(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を記録する磁性記録膜を備えた磁気ディスクと、前記磁気ディスクに対して情報を記録する記録用磁気ヘッド素子と磁気抵抗効果素子からなる再生用磁気ヘッド素子を前記磁気ディスクの記録トラックの長手方向に隣接させて一体化した複合薄膜磁気ヘッドと、を備え、前記再生用磁気ヘッド素子が、記録用磁気ヘッド素子の一方の磁極を兼ねるシールド部、あるいは、磁気抵抗効果素子に接続されたフラックスガイド部を有する磁気ディスク装置の記録再生方法において、
前記再生用磁気ヘッド素子による再生エラーの発生時に、前記複合薄膜磁気ヘッドを、前記磁気ディスクに設けた疑似記録領域に移動させる第１のステップと、
前記記録用磁気ヘッド素子により、前記シールド部あるいはフラックスガイド部の磁化状態を安定させるための疑似的な記録情報を記録させ、その後に前記記録用磁気ヘッド素子にイレーズ電流を所定時間かつ所定量供給する第２のステップと、
前記再生用磁気ヘッド素子により、記録した前記疑似的な記録情報を再生して再生エラーの有無を検出する第３のステップと、
前記再生エラーが発生する場合は、前記第２のステップと第３のステップとを再生エラーの回復まで繰り返して行う第４のステップと、
前記再生エラーが回復した場合は、前記複合薄膜磁気ヘッドを前記磁気ディスクの再生すべきデータ領域に移動させて再生を行わせる第５のステップと、を含むことを特徴とする磁気ディスク装置の記録再生方法。
【請求項２】
前記イレーズ電流は、所定周波数の交流電流又は直流電流であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置の記録再生方法。
【請求項３】
前記第４のステップにおいて繰り返しが所定の回数を超えた場合は、複合薄膜磁気ヘッドを不良と判定し、第４のステップを中止することを特徴とする請求項１または２記載の磁気ディスク装置の記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、再生信号の信頼性を向上させた磁気ディスク装置に関するものである。
【０００２】
近年、コンピュータシステムにおける情報処理量の増大により、磁気ディスク装置等への記録情報も増加し、より小型で大容量化が進められ、高記録密度化が要求されると共に、高性能な磁気ディスク装置が必要とされている。
【０００３】
【従来の技術】
図２４に、従来の磁気ディスク装置を模式的に示す要部断面図を示す。
【０００４】
この図においては１１はNiＰメッキによる表面処理を施したアルミニウム板からなる非磁性基板１２上にCr下地膜１３を介して面内方向に磁気異方性を有するCoCr膜からなる磁性記録膜１４を積層した磁気ディスクである。
【０００５】
また、２１はスライダであるAl2O3等からなる非磁性基板２２上にNiFe合金膜からなる第１磁極２３と、その第１磁極２３上に層間絶縁膜２４で被包されたコイル２５を介してNiFe合金膜からなる第２磁極２６が、その各先端はディスク対向面に露出させ、かつそれらの後端部は磁気的に接続された状態に配置され、更にその表面にAl2O3膜等の保護膜２７が被覆されたリング磁極誘導型の薄膜磁気ヘッドであり、この磁気ディスク１１と薄膜磁気ヘッド２１とを組み合わせた構成のものがある。
【０００６】
そして、該薄膜磁気ヘッド２１のコイル２５に記録用の信号電流を流すことによって前記第１，第２磁極２３，２６が磁化され、これら両磁極先端間のギャップから漏出する磁束により前記磁気ディスク１１の磁性記録膜１４に情報の磁化記録が行われる。
【０００７】
また、既に情報が記録された磁気ディスク１１の磁性記録膜１４から漏出する磁束が前記薄膜磁気ヘッド２１の第１，第２磁極２３，２６に流入されて磁化され、その磁束の変化に応じてコイル２５に発生する電圧を再生信号として検出することによって情報の再生を行っている。
【０００８】
このような薄膜磁気ヘッド２１により記録再生効率を上げるためには、前記第１，第２磁極２３，２６を構成する磁性膜として優れた軟磁気特性を有する磁性膜を用いる必要がある。
【０００９】
更に、近年、磁気ディスクの回転速度に依存することなく大きな再生出力が得られる再生専用の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略称する）が注目され、かかるＭＲヘッドと前記したリング磁極誘導型の薄膜磁気ヘッドとを一体的に構成した複合薄膜磁気ヘッドが提案されている。
【００１０】
そこで、図２５に、従来の複合薄膜磁気ヘッドを使用した場合の説明図を示す。図２５（Ａ）は切截斜面図、図２５（Ｂ）は断面図である。また、図２６に、図２５の底面図を示す。
【００１１】
図２５（Ａ），（Ｂ）及び図２６は、電磁変換ヘッド（記録ヘッド）と磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッド（再生ヘッド）の複合薄膜磁気ヘッド３０を示したもので、図において、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）３１は、非磁性基板３２上に形成した長方形の磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）３３と、ＭＲ素子３３の引出し導体層３４a，３４b（後述する）と、上、下磁気シールド層３５a，３５bとで構成されている。
【００１２】
引出し導体層３４a，３４bは、ＭＲ素子３３の長手方向に対して所定幅で切除されてＭＲ素子３３のＭＲ層（後述する）の両端に接続されている。ＭＲ素子３３及び引出し導体層３４a，３４bは上磁気シールド層３５aと下磁気シールド層３５bとの間にあって非磁性絶縁層３６で電気的に接続されている。
【００１３】
一方、磁気ディスク１１に情報の記録を行うための電磁変換型ヘッド（インダクティブヘッド）３７は、ＭＲヘッド３１の上磁気シールド素子３５aを下部磁極（第１磁極）とし、その上面に順にアルミナ（Al2O3)を介在した記録ギャップ３８を介して熱硬化樹脂からなる層間絶縁層３９、薄膜コイル導体層(Cu)４０及び上部磁極４１を積層し、上部磁極（第２磁極）４１と下部磁極（上磁気シールド層）３５aとで形成した記録ギャップ３８によって情報の水平記録を行う。また、上部磁極４１上には保護絶縁層４２が形成される。
【００１４】
ここで、図２７に、従来のＭＲ素子及び引出し導体層の断面図を示す。ＭＲ素子３３は、線型化バイアス層となる軟磁性層３３aが例えばNiFeCrのＳＡＬ（Soft Adjacent Layer)で３００Åで形成され、この軟磁層３３a上に非磁性中間層（例えばタンタルで１００Åの厚さ）３３bを介してＭＲ層３３cが例えばNiFeで３００Åで形成される。
【００１５】
ＭＲ層３３c上には、センス領域として例えば４μｍの間隔を形成するように、一方の引出し導体層（FeMn（マンガン）層３４a1上にTa（タンタル）層３４a2を介してＷ（タングステン）層３４a3が形成される）３４aと、他方の引出し導体層（FeMn層３４b1上にTa（タンタル）層３４b2を介してＷ層３４b3が形成される）３４bとが形成される。
【００１６】
このようなＭＲヘッド３１は、ＭＲ層３３cの抵抗値が磁気ディスク１１による信号磁界に応じて変化する磁化の向きMnと、ＭＲ層３３cを流れるセンス電流Isの向きMiとの相対角度θに依存することを利用したものである。
【００１７】
すなわち、磁気ディスク１１からの磁化向きによりＭＲ素子３３の磁化ベクトルが回転し、それによりセンス電流に対する抵抗率が変化する。抵抗率は磁化ベクトルと電流ベクトル間の角度の余弦二乗にほぼ従って変化するもので、次式で表わされる。
【００１８】
ρ＝ρ0＋ΔρMAXcos2θ                    …（１）
ここで、ρは抵抗率、ΔρMAXは抵抗率の最大変化値である。
【００１９】
この関係により、磁化及び電流の向きが最初に一致していれば、記録媒体の磁化による抵抗変化率の初期変化は低い。したがって、ＭＲ素子の磁化容易軸方向から４５°傾けて、磁化に対するＭＲセンサの感度を高く、線型性のよい状態で使用している。
【００２０】
このＭＲセンサが媒体上の記録磁化上を通過すると、ＭＲ素子の感度特性により、電気信号を発生し、媒体上の信号を読み取ることができるものである。
【００２１】
次に、図２８に、従来の他の磁気ディスク装置を模的的に示す要部断面図を示す。図２８に示す複合薄膜磁気ヘッド５１は、図２５に示すＭＲヘッド３１におけるＭＲ素子３３を、先端が磁気ディスク対向面に露出するNiFe合金膜からなるフラックスガイド５２と、その後端部に図示しない絶縁薄膜を介して磁気的に結合したもので、他は図２５と同様である。
【００２２】
そして、複合薄膜磁気ヘッド５１における記録用磁気ヘッド３７のコイル４０に記録用の信号電流を流すことで前記第１，第２磁極３５a，４１が磁化されてこれら両端極先端間のギャップから漏出する磁束により対向する磁気ディスク１１における非磁性基板１２上にCr下地膜１３を介して面内方向に磁気異方性を有するCoCr膜からなる磁性記録膜１４に情報の磁化記録を行う。
【００２３】
既に情報を記録した磁気ディスク１１の前記磁性記録膜１４から漏出する磁束を前記再生用ＭＲヘッド３１のフラックスガイド５２を通してＭＲ素子３３に導入することで、その磁束の変化に応じた磁化がなされ、その時の磁気抵抗効果により生じるＭＲ素子３３の電気抵抗の変化を電圧の変化として取り出した再生信号を検出することによって再生を行っている。
【００２４】
なお、前記磁性記録膜１４から漏出する磁束をフラックスガイド５２を介してＭＲ素子３３に導入するようにした所以は、ＭＲ素子３３の先端をディスク対向面に直接的に露出させた場合、この複合薄膜磁気ヘッド５１が対向する磁気ディスク１１に接触した際に該ＭＲ素子３３に流すセンス電流の一部が該磁気ディスク１１に漏洩し、短絡することにより該ＭＲ素子３３の先端やディスク面の損傷・破壊を防止するためである。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図２４により示される磁気ディスク装置において磁気ディスク１１に情報を記録するために該薄膜磁気ヘッド２１のコイル２５に信号電流を通電して記録した後の第１，第２磁極２３，２６には残留磁化が残り、再生時にはその残留磁化が残った状態の第１，第２磁極２３，２６によって磁気ディスク１１の磁性記録膜１４からの漏洩磁束を読み取ることになる。
【００２６】
その際に、前記磁気ディスク１１の磁性記録膜１４からの漏洩磁束による前記第１，第２磁極２３，２６の先端部の磁化の変化が滑らかに行われずに不規則（不安定）になることがあり、これが再生波形に大きく反映してその再生波形を歪ませる原因となって再生信号にエラーが発生するという問題がある。
【００２７】
前記残留磁化を有する磁極先端部の磁化の変化が滑らかに行われずに不規則になる原因は、例えば本来、漏洩磁束により磁極先端部内の磁壁も円滑に移動する必要があるが、該磁極先端部内の磁壁の近傍に不純物、欠陥等があり、然もその磁極先端部に残留磁化があると前記不純物、欠陥等によるピンニング作用（磁壁の移動が滞り、エネルギ状態で不規則に移動する作用）によって磁壁の移動が円滑に行われずに不規則（不安定）になることによる。
【００２８】
このような問題は、特に例えばNiFe合金膜からなる軟磁性裏打ち層と垂直方向に磁気異方性を有するCoCr膜からなる垂直記録膜を積層した二層膜構造の磁気ディスクと単磁極型垂直磁気ヘッドとを組み合わせた装置における単磁極型垂直磁気ヘッドの単磁極先端部で顕著に発生し再生信号品質の信頼性を低下させている。
【００２９】
更に、例えば図２４による磁気ディスク装置において磁気記録を行った直後の薄膜磁気ヘッド２１の第１，第２磁極２３，２６が磁化され、その磁化によりそれら磁極内で移動した磁壁の一部が記録終了後も不純物や欠陥等の存在により不安定位置に残り、その後の再生に移行した僅かな間にその磁壁が安定位置に突如移動することに起因してウイグルノイズやポップコーンノイズと称する瞬間的な高レベルの雑音が発生する問題がある。
【００３０】
ここで、図２９に、図２４の再生波形を説明する波形図を示す。上記のように磁壁の移動が不規則になると再生波形にウイグルノイズａ（図２９（Ａ））、やポップコーンノイズｂ（図２９（Ｂ））が発生する。
【００３１】
このような問題を解決するために、前記磁気記録が終わった直後の薄膜磁気ヘッド２１のコイル２５に微弱な電流を流して磁化された磁極部分の磁壁を予め安定な位置に移動させた状態にして再生することにより、該再生初期のポップコーンノイズの発生を防止することが本出願人から既に特願平３−０５２５２０号により提案されている。
【００３２】
しかし、前記不安定位置に残った磁壁の移動について、特に磁壁が不純物や欠陥等の存在等に起因してピンニングされている場合には前記第１，第２磁極２３，２６を構成する軟磁性膜が飽和磁化する程度の磁場を付与する電流値が必要となるが、そのような磁場の付与は前記磁場先端にまた残留磁化を生じさせてしまう。
【００３３】
また、形状が先細り状に絞り込まれているそれら磁極先端からの発生磁場はかなり大きくなり、そのような磁極先端が特に垂直磁気記録方式の薄膜垂直磁気ヘッドの単磁極先端である場合には磁気ディスクの記録磁化を減磁、或いは消磁するような悪影響を及ぼす可能性が大きくなる問題があった。
【００３４】
一方、図２５及び図２８の磁気ディスク装置においても複合薄膜磁気ヘッド３０，５１の記録用磁気ヘッド３７のコイル４０に記録用の信号電流を流すことにより、磁気シールドを兼ねる第１磁極３５aと第２磁極４１に残留磁化が残り、またこれら磁極（特に第１磁極（磁気シールド層３５a））の記録磁化からの磁界により隣設する再生ＭＲヘッド３３のフラックスガイド５２にも同様に残留磁化が生じる。
【００３５】
ここで、図３０に第１磁極（磁気シールド層）の残留磁化の説明図を示すと共に、図３１にＭＲヘッドの出力特性の変化を説明する波形図を示す。
【００３６】
すなわち、図３０に示すように磁気シールド層３５aの先端に残留磁化が生じ、またこれによるフラックスガイド５２に残留磁化が生じた状態において、ＭＲヘッド３１が磁気ディスク１１の磁性記録膜１４からの漏洩磁束を吸収する際に、ＭＲ素子３３の磁区が乱れ、また残留磁束によるフラックスガイド５２の先端部の磁化の変化が滑らかに行われずに不規則（不安定）になる。
【００３７】
従って、図３１に示すようにＭＲヘッドのリード波形の出力変動が生じると共に、リード波形が上下非対称となって再生波形を歪ませる原因となってエラーが発生するという問題がある。
【００３８】
このような現象に対して、磁気ディスク装置に搭載される複数のＭＲヘッド３１の各ヘッド毎にセンス電流値を最適に設定する事で対応しようとしていたが、この方法によると、ある程度の上下非対称状態の回復には効果があるものの、ヘッドのバラツキによりセンス電流の変更だけでは上下非対称状態が無くならないヘッドもあり、また出力変動の発生に対しては効果が見えない為、ＭＲヘッド３１の波形再生系の信頼性向上が図れないという問題がある。
【００３９】
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、再生時に残留磁化による再生波形の歪みを解消して再生信号のエラーを防止する磁気ディスク装置の記録再生方法を提供することを目的とする。
【００４０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記した目的を達成するため、請求項１では、情報を記録する磁性記録膜を備えた磁気ディスクと、前記磁気ディスクに対して情報を記録する記録用磁気ヘッド素子と磁気抵抗効果素子からなる再生用磁気ヘッド素子を前記磁気ディスクの記録トラックの長手方向に隣接させて一体化した複合薄膜磁気ヘッドと、を備え、前記再生用磁気ヘッド素子が、記録用磁気ヘッド素子の一方の磁極を兼ねるシールド部、あるいは、磁気抵抗効果素子に接続されたフラックスガイド部を有する磁気ディスク装置の記録再生方法において、前記再生用磁気ヘッド素子による再生エラーの発生時に、前記複合薄膜磁気ヘッドを、前記磁気ディスクに設けた疑似記録領域に移動させる第１のステップと、前記記録用磁気ヘッド素子により、前記シールド部あるいはフラックスガイド部の磁化状態を安定させるための疑似的な記録情報を記録させ、その後に前記記録用磁気ヘッド素子にイレーズ電流を所定時間かつ所定量供給する第２のステップと、前記再生用磁気ヘッド素子により、記録した前記疑似的な記録情報を再生して再生エラーの有無を検出する第３のステップと、前記再生エラーが発生する場合は、前記第２のステップと第３のステップとを再生エラーの回復まで繰り返して行う第４のステップと、前記再生エラーが回復した場合は、前記複合薄膜磁気ヘッドを前記磁気ディスクの再生すべきデータ領域に移動させて再生を行わせる第５のステップと、を含む構成とする。
【００４１】
請求項２では、請求項１において、前記イレーズ電流は、所定周波数の交流電流又は直流電流である。
【００４２】
請求項３では、請求項１または２において、前記第４のステップにおいて繰り返しが所定の回数を超えた場合は、複合薄膜磁気ヘッドを不良と判定し、第４のステップを中止することを特徴とする。
【００４３】
【作用】
請求項１及び２の発明では、磁気記録媒体の所定の領域に複合薄膜磁気ヘッドを移動させ、疑似的な記録情報及び交流又は直流のイレーズで構成させる疑似記録情報を記録させ、再生用磁気ヘッドにより疑似記録情報を再生して再生エラーの判断を行う。エラー回復まで疑似的な記録情報の記録及びイレーズ電流の供給を行わせ、エラー回復後に複合薄膜磁気ヘッドを再生すべきデータ領域に移動させて再生を行わせる。これにより、再生エラー発生後に容易かつ確実にエラー回復が図られる。さらに、記録用磁気ヘッド素子の磁極が消磁状態となって安定して再生波形の歪みが解消され、再生信号のエラー防止を図ることが可能となる。
【００４４】
請求項３の発明では、第４のステップにおいて繰り返しが所定の回数を超えた場合は、複合薄膜磁気ヘッドを不良と判定し、第４のステップを中止することにより、リードエラーの原因を選別することも可能となる。
【００４５】
【実施例】
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明する。
【００４６】
図１は本発明の磁気ディスク装置の第１実施例を説明するための構成図である。
【００４７】
本実施例では図示のように磁気記録媒体である磁気ディスク６１Aとしては、例えば図２４に示す従来例と同様にNiＰ表面処理を施したアルミニウム板からなる非磁性基板（１２）上にCr下地膜（１３）を介して面内方向に磁気異方性を有するCoCr膜からなる磁気記録膜（１４）を積層した構成からなっている。なお、６１aは磁気ディスク６１Aにおける非記録領域（インナガードバンド）である。
【００４８】
また、前記磁気ディスク６１Aと組合わせる記録・再生用の薄膜磁気ヘッド６２は、図２４に示すように、スライダであるAl2O3等からなる非磁性基板（２２）上の所定領域にNiFe合金膜からなる第１磁極（２３）とその第１磁極（２３）上に層間絶縁膜（２４）で被包されたコイル（２５）を介してNiFe合金膜からなる第２磁極（２６）が、その各先端をディスク対向面に露出させ、かつそれらの後端部は磁気的に接続された状態に配置され、更にその表面にAl2O3膜等の保護膜（２７）が被覆されたリング磁極誘導型の薄膜磁気ヘッドからなっている。
【００４９】
更に、６３はヘッド位置決め機構、６４はヘッド位置決め制御回路であり、６５は内部に消磁用の給電回路６６を具備した記録・再生制御回路である。
【００５０】
そして、前記磁気ディスク６１Aを回転させ、その回転する磁気ディスク６１A上にヘッド位置決め機構６３に支持された前記薄膜磁気ヘッド６２を浮上させ、該薄膜磁気ヘッド６２を磁気ディスク６１A面上の所定領域にヘッド位置決め制御回路６４からの制御信号により駆動する前記ヘッド位置決め機構６３により位置決めする。
【００５１】
ここで、図２に、図１の記録・再生系の回路ブロック図を示す。図２は図１の記録・再生制御回路を示したもので、ヘッドＩＣ回路７１に所定数の薄膜磁気ヘッド６２が接続されて制御される。
【００５２】
再生系において、薄膜磁気ヘッド６２からのリード波形はヘッドＩＣ回路７１を介してＡＧＣ（オートゲインコントロール）アンプ７２に送られ、ＡＧＣアンプ７２よりフィルタ７３に送られる。
【００５３】
ＡＧＣアンプ７２はリード波形をＡＧＣ制御し、フィルタ７３はＡＧＣアンプ７２の出力の高周波数成分をカットする。フィルタ７３からの出力はイコライザ回路７４に送られる。イコライザ回路７４はリード波形を等化（例えばパーシャルレスポンス等化）を行い、等化波形をＶＦＯ（Variable Frequency Oscillator)回路７５及び最尤検出回路７６に送る。
【００５４】
ＶＦＯ回路７５はイコライザ回路７４からの等化波形から同期クロック信号を発生させる。また、最尤検出回路７６はイコライザ回路７４からの等化波形より最も「尤らしい」データ列に復号されて、再生データ列として出力する。
【００５５】
一方、記録系において、ライトデータがライトプリコンペ（記録補償回路）７７によりライト補償されてダイレクトライト制御回路７８に送られてライトパターンが生成される。また、ダイレクトライト制御回路７８には消磁用給電回路６６より、ライトデータの後に所定時間消磁電流を流すための当該消磁用電流が送られる。
【００５６】
そして、ダイレクトライト制御回路７８よりライトフリップフロップ７９、ヘッドＩＣ回路７１を介して選択された薄膜磁気ヘッド６２より磁気ディスク６１Aに書き込みを行うものである（装置全体の構成は図１９参照）。
【００５７】
そこで、図３に、本発明の磁気ディスク装置の第１実施例における消磁用電流の通電を説明するための図を示す。図３に示すように、薄膜磁気ヘッド６２に記録・再生制御回路６５より記録用の信号電流を供給して情報を記録した後、その最後の記録電流の極性と反対の極性の電流、即ち、消磁用電流を記録・再生制御回路６５内に具備した消磁用の給電回路６６より薄膜磁気ヘッド６２のコイル（図２４におけるコイル２５）に通電することにより、記録時の生じた第１磁極（２３）と第２磁極（２６）とからなるリング型磁極の先端部の残留磁化を消磁させることが可能となる。
【００５８】
また、図４に、本発明の磁気ディスク装置の第１実施例における薄膜磁気ヘッドの磁極（第２磁極（２６））先端部の磁区構造を説明するための図を示す。図４（Ａ），（Ｂ）は、前記薄膜磁気ヘッド６２のリング型磁極先端部の磁区構造が、記録用の信号電流の通電後と、消磁用の電流の通電後で変化する状態を模式的に示した図である。
【００５９】
コイル（２５）に記録用の信号電流を通電して情報を記録した直後のリング型磁極先端部の磁区は、残留磁化が生じて図４（Ａ）に示すように六角形状の還流磁区にはならない状態となる。しかし、その後コイル（２５）に消磁用の電流を通電することによりそのリング型磁極先先端部の残留磁化が消磁状態になってその磁区は図４（Ｂ）に示すように六角形状の安定した還流磁区構造になる。
【００６０】
従って、その後、引続いて前記磁気ディスク６１Aに対する情報の再生において従来のような薄膜磁気ヘッド６２のリング型磁極先端部の残留磁化による再生波形の歪みが解消されるので、その再生波形の歪みに起因する再生信号のエラーの発生を防止することが可能となる。
【００６１】
なお、前記コイル（２５）に通電する最後の記録電流の極性と反対の消磁用の電流の値としては、前記リング型磁極（第１，第２磁極２３，２６）を形成している軟磁性膜の保磁力（Hc) 値の例えばほぼ半分の値の磁界を発生させる１０μＡであり、その通電時間は１μＳ程度としている。
【００６２】
前記消磁用の電流値は磁極の材質、磁気特性、磁極先端部の形状によって定めるわけで、その定めた消磁電流値よりも高い電流値では逆に残留磁化が生じ、低い電流値では消磁が不十分となる。
【００６３】
因みに前記消磁用の電流を通電した際の磁極先端部に生じる磁界は数Gauss 程度であり、この程度の磁界では千数百エルステッド(Oe)以上の保磁力値を有する磁気ディスク１への影響は殆ど無視することができる。
【００６４】
しかし、どのような事態にも磁気ディスク１への影響を排除するためには、磁気ディスク６１Aに対して情報を記録する薄膜磁気ヘッド６２のコイル（２５）に記録用の信号電流を通電して記録を行った後、図１に示すように前記磁気ディスク６１Aの面内に設けた情報記録領域以外の例えばＣＳＳ（Contact Start Stop) ゾーンやギャップ領域等の非記録領域６１a上に該薄膜磁気ヘッド６２を一次的に移動させ、その領域上で前記薄膜磁気ヘッド６２のコイル（２５）に消磁用の電流を通電するようにすることによって、リング型磁極先端部の残留磁化を消磁するための電流の通電により発生する磁界による磁気ディスク６１Aの磁化記録への悪影響を完全に排除することが可能となる。
【００６５】
図５に、本発明の磁気ディスク装置の実施例を垂直磁気記録方式の磁気ディスクと単磁極型の垂直薄膜磁気ヘッドとを組み合わせた磁気ディスク装置に適用した第２実施例を模式的に示す要部断面図を示す。
【００６６】
本実施例での磁気ディスク６１Bは、図示のようにNiＰメッキによる表面処理を施したアルミニウム板からなる非磁性基板８１上にNiFe膜からなる軟磁性裏打ち層８２を介して垂直方向に磁気異方性を有するCoCr膜からなる垂直記録膜８３を積層した二層構造の垂直磁気ディスクである。
【００６７】
また、該垂直磁気ディスク６１Bに対して情報を記録・再生する垂直薄膜磁気ヘッド９１としては、リターンヨークとなるフェライト基板９２のコイル配設領域に埋設されたガラス等からなる非磁性部材９３上に、層間絶縁層９４で挟まれたコイル９５を介在してNiFe膜からなる主磁極９６先端部はヘッドの先端面に露出し、その後端部は前記フェライト基板９２と磁気的に結合された状態に配置され、更にその表面にAl2O3膜等の保護膜９７が被覆されている。
【００６８】
また、図６に、本発明の磁気ディスク装置の第２実施例を説明する構成図を示す。図６は、前記垂直磁気ディスク６１Bと垂直薄膜磁気ヘッド９１とを組み合わせた磁気装置であり、垂直磁気薄膜磁気ヘッド９１に対する記録・再生信号を制御する記録・再生制御回路６５内には第１実施例と同様に前記垂直薄膜磁気ヘッド９１のコイル９５に消磁用電流を通電するための消磁用給電回路６６が具備されている。
【００６９】
そして、回転させた前記垂直磁気ディスク６１B上にヘッド位置決め機構６３により支持された前記垂直薄膜磁気ヘッド９１を浮上させた状態でその所定領域にヘッド位置決め制御回路６４からの制御信号で該ヘッド位置決め機構６３を駆動して位置決めする。
【００７０】
続いて、該垂直薄膜磁気ヘッド９１に記録・再生制御回路６５より図３で示したのと同様に記録用の信号電流を供給して情報記録を行った後、その最後の記録電流の極性と反対の極性の電流、即ち、消磁用の電流を記録・再生制御回路６５内に具備した消磁用給電回路６６より前記垂直薄膜磁気ヘッド９１のコイル９５に第１実施例と同様な条件で通電することにより、情報の記録時に生じた垂直薄膜磁気ヘッド９１の主磁極９６の先端部の残留磁化を消磁させることが可能となる。
【００７１】
従って、その後、引続いて前記垂直磁気ディスク６１Bに対して情報を再生する場合に第１実施例と同様に従来の如き垂直薄膜磁気ヘッド９１の主磁極先端部の残留磁化による再生波形の歪みが解消されるので、その再生波形の歪みに起因する再生信号のエラーの発生を防止することができる。
【００７２】
図７に、本発明の磁気ディスク装置の実施例を水平磁気記録方式の磁気ディスクと、リング磁極誘導型の薄膜磁気ヘッド素子と磁気抵抗効果型薄膜ヘッド素子とを一体に構成した複合薄膜磁気ヘッドとを組み合わせた磁気ディスク装置に適用した第３実施例を模式的に示す要部断面図を示す。
【００７３】
本実施例の磁気ディスク６１Aは図２４に示す従来例と同様に非磁性基板１０１上にCr下地膜１０２を介して面内方向に磁気異方性を有するCoCr膜からなる磁性記録膜１０３を積層した構成からなっている。
【００７４】
また、前記磁気ディスク６１Aに対して、情報を記録・再生する複合薄膜磁気ヘッド１１１としては、図示のように再生用磁気ヘッド素子（再生用ＭＲヘッド素子）１１２と記録用磁気ヘッド素子１１３とが一体的に配設され、それらの表面をAl2O3膜等の保護膜１１４により被覆された構成からなっている。
【００７５】
前記再生用ＭＲヘッド素子１１２は、スライダであるAl2O3等からなる非磁性基板１１５上にNiFe合金膜からなる磁気シールド１１６と、その磁気シールド１１６上に先端がディスク対向面に露出するフラックスガイド１１７とその後端部に図示しない絶縁薄膜を介して磁気的に結合されたNiFe合金膜からなる磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略称する）１１８と、該フラックスガイド１１７の周りに１ターンの消磁用コイル１１９が捲回され、それらがAl2O3等からなる絶縁膜１２０によって被包された状態で配置されている。
【００７６】
前記記録用磁気ヘッド素子１１３は、再生用ＭＲヘッド素子１１２上に磁気シールドを兼ねるNiFe合金膜からなる第１磁極１２１とその第１磁極１２１上に層間絶縁膜１２２で被包されたコイル１２３を介してNiFe合金膜からなる第２磁極１２４とがその各先端はディスク対向面に露出させ、かつそれらの後端部は互いに磁気的に接続された状態に配置されている。
【００７７】
そこで、図８に本発明の磁気ディスク装置の第３実施例を説明する構成図を示す。
【００７８】
図８に示すように前記複合薄膜磁気ヘッド１１１に対する記録・再生信号を制御する記録・再生制御回路６５内には第１，第２実施例と同様に前記複合薄膜磁気ヘッド１１１に設けた消磁用コイル１１９（図７参照）に通電すべき消磁用給電回路６６が具備されている。
【００７９】
そして、回転する前記水平磁気記録方式の磁気ディスク６１A上にヘッド位置決め機構６３により支持された前記複合薄膜磁気ヘッド１１１を浮上させた状態でその所定記録領域にヘッド位置決め制御回路６４からの制御信号で該ヘッド位置決め機構６３を駆動して位置決めする。
【００８０】
ここで、図９に、図８の記録・再生系の回路ブロック図を示す。図９において記録・再生制御回路６５は、ダイレクトライト制御回路７８によるライト終了のタイミングで消磁用給電回路６６がアンプ８０を介して消磁用コイル１１９に電流を供給する構成であり、他の構成は図２と同様である。
【００８１】
そこで、図１０に、本発明の第３実施例における消磁用電流を説明する図を示す。図１０に示すように、複合薄膜磁気ヘッド１１１における記録用磁気ヘッド素子１１３に記録・再生制御回路６５より記録用の信号電流を供給して情報記録を行った後、その最後の記録電流の極性と反対の極性の電流、例えば、前記複合薄膜磁気ヘッド１１１における再生用ＭＲヘッド素子１１２のフラックスガイド１１７を形成している軟磁性膜の保磁力(Hc)のほぼ１／２の値の磁界を発生させる０．３ｍＡの電流を記録・再生制御回路６５内に具備する消磁用給電回路６６より前記再生用ＭＲヘッド素子１１２に設けた消磁用コイル１１９に１μＳ通電することにより、情報の記録時に生じた再生用ＭＲヘッド素子１１２のフラックスガイド１１７先端部の残留磁化を容易に消磁させることが可能となる。
【００８２】
従って、その後、引続いて前記磁気ディスク６１Aに対して情報を再生する場合に第１，第２実施例と同様に再生用ＭＲヘッド素子１１２のフラックスガイド１１７先端部の残留磁化による再生波形の歪みが解消されるので、その再生波形の歪みに起因する再生信号のエラーの発生を防止することができる。
【００８３】
次に、図１１に、本発明の磁気ディスク装置の第４実施例を模式的に示す要部断面図を示す。図１１は本発明の磁気ディスク装置の実施例を垂直磁気記録方式の磁気ディスクと、単磁極型の垂直磁気ヘッド素子と磁気抵抗効果素子とを一体に構成した複合薄膜磁気ヘッドとを組み合わせた磁気ディスク装置に適用したものである。
【００８４】
本実施例の垂直磁気ディスク６１Bは図５に示す第２実施例と同様に非磁性基板８１上にNiFe膜からなる軟磁性裏打ち層８２を介して垂直方向に磁気異方性を有するCoCr膜からなる垂直記録膜８３を積層した二層構造からなっている。
【００８５】
また、その垂直磁気ディスク６１Bに対して情報を記録・再生する複合薄膜磁気ヘッド１３１としては、リターンヨークとなるフェライト基板９２の主磁極配設領域に埋設されたガラス等からなる非磁性部材９３上に、先端部がディスク対向面に露出し、その周りに１ターンの消磁用コイル１３２が捲回されたフラックスガイド１３３とその後端部に図示しない絶縁薄膜を介して磁気的に結合されたNiFe膜からなる磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１３４がAl2O3膜等からなる層間絶縁膜１３５により被包された状態に配置されている。
【００８６】
その層間絶縁膜１３５により被包されたフラックスガイド１３３とＭＲ素子１３４上に、記録用コイル１３６と先端部はヘッドの先端面に露出し、その後端部は前記フェライト基板９２と磁気的に結合された主磁極１３７とがそれぞれ層間絶縁膜１３５を介在して積層配置され、更にその表面にAl2O3膜等の保護膜１３８が被覆されている。
【００８７】
そして、このような構成の磁気ディスク装置においても、図８による第３実施例と同様に回転する垂直磁気ディスク６１B上にヘッド位置決め機構により支持された前記複合薄膜磁気ヘッド１３１を浮上させ、所定記録領域に位置決めして記録・再生制御回路からの記録用の信号電流により情報を記録する。
【００８８】
その情報記録を行った後に、その最後の記録電流の極性と反対の電流、例えば、前記フラックスガイド１３３を形成している軟磁性膜の保磁力（Hc)のぼぼ１／２の値の磁界を発生させる電流を、記録・再生制御回路６５内に具備した消磁用給電回路６６より前記複合薄膜磁気ヘッド１３１のフラックスガイド１３３の周りに設けた消磁用コイル１３２に所定時間だけ通電することにより、図７に示す第３実施例と同様に情報の記録時に生じたフラックスガイド１３３先端部の残留磁化を消磁させることが可能となる。
【００８９】
従って、その後、引続いて前記垂直磁気ディスク６１Bに対して情報を再生する場合に第３実施例と同様に複合薄膜磁気ヘッド１３１のフラックスカイド１３３先端部の残留磁化による再生波形の歪みが解消されるので、その再生波形の歪みに起因する再生信号のエラーの発生を防止することができる。
【００９０】
図１２に、本発明の磁気ディスク装置の第５実施例を模式的に示す要部断面図を示す。
【００９１】
本実施例では図示のように、図１１による第４実施例と同様な二層膜構造の垂直磁気ディスク６１Bに対して、情報を垂直記録・再生する複合磁気ヘッド１４１として、リターンヨークとなるフェライト基板１４２の主磁極配設領域に記録・再生用のコイル１４３がAl2O3膜等の第１絶縁膜１４４で被包された状態に埋設されている。
【００９２】
その埋設領域上にダイヤモンドライクカーボン膜からなる第２絶縁膜１４５を介してNiFe膜からなるフラックスガイドを兼ねる主磁極１４６が、その先端部はディスク対向面に露出し、後端部には絶縁薄膜を介して磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１４７が磁気的に結合した状態で配置され、その表面にAl2O3膜等の保護膜１４８が被覆されている。
【００９３】
また、前記主磁極１４６の中央部とＭＲ素子１４７の一部はフェライト基板１４２と磁気的に接続されて並列なバイパス磁路を構成している。
【００９４】
そして、前記した垂直磁気ディスク６１Bと複合薄膜磁気ヘッド１４１とを組み合わせた構成の磁気ディスク装置においても、第１，第２実施例と同様に回転する垂直磁気ディスク６１B上に複合薄膜磁気ヘッド１４１を浮上させ、所定記録領域に位置決めして記録・再生制御回路６５からの記録用信号電流により情報を記録する（図２参照）。
【００９５】
その情報記録を行った後に、その最後の記録電流の極性と反対の極性の電流、例えば、前記フラックスガイドを兼ねる主電極１４６を形成しているNiFeからなる軟磁性膜の保磁力（Hc) のほぼ１／２の値の磁界を発生させる電流を記録・再生制御回路６５内に具備した消磁用の給電回路６６より前記複合薄膜磁気ヘッド１４１のコイル１４３に所定時間だけ通電することにより（図２）、図１１による第４実施例と同様に情報の記録時に生じた主磁極１４６先端部の残留磁化を容易に消磁させることが可能となる。
【００９６】
従って、その後、引続いて前記磁気ディスク６１Bに対して情報を再生する場合に第４実施例と同様に複合薄膜磁気ヘッド１４１の主磁極１４６先端部の残留磁化による再生波形の歪みが解消されるので、その再生波形の歪みに起因する再生信号のエラーの発生を防止することができる。
【００９７】
なお、以上の実施例では磁極やフラックスガイドの形成材料としてNiFe膜を用いた場合の例で説明したが、これに限定するものではなくこのNiFe膜以外で同等の機能を有する、例えばCoZrNb膜等を用いるようにしてもよい。
【００９８】
また、以上の第１〜第５実施例ではＭＲ素子を機能させるためやＭＲ素子自身の磁区の安定化のためのバイアスについての説明は省略しているが、例えばＳＡＬ（Soft Adjacent Layer)バイアス、シャントバイアス、バーバポールバイアスや反磁性膜による交換バイアス等の何れかを適宜用いればよい。
【００９９】
なお、上記したようにそれぞれの薄膜磁気ヘッドにより対応する磁気ディスクに情報を記録した後、該薄膜磁気ヘッドを磁気ディスク上の情報記録領域以外の非記録領域の位置に一旦移動させてそれら各薄膜磁気ヘッドのコイル、或いは消磁コイルに消磁用の電流を流してリング型磁極、単磁極、フラックスガイド、或いは単磁極と兼用するフラックスガイドの残留磁化を消磁した後、情報の再生を行うようにすることによって、前記残留磁化や該残留磁化の消磁時に磁気ディスクに記録された情報に予想しない悪影響が及ぶようなことも排除される。
【０１００】
次に、図１３に、本発明の磁気ディスク装置の第６実施例の構成図を示す。図１３（Ａ）は磁気ディスク装置の主要構成図、図１３（Ｂ）はその記録・再生系の回路ブロック図である。
【０１０１】
この場合、水平記録用の磁気ディスク６１Aが使用され、磁気ヘッドは従来例で説明したような記録用の磁気ヘッド３７と再生用のＭＲヘッド３１とが複合された複合薄膜磁気ヘッド３０（５１）が使用される。
【０１０２】
また、図１３（Ａ）におけるヘッド位置決め機構６３、ヘッド位置決め制御回路６４、及び記録・再生制御回路６５は図１等に示すものと同様である。この場合、記録・再生制御回路６５には安定用給電回路１５１が備えられている。
【０１０３】
そして、図１３（Ｂ）に示す記録、再生制御回路６５において上記安定化用給電回路１５１がダイレクトライト制御回路７８に安定化電流を供給する構成である。なお、前述と同一符号のものと同一機能の構成部分であり、説明を省略する。
【０１０４】
そこで、図１４に、本発明の第６実施例の再生安定化の説明図を示す。図１４（Ａ）はフローチャートであり、図１４（Ｂ）はタイミングチャートである。図１４（Ａ），（Ｂ）において、図１４（Ｂ）ａに示すように磁気ディスク６１Aに対して所定の情報の記録後に、再生のためのリード指令が行われると（ステップ（Ｓ）１、図１４（Ｂ）ｂ）複合の薄膜磁気ヘッド３０をヘッド位置決め機構６３及びヘッド位置決め機構制御回路６４により磁気ディスク６１Aの非記録領域６１aに移動される（Ｓ２）。
【０１０５】
そして、記録磁気ヘッド３７に安定化用給電回路１５１よりダイレクト制御回路７８を介して安定化電流（後述する）が所定時間一定方向に例えば５０ｍＡ供給される（Ｓ３，図１４（Ｂ）ｃ）。この場合、所定時間とは、複合薄膜磁気ヘッド３０（５１）の電磁シールド（第１磁極）３５aの磁化状態が変化可能な必要にして十分な時間である。
【０１０６】
安定化電流が供給されると、複合薄膜磁気ヘッド３０（５１）を磁気ディスク６１Aの再生を行うリードトラック上に移動させ（Ｓ４）、リードスタートが行われる（Ｓ５）。
【０１０７】
ここで、図１５に、複合薄膜磁気ヘッドのシールド部分の磁化状態の説明図を示す。
【０１０８】
図１５はシールド部分（図２５における電磁シールド３５a）の磁化の安定状態を示したもので、一般に極小部分のＡ〜Ｃの三つの安定状態を有する。中でもＢ状態が最も安定であり、Ａ及びＣは準安定状態である。すなわち、ライト磁界により磁化状態はＡ〜Ｃのどの状態にも落ちつくことができるもので、それぞれにおける特性（出力値）が異なり出力変動が大きくなる。
【０１０９】
本実施例では、記録磁気ヘッド３７に安定化電流を供給することでＡ又はＣの一方の状態にさせるもので、これにより複合薄膜磁気ヘッド３０（５１）のシールド３５aは常に一定の安定状態で磁化されるものとなる。
【０１１０】
すなわち、図１５におけるＢ状態は残留磁気のない最も安定した状態であるが、本実施例ではシールド３５aの残留磁気を消磁するのではなく、記録用磁気ヘッド３７に電流方向が一定方向となる安定化電流を供給して一定の磁化状態とすることで、リード波形の出力変動や上下非対称の発生を容易に防止することができ、読み取りエラーを低減することができるものである。
【０１１１】
そこで、図１６に、安定化電流と出力変動の関係のグラフを示す。図１６は、ＭＲヘッド３１のリード前に、記録用磁気ヘッド３７に対して両方向に４０ｍＡ、一方向に４０ｍＡ、及び一方向に５０ｍＡの電流を供給した場合の出力変動率と上下非対称変動率を示したものである。
【０１１２】
図に示すように、一方向に４０ｍＡ，５０ｍＡの安定化電流を供給した場合の各変動率が低いことが明らかである。この場合、通常のライト電流が４０ｍＡであり、同様の又はそれ以上の電流値が数μＳ以下の供給で各変動率を低減させることができるものである。
【０１１３】
なお、安定化電流の供給をリード前としているが、リード前とはＭＲヘッド３１によるリード直前の場合と、記録用磁気ヘッド３７によるライト直後の場合を含むものである。
【０１１４】
また、本実施例は上記第５実施例における構成の場合にも適用することができる。
【０１１５】
続いて、図１７に第６実施例の他の実施例の構成図を示す。図１７（Ａ）は磁気ディスク装置の主要構成図、図１７（Ｂ）はその記録・再生系の回路ブロック図である。
【０１１６】
図１７（Ａ），（Ｂ）は上述の第３及び第４実施例で使用される複合薄膜磁気ヘッド１１１，１３１を使用した場合のもので、フラックスガイド１１７，１３３の周囲に形成した消磁用コイル１１９にアンプ８０を介して安定化電流を安定化用給電回路１５１より供給するもので、他の構成は図１３と同様である。
【０１１７】
すなわち、フラックスガイド１１７，１３３の磁化状態を図１５に示すように常に一定の状態にしてＭＲヘッド１１２の出力変動及び上下非対称を低減して、読み取りエラーを低減させるものである。
【０１１８】
なお、安定化用給電回路１５１より安定化電流を供給するに際して、複合薄膜磁気ヘッド３０（５１，１１１，１３１，１４１）を磁気ディスク６１A，６１B面より垂直方向に離隔させてもよい。すなわち、複合薄膜磁気ヘッド３０（５１，１１１，１３１，１４１）を記録領域より退避させたり、ディスク面上より離隔させることで、安定化電流供給による記録領域への影響を防止するものである。
【０１１９】
次に、図１８に、本発明の第７実施例のイレーズ制御のブロック構成図を示す。図１８に示す実施例では、使用される磁気記録媒体は水平用又は垂直用の何れの磁気ディスクでもよく、また磁気ヘッドは薄膜インダクティブの記録用磁気ヘッド素子及びＭＲ素子よりなる再生用ＭＲヘッド素子を備える複合薄膜磁気ヘッドが使用される。さらに、複合薄膜磁気ヘッドにおける再生用ＭＲヘッド素子はＭＲ素子がフラックスガイドに接続されて構成されるものであってもよい。なお、図１８において、上記実施例と同一の符号は同一機能を有するものとして説明を省略する。
【０１２０】
図１８は、第７実施例における記録再生装置としての磁気ディスク装置の記録系の主要ブロック図であり、再生時に発生した読み取りエラーのリードエラー信号がＭＰＵ（マイクロプロセッサ）１６１、ライトゲート出力手段１６２、及び疑似記録情報出力手段であるダミーライトデータ出力手段１６３に入力される。
【０１２１】
ＭＰＵ１６１は、磁気ディスク６１A（６１B）の記録可能な領域であってデータが記録されていない領域の疑似記録領域であるダミーデータ記録領域６１a（例えば図１に示す磁気ディスク６１Aの非記録領域（インナガードバンド）６１aとし、又は外周側のアウタガードバンド）に複合薄膜磁気ヘッド（図１９で説明する）を移動させる指令をシーク制御手段１６４に送る。
【０１２２】
シーク制御手段１６４は、当該薄膜磁気ヘッドがダミーデータ記録領域にオントラックした旨のオントラック信号をダイレクトライト制御回路７８及びライトゲート出力手段１６２に送る。
【０１２３】
また、ライトゲート出力手段１６２からのライトゲート及びライトデータ出力手段１６３からの疑似記録情報であるダミーライトデータがダイレクトライト制御回路７８に送られる。
【０１２４】
そして、ダイレクトライト制御回路７８はオントラック信号を受信した後ライトゲート信号間でダミーライトデータに基づくライト電流を、ライトフリップフロップ（ライトＦＦ）７９、ヘッドＩＣ回路の備えるアンプ１６５を介して複合薄膜磁気ヘッド１６８の備えるインダクティブの記録用磁気ヘッド１６６に供給するものである。
【０１２５】
ここで、図１９に、第７実施例における磁気ディスク装置の全体ブロック図を示す。図中、上記実施例と同一の符号は同一の機能を有するものとして説明を省略する。
【０１２６】
図１９において、磁気ディスク装置１７０は、装置制御系として、外部のホスト装置１７１からのコマンド等がインタフェースとしてのスカジー（ＳＣＳＩ）コントローラ１７２を介してＭＰＵ１６１に入力され、ＭＰＵ１６１からのコマンドがデジタルＬＳＩ１７３を介して送られる。またＳＣＳＩコントローラ１７２よりリード／ライトゲート信号がデジタルＬＳＩ１７３に送られる。このＳＣＳＩコントローラ１７２はＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory) のバッファ１７４が設けられ、ＭＰＵ１６１にＲＯＭ（Read  Only Memory ）１７５及びＲＡＭ１７６が設けられる。
【０１２７】
また、コントロールロジック１７７にはＳＣＳＩコントローラ１７２よりリードゲート信号が送られ、デジタルＬＳＩ１７３よりライトゲート信号が送られて何れかの信号を記録・再生系のデコーダ１７８及びエンコーダ１７９に出力する。このコントロールロジック１７７が図１８のライトゲート出力手段１６２となる。
【０１２８】
一方、駆動系としてＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）１８０は、デジタルＬＳＩ１７３とシーク制御等の信号の送受を行うもので、スピンドルモータドライバ１８１を介して磁気ディスクを回転させるＤＣモータ１８２を駆動すると共に、ＶＣＭ（ボイスコイルモータ）ドライバ１８３を介して複合薄膜磁気ヘッド１６８をシークさせるＶＣＭ１８４を駆動する。このＤＳＰ１８０が図１８のシーク制御手段１６４となる。
【０１２９】
また、記録・再生系は、図２，図９と同様の構成であり、記録用磁気ヘッド（インダクティブライトヘッド）１６６と再生用磁気ヘッド（ＭＲヘッド）１６７で構成される複合薄膜磁気ヘッド１６８に対して記録再生信号の送受を行うヘッドＩＣ回路７１、ＡＧＣアンプ７２、フィルタ７３、イコライザ回路７４、ＶＦＯ回路７５、最尤検出回路７６、ライトプリコンペ７７、ダイレクト制御回路７８、及びライトフリップフロップ７９により構成される。
【０１３０】
ヘッドＩＣ回路１８９によるデジタルＬＳＩ１７３よりヘッド選択信号、ライトゲート信号が入力される。なお、フィルタ７３の出力はシリンダサーボ復調回路１８５で磁気ディスクのシリンダサーボ情報が復調されてＤＳＰ１８０に送られる。
【０１３１】
そして、最尤検出回路７６からの再生データ列及びＶＦＯ回路７５からの同期クロックがデコーダ１７８で復号されてシリアル／パラレル変換回路１８６により復号されたパラレルの再生信号としてＳＣＳＩ１コントローラ１７２に送られる。また、ＳＣＳＩコンピュータ１７２からのライトデータがパラレル／シリアル変換回路１８７でシリアルの信号列に変換されてエンコーダ１７９で符号化され、ライトプリコンペ７７に送られる。
【０１３２】
一方、磁気ディスク装置１７０がサーボディスクを備えるサーボ面サーボ方式の場合には、サーボ情報の読み出しのためのサーボヘッド１８８からのサーボ情報がサーボＩＣ回路１８９を介してサーボ復調回路１９０に送られる。サーボ復調回路１９０は復調したサーボデータをＤＳＰ１８０に送ると共に、ダイレクトライト制御回路７８にダミーライトデータを送出する。このサーボ復調回路１９０が図１８におけるダミーライトデータ出力手段となる。そして、ダイレクト回路制御回路７８にはＭＰＵよりデジタルＬＳＩ１７３を介してダミーライト実行命令（ライトゲート信号）が入力される。
【０１３３】
なお、装置の制御方式がデータ面サーボ方式の場合にはサーボヘッド１８８及びサーボＩＣ回路１８９が不要となり、シリンダにおける、データ面からのサーボ情報はシリンダ復調回路１８５により復調されてＤＳＰ１８０に送られる。
【０１３４】
そこで、図２０に第７実施例のイレーズのフローチャートを示すと共に、図２１に第７実施例のＡＣイレーズのタイミングチャートを示す。図２０及び図２１において、再生時に少しの読み取り誤りが発生してもリトライ等で修正可能であるが、エラー修正ができない程度にリードエラーが発生すると（Ｓ１１）、複合薄膜磁気ヘッド１６８を磁気ディスク６１A（６１B）のダミーデータ記録領域６１aのシリンダにシークさせる（Ｓ１２）。
【０１３５】
シークが終了すると、ダイレクトライト制御回路７８にダミーライト実行命令の信号としてライトゲートが入力されると共に（図２１（Ａ））、サーボ復調回路１９０よりダミーライトデータが供給されてライトヘッド１６６に電流が供給される（図２１（Ｃ））。これにより、磁気ディスク６１A（６１B）のダミーデータ記録領域６１aに当該ダミーライトデータが記録される（Ｓ１３，図２１（Ｂ））。
【０１３６】
ダミーデータは、所定のダミーデータＤ１とＡＣイレーズＤ２で構成され、図２１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように疑似的な記録情報であるダミーデータＤ１の書き込み後に低周波数孤立波（後述する）のＡＣイレーズＤ２の電流が記録用磁気ヘッド１６６に、所定時間供給される。このダミーデータＤ１とＡＣイレーズＤ２の電流供給時間はライトゲート信号（図２１（Ａ））により定められる。
【０１３７】
このＡＣイレーズＤ２により、データライト後の複合薄膜磁気ヘッド１６８における記録用磁気ヘッド１６６を再生用磁気ヘッド１６７間に介在される該記録用磁気ヘッド１６６の磁極を兼ねるシールド部（又はフラックスガイド）の残留磁化を消磁しようとするものである。
【０１３８】
そこで、再生用磁気ヘッド１６７で記録したダミーデータＤ１をリードして（Ｓ１４）、リードエラーが発生しなければ複合薄膜磁気ヘッド１６８を磁気ディスク６１A（６１B）の再生を行うシリンダにシークさせ（Ｓ１６）、リードリトライを行う。
【０１３９】
一方、磁化の安定化が図られず、リードエラーが発生すると、ダミーデータライトを行い（Ｓ１３）、再びダミーデータリードを行う（Ｓ１４）。リードエラーが発生しなくなるまで繰り返し、リードエラー発生がなくなった時点でリードエラー発生シリンダにシークしてリードリトライを行う。
【０１４０】
但し、リードエラーの回数が所定回数（Ｘ）を越えるとヘッド不良としてアラーム表示する（Ｓ１５）。これにより、リードエラーの原因を選別することも可能となる。
【０１４１】
このように、ダミーデータＤ１の書き込み後にＡＣイレーズを行うことで残留磁化の発生を防止することができるものである。
【０１４２】
ここで、図２２に、第７実施例のＤＣイレーズのタイミングチャートを示す。図２２（Ａ）〜（Ｃ）は、図２１におけるダミーデータＤ１の書き込み後にＤＣイレーズＤ３の所定極性の電流を記録用磁気ヘッド１６６に所定時間供給する場合を示したものである。
【０１４３】
この場合の図２２（Ａ）〜（Ｃ）に示すＤＣイレーズＤ３は、ダミーデータＤ１の最後のデータによる媒体（磁気ディスク６１A（６１B）のダミーデータ記録領域）の磁化反転の極性に対してヘッドの磁化が安定する磁極の電流が供給されれば足りるものである。
【０１４４】
続いて、図２３に、第７実施例のイレーズによる再生用磁気ヘッドの出力変化量の説明図を示す。
【０１４５】
図２３（Ａ）は、５つの複合薄膜磁気ヘッド１６８を用いて記録用磁気ヘッド１６６に４０ｍＡのＡＣイレーズ（１ＭＦＲＰＳ，１０．５ＭＦＲＰＳ，６３ＭＦＲＰＳ）と４０ｍＡのＤＣイレーズを所定回数（測定数）行った場合の、再生用磁気ヘッド１６７の出力変化量（平均値）〔％〕を示したものである。この場合、平均な再生用磁気ヘッドの出力量を１００〔％〕としたときに、例えばヘッドＮｏ．１が１００−１０．８＝８９．２〔％〕が１００＋４．３＝１０４．３〔％〕となって１５．１〔％〕の出力量の増加が認められたことを示している。なお、図中「−」はイレーズを行わないことを示している。
【０１４６】
また、ＡＣイレーズを行う場合として、図２３（Ｂ）に示すように、ダミーライト時間（イレーズ時間）を１０μＳ，２０μＳ，３０μＳとした場合の出力増加の確率を示したものである。なお、ＤＣイレーズのイレーズ時間は、複合薄膜磁気ヘッド１６８のシールド部における磁壁が移動する時間（数μＳ）である。
【０１４７】
図２３（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＡＣイレーズＤ２の周波数として１ＭＦＲＰＳ，１０．５ＭＦＲＰＳの場合には出力平均値以上に出力が回復する確率が約５０％であるが、６３ＭＦＲＰＳでは約２０％となって確率が低い。従って、周波数としては低周波数が適する。
【０１４８】
ＤＣイレーズＤ３の場合は、一つだけのデータであるが、確率６５％の。回復率が得られた。
【０１４９】
このように、リードエラーが発生したときにダミーライトデータを書き込み、その後にＡＣ又はＤＣのイレーズを行う電流を記録用磁気ヘッドに供給することで、複合薄膜磁気ヘッドのシールド部分が残留磁化が安定化して再生波形の歪みを解消することができる。これにより、再生波形の出力変動や上下非対称状態が抑えられてエラー発生が防止され、エラー回復やヘッド交換を容易に行うことができ、信頼性の向上を図ることができるものである。
【０１５０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１及び２の発明によれば、磁気記録媒体の所定の領域に複合薄膜磁気ヘッドを移動させ、疑似的な記録情報及び交流又は直流のイレーズで構成させる疑似記録情報を記録させ、再生用磁気ヘッドにより疑似記録情報を再生して再生エラーの判断を行う。エラー回復まで疑似的な記録情報の記録及びイレーズ電流の供給を行わせ、エラー回復後に複合薄膜磁気ヘッドを再生すべきデータ領域に移動させて再生を行わせる。これにより、再生エラー発生後に容易かつ確実にエラー回復が図られる。さらに、記録用磁気ヘッド素子の磁極が消磁状態となって安定して再生波形の歪みが解消され、再生信号のエラー防止を図ることが可能となる。
【０１５１】
請求項３の発明によれば、疑似的な記録情報の記録及びイレーズ電流の供給の繰り返しが所定の回数を超えた場合は、複合薄膜磁気ヘッドを不良と判定し、その繰り返しを中止することにより、リードエラーの原因を選別することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気ディスク装置の第１実施例の要部を説明するための構成図である。
【図２】図１の記録・再生の回路ブロック図である。
【図３】本発明の磁気ディスク装置の第１実施例における消磁用電極の通電を説明するための図である。
【図４】本発明の磁気ディスク装置の第１実施例における薄膜磁気ヘッドの磁極先端部の磁区構造を説明するための図である。
【図５】本発明の磁気ディスク装置の第２実施例を模式的に示す要部断面図である。
【図６】本発明の磁気ディスク装置の第２実施例を説明するための構成図である。
【図７】本発明の磁気ディスク装置の第３実施例を模式的に示す要部断面図である。
【図８】本発明の磁気ディスク装置の第３実施例を説明するための構成図である。
【図９】図８の記録再生の回路ブロック図である。
【図１０】本発明の磁気ディスク装置の第３実施例における消磁用電流の通電を説明するための図である。
【図１１】本発明の磁気ディスク装置の第４実施例を模式的に示す要部断面図である。
【図１２】本発明の磁気ディスク装置の第５実施例を模式的に示す要部断面図である。
【図１３】本発明の磁気ディスク装置の第６実施例の構成図である。
【図１４】本発明の第６実施例の再生安定化の説明図である。
【図１５】複合薄膜磁気ヘッドのシールド部分の磁化状態の説明図である。
【図１６】ライト電流と出力変動の関係のグラフである。
【図１７】第６実施例の他の実施例の構成図である。
【図１８】本発明の第７実施例のイレーズ制御のブロック構成図である。
【図１９】第７実施例における磁気ディスク装置の全体ブロック図である。
【図２０】第７実施例のイレーズのフローチャートである。
【図２１】第７実施例のＡＣイレーズのタイミングチャートである。
【図２２】第７実施例のＤＣイレーズのタイミングチャートである。
【図２３】第７実施例のイレーズによる再生用磁気ヘッドの出力変化量の説明図である。
【図２４】従来の磁気ディスク装置を模式的に示す要部断面図である。
【図２５】従来の薄膜磁気ヘッドを使用した場合の説明図である。
【図２６】図２５の底面図である。
【図２７】従来のＭＲヘッド素子及び引出し導体層の断面図である。
【図２８】従来の磁気ディスク装置を模式的に示す要部断面図である。
【図２９】図２４の再生波形を説明する波形図である。
【図３０】第１磁極（磁気シールド層）の残留磁化の説明図である。
【図３１】ＭＲヘッドの出力特性の変化を説明する波形図である。
【符号の説明】
６１A，６１B  磁気ディスク
６１a  非記録領域（ダミーデータ記録領域）
６２  薄膜磁気ヘッド
６３  ヘッド位置決め機構
６４  ヘッド位置決め制御回路
６５  記録・再生制御回路
６６  給電回路
７１  ヘッドＩＣ回路
７２  ＡＧＣアンプ
７３  フィルタ
７４  イコライザ
７５  ＶＦＯ回路
７６  最尤検出回路
７７  ライトプリコンペ
７８  ダイレクトライト制御回路
７９  ライトフリップフロップ
８０  アンプ
８１  非磁性基板
８２  軟磁性裏打ち層
８３  垂直記録膜
９１  垂直薄膜磁気ヘッド
９２  フェライト基板
９３  非磁性部材
９４  層間絶縁層
９５  コイル
９６  主磁極
９７  保護層
１０１  非磁性基板
１０２  Cr下地層
１０３  磁性記録膜
１１６  磁気シールド
１１７，１３３  フラックスガイド
１１８，１３４，１４７  ＭＲ素子
１１９，１３２  消磁用コイル
１２１  第１磁極
１２３，１３６，１４３  コイル
１２４  第２磁極
１３７，１４６  主磁極
１５１  安定化用給電回路
１６１  ＭＰＵ
１６２  ライトゲート出力手段
１６３  ダミーライトデータ出力手段
１６４  シーク制御手段
１６５  アンプ
１６６  給電用磁気ヘッド
１６７  再生用磁気ヘッド
１７０  磁気ディスク装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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