(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理に用いられる処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を測定することに基づいて処理液の濃度を測定する濃度測定方法であって、
（ａ）前記特性値を実測する際に、濃度を測定すべき２つの時点のうち、前の時点における特性値を実測するとともに、次の時点における特性値を実測する過程と、
（ｂ）処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼす、副生成物に影響されていない処理液の未知である真の特性値を基準とする第３の変動値を導出する過程と、
（ｃ）その第３の変動値のみによって特性値に及ぼされた値を放置の特性値としたときに、その放置の特性値を、前記前の時点で実測された実測特性値と第３の変動値とを用いて表し、
処理液を使った基板の処理によって使用された処理液の消費量が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第２の変動値を、前記放置の特性値と真の特性値とを用いて表し、
処理液を使った基板の処理によって生成される副生成物が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第１の変動値を、前記次の時点で実測された実測特性値と真の特性値とを用いて表し、
第１の変動値と第２の変動値との相関関係が、実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の関数で表される場合、
これらの表された関係に基づいて、第１の変動値を導出する過程と、
（ｄ）前記次の時点で実測された実測特性値を第１の変動値に基づいて補正して、真の特性値を導出する過程とを備えていることを特徴とする濃度測定方法。
【請求項２】
請求項１に記載の濃度測定方法において、
前記（ａ）の過程は、前記次の時点における実測特性値Ｖｔと、前記前の時点における実測特性値Ｖｉとを実測し、
前記（ｂ）の過程は、前の時点から次の時点までの経過時間がＴで表され、経過時間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす前記第３の変動値ＲｅをＲｅ＝ａ×Ｔ（ただし、ａは実験によって予め求められた既知の定数）なる式から導出し、
前記（ｃ）の過程は、経過時間Ｔの間に第３の変動値のみによって特性値に及ぼされた値を前記放置の特性値Ｖｅとして、その放置の特性値Ｖｅが、前記実測特性値Ｖｉから前記第３の変動値Ｒｅを加算する、Ｖｅ＝Ｖｉ＋Ｒｅなる式で表され、
前記真の特性値をＶａとして、経過時間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす前記第２の変動値Ｒｐが、前記放置の特性値Ｖｅから前記真の特性値Ｖａを減算する、Ｒｐ＝Ｖｅ−Ｖａなる式で表され、
経過時間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす前記第１の変動値が、前記実測特性値Ｖｔから前記真の特性値Ｖａを減算する、Ｖｔ−Ｖａなる式で表され、
前記第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と前記第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数が、Ｒｐ＝Ｆ（Ｖｔ−Ｖａ）（ただし、Ｆは実験によって予め求められた関数）なる式で表されるとき、
上記これらの式に基づいて前記第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を導出し、
前記（ｄ）の過程は、前記実測特性値Ｖｔを、前記第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）に基づいて補正して、真の特性値Ｖａを導出することを特徴とする濃度測定方法。
【請求項３】
請求項２に記載の濃度測定方法において、
第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数は、１次関数であって、前記関数が、Ｒｐ＝ｂ×（Ｖｔ−Ｖａ）（ただし、ｂは実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の定数）なる式で表されるとき、
前記（ｄ）の過程は、上記これらの式に基づいて、真の特性値Ｖａを、Ｖａ＝（ｂ×Ｖｔ−Ｖｉ−ａ×Ｔ）／（ｂ−１）なる式から導出することを特徴とする濃度測定方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の濃度測定方法において、
前記特性値が導電率であることを特徴とする濃度測定方法。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の濃度測定方法において、
前記特性値が透過光強度であることを特徴とする濃度測定方法。
【請求項６】
基板の処理に用いられる処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を測定することに基づいて処理液の濃度を測定する濃度測定装置であって、
（Ａ）前記特性値を実測する特性値実測手段と、
（Ｂ）処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼす、副生成物に影響されていない処理液の未知である真の特性値を基準とする第３の変動値について、その第３の変動値のみによって特性値に及ぼされた値を放置の特性値としたときに、その放置の特性値を、濃度を測定すべき２つの時点のうち、前の時点で実測された実測特性値と第３の変動値とを用いて表し、
処理液を使った基板の処理によって使用された処理液の消費量が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第２の変動値を、前記放置の特性値と真の特性値とを用いて表し、
処理液を使った基板の処理によって生成される副生成物が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第１の変動値を、濃度を測定すべき２つの時点のうち、次の時点で実測された実測特性値と真の特性値とを用いて表し、
第１の変動値と第２の変動値との相関関係が、実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の関数で表される場合、
これらの表された関係に基づいて、第１の変動値を導出する第１の変動値導出手段と、
（Ｃ）前記次の時点で実測された実測特性値を第１の変動値に基づいて補正して、真の特性値を導出する真の特性値導出手段とを備えていることを特徴とする濃度測定装置。
【請求項７】
処理液を使って基板を処理する基板処理装置であって、
（Ａ）処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を実測する特性値実測手段と、
（Ｂ）処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼす、副生成物に影響されていない処理液の未知である真の特性値を基準とする第３の変動値について、その第３の変動値のみによって特性値に及ぼされた値を放置の特性値としたときに、その放置の特性値を、濃度を測定すべき２つの時点のうち、前の時点で実測された実測特性値と第３の変動値とを用いて表し、
処理液を使った基板の処理によって使用された処理液の消費量が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第２の変動値を、前記放置の特性値と真の特性値とを用いて表し、
処理液を使った基板の処理によって生成される副生成物が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第１の変動値を、濃度を測定すべき２つの時点のうち、次の時点で実測された実測特性値と真の特性値とを用いて表し、
第１の変動値と第２の変動値との相関関係が、実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の関数で表される場合、
これらの表された関係に基づいて、第１の変動値を導出する第１の変動値導出手段と、
（Ｃ）前記次の時点で実測された実測特性値を第１の変動値に基づいて補正して、真の特性値を導出する真の特性値導出手段とを備え、
上記（Ａ）〜（Ｃ）の手段によって真の濃度特性値を測定することに基づいて処理液の濃度を測定して、濃度の変化に応じて一定量の水あるいは処理液を加えて処理液の濃度を一定にすることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）に用いられる処理液の濃度を測定して、基板処理を行う濃度測定方法及びその装置並びに基板処理装置に係り、特に処理液の濃度を一定にする技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の濃度測定装置として、図６（ａ）に示すように、例えば処理液の導電率（Conductivity）を測定することに基づいて処理液の濃度を測定する濃度測定装置１０１が知られている。この濃度測定装置１０１は、例えば基板処理装置１０２内の処理液Ｐを測定するために用いられており、処理液Ｐを循環させるフィルタ１０３ａや温調器１０３ｂやポンプ１０３ｃを備えた循環流路１０３に配設されているか、あるいは処理液を貯留する処理槽１０４に浸漬するように配設されている。濃度測定装置１０１のセンサ部１０５は、図６（ｂ）の測定原理に示すように、２対の環状ソレノイドＴ1 ，Ｔ2 と、２対の導線１０６と、交流電圧源１０７と、電圧計１０８とを備えている。一方の導線１０６を介して環状ソレノイドＴ1 と交流電圧源１０７とが接続されており、他方の導線１０６を介して環状ソレノイドＴ2 と電圧計１０８とが接続されている。測定時においてこの環状ソレノイドＴ1 ，Ｔ2 は処理液Ｐに浸漬されている。
【０００３】
環状ソレノイドＴ1 ，Ｔ2 が浸漬された状態で、交流電圧源１０７から環状ソレノイドＴ1 に一定の交流電流を流すと磁界が発生して、図６（ｂ）に示すように、処理液Ｐに電流ｉが流れる。それに伴って、環状ソレノイドＴ2 にも電流ｉに応じた磁界が発生して、誘導起電力ｅが電圧計１０８にて測定される。この電流ｉと誘導起電力ｅとは、処理液Ｐの導電率と相関関係にあり、特に誘導起電力ｅと上述した導電率とは比例関係にある。一方、この導電率と、処理液Ｐの濃度についても相関関係がある。従って、誘導起電力ｅが電圧計１０８で測定されることによって処理液Ｐの導電率が求まり、予め得られた処理液Ｐの濃度と導電率との検量線、及び処理液Ｐの導電率から、処理液Ｐの濃度が求まる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような構成を有する濃度測定装置の場合には、次のような問題点がある。
即ち、濃度測定装置によって測定された濃度と、実際の濃度との間に誤差が発生するという問題点である。
【０００５】
図６（ａ）に示す基板処理装置１０２で、処理液Ｐがフッ化水素酸溶液（ＨＦ）（以下、適宜「フッ酸」と略記する）の場合を例に採って説明すると、設定したフッ酸の濃度になるように、図示を省略する純水の供給源（例えばタンク）と高濃度のフッ酸の供給源（例えばタンク）とから処理槽１０４に一定量の純水とフッ酸とを供給する。設定した濃度になると、基板Ｗを処理槽１０４に順次に投入して浸漬し、基板処理（例えば基板のエッチング）を行う。このとき、初期に設定した濃度に対して一定になるように、上述した濃度測定装置１０１を用いてフッ酸の濃度を測定して、モニタリングしている。もし、初期に設定した濃度と、濃度測定装置１０１によって測定された濃度との間に一定量の変化がある場合には、濃度の変化に応じて一定量の純水あるいはフッ酸を加えてフッ酸の濃度を一定にする。例えば、フッ酸の水分蒸発等で濃度が高くなったときには純水を処理槽１０４に供給して、基板処理によってフッ酸の濃度が低くなったときには高濃度のフッ酸を処理槽１０４に供給する。
【０００６】
しかしながら、上述のように濃度測定装置１０１によってフッ酸の濃度をモニタリングして、濃度を一定にするように制御しているにも関わらず、基板の処理時間（エッチングの場合にはエッチングレートの能力）が基板のロット処理毎に低下するという問題がある。また、処理時間の低下によって基板処理にも支障をきたし、基板処理を長時間にわたって精度良く行うことができない。これは、上述したように、濃度測定装置によって測定された濃度と、実際の濃度との間に発生する誤差に起因する。今回、本発明者等は、この誤差が発生する原因について着目した。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板の処理液の濃度を正確に測定して、基板処理を長時間にわたって精度良く行う濃度測定方法及びその装置並びに基板処理装置を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を達成するために、次のような構成をとる。
即ち、請求項１に記載の発明は、基板の処理に用いられる処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を測定することに基づいて処理液の濃度を測定する濃度測定方法であって、（ａ）前記特性値を実測する際に、濃度を測定すべき２つの時点のうち、前の時点における特性値を実測するとともに、次の時点における特性値を実測する過程と、（ｂ）処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼす、副生成物に影響されていない処理液の未知である真の特性値を基準とする第３の変動値を導出する過程と、（ｃ）その第３の変動値のみによって特性値に及ぼされた値を放置の特性値としたときに、その放置の特性値を、前記前の時点で実測された実測特性値と第３の変動値とを用いて表し、処理液を使った基板の処理によって使用された処理液の消費量が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第２の変動値を、前記放置の特性値と真の特性値とを用いて表し、処理液を使った基板の処理によって生成される副生成物が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第１の変動値を、前記次の時点で実測された実測特性値と真の特性値とを用いて表し、第１の変動値と第２の変動値との相関関係が、実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の関数で表される場合、これらの表された関係に基づいて、第１の変動値を導出する過程と、（ｄ）前記次の時点で実測された実測特性値を第１の変動値に基づいて補正して、真の特性値を導出する過程とを備えていることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の濃度測定方法において、前記（ａ）の過程は、前記次の時点における実測特性値Ｖｔと、前記前の時点における実測特性値Ｖｉとを実測し、前記（ｂ）の過程は、前の時点から次の時点までの経過時間がＴで表され、経過時間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす前記第３の変動値ＲｅをＲｅ＝ａ×Ｔ（ただし、ａは実験によって予め求められた既知の定数）なる式から導出し、前記（ｃ）の過程は、経過時間Ｔの間に第３の変動値のみによって特性値に及ぼされた値を前記放置の特性値Ｖｅとして、その放置の特性値Ｖｅが、前記実測特性値Ｖｉから前記第３の変動値Ｒｅを加算する、Ｖｅ＝Ｖｉ＋Ｒｅなる式で表され、前記真の特性値をＶａとして、経過時間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす前記第２の変動値Ｒｐが、前記放置の特性値Ｖｅから前記真の特性値Ｖａを減算する、Ｒｐ＝Ｖｅ−Ｖａなる式で表され、経過時間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす前記第１の変動値が、前記実測特性値Ｖｔから前記真の特性値Ｖａを減算する、Ｖｔ−Ｖａなる式で表され、前記第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と前記第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数が、Ｒｐ＝Ｆ（Ｖｔ−Ｖａ）（ただし、Ｆは実験によって予め求められた関数）なる式で表されるとき、上記これらの式に基づいて前記第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を導出し、前記（ｄ）の過程は、前記実測特性値Ｖｔを、前記第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）に基づいて補正して、真の特性値Ｖａを導出することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の濃度測定方法において、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数は、１次関数であって、前記関数が、Ｒｐ＝ｂ×（Ｖｔ−Ｖａ）（ただし、ｂは実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の定数）なる式で表されるとき、前記（ｄ）の過程は、上記これらの式に基づいて、真の特性値Ｖａを、Ｖａ＝（ｂ×Ｖｔ−Ｖｉ−ａ×Ｔ）／（ｂ−１）なる式から導出することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の濃度測定方法において、前記特性値が導電率であることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の濃度測定方法において、前記特性値が透過光強度であることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６に記載の発明は、基板の処理に用いられる処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を測定することに基づいて処理液の濃度を測定する濃度測定装置であって、（Ａ）前記特性値を実測する特性値実測手段と、（Ｂ）処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼす、副生成物に影響されていない処理液の未知である真の特性値を基準とする第３の変動値について、その第３の変動値のみによって特性値に及ぼされた値を放置の特性値としたときに、その放置の特性値を、濃度を測定すべき２つの時点のうち、前の時点で実測された実測特性値と第３の変動値とを用いて表し、処理液を使った基板の処理によって使用された処理液の消費量が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第２の変動値を、前記放置の特性値と真の特性値とを用いて表し、処理液を使った基板の処理によって生成される副生成物が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第１の変動値を、濃度を測定すべき２つの時点のうち、次の時点で実測された実測特性値と真の特性値とを用いて表し、第１の変動値と第２の変動値との相関関係が、実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の関数で表される場合、これらの表された関係に基づいて、第１の変動値を導出する第１の変動値導出手段と、（Ｃ）前記次の時点で実測された実測特性値を第１の変動値に基づいて補正して、真の特性値を導出する真の特性値導出手段とを備えていることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７に記載の発明は、処理液を使って基板を処理する基板処理装置であって、（Ａ）処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を実測する特性値実測手段と、（Ｂ）処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼす、副生成物に影響されていない処理液の未知である真の特性値を基準とする第３の変動値について、その第３の変動値のみによって特性値に及ぼされた値を放置の特性値としたときに、その放置の特性値を、濃度を測定すべき２つの時点のうち、前の時点で実測された実測特性値と第３の変動値とを用いて表し、処理液を使った基板の処理によって使用された処理液の消費量が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第２の変動値を、前記放置の特性値と真の特性値とを用いて表し、処理液を使った基板の処理によって生成される副生成物が処理液の特性値に及ぼす、前記真の特性値を基準とする第１の変動値を、濃度を測定すべき２つの時点のうち、次の時点で実測された実測特性値と真の特性値とを用いて表し、第１の変動値と第２の変動値との相関関係が、実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の関数で表される場合、これらの表された関係に基づいて、第１の変動値を導出する第１の変動値導出手段と、（Ｃ）前記次の時点で実測された実測特性値を第１の変動値に基づいて補正して、真の特性値を導出する真の特性値導出手段とを備え、上記（Ａ）〜（Ｃ）の手段によって真の濃度特性値を測定することに基づいて処理液の濃度を測定して、濃度の変化に応じて一定量の水あるいは処理液を加えて処理液の濃度を一定にすることを特徴とする。
【００１６】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用について説明する。
処理液がフッ酸であって、基板処理が基板の表面に形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）のエッチングである場合を例に採って、請求項１に記載の作用を説明すると、エッチングの反応時の化学式は下記の（１）式のようになる。
ＳｉＯ2 ＋６ＨＦ→Ｈ2 ＳｉＦ6 ＋２Ｈ2 Ｏ                ・・・（１）
即ち、シリコン酸化膜がエッチング処理されると、上記の（１）式の右辺に示すように、『Ｈ2 ＳｉＦ6 』と『Ｈ2 Ｏ』（水）が副生成物として生成される。
【００１７】
本発明者等は、濃度測定装置によって測定された濃度と、実際の濃度との間に発生する誤差の原因について以下のように考えた。即ち、上述したエッチングの反応時に、上記副生成物はイオンとなってフッ酸中に溶解する。この副生成物はイオンなので、固有の導電率を持っている。副生成物がフッ酸中に溶解することによって、濃度測定装置によって実測されたフッ酸の導電率は、実際のフッ酸固有の導電率に上記副生成物の導電率が加わった値となってしまう。従って、フッ酸の導電率を実測することに基づいて得られたフッ酸の濃度は、実際のフッ酸の濃度に上記副生成物の濃度が加わることになることがわかった。そこで、本発明者等は、濃度測定装置によって測定された濃度と、実際の濃度との間に発生する誤差の原因は、基板の処理によって生成される副生成物であることに着目した。なお、シリコン酸化膜のエッチング処理によって生成される副生成物は、上述したように『Ｈ2 ＳｉＦ6 』と『Ｈ2 Ｏ』だが、生成される『Ｈ2 Ｏ』の量は微量なので濃度測定において与える影響はほとんどなく、『Ｈ2 ＳｉＦ6 』のみと考えられる。
【００１８】
請求項１に記載の発明によれば、処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を実測する。具体的には、濃度を測定すべき２つの時点のうち、前の時点における特性値を実測するとともに、次の時点における特性値を実測する。この実測された特性値は、基板の処理によって生成される副生成物に影響されており、測定すべき正確な特性値でない。従って、副生成物が処理液の特性値に及ぼす第１の変動値を導出する。さらに、処理液が水分蒸発しているときには蒸発の分だけ真の特性値は変化する。この処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼす値が第３の変動値になる。
【００１９】
第１の変動値を導出するには、先ず、第３の変動値のみによって特性値に及ぼされた値を放置の特性値としたときに、その放置の特性値を、前の時点で実測された実測特性値と第３の変動値とを用いて表す。そして、処理液を使った基板の処理によって使用された処理液の消費量が処理液の特性値に及ぼす第２の変動値を、放置の特性値と真の特性値とを用いて表す。一方、第１の変動値を次の時点で実測された実測特性値と真の特性値とを用いて表す。基板の処理によって生成される副生成物の量と、基板の処理によって使用された処理液の消費量とは一定の相関関係を示すので、第１の変動値と第２の変動値とについても一定の相関関係を示す。第１の変動値と第２の変動値との相関関係を、実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の関数で表すと、これらの表された関係に基づいて第１の変動値が導出される。
【００２０】
次の時点で実測された実測特性値を第１の変動値に基づいて補正して、副生成物に影響されていない処理液の真の特性値を導出することによって、測定すべき正確な特性値を求める。この真の特性値を導出することによって、処理液の濃度が正確に測定されることになる。なお、本明細書中では、計算によって値を求めることを『導出』と定義して、『導出』や『実測』等を総称して『測定』と定義付ける。
【００２３】
請求項２に記載の発明によれば、次の時点において実測した特性値を実測特性値Ｖｔとして、前の時点において実測した特性値を実測特性値Ｖｉとする。実測特性値Ｖｉを実測してから実測特性値Ｖｔを実測するまでに経過時間Ｔが経っていて、その間に処理液の水分蒸発によって処理液の特性値が変化する。この水分蒸発が処理液の特性値を及ぼす第３の変動値Ｒｅは、Ｒｅ＝ａＴなる式から導出される。このとき、ａは実験によって予め求められた既知の定数である。
【００２４】
経過時間Ｔの間に第３の変動値Ｒｅのみによって実測特性値Ｖｉに及ぼされた値、即ち基板処理を行わずに実測特性値Ｖｉである処理液を経過時間Ｔの間だけ放置したときの値を、放置の特性値Ｖｅとすると、放置の特性値Ｖｅは、実測特性値Ｖｉから第３の変動値Ｒｅを加算する、Ｖｅ＝Ｖｉ＋Ｒｅなる式で表される。
【００２５】
次に、最終的に求めるべき真の特性値をＶａとして、第３の変動値Ｒｅや、未知である真の特性値Ｖａなどを用いて、第１の変動値と第２の変動値とを表す。なお、第３の変動値を除く未知である真の特性値Ｖａなどを用いて、第１の変動値と第２の変動値とを表すと、処理液の水分蒸発を無視することになるので、第１の変動値を導出する前のこの段階で、第３の変動値Ｒｅをも用いて第１の変動値と第２の変動値とを予め補正する。
【００２６】
経過時間Ｔの間に処理液の特性値に及ぼす第２の変動値Ｒｐは、放置の特性値Ｖｅから真の特性値Ｖａを減算する、Ｒｐ＝Ｖｅ−Ｖａ（＝Ｖｉ＋Ｒｅ−Ｖａ）なる式で表される。一方、第１の変動値は、実測特性値Ｖｔから真の特性値Ｖａを減算する、Ｖｔ−Ｖａなる式で表される。これらの第１・第２の変動値は、未知である真の特性値Ｖａを用いているので、この時点ではこれらの第１・第２の変動値も未知である。
【００２７】
一方、基板の処理によって生成される副生成物の量と、基板の処理によって使用された処理液の消費量とは一定の相関関係を示すので、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとも一定の相関関係を示す。第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数は、Ｒｐ＝Ｆ（Ｖｔ−Ｖａ）なる式で表される。このとき、Ｆは実験によって予め求められた関数である。
【００２８】
そこで、上記これらの式（関数の式も含む）に基づいて、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）が導出される。この第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）は第２の変動値Ｒｐによって既に補正されているので、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）は処理液の水分蒸発を考慮した値である。実測特性値Ｖｔを、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）に基づいて補正することによって、真の特性値Ｖａが正確に導出されて、処理液の濃度が正確に測定されることになる。
【００２９】
請求項３に記載の発明によれば、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数は、１次関数であって、その関数が、Ｒｐ＝ｂ×（Ｖｔ−Ｖａ）なる式で表されることによって、真の特性値Ｖａを、Ｖａ＝（ｂ×Ｖｔ−Ｖｉ−ａ×Ｔ）／（ｂ−１）なる式から導出することができて、真の特性値Ｖａをより簡潔にまとまることが可能となる。このとき、ｂは実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の定数である。
【００３０】
請求項４に記載の発明によれば、特性値が導電率であるので、真の導電率を導出することによって、処理液の濃度が正確に測定されることになる。
【００３１】
請求項５に記載の発明によれば、特性値が透過光強度であるので、透過光強度を導出することによって、処理液の濃度が正確に測定されることになる。
【００３２】
請求項６に記載の発明によれば、処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を特性値実測手段から実測する。この実測された特性値は、基板の処理によって生成される副生成物に影響されており、測定すべき正確な特性値でない。従って、副生成物が処理液の特性値に及ぼす第１の変動値を第１の変動値導出手段から導出して、実測された特性値を第１の変動値に基づいて補正して、副生成物に影響されていない処理液の真の特性値を真の特性値導出手段から導出することによって、測定すべき正確な特性値を求める。この真の特性値を導出することによって、処理液の濃度が正確に測定されることになる。
【００３３】
請求項７に記載の発明によれば、（Ａ）〜（Ｃ）の手段によって処理液の濃度が正確に測定されるので、濃度の変化に応じて一定量の水あるいは処理液を加えて処理液の濃度を精密に一定にすることが可能になる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。先ず、本発明の原理について、図２のフローチャートと図３，４のグラフとを参照して説明する。
【００３５】
（ステップＳ１）１回目の処理液の特性値Ｖｉを実測する
１回目の処理液の特性値Ｖｉを実測する（図３中の▲１▼）。ここで、『１回目』とは、濃度を測定すべき時点よりも前の時点のことを指して、後述する『２回目』とは、濃度を測定すべき時点のことを指す。従って、最終的に求められる真の特性値Ｖａは、『２回目』の時点で導出される。このステップＳ１は、本発明における（ａ）の過程の一部に相当する。
【００３６】
（ステップＳ２ａ）第３の変動値Ｒｅを導出する
１回目の実測から２回目の実測までの経過時間をＴとすると、経過時間Ｔの間に基板の処理に関係なく、処理液が蒸発し続ける。この処理液の水分蒸発によって、処理液の濃度も時々刻々変化する。もちろん、処理液の濃度に相関のある処理液の特性値も時々刻々変化する。そして、処理液の水分蒸発が処理液の特性値に及ぼす値が第３の変動値となる。
【００３７】
経過時間Ｔを用いて第３の変動値Ｒｅを表すと、第３の変動値Ｒｅは下記の（２）式のようになる（図３中の▲２▼）。
Ｒｅ＝ａＴ（ただしａは実験によって予め求められた既知の定数）・・・（２）
なお、１回目の実測から２回目の実測までの経過時間Ｔが予めわかっている場合には、例えばステップＳ１よりも前に導出したり等、２回目の実測時よりも前に第３の変動値を予め導出してもよい。
【００３８】
上記の（２）式は、実験によって予め求められた式である。例えば、基板処理を行わずに処理液を放置した状態で、複数回にわたって処理液の特性値を実測すればよい。上述したように、経過時間Ｔの間に基板の処理に関係なく、処理液は蒸発し続ける。従って、ある時刻ｔ1 において処理液の特性値がｓ1 のとき、時刻ｔ2 （ｔ1 ≠ｔ2 ）には処理液の特性値は変化する。そのときの特性値をｓ2とすると、上記ａは単位時間当たりの特性値の変化に相当するので、ａ＝（ｓ2−ｓ1 ）／（ｔ2 −ｔ1 ）によりａが求められる。このａは、処理液の種類によって変化するし、同じ処理液でも大気圧や温度等の利用状況によっても変化するものである。従って、様々な利用状況や処理液の種類に応じて実験を予め行うことによって、利用状況や処理液の種類に基づいたａが求まり、上記の（２）式もそれに応じて求まる。測定時において、オペレータは利用状況や処理液の種類を選択して、それに応じてａを選択して（２）式より第３の変動値Ｒｅを求める。なお、図３のグラフを参照すると、（２）式は図３中に示した破線である。このステップＳ２ａは、本発明における（ｂ）の過程に相当する。
【００３９】
（ステップＳ２ｂ）２回目の処理液の特性値Ｖｔを実測する
ステップＳ２ａで第３の変動値Ｒｅが導出されるのと同時に、２回目の処理液の特性値Ｖｔを実測する（図３中の▲３▼）。なお、図３のグラフを参照すると、実測における特性値の変化は、図３中の▲１▼から▲３▼を結んだ実線となる。このステップＳ２ｂは、本発明における（ａ）の過程の一部に相当する。
【００４０】
（ステップＳ３）放置の特性値Ｖｅを導出する
放置の特性値Ｖｅを導出する。この放置の特性値Ｖｅは、経過時間Ｔの間に第３の変動値Ｒｅのみによって実測特性値Ｖｉに及ぼされた値、即ち基板処理を行わずに実測特性値Ｖｉである処理液を経過時間Ｔの間だけ放置したときの値となる。つまり、図３のグラフを参照すると、基板処理を行わずに実測特性値Ｖｉである処理液を経過時間Ｔの間だけ放置すると、図３中の▲１▼から▲４▼を結んだ破線に従って変化して、経過時間Ｔを経て、放置の特性値Ｖｅとなる（図３中の▲４▼）。従って、放置の特性値Ｖｅは下記の（３）式のようになる。
Ｖｅ＝Ｖｉ＋Ｒｅ                                        ・・・（３）
【００４１】
（ステップＳ４）真の特性値Ｖａを用いて第２の変動値Ｒｐを表す
１回目において実測された実測特性値Ｖｉは、経過時間Ｔの間に基板の処理によって使用された処理液の消費量によって、真の特性値Ｖａになる。基板処理を行わずに放置した場合には、実測特性値Ｖｉは放置の特性値Ｖｅとなるので、処理液の真の特性値Ｖａに及ぼして、実測特性値Ｖｔにする第２の変動値Ｒｐは、放置の特性値Ｖｅと真の特性値Ｖａとの差で表される（図３中の▲５▼）。つまり、第２の変動値Ｒｐは、下記の（４）式のようになる。
Ｒｐ＝Ｖｅ−Ｖａ                                        ・・・（４）
なお、真の特性値Ｖａのみを用いて、第２の変動値を表すと、処理液の水分蒸発を無視することになるので、第１の変動値を導出する前に、第３の変動値Ｒｅによって上記の（４）式に予め補正している。
【００４２】
（ステップＳ５）真の特性値Ｖａを用いて第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を表す２回目において実測された実測特性値Ｖｔは、経過時間Ｔの間に生成された副生成物のイオンが処理液中に溶解することによって、副生成物の固有の特性値が処理液固有の特性値に加わった値となっている。従って、第１の変動値は、処理液の真の特性値Ｖａに及ぼして、実測特性値Ｖｔにする。つまり、第１の変動値は実測特性値Ｖｔから真の特性値Ｖａを減算する、Ｖｔ−Ｖａなる式で表される（図３中の▲６▼）。
【００４３】
なお、真の特性値Ｖａのみを用いて、第１の変動値を表すと、処理液の水分蒸発を無視することになるので、第１の変動値を導出する前に、第３の変動値Ｒｅによって第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）に予め補正している。
【００４４】
真の特性値Ｖａは最終的に求めるべき値なので、この時点で未知である。従って、ステップＳ４，５で真の特性値Ｖａを用いて表した第１，第２の変動値も未知の値である。次に、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数に基づいて、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を導出することについて説明する。
【００４５】
（ステップＳ６）第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を導出する
基板の処理によって生成される副生成物の量と、基板の処理によって使用された処理液の消費量とは一定の相関関係を示す。従って、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとも一定の相関関係を示す。第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数は、下記の（５）式のようになる。
Ｒｐ＝Ｆ（Ｖｔ−Ｖａ）                                  ・・・（５）
上記の（５）式は、実験によって予め求められた関数である。
【００４６】
上記の（５）式の関数が、１次関数で表されるときには、上記（５）式は下記の（６）式のように簡潔になる。
Ｒｐ＝ｂ×（Ｖｔ−Ｖａ）                                ・・・（６）
上記の（６）式は、実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた関数であり、ｂは、実験あるいは処理液の化学式によって予め求められた既知の定数である。
【００４７】
１次の関数のときには（６）式、それ以外のときには（５）式の関数に基づいて、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）が導出される。この第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）は、上記（２）〜（５）式（または１次の関数のときには（２）〜（４）式と（６）式と）を順に経て求められる。この第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）は第２の変動値Ｒｐによって既に補正されているので、第３の変動値、即ち処理液の水分蒸発を考慮した値となる。このステップＳ３〜Ｓ６は、本発明における（ｃ）の過程に相当する。なお、（５）式と（６）式との使い分けについては、図４を参照しながら後述する。
【００４８】
（ステップＳ７）真の特性値Ｖａを導出する
第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）が導出されると、この第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）に基づいて、実測特性値Ｖｔを補正することによって真の特性値Ｖａが導出される（図３中の(7)）。この場合、第１の変動値は（Ｖｔ−Ｖａ）なので、実測特性値Ｖｔから第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を単純に減算するだけで、真の特性値Ｖａを導出することができる。なお、１次の関数のときには（２）〜（４）式と（６）式とを用いて、真の特性値Ｖａを、下記の（７）式のように簡潔にまとめることができる。
Ｖａ＝（ｂ×Ｖｔ−Ｖｉ−ａ×Ｔ）／（ｂ−１）             ・・・（７）
即ち、ａとｂとの既知の定数と、経過時間Ｔと、実測特性値Ｖｉ，Ｖｔを（７）式に代入するだけで、真の特性値Ｖａを導出することができる。このステップＳ７は、本発明における（ｄ）の過程に相当する。
【００４９】
次に、（５）式と（６）式との使い分けについて、図４のグラフを参照して説明する。処理液がフッ酸であり、処理液を用いた基板の処理がフッ酸による基板のシリコン酸化膜のエッチングであり、処理液の特性値がフッ酸の導電率であるときを例に採って説明する。
【００５０】
上述したように、基板の処理によって生成される副生成物の量と、基板の処理によって使用された処理液の消費量とは一定の相関関係を示す。この場合、上記（１）式により、エッチングによって生成される副生成物の『Ｈ2 ＳｉＦ6 』のモル（ｍｏｌ）濃度（溶液１リットル中のモル数）と、エッチングによって消費されたフッ酸のモル（ｍｏｌ）濃度（溶液１リットル中のモル数）とは、一定の相関関係を示す。
【００５１】
例えば、フッ酸溶液１リットル中に副生成物『Ｈ2 ＳｉＦ6 』１モル分だけ生成されると、上記（１）式によりフッ酸溶液１リットル中にフッ酸６モル分だけ消費されることになる。そして、生成された副生成物のモル濃度と消費されたフッ酸のモル濃度とから、それぞれのモル導電率（モル濃度１モル／リットル当たりの導電率）がわかり、それをそれぞれのイオン数でわることによりそれぞれの当量導電率がわかる。このとき、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数は線形となり、上記の（６）式のようになる。このとき、（６）式の定数ｂは、生成された副生成物『Ｈ2 ＳｉＦ6 』の当量導電率に対する消費されたフッ酸の当量導電率の比となり、上記（１）式の反応式によって定数ｂを求めることできる。
【００５２】
しかしながら、上記の（６）式は、上記（１）式の反応式に基づいて得られた理論上の式である。フッ酸の濃度が低い場合には、この（６）式は当てはまるが、フッ酸の濃度が高い場合には、この（６）式は当てはまらない。フッ酸の濃度が高い場合には、生成される副生成物『Ｈ2 ＳｉＦ6 』の濃度も高くなる。
【００５３】
副生成物『Ｈ2 ＳｉＦ6 』の濃度とそれの導電率との関係は、図４に示すような実線となる。図４中の破線は、副生成物の濃度と副生成物の導電率との比例式を示している。つまり、副生成物『Ｈ2 ＳｉＦ6 』の濃度が低い（このとき、フッ酸の濃度も低い）と、上記破線と実線とが近いので、副生成物の濃度と副生成物の導電率とはほぼ比例関係にある。従って、実際のフッ酸の濃度と副生成物の導電率とはほぼ比例関係にあり、さらには実際に消費されたフッ酸の当量導電率と生成された副生成物の当量導電率とも比例関係になる。上記破線と実線とが近い場合、即ちフッ酸の濃度が低い場合には、これらの当量導電率は１次の線形となり、上記（６）式が当てはまることになる。
【００５４】
しかしながら、副生成物『Ｈ2 ＳｉＦ6 』の濃度が高くなるに伴い、上記破線と実線とが離れていくので、副生成物の濃度と副生成物の導電率との比例式が成立しなくなる。その結果、実際に消費されたフッ酸の当量導電率と生成された副生成物の当量導電率との比例式が成立しなくなり、上記（６）式が当てはまらないことになる。そこで、上述のように濃度が高い場合には、実験で予め確かめられた図４のグラフに基づいて、非線形の関数Ｆを求める。このとき、第２の変動値Ｒｐは上記の（５）式のようになる。
【００５５】
以上により、フッ酸の濃度が低い場合には（６）式を、フッ酸の濃度が高い場合には（５）式を、それぞれ使い分けて、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）を、さらには真の特性値Ｖａを導出することができる。
【００５６】
次に、本発明における実施例を、図１の概略図を参照して説明する。図１は、基板処理装置の構成を示す概略断面図である。また、処理液がフッ酸であって、基板処理が基板の表面に形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）のエッチングである場合を例に採って説明するが、フッ酸等のエッチング溶液以外にも洗浄液等に例示されるように、基板の処理に通常用いられる処理液ならば、処理液については特に限定されないし、エッチング以外にも基板の洗浄や基板の塗布等に例示されるように、通常に行われる基板の処理ならば、基板処理についても特に限定されない。また、実施例では、基板を処理液に浸漬する方法で基板処理を行うが、基板の処理面に処理液を供給する方法にも基板処理として適用することができる等、処理方法についても特に限定されない。
【００５７】
基板処理装置は、図１に示すように、フッ酸を貯留する処理槽１と、フッ酸を循環させる循環流路２と、純水を供給する純水用供給管３と、処理槽１に貯留されているフッ酸の濃度よりも高濃度のフッ酸を供給するフッ酸用供給管４とを備えている。この他にも図示を省略するフッ酸を排出する排出管等を備えている。処理槽１は、基板Ｗを浸漬して基板Ｗの表面に形成されたシリコン酸化膜のエッチングを行うエッチング用処理槽１ａと、このエッチング用処理槽１ａからオーバーフローしたフッ酸を暫定的に貯留する循環用処理槽１ｂとを備えている。エッチング用処理槽１ａに貯留されたフッ酸がオーバーフローして循環用処理槽１ｂに流れ込むように、両処理槽１ａ，１ｂは互いに近接配備されている。
【００５８】
エッチング用処理槽１ａは、純水用供給管３を介して純水用タンク（供給源）５に接続されており、同じくエッチング用処理槽１ａは、フッ酸用供給管４を介して高濃度のフッ酸を貯留しているフッ酸用タンク６に接続されている。両供給管３，４のエッチング用処理槽１ａ側と両タンク５，６側との間には、一定量の純水及びフッ酸が両タンク５，６からエッチング用処理槽１ａにそれぞれ供給されるように流量計３ａ，４ａや流量を一定にするように調節するレギュレータ３ｂ，４ｂがそれぞれ配設されているとともに、吐出用ポンプ３ｃ，４ｃや図示を省略する開閉バルブ等がそれぞれ配設されている。
【００５９】
循環用処理槽１ｂに貯留されているフッ酸を循環用処理槽１ｂ内から排出するように、循環流路２の上流側と循環用処理槽１ｂとは連通している。一方、エッチング用処理槽１ａへフッ酸が循環流路２から供給されるように、循環流路２の下流側とエッチング用処理槽１ａとはエッチング用処理槽１ａの底部で連通している。循環流路２には上流側から下流側へ順に、循環されたフッ酸をエッチング用処理槽１ａに送り出す循環用ポンプ１０、フッ酸の温度を調節する温調器９、フッ酸の不純物を除去するフィルタ８、及びフッ酸の導電率を実測することによってフッ酸の濃度を実測する濃度計７が配設されている。濃度計７は、本発明における特性値実測手段に相当する。
【００６０】
本実施例装置では、濃度計７を循環流路２に配設したが、処理槽１内に配設してもよい。ただし、エッチング用処理槽１ａ内に濃度計７を配設すると、両供給５，６から新たに供給される純水やフッ酸によって濃度が変動して、フッ酸の導電率を正確に実測できずに、後述する正確な濃度を測定することができなくなってしまう恐れがあるので、循環用処理槽１ｂ内に濃度計７を配設する方が好ましい。また、本実施例装置では、濃度計７を循環流路２に配設しているので、必ずしも処理槽１をエッチング用処理槽１ａと循環用処理槽１ｂとに分離する必要はない。
【００６１】
この他に、本実施例装置は、本実施例装置を統括制御する制御部１１と、ＲＡＭやＲＯＭ等を内蔵したメモリ部１２とを備えている。制御部１１は、基板Ｗを処理槽１に投入して浸漬したり、浸漬された基板Ｗを処理槽１から引き上げたり、基板Ｗを搬送させたり、上述したポンプやレギュレータ等を操作して純水やフッ酸の流量を制御する等の基板処理の機械的な操作を制御する機能以外に、ＣＰＵ（中央演算処理部）等の演算部１３、タイマ、及びクロックを含むとともに、第１の変動値や真の導電率等の値を導出させる機能をも備えている。
【００６２】
因みに、第１の変動値を導出する手段（図示省略）は、本発明における第１の変動値導出手段に相当し、真の導電率を導出する手段（図示省略）は、本発明における真の特性値導出手段に相当する。
【００６３】
次に、図５のフローチャートを参照して、フッ酸の導電率を実測してから真の導電率を求めるまでの流れを説明する。なお、図５ではフッ酸の濃度が低い場合、即ちａとｂとの既知の定数と、経過時間Ｔと、実測導電率Ｖｉ，Ｖｔを測定したら、上記（７）式によって即座に真の導電率Ｖａを導出する場合である。また、本実施例において、フッ酸の導電率の実測は、基板Ｗのロット処理毎に行われるものとする。１回目のロット投入時に導電率を実測すると、２回目のロット投入時まで導電率を実測しない。従って、『原理』の欄でも述べたように、真のフッ酸の導電率を導出するのは、２回目のロット投入時である。なお、本明細書中では複数枚の基板Ｗをまとめて『ロット』とする。
【００６４】
（ステップＳ１１）１回目のフッ酸の導電率Ｖｉを実測する
エッチング用処理槽１ａへの１回目のロット投入が行われると、濃度計７は循環流路２内に流れるフッ酸の導電率Ｖｉを実測する。
【００６５】
（ステップＳ１２）経過時間Ｔをカウントする
１回目のロット投入から２回目のロット投入までの経過時間をＴとする。このとき、１回目のロット投入時において制御部１１によってタイマがリセットされるとともにタイマのカウントを開始する。そして、次のロット投入時においてそのカウントが制御部１１に送られるとともに、タイマが再度リセットされてカウントを開始する。制御部１１に送られるカウントが経過時間Ｔに相当する。なお、１回目のロット投入から２回目のロット投入までの経過時間Ｔが予めわかっている場合には、例えば１回目のロット投入時よりも前に経過時間Ｔを制御部１１に送ってもよい。
【００６６】
（ステップＳ１３）２回目のフッ酸の導電率Ｖｔを実測する
濃度計７は、２回目のロット投入時のフッ酸の導電率Ｖｔを実測する。
【００６７】
（ステップＳ１４）真の導電率Ｖａを導出する
なお、定数ａ，ｂは実験によって予め求められた既知の定数である。従って、ステップＳ１３での２回目のフッ酸の導電率Ｖｔを実測した段階で、上記（７）式を決定付ける定数ａ，ｂ、経過時間Ｔ、及び実測導電率Ｖｉ，Ｖｔは既に求まっている。従って、フッ酸の導電率Ｖｔが実測されると、（７）式により真の導電率Ｖａを即座に求めることができる。
【００６８】
以上のステップから、フッ酸の真の導電率Ｖａを導出することによって、フッ酸の正確な濃度を測定することができる。フッ酸の正確な濃度を測定することによって、本実施例に係る基板処理装置は、濃度の変化に応じて一定量の純水あるいはフッ酸を加えてフッ酸の濃度を精密に一定にすることができる。本実施例のように、エッチング処理の場合には、エッチングレートが従来と比べて、低下し難くなる。その結果、基板処理（本実施例ではエッチング処理）を長時間にわたって精度良く行うことができる。
【００６９】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００７０】
（１）上述した本実施例では、導電率の実測はロット投入毎に行われていたが、実測するタイミングや時間については特に限定されない。実測する時間の間隔が短くなるほど、より濃度を正確に測定することができる。また、濃度をより一層精密に一定にすることができる。
【００７１】
（２）上述した本実施例では、濃度に相関のある処理液の特性値として処理液の導電率を測定して濃度を求めたが、処理液の導電率以外にも、例えば処理液に光を照射して透過率（透過光強度）を上記ステップで測定して濃度を求めることができる。上記透過率、即ち透過光強度は濃度に相関のある物理量であり、基板の処理によって生成される副生成物によっても透過光強度は影響を受ける。従って、透過光強度を本発明の特性値として適用することができる。また、導電率や透過光強度以外にも、処理液の濃度に相関のある処理液の特性値であって、その特性値が基板の処理によって生成される副生成物によって影響を受けるのならば、特性値については特に限定されない。
【００７２】
（３）上述した本発明における『原理』では、導電率等に代表される最終的に求めるべき特性値を、上記ステップの上記（２）〜（５）式、または（２）〜（４）式と（６）式とにより導出したが、上述した式に限定されない。また、本実施例では、処理液の水分蒸発を考慮したが、これらから特性値に及ぼす影響が微小であったり、処理液の水分が飽和状態で放置しても水分蒸発が発生しなければ、必ずしも処理液の水分蒸発を考慮する必要はない。
【００７３】
以上より、実測された特性値を、少なくとも基板の処理によって生成される副生成物が処理液の特性値に及ぼす第１の変動値に基づいて補正して、最終的に求めるべき（真の）特性値を導出する方法ならば、測定方法については特に限定されない。
【００７４】
【発明の効果】
以上に詳述したように、請求項１の発明に係る濃度測定方法によれば、処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を実測して、副生成物が処理液の特性値に及ぼす第１の変動値を導出する。実測された特性値を第１の変動値に基づいて補正して、副生成物に影響されていない処理液の真の特性値を導出することによって、処理液の濃度を正確に測定することができる。
【００７６】
請求項２の発明に係る濃度測定方法によれば、（ａ）〜（ｄ）の過程を実施することによって、経過時間Ｔの間に生成される副生成物に影響を考慮した真の特性値を導出することができて、処理液の濃度を正確に測定することができる。
【００７７】
請求項３の発明に係る濃度測定方法によれば、第１の変動値（Ｖｔ−Ｖａ）と第２の変動値Ｒｐとの相関関係を示す関数が、Ｒｐ＝ｂ（Ｖｔ−Ｖａ）なる式で表されることによって、真の特性値Ｖａを導出する式を、Ｖａ＝（ｂ×Ｖｔ−Ｖｉ−ａ×Ｔ）／（ｂ−１）として、より簡潔にまとまることができて、処理液の正確な濃度を簡易に測定することができる。
【００７８】
請求項４の発明に係る濃度測定方法によれば、特性値が導電率であるので、真の導電率を導出することによって、処理液の濃度を正確に測定することができる。
【００７９】
請求項５の発明に係る濃度測定方法によれば、特性値が透過光強度であるので、透過光強度を導出することによって、処理液の濃度を正確に測定することができる。
【００８０】
請求項６の発明に係る濃度測定装置によれば、処理液の濃度に相関のある処理液の特性値を特性値実測手段から実測して、副生成物が処理液の特性値に及ぼす第１の変動値を第１の変動値導出手段から導出する。実測された特性値を第１の変動値に基づいて補正して、副生成物に影響されていない処理液の真の特性値を真の特性値導出手段から導出することによって、処理液の濃度を正確に測定することができる。
【００８１】
請求項７の発明に係る基板処理装置によれば、（Ａ）〜（Ｃ）の手段によって処理液の濃度が正確に測定されるので、濃度の変化に応じて一定量の水あるいは処理液を加えて処理液の濃度を精密に一定にすることができる。その結果、基板処理を長時間にわたって精度良く行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例に係る基板処理装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】本発明の原理の説明に供するフローチャートである。
【図３】本発明の原理の説明に供するグラフである。
【図４】副生成物の濃度と副生成物の導電率との関係を示したグラフである。
【図５】フッ酸の導電率を実測してから真のフッ酸の導電率を導出するまでの手順を示したフローチャートである。
【図６】（ａ）は、従来の基板処理装置の構成を示す概略断面図、（ｂ）は濃度測定装置の測定原理を示す概略図である。
【符号の説明】
１  …  処理槽
２  …  循環流路
７  …  濃度計
１１  …  制御部
１２  …  メモリ部
１３  …  演算部
Ｖｔ，Ｖｉ  …  実測特性値（実測導電率）
Ｔ  …  経過時間
Ｒｅ  …  第３の変動値
Ｖｅ  …  放置の特性値
Ｒｐ  …  第２の変動値
Ｖｔ−Ｖａ  …  第１の変動値
Ｖａ  …  真の特性値（真の導電率）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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