(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な第１の基板上に、走査線、ゲート電極および共通電極線を形成する工程と、これらの配線および電極を含む前記第１の基板上の全面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極の上部の前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成した後、前記半導体層上にソース電極およびドレイン電極を形成して薄膜トランジスタを形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に信号線を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ、前記信号線を含む前記第１の基板の全面にパッシベーション膜を設ける工程と、前記薄膜トランジスタの上部の前記パッシベーション膜上に遮光膜を、その他の部分の前記パッシベーション膜上にカラーフィルタを形成する工程と、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層を形成し、前記オーバーコート層上に画素電極と共通信号が印加される共通電極とを形成するとともに、前記画素電極および前記共通電極は各画素ごとに設けられたそれぞれのコンタクトホールを介して前記ドレイン電極および前記共通電極線にそれぞれ接続する工程と、前記第１の基板と透明な第２の基板とを対向させその間に液晶を封止する工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面内に水平な電界を用いて液晶を駆動する方式の液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置の液晶の動作モードとしては、基板間で液晶分子の分子軸の方向（以下、ダイレクタと呼ぶ）を上下基板間で約９０度回転させて液晶分子をツイスト配向させ、基板に対して垂直方向の電界により、ダイレクタを垂直方向に回転させて表示を行うツイステッドネマティックモード（以下、ＴＮモードと呼ぶ）が従来用いられてきた。
【０００３】
しかしながら、このＴＮモードは、視野角が狭いという問題点がある。その為、斜め方向から表示を視認出来ない他、大容量表示が進み画面面積が大きくなると、斜め方向のある視点から画面を見た場合画面中央と画面端で見え方が異なり正しい表示が不可能になる。
【０００４】
この問題に対して、基板に対して平行方向に電界を発生させ、ダイレクタを水平面内で回転させて表示を行うインプレーンスイッチングモード（以下ＩＰＳモードと呼ぶ）が開発されている。基板に平行な電界により液晶を駆動させる液晶表示装置は、液晶が水平方向に配向しているので視点を動かしても液晶の複屈折性が大きく変化しないため、ＴＮモードの液晶表示装置に比較して、広視野角を達成することができる。
【０００５】
また、ＩＰＳモードと同様に基板に平行な電界により広視野角を得る方法として非特許文献１または特許文献１には誘電率異方性が正の液晶を基板に対して垂直にホメオトロピック配向させておき、基板に水平方向の電界で液晶分子を基板と水平方向に倒す方式が述べられている。このとき、電界の方向のためホメオトロピック配向させた液晶分子は傾く方向が異なる２つ以上の領域に分かれる。ホメオトロピック配向の液晶自体は、特に広い視野角を得られるわけではないが、上記の方向で２つ以上の領域に分けることにより、透過光強度の変化を緩やかにして広視野を得ることができる。
【０００６】
ＩＰＳモードにより動作する液晶表示装置は、例えば特許文献２（以下「従来例１」）に開示されているように、画素電極と共通電極線の間に電圧を印加し、基板面にほぼ平行な電界を発生させて液晶を駆動していた。図１２に従来例１の平面図、また、図１３に図１２中のＡ−Ａ’線の断面図を示す。従来例１の液晶表示装置は、薄膜トランジスタの存在する基板１（以下、ＴＦＴ基板と呼ぶ）上にマトリクス状に配置された複数の走査線３、信号線７及び共通電極線１４を備え、走査線と信号線の交差部には薄膜トランジスタ及び画素電極１１を有している。画素電極１１と共通電極線１４から延びるＣＯＭ電極１２は図１２の平面図に示すようにストライプ状に両電極が平行になるよう設置され、基板面に平行で両電極に直交する成分を主とした電界を発生できる。なお、共通電極をＣＯＭ電極と称して表現している。
【０００７】
さらに、このＴＦＴ基板と液晶層１３とを介して対向して、遮光層１５と、カラーフィルタ９Ｒ、９Ｂ、９Ｇ、液晶配向層（図示せず）とを有する基板２（以下、対向基板と呼ぶ）を設置し、一つのアクティブマトリクス液晶表示装置を形成している。ここで、従来例１の特徴は、カラーフィルタ及び遮光層が対向基板２上に形成されていることにある。
【０００８】
また、従来、カラーフィルタがＴＦＴ基板側に形成された液晶表示装置が特許文献３において提案されている（以下従来例２とする）。図１４に従来例２の平面図を、図１５に図１４中のＡ−Ａ’線の断面図を示す。また、図１６（ａ）〜（ｈ）は、その製造工程を示す図である。従来例２の液晶表示装置は以下のような構成をしている。
【０００９】
一方の基板１上に走査線３、走査線３に電気的に接続されたゲート電極３ａ及び共通電極線１４が設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成され、このゲート絶縁膜４の上層に能動層となる半導体層５が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号線７及びドレイン電極７ｂが形成されている。信号線７とソース電極７ａは接続されている。また、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層６を介して半導体層５と接続されている。それらの上層には薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜８が設置され、その上層には遮光層２０、それぞれ赤・緑・青の光を通過させるカラーフィルター９Ｒ・９Ｇ・９Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオーバーコート層１０が設置され、その上層には共通電極線１４、共通電極線１４と接続されたＣＯＭ電極１２が設置されている。その上層には絶縁膜２１を挟んで薄膜トランジスタのソース電極７ｂとコンタクトホールを介して接続された金属よりなる櫛歯状の画素電極１１が設置されている。画素電極１１とＣＯＭ電極１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向の成分が主となるよう配置されている。その上層には図示しないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾きを制御するための液晶配向層が設置され薄膜トランジスタ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
【００１０】
もう一方の基板２上には図示しないが液晶配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子は基板に平行に配向されている。
【００１１】
従来例２の液晶表示装置は、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの上に配置された液晶分子２００を駆動している。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置されているようにした。この従来例２によれば、液晶分子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化したとしても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素電極１１とＣＯＭ電極１２に収束し、液晶層には大きな影響を与えない。また、従来例２ではカラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップしない。よって、さらに液晶層１３への影響は少なくなる。
【００１２】
なお、後述するように、本発明に関連すると思われる特許文献４および非特許文献２もある。
【００１３】
【特許文献１】
特開平１０−１８６３５１号公報
【特許文献２】
特開平６−１４８５９５号公報
【特許文献３】
特願平１１−１６８３３４号
【特許文献４】
特開平９−３１１３４７号公報
【非特許文献１】
Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．１２（１９７４）Ｐ．５４６６
【非特許文献２】
エ−エムエルシ−ディ−'９６／アイディ−ダブリュ'９６のダイジェスト・オブ・テクニカル・ペイパ−ズ（ＡＭ−ＬＣＤ’９６／ＩＤＷ’９６Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ）Ｐ．３３７
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来例１の様にカラーフィルタが対向基板上に形成される構造の場合、次のような問題点があった。カラーフィルタは、通常顔料を分散した有機ポリマーを用いフォトリソグラフィ技術により色層を形成し製造される。よって、カラーフィルタは非常に多くの有機物やイオン性の物質を含んでいる。液晶層中に印加されている交流駆動電圧に僅かでも直流電圧成分が含まれている場合、不純物イオンが偏在化してカラーフィルタ上に電界を形成してしまう。その結果、液晶を駆動する際、駆動電界を妨害して目的の電界を液晶に印加できなくなり正常な表示が不能になる。カラーフィルタの持つ電位は、直流成分のゆらぎあるいは不純物分布の影響でパネル面内でばらつくため表示としてはムラとなって現れる。また、駆動電界を除去した後もカラーフィルタ上の電荷はしばらくの間残るため液晶層１３には弱い電界が作用した状態となって、長期残像やムラの原因となり表示品位を低下させる。従来の技術ではカラーフィルタは画素電極や共通電極線に対して液晶層１３を挟んで対向基板上にあるため画素電極や共通電極線とカラーフィルタの電位差によりカラーフィルタ上の電界は基板に垂直な成分を含んでおり、基板間の複屈折性が大きく変化し長期残像や表示ムラの程度はＴＮモードに比べ非常に大きい。
【００１５】
また、従来例２は、従来例１の問題点を解決するものであるが、なお次のような欠点がある。すなわち、従来例２では画素電極とＣＯＭ電極が絶縁層（層間分離膜）２１を介して異なる層に配置されている。よって、層間分離膜の形成および配線形成工程が増え、作製コストが増すばかりか生産歩留まりも低下してしまう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、面内に水平な電界を用いて液晶を駆動する方式の液晶表示装置の製造方法において、カラーフィルタをＴＦＴ基板上に作成し、更にその上層に共通電極と画素電極を同層の電極により作成するとともに、前記画素電極および前記ＣＯＭ電極は各画素ごとに設けられたそれぞれのコンタクトホールを介して前記ドレイン電極および共通電極線にそれぞれ接続することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明によれば、一方の基板上に、走査線、ゲート電極および共通電極線を形成する工程と、これらの配線および電極を含む上記の一方の基板上の全面にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極の上部のゲート絶縁膜上に半導体層を形成した後、半導体層上にソース電極およびドレイン電極を形成して薄膜トランジスタを形成する工程と、ゲート絶縁膜上に信号線を形成する工程と、薄膜トランジスタ、信号線を含む上記の一方の基板上の全面にパッシベーション膜を設ける工程と、薄膜トランジスタの上部のパッシベーション膜上に遮光膜を、その他の部分のパッシベーション膜上にカラーフィルタを形成する工程と、カラーフィルタ上層に画素電極と共通信号が印加されるＣＯＭ電極とを形成するとともに、画素電極およびＣＯＭ電極は各画素ごとに設けられたそれぞれのコンタクトホールを介してドレイン電極および共通電極線にそれぞれ接続する工程と、上記の一方の基板ともう一方の基板とを対向させその間に液晶を封止する工程とを有する液晶表示装置の製造方法が得られる。なお、カラーフィルタ上にオーバーコート層を形成してもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に本発明について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態の構成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線の断面図、図３は図１のＢ−Ｂ’線の断面図を示す。
【００２０】
一方の基板１上に走査線３、走査線３に電気的に接続されたゲート電極３ａ及び共通電極線１４が設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成され、このゲート絶縁膜の上層に能動層となる半導体層５が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号線７、ドレイン電極７ｂ及び導通部２５が形成されている。信号線７とソース電極７ａは接続されている。また、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層６を介して半導体層５と接続されている。それらの上層には薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜８が設置され、その上層には遮光層２０、それぞれ赤・緑・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ・９Ｇ・９Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオーバーコート層１０が設置され、その上層には薄膜トランジスタのソース電極７ｂとコンタクトホールを介して接続された金属よりなる画素電極１１、共通電極線１４と導通部２５及びコンタクトホールを介して接続されたＣＯＭ電極１２が設置されている。画素電極１１とＣＯＭ電極１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向の成分が主となるよう配置されている。その上層には図示しないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾きを制御するための液晶配向層が設置され薄膜トランジスタ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
【００２１】
もう一方の基板２上には図示しないが液晶配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子は基板に平行に配向されている。この実施の形態ではポリイミドからなる液晶配向層をラビングすることによって分子配向を行った。ラビング法に限らず、光配向法や酸化シリコンの斜方蒸着法を用いても良い。液晶分子の誘電率異方性は正とした。
【００２２】
液晶層中の液晶分子２００は図４（ａ）、（ｂ）に示すように、画素電極１１とＣＯＭ電極１２間に電界が発生していないときは、液晶層１３における液晶分子はそれら電極の延在方向にほぼ平行な状態となるよう液晶配向層によりホモジニアス配向している。すなわち、液晶分子の長軸（光学軸）の方向と、画素電極１１とＣＯＭ電極１２との間に形成される電界方向とのなす角度が、例えば、４５°以上９０°未満となるように、液晶分子は配向されている。
【００２３】
ここで、ゲート電極３ａに電圧を印加して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ドレイン電極７ｂに電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起される。そして、この電界により、液晶分子２００は、画素電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間に形成される電界の方向に、ほぼ平行な状態となる（図４）。そして、基板１および基板２の外側に設置された偏光板の偏光透過軸を所定角度に配置しておくことで、上述した液晶分子の動きによって光の透過率を変化させることができる。例えば、一方の偏光板の透過軸を液晶分子２００の配向方向とし、もう一方の偏光板の透過軸を９０度回転させた方向とすることで、電界が印加されていないとき黒表示となり、印加時には光が透過するノーマリブラック表示となる。
【００２４】
次に第１の実施の形態の製造方法について述べる。図７（ａ）、（a'）〜（ｈ）、（h'）に製造工程を説明する為の断面図を示す。図７（ａ）、（a'）に示すように、一方の基板１に、スパッタによりクロムを成膜しフォトリソグラフィ技術を用いてパターンニングを行うことにより、走査線３、ゲート電極３ａ及び共通電極線１４を形成する。配線材料としてクロムを用いたが、クロムに限らず、モリブデン、チタン、アルミニウム、アルミニウム合金などの抵抗が低く、薄膜形成及びフォトリソグラフィ技術によるパターンニングがしやすい材料ならばよい。また、アルミニウム上にチタンなどのバリアメタルを形成した積層構造の配線としても良い。その後、図７（ｂ）、（b'）に示すように、ケミカルべーパーデポジッション（以下ＣＶＤとする）によりゲート絶縁膜４となる窒化シリコンを全面に成膜する。ゲート絶縁膜上にドーピングされていないアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉとする）とｎ＋型にドーピングされたアモルファスシリコン（以下ｎ＋型ａ−Ｓｉとする）をＣＶＤにより成膜しパターンニングして半導体層５とｎ＋型ａ−Ｓｉ６を形成する。半導体層は薄膜トランジスタの能動層となるものであり、ｎ＋型ａ−Ｓｉ６はドレイン電極７ｂおよびソース電極７ａとａ−Ｓｉとのオーミックコンタクトを確保するためのものである。
【００２５】
この後、図７（ｃ）、（c'）のように、走査線３や共通電極線１４の形成された金属層とこの後形成する信号線、ソース電極、ドレイン電極の形成される金属層との導通をとるためのコンタクトホールをゲート絶縁膜をパターンニングすることで形成する。このコンタクトホールの形成は、後のパッシベーション膜のパターンニングと同時に行ってもよい、その際には導通部２５は必要がなくなる。この後、図７（ｄ）、（d'）のように、半導体層５およびｎ＋型ａ−Ｓｉ６上に、クロムをスパッタにより成膜しパターンニングしてドレイン電極７ｂ、ソース電極７ａと導通パッドを形成する。その後、ｎ＋型ａ−Ｓｉがエッチングされるガス系にてドライエッチングを行い、ドレイン電極７ｂとソース電極７ａの間のｎ＋型ａ−Ｓｉを除去する。これは、ソース電極とドレイン電極間をｎ＋型ａ−Ｓｉを介して直接電流が流れるのを防止するためである。この後、図７（ｅ）、（e'）のように、ＣＶＤにより窒化シリコンを成膜しパターンニングしてパッシベーション膜８を形成する。パッシベーション膜８はイオン等の不純物が半導体層５へ入り薄膜トランジスタが動作不良を起こすのを防ぐ。
【００２６】
このようにして作製した薄膜トランジスタの上層に、図７（ｆ）、（f'）に示すように、カラーフィルタ９Ｒ、９Ｇ、９Ｂと遮光層２０を形成する。例えばアクリル系の感光性ポリマー中に赤・緑・青・黒などの所望の色の顔料を分散したレジストをフォトリソグラフィ技術によりパターンニングし形成する。このときコンタクトホールも形成する。黒レジストは絶縁性の高いものを使用する。黒レジストの絶縁性が低いと薄膜トランジスタ上の遮光層が何らかの電位をもつこととなり、トランジスタのバックチャネルを活性化させ良好な表示ができなくなる。また、特許文献４のようにカラーフィルタの上層に金属からなる遮光層を形成しても良い。次に、図７（ｇ）、（g'）のように、感光性で透明性の高いアクリル系ポリマーをフォトリソグラフィ技術によりパターンニングしオーバーコート層１０を形成する。オーバーコート層１０は、カラーフィルタ９から溶出するイオン等の不純物が液晶層へ混入するのを防止し、また、ＴＦＴ基板上を平坦化するため液晶層の厚さを面内均一よく制御可能にすると共にディスクリネーションの発生を抑え、良好な表示を得ることに寄与する。オーバーコート層１０の材料として感光性のポリマーを用いたが熱硬化性のポリマーを高温で焼成して成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりパターンニングしても良い。また、アクリル系のポリマーに限らず、ポリシラザンなど透明でスピンコーティングにより形成可能な絶縁膜であれば使用可能である。また、スパッタリングやＣＶＤにより絶縁膜を形成し研磨して平坦化膜を形成する方法も可能である。スパッタリングやＣＶＤにより絶縁膜を形成し研磨して平坦化膜を形成する製造方法は、非常に平らな膜面を形成できるので、高精細なパターンニングが可能になると同時に耐熱性に優れている。次に、図７（ｈ）、（h'）に示すように、オーバーコート層１０の上層にクロムをスパッタにより成膜しパターンニングすることにより画素電極１１及びＣＯＭ電極１２を形成する。画素電極１１及びＣＯＭ電極１２はアルミニウム等の他の金属を用いてもよい。このようにしてＴＦＴ基板を得た。
【００２７】
ＴＦＴ基板と対向基板２にそれぞれポリイミドよりなる液晶配向層を形成後、両基板をラビング処理し、ギャップに応じた径を有するポリマービーズを全面に散布し、液晶配向層どうしが向かい合うように重ね、接着し、基板間にネマティック液晶を注入する。２枚の偏光板で両基板を挟み、張り付けた。
【００２８】
以上述べたように、この第１の実施の形態では、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの上に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置されているようにした。この実施の形態によれば、液晶分子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化したとしても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィルターの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素電極１１とＣＯＭ（共通）電極１２に収束し、液晶層には大きな影響を与えない。また、第１の実施の形態ではカラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップしない。よって、さらに液晶層１３への影響は少なくなる。さらに、第１の実施の形態では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の層で形成されているため、別の層で形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も短縮できる。
【００２９】
次に本発明の第２の実施の形態について説明する。第１の実施の形態と異なる点は画素電極１１とＣＯＭ電極１２を形成する材料が透明導電材料となることのみである。図１、図２および図３を参照して説明する。
【００３０】
一方の基板１上に走査線３、走査線３に電気的に接続されたゲート電極３ａ及び共通電極線１４が設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成され、このゲート絶縁膜の上層に能動層となる半導体層５が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号線７、ドレイン電極７ｂ及び導通部２５が形成されている。信号線７とソース電極７ａは接続されている。また、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層６を介して半導体層５と接続されている。それらの上層には薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜８が設置され、その上層には遮光層２０、それぞれ赤・緑・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ・９Ｇ・９Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオーバーコート層１０が設置され、その上層には薄膜トランジスタのソース電極７ｂとコンタクトホールを介して接続された透明な画素電極１１、共通電極線１４と導通部２５及びコンタクトホールを介して接続された透明なＣＯＭ電極１２が設置されている。画素電極１１とＣＯＭ電極１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向の成分が主となるよう配置されている。その上層には図示しないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾きを制御するための液晶配向層が設置され薄膜トランジスタ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
【００３１】
もう一方の基板２上には液晶配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子は基板に平行に配向されている。
【００３２】
ここで、ゲート電極３ａに電圧を印加して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ドレイン電極７ｂに電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起される。そして、この電界により、液晶分子２００は、画素電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間に形成される電界の方向に、ほぼ平行な状態となる。そして、基板１および基板２の外側に設置された偏光板の変更透過軸を所定角度に配置しておくことで、上述した液晶分子の動きによって光の透過率を変化させることができる。さらに、この構成では、画素電極１１とＣＯＭ電極１２が透明な電極であるため、画素電極１１とＣＯＭ電極１２の領域も光が透過する。画素電極１１とＣＯＭ電極１２の直上の領域は基板に対して平行な電界が弱いが、充分に平行電界が印加されている領域の液晶分子の影響で画素電極１１とＣＯＭ電極１２の直上の領域の液晶分子も動き光の透過率変化に寄与する。よって、金属電極を用いた場合に比べ明るい表示となる。
【００３３】
次に第２実施の形態の製造方法について述べる。基板１にオーバーコート層１０を形成するまでは第１の実施の形態とまったく同様である。オーバーコート層１０の上層に透明な導電材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｍ−Ｏｘｉｄｅ）をスパッタにより成膜しパターンニングすることにより画素電極１１及びＣＯＭ電極１２を形成する。このようにしてＴＦＴ基板を得た。ＴＦＴ基板と対向基板２にそれぞれポリイミドよりなる液晶配向層を形成後、両基板をラビング処理し、ギャップに応じた径を有するポリマービーズを全面に散布し、液晶配向層どうしが向かい合うように重ね、接着し、基板間にネマティック液晶を注入する。２枚の偏光板で両基板を挟み、張り付けた。
【００３４】
次に第２の実施の形態の動作について説明する。第１の実施の形態と同様に第２の実施の形態では、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの上に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置されているようにした。この実施の形態によれば、液晶分子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化したとしても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素電極１１と共通電極１２に収束し、液晶層には大きな影響を与えない。また、カラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップしない。よってさらに液晶層１３への影響は少なくなる。
【００３５】
第１の実施の形態と同様に第２の実施の形態では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の層で形成されているため、別の層で形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も短縮できる。また、第２の実施の形態では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が透明な導電材料で形成されているため画素電極１１とＣＯＭ電極１２の直上の領域が透過率の変化領域として使用できるため明るい表示が可能である。
【００３６】
図１７に主に基板に垂直な電界により液晶を駆動する液晶表示装置の構成を示す平面図を示す。図１８に図１７中のＡ−Ａ’線の断面図を示す。図１７、図１８に示されるようにＴＦＴ基板において第１の実施の形態との相違点は共通電極線およびＣＯＭ電極がＴＦＴ基板上に形成されていないことのみである。第１の実施の形態で示したように共通電極線は、ゲート電極と同時に、ＣＯＭ電極は画素電極と同時に、フォトリソグラフィ技術によりパターンニングされるものであるので、フォトリソグラフィ用のマスクを変更するだけで取り除くことができる。しかるに、第２の実施の形態では作製工程は全く同一である。
【００３７】
層構造が異なる等で作製工程が異なる液晶表示装置を同一の製造ラインで作製する場合、成膜やエッチング等を行う際の最適な条件も変わるため、製造装置の設定を変更しなくてはならない。設定の変更には時間がかかるため、生産の効率が非常に悪くなる。また、液晶表示装置の製造装置は非常に高価であり、設定切り替えをなくすため装置を増設することは製造コストの増加につながる。
【００３８】
本発明は基板に垂直な電界により液晶を駆動する液晶表示装置とＴＦＴ基板の作製工程が同一であるので、製造装置の設定変更なく透過型と同一の製造ラインで同時に作製できる。よって、本発明を用いることにより、低コストの液晶表示装置を作製できる。
【００３９】
次に本発明の第３の実施の形態について説明する。図８に第３の実施の形態の構成を示す平面図を、図９に図８のＡ−Ａ’線の断面図を示す。一方の基板１上に走査線３、走査線３に電気的に接続されたゲート電極３ａ及び共通電極線１４が設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成され、このゲート絶縁膜の上層に能動層となる半導体層５が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号線７、ドレイン電極７ｂ及び導通部２５が形成されている。信号線７とソース電極７ａは接続されている。また、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層６を介して半導体層５と接続されている。それらの上層には薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜８が設置され、その上層にはそれぞれ赤・緑・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ・９Ｇ・９Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオーバーコート層１０が設置され、その上層には薄膜トランジスタのドレイン電極７ｂとコンタクトホールを介して接続された金属よりなる櫛歯状の画素電極１１、共通電極線１４と接続されたＣＯＭ電極１２が設置されている。画素電極１１とＣＯＭ電極１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向の成分が主となるよう配置されている。また、少なくとも画素電極１１とＣＯＭ電極１２のどちらかは、表示と関係のない部分およびＴＦＴ部の遮光層を兼ねている。その上層には図示しないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾きを制御するための液晶配向層が設置され薄膜トランジスタ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
【００４０】
もう一方の基板２上には図示しないが液晶配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子は基板に平行に配向されている。液晶分子の誘電率異方性は正とした。液晶分子を動かし表示を行う過程は第１の実施の形態と同様である。
【００４１】
次に第３の実施の形態の製造方法について述べる。基板１にパッシベーション膜８を形成するまでは第１の実施の形態とまったく同様である。その後、第１の実施の形態と同様の手法でカラーフィルタ９Ｒ、９Ｇ、９Ｂを形成する。次に、第１の実施の形態と同様の手法でオーバーコート層１０を形成する。オーバーコート層１０の上層にクロムをスパッタにより成膜しパターンニングすることにより画素電極１１及びＣＯＭ電極１２を形成する。アルミニウム等の他の金属を用いてもよい。
【００４２】
このとき、少なくとも画素電極１１とＣＯＭ電極のどちらかにてＴＦＴの遮光を行うが、ＴＦＴのバックチャネルが活性化し良好な表示ができなくなるのを防ぐため、ＴＦＴの直上にカラーフィルタとオーバーコートが充分な厚みを持って形成され、また、カラーフィルタとオーバーコート層の誘電率が低いことが望ましい。このようにしてＴＦＴ基板を得た。ＴＦＴ基板と対向基板２にそれぞれポリイミドよりなる液晶配向層を形成後、両基板をラビング処理し、ギャップに応じた径を有するポリマービーズを全面に散布し、液晶配向層どうしが向かい合うように重ね、接着し、基板間にネマティック液晶を注入する。２枚の偏光板で両基板を挟み、張り付けた。
【００４３】
次に第３の実施の形態の動作について説明する。カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの上に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置されているようにした。この実施の形態によれば、液晶分子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラーフィルター９に印加され不純物イオンが偏在化したとしても、液晶層１３とカラーフィルター９の間には画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィルターの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素電極１１と共通電極１２に収束し、液晶層には大きな影響を与えない。また、カラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップしない。よってさらに液晶層１３への影響は少なくなる。
【００４４】
第３の実施の形態では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の層で形成されているため、別の層で形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も短縮できる。また、画素電極１１またはＣＯＭ電極１２が遮光層を兼ねるため、独立に遮光層を形成する必要がなく工程が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も短縮できる。
【００４５】
次に本発明の参考例について説明する。図１０に参考例の構成を示す平面図を、図１１に図１０のＢ−Ｂ’線の断面図を示す。一方の基板１上に走査線３及び走査線３に電気的に接続されたゲート電極３ａが設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成され、このゲート絶縁膜の上層に能動層となる半導体層５が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号線７、ドレイン電極７ｂ及び導通部２５が形成されている。信号線７とソース電極７ａは接続されている。また、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層６を介して半導体層５と接続されている。それらの上層には薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜８が設置され、その上層にはそれぞれ赤・緑・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ・９Ｇ・９Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオーバーコート層１０が設置され、その上層には薄膜トランジスタのドレイン電極７ｂとコンタクトホールを介して接続された金属よりなる櫛歯状の画素電極１１、共通電極線１４、および共通電極線１４と接続されたＣＯＭ電極１２が設置されている。画素電極１１とＣＯＭ電極１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向な成分が主となるよう配置されている。第３の実施の形態と同様に画素電極１１、共通電極線１４、ＣＯＭ電極１２を遮光層として用いてもよい。また、第２の実施の形態と同様に画素電極１１、共通電極線１４及びＣＯＭ電極１２を透明な材料で形成してもよい。その上層には図示しないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾きを制御するための液晶配向層が設置され薄膜トランジスタ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
【００４６】
もう一方の基板２上には図示しないが液晶配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子は基板に平行に配向されている。液晶分子を動かし表示を行う過程は第１の実施の形態と同様である。また、この参考例の製造方法は、第１の実施の形態または第２の実施の形態と同様である。
【００４７】
第１の実施の形態と同様に参考例では、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの上に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置されているようにした。この参考例によれば、液晶分子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化したとしても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素電極１１と共通電極１２に収束し、液晶層には大きな影響を与えない。また、カラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップしない。よってさらに液晶層１３への影響は少なくなる。この参考例では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の層で形成されているため、別の層で形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も短縮できる。
【００４８】
なお、フォトリソグラフィによるパターンニングを行う工程中にごみ等の影響で目的以外のパターンを形成してしまうことがある。目的以外のパターンは本来は接続してはならないパターン同士を短絡させ回路を狂わせることがある。特に走査線、信号線、共通電極線等に意図しない短絡が発生するとその線に接続されたすべての画素において表示不良が発生することとなり表示品位を著しく悪化させ不良品となる。参考例では共通電極線と走査線が絶縁体を挟んで別の層に形成されているため共通電極線と走査線の短絡が少なくなり、その結果不良品は減少し、生産歩留まりが上昇する。
【００４９】
次に本発明の第４の実施の形態について説明する。第４の実施の形態は第１の実施の形態と同様の手法で形成されたＴＦＴ基板と対向基板の液晶配向層同士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子は基板に平行に配向されている。また、液晶分子の誘電率異方性は負とした。液晶層中の液晶分子２００は図５（ａ）、（ｂ）に示すように、画素電極１１とＣＯＭ電極１２間に電界が発生していないときは、それら電極の延在方向にほぼ平行な状態となるよう液晶配向層によりホモジニアス配向している。
【００５０】
ここで、ゲート電極３ａに電圧を印加して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ドレイン電極７ｂに電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起される。そして、この電界により、液晶分子２００は、画素電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間に形成される電界の方向に、ほぼ垂直な状態となる。そして、基板１および基板２の外側に設置された偏光板の偏光透過軸を所定角度に配置しておくことで、上述した液晶分子の動きによって光の透過率を変化させることができる。例えば、一方の偏光板の透過軸を液晶分子２００の配向方向とし、もう一方の偏光板の透過軸を９０度回転させた方向とすることで、電界が印加されていないとき黒表示となり、印加時には光が透過するノーマリブラック表示となる。なお、ＴＦＴ基板は第１の実施の形態と同様のものを用いたが、第２、第３、参考例のＴＦＴ基板を用いてもよい。
【００５１】
この実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの上に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置されているようにした。この参考例によれば、液晶分子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化したとしても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素電極１１と共通電極１２に収束し、液晶層には大きな影響を与えない。また、ではカラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップしない。よってさらに液晶層１３への影響は少なくなる。
【００５２】
この実施の形態では、画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の層で形成されているため、別の層で形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も短縮できる。なお、基板に平行方向に配向させた誘電率異方性が負の液晶層を用いると、カラーフィルタの作る電界がわずかに液晶層中にもれたとしても、液晶分子が基板に対して垂直方向に立ち上がることはなく、よって液晶層の複屈折性を大きく変化させることはなく、表示ムラの程度を小さくできる。
【００５３】
次に本発明の第５の実施に形態について説明する。第５の実施の形態は第１の実施の形態と同様の手法で形成されたＴＦＴ基板と対向基板の液晶配向層同士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置される構成となっている。両基板の液晶配向層には垂直配向膜が用いられている。この液晶配向膜表面は、必要に応じラビング、または、光配向処理が施される。液晶層１３中の液晶の誘電率異方性は正とする。
【００５４】
以上のように構成された液晶表示装置では、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶層１３に電界がかかっていないときには、液晶層１３における液晶分子２００は、基板にほぼ垂直に配向している。液晶の誘電率異方性は正とする。ここで、ゲ−ト電極３ａに電圧を印加してＴＦＴをオンにすると、ソ−ス電極７ａに電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起される。そしてこの電界により、液晶分子２００は画素電極１１とこれに対向配置している共通電極１２の間に形成される電界の方向に、ほぼ平行な状態、すなわち、基板方向に倒れていくことになる。また、このとき電界の方向が完全に基板と平行でないため、電極間の液晶分子は２方向に分かれて倒れる。
【００５５】
このように本実施の形態の方法では、特別に配向膜に処理を加えることをしなくても、自動的に液晶の倒れる方向を分割することができ、広視野角化が達成できるが、基板にあらかじめラビング、または光配向などの方法を使用して、分割形状に従ったプレチルト角の制御を行い、初期配向の制御を極めて確実にし、駆動電圧により、このような配向が乱れることを防止するために、さらに液晶中に少量混合した重合性のモノマーまたはオリゴマーを高分子化するとより優れた効果が得られる。この際、ラビングの場合はフォトレジストを用いた分割配向を行う。また、光配向の場合は、例えば、ケイ皮酸基のような偏光により液晶の配向を制御できる官能基を有する物質、または、非特許文献２に記載されているような偏光照射により官能基が重合するような高分子を配向膜に用いて、分割形状にそった方向にプレチルト角がつくように、各部にマスクを介して、斜め方向から偏光を照射する。このような分割配向の方法はよく知られているが、液晶中に少量混合した重合性のモノマ−またはオリゴマ−を高分子化することにより、駆動時においてもより確実に分割を維持することができる。本発明に使用するモノマー，オリゴマとしては、光硬化性モノマー，熱硬化性モノマー，あるいはこれらのオリゴマ等のいずれを使用することもでき、また、これらを含むものであれば他の成分を含んでいてもよい。
【００５６】
本実施の形態に使用する「光硬化性モノマー又はオリゴマー」とは、可視光線により反応するものだけでなく、紫外線により反応する紫外線硬化モノマー等を含み、操作の容易性からは特に後者が望ましい。また、本実施の形態で使用する高分子化合物は、液晶性を示すモノマー、オリゴマーを含む液晶分子と類似の構造を有するものでもよいが、必ずしも液晶を配向させる目的で使用されるものではないため、アルキレン鎖を有するような柔軟性のあるものであってもよい。また、単官能性のものであってもよいし、２官能性のもの，３官能以上の多官能性を有するモノマー等でもよい。
【００５７】
本実施の形態で使用する光または紫外線硬化モノマーとしては、例えば、２−エチルへキシルアクリレート，ブチルエチルアクリレート，ブトキシエチルアクリレート，２−シアノエチルアクリレート，ベンジルアクリレート，シクロヘキシルアクリレート，２−ヒドロキシプロピルアクリレート，２−エトキシエチルアクリレート，Ｎ、Ｎ−エチルアミノエチルアクリレート，Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート，ジシクロペンタニルアクリレート，ジシクロペンテニルアクリレート，グリシジルアクリレート，テトラヒドロフルフリルアクリレート，イソボニルアクリレート，イソデシルアクリレート，ラウリルアクリレート，モルホリンアクリレート，フェノキシエチルアクリレート，フェノキシジエチレングリコールアクリレート，２，２，２−トリフルオロエチルアクリレート，２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルアクレート，２，２，３，３−テトラフルオロプロピルアクリレート，２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチルアクリレート等の単官能アクリレート化合物を使用することができる。また、２−エチルヘキシルメタクリレート，ブチルエチルメタクリレート，ブトキシエチルメタクリレート，２−シアノエチルメタクリレート，ベンジルメタクリレート，シクロヘキシルメタクリレート，２−ヒドロキシプロピルメタクリレート，２−エトキシエチルアクリレート，Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート，Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート，ジシクロペンタニルメタクリレート，ジシクロペンテニルメタクリレート，グリシジルメタクリレート，テトラヒドロフルフリルメタクリレート，イソボニルメタクリレート，イソデシルメタクリレート，ラウリルメタクリレート，モルホリンメタクリレート，フェノキシエチルメタクリレート，フェノキシジエチレングリコールメタクリレート，２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート，２，２，３，３−テトラフルオロプロピルメタクリレート，２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチルメタクリレート等の単官能メタクリレート化合物を使用することができる。さらに、４，４'−ビフェニルジアクリレート，ジエチルスチルベストロールジアクリレート，１，４−ビスアクリロイルオキシベンゼン，４，４'−ビスアクリロイルオキシジフェニルエーテル，４，４'−ビスアクリロイルオキシジフェニルメタン，３，９−ビス［１，１−ジメチル−２−アクリロイルオキシエチル］−２，４，８，１０−テトラスピロ［５，５］ウンデカン，α，α′−ビス［４−アクリロイルオキシフェニル］−１，４−ジイソプロピルベンゼン，１，４−ビスアクリロイルオキシテトラフルオロベンゼン，４，４'−ビスアクリロイルオキシオクタフルオロビフェニル，ジエチレングリコールジアクリレート，１，４−ブタンジオールジアクリレート，１，３−ブチレングリコールジアクリレート，ジシクロペンタニルジアクリレート，グリセロールジアクリレート，１，６−ヘキサンジオールジアクリレート，ネオペンチルグリコールジアクリレート，テトラエチレングリコールジアクリレート，トリメチロールプロパントリアクリレート，ペンタエリスリトールテトラアクリレート，ペンタエリスリトールトリ���クリレート，ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート，ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート，ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート，４，４'−ジアクリロイルオキシスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジメチルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジエチルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジプロピルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジブチルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジペンチルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジヘキシルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジフルオロスチルベン，２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロペンタンジオール−１，５−ジアクリレート，１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル−１，３−ジアクリレート，ウレタンアクリレートオリゴマ等の多官能アクリレート化合物を用いることができる。さらにまた、ジエチレングリコールジメタクリレート，１，４−ブタンジオールジメタクリレート，１，３−ブチレングリコールジメタクリレート，ジシクロペンタニルジメタクリレート，グリセロールジメタクリレート，１，６−へキサンジオールジメタクリレート，ネオペンチルグリコールジメタクリレート，テトラエチレングリコールジメタクリレート，トリメチロールプロパントリメタクリレート，ペンタエリスリトールテトラメタクリレート，ペンタエリスリトールトリメタクリレート，ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート，ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート，ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタメタクリレート，２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロペンタンジオール−１，５−ジメタクリレート，ウレタンメタクリレートオリゴマ等の多官能メタクリレート化合物，その他スチレン，アミノスチレン，酢酸ビニル等があるが、これに限定されるものではない。
【００５８】
また、本実施の形態の素子の駆動電圧は、高分子材料と液晶材料の界面相互作用にも影響されるため、フッ素元素を含む高分子化合物であってもよい。このような高分子化合物として、２，２，３，３，４，４−へキサフルオロペンタンジオール−１，５−ジアクリレート，１，１，２，２，３，３−へキサフルオロプロピル−１，３−ジアクリレート，２，２，２−トリフルオロエチルアクリレート，２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルアクリレート，２，２，３，３−テトラフルオロプロピルアクリレート，２，２，３，４，４，４−へキサフルオロブチルアクリレート，２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート，２，２，３，３−テトラフルオロプロピルメタクリレート，２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチルメタクリレート，ウレタンアクリレートオリゴマ等を含む化合物から合成された高分子化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００５９】
本実施の形態に使用する高分子化合物として光または紫外線硬化モノマーを使用する場合には、光または紫外線用の開始剤を使用することもできる。この開始剤としては、種々のものが使用可能であり、たとえば、２，２−ジエトキシアセトフェノン，２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−１−オン，１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン，１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン等のアセトフェノン系、ベンゾインメチルエーテル，ベンゾインエチルエーテル，ベンジルジメチルケタール等のベンゾイン系、ベンゾフェノン，ベンゾイル安息香酸，４−フェニルベンゾフェノン，３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系、チオキサンソン，２−クロルチオキサンソン，２−メチルチオキサンソン等のチオキサンソン系、ジアゾニウム塩系、スルホニウム塩系、ヨードニウム塩系、セレニウム塩系等が使用できる。
【００６０】
両基板の外側に偏光板の偏光透過軸を所定角度に配置しておくことで、上述した液晶分子の動きによって光の透過率を変化させることができる。また、偏光透過軸を直交させた場合は、ノ−マリブラックモ−ドとなるが、初期の液晶配向のリタデ−ションの観察角度依存をなくすため負の一軸の補償フィルムおよび正の一軸の補償フィルムを組み合わせて用いることができる。これにより、黒状態の観察角度依存性がなくなり、画質が向上するとともに、広視野角化が図れる。なお、ＴＦＴ基板は第１の実施の形態と同様のものを用いたが、第２、第３の実施の形態、参考例のＴＦＴ基板を用いてもよい。
【００６１】
この第５の実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの上に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置されているようにした。この実施の形態によれば、液晶分子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化したとしても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素電極１１とＣＯＭ（共通）電極１２に収束し、液晶層には大きな影響を与えない。また、カラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップしない。よってさらに液晶層１３への影響は少なくなる。
【００６２】
また、この実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の層で形成されているため、別の層で形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も短縮できる。さらに、この実施の形態では、液晶分子が基板に対しほぼ垂直に配向した状態から、電界により倒れる構成のため、従来のような液晶分子が単に基板に平行な面内で回転する構成に比べ、斜め方向から観察したときの色付きもなく、広い視野角特性を与える。
【００６３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明では、カラーフィルタと液晶層とが、画素電極とＣＯＭ電極とを挾んで配置されているようにしたので、液晶分子を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタに印加され不純物イオンが偏在化したとしても、液晶層とカラーフィルタの間には画素電極とＣＯＭ電極が存在するため、カラーフィルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素電極とＣＯＭ（共通）電極に収束し、液晶層には大きな影響を与えない。また、カラーフィルタ上にオーバーコート層が形成され、その上に液晶層が形成されているが、オーバーコート層は顔料等が含まれていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップしない。よって、さらに液晶層への影響は少なくなる。さらに、本発明では、画素電極とＣＯＭ電極が同一の層で形成されているため、別の層で形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−A'線の断面図である。
【図３】図１のＢ−B'線の断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は本発明の液晶表示装置における液晶層内を説明する模式図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は本発明の液晶表示装置における液晶層内を説明する模式図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は本発明の液晶表示装置における液晶層内を説明する模式図である。
【図７】（ａ）〜（ｈ）、（ａ'）〜（h'）は本発明の第１の実施の形態の製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態の構成を示す平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ'線の断面図である。
【図１０】本発明の参考例の構成を示す平面図である。
【図１１】図１０のＢ−B'線の断面図である。
【図１２】従来例１の構成を示す平面図である。
【図１３】図１２のＡ−A'線の断面図である。
【図１４】従来例２の構成を示す平面図である。
【図１５】図１４のＡ−A'線の断面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｈ）は従来例２の製造工程を示す断面図である。
【図１７】基板に垂直な電界で液晶を駆動する液晶表示装置を示す平面図である。
【図１８】図１７のＡ−A'線の断面図である。
【符号の説明】
１、２    基板
３    走査線
３ａ    ゲート電極
４    ゲート絶縁膜
５    半導体層
６    ｎ型半導体層
７    信号線
７ａ    ソース電極
７ｂ    ドレイン電極
８    パッシベーション膜
９Ｒ、９Ｇ、９Ｂ    カラーフィルタ
１０    オーバーコート層
１１    画素電極
１２    ＣＯＭ電極
１３    液晶層
１４    共通電極線
１５    遮光層
２０    遮光層
２１    絶縁膜
２５    導通部
２００    液晶分子
【図１】
0003721156.tif 000002
【図２】
0003721156.tif 000003
【図３】
0003721156.tif 000004
【図４】
0003721156.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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