(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザービームの照射により、記録層が相変化することによって情報の記録が行われる情報記録媒体であって、
溝深さｄｇの溝形状を有する基板と、上記溝形状を反映した形状の上記記録層との間に、上記基板に近い方から順に、第１干渉層、第２干渉層、第１界面層とを有し、
上記第１干渉層の熱伝導率は上記第２干渉層の熱伝導率よりも低く、上記第２干渉層の屈折率は上記第１干渉層の屈折率及び上記記録層の屈折率よりも小さく、
上記第１干渉層と上記記録層との間の距離が上記ｄｇ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
上記第１干渉層はＺｎＳの組成比が５０％以上９５％以下であるＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなり、上記第２干渉層はＯ、Ｎ、Ｓ、Ｃの組成比の和をＸとした場合、Ｏの組成比がＸの５０%以上であり、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇの組成比の和が１−Ｘの７０％以上であり、上記第１界面層は、遷移金属元素の酸化物、若しくは窒化物、Ｓｉ，Ｇｅの窒化物、又はこれらを含有する混合物からなることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の情報記録媒体であって、
上記記録層の上記第１界面層と接する側とは反対側に、金属元素からなる熱拡散層と、上記記録層と上記熱拡散層との間に設けられた第３干渉層を有し、
上記記録層と上記熱拡散層との間の距離が上記ｄｇ以上であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項４】
請求項３に記載の情報記録媒体であって、
上記第３干渉層は、ＺｎＳの組成比が５０％以上９５％以下であるＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項５】
請求項１に記載の情報記録媒体であって、
上記第２干渉層は、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＯの何れかからなることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６】
請求項１、又は２の何れかに記載の情報記録媒体であって、
溝内（グルーブ）と溝間（ランド）の両方に情報記録を行うことを特徴とした情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザービームの照射により情報の記録が行われる情報記録媒体に係り、特に、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ等の相変化光ディスクに関する。
【０００３】
また、上記したレーザービームを単にレーザー光あるいは光と表現することがあるが、上記したように本発明は情報記録媒体上に熱を発生させることが可能なレーザービームであり、複数の屈折率の異なる干渉層により、多重干渉効果が得られるレーザービームであれば効果が得られる。また、本発明は赤色レーザー（波長６４５〜６６０ｎｍ）により発明させたものであるが、特にレーザーの波長によるものではなく、青色レーザー、紫外線レーザー等の比較的短波長のレーザーを使用した高密度光ディスクに対しても効果を発揮する。
【０００４】
【従来の技術】
近年、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏ等の再生専用型光ディスクとの再生互換性に優れているという特徴を生かし、２．６ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭ等の相変化光ディスクが製品化されている。しかしながら、２．６ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭは記録容量の点で消費者の要請に充分に応えているとは言えないため、４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭや４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＷに対する期待が高まっている。すなわち、これらの相変化光ディスクはＤＶＤ―Ｖｉｄｅｏと記録容量の点で同じになるため、ＶＴＲに代わる映像記録用光ディスクが実現するためである。
【０００５】
４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭを実現するためには多くの課題を解決する必要がある。この中でも、特にクロスイレーズの抑制が主な課題である。
【０００６】
一般的に、情報記録媒体のトラックピッチをレーザービームスポットの８０％程度に狭トラックピッチ化した場合、隣接情報記録トラックから再生信号のもれ込みが発生する。この隣接情報記録トラックに記録された情報からの再生信号のもれ込みをクロストークと呼ぶ。この問題を解決するため、以下に説明するランドグルーブ記録方式が開発された。
【０００７】
書換型光ディスクではプラスチック基板上にレーザービームのトラッキングのための、凹凸形状（溝形状）が設けられており、凹部、あるいは凸部に情報を記録する方法が一般的である。しかしながら、記録密度向上（狭トラックピッチ化）を目的とし、近年、上記凹凸形状を利用して、凹部と凸部のそれぞれに情報を記録する方法が開発された。ここで、上記凹凸形状の凸部と凹部をランド、グルーブと呼ぶ。一般的に、情報記録媒体のトラックピッチをレーザービームスポットの８０％程度に狭トラックピッチ化し、ランドとグルーブの両方に情報を記録した場合、隣接情報記録トラック（ランドに対するグルーブ、あるいはグルーブに対するランド）から再生信号のもれ込みが発生する。たとえばランドに記録された情報を再生する際にグルーブに記録された情報からの再生信号がもれ込み、ランドに記録された情報を正確に再生できない等の問題が発生する。
【０００８】
この問題点を解決するために、特開平６−３３８０６４号公報（以下「文献１」という。）は、上記ランドグルーブ記録方式では上記溝深さをλ／７以上λ／５以下（λ：レーザー波長）にすることを開示する。この方式の特徴は、トラックピッチをレーザービームスポットの６割程度に狭くした場合においても、隣接情報記録トラックからのクロストーク（隣接情報記録トラックからの信号のもれ込み）をキャンセルできることである。
【０００９】
一方、反射率を向上させる方法としては、第５回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、pp9-14、1993（以下「文献２」という。）に記載されているように、記録層のエネルギービーム入射側にＺｎＳ−ＳｉＯ2層、ＳｉＯ2層という屈折率の異なる干渉層を設け、多重干渉の効果により反射率を向上させる方法が知られている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
文献１では、隣接情報記録トラック（ランド記録時の隣接グルーブ、あるいはグルーブ記録時の隣接ランド）に記録されている記録マークが消去される現象（いわゆるクロスイレーズ）を抑制する方法については十分に考慮されていない。たとえば、文献１では、記録層と熱拡散層（反射層）との間の距離が１８ｎｍと小さいため、情報記録時に熱拡散層を介して隣接情報記録トラックに熱が拡散し、クロスイレーズが発生しやすくなるという問題が発生することがわかった（問題１）。
【００１１】
この問題を解決するために、本願の先願である特願平１０−２８５００８号に記載されているように、記録層と熱拡散層との距離をグルーブ深さ以上に離すことが重要である。しかしながら、記録層と熱拡散層の距離をクロスイレーズが充分抑制される程度（レーザー波長が６４５〜６６０ｎｍ程度の場合、６５ｎｍ以上）まで離した場合、光学干渉の効果により反射率が低下するという問題が発生する（問題２）。
【００１２】
反射率を向上させるためには、文献２に開示される方法を利用することが考えられる。しかしながら、この方法では、記録層とＺｎＳ−ＳｉＯ2が接しているため、数千回程度の記録を繰り返した際に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層中のＳ元素が記録層中に拡散し、反射率が低下するという問題が発生する（問題３）。
【００１３】
このような反射率低下を回避するためには、特開平１０−２２８６７６号公報（以下「文献３」という。）に記載されているように、記録層とＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体保護層の間にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の高融点誘電体化合物からなる界面層を設ける方法が知られている。しかしながら、上記方法では高温加湿試験等を行った場合、記録層と界面層の間において剥離が発生するおそれがあることが明らかになった（問題４）。
【００１４】
この剥離を抑えるためには、上述の特願平１０−２８５００８号に記載されているようにＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の高融点誘電体化合物の代わりにＣｒ―Ｏ系材料，Ｇｅ−Ｎ系材料等の誘電体を界面層として設ければよい。しかしながら、発明者らは、上記Ｃｒ―Ｏ系材料，Ｇｅ−Ｎ系材料等は、剥離に対して強いが、レーザー光を吸収してしまうため、多重干渉の効果を阻害し、結果として反射率を低下させるという問題を引き起こすことを明らかにした（問題２と同様）。この場合、界面層の厚さを薄膜化すれば、上記問題をある程度抑えることは可能であるが、界面層の厚さを５ｎｍ以下にするとＺｎＳ−ＳｉＯ2誘電体保護層からのＳ原子の拡散を充分に抑制できないことがわかった（問題３が発生）。
【００１５】
また、文献２と文献３とを組み合わせた場合、記録層のレーザービーム入射側には４層の薄膜が存在することになり、総数が多すぎるため生産上好ましくない。また、上記文献１、文献２、文献３ではクロスイレーズに関しては十分に考慮されておらず、トラックピッチを狭めた場合、各層の膜厚によってはクロスイレーズが発生するという問題が発生した（問題１と同様）。
【００１６】
したがって、本発明の課題はクロスイレーズ抑制（問題１対策）と、反射率向上（問題２対策）、多数回書換時の反射率低下抑制（問題３対策）、剥離による欠陥抑制（問題４対策）を両立させる情報記録媒体の構造を明らかにし、これを提供することに有る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上述した従来技術における問題点を解決するためには、以下の情報記録媒体を用いれば良い。（１）  レーザービームの照射により、記録層が相変化することによって情報の記録が行われる情報記録媒体であって、溝深さｄｇの溝形状を有する基板と、溝形状を反映した形状の記録層との間に、上記基板に近い方から順に、第１干渉層、第２干渉層、第１界面層とを有し、第１干渉層の熱伝導率は第２干渉層の熱伝導率よりも低く、第２干渉層の屈折率は第１干渉層の屈折率及び記録層の屈折率よりも小さく、第１干渉層と記録層との間の距離が上記ｄｇ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【００１８】
実施例において詳細に説明するように、第１干渉層の屈折率が第２干渉層の屈折率よりも大きい場合、反射率が向上する。
【００１９】
ここで、第１干渉層は、少なくとも第１干渉層のレーザービーム入射側に接して存在する物質の屈折率よりも大きな屈折率を有することが好ましい。通常、第１干渉層のレーザービーム光入射側に存在する物質はポリカーボネート等のプラスチック基板、あるいは、紫外線硬化樹脂等の有機物である。また、これらの屈折率は１．４から１．６程度である。上記有機物と第１干渉層の間において、効果的に光を反射させるためには第１干渉層の屈折率は２．０以上であることが望ましい。具体的には２．０以上の高屈折率を実現できるという点、製膜レートが高くノイズを発生させないという点、熱伝導率が極めて小さいという点においてＺｎＳとＳｉＯ2の混合物が良い。
【００２０】
また、第２干渉層の屈折率は２．０以下、望ましくは１．８以下であることが要求される。したがって具体的には、第２干渉層には、屈折率が極めて小さいという点において、たとえば、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯのような低屈折率酸化物を含有されていることが望ましい。
【００２１】
発明者らは、このような低屈折率酸化物からなる第２干渉層は記録層との間において剥離しやすいことを明らかにした。このような剥離を抑制するためには記録層と第２干渉層の間に第１界面層を設ければ良い。第１界面層は記録膜に接して存在するため、少なくとも融点が記録層の融点よりも高いことが要求される。また、第１界面層は記録層と第２干渉層の間における接着性が良好な物質が良い。
【００２２】
さらに、発明者らは実施例にも記載されているように、遷移金属の酸化物、窒化物、あるいはＧｅ、Ｓｉ等の半導体元素窒化物等の、不定比化合物となりやすい物質が接着性が良好であるが、不定比化合物であるがために、自由電子が存在し、これに起因した光吸収が発生し反射率を低下させてしまうことを明らかにした。
【００２３】
しかしながら、第１干渉層、第２干渉層、第１界面層を組み合わせることにより、以上に示したような各層のデメリットが補完され、クロスイレーズ抑制と、反射率向上、多数回書換時の反射率低下抑制、剥離による欠陥抑制を両立させる情報記録媒体を得ることができる。
【００２４】
さらに、発明者らは実施例に詳細に説明するように、第２干渉層に使用されるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ等の低屈折率化合物の熱伝導率が、第１干渉層に使用されるＺｎＳ−ＳｉＯ2等の化合物と比較して大きいため、隣接トラックに熱が拡散することによるクロスイレーズが発生しやすくなってしまうことを明らかにした。また、これを避けるためには、第１干渉層と記録層の間の距離を溝深さｄｇよりも小さくすれば良いことを明らかにした。
【００２５】
また、各層の組成には最適値が存在する。すなわち、以下に記載されているような情報記録媒体である。
【００２６】
上記第１干渉層はＺｎＳの組成比が５０％以上９５％以下であるＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなり、上記第２干渉層はＯ、Ｎ、Ｓ、Ｃの組成比の和をＸとした場合、Ｏの組成比がＸの５０%以上であり、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇの組成比の和が１−Ｘの７０％以上であり、上記第１界面層は、遷移金属元素の酸化物、若しくは窒化物、Ｓｉ，Ｇｅの窒化物、又はこれらを含有する混合物からなることを特徴とする（１）記載の情報記録媒体。
【００２７】
また、上記構成は特に光学干渉の効果により反射率が低下するような場合に効果を発揮する。すなわち、クロスイレーズ等の熱的な問題を解決するために反射率を犠牲にせざるを得ないような構成において有効となる。具体的には、記録層のレーザービーム入射側とは反対側に熱拡散層を設け、熱拡散層と記録層の距離を溝深さｄｇ以上にしたような場合である。
【００２８】
実施例においても詳細に説明しているように、記録層のレーザービーム入射側とは反対側に熱拡散層を設けることは、記録時に発生した熱をすばやく逃し、記録層のダメージを抑えるために有効であるが、熱拡散層内に拡散した熱が、隣接トラックに達しクロスイレーズを発生させてしまうという弊害がある。この問題を避けるためには、以下に示す場合のように記録層と熱拡散層の間に熱拡散層よりも小さな熱伝導率の層（第３干渉層）を設け、記録層と熱拡散層の距離を溝深さｄｇ以上にすれば良い。しかしながら、このような構造にした場合、反射率が急激に低下する。
【００２９】
このような場合においても（１）（２）に示したような構造とすることにより反射率低下を抑えることができる。したがって、以下に示すような反射率が高い実用的な低クロスイレーズ媒体が実現する。
【００３０】
（３）（１）（２）に記載の情報記録媒体であって、記録層のレーザービーム入射側とは反対側に、少なくとも一層の熱拡散層を備え、記録層と熱拡散層の間に少なくとも一層の第３干渉層を備え、記録層と熱拡散層の間の距離が上記ｄｇ以上であることを特徴とした情報記録媒体。
【００３１】
さらに、第３干渉層の組成には（４）に示したように、最適な組成が存在することがわかった。
【００３２】
（４）（３）に記載の情報記録媒体であって、第３干渉層がＺｎＳの組成比が５０％以上９５％以下であるＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなることを特徴とした情報記録媒体。
【００３３】
このような、組成を使用した場合、第３干渉層に含有されるＳ原子が、多数回書換時に記録層中に拡散し、反射率を低下させるという問題が発生する。このような場合、（５）に示すように、記録層と第３干渉層の間に第２界面層を設ければよい。既に述べたように、第２界面層で使用される界面層材料は第１界面層と同様に遷移金属元素の酸化物、窒化物、あるいはＧｅ、Ｓｉ等の半導体元素の窒化物が良い。しかしながら、上述したように、これらの化合物は光を吸収しやすいため、多重干渉の効果を阻害し、反射率を低下させやすい。このような場合においても（１）（２）に示したような構造とすることにより反射率低下を抑えることができる。また、言うまでもなく（５）に示すように、第２界面層に含有されるＳ元素が第３干渉層に含有されるＳ元素よりも少ないことが重要である。
【００３４】
（５）（４）に記載の情報記録媒体であって、上記第３干渉層と記録層の間に記録層と接して第２界面層が存在し、第２界面層のＳ元素の組成比が第３干渉層よりも小さいことを特徴とした情報記録媒体。
【００３５】
また、（６）に示したようにランドグルーブ記録を行う場合、特にクロスイレーズが問題となるが、このような場合においても、（３）に示したような構成の情報記録媒体を用いることにより、クロスイレーズが極めて小さな情報記録媒体を実現させることができる。
【００３６】
（６）（３）に記載の情報記録媒体であって、溝内（グルーブ）と溝間（ランド）の両方に情報記録を行うことを特徴とした情報記録媒体。
【００３７】
なお、上記した第１界面層、第２界面層、記録層等は通常、数ｎｍ程度と極めて薄い。このような場合、必ずしも層状をしておらず、島状に（まだらに）膜が存在するという現象が発生する（薄膜の島状形成）。このような場合においても、上記島状の薄膜間の距離がレーザービームの波長の１０分の1程度であれば、光学的には無視でき、島状薄膜の平均膜厚を有する層が存在すると考えても、本発明の効果は失われない。また、たとえば、第２界面層等の界面層が島状に存在していたとしても、記録層への各干渉層元素の拡散防止効果は、十分ではないが発現する。また、第１界面層の主な目的は、第２干渉層と記録層の間において発生する剥離の防止である。したがって、第１界面層に関しては、第２干渉層に使用される材料が記録層中に拡散しにくい場合、島状に存在していたとしても一向に差し支えない。
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明を以下の実施例によって詳細に説明する。
【００３９】
図１に本発明の情報記録媒体の基本構造を示す。第１の情報記録部材は溝形状の情報記録トラックが設けられた基板１−１上に第１干渉層１−２、第２干渉層１−３、第１界面層１−４、記録層１−５、第２界面層１−６、第３干渉層１−７、熱緩衝層１−８、熱拡散層１−９が順次積層された構造である。また、同様の構造の情報記録部材を接着剤１−１０を介して貼り合せている。
【００４０】
基板１−１としてはポリカーボネート等のプラスチック製透明基板を用いる。通常、このような透明基板の屈折率は１．５〜１．６程度である。第１干渉層１−２の満足すべき光学特性は上記基板１−１よりも屈折率が大きく、屈折率が２．０以上であることが望ましい。これにより、基板１−１と第１干渉層１−２の間において光の反射が起こり、この反射を利用した光学干渉効果により、未記録部（結晶）と記録部（アモルファス）の反射率変化を大きくすることができる。また、第２干渉層１−３の屈折率は第１干渉層１−２の屈折率よりも小さく，さらに記録層１−５の屈折率よりも小さくする。第１界面層１−４は、記録層１−５と第２干渉層１−３との間剥離の抑制する。第１界面層１−４の屈折率は、できる限り第２干渉層１−３と同程度の値にすることが望ましいが、第１干渉層１−２程度に大きくなってしまう場合は、上記剥離抑制効果に影響を及ぼさない範囲において、できうる限り薄い方が良い。第３干渉層１−７は熱拡散層１−９と記録層１−５の距離を適度に離し、クロスイレーズを制御するために適度な膜厚が必要である。少なくとも膜厚は３５ｎｍ以上、望ましくは溝深さ以上の厚さがあれば望ましい。また、熱伝導率が適度に低いことが要求される。第２界面層１−６は主に記録層１−５と第３干渉層１−７の間において発生する剥離の抑制、第３干渉層元素の記録層への拡散を抑制する役割を担っている。熱緩衝層１−８は記録層１−５が結晶とアモルファスのそれぞれの場合の吸収率を制御する役割と同時に、記録層１−５から熱拡散層１−９への熱の流れを制御する役割を担っている。光学定数（ｎ、ｋ）は１．４＜ｎ＜４．５、−３．５＜ｋ＜−０．５の範囲が良く、特に２＜ｎ＜４、−３．０＜ｋ＜−０．５の材料が望ましい。熱拡散層１−９は記録層１−５において発生した熱を速やかに拡散させ、記録時の記録層１−５の熱的なダメージを抑える役割を担っている。このため適度に熱伝導率が高いことが要求される。このため、膜厚が少なくとも３０ｎｍ以上は必要である。
【００４１】
以下に本発明の基本的な考え方を示す。ここでは、簡単のため、光学的に特に重要な第１干渉層、第２干渉層、記録層、第３干渉層、熱拡散層のみを用いて説明する。図２は第２干渉層がある場合と、ない場合の各層の屈折率を模式的に示した図である。縦軸は屈折率、横軸は基板内のある点からの光入射方向の距離を示している。ここで構造１とは基版上に第１干渉層、記録層、第３干渉層、反射層を順次積層した構造である。このような構造の場合、主に、４つの反射面を利用した多重干渉効果を利用し光学設計を行っている。すなわち、基板−第１干渉層間の反射面Ａ、第１干渉層―記録層間の反射面Ｂ、記録層−第３干渉層間の反射面Ｃ、第３干渉層−熱拡散層間の反射面Ｄである。このような場合、光学設計に利用できる光路はＡ−Ｂ間、Ａ−Ｃ間、 Ａ−Ｄ間、 Ｂ−Ｃ間、 Ｂ−Ｄ間、Ｃ−Ｄ間の６種類である。これに対して、第１干渉層よりも屈折率が小さな第２干渉層を第１干渉層と記録層の間に挿入した場合（構造２）、新たに多重干渉に利用できる反射面Ｅが追加される。このような場合、光学設計に利用できる光路はＡ―Ｂ間、Ａ−Ｃ間、Ａ―Ｄ間、Ａ−Ｅ間、Ｂ−Ｃ間、Ｂ−Ｄ間、Ｂ−Ｅ間、Ｃ−Ｄ間、Ｃ−Ｅ間、Ｄ−Ｅ間の１０種類であり光学設計の自由度が飛躍的に向上する。また、反射面Ｅの反射を有効に活用することにより、反射率を向上させること容易となる。
【００４２】
第２干渉層の屈折率が第１干渉層よりも小さい方が好ましい理由は２点ある。まず、基板の屈折率は基板に要求される諸特性を満足させるため選択できる材料が限られており、その屈折率は１．５−１．６程度である。したがって、反射面Ａにおける反射係数を大きくするためには第１干渉層の屈折率をできるだけ小さくするか、又は大きくする必要がある。第１干渉層に使用できる通常の無機誘電体材料の屈折率が最低でも１．４程度であることを考慮すると第１干渉層の屈折率を小さくする事は現実的ではない。したがって、第１干渉層の屈折率は基板の屈折率よりもできるだけ大きくする必要がある。しかしながら、屈折率が２．５以上となるような材料は通常光を吸収しやすいため、現実的には第１干渉層の屈折率は２−２．２程度に抑えられている。同様に反射面Ｅにおける反射係数を大きくするためには、第２干渉層の屈折率を第１干渉層の屈折率よりも大きくするか、小さくするかのどちらかである。第２干渉層の屈折率を第１干渉層の屈折率よりも大きくした場合、２つの問題が発生する。一つは、たとえば屈折率が３以上となるような透明材料を得る事が極めて困難なこと、もう一つは記録層（屈折率が４程度）と、第２干渉層との間の屈折率差を小さくしてしまうことである。この結果、反射面Ｂにおける反射係数を小さくしてしまうことになる。したがって、第２干渉層の屈折率は第１干渉層の屈折率よりも小さい方がよい。また、第１界面層は主に記録層と第２干渉層の間において発生する剥離の抑制のために必要である。第１界面層の屈折率はできうる限り第２干渉層と同程度の値にすることが望ましいが、第１干渉層程度に大きくなってしまう場合は、上記剥離抑制効果に影響を及ぼさない範囲において、できうる限り薄い方が良い。
【００４３】
次に光学計算結果を示す。
【００４４】
計算に用いた光学定数（ｎ、ｋ）を以下に示す。
【００４５】
第１干渉層：（２．１６、０．００）
第２干渉層：（１．４〜２．２、０．００）
第１界面層：（２．６,−０．０９）
記録層（結晶）：（４．５７、−５．４６）
記録層（アモルファス）：（４．５１、−２．２２）
第２界面層：（２．６、−０．０９）
第３干渉層：（２．１６、０．００）
熱緩衝層：（４．０９、−２．８８）
熱拡散層：（１．８４、−５．７４）
また、各層の膜厚を以下に示す。
【００４６】
第１干渉層：０〜１５０ｎｍ
第２干渉層：０〜８０ｎｍ
第１界面層：１ｎｍ
記録層：６．３ｎｍ
第２界面層：１０ｎｍ
第３干渉層：４５ｎｍ
熱緩衝層：３５ｎｍ
熱拡散層：６０ｎｍ
図３は第２干渉層膜厚と屈折率を変数とし、結晶の反射率Ｒｃとアモルファスの反射率Ｒａの比（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃが９０％以上になるように第１干渉層の膜厚を最適化した場合の計算結果である。第２干渉層の屈折率が第１干渉層の屈折率よりも大きい場合（ｎ＝２．２）第２干渉層の膜厚が０以上において（つまり第２干渉層が存在すると）結晶の反射率を低下させるが、第２干渉層の屈折率が第２干渉層の屈折率よりも小さい２．０以下の場合、反射率を向上させる効果を発揮する。目標となる反射率は４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭ規格書に記載されているように１５％以上である。本計算ではレーザービームが基板表面において反射される効果等を考慮していないため、本計算の計算結果は実質的には４％程度大きく計算されている。したがって、本計算における反射率の目標値は１９％以上である。この条件を満足する第２干渉層の屈折率は１．４〜１．８である。また、第２干渉層の屈折率が１．４〜１．８のいずれの値であったとしても第２干渉層の膜厚が２０ｎｍ以上７８ｎｍであれば、上記条件を満足することができる。したがって、第２干渉層の屈折率は少なくとも第１干渉層の屈折率よりも小さく、望ましくは１．８以下がよく、膜厚は２０ｎｍ以上７８ｎｍ以下がよい。上記膜厚および屈折率の範囲は反射率の目標値が１９％の場合であるが、実用的には、光ディスク面内の均一性、量産時の歩留り等を考慮すると、さらに３％程度反射率を高めておく必要がある。したがって、実用的には反射率２２％以上が目標となる。この場合、第２干渉層の屈折率が１．４〜１．６であり膜厚が２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の場合に目標を満足する。
【００４７】
次に、第１干渉層の膜厚を結晶の反射率Ｒｃが２０％以上になるように最適化した場合の、再生信号の第2干渉層膜厚および屈折率依存性の計算結果を図４に示す。第２干渉層の屈折率が第１干渉層の屈折率よりも大きい場合（ｎ＝２．２）第２干渉層の膜厚が０．０以上において（つまり第２干渉層が存在すると）、再生信号振幅を低下させるが、第２干渉層の屈折率が第２干渉層の屈折率よりも小さい２．０以下の場合、再生信号振幅を向上させる効果を発揮する。特に、第２干渉層の膜厚が２０ｎｍ以上の場合、屈折率が２．０においても１ｄＢ以上の再生信号振幅向上効果が発揮される。また、最適な第2干渉層の厚さは４５ｎｍ±２５ｎｍ程度である。したがって、第２干渉層の屈折率は少なくとも第１干渉層の屈折率よりも小さく、膜厚は２０ｎｍ以上がよい。特に第２干渉層の屈折率が１．８以下であり膜厚が２０ｎｍ以上７８ｎｍ以下の場合、再生信号振幅を２ｄＢ以上向上させることができる。
【００４８】
また、図５は図３の計算を行った際の第２干渉層の膜厚および屈折率と最適な第１干渉層膜厚の関係を示した図である。第１干渉層と第２干渉層の膜厚の和は１３０±２０ｎｍが適しており、特に１３０±１０ｎｍの場合に最適値が集中しており、この関係を保持する事が重要である事がわかる。
【００４９】
以上の計算は再生レーザーの波長が６６０ｎｍについて計算を行っているが、たとえば他の波長の再生レーザを使用する場合は、レーザー波長をλとした場合、第2干渉層膜厚をλ／４０〜λ／１０程度、さらに望ましくはλ／３０〜λ／１０にすれば良い。また、第１干渉層と第２干渉層の膜厚の和はλ／５±λ／３０、さらに望ましくはλ／５±λ／６０程度にすればよい。
【００５０】
次に、第１干渉層の熱伝導率を第２干渉層の熱伝導率よりも低くし、第１干渉層と記録層の間の距離を溝深さｄｇ以下とすることにより、クロスイレーズを抑制することができる理由を説明する。クロスイレーズを抑制するためには隣接トラック方向への熱の流れを少なくすることが極めて重要である。図６に第２干渉層の熱伝導率が第１干渉層の熱伝導率よりも大きく、第１干渉層と記録層の間の距離が溝深さｄｇよりも大きい場合のグルーブ記録時の熱の流れを示した。このような場合、グルーブ記録時の発熱部６−１１の隣接トラック方向には主に熱伝導率が高い第２干渉層６−２が存在する。したがって、隣接トラック方向に熱が拡散しやすく、結果としてクロスイレーズ引き起こすことになる。これに対して図７に示すように、第１干渉層７−１の熱伝導率が第２干渉層７−２の熱伝導率よりも低く、第１干渉層７−１と記録層７−４の間の距離が溝深さｄｇ以下の場合、グルーブ記録時の発熱部７−１１の隣接トラック方向には、主に熱伝導率が低い第１干渉層７−１が存在する。したがって、熱の流れ７−８は小さくなり、クロスイレーズが抑制される。このように、グルーブ記録時の発熱部７−１１の隣接トラック方向への熱の流れ７−８は、第１干渉層７−１と記録層７−４の間の距離に、極めて大きく依存する。
【００５１】
以上の説明ではグルーブ記録時のグルーブからランド方向への熱の流れについて説明したが、ランドからグルーブ方向への熱の流れの制御には第３干渉層の膜厚が重要となる。この現象についても図６、７を用いて説明する。熱拡散層６−７の熱伝導率が第３干渉層６−６の熱伝導率よりも高く、熱拡散層６−７と記録層６−４の距離が溝深さｄｇ以下の場合（図６）、ランド記録時の発熱部６−１２の隣接トラック方向に主に熱拡散層６−７が存在しているため、隣接トラック方向に熱が流れやすくなる。これに対して、図７の場合のように、熱拡散層７−７の熱伝導率が第３干渉層７−６の熱伝導率よりも高く、熱拡散層７−７と記録層７−４の距離が溝深さｄｇ以上の場合、ランド記録時の発熱部７−１２の隣接トラック方向には熱伝導率が低い第３干渉層７−６が存在しているため、隣接トラック方向に熱が流れにくくなり、結果としてクロスイレーズを抑制できる。
【００５２】
以上の光学的、熱的考察を踏まえ、第１干渉層と第２干渉層の熱伝導率、屈折率の大小、第２干渉層と第１界面層の膜厚の和（第１干渉層と記録層の間の距離に相当）、第１界面層の有無を組み合わせた場合の、反射率、クロスイレーズ、剥離欠陥を図１５にまとめた。
【００５３】
反射率、クロスイレーズ、剥離欠陥のいずれも良好となる構造は構造Ａと構造Ｋのみである。構造Ａと構造Ｋの違いは第１干渉層の熱伝導率κ１と第２干渉層の熱伝導率κ２の大小関係と、溝深さｄｇに対する第２干渉層と第１界面層の膜厚の和ｄ２＋ｄｓ（第１干渉層と記録層の距離に相当）の大小関係である。構造Ａと構造Ｋを比較した場合、以下の理由により構造Ｋの方が現実的である。本発明において第２干渉層に使用されるような低屈折率材料は耐熱性、生産性等を考慮するとＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ等の比較的熱伝導率が高い材料となるため、構造Ａの様に第２干渉層の熱伝導率を第１干渉層の熱伝導率以下にすることは、現実的には困難だからである。
【００５４】
先に示した光学計算結果からは第２干渉層膜厚はλ／４程度まで厚くしても効果があった。また、通常、ランドグルーブ記録の場合溝深さはλ／６程度である。したがって、第２干渉層の膜厚の上限は、溝深さｄｇによって制限されることになる。
【００５５】
以下に本発明の一実施例を示す。
【００５６】
トラックピッチ０.６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０.６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１干渉層：(ＺｎＳ)80 (ＳｉＯ2)20（１００ｎｍ）、第２干渉層：Ａｌ2Ｏ3（３５ｎｍ）、第１界面層：Ｃｒ2Ｏ3（２ｎｍ）、記録層３：Ｇｅ28Ｓｂ18Ｔｅ54（7ｎｍ）、第２界面層：Ｃｒ2Ｏ3（５ｎｍ）、第３干渉層：(ＺｎＳ)80 (ＳｉＯ2)20（４０ｎｍ）、熱緩衝層：Ｃｒ75（Ｃｒ2Ｏ3）25（６０ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ98Ｔｉ2（１００ｎｍ）を順次スパッタリングプロセスにより製膜した。
【００５７】
また、同様の構造を有する情報記録部材を接着剤を介して貼り合せた。以上の構成の情報記録媒体を光ディスクＡと呼ぶ。なお、上記ポリカーボネート基板の屈折率は１．５８であった。この光ディスクの半径方向にはユーザ記録用のゾーンが３５個あり、ゾーン内一周内には２５〜５９個のセクタが存在している。また、トラックピッチは０．６１５μmである。
【００５８】
上記光ディスクＡに対して図８に示した情報記録再生装置により、情報の記録再生を行なった。以下に本情報記録再生装置の動作を説明する。なお、記録再生を行なう際のモーター制御方法としては、記録再生を行なうゾーン毎にディスクの回転数を変化させるＺＣＬＶ（Zone Constant Linear Velocity）方式を採用している。ディスク線速度は約８.２ｍ/ｓである。
【００５９】
記録装置外部からの情報は８ビットを１単位として、８−１６変調器８−８に伝送される。光ディスク８−１上に情報を記録する際には、情報８ビットを１６ビットに変換する変調方式、いわゆる８−１６変調方式を用い記録が行われた。この変調方式では媒体上に、８ビットの情報に対応させた３Ｔ〜１４Ｔのマーク長の情報の記録を行なっている。図中の８−１６変調器８−８はこの変調を行なっている。なお、ここでＴとは情報記録時のクロックの周期を表しており、ここでは１７．１ｎｓとした。
【００６０】
８−１６変調器８−８により変換された３Ｔ〜１４Ｔのデジタル信号は記録波形発生回路８−６に転送され、、高パワーパルスの幅を約Ｔ／２とし、高パワーレベルのレーザー照射間に幅が約Ｔ／２の低パワーレベルのレーザー照射を行い、上記一連の高パワーパルス間に中間パワーレベルのレーザー照射が行われるマルチパルス記録波形が生成される。この際、記録マークを形成するための、高パワーレベルを１０.０ｍＷ、記録マークの消去が可能な中間パワーレベルを４.０ｍＷとした。また、上記記録波形発生回路８−６内において、３Ｔ〜１４Ｔの信号を時系列的に交互に「０」と「１」に対応させ、「０」の場合には中間パワーレベルのレーザーパワーを照射し、「１」の場合には高パワーレベルのパルスを含む一連の高パワーパルス列を照射するようにしている。この際、光ディスク１上の中間パワーレベルのレーザービームが照射された部位は結晶となり（スペース部）、高パワーレベルのパルスを含む一連の高パワーパルス列のレーザービームが照射された部位は非晶質（マーク部）に変化する。また、上記記録波形発生回路８−６内は、マーク部を形成するための高パワーレベルを含む一連の高パワーパルス列を形成する際に、マーク部の前後のスペース部の長さに応じて、マルチパルス波形の先頭パルス幅と最後尾のパルス幅を変化させる方式（適応型記録波形制御）に対応したマルチパルス波形テーブルを有しており、これによりマーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除できるマルチパルス記録波形を発生している。
【００６１】
記録波形発生回路８−６により生成された記録波形は、レーザ駆動回路８−７に転送され、レーザー駆動回路８−７はこの記録波形をもとに、光ヘッド８−３内の半導体レーザを発光させる。
【００６２】
本記録装置に搭載された光ヘッド８−３には、情報記録用のレーザービームとして光波長６５５ｎｍの半導体レーザが使用されている。また、このレーザー光をレンズＮＡ０.６の対物レンズにより上記光ディスク８−１の記録層上に絞り込み、上記記録波形に対応したレーザーのレーザービームを照射することにより、情報の記録を行なった。
【００６３】
一般的に、レーザー波長λのレーザー光をレンズ開口数ＮＡのレンズにより集光した場合、レーザービームのスポット径はおよそ０．９×λ／ＮＡとなる。したがって、上記条件の場合、レーザービームのスポット径は約０．９８ミクロンである。この時、レーザービームの偏光を円偏光とした。
【００６４】
また、本記録装置はグルーブとランド（グルーブ間の領域）の両方に情報を記録する方式（いわゆるランドグルーブ記録方式）に対応している。本記録装置ではＬ／Ｇサーボ回路８−９により、ランドとグルーブに対するトラッキングを任意に選択することができる。
【００６５】
記録された情報の再生も上記光ヘッド８−３を用いて行なった。レーザービームを記録されたマーク上に照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を検出することにより、再生信号を得る。この再生信号の振幅をプリアンプ回路８−４により増大させ、８−１６復調器８−１０に転送する。８−１６復調器８−１０では１６ビット毎に８ビットの情報に変換する。以上の動作により、記録されたマークの再生が完了する。
【００６６】
以上の条件で上記光ディスク８−１に記録を行った場合、最短マークである３Ｔマークのマーク長はおよそ０.４２μm、最長マークである１４Ｔマークのマーク長は約１．９６μmとなる。
【００６７】
以上の装置を用い、結晶の反射率、ランドグルーブにおける変調度（結晶の反射率とアモルファスの反射率の差を結晶の反射率で規格化した値）を測定した結果、それぞれ２２％、５５％（ランド）、５６％（グルーブ）であり、良好な再生信号が得られることがわかった。また、１０万回書換後の値もそれぞれ２０．２％、５４％（ランド）、５４％（グルーブ）であり、十分に実用に耐えうる値であった。また、９０℃湿度８０％の条件下において、保存寿命の加速試験を行った結果、２００時間後においても剥離欠陥が生じていないことがわかった。
【００６８】
また、ディスクＡの第１干渉層、第２干渉層、第１界面層、第１界面層の組成、膜厚を変更した場合の、第１干渉層、第２干渉層の屈折率、熱伝導率と反射率、クロスイレーズの有無、剥離欠陥の有無の関係を図１６にまとめた。
【００６９】
ディスクＢは第２干渉層の熱伝導率が第１干渉層の熱伝導率よりも大きく、第２干渉層と第１界面層の膜厚の和が溝深さ（６５ｎｍ）より大きい場合、ディスクＣは第１界面層がない場合、ディスクＤは第１干渉層の熱伝導率が第２干渉層の熱伝導率よりも大きく、第２干渉層と第１干渉層の膜厚の和が溝深さ（６５ｎｍ）より小さい場合、ディスクＥは、第２干渉層の屈折率が第１干渉層の屈折率よりも大きい場合である。これらのディスクでは、反射率低下、クロスイレーズ、剥離欠陥のいずれかの問題が発生したため実用的ではなかった。
【００７０】
さらに、ディスクＡと基板の溝深さ以外は同じ構造のディスクを試作し、クロスイレーズの有無を測定し以下に示した。
【００７１】
溝深さ（ｎｍ） クロスイレーズの有無
２５                   あり
３０                   あり
３７                   なし
６５                   なし
７６                   なし
この結果からも明らかなように、第２干渉層と第１界面層の膜厚の和（第１干渉層と記録膜の間の距離に相当：３７ｎｍ）が溝深さよりも小さい場合、クロスイレーズが発生するが、第２干渉層と第１界面層の膜厚の和が溝深さ以上の場合、クロスイレーズを発生させない。
【００７２】
以上の結果より明らかなように、以下の条件のうち、一つでも条件を満足しない構造の光ディスクでは、反射率低下、クロスイレーズ、剥離欠陥のいずれかの問題が発生した。
【００７３】
（１）第１干渉層の熱伝導率が第２干渉層の熱伝導率よりも小さく、第１干渉層と記録層の間の距離が溝深さ以下。
【００７４】
（２）第２干渉層の屈折率が第１干渉層の屈折率より大きい。
【００７５】
（３）第２干渉層と記録層の間に第１界面層を有する。
【００７６】
また、ディスクＡのＣｒ2Ｏ3の代りに、第１界面層として種々の材料を使用した場合の剥離欠陥の有無を調べ、結果を以下に示した。
【００７７】
第１界面層   剥離欠陥の有無
Ｇｅ3Ｎ4       なし
Ｓｉ3Ｎ4       なし
ＳｉＯ2         あり
Ａｌ2Ｏ3       あり
ＭｇＯ           あり
ＴｉＯ2         なし
Ｖ2Ｏ3         なし
Ｍｎ3Ｏ4       なし
Ｆｅ2Ｏ3       なし
Ｍｏ2Ｏ3       なし
Ｗ2Ｏ3         なし
Ｃｏ2Ｏ3       なし
ＡｌＮ           あり
以上のようにＳｉ，Ｇｅの窒化物、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ等の遷移金属の酸化物を第１界面層に使用した場合、剥離による欠陥が発生しない事がわかった。
【００７８】
次に、各層の最適組成、および最適膜厚について説明する。
【００７９】
通常、第１干渉層の光入射側に存在する物質はポリカーボネート等のプラスチック基板、あるいは、紫外線硬化樹脂等の有機物である。また、これらの屈折率は１．４から１．６程度である。上記有機物と第１干渉層の間で反射を効果的に起こすためには第１干渉層の屈折率は２．０以上であることが望ましい。
【００８０】
第1干渉層は光学的には屈折率が光入射側に存在する物質（本実施例では基板に相当する）以上であり、光の吸収が発生しない範囲において屈折率が大きいほうが良い。具体的には屈折率ｎが２．０〜３．０の間であり、光を吸収しない材料であり、特に金属の酸化物、炭化物、窒化物、硫化物、セレン化物を含有することが望ましい。また、熱伝導率が少なくとも２Ｗ／ｍｋ以下である事が望ましい。特にＺｎＳ−ＳｉＯ2系の化合物は熱伝導率が低く第１干渉層として最適である。
【００８１】
図９にＺｎＳとＳｉＯ2の組成比を変化させた場合の、ＺｎＳの組成比と屈折率の関係を示した。また、以下にＺｎＳの組成比と熱伝導率の関係を示した。
【００８２】
ＺｎＳの組成比   熱伝導率
０               ２Ｗ／ｍｋ
５０             ０．６Ｗ／ｍｋ
７０             ０．５Ｗ／ｍｋ
８０             ０．５Ｗ／ｍｋ
９５             １Ｗ／ｍｋ
１００           ４Ｗ／ｍｋ
また、図１６にも示したが第２干渉層として使用されるＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯの熱伝導率はそれぞれ１１Ｗ／ｍｋ、２Ｗ／ｍｋ、４Ｗ／ｍｋであった。したがって、これらの材料を第２干渉層として使用する場合、ＺｎＳの組成比が５０％以上９５％以下の場合、第２干渉層の熱伝導率よりも、第１干渉層の熱伝導率が低下し、屈折率も２．０以上と充分大きくなるため本発明の効果が発現する。
【００８３】
また、既に述べたように第1干渉層と第２干渉層の膜厚の和は１３０±２０ｎｍがよい。また、第２干渉層の最適膜厚は２０〜７０ｎｍである。これらのことから、第１干渉層膜厚は４０〜１３０ｎｍが適している事がわかる。
【００８４】
第２干渉層の屈折率は少なくとも第１干渉層の屈折率以下であり、２．０以下、望ましくは１．８以下であることが要求される。
【００８５】
特に、第２干渉層に使用される材料としてはＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ等の低屈折率材料が適している。あるいはこれらの混合材料でも良い。発明者らが測定したＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯの屈折率はそれぞれ１．６５、１．４６、１．７３であった。また、混合物の屈折率は混合比に比例して変化し、いずれも１．８以下であった。通常、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇのいずれかの元素の酸化物が含有されている場合、これらの酸化物の含有量に比例して屈折率が低下する。したがって、第２干渉層に含有されるＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇの酸化物の含有量の和が、第１干渉層に含有される上記酸化物の含有量の和よりも、大きいことが要求される。
【００８６】
第2干渉層に要求される特性は屈折率が第1干渉層以下であり、熱的、化学的に安定であることである。このような材料はＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇのいずれかの酸化物が含まれており、特に第２干渉層中のＯ、Ｎ、Ｃ、Ｓの組成比の和をＸとした場合、Ｏの組成比がＸの５０%以上であり、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇの組成比の和が１―Ｘの７０％以上であることが重要である。Ｏの組成比がＸの５０％以下である場合、 あるいはＡｌ，Ｓｉ、Ｍｇの組成比が１−Ｘの５０以下の場合、屈折率が大きくなる傾向があり、本発明の効果が発現しにくくなるからである。
【００８７】
一例として図１０、図１１に第２干渉層の組成と屈折率の関係を示した。
【００８８】
図１０はＳｉＯ2とＳｉ3Ｎ4の混合比を変化させた場合、およびＡｌ2Ｏ3とＡｌＮの混合比を変化させた場合の、ＯとＮの組成比の和Ｘに対するＯの組成比と屈折率の関係を示した図である。ＳｉＯ2とＳｉ3Ｎ4を混合させた場合、屈折率は混合比に比例して変化する。屈折率が１．８以下となるＸに対するＯの組成比は４９％以上であった。また、屈折率が２．０以下となるＸに対するＯの組成比は２０％以上であった。したがって、Ｘに対するＯの組成比が５０％以上の場合、十分に本発明の効果が発現する。 また、Ａｌ2Ｏ3とＡｌＮを混合させた場合も、屈折率は混合比に比例して変化する。屈折率が１．８以下となるＸに対するＯの組成比は７４％以上であった。また、屈折率が２．０以下となるＸに対するＯの組成比４６％以上であった。したがって、 Ａｌ2Ｏ3−ＡｌＮ系、ＳｉＯ2−Ｓｉ3Ｎ4系とも、Ｘに対するＯの組成比が５０％以上の場合、十分に本発明の効果が発現する。
【００８９】
また、図１１はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯにＣｒ2Ｏ3を添加した場合の１−Ｘに対するＡｌ，Ｓｉ，Ｍｇの組成比と屈折率の関係を調べた結果である。Ａｌ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3系ではＣｒとＡｌの組成比の和に対するＡｌの組成比は７３％以上の場合、 ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3系ではＣｒとＳｉの組成比の和に対するＳｉの組成比は６２％以上の場合、 ＭｇＯ−Ｃｒ2Ｏ3系ではＣｒとＭｇの組成比の和に対するＭｇの組成比は８８％以上の場合に屈折率が１．８以下となった。 また、Ａｌ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3系ではＣｒとＡｌの組成比の和に対するＡｌの組成比は５４％以上の場合、 ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3系ではＣｒとＳｉの組成比の和に対するＳｉの組成比は４６％以上の場合、 ＭｇＯ−Ｃｒ2Ｏ3系ではＣｒとＭｇの組成比の和に対するＭｇの組成比は６５％以上の場合に屈折率が２．０以下となった。したがって、１−Ｘに対するＡｌ，Ｓｉ，Ｍｇの組成比が７０％以上の場合、本発明の効果が十分に発現する。また、すでに示したように、Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｇの酸化物はいずれも低屈折率であり、これらの混合物も低屈折率である。したがって、これらの混合物に他の金属酸化物等を添加した場合においても、１−Ｘに対するＡｌ，Ｓｉ，Ｍｇの組成比の和が７０％以上の場合、本発明の効果が発現する。また、添加金属としてＣｒ2Ｏ3を添加した場合の結果を示したが、他の金属酸化物、金属窒化物、半導体酸化物、半導体窒化物等もＣｒ2Ｏ3と同等の屈折率であるため、上記条件を満足するよう組成比を調整する事により、本発明の効果が発現する。
【００９０】
第2干渉層は通常吸収が起きにくい化学量論組成の化合物の単体、あるいは混合物が良いがこのような化合物は記録層と隣接させて積層した場合、記録層と第2干渉層との間において膜はがれによる欠陥が生じやすい。このような場合、第2干渉層に以下に説明するような不定比化合物となりやすい遷移金属元素の酸化物、窒化物あるいはこれらの元素の混合物を添加すれば良い。また、以上の対策を行ったとしても剥離抑制効果が十分ではない場合、第2干渉層と記録層との間に密着性を向上させるための第１界面層を設ければ良い。通常、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇの酸化物の含有量に応じて記録層と第２干渉層との間において剥離が発生しやすくなる。したがって、第１界面層に含有されるＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇの酸化物の含有量の和は、第２干渉層に含有されるＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇの酸化物の含有量の和よりも小さいことが要求される。また、第１界面層の材料としては、不定比化合物となりやすい遷移金属元素の酸化物、窒化物あるいはこれらの元素の混合物が特に優れている。さらに、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体の酸化物、窒化物も不定比化合物となりやすいため優れている。
【００９１】
具体的にはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ等の酸化物、窒化物あるいはこれらの混合物が適している。特にＣｒ−Ｏ系材料、Ｃｏ2Ｏ3，ＣｏＯなどのＣｏ−Ｏ系材料などの酸化物、Ｔａ―Ｎ系材料，Ａｌ―Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｎ系材料、Ａｌ-Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）、Ｇｅ−Ｎ系材料などの窒化物、 ＳｉＣ、ＧｅＣ等の炭化物、また、これらの混合材料でもよい。
【００９２】
また、上記材料は通常光を吸収するため、光学的には良い効果は得られない。しかしながら、膜はがれの抑制、保存寿命の向上、多数回書換え劣化の抑制効果が大きいため第１界面層は存在した方がより実用的である。したがって、第１界面層の膜厚としては上記効果が失われない範囲において薄いほうが良い。発明者らの検討結果によると第１界面層の膜厚は０．５ｎｍ以上であれば十分であった。また、５ｎｍ以上にした場合、反射率低下、信号振幅低下等の弊害が発生しやすくなり、２０ｎｍ以上の場合、反射率低下、信号振幅低下も大きくなり実用的とは言えないレベルとなった。したがって、第１界面層の膜厚としては０．５ｎｍ以上２０ｎ以下、望ましくは０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下が適している。
【００９３】
また、本発明に使用される記録層としては、特に相変化記録材料が適しており、上記実施例において用いたＧｅ28Ｓｂ18Ｔｅ54の代わりの記録層の材料としては、 Ｇｅが２３〜３３原子％、Ｓｂが１０〜２５原子％、Ｔｅが５０〜６０原子％の範囲にある組成が特に書き換え可能回数の低下が生じにくいことがわかった。また、ＡｇＳｂＴｅ2を１〜７％添加させた場合、多数回書換時に発生する記録膜流動を抑制する効果がある。
【００９４】
さらに、上記以外のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5、ＧｅＳｂ2Ｔｅ4、ＧｅＳｂ4Ｔｅ7、Ｉｎ3ＳｂＴｅ2、Ｉｎ35Ｓｂ32Ｔｅ33、Ｉｎ31Ｓｂ26Ｔｅ43、ＧｅＴｅ、Ａｇ-Ｉｎ-Ｓｂ-Ｔｅ、 Ｃｏ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｖ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、 Ｎｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｐｔ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｓｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ａｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｃｕ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｍｏ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｍｎ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｆｅ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｔｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｂｉ-Ｇｅ-Ｓｂ-Ｔｅ、Ｗ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅおよびこれらに近い組成のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｇｅの一部をＩｎに置き換えても、これに近い特性が得られる。
【００９５】
上記の各記録層組成に窒素を５原子％以下含有させた記録層を使用した場合、再生信号出力が減少するが、多数回書き換え時の記録層流動が抑制されるという長所がある。
【００９６】
記録層膜厚は少なくともランドとグルーブの段差（溝深さ）以下の場合、クロスイレーズ低減効果が大きい。また、４〜２０ｎｍが変調度が大きく、流動が起こりにくく良好である。４〜１０ｎｍであれば、さらに良い。記録層の膜厚が４ｎｍより薄い場合、反射率、信号振幅等が著しく低下するが、オーバーライトジッター抑制効果、多数回書換え時の記録膜流動抑制効果は大きかった。また、記録層の膜厚が１０ｎｍより厚い場合、反射率、信号振幅等は良好であったが、オーバーライトジッター上昇、多数回書換え時の記録膜流動等の弊害が顕著に現れた。
【００９７】
図１２はディスクＡの記録層膜厚を変化させた場合の記録総膜厚と反射率の関係を示している。この際、変調度が一定となりできるだけ反射率が高くなるよう、各層の膜厚を最適化してある。記録層膜厚が４ｎｍ以上の場合、反射率が１８％以上であり良好であるが、記録層膜厚が４％より薄い場合、反射率が急激に低下し目標の１５％以下となったため実用的ではなくなった。
【００９８】
また、図１３はディスクＡの記録層膜厚を変化させた場合の記録層膜厚とオーバーライトによるジッター上昇量の関係を示している。記録層膜厚が１０ｎｍ以下の場合、オーバーライトによるジッター上昇量は約１％以下であり、許容範囲であったが、記録層膜厚が１０ｎｍより厚い場合、オーバーライトによるジッターが急激に上昇するため実用的ではなかった。
【００９９】
本発明における記録層は原子配列変化によって記録が行われるが、原子配列変化とは相変化などの膜の外形変化をほとんど伴わない原子配列変化を指す。
【０１００】
なお、本実施例では光ディスクとしてＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇ等を主成分とする相変化記録層に対して記録を行っているが、本発明の基本はレーザービームにより熱が発生し、この熱により記録マークの記録を行う光ディスクの光学特性（反射率、変調度）とともに、熱特性（温度分布、冷却速度分布）を制御することにあるので、特に相変化光ディスクに限定されるものではなく、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｄｙ、Ｇｄ等を主成分とする光磁気記録層に対する記録においても効果を発揮する。また、書換可能型情報記録媒体に限定されるものではない。また、基板や記録層の形状を変化させて記録を行う有機色素記録の場合、高パワーのレーザービームを照射した場合のみ、変化が起こり、この変化が非可逆的であるが、上述したように、本発明の基本はレーザービームにより熱が発生し、この熱により記録マークの記録を行う光ディスクの光学特性（反射率、変調度）とともに、熱特性（温度分布、冷却速度分布）を制御することにあるので、特に書換型光ディスクに限定されるものではなく、追記型光ディスクに適応することもできる。
【０１０１】
第２界面層の材料としては、第１界面層と同様に不定比化合物となりやすい遷移金属元素の酸化物、窒化物あるいはこれらの元素の混合物がよい。また、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体の酸化物、窒化物も不定比化合物となりやすいため優れている。
【０１０２】
具体的にはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ等の酸化物、窒化物あるいはこれらの混合物が適している。特にＣｒ−Ｏ系材料、Ｃｏ2Ｏ3，ＣｏＯなどのＣｏ−Ｏ系材料などの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4などのＳｉ−Ｎ系材料、Ａｌ-Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）、Ｇｅ−Ｎ系材料などの窒化物、 ＳｉＣ、ＧｅＣ等の炭化物、また、これらの混合材料でもよい。
【０１０３】
また、上記材料は通常光を吸収するため、光学的には良い効果は得られない。しかしながら、膜はがれの抑制、保存寿命の向上、多数回書換え劣化の抑制効果が大きい。第１界面層と第２界面層の違いは記録層との隣接面とは反対側に存在する材料の違いである。第１界面層の場合、記録層との隣接面の反対側の面に第2干渉層が存在するのに対して、第２界面層の場合、記録層との隣接面の反対側の面には第３干渉層が存在する。第2干渉層は上記したように、Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｇ等の酸化物を主成分としているため、熱的化学的に極めて安定である。これに対して第３干渉層は上記したようにＺｎＳ等の硫化物が主成分となるため、熱的にも化学的にも不安定である。このような場合、第２界面層が薄すぎる場合、多数回書換え時に第３干渉層中のＳ原子が記録層中に拡散し、反射率低下、結晶化速度低下等の劣化を引き起こす。したがって、第２界面層の膜厚としては上記効果が失われない範囲において薄いほうが良い。発明者らの検討結果によると第２界面層の膜厚は５ｎｍ以上であれば十分であった。また、１０ｎｍ以上にした場合、反射率低下、信号振幅低下等の弊害は発生しやすくなり、２０ｎｍ以上の場合、反射率低下、信号振幅低下も大きくなり実用的とは言えないレベルとなった。したがって、第２界面層の膜厚としては５ｎｍ以上２０ｎｍ以下、望ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下が適している。
【０１０４】
第３干渉層は光学的には光の吸収しない材料であること、熱的には熱伝導率ができうる限り小さいほうが良い。具体的には屈折率ｎが１．５〜３．０の間であり、光を吸収しない材料であり、特に金属の酸化物、炭化物、窒化物、硫化物、セレン化物を含有することが望ましい。特に、第３干渉層が（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（モル比率）あるいはＺｎＳとＳｉＯ2の混合比を換えたもの（ＺｎＳが５０〜９５モル％）は特に熱伝導率が著しく低下するため、第３干渉層として最適である。
【０１０５】
また、第３干渉層の膜厚は３５〜２００ｎｍ程度が良い。望ましくはランドグルーブ間の段差（基板上の溝深さ、レーザー波長の１／７〜１／５程度）以上である方がよい。また、第３干渉層と熱緩衝層の膜厚の和がランドグルーブ間の段差以上でも良い。第３干渉層の膜厚が３５ｎｍ以下の場合、あるいは、第３干渉層と熱緩衝層の膜厚の和がランドグルーブ間の段差以下の場合、記録層に記録した際に発生する熱が熱拡散層を伝熱し、隣接トラックに記録されている記録マークが消去されやすくなる。すなわち、クロスイレーズが発生しやすくなるという問題がおきる。また第３干渉層の膜厚が２００ｎｍ以上の場合、情報記録時の記録層における冷却速度が極めて小さくなるため、アモルファス化しにくくなる（記録マークが形成されにくくなる）という弊害が現れると同時に、生産時に光ディスク面内の第３干渉層の膜厚分布により、ディスク面内の反射率分布が大きくなりすぎる等の問題が発生する。
【０１０６】
図１４は光ディスクＡの第３干渉層膜厚を変化させた際の、クロスイレーズによるジッター上昇量と第３干渉層膜厚の関係を示している。この際、変調度が一定となるよう第１干渉層の膜厚を最適化してある。また、あらかじめグルーブにマークを記録しておき隣接トラック（ランド）に１０００回書き換えを行った際のグルーブに記録されたマークを再生した際のジッター上昇を測定した。（上記実験のランドとグルーブを逆にした方がクロスイレーズの影響は小さい。）第３干渉層の膜厚が３５ｎｍ以上の場合（第３干渉層、第２界面層、熱緩衝層の膜厚の和が溝深さ６５ｎｍ以上の場合）クロスイレーズは全く発生しなかったが、第３干渉層の膜厚が３５ｎｍより薄い場合（第３干渉層、第２界面層、熱緩衝層の膜厚の和が溝深さ６５ｎｍより薄い場合）、急激にクロスイレーズが発生するため実用的ではなかった。
【０１０７】
熱緩衝層は複素屈折率ｎ、ｋが１．４＜ｎ＜４．５、−３．５＜ｋ＜−０．５の範囲が良く、特に２＜ｎ＜４、−３．０＜ｋ＜−０．５の材料が望ましい。熱緩衝層では光を吸収するため、熱的に安定な材料が好ましく、望ましくは融点が１０００℃以上であることが要求される。
【０１０８】
また、第３干渉層に硫化物を添加した場合、特に大きなクロスイレーズ低減効果があったが、熱緩衝層の場合、 ＺｎＳ等の硫化物の含有量が少なくとも第３干渉層に添加される上記硫化物の含有量よりも少ないことが望ましい。融点低下、熱伝導率低下、吸収率低下等の悪影響が現れる場合があるからである。
【０１０９】
上記熱緩衝層の組成として、金属と金属酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属炭化物との混合物であることが望ましく、ＣｒとＣｒ2Ｏ3の混合物が特に良好なオーバーライト特性向上効果を示した。具体的には上記金属としてはＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、 Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｂ混合物が望ましく、金属酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属炭化物としてはＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｙ2Ｏ3，ＣｅＯ，Ｌａ2Ｏ3，Ｉｎ2Ｏ3，ＧｅＯ，ＧｅＯ2，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｅＯ2，ＭＯ2，、ＷＯ2，ＷＯ3，Ｓｃ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2が好ましい。この他にＳｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系材料、Ｃｒ2Ｏ3，などのＣｒ−Ｏ系材料、Ｃｏ2Ｏ3，ＣｏＯなどのＣｏ−Ｏ系材料などの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4などのＳｉ−Ｎ系材料、Ａｌ-Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ2）、Ｇｅ−Ｎ系材料などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳ，Ｉｎ2Ｓ3，Ｇａ2Ｓ3，ＧｅＳ，ＳｎＳ2，ＰｂＳ,Ｂｉ2Ｓ3，などの硫化物、 ＳｎＳｅ3， Ｓｂ2Ｓ3，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ， Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｇａ2Ｓｅ3，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ2，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ， Ｂｉ2Ｓｅ3などのセレン化物、ＣｅＦ3，ＭｇＦ2，ＣａＦ2などの弗化物、または、上記の材料に近い組成のものを用いた熱緩衝層を用いてもよい。
【０１１０】
また、熱緩衝層の膜厚としては１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が望ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の場合、特に良好なオーバーライト特性向上効果が現れる。また、第３干渉層、第２界面層、熱緩衝層の膜厚の和が溝深さ以上である場合、クロスイレーズ低減効果が顕著に現れる。
【０１１１】
先に説明したように熱緩衝層は光を吸収する性質を有している。このため、記録層が光を吸収して発熱するように熱緩衝層も光を吸収して発熱する。また、熱緩衝層における吸収率は記録層が非晶質状態の場合に、記録層が結晶状態の場合よりも大きくすることが重要である。このように、光学設計することにより、記録層が非晶質状態における記録層での吸収率Ａaを、記録層が結晶状態における記録層での吸収率Ａcよりも小さくする効果が発現する。この効果によりオーバーライト特性を大幅に向上することができる。以上の特性を得るためには熱緩衝層での吸収率を３０〜４０％程度に高める必要がある。また、熱緩衝層における発熱量は、記録層の状態が結晶状態であるか、非晶質状態であるかにより異なる。この結果、記録層から熱拡散層への熱の流れが、記録層の状態により変化することになり、この現象によりオーバーライトによるジッター上昇を抑制することができる。
【０１１２】
以上の効果は、熱緩衝層における温度が上昇することにより、記録層から熱拡散層への熱の流れを遮断する効果により発現する。この効果を有効に生かすためには、第３干渉層と熱緩衝層の膜厚の和がランドグルーブ間の段差（基板上の溝深さ、レーザー波長の１／７〜１／５程度）以上である方がよい。第３干渉層と熱緩衝層の膜厚の和がランドグルーブ間の段差以下の場合、記録層に記録した際に発生する熱が熱拡散層を伝熱し、隣接トラックに記録されている記録マークが消去されやすくなる。
【０１１３】
また、熱拡散層としては高反射率、高熱伝導率の金属あるいは合金が良く、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄの総含有量が９０％以上であることが望ましい。また、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等の高融点で硬度が大きい材料、および、これらの材料の合金も多数回書換え時の記録層材料の流動による劣化を防止することができ好ましい。特にＡｌを９５％以上含有する熱拡散層とした場合、廉価であり、高ＣＮＲ、高記録感度、多数回書換耐性に優れ、しかもクロスイレーズ低減効果が極めて大きい情報記録媒体を得ることができた。特に、上記熱拡散層の組成がＡｌを９５％以上含有する場合、廉価でしかも耐食性に優れた情報記録媒体を実現することができる。Ａｌに対する添加元素としてはＣｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｂ、ＢおよびＣが耐食性の点において優れているが、添加元素がＣｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕの場合、特に耐食性向上に大きな効果がある。また、上記熱拡散層の膜厚は、３０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下であることが良い。熱拡散層の膜厚が３０ｎｍより小さい場合、記録層において発生した熱が拡散しにくくなるため、特に１０万回程度書換えた際に、記録層が劣化しやすくなり、また、クロスイレーズが発生しやすくなる場合がある。また、光を透過してしまうため反射層として使用することが困難になり再生信号振幅が低下する場合がある。また、熱緩衝層に含まれる金属元素と熱拡散層に含まれる金属元素が同じ場合、生産上は大きな利点がある。すなわち、同一ターゲットを用いて熱緩衝層と熱拡散層の２層の層を製膜することができるからである。つまり、熱緩衝層製膜時にはＡｒ−Ｏ2混合ガス、Ａｒ−Ｎ2混合ガス等の混合ガスによりスパッタリングして、スパッタリング中に金属元素と酸素、あるいは窒素を反応させることにより適当な屈折率の熱緩衝層を作成し、熱拡散層の製膜時にはＡｒガスによりスパッタリングし熱伝導率が高い金属の熱拡散層を作成するのである。
【０１１４】
熱拡散層の膜厚は３００ｎｍ以上の場合、生産性が悪く、熱拡散層の内部応力により、基板のそり等が発生し、情報の記録再生を正確に行うことができなくなる場合がある。また、熱拡散層の膜厚は、７０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であれば、耐食性、生産性の点で優れており、さらに望ましい。
【０１１５】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、以下の条件を満足する場合、本発明の効果が顕著に現れる。
【０１１６】
（１）第１干渉層の熱伝導率が第２干渉層の熱伝導率よりも小さく、第１干渉層と記録層の間の距離が溝深さ以下。
【０１１７】
（２）第２干渉層の屈折率が第１干渉層の屈折率より大きい。
【０１１８】
（３）第２干渉層と記録層の間に第１界面層を有する。
【０１１９】
また、第１干渉層、第２干渉層、第１界面層を組み合わせることにより各層のデメリットが補完されクロスイレーズ抑制と、反射率向上、多数回書換時の反射率低下抑制、剥離による欠陥抑制を両立させる情報記録媒体を得ることができ、高密度記録時に問題となるクロスイレーズ抑制を抑制するような構造にした場合においても、反射率低下、多数回書換時の反射率低下、剥離による欠陥が発生しないため、極めて容易に高密度情報記録媒体を作成する事が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の情報記録媒体の構造図である。
【図２】本発明の原理を説明するための概念図である。
【図３】本発明の一計算例を示す図である。
【図４】本発明の一計算例を示す図である。
【図５】本発明の一計算例を示す図である。
【図６】本発明の原理を説明するための概念図である。
【図７】本発明の原理を説明するための概念図である。
【図８】本発明の一実施例に使用した情報記録装置のブロック図である。
【図９】本発明に使用される第１干渉層の組成と屈折率の関係を示す図である。
【図１０】本発明に使用される第２干渉層の組成と屈折率の関係を示す図である。
【図１１】本発明に使用される第２干渉層の組成と屈折率の関係を示す図である。
【図１２】本発明に使用される記録層の膜厚と反射率の関係を示す図である。
【図１３】本発明に使用される記録層の膜厚とオーバーライトによるジッター上昇量の関係を示す図である。
【図１４】本発明に使用される第３干渉層の膜厚とクロスイレーズによるジッター上昇量の関係を示す図である。
【図１５】各構造の特性を考察するための図である。
【図１６】各試作構造の特性をまとめた図である。
【符号の説明】
１−１、１−１‘：基板
１−２、１−２‘：下部保護層
１−３、１−３‘：記録層
１−４、１−４‘：第３干渉層
１−５、１−５‘：熱拡散層
１−６、１−６‘：接着剤
１−７、１−７‘：接着剤
１−８、１−８‘：接着剤
１−９、１−９‘：接着剤
１−１０：接着剤
６−０、７−０：基板
６−１、７−１：第１干渉層
６−２、７−２：第２干渉層
６−３、７−３：第１界面層
６−４、７−４：記録層
６−５、７−５：第２界面層
６−６、７−６：第３干渉層
６−７、７−７：熱拡散層
６−８、７−８：熱の流れ
６−９、７−９：対物レンズ
６−１０、７−１０：レーザービーム
６−１１、７−１１：グルーブ記録時の発熱部
６−１２、７−１２：ランド記録時の発熱部
８−１：光ディスク
８−２：モーター
８−３：光ヘッド
８−４：プリアンプ回路
８−６：記録波形発生回路
８−７：レーザ駆動回路
８−８：８−１６変調器
８−９：Ｌ／Ｇサーボ回路
８−１０：８−１６復調器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0003689612.tif 000013
【図１３】
0003689612.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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