(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２ポートの非可逆回路素子において、
第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の第１主面に設けられ、接地側端部が前記第２主面に延在している第１中心電極と、
前記絶縁性基板の第２主面に設けられた第２中心電極と、
永久磁石と、
前記絶縁性基板の第２主面側に配設され、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記絶縁性基板と前記第１中心電極と前記第２中心電極と前記永久磁石と前記フェライトとを収容する金属ケースと、
前記絶縁性基板の第２主面に設けられた前記第１中心電極の接地側端部と前記金属ケースとの間に形成された隙間に配置された、前記第１中心電極の接地側端部と前記金属ケースを電気的に接続する第１接続導体と、
前記絶縁性基板の第２主面に設けられた前記第２中心電極の接地側端部と前記金属ケースとの間に形成された隙間に配置された、前記第２中心電極の接地側端部と前記金属ケースを電気的に接続する第２接続導体と、
を備えたことを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記第１接続導体がチップ部品の第１外部電極であり、前記第２接続導体が前記チップ部品の第２外部電極であることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記チップ部品がチップコンデンサ、チップインダクタ及びチップ抵抗のいずれか一つであることを特徴をする請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記第１接続導体が第１金属片であり、前記第２接続導体が第２金属片であることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記第１金属片の厚み寸法と前記第２金属片の厚み寸法が略同じであることを特徴とする請求項４に記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記第１中心電極に第１の整合用コンデンサ素子が少なくとも一つ電気的に接続され、かつ、前記第２中心電極に第２の整合用コンデンサ素子が少なくとも一つ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記第１の整合用コンデンサ素子及び前記第２の整合用コンデンサ素子が、前記絶縁性基板の第２主面側に配設され、前記第１の整合用コンデンサ素子のホット側コンデンサ電極が、前記絶縁性基板に設けたスルーホールを介して、前記絶縁性基板の第１主面に設けた第１中心電極に電気的に接続していることを特徴とする請求項６に記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子及び通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、２ポートのアイソレータ（非可逆回路素子）として、図１１に示すものが知られている。このアイソレータ２１０は、永久磁石２１３と中心電極組立体２２０と素子搭載用基板２１４と抵抗素子Ｒと整合用コンデンサ素子Ｃ１０，Ｃ１１と上側金属ケース２１１と下側金属ケース２１２等から形成されている。図１２に示すように、中心電極組立体２２０は、スクリーン印刷により中心電極２２１，２２２を形成したフェライトシート２２４を積層して圧着後、焼成して得る。中心電極２２１と中心電極２２２のそれぞれの一端は、フェライトシート２２４を積層して得たフェライト２２５の側面に形成された電極パターン２２６によって電気的に接続している。抵抗素子Ｒの端子電極及び整合用コンデンサ素子Ｃ１０，Ｃ１１の端子電極は、素子搭載用基板２１４に形成された電極パターン２１５〜２１７に電気的に接続している。電極パターン２１５は入力端子とされ、電極パターン２１６は出力端子とされる。電極パターン２１７は下側金属ケース２１２に電気的に接続し、アースとして機能する。図１３に、このアイソレータ２１０の電気等価回路図を示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のアイソレータ２１０の中心電極組立体２２０は、中心電極２２１，２２２を形成したフェライトシート２２４を積層するので、積層ずれによる中心電極２２１，２２２の交差角度や交差位置のばらつきが発生し易かった。また、スクリーン印刷により形成された中心電極２２１，２２２の焼成工程における収縮率の変動により、焼成後における中心電極２２１，２２２の寸法のばらつきが大きく、アイソレータ２１０の電気的特性がばらつき易いという問題があった。
【０００４】
また、従来のアイソレータ２１０は、二つの中心電極２２１，２２２のアースの等電位性を高め、アイソレータ２１０の回路の対称性を高めることにより、高電気性能が得られると考え、二つの中心電極２２１，２２２のコールドエンド同士を電極パターン２２６にて導通していた。しかし、アイソレータ２１０が動作する数百ＭＨｚ以上の周波数帯において、電極パターン２２６や該電極パターン２２６に接続する電極パターン２１７は、インダクタ素子として機能するので、二つの中心電極２２１，２２２のコールドエンドは、完全なグランド電位にならない。このため、電極パターン２２６を介して、中心電極２２１と中心電極２２２との間を伝送する不要な信号が発生する。この不要な信号によって、動作周波数帯における順方向（入力端子から出力端子への方向）と逆方向（出力端子から入力端子への方向）の通過特性の位相差が、理想値の１８０度から大幅にずれてしまうので、所望の電気特性を得ることができなかった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、高性能の電気的特性を有する非可逆回路素子及び通信装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】
前記目的を達成するため、本発明に係る非可逆回路素子は、
（ａ）２ポートの非可逆回路素子において、
（ｂ）第１主面と前記第１主面に対向する第２主面とを有する絶縁性基板と、
（ｃ）前記絶縁性基板の第１主面に設けられ、接地側端部が前記第２主面に延在している第１中心電極と、
（ｄ）前記絶縁性基板の第２主面に設けられた第２中心電極と、
（ｅ）永久磁石と、
（ｆ）前記絶縁性基板の第２主面側に配設され、前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
（ｇ）前記絶縁性基板と前記第１中心電極と前記第２中心電極と前記永久磁石と前記フェライトとを収容する金属ケースと、
（ｈ）前記絶縁性基板の第２主面に設けられた前記第１中心電極の接地側端部と前記金属ケースとの間に形成された隙間に配置された、前記第１中心電極の接地側端部と前記金属ケースを電気的に接続する第１接続導体と、
（ｉ）前記絶縁性基板の第２主面に設けられた前記第２中心電極の接地側端部と前記金属ケースとの間に形成された隙間に配置された、前記第２中心電極の接地側端部と前記金属ケースを電気的に接続する第２接続導体と、
を備えたことを特徴とする。
【０００７】
以上の構成により、第１中心電極の一端が第１接続導体を介して金属ケースに接続し、かつ、第２中心電極の一端が第２接続導体を介して金属ケースに接続しているので、第１中心電極と第２中心電極との間には不要な信号が伝送しにくくなる。
【０００８】
また、絶縁性基板の第１主面に第１中心電極を形成し、第２主面に第２中心電極を形成しているので、第１中心電極と第２中心電極の交差角度や交差位置の精度が向上する。
【０００９】
また、第１接続導体がチップ部品の第１外部電極であり、第２接続導体がチップ部品の第２外部電極であることが好ましい。これにより、一つのチップ部品で実装することができるので、非可逆回路素子の組み立てが容易になる。
【００１０】
また、チップ部品がチップコンデンサ、チップインダクタ及びチップ抵抗のいずれか一つであることが好ましい。これにより、市販のチップ部品を用いることができ、非可逆回路素子の製造コストが安価になる。
【００１１】
また、第１接続導体が第１金属片であり、第２接続導体が第２金属片であることが好ましい。これにより、第１金属片及び第２金属片の形状を柔軟に設定することができるので、非可逆回路素子の設計の柔軟性が向上する。
【００１２】
また、第１金属片の厚み寸法と第２金属片の厚み寸法が略同じであることが好ましい。これにより、絶縁性基板と金属ケースが略平行に配置される。
【００１３】
また、第１中心電極の他端に第１の整合用コンデンサ素子が少なくとも一つ接続され、かつ、第２中心電極の他端に第２の整合用コンデンサ素子が少なくとも一つ接続されていることが好ましい。これにより、非可逆回路素子のインピーダンスの調節性が向上する。
【００１４】
また、第１の整合用コンデンサ素子及び第２の整合用コンデンサ素子が、絶縁性基板の第２主面側に配設され、第１の整合用コンデンサ素子のホット側コンデンサ電極が、絶縁性基板に設けたスルーホールを介して、絶縁性基板の第１主面に設けた第１中心電極に電気的に接続していることが好ましい。これにより、スルーホールに接合用はんだを充填することができるので、第１中心電極や第２中心電極と整合用コンデンサ素子の接合強度が向上する。
【００１５】
また、本発明に係る通信装置は上述の非可逆回路素子を備えているので、電気的特性が向上した通信装置が安価に得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る非可逆回路素子及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。なお、各実施形態において、同一部品及び同一部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。
【００１７】
［第１実施形態、図１〜図６］
本発明に係る集中定数型アイソレータ（非可逆回路素子）の一実施形態の分解斜視図を図１に示す。図２はアイソレータ１の内部平面図、図３は垂直断面図、図４は外観斜視図である。アイソレータ１は、概略、永久磁石９と絶縁性基板１０と略直方体形状のフェライト２０と整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ４と抵抗素子Ｒとチップ部品３０と樹脂製端子ケース３と金属製上側ケース４と金属製下側ケース８とからなる。
【００１８】
金属製下側ケース８は、左右の側壁８ｂと底部８ａを有している。この金属製下側ケース８は、インサートモールド法によって、樹脂製端子ケース３と一体成形されている。金属製下側ケース８の底部８ａの対向する一対の辺からは、それぞれ二本のアース端子１６が底部８ａから延在している。また、金属製上側ケース４は、平面視矩形状であり、上部４ａと左右の側壁４ｂを有している。
【００１９】
金属製上側ケース４及び金属製下側ケース８は、鉄等の透磁率の高い材料を主成分とする薄板（代表厚み：０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ）を打ち抜き、曲げ加工をした後、下地として銅めっき（代表膜厚：０．５μｍ〜２μｍ）を施し、さらに銀めっき（代表膜厚：１μｍ〜５μｍ）を施して得る。これらのめっきの膜厚は通過帯域の中心周波数での表皮深さを考慮して設定される。
【００２０】
樹脂製端子ケース３は、底部３ａと二つの側部３ｂを有している。この底部３ａには概ね矩形状の開口部３ｃが形成されており、開口部３ｃの内側面からチップ部品３０を位置決めするための突起部が二つ形成されている（図２及び図３参照）。開口部３ｃに隣接する位置に矩形状の窓部３ｄが二つ形成されており、二つの窓部３ｄの間には抵抗素子Ｒを収容するための凹部３ｅが形成されている。開口部３ｃには金属製下側ケース８の底部８ａが露出している。この開口部３ｃから露出している底部８ａは、アース引出電極８ａとしても機能する。樹脂製端子ケース３には、入力端子１４（図２参照）及び出力端子１５がインサートモールドされている。入力端子１４及び出力端子１５は、それぞれ一端が樹脂製端子ケース３の外側面に露出し、他端が樹脂製端子ケース３の窓部３ｄ，３ｄに露出して入力引出電極１４ａ、出力引出電極１５ａとされる。
【００２１】
永久磁石９は、略直方体形状を有する。この永久磁石９は、あらかじめ着磁されているものをアイソレータ１に組み込んでもよいし、着磁されていない状態でアイソレータ１に組み込み、その後に着磁してもよい。
【００２２】
絶縁性基板１０は、表面１０ａに中心電極２２が印刷法や導電性材料（例えば、銅）によるめっき後エッチングする方法等によりパターン形成されている。この中心電極２２の一方の端部は、スルーホール１１を介して裏面１０ｂに延在してポート電極Ｐ２とされている。中心電極２２の他方の端部は、絶縁性基板１０の端面を廻り込んで裏面１０ｂに延在してコールドエンド２２ａとされる。裏面１０ｂには中心電極２１が形成されている。中心電極２１の一方の端部はポート電極Ｐ１とされ、他方の端部はコールドエンド２１ａとされる。ポート電極Ｐ１には、スルーホール１１が形成されている。中心電極２１と中心電極２２は、絶縁性基板１０の平面視において、略９０度で交差している。絶縁性基板１０は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂と、紙、ガラスクロス等の基材からなる。
【００２３】
この絶縁性基板１０は、例えば、以下のようにして量産される。マザー基板の表面及び裏面に電極パターンを多数配列するとともに、該マザー基板の表裏面に形成した電極パターンの導通を図るためのスルーホール１１を形成する。そして、マザー基板を所定のサイズに、ダイシング（切断）して複数の絶縁性基板１０を得る。この絶縁性基板１０は、マザー基板にスルーホール１１を形成した後にダイシングしているので、ダイシングした後の絶縁性基板１０に個別的にスルーホール１１を形成する工程が不要となる。従って、スルーホール１１の加工性が向上し、アイソレータ１のコストを安価にすることができる。
【００２４】
チップ部品３０はチップコンデンサであり、その外形寸法は、例えば、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ×１．０ｍｍや０．３ｍｍ×０．３ｍｍ×０．６ｍｍの側面が正方形の直方体のものが採用される。ただし、チップ部品３０はコンデンサ素子としての機能を利用するものではなく、単に、その外部電極３１，３２を、中心電極２１，２２のコールドエンド２１ａ，２２ａと金属製下側ケース８を電気的に接続する接続導体として利用するものである。チップ部品３０の長手方向の両側面（形状が正方形）及びその面に接する四つ側面（形状が長方形）の一部に外部電極３１，３２が形成されている。外部電極３１と外部電極３２はチップ部品３０の一部であるので、外部電極３１と外部電極３２はショートしない。また、チップ部品３０を小型化することができるので、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ４等を大容量化することができ、アイソレータ１の動作周波数帯を広げることができる。外部電極３１，３２は環境汚染防止の観点から非鉛系の材料を採用することが好ましい。
【００２５】
チップ部品３０は、長手方向以外については方向性がないので、チップ部品３０を搭載する際に、画像処理等を用いてチップ部品３０の向きを確認する工程を簡略化することができる。また、汎用品であるチップ部品３０をアイソレータ１に搭載する技術も確立しているので、アイソレータ１の製造コストを安価にすることができる。また、チップコンデンサは、一般汎用部品であり、広く流通しているので、安価に入手することができ、アイソレータ１の構成部品を安価にすることができる。
【００２６】
整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ４は、上下面にコンデンサ電極を配設している。アイソレータ１の電気的特性によっては、整合用コンデンサ素子Ｃ１，Ｃ２を省略してもよい。この場合、絶縁性基板１０に形成されたポート電極Ｐ１は入力引出電極１４ａに接続し、ポート電極Ｐ２は出力引出電極１５ａに接続する。
【００２７】
抵抗素子Ｒは、絶縁性基板の両端部に厚膜印刷等で端子電極を形成し、その間に抵抗体を配設している。
【００２８】
以上の構成部品は、以下のようにして組み立てられる。図２に示すように、整合用コンデンサ素子Ｃ３，Ｃ４やフェライト２０やチップ部品３０を樹脂製端子ケース３の開口部３ｃに収容し、抵抗素子Ｒを凹部３ｅに収容し、整合用コンデンサ素子Ｃ１，Ｃ２を窓部３ｄに収容する。
【００２９】
このとき、チップ部品３０の外部電極３１，３２と整合用コンデンサ素子Ｃ３，Ｃ４の下面側（コールド側）コンデンサ電極は、樹脂製端子ケース３の開口部３ｃに露出しているアース引出電極８ａにそれぞれ接続される。整合用コンデンサ素子Ｃ１の下面側コンデンサ電極は、樹脂製端子ケース３の窓部３ｄに露出している入力引出電極１４ａに接続される。整合用コンデンサ素子Ｃ２の下面側コンデンサ電極は、樹脂製端子ケース３の窓部３ｄに露出している出力引出電極１５ａに接続される。
【００３０】
次に、絶縁性基板１０を樹脂製端子ケース３内に収容する。このとき、絶縁性基板１０の平面視において、中心電極２１と中心電極２２とが交差している位置にフェライト２０が配置される。また、絶縁性基板１０の裏面１０ｂに形成されている中心電極２１のポート電極Ｐ１は整合用コンデンサ素子Ｃ１の上面側コンデンサ電極と整合用コンデンサ素子Ｃ３の上面側（ホット側）コンデンサ電極と抵抗素子Ｒの一方の端子電極に接続される。中心電極２２のポート電極Ｐ２は整合用コンデンサ素子Ｃ２の上面側コンデンサ電極と整合用コンデンサ素子Ｃ４の上面側（ホット側）コンデンサ電極と抵抗素子Ｒの他方の端子電極に接続される。中心電極２１のコールドエンド２１ａはチップ部品３０の外部電極３１に接続し、中心電極２２のコールドエンド２２ａはチップ部品３０の外部電極３２に接続する。また、絶縁性基板１０はアース引出電極８ａとの間にフェライト２０の厚み分の隙間を有し、その隙間の間にチップ部品３０が配置される。
【００３１】
さらに、その上から金属製上側ケース４を装着する。金属製上側ケース４の上部４ａの下側には永久磁石９が配置されている。これにより、永久磁石９は、絶縁性基板１０の上方に配置され、絶縁性基板１０の下方に配置されているフェライト２０に直流磁界を印加する。金属製下側ケース８の側壁８ｂと金属製上側ケース４の側壁４ｂは、電気的に接続して金属ケースをなし、磁気回路を構成しており、ヨークとしても機能している。
【００３２】
素子Ｃ１〜Ｃ４，Ｒの電極及びチップ部品３０の外部電極３１，３２と電極８ａ，１４ａ，１５ａの接続や金属製上側ケース４と金属製下側ケース８の接続には、はんだリフロー等の方法が用いられる。絶縁性基板１０のスルーホール１１の位置には、整合用コンデンサ素子Ｃ１，Ｃ２の上面側コンデンサ電極が配置しているので、整合用コンデンサ素子Ｃ１，Ｃ２に余分に付着した接合用はんだは、表面張力によってスルーホール１１内に吸収され、他の電極とのショート不良を改善することができる。また、スルーホール１１内に充填される接合用はんだの量を見越して、少し多めにすることができる。つまり、接合用はんだの適切量の許容範囲が広がり、ポート電極Ｐ１，Ｐ２と整合用コンデンサ素子Ｃ１，Ｃ２の上面側コンデンサ電極とのはんだ接合不良を改善することができる。また、接合用はんだの一部がスルーホール１１内に充填するので、スルーホール１１内の接合用はんだがアンカーとして作用し、絶縁性基板１０と整合用コンデンサ素子Ｃ１，Ｃ２の接合強度が向上する。これにより、はんだ接合面積が小さくても十分なはんだ接合強度が得られ、信頼性の高いアイソレータ１を得ることができる。また、整合用コンデンサ素子Ｃ３，Ｃ４の位置にスルーホールを設けた場合にも同様の（アンカーとして作用し、絶縁性基板１０と整合用コンデンサ素子Ｃ３，Ｃ４の接合強度が向上するという）作用効果が得られる。
【００３３】
なお、接合用はんだは、環境汚染防止やアイソレータ１のリフロー作業性から、非鉛系かつ高温融点を有するＳｎ−Ｓｂ系のはんだを用いることが好ましい。
【００３４】
こうして、図４に示すようなアイソレータ１が得られる。図５は、図４に示したアイソレータ１の電気等価回路図である。
【００３５】
図５に示すように、外部電極３１，３２は、中心電極２１，２２のコールドエンド２１ａ，２２ａを分けて、金属製下側ケース８のアース引出電極８ａに接続しているので、中心電極２１と中心電極２２は、アース引出電極８ａ以外では導通しない。従って、中心電極２１と中心電極２２の間の不要な信号の伝送が発生しにくいので、アイソレータ１の動作周波数帯において、順方向と逆方向の通過特性の位相差を理想値の１８０度にすることができ、アイソレータ１の電気的特性を向上させることができる。なお、チップ部品３０の外部電極３１，３２には高周波電流が流れるので、インダクタとして作用する。
【００３６】
図６に、アイソレータ１の順方向通過特性（挿入損失特性）Ｓ２１と逆方向通過特性（アイソレーション特性）Ｓ１２を示す。比較のため、図１１に示した従来のアイソレータ２１０の順方向通過特性（挿入損失特性）Ｓ２１’と逆方向通過特性（アイソレーション特性）Ｓ１２’も併せて記載している。
【００３７】
［第２実施形態、図７〜図９］
本第２実施形態では、前記第１実施形態のチップ部品３０の代わりに二つの金属片４０を用いたものである。図７に示すように、二つの金属片４０は略同じ寸法を有し、側面が略正方形の直方体の形状をしている。金属片４０の主成分は銅であることが好ましい。銅は金属の中で相対的に高導電率であるので、中心電極２１，２２のコールドエンド２１ａ，２２ａから金属製下側ケース８のアース引出電極８ａまでの間の信号の減衰が少なく、アイソレータ２の電気的特性の劣化を抑制することができる。また、銅は高導電率の金属の中では相対的に安価であるので、アイソレータ２を安価にすることができる。
【００３８】
図８及び図９に示すように、樹脂製端子ケース３の底部３ａには、金属片４０を収容するための窓部３ｆが新たに形成されている。この窓部３ｆによって、二つの金属片４０が接触することを防止することができる。
【００３９】
以上のアイソレータ２は、前記第１実施形態のアイソレータ１と同様の作用効果を奏する。さらに、金属片４０の側面の形状が正方形であるので、金属片４０を搭載する際において、金属片４０の方向性を画像処理等で判別する必要がなくなり、搭載ミスを防止することができる。これによりアイソレータ１の良品率が向上する。特に、側面が正方形であるので、長手方向のみの方向性の判断で足り、アイソレータ２の生産コストが安価になる。
【００４０】
［第３実施形態、図１０］
本第３実施形態では、携帯電話を例にして、通信装置の実施の形態を説明する。
【００４１】
図１０は、携帯電話１２０のＲＦ部分の電気回路ブロック図である。図１０において、１２２はアンテナ素子、１２３はデュプレクサ、１２４，１２６は送信側電力増幅器、１２５は送信側段間用帯域通過フィルタ、１２７は送信側ミキサ、１２８は受信側低ノイズ増幅器、１２９は受信側段間用帯域通過フィルタ、１３０は受信側ミキサ、１３１はアイソレータ、１３２は電圧制御発振器（ＶＣＯ）、１３３はローカル用帯域通過フィルタである。
【００４２】
ここに、アイソレータ１３１として、前記第１実施形態及び第２実施形態のアイソレータ１，２を使用することができる。このアイソレータ１，２を実装することにより、低コストで高性能の携帯電話を実現することができる。
【００４３】
［他の実施形態］
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の構成に変更することができる。例えば、樹脂製端子ケース３と金属製下側ケース８はインサートモールドで形成したとして説明したが、これに限定されるものではなく、樹脂製端子ケース３と金属製下側ケース８を別々に形成し、組み合わせたものであってもよい。また、前記第１実施形態や第２実施形態では、入力端子を１４、出力端子を１５として説明したが、これに限定されるものではなく、入力端子を１５、出力端子を１４にしてもよい。
【００４４】
また、前記第１実施形態で示したチップ部品３０は、チップコンデンサとして説明したが、これに限定されるものではなく、チップインダクタやチップ抵抗であってもよい。チップ部品３０がチップ抵抗の場合、抵抗体が形成されている面を金属製下側ケース８のアース引出電極８ａ側に向けるとよい。
【００４５】
前記第１実施形態で示したチップ部品３０は、一般に市販されているとして説明したが、これに限定されるものではなく、専用品であってもよい。例えば、チップ用基板の上下面の端部に電極を形成し、上下面をスルーホールで導通したものであってもよい。このように専用品で構成することにより、チップ部品３０の寸法の自由度が向上するので、アイソレータ１を小型化することができる。
【００４６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、絶縁性基板の第２主面に設けられた第１中心電極の接地側端部と金属ケースとの間に形成された隙間に配置された、第１中心電極の接地側端部と金属ケースを電気的に接続する第１接続導体と、絶縁性基板の第２主面に設けられた第２中心電極の接地側端部と金属ケースとの間に形成された隙間に配置された、第２中心電極の接地側端部と金属ケースを電気的に接続する第２接続導体を有しているので、第１中心電極と第２中心電極との間には不要な信号が伝送しにくくなる。従って、非可逆回路素子の順方向と逆方向の通過特性の位相差を大きくすることができ、非可逆回路素子の電気的特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の第１実施形態の分解斜視図。
【図２】図１に示した非可逆回路素子の内部平面図。
【図３】図２に示した非可逆回路素子のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図。
【図４】図１に示した非可逆回路素子の組み立て完成後の外観斜視図。
【図５】図４に示した非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図６】図４に示した非可逆回路素子の通過特性を表したグラフ。
【図７】本発明に係る非可逆回路素子の第２実施形態の分解斜視図。
【図８】図７に示した非可逆回路素子の内部平面図。
【図９】図８に示した非可逆回路素子のＩＸ−ＩＸ断面図。
【図１０】本発明に係る通信装置の一実施形態を示すブロック図。
【図１１】従来の非可逆回路素子の分解斜視図。
【図１２】図１１に示した中心電極組立体の組み立て方法を説明するための斜視図。
【図１３】図１１に示した非可逆回路素子の電気等価回路図。
【符号の説明】
１，２…アイソレータ（非可逆回路素子）
４…金属製上側ケース（金属ケース）
８…金属製下側ケース（金属ケース）
９…永久磁石
１０…絶縁性基板
１０ａ…絶縁性基板の表面
１０ｂ…絶縁性基板の裏面
１１…スルーホール
２０…マイクロ波フェライト
２１…第２中心電極
２１ａ…コールドエンド（第２中心電極の一端）
２２…第１中心電極
２２ａ…コールドエンド（第１中心電極の一端）
３０…チップ部品
３１，３２…チップ部品の外部電極
４０…金属片
１２０…携帯電話（通信装置）
Ｃ３…第１の整合用コンデンサ素子
Ｃ４…第２の整合用コンデンサ素子
Ｐ１…ポート電極（第２中心電極の他端）
Ｐ２…ポート電極（第１中心電極の他端）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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