(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともそれぞれ垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性薄膜が、第３の磁性薄膜を介して順次磁気的に結合されて積層された積層膜を有してなり、
上記第２の磁性薄膜は、交換結合され、共に室温で希土類金属優勢膜よりなる第１及び第２の構成膜が積層されてなり、上記第１及び第２の構成膜の室温における保磁力をそれぞれＨｃ2-1 及びＨｃ2-2 とし、キュリー温度をそれぞれＴｃ2-1 及びＴｃ2-2 とするとき、Ｈｃ2-1 ＞Ｈｃ2-2 、Ｔｃ2-1 ＞Ｔｃ2-2 とされ、
上記第３の磁性薄膜の垂直磁気異方性が、上記第１及び第２の磁性薄膜の垂直磁気異方性より小さく、垂直磁気異方性定数が１×１０6 ｅｒｇ／ｃｍ3 以下とされた光磁気記録媒体であって、
記録しようとする情報信号に応じて、上記第１の磁性薄膜のキュリー温度Ｔｃ1 近傍で上記第２の磁性薄膜の磁気モーメントの反転を生じさせることのない第１の温度Ｔ1 に加熱する第１の加熱状態と、上記キュリー温度Ｔｃ1 以上で上記第１の構成膜の磁気モーメントを反転させるに充分な温度Ｔ2 に加熱する第２の加熱状態とに変調され、
室温から上記第１又は第２の加熱状態まで昇温し、上記加熱状態から室温まで冷却する全温度変化過程において、上記第１及び第２の構成膜の間に界面磁壁が生じないことを特徴とする光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録媒体例えばレーザー光照射による光（熱）磁気記録方法による記録再生が行われる光磁気記録媒体であって、その記録の読出しはカー回転角の検出によって行うことができるようにした光磁気記録媒体に関わる。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気相互作用によって情報ビット（磁区）の読み出しを行う記録媒体に対してのその情報の光（熱）磁気記録方法においては、垂直磁化膜による磁性薄膜を有する記録媒体に対し、その磁化の方向を膜面に垂直な一方向に予め揃えるいわゆる初期化を施しておき、この磁化方向と反対向きの垂直磁化を有する磁区をレーザー光照射等の局部加熱により形成することによって、２値化された情報ビットとして情報を記録している。
【０００３】
光（熱）磁気記録方法においては、情報の書き換えに先立って、記録された情報の消去（上記初期化に相当）の過程すなわち消去のための時間を要し、高転送レートでの記録を実現できない。これに対し、このような独立の消去過程の時間が不要とされた重ね書き、いわゆるオーバーライト方式による記録方法が種々提案されている。
【０００４】
このオーバーライト方式の光磁気記録方法の中で有望視されている方法としては、例えば媒体に対する外部磁場変調法と、記録用のヘッドの他に消去用のヘッドを設ける２ヘッド法とが知られている。
【０００５】
外部磁場変調法とは、例えば特公昭６０−４８８０６号公報に開示されているように、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に対する昇温用ビームの照射領域に入力デジタル信号電流の状態に対応する極性の磁場を印加することにより記録を行うものである。
【０００６】
ところで、上述のような外部磁場変調法によって情報転送レートの高い高速記録を行おうとすると、例えばＭＨｚオーダで動作する電磁石が必要となる。このような電磁石の作製は困難であり、また作製できたとしても消費電力及び発熱が大きく実用的でないという問題点がある。また、２ヘッド法では、余分なヘッドを必要とし、２つのヘッドを離して設置しなければならず、ドライブシステムへの負担が大きく、経済性が悪く、量産にも向かない等の問題点を有している。
【０００７】
そこでレーザー光等による媒体の加熱温度を切換制御することで容易に書き換えすなわちオーバーライトが可能な光磁気記録方法が注目される。
【０００８】
本出願人は、このような問題点の解決をはかる光（熱）磁気記録方法を、特開昭６３−５２３５４号出願、及び特開昭６３−５２３５５号出願で提供した。これら出願で提案された光（熱）磁気記録方法は、第１及び第２の希土類−遷移金属磁性薄膜の積層構造による熱（光）磁気記録媒体を用い、所要の第１の外部磁場の印加の下に第１の磁性薄膜のほぼキュリー温度Ｔｃ１  以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁化の反転が生じない第１の温度Ｔ１  に加熱する第１の加熱状態と、温度Ｔｃ１  以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに充分な第２の温度Ｔ２  に加熱する第２の加熱状態とを、記録しようとする情報例えば“０”，“１”に応じて切換変調し、冷却過程で、第１及び第２の磁性薄膜の交換結合力により第１の磁性薄膜の副格子磁化の向きを第２の磁性薄膜の副格子磁化の向きに揃えて、例えば“０”，“１”の記録ビット（磁区）を第１の磁性薄膜に形成すると共に、第２の外部磁場によって、或いは第２の磁性薄膜組成を、その補償温度が室温から第２の温度Ｔ２  間に存在するように選定することによって、室温で第１の外部磁場のみによって第２の磁性薄膜の副格子磁化が反転するようにして、オーバーライト可能な状態を得るようにするものである。
【０００９】
この場合、消去のための特別の過程（時間）を要することがなく高転送レート化を図ることができるとか、上述した２ヘッド方式あるいは外部磁場変調方式による場合の諸問題を解決できる。
【００１０】
上記特開昭６３−５２３５４号出願による熱（光）磁気記録方法について説明すると、この記録方法では、図８に温度Ｔに対応して上述した第１及び第２の各磁性薄膜１及び２における各磁化状態を、各図示の薄膜１及び２内に矢印をもって模式的に示すように、室温ＴＲ  下において、両磁性薄膜１及び２の磁化の向きが同一である状態Ａと、互いに逆向きの状態Ｂとの２態様によって例えば“０”，“１”の情報の記録がなされる。
【００１１】
これら記録は、記録磁界即ち第１の外部磁場Ｈｅｘの印加と、レーザー光照射による第１及び第２の加熱温度Ｔ１  及びＴ２  による加熱によって行われる。
【００１２】
まず例えば状態Ａにある部位に対してレーザー光を照射して、このレーザー光の強度あるいは照射時間を記録信号に応じて変調制御してその加熱温度Ｔを、第１の磁性薄膜１のほぼキュリー温度Ｔｃ１  以上でかつ所要の記録磁界（外部磁場）Ｈｅｘによって第２の磁性薄膜２に磁化反転の生じない第１の加熱温度Ｔ１  に加熱する。このような加熱を行うと第１の磁性薄膜１は磁化を失う状態Ｃを示すが、この加熱が終了して磁性薄膜１及び２の積層膜が温度Ｔｃ１  以下に下がると第１の磁性薄膜１に磁化が生じる。このとき、第２の磁性薄膜２との交換結合力が支配的となるようになされていて、これによって第１の磁性薄膜１の磁化の向きは、第２の磁性薄膜２と同一の向きとされる。つまり、状態Ａを生じさせて、例えば“０”の情報の記録を行う。
【００１３】
一方、加熱温度Ｔを、上述の温度Ｔ１  より高くかつ第２の磁性薄膜２の磁化を記録磁界（外部磁場）Ｈｅｘによって反転することができる第２の加熱温度Ｔ２  に加熱する。このような加熱を行うと第１の磁性薄膜１は磁化を失い、一方、第２の磁性薄膜２が記録磁界Ｈｅｘによってその磁化が反転した状態Ｄが生じるが、この加熱が終了して磁性薄膜１及び２の積層膜が温度Ｔｃ１  に下がると第１の磁性薄膜１に第２の磁性薄膜２による交換結合力によって状態Ｅ、すなわちもとの初期状態とはその磁化の向きが逆の状態が形成される。このとき第２の磁性薄膜に対する初期化磁界即ち第２の外部磁界、いわば外部補助磁場ＨＳＵｂ  を印加して室温ＴＲ  近傍で保磁力が比較的低く選定されている第２の磁性薄膜２のみの磁化の向きを反転させ、両磁性薄膜１及び２間に磁壁ＭＷが生じた磁化状態Ｂ、つまり磁化状態Ａとは第１の磁性薄膜１の磁化の向きのみが反転した状態Ｂを生じさせて例えば“１”の情報の記録を行う。
【００１４】
このように状態Ａ及び状態Ｂにより情報“０”，“１”の記録がなされこの第１の磁性薄膜１による磁化の向きを読み出しレーザー光照射のカー回転によって検出するものである。
【００１５】
この場合これら状態Ａ及び状態Ｂのいずれにおいてもこれの上に光強度変調オーバーライトが可能である。すなわちいずれの状態Ａ、状態Ｂからも温度Ｔ１  及びＴ２  の加熱を行う場合、状態Ｃの過程を経ることによって前述したと同様に温度Ｔ１  及びＴ２  の選定によって初期の状態が状態Ａであるか状態Ｂであるかを問わず情報“０”及び“１”によって状態Ａ及び状態Ｂのオーバーライトが可能となる。
【００１６】
ところで、上述の構成による光磁気記録媒体では、その第１及び第２の磁性薄膜１及び２の積層膜の界面には、交換エネルギーが働いており、このために第１の状態Ｂでは磁壁ＭＷが発生するものであり、この磁壁エネルギーσＷ  は、下記数１となる。
【００１７】
【数１】
σＷ  ≒２（（Ａ１  Ｋ１  ）１／２  ＋（Ａ２  Ｋ２  ）１／２  ）
【００１８】
（Ａ１  及びＡ２  ，Ｋ１  及びＫ２  はそれぞれ第１及び第２の磁性薄膜１及び２の交換定数、垂直磁気異方性定数）
そして、そのオーバーライトのために必要な条件は、室温（−２０℃〜６０℃）において状態Ｂから状態Ａへの移行が生じることがないようにするための条件は下記数２となる。
【００１９】
【数２】
Ｈｃ１  ＞Ｈｗ１  ＝σＷ  ／２Ｍｓ１  ｈ１  
【００２０】
また状態Ｂから状態Ｅへの移行が生じないようにするために下記数３の条件を満足することが必要である。
【００２１】
【数３】
Ｈｃ２  ＞Ｈｗ２  ＝σＷ  ／２Ｍｓ２  ｈ２  
【００２２】
尚、上記各式においてＨｗ１  及びＨｗ２  は上記数２及び数３で定義された交換結合力による実効的磁界、Ｈｃ１  及びＨｃ２  、Ｍｓ１  及びＭｓ２  、ｈ１  及びｈ２  はそれぞれ第１及び第２の磁性薄膜の保磁力、飽和磁化、厚さである。
【００２３】
さらにまた状態Ｅにおいて、その第１の磁性薄膜１が、外部補助磁場ＨＳＵｂ  によって反転してしまうことがないようにするためには、
【００２４】
【数４】
Ｈｃ１  ±Ｈｗ１  ＞ＨＳＵｂ  
【００２５】
ここに左辺の＋−は、第１の磁性薄膜１が希土類金属優勢膜であり、第２の磁性薄膜２が遷移金属優勢膜である場合は「＋」となり、第１及び第２の磁性薄膜１及び２が共に遷移金属優勢膜である場合は「−」となる。
【００２６】
一方状態Ｅから状態Ｂへの移行を生じせしめるためには、下記数５を満足することが必要である。
【００２７】
【数５】
ＨＳＵｂ  ＞Ｈｃ２  ＋Ｈｗ２  ＝Ｈｃ２  ＋σＷ  ／２Ｍｓ２  ｈ２  
【００２８】
また、さらに加熱温度が第１の磁性薄膜１のキュリー温度Ｔｃ１  近傍において、状態Ｃから状態Ａへの移行、すなわち第１の磁性薄膜１の磁化の向きが第２の磁性薄膜２の磁化の向きに揃えられるためには、下記数６の条件が満足されることが必要である。
【００２９】
【数６】
Ｈｗ１  ＞Ｈｃ１  ＋Ｈｅｘ
【００３０】
さらに状態Ｃから状態Ｅへの移行が生じないために、下記数７の条件が満足されることが必要である。
【００３１】
【数７】
Ｈｃ２  −Ｈｗ２  ＞Ｈｅｘ
【００３２】
これらより明らかなように、室温においては上記数２及び数３を満足し得る上で磁壁エネルギーσＷ  は小さい方が望ましいが、実際には例えば文献：インターマグ’８７（Ｉｎｔｅｒｍａｇ’８７）ＢＢ−０７よりＫ〜４×１０６  ｅｒｇ／ｃｍ３  ，Ａ＝２×１０−６ｅｒｇ／ｃｍ３  と推定すると、σＷ  ≒２．５ｅｒｇ／ｃｍ３  という可成り高い値を示す。
【００３３】
一方、２層膜ヒステリシスループからの実測値ではσｗ  ＝３〜８ｅｒｇ／ｃｍ３  にある。今、仮にσｗ  ＝５ｅｒｇ／ｃｍ３  とし、ＨｃＭｓ≒０．４５×１０６  ｅｒｇ／ｃｍ３  を用いてＨｅｘ＝２ｋＯｅとして上記数７を室温ＴＲ  で確保するには、すなわちＨｃ２  −Ｈｗ２  ＞２ｋＯｅを確保するには、ｈ２  ＝１１００Å，Ｈｃ２  ＝４ｋＯｅ，Ｈｗ２  ≦２ｋＯｅ程度となり、第２の磁性薄膜２の膜厚ｈ２  が大きくなるとともに上記数５より外部補助磁場ＨＳＵｂ  が大きくなる。
【００３４】
一方、前述の図８で説明した光磁気記録方法において、その室温での磁壁エネルギー密度σＷ  を小さくし、かつ上記数５を満足させるようなσＷ  の温度特性を改善することによって第２の磁性薄膜２の膜厚ｈ２  及び外部補助磁場ＨＳＵｂ  の減少をはかるものとして本出願人は先に特開平２−２４８０１号及び特開平２−１２１１０３号において熱磁気記録方法の提案をなした。
【００３５】
上記特開平２−２４８０１号出願で提案された記録方法においては、図９に示す光磁気記録媒体１０を用意するものである。この光磁気記録媒体１０は、垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性薄膜１及び２が面内磁気異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有する第３の磁性薄膜３を介して順次磁気的に結合されて積層された積層膜を有してなる。
【００３６】
そしてこの記録媒体１０に対してレーザー光照射による温度Ｔを図８で説明したと同様に図９に示すように、第１及び第２の温度Ｔ１  及びＴ２  に加熱することによる情報記録を行う。すなわち、第１の磁性薄膜１のほぼキュリー温度Ｔｃ１  以上でかつ第２の磁性薄膜２の磁気モーメントの反転の生じない第１の温度Ｔ１  に加熱する第１の加熱状態と、第１の磁性薄膜１のキュリー温度Ｔｃ１  以上でかつ第２の磁性薄膜２の磁気モーメントを反転させるに充分な第２の温度Ｔ２  に加熱する第２の加熱状態とを、記録しようとする情報信号に応じて変調し、それぞれの加熱状態から冷却することにより上述した状態Ａ及び状態Ｂを得る。
【００３７】
このような方法においても、第１の磁性薄膜１の磁化状態によって情報記録を行うものであるが、この方法による場合、第１及び第２の磁性薄膜１及び２が面内磁気異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有する第３の磁性薄膜３を介して磁気的に結合されていることによって、第１および第２の磁性薄膜１及び２間の磁壁エネルギーσＷ  が低減化され、これによって上記数５の条件が満たされやすくなり、前記状態ＥからＢへの移行すなわち第２の磁性薄膜２の初期化のための外部補助磁場ＨＳＵｂ  の低減化をはかることができると共に積層膜全体の厚さの低減化をはかることができる。
【００３８】
ところで、前述した図８及び図９のいずれの場合も、第２の磁性薄膜２は、記録される磁区状態を決める役割と、初期化磁界（外部補助磁場）の大きさを決める役割とが課せられる。つまり第２の磁性薄膜２としては、初期化磁界を小さくするために、室温ＴＲ  でのおおよその保磁力Ｈｃ２  が小さい材料を用いることが望まれるが、このように室温での保磁力Ｈｃ２  が小さく実効的な垂直磁気異方性が小さいときは、記録磁区状態（形状、磁化状態）が乱れ、記録時ノイズが増加し、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）が充分高められない。
【００３９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明においては、この初期化磁界（外部補助磁界ＨＳＵｂ  ）の低減化とノイズの低減化との相容れない課題の解決をはかることを目的とする。
【００４０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、少なくともそれぞれ垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性薄膜が、第３の磁性薄膜を介して順次磁気的に結合されて積層された積層膜を有してなり、第２の磁性薄膜は、交換結合され、共に室温で希土類金属優勢膜よりなる第１及び第２の構成膜が積層されてなる光磁気記録媒体を構成する。
第１及び第２の構成膜の室温における保磁力をそれぞれＨｃ2-1 及びＨｃ2-2 とし、キュリー温度をそれぞれＴｃ2-1 及びＴｃ2-2 とするとき図２にその関係を曲線１２１及び１２２で示すように、Ｈｃ2-1 ＞Ｈｃ2-2 、Ｔｃ2-1 ＞Ｔｃ2-2 とされる。
また第３の磁性薄膜は、第１及び第２の磁性薄膜の垂直磁気異方性より小さく、垂直磁気異方性定数が、１×１０6 ｅｒｇ／ｃｍ3 以下を有する磁性薄膜によって構成される。
【００４１】
そして光磁気記録媒体を、記録しようとする信号に応じて、第１の磁性薄膜のキュリー温度Ｔｃ1 近傍で第２の磁性薄膜の磁気モーメントの反転を生じさせることのない第１の温度Ｔ1 に加熱する第１の加熱状態と、キュリー温度Ｔｃ1 以上で第１の構成膜の磁気モーメントを反転させるに充分な温度Ｔ2 に加熱する第２の加熱状態とに変調して、室温から第１又は第２の加熱状態まで昇温し、この加熱状態から室温まで冷却する全温度変化過程において、第１及び第２の構成膜の間に界面磁壁が生じない構成とする。
【００４２】
本発明による光磁気記録媒体を用いる光磁気記録方法においても、その磁化態様は、図８若しくは図９で説明した過程と同様の過程による記録、再生方法が採られるが、上述したように本発明においては、第２の磁性薄膜を第１及び第２の構成膜によって構成し、室温での保磁力Ｈｃ２−１  及びＨｃ２−２  をＨｃ２−１  ＞Ｈｃ２−２  としたことによって、この第２の磁性薄膜全体の反転磁界Ｈｅｆｆ（保磁力）Ｈｃ２  としては、保磁力の小さい第２の構成膜の存在によってその低減化が図られることから、前記数５によって初期化磁界（補助磁界）ＨＳＵｂ  を低く抑えた状態とすることができ、また図９で説明した記録温度Ｔ２  では、Ｔｃ２−１  ＞Ｔｃ２−２  とすることによって、この記録時において保磁力の小さい第２の構成膜は実質的にその磁気的特性を失うようにすることができ、これの情報磁区の形成への関与を回避でき、高いＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）を確保できる。つまり保磁力の高い第１の構成膜によって情報磁区が形成されることから、発生した記録磁区は鮮明となり、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）にすぐれた光磁気記録を行うことができるものである。
【００４３】
【発明の実施の形態】
本発明の一例を説明するに、まず図１を参照してこれに用いる光磁気記録媒体Ｓについて説明する。この光磁気記録媒体Ｓは例えばガラス板やアクリル板等の光透過性基板５の一方の面に、保護膜または干渉膜となる透明の誘電体６を介して、第１の磁性薄膜１と、第３の磁性薄膜３と、更に第２の磁性薄膜２を構成する第１及び第２の構成膜２１及び２２とを順次例えばマグネトロン型スパッタ装置によって多源ターゲットをもって形成する。
【００４４】
第１の磁性薄膜１は、希土類−遷移金属薄膜による垂直磁気異方性の大きい磁性薄膜によって構成される。
【００４５】
第２の磁性薄膜２の第１及び第２の構成膜２１と２２とは、比較的大きい垂直磁気異方性を有する材料と垂直磁気異方性の弱い磁性材料とにより構成する。
【００４６】
そしてこれら第１及び第２の構成膜２１及び２２の保磁力をそれぞれＨｃ２−１  及びＨｃ２−２  とし、キュリー温度をそれぞれＴｃ２−１  及びＴｃ２−２  とするとき、図２にその一例の温度と保磁力の温度依存性を示すように、
Ｈｃ２−１  ＞Ｈｃ２−２  、Ｔｃ２−１  ＞Ｔｃ２−２  
とされる。
図２において、Ｔｃｏｍｐは第１の構成膜２１の補償温度を示す。すなわち、この例においては、第１の構成膜２１が室温とキュリー温度Ｔｃ２−２  の間に存在するように選定した場合である。
【００４７】
第３の磁性薄膜３は、室温で内面磁気異方性もしくは第１及び第２の磁性薄膜１及び２に比し小さい垂直磁気異方性の例えば１×１０６  ｅｒｇ／ｃｍ３  以下であることが好ましく、かつ、その有効異方性定数Ｋの温度特性曲線が、上に凸の特性ないしは直線的特性を示す希土類優勢金属膜で、室温での飽和磁化Ｍｓが０〜４５０ｅｍｕ／ｃｍ３  であることがのぞましい。
【００４８】
参考例１
図３に示すように、光透過性基板５上に、誘電体膜６を介してそれぞれ厚さ４００Åの第１の構成膜２１と第２の構成膜２２とをスパッタした場合の特性についてみる。
【００４９】
この場合、第１の構成膜２１は、飽和磁化Ｍｓ２−１  ＝２１７ｅｍｕ／ｃｍ３  、保磁力Ｈｃ２−１  ＝４．７（ｋＯｅ）、キュリー温度Ｔｃ２−１  ＝３２４℃、補償温度Ｔｃｏｍｐ＝１９０℃の特性を有する（Ｇｄ３  Ｔｂ）（Ｆｅ６６Ｃｏ３０Ｃｒ４  ）によって構成した。
【００５０】
また、第２の構成膜２２は、キュリー温度Ｔｃ２−２  が第１の構成膜２１のキュリー温度Ｔｃ２−２  が第１の構成膜２１のキュリー温度Ｔｃ２−１  より充分低い例えば２００℃のＧｄ（Ｆｅ９１Ｃｏ５  Ｃｒ４  ）によって構成した。
【００５１】
この構成による磁性薄膜２について、第２の構成膜２２の飽和磁化Ｍｓ２−２  を、希土類元素のＧｄの添加量を変えることによって変化させて、それぞれのＣ／Ｎを測定した結果を図４中●印（実線曲線）をもってプロットした。
【００５２】
比較例１
第１の構成膜２１については、参考例１と同様の磁性膜によって構成し、第２の構成膜２２については、Ｇｄ（Ｆｅ６６Ｃｏ３０Ｃｒ４  ）のキュリー温度Ｔｃ２−２  が３５０〜３６０℃程度のものによって構成した。この場合の同様のＭｓ２−２  を変えてＣ／Ｎを測定した結果を図４中○印（破線曲線）をもってプロットして示した。
【００５３】
尚、この場合のＣ／Ｎの測定は、記録磁界を３００（Ｏｅ）とし、照射レーザー光の参考例１及び比較例の各媒体に対する各相対線速度を１０ｍ／ｓｅｃ、記録周波数５ＭＨｚとした場合である。
【００５４】
また図５に、参考例１及び比較例１における第１及び第２の構成膜２１及び２２の全体としての保磁力Ｈｅｆｆ  の、同様に第２の構成膜２２の飽和磁化Ｍｓ２−２  を変化させて測定した結果をそれぞれ●印（実線曲線）及び○印（破線曲線）でプロットした。
【００５５】
図４をみて明らかなように参考例１におけるように、Ｈｃ２−１  ＞Ｈｃ２−２  と共に、Ｔｃ２−１  ＞Ｔｃ２−２  としたものは、高いＣ／Ｎが得られている。そして、図５の参考例１による実線曲線によれば、例えばＨｅｆｆ  ＝２．２ｋＯｅとなるＭｓ２−２  は約１７０ｅｍｕ／ｃｃとなるが、このＭｓ２−２  ＝１７０ｅｍｕ／ｃｃでのＣ／Ｎを図４の実線曲線からみると、Ｃ／Ｎは約５２ｄＢが得られる。因みに、上述の構成膜２１の単層構造では、Ｃ／Ｎは５３ｄＢ程度であるので、参考例１におけるように第１及び第２の構成膜２１及び２２による２層構造としてＨｅｆｆ  を下げても、Ｃ／Ｎに殆ど遜色がないことがわかる。
【００５６】
次に、このように、第１の構成膜２１として同一の磁性膜を用いるにも拘わらず記録に差が生じることの原因を調べるために、図６に第２の構成膜２２の飽和磁化Ｍｓ２−２  を変化させたときの補償温度の測定結果を図６に示す。図６において●印及び○印は参考例及び比較例１によるもの、△印は比較例１における第２の構成膜２２のみの厚さ８００Åとした単層構造とした場合のものである。尚、図６中実線の直線６１は参考例１及び比較例１における第１の構成膜のみの補償温度Ｔｃｏｍｐを表わしたものである。
【００５７】
図６から明らかなように、第２の構成膜２２がＧｄ（Ｆｅ９１Ｃｏ５  Ｃｒ４  ）の参考例１では、●印（実線曲線）のように第２の構成膜の組成の影響を殆んど受けることなく、Ｔｃｏｍｐは殆ど変化しないが、第２の構成膜２２がＧｄ（Ｆｅ６６Ｃｏ３０Ｃｒ４  ）の比較例１の○印（破線曲線）では、Ｇｄ（Ｆｅ６６Ｃｏ３０Ｃｒ４  ）の単層の△印（鎖線曲線）で示す補償温度変化に対応して変化している。このように、第２の構成膜２２のキュリー温度Ｔｃ２−２  が低いＧｄ（Ｆｅ９１Ｃｏ５  Ｃｒ４  ）では、高温で第１の構成膜２１の特性に影響を与えないことがわかる。
【００５８】
つまり、参考例１では第１の構成膜２１の記録特性に余り影響を与えずに良好なＣ／Ｎを確保し、しかも室温における反転磁界Ｈｅｆｆ  を低めることができる。
【００５９】
参考例２
参考例１の構成を採り、第２の磁性薄膜２として反転磁界Ｈｅｆｆ  ＝２．４ｋＯｅ、Ｃ／Ｎが約５２ｄＢとした光磁気ディスクを作製した。
【００６０】
比較例２
保磁力Ｈｃが２．７ｋＯｅの（Ｇｄ３  Ｔｂ）（Ｆｅ６６Ｃｏ３０Ｃｒ４  ）の単層膜による光磁気ディスクを作製した。
【００６１】
図７中●印及び△印はそれぞれ参考例２と比較例２の図８、９で説明した記録磁界ＨｅｘとＣ／Ｎの関係の測定結果を示す。これによればＨｅｘの小さいところで第２の磁性薄膜２が２層構造のものは、単層膜に比し約７ｄＢ  Ｃ／Ｎの向上がはかられる。
【００６２】
実施例１
図１に示す構造を有し、第１の磁性薄膜１が厚さ４００ÅのＴｂ（Ｆｅ３１Ｃｏ５  Ｃｒ４  ）によって構成され、第３の磁性薄膜３が厚さ１５０ÅのＧｄ（ＦｅＣｏ９１Ｃｒ４  ）によって構成され、第２の磁性薄膜２が厚さ４００Åの（Ｇｄ３  Ｔｂ）（Ｆｅ６６Ｃｏ３０Ｃｒ４  ）による第１の構成膜２１と、厚さ４００ÅのＧｄ（Ｆｅ９１Ｃｏ５  Ｃｒ４  ）による第２の構成膜２２とによるＨｃ２−１  ＞Ｈｃ２−２  、Ｔｃ２−１  ＞Ｔｃ２−２  とした構成の２通りのディスク状の光磁気記録媒体（試料１及び２）を作製した。
【００６３】
比較例３
実施例１と同様の構成によるが、第２の磁性薄膜２を、単層とした光磁気ディスク（試料３）を作製した。
【００６４】
各試料１〜３の特性を下記表１に示す。
【００６５】
【表１】
0003613267.tif 000002
【００６６】
これより明らかなように、本発明による試料１及び２は、本発明によらない試料３に比し、記録磁界Ｈｅｘを小さくでき、初期化磁界ＨＳＵｂ  を低く抑えた状態でＣ／Ｎの向上がはかられる。
【００６７】
尚、上述の本発明で用いる光磁気記録媒体の第１及び第２の構成膜２１及び２２の積層関係は、互いに上下いずれでも良い。
【００６８】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、Ｃ／Ｎを確保しつつ、記録のための印加磁界、即ち図８及び図９の記録過程における外部磁界ＨＳＵｂ  及びＨｅｘを低めることができるので、これら外部磁界を与えるための磁界発生手段の小型化、消費電力の低減化等をはかることができるなど実用上大きな利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光磁気記録媒体の断面図である。
【図２】温度−保磁力曲線図である。
【図３】第２の磁性薄膜の構成図である。
【図４】Ｃ／Ｎ測定曲線図である。
【図５】保磁力測定曲線図である。
【図６】補償温度測定曲線図である。
【図７】Ｃ／Ｎ測定曲線図である。
【図８】磁化状態図である。
【図９】磁化状態図である。
【符号の説明】
Ｓ  光磁気記録媒体
１  第１の磁性薄膜
２  第２の磁性薄膜
２１  第１の構成膜
２２  第２の構成膜
３  第３の磁性薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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