(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のプロセスが終了した後、欠陥検出装置により基板の欠陥を検出し、その欠陥情報を欠陥観察装置に取り込む第１のステップと、
前記欠陥観察装置により前記欠陥情報を基にして前記基板の欠陥を観察し、欠陥の識別を行う第２のステップと、
前記第１のプロセスの後に実施される第２のプロセスが終了した後、前記欠陥観察装置により前記第２のステップにおける識別結果を基にして前記基板の欠陥を観察し、再び欠陥の識別を行う第３のステップとを含む基板の欠陥検査方法。
【請求項２】
前記第１のステップにおいては、前記欠陥検出装置の撮像部により前記基板の表面を撮像し、その画像に基づいて前記基板の欠陥を検出する請求項１記載の基板の欠陥検査方法。
【請求項３】
前記第２のステップ及び前記第３のステップにおいては、前記欠陥観察装置の走査型電子顕微鏡により前記基板の欠陥を観察し、その画像に基づいて前記欠陥の識別を行う請求項１または２記載の基板の欠陥検査方法。
【請求項４】
前記第１のステップにおいては、前記欠陥情報として、前記基板の欠陥位置をＸＹ座標で表わしたデータを前記欠陥観察装置に送出する請求項１〜３のいずれか一項記載の基板の欠陥検査方法。
【請求項５】
基板の欠陥を検出する欠陥検出装置と、
前記欠陥検出装置で検出した欠陥を観察し、欠陥の識別を行う欠陥観察装置と、
前記欠陥検出装置による欠陥の検出と前記欠陥観察装置による欠陥の観察とをそれぞれ指示するための指示手段とを備え、
前記欠陥検出装置は、前記指示手段で欠陥の検出が指示されたときに、前記基板の欠陥を検出するように構成され、
前記欠陥観察装置は、前記指示手段で欠陥の観察が指示されたときに、その指示が、前記欠陥検出装置で検出した欠陥の情報を取り込んでから最初の指示であるかどうかを判断し、前記最初の指示であると判断されると、前記欠陥情報を基にして前記基板の欠陥を観察し、欠陥の識別を行い、その識別結果を初期欠陥識別データとして記憶し、前記最初の指示でないと判断されると、前記初期欠陥識別データを基にして前記基板の欠陥を観察し、再び欠陥の識別を行うように構成されている基板の欠陥検査システム。
【請求項６】
前記欠陥検出装置は、前記基板の表面を撮像する撮像手段と、前記基板の表面の画像に基づいて前記基板の欠陥を検出する手段とを有する請求項５記載の基板の欠陥検査システム。
【請求項７】
前記欠陥観察装置は、前記欠陥検出装置で検出した欠陥を観察するための走査型電子顕微鏡と、前記欠陥の画像に基づいて前記欠陥の識別を行う手段とを有する請求項５または６記載の基板の欠陥検査システム。
【請求項８】
前記欠陥検出装置は、前記基板の欠陥を検出し、欠陥位置をＸＹ座標で表わしたデータを前記欠陥情報として前記欠陥観察装置に送出する請求項５〜７のいずれか一項記載の基板の欠陥検査システム。
【請求項９】
前記指示手段は、前記欠陥検出装置に設けられ、前記欠陥の検出を指示入力する第１の入力部と、前記欠陥観察装置に設けられ、前記欠陥の観察を指示入力する第２の入力部とを有する請求項５〜８のいずれか一項記載の基板の欠陥検査システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、欠陥検出装置および欠陥観察装置を用いて基板上の欠陥を検査する基板の欠陥検査方法および基板の欠陥検査システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ウェハ等の基板上の欠陥を検査する方法としては、例えば、欠陥検出装置により基板の欠陥を検出し、その欠陥を欠陥観察装置により詳細に観察し、欠陥の分類等を行うことが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年の半導体製造プロセスにおいては、ある工程で基板上に生じた欠陥が、その後の工程においてどの程度影響を及ぼしているかを把握しておきたい場合がある。しかし、プロセスが終了する毎に、欠陥検出装置により基板の欠陥を検出し、その欠陥を欠陥観察装置で観察する上記の方法では、そのような欠陥の影響を正確に把握することは困難であると考えられる。
【０００４】
本発明の目的は、ある工程で発生した欠陥が後の工程にどの程度影響を与えているかを正確に把握することができる基板の欠陥検査方法および基板の欠陥検査システムを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板の欠陥検査方法は、第１のプロセスが終了した後、欠陥検出装置により基板の欠陥を検出し、その欠陥情報を欠陥観察装置に取り込む第１のステップと、欠陥観察装置により欠陥情報を基にして基板の欠陥を観察し、欠陥の識別を行う第２のステップと、第１のプロセスの後に実施される第２のプロセスが終了した後、欠陥観察装置により第２のステップにおける識別結果を基にして基板の欠陥を観察し、再び欠陥の識別を行う第３のステップとを含むことを特徴とするものである。
【０００６】
このように第２のプロセスが終了した後は、欠陥検出装置による基板の欠陥の検出を行わずに、欠陥観察装置により第２のステップにおける識別結果を基にして基板の欠陥を観察することにより、第２のステップで抽出した欠陥については、物理的に消失することなく基板上に残っていれば、第３のステップにおいて欠陥観察装置により捉えられる。つまり、実際に欠陥が基板上にあるにも拘わらず、その欠陥が検出されず、欠陥が無いと判断されることが回避される。従って、第１のプロセスで基板上に生じた欠陥のうち、第２のプロセスの終了後まで残っている欠陥がどの程度あるかを正確に把握できる。また、第２のプロセスの終了後は、欠陥検出装置による欠陥の検出を実施しないので、基板の欠陥検査のスループットが向上する。
【０００７】
好ましくは、第１のステップにおいては、欠陥検出装置の撮像部により基板の表面を撮像し、その画像に基づいて基板の欠陥を検出する。これにより、基板の欠陥位置を容易かつ確実に検出できる。
【０００８】
また、好ましくは、第２のステップ及び第３のステップにおいては、欠陥観察装置の走査型電子顕微鏡により基板の欠陥を観察し、その画像に基づいて欠陥の識別を行う。この場合には、基板上の表層部分のみ観察されることになるため、下の層まで見えてしまうことで生じる欠陥の誤認識を防止できる。
【０００９】
さらに、好ましくは、第１のステップにおいては、欠陥情報として、基板の欠陥位置をＸＹ座標で表わしたデータを欠陥観察装置に送出する。
【００１０】
本発明の基板の欠陥検査システムは、基板の欠陥を検出する欠陥検出装置と、欠陥検出装置で検出した欠陥を観察し、欠陥の識別を行う欠陥観察装置と、欠陥検出装置による欠陥の検出と欠陥観察装置による欠陥の観察とをそれぞれ指示するための指示手段とを備え、欠陥検出装置は、指示手段で欠陥の検出が指示されたときに、基板の欠陥を検出するように構成され、欠陥観察装置は、指示手段で欠陥の観察が指示されたときに、その指示が、欠陥検出装置で検出した欠陥の情報を取り込んでから最初の指示であるかどうかを判断し、最初の指示であると判断されると、欠陥情報を基にして基板の欠陥を観察し、欠陥の識別を行い、その識別結果を初期欠陥識別データとして記憶し、最初の指示でないと判断されると、初期欠陥識別データを基にして基板の欠陥を観察し、再び欠陥の識別を行うように構成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
以上のように構成した本発明においては、任意のプロセスが終了した後、オペレータは、指示手段により基板の欠陥検出を指示する。すると、欠陥検出装置により基板の欠陥が検出される。そして、その欠陥情報が欠陥観察装置に取り込まれた後、オペレータは、指示手段により基板の欠陥観察を指示する。すると、欠陥観察装置により欠陥情報を基にした欠陥の観察が行われ、初期欠陥識別データが生成される。その後、別のプロセスが終了した後、オペレータは、指示手段により基板の欠陥観察を指示する。すると、欠陥観察装置により今度は初期欠陥識別データを基にした欠陥の観察が行われ、再び欠陥の識別が実行される。このように本発明によれば、上述した基板の欠陥検査方法を実施できるので、あるプロセスで基板上に生じた欠陥のうち、後のプロセスまで残っている欠陥がどの程度あるかを正確に把握できる。また、基板の欠陥検査のスループットが向上する。
【００１２】
好ましくは、欠陥検出装置は、基板の表面を撮像する撮像手段と、基板の表面の画像に基づいて基板の欠陥を検出する手段とを有する。これにより、基板の欠陥位置を容易かつ確実に検出できる。
【００１３】
また、好ましくは、欠陥観察装置は、欠陥検出装置で検出した欠陥を観察するための走査型電子顕微鏡と、欠陥の画像に基づいて欠陥の識別を行う手段とを有する。この場合には、基板上の表層部分のみ観察されることになるため、下の層まで見えてしまうことで生じる欠陥の誤認識を防止できる。
【００１４】
さらに、好ましくは、欠陥検出装置は、基板の欠陥を検出し、欠陥位置をＸＹ座標で表わしたデータを欠陥情報として欠陥観察装置に送出する。
【００１５】
また、好ましくは、指示手段は、欠陥検出装置に設けられ、欠陥の検出を指示入力する第１の入力部と、欠陥観察装置に設けられ、欠陥の観察を指示入力する第２の入力部とを有する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る基板の欠陥検査方法および基板の欠陥検査システムの好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態による基板の欠陥検査システムの概略を示す構成図である。同図において、本実施形態の欠陥検査システム１は、半導体基板であるウェハＷの欠陥を検出する欠陥検出装置２と、この欠陥検出装置２で検出した欠陥を観察し、欠陥の識別を行う欠陥観察装置３とを有している。
【００１８】
欠陥検出装置２は、ウェハＷを支持するＸＹステージ４を有し、このＸＹステージ４の上方にはＣＣＤカメラ５が配置されている。このＣＣＤカメラ５は、ＸＹステージ４上に載置されたウェハＷの表面を撮像し、その画像（ＣＣＤ画像）を生成する。これらＸＹステージ４及びＣＣＤカメラ５は、制御部６からの信号により作動する。
【００１９】
この制御部６には、キーボードやマウス等で構成された入力部７と、モニタ部８とが接続されている。入力部７は、オペレータが欠陥検出の開始を指示したり、欠陥検出に係る各種データを入力操作するものである。モニタ部８は、ウェハＷ上に存在する欠陥位置等の情報を画面表示するものである。制御部６は、ＣＣＤカメラ５のＣＣＤ画像および入力部７からの信号を入力し、欠陥検出に関する処理を行い、その結果を欠陥観察装置３に送出すると共にモニタ部８に表示させる。この制御部６による欠陥検出の処理手順を図２に示す。
【００２０】
同図において、まず入力部７からの信号により欠陥検出の開始が指示されたかどうかを判断する（手順５１）。そして、欠陥検出の開始が指示されたと判断すると、ＸＹステージ４に係るＸＹ座標系（以下、検出ステージ座標系という）でのウェハＷのアライメントを行う（手順５２）。ウェハのアライメントとは、ＸＹステージ４に置かれたウェハＷの中心やエッジ位置を、検出ステージ座標系の所定位置に設定するものである。
【００２１】
続いて、ＣＣＤカメラ５によりウェハＷの表面を撮像し、ウェハＷの表面全体のＣＣＤ画像を取得する（手順５３）。そして、そのＣＣＤ画像を画像処理して、ウェハＷ上に存在する欠陥位置を抽出する（手順５４）。このとき、各欠陥位置は、検出ステージ座標系の座標位置（Ｘ，Ｙ）として特定される。続いて、その各欠陥位置の座標データ（Ｘ，Ｙ）を、欠陥位置の補正（後述）に係るデータ等と一緒に欠陥観察装置３に送出する（手順５５）。
【００２２】
図１に戻り、欠陥観察装置３は、ウェハＷを支持するＸＹステージ９を有し、このＸＹステージ９の上方には、ウェハＷ上に存在する欠陥を観察する顕微鏡１０が配置されている。この顕微鏡１０としては、好ましくは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）が使用される。このＳＥＭ１０は、ウェハＷ上に電子ビームを照射し、これによってウェハＷの表面から放出される２次電子を検出することにより、ウェハＷ表面の画像（ＳＥＭ画像）を生成するものである。このようなＳＥＭ１０を用いた場合には、ウェハＷ上の表層および表層に近い層しか観察できないので、ウェハＷ上における下の層に存在する異物等を欠陥として捉えることはほとんど無い。これにより欠陥の誤検出を抑制できる。なお、ＳＥＭ１０の代わりに光学顕微鏡を使用することも可能であり、この場合には、波長特性にＳＥＭに近い紫外線を照射するタイプのものが好ましい。
【００２３】
ＸＹステージ９及びＳＥＭ１０は、制御部１１からの信号により作動する。この制御部１１には、キーボードやマウス等で構成された入力部１２と、モニタ部１３が接続されている。入力部１２は、オペレータが欠陥観察の開始を指示したり、欠陥観察に係る各種データを入力操作するものである。モニタ部１３は、ウェハＷ上に存在する欠陥の検査結果等の情報を表示するものである。制御部１１は、ＳＥＭ１０のＳＥＭ画像および入力部１２からの信号を入力し、欠陥観察に関する処理を行い、その結果をモニタ部１３に表示させる。この制御部１１による欠陥観察の処理手順を図３に示す。なお、この処理に関し、欠陥検出装置２で検出した各欠陥位置の座標データ（Ｘ，Ｙ）は、制御部１１のメモリ（図示せず）に記憶されている。
【００２４】
同図において、まず入力部１２からの信号により欠陥観察の開始が指示されたかどうかを判断する（手順６１）。そして、欠陥観察の開始が指示されたと判断すると、ＸＹステージ９に係るＸＹ座標系（以下、観察ステージ座標系という）でのウェハＷのアライメントを行う（手順６２）。つまり、ＸＹステージ９に置かれたウェハＷの中心やエッジ位置を、観察ステージ座標系の所定位置、一般的には観察ステージ座標系で設定した位置と同じ位置に設定する。
【００２５】
続いて、入力部１２による欠陥観察開始の指示が、欠陥検出装置２からの各欠陥位置の座標データ（Ｘ，Ｙ）を取り込んでから最初の指示であるかどうかを判断する（手順６３）。そして、最初の指示であると判断されると、その欠陥位置の各座標データ（Ｘ，Ｙ）をメモリから読み出し（手順６４）、続いてＳＥＭ１０により当該欠陥位置（Ｘ，Ｙ）におけるＳＥＭ画像を生成する（手順６５）。このとき、検出ステージ座標系と観察ステージ座標系とのずれにより、検出ステージ座標系での欠陥位置（Ｘ，Ｙ）をそのままＳＥＭ１０による欠陥の観察に用いると、欠陥が捕捉されない可能性がある。そこで、所定の補正式を用いて欠陥位置（Ｘ，Ｙ）を補正し、その補正した座標位置をＳＥＭ１０で観察する。
【００２６】
そして、そのＳＥＭ画像を画像処理して、欠陥検出装置２によって特定された位置（Ｘ，Ｙ）に存在する欠陥の形状、サイズ等を抽出し、欠陥の識別を行う（手順６６）。ここでは、検出された欠陥が後の工程に影響を与える欠陥であるかどうかを判断し、ほとんど無視できる程度の欠陥はカットし、残った欠陥について種類毎に分類する。続いて、この識別結果（初期欠陥識別データ）をメモリに記憶させる（手順６７）。また、その初期欠陥識別データをモニタ部１３に送出し、識別結果を表示させる（手順６８）。
【００２７】
一方、手順６３において、欠陥観察開始の指示が各欠陥位置の座標データ（Ｘ，Ｙ）を取り込んでから最初の指示でないと判断されると、手順６７でメモリに記憶した初期欠陥識別データを読み出す（手順６９）。そして、ＳＥＭ１０によって、その初期欠陥識別データにある欠陥位置（Ｘ，Ｙ）におけるＳＥＭ画像を生成する（手順７０）。続いて、そのＳＥＭ画像を画像処理して、欠陥の識別を行う（手順７１）。なお、この欠陥の識別内容は、手順６６の処理と同様である。続いて、その新たな欠陥の識別結果をモニタ部１３に送出して表示させる（手順６８）。
【００２８】
以上のように構成した欠陥検査システム１において、ウェハＷの欠陥検査を行う方法について図４により説明する。ここでは、まずＰＶＤ成膜プロセスを行い、次いでフォトリソグラフィ・プロセスを行い、次いでエッチング・プロセスを行う場合を例にとって説明する。
【００２９】
図４において、ＰＶＤ成膜プロセスが終了後、検査すべきウェハＷを欠陥検出装置２のＸＹステージ４上に置く（ステップ１０１）。このとき、例えばオペレータが、欠陥検出装置２と欠陥観察装置３との間の所定部位に、ウェハＷを収容したウェハカセットを載置し、入力手段（図示せず）によりウェハ載置を指示すると、ウェハ搬送ロボット（図示せず）によって、検査すべきウェハＷがＸＹステージ４上の所定位置に自動的に移載される。
【００３０】
次いで、オペレータが、欠陥検出装置２の入力部７を入力操作して、欠陥検出の開始を指示する（ステップ１０２）。すると、欠陥検出装置２は、図２に示す手順に従って、ウェハＷの欠陥検出処理を実行する（ステップ１０３）。これにより、ウェハＷ上に存在する欠陥位置が各座標データ（Ｘ，Ｙ）として特定され、このデータが欠陥観察装置３に送られ、制御部１１のメモリに記憶される。
【００３１】
次いで、検査すべきウェハＷを欠陥観察装置３のＸＹステージ９上に置く（ステップ１０４）。このとき、例えばオペレータが、入力手段（図示せず）によりウェハ載置を指示すると、ウェハ搬送ロボット（図示せず）によって、ウェハＷがＸＹステージ４からＸＹステージ９上の所定位置に自動的に移載される。
【００３２】
次いで、オペレータが、欠陥観察装置３の入力部１２を入力操作して、欠陥観察の開始を指示する（ステップ１０５）。すると、欠陥観察装置３は、図３に示す手順６１〜６８に従って、ウェハＷの欠陥観察処理を実行する（ステップ１０６）。これにより、欠陥検出装置２で特定された各位置（Ｘ，Ｙ）に存在する欠陥が識別され、後の工程に影響を与える可能性がある欠陥を選定した初期欠陥識別データが得られる。
【００３３】
その後、欠陥検査が終了したウェハＷに対してフォトリソグラフィを行う。そして、このフォトリソグラフィ・プロセスが終了すると、欠陥検出装置２によるウェハＷの欠陥検出処理を実施せずに、以下のような欠陥観察装置３によるウェハＷの欠陥観察処理を実施する。
【００３４】
すなわち、まずフォトリソグラフィ処理が完了したウェハＷを欠陥観察装置３のＸＹステージ９上に置く（ステップ１０７）。そして、オペレータが、入力部１２により欠陥観察の開始を指示する（ステップ１０８）。すると、欠陥観察装置３は、図３に示す手順６１〜６３，６９〜７１，６８に従って、ウェハＷの欠陥観察処理を実行する（ステップ１０９）。これにより、ＰＶＤ成膜プロセスで発生した欠陥のうちで、フォトリソグラフィ・プロセスまで残っている欠陥の個数が分かる。
【００３５】
その後、欠陥検査が終了したウェハＷに対してエッチングを行う。そして、このエッチング・プロセスが終了すると、欠陥検出装置２によるウェハＷの欠陥検出処理を実施せずに、欠陥観察装置３によるウェハＷの欠陥観察処理（ステップ１１０〜１１２）を実施する。このステップ１１０〜１１２の処理は、上記のステップ１０７〜１０９と同様である。これにより、ＰＶＤ成膜プロセスで発生した欠陥のうちで、エッチング・プロセスまで残っている欠陥の個数が分かる。
【００３６】
そして、この欠陥検査結果から、ＰＶＤ成膜プロセスで発生した欠陥のうち、エッチング・プロセスまで影響を及ぼす致命欠陥がどのぐらい有るかを判別する（ステップ１１３）。ここで、致命欠陥とは、ウェハＷ上に形成された複数の配線パターンをショートさせる欠陥や、配線パターンの一部を断線させる欠陥など、製品の歩留まりに影響を与えるような欠陥をいう。
【００３７】
ところで、このような致命欠陥がどのくらい存在するかを把握しようとする場合に、各プロセスが終了した後、欠陥検出装置２によるウェハＷの欠陥検出処理を毎回行うと、以下の不具合が生じる。
【００３８】
すなわち、各プロセスが終了する毎に、欠陥検出装置２によりウェハＷの欠陥検査を行う場合は、プロセス前後に生成したＣＣＤ画像を重ね合わせて欠陥位置を検出することがある。この場合、プロセス前後のＣＣＤ画像が物理的またはソフト的に多少ずれたとしても、前から存在する欠陥を確実に検出できるように、ある程度の許容誤差（トレーランス）を欠陥検出装置２に持たせている。しかし、このことは、欠陥位置の検出精度を低下させる一因となってしまう。また、各プロセスが終了する毎にウェハＷ表面の層構造が変化するため、欠陥検出装置２の検査感度をステップ毎に設定する必要がある。つまり、検査感度がステップ毎に異なってしまう。以上のことから、実際にウェハ上に欠陥が存在するにもかかわらず、その欠陥が検出されないという事態が起きやすくなる。この様子を図５に示す。
【００３９】
図５は、任意のプロセスＡ〜Ｃの終了後に、欠陥検出装置２によりウェハＷの欠陥検出を行ったときの欠陥数の一例を示したものである。この図から分かるように、プロセスＡで発生した欠陥数は、プロセスＢ、プロセスＣを実施するごとに、減少している。この原因は、欠陥の一部が物理的に無くなっただけでなく、上述した欠陥位置の検出精度の低下や検査感度の相違により欠陥の取りこぼしが生じたためと考えられる。
【００４０】
これに対し本実施形態では、欠陥観察装置３によりウェハＷの欠陥観察を行って初期欠陥識別データを生成した後は、欠陥検出装置２によるウェハＷの欠陥検出を実行せずに、欠陥観察装置３により初期欠陥識別データを基にして再度欠陥の識別を行うようにしたので、欠陥の取りこぼしを避けることができる。つまり、初期欠陥識別データに有る欠陥については、欠陥観察装置３により必ず探しに行くので、その欠陥が物理的に消失することなくウェハＷ上に残っていれば、確実に捕捉される。このため、実際に欠陥がウェハＷ上にあるにも拘わらず、その欠陥が検出されず、欠陥が無いと判断されることが防止される。従って、あるプロセスで生じた欠陥のうち、その後のプロセスにまで影響を及ぼす致命欠陥がどれだけあるかを容易にかつ正確に把握できる。
【００４１】
また、各プロセスが終了する毎に、欠陥検出装置２によりウェハＷの表面全体について欠陥検出を実施する必要がないので、欠陥検査のスループットが向上する。
【００４２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、欠陥検出装置２及び欠陥観察装置３を総括的に制御する主制御装置を設け、この主制御装置に、欠陥検出および欠陥観察の開始を指示するための指示手段や、ウェハＷの欠陥検査結果を表示する表示手段を設けてもよい。
【００４３】
また、上記実施形態の欠陥検出装置２は、ＣＣＤカメラを用いて欠陥検出を行うものであるが、これ以外にも、例えば、ＲＦ波、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線等の電磁放射線や、アルファ線、ベータ線、電子線、中性子線等の粒子放射線といった光をウェハＷの表面に照射し、その領域から放出される光を光電子増倍管（フォトマルチプレクサ）等で検出することにより、欠陥検出を行うこともできる。
【００４４】
また、上記実施形態の欠陥観察装置３は、ＳＥＭや光学顕微鏡を用いて欠陥観察を行うものであるが、これ以外にも、例えば上記の電磁放射線や粒子放射線といった光をウェハＷの表面に照射し、その領域から放出される光をフォトマルチプレクサやＣＣＤ等で検出することにより、欠陥観察を行うこともできる。
【００４５】
【発明の効果】
本発明によれば、第１のプロセスが終了した後、欠陥検出装置により基板の欠陥を検出し、その欠陥情報を欠陥観察装置に取り込み、次いで、欠陥観察装置により欠陥情報を基にして基板の欠陥を観察し、欠陥の識別を行い、その後第２のプロセスが終了した後、欠陥観察装置により最初の識別結果を基にして基板の欠陥を観察し、再び欠陥の識別を行うようにしたので、ある工程で発生した欠陥の影響が、後の工程にどの程度現れるかを正確に把握することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による基板の欠陥検査システムの概略を示す構成図である。
【図２】図１に示す欠陥検出装置の制御部による制御処理手順を示すフローチャートである。
【図３】図１に示す欠陥観察装置の制御部による制御処理手順を示すフローチャートである。
【図４】図１に示す欠陥検出装置および欠陥観察装置を用いて、本発明の一実施形態による基板の欠陥検査方法を行うための工程を示すフローチャートである。
【図５】各プロセスが終了した毎に、欠陥検出装置によりウェハの欠陥検出を行った場合の欠陥数の一例を示した図である。
【符号の説明】
１…欠陥検査システム、２…欠陥検出装置、３…欠陥観察装置、５…ＣＣＤカメラ（撮像手段）、６…制御部、７…入力部（指示手段、第１の入力部）、８…モニタ部、１０…走査型電子顕微鏡、１１…制御部、１２…入力部（指示手段、第２の入力部）、１３…モニタ部、Ｗ…ウェハ（基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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