(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の半導体基板上に形成された、中空保持された検知部を有する熱型赤外線検出器の２次元配列と、該熱型赤外線検出器を駆動する周辺回路部と、該周辺回路部に電気接続した信号入出力電極を備えた熱型赤外線固体撮像装置であって、
上記信号入出力電極が、上記周辺回路部に電気接続した配線層と、該配線層上に開口部を残して形成された保護絶縁膜と、前記開口部を通じて前記配線層に電気接続するように前記保護絶縁膜上に形成された保護電極層を有し、
上記保護電極層が、上記配線層に重なる接続領域と、該接続領域に接続して上記配線層に重ならずかつ探針検査可能な面積を有する検査領域を備えることを特徴とする熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項２】
上記保護電極層が、矩形の上記接続領域と、該接続領域よりも大なる矩形の上記検査領域を、並列接続して成る凸型形状であることを特徴とする請求項１記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項３】
上記配線層の上記保護電極層に接続する部分が環状又は枠状であり、
上記保護電極層が、前記配線層に重なる環状又は枠状の上記接続領域と、該環状又は枠状の接続領域の内側に配置された上記検査領域を備えることを特徴とする請求項１記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項４】
上記保護電極上に、該保護電極を上記検査領域に開口部を残して覆う第2の保護絶縁膜を形成したことを特徴とする請求項３記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項５】
上記保護電極層が、金、チタン、窒化チタン、タングステン及びこれらの合金からなる群から選ばれた１種から成ることを特徴とする請求項１に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項６】
上記保護電極層の上記検査領域下部に、探針接触による亀裂の進行阻止可能な亀裂阻止層をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項７】
上記保護電極層の上記検査領域下部であって、上記環状又は枠状の配線層端部の内側に、探針接触による亀裂の進行阻止可能な亀裂阻止層をさらに備えたことを特徴とする請求項３に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項８】
上記亀裂阻止層が、シリコン、タングステンシリサイド、タングステン、チタン、窒化チタン、アルミニウム及び窒化シリコンから成る群から選ばれた１種から成ることを特徴とする請求項６又は７に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項９】
上記亀裂阻止層が、上記配線層と同一層に同一材料で形成されて成ることを特徴とする請求項６又は７に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項１０】
上記亀裂阻止層が、上記検査領域よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の熱型赤外線固体撮像装置。
【請求項１１】
（A)半導体ウエハ上に、
（ａ）検知部を有する熱型赤外線検出器の２次元配列と、
（ｂ）上記熱型赤外線検出器を駆動する周辺回路部と、
（ｃ）（１）上記周辺回路部に電気接続した配線層と、
（２）該配線層上に開口部を残して形成された保護絶縁膜と、
（３）上記配線層に重なる接続領域と、該接続領域に接続して上記配線層に重ならずかつ探針検査可能な面積を有する検査領域を備えるように、前記開口部を覆って前記保護絶縁膜上に形成された保護電極層
から成る信号入出力電極を備える半導体チップを複数個形成する工程と、
（Ｂ）上記半導体ウエハ上において、上記半導体チップ毎に、上記信号入出力電極の有する上記保護電極層の上記検査領域に探針を立てて検査する工程と、
（Ｃ）上記半導体ウエハを上記半導体チップ毎に分割するダイシング工程と、
（Ｄ）上記半導体チップをエッチング処理して、上記熱型赤外線検出器の上記検知部を中空保持された構造とする工程を備えた熱型赤外線固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
赤外線光学系と、請求項１に記載の熱型赤外線固体撮像装置と、これらを内蔵する筐体を備えたことを特徴とする赤外線カメラシステム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術】
本発明は、熱型赤外線固体撮像装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、夜間の監視や温度計測等に赤外線光学機器の利用が盛んになっており、安価な赤外線固体撮像装置の開発が要望されている。中でも熱型の赤外線固体撮像装置は、量子型の赤外線固体撮像装置と異なり冷却機構が不要であるため、安価な赤外線固体撮像装置として期待されている。
【０００３】
熱型赤外線固体撮像装置には、例えば、特開平２−１９６９２９号公報、特開平４−５００４３７号公報に記載されたボロメータ方式、特許番号第２５４１４５８号公報に記載されたサーモパイル方式、ＳＰＩＥプロシーディングＶｏｌ．２７４６の１１１頁の図１５に記載された焦電方式等、種々の方式がある。これらは、いずれもシリコン基板上に熱型赤外線検出器を１次元あるいは２次元配列して形成することにより構成されている。
【０００４】
熱型赤外線検出器とは、検知部が吸収する入射赤外線を検知部の温度変化に変え、温度変化によって引き起こされた検知部の電気抵抗値、誘電率、自発分極率あるいは熱起電力などの電気的な特性の変化を電気信号に変換することで、被撮像物体の輻射する赤外線を検知するものである。従って、検知部の熱絶縁性を上げることが高感度の検出器を得るために必要である。
【０００５】
図６（ｂ）は熱型赤外線検出器の構造の一例を示す斜視図である。絶縁膜２６を表面形成したシリコン基板１０上に、脚部２８を介して検知部３０が保持されている。検知部３０が赤外線を吸収して温度上昇し、抵抗３０ａの抵抗値が変化することを利用して赤外線量の検出を行う。検知部温度上昇の赤外線に対する感度を向上するため、検知部３０とシリコン基板１０間を中空として両者を熱的に絶縁している。かかる中空構造には、例えば、ＳＰＩＥプロシーディングＶｏｌ．２５５２の８０頁の図４に記載されているプレーナー構造やブリッジ構造がある。また、特開平９−２４３４４９号公報には、さらに検知部周囲の真空度を１×１０-2Ｔｏｒｒ以下にすることで検出器の感度を向上する方法も開示されている。
【０００６】
検知部の中空構造は、シリコン基板と検知部の間隙にシリコン、アルミニウム、又はＳｉＯ2等から成る犠牲層を形成しておき、後から犠牲層をエッチング除去することにより形成することができる。犠牲層がシリコンであれば水酸化テトラメチルアンモニウム（以下ＴＭＡＨと称す）溶液、ＫＯＨ溶液、又はＸｅＦ２気体などで、アルミニウムであれば混酸溶液などで、ＳｉＯ2であればフッ酸溶液等で除去することができる。
【０００７】
図６（ａ）は熱型赤外線固体撮像装置の平面概略図である。シリコン基板上に、図６（ｂ）に示した熱型赤外線検出器３２が２次元に配列して形成され、その周囲には熱型赤外線検出器を駆動するための周辺回路部３４と、周辺回路部３４を外部回路に接続するための信号入出力電極３６が形成されている。
【０００８】
中空構造を形成するための犠牲層エッチングは、上記構成の熱型赤外線固体撮像装置を全てシリコンウエハ上に形成し、ダイシングを行った後に行われる。ダイシング前に犠牲層エッチングを行っては、中空構造内にダイシングの切り粉等が侵入して素子破壊を起すためである。
【０００９】
したがって、中空構造を形成する犠牲層エッチングにおいては、上記信号入出力電極も同時にをエッチング薬液に浸されることとなる。配線及び電極は、一般に安価なアルミニウムで形成されているが、アルミニウムはＴＭＡＨ溶液、ＫＯＨ溶液、混酸溶液、フッ酸溶液等のエッチング薬液に容易に溶解してしまう。
【００１０】
そこで、信号入出力電極３６においてアルミニウム等で形成した配線層をさらに上記のエッチング薬液に溶解しない保護電極層で覆うことにより、信号入出力電極３６をエッチング薬液から保護していた。
【００１１】
図７（ａ）及び（ｂ）は、図６（ａ）に示す熱型赤外線固体撮像素子の信号入出力電極を含む部分を拡大して示した平面図及び断面図である。シリコン基板１０上にＳｉＯ2などからなる絶縁層１２が形成され、絶縁層１２上にアルミニウム等からなる配線層１６が形成されている。配線層１６はリード部分１６ａが周辺回路部に接続している。配線層１６及び絶縁層１２上にＳｉＯ2等からなる保護絶縁膜１４が形成され、配線層１６上に開口部１４ａが設けられている。さらに開口部１４ａを覆って保護電極層２０が形成されている。
【００１２】
かかる構造の信号入出力電極においては、エッチング薬液に侵され易い配線層１６は保護電極２０及び保護絶縁膜１４に覆われている為、犠牲層エッチング工程においてエッチング薬液による配線層の侵食が抑制される。例えば映像情報メディア学会技術報告Ｖｏｌ２１．の８頁には、チタンから成る保護電極層を用いた信号入出力電極が開示されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
熱型赤外線固体撮像装置は、半導体ウエハに形成された後、半導体ウエハ上においてプローバーによって探針検査される。探針検査は、プローバーの探針を信号入出力電極に接触させ、探針を介して電気信号を周辺回路に入出力することにより行われる回路検査である。しかし、上記従来の信号入出力電極の構造では、探針検査工程において信号入出力電極に当てた探針が保護電極層２０を貫通し、そのため半導体ウエハをダイシングして犠牲層除去を行う際に、この貫通孔からエッチング薬液が侵入して配線層１６を溶解する場合があった。このため従来の熱型赤外線固体撮像装置は安定した生産が困難である問題があった。
【００１４】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、探針検査の際の配線層につながる貫通孔の発生を防ぎ、検出器の犠牲層除去に際する信号入出力電極の侵食発生を防止して安定生産可能な熱型赤外線固体撮像装置の構造と製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の熱型赤外線検出装置は、同一の半導体基板上に形成された、中空保持された検知部を有する熱型赤外線検出器の２次元配列と、該熱型赤外線検出器を駆動する周辺回路部と、該周辺回路部に電気接続した信号入出力電極を備えた熱型赤外線固体撮像装置であって、
上記信号入出力電極が、上記周辺回路部に電気接続した配線層と、該配線層上に開口部を残して形成された保護絶縁膜と、前記開口部を通じて前記配線層に電気接続するように前記保護絶縁膜上に形成された保護電極層を有し、
上記保護電極層が、上記配線層に重なる接続領域と、該接続領域に接続して上記配線層に重ならずかつ探針検査可能な面積を有する検査領域を備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、保護電極層の検査領域に探針を接触させて検査を行っても、探針の貫通孔が配線層に到達しないため、検出器の犠牲層除去に際する信号入出力電極の侵食発生を防止することができる。
【００１７】
上記保護電極層が、矩形の上記接続領域と、該接続領域よりも大なる矩形の上記検査領域を、並列接続して成る凸型形状であることが好ましい。これにより、回路検査工程における信号入出力電極の認識が容易となり、また保護電極層の小面積化を図ることができる。
【００１８】
また、上記配線層の上記保護電極層に接続する部分が環状又は枠状であり、上記保護電極層が、前記配線層に重なる環状又は枠状の上記接続領域と、該環状又は枠状の接続領域の内側に配置された上記検査領域を備えることも好ましい。これによっても回路検査工程における信号入出力電極の認識が容易となり、また保護電極層の小面積化を図ることができる。
【００１９】
この場合、さらに、上記保護電極上に、該保護電極を上記検査領域に開口部を残して覆う第2の保護絶縁膜を形成することが好ましい。これにより、探針が保護電極の接続領域に接触することを確実に防止することができる。
【００２０】
さらにまた、上記保護電極層が、金、チタン、窒化チタン、タングステン及びこれらの合金からなる群から選ばれた１種から成ることが好ましい。これらの材料は、犠牲層エッチングに用いられるエッチング薬液に対する耐性が高いため、配線層の溶解を確実に防止することができる。
【００２１】
加えて、上記保護電極層の上記検査領域下部に、探針接触による亀裂の進行阻止可能な亀裂阻止層をさらに備えることが好ましい。尚、配線層端部が環状又は枠状であるときは、上記環状又は枠状の配線層端部の内側に、探針接触による亀裂の進行阻止可能な亀裂阻止層を形成することが好ましい。亀裂素子層を設けることにより、探針接触の際に絶縁膜等に発生する亀裂の進行を止め、保護電極層とシリコン基板の間に漏電経路が開通するのを防止することができる。
【００２２】
上記亀裂阻止層は、シリコン、タングステンシリサイド、タングステン、チタン、窒化チタン、アルミニウム及び窒化シリコンから成る群から選ばれた１種から成ることが好ましい。
【００２３】
また、上記亀裂阻止層が上記配線層と同一層に同一材料で形成されて成ることが好ましく、これにより亀裂素子層を配線層の形成と同時に行って工程を簡略化することができる。
【００２４】
さらに、上記亀裂阻止層が、上記検査領域よりも大きいことが好ましく、これにより亀裂の進行をより確実に防止することができる。
【００２５】
本発明の熱型赤外線固体撮像装置の製造方法は、
（A)半導体ウエハ上に、
（ａ）検知部を有する熱型赤外線検出器の２次元配列と、
（ｂ）上記熱型赤外線検出器を駆動する周辺回路部と、
（ｃ）（１）上記周辺回路部に電気接続した配線層と、
（２）該配線層上に開口部を残して形成された保護絶縁膜と、
（３）上記配線層に重なる接続領域と、該接続領域に接続して上記配線層に重ならずかつ探針検査可能な面積を有する検査領域を備えるように、前記開口部を覆って前記保護絶縁膜上に形成された保護電極層
から成る信号入出力電極を備える半導体チップを複数個形成する工程と、
（Ｂ）上記半導体ウエハ上において、上記半導体チップ毎に、上記信号入出力電極の有する上記保護電極層の上記検査領域に探針を立てて検査する工程と、
（Ｃ）上記半導体ウエハを上記半導体チップ毎に分割するダイシング工程と、
（Ｄ）上記半導体チップをエッチング処理して、上記熱型赤外線検出器の上記検知部を中空保持された構造とする工程を備えることを特徴とする。
【００２６】
これにより、保護電極層の検査領域に探針を接触させて検査を行う工程において、探針の貫通孔が配線層に到達せず、検出器の犠牲層を除去して検知部を中空保持させる工程における信号入出力電極の侵食発生を防止することができる。
【００２７】
また本発明は、上記本発明の熱型赤外線固体撮像装置を、赤外線光学系と共に筐体に内臓させたことを特徴とする赤外線カメラシステムでもある。かかる赤外線カメラシステムは、熱型赤外線固体撮像装置の信号入出力電極が劣化していないため、安定して映像信号を出力可能である。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下本発明の熱型赤外線固体撮像装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。尚、図において、同一符号は、同一又は対応する部材を示す。
【００２９】
実施の形態１．
図１は、本発明の熱型赤外線固体撮像装置の一例を示す平面図である。シリコン基板などの半導体基板上に、熱型赤外線検出器３２が２次元に配列して形成され、その周囲には熱型赤外線検出器を駆動するための周辺回路部３４と、周辺回路部３４を外部回路に接続するための信号入出力電極３６が形成されている。信号入出力電極を除いては、従来の熱型赤外線固体撮像装置と同様の構造である。図２（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す熱型赤外線固体撮像素子の信号入出力電極を含む部分を拡大して示した平面図及び断面図である。シリコン基板１０上にＳｉＯ2等の絶縁層１２が形成され、絶縁層１２上にアルミニウム等の配線層１６が形成され、絶縁層１２及び配線層１６上にＳｉＯ2等の保護絶縁膜１４が形成されている。保護絶縁膜１４には、配線層１６上に開口部１４ａが設けられている。この開口部１４ａを覆って、保護絶縁膜１４上に保護電極層２０が形成されている。保護電極層２０は、開口部１４ａを通じて配線層１６に電気接続している。尚、配線層１６はリード部１６ａを介して熱型赤外線固体撮像装置の周辺回路部に電気接続している。
【００３０】
上記保護電極層２０は、配線層１６に重なる接続領域２０ａと、配線層１６に重ならない検査領域２０ｂを有する。接続領域２０ａと検査領域２０ｂは、連絡領域２０ｃを介して接続している。検査領域２０ｂは、後の探針検査工程において探針検査可能な、即ちプローバーによって画像認識して探針を接触させることのできる十分な面積を有している。例えば、保護電極層２０は一辺２００μｍの正方形から成る接続領域２０ａと検査領域２０ｂとが、１００μｍの長さの連絡領域２０ｃを介して接続した形状をしている。尚、接続領域２０ａおよび検査領域２０ｂの形状は任意であるが、検査領域２０ｂをプローバーによって画像認識できることが必要であるため、検査領域２０ｂと接続領域２０ａとの間に明確な境界を有していることが好ましい。本実施の形態においては、連絡領域２０ｃを設けることにより、検査領域２０ｂと接続領域２０ａとの間に境界を形成している。
【００３１】
尚、上記保護電極層は、金、チタン、窒化チタン、タングステン又はこれらの合金から成ることが好ましい。これらの材料は、犠牲層のエッチングに用いられるＴＭＡＨ溶液、ＫＯＨ溶液、混酸溶液、フッ酸溶液等のいずれの薬液に対しても溶解せず、配線層１６を有効に保護することができる。
【００３２】
本実施の形態の熱型赤外線固体撮像素子は、次のようにして製造することができる。まず、半導体ウエハ上に、
（ａ）検知部を有する熱型赤外線検出器３２の２次元配列と、
（ｂ）上記熱型赤外線検出器を駆動する周辺回路部３４と、
（ｃ）（１）上記周辺回路部に電気接続した配線層１６と、
（２）該配線層１６上に開口部１４ａを残して形成された保護絶縁膜１４と、
（３）上記配線層に重なる接続領域２０ａと、該接続領域２０ａに連絡領域２０ｃを介して接続して上記配線層１６に重ならずかつ探針検査可能な面積を有する検査領域２０ｂを備えるように、前記開口部１４ａを覆って前記保護絶縁膜１４上に形成された保護電極層２０
から成る信号入出力電極３６を備える半導体チップを複数個形成する。
【００３３】
尚、熱型赤外線検出器３２の検知部はシリコン、アルミニウム、又はＳｉＯ2等から成る犠牲層の上に形成されているが、この工程においては、犠牲層はまだエッチングされておらず、検知部の下部は中空となっていない。また、上記各構成要素の形成には、従来の一般的な熱型赤外線検出器の製造プロセスを適用することができる。
【００３４】
次に、上記半導体ウエハ上において、半導体チップ毎に、信号入出力電極３６の有する保護電極層２０の検査領域２０ｂに探針を立てて検査を行う。
【００３５】
次に、半導体ウエハをダイシングによって半導体チップ毎に分割する。
【００３６】
最後に、半導体チップをエッチング薬液に浸漬して犠牲層を除去して、検知部を中空保持された構造とする。犠牲層がシリコンであれば水酸化テトラメチルアンモニウム（以下ＴＭＡＨと称す）溶液、ＫＯＨ溶液、又はＸｅＦ２気体などで、アルミニウムであれば混酸溶液などで、ＳｉＯ2であればフッ酸溶液等でエッチング処理する。
【００３７】
本発明の実施の形態１の熱型赤外線固体撮像素子においては、検査工程において探針を保護電極層の検査領域２０ｂに立てることにより保護電極層２０ｂに貫通孔が生じても、生じた貫通孔が配線層１６に到達することがない。このため犠牲層のエッチング工程においても、配線層１６は保護電極層２０および保護絶縁膜１４によって保護されるため、エッチング薬液によって侵食されることはない。
【００３８】
尚、本発明の熱型赤外線固体撮像装置を外部回路に接続するためのワイヤボンドは、保護電極層の接続用領域２０ａと検査領域２０ｂのどちらに行っても良い。
【００３９】
実施の形態２．
本実施の形態の熱型赤外線固体撮像装置は、実施の形態１と同様の信号入出力電極を備え、さらに、探針接触時に発生する亀裂が基板に到達するのを阻止するための亀裂阻止層を備える。
【００４０】
図３（ａ）および（ｂ）は、本発明の熱型赤外線固体撮像装置の信号入出力電極を含む部分の別の一例を拡大して示した平面図及び断面図である。尚、信号入出力電極を除いては、実施の形態１と同様の構造である。
【００４１】
シリコン基板１０上にＳｉＯ2等の絶縁層１２が形成され、絶縁層１２上にアルミニウム等の配線層１６が形成されている。配線層１６の形成と同時に、配線層１６に隣接して、同じアルミニウム等の亀裂阻止層２２が形成されている。亀裂阻止層２２は、配線層１６と分離して形成することが好ましい。絶縁層１２、配線層１６及び亀裂阻止層２２の上にＳｉＯ2等の保護絶縁膜１４が形成されている。保護絶縁膜１４には、配線層１６上に開口部１４ａが設けられ、この開口部１４ａを覆って、保護絶縁膜１４上に保護電極層２０が形成されている。
【００４２】
保護電極層２０は配線層１６に重なる接続領域２０ａと配線層１６に重ならない検査領域２０ｂを有し、接続領域２０ａと検査領域２０ｂは連絡領域２０ｃを介して接続している。接続領域２０ａ、検査領域２０ｂ、連絡領域２０ｃの大きさは実施の形態１と同様である。ただし本実施の形態においては、検査領域２０ｂは、その全面が亀裂阻止層２２に重なるよう形成されている。
【００４３】
検査工程において探針を検査領域２０ｂに接触させた際に、貫通した探針の圧力によって検査領域２０ｂ下部に亀裂が発生する場合がある。亀裂阻止層２２は、この亀裂がシリコン基板１０に到達するのを阻止する役割を果たす。検査領域２０ｂとシリコン基板１０の間には、通常、保護絶縁膜１４及び絶縁層１２が存在するが、これらは一般的にシリコン酸化膜から成り、シリコン酸化膜は亀裂が発生し易い材料である。このため、探針が保護電極層２０ｂを貫通すると、探針貫通部において保護絶縁膜１４及び絶縁層１２に亀裂が発生し易く、他に層がなければ、発生した亀裂は容易にシリコン基板１０に到達してしまう。亀裂がシリコン基板に到達すると、保護電極層２０ｂとシリコン基板１０の間に漏電経路が開通して熱型赤外線固体撮像装置の信号出力が不安定となる。
【００４４】
亀裂阻止層２２は、亀裂の発生しにくい材料から成り、検査領域２０ｂとシリコン基板１０の間に位置して、亀裂の進行を停止する役割を果たす。したがって、亀裂阻止層２２は、検査領域２０ｂとシリコン基板１０の間であれば、どこに位置していても良い。即ち、シリコン基板１０上、絶縁層１２上、保護絶縁膜１４上のいずれに形成されていても良い。尚、本実施の形態においては、亀裂阻止層２２を、配線層１６と同一層、同一材料で絶縁層１２上に形成したが、この事には、亀裂阻止層の形成工程を配線層の形成工程と兼用する事によって工程数を削減できる利点がある。
【００４５】
また、亀裂阻止層２２は、検査領域２０ｂよりも大きなことが好ましい。亀裂は、探針の接触部に発生するが、亀裂が斜めに進行する場合もあるからである。
【００４６】
亀裂阻止層２２には、亀裂の発生しにくい材料であればいずれも使用可能であるが、特にシリコン、タングステンシリサイド、タングステン、チタン、窒化チタン、アルミニウム及び窒化シリコン等が好ましい。これらはいずれも亀裂発生しにくく、かつ半導体工程での使用に適している。尚、亀裂阻止層がシリコン基板１０、配線層１６又は保護電極層２０と接する配置となる場合には、絶縁性の窒化チタン、窒化シリコン等を使用することが好ましい。
【００４７】
尚、絶縁層１２又は保護絶縁膜１４自身が亀裂発生のしにくい材料である場合、例えば減圧下で成膜された窒化シリコン等から成る場合には、亀裂阻止層２２を省略することができる。
【００４８】
実施の形態３
本実施の形態の熱型赤外線固体撮像装置は、実施の形態２に示した信号入出力電極の平面構造を変形したものである。
【００４９】
図４（ａ）および（ｂ）は、本実施の形態の熱型赤外線固体撮像装置の信号入出力電極を含む部分を拡大して示した平面図及び断面図である。尚、信号入出力電極の平面構造を除いては、実施の形態１又は２と同様の構造である。
【００５０】
シリコン基板１０上にＳｉＯ2等の絶縁層１２、アルミニウム等の配線層１６及び亀裂阻止層２２が形成されている。絶縁層１２、配線層１６及び亀裂阻止層２２の上にＳｉＯ2等の保護絶縁膜１４が形成されている。保護絶縁膜１４には、配線層１６上に開口部１４ａが設けられ、この開口部１４ａを覆って、保護絶縁膜１４上に保護電極層２０が形成されている。
【００５１】
保護電極層２０は、矩形の接続領域２０ａと、接続領域２０ａよりも大なる矩形の検査領域２０ｂが、並列接続した凸型形状となっている。検査領域２０ｂは、その全面が亀裂阻止層２２に重なるよう形成されている。例えば、接続領域２０ａは一辺４μｍの正方形であり、検査領域２０ｂは一辺２００μｍの正方形である。
【００５２】
本実施の形態の熱型赤外線固体撮像装置は、実施の形態１及び２で得られた利点に加えて、次の利点を有する。
【００５３】
まず、信号入出力電極を、上記凸型形状とする事により、検査工程においてプローバーが探針検査を行う電極を認識する際に、探針を当てるべき検査領域２０ｂを接続領域２０ａと誤認する事を防ぐことができる。実施の形態１又は２に示した信号入出力電極では、接続領域２０ａと検査領域２０ｂの形態が類似しているため、プローバーによって誤認識される恐れがあったのに対し、本実施の形態の信号入出力電極において両者の形状は全く異なるからである。
【００５４】
また、本実施の形態の信号入出力電極は、実施の形態１又は２に示した信号入出力電極に比較して、専有面積を減少して熱型赤外線固体撮像装置の集積度を向上することができる利点もある。
【００５５】
実施の形態４
図５（ａ）及び（ｃ）は、本実施の形態の熱型赤外線固体撮像装置の信号入出力電極を含む部分を拡大して示した平面図及び断面図である。図５（ｂ）は、信号入出力電極の配線層及び亀裂阻止層のみを示した平面図である。尚、図５（ｂ）中のハッチングは断面を表すものではない。信号入出力電極の構造を除いては、実施の形態１から３と同様の構造である。
【００５６】
シリコン基板１０上にＳｉＯ2等の絶縁層１２が形成され、その上にアルミニウム等の配線層１６及び亀裂阻止層２２が形成されている。本実施の形態において、配線層１６は、この後形成する保護電極層２０に接続する部分が枠状に形成されている。亀裂阻止層２２は、枠状の配線層１６の内側に、配線層１６と分離して形成することが好ましい。例えば、配線層１６は一辺２１４μｍの正方形の内部を一辺２０６μｍの正方形でくり貫いた幅４μｍの枠状をしており、亀裂阻止層２２は枠状の配線層１６の内側にある一辺２０２μｍの正方形である。
【００５７】
絶縁層１２、配線層１６及び亀裂阻止層２２の上にＳｉＯ2等の保護絶縁膜１４が形成されている。保護絶縁膜１４には、配線層１６上に、枠状の開口部１４ａが設けられ、この開口部１４ａを覆って、保護絶縁膜１４上に保護電極層２０が形成されている。
【００５８】
保護電極層２０は、配線層１６に重なる枠状の接続領域と、枠状の接続領域の内側に配置されかつ配線層１６に重ならない検査領域を有するが、本実施の形態においては、接続領域と検査領域は連続しており、例えば、一辺２１２μｍの単一の正方形形状となっている。
【００５９】
保護電極層２０及び保護絶縁膜１４の上には、さらにＳｉＯ2等の第２の保護絶縁膜２４が方形の開口部２４ａを残して形成されている。開口部２４ａは、接続領域の上に、即ち配線層１６に重ならないように配置されている。開口部２４ａの大きさは、例えば、一辺２００μｍの正方形である。
【００６０】
第２の保護電極層２４は、プローバーによる検査工程において、保護電極層２０の接続領域と検査領域の区別を可能にし、さらに探針が接続領域に接触するのを確実に防止するために形成される。尚、保護電極層２０が、接続領域と検査領域の区別可能な形状に形成されている場合は、第２の保護電極層２４は省略可能である。例えば、接続領域と検査領域の間に溝を設け、溝の一部に連絡領域を設けて接続領域を検査領域を電気接続しておくことにより、プローバーによる接続領域と検査領域の区別が可能となる。
【００６１】
尚、配線層１６はできるだけ巾を狭く形成し、第２の保護絶縁膜２４の開口部２４ａの面積を大きくすることが好ましい。ただし、開口部２４ａは、亀裂阻止層２２よりも小さく形成することが好ましい。探針の接触による亀裂は、斜めに進行する場合もあるからである。
【００６２】
また、本実施の形態においては、配線層１６を枠状に形成し、亀裂阻止層２２、保護電極層２０等を矩形に形成したが、これに代えて配線層１６を環状に形成し、亀裂阻止層２２、保護電極層２０等を円形に形成しても良い。
【００６３】
本実施の形態の熱型赤外線固体撮像装置は、実施の形態１、２及び３における利点に加えて、電極形状を従来と同様の正方形、及び長方形等にできる利点を有する。さらに、第２の保護絶縁膜２４を形成することにより、プローバーが保護電極の位置の誤認識を起した場合であっても、探針が保護電極２０の接続領域に接触して貫通孔を形成することを確実に防止することができる。
【００６４】
実施の形態５
本実施の形態においては、本発明の熱型赤外線固体撮像装置を組み込んだ赤外線カメラシステムについて説明する。本発明の赤外線カメラシステムは、例えば、実施の形態１から４のいずれかに示した熱型赤外線固体撮像装置を、赤外線光学系とともに適当な筐体に組み込むことによって構成することができる。
【００６５】
本発明の赤外線カメラシステムは、被写体の赤外線像を出力するものであり、例えば、次のようにして動作させることができる。まず、被写体から発せられた赤外線を、適当なレンズ系を有する赤外線光学系によって、本発明の熱型赤外線固体撮像装置に形成された熱型検出器の２次元配列上に結像させる。熱型検出器の２次元配列は、被写体の赤外線像に対応した赤外線の強度分布を検知し、被写体の赤外線像に対応した画像信号を出力する。この画像信号を熱型赤外線固体撮像装置の周辺回路及び信号入出力電極を介して取り出すことにより、本発明のカメラシステムからの映像出力が得られる。
【００６６】
【発明の効果】
本発明の熱型赤外線検出装置は、信号入出力電極の保護電極層が配線層に重なる接続領域と、配線層に重ならずかつ探針検査可能な面積を有する検査領域を備えるため、保護電極層の検査領域に探針を接触させて検査を行っても、探針の貫通孔が配線層に到達せず、検出器の犠牲層除去に際する信号入出力電極の侵食発生を防止できるため、安定生産可能である。
【００６７】
また、保護電極層を、矩形の接続領域と、接続領域よりも大なる矩形の検査領域を並列接続して成る凸型形状とすることにより、製造過程における回路検査時の検査位置の認識を容易にし、上記保護電極層を小面積化して高集積かつ安定生産可能な熱型赤外線固体撮像装置を提供することができる。
【００６８】
またこれに代えて、配線層の保護電極層に接続する部分を環状又は枠状とし、保護電極層を配線層に重なる環状又は枠状の接続領域と該接続領域の内側に配置された検査領域を有するよう形成しても良く、これによっても上記保護電極層を小面積化して高集積かつ安定生産可能な熱型赤外線固体撮像装置を提供することができる。
【００６９】
この場合さらに、上記保護電極上に上記検査領域に開口部を残して覆う第2の保護絶縁膜を形成することにより、検査時に探針が保護電極の接続領域に接触することを確実に防止して、さらに熱型赤外線固体撮像装置の生産を安定化することができる。
【００７０】
さらにまた、上記保護電極層を、金、チタン、窒化チタン、タングステン及びこれらの合金からなる群から選ばれた１種によって形成することにより、配線層の溶解を確実に防止して、またさらに熱型赤外線固体撮像装置の生産を安定化することができる。
【００７１】
加えて、上記保護電極層の上記検査領域下部に、探針接触による亀裂の進行阻止可能な亀裂阻止層をさらに備えることにより、探針接触の際に絶縁膜等に発生する亀裂の進行を止め、保護電極層とシリコン基板の間に漏電経路が開通するのを防止して、熱型赤外線固体撮像装置の信号出力を安定化させることができる。
【００７２】
上記亀裂阻止層を、シリコン、タングステンシリサイド、タングステン、チタン、窒化チタン、アルミニウム又は窒化シリコンによって形成することにより、従来の半導体製造プロセスを用いて亀裂阻止層を形成し、熱型赤外線固体撮像装置の信号出力を安定化させることができる。
【００７３】
また、上記亀裂阻止層を上記配線層と同一層に同一材料で形成することにより、亀裂素子層を配線層の形成と同時に行って熱型赤外線固体撮像装置の工程を簡略化することができる。
【００７４】
さらに、亀裂阻止層を、保護電極層の検査領域よりも大きく形成することにより、亀裂の進行をより確実に防止して、熱型赤外線固体撮像装置の信号出力をさらに安定化させることができる。
【００７５】
本発明の熱型赤外線固体撮像装置の製造方法は、配線層に重なる接続領域と、上記配線層に重ならずかつ探針検査可能な面積を有する検査領域を備えるように保護電極層を形成し、上記検査領域に探針を立てて検査した後に、エッチング処理を行うため、探針検査を行う工程において、探針の貫通孔が配線層に到達せず、信号入出力電極の侵食発生を防止して、安定生産が可能である。
【００７６】
本発明の赤外線カメラシステムは、熱型赤外線固体撮像装置の信号入出力電極が製造工程中に侵食による劣化を起こしていないため、安定して映像信号を出力可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１の熱型赤外線固体撮像装置を示す平面概略図である。
【図２】  本発明の実施の形態１の熱型赤外線固体撮像装置の信号入出力電極を含む部分を拡大した（ａ）平面図及び（ｂ）断面図である。
【図３】  本発明の実施の形態２の熱型赤外線固体撮像装置の信号入出力電極を含む部分を拡大した（ａ）平面図及び（ｂ）断面図である。
【図４】  本発明の実施の形態３の熱型赤外線固体撮像装置の信号入出力電極を含む部分を拡大した（ａ）平面図及び（ｂ）断面図である。
【図５】  本発明の実施の形態４の熱型赤外線固体撮像装置の信号入出力電極を含む部分を拡大した（ａ）平面図、（ｂ）配線層及び亀裂阻止層のみを示す平面図及び（ｃ）断面図である。
【図６】  （ａ）は従来の熱型赤外線固体撮像装置の一例を示す平面概略図であり、（ｂ）は従来の熱型検出器の一例を示す斜視図である。
【図７】  従来の熱型赤外線固体撮像装置の信号入出力電極を含む部分を拡大した（ａ）平面図及び（ｂ）断面図である。
【符号の説明】
１０  シリコン基板、１２  絶縁層、１４  保護絶縁膜、１６  配線層、２０  保護電極層、２０ａ  接続領域、２０ｂ  検査領域、２０ｃ  連絡領域、２２  亀裂阻止層、２４  第２の保護絶縁膜、１４ａおよび２４ａ  開口部、３２  熱型赤外線検出器、３４  周辺回路、３６  信号入出力電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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