(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極が形成された第１の基板と、陽極が形成された第２の基板とが対向配置されて形成された表示装置であって、第１の基板が、第２の基板と対向する表面に、ストライプ状に配置された電子を放出するための陰極ラインと、前記陰極ラインの間に形成された第１の隔壁とを備え、第２の基板が、第１の基板と対向する表面に、電子を吸引するための陽極導電膜と、陽極導電膜の上であって、前記陰極ラインのそれぞれと対向する位置にストライプ状に配置された蛍光膜と、蛍光膜と直交する方向にストライプ状に一定間隔をあけて配置された第２の隔壁と、第２の隔壁のそれぞれの先端部に形成されたゲート電極膜とを備えてなり、前記ゲート電極膜が、前記第１の隔壁と接する部分の厚さよりも前記第１の隔壁と接しない部分の厚さのほうが厚くなるように凹凸形状に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記陰極ラインが、エミッタ電極膜と、その上に形成された電子放出材料膜とからなることを特徴とする請求項１の表示装置。
【請求項３】
前記ゲート電極膜が、前記陰極ラインと交差する領域内で、櫛歯形状に形成されていることを特徴とする請求項１または２の表示装置。
【請求項４】
前記第２の基板に形成された第２の隔壁が、その先端部及び陽極電極膜とは接しない部分の一部に、電子を収束するための収束電極膜を備えたことを特徴とする請求項１または２の表示装置。
【請求項５】
陰極が形成された第１の基板と、陽極が形成された第２の基板とが対向配置されて形成された表示装置であって、第１の基板が、第２の基板と対向する表面にストライプ状に配置された第１の隔壁と、第１の隔壁の先端部に形成された電子を放出するための陰極ラインとを備え、第２の基板が、第１の基板と対向する表面に電子を吸収するための陽極導電膜と、陽極導電膜の上であって前記陰極ラインのそれぞれと対向する位置にストライプ状に配置された蛍光膜と、蛍光膜と直交する方向にストライプ状に一定間隔をあけて配置された第２の隔壁とを備えてなることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
陽極が形成された第１の基板と、陰極が形成された第２の基板とが対向配置されて形成された表示装置であって、第１の基板が、第２の基板と対向する表面にストライプ状に配置された第１の隔壁と、第１の隔壁の先端部に形成された陽極導電膜と陽極導電膜の上に形成された蛍光膜とを備え、第２の基板が、第１の基板と対向する表面に、前記第１の隔壁と直交する方向に、ストライプ状に一定間隔をあけて交互に配置された透明の陰極ラインと第２の隔壁とを備えたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、表示装置に関し、特に薄型の表示装置として開発されている電界放出陰極を利用した表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、微小な電界放出陰極を利用した自発光の薄型表示装置として、ＦＥＤ（Field  Emission  Display）が注目されている。
図１１に、従来の電界放出陰極を用いた表示装置の概略斜視図を示す。この表示装置は、陰極を形成した陰極基板１０９と蛍光膜１０８を形成した陽極基板１０７を対向させて内部を真空排気した構造である。
【０００３】
陰極基板１０９において、ガラス基板１０５上に、エミッタ電極１０２とゲート電極１０３とが絶縁層１０４を介してマトリクス状に形成されその交差点となる画素１０６に陰極１０１が形成されている。
微小電界放出陰極としては、図１１に示すような先端がとがった形状のスピント型が使用されることが多い（C.A.Spindt, Jonrnal of Appllied Physics, Vol. 47, 5248, 1976年参照）。
また、微小な電界放出陰極として、ダイヤモンド，カーボンチューブなどの材料を用いた平面型の陰極基板も開発されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、スピント型の陰極１０１は、真空蒸着法という形成方法を使用する必要があるため、大型の陰極基板を形成することは困難である。
また、真空蒸着法は工程数が多いため、歩留りが悪く、低コストでの量産が難しい。
【０００５】
一方、平面型の陰極基板は、工程数も少なく、大型の基板を製造することも原理的には可能である。しかし、ゲート電極の形成が困難で、表示装置として応用するために不可欠なマトリックス素子として作成するのが難しいという問題点がある。
【０００６】
この発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであり、平面型の陰極をマトリックス形状に形成して、マトリックス動作させることのできる大画面用の表示装置を実現することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、陰極が形成された第１の基板と、陽極が形成された第２の基板とが対向配置されて形成された表示装置であって、第１の基板が、第２の基板と対向する表面に、ストライプ状に配置された電子を放出するための陰極ラインと、前記陰極ラインの間に形成された第１の隔壁とを備え、第２の基板が、第１の基板と対向する表面に、電子を吸引するための陽極導電膜と、陽極導電膜の上であって、前記陰極ラインのそれぞれと対向する位置にストライプ状に配置された蛍光膜と、蛍光膜と直交する方向にストライプ状に一定間隔をあけて配置された第２の隔壁と、第２の隔壁のそれぞれの先端部に形成されたゲート電極膜とを備えてなり、前記ゲート電極膜が、前記第１の隔壁と接する部分の厚さよりも前記第１の隔壁と接しない部分の厚さのほうが厚くなるように凹凸形状に形成されていることを特徴とする表示装置を提供するものである。
これにより、電界放出陰極を利用した表示装置の大画面化を図ることができる。
【０００８】
ここで、前記陰極ラインは、エミッタ電極膜と、その上に形成された電子放出材料膜とから構成してもよい。
また、前記ゲート電極膜は、前記陰極ラインと交差する領域内で、櫛歯形状に形成してもよい。
さらに、前記ゲート電極膜は、前記第１の隔壁と接する部分の厚さよりも前記第１の隔壁と接しない部分の厚さのほうが厚くなるように凹凸形状に形成してもよい。
また、この発明の表示装置において、前記第２の基板に形成された第２の隔壁は、その先端部及び陽極電極膜とは接しない部分の一部に、電子を収束するための収束電極膜を備えてもよい。
【０００９】
また、この発明は、陰極が形成された第１の基板と、陽極が形成された第２の基板とが対向配置されて形成された表示装置であって、第１の基板が、第２の基板と対向する表面にストライプ状に配置された第１の隔壁と、第１の隔壁の先端部に形成された電子を放出するための陰極ラインとを備え、第２の基板が、第１の基板と対向する表面に電子を吸収するための陽極導電膜と、陽極導電膜の上であって前記陰極ラインのそれぞれと対向する位置にストライプ状に配置された蛍光膜と、蛍光膜と直交する方向にストライプ状に一定間隔をあけて配置された第２の隔壁とを備えてなることを特徴とする表示装置を提供するものである。
これによれば、ゲート電極を備えない構成の表示装置とすることができ、両基板内部の真空度を向上させることができる。
【００１０】
さらに、この発明は、陽極が形成された第１の基板と、陰極が形成された第２の基板とが対向配置されて形成された表示装置であって、第１の基板が、第２の基板と対向する表面に、ストライプ状に配置された第１の隔壁と、第１の隔壁の先端部に形成された陽極導電膜と陽極導電膜の上に形成された蛍光膜とを備え、第２の基板が、第１の基板と対向する表面に、前記第１の隔壁と直交する方向に、ストライプ状に一定間隔をあけて交互に配置された透明の陰極ラインと第２の隔壁とを備えたことを特徴とする表示装置を提供するものである。
これによれば、高輝度のいわゆる反射型の表示装置を提供できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
この発明は、陰極が形成された第１の基板と、陽極が形成された第２の基板とが対向配置されて形成された表示装置であって、第１の基板が、第２の基板と対向する表面に、ストライプ状に配置された電子を放出するための陰極ラインと、前記陰極ラインの間に形成された第１の隔壁とを備え、第２の基板が、第１の基板と対向する表面に、電子を吸引するための陽極導電膜と、陽極導電膜の上であって、前記陰極ラインのそれぞれと対向する位置にストライプ状に配置された蛍光膜と、蛍光膜と直交する方向にストライプ状に一定間隔をあけて配置された第２の隔壁と、第２の隔壁のそれぞれの先端部に形成されたゲート電極膜とを備えてなり、前記ゲート電極膜が、前記第１の隔壁と接する部分の厚さよりも前記第１の隔壁と接しない部分の厚さのほうが厚くなるように凹凸形状に形成されていることを特徴とする表示装置である。
【００１３】
この発明の表示装置において、第１の基板及び第２の基板は、どちらもガラス基板を基体とし、その上に陰極，陽極及び隔壁等の構成要素が形成される。第２の基板について第１の基板とは反対側の表面の外側から表示を見る場合には、陽極導電膜はＩＴＯ膜のような透明な導電膜によって形成される。ここで、以下に示す実施例では、第１の基板を背面基板、第２の基板を前面基板とも呼ぶ。
【００１４】
第１の隔壁の先端部と、第２の隔壁の先端部に形成されたゲート電極膜とが接することになるが、第１の基板と第２の基板との距離は、第１の隔壁及び第２の隔壁によって画定される。
また、第１の基板と第２の基板の間に形成される空間は電子放出空間であり、この空間はほぼ真空状態となるように密封排気される。
【００１５】
また、陰極ラインとは、負電位が印加され、電子が放出される電極であり、いわゆるエミッタ電極ラインである。このエミッタ電極ライン上から効果的に電子放出するために、モリブデンなどの金属材料で形成した電極膜の上に、導電性粉末を主成分とする電子放出材料膜が形成される。
ここで電子放出材料膜（以下、エミッタ膜とも呼ぶ）は、モリブデン、シリコン、タングステンまたはカーボンナノチューブ等の粉末を用いることができる。たとえば、カーボンナノチューブは、直径１μｍ程度の微粒子である。
【００１６】
第１及び第２の隔壁はどちらもＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2等を材料とする低融点ガラスによって形成できる。また、蛍光膜としては、カラー表示装置の場合は３原色の蛍光膜が順に形成される。
ゲート電極膜は、陰極ラインと同様に、モリブデン等の金属材料を用いることができる。
【００１７】
以下、図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定されるものではない。
図１に、この発明の表示装置の第1実施例の概略斜視図を示す。また図２に、図１に示した表示装置の断面図及び平面図を示す。
【００１８】
この表示装置は、対向配置される背面基板１０と、前面基板２０とから構成される。隔壁２３によってはさまれた領域とエミッタライン１１とが交差する領域が画素２６となる。図２（ｂ）は、図１の表示装置のうち、エミッタライン１１，隔壁１２及び隔壁２３の位置関係を示した平面図であり、他の構成要素は図示していない。
背面基板１０は陰極が形成された陰極基板に相当し、前面基板２０は陽極基板に相当し、この実施例では、図の上方から表示を見ることになる。
【００１９】
背面基板１０は、Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2等を材料とするガラスで作られるが、その表面上に３原色ＲＧＢの各色を表示する位置に対応するように、一定方向に配列されたエミッタライン１１を形成し、その各エミッタライン１１を隔離するように隔壁１２を形成する。
エミッタライン１１は、たとえば、クロム，モリブデンなどの金属材料を用い、幅１００μｍ，１５０μｍピッチ，膜厚１μｍで形成する。
【００２０】
また、このエミッタライン１１の上には、電子を放出するエミッタ膜１３が形成されるが、エミッタ膜１３の材料としては、導電性粉末が用いられる。エミッタ膜１３はスクリーン印刷法等を用いて形成することができる。
導電性粉末としては、モリブデン，シリコン，タングステンまたはカーボンナノチューブを用いることができる。また、エミッタ膜の膜厚は４μｍ程度とする。
【００２１】
隔壁１２は、エミッタラインから放出される電子が広がって隣接するエミッタラインの領域へ回り込むのを防止すると共に、両基板１０，２０間の空間を保持するスペーさとしての役割を果たす。隔壁１２の高さは１５μｍ，幅は１０μｍ程度とし、低融点ガラスをスクリーン印刷法で形成することにより図のような隔壁１２を作る。
【００２２】
一方、前面基板２０には背面基板１０と同じガラス基板を用い、背面基板１０と対向する表面に、陽極導電膜（アノード電極）２１を形成し、その上に、ＲＧＢ各色のストライプ状蛍光膜２２を形成する。
蛍光膜２２は、エミッタライン１１と同方向でちょうど対向する位置に設けられ、その幅を１００μｍ，ピッチを１５０μｍとする。陽極導電膜２１は、ＩＴＯ膜などの透明な導電膜を用いる。
【００２３】
また、蛍光膜２２を形成した構造の上に、蛍光膜２２と直交するように、一定間隔で隔壁２３を形成する。隔壁２３は低融点ガラスを用いて、転写モールド法等により形成することができる。ここで隔壁２３は、高さ１ｍｍ，幅５０μｍ，ピッチ３００μｍ程度とする。
【００２４】
さらに、背面基板１０１に最も近い隔壁２３の先端部分には、ゲートラインとなる導電膜２４を形成する。導電膜２４は、銀などの金属材料を用い、１μｍ程度の膜厚となるように印刷法などで形成する。
以上のような、背面基板１０と前面基板２０とはそれぞれ別々に形成した後、２つの隔壁１２と２３とが直交し、かつ背面基板１０側の隔壁１２と、前面基板２０の蛍光膜２２とが対向するように貼り合わせる。
このとき、エミッタ膜１３の表面と、ゲートライン２３の表面との距離は１０μｍ程度となる。
【００２５】
両基板を貼り合わせた後、周囲を低融点ガラスでシールし、さらに両基板間に形成された空間内部を加熱排気（３００℃，１×１０-8Torr）し、密封すれば、この発明の表示装置が完成する。
【００２６】
背面基板及び前面基板に形成されるエミッタライン，ゲートライン及び隔壁などの構成要素は、すべて、大面積化が容易な方法で形成されるので、歩留りがよく大画面の表示装置の量産が可能である。
【００２７】
次に図１に示したこの発明の表示装置の駆動方法を説明する。
発光させたい位置（画素）に相当するエミッタライン１１に−５０Ｖ，ゲートライン２４に＋５０Ｖ，陽極導電膜（アノード電極）２１に＋１ｋｖの電圧を、それぞれ印加する。
このとき、エミッタライン１１とゲートライン２４との間に、１０ｖ／μｍの電界が生じるため、エミッタ膜１３から電子が放出される。
【００２８】
放出電子のうち５０％程度はゲートライン２４に入射しゲート電流となるが、残りの電子はアノード電極２１の方向に引っ張られ、直上の蛍光膜２２に入射し、その蛍光膜２２を発光させる。
このとき、１つの画素を構成するエミッタ膜１３から放出された電子は多少広がったとしても、その画素を取り囲む隔壁１２と２３に妨げられて隣接する画素には広がらずに直上の蛍光膜２２に入射する。すなわち隣接画素へのクロストークが抑制され、鮮明な画像表示ができる。
【００２９】
前面基板２０上に隔壁２３を形成する方法について説明する。以下は、転写モールド法と呼ばれる形成方法である。
まずガラス基板上に高さ１ｍｍ、幅５０μｍの隔壁を感光性樹脂などで３００μｍピッチで形成する。次にその表面にニッケル電鋳した後、引き剥がす。このニッケル電鋳物が隔壁の凹型となる。次にこの凹型に低融点ガラスペーストを充填して３０分程度乾燥させる。次に透明導電膜２１とストライプ状蛍光膜２２を形成した前面基板２０に対して、ペーストを充填した凹型を押し当てた後、引き剥がすと、低融点ガラスが前面基板２０に転写される。最後に基板を焼成して前面基板２０が完成する。
【００３０】
また、前面基板２０側に形成する隔壁２３は、図１のようなストライプ状以外の形状としてもよい。
図３に、この発明の前面基板側の隔壁２３の一部に開口部を設けた場合の表示装置の平面図を示す。図３において、背面基板１０側の構成（エミッタライン１１、隔壁１２）は、図１と同じである。
【００３１】
前面基板２０の隔壁２３は、高さを１ｍｍ程度とする。隔壁２３の先端部には、図１と同様のゲートライン２４（幅４０μｍ、ピッチ３００μｍ）を数本ストライプ状に形成し、かつゲートライン２４とエミッタライン１１とが交差する部分、すなわち画素となる領域に、開口部２８（縦２５０μｍ、横５０μｍ）を設ける。
【００３２】
エミッタライン１１の上に形成されたエミッタ膜１３から放出された電子は、この開口部２８を通過して対応する前面基板２０の蛍光膜２２に入射することになる。
【００３３】
図４に、この発明の隔壁２３を櫛歯形状とした場合の表示装置の実施例を示す。これは、図１に示した隔壁２３に加えて、画素となる領域のエミッタライン１１の直上に、櫛歯３１を設けたものである。
櫛歯３１の幅は、隔壁２３と同じように１０μｍ程度とすればよい。また、櫛歯３１のエミッタライン３１に平行な方向の長さは５０μｍ程度とすればよい。
図３または図４のような形状の隔壁２３とすれば、エミッタに強電界がかかるので、図１の実施例よりも低電圧（７０Ｖ）で電子を引き出すことができる。
【００３４】
図５に、この発明の表示装置の第２実施例の断面図を示す。
ここで、隔壁１２’は、図１では背面基板１０上に形成していた隔壁１２に相当する隔壁であって、前面基板２０のゲートライン２４のさらに上に形成したものである。
したがって背面基板１０の上には隔壁を形成する必要はない。
ここで、隔壁１２’の配置，幅，ピッチ等は、図１に示したものと同じとし、隔壁１２’は、図１に示した前面基板２０を形成した後、さらに、転写モールド法を用いて形成することができる。
図５の実施例では、背面基板の隔壁１２を形成する必要がないので、隔壁１２を背面基板に形成する際に必要であったスクリーン印刷後の焼成工程が不要となり、エミッタ膜１３の劣化を防止できる。
【００３５】
図６に、この発明の表示装置の第３実施例の断面図を示す。
図１では、一定の厚さ（１μｍ）でゲートライン２４を形成したが、この実施例では、ゲートライン２４が、背面基板１０の隔壁１２と接する部分以外の厚さを接する部分よりも厚くしたことを特徴とする。
【００３６】
たとえば、接する部分のゲートラインの厚さを１μｍとし、隔壁１２と接しないゲートライン２４の厚さを５μｍとする。
ゲートラインの厚さに差をもたせるには、研磨等の処理をすればよい。
この場合には、エミッタライン１１と、ゲートライン２４との距離が図１の場合よりも近くなるので、電子の引き出し電圧を７０Ｖ程度にまで下げても同様の明るさの表示ができる。すなわち駆動電圧の低減が可能である。
【００３７】
図７に、この発明の表示装置の第４実施例の斜視図を示す。
ここでは、図１に示した隔壁２３のほぼ中央付近に、収束電極２５を形成することを特徴とする。収束電極２５は、放出された電子が隔壁２３に当たって消滅するのを防止するためのものであり、これにゲートライン２４よりも低い電圧（５０Ｖ程度）を与えることにより、電子を収束させるものである。
この収束電極２５は、隔壁２３の先端部及び陽極導電膜とは接しない部分で隔壁２３の一部に設ければよい。たとえば、隔壁の高さを１ｍｍとした場合、蛍光膜から５００μｍ程度離れた隔壁２３のほぼ中央部分に設けてもよい。
【００３８】
図８に、この発明の表示装置の第５実施例の斜視図を示す。
ここでは、エミッタライン１１を背面基板１０側の隔壁１２の先端部分に設け、図１の実施例のようなゲートライン２４を設けていないことを特徴とする。背面基板１０のエミッタライン１１の上には、図１に示したのと同様に、エミッタ膜１３が形成される。前面基板２０側においては、図１では全面に陽極導電膜２１を形成したのとは異なり、隔壁２３と、陽極導電膜２１を同一方向に交互に配列する。陽極導電膜２１の上には、蛍光膜２２を形成する。
【００３９】
したがって、この実施例では、背面基板１０上のエミッタライン１１及び隔壁１２の方向と、前面基板２０の隔壁２３、陽極導電膜２１及び蛍光膜２２の方向とは互いに直交する方向である。また、背面基板１０側の隔壁１２の高さを１ｍｍ、前面基板２０側の隔壁２３の高さを２０μｍ程度とする。
この実施例では２つの隔壁間の隙間があるため、図１に示した実施例よりも排気コンダクタンスが大きくなり、２枚の基板１０，２０間の空間の真空度を向上させることができる。
【００４０】
図９に、この発明の表示装置の第６実施例の斜視図を示す。
これは、いわゆる反射型の表示装置であり、図８の第５実施例と比較すると、背面基板１０が陽極基板となり、前面基板２０が陰極基板となる点が異なる。図９でも、利用者が表示を見るのは紙面上方の前面基板２０の側からである。
【００４１】
図９において、背面基板１０の隔壁１２（幅１００μｍ、ピッチ１５０μｍ）の先端部にアノードライン２１とその上に蛍光膜２２とが設けられる。
また、前面基板２０のガラス基板の上には、蛍光膜２２と直交する方向に、ストライプ上のエミッタライン１１（膜厚１μｍ、幅１００μｍ、ピッチ１５０μｍ）と、隔壁２３（高さ２０μｍ、幅１０μｍ、ピッチ１５０μｍ）とが交互に設けられる。エミッタライン１１と隔壁２３との間の間隔は１５μｍ程度とする。
さらに、エミッタライン１１は、ＩＴＯ膜などの透明導電膜で形成され、各エミッタライン１１の上には、第１実施例と同様に、カーボンナノチューブ（直径１μｍ程度の微粒子）等のエミッタ膜１３（厚さ１０μｍ）が形成される。
【００４２】
この第６実施例の反射型表示装置では、電子が当たった蛍光膜２２から上方へ出た光は、前面基板２０を透過して利用者に届くため、第１実施例と比較して、輝度を２倍程度向上できる。
【００４３】
図１０に、この発明の表示装置の第７実施例の斜視図を示す。
ここでは、陰極となる背面基板１０には、図１１に示したようなゲート電極を有するマトリクス状の従来から用いられている基板を用い、図１１の絶縁層１０４に相当する位置に、隔壁１２（高さ２０μｍ、幅１０μｍ、ピッチ１５０μｍ）を設ける。
【００４４】
一方、前面基板２０は、ほぼ、図１に示した第１実施例の構成と同様であるが、隔壁２３の先端部には、収束電極２５としての役割を果たす導電膜（材料銀、膜厚１０μｍ、幅５０μｍ、ピッチ３００μｍ）を設ける。
ここで、隔壁２３の間に、ちょうどゲートライン２４が対応するように、背面基板１０と前面基板２０とが配置される。
【００４５】
この実施例によればエミッタライン１１とゲートライン２４との交点である画素領域から放出された電子は、収束電極２５により収束されて所望の蛍光膜２２へ入射され、クロストークを抑制できる。
【００４６】
【発明の効果】
この発明によれば、平面型の陰極を用いた表示装置において、いわゆる画素領域をマトリクス状に形成できるので、電界放出陰極を利用した表示装置の大画面化が可能である。また、大画面の電界放出陰極を利用した表示装置を、歩留りよく、低コストで量産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の表示装置の第１実施例の概略斜視図である。
【図２】図１に示した表示装置の断面図及び平面図である。
【図３】この発明の前面基板側の隔壁の一実施例の平面図である。
【図４】この発明の前面基板側の隔壁を櫛歯形状とした場合の表示装置の平面図である。
【図５】この発明の表示装置の第２実施例の断面図である。
【図６】この発明の表示装置の第３実施例の断面図である。
【図７】この発明の表示装置の第４実施例の斜視図である。
【図８】この発明の表示装置の第５実施例の斜視図である。
【図９】この発明の表示装置の第６実施例の斜視図である。
【図１０】この発明の表示装置の第７実施例の斜視図である。
【図１１】従来の電界放出陰極を用いた表示装置の概略斜視図である。
【符号の説明】
１０  背面基板
１１  エミッタライン
１２  隔壁
１３  エミッタ膜
２０  前面基板
２１  陽極導電膜
２２  蛍光膜
２３  隔壁
２４  ゲートライン
２５  収束電極
２６  画素
２８  開口部
３１  櫛歯
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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