(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
槽下部から薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成された処理槽が密閉チャンバ内に収容され、前記処理槽で基板に薬液処理と純水洗浄処理とを行うとともに、前記処理槽での純水洗浄処理の後、前記密閉チャンバ内で基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置において、
前記処理槽の上部から溢れ出た液を受け止めて回収する回収部と、
前記回収部で回収した液を前記密閉チャンバ外に排出する配管と、
前記配管に設けられ、前記回収部から排出させた液量を調節する流量調節弁と、
前記回収部内の薬液を所定の液面レベルにさせつつ前記回収部で薬液を回収させ、前記回収部で薬液を回収した後に前記回収部で純水を回収する際、所定期間の間、前記回収部で回収する純水の前記回収部内の液面レベルを、前記回収部で薬液を回収するときの前記回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように、前記流量調節弁を制御する液面レベル制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、槽下部から薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成された処理槽が密閉チャンバ内に収容され、この処理槽で基板に、エッチングや薬液洗浄などの薬液処理と、純水洗浄処理とを行うとともに、処理槽での純水洗浄処理の後、密閉チャンバ内で基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置は、図１３に示すように、基板Ｗに薬液処理と純水洗浄処理とを行う処理槽１００が密閉チャンバ１０１内に収容されて構成されている。密閉チャンバ１０１内の処理槽１００の上部には基板Ｗに乾燥処理を行うための乾燥処理空間１０２が設けられている。
【０００３】
処理槽１００の下部には、処理液注入管１０３が取り付けられている。この処理液注入管１０３には、配管１０４を介して処理液供給部１０５が接続されている。処理液供給部１０５は、処理液注入管１０３に対して薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成されている。これにより、処理槽１００には、槽下部の処理液注入管１０３から薬液と純水とが選択的に切換え供給される。
【０００４】
また、槽下部から供給され、槽上部から溢れ出た液（薬液や純水）は、密閉チャンバ１０１内に流され、密閉チャンバ１０１の底部に設けられた排液・排気口１０６から、開閉弁１０７が介装された配管１０８を介して排液ドレイン１０９に排出されるようになっている。処理槽１００の底部には排液口１１０が設けられている。この排液口１１０は、開閉弁１１１を介装した配管１１２を介して排液ドレイン１０９に接続されており、開閉弁１１１を開に切り換えることで、処理槽１００内の液を処理槽１００の底部から排出できるように構成されている。
【０００５】
密閉チャンバ１０１内には、有機溶剤などを噴出するノズル１１３が設けられている。また、排液・排気口１０６は、開閉弁１１４を介装した配管１１５を介して真空吸引源１１６にも接続され、密閉チャンバ１０１内の気体を吸引して密閉チャンバ１０１内を減圧可能に構成している。
【０００６】
また、密閉チャンバ１０１内には、複数枚の基板Ｗを所定の間隔で整列させて支持する昇降可能な基板支持部材１１７も設けられている。
【０００７】
上記構成の従来装置による洗浄・乾燥処理は以下のように行われる。
処理液注入管１０３から処理槽１００内に純水が供給されて、処理槽１００内に純水が満たされるとともに、純水の上昇液流が形成されている中に、基板支持部材１１７に支持された基板Ｗが浸漬された状態（図１３の実線の状態）で、処理液注入管１０３から処理槽１００内に供給する液を純水から薬液（例えば、フッ酸）に切り換えて、処理槽１００内に薬液の上昇液流を形成して処理槽１００内の液を純水から薬液に置換し、薬液処理を行う。
【０００８】
薬液処理を終えると、処理液注入管１０３から処理槽１００内に純水を供給して、処理槽１００内に純水の上昇液流を形成して処理槽１００内の液を薬液から純水に置換し、純水洗浄処理を行う。
【０００９】
処理槽１００内では、上記薬液処理と純水洗浄処理が１回以上行われる。そして、最後の純水洗浄処理を終えると、ノズル１１３から密閉チャンバ１０１内に有機溶剤が噴出され、純水の上昇液流が形成されている状態で、基板支持部材１１７を上昇させ、処理槽１００の純水内から基板Ｗを引き上げる。この基板Ｗの引き上げ中に、気液界面の純水中に有機溶剤が溶解し、基板Ｗの表面では液面から出る直前に純水の表面張力が低下し、ほどんど液切りした状態で基板Ｗは純水から引き上げられる。そして、図１３の二点鎖線に示すように、密閉チャンバ１０１内の乾燥処理空間１０２に基板Ｗを位置させ、密閉チャンバ１０１内を減圧することで、基板Ｗの乾燥を促進させることができる。なお、密閉チャンバ１０１内を減圧する際には、減圧に先立ち、処理液注入管１０３から処理槽１００内への純水の供給を停止するとともに、開閉弁１１１を開に切り換えて、処理槽１００内の純水を処理槽１００の底部から排液ドレイン１０９に排出する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
従来装置において、処理槽１００の上部から液（純水や薬液）が溢れ出ているときには、開閉弁１０７が開に切り換えられていて、処理槽１００の上部から密閉チャンバ１０１内に流された液は、密閉チャンバ１０１の底部の排液・排気口１０６から排液ドレイン１０９に排出させているが、密閉チャンバ１０１内に流された液、特に、薬液が密閉チャンバ１０１の内壁面に付着して残留することは避けられない。
【００１１】
その結果、密閉チャンバ１０１の内壁面に付着残留した薬液が気化して密閉チャンバ１０１内に漂い、乾燥処理中の基板Ｗに薬液が再付着し、洗浄・乾燥処理の仕上がりの清浄度が低下するという問題があった。例えば、基板Ｗとしてのシリコンウエハに対して、薬液としてフッ酸を用いた薬液処理を行う装置では、乾燥処理中にシリコンウエハにフッ酸が再付着して、その後シリコンウエハが酸化されることになる。特に、乾燥処理時に密閉チャンバ１０１内を減圧する場合には、密閉チャンバ１０１の内壁面に付着残留した薬液が一層気化し易く、基板Ｗへの薬液の再付着が一層起き易かった。
【００１２】
また、複数種類の薬液を用いた薬液処理を行う装置では、処理槽１００の上部から密閉チャンバ１０１内に各種の薬液が次々に流されるので、密閉チャンバ１０１の内壁面に付着残留している薬液と、その後に処理槽１００の上部から密閉チャンバ１０１内に流された別の種類の薬液とが接触することも起こり得る。その結果、各種の薬液が密閉チャンバ１０１内で化学反応を起こし、それに起因してパーティクルが生成され、密閉チャンバ１０１内の基板Ｗを汚染するという問題もあった。
【００１３】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、密閉チャンバ内での基板への薬液の再付着や基板の汚染を防止し得る基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、槽下部から薬液と純水とを選択的に切換え供給可能に構成された処理槽が密閉チャンバ内に収容され、前記処理槽で基板に薬液処理と純水洗浄処理とを行うとともに、前記処理槽での純水洗浄処理の後、前記密閉チャンバ内で基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置において、前記処理槽の上部から溢れ出た液を受け止めて回収する回収部と、前記回収部で回収した液を前記密閉チャンバ外に排出する配管と、前記配管に設けられ、前記回収部から排出させた液量を調節する流量調節弁と、前記回収部内の薬液を所定の液面レベルにさせつつ前記回収部で薬液を回収させ、前記回収部で薬液を回収した後に前記回収部で純水を回収する際、所定期間の間、前記回収部で回収する純水の前記回収部内の液面レベルを、前記回収部で薬液を回収するときの前記回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように、前記流量調節弁を制御する液面レベル制御手段と、を備えたものである。
【００１５】
（削除）
【００１６】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。
処理槽内で処理を行う際、処理槽の下部から供給され、処理槽の上部から溢れ出た液（純水や薬液）は、回収部で受け止めて回収され、配管により密閉チャンバ外に排出される。従って、密閉チャンバ内において、処理槽の上部から溢れ出た薬液が触れるのは回収部に限られる。
【００１７】
処理槽では薬液処理の後に純水洗浄処理が行われるので、回収部では薬液を回収した後、純水を回収することになる。そして、液面レベル制御手段は、回収部で薬液を回収した後に回収部で純水を回収する際、所定期間の間、回収部で回収する純水の回収部内の液面レベルを、回収部で薬液を回収するときの回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように制御する。これにより、回収部で薬液を回収したときに、回収部内の薬液の液面レベルに応じた高さ以下で回収部に付着した薬液は、薬液の液面レベルよりも高い液面レベルで回収部に回収される純水によって洗い流される。また、処理槽で行う最後の処理は純水洗浄処理であるので、回収部では最終的に純水を回収することになる。従って、密閉チャンバ内において、処理槽の上部から溢れ出た薬液が触れる唯一の部材である回収部に薬液が付着したまま放置されて残留することがない。その結果、気化した薬液が密閉チャンバ内に漂うようなことがなくなり、基板への薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液が回収部で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板の汚染を防止することもできる。
【００１８】
（削除）
【００１９】
（削除）
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図であり、図２は処理槽の構成を示す平面図、図３は第１実施形態装置の要部の拡大断面図である。
【００２１】
この第１実施形態に係る基板処理装置は、基板Ｗに薬液処理と純水洗浄処理とを行う処理槽１が密閉チャンバ２内に収容されて構成されている。密閉チャンバ２内の処理槽１の上部には基板Ｗに乾燥処理を行うための乾燥処理空間３が設けられている。
【００２２】
処理槽１の下部には、処理液注入管４が取り付けられている。処理液注入管４は、先端部が閉塞され、側面に多数の処理液噴出孔４ａが並設されていて、基端部４ｂから導入される液を各処理液噴出孔４ａから噴出するように構成されている。これら処理液噴出孔４ａが処理槽１内に臨むように、処理液注入管４が処理槽１に取り付けられている。処理液注入管４の基端部４ｂには、配管５を介して処理液供給部６が接続されている。処理液供給部６は、処理液注入管４の基端部４ｂに対して純水と１種類以上の薬液とを選択的に切換え供給可能に構成されている。これにより、処理槽１には、槽下部の処理液注入管４の各処理液噴出孔４ａから薬液と純水とを選択的に切換えて噴出供給されるようになっている。
【００２３】
処理槽１の外周上部には、底面と側面とが形成された部材７が接合させていて、この部材７と処理槽１の外周壁１ａとが共働して、処理槽１の上部から溢れ出た液（薬液や純水）を受け止めて回収する回収部としてのオーバーフロー槽８が形成されている。オーバーフロー槽８の底部には図示しない排出口が設けられ、この排出口が配管９を介して密閉チャンバ２外の排液ドレイン１０に接続され、オーバーフロー槽８で回収した液を密閉チャンバ２外の排液ドレイン１０に排出できるように構成されている。なお、配管９、排液ドレイン１０が本発明における排出手段を構成する。
【００２４】
配管９には、オーバーフロー槽８から排出する液量を適宜に調節する流量調節弁２０が介装されている。この流量調節弁２０としては、例えば、本出願人の提案による実願平３−９３６３４号公報に開示された圧縮エアで作動する弁や、適宜の電磁式の流量調節弁などを用いることができる。
【００２５】
また、オーバーフロー槽８近辺には、オーバーフロー槽８内の液の液面高さを検出する液面検出センサ２１が付設されている。この液面検出センサ２１は、不活性ガス噴出管２２と微圧計２３とで構成される。不活性ガス噴出管２２はその先端部がオーバーフロー槽８内に導入されている。微圧計２３は、微小量の窒素ガスなどの不活性ガスを不活性ガス噴出管２２に供給し、不活性ガス噴出管２２の先端から不活性ガスの泡を排出させ、このときの不活性ガス噴出管２２からの不活性ガスの排出圧を検出することによって、オーバーフロー槽８内の現在の液（薬液や純水）の液面レベルを検出するように構成されている。
【００２６】
処理槽１の底部には排液口１１が設けられている。この排液口１１は、開閉弁１２を介装した配管１３を介して排液ドレイン１０に接続されており、開閉弁１２を開に切り換えることで、処理槽１内の液を処理槽１の底部から排出できるように構成されている。
【００２７】
密閉チャンバ２は、本体部２ａと、本体部２ａに対して開閉自在に構成された蓋部２ｂとで構成されている。本体部２ａに対して蓋部２ｂが開かれた状態で、密閉チャンバ２（本体部２ａ）内に対して基板Ｗの出し入れが行われ、本体部２ａに対して蓋部２ｂが閉じられたときに、密閉チャンバ２内が密閉状態になるように構成されている。
【００２８】
密閉チャンバ２内には、ＩＰＡ（イソプロピールアルコール）などの有機溶剤と、窒素ガスなどの不活性ガスとを噴出するノズル３０が設けられている。ノズル３０には、配管３１を介して不活性ガス・有機溶剤供給部３２が接続されている。不活性ガス・有機溶剤供給部３２は、加熱して蒸気化した有機溶剤を窒素ガスなどの不活性ガスをキャリアとしてノズル３０に供給するとともに、キャリアとして用いた不活性ガスのみをノズル３０に供給可能に構成されていて、ノズル３０から密閉チャンバ２内に有機溶剤と不活性ガスとを選択的に切り換え供給できるように構成されている。
【００２９】
密閉チャンバ２の底部には、排気口４０が設けられている。この排気口４０は、開閉弁４１を介装した配管４２を介して真空吸引源４３に接続され、密閉チャンバ２内の気体を吸引して密閉チャンバ２内を減圧可能に構成している。
【００３０】
密閉チャンバ２内には、複数枚の基板Ｗを所定の間隔で整列させて支持する基板支持部材５０が設けられている。基板支持部材５０は、連結部材５１を介してエアシリンダなどを駆動源とする昇降機構５２に連結され、昇降機構５２によって昇降可能に構成されている。
【００３１】
コントローラ６０は、処理液供給部６から処理液注入管４への薬液と純水との切り換え供給と、薬液及び純水の供給停止の制御（処理槽１への薬液、純水の供給制御）、有機溶剤供給部３２からノズル３０への有機溶剤と不活性ガスとの切り換え供給と、有機溶剤及び不活性ガスの供給停止の制御（密閉チャンバ２内への有機溶剤、不活性ガスの供給制御）や、各開閉弁１２、４１の開閉制御、基板支持部材５０の昇降制御、オーバーフロー槽８で回収する薬液や純水の液面レベル制御などの装置全体の制御を行い、後述する洗浄・乾燥処理を実施する。
【００３２】
オーバーフロー槽８で回収する薬液や純水の液面レベル制御は、液面検出センサ２１からの検出データに基づき、流量調節弁２０を制御してオーバーフロー槽８から排出する液量を調節しながら、後述するように、オーバーフロー槽８で薬液を回収した後にオーバーフロー槽８で純水を回収する際、所定期間の間、オーバーフロー槽８で回収する純水のオーバーフロー槽８内の液面レベルをＤＷＬに維持して、オーバーフロー槽８で薬液を回収するときのオーバーフロー槽８内の薬液の液面レベルＭＱＬよりも高くするように制御するものである。
【００３３】
また、コントローラ６０は、タイマー６１を内蔵していて、薬液処理や純水洗浄処理、乾燥処理、オーバーフロー槽８内の液の液面レベルの変更の際のタイミング制御などを時間で管理するようにしている。
【００３４】
次に、上記構成の第１実施形態装置による洗浄・乾燥処理を、図４、図５に示すタイムチャートを参照して説明する。
【００３５】
なお、図４、図５内の各符号は以下のとおりである。
ＭＱＰ：薬液処理。
ＤＷＰ：純水洗浄処理。
ＤＰ：乾燥処理。
ＣＰ（ＤＷ／ＭＱ）：処理槽１内の液を純水から薬液に置換する処理。
ＣＰ（ＭＱ／ＤＷ）：処理槽１内の液を薬液から純水に置換する処理。
Ｔ１：ＣＰ（ＤＷ／ＭＱ）の開始タイミング（処理槽１内に供給する液を純水から薬液に切り換える開始タイミング）。
Ｔ２：ＣＰ（ＤＷ／ＭＱ）の完了タイミング（ＭＱＰの開始タイミング）。
Ｔ３：ＣＰ（ＭＱ／ＤＷ）の開始タイミング（処理槽１内に供給する液を薬液から純水に切り換える開始タイミング）。
Ｔ４：ＣＰ（ＭＱ／ＤＷ）の完了タイミング（ＤＷＰの開始タイミング）。
ｔ１：ＣＰ（ＤＷ／ＭＱ）に要する時間。
ｔ２：ＣＰ（ＭＱ／ＤＷ）に要する時間。
ｔ３：オーバーフロー槽８内の液の液面レベルをＤＷＬからＭＱＬに下降するのに要する時間。
ｔ４：オーバーフロー槽８内の液の液面レベルを０レベルからＭＱＬに上昇するのに要する時間。
【００３６】
上記各時間１、ｔ２、ｔ３、ｔ４は、予め実験的に求めておくことができる。従って、コントローラ６０は、タイマー６１を用いて、Ｔ１とｔ１とに基づきＴ２を把握することができ、Ｔ３とｔ２とに基づきＴ４を把握することができ、ｔ３に基づき、Ｔ１を基準としてオーバーフロー槽８内の液の液面レベルをＤＷＬからＭＱＬに下降する制御の開始を決めることができる。
【００３７】
洗浄・乾燥処理は、まず、密閉チャンバ２の蓋部２ｂが開かれ、図示しない基板搬送装置から、乾燥処理位置３に上昇している基板支持部材５０に複数枚の基板Ｗが引き渡され、基板Ｗの受渡しが終わると蓋部２ｂが閉じられる。
【００３８】
次に、処理液注入管４から処理槽１内に純水が供給されて、処理槽１内に純水が満たされるとともに、処理槽１内に純水の上昇液流が形成された状態で、基板支持部材５０が下降され、純水の上昇液流中に、基板Ｗが基板支持部材５０とともに浸漬される。または、基板支持部材５０が下降され、基板支持部材５０とともに基板Ｗが処理槽１内に入れられた後、処理液注入管４から処理槽１内に純水が供給されて、処理槽１内に純水が満たされるとともに、処理槽１内に純水の上昇液流が形成される。
【００３９】
なお、このとき、処理槽１の上部から溢れ出る純水はオーバーフロー槽８で受け止められて回収され、排液ドレイン１０に排出される。また、このとき、コントローラ６０は、オーバーフロー槽８で回収する純水がオーバーフロー槽８から溢れ出ないように制御すればよく、液面レベルをＤＷＬに維持するように制御しても、ＭＱＬに維持するように制御しても、あるいは、回収する純水がオーバーフロー槽８から溢れ出ない適宜の液面レベルに維持するように制御してもよい。さらに、回収する純水を０レベル、すなわち、処理槽１の上部から溢れ出てオーバーフロー槽８に流れ込む純水の流入液量よりも、オーバーフロー槽８から排出する純水の排出液量を多くするように調節し、オーバーフロー槽８に純水が溜まらずに、オーバーフロー槽８に流れ込む純水が次々にオーバーフロー槽８から排出される液面レベルに維持するように制御してもよい。
【００４０】
このようにして処理液注入管４から処理槽１内に純水が供給されて、処理槽１内に純水が満たされるとともに、純水の上昇液流が形成されている中に、基板支持部材５０に支持された基板Ｗが浸漬された状態（図１の実線の状態）で、処理液注入管４から処理槽１内に供給する液を純水から薬液（例えば、フッ酸）に切り換えて、処理槽１内に薬液の上昇液流を形成して処理槽１内の液を純水から薬液に置換し、薬液処理を行う。
【００４１】
上記純水から薬液への置換の間、処理槽１の上部からは純水に薬液が序々に混ざった液が溢れ出るが、この液もオーバーフロー槽８で受け止められて回収され、排液ドレイン１０に排出される。また、薬液処理中、処理液注入管４から処理槽１内への薬液の供給が継続されて、新たな薬液を処理槽１の下部から供給し、処理後の薬液を処理槽１の上部から溢れ出させて処理槽１内の薬液を入れ換えながら薬液処理を行うので、この薬液処理中に処理槽１の上部から薬液が溢れ出ているが、この薬液もオーバーフロー槽８で受け止められて回収され、排液ドレイン１０に排出される。
【００４２】
このとき、コントローラ６０は、上記純水から薬液への置換の開始（Ｔ１）のときに、オーバーフロー槽８内の液の液面レベルがＭＱＬに下降されているように制御する。例えば、処理液注入管４から処理槽１内に純水が供給されて、処理槽１内に純水が満たされるとともに、処理槽１内に純水の上昇液流が形成された状態におけるオーバーフロー槽８内の純水の液面レベルがＤＷＬに維持されていた場合には、Ｔ１より（ｔ３＋α）（αは０秒以上の適宜の時間）だけ早いタイミングでオーバーフロー槽８内の純水の液面レベルをＤＷＬからＭＱＬに下降する制御を開始する。また、オーバーフロー槽８内の純水の液面レベルが０レベルに維持されていた場合には、Ｔ１より（ｔ４＋α）だけ早いタイミングでオーバーフロー槽８内の純水の液面レベルを０レベルからＭＱＬに上昇する制御を開始する。このように制御することで、オーバーフロー槽８で薬液を回収するときに、オーバーフロー槽８内の液の液面レベルがＭＱＬになっており、オーバーフロー槽８内の液の液面レベルをＭＱＬとした状態で、オーバーフロー槽８で薬液を回収することができる。以後、コントローラ６０は、純水から薬液への置換、薬液処理、薬液から純水への置換の間、オーバーフロー槽８内の液（オーバーフロー槽８で回収する薬液）の液面レベルをＭＱＬに維持するように制御する。
【００４３】
所定の薬液処理時間が経過すると、処理液注入管４から処理槽１内に供給する液を薬液から純水に切り換えて、処理槽１内に純水の上昇液流を形成して処理槽１内の液を薬液から純水に置換し、純水洗浄処理（基板Ｗに付着した薬液を洗い流す洗浄処理）を所定の純水洗浄時間の間行う。
【００４４】
上記薬液から純水への置換の間、処理槽１の上部からは薬液が純水で序々に希釈される液が溢れ出るが、この液も液面レベルがＭＱＬに維持された状態で、オーバーフロー槽８で受け止められて回収され、排液ドレイン１０に排出される。また、純水洗浄処理中、処理液注入管４から処理槽１内への純水の供給が継続されるので、純水洗浄処理中、処理槽１の上部から純水が溢れ出ているが、この純水もオーバーフロー槽８で受け止められて回収され、排液ドレイン１０に排出される。コントローラ６０は、上記薬液から純水への置換が完了したタイミング（Ｔ４）で、オーバーフロー槽８内の液の液面レベルをＭＱＬからＤＷＬに上昇する制御を開始し、以後、所定期間の間、オーバーフロー槽８内の液の液面レベルをＤＷＬに維持するように制御する。薬液から純水への置換が完了した段階で、処理槽１の上部からオーバーフロー槽８に流れ込む液は純水のみとなっている。従って、上記のように液面レベルを制御することで、オーバーフロー槽８で薬液を回収した後にオーバーフロー槽８で純水を回収する際、所定期間の間、オーバーフロー槽８で回収する純水のオーバーフロー槽８内の液面レベルをＤＷＬに維持して、オーバーフロー槽８で薬液を回収するときのオーバーフロー槽８内の薬液の液面レベルＭＱＬよりも高くでき、オーバーフロー槽８で薬液を回収したときに、オーバーフロー槽８内の薬液の液面レベルＭＱＬに応じた高さ以下でオーバーフロー槽８の内壁面に付着した薬液を、薬液の液面レベルＭＱＬよりも高い液面レベルＤＷＬでオーバーフロー槽８に回収される純水によって洗い流すことができる。
【００４５】
処理槽１内では、上記薬液処理と純水洗浄処理が１回以上行われる。薬液処理と純水洗浄処理を２回以上行う場合でも、薬液処理、純水洗浄処理、薬液処理、純水洗浄処理、…というように、薬液処理、純水洗浄処理とを繰り返して行う。２回目以降の薬液処理を開始する時点では、前の純水洗浄処理で、処理液注入管４から処理槽１内に純水が供給されて、処理槽１内に純水が満たされるとともに、純水の上昇液流が形成されており、最初の薬液処理の開始時点と同様の状態であるので、２回目以降の各回の薬液処理と純水洗浄処理も上記で説明したのと同様の制御で行われる。なお、純水洗浄処理時は、オーバーフロー槽８内の純水の液面レベルをＤＷＬに維持しているので、２回目以降の純水から薬液への置換においては、その置換の開始（Ｔ１）より（ｔ３＋α）だけ早いタイミングでオーバーフロー槽８内の純水の液面レベルをＤＷＬからＭＱＬに下降する制御を開始する。また、薬液処理と純水洗浄処理を２回以上行う場合で、各回の薬液処理に異なる種類の薬液を用いるときには、各回の薬液処理に用いられる薬液が処理液供給部６から処理液注入管４に供給される。
【００４６】
そして、最後の純水洗浄処理に対する純水洗浄処理時間が経過すると、ノズル３０から密閉チャンバ２内に有機溶剤を供給し、純水の上昇液流が形成されている状態で、基板支持部材５０を上昇させ、処理槽１の純水内から基板Ｗを引き上げる。この基板Ｗの引き上げ中に、気液界面の純水中に有機溶剤が溶解し、基板Ｗの表面では液面から出る直前に純水の表面張力が低下し、ほどんど液切りした状態で基板Ｗは純水から引き上げられる。そして、図１の二点鎖線に示すように、密閉チャンバ２内の乾燥処理空間３に基板Ｗを位置させ基板Ｗを乾燥させる。このとき、開閉弁４１を開にして密閉チャンバ２内を減圧することで、基板Ｗの乾燥を促進することができる。なお、密閉チャンバ２内を減圧する際には、減圧に先立ち、処理液注入管４から処理槽１内への純水の供給を停止するとともに、開閉弁１２を開に切り換えて、処理槽１内の純水を処理槽１の底部から排液ドレイン１０に排出し、処理槽１内の純水の排出を終えると開閉弁１２を閉に切り換える。また、処理液注入管４から処理槽１内への純水の供給を停止した後は、処理槽１の上部からオーバーフロー槽８内に純水が流れ込まないので、コントローラ６０はオーバーフロー槽８内の純水の液面レベルの制御を行わない。これによって、オーバーフロー槽８内の純水は全て排液ドレイン１０に排出される。なお、密閉チャンバ２内を減圧する間、密閉チャンバ２内からの気体の排気量よりも少ない供給量でノズル３０から不活性ガスを密閉チャンバ２内に供給するようにしてもよい。
【００４７】
所定の乾燥処理時間の経過後、密閉チャンバ２内を減圧したときには、開閉弁４１を閉にするとともに、ノズル３０から不活性ガスを密閉チャンバ２内に供給して、密閉チャンバ２内を常圧に戻す。そして、密閉チャンバ２の蓋部２ｂが開かれ、図示しない基板搬送装置によって、乾燥処理位置３に上昇している基板支持部材５０に支持されている洗浄・乾燥処理済の複数枚の基板Ｗが取り出される。以後、同様の処理が切り返されて、１群の基板Ｗに次々と洗浄・乾燥処理が行われる。
【００４８】
なお、乾燥処理時に密閉チャンバ２内を減圧せずに処理槽１内への純水の供給を継続する場合には、乾燥処理中もオーバーフロー槽８内の純水の液面レベルをＤＷＬに維持するようにしてもよい。また、図４、図５では、薬液処理と純水洗浄処理を２回以上行う場合を示しているが、薬液処理と純水洗浄処理を１回だけ行う場合は、最初の純水洗浄処理を最後の純水洗浄処理として制御する。
【００４９】
上述したように、この第１実施形態装置によれば、処理槽１内で処理を行う際、処理槽１の下部から供給され、処理槽１の上部から溢れ出た液（純水や薬液）は、オーバーフロー槽８で受け止めて回収され、密閉チャンバ２外の排液ドレイン１０に排出される。従って、密閉チャンバ２内において、処理槽１の上部から溢れ出た薬液が触れるのはオーバーフロー槽８の内壁面に限られる。そして、コントローラ６０は、オーバーフロー槽８で薬液を回収した後にオーバーフロー槽８で純水を回収する際、所定期間の間、オーバーフロー槽８で回収する純水のオーバーフロー槽８内の液面レベルを、オーバーフロー槽８で薬液を回収するときのオーバーフロー槽８内の薬液の液面レベルよりも高くするように制御するので、オーバーフロー槽８で薬液を回収したときに、オーバーフロー槽８の内壁面に付着した薬液は、オーバーフロー槽８に回収される純水で洗い流すことができ、密閉チャンバ２内において、処理槽１の上部から溢れ出た薬液が触れる唯一の部材であるオーバーフロー槽８に薬液が付着したまま放置されて残留することがない。従って、気化した薬液が密閉チャンバ２内に漂うようなことがなくなり、乾燥処理時に密閉チャンバ２内の減圧を行うか否かにかかわらず、基板Ｗへの薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液がオーバーフロー槽８内で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板Ｗの汚染を防止することもできる。
【００５０】
なお、純水から薬液への置換を開始してすぐに薬液がオーバーフロー槽８内に流れ込むわけではないので、オーバーフロー槽８内の純水の液面レベルをＤＷＬからＭＱＬに下降させる制御を上記図４、図５よりも遅いタイミングで開始するようにしてもよい。例えば、純水から薬液への置換の開始から薬液がオーバーフロー槽８内に流れ込むようになるまでの時間がｔ３よりも長い場合には、図６（ａ）に示すように、オーバーフロー槽８内の純水の液面レベルをＤＷＬからＭＱＬに下降させる制御をＴ１で開始するようにしてもよい。
【００５１】
また、図６（ｂ）に示すように、オーバーフロー槽８内の液の液面レベルをＭＱＬからＤＷＬに上昇された状態がＴ４よりも後であれば、オーバーフロー槽８の内壁面に付着する薬液の高さをＤＷＬ以下にすることができるので、オーバーフロー槽８内の液の液面レベルをＭＱＬからＤＷＬに上昇させる制御を、Ｔ４よりβ（ただし、０＜β＜ｔ５）だけ早いタイミングで開始するようにしてもよい。なお、ｔ５は、オーバーフロー槽８内の液の液面レベルをＭＱＬからＤＷＬに上昇するのに要する時間で、予め実験的に求めておくことができる。
【００５２】
また、オーバーフロー槽８の内壁面に付着した薬液の洗い流しが比較的速やかに行える場合には、図７の各図に示すように、純水洗浄処理の一部の期間だけ、オーバーフロー槽８内の純水の液面レベルをＤＷＬに維持するように制御してもよい。
【００５３】
また、オーバーフロー槽８で回収する薬液の液面レベルＭＱＬをＯレベルに設定してもよい。
【００５４】
また、図８、図９に示すように、図４、図５の制御でオーバーフロー槽８内の薬液の液面レベルをＭＱＬに維持する最後の段階で、オーバーフロー槽８内の薬液の液面レベルを０レベルに調節するように制御したり、または／および、図５の制御でオーバーフロー槽８内の純水の液面レベルをＤＷＬに維持する最後の段階で、オーバーフロー槽８内の純水の液面レベルをＤＷＬよりもさらに高い液面レベルＨＬに調節するように制御してもよい。このように制御すれば、回収純水による薬液の洗い流しをより確実に行うことが期待できる。
【００５５】
なお、これらのオーバーフロー槽８の液面レベル制御は、槽内の比抵抗値や薬液濃度によって制御してもよい。
【００５６】
次に、参考例に係る装置の構成を図１０を参照して説明する。図１０は参考例に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図である。
【００５７】
この参考例に係る装置は、上記第１実施形態装置の流量調節弁２０、液面検出センサ２１と、コントローラ６０によるオーバーフロー槽８内の液の液面レベル制御を省略し、それに代えて、密閉チャンバ２内に回収部洗浄手段としてのシャワーノズル７０を設けて、シャワーノズル７０からオーバーフロー槽８、特に、オーバーフロー槽８の内壁面に向けて洗浄液としての純水を噴出供給して、オーバーフロー槽８（の内壁面）を洗浄し、オーバーフロー槽８内に付着した薬液を、洗い流すように構成したことを特徴としている。
【００５８】
シャワーノズル７０には、配管７１を介して純水供給部７２が接続され、純水供給部７２からシャワーノズル７０への純水の供給とその停止の制御（オーバーフロー槽８への純水の噴出供給制御）はコントローラ６０により行われるように構成している。
【００５９】
また、シャワーノズル７０からの純水が密閉チャンバ２の内壁面に噴射されることを考慮して、排気口４０を、排液・排気口とし、この排液・排気口４０を、開閉弁４４が介装された配管４５を介して排液ドレイン１０にも接続し、シャワーノズル７０から密閉チャンバ２の内壁面に噴射された純水を排液ドレイン１０に排出できるように構成している。なお、シャワーノズル７０から噴出される純水がオーバーフロー槽８の内壁面にのみ供給され、密閉チャンバ２の内壁面へ噴射されることがない場合には、開閉弁４４、配管４５を省略してもよい。
【００６０】
また、処理槽１の上部から溢れ出てオーバーフロー槽８で回収される液（薬液や純水）がオーバーフロー槽８から溢れ出さないように、オーバーフロー槽８から排液ドレイン１０に排出する液の排出液量が調節されている。
【００６１】
この参考例に係る装置による洗浄・乾燥処理の全体的な動作は上記第１実施形態で説明した動作と同様である。ただし、この参考例に係る装置では、上記第１実施形態装置で行ったオーバーフロー槽８内の液の液面レベル制御に代えて、シャワーノズル７０から噴出供給する純水によりオーバーフロー槽８の内壁面を洗浄する処理を行う。
【００６２】
このシャワーノズル７０からの純水によるオーバーフロー槽８の内壁面の洗浄処理は、例えば、各回の薬液処理と純水洗浄処理ごとに、薬液処理前の純水から薬液への置換を開始してから、薬液処理後の薬液から純水への置換が完了するまでの間（図４、図５のＴ１〜Ｔ４間）行うことで、各回の薬液処理に用いた薬液がオーバーフロー槽８で回収された後、その薬液がオーバーフロー槽８に付着残留することを防止できる。
【００６３】
なお、コントローラ６０は、最初にシャワーノズル７０から純水の噴出供給を開始したときに、開閉弁４４を開にして、シャワーノズル７０から密閉チャンバ２の内壁面に噴射された純水を排液ドレイン１０に排出できるようにする。
【００６４】
このように、この参考例に係る装置によれば、オーバーフロー槽８の内壁面は、シャワーノズル７０から噴出供給される純水で洗浄されるので、オーバーフロー槽８の内壁面に付着した薬液が完全に洗い流され、密閉チャンバ２内において、処理槽１の上部から溢れ出た薬液が触れる唯一の部材であるオーバーフロー槽８に薬液が付着したまま放置されて残留することを防止できる。従って、気化した薬液が密閉チャンバ２内に漂うようなことがなくなり、乾燥処理時に密閉チャンバ２内の減圧を行うか否かにかかわらず、基板Ｗへの薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液がオーバーフロー槽８内で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板Ｗの汚染を防止することもできる。
【００６５】
なお、図１１に示すように、上記第１実施形態の特徴と参考例の特徴の双方を具備して、上記第１実施形態で説明したオーバーフロー槽８内の液の液面レベル制御と、上記参考例で説明したシャワーノズル７０からの純水によるオーバーフロー槽８の内壁面の洗浄とを組み合わせて、オーバーフロー槽８に付着する薬液の洗い流しを行うようにしてもよい。
【００６６】
また、上記各実施形態やその変形例では、いわよるシングル管構造の処理液注入管４を取り付けた処理槽１を図示しているが、図１２に示すように、側面に多数の処理液噴出孔８０を並設した外管８１を、処理液注入管４の外周にさらに配設して２重管構造に構成したものでも本発明は同様に適用できる。
【００６７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、処理槽の上部から溢れ出た液を回収部で受け止めて回収し、密閉チャンバ外に排出させるように構成したので、密閉チャンバ内において、処理槽の上部から溢れ出た薬液が触れる部材を回収部に限定することができる。
【００６８】
そして、請求項１に記載の発明では、回収部で薬液を回収した後に回収部で純水を回収する際、所定期間の間、回収部で回収する純水の回収部内の液面レベルを、回収部で薬液を回収するときの回収部内の薬液の液面レベルよりも高くするように制御したので、薬液を回収したときに回収部に付着した薬液を、回収部で回収する純水で洗い流すことができ、回収部に薬液が付着したまま放置されて残留されることがない。従って、気化した薬液が密閉チャンバ内に漂うようなことがなくなり、基板への薬液の再付着を防止することができ、また、各種の薬液が回収部で接触することもなく、各種の薬液が接触することに起因するパーティクルの生成もなくなり、基板の汚染を防止することもできる。
【００６９】
（削除）
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図である。
【図２】処理槽の構成を示す平面図である。
【図３】第１実施形態装置の要部の拡大断面図である。
【図４】第１実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御を示すタイムチャートである。
【図５】図４の続きのタイムチャートである。
【図６】第１実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御の変形例を示すタイムチャートである。
【図７】第１実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御の別の変形例を示すタイムチャートである。
【図８】第１実施形態装置によるオーバーフロー槽内の液の液面レベル制御のさらに別の変形例を示すタイムチャートである。
【図９】図８の続きのタイムチャートである。
【図１０】参考例に係る基板処理装置の全体構成を示す縦断面図である。
【図１１】第１実施形態の特徴と参考例の特徴の両方を具備した変形例の全体構成を示す縦断面図である。
【図１２】処理槽の変形例の要部構成を示す縦断面図と、処理液注入管及び外管の構成を示す横断面図である。
【図１３】従来装置の全体構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１：処理槽
２：密閉チャンバ
３：乾燥処理空間
４：処理液注入管
６：処理液供給部
８：オーバーフロー槽
１０：排液ドレイン
２０：流量調節弁
２１：液面検出センサ
６０：コントローラ
７０：シャワーノズル
Ｗ：基板
ＭＱＬ：オーバーフロー槽で薬液を回収するときのオーバーフロー槽内の薬液の液面レベル
ＤＷＬ：オーバーフロー槽で純水を回収するときのオーバーフロー槽内の純水の液面レベル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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