(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイアス電流を供給した検波用ダイオードを含み、信号レベルに比例した検波電圧を発生する信号検波部と、バイアス電流を供給した温度補償用ダイオードを含み、温度補償電圧を発生する補償電圧発生部と、前記検波電圧と前記温度補償電圧の差電圧からＡＧＣ電圧を形成し、そのＡＧＣ電圧を被制御利得増幅段に供給する差動増幅部とからなり、前記検波用ダイオードと前記温度補償用ダイオードは、同じ電圧−電流特性を有し、前記バイアス電流が増大するに従ってその順方向電圧が増大する特性を有するとともに、周囲温度が高いときの前記バイアス電流に対する順方向電圧の変化の割合に比べて周囲温度が低いときの前記バイアス電流に対する前記順方向電圧の変化の割合が小さくなるものであって、前記温度補償用ダイオードのバイアス電流を、前記検波用ダイオードのバイアス電流よりも小さく設定することにより、前記差動増幅部から出力された温度特性を持つＡＧＣ電圧によって周囲温度変化に伴う前記被制御利得増幅段の利得変化を抑圧することを特徴とする温度補償を行ったＡＧＣ回路。
【請求項２】
前記補償電圧発生部は、温度補償用ダイオードと、前記温度補償用ダイオードにバイアス電流を供給する可変分圧回路とからなっていることを特徴とする請求項１に記載の温度補償を行ったＡＧＣ回路。
【請求項３】
前記被制御利得増幅段は、２重ゲート型ＦＥＴを有する高周波増幅段であり、前記ＡＧＣ電圧が前記２重ゲート型ＦＥＴの一方のゲートに供給されることを特徴とする請求項１または２に記載の温度補償を行ったＡＧＣ回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＡＧＣ（自動利得制御）回路の温度補償回路に係わり、特に、温度補償用ダイオードのバイアス電流値を適宜選択することにより、簡単な構成の温度補償電圧を発生する補償電圧発生部を採用することが可能な温度補償を行ったＡＧＣ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、電子チューナは、少なくとも、受信した高周波信号を増幅する高周波増幅段と、増幅した高周波信号と局部発振信号とを周波数混合して中間周波信号を発生する周波数変換段と、中間周波信号を選択的に増幅する中間周波増幅段と、増幅した中間周波信号を検波（復調）して復調信号を得る検波（復調）段と、所望周波数の信号を受信をするために局部発振信号の周波数を選択設定する受信信号選択部とを備えている。
【０００３】
また、このような電子チューナにおいては、受信した高周波信号レベルが大きく変動した場合であっても、検波（復調）段から出力される復調信号のレベルの変動が比較的小さくて済むように、通常、ＡＧＣ（自動利得制御）回路が設けられている。このＡＧＣ回路は、検波（復調）段で得られた復調信号からＡＧＣ電圧を形成しており、ＡＧＣ電圧は高周波増幅段または中間周波増幅段に供給され、供給されたＡＧＣ電圧によって高周波増幅段または中間周波増幅段の利得を制御するように働き、受信した高周波信号レベルが変動した際でも、検波（復調）段に供給される中間周波信号のレベルの変動を大幅に圧縮するようにしている。
【０００４】
図３は、既知の電子チューナに用いられるＡＧＣ回路の構成の一例を示す回路図である。
【０００５】
図３に示されるように、ＡＧＣ回路は、検波回路部３１と、温度補償回路部３２と、差動増幅部３３とからなる。そして、検波回路部３１は、入力端が中間周波信号入力端子３５に接続され、出力端が差動増幅部３３の一方の入力端に接続され、電源供給端が電源端子３６に接続される。温度補償回路部３２は、電源供給端が電源端子３６に接続され、出力端が差動増幅部３３の他方の入力端に接続される。差動増幅部３３は、出力端が高周波増幅段３４の制御端に接続される。また、高周波増幅段３４は、入力端が高周波信号入力端子３７に接続され、出力端が高周波信号出力端子３８に接続され、電源供給端が電源端子３９に接続される。
【０００６】
ここで、検波回路部３１は、検波用ダイオード３１1 と、分路コンデンサ３１2 と、４個の抵抗３１3 、３１4 、３１5 、３１6 と、結合コンデンサ３１7 を備え、それらの回路素子３１1 乃至３１7 は図３に図示されるように接続される。温度補償回路部３２は、温度補償用ダイオード３２1 と、分路コンデンサ３２2 と、４個の抵抗３２3 、３２4 、３２5 、３２6 と、１個の可変抵抗３２7 と、結合コンデンサ３２8 を備え、それらの回路素子３２1 乃至３２7 は図３に図示されるように接続される。差動増幅部３３は、オペアンプ３３1 と、帰還コンデンサ３３2 を備え、それらの回路素子３３1 及び３３2 は図３に図示されるように接続される。高周波増幅段３４は、２重ゲート電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）３４1 と、負荷インダクタ３４2 と、２個の結合コンデンサ３４3 、３４4 と、抵抗３４5 、３４6 と、バッファ抵抗３４7 とを備え、それらの回路素子３４1 乃至３４7 は図３に図示されるように接続される。
【０００７】
このＡＧＣ回路において、検波回路部３１の構成と温度補償回路部３２の構成とは、温度補償回路部３２に可変抵抗３２7 を接続している点を除けば、同じ回路構成のものからなっており、検波用ダイオード３１1 及び温度補償用ダイオード３２1 も同じ特性のものが用いられている。
【０００８】
前記構成によるＡＧＣ回路は、次のように動作する。
【０００９】
検波回路部３１の検波用ダイオード３１1 は、電源端子３６に供給された電源電圧が４個の抵抗３１3 、３１4 、３１5 、３１6 によって分圧され、その分圧電圧がバイアス電圧として検波用ダイオード３１1 に供給されて、検波用ダイオード３１1 の動作点が設定される。また、温度補償回路部３２の温度補償用ダイオード３２1 においても、電源端子３６に供給された電源電圧が４個の抵抗３２3 、３２4 、３２5 、３２6 及び可変抵抗３２7 によって分圧され、その分圧電圧がバイアス電圧として温度補償用ダイオード３２1 に供給されて、温度補償用ダイオード３２1 の動作点が設定される。このとき、可変抵抗３２7 を調整することによって、温度補償用ダイオード３２1 の動作点と検波用ダイオード３１1 の動作点とが同じ動作点になるように設定する。
【００１０】
このような設定状態のときに、中間周波信号入力端子３５に中間周波信号が供給されると、その中間周波信号は、検波回路部３１の検波用ダイオード３１1 によって検波され、さらに、分路コンデンサ３１2 によって平滑された後、２個の抵抗３１5 、３１6 で分圧され、第１直流電圧として差動増幅部３３のオペアンプ３３1 の反転入力端子（−）に供給される。また、温度補償回路部３２に電源端子３６に供給された電源電圧が供給されると、その電源電圧は、２個の抵抗３２3 、３２4 及び可変抵抗３２7 によって分圧され、温度補償用ダイオード３２1 を通して２個の抵抗３２5 、３２6 でさらに分圧された後、第２直流電圧としてオペアンプ３３1 の非反転入力端子（＋）に供給される。オペアンプ３３は、２つの入力端子に供給された第１直流電圧及び第２直流電圧を差動増幅し、出力端子に第１直流電圧と第２直流電圧との差電圧成分を含んだＡＧＣ電圧（正電圧）を発生する。このＡＧＣ電圧は、差動増幅部３３から高周波増幅段３４に供給される。
【００１１】
ＡＧＣ電圧が高周波増幅段３４に供給されると、バッファ抵抗３４7 を通して２重ゲートＦＥＴ３４1 の一方のゲートに供給される。このとき、高周波信号入力端子３７に供給された高周波信号は、結合コンデンサ３４3 を通して２重ゲートＦＥＴ３４1 の他方のゲートに供給され、２重ゲートＦＥＴ３４1 で増幅される。増幅された高周波信号は、結合コンデンサ３４4 を通して高周波信号出力端子３７に供給される。
【００１２】
いま、高周波増幅段３４に入力される高周波信号レベルが大きくなると、高周波増幅段３４から出力される高周波信号レベルも大きくなり、同時に、検波回路部３１に入力される中間周波信号レベルも大きくなり、オペアンプ３３1 の反転入力端子（−）に供給される第１直流電圧も大きくなる。ところが、オペアンプ３３1 の非反転入力端子（＋）に供給される第２直流電圧は一定であるので、オペアンプ３３1 から出力されるＡＧＣ電圧は正電圧分が減少し、実質的に小さくなる。そして、この小さいＡＧＣ電圧が高周波増幅段３４の２重ゲートＦＥＴ３４1 に供給されると、２重ゲートＦＥＴ３４1 の信号利得はＡＧＣ電圧が小さくなった分だけ低下するので、高周波増幅段３４から出力される高周波信号レベルが低下する。
【００１３】
一方、高周波増幅段３４に入力される高周波信号レベルが小さくなると、高周波増幅段３４から出力される高周波信号レベルも小さくなり、検波回路部３１に入力される中間周波信号レベルも小さくなって、オペアンプ３３1 の反転入力端子（−）に供給される第１直流電圧も小さくなり、オペアンプ３３1 から出力されるＡＧＣ電圧は正電圧分が増大し、実質的に大きくなる。この大きいＡＧＣ電圧が高周波増幅段３４の２重ゲートＦＥＴ３４1 に供給されると、２重ゲートＦＥＴ３４1 の信号利得はＡＧＣ電圧が大きくなった分だけ増大し、高周波増幅段３４から出力される高周波信号レベルが増大する。
【００１４】
このように、高周波増幅段３４に入力される高周波信号レベルが増大したとき、ＡＧＣ電圧によって高周波増幅段３４の利得を減少させ、高周波増幅段３４に入力される高周波信号レベルが減少したとき、ＡＧＣ電圧によって高周波増幅段３４の利得が増大させ、所定のＡＧＣが行なわれる。
【００１５】
前記既知のＡＧＣ回路において、ほぼ同じ構成の検波回路部３１及び温度補償回路部３２を用い、かつ、同じ特性の検波用ダイオード３１1 及び温度補償用ダイオード３２1 を用いている理由は、検波用ダイオード３１1 が温度特性を持っているため、温度補償回路部３２を用いていないと、周囲温度変動に対してＡＧＣ電圧が変動してしまうが、検波用ダイオード３１1 と同じ特性を持つ温度補償用ダイオード３２1 を備えた温度補償回路部３２の出力電圧によって、周囲温度変動に対するＡＧＣ電圧の変動を相殺し、周囲温度変動に対して不変のＡＧＣ電圧を得るためである。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
前記既知のＡＧＣ回路は、検波回路部３１とほぼ同じ構成の温度補償回路部３２を用い、周囲温度変動に対してＡＧＣ電圧の変動を抑えて、所要の温度補償を行なうことができるものであるが、温度補償回路部３２として検波回路部３１とほぼ同じ構成のものが必要になるため、温度補償回路部３２の回路構成が比較的複雑になってしまうのを避けることはできない。
【００１７】
また、前記既知のＡＧＣ回路は、周囲温度変動に対してＡＧＣ電圧の変動を抑えて、所要の温度補償を行なっているものの、周囲温度変動に対して変動する高周波増幅段の利得特性までも温度補償することができず、結果的に、周囲温度変動に対する高周波増幅段の利得変動をなくすことはできない。
【００１８】
本発明は、このような技術的背景に鑑みてなされたもので、その目的は、温度補償回路部の回路構成を簡素化するとともに、周囲温度変動に対する被利得制御段の利得特性の変動をなくすようにしたな温度補償を行ったＡＧＣ回路を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明による温度補償を行ったＡＧＣ回路は、バイアス電流を供給した検波用ダイオードを含み、信号レベルに比例した検波電圧を発生する信号検波部と、バイアス電流を供給した温度補償用ダイオードを含み、温度補償電圧を発生する補償電圧発生部と、検波電圧と温度補償電圧の差電圧からＡＧＣ電圧を形成し、そのＡＧＣ電圧を被制御利得増幅段に供給する差動増幅部とからなり、検波用ダイオードと温度補償用ダイオードは、同じ電圧−電流特性を有し、バイアス電流が増大するに従ってその順方向電圧が増大する特性を有するとともに、周囲温度が高いときのバイアス電流に対する順方向電圧の変化の割合に比べて周囲温度が低いときのバイアス電流に対する順方向電圧の変化の割合が小さくなるものであって、温度補償用ダイオードのバイアス電流を、検波用ダイオードのバイアス電流よりも小さく設定することにより、差動増幅部から出力された温度特性を持つＡＧＣ電圧によって周囲温度変化に伴う被制御利得増幅段の利得変化を抑圧する手段を具備する。
【００２０】
前記手段における１つの好適例として、補償電圧発生部が温度補償用ダイオードと温度補償用ダイオードにバイアス電流を供給する可変分圧回路とからなっているものである。
【００２３】
前記手段においては、補償電圧発生部の回路構成を簡素化し、検波用ダイオードと温度補償用ダイオードに流れるバイアス電流値を異ならせる、すなわち、温度補償用ダイオードの動作点と検波用ダイオードの動作点とを異ならせることにより、周囲温度変動に対して若干変動するＡＧＣ電圧を形成し、このＡＧＣ電圧を被利得制御増幅段に供給し、周囲温度変動に対する被利得制御増幅段の利得変動を抑えるようにしているものである。
【００２４】
このように、前記手段によれば、補償電圧発生部の回路構成を簡単にすることができるだけでなく、周囲温度の変動に対して十分な温度補償を行なうことが可能なＡＧＣ回路が得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２６】
図１は、本発明による温度補償を行ったＡＧＣ回路の一つの実施の形態を示す回路構成図である。
【００２７】
図１に示されるように、この実施の形態によるＡＧＣ回路は、検波回路部１と、温度補償回路部２と、差動増幅部３とからなっている。また、検波回路部１は、入力端が中間周波信号入力端子４に接続され、出力端が差動増幅部３の一方の入力端に接続され、電源供給端が電源端子５に接続される。温度補償回路部２は、電源供給端が電源端子５に接続され、出力端が差動増幅部３の他方の入力端に接続される。差動増幅部３は、出力端が被制御利得増幅段である高周波増幅段６の制御端に接続される。なお、高周波増幅段６は、入力端が高周波信号入力端子７に接続され、出力端が高周波信号出力端子８に接続され、電源供給端が電源端子９に接続される。
【００２８】
この場合、検波回路部１は、検波用ダイオード１1 と、分路コンデンサ１2 と、４個の抵抗１3 、１4 、１5 、１6 と、結合コンデンサ１7 とを備える。温度補償回路部２は、温度補償用ダイオード２1 と、抵抗２2 と、可変抵抗２3 と、抵抗２4 を備える。差動増幅部３は、オペアンプ３1 と、帰還コンデンサ３2 とを備える。また、高周波増幅段６は、２重ゲート電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）６1 と、負荷インダクタ６2 と、２個の結合コンデンサ６3 、６4 と、抵抗６5 、６6 と、バッファ抵抗６7 とを備える。
【００２９】
そして、検波回路部１において、検波用ダイオード１1 は、アノードが結合コンデンサ１7 を通して入力端に、抵抗１3 を通して電源供給端に、抵抗１4 を通して接地点にそれぞれ接続され、カソードが分路コンデンサ１2 を通して接地点に、抵抗１5 を通して出力端にそれぞれ接続される。抵抗１6 は、出力端と接地点との間に接続される。温度補償回路部２において、温度補償用ダイオード２1 は、アノードが可変抵抗２3 の摺動端に接続され、カソードが出力端に接続される。可変抵抗２3 は、一端が抵抗２2 を通して電源供給端に接続され、他端が接地点に接続される。抵抗２4 は一端が温度補償用ダイオード２1 のカソードに接続され、他端が接地点に接続される。差動増幅部３において、オペアンプ３1 は、反転入力端子（−）が第１入力端に接続され、非反転入力端子（＋）は第２入力端に接続され、出力端子が高周波増幅段６に接続される。帰還コンデンサ３2 は、一端がオペアンプ３1 の反転入力端子（−）に接続され、他端がオペアンプ３1 の出力端子に接続される。
【００３０】
また、高周波増幅段６において、２重ゲートＦＥＴ６1 は、第１ゲートがバッファ抵抗６7 を通して制御端に接続され、第２ゲートが結合コンデンサ６3 を通して入力端に、抵抗６5 を通して電源供給端に、抵抗６6 を通して接地点にそれぞれ接続され、ドレインが負荷インダクタ６2 を通して電源供給端に、結合コンデンサ６4 を通して出力端にそれぞれ接続され、ソースが直接接地点に接続される。
【００３１】
さらに、検波回路部１の検波用ダイオード１1 と温度補償回路部２の温度補償用ダイオード２1 とは、同じ電圧−電流特性を有するものが用いられ、検波用ダイオード１1 を流れるバイアス電流Ｉｄに対して、温度補償用ダイオード２1 を流れるバイアス電流Ｉｃが（１／１０）倍、例えばバイアス電流Ｉｄが０．５０ｍＡであるのに対して、バイアス電流Ｉｃが０．０５ｍＡになるように、４個の抵抗１3 、１4 、１5 、１6 の各抵抗値、及び、抵抗２2 と可変抵抗２3 の各抵抗値を選択する。
【００３２】
前記構成によるＡＧＣ回路は、次のように動作する。
【００３３】
中間周波信号入力端子４に中間周波信号が供給されると、中間周波信号は、検波回路部１の検波用ダイオード１1 によって検波され、さらに、分路コンデンサ１2 によって平滑された後、２個の抵抗１5 、１6 によって分圧され、第１直流電圧として差動増幅部３のオペアンプ３1 の反転入力端子（−）に供給される。また、温度補償回路部２に電源端子５に供給された電源電圧が供給されると、電源電圧は、抵抗２2 及び可変抵抗２3 によって分圧され、その分圧電圧によって温度補償用ダイオード２1 にバイアス電流Ｉｃを与えた後、第２直流電圧としてオペアンプ３1 の非反転入力端子（＋）に供給される。オペアンプ３は、２つの入力端子に供給された第１直流電圧及び第２直流電圧を差動増幅し、出力端子に第１直流電圧と第２直流電圧との差電圧成分を含んだＡＧＣ電圧（正電圧）を発生する。このとき得られたＡＧＣ電圧は、差動増幅部３から高周波増幅段６に供給される。
【００３４】
高周波増幅段６にＡＧＣ電圧が供給されると、そのＡＧＣ電圧は、バッファ抵抗６7 を通して２重ゲートＦＥＴ６1 の第１ゲートに供給される。このときも、高周波信号入力端７に供給された高周波信号は、結合コンデンサ６3 を通して２重ゲートＦＥＴ６1 の第２ゲートに供給され、２重ゲートＦＥＴ６1 で増幅される。増幅された高周波信号は、結合コンデンサ６4 を通して高周波信号出力端子８に供給される。
【００３５】
ここで、高周波増幅段６に入力される高周波信号レベルが大きくなると、高周波増幅段６から出力される高周波信号レベルも大きくなり、また、検波回路部１に入力される中間周波信号レベルも大きくなり、オペアンプ３1 の反転入力端子（−）に供給される第１直流電圧も大きくなる。この場合も、オペアンプ３1 の非反転入力端子（＋）に供給される第２直流電圧は一定であるので、オペアンプ３1 から出力されるＡＧＣ電圧は正電圧分が減少し、実質的に小さくなる。そして、高周波増幅段６は、小さいＡＧＣ電圧が２重ゲートＦＥＴ６1 に供給されると、２重ゲートＦＥＴ６1 の信号利得がＡＧＣ電圧が小さくなった分だけ低下し、高周波増幅段６から出力される高周波信号レベルが低下する。
【００３６】
これに対して、高周波増幅段６に入力される高周波信号レベルが小さくなると、高周波増幅段６から出力される高周波信号レベルも小さくなり、検波回路部１に入力される中間周波信号レベルも小さくなって、オペアンプ３1 の反転入力端子（−）に供給される第１直流電圧も小さくなり、その結果、オペアンプ３1 から出力されるＡＧＣ電圧は正電圧分が増大し、実質的に大きくなる。高周波増幅段６は、この大きいＡＧＣ電圧が２重ゲートＦＥＴ６1 に供給されると、２重ゲートＦＥＴ６1 の信号利得がＡＧＣ電圧が大きくなった分だけ増大し、高周波増幅段６から出力される高周波信号レベルが増大する。
【００３７】
このようにして、高周波増幅段６に入力される高周波信号レベルが増大したとき、ＡＧＣ電圧によって高周波増幅段６の利得を減少させるようにし、高周波増幅段６に入力される高周波信号レベルが減少したとき、ＡＧＣ電圧によって高周波増幅段６の利得を増大させるようにし、所定のＡＧＣが行なわれる。
【００３８】
次いで、図２は、図１に図示されたＡＧＣ回路の検波用ダイオード１1 と温度補償用ダイオード２1 における周囲温度変化をパラメータとした電圧−電流特性図である。
【００３９】
図２に示す特性図において、横軸はＶで表した順方向電圧（端子電圧）、縦軸はｍＡで表した順方向電流（バイアス電流）であり、線ａは周囲温度が−２５℃のときのものであり、線ｂは周囲温度が＋７５℃のときのものである。
【００４０】
図２の特性図に示されるように、検波用ダイオード１1 及び温度補償用ダイオード２1 は、周囲温度が＋７５℃である場合、バイアス電流が０．０５ｍＡのときに端子電圧が０．０７Ｖであり、バイアス電流が０．５０ｍＡのときに端子電圧が０．１４Ｖであり、また、周囲温度が−２０℃である場合、バイアス電流が０．０５ｍＡのときに端子電圧が０．２０Ｖであり、バイアス電流が０．５０ｍＡのときに端子電圧が０．２６Ｖである。このように、バイアス電流値が０．０５ｍＡ及び０．５０ｍＡというように大きく異なっていた場合、周囲温度が−２５℃から＋７０℃まで変動したとき、端子電圧の変化の割合は０．２６−０．２０（＝０．０６）及び０．１４−０．０７（＝０．０７）というように異なることになる。
【００４１】
ところで、図１に図示されたＡＧＣ回路においては、検波用ダイオード１1 のバイアス電流を０．５０ｍＡに、温度補償用ダイオード２1 のバイアス電流を０．０５ｍＡにそれぞれ選んでおり、周囲温度が変動した場合、前述のように検波用ダイオード１1 の端子電圧の変化と温度補償用ダイオード２1 の端子電圧の変化とが若干異なっているため、検波回路部１から出力される第１直流電圧と温度補償回路部２から出力される第２直流電圧との周囲温度の変動に対する変化の割合が一致せず、オペアンプ３1 においてはそれらの変化の割合を相殺することができない。このため、オペアンプ３1 からは、若干温度特性を持ったＡＧＣ電圧が出力され、高周波増幅段６に供給される。この点について、さらに詳しく述べると、いま、検波用ダイオード１1 に供給される中間周波信号電圧をＶIF、検波用ダイオード１1 の端子電圧をＶＤ11とし、温度補償用ダイオード２1 に供給される電圧をＶK 、温度補償用ダイオード２1 の端子電圧をＶＤ21とし、オペアンプ３1 の反転入力（−）の印加電圧を（−Ｅ）、オペアンプ３1 の反転入力（＋）の印加電圧を（＋Ｅ）とし、オペアンプ３1 の利得をＡｖとし、オペアンプ３1 の出力電圧を（ＶAGC ）とすると、オペアンプ３1 の入出力関係は、ＥAGC ＝Ａｖ｛（＋Ｅ）−（−Ｅ）｝となる。この式の（＋Ｅ）、（−Ｅ）に前述の関係を当てはめると、ＶAGC ＝Ａｖ｛（ＶK −ＶＤ21）−（ＶIF−ＶＤ11）｝となる。この場合、ＶK 、ＶIFは、通常、温度による変動はないと見られるので、前式の温度特性は、ｄＶAGC ／ｄＴ＝Ａｖ｛−ｄＶＤ21／ｄＴ＋ｄＶＤ11／ｄＴ｝となる。このＡＧＣ回路は、温度補償用ダイオード２1 のバイアス電流を検波用ダイオード１1 のバイアス電流よりも小さくなるように選び、温度補償用ダイオード２1 の端子電圧ＶＤ21の温度係数ｄＶＤ21／ｄＴの方が検波用ダイオード１1 の端子電圧ＶＤ11の温度係数ｄＶＤ11／ｄＴよりも大きくなり、また、ｄＶＤ21／ｄＴ＜０であるため、ＡＧＣ電圧の温度係数ｄＶAGC ／ｄＴ＞０で、正の温度係数を持つようになる。
【００４２】
高周波増幅段６は、この若干温度係数を持ったＡＧＣ電圧が２重ゲートＦＥＴ６1 に供給された場合、通常、２重ゲートＦＥＴ６1 を含むＦＥＴ増幅段の利得が温度上昇とともに若干低下する傾向があるので、そのＡＧＣ電圧の温度特性が２重ゲートＦＥＴ６1 を含む増幅段の利得温度特性を打ち消すように働く。この結果、高周波増幅段６への若干温度係数を持ったＡＧＣ電圧の供給によって、高周波増幅段６で所要のＡＧＣが行われるとともに、周囲温度変動に対する高周波増幅段６の利得変動を抑えることができる。
【００４３】
このように、この発明の実施の形態によれば、検波回路部１の検波用ダイオード１1 のバイアス電流Ｉｄと温度補償回路部２の温度補償用ダイオード２1 のバイアス電流Ｉｃとを大きく異ならせることにより、差動増幅部３から若干温度特性を持ったＡＧＣ電圧を出力させ、この若干温度特性を持ったＡＧＣ電圧を高周波増幅段６に供給して高周波増幅段６のＡＧＣを行うので、所定のＡＧＣが行なわれる際に、周囲温度変動に対する高周波増幅段６の利得変動を抑えることができ、しかも、温度補償回路部２の回路構成を簡素化することができる。
【００４４】
前記発明の実施の形態においては、検波用ダイオード１1 のバイアス電流Ｉｄが０．５０ｍＡであり、温度補償用ダイオード２1 のバイアス電流Ｉｃが０．０５ｍＡである例を挙げて説明したが、これらのバイアス電流の値はこの発明を実施する際の好ましい例であるものの、これらのバイアス電流の値に限られるものではなく、動作条件や使用されるダイオードの特性に応じて任意に変更できるものであることは勿論である。
【００４５】
また、前記発明の実施の形態においては、被制御利得増幅段が高周波増幅段６である例を挙げて説明したが、被制御利得増幅段は高周波増幅段６である場合に限られず、中間周波増幅段であってもよいことは勿論である。
【００４６】
さらに、前記発明の実施の形態においては、ＡＧＣ電圧が供給される増幅段の構成素子が２重ゲートＦＥＴ６1 である例を挙げて説明したが、ＡＧＣ電圧が供給される増幅段の構成素子が２重ゲートＦＥＴ６1 である場合に限られず、他の種類の構成素子であってもよいことは勿論である。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、補償電圧発生部の回路構成を簡素化し、検波用ダイオードと温度補償用ダイオードに流れるバイアス電流値を異ならせて、温度補償用ダイオードの動作点と検波用ダイオードの動作点とを異ならせることにより、周囲温度変動に対して若干変動するＡＧＣ電圧を形成し、このＡＧＣ電圧を被利得制御増幅段に供給し、周囲温度変動に対する被利得制御増幅段の利得変動を抑えるようにしているものであって、補償電圧発生部の回路構成を簡単にすることができるだけでなく、周囲温度の変動に対して十分な温度補償を行なうことが可能なＡＧＣ回路が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による温度補償を行ったＡＧＣ回路の一つの実施の形態を示す回路構成図である。
【図２】図１に図示されたＡＧＣ回路に用いられるダイオードにおける、周囲温度をパラメータとしたときの順方向電圧−電流特性の一例を示す特性図である。
【図３】既知の温度補償を行ったＡＧＣ回路の構成の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
１  検波回路部
１1   検波用ダイオード
１2   分路コンデンサ
１3 、１4 、１5 、１6 、２2 、６5 、６6   抵抗
１7 、６3 、６4   結合コンデンサ
２  温度補償回路部
２1   温度補償用ダイオード
２3   可変抵抗
３  差動増幅部
３1   オペアンプ
３2   帰還コンデンサ
４  中間周波信号入力端子
５、９  電源端子
６  高周波増幅段
６1   ２重ゲート電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
６2   負荷インダクタ
６7   バッファ抵抗
７  高周波信号入力端子
８  高周波信号出力端子
【図１】
0003678939.tif 000002
【図２】
0003678939.tif 000003
【図３】
0003678939.tif 000004