(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
球状半導体材料の表面に半導体素子を形成した球状半導体と、前記球状半導体を搭載するための基板と、前記球状半導体を前記基板に固定するための固定材とを有する半導体装置であって、前記基板の表面には、前記球状半導体を搭載するための前記球状半導体の幅よりも狭い凹部が形成され、前記凹部内には、前記固定材が形成される領域で当該領域の周辺領域と比較して前記固定材との濡れ性が高い高濡れ性領域が形成され、前記球状半導体の表面に前記固定材が形成される領域は、当該領域の周辺領域と比較して前記固定材との濡れ性が高い高濡れ性領域でなり、かつ前記球状半導体を前記基板に搭載したときに前記凹部内に位置する領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項1において、前記固定材は、半田および接着剤のうちいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項1において、前記球状半導体表面上に形成された前記高濡れ性領域は前記半導体素子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項1において、前記球状半導体表面上および前記基板表面上に形成された、各々の前記高濡れ性領域は、導電性を有する前記固定材を介して導電接続するための端子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において前記球状半導体表面上で前記基板上に搭載したときの最下点、および前記基板の前記凹部で前記最下点に対応する位置に端子を設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
球状半導体材料の表面に半導体素子を形成した球状半導体と、前記球状半導体を搭載するための基板と、前記球状半導体を前記基板に固定するための固定材とを有する半導体装置の製造方法であって、前記基板の表面に、前記球状半導体を搭載するための前記球状半導体の幅よりも狭い凹部を形成し、前記凹部内には、前記固定材が形成される領域でかつ当該領域の周辺領域と比較して前記固定材との濡れ性が高い高濡れ性領域を形成し、前記球状半導体の表面に、前記固定材が形成される領域でかつ当該領域の周辺領域と比較して前記固定材との濡れ性が高い高濡れ性領域を、前記球状半導体を前記基板に搭載したときに前記凹部内に位置する領域であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記球状半導体あるいは前記基板に形成された、前記高濡れ性領域は酸素プラズマ照射又はフッ化物含有雰囲気中でのプラズマ照射を用いて処理することで形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６において、前記球状半導体あるいは前記基板に形成された、前記高濡れ性領域の周辺領域はフルオロ樹脂加工することで形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６において、前記球状半導体あるいは前記基板表面上に形成された、前記高濡れ性領域の周辺領域に半田レジスト層が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
球状半導体材料の表面に半導体素子を形成した球状半導体を固定材を用いて基板上に搭載した半導体装置であって、前記球状半導体に形成された端子が所定位置で前記基板に対向するように、前記端子が形成されている領域の配線パターンの密度分布または前記配線パターンの膜厚の差によりにより前記球状半導体の重心が偏っていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記基板には前記球状半導体を搭載する領域に凹部が形成されており、前記球状半導体は当該凹部内に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
球状半導体材料の表面に半導体素子を形成した球状半導体を基板上に固定材を用いて搭載した半導体装置の製造方法であって、前記球状半導体に形成された端子が所定位置で前記基板に対向するように、前記端子が形成されている領域の配線パターンの密度分布または前記配線パターンの膜厚の差により前記球状半導体の重心が偏っており、前記球状半導体と前記基板が前記所定位置で電気的に接続するように実装されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記基板には前記球状半導体を搭載する領域に凹部を形成し、前記球状半導体は当該凹部内に配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
球状半導体材料の表面に半導体素子を形成し重心が偏った球状半導体を基板上に固定材を用いて搭載した半導体装置の製造方法であって、前記基板には前記球状半導体を接合するための凹部を形成し、前記凹部内に前記球状半導体を配置し、しかる後に前記基板に振動を加えて前記球状半導体を所定の向きにすることで、前記球状半導体の位置決めを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、球状半導体を用いた半導体装置、およびその製造方法に関するものである。さらに詳しくは、当該球状半導体の基板に対するアライメント技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造には、従来、ウエーハ状の半導体基板の表面に各種の半導体素子が形成される。これに対して、株式会社ボール・セミコンダクタ社からは、球状の半導体材料（シリコン）の表面に半導体素子を形成した球状半導体を用いて半導体装置を製造する技術が１９９８年７月１日発行の「日経マイクロデバイス」などに開示されている。この球状半導体は、ウエーハ状の半導体基板に比較して、面積／体積比が高いので、少ない半導体材料で広い表面積を確保できるという利点がある。ここで、球状の半導体材料は、たとえば、直径が１ｍｍ位の粒状の多結晶半導体材料を、誘導結合型プラズマを用いて１０００℃〜１００００℃のアルゴン雰囲気中で溶融させ、単結晶化させることにより得ることができる。
【０００３】
このような球状の半導体材料の表面には、たとえば、図７に示すような露光方法を用いれば各種の半導体素子を形成することができる。この露光方法では、マスクを通過した光を、球状の半導体材料１０の周りを囲むように配置したミラー３１、３２、３３などによって球状の半導体材料１０に向けて反射することによって、球状の半導体材料１０の表面を一括露光する。また、エッチング工程や成膜工程では、パイプの中にエッチングガスや原料ガスを流すとともに、球状の半導体材料１０を流すことによって行われる。
【０００４】
また、このようにして球状の半導体材料１０に各種の半導体素子を形成した球状半導体は、たとえば、図８に示すように、基板１５の上に実装されて半導体装置１を構成することになる。この半導体装置１では、３つの球状半導体１１がいずれも基板１５に対して電気的に接続し、かつ、２つの球状半導体１１については球状半導体同士が電気的に接続している例である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような球状半導体１１を用いた半導体装置１については、いずれ近いうちに各種の機器に搭載されることになるが、現在のところ、球状半導体１１を基板１５上に実装するための技術が確立されていない状態にある。すなわち、従来はあくまで、半導体装置を形成する際には半導体基板に半導体素子を作り込んでいるため、平面同士で電気的な接続を行えばよかったのに対して、球状半導体１１を用いた場合には、球面上に形成されている端子を用いて電気的な接続を行う必要があるからである。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、球状半導体と基板との電気的な接続を確実に行うことのできる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
球状半導体材料の表面に半導体素子を形成した球状半導体と、
前記球状半導体を搭載するための基板と、前記球状半導体を前記基板に固定するための固定材とを有する半導体装置であって、前記基板の表面には、前記球状半導体を搭載するための凹部が形成され、前記凹部内には、前記固定材が形成される領域で当該領域の周辺領域と比較して前記固定材との濡れ性が高い高濡れ性領域が形成され、前記球状半導体の表面に前記固定材が形成される領域は、当該領域の周辺領域と比較して前記固定材との濡れ性が高い高濡れ性領域でなり、かつ前記球状半導体を前記基板に搭載したときの最下点を中心とする円周上に単一もしくは複数の状態で形成されることを特徴とする。
本発明において、基板上に半田などの固定材を介して球状半導体を配置した状態で半田を溶融させると、固定材の表面張力および、球状半導体および基板に形成された、各々の高濡れ性領域とその周辺領域との濡れ性の差によって、球状半導体の高濡れ性領域と基板の高濡れ性領域とが精度よく重なるように球状半導体を回転あるいは移動させる力が球状半導体に作用する。従って、球状半導体を配置した位置や向きが多少ずれていても、固定材を溶融させると、球状半導体は自動的に位置合わせされる。それ故、球状半導体を確実に基板上の所定位置に所定の向きで実装することができる。
【０００８】
本発明において前記球状半導体表面上および前記基板表面上に形成された、各々の前記高濡れ性領域は、導電性を有する前記固定材を介して導電接続するための端子である。
【０００９】
本発明において、基板の側に形成した半田などの固定材の層の上に球状半導体を配置した状態で、半田などの固定材を溶融させると、固定材の表面張力および球状半導体の前記高濡れ性領域とその周辺領域との濡れ性の差によって、球状半導体の端子と基板の端子とが精度よく重なるように球状半導体を回転あるいは移動させる力が球状半導体に作用する。従って、球状半導体を配置した位置や向きが多少ずれていても、固定材を溶融させると、球状半導体は自動的に位置合わせされる。それ故、球状半導体を確実に基板上の所定位置に実装することができる。
【００１０】
本発明において、前記基板には前記球状半導体を搭載する領域に凹部が形成されているため、球状半導体は凹部に受けられた状態で位置決め、保持される。それ故、球状半導体を確実に基板上の所定位置に実装することができる。
【００１１】
本発明において、前記固定材は、半田および接着剤のうちいずれかである。
【００１７】
本発明の別の形態では、球状半導体材料の表面に半導体素子を形成した球状半導体と、前記球状半導体を搭載するための基板と、前記球状半導体を前記基板に固定するための固定材とを有する半導体装置であって、前記球状半導体は、前記基板に接合するための接合領域を有し、前記球状半導体を前記基板上に搭載したとき前記接合領域が基板に対向するように重心が偏っていることを特徴とする。
例えば、前記球状半導体は、当該球状半導体の表面の前記接合領域に形成された端子および当該球状半導体表面の配線パターンの密度分布により、前記基板に配置したとき前記接合領域が前記基板に対向するように重心が偏っている。
また、前記球状半導体は、当該球状半導体の表面の前記接合領域に形成された端子および当該球状半導体表面の配線パターンの膜厚の差により、前記基板に配置したとき前記接合領域が前記基板に対向するように重心が偏っている。
【００１８】
本発明では、球状半導体の重心がずれているので、基板上に配置したときに前記接合領域が自動的に基板に対向した向きになったまま転がることがない。それ故、球状半導体を確実に基板上の所定位置に実装することができる。
【００１９】
このような形態においても、前記基板には、前記球状半導体を搭載する領域に凹部が形成されていることが好ましい。このように構成すると、球状半導体は凹部に受けられた状態で位置決め、保持される。それ故、球状半導体を確実に基板上の所定位置に実装することができる。
【００２０】
また、このような構成の半導体装置を製造するにあたっては、前記基板に形成した凹部内に前記球状半導体を配置し、しかる後に前記基板に振動を加えることにより前記球状半導体の所定箇所を下向きにしてから当該球状半導体を前記基板上に固定することができる。本発明において、球状半導体は、基板上に配置したときに所定箇所が下向きになるように重心が偏っているため、球状半導体を基板上に配置したとき、位置や向きが多少ずれていても、基板に振動を加えると、球状半導体は、凹部内においてその重心位置に対応する所定の向きに自動的に転がる。従って、球状半導体を確実に基板上の所定位置に実装することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明を適用した半導体装置の製造方法を説明する。なお、以下に説明するいずれの形態において用いた球状半導体も、従来技術で説明した球状半導体と同様である。従って、従来技術と共通する要素には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。
【００２４】
［実施の形態１］
図１（Ａ）は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図、図１（Ｂ）は、この半導体装置に用いた球状半導体に形成した端子の説明図、図１（Ｃ）は、この半導体装置に用いた基板に形成した端子の説明図である。図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本形態の半導体装置の製造方法のうち、球状半導体の基板への実装工程を示す工程断面図である。
【００２５】
図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）において、本形態の半導体装置１では、図７を参照して説明した球状半導体１１が基板１５上に半田１２（固定材）によって実装されている。この球状半導体１１には、球状半導体１１を基板１５上の所定位置に所定の向きに実装したときに、基板１５と最も近接する箇所を中心に球状半導体１１と基板１５とを電気的に接続する４つの端子１１１が同一円周上に形成されている。このような端子１１１に対応して、基板１５の側には、球状半導体１１を基板１５上の所定位置に所定の向きに実装したときに、球状半導体１１と最も近接する箇所を中心に基板１５と球状半導体１１とを電気的に接続する４つの端子１５１が同一円周上に形成されている。
【００２６】
このように構成した半導体装置１において、本形態では、球状半導体１１の各端子１１１は、表面が金あるいは銅などからなる金属端子であるが、その表面は、酸素プラズマの照射、あるいはフッ化物含有雰囲気中でのプラズマ照射などにより、表面酸化物あるいは有機物が除去されている。このため、球状半導体１１の各端子１１１は、その周辺領域（端子１１１の形成されていない領域）よりも著しく半田１２との濡れ性が高い高濡れ性領域になっている。
【００２７】
従って、以下に、図２（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明するように、球状半導体１１を基板１５上に実装したとき、球状半導体１１は自動的にアライメントされる。すなわち、球状半導体１１を基板１５上に実装する際には、まず、図２（Ａ）に示すように、基板１５の少なくとも端子１５１上に半田１２の層を形成した後、図２（Ｂ）に示すように、半田１２の層の上に球状半導体１１を配置し、しかる後に半田１２を溶融させる。その結果、溶融した半田１２の表面張力および球状半導体１１の端子１１１とその周辺領域との濡れ性の差によって、溶融した半田１２に高濡れ性領域である球状半導体１１の端子１１１が引き寄せられる力、すなわち球状半導体１１の端子１１１と基板１５の端子１５１とが精度よく重なるように球状半導体１１を回転あるいは移動させる力が球状半導体１１に作用する。従って、球状半導体１１を配置した位置や向きが、たとえば、矢印Ａの方向に多少ずれていても、半田１２を溶融させると、球状半導体１１は、各端子１１１と半田１２との間に作用する力の釣り合いがとれるまで矢印Ｂの方向に回転、あるいは移動し、球状半導体１１の端子１１１と基板１５の端子１５１とが精度よくアライメントされる。それ故、溶融させた半田１２を固化させると、球状半導体１１は、基板１５上の所定位置に確実に実装される。
【００２８】
本形態では、球状半導体１１の端子１１１がプラズマ処理によって半田１２との濡れ性を高めてあったが、基板１５の側の端子１５１に対しても、プラズマ処理を施して半田１２との濡れ性を高めておいてもよい。
【００２９】
また、球状半導体１１の端子１１１において半田１２の濡れ性を周辺領域よりも高めるにあって、端子１１１に対してプラズマ処理を施したが、それに代えて、あるいはそれに加えて、周辺領域に対してフッ素樹脂加工あるいはソルダーレジストの層を形成することにより、周辺領域の半田１２との濡れ性を低下させて、球状半導体１１の端子１１１の半田１２との濡れ性を周辺領域よりも高めた構成であってもよい。
【００３０】
さらに、本形態において、球状半導体１１および基板１５の各端子１１１、１５１が同一円周上で複数に分割されている構成であったが、リング状に繋がった構成の端子であってもよい。
【００３１】
さらにまた、上記形態は、固定材として半田１２を用いて球状半導体１１を基板１５上に固定する例であったが、半田１２に代えて、導電性接着剤あるいは通常の接着剤を用いて球状半導体１１を基板１５上に固定する場合に本発明を適用してもよい。
【００３２】
［実施の形態２］
図３（Ａ）、（Ｂ）は、本形態の半導体装置１の製造方法のうち、球状半導体１１の基板１５への実装工程を示す工程断面図である。
【００３３】
本形態の半導体装置１において、球状半導体１１を基板１５上に搭載した構成は、図１と同様に表されるので、同じく図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して説明する。
【００３４】
図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）において、本形態の半導体装置１でも、球状半導体１１が基板１５上に半田１２（固定材）によって実装されている。この球状半導体１１には、球状半導体１１を基板１５上の所定位置に所定の向きに実装したときに、基板１５と最も近接する箇所を中心に４つの端子１１１が同一円周上に形成されている。このような端子１１１に対応して、基板１５の側には、球状半導体１１を基板１５上の所定位置に所定の向きに実装したときに、球状半導体１１と最も近接する箇所を中心に４つの端子１１１が同一円周上に形成されている。
【００３５】
このように構成した半導体装置１において、本形態では、基板１５の各端子１５１は、表面が金あるいは銅などからなる金属端子であるが、その表面は、酸素プラズマの照射、あるいはフッ化物含有雰囲気中でのプラズマ照射により、表面酸化物あるいは有機物が除去されている。このため、基板１５の各端子１５１は、その周辺領域（端子１５１の形成されていない領域）よりも著しく半田１２との濡れ性が高い高濡れ性領域になっている。
【００３６】
従って、以下に、図３（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明するように、球状半導体１１を基板１５上に実装したとき、球状半導体１１は自動的にアライメントされる。すなわち、球状半導体１１を基板１５上に実装する際には、まず、図３（Ａ）に示すように、球状半導体１１の少なくとも端子１１１上に半田１２の層を形成した後、図３（Ｂ）に示すように、球状半導体１１を基板１５上に配置し、しかる後に半田１２を溶融させる。その結果、溶融した半田１２の表面張力および基板１５の端子１５１とその周辺領域との濡れ性の差によって、溶融した半田１２が高濡れ性領域である基板１５の端子１５１に引き寄せられる力、すなわち球状半導体１１の端子１１１と基板１５の端子１５１とが精度よく重なるように球状半導体１１を回転あるいは移動させる力が球状半導体１１に作用する。従って、球状半導体１１を配置した位置や向きが、たとえば、矢印Ａの方向に多少ずれていても、半田１２を溶融させると、球状半導体１１は、各端子１１１と半田１２との間に作用する力の釣り合いがとれるまで矢印Ｂの方向に回転、あるいは移動し、球状半導体１１の端子１１１と基板１５の端子１５１とが精度よくアライメントされる。それ故、溶融させた半田１２を固化させると、球状半導体１１は、基板１５上の所定位置に確実に実装される。
【００３７】
本形態では、基板１５の端子１５１がプラズマ処理によって半田１２との濡れ性を高めてあったが、球状半導体１１の側の端子１１１に対しても、プラズマ処理を施して、半田１２との濡れ性を高めておいてもよい。
【００３８】
また、基板１５の端子１５１において半田１２の濡れ性を周辺領域よりも高めるにあって、端子１５１に対してプラズマ処理を施したが、それに代えて、あるいはそれに加えて、周辺領域に対してフッ素樹脂加工あるいはソルダーレジストの層を形成することにより、周辺領域の半田１２との濡れ性を低下させて、基板１５の端子１５１の半田１２との濡れ性を周辺領域よりも高めた構成であってもよい。
【００３９】
さらに、本形態において、球状半導体１１および基板１５の各端子１１１、１５１が同一円周上で複数に分割されている構成であったが、リング状に繋がった構成の端子であってもよい。
【００４０】
さらにまた、上記形態は、固定材として半田１２を用いて球状半導体１１を基板１５上に固定する例であったが、半田１２に代えて、導電性接着剤あるいは通常の接着剤を用いて球状半導体１１を基板１５上に固定する場合に本発明を適用してもよい。
【００４１】
［実施の形態１、２の改良例］
図４は、本形態に係る半導体装置１の断面図である。
【００４２】
実施の形態１、２では、基板１５において端子１５１が形成されている領域は、平坦な構成であったが、図４に示すように、基板１５の表面には、球状半導体１１を搭載する領域に凹部１５０が形成され、この凹部１５０内に端子１５１が形成されている構成であってもよい。この場合にも、実施の形態１、２と同様、球状半導体１１あるいは基板１５の端子１１１、１５１については、プラズマ処理などによって半田１２との濡れ性を周辺領域よりも著しく高めておくことにより、半田１２が溶融したときに球状半導体１１の端子１１１と基板１５の端子１５１とが自動的に位置合わせされるようになっている。
【００４３】
従って、本形態では、溶融した半田１２の表面張力によって球状半導体１１が自動的に位置合わせされるとともに、球状半導体１１は凹部１５０に受けられた状態で位置決め、保持されるので、球状半導体１１を確実に基板１５上の所定位置に実装することができる。
【００４４】
［実施の形態３］
図５（Ａ）は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の断面図、図５（Ｂ）は、この半導体装置１に用いた球状半導体に形成した端子の説明図、図５（Ｃ）は、この半導体装置１に用いた基板に形成した端子の説明図である。図６（Ａ）、（Ｂ）は、本形態の半導体装置の製造方法のうち、球状半導体の基板への実装工程を示す工程断面図である。
【００４５】
図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）において、本形態の半導体装置１では、図７を参照して説明した球状半導体１１が基板１５上に半田１２（固定材）によって実装されている。この球状半導体１１には、球状半導体１１を基板１５上の所定位置に所定の向きに実装したときに、基板１５と最も近接する箇所に１つの端子１１１が形成され、かつ、この端子１１１を中心に４つの端子１１１が同一円周上に形成されている。このような端子１１１に対応して、基板１５の側には、球状半導体１１を基板１５上の所定位置に所定の向きに実装したときに、球状半導体１１と最も近接する箇所に１つの端子１５１が形成され、かつ、この端子１５１を中心に４つの端子１５１が同一円周上に形成されている。
【００４６】
このように構成した半導体装置１において、本形態では、球状半導体１１は、基板１５上に配置したときに所定箇所（端子１１１が形成されている領域）が下向きになるように重心が偏っている。たとえば、球状半導体１１は、基板１５と電気的に接続される領域（端子１１１が形成されている領域）の方に重心が偏るように、端子１１１が形成されている領域に対しては、他の領域よりも、端子１１１および配線パターン（図示せず。）を高密度に形成してある。さらに、本形態では、球状半導体１１は、基板１５と電気的に接続される領域（端子１１１が形成されている領域）の方に重心が偏るように、端子１１１が形成されている領域に対しては、他の領域よりも、端子１１１および配線パターン（図示せず。）を厚めに形成し、かつ、端子１１１の表面には比重の大きい金をめっきしてある。
【００４７】
このため、本形態では、球状半導体１１の重心がずれているので、基板１５上に配置したときに所定箇所が自動的に下向きになったまま、転がることがない。それ故、球状半導体１１を確実に基板１５上の所定位置に実装することができる。
【００４８】
さらに、本形態では、基板１５の表面には、球状半導体１１を搭載する領域に凹部１５０が形成され、この凹部１５０内に端子１５１が形成されている。このため、球状半導体１１は凹部１５０に受けられた状態で位置決め、保持されるので、球状半導体１１を確実に基板１５上の所定位置に実装することができる。
【００４９】
さらに、基板１５の表面に凹部１５０が形成され、かつ、球状半導体１１の重心が偏っていることを利用して、以下に説明する方法で、球状半導体１１を所定の位置および向きに実装することもできる。すなわち、本形態では、図６（Ａ）に示すように、端子１５１の表面に半田１２がめっきされた基板１５の表面のうち、凹部１５０内に球状半導体１１を配置し、図６（Ｂ）に示すように、しかる後に基板１５に微振動を加えることにより、球状半導体１１の所定箇所を下向きにして、球状半導体１１の端子１１１と基板１５の端子１５１とを精度よく重ねてから、半田１２を溶融、固化させる。
【００５０】
このような方法によれば、球状半導体１１を基板１５上に配置したとき、矢印Ａの方向に位置や向きが多少ずれていても、基板１５に振動を加えると、球状半導体１１は、矢印Ｂで示すように、凹部１５０内においてその重心位置に対応する所定の向きに自動的に転がる。従って、球状半導体１１を確実に基板１５上の所定位置に実装することができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体装置およびその製造方法では、基板あるいは球状半導体に半田１２などの固定材との高濡れ性領域が形成されているので、固定材を溶融させると、その表面張力および基板あるいは球状半導体の高濡れ性領域とその周辺領域との濡れ性の差によって、球状半導体が基板に対して適正に位置合わせされるように球状半導体を回転あるいは移動させる力が球状半導体に作用する。従って、球状半導体を配置した位置や向きが多少ずれていても、固定材を溶融、固化させると、球状半導体は自動的に位置合わせされる。それ故、球状半導体を確実に基板上の所定位置に実装することができる。
【００５２】
また、本発明では、球状半導体の重心をずらしておくと、基板上に配置したときに所定箇所が自動的に下向きになったまま、転がることがない。それ故、球状半導体を確実に基板上の所定位置に実装することができる。
【００５３】
さらに、本発明では、基板における球状半導体を搭載する領域には凹部を形成しておくと、球状半導体は凹部に受けられた状態で位置決め、保持される。それ故、球状半導体を確実に基板上の所定位置に実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図、（Ｂ）は、この半導体装置に用いた球状半導体に形成した端子の説明図、（Ｃ）は、この半導体装置に用いた基板に形成した端子の説明図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は、図１に示す半導体装置の製造方法のうち、球状半導体の基板への実装工程を示す工程断面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法のうち、球状半導体の基板への実装工程を示す工程断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１、２の改良例に係る半導体装置の断面図である。
【図５】（Ａ）は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の断面図、（Ｂ）は、この半導体装置に用いた球状半導体に形成した端子の説明図、（Ｃ）は、この半導体装置に用いた基板に形成した端子の説明図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、図５に示す半導体装置の製造方法のうち、球状半導体の基板への実装工程を示す工程断面図である。
【図７】球状半導体を製造する際に行う露光の方法を示す説明図である。
【図８】図７に示す球状半導体を用いた半導体装置の説明図である。
【符号の説明】
１  半導体装置
１０  球状の半導体材料
１１  球状半導体
１２  半田（固定材）
１５  基板
１１１  球状半導体の端子
１５０  基板の凹部
１５１  基板の端子
【図１】
0003627565.tif 000002
【図２】
0003627565.tif 000003
【図３】
0003627565.tif 000004
【図４】
0003627565.tif 000005
【図５】
0003627565.tif 000006
【図６】
0003627565.tif 000007
【図７】
0003627565.tif 000008
【図８】
0003627565.tif 000009