(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ（２０）における一方の面に素子（２１）を形成する第１工程と、
ウエハ載置台（３１，３４）の上に前記半導体ウエハ（２０）を、素子（２１）を形成した面とは反対の面が上向きになるようにして載置するとともに、ウエハ載置台（３１，３４）の上に筒状部材（３０）を、前記半導体ウエハ（２０）の外周部をパッキン（３２）にてシールした状態で搭載する第２工程と、
筒状部材（３０）内に配したエッチング液（３６）にて前記半導体ウエハ（２０）を、前記パッキン（３２）にてシールした部位を残して所定深さまでエッチングして薄くする第３工程と、
を有する半導体ウエハの加工方法において、
前記第１工程において半導体ウエハ（２０）における素子（２１）を形成した面に、補強用の膜としての金属膜（２３）及び樹脂膜（２４）を形成した後に、以後の工程を実行するようにしたことを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【請求項２】
半導体ウエハ（２０）における一方の面に素子（２１）を形成する第１工程と、
ウエハ載置台（３１，３４）の上に前記半導体ウエハ（２０）を、素子（２１）を形成した面とは反対の面が上向きになるようにして載置するとともに、ウエハ載置台（３１，３４）の上に筒状部材（３０）を、前記半導体ウエハ（２０）の外周部をパッキン（３２）にてシールした状態で搭載する第２工程と、
筒状部材（３０）内に配したエッチング液（３６）にて前記半導体ウエハ（２０）を、前記パッキン（３２）にてシールした部位を残して所定深さまでエッチングして薄くする第３工程と、
を有する半導体ウエハの加工方法において、
前記第１工程において半導体ウエハ（２０）における素子（２１）を形成した面に、補強用の膜としての金属膜（２３）及び樹脂膜（２４）を形成するとともに、当該面でのウエハ外周部に他の部位よりも高いストッパ用の膜（２５）を形成した後に、以後の工程を実行するようにしたことを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【請求項３】
前記金属膜（２３）は、厚さが５μｍ以上のアルミ膜またはアルミ合金膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項４】
前記樹脂膜（２４）は、厚さが１０μｍ以上のポリイミド膜であることを特徴とする請求項１〜３のうち何れか１項に記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項５】
前記ストッパ用の膜（２５）は、刷毛塗りによるポリイミド膜であることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハの加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯端末の小型化、高集積化のニーズにより、パッケージの小型化、薄型化が検討されている。それに伴い、そこに搭載される半導体チップ厚さをできるだけ薄くする必要がある。
【０００３】
そのための手法として次の方法が知られている。まず、ウエハの一方の面（主表面）にテープを貼り付け、この状態のウエハを専用治具に装着する。そして、厚さ１００μｍまで研削した後、ウエハの他方の面（裏面）である研削面に新たなテープを貼り付ける。続いて、ウエハの主表面側のテープを除去した後、ダイシングし、チップ化する。この方法によれば、薄いウエハを常にテープで補強することができるため、ウエハ破損を防止することができる。
【０００４】
しかし、半導体チップの主表面から裏面側に向けて電流が流れる縦型パワー素子のように、ウエハの裏面に電極を形成したい場合、上記の方法を使用することは難しい。それは、上記の方法を用い、厚さ１００μｍのウエハ主表面にテープを貼り付けた状態で、裏面電極形成用スパッタ装置や蒸着装置に入れると、テープの基材や粘着剤から有機成分などが脱離し、ウエハのみでなく成膜装置にも悪影響を及ぼす可能性が高いためである。
【０００５】
その他、ウエハを薄型化する手法として、図１８に示すような表面処理装置を用いたウェットエッチングがある。詳しくは、特開２０００−１２４１６６号公報では、予め裏面研削装置を用いウエハ厚さを３００μｍ程度に薄くした後、表面処理装置を用い、ＫＯＨ水溶液にてウエハ厚さを５〜１００μｍに薄くする手法が開示されている。また、この種の技術として、特開２０００−９１３０７号公報では、例えば２２ｗｔ％ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液によりＳｉをエッチングする方法が開示されている。
【０００６】
このような手法により薄型化したウエハの特徴は、ウエハでの素子形成面へのエッチング液の回り込みを防止するためのパッキン（図１８において符号１００で示す部材）の下がエッチングされないため、図１９に示すようにウエハ外周部が例えば２５０μｍと厚い凹状になるということである。このような形状の薄型ウエハは、たとえ内方が厚さ５０μｍと薄くても、外周部が例えば２５０μｍと厚いため梁のような効果を発揮しウエハの反りを抑えることができ、保護テープが不要であること、及び、ピンセットでハンドリングする場合もこの部分をつかむことにより破損しにくくなる。
【０００７】
しかし、本発明者らはこの種の表面処理装置を用いて一連のエッチング処理を行った結果、なおウエハが破損する場合があることが分かった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、エッチングにてウエハを薄型化してもウエハの破損をより確実に防止することができる半導体ウエハの加工方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、第１工程において半導体ウエハにおける素子を形成した面に、補強用の膜を形成した後に、以後の工程を実行するようにしたことを特徴としている。つまり、第１工程において半導体ウエハにおける一方の面に素子を形成する。この第１工程において、半導体ウエハにおける素子を形成した面に、補強用の膜としての金属膜及び樹脂膜を形成する。その後、第２工程として、ウエハ載置台の上に半導体ウエハを、素子を形成した面とは反対の面が上向きになるようにして載置するとともに、ウエハ載置台の上に筒状部材を、半導体ウエハの外周部をパッキンにてシールした状態で搭載する。さらに、第３工程として、筒状部材内に配したエッチング液にて半導体ウエハを、パッキンにてシールした部位を残して所定深さまでエッチングして薄くする。
【００１０】
よって、ウエハに補強用の膜としての金属膜及び樹脂膜が形成されているため、例えば図１２に示すように水圧などの応力がウエハに作用しても破損を防止することができる。その結果、エッチングにてウエハを薄型化してもウエハの破損をより確実に防止することができることとなる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、第１工程において半導体ウエハにおける素子を形成した面に、補強用の膜を形成するとともに、当該面でのウエハ外周部に他の部位よりも高いストッパ用の膜を形成した後に、以後の工程を実行するようにしたことを特徴としている。つまり、第１工程において半導体ウエハにおける一方の面に素子を形成する。この第１工程において、半導体ウエハにおける素子を形成した面に、補強用の膜としての金属膜及び樹脂膜を形成するとともに、当該面でのウエハ外周部に他の部位よりも高いストッパ用の膜を形成する。その後、第２工程として、ウエハ載置台の上に半導体ウエハを、素子を形成した面とは反対の面が上向きになるようにして載置するとともに、ウエハ載置台の上に筒状部材を、半導体ウエハの外周部をパッキンにてシールした状態で搭載する。さらに、第３工程として、筒状部材内に配したエッチング液にて半導体ウエハを、パッキンにてシールした部位を残して所定深さまでエッチングして薄くする。
【００１４】
よって、ウエハに補強用の膜としての金属膜及び樹脂膜が形成されているため、例えば図１２に示すように水圧などの応力がウエハに作用しても破損を防止することができる。また、ウエハ外周部にストッパ用の膜が形成されているため、例えば図８に示すように表面処理装置からのウエハの取り出し時に隙間に入り込み破損するといったことを防止することができる。その結果、エッチングにてウエハを薄型化してもウエハの破損をさらに確実に防止することができることとなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した実施の形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施の形態におけるチップ状態での半導体装置の一部分を示す縦断面である。本半導体装置はトレンチゲートタイプの縦型パワーＭＯＳトランジスタである。
【００１６】
図１において、半導体基板１は主表面（上面）１ａとその反対の裏面（下面）１ｂを有する。半導体基板１の裏面（下面）１ｂを構成するＮ＋型のシリコン基板２の上にはＮ−型ドリフト層３とＰ型ベース層４がエピタキシャル成長にて形成されている。Ｐ型ベース層４の上面が半導体基板１の主表面１ａとなっている。Ｐ型ベース層４の表層部にはＮ＋型ソース領域５が形成されている。さらに、半導体基板１の主表面１ａにはトレンチ６が形成され、同トレンチ６はＮ＋型ソース領域５とＰ型ベース層４を貫通しＮ−型ドリフト層３に達している。さらに、トレンチ６内にゲート酸化膜７が形成されるとともに、その内方にゲート電極８が形成されている。また、半導体基板１の主表面１ａには絶縁膜９がパターニングされている。この絶縁膜９の上を含めた主表面１ａにはソース電極１０が形成されている。さらに、ソース電極１０は保護膜（図示略）にて覆われている。一方、半導体基板１の裏面（下面）１ｂにはドレイン電極１１が形成されている。半導体基板１の厚さは１００μｍ程度であり、薄型パワーデバイスとなっている。
【００１７】
次に、製造方法を説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、シリコンウエハ（半導体基板）２０を用意し、通常の半導体製造技術を用いてウエハ２０における一方の面に素子２１を形成する。詳しくは、図１でのＮ＋型シリコン基板２の上にエピタキシャル成長によりＮ−型ドリフト層３とＰ型ベース層４を順に形成し、さらに、Ｐ型ベース層４の表層部にＮ＋型ソース領域５を形成する。そして、トレンチ６を、Ｎ＋型ソース領域５とＰ型ベース層４を貫通しＮ−型ドリフト層３に達するように形成する。さらに、トレンチ６内にゲート酸化膜７を形成するとともに、その内方にゲート電極８を配置する。さらには、絶縁膜９を成膜するとともにパターングする。
【００１８】
そして、図２（ｂ）に示すように、ウエハ２０における素子２１を形成した面に対しスパッタリング装置を用いてソース電極（図１での符号１０）を形成する。詳しくは、バリアメタルとしてＴｉ／ＴｉＮ膜２２を膜厚が合わせて３００ｎｍとなるように形成するとともに、その上にアルミ合金膜２３を５μｍ形成する。アルミ合金は具体的には、例えばアルミ＋シリコン、叉は、アルミ＋シリコン＋銅を用いることができる。その後、ホトグラフィーとエッチングによりＴｉ／ＴｉＮ／Ａｌ膜２２，２３をパターニングする。さらに、４５０℃程度の還元雰囲気でシンタリングする。
【００１９】
その後、図２（ｃ）に示すように、ウエハ２０における素子２１を形成した面に対し保護膜２４を形成する。詳しくは、液体のポリイミドをスピンコータで厚さ１０μｍ塗布し、通常のホトリソグラフィーとエッチングによりパターニングする。その後、３５０℃程度の熱処理を行い、完全にイミド化してポリイミド膜２４とする。５μｍのアルミ合金膜（金属膜）２３と１０μｍのポリイミド膜（樹脂膜）２４は補強用の膜として機能する。詳細は後述する。
【００２０】
さらに、ウエハ２０における素子２１を形成した面でのウエハ２０の外周部、つまり、素子が形成されていない領域に厚いポリイミド膜２５を形成する。具体的には例えば図４に示すようにウエハ端面から５ｍｍの部位において硬化前の液体状ポリイミドを刷毛で塗布し、３５０℃程度のキュア（反応促進のための熱処理）を行い、硬化させる。刷毛塗りによるポリイミド膜２５は、ウエハ２０における素子２１を形成した面でのウエハ外周部において他の部位よりも高くなっており、ストッパ用の膜として機能する。詳細は後述する。
【００２１】
引き続き、図２（ｄ）に示すように、表面研削装置を用いて、厚さが６２５μｍのウエハ２０の裏面を研削して厚さを２５０μｍにする。このとき、表面保護用にテープを貼り付けるが、粘着材厚さが厚いテープを使用する。これにより、ウエハ端部の凹凸（ポリイミド膜２５による凹凸）による研削時の割れを防止することができる。
【００２２】
さらに、図３（ａ）に示すように、表面処理装置を用いてウエハ２０の裏面をウェットエッチングして厚さを１００μｍとする。つまり、１５０μｍエッチングする。エッチング液にはＴＭＡＨ水溶液を用いる。
【００２３】
この表面処理装置を用いたウエハ裏面のウェットエッチングについて、図５，６，７を用いて詳しく説明する。図５，６，７は、表面処理装置の縦断面での端面図である。
【００２４】
図５（ａ）に示すように、筒状の第１部材３０の上にリング状の第２部材３１を、リング状のパッキン３２を挟んで配置し、第２部材３１に形成したネジ孔３３を通してネジにて固定する。詳しくは、筒状の第１部材３０の両端開口部が上下に位置する状態で、その上面にパッキン３２を挟んで第２部材３１を固定する。
【００２５】
そして、図５（ｂ）に示すように、パッキン３２の上にウエハ２０を配置する。このとき、ウエハ２０での素子を形成した面とは反対の面において外周部がパッキン３２と接している。さらに、図５（ｃ）に示すように、第２部材３１の上に第３部材３４を取り付けて、ウエハ２０をパッキン３２と第３部材３４の間に固定する。さらには、第３部材３４に形成した吸引通路（溝）３５を通して吸引する。これにより、第１部材３０と第２部材３１と第３部材３４が吸着され、ウエハ２０におけるパッキン３２との接触部が完全にシールされる。
【００２６】
引き続き、上下を逆にし、図５（ｄ）に示すように、第１部材３０内にエッチング液３６を注入し、さらに、図６（ａ）に示すように、第４部材３７を被せるようにして配置する。この第４部材３７にはヒータ３８や攪拌装置（攪拌子）３９等が取り付けられている。エッチング液３６をヒータ３８にて加熱するとともに攪拌装置（攪拌子）３９にて攪拌する。この状態でエッチングが開始される。そして、所定時間経過後にエッチングが終了する。
【００２７】
つまり、第１工程として、図２（ａ）のごとくウエハ２０における一方の面に素子を形成する。第２工程として、図５（ｄ）のごとくウエハ載置台としての第２および第３部材３１，３４の上にウエハ２０を、素子２１を形成した面とは反対の面が上向きになるようにして載置するとともに、ウエハ載置台（３１，３４）の上に筒状部材としての第１部材３０を、ウエハ２０の外周部をパッキン３２にてシールした状態で搭載する。第３工程として、図６（ａ）のごとく筒状部材としての第１部材３０内に配したエッチング液３６にてウエハ２０を、パッキン３２にてシールした部位を残して所定深さまでエッチングして薄くする。
【００２８】
エッチングが終了すると、図６（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すように、第４部材３７を取り外すとともにエッチング液３６を抜き、さらに、上下を逆にして第３部材３４を取り外す。
【００２９】
さらに、ウエハ２０を表面処理装置から取り外す。この際、ウエハ２０のエッチングされた部位は５０μｍ程度になっており（非常に薄くなっており）、ピンセットなどで触れることはできない。よって、図７（ａ）に示すように、第１部材３０の下からウエハ２０をわずかに斜めに持ち上げ、図７（ｂ）に示すように、ウエハ２０の外周の厚肉部（リブ）をピンセット４０で摘まんで取り出す。このとき、図８に示すように、ウエハ２０が第１部材３０と第２部材３１の間のわずかな隙間に入り込みウエハ２０が破損しやすい。つまり、図９に示すように、厚さが６２５μｍのウエハ２０を裏面研削して厚さが２５０μｍになるまで薄型化すると、表面処理装置を用いて加工する前においてはウエハ端部は鋭角となっている。そのようなウエハ２０をエッチングした後において表面処理装置から取り出す際にウエハ２０を斜めにすると、図８に示すように、ウエハ２０が第１部材３０と第２部材３１の間のわずかな隙間に入り込みやすい。
【００３０】
ここで、ウエハ２０の厚さが６２５μｍと厚い場合はウエハ２０が第１部材３０と第２部材３１の間の隙間に入り込みにくく、裏面研削を行わずに表面処理装置にてエッチングすればこのような問題は発生しにくい。しかしこれでは２２％ＴＭＡＨ水溶液によるエッチングレートが０．８μｍ／分と遅くスループットが悪くなる。そのため、裏面研削加工は行う必要があり、これによりウエハ端部が鋭角となってしまう。
【００３１】
このようにウエハ２０が第１部材３０と第２部材３１の間のわずかな隙間に入り込みウエハ２０が破損しやすいが、本実形態においては、図１０に示したようにウエハ外周部に厚膜のポリイミド膜（ストッパ膜）２５が形成されている。よって、図１１に示すように表面処理装置からのウエハ２０の取り出し時に第１部材３０と第２部材３１の間にウエハ２０が入り込むことを防止することができ、ウエハ２０の破損が防止できる。
【００３２】
このようにして表面処理装置からウエハ２０を取り出した後、流水洗を行う。この流水洗中においてウエハ２０が破損しやすい。詳しくは、図１２に示すように、水圧によりウエハ２０が撓んで破損しやすい。つまり、ウエハ２０の断面形状が表面処理装置特有の凹形状になっており、ハンドリング性は向上するが、流水洗時の水圧のようにウエハ全体に応力が作用する場合は破損しやすい状態にある。
【００３３】
このように流水洗中においてウエハ２０が破損しやすいが、本実施形態においてはウエハ表面に通常よりも厚いアルミ合金膜２３とポリイミド膜２４が形成されており、この弾性的性質を有する膜２３，２４にて補強されている。よって、水圧などの応力がウエハ２０に作用してウエハ２０が撓んでも割れることはない（破損を防止できる）。
【００３４】
つまり、図１３（ａ）に示すように一般的には、半導体工程で素子２１を形成したウエハ２０上に、図１３（ｂ）に示すように、スパッタリング装置を用いてバイメタルとしてＴｉ／ＴｉＮ膜５０を合わせて３００ｎｍ形成した後、アルミ合金膜５１を２μｍ形成する。その後、ホトリソグラフィーとドライエッチングを用い、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ膜５０，５１をパターニングした後、４５０℃程度の還元雰囲気中でシンタリングする。その後、図１３（ｃ）に示すように、ＣＶＤ装置を用いて保護膜としてＳｉＮ膜５２を１．５μｍを形成し、パターニングした後、４５０℃の還元雰囲気中で熱処理する。
【００３５】
これに対し、本実施形態においてはウエハ表面に通常よりも厚いアルミ合金膜２３と厚いポリイミド膜２４を形成しており、補強されている。よって、水圧によりウエハ２０が撓んでも割れることはない。
【００３６】
なお、厚いポリイミド膜２４はスクライブラインにも形成してもよいが、ダイシング時にブレードにポリイミドが詰まりＳｉピッチングを起こしやすいのでこの対策を講じる必要がある。
【００３７】
以上のようにして流水洗を行った後において、スパッタリング装置を用いてウエハ裏面に例えば逆スパッタによるクリーニングを行った後、図３（ｂ）に示すように裏面電極（図１のドレイン電極１１）となるＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ膜２６を所定の膜厚だけ成膜する。このとき、ウエハ外周部に厚さ２５０μｍのリブ部があるため１００μｍと厚みが薄くとも反りが小さい。そのため、ウエハ２０が搬送用アームから落ちたり、キャリアにウエハ２０を装填したときに隣のウエハと接触することはない。
【００３８】
なお、流水洗や裏面電極成膜等を行う時に、ウエハ表面の外周部にポリイミド膜２５が厚く形成されていても問題はない。
この後、ダイシングを行い、各チップに裁断する。その結果、厚さ１００μｍの薄型パワーデバイスを得る。
【００３９】
図１４には、ウエハの厚さとウエハの破損発生率の関係を示す。この図から、ウエハの厚さが３００μｍよりも薄くなるとウエハ破損が発生しやすくなることが分かる。
【００４０】
図１５には、アルミ膜の膜厚および保護膜の材質・膜厚とウエハ破損発生率の関係を示す。サンプルは、（ｉ）保護膜が１μｍのＳｉＮ膜かつアルミ膜が９００ｎｍの場合、（ｉｉ）保護膜が２μｍのポリイミド膜かつアルミ膜が９００ｎｍの場合、（ｉｉｉ）保護膜が２μｍのポリイミド膜かつアルミ膜が５μｍの場合、（ｉｖ）保護膜が１０μｍのポリイミド膜かつアルミ膜が５μｍの場合、（ｖ）保護膜が１０μｍのポリイミド膜でしかもウエハ外周部にポリイミド膜を刷毛塗りし、かつアルミ膜が５μｍの場合、（ｖｉ）保護膜が１０μｍのポリイミド膜でしかもウエハ外周部にポリイミド膜を刷毛塗りし、かつアルミ膜が９００ｎｍの場合である。
【００４１】
図１５から次のことが分かる。（ｉ）と（ｉｉ）の比較にて保護膜として１μｍのＳｉＮ膜よりも２μｍのポリイミド膜を使用することによりウエハ破損を抑制できる。（ｉｉ）と（ｉｉｉ）の比較にてアルミ膜は厚い方がウエハ破損を抑制できる。（ｉｉｉ）と（ｉｖ）の比較にてポリイミド膜は厚い方がウエハ破損を抑制できる。（ｉｖ）と（ｖ）の比較にてウエハ外周部にポリイミド膜を刷毛塗りすることによりウエハ破損を抑制できる。（ｖ）と（ｖｉ）の比較にてアルミ膜は厚い方がウエハ破損を抑制できる。
【００４２】
以上述べてきたように、ウエハ２０での一方の面に素子を形成した後においてウエハ２０での素子形成面とは反対の面にウェットエッチングを行う際に、図５，６を用いて説明したような表面処理装置を用いて行う。このとき、ウエハ２０の被エッチング面の反対側の面にエッチング液が回り込まないように被エッチング面の外周部をパッキン３２にてシールすることになる。これに先立ち、ウエハ表面に、補強のために弾性材として機能する薄膜として通常よりも厚いアルミ合金膜（金属膜）２３およびポリイミド膜（樹脂膜）２４を形成した。よって、ウエハ表面に弾性材として機能する膜２３，２４が形成されているため、例えば図１２に示すように水圧などの応力がウエハ２０に作用しても破損を防止することができる。その結果、エッチングにてウエハ２０を薄型化してもウエハ２０の破損をより確実に防止することができることとなる。
【００４３】
また、ウエハ表面の外周部に、ストッパ部材として機能する厚膜のポリイミド膜（樹脂膜）２５を形成した。よって、ウエハ外周部にストッパ用の膜２５が形成されているため、例えば図８に示すように表面処理装置からのウエハ２０の取り出し時に隙間に入り込むといったことを防止することができる。その結果、エッチングにてウエハ２０を薄型化してもウエハ２０の破損をより確実に防止することができることとなる。
【００４４】
以下、応用例を説明する。
図２の工程においてはアルミ合金膜２３を５μｍ形成するとともに１０μｍのポリイミド膜２４を形成し、さらに、ウエハ２０の外周部にポリイミド膜２５を形成した。これに対し、ウエハ２０の外周部へのポリイミド膜２５は形成せずに、図１６（ａ）〜（ｄ）及び図１７（ａ），（ｂ）に示すようにアルミ合金膜６１を５μｍ形成するとともに１０μｍのポリイミド膜６２を形成するようにしてもよい。
【００４５】
また、アルミ合金膜２３は厚さが５μｍであったが、厚さが５μｍ以上あるとよく、また、材質についてはアルミ（アルミ膜）でもよい。また、ポリイミド膜２４は厚さが１０μｍであったが、厚さが１０μｍ以上あるとよい。
【００４６】
また、厚い金属膜２３と厚い樹脂膜２４のいずれか一方のみを形成するようにしてもよい。
さらに、厚い金属膜２３や厚い樹脂膜２４は形成せずにウエハ外周部のストッパ用の膜２５のみを形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態における半導体装置の一部断面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は製造方法を説明するための断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は製造方法を説明するための断面図。
【図４】図２（ｃ）のＡ部を拡大した概念図。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は製造方法を説明するための端面図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は製造方法を説明するための端面図。
【図７】（ａ），（ｂ）は製造方法を説明するための端面図。
【図８】製造方法を説明するための端面図。
【図９】製造方法を説明するための断面図。
【図１０】製造方法を説明するための断面図。
【図１１】製造方法を説明するための端面図。
【図１２】製造方法を説明するための断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｅ）は製造方法を説明するための断面図。
【図１４】ウエハ破損発生率に関する測定結果を示す図。
【図１５】ウエハ破損発生率に関する測定結果を示す図。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は別例の製造方法を説明するための断面図。
【図１７】（ａ），（ｂ）は別例の製造方法を説明するための断面図。
【図１８】従来技術を説明するための断面図。
【図１９】従来技術を説明するための断面図。
【符号の説明】
２０…シリコンウエハ、２１…素子、２３…アルミ合金膜、２４…ポリイミド膜、２５…ポリイミド膜、３０…第１部材、３２…パッキン、３４…第３部材、３６…エッチング液。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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