、コリメータ４１、レーザダイオードユニット３２、４分割光検出器４３、２分割光検出器４４、差動アンプ４５、４６等で構成されている。なお、図５の光検出器３１は前記４分割光検出器４３、及び２分割光検出器４４に対応する。
【００６８】
そして、２分割光検出器４４の出力から差動アンプ４５を介してトラックエラー信号ＴＥＳを取り出し、４分割光検出器４３の出力から差動アンプ４６を介してフォーカスエラー信号ＦＥＳを取り出している。更に、前記２分割光検出器４４の出力と４分割光検出器４３の出力を基に演算を行って情報再生信号を取り出している。
【００６９】
前記のような構成の光学系は光磁気ディスク１の一方側（下側）に配置し、光磁気ディスク１の他方側（上側）にはバイアスコイル２を配置する。そして、前記バイアスコイル２には、バイアスコイルドライバ３を接続し、更に前記バイアスコイルドライバ３にはＰＷＭ制御部６を接続する。
【００７０】
§３：光磁気ディスク装置の制御系の説明・・・図７参照
図７は光磁気ディスク装置のブロック図である。図示のように光磁気ディスク装置には、スピンドルモータユニット１６、ヘッド（固定光学部、可動光学部）５４、光磁気ディスク（媒体）１、ポジショナ２６、バイアスコイル２等の機構部が設けてある。
【００７１】
また、前記機構部の制御を行うために、インターフェース制御部５０、バッファメモリ５１、バッファ制御部５２、リード／ライト処理部（Ｒ／Ｗ処理部）５３、ＭＰＵ（マイクロプロセッサユニット）５５、位置づけ制御部５７、バイアスコイルドライバ３、ＰＷＭ制御部６等の制御系が設けてある。前記各部の機能等は次の通りである。
【００７２】
(1) ：スピンドルモータユニット１６は、光磁気ディスク１を回転させるものである。
(2) ：ヘッド５４は、前記固定光学部１４、及び可動光学部１５等で構成され、光磁気ディスク１に対してレーザ光を照射したり、光磁気ディスク１からのレーザ光の反射光を検出したりするものである。
【００７３】
(3) ：ポジショナ２６は、位置づけ制御部５７により制御され、ヘッド５４の位置づけを行うものである。
(4) ：位置づけ制御部５７はＭＰＵ５５の指示によりポジショナ２６の制御を行うことにより、ヘッド５４の位置づけ制御を行うものである。
【００７４】
(5) ：インターフェース制御部５０は、上位装置（ホストコンピュータ）との各種インターフェース制御を行うものである。
(6) ：バッファメモリ５１は、転送データを一時格納しておくものである。例えば、バッファメモリ５１には上位装置から書き込みを指示された複数のデータブロックを格納する。
【００７５】
(7) ：バッファ制御部５２はＭＰＵ５５の指示によりバッファメモリ５１に対してデータの書き込み、及び読み出し等の制御を行うものである。
(8) ：リード／ライト処理部５３は、光磁気ディスク１にデータを書き込む際の各種処理（フォーマット処理等）を行ったり、光磁気ディスク１から読み出したデータの各種処理を行うものである。
【００７６】
(9) ：ＭＰＵ５５は光磁気ディスク装置の各種制御を行うものである。
(10)：ＰＷＭ制御部６は、ＭＰＵ５５の指示によりバイアスコイルドライバ３のスイッチング素子（ＭＯＳ−ＦＥＴ等）をＰＷＭ制御するものである。
【００７７】
(11)：バイアスコイルドライバ３は、ＰＷＭ制御部６により制御され、バイアスコイル２に電流を流すものである。
§４：バイアスコイルドライバの基本構成の説明・・・図８参照
図８はバイアスコイルドライバの基本構成図である。前記バイアスコイルドライバ３は、４個のスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４をブリッジ型に接続し、各スイッチング素子と並列にそれぞれスイッチング素子保護用のダイオードｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４を接続した回路構成となっている。
【００７８】
そして、スイッチング素子ＳＷ１とＳＷ２の接続点ａと、スイッチング素子ＳＷ３とＳＷ４の接続点ｂ間にバイアスコイル２を接続している。また、前記スイッチング素子ＳＷ１とＳＷ３の接続点ｅを電源Ｖccに接続し、スイッチング素子ＳＷ２とＳＷ４の接続点ｆをＧＮＤ（接地電位）に接続している。
【００７９】
§５：バイアスコイルドライバの基本動作の説明・・・図８、図９参照
図９はバイアスコイルドライバの動作説明図であり、Ａ図は例１、Ｂ図は例２を示す。バイアスコイルドライバ３はＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスにより各スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４がオン／オフ制御され、それに伴ってバイアスコイル２に電流が流れる。
【００８０】
この場合、光磁気ディスク（媒体）に対する消去（Erase ）、書き込み（Write ）、読み出し（Read）の各状態において、前記各スイッチング素子を図示のようにオン／オフ制御する。なお、消去、及び書き込みの場合、バイアスコイル２に電圧を印加したり（駆動モード）断ったり（休止モード）を繰り返すＰＷＭ制御を行う。
【００８１】
(1) ：例１の説明
例１による動作は次の通りである。
(a) ：消去時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ４がオン、スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ３がオフに駆動される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→ＳＷ１→ａ点→バイアスコイル２→ｂ点→ＳＷ４→ｆ点→ＧＮＤの経路で丸付き数字１の方向に電流が流れる。
【００８２】
その後、休止モードではスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ３がオフ、スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４がオンに駆動される。このため休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、バイアスコイル２→ｂ点→ＳＷ４→ｆ点→ＳＷ２→ａ点→バイアスコイル２の経路で電流が流れる。但し、スイッチング素子ＳＷ２がバイポーラ型トランジスタの場合は、スイッチング素子ＳＷ２には電流が流れず、ダイオードｄ２を介して電流が流れる。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００８３】
前記の休止モードでは前記の経路で電流が流れることにより、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びスイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４のオン抵抗（経路全体として低抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。
【００８４】
(b) ：書き込み時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりスイッチング素子ＳＷ３、ＳＷ２がオン、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ４がオフに駆動される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→ＳＷ３→ｂ点→バイアスコイル２→ａ点→ＳＷ２→ｆ点→ＧＮＤの経路で丸付き数字２の電流が流れる。
【００８５】
その後、休止モードではスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ３がオフ、スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４がオンに駆動される。このため、休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、バイアスコイル２→ａ点→ＳＷ２→ｆ点→ＳＷ４→ｂ点→バイアスコイル２の経路で電流が流れる。但し、スイッチング素子ＳＷ４がバイポーラ型トランジスタの場合は、スイッチング素子ＳＷ４には電流が流れず、ダイオードｄ４を介して電流が流れる。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００８６】
前記の休止モードでは前記の経路で電流が流れることにより、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びスイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４のオン抵抗（経路全体として低抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。
【００８７】
(c) ：読み出し時には、前記スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４は全てオフに駆動される。このため、バイアスコイル２には電流を流さない。
(2) ：例２の説明
例２による動作は次の通りである。
【００８８】
(1) ：消去時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ４がオン、スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ３がオフに駆動される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→ＳＷ１→ａ点→バイアスコイル２→ｂ点→ＳＷ４→ｆ点→ＧＮＤの経路で丸付き数字１の方向に電流が流れる。
【００８９】
その後、休止モードではスイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４がオフ、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ３がオンに駆動される。このため、休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、バイアスコイル２→ｂ点→ＳＷ３→ｅ点→ＳＷ１→ａ点→バイアスコイル２の経路で電流が流れる。但し、スイッチング素子ＳＷ３がバイポーラ型トランジスタの場合は、スイッチング素子ＳＷ３には電流が流れず、ダイオードｄ３を介して電流が流れる。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００９０】
前記の休止モードでは前記の経路で電流が流れることにより、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ３のオン抵抗（経路全体では低抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。
【００９１】
(2) ：書き込み時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりスイッチング素子ＳＷ３、ＳＷ２がオン、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ４がオフに駆動される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→ＳＷ３→ｂ点→バイアスコイル２→ａ点→ＳＷ２→ｆ点→ＧＮＤの経路で丸付き数字２の方向に電流が流れる。
【００９２】
その後、休止モードではスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ３がオン、スイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４がオフに駆動される。このため、休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、バイアスコイル２→ａ点→ＳＷ１→ｅ点→ＳＷ３→ｂ点→バイアスコイル２の経路で電流が流れる。但し、スイッチング素子ＳＷ１がバイポーラ型トランジスタの場合は、スイッチング素子ＳＷ１には電流が流れず、ダイオードｄ１を介して電流が流れる。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００９３】
前記の休止モードでは前記経路で電流が流れることにより、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びスイッチング素子ＳＷ２、ＳＷ４のオン抵抗（経路全体では低抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。
【００９４】
(3) ：読み出し時には、前記スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４は全てオフに駆動される。このため、バイアスコイル２には電流を流さない。
§６：ＭＯＳ−ＦＥＴによるバイアスコイルドライバの動作説明・・・図１０参照
図１０はＭＯＳ−ＦＥＴによるバイアスコイルドライバの動作説明図であり、Ａ図は消去時の駆動モード、Ｂ図は消去時の休止モードを示す。
【００９５】
図８に示したバイアスコイルドライバ３の基本構成図において、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、ＳＷ４をそれぞれＭＯＳ−ＦＥＴで構成すると図１０のような構成となる。この場合、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４がそれぞれＭＯＳ−ＦＥＴであり、ダイオードｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４はそれぞれ前記ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４の内蔵ダイオードである。
【００９６】
(1) ：前記例１による動作は次の通りである。
(a) ：消去時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ４がオン、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ３がオフに駆動される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→Ｑ１→ａ点→バイアスコイル２→ｂ点→Ｑ４→ｆ点→ＧＮＤの経路で図１０のＡ図に示した丸付き数字１の方向に電流が流れる。
【００９７】
その後、休止モードではＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ３がオフ、Ｑ２、Ｑ４がオンに駆動される。このため、休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、バイアスコイル２→ｂ点→Ｑ４→ｆ点→Ｑ２→ａ点→バイアスコイル２の経路で図１０のＢ図に示した丸付き数字４の方向に電流が流れる。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【００９８】
前記の休止モードでは前記まる付き数字４の経路で電流が流れることにより、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４のオン抵抗（経路全体として小さな抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。
【００９９】
(b) ：書き込み時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりＭＯＳ−ＦＥＴＱ３、Ｑ２がオン、Ｑ１、Ｑ４がオフに駆動される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→Ｑ３→ｂ点→バイアスコイル２→ａ点→Ｑ２→ｆ点→ＧＮＤの経路で電流が流れる。
【０１００】
その後、休止モードではＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ３がオフ、Ｑ２、Ｑ４がオンに駆動される。このため、休止モードではバイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、バイアスコイル２→ａ点→Ｑ２→ｆ点→Ｑ４→ｂ点→バイアスコイル２の経路で電流が流れる。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【０１０１】
前記の休止モードでは前記経路で電流が流れることにより、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４のオン抵抗（経路全体として小さな抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。
【０１０２】
(c) ：読み出し時には、前記ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は全てオフに駆動される。このため、バイアスコイル２には電流を流さない。
(2) ：前記例２による動作は次の通りである。
【０１０３】
(a) ：消去時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ４がオン、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ３がオフに駆動される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→Ｑ１→ａ点→バイアスコイル２→ｂ点→Ｑ４→ｆ点→ＧＮＤの経路で電流が流れる。
【０１０４】
その後、休止モードではＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４がオフ、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ３がオンに駆動される。このため休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、バイアスコイル２→ｂ点→Ｑ３→ｅ点→Ｑ１→ａ点→バイアスコイル２の経路で電流が流れる。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【０１０５】
前記の休止モードでは前記の経路で電流が流れることにより、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ３のオン抵抗（経路全体では低抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。
【０１０６】
(b) ：書き込み時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりＭＯＳ−ＦＥＴＱ３、Ｑ２がオン、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ４がオフに駆動される。このため、電源Ｖcc→ｅ点→Ｑ３→ｂ点→バイアスコイル２→ａ点→Ｑ２→ｆ点→ＧＮＤの経路で電流が流れる。
【０１０７】
その後、休止モードでは、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ３がオン、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４がオフに駆動される。このため、休止モードでは、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーは、バイアスコイル２→ａ点→Ｑ１→ｅ点→Ｑ３→ｂ点→バイアスコイル２の経路で電流が流れる。このようにＰＷＭパルスにより駆動→休止モードを繰り返し、バイアスコイルに所定の平均電流が流れる。
【０１０８】
前記の休止モードでは前記経路で電流が流れることにより、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４のオン抵抗（経路全体として低抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。
【０１０９】
(c) ：読み出し時には、前記ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は全てオフに駆動される。このため、バイアスコイル２には電流を流さない。
§７：バイアスコイルドライバとＰＷＭ制御部の具体例による説明・・・図１１参照
図１１はＰＷＭ制御部、及びバイアスコイルドライバの具体例による説明図である。
【０１１０】
この例では、バイアスコイルドライバ３にＨ型ブリッジ接続した４個のＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４を設けると共に、前記各ＭＯＳ−ＦＥＴの保護用のダイオードｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４（内蔵ダイオードとは別のもの）をそれぞれ各ＭＯＳ−ＦＥＴのドレイン−ソース間に接続している。この場合、前記Ｑ１、Ｑ３はＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴであり、Ｑ２、Ｑ４はＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴである。
【０１１１】
また、バイアスコイルドライバ３を制御するためのＰＷＭ制御部６には、マイクロプロセッサ５０と、コンパレータ５１と、センス抵抗５２等を設けると共に、コンパレータ５１には目標電流設定信号を入力するための入力端子Ｐが設けてある。
【０１１２】
前記センス抵抗５２はバイアスコイル２に流れる電流を検出するための抵抗であり、コンパレータ５１は前記センス抵抗５２で検出した電流を目標電流値と比較するものである。マイクロプロセッサ５０は、前記コンパレータ５１を介して取り込んだバイアスコイル２の電流情報を基に、バイアスコイルドライバ３の各ＭＯＳ−ＦＥＴをＰＷＭ駆動するものである。
【０１１３】
§８：具体例による動作の説明・・・図１１参照
前記例１による駆動をした場合、次のように動作する。
(a) ：消去時には、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ４がオン、Ｑ２、Ｑ３がオフになり、バイアスコイル２には図示丸付き数字１の方向に電流が流れる。この時、バイアスコイル２に流れる電流をセンス抵抗５２により電圧に変換し、これをコンパレータ５１により目標電流設定信号と比較する。
【０１１４】
コンパレータ５１では、前記センス抵抗５２からの電圧を目標電流設定信号と比較し、前記電圧が目標電流設定信号と等しくなったら（目標電流に達した後）、その信号をマイクロプロセッサ５０へ送る。
【０１１５】
マイクロプロセッサ５０では、前記コンパレータ５１からの比較結果の信号を受け取ると、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ３をオフに、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４をオンに制御し休止モードの制御を行う。
【０１１６】
この休止モードでは、オンになっているＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４を介して電流が流れるので、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４のオン抵抗（経路全体として小さな抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。
【０１１７】
(b) ：書き込み時の駆動モードでは、ＰＷＭ制御部６からのＰＷＭパルスによりＭＯＳ−ＦＥＴＱ３、Ｑ２がオン、Ｑ１、Ｑ４がオフに駆動される。このため、バイアスコイル２には図示丸付き数字２の方向に電流が流れる。
【０１１８】
この時、バイアスコイル２に流れる電流をセンス抵抗５２により電圧に変換し、これをコンパレータ５１により目標電流設定信号と比較する。コンパレータ５１では、前記センス抵抗５２からの電圧を目標電流設定信号と比較し、前記電圧が目標電流設定信号と等しくなったら（目標電流に達した後）、その信号をマイクロプロセッサ５０へ送る。
【０１１９】
マイクロプロセッサ５０では、前記コンパレータ５１からの比較結果の信号を受け取ると、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ３をオフに、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４をオンに制御し休止モードの制御を行う。
【０１２０】
この休止モードでは、オンになっているＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４を介して電流が流れるので、バイアスコイル２の巻線抵抗、及びＭＯＳ−ＦＥＴＱ２、Ｑ４のオン抵抗（経路全体として小さな抵抗）により、バイアスコイル２で発生したエネルギーが熱消費されるため、低速で減衰する。
【０１２１】
(c) ：読み出し時には、前記ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４は全てオフに駆動される。このため、バイアスコイル２には電流を流さない。以上のようにしてバイアスコイル２に流れる電流を制御しバイアス磁界を発生させる。
【０１２２】
§９：バイアスコイル電流の比較、及び記録波形の比較・・・図１２、図１３参照
図１２はバイアスコイル電流の比較図、図１３は記録波形の比較図である。図１２、図１３では比較のため、本発明によるものと従来例によるものとを図示してある。
【０１２３】
図１２では、横軸が時間、縦軸がバイアスコイル２に流れる電流であり、縦軸の目標電流は、前記コンパレータ５１に設定する目標電流設定信号の値である。また、図１２に示した丸付き数字１のデータは、バイアスコイルの両端をハイインピーダンス状態にする休止モードでのバイアスコイル電流（従来例のバイアスコイル電流）であり、丸付き数字２のデータはバイアスコイルの両端を短絡する休止モードでのバイアスコイル電流（本発明のバイアスコイル電流）である。
【０１２４】
また、図１３において、Ａ図は従来例の休止モードでの記録波形であり、Ｂ図は本発明での休止モードでの記録波形である。
(1) ：従来例の説明
従来の光磁気ディスク装置では、消去、書き込み時の休止モードでは全てのスイッチング素子をオフに制御している。このため休止モード時には、バイアスコイルで発生したエネルギーは、スイッチング素子に並列接続されているダイオードを介して電源に電流が流れるため、高速に消費減衰する。このため、図１２の丸付き数字１に示したようにバイアスコイル電流のリップル量が極めて大きくなる。その結果、記録波形も図１３のＡ図に示したように、振幅変動の大きな波形になったり、図示しないが消し残りがある波形となったりする。
【０１２５】
すなわち、従来例の休止モードでは、バイアスコイル２に流れる電流が目標電流から急速に減衰し、その後再び駆動モードになってバイアスコイル電流が目標電流まで上昇する。このような動作を繰り返すため、バイアスコイル電流はリップル量が多くなり、それに応じて記録波形の振幅変動も大きくなったり、消し残りがある波形となったりする。る。従って、書き込み後に行うベリファイ動作が正常に行われないことがあり、信頼性が低下する。
【０１２６】
(2) ：本発明の説明
本発明では、消去、及び書き込み時の休止モードにおいて、スイッチング素子のオン抵抗を介してバイアスコイル２を短絡し、バイアスコイル２に蓄えられたエネルギーを、バイアスコイル２の巻線抵抗とスイッチング素子のオン抵抗（経路全体で低抵抗）により熱消費されるため、バイアスコイル電流は低速に減衰する。
【０１２７】
すなわち、従来例の休止モードを採用した場合に比べてバイアスコイル２に流れる電流が急速に変化することはなくなり、図１２の丸付き数字２に示したように、電流のリップル量が少なくなる。その結果、バイアスコイル２から発生するバイアス磁界の変動が小さくなり、図１３のＢ図に示したように、記録波形の振幅が一定になり、消し残りが生じず、ベリファイ動作が常に正常に行える。
【０１２８】
（発明の実施の形態の他の例）
以上発明の実施の形態について説明したが、本発明は次のようにしても実施可能である。
【０１２９】
(1) ：スイッチング素子としては、ＭＯＳ−ＦＥＴの外、バイポーラ型トランジスタでも同様に実施可能である。
(2) ：前記発明の実施の形態で示した構成の光磁気ディスク装置に限らず、他の任意の光磁気ディスク装置に適用可能である。
【０１３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば次のような効果がある。
(1) ：消去、及び書き込み時の休止モードにおいて、スイッチング素子のオン抵抗を介してバイアスコイルを短絡し、バイアスコイルに蓄えられたエネルギーを、バイアスコイルの巻線抵抗とスイッチング素子のオン抵抗（低抵抗）で低速に熱消費させ減衰させている。
【０１３１】
このため、従来例の休止モードを採用した場合に比べてバイアスコイルに流れる電流が急速に変化することはなくなり、電流のリップル量が少なくなる。その結果、バイアスコイルから発生するバイアス磁界の変動が小さくなり、媒体上の記録波形の振幅が一定になり、消し残りが生じず、ベリファイ動作が正常に行える。
【０１３２】
(2) ：バイアスコイルから発生するバイアス磁界の変動が低減するので、常に安定したデータの消去、書き込み、ベリファイ等が行える。
(3) ：バイアスコイルドライバのスイッチング素子を制御するのに、ＰＷＭ制御を行っているので、低消費電力化が実現できる。
【０１３３】
前記効果の外、各請求項に対応して次のような効果がある。
(4) ：請求項１では、記録媒体にデータ消去用の極性のバイアス磁界とデータ書き込み用の極性のバイアス磁界を印加するためのバイアスコイルと、前記バイアスコイルを駆動する複数のスイッチング素子を有するバイアスコイルドライバと、前記バイアスコイルからデータ消去用の極性のバイアス磁界、或いはデータ書き込み用の極性のバイアス磁界を発生させるように前記スイッチング素子をＰＷＭ制御するＰＷＭ制御部を備えた光磁気記憶装置において、前記ＰＷＭ制御部は、バイアスコイルの両端に電位差を加えるように、所定のスイッチング素子を制御する駆動モードと、スイッチング素子のオン抵抗を介してバイアスコイルの両端を短絡するように、所定のスイッチング素子を制御する休止モードを繰り返す手段を備えている。
【０１３４】
このため、バイアスコイルに流れる電流が急速に変化することはなくなり、電流のリップル量が少なくなる。その結果、バイアスコイルから発生するバイアス磁界の変動が小さくなり、記録波形の振幅が一定になり、消し残りが生じず、ベリファイ動作が正常に行える。
【０１３５】
(5) ：請求項２では、スイッチング素子をＭＯＳ−ＦＥＴで構成したので、高速スイッチングが可能になる。
(6) ：請求項３では、制御部は、バイアスコイルの電流を検出する電流検出手段と、前記電流検出手段により検出した電流が予め設定された目標電流に達した際、前記駆動モードから前記休止モードに切り替え、所定の時間経過後、駆動モードに切り替えるモード切り替え手段を備えている。
【０１３６】
従って、目標電流設定値を変化させることにより、任意のタイミングで駆動モードから休止モードへ推移させることができる。このため、バイアスコイルに流れる電流を任意に調整して常にリップルの少ない最適なバイアス磁界を発生させることが可能になる。なお、休止モードから駆動モードへの切り替えは、ある所定時間で推移させる。また、周波数一定として切り替えるようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の原理説明図である。
【図２】  実施例における光磁気ディスク装置の外観図である。
【図３】  実施例における光磁気ディスク装置の一部切断図である。
【図４】  実施例における光磁気ディスク装置内部の斜視図である。
【図５】  実施例における光学系の斜視図である。
【図６】  実施例における光学系とバイアスコイルの説明図である。
【図７】  実施例における光磁気ディスク装置のブロック図である。
【図８】  実施例におけるバイアスコイルドライバの基本構成図である。
【図９】  実施例におけるバイアスコイルドライバの動作説明図である。
【図１０】  実施例におけるＭＯＳ−ＦＥＴによるバイアスコイルドライバの動作説明図である。
【図１１】  実施例におけるＰＷＭ制御部、及びバイアスコイルドライバの具体例による説明図である。
【図１２】  実施例におけるバイアスコイル電流の比較図である。
【図１３】  実施例における記録波形の比較図である。
【図１４】  従来の装置説明図である。
【図１５】  従来例の動作説明図（その１）である。
【図１６】  従来例の動作説明図（その２）である。
【符号の説明】
１  光磁気ディスク（媒体）
２  バイアスコイル
６  ＰＷＭ制御部
５０  マイクロプロセッサ
５１  コンパレータ
５２  センス抵抗
【図１】
0003652739.tif 000002
【図２】
0003652739.tif 000003
【図３】
0003652739.tif 000004
【図４】
0003652739.tif 000005
【図５】
0003652739.tif 000006
【図６】
0003652739.tif 000007
【図７】
0003652739.tif 000008
【図８】
0003652739.tif 000009
【図９】
0003652739.tif 000010
【図１０】
0003652739.tif 000011
【図１１】
0003652739.tif 000012
【図１２】
0003652739.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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