(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）導電層の形成された半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成する段階と、
（ｂ）前記第１の層間絶縁膜上に食刻阻止層を形成する段階と、
（ｃ）前記食刻阻止層上に第２の層間絶縁膜を形成する段階と、
（ｄ）前記第２の層間絶縁膜上に第１の幅を有するとともに、前記第２の層間絶縁膜を露出させる第１の開口部を含む感光性ポリマーパターンを形成する段階と、
（ｅ）前記感光性ポリマーパターン及び前記第１の開口部を通じて露出される前記第２の層間絶縁膜の上面に、前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有するとともに、前記第２の層間絶縁膜を露出させる第２の開口部を含むフォトレジストパターンを形成する段階と、
（ｆ）前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして前記露出された第２の層間絶縁膜及び該下部の食刻阻止層を順次乾式蝕刻し、前記第２の開口部と同様の幅を有する第３の開口部によって前記第１の層間絶縁膜を一部露出させる第２の層間絶縁膜パターン及び食刻阻止層パターンを形成する段階と、
（ｇ）前記フォトレジストパターンを除去する段階と、
（ｈ）前記感光性ポリマーパターン及び食刻阻止層パターンを食刻マスクとして前記第２の層間絶縁膜パターン及び第１の層間絶縁膜を乾式蝕刻し、配線領域及びビアホール領域を共に形成する段階とを含むことを特徴とする金属配線の形成方法。
【請求項２】
前記第１及び第２の層間絶縁膜は、
それぞれＨＳＱ、ＳｉＯ２、ＳｉＣＯ、非晶質炭素、非晶質ＣＦ、多孔質シリカ及びパリレンよりなる群から選択されるいずれか一つ、または該組合よりなることを特徴とする請求項１に記載の金属配線の形成方法。
【請求項３】
前記段階（ｂ）において、前記食刻阻止層は、ＳｉＣまたは感光性ポリマーよりなることを特徴とする請求項１に記載の金属配線の形成方法。
【請求項４】
前記段階（ｄ）は、
（ｄ−１）前記第２の層間絶縁膜上に感光性ポリマー膜を形成する段階と、
（ｄ−２）前記感光性ポリマー膜の所定部分を露光及び現像し、前記感光性ポリマーパターンを形成する段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の金属配線の形成方法。
【請求項５】
前記感光性ポリマー膜は、ポリオレフィン、ポリアセタール、ポリ炭酸エステル、ポリプロピレン及びポリイミドよりなる群から選択されるいずれか一つからなることを特徴とする請求項４に記載の金属配線の形成方法。
【請求項６】
前記段階（ｈ）後に、
（ｉ）前記ビアホール領域及び配線領域を充填するよう導電物質を蒸着して前記配線領域内に配線層を形成し、かつ前記食刻阻止層パターンに形成された前記第３の開口部及びビアホール領域内に前記半導体基板と前記配線層とを電気的に連結させるビアコンタクトを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の金属配線の形成方法。
【請求項７】
前記導電物質は、アルミニウム、タングステン、銅及びこれらの合金よりなる群から選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項６に記載の金属配線の形成方法。
【請求項８】
前記段階（ｉ）において、前記導電物質を蒸着する前に、（ｉ−１）前記配線領域及びビアホール領域により露出される前記第１の層間絶縁膜、食刻阻止層パターン、第２の層間絶縁膜パターン及び感光性ポリマーパターンの表面にバリアー層を形成する段階をさらに有し、前記導電物質は前記バリアー層上に蒸着されることを特徴とする請求項６に記載の金属配線の形成方法。
【請求項９】
前記バリアー層は、Ｔａ、ＴａＮ及びＴｉＮよりなる群から選択されるいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項８に記載の金属配線の形成方法。
【請求項１０】
前記段階（ｉ）後に、
ＣＭＰ方法によって前記配線層の上面を平坦化させる段階をさらに有し、
前記感光性ポリマーパターンの上面に位置するバリアー層は前記ＣＭＰ工程時に除去されることを特徴とする請求項８に記載の金属配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にデュアルダマシン(dual damascene)工程による金属配線の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高集積化が進むにつれて、多層配線構造を有する金属配線層が要され、また金属配線間の間隔が次第に狭くなりつつある。これにより、同一層上で互いに隣接した金属配線層間または上下に隣接した各配線層間に存在する寄生抵抗（Ｒ）及びキャパシタンス（Ｃ）成分が最も重要な問題となった。
【０００３】
金属配線システムにおいて、寄生抵抗及びキャパシタンス成分はＲＣにより誘導される遅延によって素子の電気的な性能を劣化させる。また、配線層間に存在する寄生抵抗及びキャパシタンス成分はチップの総電力消耗量や信号漏れ量を増加させる。
【０００４】
従って、超高集積半導体素子において、ＲＣの小さい多層配線技術を開発するのが極めて重要な問題となっている。
【０００５】
ＲＣの小さい高性能の多層配線構造を形成するには、比抵抗の低い金属を用いて配線層を形成するか、あるいは誘電率の低い絶縁膜を使用する必要がある。
【０００６】
金属配線層における抵抗を低めるために、金属配線層を形成する金属材として比抵抗の低い金属、例えば、銅を使用する研究が現在活発に進んでいる。
【０００７】
銅配線は、写真食刻技術により直接パターニングして得るのが困難である。したがって、銅配線を形成するためにデュアルダマシン工程が主として利用されている。
【０００８】
また、金属配線層間で生じるキャパシタンスを減らすために、金属配線間の層間絶縁膜として低誘電膜を使用する技術が開発されつつある。
【０００９】
しかしながら、従来の技術では低誘電膜を層間絶縁膜として使用する場合であっても、デュアルダマシン工程に伴う層間絶縁膜のパターニング時にマスク層としてシリコン窒化膜(silicon nitride film)またはシリコン酸化窒化膜(silicon oxynitride film)等のように誘電率が比較的高い材料を使用した。そして、かかる誘電率が高いマスク層は、素子が完成した後にも層間絶縁膜間に残存して層間絶縁膜の平均誘電率を上昇させるがために、層間絶縁膜として低誘電膜を使用する効果が低減されてしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、半導体素子において、多層金属配線間で生じるキャパシタンスを最小化することのできるデュアルダマシン工程による金属配線の形成方法を提供するにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明に係る他の金属配線の形成方法では、導電層の形成された半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成する。前記第１の層間絶縁膜上に食刻阻止層を形成する。前記食刻阻止層上に第２の層間絶縁膜を形成する。前記第２の層間絶縁膜上に第１の幅を有するとともに、前記第２の層間絶縁膜を露出させる第１の開口部を含む感光性ポリマーパターンを形成する。前記感光性ポリマーパターン及び前記第１の開口部を通じて露出される前記第２の層間絶縁膜の上面に、前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有するとともに、前記第２の層間絶縁膜を露出させる第２の開口部を含むフォトレジストパターンを形成する。前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして前記露出された第２の層間絶縁膜及び該下部の食刻阻止層を順次乾式蝕刻し、前記第２の開口部と同様の幅を有する第３の開口部によって前記第１の層間絶縁膜を一部露出させる第２の層間絶縁膜パターン及び食刻阻止層パターンを形成する。前記フォトレジストパターンを除去する。前記感光性ポリマーパターン及び食刻阻止層パターンを食刻マスクとして前記第２の層間絶縁膜パターン及び第１の層間絶縁膜を乾式蝕刻し、配線領域及びビアホール領域を共に形成する。
【００２３】
前記第１及び第２の層間絶縁膜は、それぞれＨＳＱ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣＯ、非晶質炭素、非晶質ＣＦ、多孔質シリカ及びパリレンよりなる群から選択されるいずれか一つ、または該組合よりなる。
【００２４】
前記食刻阻止層は、ＳｉＣまたは感光性ポリマーよりなる。
【００２５】
前記感光性パターンを形成する段階は、前記第２の層間絶縁膜上に感光性ポリマー膜を形成する段階と、前記感光性ポリマー膜の所定部分を露光及び現像し、前記感光性ポリマーパターンを形成する段階とを含む。
【００２６】
前記感光性ポリマー膜は、ポリオレフィン、ポリアセタール、ポリ炭酸エステル、ポリプロピレン及びポリイミドよりなる群から選択されるいずれか一つからなる。
【００２７】
前記配線領域及びビアホール領域を共に形成する段階後に、前記ビアホール領域及び配線領域を充填するよう導電物質を蒸着して前記配線領域内に配線層を形成し、かつ前記食刻阻止層パターンに形成された前記第３の開口部及びビアホール領域内に前記半導体基板と前記配線層とを電気的に連結させるビアコンタクトを形成する段階をさらに含むことがある。
【００２８】
前記導電物質は、アルミニウム、タングステン、銅及びこれらの合金よりなる群から選択されるいずれか一つである。
【００２９】
前記導電物質を蒸着する前に、前記配線領域及びビアホール領域により露出される前記第１の層間絶縁膜、食刻阻止層パターン、第２の層間絶縁膜パターン及び感光性ポリマーパターンの表面にバリアー層を形成する段階をさらに有することもある。このとき、前記導電物質は前記バリアー層上に蒸着される。
【００３０】
前記バリアー層は、Ｔａ、ＴａＮ及びＴｉＮよりなる群から選択されるいずれか一つで形成される。
【００３１】
前記ビアコンタクトを形成する段階後に、ＣＭＰ方法によって前記配線層の上面を平坦化させる段階をさらに有することがある。このとき、前記感光性ポリマーパターンの上面に位置するバリアー層は前記ＣＭＰ工程時に除去される。
【００３２】
本発明によれば、多層金属配線層間で生じるキャパシタンスを顕著に減らすことにより、多層金属配線システムにおいてＲＣ遅延を最小化することができ、デュアルダマシン工程によって金属配線を形成するに必要な工程数を減らすことができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を添付された図面に基づき詳細に説明する。
【００３４】
＜参考例＞
図１ないし図８は、本発明の参考例に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【００３５】
図１を参照すれば、上面に所定の導電層１１０が形成された半導体基板１００上に低誘電膜よりなる第１の層間絶縁膜１２０を形成する。ここで、前記導電層１１０は前記半導体基板１００に形成された不純物ドーピング領域か、それとも配線層でありうる。
【００３６】
前記第１の層間絶縁膜１２０は、例えば、ＨＳＱ(Hydrogen silsesquioxane)、ＳｉＯ2 、ＳｉＣＯ、非晶質炭素(amorphous carbon)、非晶質ＣＦ、多孔質シリカ、またはパリレン(parylene)のように、低誘電率のポリマーをいづれか一つ、または、これらのポリマーを組み合わせて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法またはスピンコート(spin coating)法によって形成する。
【００３７】
図２を参照すれば、前記第１の層間絶縁膜１２０上に、第１の幅Ｗ１を有するとともに、前記第１の層間絶縁膜１２０の上面を一部露出させる第１の開口部Ｈ１を備えた感光性ポリマーパターン１３０を形成する。
【００３８】
前記感光性ポリマーパターン１３０を形成するために、まず前記第１の層間絶縁膜１２０上に感光性ポリマー膜を形成する。その後、前記感光性ポリマー膜の所定部分を露光及び現像し、前記感光性ポリマーパターン１３０を形成する。
【００３９】
前記感光性ポリマー膜は、誘電率がシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜よりも低い感光性ポリマーを用いて形成する。この感光性ポリマーとして脂肪族ポリマーまたは芳香族ポリマーを使用しても構わない。好ましくは、前記感光性ポリマーとしてポリオレフィン、ポリアセタール、ポリ炭酸エステル、ポリプロピレン及びポリイミドよりなる群から選択されるいずれか一つを使用する。
【００４０】
図３を参照すれば、前記感光性ポリマーパターン１３０の上部及び前記露出された第１の層間絶縁膜１２０の上部に低誘電膜よりなる第２の層間絶縁膜１４０を形成する。
【００４１】
前記第２層間絶縁膜１４０は、例えば、ＨＳＱ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣＯ、非晶質炭素、非晶質ＣＦ、多孔質シリカ、またはパリレンのように、低誘電率のポリマーをいづれか一つ、または、これらのポリマーを組み合わせて、ＣＶＤ法またはスピンコート法によって形成する。なお、この第２の層間絶縁膜１４０は、前記第１の層間絶縁膜１２０と同様の膜から形成しても良いし、相異なる膜から形成しても良い。
【００４２】
図４を参照すれば、前記第２の層間絶縁膜１４０上に前記第１の幅Ｗ１よりも大きい第２の幅Ｗ２を有するとともに、前記第２の層間絶縁膜１４０を露出させる第２の開口部Ｈ２を備えたマスクパターン１５０を形成する。ここで、前記第２の開口部Ｈ２の位置は、前記第１の開口部Ｈ１の位置に対応するように形成されて、前記第２の層間絶縁膜１４０の食刻時に前記第１の開口部Ｈ１が露出されるようにする。
【００４３】
前記マスクパターン１５０は、好ましくは、フォトレジストから形成する。あるいは、前記マスクパターン１５０は、上記したように、低誘電率を有する感光性ポリマーから形成しても良い。
【００４４】
図５を参照すれば、前記マスクパターン１５０を食刻マスクとして前記第２の層間絶縁膜１４０を乾式蝕刻し、配線領域１４２を形成する。
【００４５】
前記第２の層間絶縁膜１４０の食刻は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching)食刻工程またはスパッタリング食刻工程によって行うことができる。
【００４６】
前記配線領域１４２が形成されれば、前記配線領域１４２によって前記感光性ポリマーパターン１３０の第１の開口部Ｈ１及び該周辺が露出され、これにより、前記感光性ポリマーパターン１３０の第１の開口部Ｈ１を通じて前記第１の層間絶縁膜１２０の一部が露出される。
【００４７】
図６を参照すれば、前記感光性ポリマーパターン１３０を食刻マスクとして前記第１の層間絶縁膜１２０を乾式蝕刻し、前記導電層１１０を一部露出させるビアホール(via hole)領域１２２を形成する。
【００４８】
前記第１の層間絶縁膜１２０の食刻工程は、図５に基づいて説明した前記第２の層間絶縁膜１４０の食刻方法と同様にして施される。ここで、前記第１の層間絶縁膜の食刻工程は、前記第２の層間絶縁膜１４０の食刻工程と共に単一の食刻段階として連続的に行うことができる。
【００４９】
図７を参照すれば、前記マスクパターン１５０を除去した後に、前記配線領域１４２及びビアホール領域１２２が形成された結果物上にバリアー層１６０を形成する。すなわち、前記バリアー層１６０は、前記配線領域１４２及びビアホール領域１２２により露出される前記第１の層間絶縁膜１２０、感光性ポリマーパターン１３０及び第２の層間絶縁膜１４０の表面に形成される。
【００５０】
前記バリアー層１６０は、Ｔａ、ＴａＮ及びＴｉＮよりなる群から選択されるいずれか一つで形成される。
【００５１】
図８を参照すれば、前記ビアホール領域１２２及び配線領域１４２を充填するよう導電物質、例えば、アルミニウム、タングステン、銅及びこれらの合金よりなる群から選択されるいずれか一つを蒸着する。
【００５２】
その後、前記導電物質の蒸着された結果物をＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)方法によって平坦化して、前記第２の層間絶縁膜１４０を平坦化するに加え、前記配線領域１４２内には配線層１８２を形成し、前記第１の開口部Ｈ１及びビアホール領域１２２内には前記半導体基板１００上に位置する導電層１１０と前記配線層１８２とを電気的に連結させるビアコンタクト(via contact)１８４を形成する。このとき、前記第２の層間絶縁膜１４０の上面に位置するバリアー層１６０はＣＭＰによって除去される。
【００５３】
参考例においては、前記半導体基板１００上の導電層１１０上でデュアルダマシン工程を行う場合について説明したが、前記ビアコンタクト１８４が前記半導体基板１００に直接に連結される構成を形成する場合であっても、上記した参考例を適用できることは明らかである。
【００５４】
前記配線層１８２は、導電層間の相互接続(interconnection)のための配線層の他にビットライン、またはワードラインとなることもある。さらに、前記第１の層間絶縁膜１２０を貫通して形成されるコンタクトは、上記したビアコンタクト１８４の代わりに、コンタクトプラグを構成することもある。
【００５５】
＜実施形態＞
図９ないし図１８は、本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【００５６】
図９を参照すれば、上面に所定の導電層２１０が形成された半導体基板２００上に、低誘電膜よりなる第１の層間絶縁膜２２０を形成する。
【００５７】
前記第１の層間絶縁膜２２０は、例えば、ＨＳＱ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣＯ、非晶質炭素、非晶質ＣＦ、多孔質シリカ、またはパリレン等のように、低誘電率を有するポリマーからなり、ＣＶＤ法またはスピンコート法によって形成できる。
【００５８】
図１０を参照すれば、前記第１の層間絶縁膜２２０上に食刻阻止層２３０を形成する。
【００５９】
前記食刻阻止層２３０は、前記第１の層間絶縁膜２２０及び後続工程で形成される第２の層間絶縁膜に対し食刻選択比を有するよう、前記第１の層間絶縁膜２２０及び第２の層間絶縁膜とは別の物質を用いて形成する。例えば、前記食刻阻止層２３０は、ＳｉＣまたは感光性ポリマーから形成する。ＳｉＣ及び感光性ポリマーは、酸化膜に比較して誘電率が低い。前記食刻阻止層２３０を形成するに適した感光性ポリマーとしては、ポリオレフィン、ポリアセタール、ポリ炭酸エステル、ポリプロピレン、ポリイミドなどが挙げられる。
【００６０】
図１１を参照すれば、前記食刻阻止層２３０の上部に第２の層間絶縁膜２４０を形成する。
【００６１】
前記第２の層間絶縁膜２４０は、例えば、ＨＳＱ、ＳｉＯ2 、ＳｉＣＯ、非晶質炭素、非晶質ＣＦ、多孔質シリカ、またはパリレンのように低誘電率を有するポリマーからなり、ＣＶＤ法またはスピンコート法によって形成できる。前記第２の層間絶縁膜２４０は、前記第１の層間絶縁膜２２０と同様の膜から形成しても良く、相異なる膜から形成しても良い。
【００６２】
図１２を参照すれば、前記第２の層間絶縁膜２４０上に、第１の幅ＷＷ１を有するとともに、前記第２の層間絶縁膜２４０を一部露出させる第１の開口部ＨＨ１を含む感光性ポリマーパターン２５０を形成する。
【００６３】
前記感光性ポリマーパターン２５０を形成するために、まず前記第２の層間絶縁膜２４０上に感光性ポリマー膜を形成する。その後、前記感光性ポリマー膜の所定部分を露光及び現像し、前記感光性ポリマーパターン２５０を形成する。
【００６４】
前記感光性ポリマー膜は、誘電率がシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜よりも低い感光性ポリマーを用いて形成する。本実施形態で使用可能な感光性ポリマーとしては、ポリオレフィン、ポリアセタール、ポリ炭酸エステル、ポリプロピレン、ポリイミドなどが挙げられる。
【００６５】
図１３を参照すれば、前記感光性ポリマーパターン２５０の上面と、前記第１の開口部ＨＨ１を通じて露出される前記第２の層間絶縁膜２４０の上面に前記第１の幅ＷＷ１よりも小さい第２の幅ＷＷ２を有するとともに、前記第２の層間絶縁膜２４０を一部露出させる第２の開口部ＨＨ２を含むフォトレジストパターン２６０を形成する。
【００６６】
図１４に示すように、前記フォトレジストパターン２６０を食刻マスクとして前記露出された第２の層間絶縁膜２４０を乾式食刻し、次いで、図１５に示すように、前記第２の層間絶縁膜２４０が食刻されることにより露出される前記食刻阻止層２３０の一部を乾式蝕刻する。その結果、前記第２の開口部ＨＨ２とほぼ同一の幅を有する第３の開口部ＨＨ３によって、前記第１の層間絶縁膜２２０を一部露出させる第２の層間絶縁膜パターン２４０ａ及び食刻阻止層パターン２３０ａが得られる。
【００６７】
図１４及び図１５に基づき説明した前記第２の層間絶縁膜２４０及び食刻阻止層２３０の食刻は、それぞれＲＩＥ食刻工程、またはスパッタリング食刻工程によって行える。前記それぞれの食刻工程は、同一の食刻チャンバ内でそれぞれの食刻条件が別々の２ステップ食刻工程により、イン−シチュ(in-situ)で連続的に行うことができる。
【００６８】
前記第３の開口部ＨＨ３が形成された後、前記フォトレジストパターン２６０を除去する。
【００６９】
図１６を参照すれば、前記感光性ポリマーパターン２５０及び食刻阻止層パターン２３０ａを食刻マスクとして前記第２の層間絶縁膜パターン２４０ａ及び第１の層間絶縁２２０膜を乾式蝕刻し、配線領域２４２及びビアホール領域２２２を共に形成する。このとき、ＲＩＥ食刻工程、またはスパッタリング食刻工程を利用することができる。
【００７０】
図１７を参照すれば、前記配線領域２４２及びビアホール領域２２２の形成された結果物上にバリアー層２６０を形成する。すなわち、前記バリアー層２６０は、前記配線領域２４２及びビアホール領域２２２により露出される前記第１の層間絶縁膜２２０、食刻阻止層パターン２３０ａ、第２の層間絶縁膜パターン２４０ａ及び感光性ポリマーパターン２５０の表面に形成される。
【００７１】
前記バリアー層２６０は、Ｔａ、ＴａＮ及びＴｉＮよりなる群から選択されるいずれか一つで形成される。
【００７２】
図１８を参照すれば、前記ビアホール領域２２２及び配線領域２４２を充填するよう導電物質、例えば、アルミニウム、タングステン、銅及びこれらの合金よりなる群から選択されるいずれか一つを蒸着する。
【００７３】
その後、前記導電物質の蒸着された結果物をＣＭＰ方法によって平坦化して、前記配線領域２４２内には配線層２８２を形成するとともに、前記食刻阻止層パターン２３０ａに形成された前記第３の開口部ＨＨ３及びビアホール領域２２２内には、前記半導体基板２００上に位置する導電層２１０と前記配線層２８２とを電気的に連結させるビアコンタクト２８４を形成する。このとき、前記感光性ポリマーパターン２５０の上面に位置するバリアー層２６０はＣＭＰによって除去される。
【００７４】
実施形態においては、前記半導体基板２００上の導電層２１０上でデュアルダマシン工程を行う場合につき説明したが、前記ビアコンタクト２８４が前記半導体基板２００に直接に連結される構成を形成する場合であっても、上記した本発明に係る実施形態を適用できることはもちろんである。
【００７５】
前記配線層２８２は、導電層間の相互接続のための配線層の他に、ビットライン、またはワードラインとなることもある。さらに、前記第１の層間絶縁膜２２０を貫通して形成されるコンタクトは、前記したビアコンタクト２８４の代わりに、コンタクトプラグを構成することもある。
【００７６】
デュアルダマシン工程によって金属配線を形成する従来の方法では、層間絶縁膜をパターニングするための食刻マスクとして、通常誘電率が７．５程度のシリコン窒化膜のように比較的に高誘電物質を使用したが、本発明では層間絶縁膜をパターニングするための食刻マスクとして、誘電率が３．０以下で比較的に低誘電率の感光性ポリマーを使用するので、従来に比べ層間絶縁膜の全体的なキャパシタンスを効果的に低減することができる。
【００７７】
以上、本発明を好適な実施形態を例にして詳細に説明したものであるが、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の技術的な思想内で、且つ当分野における通常の知識を有した者にとって種々なる変形が可能である。
【００７８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の好適な実施形態では、デュアルダマシン工程により多層金属配線を形成するにあたって、層間絶縁膜をパターニングするに利用されるマスクパターンを、低誘電率を有する感光性ポリマーから形成するので、多層金属配線層間で生じるキャパシタンスを顕著に減らすことができる。
【００７９】
さらに、食刻マスクとしてシリコン窒化膜を使用する従来の方法では、シリコン窒化膜よりなるマスクパターンを形成するために、別途の写真食刻工程を経るので、工程数が多くなる欠点がある。しかしながら、本発明の実施形態では、層間絶縁膜をパターニングするに利用されるマスクパターンを感光性ポリマーから形成するので、マスクパターンを形成するに必要な工程数が減る。従って、デュアルダマシン工程による金属配線を形成するに必要な総工程数を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の参考例に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図２】  図１に続く、本発明の参考例に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図３】  図２に続く、本発明の参考例に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図４】  図３に続く、本発明の参考例に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図５】  図４に続く、本発明の参考例に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図６】  図５に続く、本発明の参考例に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図７】  図６に続く、本発明の参考例に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図８】  図７に続く、本発明の参考例に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図９】  本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図１０】  図９に続く、本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図１１】  図１０に続く、本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図１２】  図１１に続く、本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図１３】  図１２に続く、本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図１４】  図１３に続く、本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図１５】  図１４に続く、本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図１６】  図１５に続く、本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図１７】  図１６に続く、本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【図１８】  図１７に続く、本発明の実施形態に従いデュアルダマシン工程によって金属配線を形成する方法を説明するために、工程手順に従って示された断面図である。
【符号の説明】
１００…半導体基板、
１１０…導電層、
１２０…第１の層間絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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