(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する上下基板と、前記上下基板間に介在された液晶を含む液晶表示装置であって、
下部基板上に形成されるとともにマトリックス形態に配列され、単位セルを限定するゲートバスライン及びデータバスラインと、
前記ゲートバスライン及びデータバスラインの交点周囲に形成されて前記ゲートバスラインに加えられる電圧によってスイッチングの役割をする薄膜トランジスタと、
不透明金属で前記ゲートバスラインと平行に形成されて、共通電極端子に接続される共通電極ラインと、
前記単位セル内に透明な導電物質でゲートバスラインと平行に形成され、前記共通電極ラインにコンタクトされる第１メインライン及びこの第１メインラインから分岐して等間隔で平行に配置された多数のブランチとを備え、前記液晶を駆動するカウンター電極と、
前記カウンター電極上部に形成される透明絶縁膜と、
前記薄膜トランジスタと接続されるとともに前記透明絶縁膜上に重畳され、前記単位セル内に透明な導電物質で前記ゲートバスラインと平行に形成されて、１本は共通電極ラインに重畳し、他の１本はゲートバスラインに近接して配置される２本の第２メインライン及びこの２本の第２メインライン間を接続する等間隔で平行に配置された多数のバーとを備え、隣接する前記バーと２本のメインラインで囲まれる長方形の小穴状の等間隔で平行な多数のスロットを有して、前記スロットに前記カウンター電極の前記ブランチが露出するように形成して、前記２本の第２メインラインのうち前記共通電極ラインに重畳する１本が前記カウンター電極の第１メインラインに重畳され、前記カウンター電極と協同して液晶を駆動する画素電極を備え、
前記カウンター電極のブランチと前記画素電極のバーが交互に間隔なしに配列され、前記カウンター電極と画素電極とは電気的に絶縁されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記カウンター電極と画素電極とはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）電極物質からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記カウンター電極のブランチ幅は２乃至５μｍであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素電極のスロット幅は、前記カウンター電極のブランチ幅と同一であることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記スロット間の画素電極幅は、画素電極のスロット幅と同一であることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素電極は、カウンター電極の両側外郭に位置するブランチが、前記スロットを通して露出されずに直接露出されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記カウンター電極と画素電極間の透明絶縁膜はＳｉＯ２、ＳｉｘＮｙ中のいずれかによって形成される膜であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記カウンター電極と画素電極とが重畳する部分に蓄積キャパシタンスが形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項９】
対向する上下基板と、前記上下基板間に介在された液晶を含む液晶表示装置であって、
下部基板上に形成されるとともにマトリックス形態に配列され、単位セルを限定するゲートバスライン及びデータバスラインと、
前記ゲートバスライン及びデータバスラインの交点周囲に形成されて前記ゲートバスラインに加えられる電圧によってスイッチングの役割をする薄膜トランジスタと、
不透明金属で前記ゲートバスラインと平行に形成されて、共通電極端子に接続される共通電極ラインと、
前記単位セル内に透明な導電物質でゲートバスラインと平行に形成され、１本は共通電極ラインとコンタクトし、他の１本はゲートバスラインに近接して配置される２本の第１メインライン及びこの２本の第１メインライン間を接続する等間隔で平行に配置された多数の第１バーとを備え、隣接する前記第１バーと２本の第１メインラインで囲まれる長方形の小穴形状の等間隔で平行な多数の第１スロットを有して前記液晶を駆動するカウンター電極と、
前記カウンター電極上部に形成される透明絶縁膜と、
前記薄膜トランジスタと接続されるとともに前記透明絶縁膜上に重畳され、前記単位セル内に透明な導電物質で前記ゲートバスラインと平行に形成され、それぞれ２本の前記第１メインラインに重畳される２本の第２メインライン及びこの２本の第２メインライン間を接続する等間隔で平行に配置された多数の第２バーとを備え、隣接する前記第２バーと２本の第２メインラインで囲まれる長方形の小穴状の等間隔で平行な多数の第２スロットを有して、前記第２スロットに前記カウンター電極の前記第１バーが露出するように形成して、前記カウンター電極と協同して液晶を駆動する画素電極を備え、
前記カウンター電極の第１バーと前記画素電極の第２バーが交互に間隔なしに配列され、前記カウンター電極と画素電極とは電気的に絶縁されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
前記カウンターと画素電極とはＩＴＯ電極物質からなることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１スロット幅と第１スロット間のカウンター電極幅は、それぞれ２乃至５μｍであることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記画素電極の第２スロット幅は、前記第１スロット幅と同一であり、前記第２スロット間の画素電極の幅とも同一であることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記カウンター電極と画素電極間の透明絶縁膜はＳｉＯ２、Ｓｉｘ
Ｎｙ中のいずれかによって形成される膜であることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記カウンター電極と画素電極とが重畳する部分に蓄積キャパシタンスが形成されることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
下部絶縁基板上に透明な導電物質からなり、複数のブランチを有するカウンター電極を形成する段階と、
前記下部絶縁基板上に金属膜を蒸着し、所定部分にパターニングを行い、前記カウンター電極とコンタクトする共通電極ラインとゲートバスラインとを同時に形成する段階と、
前記下部絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲートバスラインと所定部分において重畳するように前記ゲート絶縁膜上にチャネル層を形成する段階と、
前記チャネル層と所定部分がそれぞれ重畳するように、不透明金属膜によりデータバスライン及びソースを同時に形成する段階と、
前記ソースとコンタクトしつつ、前記カウンター電極の隣接する２つのブランチ間の空間に位置して、前記カウンター電極の隣接する２つの隣接するブランチと間隔のないように配置される複数のバーを有する画素電極を透明導電層で形成する段階とから成ることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、液晶を駆動するカウンター電極と画素電極とを備える液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、液晶表示装置（以下ＬＣＤと称する）は、ワープロ、パソコム、プロジェックションＴＶ、小型ＴＶ等、多くの用途に利用されている。このようなＬＣＤは、液晶分子の配列方式により多様なモードに区分される。その中で、１９９５年に開発されたスーパーＴＦＴ−ＬＣＤのＩＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードのＬＣＤは、ＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ  ｎｅｍａｔｉｃ）  −ＬＣＤの視野角の問題と低いコントラスト比の問題とを改善するために提案されたモードである。
【０００３】
図７を参照して、ＩＰＳ−ＬＣＤを説明すると以下のとおりである。本図面ではＬＣＤの単位セルを示している。
【０００４】
先ず、下部基板１００上にゲートバスライン１０１が、例えば図面のＸ方向に配列される。また、多数のデータバスライン１０５は、前記ゲートバスライン１０１と垂直に交差するようにＹ方向に配列される。ゲートバスライン１０１とデータバスライン１０５との交点の周囲には、チャネル層１０４を含む薄膜トランジスタＴＦＴが備えられる。ここにおいて、チャネル層１０４は、ゲートバスライン１０１上の所定部分に形成され、データバスライン１０５は、チャネル層１０４の一側とオーバーラップする。ゲートバスライン１０１とデータバスライン１０５とから囲まれた単位セルの空間には、四角枠形態のカウンター電極１０２が形成される。
【０００５】
画素電極１０６は、カウンター電極１０２の中のゲートバスライン１０１と平行な部分、及びオーバーラップする部分と、カウンター電極１０２から囲まれた空間を二分するようにデータバスライン１０５と平行に配列される部分を含む。併せて、画素電極１０６はチャネル層１０４の他側とオーバーラップする。下部基板１００に対向する上部基板（図示せず）には、図示しないカラーフィルターと、このカラーフィルター間を分割する図示しないブラックマトリクスが備えられる。下部基板１００と図示しない上部基板間には液晶が充填される。この充填される液晶は、下部基板１００のカウンター電極１０２と画素電極１０６との間に形成される電界により駆動される。この場合、ゲートバスライン１０１，データバスライン１０５，カウンター電極１０２，画素電極１０６のすべては金属物質から形成されている。
【０００６】
このように構成されたＩＰＳ−ＬＣＤは、液晶を駆動させるカウンター電極１０２と画素電極１０６とのすべてが下部基板１００上に形成されている。したがって、カウンター電極１０２と画素電極１０６に所定の電圧が印加されると、下部基板１００に水平な電界が形成される。この形成された水平な電界により、液晶内の分子は、誘電率異方性（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ａｎｉｓｔｒｏｐｈ）  が陽（ｐｏｓｉｔｉｖｅ；  Δε＞０）の場合に電界と平行に駆動され、液晶内の分子も電界と平行に横になる。従って、いずれの面からも液晶が横になっている状態を見せているので、視野角が改善される。
【０００７】
しかし、前記のようなＩＰＳ−ＬＣＤは次のような問題点がある。まず、ＩＰＳ−ＬＣＤは、図７に示すとおり、光が透過する面に不透明金属からなるカウンター電極１０２と画素電極１０６とが並列に位置して、ＬＣＤの開口面積を遮ることから、ＬＣＤのの開口率が低下する。また、カウンター電極１０２と画素電極１０６のすべてが不透明な金属から形成されることから、透過率が低くなり、このため、一定輝度を得るためには強いバックライトが必要となり、消費電力が大きくなる問題がある。以下、これを詳述する。
【０００８】
カウンター電極１０２と画素電極１０６は、所定の幅、例えば、約５乃至１０μｍの幅を有する。この場合、カウンター電極１０２，画素電極１０６の縁部分約１乃至２μｍ部分に存在する液晶は電界に影響されるが、カウンター電極１０２，画素電極１０６の上部中央に存在する液晶は、電界に影響されない。即ち、カウンター電極１０２，画素電極１０６上部の中央に等電位面（ｅｑｕｉｐｏｔｅｎｔｉａｌ  ｓｕｒｆａｃｅ）が形成される。それにより、電圧印加時に、カウンター電極１０２と画素電極１０６の上部中央に存在する液晶は駆動しなくなる。このように、駆動されない液晶分子を遮るために前記不透明金属膜で形成される。また、画素電極１０６は、カウンター電極１０２から囲まれた空間が二分されるように形成されている。従って、画素電極１０６とカウンター電極１０２は、Ｙ方向の側面で、所定間隔、例えば約７乃至１０μｍ程度離隔されている。即ち、カウンター電極１０２と画素電極１０６との間の距離が電界の及ぶ空間になり、この距離が広いほど応答速度が低下する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、前記の従来の問題点を解決するためのもので、光の透過率を改善させることができるＬＣＤを提供することである。また、本発明の他の目的は、開口率を改善させ得るＬＣＤを提供することである。また、他の目的は、応答速度を改善することができるＬＣＤを提供することである。さらに他の目的は、前記特性を有するＬＣＤの製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため本発明においては、対向する上下基板と、前記上下基板間に介在された液晶を含む液晶表示装置であって、下部基板上に形成されるとともにマトリックス形態に配列され、単位セルを限定するゲートバスライン及びデータバスラインと、前記ゲートバスライン及びデータバスラインの交点周囲に形成されて前記ゲートバスラインに加えられる電圧によってスイッチングの役割をする薄膜トランジスタと、前記単位セル内に透明な導電物質から形成されてゲートバスラインと平行なメインライン及びこのメインラインから分岐して等間隔で平行に配置された多数のブランチとを備え、前記液晶を駆動するカウンター電極と、前記カウンター電極上部に形成される透明絶縁膜と、前記薄膜トランジスタと接続されるとともに前記透明絶縁膜上に重畳され、カウンター電極の前記ブランチ等が露出するように、多数のスロットとスロット間に備えられた多数のバーとを備える透明な導電物質から形成されて、前記カウンター電極と協同して液晶を駆動させる画素電極を備え、前記カウンター電極のブランチと前記画素電極のバーが互いに間隔なしに配列され、前記カウンター電極と画素電極とは電気的に絶縁されている構成とするものである。
【００１１】
また、前記カウンター電極と画素電極とはＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）電極物質からなり、前記カウンター電極のブランチ幅は２乃至５μｍであり、前記画素電極のスロット幅は前記カウンター電極のブランチ幅と同一である構成とし、前記スロット間の画素電極幅は画素電極のスロット幅と同一であり、前記画素電極はカウンター電極の両側外郭に位置するブランチが前記スロットを通して露出されずに直接露出され、また、前記カウンター電極と画素電極間の透明絶縁膜はＳｉＯ２  ，Ｓｉｘ  Ｎｙ  中のいずれかによって形成され、前記カウンター電極と画素電極とがオーバーラップする部分に蓄積キャパシタンスが形成される構成とするものである。
【００１２】
また、対向する上下基板と、前記上下基板間に介在された液晶を含む液晶表示装置であって、下部基板上に形成されるとともにマトリックス形態に配列され、単位セルを限定するゲートバスライン及びデータバスラインと、前記ゲートバスライン及びデータバスラインの交点周囲に形成されて前記ゲートバスラインに加えられる電圧によってスイッチング役割をする薄膜トランジスタと、前記単位セル内に透明な伝導物質から形成され、等間隔で平行な多数の第１スロットを有して前記液晶を駆動させるカウンター電極と、前記カウンター電極上に形成される透明絶縁膜と、前記薄膜トランジスタと接続されるとともに前記透明絶縁膜上に重畳され、前記第１スロット間のカウンター電極が露出するように多数の第２スロットを備える透明な伝導物質から形成され、前記カウンター電極と協同して液晶を駆動させる画素電極を備え、前記カウンター電極と画素電極とは電気的に絶縁されている構成とするものである。
【００１３】
また、前記カウンター電極と画素電極とはＩＴＯ電極物質からなり、前記第１スロット幅と第１スロット間のカウンター電極幅は、それぞれ２乃至５μｍであり、前記画素電極の第２スロット幅は前記第１スロット幅と同一であり、前記第２スロット間の画素電極の幅とも同一であることを特徴とし、前記カウンター電極と画素電極間の透明絶縁膜はＳｉＯ２  ，Ｓｉｘ  Ｎｙ  中のいずれかにより形成形成され、前記カウンター電極と画素電極とがオーバーラップする部分に蓄積キャパシタンスが形成される構成とするものである。
【００１４】
さらに、下部絶縁基板上に透明な伝導物質からカウンター電極を形成する段階と、前記下部絶縁基板上に金属膜を蒸着し、所定部分にパターニングを行い、カウンター電極とコンタクトする共通電極ラインとゲートバスラインとを同時に形成する段階と、前記絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲートバスラインと所定部分においてオーバーラップするようにゲート絶縁膜上にチャネル層を形成する段階と、前記チャネル層と所定部分がそれぞれオーバーラップするように、不透明金属膜によりデータバスライン及びソースを同時に形成する段階と、前記透明伝導層にソースとコンタクトしつつ、カウンター電極と重畳するように画素電極を形成する段階とから成ることを特徴とするものである。
【００１５】
以上のような構成及び方法により、固定された空間内にカウンター電極と画素電極とが、従来の幅より狭く形成され、両電極の縁部分に形成される電界のみでも、カウンター電極及び画素電極の上部に存在する液晶のすべてを駆動させることができるようになる。従って、ＬＣＤの駆動速度が改善される。また、カウンター電極と画素電極とが透明な物質から形成されることから、透過率及び開口率が大きく改善される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
＜第一の実施の形態＞
図１は本発明の第一の実施の形態を示すＬＣＤの平面図であり、図２は図１に示すＩＩＩ  −ＩＩＩ  線で切断したＬＣＤの断面図である。
【００１７】
まず、図１を参照して、下部ガラス基板１０の上部に、多数のゲートバスライン１が例えば図面のＸ方向に配列される。また、多数のデータバスライン４は、ゲートバスライン１と直交するようにＹ方向に配列される。この場合、ゲートバスライン１とデータバスライン５は、不透明金属膜、例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ等の部材で形成される。また、ゲートバスライン１とデータバスライン４間には絶縁膜を介在させて相互に絶縁する。ゲートバスライン１とデータバスライン４はマトリックス形態に配置されて、単位セルの空間を限定する。
【００１８】
ゲートバスライン１とデータバスライン４の交点の周囲には、チャネル層３を含む薄膜トランジスタＴＦＴが形成される。チャネル層３はゲートバスライン１上の所定部分に形成され、データバスライン４の下部に、チャネル層３の一側がオーバーラップするように形成される。チャネル層３の他側は薄膜トランジスタＴＦＴのソース４ａとオーバーラップするように形成される。
【００１９】
ゲートバスライン１とデータバスライン５とから囲まれた単位セルの空間にはカウンター電極２が配置される。このカウンター電極２は、ゲートバスライン１と平行なメインライン２ａを含み、またこのメインライン２ａから分岐して等間隔でデータバスライン４と平行に配置された複数の、枝部としての例えば五つのブランチ２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ、２ｆを含む。また、カウンター電極２は、透明な伝導物質、例えばＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）物質から形成される。
【００２０】
この場合、前記ブランチ２ｂ〜２ｆの幅は、限定された空間内に多数個のブランチを集積することから、従来のカウンター電極２の幅より狭くするのが好ましく、具体的には２乃至５μｍ程度が適当である。このブランチ２ｂ〜２ｆは、ゲートバスライン１に向けて延長され、データバスライン４と平行に設置される。また、ゲートバスライン１と平行なカウンター電極２部分は、共通電極端子（図示せず）に接続される共通電極ライン２−１とコンタクトされる。この場合、共通電極ライン２−１は、伝導特性が優れた不透明金属、例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ等から形成される。
【００２１】
画素電極５は、ＴＦＴのソース４ａと接触し、カウンター電極２の上部に透明絶縁膜（図示せず）を介して重畳される。この透明絶縁膜としては、ＳｉＯ２  ，Ｓ  ｉｘ  Ｎｙ  膜が用いられる。この場合、画素電極５には、カウンター電極２のブランチ２ｂ〜２ｆが露出するように、複数の例えば三つのスロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３が形成されている。このスロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３の幅は、カウンター電極２のブランチ２ｂ〜２ｆの幅と同一である。この際に、スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３間のカウンター電極をバー５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとする。この実施の形態においては、バーは四つである。また、スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３間の画素電極５の幅、すなわちバー５ａ〜５ｄの幅は、カウンター電極２のブランチ２ｂ〜２ｆの幅と同一である。
【００２２】
前記画素電極５において、図１に図示のとおり、カウンター電極２の両側の外郭に位置するブランチ２ｂと２ｆは、スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通しては露出されず直接に露出され、ブランチ２ｃ，２ｄ，２ｅのみがスロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通して露出される。そして、画素電極５は、カウンター電極２より更に大きい範囲に重ねられる。すなわち、カウンター電極２のブランチ２ｂ〜２ｆのすべてを画素電極５のスロットを通して露出させ得る。ここにおいて、カウンター電極２と画素電極５とがオーバーラップするメインライン２ａ部分に蓄積キャパシタンスＣが形成される。
【００２３】
このような構成を有するＬＣＤは、図２に示すとおり、液晶内の分子を駆動するカウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄとが相互に間隔をおかずに配列される。これにより、電界が及ぶ空間が狭くなるので、ＬＣＤの応答速度が改善される。また、カウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄとが透明な物質からなり、前記透過率及び開口率が大きく改善される。この時、カウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄとが透明な物質からなることにより、電極２ｂ〜２ｆ、５ａ〜５ｄの上部に存在する液晶を駆動させるために、カウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄの幅を、本実施の形態の構成のとおり狭く形成する。
【００２４】
これにより、固定された空間内にカウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄとは、従来の幅より狭い幅（２乃至５μｍ）を有し交替に配列される。従って、カウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄの縁に及ぶ電界のみでもカウンター電極２ｂ〜２ｆ及び画素電極５ａ〜５ｄの上部に存在する液晶分子のすべてが駆動されることから、ＬＣＤの透過率が更に改善される。
【００２５】
＜第二の実施の形態＞
図３は、本発明の第二の実施の形態を説明するためのＬＣＤの平面図である。図３を参照して、下部ガラス基板１０の上部に多数のゲートバスライン１と多数のデータバスライン４が前記第一の実施の形態と同一に配列され、単位セルの空間を限定している。ゲートバスライン１とデータバスライン４の交差点の周囲には、チャネル層３を含む薄膜トランジスタＴＦＴが備えられる。
【００２６】
ゲートバスライン１とデータバスライン５とから囲まれた単位セルの空間にはカウンター電極２２が配置される。カウンター電極２２はゲートバスライン１と平行な二つの第１メインライン２２ａ，２２ａと、この二つの第１メインライン２２ａの間を連結する多数の第１バー、例えば五つの第１バー２２ｂ〜２２ｆとを含む。この第１バー２２ｂ〜２２ｆの間には、２乃至５μｍの幅を有する多数の第１スロットＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４…、例えば四つのスロットがそれぞれ等間隔で形成される。第１スロットＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ３、ＳＳ４の幅は、カウンター電極２２のバーの幅と同一に形成される。
【００２７】
共通電極端子（図示せず）とコンタクトされる共通電極ライン２−１は、ゲートバスライン１と平行なカウンター電極２２部分の中のいずれか一部分とコンタクトするように形成される。この場合、共通電極ライン２−１は、不透明金属、例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ等から形成される。前記共通電極ライン２−１は、カウンター電極２２の上部に配置してもよく、その位置関係はいずれでもよい。
【００２８】
画素電極５０はＴＦＴとコンタクトされ、カウンター電極２２及び共通電極ライン２−１と重畳される。この場合、カウンター電極２２の上部には、絶縁膜（図示せず）、例えばＳｉＯ２  ，Ｓｉｘ  Ｎｙ  のような透明絶縁膜が形成されて、カウンター電極２２と画素電極５０は絶縁される。画素電極５０は、ゲートバスライン１と平行な二つの第２メインライン５０ａ，５０ａ間を連結する多数の、例えば四つの第２バー５０ｂ〜５０ｅを備え、この第２バー５０ｂ〜５０ｅ間には多数の、例えば三つの第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３が形成されている。この第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通じて第１バー２２ｂ〜２２ｆが露出される。
【００２９】
第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３の幅は、カウンター電極２２の第１バー２２ｂ〜２２ｆと画素電極５０の第２バー５０ｂ〜５０ｅと同一に形成する。また、カウンター電極２２の両側外郭に位置する第１バー２２ｂ，２２ｆは、第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通しては露出されず、直接に露出され、第１バー２２ｃ，２２ｄ，２２ｅのみが第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通じて露出される。カウンター電極２２と画素電極５０とがオーバーラップする部分に蓄積キャパシタＣが形成される。また、カウンター電極２２の二つの第１メインライン２２ａと、画素電極５０の二つの第２メインライン５０ａとはオーバーラップして、この部分に蓄積キャパシタＣ１、Ｃ２が形成される。
【００３０】
このように構成されたＬＣＤは、カウンター電極２２と画素電極５０とがオーバーラップする部分が顕著に増加し、また、蓄積キャパシタンスも増大する。
【００３１】
＜第三の実施の形態＞
図４乃至図６は、本発明の第三の実施の形態を説明するためのＬＣＤの下部基板の平面図である。
【００３２】
先ず、図４に示すとおり、下部基板２０上に透明伝導層が所定の厚さで蒸着される。次いでカウンター電極を形成するために所定部分がパターニングされ、これによりカウンター電極１１が形成される。この場合、カウンター電極１１は前記第一の実施の形態のとおり、一つのメインライン１１ａと、これから分岐された、例えば五つのブランチ１１ｂ〜１１ｆを有するようにパターニングすることもでき、または前記第二の実施の形態のように、スロットを有するようにパターニングすることもできる。
【００３３】
次いで、下部基板２０上に不透明金属膜、例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉのような金属膜が蒸着される。この不透明金属膜は、所定部分がパターニングされ、カウンター電極１１と所定部分が離れたゲートバスライン１２Ａと、カウンター電極１１とコンタクトされる共通電極ライン１２Ｂが形成される。この場合、ゲートバスライン１２Ａと共通電極ライン１２Ｂとを先に形成した後、カウンター電極１１を後で形成してよい。
【００３４】
次いで、図５を参照して、以上のように形成された下部基板２０の上部に、ＳｉＯ２  ，Ｓｉｘ  Ｎｙ  のような透明な物質でゲート絶縁膜（図示せず）が蒸着される。アモルファスシリコンからなるチャネル層１３は、ゲートバスライン１の所定部分上に、公知の方式により形成される。データバスライン用の不透明金属膜は、ゲート絶縁膜（図示せず）上に蒸着され、ゲートバスライン１２Ａと直交するようにパターニングされてデータバスライン１４が形成される。この場合、データバスライン１４は、チャネル層１３の一側とオーバーラップするように形成される。データバスライン１４を形成すると同時に、チャネル層１３の他側とオーバーラップされるようにソース１４ａが形成される。
【００３５】
そして、図６を参照して、下部基板２０上に、画素電極用の透明伝導層が所定の厚さで蒸着される。次いで、透明伝導層はソース１４ａとコンタクトされ、カウンター電極１１と重畳するように透明伝導層がパターニングされ、画素電極１５が形成される。
【００３６】
この第三の実施の形態では、データバスライン１４を形成してから画素電極を形成したが、まず画素電極を形成してからデータバスラインを形成するようにしてもよい。また、チャネル層１３を形成する工程後にデータバスライン１４を形成したが、チャネル層１３の形成後にエッチストッパ（ｅｔｃｈ−ｓｔｏｐｐｅｒ）を形成するようにしてもよい。
【００３７】
【発明の効果】
以上の説明のように本発明によれば、カウンター電極と画素電極とが相互に間隔を空けずに配列されるので、電界の及ぶ空間が狭くなり、従って、ＬＣＤの応答速度が改善される。また、カウンター電極と画素電極とが透明な物質により形成されることから、透過率及び開口率が大きく改善される。また、所定の空間内にカウンター電極と画素電極とが従来の幅より狭く形成され、両電極の縁に及び電界のみでも、カウンター電極及び画素電極の上部に存在する液晶のすべてを駆動させることができるようになる。従って、ＬＣＤの透過率を更に改善することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態によるＬＣＤの平面図である。
【図２】図１のＩＩＩ  −ＩＩＩ  線で切断したＬＣＤ基板の断面図である。
【図３】本発明の第二の実施の形態を示すＬＣＤの平面図である。
【図４】本発明の第三の実施の形態による製造方法を説明するためのＬＣＤの平面図である。
【図５】本発明の第三の実施の形態による製造方法を説明するためのＬＣＤの平面図である。
【図６】本発明の第三の実施の形態による製造方法を説明するためのＬＣＤの平面図である。
【図７】従来におけるＩＰＳ−ＬＣＤの平面図である。
【符号の説明】
１・・ゲートバスライン
２・・カウンター電極
２−１・共通電極ライン
３・・チャネル層
４・・データバスライン
５・・画素電極
１０・下部ガラス基板
１１・カウンター電極
１１ａ・メインライン
１１ｂ〜ｆ・ブランチ
１２Ａ・ゲートバスライン
１２Ｂ・共通電極ライン
１３・チャネル層
１４・データバスライン
１４ａ・ソース
１５・画素電極
２０・下部基板
２２・カウンター電極
２２ａ・第１メインライン
２２ｂ〜２２ｆ・第１バー
５０・画素電極
５０ａ・第２メインライン
５０ｂ〜５０ｅ・第２バー
Ｃ・・蓄積キャパシタ
Ｓ１〜Ｓ３，ＳＳ１〜ＳＳ４・スロット
【図１】
0003613573.tif 000002
【図２】
0003613573.tif 000003
【図３】
0003613573.tif 000004
【図４】
0003613573.tif 000005
【図５】
0003613573.tif 000006
【図６】
0003613573.tif 000007
【図７】
0003613573.tif 000008