(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の基板の何れか一方であって、表示領域の外側の領域に紫外線硬化型の接着材を閉じた環状に形成する工程と、
前記未硬化の接着材に予め紫外線を照射して、照射領域を半硬化状態にする工程と、
前記１対の基板の何れか一方に液晶を滴下する工程と、
減圧下で前記１対の基板を重ね合わせた後に大気圧下に戻して、前記１対の基板間の前記接着材で囲まれた隙間に液晶を隈なく密封する工程と、
前記接着材の全体に前記紫外線よりも強い強度の紫外線を照射して硬化させる工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記接着材の内周表面のみが前記半硬化状態であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
１対の基板を準備し、該１対の基板のうち、少なくとも一方の基板の表示領域の外側に他方の基板と接しない高さの凸部を形成する工程と、
前記凸部より外側の領域に閉じた環状に紫外線硬化型の接着材を形成する工程と、
前記１対の基板の何れか一方に液晶を滴下する工程と、
減圧下で前記１対の基板を重ね合わせた後に大気圧に戻して、前記１対の基板間の前記接着材で囲まれた隙間に液晶を隈なく密封する工程と、
前記接着材と前記液晶とが接触しない間に、前記接着材に紫外線を照射して硬化させる工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記凸部は連続して閉じた環状であることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記凸部は複数本であることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記凸部は複数の孤立したパターン群からなることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３乃至６の何れかの液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関し、更に詳しくいえば、減圧雰囲気中で一の透明基板上に液晶を滴下した後、もう一方の透明基板を重ね合わせて液晶を封入する滴下注入法と呼ばれる方法の改善に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空封入法によれば液晶表示パネルに液晶を封入するのにかなりの時間を要していたが、滴下注入法の開発により液晶封入に要する時間を大幅に短縮することができ、注目される技術となっている。
【０００３】
以下で従来例に係る滴下注入法について図面を参照しながら説明する。なお、図２２（ａ）は同図（ｂ）のＧ−Ｇ線断面図である。
【０００４】
まず、図１９のフローチャートのステップＰ１で、ガラスなどからなる透明基板上に、液晶表示パネルを形成する上で必要な部材を形成する。
【０００５】
すなわち、一つの液晶表示パネルについて２枚の透明基板を用意し、その一方の透明基板の表面にはＴＦＴ（Thin Film Transistor）、ドレインバスライン、ゲートバスラインや画素電極などを形成し、その上に配向膜を形成して、ＴＦＴ基板を作成する。他方の透明基板には、表面にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタを形成し、その上に透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる対向電極を形成する。更にその上に配向膜を形成することで、カラーフィルタ基板（以下ＣＦ基板と称する）を作成する。
【０００６】
次に、ステップＰ２で、ＴＦＴ基板、ＣＦ基板の表面に形成された配向膜をラビング処理する。
【０００７】
次いで、ステップＰ３で、ＴＦＴ基板にスペーサを散布する。これはＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に液晶を満たす隙間を確保するためである。一方、ステップＰ４で、液晶を封入する矩形領域を囲むようにＣＦ基板の表面に紫外線硬化型のシール材を形成する。
【０００８】
次に、ステップＰ５でＣＦ基板表面のシール材で囲まれた領域内に液晶を滴下する。
【０００９】
次に、ステップＰ６でＴＦＴ基板とＣＦ基板との両方を図２０に示すような貼り合わせ装置に導入して、装置内を真空排気する。
【００１０】
次いで、ステップＰ７でＴＦＴ基板とＣＦ基板の粗合せを行う。この工程は、減圧雰囲気中でＴＦＴ基板とＣＦ基板とをある程度の位置合せをして重ね合わせ、弱く加圧する工程である。液晶はＴＦＴ基板とＣＦ基板の間の隙間にシール材３２により密封される。
【００１１】
この工程では、まず表面にシール材３２が形成され、液晶３３が滴下されたＣＦ基板３１が図２０に示すような装置内のステージＳＴの上に載置される。一方、ＴＦＴ基板３４は図２０に示す装置内に搬入され、図２１（ａ）に示すように支持具ＳＵによって支持される。
【００１２】
次に図２０の排気弁４２が開き、排気口４１から真空排気されることにより、装置内の処理室４０が減圧状態になる。次いでＴＦＴ基板３４が図２１（ａ）に示すようにＣＦ基板３３に対向して配置されたのちに、同図（ｂ）に示すようにＣＦ基板３１上に落下させる。その後、図２０に示すような圧着具４３でＴＦＴ基板３４が上方から圧着される。
【００１３】
次いで、ステップＰ８で粗合せがなされた透明基板を大気中に取出し、ＴＦＴ基板３４とＣＦ基板３３の表示領域が対応するように精密な位置合せをする。
【００１４】
この工程によって、滴下された液晶３３は図２２（ａ），（ｂ）に示すようにシール材３２で囲まれた領域のほぼ全面に遍く行き渡ることになる。
【００１５】
その後、ステップＰ９でシール材３２に紫外線を照射してこれを完全に硬化させて、ＴＦＴ基板３４とＣＦ基板３１を固着することにより液晶が封入された液晶表示パネルが形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上記従来の製造方法によると、以下に示すような問題が生じる。
【００１７】
まず第１に、図１９のステップＰ７に示す粗合せの工程で、図２１（ａ），（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板３４をＣＦ基板３１の上に落下させている。このため、ＴＦＴ基板３４とＣＦ基板３１の位置合わせがずれやすいという問題がある。
【００１８】
第２に、この粗合せ工程では、その後図２０に示すような圧着部材４３でＴＦＴ基板３４を上から加圧するが、このときに、圧着部材４３の加圧面の平坦性等により広いＴＦＴ基板３４の全面に圧力を均一に加えることが難しいため、液晶３３が均一に行き渡らなかったり、ＴＦＴ基板３４とＣＦ基板３１の隙間が均一にならなかったり、シールの一部が加圧不十分となってリークしたりするなどの問題が生じていた。
【００１９】
第３に、液晶と未硬化のシール材が接し、かつその領域に紫外線照射がなされてしまうと、これによって液晶とシール材が反応して汚染が生じ、当該液晶表示パネルの電圧保持率が低下する。なお、電圧保持率とは、液晶パネルに電圧を間歇的に印加したときに、電圧印加から次の電圧印加までの間に液晶を挟む両電極間で蓄積電荷がリークせずにどの程度まで初期の電圧を維持しているかを示す値であって、図２５（ａ），（ｂ）の
Ｂ／Ａ×１００      （％）
で示される値である。上式でＡは図２５（ａ）の斜線部の面積（リークがない場合の電極間に保持されている電圧の時間積分）であって、Ｂは図２５（ｂ）の斜線部の面積（実際に電極間に保持されている電圧の時間積分）である。
【００２０】
なお、図２３，２４は、液晶と未硬化のシール材が接してしまった後に、シール材に紫外線を照射して硬化させたときの電圧保持率と、紫外線の照射時間との関係を示すグラフである。図２３に示すように、中央（シール端より２５mm）、シール近傍（シール端より１０mm）のいずれの領域でも、紫外線を照射した時間が増えるに従って、その電圧保持率に低下がみられる。特にシール近傍での低下は顕著で、２〜４％程度の低下が確認できる。
【００２１】
また、図２４は同様の製造方法で液晶を封入して液晶表示パネルを形成した後に、８０℃の温度下で当該液晶表示パネルを１０００時間放置した場合の電圧保持率の変動の様子を示したグラフである。測定箇所は中央（シール端より２５mm）である。図２４に示すように、この場合の電圧保持率の低下は更に顕著であることがわかる。
【００２２】
以上図２３，図２４に示すように、液晶がシール材に接した後に紫外線照射でシール材を硬化させる従来の滴下注入法によると、当該液晶表示パネルの電圧保持率が低下するが、この電圧保持率が低下すると、十分な大きさの駆動電圧が液晶表示パネルに加わらず、表示パネルとして用いたときに、当該パネルのコントラストが低下してしまうという問題が生じていた。
【００２３】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、粗合わせである程度の位置合わせ精度と基板間の均一な隙間を保持し、電圧保持率の低下を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記した課題を解決するために、第１の発明は、液晶表示装置の製造方法に係り、１対の基板の何れか一方であって、表示領域の外側の領域に紫外線硬化型の接着材を閉じた環状に形成する工程と、前記未硬化の接着材に予め紫外線を照射して、照射領域を半硬化状態にする工程と、前記１対の基板の何れか一方に液晶を滴下する工程と、減圧下で前記１対の基板を重ね合わせた後に大気圧下に戻して、前記１対の基板間の前記接着材で囲まれた隙間に液晶を隈なく密封する工程と、前記接着材の全体に前記紫外線よりも強い強度の紫外線を照射して硬化させる工程とを有することを特徴とし、
第２の発明は、第１の発明の液晶表示装置の製造方法に係り、前記接着材の内周表面のみが前記半硬化状態であることを特徴とし、
第３の発明は、液晶表示装置の製造方法に係り、１対の基板を準備し、該１対の基板のうち、少なくとも一方の基板の表示領域の外側に他方の基板と接しない高さの凸部を形成する工程と、前記凸部より外側の領域に閉じた環状に紫外線硬化型の接着材を形成する工程と、前記１対の基板の何れか一方に液晶を滴下する工程と、減圧下で前記１対の基板を重ね合わせた後に大気圧に戻して、前記１対の基板間の前記接着材で囲まれた隙間に液晶を隈なく密封する工程と、前記接着材と前記液晶とが接触しない間に、前記接着材に紫外線を照射して硬化させる工程とを有することを特徴とし、
第４の発明は、第３の発明の液晶表示装置の製造方法に係り、前記凸部は連続して閉じた環状であることを特徴とし、
第５の発明は、第４の発明の液晶表示装置の製造方法に係り、前記凸部は複数本であることを特徴とし、
第６の発明は、第３の発明の液晶表示装置の製造方法に係り、前記凸部は複数の孤立したパターン群からなることを特徴とし、
第７の発明は、液晶表示装置に係り、第３乃至第７の発明の液晶表示装置の製造方法の何れかにより製造されたことを特徴としている。
【００２５】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、１対の基板の何れか一方の表示領域の外側の領域に紫外線硬化型の接着材を閉じた環状に形成し、次いで、未硬化の接着材に予め紫外線を照射して照射領域を半硬化状態にした後、その基板に液晶を滴下し、次いで、減圧下で１対の基板を重ね合わせ、その後、大気圧下に戻してから、１対の基板間の接着材で囲まれた隙間に液晶を隈なく密封した後、接着材の全体に紫外線よりも強い強度の紫外線を照射して硬化させている。
この場合、閉じた環状に形成した接着材の全表面に予め紫外線を照射してもよいし、或いは内周表面のみに予め紫外線を照射してもよい。
【００２６】
上記構成においては、１対の基板を重ね合わせて接着材により隙間に液晶を密封するとき、液晶が接着材に接しても、少なくとも内周表面は紫外線照射により硬化しているので、未硬化の接着材と液晶との反応による液晶汚染を防止することができる。これにより、液晶表示装置の電圧保持率の低下を抑制し、コントラストの低下を抑制することが可能になる。また、接着材の内周表面のみに予め紫外線を照射した場合、接着材の内周表面だけの硬化なので、全面硬化の場合と比較して基板間の固着はより強固になる。
【００２７】
また、１対の透明基板にともに環状の接着材を形成してもよい。この場合、接着材の表層のみを硬化した後、接着材同士を接触させて１対の透明基板を重ね合わせる。
【００２８】
接着材同士が接触するため、表層のみが硬化していても、加圧するさいに潰れて未硬化の部分が現れて接触するようになる。従って、その後の紫外線照射により透明基板同士の固着がより強固になる。また、たとえ潰れなくても接着材同士なので、透明基板と接着材の場合に比べて固着が強固になる。このように、接着材全面に紫外線が照射されて表層が硬化していても、透明基板間の密着性が損なわれることはない。
【００３１】
１対の基板のうち、少なくとも一方の基板の表示領域の外側に他方の基板と接しない高さの凸部を形成し、凸部より外側の領域に閉じた環状に紫外線硬化型の接着材を形成している。この場合、凸部は環状のパターンであってもよいし、島状の孤立したパターンが点在しているようなものであってもよい。
【００３２】
凸部により、基板の中央部から接着材に至る間に隙間を狭くして液晶の広がりを遅くすることができる。これにより、一層確実に未硬化の接着材と液晶との接触を避けることが可能となる。
【発明の効果】
【００３３】
以上述べたように、本発明によれば、１対の基板の何れか一方であって、表示領域の外側の領域に形成された閉じた環状の接着材に予め紫外線を照射して照射領域を半硬化状態にしている。
【００３４】
このため、１対の基板の間の隙間に密封された液晶と接着材との反応による液晶汚染を防止することができる。これにより、液晶表示装置の電圧保持率の低下を抑制し、コントラストの低下を抑制することが可能になる。また、接着材の内周表面のみに予め紫外線を照射した場合、接着材の内周表面だけの硬化なので、全面硬化の場合と比較して基板間の固着はより強固になる。
【００３７】
１対の基板の、少なくとも一方に、表示領域の外側に他方の基板と接しない高さの凸部を形成し、凸部より外側の領域に閉じた環状に紫外線硬化型の接着材を形成している。
【００３８】
凸部により液晶の広がりを遅くすることができるので、一層確実に未硬化の接着材と液晶との接触を避けることが可能となる。これにより、当該液晶表示装置の電圧保持率の低下を抑制し、表示の際のコントラストの低下を抑止することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下で、本発明の実施例に係る液晶表示装置の製造方法及びその製造装置を図面を参照しながら説明する。
【００４０】
（１）第１の実施例
以下で本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造方法について図１のフローチャート及び図２（ａ），（ｂ），図３（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。図２（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００４１】
まず、図１のステップＰ１で、ガラスなどからなる透明基板上に、液晶表示パネルを作成する上で必要な部材を形成する。
【００４２】
すなわち、一つの液晶表示パネルについて、１０．４インチ相当のガラス板からなる２枚の透明基板を用意し、第１の透明基板の表面に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタを形成するため、成膜／パターニングを３回繰り返す。続いて、カラーフィルタ上に透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる対向電極を形成した後、対向電極上に配向膜を形成して、カラーフィルタ基板（以下ＣＦ基板と称する）１を作成する。
【００４３】
他方、第２の透明基板の表面にＴＦＴ（Thin Film Transistor）、ドレインバスライン、ゲートバスライン及び画素電極などを形成し、その上に配向膜を形成してＴＦＴ基板４を作成する。
【００４４】
次いで、ステップＰ３でＴＦＴ基板４表面にスペーサＳＰを散布する。スペーサＳＰは、重ね合わされたＣＦ基板１とＴＦＴ基板４の間の液晶封入の隙間を確保するものである。スペーサＳＰとしては密着性を有する直径５．０μｍのプラスチック球を用いる。密着性は、散布後加熱処理を行うことにより付与される。液晶が広がる間にスペーサＳＰが移動しないようにし、かつ重ね合わせの作業を容易に行うためである。
【００４５】
次に、ステップＰ４で、図２（ａ）に示すように、液晶を封入する矩形領域を囲むように、表示領域から約５ｍｍ程度外側のＣＦ基板１の表面に紫外線硬化型の接着材（Ｔ−４７０、長瀬チバ製）からなるシール材２を環状に形成する。なお、シール材２は加圧により最終的に幅２ｍｍ程度になる。
【００４６】
次に、ステップＰ５で、図２（ａ），（ｂ）に示すように、ＣＦ基板１に形成された環状のシール材２の内周表面２Ａに紫外線を選択的に照射して照射部分のシール材２の表層を半硬化状態にする（以下でこの処理をプリキュアと称する）。この場合、照射部分のシール材２の表層のみが硬化するように、５００ｍＪ程度の弱い強度の紫外線を照射する。
【００４７】
次いで、ステップＰ６で、シール材２で囲まれた領域内のＣＦ基板１の表面に液晶を滴下する。次に、ステップＰ７で、ＴＦＴ基板４とＣＦ基板１との両方を貼り合わせ装置に導入して、装置内を真空排気する。
【００４８】
次いで、ステップＰ８で、粗合わせを行う。即ち、図３（ａ）に示すように、減圧雰囲気中でＴＦＴ基板４とＣＦ基板１とをまず対向させた後、同図（ｂ）に示すように、ＣＦ基板１とＴＦＴ基板４を重ね合わせ、大雑把に位置合せする。粗合わせの精度は、±５０μｍ程度である。粗合わせすることにより、精密な位置合わせのとき調整幅を少なくしてシール材２へのダメージ付与を防止し、ＣＦ基板１とＴＦＴ基板４の間の液晶を封入する隙間の密封性を確保する。
【００４９】
続いて、基板を軽く加圧し、シール材２を潰して基板間の隙間に液晶を密封する。
【００５０】
次に、ステップＰ９で、粗合わせがなされた基板を大気中に取出し、精密な位置合せをする（以下でこの工程を精密合わせと称する）。
【００５１】
この工程を経て、滴下された液晶３はシール材２で囲まれた領域のほぼ全部に遍く行き渡る。その後、ステップＰ１０で、５０００ｍＪ程度の高い強度の紫外線をシール材２に照射してこれを完全に硬化させて、ＴＦＴ基板４とＣＦ基板１を固着することにより、液晶表示パネルが作成される。なお、紫外線の最適強度は接着剤により異なる。
【００５２】
以上説明したように、本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、図１のステップＰ５の工程で、図２に示すように、シール材２の内周表面にプリキュアを施しているので、ステップＰ１０の工程で液晶３が完全硬化前のシール材２に達したとしても、未硬化のシール材と液晶とは直接接しない。
【００５３】
従来問題となっていた液晶汚染は液晶と、未硬化のシール材とが直接接し、かつその領域に紫外線照射がなされることによって生じるが、上記ではそのような汚染は生じにくい。
【００５４】
この事実は、実験によっても確認されている。以下でその実験結果を表１を参照しながら説明する。実施例のように作製したパネルのシール近傍での電圧保持力を測定するとプリキュアを行わなかった場合に比較して極めて良好な結果となった。その測定結果を以下の表１に示す。
【００５５】
【表１】
0003639299.tif 000002
なお、上記の表１において用いた液晶はZLI-4792（メルク製）であって、配向膜はJALS-214（ＪＳＲ製）である。
【００５６】
表１に示す結果によれば、プリキュアを行わなかったパネルについては電圧保持率が９６．０％であるのに対して、プリキュアを行ったパネルは電圧保持率が９８．０％と高い。また８０℃で１０００時間経過後の電圧保持率についてはプリキュアなしのパネルが９４．０％まで低下しているのに比して、プリキュアを施したパネルは９７％と高い。以上のように、プリキュアを行うことにより、初期での電圧保持率の低下が抑制されるとともに、長期間使用した後でも電圧保持率の低下を抑制することができる。
【００５７】
以上示したように、本発明の実施例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、電圧保持率の低下を抑制することができるので、電圧保持率の低下が原因となる当該液晶表示パネルのコントラストの低下を抑制することが可能となる。
【００５８】
（２）第２の実施例
以下で、本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の製造方法について図４を参照しながら説明する。なお、図１のステップＰ１〜Ｐ３については第１の実施例と同様な工程なので、重複を避けるため説明を省略する。
【００５９】
まず、図１のステップＰ４で、ＣＦ基板１のほか、ＴＦＴ基板４の表面にもシール材を形成する。すなわち、図４に示すようにＣＦ基板１の表面に紫外線硬化型の接着材（Ｔ−４７０、長瀬チバ製）からなる第１のシール材２Ｂを液晶を封入する矩形領域を囲むように環状に形成し、かつ第１のシール材２Ｂの形成パターンと同じパターンの第２のシール材５をＴＦＴ基板４の表面に形成する。
【００６０】
次いで、ステップＰ５のプリキュア工程では第１のシール材２と、第２のシール材５の両方にプリキュアを施す。このとき、第１の実施例では液晶と接する部分となる、環状のシール材の内周表面のみを選択的に半硬化状態にしていたが、本実施例ではシール材の全体をプリキュアして、図４に示すように第１のシール材２の表層２Ｃを半硬化状態にし、第２のシール材５の表層５Ａも同様にして半硬化状態にする。
【００６１】
次に、ステップＰ７までは第１の実施例と同様の工程を経て、ステップＰ８ＴＦＴ基板４とＣＦ基板１を重ね合わせて粗合せした後、両者を軽く加圧し、ＴＦＴ基板４とＣＦ基板１の間の隙間を密封する。このとき、粗合わせにより、図４に示すように、第１のシール材２の形成領域に第２のシール材５の形成領域とを一致させる。
【００６２】
その後、第１の実施例と同様の工程を経て、液晶表示パネルが作成される。
【００６３】
以上説明したように、本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、ＣＦ基板１の表面に第１のシール材２を形成するのみならず、ＴＦＴ基板４の表面にも第２のシール材５を形成して両者をプリキュアし、のちに第１及び第２のシール材２Ｂ及び５を位置合せしてＴＦＴ基板４とＣＦ基板１とを圧着している。
【００６４】
このため、第１の実施例と同様にして、第１のシール材２Ｂ，第２のシール材５には予めステップＰ５でプリキュアが施されて半硬化状態になっているので、未硬化のシール材と液晶が直接接触せず、液晶の汚染を抑止することができる。これにより、液晶汚染による液晶表示装置の電圧保持率の低下を抑制し、表示の際のコントラストの低下を抑制することが可能になる。
【００６５】
また、本実施例においては第１の実施例と異なり、重ね合わせの際、第１のシール材２と第２のシール材５とが接着されるので、ＣＦ基板１にのみシール材が形成されている液晶表示パネルに比して、両者の密着性がさらに向上する。第１及び第２のシール材２及び５の全部の領域に紫外線を照射して半硬化状態にしても、これらの間の密着性は損なわれることはない。
【００６６】
なお、第１の実施例と同様に、第１，第２のシール材２，５の内周面に選択的に紫外線を照射して照射領域を半硬化状態にしてもよい。
【００６７】
さらにＵＶプリキュアを行うことは、粘度の低い材料（塗布性は良好）を用いて粘度の高いシールを形成することが可能であることを意味し、パネルを大気に戻した際の大気圧によるシールダメージを低減する効果もある。
【００６８】
（３）第３の実施例
以下で、本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の製造方法について図５（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。図５（ａ）は断面図、図５（ｂ）は平面図で、図５（ａ）は同図（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。なお、第１，第２の実施例と共通する事項については、重複を避けるため説明を省略する。
【００６９】
まず、図１のステップＰ１で透明基板上に液晶表示パネルを形成する上で必要な部材を形成する工程で、ＴＦＴ基板４は第１の実施例と同様の工程で形成するが、ＣＦ基板１の表示領域にカラーフィルタをパターニングして形成する際に、表示領域の外側領域であって、シール材を形成する領域の内側の領域に、環状のカラーフィルタと同じ材料の凸部６Ａ，６Ｂをパターニングして形成する。
【００７０】
このとき、凸部６Ａ，６Ｂが形成された領域は、その周辺の領域よりも高く盛り上がり、この上にＩＴＯ膜からなる透明電極７や配向膜８が形成されると、図５（ａ）に示すような凸部９Ａ，９Ｂが生じて隙間が狭くなる。
【００７１】
その後は第１の実施例と同様の工程を経る。ただし、ステップＰ５のプリキュアについては省略してもよい。
【００７２】
ところで、液晶汚染が生じる原因は液晶と未硬化の接着材が直接接し、且つその領域に紫外線照射処理がなされる為である。滴下注入法を用いても、１０インチクラスのＴＦＴ液晶パネルに完全に液晶が行き渡るには数分（５分程度）の時間かかるため、張り合わせ室より、パネルを取出し、液晶がシール材に達する前に出来るだけ早くシール材に紫外線照射して硬化すれば、液晶汚染による電圧保持率の低下を抑制することが可能になる。しかし、本実施例のように、透明基板の中央部からシール材に至る間に凸部９Ａ，９Ｂを設けて隙間を狭くして液晶の広がりを遅くすることにより、一層確実に未硬化のシール材と液晶との接触を避けることが可能となる。
【００７３】
以下の表２に、１４インチの評価基板を用いて、液晶とシール材とが接触する前に紫外線照射処理を行ったものと、液晶と接触した後に紫外線照射処理を行ったものとの比較を行った結果を示す。
【００７４】
【表２】
0003639299.tif 000003
なお、上記の表２において用いた液晶はZLI-4792（メルク製）であって、配向膜はJALS-214（ＪＳＲ製）である。
【００７５】
表２に示す結果によれば、液晶とシール材とが接触する前に紫外線照射を行ったパネルについては電圧保持率が９８％であるのに対して、液晶とシール材とが接触した後に紫外線照射を行ったパネルは電圧保持率が９６％と低く、また８０℃で１０００時間経過後の電圧保持率については接触前に紫外線照射したパネルが９８％という高い値を維持しているのに比して、接触後に紫外線照射したパネルでは９４％まで低下している。従って、シール材に液晶が接する前に紫外線照射をすることにより、電圧保持率の低下を抑制できるという事実が確認できた。
【００７６】
本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の製造方法はこの事実を利用している。すなわち、ＣＦ基板１上表示領域とシール材の形成領域の間にカラーフィルタと同じ材料からなる凸部６Ａ，６Ｂをパターニングにより形成する。なお、凸部６Ａ，６ＢはＲ，Ｇ，Ｂのうち少なくとも１層を形成すればよい。続いて、凸部６Ａ，６Ｂ上に透明電極７及び配向膜８を順次形成して更に高い凸部９Ａ，９Ｂを形成している。
【００７７】
こうして凸部９Ａ，９Ｂが形成された領域でのＣＦ基板１とＴＦＴ基板４の間のギャップは図５（ａ）に示すように狭くなり、圧着によって拡散された液晶３がシール材２に達するまでの時間を伸ばすことができるので、液晶３がシール材２に達する前に、余裕をもってシール材に紫外線を照射し、硬化させることが可能になる。
【００７８】
これにより、当該液晶表示装置の電圧保持率の低下を抑制し、表示の際のコントラストの低下を抑止することが可能になる。
【００７９】
なお、カラーフィルタによって形成される凸部のパターンは、図５（ａ），（ｂ）に示すように環状のパターンでもよいが、本発明はこれに限らず、例えば図６に示すような、島状のパターンが点在しているような凸部９Ｃを形成してもよい。この場合も図５（ａ），（ｂ）に示すようなパターンの凸部９Ａ，９Ｂを形成した場合と同様の効果を奏する。
【００８０】
（４）第４の実施例
以下で、本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の製造方法について図７（ａ），（ｂ），図８（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。図７（ａ），（ｂ），図８（ａ）は断面図であり、図８（ｂ）は平面図である。図８（ａ）は同図（ｂ）のＣ−Ｃ線断面図である。なお、第１，第２又は第３の実施例と共通する事項については、重複を避けるため説明を省略する。
【００８１】
まず、図１のステップＰ１〜Ｐ７までは第１の実施例と同様の工程を経る。ステップＰ８の粗合わせの工程で、図７（ａ）に示すように、減圧雰囲気中で、載置台ＳＴ上に載置されたＣＦ基板１の一辺にＴＦＴ基板４の一辺が接するように両者の間に厚さ２ｍｍのスペーサ板１１を挟みこんで載置しておく。例えば、図８（ａ），（ｂ）に示すように、重ね合わせたＣＦ基板１とＴＦＴ基板４の間の一箇所にスペーサ板１１を挟みこむ。
【００８２】
また、各基板１，４の四隅には位置ずれが起きないようにガイド棒１０を設けておく。
【００８３】
次いで、スペーサ板１１を横方向に引き抜くと、図７（ｂ）に示すようにＴＦＴ基板４が自重でＣＦ基板１上に落ちて重なる。このとき、ＴＦＴ基板４の四隅にはガイド棒１０が配置されているので、ＴＦＴ基板４がスペーサ板１１に引きずられてずれることはほとんどない。その後の工程は、第１の実施例と同様であるため、説明を省略する。
【００８４】
以上説明したように、本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、ＴＦＴ基板４の一辺とＣＦ基板１の一辺とが接するようにこれらの間にスペーサ板１１を挟んでおき、これを引き抜いてＣＦ基板１とＴＦＴ基板１を重ね合わせている。
【００８５】
ＴＦＴ基板をＣＦ基板に対向させたのちに自由落下させることによって液晶が急激に圧着されていた従来に比して、本実施例では少なくともＴＦＴ基板４の一辺とＣＦ基板１の一辺とが接しているので、比較的ゆっくりと落下する。このため、ＣＦ基板１上に形成されたシール材２は従来ほど大きな圧力を受けず、シール材２の潰れも偏らない。従って、ＣＦ基板１とＴＦＴ基板４の間のギャップの間隔の不均一も生じない。
【００８６】
なお、本実施例ではスペーサ板１１をＣＦ基板１とＴＦＴ基板４との間の一箇所にのみ挟んでこれを引き抜くことでＴＦＴ基板４をＣＦ基板１に重ね合わせているが、本発明はこれに限らず、図８（ｃ），（ｄ）に示すように、２つのスペーサ板１１Ａ，１１Ｂを対向してＣＦ基板１とＴＦＴ基板４の間に挟みこんで二点で支持したような場合でも同様の効果を奏し、さらに図９（ａ），（ｂ）に示すように３つのスペーサ板１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを挟みこんで三点で支持しても同様の効果を奏する。少なくともＣＦ基板１の一辺とＴＦＴ基板の一辺とが接していればよい。なお、図８（ｃ），図９（ａ）は断面図、８（ｄ），図９（ｂ）は平面図であり、図８（ｃ）は同図（ｄ）のＤ−Ｄ線断面図であり、図９（ｂ）は同図（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【００８７】
また、本実施例に係る方法を用いると複数の液晶表示パネルについて、ＴＦＴ基板をＣＦ基板上に載置することが短時間でできるようになる。以下でこのことについて図１０，１１を参照しながら説明する。
【００８８】
すなわち、図１０に示すように、ＣＦ基板とＴＦＴ基板を交互に積み重ね、その周囲にガイド棒１０を配置する。この状態を横からみた図が図１１である。下から順にＴＦＴ基板４Ｃ，ＣＦ基板１Ｃ，ＴＦＴ基板４Ｂ，ＣＦ基板１Ｂ，ＴＦＴ基板４Ａ，ＣＦ基板１Ａが順次積層されており、それらの間にはそれぞれスペーサ板１１Ｃ，１１Ｂ，１１Ａが挟みこまれている。
【００８９】
各ＴＦＴ基板をＣＦ基板に載置するには、各スペーサ板１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを横方向に引き抜くだけで、複数の液晶表示パネルに対応する複数のＴＦＴ基板を、それぞれに対応するＣＦ基板上に、短時間で容易に載置することが可能になる。
【００９０】
（５）第５の実施例
以下で本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の製造方法について図１２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。なお、第１〜第４の実施例と共通する事項については、重複を避けるため説明を省略する。
【００９１】
まず、図１のステップＰ１で透明基板上に液晶表示パネルを形成する上で必要な部材を形成する工程で、ＴＦＴ基板４は第１の実施例と同様の工程で形成するが、ＣＦ基板１についてはその四隅に超鋼ドリルや、炭酸ガスレーザを用いて、直径１mmの複数のガイド孔１Ｈを空けておく。
【００９２】
次いで、図１のステップＰ２〜Ｐ７までは第１の実施例と同様の工程を経た後に、図１のステップＰ８の粗合せの工程で、図１２（ａ）に示すように、載置台ＳＴ上のＣＦ基板１の四隅に形成されたガイド孔１Ｈに支持棒１２Ａ，１２Ｂを通し、この上にＴＦＴ基板４を載置する。この段階ではＴＦＴ基板４とＣＦ基板１とを２mm程度の間隔に離しておく。なお、図１２（ａ）には支持棒１２Ａ，１２Ｂを２本示し、２本を省略している。
【００９３】
その後、図１２（ｂ），（ｃ）に示すように、支持棒１２Ａ，１２Ｂを徐々に降下させてＴＦＴ基板４をＣＦ基板１と重ね合わせる。その後の図１のステップＰ９以降の工程は第１の実施例と同様であるため、説明を省略する。
【００９４】
以上説明したように、本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、ＣＦ基板１の四隅にガイド孔１Ｈを形成し、これに支持棒１２Ａ，１２Ｂを通して、支持棒１２Ａ，１２Ｂの上にＴＦＴ基板４を載置し、支持棒１２Ａ，１２Ｂを徐々に降下させることでＴＦＴ基板４をＣＦ基板１と重ね合わせ、粗合わせを行っている。
【００９５】
このため、予め位置合わせをしておいて支持具を降下させる速度を遅くすれば、位置ずれせずにそのまま重ね合わせることが出来るので、粗合わせの精度が向上する。しかも、基板がシール材２に接触する際の偏りも少なく、かつ衝撃が小さいためシール材２の潰れが偏らず、基板間の隙間の間隔の均一性が向上する。
【００９６】
また、本実施例と同様に、ＣＦ基板１にガイド孔１Ｈの代わりに、図１３（ａ），（ｂ）に示すようにＣＦ基板１の四隅に切除部１Ｋを形成して、その切除部１Ｋに支持棒１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄを通してこれら四本の支持棒１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ上にＴＦＴ基板４を載置して、支持棒１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄを降下させてＴＦＴ基板４をＣＦ基板１と重ね合わせるという方法を用いても、本実施例のガイド孔１Ｈを用いた方法と同様に、ＴＦＴ基板４をＣＦ基板１上にゆっくりと降下させることができるので、本実施例と同様の効果を奏する。
【００９７】
さらに、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に、エンジニアリングプラスチック用充填材として用いられているガラスカプセルを挟んで、これをスペーサ板として用いる方法もある。このガラスカプセルは基板を圧着する際の加圧により破壊されて細かくなるため、ギャップ制御上何の問題も生じない。また、基板上に残存するガラスカプセルの破片は透明なので、表示上の問題も生じない。
【００９８】
（６）第６の実施例
以下で、本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、第１〜第５の実施例と共通する事項については、重複を避けるため説明を省略する。
【００９９】
まず、図１のステップＰ１〜Ｐ３までは第１の実施例と同じ工程を経る。ステップＰ４のシールを形成する工程では第１〜第５の実施例と異なり、まずＣＦ基板１の表面のシール材を形成すべき領域に、可動イオンを捕獲する膜の一例であるシランカップリング材からなる膜１３Ａ（東レ：AP-400）を環状に形成する。
【０１００】
同様にして、ＴＦＴ基板４の表面にも、のちにシール材が圧着されるべき領域に同じシランカップリング材からなる膜１３Ｂを形成する。なお、これらの膜１３Ａ，１３Ｂは印刷により形成し、硬化のため温度３００℃にて３０分間熱処理を施す。
【０１０１】
次いで、ＣＦ基板１上に形成されたシランカップリング材からなる膜１３Ａ上に、紫外線硬化型の接着材（Ｔ−４７０、長瀬チバ製）からなるシール材２を環状に形成する。
【０１０２】
その後、図１のステップＰ５〜Ｐ１０までは第１の実施例と同様の工程を経て、図１４に示すような断面形状を有する液晶表示パネルが完成する。ステップＰ８の粗合わせの工程では、少なくともＴＦＴ基板４のシランカップリング材からなる膜１３Ｂがシール材２の内側の領域に存在する。
【０１０３】
以上説明したように、本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、図１４に示すように、環状のシール材２の内側の領域であってシール材２の形成領域に、可動イオンを捕獲する膜であるシランカップリング材からなる膜１３Ａ，１３Ｂを形成している。
【０１０４】
このため、シール材２の付近に存在する可動イオンがシランカップリング材からなる膜１３Ａ，１３Ｂによって捕獲されるため、可動イオンを介した蓄積電荷のリークを抑制することができる。これにより、電圧保持率の低下を抑制することができ、表示の際の当該液晶表示装置のコントラストの低下を抑制することが可能になる。
【０１０５】
シランカップリング材からなる膜をシール材の形成領域近傍に形成すると、電圧保持率の低下を抑制することができるという事実は、本願発明者による実験によって確認されている。以下でこの実験結果について説明する。
【０１０６】
下記の表３は、シランカップリング材（東レ製：AP-400）からなる膜をシール材の形成領域の隣接領域に形成した液晶表示パネルの電圧保持率と、これを用いていない従来の液晶表示パネルの電圧保持率とを比較した実験結果を示している。
【０１０７】
【表３】
0003639299.tif 000004
なお、上記の表３において用いた液晶はZLI-4792（メルク製）であって、配向膜はJALS-214（ＪＳＲ製）である。
【０１０８】
表３に示す結果によれば、シランカップリング材からなる膜をシール材の形成領域の隣接領域に形成した液晶表示パネルの電圧保持率が９７％であるのに対して、シランカップリング材からなる膜を有しない従来の液晶表示パネルの電圧保持率は９６％と低く、また８０℃で１０００時間経過後の電圧保持率についてはシランカップリング材からなる膜を有する液晶表示パネルが９７％という高い値を維持しているのに対して、これを有しない従来の液晶表示パネルは９４％まで低下している。従って、シール材の形成領域の隣接領域にシランカップリング材からなる膜を形成した液晶表示パネルについては、電圧保持率の低下が抑制されることが確認された。
【０１０９】
なお、本実施例では可動イオンを捕獲する膜の一例としてシランカップリング材からなる膜を用いているが、これに限らず、可動イオンを捕獲する性質を有する膜であって、液晶を汚染しないような膜であれば、本発明を適用することができる。
【０１１０】
（７）第７の実施例
以下で、本発明の第７の実施例に係る液晶表示装置の製造装置について図面を参照しながら説明する。この装置は、図１のステップＰ７の真空排気工程と、ステップＰ８の粗合せ工程で用いる貼り合わせ装置である。ＣＦ基板とＴＦＴ基板を収納して、内部を減圧し、これらの基板を重ね合わせて粗合せし、更に基板間の隙間に液晶を封入する工程に用いられる。
【０１１１】
本実施例に係る液晶表示装置の製造装置は、図１５に示すように、処理室２０、排気弁２１、排気口２２、リーク弁２３、リーク口２４及び載置台ＳＴを有する。
【０１１２】
処理室２０はその内部でＣＦ基板１とＴＦＴ基板４との貼り合わせを行う室である。排気弁２１は減圧手段の一部を構成し、不図示の真空ポンプと排気口２１との間に設けられている。排気弁２１を開き、排気口２２を通じて処理室２０内のガスを排気することにより、処理室２０内を減圧状態にする。
【０１１３】
また、リーク弁２３はリーク口２４と、不活性ガス等を収納した不図示のガスボンベとの間に設けられ、リーク弁２３を開くことにより、不図示のガスボンベから噴出するガスをリーク口２４を介して処理室２０内に導入する。リーク弁２３とリーク口２４はリーク手段を構成する。なお、リーク弁２３には不活性ガス等を収納したガスボンベを接続しなくてもよく、大気によるリークを行ってもよい。
【０１１４】
上記の液晶表示装置の製造装置を用いる液晶表示装置の製造方法について以下で説明する。
【０１１５】
第１の実施例と同様にして図１のステップＰ１〜Ｐ６の工程を経た後に、図１のステップＰ７で、環状のシール材２の内側領域に液晶３が滴下されているＣＦ基板１と、ＴＦＴ基板４とが図１５に示す貼り合わせ装置の処理室２０の内部に搬入される。ＣＦ基板１は載置台ＳＴの上に載置される。
【０１１６】
次いで、排気弁２１が開き、その先に設けられた不図示の真空ポンプによって処理室２０が排気される。ここでは５分間排気を行い、処理室２０内の到達真空度を５mTorr とした。
【０１１７】
その後、図１のステップＰ８の粗合せ工程で、減圧状態下でシール材２を介してＴＦＴ基板４とＣＦ基板１とを重ね合わせ、粗合わせを行う。続いて、加圧を行う。
【０１１８】
この加圧工程では、瞬間的にリーク弁２３を開いて、窒素ガス等をリーク口２４からその下のＴＦＴ基板４の上に噴出する。窒素ガスが吹き付けられることでＴＦＴ基板４がＣＦ基板１に加圧される。
【０１１９】
ガスは一般に対象物に対して等方的に圧力を及ぼし、ＴＦＴ基板４の表面に遍く行き渡る。従って、これがＴＦＴ基板４の上面に吹き付けられると、ＴＦＴ基板４の受ける圧力はほぼ均一になり、ＴＦＴ基板４は均一な力で加圧されるため、基板１，４間の隙間の間隔は均一になる。これにより、液晶表示パネルの電極に駆動電圧が印加された場合、基板間の液晶に印加される電界も均一になるので、表示特性が向上する。
【０１２０】
また、同様にガスを用いた加圧をする貼り合わせ装置として、図１６に示すような張合わせ装置も考えられる。この装置は、液晶表示パネルのシール材２の形成領域に沿ってリーク孔２４が形成されていることが図１５に示す装置と異なっている。
【０１２１】
図１６に示す貼り合わせ装置を用いてＣＦ基板１に重ね合わされたＴＦＴ基板４を加圧するには、図１５に示す装置と同様にリーク弁２３を開き、不図示のガスボンベから噴出されるガスをリーク孔２４から吹き付けることで加圧する。この装置では、図１６に示すように、リーク孔２４がシール材２の形成領域に沿って形成されているので、噴出するガスはシール材２の形成領域にのみ吹き付けられることになる。
【０１２２】
ＴＦＴ基板４とＣＦ基板１の加圧の際には、結局シール材２を均一に加圧することが重要である。この装置によれば、シール材２に沿ってガスを吹きつけ、シール材２を均一に加圧することができるので、図１５に示す装置と同様に、基板１，４間のギャップの間隔を均一にすることができる。
【０１２３】
（８）第８の実施例
以下で本発明の第８の実施例に係る液晶表示装置の製造装置について図１７を参照しながら説明する。この装置は、第７の実施例で説明した液晶表示装置の製造装置と同様に、図１のステップＰ７の真空排気工程と、ステップＰ８の粗合せ工程で用いる貼り合わせ装置であり、ＣＦ基板とＴＦＴ基板を装置内に搬入した後に、装置内を排気し、これらの基板を粗合せする。
【０１２４】
本実施例に係る液晶表示装置の製造装置は、図１７に示すように、処理室２０、排気弁２１、排気口２２、第１のリーク弁２３Ａ、第２のリーク弁２３Ｂ、第１のリーク口２４Ａ、第２のリーク口２４Ｂ、圧着板２５及び載置台ＳＴを有する。
【０１２５】
処理室２０はその内部で貼り合わせを行う室であって、排気弁２１は、不図示の真空ポンプと排気口２１との間に設けられ、排気弁２１を開き、排気口２２を通じて処理室２０内のガスを排気して、減圧状態にする。
【０１２６】
第１のリーク弁２３Ａはリーク口２４Ａの外部に設けられており、第１のリーク弁２３Ａを開くことにより、不図示のガスボンベからのガスを、圧着板２５の上面に吹き付ける。圧着板２５は、伸縮自在のベローズＶＳによって載置台ＳＴの上に支持され、かつ処理室２０内と隔絶されており、ガスが吹き付けられると、ベローズＶＳが伸びて載置台ＳＴの上に搭載されたＴＦＴ基板の上面を圧着する。
【０１２７】
第１のリーク弁２３Ｂはリーク口２４Ｂの外部に設けられており、第１のリーク弁２３Ｂを開くことにより、装置外部の空気が、処理室２０内に導入される。
【０１２８】
上記の液晶表示装置の製造装置を用いる液晶表示装置の製造方法について以下で説明する。
【０１２９】
第１の実施例と同様にして図１のステップＰ１〜Ｐ６の工程を経た後に、図１のステップＰ７で、シール材２が表面に形成されて液晶３が滴下されたＣＦ基板１と、ＴＦＴ基板４とが図１５に示す貼り合わせ装置の処理室２０の内部に搬入され、ＣＦ基板１は載置台ＳＴの上に載置される。
【０１３０】
ＴＦＴ基板４をＣＦ基板１上に対向配置したのちに、排気弁２１を開き、その先に設けられた不図示の真空ポンプによって処理室２０が真空排気される。５分間排気を行って、到達真空度を５mTorr とした。
【０１３１】
その後、図１のステップＰ８の粗合せ工程で、真空状態下でＴＦＴ基板４をＣＦ基板１上に載置して、対向密着状態とし、加圧を行う。
【０１３２】
この加圧工程では、瞬間的に第１のリーク弁２３Ａを開くとき、不図示のガスポンプから噴出される窒素ガスが第１のリーク口２４Ａからその下の圧着板２５に均一な圧力で吹き付けられ、ＴＦＴ基板４がこの圧着板２５によって加圧されてＴＦＴ基板４がＣＦ基板１に圧着される。
【０１３３】
この加圧方法によると、ガスを用いて圧着板２５を加圧し、その圧着板２５でＴＦＴ基板４を圧着している。ガスは一般に等方性を有し、これが圧着板２５の上面に吹き付けられると、そのガスは圧着板２５の全面に遍く行き渡り、かつその圧力はほぼ均一になる。この均一な圧力でＴＦＴ基板４を加圧するので、従来と異なり、ＴＦＴ基板４とＣＦ基板１とを均一な力で加圧することが可能になる。
【０１３４】
これにより、これらの基板の間で液晶が均一に行き渡るようにすることができるので、基板１，４間のギャップの間隔を均一にすることができ、表示特性を向上させることが可能になる。
【０１３５】
（９）第９の実施例
以下で、本発明の第９の実施例に係る液晶表示装置の製造方法について図１８（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。なお、第１〜第８の実施例と共通する事項については、重複を避けるため説明を省略する。
【０１３６】
まず、図１のステップＰ１で、ガラスなどからなる透明基板上に、液晶表示パネルを形成する上で必要な部材を形成する工程で、ＴＦＴ基板４側の加工は第１の実施例と同様であるが、ＣＦ基板１にカラーフィルタを形成する工程で、図１８（ｂ）に示すように当該液晶表示装置の表示領域ＣＲにカラーフィルタを形成するのと同時に表示領域ＣＲに隣接する周辺領域にも、表示領域ＣＲのカラーフィルタの配列順序に従って予備のカラーフィルタＣＭを形成しておく。その後の工程は第１の実施例と同様であるため説明を省略する。
【０１３７】
本発明の第９の実施例に係る液晶表示装置の製造方法によれば、図１８（ａ），（ｂ）に示すように、表示領域ＣＲに隣接する周辺領域にも表示領域ＣＲのカラーフィルタの配列順序に従って予備のカラーフィルタＣＭを形成しているので、ＴＦＴ基板４とＣＦ基板１とを重ね合わせたときに位置合わせのずれが生じても、表示領域ＣＲからはみ出した端の部分をこの予備のカラーフィルタＣＭの位置に合わせればよい。このため、位置合わせのための調整幅が少なく、調整が容易であるとともに、調整のための基板の大幅な移動による接着材へのダメージ付与を避けることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【図２】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図（その１）である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図（その２）である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図（その１）である。
【図６】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図（その２）である。
【図７】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する断面図（その１）である。
【図８】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する上面図（その１）である。
【図９】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する上面図（その２）である。
【図１０】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する斜視図である。
【図１１】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する断面図（その２）である。
【図１２】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【図１４】本発明の第６の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】本発明の第７の実施例に係る液晶表示装置の製造装置を説明する図（その１）である。
【図１６】本発明の第７の実施例に係る液晶表示装置の製造装置を説明する図（その２）である。
【図１７】本発明の第８の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１８】本発明の第９の実施例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図である。
【図１９】従来例に係る液晶表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【図２０】従来例に係る液晶表示装置の製造装置を説明する断面図である。
【図２１】従来例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図（その１）である。
【図２２】従来例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図（その２）である。
【図２３】従来例の問題点を説明するグラフ（その１）である。
【図２４】従来例の問題点を説明するグラフ（その２）である。
【図２５】液晶表示パネルの電圧保持率を説明する図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１  ＣＦ基板（第１の透明基板）、
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ  ＣＦ基板、
１Ｈ  ガイド孔、
１Ｋ  切除部、
２  シール材（接着材）、
２Ａ  シール材の内周面、
２Ｂ  第１のシール材（第１の接着材）、
２Ｃ  半硬化状態のシール材、
３  液晶、
４  ＴＦＴ基板（第２の透明基板）、
４Ａ，４Ｂ，４Ｃ  ＴＦＴ基板、
５  第２のシール材（第２の接着材）、
５Ａ  半硬化状態のシール材、
６Ａ，６Ｂ，９Ａ，９Ｂ，９Ｃ  凸部、
７  透明電極、
８  配向膜、
１０  ガイド棒、
１１  １１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ  スペーサ板、
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ  支持棒、
１３Ａ，１３Ｂ  シランカップリング材からなる膜（可動イオンを捕獲する膜）、
２０  処理室、
２１  排気弁、
２２  排気口、
２３  リーク弁、
２３Ａ  第１のリーク弁、
２３Ｂ  第２のリーク弁、
２４，２４Ａ  リーク口、
２４Ｂ  第２のリーク口、
２５  圧着板、
ＣＲ  表示領域、
ＣＭ  予備のカラーフィルタ、
ＳＴ  載置台、
ＳＰ  スペーサ、
ＶＳ  ベローズ。
【図１】
0003639299.tif 000005
【図２】
0003639299.tif 000006
【図３】
0003639299.tif 000007
【図４】
0003639299.tif 000008
【図５】
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【図６】
0003639299.tif 000010
【図７】
0003639299.tif 000011
【図８】
0003639299.tif 000012
【図９】
0003639299.tif 000013
【図１０】
0003639299.tif 000014
【図１１】
0003639299.tif 000015
【図１２】
0003639299.tif 000016
【図１３】
0003639299.tif 000017
【図１４】
0003639299.tif 000018
【図１５】
0003639299.tif 000019
【図１６】
0003639299.tif 000020
【図１７】
0003639299.tif 000021
【図１８】
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【図１９】
0003639299.tif 000023
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
0003639299.tif 000026
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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