(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の少なくとも片面に金属薄膜を真空蒸着法によって形成して、ｏ−フタル酸テトラエチルアンモニウムをγ−ブチロラクトンに２５％溶解させた電解液中で測定した該電解コンデンサ用電極箔の静電容量Ａとホウ酸アンモニウムの１０％水溶液中で測定した該電解コンデンサ用電極箔の静電容量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．３から０．８の範囲にある電解コンデンサ用電極箔を製造する方法であって、基体を円筒状のドラムに沿って走行させ、開口部を有するマスクを介してドラムとは反対側に蒸着源を配置し、金属蒸着を基体に入射するに際し、初期入射角、即ち蒸着源の中心と、基体走行方向に対しマスク開口部の上流側にある端を結ぶ直線が基体に入射する点で基体面に法線を立て、その法線と先に結んだ直線がなす角度、を０〜９０度、最終入射角、即ち蒸着源の中心と、基体走行方向に対しマスク開口部の下流側にある端を結ぶ直線が基体に入射する点で基体面に法線を立て、その法線と先に結んだ直線がなす角度、を−９０〜−４５度とし、蒸着源近傍もしくは蒸着源と蒸気の基体への入射領域との間に設けたノズルから、金属蒸気の入射方向と同じ方向に向けて不活性ガスを供給することを特徴とする電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
【請求項２】
金属薄膜の膜厚が０．２〜０．４μｍであることを特徴とする請求項１記載の電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、電解コンデンサ用電極箔の製造方法に関する。更に詳しくは、電解コンデンサの小型大容量化に寄与する陰極箔の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電解コンデンサ用電極としては、一般にアルミニウム箔にエッチングを施して表面積を拡大したものが用いられている。電極の表面積を拡大することは、コンデンサの静電容量を増加させるために必須であり、小型大容量化への要求から更に電極の表面積を拡大することが求められている。しかしエッチングによるアルミニウム箔の表面積拡大は、アルミニウム箔の強度の低下などから限界に近付いている。
【０００３】
これに対して特開昭５６−２９６６９号公報では、３０度以上、好ましくは８０〜８５度の入射角で基体にアルミニウムやタンタルなどの弁金属の蒸気を入射させて多孔質金属膜を作成し、表面積が拡大した電解コンデンサ電極箔を得ることが提案されている。また特開昭５９−１６７００９号公報では、アルミニウム箔などの基体上にアルミニウム、タンタル、チタン、ニオブ、ジルコニウムなどの弁金属をアルゴンなどの不活性ガス中で蒸着して多孔質膜を形成し、電極の表面積を拡大すると共に誘電率を増加させることが提案されている。
【０００４】
これらの技術は電解コンデンサの見掛けの単位面積当たりの静電容量の増加に大きな効果がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの技術には未だ以下のような課題があった。
【０００６】
（１）充分な表面積拡大効果を得るためには該弁金属膜の厚みを１〜２０μｍと大きくする必要があり、生産性の点で問題があったほか、アルミニウム以外の弁金属は高融点材料であるため上記のような比較的厚い膜を形成しようとすると、蒸着時に基体が熱ダメ−ジを受けて平坦性が損なわれやすい。
【０００７】
（２）弁金属を不活性ガス中で蒸着する方法では真空槽内の圧力を高くしたほうが同じ膜厚でも大きな表面積すなわち大きな静電容量が得られるが、一方、真空槽内の圧力を高くすると膜付着速度が減少していく問題がある。特に直進型電子ビ−ムガンを使うような大型生産機においては蒸発源と基体とをあまり近くできないので、真空槽内の圧力上昇に伴う膜付着速度の減少は著しく、大幅な生産性の低下をきたす。
【０００８】
（３）不活性ガス中で蒸着し、表面積をある程度以上に拡大した多孔質金属膜は、コンデンサ化した際、特に高温雰囲気下では電解液との反応で生成した水和物や酸化物によって微細孔が塞がれて容易に表面積の減少すなわち静電容量の減少をきたしやすい。
【０００９】
本発明は上記のごとき従来技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とするところは、特性の安定性に優れ、静電容量の増加に効果が大きくかつ製造時の熱ダメ−ジの恐れがなく生産性に優れた電解コンデンサ用電極箔を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は以下の構成により達成される。
【００１１】
すなわち、基体の少なくとも片面に金属薄膜を真空蒸着法によって形成して、ｏ−フタル酸テトラエチルアンモニウムをγ−ブチロラクトンに２５％溶解させた電解液中で測定した該電解コンデンサ用電極箔の静電容量Ａとホウ酸アンモニウムの１０％水溶液中で測定した該電解コンデンサ用電極箔の静電容量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．３から０．８の範囲にある電解コンデンサ用電極箔を製造する方法であって、基体を円筒状のドラムに沿って走行させ、開口部を有するマスクを介してドラムとは反対側に蒸着源を配置し、金属蒸着を基体に入射するに際し、初期入射角、即ち蒸着源の中心と、基体走行方向に対しマスク開口部の上流側にある端を結ぶ直線が基体に入射する点で基体面に法線を立て、その法線と先に結んだ直線がなす角度、を０〜９０度、最終入射角、即ち蒸着源の中心と、基体走行方向に対しマスク開口部の下流側にある端を結ぶ直線が基体に入射する点で基体面に法線を立て、その法線と先に結んだ直線がなす角度、を−９０〜−４５度とし、蒸着源近傍もしくは蒸着源と蒸気の基体への入射領域との間に設けたノズルから、金属蒸気の入射方向と同じ方向に向けて不活性ガスを供給することを特徴とする電解コンデンサ用電極箔の製造方法である。
【００１２】
本発明で使用される基体としては、アルミニウム箔の他、アルミニウム合金箔やアルミニウム以外の金属箔、プラスチックフィルム、紙なども用いることができるが、漏れ電流が小さい点や機械的強度が高い点から、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔またはプラスチックフィルムの採用が好ましい。これらの金属箔には、表面積を増やす点ではエッチングやサンドブラストなどにより粗面化処理が施されていることが好ましく、工程を省略して生産性を上げる点では製造された状態の平坦なままであることが好ましい。該金属箔の厚さは、機械的強度と占有体積の関係から５〜１００μｍの範囲が好ましい。
【００１３】
該プラスチックフィルムのプラスチックとしてはポリエチレンテレフタレ−ト、ポリカ−ボネ−トなどのポリエステル類、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類、ポリフェニレンスルフィドなどのポリアリレンスルフィド類、ポリアミド類、芳香族ポリアミド類、ポリエ−テルケトン類およびポリイミド類などが挙げられるが、電気的特性や価格の点でポリエチレンテレフタレ−トまたはポリプロピレンが好ましい。機械的安定性や強度の点で、これらのプラスチックは二軸延伸されてフィルム化されていることが好ましい。該プラスチックフィルムの厚さは、機械的強度と占有体積の関係から１〜５０μｍの範囲が好ましい。
【００１４】
本発明の金属薄膜が、プラスチックフィルムなどの非導電性基体の片面にだけ形成される場合は、これらの膜が形成される方とは反対の面が金属化されている必要がある。プラスチックフィルムの金属化は蒸着やスパッタによる金属膜の形成でなされる。該金属膜は導電性が高いほど誘電損失が小さくなり好ましいので、アルミニウム膜または亜鉛膜であることが好ましい。また該金属膜の厚さは、厚いほど導電性が良好になり一方薄いほどセルフヒ−リングしやすいので、０．０３〜０．１５μｍの範囲が好ましい。該非導電性基体は金属化に先立ち、熱処理や各種洗浄処理による易接着化処理などの前処理が行われても良い。チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、ハフニウムなどは導電性が高くないので、これらの金属または合金膜が非導電性基体上に形成される場合は、予め該非導電性基体が金属化されていることが誘電損失を小さくできる点で好ましい。
【００１５】
本発明で言う金属薄膜はアルミニウム、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、ハフニウムなどのいわゆる弁金属の一群から選ばれた少なくとも一つの金属またはこれらの合金からなることが好ましいが、コバルト、クロム、ニクロム、銀、銅、鉄、亜鉛などの金属やこれらの合金も採用可能である。チタンは、静電容量の増加に効果が大きく好ましい。該金属または合金薄膜の純度は漏れ電流を小さくするために９９．８％以上、さらに好ましくは９９．９％以上であることが望ましい。
【００１６】
該金属薄膜には特性を損なわない範囲で、酸素、窒素、炭素、水素などが含まれていても良い。
【００１７】
基体の熱ダメージを抑制するため、低コスト化を図るために、該金属薄膜の膜厚は薄い方が良く、一方、本発明のＡ／Ｂの値を０．３から０．８の範囲にするためや静電容量を増大させるためには膜厚が厚い方が良いので、０．０５〜０．５μｍの範囲、特に０．２〜０．４μｍの範囲から選ばれることが更に好ましい。
【００１８】
該金属薄膜の形成には、高速に薄膜形成ができる点で、真空蒸着法を採用する。
【００１９】
真空蒸着においては、該金属薄膜の静電容量を大きくするために金属蒸着が基体へ入射する領域に不活性ガスを差し向ける。該不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウムなどの希ガスのほか、炭化水素、窒素や水素も採用することができ、またこれらの混合ガスも採用することができる。炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、アセチレンなどをあげることができる。本発明の電解コンデンサ用電極箔を得るためには、金属薄膜を構成する元素とほとんど反応せず、かつ分子半径が大きいガスが効果が大きいので、中でもアルゴン、クリプトンの採用が好ましい。
【００２０】
本発明の電解コンデンサ用電極箔は、基体の少なくとも片面に金属薄膜を形成した電解コンデンサ用電極箔であって、ｏ−フタル酸テトラエチルアンモニウムをγ−ブチロラクトンに２５％溶解させた電解液中で測定した該電解コンデンサ用電極箔の静電容量Ａとホウ酸アンモニウムの１０％水溶液中で測定した該電解コンデンサ用電極箔の静電容量Ｂとの比Ａ／Ｂが０．３から０．８の範囲ににあることが重要である。上記電解液の調製は重量濃度でおこなう。なお、ｏ−フタル酸テトラエチルアンモニウムをγ−ブチロラクトンに２５％溶解させた電解液には、吸湿による１％以下の水が含まれることは許容される。
【００２１】
Ａ／Ｂが０．３未満であると、電解コンデンサの高温下稼働時の静電容量の低下が大きくなる。すなわち、電解コンデンサの耐熱性が不良である。一方、Ａ／Ｂが０．８を越える金属薄膜を作ろうとすると、金属薄膜の構造があまり微細でないために所定の静電容量を得るためには金属薄膜を厚くしなければならない。すなわち、生産性が低下するとともに蒸着時に基体が熱ダメ−ジを受けて平坦性が損なわれやすい。電解コンデンサの耐熱性と生産性および熱ダメ−ジの点から、Ａ／Ｂは０．３５から０．７の範囲にあることがさらに好ましい。
【００２２】
静電容量が小さい電解コンデンサ用電極箔はＡ／Ｂの値を大きくしやすいが、一方、小型大容量の電解コンデンサを得るためには、電解コンデンサ用電極箔はある程度以上の静電容量を持っていなくてはならない。Ａ／Ｂの値が０．３から０．８の範囲にあり、かつ静電容量Ａが２００μＦ／ｃｍ2 以上であることが好ましい。静電容量Ａが２００μＦ／ｃｍ2 以上の電解コンデンサ用電極箔を用いて作製した電解コンデンサは小型大容量化が進むものの高温下での使用で静電容量の低下が大きくなりやすく、本発明は特に有効である。静電容量Ａが３００μＦ／ｃｍ2 以上であることがさらに好ましい。
【００２３】
本発明の電解コンデンサ用電極箔を得るためには、真空蒸着において金属蒸気は特定の初期入射角と最終入射角をもって基体に入射させることが好ましい。
【００２４】
以下、図２を用いて蒸気の基体への入射角について説明する。
【００２５】
蒸発源の中心５とマスク３の基体走行方向下流端１０を結ぶ直線１１がドラム（基体）に入射する点１２でドラム面に法線１３を立てる。法線１３と直線１１がなす角βが初期入射角である。マスク３、ドラム１および蒸発源２の位置関係によって、初期入射角はドラム面に立てた法線に対して基体走行方向の上流側である場合と下流側である場合がある。入射角の正負については、該法線１３と該直線１１がなす角が、基体走行方向上流側にくる場合を負値とし、下流側にくる場合を正値とする。蒸発源の中心５とマスク４の基体走行方向上流端６を結ぶ直線７がドラムに入射する点８でドラム面に法線９を立てる。法線９と直線７がなす角αが最終入射角である。マスク４、ドラム１および蒸発源２の位置関係によって、最終入射角も負値である場合と正値である場合とがある。
【００２６】
本発明のＡ／Ｂの値が０．３から０．８の範囲にある電解コンデンサ用電極箔を得るために、初期入射角が０〜９０度でありかつ最終入射角が−９０〜−４５度の組合せを用いる。また、蒸気の基体への入射領域は、差し向けられる不活性ガスを有効に滞留させるために、マスク３の基体走行方向下流端１０とマスク４の基体走行方向上流端６の間の開口部を除いて略密閉構造であることが好ましい。すなわち蒸気の基体への入射領域は、マスク３および４で下方が遮断され、ドラム１で上方が遮断され、更に図２には示されていないマスクとドラムの間を塞ぐ隔壁で側面が遮断されていることが好ましい。
【００２７】
本発明の電解コンデンサ用電極箔の製造方法の一例を図１を参照して以下に示すがこれに限定されるものではない。
【００２８】
図１は、長尺基体走行系を備えた真空蒸着装置の概略図である。真空槽１４内に巻出し軸１５、円筒状の冷却ドラム１６、巻取り軸１７から成る長尺基体走行系が設置されている。該基体走行系に所定厚みのアルミニウム箔基体１８を設置する。真空槽１４は、巻出し軸、巻取り軸が収められた上槽１９と蒸発源２１が収められた下槽２０とに隔壁２２、２３およびマスク２４、２５で分離されており、排気口２６および２７よりそれぞれ真空排気される。基体走行方向上流側のマスク２４および基体走行方向下流側のマスク２５は蒸発源からの蒸気の基体への初期入射角および最終入射角が所定の角度になるよう設置される。下槽内を５×１０-5Ｔｏｒｒ以下に排気し、バルブ３３を開き蒸発源近傍に設置されたノズル３４を通して隔壁２２、２３、マスク２４、２５および冷却ドラム１６に囲まれた蒸気入射領域へアルゴンガスを差し向け、下槽内圧力を所定の圧力に調整する。蒸発源は電子ビ−ム加熱器で、チタンのインゴット３０が充填されている。基体を走行させつつ、チタンのインゴットを溶融蒸発させて、基体上に所定の付着速度で所定の厚さのチタン薄膜を付着させる。同様にして基体のもう一方の面にもチタン薄膜を付着させる。
【００２９】
金属の蒸発源としては誘導加熱器、抵抗加熱器、レ−ザ−加熱器なども採用できるが、高速に高融点金属を蒸発させるために電子ビ−ム加熱器を採用することが好ましい。これらの蒸発源と基体の間に高周波電力を放射するなどしてイオンプレ−ティングを行うことは適宜許される。またこれらの蒸発源はドラムの真下にある必要はなく、材料使用効率などの点から好適な位置を適宜選んで良い。
【００３０】
本発明の電解コンデンサ用電極箔を得るために、蒸発源近傍もしくは蒸発源と蒸気の基体への入射領域との間に設けたノズル３４から蒸気の基体への入射領域に向けて不活性ガスを差し向ける。蒸発源からの蒸気流は一般に蒸発源の真上で高濃度であり、真上から離れるにつれ急激に濃度が低下する。つまり蒸発源の真上で薄膜の生成速度が大きく、真上から離れるにつれ急激に生成速度が低下する。ノズルを蒸発源近傍もしくは蒸発源と蒸気の基体への入射領域との間に設け、不活性ガスを蒸気の濃度分布に近付けた分布で蒸気の基体への入射領域に供給することにより、図１に示されたノズル２９や３２などのように蒸気の入射方向とは異なる方向から不活性ガスを供給した場合に比べて、金属薄膜の深さ方向の微細構造がより均一になり、ひいてはＡ／Ｂの値を０．３から０．８の範囲に制御する効果がある。ノズルは、蒸発源近傍に設置することが蒸気流と不活性ガスの濃度分布をより近づけることができ、より好ましい。このときノズルから噴出するガスに強い方向性を持たせるために、ノズルの長さがノズル径の５倍以上であることが好ましい。該ノズルはドラム幅方向に複数個設けられることが形成される金属薄膜の幅方向の均一性を向上させるために好ましい。
【００３１】
本発明の電解コンデンサ用電極箔を得るためには、下槽内圧力を４×１０-4Ｔｏｒｒから１×１０-2Ｔｏｒｒの範囲に設定することが好ましい。下槽内圧力が１×１０-2Ｔｏｒｒを越えると得られる金属薄膜の構造が微細になりすぎてＡ／Ｂの値が０．３未満になる。下槽内圧力が４×１０-4Ｔｏｒｒ以下では、Ａ／Ｂの値は０．３から０．８の範囲にあるものの金属薄膜の単位面積当りの静電容量Ａを２００μＦ／ｃｍ2 以上に大きくできず、生産性や電解コンデンサの小型化の点で好ましくない。
【００３２】
窒素ガスや酸素ガスを下槽に導入しつつ金属薄膜を形成すると、静電容量を特に大きくできる利点があるが、Ａ／Ｂの値が０．３未満になりやすい。窒素ガスや酸素ガスを下槽に導入しつつ形成した金属薄膜を大気中、１００℃から２００℃で３０分から５時間程度の間、熱処理することは、Ａ／Ｂの値を大きくし０．３から０．８の範囲にするために好ましい。熱処理は窒素ガスや酸素ガスを下槽に導入しつつ金属薄膜を形成した場合だけでなく、一般にＡ／Ｂの値を大きくする効果があるが、一方、金属薄膜の静電容量を低下させる。
【００３３】
金属薄膜の形成に先立って、基体と金属薄膜との接着力を向上させるなどの目的で、熱処理や各種の洗浄処理などの前処理を行うことは適宜許される。
【００３４】
本発明の作用の詳細は明らかでないが次のように推測される。
【００３５】
ホウ酸アンモニウムの１０％水溶液はｏ−フタル酸テトラエチルアンモニウムをγ−ブチロラクトンに２５％溶解させた電解液よりも粘度が低く、金属薄膜の微細な孔（隙間）へ侵入しやすいと考えられる。したがって、ホウ酸アンモニウムの１０％水溶液の方がより狭い孔にまで入り込み、その分静電容量が大きく測定される。２つの電解液を使って測定した静電容量の差は金属薄膜の孔の微細さとその量を示唆する値であると推測される。微細すぎる孔の量が多いと、例えば電解液との反応で生成した水和物や酸化物によって、微細孔が容易に塞がれて表面積の減少、すなわち静電容量の減少を生じやすいと考えられる。一方、金属薄膜の微細孔を大きくしようとすると、金属薄膜の厚みを大きくしなければならず、生産性を損なうほか生産時に基体が熱ダメ−ジを受けやすくなるなどの問題がある。
【００３６】
［特性の測定方法、評価方法］
（１）静電容量の測定方法
基体の両面に金属薄膜が形成された試料を切り出し、２０ｍｍ×２０ｍｍの開口部を持つホルダ−２枚で試料を挟み込み固定する。該ホルダ−に固定された２枚の試料を用意し、電解液中で平行になるよう固定する。２枚の試料を電極として、ＬＣＲメ−タ−（安藤電気（株）製ＡＧ−４３１１）にて１２０Ｈｚのときの静電容量を測定した。測定された値の２分の１を単位面積当たりの静電容量とした。
【００３７】
電解液をｏ−フタル酸テトラエチルアンモニウムをγ−ブチロラクトンに２５％溶解させた液としたときの単位面積当りの静電容量値を静電容量Ａ、電解液をホウ酸アンモニウムの１０％水溶液中としたときの単位面積当りの静電容量値を静電容量Ｂとした。Ａ／Ｂの値が０．３から０．８の範囲にあることが重要である。
【００３８】
（２）耐熱性の評価
本発明の電極箔を陽極箔、セパレ−タとともに巻回して駆動用電解液を含浸させる。次いで、金属缶に封入し電解コンデンサを作製した。この電解コンデンサに定格電圧を印加しつつ１１０℃のオ−ブン中で１０００時間保管し、高温下保管による静電容量の低下率で耐熱性を評価した。静電容量の低下が小さいほど、耐熱性が良いことを示す。また耐熱性の評価は、寿命の促進試験を兼ねており、耐熱性が良好であるほど寿命が長いことを示す。
【００３９】
【実施例】
以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４０】
実施例
図１の長尺基体走行系を備えた真空蒸着装置に厚さ２２μｍの長尺の平坦なアルミニウム箔基体を装着した。マスク２４および２５を調節して、初期入射角が４０度、最終入射角が−４０度になるようにした。電子ビーム加熱器２１にチタンのインゴット３０を充填した後、真空槽１４内を排気口２６および２７より真空排気して隔壁２２、２３、マスク２４、２５および冷却ドラム１６でしきられた下槽２０内圧力を５×１０-５Ｔｏｒｒ以下にした。次にバルブ３３およびノズル３４を通して蒸気の基体への入射領域に向けてアルゴンガスを０．２リットル／分供給し、下槽内圧力を１×１０-３Ｔｏｒｒに調整した。基体を走行させながらチタンのインゴットを溶融蒸発させてアルミニウム箔上に１．５μｍ／分の蒸着速度で厚さ０．４μｍのチタン薄膜を形成した。チタン薄膜を形成する際、冷却ドラム１６は水冷した。同様にして該アルミニウム箔基体の他の一方の面にもチタン薄膜を形成した。
【００４１】
かくして得た電解コンデンサ用電極箔の静電容量Ａは、３４０μＦ／ｃｍ2 、静電容量Ｂは、７６０μＦ／ｃｍ2 であった。したがって、Ａ／Ｂ＝０．４５である。
【００４２】
この電解コンデンサ用電極箔を陰極とし、陽極酸化被膜が形成された厚さ９０μｍの陽極箔と共にセパレ−タを介して巻き回してコンデンサ素子を作製した。このコンデンサ素子に、γ−ブチロラクトン７４％、ｏ−フタル酸テトラエチルアンモニウム２５％、水１％からなる駆動用電解液を含浸させ、金属缶に封入し、定格１０Ｖ・８２００μＦの電解コンデンサを作製した。
【００４３】
この電解コンデンサに電圧１０Ｖを印加しつつ１１０℃のオ−ブン中で１０００時間保管した。保管後の静電容量は、保管前に比べて３．６％低下しただけで、耐熱性は良好であった。
【００４４】
耐熱性評価試験を実施せず、室温中に１０００時間保管した実施例１の電解コンデンサを分解して、陰極箔を取り出した。この陰極箔をアセトン中で超音波洗浄したあと、静電容量の測定した。静電容量Ａは、３３７μＦ／ｃｍ2 、静電容量Ｂは、７１０μＦ／ｃｍ2 であり、Ａ／Ｂ＝０．４７であった。
【００４５】
実施例２
アルゴンガスを０．７リットル／分供給し、下槽内圧力を７×１０-3Ｔｏｒｒに調整したことと、厚さ０．２μｍのチタン薄膜を形成したこと以外は実施例１と同様にしてアルミニウム箔基体上にチタン薄膜を形成した。
【００４６】
かくして得た電解コンデンサ用電極箔の静電容量Ａは、３５０μＦ／ｃｍ2 、静電容量Ｂは、９２０μＦ／ｃｍ2 であった。したがって、Ａ／Ｂ＝０．３８である。
【００４７】
この電解コンデンサ用電極箔を陰極とし、実施例１と同様にして、定格１０Ｖ・８２００μＦの電解コンデンサを作製した。
【００４８】
この電解コンデンサに電圧１０Ｖを印加しつつ１１０℃のオ−ブン中で１０００時間保管した。保管後の静電容量は、保管前に比べて４．０％低下しただけで、耐熱性は良好であった。
【００４９】
比較例１
アルゴンガスを１．４リットル／分供給し、下槽内圧力を１．３×１０-2Ｔｏｒｒに調整したことと、厚さ０．１μｍのチタン薄膜を形成したこと以外は実施例１と同様にしてアルミニウム箔基体上にチタン薄膜を形成した。
【００５０】
かくして得た電解コンデンサ用電極箔の静電容量Ａは、３２０μＦ／ｃｍ2 、静電容量Ｂは、１３３０μＦ／ｃｍ2 であり、Ａ／Ｂ＝０．２４であった。
【００５１】
この電解コンデンサ用電極箔を陰極とし、実施例１と同様にして、定格１０Ｖ・８２００μＦの電解コンデンサを作製した。
【００５２】
この電解コンデンサに電圧１０Ｖを印加しつつ１１０℃のオ−ブン中で１０００時間保管した。保管後の静電容量は、保管前に比べて１０．４％と大きく低下し、耐熱性は不良であった。
【００５３】
【発明の効果】
本発明は、基体の少なくとも片面に金属薄膜を形成した電解コンデンサ用電極箔であって、ｏ−フタル酸テトラエチルアンモニウムをγ−ブチロラクトンに２５％溶解させた電解液中で測定した該電解コンデンサ用電極箔の静電容量とホウ酸アンモニウムの１０％水溶液中で測定した該電解コンデンサ用電極箔の静電容量との比を所定の範囲にしたことにより、生産性に優れると共に静電容量の低下が小さく、耐熱性に優れ長寿命の電解コンデンサが得られたものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電解コンデンサ用電極箔を製造するための真空蒸着装置の一例である。
【図２】本発明の電解コンデンサ用電極箔を製造するための真空蒸着装置の一例であり、基体への金属蒸気の入射角の説明図である。
【符号の説明】
１：基体
２：蒸発源
３および４：金属蒸気を遮蔽するためのマスク
α：最終入射角
β：初期入射角
１８：基体
２１：蒸発源
２８、３１および３３：ガス供給用バルブ
２９、３２および３４：ノズル
【図１】
0003668255.tif 000002
【図２】
0003668255.tif 000003