(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＧａＡｓ活性層と電流狭窄層を有する中間層と、該中間層を挟むように設けられた一対の多層膜ミラー層からなる共振器とを備えてなる面発光型半導体レーザにおいて、
前記ＡｌＧａＡｓ活性層と光出射側の多層膜ミラー層との間であって、少なくとも該ＡｌＧａＡｓ活性層の光出射領域に対向する領域を除く部分にＧａＡｓコンタクト層を設け且つ該ＧａＡｓコンタクト層上に電極を設けると共に、前記光出射領域に対向する領域に中空領域を設けたことを特徴とする面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
ＡｌＧａＡｓ活性層と電流狭窄層を有する中間層と、該中間層を挟むように設けられた一対の多層膜ミラー層からなる共振器とを備えてなる面発光型半導体レーザの製造方法において、
ＡｌＧａＡｓ活性層と光出射側の多層膜ミラー層との間にＧａＡｓコンタクト層を設け、
光出射側の多層膜ミラー層の一部を除去して、光出射方向に伸びて前記ＧａＡｓコンタクト層にまで到達する開口を設け、
該開口からエッチング液を導入して、前記ＧａＡｓコンタクト層の少なくとも光出射領域に対向する層部分を除くことを特徴とする面発光型半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
ＡｌＧａＡｓ活性層と電流狭窄層を有する中間層と、該中間層を挟むように設けられた一対の多層膜ミラー層からなる共振器とを備えてなる面発光型半導体レーザの製造方法において、
ＡｌＧａＡｓ活性層と光出射側の多層膜ミラー層との間にＧａＡｓコンタクト層を設け、
光出射側の多層膜ミラー層の周囲領域を前記ＧａＡｓコンタクト層の表層に至るまで除去することにより、前記多層膜ミラー層をポスト状の形状とし、
これにより露出したＧａＡｓコンタクト層の表層に電極を設け、
光出射側の多層膜ミラー層の光出射領域に対向する領域の外側に位置する層部分を除去して、光出射方向に伸びて前記ＧａＡｓコンタクト層にまで到達する開口を設け、
該開口からエッチング液を導入して、前記ＧａＡｓコンタクト層の少なくとも光出射領域に対向する層部分を除くことを特徴とする面発光型半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリンター、複写機、光通信や光計測、光情報処理などに有用な面発光型半導体レーザおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、光エレクトロニクスの分野は社会的な必要性からその発展を急速に遂げている。とりわけ光ファイバ通信に代表される半導体レーザは、光計測や光情報処理、光記録などにその応用範囲を拡大している。それに伴い半導体レーザは、高速化、大容量化、高密度化など、より一層の高性能化が求められてきた。
【０００３】
このような問題を解決する新しい半導体レーザとして、１９７７年に伊賀らのグループは、垂直共振面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）を提案した。この半導体レーザは基板と垂直方向に光反射面を積層して共振器を構成し、基板表面からレーザ光を出射することを特徴としている。このような構造を有することから、二次元アレーの高密度集積化、および量産化が可能となった。
【０００４】
特開平７−２２６９８号公報に開示された従来の面発光型半導体レーザの一例を図１２に示す。図１２において、２１はｎ型コンタクト層、２２はＧａＡｓ基板、２３はｎ型ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分布ブラッグ（ＤＢＲ）ミラー層、２４はＡｌＧａＡｓスペーサ層、２５はＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸層、２６はｐ型ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分布ブラッグ（ＤＢＲ）ミラー層、２７はｐ型コンタクト層である。
【０００５】
図１２の面発光型半導体レーザは、半導体基板２２上に、組成の異なる半導体層を交互に積層した多層膜からなる分布ブラッグ（ＤＢＲ）ミラー層２３、２６の一対からなる共振器と、この共振器を構成する一対のＤＢＲミラー層２３、２６に挟まれた活性層２５とを含む中間層とを備えている。
【０００６】
このような面発光型半導体レーザにおいては、電極からの電流がＤＢＲミラー層２６を通過して活性層２５に注入されることによって、活性層２５から発光する光がＤＢＲミラー層２３、２６間で共振してレーザ発光する。
しかしながら、このような構成では、電極から注入された電流がＤＢＲミラー層２３、２６を通過するため、素子抵抗が高くなり、また、しきい値電流も大きくなり発熱量も増加するというようにレーザ特性が悪化する問題がある。
【０００７】
このような問題を解決するために、Ｄ．Ｌ．Ｈｕｆｆａｋｅｒらによって、図１３に示す構成の面発光型半導体レーザが提案されている（ＰＨＯＴＯＮＩＣＳＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ  ＬＥＴＴＥＲＳ  ＶＯＬ．８  Ｐ９７４  １９９６）。
【０００８】
図１３において、３１はｎ側電極、３２はｎ型ＧａＡｓ基板、３３はｎ型ＧａＡｓバッファー層、３４はｎ型ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤＢＲミラー層、３５はＡｌＧａＡｓスペーサ層、３６はＩｎＧａＡｓ量子井戸層、３７は酸化膜電流ブロック層（電流狭窄層）、３８はｐ型Ａ10.96 Ｇａ0.04Ａｓ層、３９はｐ型ＧａＡｓ電流注入層、４０はｐ型Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓエッチングストップ層、４１はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、４２はｐ側電極、４３は誘電体多層膜ミラー層、４４は光出射領域である。
【０００９】
図１３の面発光型半導体レーザは、活性層３６より上部にあるＤＢＲミラー層４３を通過させないで電流を活性層３６に効率よく注入して素子抵抗を低減化するために、活性層３６の近くにＧａＡｓコンタクト層４１を設け、ｐ側の電極４２を上部のＤＢＲミラー層４３の下部に形成している。
【００１０】
発振波長９８０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｓ系面発光型半導体レーザにおいては、フリーキャリアによる吸収損失の問題を低減させるために、コンタクト層４１としてはキャリア濃度が低く、波長９８０ｎｍ付近に光吸収のないＧａＡｓ層を使用している。このため、発振波長９８０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｓ系面発光型半導体レーザにおいても、素子抵抗は、図１２に示した半導体多層膜を用いた面発光型半導体レーザに比べて大きく低減することは困難である。
【００１１】
図１３の構成を採用して、ｐ側の電極４２を上部のＤＢＲミラー層４３の下部に形成して、発振波長８７０ｎｍ以下のＡｌＧａＡｓ系面発光型半導体レーザを実現しようとすれば、電極からの電流注入時の抵抗を下げ、注入効率を良くするため、電極４２とのコンタクトを十分にとる必要があり、コンタクト層４１として、キャリア濃度が高く、波長８７０ｎｍ以下にも光吸収のあるＧａＡｓ層を使用せざるを得ない。
しかしながら、光の共振部にキャリア濃度の高いＧａＡｓ層からなるコンタクト層４１が形成されると、活性層の禁制帯巾に対応する波長より短い波長の光をこのコンタクト層４１が吸収し、光の損失から反射率の低下をまねき、結果的に素子の特性を悪化させるという問題があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、発振波長８７０ｎｍ以下のＡｌＧａＡｓ系面発光型半導体レーザにおいては、発振波長９８０ｎｍ帯のＩｎＧａＡｓ系面発光型半導体レーザにおいて採用されるのと同様、図１３の構成を採用し、ｐ側の電極４２を上部のＤＢＲミラー層４３の下部に形成して、活性層３６より上部にあるＤＢＲミラー層４３を通過させないで電流を活性層３６に効率よく注入して素子抵抗を低減化することが必要であるが、そのような構成を採用すると、レーザ光の通過領域にあるＧａＡｓコンタクト層４１が光を吸収してしまい、その光損失がレーザの特性を低下させてしまうという問題があった。
【００１３】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであって、以上のようなレーザ光の光吸収損失を防止することができる面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供することを目的とする。すなわち、本発明は、発振波長８７０ｎｍ以下の面発光型半導体レーザにおいて問題となるＧａＡｓ層による光吸収損失を解決するための手段を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
発明者等は、鋭意検討の結果、以下の手段により、上記課題が解決されることを見出し本発明を完成するに到った。
【００１５】
すなわち、請求項１の面発光型半導体レーザは、ＡｌＧａＡｓ活性層と電流狭窄層を有する中間層と、該中間層を挟むように設けられた一対の多層膜ミラー層からなる共振器とを備えてなる面発光型半導体レーザにおいて、前記ＡｌＧａＡｓ活性層と光出射側の多層膜ミラー層との間であって、少なくとも該ＡｌＧａＡｓ活性層の光出射領域に対向する領域を除く部分にＧａＡｓコンタクト層を設け且つ該ＧａＡｓコンタクト層上に電極を設けると共に、前記光出射領域に対向する領域に中空領域を設けたことを特徴とする。
【００１６】
請求項２の面発光型半導体レーザの製造方法は、ＡｌＧａＡｓ活性層と電流狭窄層を有する中間層と、該中間層を挟むように設けられた一対の多層膜ミラー層からなる共振器とを備えてなる面発光型半導体レーザの製造方法において、ＡｌＧａＡｓ活性層と光出射側の多層膜ミラー層との間にＧａＡｓコンタクト層を設け、光出射側の多層膜ミラー層の一部を除去して、光出射方向に伸びて前記ＧａＡｓコンタクト層にまで到達する開口を設け、該開口からエッチング液を導入して、前記ＧａＡｓコンタクト層の少なくとも光出射領域に対向する層部分を除くことを特徴とする。
【００１７】
請求項３の面発光型半導体レーザの製造方法は、ＡｌＧａＡｓ活性層と電流狭窄層を有する中間層と、該中間層を挟むように設けられた一対の多層膜ミラー層からなる共振器とを備えてなる面発光型半導体レーザの製造方法において、ＡｌＧａＡｓ活性層と光出射側の多層膜ミラー層との間にＧａＡｓコンタクト層を設け、光出射側の多層膜ミラー層の周囲領域を前記ＧａＡｓコンタクト層の表層に至るまで除去することにより、前記多層膜ミラー層をポスト状の形状とし、これにより露出したＧａＡｓコンタクト層の表層に電極を設け、光出射側の多層膜ミラー層の光出射領域に対向する領域の外側に位置する層部分を除去して、光出射方向に伸びて前記ＧａＡｓコンタクト層にまで到達する開口を設け、該開口からエッチング液を導入して、前記ＧａＡｓコンタクト層の少なくとも光出射領域に対向する層部分を除くことを特徴とする。
【００１８】
請求項１の面発光型半導体レーザによれば、ＡｌＧａＡｓ活性層と電流狭窄層を有する中間層と、この中間層を挟むように設けられた一対の多層膜ミラー層からなる共振器とを備えてなる面発光型半導体レーザにおいて、ＡｌＧａＡｓ活性層と光出射側の多層膜ミラー層との間であって、少なくとも当該ＡｌＧａＡｓ活性層の光出射領域に対向する領域を除く部分にＧａＡｓコンタクト層を設けているので、活性層から発光する光がＧａＡｓコンタクト層を通過することがなく、活性層から発光する光のＧａＡｓコンタクト層による吸収を防止することができる。
【００１９】
具体的に説明すると、レーザ光の光出射領域にＧａＡｓコンタクト層が存在すると、活性層で発光したレーザ光がそこを通過するときに光の吸収が起こる。透過する前の光強度をＩO 、透過後の光強度をＩ、光吸収係数をα、膜厚をｄ、とすれば次式が成立する。
Ｉ＝ＩO ｅｘｐ（−αｄ）
【００２０】
図１４は、Ｈ．Ｃ．Ｃａｓｅｙらによって示された、ｐ型ＧａＡｓ膜における光吸収係数の波長依存性を各キャリア濃度ごとにプロットしたものである（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４６．２５０．１９７５）。この式に従えば、波長７８０ｎｍの光が、ｐ型ＧａＡｓ層（キャリア濃度ｎ＝１×１０１９ｃｍ-3、膜厚１９５ｎｍ）に吸収されることによって生じる光損失の割合は、入射した光の１７．７％となる。レーザ光の光出射領域におけるＧａＡｓコンタクト層を除去すれば、この割合の光損失を防止することが可能となり、レーザ特性は向上する。
また、電極から注入された電流が上部のＤＢＲミラー層を通過する事がなく、素子抵抗を大きく低減することもできる。
【００２１】
請求項２の面発光型半導体レーザの製造方法によれば、上部のＤＢＲミラー層１０に設けた開口１５を利用して、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８のみを選択的にエッチングすることができ、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８における光吸収による光損失を起こすことのない面発光型半導体レーザを効率的に製造することができる。
【００２２】
請求項３の面発光型半導体レーザの製造方法によれば、上記選択的エッチングのために設けられた開口１５が、光出射領域１３に対向する領域の外側に位置するため、活性層５から発光する光のＤＢＲミラー層３、１０間での共振を阻害することがない。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
【００２４】
図１は、本発明の発振波長７８０ｎｍの面発光型半導体レーザの一例を示す斜視図、図２は、図１の上面図、図３は、図１のＡＡ’断面図、図４は、図１のＢＢ’断面図である。
【００２５】
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファー層２が設けられている。このバッファー層２上に、共振器を構成する下部のミラー層としてｎ型Ａｌ0.9 Ｇａ0.1 Ａｓ／Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ多層膜分布ブラッグ（ＤＢＲ）ミラー層３が設けられている。
【００２６】
このＤＢＲミラー層３上に、アンドープＡｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ下部スペーサー層４が設けられている。この下部スペーサー層４上に、例えば厚さ９ｎｍのアンドープＡｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ量子井戸層と例えば厚さ５ｎｍのアンドープＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ障壁層からなる三重量子井戸活性層５が設けられている。この活性層５上に、アンドープＡｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ上部スペーサー層４Ｂが設けられている。
【００２７】
この上部スペーサー層４Ｂ上に、外周がＡｌ2 Ｏ3 に選択的に酸化された領域を有するｐ型Ａｌ0.96Ｇａ0.04Ａｓ電流狭窄層６が設けられている。この電流狭窄層６上に、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ電流注入層７が設けられている。この電流注入層７上に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８が設けられている。
【００２８】
このコンタクト層８上に、共振器を構成する上部のミラー層としてアンドープＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ／ＡｌＡｓ多層膜分布ブラッグ（ＤＢＲ）ミラー層１０が設けられている。ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８は、少なくとも三重量子井戸活性層５の光出射領域１３に対向する領域を除く部分に設けられている。
【００２９】
上部のＤＢＲミラー層１０は、コンタクト層８から突出するポスト状に形成されており、コンタクト層８における上部のＤＢＲミラー層１０が積層されていない周囲領域の表面には、Ａｕ／Ｃｒからなるｐ側電極９が設けられている。
一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面側には、Ａｕ／ＡｕＧｅからなるｎ側電極１２が設けられている。
【００３０】
以上のような構成の面発光型半導体レーザによれば、ｐ側電極９から注入された電流は上部のＤＢＲミラー層１０を通過せずに、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を通過して、電流狭窄層６の電流狭窄部６Ａから活性層５に注入され、活性層５において発光したレーザ光は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８における光吸収による光損失を起こすことがない。
【００３１】
次に、図１に示した面発光型半導体レーザの製造方法を説明する。
図５に示すように、まず、有機金属気相成長法（Ｍｅｔａｌ  ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（以下「ＭＯＣＶＤ法」という。）により、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファー層２を積層し、このバッファー層２上に、共振器の下部のミラー層を構成するｎ型Ａｌ0.9 Ｇａ0.1 Ａｓ／Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ４０．５周期からなる多層膜分布ブラッグ（ＤＢＲ）ミラー層３を積層し、このＤＢＲミラー層３上に、アンドープＡｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ下部スペーサー層４Ａを積層し、この下部スペーサー層４Ａ上に、アンドープＡｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓ量子井戸層（厚さ９ｎｍ）とアンドープＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ障壁層（厚さ５ｎｍ）からなる三重量子井戸活性層５を積層し、この活性層５上に、アンドープＡｌ0.6 Ｇａ0.4 Ａｓ上部スペーサー層４Ｂを積層し、この上部スペーサー層４Ｂ上に、ｐ型Ａｌ0.96Ｇａ0.04Ａｓ電流狭窄層６を積層し、この電流狭窄層６上に、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ電流注入層７を積層し、この電流注入層７上に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を積層し、このコンタクト層８上に、共振器の上部のミラー層を構成するアンドープＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ／ＡｌＡｓ１０．５周期からなる多層膜分布ブラッグ（ＤＢＲ）ミラー層１０を積層する。
【００３２】
以上において、層厚は、光学膜厚としてみて、発振波長をλとすると、下部のＤＢＲミラー層３を構成する各膜厚をλ／４、下部スペーサー層４と上部スペーサー層４Ｂと三重量子井戸活性層５との合計膜厚をλ、ｐ型電流狭窄層６およびｐ型電流注入層７の各膜厚をλ／４、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８の膜厚をλ／４、後述する選択酸化後の上部のＤＢＲミラー層１０を構成する各膜厚をλ／４とする。
【００３３】
キャリア濃度は、ｎ型で２×１０18ｃｍ-3、ｐ型はＧａＡｓコンタクト層が１×１０19ｃｍ-3、それ以外のｐ型は２×１０18ｃｍ-3である。
【００３４】
次に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面側に、Ａｕ／ＡｕＧｅを蒸着して、ｎ側電極１２を設ける。
【００３５】
さらに、図６に示すように、上部のＤＢＲミラー層１０の周囲領域をｐ型ＧａＡｓコンタクト層８の表層までポスト形状にエッチングした後、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８の表面に、リフトオフ技術によりＡｕ／Ｃｒからなるｐ側電極９を形成する。
【００３６】
続いて、図７に示すように、スパッタリング法およびフォトリソグラフィ法により、パターニングしたＳｉＯ2 膜１４をｐ側電極９を覆うように上部のＤＢＲミラー層１０上に形成する。
【００３７】
次に、図８に示すように、マスクによって選択されたエッチング領域を、上部のＤＢＲミラー層１０の上面からｐ型ＧａＡｓコンタクト層８の表層に達するまで、縦にエッチングを実行し、開口１５を形成する。
【００３８】
次に、ｐ型Ａｌ0.96Ｇａ0.04Ａｓ電流狭窄層６と上部のＤＢＲミラー層１０中のＡｌＡｓ層をその側面から選択酸化して、図９に示すように、ｐ型Ａｌ0.96Ｇａ0.04Ａｓ電流狭窄層６に電流狭窄部６Ａを形成するとともに、上部のＤＢＲミラー層１０中のＡｌＡｓ層の反射率を高くする。
【００３９】
電流狭窄部６Ａの矢印で図示した光出射方向から見たときの大きさ、すなわち、光出射領域１３の大きさは、上部のＤＢＲミラー層１０に形成された開口１５にまで広がらない大きさとする。例えば、図２に示すように、電流狭窄部６Ａの大きさは、上部のＤＢＲミラー層１０の中心から円を描いたときに、４つの開口１５に接しない大きさの円内に含まれるものとする。
【００４０】
さらに、図１０に示すように、上部のＤＢＲミラー層１０の開口１５からＣｌｏｒｏｘ社製：ＤＩＨ2 Ｏ（１：５）溶液を入れて、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８のみを選択的にエッチングし、電流注入層７の表面が現れるように光出射領域に対向する部分を除去して中空領域１１を形成する。すなわち、光出射領域に対向する部分には、コンタクト層８が存在しないようにする。ここで、Ｃｌｏｒｏｘ社製：ＤＩＨ2 Ｏ（１：５）溶液とは、Ｈ3 ＰＯ4 、Ｈ2 Ｏ2 、Ｈ2 Ｏを１：１：４の比で混合した溶液である。
最後に、図１１に示すように、フッ酸系エッチング液によりＳｉＯ2 膜１４を除去し、その後、アニールを行い、アロイ化する。
【００４１】
以上のような面発光型半導体レーザの製造方法によれば、上部のＤＢＲミラー層１０に開口１５を設けたので、この開口１５を利用して、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８のみを選択的にエッチングすることができ、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８における光吸収による光損失を起こすことのない面発光型半導体レーザを効率的に製造することができる。すなわち、上部のＤＢＲミラー層１０までを、一連のＭＯＣＶＤ法により積層することができ、あらかじめ光出射領域に対向する領域を避けてＧａＡｓコンタクト層を形成し、光出射領域に対向する領域にはめ込むように上部のＤＢＲミラーを別途作製して取り付ける場合に比べ、製造工程を著しく簡略化することができる。
【００４２】
以上は、本発明の面発光型半導体レーザの一実施例であり、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、開口の数は４つには限られず、また開口の形状も円筒状であってもよい。さらに、開口は選択的エッチング終了後に埋めて使用することもできる。
【００４３】
【発明の効果】
請求項１の面発光型半導体レーザによれば、素子抵抗の低減化を達成することができるとともに、ＧａＡｓコンタクト層におけるレーザ発光の吸収を防止することができ、発光効率の高い高性能な面発光型半導体レーザを提供することができる。また、電極から注入された電流が上部のＤＢＲミラー層を通過する事がなく、素子抵抗を大きく低減することができる。
請求項２の面発光型半導体レーザの製造方法によれば、光出射領域におけるＧａＡｓコンタクト層を効率的に除去することができる。
請求項３の面発光型半導体レーザの製造方法によれば、活性層から発光する光のＤＢＲミラー層間での共振を阻害することなく、発光効率の高い高性能な面発光型半導体レーザを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の発振波長７８０ｎｍの面発光型半導体レーザの一例を示す斜視図
【図２】  図１の面発光型半導体レーザの上面図である。
【図３】  図１の面発光型半導体レーザのＡＡ’断面図である。
【図４】  図１の面発光型半導体レーザのＢＢ’断面図である。
【図５】  本発明の面発光型半導体レーザの製造工程図である。
【図６】  本発明の面発光型半導体レーザの製造工程図である。
【図７】  本発明の面発光型半導体レーザの製造工程図である。
【図８】  本発明の面発光型半導体レーザの製造工程図である。
【図９】  本発明の面発光型半導体レーザの製造工程図である。
【図１０】  本発明の面発光型半導体レーザの製造工程図である。
【図１１】  本発明の面発光型半導体レーザの製造工程図である。
【図１２】  従来例の面発光型半導体レーザの断面図である。
【図１３】  従来例のＩｎＧａＡｓ系面発光型半導体レーザの断面図である。
【図１４】  ｐ型ＧａＡｓにおける光吸収係数の波長依存性を示す図である。
【符号の説明】
１    ｎ型ＧａＡｓ基板
２    ｎ型ＧａＡｓバッファー層
３    下部ｎ型半導体多層膜ＤＢＲ反射ミラー
４    スペーサ層
５    活性層
６    ｐ型電流狭窄層
７    ｐ型電流注入層
８    ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
９    ｐ側電極
１０  上部多層膜ＤＢＲ反射ミラー
１１  中空領域
１２  ｎ側電極
１３  光出射口
１４  ＳｉＯ2 膜マスク
【図１】
0003646487.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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