(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上および樹脂型上に金属薄膜を形成する工程と、
前記基板上の金属薄膜と前記樹脂型上の金属薄膜とを接触させて厚さ方向に加圧することにより金属薄膜の表層にある汚染層を破壊して接合し樹脂型積層体を形成する工程と、
前記樹脂型積層体の空孔部に電鋳により金属層を形成する工程と、
からなる金属微細構造体の製造方法。
【請求項２】
前記金属薄膜を形成する工程は、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングまたは化学蒸着のいずれかにより行なう請求項１記載の金属微細構造体の製造方法。
【請求項３】
前記金属薄膜を形成する工程は、電気メッキまたは無電解メッキのいずれかにより行なう請求項１記載の金属微細構造体の製造方法。
【請求項４】
前記基板上の金属薄膜を構成する金属と前記樹脂型上の金属薄膜を構成する金属との格子定数の差が２０％以下である請求項１記載の金属微細構造体の製造方法。
【請求項５】
前記金属薄膜の表層にある汚染層を破壊して接合し樹脂型積層体を形成する工程は、１０〜１０００ｋＨｚの超音波または２００℃以下の局所加熱のいずれか一つまたは両方により行なう請求項１記載の金属微細構造体の製造方法。
【請求項６】
前記基板上の金属薄膜を構成する金属と前記金属微細構造体を構成する金属との格子定数の差が５％以下である請求項１記載の金属微細構造体の製造方法。
【請求項７】
前記基板上の金属薄膜を構成する金属と前記樹脂型上の金属薄膜を構成する金属との格子定数の差が２０％以下であり、前記基板上の金属薄膜を構成する金属と前記金属微細構造体を構成する金属との格子定数の差が５％以下である請求項１記載の金属微細構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマイクロマシンなどに使用する金属微細構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロマシンなどに使用する金属微細構造体を製造する上で、ダイレクトＬＩＧＡ（Lithographie Galvanoformung Abformung）法は有益な方法である。ダイレクトＬＩＧＡ法は数１００μｍの高さの構造体の製造やミクロン領域の精度を有する加工が可能であり、高いアスペクト比を有する金属微細構造体を容易に製造することができ、広範な分野での応用が期待されている。
【０００３】
ダイレクトＬＩＧＡ法により金属微細構造体を製造するには、導電性基板上に形成したレジスト膜に対し、所定の形状パターンを有する吸収体マスクを介してＳＲ（Synchrotron Radiation）光などのＸ線を照射し、吸収体マスクの形状パターンに応じたレジスト構造体としての樹脂型を有する樹脂型積層体を形成する。つづいて電鋳により樹脂型積層体の空孔部に金属層を形成した後、樹脂型と基板を取り除き、目的とする金属微細構造体を製造する。
【０００４】
したがって、製造できる金属微細構造体の個数は樹脂型の個数と同じであり、ダイレクトＬＩＧＡ法によるときは、得られる金属微細構造体の個数は吸収体マスク内に入る個数と照射回数により制限されるため金属微細構造体の大量生産には限界があり、たとえば４インチのウェハを用いた場合に１回の照射で製造できる金属微細構造体は数１０個から数１０００個程度までである。また、ＳＲ光などのＸ線を用いるダイレクトＬＩＧＡ法と同様のプロセスにより電子線や紫外線を用いることもでき、紫外線を用いる場合は電子線を用いる場合に比べて照射回数を多くすることができるが、紫外線は電子線よりも波長が長く、指向性も小さいため、それだけ大きく光が回折する結果、樹脂型のコーナーエッジが丸くなったり、深さ方向に光が発散したりする傾向があり、シャープな形状が要求される金属微細構造体を製造することが困難である。
【０００５】
金属微細構造体を製造する方法には、このようなダイレクトＬＩＧＡ法のほかに、微細金型を用いて射出成形や反応性射出成形などのモールドにより樹脂型を製造し、この樹脂型を導電性基板に貼り付けて樹脂型積層体を形成した後、電鋳により樹脂型積層体の空孔部に金属層を形成し、つづいて樹脂型と基板を取り除き、目的とする金属微細構造体を製造する方法がある。この方法によれば、たとえばダイレクトＬＩＧＡ法により製造した金属微細構造体を金型として用い、１個の金型から多数の樹脂型を製造することができるため、金属微細構造体を大量に製造することができる。またダイレクトＬＩＧＡ法に比べて照射工程を含まないためコストや製造時間の点で有利であるが、樹脂型を導電性基板上に堅固に固定しておかなければ、その後の工程において樹脂型と基板との間で寸法の変化が生じ、製造される金属微細構造体の精度が落ちやすい。
【０００６】
樹脂型を導電性基板上に固定する方法としては、接着剤により接合する方法があるが、接着剤により接合した場合には、余剰の接着剤が樹脂型積層体の空孔部に流れ込み、電鋳が不十分になったり、形成される金属層にムラが生じたりする。このため、接合後、電鋳前に空孔部内に流れ込んだ接着剤を溶剤で除去したり、ドライエッチングで除去したりするなどの処理が必要となり、除去の条件が厳し過ぎると樹脂型までダメージを被ることになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、コーナーエッジが鋭く、深さ方向の垂直性に優れた金属微細構造体を大量に製造することができる方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明のさらなる目的は、樹脂型と基板との強い接合が得られ、かつ樹脂型積層体の形成後に空孔部内の接着剤を除去する工程を必要としない金属微細構造体の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の金属微細構造体の製造方法は、基板上および樹脂型上に金属薄膜を形成する工程と、基板上の金属薄膜と樹脂型上の金属薄膜とを接触させて厚さ方向に加圧することにより金属薄膜の表層にある汚染層を破壊して接合し樹脂型積層体を形成する工程と、樹脂型積層体の空孔部に電鋳により金属層を形成する工程と、からなる。
【００１０】
金属薄膜を形成する工程は、ドライ方式によるときは真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングまたは化学蒸着のいずれかにより行なうことが好ましく、ウェット方式によるときは電気メッキまたは無電解メッキのいずれかにより行なうことが好ましい。
【００１１】
基板上の金属薄膜を構成する金属と樹脂型上の金属薄膜を構成する金属との格子定数の差は２０％以下であることが好ましい。
【００１２】
金属薄膜の表層にある汚染層を破壊して接合し樹脂型積層体を形成する工程は、１０〜１０００ｋＨｚの超音波や２００℃以下の局所加熱により行なうことが好ましい。
【００１３】
基板上の金属薄膜を構成する金属と金属微細構造体を構成する金属との格子定数の差は５％以下であることが好ましい。
【００１４】
また、基板上の金属薄膜を構成する金属と樹脂型上の金属薄膜を構成する金属との格子定数の差が２０％以下であり、基板上の金属薄膜を構成する金属と金属微細構造体を構成する金属との格子定数の差が５％以下であるとより好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の金属微細構造体の製造方法は、基板上および樹脂型上に金属薄膜を形成する工程と、基板上の金属薄膜と樹脂型上の金属薄膜とを接触させて厚さ方向に加圧することにより金属薄膜の表層にある汚染層を破壊して接合し樹脂型積層体を形成する工程と、樹脂型積層体の空孔部に電鋳により金属層を形成する工程と、からなることを特徴とする。
【００１６】
本発明の金属微細構造体の製造方法について、図１（ａ）〜（ｆ）に、一実施の形態を概略的に示す。
【００１７】
基板上および樹脂型上に金属薄膜を形成する工程では、図１（ａ）に示す基板１１と樹脂型１２とに金属薄膜を形成する。金属薄膜形成後の状態を図１（ｂ）に示す。基板１１の上面に金属薄膜１３ｂが形成され、樹脂型１２の下面に金属薄膜１３ａが形成されている。本発明では、つぎの工程で基板１１と樹脂型１２とが金属薄膜１３を介して接合され樹脂型積層体が形成されるので、金属薄膜の厚さは０．０１〜１０μｍが好ましい。０．０１μｍより薄いと十分な接合強度が得られず、一方１０μｍより厚いと、接合強度が大きくならないにもかかわらず、薄膜形成に時間がかかる。
【００１８】
金属薄膜を形成する方式としてはドライ方式とウェット方式とがある。
ドライ方式は、基板と樹脂型とを金属薄膜を介して接合する際に最も問題となる金属薄膜上の不純物の量を低く抑えることができる点で有利な方式である。一方ドライ方式は高価な設備が必要であり、また少数の金属薄膜についてのバッチ生産になるという問題がある。この点でウェット方式は大量の金属薄膜を安価に形成することができる有利な方式である。
【００１９】
ドライ方式としては真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングまたは化学蒸着が好ましい。
【００２０】
真空蒸着は、１０-2Ｐａ以下の真空中で、蒸発源を加熱し蒸発させることにより蒸発した材料を基板上に堆積させて薄膜を形成する方法であり、装置および取扱いが比較的簡単であり、薄膜および基板の材料は自由に選択でき、成膜速度が大きくかつ厚い膜も形成できる点で好ましい。真空蒸着では基板と薄膜との結合力が小さいという欠点があるが、基板温度を高くする方法やイオンビームを併用するなどの方法により結合力を強くすることができる。
【００２１】
スパッタリングは、真空容器内に導入したＡｒやＮｅなどの不活性ガスをイオン化し、そのイオンを金属などからなるターゲットに衝突させて、金属の原子などを中性状態で弾き出し、弾き出した金属の粒子を基板上に堆積させて成膜する方法であり、いろいろな種類の材料で成膜することができ、また基板と薄膜との結合力も大きい点で好ましい。
【００２２】
イオンプレーティングは、電界により発生したプラズマを利用し、蒸発源から発生した蒸発粒子をイオン化し、または励起して、負の電圧を印加した基板上に付着、堆積させる方法であり、基板と薄膜との結合力が真空蒸着より大きい点で好ましく、また薄膜の反応性および結晶性がよい点でも好ましい。
【００２３】
化学蒸着（ＣＶＤ；chemical vapor deposition）は、薄膜材料のガスを基板上に供給し、基板表面で熱、プラズマまたは光の作用により分解、還元、酸化、窒化などの化学反応を起こさせた後、基板上に付着、成膜させる方法であり、広範囲にわたる材料をその材料の融点よりもはるかに低い温度で成膜することができ、また基板と薄膜との結合力も大きい点で好ましい。
【００２４】
ウェット方式としては電気メッキまたは無電解メッキが好ましい。
電気メッキは、基板を電解浴に浸漬し、これをカソードとして、適当なアノードとの間に直流電流を通じ、電解浴中の金属イオンを電解還元することにより、基板の表面に金属薄膜を形成する方法であり、イオンプレーティングなどのドライ方式よりも処理速度が速い点で好ましい。
【００２５】
無電解メッキは、金属イオンを含む水溶液に還元剤としてホルムアルデヒド、次亜リン酸ナトリウムまたは水素化ホウ素ナトリウムなどを加えたメッキ浴に、脱脂などの前処理を施した基板を浸漬し、電流を流すことなく９０〜１００℃に加熱することによりメッキする方法であり、析出速度は電気メッキより遅いが、非導電体にもメッキが可能である点、さらに薄膜の均一性が優れている点でも好ましい。
【００２６】
金属薄膜を構成する金属としては、次工程の接合において十分な反応性を示す金属であることが必要であり、不動態膜を形成しない金属が好ましい。このような金属にはＣｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈなどがある。不動態膜とは、金属の表面に形成される薄くて緻密な酸化物またはオキシ水酸化物の膜をいい、不動態膜が形成されると、熱力学的平衡条件から見れば反応が進行可能であっても、反応が事実上停止する。
【００２７】
基板上の金属薄膜を構成する金属と樹脂型上の金属薄膜を構成する金属との格子定数の差は２０％以下であることが好ましく、１０％以下であるとより好ましく、同種の金属であるとさらに好ましい。両者の格子定数の差が２０％より大きくなると、結晶構造のずれが大きくなって接合しにくくなり、接合しても接合強度が低下する傾向にある。結晶の単位格子の３つの稜の長さをａ、ｂ、ｃとし、ａ軸とｂ軸のなす角をγ、ｂ軸とｃ軸のなす角をα、ｃ軸とａ軸のなす角をβとするとき、これらの６つの定数を格子定数というが、格子定数の差が２０％以下であるとは、比較する２種類の金属について、６つの格子定数のうち対応する格子定数の差がどの格子定数においても２０％以下であることをいう。
【００２８】
基板上の金属薄膜を構成する金属と金属微細構造体を構成する金属との格子定数の差は５％以下であることが好ましい。金属微細構造体は電鋳により数１０〜数１００μｍ厚さ形成されるが、基板上の金属薄膜を構成する金属と金属微細構造体を構成する金属との格子定数の差が５％より大きいと、金属微細構造体中の電鋳開始部分と電鋳終了部分とで金属の配向や粒径サイズが異なり、金属微細構造体がバイメタル構造に近い物性を示すようになる傾向があるからである。
【００２９】
したがって、基板上の金属薄膜を構成する金属と樹脂型上の金属薄膜を構成する金属との格子定数の差が２０％以下であり、かつ基板上の金属薄膜を構成する金属と金属微細構造体を構成する金属との格子定数の差が５％以下であるとより好ましい。
【００３０】
基板としては、導電性の基板を使用することができる。基板の厚さは、用途によって異なり、数１０μｍ程度の薄いものから数ｍｍ程度の厚いものまであり、特に限定されるものではない。導電性の基板の材質としては、ＳＵＳ、Ａｌ、Ｃｕなどがある。また、導電性基板として、Ｓｉ、ガラス、セラミックス、プラスチックなどの非導電性の基板の上に導電性層をスパッタリングなどにより形成した積層体を導電性の基板として使用することもできる。また、導電性を有する基板上に金属薄膜を付したものも使用できる。
【００３１】
図１（ａ）には、樹脂型として、深さ方向に貫通した空孔を有するものを示しているが、樹脂型を基板に接合した後、接合面の反対側を研磨して開口させた樹脂型積層体も使用することができる。樹脂型の材質は、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂などである。
【００３２】
本発明においては、図１（ｂ）に示すとおり、基板１１上の金属薄膜１３ｂと樹脂型１２上の金属薄膜１３ａとを接触させて厚さ方向に加圧することにより金属薄膜の表層にある酸化膜や吸着膜などの汚染層を破壊して接合し、図１（ｃ）に示す樹脂型積層体２を形成する。すなわち、本発明においては、基板上の金属薄膜および樹脂型上の金属薄膜を溶融することなく固相状態のまま接合する固相接合法により基板上に樹脂型を固定する。固相接合法は、接触界面近傍における塑性変形により、両面を密着させ、拡散による原子の移動を利用して接合する。基板と樹脂型を接着剤により接合する場合は、樹脂型積層体の空孔部に余剰の接着剤が流れ込むため、空孔部に均一な金属層を形成する目的で、電鋳前に空孔部に流れ込んだ接着剤を除去する必要があるが、本発明では固相接合法を採用するから、空孔部はきれいな状態にあり、電鋳前に接着剤を除去する作業は不要である。また、接着剤で接合する場合は、接着剤中に溶剤が含まれているため、乾燥後、完全な接触体が得られず、本発明では固相接合法によるから、溶剤を含まず、完全な接触体が得られる点でも有利である。さらに、固相接合法により基板上に樹脂型が堅固に固定されるため、その後の工程において寸法変化による精度の低下を抑えることができる。
【００３３】
基板上の金属薄膜と樹脂型上の金属薄膜とを固相接合法により固定する前に、Ａｒなどの不活性ガス中でのスパッタリング、または高速電子線ビームの照射などにより接合面を平滑化し、洗浄しておくことは、接合強度を高める上で好ましい。特に、ウェット方式ではドライ方式に比べて金属薄膜上の不純物量が多いため接合前に接合面を洗浄しておくことが好ましいが、ドライ方式においても大きな接合強度が得られる点で、接合前に接合面を平滑化し、洗浄しておく方が好ましい。
【００３４】
固相接合法としては、超音波により行なう超音波接合法や局所加熱により行なう圧接法が好ましい。
【００３５】
超音波接合法は、固相状態で接触面を加圧しながら超音波により振動を加えて、そのエネルギにより酸化膜や吸着膜からなる汚染層を破壊し、除去して、接合する方法であり、短時間で強力な接合が得られる点で好ましい接合法である。加熱しながら超音波接合をすることもできるが、加熱しない方が、熱影響部が結晶化して電気特性が低下するという欠点がないため、より好ましい。超音波の振動数は１０〜１０００ｋＨｚが好ましく、１０〜１００ｋＨｚがより好ましい。１０ｋＨｚより小さいと汚染層を十分に破壊することが困難となり、十分な接合強度が得られなくなる。一方、１０００ｋＨｚより大きいと高エネルギとなるため、樹脂型などが破損する虞がある。加圧条件は０．０１〜１００ＭＰａが好ましく、０．０１〜５０ＭＰａがより好ましい。０．０１ＭＰａより小さいと接触界面の近傍で塑性変形が起こりにくいため十分な接合強度が得られない。一方、１００ＭＰａより大きいと樹脂型などが変形し、破損する虞がある。
【００３６】
圧接法は、基板と樹脂型とを突き合せ加圧しながら、いずれか一方を回転させて接触面にある金属薄膜に摩擦熱を発生させることにより局所加熱し、金属薄膜が適当な軟化状態になったところで回転を停止し、さらに圧力を加えて接合する。また、接触面を通電加熱により局所加熱して加圧下、接合することもできる。接触面の表層の酸化膜や吸着膜などの汚染層は破壊されて微細化し、分解し、押し出されるため、十分な接合強度が得られる。局所加熱する際の接触面の温度は２００℃以下が好ましく、１５０℃以下がより好ましい。温度が高いと金属薄膜は軟化し、塑性変形しやすくなり、同時に原子の拡散も活発になるため接合しやすくなるが、２００℃より高くなると樹脂型が軟化し、所定の形状の樹脂型積層体を得にくくなる。加圧条件は０．０１〜１００ＭＰａが好ましく、０．０１〜５０ＭＰａがより好ましい。０．０１ＭＰａより小さいと接触面で塑性変形が起こりにくいため十分な接合強度が得られにくい。一方、１００ＭＰａより大きいと樹脂型などが変形し、破損する虞がある。
【００３７】
樹脂型積層体の空孔部に金属層を形成する工程は電鋳により行なう。すなわち、図１（ｄ）に示すとおり、金属イオン溶液を用いて電鋳を行ない、基板１１上に形成された金属薄膜１３ｂ上に金属層１４を形成する。金属層１４を形成した後、樹脂型積層体を研磨または研削により所定の高さに揃える。
【００３８】
つづいて、酸素プラズマなどによりアッシングし、またはＸ線もしくは紫外線などを照射し、基板上の樹脂型を除去する。その結果、図１（ｅ）に示す構造体が得られる。図１（ａ）に示す樹脂型１２は、たとえばダイレクトＬＩＧＡ法により製造した金属微細構造体を親金型として大量に複製できるので、この樹脂型１２に電鋳することにより金属微細構造体を大量に製造することができる。
【００３９】
最後に、基板を除去する。図１（ｅ）に示すとおり、基板１１上には金属薄膜１３が残っているため、基板１１の除去に際して、金属薄膜１３も除去する。これらの除去は、適切な溶媒により溶解するか、またはドライエッチングにより行なう。この結果、図１（ｆ）に示す金属微細構造体１が得られる。この金属微細構造体１は、幅が数μｍ〜数１００μｍ、高さが数１００μｍ以下の構造体であり、コーナーエッジが鋭く、深さ方向の垂直性にも優れ、しかも複雑な形状のものも製造することができ、微細部品の組立作業が不要である。
【００４０】
樹脂型の製造方法については、図２（ａ）〜（ｄ）に、一実施の形態を示す。図２（ａ）に示す凸部２５を有する金型を用いて、図２（ｂ）に示すとおり、射出成形、反応性射出成形などのモールドを行ない、凹部を有する樹脂型２２ａを形成する。金型を除いた後の凹部を有する樹脂型２２ａを図２（ｃ）に示す。凹部を有する樹脂型２２ａは研磨され、図２（ｄ）に示す貫通状態の樹脂型２２が製造される。図２（ｃ）に示す樹脂型２２ａの開口部に基板を接合した後、樹脂型２２ａのうち接合面と反対側の面を研磨することにより、電鋳用の樹脂型（図１（ｃ）に示す構造体と同様のもの）を製造することもできる。
【００４１】
実施例１
幅５０μｍ、高さ５０μｍのＮｉ製構造体をＳｉＮ製の基板上にエポキシ樹脂を接着剤として貼り付けた。これを金型とし、ポリメチルメタクリレートを用いて反応性射出成形をした。金型をはずした後、凹部を有する樹脂型を研磨して、深さ方向に貫通した樹脂型を得た。
【００４２】
この樹脂型の片面に、Ａｒを不活性ガスとし、ＣｕをターゲットとしてＲＦスパッタリングを行ない、樹脂型上に０．５μｍのＣｕ製の薄膜を形成した。同様にＳｉＮからなる基板上にＲＦスパッタリングを行ない、０．５μｍのＣｕ製の薄膜を形成した。
【００４３】
樹脂型のＣｕ薄膜面と基板のＣｕ薄膜面とを接触させ、１ＭＰａで加圧した後、常温で５００ｋＨｚの超音波を１秒間かけて接合し、樹脂型積層体を形成した。この樹脂型積層体の空孔部にはきれいなＣｕの金属面が見えていた。
【００４４】
スルファミン酸ニッケル（４５０ｇ／Ｌ）とホウ酸（３０ｇ／Ｌ）を用いて、電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2、ｐＨ４、温度５０℃で６０分間かけて、樹脂型積層体の空孔部を電鋳により埋めた。その後、研磨して所定の厚さに揃え、つづいて、酸素プラズマによりアッシングし、基板上の樹脂型を除去し、ドライエッチングにより基板および金属薄膜を除去すると、目的とする幅５０μｍ、高さ５０μｍのＮｉ製構造体が得られた。この構造体は、エッジがシャープで、かつ深さ方向の垂直性にも優れ、これにより同形状の金属微細構造体を大量に製造できることがわかった。
【００４５】
実施例２
幅４０μｍ、高さ６０μｍのＮｉ製構造体をＳｉＣ製の基板上にエポキシ樹脂を接着剤として貼り付けた。これを金型とし、ポリプロピレンを樹脂材料として射出成形をした。金型をはずし、凹部を有する樹脂型を得た。
【００４６】
この樹脂型のほかに、ＳｉＣ製の基板を用意し、樹脂型と基板の双方について、ＮａＯＨ水溶液（２５ｋｇ／ｍ3）、エタノールとアセトンの混合液に浸漬して脱脂し、ジオキサンにより前エッチングした後、ＣｒＯ3（３００ｋｇ／ｍ3）、Ｈ2ＳＯ4とＨ2Ｏの混合液に３３０Ｋで５分間浸漬して粗面化した。つづいて、ＳｎＣｌ2水溶液で感応化処理し、ＰｄＣｌ2水溶液で活性化処理した。これら一連の前処理を終えた後、硫酸銅（０．０４ｋｍｏｌ／ｍ3）、酒石酸カリウムナトリウム（０．１８ｋｍｏｌ／ｍ3）、ＮａＯＨ（０．２５ｋｍｏｌ／ｍ3）とホルマリン（１０-2ｍ3／ｍ3）とからなり、ｐＨ１２、温度２９８Ｋに調整したメッキ浴に３０分間浸漬してＣｕ製の薄膜を形成した。膜厚は０．１μｍであった。
【００４７】
つぎに、凹部を有する樹脂型を研磨し、深さ方向に貫通した樹脂型を得た。つづいて、樹脂型およびＳｉＣ製基板のＣｕ面を５ＰａのＡｒガス中でスパッタリング処理をし、表面をエッチングした。
【００４８】
樹脂型のＣｕ薄膜面と基板のＣｕ薄膜面とを接触させ、１ＭＰａで加圧した後、常温で５００ｋＨｚの超音波を１秒間かけて接合し、樹脂型積層体を形成した。この樹脂型積層体の空孔部にはきれいなＣｕの金属面が見えていた。
【００４９】
スルファミン酸ニッケル（４５０ｇ／Ｌ）とホウ酸（３０ｇ／Ｌ）を用いて、電流密度９５ｍＡ／ｃｍ2、ｐＨ４、温度５０℃で６０分間かけ、樹脂型積層体の空孔部を電鋳により埋めた。その後、研磨して所定の厚さに揃え、つづいて、酸素プラズマによりアッシングし、基板上の樹脂型を除去し、ドライエッチングにより基板および金属薄膜を除去すると、目的とする幅４０μｍ、高さ６０μｍのＮｉ製構造体が得られた。この構造体は、エッジがシャープで、かつ深さ方向の垂直性にも優れ、これにより同形状の金属微細構造体を大量に製造できることがわかった。
【００５０】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、コーナーエッジが鋭く、深さ方向の垂直性にも優れた金属微細構造体を大量に製造することができる。また、樹脂型と基板との強い接合が得られ、かつ樹脂型積層体の形成後に空孔部内の接着剤を除去する工程を必要としない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の金属微細構造体の製造方法について、一実施の形態を概略的に示す工程図である。
【図２】  樹脂型の製造方法について、一実施の形態を概略的に示す工程図である。
【符号の説明】
１  金属微細構造体、２  樹脂型積層体、１１  基板、１２，２２  樹脂型、１３  金属薄膜、１４  金属層、２５  凸部。
【図１】
0003700641.tif 000002
【図２】
0003700641.tif 000003