(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣ実装部の封止樹脂塗布周辺の回路、及び微細回路にＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブと接触させるための回路突起を設けたＭＩＤ基板構造を有した、電子部品実装後のＭＩＤ基板の電気的検査において、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの先端をクラウン形状もしくはフラット形状にしたＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブを用いたことを特徴とするＭＩＤ基板検査方法。
【請求項２】
ＩＣ実装部の封止樹脂塗布周辺の回路、及び微細回路にＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブと接触させるための回路突起を設けると共にＩＣ実装部の封止樹脂塗布周辺の回路に設けた回路突起のＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブとの当接部を凹状にしたＭＩＤ基板構造を有した、電子部品実装後のＭＩＤ基板の電気的検査において、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの先端を針状もしくは球面状にしたＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブを用いたことを特徴とするＭＩＤ基板検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品実装後のＭＩＤ基板の電気的検査、殊にＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブを用いた電気的検査の際、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブとＭＩＤ基板の回路との接触が安定的に得られるＭＩＤ基板検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣ実装後のＭＩＤ基板の電気的特性の検査方法として、図６に示すようにＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４をＭＩＤ基板１０の回路部２の所定箇所に接触させて、電気的特性を検査する方法がとられている。この方法で用いるＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４は先端１４ａが尖った形状をし、且つバネ付勢されたもので、ＭＩＤ基板１０の回路部２の所定箇所に所定圧力を以って接触できる。一方、ＭＩＤ基板１０は、ＭＩＤ基材１の表面にめっき等で形成された回路部２にＩＣ６を実装してＩＣ実装部７を形成後、ＩＣ実装部７保護用の封止樹脂９をこの上に塗布することで形成される。しかしながら、ＩＣ実装部７保護用の封止樹脂９の塗布量のバラツキにより、封止樹脂９が多めに塗布された場合は、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の接触位置となるべき回路３にまで封止樹脂９が付着してしまい、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を回路３に接触させることができなくなる。また、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を接触させる箇所が微細回路４内にある場合は、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を微細回路４内の所定位置にピンポイントで接触させる必要があり、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の検査位置精度が十分でないとＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の位置ずれが生じ、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を微細回路４の所定位置に接触させることができなくなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、電子部品実装後のＭＩＤ基板の電気的特性を検査する際、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブとＭＩＤ基板の回路部との接触が安定的に得られるＭＩＤ基板検査方法を提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係るＭＩＤ基板検査方法は、ＩＣ実装部７の封止樹脂９塗布周辺の回路３、及び微細回路４にＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４と接触させるための回路突起１１を設けた構造を有した、電子部品実装後のＭＩＤ基板１０の電気的検査において、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａをクラウン形状１６もしくはフラット形状１７にしたＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を用いたことを特徴とするものである。
【０００５】
また本発明の請求項２に係るＭＩＤ基板検査方法は、ＩＣ実装部７の封止樹脂９塗布周辺の回路３、及び微細回路４にＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４と接触させるための回路突起１１を設けると共にＩＣ実装部７の封止樹脂９塗布周辺の回路３に設けた回路突起１１のＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４との当接部１１ａを凹状１５にした構造を有した、電子部品実装後のＭＩＤ基板１０の電気的検査において、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａを針状１８もしくは球面状１９にしたＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を用いたことを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１乃至図５に基づいて説明する。
【００１１】
本発明の実施の形態の一例を図１に基づいて説明する。ＭＩＤ（ＭｏｌｄｅｄＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ）基板１０は、ＭＩＤ基材１のＩＣ載置部１ａにＩＣ６を載置した後、ＭＩＤ基材１の表面にめっき等で形成された回路部２とＩＣ６をＡｕワイヤー１２で接合することによって、ＩＣ実装部７を形成後、ＩＣ実装部７保護用の封止樹脂９を図１のように塗布することで形成される。そして、ＭＩＤ基板１０の上面１０ａには上記封止樹脂９で被覆されずに露出する回路３が形成されるとともに、下面１０ｂには微細回路４が形成され、上記回路３、及び微細回路４の所定箇所にはＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を接触させるための回路突起１１（突起状の回路）が設けてある。尚、この回路突起１１を形成するために、ＭＩＤ基板１０の製造において、ＭＩＤ基材１の当該部分を予め突起状に成形し、この上にめっき等を行うことによって、回路３及び微細回路４に回路突起１１を形成する。また、この例で使用するＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４は従来例と同じく先端１４ａが尖った形状をし、且つバネ付勢されたもので、ＭＩＤ基板１０の回路３、及び微細回路４に設けた回路突起１１に所定圧力を以って接触できるものである。
【００１２】
ところで、このように回路３、及び微細回路４に回路突起１１を夫々設けることによって、回路３の方は、ＩＣ実装部７保護用の封止樹脂９の塗布量のバラツキによって、封止樹脂９が多めに塗布され、絶縁材料である封止樹脂９がＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の接触位置となるべき回路３の回路突起１１にまで及ぶような場合でも、回路突起１１と周辺との高低差によって回路突起１１が封止樹脂９で被覆されるのを回避することができるため、回路突起１１とＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４とを確実に接触させることができ、他方、微細回路４の方は、回路突起１１と周辺の回路との高低差によって差別化することができ、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａを微細回路４の回路突起１１へ接触させることが可能となる。尚、図１中１３は、ＭＩＤ基板１０の下面１０ｂの回路部２に実装されたチップ部品を示す。
【００１３】
次に本発明の実施の形態の他の例を図２に基づいて説明する。この例は、前記例の回路３に設けた回路突起１１のＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４との当接部１１ａを凹状１５に形成したものである。このようにすることで、前記例の効果に加えて、バネ付勢されたＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａが回路３に設けた回路突起１１の当接部１１ａに押圧接触した際、回路突起１１の当接部１１ａが凹状１５に形成してあるため、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａが回路突起１１の当接部１１ａの中心位置から多少ずれて接触しても、回路突起１１の当接部１１ａの凹状１５の面にガイドされて回路突起１１の当接部１１ａの中心位置に誘導されるので、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４とＭＩＤ基板の回路３との接触がより安定的に得られる。
【００１４】
次に本発明の実施の形態の他の例を図３に基づいて説明する。この例は、第1の例において、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａを多数の突起を突出させたクラウン形状１６もしくは平坦面のフラット形状１７にしたものである。このようにすることで、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａがクラウン形状１６もしくはフラット形状に形成されているため、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａが検査回路５に設けた回路突起１１の当接部１１ａの中心位置から多少ずれても、検査回路５に設けた回路突起１１に接触させることができ、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の検査位置精度が厳密でなくてもＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４とＭＩＤ基板１０の回路突起１１との接触がより安定的に得られる。
【００１５】
次に本発明の実施の形態の他の例を図４に基づいて説明する。この例は、第２の例において、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａを針状１８もしくは球面状１９にしたものである（尚、厳密には本例の回路３に設けた回路突起１１の当接部１１ａはすり鉢状に形成されている）。このようにすることでＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａが針状１８もしくは球面状１９に形成されているため、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａが検査回路５に設けた回路突起１１の当接部１１ａの中心位置から多少ずれて接触しても、検査回路５に設けた回路突起１１の当接部１１ａのすり鉢状の面にガイドされて回路突起１１の当接部１１ａの中心位置に誘導されるので、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の検査位置精度が厳密でなくてもＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４と回路突起１１との接触がより安定的に得られる。
【００１６】
次に本発明の実施の形態の他の例を図５に基づいて説明する。この例は、第１の例のＭＩＤ基板構造を有したＭＩＤ基板１０に対して、第３の例のＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を用いたＩＣ６実装後のＭＩＤ基板１０の電気的特性の検査方法を示すものである。以下、詳細を説明する。
【００１７】
第１の例で既述のように、ＭＩＤ基板１０は、ＭＩＤ基材１の表面にめっき等で形成された回路部２にＩＣ６を実装した後、ＩＣ実装部７保護用の封止樹脂９を塗布して形成され、ＭＩＤ基板１０の上面１０ａには封止樹脂９で被覆されずに露出する回路３が形成されるとともに、下面１０ｂには微細回路４が形成され、回路３、及び微細回路４の所定箇所にはＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を接触させるための回路突起１１が設けてある。
【００１８】
上記ＭＩＤ基板１０は、上下面を裏返した状態で基板保持ブロック２０の定盤２０ａ上に載置され、ＭＩＤ基板１０側面をＭＩＤ基板位置決め押さえ２１によって押圧されることにより、基板保持ブロック２０にセットされる。尚、基板保持ブロック２０の定盤２０ａにはＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を下方から挿通させるための通し穴２０ｂが設けてあり、ＭＩＤ基板１０を基板保持ブロック２０にセットすると、この通し穴２０ｂの上端開口からＭＩＤ基板１０の回路３の回路突起１１が突出した状態となる。
【００１９】
基板保持ブロック２０の上・下方にはプローブホルダー２２，２２を上下動させるための昇降ユニット２３，２３が配置され、各プローブホルダー２２，２２には夫々ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４，１４が保持される。尚、本例で用いるＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４は先端１４ａがクラウン形状１６（もしくはフラット形状１７）をし、且つバネ付勢され、ＭＩＤ基板１０の回路３、及び微細回路４の回路突起１１に所定圧力を以って接触できるようになっている。そして、各ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４，１４の後端１４ｂ，１４ｂは夫々別の検査システム２４，２４とつながれ、ＭＩＤ基板１０の回路検査が行えるようになっている。
【００２０】
上記のような回路検査方法とすることによって、まず回路３、及び微細回路４に回路突起１１を夫々設けることで、回路３の方は、ＩＣ実装部７保護用の封止樹脂９の塗布量のバラツキによって、封止樹脂９が多めに塗布され、絶縁材料である封止樹脂９がＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の接触位置となるべき回路３の回路突起１１にまで及ぶような場合でも、回路突起１１と周辺との高低差によって回路突起１１が封止樹脂９で被覆されるのを回避することができるため、回路３の回路突起１１とＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４とを確実に接触させることができ、他方、微細回路４の方は、回路突起１１と周辺の回路との高低差によって差別化ができ、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａを回路突起１１へ接触させることが可能となる。そしてさらに、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａをクラウン形状１６（もしくはフラット形状１７）にすることで、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａが検査回路５（回路３、及び微細回路４）に設けた回路突起１１の当接部１１ａの中心位置から多少ずれても、検査回路５に設けた回路突起１１に接触させることができるので、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の検査位置精度が厳密でなくてもＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４とＭＩＤ基板１０の検査回路５との接触が安定的に得られる。
【００２１】
また、上記例の他に第２の例のＭＩＤ基板構造を有したＭＩＤ基板１０に対して、回路３の回路突起１１にのみ第４の例のＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を用いたＩＣ６実装後のＭＩＤ基板１０の電気的特性の検査方法も考えられる（但し、微細回路４の回路突起１１に対しては、第３の例のＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４を用いる）。この場合、前記例の検査回路５に設けた回路突起１１の奏する効果に加えて、バネ付勢されたＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａが回路３に設けた回路突起１１の当接部１１ａに押圧接触した際、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａが針状１８（もしくは球面状１９）で、しかも上記回路突起１１の当接部１１ａが凹状１５に形成してあるので、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａが回路突起１１の当接部１１ａの中心位置から多少ずれて接触しても、回路突起１１の当接部１１ａの凹状１５の面にガイドされて回路突起１１の当接部１１ａの中心位置に誘導されるため、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４と回路３との接触がより安定的に得られる。また、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４と微細回路４との接触は、第３の例で既述の通り、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の先端１４ａが微細回路４に設けた回路突起１１の当接部１１ａの中心位置から多少ずれても、微細回路４に設けた回路突起１１に接触させることができるので、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４の検査位置精度が厳密でなくてもＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ１４と微細回路４との接触がより安定的に得られる。
【００２６】
【発明の効果】
本発明の請求項１記載の発明にあっては、ＭＩＤ基板検査方法において、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブとＩＣ実装部の封止樹脂塗布周辺の回路との接触については、ＩＣ実装部保護用の封止樹脂の塗布量のバラツキによって、封止樹脂が多めに塗布され、絶縁材料である封止樹脂がＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの接触位置となるべき回路の回路突起にまで及ぶような場合でも、回路突起と周辺との高低差によって回路突起が封止樹脂で被覆されるのを回避することができるため、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブと回路突起とを確実に接触させることができ、さらにＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの先端がクラウン形状もしくはフラット形状をしているため、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの先端が上記回路突起の当接部の中心位置から多少ずれても、回路突起に接触させることができ、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの検査位置精度が厳密でなくてもＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブと上記回路との接触がより安定的に得られ、他方、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブと微細回路との接触については、微細回路に設けた回路突起と周辺の回路との高低差によって差別化ができるので、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの先端を当該回路突起へ接触させることが可能となり、さらにはＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの先端が上記形状をしているため、前記効果と同じ効果を奏するので、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブと微細回路との接触がより安定的に得られる。
【００２７】
本発明の請求項２記載の発明にあっては、ＭＩＤ基板検査方法において、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブとＩＣ実装部の封止樹脂塗布周辺の回路との接触については、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの先端がＩＣ実装部の封止樹脂塗布周辺の回路に設けた回路突起の当接部に押圧接触した際、回路突起の当接部が凹状に形成してあるため、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの先端が回路突起の当接部の中心位置から多少ずれて接触しても、回路突起の当接部の凹状の面にガイドされて回路突起の当接部の中心位置に誘導されるので、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブと上記回路の接触が安定的に得られ、さらにはＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブの先端が針状もしくは球面状をしているため、前記効果がより促進され、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブと上記回路との接触がより安定的に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、ＭＩＤ基板の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブとＭＩＤ基板の一部の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブとＭＩＤ基板の一部の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブとＭＩＤ基板の一部の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、ＭＩＤ基板検査方法のシステム構成図である。
【図６】従来のＭＩＤ基板検査方法を示すものであり、ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブとＭＩＤ基板の断面図である。
【符号の説明】
３  回路
４  微細回路
７  ＩＣ実装部
９  封止樹脂
１１  回路突起
１１ａ  当接部
１４  ＭＩＤ基板検査用コンタクトプローブ
１４ａ  先端
１５  凹状
１６  クラウン形状
１７  フラット形状
１８  針状
１９  球面状
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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