(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内周側着磁コイルを中心とし、その周りを筒状のピン止め効果のある第２種超電導体からなる超電導バルク体で包囲し、さらに超電導バルク体の外側を外周側着磁コイルで包囲した超電導バルク体マグネットであって、筒状の超電導バルク体に、互いに逆向きの電流を通電する内周側着磁コイルと外周側着磁コイルとをそれぞれの中心軸を共有するように配置し、前記中心軸と同じ向きの磁場を超電導バルク体に印加することを特徴とする超電導バルク体マグネット。
【請求項２】
超電導バルク体の材質が微細な２１１相が分散した１２３相のＲＢａＣｕＯ系（Ｒは希土類元素を示す）若しくはＮｄ系の酸化物超電導体であることを特徴とする請求項１に記載の超電導バルク体マグネット。
【請求項３】
内周側着磁コイルと外周側着磁コイルが発生する磁場を重ね合わせたものが、超電導バルク体に均一な磁場を印加することを特徴とする請求項１または２に記載の超電導バルク体マグネット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高温超電導体のバルクを用いたマグネットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
高温超電導体の開発に伴い、これら超電導体を利用した超電導磁石が開発されてきている。例えば、特開平３−２８９３４４号公報には、超電導コイルを界磁側に用いて通電により磁場を発生させ、電機子に回転力を与える超電導モーターが提案されている。
【０００３】
しかしながら、上記装置では超電導線材のコイルに通電して磁場を発生させるため、超電導状態のコイルにクエンチが発生する恐れがある。クエンチとは、局所的に発生した常電導状態が雪崩的に拡大し、超電導体全体が急激に常電導状態に転移することをいう。クエンチが発生すると、超電導線材のコイルに所望の特性が得られないばかりでなく、常電導状態で発生する大きなジュール熱により装置に損傷が生じるおそれもあるため、クエンチの発生は極力排除する必要がある。上記クエンチは線材において特に発生しやすい。
【０００４】
クエンチの発生を防止して超電導磁石の安定化を図る方法としては、超電導線材の表面を高純度銅等でシールする冷却安定化法や、極細多芯化した超電導線材を用いる断熱安定化法などがあるが、いずれも高コスト化や装置の大型化を免れることはできない。
【０００５】
一方、近年開発されたＲ（希土類）−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導体は第２種超電導体であって、溶融法で作成したバルク体（固片）であってもピン止め制御が可能であり、液体窒素温度でも高い臨界電流が達成されている。従来の超電導バルク体は比熱が小さいため小さな外乱で超電導が破れるという欠点があったが、上記Ｒ（希土類）−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導体のバルク体は比熱が大きく、外乱に対する耐性が高い。
【０００６】
そこで、この特質を利用した特開平７−８７７２４号公報や特開平７−１１１２１３号公報に記載されているような、超電導体のバルク（固片）を利用した超電導磁石が提案されている。
【０００７】
特開平７−８７７２４号公報に記載の超電導モーターには、超電導バルク体の周囲に着磁用コイルを巻回した構造の超電導磁石が使用されている。この超電導磁石は、ピン止め効果の高い第２種超電導体を用いており、着磁用コイルにパルス電流を供給し、発生した磁束を超電導バルク体のピン止め点に固定するものである。着磁用コイルによる磁場の発生が終了しても、超電導体はピン止め点に固定した磁束を保持しようとするため、超電導体内部にピン止め点を中心とした永久電流が発生し、磁束は保存される。すなわち、超電導バルク体自体が磁石となる。
【０００８】
一方、特開平７−１１１２１３号公報において、▲１▼超電導バルク体を芯として周囲をコイルで包囲した構造の複合磁石、▲２▼コイルを中心としてその周囲をリング状の超電導バルク体で包囲した構造の複合磁石、▲３▼超電導バルク体を芯として周囲をコイルで包囲し、さらにその外側にリング状の超電導バルク体を配した構造の複合磁石が提案されている。
【０００９】
上記▲１▼の複合磁石は、コイルで付与する磁場によってバルク超電導磁石の磁場強度を自由に変化できる。また、▲２▼の複合磁石は、低温超電導体コイルを用いた場合に磁場が外縁部で曲がることを妨げて発生磁場を向上できる。そして、▲３▼の複合磁石は、低温超電導体コイルを用いた場合に発生磁場を向上するとともに、コイルがクエンチしてもバルクが超電導状態を保つので急激な変化が緩和できるものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記各公報に記載の超電導磁石では、超電導バルク体の内側若しくは外側の一方のみに着磁コイルを配置するため、バルクに印加される磁場に偏りが生じる。例えば、超電導バルク体の外側のみに着磁コイルを配置した場合には、バルクの外側に印加される磁場はバルクの内側に印加される磁場よりも大きくなる。また、超電導バルク体の内側のみに着磁コイルを配置した場合には、バルクの内側に印加される磁場はバルクの外側に印加される磁場よりも大きくなる。
【００１１】
したがって、上記超電導磁石では、超電導バルク体全体に着磁しようとすると、着磁コイル付近の超電導バルク体には必要以上の磁場を印加することになってしまう。一般に超電導体の臨界電流密度は磁場依存性を有しており、磁場が大きくなると臨界電流密度は低下してしまうので、超電導バルク体に必要以上の磁場を印加することは好ましくない。
【００１２】
また、上記超電導磁石の着磁コイルに超電導線材のコイルを用いる場合には、超電導線材自体の臨界電流密度の問題も生じる。すなわち、着磁コイルで発生させる磁場が大きいほど、超電導線材自体の経験する磁場も大きくなり臨界電流密度が低下するため、超電導着磁コイルに大電流を流して大きな磁場を発生させるには超電導着磁コイルを大型化しなければならない。したがって、磁石の小型化・軽量化の観点からは、同じだけの磁束を超電導バルクに捕捉させるために印加する磁場は小さいほどよい。
【００１３】
本発明は、超電導バルク体と着磁コイルとからなる超電導バルク体マグネットであって、超電導バルク体に必要以上の磁場を印加することがなく、また各着磁コイルで発生させる磁場が小さく、着磁コイルが超電導バルク体を効率的に着磁させる構造の超電導バルク体マグネットを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の構成を要旨とする。
（１）内周側着磁コイルを中心とし、その周りを筒状のピン止め効果のある第２種超電導体からなる超電導バルク体で包囲し、さらに超電導バルク体の外側を外周側着磁コイルで包囲した超電導バルク体マグネットであって、筒状の超電導バルク体に、互いに逆向きの電流を通電する内周側着磁コイルと外周側着磁コイルとをそれぞれの中心軸を共有するように配置し、前記中心軸と同じ向きの磁場を超電導バルク体に印加することを特徴とする超電導バルク体マグネット。
（２）超電導バルク体の材質が微細な２１１相が分散した１２３相のＲＢａＣｕＯ系（Ｒは希土類元素を示す）若しくはＮｄ系の酸化物超電導体であることを特徴とする前記（１）に記載の超電導バルク体マグネット。
（３）内周側着磁コイルと外周側着磁コイルが発生する磁場を重ね合わせたものが、超電導バルク体に均一な磁場を印加することを特徴とする前記（１）または（２）に記載の超電導バルク体マグネット。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明において、超電導バルク体の形状は中空筒型としたが、より具体的には、中空とした円筒状、穴開き直方体状、中空とした楕円円筒状等があげられる。超電導バルク体の材質としては、微細な２１１相が分散した１２３相のＲＢａＣｕＯ系（Ｒは希土類元素を示す）若しくはＮｄ（ネオジウム）系の酸化物超電導体が好ましい。これらの超電導体は第２種超電導体であって、高いピン止め効果を有し、高磁場中でも高い臨界電流密度が得られる。これら超電導体の構成成分の組成・製造方法等に関しては特に限定するものではなく、ピン止め効果の高い第２種超電導体であればよい。製造方法としては、例えば特公平７−５１４６３号公報に記載の溶融凝固法に粉砕工程を付加したＭＰＭＧ法があげられる。また、超電導バルク体は、直接中空筒型に製造してもよいし、一旦穴のない中実形状に製造した超電導バルク体に機械加工等によって穴を開け筒状に成形するようにしてもよい。
【００１６】
本発明の内周側着磁コイル及び外周側着磁コイルは、例えば銅線やアルミ線などの常電導体の線材、あるいは、例えばＢｉ系銀シース線材などの超電導体の線材よりなるコイルである。内周側着磁コイルの材質と外周側着磁コイルの材質とは、別なものを用いてもよい。
【００１７】
本発明は、上記した超電導バルク体の内外周に、内周側着磁コイルと、外周側着磁コイルとを、それぞれ中心軸を共有するように配置する。
【００１８】
ここで、内外両着磁コイルに互いに逆向きの電流を通電すれば、図１に概略的に示すように、内側着磁コイルが発生させる磁束▲２▼と外側着磁コイルが発生させる磁束▲１▼とは、両コイルに挟まれた空間では同じ方向となる。すなわち、内外両着磁コイルに互いに逆向きの電流を通電すれば、内外両着磁コイルが超電導バルク体に印加する磁場は同じ方向となり、超電導バルク体には内外両着磁コイルの発生する磁場が重ね合わさって印加される。
【００１９】
したがって、従来の超電導バルク体と着磁コイルを用いた超電導磁石よりも、各着磁コイルが発生させる磁場は小さくてよい。このため着磁コイルに常電導線材のコイルを用いる場合には、着磁コイルに通電する電流が小さくできるので、発熱を低減できる。また、着磁コイルに超電導線材のコイルを用いる場合には、各着磁コイルが経験する磁場を小さくできるので、超電導線材の臨界電流密度の低下を抑制できる。このため超電導着磁コイルの小型化・軽量化が可能となる。図２（ａ）に半径ａ、内径ｂの筒状超電導バルク体の外周側のみに着磁コイルを配置した場合に超電導バルク体に印加される磁場分布を、図２（ｂ）に外径ａ、内径ｂの筒状超電導バルク体の内周側と外周側との両方に着磁コイルを配置した場合の磁場分布をそれぞれ示す。
【００２０】
図２（ａ）に示したように、片側のみに着磁コイルを配置した場合には、着磁コイル側の印加磁場が大きくなり臨界電流密度が低下してしまう。そして、バルク全体に磁場を印加しようとすると、バルクに印加される磁場の偏りはかなり大きくなる。
【００２１】
これに対して、本発明のように筒状超電導バルク体の両側に着磁コイルを配置すれば、両側の着磁コイルから磁場を印加するため、図２（ｂ）に示したようにバルクに印加される磁場の最大値を低減することができる。
【００２２】
さらに、内周側着磁コイルと外周側着磁コイルとが超電導バルク体に印加する磁場が均一になるようにすれば、超電導バルク体の捕捉する磁束の密度が均一となり、超電導体に必要以上に大きな磁場が印加されることがなくなるため、臨界電流密度の低下を防ぎ、捕捉できる磁束の密度が大きくできる。
【００２３】
超電導バルク体に印加する磁場を均一するには、内周側着磁コイルと外周側着磁コイルの形状、巻数および通電する電流の大きさを調整する。形状、巻数および通電する電流の大きさを最適に組み合わせることで均一度を向上できる。
【００２４】
本発明の超電導バルク体マグネットは、予め筒状超電導バルク体を臨界温度以下に冷却してから、その内周側と外周側とに配置した着磁コイルにより超電導体に磁場を印加する。あるいは、着磁コイルにより超電導体に磁場を印加しながら超電導バルク体を臨界温度以下に冷却する。
【００２５】
超電導バルク体の冷却方法としては、浸漬冷却と伝導冷却がある。浸漬冷却の場合には、冷媒として液体ヘリウム、液体窒素、液体ネオン等を使用する。伝導冷却の場合は、超電導バルク体を断熱部材で囲み、熱伝導部材を冷凍機により冷却する。
【００２６】
ここで、バルクに印加する外部磁場の強さが下部臨界磁界以上、かつ上部臨界磁界以下であれば、バルクは混合状態となり局所的に外部磁場が侵入する。侵入した磁束は超電導体のピン止め点に捕捉され、その周囲に渦状の永久電流が発生し、バルクに印加する磁場を無くしてもピン止め点に捕捉された磁束は保存される。従って、超電導バルク体自体が磁化された状態となる。
【００２７】
超電導バルク体を臨界温度以下に冷却してから、着磁コイルにより磁場を印加する場合には、着磁コイルにはパルス電流を流すようにしてもよい。パルス電流は反復して着磁コイルに流してもよい。
【００２８】
着磁コイルに超電導コイルを用いると、着磁コイルからの発熱が抑えられるため超電導バルク体の超電導状態を維持する上で有利である。ただし、この場合は着磁コイル（超電導コイル）も臨界温度以下に冷却する必要がある。冷却方法は、超電導バルク体の冷却方法と同様である。
【００２９】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
図３に、本発明の一実施例である超電導バルクマグネットの概略断面図を示す。この超電導バルクマグネットは、主として円筒状の超電導バルク体１、該バルク体１の内周に沿って配置される内周側着磁コイル３、同バルク体１の外周に沿って配置される外周側着磁コイル５からなっている。
【００３０】
超電導バルク体１は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ超電導材料を外径４６mm、高さ２０mmの円柱状バルク体に溶融法で作製し、この円柱状バルク体に径２０mmの穴を開けて円筒状とした。この超電導バルク体１の内側に、外径２０mm、内径１６mm、高さ２０mmで銅線を巻いた内周側着磁コイル３を挿入し、さらに超電導バルク体１の外側に外径５０mm、内径４６mm、高さ２０mmで内周側着磁コイルと同じ向きに銅線を巻いた外周側着磁コイル５を配置して超電導バルクマグネットを構成した。各コイルと超電導バルク体とは、中心軸を共有するように配置した。また、超電導バルク体と着磁コイルとは、上面が同じ高さになるようにした。
【００３１】
この超電導マグネットの外周側着磁コイル５にのみ５０００Ａ／ｃｍ2 の電流を流した場合の超電導バルク体部分の磁場を図４に実線で示す。この場合には、超電導バルク体部分の磁場の最低値は内周側で５３ｍＴであるのに対して、最大値は外周側で８４ｍＴに達する。
【００３２】
また、内周側着磁コイル３にのみ電流を流して、超電導バルク体１に５３ｍＴ以上の磁場を印加しようとすると、内周側着磁コイル３に７３８１０Ａ／ｃｍ2 の電流を流す必要があり、超電導バルク体１に印加される磁場の最大値は１７５ｍＴにも達する。
【００３３】
一方、外周側着磁コイル５と内周側着磁コイル３の両方に電流を流した場合、磁場の最低値が５３ｍＴであって、かつ超電導体バルク体１に印加される磁場が最も均一になるのは、内周側着磁コイル３に６７９５Ａ／ｃｍ2 、外周側着磁コイル５には逆向きに３３００Ａ／ｃｍ2 の電流を流したときであった。この時の超電導バルク体部分の磁場を図４に点線で示す。図４に示した通り、超電導バルク体１には５３ｍＴ以上の磁場が印加されていながら、磁場の最大値は６０ｍＴに抑えられている。
【００３４】
そして、この磁場を超電導バルク体１に印加しながら超電導バルク体１を臨界温度以下に冷却した後、内周側着磁コイル３と外周側着磁コイル５の電流を同時に切断したところ、超電導バルク体１は磁束を保持して磁石となった。
【００３５】
【発明の効果】
この発明の超電導マグネットによれば、内周側と外周側とに配置した両着磁コイルが超電導バルク体に磁場を印加するため、各着磁コイルが印加する磁場は小さくて済む。そのため、常電導着磁コイルを用いる場合には発生熱量が低減できるため超電導バルク体の温度が上昇しにくく、超電導着磁コイルを用いる場合には臨界電流密度の磁場による劣化を抑えることができる。また、超電導バルク体に印加する磁場をほぼ均一にできるため、超電導バルク体に磁束を捕捉させる上でも有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】内外両着磁コイルに互いに逆向きの電流を通電した際に発生する磁場の模式図である。
【図２】（ａ）外周側のみに着磁コイルを配置した場合の磁場分布の概略図。
（ｂ）内周側と外周側とに着磁コイルを配置した場合の磁場分布の概略図。
【図３】この発明の超電導マグネットの一実施例の概略断面図。
【図４】この発明の超電導マグネットの一実施例における超電導体バルク体部分の磁場分布の概略図。
【符号の説明】
１  超電導バルク体
３  内周側着磁コイル
５  外周側着磁コイル
【図１】
0003727122.tif 000002
【図２】
0003727122.tif 000003
【図３】
0003727122.tif 000004
【図４】
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