(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シールドケースと、第１ないし第３の端子とを具備する無接点切替器であって、
一端が前記第３の端子の内部導体に電気的に接続され、他端が前記シールドケースに電気的に接続されるとともに、一部に結合孔が形成される第１のインダクタンス素子を備え、
前記第１および第２の端子は、内部導体と外部導体との間に配置される第２のインダクタンス素子を備え、
前記第１および第２の端子の内部導体は、前記第２のインダクタンス素子が形成される位置よりも前記第１のインダクタンス素子側の先端部の周囲に円筒状の誘電体を有し、
前記第１および第２の端子は、前記第１および第２の端子の内部導体の延長方向に移動可能とされ、
前記第１および第２の端子の内部導体は、前記第１および第２の端子の移動に伴って、先端部が前記第１のインダクタンス素子に形成された前記結合孔に挿入可能であり、
前記第１の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とし、あるいは、前記第２の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とすることを特徴とする無接点切替器。
【請求項２】
シールドケースと、第１ないし第３の端子とを具備する無接点切替器であって、
一端が前記第３の端子の内部導体に電気的に接続され、他端が前記シールドケースに電気的に接続されるとともに、一部に結合孔が形成される第１のインダクタンス素子を備え、
前記第１および第２の端子は、内部導体と外部導体との間に配置される第２のインダクタンス素子を備え、
前記第１および第２の端子の内部導体における、前記第２のインダクタンス素子が形成される位置よりも前記第１のインダクタンス素子側の先端部は、円筒状の誘電体により連結され、
前記円筒状の誘電体は、前記第１のインダクタンス素子に形成された結合孔に挿入され、
前記第１および第２の端子は、前記第１および第２の端子の内部導体の延長方向に移動可能とされ、
前記第１および第２の端子の内部導体は、前記第１および第２の端子の移動に伴って、周囲が前記円筒状の誘電体で覆われた先端部が前記第１のインダクタンス素子に形成された結合孔に挿入可能であり、
周囲が前記円筒状の誘電体で覆われた前記第１の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とし、あるいは、周囲が前記円筒状の誘電体で覆われた前記第２の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とすることを特徴とする無接点切替器。
【請求項３】
シールドケースと、第１ないし第３の端子とを具備する無接点切替器であって、
一端が前記第３の端子の内部導体に電気的に接続され、他端が前記シールドケースに電気的に接続されるとともに、一部に結合孔が形成される第１のインダクタンス素子を備え、
前記第１のインダクタンス素子の前記結合孔は、内部に円筒状の誘電体を有し、
前記第１および第２の端子は、内部導体と外部導体との間に配置される第２のインダクタンス素子を備え、
前記第１および第２の端子は、前記第１および第２の端子の内部導体の延長方向に移動可能とされ、
前記第１および第２の端子の内部導体は、前記第１および第２の端子の移動に伴って、前記第２のインダクタンス素子が形成される位置よりも前記第１のインダクタンス素子側の先端部が前記第１のインダクタンス素子に形成された前記結合孔の内部の前記誘電体に挿入可能であり、
前記第１の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔の内部の前記誘電体に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とし、あるいは、前記第２の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とすることを特徴とする無接点切替器。
【請求項４】
シールドケースと、内部導体の先端部が前記シールドケースの内部まで延長される第１ないし第３の端子とを具備する無接点切替器であって、
前記第１ないし第３の端子の内部導体の先端部はそれぞれ結合孔を有し、
前記第１および第２の端子の内部導体の先端部は、前記第３の端子の内部導体の先端部の両側に配置され、
一端が、前記第１ないし第３の端子の内部導体の先端部に電気的に接続され、他端が、前記シールドケースに電気的に接続される第１ないし第３のインダクタンス素子と、
前記第１ないし第３の端子の内部導体の先端部に形成された各結合孔に挿入される円筒状の誘電体と、
前記円筒状の誘電体の内部に配置されるとともに、円筒状の誘電体の長さ方向に移動可能とされる結合導体とを備え、
前記結合導体を前記第１の端子の内部導体の先端部側で、前記第１の端子の内部導体の先端部と前記第３の端子の内部導体の先端部との間に形成される容量の容量値が第１の値以上で、かつ、前記第２の端子の内部導体の先端部と前記第３の端子の内部導体の先端部との間に形成される容量の容量値が第２の値以下になる位置に移動することにより、伝送信号の周波数において前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とし、あるいは、前記結合導体を前記第２の端子の内部導体の先端部側で、前記第２の端子の内部導体の先端部と前記第３の端子の内部導体の先端部との間に形成される容量の容量値が第１の値以上で、かつ、前記第１の端子の内部導体の先端部と前記第３の端子の内部導体の先端部との間に形成される容量の容量値が第２の値以下になる位置に移動することにより、伝送信号の周波数において前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とすることを特徴とする無接点切替器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無接点切替器に係わり、特に、移動通信、地上波デジタルテレビ等におけるマルチキャリアパワーアンプの並列運転時に、現用系と予備系とを切り替える無接点切替部に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２６は、テレビジョンの中継放送設備の概略構成を示すブロック図である。同図において、受信アンテナ１０１で受信された高周波信号は、広帯域の入力帯域通過フィルタ（以下、単に、ＢＰＦと称する。）１０２を通り、ヘッドアンプ（１０３ａ，１０３ｂ）で増幅された後、分配器１０４に入力される。
ここで、ヘッドアンプ１０３ａは、現用系（あるいは、予備系）のヘッドアンプ、ヘッドアンプ１０３ｂは、予備系（あるいは、現用系）のヘッドアンプであり、スイッチ（ＳＷ１、ＳＷ２）を切り替えることにより、現用系から予備系、あるいは、予備系から現用系への切り替えが行われる。
分配器１０４で分配された高周波信号は、狭帯域のチャネルＢＰＦ（１０５ａ〜１０５ｇ）により、各チャネルの信号に分波され、さらに、ハイブリッド回路（１０６ａ〜１０６ｇ）で２分配され、各チャネルの基本装置（１０７ａ〜１０７ｇ）に入力される。
ここで、各チャネルの基本装置（１０７ａ〜１０７ｇ）は、図２６のチャネルの基本装置１０７ａに示すように、現用系の基本装置１２０ａと予備系の基本装置１２０ｂとで構成され、スイッチ（ＳＷ３）を切り替えることにより、現用系から予備系、あるいは、予備系から現用系への切り替えが行われる。
【０００３】
各チャネルの基本装置（１０７ａ〜１０７ｇ）から出力された各チャネルの信号は、狭帯域のチャネルＢＰＦ（１０８ａ〜１０８ｇ）を通過した後、合成・分配器１０９で合成・分配され、電力増幅器（１１０ａ、１１０ｂ）で増幅された後、広帯域の出力ＢＰＦ１１１を通り、送信アンテナ１１２から放射される。
ここで、電力増幅器１１０ａは、現用系（あるいは、予備系）の電力増幅器、電力増幅器１１０ｂは、予備系（あるいは、現用系）の電力増幅器であり、スイッチ（ＳＷ４）を切り替えることにより、現用系から予備系、あるいは、予備系から現用系への切り替えが行われる。
このように、従来、テレビジョンの中継放送設備などにおいては、中継放送設備の一部に故障などが生じる場合を想定し、現用系と予備系との２つを備えるのが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来、前述したスイッチ（ＳＷ４）としては、例えば、同軸リレーなどの接点型のスイッチが使用されている。
しかしながら、現用系から予備系への切り替えは運用中に行われるので、従来の接点型のスイッチではスパーク放電を伴い、接点の溶断などの事故（または、故障）が発生する恐れがあり、信頼性が低いという問題点があった。
一方、無接点型のスイッチも市販されているが、この市販されている無接点型のスイッチは、λ／２形であるため、大型で、かつ高価であるという問題点があった。
図２７、図２８は、従来の無接点型のスイッチを説明するため図であり、同図（ａ）は等価回路図、同図（ｂ）は模式図である。
図２９は、結合容量Ｃと整合（共振）に必要な伝送線路Ｌから成る低ＱＬの共振回路の基本的な等価回路を示す回路図である。
図２７、図２８に示す無接点型のスイッチは、図２９に示す基本的な等価回路を、図２７（ａ）、図２８（ａ）に示す等価回路のように構成し、結合容量Ｃと伝送線路（Ｌ１，Ｌ２）の状態モードを切り替えることにより、スイッチ機能を実現している。
【０００５】
即ち、図２７に示す状態モード１の場合に、端子（Ｔ１）と端子（Ｔ２）との間を導通状態、端子（Ｔ４）と端子（Ｔ２）との間を遮断状態となし、また、図２８に示す状態モード２の場合に、端子（Ｔ４）と端子（Ｔ２）との間を導通状態、端子（Ｔ１）と端子（Ｔ２）との間を遮断状態としている。
しかしながら、前述したように、図２７、図２８に示す従来の無接点型のスイッチは、線路長（Ｌ１，Ｌ２）が、λ／２（λは、線路（Ｌ１，Ｌ２）を伝送する高周波信号の波長）である必要があるため、スイッチが大型となり、かつ高価であるという問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、小型で、かつ、信頼性を向上させることが可能な無接点切替器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
即ち、本発明は、シールドケースと、第１ないし第３の端子とを具備する無接点切替器であって、一端が前記第３の端子の内部導体に電気的に接続され、他端が前記シールドケースに電気的に接続されるとともに、一部に結合孔が形成される第１のインダクタンス素子を備え、前記第１および第２の端子は、内部導体と外部導体との間に配置される第２のインダクタンス素子を備える。
前記第１および第２の端子の内部導体は、前記第２のインダクタンス素子が形成される位置よりも前記第１のインダクタンス素子側の先端部の周囲に円筒状の誘電体を有し、前記第１の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とし、あるいは、前記第２の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とする。
【０００７】
また、本発明は、前記第１および第２の端子の内部導体における、前記第２のインダクタンス素子が形成される位置よりも前記第１のインダクタンス素子側の先端部は、円筒状の誘電体により連結され、前記円筒状の誘電体は、前記第１のインダクタンス素子に形成された結合孔に挿入され、周囲が前記円筒状の誘電体で覆われた前記第１の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とし、あるいは、周囲が前記円筒状の誘電体で覆われた前記第２の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とする。
【０００８】
また、本発明は、前記第１のインダクタンス素子の前記結合孔は、内部に円筒状の誘電体を有し、前記第１の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔の内部の前記誘電体に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とし、あるいは、前記第２の端子の内部導体の先端部を前記第１のインダクタンス素子の結合孔に挿入することにより、伝送信号の周波数において前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とする。
【０００９】
また、本発明は、シールドケースと、内部導体の先端部が前記シールドケースの内部まで延長される第１ないし第３の端子とを具備する無接点切替器であって、前記第１ないし第３の端子の内部導体の先端部はそれぞれ結合孔を有し、前記第１および第２の端子の内部導体の先端部は、前記第３の端子の内部導体の先端部の両側に配置され、一端が、前記第１ないし第３の端子の内部導体の先端部に電気的に接続され、他端が、前記シールドケースに電気的に接続される第１ないし第３のインダクタンス素子と、前記第１ないし第３の端子の内部導体の先端部に形成された各結合孔に挿入される円筒状の誘電体と、前記円筒状の誘電体の内部に配置されるとともに、円筒状の誘電体の長さ方向に移動可能とされる結合導体とを備える。
前記結合導体を前記第１の端子の内部導体の先端部側で、前記第１の端子の内部導体の先端部と前記第３の端子の内部導体の先端部との間に形成される容量の容量値が第１の値以上で、かつ、前記第２の端子の内部導体の先端部と前記第３の端子の内部導体の先端部との間に形成される容量の容量値が第２の値以下になる位置に移動することにより、伝送信号の周波数において前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とし、あるいは、前記結合導体を前記第２の端子の内部導体の先端部側で、前記第２の端子の内部導体の先端部と前記第３の端子の内部導体の先端部との間に形成される容量の容量値が第１の値以上で、かつ、前記第１の端子の内部導体の先端部と前記第３の端子の内部導体の先端部との間に形成される容量の容量値が第２の値以下になる位置に移動することにより、伝送信号の周波数において前記第２の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを導通状態とするとともに、前記第１の端子の内部導体と前記第３の端子の内部導体とを遮断状態とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［本発明の無接点切替器の原理］
図１は、本発明の無接点切替器の原理を説明するための図である。
図１に示すように、高周波信号の伝送経路に、第１のインダクタンス素子（Ｌ１）と、可変容量素子（Ｃｖ）と、第２のインダクタンス素子（Ｌ２）からなるハイパスフィルタ回路（以下、ＨＰＦという。）３０を挿入する。
ここで、可変容量素子（Ｃｖ）の容量値が第１の容量値の時に、ＨＰＦ３０の減衰特性が、図２の（イ）に示す減衰特性になるように、また、可変容量素子（Ｃｖ）の容量値が第２の容量値の時に、ＨＰＦ３０の減衰特性が、図２の（ロ）に示す減衰特性になるように、第１のインダクタンス素子（Ｌ１）と第２のインダクタンス素子（Ｌ２）のインダクタンス値を設定する。なお、この図２において、ｆｏは、伝送される高周波信号の周波数である。
図２に示すように、ＨＰＦ３０の減衰特性を設定することにより、可変容量素子（Ｃｖ）の容量値が第１の容量値の時には、周波数がｆｏの高周波信号はＨＰＦ３０の通過領域の周波数となるので、伝送される高周波信号（周波数がｆｏの高周波信号）はＨＰＦ３０を通過する。即ち、無接点切替器がオン状態となる。しかしながら、可変容量素子（Ｃｖ）の容量値が第２の容量値の時には、周波数がｆｏの高周波信号はＨＰＦ３０の減衰領域の周波数となるので、伝送される高周波信号はＨＰＦ３０を流れない。即ち、切替器がオフ状態となる。
【００１１】
以下、前述した点についてさらに説明する。
図３は、ＨＰＦの基本等価回路を示す回路図である。なお、この図３において、ＺＣは容量素子（Ｃ１）の規準化インピーダンス、ＹＬは第１および第２のインダクタンス素子（Ｌ１，Ｌ２）の規準化アドミッタンスである。
図３に示すＨＰＦの〔Ｆ〕マトリクスは、下記（１）式のように表され、また、前記（１）式を用い、（ＹＬ＝０．５、ＺＣ＝１．０、ＲＬ＝１）、（ＹＬ＝０．６、ＺＣ＝０．８、ＲＬ＝１）、および、（ＹＬ＝０．６、ＺＣ＝０．９、ＲＬ＝１）の場合の、図３にＨＰＦの入力インピーダンスを求めると、下記（２）〜（４）式のようになる。
【００１２】
【数１】
0003641621.tif 000002
【００１３】
前述の（２）〜（４）式から分かるように、図３に示すＨＰＦが整合状態となるのは、ＹＬ≒０．５、ＺＣ≒０．９前後の値となる。
ＹＬ＝０．５、ＺＣ＝０．９、ＲＬ＝１の時の、図３に示すＨＰＦの電圧伝達係数（Ｓｖｉ）は、下記（５）式で求めることができる。
前記（５）式から、図３に示すＨＰＦにおいて、ＹＬ＝０．５、ＺＣ＝０．９、ＲＬ＝１の場合（即ち、通過帯域）には、端子（Ｔｉ）に入力された電圧（Ｅｉｎ）は、端子（Ｔｏ）から、減衰なしで出力されることが分かる。
【００１４】
【数２】
0003641621.tif 000003
【００１５】
しかしながら、伝送される高周波信号（図２では、周波数がｆｏの信号）が減衰域になるように、容量素子（Ｃ１）のインピーダンス値を大きな値、例えば、ＺＣ＝１００とした場合には、ＨＰＦの電圧伝達係数（Ｓｖｏ）は、下記（６）式のようになる。
前記（６）式から、図３に示すＨＰＦにおいて、ＹＬ＝０．５、ＺＣ＝１００、ＲＬ＝１の場合には、端子（Ｔｉ）に入力された電圧（Ｅｉｎ）は、端子（Ｔｏ）から、大きな減衰（−３６ｄＢ≒２０ｌｏｇ｜Ｓｖｏ｜（＝２０ｌｏｇ｜−０．０１２７＋ｊ０．００９８８｜））を受けて出力されることが分かる。
【００１６】
【数３】
0003641621.tif 000004
【００１７】
［本発明の無接点切替器の等価回路］
図４は、本発明の無接点切替器の等価回路を示す回路図である。
本実施の形態の無接点切替器では、可変容量素子（ＣＶ１，ＣＶ２）の値を変化させて、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間を導通状態、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間を遮断状態、あるいは、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間を遮断状態、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間を導通状態として、スイッチ機能を実現する。
図５は、図４に示す等価回路において、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が遮断状態の時の等価回路を示す回路図である。
この場合には、インダクタンス素子（Ｌ１）、インダクタンス素子（ＬＣ）、および可変容量素子（ＣＶ１）で構成されるＨＰＦにおいて、可変容量素子（ＣＶ１）の値を、ｆｏの周波数の高周波信号（伝送される高周波信号）が、図２に示すＨＰＦの通過領域の周波数となるように設定し、インダクタンス素子（Ｌ２）、インダクタンス素子（ＬＣ）、および可変容量素子（ＣＶ２）で構成されるＨＰＦにおいて、可変容量素子（ＣＶ２）の値を、ｆｏの周波数の高周波信号が、図２に示すＨＰＦの減衰領域の周波数となるように設定する。
これにより、端子（Ｔ１）に入力される高周波信号は、共通端子（ＴＣ）から出力され、端子（Ｔ２）に入力される高周波信号は、共通端子（ＴＣ）から出力されない。
【００１８】
図６は、図４に示す等価回路において、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が遮断状態、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態の時の等価回路を示す回路図である。
この場合には、インダクタンス素子（Ｌ２）、インダクタンス素子（ＬＣ）、および可変容量素子（ＣＶ２）で構成されるＨＰＦにおいて、可変容量素子（ＣＶ２）の値を、ｆｏの周波数の高周波信号が、図２に示すＨＰＦの通過領域の周波数となるように設定し、インダクタンス素子（Ｌ１）、インダクタンス素子（ＬＣ）、および可変容量素子（ＣＶ１）で構成されるＨＰＦにおいて、可変容量素子（ＣＶ１）の値を、ｆｏの周波数の高周波信号が、図２に示すＨＰＦの減衰領域の周波数となるように設定する。
これにより、端子（Ｔ１）に入力される高周波信号は、共通端子（ＴＣ）から出力されず、端子（Ｔ２）に入力される高周波信号は、共通端子（ＴＣ）から出力される。
なお、図５、図６では、可変容量素子（ＣＶ１，ＣＶ２）の値がほぼ０（ＣＶ１≒ＣＶ２≒０；図３に示す規準化インピーダンス（ＺＣ）は無限大）の場合にした場合を図示している。
【００１９】
図７は、図４に示す等価回路において、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態（以下、結合状態という）、および、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が遮断状態（以下、非結合状態という）の時に、可変容量素子（ＣＶ２）側を、共通端子（ＴＣ）から見た時の等価回路を示す図である。なお、図７に示す負荷抵抗ＲＬは、端子（Ｔ２）に接続される規準化負荷抵抗を示す。
図７に示す回路の〔Ｆ〕マトリクスは、下記（７）式で表される。
したがって、図７に示す入力インピーダンス（Ｚｉｎ）は、前記（７）式の各要素により、下記（８）式で求めることができる。
今、例えば、可変容量素子（ＣＶ２）の規準化インピーダンス値が、ＺＣ＝１００、インダクタンス素子（Ｌ２）の規準化アドミッタンスが、ＹＬ＝０．５とすると、図７に示す入力インピーダンス（Ｚｉｎ）は、前記（９）で求めることができる。
【００２０】
【数４】
0003641621.tif 000005
【００２１】
図８に示すように、共通端子（ＴＣ）と、結合状態にある端子（Ｔ１）の主回路を流れる電流（ＩＭ）と、非結合状態にある端子（Ｔ２）の主回路を流れる電流（ＩＢ）とする時、例えば、可変容量素子（ＣＶ２）の規準化インピーダンス値が、ＺＣ＝１００、インダクタンス素子（Ｌ２）の規準化アドミッタンスが、ＹＬ＝０．５の場合に、電流（ＩＭ）と、電流（ＩＢ）の比（ＩＢ／ＩＭ）は、下記（１０）で求めることができる。
【数５】
0003641621.tif 000006
したがって、分流による結合損失（ＬＢ）は、下記（１１）式で求めることができる。
【数６】
0003641621.tif 000007
このように、共通端子（ＴＣ）と、非結合状態にある端子（Ｔ２）との間の結合損失は、電圧低下損（−３６ｄＢ）と、分流損失（−４０ｄＢ）の計（−７６ｄＢ）の損失となる。
【００２２】
［本発明の実施の形態１の無接点切替器］
図９は、本発明の実施の形態１の無接点切替器の概略構成を示す図であり、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は下平面図である。
図１０、図１１は、本実施の形態の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図であり、この図１０、図１１は、図９（ｂ）のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す図である。
なお、図１０は、端子（Ｔ１）が、共通端子（ＴＣ）と結合状態にあり、端子（Ｔ２）が、共通端子（ＴＣ）と非結合状態にある場合の断面図、図１１は、端子（Ｔ２）が、共通端子（ＴＣ）と結合状態にあり、端子（Ｔ１）が、共通端子（ＴＣ）と非結合状態にある場合の断面図である。
図９〜図１１において、１はシールドケース、２１〜２３は、端子（Ｔ１，Ｔ２）および共通端子（ＴＣ）の内部導体、３１〜３３は、端子（Ｔ１，Ｔ２）および共通端子（ＴＣ）の外部導体、４１，４２は端子（Ｔ１〜Ｔ２）を移動可能に支持する円筒形状の支持体、５は第２のインダクタンス素子、６は支柱部、７は絶縁体のスペーサ、９は結合孔、１２は誘電体である。
図１０、図１１に示すように、端子（Ｔ１，Ｔ２）には、シールドケース１側の先端部の周囲に円筒状の誘電体１２が形成される。この誘電体１２としては、機械的強度が強く、かつ、誘電率が高く、さらに、高周波損の少ない材料が使用される。
例えば、アルミナは、誘電率（εｄ）が約１０（εｄ≒１０）で、機械的強度が強い、熱伝導がよい、高周波損失が少ない、さらに、銀メタライズが容易という特性を有しており、本実施の形態の誘電体１２の材料として最適である。
【００２３】
また、端子（Ｔ１，Ｔ２）は、先端部を挟んで、シールドケース１と反対側の位置（図１０、図１１では、スペーサ７で挟まれた位置）に、図４に示す各ＨＰＦのインダクタンス素子（Ｌ１，Ｌ２）として機能する第２のインダクタンス素子５が形成される。
図１２は、図１０、図１１に示す第２のインダクタンス素子５を説明するための図であり、図１２に示すように、第２のインダクタンス素子５は、端子（Ｔ１，Ｔ２）の内部導体（２１，２２）を取り巻くように、端子（Ｔ１，Ｔ２）の内部導体（２１，２２）と、外部導体（３１，３２）とを電気的に接続するループ状の導電体で構成される。
図１３は、図１０、図１１に示す支柱部６を説明するための図であり、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は側面図である。
図１３に示すように、導電体で構成される支柱部６は、４角柱部６１と、円柱部６２とで構成され、４角柱部６１には、共通端子（ＴＣ）の内部導体２３が固定されるとともに、円柱部６２の開放端がシールドケース１に固定される。
この支柱部６は、図４に示すインダクタンス素子（ＬＣ）として機能する。
支柱部６の４角柱部６１には、端子（Ｔ１，Ｔ２）の内部導体（２１，２２）と対応する位置に結合孔９が形成される。
【００２４】
本実施の形態では、端子（Ｔ１，Ｔ２）が、図１０の矢印Ａの方向に移動可能とされ、例えば、図１０に示すように、端子（Ｔ１）の内部導体２１先端部をシールドケース１側に押し込み、端子（Ｔ２）の内部導体２２の先端部をシールドケース１から引き抜いた場合に、端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部（周囲に誘電体１２が形成された先端部）が、支柱部６の結合孔９に挿入される。
この状態の時に、図４に示す可変容量素子（ＣＶ１）のインピーダンスが小さくなり、図２に示すように、周波数がｆｏの高周波信号は、インダクタンス素子（Ｌ１）、インダクタンス素子（ＬＣ）、および可変容量素子（ＣＶ１）で構成されるＨＰＦの通過領域の周波数となるので、伝送される高周波信号はＨＰＦを通過する。
一方、この状態の時に、図４に示す可変容量素子（ＣＶ２）のインピーダンスが大きくなり、図２に示すように、周波数がｆｏの高周波信号は、インダクタンス素子（Ｌ１）、インダクタンス素子（ＬＣ）、および可変容量素子（ＣＶ２）で構成されるＨＰＦの減衰領域の周波数となるので、伝送される高周波信号はＨＰＦを通過しない。
即ち、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態となり、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が非導通状態となる。
図１０に示す状態における、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間の結合損失（ＬＣ１）、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間の結合損失（ＬＣ２）、並びに、端子（Ｔ２）と端子（Ｔ１）との間の結合損失（Ｌ２１）の一例を図１４に示す。
【００２５】
逆、図１１の場合には、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態となり、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が非導通状態となる。
図１１に示す状態における、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間の結合損失（ＬＣ２）、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間の結合損失（ＬＣ１）、並びに、端子（Ｔ１）と端子（Ｔ２）との間の結合損失（Ｌ１２）の一例を図１５に示す。
なお、端子（Ｔ１，Ｔ２）の外部導体（３１，３２）は、円筒形状の支持体（４１，４２）を介して、シールドケース１に定常的に接触し、シールドケース１に電気的に接続されている。
前述した端子（Ｔ１，Ｔ２）は、手動で移動させることも可能であるが、制御部（図示せず）により、自動的に移動させるようにしてもよい。
なお、図８において図示は省略しているが、円筒形状の支持体（４１，４２）はネジなどによりシールドケース４に固定される。
【００２６】
図１６は、図１０に示す、端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部（周囲に誘電体１２が形成された先端部）を、支柱部６の結合孔９に挿入した部分を拡大して示す図であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は側面図である。
図１６に示すように、誘電体１２の外径寸法をｄｏ、内径寸法をｄｉとすれば、誘電体１２の平均内径寸法（ｄ）は、下記（１２）式で、また、誘電体１２の厚さ（ｔ）は、下記（１３）求めることができる。
【数７】
ｄ＝（ｄｏ＋ｄｉ）／２  ・・・・・・・・・・・・・・・・・  （１２）
ｔ＝（ｄｏ−ｄｉ）／２  ・・・・・・・・・・・・・・・・・  （１３）
支柱部６と、支柱部６の結合孔９に挿入される端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部とは、容量を形成するが、両電極の面積（端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部と、支柱部６の結合孔９とが、誘電体１２を介して対向する面積）をＡ、両電極間の間隔（誘電体１２の厚さ）をｔ、誘電体１２の比誘電率をεγとすれば、支柱部６と、支柱部６の結合孔９に挿入される端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部とで形成される容量の容量値（Ｃ）は、下記（１４）式に示す基本式で求めることができる。
【００２７】
【数８】
Ｃ≒（８．８５４×εγ×Ａ×１０−１２）／ｔ  ・・・・・・  （１４）
したがって、図１６に示す場合には、容量の容量値（Ｃ）は、下記（１５）式で求められる。
【数９】
0003641621.tif 000008
今、ｄｏ＝０．００７（ｍ）、ｄｉ＝０．００５（ｍ）、ｔ＝０．００１（ｍ）、Ｌｄ＝０．０１（ｍ）、εγ＝１０とすると、この場合の容量値（Ｃ）は、下記（１６）式に示すように、１６．７ｐＦとなり、実用的な値になる。
【数１０】
0003641621.tif 000009
図１７は、同軸線路の特性を説明するための図である。
図１７により、［Ｆ］マトリクスを求めると、下記（１７）式のようになる。また、図１５において、同軸線路の先端をアースに短絡した場合の入力インピーダンスは、下記（１８）式のようになる。
この（１８）式から、支柱部６はインダクタンス素子として機能することが分かる。
【００２８】
【数１１】
0003641621.tif 000010
【００２９】
［本発明の実施の形態２の無接点切替器］
図１８、図１９は、本実施の形態２の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図であり、この図１８、図１９は、図１０、図１１と同一箇所の断面構造を示す図である。
以下、本実施の形態の無接点切替器について、前述の実施の形態と相違点を中心に説明する。
本実施の形態では、誘電体１２として、長めのものを使用し、その誘電体１２の両側に、端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部と、端子（Ｔ２）の内部導体２２の先端部を挿入・固定するようにしたものである。
前述の実施の形態では、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間を導通状態、あるいは、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間を導通状態とする場合に、端子（Ｔ１）の内部導体２１と、端子（Ｔ２）の内部導体２２とを個別に移動させる必要があるが、本実施の形態によれば、誘電体１２を介して、端子（Ｔ１）の内部導体２１と、端子（Ｔ２）の内部導体２２とが一体に連結されているので、端子（Ｔ１）の内部導体２１、あるいは、端子（Ｔ２）の内部導体２２の一方を移動させることにより、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間を導通状態、あるいは、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間を導通状態とすることが可能となる。
【００３０】
［本発明の実施の形態３の無接点切替器］
図２０、図２１は、本実施の形態３の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図であり、この図２０、図２１は、図１０、図１１と同一箇所の断面構造を示す図である。
以下、本実施の形態の無接点切替器について、前述の実施の形態と相違点を中心に説明する。
本実施の形態では、前述の実施の形態１のように、誘電体１２を、端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部と、端子（Ｔ２）の内部導体２２の先端部の両方に固定する代わりに、支柱部６に形成された結合孔９の内部に、誘電体１２を形成するようにしたものである。
本実施の形態では、前述の実施の形態に比して、誘電体１２の使用量を少なくすることが可能となる。
【００３１】
［本発明の実施の形態４の無接点切替器］
図２２は、本発明の実施の形態４の無接点切替器の概略構成を示す図であり、同図（ａ）は上面図、同図（ｂ）は正面図、同図（ｃ）は下平面図である。
図２３、図２４は、本実施の形態の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図であり、この図２３、図２４は、図２２（ａ）のＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す図である。
なお、図２３は、端子（Ｔ１）が、共通端子（ＴＣ）と結合状態にあり、端子（Ｔ２）が、共通端子（ＴＣ）と非結合状態にある場合の断面図、図２４は、端子（Ｔ２）が、共通端子（ＴＣ）と結合状態にあり、端子（Ｔ１）が、共通端子（ＴＣ）と非結合状態にある場合の断面図である。
図２２〜図２４において、１はシールドケース、２１〜２３は、端子（Ｔ１，Ｔ２）および共通端子（ＴＣ）の内部導体、３１〜３３は、端子（Ｔ１，Ｔ２）および共通端子（ＴＣ）の外部導体、７は絶縁体のスペーサ、９１〜９３は結合孔、１０は結合導体、１１は絶縁体の案内棒、１２は誘電体、１３１〜１３３はインダクタンス素子である。
図２３、図２４に示すように、本実施の形態では、端子（Ｔ１，Ｔ２）の内部導体（２１,２２）、および共通端子（ＴＣ）の内部導体２３は、先端部がシールドケース１内まで延長される。
【００３２】
図２５は、図２３、図２４に示す端子（Ｔ１，Ｔ２）の内部導体（２１,２２）、および共通端子（ＴＣ）の内部導体２３の先端部の形状を示す図であり、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は側面図である。
図２５に示すように、端子（Ｔ１，Ｔ２）の内部導体（２１,２２）、および共通端子（ＴＣ）の内部導体２３の先端部には、４角柱部６３が形成され、この４角柱部６３には、結合穴（９１〜９３）が形成される。
また、４角柱部６３とシールドケース１との間には、インダクタンス素子（１３１〜１３３）が形成され、これらのインダクタンス素子（１３１〜１３３）は、図４に示すインダクタンス素子（Ｌ１，Ｌ２，ＬＣ）として機能する。
前述の各結合穴（９１〜９３）には、一本の円筒状の誘電体１２が挿入される。
この円筒状の誘電体１２としては、前述したように、機械的強度が強く、かつ、誘電率が高く、さらに、高周波損の少ない材料（例えば、アルミナなど）が使用される。
さらに、この円筒状の誘電体１２の内部には、結合導体１０が配置され、この結合導体の両側に案内棒１１が取り付けられる。
ここで、結合導体１０の長さは、図２３、図２４に示すように、端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部における、共通端子（ＴＣ）の内部導体２３と対向しない側面から、共通端子（ＴＣ）の内部導体２３の先端部における、端子（Ｔ１）の内部導体２１と対向しない側面までの距離（図２３のＬａ）、あるいは、端子（Ｔ２）の内部導体２２の先端部における、共通端子（ＴＣ）の内部導体２３と対向しない側面から、共通端子（ＴＣ）の内部導体２３の先端部における、端子（Ｔ２）の内部導体２２と対向しない側面までの距離（図２４のＬｂ）とされる。
【００３３】
本実施の形態では、案内棒１１を、図２３の矢印Ａの方向に移動することにより、円筒状の誘電体１２の内部の結合導体１０が移動可能とされ、例えば、図２３に示すように、結合導体１０が、端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部と、共通端子（ＴＣ）の内部導体２３の先端部との間に位置するようにした状態の時に、図４に示す可変容量素子（ＣＶ１）のインピーダンスが小さくなり、図２に示すように、周波数がｆｏの高周波信号は、インダクタンス素子（Ｌ１）、インダクタンス素子（ＬＣ）、および可変容量素子（ＣＶ１）で構成されるＨＰＦの通過領域の周波数となるので、伝送される高周波信号はＨＰＦを通過する。
一方、この状態の時に、図４に示す可変容量素子（ＣＶ２）のインピーダンスが大きくなり、図２に示すように、周波数がｆｏの高周波信号は、インダクタンス素子（Ｌ１）、インダクタンス素子（ＬＣ）、および可変容量素子（ＣＶ２）で構成されるＨＰＦの減衰領域の周波数となるので、伝送される高周波信号はＨＰＦを通過しない。
即ち、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態となり、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が非導通状態となる。
【００３４】
また、図２４に示すように、結合導体１０が、端子（Ｔ２）の内部導体２２の先端部と、共通端子（ＴＣ）の内部導体２３の先端部との間に位置するようにした状態の時に、図４に示す可変容量素子（ＣＶ２）のインピーダンスが小さくなり、図２に示すように、周波数がｆｏの高周波信号は、インダクタンス素子（Ｌ２）、インダクタンス素子（ＬＣ）、および可変容量素子（ＣＶ２）で構成されるＨＰＦの通過領域の周波数となるので、伝送される高周波信号はＨＰＦを通過する。
一方、この状態の時に、図４に示す可変容量素子（ＣＶ１）のインピーダンスが大きくなり、図２に示すように、周波数がｆｏの高周波信号は、インダクタンス素子（Ｌ１）、インダクタンス素子（ＬＣ）、および可変容量素子（ＣＶ１）で構成されるＨＰＦの減衰領域の周波数となるので、伝送される高周波信号はＨＰＦを通過しない。
即ち、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態となり、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が非導通状態となる。
【００３５】
なお、前述の説明では、結合導体１０の長さは、図２３のＬａ、あるいは、図２４のＬｂの場合について説明したが、この結合導体１０の長さは、必ずしも前述した長さに限定されるものではなく、この結合導体１０の長さは、端子（Ｔ１）側に移動させた状態において、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態、かつ、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が非導通状態となり、並びに、端子（Ｔ２）側に移動させた状態において、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態、かつ、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が非導通状態となる長さであればよい。
即ち、結合導体１０の長さは、端子（Ｔ１）側に移動させた状態において、端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部と共通端子（ＴＣ）の内部導体２３の先端部との間に形成される容量の容量値が、前述した第１の容量値以上、かつ、端子（Ｔ２）の内部導体２２の先端部と共通端子（ＴＣ）の内部導体２３の先端部との間に形成される容量の容量値が、前述した第２の値以下となり、及び、端子（Ｔ２）側に移動させた状態において、端子（Ｔ２）の内部導体２２の先端部と共通端子（ＴＣ）の内部導体２３の先端部との間に形成される容量の容量値が、前述した第１の容量値以上、かつ、端子（Ｔ１）の内部導体２１の先端部と共通端子（ＴＣ）の内部導体２３の先端部との間に形成される容量の容量値が、前述した第２の値以下となる長さであればよい。
【００３６】
本発明の無接点切替器によれば、小型で、かつ、コストを低減することが可能となる。
また、本発明の無接点切替器では、現用系から予備系への切り替えが運用中に行われた場合でも、可変容量素子（ＣＶ１，ＣＶ２）のインピーダンスの変化が、電子的に見た場合、緩やかなインピーダンスの変化となるので、従来の接点型のスイッチのように、過渡現象的な現象による火花放電などが発生しないので、接点の溶断などの事故（または、故障）も発生することがなくなり、信頼性を向上させることが可能となる。
ＯＦＤＭ変調波を用いたデジタルテレビにおいては、マルチキャリアパワーアンプ（ＭＣＰＡ）を用いて、帯域が約１００ＭＨｚの多チャンネルのテレビ信号を同時に増幅する方式で中継放送を行うことが想定されている。本発明の無接点切替器はこのような用途に最適である。
以上、本発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００３７】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）本発明の無接点切替器によれば、小型で、かつ、コストを低減することが可能となる。
（２）本発明の無接点切替器によれば、スパーク放電を伴わず、かつ、接点の溶断なども生じないので、信頼性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の無接点切替器の原理を説明するための図である。
【図２】図１に示すハイパスフィルタの減衰特性を示すグラフである。
【図３】ＨＰＦの基本等価回路を示す回路図である。
【図４】本発明の無接点切替器の等価回路を示す回路図である。
【図５】図４に示す等価回路において、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が遮断状態の時の等価回路を示す回路図である。
【図６】図４に示す等価回路において、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が遮断状態、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態の時の等価回路を示す回路図である。
【図７】図４に示す等価回路において、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態、および、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が遮断状態の時に、可変容量素子（ＣＶ２）側を、共通端子（ＴＣ）から見た時の等価回路を示す図である。
【図８】図４に示す等価回路における、分流損を説明するための図である。
【図９】本発明の実施の形態１の無接点切替器の概略構成を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図である。
【図１２】図１０、図１１に示す第２のインダクタンス素子を説明するための図である。
【図１３】図１０、図１１に示す支柱部を説明するための図である。
【図１４】本発明の実施の形態１の無接点切替器において、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態、および、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が非導通状態にある場合における、各端子間の結合損失の一例を示すグラフである。
【図１５】本発明の実施の形態１の無接点切替器において、端子（Ｔ２）と共通端子（ＴＣ）との間が導通状態、および、端子（Ｔ１）と共通端子（ＴＣ）との間が非導通状態にある場合における、各端子間の結合損失の一例を示すグラフである。
【図１６】図１０に示す、端子（Ｔ１）の内部導体の先端部を、支柱部の結合孔に挿入した部分を拡大して示す断面図である。
【図１７】同軸線路の特性を説明するための図である。
【図１８】本発明の実施の形態２の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態２の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態３の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態３の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図である。
【図２２】図２２は、本発明の実施の形態４の無接点切替器の概略構成を示す図である。
【図２３】本発明の実施の形態４の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態４の無接点切替器の断面構造を示す要部断面図である。
【図２５】図２３、図２４に示す端子（Ｔ１，Ｔ２）の内部導体、および共通端子（ＴＣ）の内部導体の先端部の形状を示す図である。
【図２６】テレビジョンの中継放送設備の概略構成を示すブロック図である。
【図２７】従来の無接点型のスイッチを説明するための図である。
【図２８】従来の無接点型のスイッチを説明するための図である。
【図２９】結合容量Ｃと整合（共振）に必要な伝送線路Ｌから成る低ＱＬの共振回路の基本的な等価回路を示す回路図である。
【符号の説明】
１…シールドケース、２１〜２３…内部導体、３１〜３３…外部導体、４１，４２…円筒形状の支持体、５…第２のインダクタンス素子、６…支柱部、６１，６３…４角柱部、６２…円柱部、７…スペーサ、９，９１〜９３…結合孔、１０…結合導体、１１…案内棒、１２…誘電体、１３１〜１３３…インダクタンス素子、１０１…受信アンテナ、１０２…入力帯域通過フィルタ、１０３ａ，１０３ｂ…ヘッドアンプ、１０４…分配器、１０５ａ〜１０５ｇ…チャネル帯域通過フィルタ、１０６ａ〜１０６ｇ…ハイブリッド回路、１０７ａ〜１０７ｇ…各チャネルの基本装置、１０８ａ〜１０８ｇ…チャネル帯域通過フィルタ、１０９…合成・分配器、１１０ａ，１１０ｂ…電力増幅器、１１２…出力帯域通過フィルタ、１１３…送信アンテナ、１２０ａ…現用系の基本装置、１２０ｂ…予備系の基本装置、ＳＷ１〜ＳＷ４…スイッチ。
【図１】
0003641621.tif 000011
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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