(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持層の上に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上に導体層を形成し、前記金属支持層および前記絶縁層を開口することにより、前記導体層の表面を露出させて、その露出した導体層を、端子を形成するための端子形成部分とする、配線回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層の形成において、前記絶縁層における前記導体層を露出させるための開口部分の厚さを、前記絶縁層における他の部分の厚さよりも、薄く形成することを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層における前記開口部分の厚さが、８μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層を、感光性樹脂の前駆体を硬化させることにより形成し、
前記感光性樹脂の前駆体における前記開口部分と前記他の部分とを、異なる露光量で露光させ、これを現像および硬化させることにより、前記絶縁層における前記開口部分の厚さを前記他の部分の厚さよりも薄く形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記感光性樹脂の前駆体における前記開口部分の照射光の透過率と、前記他の部分の照射光の透過率とが異なるように構成されているフォトマスクを用いて、
前記感光性樹脂の前駆体における前記開口部分と前記他の部分とを、異なる露光量で露光させることを特徴とする、請求項３に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記フォトマスクには、前記開口部分に対応する部分において、光透過部分および遮光部分のパターンが形成されており、
１つの光透過部分または遮光部分の幅が、６μｍ以下とされていることを特徴とする、請求項４に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
絶縁層を形成するための感光性樹脂の前駆体を露光するために用いられるフォトマスクであって、
前記感光性樹脂の前駆体を硬化させた後に開口する開口部分に対応する前記フォトマスクの特定部分に、光透過部分および遮光部分のパターンが、１つの光透過部分または遮光部分の幅が６μｍ以下の格子状の繰り返しパターンで形成されていることを特徴とする、フォトマスク。
【請求項８】
絶縁層を形成するための感光性樹脂の前駆体を露光するために用いられるフォトマスクであって、
前記感光性樹脂の前駆体を硬化させた後に開口する開口部分に対応する前記フォトマスクの特定部分に、光透過部分および遮光部分のパターンとして、１つの光透過部分または遮光部分の直径６μｍ以下の円形が千鳥状に配列されていることを特徴とする、フォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線回路基板の製造方法およびフォトマスク、詳しくは、回路付サスペンション基板の製造に好適に用いられる、配線回路基板の製造方法およびフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板は、例えば、図１１（ｄ）に示すように、ステンレス箔からなる支持基板１と、その支持基板１の上に形成される絶縁体からなるベース層２と、そのベース層２の上に、所定の回路パターンとして形成される導体層３と、その導体層３を被覆する絶縁体からなるカバー層４とを備えている。
【０００３】
また、このような回路付サスペンション基板の端子５は、近年の電子機器の高密度化および小型化に対応すべく、導体層３の片面だけではなく、その両面に形成される、例えば、いわゆるフライングリードとして形成されるものが普及されつつある。
【０００４】
すなわち、この端子５は、図１１（ａ）に示すように、まず、カバー層４における端子５を形成するための開口部７を、フォトレジストなどでカバー層４を形成する時に同時に開口形成して、導体層３の表面を露出させ、次いで、図１１（ｂ）に示すように、支持基板１における端子５を形成するための開口部８を、化学エッチングなどにより形成し、続いて、図１１（ｃ）に示すように、この支持基板１をマスクとして、その開口部８内において露出するベース層２をプラズマエッチングなどにより開口して、ベース層２における端子５を形成するための開口部９を形成し、これによって、導体層３の裏面を露出させ、その後、図１１（ｄ）に示すように、このように露出された導体層３の両面に、金属めっき層６を形成することによって、形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、支持基板１およびベース層２をエッチングするには、支持基板１およびベース層２の厚さ分だけの時間がかかるため、例えば、プラズマエッチングによりベース層２をエッチングする場合には、１μｍあたり約１分を要するので、その厚さが約１０μｍであれば、そのエッチングに約１０分もの時間を要し、生産性の向上が図れないという不具合がある。
【０００６】
一方、金属めっき層６を形成する部分において、予めベース層２を形成しないようにすることも考えられるが、ベース層２がない場合には、支持基板１をエッチングする時に導体層３までもがエッチングされてしまうので、現実の実施は困難である。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、その目的とするところは、簡易な構成により、端子を効率よく形成することができ、生産性の向上を図ることができる、配線回路基板の製造方法、および、その配線回路基板の製造方法に用いられるフォトマスクを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、金属支持層の上に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上に導体層を形成し、前記金属支持層および前記絶縁層を開口することにより、前記導体層の表面を露出させて、その露出した導体層を、端子を形成するための端子形成部分とする、配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁層の形成において、前記絶縁層における前記導体層を露出させるための開口部分の厚さを、前記絶縁層における他の部分の厚さよりも、薄く形成することを特徴としている。
【０００９】
このような方法によると、絶縁層における導体層を露出させる開口部分の厚さが、絶縁層における他の部分の厚さよりも薄く形成されているので、絶縁層を開口する時には、開口部分の厚さが他の部分の厚さよりも薄くなっている分、開口に要する時間を短縮することができる。そのため、導体層を短時間で露出させることができるので、端子を効率よく形成することができ、生産性の向上を図ることができる。
【００１０】
また、この方法では、前記絶縁層における前記開口部分の厚さが、８μｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
開口部分の厚さが８μｍ以下であると、例えば、通常の他の部分の厚さが１０μｍである場合には、２μｍ分以上について、開口に要する時間の短縮を図ることができる。
【００１２】
また、この方法では、前記絶縁層を、感光性樹脂の前駆体を硬化させることにより形成し、前記感光性樹脂の前駆体における前記開口部分と前記他の部分とを、異なる露光量で露光させ、これを現像および硬化させることにより、前記絶縁層における前記開口部分の厚さを前記他の部分の厚さよりも薄く形成することが好ましい。
【００１３】
感光性樹脂の前駆体における開口部分と他の部分とを、異なる露光量で露光させて、これを現像および硬化させることにより、絶縁層における開口部分の厚さを他の部分の厚さよりも薄く形成すれば、簡易かつ確実に、開口部分の厚さを他の部分の厚さよりも薄く形成することができる。
【００１４】
また、この方法では、前記感光性樹脂の前駆体における前記開口部分の照射光の透過率と、前記他の部分の照射光の透過率とが異なるように構成されているフォトマスクを用いて、前記感光性樹脂の前駆体における前記開口部分と前記他の部分とを、異なる露光量で露光させることが好ましい。
【００１５】
このようなフォトマスクを用いて、感光性樹脂の前駆体を露光させれば、簡易かつ確実に、開口部分の厚さを他の部分の厚さよりも薄く形成することができる。
【００１６】
この場合には、前記フォトマスクには、前記開口部分に対応する部分において、光透過部分および遮光部分のパターンが形成されており、１つの光透過部分または遮光部分の幅が、６μｍ以下とされていることが好ましい。
【００１７】
１つの光透過部分または遮光部分の幅が６μｍ以下であると、それらの幅が照射光の分解能よりも狭いため、感光性樹脂の前駆体に均一に照射することができ、開口部分の厚さを均一に薄くすることができる。
【００１８】
そして、本発明の配線回路基板の製造方法においては、前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることが好ましい。
【００１９】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、回路付サスペンション基板を生産効率良く製造することができ、低コストで提供することができる。
【００２０】
また、本発明は、絶縁層を形成するための感光性樹脂の前駆体を露光するために用いられるフォトマスクであって、前記感光性樹脂の前駆体を硬化させた後に開口する開口部分に対応する前記フォトマスクの特定部分に、光透過部分および遮光部分のパターンが、１つの光透過部分または遮光部分の幅が６μｍ以下の格子状の繰り返しパターンで形成されているフォトマスクをも含むものである。
さらに、本発明は、絶縁層を形成するための感光性樹脂の前駆体を露光するために用いられるフォトマスクであって、前記感光性樹脂の前駆体を硬化させた後に開口する開口部分に対応する前記フォトマスクの特定部分に、光透過部分および遮光部分のパターンとして、１つの光透過部分または遮光部分の直径６μｍ以下の円形が千鳥状に配列されているフォトマスクをも含むものである。
【００２１】
このようなフォトマスクを用いれば、１回の露光により確実に開口部分の露光量を調節することができ、しかも、１つの光透過部分または遮光部分の幅または直径が、６μｍ以下であるため、それらの幅が照射光の分解能よりも狭いので、感光性樹脂の前駆体に均一に照射することができ、開口部分の厚さを均一に薄くすることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板を示す斜視図である。この回路付サスペンション基板１１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、外部の回路としてのリード・ライト基板とを接続するための配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄが、所定の回路パターンとして一体に形成されている。
【００２３】
図１において、この回路付サスペンション基板１１は、長手方向に延びる金属支持層としての支持基板１２の上に、絶縁体からなる絶縁層としてのベース層１３が形成されており、そのベース層１３の上に、所定の回路パターンとして形成される導体層１４が形成されている。なお、この回路パターンは、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される複数の配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとして形成されている。
【００２４】
支持基板１２の先端部には、その支持基板１２を切り込むことによって、磁気ヘッドを実装するためのジンバル１５が形成されている。また、その支持基板１２の先端部には、磁気ヘッドと各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとを接続するための磁気ヘッド側接続端子１６が形成されるとともに、支持基板１２の後端部には、リード・ライト基板と各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとを接続するための外部側接続端子１７が形成されている。なお、図１においては、図示されていないが、実際には、導体層１４の上には、絶縁体からなるカバー層１８が被覆されている。
【００２５】
そして、この回路付サスペンション基板１１において、例えば、図２に示すように、磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１７は、カバー層１８を開口して導体層１４の表面を露出させるとともに、金属基板１２およびベース層１３を開口して導体層３の裏面を露出させることにより、導体層１４の両面を露出させて、この露出した導体層１４の両面に、金属端子層としての金属めっき層１９が形成されることにより、両面が露出した端子、例えば、いわゆるフライングリードとして形成されている。なお、図２においては、後述する下地２０および金属皮膜２２は省略されている。
【００２６】
次に、このような回路付サスペンション基板１１を製造する方法について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図６においては、その右側に、回路付サスペンション基板１１における磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１７が形成される部分を、各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの長手方向に沿う断面として示し、その左側に、回路付サスペンション基板１１の長手方向途中を、各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの長手方向に直交する方向に沿う断面の一部として示している。
【００２７】
まず、図３に示すように、支持基板１２を用意して、その支持基板１２の上に、所定のパターンでベース層１３を形成する。支持基板１２としては、金属箔または金属薄板を用いることが好ましく、例えば、ステンレス、４２アロイなどが好ましく用いられる。また、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらには、１５〜３０μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さらには、１２５〜３００ｍｍのものが好ましく用いられる。
【００２８】
また、ベース層１３を形成するための絶縁体としては、特に制限されず、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、感光性樹脂が好ましく用いられ、感光性ポリイミド樹脂がさらに好ましく用いられる。
【００２９】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板１２の上に、所定のパターンでベース層１３を形成する場合には、まず、図３（ａ）に示すように、予め用意された支持基板１２上に、図３（ｂ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、その支持基板１２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１３ａを形成する。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、その皮膜１３ａを、フォトマスク２４および３２を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、皮膜１３ａを所定のパターンとする。なお、露光のための照射光は、その露光波長が、３００〜４５０ｎｍ、さらには、３５０〜４２０ｎｍであることが好ましく、その露光積算光量が、１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２、さらには、２００〜７００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。また、照射された皮膜１３ａの露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法により行なえばよい。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図３においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００３１】
次いで、図３（ｄ）に示すように、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１３ａを、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、感光性ポリイミドからなるベース層１３を所定のパターンで形成する。
【００３２】
そして、この方法においては、このように、支持基板１２の上に所定のパターンでベース層１３を形成する工程において、磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１７を形成するために、後の工程において開口され、導体層１４を露出させるための開口部分３１の厚さを、ベース層１３における開口部分３１以外の他の部分の厚さよりも薄く形成する。
【００３３】
ベース層１３における開口部分３１の厚さを、その他の部分の厚さよりも薄く形成するには、例えば、皮膜１３ａにおける開口部分３１の照射光の透過率と、他の部分の照射光の透過率とが異なるように構成されているフォトマスク３２を用いて、このフォトマスク３２を、カバー層１３における開口部分３１の上に配置して、このフォトマスク３２を介して皮膜１３ａを露光させて、皮膜１３ａにおける開口部分３１と他の部分とを、異なる露光量で露光させ、これを現像および硬化させればよい。
【００３４】
このようなフォトマスク３２を用いて、皮膜１３ａにおける開口部分３１と他の部分とを、異なる露光量で露光させることにより、簡易かつ確実に、開口部分３１の厚さを他の部分の厚さよりも薄く形成することができる。
【００３５】
より具体的には、図３（ｃ）および図３（ｄ）に示すように、ネガ型でパターンニングする場合には、皮膜１３ａにおける開口部分３１の照射光の透過率が他の部分の照射光よりも低減するように（好ましくは他の部分の８０％以下に）構成されているフォトマスク３２を用いて、図３（ｃ）に示すように、このフォトマスク３２を、ベース層１３における開口部分３１の上に配置して、フォトマスク３２を介して皮膜１３ａを露光させ、これによって、皮膜１３ａにおける開口部分３１の露光量が、他の部分の露光量よりも低減されるように露光すればよい。そして、これを、上記したように、現像および硬化させれば、図３（ｄ）に示すように、ベース層１３における開口部分３１の厚さを、その他の部分の厚さよりも薄く形成することができる。
【００３６】
フォトマスク３２を、開口部分３１の照射光の透過率と他の部分の照射光の透過率とが異なるように構成するには、例えば、フォトマスク３２における開口部分３１に対応する部分の表面を微細に荒らすことにより、その表面での乱反射成分を増加させて、その部分における透過光成分を減少させるように構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク３２における開口部分３１に対応する部分の表面に、照射光を吸収するフィルムを貼着して、その部分における透過光成分を減少させるように構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク３２における開口部分３１に対応する部分の表面に、光透過部分および遮光部分のパターンを形成して、その部分における透過光成分を減少させるように構成すればよい。
【００３７】
さらに、例えば、所定の金属薄膜のパターンが形成されているフォトマスク３２において、開口部分３１に対応する部分の表面に、上記の金属薄膜よりも厚みの薄い金属薄膜を形成して、その部分における透過光成分を減少させるように構成してもよい。すなわち、このようなフォトマスク３２は、例えば、開口部分３１に対応する部分には、金属薄膜が形成されていないフォトマスク３２（従来のフォトマスク）を形成し、次いで、その開口部分３１のみが露出するように、そのフォトマスク３２の上にレジストを形成して、上記の金属薄膜より厚みが薄いクロムなどの金属薄膜を蒸着またはめっきにより形成し、その後、レジストを剥離することにより形成することができる。
【００３８】
これらのフォトマスク３２を用いれば、１回の露光により確実に開口部分３１の露光量を調節することができる。
【００３９】
そして、これらのうちでは、開口部分３１に対応する部分の表面に、光透過部分および遮光部分のパターンを形成することが好ましく、より具体的には、例えば、図７〜図１０に示すフォトマスク３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄを用いることが好ましい。
【００４０】
すなわち、図７〜図１０に示すフォトマスク３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄは、厚さ２〜５ｍｍの石英ガラスやソーダガラスなどの板状のガラスからなり、そのガラスにおける開口部分３１に対応する部分に、透過率がその他の部分の透過率よりも低減するような金属薄膜のパターンが形成されている。このような金属薄膜のパターンは、例えば、まず、ガラスの全面に、クロムなどの金属薄膜を蒸着またはめっきした後、その金属薄膜を、レーザーや電子ビームなどを用いてパターン化することにより形成すればよい。このようなフォトマスク３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄを用いれば、簡易な構成で、露光の調整を確実に行なうことができる。
【００４１】
例えば、図７に示すフォトマスク３２ａでは、開口部分３１に対応する部分において、光透過部分および遮光部分のパターンとして、６μｍ以下のピッチ（各光透過部分および各遮光部分の幅）の縞状の繰り返しパターンが形成されており、その開口部分３１の平均透過率が、その他の部分に対して約５０％とされている。
【００４２】
また、例えば、図８に示すフォトマスク３２ｂでは、開口部分３１に対応する部分において、光透過部分および遮光部分のパターンとして、６μｍ以下のピッチ（各光透過部分および各遮光部分の幅）の格子状の繰り返しパターンが形成されており、その開口部分３１の平均透過率が、その他の部分に対して約２５％とされている。
【００４３】
また、例えば、図９に示すフォトマスク３２ｃでは、開口部分３１に対応する部分において、光透過部分および遮光部分のパターンとして、直径６μｍ以下の円形の光透過部分が、それ以外の遮光部分に対して千鳥状に配列されており、その開口部分３１の平均透過率が、その他の部分に対して約２５％とされている。
【００４４】
また、例えば、図１０に示すフォトマスク３２ｄでは、開口部分３１に対応する部分において、光透過部分および遮光部分のパターンとして、直径６μｍ以下の円形の遮光部分が、それ以外の光透過部分に対して千鳥状に配列されており、その開口部分３１の平均透過率が、その他の部分に対して約７０％とされている。
【００４５】
これら図７〜図１０に示すフォトマスク３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄのなかでは、図７〜図９に示すフォトマスク３２ａ、３２ｂ、３２ｃのように、光透過部分の幅、すなわち、ピッチまたは円の直径が、６μｍ以下とされているものが好ましい。６μｍ以下であると、露光波長が、上記したように３００〜４５０ｎｍの場合には、その照射光が開口部分３１に均一に照射され、開口部分３１の厚さを均一に薄くすることができる。なお、６μｍを超えると、照射光の分解能が上がり、開口部分３１に凹凸が生じて厚さが不均一となり、後の工程において均一にエッチングできない場合がある。光透過部分の幅は、４μｍ以下、とりわけ、３μｍ以下とされているものがさらに好ましい。
【００４６】
また、開口部分３１の平均透過率は、その他の部分に対して５０％以下、さらには、２５％以下とされているものが好ましい。
【００４７】
なお、このようなフォトマスク３２は、上記したパターンニングに用いられるフォトマスク２４と一体として形成されていてもよく、また、別体として形成されていてもよい。
【００４８】
また、ポジ型でパターンニングする場合には、フォトマスク３２を、開口部分３１の照射光の透過率を、その他の部分の照射光の透過率よりも増加させるように構成すればよい。
【００４９】
また、ベース層１３における開口部分３１の厚さを、その他の部分の厚さよりも薄く形成する方法としては、上記したように、開口部分３１の照射光の透過率と他の部分の照射光の透過率とが異なるように構成されているフォトマスク３２を用いる他、例えば、パターンが異なる複数のフォトマスクを用いて、開口部分３１を露光する時と、露光しない時との、少なくとも２回以上の露光を順次行なうようにしてもよい。
【００５０】
さらに、ベース層１３の形成において、感光性樹脂を用いない場合には、例えば、支持基板１２の上に、樹脂を、所定のパターンで、塗工またはドライフィルムとして積層すればよく、この場合において、ベース層１３における開口部分３１の厚さを、ベース層１３におけるその他の部分の厚さよりも薄く形成するには、例えば、樹脂の積層を複数回に分けて行ない、開口部分３１の積層回数を、その他の部分の積層回数よりも少なくなるようにすればよい。
【００５１】
このようにして形成されるベース層１３の厚さは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、通常、１０μｍ程度である。そして、ベース層１３における開口部分３１の厚さは、通常、その他の部分の厚みの８０％以下であり、例えば、８μｍ以下、さらには、５μｍ以下であることが好ましい。開口部分３１の厚さが８μｍ以下であると、上記したように、他の部分の厚さが、通常１０μｍである場合には、２μｍ分について、後の工程において、開口に要する時間の短縮を図ることができる。
【００５２】
なお、ベース層１３における開口部分３１の厚さの下限は、支持基板１２を開口する時に導体層１４のバリヤ層として作用し得る最低限の厚さでよく、例えば、３μｍ、さらには、１μｍ程度でよい。したがって、ベース層１３における開口部分３１の厚さは、例えば、０．１〜８μｍ、さらには、１．０〜５μｍであることが好ましい。
【００５３】
次いで、このベース層１３の上に、所定の回路パターンで導体層１４を形成する。所定の回路パターンとして形成する導体層１４は、導体からなり、そのような導体としては、特に制限されず、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、所定の回路パターンで導体層１４を形成するには、ベース層１３の表面に、導体層１４を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、所定の回路パターンとして形成すればよい。
【００５４】
サブトラクティブ法では、まず、ベース層１３の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層１４を積層し、次いで、この導体層１４の上に、所定の回路パターンに対応させてエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層１４をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去するようにする。
【００５５】
また、アディティブ法では、まず、ベース層１３の上に、所定の回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成して、次いで、ベース層１３におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、所定の回路パターンとして導体層１４を形成し、その後に、めっきレジストを除去するようにする。
【００５６】
また、セミアディティブ法では、まず、ベース層１３の上に下地となる導体の薄膜を形成して、次いで、この下地の上に、所定の回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、所定の回路パターンとして導体層１４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた下地を除去するようにする。
【００５７】
これらのパターンニング法のなかでは、図４に示すように、セミアディティブ法が好ましく用いられる。すなわち、まず、図４（ａ）に示すように、支持基板１２およびベース層１３の全面に、下地２０となる導体の薄膜を形成する。下地２０の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、下地２０となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、支持基板１２およびベース層１３の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成することが好ましい。なお、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åであることが好ましい。
【００５８】
次いで、図４（ｂ）に示すように、その下地２０の上に、所定の回路パターンと逆パターンのめっきレジスト２１を形成する。めっきレジスト２１は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパターンとして形成すればよい。次いで、図４（ｃ）に示すように、下地２０におけるめっきレジスト２１が形成されていない部分に、めっきにより、所定の回路パターンの導体層１４を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、電解銅めっきが好ましく用いられる。なお、この回路パターンは、例えば、図１に示されるように、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される、複数の配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄパターンとして形成される。導体層１４の厚さは、例えば、２〜１５μｍ、好ましくは、５〜１０μｍであり、各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの幅は、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍであり、各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ間の間隔は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
【００５９】
そして、図４（ｄ）に示すように、めっきレジスト２１を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法、または剥離によって除去した後、図４（ｅ）に示すように、めっきレジスト２１が形成されていた下地２０を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。これによって、ベース層１３の上に、導体層１４が所定の回路パターンとして形成される。
【００６０】
このようにして形成された導体層１４は、ベース層１３における開口部分３１が、ベース層１３における他の部分よりも薄く形成されていることから、開口部分３１の上に形成される部分、すなわち、後の工程において金属めっき層１９が形成される端子形成部分３６が、導体層１４における他の部分に対して、支持基板１２側に、その薄くなった厚さ分、凹むように形成される。
【００６１】
次いで、図５に示すように、導体層１４の表面を金属皮膜２２により保護した後、この導体層１４を、絶縁体からなるカバー層１８により被覆する。すなわち、まず、図５（ａ）に示すように、導体層１４の表面、および、支持基板１２の表面に、金属皮膜２２を形成する。この金属皮膜２２は、無電解ニッケルめっきによって、硬質のニッケル薄膜として形成することが好ましく、その厚みは、導体層１４の表面が露出しない程度であればよく、例えば、０．０５〜０．１μｍ程度であればよい。
【００６２】
次いで、導体層１４を被覆するためのカバー層１８を、所定のパターンとして形成する。カバー層１８を形成するための絶縁体としては、ベース層１３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００６３】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、カバー層１８を形成する場合には、図５（ｂ）に示すように、ベース層１３および金属薄膜２２の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、その全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１８ａを形成し、次に、図５（ｃ）に示すように、その皮膜１８ａを、フォトマスク２５を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、皮膜１８ａによって、導体層１４が被覆されるようにパターン化する。
【００６４】
なお、図５（ｃ）および図５（ｄ）に示すように、このパターン化においては、磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１７が形成される部分には、導体層１４の端子形成部分３６の表面に形成される金属薄膜２２が露出するように開口部３３を形成する。この開口部３３は、導体層１４の端子形成部分３６に対向させて、同じ大きさおよび形で形成すればよい。
【００６５】
また、この露光および現像の条件は、ベース層１３を露光および現像する条件と同様の条件でよい。なお、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図５においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００６６】
そして、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１８ａを、図５（ｄ）に示すように、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー層１８を、導体層１４の上に形成する。なお、カバー層１８の厚さは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。
【００６７】
次いで、図６に示すように、磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１７を、両面が露出した端子、例えば、いわゆるフライングリードとして形成する。
【００６８】
磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１７を、両面が露出した端子として形成するには、まず、図６（ａ）に示すように、支持基板１２における磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１７が形成される部分、すなわち、カバー層１８の開口部３３に対向する部分にベース層１３の開口部分３１が露出するように開口部３４を形成する。この開口部３４の形成は、公知の方法でよく、例えば、支持基板１２における開口部３４を形成する部分以外をすべてマスキングした後に、化学エッチングすればよい。また、この開口部３４は、ベース層１３における開口部分３１を含むようにして、その開口部分３１よりも大きく形成する。
【００６９】
なお、この開口部３４の形成と同時に、化学エッチングによりジンバル１５を所定の形状に切り抜くようにする。
【００７０】
次いで、図６（ｂ）に示すように、カバー層１８が開口されることにより露出している金属薄膜２２を剥離する。なお、これと同時に、支持基板１２の上に形成されている金属薄膜２２も剥離する。
【００７１】
そして、図６（ｃ）に示すように、支持基板１２の開口部３４内において露出している開口部分３１を含むベース層１３に、導体層１４の端子形成部分３６の裏面に形成される下地２０が露出するように開口部３５を形成する。この開口部３５の形成は、公知の方法でよいが、エッチング、とりわけ、プラズマエッチングにより形成することが好ましい。エッチングによれば、ベース層１３の露出面から、導体層１４の端子形成部分３６の裏面に形成される下地２０までの間のベース層１３を、正確に削ることができ、後の工程において、端子形成部分３６の裏面を損傷させることなく、確実に露出させることができる。
【００７２】
このプラズマエッチングでは、支持基板１２をマスクとして、その支持基板１２の開口部３４に露出する、開口部分３１を含むベース層１３全体をエッチングすればよく、例えば、所定のガスを封入した雰囲気下で対向電極間に、サンプルを配置して、高周波プラズマを発生させるようにする。所定のガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＦ４、ＮＦ３などが用いられる。好ましくは、Ａｒ、Ｏ２、ＣＦ４、ＮＦ３が用いられる。これらのガスは、所定の割合で混合して用いてもよい。また、そのガス圧（真空度）は、例えば、０．５〜２００Ｐａ、好ましくは、１０〜１００Ｐａである。また、高周波プラズマを発生させる条件としては、周波数が、例えば、１０ｋＨｚ〜２０ＭＨｚ、好ましくは、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり、処理電力が、例えば、０．５〜１０Ｗ／ｃｍ２、好ましくは、１〜５Ｗ／ｃｍ２である。周波数が１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであると、プラズマエッチング装置のマッチング（抵抗値のチューニング）がとりやすくなる。そして、このような雰囲気条件下において、例えば、０〜１２０℃、好ましくは、１０〜８０℃に温度管理された電極上にサンプルを配置して、ベース層１３をエッチングする厚さに相当する所定の時間処理すればよい。
【００７３】
そして、このようにして形成されるベース層１３の開口部３５は、支持基板１２をマスクとして形成されるので、支持基板１２の開口部３４と同じ大きさおよび形で形成される。したがって、この開口部３５は、導体層１４における端子形成部分３６よりも大きく形成され、ベース層１３の開口部３５に露出する端子形成部分３６の裏面に形成される下地２０の周端縁と、支持基板１２の開口部３４の周端縁との間には、その厚さ方向において所定の間隔が設けられる。
【００７４】
その後、図６（ｄ）に示すように、ベース層１３の開口部３５に露出する下地２０を剥離することによって、導体層１４の端子形成部分３６の裏面を露出させ、次いで、図６（ｅ）に示すように、このように露出している導体層１４の端子形成部分３６の両面に、金属めっき層１９を、めっきにより同時に形成する。これによって、磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１７が、両面が露出した状態で形成される。金属めっき層１９の形成は、特に制限されず、電解めっきおよび無電解めっきのいずれの方法を用いてもよく、また、めっきに用いる金属も、特に制限されず、公知の金属を用いることができる。好ましくは、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なうことにより、ニッケルめっき層２６の上に金めっき層２７を形成する。なお、ニッケルめっき層２６および金めっき層２７の厚さは、いずれも、１〜５μｍ程度であることが好ましい。
【００７５】
このようにして形成された金属めっき層１９は、その金属めっき層１９の周端縁と、ベース層１３の開口部３５および支持基板１２の開口部３４の周端縁との間に、所定の間隔が隔てられている。
【００７６】
このような方法により回路付サスペンション基板１１を製造すると、ベース層１３を形成する工程において、端子形成部分３６を露出させるための開口部分３１の厚さをベース層１３における他の部分の厚さよりも薄く形成するので、磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１７を形成する工程において、その開口部分３１をエッチングする時には、他の部分の厚さよりも薄くなっている分、導体層１４における端子形成部分３６を露出させるためにエッチングする時間を短縮することができる。そのため、導体層１４の端子形成部分３６を短時間で露出させることができ、磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子１７を、両面が露出した状態で効率よく形成することができる。
【００７７】
したがって、このような方法によれば、回路付サスペンション基板を生産効率よく製造することができ、低コストで提供することができる。
【００７８】
また、この方法では、ベース層１３の開口部３５および支持基板１２の開口部３４が、導体層１４の端子形成部分３６よりも大きく形成されているので、金属めっき層１９の周端縁と、ベース層１３の開口部３５および支持基板１２の開口部３４の周端縁との間には、所定の間隔が設けられている。そのため、例えば、接続信頼性を向上させるべく金属めっき層１９を厚く形成しても、金属めっき層１９の周端縁と支持基板１２の開口部３４の周端縁とが接触することがなく、金属めっき層１９と支持基板１２との間の接触による短絡を確実に防止することができる。そのため、回路付サスペンション基板１１の接続信頼性および耐電圧特性の向上を図ることができる。
【００７９】
なお、金属めっき層１９の周端縁と支持基板１２の開口部３４の周端縁との間の間隔（図２において、間隔ａで示される。）を、少なくとも１μｍ以上、好ましくは、２〜４０μｍ程度として形成することが好ましい。
【００８０】
また、この方法においては、ベース層１３における開口部分３１が、ベース層１３における他の部分よりも薄く形成されていることから、その開口部分３１の上に形成される端子形成部分３６が、導体層１４における他の部分に対して、支持基板１２側に、その薄くなった厚さ分、凹むように形成される。そのため、支持基板１２の表面から金属めっき層１９の表面までの距離が、他の部分に対して凹んだ分だけ短くなり、金属めっき層１９が、その分、支持基板１２の外側よりに配置されるので、例えば、磁気ヘッドやリード・ライト基板の接続用端子との接続において、金属めっき層１９にその接続用端子を重ね合わせて、ボンディングツールにより超音波振動を与えて接続するような場合においては、良好な圧着性を確保することができ、接続信頼性をより一層向上させることができる。
【００８１】
なお、金属めっき層１９の表面と、ベース層１３および支持基板１２の界面との間の厚さ方向における間隔（図２において、間隔ｂで示される。）が、±６μｍ、さらには、±２μｍとなるように形成することが好ましい。
【００８２】
なお、以上の説明において、本実施形態の方法では、ベース層１３の開口部３５および支持基板１２の開口部３４を、導体層１４の端子形成部分３６よりも大きく形成することにより、金属めっき層１９の周端縁と、ベース層１３の開口部３５および支持基板１２の開口部３４の周端縁との間に所定の間隔を設けるようにしたが、その目的および用途によっては、ベース層１３の開口部３５および支持基板１２の開口部３４を、導体層１４の端子形成部分３６と、同じ大きさおよび形で形成してもよい。
【００８３】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
【００８４】
実施例１
厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４  Ｈ−ＴＡ）の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、乾燥後の厚さが２４μｍとなるように塗工した後、１３０℃で乾燥することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成した。次いで、皮膜を、フォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、その皮膜をネガ型の画像でパターン化した。次いで、パターン化された感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース層を所定のパターンで形成した。
【００８５】
また、このベース層の形成においては、露光する時に、光透過部分および遮光部分が、６μｍ以下のピッチで金属薄膜の格子状の繰り返しパターンとして形成されているフォトマスク（図８に示すフォトマスク３２ｂに相当し、開口部分の平均透過率が、その他の部分に対して約２５％とされているもの。）を、皮膜において、後の工程において開口され、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子が形成される部分に導体層を露出させるための開口部分の上に配置して、このフォトマスクを介して皮膜を露光させて、皮膜における開口部分の露光量が、他の部分の露光量よりも低減するように露光させた。そのため、これを現像および硬化させた後においては、ベース層における他の部分の厚さが１０μｍであるところ、その開口部分の厚さを２μｍとして形成することができた。
【００８６】
次いで、ステンレス箔およびベース層の全面に、下地として、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後、所定の回路パターンと逆パターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成し、そして、電解銅めっきにより、ベース層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、所定の回路パターンの導体層を形成した。このようにして形成された導体層は、ベース層における開口部分が、ベース層における他の部分よりも薄く形成されているので、導体層における開口部分の上に形成される端子形成部分が、導体層における他の部分に対して、ステンレス箔側に、厚さ方向において約８μｍ凹むようにして形成された。なお、この導体層の厚さは２０μｍで、そのパターンを、各配線の幅２０μｍ、各配線間の間隔が３０μｍの、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される４本の配線パターンとして形成した。
【００８７】
その後、めっきレジストを、化学エッチングによって除去した後、めっきレジストが形成されていたクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除去した。
【００８８】
次いで、導体層の表面、および、ステンレス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ０．１μｍの硬質のニッケル薄膜を形成した後、ニッケル薄膜およびベース層の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を塗工した後、１３０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成し、次いで、皮膜をフォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、この皮膜によって導体層が被覆されるようにパターン化した。次いで、パターン化された感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ３μｍのポリイミド樹脂からなるカバー層を、導体層の上に形成した。
【００８９】
なお、このカバー層の形成においては、パターン化する時に、導体層の端子形成部分の表面に形成される金属薄膜が露出するように開口部を形成した。この開口部は、導体層の端子形成部分に対向させて、同じ大きさおよび形で形成した。
【００９０】
次いで、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子を、両面が露出する状態で形成した。すなわち、まず、ステンレス箔におけるカバー層の開口部に対向する部分に、ベース層の開口部分が露出するように、その開口部分よりも大きな開口部を形成した。このステンレス箔の開口部は、ステンレス箔における開口部を形成する部分以外をすべてマスキングした後に、化学エッチングすることにより形成した。なお、この開口部の形成と同時に、化学エッチングによりジンバルを所定の形状に切り抜いた。
【００９１】
次いで、カバー層が開口されることにより露出している金属薄膜を剥離するとともに、ステンレス箔の上に形成されている金属薄膜を剥離した。
【００９２】
そして、ステンレス箔の開口部内において露出している開口部分を含むベース層を開口して、導体層の端子形成部分の裏面に形成される下地が露出するように開口部を形成した。このベース層の開口部は、プラズマエッチングにより形成した。プラズマエッチングでは、ステンレス箔をマスクとして、そのステンレス箔の開口部に露出する、開口部分を含むベース層全体を、封入ガスとして、ＣＦ４とＯ２との混合ガス（ＣＦ４／Ｏ２＝２０／８０）を用い、ガス圧（真空度）２５Ｐａ、周波数１３．５ＭＨｚ、処理電力２５００Ｗの条件下において、約２分間処理した。
【００９３】
このようにして形成されるベース層の開口部は、ステンレス箔の開口部と同じ大きさおよび形で形成され、ベース層の開口部に露出する下地の周端縁と、ベース層の開口部およびステンレス箔の開口部の周端縁との間には、約３０μｍの間隔が設けられた。
【００９４】
その後、ベース層の開口部に露出する下地を剥離することによって、導体層の端子形成部分の裏面を露出させた。次いで、このように露出している導体層の端子形成部分の両面に、金属めっき層を、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なって、厚さ２μｍのニッケルめっき層および厚さ１μｍの金めっき層を形成することによって形成した。
【００９５】
このようにして形成された端子形成部分における裏面側の金属めっき層は、その表面が、ベース層とステンレス箔との界面に対して、厚さ方向で、±２μｍで形成され、かつ、その金属めっき層の周端縁と、ベース層の開口部およびステンレス箔の開口部の周端縁との間に、２６μｍの間隔が隔てられるように形成された。
【００９６】
実施例２
感光性ポリイミド樹脂の前駆体を露光する時に、金属薄膜のパターンが形成されたフォトマスクにおいて、ベース層の開口部分に対応する部分の表面に、上記の金属薄膜よりも厚みが薄い金属薄膜が形成されており、その部分における光透過率が、その他の部分に対して約４０％となるように構成されているフォトマスクを用いた以外は、実施例１と同様の操作により、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子が、両面が露出する状態で形成される回路付サスペンション基板を作製した。
【００９７】
なお、このベース層の形成においては、ベース層における他の部分の厚さが１０μｍであるところ、その開口部分の厚さを３μｍとして形成することができた。そのため、この開口部分のプラズマエッチングは、約３分間の処理により行なうことができ、また、導体層の端子形成部分における裏面側の金属めっき層は、その表面が、ベース層とステンレス箔との界面に対して、厚さ方向で、±２μｍで形成された。
【００９８】
実施例３
感光性ポリイミド樹脂の前駆体を露光する時に、まず、ベース層の開口部分に対応する部分の透過光を遮光しないフォトマスクを用いて、露光（４０５ｎｍ、６００ｍＪ／ｃｍ２）させ、次いで、ベース層の開口部分に対応する部分の透過光を遮光したフォトマスクを用いて、露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させた以外は、実施例１と同様の操作により、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子が、両面が露出する状態で形成される回路付サスペンション基板を作製した。なお、この露光方法では、２回に分けて露光するため、２回目の露光パターンを、１回目の露光パターンに正確に合わせる位置調節を行なう必要があり、また、工数も多くやや煩雑であった。
【００９９】
比較例１
感光性ポリイミド樹脂の前駆体を露光する時に、ベース層の開口部分に対応する部分にフォトマスクを配置せず、ベース層を厚さ１０μｍの均一な層として形成し、その後、金属めっき層を、支持基板をマスクとして開口されるベース層の開口部の全面において露出する導体層の全面に形成した以外は、実施例１と同様の操作により、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子が、両面が露出する状態で形成される回路付サスペンション基板を作製した。
【０１００】
なお、このベース層をプラズマエッチングする時には、約１０分の処理時間を要した。また、このようにして得られた回路付サスペンション基板では、導体層の端子形成部分における裏面側の金属めっき層の周端部と、ベース層および支持基板の開口部の周端縁との厚さ方向における間には隙間がなく、また、金属めっき層の表面が、ベース層とステンレス箔との界面に対して、厚さ方向で、±２μｍで形成された。
【０１０１】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の配線回路基板の製造方法では、絶縁層を迅速に開口して、導体層を短時間で露出させることができるので、端子を効率よく形成することができ、生産性の向上を図ることができる。
【０１０２】
また、この方法において、開口部分の厚さが８μｍ以下であると、例えば、通常の他の部分の厚さが１０μｍである場合には、２μｍ分以上について、開口に要する時間の短縮を図ることができる。
【０１０３】
また、この方法では、感光性樹脂の前駆体における開口部分と他の部分とを、異なる露光量で露光させて、これを現像および硬化させることにより、絶縁層における開口部分の厚さを他の部分の厚さよりも薄く形成すれば、簡易かつ確実に、開口部分の厚さを他の部分の厚さよりも薄く形成することができ、この場合において、感光性樹脂の前駆体における開口部分の照射光の透過率と、他の部分の照射光の透過率とが異なるように構成されているフォトマスクを用いて、感光性樹脂の前駆体を露光させれば、簡易かつ確実に、開口部分の厚さを他の部分の厚さよりも薄く形成することができる。
【０１０４】
さらに、このフォトマスクとして、開口部分に対応する特定の部分において、光透過部分および遮光部分のパターンが形成され、１つの光透過部分または遮光部分の幅が、６μｍ以下であるものを用いれば、１回の露光により確実に開口部分の露光量を調節することができ、しかも、照射光の分解能を向上させることなく、感光性樹脂の前駆体に均一に照射することができ、開口部分の厚さを均一に薄くすることができる。
【０１０５】
そして、本発明の配線回路基板の製造方法は、回路付サスペンション基板の製造に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態としての、回路付サスペンションを示す斜視図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板における、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子を示す、配線の長手方向に沿う断面図である。
【図３】本発明の配線回路基板の製造方法としての、回路付サスペンション基板の製造方法において、支持基板を用意して、その支持基板の上に、所定のパターンでベース層を形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、その支持基板の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、その皮膜を、フォトマスクを介して露光させて、現像することにより、所定のパターンとする工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させて、ベース層を形成する工程を示す。
【図４】ベース層の上に、所定の回路パターンで導体層を形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持基板およびベース層に、下地を形成する工程、（ｂ）は、下地の上に、所定の回路パターンと逆パターンのめっきレジストを形成する工程、（ｃ）は、ベース層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解めっきにより、所定の回路パターンの導体層を形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、下地を除去する工程を示す。
【図５】回路パターンにおける導体層の表面を金属皮膜により保護した後、カバー層により被覆する工程を示す断面図であって、（ａ）は、導体層の表面に、金属皮膜を形成する工程、（ｂ）は、ベース層および金属皮膜の上に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、その皮膜を、フォトマスクを介して露光させて、現像することにより、その皮膜をパターン化する工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させて、カバー層を形成する工程を示す。
【図６】磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子を、両面が露出する状態で形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持基板における磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子が形成される部分を開口する工程、（ｂ）は、露出している導体層および支持基板に形成されている金属薄膜を剥離する工程、（ｃ）は、支持基板の開口部において露出しているベース層を、その開口部に対応させて開口する工程、（ｄ）は、ベース層を開口することにより露出した下地を剥離する工程、（ｅ）は、露出している導体層の両面に、金属めっき層を形成する工程を示す。
【図７】図３（ｂ）において、皮膜を露光させるために用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図である。
【図８】図３（ｂ）において、皮膜を露光させるために用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図である。
【図９】図３（ｂ）において、皮膜を露光させるために用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図である。
【図１０】図３（ｂ）において、皮膜を露光させるために用いるフォトマスクの一実施形態の概略平面図である。
【図１１】従来の回路付サスペンション基板の製造方法において、端子を、両面が露出する状態で形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、カバー層における端子を形成するための開口部を形成する工程、（ｂ）は、支持基板における端子を形成するための開口部を形成する工程、（ｃ）は、支持基板の開口部において露出しているベース層を、その開口部に対応させて開口する工程、（ｄ）は、露出された導体層の両面に、金属めっき層を形成する工程を示す。
【符号の説明】
１１    回路付サスペンション基板
１２    支持基板
１３    ベース層
１４    導体層
１９    金属めっき層
３１    開口部分
３２    フォトマスク
３４    支持基板の開口部
３５    ベース層の開口部
３６    端子形成部分
【図１】
0003699334.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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