(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力ポートが受けた光を変調して変調された光を出力ポートから出力する光変調器モジュールであって、
上記入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接続される第１端及び第２端と該第１端及び第２端にそれぞれ接続される第１Ｙ部及び第２Ｙ部と該第１Ｙ部及び第２Ｙ部の間に接続される第１パス及び第２パスとを有する光導波構造と、
上記第２Ｙ部を通過する光が上記第２端に供給される結合モードと上記通過する光が上記光導波構造からそれて漏洩ビームを生じさせる漏洩モードとを切り換えてそれにより上記変調された光が上記第２端から出力されるように上記第１パス及び第２パスの少なくともいずれか一方に電界を印加するための駆動手段と、
上記漏洩ビームを受ける受光面を有するフォトディテクタと、
上記結合モードにおいて上記第２端より出力される出力ビームを上記出力ポートに導き、上記漏洩ビームを上記受光面に導く集光手段とを備えた光変調器モジュール。
【請求項２】
入力ポートが受けた光を変調して変調された光を出力ポートから出力する光変調器モジュールであって、
上記入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接続される第１端及び第２端と該第１端及び第２端にそれぞれ接続される第１Ｙ部及び第２Ｙ部と該第１Ｙ部及び第２Ｙ部の間に接続される第１パス及び第２パスとを有する光導波構造と、
上記第２Ｙ部を通過する光が上記第２端に供給される結合モードと上記通過する光が上記光導波構造からそれて漏洩ビームを生じさせる漏洩モードとを切り換えてそれにより上記変調された光が上記第２端から出力されるように上記第１パス及び第２パスの少なくともいずれか一方に電界を印加するための駆動手段と、
上記漏洩ビームを受ける受光面を有するフォトディテクタとを備え、
上記第２Ｙ部と上記光導波構造の上記漏洩ビームが放射される端面との相対的な位置関係は、上記漏洩ビームが上記出力ポートに出力されず、且つ上記光導波構造から放射される上記漏洩ビームの放射立体角を小さくすることによって上記漏洩ビームが上記受光面に入射するように調整されている光変調器モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の光変調器モジュールであって、
上記第２端に対向する開口を封止するための窓部材を更に具備し、
上記窓部材は上記結合モードにおいて上記第２端より出力される出力ビームを透過させる透過面と上記漏洩ビームを反射させて、その反射ビームを上記受光面に導く反射面とを有する光変調器モジュール。
【請求項４】
請求項２に記載の光変調器モジュールであって、
上記第２端に対向する開口を封止するための窓部材と、
上記窓部材に対向し、上記開口に沿って設けられたリング部材とを更に具備し、
上記リング部材は概略円錐形の一部をなす反射面を有し、
上記結合モードにおいて上記第２端より出力される出力ビームは上記リング部材の内側及び上記開口を通過し、
上記漏洩ビームは上記反射面で反射して上記受光面に入射する光変調器モジュール。
【請求項５】
請求項２に記載の光変調器モジュールであって、
上記第２端に対向する開口を封止するための窓部材を更に具備し、
上記窓部材の上記第２端に対向する表面には積層された光学膜が形成され、
上記結合モードにおいて上記第２端より出力される出力ビームは上記光学膜を透過し、
上記漏洩ビームは上記光学膜で反射して、上記受光面に入射する光変調器モジュール。
【請求項６】
入力ポートが受けた光を変調して変調された光を出力ポートから出力する光変調器モジュールであって、
上記入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接続される第１端及び第２端と該第１端及び第２端にそれぞれ接続される第１Ｙ部及び第２Ｙ部と該第１Ｙ部及び第２Ｙ部の間に接続される第１パス及び第２パスとを有する光導波構造と、
上記第２Ｙ部を通過する光が上記第２端に供給される結合モードと上記通過する光が上記光導波構造からそれて漏洩ビームを生じさせる漏洩モードとを切り換えてそれにより上記変調された光が上記第２端から出力されるように上記第１パス及び第２パスの少なくともいずれか一方に電界を印加するための駆動手段と、
上記漏洩ビームを受ける受光面を有するフォトディテクタと、
上記第２端に対向する開口を封止するための窓部材と、
上記漏洩ビームの偏光面を９０°回転させる１／２波長板とを具備し、
上記光導波構造は誘電体チップにより提供され、
上記誘電体チップは上記第２端と実質的に同一平面上の端面を有し、上記漏洩ビームは上記端面から放射され、
上記１／２波長板は上記誘電体チップの端面に固着され、上記窓部材には光学膜が積層され、
上記漏洩ビームは上記光学膜で反射して上記受光面に入射する光変調器モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、光源からの光を変調するための光変調器モジュールに関し、更に詳しくは、光パワーのモニタリングを行なうための上記モジュールの構造に関する。
【０００２】
光ファイバ通信システムにおいては、変調速度が増大してきた。レーザダイオードの直接強度変調では、波長チャーピングが問題である。チャーピングは、信号光が色分散（波長分散）のある光ファイバを通過するときに波形の歪みを引き起こす。ファイバ損失の観点からは、シリカファイバに適用されるのに最も望ましい波長は１．５５μｍである。この波長では、ノーマルなファイバは大体１８ｐｓ／ｋｍ／ｎｍの色分散を持っている。これは伝送距離を制限する。この問題をさけるために、外部変調器として使用される光変調器モジュールに対する期待が高まっている。
【０００３】
【従来の技術】
実用的な外部変調器として、ＬｉＮｂＯ3 基板を用いたマッハツェンダ型の光変調器（ＬＮ変調器）が開発された。光源からの一定強度のキャリア光がＬＮ変調器に供給され、光の干渉を用いたスイッチング動作によって、強度変調された光信号が得られる。
【０００４】
しばしば指摘されるＬＮ変調器の欠点は、動作点ドリフトを生じさせることである。動作点ドリフトに対処するために、ＬＮ変調器から出力される光のパワーがモニタリングされ、その結果得られる電気信号に基づいて動作点安定化のための制御が行なわれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
光変調器が出力する光のパワーをモニタリングするためには、その一部をビームスプリッタにより分岐し、その分岐ビームをフォトディテクタで受ければよい。しかし、この場合、光変調器から出力される光信号のパワーが小さくなり、また、部品点数が多くなって装置が大型化するという問題がある。
【０００６】
このような点に鑑み、干渉に際して生じる漏洩ビームを用いて光パワーをモニタリングすることが試みられている（特開平３−１４５６２３号公報）。しかし、漏洩ビームを用いた従来のモニタリング技術においては、漏洩ビームを受けるための受光面或いはファイバ端面を光変調器チップの端面に直接実装しているので、チップが破損しやすく、光変調器モジュールの製造が容易でないという問題がある。
【０００７】
よって、本発明の目的は、漏洩ビームによる光パワーのモニタリングを可能にする製造性に優れた光変調器モジュールを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のある側面によると、入力ポートが受けた光を変調して変調された光を出力ポートから出力する光変調器モジュールが提供される。
【０００９】
光変調器モジュールは、例えば誘電体チップにより提供される光導波構造を有している。
光導波構造は、入力ポート及び出力ポートにそれぞれ動作的に接続される第１端及び第２端と、第１端及び第２端にそれぞれ接続される第１Ｙ部及び第２Ｙ部と、第１Ｙ部及び第２Ｙ部の間に接続される第１パス及び第２パスとを有している。
【００１０】
結合モードと漏洩モードとを切り換えてそれにより変調された光が第２端から出力されるようにするために、駆動手段が第１パス及び第２パスの少なくともいずれか一方に電界を印加する。
【００１１】
結合モードでは、第２Ｙ部を通過する光が第２端に供給され、これにより光変調器モジュールが出力する光がオンになる。漏洩モードでは第２Ｙ部を通過する光が光導波構造からそれて漏洩ビームを生じさせ、これにより光変調器モジュールが出力する光がオフになる。このようにして、入力ポートが受けた光についての強度変調がなされる。
【００１２】
光変調器モジュールは、更に、漏洩ビームを受ける受光面を有するフォトディテクタと、上記結合モードにおいて上記第２端より出力される出力ビームを上記出力ポートに導き、上記漏洩ビームを上記受光面に導く集光手段とを有する。集光手段は、漏洩ビームの方向を変換するが、漏洩ビームの偏光状態又は開口数を変換するようにしても良い。
【００１３】
このように本発明の光変調器モジュールは、集光手段によりフォトディテクタの受光面が光導波構造に密着しないようにできるので、光変調器モジュールの製造性が改善される。また、結合モードと漏洩モードは互いに相補の関係にあるので、漏洩ビームを用いて光パワーのモニタリングが可能となる。
【００１４】
光導波構造が誘電体チップにより提供されている場合には、駆動手段は、誘電体チップ上で第１及び第２パスにそれぞれ並設される第１及び第２の電極を含むことができる。望ましくは、結合モードと漏洩モードの有効な切換がなされるように、フォトディテクタの出力信号に基づき動作点を制御する回路が第１及び第２の電極に動作的に接続される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の望ましい実施の形態を詳細に説明する。
図１を参照すると、本発明が適用される光変調器モジュールの外観が示されている。このモジュールは、入力ポート２が受けた光を変調して変調された光を出力ポート４から出力する。この実施形態では、ポート２及び４はそれぞれ光コネクタである。
【００１６】
このモジュールは、後述する変調器チップが内蔵されるパッケージ６を有している。パッケージ６の両端には、ポート２及び４をそれぞれパッケージ６と接続するためのピグテール型のファイバアセンブリ８及び１０が設けられている。
【００１７】
パッケージ６の一方の側面には、高速信号用のコネクタ１２及び１４が設けられており、他方の側面には低速信号用のコネクタ１６が設けられている。
パッケージ６を図示しないケース等に固定するために、パッケージ６の底部には金具１８が固定されている。
【００１８】
図２を参照すると、パッケージ６（図１参照）内に内蔵される変調器チップが示されている。この変調器チップは、誘電体チップ２０により提供される光導波構造２２を有している。誘電体チップ２０は例えばＬｉＮｂＯ3 （リチウムナイオベート）からなり、この場合Ｔｉ（チタン）の熱拡散によって光導波構造２２が得られる。
【００１９】
光導波構造２２は、図１の入力ポート２及び出力ポート４にそれぞれ動作的に接続される第１端２４及び第２端２６を有している。
本出願において、ある要素と他の要素とが動作的に接続されるというのは、これらの要素が直接接続される場合を含み、更に、これらの要素の間で電気信号又は光信号の受渡しができる程度の関連性を持ってこれらの要素が設けられている場合を含む。
【００２０】
光導波構造２２は、更に、第１端２４及び第２端２６にそれぞれ接続される第１Ｙ部２８及び第２Ｙ部３０と、Ｙ部２８及び３０の間に接続される第１パス３２及び第２パス３４とを有している。
【００２１】
第１端２４に供給された光は、第１Ｙ部２８で光パワーが実質的に２等分される第１及び第２のビームに分岐される。第１及び第２のビームはそれぞれパス３２及び３４により導波され、第２Ｙ部３０で干渉する。
【００２２】
第２Ｙ部３０における第１及び第２のビーム間の位相差に応じて、第２端２６において出力ビームが得られる結合モードと、第２Ｙ部３０から誘電体チップ２０内に漏洩ビームが放射される漏洩モードとが切り換えられる。
【００２３】
第１及び第２のビーム間の位相差を変化させるために、第１パス３２上には接地電極３８が設けられており、第２パス３４上には信号電極３６が設けられている。
【００２４】
信号電極３６は、進行波型に構成されており、その入力端３６Ａはコネクタ１２の内部導体に接続され、出力端３６Ｂはコネクタ１４の内部導体に接続されている。また、コネクタ１２及び１４のシールド並びに接地電極３８は例えばパッケージ６（図１参照）を介して接地されている。
【００２５】
電極３６及び３８は例えばＡｕ（金）の蒸着により形成される。図示はしないが、誘電体チップ２０と電極３６及び３８との間にＳｉ及び／又はＳｉＯ2 からなる安定化用の単一又は複数のバッファ層が設けられていてもよい。
【００２６】
図３を参照すると漏洩ビームを更に詳細に説明するために、変調器チップの破断斜視図が示されている。チップ２０は、第２端２６と実質的に同一平面上の端面２０Ａを有している。
【００２７】
第２Ｙ部３０からチップ２０内に放射された漏洩ビームは、ＬＢで示されるように、更に端面２０Ａから空気中に放射される。また、Ｙ部３０における干渉の結果生じた出力ビームＯＢは、第２端２６から空気中に放射される。
【００２８】
図４を参照すると、漏洩ビームＬＢをモニタリングするための第１実施形態が示されている。誘電体チップ２０は、パッケージ６の内面に固着されている。パッケージ６は、出力ビームＯＢを放射する第２端２６に対向する開口６Ａを有している。
【００２９】
開口６Ａには、パッケージ６の内部を気密に封止するためのサファイア等からなる窓部材４０が設けられている。パッケージ６の蓋の図示は省略されている。チップ２０の端面２０Ａから放射される漏洩ビームＬＢのビームパラメータを変換するために、チップ２０と開口６Ａの間にコモンレンズ４２が設けられている。ここではコモンレンズ４２は球レンズでありパッケージ６の内面に接着剤４４により固定されている。
【００３０】
第２端２６から放射された出力ビームＯＢは、コモンレンズ４２により集束されて窓部材４０を透過し、出力ポート４（図１参照）に導かれる。
パッケージ６の内面の開口６Ａの上方には、セラミック基板４６を介してフォトディテクタ（例えばフォトダイオード）４８が設けられている。
【００３１】
セラミック基板４６の底面４６Ａはパッケージ６の内面に固着され、セラミック基板４６の頂面４６Ｂ上にはフォトディテクタ４８の底部が固着されている。フォトディテクタ４８はその頂部に受光面４８Ａを有している。
【００３２】
チップ２０の端面２０Ａから放射された漏洩ビームＬＢは、コモンレンズ４２により集束されてフォトディテクタ４８の受光面４８Ａに入射する。
このように一つのコモンレンズ４２を用いて、出力ビームＯＢの邪魔をせずに漏洩ビームＬＢのモニタリングが可能なのは、出力ビームＯＢ及び漏洩ビームＬＢがチップ２０の異なる点から放射されているからである。
【００３３】
尚、コモンレンズ４２の大きさは、出力ビームＯＢの光軸がコモンレンズ４２の中心に実質的に一致するように設定されている。これにより、漏洩ビームＬＢはコモンレンズ４２にその中心よりも下の位置から斜めに入射するので、開口６Ａの上部に位置するフォトディテクタ４８により漏洩ビームＬＢの一部又は全部を受けることができる。
【００３４】
この実施形態では、漏洩ビームＬＢのうちの一部でもフォトディテクタ４８の受光面４８Ａに重なっていれば光パワーのモニタリングが可能になるので、フォトディテクタ４８の位置合わせ等が容易であり、モジュールを簡単に製造することができる。また、チップ２０の端面２０Ａには何も固着する必要がないのでチップ２０の破損が防止され、製造歩留りが向上する。
【００３５】
フォトディテクタ４８は電気的には図１の低速用のコネクタ１６に接続されている。この接続は例えば次のようにしてなされる。セラミック基板４６の頂面４６Ｂ上に導体パターンを形成し、この導体パターンとフォトディテクタ４８の出力端子とをボンディングワイヤで接続し、導体パターンとコネクタ１６とを適当なリード線により接続するのである。
【００３６】
このような接続形態によると、フォトディテクタ４８のセラミック基板４６に対する機械的な固定と電気的な接続とを予め行なってフォトディテクタアセンブリを構成しておき、このアセンブリをパッケージ６の内面に固着することができるので、モジュールの組立が容易になる。
【００３７】
次に図５を参照して動作点ドリフトについて説明する。一般に誘電体チップを用いてなるマッハツェンダ型の光変調器においては、温度変化や経時変化により動作特性曲線がドリフトする（動作点ドリフト）。
【００３８】
図５において、符号５０及び５２はそれぞれ動作点ドリフトが生じていない場合における動作特性曲線及び出力光信号波形を表しており、符号５４及び５６はそれぞれ動作点ドリフトが生じた場合における動作特性曲線及び出力光信号波形を表している。符号５８は入力信号（駆動電圧）の波形である。
【００３９】
動作特性曲線は、光パワー（例えば図３の出力ビームＯＢのトータルパワー）が電圧の増加に対して周期的に増減するものとして表される。従って、入力信号の各論理値に対応して光パワーの極小値及び極大値がそれぞれ得られる電圧Ｖ0 及びＶ1 を用いて前述の結合モードと漏洩モードの有効な切り換えを行なうことによって、効率的な２値変調を行なうことができる。
【００４０】
動作点ドリフトが生じたときに、電圧Ｖ0 及びＶ1 が一定であると、動作特性曲線の周期性により符号５６で示されるように出力光信号の消光比が劣化する。従って、動作点ドリフトが生じたときにそのドリフト量をｄＶとすると、電圧Ｖ0 及びＶ1 をそれぞれ（Ｖ0 ＋ｄＶ）及び（Ｖ1 ＋ｄＶ）として動作点ドリフトを補償することが要求される。
【００４１】
本発明では、動作点ドリフトの安定化制御に漏洩ビームのモニタリングを適用することができる。
図６を参照すると図２の変調器チップの動作特性が示されている。与えられた任意の電圧に対して出力ビームＯＢの光パワーと漏洩ビームＬＢの光パワーの和は一定である。即ち、出力ビームＯＢと漏洩ビームＬＢは互いに相補の関係にある。
【００４２】
従って、図２の変調器チップが動作している状態においては、出力ビームＯＢの平均光パワーは漏洩ビームＬＢの平均光パワーに反映されるのである。
図７を参照すると、本発明の光変調器モジュール６０を有する光送信機が示されている。レーザダイオードモジュール等の光源６０からの一定強度のキャリア光が入力ポート２に供給される。
【００４３】
変調回路６２は、入力信号の論理レベルに対応して出力ポート４から出力する光がオン／オフするような位相変化が光パス３２及び３４（図２参照）の導波光に与えられるように、高速の駆動電圧信号（変調信号）をキャパシタ６４を介してコネクタ１２に供給する。
【００４４】
動作点制御回路６６は、漏洩ビームのパワーに対応するコネクタ１６の出力信号を受け、この出力信号に基づき動作点ドリフトを検出して、図５により説明した原理に従って動作点が動作特性曲線に対して一定の関係を有するような位相変化がパス３２及び３４の導波光に与えられるように、制御された直流のバイアス電圧を発生する。バイアス電圧はインダクタ６８を介してコネクタ１４に与えられる。コネクタ１４を高周波的に終端するために、キャパシタ７０及び終端抵抗７２が直列でコネクタ１４に接続される。
【００４５】
この光送信機においては、光変調器６０の動作点が常に最適に安定化されるので、動作点ドリフトに起因する出力波形の劣化或いは出力波形の反転を防止して伝送品質を向上させることができる。
【００４６】
尚、動作点制御回路６６は、例えば、発振器からの低周波信号を高速の変調信号に重畳する手段と、低周波信号を参照信号としてコネクタ１６の出力信号を同期検波する手段と、同期検波の結果得られたＤＣ信号が一定になるようにバイアス電圧を制御する手段とから構成することができる。
【００４７】
図８を参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの第２実施形態が示されている。この実施形態は、図４の第１実施形態と対比して、コモンレンズ４２に代えてアレイレンズ７４が用いられている点で特徴づけられる。
【００４８】
アレイレンズ７４はパッケージの開口６Ａと誘電体チップ２０との間に設けられており、その上部及び下部にそれぞれレンズエレメント７６及び７８を一体に有している。
【００４９】
出力ビームＯＢはレンズエレメント７６により集束されて窓部材４０を透過し、漏洩ビームＬＢはレンズエレメント７８により集束されてフォトディテクタ４８の受光面４８Ａに入射する。
【００５０】
フォトディテクタ４８は、パッケージ６の内面の開口６Ａの下方にセラミック基板４６を介して固定されている。
このようなアレイレンズ７４の採用により、図４の第１実施形態と対比して、出力ビームＯＢの光軸と漏洩ビームＬＢの光軸とが開口６Ａと誘電体チップ２０との間で交差しなくなり光軸同士ほぼ平行になるので、開口６Ａの下方に位置するフォトディテクタ４８により漏洩ビームＬＢの一部又は全部を受けることができる。
【００５１】
尚、アレイレンズ７４は例えばプレスにより作製される複数の非球面レンズを有している。
図９を参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの第３実施形態が示されている。ここでは、パッケージの開口６Ａは第１及び第２実施形態と異なる形状の窓部材８０により密閉されている。即ち、窓部材８０は漏洩ビームＬＢの一部又は全部を反射させるための傾斜した反射面８０Ａを有している。
【００５２】
図示された例では、反射面８０Ａは窓部材８０の外側に形成されているが、内側に形成されていてもよい。
フォトディテクタ４８は受光面４８Ａが誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側を向くように端面２０Ａ上にセラミック基板４６を介して固定されている。
【００５３】
この実施形態では、漏洩ビームＬＢを集束させるためのレンズが用いられていない。しかし、一般にフォトディテクタ４８の受光面４８Ａは例えば数百μｍの直径を有しているので、Ｙ部３０（図２及び図３参照）と誘電体チップ２０の端面２０Ａとの相対的な位置関係を調整して漏洩ビームＬＢの開口（放射の立体角）を小さくすることによって、漏洩ビームＬＢの大部分をフォトディテクタ４８で受けることができる。
【００５４】
また、フォトディテクタ４８は受光面４８Ａが誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側を向くように設けられているので、フォトディテクタ４８及びセラミック基板４６を誘電体チップ２０に固着するに際して端面２０Ａの傷等を考慮する必要がないので、製造歩留りが向上する。
【００５５】
この実施形態では、出力ビームＯＢを集束させるためのレンズがハウジング６の内部に設けられていないので、そのレンズは図１のファイバアセンブリ１０内に設けることができる。
【００５６】
図１０を参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの第４実施形態が示されている。窓部材４０は第１及び第２実施形態におけるものと同じである。
【００５７】
漏洩ビームＬＢの一部又は全部を反射させるために、開口６Ａに沿ってパッケージ６の内面にリング部材８２が固着されている。リング部材８２は概略円錐形の一部をなす反射面８２Ａを誘電体チップ２０の側に有している。
【００５８】
出力ビームＯＢはリング部材８２の内側を通って窓部材４０を透過し、漏洩ビームＬＢの一部又は全部は反射面８２Ａで反射してフォトディテクタ４８の受光面４８Ａに入射する。フォトディテクタ４８の配置形態は第３実施形態と同じである。
【００５９】
この実施形態によっても誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側を向く受光面４８Ａにより漏洩ビームＬＢの一部又は全部を受けることができるので、製造歩留りが向上する。また、リング部材８２は金属に対する通常の加工方法により高精度に作製することができ、リング部材８２のパッケージ６への固着も容易に行なうことができるので、このモジュールの製造は極めて容易である。
【００６０】
反射面８２Ａはリング部材８２の表面の研磨によって得ることもできるが、全反射膜の蒸着によって得てもよい。
図１１を参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの第５実施形態が示されている。ここでは、パッケージの開口６Ａには、上部がパッケージ６の内部に傾斜した窓部材８４が設けられている。
【００６１】
窓部材８４には特定の偏光面を有するビームを反射させるための光学膜８６が積層されている。光学膜８６は図示された例では窓部材８４の内側に積層されているが、外側に積層されていてもよい。
【００６２】
一般に、誘電体チップ２０の上面に電極３６及び３８（図２参照）を形成して、光導波構造２２に図１１の上下方向に電界を印加する場合、出力ビームＯＢ及び漏洩ビームＬＢの各々は、図１１の紙面に平行な偏光面を有するＴＭ偏光となっている。
【００６３】
この実施形態では、漏洩ビームＬＢだけを紙面に垂直な偏光面を有するＴＥ偏光に変換するために、誘電体チップ２０の端面２０Ａ上に１／２波長板８８を固着している。
【００６４】
そして、光学膜８６はＴＭ偏光を透過させ、ＴＥ偏光を反射させる特性を有している。従って、出力ビームＯＢは光学膜８６及び窓部材８４を透過し、漏洩ビームＬＢは光学膜８６で反射する。反射した漏洩ビームＬＢの一部又は全部はフォトディテクタ４８の受光面４８Ａに入射する。
【００６５】
フォトディテクタ４８は、受光面４８Ａが誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側を向くようにセラミック基板４６を介して端面２０Ａに固定されている。
この実施形態においても、フォトディテクタ４８の受光面４８Ａが誘電体チップ２０の端面２０Ａと反対側を向くようにされているので、製造歩留りが向上する。
【００６６】
図１２を参照すると、本発明による漏洩ビームのモニタリングの第６実施形態が示されている。ここでは、漏洩ビームＬＢのビームパラメータを変換する手段は、出力ビームＯＢ及び漏洩ビームＬＢのいずれか一方の偏光面を９０°回転させる旋光手段と、漏洩ビームＬＢの光路を出力ビームＯＢの光路から分離するための複屈折結晶９２とを含む。
【００６７】
具体的には、旋光手段は誘電体チップ２０の端面２０Ａに固着される１／２波長板９０からなり、複屈折結晶９２は、１／２波長板９０を通過した漏洩ビームＬＢが常光線及び異常光線のいずれか一方になるように配置される。
【００６８】
この実施形態では、複屈折結晶９２の材質はルチルであり、漏洩ビームＬＢは１／２波長板９０によりＴＥ偏光に変換され、複屈折結晶９２において異常光線として出力ビームＯＢから下方向に分離される。この実施形態によると、出力ビームＯＢと漏洩ビームＬＢとの間の距離を拡大することができるので、容易に漏洩ビームＬＢのモニタリングを行なうことができる。
【００６９】
各ビームの偏光方向等の適切な設定によって出力ビームＯＢと漏洩ビームＬＢとが水平方向に分離されるようにしてもよい。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、漏洩ビームによる光パワーのモニタリングを可能にする製造性に優れた光変調器モジュールの提供が可能になるという効果が生じる。
【００７１】
また、本発明の特定の実施形態によると、漏洩ビームのモニタリングにより光変調器の動作点の安定化が可能になるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される光変調器モジュールの外観を示す平面図である。
【図２】図１のモジュールに内蔵される変調器チップの平面図である。
【図３】漏洩ビームを説明するための変調器チップの破断斜視図である。
【図４】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第１実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図である。
【図５】動作点ドリフトの説明図である。
【図６】変調器チップの動作特性を示す図である。
【図７】本発明の光変調器モジュールが適用される光送信機のブロック図である。
【図８】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第２実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図である。
【図９】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第３実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図である。
【図１０】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第４実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図である。
【図１１】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第５実施形態を示す光変調器モジュールの部分断面図である。
【図１２】本発明による漏洩ビームのモニタリングの第６実施形態を示す光変調器モジュールの主要部の部分斜視図である。
【符号の説明】
２  入力ポート
４  出力ポート
６  パッケージ
１２，１４，１６  コネクタ
２０  誘電体チップ
２２  光導波構造
２８  第１Ｙ部
３０  第２Ｙ部
３２  第１パス
３４  第２パス
３６  信号電極
３８  接地電極
４２  コモンレンズ
７４  アレイレンズ
８２  リング部材
８８，９０  １／２波長板
９２  複屈折結晶
ＯＢ  出力ビーム
ＬＢ  漏洩ビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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