(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記上面に前記載置部を囲繞するように取着されるとともに側部に切欠部または貫通孔から成る入出力端子の取付部が形成された金属枠体と、前記取付部に嵌着接合されて前記半導体素子と外部電気回路とを電気的に接続する入出力端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記取付部は前記金属枠体の側部に前記上面に接しないように設けられているとともに、前記金属枠体の内面および／または外面の前記取付部の下端の隅部から前記上面に向けて溝が形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記金属枠体の厚さをＴとした場合、前記溝部の前記金属枠体の厚さｔは０．３ｍｍ〜Ｔ−０．３ｍｍであり、かつ前記溝の幅Ｗは０．１〜０．６ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信やマイクロ波通信、ミリ波通信等の分野に用いられる高い周波数で作動する各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光通信やマイクロ波通信、ミリ波通信等の高い周波数で作動する各種半導体素子を気密封止して収容する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージという）として、例えば光通信分野に用いられる光半導体パッケージを図５に示す。
【０００３】
同図に示すように、光半導体パッケージは、一般に鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属材料から成り、上面の略中央部に半導体レーザ（ＬＤ）やフォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子等の半導体素子１１９が載置される載置部１０５を有し、外部の実装基板（図示せず）にネジ止めされるネジ止め孔１１２を設けた、略長方形の板状である基体１０１を有する。
【０００４】
また、この載置部１０５を囲繞するようにして基体１０１の上面に銀ロウ等のロウ材を介して接合されるとともに、基体１０１の長辺側の両側部には半導体素子１１９と外部電気回路（図示せず）とを電気的に接続する高周波信号入出力用の入出力端子１０３を嵌着接合するための貫通孔または切欠部から成る取付部１０６を有し、かつ基体１０１の短辺側の一側部に光ファイバ１１０の固定用の筒状の固定部材１０９が嵌着接合される貫通孔１１３が形成された、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成る金属枠体１０２を有する。
【０００５】
更に、取付部１０６に取着された入出力端子１０３と、金属枠体１０２の上面に取着された、半導体素子１１９を気密に封止する蓋体１２０を具備する。
【０００６】
入出力端子１０３は、図６に示すように上面の１辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体１１４を有する誘電体から成る平板部１１５と、平板部１１５の上面に線路導体１１４を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部１１６とから構成されている。
【０００７】
また、入出力端子１０３の線路導体１１４に略平行な側面の一部には、線路導体１１４を擬似同軸状に囲み接地導体として機能するとともに、取付部１０６の内周面に銀ロウ等のロウ材を介して接合させる接合媒体として機能するメタライズ層１２１が形成されている。
【０００８】
この線路導体１１４の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成り、銀ロウ等のロウ材で接合されるとともに、入出力端子１０３と外部電気回路との電気的接続を行う機能を有するリード端子１１８が設けられる。
【０００９】
また、金属枠体１０２の光伝送路である貫通孔１１３の外側周辺部には、金属枠体１０２の熱膨張係数に近似するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成る光ファイバ１１０固定用の筒状の固定部材１０９が銀ロウ等のロウ材で接合される。
【００１０】
また、シールリング１２２は、金属枠体１０２の上面および入出力端子１０３の上面に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、入出力端子１０３を挟持するとともに上面に蓋体１２０をシーム溶接等により接合するための媒体として機能する。
【００１１】
このような半導体パッケージは、基体１０１の載置部１０５に半導体素子１１９を錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）半田等の低融点ロウ材で載置固定させるとともに、半導体素子１１９の電極をボンディングワイヤ（図示せず）を介して入出力端子１０３の線路導体１１４に電気的に接続し、更に光ファイバ１１０と半導体素子１１９との光軸を調整する。
【００１２】
その後、固定部材１０９の外側端面に光ファイバ１１０を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ１１１を金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）等の低融点ロウ材で接合するとともに、金属枠体１０２の上面に蓋体１２０をシーム溶接等により接合して基体１０１と金属枠体１０２と蓋体１２０とから成る容器内部に半導体素子１１９を気密に収容することにより、製品としての光半導体装置となる。
【００１３】
このような光半導体装置は、実装基板上にネジ止めされた後、半導体素子１１９を外部電気回路から供給される駆動用の高周波信号によって光励起させ、励起したレーザ光等の光を光ファイバ１１０に授受させ光ファイバ１１０内を伝送させることにより、大容量の情報を高速に伝送できる光電変換装置として機能し、光通信分野等に多用されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の半導体パッケージにおいては、半導体パッケージの小型化と入出力端子１０３の長尺化が進む中、金属枠体１０２の取付部１０６における入出力端子１０３の側面と金属枠体１０２内面との間隙が狭くなる傾向にある。
【００１５】
そのため、図６に示すように入出力端子１０３のメタライズ層１２１を取付部１０６の内周面にロウ材を介して接合した際に、少しでもロウ材が多いと各々の接合にとって過剰なロウ材が、入出力端子１０３の側面と金属枠体１０２の内面との隙間に溜まり、所謂ロウ材溜まり１２３が形成されていた。
【００１６】
そして、熱膨張係数が入出力端子１０３および金属枠体１０２と異なるロウ材溜まり１２３を起点として、入出力端子１０３や金属枠体１０２、ひいては基体１０１に応力が加わることになり、その結果、この応力によって金属枠体１０２より弾性の低い入出力端子１０３にクラックが発生する場合があった。従って、高周波信号の伝送特性や半導体パッケージ内部の気密性が損なわれ、半導体素子１１９を正常に作動させることができないという問題点を有していた。
【００１７】
一方、上記問題点を解決する手段として、入出力端子１０３の平板部１１５や立壁部１１６の厚さを厚くすることにより強度を大きくすることも考えられるが、この場合、誘電体の表面積や体積が大きくなることによる浮遊容量の発生により、高周波信号の伝送特性が損なわれる。
【００１８】
更に、入出力端子１０３にクラックが発生しないまでも、基体１０１まで加わった応力により基体１０１が反り変形することになり、このような半導体パッケージを実装基板にネジ止めした際、基体１０１の反り変形が矯正され、反った状態で光軸が調整されていたため、光ファイバ１１０と半導体素子１１９との光軸がずれて光結合効率が損なわれ、半導体素子１１９の光信号による作動性を良好なものにできないという問題点もあった。
【００１９】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたもので、その目的は、入出力端子の側面と金属枠体の内面との間隙にロウ材溜まりを発生させないようにすることにより、入出力端子のクラックを防止して高周波信号の伝送特性や半導体パッケージ内部の気密性、更には光結合効率を良好なものとし、その結果、半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る半導体パッケージを提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体パッケージは、上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記上面に前記載置部を囲繞するように取着されるとともに側部に切欠部または貫通孔から成る入出力端子の取付部が形成された金属枠体と、前記取付部に嵌着接合されて前記半導体素子と外部電気回路とを電気的に接続する入出力端子とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記取付部は前記金属枠体の側部に前記上面に接しないように設けられているとともに、前記金属枠体の内面および／または外面の前記取付部の下端の隅部から前記上面に向けて溝が形成されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明は、上記の構成により、入出力端子を取付部に銀ロウ等のロウ材で嵌着接合させた際、高周波信号の伝送特性や半導体パッケージ内部の気密性、光結合効率を損なわせるような大きなロウ材溜まりを、入出力端子の側面と金属枠体の内面との間隙に形成することがなくなる。
【００２２】
即ち、金属枠体の内面および／または外面の取付部の下端の隅部から基体の上面に向けて形成された溝は、過剰なロウ材のほとんどをその内部に引き込み溜めて、入出力端子の側面と金属枠体の内面との間に応力によるクラックや変形等の影響を与えるロウ材溜まりを発生させない。
【００２３】
その結果、ロウ材溜まりを起点として入出力端子や金属枠体ひいては基体に不要な応力を加えることが無くなり、高周波信号の伝送特性や光半導体パッケージ内部の気密性、更に光結合効率が良好に保持される。
【００２４】
本発明において、好ましくは、金属枠体の厚さをＴとした場合、溝部の金属枠体の厚さｔは０．３ｍｍ〜Ｔ−０．３ｍｍであり、かつ溝の幅Ｗは０．１〜０．６ｍｍであることを特徴とする。
【００２５】
本発明は、上記構成により、ロウ材溜まりを発生させないことは勿論のこと、金属枠体に設けた溝に過剰なロウ材が引き込まれ易くなり、その結果入出力端子に応力が加わるのを更に抑制し、上記本発明の効果をより有効なものとすることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体パッケージについて光半導体パッケージを一例として図面に基づき以下に詳細に説明する。図１は、本発明の光半導体パッケージの要部を示す分解斜視図、図２は本発明の光半導体パッケージの金属枠体の取付部の溝部を拡大した部分拡大斜視図である。これらの図において、１は基体、２は金属枠体、３は入出力端子、９は光ファイバ１０が取着された金属ホルダ１１を固定する筒状の固定部材であり、これらから光半導体パッケージ４は主に構成されている。
【００２７】
本発明の光半導体パッケージ４において、基体１は、その上面にＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子を載置する載置部５を有するとともに、外部の実装基板にネジ止めするためのネジ止め孔１２が形成されており、光半導体素子を支持する支持部材として機能するとともに光半導体素子の作動時に発する熱を外部に効率良く放散する機能を有する。
【００２８】
一方、基体１と金属枠体２と蓋体（図示せず）とで内部に光半導体素子を収容するための容器が構成される。
【００２９】
また、基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金等の金属材料から成り、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことにより製作される。
【００３０】
尚、基体１は、その外表面に耐食性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのニッケル層と厚さ０．５〜５μｍの金層を順次、メッキ法により被着させておくと、基体１が酸化腐食するのを有効に防止することができ、基体１の上面に光半導体素子を強固に接着固定させることができる。
【００３１】
また、この基体１の上面には、載置部５を囲繞するように金属枠体２が接合されており、長辺の両側部に光半導体素子と外部電気回路とを電気的に接続する入出力端子３を嵌着接合するための切欠部または貫通孔から成る取付部６が形成され、更に短辺の一側部に光半導体素子と光結合するための光伝送路である貫通孔１３が形成されており、この金属枠体２の内側に光半導体素子を収容するための空所が形成される。
【００３２】
この金属枠体２は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成り、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴット（塊）をプレス加工により枠状とすることにより形成され、基体１への取着は基体１上面と金属枠体２の下面とを銀ロウ材を介して銀ロウ付けすることにより行われる。
【００３３】
本発明において、金属枠体２は、図２〜図４に示すように、取付部６は基体１の上面に接しないように（達しないように）設けられており、取付部６の下端と基体１の上面との間には金属枠体２による側壁が存在する。そして、金属枠体２の内面および／または外面の取付部６の下端の隅部７から基体１の上面に向けて溝８が形成されている。この溝８は、入出力端子を取付部６に銀ロウ等のロウ材で嵌着接合させた際、過剰なロウ材が金属枠体２の内部の気密性や高周波信号の伝送特性、光結合効率を損なう程度の大きなロウ材溜まりを入出力端子の側面と金属枠体２の内面との間隙に生じることが無いように機能する。
【００３４】
即ち、溝８は、入出力端子を取付部６に嵌着接合させる際の過剰なロウ材のほとんどを引き込み溜める機能を有するため、図６のようなロウ材溜まりを起点として、金属枠体２や入出力端子、ひいては基体１に不要な応力が加わることは無い。
【００３５】
このような溝８は、金属枠体２の厚さをＴとした場合、溝８部の金属枠体２の厚さｔは０．３ｍｍ〜Ｔ−０．３ｍｍであり、かつ溝８の幅Ｗは０．１〜０．６ｍｍであることがよく、この場合応力によるクラックや変形等の影響を及ぼすロウ材溜まりを発生させないことは勿論、金属枠体２に設けた溝８部でロウ材溜まりを起点とする応力が有効に吸収されて緩和される応力緩衝作用により、入出力端子３に不要な応力が加わるのを更に抑制し、上記本発明の効果をより有効なものとすることができる。
【００３６】
即ち、金属枠体２の厚さは、一般的に０．５〜１．８ｍｍ程度のものが多用されていることから、溝８部の金属枠体２の厚さｔが０．３ｍｍ未満と薄い場合、溝８の深さが深くなって金属枠体２の剛性が損なわれ、外部からの応力に対して溝８部の金属枠体２が変形または破損したり、入出力端子３と金属枠体２との接合時における応力により、溝８部の金属枠体２にクラックが発生し易くなる。一方、その厚さｔがＴ−０．３ｍｍを越えると、溝８の深さが浅くなり過剰なロウ材を溝８に効果的に引き込み溜めることが困難となる。
【００３７】
また、溝８の幅Ｗが０．１ｍｍ未満の場合、幅が狭いことから過剰なロウ材が効果的に流れず、溝８部に溜めることが困難であり、一方、溝８の幅が０．６ｍｍを越えると、金属枠体２と入出力端子３との接合用のロウ材が必要以上に流れ出し、接合部のロウ材が不足して接合部で気密不良を生じるおそれがある。さらに、金属枠体２の剛性が損なわれ、外部からの応力によって金属枠体２に変形や破損が生じたり、また接合時に発生する応力により、溝８部の金属枠体２にクラックを生じる等の問題が起こり易くなる。
【００３８】
なお、溝８は、取付部６の下端の隅部７から基体１に向けて、取付部６の基体１上面からの高さと同程度の長さで形成される。溝８は、基体１の上面に達していても達していなくても良く、入出力端子３と金属枠体２との接合強度を維持するうえでその長さは１０ｍｍ以下が好ましい。
【００３９】
更に、溝８の平面視における断面形状は、図示した凹形状以外にＵ形状やＶ形状等、種々の形状とし得る。また、過剰なロウ材が溝８内に引き込まれ易いように、取付部６の下端の隅部７から遠ざかるにつれ、過剰なロウ材が溝８から漏れるのを防止すべくその深さを徐々に深くなるよう傾斜面としても良い。
【００４０】
そして、溝８の形状について他の実施の形態を図７（ａ）〜（ｃ）に示す。（ａ）は、溝８が基体１の上面に達しないように溝８を形成したものであり、基体１の上面に余計なロウ材が付着することによる、付着部での局所的な応力でクラック等が発生するのを防止し、また溝８が長いことによる金属枠体２の強度低下を防ぐことができる。
【００４１】
（ｂ）は、溝８が基体１の上面に達しないように溝８を形成するとともに、溝８の下方の幅が段状に広くなっている形状である。この場合、溝８内にロウ材が溜まり易くなり、また基体１の上面に余計なロウ材が付着することによる、付着部での局所的な応力でクラック等が発生するのを防止し、さらに溝８が長いことによる金属枠体２の強度低下を防ぐことができる。
【００４２】
（ｃ）は、溝８が基体１の上面に達しないように溝８を形成するとともに、溝８の下方の幅が漸次に広くなっている形状である。この場合、溝８内にロウ材が溜まり易くなり、また基体１の上面に余計なロウ材が付着することによる、付着部での局所的な応力でクラック等が発生するのを防止し、さらに溝８が長いことによる金属枠体２の強度低下を防ぐことができる。
【００４３】
また、入出力端子３と接合される金属枠体２の取付部６の表面から溝８の内面にかけてＮｉ層を被着形成しておくと、ロウ材を溝８に流して引き込み溜めることが容易となる。
【００４４】
なお、金属枠体２の基体１への接合は、基体１の上面と金属枠体２の下面とを、基体１上面に載置したプリフォーム状の銀ロウ等のロウ材を介して接合されるが、金属枠体２の表面には、基体１と同様に０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させておくと良い。
【００４５】
また、金属枠体２の側部に形成された取付部６には入出力端子３が銀ロウ等のロウ材により嵌着接合されており、金属枠体２の一部となって内外を気密に仕切るとともに金属枠体２の内外を導通させる導電路を構成する。
【００４６】
この入出力端子３は、図１に示すように、略四角形の誘電体板から成り、上面に１辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体１４を有する平板部１５と、その上面に線路導体１４を間に挟んで接合された誘電体からなる略直方体の立壁部１６とから構成されている。
【００４７】
この平板部１５は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）等のセラミックス等の誘電体から成り、その下面には全面に線路導体１４と同様の金属層が形成され、線路導体１４と平行となる側面にも同様のメタライズ層１７が形成される。
【００４８】
このような線路導体１４やメタライズ層１７等は、例えば、Ｗ等の金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、平板部１５用のセラミックグリーンシートに周知のスクリーン印刷法等により所定のパターンに印刷塗布しておき、焼成することにより形成される。
【００４９】
また、立壁部１６は、平板部１５と同様の誘電体から成り、その上面全面に線路導体１４と同様のメタライズ層が形成されるとともに、取付部６の内周面に接合される面にもメタライズ層が形成されている。
【００５０】
このようなメタライズ層は、線路導体１４等と同様の方法により金属ペーストを所定パターンに印刷塗布し焼成することにより形成される。
【００５１】
更に、入出力端子３の線路導体１４が金属枠体２の外部に導出される部位には、外部電気回路と入出力端子３との高周波信号の入出力を行なうための、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成るリード端子１８が、銀ロウ等のロウ材で接合される。
【００５２】
また、金属枠体２の短辺側の一側部には貫通孔１３が形成されており、一端面が貫通孔１３の開口を囲むように銀ロウ等のロウ材で接合され、かつ他方の端面には光ファイバ１０を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ１１がＡｕ−Ｓｕ等の低融点ロウ材で接合される固定部材９が設けられる。
【００５３】
この固定部材９は、基体１や金属枠体２と同様の材料を同様の加工法で、円筒状等の所望の筒状に加工されるとともに、その表面に０．５〜９μｍのＮｉ層や０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させておくと良い。
【００５４】
一方、入出力端子３および固定部材９が取着される金属枠体２上面にはシールリング（図示せず）が銀ロウ等のロウ材で接合され、シールリングは金属枠体２上面に同様のロウ材で接合されて入出力端子３を挟持するとともに、その上面に光半導体素子を封止するための蓋体をシーム溶接等により接合するための接合媒体として機能する。
【００５５】
このような光半導体パッケージに、光半導体素子等の半導体素子を載置部５にＳｎ−Ｐｂ半田等の低融点ロウ材で載置固定するとともに、固定部材９に光ファイバ１０を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ１１をＡｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合した後、シールリング上面に蓋体をシーム溶接等により接合することにより、製品としての光半導体装置となる。
【００５６】
かくして、本発明は、金属枠体２と入出力端子３とをロウ材で接合した際に、入出力端子３にクラックが発生することによる高周波信号の伝送効率や金属枠体２の内部の気密性が損なわれることを有効に防止でき、更に、光半導体パッケージ４を実装基板上にネジ止めした際、基体１の反り変形が矯正されて光ファイバ１０と光半導体素子との光結合効率が損なわれることを有効に防止でき、その結果、光半導体素子を長期間にわたり、正常かつ安定に作動させ得る。
【００５７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を行うことは何等支障ない。例えば、図３に示すように、溝８を金属枠体２の外面において取付部６の下端の隅部７に形成してもよく、あるいは図４に示すように、金属枠体２の内外面において溝８を取付部６の隅部７に形成しても良い。特に、金属枠体２の内外面に形成した場合には、自重によって垂れた過剰のロウ材のほとんど全てを溝８の溜めることができ、ロウ材溜まりによる応力の発生を皆無にすることが可能となる。また、金属枠体２の内面および／または外面に、溝８は取付部６の下端の少なくとも一つの隅部７に設ければよいが、勿論内面または外面において取付部６の下端の２つの隅部７に設けてもよい。さらに、金属枠体２の内外面に、最大限取付部６の下端の４つの隅部７に設けることができることは言うまでもない。
【００５８】
【発明の効果】
本発明は、金属枠体に設けた取付部にロウ材で嵌着接合される入出力端子を具備した半導体パッケージにおいて、取付部は金属枠体の側部に上面に接しないように設けられているとともに、金属枠体の内面および／または外面の取付部の下端の隅部から上面に向けて溝が形成されていることから、金属枠体の取付部に入出力端子をロウ材で接合した際、過剰なロウ材を引き込んで溝内に溜めることができ、入出力端子の側面と金属枠体の内面との間にロウ材溜まりを生じるのを有効に防止でき、その結果、金属枠体内部の気密性や高周波信号の伝送特性、更には光結合効率を良好なものとし、半導体素子を長期にわたり、正常かつ安定に作動させ得る。
【００５９】
また本発明は、好ましくは、金属枠体の厚さをＴとした場合、溝部の金属枠体の厚さｔは０．３ｍｍ〜Ｔ−０．３ｍｍであり、かつ溝の幅Ｗは０．１〜０．６ｍｍであることにより、入出力端子の側面と金属枠体の内面との間隙にロウ材溜まりを発生させないことは勿論、金属枠体に設けた溝部でロウ材溜まりを起点とする応力が有効に吸収されて緩和される応力緩衝作用により、入出力端子に応力が加わるのを更に抑制し、上記本発明の効果をより有効なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体パッケージを示す分解斜視図である。
【図２】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の一例を示し、溝部を拡大した部分拡大斜視図である。
【図３】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の他の例を示し、溝部を拡大した部分拡大斜視図である。
【図４】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の他の例を示し、溝部を拡大した部分拡大斜視図である。
【図５】従来の半導体パッケージを示す分解斜視図である。
【図６】従来の半導体パッケージについて入出力端子の側面と金属枠体の内面にロウ材溜まりが形成された様子を示す部分拡大斜視図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の半導体パッケージの溝の各種形状について実施の形態をそれぞれ示す部分側面図である。
【符号の説明】
１：基体
２：金属枠体
３：入出力端子
４：光半導体パッケージ
５：載置部
６：取付部
７：隅部
８：溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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