(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の主面に対して現像液を供給する現像液供給手段と、
前記現像液供給手段により現像液の供給された基板の主面に対してリンス液を供給して第１のリンス処理を行う第１のリンス液供給手段と、
前記第１のリンス処理の終了した基板に残留する付着物を乾燥させるために前記基板を加熱する基板加熱手段と、
前記基板加熱手段による加熱処理後の基板の主面に対してリンス液を供給して第２のリンス処理を行う第２のリンス液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板現像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板現像装置において、
前記基板加熱手段は、基板の主面に対して加熱された気体を供給する加熱気体供給手段よりなることを特徴とする基板現像装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板現像装置において、
前記基板加熱手段は、基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱手段よりなることを特徴とする基板現像装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３に記載の基板現像装置において、
前記第１および第２のリンス液供給手段は、単一のリンス液供給手段により兼用されることを特徴とする基板現像装置。
【請求項５】
水平姿勢に保持された基板の主面に対して現像液を供給する現像液供給工程と、
現像液供給後の基板の主面に対してリンス液を供給して第１のリンス処理を行う第１のリンス液供給工程と、
第１のリンス処理後の基板に残留する付着物を乾燥させるために前記基板に対して加熱処理を行う加熱処理工程と、
加熱処理後の基板の主面に対してリンス液を供給して第２のリンス処理を行う第２のリンス液供給工程と、
を備えたことを特徴とする基板現像方法。
【請求項６】
請求項５に記載の基板現像方法において、
前記加熱処理工程は、基板の主面に対して加熱された加熱気体を供給する加熱気体供給工程よりなることを特徴とする基板現像方法。
【請求項７】
請求項５に記載の基板現像方法において、
前記熱処理工程は、基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱工程よりなることを特徴とする基板現像方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板上に形成された感光性膜に現像液を供給して現像処理を行なう基板現像装置および基板現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように、フォトリソグラフィー工程においては、基板の主面に対しては、レジスト塗布、露光、現像、それらに付随する熱処理などの処理が順次行われ、基板上にパターンが形成される。一般に、これらの処理は、まずレジスト塗布装置により基板にレジスト膜が形成される。そして、基板に対して熱処理が施された後、レジスト膜の形成された基板が露光機に搬送されて露光される。続いて露光後の熱処理が施された後、基板は基板現像装置ＳＤに搬送され、基板現像装置ＳＤ内において基板に現像液が供給され、所定時間が経過して基板の現像処理が進んだ後に基板にリンス液が供給されてリンス処理が行われる。その後、振り切り乾燥等の乾燥処理が行われて現像処理を終了し、加熱処理装置および冷却処理装置へ搬送されて熱処理が行われ、基板上に所望のパターンが形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の一連の基板処理の中の現像処理時に、図７に示すように基板上においてパターン形成領域Ｒではない部分（以下、「オープンフレーム」と称す）Ｏや、パターン形成領域Ｒ（図８参照）に形成された複数のパターンＰの間のパターンの形成されていない部分に約０．１μｍ程度の微小なドット状またはサテライト状の粘着性の付着物Ｅが発生することがわかってきた。この付着物Ｅは微小ではあるが数千個にも及ぶ場合もあり、大量の付着物Ｅが発生すると現像欠陥となるため不都合が生じる。特に近年、半導体デバイスの高集積化に伴ってパターンを高精細化する技術が求められており、化学増幅型レジスト等の高解像度レジストを用いることにより基板の主面に形成されるパターンの線幅が微小になってきているため、この付着物Ｅが無視できない存在となってきた。
この付着物Ｅの発生原因は不明であるが、本発明者らが鋭意研究したところ、基板上において現像液が供給されて溶解されたレジストの現像残りカスがリンス処理によって基板上から洗い流されることなく微細なゲル状の付着物Ｅとなって強度の粘着力を有しつつ基板に付着しているのではないかと推測される。そしてこの付着物Ｅは現像液供給の後、通常のリンス処理を行っても洗い流すことはできずに基板上に付着したままである。
さらに、一般的にレジストを塗布する前に基板上にＢＡＲＣと呼ばれる反射防止膜を形成することが行われているが、この反射防止膜は図８に示すように表面が粗いため、表面付着した付着物Ｅが密着して離れにくくなる要因となっていると考えられる。
【０００４】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、現像処理後の基板、特に基板のオープンフレームやパターン形成領域に微小な付着物が残留するのを防止できる基板現像装置および基板現像方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、請求項１に記載の基板現像装置は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と基板保持手段に保持された基板の主面に対して現像液を供給する現像液供給手段と現像液供給手段により現像液の供給された基板の主面に対してリンス液を供給して第１のリンス処理を行う第１のリンス液供給手段と第１のリンス処理の終了した基板に残留する付着物を乾燥させるために前記基板を加熱する基板加熱手段と、基板加熱手段による加熱処理後の基板の主面に対してリンス液を供給して第２のリンス処理を行なう第２のリンス液供給手段とを備えたことを特徴とするものである。
【０００６】
また、請求項２に記載の基板現像装置は、請求項１に記載の基板現像装置において、基板加熱手段は、基板の主面に対して加熱された気体を供給する加熱気体供給手段よりなることを特徴とするものである。
【０００７】
また、請求項３に記載の基板現像装置は、請求項１に記載の基板現像装置において、基板加熱手段は、基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱手段よりなることを特徴とするものである。
【０００８】
また、請求項４に記載の基板現像装置は、請求項１ないし請求項３に記載の基板現像装置において、第１および第２のリンス液供給手段は、単一のリンス液供給手段により兼用されることを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項５に記載の基板現像方法は、基板保持手段によって水平姿勢に保持された基板の主面に対して現像液を供給する現像液供給工程と、現像液供給後の基板の主面に対してリンス液を供給して第１のリンス処理を行う第１のリンス液供給工程と、リンス処理後の基板に残留する付着物を乾燥させるために基板に対して加熱処理を行う加熱処理工程と、加熱処理後の基板の主面に対してリンス液を供給して第２のリンス処理を行う第２のリンス液供給工程とを備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項６に記載の基板現像方法は、請求項５に記載の基板現像方法において、加熱処理工程は、基板の主面に対して加熱された加熱気体を供給する加熱気体供給工程よりなることを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項７に記載の基板現像方法は、請求項５に記載の基板現像方法において、熱処理工程は、基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱工程よりなることを特徴とする
【００１２】
請求項１に係る発明の基板現像装置においては、現像液の供給された基板の主面に対する第１のリンス処理後に基板を加熱する基板加熱手段と、加熱処理後の基板の主面に対して第２のリンス処理を行う第２のリンス液供給手段を備えたことにより、第１のリンス処理後に基板の主面を加熱することにより基板の主面に残留する付着物を乾燥させることができ、続いて行う第２のリンス処理によって乾燥した付着物を基板の主面から洗い流して除去することができる。
【００１３】
請求項２に係る発明の基板現像装置においては、基板加熱手段は、基板の主面に対して加熱された気体を供給する加熱気体供給手段としたことにより、第１のリンス処理後の基板の主面を加熱でき、基板の主面に付着する付着物を乾燥させることが可能となる。その結果、第２のリンス処理によって基板の主面の付着物を効果的に洗い流して除去できる。また、加熱気体供給手段を基板現像装置内に備えたことによって専用の加熱処理装置を設ける必要がなく、スループットの低下を招かず、また装置全体のスペース効率を向上させることができる。
【００１４】
請求項３に係る発明の基板現像装置においては、基板加熱手段は、基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱手段としたことにより、第１のリンス処理後の基板の主面を加熱でき、基板の主面に付着する付着物を乾燥させることができる。その結果、第２のリンス処理によって基板の主面の付着物を洗い流して効果的に除去できる。また、光照射加熱手段を基板現像装置内に備えたことによって専用の加熱処理装置を設ける必要がなく、スループットの低下を招かず、また装置全体のスペース効率を向上させることができる。
【００１５】
請求項４に係る発明の基板現像装置においては、第１および第２のリンス液供給手段を単一のリンス液供給手段により兼用することにより、装置構成を簡略化することができる。
【００１６】
請求項５に係る発明の基板現像方法においては、第１のリンス液供給工程の後に基板に対して加熱処理を行なう加熱処理工程と、加熱処理後の基板の主面に対して第２のリンス処理を行う第２のリンス液供給工程を備えたことにより、第１のリンス処理後の基板の主面を加熱して基板の主面に残留する付着物を乾燥させることができ、続いて行う第２のリンス処理によって乾燥した付着物を洗い流して除去することができる。
【００１７】
請求項６に係る発明の基板現像方法においては、加熱処理工程は基板の主面に対して加熱された加熱気体を供給する加熱気体供給工程よりなるとしたことにより、第１のリンス液供給工程後の基板の主面を加熱でき、基板の主面に付着する付着物を乾燥させることが可能となる。その結果、その後の第２のリンス液供給工程によって基板の主面の付着物を効果的に除去できる。
【００１８】
請求項７に係る発明の基板現像方法においては、加熱処理工程は基板の主面に対して光を照射して加熱する光照射加熱工程よりなるとしたことにより、第１のリンス液供給工程後の基板の主面全面をより迅速に加熱でき、基板の主面に付着する付着物を乾燥させることができる。その結果、基板の主面の付着物を効果的に除去できる。
【００１９】
【発明の実施形態】
図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明における基板現像装置ＳＤを含む基板処理システム１のシステム構成図である。基板処理システム１は、図示しない基板収納カセットと搬送装置とが配置され、搬送装置により基板収納カセットから処理前の基板を取出すとともに、所定の処理が終了した基板を基板収納カセットへ収納するインデクサＩＤと、基板に対して所定の処理を行う複数の基板処理装置群と当該基板処理装置に対して基板の搬送を行う搬送ユニットＴＲとが配置される基板処理エリア１２と、図示しない搬送装置を備え、基板処理エリア１２と露光装置ＳＴとの間での基板の受渡しを行うインターフェース部ＩＣとを備えている。
【００２０】
基板処理エリア１２には、搬送ユニットを挟んだその一方側に基板に対して反射防止膜を形成するための塗布液を塗布する塗布装置ＳＣ１と、基板に対して化学増幅型レジスト液を塗布する塗布装置ＳＣ２と、露光装置ＳＴで露光された基板に対して現像処理を行う現像装置ＳＤとが配置され、その他方側に基板に対して加熱処理を行う加熱処理装置ＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３、ＰＥＢと、加熱処理後の基板に対して冷却処理を行う冷却処理装置ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３、ＣＰ４とが配置されている。
【００２１】
本発明に係る基板現像装置ＳＤは、このような基板処理システム１内に組み込まれており、他の基板処理装置とともに基板Ｗの主面に対して所定の処理を行う。
【００２２】
なお、図１では、加熱処理装置と冷却装置とが平面的に配置されているように描かれているが、各加熱処理装置ＨＰ並びに各冷却処理装置は上下方向に配置されている。また、各処理装置の数は上記したものに限らず任意の数設置すればよい。
【００２３】
図１に示した基板処理システム１および露光装置ＳＴにおける基板の処理フローの一例について図２に示す。この図２に基づいて基板の処理手順を簡単に説明すると、まず、インデクサ部ＩＤから基板収納カセットに収納された処理前の基板が図示しない搬送装置により１枚ずつ基板処理エリア１２の搬送ユニットＴＲへ供給され、搬送ユニットＴＲが、基板上に反射防止膜としての反射防止膜を形成するための塗布液を塗布する塗布装置ＳＣ１，反射防止膜の塗布された基板を加熱して溶媒成分を揮発させる加熱処理装置ＨＰ１、加熱処理後の基板を冷却する冷却処理装置ＣＰ１、基板上にレジスト膜を塗布する塗布装置ＳＣ２、レジスト液の塗布された基板を加熱して溶媒成分を揮発させる加熱処理装置ＨＰ２および加熱処理後の基板を冷却する冷却処理装置ＣＰ２へと順番に移動しながら、それぞれ各処理装置において、先に入っていた基板を取出すとともに処理しようとする基板を投入し、それぞれ各処理装置により基板に対し所要の処理が施される。これにより、基板の主面にレジスト膜が形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基板は、搬送ユニットＴＲからインターフェース部ＩＦへと渡され、インターフェース部ＩＦを通して露光装置ＳＴへ搬入される。そして、露光装置ＳＴにおいて基板が露光され、露光処理が終了した基板は、露光装置ＳＴからインターフェース部ＩＦへ戻され、インターフェース部ＩＦを通して搬送ユニットＴＲへ受け渡される。
【００２４】
搬送ユニットＴＲに戻された露光処理後の基板は、搬送ユニットＴＲによって加熱処理装置ＰＥＢへ搬送され、加熱処理装置ＰＥＢにより加熱処理される。この加熱処理により、露光部分における化学反応が促進される。そして、搬送ユニットＴＲによって基板が加熱処理装置ＰＥＢから冷却処理装置ＣＰ３へ搬送され、冷却処理装置ＣＰ３で基板が冷却処理される。この冷却処理により、レジストの露光部分における反応が停止する。その後、搬送ユニットＴＲが、基板を冷却処理装置ＣＰ３から基板現像装置ＳＤへ搬送し、基板の現像処理が行われる。現像処理の終了した基板は、現像処理後のいわゆるポストベークを行うためＨＰ３へと搬送され、ポストベークを行なった後、ＣＰ４に送られて冷却処理が施され、インデクサＩＤへと搬送される。
【００２５】
次に、図３および図４を参照して本発明に係る基板現像装置の第１の実施の形態について説明する。図３は本発明の第１の実施形態に係る基板現像装置ＳＤを示す平面図である。また、図４は図３に示す矢印Ｘ方向から見た本発明の第１の実施形態に係る基板現像装置ＳＤを示す概略構成図である。
【００２６】
基板現像装置ＳＤは、基板Ｗを水平姿勢で回転保持する基板保持手段としての回転保持部４０と、回転保持部４０によって保持された基板Ｗの主面に現像液を供給する現像液供給部５０と、現像液の供給後および後述する加熱気体の供給後の基板Ｗの主面にリンス液（本実施形態では純水）を供給するリンス液供給部６０と、リンス液が供給された基板Ｗの主面に対して加熱気体を供給する加熱気体供給部８０と、上記基板現像装置ＳＤに備えられた各機構の動作を制御する制御部１１０とを備えている。
【００２７】
図４に示すように、回転保持部４０は基板Ｗを水平姿勢に吸着保持する回転台４１と、回転台４１の下面側中央に垂設された回転軸４２と、回転軸４２を介して回転台４１を鉛直方向を軸として回転駆動するスピンモータ４３とにより構成される。なお、回転台４０は基板Ｗを吸着保持する形態に限定されるものではなく、基板Ｗの周縁部を保持する形態の回転台であってもよい。
【００２８】
また、基板Ｗの周辺を覆うようにして飛散防止カップ７０が配置されており、基板Ｗの回転によって飛散した現像液やリンス液は当該飛散防止カップ７０によって回収される。さらに、飛散防止カップの外側には外壁７５が配置されている。
【００２９】
現像液供給部５０は、図３に示すように待機時には紙面における基板Ｗの左側方の第１の待機位置５５ａに位置し、基板と同等以上の長さを有する図示しないスリット状の現像液供給口を有する現像液供給ノズル５１と、現像液供給ノズル５１に対して現像液を供給する現像液供給源５６（図４参照）と、現像液供給ノズル５１と現像液供給源５６とを連通接続して現像液を供給せしめる現像液供給配管５８と、現像液供給配管５８の途中に設けられ、電気的に接続された制御部１１０による制御に基づいて現像液の供給および停止を行う開閉バルブ５７と、現像液供給ノズル５１を保持する水平アーム５２と、水平アーム５２に連結する移動部５４と、移動部５４が第１の待機位置５５ａと第２の待機位置５５ｂとの間で水平かつ直線的に移動するように回転駆動されるボールネジ５３とにより構成される。なお、図示を省略しているが、モータ５９も制御部１１０と電気的に接続され制御部１１０により制御される。そして、基板に対する現像液供給時には、図３において現像液供給ノズル５１が基板Ｗの左端上方に位置する手前から現像液の供給を開始し、現像液供給ノズル５１が基板Ｗの右端上方を通過した後に現像液の供給を停止する。ここで、現像液供給ノズル５１および現像液供給配管５８が本発明における現像液供給手段に該当する。
【００３０】
なお、現像液供給ノズルは、必ずしもスリット状の現像液供給ノズルである必要はなく、例えば、基板中心部に現像液を供給して基板Ｗを回転させることによって基板Ｗ上に現像液を液盛りするタイプのものでもよく、任意の構成をとりうる。
【００３１】
リンス液供給部６０は図３において紙面における基板Ｗの上部側に配置され、基板Ｗの主面に対してリンス液を供給するリンス液供給ノズル６１と、リンス液供給ノズル６１に対してリンス液を供給するリンス液供給源６５と、リンス液供給ノズル６１とリンス液供給源６５とを連通接続するリンス液供給配管６４と、リンス液供給配管６４内の途中に設けられて電気的に接続された制御部１１０による制御に基づいてリンス液の供給および停止を行う開閉バルブ６６と、リンス液供給ノズル６１を支持するリンス液供給ノズル支持部６２と、ノズル支持部６２をその上端部に固設する支柱６７と、電気的に制御部１１０と接続され、制御部１１０による制御に基づいてリンス液供給ノズル６１が基板上で回動可能なようにリンス液供給ノズル６１を駆動するノズル回動モータ６３とにより構成される。なお、リンス液供給ノズル６１とリンス液供給配管６４とが本発明のリンス液供給手段に該当する。
【００３２】
加熱気体供給部８０は図３において基板Ｗの斜め左上に位置し、上述した現像液供給ノズル５１の基板Ｗに沿った水平移動時に現像液供給ノズル５１と干渉しないような高さ関係で配置されている。この加熱気体供給部８０は、基板Ｗの主面に対して例えば窒素ガス等の気体を吹き付ける気体供給ノズル８１と、気体供給ノズル８１が少なくとも基板Ｗの端部上方と基板Ｗの中央部上方との間で水平方向に往復移動するように伸縮動作するノズル保持アーム８２と、気体供給ノズル８１に対して窒素ガスを供給する窒素ガス供給源８３と、気体供給ノズル８１と気体供給源８３とを連通接続する窒素ガス供給配管８４と、窒素ガス供給配管８４内を通る窒素ガスを電熱コイル等の加熱手段により加熱する加熱部８５と、窒素ガス供給配管８４の途中に設けられ、電気的に接続された制御部１１０による制御に基づき窒素ガスの供給および停止を行う開閉バルブ８６とにより構成される。なお、このうち気体供給ノズル８１と窒素ガス供給配管８４と、加熱部８５とが本発明における加熱気体供給手段に該当する。
【００３３】
次に、上記構成を有する第１の実施形態の基板現像装置ＳＤにおける現像処理時の動作について説明する。
基板現像装置ＳＤに露光処理後の熱処理の終了した基板Ｗが搬送ユニットＴＲにより搬入されると、回転台４１の上面に基板Ｗが吸着保持される。そして、まずモータ５９の駆動によりボールネジ５３が回転され、現像液供給部５０の水平アーム５２に連結する移動部５４がボールネジ５３に沿って水平かつ直線的に移動を開始し、それに伴って現像液供給ノズル５１が基板Ｗの主面との間に所定の高さ関係を維持しながら、図３の紙面における基板Ｗの左側方から右側方まで移動する。図３において現像液供給ノズル５１が基板Ｗの左端の手前の位置に達すると開閉バルブ５７が開かれ、現像液供給ノズル５１の先端部に設けられたスリット状の現像液供給口から静止状態の基板Ｗの主面に対して現像液の供給が開始されるとともに、現像液供給ノズル５１が基板Ｗの右端を通過すると現像液の供給が停止される。これにより基板Ｗ上に現像液を均一に液盛りすることができる。
【００３４】
上記のようにして現像液を基板Ｗの全面に液盛りした後、この状態を一定時間保持することによって現像を進める。また、現像液供給ノズル５１を待機位置５５ｂに移動させるとともに図４中に二点鎖線で示すように飛散防止カップ７０を上昇させる。そして、一定時間が経過した後、リンス液供給部６０により基板Ｗに対してリンス液を供給し、現像の進行を停止させるための第１のリンス処理が行われる。第１のリンス処理では、まずリンス液供給ノズル６１の先端部が基板中央部上方に位置するようにノズル回動モータ６３が支柱６７を回動させてノズル支持部６２を駆動する。リンス液供給ノズル６１が基板中央部上方に到達すると、スピンモータ４３により回転台４１上の基板を回転動作させながら、開閉バルブ６６を開放してリンス液供給源６５からリンス液を供給し、基板Ｗ上の現像液をリンス液で置き換えて現像の進行を停止させる。そしてリンス液での置き換えが完了すると、開閉バルブ６６を閉じてリンス液の供給を停止し、リンス液供給ノズル６１をノズル回動モータ６３の駆動により基板Ｗの上方から退避させて第１のリンス処理が終了する。そしてさらに基板Ｗを回転動作させ、基板Ｗの振り切り乾燥を行なった後、回転台４１の回転を停止させる。
【００３５】
次に基板の加熱を行う。ここでははまず、スピンモータ４３の駆動により回転台４１上の基板Ｗを例えば約数十ｒｐｍ．／ｓｅｃ．の速度で低速回転させる。そして、開閉バルブ８６を開き、窒素ガス供給源８３からの窒素ガスの供給を開始する。当該窒素ガスは加熱部８５で例えば４０度以上の温度に加熱されて窒素ガス供給配管８４を通じて気体供給ノズル８１から基板Ｗの主面に対して供給される。そして窒素ガスを供給した状態でノズル保持アーム８２が図４に示す矢印方向に伸縮し、基板Ｗ全面に対して所定時間、例えば１分間加熱気体を供給しながら基板Ｗを乾燥させ、第１のリンス処理によっても基板Ｗ上から流し去ることができなかった現像欠陥の基となる基板Ｗ上の付着物も乾燥させて基板Ｗ上から取り除き易くする。
【００３６】
最後に再びリンス液供給部６０による第２のリンス処理により現像欠陥のもととなる基板Ｗ上の付着物を流し去る。即ち、第２のリンス処理でも、第１のリンス処理時と同様にまずリンス液供給ノズル６１の先端部が基板中央部上方に位置するようにノズル回動モータ６３が支柱６７を介してノズル支持部６２を回動駆動する。リンス液供給ノズル６１が基板中央部上方に到達すると、スピンモータ４３により回転台４１上の基板Ｗを回転動作させながら、開閉バルブ６６を開放してリンス液供給源６５からのリンス液を基板Ｗに対して所定時間供給し、リンス液の流れと回転による遠心力によって基板Ｗに付着している付着物を基板Ｗ表面から離脱させるとともに基板Ｗ上から流し去る。そして所定時間が経過すると、開閉バルブ６６を閉じてリンス液の供給を停止し、リンス液供給ノズル６１をノズル回動モータ６３の駆動により基板Ｗの上方から退避させて第２のリンス処理を終了する。そしてさらに基板Ｗを回転動作させ、基板Ｗの振り切り乾燥を行なった後、回転台４１の回転を停止させる。
なお、本実施の形態においては、単一のリンス液供給ノズル６１によって第１および第２のリンス処理を行う構成としたが、複数のリンス液供給ノズル６１を設けて第１、第２のリンス処理時にそれぞれ使い分ける構成としてもよい。
【００３７】
このようにして施された現像処理は、基板Ｗに現像液を供給してリンス処理をおこなった後に、基板Ｗの主面に対して加熱気体を供給することで、基板に付着した微細なゲル状の付着物Ｅを乾燥させることができ、続いて行うリンス処理によって付着物Ｅを基板Ｗ上から洗い流すことを容易にする。本発明者らの実験によると、通常の現像処理では基板の現像処理が終了した後に１枚の基板のオープンフレームＯやパターン形成領域Ｒに数千個残留していた付着物Ｅが、本実施の形態を実際に実施することによって数十個にまで激減したことが確認されている。
【００３８】
次に、図５を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図５は第２の実施の形態に係る基板現像装置１００を示す概略構成図である。なお、この第２の実施の形態において第１の実施の形態と共通する部分は図４と同一の符号を付してその説明は省略する。尚、主に異なるのは第１のリンス処理の後に基板Ｗの加熱処理を行う基板加熱手段として、加熱された窒素ガスを供給する代わりに光照射加熱部９０を備える構成を採る点のみであり、それ以外の構成、および処理動作は上述した第１の実施形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。
【００３９】
光照射加熱部９０は、図５、および図６に示すように制御部１１０の制御により基板Ｗの主面に対して光照射加熱を行う発光体９１と、発光体９１を有する発光体保持手段９２とによって構成されている。なお、発光体９１が本発明における光照射加熱手段に該当する。
【００４０】
発光体９１は図６に示すように棒状の赤外線ランプが一定間隔を有して基板Ｗを覆うように複数配置されている。尚、発光体９１は赤外線ランプの他、ハロゲンランプ、キセノンアークランプ等でも良い。また、発光体４１は基板Ｗの主面の面積に近似する範囲を覆うようにその長さや配置個数が適宜決定される。
【００４１】
第２の実施形態の光照射加熱手段による基板の加熱も上記第１の実施の形態と同様に、基板Ｗに対する第１のリンス処理の後に行われる。ここで基板Ｗを加熱する際には、制御部１１０の制御によって発光体９１が点灯され、回転台４１上で静止状態の基板Ｗの主面に対して４０度以上の温度で約１分間光照射加熱処理を行う。このように、基板加熱手段を図５および図６に示す形態としたことによっても上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることが可能になる。また、簡易な構成で基板全面を加熱することができるため効果的である。
【００４２】
上記第１の実施の形態においては、単一の気体供給ノズル８１について開示したが、気体供給ノズルは複数設けてもよく、１本以上であればよい。また、基板を加熱する際に、ノズル保持アーム８２が気体供給ノズル８１が基板Ｗの端部上方と基板Ｗの中央部上方との間で水平方向に往復移動するように伸縮動作する構成としたが、気体供給ノズル８１は固定式でもよく、また揺動等他の移動手段、方法を有するものでもよく基板Ｗ全面を加熱できる構成であればよい。
【００４３】
また、上記第２の実施の形態において光照射加熱部９０の発光体９１を複数としたが、発光体９１は単一でもよく、基板Ｗを光照射加熱できる構成であればよい。
【００４４】
さらに、上記第２の実施の形態においては、基板加熱処理時に基板Ｗを静止状態としたが、基板を回転させながら加熱処理を行う構成としてもよい。
【００４５】
なお、上記各実施の形態においては基板加熱手段による加熱温度を４０度以上、加熱時間を約１分間としたが、それぞれこの数値に限定されるものではなく、基板Ｗの主面の付着物が十分に乾燥する加熱温度および加熱時間であればよい。
【００４６】
さらに、本発明の基板加熱手段としては上記第１および第２の実施形態のものに限らず、例えば回転台４１内に加熱手段を設けるなど、一連の現像処理過程で基板Ｗを加熱できる構成であればよい。
【００４７】
【発明の効果】
本発明の基板現像装置によると、現像液が供給された後の第１のリンス処理の終了した基板が、基板加熱手段により加熱され、さらに第２のリンス処理が施されるので、第１のリンス処理によっても洗い流せなかった基板Ｗ上の付着物を容易に基板Ｗ上から洗い流すことができる。
【００４８】
更に本発明の基板現像方法によると、現像液が供給された後の第１のリンス処理の終了基板が、加熱され、さらに第２のリンス処理が施されるので、第１のリンス処理によっても洗い流せなかった基板上の付着物を容易に基板上から洗い流すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における基板現像装置を含む基板処理システムのシステム構成図である。
【図２】図１に示した基板処理システムおよび露光装置における基板の処理フローを示す図である。
【図３】第１の実施形態に係る基板現像装置の概略構成を示す平面図である。
【図４】第１の実施形態に係る基板現像装置の構成を示す概略図である。
【図５】第２の実施形態に係る基板現像装置の構成を示す概略図である。
【図６】第２の実施形態に係る光照射加熱手段の構成を示す平面概略図である
【図７】従来の基板上での付着物の様子を示す平面概略図である。
【図８】従来の基板上での付着物の様子を示す断面概略図である。
【符号の説明】
ＳＤ、１００  基板現像装置
４０    回転保持部
５０    現像液供給部
６０  リンス液供給部
８０  加熱気体供給部
８１    気体供給ノズル
８２  ノズル保持アーム
８３    気体供給源
８４  窒素ガス供給配管
８５    加熱部
８６    開閉バルブ
９０  光照射加熱部
９１    発光体
９２  発光体保持手段
１１０    制御部
Ｗ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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