(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、逆平行結合層によって分離された、第１の逆平行層および第２の逆平行層を含む強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造と
を含む磁気読取りヘッドであって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）またはルテニウム（Ｒｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置する、
磁気読取りヘッド。
【請求項２】
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造と
を含む磁気読取りヘッドであって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置する、
磁気読取りヘッド。
【請求項３】
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、単一の強磁性層である強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造と
を含む磁気読取りヘッドであって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、
自由層が、第２のシード層とスペーサ層の間に位置し、
前記第２のシード層と前記ピニング層との間が、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）強磁性自由層と、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）強磁性ピンド層と、銅（Ｃｕ）スペーサ層とから形成された、磁気読取りヘッド。
【請求項４】
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された、第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ非導電性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１および第２の遮蔽層と
を含む磁気読取りヘッドであって、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が第１および第２の遮蔽層の間に位置する、
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の磁気読取りヘッド。
【請求項５】
第１のシード層が、４０Åの厚さを有する、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の磁気読取りヘッド。
【請求項６】
第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）である、請求項１に記載の磁気読取りヘッド。
【請求項７】
読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、逆平行結合層によって分離された、第１の逆平行層および第２の逆平行層を含む強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）またはルテニウム（Ｒｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置し、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する、磁気ヘッド・アセンブリ。
【請求項８】
読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置し、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する、磁気ヘッド・アセンブリ。
【請求項９】
読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、単一の強磁性層である強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、
自由層が、第２のシード層とスペーサ層の間に位置し、
前記第２のシード層と前記ピニング層との間が、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）強磁性自由層と、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）強磁性ピンド層と、銅（Ｃｕ）スペーサ層とから形成され、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する、磁気ヘッド・アセンブリ。
【請求項１０】
第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）である、請求項７に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
【請求項１１】
強磁性の第２の遮蔽層、および
非磁性の分離層をさらに含む読取りヘッドであって、
分離層が第２の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する読取りヘッド
を含む、請求項７ないし請求項１０のいずれかに記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
【請求項１２】
読取りヘッドおよび書込みヘッドを含む少なくとも１つの磁気ヘッド・アセンブリを支持する空気軸受表面（ＡＢＳ）を備えた少なくとも１つのスライダを有する磁気ディスク・ドライブであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、逆平行結合層によって分離された、第１の逆平行層および第２の逆平行層を含む強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）またはルテニウム（Ｒｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置し、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が、第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置し、
さらに、ハウジングと、
ハウジング中で回転自在に支持された磁気ディスクと、
ハウジング中に取り付けられ、磁気ヘッド・アセンブリが磁気ディスクと変換関係となるようにＡＢＳを磁気ディスクに向けた状態で磁気ヘッド・アセンブリを支持するための支持体と、
磁気ディスクを回転させる手段と、
支持体に接続され、磁気ヘッド・アセンブリを前記磁気ディスクに対して複数の位置に移動させるための位置決め手段と、
磁気ヘッド・アセンブリ、磁気ディスクを回転させる手段、および位置決め手段に接続された、磁気ヘッド・アセンブリと信号を交換し、磁気ディスクの回転を制御し、磁気ヘッド・アセンブリの位置を制御するための処理手段と
を含む磁気ディスク・ドライブ。
【請求項１３】
読取りヘッドおよび書込みヘッドを含む少なくとも１つの磁気ヘッド・アセンブリを支持する空気軸受表面（ＡＢＳ）を備えた少なくとも１つのスライダを有する磁気ディスク・ドライブであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置し、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が、第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置し、
さらに、ハウジングと、
ハウジング中で回転自在に支持された磁気ディスクと、
ハウジング中に取り付けられ、磁気ヘッド・アセンブリが磁気ディスクと変換関係となるようにＡＢＳを磁気ディスクに向けた状態で磁気ヘッド・アセンブリを支持するための支持体と、
磁気ディスクを回転させる手段と、
支持体に接続され、磁気ヘッド・アセンブリを前記磁気ディスクに対して複数の位置に移動させるための位置決め手段と、
磁気ヘッド・アセンブリ、磁気ディスクを回転させる手段、および位置決め手段に接続された、磁気ヘッド・アセンブリと信号を交換し、磁気ディスクの回転を制御し、磁気ヘッド・アセンブリの位置を制御するための処理手段と
を含む磁気ディスク・ドライブ。
【請求項１４】
読取りヘッドおよび書込みヘッドを含む少なくとも１つの磁気ヘッド・アセンブリを支持する空気軸受表面（ＡＢＳ）を備えた少なくとも１つのスライダを有する磁気ディスク・ドライブであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、単一の強磁性層である強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、
自由層が、第２のシード層とスペーサ層の間に位置し、
前記第２のシード層と前記ピニング層との間が、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）強磁性自由層と、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）強磁性ピンド層と、銅（Ｃｕ）スペーサ層とから形成され、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が、第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置し、
さらに、ハウジングと、
ハウジング中で回転自在に支持された磁気ディスクと、
ハウジング中に取り付けられ、磁気ヘッド・アセンブリが磁気ディスクと変換関係となるようにＡＢＳを磁気ディスクに向けた状態で磁気ヘッド・アセンブリを支持するための支持体と、
磁気ディスクを回転させる手段と、
支持体に接続され、磁気ヘッド・アセンブリを前記磁気ディスクに対して複数の位置に移動させるための位置決め手段と、
磁気ヘッド・アセンブリ、磁気ディスクを回転させる手段、および位置決め手段に接続された、磁気ヘッド・アセンブリと信号を交換し、磁気ディスクの回転を制御し、磁気ヘッド・アセンブリの位置を制御するための処理手段と
を含む磁気ディスク・ドライブ。
【請求項１５】
第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）である、請求項１２に記載の磁気ディスク・ドライブ。
【請求項１６】
強磁性の第２の遮蔽層と、
非磁性の分離層とをさらに含む読取りヘッドを含み、
分離層が第２の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する
請求項１２ないし請求項１５のいずれかに記載の磁気ディスク・ドライブ。
【請求項１７】
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、逆平行結合層によって分離された、第１の逆平行層および第２の逆平行層を含む強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む磁気読取りヘッドを作成する方法であって、
金属酸化物の第１のシード層を形成するステップと、
第１のシード層の上に、非磁性金属の第２のシード層を形成するステップと、
第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するように、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成するステップと
を含み、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）から形成され、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）またはルテニウム（Ｒｕ）から形成され、
ピニング層が第２のシード層とピンド層構造の間にイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）から形成される方法。
【請求項１８】
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む磁気読取りヘッドを作成する方法であって、
金属酸化物の第１のシード層を形成するステップと、
第１のシード層の上に、非磁性金属の第２のシード層を形成するステップと、
第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するように、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成するステップと
を含み、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）から形成され、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）から形成され、
ピニング層が第２のシード層とピンド層構造の間にイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）から形成される方法。
【請求項１９】
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、単一の強磁性層である強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む磁気読取りヘッドを作成する方法であって、
金属酸化物の第１のシード層を形成するステップと、
第１のシード層の上に、非磁性金属の第２のシード層を形成するステップと、
第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するように、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成するステップと
を含み、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）から形成され、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）から形成され、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）から形成され、
自由層が、第２のシード層とスペーサ層の間に位置し、
前記第２のシード層と前記ピニング層との間が、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）強磁性自由層と、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）強磁性ピンド層と、銅（Ｃｕ）スペーサ層とから形成される方法。
【請求項２０】
第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）から形成される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、逆平行結合層によって分離された、第１の逆平行層および第２の逆平行層を含む強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）からなり、ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリを作成する方法であって、
強磁性の第１の遮蔽層を形成し、
第１の遮蔽層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第１の読取りギャップ層を形成し、
第１の読取りギャップ層の上に、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）からなる第１のシード層を形成し、
第１のシード層の上に、銅（Ｃｕ）またはルテニウム（Ｒｕ）からなる第２のシード層を形成し、
ピニング層が第２のシード層とピンド層構造の間に形成され、第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するようにして、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成することによって、
読取りヘッドを作成するステップと、
第１および第２のハード・バイアス／リード層を、スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続するステップと、
スピン・バルブ・センサと第１および第２のハード・バイアス／リード層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第２の読取りギャップ層を形成するステップと、
第２の読取りギャップ層の上に、磁極端領域とバック・ギャップ領域の間に位置するヨーク領域を有する強磁性の第１の磁極片層を形成し、
少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックを、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
非磁性かつ電気絶縁性の書込みギャップ層を、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
書込みギャップ層および絶縁スタックの上に、バック・ギャップ領域中で第１の磁極片層に接続された強磁性の第２の磁極片層を形成することによって、
書込みヘッドを形成するステップと
を含む方法。
【請求項２２】
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）からなり、ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリを作成する方法であって、
強磁性の第１の遮蔽層を形成し、
第１の遮蔽層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第１の読取りギャップ層を形成し、
第１の読取りギャップ層の上に、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）からなる第１のシード層を形成し、
第１のシード層の上に、銅（Ｃｕ）からなる第２のシード層を形成し、
ピニング層が第２のシード層とピンド層構造の間に形成され、第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するようにして、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成することによって、
読取りヘッドを作成するステップと、
第１および第２のハード・バイアス／リード層を、スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続するステップと、
スピン・バルブ・センサと第１および第２のハード・バイアス／リード層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第２の読取りギャップ層を形成するステップと、
第２の読取りギャップ層の上に、磁極端領域とバック・ギャップ領域の間に位置するヨーク領域を有する強磁性の第１の磁極片層を形成し、
少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックを、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
非磁性かつ電気絶縁性の書込みギャップ層を、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
書込みギャップ層および絶縁スタックの上に、バック・ギャップ領域中で第１の磁極片層に接続された強磁性の第２の磁極片層を形成することによって、
書込みヘッドを形成するステップと
を含む方法。
【請求項２３】
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、単一の強磁性層である強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）からなり、ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリを作成する方法であって、
強磁性の第１の遮蔽層を形成し、
第１の遮蔽層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第１の読取りギャップ層を形成し、
第１の読取りギャップ層の上に、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）からなる第１のシード層を形成し、
第１のシード層の上に、銅（Ｃｕ）からなる第２のシード層を形成し、
自由層が、第２のシード層とスペーサ層の間に位置し、
前記第２のシード層と前記ピニング層との間が、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）強磁性自由層と、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）強磁性ピンド層と、銅（Ｃｕ）スペーサ層とから形成され、
第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するようにして、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成することによって、
読取りヘッドを作成するステップと、
第１および第２のハード・バイアス／リード層を、スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続するステップと、
スピン・バルブ・センサと第１および第２のハード・バイアス／リード層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第２の読取りギャップ層を形成するステップと、
第２の読取りギャップ層の上に、磁極端領域とバック・ギャップ領域の間に位置するヨーク領域を有する強磁性の第１の磁極片層を形成し、
少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックを、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
非磁性かつ電気絶縁性の書込みギャップ層を、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
書込みギャップ層および絶縁スタックの上に、バック・ギャップ領域中で第１の磁極片層に接続された強磁性の第２の磁極片層を形成することによって、
書込みヘッドを形成するステップと
を含む方法。
【請求項２４】
第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）から形成される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
読取りヘッドを作成するステップが、
第２の読取りギャップ層の上に強磁性の第２の遮蔽層を形成するステップと、
第２の遮蔽層と第１の磁極片層の間に分離層が位置するように、第２の遮蔽層の上に非磁性の分離層を形成するステップと
をさらに含む、請求項２１ないし請求項２４のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スピン・バルブ・センサ（spin valve sensor）用のシード層構造に関し、さらに詳細には、その微細構造を改良することによってスピン・バルブ・センサの磁気抵抗係数を増大させる二層シード層構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータの心臓部は、磁気ディスク・ドライブと呼ばれるアセンブリである。磁気ディスク・ドライブは、回転する磁気ディスクと、書込みおよび読取りヘッドを有するスライダと、回転するディスクの上でスライダを支持するサスペンション・アームと、サスペンション・アームを揺動させて、回転するディスク上の選択した円形トラックの上に読取りおよび書込みヘッドを配置するアクチュエータとを含む。ディスクが回転していないときには、サスペンション・アームがスライダを偏位させてディスク表面と接触させるが、ディスクが回転しているときには、回転するディスクによってスライダの空気軸受（ベアリング）表面（ＡＢＳ）の近傍で空気が渦を巻き、これにより、スライダは回転するディスクの表面からわずかに距離をあけて空気軸受の上に載る。スライダが空気軸受上に載っているときに、書込みおよび読取りヘッドを利用して、回転するディスクに磁気的インプレッション（magnetic impression）を書き込み、またそこから磁気的インプレッションを読み取る。読取りおよび書込みヘッドは、書込み機能および読取り機能を実施するようにコンピュータ・プログラムに従って動作する処理回路に接続される。
【０００３】
読取りヘッドは、非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層の間に位置するセンサを含み、この第１および第２の読取りギャップ層は、強磁性の第１および第２の遮蔽層の間に位置する。書込みヘッドは、第１、第２、および第３の絶縁層（絶縁スタック）中に埋め込まれたコイル層を含み、この絶縁スタックは、第１および第２の磁極片層の間に挟まれる。書込みヘッドの空気軸受表面（ＡＢＳ）にある非磁性ギャップ層によって、第１および第２の磁極片層の間にギャップが形成される。これらの磁極片層は、バック・ギャップで接続される。コイル層に流れる電流は磁極片中に磁場を誘導し、この磁場はＡＢＳで磁極片間のギャップを横切ってその周囲を取り巻く。この周囲（fringe）磁場またはその欠如によって、回転するディスク上の円形トラックなど、動いている媒体上のトラックに情報が書き込まれる。
【０００４】
最近の読取りヘッドでは、スピン・バルブ・センサを利用して、回転する磁気ディスクから磁場を感知する。このセンサは、以下ピンド層（pinned layer）と呼ぶ第１および第２の強磁性層と自由層の間に挟まれた、以下スペーサ層と呼ぶ非磁性の導電層を含む。第１および第２のリードがスピン・バルブ・センサに接続され、そこにセンス電流を流す。ピンド層の磁化は、ヘッドの空気軸受表面（ＡＢＳ）に対して垂直にピニングされ、自由層の磁気モーメントは、ＡＢＳと平行に位置するが、外部磁場に応答して自由に回転する。ピンド層の磁化は、通常は反強磁性層との交換結合（exchange coupling）によってピニングされる。
【０００５】
スペーサ層の厚さは、センス電流の分路、ならびに自由層とピンド層の間の磁気的結合が最小限となるように選択される。この厚さは、センサを通過する伝導電子の平均自由行程未満である。この配列では、伝導電子の一部分がスペーサ層とピンド層および自由層との界面で散乱される。ピンド層および自由層の磁化が互いに平行であるときに、散乱は最小限となり、ピンド層および自由層の磁化が逆平行であるときに、散乱は最大限となる。散乱の変化により、スピン・バルブ・センサの抵抗がｃｏｓθに比例して変動する。ここでθはピンド層の磁化と自由層の磁化の間の角度である。読取りモードでは、スピン・バルブ・センサの抵抗は、回転するディスクからの磁場の大きさに比例して変化する。センス電流がスピン・バルブ・センサ中を流れるときには、抵抗の変化によって電位の変化が引き起こされ、これが検出され、処理回路で再生信号として処理される。
【０００６】
スピン・バルブ・センサは、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）センサのＭＲ係数より大幅に高い磁気抵抗（ＭＲ）係数を特徴とする。ＭＲ係数はｄｒ／Ｒとなる。ここで、ｄｒはスピン・バルブ・センサの抵抗の変化、Ｒは変化する前のスピン・バルブ・センサの抵抗である。スピン・バルブ・センサは、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサと呼ばれることもある。スピン・バルブ・センサは、単一のピンド層を利用しているときには、単純スピン・バルブと呼ばれる。
【０００７】
もう１つのタイプのスピン・バルブ・センサは、逆平行（ＡＰ）スピン・バルブ・センサである。ＡＰピンド・スピン・バルブ・センサは、ＡＰピンド構造が単一のピンド層ではなく複数の薄膜層を有する点で、単純スピン・バルブ・センサと異なる。ＡＰピンド構造は、第１および第２の強磁性ピンド層の間に挟まれたＡＰ結合層を有する。第１のピンド層の磁気モーメントは、反強磁性ピニング層との交換結合によって第１の方向に配向される。第２のピンド層は自由層のすぐ隣にあり、第１および第２のピンド層の間のＡＰ結合膜の厚さが最低限（８Å程度）であるので、第１のピンド層と逆平行交換結合される。したがって、第２のピンド層の磁気モーメントは、第１のピンド層の磁気モーメントの方向と逆平行な第２の方向に配向される。
【０００８】
ＡＰピンド構造の第１および第２のピンド層の磁気モーメントは互いに弱め合うかたちで結合し、単一のピンド層の磁気モーメントより小さな正味の磁気モーメントをもたらすので、ＡＰピンド構造は単一のピンド層より好ましい。正味のモーメントの方向は、第１および第２のピンド層の厚い方によって決定される。減少した正味の磁気モーメントは、ＡＰピンド構造からの減少した減磁（demag）場に等しい。反強磁性交換結合は正味のピニング・モーメントに反比例するので、これにより第１のピンド層とピニング層の間の交換結合は強くなる。ＡＰピンド・スピン・バルブ・センサは、米国特許第５４６５１８５号明細書に記載されている。
【０００９】
ボトム（bottom）スピン・バルブ・センサでは、ピニング層は、スピン・バルブ・センサの底部に位置する。ピニング層の上に構築されたスピン・バルブ・センサの諸層には、ピニング層によってその磁気モーメントがピニングされたピンド層構造、スペーサ層、および信号磁場に応答して自由に回転する磁気モーメントを有する自由層が含まれる。
ボトム・スピン・バルブのピニング層に利用される代表的な材料は、酸化ニッケル（ＮｉＯ）である。ボトム・スピン・バルブのピニング層に利用される第１のクラスの材料は、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、アルファ酸化第二鉄（αＦｅ2Ｏ3）である。
【００１０】
ボトム・スピン・バルブのピニング層に利用することができる第２のクラスの材料には、金属であるイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）、ニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、および鉄マンガン（ＦｅＭｎ）が含まれる。
第２のクラスの材料の利点は、ピニング層をより薄くすることができる点である。第１のクラスの材料である酸化ニッケル（ＮｉＯ）ピニング層の通常の厚さは４２５Åであるが、第２のクラスの材料であるイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）ピニング層の通常の厚さは８０Åである。これには３４５Åの差がある。ヘッドの線密度を高めるために、読取りギャップ（第１の遮蔽層と第２の遮蔽層の間の間隔）は可能な限り薄く保つことが望ましいので、イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）はピニング層として使用するのに非常に望ましい。
しかし、第２のクラスの材料の欠点の１つは、第２のクラスの材料の１つで作成した底部ピニング層を利用した読取りヘッドの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）が、第１のクラスの材料の１つから作成したピニング層を有する読取りヘッドより低い点である。例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ）で作成したピニング層を利用した逆平行ピンド・スピン・バルブ・センサでは、磁気抵抗係数は約７％であり、イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）から作成したピニング層を利用した逆平行ピンド・スピン・バルブ・センサは、約４．５％の磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を有する。どちらの場合も、ピニング層は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の第１の読取りギャップ層と境を接する。単純スピン・バルブ・センサでは、単一のイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）ピニング層が酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の第１の読取りギャップ層の上に直接載り、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は約４．０％である。イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）は、第１のクラスの材料より厚さが薄いという利点を有するが、ピニング層として利用したときに磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）が低下するという重大な欠点を有する。磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）が低いときには、読取り信号の強度が低く、これは磁気ディスク・ドライブの記憶容量の低下を意味する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の一目的は、イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）、ニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）、および白金マンガン（ＰｔＭｎ）を含むクラスの材料からピニング層を作成する際に、スピン・バルブ・センサの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を改善することである。
【００１２】
別の目的は、改善された読取りギャップ、改善された熱安定性、および改善された磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を有するスピン・バルブ・センサを備えた読取りヘッドを提供することである。
【００１３】
さらに別の目的は、スピン・バルブ・センサの磁気抵抗係数を改善する、イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）のピニング層用のシード層構造を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
発明者は、イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）のピニング層と酸化アルミニウムの第１の読取りギャップ層の間で二層シード層構造を利用することより、二層シード層構造を省略したときの前述の４．５％に対して、逆平行ピンド・ボトム・スピン・バルブ・センサの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）が８．２４％となることを発見した。
二層シード層構造は、金属酸化物で作成した第１のシード層、および金属で作成した第２のシード層を含む。第１のシード層は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の第１の読取りギャップ層と境を接し、第２のシード層は第１のシード層とピニング層の間に位置する。金属酸化物は、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、または酸化ニッケル鉄クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）とすることができ、好ましい金属酸化物は酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）である。金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム銅（ＡｌＣｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、または金銅（ＡｕＣｕ）などの金の合金とすることができ、第２のシード層として好ましい材料は銅（Ｃｕ）である。二層シード層は、逆平行ピンド・スピン・バルブ構造で利用することも、単純スピン・バルブ構造で利用することもできる。
【００１５】
発明者は、この二層シード層構造を利用することによって、トップ（top）スピン・バルブ・センサの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）も高めることができることを発見した。トップ・スピン・バルブ・センサでは、スピン・バルブ・センサの各層の順序が逆転し、ピニング層がスピン・バルブ・センサの頂部にあり、自由層がスピン・バルブ・センサの底部にある。この二層シード層構造を用いない場合には、トップ・スピン・バルブ・センサの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は約６．０％であることが分かった。この二層シード層構造を用いた場合には、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は８．０％まで上昇した。
【００１６】
【発明の実施の形態】
磁気ディスク・ドライブ
次に、図面を参照すると、複数の図面を通じて同じ参照番号が同じまたは同様の部分を指すが、図１〜図３には、磁気ディスク・ドライブ３０が示してある。ドライブ３０は、磁気ディスク３４を支持して回転させるスピンドル３２を含む。スピンドル３２は、モータ制御装置３８によって制御されたモータ３６が回転させる。結合された読取りおよび書込み磁気ヘッド４０を備えたスライダ４２は、サスペンション４４およびアクチュエータ・アーム４６によって支持される。大容量の直接アクセス記憶装置（ＤＡＳＤ）では、図３に示すように、複数のディスク、スライダ、およびサスペンションを利用することができる。サスペンション４４およびアクチュエータ・アーム４６は、磁気ヘッド４０が磁気ディスク３４の表面と変換関係（transducing relationship）となるようにスライダ４２を位置決めする。モータ３６によってディスク３４が回転すると、スライダは、ディスク３４の表面と空気軸受表面（ＡＢＳ）４８の間の薄い（通常は０．０５μｍ）空気クッション（空気軸受）上で支持される。このときに、磁気ヘッド４０を利用して、ディスク３４の表面上の複数の円形トラックに情報を書き込み、またそこから情報を読み取ることができる。処理回路５０は、この情報を表す信号をヘッド４０と交換し、モータ駆動信号を提供して磁気ディスク３４を回転させ、制御信号を提供して様々なトラックまでスライダを移動させる。図４に、スライダ４２をサスペンション４４に取り付けた状態で示す。上述の構成部品は、図３に示すように、ハウジングのフレーム５４上に取り付けることができる。
【００１７】
図５は、スライダ４２および磁気ヘッド４０のＡＢＳ図である。スライダは、磁気ヘッド４０を支持する中央レール５６と、サイド・レール５８および６０とを有する。レール５６、５８、および６０は、クロス・レール６２から延びる。磁気ディスク３４の回転に対して、クロス・レール６２がスライダの前縁６４となり、磁気ヘッド４０がスライダの後縁６６となる。
【００１８】
図６は、書込みヘッド部分７０と、本発明のスピン・バルブ・センサ７４を利用した読取りヘッド部分７２とを含む、ピギーバック磁気ヘッド４０の側面断面図である。図８は、図６のＡＢＳ図である。スピン・バルブ・センサ７４は、非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層７６と７８の間に挟まれ、これらの読取りギャップ層は、強磁性の第１および第２の遮蔽層８０と８２の間に挟まれる。外部磁場に応答して、スピン・バルブ・センサ７４の抵抗は変化する。センサを流れるセンス電流Ｉsによって、これらの抵抗の変化は、電位の変化として現れる。次いで、これらの電位の変化は、図３に示す処理回路５０によってリードバック信号として処理される。
【００１９】
磁気ヘッド４０の書込みヘッド部分７０は、第１および第２の絶縁層８６と８８の間に挟まれたコイル層８４を含む。第３の絶縁層９０を利用して、ヘッドを平坦化し、コイル層８４によって引き起こされる第２の絶縁層中のリプルを解消することができる。第１、第２、および第３の絶縁層は、当技術分野では「絶縁スタック」と呼ばれる。コイル層８４、ならびに第１、第２、および第３の絶縁層８６、８８、および９０は、第１および第２の磁極片層９２と９４の間に挟まれる。第１および第２の磁極片層９２および９４は、バック・ギャップ９６で磁気的に結合され、ＡＢＳで書込みギャップ層１０２によって分離された第１および第２の磁極端９８および１００を有する。絶縁層１０３は、第２の遮蔽層８２と第１の磁極片層９２の間に位置する。第２の遮蔽層８２と第１の磁極片層９２が別個の層であるので、このヘッドはピギーバック・ヘッドと呼ばれる。図２および図４に示すように、第１および第２のはんだ接続１０４および１０６は、スピン・バルブ・センサ７４からのリードをサスペンション４４上のリード１１２および１１４に接続し、第３および第４のはんだ接続１１６および１１８は、コイル８４（図８参照）からのリード１２０および１２２を、サスペンション上のリード１２４および１２６に接続する。
【００２０】
図７および図９は、第２の遮蔽層８２と第１の磁極片層９２が共通の層であることを除けば、図６および図８と同様の図である。このタイプのヘッドは、マージ式（merged）磁気ヘッドと呼ばれる。図６および図８のピギーバック・ヘッドの絶縁層１０３は省略される。
【００２１】
図１１は、図６または図８に示す読取りヘッド７２の等角ＡＢＳ図である。読取りヘッド７２は、反強磁性（ＡＦＭ）のピニング層１３２上に位置する本発明のスピン・バルブ・センサ１３０を含む。後述するスピン・バルブ・センサ１３０中の強磁性のピンド層は、ピニング層１３２の磁気スピンによってピニングされた磁気モーメントを有する。第１および第２のハード・バイアス（hard bias）／リード層１３４および１３６が、スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部１３８および１４０に接続される。この接続は、当技術分野では連続接合（contiguous junction）と呼ばれ、米国特許第５０１８０３７号明細書に完全に記載されている。第１のハード・バイアス／リード層１３４は、第１のハード・バイアス層１４０および第１のリード層１４２を含み、第２のハード・バイアス／リード層１３６は、第１のハード・バイアス層１４４および第２のリード層１４６を含む。ハード・バイアス層１４０および１４４は、スピン・バルブ・センサ１３０を通して縦方向に磁場を拡大させ、その中の強磁性自由層の磁区を安定させる。ＡＦＭピニング層１３２と、スピン・バルブ・センサ１３０と、第１および第２のハード・バイアス／リード層１３４および１３６は、非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層１４８と１５０の間に位置する。第１および第２の読取りギャップ層１４８および１５０は、強磁性の第１および第２の遮蔽層１５２と１５４の間に位置する。本発明は、スピン・バルブ・センサの下に、その磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を改善するためのシード層構造を設けるものである。
【００２２】
以下の５つの例では、スピン・バルブ・センサの下にある様々な層、およびスピン・バルブ・センサの各層は、スパッタリング・チャンバ中でイオン・ビーム・スパッタリングで堆積させたものである。様々なターゲットを、低圧のキセノン（Ｘｅ）雰囲気中でイオン・ビーム銃から発出したキセノン（Ｘｅ）イオンでスパッタリングした。ターゲットからスパッタリングされた材料は、基板上に堆積し、層を形成する。
スピン・バルブ・センサが完成した後で、このスピン・バルブ・センサを、所定の期間、磁場の存在下で所定温度でリセットした。逆平行のピンド・スピン・バルブ・センサである例１および例２では、１００００Ｏｅの磁場の存在下で１０分間、温度を２３０℃にした。単純スピン・バルブ・センサである例３〜５では、５００Ｏｅの磁場の存在下で２時間、２３０℃の温度でリセットを行った。それぞれの例で、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）ならびに強磁性結合磁場（ferromagnetic coupling field）（ＨF）を測定した。磁気抵抗（ｄｒ）の変化は、ピニング層と自由層の磁気モーメントが平行であるときの磁気抵抗と、ピニング層と自由層の磁気モーメントが逆平行であるときのスピン・バルブ・センサの磁気抵抗の差である。この値を、ピニング層と自由層の磁気モーメントが平行であるときのスピン・バルブ・センサの抵抗（Ｒ）で割る。
前述の強磁性結合磁場（ＨF）は、ピンド層の磁気モーメントによってピンド層から自由層に及ぼされる磁場である。この磁場はセンサのバイアス点に影響を及ぼすので、１０Ｏｅなど比較的小さく保たなければならない。ここで、バイアス点は、信号磁場がない状態でセンス電流Ｉsをセンサに流したときの、スピン・バルブ・センサの伝達曲線（transfer curve）上の点である。バイアス点は、伝達曲線の中間に位置しなければならず、中間位置から偏位している場合には、読取りセンサは読取り信号の非対称性を有する。読取り信号の非対称性は、読取り信号の減少および記憶能力の低下を意味する。この伝達曲線は、印加される磁場の変化に対する磁気抵抗の変化（ｄｒ）をプロットしたものである。
【００２３】
例１（本発明の第１の比較例）
図１２に示すスピン・バルブ・センサ２００は、本発明の第１の比較例である。スピン・バルブ・センサ２００は、逆平行（ＡＰ）ピンド・タイプのボトム・スピン・バルブ・センサの例である。
スピン・バルブ・センサ２００は、回転する磁気ディスクのトラックからの信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転することができる磁気モーメント２０４を有する強磁性自由層２０２を含む。磁気モーメント２０４は、通常は、図１２の２０４に示すようにＡＢＳと平行に配向される。スピン・バルブ・センサは、第２の方向に配向された磁気モーメント２０８を有する強磁性ピンド層構造２０６も含む。第２の方向は、通常はＡＢＳに対して垂直であり、ＡＢＳから遠ざかるように、またはＡＢＳに近づくように向けることができる。磁気モーメント２０４は回転する磁気ディスクからの信号磁場に応答して自由に回転するが、磁気モーメント２０８はピニングされており、自由に回転することはできない。磁気モーメント２０４が信号磁場によって上向きに（紙面の奥に向かって）回転すると、磁気モーメント２０４と２０８はより逆平行に近くなり、これによりスピン・バルブ・センサの抵抗が大きくなる。磁気モーメント２０４が下向きに、すなわち紙面から手前に向かって回転すると、磁気モーメント２０４と２０８はより平行に近くなり、抵抗が小さくなる。センス電流Ｉs２１０がセンサに流れると、抵抗の変化によってセンス電流回路の電位が変化し、この変化を図３の処理回路５０で処理して、読取り信号を生成する。
【００２４】
非磁性かつ導電性のスペーサ層２１２は、自由層２０２とピンド層構造２０６の間に位置する。反強磁性（ＡＦＭ）ピニング層２１４は、ピンド層構造２０６と境を接し、それと交換結合され、磁気モーメント２０８をＡＢＳに対して垂直にピニングする。ピニング層２１４は、通常は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）である第１の読取りギャップ層（Ｇ１）上に位置することができる。好ましいピンド（pinned）層構造は、図１２に示す逆平行（ＡＰ）ピンド層である。ＡＰピンド層構造は、逆平行結合（ＡＰＣ）層２２２によって分離された、第１の逆平行（ＡＰ１）層２１８および第２の逆平行（ＡＰ２）層２２０を含む。ピニング層２１４と第１の逆平行ピンド層２１８の間の交換結合により、第１の逆平行ピンド層２１８の磁気モーメント２２４は、図１２に示すように、ＡＢＳに対して垂直に、またＡＢＳから遠ざかるようにピニングされる。層２１８と２２０の間に逆平行結合があるので、逆平行ピンド層２２０の磁気モーメント２０８は、第１の逆平行ピンド層２１８の磁気モーメント２２４に対して逆平行となる。
【００２５】
この例では、ピニング層は８０Åのイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第１の逆平行ピンド層２１８は３０Åのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）であり、逆平行結合層２２２は８オングストロームのルテニウム（Ｒｕ）であり、第２の逆平行結合層２２０は２７Åのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）であり、スペーサ層２１２は２２Åの銅（Ｃｕ）であり、自由層２０２は４５Åのニッケル鉄（ＮｉＦｅ）および１５Åのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）である。キャップ層２２６は、自由層を保護するための、自由層２０２上の５０Åのタンタル（Ｔａ）である。
スピン・バルブ・センサ２００をリセットした後で、上述のように、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は４．５％であり、強磁性結合磁場（ＨF）は９Ｏｅであった。イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）のピニング層２１４は読取りギャップおよび熱安定性の改善を促進するが、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は比較的低い。イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）のピニング層２１４と第１の読取りギャップ層２１６の間でタンタル（Ｔａ）のシード層を利用したときには、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は３％から５％の間となった。本発明の目的は、この磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を改善することである。
【００２６】
例２（本発明の第１の実施形態）
図１３のスピン・バルブ・センサ３００は、本発明の第１の実施形態である。スピン・バルブ・センサ３００は、第１の読取りギャップ層２１６とピニング層２１４の間にシード層（ＳＬ）構造３０２が位置することを除けば、図１２のスピン・バルブ・センサ２００と同じである。
シード層構造３０２は、金属酸化物を含む第１のシード層（ＳＬ１）３０４、および非磁性金属を含む第２のシード層（ＳＬ２）３０６を有する。第１のシード層３０４は、第１の読取りギャップ層２１６の上に位置し、これと境を接し、第２のシード層３０６は、第１のシード層３０４およびピニング層２１４と境を接し、これらの間に位置する。この例では、第１のシード層３０４は４０Åの酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、第２のシード層３０６は１０Åの銅（Ｃｕ）である。
【００２７】
ピニング層２１４をリセットした後で、上記で論じたように、スピン・バルブ・センサ３００の磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は８．２４％であり、強磁性結合磁場（ＨF）は６Ｏｅであった。図１３のスピン・バルブ・センサ３００の磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は、図１２のスピン・バルブ・センサ２００の磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）より大幅に改善されている。この改善は、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）の第１のシード層３０４がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）のピニング層２１４の望ましい微細構造を助長したこと、および第２の銅（Ｃｕ）のシード層３１６によって、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）の第１のシード層３０４の酸素がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）と混合することが防止されたこと（この混合はピニングの特性を劣化させることになる）によるものと考えられる。したがって、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）のテクスチャは銅（Ｃｕ）に移植され、銅はこの望ましいテクスチャをイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）に移植する。ただし、途中で、銅（Ｃｕ）が、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）中の酸素がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）と混合し、反応することを防止する。酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）を酸化ニッケル（ＮｉＯ）で置き換えた例でも、同じ結果が得られた。別の例（図示せず）では、第２のシード層３０６にルテニウム（Ｒｕ）を利用した。その結果、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は５％から６％の間となった。さらに別の例（本発明の比較例）（図示せず）では、第１の酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）のシード層３０４を用いずに、銅（Ｃｕ）のシード層を利用したが、これは非常に低い磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を与えた。
【００２８】
例３（本発明の第２の比較例）
図１４に示すスピン・バルブ・センサ４００は、本発明の第２の比較例である。図１４に示すスピン・バルブ・センサ４００は、ピンド層構造が、この例では２４Åのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）である単一の強磁性ピンド層４０２であることを除けば、図１２に示すスピン・バルブ・センサ２００と同じである。ピンド層４０２の磁気モーメント４０４は、ＡＢＳに対して垂直に、またＡＢＳに向かうように示してある。読取りセンサ４００の磁気抵抗（ｄｒ）を決定するのは、磁気モーメント２０４と４０４の間の相対的な回転である。この例では、ピニング層２１４と第１の読取りギャップ層２１６の間にシード層はない。
【００２９】
ピニング層２１４をリセットした後で、上記で論じたように、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は４．０％であり、強磁性結合磁場（ＨF）は８Ｏｅであった。本発明の目的は、この磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を改善することである。
【００３０】
例４（本発明の第２の実施形態）
図１５のスピン・バルブ・センサ５００は、本発明の第２の実施形態である。このスピン・バルブ・センサは、第１の読取りギャップ層２１６とピニング層２１４の間でシード層構造５０２を利用していることを除けば、図１４のスピン・バルブ・センサ４００と同じである。シード層構造５０２は、金属酸化物の第１のシード層（ＳＬ１）５０４を含み、第２のシード層（ＳＬ２）５０６は非磁性金属である。このセンサでは、第１のシード層５０４は４０Åの酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、第２のシード層は１０Åの銅（Ｃｕ）である。第１のシード層５０４は第１の読取りギャップ層２１６と境を接し、その上に位置し、第２のシード層５０６は、第１のシード層５０４とピニング層２１４の間に位置し、そのそれぞれと境を接する。
【００３１】
スピン・バルブ・センサ５００をリセットした後で、上記で論じたように、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は５．６％であり、強磁性結合磁場（ＨF）は０．１Ｏｅであった。本発明の第２の実施形態の磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は、図１４に示す例３（第２の比較例）のスピン・バルブ・センサ４００の磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）より大幅に高い。
【００３２】
例５（本発明の第３の実施形態）
図１６のスピン・バルブ・センサ６００は、本発明の第３の実施形態である。スピン・バルブ・センサ６００は、トップ・スピン・バルブ・センサの例である。
スピン・バルブ・センサ６００は、強磁性ピンド層構造（Ｐ）６０４と強磁性自由層（Ｆ）構造６０６の間に非磁性かつ導電性のスペーサ層（Ｓ）６０２が位置する、トップ・スピン・バルブ・センサである。自由層構造は、４５Åのニッケル鉄（ＮｉＦｅ）および１５Åのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）を含む。ピンド層構造６０４は、図１６に示す単一の強磁性層にすることも、図１３に示す逆平行（ＡＰ）ピンド層構造２０６にすることもできる。反強磁性（ＡＦＭ）ピニング層６１０は、ピンド層構造６０４に交換結合され、キャップ層６１２は、ピニング層６１０上に、それを保護するために位置する。この例では、スペーサ層６０２は２２Åの銅（Ｃｕ）であり、ピンド層構造６０４は２４Åのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）であり、ピニング層６１０は８０Åのイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、キャップ層６１２は５０Åのタンタル（Ｔａ）である。
【００３３】
第１のシード層（ＳＬ１）６１６および第２のシード層（ＳＬ２）６１８を有する二層シード層構造６１４はスピン・バルブ・センサの底部に位置し、第１のシード層６１６は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の第１のギャップ層（Ｇ１）６１８上にあり、第２のシード層６１８は第１のシード層６１６と自由層６０６の間に位置する。
図１６に示すスピン・バルブ・センサ６００は、二層シード層構造６１４を用いない場合（本発明の比較例）には、６．０％の磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を有する。図１６に示すように二層シード層構造６１４を用いた場合（本発明の第３の実施形態）には、このスピン・バルブ・センサの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は８．０％である。トップ・スピン・バルブ中の二層シード層構造６１４は、図１３および図１５に示すボトム・スピン・バルブ中の二層シード層構造と同様に機能すると考えられる。酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）の第１のシード層６１６は、その上に堆積したスピン・バルブ・センサの層に望ましいテクスチャを提供し、銅（Ｃｕ）の第２のシード層６１８は、第１のシード層６１６中の酸素がその上の層と混合することを防止する。このテクスチャが確立された後で、自由層６０６ならびにその上のスピン・バルブ・センサの各層は、ピニング層６１０まで、この望ましいテクスチャを複製するものと考えられる。
【００３４】
観察
好ましいボトム・スピン・バルブ・センサは、図１３に示す本発明の第１の実施形態である逆平行（ＡＰ）ピンド・タイプのスピン・バルブ・センサ３００である。図１３に示す第１の逆平行層２１８とピニング層２１４の間の交換結合磁場は、図１５の単層ピンド層４０２とピニング層２１４の間の交換結合磁場より大幅に大きい。交換結合磁場は、ｔをピンド層構造の有効厚さとすると、１／ｔに比例する。図１３のピンド層構造２０６の有効磁気厚さは、第１および第２の逆平行ピンド層２１８および２２０の厚さの差である。図１５のピンド層４０２では有効磁気厚さが２４Åであるのに対して、この差は３Åである。ピニング磁場（ＨP）は、交換結合を有効磁気厚さで割ったものに等しい。したがって、図１３のピニング層２１４と逆平行ピンド層２１８の間のピニング磁場（ＨP）は、交換結合磁場を３で割ったものであり、図１５のピニング層２１４とピンド層４０２の間のピニング磁場（ＨP）は、交換結合磁場を２４で割ったものである。したがって、図１３に示すスピン・バルブ・センサ３００のピニング磁場（ＨP）は、図１５に示すスピン・バルブ・センサ５００に比べて８倍増強されている。ただし、リセットのために、逆平行ピンド層２１８および２２０の一方の厚さがもう一方の逆平行ピンド層より厚いことが重要である。図１３の逆平行ピンド層２１８および２２０の厚さが逆になった場合でも、同等の交換結合磁場およびピニング磁場が得られる。
【００３５】
好ましいトップ・スピン・バルブ・センサは、図１６に示す本発明の第３の実施形態であるスピン・バルブ・センサ６００である。上記で述べたように、図１６のピンド層構造６０４は、単一の強磁性層にすることも、図１３の２０６に示す構造などの逆平行（ＡＰ）強磁性ピンド層構造にすることもできる。ＡＰピンド層構造は、ボトム・スピン・バルブ・センサについて上述した利点と同じ利点を有する。
【００３６】
第１のシード層３０４の酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）は、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化インジウムマンガン（ＩｒＭｎＯ）、および酸化ニッケル鉄クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）も含む金属酸化物のクラスからとったものである。好ましい金属酸化物は酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）である。第２のシード層３０６は、銅（Ｃｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびその合金を含むクラスからとった非磁性金属である。これらの非磁性金属は、六方最密（ＨＣＰ）構造のルテニウム（Ｒｕ）以外は、面心立方（ＦＣＣ）構造である。第２のシード層３０６は、銅（Ｃｕ）であることが好ましい。第１および第２のシード層３０４および３０６は、可能な限り薄く保たれるものとする。銅（Ｃｕ）のシード層３０６の厚さを修正して、自由層のバイアスを改善することができる。第１のシード層の好ましい厚さは４０Åであり、第２のシード層３０６の好ましい厚さは１０Åである。ただし、本発明の広義の概念では、第１のシード層の厚さは２０Å〜５００Åの範囲に及ぶことができ、第２のシード層の厚さは５Å〜５０Åの範囲に及ぶことができる。第１の読取りギャップ（Ｇ１）は、完全に第１のシード層からなることも、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の層を含むこともある。コバルト鉄（ＣｏＦｅ）の層をコバルト（Ｃｏ）にすることもできること、およびコバルト（Ｃｏ）の層をコバルト鉄（ＣｏＦｅ）にすることもできることを理解されたい。
【００３７】
本発明の趣旨を逸脱することなく、これらの例の様々な層の磁気モーメントならびにセンス電流Ｉsの方向を逆にすることができることを理解されたい。
【００３８】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００３９】
（１）信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、逆平行結合層によって分離された、第１の逆平行層および第２の逆平行層を含む強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造と
を含む磁気読取りヘッドであって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）またはルテニウム（Ｒｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置する、
磁気読取りヘッド。
（２）信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造と
を含む磁気読取りヘッドであって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置する、
磁気読取りヘッド。
（３）信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、単一の強磁性層である強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造と
を含む磁気読取りヘッドであって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、自由層が、第２のシード層とスペーサ層の間に位置し、前記第２のシード層と前記ピニング層との間が、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）とコバルト鉄（ＣｏＦｅ）と銅（Ｃｕ）とから形成された、
磁気読取りヘッド。
（４）スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された、第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ非導電性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１および第２の遮蔽層と
を含む磁気読取りヘッドであって、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が第１および第２の遮蔽層の間に位置する、
（１）ないし（３）のいずれかに記載の磁気読取りヘッド。
（５）第１のシード層が、４０Åの厚さを有する、（１）ないし（４）のいずれかに記載の磁気読取りヘッド。
（６）第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）である、（１）に記載の磁気読取りヘッド。
（７）読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、逆平行結合層によって分離された、第１の逆平行層および第２の逆平行層を含む強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、およびピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）またはルテニウム（Ｒｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置し、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する、磁気ヘッド・アセンブリ。
（８）読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、およびピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置し、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する、磁気ヘッド・アセンブリ。
（９）読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、単一の強磁性層である強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、およびピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、自由層が、第２のシード層とスペーサ層の間に位置し、前記第２のシード層と前記ピニング層との間が、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）とコバルト鉄（ＣｏＦｅ）と銅（Ｃｕ）とから形成され、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する、磁気ヘッド・アセンブリ。
（１０）第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）である、（７）に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
（１１）強磁性の第２の遮蔽層、および
非磁性の分離層をさらに含む読取りヘッドであって、
分離層が第２の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する読取りヘッド
を含む、（７）ないし（１０）のいずれかに記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
（１２）読取りヘッドおよび書込みヘッドを含む少なくとも１つの磁気ヘッド・アセンブリを支持する空気軸受表面（ＡＢＳ）を備えた少なくとも１つのスライダを有する磁気ディスク・ドライブであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、逆平行結合層によって分離された、第１の逆平行層および第２の逆平行層を含む強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、およびピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）またはルテニウム（Ｒｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置し、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が、第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置し、
さらに、ハウジングと、
ハウジング中で回転自在に支持された磁気ディスクと、
ハウジング中に取り付けられ、磁気ヘッド・アセンブリが磁気ディスクと変換関係となるようにＡＢＳを磁気ディスクに向けた状態で磁気ヘッド・アセンブリを支持するための支持体と、
磁気ディスクを回転させる手段と、
支持体に接続され、磁気ヘッド・アセンブリを前記磁気ディスクに対して複数の位置に移動させるための位置決め手段と、
磁気ヘッド・アセンブリ、磁気ディスクを回転させる手段、および位置決め手段に接続された、磁気ヘッド・アセンブリと信号を交換し、磁気ディスクの回転を制御し、磁気ヘッド・アセンブリの位置を制御するための処理手段と
を含む磁気ディスク・ドライブ。
（１３）読取りヘッドおよび書込みヘッドを含む少なくとも１つの磁気ヘッド・アセンブリを支持する空気軸受表面（ＡＢＳ）を備えた少なくとも１つのスライダを有する磁気ディスク・ドライブであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、およびピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第２のシード層とピンド層構造の間に位置し、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が、第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置し、
さらに、ハウジングと、
ハウジング中で回転自在に支持された磁気ディスクと、
ハウジング中に取り付けられ、磁気ヘッド・アセンブリが磁気ディスクと変換関係となるようにＡＢＳを磁気ディスクに向けた状態で磁気ヘッド・アセンブリを支持するための支持体と、
磁気ディスクを回転させる手段と、
支持体に接続され、磁気ヘッド・アセンブリを前記磁気ディスクに対して複数の位置に移動させるための位置決め手段と、
磁気ヘッド・アセンブリ、磁気ディスクを回転させる手段、および位置決め手段に接続された、磁気ヘッド・アセンブリと信号を交換し、磁気ディスクの回転を制御し、磁気ヘッド・アセンブリの位置を制御するための処理手段と
を含む磁気ディスク・ドライブ。
（１４）読取りヘッドおよび書込みヘッドを含む少なくとも１つの磁気ヘッド・アセンブリを支持する空気軸受表面（ＡＢＳ）を備えた少なくとも１つのスライダを有する磁気ディスク・ドライブであって、
前記書込みヘッドが、
第１および第２の磁極片層と、
第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層と、
第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックとを含み、
第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、
第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、
前記読取りヘッドが、
信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、単一の強磁性層である強磁性ピンド層、
自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、およびピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサと、
第１および第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であり、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構造とを有し、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であり、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、自由層が、第２のシード層とスペーサ層の間に位置し、前記第２のシード層と前記ピニング層との間が、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）とコバルト鉄（ＣｏＦｅ）と銅（Ｃｕ）とから形成され、
前記読取りヘッドがさらに、
スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１および第２のハード・バイアス／リード層と、
非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、
二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャップ層の間に位置し、
第１および第２の読取りギャップ層が、第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置し、
さらに、ハウジングと、
ハウジング中で回転自在に支持された磁気ディスクと、
ハウジング中に取り付けられ、磁気ヘッド・アセンブリが磁気ディスクと変換関係となるようにＡＢＳを磁気ディスクに向けた状態で磁気ヘッド・アセンブリを支持するための支持体と、
磁気ディスクを回転させる手段と、
支持体に接続され、磁気ヘッド・アセンブリを前記磁気ディスクに対して複数の位置に移動させるための位置決め手段と、
磁気ヘッド・アセンブリ、磁気ディスクを回転させる手段、および位置決め手段に接続された、磁気ヘッド・アセンブリと信号を交換し、磁気ディスクの回転を制御し、磁気ヘッド・アセンブリの位置を制御するための処理手段と
を含む磁気ディスク・ドライブ。
（１５）第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）である、（１２）に記載の磁気ディスク・ドライブ。
（１６）強磁性の第２の遮蔽層と、
非磁性の分離層とをさらに含む読取りヘッドを含み、
分離層が第２の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する
（１２）ないし（１５）のいずれかに記載の磁気ディスク・ドライブ。
（１７）信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、逆平行結合層によって分離された、第１の逆平行層および第２の逆平行層を含む強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む磁気読取りヘッドを作成する方法であって、
金属酸化物の第１のシード層を形成するステップと、
第１のシード層の上に、非磁性金属の第２のシード層を形成するステップと、
第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するように、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成するステップと
を含み、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）から形成され、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）またはルテニウム（Ｒｕ）から形成され、
ピニング層が第２のシード層とピンド層構造の間にイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）から形成される方法。
（１８）信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む磁気読取りヘッドを作成する方法であって、
金属酸化物の第１のシード層を形成するステップと、
第１のシード層の上に、非磁性金属の第２のシード層を形成するステップと、
第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するように、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成するステップと
を含み、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）から形成され、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）から形成され、
ピニング層が第２のシード層とピンド層構造の間にイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）から形成される方法。
（１９）信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、単一の強磁性層である強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む磁気読取りヘッドを作成する方法であって、
金属酸化物の第１のシード層を形成するステップと、
第１のシード層の上に、非磁性金属の第２のシード層を形成するステップと、
第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するように、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成するステップと
を含み、
第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）から形成され、
第２のシード層が銅（Ｃｕ）から形成され、
ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）から形成され、自由層が、第２のシード層とスペーサ層の間に位置し、前記第２のシード層と前記ピニング層との間が、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）とコバルト鉄（ＣｏＦｅ）と銅（Ｃｕ）とから形成される方法。
（２０）第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）から形成される、（１７）に記載の方法。
（２１）信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、逆平行結合層によって分離された、第１の逆平行層および第２の逆平行層を含む強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）からなり、ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリを作成する方法であって、
強磁性の第１の遮蔽層を形成し、
第１の遮蔽層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第１の読取りギャップ層を形成し、
第１の読取りギャップ層の上に、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）からなる第１のシード層を形成し、
第１のシード層の上に、銅（Ｃｕ）またはルテニウム（Ｒｕ）からなる第２のシード層を形成し、
ピニング層が第２のシード層とピンド層構造の間に形成され、第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するようにして、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成することによって、
読取りヘッドを作成するステップと、
第１および第２のハード・バイアス／リード層を、スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続するステップと、
スピン・バルブ・センサと第１および第２のハード・バイアス／リード層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第２の読取りギャップ層を形成するステップと、
第２の読取りギャップ層の上に、磁極端領域とバック・ギャップ領域の間に位置するヨーク領域を有する強磁性の第１の磁極片層を形成し、
少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックを、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
非磁性かつ電気絶縁性の書込みギャップ層を、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
書込みギャップ層および絶縁スタックの上に、バック・ギャップ領域中で第１の磁極片層に接続された強磁性の第２の磁極片層を形成することによって、
書込みヘッドを形成するステップと
を含む方法。
（２２）信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）からなり、ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリを作成する方法であって、
強磁性の第１の遮蔽層を形成し、
第１の遮蔽層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第１の読取りギャップ層を形成し、
第１の読取りギャップ層の上に、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）からなる第１のシード層を形成し、
第１のシード層の上に、銅（Ｃｕ）からなる第２のシード層を形成し、
ピニング層が第２のシード層とピンド層構造の間に形成され、第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するようにして、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成することによって、
読取りヘッドを作成するステップと、
第１および第２のハード・バイアス／リード層を、スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続するステップと、
スピン・バルブ・センサと第１および第２のハード・バイアス／リード層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第２の読取りギャップ層を形成するステップと、
第２の読取りギャップ層の上に、磁極端領域とバック・ギャップ領域の間に位置するヨーク領域を有する強磁性の第１の磁極片層を形成し、
少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックを、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
非磁性かつ電気絶縁性の書込みギャップ層を、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
書込みギャップ層および絶縁スタックの上に、バック・ギャップ領域中で第１の磁極片層に接続された強磁性の第２の磁極片層を形成することによって、
書込みヘッドを形成するステップと
を含む方法。
（２３）信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有し、単一の強磁性層である強磁性ピンド層構造、
自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペーサ層、および
イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）からなり、ピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合された反強磁性ピニング層
を含むスピン・バルブ・センサを含む読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリを作成する方法であって、
強磁性の第１の遮蔽層を形成し、
第１の遮蔽層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第１の読取りギャップ層を形成し、
第１の読取りギャップ層の上に、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）からなる第１のシード層を形成し、
第１のシード層の上に、銅（Ｃｕ）からなる第２のシード層を形成し、
自由層が、第２のシード層とスペーサ層の間に位置し、前記第２のシード層と前記ピニング層との間が、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）とコバルト鉄（ＣｏＦｅ）と銅（Ｃｕ）とから形成され、第２のシード層が第１のシード層と前記スピン・バルブ・センサの間に位置するようにして、第２のシード層の上に前記スピン・バルブ・センサを形成することによって、
読取りヘッドを作成するステップと、
第１および第２のハード・バイアス／リード層を、スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続するステップと、
スピン・バルブ・センサと第１および第２のハード・バイアス／リード層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第２の読取りギャップ層を形成するステップと、
第２の読取りギャップ層の上に、磁極端領域とバック・ギャップ領域の間に位置するヨーク領域を有する強磁性の第１の磁極片層を形成し、
少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁スタックを、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
非磁性かつ電気絶縁性の書込みギャップ層を、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、
書込みギャップ層および絶縁スタックの上に、バック・ギャップ領域中で第１の磁極片層に接続された強磁性の第２の磁極片層を形成することによって、
書込みヘッドを形成するステップと
を含む方法。
（２４）第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）から形成される、（２１）に記載の方法。
（２５）読取りヘッドを作成するステップが、
第２の読取りギャップ層の上に強磁性の第２の遮蔽層を形成するステップと、
第２の遮蔽層と第１の磁極片層の間に分離層が位置するように、第２の遮蔽層の上に非磁性の分離層を形成するステップと
をさらに含む、（２１）ないし（２４）のいずれかに記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】例示的な磁気ディスク・ドライブを示す平面図である。
【図２】平面２−２から見たディスク・ドライブの磁気ヘッドを備えたスライダを示す端面図である。
【図３】複数のディスクおよび磁気ヘッドを利用した磁気ディスク・ドライブを示す正面図である。
【図４】スライダおよび磁気ヘッドを支持するための例示的なサスペンション・システムを示す等角図である。
【図５】図２の平面５−５に沿ってとった磁気ヘッドのＡＢＳ図である。
【図６】図２の平面６−６から見たスライダおよびピギーバック磁気ヘッドを示す部分図である。
【図７】図２の平面７−７から見たスライダおよびマージ式磁気ヘッドを示す部分図である。
【図８】ピギーバック磁気ヘッドの読取りエレメントおよび書込みエレメントを示す、図６の平面８−８に沿ってとったスライダの部分ＡＢＳ図である。
【図９】マージ式磁気ヘッドの読取りエレメントおよび書込みエレメントを示す、図７の平面９−９に沿ってとったスライダの部分ＡＢＳ図である。
【図１０】コイルの上の全ての材料およびリードを取り除いた、図６または図７の平面１０−１０に沿ってとった図である。
【図１１】ＡＰピンド・スピン・バルブ（ＳＶ）センサを利用した読取りヘッドを示す等角ＡＢＳ図である。
【図１２】ピンド層構造がピニング層と境を接する、本発明の第１の比較例である発明者が研究するスピン・バルブ・センサの第１の例を示すＡＢＳ図である。
【図１３】ピニング層と第１の読取りギャップ層との間で二層シード層を利用した、本発明の第１の実施形態であるスピン・バルブ・センサの第２の例を示すＡＢＳ図である。
【図１４】単層ピンド層がピニング層と境を接する、本発明の第２の比較例である発明者が研究するスピン・バルブ・センサの第３の例を示すＡＢＳ図である。
【図１５】ピニング層と第１の読取りギャップ層との間で二層シード層を利用した、本発明の第２の実施形態であるスピン・バルブ・センサの第４の例を示すＡＢＳ図である。
【図１６】第１のギャップ層とトップ・スピン・バルブ・センサの自由層との間で二層シード層を利用した、本発明の第３の実施形態であるスピン・バルブ・センサの第５の例を示すＡＢＳ図である。
【符号の説明】
２０２  強磁性自由層
２０４  磁気モーメント
２０６  強磁性ピンド層構造
２０８  磁気モーメント
２１０  センス電流
２１２  スペーサ層
２１４  ピニング層
２１６  第１の読取りギャップ層
２１８  第１の逆平行ピンド層
２２０  第２の逆平行ピンド層
２２２  逆平行結合層
２２４  磁気モーメント
２２６  キャップ層
３００  スピン・バルブ・センサ
３０２  二層シード層構造
３０４  第１のシード層
３０６  第２のシード層
【図１】
0003717751.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0003717751.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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