(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池（２０）から負荷（５０）に流れる放電電流（ＩＬ  ）を、半導体スイッチである放電制御スイッチ（ＦＥＴ１）での電圧降下（ＶＦ１）によって監視して、前記電圧降下が所定の基準電圧（ＶＲＥＦ  ）より高くなったときに、過電流状態であると判断して前記放電制御スイッチの制御端子へ過電流検出信号を送出することにより前記放電制御スイッチをオフさせる二次電池の過電流検出回路（１０）において、
前記所定の基準電圧を発生する基準電圧発生手段（ＺＤ）と、
前記電圧降下を入力抵抗（ＲＩＮ）を介して入力電圧（ＶＩＮ）として入力する第１の入力端と、前記所定の基準電圧を入力する第２の入力端とを持ち、前記入力電圧と前記所定の基準電圧とを比較して、比較結果信号を出力するコンパレータ（１１）と、
前記比較結果信号に応答して前記過電流検出信号を出力する出力段（１２）と、
前記コンパレータの前記第１の入力端に一端が接続された抵抗（ＲＳ  ）と、
該抵抗の他端と接地端子との間に一対の主端子が接続されたスイッチング手段（Ｑ１）と、
前記過電流検出信号に応答して、前記放電制御スイッチがオフした後の所定のタイミングで制御信号（Ｓｃ  ）を前記スイッチング手段の制御端子に供給して前記スイッチング手段をオンさせる制御回路（１３）とを有することを特徴とする二次電池の過電流検出回路。
【請求項２】
前記放電制御スイッチが電界効果トランジスタである、請求項１に記載の二次電池の過電流検出回路。
【請求項３】
前記基準電圧発生手段がツェナーダイオードである、請求項１に記載の二次電池の過電流検出回路。
【請求項４】
前記スイッチング手段がバイポーラトランジスタである、請求項１に記載の二次電池の過電流検出回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、リチウムイオン電池のような、充電可能な電池（二次電池）を備えた電池ユニットに用いられ、二次電池の過電流を検出する過電流検出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
充電可能な電池（二次電池）のうち、特にリチウムイオン電池は、過放電、過充電に弱いため、過放電状態、過充電状態を検出する検出装置が不可欠である。また、この検出装置は、二次電池の放電中における過電流状態をも検出している。すなわち、検出装置は、過放電検出回路と過充電検出回路と過電流検出回路とを備えている。
【０００３】
図３を参照して、従来の検出装置を備えたリチウムイオン電池による電池ユニットについて説明する。電池ユニットは電池パックとも呼ばれる。図示の電池ユニットは、直列接続した２個のリチウムイオン電池（単位電池）２１、２２からなる二次電池２０を含む。単位電池の個数は１個あるいは３個以上でも良い。ここでは、接地端子の側から順番に単位電池２１、２２をそれぞれ第１及び第２の単位電池と呼ぶことにする。この二次電池２０に検出装置１０が並列に接続されている。検出装置１００は、第１及び第２の過放電検出回路３１、３２と、第１及び第２の過充電検出回路４１、４２と、過電流検出回路１０´とを有する。第１及び第２の過放電検出回路３１、３２と、第１及び第２の過充電検出回路４１、４２とは、それぞれ、第１及び第２の単位電池２１、２２に並列に接続されている。第１及び第２の単位電池２１、２２は、その電池電圧として、それぞれ、第１及び第２のセル電圧ＶＬ  、ＶＨ  を発生している。二次電池２０はバッテリ電圧ＶＢＡＴ  を発生している。
【０００４】
第１及び第２の過放電検出回路３１、３２の各々には、過放電検出用基準電圧が設定されている。第１及び第２の過放電検出回路３１、３２は、それぞれ、第１及び第２のセル電圧ＶＬ  、ＶＨ  と過放電検出用基準電圧とを比較し、セル電圧が過放電検出用基準電圧よりも低くなると過放電と判定して、論理ローレベルの第１及び第２の過放電検出信号を出力する。これら第１及び第２の過放電検出信号は、後述する過電流検出信号と共に、第１の論理積ゲートＧ１で論理積をとられた後、最終過放電／過電流検出信号として放電制御スイッチとして動作する第１の電界効果トランジスタＦＥＴ１に供給される。最終過放電／過電流検出信号に応答して、第１の電界効果トランジスタＦＥＴ１がオフし、端子Ｐ１，Ｐ２に接続された電子機器などの負荷５０との接続を断として放電を禁止する。なお、過放電検出用基準電圧は、例えば、満充電時におけるセル電圧の数十パーセント程度に設定される。過放電検出回路３１、３２と第１の電界効果トランジスタＦＥＴ１と第１の論理積ゲートＧ１との組み合わせは過放電防止装置として働く。
【０００５】
第１及び第２の過充電検出回路４１、４２の各々には、過充電検出用基準電圧が設定されている。第１及び第２の過充電検出回路４１、３２は、それぞれ、第１及び第２のセル電圧ＶＬ  、ＶＨ  と過充電検出用基準電圧とを比較し、セル電圧が過充電検出用基準電圧よりも高くなると過充電と判定して、論理ローレベルの第１及び第２の過充電検出信号を出力する。これら第１及び第２の過充電検出信号は第２の論理積ゲートＧ２で論理積がとられた後、最終過充電検出信号として充電制御スイッチとして動作する第２の電界効果トランジスタＦＥＴ２に供給される。最終過充電検出信号に応答して、第２の電界効果トランジスタＦＥＴ２がオフし、端子Ｐ１、Ｐ２に接続された充電装置（図示せず）との接続を断として充電を禁止する。過充電検出回路４１、４２と第２の電界効果トランジスタＦＥＴ２と第２の論理積ゲートＧ２との組み合わせは過充電検出防止装置として働く。
【０００６】
図４（Ａ）に、図２に示した装置の放電時における等価回路を示す。すなわち、半導体スイッチである放電制御スイッチＦＥＴ１および充電制御スイッチＦＥＴ２は、それらがオン状態の時に、等価的にそれぞれ第１及び第２の低抵抗ＲＦ１およびＲＦ２として表すことができる。これら第１及び第２の低抵抗ＲＦ１およびＲＦ２の各々の抵抗値は、負荷５０の抵抗値ＲＬ  より非常に低く、５０ｍΩ〜２００ｍΩの範囲である。
【０００７】
図３に戻って、過電流検出回路１０´は放電制御スイッチ（第１の電界効果トランジスタ）ＦＥＴ１の電圧降下ＶＦ１に基づいて等価的に負荷電流（放電電流）ＩＬ  を検出している。この第１の低抵抗ＲＦ１の電圧降下ＶＦ１を利用して、過電流検出回路１０´は負荷５０を流れる負荷電流ＩＬ  を監視している（ＩＬ  ＝ＶＦ１／ＲＦ１）。
【０００８】
図５に従来の過電流検出回路１０´の構成を示す。過電流検出回路１０´は入力抵抗ＲＩＮを介して電圧降下ＶＦ１を入力電圧として入力している。従来の過電流検出回路１０´は、過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  を発生するためのツェナーダイオードＺＤと、入力電圧ＶＩＮと過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  とを比較するコンパレータ１１と、出力段１２と、抵抗ＲＳ  ，Ｒ１，Ｒ２と、バイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２とから構成されている。入力抵抗ＲＩＮの一端は放電制御スイッチＦＥＴ１と充電制御スイッチＦＥＴ２との接続点に接続され、他端はコンパレータ１１の反転入力端（−）に接続されると共に、抵抗ＲＳ  およびバイポーラトランジスタＱ１を介して接地されている。コンパレータ１１の反転入力端（−）に供給される入力電圧をＶＩＮで示してある。一方、コンパレータ１１の非反転入力端（＋）には、抵抗Ｒ１を介してツェナーダイオードＺＤから過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  が供給される。コンパレータ１１の非反転入力端（＋）に供給される入力基準電圧をＶＩＮＲ  で示してある。コンパレータ１１の非反転入力端（＋）は、さらに、抵抗Ｒ２およびバイポーラトランジスタＱ２を介して接地されている。コンパレータ１１の出力端は出力段１２に接続されている。出力段１２はバイポーラトランジスタＱ１およびＱ２のベースに接続されている。
【０００９】
このような構成において、負荷電流ＩＬ  による放電制御スイッチＦＥＴ１の電圧降下ＶＦ１（＝ＲＦ１×ＩＬ  ）が過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  より高くなる（ＶＦ１＞ＶＲＥＦ  ）と、過電流検出回路１０´は過電流と判断して、コンパレータ１１の出力が反転（すなわち、論理ハイレベルから論理ローレベルへ遷移）し、出力段１２を介して放電を停止するための上記過電流検出信号Ｄｏｃを出力する。この過電流検出信号Ｄｏｃは、第１の論理積ゲートＧ１へ送出される。これにより、放電制御スイッチＦＥＴ１（図２）がオフし、端子Ｐ１，Ｐ２に接続された負荷５０との接続を断として放電を禁止し、二次電池２０を保護している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の過電流検出回路１０´では、上述した保護動作を解除するには、端子Ｐ１，Ｐ２（電池パックの両端）間のインピーダンスを、一旦、高く（数ＭΩ〜数十ＭΩ）する必要がある。換言すれば、電池パックを、一度、電子機器から取り外して、再度、電池パックを電子機器にセットし直さなければならない。
【００１１】
このことについて、図４（Ｂ）および図５を参照して詳細に説明する。放電制御スイッチＦＥＴ１をオフして二次電池５０の放電を停止させた場合、放電制御スイッチＦＥＴ１は、図４（Ｂ）に示すように、等価的に接地端子ＧＮＤから負荷５０へ順方向に接続されたダイオードＤとみなすことができる。したがって、前述したように、二次電池２０の放電時の放電制御スイッチＦＥＴ１は、低抵抗ＲＦ１（ＲＦ１＜＜ＲＬ  ）であるが、二次電池２０の放電停止時は、放電制御スイッチＦＥＴ１はハイインピーダンスとなる。すなわち、ダイオードＤの逆方向抵抗Ｒｏｆｆ  は負荷抵抗ＲＬ  に比較して非常に高くなる（Ｒｏｆｆ  ＞＞ＲＬ  ）。
【００１２】
一方、従来の過電流検出回路１０´では、ＶＦ１＞ＶＲＥＦ  となった時点で放電制御スイッチＦＥＴ１をオフすると共に、出力段１２から論理ハイレベルの第１の制御信号Ｓｃ１をバイポーラトランジスタＱ１のベースへ供給してバイポーラトランジスタＱ１をオンとしている。これは、負荷５０が端子Ｐ１，Ｐ２から外されたか否かを検出するためである。すなわち、バイポーラトランジスタＱ１をオンとすることにより、端子Ｐ２から、入力抵抗ＲＩＮおよび抵抗ＲＳ  を介して接地端子ＧＮＤに至る電流パスを形成している。
【００１３】
さて、負荷抵抗ＲＬ  をもつ負荷５０が端子Ｐ１，Ｐ２間に接続されている場合、放電制御スイッチＦＥＴ１のソース−ドレイン間電圧ＶＦ１は下記の数式１で表される。
【００１４】
【数１】
0003622806.tif 000002
負荷抵抗ＲＬ  および充電制御スイッチＦＥＴ２の低抵抗ＲＦ２が、入力抵抗ＲＩＮおよび抵抗ＲＳ  より非常に低いとき、すなわち、ＲＬ  ＜＜ＲＩＮ，ＲＬ  ＜＜ＲＳ  でかつＲＦ２＜＜ＲＩＮ，ＲＦ２＜＜ＲＳ  のとき、上記数式１は下記の数式２のように近似できる。
【００１５】
【数２】
0003622806.tif 000003
この状態において、電池パックを負荷５０から取り外すと、換言すれば、負荷５０を端子Ｐ１，Ｐ２から外すと、上記放電制御スイッチＦＥＴ１のソース−ドレイン間電圧ＶＦ１は、下記の数式３で示すようにほぼ零になる。
【００１６】
【数３】
0003622806.tif 000004
したがって、過電流検出回路１０´の出力は再び反転（すなわち、論理ローレベルから論理ハイレベルへ遷移）し、出力段１２からは過電流検出信号Ｄｏｃが出力されない（過電流検出信号Ｄｏｃが論理ハイレベルとなる）ので、放電制御スイッチＦＥＴ１がオンとなる。と同時に、出力段１２から論理ローレベルの第１の制御信号Ｓｃ１が出力されて、バイポーラトランジスタＱ１はオフとされる。この後、本電池パックを電子機器（負荷５０）にセット、換言すれば、負荷５０を端子Ｐ１，Ｐ２に接続すれば良い。このように、過電流検出回路１０´の保護動作を解除するためには、電池ユニット（電池パック）を電子機器（負荷５０）に対して抜き差しする必要がある。
【００１７】
また、第１及び第２の低抵抗ＲＦ１およびＲＦ２による電圧降下は、電子機器側から見ると電圧損失として働くので、第１及び第２の低抵抗ＲＦ１およびＲＦ２としてはできるだけ低抵抗のものが要求される。従って、通常の使用条件下では、第１の低抵抗ＲＦ１での電圧降下は低い為、過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  は１００ｍＶ〜２００ｍＶ程度に設定されている。
【００１８】
過電流検出回路１０´の動作として、放電制御スイッチＦＥＴ１がオフになる前にバイポーラトランジスタＱ１をオンとしている。従って、過電流検出前では、入力電圧ＶＩＮは放電制御スイッチＦＥＴ１での電圧降下ＶＦ１に等しい。すなわち、下記の数式４が成り立つ。
【００１９】
【数４】
0003622806.tif 000005
これに対して、バイポーラトランジスタＱ１がオン後では、入力電圧ＶＩＮは、下記の数式５で表される。
【００２０】
【数５】
0003622806.tif 000006
過電流検出回路１０´の動作を安定化させるために、過電流検出回路１０´では、バイポーラトランジスタＱ１をオンとすると同時にバイポーラトランジスタＱ２もオンとしている。これにより、入力基準電圧ＶＩＮＲ  のレベルも下記の数式６
【数６】
0003622806.tif 000007
で表されるようにして、常に、下記の数式７
【数７】
0003622806.tif 000008
の関係が維持できるようにしている。従って、従来の過電流検出回路１０´では、入力抵抗ＲＩＮの抵抗値は、抵抗ＲＳ  の抵抗値に依存することになる。
【００２１】
さらに、過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  を低く設定した場合（例えば、５０ｍＶ）には、バイポーラトランジスタＱ２の飽和電圧が問題となる。すなわち、バイポーラトランジスタＱ２の飽和電圧（コレクタ−エミッタ間電圧）をＶＣＥＱ２とすると、上記数式６は実際には下記の数式８で表される。
【００２２】
【数８】
0003622806.tif 000009
換言すれば、過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  がバイポーラトランジスタＱ２のコレクタ−エミッタ間電圧ＶＣＥＱ２より非常に高い場合（ＶＲＥＦ  ＞＞ＶＣＥＱ２）に限り、上記数式６が成立する。
【００２３】
本発明の課題は、二次電池の保護動作の解除を、電池ユニット（電池パック）の電子機器に対する抜き差しではなく、電子機器の電源の再投入または電子機器のリセットによって再度使用可能にした、二次電池の過電流検出回路を提供することにある。
【００２４】
本発明の他の課題は、入力抵抗の抵抗値に制約がない、二次電池の過電流検出回路を提供することにある。
【００２５】
本発明のさらに他の課題は、動作が安定な、二次電池の過電流検出回路を提供することにある。
【００２６】
本発明のもっと他の課題は、過電流検出用基準電圧を低く設定しても動作可能な、二次電池の過電流検出回路を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、二次電池から負荷に流れる放電電流を、半導体スイッチである放電制御スイッチでの電圧降下によって監視して、電圧降下が所定の基準電圧より高くなったときに、過電流状態であると判断して放電制御スイッチの制御端子へ過電流検出信号を送出することにより放電制御スイッチをオフさせる二次電池の過電流検出回路において、所定の基準電圧を発生する基準電圧発生手段と；電圧降下を入力抵抗を介して入力電圧として入力する第１の入力端と、所定の基準電圧を入力する第２の入力端とを持ち、入力電圧と所定の基準電圧とを比較して、比較結果信号を出力するコンパレータと；比較結果信号に応答して過電流検出信号を出力する出力段と；コンパレータの第１の入力端に一端が接続された抵抗と；この抵抗の他端と接地端子との間に一対の主端子が接続されたスイッチング手段）と；過電流検出信号に応答して、放電制御スイッチがオフした後の所定のタイミングで制御信号をスイッチング手段の制御端子に供給してスイッチング手段をオンさせる制御回路とを有することを特徴とする二次電池の過電流検出回路が得られる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態による二次電池の過電流検出回路について説明する。
【００２９】
図１を参照すると、本実施形態による過電流検出回路１０は、過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  を発生するためのツェナーダイオードＺＤと、コンパレータ１１と、出力段１２と、制御回路１３と、抵抗ＲＳ  と、バイポーラトランジスタＱ１とから構成されている。すなわち、過電流検出回路１０は、従来の過電流検出回路１０´中の抵抗Ｒ１，Ｒ２およびバイポーラトランジスタＱ２を削除し、その代わりに制御回路１３を備えている。
【００３０】
ツェナーダイオードＺＤから発生された過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  が、直接、コンパレータ１１の非反転入力端（＋）に供給されている。出力段１２から出力される過電流検出信号Ｄｏｃは第１の論理積ゲートＧ１ばかりでなく、制御回路１３にも供給されている。過電流検出信号に応答して、制御回路１３は後述するようにトランジスタＱ１のオン／オフを制御するための制御信号Ｓｃ  をバイポーラトランジスタＱ１のベースへ送出する。
【００３１】
次に、図２に示すタイムチャートをも参照して、図１に示した過電流検出回路１０の動作について説明する。
【００３２】
何等かの原因により、負荷電流（放電電流）ＩＬ  が大量に流れ、放電制御スイッチＦＥＴ１の電圧降下ＶＦ１（＝ＲＦ１×ＩＬ  ）が、第１の時点ｔ１  で、過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  より高くなった（ＶＦ１＞ＶＲＥＦ  ）とする。すると、過電流検出回路１０は過電流と判断して、コンパレータ１１の出力が反転（すなわち、論理ハイレベルから論理ローレベルへ遷移）し、出力段１２を介して放電を停止するための過電流検出信号Ｄｏｃを出力する。この過電流検出信号Ｄｏｃは、第１の論理積ゲートＧ１を介して放電制御スイッチＦＥＴ１へ送出されると共に、制御回路１３へも送出される。ここで、過電流検出信号Ｄｏｃは、図２のＤｏｃで示すように、その出力電圧はハイレベルからローレベルへと徐々に低下する。過電流検出信号Ｄｏｃの出力電圧の傾きは容量性負荷と出力電流によって決定される。過電流検出信号Ｄｏｃの出力電圧がゲートオン電圧に達したとき、すなわち、第１の時点ｔ１  から第１の遅延時間ΔτＦ  経過後に、放電制御スイッチＦＥＴ１はオフとなる。これにより、端子Ｐ１，Ｐ２に接続された負荷５０との接続を断として放電を禁止し、二次電池２０を保護する。
【００３３】
一方、制御回路１３は、過電流検出信号Ｄｏｃの出力電圧が立ち下がる第１の時点ｔ１  から、上記第１の遅延時間ΔτＦ  よりも長い第２の遅延時間ΔτＱ  経過した第２の時点ｔ２  で、バイポーラトランジスタＱ１をオンとするための制御信号Ｓｃ  をバイポーラトランジスタＱ１のベースに供給する。この制御信号Ｓｃ  に応答して、バイポーラトランジスタＱ１がオン状態となる。このような制御回路１３は、過電流検出信号Ｄｏｃの出力電圧がゲートオン電圧よりも低い所定の電圧になった時点を検出する回路により容易に実現することができる。これにより、放電制御スイッチＦＥＴ１のバラツキや出力の能力に関係なく、確実にタイミング差を作ることができる。
【００３４】
これに対して、従来の過電流検出回路１０´では、図２の点線で示すように、放電制御スイッチＦＥＴ１がオフする前の第１の時点ｔ１  で、バイポーラトランジスタＱ１をオンさせていた。
【００３５】
このように、本発明では、バイポーラトランジスタＱ１をオンとするタイミングを、放電制御スイッチＦＥＴ１がオフとなった後となるように、制御回路１３により制御している。換言すれば、放電制御スイッチＦＥＴ１の抵抗が、第１の低抵抗ＲＦ１からハイインピーダンス（すなわち、ダイオードＤの逆方向抵抗）Ｒｏｆｆ  になった後で、コンパレータ１１の反転入力端（−）に供給される入力電圧ＶＩＮのレベルを下記の数式９
【数９】
0003622806.tif 000010
で示されるように変えている。このとき、放電制御スイッチＦＥＴ１での電圧降下（電位）ＶＦ１は、放電制御スイッチＦＥＴ１の抵抗値が無限大である（Ｒｏｆｆ  ＝∞）と見做せるので、下記の数式１０で表される。
【００３６】
【数１０】
0003622806.tif 000011
ここで、負荷抵抗ＲＬ  および充電制御スイッチＦＥＴ２の第２の低抵抗ＲＦ２は、抵抗ＲとＳ  と入力抵抗ＲＩＮとの合成抵抗（ＲＳ  ＋ＲＩＮ）に比較して非常に低い（ＲＬ  ＜＜（ＲＳ  ＋ＲＩＮ），ＲＦ２＜＜（ＲＳ  ＋ＲＩＮ））ので、放電制御スイッチＦＥＴ１での電位ＶＦ１は、ほぼバッテリ電圧ＶＢＡＴ  に等しい。すなわち、下記の数式１１が成り立つ。
【００３７】
【数１１】
0003622806.tif 000012
また、このときの放電制御スイッチＦＥＴ１での電位ＶＦ１は過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  より非常に高くなる（ＶＦ１＞＞ＶＲＥＦ  ）ので、従来のように、コンパレータ１１の非反転入力端（＋）に供給する入力基準電圧ＶＩＮＲ  を保護動作前と保護動作後とで変えることなく、常に、過電流検出回路１０の動作を安定化させることができる。
【００３８】
次に、過電流検出回路１０を二次電池２０の保護動作状態から復帰させるための条件について考える。一般に、過電流検出回路１０を復帰させる為には、コンパレータ１１の非反転入力端（＋）に供給すべき入力基準電圧ＶＩＮＲ  が下記の数式１２を満足する必要がある。
【００３９】
【数１２】
0003622806.tif 000013
この条件を満足させる関係式は、従来の過電流検出回路１０´では上記数式８で表されるのに対して、本実施の形態の過電流検出回路１０では、下記の数式１３で表される。
【００４０】
【数１３】
0003622806.tif 000014
過電流検出回路１０では、電池ユニット（電池パック）を電子機器（負荷５０）に対して抜き差しすることなく、電子機器の電源を再投入または電子機器をリセットするによって、二次電池２０の保護動作を解除でき、過電流検出回路１０を再度使用することが可能である。また、過電流検出回路１０においては、入力抵抗ＲＩＮの抵抗値に制約がなく、過電流検出用基準電圧ＶＲＥＦ  を低く設定しても動作可能である。
【００４１】
本発明は上述した実施例に限定せず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更・変形が可能である。たとえば、本発明は、リチウムイオン電池に限らず、過電流からの保護を必要とする二次電池全般に適用可能であることはいうまでもない。
【００４２】
【発明の効果】
本発明による二次電池の過電流検出回路は、放電制御スイッチをオフとした後に、コンパレータの入力電圧を所定の電圧に設定するためのスイッチング手段をオンするように制御しているので、二次電池の保護動作の解除を、電池ユニット（電池パック）の電子機器に対する抜き差しではなく、電子機器の電源の再投入または電子機器のリセットによって再度使用可能にすることができる。また、コンパレータの入力端に供給する入力基準電圧を保護動作前と保護動作後とで変えることなく、常に、過電流検出回路の動作を安定化させることができる。さらに、入力抵抗の抵抗値に制約がなく、基準電圧を低く設定しても動作可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による二次電池の過電流検出回路の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示された過電流検出回路の動作の一例を示すタイムチャートである。
【図３】従来の過電流検出回路を含む検出装置を備えたリチウムイオン電池による電池ユニットの構成を示すブロック図である。
【図４】図３に示した装置の等価回路を示す図で、（Ａ）は放電時における等価回路を示し、（Ｂ）は放電停止時における等価回路を示す。
【図５】図３に示した従来の過電流検出回路の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１０    過電流検出回路
１１    コンパレータ
１２    出力段
１３    制御回路
ＺＤ    ツェナーダイオード
Ｑ１    バイポーラトランジスタ
ＲＳ      抵抗
ＲＩＮ    入力抵抗
ＲＦ１    放電制御スイッチＦＥＴ１のオン時の低抵抗
ＲＦ２    充電制御スイッチＦＥＴ２のオン時の低抵抗
５０    負荷
【図１】
0003622806.tif 000015
【図２】
0003622806.tif 000016
【図３】
0003622806.tif 000017
【図４】
0003622806.tif 000018
【図５】
0003622806.tif 000019