(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンである芳香族ポリカーボネート樹脂より実質的になる光ディスク基板であって、該ポリカーボネート樹脂は、（Ａ）その０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２０℃において測定された比粘度が０．２〜０．５の範囲であり、（Ｂ）吸水率が０．２重量％以下であり、および（Ｃ）ポリカーボネート樹脂中に含まれる下記一般式［Ｘ］由来の構成成分の含有率が０．０５％以下である、ことを満足する樹脂であることを特徴とする光ディスク基板。
【化１】
0003727230.tif 000011
（但し、Ｒは、下記の４種の式で表される。）
【化２】
0003727230.tif 000012
【請求項２】
該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全芳香族ジヒドロキシ成分の３０〜９０モル％が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンである請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項３】
該芳香族ポリカーボネート樹脂は、全芳香族ジヒドロキシ成分の４０〜８０モル％が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンである請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項４】
該芳香族ポリカーボネート樹脂は、（ａ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分ａ）および（ｂ）４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ）を全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％とし、且つ成分ａと成分ｂの割合がモル比で２０：８０〜８０：２０である請求項１記載の光ディスク基板。
【請求項５】
該成分ｂが４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールである請求項４記載の光ディスク基板。
【請求項６】
成分ａ：成分ｂの割合がモル比で３０：７０〜８０：２０である請求項５記載の光ディスク基板。
【請求項７】
該成分ｂが２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンである請求項４記載の光ディスク基板。
【請求項８】
成分ａ：成分ｂの割合がモル比で３０：７０〜８０：２０である請求項７記載の光ディスク基板。
【請求項９】
請求項１記載の光ディスク基板の片面に金属薄膜を形成させた光ディスク。
【請求項１０】
請求項１記載の光ディスク基板の片面に金属薄膜を形成させたビデオ用光ディスク。
【請求項１１】
全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％が１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンである芳香族ポリカーボネート樹脂であって、該ポリカーボネート樹脂は、（Ａ）その０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２０℃において測定された比粘度が０．２〜０．５の範囲であり、（Ｂ）本文に定義された吸水率が０．２重量％以下であり、および（Ｃ）ポリカーボネート樹脂中に含まれる下記一般式［Ｘ］由来の構成成分の含有率が０．０５％以下である、ことを特徴とする芳香族ポリカーボネート樹脂。
【化３】
0003727230.tif 000013
（但し、Ｒは、下記の４種の式で表される。）
【化４】
0003727230.tif 000014
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク基板およびこれからなる光ディスクに関する。さらに詳しくはコンパクトディスク、光磁気ディスク（ＭＯディスク）およびＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）等の光学記録媒体用途に適した基板およびこれからなる光ディスクに関する。特に本発明は、記録容量が極めて多い光ディスクに適した光ディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、コンパクトディスク、ＭＯディスクおよびＤＶＤ用基板に使用される代表的な樹脂としては、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）にホスゲンやジフェニルカーボネートを反応させて得られたポリカーボネート樹脂が知られており、この樹脂は透明性、耐熱性、寸法精度が良い等の優れた性質を有することから近年光学情報記録媒体等の分野で情報記録媒体基板の素材としても広く用いられている。しかしながら、前記ビスフェノールＡからのポリカーボネート樹脂はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が大きく、従って成形品の複屈折が大きい欠点があり、この改善が求められている。また、さらに基板の薄厚化を図るために、その反りが問題となるため、さらに反りの少ないポリカーボネート樹脂の基板が求められている。
【０００３】
また記録密度を高めるためには、より転写性のよい樹脂が求められている。また一方では耐久性のよい樹脂も求められているが、要求を満足する光ディスク基板はまだない。一方、最近コンパクトディスクのビデオ用の開発および商品化が進められている。そのため記録容量が従来のオーディオ用のコンパクトディスク（直径１２ｃｍのディスク当り約６５０ＭＢの記録密度）に比べて約１０倍（直径１２ｃｍのディスク当り約６.５ＧＢの記録密度）またはそれ以上であることが要求され、されにその他の特性も一層高度化することが要望されている。
【０００４】
特開平２−８８６３４号公報には、特定構造のジヒドロキシジフェニルアルカンおよびそれからの新規な芳香族ポリカーボネートについて記載されている。この公報に開示されている代表的例は、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを全ジヒドロキシ成分の１００〜２モル％使用した芳香族ポリカーボネートである。具体的には、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを１００〜３０モル％の割合で使用したホモ・またはコ・ポリカーボネートが示され、コポリマーの場合の共重合成分としては、ビスフェノールＡが３０、５０、６５または７０モル％使用されている。
【０００５】
上記公報には、得られた前記芳香族ポリカーボネートは、従来のポリカーボネートの用途、例えば電気分野、被覆および透明板ガラスの分野において使用され、高い耐熱性において優れていることが開示されている。特にコンパクトディスクとしての用途に関して唯一の実施例が示され、従来のビスフェノールＡからのポリカーボネートに比べて、ビスフェノールＡの６５モル％および１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン３５モル％からのコポリカーボネートは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１８５℃と高く、また通路の差（ｎｍ／ｍｍ）が＋１３であることが教示されている。この記載は前記コポリカーボネートは従来のビスフェノールＡからのポリカーボネートに比べて耐熱性は改良されていることを示唆しているが、コンパクトディスクとして、それ以外の特性が優れていることを何等教示してはいない。
【０００６】
また、特開平８−２９３１２８号公報には、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを少なくとも２０モル％含むジヒドロキシ成分より形成されるポリカーボネート樹脂が光ディスク基板として優れていることが示されている。この樹脂は、透明性、耐熱性、機械的物性、斜め入射複屈折、吸水率、転写性および反り等の特性に優れた光ディスク基板を提供する。しかしながら、さらに近年の成形サイクルの向上や高密度ディスクの要望に対して、殊に高温成形時における熱安定性が重要となり、より熱安定性に優れた樹脂が求められている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第１の目的は、ポリカーボネート樹脂の優れた透明性、耐熱性および機械的物性を保持しつつ、成形時における熱安定性、斜め入射複屈折、吸水率、転写性、反り等を向上した特定構造の芳香族ポリカーボネート樹脂からなる光ディスク基板を提供することにある。
【０００８】
本発明の第２の目的は、前記高密度の記録容量を有する光ディスク基板、殊にビデオ用光ディスク基板等に適した高機能を有し、且つ溶融成形が容易な光ディスク基板を提供することにある。
【０００９】
本発明者はこれら目的を達成せんとして鋭意研究を重ねた結果、特定構造の芳香族ポリカーボネート樹脂を選択し、特定の比粘度範囲で、且つ吸水率が低い特性とし、さらに特定成分の割合を特定量以下とすることによって良好な転写性を達成し、反りが少なく、成形時の着色が低減された光学情報記録媒体基板が得られることを見出し、本発明に到達した。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者の研究によれば前記本発明の目的は、全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％が１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンである芳香族ポリカーボネート樹脂より実質的に形成され、該ポリカーボネート樹脂は
（Ａ）その０.７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２０℃において測定された比粘度が０.２〜０.５の範囲であり、
（Ｂ）本文に定義された吸水率が０.２重量％以下であり、
および
（Ｃ）ポリカーボネート樹脂中に含まれる本文に定義された方法によって測定された下記一般式［Ｘ］の含有率が０．０５％以下である、
ことを満足する樹脂により形成されていることを特徴とする光ディスク基板によって達成される。
【００１１】
【化５】
0003727230.tif 000002
【００１２】
（但し、Ｒは、下記の４種の式で表される。）
【００１３】
【化６】
0003727230.tif 000003
【００１４】
本発明の光ディスク基板を形成する芳香族ポリカーボネート樹脂は、それを構成する芳香族ジヒドロキシ成分として、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン（以下“ビスフェノールＴＭＣ”と略称することがある）が全ヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％であることが必要である。
【００１５】
前述したとおり、特開平２−８８６３４号公報には、ビスフェノールＴＭＣ単独からの芳香族ポリカーボネート樹脂あるいはビスフェノールＴＭＣと他のジヒドロキシ化合物からの共重合芳香族ポリカーボネート樹脂について記載されている。
【００１６】
しかしながら、本発明者の研究によればビスフェノールＴＭＣ単独からの芳香族ポリカーボネート樹脂は、本発明の前記（Ａ）〜（Ｃ）の要件を全て満足するものではなく、光ディスク基板としては不適当であることが判った。また、前記公報に記載された具体的な共重合体、つまりビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＡとからの共重合ポリカーボネート樹脂も、共重合割合に関係なく同様に光ディスク基板としては、ビスフェノールＡからの従来のポリカーボネート樹脂基板に比べて、耐熱性が改良されていること以外、特に優れているものとは云えないことが判った。
【００１７】
ところが本発明者の研究によれば、特定の不純物を特定量としたビスフェノールＴＭＣに対して特定の末端改質剤を使用するか、あるいは特定構造のジヒドロキシ化合物を一定割合共重合することによって得られた芳香族ポリカーボネート樹脂は、吸水率が極めて小さく、熱安定性が良好で光ディスクとして反りが少ない基板が得られることが見出された。
【００１８】
以下本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂について説明する。
本発明の光ディスク基板の素材として使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、下記式で表される１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴＭＣ）が全芳香族ジヒドロキシ成分当り、少なくとも２０モル％の割合で構成されたポリカーボネート樹脂である。
【００１９】
【化７】
0003727230.tif 000004
【００２０】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、前記ビスフェノールＴＭＣを全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも２０モル％、好ましくは少なくとも３０モル％使用している。このビスフェノールＴＭＣの割合が２０モル％未満の場合、得られた光ディスク基板または光ディスクは、透明性、耐熱性、機械的物性、斜め入射複屈折、吸水率、転写性あるいは反りのいずれかの性質が不満足となり、これら特性を全て満足する光ディスク基板または光ディスクは得られない。ビスフェノールＴＭＣは、１００モル％でもよいが吸水率が高くなるまたは流動性が悪くなる傾向になるので、ビスフェノールＴＭＣの割合がこのように高い場合には、後述するように特定の末端基改質剤で末端を変性することが望ましい。
【００２１】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、芳香族ジヒドロキシ成分として前記ビスフェノールＴＭＣを一定割合使用することが必要であり、所望の特性、殊に吸水率を０.２重量％以下、好ましくは０.１８重量％以下とするために、大別して２つの手段が採用される。その１つは、前記ビスフェノールＴＭＣに対して特定のジヒドロキシ成分を組合わせて共重合ポリカーボネート樹脂とすることであり、他の手段は末端基に或る特定構造の末端改質剤を導入することである。これら２つの手段はそれぞれ単独でもよく、また組合わせてもよい。
【００２２】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、それを構成する全芳香族ジヒドロキシ成分中のビスフェノールＴＭＣの割合が３０〜９０モル％の範囲であるのが好ましく、４０〜８０モル％の範囲であるのが特に好ましい。
【００２３】
本発明者の研究によれば、前記ビスフェノールＴＭＣに対して、或る特定のジヒドロキシ成分を組合わせて得られた共重合ポリカーボネート樹脂は、光ディスク基板として特に適していることが見出された。すなわち、共重合ポリカーボネート樹脂は、（ａ）ビスフェノールＴＭＣ（これを成分ａという）および（ｂ）４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（以下“ビスフェノールＭ”と略称することがある）および／または２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下“ビスフェノールＣ”と略称することがある）［これらを成分ｂという］を全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％とし、且つ成分ａと成分ｂとの割合がモル比で、２０：８０〜８０：２０であるポリカーボネート樹脂は光ディスク基板として特に好ましい。
【００２４】
前記共重合ポリカーボネート樹脂の好ましい態様の１つは、成分ａがビスフェノールＴＭＣであり、且つ成分ｂがビスフェノールＭである組合せであり、その場合成分ａ：成分ｂの割合がモル比で、３０：７０〜８０：２０の範囲、特に４０：６０〜７０：３０の範囲であるのが一層好ましい。
【００２５】
また好ましい他の態様は、成分ａがビスフェノールＴＭＣであり、且つ成分ｂがビスフェノールＣの組合せであり、その場合成分ａ：成分ｂの割合がモル比で、３０：７０〜８０：２０の範囲、特に４０：６０〜７０：３０の範囲であるのがより好ましい。これら好ましい態様において、成分ａと成分ｂの合計は、全芳香族ジヒドロキシ成分中、少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも９０モル％であるのが有利であり、典型的には、成分ａおよび成分ｂによって実質的に形成された共重合ポリカーボネート樹脂であるのが望ましい。
前記好ましい態様において、ビスフェノールＴＭＣの割合が２０モル％より少なくなると、樹脂の光弾性定数が大きくなり、またガラス転移温度も低下する傾向になるので好ましくない。
【００２６】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂において、成分ａおよび成分ｂが全芳香族ジヒドロキシ成分の少なくとも８０モル％、好ましくは少なくとも９０モル％を占めることが望ましいが、他のジヒドロキシ成分（成分Ｃ）を全芳香族ジヒドロキシ成分当り２０モル％以下、好ましくは１０モル％以下含有していても特に差支えない。
【００２７】
かかる成分Ｃとしては、通常芳香族ポリカーボネートのジヒドロキシ成分として使用されている、成分ａおよび成分ｂ以外の成分であればよく、例えばハイドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ビフェノール、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、４,４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサンが挙げられる。
【００２８】
本発明の光ディスク基板として用いられる芳香族ポリカーボネート樹脂は、通常の芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するそれ自体公知の反応手段、例えば芳香族ジヒドロキシ成分にホスゲンや炭酸ジエステル等のカーボネート前駆物質を反応させる方法により製造される。次にこれらの製造方法について基本的な手段を簡単に説明する。
【００２９】
カーボネート前駆物質として例えばホスゲンを使用する反応では、通常酸結合剤および溶媒の存在下に反応を行う。酸結合剤としては例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。溶媒としては例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。また反応促進のために例えば第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩等の触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。
【００３０】
カーボネート前駆物質として炭酸ジエステルを用いるエステル交換反応は、不活性ガス雰囲気下所定割合の芳香族ジヒドロキシ成分を炭酸ジエステルと加熱しながら撹拌して、生成するアルコールまたはフェノール類を留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコールまたはフェノール類の沸点等により異なるが、通常１２０〜３００℃の範囲である。反応はその初期から減圧にして生成するアルコールまたはフェノール類を留出させながら反応を完結させる。また反応を促進するために通常エステル交換反応に使用される触媒を使用することもできる。前記エステル交換反応に使用される炭酸ジエステルとしては、例えばジフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート等が挙げられる。これらのうち特にジフェニルカーボネートが好ましい。
【００３１】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、前記したように芳香族ジヒドロキシ成分として、ビスフェノールＴＭＣあるいはビスフェノールＴＭＣと他の芳香族ジヒドロキシ成分との混合物を使用し、それ自体公知のポリカーボネート形成の反応に従って製造することができる。
【００３２】
その重合反応において、末端停止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用することができる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲンを使用する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、また得られた芳香族ポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているので、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。
【００３３】
かかる単官能フェノール類としては、芳香族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用されるものであればよく、一般にはフェノールあるいは低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式で表される単官能フェノール類を示すことができる。
【００３４】
【化８】
0003727230.tif 000005
【００３５】
［式中、Ａは水素原子、炭素数１〜９の直鎖または分岐のアルキル基あるいはアリールアルキル基であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。］
【００３６】
前記単官能フェノール類の具体例としては、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げられる。
【００３７】
これら単官能フェノールは、得られた芳香族ポリカーボネート樹脂の全末端に対して少なくとも５モル％、好ましくは少なくとも１０モル％末端に導入されることが望ましい。
【００３８】
本発明者の研究によれば、長鎖のアルキル基あるいは脂肪族ポリエステル基を置換基として有するフェノール類、または安息香酸クロライド類もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を使用して芳香族ポリカーボネート樹脂の末端基を封鎖すると、これらは前記単官能フェノール類と同様に末端停止剤または分子量調節剤として機能するのみならず、さらに得られた芳香族ポリカーボネート樹脂の改質にも役立つことが見出された。
【００３９】
すなわち、長鎖のアルキル基あるいは脂肪族ポリエステル基を置換基として有するフェノール類、または安息香酸クロライド類もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類（以下これらを、前記単官能フェノール類と区別するために“末端改質剤”と略称することがある）は、芳香族ポリカーボネート樹脂の末端に結合することによって、樹脂の溶融流動性が改良され、成形加工が容易となるばかりでなく、基板としての物性も改良される。特に樹脂の吸水率を低くする効果がある。
【００４０】
従って、ビスフェノールＴＭＣの割合が全芳香族ジヒドロキシ成分当り８０モル％以上、殊に９０モル％以上の場合は、得られた樹脂の吸水率が０.２重量％を越える場合があるが、このような場合、前記末端改質剤を使用することにより、樹脂の吸水率を０.２重量％以下に抑えることができる。前記末端改質剤は、当然のことながら単官能性化合物であるから、末端停止剤あるいは分子量調節剤としての機能も有している。
【００４１】
かかる末端改質剤は、芳香族ポリカーボネート樹脂の組成によってその割合は一定ではないが、全末端に対して少なくとも５モル％、好ましくは少なくとも１０モル％、末端に結合するように使用される。末端改質剤は前記単官能性フェノール類と組合せて使用することができる。
【００４２】
前記末端改質剤としては下記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｈ］で表される化合物を使用することができる。
【００４３】
【化９】
0003727230.tif 000006
【００４４】
【化１０】
0003727230.tif 000007
【００４５】
【化１１】
0003727230.tif 000008
【００４６】
【化１２】
0003727230.tif 000009
【００４７】
［各式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−をである、ここでＲは単結合または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｔは単結合または上記Ｘと同様の結合を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。
【００４８】
Ｑはハロゲン原子または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭化水素基を示し、ｐは０〜４の整数を示し、Ｙは炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｗ1は水素原子、−ＣＯ−Ｒ1、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ2またはＲ3である、ここでＲ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１５、好ましくは６〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。
【００４９】
ｌは４〜２０、好ましくは５〜１０の整数を示し、ｍは１〜１００、好ましくは３〜６０、特に好ましくは４〜５０の整数を示し、Ｚは単結合または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｗ2は水素原子、炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１５、好ましくは１〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。］
【００５０】
前記した末端改質剤［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｈ］のうち好ましいのは、［Ｉ−ａ］および［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類である。この［Ｉ−ａ］の置換フェノール類としては、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好ましく、その具体例としては、例えばデシルフェノール、ドデシルフェノール、テトデシルフェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノールおよびトリアコンチルフェノール等を挙げることができる。
【００５１】
また、［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類としてはＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好適であって、その具体例としては、例えばヒドロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリアコンチルが挙げられる。
【００５２】
前記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示される置換フェノール類または置換安息香酸クロライドにおいて置換基の位置は、ｐ位またはｏ位が一般的に好ましく、その両者の混合物が好ましい。
【００５３】
前記した末端改質剤のうち［Ｉ−ａ］および［Ｉ−ｂ］は特に優れている。その理由は前述したとおり、これらは芳香族ポリカーボネート樹脂中に末端基として導入されると、その溶融流動性が改善されるばかりでなく、吸水率を低下させる効果もあるからである。芳香族ポリカーボネート樹脂を構成する全芳香族ジヒドロキシ成分中のビスフェノールＴＭＣの割合が高く、例えば８０モル％以上、特に９０モル％以上の場合には樹脂の吸水性が０.２重量％を越える場合があるが、そのような場合には前記［Ｉ−ａ］および［Ｉ−ｂ］の末端改質剤の使用により、０.２重量％以下に吸水率を低下することが可能である。しかし本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、ビスフェノールＴＭＣの割合が少なくとも２０モル％、好ましくは少なくとも３０モル％である限り、前述した末端改質剤を使用してもよいことは云うまでもない。
【００５４】
芳香族ポリカーボネート樹脂はその樹脂の０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定した比粘度が０.２〜０.５の範囲のものであり、好ましくは０.２５〜０.４の範囲のものである。比粘度が０.２未満では成形品が脆くなり、０.５より高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好な光ディスク基板が得られ難くなる。
【００５５】
本発明の光ディスク基板は、前記芳香族ポリカ−ボネ−ト樹脂を、例えば射出成形法、圧縮成形法、押出成形法等任意の方法で成形することにより得ることができるが、本発明の光ディスク基板は、射出成形法により得られたものが好適である。
【００５６】
また本発明のポリカーボネート樹脂は、ＡＳＴＭ  Ｄ−０５７０によって測定した吸水率が０.２重量％以下、好ましくは０.１８重量％以下であることが必要である。吸水率が０.２重量％を超えると、光ディスク基板表面上に金属膜を形成させた光ディスクが吸水によって反りを生じ易くなり、トラッキングエラーを起こし易くなるので好ましくない。特に好ましい吸水率は０.１５重量％以下である。
【００５７】
本発明の光ディスク基板は、前記式［Ｘ］で表される化合物の含有量の合計が、ポリカーボネート樹脂中、０．０５％以下であり、０．０４％以下が好ましく、０．０３％以下がより好ましい。但し、前記式［Ｘ］で表される化合物を完全に除去することは困難であり、０．００１％程度含有していても差し支えない。含有率が０．０５％を超えると熱安定性に劣り、溶融成形時に色相が悪化し、得られた光ディスク基板は外観に劣り、さらに光ディスクのジッター特性も悪化するので好ましくない。
【００５８】
前記式［Ｘ］で表される化合物は、ＬＣ−ＭＳで測定された分子量２１４、２１６、３０８に相当する成分であって、具体的には、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，５，５−トリメチルシクロヘキセン−２、４−（３，３，５−トリメチルシクロヘキセン−１−イル）フェノール、４−（３，５，５−トリメチルシクロヘキセン−１−イル）フェノール、４−（３，３，５−トリメチルシクロヘキサジエン−１，５−イル）フェノールである。これらの化合物のポリカーボネート樹脂中における含有量は、ポリカーボネート樹脂をモノマーに分解して、その分解物をＨＰＬＣ分析して求められるピーク面積の割合（％）で示された値である。
【００５９】
前記式［Ｘ］で表される化合物は、ビスフェノールＴＭＣの製造工程において副生する不純物である。かかる不純物を除去する方法としては、ビスフェノールＴＭＣをアルコール系、ケトン系またはベンゼン誘導体系の溶媒に溶解し、これに活性炭あるいは活性白土を加えてろ過後、ろ液から結晶化した生成物をろ過する方法が好ましく採用される。かかる精製に用いるアルコール系の溶媒としてはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の低級アルコール、ケトン系の溶媒としてはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン等の低級脂肪族ケトン類およびこれらの混合物が好ましく、ベンゼン誘導体系の溶媒としてはトルエン、キシレン、ベンゼンおよびこれらの混合物が好ましい。溶媒の使用量はビスフェノールＴＭＣが十分に溶解する量であれば足り、通常ビスフェノールＴＭＣに対して２〜１０倍量程度である。
【００６０】
本発明の光ディスク基板は、オリゴマー含量が１０％以下、好ましくは７％以下、特に好ましくは５％以下である芳香族ポリカーボネート樹脂が好適に使用される。このオリゴマー含量の値は下記方法およびカラムを使用して測定された値である。すなわち、東ソー（株）製、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬカラム各１本づつ直列に繋いで溶離液としてクロロホルムを用い、流量０.７ｍｌ／分で安定化した後、該ポリカーボネート樹脂のクロロホルム溶液を注入する方法で測定したＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分以降のオリゴマーピーク面積の合計の全ピーク面積に対する割合がオリゴマー含量であり、この値が１０％以下、好ましくは７％以下であることが必要である。オリゴマー含量が７％、殊に１０％を越えると、成形時の金型表面を汚染することがあるので望ましくなく、その汚染はオリゴマー含量が多くなる程顕著になる傾向がある。一方、オリゴマーは芳香族ポリカーボネート樹脂の製造過程で生じるものであり、完全に零（０）にすることはできない。
【００６１】
オリゴマーは、前記した含量以下であればよく、その値を満足する限り、少割合含有されていても差支えない。０.１％以上、好ましくは０.１５％以上の少割合の含量でオリゴマーが存在すると、それ以下のものと比べて溶融流動性が向上する。そのため、特に好ましくはオリゴマー含量は０.１５〜４％の範囲である。
【００６２】
芳香族ポリカーボネート樹脂中のオリゴマー含量を前記範囲に制御するには、大量のオリゴマーが樹脂中に含まれないように重合を充分に完結することが必要であり、また触媒および重合条件を適宣選択することが要求される。もしオリゴマー含量が前記範囲を越えている場合には、例えばオリゴマーを抽出等の手段により除去する処置が採用される。この抽出は芳香族ポリカーボネート樹脂の溶液（例えば塩化メチレン溶液）を、その樹脂の貧溶剤または非溶剤（例えばアセトンまたはメタノール）中に滴下する方法、あるいはその樹脂を貧溶媒または非溶媒に浸漬して、オリゴマーを抽出する方法等の手段によって実施することができる。
【００６３】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、光ディスク基板、殊にビデオ用光ディスク基板として使用されるため、その中に未溶解粒子が或る一定量以上存在しないことが好ましい。
【００６４】
すなわち、ポリカーボネート樹脂は、その２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した溶液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンターモデル４１００を用いたレーザーセンサー法にて散乱光をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた径０.５μｍ以上の未溶解粒子が該ポリカーボネート樹脂１ｇ当り２５,０００個以下且つ１μｍ以上の未溶解粒子が５００個以下であることが好適である。０.５μｍ以上の未溶解粒子が２５,０００個を超えるか、または１μｍ以上の未溶解粒子が５００個を超えると光ディスクに書き込まれた情報ピットに悪影響を及ぼしエラーレートが大きくなる場合がある。さらに好ましくは、０.５μｍ以上の未溶解粒子が２０,０００個以下、且つ１μｍ以上の未溶解粒子が２００個以下である。また、１０μｍ以上の未溶解粒子は実質的に存在しないことが好ましい。
【００６５】
芳香族ポリカーボネート樹脂中における未溶解粒子の量を前記範囲とするためには、重合過程および造粒過程において、未溶解粒子が混入しないかあるいは除去し得る手段を採用すべきである。
【００６６】
そのような手段としては、例えば操作をクリーンルームで行うこと、未溶解粒子の除去装置の付いた造粒装置を使用すること（具体的例としては、後述する実施例１で使用された軸受け部に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダー）あるいは摺動部分に樹脂粒子が触れない構造の装置（例えばスプレードライヤー形式の造粒機）で造粒すること等がある。
【００６７】
また、未溶解粒子を除去する他の手段として、樹脂の溶液を目開きの小さいフィルター（０.５〜１μｍ）によりろ過する方法あるいは樹脂を溶融して後、金属フィルター（１０〜４０μｍ）により固体粒子を除去する方法等が採用される。
【００６８】
本発明の光ディスク基板は、全光線透過率が少なくとも８５％、好ましくは少なくとも９０％の芳香族ポリカーボネート樹脂から形成される。全光線透過率が８５％よりも低くなると、光ディスク基板として不適当である。また、芳香族ポリカーボネート樹脂の斜め入射複屈折位相差の値が６０ｎｍ以下、好ましくは４０ｎｍ以下であるのが適当である。この斜め入射複屈折位相差の値が６０ｎｍを越えると、光ディスクとして使用した場合記録の読み取りに支障を来すことになり不適当である。
【００６９】
芳香族ポリカーボネート樹脂は、その光弾性定数の値が６０×１０-14ｃｍ2／μＮ（６０×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎ）以下、好ましくは５０×１０-14ｃｍ2／μＮ（５０×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎ）以下のものが有利に利用される。光弾性定数の値が前記値よりも大きい場合、光ディスクとして適さなくなる。
【００７０】
芳香族ポリカーボネート樹脂は、そのガラス転移点が１２０℃以上が好ましく、１３０℃以上がより好ましく、１４５℃以上がさらに好ましい。ガラス転移点が低くなると光ディスク基板としての耐熱性が不足する。また芳香族ポリカーボネート樹脂の流動性はＭＦＲの値で２５ｇ／１０分以上が好ましく、３０ｇ／１０分以上がより好ましく、４５ｇ／１０分以上がさらに好ましい。流動性が低くなると成形性に劣り所望の光ディスク基板が得られなくなる。
【００７１】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、カーボネート前駆物質としてホスゲンを使用し、また溶媒として塩化メチレン等の塩素系溶媒を使用した場合、塩素が少なからず残存している。この塩素の含有量が多いと成形金型が腐蝕したり、芳香族ポリカーボネート樹脂の熱安定性が低下したり、また光ディスクの金属膜の腐蝕が起こったりするので望ましくない。従って、塩素の含量は１０ｐｐｍ以下、好ましくは７ｐｐｍ以下、特に好ましくは５ｐｐｍ以下であるのが推奨される。ここで云う塩素含量とは、芳香族ポリカーボネート樹脂を三菱化学製全有機ハロゲン分析装置ＴＯＸ１０型を用いて燃焼法により測定された値を意味するものとする。
【００７２】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂には、必要に応じて燐系熱安定剤を加えることができる。燐系熱安定剤としては、亜燐酸エステルおよび燐酸エステルが好ましく使用される。亜燐酸エステルとしては、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、テトラキス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４,４−ジフェニレンホスホナイト等の亜燐酸のトリエステル、ジエステル、モノエステルが挙げられる。これらのうち、トリスノニルフェニルホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトが好ましい。
【００７３】
一方、熱安定剤として使用される燐酸エステルとしては、例えばトリブチルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリクロルフェニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニルクレジルホスフェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフェート等が挙げられ、なかでもトリフェニルホスフェート、トリメチルホスフェートが好ましい。
【００７４】
前記燐系熱安定剤は、単独で使用してもよく、また二種以上を組合せて使用してもよい。燐系熱安定剤は、芳香族ポリカーボネート樹脂に基づいて０.０００１〜０.０５重量％の範囲で使用するのが適当である。
【００７５】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。その例としてはフェノール系酸化防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,６−トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス｛１,１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ（５,５）ウンデカン等が挙げられる。これら酸化防止剤の好ましい添加量の範囲は芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０.０００１〜０.０５重量％である。
【００７６】
さらに本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂には、必要に応じて多価アルコールの高級脂肪酸エステルを加えることもできる。この高級脂肪酸エステルを加えることによって、芳香族ポリカーボネート樹脂の熱安定性が向上し、成形時の樹脂の流動性が良くなり、さらに成形後の金型からの基板の離型性が改良されて離型不良によるディスク基板の変形が防止できる。かかる高級脂肪酸エステルとしては、炭素数２〜５の多価アルコールと炭素数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステル、または全エステルであるのが好ましい。この多価アルコールとしては、グリコール類、グリセロールまたはペンタエリスリトールが挙げられる。
【００７７】
前記高級脂肪族酸エステルは、芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０.００５〜２重量％の範囲、好ましくは０.０２〜０.１重量％の範囲で添加されるのが適当である。
【００７８】
添加量が０.０１重量％未満では、上記効果が得られず、一方２重量％を越えると金型表面の汚れの原因となるので好ましくない。
【００７９】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂には、さらに光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤等の添加剤を透明性を損なわない範囲で加えることができる。また、他のポリカーボネート樹脂、熱可塑性樹脂を本発明の目的を損なわない範囲で少割合添加することもできる。
【００８０】
本発明の光ディスクとしては、オーディオ用のコンパクトディスク（直径１２ｃｍのディスク当り約６５０ＭＢの記録密度）から高密度のディスクまでを対象とする。例えば、最近再生専用では容量４.７ＧＢのＤＶＤ−ＲＯＭ、記録再生可能なＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭにおいても容量４.７ＧＢが実現されつつある。また、ＭＯディスクでは５.２５”サイズでは両面で５.２ＧＢ、３.５”では片面で１.３ＧＢの光学情報記録媒体が上市されているが、デジタル高画質放送などに対応する直径１２ｃｍのディスクに換算して片面約６.５ＧＢ以上、殊に１０ＧＢ以上の高密度光学記録媒体が要望され、本発明の光ディスク基板はこれらのものにも十分に適応できる特性を有する。特に、本発明の光ディスク基板は、直径１２ｃｍのディスクに換算して片面約６.５ＧＢ以上の再生専用または記録再生可能な高密度情報記録媒体用の基板として好適である。
【００８１】
本発明の光ディスク基板は、その片面に金属薄膜を形成させることにより光ディスクが得られる。この金属としては、アルミニウム、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｇｄ、ＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＧｅＳｂＴｅ、ＺｎＳおよびアルミニウム合金等があり、アルミニウムが適している。また薄膜は、スパッタリング、蒸着等の手段で形成させることができる。これらの金属薄膜の形成手段は、それ自体知られた方法で行うことができる。
【００８２】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明する。なお実施例中の部は重量部であり、％は重量％である。なお、評価は下記の方法によった。
【００８３】
比粘度：ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し２０℃の温度で測定した。
【００８４】
ガラス転移点（Ｔｇ）：デュポン社製９１０型ＤＳＣにより測定した。
【００８５】
流動性（ＭＦＲ）：ＪＩＳ    Ｋ−７２１０に準拠して、東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、２８０℃、荷重２.１６ｋｇで１０分間に流出したポリマー量（ｇ）で示した。
【００８６】
オリゴマー含量：東ソー製ＧＰＣカラムＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬを用い、溶離液としてクロロホルムを流量０.７ｍｌ／分で流しながら試料５０ｍｇをクロロホルム５ｍｌに溶解した溶液を２０μｌ注入する方法で求めたＧＰＣチャートのリテンションタイムが１９分以降のオリゴマー成分のピーク面積の全ピーク面積に対する割合を％で示した。
【００８７】
吸水率：ＡＳＴＭ  Ｄ−０５７０によって測定した。
【００８８】
上記式［Ｘ］で示される化合物の含有率：ポリカーボネート樹脂２．５ｇを、苛性ソーダ０．０３５ｇをメタノール１ｍｌとトルエン１．５ｍｌの混合溶媒に溶解した溶液に加え、６０℃、１時間処理して、ポリカーボネート樹脂を分解させ、この溶液をイオン交換水４０ｍｌ中に入れて、フェノール類を析出させ乾燥した後、Ｄｅｖｅｌｏｓｉｌ  ＯＤＳ−７のカラムにて、溶離液メタノール／０．２％酢酸水とメタノールとの混合液を用いて、５０℃、２８０ｎｍでグラジエントプログラムにてＨＰＬＣ分析し、上記式［Ｘ］で示される成分の面積％を合計して求めた。
【００８９】
塩化メチレン未溶解粒子：ポリカーボネート樹脂２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した溶液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンターモデル４１００を用いたレーザーセンサー法にて散乱光をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた。
【００９０】
全光線透過率（Ｔｔ）：ＡＳＴＭ  Ｄ−１００３に準拠して日本電色シグマ８０を用いて測定した。
【００９１】
光弾性定数：理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−１５０により測定した。
【００９２】
斜め入射複屈折位相差：オーク製エリプソメータＡＤＲ−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、入射角３０度で測定した。
【００９３】
反り：８０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿機中に、反面にアルミニウム製膜処理した光ディスクを１,０００時間放置した後、小野測器製ＬＭ−１２００光ディスク検査装置を用いて基板の反りを測定した。
【００９４】
ＢＬＥＲ：アルミ製膜後の光ディスクのＢＬＥＲ（Ｃ１ピーク）をＣＤＰ−３０００を用いて測定した。
【００９５】
熱安定性（△Ｅ）：ポリカーボネート樹脂ペレットを射出成形機（日本製鋼所（株）製：日鋼アンカー  Ｖ−１７−６５型）を用い、シリンダー温度３８０℃で１０分間滞留させたものとさせないものの試験片（厚さ２ｍｍの５０ｍｍ角板）をそれぞれ作成し、その色相の変化（△Ｅ）を測定した。色相の変化は、色差計（日本電色（株）製Ｚ１００１ＤＰ）でそれぞれのＬ、ａ、ｂ値を測定し、下記式を用いて算出した。
ΔＥ＝［（Ｌ′−Ｌ）2＋（ａ′−ａ）2＋（ｂ′−ｂ）2］1/2
（Ｌ、ａ、ｂは滞留させないもの、Ｌ′、ａ′、ｂ′は１０分間滞留させたもの）
【００９６】
ジッター：アルミ製膜後の光ディスク（３８０℃で成形）のジッターをＡＵＤＩＯ  ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ製ＣＤ  ＣＡＴＳを用いて測定した。ジッターは、小さい数値ほど信号の再現精度が良好であることを示す。
【００９７】
実施例１
温度計、撹拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９２９.２部、４８％カセイソ−ダ水溶液６１.３部を入れ、活性炭処理して精製したＸ成分の含有量が０.０４５％の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン３９部、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール４３.６部およびハイドロサルファイト０.１７部を溶解した後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１.５１部と塩化メチレン６３７.９部を加えトリエチルアミン０.０９部を添加した後撹拌下１５〜２５℃でホスゲン３２.４部を４０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％カセイソーダ水溶液１５.６部を加え、２８〜３３℃で１時間撹拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で５０：５０である無色のポリマー８６.４部を得た（収率９７％）。
【００９８】
このポリマーの比粘度は０.２８６、オリゴマー含量は２.３％、Ｔｇは１４７℃、ＭＦＲは７０ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１５重量％であった。このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１５,０００個／ｇ、１μｍ以上が１９０個／ｇであった。このポリマーにトリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを０.０３％、トリメチルホスフェートを０.００５％、ステアリン酸モノグリセリドを０.０４％加えてペレット化した。このペレットを用いて測定した樹脂の全光線透過率は８９％、光弾性定数は３９×１０-14ｃｍ2／μＮ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎｍであった。［Ｘ］成分の含有率は０．０３％であり、△Ｅの値は２．１と良好であった。このペレットを名機製作所（株）製Ｍ−３５Ｂ−ＤＭを用いて、１２０ｍｍφ、０.６ｍｍの厚みのＲＯＭディスクに射出成形した。それにアルミニウム膜をスパッタリングした後、松下電器産業（株）製ＤＶＤ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｍａｃｈｉｎｅ  ＦＡ−ＹＧ２３を用いて２枚貼り合せて１０ＧＢ／１２ｃｍのディスクを得た。このディスクの反りは０.２ｍｍ、ＢＬＥＲは４５個／秒、ジッターは９．０％であった。
【００９９】
実施例２
実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを３１.２部、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールを５２.２部とした以外は実施例１と同様にして、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で４０：６０であるポリマー８６.４部を得た（収率９６％）。このポリマーの比粘度は０.２９２、オリゴマー含量は２.８％、Ｔｇは１３５℃、ＭＦＲは９０ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１２重量％であった。
【０１００】
このポリマーを実施例１と同様に成形し実施例１と同様に評価したところ、このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１３,０００個／ｇ、１μｍ以上が１４０個／ｇであった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４０×１０-14ｃｍ2／μＮ、斜め入射複屈折位相差は２４ｎｍ、［Ｘ］成分の含有率は０．０２％、△Ｅは２．１、反りは０.１５ｍｍ、ＢＬＥＲは３８個／秒、ジッターは９．１％と良好であった。
【０１０１】
実施例３
実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを４６.８部、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールを３４.９部とし、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの代わりに炭素原子数２３のアルキルフェノール（オルソ置換体７０％、パラ置換体３０％の混合物）を３.８部用いる以外は実施例１と同様にしてビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で６０：４０であるポリマー８６.４部（収率９４％）を得た。このポリマーの比粘度は０.２７５、オリゴマー含量は３.１％、Ｔｇは１３３℃、ＭＦＲは６８ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１６重量％であった。
【０１０２】
このポリマーを実施例１と同様に成形し実施例１と同様に評価したところ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１６,０００個／ｇ、１μｍ以上が１７０個／ｇであった。全光線透過率は８９％、光弾性定数は３８×１０-14ｃｍ2／μＮ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎｍ、［Ｘ］成分の含有率は０．０３％、△Ｅは２．３、反りは０.２ｍｍ、ＢＬＥＲは３３個／秒、ジッターは８.８％と良好であった。
【０１０３】
実施例４
実施例１と同様の装置にイオン交換水９４５部と４８.５％水酸化ナトリウム水溶液６２.５部を仕込み、実施例１.の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン２４部、９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン９部（以下、ビスフェノールフルオレンと略称することがある）、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール５３.６部を溶解させた後塩化メチレン６４９部を加え、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１.１５部とトリエチルアミン０.０９部を加えて激しく攪拌しながら２０℃でホスゲン３３部を約４０分を要して吹き込み反応せしめた。次いで内温を３０℃に上げ４８.５％水酸化ナトリウム水溶液１６部を加えて１時間攪拌を続けて反応を終了した。
【０１０４】
このものを実施例１と同様に精製してビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭとビスフェノールフルオレンの比がモル比で３０：６０：１０であるポリマーを得た。このポリマーの比粘度は０.３００、オリゴマー含量は３.９％、ＭＦＲは５９ｇ／１０分、Ｔｇは１４９℃であった。また吸水率は０.１３重量％であった。このポリマーを実施例１と同様にして成形し評価したところ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１６,０００個／ｇ、１μｍ以上が１８０個／ｇであった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４０×１０-14ｃｍ2／μＮ、斜め入射複屈折位相差は３７ｎｍ、［Ｘ］成分の含有率は０．０２％、△Ｅは２．２、反りは０.１５ｍｍ、ＢＬＥＲは３５個／秒、ジッターは９．０％と良好であった。
【０１０５】
実施例５
実施例１と同様の装置にイオン交換水９６５.１部、４８％水酸化ナトリウム水溶液６３.６部を入れ、実施例１.の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン２４.３部、２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン４６.９部およびハイドロサルファイト０.１８部を溶解した後、塩化メチレン６６２.５部を加え、攪拌下１５〜２０℃でホスゲン３２.４部を４０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２部と４８％水酸化ナトリウム水溶液１６.２部を加え乳化後、トリエチルアミン０.０９部を加えて、２８℃〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。このものを実施例１と同様に精製して、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＣの比がモル比で３０：７０であるポリマー７５.７部を得た（収率９７％）。
【０１０６】
このポリマーの比粘度は０.３０４、オリゴマー含量は３.８％、Ｔｇは１５３℃、ＭＦＲは５０ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１６重量％であった。このポリマーを実施例１と同様にして成形評価したところ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１４,０００個／ｇ、１μｍ以上が１５０個／ｇであった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４９×１０-14ｃｍ2／μＮ、斜め入射複屈折位相差は２５ｎｍ、［Ｘ］成分の含有率は０．０２％、△Ｅは２．１、反りは０.２ｍｍ、ＢＬＥＲは４０個／秒、ジッターは９．３％と良好であった。
【０１０７】
実施例６
実施例５の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを４８.７部、２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンを２６.８部とし、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの代わりに炭素原子数１７〜２９（平均２３）のアルキルフェノール（オルソ置換体７０％とパラ置換体３０％の混合物）を５部用いた以外は実施例５と同様にして、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＣの比がモル比で６０：４０であるポリマー８３.８部を得た（収率９６％）。
【０１０８】
このポリマーの比粘度は０.２９３、オリゴマー含量は３.７％、Ｔｇは１４８℃、ＭＦＲは４５ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１８重量％であった。このポリマーを実施例１と同様にして成形評価したところ、塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１５,０００個／ｇ、１μｍ以上が１７０個／ｇであった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４２×１０-14ｃｍ2／μＮ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎｍ、［Ｘ］成分の含有率は０．０４％、△Ｅは２．４、反りは０.３ｍｍ、ＢＬＥＲは４５個／秒、ジッターは９．４％と良好であった。
【０１０９】
実施例７
実施例１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを４３部、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールを３９.２部とし、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの代わりに、炭素原子数１７〜２９（平均２３）のアルキルフェノール（オルソ置換体７０％とパラ置換体３０％の混合物）を１.９部とｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを０.８部用いる以外は、実施例１と同様にしてビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で５５：４５であるポリマー８７.７部（収率９６％）を得た。
【０１１０】
このポリマーの比粘度は０.２８５、オリゴマー含量は２.９％、Ｔｇは１４０℃、ＭＦＲは７０ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１５重量％であった。このポリマーを実施例１と同様に成形し、実施例１と同様に評価したところ、塩化メチレン未溶解粒子は、０.５μｍ以上が１４,０００個／ｇ、１μｍ以上が１６０個／ｇであった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は３９×１０-14ｃｍ2／μＮ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎｍ、［Ｘ］成分の含有率は０．０３％、△Ｅは２．２、反りは０.１５ｍｍ、ＢＬＥＲは３５個／秒、ジッターは９．３％と良好であった。
【０１１１】
比較例１
実施例１において、活性炭処理しなかったＸ成分の含有量が０.１２％の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを使用する以外は実施例１と同様の方法で、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で５０：５０である無色のポリマーを得た。このポリマーの比粘度は０.２８５、オリゴマー含量は２.３％、Ｔｇは１４５℃、ＭＦＲは７２ｇ／１０分であった。また吸水率は０.１５重量％であった。
【０１１２】
このポリマーを実施例１と同様に成形し実施例１と同様に評価したところ、このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１６,０００個／ｇ、１μｍ以上が１９５個／ｇであった。また全光線透過率は８９％、光弾性定数は４０×１０-14ｃｍ2／μＮ、斜め入射複屈折位相差は２５ｎｍ、反りは０.３ｍｍ、ＢＬＥＲは５５個／秒であった。また、［Ｘ］成分の含有率は０．０８％となり、△Ｅは３．９と熱安定性に劣り、ジッターは１５．１％と悪化した。
【０１１３】
【表１】
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【０１１４】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、熱安定性の良好な優れた光学特性をもった光ディスク基板が得られるので、光ディスク、特に高画質ビデオ用光ディスクとして好適に用いられる。