(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム状の絶縁基板の所定位置に開口部を形成し、前記絶縁基板の一主面に、前記開口部に突出する配線を形成し、前記絶縁基板の前記配線が形成された面上に、前記絶縁基板の開口部と平面的に重なる開口部が形成された弾性体を形成し、前記弾性体上に、半導体チップを、その外部電極が前記弾性体の開口部と重なるように位置合わせをして接着し、前記半導体チップ上に、前記半導体チップの外周よりも外側に外周を有する第１絶縁体層を形成し、前記絶縁基板の開口部に突出した前記配線と前記半導体チップの外部電極とを電気的に接続し、前記絶縁基板の開口部から第２絶縁体を注入して、前記絶縁基板及び前記第１絶縁体層の開口部内、ならびに前記半導体チップの側面部を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記絶縁基板の開口部から第２絶縁体を注入した後、前記第１絶縁体層を剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、配線基板（インターポーザ）上に半導体チップをフリップチップ接続し、前記配線基板に形成された開口部から樹脂を注入して封止する半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップを配線基板（インターポーザ）上にフリップチップ接続し、前記半導体チップの外部電極と前記配線基板の配線との接続部を封止した半導体装置には、例えば、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、所定位置に第１開口部１０１及び第２開口部（ビア孔）１０２が設けられた絶縁基板１の一主面上に前記開口部１０１に突出する配線２を設け、前記絶縁基板１の配線形成面上に、前記絶縁基板１の第１開口部１０１と平面的に重なる位置に開口部が設けられた弾性体（エラストマ）３を設け、前記弾性体３上に半導体チップ４を、その外部電極４０１が前記弾性体の開口部内に位置するようにフリップチップ接続し、前記配線２の前記第１開口部１０１に突出した部分を変形させて前記半導体チップ４の外部電極４０１と接続し、前記絶縁基板１及び前記弾性体３の開口部内を絶縁樹脂６で封止した半導体装置がある。ここで、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＤ−Ｄ’線での模式断面図である。
【０００３】
また、前記図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示したような半導体装置は、前記配線２の一端が前記絶縁基板１に形成された第２開口部（ビア孔）１０２を介して、ボール端子７のような外部接続端子と接続されている。
【０００４】
前記図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示したような半導体装置の製造方法を簡単に説明すると、まず、例えば、ポリイミドテープのような絶縁基板１の所定位置に、金型による打ち抜き加工などで前記第１開口部１０１及び前記第２開口部（ビア孔）１０２を形成し、前記絶縁基板１の一主面上に銅箔などの導電性薄膜層を形成した後、前記導電性薄膜をエッチング処理して図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示したような配線２を形成する。このとき、前記各配線２は前記第１開口部１０１上を横断するとともに、前記第２開口部（ビア孔）１０２上を覆うように形成される。ここで、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＥ−Ｅ’線での模式断面図である。
【０００５】
次に、前記配線２が形成された絶縁基板１の配線形成面上に、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、前記絶縁基板１の第１開口部１０１と平面的に重なる位置が開口された弾性体（エラストマ）を接着する。ここで、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＦ−Ｆ’線での模式断面図である。
【０００６】
次に、図１３に示すように、半導体チップを、前記弾性体３の開口部３Ａと前記半導体チップ４の外部電極４０１が重なるように位置合わせをして接着し、図１４（ａ）に示すように、前記第１開口部１０１上の前記配線２を前記弾性体３の開口部３Ａ内に押し込んで変形させ、前記外部電極４０１と接続する。
【０００７】
次に、前記絶縁基板１の第１開口部１０１から、例えば、熱硬化性樹脂などの液状の絶縁体６を流し込んで硬化させ、前記絶縁基板１及び前記弾性体３の開口部内を封止する。このとき、前記第１開口部１０１から流し込んだ前記絶縁体６の一部が、図１４（ｂ）に示すように、前記半導体チップの側面部に流れ出る。また、前記第１開口部１０１から前記絶縁体６を流し込んだだけでは前記絶縁体６が回り込まずに封止できない領域には、例えば、前記絶縁基板１に別の樹脂注入用の開口部（図示しない）を設けておき、前記開口部から樹脂を注入して封止する。
【０００８】
その後、前記絶縁基板１の第２開口部（ビア孔）１０２上に、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系はんだなどのボール端子７を接続し、前記絶縁基板１を所定位置で切断すると図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示したような半導体装置を得ることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、前記絶縁基板１の第１開口部１０１あるいは樹脂注入用の開口部から液状の樹脂（絶縁体６）を流し込むため、図１０（ｂ）に示したように、前記半導体チップ４の外部電極４０１が形成された面と対向する面（非回路形成面）４Ｂが露出してしまう。そのため、前記半導体装置の製造後の取り扱い時などに、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂに傷がつきやすく、前記半導体装置の信頼性が低下するという問題があった。
【００１０】
また、前記図１４（ｂ）に示したように、前記絶縁基板１の第１開口部１０１あるいは樹脂注入用の開口部から液状の絶縁体６を流し込んだ場合、前記半導体チップ４の側面部に流れ出た絶縁体６が、重力により垂れ落ち、図１５に示すように、前記絶縁体６が前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂよりも突出した状態で硬化されてしまい、前記半導体装置が形状不良になるという問題があった。
【００１１】
また、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂが露出しないように、例えば、前記第１開口部１０１内を前記絶縁体６で封止した後、前記半導体チップ４が実装された面上に液状の樹脂を塗布して硬化させ、前記半導体チップ４全体を封止する方法があるが、この場合、前記樹脂を塗布する工程が増えるとともに前記絶縁基板全面に樹脂を塗布するため材料費が増大し、前記半導体装置の製造コストが増大するという問題があった。また、前記絶縁基板全面に樹脂を塗布した場合、前記絶縁基板１を切断して、前記半導体装置を個辺化するには前記絶縁基板１及び前記樹脂を切断しなければならないため、切断装置に大きな負荷がかかるという問題があった。
【００１２】
また、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂが露出しないように、例えば、モールド用の金型を用いて、前記半導体チップ４の周辺のみを樹脂で封止する方法があるが、この場合は、前記金型が必要であり、製造コストが増大するという問題があった。
【００１３】
本発明の目的は、配線基板上に弾性体を介して半導体チップをフリップチップ接続し、前記配線基板に設けられた開口部上に突出した配線を変形させて前記半導体チップの外部電極と接続する半導体装置において
、前記半導体チップ全体を容易に封止することが可能な技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、配線基板上に弾性体を介して半導体チップをフリップチップ接続し、前記配線基板に設けられた開口部から樹脂を流し込んで封止する半導体装置において、前記半導体装置の形状不良を低減させることが可能な技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明において開示される発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
【００２２】
（１）フィルム状の絶縁基板の所定位置に開口部を形成し、前記絶縁基板の一主面に、前記開口部に突出する配線を形成し、前記絶縁基板の前記配線が形成された面上に、前記絶縁基板の開口部と平面的に重なる開口部が形成された弾性体を形成し、前記弾性体上に、半導体チップを、その外部電極が前記弾性体の開口部と重なるように位置合わせをして接着し、前記半導体チップ上に、前記半導体チップの外周よりも外側に外周を有する第１絶縁体層を形成し、前記絶縁基板の開口部に突出した前記配線と前記半導体チップの外部電極とを電気的に接続し、前記絶縁基板の開口部から第２絶縁体を注入して、前記絶縁基板及び前記第１絶縁体層の開口部内、ならびに前記半導体チップの側面部を封止する半導体装置の製造方法である。
【００２３】
前記（１）によれば、前記配線が形成された前記絶縁基板上に、前記半導体チップを接着した後、前記半導体チップの接着面と対向する面に前記第１絶縁体層を形成し、前記絶縁基板の開口部から液状の樹脂を流し込むことにより、前記半導体チップの接着面と対向する面及び側面を容易に封止することができる。
【００２４】
また、前記第１絶縁体層の外周が前記半導体チップの外周よりも外側にあるため、前記開口部から前記半導体チップの側面部に流れ出た樹脂が、垂れ落ちて形状不良になることを防げる。
【００２５】
また、前記（１）の手段において、前記第２絶縁体を注入したあと、前記第１絶縁体を剥離させることにより、前記第２絶縁体が前記半導体チップの非回路形成面よりも突出することを防げ、且つ薄型の半導体装置を得ることができる。
【００２６】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００２７】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰り返しの説明は省略する。
【００２８】
【発明の実施の形態】
図１及び図２は、本発明により製造された半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図１（ａ）は本実施例の半導体装置の模式平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の裏面図、図２は図１（ｂ）のＡ−Ａ’線での模式断面図である。
【００２９】
図１（ａ）、図１（ｂ）、及び図２において、１は絶縁基板、１０１は第１開口部、１０２は第２開口部（ビア孔）、２は配線、３は弾性体（エラストマ）、４は半導体チップ、４０１は半導体チップの外部電極、４Ａは半導体チップの外部電極が設けられた面、４Ｂは半導体チップの外部電極が設けられた面と対向する面（非回路形成面）、４Ｃは半導体チップの側面、５は第１絶縁体、６は第２絶縁体、７はボール端子である。
【００３０】
本発明により製造された半導体装置は、図１（ａ）、図１（ｂ）、及び図２に示すように、絶縁基板１の所定位置に第１開口部１０１及び第２開口部（ビア孔）１０２を設け、前記絶縁基板１の一主面に、前記第１開口部１０１に突出する配線２を設け、前記絶縁基板１の前記配線２が設けられた面上に前記第１開口部１０１と平面的に重なる位置が開口された弾性体（エラストマ）３を設け、前記弾性体３上に半導体チップ４を、その外部電極４０１が前記弾性体３の開口部内に位置するように設け、前記半導体チップ４の前記外部電極４０１が設けられた面４Ａと対向する面（非回路形成面）４Ｂに、前記半導体チップ４の外周よりも外側に外周を有する第１絶縁体層５を設け、前記配線２の前記第１開口部１０１内に突出した部分と前記半導体チップ４の外部電極４とが前記弾性体３の開口部内で電気的に接続され、前記第１開口部１０１及び前記弾性体３の開口部内、ならびに前記半導体チップ４の側面部が第２絶縁体６で封止された半導体装置である。
【００３１】
また、前記配線２は、その一端が前記絶縁基板１に設けられた前記第２開口部（ビア孔）１０２を覆うように設けられており、前記第２開口部１０２には、外部装置との接続用の端子として、例えば、図１（ｂ）及び図２に示すように、ボール端子７が接続されている。
【００３２】
図３乃至図７は、本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。図３（ａ）及び図４（ａ）は各製造工程での模式平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ’線での模式断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ’線での模式断面図、図５、図６、図７（ａ）、及び図７（ｂ）はそれぞれ各製造工程での模式断面図である。
【００３３】
以下、図３乃至図７に沿って、本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
【００３４】
まず、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、例えば、ポリイミドテープなどの絶縁基板１に第１開口部１０１及び第２開口部（ビア孔）１０２を形成し、前記第１開口部１を横断し、且つ前記第２開口部１０２を覆う端子部（ランド）を有する配線２を形成する。
【００３５】
前記第１開口部１０１、前記第２開口部１０２、及び前記配線２の形成方法は、例えば、前記絶縁基板１に、金型による打ち抜き加工などで前記第１開口部１０１及び第２開口部１０２を形成した後、前記絶縁基板１の一主面に、例えば、銅箔などの導電性薄膜を形成し、前記導電性薄膜をエッチング処理して前記配線２を形成する方法や、前記絶縁基板１にあらかじめ前記導電性薄膜を形成しておき、レーザ等で前記絶縁基板１に前記第１開口部１０１及び前記第２開口部１０２を形成した後、前記導電性薄膜をエッチング処理して前記配線２を形成する方法がある
。また、前記手順に限らず、種々の方法で形成することができる。
【００３６】
次に、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、前記絶縁基板１の配線２が形成された面に、前記絶縁基板１の第１開口部１０１と平面的に重なる位置に開口部３Ａが形成された弾性体（エラストマ）３を形成する。
【００３７】
なお、前記絶縁基板１に、前記第１開口部１０１、前記第２開口部１０２、前記配線２、及び前記弾性体３を形成する工程では、前記絶縁基板１は、一方向に長尺なテープ状をしており、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示したような領域が複数個形成されている。
【００３８】
次に、図５に示すように、例えば、コレット８などを用いて搬送された半導体チップ４を、前記絶縁基板１の配線形成面に形成された弾性体３に接着する。このとき、前記半導体チップ４は外部電極４０１が形成された面４Ａが前記絶縁基板１（弾性体３）と向かい合い、且つ、前記外部電極４０１が前記第１開口部１０１内に位置するように接着される
。
【００３９】
次に、図６に示すように、例えば、コレット９などを用いて搬送されたフィルム状の第１絶縁体５を、前記半導体チップ４の前記外部電極４０１が形成された面４Ａと対向する面（非回路形成面）４Ｂに接着する。前記第１絶縁体５は、例えば、熱硬化性樹脂などの絶縁性のフィルムであり、前記第１絶縁体５の外周は、前記半導体チップ４の側面（外周）４Ｃよりも外側にあるものとする。またこのとき、前記第１絶縁体５は、接着剤を用いて前記半導体チップ４に接着してもよいし、例えば、半硬化状態の熱硬化性樹脂のように粘着性（接着性）を有する樹脂を直接半導体チップ４に密着させてもよい。
【００４０】
次に、図７（ａ）に示すように、ボンディングツールを用いて、前記配線２の前記第１開口部１０１を横断する部分を前記弾性体３の開口部３Ａ内に押し込み、前記半導体チップ４の外部電極４０１と電気的に接続する。このとき、前記配線２の前記第１開口部１０１を横断する部分にはくぼみが設けられており、前記配線２を押し込んだときに前記くぼみ部分で切断されて、前記外部電極４０１と接続される。
【００４１】
次に、図７（ｂ）に示すように、前記絶縁基板１の第１開口部１０１から液状の第２絶縁体６を流し込んで、前記弾性体３の開口部内の前記配線２と前記半導体チップ４の外部電極４０１の接続部及び前記半導体チップ４の側面部４Ｃを封止する。このとき、前記第２絶縁体６は、例えば、熱硬化性樹脂等であり、前記第１開口部１０１から流し込んだ液状の第２絶縁体６の一部は、前記弾性体３の開口部３Ａと前記半導体チップ４との隙間から前記半導体チップ４の側面４Ｃ側に流れ出すが、前記第１絶縁体５を設けているため、前記第１絶縁体１０１でさえぎられてたれ落ちることがない。そのため、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂの形状不良を防ぐことができる。また、前記第２絶縁体６がたれ落ちるのを前記第１絶縁体５で防ぐことができるため、前記液状樹脂が前記半導体チップ４の側面４Ｃに広がりやすく、前記半導体チップ４の側面部４Ｃを確実に封止することができる。
【００４２】
またこのとき、前記第１開口部１０１から前記第２絶縁体６を流し込んだだけでは、前記半導体チップ４の前記第１開口部１０１と平行な方向の側面部に前記第２絶縁体６が十分に回り込まずに、十分な封止ができない場合がある。そのため、前記絶縁基板１の前記第２絶縁体６が回り込みにくい領域には、前記第１開口部１０１及び前記第２開口部１０２とは別に樹脂注入用の開口部（図示しない）を設けておき、前記樹脂注入用の開口部からも前記第２絶縁体６を流し込むことにより、前記半導体チップ４の側面４Ｃを確実に封止することができる。
【００４３】
その後、前記第２絶縁体６を硬化させ、前記第２開口部１０２にボール端子７を接続し、前記絶縁基板１を所定位置で切断して個片化すると、図１（ａ）、図１（ｂ）、及び図２に示したような半導体装置を得ることができる。
【００４４】
以上説明したように、本実施例１によれば、前記第１開口部１０１が形成された絶縁基板１に配線２を形成した配線基板（インターポーザ）上に、前記半導体チップ４をフリップチップ接続した後、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂにフィルム状の第１絶縁体５を接着し、前記第１開口部１０１から樹脂を流し込んで封止することにより、前記半導体チップ４の周囲を容易に封止することができる。
【００４５】
図８は、前記本発明により製造された半導体装置の変形例の概略構成を示す模式断面図である。
【００４６】
前記本発明により製造された半導体装置では、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂに接着した前記第１絶縁体５を剥がさずに、前記半導体チップ４の全体を封止しているが、これに限らず、必要に応じて、図８に示したように、前記第１絶縁体５を剥がしてもよい。図８に示したような半導体装置は、前記実施例１と同様の手順で、図７（ｂ）に示したように、前記第１開口部１０１、前記第２開口部１０２、及び前記配線２を形成した前記絶縁基板１上に前記弾性体３を形成し、前記半導体チップ４をフリップチップ接続した後、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂに前記第１絶縁体５を接着し、前記配線２と前記半導体チップ４の外部電極４０１を接続し、前記絶縁基板１の第１開口部１０１から液状の第２絶縁体６を流し込んで硬化させた後、前記第１絶縁体５を剥がす。このとき、前記第２絶縁体６は前記第１絶縁体５によって流れをさえぎられているため、図８に示したように、前記第２絶縁体６の先端部は前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂと同じ平面内に広がっている。そのため、前記従来の技術のように、前記液状の第２絶縁体６が重力によりたれ落ちて、図１２に示したように、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂよりも突出することがなく、外形不良を低減させることができる。
【００４７】
また、前記半導体装置では、前記第１絶縁体５の外周は、前記絶縁基板１の外周と平面的に重なっているが、これに限らず、前記第１絶縁体５の外周が前記半導体チップ４の外周よりも外側にあればよく、前記第２絶縁体６がたれ落ちて形状不良になることを防げる程度に突出していればよい。
【００４８】
図９は、前記本発明により製造された半導体装置の別の変形例の概略構成を示す模式断面図である。
【００４９】
前記本発明により製造された半導体装置では、前記半導体チップ４として、前記外部電極４０１が半導体基板の中心線付近に配置されたセンターパッド型の半導体チップ４を用いているが、これに限らず、図９に示したように、前記外部電極４０１が半導体基板の外周部付近に設けられた周辺パッド型の半導体チップ４’を用いることもできる。
【００５０】
図９に示したような半導体装置の場合も、前記第１開口部１０１上の配線２を変形させて前記周辺パッド型の半導体チップ４’の外部電極４０１と接続し、前記第１開口部１０１から液状の第２絶縁体６を流し込んで封止するが、このときも、前記半導体チップ４’の非回路形成面４Ｂに前記第１絶縁体５を形成しておくことにより、前記第２絶縁体６がたれ落ちて前記半導体チップ４の非回路形成面４Ｂよりも突出し、形状不良になることが防げる。また、前記第１絶縁体５を形成することにより、前記半導体チップ４’の全面を絶縁体で封止することができるため、前記半導体チップ４’に傷がつき、半導体装置の信頼性が低下することを防げる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００５２】
（１）配線基板上に弾性体を介して半導体チップをフリップチップ接続し、前記配線基板に設けられた開口部上に突出した配線を変形させて前記半導体チップの外部電極と接続する半導体装置において、前記半導体チップ全体を容易に封止することできる。
【００５３】
（２）配線基板上に弾性体を介して半導体チップをフリップチップ接続し、前記配線基板に設けられた開口部から樹脂を流し込んで封止する半導体装置において、前記半導体装置の形状不良を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明により製造された半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図１（ａ）は本実施例の半導体装置の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の裏面図である。
【図２】  本発明により製造された半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図３】  本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図３（ａ）は一製造工程の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図４】  本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）は一製造工程の平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【図５】  本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための、一製造工程の模式断面図である。
【図６】  本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための、一製造工程の模式断面図である。
【図７】  本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図７（ａ）及び図７（ｂ）は、各製造工程の模式断面図である。
【図８】  本発明により製造された半導体装置の変形例の概略構成を示す模式断面図である。
【図９】  本発明により製造された半導体装置の別の変形例の概略構成を示す模式断面図である。
【図１０】  従来の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図１０（ａ）は半導体装置の平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＤ−Ｄ’線での断面図である。
【図１１】  従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１１（ａ）は一製造工程の平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＥ−Ｅ’線での断面図である。
【図１２】  従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１２（ａ）は一製造工程の平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＦ−Ｆ’線での断面図である。
【図１３】  従来の半導体装置の製造方法を説明するための、一製造工程の模式断面図である。
【図１４】  従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）はそれぞれ、各製造工程の模式断面図である。
【図１５】  従来の半導体装置の課題を説明するための模式断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
１０１  第１開口部
１０２  第２開口部（ビア孔）
２  配線
３  弾性体（エラストマ）
３Ａ  弾性体の開口部
４  半導体チップ
４０１  半導体チップの外部電極
４Ａ  半導体チップの外部電極が形成された面
４Ｂ  半導体チップの外部電極が形成された面と対向する面（非回路形成面）
４Ｃ  半導体チップの側面
５  第１絶縁体
６  第２絶縁体
７ボール端子
８，９コレット
【図１】
0003646663.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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