(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャピラリーの貫通孔を通した金属からなるワイヤの先端部に形成したボールをバンプが形成される被ボンディング側部材の被ボンディング面に接合した後、キャピラリーを上昇させ、上記ワイヤにテンションをかけることにより上記ワイヤの上記ボールとの付け根部分にダメージを与えて引っ張り力により上記ワイヤを上記ボールとの付け根部分にて切断するバンプ形成装置において、
上記被ボンディング側部材と、上記ワイヤとの間に電気を流し、上記ワイヤの金属疲労による抵抗の変化を検知する手段を有する
ことを特徴とするバンプ形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載のバンプ形成装置において、
上記キャピラリーに設けられる上記貫通孔の下端面の開口を略釣鐘状の凹部とした
ことを特徴とするバンプ形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被ボンディング部材の被ボンディング面上に例えば金等からなるバンプを形成するのにキャピラリーを用いるバンプ形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップのアルミニウムパッド上に金バンプを形成する方法として、キャピラリーを用い、該キャピラリーにより金ワイヤの先端部をアルミニウムパッドに押しつけた状態にし、更に、横方向（パッドの表面方向）の超音波振動をキャピラリーに与えることによりワイヤの先端部をアルミニウムパッドに接合し、その後、ワイヤを引っ張って該接合をした部分よりも上のネック部分にて切断することによりバンプを形成するという方法がある。
【０００３】
そして、キャピラリーとして従来用いられたものは、例えば図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すような形状を有していた。図において、ａはキャピラリー、ｂは金等のワイヤを通す貫通孔、ｃは該貫通孔ｂのキャピラリーａ下端面に開口する部分で、キャピラリーａ下端面に寄る程拡径している。図１２は形成されたバンプを示し、ｄはシリコン半導体基板、ｅは層間絶縁膜、ｆはアルミニウムからなるパッド、ｇは金からなるバンプである。従来において、径が約７０μｍ、高さが１５μｍ程度の大きさのバンプを形成することはできた。
【０００４】
また、図１３に示したように、バンプの頂上より長くワイヤが突出し、それが適宜折り曲げられてできるだけ他と接触しないようにされたスタッドバンプがある。
【０００５】
更には、バンプの形成後、ワイヤを引っ張ることによりそのバンプの上で切断すると、図１４（Ａ）に示すようにバンプの頂上からワイヤが針のように延びた形状になるので、図１４（Ｂ）に示すようにバンプを上から押し潰し、平坦化するということが行われる場合もあるが、このワイヤが横に変形した場合、となりのボールとショートする場合がある。
【０００６】
また、バンプの高さを高くすることによりバンプの応力緩和効果を高めるために、バンプの形成後更にその上にバンプを形成し、更にそのバンプの上にバンプを形成するというバンプを２重、或いは３重と複数重形成するスタッドバンプ技術もある。図１５はそのような複数重構造のバンプｇを示す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図１１に示すような従来のキャピラリーを用いた場合、形成されるバンプは径が７０μｍ、高さが１５μｍ程度が大きさの上限であった。しかし、応力緩和効果をより強めるために径が７０μｍ、高さが３０μｍ程度の大きさのバンプを形成する必要のある場合もあり、そのような大きなバンプを形成しようとすると、図１６に示すようにクレータリングが生じ、ボール剥がれが生じ易くなったり、リーク電流が生じ易くなったりするという問題があった。
【０００８】
クレータリングは、バンプを大きくしようとするためには接合時にキャピラリーによりかける荷重を弱め（２０ｇ程度）る必要があり、そのため接合時の荷重を弱めると、超音波が局部（中央部）に集中し、周辺部に上下運動が生じることによって起きるのである。そのため、大きなバンプを形成することにより応力緩和効果を強めることは難しかった。
【０００９】
また、応力緩和効果を強める技術として、図１４（Ａ）に示す針のように延びたワイヤを押し潰して図１４（Ｂ）に示すような形態とするスタッドバンプ技術があるが、バンプの頂上から延びるワイヤ残りの形状のコントロールが難しく、接触事故が生じ易い。また、図１５に示すように、バンプを多重構造にするには、１パッド当たり複数個のボールを形成することが必要なので、バンプを形成する時間が長くなり、生産性が低下するという問題がある。ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置には多ピン化の傾向があるので、この問題は看過することができない。
【００１０】
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、被ボンディング側部材の被ボンディング面上に形成するバンプの応力緩和効果を、生産性の低下を伴うことなく強めることを目的とし、更にはバンプ形成後のワイヤの切断をバンプのすぐ上にて行うことができるようにし、大きなワイヤ残りによりショート不良が起きるおそれを簡単になくすことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明バンプ形成装置は、キャピラリーの貫通孔を通した金属からなるワイヤの先端部に形成したボールをバンプが形成される被ボンディング側部材の被ボンディング面に接合した後、キャピラリーを上昇させ、ワイヤにテンションをかけることによりこのワイヤの上記ボールとの付け根部分にダメージを与えて引っ張り力によりワイヤをボールとの付け根部分にて切断するバンプ形成装置において、被ボンディング側部材と、ワイヤとの間に電気を流し、ワイヤの金属疲労による抵抗の変化を検知する手段を有するものである。
【００１２】
このように構成した本発明バンプ形成装置によれば、キャピラリーを通したワイヤの先端部にボールを形成し、キャピラリーを下降させることによりこのボールを被ボンディング面に押しつけて接合し、このとき被ボンディング側部材と、ワイヤとの間に電気を流し、ワイヤの金属疲労の度合いを検知し、所定の金属疲労に、換言すれば所定の切れ易さになっているか否かを判断することができ、ワイヤの切断に移るべきタイミングを確実に検出することが可能になり、バンプ上に髭状のワイヤ残りがないように切断することができる。
【００１３】
また、本発明は上記記載のバンプ形成装置において、キャピラリーに設けられる上記貫通孔の下端面の開口を略釣鐘状の凹部としたものである。
【００１４】
このように構成した本発明バンプ形成装置によれば、釣鐘状の凹部内を埋めるワイヤ材料もバンプの一部を成すようにできるので、その分バンプを大きくすることができ、バンプによる応力緩和効果を高めることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のバンプ形成装置を実施するための形態の例を、図１〜図１０を参照して説明する。
【００１６】
先ず、本例バンプ形成装置で用いられるキャピラリーを図１（Ａ）乃至（Ｃ）を参照して説明する。
図１（Ａ）乃至（Ｃ）は本例のキャピラリーの各別の実施例１ａ、１ｂ、１ｃの下端部を示す断面図である。図面において、２はワイヤを通す貫通孔（直径例えば約３８μｍ）、３はこの貫通孔２のキャピラリー１下端面に開口する部分に形成された略釣鐘状の凹部で、下端における直径φが例えば約５０μｍ、高さｈが例えば２５〜３０μｍである。凹部３はワイヤの先端にできたボールの少なくとも一部が納まってバンプの大きさ、主として高さが大きくなるようにするためのものである。
【００１７】
尚、貫通孔２の上部と略釣鐘状の凹部３との境界は金属ワイヤが切れないように表面を丸くする場合もある。
【００１８】
４はキャピラリー１ｂの釣鐘状開口３の下端部に設けられた下に行く程拡径（径が大きくなる）する拡径部であり、５はキャピラリー１ｃの略釣鐘状開口３の上端部に設けられた下に行く程拡径する拡径部である。尚、キャピラリー１ａには拡径部４、５は設けられていない。
【００１９】
図１例のキャピラリーはこのように貫通孔の下端部に略釣鐘状の凹部を有しているのであるが、その凹部の形状には図１（Ａ）乃至（Ｃ）に示す以外にも種々のバリエーションが有り得る。
【００２０】
図２（Ａ）乃至（Ｅ）は本例のバンプ形成装置でのキャピラリー、例えば図１（Ａ）乃至（Ｃ）に示したキャピラリーを用いたバンプ形成方法を順に示す断面図である。
【００２１】
（Ａ）先ず、キャピラリー１に金からなるワイヤ６を通し、該ワイヤ６の下側に一時的にトーチ電極７を位置させ、該トーチ電極７とワイヤ６との間に高電圧（１０００〜２０００Ｖ）を加えることにより、図２（Ａ）に示すように、トーチ電極７・ワイヤ６先端間にスパーク８を生ぜしめる。尚、９は半導体基板の層間絶縁膜、１０は該膜９上に形成されたパッドで、例えばアルミニウムからなる。１１はワイヤ６に対するクランプである。
【００２２】
（Ｂ）上述の如くスパーク８を生ぜしめると、図２（Ｂ）に示すようにワイヤ６の下端にボール１２が生じる。上記トーチ電極７は該ボール１２が生じると直ちに後退せしめられる。そして、ワイヤ６を上側に引っ張り、ボール１２が上記釣鐘状の凹部３に引っ掛けた状態にして、ワイヤ６に軽いテンション（例えば０．１〜数ｇ）を加える。そして、その状態のままキャピラリー１を下降させる。図２（Ｂ）はそのキャピラリー１の下降開始直後の状態を示す。
【００２３】
（Ｃ）キャピラリー１を下降させてボール１２をパッド１０に押し付け（尚、後の接合時における荷重よりも適宜大きな値に設定する。）ながら、キャピラリー１に左右方向の超音波振動（６０ｋ〜１２０ｋＨｚ）を加える。図２（Ｃ）はそのときの状態を示している。すると、ワイヤ６先端のボール１２は上部が上記釣鐘状の凹部３に入り、パッド１０と接する下部は平らになる。
【００２４】
（Ｄ）上述の如くワイヤ６のボール１２の上部が凹部３内に納まり、凹部３から食み出た下部のパッド６側の面が平らになると、超音波振動をかけた状態を保ちつつキャピラリー１による押し付けの力を適宜弱める。すると、ボール１２がパッド１０に接合した、いわゆるバンプ２１が形成された状態になる。図２（Ｄ）は接合が済んだときの状態を示す。
（Ｅ）接合が済むと、クランプ１１をクランプ状態にして図２（Ｅ）に示すようにワイヤ６を上に引っ張ることによりバンプ（ボール１２）２１の直上にて切断する。
【００２５】
図３はできたバンプを示す断面図である。出来上がったバンプには２１の符号を付与している。バンプ形状は釣鐘状の凹部３の形状の違いにより微妙に相違する。
【００２６】
このような図１に示すキャピラリー１を用いての図２に示すようなバンプ形成法によれば、用いるキャピラリー１の下端に略釣鐘状の凹部３があり、一方、ワイヤ６の先端にスパーク８によりボール１２を形成し、該ボール１２をキャピラリー１によりパッド１０ヘ押し付けた際そのボール１２が略釣鐘状の凹部３を完全に埋めつくした上で更にキャピラリー１とパッド１０との間にも介在する状態にして、バンプとするので、バンプの大きさを従来よりも略その略釣鐘状の凹部３の大きさ分大きくすることができる。
【００２７】
従って、下部における直径が約７０μｍで、高さｈが２５〜３０μｍというような大きなバンプをつくることができ、バンプの応力緩和効果を強めることができる。
【００２８】
尚、上記図２例のバンプ形成方法において、ボール１２がパッド１０に接合された状態になった後、クランプ１１によりワイヤ６を上に引っ張ってこれを切断する前に、キャピラリー１に超音波振動を加えることにより切断され易くするプロセスを加えるようにしても良い。
【００２９】
具体的には、ボール１２がパッド１０に接合された状態になった後、少しキャピラリ１を上に上げ、その状態でキャピラリー１に超音波振動を加えるのである。すると、その超音波振動によりワイヤ６がボール１２の直上部にて切断され、長い髭状のワイヤ残りが生じるおそれがない。仮に、その超音波振動により切断できなくてもそのボール１２直上部における切断が容易な状態になり、クランプ１１により上方向へのテンションをかけての切断の際に容易かつ確実にボール１２直上部にてワイヤ６を切断することができる。また、キャピラリーを左右に動かすのに比較して短時間でボール直上部で切れ易くすることができる。
【００３０】
このように、超音波振動によりワイヤ６の切断をする、或いは切断をしやすくする意義について説明をすると、次の通りである。
【００３１】
即ち、バンプ形成装置を用いて金（或いはアルミニウム等）からなるバンプを形成する場合において、バンプに髭状のワイヤ残りが長く形成される場合があり得る。というのは、バンプ形成後、ワイヤを真上に引っ張って切断するのが普通であり、ワイヤを成す例えば金のボール（バンプ）直上部は、結晶粒径がバンプ形成時において熱で大きくなり、最も切れやすくはなっている。しかし、単にワイヤを真上に引っ張った場合、結晶粒が延びて高さにバラツキが生じてしまい、髭状にワイヤ残りが生じることになる。この場合は、ワイヤがバンプの頭に髭状に長く残ることになり、その長さのバラツキが大きい。これはバンプの高さのバラツキの原因となり、その結果、接合性のバラツキを招き、場合によっては接合できない場合も生じる。
【００３２】
そこで、この髭状のワイヤ残りを、バンプの頭を叩くことによって潰していた。これによりバンプ高さを一定に保つことができるからである。
【００３３】
しかし、このように、バンプを叩くようにすることは工数増大に繋がるのである。このことに鑑みて、バンプを叩かなくても髭状のワイヤ残りが生じないようにするため、バンプ形成後にキャピラリーを少し上げてそれに超音波振動に加えることによりワイヤを切断するようにする、或いは切断され易い状態にするのである。
【００３４】
キャピラリーに超音波をかけると何故切断され、或いは切断され易くなるかといえば、ワイヤを成す金属、例えば金の結晶粒間が部分的に切れるからである。即ち、キャピラリーに超音波振動を加えると、例えば金の結晶粒間が部分的に切れ、延いては結晶粒界面で切れたり、或いは極めて切れやすい状態になる。謂わば、激しい金属疲労が生じるのである。特に、この超音波振動は振動の固定端であるボール直上部分、換言すれば付け根部分に最も強く応力を生ぜしめ、金属疲労を生ぜしめるので、ワイヤ残りをほとんどなくすことができ得るのである。
【００３５】
尚、ワイヤ６はそのキャピラリー１に加えた超音波振動により切れなくても、バンプ２１直上部において相当に切れやすい状態にはなっているので、その後のクランパ１１による真上へのワイヤ６への引っ張りにより、バンプ２１直上部にて切断することができ、髭状のワイヤ残りをなくすことができる。
【００３６】
その後は、即ち、切断後は、トーチ電極７とワイヤ６との間に高電圧（１０００〜２０００Ｖ）を加えることにより、図２（Ａ）に示すように、トーチ電極７・ワイヤ６先端間にスパーク８を生ぜしめ、ボールを形成することはいうまでもない。
【００３７】
図４（Ａ）乃至（Ｄ）は本例のバンプ形成装置でのキャピラリーを用いた他のバンプ形成方法を順に示す断面図である。
図４例は、ボール１２がパッド１０に接合されバンプ２１が形成された後のワイヤ６の切断がより確実にバンプ２１の付け根部分にて為されるようにするためのものである。
【００３８】
即ち、ワイヤ６の切断は従来ワイヤ６を真上に強い力で引っ張ることにより行われたが、これによれば、ワイヤ６のバンプ２１との付け根部分よりももっと上の部分で切断されることが少なくなかったこと前述の通りである。
【００３９】
つまり、ワイヤ６は引っ張ると弱い部分で切断され、バンプ２１の形成によりワイヤ６のそれとの付け根部分が弱くなっている場合が比較的多いので、その付け根部分で切断される確率が多いが、しかし、バンプ２１を形成してもその付け根部分の強度がほとんど弱くならないケースも少なくなく、そのようなケースではその付け根部分と別の部分で、即ちもっと上の部分で切断されるからである。そして、付け根部分よりも上の部分でワイヤ６が切断されると、バンプ２１はその頂上に長いワイヤ残りが生じ、それが隣接バンプ２１・２１間のショート事故の発生原因になるおそれがある。そこで、ワイヤ６を大きなワイヤ残りが生じないように切断する必要性が生じ、その必要性に応える技術の一つが図４例なのである。
【００４０】
（Ａ）先ず、例えば図２に示すキャピラリーの使用方法の（Ａ）〜（Ｄ）と同じ方法でバンプ（ボール１２）２１を接合した状態にする。図４（Ａ）は接合した直後の状態を示している。
【００４１】
（Ｂ）次に、図４（Ｂ）に示すように、キャピラリー１を例えば数十〜数百μｍ程度真っすぐに上昇させる。
【００４２】
（Ｃ）次に、図４（Ｃ）に示すように、キャピラリー１を例えば数十〜数百μｍ程度横に動かしテンションをかけてワイヤ６のバンプ２１の付け根部分にダメージを与える。尚、このときクランプ１１は締めた状態にしていても良い。また、キャピラリー１の上昇と横方向への移動とを同時に行っても良い。
【００４３】
（Ｄ）次に、図４（Ｄ）に示すように、図４（Ｃ）で動かした横方向とは逆の横方向にキャピラリー１を数十〜数百μｍ程度動かし、上記付け根部分へのダメージをより確実に与えるようにする。
【００４４】
このように、キャピラリー１を横方向に動かす場合、ワイヤ６のキャピラリー１と接する部分がダメージを受けるので、局部にダメージが集中するのを回避すべく、キャピラリー１を徐々に例えば上にずらすようにすると良い。
【００４５】
その後は、図２（Ｅ）に示したと同様にキャピラリー１を上昇させて切断する。すると、ワイヤ６は、バンプ２１の付け根部分が図４（Ｃ）、（Ｄ）の動作で大きなダメージを受けて金属疲労を起こした状態になっているので、確実にその付け根部分にて切断することができる。
【００４６】
尚、図４（Ｃ）に示したキャピラリー１の横方向への移動によりワイヤ６のバンプ２１の付け根部分に充分にダメージを与えることができる場合には、図４（Ｄ）に示す動作は必要ではなく、すぐにキャピラリー１をバンプ２１の真上に戻してワイヤ６を強く引っ張って切断する動作に移るようにしても良い。
【００４７】
また、図４（Ｃ）、（Ｄ）に示すようにキャピラリー１を左右に動かすことによりワイヤ６のバンプ２１との付け根の部分にダメージを与えるのではなく、ワイヤ６にテンションをかけながら上から視て円弧を描くようにキャピラリー１を動かしてダメージを与えるようにしても良い。また、キャピラリー１の移動方向は完全な横方向ではなくても、斜め横方向であっても良い。というのは、移動方向に横方向成分があれば、上記付け根部分にダメージを与えられるからである。
いずれの場合においても、キャピラリー１を横方向にずらしてテンションをかけるとワイヤ６のキャピラリー１と接する部分がダメージを受けるので、そこで切断されないよう同一箇所にダメージが集中し続けるのを回避すべく、キャピラリー１を徐々に例えば上にずらすようにすると良い。
【００４８】
キャピラリー１を横方向（例えば右へ或いは左へ等一方向、或いは左右方向或いは上から視て円弧を描くように）に動かしてワイヤ６のバンプ２１との付け根部分にダメージを与える際、そのダメージを確実に充分な大きさにするために、キャピラリー１に超音波振動を与えるようにしてもよい。その場合、ワイヤ６のバンプ２１とキャピラリー１との間の部分の長さを共振し易い長さにすることが超音波振動をその付け根部分に有効に伝達し、その部分のダメージをより強く与えることができるので好ましい。
【００４９】
また、超音波振動を与える場合において、クランプ１１を締めた状態にすることが可能であり、そして、締めた状態にする場合には、キャピラリー１・バンプ２１間はその超音波振動に対して共振する長さにすることが好ましいこと前述の通りであり、それに対してキャピラリー１・クランプ１１間は共振しない長さにすることが必要である。そして、超音波振動はキャピラリーを横方向に動かしてから与えるようにする方が、ワイヤに確実に超音波振動が伝わるので、ワイヤがバンプ直上部でより一層切れ易くなる。
【００５０】
図５は、本例のバンプ形成装置において、超音波振動によりワイヤに金属疲労を与えて切断しやすくした場合における金属疲労の度合いをワイヤと半導体チップとの間に電流を流して抵抗として検出できるようにした構成の一例の概略を示すものである。
同図において、１５はワイヤ６と半導体チップ１０との間に電流を流しながらその電流を検出し、その電流とその電流を流すためにかけた電圧とから抵抗値を検出する抵抗検出回路である。
【００５１】
この抵抗検出回路１５によりワイヤ６と半導体チップ１０との間に流した電流の変化によりその電流経路の抵抗の変化を検出するのは、ワイヤ６の超音波振動による金属疲労の度合いにより抵抗が変化し金属疲労が大きくなる程抵抗が大きくなることを利用して金属疲労の度合いを把握するためである。
具体的には、金属疲労が所定の度合いに達しワイヤを充分に切断しやすくなったときの抵抗値を基準抵抗値として設定しておき、この抵抗検出回路１５により検出した抵抗値がその基準値を越えたとき、超音波振動の印加を停止し、次の動作に移るようにするのである。
【００５２】
このようにすると、確実にワイヤ切断の前提として必要な度合いの金属疲労を生ぜしめた状態で次の切断動作に移行することができると共に、超音波振動をかける時間が徒に長くなってバンプ形成サイクルが不必要に長くなり生産性が低下するというおそれもなくすことができる。
【００５３】
図６（Ａ）乃至（Ｄ）は本例のバンプ形成装置でのキャピラリーを用いた他のバンプ形成方法を順に示す断面図である。
図６例は、パッドに接合されてバンプ本体を成すボール部分（第１のボール）と、このボール部分にワイヤを介して別のボール（第２のボール）を一体に形成された構成のバンプを形成しようとするものであり、それによりバンプの応力緩和効果をより高めようとするものである。
【００５４】
（Ａ）図６（Ａ）に示すように、ボール１２をパッド１０に接合した状態にする。
【００５５】
（Ｂ）次に、キャピラリー（釣鐘状凹部を有するものであっても良いし、有しないものであっても良い。）１を数十〜数百μｍ程度引き上げ、ワイヤ６のボール（第１のボール）１２から数十μｍ上へ離間した位置を溶断すべく例えば図６（Ｂ）に示すようにレーザ光を照射する。尚、溶断は必ずしもレーザ光によることは不可欠ではなく、水素トーチ等他の手段を用いても良い。
【００５６】
（Ｃ）すると、図６（Ｃ）に示すように、ワイヤ６はレーザ光により溶断され、溶断された部分にはボールが形成される。ボールが形成されるのは、ワイヤ６の第１のボール１２ａと一体の部分と、キャピラリー１の貫通孔を通り、溶断によりボール１２ａ側から分離された部分とであり、第１のボールには１２ａという符号を、該ボール１２ａとワイヤ６を介して一体のボール、即ち第２のボールには１２ｂという符号を与えた。そして、ワイヤ６の溶断によりボール１２ａ側から分離された部分の先端にできたボールにも次のバンプの第１のボールになるので、１２ａという符号を与えた。また、第１と第２のボール１２ａ、１２ｂ間に介在するワイヤには６ａという符号を与えた。
【００５７】
（Ｄ）その後、図６（Ｄ）に示すように、次のパッド１０上へキャピラリー１を移して第１のボール１２ａをそのパッド１０に接合する。即ち、次のバンプ形成に移るのである。以後、同じ動作が繰り返し行われる。
【００５８】
図７は図６例のバンプ形成方法により形成されたバンプ２１の断面図である。
【００５９】
このようなバンプ形成方法により形成されたバンプによれば、バンプ２１が、パッド１０に接続された第１のボール１２ａにワイヤ６ａを介して第２のボール１２ｂを形成した構造になるので、バンプ２１を通常のバンプよりも高くすることができ、延いては応力緩和効果を高めることができる。
【００６０】
また、図６例のバンプ形成方法によれば、図１５に示すようなスタッドバンプのように一つのバンプ当たり２〜３回のボンドを行う必要はなく一つのバンプ当たりのボンド回数は１回で済むので、生産性の低下を伴うことなくバンプの応力緩和効果を高めることが出きる。
【００６１】
図８（Ａ）、（Ｂ）は本例のバンプ形成装置でのキャピラリーを用いた他のバンプ形成方法を順に示す断面図である。
図８例は、バンプ２１の第１と第２のボール１２ａ・１２ｂ間を繋ぐワイヤ６ａの向きを垂直（図６に示した実施例では垂直）ではなく、斜めにしようとするものである。具体的には、第１のボール１２ａを接合後、図８（Ａ）に示すように、キャピラリー１を斜め上方向に上昇して例えばレーザ光による溶断を行う。すると、図８（Ｂ）に示すように第１のボール１２ａからワイヤ６ａが斜め上方向に延びその上端に第２のボール１２ｂが形成されたバンプ２１が形成される。図９はそのバンプ２１を拡大して示す断面図である。
【００６２】
このように、バンプ２１の第１と第２のボール１２ａ・１２ｂ間を繋ぐワイヤ６ａの向きを斜め上向きにするのは、隣接バンプ２１が例えば第２のボール１２どうしにて互いに接触するショート事故の発生するおそれをなくすことができるようにするためである。
【００６３】
即ち、一つのバンプ２１についてはそのワイヤ６ａの向きを例えば右斜め上方向にし、その隣のバンプ２１のそれを例えば左斜め上方向にすることにより隣接バンプ２１・２１のワイヤ６ａ・６ａの向きを変えることにより第２のボール１２ｂ・１２ｂどうしの距離を大きくすることができ、延いてはその間のショート不良の発生を防止することができる。
【００６４】
図１０（Ａ）、（Ｂ）はバンプ２１のワイヤ６ａの向きを、順に右斜め上、直上、左斜め上、右斜め上、直上、左斜め上というように斜め上と直上とを交え配列した例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
【００６５】
このように、ワイヤ６ａの向きに関しては種々のバリエーションが考えられ得る。
【００６６】
【発明の効果】
本発明のバンプ形成装置によれば、抵抗の変化からワイヤの金属疲労の度合いを検知し、所定の金属疲労に、換言すれば所定の切れ易さになっているか否かを判断することができ、ワイヤの切断に移るべきタイミングを確実に検出することが可能になり、キャピラリーの釣鐘状の凹部内を埋めるワイヤ材料もバンプの一部を成すので、その分バンプを大きくすることができ応力緩和効果を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明バンプ形成装置の実施の形態の例に用いるキャピラリーの各別の実施例の下端部を示す断面図である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明バンプ形成装置の実施の形態の例におけるバンプ形成方法を順に示す断面図である。
【図３】図２に示す方法により形成されたバンプを示す断面図である。
【図４】（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明バンプ形成装置の実施の形態の例におけるバンプ形成方法を順に示す断面図である。
【図５】本発明バンプ形成装置の実施の形態の例を示す概略図である。
【図６】（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明バンプ形成装置の実施の形態の例におけるバンプ形成方法を順に示す断面図である。
【図７】図６に示す方法により形成されたバンプを示す断面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）は本発明バンプ形成装置の実施の形態の例におけるバンプ形成方法を順に示す断面図である。
【図９】図８に示す方法により形成されたバンプを示す断面図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）はバンプの第１と第２のボール間を繋ぐワイヤの向きに関する配置例の一つを示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）はキャピラリーの従来例の一つを示すもので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は下端部を拡大して示す断面図である。
【図１２】従来の技術により形成されたバンプを示す断面図である。
【図１３】上記従来の技術とは別の従来の技術により形成されたスタッドバンプを示す断面図である。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）はバンプの接合後ワイヤを引張って切断し、その後、ワイヤ残り部分を押し潰すバンプ形成技術を示す断面図で、（Ａ）は押し潰す前の状態を示し、（Ｂ）は押し潰した後の状態を示す。
【図１５】バンプを多重構造にしたスタッドバンプの従来例を示す断面図である。
【図１６】図１１に示すような従来のキャピラリーを用いた場合に生じる問題点を示す断面図である。
【符号の説明】
１（１ａ、１ｂ、１ｃ）…キャピラリー、２…貫通孔、３…釣鐘状凹部、６…ワイヤ、６ａ…第１のボールと第２のボールとを繋ぐワイヤ、７…電極（トーチ電極）、８…スパーク、１０…パッド、１２…ボール、１２ａ…第１のボール、１２ｂ…第２のボール、２１…バンプ
【図１】
0003620213.tif 000002
【図２】
0003620213.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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