(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１ポート型表面弾性波共振素子と、
上記１ポート型表面弾性波共振素子が接続されて該１ポート型表面弾性波共振素子に対する信号帰還を行う能動回路部と、
上記１ポート型表面弾性波共振素子に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子部と、
上記１ポート型表面弾性波共振素子及び上記インダクタンス素子部の両者に接続され、上記１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量と上記インダクタンス素子部とが共働して生じる寄生発振を抑制するダンピング部と、
を備えて構成され、
上記ダンピング部が、第１及び第２の抵抗素子を含んで上記インダクタンス素子部に対して直列接続された抵抗素子部により形成され、上記１ポート型表面弾性波共振素子に対して、上記第１及び第２の抵抗素子が上記インダクタンス素子部を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部が並列接続されることを特徴とする発振回路。
【請求項２】
１ポート型表面弾性波共振素子と、
上記１ポート型表面弾性波共振素子が接続されて該１ポート型表面弾性波共振素子に対する信号帰還を行う能動回路部と、
上記１ポート型表面弾性波共振素子に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子部と、
上記インダクタンス素子部に接続され、上記１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量と上記インダクタンス素子部とが共働して生じる寄生発振を抑制するダンピング部と、
上記インダクタンス素子部に対して直列接続された、上記１ポート型表面弾性波共振素子の共振周波数と略等しい共振周波数を有した直列共振回路部と、
を備えて構成され、
上記ダンピング部が、上記インダクタンス素子部に対して直列接続されるとともに上記直列共振回路部に対して並列接続された抵抗素子部により形成され、上記インダクタンス素子部が第１及び第２のインダクタンス素子を含み、上記１ポート型表面弾性波共振素子に対して、上記第１及び第２のインダクタンス素子が上記直列共振回路部を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部が並列接続されることを特徴とする発振回路。
【請求項３】
１ポート型表面弾性波共振素子と、
上記１ポート型表面弾性波共振素子が接続されて該１ポート型表面弾性波共振素子に対する信号帰還を行う能動回路部と、
上記１ポート型表面弾性波共振素子に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子部と、
上記１ポート型表面弾性波共振素子及び上記インダクタンス素子部の両者に接続され、上記１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量と上記インダクタンス素子部とが共働して生じる寄生発振を抑制するダンピング部と、
を備えて構成され、
上記ダンピング部が、第１及び第２の抵抗素子を含んで上記１ポート型表面弾性波共振素子に対して直列接続された抵抗素子部により形成され、上記インダクタンス素子部が、上記抵抗素子部を形成する上記第１及び第２の抵抗素子が上記１ポート型表面弾性波共振素子を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部に対して並列接続されることを特徴とする発振回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子が接続された構成がとられ、能動回路部により１ポート型表面弾性波共振素子に対する信号帰還がなされて、１ポート型表面弾性波共振素子の共振周波数に応じた発振周波数をもっての発振動作が行われる発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
表面弾性波共振素子（ＳＡＷレゾネータ）を用いた発振回路が、例えば、数十〜数百ＭＨｚとされるＭＨｚオーダーの周波数を有した発振出力信号を得ることができるものとして提案されている。表面弾性波共振素子には、１ポート型と２ポート型とがあり、夫々は、図１１及び図１２に示される等価回路によってあらわされる。
【０００３】
即ち、１ポート型表面弾性波共振素子は、図１１に示される等価回路によってあらわされ、抵抗素子１１とインダクタンス素子１２とキャパシタンス素子１３との直列接続と、その全体に対して並列に接続された、浮遊容量に相当するキャパシタンス素子１４とによって成るものとされる。また、２ポート型表面弾性波共振素子は、図１２に示される等価回路によってあらわされ、抵抗素子１５とインダクタンス素子１６とキャパシタンス素子１７との直列接続、及び、各々の一端が接地されるとともに相互誘導結合したインダクタンス素子１８及び１９を含み、インダクタンス素子１８が抵抗素子１５とインダクタンス素子１６とキャパシタンス素子１７との直列接続に対して直列に接続されて、それにより得られる抵抗素子１５とインダクタンス素子１６とキャパシタンス素子１７とインダクタンス素子１８との直列接続の全体に対して並列に、浮遊容量に相当するキャパシタンス素子２０が接続され、さらに、インダクタンス素子１９に対して並列に、浮遊容量に相当するキャパシタンス素子２１が接続されて成るものとされる。
【０００４】
このような図１１及び図１２に示される等価回路からも分かるように、１ポート型表面弾性波共振素子は、例えば、水晶振動子と同等に扱うことができ、従って、１ポート型表面弾性波共振素子を用いることにより、比較的簡単な回路構成をもって発振回路を形成できることになる。そして、その際には、例えば、トランジスタ素子が用いられるとともに帰還回路部が設けられて構成される能動回路部が用意され、その能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子の両端が接続されて、能動回路部による１ポート型表面弾性波共振素子に対しての信号帰還がなされ、１ポート型表面弾性波共振素子の共振周波数に応じた発振周波数をもっての発振動作が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、１ポート型表面弾性波共振素子は、２ポート型表面弾性波共振素子に比して浮遊容量の影響が大であり、それゆえ、能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子の両端が接続されて成る基本構成をとる発振回路は、高い周波数域での発振動作を行うことが困難とされ、例えば、４０〜３００ＭＨｚ程度とされる比較的低い周波数域での発振動作を行うものとされることになる。例えば、図１１に示される等価回路において、抵抗素子１１の抵抗値をＲ，インダクタンス素子１２のインダクタンス値をＬ，キャパシタンス素子１３の容量値をＣ、及び、キャパシタンス素子１４の容量値、即ち、浮遊容量値をＣｓとし、また、発振周波数、即ち、１ポート型表面弾性波共振素子の共振周波数をＦｏとしたとき、浮遊容量値Ｃｓが実質的に無視できる程小であるとすると、１ポート型表面弾性波共振素子の共振の鋭さをあらわす値Ｑは、
Ｑ  ＝  Ｚ／Ｒ
Ｚ  ＝   2・π・Ｆｏ・Ｌ  −  １／( ２・π・Ｆｏ・Ｃ）
とあらわされる。
【０００６】
そして、１ポート型表面弾性波共振素子を含んで構成される発振回路が発振状態をとるのは、Ｚが正の値をとるときであり、斯かるもとでは、発振周波数の増大に対してＺが単調増加し、値Ｑも単調増加する。
【０００７】
それに対して、浮遊容量値Ｃｓが比較的大で実質的に無視できないとすると、それに伴って１ポート型表面弾性波共振素子を含んで構成される発振回路の発振周波数が、浮遊容量値Ｃｓが実質的に無視できる程小である場合における共振周波数Ｆｏより低くされ、１ポート型表面弾性波共振素子の共振の鋭さをあらわす値Ｑも、浮遊容量値Ｃｓが実質的に無視できる程小である場合より小とされることになる。即ち、１ポート型表面弾性波共振素子にあっては、浮遊容量によって共振の鋭さをあらわす値Ｑの実効値が低下してしまうことになるのであり、従って、１ポート型表面弾性波共振素子を含んで構成される発振回路が、１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量の影響を受けて、比較的高い周波数域での発振動作を行うことが困難とされる。それゆえ、１ポート型表面弾性波共振素子を含んで構成される従来の発振回路は、比較的高い周波数を有した発振出力信号を得ることができないという不都合を伴っているのである。
【０００８】
斯かる点に鑑み、本発明は、１ポート型表面弾性波共振素子が用いられ、能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子が接続されて成る比較的簡単な構成がとられるもとにあって、１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量の影響が効果的に抑制され、例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波数を有した発振出力信号が確実かつ安定に得られることになり、しかも、集積回路化に適し、かつ、安価に得られる発振回路を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る発振回路は、１ポート型表面弾性波共振素子と、その１ポート型表面弾性波共振素子が接続されて１ポート型表面弾性波共振素子に対する信号帰還を行う能動回路部と、１ポート型表面弾性波共振素子に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子部と、１ポート型表面弾性波共振素子及びインダクタンス素子部の両者もしくはインダクタンス素子部に接続され、１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量とインダクタンス素子部とが共働して生じる寄生発振を抑制するダンピング部とを備えて、あるいは、さらに、インダクタンス素子部に対して直列接続された、１ポート型表面弾性波共振素子の共振周波数と略等しい共振周波数を有した直列共振回路部をも備えて構成される。
【００１０】
そして、ダンピング部が、第１及び第２の抵抗素子を含んでインダクタンス素子部に対して直列接続された抵抗素子部により形成され、１ポート型表面弾性波共振素子に対して、第１及び第２の抵抗素子がインダクタンス素子部を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部が並列接続される第１の態様，ダンピング部が、インダクタンス素子部に対して直列接続されるとともに直列共振回路部に対して並列接続された抵抗素子部により形成され、インダクタンス素子部が第１及び第２のインダクタンス素子を含み、１ポート型表面弾性波共振素子に対して、第１及び第２のインダクタンス素子が直列共振回路部を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部が並列接続される第２の態様，ダンピング部が、第１及び第２の抵抗素子を含んで１ポート型表面弾性波共振素子に対して直列接続された抵抗素子部により形成され、インダクタンス素子部が、抵抗素子部を形成する第１及び第２の抵抗素子が１ポート型表面弾性波共振素子を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部に対して並列接続される第３の態様のいずれかがとられる。
【００１１】
このように構成される本発明に係る発振回路にあっては、能動回路部により１ポート型表面弾性波共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にあるときには、能動回路部側から１ポート型表面弾性波共振素子側を見た回路構成は、ダンピング部等が実質的に無視される状況にあって、１ポート型表面弾性波共振素子にインダクタンス素子部が並列に接続されているだけの状態とされる。従って、１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量がインダクタンス素子部によって実質的に打ち消され、１ポート型表面弾性波共振素子における共振の鋭さをあらわす値Ｑの実効値の浮遊容量の影響による低下が効果的に防止される。それゆえ、１ポート型表面弾性波共振素子の共振周波数が比較的高く設定され得ることになり、その結果、回路の発振周波数を比較的高くすることができて、例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波数を有した発振出力信号が得られることになる。
【００１２】
また、能動回路部により１ポート型表面弾性波共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないときには、能動回路部側から１ポート型表面弾性波共振素子側を見た回路構成が、例えば、インダクタンス素子部に対して直列接続された抵抗素子部あるいは１ポート型表面弾性波共振素子に対して直列接続された抵抗素子部により形成されるダンピング部等が実質的に無視できないものとされる状況にあり、それゆえ、１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量とインダクタンス素子部のインダクタンス値とによって定まることになる不所望な共振周波数をもって生じる虞のある寄生発振が、ダンピング部によって効果的に抑制される。
【００１３】
即ち、本発明に係る発振回路においては、１ポート型表面弾性波共振素子に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子部によって、能動回路部により１ポート型表面弾性波共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にあるもとでの１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量が実質的に打ち消され、また、１ポート型表面弾性波共振素子及びインダクタンス素子部の両者もしくはインダクタンス素子部に接続されたダンピング部によって、能動回路部により１ポート型表面弾性波共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないもとでの不所望な寄生発振が効果的に抑制されるのであり、その結果、例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波数を有した発振出力信号が確実かつ安定に得られることになる。
【００１４】
さらに、本発明に係る発振回路は、基本構成が能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子が接続されて成る比較的簡単なものとされ、集積回路化されるに好適であり、かつ、安価に得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明に係る発振回路についての実施例の説明に先立って、関連参考例について説明するに、図１は、本発明に係る発振回路に関連する第１の参考例を示す。この図１に示される第１の参考例にあっては、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に、図１１に示される如くの等価回路によってあらわされる１ポート型表面弾性波共振素子３４の両端が接続されて成る基本構成がとられており、それに加え、１ポート型表面弾性波共振素子３４の共振周波数と略等しい共振周波数を有した直列共振回路部３５を形成するインダクタンス素子３６及びキャパシタンス素子３７とインダクタンス素子３８との直列接続が、１ポート型表面弾性波共振素子３４に対して並列に接続され、さらに、ダンピング部を形成する抵抗素子３９が、直列共振回路部３５に対して並列となるとともにインダクタンス素子３８に対しては直列となる接続関係をもって接続されている。
【００１６】
能動回路部３１は、電源電圧＋Ｂが供給される能動素子としてのＮＰＮ型のトランジスタ４０を備えて構成されている。トランジスタ４０のコレクタはキャパシタンス素子４１を介して接地され、また、トランジスタ４０のエミッタはキャパシタンス素子４２と抵抗素子４３との並列接続を介して接地されている。そして、トランジスタ４０のエミッタに得られるエミッタ出力信号がキャパシタンス素子４４を通じてトランジスタ４０のベースに帰還される。抵抗素子４５及び４６は、トランジスタ４０のベースに対するバイアス回路部を形成している。
【００１７】
斯かるもとで、１ポート型表面弾性波共振素子３４の一端が接続される接続端子３２が、キャパシタンス素子４７を介してトランジスタ４０のベースに連結されているとともに、１ポート型表面弾性波共振素子３４の他端が接続される接続端子３３が接地されている。それにより、１ポート型表面弾性波共振素子３４は、実質的にトランジスタ４０のベースと接地電位点間に接続されていることになり、トランジスタ４０のエミッタからキャパシタンス素子４４を通じてトランジスタ４０のベースに帰還されるエミッタ出力信号が、キャパシタンス素子４７を通じて１ポート型表面弾性波共振素子３４に供給される。従って、能動回路部３１は、１ポート型表面弾性波共振素子３４に対する信号帰還を行うことになる。また、能動回路部３１においては、１ポート型表面弾性波共振素子３４が誘導性インピーダンスを呈する状態のもとで発振動作を行うべく回路定数の設定がなされる。
【００１８】
このような構成を有し、能動回路部３１における回路定数が１ポート型表面弾性波共振素子３４が誘導性インピーダンスを呈する状態のもとで発振動作が行われるべく設定された第１の参考例にあっては、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる発振動作状態にあるときには、１ポート型表面弾性波共振素子３４の共振周波数と略等しい共振周波数を有した直列共振回路部３５が呈するインピーダンスは略零（０）となり、それゆえ、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成は、直列共振回路部３５及び抵抗素子３９が実質的に無視される状況にあって、１ポート型表面弾性波共振素子３４にインダクタンス素子３８が並列に接続されているだけの状態と等価となる。従って、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量がインダクタンス素子３８によって実質的に打ち消され、１ポート型表面弾性波共振素子３４における共振の鋭さをあらわす値Ｑの実効値の浮遊容量の影響による低下が効果的に防止されることになる。
【００１９】
その結果、１ポート型表面弾性波共振素子３４の共振周波数が比較的高く設定され得ることになって、回路の発振周波数を比較的高くすることができて、例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波数を有した発振出力信号が得られることになる。
【００２０】
また、回路が、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないときには、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成が、直列共振回路部３５及び抵抗素子３９が実質的に無視できないものとされる状況にあって、抵抗素子３９がインダクタンス素子３８に対して直列に接続されていることになる。それゆえ、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量とインダクタンス素子３８のインダクタンス値とによって定まることになる不所望な共振周波数をもって生じる虞のある寄生発振動作が、抵抗素子３９によるダンピング作用を受けて効果的に抑制される。即ち、このとき、抵抗素子３９は、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量とインダクタンス素子３８とが共働して生じる寄生発振を効果的に抑制するダンピング部を形成しているのである。
【００２１】
このようにして、図１に示される第１の参考例にあっては、１ポート型表面弾性波共振素子３４に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子３８によって、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる発振動作状態にあるもとでの１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量が実質的に打ち消され、また、直列共振回路部３５に対して並列となるとともにインダクタンス素子３８に対しては直列となる接続関係をもって接続された抵抗素子３９によって、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないもとでの不所望な寄生発振動作が効果的に抑制されるのであり、その結果、例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波数を有した発振出力信号が確実かつ安定に得られることになる。
【００２２】
図２は、本発明に係る発振回路に関連する第２の参考例を示す。この図２に示される第２の参考例は、図１に示される第１の参考例から直列共振回路部３５を形成するインダクタンス素子３６及びキャパシタンス素子３７が取り除かれたものに相当する。図２においては、図１に示される各部に対応する部分が図１と共通の符号が付されて示されており、それらについての重複説明は省略される。
【００２３】
斯かる第２の参考例にあっては、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる発振動作状態にあるとき、及び、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないときのいずれにおいても、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成が、１ポート型表面弾性波共振素子３４にインダクタンス素子３８と抵抗素子３９との直列接続が並列に接続されている状態とされる。
【００２４】
このような状況のもとにあっても、抵抗素子３９の抵抗値が、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないとき、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量とインダクタンス素子３８とが共働して生じる寄生発振を効果的に抑制するダンピング部を形成できることになる範囲内において、できるだけ小に選定されることにより、発振動作状態にあるもとでの１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量がインダクタンス素子３８によって実質的に打ち消され、１ポート型表面弾性波共振素子３４における共振の鋭さをあらわす値Ｑの実効値の浮遊容量の影響による低下が防止されることになる作用効果が得られる。
【００２５】
図３は、本発明に係る発振回路に関連する第３の参考例を示す。この図３に示される第３の参考例は、図１に示される第１の参考例から直列共振回路部３５を形成するインダクタンス素子３６及びキャパシタンス素子３７が取り除かれ、さらに、第１の参考例において用いられている抵抗素子３９に代えて、１ポート型表面弾性波共振素子３４に直列に接続された抵抗素子５０が用いられたものに相当する。図３においても、図１に示される各部に対応する部分が図１と共通の符号が付されて示されており、それらについての重複説明は省略される。
【００２６】
斯かる第３の参考例にあっては、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に、１ポート型表面弾性波共振素子３４と抵抗素子５０との直列接続の両端が接続され、さらに、１ポート型表面弾性波共振素子３４と抵抗素子５０との直列接続に対してインダクタンス素子３８が並列に接続されていることになる。そして、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる発振動作状態にあるとき、及び、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないときのいずれにおいても、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成が、１ポート型表面弾性波共振素子３４に抵抗素子５０が直列に接続されるとともに、１ポート型表面弾性波共振素子３４と抵抗素子５０との直列接続に対してインダクタンス素子３８が並列に接続されている状態とされる。
【００２７】
このような状況のもとにあっては、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないとき、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量とインダクタンス素子３８のインダクタンス値とによって定まることになる不所望な共振周波数をもって生じる虞のある寄生発振動作が、抵抗素子５０によるダンピング作用を受けて効果的に抑制される。即ち、このとき、抵抗素子５０は、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量とインダクタンス素子３８とが共働して生じる寄生発振を効果的に抑制するダンピング部を形成しているのである。
【００２８】
そして、抵抗素子５０の抵抗値が、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないとき、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量とインダクタンス素子３８とが共働して生じる寄生発振を効果的に抑制するダンピング部を形成できることになる範囲内において、できるだけ小に選定されることにより、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる発振動作状態にあるもとでの１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量がインダクタンス素子３８によって実質的に打ち消され、１ポート型表面弾性波共振素子３４における共振の鋭さをあらわす値Ｑの実効値の浮遊容量の影響による低下が防止されることになる作用効果が得られる。
【００２９】
図４は、本発明に係る発振回路の第１の例を示す。この図４に示される第１の例は、図１に示される第１の参考例において用いられているインダクタンス素子３８に代えて、一対のインダクタンス素子３８Ａ及び３８Ｂが用いられたものに相当する。図４においても、図１に示される各部に対応する部分が図１と共通の符号が付されて示されており、それらについての重複説明は省略される。
【００３０】
斯かる第１の例にあっては、一対のインダクタンス素子３８Ａ及び３８Ｂが直列共振回路部３５と抵抗素子３９との並列接続を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部が、１ポート型表面弾性波共振素子３４に対して並列接続されており、それにより、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続された回路部分全体が平衡型回路を構成するものとなっている。このように接続端子３２及び３３に接続された回路部分全体が平衡型回路を構成していることにより、接続端子３２及び３３の夫々の接地電位点に対する電位は同じであり、接続端子３２と接地電位点との間の浮遊容量と接続端子３３と接地電位点との間の浮遊容量が同等とされる。従って、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成が、接地電位点に対して浮遊容量を平衡させたものとなっており、それゆえ、回路の不平衡性に起因する不要輻射が抑制されて、発振出力信号の漏れが効果的に低減される。
【００３１】
このようなもとにあって、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる発振動作状態にあるとき、一対のインダクタンス素子３８Ａ及び３８Ｂは、図１に示される第１の参考例において用いられているインダクタンス素子３８が果たす役割と同等の役割を果たすことになり、従って、図４に示される第１の例にあっても、図１に示される第１の参考例により得られる作用効果と同等の作用効果が得られる。
【００３２】
図５は、本発明に係る発振回路の第２の例を示す。この図５に示される第２の例は、図２に示される第２の参考例において用いられている抵抗素子３９に代えて、一対の抵抗素子３９Ａ及び３９Ｂが用いられたものに相当する。図５においても、図１に示される各部に対応する部分が図１と共通の符号が付されて示されており、それらについての重複説明は省略される。
【００３３】
斯かる第２の例にあっては、一対の抵抗素子３９Ａ及び３９Ｂが、インダクタンス素子３８を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部が、１ポート型表面弾性波共振素子３４に対して並列接続されており、それにより、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続された回路部分全体が平衡型回路を構成するものとなっている。このように接続端子３２及び３３に接続された回路部分全体が平衡型回路を構成していることにより、接続端子３２及び３３の夫々の接地電位点に対する電位は同じであり、接続端子３２と接地電位点との間の浮遊容量と接続端子３３と接地電位点との間の浮遊容量が同等とされる。従って、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成が、接地電位点に対して浮遊容量を平衡させたものとなっており、それゆえ、回路の不平衡性に起因する不要輻射が抑制されて、発振出力信号の漏れが効果的に低減される。
【００３４】
このようなもとにあって、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないとき、一対の抵抗素子３９Ａ及び３９Ｂは、図２に示される第２の参考例において用いられている抵抗素子３９が果たす役割と同等の役割を果たすダンピング部を形成することになり、従って、図５に示される第２の例にあっても、図２に示される第２の参考例により得られる作用効果と同等の作用効果が得られる。
【００３５】
図６は、本発明に係る発振回路の第３の例を示す。この図６に示される第３の例は、図３に示される第３の参考例において用いられている抵抗素子５０に代えて、一対の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂが用いられたものに相当する。図６においても、図１に示される各部に対応する部分が図１と共通の符号が付されて示されており、それらについての重複説明は省略される。
【００３６】
斯かる第３の例にあっては、一対の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂが１ポート型表面弾性波共振素子３４を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部の両端が、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続され、さらに、インダクタンス素子３８が、一対の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂが１ポート型表面弾性波共振素子３４を挟んで直列接続されて成る直列接続形成部に対して並列に接続されており、それにより、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続された回路部分全体が平衡型回路を構成するものとなっている。このように接続端子３２及び３３に接続された回路部分全体が平衡型回路を構成していることにより、接続端子３２及び３３の夫々の接地電位点に対する電位は同じであり、接続端子３２と接地電位点との間の浮遊容量と接続端子３３と接地電位点との間の浮遊容量が同等とされる。従って、能動回路部３１側から１ポート型表面弾性波共振素子３４側を見た回路構成が、接地電位点に対して浮遊容量を平衡させたものとなっており、それゆえ、回路の不平衡性に起因する不要輻射が抑制されて、発振出力信号の漏れが効果的に低減される。
【００３７】
このようなもとにあって、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないとき、一対の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂは、図３に示される第３の参考例において用いられている抵抗素子５０が果たす役割と同等の役割を果たすダンピング部を形成することになり、従って、図６に示される第３の例にあっても、図３に示される第３の参考例により得られる作用効果と同等の作用効果が得られる。
【００３８】
上述の如くの第１〜第３の参考例及び第１〜第３の例の夫々に用いられている１ポート型表面弾性波共振素子３４は、図１１に示される如くの等価回路によってあらわされるものとされている。従って、１ポート型表面弾性波共振素子３４の両端が能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続された状態は、仮に、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量が実質的に無視できる程小なる値をとるとすると、図７に示される如くに、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に共振部を形成するものとして接続された、抵抗素子５１，インダクタンス素子５２及びキャパシタンス素子５３から成る直列接続５５によって等価的にあらわされる。
【００３９】
そして、能動回路部３１における回路定数が１ポート型表面弾性波共振素子３４が誘導性インピーダンスを呈する状態のもとで発振動作が行われるべく設定されたもとで、図７に示される回路は、例えば、図８に示されるスミスチャート（インピーダンスチャート）上において、領域ＯＳＡとして示される如くの発振領域を有することになる。そして、能動回路部３１により共振部に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にあるもとでの共振部のインピーダンスは、図８に示されるスミスチャート上で実線ＩＭＰによりあらわされる如くの軌跡を描くものとされる。
【００４０】
従って、図７に示される回路における発振周波数は、図８に示されるスミスチャート上の実線ＩＭＰにおける領域ＯＳＡ内の部分に対応する周波数となり、そのときの共振部における共振インピーダンスは、スミスチャートの外側に近いものとなり、共振部に並列に入ることになる等価抵抗の値は、比較的大であることになる。
【００４１】
これに対して、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量は実際には無視できないので、その浮遊容量を考慮すると、１ポート型表面弾性波共振素子３４の両端が能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続された状態は、図９に示される如くに、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に共振部を形成するものとして接続された、抵抗素子５１，インダクタンス素子５２及びキャパシタンス素子５３から成る直列接続５５と直列接続５５に対して並列に接続されたキャパシタンス素子５４とによって等価的にあらわされる。
【００４２】
そして、能動回路部３１における回路定数が１ポート型表面弾性波共振素子３４が誘導性インピーダンスを呈する状態のもとで発振動作が行われるべく設定されたもとで、図９に示される回路は、例えば、図１０に示されるスミスチャート（アドミッタンスチャート）上において、領域ＯＳＡ’として示される如くの発振領域を有することになる。そして、能動回路部３１により共振部に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にあるもとでの共振部のインピーダンスは、図１０に示されるスミスチャート上で実線ＩＭＰ’によりあらわされる如くの軌跡を描くものとされ、斯かる軌跡は、図８に示されるスミスチャート上の実線ＩＭＰによりあらわされるインピーダンスの軌跡に対して、キャパシタンス素子５４に起因する出発点の移動を伴うものとなってしまう。
【００４３】
また、図９に示される回路における発振周波数は、図１０に示されるスミスチャート上の実線ＩＭＰ’における領域ＯＳＡ’内の部分に対応する周波数となるので、そのときの共振部における共振インピーダンスは、図７に示される直列接続５５における共振インピーダンスに比して、スミスチャートの内側に入り込んだものとなる。このことは、図９に示される回路の発振動作時における共振部のコンダクタンス分の低減、即ち、共振部に並列に入ることになる等価抵抗の値の低減が生じることをあらわしている。
【００４４】
前述の第１〜第３の参考例及び第１〜第３の例の夫々は、上述の如くの図９に示される等価回路におけるキャパシタンス素子５４、即ち、１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量に起因する不都合の発生を防止すべく、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる発振動作状態にあるもとでの１ポート型表面弾性波共振素子３４における浮遊容量を実質的に打ち消すためのインダクタンス素子３８もしくは一対のインダクタンス素子３８Ａ及び３８Ｂを備えており、さらに、能動回路部３１により１ポート型表面弾性波共振素子３４に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないもとでの不所望な寄生発振動作を効果的に抑制する抵抗素子３９，一対の抵抗素子３９Ａ及び３９Ｂもしくは一対の抵抗素子５０Ａ及び５０Ｂを備えているのである。
【００４５】
さらに、前述の第１〜第３の参考例及び第１〜第３の例の夫々は、その基本構成が能動回路部３１に１ポート型表面弾性波共振素子３４が接続されて成る比較的簡単なものとされ、かつ、１ポート型表面弾性波共振素子３４を格納するパッケージを浮遊容量が小である高価なパッケージとすること等が要求されないことになるので、集積回路化されるに好適であり、かつ、安価に得られることになる。そして、集積回路化に関しては、能動回路部３１に設けられた接続端子３２及び３３に接続された回路部分全体が平衡型回路を構成する第１〜第３の例の各々が、特に適している。
【００４６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかな如く、本発明に係る発振回路にあっては、１ポート型表面弾性波共振素子に対して実質的に並列接続されたインダクタンス素子部によって、能動回路部により１ポート型表面弾性波共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にあるもとでの１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量が実質的に打ち消され、また、１ポート型表面弾性波共振素子及びインダクタンス素子部の一方もしくは両者に接続されたダンピング部によって、能動回路部により１ポート型表面弾性波共振素子に対してその共振周波数付近の周波数を有した信号の帰還が行われる動作状態にないもとでの１ポート型表面弾性波共振素子における浮遊容量とインダクタンス素子部との共働による不所望な寄生発振が効果的に抑制される。従って、本発明に係る発振回路によれば、例えば、４５０ＭＨｚ程度以上とされる比較的高い周波数を有した発振出力信号が確実かつ安定に得られることになる。
【００４７】
また、本発明に係る発振回路は、その基本構成が能動回路部に１ポート型表面弾性波共振素子が接続されて成る比較的簡単なものとされ、かつ、１ポート型表面弾性波共振素子を格納するパッケージを浮遊容量が小である高価なパッケージとすること等が要求されないことになるので、集積回路化されるに好適であり、かつ、安価に得られることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る発振回路に関連する第１の参考例を示す回路接続図である。
【図２】  本発明に係る発振回路に関連する第２の参考例を一部を省略して示す回路接続図である。
【図３】  本発明に係る発振回路に関連する第３の参考例を一部を省略して示す回路接続図である。
【図４】  本発明に係る発振回路の第１の例を一部を省略して示す回路接続図である。
【図５】  本発明に係る発振回路の第２の例を一部を省略して示す回路接続図である。
【図６】  本発明に係る発振回路の第３の例を一部を省略して示す回路接続図である。
【図７】  本発明に係る発振回路に関連する第１〜第３の参考例及び本発明に係る発振回路の第１〜第３の例の夫々における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明に供される等価回路図である。
【図８】  本発明に係る発振回路に関連する第１〜第３の参考例及び本発明に係る発振回路の第１〜第３の例の夫々における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明に供されるスミスチャートである。
【図９】  本発明に係る発振回路に関連する第１〜第３の参考例及び本発明に係る発振回路の第１〜第３の例の夫々における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明に供される等価回路図である。
【図１０】  本発明に係る発振回路に関連する第１〜第３の参考例及び本発明に係る発振回路の第１〜第３の例の夫々における１ポート型表面弾性波共振素子に関する説明に供されるスミスチャートである。
【図１１】  １ポート型表面弾性波共振素子をあらわす等価回路図である。
【図１２】  ２ポート型表面弾性波共振素子をあらわす等価回路図である。
【符号の説明】
３１  能動回路部      ３２，３３  接続端子      ３４  １ポート型表面弾性波共振素子      ３５  直列共振回路部      ３６，３８，３８Ａ，３８Ｂ，５２  インダクタンス素子      ３７，４１，４２，４４，４７，５３，５４  キャパシタンス素子      ３９，３９Ａ，３９Ｂ，４３，４５，４６，５０，５０Ａ，５０Ｂ，５１  抵抗素子      ４０  トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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