(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持するための凸部を備え、前記凸部上に支持された基板を負圧によって吸着保持するための基板保持装置であって、
前記凸部は、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第１凸部と、前記第１凸部の周囲に分散して配された複数の第２凸部とを含み、単位面積当たりの前記複数の第２凸部の支持剛性を前記第１凸部から放射方向に向け減少させたことを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記複数の第２凸部は、放射状に延びたライン状の凸部を含むことを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記複数の第２凸部は、前記第１凸部から放射状に遠ざかるにつれて低密度に配置された凸部を含むことを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項４】
基板を支持するための凸部を備え、前記凸部上に支持された基板を負圧によって吸着保持するための基板保持装置であって、
前記凸部は、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第１凸部と、前記第１凸部の周囲に分散して配された複数の第２凸部とを含み、前記複数の第２凸部の支持剛性を前記第１凸部の支持剛性と同等にしたことを特徴とする基板保持装置。
【請求項５】
前記第２凸部は、前記第２凸部の支持剛性より十分大きな支持剛性となる直径を有する円柱形状の第３凸部の上に形成されていることを特徴とする請求項４記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記第２凸部が柱状、錐状及び半球状のいずれかの形状であることを特徴とする請求項４記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記第２凸部が複数の同心円の上に配置されていることを特徴とする請求項１または４記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記基板を吸着した際の前記第１凸部の圧縮たわみと前記第２凸部の圧縮たわみとが同等となるようしたことを特徴とする請求項４記載の基板保持装置。
【請求項９】
凸部の実効高さをｈ、凸部の実効負荷面積をＡとしたとき、前記第１凸部のｈ／Ａと前記第２凸部のｈ／Ａとが同等となるようにしたことを特徴とする請求項４記載の基板保持装置。
【請求項１０】
基板を支持するための凸部を備え、前記凸部上に支持された基板を負圧によって吸着保持するための基板保持装置であって、
前記凸部は、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第１凸部と、前記第１凸部の周囲に分散して配された複数の第２凸部とを含み、前記第１凸部の高さを、前記複数の第２凸部の高さよりも低くしたことを特徴とする基板保持装置。
【請求項１１】
基板を支持するための凸部を備え、前記凸部上に支持された基板を負圧によって吸着保持するための基板保持装置であって、
前記凸部は、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第１凸部と、前記第１凸部の周囲に分散して配された複数の第２凸部とを含み、前記第１凸部の上面に傾斜をつけたことを特徴とする基板保持装置。
【請求項１２】
前記基板を吸着した際に前記第１凸部の上面と前記基板との間に隙間が生ずるように、前記第１凸部の高さを設定したことを特徴とする請求項１０または１１記載の基板保持装置。
【請求項１３】
前記基板を支持するための凸部は、その最も外側に、凸状の閉環状のリム部を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか記載の基板保持装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか記載の基板保持装置と、前記基板保持装置に保持された基板に露光を行なう露光手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスを製造するための半導体ウエハや液晶基板等の基板を、露光等に際してずれやそりが生じないように吸着保持するための基板保持装置や露光装置、デバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体素子や液晶表示素子の製造に用いられる投影露光装置では、被加工材である基板を保持固定し、かつそりを矯正し、平面性を保つために、真空吸着力を利用した基板吸着保持装置が用いられる。図１５はこのような基板吸着保持装置の従来例を示す断面図である。同図に示すように、この基板吸着保持装置は、基板１を載置するための載置面２と、載置面２から裏側へ貫通した３つの貫通穴３（３ａ〜３ｃ）と、貫通穴３の回りにおいて載置面上に設けられた第１の縁堤部４（４ａ〜４ｃ）と、載置面２の周辺部に設けられた第２の縁堤部５と、第１および第２縁堤部４，５間の載置面２上に設けられ、載置される基板１を支持する凸部６とを有するウエハチャック（載置台）８を備える。また、この装置はさらに、貫通穴３を通るように配置された、ウエハ１の受渡しを行なうための３本のリフトピン９（９ａ〜９ｃ）、リフトピン９を上下させる上下機構部１０、ウエハチャック８を支持するウエハチャック支持部１２を備え、また、載置される基板１と載置面２と第１および第２縁堤部４，５と凸部６とが画定する空間を減圧することにより基板１を載置面２上に吸着保持するための真空配管系１１を備える。
【０００３】
この構成において、不図示の外部の搬送装置がその搬送ハンドによって被加工物であるウエハ１を、載置面２から突き出した状態で待機しているリフトピン９上に搭載し、搬送ハンドを回避させると、上下機構部１０は、リフトピン９を速やかに下降させ、ウエハチャック８上にウエハ１を受け渡す。このとき、ウエハ１がウエハチャック８に接触する直前あるいは直後に、基板吸着保持装置は、真空配管系１１を介して真空吸引を開始し、ウエハ１を載置面２上に吸着保持した状態で固定し、平面矯正する。このようにして、半導体露光装置は露光転写を行なう。露光転写の終了後は、前述と反対の動作により、基板吸着保持装置上からウエハ１の回収が行なわれる。
【０００４】
図１６は、図１５における載置面２上の第１および第２縁堤部４，５および凸部６の、上から見た形状を示す。
第１縁堤部４は、貫通穴３ａ〜３ｃの周囲に円環状に設けられ、第２縁堤部５は載置面２の周辺部に円環状に設けられており、これらにより、ウエハ１を真空吸着するときは、大気とのシールドを行ない、真空空間を確保するようになっている。凸部６は、載置面２上の第１縁堤部４と第２縁堤部５との間において、ウエハ１裏面と載置面２との接触率を低減するために設けられている。凸部６は、ピン形状を有しており、等ピッチで格子状に載置してある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
半導体製造工程の中でも基板上に微細なパターンを露光転写するリソグラフィ工程では、近年、素子の微細化に伴って焦点深度が減少してきており、その焦点深度は約１μｍ程度になっている。そして、素子製造のプロセスマージンを考慮すると、ウエハチャック上で平面矯正されるウエハは、少なくとも焦点深度の１／５程度の平面度に平坦化する必要がある。
【０００６】
しかしながら、前記従来の基板吸着保持装置の場合、リフトピン用の貫通穴３ａ〜３ｃは真空空間とはならないため、貫通穴３ａ〜３ｃ上のウエハ部分には吸着による平面矯正力が作用しない。その結果、貫通穴３ａ〜３ｃ上のウエハ部分の平坦度は、その周辺の真空吸着された周辺部の平坦度の影響を直接受けることになる。経験的には、このような貫通穴部分においては、吸着されたウエハが局所的に盛り上がる傾向を有することが知られている。また、ウエハ周辺部においてもはね上がりが発生する。この局所的な盛り上がりは、所望の平坦度を達成するのを妨げるばかりか、その部分のウエハを平面方向に対しても歪ませ、転写露光される像の歪みを助長する要因にもなっている。
【０００７】
これらの盛り上がりやはね上がりの原因は、真空吸着時にチャック凸部が受ける圧縮力による凸部のたわみに起因する。特に、近接する凸部と縁堤部とのたわみ量に差が生じると、図１７に示すリフトピンの貫通穴３近傍の断面図のように、ウエハ１を局所的に歪ませて盛り上がりやはね上がりを引き起こす。
【０００８】
近年、チャックとウエハとの間の異物はさみ込みの確率的要因を低減させるため、チャックとウエハの接触面積を微小化していく傾向があり、個々の凸部は細る方向にある。その一方、これまで真空吸引チャックを半導体製造装置に用いた場合、基板の吸着完了までの時間を１／１００秒オーダーで短縮を図る必要があった。それには真空吸着時に十分な排気速度を確保し排気抵抗の低減のため、ウエハとチャック凹部とのギャップ、すなわち凸部の高さを大きくとる必要があった。このことは、凸部の縦横比を大きくし、圧縮力によるたわみを大きくすることになってしまい、結果として図１７に示すようなウエハの局所的な歪みは、ますます顕著となる。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明は、上述の従来例の課題を解決すべくなされたもので、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第１凸部と前記第１凸部の周囲に分散して配された複数の第２凸部とに因る、基板を吸着保持した際の基板の局所的な形状変化を軽減することができる基板保持装置、露光装置、およびデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
上記課題を解決する本発明の基板保持装置は、基板を支持するための凸部を備え、前記凸部上に支持された基板を負圧によって吸着保持するための基板保持装置であって、
前記凸部は、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第１凸部と、前記第１凸部の周囲に分散して配された複数の第２凸部とを含み、単位面積当たりの前記複数の第２凸部の支持剛性を前記第１凸部から放射方向に向け減少させたことを特徴とする。
または、前記複数の第２凸部の支持剛性を前記第１凸部の支持剛性と同等にしたことを特徴とする。
または、前記第１凸部の高さを、前記複数の第２凸部の高さよりも低くしたことを特徴とする。
または、前記第１凸部の上面に傾斜をつけたことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を用いて詳細に説明する。図１は露光装置の全体概略図を示すもので、図中、１００はレチクルステージであり、レチクルチャック１０１によってレチクル１０２を保持している。レチクルステージ１００は１方向（Ｘ方向）に走査移動が可能である。またレチクルステージの移動をモニタするためのレーザ干渉計１０３が設けられている。対するウエハステージは定盤１０４上に設けられ、Ｙステージ１０５とＸステージ１０６を備え、その上の基板保持装置であるウエハチャック１０７によってウエハ１０８を保持している。このウエハチャック１０７の詳細については後述する。ウエハステージは２方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に移動可能である。またウエハステージの移動をモニタするためのレーザ干渉計１０９が設けられている。１１０は照明手段であり光源や照明光学系を含み、レチクルステージの走査方向と直交する方向（Ｙ方向）に長手のスリット光によってレチクル１０２を照明する。１１１は縮小投影光学系でありレチクル１０２のパターンをウエハ１０８上に４：１に縮小投影する。１１２はフレームであり、上記レチクルステージ１００、ウエハステージ１０４、縮小投影光学系１１１を保持している。この構成によって、レチクルのパターンはウエハ上の複数の領域に順次転写される。
【００１２】
図２は、上記ウエハチャック１０７の上面を示す図であり、図３はこの断面図である。また、図４は、図２の貫通穴近傍を拡大して示す図である。これらの図に示すように、ウエハ１を載置するための載置面２と、載置面２から裏側へ貫通した貫通穴３（３ａ〜３ｃ）と、貫通穴３の回りにおいて載置面２上に設けられた、第１凸部である、円環状凸部の第１縁堤部４と、載置面２の周辺（外周）部に設けられた凸状の閉じた円環状（多角形環状でもよい）のリムである第２縁堤部５と、第１および第２縁堤部４，５間の載置面２上に設けられ、載置されるウエハ１を支持する凸部６とを有する載置台を備えている。載置されるウエハ１と、載置面２と、第１および第２縁堤部４，５と、凸部６とが画定する空間を減圧することによりウエハ１を載置面２上に吸着保持するようになっている。この、複数の第２凸部と称する、凸部６は、第１縁堤部４から外側へ放射状に延びたライン状の凸部６ａ、これらの間に比較的高密度に配置した点状の凸部６ｂ、およびその他の一定間隔で格子状に配置した凸部６ｃを含む。これにより、凸部６は、ウエハを吸着保持する際の単位面積当りの支持剛性を、第１縁堤部４から放射方向へ向け漸減するものとなっている。３つの貫通穴３（３ａ〜３ｃ）は、リフトピン８がウエハチャック７を貫通して上下動するためのものである。縁堤部４は、真空吸着時に載置面２上に閉空間を確保できるように、各貫通穴３の回りを切れ目なく縁どっている。なお、この形状は円環状に限らず、多角形状の閉じた環状であっても良い。これは後述の他の例においても同様である。
【００１３】
凸部６ａは、直径Ｄの貫通穴３に対して、そこから放射状に配置した、長さが１Ｄ程度で幅が０．０７〜０．３ｍｍ程度のライン状のものである。この長さはこれに限らず、０．５Ｄ〜２．５Ｄ程度が好ましい。凸部６ａの幅は、できる限り細い方が好ましい。隣接する凸部６ａ間の間隔は、最近部で１ｍｍ程度である。凸部６ｂは、１ｍｍ以下のピッチで凸部６ａ間に配置されており、直径が０．１〜０．５ｍｍのピン状のものである。このようにして、凸部６ａおよび６ｂは、第１縁堤部４から、各貫通穴３の直径の０．５〜２．５倍までの領域において、単位面積当りの支持密度が、したがって支持剛性が、第１縁堤部４から遠ざかるに従って漸減するように配置されている。支持剛性が第１縁堤部４から遠ざかるに従って漸減するものであれば、凸部６ａおよび６ｂはこれに限らず、ランダム性をもたせて配置したものや、環状に沿って配置したものや、凸部６ｂのピン形状の半径を意図的に変化させたもの等であってもよい。
【００１４】
凸部６ｃは、貫通穴３から離れた他の載置面２上の領域において、２〜３ｍｍピッチの格子状に多数配置されたピン形状のものである。第２縁堤部５は、載置面２上の最外周部に切れ目なく配置され、第１縁堤部４と共働して、真空吸着時に載置面２上において閉空間を確保するものである。
【００１５】
また、この装置はさらに、貫通穴３を通るように配置された、ウエハ１の受渡しを行なうための３本のリフトピン８（８ａ〜８ｂ）、リフトピン８を上下動させる上下機構部９、ウエハチャック７を支持するウエハチャック支持部１０、載置される基板１と、載置面２と、第１および第２縁堤部４、５と、凸部６とが画定する空間を減圧することにより基板１を載置面２上に吸着保持するための真空配管系１１を備える。さらには各リフトピン８の先端の小開口にリフトピンによるウエハ保持のための真空を供給する真空配管系１２を備える。
【００１６】
この構成において、不図示の外部の搬送装置がその搬送ハンドによって被加工物であるウエハ１を、載置面２から突き出した状態で待機している３本のリフトピン８上に搭載しリフトピン先端の小開口でウエハを吸引保持する。そして搬送ハンドを回避させると、上下機構部９はリフトピン８を速やかに下降させ、ウエハチャック７上にウエハ１を受け渡す。このとき、ウエハ１がウエハチャック７に接触する直前あるいは直後に、基板吸着保持装置は、真空配管系１１を介して真空吸引を開始し、ウエハ１を載置面２上の凸部で支えて吸着保持した状態で固定し、平面矯正する。
【００１７】
このとき、ウエハを吸着保持した状態では、ウエハ上面に作用する荷重は、８インチウエハで約３０００Ｎにも及び、それらの荷重をわずかな接触面積で接した凸部６や第１および第２縁堤部４、５によって支持することになる。
【００１８】
この際、真空吸着時に受ける圧縮力により各凸部６は縮むが、本実施形態においては、凸部６ａおよび６ｂにより、第１縁堤部４から、各貫通穴３の直径の０．５〜２．５倍までの領域において、単位面積当りの支持剛性が、第１縁堤部４から遠ざかるに従って漸減するため、剛性差に不連続性がなく、剛性が緩慢に変化する。したがって、ウエハに段差が生じることによる貫通穴３ａ〜３ｃ中央部上のウエハ部分の盛り上がりが、是正される。
【００１９】
このようにして、基板吸着保持装置上において平面性が高度に維持されながら保持されたウエハ１に対し、半導体露光装置は露光転写を行なう。露光転写の終了後は、前述と反対の動作により、基板吸着保持装置上からウエハ１の回収が行なわれる。
【００２０】
図５は上記形態の変形例に係る基板吸着保持装置におけるウエハチャックの上面の一部を示す。同図に示すように、ライン上の凸部６ａの外側部分をピン状の凸部６ｄに置き換えても良い。これによれば、凸部６ｄ部分のウエハとの接触率を低減することができる。
【００２１】
図６はさらに他の変形例に係る基板吸着保持装置におけるウエハチャックの上面の一部を示す。このように、凸部６をすべてピン状の凸部６ｃおよび６ｅで構成するようにしても良い。凸部６ｅは、第１縁堤部４へ近づくに従って高密度に配置されるように、配置ピッチが第１縁堤部４へ近づくに従って小さくなっている。そして外側では、格子状に配置した凸部６ｃと同ピッチとなっている。
【００２２】
図７は、本発明の別の実施形態に係る基板吸着保持装置のウエハチャック上面を示す図であり、図８は、この装置の断面図である。また、図９は、図８の貫通穴近傍の断面を示す図である。なお、先の実施例と同一の符号は同一の部材を示す。この基板吸着保持装置は図１に示すような半導体露光装置のＸＹステージ上に設けられている。これらの図に示すように、この基板吸着保持装置は、ウエハ１を載置するための載置面２と、載置面２から裏側へ貫通した貫通穴３（３ａ〜３ｃ）と、貫通穴３の回りにおいて載置面２上に設けられた円環状の凸部である第１の縁堤部４（４ａ〜４ｃ）と、載置面２の周辺（外周）部に設けられた凸状のリムである第２の縁堤部５とが形成されている。また載置されるウエハ１と接触して支持する小突出部である第１の凸部２６ａと、第１の凸部を支持する第２の凸部２６ｂとからなる凸部が、第１および第２縁堤部４，５間の載置面２上に多数点在して設けられている。この構成において載置台を備え、載置されるウエハ１と載置面２と第１および第２縁堤部４，５と第１および第２凸部２６ａ，２６ｂとが画定する空間を、真空源に連通する載置面上の穴を通して減圧することにより、ウエハ１を載置面２上の凸部で支えて吸着保持するようになっている。
【００２３】
図９を用いて、凸部の更に詳細な説明をする。
基板と直接接触する第１の凸部２６ａは、円柱状のピン形状をなしており、直径φ０．１ｍｍ、高さ０．０５ｍｍ程度になっている。高さについては、対象とする異物の大きさより大きければよく、大きな異物の存在しにくいスーパークリーン環境であれば、例えば高さ３ミクロン程度であってもよい。また、第１の凸部２６ａは、チャックと同一材料である必要は無く、例えば金属薄膜、ガラス薄膜、セラミックス薄膜などであってもよい。第１の凸部２６ａの形状は、円柱状の他にも円錐型、多角柱、多角錐型、あるいは半球状であってもよい。いずれの形状においてもウエハ接触面は全て同一の平面になるようラップ加工が施されている。
【００２４】
次に、第２の凸部２６ｂは、それぞれの第１の凸部の下部に構成されており円柱形状になっている。その大きさは、第１の凸部の支持剛性に比して十分大きな剛性をもつ直径（φ１ｍｍ以上）になっており、また高さ（深さ）は、真空パスとして０．５ｍｍ以上の値になっている。この第２の凸部２６ｂは、第１の凸部２６ａを低くすることで損なわれるチャック全体の排気抵抗を低減することを目的として空間を確保することに主眼をおくため、第２の凸部の形状は、本実施例に限ることなく、例えば、複数の第１の凸部を支持するよう領域を広げた第２の凸部としてもよいし、さらには第２の凸部２６ｂはなくてもよい。但し、その場合には、例えば図１０に示すように第１の凸部２６ａの間隙に真空パス用の溝２６ｃを種々構成することが好ましい。
【００２５】
図９における第１の縁堤部４は、真空吸着状態で基板が押し付けられた状態で、その周囲の円柱形状の凸部２６ａと同等のたわみ量（同等の高さ）になるように縁堤高さを決定している。本実施例では縁堤部４の実効負荷面積Ａを固定し、縁堤の幅を０．２ｍｍ程度とし、縁堤の高さｈを周囲の凸部２６ａよりも大きくすることでたわみ量を一致させている。あるいは変形例として縁堤部の高さを凸部の高さに固定し、縁堤幅を周囲の凸部２６ａよりも小さくすることで縁堤部の実効負荷面積を変え、たわみ量を一致させても同様の効果がある。すなわち、基板吸着時の圧縮力による凸部のたわみと縁堤部のたわみとがほぼ同等になるように凸部および縁堤部の高さあるいは幅に相関をもたせることで、縁堤部近傍での基板の局所的な盛り上がりを軽減させることができる。
【００２６】
一般に凸部のたわみ量をδ、凸部の実効高さをｈ、凸部の実効負荷面積をＡとすると、以下の式が成り立ち、縁堤部とその周辺の凸部のたわみ量を同一にするためには縁堤部のｈ／Ａと凸部のｈ／Ａをほぼイコールにするよう縁堤部のｈまたはＡを決定すればよい。
δ  ∝  ｋ・ｈ／Ａ
ここでｋは、チャックのヤング率、真空吸着による圧縮力および形状補正係数等で決定される定数係数である。
【００２７】
さらなる実施例を図１１に示す。図１１（Ａ）の例は、環状凸部４の高さを、その周囲に分散する凸部６の高さよりも所定量ｄ（＝０．０１μｍ〜０．６μｍ）だけ僅かに低くしたものである。あるいは変形例として図１１（Ｂ）に示すように、環状凸部４の上面に、環の外に向かって下降するような傾斜をつけて、環状凸部４の輪の外側が周囲の凸部６よりも低くなるようにしてもよい。さらにこの変形として、図１１（Ｃ）に示すように、環状凸部を同心の二重環構造として、内環４ａよりも外環４ｂを低くするようにしても良い。以上の構造とすれば、ウエハ１を負圧吸着した際に環状凸部４（４ａ，４ｂ）の近傍で局所的に生じるウエハの形状変化（盛り上がり）を効果的に軽減させることができる。
【００２８】
ここで、ウエハをチャッキングした際に、環状凸部４の上面とウエハ１との間に僅かな隙間が生じる程度に、環状凸部４の高さを設定してもよい。この場合、気圧差によって、貫通孔３からこの隙間を経てチャック面の真空空間に外部空気が流入することになるが、この流入の流量係数に対してチャック面の真空源の流量係数を十分に大きく（例えば３倍程度）しておけば、ウエハのチャッキングに必要な十分な真空空間が確保できる。さらに、露光で温度上昇するウエハを、裏面側から気体冷却できるという付随的な効果も期待できる。
【００２９】
その他の実施例として、図１２は同心円の複数の円環状の凸部をもつチャックの平面図である。
この例において各円環状の凸部は基板と接触する小突出部である第１の環状凸部２７ａと、第１の環状凸部を支持する第２の環状凸部２７ｂにより基板載置面が形成されており第１の環状凸部２７ａの線幅は０．２ｍｍ以下とされる。これによって第１の環状凸部２７ａのたわみを小さく抑えるのと同時に、十分排気抵抗の少ない真空パスが確保できる。
【００３０】
［微小デバイス製造の実施例］
次に上記説明した露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施形態を説明する。図１３は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３１】
図１４は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレジストを塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高精度なデバイスを低コストに製造することができる。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、リフトピンのための貫通穴が形成された環状の第１凸部と前記第１凸部の周囲に分散して配された複数の第２凸部とに因る、吸着された基板の局所的な形状変化を軽減することができる。また、本発明の基板保持装置で吸着した基板に露光を行なえばデバイス製造の高精度化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ウエハチャックを含む露光装置の全体構成図である。
【図２】  実施形態のウエハチャックの上面を示す図である。
【図３】  図２の装置の断面図である。
【図４】  図２の貫通穴近傍を拡大して示す図である。
【図５】  図４の変形例のウエハチャックの上面の一部を示す図である。
【図６】  図４の別の変形例のウエハチャックの上面の一部を示す図である。
【図７】  別の実施形態のウエハチャックの上面を示す図である。
【図８】  図７の装置の断面図である。
【図９】  貫通穴近傍の凸部の詳細を説明するための図である。
【図１０】  変形例のウエハチャックの上面を示す図である。
【図１１】  さらなる変形例のウエハチャックの断面を示す図である。
【図１２】  別の変形例のウエハチャックの上面を示す図である。
【図１３】  デバイス製造のフローを示す図である。
【図１４】  ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。
【図１５】  従来例のウエハチャックの断面図である。
【図１６】  図１５の装置の上面図である。
【図１７】  図１４の装置においてウエハを吸着保持した際の貫通穴近傍でのウエハの形状変化を説明するため図である。
【符号の説明】
１：ウエハ、２：ウエハ載置面、３（３ａ〜３ｃ）：リフトピンの貫通穴、４：貫通穴周囲の環状凸部（第１縁堤部）、４ａ：内環、４ｂ：外環、５：外周リム凸部（第２縁堤部）、６：凸部、６ａ：ライン状の凸部、６ｂ〜６ｅ：ピン状の凸部、７：ウエハチャック、８：リフトピン、９：上下動機構、１０：ウエハチャック支持部、１１：チャック面の真空配管系、１２：リフトピンの真空配管系、２６ａ：点在する凸部の先端の小突出部（第１の凸部）、２６ｂ：点在する凸部（第２の凸部）、２７ａ：同心円の複数の円環状凸部の先端の小突出部（第１の凸部）、２７ｂ：同心円の複数の円環状凸部（第２の凸部）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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