(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エミッタ端子を接地した第一、第二のトランジスタのコレクタとベース端子を高周波的に接地した第三のトランジスタのエミッタをカスコード接続した増幅器において、前記第一または第二のトランジスタのベース端子のいずれか一方を選択してベースバイアスを供給するバイアス切替回路を有する可変利得増幅器であって、
前記バイアス切替回路は、第一の電源回路と、第二の電源回路と、切替スイッチより構成され、
前記第一の電源回路は、ベース端子が前記第一のトランジスタのベース端子に接続される第五のトランジスタと、一端が電源に接続されるとともに他端が前記第五のトランジスタのコレクタ端子に接続される第四の抵抗と、コレクタ端子が電源に接続されるとともにベース端子が前記第五のトランジスタのコレクタ端子及び前記第四の抵抗との接続中点に接続される第七のトランジスタと、前記第五のトランジスタのベース端子に接続されるとともに前記第七のトランジスタのエミッタ端子に接続される第一の高周波阻止回路とを有し、
前記第二の電源回路は、ベース端子が前記第二のトランジスタのベース端子に接続される第六のトランジスタと、一端が電源に接続されるとともに他端が前記第六のトランジスタのコレクタ端子に接続される第五の抵抗と、コレクタ端子が電源に接続されるとともにベース端子が前記第六のトランジスタのコレクタ端子及び前記第五の抵抗との接続中点に接続される第八のトランジスタと、前記第六のトランジスタのベース端子に接続されるとともに前記第八のトランジスタのエミッタ端子に接続される第二の高周波阻止回路とを有し、
前記切替スイッチは、前記第一のトランジスタにおけるベース端子と前記第五のトランジスタにおけるベース端子とが接続されることで形成される第一のカレントミラー回路にバイアスを供給する第九のトランジスタと、前記第二のトランジスタにおけるベース端子と前記第六のトランジスタにおけるベース端子とが接続されることで形成される第二のカレントミラー回路にバイアスを供給する第十のトランジスタと、前記第九または第十のトランジスタのどちらか一方を動作させる第十一のトランジスタとを有する可変利得増幅器。
【請求項２】
前記第二のトランジスタのエミッタ端子を接地する帰還抵抗を有する請求項１記載の可変利得増幅器。
【請求項３】
前記第二のトランジスタの入力インピーダンスを制御する第一のインピーダンス補償回路と、前記第一のトランジスタ及び前記第二のトランジスタのベース端子間を疎結合し前記第二のトランジスタの入力インピーダンスを制御する第二のインピーダンス補償回路とを有する請求項１または２記載の可変利得増幅器。
【請求項４】
前記第一のインピーダンス補償回路は、前記第二のトランジスタのベース端子に接続された第一の抵抗と、前記第一の抵抗に接続された第一の容量と、前記第一の容量に接続され前記第一の容量の接地・非接地を切替える第四のトランジスタとを有し、前記第二のインピーダンス補償回路は、前記第一のトランジスタのベース端子に接続された第一のインダクタと、一端が前記第一のインダクタに接続されるとともに他端が前記第二のトランジスタのベース端子に接続される第二の容量とを有する請求項３記載の可変利得増幅器。
【請求項５】
前記第一のトランジスタに対して前記第二のトランジスタのサイズを小さくした請求項１ないし４のいずれか記載の可変利得増幅器。
【請求項６】
前記第一の高周波阻止回路は第二の抵抗である請求項１ないし５のいずれか記載の可変利得増幅器。
【請求項７】
前記第一の高周波阻止回路は第二のインダクタである請求項１ないし５のいずれか記載の可変利得増幅器。
【請求項８】
前記第一の高周波阻止回路は第一のインダクタである請求項１ないし５のいずれか記載の可変利得増幅器。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか記載の可変利得増幅器を有する無線通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はデジタル無線通信装置用受信フロントエンド部に使用する可変利得増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
移動体通信では、基地局−移動局間の距離に応じて受信電界が大きく変化するため受信系に広いダイナミックレンジが必要となり、受信フロントエンド部の低雑音増幅器には利得制御機能が要求される。
【０００３】
以下、従来の可変利得増幅器について説明する。図５は従来の可変利得増幅器の回路図である。
【０００４】
図５において、５０１，５０２はトランジスタ、５０３、５０４は抵抗、５０５はインダクタ、５０６は接地容量、５０７は入力整合回路、５０８は出力整合回路、５０９は利得制御端子、５１０，５１１は電源端子、５１２は高周波入力端子、５１３は高周波出力端子である。
【０００５】
以上のように構成された可変利得増幅器について、以下その動作について説明する。
【０００６】
弱電界入力時には、利得制御端子５０９には高利得が得られる電圧Ｖagc1を印加する。この時、可変利得増幅器の入出力インピーダンスは、伝送線路の特性インピーダンスに一致するように、入力整合回路５０７と出力整合回路５０８の回路構成およびインダクタ５０５の値を設定する。一方  、強電界入力時には利得制御端子５０９には低利得となる電圧Ｖagc2（Ｖagc2＜Ｖagc1）を設定し、増幅器の利得を低減する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の構成では、利得切替時に増幅器の入力インピーダンスが変動し、伝送線路の特性インピーダンスと不整合を生じるとともに、トランジスタの電流を下げて利得を低減するために、非線形効果による高次歪が増大するという欠点を有していた。
【０００８】
本発明は、前記従来技術の課題を解決するもので、インピーダンス補償回路を適用することで、利得切替え時でも、入力整合を保ち、かつ高次歪特性が劣化しない可変利得増幅器を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため本発明は、エミッタ端子を接地した第一、第二のトランジスタのコレクタとベース端子を高周波的に接地した第三のトランジスタのエミッタをカスコード接続した増幅器において、前記第一または第二のトランジスタのベース端子のいずれか一方を選択してベースバイアスを供給するバイアス切替回路を有するものである。
【００１０】
これにより、利得切替時でも、入力整合を保ち、かつ高次歪特性が劣化しない可変利得増幅器が得られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、エミッタ端子を接地した第一、第二のトランジスタのコレクタとベース端子を高周波的に接地した第三のトランジスタのエミッタをカスコード接続した増幅器において、前記第一または第二のトランジスタのベース端子のいずれか一方を選択してベースバイアスを供給するバイアス切替回路を有する可変利得増幅器であって、前記バイアス切替回路は、第一の電源回路と、第二の電源回路と、切替スイッチより構成され、前記第一の電源回路は、ベース端子が前記第一のトランジスタのベース端子に接続される第五のトランジスタと、一端が電源に接続されるとともに他端が前記第五のトランジスタのコレクタ端子に接続される第四の抵抗と、コレクタ端子が電源に接続されるとともにベース端子が前記第五のトランジスタのコレクタ端子及び前記第四の抵抗との接続中点に接続される第七のトランジスタと、前記第五のトランジスタのベース端子に接続されるとともに前記第七のトランジスタのエミッタ端子に接続される第一の高周波阻止回路とを有し、前記第二の電源回路は、ベース端子が前記第二のトランジスタのベース端子に接続される第六のトランジスタと、一端が電源に接続されるとともに他端が前記第六のトランジスタのコレクタ端子に接続される第五の抵抗と、コレクタ端子が電源に接続されるとともにベース端子が前記第六のトランジスタのコレクタ端子及び前記第五の抵抗との接続中点に接続される第八のトランジスタと、前記第六のトランジスタのベース端子に接続されるとともに前記第八のトランジスタのエミッタ端子に接続される第二の高周波阻止回路とを有し、前記切替スイッチは、前記第一のトランジスタにおけるベース端子と前記第五のトランジスタにおけるベース端子とが接続されることで形成される第一のカレントミラー回路にバイアスを供給する第九のトランジスタと、前記第二のトランジスタにおけるベース端子と前記第六のトランジスタにおけるベース端子とが接続されることで形成される第二のカレントミラー回路にバイアスを供給する第十のトランジスタと、前記第九または第十のトランジスタのどちらか一方を動作させる第十一のトランジスタとを有する可変利得増幅器としたものであり、入力信号の第一のカレントミラー回路及び第二のカレントミラー回路への漏洩を阻止することができ、バイアス切替回路による雑音指数特性の劣化を防止することができ、第五のトランジスタ及び第六のトランジスタのベース端子の入力インピーダンスは充分高いため、問題とならない。さらに、カレントミラー対となるトランジスタのベース端子間に電圧降下を生じる抵抗が存在しないため、トランジスタの順方向電流増幅率バラツキに対する電流変動を抑えることができるという作用を有する。
本発明の請求項２に記載の発明は、前記第二のトランジスタのエミッタ端子を接地する帰還抵抗を有する請求項１記載の可変利得増幅器である。
本発明の請求項３に記載の発明は、前記第二のトランジスタの入力インピーダンスを制御する第一のインピーダンス補償回路と、前記第一のトランジスタ及び前記第二のトランジスタのベース端子間を疎結合し前記第二のトランジスタの入力インピーダンスを制御する第二のインピーダンス補償回路とを有する請求項１または２記載の可変利得増幅器であり、低利得に切替えた時には第一のインピーダンス補償回路が第二のトランジスタのベース端子に容量を付加し、第二のトランジスタの入力インピーダンスを制御することで、利得切替時でも入力整合を保ち、高次歪の発生を抑圧することができるという作用を有する。
【００１２】
そして、請求項４に記載の発明のように、前記第一のインピーダンス補償回路は、前記第二のトランジスタのベース端子に接続された第一の抵抗と、前記第一の抵抗に接続された第一の容量と、前記第一の容量に接続され前記第一の容量の接地・非接地を切替える第四のトランジスタとを有し、前記第二のインピーダンス補償回路は、前記第一のトランジスタのベース端子に接続された第一のインダクタと、一端が前記第一のインダクタに接続されるとともに他端が前記第二のトランジスタのベース端子に接続される第二の容量とを有する請求項３記載の可変利得増幅器としても、同様の作用を呈する。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記第一のトランジスタに対して前記第二のトランジスタのサイズを小さくした請求項１ないし４のいずれか記載の可変利得増幅器であり、第一のトランジスタが動作する高利得時に雑音指数が劣化することを抑制できるという作用を有する。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、前記第一の高周波阻止回路は第二の抵抗である請求項１ないし５のいずれか記載の可変利得増幅器であり、バイアス切替回路による雑音指数特性の劣化が低減できるとともに、カレントミラー対となるトランジスタのベース端子間に電圧降下を生じる抵抗が存在しないため、トランジスタの順方向電流増幅率バラツキに対する電流変動を抑えることができるという作用を有する。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、前記第一の高周波阻止回路は第二のインダクタである請求項１ないし５のいずれか記載の可変利得増幅器であり、電圧降下のため高い抵抗値をとりにくい第二の抵抗よりも効果的に、高周波信号のバイアス切替回路への流入を阻止することができるという作用を有する。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、前記第一の高周波阻止回路は第一のインダクタである請求項１ないし５のいずれか記載の可変利得増幅器であり、一つの部品に二つの機能をもたせることで、部品点数を削減できるという作用を有する。
【００１７】
請求項９に記載の発明は、請求項１ないし８のいずれか記載の可変利得増幅器を有する無線通信装置であり、利得切替時でも、入力整合を保ち、かつ高次歪特性が劣化しない可変利得増幅器を有する無線通信装置が得られるという作用を有する。
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図１から図４を用いて説明する。
（実施の形態１）
図１は本実施の形態における可変利得増幅器の回路図である。図１において、１はエミッタ端子を直接接地した第一のトランジスタ、２は第一のトランジスタ１とコレクタ端子同士を接続した第二のトランジスタ、３は第二のトランジスタ２のエミッタ端子を接地する帰還抵抗、４は第一のトランジスタ１及び第二のトランジスタ２のコレクタ端子間を接続する抵抗、５は第一のトランジスタ１および第二のトランジスタ２とカスコード接続する第三のトランジスタ、６は第三のトランジスタ５にベースバイアスを供給する抵抗、７は第三のトランジスタ５のベース端子に接続する接地容量、８は第一のトランジスタ１及び第二のトランジスタ２のベース端子間を疎結合する第二の容量、１０１は第二のトランジスタ２の入力インピーダンスを制御する第一のインダクタ、１０２は第二の容量８及び第一のインダクタ１０１より構成される第二のインピーダンス補償回路、９は入力整合回路、１０は出力整合回路、１１は第三のトランジスタ５にコレクタバイアスを供給し、かつ出力整合回路１０とともに出力整合をとるインダクタ、１２及び１３は電源端子、１４は高周波入力端子、１５は高周波出力端子、１０３及び１０４はそれぞれ第一のトランジスタ１及び第二のトランジスタ２にベースバイアスを供給する電源、１０５は第一のトランジスタ１か第二のトランジスタ２のいずれを動作させるか選択するスイッチ、１０６はインバータ、１６は利得制御端子、１０７は利得制御端子１６、電源１０３，１０４、スイッチ１０５、及びインバータ１０６より構成されるバイアス切替回路、１７及び１８は第二のトランジスタ２の入力インピーダンスを制御する第一の容量及び第一の抵抗、１９はバイアス切替回路１０７と連動し、Ｖagc1が第一のトランジスタ１のベース端子に印可されるときには動作せず、Ｖagc2が第二のトランジスタ２のベース端子に印可されるときに動作して、第一の容量１７の接地・非接地を切替える第四のトランジスタ、２０は第一の容量１７、第一の抵抗１８及び第四のトランジスタ１９より構成される第一のインピーダンス補償回路、１０８は第一のトランジスタ１、第二のトランジスタ２、帰還抵抗３、抵抗４、第三のトランジスタ５、第二の容量８、第一のインピーダンス補償回路２０、及びバイアス切替回路１０７より構成される集積回路である。
【００１９】
高周波入力端子１４より入力された高周波信号は、入力整合回路９を通って第一のトランジスタ１のベース端子に、また入力整合回路９と第二のインピーダンス補償回路１０２とを通って第二のトランジスタ２のベース端子に入力される。
【００２０】
弱電界入力時は、第一のトランジスタ１のベース端子にＶagc1を印可することで、所望の利得を得る。一方、強電界入力時にはバイアス切替回路１０７を用いて、第二のトランジスタ２のベース端子にＶagc1より小さなＶagc2を印可すること、及び帰還抵抗３の作用により第１のトランジスタが動作する場合と比較して利得が低減する。
【００２１】
入力インピーダンスは、第一のトランジスタ１または第二のトランジスタ２のうち動作しているトランジスタにより決定される。第一のトランジスタ１と第二のトランジスタ２との入力容量の差、及び第二のトランジスタ２のエミッタ端子−接地間に接続した帰還抵抗３により、第二のトランジスタ２の動作時と第一のトランジスタ１の動作時との入力インピーダンスは異なる。そこで、バイアス切替回路１０７と連動して動作する第四のトランジスタ１９により、第二のトランジスタ２の動作時には、第二のトランジスタ２のベース端子−接地間に第一の容量１７及び第一の抵抗１８を接続し、第一のトランジスタ１の入力インピーダンスと同等とする。さらに、第一のトランジスタ１の動作時における第二のトランジスタ２の影響を軽減するために、第一のトランジスタ１と第二のトランジスタ２のベース端子間を第二の容量８により疎結合とするため、第一のインダクタ１０１によるインピーダンス補償回路も接続する。
【００２２】
本実施の形態によれば、低利得に切替えた時には第一のインピーダンス補償回路が第二のトランジスタのベース端子に第一の容量を付加し、第二のトランジスタの入力インピーダンスを制御することで、利得切替時でも入力整合を保ち、高次歪の発生を抑圧することができる。
【００２３】
なお、第二の容量８と第一のインダクタ１０１の配置は変更可能であるが、第二の容量８を集積回路１０８に内蔵して部品点数を削減することができる点で、図１に示した構成がより好ましい。
【００２４】
また、第一のトランジスタ１のエミッタサイズに比べ、第二のトランジスタ２のエミッタサイズを小さくすることにより、第二のトランジスタ２を付加することによる高利得時の雑音指数の劣化を抑制することができる。
【００２５】
（実施の形態２）
図２は本実施の形態における可変利得増幅器の回路図である。図２において、２０１及び２０２は第一のトランジスタ１及び第二のトランジスタ２とそれぞれカレントミラーを形成する対となる第五及び第六のトランジスタ、２０３及び２０４は第五のトランジスタ２０１及び第六のトランジスタ２０２のエミッタ端子をそれぞれ接地する第一及び第二のエミッタ抵抗、２０５及び２０６は第一のトランジスタ１及び第二のトランジスタ２にそれぞれベース電流を供給する第七及び第八のトランジスタ、２０７は第一のトランジスタ１、第五のトランジスタ２０１、第七のトランジスタ２０５及び第一のエミッタ抵抗２０３より構成される第一のカレントミラー回路、２０８は第二のトランジスタ２、第六のトランジスタ２０２、第八のトランジスタ２０６及び第二のエミッタ抵抗２０４より構成される第二のカレントミラー回路、２０９及び２１０は第七のトランジスタ２０５及び第八のトランジスタ２０６のエミッタ端子とそれぞれ第一のトランジスタ１及び第二のトランジスタ２のベース端子間を接続する第二及び第三の抵抗、２１１及び２１２は第二の抵抗２０９、第三の抵抗２１０よりそれぞれ構成される第一及び第二の高周波阻止回路、２１３及び２１４は第一のカレントミラー回路２０７及び第二のカレントミラー回路２０８にそれぞれバイアスを供給する第九及び第十のトランジスタ、２１５は第九のトランジスタ２１３または第十のトランジスタ２１４のどちらか一方を動作させる第十一のトランジスタ、２１６は利得制御端子１６、第九のトランジスタ２１３、第十のトランジスタ２１４及び第十一のトランジスタ２１５より構成される切替スイッチ、２１７−２１９はバイアスを供給する抵抗、２２０および２２１は定電流源、２２２は電源端子、２２３は第五のトランジスタ２０１、第六のトランジスタ２０２、第一のエミッタ抵抗２０３、第二のエミッタ抵抗２０４、第七のトランジスタ２０５、第八のトランジスタ２０６、切替スイッチ２１６、抵抗２１７−２１９、定電流源２２０，２２１、及び電源端子２２２より構成され、利得制御端子１６の電位により、第一のトランジスタ１または第二のトランジスタ２のどちらか一方にベースバイアスを供給するバイアス切替回路、２２４は第一のトランジスタ１、第二のトランジスタ２、帰還抵抗３、抵抗４、第三のトランジスタ５、第二の容量８、第一のインピーダンス補償回路２０、第一の高周波阻止回路２１１、第二の高周波阻止回路２１２及びバイアス切替回路２２３より構成される集積回路である。なお、上記以外の構成要素、符号については実施の形態１と同一である。
【００２６】
本実施の形態によれば、第二の抵抗２０９及び第三の抵抗２１０に、それぞれ第一のトランジスタ１及び第二のトランジスタ２の入力インピーダンスより充分に高い値を選択することにより、入力信号の第一のカレントミラー回路２０７及び第二のカレントミラー回路２０８への漏洩を阻止することができ、バイアス切替回路２２３による雑音指数特性の劣化を防止することができる。なお、第五のトランジスタ２０１及び第六のトランジスタ２０２のベース端子の入力インピーダンスは充分高いため、問題とならない。さらに、カレントミラー対となるトランジスタのベース端子間に電圧降下を生じる抵抗が存在しないため、トランジスタの順方向電流増幅率バラツキに対する電流変動を抑えることができる。その他の動作、作用は実施の形態１と同様である。
【００２７】
なお、図２には第一のエミッタ抵抗２０３を第五のトランジスタ２０１のエミッタ端子に接続してミラー比を大きくとっているが、それほど大きなミラー比が要求されない場合にはこの第一のエミッタ抵抗２０３は削除可能であり、このときには抵抗バラツキに対する電流変動も抑えることができる。
【００２８】
（実施の形態３）
図３は本実施の形態における可変利得増幅器の回路図である。図３において、３０１は第一のトランジスタ１のベース端子及び第七のトランジスタ２０５のエミッタ端子間を接続する第二のインダクタ、３０２は第二のインダクタ３０１より構成される第一の高周波阻止回路、３０３は第一のトランジスタ１、第二のトランジスタ２、帰還抵抗３、抵抗４、第三のトランジスタ５、第二の容量８、第一のインピーダンス補償回路２０、第二の高周波阻止回路２１２及びバイアス切替回路２２３より構成される集積回路である。なお、上記以外の構成要素と符号については実施の形態２と同様である。
【００２９】
本実施の形態によれば、第二のインダクタ３０１に、第一のトランジスタ１の入力インピーダンスより充分に高いインピーダンスとなるインダクタンス値を選択することにより、第二のインダクタ３０１を介して、第一のトランジスタ１にベースバイアスを供給し、かつ入力信号の第一のカレントミラー回路２０７への漏洩を阻止することができ、バイアス切替回路２２３による雑音指数特性の劣化を防止することができる。その他の動作、作用は実施の形態２と同様である。
【００３０】
なお、第二のインダクタ３０１を、第一のトランジスタ１及び第五のトランジスタ２０１のベース端子間に接続しても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００３１】
（実施の形態４）
図４は本実施の形態における可変利得増幅器の回路図である。図４において、４０１は第一のトランジスタ１及び第二のトランジスタ２のベース端子間を接続する第一のインダクタ、４０２は第二の容量８及び第一のインダクタ４０１より構成される第二のインピーダンス補償回路、４０３は第一のインダクタ  ４０１より構成される第一の高周波阻止回路、４０４は第一のトランジスタ１、第二のトランジスタ２、帰還抵抗３、抵抗４、第三のトランジスタ５、第二の容量８、第一のインピーダンス補償回路２０、第二の高周波阻止回路２１２及びバイアス切替回路２２３より構成される集積回路である。なお、上記以外の構成要素、符号については実施の形態３と同様である。
【００３２】
本実施の形態によれば、第二のインピーダンス補償回路４０２に用いられている第一のインダクタ４０１を、入力信号の第一のカレントミラー回路２０７への漏洩阻止用として兼用することにより、部品点数を削減できる。その他の動作、作用は実施の形態３と同様である。
【００３３】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、インピーダンス補償回路を適用することで、利得切替え時でも、入力整合を保ち、かつ高次歪の発生を防止できるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による可変利得増幅器の回路図
【図２】本発明の一実施の形態による可変利得増幅器の回路図
【図３】本発明の一実施の形態による可変利得増幅器の回路図
【図４】本発明の一実施の形態による可変利得増幅器の回路図
【図５】従来の可変利得増幅器の回路図
【符号の説明】
１  第一のトランジスタ
２  第二のトランジスタ
３  帰還抵抗
４、６、２１７、２１８、２１９、５０３、５０４  抵抗
５  第三のトランジスタ
７、５０６  接地容量
８  第二の容量
９、５０７  入力整合回路
１０、５０８  出力整合回路
１１、５０５  インダクタ
１２、１３、２２２、５１０、５１１  電源端子
１４、５１２  高周波入力端子
１５、５１３  高周波出力端子
１６、５０９  利得制御端子
１７  第一の容量
１８  第一の抵抗
１９  第四のトランジスタ
２０  第一のインピーダンス補償回路
１０１、４０１  第一のインダクタ
１０２、４０２  第二のインピーダンス補償回路
１０３、１０４  電源
１０５  スイッチ
１０６  インバータ
１０７、２２３  バイアス切替回路
１０８、２２４、３０３、４０４  集積回路
２０１  第五のトランジスタ
２０２  第六のトランジスタ
２０３  第一のエミッタ抵抗
２０４  第二のエミッタ抵抗
２０５  第七のトランジスタ
２０６  第八のトランジスタ
２０７  第一のカレントミラー回路
２０８  第二のカレントミラー回路
２０９  第二の抵抗
２１０  第三の抵抗
２１１、３０２、４０３  第一の高周波阻止回路
２１２  第二の高周波阻止回路
２１３  第九のトランジスタ
２１４  第十のトランジスタ
２１５  第十一のトランジスタ
２１６  切替スイッチ
２２０、２２１  定電流源
３０１  第二のインダクタ
５０１、５０２  トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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