(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の上に端末機と電磁結合もしくは電磁誘導されるコイル部分を備えてなる非接触ＩＣカードにおいて、
前記コイル部分は、基板の上に形成される繋ぎ用の配線パターン部と、この繋ぎ用の配線パターン部の上に配置されるとともに該繋ぎ用の配線パターン部に接続される少なくとも２層以上のコイル状の配線体を備え、
前記繋ぎ用の配線パターン部は、少なくとも配線のための連結線を有し、
前記少なくとも２層以上のコイル状の配線体は、それぞれ、導電性層と該導電性層の下部に形成された絶縁樹脂層を備え、該絶縁樹脂層によって前記基板あるいは下層に位置するコイル状の配線体に固着されており、かつ、前記２層以上のコイル状の配線体は、それぞれ、一方の接続部をコイル外方に、他方の接続部をコイル内方に備えており、
前記繋ぎ用の配線パターン部は、配線のための連結線の一端が１のコイル状の配線体の一方の接続部と接続され、配線のための連結線の他の一端が連結すべき他の１のコイル状の配線体の他方の接続部と接続されるように機能しており、
当該繋ぎ用の配線パターン部によって、同一巻き方向となるように連続接続されていることを特徴とする非接触ＩＣカード。
【請求項２】
前記少なくとも２層以上のコイル状の配線体は、同一巻き方向のコイル状の配線体であることを特徴とする請求項１に記載の非接触ＩＣカード。
【請求項３】
前記絶縁樹脂層は、電着粘着剤あるいは電着接着剤により形成されてなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の非接触ＩＣカード。
【請求項４】
前記積層される２層以上のコイル状の配線体の重なり部分における絶縁は、上層のコイル状の配線体を構成する絶縁樹脂層により保たれることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の非接触ＩＣカード。
【請求項５】
前記請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の非接触ＩＣカードの製造方法であって、
該方法は、導電性基板の上に、導電性層と該導電性層上に積層された粘着性あるいは接着性の絶縁樹脂層とを有するコイル状の配線体を設けた転写用原版を複数作製して準備しておき、
次に、コイル状の配線体を設ける予定の基板上に、予め所定パターンの繋ぎ用の配線パターン部を形成し、
しかる後、この上に前記コイル状の配線体を設けた転写用原版を圧着し、前記導電性基板を剥離することにより前記コイル状の配線体を基板上に転写し、転写されたコイル状の配線体の両端部を、前記繋ぎ用の配線パターン部の所定位置に接続するという一連の操作を繰り返して、同一巻き方向となるように連続接続されてた多層のコイル状の配線体を形成してなることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は外部装置と電力供給や信号交換を電磁波により行う、いわゆる非接触ＩＣカードに関し、さらに詳しくは、非接触ＩＣカード内に装着されるコイルの構造およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、非接触ＩＣカードでは、カードに内蔵されるコイルと端末装置との間で電磁結合もしくは、電磁誘導によりデータの伝送や動作電力の供給が行なわれている。このうち、カード側に内蔵されるコイルには従来、例えば▲１▼ワイヤーを単にスパイラル状に巻き加工した巻き線コイルをそのまま用いたり、あるいは▲２▼エッチング処理によりプリント基板上に形成されたプリントコイルが使用されてきた。
【０００３】
このように用いられる非接触ＩＣカードのカード側コイルは、物理的寸法の制約から必然的に小型化、薄型化が求められる。例えば、厚さ０．７８ｍｍのカードを作る場合、コイルは当然に０．７８ｍｍよりも薄くなければならない。
【０００４】
前記▲１▼巻き加工によって薄型のコイルを作製する場合、巻き線コイルとして径の細いワイヤーを使用するか、あるいは平角線を使用してコイルの薄型化を実現している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ワイヤーの径が細くなると抵抗が大きくなり非接触ＩＣカード用のコイルとして最適な特性が得られない。また、平角線等の扁平なワイヤーを使用した場合、ワイヤーの巻き数が多くなるとコイル自身が大きくなり、カード化した後、曲げなどの応力に対して弱くなる等の問題が生じる。
【０００６】
一方、▲２▼プリントコイルを用いた場合では、カードサイズの限られた面積では、十分な巻き数を達成することができずインダクタンスが不十分となるという不都合が生じる。さらに、プリントコイルを多層化して上記の問題を解決しようとすると、各層間の配線をスルーホールで接続しなければならず、工程が複雑になりコストも上昇するという問題が生じる。
【０００７】
本発明はこのような実情に鑑みて創案されたものであり、その目的は、コイル巻き数を十分に取って、コイルのインダクタンスを大きくしてコイル性能に優れた非接触ＩＣカードを提供することにある。また、曲げ等の応力に強い高性能コイルを備える非接触ＩＣカードを提供することにある。さらには、スルーホール接続の必要性がなく低コストで量産化が可能な高性能コイルを備える非接触ＩＣカードを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は、基板と、この基板の上に端末機と電磁結合もしくは電磁誘導されるコイル部分を備えてなる非接触ＩＣカードにおいて、
前記コイル部分は、基板の上に形成される繋ぎ用の配線パターン部と、この繋ぎ用の配線パターン部の上に配置されるとともに該繋ぎ用の配線パターン部に接続される少なくとも２層以上のコイル状の配線体を備え、
前記繋ぎ用の配線パターン部は、少なくとも配線のための連結線を有し、
前記少なくとも２層以上のコイル状の配線体は、それぞれ、導電性層と該導電性層の下部に形成された絶縁樹脂層を備え、該絶縁樹脂層によって前記基板あるいは下層に位置するコイル状の配線体に固着されており、かつ、前記２層以上のコイル状の配線体は、それぞれ、一方の接続部をコイル外方に、他方の接続部をコイル内方に備えており、
前記繋ぎ用の配線パターン部は、配線のための連結線の一端が１のコイル状の配線体の一方の接続部と接続され、配線のための連結線の他の一端が連結すべき他の１のコイル状の配線体の他方の接続部と接続されるように機能しており、当該繋ぎ用の配線パターン部によって、同一巻き方向となるように連続接続されているように構成される。
【０００９】
また、本発明の非接触ＩＣカードの製造方法は、導電性基板の上に、導電性層と該導電性層上に積層された粘着性あるいは接着性の絶縁樹脂層とを有するコイル状の配線体を設けた転写用原版を複数作製して準備しておき、
次に、コイル状の配線体を設ける予定の基板上に、予め所定パターンの繋ぎ用の配線パターン部を形成し、
しかる後、この上に前記コイル状の配線体を設けた転写用原版を圧着し、前記導電性基板を剥離することにより前記コイル状の配線体を基板上に転写し、転写されたコイル状の配線体の両端部を、前記繋ぎ用の配線パターン部の所定位置に接続するという一連の操作を繰り返して、同一巻き方向となるように連続接続されてた多層のコイル状の配線体を備えてなるように構成される。
【００１０】
【実施例】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
図１は本発明の非接触ＩＣカード１、特に、基板２の上に４層に積層されたコイル状の配線体１０，２０，３０，４０を含むコイル部分３の断面を模式的に示した図である。また、図２は図１の平面図である。コイル部分３は、各コイル状の配線体１０，２０，３０，４０に加えてさらに、図示されていない繋ぎ用の配線パターン部を備えている。この繋ぎ用の配線パターン部は、基板２の上かつコイル部分１０の下に形成されている。そして、このものは、後に詳述するように少なくとも配線のための端子および／または配線のための連結線を有し、前記各コイル状の配線体１０，２０，３０，４０を同一巻き方向に連続接続する役目を果たしている。同一巻き方向に連続接続する具体的方法については後述する。このようなコイル部分３は、通常、外部の端末機と電磁結合もしくは電磁誘導されて機能するようになっている。
【００１２】
図１および図２における各コイル状の配線体１０，２０，３０，４０は、それぞれ、本発明の理解を容易にするとともに図面の線部の煩雑さを避けるために、単にリング形状に描かれているが、実際は、一方端をコイル外方に、他方端をコイル内方に備えるコイル状形態（螺旋形状）をなしている。
【００１３】
前記４層のコイル状の配線体１０，２０，３０，４０は、それぞれ、絶縁樹脂層１１と導電性層１３、絶縁樹脂層２１と導電性層２３、絶縁樹脂層３１と導電性層３３、絶縁樹脂層４１と導電性層４３の積層された組み合わせからなっている。そして、各絶縁樹脂層１１，２１，３１，４１は、電着粘着剤あるいは電着接着剤により形成されており、このものの粘着ないしは接着性によってコイル状の配線体１０，２０，３０，４０の積層化が図られる。積層化は後述するような順次転写積層した重ね刷り方法によって形成される。また、前記積層される２層以上のコイル状の配線体の重なり部分における絶縁は、上層に位置するコイル状の配線体を構成する絶縁樹脂層により、それぞれ、保たれる。なお、最下層のコイル状の配線体１０は、前記繋ぎ用の配線パターン部（図示していない）を介して基板２の上に設けられるが、繋ぎ用の配線パターン部との絶縁は、絶縁樹脂層１１により実現される。
【００１４】
なお、前記４層のコイル状の配線体１０，２０，３０，４０は、全て同一巻き方向（例えば、左巻きであればすべて左巻き）のコイル状の配線体である。
【００１５】
本発明に用いられる基板２は、例えば、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ＢＴレジン（三菱ガス化学製）等の絶縁フィルムを使用することができる。この基板２の厚さは１０〜１００μｍの範囲であることが好ましい。
【００１６】
各コイル状の配線体１０，２０，３０，４０を構成する導電性層１３，２３，３３，４３の厚みは、それぞれ、１μｍ以上、好ましくは、５〜２０μｍの範囲とする。さらに、絶縁樹脂層１１，２１，３１，４１の厚みは、使用する絶縁樹脂にもよるが、各コイル状の配線体間の絶縁を保つために少なくとも、５μｍ以上、好ましくは、１０〜３０μｍの範囲とする。このような各コイル状の配線体１０，２０，３０，４０の線幅は、最小幅１０μｍ程度まで任意に設定することができる。
【００１７】
導電性層１３，２３，３３，４３の材料は、後述するように電析法により薄膜形成が可能なものであれば特に制限はなく、例えば、銅、銀、金、ニッケル、クロム、亜鉛、すず、白金等を用いることができる。
【００１８】
また、絶縁樹脂層１１，２１，３１，４１の材料は  常温もしくは加熱により粘着性を示す電着性絶縁物質であればよい。例えば、使用する高分子としては、粘着性を有するアニオン性、またはカチオン性の合成高分子樹脂を挙げることができる。
【００１９】
具体的には、アニオン性合成高分子樹脂として、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油樹脂、ポリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの樹脂の任意の組み合わせによる混合物として使用できる。さらに、上記のアニオン性合成高分子樹脂とメラミン樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用してもよい。
【００２０】
また、カチオン性合成高分子樹脂として、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組み合わせによる混合物として使用できる。さらに、上記のカチオン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂とを併用してもよい。
【００２１】
また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与するためにロジン系、テルペン系、石油樹脂系等の粘着付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。
【００２２】
上記の高分子樹脂は、後述する本発明の製造方法においてアルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルアミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。また、カチオン性合成高分子樹脂は、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、乳酸等の酸で中和する。そして、中和され水に可溶化された高分子樹脂は、水分散型または溶解型として水に希釈された状態で使用される。
【００２３】
また、上記の粘着性を示す電着性絶縁物質の絶縁性、耐熱性等の信頼性を高める目的で、上記の高分子樹脂にブロックイソシアネート等の熱重合性不飽和結合を有する公知の熱硬化性樹脂を添加し、コイル状の配線体１０，２０，３０，４０の全層を転写形成後、熱処理によってすべての絶縁樹脂層１１，２１，３１，４１を硬化させてもよい。勿論、熱硬化性樹脂以外にも、重合性不飽和結合（例えば、アクリル基、ビニル基、アリル基等）を有する樹脂を電着性絶縁物質に添加しておけば、コイル状の配線体１０，２０，３０，４０の全層を転写形成後、電子線照射によってすべての絶縁樹脂層１１，２１，３１，４１を硬化させることができる。
【００２４】
絶縁樹脂層１１，２１，３１，４１の材料としては、上記の他に、常温もしくは加熱により粘着性を示すものであれば、熱可塑性樹脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂で硬化後は粘着性を失うような粘着性樹脂でもよい。また、塗膜の強度を出すために有機あるいは無機のフィラーを含むものでもよい。
【００２５】
また、絶縁樹脂層１１，２１，３１，４１の材料は  常温もしくは加熱により流動性を示す電着性の接着剤であってもよい。また、絶縁樹脂層１１，２１，３１，４１の形成方法は電着法に限定されるものではなく、スクリーン印刷、ディスペンサー塗布等により形成してもよい。この場合には、材料として電着性は必要なく、従来公知の粘着剤、接着剤が使用できる。
【００２６】
次に、コイル状の配線体１０，２０，３０，４０を転写によって基板２上に積層する際に用いる転写用原版について図３を参照しつつ説明する。
【００２７】
まず、本発明に用いる転写用原版を作成するために、転写基板としての導電性基板１１１上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層１１２を形成（図３（ａ））する。そして、所定のフォトマスクを用いてフォトレジスト層１１２を密着露光し現像して絶縁層１１２´とし、導電性基板１１１のうちコイル状の配線体パターン部分１１１ａを露出させる（図３（ｂ））。図３（ｂ）では、コイル状の配線体パターン部分１１１ａを単純化してリング状に描いているが、これは図面における線図の煩雑さを回避して、理解を容易にするためにである。
【００２８】
次に、導電性基板１１１のコイル状の配線体パターン部分１１１ａ上にメッキ法により導電性層１３（もちろんこれもコイル状である）を形成する（図３（Ｃ））。その後、導電性層１３上に電着法により粘着性あるいは接着性の絶縁樹脂層１１を形成する（図３（ｄ））。これにより、導電性層１３と絶縁樹脂層１１とを有する第１層目のコイル状の配線体１０を備えた転写用原版１００が得られる。
【００２９】
これと同様な手法によって、第２層目のコイル状の配線体２０を備えた転写用原版、第３層目のコイル状の配線体３０を備えた転写用原版、第４層目のコイル状の配線体４０を備えた転写用原版が、それぞれ、得られる。
【００３０】
このような転写用原版を用いて、基板２の上に繋ぎ用の配線パターン部をも含めたコイル部分３を形成する方法について説明する。
【００３１】
まず、図４の平面図に示されるように、基板２の上に所定のパターンの繋ぎ用の配線パターン部５０を形成する。図中の配線パターン部５０において、『〇』は、配線のための端子Ａ〜Ｉを示しており、端子Ｂ−Ｃ間、端子Ｄ−Ｅ間、端子Ｆ−Ｇ間および端子Ｈ−Ｉ間は、それぞれ、配線のための連結線５１，５２，５３および５４によって接続されている。このような端子Ａ〜Ｉや、連結線５１，５２，５３および５４は、それぞれ、導電性を有するとともに、微細なパターンとして形成できるものであればよく（幅５〜１００μｍ、厚さ５〜２０μｍ程度）、特にこれらの形成方法についての制限はない。例えば、各種のフォトリソグラフィー法や、前述した転写用原版を用いた転写法に準じて形成することもできる。転写法を用いた場合には、繋ぎ用の配線パターン部５０をも含めたコイル部分３が全て転写法にて効率よく形成できるというメリットがある。
【００３２】
このような繋ぎ用の配線パターン部５０の上には、図５に示されるような第１層目のコイル状の配線体１０が転写法にて形成される。すなわち、前述した第１層目のコイル状の配線体１０を備えた転写用原版１００（図３（ｄ））を絶縁樹脂層１１が基板２に当接するように圧着する。この圧着は、ローラ圧着、プレート圧着、真空圧着等、いずれの方法にしたがってもよい。また、絶縁樹脂層１１が加熱により粘着性あるいは接着性を発現する絶縁樹脂からなる場合には、熱圧着を行うこともできる。その後、導電性基板１１１を剥離して第１層目のコイル状の配線体１０を基板２上に転写することにより、導電性層１３と絶縁樹脂層１１を有する第１層目のコイル状の配線パターンを基板２上に形成することができる（図５）。
【００３３】
図５におけるコイル状の配線体１０もまた前述したように、本発明の理解を容易にするとともに図面の線部の煩雑さを避けるために、単にリング形状に描かれているが、実際は、一方端をコイル外方に、他方端をコイル内方に備えるコイル状形態（螺旋形状）をなしている。そしてコイル外方に位置するコイルの一方端は、図示のごとく外方向に少し引き出された形状をなし、その先端には端子Ａ’が形成されている。この端子Ａ’は、第１層目のコイル状の配線体１０が基板２に転写された時点で、前述した繋ぎ用の配線パターン部５０の端子Ａ（図４）と重なるかあるいは極めて隣接された位置にくるように位置設定される。この一方で、コイル内方に位置するコイルの他方端は、図示のごとく内方向に少し引き出された形状をなし、その先端には端子Ｂ’が形成されている。この端子Ｂ’は、第１層目のコイル状の配線体１０が基板２側に転写された時点で、前述した繋ぎ用の配線パターン部５０の端子Ｂ（図４）と重なるかあるいは極めて隣接された位置にくるように位置設定される。そして、後述するような種々の好適な方法によって端子ＡとＡ’、ＢとＢ’とがそれぞれ接続される。また、これらの端子の存在は必須とは言えず、単に連結線の端部同士を後述する種々の方法により接続してもよい。
【００３４】
次いで、第１層目のコイル状の配線体１０が転写形成されたその上に、第２層目のコイル状の配線体２０形成用の転写用原版を用いて、例えば第１層目のコイル状の配線体１０に対する位置合わせを行ったうえで同様にコイル状の配線体２０の転写を行い、導電性層２３と絶縁樹脂層２１を有する第２層目のコイル状の配線体２０を形成する（図６）。
【００３５】
図６におけるコイル状の配線体２０もまた前述したように、単にリング形状に描かれているが、実際は、一方端をコイル外方に、他方端をコイル内方に備えるコイル状形態（螺旋形状）をなしている。そしてコイル外方に位置するコイルの一方端は、図示のごとく外方向に少し引き出された形状をなし、その先端には端子Ｃ’が形成されている。この端子Ｃ’は、第２層目のコイル状の配線体２０が基板２側に転写された時点で、前述した繋ぎ用の配線パターン部５０の端子Ｃ（図４）と重なるかあるいは極めて隣接された位置にくるように位置設定される。この一方で、コイル内方に位置するコイルの他方端は、図示のごとく内方向に少し引き出された形状をなし、その先端には端子Ｄ’が形成されている。この端子Ｄ’は、第２層目のコイル状の配線体２０が基板２側に転写された時点で、前述した繋ぎ用の配線パターン部５０の端子Ｄ（図４）と重なるかあるいは極めて隣接された位置にくるように位置設定される。そして、後述する種々の方法によって端子ＣとＣ’、ＤとＤ’とがそれぞれ接続される。
【００３６】
次いで、第２層目のコイル状の配線体２０が転写形成されたその上に、第３層目のコイル状の配線体３０形成用の転写用原版を用いて、例えば第１層目のコイル状の配線体１０に対する位置合わせを行ったうえで同様にコイル状の配線体３０の転写を行い、導電性層３３と絶縁樹脂層３１を有する第３層目のコイル状の配線体３０を形成する（図７）。
【００３７】
図７におけるコイル状の配線体３０もまた前述したように、単にリング形状に描かれているが、実際は、一方端をコイル外方に、他方端をコイル内方に備えるコイル状形態（螺旋形状）をなしている。そしてコイル外方に位置するコイルの一方端は、図示のごとく外方向に少し引き出された形状をなし、その先端には端子Ｅ’が形成されている。この端子Ｅ’は、第３層目のコイル状の配線体３０が基板２側に転写された時点で、前述した繋ぎ用の配線パターン部５０の端子Ｅ（図４）と重なるかあるいは極めて隣接された位置にくるように位置設定される。この一方で、コイル内方に位置するコイルの他方端は、図示のごとく内方向に少し引き出された形状をなし、その先端には端子Ｆ’が形成されている。この端子Ｆ’は、第３層目のコイル状の配線体３０が基板２側に転写された時点で、前述した繋ぎ用の配線パターン部５０の端子Ｆ（図４）と重なるかあるいは極めて隣接された位置にくるように位置設定される。そして、後述する種々の方法によって端子ＥとＥ’、ＦとＦ’とがそれぞれ接続される。
【００３８】
次いで、第３層目のコイル状の配線体３０が転写形成されたその上に、第４層目のコイル状の配線体４０形成用の転写用原版を用いて、例えば第１層目のコイル状の配線体１０に対する位置合わせを行ったうえで同様にコイル状の配線体４０の転写を行い、導電性層４３と絶縁樹脂層４１を有する第４層目のコイル状の配線体４０を形成する（図８）。
【００３９】
図８におけるコイル状の配線体４０もまた前述したように、単にリング形状に描かれているが、実際は、一方端をコイル外方に、他方端をコイル内方に備えるコイル状形態（螺旋形状）をなしている。そしてコイル外方に位置するコイルの一方端は、図示のごとく外方向に少し引き出された形状をなし、その先端には端子Ｇ’が形成されている。この端子Ｇ’は、第４層目のコイル状の配線体４０が基板２側に転写された時点で、前述した繋ぎ用の配線パターン部５０の端子Ｇ（図４）と重なるかあるいは極めて隣接された位置にくるように位置設定される。この一方で、コイル内方に位置するコイルの他方端は、図示のごとく内方向に少し引き出された形状をなし、その先端には端子Ｈ’が形成されている。この端子Ｈ’は、第４層目のコイル状の配線体４０が基板２側に転写された時点で、前述した繋ぎ用の配線パターン部５０の端子Ｈ（図４）と重なるかあるいは極めて隣接された位置にくるように位置設定される。そして、後述する種々の方法によって端子ＧとＧ’、ＨとＨ’とがそれぞれ接続される。
【００４０】
このようにして、コイル状の配線体１０，２０，３０，４０は４層に積層されるとともに、最初に基板２に形成された繋ぎ用の配線パターン部５０の所定位置に接続されて、同一巻き方向かつ一本の連続接続されたコイル部分３が完成する。このように完成されたコイル部分３の平面図が図９に示されており、この図に基づいてコイル部分３中の信号の流れについて説明する。
【００４１】
まず、外部から入力された信号はＡ点を通過した後、第１層目のコイル状の配線体１０の外側から内側に向けてコイル巻き方向に従って（この実施例では左回りが例示されている）流れ、第１層目のコイル状の配線体１０の内方の出口Ｂ点に至る。
【００４２】
Ｂ点に到達した信号は、点線で示される連結線５１によってコイルの外方のＣ点まで送られる。このＣ点を通過した信号は、第２層目のコイル状の配線体２０の外側から内側に向けてコイル巻き方向に従って（この実施例では左回りが例示されている）流れ、第２層目のコイル状の配線体２０の内方の出口Ｄ点に至る。
【００４３】
Ｄ点に到達した信号は、点線で示される連結線５２によってコイルの外方のＥ点まで送られる。このＥ点を通過した信号は、第３層目のコイル状の配線体３０の外側から内側に向けてコイル巻き方向に従って（この実施例では左回りが例示されている）流れ、第３層目のコイル状の配線体３０の内方の出口Ｆ点に至る。
【００４４】
Ｆ点に到達した信号は、点線で示される連結線５３によってコイルの外方のＧ点まで送られる。このＧ点を通過した信号は、第４層目のコイル状の配線体４０の外側から内側に向けてコイル巻き方向に従って（この実施例では左回りが例示されている）流れ、第４層目のコイル状の配線体４０の内方の出口Ｈ点に至る。
【００４５】
Ｈ点に到達した信号は、点線で示される連結線５４によってコイルの外方のＩ点まで送られる。このＩ点がコイル部分の外部への信号の出口となる。
【００４６】
このような信号の流れをもっと分かりやすく簡潔に記載すると、Ａ点→（第１層目のコイル状の配線体１０）→Ｂ点→Ｃ点→（第２層目のコイル状の配線体２０）→Ｄ点→Ｅ点→（第３層目のコイル状の配線体３０）→Ｆ点→Ｇ点→（第４層目のコイル状の配線体４０）→Ｈ点→Ｉ点となる。
【００４７】
なお、上記実施例ではコイル状の配線体を４層に重ねた例を挙げて説明したが、これに限定されることなく種々の数の積層構成を採択することができる。また、巻き方向も左巻きに限定されるものではなく、同一の巻き方向が確保されれば左巻きでも右巻きでもよい。また、同一の巻き方向が確保されれば信号の流れを、コイルの内側から外側にしてもよいことは勿論のことである。
【００４８】
なお前記のコイル部分３を形成するにあたり、繋ぎ用の配線パターン部５０をも転写方式で形成する場合には、配線パターン部５０は、絶縁樹脂層が形成されていない導電性層単独のものであってもよい。この場合、予め基板２上に絶縁性の粘着剤層あるいは接着剤層を設けておけば、繋ぎ用の配線パターン部５０を基板２上に転写することができる。
【００４９】
ここで、さらに本発明で用いられ得る転写用原版の他の態様を説明する。
【００５０】
図１０（ｅ）は本発明に用いられ得る転写用原版の一態様である凹版タイプの転写用原版の概略構成図である。図１０（ｅ）において、転写用原版１０２は少なくとも表面が導電性を示す導電性基板１１１と、該導電性基板１１１にエッチングにより形成された凹部１１８と、この凹部１１８内に設けられた絶縁性物質からなる絶縁層１１６とを備えている。絶縁層１１６はその表面が導電性基板１１１の表面より所定の高さだけ突出して形成されている。隣り合う絶縁層１１６により囲まれた凹版部分は導電性層形成部１１９をなす。ここで、凹部１１８はエッチング時のサイドエッチング効果により上面が広い椀状をなしているため、導電性層形成部１１９はその底面中央部に導電性基板１１１の表面が裸出し、辺縁部は絶縁層１１６からなる。そして、この底面中央部の導電面裸出部が出発電極となって導電性層形成部１１９内に導電性層１３が形成され、この導電性層１３上に粘着性あるいは接着性の絶縁樹脂層１１が形成されている。
【００５１】
このような転写用原版の製造方法を、図１０（ａ）〜（ｅ）に基づいて説明する。図１０において、まず公知の方法によって導電性基板１１１上にフォトレジスト層を形成し、第１層目のコイル状の配線体１０のネガパターンのフォトマスクを介して該フォトレジスト層に紫外線を照射後、露光・除去（現像）して第１層目のコイル状の配線体１０と同じパターンのマスキング層１１７を形成する（図１０（ａ））。なお、マスキング層１１７は単にリング形状に描かれているが、実際は、一方端をコイル外方に、他方端をコイル内方に備えるコイル状形態（螺旋形状）をなしている。しかしながら、コイル状形態（螺旋形状）をリング形態に置換して考察した方が製法の理解が容易となるので、図面上はリング形状のままにしておく。
【００５２】
次に、このマスキング層１１７をエッチング用マスクとして導電性基板１１１のマスキング層非形成部分をエッチングして凹部１１８を形成するが、この際、マスキング層１１７縁辺下部の基板部分に入り込んでサイドエッチング部が形成され、このサイドエッチング部を含む凹部１１８の上面面積はマスキング層非形成部分の面積よりも大きく形成され、凹部１１８は椀状をなす（図１０（ｂ））。
【００５３】
次に、このように椀状に形成された凹部１１８内に絶縁性物質を電着させることによって絶縁層１１６を形成する（図１０（ｃ））。絶縁層１１６の表面はマスキング層１１７の表面と略同一の高さに形成される。その後、このマスキング層１１７を除去して導電性基板１１１の導電面を裸出して凹版コイル状の導電性層形成部１１９とする（図１０（ｄ））。そして、この導電性層形成部１１９に電着によりコイル状の導電性層１３を形成した後、導電性層１３上に電着により粘着性あるいはコイル状接着性の絶縁樹脂層１１を形成して本発明の転写用原版１０２とする（図１０（ｅ））。
【００５４】
上述の転写用原版１０２では、凹状の導電性層形成部１１９の中央部分を出発電極として、導電性層１３が水平並びに垂直方向に等方的に成長するため、導電性層１３は表面が略均一な平面となって形成される。そして、導電性層１３は、底部の一部において導電性基板１１１と接触しているにすぎず、その分、導電性基板１１１との密着性が低減できるため、転写時の導電性層１３の引き抜きが容易に行われ、絶縁層１１に接触剥離力の影響を与えない。また、導電性層１３は、マスキング層１１７除去跡の導電性層形成部１１９内に形成されることから、最終の配線パターンの面積は初期エッチングレジストパターンであるマスキング層１１７のパターンと同一面積となり、マスキング層１１７を所定の微細パターンにて形成しておけば、このパターン通りに導電性層１３を形成することができるので、寸法調整の必要のない高い寸法精度で配線パターンを得ることができる。
【００５５】
図１１（ｅ）は本発明に用いられ得る転写用原版の一態様である凹版タイプの転写用原版の概略構成図である。図１１（ｅ）において、転写用原版１０３は少なくとも表面が導電性を示す導電性基板１１１と、該導電性基板１１１にエッチングにより上面面積が広く椀状に形成された凹部１１８と、この凹部１１８内に設けられた絶縁性物質からなる絶縁層１１６とを備えている。絶縁層１１６はその表面が導電性基板１１１の表面と略同一の高さに形成されている。隣り合う絶縁層１１６により囲まれた導電面裸出部分は、導電性層形成部１１９をなす。ここで、凹部１１８はエッチング時のサイドエッチング効果により上面が広い椀状をなしているため、導電性層形成部１１９はその底面中央部が導電面裸出部をなし、辺縁部が絶縁層１１６をなす。そして、この底面中央部の狭められた導電面裸出部が出発電極となって電着物が析出され、導電性層形成部１１９上に導電性層１３が水平並びに垂直方向に等方的に形成されている。さらに、導電性層１３上に電着により粘着性あるいは接着性の絶縁樹脂層１１が形成されている。
【００５６】
このような転写用原版の製造方法を、図１１（ａ）〜（ｅ）に基づいて説明する。図１１において、図１０の場合と同様にして導電性基板１１１上にフォトレジスト層を形成し、第１層目のコイル状の配線体１０のネガパターンのフォトマスクを介して該フォトレジスト層に紫外線を照射後、露光・除去（現像）して第１層目のコイル状の配線体１０と同じパターンのマスキング層１１７を形成する（図１１（ａ））。なお、マスキング層１１７は単にリング形状に描かれているが、実際は、一方端をコイル外方に、他方端をコイル内方に備えるコイル状形態（螺旋形状）をなしている。しかしながら、コイル状形態（螺旋形状）をリング形態に置換して考察した方が製法の理解が容易となるので、図面上はリング形状のままにしておく。
【００５７】
次に、このマスキング層１１７をエッチング用マスクとして導電性基板１１１のマスキング層非形成部分をエッチングして凹部１１８を形成するが、前記図１０の場合と同様にマスキング層１１７の縁辺の基板部分に入り込んでサイドエッチング部が形成され、このサイドエッチング部を含む凹部１１８の上面面積はマスキング層非形成部分の面積よりも大きく形成され、凹部１１８は椀状をなす（図１１（ｂ））。
【００５８】
次に、このように椀状に形成された凹部１１８内に絶縁性物質を電着させることによって絶縁層１１６を形成する（図１１（ｃ））が、平版タイプの原版においては絶縁層１１６は導電性基板１１１の表面と略同一の高さに形成される。その後、マスキング層１１７を除去して導電性基板１１１の導電面を裸出して導電性層形成部１１９とする（図１１（ｄ））。そして、この導電性層形成部１１９に電着により導電性層１３を形成した後、導電性層１３上に電着により粘着性あるいは接着性の絶縁樹脂層１１を形成して本発明の転写用原版１０３とする（図１１（ｅ））。
【００５９】
上記の転写用原版１０３では、導電性層形成部１１９の導電面裸出部は、絶縁層１１６のサイドエッチング部による幅広部分によって狭められており、この狭められた導電面裸出部を出発電極として、電着物質が基板上に水平並びに垂直方向に等方的に成長するため、導電性層１３は表面が略均一な平面となって形成される。そして、導電性層１３は、底部の一部において導電性基板１１１と接触しているにすぎず、その分、導電性基板１１１との密着性が低減できるため、転写時の導電性層１３の剥離が容易に行われ、絶縁層１１に接触剥離力の影響を与えない。また、版の構造上、転写時に絶縁樹脂層１１と導電性層１３が優先的且つ選択的に基板２に加圧密着されるため、絶縁層１１６は接触剥離力を受けず、絶縁層１１６が変形したり損傷を受けることがない。
【００６０】
図１２（ｅ）は本発明に用いられ得る転写用原版の他の態様である凸版タイプの転写用原版の概略構成図である。図１２（ｅ）において、転写用原版１０４は少なくとも表面が導電性を示す導電性基板１１１と、該導電性基板１１１に形成された凹部１１８と、この凹部１１８内に設けられた絶縁性物質からなる絶縁層１１６とを備えている。絶縁層１１６はその表面が導電性基板１１１の表面より所定の高さだけ低くなるように形成されている。隣り合う絶縁層１１６により囲まれた導電性基板１１１の導電面裸出部が導電性層形成部１１９をなし、この導電性層形成部１１９に導電性層１３が形成され、この導電性層１３上に粘着性あるいは接着性の絶縁樹脂層１１が形成されている。
【００６１】
このような転写用原版の製造方法を、図１２（ａ）〜（ｅ）に基づいて説明する。図１２において、図１０の場合と同様にして導電性基板１１１上にフォトレジスト層を形成し、第１層目のコイル状の配線体１０のネガパターンのフォトマスクを介して該フォトレジスト層に紫外線を照射後、露光・除去（現像）して第１層目のコイル状の配線体１０と同じパターンのマスキング層１１７を形成する（図１２（ａ））。なお、マスキング層１１７は単にリング形状に描かれているが、実際は、一方端をコイル外方に、他方端をコイル内方に備えるコイル状形態（螺旋形状）をなしている。しかしながら、コイル状形態（螺旋形状）をリング形態に置換して考察した方が製法の理解が容易となるので、図面上はリング形状のままにしておく。
【００６２】
次に、このマスキング層１１７をエッチング用マスクとして導電性基板１１１のマスキング層非形成部分をエッチングしてマスクパターンに忠実な凹部１１８を形成する（図１２（ｂ））。
【００６３】
次に、このように形成された凹部１１８内に絶縁性物質を電着させることによって絶縁層１１６を形成する（図１２（ｃ））。絶縁層１１６の表面はマスキング層１１７の表面より低くなるように形成される。その後、このマスキング層１１７を除去して導電性基板１１１の導電面を裸出して導電性層形成部１１９とする（図１２（ｄ））。そして、この導電性層形成部１１９に電着により導電性層１３を形成した後、導電性層１３上に電着により粘着性あるいは接着性の絶縁樹脂層１１を形成して本発明の転写用原版１０４とする（図１２（ｅ））。
【００６４】
上述の転写用原版１０４では、絶縁層１１６の表面が導電性基板１１１よりも低くなるように形成されているため、転写時に絶縁層１１６が基板２と接触することがない。したがって、絶縁層１１６は接触剥離力の影響を受けず、変形や損傷を防止することができる。さらに、導電性層１３は、マスキング層１１７除去跡の導電性層形成部１１９に形成されることから、最終の配線パターンの面積は初期エッチングレジストパターンであるマスキング層１１７のパターンと同一面積となり、マスキング層１１７を所定の微細パターンにて形成しておけば、このパターン通りに導電性層１３を形成することができるので、寸法調整の必要のない高い寸法精度で配線パターンを得ることができる。
【００６５】
本発明に用いられる転写用原版において、導電性基板１１１としては、少なくとも表面が導電性を有するものであればよく、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チタン等の導電性の金属板、あるいはガラス板、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、アクリル等の樹脂フィルム等の絶縁性基板の表面に導電性薄膜を形成したものを使用することができる。このような導電性基板１１１の厚さは０．０５〜１．０ｍｍ程度が好ましい。また、原版としての耐刷性を高めるために、導電性基板の表面に、クロム（Ｃｒ）、セラミックカニゼン（Ｋａｎｉｇｅｎ社製  Ｎｉ＋Ｐ＋ＳｉＣ）等の薄膜を形成してもよい。この薄膜の厚さは０．１〜１．０μｍ程度が好ましい。
【００６６】
マスキング層１１７は、例えばイオンプレーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）等の各種の薄膜形成法により、基板の上にシリカ（ＳｉＯ2 ）薄膜、チッ化シリコン（ＳｉＮx ）薄膜、９６％アルミナ薄膜、ベリリヤ薄膜、フォルステライト薄膜等の電気絶縁性の高い薄膜を形成し、次に、この薄膜上にフォトレジストを塗布してから所定形状のマスクを介して露光・現像することにより形成することができる。あるいは薄膜を形成することなく導電性基板１１１上にフォトレジストを塗布してマスキング層を形成してもよい。これらマスキング層１１７の形成に使用するフォトレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添加したものを挙げることができる。このように形成されるマスキング層１１７の厚さは０．５〜１０．０μｍ程度が好ましい。
【００６７】
そして、このマスキング層１１７をエッチング用マスクとしての導電性基板１１１のエッチングは、ディップ、スプレー等のウエットエッチングや、ドライエッチング等の公知の慣用的手段で行うことができるが、例えば導電性基板がＳＵＳ板の場合は塩化第二鉄液に接触（浸漬など）させることによって、導電性基板がＴｉ板の場合にはＨＦ−Ｈ2 Ｏ2 −Ｈ2 Ｏ液に接触させること等によって、好適に行われる。なお、Ｔｉ基板の場合、エッチング後にさらにＨＦ−ＮＨ4 Ｆ液、ＨＦ液等に数十秒間程度浸漬させることによって、凹部表面をより粗面化させるようにしてもよい。このようにすることにより、凹部１１８内に電着形成される絶縁性物質の凹部内への定着性のさらなる向上を図ることができる。
【００６８】
絶縁層１１６は絶縁性物質からなる電着材料である。絶縁パターンの電着材料は、一般に有機材料（高分子材料）からなり、その原形は電着塗装法としてよく知られている。電着塗装では、電気化学的な主電極との反応によりカチオン電着とアニオン電着とがある。これは、電着材料がカチオンとして存在するか、アニオンとして挙動するかで分類される。電着に用いられる有機高分子物質としては、天然油脂系、合成油脂系、アルキッド樹脂系、ポリエステル樹脂系、アクリル樹脂系、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系等の種々の有機高分子物質が挙げられる。アニオン型では、古くからマレイン化油やポリブタジエン系樹脂が知られており、電着物質の硬化は酸化重合反応による。カチオン型はエポキシ樹脂系が多く、単独あるいは変性されて使用できる。その他に、メラミン樹脂系、アクリル樹脂系等のいわゆるポリアミノ系樹脂が多く用いられ、熱硬化や光硬化等により強固な絶縁層を形成できる。
【００６９】
特に離型性を良好にするために、上記樹脂にフッ素を導入したものや、フッ素系ポリマー粒子を分散させたもの等が好適に用いられる。これらフッ素系樹脂としては、四フッ化エチレン分散型電着樹脂やアクリル主鎖あるいは側鎖へのフッ素結合型電着樹脂などが特に好適に用いられ、四フッ化エチレン分散型電着樹脂としてはフッ素アクリル樹脂（ＰＡＦＣ）等が例示的に挙げられ、アクリル主鎖へのフッ素結合型電着樹脂としては主鎖にフッ素を含むフルオロオレフィン−ビニルエーテル共重合体等が例示的に挙げられる。また、塗膜の強度を高めるために、熱硬化性メラミン樹脂を共析させ、熱処理を行うとよい。
【００７０】
次に、同一巻き方向に連続的に一本に接続されたコイル部分３を形成するために、基板２の上に形成された繋ぎ用の配線パターン部５０（図４）の所定箇所と、積層された各コイル状の配線体１０，２０，３０，４０の内側および外側の両端部を接続する手段について説明する。
【００７１】
具体的な接続部分としては、例えば、前記図４〜図９に示される実施例中のＡ点とＡ’点、Ｂ点とＢ’点、Ｃ点とＣ’点、Ｄ点とＤ’点、Ｅ点とＥ’点、Ｆ点とＦ’点、Ｇ点とＧ’点、Ｈ点とＨ’点、Ｉ点とＩ’点である。これらの一対の各点は、重ねられたりあるいは隣接された状態（近接部）で配置された後に接続される。
【００７２】
具体的接続法としては、(1) 印刷法、(2) ディスペンス法、(3) 超微粒子吹付け法、(4) レーザー描画法、(5) 選択無電解メッキ法、(6) 選択蒸着法、(7) 溶接接合法、(8) ワイヤーボンディング法、(9) ワイヤーボンディング装置を用いた１ショット法、 (10) レーザーメッキ法、(11)導電体と半田メッキとの積層体の一括転写法、 (12) 金属塊挿入法、(13) 無電解メッキ法等が挙げられる。
【００７３】
上記(1) の印刷法による接続は、印刷により接続すべき箇所を構成する導電性層相互間に跨がるように導電ペーストまたはハンダを固着して接合部を形成することにより行うものである。用いる印刷方式は特に限定されるものではないが、一般に厚膜の印刷に適し、電子工業分野で多用されているスクリーン印刷が好ましい。スクリーン印刷を行う場合には、予め配線間の接続部に相当する部分に開孔部をもつスクリーン印刷版を作成し、多層配線板上に位置を合わせて配置し、銀ペースト等の導電性ペーストインキを印刷すればよい。
【００７４】
また、上記(2) のディスペンス法による接続は、上記の印刷法に類似しているが、導電性のインキを微細なノズルから噴出させ、配線間に接合部を直接描画形成することにより行うものである。具体的には、一般に接着剤等を必要箇所に少量付着させるために用いられている針状の噴出口を有するディスペンサーが使用できる。また、使用する導電性インキの粘度によっては、コンピュータ等の出力装置に使用されているインクジェット方式も使用可能である。
【００７５】
上記(3) の超微粒子吹付け法は、超微粒子を高速の気流に乗せて搬送し、多層コイル配線板に近接して設けられた微細なノズルから接続すべき箇所に向かって吹き付けることによって、超微粒子と配線箇所との衝突エネルギーにより相互に燒結して膜を形成する方法であり、ガスデポジション法と呼ばれている方法が利用できる。この方法に用いる装置は、基本的には高真空と低真空の２つの真空槽と、各真空槽を接続する接続パイプからなる。そして、超微粒子は、アルゴンガス等を導入した低真空槽内において真空蒸発法により形成され、また、基板は高真空槽内に設置されている。上記の接続パイプは、低真空槽内の超微粒子の発生する近傍と、高真空槽内の多層コイル配線板の近傍部であって、この配線板に直交する方向とに開口部を有している。各真空槽は、それぞれ真空排気系によって一定の圧力に保たれているため、各真空槽間の圧力差により接続パイプ内には低真空槽から高真空槽へ向かう高速の気流（ガス流）が発生し、低真空槽内で発生した超微粒子はこの気流に乗せられて高真空槽側へ搬送され、配線箇所に衝突して互いに燒結し膜状になる。金、銀、銅、ニッケル等の金属を母材にこの方法を用いることにより、配線間の接続を必要とする箇所に選択的に導電体（接合部）を形成することができる。
【００７６】
上記(4) のレーザー描画法は、導電性の微粒子を分散した溶液を多層コイル配線板に塗布し、この塗膜の所望の接続すべき箇所をレーザーによって加熱することにより、樹脂バインダーを分解あるいは蒸発させて除去し、この加熱箇所に導電性微粒子を析出、凝集させて選択的に導電体を形成するものである。溶液としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等に金、銀等の導電性微粒子を分散したものを用い、アルゴンレーザー等を絞って照射することにより、数十μｍ程度の細線を描画することができる。
【００７７】
上記(5) の選択無電解メッキ法は、一般にフォトフォーミング法として知られている選択的な無電解メッキ技術を用いることができる。この技術は、還元可能で、かつ無電解メッキに対して触媒となる酸化状態の金属を含む感光剤層を多層コイル配線板上に形成し、この感光剤層を選択的に露光させることにより、無電解メッキに対して触媒となる金属粒子を接続すべき箇所に析出させ、その後、無電解メッキ液に浸漬することにより露光部にのみ選択的なメッキを施すものである。
【００７８】
また、上記(6) の選択蒸着法は、薄膜形成技術の一つである選択的膜堆積技術を用いるものである。すなわち、真空槽内に金属、炭素等の導電性元素を含む有機金属ガス、あるいは、導電性元素を含む有機物の蒸気を導入し、真空槽内に設置した多層コイル配線板表面に上記のガスあるいは蒸気を吸着させ、次に、レーザーあるいはイオンビームを、集光あるいは収束して基板に照射し、その部分に吸着しているガスあるいは蒸気を熱または衝突エネルギーによって分解して、金属、炭素等の導電性物質を多層コイル配線板上に堆積させるものである。このような選択蒸着法は、ＬＳＩの配線修正技術として実用化されている。具体的には、集光したアルゴンレーザーによってクロム、コバルト、白金、タングステン等を含む有機金属ガスを分解して、これらの金属を所望の修正箇所に堆積する技術、あるいは、ガリウムのイオンビームによってピレン等の有機材料の蒸気を分解して炭素膜を堆積する技術を用いることができる。
【００７９】
さらに、上記(7) の溶接接合法は、接続部をレーザーで選択的に加熱し、絶縁樹脂層を溶融・蒸発させ、さらに、導電性層自体も高温に加熱することによって、各配線部における導電性層を相互に融着して接合部を形成し接続するものである。
【００８０】
上記(8) のワイヤーボンディング法は、例えば、導通されていない近接部を、ワイヤーボンディング装置を用いて、ワイヤーボンディングを行い接続する方法である。
【００８１】
上記(9) のワイヤーボンディング装置を用いた１ショット法は、例えば、導通されていない近接部を、ワイヤーボンディング装置を用いて、１ショット（１回）のボンディングを行い、ブリッジなしの状態で接続する方法である。
【００８２】
上記 (10) のレーザーメッキ法は、例えば、パラジウムメッキ液中に、接続操作前の多層コイル配線板を浸漬させた状態で、所定のスポット径、照射面でのパワー等を調整したレーザー（例えば、アルゴンレーザー）を、導通すべき近接部ないしは重なり部に所定時間照射し、照射部分に例えばＰｄ膜を所定厚さに析出させて接続する方法である。なお、好ましくは、パラジウムメッキ液を循環させながらレーザーを照射させるのがよい。また、メッキ液は水洗により除去される。
【００８３】
上記(11)の導電体と半田メッキとの積層体の一括転写法は、以下の通り。まず最初に、導電体層と半田メッキ層の積層体を以下の要領で作製する。すなわち、導電性の基板上に、レジスト法を用いて現像し所望のパターン（導電性パターン）を形成した転写基板の上に、例えば、電解メッキを施し導電体層を形成し、この導電体層上に所定の半田メッキ浴組成物を用いて半田メッキを行い、半田メッキ層を形成する。なお、半田メッキ層は、半田メッキの他、半田ペーストのスクリーン印刷、ディッピングでも同様に形成可能である。このようにして積層した積層体を、接続すべき配線部の導通されていない近接部（重なり部においても同様に対処可能である）に一括熱転写し、接続すべき箇所の接続を行う。この際、熱転写温度は半田メッキ層が溶融変形可能な温度である２００〜３００℃程度の温度範囲で行われる。
【００８４】
上記 (12) の金属塊挿入法は、接続すべき配線部の導通されていない近接部の配線間隙に、例えば、直径３０〜１００μｍ程度の金属ボールを配置し、しかる後、その上から感圧接着剤を塗布したシートを圧着し、接続すべき箇所を接続する方法である。なお、金属ボールの使用は、より好ましい使用態様であるが、球形でないいわゆる金属片（塊）のようなものでも使用可能である。また、このような金属ボール（塊）は、前記印刷法、ディスペンス法においても接続部の信頼性をより向上させるために使用することもできる。すなわち、金属ボールを設置した後に、前記の印刷ないしはディスペンスを行うのである。
【００８５】
上記の(13)無電解メッキ法は、接続前のコイル部分を形成した基板上に無電解メッキ触媒を全面に塗布して触媒層を形成し、次いで、この上にフォトレジストを塗布形成したのち、所定のフォトマスクを用いてレジスト層を密着露光、現像し、コイル部分の接続すべき部分に相当する部分を露出させ、この露出部分を活性化させた後、無電解銅メッキ行い接続部を形成させる手法である。
【００８６】
このような接続手段を用いて、基板２上に同一巻き方向に連続的に一本に接続されたコイル部分３が形成されるのであるが、本発明の非接触ＩＣカード１は、このようなコイル部分３に加えて公知の必要な機能部分、例えば、共振用コンデンサとの配線や、ＩＣ等必要な電子部品への配線等がその種類に応じて適宜備えつけられる。また、本発明の非接触ＩＣカード１は、いわゆる電池を内部に保持するタイプのもの、いわゆる電池を内部に保持しないタイプのものいずれであってもよいことはもちろんである。
【００８７】
次に、実験例を示して本発明を更に詳細に説明する。
【００８８】
実験例１
（１）  絶縁樹脂層用電着液Ａの調製
アクリル酸ブチル１３．２重量部、メタクリル酸メチル１．６重量部、ジビニルベンゼン０．２重量部および過硫酸カリウム１％水溶液８５重量部を混合し、８０℃、５時間重合して無乳化剤の乳化重合を行ってポリアクリル酸ブチルポリメタクリル酸メチル共重合エマルジョン溶液を調製した。
【００８９】
次に、このエマルジョン溶液７２重量部、電着担体としてカルボキシル基を有するアクリル系共重合体樹脂２重量部、ヘキサメトキシメラミン０．８５重量部、中和剤としてトリメチルアミン０．３５重量部、エタノール３重量部、ブチルセロソルブ３重量部および水１８．８重量部を混合攪拌してアニオン型電着液Ａを調製した。
【００９０】
（２）  絶縁樹脂層用電着液Ｂの調製
アクリロニトリル７重量部、アクリル酸エチル５重量部、アクリル酸２重量部を混合したもの１００重量部に対し、ラウリル硫酸エステルソーダ０．５重量部、過硫酸ソーダ０．２重量部を添加したものを、イオン交換水中で窒素ガスを通じながら５時間反応させ、さらに、添加アクリル酸の１／２当量のキシリレンジアミンを添加して、不揮発分１９％のアニオン型電着液Ｂを調製した。
【００９１】
（３）  絶縁樹脂層用電着液Ｃの調製
攪拌機、還流冷却機および窒素導入管を備えた反応容器に、ビス〔4-｛4-（アミノフェノキシ）フェノキシ｝フェニル〕スルホン３０．８３５ｇ（０．０５ｍｏｌ）とN.N-ジメチルアセトアミド２３６．５ｇを入れ、ピロメリット酸二無水物１０．９ｇ（０．０５ｍｏｌ）を常温、窒素雰囲気下で溶液温度の上昇に注意しながら加え、約２０時間攪拌してポリアミド酸を得た。調製したポリアミド酸の対数粘度（N.N-ジメチルアセトアミドを溶媒とし、温度３５℃、濃度０．５ｇ／１００ｍｌで測定）は１．５２ｄｌ／ｇであった。
【００９２】
次に、このポリアミド酸溶液にジメチルエタノールアミン８．９ｇ（対カルボキシル当量９０ｍｏｌ％）を徐々に加え、２０分間常温にて攪拌後、水１３０．２ｇを攪拌しつつ徐々に加えて希釈してポリアミド酸電着液Ｃを調製した（樹脂濃度１０重量％）。
【００９３】
（４）  転写用原版における導電性層の形成（図３（ｃ）対応））
導電性基板として、表面を研磨した厚さ０．２ｍｍのステンレス板を準備し、このステンレス板上に市販のメッキ用フォトレジスト（東京応化工業（株）製PMER P-AR900）を厚さ２０μｍに塗布乾燥し、配線パターンが形成されている５種のフォトマスク（図４の繋ぎ用の配線パターン部５０のネガパターンに相当のもの；図５の第１層目のコイル状の配線体１０のネガパターンに相当のもの；図６の第２層目のコイル状の配線体２０のネガパターンに相当のもの；図７の第３層目のコイル状の配線体３０のネガパターンに相当のもの；図８の第４層目のコイル状の配線体４０のネガパターンに相当のもの）を用いてそれぞれ密着露光を行った後、現像・水洗・乾燥し、さらに熱硬化を行って絶縁層を備えた転写用原版（５種）を作製した。
【００９４】
上記の転写用原版と白金電極を対向させて下記の組成のピロ燐酸銅メッキ浴（ｐＨ＝８，液温＝５５℃）中に浸漬し、直流電源の陽極に白金電極を陰極に上記の転写基板を接続し、電流密度１０Ａ／ｄｍ2 で５分間の通電を行い、フォトレジストで被覆されていない導電性基板の裸出部に厚さ１０μｍの銅メッキ膜を形成し導電性層とした。この導電性層形成を５種の転写用原版について行った。
【００９５】
（ピロ燐酸銅メッキ浴の組成）
ピロ燐酸銅                                  …    ９４ｇ／ｌ
ピロ燐酸銅カリウム                          …  ３４０ｇ／ｌ
アンモニア水                                …      ３ｃｃ／ｌ
（５）  転写用原版における絶縁樹脂層Ａの形成（図３（ｄ）対応））
上記（４）において導電性層を形成した５種の転写用原版の各々と白金電極とを対向させて上記の（１）で調製したアニオン型電着液Ａ中に浸漬し、直流電源の陽極に転写用原版を陰極に白金電極をそれぞれ接続し、５０Ｖの電圧で１分間の電着を行い、これを１８０℃、３０分間で乾燥・熱処理して、導電性層上に厚さ１５μｍの粘着性を有する絶縁樹脂層Ａを形成して５種の転写用原版Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５（Ａ１：図４の繋ぎ用の配線パターン部５０に相当のもの；Ａ２：図５の第１層目のコイル状の配線体１０に相当のもの；Ａ３：図６の第２層目のコイル状の配線体２０に相当のもの；Ａ４：図７の第３層目のコイル状の配線体３０に相当のもの；Ａ５：図８の第４層目のコイル状の配線体４０に相当のもの）とした。
【００９６】
（６）  転写用原版における絶縁樹脂層Ｂの形成（図３（ｄ）対応））
上記（４）において導電性層を形成した５種の転写用原版の各々と白金電極とを対向させて上記の（２）で調製したアニオン型電着液Ｂ中に浸漬し、直流電源の陽極に転写用原版を陰極に白金電極をそれぞれ接続し、２０Ｖの電圧で３０秒間の電着を行い、これを１２０℃、１０分間で乾燥・熱処理して、導電性層上に厚さ１５μｍの粘着性を有する絶縁樹脂層Ｂを形成して５種の転写用原版Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５（Ｂ１：図４の繋ぎ用の配線パターン部５０に相当のもの；Ｂ２：図５の第１層目のコイル状の配線体１０に相当のもの；Ｂ３：図６の第２層目のコイル状の配線体２０に相当のもの；Ｂ４：図７の第３層目のコイル状の配線体３０に相当のもの；Ｂ５：図８の第４層目のコイル状の配線体４０に相当のもの）とした。
【００９７】
（７）  転写用原版における絶縁樹脂層Ｃの形成（図３（ｄ）対応））
上記（４）において導電性層を形成した５種の転写用原版の各々と白金電極とを対向させて上記の（３）で調製したアニオン型電着液Ｃ中に浸漬し、直流電源の陽極に転写用原版を陰極に白金電極をそれぞれ接続し、２０Ｖの電圧で２秒間の電着を行い、これをN.N-ジメチルアセトアミドを５０重量％含有した水溶液で洗浄して常温乾燥させた後、１５０℃、１時間の熱処理を行って、導電性層上に厚さ１０μｍの絶縁樹脂層Ｃを形成して５種の転写用原版Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５（Ｃ１：図４の繋ぎ用の配線パターン部５０に相当のもの；Ｃ２：図５の第１層目のコイル状の配線体１０に相当のもの；Ｃ３：図６の第２層目のコイル状の配線体２０に相当のもの；Ｃ４：図７の第３層目のコイル状の配線体３０に相当のもの；Ｃ５：図８の第４層目のコイル状の配線体４０に相当のもの）とした。
【００９８】
（８）  コイル部分の作製１（図４〜図９対応）
上記の（５）において作製した５種の転写用原版をＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４およびＡ５をこの順序で厚さ５０μｍのポリイミドフィルム基板２上に、下記の条件で圧着して導電性層と絶縁樹脂層Ａからなる５種のパターン層を基板上に転写して接続前のコイル部分を作製した。
【００９９】
（圧着条件）
圧  力  ：  ２０ｋｇｆ／ｃｍ2
温  度  ：  １８０℃
（９）  コイル部分の作製２（図４〜図９対応）
上記の（６）において作製した５種の転写用原版Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４およびＢ５を、この順序で厚さ５０μｍのポリイミドフィルム基板２上に、下記の条件で圧着して導電性層と絶縁樹脂層Ｂからなる５種のパターン層を基板上に転写して接続前のコイル部分を作製した。
【０１００】
（圧着条件）
圧  力  ：  ５０ｋｇｆ／ｃｍ2
温  度  ：  ２００℃
（１０）  コイル部分の作製３（図４〜図９対応）
上記の（７）において作製した５種の転写用原版Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４およびＣ５を、この順序で厚さ５０μｍのポリイミドフィルム基板２上に、下記の条件で圧着して導電性層と絶縁樹脂層Ｃからなる５種のパターン層を基板上に転写し、その後、基板に２３０℃、１時間の熱処理を施し、転写された絶縁樹脂層Ｃを硬化させて接続前のコイル部分を作製した。
【０１０１】
（圧着条件）
圧  力  ：  ４０ｋｇｆ／ｃｍ2
温  度  ：  ２００℃
実験例２（印刷法による接続）
実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分を印刷法により接続した。すなわち、図４〜図９に示される実施例中のＡ点とＡ’点、Ｂ点とＢ’点、Ｃ点とＣ’点、Ｄ点とＤ’点、Ｅ点とＥ’点、Ｆ点とＦ’点、Ｇ点とＧ’点、Ｈ点とＨ’点、Ｉ点とＩ’点を、これらの近接点に相当する開孔部を有するスクリーン印刷版を用いて導電性ペーストインキ（徳力化学研究所製シルベストＰ−２２５）を印刷し、乾燥後、コイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１０２】
実験例３（ディスペンス法による接続）
上記実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分をディスペンス法により接続した。すなわち多層コイルを形成した基板を（株）飯沼ゲージ製作所製の自動塗布装置（ＸＹＤ  ４５５０ＺＣ２−２型）に装着し、ディスペンサに接続された内径０．２ｍｍのニードル（針状の噴出口）を、上記実験例２で説明したような各接続すべき点に移動させ、導電性ペーストインキ（徳力化学研究所製シルベストＰ−２２５）を噴出させて各接続点上に少量塗布し、乾燥後、コイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１０３】
実験例４（超微粒子吹付け法による接続）
それぞれ独立に排気ポンプを備えた２つの真空槽を、中央部にストップバルブを持つ直径２ｍｍのステンレス製接続パイプで接続し、バルブを閉じたままでそれぞれの真空槽内を排気して、一方を２×１０-3Torr（高真空槽）、他方にはアルゴンガスを導入しつつ５００Torr（低真空槽）に保った。そして、高真空槽には、実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分を備える基板を設置した。この高真空槽内では、上記の接続パイプの先端部（先端径＝８０μｍ）が、コイル部分の接続すべき部分に位置合わせされ、かつ配線板に垂直となるようにした。また、低真空槽は、抵抗加熱式の蒸発源に金を仕込み、この蒸発源の上方２ｃｍ程度の所に接続パイプの一方の開口端部が位置するようにした。
【０１０４】
次に、抵抗加熱式の蒸発源に通電して金の蒸発を開始し、接続パイプの高真空槽内の先端部からコイル部分の接続すべき部分に金微粒子を吹き付け、直径１００μｍ、厚さ３０μｍの金膜（接合部）を約１秒で形成した。しかる後、コイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１０５】
実験例５（レーザー描画法による接続）
下記組成の微粒子分散溶液を実験例１の（１０）において作製した多層コイルを形成した基板上にスピンコート法により塗布し乾燥させて塗膜を形成した。
0003639641.tif 000002
次に、スポット径を１００μｍ、照射面でのパワーを１Ｗに調節したアルゴンレーザーを、コイル部分の接続すべき部分に約３ｍｓ照射し、上記塗膜中のポリエステル樹脂を蒸発除去して金薄膜を交差部上に形成した。次いで、溶剤（トルエン：メチルエチルケトン＝１：１の混合溶剤）を用いて未照射部分の塗膜を溶解除去し、洗浄乾燥の後、コイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１０６】
実験例７（選択無電解メッキ法による接続）
下記組成の感光性水溶液（液温＝４０℃）中に実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分を形成した基板を浸漬し、その後、乾燥させて感光性層を形成した。
【０１０７】
（感光性水溶液の組成）
・酢酸銅                                          …    ８ｇ／ｌ
・グリセリン                                      …  １６ｇ／ｌ
・ソルピトール                                    …１１０ｇ／ｌ
・ペンタエリスリトール                            …  １０ｇ／ｌ
次に、コイル部分の接続すべき部分のみが露光されるように作成されたフォトマスクを上記配線板に密着させて露光・水洗を行い、これを下記組成の無電解メッキ浴（浴温＝６８℃）に３時間浸漬して無電解メッキを行い、水洗・乾燥の後、コイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１０８】
（無電解メッキ浴の組成）
・硫酸銅                                    …０．０３     mol／ｌ
・苛性ソーダ                                …０．１２５   mol／ｌ
・シアン化ナトリウム                        …０．０００４ mol／ｌ
・ホルマリン                                …０．０９     mol／ｌ
・エチレンジアミン４酢酸ナトリウム          …０．０３６   mol／ｌ
実験例８（選択蒸着法による接続）
真空槽内に、実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分を形成した基板と、ピレンの蒸発源と、ガリウムのイオン源を設置し、真空槽内を３×１０-6Torrまで排気した。尚、ガリウムのイオン源は、配線板に垂直にイオンビームが入射するように配置した。
【０１０９】
次に、蒸発源を７０℃程度に加熱してピレンを蒸発させ、ガリウムイオンビームを、コイル部分の接続すべき部分に下記の条件で照射して炭素膜の堆積を行った。これにより、膜厚３μｍの炭素膜をコイル部分の接続すべき部分上に形成した。しかる後、コイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１１０】
（イオンビーム照射条件）
・ビーム加速電圧  ：  ２０ｋＶ
・ビーム照射面積  ：  ３０μｍ□
・照射時間        ：  １５分間
実験例９（溶接接合法による接続）
内部をアルゴンガスで置換した容器内に、実験例１の（９）において作製した接続前のコイル部分を形成した基板と、アルゴンレーザーの出射部を配設し、レーザーのスポット径を８０μｍ、照射面でのパワーを１Ｗに調節した。そして、コイル部分の接続すべき部分にアルゴンレーザーを約５ｍｓ間照射して、コイル部分の接続すべき部分の絶縁樹脂層を蒸発除去して、各層の導電性層を相互に融着した。しかる後、コイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１１１】
実験例１０（ワイヤーボンディング法による接続）
実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分を形成した基板を用い、コイル部分の接続すべき部分をワイヤーボンディング装置を用いて、金線（直径４０μｍ）によりワイヤーボンディングを行い、ワイヤーブリッジにより接続した。しかる後、コイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１１２】
実験例１１（ワイヤーボンディング装置を用いた１ショット法による接続）
実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分を形成した基板を用い、コイル部分の接続すべき部分をワイヤーボンディング装置を用いて、金線（直径１００μｍ）により１ショット（１回）のボンディングを行い、ボンディング塊（パッド）を接続部分の隙間に介在させることにより接続した。しかる後、コイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１１３】
実験例１２（レーザーメッキ法による接続）
下記組成のパラジウムメッキ液中に、実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分を形成した基板を浸漬させた。
【０１１４】
（パラジウムメッキ液の組成）
・ＰｄＣｌ2                                       …1.7733ｇ／ｌ
・エチレンジアミン                                …5.3 ｍｌ／ｌ
・チオジグリコール酸                              …３０ｍｇ／ｌ
・ＮａＨ2 ＰＯ2 ・Ｈ2 Ｏ                          …6.3594ｇ／ｌ
・Ｐｂ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2                           …  ３p.p.b.
次に、スポット径１００μｍ、照射面でのパワーを１．０Ｗに調整したアルゴンレーザーを、コイル部分の接続すべき部分に約９０秒間照射し、照射部分にＰｄ膜を約５０μｍ析出させた。しかる後、水洗・乾燥させた後、配線されたコイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１１５】
実験例１３（導電体と半田メッキとの積層体の一括転写法による接続）
まず、導電体層と半田メッキ層との積層体を以下の要領で作製し、準備した。すなわち、導電性の基板上に、レジスト法を用いて所望のパターン（導電性パターン）を形成した転写基板に上に、下記の要領で導電体層を形成し、この導電体層上に下記のメッキ浴組成物を用いて半田メッキを行い、半田メッキ層を形成した。なお、半田メッキ層は、半田メッキの他、半田ペーストのスクリーン印刷、ディッピングでも同様な層が得られる。
【０１１６】
導電体層の形成に際しては、上記転写基板と白金電極を対向させて下記の組成のピロ燐酸銅メッキ浴（ｐＨ＝８．８，液温＝５５℃）中に浸漬し、直流電源の陽極に白金電極を陰極に上記の転写基板をそれぞれ接続し、電流密度３Ａ／ｄｍ2 で２分間の通電を行い、導電性のパターン（導電面裸出部）上に銅メッキ膜を形成して導電体層（厚さ２．０μｍ）とした。
【０１１７】
（ピロ燐酸銅メッキ浴の組成）
ピロ燐酸銅                                  …    ９４ｇ／ｌ
ピロ燐酸銅カリウム                          …  ３４０ｇ／ｌ
アンモニア水                                …    ３ｃｃ／ｌ
半田メッキ層形成のための半田メッキ浴組成物は以下のような組成とした。
【０１１８】
（メッキ浴組成）
第一錫                                      …    ４０ｇ／ｌ
鉛                                          …    １５ｇ／ｌ
遊離ほうふっ酸                              …  １００ｇ／ｌ
ホルマリン（３７％）                        …  １０ｍｌ／ｌ
光沢剤                                      …  ６０ｍｌ／ｌ
分散剤                                      …    ４０ｇ／ｌ
なお、上記光沢剤は、２％炭酸ナトリウム溶液中で２８０ｍｌのアセトアルデヒドと１０６ｍｌのＯ−トルイジンを１５℃で１０日間反応させて得られた沈殿物をイソプロパノールに溶解して２０％溶液としたものを用いた。また、上記分散剤は、１モルのノリルアルコールに１５モルのエチレンオキソイドを付加した生成物であるポリエチレングリコールノニルフェニルエーテルを用いた。
【０１１９】
半田メッキ層形成に際しては、室温、電流密度３Ａ／ｄｍ2 で３分間の通電を行い、上記銅メッキ膜の導電体層上に厚さ５．０μｍの半田メッキ層を形成させた。
【０１２０】
次いで、実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分を形成した基板を準備し、コイル部分の接続すべき部分を、上述の導電体層と半田メッキ層の積層体を用いて、熱転写により、導電体層と半田メッキ層の積層体を一括転写し接続させた。熱転写温度は３５０℃とした。しかる後、このようにして配線されたコイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１２１】
実験例１４（金属塊挿入法による接続）
実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分を形成した基板を用い、コイル部分の接続すべき部分の配線間隙に直径５０μｍのＡｕからなる金属ボール（塊）を配置し、その上から感圧接着剤を塗布したシートを圧着し、接続部を形成した。しかる後、このようにして配線されたコイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１２２】
実験例１５（無電解メッキ法による接続）
実験例１の（１０）において作製した接続前のコイル部分を形成した基板上に無電解メッキ触媒を全面に塗布して触媒層を形成した。次いで、この上にフォトレジストを塗布形成したのち、所定のフォトマスクを用いてレジスト層を密着露光、現像し、コイル部分の接続すべき部分に相当する部分を露出させた。この露出部分を活性化させた後、無電解銅メッキ行い接続部を形成させた。しかる後、残余の不要なレジストおよび触媒層を順次、除去して、配線されたコイル部分の導通を確認したところ良好な結果が得られた。
【０１２３】
なお、無電解メッキ触媒、活性化（アクセレータ）および無電解メッキとしての組成および操作条件は、それぞれ以下の通りとした。
【０１２４】
0003639641.tif 000003
（活性化（アクセレータ））
活性化剤：硫酸                              …  １５０ｇ／ｌ
操作条件：５０℃、処理時間５分
（無電解メッキ浴の組成）
・硫酸銅                                        …      ７ｇ／ｌ
・ＥＤＴＡ                                      …    ２５ｇ／ｌ
・ホルムアルデヒド                              …    ５０ｇ／ｌ
・ＮａＣＮ                                      …    ６０mg／ｌ
操作条件：ｐＨ＝１２．６、浴温度７０℃、処理時間２０分
形成膜厚：０．５μｍ
【０１２５】
【発明の作用および効果】
以上詳述したように、本発明によれば  基板と、この基板の上に端末機と電磁結合もしくは電磁誘導されるコイル部分を備えてなる非接触ＩＣカードにおいて、前記コイル部分は、基板の上に形成される繋ぎ用の配線パターン部と、この繋ぎ用の配線パターン部の上に配置されるとともに該繋ぎ用の配線パターン部に接続される少なくとも２層以上のコイル状の配線体を備え、前記繋ぎ用の配線パターン部は、少なくとも配線のための端子または配線のための連結線を有し、前記少なくとも２層以上のコイル状の配線体は、それぞれ、導電性層と該導電性層の下部に形成された絶縁樹脂層を備え、該絶縁樹脂層によって前記基板あるいは下層に位置するコイル状の配線体に固着されており、かつ、前記２層以上のコイル状の配線体は、それぞれ、一方端の接続部をコイル外方に、他方の接続部をコイル内方に備えるとともに、前記繋ぎ用の配線パターン部によって、同一巻き方向となるように連続接続されているように構成されている。従って、コイル巻き数を十分に取ることができ、コイルのインダクタンスを大きくしてコイル性能を著しく向上させることができる。また、フレキシビリティーな基板に導電性層と絶縁樹脂層を備えるので曲げ等の応力にも強いという効果を奏する。さらには、スルーホール等の複雑な接続構造を取る必要がなく低コストで量産化が可能となるといった効果をも奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の非接触ＩＣカード、特に、基板の上に４層に積層されたコイル状の配線体を含むコイル部分の断面を模式的に示した図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】本発明の非接触ＩＣカード、特に、基板上に積層されたコイル状の配線体を含むコイル部分を形成するのに使用される転写用原版の一例の製造方法を示す概略断面図である。
【図４】基板上に繋ぎ用の配線パターン部が配置された平面図である。
【図５】第１層目のコイル上の配線体の平面図である。
【図６】第２層目のコイル上の配線体の平面図である。
【図７】第３層目のコイル上の配線体の平面図である。
【図８】第４層目のコイル上の配線体の平面図である。
【図９】転写法により積層され完成されたコイル部分の平面図である。
【図１０】本発明の非接触ＩＣカード、特に、基板上に積層されたコイル状の配線体を含むコイル部分を形成するのに使用される転写用原版の一例の製造方法を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の非接触ＩＣカード、特に、基板上に積層されたコイル状の配線体を含むコイル部分を形成するのに使用される転写用原版の一例の製造方法を示す概略断面図である。
【図１２】本発明の非接触ＩＣカード、特に、基板上に積層されたコイル状の配線体を含むコイル部分を形成するのに使用される転写用原版の一例の製造方法を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１…非接触ＩＣカード
２…基板
３…コイル部分
１０，２０，３０，４０…コイル状の配線体
１１，２１，３１，４１…絶縁樹脂層
１３，２３，３３，４３…導電性層
１００，１０２，１０３，１０４…転写用原版
１１１…導電性基板
【図１】
0003639641.tif 000004
【図２】
0003639641.tif 000005
【図３】
0003639641.tif 000006
【図４】
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【図５】
0003639641.tif 000008
【図６】
0003639641.tif 000009
【図７】
0003639641.tif 000010
【図８】
0003639641.tif 000011
【図９】
0003639641.tif 000012
【図１０】
0003639641.tif 000013
【図１１】
0003639641.tif 000014
【図１２】
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