(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光ビームによる情報の書き込みおよび／または読み取りが可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が下記一般式〔Ｉ〕
【化１】
0003641874.tif 000021
（式中、Ａ1  は、
【化２】
0003641874.tif 000022
（式中、Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ12はそれぞれ独立して、水素原子；炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；炭素数３〜６の環状のアルキル基；炭素数１〜６のアルコキシ基；炭素数２〜７のアルキルカルボニル基；炭素数２〜６の直鎖または分岐のアルケニル基；炭素数３〜６の環状のアルケニル基；ハロゲン基；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；ニトロ基；アミノ基；炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；炭素数１〜６のアルキルチオ基；炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、フルオロアルキル基等の置換基を有していてもよい炭素数６〜１６のアリール基；置換基を有していてもよい炭素数７〜１７のアリールカルボニル基；−ＣＲ13＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ14（Ｒ13は水素原子、または前記Ｒ1〜Ｒ12において定義したものと同義の炭素数１〜６のアルキル基を表わし、Ｒ14はシアノ基または前記Ｒ1〜Ｒ12において定義したものと同義の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基を表わす。）；
【化３】
0003641874.tif 000023
（Ｒ15〜Ｒ17はそれぞれ独立して水素原子またはニトロ基を表わし、ＺはＯ，Ｓ，ＳＣＨ2  、ＳＯ2  、ＳＯ2ＣＨ3を表わす。）；フルオロアルキル基；炭素数１〜６のフルオロアルコキシ基；炭素数１〜６のフルオロアルキルチオ基を表わす。）
を表し、
Ｂ1はベンゼン環であって、−ＮＲ26Ｒ27（ここで、Ｒ26およびＲ27は、それぞれ独立し て、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１０の直鎖または分岐のアルケニル基、炭素数３〜１０の環状のアルキル基を表わす。かかる炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１０の直鎖または分岐のアルケニル基、及び炭素数３〜１０の環状のアルキル基は、置換されていてもよい。さらに、Ｒ26およびＲ27で表わされる前記炭素数６〜１２のアリール基および前記炭素数３〜１０の環状のアルキル基は、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基またはビニル基で置換されていてもよい。）で置換されており、Ｘは−ＯＹ、−ＣＯＯＹを表わし、Ｙは水素原子またはカチオンを表わす。）
で示されるアゾ系化合物と金属とのアゾ金属キレート化合物を含有する（但し、該記録層はフタロシアニン化合物を含有することはない。）ことを特徴とする光学記録媒体。
【請求項２】
記録層上に金属の反射層及び保護層を設けることを特徴とする請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光学記録媒体に波長６００〜７００ｎｍのレーザー光を照射することにより記録部を形成させることを特徴とする記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を用いた光学記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、発振波長の短い半導体レーザーの開発が進められ、従来の７８０ｎｍ、８３０ｎｍよりも短波長のレーザー光を用いたより高密度の記録再生可能な光学記録媒体が求められている。
従来提案されている光学記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録媒体等がある。これらの中で、安価でプロセス上容易であるという点で、有機色素系光記録媒体は有意性を有するものと考えられている。また、有機色素系光記録媒体には記録可能なコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）として、反射率の高い金属層を有機色素層の上に積層したタイプのものが広く知られている。
【０００３】
ところで、短波長半導体レーザー記録用の有機色素系光学記録媒体では、ＣＤ−Ｒのレ
ーザー波長より短い波長のものを用い、レーザーのビーム径をより微小なものにして高密度記録にすることができるが、現在提案されているものは、記録時の色素の分解による記録部の変形が大きいという問題や、変調度があまり得られないという問題、その他に耐光性、耐久性の不十分という問題を有している。
【０００４】
また、特開昭６２−３００９０号公報では、記録層にアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を含有することを特徴とする光記録媒体について記載されているが、保存安定性の不十分という欠点を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点を解決する光学記録媒体として、アゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を用いた光学記録媒体を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らはこの目的を達成するべく鋭意検討した結果、下記一般式〔Ｉ〕で示されるアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を記録層に含有することにより、記録再生特性に優れ、高密度記録が可能な耐光性、耐久性に優れた光学記録媒体が得られることを見い出した。
【０００７】
すなわち本発明は基板と記録層からなり、該記録層が下記一般式〔Ｉ〕
【０００８】
【化４】
0003641874.tif 000002
【０００９】
（式中、Ａ1  は、
【００１０】
【化５】
0003641874.tif 000003
【００１１】
（式中、Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ12はそれぞれ独立して、水素原子；炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；炭素数３〜６の環状のアルキル基；炭素数１〜６のアルコキシ基；炭素数２〜７のアルキルカルボニル基；炭素数２〜６の直鎖または分岐のアルケニル基；炭素数３〜６の環状のアルケニル基；ハロゲン基；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；ニトロ基；アミノ基；炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；炭素数１〜６のアルキルチオ基；炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、フルオロアルキル基等の置換基を有していてもよい炭素数６〜１６のアリール基；置換基を有していてもよい炭素数７〜１７のアリールカルボニル基；−ＣＲ13＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ14（Ｒ13は水素原子、または前記Ｒ1〜Ｒ12において定義したものと同義の炭素数１〜６のアルキル基を表わし、Ｒ14はシアノ基または前記Ｒ1〜Ｒ12において定義したものと同義の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基を表わす。）；
【００１２】
【化６】
0003641874.tif 000004
【００１３】
（Ｒ15〜Ｒ17はそれぞれ独立して水素原子またはニトロ基を表わし、ＺはＯ，Ｓ，ＳＣＨ2  、ＳＯ2  、ＳＯ2ＣＨ3を表わす。）；フルオロアルキル基；炭素数１〜６のフルオロアルコキシ基；炭素数１〜６のフルオロアルキルチオ基を表わす。）
を表し、
Ｂ1はベンゼン環であって、−ＮＲ26Ｒ27（ここで、Ｒ26およびＲ27は、それぞれ独立し て、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１０の直鎖または分岐のアルケニル基、炭素数３〜１０の環状のアルキル基を表わす。かかる炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１０の直鎖または分岐のアルケニル基、及び炭素数３〜１０の環状のアルキル基は、置換されていてもよい。さらに、Ｒ26およびＲ27で表わされる前記炭素数６〜１２のアリール基および前記炭素数３〜１０の環状のアルキル基は、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基またはビニル基で置換されていてもよい。）で置換されており、Ｘは−ＯＹ、−ＣＯＯＹを表わし、Ｙは水素原子またはカチオンを表わす。）
で示されるアゾ系化合物と金属とのアゾ金属キレート化合物を含有する（但し、該記録層はフタロシアニン化合物を含有することはない。）ことを特徴とする光学記録媒体をその要旨とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下本発明につき詳細に説明する。
本発明のアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体は、中心波長６００〜７００ｎｍのレーザー光に対する記録再生特性が優れ、高密度記録が可能であり、さらに耐光性、耐久性に優れている。
【００１５】
本発明におけるアゾ系化合物としては、前記一般式〔Ｉ〕において、Ａ1  はそれが結合している炭素原子および窒素原子と一緒になってチアジアゾール、イソキサゾール、オキサゾール、ピラゾール、イミダゾールからなる群より選択された複素環を形成する残基であればよく、それらの群であれば、特に制限されない。例えば、一般式〔Ｉ〕において
【００１６】
【化７】
0003641874.tif 000005
【００１７】
としては下記のものが挙げられる。
【００１８】
【化８】
0003641874.tif 000006
【００１９】
（式中、Ｒ1、Ｒ3〜Ｒ12はそれぞれ独立して水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル等の炭素数３〜６の環状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニル基；ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜６の直鎖または分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル等の炭素数３〜６の環状のアルケニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン基；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；ニトロ基；シアノ基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；メトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルプロピル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、フルオロアルキル基等の置換基を有していてもよい炭素数６〜１６のアリール基；置換基を有していてもよい炭素数７〜１７のアリールカルボニル基；−ＣＲ13＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ14（Ｒ13は水素原子、または前記Ｒ1〜Ｒ12において定義したものと同義の炭素数１〜６のアルキル基を表わし、Ｒ14はシアノ基または前記Ｒ1〜Ｒ12において定義したものと同義の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基を表わす。）；
【００２０】
【化９】
0003641874.tif 000007
【００２１】
（Ｒ15〜Ｒ17はそれぞれ独立して水素原子またはニトロ基を表わし、ＺはＯ，Ｓ，ＳＣＨ2  、ＳＯ2  、ＳＯ2  ＣＨ3を表わす。）；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６のフルオロアルキル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ基、ヘプタフルオロイソプロポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基等炭素数１〜６のフルオロアルコキシ基；トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロイソプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等炭素数１〜６のフルオロアルキルチオ基等を表わす。）
前記一般式〔Ｉ〕において、Ｂ1はそれが結合している二つの炭素原子と一緒になって
芳香族を形成する残基であればよく、特に制限されないが、例えばベンゼン環、ナフタレン環、
【００２２】
【化１０】
0003641874.tif 000008
【００２３】
（Ｒ18〜Ｒ25はそれぞれ独立して水素原子または前記Ｒ1〜Ｒ12において定義したものと同義の炭素数１〜６のアルキル基を表わす。Ｒ26は下記定義に示す。）等の芳香環を形成する残基等の異種原子を含有する芳香環を形成する残基が挙げられ、特にベンゼン環が好ましい。
また、Ｂは−ＮＲ26Ｒ27（ここで、Ｒ26およびＲ27はそれぞれ独立して水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１０の直鎖または分岐のアルケニル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル等の炭素数３〜１０の環状のアルキル基を表わす。かかる炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１０の直鎖または分岐のアルケニル基、炭素数３〜１０の環状のアルキル基は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メトキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシ基；アリルオキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テトラヒドロフリル基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルアミノ基、ｎ−ペンチルスルホニル基アミノ、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基���ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等で置換されていてもよい。さらにＲ26およびＲ27で表わされる前述の炭素数６〜１２のアリール基および前述の炭素数３〜１０の環状のアルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基またはビニル基で置換されていてもよい。）；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；およびチオシアナート基から選ばれる１以上の置換基を有していてもよい。
【００２４】
前記一般式〔Ｉ〕において、Ｙは水素原子、またはＮａ+、Ｌｉ+、Ｋ+等の無機系の陽イオンもしくは
【００２５】
【化１１】
0003641874.tif 000009
【００２６】
等の有機系の陽イオン等のカチオンを表わす。
本発明において、アゾ系化合物とキレート化合物を形成する金属としては、一般に該アゾ系化合物とキレート化合物を形成する能力のある金属なら特に制限はないが、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓなどの遷移金属が好ましく、耐光性、耐久性の点から特にＮｉ、Ｃｏが好ましい。
【００２７】
本発明の短波長記録用光学記録媒体は、基本的には基板と前記アゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層を設けることができる。好ましい層構成の一例としては、記録層上に金、銀、アルミニウムの様な金属反射層および保護層を設けた高反射率の媒体が挙げられる。金属反射層は、耐久性の点から特に金、銀または、それらと他の金属との合金が好ましい。前記基板としては、使用するレーザー光に対して透明なものが好ましく、ガラスや種々のプラスチックスが用いられる。プラスチックスとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
【００２８】
本発明の光学記録媒体におけるアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を含有する記録層の記録膜の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成法で成膜することができるが、量産性、コスト面からスピナー法が好ましい。
【００２９】
また、必要に応じてバインダーを使用することもできる。バインダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等既知のものが用いられる。
スピナー法による成膜の場合、回転数は５００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行ってもよい。
【００３０】
また、記録層の安定や耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）を含有していていもよい。さらに、必要に応じて他の色素を併用することもできる。他の色素としては別の種類の同系統の化合物でもよいし、トリアリールメタン系色素、アゾ系色素、シアニン系色素、スクワリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素、フタロシアニン系色素等他系統の色素でもよい。
【００３１】
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が挙げられる。
【００３２】
本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。また、基板上に記録層を設けた２枚の媒体を貼り合わせたものでもよい。
上記のようにして得られた光学記録媒体への記録は、基板の両面または片面に設けた記録層にレーザー光をあてることにより行う。レーザー光の照射された部分には、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
【００３３】
また、レーザーとしては各種のものを使用することができるが、特に、軽量性、取扱の容易さ、コンパクト性、コスト等の点から半導体レーザーが好適である。
本発明の光学記録媒体は、一般式〔Ｉ〕で示されるアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を記録層に含有することにより、中心波長６００〜７００ｎｍの半導体レーザー光を光源として用いた場合に良好な特性を有するものである。一般式〔Ｉ〕において、特に好ましいアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物の例としては下記のものが挙げられる。
【００３４】
【化１２】
0003641874.tif 000010
【００３５】
上記のように一般式〔Ｉ〕において、中心波長６００〜７００ｎｍの半導体レーザー対応のアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物が挙げられるが、特に中心波長６３５ｎｍ近傍の半導体レーザーを用いた場合に好ましいアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物の例としては下記のものが挙げられる。
【００３６】
【化１３】
0003641874.tif 000011
【００３７】
また、一般式〔Ｉ〕において、特に中心波長６５０ｎｍ近傍の半導体レーザーを用いた場合に好ましいアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物の例としては下記のものが挙げられる。
【００３８】
【化１４】
0003641874.tif 000012
【００３９】
【実施例】
以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明を限定するものではない。
また、ε（分子吸光係数）は、金属一原子に対して二分子のアゾ系化合物が配位したも
のとして算出した。
【００４０】
参考例１
（ａ）製造例
【００４１】
【化１５】
0003641874.tif 000013
【００４２】
上記構造式（１）で示される２−アミノ−５−メチル−１，３，４−チアジアゾール２．３０ｇを酢酸２０ｍｌ、プロピオン酸１０ｍｌに溶解し、０〜５℃で硫酸１３ｍｌを滴下し、０〜５℃で４３％ニトロシル硫酸７．０９ｇを加えジアゾ化した。得られたジアゾ液をメタノール１００ｍｌにＮ，Ｎ−ジエチル−３−アミノフェノール４．２９ｇ、尿素０．８ｇ、酢酸ナトリウム８．０ｇを溶解させた溶液に０〜５℃で滴下し、２時間撹拌後、一晩放置した。析出した結晶をろ別し、乾燥して下記構造式（２）で示される赤色結晶１．２７ｇを得た。
【００４３】
【化１６】
0003641874.tif 000014
【００４４】
前記のようにして得られた構造式（２）で示されるアゾ化合物１．００ｇをメタノール１００ｍｌ、ＴＨＦ２０ｍｌに溶解し、室温で酢酸ニッケル四水和物０．５１ｇのメタノール１０ｍｌ溶液を加えた後、室温で３時間撹拌し、水３０ｍｌを加えた。析出した結晶をろ別し、これをメタノールで洗浄し、乾燥して緑褐色結晶のニッケルキレート化合物０．７４ｇを得た。この化合物のλmax  （クロロホルム中）は５２５ｎｍ（ε＝８．６×１０4  ）であった。
（ｂ）記録媒体例
前記のようにして得られたニッケルキレート化合物をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１．２ｗｔ％にした。これを５０℃下で３０分間超音波分散した後、０．２μｍのフィルターでろ過し、その液を回転数８００ｒｐｍでポリカーボネート基板にスピンコートした。この膜厚は、約２００ｎｍであった。次にこの塗布膜を８０℃のオーブンで乾燥した後、塗布膜の上にスパッタリング法により膜厚８０ｎｍのＡｕ膜を成膜し、反射層を形成した。さらに、この反射層の上に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、記録媒体とした。塗布膜のλmax  は５８６ｎｍであった。
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を中心波長６４０ｎｍの半導体レーザー評価機で記録したところ、線速度３．０ｍ／ｓ、周波数３ＭＨｚ、ｄｕｔｙ３０％、記録パワー９．０ｍＷで、Ｃ／Ｎが５５ｄＢの良好な記録特性が得られた。
【００４５】
実施例１
（ａ）製造例
【００４６】
【化１７】
0003641874.tif 000015
【００４７】
上記構造式（３）で示される２−アミノ−４，５−ジシアノイミダゾール２．６６ｇを水８０ｍｌ、３５％塩酸４．５ｍｌに溶解し、０〜５℃で亜硝酸ナトリウム１．５２ｇの水溶液６ｍｌを滴下し、ジアゾ化した。得られたジアゾ液をメタノール３０ｍｌにＮ，Ｎ−ジメチル−３−アミノ安息香酸３．９６ｇ、尿素０．８ｇ、酢酸ナトリウム８．０ｇを溶解させた溶液に０〜５℃で滴下し、２時間撹拌後、一晩放置した。析出した結晶をろ別し、乾燥して下記構造式（４）で示される緑色結晶５．５５ｇを得た。
【００４８】
【化１８】
0003641874.tif 000016
【００４９】
前記のようにして得られた構造式（４）で示されるアゾ化合物３．０９ｇと炭酸カリウム１．３８ｇをＤＭＦ３７ｍｌに溶解し、ヨウ化ブチル２．２１ｇを滴下した後、７０℃に加熱した。７０℃で２時間撹拌後放冷し、水２０ｍｌを加え析出した副生成物を除去し、残液を２Ｎ塩酸でｐＨ２〜４にした。析出した結晶をろ別し、乾燥して下記構造式（５）で示される赤色結晶１．００ｇを得た。
【００５０】
【化１９】
0003641874.tif 000017
【００５１】
前記のようにして得られた構造式（５）で示されるアゾ化合物０．７３ｇをメタノール５０ｍｌ、ＴＨＦ５０ｍｌに溶解し、室温で酢酸ニッケル四水和物０．６０ｇのメタノール２０ｍｌ溶液を加えた後、室温で５時間撹拌した。析出した結晶をろ別し、これをメタノールで洗浄し、乾燥して濃緑色結晶のニッケルキレート化合物０．３３ｇを得た。この化合物のλmax  （クロロホルム中）は５６６ｎｍ（ε＝８．２×１０4  ）であった。
（ｂ）記録媒体例
前記のようにして得られたニッケルキレート化合物を参考例１と同様にして記録媒体を作製した。塗布膜のλmax  は５９０ｎｍであった。
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を中心波長６５０ｎｍの半導体レーザー評価機で参考例１と同様に記録したところ、記録パワー１０ｍＷで、Ｃ／Ｎが５３ｄＢの良好な記録特性が得られた。
【００５２】
実施例２、３、参考例２、３
実施例２、３、参考例２、３は、参考例１、実施例１と同様に実施した。実施例１〜３、参考例１〜３のニッケルキレート化合物の溶液λmax  （クロロホルム中）と塗布膜λmax  を下記の表に示す。
【００５３】
【表１】
0003641874.tif 000018
【００５４】
【表２】
0003641874.tif 000019
【００５５】
比較例１〜３
特開昭６２−３００９０号公報に記載の実施例６、１２、１３で作製した記録媒体（それぞれ比較例１〜３とする）と参考例１、実施例１との保存安定性について比較した。温度７０℃、湿度８０％で４００時間置いたときのλmax  での吸収のピーク高さがどの程度残存するかを測定した。参考例１、実施例１のニッケルキレート化合物が保存安定性に優れていることがわかった。その結果を下記の表に示す。
【００５６】
【表３】
0003641874.tif 000020
【００５７】
【発明の効果】
本発明のアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を用いた光学記録媒体は、中心波長６００〜７００ｎｍのレーザー光で記録再生特性に優れ、高密度記録が可能であり、耐光性、耐久性に優れ、工業的に極めて有用なものである。