(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質と、誘電率の実数部が正の正誘電体媒質を含み、両者の平均誘電率が負で、負誘電体媒質と正誘電体媒質が交互に積層された量子井戸構造で、量子井戸構造の膜厚が電子のド・ブロイ波長程度で、前記負誘電体媒質と前記正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする光導波路。
【請求項２】
光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の２種類の負誘電体媒質を含み、異なる誘電率を持つ前記２種類の負誘電体媒質が交互に積層された量子井戸構造で、量子井戸構造の膜厚が電子のド・ブロイ波長程度で、前記２種類の負誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする光導波路。
【請求項３】
光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質と、誘電率の実数部が正の正誘電体媒質を含み、両者の平均誘電率が負で、負誘電体媒質と正誘電体媒質が交互に積層された量子細線構造で、量子細線構造の短い方の線幅が電子のド・ブロイ波長程度で、前記負誘電体媒質と前記正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする光導波路。
【請求項４】
光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の２種類の負誘電体媒質を含み、異なる誘電率を持つ前記２種類の負誘電体媒質が交互に積層された量子細線構造で、量子細線構造の短い方の線幅が電子のド・ブロイ波長程度で、前記２種類の負誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする光導波路。
【請求項５】
光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質と、誘電率の実数部が正の正誘電体媒質を含み、両者の平均誘電率が負で、負誘電体媒質と正誘電体媒質が交互に積層された量子ドット構造で、量子ドット構造の最も短い一辺が電子のド・ブロイ波長程度で、前記負誘電体媒質と前記正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする光導波路。
【請求項６】
光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の２種類の負誘電体媒質を含み、異なる誘電率を持つ前記２種類の負誘電体媒質が交互に積層された量子ドット構造で、量子ドット構造の最も短い一辺が電子のド・ブロイ波長程度で、前記２種類の負誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする光導波路。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の光導波路を、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰなどの半導体基板上に構成し、前記光導波路の上部に絶縁体を挟んだうえで上部電極を構成し、前記半導体基板下部に接地電極を構成することを特徴とする光導波路。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の光導波路を、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰなどの半導体基板上に構成し、前記光導波路の上部に絶縁体を挟んだうえで上部電極を構成し、上部電極の上面の一部を除き上部電極及び前記超格子構造の周囲を正誘電体媒質で埋め込み、前記半導体基板下部に接地電極を構成することを特徴とする光導波路。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の光導波路を、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰなどの半導体基板上に構成し、前記光導波路の上部に絶縁体を挟んだうえで上部電極を構成し、上部電極の上面の一部を除き上部電極及び前記超格子構造の周囲を正誘電体媒質で埋め込み、上部電極の脇に有限の間隔をもって接地電極を配置したことを特徴とする光導波路。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９の何れか一項に記載の光導波路の上部電極を、マイクロストリップラインもしくはコプレナーストリップラインもしくはスロットラインで製作し、マイクロストリップライン、コプレナーストリップライン、スロットライン、同軸線路などの高周波線路と結線しかつ終端抵抗で終端し、前記光導波路の接地電極と高周波線路の間に高速変調信号を印加することで、導波する光波を前記高速変調信号で変調することを特徴とする導波型光変調器。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項９の何れか一項に記載の光導波路の上部と前記光導波路が形成されている基板の下部に配線パターンによるコイルもしくは表面実装型のチップインダクタが配置されることを特徴とする光導波路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路および光変調器に関し、高速で非導波／導波のスイッチングのできる光導波路と、超高速応答可能で光導波路と集積可能な極微細導波型の光変調器が実現できるように工夫したものである。本発明の光導波路および光変調器は、光通信用の変調器、復調器、発光素子、受光素子、光波長フィルタ、光スイッチ等に適用することができる。
【０００２】
【従来の技術】
従来の導波路は、広い波長範囲に対して比較的均一な分散特性と吸収特性をもっており、これらの均一性の向上に向けて努力されている。
【０００３】
また従来の光変調器としては、電界吸収を用いた電界吸収型変調器や、電気光学効果を用いた電気光学効果型変調器などがある。電界吸収型光変調器はその製作過程が発光素子の製作過程に似ていることから、集積化に向けて開発がなされている。電気光学効果型変調器は高速化の検討対象になっている。また両者ともその実質的な変調速度は変調器本体の変調速度よりも、それに付加される電極／配線などの電気部品のもつインピーダンス特性で制限され、電気部品を含めた変調器全体の小型化が課題である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高速変調器の代表である電気光学効果を用いた変調器の応答速度は、内部電荷分布の形成速度で決まるため非常に高速で、理論的にはＴＨｚ以上の変調が可能である。しかしながらその製作過程は発光素子、受光素子などの他の光部品と著しく異なるため集積化が非常に困難である。
【０００５】
一方で、電界吸収を用いた変調器は集積には有利であるが、その応答速度が内部キャリアの寿命で決まるため数１０〜１００ＧＨｚ程度の変調速度に止まっている。
【０００６】
また両者とも変調を重畳する部分が従来型光導波路で形成されるため、その素子寸法は導波する波長以上になってしまい、素子の小型化ができず、電極／配線などの電気部品のもつインピーダンスをある程度以下にすることができない。
そこで、超高速で集積可能な小型変調器の開発が望まれている。
【０００７】
本発明は、上記従来技術に鑑み、光導波路の提供を第一の目的とし、それを用いることで電気光学効果を用いた変調器よりも高速で、電界吸収を用いた変調器と同じように集積可能で、その寸法が導波する波長以下の小型の光変調器を提供することを第二の目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の光導波路の構成は、光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質と、誘電率の実数部が正の正誘電体媒質を含み、両者の平均誘電率が負で、負誘電体媒質と正誘電体媒質が交互に積層された量子井戸構造で、量子井戸構造の膜厚が電子のド・ブロイ波長程度で、前記負誘電体媒質と前記正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする。
【０００９】
また本発明の光導波路の構成は、光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の２種類の負誘電体媒質を含み、異なる誘電率を持つ前記２種類の負誘電体媒質が交互に積層された量子井戸構造で、量子井戸構造の膜厚が電子のド・ブロイ波長程度で、前記２種類の負誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする。
【００１０】
また本発明の光導波路の構成は、光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質と、誘電率の実数部が正の正誘電体媒質を含み、両者の平均誘電率が負で、負誘電体媒質と正誘電体媒質が交互に積層された量子細線構造で、量子細線構造の短い方の線幅が電子のド・ブロイ波長程度で、前記負誘電体媒質と前記正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする。
【００１１】
また本発明の光導波路の構成は、光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の２種類の負誘電体媒質を含み、異なる誘電率を持つ前記２種類の負誘電体媒質が交互に積層された量子細線構造で、量子細線構造の短い方の線幅が電子のド・ブロイ波長程度で、前記２種類の負誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする。
【００１２】
また本発明の光導波路の構成は、光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質と、誘電率の実数部が正の正誘電体媒質を含み、両者の平均誘電率が負で、負誘電体媒質と正誘電体媒質が交互に積層された量子ドット構造で、量子ドット構造の最も短い一辺が電子のド・ブロイ波長程度で、前記負誘電体媒質と前記正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする。
【００１３】
また本発明の光導波路の構成は、光導波部分が、超格子構造と正誘電体媒質の層で構成されており、
前記超格子構造は、誘電率の実数部が負の２種類の負誘電体媒質を含み、異なる誘電率を持つ前記２種類の負誘電体媒質が交互に積層された量子ドット構造で、量子ドット構造の最も短い一辺が電子のド・ブロイ波長程度で、前記２種類の負誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっていることを特徴とする。
【００１４】
また本発明の光導波路の構成は、前記光導波路を、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰなどの半導体基板上に構成し、前記光導波路の上部に絶縁体を挟んだうえで上部電極を構成し、前記半導体基板下部に接地電極を構成することを特徴とする。
【００１５】
また本発明の光導波路の構成は、前記光導波路を、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰなどの半導体基板上に構成し、前記光導波路の上部に絶縁体を挟んだうえで上部電極を構成し、上部電極の上面の一部を除き上部電極及び前記超格子構造の周囲を正誘電体媒質で埋め込み、前記半導体基板下部に接地電極を構成することを特徴とする。
【００１６】
また本発明の光導波路の構成は、前記光導波路を、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰなどの半導体基板上に構成し、前記光導波路の上部に絶縁体を挟んだうえで上部電極を構成し、上部電極の上面の一部を除き上部電極及び前記超格子構造の周囲を正誘電体媒質で埋め込み、上部電極の脇に有限の間隔をもって接地電極を配置したことを特徴とする。
【００１７】
また本発明の導波型光変調器の構成は、前記光導波路の上部電極を、マイクロストリップラインもしくはコプレナーストリップラインもしくはスロットラインで製作し、マイクロストリップライン、コプレナーストリップライン、スロットライン、同軸線路などの高周波線路と結線しかつ終端抵抗で終端し、前記光導波路の接地電極と高周波線路の間に高速変調信号を印加することで、導波する光波を前記高速変調信号で変調することを特徴とする。
【００１８】
また本発明の光導波路の構成は、前記光導波路の上部と前記光導波路が形成されている基板の下部に配線パターンによるコイルもしくは表面実装型のチップインダクタが配置されることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明の実施の形態にかかる光導波路１であり、半導体基板２上に、正誘電体媒質３と負誘電体構造４とでなる光導波部分が形成されている。一般に、正誘電体媒質と負誘電体媒質の界面に光を導波させる際、負誘電体内では電子（表面プラズモン）がキャリアとなる。このとき、負誘電体構造４を導波方向と垂直な方向に、電子のド・ブロイ波長程度の寸法で負誘電体媒質４ａと正誘電体媒質４ｂの薄膜あるいは細線あるいは量子ドット層が積層された超格子構造で形成すると、超格子構造（負誘電体構造４）とそれと接する正誘電体媒質３の界面を光波が導波する（図２参照）。
【００２０】
更に、超格子構造４に電圧を印加することにより、超格子内の電子運動を制御し、前記光波を導波／非導波スイッチングすることができる。また超格子構造４に変調電圧を印加することにより、変調光信号を導波することができる。変調は超格子内のポテンシャル変化に起因しているので、その動作速度は非常に高速である。また表面プラズモンを用いた光導波路との集積が可能で、その場合の素子寸法は導波する光波長以下にすることができるので極微細である。
【００２１】
このように本実施の形態では、表面プラズモンによるキャリア電子の運動をポテンシャル変化で制御することで変調を行う。次に変調の詳細を図２を参照して説明する。
【００２２】
図２は、本発明の光導波路内での光波と電子の挙動についての説明である。正誘電体媒質４ｂと負誘電体媒質４ａの界面に光波αが入射すると、図２（ａ）のように、負誘電体媒質４ａにプラズモンβを励起し、キャリア電子（＝プラズモンβ）が発生する。キャリア電子βは光波αと相互作用を繰り返しながら導波するが、負誘電体媒質４ａに２重バリア構造があると無電界状態では図２（ｂ）のようにキャリア電子は局在するため、電子の動きが制限され導波にあずかれないため光波も導波しない。そこで負誘電体媒質４ａに電界を印加すると、図２（ｃ）のように電子のフェルミレベルと量子井戸内の準位が一致したところで共鳴トンネル現象が起こり、キャリア電子が自由電子と同じ動きをとることができ、結果として光波の導波につながる。さらに印加電圧を大きくすると共鳴トンネルから外れ、非導波になる。
【００２３】
負誘電体構造４を超格子構造にすると、共鳴準位がサブバンド構造をなし、表面プラズモンによるキャリア電子が共鳴トンネルを起しやすくなる。弱電界下では電子の動きが束縛されないので、導波にあずかることができるが、強電界下では電子が局在し導波にあずかることができない。
【００２４】
上記非導波／導波スイッチングの原理的な最高応答速度は、ポテンシャル変化速度で制限されるので超高速（ＴＨｚ以上）変調が可能である。
【００２５】
寸法は導波する光波の波長によらず、キャリア電子の振幅程度の寸法（数１００ｎｍ以下）で決まるので、素子の小型化が可能である。素子の小型化に伴い、素子周囲に配置される電極、ワイヤなどの寸法も従来よりも格段に小さくすることができる。よって原理的に高速であるだけでなく、実質的な遮断周波数を向上させ、インバンドリップルを低減させることが可能である。
【００２６】
【実施例】
以下に具体的な実施例を挙げて、光導波路および光変調器について説明する。
【００２７】
＜実施例１＞
図３（ａ）〜（ｃ）は、光導波路および光変調器の負誘電体媒質を構成する超格子構造４を示す。この図において、黒の部分は誘電率の実数部が負の負誘電体媒質４ａであり、白の部分は誘電率の実数部が正の正誘電体媒質４ｂである。
【００２８】
超格子構造４は、図３（ａ）のように１次元の構造、即ち、負誘電体媒質４ａと正誘電体媒質４ｂが交互に積層された量子井戸構造にすることができる。量子井戸構造の場合には、膜厚が電子のド・ブロイ波長程度であり、負誘電体媒質４ａと正誘電体媒質４ｂの電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっている。
【００２９】
また超格子構造４は、図３（ｂ）のように２次元の構造、即ち、負誘電体媒質４ａと正誘電体媒質４ｂが交互に積層された量子細線構造にすることができる。量子細線構造の場合には、量子細線構造の短い方の線幅が電子のド・ブロイ波長程度であり、負誘電体媒質４ａと正誘電体媒質４ｂの電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっている。
【００３０】
また超格子構造４は、図３（ｃ）のように３次元の構造、即ち、負誘電体媒質４ａと正誘電体媒質４ｂが交互に積層された量子ドット構造にすることができる。量子ドット構造の場合には、量子ドット構造の最も短い一辺が電子のド・ブロイ波長程度であり、負誘電体媒質４ａと正誘電体媒質４ｂの電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっている。
【００３１】
なお、超格子構造４を、誘電率の異なる２種類の負誘電体媒質が交互に積層された量子井戸構造もしくは量子細線構造もしくは量子ドット構造にしてもよく、この場合、各々の負誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造とする。
【００３２】
＜実施例２＞
図４（ａ）〜（ｄ）は、図３に示すような超格子構造４とその周囲の正誘電体媒質３とで得られる光導波路１の各例を示す。超格子構造方向と導波型光変調器の素子方向は、平行でもよいし、垂直でもよい。超格子構造４とその周囲の正誘電体媒質３の関係は、図４（ａ）のように正誘電体媒質３の上に超格子構造４があってもよいし、図４（ｂ）のように正誘電体媒質３の中に超格子構造４が埋め込まれていてもよい。超格子構造４は、図４（ａ），（ｂ）のように単独でもよく、また、図４（ｃ）のように屈曲していてもよく、図４（ｄ）のように交差していてもよい。
【００３３】
＜実施例３＞
図５は超格子構造４の第一の具体例である。超格子は金属１１と、金属１１とは誘電率が異なる金属１１ａで構成され、平均誘電率は負である。金属１１はＡｕなどであり、金属１１ａはＣｒなどである。
【００３４】
＜実施例４＞
図６は超格子構造４の第二の具体例である。超格子は金属１１と絶縁体１２で構成され、平均誘電率は負である。金属１はＡｕなどであり、絶縁体２はＳｉＯ2 などである。
【００３５】
＜実施例５＞
図７は超格子構造４の第三の具体例である。超格子は金属１１と半導体１３で構成され、平均誘電率は負である。金属１１はＡｕなどであり、半導体１３はＳｉなどである。
【００３６】
＜実施例６＞
図８は超格子構造４の第四の具体例である。超格子は金属１１と、金属１１とは誘電率が異なる金属１１ａと、絶縁体１２とで構成され、平均誘電率は負である。金属１１はＡｕなどであり、金属１１ａはＣｒなどであり、絶縁体１２はＳｉＯ2 などである。
【００３７】
図５〜図８に示す実施例において、金属１１、金属１１ａの材料は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｍｇなどの非磁性金属でもよく、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏなどの強磁性金属でもよい。絶縁体１２の材料はＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 などの誘電体である。半導体１３の材料はＳｉ，Ｇｅ，Ｃなどの半導体のほかＧａＡｓ，ＩｎＰなどの化合物半導体でもよい。
【００３８】
＜実施例７＞
図９は光変調器の第一の例である。この光変調器２１は、図１に示す光導波路１を利用したリッジ型電極構造となっており、超格子構造４の上に絶縁体５があり、その上に電極６がある。また半導体基板２の下に接地電極７がある。
【００３９】
＜実施例８＞
図１０は光変調器の第二の例である。この光変調器２２は、図１に示す光導波路１を利用したマイクロストリップ型電極構造となっている。超格子構造４の上に絶縁体５があり、その上に電極６がある。また半導体基板２の下に接地電極７がある。更に、電極６の上面の一部を除き、電極６および超格子構造４の周囲は、正誘電体媒質３で埋め込まれている。電極６の上部にはコンタクト電極があるマイクロストリップ構造である。
【００４０】
＜実施例９＞
図１１は光変調器の第三の例である。この光変調器２３は、図１に示す光導波路１を利用したコプレナーストリップ型電極構造となっている。超格子構造４の上に絶縁体５があり、その上に電極６がある。更に、電極６の上面の一部を除き、電極６および超格子構造４の周囲は、正誘電体媒質３で埋め込まれている。電極６の上部にはコンタクト電極がある。接地電極７は半導体基板２の下でなく、電極６の左右両脇に有限の間隔をもって配置されるコプレナーストリップ構造である。
【００４１】
図１０，図１１に示す変調器２２，２３の埋め込み絶縁体（正誘電体媒質３）の材料はＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 などの無機誘電体のほか、ポリイミド，エポキシ樹脂，アクリル樹脂などの有機物でもよい。電極６および接地電極７の材料はＡｕなどである。
【００４２】
＜実施例１０＞
図１２は、光変調器２２をワイヤ実装した実装例である導波型光変調器を示す。接地電極は接地され、高周波電気信号はマイクロストリップライン３１から供給され、ワイヤ３２を介して変調器電極に送られ、ワイヤ３３を介してマッチング抵抗３４で終端される。高周波線路であるマイクロストリップライン３１と光変調器２１の接地抵抗との間に、高速変調信号を印加することで、導波する光波を高速変調信号で変調することができる。
【００４３】
＜実施例１１＞
図１３は、光変調器２２をマイクロストリップ実装した実装例である導波型光変調器を示す。接地電極は接地され、高周波電気信号はマイクロストリップライン３５から供給され、変調器上部をマイクロストリップ構造で伝送した後、マッチング抵抗３６で終端される。高周波線路であるマイクロストリップライン３５と光変調器２１の接地抵抗との間に、高速変調信号を印加することで、導波する光波を高速変調信号で変調することができる。
【００４４】
＜実施例１２＞
図１４は、光変調器２３をコプレナーストリップ実装した実装例である導波型光変調器を示す。接地電極は接地され、高周波電気信号はコプレナーストリップライン３７から供給され、変調器上部をコプレナーストリップ構造で伝送した後、マッチング抵抗３８で終端される。
【００４５】
＜実施例１３＞
図１５は、光変調器２２にコイル実装した実装例である導波型光変調器を示す。光変調器２１の上部と下部にパターニングされたコイル３９に直流電流を流すことで、光変調器２１に磁界を印加する。パターニングされたコイル３９が表面実装型のチップインダクタであってもよい。この実施例では、コイル３９やチップインダクタに変調信号を印加することで、導波する光波を変調信号で変調することができる。
【００４６】
なお、光変調器２１〜２３の上部電極としては、ワイヤもしくはマイクロストリップラインもしくはコプレナーストリップラインもしくはスロットラインで製作することができる。また高周波信号を印加するための高周波線路としては、マイクロストリップライン、コプレナーストリップライン、スロットライン、同軸線路などを採用することができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、高速で非導通／導通のスイッチングができる光導波路が実現できると共に、超高速応答可能で光導波路と集積可能な極微細導波型の光変調器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる光導波路を示す構成図。
【図２】本発明の光導波路内での光波と電子の挙動を示す説明図。
【図３】本発明の超格子構造を示す構成図。
【図４】本発明の光導波路を示す構成図。
【図５】超格子構造の第一の具体例を示す構成図。
【図６】超格子構造の第二の具体例を示す構成図。
【図７】超格子構造の第三の具体例を示す構成図。
【図８】超格子構造の第四の具体例を示す構成図。
【図９】光変調器の第一の例を示す構成図。
【図１０】光変調器の第二の例を示す構成図。
【図１１】光変調器の第三の例を示す構成図。
【図１２】導波路型光変調器の第一の例を示す構成図。
【図１３】導波路型光変調器の第二の例を示す構成図。
【図１４】導波路型光変調器の第三の例を示す構成図。
【図１５】導波路型光変調器の第四の例を示す構成図。
【符号の説明】
１  光導波路
２  半導体基板
３  正誘電体媒質
４  負誘電体構造（超格子構造）
４ａ  負誘電体媒質
４ｂ  正誘電体媒質
５  絶縁体
６  電極（上部電極）
７  接地電極
１１，１１ａ  金属
１２  絶縁体
１３  半導体
２１，２２，２３  光変調器
３１，３５  マイクロストリップライン
３２，３３  ワイヤ
３４，３６，３８  マッチング抵抗
３７  コプレナーストリップライン
３９  コイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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