(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する電極間に、少なくとも有機発光層を含む１層以上の有機薄膜層が介在して構成される有機薄膜ＥＬ素子において、
【化１】
0003620186.tif 000018
で示される構造であり、ＭはＳｉ、Ｒ１は４−［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル基、Ｒ２はメチル基、である化合物を有することを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機薄膜のエレクトロルミネセンス（以下単にＥＬという）現象を利用した有機薄膜ＥＬ素子に関するものであり、薄型ディスプレイ等に利用できる。
【０００２】
【従来の技術】
イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらにより開発された有機薄膜ＥＬ素子は、特開昭５９−１９４３９３号公報、特開昭６３−２６４６９２号公報、特開昭６３−２９５６９５号公報、アプライド・フィジックス・レター第５１巻第１２号第９１３頁（１９８７年）、およびジャーナル・オブ・アプライドフィジックス第６５巻第９号第３６１０頁（１９８９年）等によれば、一般的には陽極、有機正孔注入輸送層、有機発光層、陰極の順に構成され、以下のように作られている。
【０００３】
図１に示すように、まず、ガラスや樹脂フィルム等の透明絶縁性の基板（１）上に、蒸着又はスパッタリング法等でインジウムとスズの複合酸化物（以下ＩＴＯという）の透明導電性被膜の陽極（２）が形成される。    次に有機正孔注入輸送層（３）として銅フタロシアニン（以下ＣｕＰｃと略す）、あるいは
【０００４】
【化２】
0003620186.tif 000002
【０００５】
で示される化合物１，１−ビス（４−ジーｐートリルアミノフェニル）シクロヘキサン（融点１８１．４℃〜１８２．４℃）、あるいは
【０００６】
【化３】
0003620186.tif 000003
【０００７】
で示される化合物Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（融点１２０℃）等のテトラアリールジアミンを、１００ｎｍ程度以下の厚さに単層または積層して蒸着して形成する。
【０００８】
次に有機正孔注入輸送層（３）上にトリス（８−キノリノール）アルミニウム（以下Ａｌｑと略す）等の有機蛍光体を１００ｎｍ程度以下の厚さで蒸着し、有機発光層（４）を形成する。
【０００９】
最後にその上に陰極（５）としてＭｇ：Ａｇ，Ａｇ：Ｅｕ，Ｍｇ：Ｃｕ，Ｍｇ：Ｉｎ，Ｍｇ：Ｓｎ等の合金を共蒸着法により２００ｎｍ程度蒸着している。
【００１０】
以上のように作られた素子は、透明電極側を陽極として２０〜３０Ｖ以下の直流低電圧を印加することにより発光層に正孔と電子が注入され、その再結合により発光する。また、陰極にＭｇＡｇ合金を用いたＥＬ素子では、１０００ｃｄ／ｍ２  以上の輝度が得られ、またさらに有機発光層中にクマリン系、ピラン系、キナクリドン系等の蛍光量子収率の高い蛍光色素を共蒸着等の方法でドーピングすれば、ＥＬの輝度はさらに２倍以上に高めることもできる。
【００１１】
また、有機発光層と陰極（５）の間に、有機電子注入輸送層（６）を設け、素子を作製することも可能である。アプライド・フィズィックス・レター第５７巻第６号第５３１頁（１９９０年）によると、安達らは、ＩＴＯの陽極上に有機正孔注入輸送層（３）として
【００１２】
【化４】
0003620186.tif 000004
【００１３】
で示されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン〔融点１５９〜１６３℃、；以下ＴＰＤと略す〕、有機発光層（４）として１−〔４−Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−メトキシフェニル）アミノスチリル〕ナフタレン、有機電子注入輸送層（６）として２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、単にＢＰＢＤという）、陰極（５）としてＭｇとＡｇの合金を順に積層してＥＬ素子を作製している。
【００１４】
正孔輸送材料として通常用いられる（化２）（化３）（化４）で示した化合物は、非晶質で平滑な蒸着膜が得られ、発光層中の励起電子を閉じこめるのに十分高い最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギーレベルを持ち、可視波長領域での吸収もない。しかし、これらの材料は耐熱性が低いため、素子作成プロセスや素子駆動時の発熱、または夏場の自動車内の高温等により、発光層と溶融混合し易い、結晶化して膜にピンホールが生じ電気短絡し易い等の問題があった。
【００１５】
ＣｕＰｃは耐熱性が高く、また固体膜のイオン化エネルギーが約５．２ｅＶと小さいためＩＴＯからの正孔注入効率が良いが、可視光線波長領域の吸収が大で光の取り出し効率が低い、結晶性が強く凸凹な膜に成り電気短絡し易い、また、最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギーレベルが低く、発光層中の励起電子の閉じこめ能力が低い等の問題があった。
【００１６】
そこで、より安定して、高輝度なＥＬ素子を開発するために、可視光線領域で透明で結晶化し難い新たな正孔注入輸送材料が求められている。また、有機発光層材料についても、高い発光効率を持ち、耐熱性が高く同様に結晶化し難い新しい材料が求められている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、その課題とするところは、従来の有機薄膜ＥＬ素子用正孔注入輸送材料以上に耐熱性があり、結晶化しにくい正孔注入輸送材料、発光材料を用い、電気短絡し難く安定な高輝度発光が可能な有機薄膜ＥＬ素子を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、この課題を解決するため、互いに対向する電極間に、少なくとも有機発光層を含む１層以上の有機薄膜層が介在して構成される有機薄膜ＥＬ素子において、（化１）で示され、ＭはＳｉ、Ｒ１は４−［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル基、Ｒ２はメチル基、である化合物を有機薄膜層に有することを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子を提供する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
図１に本発明における有機薄膜ＥＬ素子を、基板（１）上に陽極（２）、正孔注入輸送層（３）、有機発光層（４）、陰極（５）、封止層（７）の順に構成し、接着性材料（８）にて封止板（９）を接着して密封した場合の例を示す。
【００２０】
図２に正孔注入輸送層が２層構成の場合の例を示す。第１正孔注入輸送層（１０）として第２正孔注入輸送層（１１）と陽極の仕事関数の間のイオン化エネルギーの値を持つ材料を用いることで有機発光層（４）への正孔注入効率が向上し、低電圧でＥＬ発光が得られるようになる。
【００２１】
図３に有機発光層（４）と陰極（５）間に有機発光層との界面に発光層への電子注入効率を高め、または正孔の陰極への流れを抑制する効果を有する電子注入輸送層（６）を設けた場合を示す。
【００２２】
図４に図３の正孔注入輸送層と有機発光層を一つの層で兼ねた正孔輸送性発光層（１２）を用いた場合を示す。同様の構成を基板上に陰極から逆の順に構成することもできる。
【００２３】
本発明における有機薄膜ＥＬ素子は、一般式（化１）で表せ、Ｍは４価の元素、Ｒ１はアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、置換フェニル基、縮合芳香族環を含む基、または芳香族第３級アミンを含む基から、Ｒ２は水素、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、置換フェニル基、または（化１）中のフェニレン基と縮合するベンゼン環、ナフタレン環から、それぞれ独立に選ばれる化合物を、図１〜図４の正孔注入輸送層（３）、第１正孔注入輸送層（１０）、第２正孔注入輸送層（１１）、有機発光層（４）、正孔輸送性発光層（１２）、電子注入輸送層（６）の少なくとも１層以上に単独でまたは混合して用いることができるが、特に（化８）で示すことのできる、（化１）についてＭはＳｉ、Ｒ１は４−［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル基、Ｒ２はメチル基、である化合物を用いると発光効率が良い。以下、さらに詳しく材料および素子の製造方法について説明する。
【００２４】
基板（１）はガラスやポリエーテルスルホン等のプラスチックフィルム等の透明絶縁性材料を用いる。基板（１）には、コントラスト向上のため着色したり、円偏光フィルター、多層膜反射防止フィルター、紫外線吸収フィルター、ＲＧＢカラーフィルター、蛍光波長変換フィルター、シリカコーティング層等を内外面に設けても良い。
【００２５】
陽極（２）は、通常、表面抵抗１〜５０Ω／□、可視光線透過率８０％以上の透明電極を用いる。例えば、ＩＴＯ（仕事関数４．６〜４．８ｅＶ）や酸化亜鉛アルミニウムの非晶質または微結晶透明導電膜、または低抵抗化のため１０ｎｍ程度の厚さの銀や銅、または銀と銅の合金をＩＴＯ、インジウム亜鉛複合酸化物、酸化チタン、酸化錫等の非晶質または微結晶の透明導電膜で挟んだ構造の膜を真空蒸着やスパッタリング法等でガラスやプラスチックフィルム等の透明絶縁性の基板（１）上に形成し透明電極として用いることが望ましい。
【００２６】
単純マトリックス駆動ディスプレイに用いる場合は、透明電極のラインに接して、Ｃｕ、ＡＬ等の低抵抗金属からなる金属バスラインを設け、より低抵抗化する必要がある。その他、金やプラチナを薄く蒸着した半透明電極やポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の高分子を被覆した半透明電極等も用いることができる。
【００２７】
しかし、別の場合には、陽極（２）は不透明でも良い。その場合には、陽極（２）には正孔注入輸送層（３）を通して有機発光層（４）へ正孔注入しやすい仕事関数の値の大きい金、プラチナ、パラジウム、ニッケル等の金属板、シリコン、ガリウムリン、アモルファス炭化シリコン等の仕事関数が４．６ｅＶ以上の半導体基板、もしくはそれらの金属や半導体を絶縁性の基板（１）上に被覆した基板を用い、陰極（５）を透明電極もしくは半透明電極とする。陰極（５）も不透明であれば、有機発光層（４）の少なくとも一端が透明である必要がある。
【００２８】
次に有機正孔注入輸送層（３）を陽極（２）上に形成する。本発明に用いる正孔注入輸送層は、一般式（化１）で示す化合物を含む層で形成することができる。一般式（化１）で示される化合物の具体例としては、
【００２９】
【化５】
0003620186.tif 000005
【００３０】
【化６】
0003620186.tif 000006
【００３１】
【化７】
0003620186.tif 000007
【００３２】
【化８】
0003620186.tif 000008
【００３３】
【化９】
0003620186.tif 000009
【００３４】
【化１０】
0003620186.tif 000010
【００３５】
【化１１】
0003620186.tif 000011
【００３６】
【化１２】
0003620186.tif 000012
【００３７】
【化１３】
0003620186.tif 000013
【００３８】
等が挙げられ、特に（化１）についてＭはＳｉ、Ｒ１は４−［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル基、Ｒ２はメチル基、である化合物、すなわち（化８）で示される化合物が優れている。
【００３９】
（化５）〜（化１１）の化合物の融点は、それぞれ、２３５〜２３８℃，２３０〜２３３℃、３２４℃、３２０℃，２０５〜２１１℃、２０９〜２１０．５℃、２７２℃と耐熱性が高い。
【００４０】
これらの化合物ではＭを中心とするアクリダン環面、フェナザシリン環面、フェナザゲルミン環面、フェナザスタンニン環面等が互いに直交した２量体構造を持ち、剛直でかさ高い立体的な分子形状をしているため、耐熱性が高く結晶化し難く平滑で透明な膜が得られる。例えば、（化７）、（化８）のガラス転移温度は、それぞれ１４４℃、１５６℃と高く、蒸着により成膜した場合、結晶化し難く平滑で透明な膜が得られる。
【００４１】
これらの化合物は、真空蒸着法等により成膜できる。また、トルエン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、ジオキサン、シクロヘキサノン等の一般の有機溶媒に溶かすことができ、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法等の方法で基板上に塗布し成膜できる。
【００４２】
さらに、陽極と発光層間の仕事関数の値の段差を小さくし正孔注入効率の向上、層間の密着性向上、劣化防止、色調の調整などの目的で、（化２）〜（化４）の正孔輸送材料、ＣｕＰｃや塩素化銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類および無金属フタロシアニン類、キナクリドン等の低分子正孔注入輸送材料やポリ（パラ−  フェニレンビニレン）、ポリアニリン等の高分子正孔輸送材料を（化１）で表す化合物と混合して正孔注入輸送層として用いるか、または、それらの正孔輸送性材料を第１正孔注入輸送層とし、（化１）で表す化合物を含む層を第２正孔注入輸送層として多層の正孔注入輸送層を形成することもできる。さらに３層以上の多層の正孔輸送層とすることも可能である。この際の各層の製膜方法としても、真空蒸着法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法等を適用することができる。
【００４３】
次に、正孔注入輸送層（３）上に有機発光層（４）を形成する。
有機発光層（４）は、可視領域に強い蛍光を有する任意の蛍光体を１種以上含む層であり、固体状態で強い蛍光があり平滑な膜を形成でき成膜性が良い場合には蛍光体のみで有機発光層（４）を形成可能であるが、固体状態で蛍光が消光したり、平滑な膜を形成できない場合には正孔注入輸送材料中や電子注入輸送材料中または適当な樹脂バインダー中に適当な濃度に分散させて用いることができる。
【００４４】
本発明に用いる有機発光層（４）は、一般式（化１）で示される化合物を含む層で形成することができる。一般式（化１）で示される化合物の具体例としては
【００４５】
【化１４】
0003620186.tif 000014
【００４６】
【化１５】
0003620186.tif 000015
【００４７】
等が挙げられる。これらの化合物では、青色発光体である結晶化しやすいアントラセン化合物を、Ｍを中心として直交して２量体化することで、耐熱性を向上させ結晶化し難くしている。
【００４８】
以下、本発明における（化１）〜（化１５）の合成方法を例を述べる。
Ｍが金属である（化１）〜（化１０）および（化１２）〜（化１５）で表す本発明に用いる化合物は、
【００４９】
【化１６】
0003620186.tif 000016
【００５０】
で示すように対応する２、２’ージブロモージフェニルアミン誘導体（Ｍ、置換基Ｒ１，Ｒ２については（化１）と同じ）をｎ−ブチルリチウム等でリチウム化し、４塩化Ｓｉ、４フッ化Ｓｉ等のテトラハロゲン化金属とエーテルやトルエン等の乾燥溶媒中反応させて合成される。
【００５１】
４価の元素Ｍとしては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎの他にもＰｂ、Ｔｅ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等を用いることも可能であり、それらのテトラハロゲン化物を用いて（化１５）のように反応させることによって得られる。
【００５２】
Ｍが炭素の（化１１）で示す化合物の場合は、
【００５３】
【化１７】
0003620186.tif 000017
【００５４】
で示すようにグリニャール試薬とアクリドン誘導体をＴＨＦ中で反応させ、塩化アンモニウム水溶液で加水分解し、生じたアルコール体をＴＨＦで抽出した後、メタノール中で加熱し脱水閉環し合成することができる。
【００５５】
その他、一般式（化１）で示す化合物以外で、本発明のＥＬ素子に用いることができる蛍光体の例としては、９、１０−ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、８−キノリノラートリチウム、Ａｌｑ、トリス（５，７−ジクロロ，８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（５−クロロ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（５−フルオロ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチルー５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）（４−（４−シアノフェニルフェノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）（４−（４−シアノフェニルフェノラート）アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（ｐ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体およびカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ（２，５−ジヘプチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、あるいは特開平４−３１４８８号公報、米国特許第５，１４１，６７１  号明細書、同４，７６９，２９２  号明細書中で言及されている蛍光物質やＮ、Ｎ’ジアリール置換ピロロピロール化合物等があげられる。
【００５６】
これらの有機発光層材料の成膜方法は真空蒸着法、累積膜法、または適当な樹脂バインダー中に分散させてスピンコートなどの方法でコーティングすることにより行なわれる。
【００５７】
有機発光層（４）の膜厚は、単層または積層により形成する場合においても１００ｎｍ以下であり、好ましくは５〜５０ｎｍである。
【００５８】
また、有機発光層（４）中の蛍光体は、発光波長変換、発光波長拡大、発光効率向上等のために、クマリン系やキナクリドン系、ペリレン系、ピラン系等の蛍光体を、１種類以上ゲスト発光体としてホスト発光母体中にドーピングするか、多種類の蛍光体の発光層を２層以上積層してもよく、そのうちの一方は赤外域または紫外域に蛍光を示すものであってもよい。
【００５９】
次に、有機発光層（４）上に有機電子注入輸送層（６）を積層する場合、有機電子注入輸送材料の好ましい条件は、電子移動度が大きく、ＬＵＭＯの状態密度が大きく、ＬＵＭＯのエネルギーレベルが有機発光層材料のＬＵＭＯのエネルギーレベルと同程度から陰極材料のフェルミレベル（仕事関数）の間にあり、イオン化エネルギーが有機発光層材料より大きく、成膜性が良いことである。
【００６０】
さらに陽極（２）が不透明で、透明もしくは半透明の陰極（５）から光を取り出す構成の素子においては少なくとも有機発光層材料の蛍光波長領域において実質的に透明である必要がある。
【００６１】
有機電子注入輸送層の例としては、ＢＰＢＤ、２，５−ビス（１−ナフチル）−１、３、４−オキサジアゾール、および浜田らの合成したオキサジアゾール誘導体（日本化学会誌、１５４０頁、１９９１年）やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、特開平７−９０２６０号公報で述べられているトリアゾール化合物やサイエンス第２６７  巻１９６９頁（１９９５年）記載の、Ｍａｒｋｏ  Ｓｔｒｕｋｅｌｊ等による、Ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）発光層の上に設けられた１、２−Ｂｉｓ（３−ｈｙｄｒｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ−４−（３−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−ｔｒｉａｚｏｌｅとＤｅｃａｆｌｕｏｒｏｂｉｐｈｅｎｙｌの脱ふっ化水素縮合ポリマー等の化合物、その他、炭化シリコン、アモルファスシリコン膜等の無機半導体や光導電性膜があげられる。
【００６２】
また、ホスト発光母体中にゲスト発光体をドーピングして発光層を形成した場合には、ホスト発光母体を有機電子注入輸送層として用いることも可能である。
【００６３】
有機電子注入輸送層（６）の成膜方法は、スピンコート法等の方法で塗布、または真空蒸着法、ＣＶＤ法、累積膜法等の方法により行なわれ、１ｎｍ〜１μｍの厚さに単層、または多層で成膜される。
【００６４】
次に陰極（５）を有機発光層（４）または有機電子注入輸送層（６）上に形成する。    陰極は、電子注入を効果的に行なうために有機発光層（４）または電子注入輸送層（６）と接する面に低仕事関数の物質を用いるとより効果的である。陰極を構成する材料はＭｇ、Ａｌ等の金属単体、または低仕事関数と安定性、導電性を両立させるため、低仕事関数なＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕ等の金属元素との合金系が用いられる。
【００６５】
陰極の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法を用いたり、合金ターゲットを用いてスパッタリング法により陰極を成膜するこができる。
【００６６】
陰極（５）を多成分合金で形成する場合は、抵抗加熱法により１０−５Ｔｏｒｒオーダー以下の真空度の下で成分ごとに別々の蒸着源から水晶振動子式膜厚計でモニターしながら共蒸着することにより行うことができる。
【００６７】
また、アルカリ金属を含む低仕事関数陰極を用いた場合には、特に仕事関数が小さくなり電子注入効率が向上する。例えば、ＡｌやＭｇにＬｉ等アルカリ金属を２０モル％程度添加した場合は３．０〜３．２ｅＶに低下する。アルカリ金属を含む陰極合金層は、０．  ５ｎｍ〜４０ｎｍｍ程度の厚さに成膜した後、さらにその上に５０ｎｍ〜３００ｎｍｍ程度アルカリ金属を含まないＡｌ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属層を成膜し、保護および導電補助層を形成することが望ましい。  陰極の厚さは、保護および導電補助層を含めて１ｎｍ〜３００ｎｍｍ程度の膜厚で形成されるのが好ましい。
【００６８】
次に素子の有機層や電極の酸化を防ぐために素子上に封止層（７）を形成する。封止層（７）は、陰極（５）の形成後直ちに形成する。封止層材料の例としては、ＳｉＯ２  、ＳｉＯ、ＧｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ａｌ２  Ｏ３  、Ｂ２  Ｏ３  、ＴｉＯ２  、ＺｎＯ、ＳｎＯ等の酸化物（１酸化物は多少化学量論比からずれていることもある）、ＭｇＦ２  、ＬｉＦ、ＢａＦ２  、ＡｌＦ３  、ＦｅＦ３  等の沸化物、ＺｎＳ，ＧｅＳ，ＳｎＳ等の硫化物等のガスおよび水蒸気バリアー性の高い無機化合物があげられる。これらを単体または複合化、または多層化して蒸着法、反応性蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により成膜する。
【００６９】
抵抗加熱方式で蒸着する場合には、低温で蒸着できるＧｅＯを蒸発材料として用いることが望ましい。陰極の酸化防止のために、封止層中、または封止層に接する面上にＬｉ等のアルカリ金属やＣａ、Ｍｇ等のアルカリ土類金属、Ｅｕ等の希土類金属の層を設けるか、封止用無機化合物とそれらの金属との混合層を設けてもよい。
【００７０】
さらに、湿気の浸入を防ぐために、ハーメチックシールによりＥＬ素子の基板を真空中で密封するか、市販の低吸湿性の光硬化性接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、架橋エチレン−酢酸ビニル共重合体接着剤シート等の接着性樹脂や低融点ガラス等の接着材料（８）を用いて、ガラス板等の封止板（９）の周囲または全面を接着し密封する。ガラス板以外にも、金属板、プラスチック板等を用いることもできる。接着材料（８）中にシリカゲルやゼオライト等の乾燥剤を混合しておいても良いし、封止層（７）上や封止板（９）の内面にシリカゲルやゼオライト、カルシア等の乾燥剤やアルカリ金属やアルカリ土類金属、希土類などからなるゲッター材の層を形成しておいても良い。
【００７１】
以上のように構成した有機薄膜ＥＬ素子は、有機正孔注入輸送層（３）側を正として電源（１３）にリード線（１４）で接続し直流電圧を印加することにより発光するが、交流電圧を印加した場合にも正孔注入輸送層（３）側の電極が正に電圧印加されている間は発光する。
【００７２】
本発明による有機薄膜ＥＬ素子を基板上に２次元に配列することにより文字や画像を表示可能な薄型ディスプレーをすることができる。赤、青、緑の３色の発光素子を２次元に配列するか、白色発光素子とカラーフィルターを用いてカラーディスプレー化も可能である。
【００７３】
【実施例】
＜参考例１＞
透明絶縁性の基板（１）として、厚さ１．１ｍｍの青板ガラス板を用い、この上に１２０ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法で被覆して陽極（２）とした。この透明導電性基板を使用前に水洗、プラズマ洗浄により十分に洗浄した。正孔注入輸送層は、まず、第１正孔注入輸送層（１０）としてＣｕＰｃを１０ｎｍ真空蒸着し、第２正孔注入輸送層（１１）として（化７）を５０ｎｍの厚さで真空蒸着した。次に、有機発光層（４）としてＡｌｑとキナクリドンを蒸着速度比２００：１で２５ｎｍ蒸着し、さらに有機電子注入輸送層（６）としてＢｅＢｑ２を２５ｎｍ蒸着し、その上面に陰極（５）としてＭｇとＡｇを蒸着速度比１０：１で３００ｎｍ蒸着した。最後に、封止層（７）としてＧｅＯを１．４μｍ蒸着後、ガラス板（８）を光硬化性樹脂（９）で接着し密封し、ＥＬ素子を作製した。この素子は３Ｖ以上の直流電圧により緑色に安定発光し、１３Ｖにおける輝度は６９９０ｃｄ／ｍ２、電流密度は１０１ｍＡ／ｃｍ２であった。この素子は２０Ｖ以上の電圧を加えてもショートしなかった。
【００７４】
＜実施例１＞
前記（化７）を（化８）にした以外は参考例１と同様にしてＥＬ素子を作製した。この素子は３Ｖ以上の直流電圧により緑色に安定発光し、１５Ｖにおける輝度は３２４７０ｃｄ／ｍ２、電流密度は６０５ｍＡ／ｃｍ２であった。
【００７５】
＜実施例２〜９＞
前記（化７）を（化５）、（化６）、（化８）〜（化１３）にした以外は参考例１と同様にしてＥＬ素子を作製した。以下同様にそれぞれ６０００ｃｄ／ｍ２以上の輝度の安定した緑色発光が得られた。
【００７６】
＜参考例２〜３＞
実施例１の有機発光層（４）のＡｌｑとキナクリドン共蒸着層およびに有機電子注入輸送層（６）のＢｅＢｑ２層に代えて（化１４）、（化１５）の化合物の厚さ５０ｎｍの蒸着膜を用いて同様にＥＬ素子を作製した。以下同様にそれぞれ２０００ｃｄ／ｍ２以上の輝度の安定した青色発光が得られた。
【００７７】
【発明の効果】
以上に示したように、本発明の（化１）で表せる化合物は、耐熱性が高く立体的な分子形状を有し、非晶質で透明な膜を形成できるため、素子の電気短絡が生じ難く、高輝度で安定なＥＬ発光が得られる効果があり、特に（化１）についてＭはＳｉ、Ｒ１は４−［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル基、Ｒ２はメチル基、である化合物、すなわち（化８）で示される化合物を用いると高輝度を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の一実施例を示す説明図である。
【図２】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の他の実施例を示す説明図である。
【図３】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の他の実施例を示す説明図である。
【図４】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の他の実施例を示す説明図である。
【符号の説明】
（１）…基板    （２）…陽極    （３）…正孔注入輸送層
（４）…有機発光層    （５）…陰極    （６）…有機電子注入輸送層
（７）…封止層    （８）…接着性材料層    （９）…ガラス板
（１０）…第１正孔注入輸送層（１１）…第２正孔注入輸送層
（１２）…正孔輸送性発光層（１３）…電源（１４）…リード線
（１５）…陰極取り出し口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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