(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用する光ビームに対して略透明な基板上に、少なくとも第１保護膜、記録膜、第２保護膜、反射膜をこの順で積膜した光記録媒体において、
前記記録膜が、Au-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te-V合金、Cu-In-Sb-Te合金及びPd-In-Sb-Te合金のいずれかの合金からなり、
前記第２保護膜が、ZnSとSiO2の混合膜からなり、
前記第１保護膜が、ZnSとSiO2の混合膜に窒素を含み、当該窒素の濃度を前記基板側より前記記録膜側が高くなるよう形成されてなることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記第１保護膜は、前記基板側にZnSとSiO2の混合膜を有し、前記記録膜側にZnSとSiO2と窒素を含む混合膜を有する複合膜である請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記第１保護膜は、ZnSとSiO2と窒素を含む混合膜からなり、当該混合膜の前記基板側の面の窒素濃度が略０原子％で、基板側から記録膜側に向けて窒素濃度が漸次増加するようにした請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項４】
使用する光ビームに対して略透明な基板上に、Au-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te-V合金、Cu-In-Sb-Te合金及びPd-In-Sb-Te合金のいずれかの合金からなる記録膜を備える光記録媒体の前記記録膜表面に設ける光記録媒体用保護膜であって、
ZnSとSiO2の混合膜に窒素を含ませ、当該窒素の濃度が膜厚方向において、前記記録膜側が他側より高くなるようにしたことを特徴とする光記録媒体用保護膜。
【請求項５】
前記記録膜側が、ZnSとSiO2と窒素を含む混合膜からなり、前記他側が、ZnSとSiO2の混合膜からなる複合膜である請求項４に記載の光記録媒体用保護膜。
【請求項６】
ZnSとSiO2と窒素を含む混合膜であって、膜の前記他側の面の窒素濃度が略０原子％で、前記記録膜側に向けて窒素濃度が漸次増加するようにした請求項４に記載の光記録媒体用保護膜。
【請求項７】
酸素を含んでなる請求項４〜６のいずれか１つに記載の光記録媒体用保護膜。
【請求項８】
膜中に含まれるSiO2のモル数が、ZnSのモル数の10％〜40％である請求項４〜７のいずれか１つに記載の光記録媒体用保護膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、相変化型記録材料からなる記録膜を有する光記録媒体及び光記録媒体に好適な光記録媒体用保護膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高密度記録が可能で、しかも記録情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変化型の光記録媒体は、レーザー光を照射することにより記録膜の結晶状態を変化させ、このような状態変化に伴う記録膜の反射率変化を検出するものである。
【０００３】
相変化型光記録媒体の記録膜の材料としては、結晶状態と非晶質状態とで反射率の差が大きく、非晶質状態の安定度が比較的高い、Ｇｅ−Ｔｅ  系材料が用いられることが多い。その代表的な材料例として、米国特許第  ３，５３０，４４１号に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ  、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ  、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ  、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ  、Ｓｅ−Ｔｅ  、Ｓｅ−Ａｓ  等のいわゆるカルコゲン系合金材料があげられる。
【０００４】
また、安定性、高速結晶化等の向上を目的にＧｅ−Ｔｅ  系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２  号公報）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０  号公報）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号公報）等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的に  Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公報）の提案等もなされている。しかしながら、上述した組成のいずれもが相変化型書き換え可能光記録媒体の記録膜として要求される諸特性のすべてを満足し得るものとはいえない。特に、記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに繰り返し記録消去特性の長寿命化が最も重要な課題となっている。
【０００５】
これに対し、最近、化学周期律表を用いるとＩｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ２  やＩＩｂ−ＩＶｂ−Ｖｂ２  で表されるカルコパイライトと呼ばれる化合物を記録膜材料に応用することが提案されている。カルコパイライト型化合物の中でも特にＡｇＩｎＴｅ２  は、ＳｂやＢｉを用いて希釈することにより、光記録媒体の良好な記録膜材料として使用できることが知られている（特開平３−２４０５９０号公報、特開平３−９９８８４  号公報、特開平３−８２５９３  号公報、特開平３−７３３８４  号公報等）。更に、この他、特開平４−２６７１９２号公報や特開平４−２３２７７９号公報、特開平６−１６６２６８号公報には、記録膜が結晶化する際にＡｇＳｂＴｅ２  相が生成する相変化型光記録媒体が開示されている。
【０００６】
しかしながら、これらのカルコパイライト系の記録膜材料を用いた光記録媒体は、確かに優れたＣ／Ｎ、消去比、変調度、記録感度を有するが、繰り返し記録消去の寿命が一千回程度しかないという問題点があった。
この問題点を解決するために、本発明者等は特定の組成を有するＡｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  記録膜材料を開発し、先に出願した（特願平９−４６２２５  号、特願平９−２１０７４５号、特願平９−２８５７８５号等）  。この記録膜材料は、優れたＣ／Ｎ、消去比、変調度、記録感度、及び繰り返し記録消去特性を有する。特に、繰り返し記録消去特性の寿命が、線速１〜３ｍ／ｓ  で１万回、線速５〜７ｍ／ｓ  で１０万回と、前記ＡｇＳｂＴｅ２  相を有する記録膜材料に比べて１桁以上大きく、相変化型光記録媒体の記録膜材料として極めて優れた特性を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したＡｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  記録膜材料を用いても、全ての線速において繰り返し記録消去の寿命が１０万回を越えるわけではなく、光磁気ディスクの繰り返し記録消去の寿命が１００  万回であることに比べると、必ずしも十分ではないという問題点があった。
【０００８】
本発明はこのような従来の問題点に鑑み、繰り返し記録消去特性の更に優れた光記録媒体及び光記録媒体に好適な光記録媒体用保護膜を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このため、請求項１に係る発明では、使用する光ビームに対して略透明な基板上に、少なくとも第１保護膜、記録膜、第２保護膜、反射膜をこの順で積層した光記録媒体において、前記記録膜が、Au-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te-V合金、Cu-In-Sb-Te合金及びPd-In-Sb-Te合金のいずれかの合金からなり、前記第２保護膜が、ZnS とSiO2の混合膜からなり、前記第１保護膜が、ZnSとSiO2の混合膜に窒素を含み、当該窒素の濃度を前記基板側より前記記録膜側が高くなるよう形成することを特徴とする。
【００１０】
第１保護膜は、具体的には、請求項２に係る発明のように、前記基板側にＺｎＳ  とＳｉＯ２の混合膜を有し、前記記録膜側にＺｎＳ  とＳｉＯ２と窒素を含む混合膜を有する複合膜としてもよく、また、請求項３に係る発明のように、ＺｎＳ  とＳｉＯ２と窒素を含む混合膜からなり、膜の前記基板側の面の窒素濃度が略０原子％で、基板側から記録膜側に向けて窒素濃度が漸次増加するようにしてもよい。
【００１１】
かかる構成の光記録媒体では、第１保護膜が適度な柔軟性を有し、記録消去の際の加熱・冷却の繰り返しに伴う保護膜の劣化が抑制される。また、Au-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te-V合金、Cu-In-Sb-Te合金及びPd-In-Sb-Te合金のいずれかの合金からなる記録膜側の窒素濃度を高くすることで、記録膜に悪影響を与える保護膜中の元素（特にイオウ）の拡散が効果的に抑制でき、光記録媒体の繰り返し記録消去特性を格段に向上させることができる。
【００１３】
書き換え型光記録媒体において、保護膜がＺｎＳ  とＳｉＯ２と窒素（Ｎ）  を含む可能性のある技術は、特公平７−１１１７８６号公報、特開平６−４９０４号公報、特開平６−３４２５２９号公報、特開平９−１９８７１２号公報等に見ることができる。
しかしながら、特開平６−４９０４号公報では、ＺｎＳ  とＳｉＯ２と窒素の他に水素を含むことを必須要件としており、本願発明とは構成元素が一致しない。また、特開平９−１９８７１２号公報では、ＺｎＳ  とＳｉＯ２にＳｉ３Ｎ４  を含ませることを必須要件としており、本願発明とは構成物質が一致しない。
【００１４】
一方、特公平７−１１１７８６号公報には、ＺｎＳ  とＳｉＯ２に窒素を含ませることを構成要件とする光記録媒体並びに光記録媒体用保護膜が開示されている。しかしながら、特公平７−１１１７８６号公報では、ＺｎＳ  とＳｉＯ２の混合膜に窒素を含ませてある保護膜は、膜厚方向に均一な窒素濃度を有すると認識されており、本願発明のように、窒素濃度分布を設けたものではない。また、本願発明では、窒素濃度分布を有するＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ混合膜を、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  合金等のカルコパイライト型化合物からなる記録膜と組み合わせた時に特に書き換え寿命向上の効果が顕著になるということを示したが、特公平７−１１１７８６号公報にはこのような記述も示唆も見られない。
【００１５】
また、特開平６−３４２５２９号公報には、保護膜と記録膜の間に窒素を含有する補助膜を備えるという、広範な構成要件の相変化型光記録媒体が開示されている。同公報では、補助層の挿入は第１保護膜と記録膜との間、或いは、第２保護膜と記録膜との間のどちらでも良いとの認識があり、更に、どちらかというと同公報の実施例に見られるように第２保護膜と記録膜との間に補助層を挿入することが主に検討されている。一方、本願発明では、窒素濃度分布を有するＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ混合膜を、特に第１保護膜に用いることを必須要件としており、特開平６−３４２５２９号公報とは異なっている。また、本願発明では、窒素濃度分布を有するＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ混合膜を、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  合金等のカルコパイライト型化合物からなる記録膜と組み合わせた時に特に書き換え寿命向上の効果が顕著になるということを示したが、特開平６−３４２５２９号公報にはこのような記述も示唆も見られない。
【００１９】
請求項４に係る発明では、使用する光ビームに対して略透明な基板上に、Au-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te-V合金、Cu-In-Sb-Te合金及びPd-In-Sb-Te合金のいずれかの合金からなる記録膜を備える光記録媒体の前記記録膜表面に設ける光記録媒体用保護膜であって、ZnSとSiO2の混合膜に窒素を含ませ、当該窒素の濃度が膜厚方向において、前記記録膜側が他側より高くなるようにしたことを特徴とする。
具体的には、光記録媒体用保護膜は、請求項５に係る発明のように、前記記録膜側が、ZnSとSiO2と窒素を含む混合膜からなり、前記他側が、ZnSとSiO2の混合膜からなる複合膜としてもよく、請求項６に係る発明のように、ZnSとSiO2と窒素を含む混合膜であって、膜の前記他側の面の窒素濃度が略０原子％で、前記記録膜側に向けて窒素濃度が漸次増加するようにしてもよい。
【００２０】
かかる構成の保護膜を用いることで、光記録媒体の繰り返し記録消去特性を向上させることができる。
また、本発明の光記録媒体用保護膜では、光記録媒体の諸性質に影響を与えない範囲で、請求項７に係る発明のように、酸素を含ませるようにしてもよい。
更に、請求項８に係る発明のように、膜中に含まれるSiO2のモル数が、ZnSのモル数の10％〜40％であることが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１〜図３は、本発明の光記録媒体の好ましい構成例を示す断面図である。
図１に示した光記録媒体１は、基板２上に、第１保護膜３、記録膜４、第２保護膜５、反射膜６、及びラッカー層７をこの順で積膜した構造を有する、片面記録用の光記録媒体である。
【００２２】
また、図２に示した光記録媒体１は、基板２上に、第１保護膜３、記録膜４、第２保護膜５、反射膜６、ラッカー層７、接着層８、及び上部基板９をこの順で積膜し、機械的強度を高めた片面記録用の光記録媒体である。
また、図３に示した光記録媒体１は、２枚の基板２の上に、それぞれ第１保護膜３、記録膜４、第２保護膜５、反射膜６、及びラッカー層７をこの順で積膜し、この２枚の光記録媒体を、ラッカー層７側を対向させて、接着層８を介して接合した両面記録用の光記録媒体である。尚、図２及び図３に示した光記録媒体では、ラッカー層７を省くこともできる。
【００２３】
上記の図１〜図３に示す構成例の他にも、Ｃ／Ｎ、消去比、変調度、記録感度、繰り返し記録消去の寿命等の改善を目的として、図１〜図３に示した光記録媒体１の基板２と第１保護膜３の間、及び／又は第１保護膜３と記録膜４の間、及び又は記録膜４と第２保護膜５の間、及び／又は第２保護膜５と反射膜６の間に、１層或いは複数層の補助層を挿入した構成の光記録媒体も可能である。この場合、補助層を構成する物質は誘電体或いは金属等が好ましい。
【００２４】
基板２には、用いる光ビームに対して透明である材質、例えば、樹脂やガラス等から構成することが好ましく、特に、取り扱いが容易で安価であることから、樹脂が好ましい。樹脂として具体的には例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＡＢＳ樹脂等を用いることができる。基板の形状及び寸法は特に限定されないが、通常、ディスク状であり、その厚さは、通常、０．５  〜３ｍｍ程度、直径は４０〜３６０  ｍｍ程度である。また、基板の表面には、トラッキング用やアドレス用等のために、グルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられる。
【００２５】
第１保護膜３及び第２保護膜５は、記録膜４の結晶状態の変化に伴う反射率の変化を、第１保護膜３と第２保護膜５との間での多重反射によって拡大し、変調度（結晶状態と非晶質状態との反射率の差）を高める作用、並びに、記録時に、記録膜４に残った熱を熱伝導により適度な速度で放出する作用を有する。
第１保護膜３は、ＺｎＳ  とＳｉＯ２の混合膜に窒素（Ｎ）を含み、窒素濃度が基板２側よりも記録膜４側の方が高くなるように形成する。具体的には、例えば、前記基板側にＺｎＳ  とＳｉＯ２の混合膜を有し、前記記録膜側にＺｎＳ  とＳｉＯ２と窒素を含む混合膜を有する複合膜とするようにしたり、或いは、ＺｎＳ  とＳｉＯ２と窒素を含む混合膜で、当該混合膜の基板２側の面の窒素濃度を略０原子％とし、基板２側から記録膜４側に向けて窒素濃度を漸次増加させるようにする。尚、濃度が漸次増加するとは、濃度が決して減少しない（一定値に留まることはあってもよい）ことを意味する。また、第１保護膜３中に含まれるＳｉＯ２のモル数は、ＺｎＳ  のモル数の１０％〜４０％であることが好ましい。ＳｉＯ２のモル数が１０％未満だと結晶粒径が大きくなり、膜の緻密性が悪くなる。一方、４０％を越えると混合膜の屈折率が小さくなり、光学特性の観点から好ましくない。
【００２６】
ＺｎＳ  とＳｉＯ２のモル比が上記範囲で与えられるＺｎＳ  とＳｉＯ２の混合膜は、光記録媒体用に通常用いられる３５０ｎｍ  〜８５０ｎｍ  の波長の光ビームに対して略透明であり、記録膜物質よりも高融点で、しかも適度な硬度と柔軟性を持つ等、光記録媒体用保護膜として優れた性能を持っている。しかしながら、記録・消去を行う際の加熱、冷却の繰り返しに伴い保護膜が劣化したり、保護膜中の元素（特にイオウ）が記録膜中に拡散して記録膜の性能を劣化させる等のため、光記録媒体の記録消去の繰り返し回数には限界があった。特に、上記保護膜に関連する記録消去繰り返し寿命の限界は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  合金やＡｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  合金等のカルコパイライト型化合物を記録膜に用いた時に顕著であり、ＺｎＳ  とＳｉＯ２とからなる保護膜を、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなる記録膜と組み合わせて用いた場合には既に１０万回程度の記録消去の繰り返しが可能であるのに対し、カルコパイライト型化合物からなる記録膜と組み合わせて用いた場合には繰り返し寿命は一千回〜数万回に留まっていた。加熱、冷却の繰り返しに伴う保護膜の劣化は記録膜の種類に依らず生じているはずであるから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金とカルコパイライト型化合物との繰り返し寿命差は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなる記録膜が保護膜中の元素（特にイオウ）との拡散混合によってあまり劣化しないのに対し、カルコパイライト型化合物からなる記録膜は大きく劣化するためであると考えられる。
【００２７】
従来、このような問題を解決するために、ＺｎＳ  とＳｉＯ２の混合膜に窒素を含ませ、欠陥の少ない緻密な膜とする方法が考えられていた。しかしながら、窒素を第１保護膜３全体に均一に含ませても、第１保護膜３中の元素の記録膜への拡散を阻止する効果は低い。しかも、窒素を第１保護膜３全体に均一に含ませると膜全体が硬くなり、かえって膜の柔軟性が減少する。このため、記録膜４の加熱・冷却に伴う膨張と収縮の繰り返しに対して第１保護膜３の耐久性が減少する。
【００２８】
従って、本実施形態では第１保護膜３中に膜厚方向の窒素濃度分布を導入して、第１保護膜３に硬い部分と柔軟な部分を設け、記録消去時の膨張と収縮に伴う第１保護膜３の劣化を防止した。しかも、第１保護膜３中の元素（特にイオウ）の記録膜４への拡散を阻止するため、記録膜４に近い方の窒素濃度が高くなるようにした。このような窒素濃度分布を設けたことにより、イオウ等の拡散が効果的に防止され、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  合金やＡｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  合金等のカルコパイライト型化合物からなる記録膜４を用いた光記録媒体１において、特に顕著に繰り返し寿命の向上を実現できる。
【００２９】
このような第１保護膜３は、例えば次のような２通りの方法で作製することができる。第１の方法は、まず、ＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットをＡｒガス雰囲気中でスパッタし、基板２上にＺｎＳ  とＳｉＯ２の混合膜を適当な厚さで形成する。その後、ＡｒガスにＮ２ガスを徐々に添加して、Ｎ２ガスの分圧を少しずつ増加させながらスパッタ（反応性スパッタ）を継続し、ＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎの混合膜を形成する。このとき、Ｎ２ガスの分圧を増加させるやり方は、一定比率で単調に増加させてもよいし、ステップ的に増加させてもよい。第１保護膜３中の窒素濃度分布は、Ｎ２ガス分圧の増加のさせ方によって決定される。第２の方法は、第１の方法と同じ方法で基板２上にＺｎＳ  とＳｉＯ２の混合膜を形成後、基板２を一定濃度のＡｒ＋Ｎ２ガス雰囲気を有する別のチャンバーに移し、ＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットを用いて反応性スパッタを行いＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎの混合膜を形成する。更に、必要に応じて、Ｎ２ガス濃度のより高いＡｒ＋Ｎ２ガス雰囲気を有するチャンバーに、基板２を必要回数移しかえながら反応性スパッタを続け、多層膜状に窒素の濃度の増えたＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎの混合膜を作製する。上記２つの方法共に、雰囲気ガス中のＮ２ガス分圧は０．０１Ｐａ以上０．７Ｐａ  以下であることが好ましい。これより小さいと、第１保護膜３への窒素混合の効果が現れない。また、これより大きいと成膜効率が低下する。
【００３０】
第１保護膜３を形成するには、この他にも、上述の方法を応用しながら、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ  法、光ＣＶＤ  法、電子ビーム蒸着法等の気相成長法により形成してもよい。尚、第１保護膜３中には、影響の少ない範囲内で、酸素、水素、炭素、フッ素等の他の元素を含めることもできる。
高い変調度を得るという光学特性の観点からは、第１保護膜３の厚さは５０〜３００  ｎｍであることが好ましい。更に、第１保護膜３中の窒素を含まない部分の厚さは少なくとも３０ｎｍ以上であることが好ましい。これより薄いと膜の柔軟性が減少し、膨張と収縮の繰り返しに対する膜の耐久性が低下する。
【００３１】
第２保護膜５は、ＺｎＳ  とＳｉＯ２とを含む混合膜である。このとき、第１保護膜３におけるのと同じ理由から、第２保護膜５中に含まれるＳｉＯ２のモル数は、ＺｎＳ  のモル数の１０％〜４０％であることが好ましい。第２保護膜５は、スパッタ法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ  法、光ＣＶＤ  法、電子ビーム蒸着法等の気相成長法により形成できる。この第２保護膜５には、性能の大きな低下をもたらさない範囲内で、窒素、酸素、水素、炭素、フッ素等の他の元素を含めることもできる。
【００３２】
第２保護膜５に、第１保護膜３で用いたような窒素濃度分布を有するＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎの混合膜を用いても、繰り返し記録消去特性の大きな向上は期待できない。なぜならば、第２保護膜５は高い放熱作用を持つ反射膜６と接しているため、第１保護膜３に比べてあまり高温にならず、従って、もともと第２保護膜５から記録膜４への元素（特にイオウ）の拡散はそれほど頻繁には生じないためである。勿論、第２保護膜５に第１保護膜３で用いたＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎの混合膜を用いてもディスク特性が低下することはないが、生産工程が複雑になるためメリットは少ない。
【００３３】
高い変調度を得るという光学特性の観点からは、第２保護膜５の厚さは１０〜６０ｎｍ又は１００  〜２５０ｎｍ  であることが好ましい。熱的には、第２保護膜５の厚さが薄いと、記録膜４と反射膜６の間を断熱する効果が小さくなり、記録時に記録膜４に蓄熱された熱は高い放熱作用を持つ反射膜６に速やかに散逸する。従って、１０〜６０ｎｍ程度の薄い第２保護膜５を持つ光記録媒体１で記録並びに消去を実現するためには、記録膜材料がレーザー光による加熱に対し高い感度を持つ必要がある。
【００３４】
従来、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等のカルコゲン系記録材料を用いた光記録媒体では、記録膜材料が十分な感度をもっていないために、第２保護膜５の厚さを１００  〜２５０  ｎｍとした構造をとっていた。一方、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  系合金並びにＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  系合金の記録膜材料は、レーザー光による加熱に対し高い感度をもつため、それらを記録膜４に用いた光記録媒体においては、第２保護膜５の厚さを１０〜６０ｎｍとすることができる。この構造では、記録時の記録膜４の冷却速度が速くなる急冷型となるため、記録マークのエッジが明瞭となって記録密度の高密度化が可能であり、しかも、ジッターが低くなるという利点がある。更に、膜厚が薄いので第２保護膜５をスパッタ等によって作製する時間を短縮でき、生産性の向上につながる。
【００３５】
記録膜４には、上述したような理由から、カルコパイライト系化合物であるAu-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te-V合金、Cu-In-Sb-Te合金及びPd-In-Sb-Te合金のいずれかの合金を用いる。第１保護膜をZnS-SiO2-N複合膜にした効果は、カルコパイライト系化合物を記録膜に用いた時に顕著に現れ、記録消去の繰り返し性能の顕著な向上が得られる。記録膜４の厚さは特に限定されないが、高反射率と高変調度（記録状態と未記録状態との反射率の差が大きいこと）を実現するために、通常、10〜200nm、特に15〜150nmとすることが好ましい。また、記録膜４の形成方法は特に限定されないが、スパッタ法や真空蒸着法、プラズマCVD法、光CVD法、電子ビーム蒸着法等の気相成長法により形成することが好ましい。
【００３６】
記録膜４にＡｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  合金を用いる場合には、それぞれα、β、γ、及びδで表されるＡｕ、Ｉｎ、Ｓｂ、及びＴｅの組成比率が、０原子％＜α≦２５原子％、３原子％≦β≦１８原子％、３０原子％≦γ≦６７原子％、２４原子％≦δ≦４５原子％（ただし、９９原子％≦α＋β＋γ＋δ≦１００  原子％）であることが好ましい。特に、光ビームに対する記録膜の記録消去時の相対速度が１〜３ｍ／ｓ  で使用される光記録媒体においては、前記α及びβが、０原子％＜α≦２５原子％、７原子％≦β≦１８原子％であり、前記γ及びδが、３０原子％≦γ＜４５原子％の時には３２原子％≦δ≦４５原子％、４５原子％≦γ＜４９原子％の時には３０原子％≦δ≦４５原子％、４９原子％≦γ≦５５原子％の時には３５原子％≦δ≦４５原子％、ただし、９９原子％≦α＋β＋γ＋δ≦１００  原子％であることが好ましい。また、光ビームに対する記録膜の記録消去時の相対速度が５〜７ｍ／ｓ  で使用される光記録媒体においては、前記α、β、γ、及びδが、１原子％≦α≦１６原子％、８原子％≦β≦１７原子％、４１原子％≦γ＜６３原子％、２４原子％≦δ≦３６原子％、ただし、９９原子％≦α＋β＋γ＋δ≦１００  原子％であるか、前記α、β、γ、及びδが、０原子％＜α≦１７原子％、３原子％≦β＜８原子％、５１原子％≦γ≦６７原子％、２６原子％≦δ≦３３原子％、ただし、９９原子％≦α＋β＋γ＋δ≦１００  原子％であることが好ましい。上記の組成範囲外では、良好な繰り返し記録消去特性が得られなくなる。
【００３７】
記録膜４の組成は、Ｘ線マイクロアナライザーにより測定するのが簡便であり、本実施形態でもこの方法によって組成を決定している。その他にも蛍光Ｘ線、ラザフォード後方散乱、オージェ電子分光、発光分析等の分析法が考えられるが、それらを用いる場合には、Ｘ線マイクロアナライザーで得られる値との校正をする必要がある。
【００３８】
反射膜６の材質は特に限定されないが、通常、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体或いはこれらの１種以上を含む合金等の高反射率金属、或いは、Ｓｉ、窒化Ｓｉ、炭化Ｓｉ等の高反射率半導体から構成すればよい。反射膜６の厚さは、３０〜３００  ｎｍとすることが好ましい。厚さが３０ｎｍ未満であると十分な反射率が得難くなるし、記録時に、記録膜４に残った熱を放出する効果が低減する。また、３００  ｎｍを越えても反射率や熱放出効果の顕著な向上は見られない。反射膜６はスパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成することが好ましい。
【００３９】
ラッカー層７は、耐擦傷性や耐腐食性の向上のために設けられる。このラッカー層７は種々の有機系の物質から構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質から構成されることが好ましい。ラッカー層７の厚さは、通常、０．１  〜１００  μｍ  程度であり、スピンコート、グラビア塗布、スプレーコート等、通常の方法により形成すればよい。
【００４０】
接着層８は、種々の有機系の物質から構成されることが望ましいが、熱可塑性物質、粘着性物質、放射線硬化型化合物やその組成物を電子線や放射線により硬化させた物質から構成されることが好ましい。接着層８の厚さは、通常、０．１  〜  １００μｍ  程度であり、接着層８を構成する物質により選ばれる最適な方法、例えば、スピンコート、グラビア塗布、スプレーコート、ロールコート等により形成すればよい。
【００４１】
また、上部基板９は、上述した基板２と同様の樹脂で構成することができる。一般に、相変化型光記録媒体の作製時には、記録膜４は非晶質状態であり、オーバーライト可能な光記録媒体とするためには何らかの方法で記録膜４を結晶化（初期化）する必要が生じる。光記録媒体１の初期化方法としては、半導体レーザーによる方法、Ａｒレーザーによる方法、フラッシュランプによる方法等種々の方法を用いることができる。
［実施例］
次に、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明するが、これら実施例は本発明を何ら制限するものではない。
【００４２】
（実施例１〜４）
直径１２０ｍｍ  、厚さ１．２ｍｍ  のグルーブ付きポリカーボネート基板２の上に、第１保護膜３、記録膜４、第２保護膜５、反射膜６、及びラッカー層７をこの順で形成し、図１の構成を有する光記録媒体１とした。基板２のグルーブは、トラックピッチ１．６  μｍ  、幅０．５  μｍ  、深さ５０ｎｍとした。
【００４３】
第１保護膜３は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットとして用い、スパッタ法により以下の方法で作製した。
まず、Ａｒガス雰囲気中でＲＦスパッタ法によりＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を形成し、その厚みが約１９０ｎｍ  に達した時点で、ＡｒとＮ２の混合ガスを雰囲気ガスとして注入しＲＦスパッタ（ＲＦ反応性スパッタ）を継続し、全厚み１９７ｎｍ  の複合膜を形成した。このとき注入した混合ガス中のＡｒガスとＮ２ガスの分圧はそれぞれ０．３６Ｐａ、０．１８Ｐａであった。
【００４４】
記録膜４は、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅターゲット上にＩｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｖ  の各チップを載せて組成を変化させる方法で、ＤＣスパッタ法により作製した。記録膜４の厚さは２０ｎｍとした。
記録膜４の組成は、フィリップス社製ＥＤＡＸ装置システムを用い、Ｘ線マイクロアナライザーにより測定した。即ち、ポリカーボネート平板上に膜厚が約５０ｎｍの記録膜４をスパッタ法により作製後、Ｘ線マイクロアナライザーにより試料のエネルギースペクトルを検出した。検出されたエネルギースペクトルからポリカーボネート平板等のバックグラウンドを除去し、記録膜４のみのエネルギースペクトルを導出した。このエネルギースペクトルから記録膜４の構成元素の定量を行い、記録膜４の組成とした。
【００４５】
第２保護膜５は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットとし、Ａｒガス雰囲気中でＲＦスパッタ法により作製した。第２保護膜５の厚さは２０ｎｍとした。
反射膜６は、Ａｌをターゲットとし、ＤＣスパッタ法により作製した。厚さは７５ｎｍとした。
ラッカー層７は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布した後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後のラッカー層７の厚みは１０μｍ  であった。
【００４６】
光記録媒体１作製後の記録膜４は非晶質であった。このため、波長  ８１０  ｎｍ  の大出力半導体レーザー光により記録膜４を十分に結晶化させ初期化状態とした。光記録媒体１の評価は、波長７８０ｎｍ  の半導体レーザー光をＮＡ＝０．５  の対物レンズを通して基板２側から照射し、記録膜４の表面で直径約１μｍ  のスポット径に絞り込むことにより行った。記録時には、照射するレーザーパルスをマルチパルス化して記録を行った。記録パワーは１３ｍＷ、消去パワーは６ｍＷ、マルチパルスのボトムパワーは１ｍＷ、再生パワーは１ｍＷとした。
【００４７】
ディスク特性としては、繰り返し記録消去の寿命を次のような方法で測定した。
即ち、繰り返し記録消去特性は、線速２．８ｍ／ｓでＥＦＭ変調方式のランダム信号を繰り返しオーバーライトし、所定回数のオーバーライト毎に線速１．４ｍ／ｓで再生を行い、３Ｔ信号のジッターを測定した。ジッターが３５ｎｓを越える回数を繰り返し記録消去の寿命とし、例えば「１，０００  〜１０，０００」等のように一定の範囲で示した。これは製造条件や評価条件により、表示した範囲内で特性が変わり得ることを示す。
【００４８】
このような方法で作製した実施例１〜４の光記録媒体の記録膜組成とディスク特性を表１に示す。
（比較例１〜４）
第１保護膜３を、途中でＡｒとＮ２の混合ガスを注入せずに形成した以外は実施例１〜４と同様にして光記録媒体を作製した。このとき、第１保護膜３は厚さ１９７ｎｍ  のＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）混合膜となった。このような方法で作製した比較例１〜４の光記録媒体の記録膜組成とディスク特性を表１に示す。
【００４９】
【表１】
0003608934.tif 000002
【００５０】
実施例１〜４の光記録媒体は、それぞれ、比較例１〜４の中の対応する記録膜組成の光記録媒体に比べ、繰り返し記録消去特性が向上していることがわかる。これにより、第１保護膜３に窒素を含ませることで、光記録媒体の記録消去特性が格段に向上することが明白である。
（実施例５）
記録膜４を、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅターゲット上にＩｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｕの各チップを載せてＤＣスパッタ法により作製した以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、実施例５とした。
【００５１】
（比較例５）
記録膜４を、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅターゲット上にＩｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｕの各チップを載せてＤＣスパッタ法により作製した以外は、比較例１と同様にして光記録媒体を作製し、比較例５とした。
このような方法で作製した実施例５と比較例５の光記録媒体の記録膜組成とディスク特性を表２に示す。
【００５２】
【表２】
0003608934.tif 000003
【００５３】
この場合も、実施例５の光記録媒体は、比較例５の光記録媒体に比べ、繰り返し記録消去特性が向上していることがわかる。また、実施例５を表１の実施例１〜４と比較すると、記録膜４にＡｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ  合金を用いた場合に、特に記録消去特性の向上が顕著であることがわかる。
（実施例６）
第１保護膜３を、以下の方法で作製した以外は実施例５と同様にして光記録媒体を作製した。
【００５４】
即ち、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットとし、Ａｒガス雰囲気中でＲＦスパッタ法により１８０ｎｍ  厚のＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を基板２上に形成する。そのディスクをＡｒとＮ２の混合ガスを雰囲気ガスとして流すチャンバーに移し、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットに用いてＲＦ反応性スパッタを行い、１０ｎｍ厚のＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ膜を形成した。このときのＡｒガスとＮ２ガスの分圧はそれぞれ０．３６Ｐａ、０．１８Ｐａであった。
【００５５】
（実施例７）
第１保護膜３を、以下の方法で作製した以外は実施例５と同様にして光記録媒体を作製した。
即ち、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットとし、Ａｒガス雰囲気中でＲＦスパッタ法により１５０ｎｍ  厚のＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を基板２上に形成する。そのディスクをＡｒとＮ２の混合ガスを雰囲気ガスとして流すチャンバーに移し、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットに用いてＲＦ反応性スパッタを行い、３０ｎｍ厚のＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ膜を形成した。このときのＡｒガスとＮ２ガスの分圧はそれぞれ０．４５Ｐａ、０．０９Ｐａであった。更に、このディスクを異なる濃度のＡｒとＮ２の混合ガスを雰囲気ガスとして流すチャンバーに移し、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットに用いてＲＦ反応性スパッタを行い、１０ｎｍ厚のＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ膜を形成した。このときのＡｒガスとＮ２ガスの分圧はそれぞれ０．３６Ｐａ、０．１８Ｐａであった。このようにして全厚１９０ｎｍ  の複合膜を形成した。
【００５６】
（実施例８）
第２保護膜５を、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットとし、ＡｒとＮ２の混合ガス雰囲気中でＲＦ反応性スパッタ法により作製し、厚み２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ膜とした以外は、実施例５と同様にして光記録媒体を形成した。このときのＡｒガスとＮ２ガスの分圧はそれぞれ０．３６Ｐａ、０．１８Ｐａであった。
【００５７】
（実施例９）
第１保護膜３を、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットとして用い、以下の方法で作製した以外は実施例５と同様にして光記録媒体を作製した。
まず、Ａｒガス雰囲気中でＲＦスパッタ法によりＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を形成し、その厚みが約１９０ｎｍ  に達した時点で、ＡｒとＮ２とＯ２の混合ガスを雰囲気ガスとして注入しＲＦスパッタ（ＲＦ反応性スパッタ）を継続して、全厚み１９７ｎｍ  厚のＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ−Ｏ複合膜を形成した。このとき注入した混合ガス中のＡｒガスとＮ２ガスとＯ２ガスの分圧はそれぞれ０．３６Ｐａ、０．１８Ｐａ、０．０５Ｐａであった。
【００５８】
上述したような各方法でそれぞれ作製した実施例６〜９の各光記録媒体の記録膜組成とディスク特性を表２に示す。
（比較例６）
第２保護膜５を、以下の方法で作製した以外は比較例５と同様にして光記録媒体を作製した。
【００５９】
まず、ＡｒとＮ２ガスの混合ガス雰囲気中でＲＦ反応性スパッタ法によりＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ膜を形成し、その厚みが約１０ｎｍに達した時点で、Ａｒガスのみを雰囲気ガスとしてＲＦスパッタを継続して、全厚み２０ｎｍ厚の複合膜を形成した。このときの混合ガス中のＡｒガスとＮ２ガスの分圧はそれぞれ０．３６Ｐａ、０．１８Ｐａであった。
（比較例７）
第１保護膜３全体を、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットと、ＡｒとＮ２ガスの混合ガス雰囲気中でＲＦ反応スパッタ法により作製した以外は、実施例５と同様にして光記録媒体を作製した。この光記録媒体では、第１保護膜３が、膜厚方向に均一な窒素濃度分布をもつ、厚み１９７ｎｍ  のＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ膜となっている。
【００６０】
上述したような各方法でそれぞれ作製した比較例６、７の各光記録媒体の記録膜組成とディスク特性を表２に示す。
上述の実施例６〜９は、比較例６、７に比較していずれも良好な繰り返し記録消去特性を示すことがわかる。また、第２保護膜５のみに窒素を含ませた比較例６では、比較例５と同様な記録消去特性を示し、第１保護膜３側に窒素を含ませた実施例５〜９に比較して顕著な繰り返し記録消去特性の向上は見られない。これにより、第２保護膜５に窒素を含ませても記録消去特性の改善効果はあまり得られないことがわかる。また、第１保護膜３に窒素を均一に含ませた比較例７の繰り返し記録消去特性は、比較例５よりも向上してはいるが、実施例５〜９ほどの顕著な向上は見られない。これにより、第１保護膜３に窒素の濃度分布を持たせることが、記録消去特性の向上に効果的であることがわかる。
【００６１】
（実施例１０、１１）
記録膜４を、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅターゲット上にＩｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｕの各チップを載せて組成を振りながらＤＣスパッタ法により作製した以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、実施例１０、実施例１１とした。
（比較例８〜１０）
記録膜４の組成を異ならせた以外は、実施例１０、１１と同様にして光記録媒体を作製し、比較例８〜１０とした。
【００６２】
このような方法で作製した実施例１０、１１と比較例８〜１０の光記録媒体の記録膜組成とディスク特性を表２に示す。
表２から、それぞれα、β、γ及びδで表される、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｂ、及びＴｅの組成比率が、０原子％＜α≦２５原子％、７原子％≦β≦１８原子％、３０原子％≦γ＜４５原子％の時には３２原子％≦δ≦４５原子％、４５原子％≦γ＜４９原子％の時には３０原子％≦δ≦４５原子％、４９原子％≦γ≦５５原子％の時には３５原子％≦δ≦４５原子％、ただし、９９原子％≦α＋β＋γ＋δ≦１００  原子％を満たす実施例５〜１１は、良好な繰り返し記録消去特性を示すが、組成比率が上記範囲にない比較例８〜１０は良好な繰り返し記録消去特性を示さないことがわかる。
【００６３】
（実施例１２）
直径１２０  ｍｍ、厚さ０．６  ｍｍのランド／グルーブを有する、２枚のポリカーボネート基板２の上に、それぞれ第１保護膜３、記録膜４、第２保護膜５、反射膜６、及びラッカー層７をこの順で積層し、この２枚の光記録媒体を、ラッカー層７側を対向させて、接着層８を介して接合し、図３の構成を有する光記録媒体１とした。基板２のランド／グルーブは、トラックピッチ０．７４μｍ  、深さ７０ｎｍとした。
【００６４】
第１保護膜３は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）をターゲットとして用い、スパッタ法により以下のように作製した。
まず、Ａｒガス雰囲気中でＲＦスパッタ法によりＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を形成し、その厚みが約１３３ｎｍ  に達した時点で、ＡｒとＮ２の混合ガスを雰囲気ガスとして注入しＲＦスパッタ（ＲＦ反応性スパッタ）を継続して、全厚み１４０ｎｍ  のＺｎＳ−ＳｉＯ２−Ｎ混合膜を形成した。このとき注入した混合ガス中のＡｒガスとＮ２ガスの分圧はそれぞれ０．３６Ｐａ、０．１８Ｐａであった。
【００６５】
記録膜４は、厚さを２２ｎｍとした以外は実施例５と同様にして作製した。第２保護膜５は、厚さを２５ｎｍとした以外は、実施例１と同様して作製した。反射膜６は厚さを１００ｎｍ  とした以外は実施例１と同様にして作製した。ラッカー層７は、実施例１と同様にして作製した。接着層８は、紫外線硬化型樹脂をスクリーンコート法により塗布した後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の接着層８の厚みは３０〜５０μｍ  であった。
【００６６】
光記録媒体１作製後の記録膜４は非晶質であった。このため、波長  ８１０  ｎｍ  の大出力半導体レーザー光により記録膜４を十分に結晶化させ初期化状態とした。光記録媒体１の評価は、波長６３５ｎｍ  の半導体レーザー光をＮＡ＝０．６  の対物レンズを通して基板２側から照射し、記録膜４の表面で直径約１μｍ  のスポット径に絞り込むことにより行った。記録時には、照射するレーザーパルスをマルチパルス化して記録を行った。記録パワーは１２ｍＷ、消去パワーは６ｍＷ、マルチパルスのボトムパワーは１ｍＷ、再生パワーは１ｍＷとした。
【００６７】
ディスク特性としては、繰り返し記録消去の寿命を次のような方法で測定した。
即ち、繰り返し記録消去特性は、線速６．０ｍ／ｓで８／１６変調方式のランダム信号を繰り返しオーバーライトし、所定回数のオーバーライト毎に線速６．０ｍ／ｓで再生を行い、ランダム信号のジッターを測定した。ジッターが基準クロック（３４．２７ｎｓ）の１５％を越えるまでのオーバーライトの回数を繰り返し記録消去の寿命とした。
【００６８】
（比較例１１）
第１保護膜３を、途中でＡｒとＮ２の混合ガスを注入せずに形成した以外は実施例１２と同様にして光記録媒体を作製した。このとき、第１保護膜３は厚さ１４０ｎｍ  のＺｎＳ−ＳｉＯ２（ＳｉＯ２：２０  ｍｏｌ％）混合膜となった。
上述の方法で作製した実施例１２、比較例１１の光記録媒体の記録膜組成とディスク特性を表３に示す。
【００６９】
【表３】
0003608934.tif 000004
【００７０】
実施例１２の光記録媒体は、比較例１１の光記録媒体に比べ、繰り返し記録消去特性が向上していることがわかる。
（実施例１３、１４）
記録膜４を、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅターゲット上にＩｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｕの各チップを載せて組成を振りながらＤＣスパッタ法により作製した以外は、実施例１２と同様にして光記録媒体を作製し、実施例１３、１４とした。
【００７１】
（比較例１２〜１４）
記録膜４の組成を異ならせた以外は、実施例１３、１４と同様にして光記録媒体を作製し、比較例１２〜１４とした。
このような方法で作製した実施例１３、１４と比較例１２〜１４の光記録媒体の記録膜組成とディスク特性を表３に示す。
【００７２】
表３から、それぞれα、β、γ及びδで表される、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｂ、及びＴｅの組成比率が、１原子％≦α≦１６原子％、８原子％≦β≦１７原子％、４１原子％≦γ≦６３原子％、２４原子％≦δ≦３６原子％、或いは、０原子％＜α≦１７原子％、３原子％≦β＜８原子％、５１原子％≦γ≦６７原子％、２６原子％≦δ≦３３原子％、ただし、９９原子％≦α＋β＋γ＋δ≦１００  原子％を満たす実施例１２〜１４は、良好な繰り返し記録消去特性を示すが、組成比率が上記範囲にない比較例１２〜１４は良好な繰り返し記録消去特性を示さない。
【００７３】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１〜３に係る発明によれば、カルコパイライト系化合物であるAu-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te-V合金、Cu-In-Sb-Te合金及びPd-In-Sb-Te合金のいずれかの合金からなる記録膜を備える光記録媒体の繰り返し記録消去特性を向上できるという効果がある。
【００７４】
請求項４〜８に係る発明によれば、Au-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te-V合金、Cu-In-Sb-Te合金及びPd-In-Sb-Te合金のいずれかの合金からなる記録膜の表面に設ける光記録媒体用保護膜として、ZnSとSiO2の混合膜に濃度分布を持たせて窒素を含ませた光記録媒体用保護膜とすることで、光記録媒体の繰り返し記録消去特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の膜構成の一例を示す断面図
【図２】本発明の光記録媒体の膜構成の他の例を示す断面図
【図３】本発明の光記録媒体の膜構成の更に他の例を示す断面図
【符号の説明】
１  光記録媒体
２  基板
３  第１保護膜
４  記録膜
５  第２保護膜
６  反射膜
７  ラッカー層
８  接着層
９  上部基板
【図１】
0003608934.tif 000005
【図２】
0003608934.tif 000006
【図３】
0003608934.tif 000007