(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板上に実装された電子部品を撮像する画像入力手段と、予め決められた電子部品の短辺及び長辺の長さから検査領域を設定し、前記画像入力手段の出力である濃淡画像から電子部品のエッジ点を検出するエッジ検出手段と、前記エッジ検出手段からのエッジ点座標をハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面に展開するハフ変換手段と、前記ハフ変換手段で展開したρθ平面で、θ方向の得票数を用いて電子部品の角度θｐを求める角度検出手段と、前記角度検出手段で検出された角度θｐ（角度θ１又は角度θ２：｜θ１―θ２｜＝９０度）を基に、角度θ１±ｂ、角度θ２±ｂ（０＜ｂ＜４５）の範囲のみρ方向に得票数をそれぞれ累積し、最大累積得票数の極大点として線分を表すρｍ１、ρｍ２及び線分を表すρｎ１、ρｎ２を求める矩形線分検出手段と、電子部品の位置及び角度の基準値を記憶する基準データ記憶手段と、前記角度検出手段および前記矩形線分検出手段においてρθ平面上で抽出された角度θｐおよび前記電子部品の外形を構成する４本の線分を表すρｍ１、ρｍ２、ρｎ１、ρｎ２から、ｘｙ平面上に逆変換して電子部品の位置と角度を演算し、その演算結果と前記基準データ記憶手段からの基準位置とを比較して予め設定した許容範囲内であるか否かを判定する部品位置判定手段とを具備する実装部品検査装置。
【請求項２】
プリント基板上に実装された電子部品を撮像する画像入力手段と、予め決められた電子部品の短辺及び長辺の長さから検査領域を設定し、前記画像入力手段の出力である濃淡画像から電子部品のエッジ点を検出するエッジ検出手段と、前記エッジ検出手段からのエッジ点座標をハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面に展開する第１のハフ変換手段と、前記第１のハフ変換手段で展開したρθ平面で、θ方向の得票数を用いて電子部品の仮の角度θｎを求める第１の角度検出手段と、前記角度θｎ及びρ方向の得票数並びに予め決められた電子部品の短辺及び長辺の長さを用いて電子部品の短辺および長辺に平行な仮の線分を検出する第１の線分検出手段と、前記第１の線分検出手段で求められた線分で囲まれる領域からはずれたエッジ点座標に対してハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理を行い、前記第１のハフ変換手段で求めたρθ平面から減算する第２のハフ変換手段と、前記第２のハフ変換手段で展開したρθ平面で、θ方向の得票数を用いて電子部品の角度θｐを求める第２の角度検出手段と、前記角度θｐ及びρ方向の得票数並びに予め決められた電子部品の短辺及び長辺の長さを用いて電子部品の短辺および長辺に平行な線分を検出する第２の線分検出手段と、電子部品の位置及び角度の基準値を記憶する基準データ記憶手段と、前記第１の線分検出手段でρθ平面上で抽出された角度θｐおよび平行な線分から、ｘｙ平面上に逆変換して電子部品の位置と角度を演算し、その演算結果と前記基準データ記憶手段からの基準位置とを比較して予め設定した許容範囲内であるか否かを判定する部品位置判定手段とを具備する実装部品検査装置。
【請求項３】
エッジ検出手段が、予め設定した電子部品の長辺Ｌｗ及び短辺Ｌｓから濃淡画像の検査領域を設定し、前記検査領域内を走査して得られた立ち上がりエッジから立ち下がりエッジまでのエッジ対の内、その距離が前記Ｌｗ又はＬｓに近いエッジ対のみを検出することを特徴とする請求項１又は２記載の実装部品検査装置。
【請求項４】
エッジ検出手段が、予め設定した電子部品の長辺Ｌｗ及び短辺Ｌｓから濃淡画像の検査領域を設定し、前記検査領域内を走査して得られた立ち上がりエッジから立ち下がりエッジまでのエッジ対の内、その距離が前記Ｌｗ又はＬｓに近いエッジ対のみを検出し、さらにエッジ対間の濃度値の平均値から電極部を検出するものであり、ハフ変換手段が、前記エッジ検出手段からのエッジ点座標をハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面に展開するとともに、前記電極部に重み付けをして得票してハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面に展開することを特徴とする請求項１記載の実装部品検査装置。
【請求項５】
エッジ検出手段が、予め設定した電子部品の長辺Ｌｗ及び短辺Ｌｓから濃淡画像の検査領域を設定し、前記検査領域内を走査して得られた立ち上がりエッジから立ち下がりエッジまでのエッジ対の内、その距離が前記Ｌｗ又はＬｓに近いエッジ対のみを検出し、さらにエッジ対間の濃度値の平均値から電極部を検出するものであり、第１及び第２のハフ変換手段が、前記エッジ検出手段からのエッジ点座標をハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面に展開するとともに、前記電極部に重み付けをして得票してハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面に展開することを特徴とする請求項２記載の実装部品検査装置。
【請求項６】
電子部品のサイズによらず処理する画像サイズが一定となる如く、画像入力手段からの濃淡画像を拡大あるいは縮小する拡大縮小手段を設け、エッジ検出手段は前記拡大縮小手段の出力から電子部品のエッジ点を検出することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の実装部品検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板上に実装した電子部品の実装状態の不良を検査するための実装部品検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プリント基板上に実装された部品の位置ずれや欠品等の良／不良の検査は人間による目視検査に頼っていた。ところが製品の小型化や軽量化が進むにつれ、プリント基板上の部品の小型化や高密度実装化もより一層進んできている。このような状況の中で、人間が高い検査精度を保ちつつ非常に細かな部品の実装状態をしかも長時間検査し続けることは困難に近い作業であった。そこで最近、検査の自動化が強く望まれている中で画像処理により部品の位置ずれ等を検査する装置が提案されている。
例えば、「目視検査の自動化技術調査委員会編集：”画像処理による目視検査の自動化事例集”、（株）新技術コミュニケーションズ（１９９１年４月１０日第１版発行）」の中で目視検査の自動化例が多く紹介されている。基板実装部品検査装置では、チップ部品に斜め２方向から交互に照明し、撮像した両者の画像の差分を取り影画像を作り、影画像をＸ、Ｙそれぞれの方向に投影し、その累積画素数から部品の中心位置を求めるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、チップ部品に斜め２方向から交互に照明し、撮像した両者の画像の差分を取り影画像を作り検査する方法は、チップ部品が比較的大きく厚みがありかつ実装密度が低い場合は効果的であると言えます。しかし、昨今のようにチップ部品を含む電子部品は小さくしかも薄くなり一層の小型化により高密度実装化が進み、部品が薄くなったことで影が出来にくい点や部品と部品との間隔が狭く影を検出することが難しくなってきている。
【０００４】
本発明は上記課題に鑑み、簡単な構成で高密度に実装された電子部品の位置と傾きを高精度に検出する実装部品検査装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明の技術的解決手段は、第１に、プリント基板上に実装された電子部品を撮像する画像入力手段と、前記画像入力手段からの濃淡画像から予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジ点を検出するエッジ検出手段と、前記エッジ検出手段からのエッジ点座標をρ＝ｘｉ・ｃｏｓθ＋ｙｊ・ｓｉｎθ（ただし、０≦θ＜π）を演算するハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面に展開するハフ変換手段と、前記ハフ変換手段で展開したρθ平面（ヒストグラム・メモリ）で、θ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータからＰmax＝Ｐθ＋Ｐ（θ＋９０゜）（ただし、θは０〜９０゜とする）の演算によりその最大値である電子部品の角度θｐを求める角度検出手段と、前記ハフ変換手段からのρθ平面において、前記角度検出手段からの電子部品の角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに一致する２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出する線分検出手段と、前記線分検出手段でρθ平面上で抽出された角度および平行な線分から、ｘｙ平面上に逆変換し電子部品の位置と角度を演算し、予め設定した基準データ記憶手段からの基準位置と比較し許容範囲内であるかを判定する部品位置判定手段とを設けたものである。
【０００６】
第２に、エッジ検出手段において、濃淡画像から予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジ点を検出する際に、立ち上がりエッジから立ち下がりエッジまでのエッジ対の距離を予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対のみ検出するようにしたものである。  第３に、プリント基板上に実装された電子部品を撮像する画像入力手段と、エッジ検出手段において、濃淡画像から予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジ点を検出する際に、立ち上がりエッジから立ち下がりエッジまでの距離を予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対のみ検出し、さらにエッジ対間の濃度値の平均値から電極部を検出するエッジ検出手段と、前記エッジ検出手段からのエッジ点座標をρ＝ｘｉ・ｃｏｓθ＋ｙｊ・ｓｉｎθ（ただし、０≦θ＜π）演算しハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理する際に、電極部に重み付けをして得票しρθ平面に展開するハフ変換手段と、前記ハフ変換手段で展開したρθ平面で、θ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータからＰmax＝Ｐθ＋Ｐ（θ＋９０゜）（ただし、θは０から９０゜とする）の演算によりその最大値である電子部品の角度θｐを求める角度検出手段と、前記ハフ変換手段からのρθ平面において、前記角度検出手段からの電子部品の角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに一致する２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出する線分検出手段と、前記線分検出手段でρθ平面上で抽出された角度および平行な線分から、ｘｙ平面上に逆変換し電子部品の位置と角度を演算し、予め設定した基準データ記憶手段からの基準位置と比較し許容範囲内であるかを判定する部品位置判定手段とを設けたものである。
【０００７】
第４に、プリント基板上に実装された電子部品を撮像する画像入力手段と、前記画像入力手段からの濃淡画像から予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジ点を検出するエッジ検出手段と、前記エッジ検出手段からのエッジ点座標をρ＝ｘｉ・ｃｏｓθ＋ｙｊ・ｓｉｎθ（ただし、０≦θ＜π）演算するハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面に展開する第１のハフ変換手段と、前記第１のハフ変換手段で展開したρθ平面で、θ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータからＰmax＝Ｐθ＋Ｐ（θ＋９０゜）（ただし、θは０から９０゜とする）の演算によりその最大値である電子部品の角度θｐを求める第１の角度検出手段と、前記第１のハフ変換手段からのρθ平面において、前記角度検出手段からの電子部品の角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓより外側の２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な仮の線分を検出する第１の線分検出手段と、前記第１の線分検出手段で求められた電子部品の短辺および長辺の平行な線分を囲む領域からはずれたエッジ特徴点座標のみρ＝ｘｉ・ｃｏｓθ＋ｙｊ・ｓｉｎθ（ただし、０≦θ＜π）演算するハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理を行い、前記第１のハフ変換手段で求めたρθ平面から減算する第２のハフ変換手段と、前記第２のハフ変換手段で展開したρθ平面で、θ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータからＰmax＝Ｐθ＋Ｐ（θ＋９０゜）（ただし、θは０から９０゜とする）の演算によりその最大値である電子部品の角度θｐを求める第２の角度検出手段と、前記第２のハフ変換手段からのρθ平面において、前記第２の角度検出手段からの電子部品の角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに一致する２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出する第２の線分検出手段と、前記第２の線分検出手段でρθ平面上で抽出された角度および平行な線分から、ｘｙ平面上に逆変換し電子部品の位置と角度を演算し、予め設定した基準データ記憶手段からの基準位置と比較し許容範囲内であるかを判定する部品位置判定手段とを設けたものである。
【０００８】
第５に、エッジ検出手段に先立ち、前記画像入力手段からの濃淡画像に対して、予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のサイズによらず処理する画像サイズが一定となるように拡大縮小手段を設け拡大縮小した後に、電子部品のエッジ点を検出するようにしたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明は、第１に、プリント基板上に実装された電子部品を撮像し、その濃淡画像から予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジを検出する。得られたエッジ点座標をハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理により展開したρθ平面で、θ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータの最大値である電子部品の角度θｐを求め、角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに一致する２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出する。抽出された角度および平行な線分から、ｘｙ平面上に逆変換し電子部品の位置と角度を演算し、予め設定した基準データ記憶手段からの基準位置と比較し許容範囲内であるかを判定することで高密度に実装された電子部品を高精度に検出でき、また電子部品の一部が汚れや酸化により濃淡レベルが低下しても角度の検出範囲が広く高精度に位置を検出することができる。
【００１０】
第２に、エッジ検出手段において、濃淡画像から予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジを検出する際に、立ち上がりエッジから立ち下がりエッジまでのエッジ対の距離を予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対のみ検出することで電子部品以外の周辺のエッジ検出を抑制し、高精度に位置を検出することができる。
【００１１】
第３に、エッジ検出手段において、濃淡画像から予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジ点を検出する際に、立ち上がりエッジから立ち下がりエッジまでのエッジ対の距離を予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対のみ検出し、さらにエッジ対間の濃度値の平均値から電極部を検出する。エッジ点座標からハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理する際に、電極部に重み付けをして得票しρθ平面に展開することにより部品周辺および文字付き部品内部のエッジ点による線分の誤検出を抑制し高精度に位置を検出することができる。
【００１２】
第４に、第１のハフ変換手段からのρθ平面において、前記第１の角度検出手段からの電子部品の角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓより外側の２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出しその線分を囲む領域からはずれたエッジ点座標のみハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理を行い、前記第１のハフ変換手段で求めたρθ平面から減算する。減算したρθ平面からθ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータの最大値である電子部品の角度θｐを求め、角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに一致する２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出することにより、部品周辺の影響を受けずに高精度に位置の検出ができる。
【００１３】
第５に、エッジ検出手段において、前記画像入力手段からの濃淡画像から電子部品のエッジ点を検出する際に、予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のサイズによらず処理する画像サイズが一定となるように拡大縮小した後に、電子部品のエッジ点を検出することにより、小さい部品は拡大処理により見かけ上エッジ点数が増え位置精度が向上し、大きな部品は縮小処理によりエッジ点数を削減し処理速度を向上することができる。
【００１４】
【実施例】
（実施例１）
以下、図１を参照しながら本発明の第１の実施例について説明する。
【００１５】
図１は本発明の実装部品検査装置の第１の実施例を示すブロック図である。図１において、１０１はプリント基板、１０２は電子部品、１０３は照明装置、１０４はＣＣＤカメラ等の画像入力手段、１０５は画像入力手段からの濃淡画像から電子部品のエッジ点を検出するエッジ検出手段、１０６はエッジ点座標のハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面に展開するハフ変換手段、１０７はρθ平面（ヒストグラム・メモリ）で、θ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータの最大値である電子部品の角度θｐを求める角度検出手段、１０８は角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに一致する２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出する線分検出手段、１０９は抽出された角度および平行な線分から、ｘｙ平面上に逆変換し電子部品の位置と角度を演算し、予め設定した基準データ記憶手段１１０からの基準位置と比較し許容範囲内であるかを判定する部品位置判定手段である。
【００１６】
図１に基づき、以下にその動作を説明する。
画像入力手段１０４は、プリント基板１０１上に実装された電子部品１０２を、照明装置１０３で照明しＣＣＤカメラ等で撮像する。エッジ検出手段１０５は、画像入力手段１０４からの濃淡画像から電子部品１０２のエッジ点を検出するもので、エッジ検出手法としては数多くの方法が提案されており、例えば「土屋、深田共著：”画像処理  第３章画像処理の基本アルゴリズム”、ｐｐ５０−８６、コロナ社（１９９０）」に記載されている。本実施例では、良く知られているＳｏｂｅｌ（ソーベル）オペレータを用いて、図２（ａ）（ｂ）に示す方向マスクを用いて方向別にエッジを求めるものとする。図２（ａ）（ｂ）の方向マスクの各要素を同図（ｃ）のように表わすと、ｘ方向を（数１）により、ｙ方向を（数２）より求めるものである。
【００１７】
【数１】
0003711599.tif 000002
【００１８】
【数２】
0003711599.tif 000003
ハフ変換手段１０６は、エッジ検出手段１０５からのエッジ点の座標を（数３）により演算しハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面（ヒストグラムメモリ）に展開するものである。
【００１９】
【数３】
0003711599.tif 000004
ハフ変換処理については、直線を検出する手法で「米国特許：３、０６９、６５４（１９６２）」および「松山隆司、輿水大和：”Ｈｏｕｇｈ変換とパターンマッチング”、情報処理学会誌、Vol.30、No.9、pp1035-1046(1989)に詳細に記述されているのでここでは概要を説明するものとする。
【００２０】
図３（ａ）（ｂ）を用いてハフ変換の原理を説明する。同図（ａ）はエッジ点をｘｙ平面で表わし、同図（ｂ）はハフ変換後のρθ平面を表わす。同図（ａ）のエッジ点３０１（ｘｉ，ｙｉ）を通る直線はｙｉ＝ａｘｉ＋ｂで表せる。エッジ点の座標を（数３）により垂直θと原点からの符号付き距離ρに表現し、同図（ｂ）のパラメータ空間で示すように正弦曲線の軌跡が重なった点３０３のρ0およびθ0が線分３０２となる。また、ｘｙ座標系への変換は、（数４）により逆変換できる。
【００２１】
【数４】
0003711599.tif 000005
次に、角度検出手段１０７について、図４（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図４（ａ）は、ハフ変換手段１０６で変換されたρθ平面（ヒストグラム・メモリ）である。図４（ａ）のρθ平面上において、得票数Ｐが閾値ａ以上の得票数のみをθ毎に累積したものを図４（ｂ）に示す。図４（ｂ）において、最大累積得票数Ｐmaxを（数５）で求め、そのときの電子部品の角度をθｐとして検出する。図４（ｂ）では、最大累積得票数として点線で示した角度θ１およびθ２（θ１＋９０゜）が求められる。また、最大累積得票数Ｐmaxを（数６）で求めても良い。
【００２２】
【数５】
0003711599.tif 000006
【００２３】
【数６】
0003711599.tif 000007
次に線分検出手段１０８について、図４を用いて説明する。線分検出手段１０８は、角度検出手段１０７で検出された角度θｐ（角度θ１又は角度θ２）を基に図４（ａ）のρθ平面において、角度θ１±ｂ（０＜ｂ＜４５）の範囲のみρ方向に得票数を累積し、最大累積得票数の極大点を求める。更に、基準データ記憶手段１１０から予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓを読み出し、求められた複数の極大点の距離が長辺サイズＬｗまたは短辺サイズＬｓに一致するような、２つの極大点を検出する。図４（ｃ）にρ（θ１）方向累積得票数と求められた長辺の線分を表わすρm1、ρm2を点線で示す。同様に、角度θ２±ｂの範囲のみρ方向に得票数を累積し、最大累積得票数の極大点を求める。更に、求められた複数の極大点の距離が予め設定された電子部品の長辺サイズＬｗまたは短辺サイズＬｓに一致する２つの極大点を検出する。図４（ｄ）にρ（θ２）方向累積得票数と求められた短辺の線分を表わすρn1、ρn2を点線で示す。図４（ｃ）および図４（ｄ）で示すように、電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出することができる。この場合はθ２がθｐを表わす。
【００２４】
次に部品位置判定手段１０９について図５を用いて説明する。図５は電子部品がｘｙ平面上にある様子を示している。部品位置判定手段１０９は、線分検出手段１０８で検出された電子部品の線分ρm1、ρm2、ρn1およびρn2と角度θｐから（数７）により電子部品の位置（ｘｉ，ｙｉ、θｐ）を求め、基準データ記憶手段１１０からの電子部品の基準位置（ｘｒ，ｙｒ、θｒ）と比較し許容範囲内であるかを判定するものである。
【００２５】
【数７】
0003711599.tif 000008
以上、図１に基づき本発明の第１の実施例の動作を説明したが、具体的には図６（ａ）に示すように画像入力手段１０４で撮像した画像データを一旦イメージメモリ６０１に記憶し、エッジ検出手段１０５からをすべてＣＰＵシステムで処理を行うものも可能である。図６（ａ）において、６０１は画像入力手段１０４で撮像した画像データを一旦格納するためのイメージメモリ、６０２は演算処理を行うＣＰＵ（中央演算ユニット）、６０３は演算処理の途中結果を記憶するためのワークメモリ、６０４はハフ変換処理の得票数を格納するヒストグラムメモリ、６０５はθ方向の累積得票数を格納するθ累積得票数メモリ、６０６はρ方向の累積得票数を格納するρ累積得票数メモリ、６０７は部品の位置検出結果および判定結果を格納する結果格納メモリである。
【００２６】
次に、図７の処理フローを用いて、構成要素毎に説明する。
１）開始
（ａ）：開始
（ｂ）：基準データ記憶手段１１０は、検査に先立ち予め各部品毎に位置
（ｘｒ，ｙｒ，θｒ）、検査領域（ｘｓ，ｙｓ，ｘｅ．ｙｅ）、許容範囲および検査パラメータ等を登録し、各処理毎に必要に応じて読み出すものである。
２）画像入力手段１０４
（ｃ）：プリント基板１０１上に実装された電子部品１０２を、照明装置１０３で照明しＣＣＤカメラで撮像、イメージメモリ６０１に格納する。
３）エッジ検出手段１０５
（ｄ）：基準データ記憶手段１１０に記憶された対象となる部品の位置・検査領域を読み込む。
【００２７】
（ｅ）：イメージメモリ６０１上の検査領域内をエッジ点を検出し、エッジ点データをワークメモリ６０３に記憶する。
４）ハフ変換手段１０６
（ｆ）：ワークメモリ６０３からエッジ点の座標を読み出し、ハフ変換を（数３）式で演算し、ヒストグラムメモリ６０４に記憶する。
【００２８】
（ｇ）：ワークメモリ６０３内にエッジ点の有無を判定し、エッジ点がなくなるまで（ｆ）の処理を繰り返す。
５）角度検出手段１０７
（ｈ）：ヒストグラムメモリ６０４内の得票数が閾値ａ以上の得票数のみθ毎に累積し、θ累積得票数メモリ６０５に記憶する。
【００２９】
（ｉ）：θ累積得票数メモリ６０５内の累積得票数から最大累積得票数Ｐｍａｘを（数５）で求め、最大値である電子部品の角度θｐ（角度θ１＝θｐ、角度θ２＝θ１＋９０）として求める。
６）線分検出手段１０８
（ｊ）：角度検出手段１０７で求めた電子部品の角度θ１およびθ２から、角度θ１±ｂ、角度θ２±ｂの範囲のみρ方向に得票数を個別に累積し、ρ累積得票数メモリ６０６に記憶する。
【００３０】
（ｋ）：ρ累積得票数メモリ６０６内の累積得票数から最大累積得票数の極大点を求め、求められた複数の極大点の距離が予め設定された電子部品の長辺サイズＬｗまたは短辺サイズＬｓに一致する２組の極大点から、長辺の線分ρｍ１、ρｍ２と短辺の線分ρｎ１、ρｎ２を検出する。
７）部品位置判定手段１０９
（ｌ）：線分検出手段１０８で検出された電子部品の線分ρｍ１、ρｍ２、ρｎ１、ρｎ２および角度θｐから（数７）により電子部品の位置
（ｘｉ，ｙｉ、θｐ）を求める。
【００３１】
（ｍ）：基準データ記憶手段１１０からの電子部品の基準位置（ｘｒ，ｙｒ、θｒ）と比較し許容範囲内であるかを判定し、結果を結果格納メモリ６０７に記憶する。
８）終了
（ｎ）：基準データ記憶手段１１０に登録された対象部品の有無の判定を行い、有の場合は（ｄ）の処理へ、無の場合は（ｏ）の処理に進む。
【００３２】
（ｏ）：終了
また、図６（ｂ）に示すようにエッジ検出手段１０５およびハフ変換手段１０６は処理時間がかかるのでハードウエアで構成し、処理の複雑な角度検出手段１０７、線分検出手段１０８および部品位置判定手段１０９はＣＰＵシステムによりソフトウエアで処理することも考えられる。
よって、図６（ａ）と図６（ｂ）とで異なるエッジ検出手段１０５とハフ変換手段１０６のハードウエア化について説明する。
最初に、エッジ検出手段１０５について説明する。エッジ検出手段１０５は、前述したしたように方向別に検出するものとし、図６（ｃ）にブロック図を示し説明する。図６（ｃ）において、６１０は画像入力端子、６１１は１ライン分のシフトレジスタ、６１２は３×３の走査窓、６１３は積和演算ユニット、６１４および６１５はエッジ出力である。画像入力手段１０４からの濃淡画像は画像入力端子６１０から入力され、２ライン分の１Ｈシフトレジスタ６１１と３×３走査窓６１２とで走査窓を走査させその９画素データを積和演算ユニット６１３に入力し、ＳｘおよびＳｙを（数１）および（数２）の演算を行い、２値化閾値信号６１６と比較しエッジ点Ｓｘ６１４およびエッジ点Ｓｙ６１５を出力するものである。
【００３３】
次に、ハフ変換手段１０６について説明する。ハフ変換手段１０６をハードウエアで実現する方法としては、（数３）式のｃｏｓθ部およびｓｉｎθ部をＲＯＭテーブルにして実現する方法があり、「花原他：”実時間Ｈｏｕｇｈ変換プロセッサ”、昭和６０年度電子通信学会情報・システム部門全国大会、９２、（１９８５）」に記述されているので説明は省略するものとする。
【００３４】
（実施例２）
以下、図８（ａ）（ｂ）を参照しながら本発明の第２の実施例について説明する。
本発明の第２の実施例は、本発明の第１の実施例におけるエッジ検出手段１０５において、電子部品周辺のエッジ点の検出を抑制しハフ変換手段による部品位置検出精度を向上させたものである。ハフ変換処理は、線分検出おいては非常に優れた性質を持っているが、周辺ノイズに弱く実用化を妨げていた要因でもある。よって、電子部品周辺のエッジ点の検出を抑制し、高品質なエッジ検出を行うことは非常に重要な点であり、図８（ａ）を用いて以下に説明する。
【００３５】
図８（ａ）において、８００は検査領域内の原点座標、８０１は検査領域、８０２は部品、８０３は部品の電極部、８０９は部品周辺の配線パターン、８０４は検査領域内を水平に走査した際の１水平方向走査ライン、８０７は検査領域内を垂直に走査した際の１垂直方向走査ラインを示す。また、８０６および８０８は水平および垂直に走査した際の輝度プロファイルを示すものである。
【００３６】
本発明の第２の実施例におけるエッジ検出手段１０５は、検査領域８０１内をまず水平方向に原点座標８００から水平走査ライン８０４のように順次走査し、輝度プロファイル８０６を得る。各水平走査ライン毎の輝度プロファイル８０６から立ち上がりエッジ８１２および立ち下がりエッジ８１１を検出し、エッジ点の候補とする。各水平走査ライン毎にエッジ点候補を検出し、立ち上がりエッジ点候補に対して立ち下がりエッジ点候補の距離を求め、予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対をエッジ点として選択するもので、輝度プロファイル８０６の場合は候補としてｋｗ１、ｋｗ２、ｋｗ３の３種類検出され電子部品のサイズＬｗと最も近いｋｗ１が選択されることになる。この処理を、各水平走査ラインについて行う。
【００３７】
垂直方向についても同様に、垂直方向に原点座標８００から垂直走査ライン８０７のように順次走査し、輝度プロファイル８０８を得る。各垂直走査ライン毎の輝度プロファイル８０８から立ち上がりエッジ８１２および立ち下がりエッジ８１１を検出し、エッジ点の候補とする。各垂直走査ライン毎にエッジ点候補を検出し、立ち上がりエッジ点候補に対して立ち下がりエッジ点候補の距離を求め、予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対をエッジ点として選択するもので、輝度プロファイル８０８の場合は候補としてｋｓ１、ｋｓ２、ｋｓ３の３種類検出され電子部品のサイズＬｓと最も近いｋｓ２が選択されることになる。
また、ここでは水平方向および垂直方向とも立ち上がりエッジ点候補に対して立ち下がりエッジ点候補の距離を求め、予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対をエッジ点として選択すると説明したが、予め電子部品の実装される位置が判っている場合は、その方向のサイズＬｗ（あるいは、Ｌｓ）に近いエッジ対のみそれぞれ選択することも可能である。
【００３８】
本発明の第２の実施例の処理フローは、図７と同様であるが異なるエッジ検出手段１０５のみを図８（ｂ）に処理フロー（ｅ）を示す。
【００３９】
以上の処理を、各水平方向および垂直方向について行い、図８（ａ）に示すようにエッジ点８１３が検出され、電子部品内部や周辺の配線パターン８０９などで検出されたエッジ点候補を削除することができ、電子部品の外周囲のみの極めて高品質なエッジ点のみを検出することが出来る。これにより、この後のハフ変換による部品位置検出が高精度でかつ安定に検出でき信頼性の向上が図れるものである。
【００４０】
（実施例３）
以下、図を参照しながら本発明の第３の実施例について説明する。
本発明の第３の実施例は、特に電子部品のボディ部の色が黒い部品について有効であり、ボディ部の色が黒いと周囲との輝度差がなくエッジ検出が出来ないために、電極部のエッジ点しか検出されないことがあり、ハフ変換において得票数が少なく累積得票数を求めても極大点の検出が難しく正しい線分が検出されない場合がある。これを改善するために、ハフ変換時に電極部のエッジ点にフラグを付与し得票する際に重み付けをすることにより累積得票数における極大点をでやすくすることにより検出精度を向上させるものである。
【００４１】
本発明の第３の実施例は、エッジ検出手段１０５およびハフ変換手段１０６における動作が第１の実施例と異なり、エッジ検出手段１０５においては、エッジ検出は予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジ候補点を検出して、立ち上がりエッジから立ち下がりエッジまでのエッジ対の距離を予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対のみ検出し、さらにエッジ対間の濃度値の平均値から電極部を検出する。ハフ変換手段１０６においては、エッジ検出手段１０５からのエッジ点座標から（数３）式でハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理する際に、電極部に重み付けをして得票しρθ平面に展開するものである。
【００４２】
本発明の第３の実施例について、図８（ａ）、図９（ａ）および図９（ｂ）を用いてエッジ検出手段１０５およびハフ変換手段１０６について説明する。
エッジ検出手段１０５は、図８（ａ）に示ように検査領域８０１内をまず水平方向に原点座標８００から水平走査ライン８０４のように順次走査し、輝度プロファイル８０６を得る。各水平走査ライン毎の輝度プロファイル８０６から立ち上がりエッジ８１２および立ち下がりエッジ８１１を検出し、エッジ点の候補とする。各水平走査ライン毎にエッジ点候補を検出し、立ち上がりエッジ点候補に対して立ち下がりエッジ点候補の距離を求め、予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対をエッジ点として選択するもので、輝度プロファイル８０６の場合は候補としてｋｗ１、ｋｗ２、ｋｗ３の３種類検出され電子部品のサイズＬｗと最も近いｋｗ１が選択されることになる。この処理を、各水平走査ラインについて行う。
【００４３】
垂直方向についても同様に、垂直方向に原点座標８００から垂直走査ライン８０７のように順次走査し、輝度プロファイル８０８を得る。各垂直走査ライン毎の輝度プロファイル８０８から立ち上がりエッジ８１２および立ち下がりエッジ８１１を検出し、エッジ点の候補とする。各垂直走査ライン毎にエッジ点候補を検出し、立ち上がりエッジ点候補に対して立ち下がりエッジ点候補の距離を求め、予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対をエッジ点として選択するもので、輝度プロファイル８０８の場合は候補としてｋｓ１、ｋｓ２、ｋｓ３の３種類検出され電子部品のサイズＬｓと最も近いｋｓ２が選択されることになる。更に、選択されたエッジ対間の平均輝度を求め、立ち上がりエッジ点および立ち下がりエッジ点の座標および平均輝度値を図９（ａ）に示すよう表形式でワークメモリ６０３に記憶する。また、平均輝度値が予め設定された輝度値Ｂｒｓ以上なら電極部とみなし電極フラグを”１”とする。ただし、図９（ｂ）は説明の都合上、垂直方向の一部のみを示したが、実際は水平方向および垂直方向について同様なエッジ情報を検出するものとする。
【００４４】
以上の処理を、各水平方向および垂直方向について行い、図９（ａ）に示したようなエッジ点検出を行う。
ハフ変換手段１０６は、ワークメモリ６０３からエッジ点の座標および電極フラグを読み出し、ハフ変換処理を（数３）式で演算し、電極フラグが”１”の場合は２点を得票し、電極フラグが”０”の場合は１点を得票してヒストグラムメモリ６０４に記憶するようにしたものである。
【００４５】
また、本発明の第３の実施例の処理フローは、図７と同様であるが異なるエッジ検出手段１０５およびハフ変換手段１０６のみを図９（ｂ）に処理フロー（ｅ）（ｆ）および（ｇ）を示す。
本発明の第３の実施例としては、電子部品の短辺（図８（ａ）における垂直方向）側しか平均輝度を検出しなかったが、短辺および長辺の両者について行ってよく、短辺しか検出しなかったのは特にボディ部の黒い電子部品では短辺側のエッジ点数が少ないことからである。
【００４６】
また、長辺側で平均輝度から電極部を判定する場合は、図８（ａ）で示した輝度プロファイル８０６において、ｋｗ２およびｋｗ３間の平均輝度値から電極部として判定することも容易に考えられる。
【００４７】
（実施例４）
以下、図を参照しながら本発明の第４の実施例について説明する。
本発明の第４の実施例は、電子部品の周辺に配線パターン、シルク印刷および電子部品ボディ部に記述された記号等により、線分を誤認識することがありこれを防止することを目的として、図１０に基づき以下に説明する。
【００４８】
図１０は本発明の第４の実施例の実装部品検査装置の一実施例を示すブロック図である。図１０において、１０１はプリント基板、１０２は電子部品、１０３は照明装置、１０４はＣＣＤカメラ等の画像入力手段、１０５は画像入力手段からの濃淡画像から電子部品のエッジ点を検出するエッジ検出手段、１０６はエッジ点座標からρを（数３）で演算するハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理によりρθ平面に展開する第１のハフ変換手段、１０７はρθ平面（ヒストグラム・メモリ）で、θ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータからＰmaxを（数５）で演算し、その最大値である電子部品の角度θｐを求める第１の角度検出手段、１０８は電子部品の角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓより外側の２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出する第１の線分検出手段、１１１は第１の線分検出手段１０８で得られた線分に囲まれた領域以外のエッジ点座標からρを（数３）により演算するハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理を行い、ρθ平面から減算する第２のハフ変換手段、１１２はρθ平面（ヒストグラム・メモリ）で、θ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータからＰmaxを（数５）で演算し、その最大値である電子部品の角度θｐを求める第２の角度検出手段、１０８は電子部品の角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに一致する２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出する第２の線分検出手段、１０９は抽出された角度および平行な線分から、ｘｙ平面上に逆変換し電子部品の位置と角度を演算し、予め設定した基準データ記憶手段１１０からの基準位置と比較し許容範囲内であるかを判定する部品位置判定手段である。
【００４９】
以上、図１０に基づき本発明の第４の実施例の構成要素について説明したが、具体的には本発明の第１の実施例と同様に図６（ａ）に示すように画像入力手段１０４で撮像した画像データを一旦イメージメモリ６０１に記憶し、エッジ検出手段１０５からをすべてＣＰＵシステムで処理を行うものも可能である。図６（ａ）において、６０１は画像入力手段１０４で撮像した画像データを一旦格納するためのイメージメモリ、６０２は演算処理を行うＣＰＵ（中央演算ユニット）、６０３は演算処理の途中結果を記憶するためのワークメモリ、６０４はハフ変換処理の得票数を格納するヒストグラムメモリ、６０５はθ方向の累積得票数を格納するθ累積得票数メモリ、６０６はρ方向の累積得票数を格納するρ累積得票数メモリ、６０７は部品の位置検出結果および判定結果を格納する結果格納メモリである。
【００５０】
次に、図１２及び図１３に処理フローを示し、構成要素毎に説明する。
１）開始
（ａ）：開始
（ｂ）：基準データ記憶手段１１０は、検査に先立ち予め各部品毎に位置（ｘｒ，ｙｒ，θｒ）、検査領域（ｘｓ，ｙｓ，ｘｅ．ｙｅ）、許容範囲および検査パラメータ等を登録し、各処理毎に必要に応じて読み出すものである。
２）画像入力手段１０４
（ｃ）：プリント基板１０１上に実装された電子部品１０２を、照明装置１０３で照明しＣＣＤカメラで撮像、イメージメモリ６０１に格納する。
３）エッジ検出手段１０５
（ｄ）：基準データ記憶手段１１０に記憶された対象となる電子部品の位置・検査領域を読み込む。
【００５１】
（ｅ）：イメージメモリ６０１上の検査領域内をエッジ点を検出し、エッジ点データをワークメモリ６０３に記憶する。
４）第１のハフ変換手段１０６
（ｆ）：ワークメモリ６０３からエッジ点の座標を読み出し、ハフ変換を（数３）式で演算し、ヒストグラムメモリ６０４に記憶する。
【００５２】
（ｇ）：ワークメモリ６０３内にエッジ点の有無を判定し、エッジ点がなくなるまで（ｆ）の処理を繰り返す。
５）第１の角度検出手段１０７
（ｈ）：ヒストグラムメモリ６０４内の得票数が閾値ａ以上の得票数のみθ毎に累積し、θ累積得票数メモリ６０５に記憶する。
【００５３】
（ｉ）：θ累積得票数メモリ６０５内の累積得票数から最大累積得票数Ｐｍａｘを（数５）で求め、最大値を電子部品の角度θｐ（角度θ１＝θｐ、角度θ２＝θ１＋９０）として求める。
６）第１の線分検出手段１０８
（ｊ）：角度検出手段１０７で求めた電子部品の角度θ１およびθ２から、角度θ１±ｂ、角度θ２±ｂの範囲のみρ方向に得票数を個別に累積し、ρ累積得票数メモリ６０６に記憶する。
【００５４】
（ｋ）：ρ累積得票数メモリ６０６内の累積得票数から最大累積得票数の極大点を求め、求められた複数の極大点の距離が予め設定された電子部品の長辺サイズＬｗまたは短辺サイズＬｓの外側の２組の極大点から、長辺の線分ρｍ１’、ρｍ２’と短辺の線分ρｎ１’、ρｎ２’を検出する。
７）第２のハフ変換手段１１１
（ｌ）：第１の線分検出手段１０８で求めた長辺の線分ρｍ１’、ρｍ２’と短辺の線分ρｎ１’、ρｎ２’で囲まれた範囲からはずれたエッジ点をワークメモリ６０３からエッジ点の座標を読み出し、ハフ変換を（数３）式で演算し、ヒストグラムメモリ６０４から読み出し得票数から減算して記憶する。
【００５５】
（ｍ）：ワークメモリ６０３内にエッジ点の有無を判定し、エッジ点がなくなるまで（ｌ）の処理を繰り返す。
８）第２の角度検出手段１１２
（ｎ）：ヒストグラムメモリ６０４内の得票数が閾値ａ以上の得票数のみθ毎に累積し、θ累積得票数メモリ６０５に記憶する。
【００５６】
（ｏ）：θ累積得票数メモリ６０５内の累積得票数から最大累積得票数  Ｐｍａｘを（数５）で求め、極大点の角度θｐ（角度θ１＝θｐ、角度θ２＝θ１＋９０）を求める。
９）第２の線分検出手段１１３
（ｐ）：角度検出手段１０７で求めた角度θ１およびθ２から、角度θ１±ｂ、角度θ２±ｂの範囲のみρ方向に得票数を個別に累積し、ρ累積得票数メモリ６０６に記憶する。
【００５７】
（ｑ）：ρ累積得票数メモリ６０６内の累積得票数から最大累積得票数の極大点を求め、求められた複数の極大点の距離が予め設定された電子部品の長辺サイズＬｗまたは短辺サイズＬｓに一致する２組の極大点から、長辺の線分ρｍ１、ρｍ２と短辺の線分ρｎ１、ρｎ２を検出する。
１０）部品位置判定手段１０９
（ｒ）：第２の線分検出手段１１３で検出された線分ρｍ１、ρｍ２、ρｎ１、ρｎ２および角度θｐから（数７）により電子部品の位置（ｘｉ，ｙｉ、θｐ）を求める。
【００５８】
（ｓ）：基準データ記憶手段１１０からの電子部品の基準位置（ｘｒ，ｙｒ、θｒ）と比較し許容範囲内であるかを判定し、結果を結果格納メモリ６０７に記憶する。
８）終了
（ｔ）：基準データ記憶手段１１０に登録された対象部品の有無の判定を行い、有の場合は（ｄ）の処理へ、無の場合は（ｕ）の処理に進む。
【００５９】
（ｕ）：終了
また、第２のハフ変換手段１１１において、第１の線分検出手段１０８で求めた長辺の線分ρｍ１’、ρｍ２’と短辺の線分ρｎ１’、ρｎ２’で囲まれた範囲からはずれたエッジ点をワークメモリ６０３からエッジ点の座標を読み出し、ハフ変換を行いヒストグラムメモリ６０４から読み出し得票数から減算して記憶すると説明したが、第１の線分検出手段１０８で求めた長辺の線分ρｍ１’、ρｍ２’と短辺の線分ρｎ１’、ρｎ２’で囲まれた範囲を新たにハフ変換処理を行っても同様の結果が得られるは言うまでもない。
【００６０】
次に、本発明の第４の実施例の処理例について、図１１（ａ）（ｂ）を用いて説明する。図１１（ａ）は、エッジ検出手段１０５で得られたエッジ点（ただし、説明を容易とするために垂直方向のエッジ点のみを示すものとする。）と第１の線分検出手段で得られた線分ρｍ１’、ρｍ２’、ρｎ１’、ρｎ２’を示す。このとき得られた線分は、配線パターン１２１により電子部品のサイズより外側の線分が選択されることから線分ρｍ１’が検出される。図１１（ｂ）は第２の線分検出で得られた線分ρｍ１、ρｍ２、ρｎ１、ρｎ２を示すが、正確に電子部品１２０の外形を検出していることが判る。つまり、図１１（ａ）と図１１（ｂ）の配線パターン上と電子部品上のエッジ点数の差からも明らかのように、一回のハフ変換処理では配線パターン１２１等により誤検出されることもあり、電子部品の位置検出精度低下させる原因にもなっており、ハフ変換処理を２回に分けて処理することにより電子部品の検出位置精度を向上させることが出来る。
【００６１】
なお、本実施例の構成に実施例２のエッジ検出手段又は実施例３のエッジ検出手段及びハフ変換手段を用いても良いことはいうまでもない。
【００６２】
（実施例５）
以下、図を参照しながら本発明の第５の実施例について説明する。
本発明の第５の実施例は、プリント基板上に実装される電子部品のサイズは様々であり、大きなサイズの電子部品はエッジ点数が多く処理時間がかかるが、小さい部品はエッジ点数が少なく検出精度が確保できないと言う課題があり、本発明では電子部品のサイズが見かけ上一定となるように画像データを拡大縮小することにより処理時間と検出精度の課題を解決するものであり、図１４にブロック構成図を示し説明する。
【００６３】
図１４に示す構成は、本発明の第１の実施例の構成のＣＣＤカメラ１０４とエッジ検出手段１０５の間に拡大縮小手段１１４を挿入したものなので拡大縮小手段１１４のみ説明するものとする。
【００６４】
拡大縮小手段１１４は、予め設定された電子部品のサイズ長辺Ｌｗと短辺Ｌｓにより予め設定された正規化サイズｋｍ、ｋｎに拡大縮小するものであり、その拡大縮小率はｋｍ／Ｌｗ、ｋｎ／Ｌｓで与えられる。拡大縮小処理は、画像処理手法としてはよく知られた方式であり、一番簡単な方法としては拡大縮小を２べき乗で２倍、４倍あるいは１／２倍、１／４倍等の一番近い拡大縮小率を選択する方法である。
【００６５】
また、もっと高精度に拡大縮小を行う方法として、アフィン変換を用いた拡大縮小方式があり、（数８）で演算することができる。
【００６６】
【数８】
0003711599.tif 000009
以上、実施例１の構成で説明したが、実施例４の構成に本実施例の拡大縮小手段を用いても良い。
【００６７】
【発明の効果】
以上述べてきたように本発明の効果は、第１にプリント基板上に実装された電子部品を撮像し、その濃淡画像から予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジを検出する。得られたエッジ点座標からハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理により展開したρθ平面で、θ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータの最大値である電子部品の角度θｐを求め、角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに一致する２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出する。抽出された角度および平行な線分から、ｘｙ平面上に逆変換し電子部品の位置と角度を演算し、予め設定した基準データ記憶手段からの基準位置と比較し許容範囲内であるかを判定することで、高密度に実装された電子部品でも高精度に検出することができ、さらに電子部品の一部が汚れや酸化により濃淡レベルが低下しても角度の検出範囲が広く高精度に位置を検出する実装部品検査装置を実現することができる。
【００６８】
第２に、エッジ検出手段において、濃淡画像から予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジを検出する際に、立ち上がりエッジから立ち下がりエッジまでの距離を予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対のみ検出することで部品周辺のエッジ検出を抑制し、高精度に部品位置を検出することができる実装部品検査装置を実現することが可能となった。
【００６９】
第３に、エッジ検出手段において、濃淡画像から予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のエッジ点を検出する際に、立ち上がりエッジから立ち下がりエッジまでの距離を予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに近いエッジ対のみ検出し、さらにエッジ対間の濃度値の平均値から電極部を検出し、エッジ点座標をハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理する際に、電極部に重み付けをして得票しρθ平面に展開することにより部品周辺および文字付き部品内部のエッジ点検出を抑制し高精度に位置を検出することができる実装部品検査装置を実現できる。
【００７０】
第４に、第１のハフ変換手段からのρθ平面において、前記角度検出手段からの電子部品の角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓより外側の２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出しその線分を囲む領域からはずれたエッジ点座標のみハフ（Ｈｏｕｇｈ）変換処理を行い、前記第１のハフ変換手段で求めたρθ平面から減算する。減算したρθ平面からθ方向に得票数が任意に設定した閾値ａ以上の得票数を投影し、θ側に投影したデータの最大値である電子部品の角度θｐを求め、角度θｐ±ｂおよび角度（θｐ＋９０゜）±ｂの範囲内でそれぞれρ側に得票数を投影し、それぞれの投影データで予め設定された電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓに一致する２つのピークより電子部品の短辺および長辺の平行な線分を検出することにより、部品周辺の影響を受けずに高精度に位置の検出が可能な実装部品検査装置を実現できる。
【００７１】
第５に、エッジ検出手段において、前記画像入力手段からの濃淡画像から電子部品のエッジ点を検出する際に、予め設定した電子部品のサイズＬｗ、Ｌｓから任意の検査領域を設定し、電子部品のサイズによらず処理する画像サイズが一定となるように拡大縮小した後に、電子部品のエッジ点を検出することにより、小さい部品は拡大処理により見かけ上エッジ点数が増え位置精度が向上し、大きな部品は縮小処理によりエッジ点数を削減し処理速度を向上する実装部品検査装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例における実装部品検査装置のブロック結線図
【図２】同実施例におけるエッジ検出手段のマスク構成を示す図
【図３】同実施例におけるハフ変換手段の原理を示す図
【図４】同実施例における角度検出手段、線分検出手段の累積得票数を示す図
【図５】同実施例における部品位置判定手段の位置座標を示す図
【図６】（ａ）  同実施例におけるＣＰＵシステム構成図
（ｂ）  同実施例における別のＣＰＵシステム構成図
（ｃ）  同実施例におけるエッジ検出手段のブロック結線図
【図７】同実施例における処理のフローチャート
【図８】（ａ）本発明の第２の実施例におけるエッジ検出手段の処理を示す図
（ｂ）同実施例におけるエッジ検出手段の処理のフローチャート
【図９】（ａ）本発明の第３の実施例におけるエッジ検出手段のエッジ検出データを示す図
（ｂ）同実施例における処理のフローチャート
【図１０】本発明の第４の実施例におけるブロック結線図
【図１１】同実施例における検出された線分とエッジ点を示す図
【図１２】同実施例における処理のフローチャート
【図１３】同実施例における処理のフローチャート
【図１４】本発明の第５の実施例におけるブロック結線図
【符号の説明】
１０１  プリント基板
１０２  電子部品
１０３  照明装置
１０４  画像入力手段
１０５  エッジ検出手段
１０６  ハフ変換手段
１０７  角度検出手段
１０８  線分検出手段
１０９  部品位置判定手段
１１０  基準データ記憶手段
１１１  第２のハフ変換手段
１１２  第２の角度検出種手段
１１３  第２の線分検出手段
１１４  拡大縮小手段
３０１  エッジ点
３０２  線分
６０１  イメージメモリ
６０２  ＣＰＵ
６０３  ワークメモリ
６０４  ヒストグラムメモリ
６０５  θ累積得票数メモリ
６０６  ρ累積得票数メモリ
６１０  画像入力端子
６１１  １Ｈシフトレジスタ
６１２  走査窓
６１３  積和演算ユニット
６１４  Ｓｘ出力
６１５  Ｓｙ出力
６１６  ２値化閾値
６０７  結果格納メモリ
８００  原点座標
８０１  検査領域
８０２  電子部品
８０３  電極部
８０４  水平方向走査ライン
８０６、８０８  輝度プロファイル
８０７  垂直方向走査ライン
８０９  配線パターン
８１０  エッジ候補点
８１１  立ち上がりエッジ
８１２  立ち下がりエッジ
８１３  エッジ点
【図１】
0003711599.tif 000010
【図２】
0003711599.tif 000011
【図３】
0003711599.tif 000012
【図４】
0003711599.tif 000013
【図５】
0003711599.tif 000014
【図６】
0003711599.tif 000015
【図７】
0003711599.tif 000016
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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