(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に搭載される複数個の半導体素子を樹脂封止する領域がランド状に分割され、該分割された各樹脂封止領域において搭載される個々の半導体素子に対応してダイパッド部及びその周囲のリード部が画定された基板フレームを形成する工程と、
前記基板フレームの他方の面全体に接着テープを貼り付ける工程と、
前記接着テープの、前記各樹脂封止領域間の領域に対応する部分に、該接着テープが一体的に繋がっている状態が維持されるように切り込みを部分的に入れる工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項２】
一方の面に搭載される複数個の半導体素子を樹脂封止する領域がランド状に分割され、該分割された各樹脂封止領域において搭載される個々の半導体素子に対応して開口部及びその周囲のリード部が画定された基板フレームを形成する工程と、
前記基板フレームの他方の面全体に接着テープを貼り付ける工程と、
前記接着テープの、前記各樹脂封止領域間の領域に対応する部分に、該接着テープが一体的に繋がっている状態が維持されるように切り込みを部分的に入れる工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項３】
一方の面に搭載される複数個の半導体素子を樹脂封止する領域がランド状に分割され、該分割された各樹脂封止領域において搭載される個々の半導体素子に対応してダイパッド部及びその周囲のリード部が画定されるとともに、前記各樹脂封止領域間の領域にスリットが設けられた基板フレームを形成する工程と、
前記基板フレームの他方の面全体に接着テープを貼り付ける工程と、
前記接着テープの、前記基板フレームのスリットが形成されている部分に対応する部分に、該接着テープが一体的に繋がっている状態が維持されるように切り込みを部分的に入れる工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項４】
一方の面に搭載される複数個の半導体素子を樹脂封止する領域がランド状に分割され、該分割された各樹脂封止領域において搭載される個々の半導体素子に対応して開口部及びその周囲のリード部が画定されるとともに、前記各樹脂封止領域間の領域にスリットが設けられた基板フレームを形成する工程と、
前記基板フレームの他方の面全体に接着テープを貼り付ける工程と、
前記接着テープの、前記基板フレームのスリットが形成されている部分に対応する部分に、該接着テープが一体的に繋がっている状態が維持されるように切り込みを部分的に入れる工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項５】
前記基板フレームを形成する工程と前記接着テープを貼り付ける工程との間に、該基板フレームの全面に金属膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項６】
請求項１，３及び５のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法によって製造されたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項７】
請求項６に記載のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームの各ダイパッド部上にそれぞれ半導体素子を搭載する工程と、
前記各半導体素子の電極と前記リードフレームの該電極と対応するリード部とをそれぞれボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、
前記各半導体素子、前記各ボンディングワイヤ及び前記リードフレームの各リード部を封止樹脂により封止する工程と、
前記接着テープを剥離する工程と、
前記各半導体素子が搭載されたリードフレームをそれぞれ１個の半導体素子が含まれるように各半導体装置に分割する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項２，４及び５のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法によって製造されたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項９】
請求項８に記載のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記基板フレームの各開口部内の前記接着テープ上にそれぞれ半導体素子を搭載する工程と、
前記各半導体素子の電極と前記リードフレームの該電極と対応するリード部とをそれぞれボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、
前記各半導体素子、前記各ボンディングワイヤ及び前記リードフレームの各リード部を封止樹脂により封止する工程と、
前記接着テープを剥離する工程と、
前記各半導体素子が搭載されたリードフレームをそれぞれ１個の半導体素子が含まれるように各半導体装置に分割する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を実装するパッケージの基板として用いられるリードフレームに係り、より詳細には、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）やＳＯＮ（Small Outline Non-leaded package）等のリードレス・パッケージに使用され、パッケージの組み立ての際に一括モールディング方式により樹脂封止が行われるリードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＱＦＮ等のリードレス・パッケージ（半導体装置）を作製する場合、その基本的なプロセスとして、リードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する処理（ダイ・ボンディング）、半導体素子の電極とリードフレームのリード部とをボンディングワイヤにより電気的に接続する処理（ワイヤ・ボンディング）、半導体素子、ボンディングワイヤ等を封止樹脂により封止する処理（モールディング）、リードフレームを各パッケージ（半導体装置）単位に分割する処理（ダイシング）などを含む。
【０００３】
また、モールディングの形態としては、個々の半導体素子毎に樹脂封止を行う個別モールディング方式、複数個の半導体素子単位で樹脂封止を行う一括モールディング方式などがある。しかし、個別モールディング方式では単体（半導体素子）毎に樹脂封止を行うため、一括モールディング方式と比べると、パッケージの組み立ての効率化という点で難点がある。そこで、最近のトレンドとして、一括モールディング方式が主流となっている。
【０００４】
従来の技術では、このような一括モールディングを行うに際し、封止樹脂のフレーム裏面への漏れ出し（「モールドフラッシュ」ともいう。）を防止するために、フレーム裏面全体に接着テープを貼り付けた状態でモールディングを行うのが一般的である。つまり、パッケージの組み立て工程に先立って、リードフレームの片面全体に接着テープを貼り付けておくこと（テーピング）が一般に行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
一括モールディング方式を用いた場合、パッケージの組み立ての効率化という点では有利であるが、上述したようにリードフレームの片面全体に接着テープが貼り付けられているため、モールディング時の加熱処理の際に、リードフレームを構成する材料（金属）と接着テープを構成する材料（有機樹脂等）との熱膨張率の差に起因して、リードフレームが反ってしまうという問題が発生する。このような反りがあると、パッケージの組み立てを安定して行うことができず、ひいては半導体装置としての信頼性が低下することになる。
【０００６】
そこで、かかる不都合に対処する方法として、接着テープをリードフレームの片面全体に貼り付けるのではなく、リードフレーム上で樹脂封止に必要な各領域毎に対応して接着テープを切り分けて貼り付ける方法が採られている。接着テープを小さく分割して貼ることで、分割した個々のテープ収縮量を小さくし、ひいてはリードフレーム全体の反りを減少させることができるからである。
【０００７】
しかしながら、これまで１回で済んでいたテーピング工程を接着テープの分割数だけ増やす必要がある（つまり、テーピング工程の負荷が増える）ため、リードフレームの製造に係る工程の効率が低下しまうといった課題があった。
【０００８】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、テーピング工程の負荷を増やすことなく部分的なテーピングを可能とし、ひいてはフレームの反りを減少させることができるリードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、一方の面に搭載される複数個の半導体素子を樹脂封止する領域がランド状に分割され、該分割された各樹脂封止領域において搭載される個々の半導体素子に対応してダイパッド部及びその周囲のリード部が画定された基板フレームを形成する工程と、前記基板フレームの他方の面全体に接着テープを貼り付ける工程と、前記接着テープの、前記各樹脂封止領域間の領域に対応する部分に、該接着テープが一体的に繋がっている状態が維持されるように切り込みを部分的に入れる工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法が提供される。
【００１０】
また、変形形態によれば、上記のダイパッド部及びその周囲のリード部が画定された基板フレームを形成する工程に代えて、一方の面に搭載される複数個の半導体素子を樹脂封止する領域がランド状に分割され、該分割された各樹脂封止領域において搭載される個々の半導体素子に対応して開口部及びその周囲のリード部が画定された基板フレームを形成する工程を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法が提供される。
【００１１】
本発明に係るリードフレームの製造方法によれば、基板フレームの片面全体に接着テープを１回の工程で貼り付けた後、接着テープの、各樹脂封止領域間の領域に対応する部分に切り込みを入れている。
【００１２】
従って、１回のテーピングで済むことにより、従来のようにテーピング工程の負荷が増えるといった問題を解消することができ、また、接着テープの所定の部分（各樹脂封止領域間の領域に対応する部分）に切り込みを入れることにより、各樹脂封止領域毎に別々にテーピングを行った状態（部分的なテーピング）と同等の状態が実現され、これによってフレームの反りを減少させることが可能となる。さらに、所定の態様（接着テープが一体的に繋がっている状態が維持されるような態様）で切り込みを入れているので、後の段階でこの接着テープを剥がす時にその処理が１回で済み、工程の負荷の軽減に寄与する。
【００１３】
また、本発明の他の形態によれば、上記のリードフレームの製造方法によって製造されたことを特徴とするリードフレームが提供される。
【００１４】
また、本発明の更に他の形態によれば、上記のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームの各ダイパッド部上（又は、前記基板フレームの各開口部内の前記接着テープ上）にそれぞれ半導体素子を搭載する工程と、前記各半導体素子の電極と前記リードフレームの該電極と対応するリード部とをそれぞれボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、前記各半導体素子、前記各ボンディングワイヤ及び前記リードフレームの各リード部を封止樹脂により封止する工程と、前記接着テープを剥離する工程と、前記各半導体素子が搭載されたリードフレームをそれぞれ１個の半導体素子が含まれるように各半導体装置に分割する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１の実施形態に係るリードフレームの構成を模式的に示したものである。図中、（ａ）はリードフレームを一方の面（搭載される半導体素子を樹脂封止する領域が画定される側）から平面的に見た構成、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿って見たリードフレームの断面構造、（ｃ）はリードフレームを他方の面（樹脂封止領域が画定される側と反対側）から平面的に見た構成を示している。
【００１６】
本実施形態に係るリードフレーム１０は、基本的には、ＱＦＮの基板として用いられる基板フレーム１１からなっており、この基板フレーム１１の一方の面には、図１（ａ）に示すように、複数の樹脂封止領域ＭＲｉ（ｉ＝１〜４）がランド状に分離して画定されている。各樹脂封止領域ＭＲｉには、後述するように複数個の半導体素子が搭載され、一括モールディング方式により樹脂封止が行われる。従って、基板フレーム１１は、図１（ａ）の上側に示すように、各樹脂封止領域ＭＲｉにおいて搭載される個々の半導体素子に対応してダイパッド部１２及びその周囲のリード部１３が画定されるように形成されている。
【００１７】
また、１４はフレーム部を示し、このフレーム部１４からダイパッド部１２に向かって各リード部１３が櫛歯状に延在し、さらにフレーム部１４の四隅から延在する４本のサポートバー１５によってダイパッド部１２が支持されている。各リード部１３は、半導体素子の電極に電気的に接続されるインナーリード部と、実装用基板の配線に電気的に接続されるアウターリード部（外部接続端子）とからなっている。
【００１８】
さらに、基板フレーム１１の表面には金属膜１６が形成されている。
【００１９】
一方、基板フレーム１１の他方の面には、接着テープ１７が貼り付けられており、この接着テープ１７の、各樹脂封止領域ＭＲｉ間の領域ＳＲ（「セクション部」ともいう。）に対応する部分には、本発明の特徴をなす切り込みＣＰが入れられている。この切り込みＣＰは、図１（ｃ）に示すように、接着テープ１７が一体的に繋がっている状態が維持されるように接着テープ１７に部分的に入れられている。
【００２０】
以下、本実施形態に係るリードフレーム１０を製造する方法について、その製造工程を示す図２を参照しながら説明する。
【００２１】
先ず最初の工程では（図２（ａ）参照）、金属板をエッチング又はプレスによりパターニング加工して基板フレーム１１を形成する。
【００２２】
形成する基板フレーム１１は、図２（ａ）の上側に模式的に示すように、その一方の面において複数の樹脂封止領域ＭＲ１〜ＭＲ４がランド状に分離して画定された構造を有している。さらに各樹脂封止領域ＭＲｉ（ｉ＝１〜４）においては、図１（ａ）に示したように、搭載される複数個の半導体素子の各個に対応してそれぞれダイパッド部１２及びその周囲のリード部１３が画定されている。
【００２３】
なお、金属板の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）又はＣｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金等が用いられる。また、金属板（基板フレーム１１）の厚さとしては、２００μｍ程度のものが選定される。
【００２４】
次の工程では（図２（ｂ）参照）、基板フレーム１１の全面又は部分的に、電解めっきにより金属膜１６を形成する。
【００２５】
例えば、基板フレーム１１を給電層として、その表面に密着性向上のためのニッケル（Ｎｉ）めっきを施した後、このＮｉ層上に導電性向上のためのパラジウム（Ｐｄ）めっきを施し、さらにＰｄ層上に金（Ａｕ）フラッシュを施して金属膜（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）１６を形成する。
【００２６】
次の工程では（図２（ｃ）参照）、基板フレーム１１の樹脂封止領域ＭＲｉが画定される側と反対側の面（図示の例では下側の面）に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等からなる接着テープ１７を貼り付ける（テーピング）。
【００２７】
このテーピングは、基本的には、後の段階で行うパッケージの組み立て工程においてモールディングの際に封止樹脂のフレーム裏面への漏れ出し（「モールドフラッシュ」ともいう。）を防止するための対策として行われる。
【００２８】
最後の工程では（図２（ｄ）参照）、接着テープ１７の、樹脂封止領域ＭＲ１〜ＭＲ４の各領域間のセクション部ＳＲに対応する部分に、切り込みＣＰを入れる。
【００２９】
切り込みＣＰを入れる手段としては、例えば、カッタを用いてもよいし、或いは、先端部が鋭角もしくは楔状に加工された金型（ポンチ）を当該部分に押し付けるようにしてもよい。
【００３０】
これらの手段により切り込みＣＰを入れたとき、その押し付ける力によっては基板フレーム１１に傷が付く場合もあるが、切り込みＣＰを入れる箇所は樹脂封止領域ＭＲｉ間のセクション部ＳＲに対応する領域であるため、特に問題は生じない。
【００３１】
以上の工程により、本実施形態に係るリードフレーム１０（図１）が作製されたことになる。
【００３２】
本実施形態に係るリードフレーム１０及びその製造方法によれば、従来のように各樹脂封止領域毎に対応してテープを切り分けて貼り付けることなく、１回のテーピングで済ますことができるので、従来のようにテーピング工程の負荷が増えるといった問題を解消することができる。
【００３３】
また、接着テープ１７を１回の工程で貼り付けた後、接着テープ１６の、各樹脂封止領域ＭＲｉ間の領域（セクション部ＳＲ）に対応する部分に、部分的に切り込みＣＰを入れているので、各樹脂封止領域ＭＲｉ毎に別々にテーピングを行った状態（部分的なテーピング）と同等の状態が実現される。その結果、リードフレーム１０の反りを減少させることが可能となる。
【００３４】
さらに、切り込みＣＰは、図１（ｃ）に示すように接着テープ１７が一体的に繋がっている状態が維持されるように部分的に入れられているので、後の段階でパッケージの組み立て工程においてモールディングを行った後にこの接着テープ１７を剥がすときに、その処理が１回で済む。これは、工程の負荷の軽減に寄与する。
【００３５】
上述した実施形態（図１，図２）では、接着テープ１７が一体的に繋がっている状態が維持されるように接着テープ１７に部分的に切り込みＣＰを入れた場合について説明したが、本発明の要旨（接着テープを１回の工程で貼り付けた後、接着テープの所定の部分に切り込みを入れることで、「部分的なテーピング」と同等の状態を実現すること）からも明らかなように、切り込みの形態はこれに限定されないことはもちろんである。例えば、接着テープを完全に切断するように切り込みを入れてもよい。その場合の一例（第２の実施形態）を図３に示す。
【００３６】
第２の実施形態に係るリードフレーム１０ａは、接着テープ１７ａ，１７ｂ，１７ｃ及び１７ｄがそれぞれ樹脂封止領域ＭＲ１，ＭＲ２，ＭＲ３及びＭＲ４に対応して分割される（完全に切断される）ように切り込みＣＰ’を入れている点で、図１に示したリードフレーム１０と相違する。他の構成については、第１の実施形態（図１）の場合と同じであるので、その説明は省略する。また、リードフレーム１０ａの製造方法についても、基本的には図２に示した製造工程と同じであるので、その説明は省略する。
【００３７】
図４は本発明の第３の実施形態に係るリードフレームの構成を模式的に示したものである。
【００３８】
本実施形態に係るリードフレーム１０ｂは、基板フレーム１１ａの、接着テープ１７に切り込みＣＰを入れる部分に対応する部分に、スリットＳＬを形成している点で、図１に示したリードフレーム１０と相違する。他の構成については、第１の実施形態（図１）の場合と同じであるので、その説明は省略する。
【００３９】
以下、本実施形態に係るリードフレーム１０ｂを製造する方法について、その製造工程を示す図５を参照しながら説明する。
【００４０】
先ず最初の工程では（図５（ａ）参照）、図２（ａ）の工程で行った処理と同様にして、金属板（例えば、Ｃｕ又はＣｕをベースにした合金板）をエッチング又はプレスによりパターニング加工して基板フレーム１１ａを形成する。
【００４１】
この基板フレーム１１ａは、図５（ａ）の上側に模式的に示すように、その一方の面において各樹脂封止領域ＭＲｉ（ｉ＝１〜４）がランド状に分離して画定された構造を有しており、各樹脂封止領域ＭＲｉにおいては、図１（ａ）に示したように、搭載される個々の半導体素子に対応してそれぞれダイパッド部１２及びその周囲のリード部１３が画定されている。
【００４２】
さらに、金属板をエッチング又はプレスによりパターニング加工する際に、基板フレーム１１ａのセクション部ＳＲ（各樹脂封止領域ＭＲｉ間の領域）にスリットＳＬを形成する。
【００４３】
次の工程では（図５（ｂ）参照）、スリットＳＬが形成された基板フレーム１１ａの全面に、図２（ｂ）の工程で行った処理と同様にして、電解めっきにより金属膜（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）１６を形成する。
【００４４】
次の工程では（図５（ｃ）参照）、基板フレーム１１ａの樹脂封止領域ＭＲｉが画定される側と反対側の面（図示の例では下側の面）に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等からなる接着テープ１７を貼り付ける（テーピング）。
【００４５】
最後の工程では（図５（ｄ）参照）、接着テープ１７の、基板フレーム１１ａのスリットＳＬが形成されている部分に対応する部分に、図２（ｄ）の工程で行った処理と同様にして、切り込みＣＰを部分的に入れる。
【００４６】
以上の工程により、本実施形態に係るリードフレーム１０ｂ（図４）が作製されたことになる。
【００４７】
本実施形態に係るリードフレーム１０ｂ及びその製造方法によれば、基板フレーム１１ａの、接着テープ１７に切り込みＣＰを入れる部分に対応する部分に、スリットＳＬが形成されているので、このスリットＳＬの位置に合わせて、例えば先端部が楔状に加工された金型（ポンチ）を押し付けることで、接着テープ１７の当該部分に切り込みＣＰを入れ易くなる。
【００４８】
また、金型（ポンチ）の代わりに、カッタを用いて切り込みＣＰを入れるようにしてもよい。この場合、第１，第２の実施形態（図１〜図３）に係るリードフレーム１０，１０ａでは基板フレーム１１にスリットが設けられていないので、カッタを用いて切り込みＣＰを直線状に入れることが困難になる場合も想定されるが、この第３の実施形態（図４，図５）ではスリットＳＬの存在により、このスリットＳＬの位置に合わせてカッタを操作することで、接着テープ１７の当該部分に容易に切り込みＣＰを直線状に入れることができる。
【００４９】
すなわち第３の実施形態によれば、第１，第２の実施形態（図１〜図３）の場合と比べて、接着テープ１７への切り込みが容易に行えるという利点がある。
【００５０】
図６は、第１の実施形態に係るリードフレーム１０（図１，図２）を用いて作製されたＱＦＮのパッケージ構造を有する半導体装置の一構成例を示したものである。
【００５１】
図６において、２０は半導体装置、２１はダイパッド部１２上に搭載された半導体素子、２２は半導体素子２１の電極とリード部１３とを電気的に接続するボンディングワイヤ、２３は半導体素子２１、ボンディングワイヤ２２等を保護するための封止樹脂を示す。
【００５２】
以下、半導体装置２０を製造する方法について、その製造工程を示す図７を参照しながら説明する。
【００５３】
先ず最初の工程では（図７（ａ）参照）、リードフレーム１０の接着テープ１７が貼り付けられている側の面を下にして保持用の治具（図示せず）で保持し、リードフレーム１０の各ダイパッド部１２上にそれぞれ半導体素子２１を搭載する。具体的には、ダイパッド部１２にエポキシ系樹脂等の接着剤を塗布し、半導体素子２１の裏面（電極が形成されている側と反対側の面）を下にして、接着剤によりダイパッド部１２に半導体素子２１を接着する。
【００５４】
次の工程では（図７（ｂ）参照）、各半導体素子２１の電極とリードフレーム１０の一方の面側（図示の例では上側）の対応するリード部１３とをそれぞれボンディングワイヤ２２により電気的に接続する。これによって、半導体素子２１がリードフレーム１０に実装されたことになる。
【００５５】
なお、この段階では、図１（ａ）に示した平面構成から理解されるように、リード部１３は隣合う２つのダイパッド部１２によって共有されている。
【００５６】
次の工程では（図７（ｃ）参照）、一括モールディング方式により、リードフレーム１０の半導体素子２１が搭載されている側の全面を封止樹脂２３で封止する。これは、特に図示はしないが、モールディング金型（１組の上型及び下型）の下型上にリードフレーム１０を載せ、上方から上型で挟み込むようにして、封止樹脂２３を充填しながら加熱及び加圧処理することにより行われる。封止の手法としては、例えばトランスファモールドが用いられる。
【００５７】
次の工程では（図７（ｄ）参照）、封止樹脂２３で封止されたリードフレーム１０（図７（ｃ））をモールディング金型から取り出し、接着テープ１７を基板フレーム１１から剥離して除去する。
【００５８】
このとき、基板フレーム１１に貼り付けられた接着テープ１７が図１に示したような形態（つまり、部分的に切り込みＣＰを入れた形態）を有している場合には、接着テープ１７が一体的に繋がっているので、接着テープ１７の剥離に係る作業は一回で済む。つまり、剥離作業の簡素化を図ることができる。
【００５９】
最後の工程では（図７（ｅ）参照）、ダイサー等により、破線で示すように分割線Ｄ−Ｄ’に沿って基板フレーム１１（各半導体素子２１が搭載されたリードフレーム）をそれぞれ１個の半導体素子２１が含まれるように各パッケージ単位に分割し、半導体装置２０（図６）を得る。なお、分割線Ｄ−Ｄ’は、図１に示すフレーム部１４の中心を通る線に沿っている。
【００６０】
上述した半導体装置２０の製造方法では、第１の実施形態に係るリードフレーム１０（図１，図２）を用いた場合を例にとって説明したが、この製造方法は、第２の実施形態に係るリードフレーム１０ａ（図３）又は第３の実施形態に係るリードフレーム１０ｂ（図４，図５）を用いた場合についても同様に適用することが可能である。
【００６１】
また、上述した各実施形態では、それぞれリードフレームを構成する基板フレーム１１，１１ａの形状として半導体素子搭載用のダイパッド部１２（図１，図３，図４参照）を備えている場合を例にとって説明したが、本発明は、その要旨構成（基板フレームの片面全体に接着テープを１回の工程で貼り付けた後、接着テープの、各樹脂封止領域間の領域に対応する部分に切り込みを入れること）からも明らかなように、ダイパッド部を備えていない場合にも同様に適用することが可能である。その場合の一例を図８，図９に示す。
【００６２】
図８は、本発明の第４の実施形態に係るリードフレーム（ダイパッド部の無いリードフレーム）を用いて作製されたＱＦＮのパッケージ構造を有する半導体装置２０ａの一構成例を示したものである。また、図９は、その半導体装置２０ａの製造工程を示したものである。
【００６３】
図８に示す半導体装置２０ａは、図６に示した半導体装置２０と比べて、ダイパッド部１２を備えていない点で相違するのみである。他の構成については、図６に示した半導体装置２０と同じであるので、その説明は省略する。また、図９に示す半導体装置２０ａの製造方法についても、基本的には図７に示した半導体装置２０の製造工程と同じであるので、その説明は省略する。
【００６４】
但し、この第４の実施形態では、リードフレーム１０ｃを構成する基板フレーム１１ｂの形状として（図９（ｄ），（ｅ）参照）、各半導体素子に対応して開口部及びその周囲のリード部１３が画定されたものが用いられる。このため、最初の工程では（図９（ａ）参照）、リードフレーム１０ｃの接着テープ１７が貼り付けられている側の面を下にして保持用の治具（図示せず）で保持した後、基板フレーム１１ｂの各開口部内の接着テープ１７上にそれぞれ半導体素子２１を搭載することになる。図９（ｂ）以降の工程で行う処理については、図７（ｂ）以降の工程で行った処理と全く同じである。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、リードフレーム（基板フレーム）の片面全体に接着テープを１回の工程で貼り付け、接着テープの所定の部分に切り込みを入れることにより、テーピング工程の負荷を増やすことなく部分的なテーピングと同等の状態を実現することができ、これによって、フレームの反りを減少させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るリードフレームの構成を示す図である。
【図２】図１のリードフレームの製造工程を示す断面図（一部は平面図）である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るリードフレームの構成を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るリードフレームの構成を示す図である。
【図５】図４のリードフレームの製造工程を示す断面図（一部は平面図）である。
【図６】図１のリードフレームを用いて作製された半導体装置の構成を示す断面図である。
【図７】図６の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係るリードフレームを用いて作製された半導体装置の構成を示す断面図である。
【図９】図８の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ…リードフレーム、
１１，１１ａ，１１ｂ…基板フレーム、
１２…ダイパッド部、
１３…リード部、
１４…フレーム部、
１５…サポートバー、
１６…金属膜、
１７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ…接着テープ、
２０，２０ａ…半導体装置、
２１…半導体素子、
２２…ボンディングワイヤ、
２３…封止樹脂、
ＣＰ，ＣＰ’…切り込み、
ＭＲｉ（ｉ＝１〜４）…樹脂封止領域、
ＳＬ…スリット、
ＳＲ…セクション部（隣合う樹脂封止領域間の領域）。
【図１】
0003704304.tif 000002
【図２】
0003704304.tif 000003
【図３】
0003704304.tif 000004
【図４】
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【図５】
0003704304.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
0003704304.tif 000009
【図９】
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