(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラテンに付着させた可とう性圧締装置が配置された真空チャンバー４を具備する真空積層装置を用いて、凹凸を有する基板１に、フィルム状樹脂層２を積層するにあたり、真空チャンバー４内の上下の可とう性圧締装置５及び６の間に形成される空間部３を真空引きする時の空間部３の温度を４０〜１８５℃にしながら、真空引き開始時より２０秒以内に、空間部３の圧力を２００Ｐａ以下の真空状態とする真空引き工程（１）を実施することを特徴とする積層方法。
【請求項２】
請求項１の工程を実施した後、空間部３と上側の可とう性圧締装置６の上部プラテン１０側の空隙部１２との圧力差により、上側の可とう性圧締装置６を下方向に膨らませて凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂層２を貼り合わせるラミネートスラップダウン工程（２）を行い、つづいて空隙部１２の圧力を高めるラミネート増圧工程（３）を実施して積層操作を行うことを特徴とする積層方法。
【請求項３】
可とう性圧締装置のフィルム状樹脂層２と接触する面の表面粗度（Ｒｚ）が２０〜７００μｍで、かつデュロメータ硬度（ＨＤＤ）が１５〜９０であることを特徴とする請求項１あるいは２記載の積層方法。
【請求項４】
上側の可とう性圧締装置６の稼働時における空間部３の圧力Ｘ（単位：Ｐａ）と空隙部１２の圧力Ｙ（単位：Ｐａ）の関係が、
ラミネートスラップダウン工程（２）においては、Ｘ≦１００００、９５０００≦Ｙ≦１０５０００となるような圧力差にし、
更に、ラミネート増圧工程（３）においては、Ｘ≦２００、１０５０００＜Ｙとなるように設定することを特徴とする請求項２あるいは３記載の積層方法。
【請求項５】
真空引き工程（１）を少なくとも５秒、ラミネートスラップダウン工程（２）を少なくとも４秒、ラミネート増圧工程（３）を少なくとも５秒行うことを特徴とする請求項２〜４いずれか記載の積層方法。
【請求項６】
ラミネートスラップダウン工程（２）において、
上側の可とう性圧締装置６の稼働時における空間部３の圧力Ｘ（単位：Ｐａ）と空間部１２の圧力Ｙ（単位：Ｐａ）との関係が、最初の３秒以内は、２００＜Ｘ≦１００００、９５０００≦Ｙ≦１０５０００となる様に、その後は、Ｘ≦２００、９５０００≦Ｙ≦１０５０００となるような圧力差に設定することを特徴とする請求項２〜５いずれか記載の積層方法。
【請求項７】
上側の可とう性圧締装置６の下側及び下側の可とう性圧締装置５の上側に、基板１とフィルム状樹脂層２の積層物を狭持するための厚さ５〜１００μｍの保護フィルム７及び８をそれぞれ配置することを特徴とする請求項２〜６いずれか記載の積層方法。
【請求項８】
可とう性圧締装置が、膨張可能な可とう性シートであることを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の積層方法。
【請求項９】
フィルム状樹脂層２が絶縁材料であることを特徴とする請求項１〜８いずれか記載の積層方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント回路基板の製造において、凹凸を有する基板にフィルム状樹脂層を積層する方法に関するものであり、更に詳しくはフィルム状樹脂層の追従性がよく、積層後の樹脂表面の平滑性に優れ、ビルドアップ工法に有用な積層方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴いプリント回路基板の高密度化、多層化が進行している。
かかるプリント回路基板の多層化においては、熱硬化型樹脂組成物又は感光性樹脂組成物を絶縁層として使用し、予め形成した内層回路の上に該熱硬化型樹脂組成物又は感光性樹脂組成物を塗布し、あるいは該熱硬化型樹脂組成物又は感光性樹脂組成物からなるフィルム状樹脂層を積層する。かかるフィルム状樹脂層の片面には、▲１▼銅箔が積層され、かかる銅箔をハーフエッチング又は全面エッチングし、更に、レーザー又は紫外線により穴あけ後に、銅メッキを施した後、再度フォトレジストフィルムを用いて光によるパターニングを行い、回路を形成する方法や▲２▼支持フィルム（セパレーターフィルム）が積層され、かかる支持フィルムは、剥離除去して、更に、レーザー又は紫外線により穴あけ後に、銅メッキを施した後、再度フォトレジストフィルムを用いて光によるパターニングを行い、回路を形成する方法などのいわゆるビルドアップ工法が有効に用いられている。
【０００３】
一方、ビルドアップ工法に用いられるという記載はないものの、基板にドライフィルムを貼る方法や基板にカバーフィルム等を貼る従来の方法としては、特開平５−２００８８０号公報ではコンベア式真空アプリケータを用いる方法が開示され、また、特開平８−１３２５３１号公報、特開平８−３３２６４６号公報には真空積層装置を用いる積層方法が開示されている。
これらの真空積層装置を用いる方法では、プリント基板の表面がそれほど微細ではなく密集度も少ないいわゆる凹凸のない基板においては、小さな気泡（マイクロボイド）なく、表面平滑性も良好な積層ができた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの公報に記載の装置による積層方法を用いて、ビルドアップ工法等で使用される凹凸を有する基板とフィルム状樹脂層を積層する場合、特開平８−１３２５３１号公報、特開平８−３３２６４６号公報開示技術では、真空積層装置の空間部の容積が多く、しかも構造が複雑なので高真空は実現できず、特開平５−２００８８０号公報開示技術では、通常の真空ポンプでは高真空にするのに時間がかかり、時間をかけて該基板にフィルム状樹脂を追従させるようにすると、該基板とフィルム樹脂層との間にマイクロボイドが残り、回路線の絶縁破壊にいたる。更には、該基板の凹凸が反映し、積層樹脂表面に凹凸が生じる。該積層樹脂表面の凹凸は、次工程の回路形成時に密着不良や追従性不良、外観不良等の問題が生じることになる。
特に最近の基板の多層化を考慮すると、良好な追従性及び基板とフィルム状樹脂間に生じるマイクロボイドの抑制が重要であり、更には積層後の表面平滑性が重要である。
いずれにしても従来法は凹凸を有する基板を対象とするには装置上の問題点がある上、その積層時の条件の選定も比較的軽度の真空度の領域でしか採用出来ないのが実状である。
【０００５】
【問題を解決するための手段】
そこで本発明者らは、かかる事情に鑑み、鋭意研究をした結果、プラテンに付着させた可とう性圧締装置が配置された真空チャンバー４を具備する真空積層装置を用いて、凹凸を有する基板１（以下単に基板１と称することがある）に、フィルム状樹脂層２を積層するにあたり、真空チャンバー４内の上下の可とう性圧締装置５及び６の間に形成される空間部３を真空引きする時の空間部３の温度を４０〜１８５℃にしながら、真空引き開始時より２０秒以内に、空間部３の圧力を２００Ｐａ以下の真空状態とする真空引き工程（１）を実施する積層方法が上記問題点の解決に有効であることを見いだし、特に上記の如く真空引き工程（１）を実施した後に、空間部３と、上側の可とう性圧締装置６の上部プラテン１０側の空隙部１２の圧力差により、上側の可とう性圧締装置６を下方向に膨らませて凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂層２を貼り合わせるラミネートスラップダウン工程（２）を行い、更に空隙部１２の圧力を高めるラミネート増圧工程（３）を実施して積層操作を継続すると共に、可とう性圧締装置として、フィルム状樹脂層２と接触する面の表面粗度（ＪＩＳ  Ｂ  ０６１０に準処して測定）が２０〜７００μｍで、かつデュロメータ硬度（ＪＩＳ  Ｋ  ７２１５のタイプＤに準処して測定）が１５〜９０のものを使用する場合に、マイクロボイド発生の抑制効果と積層後のフィルム状樹脂層の表面平滑性効果が良好であることを見いだし本発明を完成した。即ち、本発明の積層方法においては、真空積層装置の構造改善、積層条件及び圧締装置の基材の選択の組合せにより、従来にない品質の優れた積層品が得られるのである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明では、特定の真空積層装置を用いて、まず凹凸を有する基板１に、フィルム状樹脂層２を積層するにあたり、真空チャンバー４内の上下の可とう性圧締装置５及び６の間に形成される空間部３（以下単に空間部３と称する）を真空引きする時の空間部３の温度を４０〜１８５℃にしながら、真空引き開始時より２０秒以内に、空間部３の圧力を２００Ｐａ以下の真空状態とする真空引き工程（１）を実施する。
かかる後に上記積層物を圧締処理して層間を充分に接着させるのであるが、圧締の仕方は、単にニップロールにてロール間圧力をかけて機械圧力で基板１とフィルム状樹脂層２を圧締してもよいが、可とう性圧締装置６を膨らませて基板１とフィルム状樹脂層２を圧締するのが、マイクロボイドの発生を抑制する点で好ましい。
【０００７】
具体的には、上記の如く真空引き工程（１）を実施した後に、空間部３と上側の可とう性圧締装置６の上部プラテン１０側の空隙部１２（以下単に空隙部１２と称する）との圧力差により、上側の可とう性圧締装置６を下方向に膨らませて凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂層２を貼り合わせるラミネートスラップダウン工程（２）を行い、つづいて空隙部１２の圧力を高めるラミネート増圧工程（３）を実施して積層操作を行うのである。
【０００８】
以下本発明の方法を工程順に説明する。
まず、本発明で使用する装置を図１に基づいて説明する。図１において、真空チャンバー４は、下部プラテン９と上部プラテン１０に付着した可とう性圧締装置を一対具備しており、下側の可とう性圧締装置５は、下部プラテン９のくぼみに存在させており、上側の可とう性圧締装置６は、その四辺端が押さえシール金具１１により上部プラテン１０に付着されている。また、空隙部１２には、上部プラテン内を通過する開口部１５（以下単に開口部１５と称することがある）が配置され、空間部３には下部プラテン内を通過する開口部１４（以下単に開口部１４と称することがある）が２ヶ所配置されている。上部プラテン１０と下部プラテン９が密封契合して真空引きする時に働くシール１３が下部プラテン９上に配置されている。開口部１５から気体又は液体を空隙部１２に導入すると可とう性圧締装置６が風船のように膨らむ構造となっている。
【０００９】
真空引き工程（１）を上記の装置を用いて説明する。
真空引きに先だって、可とう性圧締装置５上に、凹凸を有する基板１及びフィルム状樹脂層２を載置する。この時、基板１とフィルム状樹脂２はオートシートカットラミネータ等により仮どめするのが好ましい。かかる後に、下部プラテン９を持ち上げて、上部プラテン１０と密封契合させる。この時積層物の載置を容易にするために、開口部１５から吸引し空隙部１２を真空にして上部プラテン１０と可とう性圧締装置６を密着させると有利である。
その時、より真空度を保持するために、下部プラテン９上の端部にはシール１３を配置してあることが好ましい。
【００１０】
真空引き工程（１）に当っては、開口部１４より吸引し、真空チャンバー４内の空間部３の圧力を、２０秒以内に２００Ｐａ以下の真空状態にする必要があり、好ましくは２〜８秒間で、１００Ｐａ以下の真空状態にする。真空引き開始時より２０秒以内に空間部３の圧力が、２００Ｐａ以下にできない時は、凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂層２の間にマイクロボイドが残存し、積層後のフィルム状樹脂層２の表面の平滑性が悪くなり本発明の目的を達成することはできない。
【００１１】
かかる真空状態を実現させるための方法としては、▲１▼容量の大きい真空ポンプを複数台並べて運転する方法、▲２▼あらかじめ、高真空にしてある容量の大きいタンクを利用して、一気に、真空度を上げる方法、▲３▼真空チャンバー４内の空間をできるだけ少なくしておく方法、▲４▼予めエジェクター等を用いて真空ポンプの排気側の圧力を下げておく方法等の方法あるいはこれらを組合わせて行う方法などが挙げられる。
なお、▲１▼の場合においては、装置の形状によっても異なるが、排気すべき空間容積Ｖとすると、真空ポンプの排気速度を５０Ｖ／分以上とすることが好ましく、更には１００Ｖ／分以上である。かかる排気速度が５０Ｖ／分未満ではマイクロボイドが残存する場合があり好ましくない。
なお、空間部３を真空引きする時に空隙部１２がまだ真空状態でない場合は、空間部３と空隙部１２を同時に真空引きするのが好ましい。
【００１２】
真空引きする時、空間部３の温度を４０℃〜１８５℃にすることも必要であり、好ましくは７０〜１３５℃である。
かかる温度が４０℃未満では凹凸を有する基板１にフィルム状樹脂２を充填出来ずに追従性が悪くなったりマイクロボイドが残存し、１８５℃を越えるとフィルム状樹脂層２が熱分解を起し分解ガスによるマイクロボイドが発生して不適当である。かかる温度のコントロール方法としては特に限定しないが、上部プラテンと下部プラテンに内蔵される面ヒーターや蒸気パイプで調整される。
【００１３】
上記方法において可とう性圧締装置の基材も特定しておくことが好ましく、特に可とう性圧締装置のフィルム状樹脂層２に接する面の表面粗度（Ｒｚ）が２０〜７００μｍで、かつ表面ゴムのデュロメータ硬度（ＨＤＤ）が１５〜９０である時が好ましい。Ｒｚが２０μｍ未満の時やＨＤＤが９０を越える時は積層後の基板１の表面平滑性はよいが、マイクロボイド残存に問題があり、Ｒｚが７００μｍを越える時やＨＤＤが１５未満の時は、表面平滑性がわるいのでビルドアップ多層積層時に問題を残す。
【００１４】
上記の表面粗度やＨＤＤの調整方法としては、表面をサンドペーパー、エメリーサンドペーパーで、トリートメントしても、表面にこれらの粗度を持つパターンを形成しても良い。
【００１５】
可とう性圧締装置の形状は、シート状が好ましく、膨張可能なものが用いられる。かかるシートの素材も特には限定しないが、耐熱性のバイトンゴムや、シリコンゴムが工業的には好ましい。特に可とう圧締性装置６の膨張時の強度を保つために、内部に繊維や各種素材の薄膜を入れ込んで成形したものでも良い。
かかる可とう性圧締装置の、縦横の長さは特に限定されるものではないが、具体的にはそれぞれの大きさがが２００〜１２００ｍｍ、厚み０．２〜２０ｍｍの平板膜状が好ましい。可とう性圧締装置６の方が、縦横の長さが可とう性圧締装置５よりも５〜５０％程度長いのが好ましい。
【００１６】
次に、空間部３と空隙部１２の圧力差により、上側の可とう性圧締装置６を下方向に膨らませて凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂層２を貼り合わせるラミネートスラップダウン工程（２）について説明する。
かかる工程で空間部３の圧力Ｘ（単位：Ｐａ）と空隙部１２の圧力Ｙ（単位：Ｐａ）の関係が、２００＜Ｘ≦１００００、９５０００≦Ｙ≦１０５０００となるような圧力差にするのが好ましい。
かかる圧力差の調整は具体的には、空隙部１２の圧力をほぼ常圧に戻し、空間部３の真空度を弱めればよく、これらの圧力調整には空気を用いればよい。
かかる圧力差により可とう性圧締装置６は下方向に膨らみ、フィルム状樹脂層２を軽く押えつけて、基板１とフィルム状樹脂層２は軽く接触するのである。
【００１７】
引続いて空隙部１２の圧力を高めるラミネート増圧工程（３）について説明する。
この工程では、空隙部１２の圧力を高める。即ち、上記ＸとＹの関係を、Ｘ≦２００、１０５０００＜Ｙ、好ましくは、Ｘ≦１０、３３００００＜Ｙとなるように設定するのが好ましい。
かかる設定は具体的には、空隙部１２の圧力を高くして、空間部３の圧力は再び高真空下に調整して、上側の可とう性圧締装置６を下側に膨らませ、基板１とフィルム状樹脂層２を強く圧締するのである。
【００１８】
上記のラミネートスラップダウン工程（２）にて、凹凸を有する基板１とフィルム樹脂層２との間が軽く接触して、ラミネート増圧工程（３）によりラミネートが確実になり、フィルム樹脂層２の表面平滑性がより確実になる。
【００１９】
上記の（１）の工程では、空間部３の圧力を２００Ｐａ以下にするまでの時間を２０秒以下にすれば、その他の工程の所要時間は特に制限はないが、全体を以下のように設定して（１）〜（３）の工程を管理することが好ましい。
即ち、（１）真空引き工程で空間部３の圧力が２００Ｐａ以下になった後、少なくとも５秒間継続して真空引きし、（２）ラミネートスラップダウン工程を少なくとも４秒、（３）ラミネート増圧工程を少なくとも５秒行うことが好ましいが、更には、（１）真空引き工程で空間部３の圧力が２００Ｐａ以下になった後、４０〜９０秒間継続して真空引きし、（２）ラミネートスラップダウン工程を１０〜２５秒間、３）ラミネート増圧工程を２０〜１００秒間とする。特にラミネートスラップダウン工程（２）では、最初の３秒以内で、上記ＸとＹの関係を２００＜Ｘ≦１００００、９５０００≦Ｙ≦１０５０００とし、その後Ｘ≦２００、９５０００≦Ｙ≦１０５０００とすることが好ましい。
【００２０】
（３）の工程の終了した後に、開口部１４、１５を使用して、真空状態を解放し、下部プラテン９を下方に移動させ、基板１とフィルム状樹脂２の積層が完了するのである。
【００２１】
更に本発明の方法では、図２に示す如く上側の可とう性圧締装置６の下側及び下側の可とう性圧締装置５の上側に、それぞれ基板１とフィルム状樹脂層２の積層物を挟持するための膜厚５〜１００μの保護フィルム７、８（以下単に保護フィルム７、８と称することがある）を使用すると、マイクロボイド発生と表面平滑性において更に有利である。特に保護フィルム７、８は連続走行可能なフィルムが好ましい。
【００２２】
かかる保護フィルム７、８は、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ナイロンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、フッ素化オレフィンフィルムのいずれかであることが好ましい。膜厚は５〜１００μｍで、更には２０〜５０μｍが好ましい。
かかる保護フィルム７、８の進行方向に垂直な幅は、可とう性圧締装置の幅よりも狭くし、フィルム状樹脂層２の幅の０．１〜１０％程度広くするのが、真空引きを効率よくするために好ましい。
またこれらの表面は、本発明の効果を損わない限り、プレーンなものでも、マット加工（ヘイズ加工）したもの、離型剤処理したもの、コロナ放電処理したもの、静電気防止処理したものでも特には限定しない。
【００２３】
かかる保護フィルム７、８を用いる場合の積層方法について以下に説明する。まず、保護フィルム７と８の間に、凹凸を有する基板１及びフィルム状樹脂層２の仮積層体を挟みこんで設置する。かかる設置の方法は、基板１の片面にフィルム状樹脂２を仮どめしたものであっても、凹凸を有する基板１の両面にフィルム状樹脂層２を仮どめしたものであってもどちらでもかまわない。かかる後に、仮積層体を保護フィルム７、８に挟み込んだまま、真空チャンバー内に送込み、その後下部プラテン９を持ち上げて、上部プラテン１０と密封契合する。その後、前記（１）〜（３）の工程を上記と同様に実施した後、凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂層２は保護フィルム７、８に挟まれたまま、真空チャンバー４から送り出されると同時に、保護フィルム７、８に配置された次の凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂層２が真空チャンバー４に送込まれ同様に処理されるのである。
かかる保護フィルム７、８を設けることにより、フィルム状樹脂層２の端部から含有成分が滲みだしても、保護フィルム７、８に付着させてを取り除くことができるので、良好な回路基板の形成のためにも有効である。
【００２４】
上記の積層作業は凹凸を有する基板１及びフィルム状樹脂層２を、カットされた２枚の保護フィルムで挟んで、１つずつ人手又はロボットにより搬送してもよいが、連続シート状の保護フィルム７、８を使用するのが好ましい。
上記保護フィルム７、８は、必要に応じて、使用後は巻物ロールで装置に供給され、使用後に巻取られて使用されることが好ましいが、必要に応じて、使用後に汚染部分を取り除き再利用することもできるし、又、汚染部分を取り除く付帯装置を設け、回転式に連続に供給して再利用することもできる。
また、上記積層装置を用いて基板１とフィルム状樹脂２を積層した後に、上記保護フィルム７、８を搬送用フィルムとして使用して、次工程、例えば、ラミネーターロールや平面プレス装置の更なる加圧処理工程や、ベーキング炉等の更なる加熱キュアリング処理工程に送り込んでも良い。
【００２５】
本発明の積層方法で使用される凹凸を有する基板１としては、特には限定しないが、銅等のパターンを施したプリント基板が好ましく、ピルドアップ積層に用いられる多積層基板でも良い。
【００２６】
本発明の積層方法で使用されるフィルム状樹脂層２は、樹脂組成物と、支持体フィルム（セパレーターフィルム）あるいは銅箔から構成されることが好ましい。
かかる樹脂組成物は、粘着性や接着性、ホットメルト性を持つものや、ガラス転移温度以上で軟化する樹脂であれば、特には制限されないが、特に絶縁材料である時に有用であり、かかる樹脂組成物としては、主にエポキシ樹脂からなる熱硬化型樹脂組成物、又は、樹脂、エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤からなる感光性樹脂組成物が挙げられる。
【００２７】
かかる支持体フィルム（セパレーターフィルム）としては、ポリエチレンテレフタレートフィルムや、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体ケン化物フィルム等が挙げられる。
銅箔としては特には限定しないがエッチングで溶解可能なものが好ましい。
【００２８】
かかるフィルム状樹脂層２の市販品としては、日立化成製のＢＦシリーズ、ＢＬシリーズ、ＡＳシリーズ、ＭＣＦシリーズ、シプレー製のＭＵＬＴＩＰＯＳＩＴ−９５００シリーズ、日本ペイント製のプロピコートシリーズ、チバスペシャリティ製のＰｌｏｂｅｌｅｃシリーズ、デュポン製のＶａｌｕｘシリーズ、太陽インク製のＰＶＩシリーズ、ＨＢＩシリーズ、旭電化製のＢＵＲシリーズ、味の素製のＡＢＦシリーズ、東京応化製のＳＢ−Ｒシリーズ、三井金属製のＭＲシリーズ、松下電工製のＲシリーズ、住友ベークライト製のＡＰＬシリーズ、ニッカン製のＣＡＤシリーズ、旭化成製のＰＣＣシリーズ、三菱ガス化学製のＣＢＲシリーズ、ＣＣＬシリーズ、ＧＭＰシリーズ等、特には限定しない。また、他の樹脂としても、ソルダーレジストマスクフィルム用樹脂、コンフォーマスクフィルム用樹脂、ドライフィルムフォトレジストフィルム用樹脂等にも有効であり特には限定しない。
【００２９】
尚、フィルム状樹脂層２の種類によっては、絶縁性の確保と安定性のために、本発明の積層方法を実施した後に、１００〜２００℃、２０〜１２０分の条件で、熱処理工程を施すこともあるが、かかる熱処理工程では、かかる実施にて発生したマイクロボイドが、破裂陥没したり膨れたりして、積層基板の表面の平滑性を益々悪化させるので、熱処理を行うには、マイクロボイドが皆無な状態で行う必要がある。
【００３０】
本発明の積層方法に用いる真空積層装置としては、前述したように図１、２に示すものであるが、これ以外にも可とう性シートで巻いたホットラミネートロールを真空チャンバー４に配置しラミネートする装置（図３）でも、可とう性シートで覆った扇状断面のホットラミネートロールを真空チャンバー４に配置しラミネートする装置（図４）でもよく、あるいは、これらの形状の組み合わせ、例えば、ホットラミネートロールに巻かれた可とう性シートと、平板膜状のラバーシートを真空チャンバー４内部に配置してラミネートする装置（図５）もあり、これらの装置についても本発明の積層方法を採用することは勿論可能である。
図３〜図５において、現実にはラミネートするために、ホットラミネートロールや、扇状断面のホットラミネーターロールを回転等の作動させる必要があるがその方法は特には限定しない。
【００３１】
かくして本発明の積層方法は、フィルム状樹脂層２の追従性がよく、更に積層体の表面平滑性に優れるので、多層回路基板を製造するためのビルドアップ工法に非常に有用な積層方法である。
尚、本発明の積層方法は、プリント基板以外の他用途にも、例えば、ＬＣＤ基板、ＰＤＰ基板の上に、粘着剤付偏光板や、粘着剤付位相差板、その他基材を貼り合わす時や、各種電子基板にダイシングテープを貼り合わす時やＩＣカードの製造時に、大変有効な手段である。
【００３２】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
実施例１
基板１（凹凸段差が３５μｍの回路基板）と、フィルム状樹脂層２〔エポキシ樹脂からなる熱硬化型樹脂組成物層（厚さ４５μｍ）とポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍの支持体フィルム）から構成される〕は真空装置に搬入前に、オートシートカットラミネーターで仮止めして仮積層体とした。
次に、図２に示す如き真空積層装置を用いて積層を実施した。
かかる装置において、使用した可とう性圧締装置５は、厚さ４ｍｍ、大きさが縦横７００ｍｍのシリコンゴムで、フィルム状樹脂層２と接する面やその反対の面のいずれも表面粗度Ｒｚが７０μｍで、ＨＤＤが７０であった。可とう性圧締装置６は大きさが縦横８００ｍｍである以外は可とう性圧締装置５と同様の仕様であった。
【００３３】
空間部３の温度を上部プラテン、下部プラテンにそれぞれ内蔵する面ヒーターでコントロールすることにより、８５℃に保ちながら、保護フィルム７と保護フィルム８の間に、上記仮積層体を挟み込み、しかる後に下部プラテン９を持ち上げ、上部プラテン１０とシール１３を介して密封契合した。
真空引き工程（１）
真空ポンプ（排気速度７００ｌ／分の水冷式）を３台並列に並べて、開口  部１４より排気して、排気スタートより５秒にて、空間部３の圧力を１８０（Ｐａ）とし、同時に開口部１５より排気して空隙部１２の圧力も１８０（Ｐａ）とした。更に真空度が達成されたからの５０秒間真空引きを継続し真空引きを行い、空間部３の圧力、空隙部１２の圧力を２（Ｐａ）にした。
ラミネートスラップダウン工程（２）
空間部３の圧力Ｘ（単位：Ｐａ）と空隙部１２の圧力Ｙ（単位：Ｐａ）の関係を、最初の２秒でＸを４００（Ｐａ）、Ｙを１０３３００（Ｐａ）にして、可とう性圧締装置６を下側に膨らませ、その後２０秒間、Ｘを１（Ｐａ）、  Ｙを１０３３００（Ｐａ）にして圧締した。
ラミネート増圧工程（３）
次に、更に、Ｘ＝１（Ｐａ）、Ｙ＝５１３３００（Ｐａ）にして圧締を４０  秒間行った。
その後開口部１４、１５を解放し、ＸとＹを大気圧にして、基板１とフィルム状樹脂２の積層を完了した。得られた積層体について追従性、マイクロボイド、  表面平滑性の評価を以下の要領で行った。
【００３４】
（追従性）
凹凸を有する基板１に対するフィルム状樹脂層２の追従性を５０倍顕微鏡で確認して以下のように評価した。
○・・・凹凸を有する基板１の凹部にフィルム状樹脂層２が完全に充填されている。
×・・・凹凸を有する基板１の凹部にフィルム状樹脂層２が完全には充填されておらず基板１の凹面に沿って細長い気泡が残る。
【００３５】
（マイクロボイド）
凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂層２の間にあるマイクロボイドを５０倍顕微鏡で確認して以下のように評価した。
○・・・凹凸を有する基板１の凹凸部とフィルム状樹脂２の間にマイクロボイドがない。
×・・・凹凸を有する基板１の凹凸部とフィルム状樹脂２の間にマイクロボイドがある。
【００３６】
（表面平滑性）
（１）フィルム状樹脂層２の表面平滑性を表面粗さ計（ミツトヨ社製『ｓｕｆｔｅｓｔ−２０１』）で測定し以下のように評価した。
○・・・フィルム状樹脂層２の表面の凹凸段差が１μｍ以下である。
×・・・フィルム状樹脂層２の表面の凹凸段差が１μｍを越える。
（２）積層体の垂直切断面を顕微鏡にて観察して以下のように評価した。
○・・・フィルム状樹脂層２の表面の凹凸段差が１μｍ以下である。
×・・・フィルム状樹脂層２の表面の凹凸段差が１μｍを越える。
【００３７】
実施例２
実施例１において、基板１とフィルム状樹脂層２の仮積層体を保護フィルム７、８を使用して積層装置に送り込み、同様に工程（１）〜（３）を実施して積層体を得て同様に評価した。
この場合フィルム状樹脂層２の端部より滲みだす樹脂成分は、可とう性圧締装置へ付着せず保護フィルム７、８により連続的に取り除けるため、凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂層２の積層操作を連続して行っても積層体を汚染することはなかった。
【００３８】
比較例１
実施例１において、真空引き工程（１）で排気スタートより３０秒かかって空間部３の圧力を１８０Ｐａにした以外は同様に行い、積層を実施して、実施例１と同様に評価した。
【００３９】
比較例２
実施例１において、空間部３の温度を３５℃にした以外は同様に積層を実施して同様に評価した。
【００４０】
比較例３
実施例１において、空間部３の温度を１９０℃にした以外は同様に積層を実施して同様に評価した。
【００４１】
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【００４２】
【発明の効果】
本発明の積層方法は、プラテンに付着させた可とう性圧締装置が配置された真空チャンバー４を具備する真空積層装置を用いて、凹凸を有する基板１に、フィルム状樹脂層２を積層するにあたり、真空チャンバー４内の上下の可とう性圧締装置５及び６の間に形成される空間部３を真空引きする時の空間部３の温度を４０〜１８５℃にしながら、真空引き開始時より２０秒以内に、空間部３の圧力を２００Ｐａ以下の真空状態とし、更に該真空引き工程（１）を実施した後、空間部３と上側の可とう性圧締装置６の上部プラテン１０側の空隙部１２の圧力差により、上側の可とう性圧締装置６を下方向に膨らませて凹凸を有する基板１とフィルム状樹脂層２を貼り合わせるラミネートスラップダウン工程（２）を行い、つづいて空隙部１２の圧力を高めるラミネート増圧工程（３）を実施して積層操作を行うので、フィルム状樹脂層２の追従性がよく、更に積層板の表面平滑性に優れ、多層回路基板を製造するためのビルドアップ工法に非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の積層方法に用いられる積層装置の主要部断面図
【図２】  本発明の積層方法に用いられる積層装置の保護フィルム７、８使用時の断面図
【図３】  本発明の積層方法に用いられる積層装置の圧締部の断面図
【図４】  本発明の積層方法に用いられる積層装置の圧締部の断面図
【図５】  本発明の積層方法に用いられる積層装置の圧締部の断面図
【符号の説明】
１・・・凹凸を有する基板
２・・・フィルム状樹脂層
３・・・上下の可とう性圧締装置５および６の間に形成される空間部
４・・・真空チャンバー
５・・・下側可とう性圧締装置
６・・・上側可とう性圧締装置
７・・・上側可とう性圧締装置の下側に配置される保護フィルム
８・・・下側可とう性圧締装置の上側に配置される保護フィルム
９・・・下部プラテン
１０・・・上部プラテン
１１・・・押さえシール金具
１２・・・可とう性圧締装置６の上部プラテン側１０の空隙部
１３・・・シール
１４・・・下部プラテン内を通過する開口部
１５・・・上部プラテン内を通過する開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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