(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属アルコキシドの加水分解重縮合物、及び水溶性導電性有機化合物を含有するものであって、水溶性導電性有機化合物がブレンステッド酸基を有するπ共役系導電性高分子またはその塩であることを特徴とする帯電防止膜形成用組成物。
【請求項２】
金属アルコキシドの加水分解重縮合物、及び水溶性導電性有機化合物を含有するものであって、水溶性導電性有機化合物が高分子電解質をドーパントとするπ共役系導電性高分子であることを特徴とする帯電防止膜形成用組成物。
【請求項３】
金属アルコキシド及び水溶性導電性有機化合物を含有する液状物を出発物質とし、水溶性導電性有機化合物の存在下、金属アルコキシドを加水分解重縮合させて製造したことを特徴とする請求項１又は２記載の帯電防止膜形成用組成物。
【請求項４】
金属アルコキシドが一般式（Ｉ）、または（II）
【化１】
0003608012.tif 000021
【化２】
0003608012.tif 000022
（Ｌ１ は４価の金属原子であり、Ｌ２ は３価の金属原子である。Ａ１ 〜Ａ７ はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽和アルコキシ基を表す。但し、Ａ１ 〜Ａ４ のうちの少なくとも一つ、及びＡ５ 〜Ａ７ のうちの少なくとも一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）
で表される化合物の少なくとも一種であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物。
【請求項５】
加水分解重縮合物が一般式（Ｉ）、または（II）
【化３】
0003608012.tif 000023
【化４】
0003608012.tif 000024
（Ｌ１ は４価の金属原子であり、Ｌ２ は３価の金属原子である。Ａ１ 〜Ａ７ はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽和アルコキシ基を表す。但し、Ａ１ 〜Ａ４ のうちの少なくとも一つ、及びＡ５ 〜Ａ７ のうちの少なくとも一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）
で表される化合物から選ばれる少なくとも一種の金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物。
【請求項６】
金属アルコキシドの加水分解重縮合物の重縮合度が２乃至１００００であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物。
【請求項７】
水または水を含有する有機溶剤を溶媒とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物。
【請求項８】
金属アルコキシドを有機溶剤に溶解した溶液に、水溶性導電性有機化合物を含有する含水溶液を加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方法。
【請求項９】
金属アルコキシドを有機溶剤に溶解した溶液に、水溶性導電性有機化合物、水及び金属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触媒を含有する溶液を加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方法。
【請求項１０】
水溶性導電性有機化合物水溶液または該化合物の含水溶液に金属アルコキシドを加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解重縮合させることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方法。
【請求項１１】
水溶性導電性有機化合物及び金属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触媒を水に溶解した水溶液または含水溶液に金属アルコキシドを加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解重縮合させることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方法。
【請求項１２】
基材上に請求項１〜７のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物を塗布する工程を含むことを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【請求項１３】
金属アルコキシドの加水分解重縮合物及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×１０９ Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚さ１００オングストローム以上の帯電防止膜。
【請求項１４】
金属アルコキシドが一般式（Ｉ）、または（II）
【化５】
0003608012.tif 000025
【化６】
0003608012.tif 000026
（Ｌ１ は４価の金属原子であり、Ｌ２ は３価の金属原子である。Ａ１ 〜Ａ７ はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽和アルコキシ基を表す。但し、Ａ１ 〜Ａ４ のうちの少なくとも一つ、及びＡ５ 〜Ａ７ のうちの少なくとも一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）
で表される化合物の少なくとも一種であることを特徴とする請求項１３記載の帯電防止膜。
【請求項１５】
加水分解重縮合物が一般式（Ｉ）、または（II）
【化７】
0003608012.tif 000027
【化８】
0003608012.tif 000028
（Ｌ１ は４価の金属原子であり、Ｌ２ は３価の金属原子である。Ａ１ 〜Ａ７ はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽和アルコキシ基を表す。但し、Ａ１ 〜Ａ４ のうちの少なくとも一つ、及びＡ５ 〜Ａ７ のうちの少なくとも一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）
で表される化合物から選ばれる少なくとも一種の金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物であることを特徴とする請求項１３記載の帯電防止膜。
【請求項１６】
請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の帯電防止膜を有する基材。
【請求項１７】
基材が金属酸化物である請求項１６記載の基材。
【請求項１８】
基材が高分子である請求項１６記載の基材。
【請求項１９】
基材が陰極線管である請求項１６記載の基材。
【請求項２０】
基材が光記録媒体である請求項１６記載の基材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ガラス材料やプラスチック材料の表面の帯電防止に関し、より詳しくは、耐久性や光透過性に優れた帯電防止膜を与える組成物及び帯電防止膜の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体メモリの高集積化、大容量記録媒体や軽量な高性能フラットパネルディスプレイの登場等を背景に情報機器の発展は目覚ましい。これらの情報機器及び周辺機器に多く使用されているガラス材料やプラスチック材料は高い絶縁性を示し帯電し易いため、それらの材料の帯電を原因とするトラブルが数多く発生している。
例えば、ＣＤ−ＲＯＭや光磁気ディスク等の大容量記録媒体に関するトラブルとしては、製造時における塵埃の付着や静電気の放電による記録層の損傷、保存もしくは使用時における塵埃の付着による記録の読み出しや書き込みのエラーの発生等が挙げられる。また、ディスプレイに関しては、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ表面の汚れ、液晶ディスプレイの駆動中の帯電による表示不良等が挙げられる。
【０００３】
これらのようなトラブルの対策としては、基材表面を導電性膜で被覆する方法が有効であり、様々な導電性膜形成用材料及び被膜の形成方法が提案されている。
最も単純には帯電防止成分としてイオン伝導性の界面活性剤を含有する被膜で基材表面を被覆する方法が知られているが、この方法には、帯電防止成分の界面活性剤が表面にブリードしてしまってその性能が徐々に失われるという問題があった。
【０００４】
そこで、ブリードの問題を解決するための方法が検討されており、例えば、帯電防止成分としてポリエチレングリコールジアクリレートを含有するアクリレート系紫外線硬化樹脂組成物を基材表面に塗布する方法（特開昭５６−２２３０６号）、帯電防止剤としてアルカリ金属塩、アルカリ土類塩及びアンモニウム塩からなる群から選ばれる一種以上の塩とイミダゾリン型界面活性剤を含有する光硬化樹脂組成物からなる帯電防止性ハードコート剤（特開平５−３３９３０６号）、シラン化合物及びヘテロポリ酸またはその塩もしくは過塩素酸化合物を含有する帯電防止被覆用組成物（特開平６−２００１８５号）、水性シリカゾル、水性シリカゾルと反応して化学複合体を形成する水性官能基含有重合体及び界面活性剤で構成された静電防止用水性コーティング組成物（特開平６−１７２６７８号）等が開示されてきた。
しかしながら、これらの方法で用いられている帯電防止成分は、イオン伝導性であり、その性能が湿度の影響を受けて変動し、乾燥状態では効果を失うという問題があった。
【０００５】
一方、湿度の影響を受けない帯電防止成分として、電子伝導性のカーボン粉末、金属粉末や金属酸化物を含有する被膜で被覆する方法も知られている。例えば、特公昭６３−３３７７８号には、アンチモン含有酸化錫からなる導電性微粉末を含有する透明合成樹脂塗料組成物を塗布する方法が開示されている。また、スズ、アンチモン、インジウムから選ばれる少なくとも１種の金属成分及びケイ素のアルコール性ゾルを含有する帯電防止コーティング剤（特開平２−４７１６６号）、スズ、アンチモン、インジウムから選ばれる少なくとも１種の導電性金属酸化物の水分散性ゾルと水性シリカゾルから成る帯電防止用被膜組成物（特開平５−２７９５９７号）が開示されている。
【０００６】
また、帯電防止成分としてπ共役系導電性高分子を用いる方法も知られている。π共役系導電性高分子は、一般には不融不溶であり、単独で基材との密着性に優れた帯電防止被膜を形成することが困難であるため、種々の方法が提案されている。例えば、特開平６−１４５３８４号や特開平６−１４５６５２号では、π共役系を形成し得る複素環構造を有する重合性部分と、親水基を有する基材表面と化学結合する結合基とを有する化合物を基材表面に結合させた後、重合性部分を重合させて帯電防止被膜を形成する方法が示されている。特開平６−３０９６９９号では、基材表面にπ共役系導電性高分子との結合性を有するアニオン性の基を導入した後、基材表面に導電性高分子のモノマーを塗布して重合処理を行い、耐久性に優れた帯電防止被膜を得る方法が開示されている。
【０００７】
特開平６−１２５５１９号では、有機溶剤に可溶なπ共役系導電性高分子と耐摩耗性重合体との混合物を含有する耐摩耗性帯電防止被膜形成用の導電性高分子組成物が開示されている。
一方、特開平１−１６７２５４号では、ゾル−ゲル法等の化学的ガラス製法の過程においてπ共役系導電性高分子のモノマーの重合を行い、ガラス自体に導電性を付与する方法が示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ガラス材料表面やプラスチック材料表面を帯電防止成分としてイオン伝導性の界面活性剤等を含有する帯電防止膜で被覆する帯電防止方法は、帯電防止膜の帯電防止性能が湿度の影響を受けて変動し、低湿度環境では性能が低下するという問題を有していた。
また、帯電防止成分として、湿度の影響を受けない電子伝導性のカーボン、金属や金属酸化物の微粒子を用いる方法では、帯電防止成分が帯電防止被膜中に分散しているだけであって均一に相溶化しているのではないため、帯電防止成分添加量の調節によって被膜の帯電防止性能を精密にコントロールすることが困難であるという問題点があり、さらに帯電防止被膜中の微粒子によって光が散乱されて透過率が低下するため光記録媒体等の光の透過性が要求される用途に適用することが出来なかった。
【０００９】
また、帯電防止成分として、π共役導電性高分子を用いる、特開平６−１４５３８４号、特開平６−１４５６５２号及び特開平６−３０９６９９号に記載の従来技術では、基材表面にπ共役系導電性高分子との結合性を高めるための処理をした後に導電性高分子の重合を行うため、工程が非常に複雑であるという問題点がある上に、導電性高分子層の膜厚をコントロールすることが困難であり、帯電防止被膜の帯電防止性と光透過性を調節することが難しかった。
【００１０】
一般に、導電性高分子を導電化するためには外部から酸化剤（ｐ型ドーパント）もしくは還元剤（ｎ−型ドーパント）を添加する必要がある。上記及び特開平６−１２５５１９号記載の従来技術では、何らかのドーパントを添加する必要があるが、これらの外部ドーパントは脱離しやすいため、これらの従来技術の帯電防止膜の帯電防止性は時間と共に低下するという問題点があった。
また、上記特開平１−１６７２５４号に記載の従来技術では、化学的ガラス製法によりガラス状固体を調製した後に導電性高分子と複合化するため、この技術によりガラス材料やプラスチック材料を被覆するための帯電防止膜を形成することは不可能であった。
本発明の目的は、上記欠点を改善した帯電防止膜形成用組成物及び該組成物による帯電防止膜の製造法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】
本発明者は上記目的を達成すべく鋭意検討してきた結果、特定の水溶性導電性有機化合物と加水分解重縮合性の金属アルコキシドを含有する溶液から金属アルコキシドを加水分解重縮合して得られた組成物を用いることにより耐久性、透明性及び帯電防止性能の長期安定性に優れた帯電防止膜が得られ、しかも、水溶性導電性有機化合物の添加量を調節することによって、帯電防止膜の帯電防止性を使用用途に応じて容易にコントロールできることを見いだし、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は以下のものを提供するものである。
【００１２】
１）金属アルコキシドの加水分解重縮合物、及び水溶性導電性有機化合物を含有するものであって、水溶性導電性有機化合物がブレンステッド酸基を有するπ共役系導電性高分子またはその塩であることを特徴とする帯電防止膜形成用組成物。
２）金属アルコキシドの加水分解重縮合物、及び水溶性導電性有機化合物を含有するものであって、水溶性導電性有機化合物が高分子電解質をドーパントとするπ共役系導電性高分子であることを特徴とする帯電防止膜形成用組成物。
３）金属アルコキシド及び水溶性導電性有機化合物を含有する液状物を出発物質とし、水溶性導電性有機化合物の存在下、金属アルコキシドを加水分解重縮合させて製造したことを特徴とする前項１又は２記載の帯電防止膜形成用組成物。
【００１３】
４）金属アルコキシドが一般式（Ｉ）、または（II）
【化９】
0003608012.tif 000002
【化１０】
0003608012.tif 000003
（Ｌ１ は４価の金属原子であり、Ｌ２ は３価の金属原子である。Ａ１ 〜Ａ７ はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽和アルコキシ基を表す。但し、Ａ１ 〜Ａ４ のうちの少なくとも一つ、及びＡ５ 〜Ａ７ のうちの少なくとも一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）
で表される化合物の少なくとも一種であることを特徴とする前項１〜３のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物。
【００１４】
５）加水分解重縮合物が一般式（Ｉ）、または（II）
【化１１】
0003608012.tif 000004
【化１２】
0003608012.tif 000005
（Ｌ１ は４価の金属原子であり、Ｌ２ は３価の金属原子である。Ａ１ 〜Ａ７ はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽和アルコキシ基を表す。但し、Ａ１ 〜Ａ４ のうちの少なくとも一つ、及びＡ５ 〜Ａ７ のうちの少なくとも一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）
で表される化合物から選ばれる少なくとも一種の金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物であることを特徴とする前項１〜４のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物。
【００１５】
６）金属アルコキシドの加水分解重縮合物の重縮合度が２乃至１００００であることを特徴とする前項１〜５のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物。
【請求項７】
水または水を含有する有機溶剤を溶媒とすることを特徴とする前項１〜６のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物。
【請求項８】
金属アルコキシドを有機溶剤に溶解した溶液に、水溶性導電性有機化合物を含有する含水溶液を加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解することを特徴とする前項１〜７のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方法。
【００１６】
９）金属アルコキシドを有機溶剤に溶解した溶液に、水溶性導電性有機化合物、水及び金属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触媒を含有する溶液を加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解することを特徴とする前項１〜７のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方法。
１０）水溶性導電性有機化合物水溶液または該化合物の含水溶液に金属アルコキシドを加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解重縮合させることを特徴とする前項１〜７のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方法。
１１）水溶性導電性有機化合物及び金属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触媒を水に溶解した水溶液または含水溶液に金属アルコキシドを加え、次いで、金属アルコキシドを加水分解重縮合させることを特徴とする前項１〜７のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物の製造方法。
１２）基材上に前項１〜７のいずれか１項に記載の帯電防止膜形成用組成物を塗布する工程を含むことを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【００１７】
１３）金属アルコキシドの加水分解重縮合物及び水溶性導電性有機化合物を含み、表面抵抗値が９×１０９ Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それぞれ９２％以上であり、厚さ１００オングストローム以上の帯電防止膜。
【００１８】
１４）金属アルコキシドが一般式（Ｉ）、または（II）
【化１３】
0003608012.tif 000006
【化１４】
0003608012.tif 000007
（Ｌ１ は４価の金属原子であり、Ｌ２ は３価の金属原子である。Ａ１ 〜Ａ７ はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽和アルコキシ基を表す。但し、Ａ１ 〜Ａ４ のうちの少なくとも一つ、及びＡ５ 〜Ａ７ のうちの少なくとも一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）
で表される化合物の少なくとも一種であることを特徴とする前項１３記載の帯電防止膜。
【００１９】
１５）加水分解重縮合物が一般式（Ｉ）、または（II）
【化１５】
0003608012.tif 000008
【化１６】
0003608012.tif 000009
（Ｌ１ は４価の金属原子であり、Ｌ２ は３価の金属原子である。Ａ１ 〜Ａ７ はそれぞれ独立にＨ、水酸基、炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、または炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和アルキル基、不飽和アルキル基、飽和アルコキシ基もしくは不飽和アルコキシ基を表す。但し、Ａ１ 〜Ａ４ のうちの少なくとも一つ、及びＡ５ 〜Ａ７ のうちの少なくとも一つは、必ず、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の、飽和もしくは不飽和アルコキシ基である。なお、前記炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和アルキル基は、ヒドロキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはアミノ基を有してもよく、任意の位置にカルボニル結合、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、スルホンエステル結合またはチオエーテル結合を含んでもよい。）
で表される化合物から選ばれる少なくとも一種の金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物であることを特徴とする前項１３記載の帯電防止膜。
【００２０】
１６）前項１３〜１５のいずれか１項に記載の帯電防止膜を有する基材。
【請求項１７】
基材が金属酸化物である前項１６記載の基材。
【請求項１８】
基材が高分子である前項１６記載の基材。
【００２１】
１９）基材が陰極線管である前項１６記載の基材。
２０）基材が光記録媒体である前項１６記載の基材。
【００２２】
２１）  表面抵抗値が９×１０９  Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングストローム以上の導電性膜を有することを特徴とする金属酸化物基材。
２２）  表面抵抗値が９×１０９  Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングストローム以上の導電性膜を有することを特徴とする高分子基材。
【００２３】
２３）  表面抵抗値が９×１０９  Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングストローム以上の導電性膜を有することを特徴とする陰極線管。
２４）  表面抵抗値が９×１０９  Ω／□以下、波長５００ｎｍ及び７００ｎｍの可視光に対する透過率が、それぞれ、９２％以上であり、厚さ１００オングストローム以上の導電性膜を有することを特徴とする光記録媒体。
【００２４】
以下に本発明を詳細に説明する。
前記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）において、Ｌ１  として特に好ましい具体例はＳｉ（珪素）、Ｔｉ（チタン）であり、Ｌ２  として特に好ましい具体例はＡｌ（アルミニウム）である。Ａ１  〜Ａ７  の好ましい具体例として、Ｈ（水素）、水酸基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アミノメチル基、２−アミノエチル基、３−アミノプロピル基、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピル基、グリシジル基、グリシドキシメチル基、２−グリシドキシエチル基、３−グリシドキシプロピル基、メトキシ基、３−アクリロキシプロピル基、３−メタクリロキシプロピル基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
【００２５】
一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される金属アルコキシドの好ましい具体例は、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｉｓｏ−ブチルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−ブチルトリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリエトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ペンチルトリメトキシシラン、ｎ−ペンチルトリエトキシシラン、ｉｓｏ−ペンチルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−ペンチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−ヘプチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘプチルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−ノニルトリメトキシシラン、ｎ−ノニルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、ｎ−デシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピルアミン、３−（トリエトキシシリル）プロピルアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピルアクリレート、３−（トリエトキシシリル）プロピルアクリレート、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、３−（トリエトキシシリル）プロピルメタクリレート、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラ−ｎ−プロポキシチタン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシチタン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム等である。
【００２６】
これらの一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される金属アルコキシドは、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。これらの中で、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピルアミン、３−（トリエトキシシリル）プロピルアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、３−（トリエトキシシリル）プロピルメタクリレート、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン化合物が特に好ましい。
【００２７】
また、これらの一般式（Ｉ）、または（ＩＩ）で表される金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物を用いてもよい。本発明において、金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物とは、一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される金属アルコキシド１分子中の少なくとも１個のアルコキシ基を加水分解することにより得られる置換基である水酸基が、他の、同一あるいは異なる構造を有する金属アルコキシド分子中の少なくとも１個のアルコキシ基を加水分解することにより得られる置換基である水酸基と脱水縮合または脱水重縮合することにより得られる金属原子（Ｌ１  またはＬ２  ）を２個以上有する構造を有する化合物、すなわち少なくとも２個以上の金属原子（Ｌ１  またはＬ２  ）がＯ原子を介して二次元的および／または三次元的に結合し、かつ該化合物が少なくとも２個のアルコキシ基および／または水酸基を有しており、さらに加水分解および／または縮合反応を行わせることにより重縮合度を高めることができる化合物をいう。ここで重縮合度とは該部分加水分解重縮合物あるいは該化合物１分子中の金属原子（Ｌ１  またはＬ２  ）の数をいう。
【００２８】
本発明において好適に用いることができる金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物の重縮合度の範囲は２乃至１００００である。重縮合度として３乃至２０００の範囲のものが更に好ましく、４乃至１００の範囲のものが特に好ましい。金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物は、例えば、金属アルコキシドの溶液、例えばアルコール溶液に、加水分解に必要な水、および必要に応じて触媒を用いる場合には触媒としての酸または塩基を加えた後、必要に応じて、例えば１００℃程度まで、加熱しながら撹拌することにより容易に得られる。
金属アルコキシドの金属が珪素であるアルコキシシラン化合物の場合、部分加水分解重縮合物が市販されており、それらを使用しても良い。その具体例として、テトラメトキシシランの部分加水分解重縮合物である商品名メチルシリケート５０（重縮合度３〜４）、メチルシリケート５２（重縮合度４〜５）（以上コルコート（株）製）等、テトラエトキシシランの部分加水分解重縮合物である商品名エチルシリケート４０（重縮合度４〜５）（コルコート（株）製）等を挙げることができる。
【００２９】
本発明で用いる水溶性導電性有機化合物に特に制限はなく、導電性を有する種々の水溶性有機化合物を用いることができるが、製造された帯電防止膜の帯電防止性能の点から、重合体主鎖中にπ電子共役系結合を有する電子伝導性のπ共役系導電性高分子が好ましく、とりわけ、ブレンステッド酸基を有する水溶性π共役系導電性高分子またはその塩、あるいは、高分子電解質をドーパントとするπ共役系導電性高分子の水溶性組成物が好ましい。
【００３０】
ここで、ブレンステッド酸基とは、酸塩基反応においてプロトンを放出する能力を有する官能基のことを言い、例えば、−ＳＯ３  Ｈ、−ＣＯ２  Ｈ等である。また、高分子電解質とは、数平均分子量が１０００〜１００００００、好ましくは５０００〜５０００００であってπ共役系導電性高分子のドーパントとなり得る物質のことを言い、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリビニル硫酸、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリα−メチルスチレンスルホン酸、ポリエチレンスルホン酸、ポリグルタミン酸、ポリアスパラギン酸、ポリリン酸等の合成高分子電解質、または寒天、カラゲナン、アルギン酸、ペクチン、ヒアルロン酸、コンドロイチン、コンドロイチン硫酸、コンドロイチンポリ硫酸、デルマタン硫酸、ヘパリン、ヘパラン硫酸、コロミン酸、タイクロン酸等の酸性多糖や核酸等の天然高分子電解質である。
【００３１】
ブレンステッド酸基を有する水溶性π共役系導電性高分子またはその塩の好ましい具体例として、下記一般式（ＩＩＩ  ）〜（ＩＸ）で表される化学構造のうちの少なくとも１つを繰り返し単位として含む化合物を挙げることができる。
【化１７】
0003608012.tif 000010
（式中、Ｒ１  、Ｒ２  、Ｒ３  、Ｒ４  及びＲ５  は、それぞれ独立にＨ、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルコキシ基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、またはＳＯ３−Ｍ１  基を表し、Ｍ１  は、Ｈ＋  、アルカリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表す。Ｒ１  、Ｒ２  、Ｒ３  、Ｒ４  またはＲ５  の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と共に、少なくとも１つ以上の３乃至７員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を少なくとも１つ以上形成してもよい。ｋはチオフェン環と置換基Ｒ１  〜Ｒ３  を有するベンゼン環に囲まれた縮合環の数を表し、０乃至３の整数値である。また、Ｘ１  はＳ、Ｏ、Ｓｅ、ＴｅまたはＮＲ６  を表し、Ｒ６  はＨ、水酸基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状アルキル基、または炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基を表す。Ｂ１  は炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和の二価炭化水素基であり、任意の位置にエーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、チオエーテル結合、スルホン結合を含んでもよい。ｄは０または１である。）
【００３２】
【化１８】
0003608012.tif 000011
【化１９】
0003608012.tif 000012
【化２０】
0003608012.tif 000013
【化２１】
0003608012.tif 000014
【化２２】
0003608012.tif 000015
【化２３】
0003608012.tif 000016
（式中、Ｒ７  〜Ｒ１２は、それぞれ独立にＨ、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルコキシ基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、またはアミノ基を表し、Ｍ２  〜Ｍ７  は、Ｈ＋  、アルカリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表す。また、Ｘ２  はＳ、Ｏ、Ｓｅ、ＴｅまたはＮＲ１３を表し、Ｒ１３はＨ、水酸基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状アルキル基、または炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基を表す。Ｂ２  〜Ｂ７  は炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和または不飽和の二価炭化水素基であり、任意の位置にエーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、アミド結合、スルホンアミド結合、チオエーテル結合、スルホン結合を含んでもよい。ｅ、ｆ、ｇ、ｐ、ｑ、ｔは０または１である。）
【００３３】
前記一般式（ＩＩＩ  ）において、Ｒ１  、Ｒ２  、Ｒ３  、Ｒ４  及びＲ５  の好ましい具体例としては、Ｈ（水素）、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。また、カチオンであるＭ１  はＨ＋  、Ｌｉ＋  、Ｎａ＋  、Ｋ＋  等のアルカリ金属イオン、ＮＨ４＋または置換の第４級アンモニウムイオンである。好ましい置換アンモニウムイオンとして、ＮＨ（ＣＨ３  ）３＋、Ｎ（ＣＨ３  ）４＋、ＮＨ（Ｃ２  Ｈ５  ）３＋、Ｎ（Ｃ２      Ｈ５  ）４＋、Ｎ（Ｃ６  Ｈ５  ）４＋等が挙げられる。Ｘ１  の好ましい具体例はＳ（硫黄）、Ｏ（酸素）、ＮＨ、Ｎ−ＣＨ３  である。
【００３４】
Ｂ１  の好ましい具体例として、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、１，１−ジメチルエチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、−Ｏ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｏ（ＣＨ２  ）２  Ｏ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｏ（ＣＨ２  ）２  Ｏ（ＣＨ２  ）２  Ｏ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｓ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｓ（ＣＨ２  ）２  Ｓ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｓ（ＣＨ２  ）２  Ｓ（ＣＨ２  ）２  Ｓ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ２  −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ２  ＣＨ２  −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）３  −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）４  −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）５  −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ２  −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）２  −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）３  −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）４  −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）５  −、−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ２  −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）２  −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）３  −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）４  −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）５  −、−（ＣＨ２  ）２  −ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）２  −等が挙げられる。
【００３５】
前記一般式（ＩＶ）〜（ＩＸ）において、Ｒ７  〜Ｒ１２の好ましい具体例としては、Ｈ（水素）、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。また、カチオンであるＭ２  〜Ｍ７  はＨ＋  、Ｌｉ＋  、Ｎａ＋  、Ｋ＋  等のアルカリ金属イオン、ＮＨ４＋または置換の第４級アンモニウムイオンである。好ましい置換アンモニウムイオンとして、ＮＨ（ＣＨ３  ）３＋、Ｎ（ＣＨ３  ）４＋、ＮＨ（Ｃ２  Ｈ５  ）３＋、Ｎ（Ｃ２  Ｈ５  ）４ ＋  、Ｎ（Ｃ６  Ｈ５  ）４＋等が挙げられる。Ｘ２  の好ましい具体例はＳ（硫黄）、Ｏ（酸素）、ＮＨ、ＮＣＨ３  である。
【００３６】
Ｂ２  〜Ｂ７  の好ましい具体例として、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、１，１−ジメチルエチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、−Ｏ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｏ（ＣＨ２  ）２  Ｏ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｏ（ＣＨ２  ）２  Ｏ（ＣＨ２  ）２  Ｏ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｓ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｓ（ＣＨ２  ）２  Ｓ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｓ（ＣＨ２  ）２  Ｓ（ＣＨ２  ）２  Ｓ（ＣＨ２  ）２  −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ２  −、−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ２  ＣＨ２  −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）３  −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）４  −、−Ｃ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）５  −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ２  −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）２  −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）３  −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）４  −、−ＮＨＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）５  −、−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ２  −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）２  −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）３  −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）４  −、−ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）５  −、−（ＣＨ２  ）２  −ＯＣ（＝Ｏ）（ＣＨ２  ）２  −等が挙げられる。
【００３７】
一般式（ＩＩＩ  ）で表される化学構造の好ましい具体例としては、５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−スルホメチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（２−スルホエチル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（３−スルホプロピル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（４−スルホブチル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（５−スルホペンチル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（６−スルホヘキシル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（７−スルホヘプチル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（８−スルホオクチル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（９−スルホノニル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−（１０−スルホデシル）イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−スルホイソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−スルホメチルイソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（２−スルホエチル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（３−スルホプロピル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（４−スルホブチル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（５−スルホペンチル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（６−スルホヘキシル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（７−スルホヘプチル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（８−スルホオクチル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（９−スルホノニル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−（１０−スルホデシル）イソベンゾフラン−１，３−ジイル、５−スルホイソインドール−１，３−ジイル、５−スルホメチルイソインドール−１，３−ジイル、５−（２−スルホエチル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（３−スルホプロピル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（４−スルホブチル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（５−スルホペンチル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（６−スルホヘキシル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（７−スルホヘプチル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（８−スルホオクチル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（９−スルホノニル）イソインドール−１，３−ジイル、５−（１０−スルホデシル）イソインドール−１，３−ジイル、６−スルホナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−スルホメチルナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（２−スルホエチル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（３−スルホプロピル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（４−スルホブチル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（５−スルホペンチル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（６−スルホヘキシル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（７−スルホヘプチル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（８−スルホオクチル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（９−スルホノニル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル、６−（１０−スルホデシル）ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル等、もしくはそれらのリチウ���塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００３８】
一般式（ＩＶ）で表される化学構造の好ましい具体例としては、３−スルホチオフェン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−メチルチオフェン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−エチルチオフェン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−プロピルチオフェン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ブチルチオフェン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ペンチルチオフェン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−メトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−エトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−スルホメチルチオフェン−２，５−ジイル、３−（２−スルホエチル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（３−スルホプロピル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（４−スルホブチル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（５−スルホペンチル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（６−スルホヘキシル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（７−スルホヘプチル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（８−スルホオクチル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（９−スルホノニル）チオフェン−２，５−ジイル、３−（１０−スルホデシル）チオフェン−２，５−ジイル、３−スルホフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−メチルフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−エチルフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−プロピルフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ブチルフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ペンチルフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ヘキシルフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−メトキシフラン−２，５−ジイル、３−スルホ−４−エトキシフラン−２，５−ジイル、３−スルホメチルフラン−２，５−ジイル、３−（２−スルホエチル）フラン−２，５−ジイル、３−（３−スルホプロピル）フラン−２，５−ジイル、３−（４−スルホブチル）フラン−２，５−ジイル、３−（５−スルホペンチル）フラン−２，５−ジイル、３−（６−スルホヘキシル）フラン−２，５−ジイル、３−（７−スルホヘプチル）フラン−２，５−ジイル、３−（８−スルホオクチル）フラン−２，５−ジイル、３−（９−スルホノニル）フラン−２，５−ジイル、３−（１０−スルホデシル）フラン−２，５−ジイル、３−スルホピロール−２，５−ジイル、１−メチル−３−スルホピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−メチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−エチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−プロピルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ブチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ペンチルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−ヘキシルピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−メトキシピロール−２，５−ジイル、３−スルホ−４−エトキシピロール−２，５−ジイル、３−スルホメチルピロール−２，５−ジイル、３−（２−スルホエチル）ピロール−２，５−ジイル、３−（３−スルホプロピル）ピロール−２，５−ジイル、３−（４−スルホブチル）ピロール−２，５−ジイル、３−（５−スルホペンチル）ピロール−２，５−ジイル、３−（６−スルホヘキシル）ピロール−２，５−ジイル、３−（７−スルホヘプチル）ピロール−２，５−ジイル、３−（８−スルホオクチル）ピロール−２，５−ジイル、３−（９−スルホノニル）ピロール−２，５−ジイル、３−（１０−スルホデシル）ピロール−２，５−ジイル等、もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００３９】
一般式（Ｖ）で表される化学構造の好ましい具体例としては、２−スルホ−１，４−フェニレンビニレン、２−スルホメチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエチル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（４−スルホブチル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（５−スルホペンチル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（６−スルホヘキシル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（７−スルホヘプチル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（８−スルホオクチル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（９−スルホノニル）−１，４−フェニレンビニレン、２−（１０−スルホデシル）−１，４−フェニレンビニレン、２−スルホメトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエトキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（４−スルホブトキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（５−スルホペンチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（６−スルホヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（７−スルホヘプチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（８−スルホオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（９−スルホノニルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−（１０−スルホデシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン、２−スルホ−３−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−スルホ−５−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−スルホ−６−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−スルホ−５−エチル−１，４−フェニレンビニレン、２−スルホ−５−ヘキシル−１，４−フェニレンビニレン、２−スルホ−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−スルホ−５−エトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエチル）−３−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエチル）−５−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエチル）−３−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエチル）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピル）−３−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピル）−５−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピル）−３−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピル）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエトキシ）−３−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエトキシ）−５−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエトキシ）−３−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（２−スルホエトキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピルオキシ）−３−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピルオキシ）−５−メチル−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピルオキシ）−３−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン、２−（３−スルホプロピルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン等、もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００４０】
一般式（ＶＩ）で表される化学構造の好ましい具体例としては、２−スルホ−１，４−イミノフェニレン、２−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、２−（２−スルホエチル）−１，４−イミノフェニレン、２−（３−スルホプロピル）−１，４−イミノフェニレン、２−（４−スルホブチル）−１，４−イミノフェニレン、２−（５−スルホペンチル）−１，４−イミノフェニレン、２−（６−スルホヘキシル）−１，４−イミノフェニレン、２−（７−スルホヘプチル）−１，４−イミノフェニレン、２−（８−スルホオクチル）−１，４−イミノフェニレン、２−（９−スルホノニル）−１，４−イミノフェニレン、２−（１０−スルホデシル）−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−３−メチル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−メチル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−６−メチル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−エチル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−ヘキシル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−メトキシ−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−５−エトキシ−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−Ｎ−メチル−１，４−イミノフェニレン、２−スルホ−Ｎ−エチル−１，４−イミノフェニレン等、もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００４１】
一般式（ＶＩＩ  ）で表される化学構造の好ましい具体例としては、Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（２−スルホエチル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（３−スルホプロピル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（４−スルホブチル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（５−スルホペンチル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（６−スルホヘキシル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（７−スルホヘプチル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（８−スルホオクチル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（９−スルホノニル）−１，４−イミノフェニレン、Ｎ−（１０−スルホデシル）−１，４−イミノフェニレン、２−メチル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、３−メチル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、２，３−ジメチル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジメチル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、２，６−ジメチル−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、２−メトキシ−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジメトキシ−Ｎ−スルホメチル−１，４−イミノフェニレン等、もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００４２】
一般式（ＶＩＩＩ）で表される化学構造の好ましい具体例としては、１−スルホメチルピロール−２，５−ジイル、１−（２−スルホエチル）ピロール−２，５−ジイル、１−（３−スルホプロピル）ピロール−２，５−ジイル、１−（４−スルホブチル）ピロール−２，５−ジイル、１−（５−スルホペンチル）ピロール−２，５−ジイル、１−（６−スルホヘキシル）ピロール−２，５−ジイル、１−（７−スルホヘプチル）ピロール−２，５−ジイル、１−（８−スルホオクチル）ピロール−２，５−ジイル、１−（９−スルホノニル）ピロール−２，５−ジイル、１−（１０−スルホデシル）ピロール−２，５−ジイル等、もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００４３】
一般式（ＩＸ）で表される化学構造の好ましい具体例としては、９−スルホメチルカルバゾール−２，７−ジイル、９−（２−スルホエチル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（３−スルホプロピル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（４−スルホブチル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（５−スルホペンチル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（６−スルホヘキシル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（７−スルホヘプチル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（８−スルホオクチル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（９−スルホノニル）カルバゾール−２，７−ジイル、９−（１０−スルホデシル）カルバゾール−２，７−ジイル等、もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、メチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００４４】
また、高分子電解質をドーパントとするπ共役系導電性高分子の好ましい具体例として、下記一般式（Ｘ）〜（ＸＩＩ  ）で表される化学構造のうちの少なくとも１つを繰り返し単位として含む化合物を挙げることができる。
【化２４】
0003608012.tif 000017
【化２５】
0003608012.tif 000018
【化２６】
0003608012.tif 000019
（式中、Ｒ１３〜Ｒ２３は、それぞれ独立にＨ、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルコキシ基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、またはＳＯ３−Ｍ１  基を表し、Ｍ１  は、Ｈ＋  、アルカリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表す。Ｒ１３〜Ｒ２３がアルキル基またはアルコキシ基である場合、各々の化学構造において、互いに任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と共に、少なくとも１つ以上の３乃至７員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を少なくとも１つ以上形成してもよい。ｍはチオフェン環と置換基Ｒ１４〜Ｒ１６を有するベンゼン環に囲まれた縮合環の数を表し、０乃至３の整数値である。また、Ｘ３  、Ｘ４  はＳ、Ｏ、Ｓｅ、ＴｅもしくはＮＲ２４を表し、Ｒ２４はＨ、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の飽和アルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状もしくは分岐状の不飽和アルキル基、または炭素数６乃至１０の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基を表す。）
【００４５】
一般式（Ｘ）で表される化学構造の好ましい具体例としては、イソチアナフテン−１，３−ジイル、５−メチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−エチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−プロピルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｉｓｏ−プロピルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｉｓｏ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｓｅｃ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｔｅｒｔ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ペンチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｉｓｏ−ペンチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ヘキシルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ヘプチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−オクチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ノニルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−デシルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−メトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−エトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−プロピルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｉｓｏ−プロピルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ブトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｔｅｒｔ−ブトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ペンチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ヘキシルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ヘプチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−オクチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−ノニルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５−ｎ−デシルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジメチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジエチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−プロピルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ブチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ペンチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ヘキシルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ヘプチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−オクチルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ノニルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−デシルイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジメトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジエトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−プロピルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ブトキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ペンチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ヘキシルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ヘプチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−オクチルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−ノニルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、５，６−ジ−ｎ−デシルオキシイソチアナフテン−１，３−ジイル、イソベンゾフラン−１，３−ジイル、イソインドール−１，３−ジイル、ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル等を挙げることができる。
【００４６】
一般式（ＸＩ）で表される化学構造の好ましい具体例としては、チオフェン−２，５−ジイル、３−メチルチオフェン−２，５−ジイル、    ３−エチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−プロピルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ブチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ブチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−ブチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ペンチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニルチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−デシルチオフェン−２，５−ジイル、３−メトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−エトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−プロピルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ブトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ブトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−ブトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブトキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ペンチルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３−ｎ−デシルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジメチルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジエチルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブチルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジメトキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジエトキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブトキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−メチレンジオキシチオフェン−２，５−ジイル、３，４−エチレンジオキシチオフェン−２，５−��イル、３，４−プロピレンジオキシチオフェン−２，５−ジイル、フラン−２，５−ジイル、３−メチルフラン−２，５−ジイル、    ３−エチルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−プロピルフラン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ブチルフラン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ブチルフラン−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−ブチルフラン−２，５−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブチルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ペンチルフラン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニルフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−デシルフラン−２，５−ジイル、３−メトキシフラン−２，５−ジイル、３−エトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−プロピルオキシフラン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルオキシフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ブトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ブトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−ブトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブトキシフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ペンチルオキシフラン−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチルオキシフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシルオキシフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルオキシフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルオキシフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニルオキシフラン−２，５−ジイル、３−ｎ−デシルオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジメチルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジエチルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブチルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルフラン−２，５−ジイル、３，４−ジメトキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジエトキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピルオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブトキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−メチレンジオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−エチレンジオキシフラン−２，５−ジイル、３，４−プロピレンジオキシフラン−２，５−ジイル、ピロール−２，５−ジイル、３−メチルピロール−２，５−ジイル、    ３−エチルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−プロピルピロール−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ペンチルピロール−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニルピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−デシルピロール−２，５−ジイル、３−メトキシピロール−２，５−ジイル、３−エトキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−プロピルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−プロピルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、３−ｓｅｃ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、３−ｔｅｒｔ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ペンチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｉｓｏ−ペンチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘキシルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ヘプチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−オクチルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−ノニルオキシピロール−２，５−ジイル、３−ｎ−デシルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジメチルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジエチルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブチルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルピロール−２，５−ジイル、３，４−ジメトキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジエトキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−プロピルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｉｓｏ−プロピルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ブトキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ペンチルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘキシルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ヘプチルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−オクチルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−ノニルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−ジ−ｎ−デシルオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−メチレンジオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−エチレンジオキシピロール−２，５−ジイル、３，４−プロピレンジオキシピロール−２，５−ジイル、Ｎ−メチルピロール−２，５−ジイル、    Ｎ−エチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−プロピルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｉｓｏ−プロピルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ブチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルピロ��ル−２，５−ジイル、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ペンチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｉｓｏ−ペンチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ヘキシルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ヘプチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−オクチルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−ノニルピロール−２，５−ジイル、Ｎ−ｎ−デシルピロール−２，５−ジイル等を挙げることができる。
【００４７】
一般式（ＸＩＩ  ）で表される化学構造の好ましい具体例としては、１，４−イミノフェニレン、２−メチル−１，４−イミノフェニレン、２−エチル−１，４−イミノフェニレン、２，３−ジメチル−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジメチル−１，４−イミノフェニレン、２，６−ジメチル−１，４−イミノフェニレン、２−メトキシ−１，４−イミノフェニレン、３−メトキシ−１，４−イミノフェニレン、２，３−ジメトキシ−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジメトキシ−１，４−イミノフェニレン、３，５−ジメトキシ−１，４−イミノフェニレン、２，３−ジエチル−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジエチル−１，４−イミノフェニレン、２，６−ジエチル−１，４−イミノフェニレン、２−エトキシ−１，４−イミノフェニレン、３−エトキシ−１，４−イミノフェニレン、２，３−ジエトキシ−１，４−イミノフェニレン、２，５−ジエトキシ−１，４−イミノフェニレン、２，６−ジエトキシ−１，４−イミノフェニレン等を挙げることができる。
【００４８】
一般式（ＩＩＩ  ）〜（ＩＸ）で表される化学構造は、通常、重合体の全繰り返し単位の１００モル％〜５モル％、好ましくは１００モル％〜３０モル％、さらに好ましくは１００モル％〜５０モル％の範囲であり、これらの化学構造のうちの少なくとも２種を含む共重合体であってもよい。また、他のπ共役系化学構造からなる繰り返し単位を含む共重合体であってもよく、２種〜５種の繰り返し単位からなる共重合体組成であってもよい。上記の一般式（ＩＩＩ  ）〜（ＩＸ）で表される化学構造以外のπ共役系化学構造の具体例としては、フェニレン、ピロリレン、チエニレン、ビニレン、アセチレン、イミノフェニレン、イソチアナフテニレン、フリレン、カルバゾリレン及びそれらの置換誘導体二価基が挙げられるが、これらに限定されず、重合体主鎖中でπ共役構造をとり得る化学構造であればよい。
【００４９】
また、一般式（Ｘ）〜（ＸＩＩ  ）で表される化学構造は、通常、重合体の全繰り返し単位の１００モル％〜５モル％、好ましくは１００モル％〜３０モル％、さらに好ましくは１００モル％〜５０モル％の範囲であり、これらの化学構造のうちの少なくとも２種を含む共重合体であってもよい。また、他のπ共役系化学構造からなる繰り返し単位を含む共重合体であってもよく、２種〜５種の繰り返し単位からなる共重合体組成であってもよい。上記の一般式（Ｘ）〜（ＸＩＩ  ）で表される化学構造以外のπ共役系化学構造の具体例としては、フェニレン、ビニレン、アセチレン、カルバゾリレン及びそれらの置換誘導体二価基が挙げられるが、これらに限定されず、重合体主鎖中でπ共役構造をとり得る化学構造であればよい。
【００５０】
なお、本発明において、「繰り返し単位を含む共重合体」とは、必ずしもその単位を連続して含む共重合体に限定されず、π共役系主鎖に基づく所望の導電性が発現される限りにおいてランダムコポリマーのように不規則、不連続に含む場合も包含している。
本発明に用いられるπ共役系導電性高分子の分子量は、構成する繰り返し単位の化学構造によって異なるため一概に規定することはできないが、本発明の目的に適うものであればよく特に限定されない。通常、主鎖を構成する繰り返し単位数（重合度）によって表せば、通常、５〜２０００、好ましくは１０〜１０００の範囲の重合度のものが挙げられる。
【００５１】
本発明に用いられるブレンステッド酸基を有するπ共役系導電性高分子の特に好ましい具体例として、
ｉ）一般式（ＩＩＩ  ）で表される化学構造の一例である５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルの重合体、及び／またはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、
ｉｉ）一般式（ＩＩＩ  ）で表される化学構造の一例である５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルを８０モル％以上含有するランダムコポリマー、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル−ｃｏ−イソチアナフテン−１，３−ジイル）、及び／またはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、
ｉｉｉ  ）一般式（ＩＶ）で表される化学構造の一例である３−（３−スルホプロピル）チオフェン−２，５−ジイルの重合体、及び／またはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、
ｉｖ）一般式（ＶＩ）で表される化学構造の一例である２−スルホ−１，４−イミノフェニレンを５０モル％以上含有するランダムコポリマー、ポリ（２−スルホ−１，４−イミノフェニレン−ｃｏ−１，４−イミノフェニレン）、及び／またはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩
を挙げることができる。
【００５２】
一般式（ＩＩＩ  ）〜（ＩＸ）で表される化学構造を繰り返し単位として含むπ共役系導電性高分子及び高分子電解質をドーパントとし一般式（Ｘ）〜（ＸＩＩ  ）で表される化学構造を繰り返し単位として含むπ共役系導電性高分子は、電子伝導性を有するためにその電導度の湿度依存性が極めて小さい。さらに、本発明のπ共役系導電性高分子は、分子内に潜在的にドーパントとなり得るブレンステッド酸基を有する、または、高分子電解質をドーパントとして含んでいるので、時間の経過によってドーパントが大気中に揮散することがなく電導度の安定性に優れている。
【００５３】
本発明の帯電防止膜形成用組成物は必要に応じて金属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触媒が添加された液状物を出発物質として、金属アルコキシドを加水分解重縮合させて製造した液状物であり、金属アルコキシドの加水分解重縮合物および水溶性導電性有機化合物を含有する。その製造過程における金属アルコキシド、水溶性導電性有機化合物及び触媒の添加方法、添加順序及び金属アルコキシドの加水分解重縮合方法は如何なる方法や順序であっても該液状物が形成されればよい。
例えば、金属アルコキシドを有機溶剤に溶解した溶液に、水溶性導電性有機化合物を水または水と有機溶剤との混合溶剤に溶解した溶液（総称して含水溶液という）を加え、必要に応じて金属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触媒を添加した後、金属アルコキシドを加水分解（重）縮合させる方法が挙げられる。
【００５４】
この方法で用いられる有機溶剤としては、金属アルコキシドを所望の濃度で溶解でき、水と均一混合可能な溶剤であればよく、特に限定されないが、例えば、メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、イソプロパノ−ル、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アセトン、エチルメチルケトン、アセトニトリル、１−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、ピルビン酸エチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、テトラヒドロフラン、トリエタノールアミン等が挙げられる。これらの有機溶剤は、単独または２種以上を混合して用いられる。これらの溶剤の中で、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール等のアルコール、もしくは、これらのアルコールを５０重量％以上含有する上記の有機溶剤の混合溶剤が好ましい。金属アルコキシドを有機溶剤に溶解する際の濃度は、金属アルコキシドと溶剤の種類、或いは、所望する帯電防止被膜の膜厚によって異なり、一概には決められないが、通常０．１〜５０重量％、好ましくは、１〜２０重量％の範囲である。溶解する際の温度は、溶剤の種類によるが通常室温〜８０℃の範囲が好ましい。
【００５５】
水溶性導電性有機化合物の量は、水溶性導電性有機化合物、金属アルコキシドの種類や所望する帯電防止性能によって異なるが、通常は、金属アルコキシドに対する重量比（金属アルコキシドの重量を１とした時の水溶性導電性有機化合物の重量）として、０．００１〜１０、好ましくは０．００５〜２の範囲が用いられる。金属アルコキシドの完全加水分解に必要な水の量は、金属アルコキシド中の１アルコキシ残基に対し１当量以上であり、好ましくは２当量以上であるが、本発明において用いられる加水分解重縮合物としては部分加水分解重縮合物であることが好ましく、加水分解に必要な水の量としては、金属アルコキシド１モルに対し等モル以上であれば良く、好ましくは５モル以上である。
【００５６】
通常、金属アルコキシドの加水分解重縮合反応は酸触媒やアルカリ触媒によって促進されるが、本発明に用いられる水溶性導電性有機化合物が、酸である場合、例えば、一般式（ＩＩＩ  ）〜（ＩＸ）で表される化学構造を繰り返し単位として含むπ共役系導電性高分子においてＭ１  〜Ｍ７  がＨ＋  である場合、または一般式（Ｘ）〜（ＸＩＩ  ）で表される化学構造を繰り返し単位として含むπ共役系導電性高分子において該繰り返し単位当り等モル量を越える高分子電解質イオンをドーパントとして含有する場合は、金属アルコキシドの加水分解重縮合の触媒も兼ねるので、別途触媒物質を添加しなくても良い。触媒物質を添加する場合、触媒物質の具体例としては、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸、酢酸、プロピオン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸等の酸、アンモニア、エタノールアミン、トリエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基が挙げられる。触媒としての添加量は、金属アルコキシドや触媒の種類によって異なり、一概に決められないが、通常、金属アルコキシドに対してモル数で０．００００１〜１０倍、好ましくは０．０００１〜１倍である。
【００５７】
また、水溶性導電性有機化合物を水あるいは含水有機溶剤に溶解した水性溶液に、必要に応じて金属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触媒を加え、次いで金属アルコキシドを加えた後、加水分解重縮合させる方法により本発明の帯電防止膜形成用組成物を製造しても良い。
この場合の有機溶剤としては前記の水と均一混合可能な溶剤を用いることができる。水溶性導電性有機化合物を水あるいは含水有機溶剤に溶解する際の温度は、通常室温〜１００℃、好ましくは室温〜６０℃である。本発明に用いられる水溶性導電性有機化合物が酸である場合は金属アルコキシドの加水分解重縮合を促進する触媒も兼ねるので、触媒物質を特別に添加しなくても良いが、添加する場合の触媒の具体例及び添加量は前述の場合と同一である。
【００５８】
本発明の帯電防止膜形成用組成物に含まれる水溶性導電性有機化合物の濃度は、水溶性導電性有機化合物の種類や所望する膜の帯電防止性能によって異なるが、通常は０．００１〜３０重量％、好ましくは０．０１〜１０重量％である。また、本発明の帯電防止膜形成用組成物において、原料として用いられる金属アルコキシドの量は、金属アルコキシドの種類、或は、所望する膜の厚さ等によって異なり、一概には決められないが、通常溶液に対して０．１〜５０重量％、好ましくは１〜２０重量％の範囲である。特にこれらの範囲内で水溶性導電性有機化合物の金属アルコキシドに対する重量比が０．００１〜１０、好ましくは０．００５〜２０の範囲であるものが該組成物により製造される帯電防止膜の帯電防止性能、耐久性および光透過性が優れており好ましい。
金属アルコキシドの加水分解重縮合の際の温度は、金属アルコキシド及び触媒の種類等によって異なり、一概には決められないが、通常室温〜１００℃、好ましくは室温〜８０℃である。反応時間は、金属アルコキシド及び触媒の種類、反応温度等によって異なり、一概には決められないが、通常１分〜２４０時間、好ましくは１０分〜４８時間である。
【００５９】
上述のようにして製造された本発明の帯電防止膜形成用組成物中の金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物として好ましい重縮合度（重縮合した金属アルコキシドの重縮合物当たりの分子数）の範囲は、金属アルコキシドの種類等によって異なるが、通常２〜１００００、好ましくは３〜２０００であり、４〜１００の範囲のものが特に好ましい。金属アルコキシドの加水分解重縮合が不十分である場合には、帯電防止膜形成用組成物から形成される膜の機械的強度（基材への密着性、硬度等）が乾燥しただけでは不十分であって高温、長時間の加熱が必要となる。また、金属アルコキシドの加水分解重縮合が必要以上に進んだ場合には、組成物がゲル化したり、組成物に沈澱物が生じたりして、均一で良好な機械的強度の膜が得られない。
【００６０】
本発明の帯電防止膜形成用組成物をガラス、プラスチック等の基材表面に塗布した後に乾燥すれば本発明の帯電防止膜が得られる。帯電防止膜形成用組成物を基材表面に塗布する方法は、組成物の組成、基材の材質や形状、所望する帯電防止膜の膜厚等によって異なり、一概には決められないが、通常は回転塗布、ロール塗布、スプレー塗布、浸漬塗布、グラビア塗布等の方法が用いられる。帯電防止膜形成用組成物を基材に塗布した後の乾燥方法は、塗布膜中の水や有機溶剤成分が除かれる方法であるならば如何なる方法であっても良いが、通常は室温、常圧における自然乾燥、または室温における真空乾燥等である。
【００６１】
本発明の帯電防止膜形成用組成物を基材表面に塗布した後に乾燥して得られた膜をそのまま帯電防止膜として用いても良いが、さらに加熱すれば、膜中の金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物の加水分解重縮合がさらに進んで、より機械的強度や耐久性に優れた膜が得られる。加熱温度及び加熱時間は、膜中に含まれる金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物の種類や基材の材質等によるが、温度は通常３０〜２５０℃、好ましくは３０〜２００℃、更に好ましくは５０〜１２０℃の範囲が用いられ、加熱時間は、金属アルコキシドの部分加水分解重縮合物の種類、基材の種類や加熱温度等によって異なるが通常１分〜４８時間、好ましくは１分〜２４時間、更に好ましくは５分〜６時間の範囲が用いられる。また、帯電防止膜の加熱処理は、帯電防止膜形成用組成物を基材に塗布した後の乾燥処理を兼ねて行っても良い。
【００６２】
上述のような方法で得られた本発明の帯電防止膜形成用組成物は、帯電防止成分として水溶性導電性有機化合物を用いているために均一な溶液であり、水溶性導電性有機化合物の添加量を調節することにより、該組成物より製造される帯電防止膜の帯電防止性能を幅広い範囲で調節できる。とりわけ、帯電防止成分として、ブレンステッド酸基を有する水溶性π共役系導電性高分子またはその塩、あるいは、高分子電解質をドーパントとするπ共役系導電性高分子の水溶性組成物を用いた場合は、その帯電防止性能が時間経過や湿度によってほとんど変動しない、耐久性に優れた帯電防止膜を与える。また、帯電防止膜中の帯電防止成分と金属アルコキシドの加水分解重縮合物が均一に混合しているので、均一で光透過性に優れた薄膜を容易に形成できる。
【００６３】
【実施例】
以下に本発明について実施例によりさらに具体的に説明するが、これらは説明のための単なる例示であって、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルアンモニウム塩）、共重合体であるポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル−ｃｏ−イソチアナフテン−１，３−ジイル）（８０モル％：２０モル％）、及びポリ（６−スルホナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル）は、特開平７−４８４３６号公報で開示されている方法に従って合成した。ポリ（３−（３−スルホプロピル）チオフェン−２，５−ジイル）は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．誌、１９９０年、１６９４−１６９５頁で開示されている方法に従って合成した。共重合体であるポリ（２−スルホ−１，４−イミノフェニレン−ｃｏ−１，４−イミノフェニレン）（５０モル％：５０モル％）は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．誌、１１２巻、２８００−２８０１頁（１９９０年）で開示されている方法に従って合成した。また、単量体換算で等モルのポリスチレンスルホン酸をドーパントとして含有するポリアニリン及び単量体換算で等モルのポリスチレンスルホン酸をドーパントとして含有するポリピロールは、それぞれ、特開平６−２８７４５４号公報及び特開平４−２３８２５号公報で開示されている方法に従って合成した。
【００６４】
また、帯電防止膜形成用組成物中の金属アルコキシド加水分解重縮合物の重縮合度は、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．誌、５９巻、２２７９−２２８３頁（１９８６年）に記載されている方法に従って、ゲル浸透クロマトグラフィーにより求めた金属アルコキシド加水分解重縮合物のポリスチレン換算の数平均分子量から見積もり平均重縮合度とした。
【００６５】
実施例１
テトラエトキシシラン１００重量部をエタノール９００重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を水５０重量部とエタノール２００重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加えた。この溶液を室温でマグネチックスターラーを用いて１時間撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚    約０．１μｍ）を得た。
【００６６】
このようにして得た帯電防止膜について、表面抵抗値をメガレスタＭＯＤＥＬＨＴ−３０１（シシド静電気（株）製）で測定し、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を未処理のガラス基板を対照試料として自記分光光度計Ｕ−３５００型（（株）日立製作所製）で測定した。また、ＪＩＳ    Ｋ−５４００に従って鉛筆硬度試験と碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００６７】
実施例２
テトラエトキシシラン１００重量部をエタノール９００重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）０．５重量部を水５０重量部とエタノール２００重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加えた。この溶液を室温でマグネチックスターラーを用いて３時間撹拌してテトラエトキシシランの加水分解重縮合させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚    約０．１μｍ）を得た。
【００６８】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００６９】
実施例３
実施例１において、テトラエトキシシランの代わりにメチルトリエトキシシランを用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のメチルトリエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をアクリル板に回転塗布した後、８０℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００７０】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００７１】
実施例４
実施例１において、テトラエトキシシランの代わりにｎ−オクチルトリエトキシシランを用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のｎ−オクチルトリエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をアクリル板に回転塗布した後、８０℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００７２】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００７３】
実施例５
メチルトリエトキシシラン９８重量部及び３−グリシドキシピロピルトリエトキシシラン２重量部をエタノール９００重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を水５０重量部とエタノール２００重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加えた。この溶液を室温でマグネチックスターラーを用いて３時間撹拌してアルコキシシランの加水分解重縮合させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のアルコキシシランの加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をアクリル板に回転塗布した後、８０℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚    約０．１μｍ）を得た。
【００７４】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００７５】
実施例６
実施例１において、テトラエトキシシランの代わりに３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレートを用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中の３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート加水分解重縮合物の平均重縮合度は４であった。
この組成物をアクリル板に回転塗布した後、８０℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００７６】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００７７】
実施例７
実施例１において、テトラエトキシシランの代わりにコルコート（株）製エチルシリケート４０（テトラエトキシシランの平均重縮合度が４〜５である部分加水分解重縮合物）を用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のエチルシリケート４０の加水分解重縮合物の平均重縮合度は２０であった。
【００７８】
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００７９】
実施例８
テトラエトキシシラン１００重量部をエタノール９００重量部に溶解した溶液に水３０重量部及び１規定塩酸２０重量部を加えて、室温でマグネチックスターラーを用いて１時間撹拌して平均重縮合度が５であるテトラエトキシシランの加水分解重縮合物を含む溶液を製造した。この溶液にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を水５０重量部とエタノール２００重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加えた後、室温でマグネチックスターラーを用いて２４時間撹拌してさらに加水分解重縮合を進行させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は２０であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚    約０．１μｍ）を得た。
【００８０】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００８１】
実施例９
実施例１において、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代わりに共重合体であるポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル−ｃｏ−イソチアナフテン−１，３−ジイル）（８０モル％：２０モル％）を用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
【００８２】
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００８３】
実施例１０
実施例１において、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代わりにポリ（６−スルホナフト［２，３−ｃ］チオフェン−１，３−ジイル）を用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００８４】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００８５】
実施例１１
実施例１において、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代わりにポリ（３−（３−スルホプロピル）チオフェン−２，５−ジイル）を用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００８６】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００８７】
実施例１２
実施例１において、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）の代わりに共重合体であるポリ（２−スルホ−１，４−イミノフェニレン−ｃｏ−１，４−イミノフェニレン）（５０モル％：５０モル％）を用いた以外は実施例１と同様にして帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００８８】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００８９】
実施例１３
テトラエトキシシラン１００重量部をエタノール９００重量部に溶解した溶液に、ポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイルアンモニウム塩）１０重量部を水２５０重量部に溶解した溶液を加えた。この溶液に１規定アンモニア水１０重量部を加えた後、室温でマグネチックスターラーを用いて１時間撹拌してテトラエトキシシランの加水分解重縮合させて、帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は１０であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚    約０．１μｍ）を得た。
【００９０】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００９１】
実施例１４
水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエトキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００９２】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００９３】
実施例１５
水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエトキシシラン１００重量部を加えた後、室温で４８時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は４０であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００９４】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００９５】
実施例１６
水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエトキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１５０時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は１００であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００９６】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００９７】
実施例１７
水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）１重量部を溶解した溶液にテトラエトキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は４であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【００９８】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【００９９】
実施例１８
水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）１０重量部を溶解した溶液にテトラエトキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は６であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【０１００】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１０１】
実施例１９
水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）１０重量部を溶解した溶液にテトラエトキシシラン５重量部を加えた後、室温で１２時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約１００オングストローム）を得た。
【０１０２】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１０３】
実施例２０
水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエトキシシラン２０重量部を加えた後、室温で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は４であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、デシケーター中で室温にて１２時間乾燥して帯電防止膜（膜厚約４００オングストローム）を得た。
【０１０４】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１０５】
実施例２１
実施例２０で製造した帯電防止膜形成用組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約４００オングストローム）を得た。
【０１０６】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１０７】
実施例２２
実施例２０で製造した帯電防止膜形成用組成物をガラス基板に回転塗布した後、１５０℃にて１０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約４００オングストローム）を得た。
【０１０８】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１０９】
実施例２３
実施例２０で製造した帯電防止膜形成用組成物をガラス基板に回転塗布した後、２００℃にて５分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約４００オングストローム）を得た。
【０１１０】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１１１】
実施例２４
水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にテトラエトキシシラン２０重量部を加えた後、１００℃で２４時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は２０００であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【０１１２】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１１３】
実施例２５
水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）８重量部を溶解した溶液にテトラエトキシシラン２００重量部を加えた後、８０℃で３時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のテトラエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は７０であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
【０１１４】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１１５】
実施例２６
水１０００重量部にポリ（５−スルホイソチアナフテン−１，３−ジイル）４重量部を溶解した溶液にメチルトリエトキシシラン１００重量部を加えた後、室温で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してメチルトリエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のメチルトリエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
【０１１６】
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．１μｍ）を得た。
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１１７】
実施例２７
ポリ（１，４−イミノフェニレン）の繰り返し単位当り等モル量のスルホン酸量に相当するポリスチレンスルホン酸（分子量約７００００）６．７重量部をドーパントとして含有するポリ（１，４−イミノフェニレン）１０重量部（内、６．７重量部はドーパントである）を水１０００重量部に溶解した溶液にテトラエトキシシラン１００重量部及び１規定塩酸２０重量部を加えた後、室温で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のメチルトリエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．２μｍ）を得た。
【０１１８】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１１９】
実施例２８
ポリ（ピロール−２，５−ジイル）の繰り返し単位当り等モル量のスルホン酸量に相当するポリスチレンスルホン酸（分子量約７００００）７．４重量部をドーパントとして含有するポリ（ピロール−２，５−ジイル）１０重量部（内、７．４重量部はドーパントである）を水１０００重量部に溶解した溶液にテトラエトキシシラン１００重量部及び１規定塩酸２０重量部を加えた後、室温で１時間マグネチックスターラーを用いて撹拌してテトラエトキシシランを加水分解重縮合させて帯電防止膜形成用組成物を製造した。なお、この組成物中のメチルトリエトキシシラン加水分解重縮合物の平均重縮合度は５であった。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚約０．２μｍ）を得た。
【０１２０】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定し、鉛筆硬度試験、碁盤目剥離試験を行った。表１に示したように、膜の表面抵抗値、光透過性、硬度及び基材への密着性は良好であり、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後の表面抵抗値、硬度、基材への密着性にほとんど変化は見られなかった。
【０１２１】
比較例１
導電性金属酸化物の超微粒子を含有する導電性塗料、コルコート（株）製コルコートＳＰ−２００１をガラス基板に回転塗布した後、デシケーター中で室温にて１時間乾燥して帯電防止膜（膜厚約Ｏ．５μｍ）を得た。
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値、可視光領域（５００ｎｍ及び７００ｎｍ）における透過率を測定した。表１に示したように、可視光透過率は不十分であった。
【０１２２】
比較例２
テトラエトキシシラン１００重量部をエタノール９００重量部に溶解した溶液に水３０重量部及び１規定塩酸２０重量部を加えて、室温でマグネチックスターラーを用いて１時間撹拌して平均重縮合度が５であるテトラエトキシシランの加水分解重縮合物を含む溶液を製造した。この溶液に１規定塩酸でドープしたポリ（ｏ−エトキシアニリン）２重量部をアセトン５０重量部とメタノール５０重量部の混合溶媒に溶解した溶液を加え、混合した。
この組成物をガラス基板に回転塗布した後、１００℃にて３０分間加熱処理をして帯電防止膜（膜厚    約０．１μｍ）を得た。
【０１２３】
このようにして得た帯電防止膜について、実施例１と同様にして、表面抵抗値を測定した。表１に示したように、帯電防止膜をガラス基板と共に煮沸水に２時間浸漬した後、表面抵抗値が上昇し、帯電防止性能が失われてしまった。
【０１２４】
【表１】
0003608012.tif 000020
【０１２５】
【発明の効果】
以上説明した如く、本発明の帯電防止膜形成用組成物及び帯電防止膜の製造法によれば、ガラス材料やプラスチック材料の表面に、時間経過や湿度変化による帯電防止性能の変化の少ない耐久性に優れた帯電防止膜を形成することができる。しかも、本発明の帯電防止膜形成用組成物の帯電防止成分の添加量を調節することにより、該組成物より製造される帯電防止膜の帯電防止性能を容易にコントロールでき、また、帯電防止膜中の帯電防止成分と金属アルコキシドの加水分解、脱水重縮合物が均一に混合しているので、均一で光透過性に優れた薄膜を容易に形成できる。
【０１２６】
本発明の帯電防止膜形成用組成物及び帯電防止膜の製造法を用いれば、静電気による塵埃の付着や放電によって引き起こされる種々のトラブルを防ぐことができる。特に、ＣＤ−ＲＯＭや光磁気ディスク等の大容量記録媒体の表面に本発明の帯電防止膜を形成した場合、保存あるいは使用時における塵埃の付着による記録の読み出しや書き込みのエラーの発生を防げる。また、ＣＲＴディスプレイの表面に本発明の帯電防止膜を形成した場合、塵埃の付着による汚れや帯電による表示不良を防止できる。