(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置に設けられた複数のバンプ電極と他の装置との電気的な接続を異方性導電樹脂を用いて行う半導体装置の接続構造において、
最端部に配置されたバンプ電極の大きさを該バンプ電極より内側に配置されたバンプ電極の大きさより大きくしてあることを特徴とする半導体装置の接続構造。
【請求項２】
半導体装置に設けられた複数のバンプ電極と他の装置との電気的な接続を異方性導電樹脂を用いて行う半導体装置の接続方法において、
最端部に配置されたバンプ電極の大きさを該バンプ電極より内側に配置されたバンプ電極の大きさより大きくした状態で、前記異方性導電樹脂によりバンプ電極と他の装置との電気的な接続処理を行うことを特徴とする半導体装置の接続方法。
【請求項３】
半導体装置に設けられた複数のバンプ電極と他の装置との電気的な接続を異方性導電樹脂を用いて行う半導体装置の接続構造において、
他の装置と電気的な接続がなされるバンプ電極のうち最端部に位置するバンプ電極の外側に、他の装置との電気的な接続がなされないダミーバンプ電極を配置することを特徴とする半導体装置の接続構造。
【請求項４】
半導体装置に設けられた複数のバンプ電極と他の装置との電気的な接続を異方性導電樹脂を用いて行う半導体装置の接続方法において、
他の装置と電気的な接続がなされるバンプ電極のうち最端部に位置するバンプ電極の外側に、他の装置と電気的な接続がなされないダミーバンプ電極を配置した状態で、前記異方性導電樹脂によりバンプ電極と他の装置との電気的な接続処理を行うことを特徴とする半導体装置の接続方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置のバンプ電極間の接続を異方性導電樹脂を用いて安定に行うためのバンプの接続構造及びその接続方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来は、半導体装置端面への異方性導電樹脂の流出を防ぐため、半導体装置の末端（エッジ）部に対する異方性導電樹脂の塗布は、内部よりも塗布量を減らしたり、末端部よりも必要以上に内側で塗布を終了するようにしていた。
【０００３】
図４は従来の異方性導電樹脂が塗布される半導体装置のバンプを示す部分断面図である。
【０００４】
この図に示すように、４１は半導体装置の末端に配置されたバンプ電極、４２はそのバンプ電極４１よりは半導体装置の内部に配置されたバンプ電極、４４は異方性導電樹脂、４５は半導体装置の基板、４６は導電性粒子、Ｌ4 は半導体装置の基板端面から末端に配置されたバンプ電極４１までの距離、４７は接続する別の半導体装置を示している。ここで、半導体装置の末端に配置されたバンプ電極と半導体装置の基板端面からの距離Ｌ4 は、例えば、６０μｍである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の塗布を行った場合、半導体装置の末端部の異方性導電樹脂の塗布量が、内部よりも少なくなり、バンプ電極上の導電性粒子が全面的に均一とならない。
【０００６】
また、異方性導電樹脂の半導体装置端面外への流出を防ぐために、末端部の異方性導電樹脂の塗布量を減らした場合、末端部に配置されたバンプ電極上の導電性粒子数が内部に配置されたバンプ電極上よりも少なくなり、末端部のバンプ電極では、接続不良を起こすという問題があった。
【０００７】
更に、半導体装置の末端部と内部に配置されたバンプ電極上の導電性粒子数を均等にした場合、塗布した異方性導電樹脂が半導体装置の端面外へ流出してしまうという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点を除去し、半導体装置の末端部と内部に配置されたバンプ電極上の導電性粒子数を均等化し、接続の安定化を図り得る異方性導電樹脂が塗布される半導体装置の接続構造及びその接続方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
（１）半導体装置に設けられた複数のバンプ電極と他の装置との電気的な接続を異方性導電樹脂を用いて行う半導体装置の接続構造において、最端部に配置されたバンプ電極の大きさをそのバンプ電極より内側に配置されたバンプ電極の大きさより大きくするようにしたものである。
【００１０】
このように、半導体装置の末端部に配置されたバンプ電極のサイズを、内部に配置されたバンプ電極のサイズよりも大きくしたので、末端部に配置されたバンプ電極上の内側部においては、導電性粒子数を、内部に配置されたバンプ電極上の導電性粒子数と均等化することができる。
【００１１】
（２）半導体装置に設けられた複数のバンプ電極と他の装置との電気的な接続を異方性導電樹脂を用いて行う半導体装置の接続方法において、最端部に配置されたバンプ電極の大きさをそのバンプ電極より内側に配置されたバンプ電極の大きさより大きくした状態で、前記異方性導電樹脂によりバンプ電極と他の装置との電気的な接続処理を行うようにしたものである。
【００１２】
（３）半導体装置に設けられた複数のバンプ電極と他の装置との電気的な接続を異方性導電樹脂を用いて行う半導体装置の接続構造において、他の装置と電気的な接続がなされるバンプ電極のうち最端部に位置するバンプ電極の外側に、他の装置との電気的な接続がなされないダミーバンプ電極を配置するようにしたものである。
【００１３】
このように、半導体装置の末端部に配置されたバンプ電極と基板末端間にダミー電極を配置するようにしたので、ダミー電極を基板端面と模擬的に見なすことにより、末端部に配置されたバンプ電極と内部のバンプ電極に対する導電性粒子数を均等にすることができる。
【００１４】
また、ダミー電極を異方性導電樹脂の流出防止として使用できるため、基板端面の異方性導電樹脂の流出をなくすことができる。
【００１５】
（４）半導体装置に設けられた複数のバンプ電極と他の装置との電気的な接続を異方性導電樹脂を用いて行う半導体装置の接続方法において、他の装置と電気的な接続がなされるバンプ電極のうち最端部に位置するバンプ電極の外側に、他の装置と電気的な接続がなされないダミーバンプ電極を配置した状態で、前記異方性導電樹脂によりバンプ電極と他の装置との電気的な接続処理を行うようにしたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明の第１実施例の異方性導電樹脂が塗布される半導体装置のバンプを示す部分断面図である。
【００１８】
この図において、１０は半導体装置の基板（例えば、ＬＥＤアレイドライバ）、１１は絶縁保護膜、１２は半導体装置の末端に配置されたバンプ電極、１３は半導体装置の内部に配置されたバンプ電極、１４は異方性導電樹脂、１５は異方性導電樹脂中の導電性粒子であり、Ｌ1 は半導体装置の基板１０端面から末端に配置されたバンプ電極１２までの距離（例えば、８０〜１００μｍ）、１６は接続される別の半導体装置（例えば、半導体チップ）である。
【００１９】
次に、この実施例の作用について説明する。
【００２０】
まず、半導体装置の末端に配置されたバンプ電極１２は、半導体装置の端面よりＬ1 の距離（従来例のものより長い距離）を設定して配置する。換言すれば、半導体装置の端面側では異方性導電樹脂の塗布量を次第に減らして、接続時に半導体装置端面から異方性導電樹脂が流出するのを防ぐようにしているので、異方性導電樹脂１４中の導電性粒子１５の数は減ることになる。
【００２１】
従来のように半導体装置の末端まで、バンプ電極を配置すると、導電性粒子１５の数が減る分、接続不良となるのが、この実施例では、上記したように、半導体装置の基板１０端面から末端に配置されるバンプ電極１２まで、所定の距離を空けるようにしたので、末端に配置されたバンプ電極１２表面においても、十分な異方性導電樹脂の塗布量（塗布厚さ）を有することになる。つまり、半導体装置の末端において、末端に配置されたバンプ電極１２と内側に配置されたバンプ電極１３の上には同量の導電性粒子数が配置されるように塗布し、半導体装置の基板１０端面からＬ1 の距離内において、末端処理を行う。
【００２２】
このように、半導体装置の基板１０端面から末端に配置されたバンプ電極１２までの距離Ｌ1 を、従来のその距離Ｌ4 よりも大きく設定する。
【００２３】
このように、第１実施例によれば、半導体装置の末端部に配置されたバンプ電極の見かけの位置を内部に移動することにより、半導体装置の末端部のバンプ電極と内部に配置された電極に対し、同量の導電性粒子数を確保できるため、バンプ電極の接続が均一化され、安定な接続を行うことができる。
【００２４】
これにより、末端部に発生し易い接続不良を防止するとともに、異方性導電樹脂の端面からの流出防止処理を行うことができる。
【００２５】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００２６】
図２は本発明の第２実施例の異方性導電樹脂が塗布される半導体装置のバンプを示す部分断面図である。
【００２７】
この図において、２０は半導体装置の基板（例えば、ＬＥＤアレイドライバ）、２１は絶縁保護膜、２２は半導体装置の末端に配置されたサイズの大きいバンプ電極、２３は半導体装置の内部に配置されたサイズの小さいバンプ電極、２４は異方性導電樹脂、２５は異方性導電樹脂中の導電性粒子、２６は接続される別の半導体装置（例えば、半導体チップ）２６である。
【００２８】
ここで、Ｌ22はバンプ電極２２のサイズ、Ｌ23はバンプ電極２３のサイズであり、Ｌ22＞Ｌ23である。
【００２９】
次に、この実施例の作用について説明する。
【００３０】
まず、バンプ電極２２のサイズはバンプ電極２３のサイズより大きいので、異方性導電樹脂を塗布する厚さは、バンプ電極２２の末端側では均等でなくても、その内側の方では同じ量の導電性粒子２５の数が確保できるように、バンプ電極２２の電極サイズＬ22を、バンプ電極２３の電極サイズＬ23よりも大きくなる値に設定する。
【００３１】
このように、第２実施例によれば、半導体装置の末端部に配置されたバンプ電極のサイズを、内部に配置されたバンプ電極のサイズよりも大きくしたので、末端部に配置されたバンプ電極上の内側部においては、導電性粒子数を、内部に配置されたバンプ電極上の導電性粒子数と均等化することができる。
【００３２】
これにより、異方性導電樹脂の基板末端での処理を、従来と同じに行ったとしても、基板端面からの距離をとることができるので、第１実施例と同様の効果を得ることができ、末端部に発生し易い接続不良を防ぐことができる。
【００３３】
また、異方性導電樹脂の端面からの流出防止処理を、従来と同じ方法を用いて、容易に実施することができる。
【００３４】
次に、本発明の第３の実施例について説明する。
【００３５】
図３は本発明の第３実施例の異方性導電樹脂が塗布される半導体装置のバンプを示す部分断面図である。
【００３６】
この図において、３０は半導体装置の基板（例えば、ＬＥＤアレイドライバ）、３１は絶縁保護膜、３２は半導体装置の末端に配置されたバンプ電極、３３は半導体装置の内部に配置されたバンプ電極、３４は末端に配置されたバンプ電極３３と基板端面の間に配置されたダミー電極、３５は異方性導電樹脂、３６は異方性導電樹脂中の導電性粒子であり、３７は接続される別の半導体装置（例えば、半導体チップ）である。
【００３７】
次に、この実施例の作用について説明する。
【００３８】
まず、バンプ電極３２と３３を配置し、バンプ電極３２と基板端面の間に、更に、ダミー電極３４を配置する。このダミー電極３４は異方性導電樹脂が基板端面に対し、流出する部分に配置し、形状は異方性導電樹脂の流出具合により、小型のダミー電極を多数配置するか、バンプ電極全体を囲むように、外周に連続して配置するようにしてもよい。基板端面からダミー電極３４までの距離は、必要最小限の距離でよい。
【００３９】
このように、第３実施例によれば、半導体装置の末端部に配置されたバンプ電極と基板末端間にダミー電極を配置するようにしたので、ダミー電極を基板端面と模擬的に見なすことにより、末端部に配置されたバンプ電極と内部のバンプ電極に対する導電性粒子数を均等にすることができる。
【００４０】
また、ダミー電極を異方性導電樹脂の流出防止として使用できるため、基板端面の異方性導電樹脂の流出をなくすことができる。
【００４１】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００４２】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、
（１）請求項１記載の発明によれば、半導体装置の末端部に配置されたバンプ電極のサイズを、内部に配置されたバンプ電極のサイズよりも大きくしたので、末端部に配置されたバンプ電極上の内側部においては、導電性粒子数を、内部に配置されたバンプ電極上の導電性粒子数と均等化することができる。
【００４３】
（２）請求項３記載の発明によれば、半導体装置の末端部に配置されたバンプ電極と基板末端間にダミー電極を配置するようにしたので、ダミー電極を基板端面と模擬的に見なすことにより、末端部に配置されたバンプ電極と内部のバンプ電極に対する導電性粒子数を均等にすることができる。
【００４４】
また、ダミー電極を異方性導電樹脂の流出防止として使用できるため、基板端面の導電性樹脂の流出をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明の第１実施例の異方性導電樹脂が塗布される半導体装置のバンプを示す部分断面図である。
【図２】    本発明の第２実施例の異方性導電樹脂が塗布される半導体装置のバンプを示す部分断面図である。
【図３】  本発明の第３実施例の異方性導電樹脂が塗布される半導体装置のバンプを示す部分断面図である。
【図４】  従来の異方性導電樹脂が塗布される半導体装置のバンプを示す部分断面図である。
【符号の説明】
１０，２０，３０    半導体装置の基板
１１，２１，３１    絶縁保護膜
１２，３２    半導体装置の末端に配置されたバンプ電極
１３，３３    半導体装置の内部に配置されたバンプ電極
１４，２４，３５    異方性導電樹脂
１５，２５，３６    異方性導電樹脂中の導電性粒子
１６，２６，３７    接続される別の半導体装置
２２    半導体装置の末端に配置されたサイズの大きいバンプ電極
２３    半導体装置の内部に配置されたサイズの小さいバンプ電極
３４    ダミー電極
【図１】
0003639078.tif 000002
【図２】
0003639078.tif 000003
【図３】
0003639078.tif 000004
【図４】
0003639078.tif 000005