(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光磁気記憶媒体に対向して移動するように設けられるスライダと、
このスライダに保持され、かつ受けたレーザ光を集束させることにより上記光磁気記憶媒体上にレーザスポットを形成する対物レンズと、
この対物レンズの光軸方向に積層された複数層の導体膜からなるとともに、これら複数層の導体膜の中心部が上記光軸に合わせられ、かつ上記対物レンズの光磁気記憶媒体寄りのレンズ面と上記光磁気記憶媒体との間に位置するように設けられたコイルと、
このコイルを覆う透明絶縁膜と、
を具備している、光磁気ヘッドであって、
上記コイルの中心部は、上記透明絶縁膜によって塞がれており、かつ、
上記コイルの複数層の導体膜のうち、上記光磁気記憶媒体に近い層の導体膜は、上記光磁気記憶媒体から遠い層の導体膜よりも内径が小さくされていることを特徴とする、光磁気ヘッド。
【請求項２】
上記対物レンズと上記光磁気記憶媒体との間に位置するように上記スライダに保持された透明板を具備しており、かつ上記コイルは、上記透明板の上記光磁気記憶媒体に対向する面上に設けられている、請求項１に記載の光磁気ヘッド。
【請求項３】
上記コイルは、上記対物レンズの光磁気記憶媒体寄りのレンズ面上に設けられている、請求項１に記載の光磁気ヘッド。
【請求項４】
上記コイルの各層の導体膜は、渦巻状である、請求項１ないし３のいずれかに記載の光磁気ヘッド。
【請求項５】
上記コイルの互いに隣り合って積層する導体膜の少なくとも一部分どうしは、上記コイルの径方向において互いに位置ずれしている、請求項４に記載の光磁気ヘッド。
【請求項６】
上記コイルの互いに隣り合って積層する導体膜の一端部どうしの間には、これら一端部を互いに導通させる接続部が形成されている、請求項４または５に記載の光磁気ヘッド。
【請求項７】
上記コイルの導体膜は、２層または４層に形成されており、かつ上記光磁気記憶媒体に最も近い導体膜と最も遠い導体膜とのそれぞれには、上記透明絶縁膜の外部に延びる引き出し配線部が連設されている、請求項６に記載の光磁気ヘッド。
【請求項８】
透明な基板上にコイルを構成する第１の導体膜をパターン形成する工程と、上記第１の導体膜を覆う第１の透明絶縁膜を形成する工程と、上記第１の透明絶縁膜上にコイルを構成する第２の導体膜をパターン形成する工程と、上記第２の導体膜を覆う第２の透明絶縁膜を形成する工程と、を有している、光磁気ヘッドのコイルの製造方法であって、
上記第１および第２の透明絶縁膜は、上記第１および第２の導体膜の中心部を塞ぐように形成するとともに、
上記第２の導体膜は、上記第１の導体膜よりも内径が小さくなるように形成することを特徴とする、光磁気ヘッドのコイルの製造方法。
【請求項９】
上記第２の導体膜をパターン形成する工程の前に、上記第１の透明絶縁膜の表面を平面状に仕上げる工程を有している、請求項８に記載の光磁気ヘッドのコイルの製造方法。
【請求項１０】
上記基板の表面に上記第１の導体膜のパターン形状に対応する凹部を形成する工程を有しており、かつ上記第１の導体膜は、この凹部内に埋まるように形成する、請求項８または９に記載の光磁気ヘッドのコイルの製造方法。
【請求項１１】
上記第２の導体膜をパターン形成する工程は、
上記第１の透明絶縁膜上に、穴部を有する第３の透明絶縁膜およびこの第３の透明絶縁膜を覆う第４の透明絶縁膜をそれぞれ形成する工程と、
上記第４の透明絶縁膜を上記第２の導体膜に対応するパターン形状にエッチングするとともに、上記第１の透明絶縁膜の上記第３の透明絶縁膜の穴部に対応する箇所をエッチングすることにより、上記第１および第３の透明絶縁膜に上記第４の透明絶縁膜のエッチングされた箇所に一連に繋がった穴部を形成する工程と、
それらエッチングされた箇所に導体が充填されるように導体膜を形成する工程と、を含んでいる、請求項８ないし１０のいずれかに記載の光磁気ヘッドのコイルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、光磁気ディスクなどの光磁気記憶媒体へのデータの記録・再生を行うための光磁気ヘッド、および光磁気ヘッドのコイルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記憶媒体へのデータの書込みは、光磁気記憶媒体上にレーザスポットが形成されることによる記録層の部分発熱と磁界発生用のコイルによって発生される磁界の磁束の方向によって、光磁気記憶媒体の記録層の磁化を反転させることにより行われる。また、光磁気記憶媒体に記憶されたデータの再生は、光磁気記憶媒体の記録層によって反射された光の光学的性質の変化を検出することにより行われる。
【０００３】
従来においては、このようなデータの記録・再生を行うための光磁気ヘッドの一例として、特開２０００−７６７２４号公報に記載されたものがある。この光磁気ヘッドは、図２１に示すように、対物レンズ９０および透明板９１をスライダ（図示略）に保持させた構造を有している。透明板９１の片面のうち、対物レンズ９０の光軸Ｃａの延長線上には、凸部９２が形成されている。また、この凸部９２の周囲には、パターン形成された２層の導体膜９３ａからなる磁界発生用のコイル９３が設けられている。このコイル９３は、透明絶縁膜９７によって覆われている。
【０００４】
このような構成によれば、図２２（ａ）に示すように、対物レンズ９０を通過したレーザ光は、透明板９１の凸部９２を通過してから光磁気ディスクＤに到達し、微小径のレーザスポットＬｓとして集束される。コイル９３の中心部には透明板９１の凸部９２が存在し、この凸部９２は空気よりも屈折率が大きい材料からなるため（空気の屈折率は、種々の媒体の中で最小である）、凸部９２が設けられていない場合と比較すると、コイル９３の中心部におけるレーザ光の直径Ｄ１を小さくすることができる。すなわち、たとえば図２２（ｂ）に示すように、透明板９１に凸部９２が設けられておらず、コイル９３の中心部が空洞部とされている場合には、透明板９１の片面９１ａから空気中に出射したレーザ光は大きな角度で屈折する。したがって、光磁気記憶媒体Ｄに対するスライダの浮上量ｈが同一であるとすると、図２２（ａ）に示すコイル９３の中心部におけるレーザ光の直径Ｄ１の方が、同図（ｂ）に示すコイル９３の中心部におけるレーザ光の直径Ｄ２よりも小さくなる。その結果、図２２（ａ）および図２１に示す光磁気ヘッドにおいては、コイル９３の内径を小さくすることができるのである。
【０００５】
コイルの半径と磁界の強さとの関係を考察すると、半径ｒの円電流Ｉによって発生される磁界については、その円の中心軸上の円の中心からｘだけ離れた点の磁界の強さＨは、Ｈ＝ｒ2Ｉ／｛２（ｒ2＋ｘ2 )3/2 ｝の式で求められる。この式は、コイルの半径を小さくするほど、また媒体に対してコイルを近づけるほど、媒体に作用する磁界が強くなることを意味している。したがって、上記したように、コイル９３の内径を小さくすることは、光磁気記憶媒体に作用させる磁界を強くする上で有利となる。また、図２１に示した光磁気ヘッドにおいては、コイル９３の導体膜９３ａを２層に形成しているために、コイル９３のインダクタンスを小さくすることができ、高周波による書込み磁界の変化を急峻にして、高周波応答性を良くすることも可能となる。
【０００６】
従来の光磁気ヘッドの他の例としては、特開平１０−３２０８６３号公報に記載されたものもある。この従来のものは、図２３に示すように、対物レンズ９０の片面に凸部９２を直接形成し、この凸部９２の周囲に２層の導体膜９３ａからなるコイル９３を設けたものである。このような構成によれば、図２１に示した光磁気ヘッドと同様な作用が得られるのに加え、透明板９１を不要にすることにより光磁気ヘッドの構成部品の点数を少なくすることもできる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の光磁気ヘッドにおいては、次のような不具合があった。
【０００８】
第１に、透明板９１または対物レンズ９０には、凸部９２を形成する必要がある。したがって、この凸部９２の形成作業が煩雑であり、その分だけ光磁気ヘッドの製造コストが高価となっていた。
【０００９】
第２に、コイル９３は、凸部９２の周辺に設けられているために、コイル９３の内周部分をレーザ光にできる限り近づけてコイル９３の内径を小さくしようとしても、その寸法を凸部９２よりも小さくすることはできない。一方、凸部９２は、加工精度を考慮すると、レーザ光のビーム径に対してある程度余裕をもった大きさに形成せざるを得ない。したがって、コイル９３の内径をレーザ光のビーム径に近い径にすることが難しくなっていた。したがって、従来においては、コイル９３の内径を小さくすることにより光磁気記憶媒体に作用させる磁界を強くする点において、未だ改善の余地があった。
【００１０】
第３に、対物レンズ９０を通過し、または通過するレーザ光は、光磁気記憶媒体に近づくに連れてそのビーム径が小さくなっている。これに対し、コイル９３の２層の導体膜９３ａは、いずれも同一の内径に形成されている。したがって、従来においては、２層の導体膜９３ａのうち、光磁気記憶媒体に近い方の導体膜９３ａとレーザ光の光路との間の距離が大きくなっていた。このことは、光磁気記憶媒体に作用させる磁界を強くする上で一層改善の余地があることを意味する。
【００１１】
本願発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、光磁気記憶媒体のレーザスポットを形成する箇所に効率良く磁界を作用させることができるとともに、製造コストをも従来のものと比べて低減化することができる光磁気ヘッドを提供することをその課題としている。また、本願発明は、そのような光磁気ヘッドのコイルを好適に製造することができる方法を提供することを他の課題としている。
【００１２】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１３】
本願発明の第１の側面によって提供される光磁気ヘッドは、光磁気記憶媒体に対向して移動するように設けられるスライダと、このスライダに保持され、かつ受けたレーザ光を集束させることにより上記光磁気記憶媒体上にレーザスポットを形成する対物レンズと、この対物レンズの光軸方向に積層された複数層の導体膜からなるとともに、これら複数層の導体膜の中心部が上記光軸に合わせられ、かつ上記対物レンズの光磁気記憶媒体寄りのレンズ面と上記光磁気記憶媒体との間に位置するように設けられたコイルと、このコイルを覆う透明絶縁膜と、を具備している、光磁気ヘッドであって、上記コイルの中心部は、上記透明絶縁膜によって塞がれており、かつ上記コイルの複数層の導体膜のうち、上記光磁気記憶媒体に近い層の導体膜は、上記光磁気記憶媒体から遠い層の導体膜よりも内径が小さくされていることを特徴としている。
【００１４】
このような構成の光磁気ヘッドにおいては、次のような作用が得られる。
【００１５】
第１に、対物レンズを通過したレーザ光は、コイルの中心部を塞いでいる透明絶縁膜を透過してから光磁気記憶媒体に到達することとなる。したがって、上記透明絶縁膜は、上記コイルの絶縁保護を図るというそれ本来の役割を果たすのに加え、従来の対物レンズの凸部または透明板の凸部と同様な役割、すなわちコイルの中心部におけるレーザ光のビーム径を小さくする役割をも果たすこととなる。このため、本願発明においては、従来の対物レンズの凸部または透明板の凸部を不要にすることができる。一方、上記透明絶縁膜によって上記コイルの中心部を塞ぐ処理は上記透明絶縁膜を形成する際に簡単に行うことができる。その結果、本願発明に係る光磁気ヘッドの製造作業を簡易にして、その製造コストを従来よりも廉価にすることが可能となる。
【００１６】
第２に、本願発明においては、対物レンズの凸部または透明板の凸部の周囲にコイルを設けていた従来とは異なり、コイルの内径を上記凸部の外径よりも小さくすることができないといった制約を受けないものにすることができる。したがって、本願発明においては、コイルの内径を小さくすることが容易となり、光磁気記憶媒体に強い磁界を作用させるのに好ましいものとなる。
【００１７】
第３に、本願発明の光磁気ヘッドのコイルは、光磁気記憶媒体に近い層の導体膜の方が光磁気記憶媒体から遠い層の導体膜よりも内径が小さいものであるために、コイルがレーザ光を不当に遮るといった不具合を生じさせることなく、従来のものよりもコイルの内径を小さくすることが可能となる。したがって、その分だけ、光磁気記憶媒体のレーザスポットが形成される箇所に対して強い磁界を効率良く作用させることができる。
【００１８】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記対物レンズと上記光磁気記憶媒体との間に位置するように上記スライダに保持された透明板を具備しており、かつ上記コイルは、上記透明板の上記光磁気記憶媒体に対向する面上に設けられている。このような構成によれば、対物レンズとは別個の透明板にコイルを設ければよいこととなり、コイルの製造能率を高めることが可能となる。
【００１９】
本願発明の他の好ましい実施の形態においては、上記コイルは、上記対物レンズの光磁気記憶媒体寄りのレンズ面上に設けられている。このような構成によれば、対物レンズとは別体の透明板を不要することができるために、光磁気ヘッドの部品点数を少なくすることができる。
【００２０】
上記コイルの各層の導体膜は、渦巻状である。このような構成によれば、コイルによる発生磁界を強くするのに好適となる。
【００２１】
本願発明の他の好ましい実施の形態においては、上記コイルの互いに隣り合って積層する導体膜の少なくとも一部分どうしは、上記コイルの径方向において互いに位置ずれしている。このような構成によれば、コイルの容量（浮遊容量）を減らし、容量低減によるコイルの高周波数対応が可能となる。すなわち、上記コイルの互いに隣り合って積層する導体膜どうしを接近させると、それらの導体膜どうしの間に容量結合を生じて浮遊容量が増加し、コイルの高周波応答性が悪化する虞れがある。ところが、上記構成によれば、互いに隣り合って積層する導体膜どうしの間の距離を大きくとることができるために、コイルの浮遊容量が大きくならないようにして、コイルの高周波応答性を良くすることができる。
【００２２】
本願発明の他の好ましい実施の形態においては、上記コイルの互いに隣り合って積層する導体膜の一端部どうしの間には、これら一端部を互いに導通させる接続部が形成されている。このような構成によれば、上記コイルの複数層の導体膜のそれぞれに通電を行わせるための手段として、たとえば各導体膜の中心部寄りの一端部に導通するビアホールを透明絶縁膜に設けるといった必要を無くすことが可能となる。したがって、レーザ光が透明絶縁膜に設けられたビアホールによって遮られるといった不具合を生じないようにすることができる。
【００２３】
本願発明の他の好ましい実施の形態においては、上記コイルの導体膜は、２層または４層に形成されており、かつ上記光磁気記憶媒体に最も近い導体膜と最も遠い導体膜とのそれぞれには、上記透明絶縁膜の外部に延びる引き出し配線部が連設されている。このような構成によれば、レーザ光が上記引き出し配線部によって不当に遮られないようにしつつ、上記２層または４層の導体膜のそれぞれに対して外部から適切に通電を行わせることができる。
【００２４】
本願発明の第２の側面によって提供される光磁気ヘッドのコイルの製造方法は、透明な基板上にコイルを構成する第１の導体膜をパターン形成する工程と、上記第１の導体膜を覆う第１の透明絶縁膜を形成する工程と、上記第１の透明絶縁膜上にコイルを構成する第２の導体膜をパターン形成する工程と、上記第２の導体膜を覆う第２の透明絶縁膜を形成する工程と、を有している、光磁気ヘッドのコイルの製造方法であって、上記第１および第２の透明絶縁膜は、上記第１および第２の導体膜の中心部を塞ぐように形成するとともに、上記第２の導体膜は、上記第１の導体膜よりも内径が小さくなるように形成することを特徴としている。
【００２５】
このような構成を有する光磁気ヘッドのコイルの製造方法によれば、本願発明の第１の側面によって提供される光磁気ヘッドのコイルを適切に製造することができる。
【００２６】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記第２の導体膜をパターン形成する工程の前に、上記第１の透明絶縁膜の表面を平面状に仕上げる工程を有している。このような構成によれば、第１の透明絶縁膜上に第２の導体膜を適切に形成することができる。すなわち、第１の透明絶縁膜の粗雑な凹凸面上に第２の導体膜を形成したのでは、その導体膜に断線部分が発生するといった虞れがあるが、上記構成によれば、そのような虞れを無くすことができる。
【００２７】
本願発明の他の好ましい実施の形態においては、上記基板の表面に上記第１の導体膜のパターン形状に対応する凹部を形成する工程を有しており、かつ上記第１の導体膜は、この凹部内に埋まるように形成する。このような構成によれば、上記基板の凹部内に第１の導体膜が埋まるように形成されている分だけ、この第１の導体膜を覆うための透明絶縁膜の全体の厚みを薄くすることが可能となる。したがって、透明絶縁膜の厚みの増大に起因する基板の反り変形などを防止するのに好適となる。
【００２８】
本願発明の他の好ましい実施の形態においては、上記第２の導体膜をパターン形成する工程は、上記第１の透明絶縁膜上に、穴部を有する第３の透明絶縁膜およびこの第３の透明絶縁膜を覆う第４の透明絶縁膜をそれぞれ形成する工程と、上記第４の透明絶縁膜を上記第２の導体膜に対応するパターン形状にエッチングするとともに、上記第１の透明絶縁膜の上記第３の透明絶縁膜の穴部に対応する箇所をエッチングすることにより、上記第１および第３の透明絶縁膜に上記第４の透明絶縁膜のエッチングされた箇所に一連に繋がった穴部を形成する工程と、それらエッチングされた箇所に導体が充填されるように導体膜を形成する工程と、を含んでいる。このような構成によれば、第２の導体膜のパターン形成と、この第２の導体膜の一部を第１の導体膜の一部分に繋ぐ接続部の形成とを同時に行うことが可能となる。したがって、コイル製造に際しての全体の作業工程数を減らすことが可能となる。
【００２９】
本願発明のその他の特徴および利点については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかになるであろう。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００３１】
図１〜図４は、本願発明に係る光磁気ヘッドの一実施形態を示している。
【００３２】
まず、図１を参照しながら、本願発明に係る光磁気ヘッドが用いられる光磁気記録・再生装置の構成の一例について説明する。同図に示す光磁気記録・再生装置Ａは、光磁気ディスクＤをスピンドル７０に装着させた状態で高速回転するように構成されている。光磁気ディスクＤは、たとえばその上向きの表面層が記録層とされたものである。光磁気ヘッドＨは、スライダ１を具備して構成されており、このスライダ１は、サスペンション７１を介してアーム７２の先端部に支持されている。アーム７２は、スライダ１を光磁気ディスクＤの記録層に対面させてその半径方向に移動させうるように一定方向に進退移動可能である。その進退移動の駆動源としては、直進ボイスコイルモータなどのリニアアクチュエータ７３が用いられている。もちろん、アーム７２を水平方向に揺動させる構成とすることもできる。アーム７２の先端には、ミラー７４が設けられており、このミラー７４には固定モジュール７５からレーザ光が照射されるようになっている。固定モジュール７５は、レーザ発光部、検出器、およびコリメータ光学素子などを内蔵するものである。
【００３３】
スライダ１は、全体が略ブロック状とされたものであり、たとえば樹脂製である。このスライダ１は、光磁気ディスクＤの回転が停止しているときには、光磁気ディスクＤの表面に接触するようにサスペンション７１に支持されているものの、光磁気ディスクＤの高速回転時にはこのスライダ１と光磁気ディスクＤとの間に形成される空気の流体くさびの圧力上昇により、光磁気ディスクＤの表面から僅かな間隙を隔てて浮上するようになっている。図２によく表われているように、このスライダ１には、第１の対物レンズ２Ａ、第２の対物レンズ２Ｂ、およびコイル３や透明絶縁膜４を備えた透明板５が保持されている。
【００３４】
第１の対物レンズ２Ａは、第２の対物レンズ２Ｂのみを用いる場合よりも光磁気ヘッドＨの光学系の開口数（ＮＡ）を高めるために設けられたものである。対物レンズを複数個用いれば、光磁気ヘッドＨの光学系の開口数を高めることが容易となり、これにより光磁気ディスクＤの記録密度を高めることが可能となる。第１の対物レンズ２Ａは、スライダ１の上面部の凹部１１に嵌入されるなどしてミラー７４の直下に配されている。固定モジュール７５から出力されてミラー７４によって反射されたレーザ光は、この第１の対物レンズ２Ａに入射して、この第１の対物レンズ２Ａによってある程度集束されてから次の第２の対物レンズ２Ｂに向けて進行するようになっている。サスペンション７１は、第１の対物レンズ２Ａを避けるようにしてスライダ１を支持している。
【００３５】
第２の対物レンズ２Ｂは、第１の対物レンズ２Ａを通過してきたレーザ光をさらに集束させることにより、光磁気ディスクＤの記録層上にレーザスポットＬｓを形成するものである。この第２の対物レンズ２Ｂは、スライダ１の孔部１２に嵌入されるなどして第１の対物レンズ２Ａの直下に装着されている。この第２の対物レンズ２Ｂの上向きのレンズ面２０ａは、球面状の凸面である。これに対し、この第２の対物レンズ２Ｂの下向きのレンズ面２０ｂは平面状である。
【００３６】
透明板５は、矩形の平板状であり、その材質はたとえば第１および第２の対物レンズ２Ａ，２Ｂと同材質のガラスとされている。透明板５の厚みは、たとえば０．２ｍｍ程度とされている。この透明板５は、スライダ１の下向きの底面部に接着されており、かつその上向きの片面は、第２の対物レンズ２Ｂのレンズ面２０ｂに対して隙間を生じないように接触している。
【００３７】
コイル３は、透明板５の下向きの片面上に形成された第１の導体膜３０Ａと、この第１の導体膜３０Ａよりも下方に形成された第２の導体膜３０Ｂとを具備して構成されている。第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂのそれぞれは、たとえば銅などの金属膜を所定形状にパターニングすることにより形成されたものであり、その製造工程の詳細については後述する。このコイル３は、図４（ａ），（ｂ）によく表われているように、第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂがいずれも渦巻状とされた渦巻コイルである。ただし、これらの導体膜３０Ａ，３０Ｂは、たとえば複数の同心円状に形成された部分を、それらの半径方向に屈曲する屈曲部３９ａ，３９ｂを介して一連に繋げた形態とされている。
【００３８】
図３によく表われているように、コイル３は、その中心軸（第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂの中心軸）が第２の対物レンズ２Ｂの光軸Ｃの延長線と一致するように設けられている。第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの内径Ｄａ，Ｄｂは、コイル３の中心部３１をレーザ光が適切に通過可能な寸法とされている。ただし、第２の導体膜３０Ｂの内径Ｄｂの方が、第１の導体膜３０Ａの内径Ｄａよりも小さくされている。
【００３９】
第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂは、後述する一部分を除き、それらの略全体がコイル３の半径方向において互いに適当な寸法Ｐだけ位置ずれするように設けられている。すなわち、図４（ｃ）に示すように、第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂの重ね合わせ状態を観察した場合、これらは屈曲部３９ａ，３９ｂが形成された箇所においてのみ互いに交差して重なり合っており、それ以外の部分においては互いに位置ずれした状態となっている。このような構成によれば、第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂが互いに重なり合う面積を小さくすることができる。むろん、本願発明においては、コイル３の具体的なパターン形状はこれに限定されるものではない。たとえば、第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂに屈曲部３９ａ，３９ｂを設けることなく、第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの一部分どうしをコイル半径方向において互いに位置ずれさせた構成としてもかまわない。
【００４０】
第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂの間には、導体からなる接続部３２が設けられている（図３参照）。図４（ａ），（ｂ）に示す第１の導体膜３０Ａの中心部３１寄りの一端部３３ａと、第２の導体膜３０Ｂの中心部３１寄りの一端部３３ｂとは、この接続部３２を介して互いに導通接続されている。第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの外周縁の他端部３４ａ，３４ｂには、コイル３の半径方向に延びる引き出し配線部３５ａ，３５ｂが連設されている。これらの引き出し配線部３５ａ，３５ｂは、第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂに通電を行わせるための部分であり、図３によく表われているように、透明絶縁膜４の外部まで延びていることにより、それらの各一端部は、透明板５の一側面または透明絶縁膜４の一側面において外部に露出している。この露出部分には、引き出し配線部３５ａ，３５ｂに導通する銅などの金属膜からなる一対の端子部３８が設けられている。これら一対の端子部３８に配線部材１９を接続することにより、コイル３の第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂに対する外部からの電力供給が行えるようになっている。
【００４１】
透明絶縁膜４は、電気絶縁性を有する透明な材質からなり、その屈折率は、第２の対物レンズ２Ｂや透明板５の屈折率と略同様なものである。その具体的な材質としては、たとえば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン、酸化珪素、または窒化珪素を適用することができる。この透明絶縁膜４は、コイル３の全体を覆うように透明板５の下向きの片面に付着形成されており、コイル３の中心部３１はこの透明絶縁膜４によって塞がれている。この透明絶縁膜４は、たとえば第１の透明絶縁膜４ａと第２の透明絶縁膜４ｂとの２層の膜が積層されることにより形成されているが、その具体的な形成工程については後述する。
【００４２】
次に、光磁気ヘッドＨの作用について説明する。
【００４３】
光磁気ディスクＤへのデータの記録またはデータの再生を行うときには、上述した流体くさびの圧力作用を利用することにより、図２および図３に示すように、高速回転している光磁気ディスクＤ上においてスライダ１を浮上させる。光磁気ディスクＤの表面と透明絶縁膜４の表面との間隔は、たとえばμｍオーダまたはサブμｍオーダとする。コイル３への電力供給を行うための配線部材１９はスライダ１の一側方からその上方に延びるように配置しておくことができるために、たとえば透明絶縁膜４の表面部分に配線部材を配置させる必要はなく、透明絶縁膜４と光磁気ディスクＤとの間を微小間隔に設定することに支障が無いようにすることができる。このように、透明絶縁膜４と光磁気ディスクＤとの間隔を微小にすれば、光磁気ディスクＤの表面上のレーザスポットＬｓにコイル３を近づけることができ、レーザスポットＬｓの形成箇所に作用する磁界を強くするのに好ましいものとなる。
【００４４】
次いで、レーザ光についての作用を考察すると、まず第１および第２の対物レンズ２Ａ，２Ｂを通過したレーザ光は、そのビーム径が徐々に小さくなりながら、透明板５を透過し、さらには透明絶縁膜４のうちのコイル３の中心部３１に相当する箇所を透過してから光磁気ディスクＤに到達する。透明絶縁膜４と透明板５とは屈折率が略同一であり、これらの屈折率は空気よりも大きいために、透明板５に入射したレーザ光は、透明絶縁膜４を通過し終えるまでは、そのビーム径が一定の角度で徐々に狭まるように進行することとなる。すなわち、コイル３の中心部３１を閉塞する透明絶縁膜４は、図２１および図２３に示した従来技術の凸部９２と同様な役割を果たすこととなり、この光磁気ヘッドＨにおいてもコイル３の中心部３１におけるレーザ光のビーム径を小さくする効果が期待できる。したがって、レーザ光のビーム径に合わせてコイル３の内径を小さくすることが可能となる。
【００４５】
この光磁気ヘッドＨにおいては、従来技術の凸部９２に相当する手段が設けられておらず、コイル３は透明板５の平面状の片面に設けられている。したがって、レーザ光を遮らない程度にコイル３の内径を小さく製作することが比較的簡単に行えることとなる。とくに、レーザ光は、コイル３の第１の導体膜３０Ａの中心部よりも第２の導体膜３０Ｂの中心部の方がそのビーム径が小さくなるのに対し、第１の導体膜３０Ａよりも第２の導体膜３０Ｂの方がその内径が小さくされているために、コイル３がレーザ光を不当に遮るようなことを回避しつつ、コイル３の最小内径をより小さくすることができる。また、第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂの中心部３１寄りの一端部どうしは、接続部３２を介して互いに接続されているために、これら第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂの中心部３１寄りの一端部に対しては、スライダ１の外部から通電を行うための配線部材を接続する必要はない。仮に、このような配線部材を設けた場合には、この配線部材がレーザ光を遮る虞れが生じるが、本実施形態においてはそのような虞れも無くすことができる。したがって、このようなことによっても、コイル３の内径を小さくすることが実現される。
【００４６】
このように、この光磁気ヘッドＨにおいては、コイル３の内径を小さくすることができるために、光磁気ディスクＤのレーザスポットＬｓが形成される箇所に効率良く強い磁界を作用させることができる。また、このことはコイル３の全体のサイズを大きくする必要を無くすことができることをも意味し、コイル３の全体のサイズを小さくすることにより、消費電力を少なくするのにも有利となる。さらに、コイル３に流れる電流を少なくすることができれば、マイグレーションによるコイル３の断線をも防止することができる。もちろん、コイル３は、第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂからなるいわゆる２層タイプとされているために、いわゆる１層タイプのものと比較すると、コイルのインダクタンスを小さくして高周波応答性を良くすることもできる。また、第１および第２の導体膜３０Ａ，３０Ｂの大部分は、コイル半径方向において互いに位置ずれしているために、それらの間の距離を確保することによって、それらの間に生じる容量結合を抑制し、コイル３の浮遊容量が大きくならないようにすることができる。浮遊容量を小さくすれば、コイル３の高周波応答性を一層良くすることができる。透明絶縁膜４は、上述した作用に加え、コイル３を保護する役割をも果たし、スライダ１が光磁気ディスクＤ上に浮上しないときには、コイル３が光磁気ディスクＤとの接触によって損傷しないようにすることができる。
【００４７】
次に、上記した光磁気ヘッドＨのコイル３の製造方法の第１実施形態について、図５〜図９を参照して説明する。
【００４８】
まず、図５（ａ）に示すように、透明基板５Ａの表面に、メッキ処理のためのメッキベース層６０Ａをべた塗り状態に成膜する。透明基板５Ａは、後に透明板５とされる基板である。もちろん、後述するように、コイル３を対物レンズに直接設ける場合には、この対物レンズが透明基板５Ａに相当するものとなる。メッキベース層６０Ａは、たとえば０．１μｍ程度の厚みを有する銅の薄膜層であり、スパッタまたは蒸着により形成することができる。メッキベース層６０Ａの形成に際しては、数十ｎｍの厚みのチタンまたはクロムからなる密着層（図示略）を透明基板５Ａの表面に予め形成しておき、メッキベース層６０Ａの密着性を高める手段を用いることもできる。メッキベース層６０Ａの表面には、レジストの塗布およびその露光現像処理を行うことにより、図５（ｂ）に示すように、メッキベース層６０Ａの表面に所定のパターン形状のレジスト層６１Ａを形成する。このレジスト層６１Ａは、たとえば６μｍ程度の厚みであり、レジスト層６１Ａが形成されていない箇所のパターン形状は、コイル３の第１の導体膜３０Ａに対応する渦巻状である。その後は、図５（ｃ）に示すように、メッキベース層６０Ａの表面上に厚みが３μｍ程度の銅メッキ（電解メッキ）を施し、レジスト層６１Ａの隙間内において銅の導体膜６２Ａを成長させる。その後は、たとえばアセトンを用いた洗浄処理を行うことにより、図５（ｃ）に示すように、レジスト層６１Ａを除去する。レジスト層６１Ａを除去した後には、図６（ａ）に示すように、メッキベース層６０Ａを除去する。そのための手段としては、酸性のエッチング液を用いてメッキベース層６０Ａを洗い落とすウエット法、あるいはイオンミリングによるドライ法がある。イオンミリングは、たとえばアルゴンガスをイオン化して、そのイオンをメッキベース層６０Ａに衝突させることにより行う。このような一連の工程により、銅からなる渦巻状の第１の導体膜３０Ａが形成される。図面上の説明は省略しているが、この第１の導体膜３０Ａの形成時には、それに繋がった引き出し配線部３５ａも同時に形成する。この点は、後述する第２の導体膜３０Ｂを形成するときに、それに対応する引き出し配線部３５ｂを形成する場合についても同様である。
【００４９】
第１の導体膜３０Ａを形成した後には、図６（ｂ）に示すように、透明な第１の透明絶縁膜４ａを形成する。その際、第１の導体膜３０Ａの中心部３１ａの領域にも第１の透明絶縁膜４ａを形成する（図面において、符号Ｃ１は第１の導体膜３０Ａの中心軸を示している）。第１の透明絶縁膜４ａは、たとえば酸化アルミであり、イオンプレーティングにより成膜することができる。その厚みは、第１の導体膜３０Ａよりも厚みが大きな厚み、たとえば６μｍ程度とする。第１の透明絶縁膜４ａは、渦巻状の第１の導体膜３０Ａを覆うように形成されるため、その表面は凹凸状となる。したがって、その後は図６（ｃ）に示すように、第１の透明絶縁膜４ａの表面を平坦化する。この平坦化処理は、たとえば第１の透明絶縁膜４ａの表面を機械的に研磨することにより行う。また、この平坦化処理の方法としては、第１の透明絶縁膜４ａの表面から第１の導体膜３０Ａの表面が露出する程度にまで第１の透明絶縁膜４ａを研磨した後に、その第１の透明絶縁膜４ａの表面に第１の透明絶縁膜４ａと同材質の絶縁膜を再度重ねるように形成する手段を用いてよい。いずれにしても、第１の導体膜３０Ａを覆い、かつ表面が平坦な第１の透明絶縁膜４ａを形成する。
【００５０】
第１の透明絶縁膜４ａの平坦化処理を終えた後には、この第１の透明絶縁膜４ａの表面にレジストを塗布し、その露光現像を行うことにより、図６（ｄ）に示すように、穴部６３ａを有するレジスト層６１Ｂを形成する。このレジスト層６１Ｂの厚みは、たとえば２μｍ程度である。レジスト層６１Ｂの形成後には、図７（ａ）に示すように、第１の透明絶縁膜４ａのうち、穴部６３ａに対応する箇所をエッチングし、第１の導体膜３０の中心部３１ａの近傍の一部分を露出させる。その後は、図５（ａ）〜図６（ｃ）を参照して述べたのと同様な工程を繰り返して行う。すなわち、図７（ａ）に示した工程の後には、図７（ｂ）に示すように、レジスト層６１Ｂを除去するとともに、図７（ｃ）に示すように、メッキベース層６０Ｂを形成する。このメッキベース層６０Ｂは、先のメッキベース層６０Ａと厚みや材質などが同様であり、また先のメッキベース層６０Ａの形成方法と同様な方法により形成することができる。このメッキベース層６０Ｂは、第１の導体膜３０Ａの一部分の上にも重ねて形成される。メッキベース層６０Ｂの形成後には、図７（ｄ）に示すように、所定のパターン形状のレジスト層６１Ｃを形成した後に、銅メッキを施すことにより、図８（ａ）に示すように、渦巻状の銅の導体膜６２Ｂを形成する。その際、この導体膜６２Ｂの一部は、第１の導体膜３０Ａに繋がることとなり、この部分が接続部３２となる。
【００５１】
次いで、図８（ｂ）に示すように、レジスト層６１Ｃを除去した後に、図８（ｃ）に示すように、メッキベース層６０Ｂを除去する。これにより、接続部３２を介して第１の導体膜３０Ａと導通接続された第２の導体膜３０Ｂを形成することができる。むろん、この第２の導体膜３０Ｂと第１の導体膜３０Ａとの中心線Ｃは一致しており、かつ第２の導体膜３０Ｂの内径は、第１の導体膜３０Ａの内径よりも小さくされている。また、第２の導体膜３０Ｂは、コイル半径方向において第１の導体膜３０Ａとは位置ずれしている。
【００５２】
その後は、図９（ａ）に示すように第２の導体膜３０Ｂを覆うように、第１の透明絶縁膜４ａ上に、それと同材質の第２の透明絶縁膜４ｂを重ねて形成する。この第２の透明絶縁膜４ｂについては、その後図９（ｂ）に示すように、その表面を研磨するなどして平坦化する。
【００５３】
以上の工程によれば、上述した光磁気ヘッドＨのコイル３およびこのコイル３を覆う透明絶縁膜４を適切に製造することができる。上記方法においては、図６（ｂ），（ｃ）に示したように、第１の導体膜３０Ａを覆う第１の透明絶縁膜４ａを平坦化させた後に第２の導体膜３０Ｂを形成するための作業を開始しているために、最終的に製造される第２の導体膜３０Ｂは、第１の透明絶縁膜４ａの表面に沿った適正なものにすることができる。すなわち、第１の透明絶縁膜４ａの表面が凹凸状のままその上に第２の導体膜３０Ｂを形成したのでは、第１の透明絶縁膜４ａの表面に導体膜を均一に形成することが困難となり、第２の導体膜３０Ｂに断線箇所などが発生し易くなり、歩留りが悪くなる。ところが、上記した工程によれば、そのような虞れを無くし、または少なくすることができる。
【００５４】
図１０〜図１３は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第２実施形態を示している。
【００５５】
本実施形態の製造方法においては、まず図１０（ａ）に示すように、透明基板５Ａの表面に所定のパターン形状を有するレジスト層６１Ｄを形成する。このレジスト層６１Ｄの形成されていない部分６３の形状は、後述する第１の導体膜３０Ａと同様なパターン形状である。次いで、図１０（ｂ）に示すように、たとえばミリングによって透明基板５Ａの表面をエッチングし、透明基板５Ａの表面に凹部６４を形成する。この凹部６４の深さは、後に形成されるコイルの第１の導体膜３０Ａの厚みと同一寸法とする。具体的には、たとえば３μｍ程度とする。その後は、図１０（ｃ）に示すように、レジスト層６１Ｄを除去した後に、図１０（ｄ）に示すように、透明基板５Ａの表面にたとえば銅をべた状態にメッキし、導体膜６２Ｃ形成する。この導体膜６２Ｃは、凹部６４の内部にも形成する。導体膜６２Ｃのうち、凹部６４内に埋まった部分が、第１の導体膜３０Ａに相当する。導体膜６２Ｃの形成後には、図１１（ａ）に示すように、導体膜６２Ｃを研磨するなどして、凹部６４の外部に形成されている部分を除去する。これにより、透明基板５Ａには、第１の導体膜３０Ａが適切に残存形成される。
【００５６】
第１の導体膜３０Ａを形成した後には、基本的には、図６（ｂ）〜図８（ｃ）を参照して先に述べたのと略同様な工程により、第１の透明絶縁膜４ａ、第２の導体膜３０Ｂ、および第２の透明絶縁膜４ｂを順次形成する。すなわち、まず図１１（ｂ）に示すように、第１の導体膜３０Ａを覆う第１の透明絶縁膜４ａを透明基板５Ａ上に形成した後に、図１１（ｃ）に示すように、凹部６３ｂを有するレジスト層６１Ｅを形成する。その後は、図１１（ｄ）に示すように、第１の透明絶縁膜４ａのうち、凹部６３ｂに対応する部分をエッチングしてから、図１２（ａ）に示すように、レジスト層６１Ｅを除去する。次いで、図１２（ｂ）に示すように、第１の透明絶縁膜４ａの表面にメッキベース層６０Ｃをべた状に形成する。この際、第１の導体膜３０Ａの一部にもメッキベース層６０Ｃが形成される。その後は、図１２（ｃ），（ｄ）に示すように、レジスト層６１Ｆを形成してから、第２の導体膜３０Ｂの基礎となる導体膜６２Ｄをメッキベース層６０Ｃ上に成長させる。その際、導体膜６２Ｄの一部と第１の導体膜３０Ａとを接続する接続部３２が形成される。その後は、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、レジスト層６１Ｆの除去、およびメッキベース層６０Ｃの除去を行うことにより、第２の導体膜３０Ｂを形成する。この第２の導体膜３０Ｂの形成後は、図１３（ｃ），（ｄ）に示すように、第２の導体膜３０Ｂを覆う第２の透明絶縁膜４ｂを形成して、その表面を研磨するなどして平坦化する。
【００５７】
このような一連の工程によっても、光磁気ヘッドＨのコイル３と同等な構成および機能を備えたコイルを適切に製造することが可能である。本実施形態の方法によれば、第１の導体膜３０Ａが、透明基板５Ａの凹部６４に埋設された構造となるために、透明絶縁膜４の厚み（第１および第２の透明絶縁膜４ａ，４ｂのトータルの厚み）を薄くすることができる。透明基板５Ａとして、厚みの小さい部材を用いた場合において透明絶縁膜４の厚みを大きくすると、透明基板５Ａに反り変形を生じる場合があるが、本実施形態の方法によれば、透明絶縁膜４の厚みを薄くすることができ、透明基板５Ａの反り変形を防止することができる。
【００５８】
図１４〜図１７は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第３の実施形態を示している。
【００５９】
本実施形態においては、まず図１４（ａ）に示すように、透明基板５Ａの表面に形成された凹部６４に埋められた第１の導体膜３０Ａを形成する。この第１の導体膜３０Ａの形成工程は、図１０（ａ）〜図１１（ａ）を参照して述べたのと同様な工程である。次いで、図１４（ｂ）に示すように、第１の透明絶縁膜４ａと第３の透明絶縁膜４ｃとを透明基板５Ａ上に重ねて形成する。これら第１および第３の透明絶縁膜４ａ，４ｃは、材質が相違しており、たとえば前者としては酸化珪素を適用する。後者としては窒化珪素を適用する。図面では、第１および第３の透明絶縁膜４ａ，４ｃの厚みが略同一とされているが、第１の透明絶縁膜４ａの厚み（たとえば１μｍ程度）よりも第３の透明絶縁膜４ｃの方が薄い厚み（たとえば数百ｎｍ程度）である。
【００６０】
その後は、図１４（ｃ）に示すように、第３の透明絶縁膜４ｃ上に穴部６３ｃを有するレジスト層６１Ｇを形成した後に、図１５（ａ）に示すように、第３の透明絶縁膜４ｃのうち、穴部６３ｃに対応する箇所にエッチング処理を施して、穴部４９を形成する。次いで、図１５（ｂ），（ｃ）に示すように、レジスト層６１Ｇを除去した後に、第４の透明絶縁膜４ｄを第３の透明絶縁膜４ｃ上に形成する。その際、穴部４９は第４の透明絶縁膜４ｄによって塞がれる。第４の透明絶縁膜４ｄは、第１の透明絶縁膜４ａと同一のエッチング処理液でエッチング可能な材質のものであり、具体的には、第１の透明絶縁膜４ａと同一の酸化珪素とすることができる。
【００６１】
第４の透明絶縁膜４ｄの形成後には、この第４の透明絶縁膜４ｄ上に、第２の導体膜３０Ｂおよびこの第２の導体膜３０Ｂを第１の導体膜３０Ａに接続する接続部３２をそれぞれ形成するための作業を行う。具体的には、まず図１６（ａ）に示すように、所定のパターン形状のレジスト層６１Ｈを第４の透明絶縁膜４ｄ上に形成した後に、図１６（ｂ）に示すように、第４の透明絶縁膜４ｄにエッチング処理を施す。第４の透明絶縁膜４ｄのエッチング処理された部分のパターン形状は、第２の導体膜３０Ｂに対応する形状である。第４の透明絶縁膜４ｄにエッチング処理を施すときには、第３の透明絶縁膜４ｃの穴部４９に相当する箇所にもエッチング処理を施す。その際、第１の透明絶縁膜４ａのうち、穴部４９に対応する箇所がエッチングされる。したがって、第１および第３の透明絶縁膜４ａ，４ｃには、第１の導体膜３０Ａの一部を露出させる凹部４９ａを形成することができる。
【００６２】
その後は、図１６（ｃ）に示すように、レジスト層６１Ｈを除去してから、図１７（ａ）に示すように、第４の透明絶縁膜４ｄの表面の全面にベタ状に導体膜６２Ｅを形成する。この導体膜６２Ｅのうち、第４の透明絶縁膜４ｄのエッチングが施された凹部に埋もれている部分が、第２の導体膜３０Ｂに相当する。また、導体膜６２Ｅのうち、凹部４９ａ内に形成された部分が、接続部３２に相当する部分である。したがって、その後図１７（ｂ）に示すように、導体膜６２Ｅのうち、第４の透明絶縁膜４ｄ上に積層している部分を研磨などによって除去すると、第１の導体膜３０Ａに接続部３２を介して導通した第２の導体膜３０Ｂが形成されることとなる。この第２の導体膜３０Ｂの形成後には、図１７（ｃ）に示すように、第２の導体膜３０Ｂを覆う第２の透明絶縁膜４ｂを形成する。
【００６３】
上記した一連の工程によっても、光磁気ヘッドＨのコイル３と同等な構成および機能を備えたコイルを適切に製造することが可能である。本実施形態の方法によれば、図１６（ｂ）示す工程において、第３および第４の透明絶縁膜４ｃ，４ｄを利用することにより、第２の導体膜３０Ｂを形成するための溝部６９と、接続部３２を形成するための穴部４９ａとのエッチング処理を１つの工程で行うことができる。したがって、図５〜図９を参照して説明した第１実施形態の製造方法と比較すると、全体の作業工程数の減少、あるいは作業の容易化を図ることが可能である。もちろん、第１の導体膜３０Ａについては、透明基板５Ａの凹部６４内に埋もれるように形成しているために、４層の透明絶縁膜４ａ〜４ｄからなる透明絶縁膜４のトータルの厚みを薄くして、透明絶縁膜５Ａに反りなどを生じないようにすることもできる。
【００６４】
本願発明の内容は、上述した実施形態に限定されない。本願発明に係る光磁気ヘッドの各部の具体的な構成は種々に設計変更自在である。また、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の各作業工程も、種々に変更自在である。
【００６５】
本願発明に係る光磁気ヘッドの他の実施形態の具体例を、図１８〜図２０に示す。なお、これらの図においては、先の実施形態と同一または類似の要素には、先の実施形態と同一符号を付している。
【００６６】
図１８に示す構成においては、コイル３が４層の導体膜３０ａ〜３０ｄを備えた構成とされている。互いに隣り合って積層された導体膜３０ａ，３０ｂのそれぞれの中心部寄りの一部分どうしは接続部３２ａを介して接続されている。同様に、導体膜３０ｂ，３０ｃのそれぞれの外周縁寄りの一部分どうし、および導体膜３０ｃ，３０ｄの中心部寄りの一部分どうしは、接続部３２ｂ，３２ｃのそれぞれを介して互いに接続されている。最上層および最下層の導体膜３０ａ，３０ｄの外周縁の一部には、引き出し配線部３５ａ，３５ｂが連設されている。
【００６７】
このような構成によれば、コイル３の導体膜の層数を多くした分だけ、このコイル３によって発生される磁界を強くすることが可能である。また、導体膜の層数を偶数層としているために、２本の引き出し配線部３５ａ，３５ｂについては、導体膜３ｂ，３ｃとの不当な接触を生じないように外部まで引き出すことができる。コイル３の導体膜を６層にすることも可能であるが、このように導体膜を多層にすると、コイル全体の厚みが大きくなって、コイルの一部が光磁気記憶媒体から遠ざかることにより、光磁気記憶媒体に磁界を作用させる際の効率が低下する。したがって、コイル３の導体膜の層数については、２層または４層にすることが好ましい。
【００６８】
図１９に示す構成においては、透明板５に、コイル３の２つの導体膜３０Ａ，３０Ｂのそれぞれに導通する一対のスルーホール５９を設けている。このような構成によれば、透明板５の表面の各スルーホール５９に導通するパッド部５９ａに配線部材（図示略）を接続することにより、コイル３への外部からの電力供給が適切に行えることとなる。このように、本願発明においては、コイル３への通電を行わせるための手段として、スルーホールを用いてもかまわない。
【００６９】
図２０に示す構成においては、対物レンズ２のレンズ面２９上に、コイル３を形成し、かつこのコイル３を透明絶縁膜４によって覆った構成としている。このように、本願発明においては、対物レンズとは別体の透明板にコイルを形成する構成に代えて、対物レンズにコイルを直接設けた構成とすることもできる。このような構成によれば、透明板５を不要にすることができるために、光磁気ヘッドの全体の部品点数の削減による製造コストの低減化や軽量化が可能となる。
【００７０】
その他、本願発明においては、スライダは必ずしも浮上型のものでなくてもかまわない。また、本願発明でいう光磁気記憶媒体の概念には、光磁気ディスクに加えて、矩形状のいわゆるカード型のものも含まれる。
【００７１】
【発明の効果】
以上の説明から理解されるように、本願発明に係る光磁気ヘッドによれば、磁界発生用のコイルの内径を小さくすることができ、光磁気記憶媒体のレーザスポットを形成する箇所に効率良く磁界を作用させることができる。また、光磁気ヘッドの製造コストを従来のものよりも低減化することもできる。本願発明に係る製造方法によれば、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルを適切に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る光磁気ヘッドを備えた光磁気記録・再生装置の一例を示す説明図である。
【図２】本願発明に係る光磁気ヘッドの一実施形態を示す要部断面図である。
【図３】図２に示す光磁気ヘッドの要部拡大断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、図２および図３に示す光磁気ヘッドのコイルのパターン形状を示す説明図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第１実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第１実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第１実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第１実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第１実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第２実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第２実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第２実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第２実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第３実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第３実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第３実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、本願発明に係る光磁気ヘッドのコイルの製造方法の第３実施形態の一部の工程を示す断面図である。
【図１８】本願発明に係る光磁気ヘッドの他の実施形態を示す要部断面図である。
【図１９】本願発明に係る光磁気ヘッドの他の実施形態を示す要部断面図である。
【図２０】本願発明に係る光磁気ヘッドの他の実施形態を示す要部断面図である。
【図２１】従来技術の一例を示す説明図である。
【図２２】（ａ），（ｂ）は、従来技術の作用を示す説明図である。
【図２３】従来技術の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
Ｄ  光磁気ディスク（光磁気記憶媒体）
１  スライダ
２  対物レンズ
２Ａ  第１の対物レンズ
２Ｂ  第２の対物レンズ
３  コイル
４  透明絶縁膜
５  透明板
５Ａ  透明基板
３０Ａ  第１の導体膜
３０Ｂ  第２の導体膜
３２  接続部
３５ａ，３５ｂ  引き出し配線部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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