(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力室が設けられた圧力室基板と、前記圧力室基板上に設けられた振動板と、前記振動板上に設けられた圧電体素子と、を備えたインクジェット式記録ヘッドの製造方法において、
前記圧力室を形成するための前記圧力室基板の一方の面に前記振動板を形成する振動板形成工程と、
前記圧力室基板の他方の面にエッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、
前記エッチングマスクを前記圧力室の形状に合わせてエッチングし、前記圧力室基板を露出させるマスクエッチング工程と、
露出した前記圧力室基板を前記振動板が露出するまでエッチングする圧力室基板エッチング工程と、
前記エッチングマスクと前記圧力室基板とにより前記圧力室の開口端部に形成された当該エッチングマスクのひさし部分を、当該エッチングマスクを選択的にエッチングすることによって取り除くひさし除去工程と、を備えたことを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記ひさし除去工程の前に、前記振動板がエッチングされることを防止するためのレジスト層を、前記圧力室において露出している前記振動板の当該圧力室側に形成するレジスト形成工程と、
前記ひさし除去工程の後に、前記振動板の前記圧力室側に形成されたレジスト層を除去する除去工程と、を備えた請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記ひさし除去工程では、前記エッチングマスクを前記圧力室基板より高いエッチングレートでエッチングするエッチング液によって前記エッチングマスクのひさし部分を取り除く請求項２に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記エッチング液は、フッ化アンモニウム等の緩衝剤がフッ化水素酸に所定の割合で混合されたものである請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記エッチングマスクは、酸化ケイ素であり、前記圧力室基板は、シリコンにより形成されている請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記振動板上に、電極膜で挟まれた前記圧電体素子を形成する工程をさらに備える請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法に係り、特に、圧力室基板をエッチングする際に、酸化ケイ素膜に残されたひさしを除去することによってノズル板の接着不良やノズルの目詰まりを防止する発明に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インクジェット式記録ヘッドは、ノズルが設けられたノズル板、圧力室が形成された圧力室基板、圧力室基板に設けられた振動板、および振動板上に形成された圧電体素子を備える。圧電体素子は、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電体セラミックス薄膜を電極膜で狭持したものである。この圧電体素子に電圧を加えると圧電体素子に体積変化を生じる。体積変化が生じると振動板が変形し、圧力室のインクに圧力が加えられる結果、ノズルからインクが吐出させられるものである。
【０００３】
従来、インクジェット式記録ヘッドの製造方法では、図７に示すように、酸化ケイ素膜等の酸化膜をシリコン等で構成された圧力室基板２０の両面に形成していた。以下、圧電体素子を形成する側の酸化膜を振動板３０、ノズル板を貼り合わせる側の酸化膜をエッチングマスク３１と称する。
【０００４】
そして、ノズル板を貼り合わせる面に形成されたエッチングマスク３１をキャビティ（圧力室）２１の形状に合わせて除去して窓を設けてから、圧力室基板２０をエッチングしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、圧力室形成工程において、圧力室基板をエッチングする際に、図７に示すように、キャビティ２１に面したエッチングマスク３１の端部にひさし部分１２が形成されることがあった。このひさし部分１２は、割れたり欠けたりしてエッチングマスクの破片をキャビティ内に残していた。このため破片によるノズル板の接着不良を生じたり、破片がノズルに詰まってインクの吐出不良を招いたりする不都合があった。
【０００６】
特に、ＫＯＨを用いたシリコンの湿式異方性エッチングでは、面方位によってエッチング速度差が大きく、リザーバを形成する段階ではエッチングされやすい面（キャビティを形成する壁の端面）が露出するため、ひさしが大きく形成され、前記不都合が製造上の大きな問題になっていた。
【０００７】
上記問題に鑑み、本発明の第１の課題は、圧力室の形成過程で生ずるエッチングマスクのひさしを除去することにより、ノズル板の接着不良やノズルの目詰まりを防止し、もって製品の歩留まりを良くして、インクジェット式記録ヘッドのコストを下げることのできる製造技術を提供することである。
【０００８】
本発明の第２の課題は、エッチングマスクのひさしを除去すると共に、振動板のエッチングの有無を選択可能とし、ヘッドのコンプライアンスを調整可能に構成することにより、製品の均一性が向上し製品の歩留まりを良くして、インクジェット式記録ヘッドのコストを下げることのできる製造技術を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記第１の課題を解決するインクジェット式記録ヘッドの製造方法は、圧力室が設けられた圧力室基板と、前記圧力室基板上に設けられた振動板と、前記振動板上に設けられた圧電体素子と、を備えたインクジェット式記録ヘッドの製造方法である。
そして、
（ａ）  圧力室を形成するための圧力室基板の一方の面に振動板を形成する振動板形成工程と、
（ｂ）  圧力室基板の他方の面にエッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、
（ｃ）  エッチングマスクを圧力室の形状に合わせてエッチングし、圧力室基板を露出させるマスクエッチング工程と、
（ｄ）  露出した圧力室基板を振動板が露出するまでエッチングする圧力室基板エッチング工程と、
（ｅ）  エッチングマスクと圧力室基板とにより圧力室の開口端部に形成された当該エッチングマスクのひさし部分を、当該エッチングマスクを選択的にエッチングすることによって取り除くひさし除去工程と、を備えて構成される。
【００１４】
第２の課題を解決する発明は、
（ａ）  ひさし除去工程の前に、他方の振動板がエッチングされることを防止するためのレジスト層を、圧力室において露出している他方の振動板の当該圧力室側に形成するレジスト形成工程と、
（ｂ）  ひさし除去工程の後に、振動板の圧力室側に形成されたレジスト層を除去する除去工程と、を備えて構成される。
【００１５】
例えば、ひさし除去工程では、エッチングマスクを圧力室基板より高いエッチングレートでエッチングするエッチング液によってエッチングマスクのひさし部分を取り除く。
【００１６】
このエッチング液は、フッ化アンモニウム等の緩衝剤がフッ化水素酸に所定の割合で混合されたものである。
【００１７】
エッチングマスクは、例えば酸化ケイ素であり、圧力室基板は、例えばシリコンにより形成される。
【００１８】
また、本発明は、振動板上に、電極膜で挟まれた圧電体素子を形成する工程をさらに備える。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の最良の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００２０】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１は、上記第１の課題を解決するものである。
【００２１】
（インクジェット式記録ヘッドの構成）
図１に、本実施形態の製造方法で製造されるインクジェット式記録ヘッドが内蔵されるインクジェットプリンタの斜視図を示す。同図に示すように、本実施形態のインクジェットプリンタ１００は、本発明のインクジェット式記録ヘッド１、トレイ３等を本体２に備えて構成されている。用紙５は、トレイ３に載置される。図示しないコンピュータから印字用データが供給されると、図示しない内部ローラが用紙５を本体２に取り入れる。インクジェット式記録ヘッド１は、用紙５がローラの近傍を通過するとき、同図矢印方向に駆動され、印字が行われる。印字後の用紙５は排出口４から排出される。
【００２２】
図２に、上記インクジェット式記録ヘッドの主要部の斜視図を示す。理解を容易にするため、一部断面図を示す。図３に、図２のＡ−Ａ切断面から見たインクジェット式記録ヘッドの主要部層構造を示す。
【００２３】
図２に示すように、インクジェット式記録ヘッドの主要部は、一体成形された圧力室基板２０の一方の面に、振動板３０が形成され、振動板上に圧電体素子４０が形成されて構成されている。圧力室基板２０の他方の面には、ノズル１１を有するノズル板１０が貼り合わせられている。
【００２４】
圧力室基板２０は、シリコン単結晶基板等をエッチングすることにより、各々が圧力室として機能するキャビティ２１が複数形成されたものであり、個々のキャビティにはインクが充填可能に形成される。側壁２２は、エッチングされずに残った部分であり、キャビティ２１間を仕切るよう形成される。リザーバ２３は、各キャビティ２１にインクを供給可能な共通の流路を構成するように形成されている。供給口２４は、各キャビティ２１にインクを導入可能に形成されている。
【００２５】
振動板３０は、圧電体素子４０に生じた体積変化によって撓むことにより、キャビティ２１に体積変化を起こさせるものである。振動板３０上のキャビティ２１に相当する位置には、圧電体素子４０が形成されている。また、振動板３０のうち、リザーバ２３に相当する一部に、インクタンク口３１が設けられている。振動板３０は、図３に示すように、シリコン基板を熱酸化することによって形成される絶縁（ＳｉＯ２）膜３０１および下部電極膜３０２を積層して形成される。ただし、下部電極膜３０２は、振動板全面に設ける必要はなく、圧電体素子４０の部分やその他必要な部分にのみに設けるものであってもよい。
【００２６】
圧電体素子４０は、下部電極膜３０２上に圧電体層４０１と上部電極膜４０２とを積層して構成されている。圧電体層４０１は、例えば、ＰＺＴ等の強誘電体セラミックスであって、電気機械変換作用を生ずるペロブスカイト結晶構造を備えている。なお、圧電体層４０１は一層のみならず複数の圧電体薄膜層を積層するものでも、異なる種類の圧電体薄膜層を積層するものでもよい。
【００２７】
圧力室基板２０のノズル側の面には、キャビティマスク３１１が設けられている。このキャビティマスク３１１は、キャビティをエッチングする際にマスクとして作用する膜であって、シリコンの熱酸化膜（ＳｉＯ２）で形成される。
【００２８】
ノズル板１０は、キャビティ２１に相当する位置にノズル１１が設けられており、圧力室基板２０に貼り合わせられて構成されている。
【００２９】
さらに、図示しない駆動回路の出力端子と各圧電体素子４０の上部電極膜４０２を結線し、駆動回路のアース端子と下部電極膜３０２とを結線して構成されている。
【００３０】
特に、本実施形態のキャビティ２１には、図３に示すように、振動板３０を構成する絶縁膜３０１に凹部３２が形成されている。また、振動板３０と圧力室基板２０とのキャビティ２１側の境界には、ひさし部分２６が形成されている。これら形状は、本発明のひさし除去工程により形成されるものである。
【００３１】
（作用）
次に、本発明のインクジェット式記録ヘッド１におけるインク滴吐出の原理を説明する。圧電体素子４０の下部電極膜３０２と上部電極膜４０２との間に電圧が印加されていない場合、圧電体層４０１は体積変化を生じない。したがって、電圧が印加されない圧電体素子４０に対応するキャビティ２１内の圧力に変化は生じず、ノズル１１からインク滴は吐出されない。
【００３２】
一方、圧電体素子４０の下部電極膜３０２と上部電極膜４０２との間に、圧電体素子に体積変化を生じさせる電圧が印加されている場合、圧電体層４０１は体積変化を生じる。したがって、電圧が印加されている圧電体素子４０が取り付けられた振動板３０は大きくたわみ、そのキャビティ２１内の体積を変化させる。このためキャビティ２１内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル１１からインク滴が吐出される。
【００３３】
（製造方法の説明）
次に、本発明のインクジェット式記録ヘッドの製造方法を、図４および図５を参照して説明する。
【００３４】
絶縁膜形成工程（図４（Ａ））：  まず、シリコン等の組成を有する原盤２０１の一方の面に絶縁膜（ＳｉＯ２）３０１を、他方の面にキャビティマスク３１１を形成する。原盤２０１は、数インチのシリコンウェハから形成するため、例えば２００μｍ程度となる。絶縁膜３０１は、振動板として機能し得る程度の強度が得られるように、例えば１μｍ程度の厚みに形成する。キャビティマスク３１１も同様の工程で一時に形成される。絶縁膜の製造には、公知の熱酸化法等を用いる。
【００３５】
なお、本実施形態では、圧電体素子４０が設けられる振動板３０が、ひさし除去工程におけるエッチングにより薄くなるので、この薄膜化されることを考慮した厚みに絶縁膜３０１を形成する必要がある。
【００３６】
圧電体素子積層工程（同図(Ｂ)）：  次いで絶縁膜３０１に下部電極膜３０２を形成する。下部電極膜３０２は、導電性を有する材料、例えば白金を０．５μｍ程度積層して形成する。また、複数の層を積層することは好ましい。例えば、チタン層、白金層、チタン層を０．００５μｍ，０．５μｍ、０．０２μｍの厚みで積層することにより、上下の層との密着性を増すことができる。これら層の形成は、公知の直流スパッタ法等を用いる。
【００３７】
圧電体層４０１は、圧電特性を有する強誘電体セラミックスを用いる。強誘電性セラミックスとしては、例えば、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、ジルコニウム酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３：ＰＺＴ）、ジルコニウム酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）、チタン酸鉛ランタン（（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ３）、ジルコニウム酸鉛ランタン（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３）：ＰＬＺＴ）またはマグネシウムニオブ酸ジルコニウム酸チタン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０．１（Ｚｒ、Ｔｉ）０．９Ｏ３）等を用いることができる。
【００３８】
圧電体層４０１の形成には、ゾル−ゲル(sol-gel)法を用いる。まず、所定の強電界セラミックスで溶解液を調合する。その溶解液を一定の厚みに塗布しセラミックス層を複数層形成する。例えば、公知のスピンコート法を用いる場合には、毎分５００回転で３０秒、毎分１５００回転で３０秒、最後に毎分５００回転で１０秒間塗布する。塗布後、一定温度（例えば１８０度）で一定時間（例えば１０分程度）乾燥させる。乾燥後、さらに有機溶媒を蒸発させるべく、大気雰囲気下において、所定の高温（例えば４００度）で一定時間（３０分間）脱脂する。この塗布、乾燥および脱脂を８回繰り返して８層のセラミックス層を積層する。
【００３９】
セラミックス層を４層重ねた後と８層重ねた後には、さらに、セラミックス層の結晶化を促進し、圧電体としての特性を向上させるために、所定の雰囲気下で熱処理する。例えば、４層積層後、酸素雰囲気下において、高速熱処理（ＲＴＡ）にて６００度で５分間、さらに７２５度で１分間加熱する。８層積層後、酸素雰囲気下において、ＲＴＡにて６５０度で５分間、さらに９００度で１分間加熱する。
【００４０】
圧電体層全体の厚みは、あまりに厚くすると、製造工程が多くなり妥当なコストで製造できなくなったり、高い駆動電圧が必要となる。あまりに薄くすると、厚みを均一に形成できずエッチング後に分離された各圧電体素子の特性がばらついたりする。したがって、圧電体層の厚みは、４５０ｎｍ〜２０００ｎｍ程度が好ましい。
【００４１】
上部電極膜４０２は、圧電体層４０１に電圧を印加するための電極である。上部電極膜４０２は、導電性を有する材料、例えば白金（Ｐｔ）を０．１μｍ程度の厚みで形成される。
【００４２】
圧電体素子成形工程（同図（Ｃ））：  圧電体成形工程では、圧電体層４０１および上部電極膜４０２を各キャビティ２１の形状に合わせた形状になるようマスクし、その周囲をエッチングして圧電体素子の形状にする工程である。すなわち、スピンナー法、スプレー法等の方法を用いて均一な厚さのレジストを塗布し、露光・現像して、レジストを上部電極膜４０４上に形成する。これに、通常用いるイオンミリング、あるいはドライエッチング法等を適用して、不要な層構造部分を除去する。
【００４３】
マスクエッチング工程（図５（Ａ））：  マスクエッチング工程では、エッチングマスク３１１をキャビティ２１の形状に合わせて除去し、原盤の露出部分２５を形成する。すなわち、スピンナー法、スプレー法等の方法を用いて均一な厚さのレジストを塗布し、露光・現像して、レジストをキャビティ形成部分のみを除く。次いでドライエッチング等の方法を使用して、エッチングマスク３１１を取り除く。ドライエッチングの他、イオントリミング法や、酸化ケイ素に対するエッチングレートの高いエッチング液を用いたウェットエッチングを使用できる。
【００４４】
圧力室基板エッチング工程（同図（Ｂ））：  圧力室基板エッチング工程では、原盤２０１の露出部分２５をエッチングして、キャビティ２１を形成する。エッチング方法としては、例えば、湿式の異方性エッチング、平行平板型反応性イオンエッチング等の活性気体を用いた異方性エッチングを用いて、キャビティ空間のエッチングを行う。このエッチングは、選択比が高く、シリコン原盤のみを選択的にエッチングする。異方性エッチングといっても、原盤の面方向にも一定のエッチングレートで侵食が進む。このため、キャビティの開口部端部には、エッチングマスク３１１のひさし部分１２が生ずる。特に、ＫＯＨを用いたシリコンの異方性エッチングでは、面方位によってエッチング速度差が大きく、ひさしが大きく形成されるところもある。
【００４５】
ひさし除去工程（同図（Ｃ））：  ひさし除去工程では、上記キャビティ２１の開口端部に形成されたエッチングマスク３１１のひさし部分を、ウェットエッチングにより取り除く。このエッチングに用いるエッチング液は、エッチングマスク３１１をシリコン原盤２０１より高いエッチングレートでエッチングする選択比の高いものを用いる。例えば、エッチング液としては、フッ化アンモニウム等の緩衝剤がフッ化水素酸に混合されたものが好ましい。緩衝剤としてフッ化アンモニウムを用いる場合は、フッ化水素酸：フッ化アンモニウムを１：６の比で混合したエッチング液を用いる。このエッチング液によりウェットエッチングすると、酸化ケイ素が選択的にエッチングされる。絶縁膜３０１のキャビティ側の内面も同時にエッチングされるが、ひさし部分１２は、開口部の内側からもエッチングされるため、絶縁膜３０１に比べ２倍の速度でエッチングされる。このためキャビティ２１のひさし部分１２がきれいに除去される。
【００４６】
上述のように、キャビティの内面で露出している絶縁膜３０１も、酸化ケイ素により構成されているためエッチングされる。このことからキャビティ２１の底面部分の絶縁膜３０１は、同図のような台形上の凹部３２が形成されることになる。また、ウェットエッチングでは、ある程度等方性をもってエッチングされるため、凹部３２の面方向にもエッチングによる侵食が進み、エッチングされずに残されたシリコン原盤が相対的に突出することとなる。このため絶縁膜３０１と原盤２０１との境界に、ひさし部分２６が形成される。これら凹部３２とひさし部分２６が、本実施形態の製造方法を用いたことの形跡となる。
【００４７】
ノズル板貼り合わせ工程（図３）：  ノズル板貼り合わせ工程では、エッチング後の原盤２０１にノズル板１０を貼り合わせる。各ノズル１１がキャビティ２１各々の空間に配置されるよう位置合せしてノズル板１０を貼り合わせる。張り合わせのための接着剤としては、例えばエポキシ樹脂等を用いる。ノズル板１０が貼り合わせられたら、これを所定のモールドに取り付け、インクジェット式記録ヘッド１が完成する。
【００４８】
上記したように、本実施形態１によれば、キャビティの形成過程で生ずる振動板のひさし部分をノズル板の貼り合わせ前に除去したので、振動板の破片が残されることによるノズル板の接着不良やノズルの目詰まりを防止することができる。したがって、本実施形態の製造方法を用いることにより、製品の歩留まりを良くして、インクジェット式記録ヘッドのコストを下げることができる。
【００４９】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２は、上記第２の課題を解決するものである。
【００５０】
本実施形態におけるインクジェット式記録ヘッド等の構成は上記実施形態１と同様なので、同一の部材には同一の符号を付することとし、その説明を省略する。
【００５１】
次に、本実施形態におけるインクジェット式記録ヘッドの製造方法を説明する。本実施形態２は、上記実施形態１における製造方法の変形例に関する。圧力室基板エッチング工程（同図（Ｂ））までは上記実施形態と同様なので、説明を省略する。
【００５２】
レジスト層形成工程（図６（Ａ））：  レジスト層形成工程では、キャビティ２１を形成後、キャビティ２１の底部（同図の圧電体素子が設けられている絶縁膜上）にレジスト層５０を設ける。このレジスト層５０は、上記絶縁膜３０１をエッチングするエッチング液の侵食から振動板３０１を保護する役割を果たす。レジスト層５０の形成方法としては、レジストをキャビティ２１の底部に設けなければならない。例えば、ポジレジストをスピンナー法、スプレー法等の方法を用いて塗布し、キャビティ内に厚く溜まり、エッチングマスク上に薄くレジストを形成する。そして、エッチングマスク上のレジストのみ完全に露光可能で、レジストが厚く溜まっているキャビティ内では十分露光されないような条件で下で露光をする。最後に露光部分のみを現像で取り除き、露光されなかった部分をレジスト層５０として残す。
【００５３】
ひさし除去工程（同図（Ｂ））：  ひさし除去工程は、上記実施形態１におけるひさし除去工程（図５（Ｃ））と同様に行う。エッチング液によって、ひさし部分１２は除去されるが、キャビティ２１の底部の絶縁膜３０１はレジスト層５０によって保護されているのでエッチングされない。
【００５４】
除去工程（図６（Ｃ））：  除去工程では、レジスト層５０を除去する。ひさし部分１２を除去した後には、レジスト層５０が不要となるので、レジスト層５０を十分露光させて現像して除去するか、プラズマアッシング装置等を用いてレジスト層５０を除去する。レジスト層を除去したら、上記実施形態１と同様に、貼り合わせ工程によりノズル板１０を貼り合わせる（図３参照）。
【００５５】
上記したように本実施形態２によれば、ひさし部分の除去に先立ってキャビティにレジスト層を設けるので、振動板の厚みを一定に保つことができる。したがって、製品の歩留まりを良くして、インクジェット式記録ヘッドのコストを下げることができる。
【００５６】
＜その他の変形例＞
本発明は、上記各実施形態によらず種々に変形して適応することが可能である。例えば、上記実施形態では、圧電体素子を形成後にシリコン原盤をエッチングしたが、圧電体素子を設ける工程はキャビティ形成後に行ってもよい。
【００５７】
圧電体素子の層構造は上記実施形態に限らず、他の層構造を備えていてもよい。
【００５８】
また、本発明は、インクジェット式記録ヘッドの製造のみならず、シリコンウェハのエッチングにおいて、酸化膜のひさしが問題となるあらゆる産業分野に適用することが可能である。すなわち、本発明のひさし除去工程を適用することにより、シリコンウェハの表面に残された酸化膜の破片が生ずるのを防止し、その破片により生じていた障害を防止することができる。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、圧力室の形成過程で生ずる振動板のひさしをノズル板の貼り合わせ前に除去したので、ノズル板の接着不良やノズルの目詰まりを防止し、もって製品の歩留まりを良くして、インクジェット式記録ヘッドのコストを下げることができる。
【００６０】
本発明によれば、エッチングマスクのひさしを除去すると共に、振動板のエッチングの有無を選択可能とし、ヘッドのコンプライアンスを調整可能に構成したので、製品の均一性が向上し製品の歩留まりを良くして、インクジェット式記録ヘッドのコストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のインクジェット式記録ヘッドの斜視図一部断面図である。
【図２】本発明の圧電体素子の積層構造を説明する断面図である。
【図３】本発明のインクジェット式記録ヘッドにおける圧電体素子の製造方法を説明する製造工程断面図である。
【図４】実施形態１のインクジェット式記録ヘッドの製造方法を説明する製造工程断面図である。（Ａ）は絶縁膜形成工程、（Ｂ）は圧電体薄膜形成工程および（Ｃ）は圧電体素子成形工程である。
【図５】実施形態１のインクジェット式記録ヘッドの製造方法を説明する製造工程断面図である。（Ａ）は振動板エッチング工程、（Ｂ）は圧力室エッチング工程および（Ｃ）はひさし除去工程である。
【図６】実施形態２のインクジェット式記録ヘッドの製造方法を説明する製造工程断面図である。（Ａ）はレジスト層形成工程、（Ｂ）はひさし除去工程および（Ｃ）は除去工程である。
【図７】従来の製造方法における問題点を説明する図である。
【符号の説明】
１００…インクジェットプリンタ
１０…ノズル板
１１…ノズル
２０…圧力室基板
２１…キャビティ（圧力室）
２２…側壁
２３…リザーバ
２４…供給口
３０…振動板
３１…インクタンク口
４０…圧電体素子
１０１…シリコン基板
３０１…酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜
３０２…下部電極膜
３０３…ひさし部分
４０１…圧電体層
４０２…上部電極膜
５０１…マスク
【図１】
0003684815.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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