(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成され内面に電極膜を有するスルーホール又はブラインドホールを、回転刃によるダイシングにて略半円形状に切断分割し、分割された略半円形状スルーホール又はブラインドホールの片側を凹面略半円形状外部接続端子とし、当該外部接続端子を複数個有する表面実装用電子部品であって、各々の外部接続端子の内面の略半円形状円弧の高さ（Ｈ）が、当該円弧の曲率半径（Ｒ）から前記電極膜の厚み（ｔ）の２倍を差し引いた値以下であることを特徴とする表面実装用電子部品。
【請求項２】
前記略半円形状円弧の高さ（Ｈ）が、当該円弧の曲率半径
（Ｒ）の３０％以上である請求項１記載の表面実装用電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器の回路基板に面装着可能な表面実装用電子部品（ＳＭＤ電子部品）に係り、とくに内面に電極膜を有するスルーホール（貫通穴）又はブラインドホール（めくら穴）をダイシング切断して凹面略半円形状外部接続端子とする小型の表面実装用電子部品の端子構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
同一電子部品機能を多数個樹脂等の基板に形成し、その境界にスルーホール又はブラインドホール電極を形成して多数個の電子部品機能を、スルーホール又はブラインドホール中心を分割線として分離して個々の電子部品を作成する技術は公知である。しかし、昨今電子部品の小型化が市場の要求であり、
（ａ）  スルーホール（又はブラインドホール）の径を小さくする必要が出てきたこと、
（ｂ）  内面メッキにより電極膜を形成したスルーホール（又はブラインドホール）の分割により形成される外部接続端子は、小さな接続（一般にははんだ付け）面積でも安定な接続品質が要求されるため、端子の高い形状精度、面精度が必要なこと、
等の理由から、分割の手段として高速回転刃によるダイシング切断によらなければならない場合が多い。他の分割手段としては曲げ折り式（チョコレートブレーク）やエンドミル加工（ルーター加工）及びプレス切断等もあるが、小型精密な電子部品チップへの分割手段としてはいずれも品質的又は経済的に不適当な場合が多い。
【０００３】
従来技術では、同一電子部品機能を多数個形成した基板を切断分割する場合、スルーホール（又はブラインドホール）をちょうど半円となるように切断するか、スルーホール（又はブラインドホール）センターと切断刃の刃厚センターを一致させ、両側を製品（電子部品）の電極として利用する方法、構造が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記スルーホール（又はブラインドホール）をちょうど半円となるように切断するか、スルーホール（又はブラインドホール）センターと切断刃の刃厚センターを一致させ、両側を製品（電子部品）の電極として利用する方法、構造は、スルーホール内面にメッキで形成された金属膜である電極膜のバリが切断面に発生し易く、精密、均一な切断面を得ることが難しい。切断面すなわち外部接続端子面に発生するこのバリ部分は、電子部品を外部回路と接続（はんだ付け等）する際の接続品質を損ねる。また、このバリは機械的に不安定で、端子面に強固に付着しているものもあれば、僅かな力で脱落するものもある。脱落したバリは、電子部品が装着された各種装置の回路基板のパターン間を短絡する等、装置全体の信頼性を損なう等の問題も発生する。
【０００５】
なお、公知文献、特開平２−２１３１９６号の端面スルーホール基板の製造方法において、スルーホール内面のメッキ層の欠落、亀裂を防止してスルーホール及び基板を分割する製法が提案されているが、これは基板を金型で分割する前段階で非製品側のスルーホール内面のメッキ層を穿孔で除去する工程が必要であり、工程が繁雑となる。
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑み、作為的に外部接続端子の凹面略半円形状を２等分割円より小さくして電極膜のバリを無くし又はバリの発生を最少に抑えて、精密かつ均質な外部接続端子を具備する表面実装用電子部品を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の表面実装用電子部品は、基板に形成され内面に電極膜を有するスルーホール又はブラインドホールを、回転刃によるダイシングにて略半円形状に切断分割し、分割された略半円形状スルーホール又はブラインドホールの片側を凹面略半円形状外部接続端子とし、当該外部接続端子を複数個有するものであって、
各々の外部接続端子の内面の略半円形状円弧の高さ（Ｈ）が、当該円弧の曲率半径（Ｒ）から前記電極膜の厚み（ｔ）の２倍を差し引いた値以下であることを特徴としている。
【０００９】
前記表面実装用電子部品において、前記略半円形状円弧の高さ（Ｈ）は、当該円弧の曲率半径（Ｒ）の３０％以上であることが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る表面実装用電子部品の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１１】
図１及び図２は本発明に係る表面実装用電子部品の実施の形態であり、全体形状を示す図２において、１は抵抗、静電容量等を含んだ同一電子部品機能を樹脂基板に多数個形成した後、回転刃によるダイシングにて切断分割してなる表面実装用電子部品（ＳＭＤ電子部品）であり、樹脂基板２の周縁部には前記回転刃によるダイシングにて内面に電極膜４を有するスルーホール５を略半円形状に切断分割した凹面略半円形状外部接続端子３が複数個形成されている。
【００１２】
図１に拡大して示すように、各凹面略半円形状外部接続端子３は、内面の略半円形状円弧の高さＨが、当該円弧の曲率半径Ｒ（分割前のスルーホール５の半径）から前記電極膜４の厚みｔの２倍を差し引いた値以下となっており、かつ前記略半円形状円弧の高さＨが、当該円弧の曲率半径Ｒの３０％以上となっている。つまり、０．３Ｒ≦Ｈ≦Ｒ−２ｔであり、Ｈ＝Ｒ−２ｔを表す直線ＰとＨ＝０．３Ｒを表す直線Ｑに挟まれた範囲内に前記略半円形状円弧の高さＨは設定されている。
【００１３】
なお、前記電極膜４は、例えば最下層にＣｕ、中間層にＮｉ、最上層にＡｕをスルーホール内面に被着形成した金属メッキ膜であり、スルーホール５の内径（２Ｒ）が０．３〜０．５ｍｍ程度のとき、電極膜４の厚みは１０〜３０μｍである。
【００１４】
図３乃至図５を用いて、前記凹面略半円形状外部接続端子３の内面の略半円形状円弧の高さＨを、Ｈ≦Ｒ−２ｔに設定する理由を説明する。
【００１５】
図３において、スルーホール５をちょうど２等分割する直線０を基準として切断位置ｄを定義し（製品側に切断位置がくるときを正とする）、この切断位置ｄとバリの発生率との関係を調べたところ、図４のグラフの如くなった。ここで、サンプル（イ）は切断位置ｄ＝−０．０６ｍｍ、サンプル（ロ）は切断位置ｄ＝０．００ｍｍでスルーホール５を２等分割する直線０に一致する位置、サンプル（ハ）は切断位置ｄ＝０．０３ｍｍ、サンプル（ニ）は切断位置ｄ＝０．０６ｍｍ、サンプル（ホ）は切断位置ｄ＝０．１５ｍｍとしたもので、サンプル（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）の各サンプル個数は２５０個、合計１２５０個である。そして、電極膜の厚み３０μｍよりも大きいバリの発生したサンプルをバリ発生による不良とした。前記サンプル（イ）の切断位置では３０μｍよりも大きいバリの発生したサンプル個数（不良個数）は２４２個でバリ発生率９７％であり、サンプル（ロ）の切断位置では３０μｍよりも大きいバリの発生したサンプル個数は７０個でバリ発生率２８％であり、サンプル（ハ）の切断位置では３０μｍよりも大きいバリの発生したサンプル個数は３０個でバリ発生率１２％であり、サンプル（ニ）（ホ）の切断位置では３０μｍよりも大きいバリの発生したサンプル個数はそれぞれ０個でバリ発生率０％である。但し、切断条件は、切断刃の直径：５４ｍｍ、回転数：１５０００ｒｐｍ、切断速度１０ｍｍ／秒、切断刃の厚み：６０μｍであり、スルーホール形状は内径（直径２Ｒ）：０．５ｍｍ、電極膜４（Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕの３層メッキ膜）の厚みｔ：３０μｍ、基材：樹脂配線基板（厚み０．５ｍｍ）である。
【００１６】
なお、上記切断条件は、切断位置ｄ以外は切断条件とバリ発生率を十分検討しての最適条件である。切断刃の厚みは、薄い程バリは発生しにくいと考えられるが、６０μｍと３０μｍとでは殆ど差はみられず、通常使用される６０μｍ以下の刃厚の切断刃を用いれば問題ないことが判る。
【００１７】
図５は前記切断位置ｄによるバリ発生状況の変化を示す説明図であり、表面実装用電子部品１の凹面略半円形状外部接続端子３の切断面を観察したものである。
【００１８】
図５（Ａ）は上記サンプル（イ）のｄ＝−０．０６ｍｍのときのバリ発生状況であり、バリ発生率つまり不良率９７％（電極膜の厚み３０μｍよりも大きいバリの発生率）でバリ量は平均４９μｍである。ここで、バリ量は各サンプル中最も大きいバリのスルーホール中心方向の寸法である。
【００１９】
図５（Ｂ）は上記サンプル（ハ）のｄ＝０．０３ｍｍのときのバリ発生状況であり、不良率１２％（電極膜の厚み３０μｍよりも大きいバリの発生率）でバリ量は平均２３μｍである。
【００２０】
図５（Ｃ）は上記サンプル（ニ）のｄ＝０．０６ｍｍのときのバリ発生状況であり、不良率０％（電極膜の厚み３０μｍよりも大きいバリの発生率）でバリ量は平均２μｍである。
【００２１】
上記図４及び図５のバリ発生率及びバリ発生状況から、スルーホール５をちょうど２等分割する直線０を基準として切断位置ｄが製品側に０．０６ｍｍ以上（つまり電極膜４の厚みｔの２倍以上）ずれた位置となっているとき、換言すれば、外部接続端子３の内面の略半円形状円弧の高さＨが、Ｈ≦Ｒ−２ｔであるとき、バリ発生率が零となり、バリの無い凹面略半円形状外部接続端子３を持つ表面実装用電子部品が得られることが判る。
【００２２】
上記説明により、Ｈ≦Ｒ−２ｔとすれば、バリ発生率を零に抑えることが可能であることが判り、バリの発生率のみから判断すれば、外部接続端子３内面の略半円形状円弧の高さＨはどこまでも小さくできるが、略半円形状円弧の高さＨが過小（切断位置ｄが過大）となると、それだけ外部接続端子３の外部回路に対する接続面積が減少し、外部接続端子３の接続強度も低下する。実用上、接続面積の減少がどの程度まで可能かは、当該電子部品に付与されている端子個数や当該電子部品が使用される装置により異なり、それらの条件内で自由に選択できるが、少なくともスルーホールを２等分割した内周面積の１／２までは十分使用可能である。
【００２３】
図６は横軸として切断位置ｄ／半径Ｒを用い、縦軸としてスルーホールを２等分割した内周面積に対するｄ／Ｒにおける外部接続端子の内周面積の比を用いた、切断位置と内周面積比との関係を示すグラフである。この面積比が１／２となる切断位置ｄはｄ＝０．７Ｒとなる位置であり、前記略半円形状円弧の高さＨはＨ＝Ｒ−ｄであることから、換言すれば、Ｈ＝０．３Ｒの位置である。結局、前記略半円形状円弧の高さＨが、当該円弧の曲率半径Ｒの３０％以上であれば、得られる外部接続端子３の接続面積はスルーホールを２等分割した内周面積の１／２以上となり、実用上十分な接続強度を確保できる。
【００２４】
上記実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００２５】
（１）  図４に示したように、切断位置ｄによりバリの発生率がスルーホールを
２等分割する位置の近傍で急激な変化を示し、外部接続端子３とする側、つまり製品側の凹面略半円形状を２等分円より僅かに小さく、具体的には電極膜４の厚みｔの２倍以上小さくする（つまりＨ≦Ｒ−２ｔとする）ことで、バリの無い外部接続端子３を構成することが可能である。上記実施の形態で記述されている切断条件は同じ切断位置ｄにおいてバリの発生が最少となる条件を検討の上設定されたものであり、切断条件が悪ければ、図４のグラフでバリの発生率が零の位置でも零とならない場合がある。しかし、切断位置ｄとバリの発生率の関係は切断条件が多少変わってもほぼ同様の変化を示し、切断位置によるバリ抑制効果はある。
【００２６】
（２）  切断位置ｄを大きくして行くと、外部接続端子３の接続面積の減少を招くが、図６から判るようにｄ／Ｒを０．７以下、つまり０．３Ｒ≦Ｈに設定しておくことで、凹面略半円形状外部接続端子３の接続面積（内周面積）をスルーホールを２等分割した内周面積の１／２以上とすることが可能で、実用上十分な接続面積及び接続強度を確保できる。
【００２７】
上記実施の形態では、内面に電極膜を持つスルーホールを形成した樹脂基板を分割切断する例を示したが、その他の絶縁基板の場合にも本発明は適用可能である。
【００２８】
また、スルーホールの代わりに内面に電極膜を持つブラインドホールを形成した樹脂等の絶縁基板を分割切断する場合にも本発明は適用可能である。
【００２９】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、基板に形成され内面に電極膜を有するスルーホール又はブラインドホールを、回転刃によるダイシングにて略半円形状に切断分割し、分割された略半円形状スルーホール又はブラインドホールの片側を凹面略半円形状外部接続端子とし、当該外部接続端子を複数個有する表面実装用電子部品であって、各々の外部接続端子の内面の略半円形状円弧の高さをＨ、当該円弧の曲率半径をＲ、前記電極膜の厚みをｔとしたとき、Ｈ≦Ｒ−２ｔに設定したことにより、前記電極膜のバリを無くし又はバリの発生を最少に抑えて、精密（形状精度及び面精度の高い）かつ均質な外部接続端子をそれぞれ形成することが可能である。
【００３１】
また、０．３Ｒ≦Ｈに設定すれば、前記凹面略半円形状外部接続端子の接続面積（内周面積）をスルーホールを２等分割した内周面積の１／２以上とすることが可能で、実用上十分な接続面積及び接続強度を確保可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る表面実装用電子部品の実施の形態において、主要部を拡大して示す要部拡大平面図である。
【図２】実施の形態の全体構成を示す平面図である。
【図３】電極膜を内面に持つスルーホールを形成した基板を回転刃によるダイシングにて略半円形状に切断分割する工程を示す説明図である。
【図４】実施の形態における切断位置とバリ発生率との関係を示すグラフである。
【図５】同じく切断位置によるバリ発生状況を示す説明図である。
【図６】切断位置（ｄ／Ｒ）と外部接続端子の内周面積比との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１  表面実装用電子部品
２  樹脂基板
３  凹面略半円形状外部接続端子
４  電極膜
５  スルーホール
【図１】
0003627164.tif 000002
【図２】
0003627164.tif 000003
【図３】
0003627164.tif 000004
【図４】
0003627164.tif 000005
【図５】
0003627164.tif 000006
【図６】
0003627164.tif 000007