(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層の上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に、タンタル層および窒化タンタル層の少なくともいずれかを含む導電層を形成する工程と、
ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを含むガスを用いて前記導電層をエッチングする工程と、
を含み、
前記ＳｉＣｌ４と前記ＮＦ３との合計に対する前記ＮＦ３の流量比は、１〜３０％である、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体層の上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に、タンタル層および窒化タンタル層の少なくともいずれかを含む導電層を形成する工程と、
ＮＦ３とフルオロカーボンとを含むガスを用いて前記導電層をエッチングする工程と、
ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを含むガスを用いて前記導電層をエッチングする工程と、
をこの順序で含む、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記ＳｉＣｌ４と前記ＮＦ３との合計に対する前記ＮＦ３の流量比は、１〜３０％である、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１、２のいずれかにおいて、
前記絶縁層は、酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンの少なくともいずれかを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体層の上方にゲート絶縁層となる絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に、第１の窒化タンタル層と体心立方格子相のタンタル層と第２の窒化タンタル層とをこの順序で形成する工程と、
ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを含むガスを用いて、前記第１の窒化タンタル層と前記体心立方格子相のタンタル層と前記第２の窒化タンタル層とをエッチングすることにより、ゲート電極を形成する工程と、
前記半導体層に不純物を導入して、ソース領域またはドレイン領域を構成する第１および第２の不純物層を形成する工程と、
を含み、
前記ＳｉＣｌ４と前記ＮＦ３との合計に対する前記ＮＦ３の流量比は、１〜３０％である、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法におけるタンタルおよび窒化タンタルの少なくともいずれかを含む導電層のエッチング方法に関する。特に、半導体装置の製造方法におけるタンタルおよび窒化タンタルの少なくともいずれかを含む金属ゲート電極のエッチング方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
現在の半導体集積回路に用いられる絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）では、そのゲート電極として、低抵抗化のために不純物を高濃度でドープした多結晶シリコン層が用いられることが多い。しかしながら、ゲート電極を構成する多結晶シリコン層は不純物を高濃度でドープしているにもかかわらず、チャネル反転時にゲート絶縁層側の部分が空乏化を起こしてしまうことが知られている。このような空乏化が発生してしまうと、ゲート電極と直列に容量が挿入されていることと等価になり、チャネルにかかる実効的な電界が低下してしまう。その結果、ＭＩＳＦＥＴの電流駆動能力が低下する。この問題点を解決するために、低抵抗でゲート空乏化を起こさないゲート電極材料として金属を用いることが検討されている。
【０００３】
特開平１１−１６８２１２号公報には、金属ゲート電極としてタンタルを用いた技術が開示されている。この文献では、タンタル膜をＳｉＣｌ４プラズマで異方性エッチングすることによりゲート電極を形成することが記載されている（段落００１５）。しかしながら、本願発明者によれば、タンタル膜をＳｉＣｌ４のみで異方性エッチングした場合、タンタルが均一にエッチングされずに部分的に基板上に残り、これを完全にエッチングするのに時間がかかることが確認されている。
【０００４】
また、特開２００２−８３８０５号公報には、高融点金属またはこれらの金属を含む合金などからなるゲート電極を、塩素系ガスとフッ素系ガスとを用いてエッチングすることが開示されている。この技術では、上記エッチングによって、ゲート電極の側壁はテーパー化される。テーパー化されたゲート電極の断面形状は、下部が上部に対して幅が大きくなる。また、この技術では、テーパー化されたゲート電極をマスクに用いて自己整合的に不純物がドーピングされる（段落００２８等）。さらに、この技術では、ドライエッチングのためのガスとして、Ｃｌ２とＣＦ４との組合せ（段落００６５の表１等）、あるいはＣｌ２とＳＦ４との組合せ（段落０１０３の表２等）が使用されている。しかしながら、この技術においては、ゲート電極をテーパー形状に加工することを目的としており、したがってゲート電極の側壁を垂直あるいはそれに近い角度で加工することができない。
【０００５】
さらに、特開平５−１０２０９０号公報には、被覆性組成成分と化学エッチング組成成分とを含むエッチング物質を用いて、アルミニウムなどの金属層をエッチングすることが開示されている。この技術では、上記エッチングによって、金属層の側壁は垂直またはテーパー状に加工される。テーパー化されたゲート電極の断面形状は、下部が上部に対して幅が大きくなる（図３、図４等）。しかしながら、この技術においては、金属層をテーパー形状に加工することを許容しており、どのような条件ならば金属層の側壁が垂直になるのかについて、具体的な記載が無い。さらに、タンタルおよび窒化タンタルの少なくともいずれかを含む導電層の側壁を垂直に加工する点については全く記載が無い。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−１６８２１２号公報
【特許文献２】
特開２００２−８３８０５号公報
【特許文献３】
特開平５−１０２０９０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、絶縁層上に形成されたタンタルおよび窒化タンタルの少なくともいずれかを含む導電層を垂直あるいはほぼ垂直に異方性エッチングする半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
半導体層の上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に、タンタル層および窒化タンタル層の少なくともいずれかを含む導電層を形成する工程と、
ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを含むガスを用いて前記導電層をエッチングする工程と、
を含む。
【０００９】
本発明によれば、タンタル層および窒化タンタル層の少なくともいずれかを含む導電層をエッチングする際に、ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを含むガスを用いることにより、導電層のエッチングを垂直あるいはほぼ垂直に行うことができる。本願発明者によって、ＮＦ３は、結晶面依存性、すなわち、金属の結晶面によってエッチングレートが異なる性質が塩素を含む物質に比べて少なく、どの結晶面でもほぼ均一のレートでエッチングできることが見いだされた。一方、ＳｉＣｌ４は、結晶面依存性が比較的高いことは好ましくないものの、絶縁層を構成する絶縁物質と金属、または窒化金属との選択比が高いという優位性がある。したがって、ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを混合させることにより、絶縁層に対して高い選択比を確保しながら、タンタル層および窒化タンタル層の少なくともいずれかを含む導電層を速やかにかつ良好な形状でエッチングすることができる。ここで、「良好な形状」とは、パターニングされた導電層の側壁がテーパー形状を有さず、垂直あるいはほぼ垂直であることを意味する。ほぼ垂直とは、エッチングされた導電層の側壁と該導電層の下方に設けられた絶縁層の表面とのなす角度が８５°〜９０°、好ましくは８９°〜９０°であることを意味する。このように良好な形状で導電層のエッチングができる特徴は、他の本発明においても同様である。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
半導体層の上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に、タンタル層および窒化タンタル層の少なくともいずれかを含む導電層を形成する工程と、
ＮＦ３とフルオロカーボンとを含むガスを用いて前記導電層をエッチングする工程と、
ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを含むガスを用いて前記導電層をエッチングする工程と、
をこの順序で含む。
【００１１】
本発明によれば、絶縁層に対して高い選択比を確保しながら、タンタルおよび窒化タンタルの少なくともいずれかを含む導電層を速やかにかつ良好な形状でエッチングできることに加え、エッチングにかかる時間を短縮できる。これは、導電層のエッチングを２段階に分け、１段階目で導電層に対するエッチングレートが他のガスに比べて大きいフルオロカーボンを用いているからである。
【００１２】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
半導体層の上方にゲート絶縁層となる絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に、第１の窒化タンタル層と体心立方格子相のタンタル層と第２の窒化タンタル層とをこの順序で形成する工程と、
ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを含むガスを用いて、前記第１の窒化タンタル層と前記体心立方格子相のタンタル層と前記第２の窒化タンタル層とをエッチングすることにより、ゲート電極を形成する工程と、
前記半導体層に不純物を導入して、ソース領域またはドレイン領域を構成する第１および第２の不純物層を形成する工程と、
を含む。
【００１３】
本発明によれば、ゲート絶縁層に接して窒化タンタル層が形成される。窒化タンタルは、その仕事関数が約４．５ｅＶで、シリコンの真性ミッドギャプエネルギー４．６１ｅＶと極めて近似している。その結果、金属−絶縁層−シリコンからなるＭＯＳキャパシタにおける、フラットバンド電圧の絶対値の増加が小さく、かつ、Ｎチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタとＰチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタとで前記絶対値の差をかなり小さくできる。したがって、完全空乏型ＳＯＩ構造を有しているＮチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタとＰチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタとを混載する相補型半導体装置において、両者のしきい値バランスを正確かつ容易にコントロールできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施の形態に係る製造方法によって得られる半導体装置１０００を模式的に示す断面図である。半導体装置１０００は、ＣＭＯＳ型の半導体装置であって、Ｎチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＮＭＯＳＦＥＴ）１００Ａと、Ｐチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＰＭＯＳＦＥＴ）１００Ｂとを含む。ＮＭＯＳＦＥＴ１００ＡおよびＰＭＯＳＦＥＴ１００Ｂは、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板１に形成されている。ＳＯＩ基板１は、支持基板１ｃ上に、絶縁層（酸化シリコン層）１ｂおよび半導体層１ａが積層されて構成されている。本実施の形態においては、半導体層１ａはシリコン層である。なお、半導体層はバルクの半導体基板であってもよい。
【００１６】
そして、ＮＭＯＳＦＥＴ１００ＡおよびＰＭＯＳＦＥＴ１００Ｂは、それぞれＳＯＩ基板１のシリコン層１ａに形成された素子分離領域２０によって電気的に分離されている。
【００１７】
各ＭＯＳＦＥＴ１００Ａおよび１００Ｂは、シリコン層１ａ上に、ゲート絶縁層２を介して、積層型のゲート電極３が形成された構造を有する。この積層型のゲート電極３は、窒化タンタル層４、体心立方格子相のタンタル層５、およびキャップ層としての窒化タンタル層６が順次積層されて構成されている。なお、本実施の形態においては、体心立方格子相のタンタルをαタンタルまたはｂｃｃ−Ｔａ（body centered cubic−Ta）と記載することもある。また、ゲート絶縁層２の直下にはチャネル領域７、チャネル領域７の両端にはソース領域またはドレイン領域を構成する不純物層８ａ，８ｂが設けられている。
【００１８】
そして、ＮＭＯＳＦＥＴ１００Ａにおいては、不純物層８ａ，８ｂはＮ型に、ＰＭＯＳＦＥＴ１００Ｂでは、不純物層８ａ，８ｂはＰ型に形成されている。不純物層８ａ，８ｂの上部には、シリサイド層１０ａ，１０ｂがそれぞれ形成されている。
【００１９】
次に、本実施の形態に係る半導体装置１０００の製造方法について、図２〜図６を参照して説明する。
【００２０】
（ａ）支持基板１ｃ上に、絶縁層（酸化シリコン層）１ｂおよび低濃度のＰ型シリコン層１ａが積層されたＳＯＩ基板１を準備する。Ｐ型シリコン層１ａは、たとえば、厚さ５０ｎｍ、比抵抗１４〜２６Ω・ｃｍで、（１００）の面方位を有する。まず、図２に示すように、Ｐ型シリコン層１ａに素子分離領域２０を形成する。素子分離領域２０は、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法などにより形成される。
【００２１】
（ｂ）ついで、図３に示すように、熱酸化法、ＣＶＤ法などにより、ゲート絶縁層となる絶縁層２ａを形成する。絶縁層２ａの膜厚は３ｎｍ程度である。絶縁層２ａとしては、酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンいずれかの単層、あるいはこれらを積層したものを用いることができる。
【００２２】
ついで、キセノンガスを用いたスパッタリング法にて、窒化タンタル層４ａ、体心立方格子相のタンタル層５ａ、およびキャップ層６ａを順次、成膜する。
【００２３】
窒化タンタル層４ａは、導電性およびしきい値特性などの点を考慮すると、ＴａＮｘで表される、窒素とタンタルの組成比（ｘ）が０．２５〜１．０であることが望ましい。
【００２４】
また、キャップ層６ａは、ＴａＮｘ、ＴａＳｉｘＮｙ、ＴｉＮｘ、ＴｉＡｌｘＮｙ、Ｓｉ、および遷移金属のシリサイドなどから選択される少なくとも１種からなる材質によって形成することができる。その中でも、洗浄薬品（酸、アルカリ）に非常に強い窒化タンタル（ＴａＮｘ）が好ましい。本実施の形態においては、キャップ層６ａとして、窒化タンタル層を用いている。窒化タンタル層６ａは、ゲート電極のエッチング後のプロセスでタンタル層５ａの酸化を防ぐキャップ層としての機能を有する。
【００２５】
スパッタリングにおいては、通常用いられるアルゴンの代わりに、より質量の大きいキセノンを用いることにより、下地のゲート絶縁層２ａならびにシリコン層１ａに欠陥あるいはダメージを与えることなく、成膜中の層の表面にのみエネルギーを与えることが可能となる。すなわち、アルゴンの原子半径は０．１８８ｎｍであるのに対し、キセノンの原子半径は０．２１７ｎｍと大きく、層の中に進入しにくく、層の表面にのみ効率よくエネルギーを与えることができる。そして、アルゴンの原子量は３９．９５であり、キセノンの原子量は１３１．３であり、キセノンはアルゴンに比べて原子量が大きい。そのため、キセノンは、アルゴンに比べて、層へのエネルギーおよび運動量の伝達効率が低く、欠陥やダメージを作りにくいといえる。したがって、キセノンはアルゴンに比べ、ゲート絶縁層２ａに欠陥やダメージを与えないで、窒化タンタル層４ａ、６ａおよびタンタル層５ａを形成することができる。この傾向は、クリプトンについてもいえる。
【００２６】
本実施の形態においては、上述した成膜方法を採用することで、低抵抗な体心立方格子相のタンタル層５ａが、窒化タンタル層４ａ上に格子整合によってヘテロエピタキシー成長で形成できることが確認された。体心立方格子相のタンタルは、βタンタルに比べて抵抗が低く、電極材料に適している。具体的には、体心立方格子相のタンタルは、βタンタルに比べて１／１０程度まで抵抗を小さくできる。
【００２７】
さらに、これらの窒化タンタル層４ａ、体心立方格子相のタンタル層５ａおよび窒化タンタル層６ａは、大気にさらされることなく、連続的に形成されることが好ましい。成膜の途中で、膜を大気にさらすと、水分の付着や膜表面への酸化物形成が発生し、好ましくない。
【００２８】
（ｃ）ついで、図４に示すように、リソグラフィー技術およびドライエッチング技術により、窒化タンタル層４ａ，タンタル層５ａおよび窒化タンタル層６ａをパターニングすることによりゲート電極３を形成する。すなわち、ゲート電極３は、下地の窒化タンタル層４，体心立方格子相のタンタル層５およびキャップの窒化タンタル層６の積層構造を有する。この例では、絶縁層２ａもパターニングすることによりゲート絶縁層２を形成している。
【００２９】
本実施の形態では、このパターニングにおけるドライエッチングで特定のエッチングガスを用いる点に特徴を有する。この工程では、リソグラフィーによって所定パターンのレジスト層（図示せず）を形成した後、２段階のエッチングを連続して行う。
【００３０】
まず、１段階目のエッチングとして、ＮＦ３とフルオロカーボン（ＣＦ４またはＣ２Ｆ６）とを含むガスを用いて反応性イオンエッチングを行う。エッチング条件の一例として、ＮＦ３とＣＦ４との流量（ｓｃｃｍ）の比（ＣＦ４／ＮＦ３）が７０／３０、圧力４ｍTorr、基板温度５０℃、ＲＦバイアス１９１ｍＷ／ｃｍ２を採用できる。このときのタンタルのエッチングレートは、１００ｎｍ／分程度である。この１段階目のエッチングで、窒化タンタル層６ａと、タンタル層５ａの大部分（厚さの７０〜８０％程度）とをエッチングする。このようにタンタルに対するエッチングレートが他のガスに比べて大きいフルオロカーボンと、結晶面依存性が小さいＮＦ３とを用いてタンタル層５ａをエッチングすることで、エッチングにかかる時間を短縮できる。
【００３１】
ついで、２段階目のエッチングとして、ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを含むガスを用いて反応性イオンエッチングを行う。この２段階目のエッチングでは、ＳｉＣｌ４とＮＦ３との合計に対するＮＦ３の流量（ｓｃｃｍ）の比（ＮＦ３／（ＳｉＣｌ４＋ＮＦ３））は、好ましくは１〜３０％、より好ましくは５〜２５％である。両者の割合がこの範囲であると、絶縁層２ａに対する選択比を充分に大きくとりながら、より短時間で、導電層の側壁を垂直あるいはほぼ垂直に加工することができる。
【００３２】
エッチング条件の一例として、ＳｉＣｌ４とＮＦ３との混合ガスに対するＮＦ３の流量比が１５％、圧力９ｍＴｏｒｒ、基板温度５０℃、ＲＦバイアス１２７ｍＷ／ｃｍ２を採用できる。このときのタンタルのエッチングレートは、４０ｎｍ／分程度である。
【００３３】
２段階目のエッチングでは、タンタル層５ａおよび窒化タンタル層４ａを垂直あるいはほぼ垂直にエッチングできる。これは、以下のような理由によると推測される。ＮＦ３および／またはＳｉＣｌ４に由来する反応生成物が導電層の側壁に堆積される。導電層の側壁に堆積された反応生成物は、導電層の側壁保護膜として機能し、導電層の側壁を垂直あるいはほぼ垂直にエッチングすることができる。また、ＮＦ３は、タンタルに対する結晶面依存性が少なく、どの結晶面でもほぼ均一のレートでエッチングできる。さらに、ＳｉＣｌ４とＮＦ３とが共存することにより、Ｓｉ，Ｎなどを含む化合物が絶縁層２ａ上に堆積することにより、絶縁層２ａに対するタンタル層５ａおよび窒化タンタル層４ａの選択比を高くできる。
【００３４】
一方、上記のような条件で導電層の異方性エッチングを行わなかった場合、ゲート電極は垂直あるいはほぼ垂直に加工できない。換言すれば、ゲート電極の側壁はテーパー化される。このことは、エッチング用のマスク形状が、被エッチング物質に正確にコピーされないことを意味する。それ故、所望のゲート長にゲート電極を加工することができない。
【００３５】
さらに、テーパー化されたゲート電極をマスクにセルフアラインで不純物をイオン注入すると、所望の不純物濃度プロファイルを得られない。従って、半導体層内にソース・ドレイン領域を形成する次工程において、多大な悪影響を及ぼすことになる。
【００３６】
次いで、エッチングガスを変更し絶縁層２ａをパターニングすることにより、ゲート絶縁層２を形成する。
【００３７】
（ｄ）ついで、図５に示すように、ゲート電極３をマスクとして、ＮＭＯＳＦＥＴには砒素イオンまたはリンイオンを、ＰＭＯＳＦＥＴにはホウ素イオンまたは二フッ化ホウ素イオンを、１０２０ｃｍ−３以上の濃度になるようにイオン注入する。ＮＭＯＳＦＥＴおよびＰＭＯＳＦＥＴの不純物層を形成する際には、逆極性の不純物イオンがドープされないように、レジスト層などのマスク層（図示せず）が所定領域に形成される。この後、７００℃以下、好ましくは４５０〜５５０℃の低温アニールを施すことにより、セルフアラインで不純物層８ａ，８ｂを形成することができる。
【００３８】
次に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法にて、酸化シリコン層を、ゲート電極３が形成されたＳＯＩ基板１上に全面的に堆積した後、ドライエッチング法によりエッチバックを行い、サイドウォールスペーサ９を形成する。
【００３９】
更に、遷移金属層、例えばＮｉ層をスパッタ法にて成膜し、アニールを経て不純物層８ａ，８ｂの露出部にニッケルシリサイド層１０ａ，１０ｂを形成する。このような遷移金属としては、チタンやコバルト等、シリサイドを作れるものであればよい。その後、硫酸等の酸によりサイドウォール９上の未反応の遷移金属層を除去し、セルフアラインでシリサイド層１０ａ，１０ｂを形成する。
【００４０】
（ｅ）この後は、図６に示すように、通常のＣＭＯＳプロセス技術による配線工程を経ることにより、層間絶縁層１２および配線層１３を形成し、半導体装置１０００を完成することができる。
【００４１】
この半導体装置の製造方法によれば、以下の特徴を有する。
【００４２】
タンタル層をエッチングする際に、ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを含むガスを用いることにより、絶縁層に対して高い選択比を確保しながら、タンタル層を速やかにかつ良好な形状でエッチングすることができる。また、ＳｉＣｌ４とＮＦ３とを含むガスを用いたエッチングの前に、ＮＦ３とフルオロカーボン（ＣＦ４またはＣ２Ｆ６）とを含むガスを用いてエッチングを行うことにより、全体のエッチング時間を短縮できる。
【００４３】
また、ゲート絶縁層２に接して窒化タンタル層４を有すると、以下の利点がある。窒化タンタルは、その仕事関数が約４．５ｅＶで、シリコンの真性ミッドギャプエネルギー４．６１ｅＶと極めて近似している。その結果、ＭＯＳキャパシタにおける、フラットバンド電圧の絶対値の増加が小さく、しきい値の制御のためにチャネル領域にドープされる不純物の濃度を高くする必要がない。したがって、キャリア移動度の低下を防止でき、高い電流駆動能力を備えたＭＯＳＦＥＴを高い歩留まりで得ることができる。
【００４４】
【実施例】
さらに、本発明の特徴を明らかにするために行った実施例について述べる。
【００４５】
（１）絶縁物と体心立方格子相のタンタルとの選択比の関係
図７は、実験によって得られた、２段階目のエッチングで用いられる混合ガス（ＮＦ３＋ＳｉＣｌ４）に対するＮＦ３の流量比と、絶縁物（酸化シリコンまたは窒化シリコン）と体心立方格子相のタンタル（以下、「ｂｃｃ−タンタル」という）との選択比との関係を示す図である。図７において、符号ａで示すグラフは、酸化シリコンに対するタンタルの選択比（任意の単位）を示し、符号ｂで示すグラフは、窒化シリコンに対するタンタルの選択比（任意の単位）を示す。
【００４６】
反応性イオンエッチングの条件は、圧力９ｍＴｏｒｒ、基板温度５０℃、ＲＦバイアス５５ｍＷ／ｃｍ２であった。また、サンプルは、シリコン基板上に３ｎｍの厚さを有する酸化シリコン層または窒化シリコン層を形成し、さらに、スパッタによって３０ｎｍの厚さを有する窒化タンタル層と１００ｎｍの厚さを有する体心立方格子相のタンタル層を形成して得た。酸化シリコン層は、１０００℃の熱酸化で形成した。また、窒化シリコン層は、アンモニアとアルゴンガスとの雰囲気における高密度プラズマＣＶＤによって形成した。
【００４７】
図７から、混合ガス（ＮＦ３＋ＳｉＣｌ４）に対するＮＦ３の流量比が１〜３０％、より好ましくは５〜２５％のときに、充分に高い選択比が得られることがわかる。また、エッチングされた層の側壁はほぼ垂直であった。
【００４８】
（２）絶縁層とｂｃｃ−タンタルとの選択比の関係
図８は、図７に示す実施例と異なるＲＦバイアスのエッチング条件で同様の実験を行った結果を示す。すなわち、図８は、エッチングで用いられる混合ガス（ＮＦ３＋ＳｉＣｌ４）に対するＮＦ３の流量比と、絶縁物（酸化シリコンまたは窒化シリコン）とｂｃｃ−タンタルとの選択比との関係を示す図である。図８において、符号ａで示すグラフは、酸化シリコンに対するタンタルの選択比を示し、符号ｂで示すグラフは、窒化シリコンに対するタンタルの選択比を示す。
【００４９】
反応性イオンエッチングの条件は、圧力９ｍＴｏｒｒ、基板温度５０℃、ＲＦバイアス１２７ｍＷ／ｃｍ２である。また、サンプルは、シリコン基板上に約３ｎｍの厚さを有する酸化シリコン層または窒化シリコン層を形成し、さらに、スパッタによって１００ｎｍの厚さを有するｂｃｃ−タンタル層を形成して得た。酸化シリコン層は、７５０℃の熱酸化で形成した。また、窒化シリコン層は、アンモニアとアルゴンガスとの雰囲気における高密度プラズマＣＶＤによって形成した。
【００５０】
図８から、混合ガス（ＮＦ３＋ＳｉＣｌ４）に対するＮＦ３の流量比が１〜３０％、より好ましくは５〜２５％のときに、充分に高い選択比が得られることがわかる。特に、好ましい選択比、例えば図８に示す例で５０以上を考慮すると、酸化シリコン層の場合には、５〜２５％がより好ましい。また、窒化シリコン層の場合には、好ましい選択比、例えば図８に示す例で５０以上を考慮すると、１〜３０％が好ましく、さらに好ましい選択比、例えば図８に示す例で１００以上を考慮すると、５〜２５％が好ましい。
【００５１】
（３）絶縁物と窒化タンタルとの選択比の関係
図９は、エッチングで用いられる混合ガス（ＮＦ３＋ＳｉＣｌ４）に対するＮＦ３の流量比と、絶縁物（酸化シリコンまたは窒化シリコン）と窒化タンタルとの選択比との関係を示す。図９において、符号ａで示すグラフは、酸化シリコンに対する窒化タンタルの選択比を示し、符号ｂで示すグラフは、窒化シリコンに対する窒化タンタルの選択比を示す。
【００５２】
反応性イオンエッチングの条件は、圧力９ｍＴｏｒｒ、基板温度５０℃、ＲＦバイアス１２７ｍＷ／ｃｍ２である。また、サンプルは、シリコン基板上に３ｎｍの厚さを有する酸化シリコン層または窒化シリコン層を形成し、さらに、スパッタによって１００ｎｍの厚さを有する窒化タンタル層を形成して得た。酸化シリコン層は、７５０℃の熱酸化で形成した。また、窒化シリコン層は、アンモニアとアルゴンガスとの雰囲気における高密度プラズマＣＶＤによって形成した。
【００５３】
図９から、混合ガス（ＮＦ３＋ＳｉＣｌ４）に対するＮＦ３の流量比が１〜３０％、より好ましくは５〜２５％のときに、充分に高い選択比が得られることがわかる。特に、好ましい選択比、例えば図９に示す例で２０以上を考慮すると、酸化シリコン層の場合には、５〜２５％がより好ましい。また、窒化シリコン層の場合には、好ましい選択比、例えば図９に示す例で２０以上を考慮すると、１〜３０％が好ましく、さらに好ましい選択比、例えば図９に示す例で５０以上を考慮すると、５〜２５％が好ましい。
【００５４】
（４）ＳＥＭによる形状の観察
以下の方法によって形成されたサンプルを用いて、ＳｉＣｌ４とＮＦ３との混合ガスによって反応性イオンエッチングを行った。エッチング条件としては、ＳｉＣｌ４とＮＦ３との混合ガスに対するＮＦ３の流量比が１０％、圧力９ｍＴｏｒｒ、基板温度５０℃、ＲＦバイアス１２７ｍＷ／ｃｍ２を採用した。このときのタンタルのエッチングレートは、４０ｎｍ／分程度である。その結果得られたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって得られた写真を図１０に示した。
【００５５】
図１０から、本実施例によれば、窒化タンタル層−ｂｃｃ−タンタル層−窒化タンタル層の積層体がほぼ垂直（８９°）の側壁を有するようにエッチングされていることが確認された。なお、図１０に示す例では、積層体のライン／スペースは３．５μｍであった。
【００５６】
本実施例のサンプルは、以下の方法によって得られた。シリコン基板上に熱酸化法により、ゲート絶縁層となる酸化シリコン層を形成する。酸化シリコン層の膜厚は３ｎｍ程度である。ついで、キセノンガスを用いたスパッタリング法にて、窒化タンタル層（膜厚３０ｎｍ）、ｂｃｃ−タンタル層（膜厚１００ｎｍ）、およびキャップ層としての窒化タンタル層（膜厚３０ｎｍ）を順次、成膜した。このようにして得られた積層体上に所定パターンのレジスト層を形成し、上述の反応性イオンエッチングに供した。
【００５７】
（５）エッチングと堆積物の関係
図１１は、ＳｉＣｌ４とＮＦ３との混合ガスを用いたエッチングにおける、堆積層とオーバーエッチング時間との関係を示す図である。図１１において、横軸はオーバーエッチング時間を示し、縦軸は堆積物層の厚さを示す。この実施例では、以下のようにして堆積層がＲＦバイアスに依存することを確認した。まず、サンプルのｂｃｃ−タンタル層をエッチングし、さらにオーバーエッチングを行い、新たに形成された堆積層の膜厚を測定した。
【００５８】
サンプルとしては、シリコン基板上に窒化シリコン層（膜厚３ｎｍ）を形成し、さらにこの窒化シリコン層上に窒化タンタル層（膜厚３０ｎｍ）、ｂｃｃ−タンタル層（膜厚１００ｎｍ）を順次形成したものを用いた。ｂｃｃ−タンタル層、および窒化タンタル層の反応性イオンエッチングの条件は、圧力９ｍＴｏｒｒ、基板温度５０℃、ＲＦバイアス６４ｍＷ／ｃｍ２であった。また、ＳｉＣｌ４とＮＦ３との混合ガスに対するＮＦ３の流量比は１５％であった。
【００５９】
図１１から、本実施例のエッチング条件でボトム窒化タンタル層のエッチングが終了すると同時に堆積層の形成（換言すれば反応生成物の堆積）が開始されることが確認された。そして、堆積層はオーバーエッチング時間とともに厚くなることがわかった。この堆積層は、少なくともＳｉＣｌ４に由来して形成されたものであると考えられる。本実施例では、上記実施例（２）〜（４）に比べてＲＦバイアスが小さく、エッチングの異方性がこれらの実施例より弱くなるため、堆積物が形成されやすい。このことから、反応性イオンエッチングにおいては、ＲＦバイアスはエッチング速度と堆積物の形成速度とを考慮して設定されることが望ましいといえる。
【００６０】
（６）トランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性
図１２（Ａ），（Ｂ）は、本実施例に係るトランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性を示す。図１２（Ａ）は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴのＶｇ−Ｉｄ特性を示し、図１２（Ｂ）は、ｐチャネルＭＮＳＦＥＴのＶｇ−Ｉｄ特性を示す。両者のトランジスタは、いずれも窒化タンタル層（膜厚３０ｎｍ）、ｂｃｃ−タンタル層（膜厚１００ｎｍ）、およびキャップ層としての窒化タンタル層（膜厚３０ｎｍ）の積層構造を有する。また、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴでは、ゲート絶縁膜として熱酸化によって形成された酸化シリコン層（膜厚２．９ｎｍ）を有している。ｐチャネルＭＮＳＦＥＴでは、ゲート絶縁膜としてアンモニア−アルゴン雰囲気での高密度プラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン層（膜厚３．５５ｎｍ）を有している。この窒化シリコン層の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）は、１．７５ｎｍである。
【００６１】
図１２（Ａ），（Ｂ）から、ｐチャネルＭＮＳＦＥＴおよびｎチャネルＭＯＳＦＥＴのいずれの場合も、良好なＶｇ−Ｉｄ特性を有することが確認された。
【００６２】
（７）トランジスタのオフ電流特性
図１３は、上記（６）Ｖｇ−Ｉｄ特性の測定に用いたと同一のｐチャネルＭＮＳＦＥＴにおけるオフ電流特性を示す図である。図１３において、横軸はオフ電流を示し、縦軸はワイブル累積数（［ｌｎ（−ｌｎ（１−Ｆ））］で得られるｗｅｉｂｕｌｌプロット）を示す。本実施例では、６インチウェハにおける６０ポイントのＭＮＳＦＥＴについてそれぞれオフ電流を求めた。
【００６３】
図１３から、本実施例のＭＮＳＦＥＴは、オフ電流のばらつきが極めて少なく、ゲート電極が高選択で均一にエッチングされていることが確認された。
【００６４】
さらに、本願発明者は比較のために以下の実験を行った。
【００６５】
まず、導電層（タンタル）のエッチングにおいて、ＮＦ３に替えてＳＦ６を使用した。その結果、ＳＦ６はＮＦ３に比べ等方性エッチングの性質が強いことがわかった。その結果、図１４に示すように、エッチングされた導電層（タンタル層）５０はテーパー形状を有し、この場合テーパー角度は約６０°であることを確認した。それ故、導電層の側壁を垂直にエッチングする工程においては、ＮＦ３を使用した方が好ましい。また、エッチングガスとして、ＳｉＣｌ４に替えてＣｌ２を使用した。その結果、導電層の側壁に堆積物が充分に得られず、導電層と酸化シリコン層とに対して実用的な選択比を得ることができないことを確認した。
【００６６】
以上、本発明に好適な実施の形態について述べたが、本発明は、その要旨の範囲内で各種の態様をとりうる。
【００６７】
たとえば、ゲート電極は、窒化タンタル層とタンタル層との積層構造に限定されない。ゲート電極は、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ニオブ、バナジウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウムの金属の単層、これらの金属の窒化物層の単層、あるいは該金属層と該金属の窒化物層との積層構造を有することができる。
【００６８】
さらに、エッチングされる導電層はゲート電極に用いられることが好ましいが、他の配線層であっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本実施の形態に係る製造方法により得られる半導体装置を示す断面図。
【図２】  本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３】  本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図４】  本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図５】  本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図６】  本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図７】  エッチングガスの組成と選択比との関係を示す図。
【図８】  エッチングガスの組成と選択比との関係を示す図。
【図９】  エッチングガスの組成と選択比との関係を示す図。
【図１０】  エッチングされた層のＳＥＭ写真を示す図。
【図１１】  オーバーエッチング時間と堆積層の厚さの関係を示す図。
【図１２】  （Ａ），（Ｂ）は、トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を示す図。
【図１３】  トランジスタのオフ電流と累積数との関係を示す図。
【図１４】  比較例に係る、エッチングされた導電層を示す図。
【符号の説明】
１  ＳＯＩ基板、１ａ  半導体層、１ｂ  絶縁層（酸化シリコン層）、１ｃ  支持基板、２  ゲート絶縁層、３  積層型のゲート電極、４  窒化タンタル層、５体心立方格子相のタンタル層、６  窒化タンタル層、２０  素子分離領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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