(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２以上の特性Ｘ線を発生するＸ線源と、θ軸と２θ軸が同軸配置された２軸回転台と、前記２軸回転台のθ軸に配置された試料支持台と、前記Ｘ線源と前記試料支持台の間に配置された全反射Ｘ線反射鏡と、前記２軸回転台の２θ軸とともに回転可能な分光素子及びＸ線検出器と、前記２軸回転台及び前記分光素子を駆動制御する制御部とを備え、
前記全反射Ｘ線反射鏡によって反射された前記Ｘ線源からのＸ線を前記試料台に保持された薄膜試料に入射させ、薄膜試料で反射されたＸ線を前記分光素子によって分光したのち前記Ｘ線検出器で検出し、薄膜試料のＸ線反射強度を前記Ｘ線源の２以上の特性Ｘ線の波長で測定することを特徴とする薄膜評価装置。
【請求項２】
２以上の特性Ｘ線を発生するＸ線源と、θ軸と２θ軸が同軸配置された２軸回転台と、前記２軸回転台のθ軸に配置された試料支持台と、前記Ｘ線源と前記試料支持台の間に配置された２以上の特性Ｘ線の反射角度が同角度である多層膜Ｘ線反射鏡と、前記２軸回転台の２θ軸とともに回転可能な分光素子及びＸ線検出器と、前記２軸回転台及び前記分光素子を駆動制御する制御部とを備え、
前記多層膜Ｘ線反射鏡によって反射された前記Ｘ線源からのＸ線を前記試料台に保持された薄膜試料に入射させ、薄膜試料で反射されたＸ線を前記分光素子によって分光したのち前記Ｘ線検出器で検出し、薄膜試料のＸ線反射強度を前記Ｘ線源の２以上の特性Ｘ線の波長で測定することを特徴とする薄膜評価装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の薄膜評価装置において、前記制御部は、前記２軸回転台を駆動制御することによって設定されるＸ線の薄膜試料への入射角度θ、薄膜試料からの散乱角度２θの各測定点で、薄膜試料からのＸ線反射強度を前記Ｘ線源の２以上の特性Ｘ線の波長に切り替えて測定するように前記分光素子を駆動制御することを特徴とする薄膜評価装置。
【請求項４】
請求項１又は２記載の薄膜評価装置において、前記制御部は、前記Ｘ線源の１つの特性Ｘ線による薄膜試料の反射Ｘ線強度の入射角依存性を測定した後、前記Ｘ線源の他の特性Ｘ線による薄膜試料の反射Ｘ線強度の入射角依存性を測定するように、前記分光素子と前記２軸回転台を駆動制御することを特徴とする薄膜評価装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜試料のＸ線反射率を２つ以上の波長で測定する薄膜評価装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＸ線反射率法を用いた薄膜評価装置の概念図を図７に示す。薄膜試料５はＺステージ付き試料支持台６に固定され、２軸回転台７のθ軸上に配置されている。また同軸の２θ軸は、２θアーム８上に配置した分光素子９とＸ線検出器１１を動かす軸となっている。Ｘ線源１で発生したＸ線は、スリット２で成形されて分光素子９で単色化される。単色化されたＸ線は、スリット４で成形されて薄膜試料５に入射し、薄膜試料５で反射されたＸ線はスリット１０で受光範囲が制限され、Ｘ線検出器１１で反射強度を測定していた。測定したＸ線反射率のプロファイルを、Ｐａｒｒａｔｔ  ［Ｐｈｙｓ．  Ｒｅｖ．，  ９５  （１９５４）  ３５９］やＮｅｖｏｔら［Ｒｅｖ．  Ｐｈｙｓ．  Ａｐｐｌ．，  １５  （１９８０）  ７６１］、Ｓｉｎｈａら［Ｐｈｙｓ．  Ｒｅｖ．  Ｂ，  ３８  （１９８８）  ２２９７］が検討した反射率の理論式に従って解析することにより薄膜積層体の、膜厚、密度、界面の幅（ラフネス）が得られる。
【０００３】
また、特開昭６１−１１２９５０号公報には、Ｘ線源で発生したＸ線の光路上に分光結晶、全反射ミラー、Ｘ線検出器の順となるように配置して、測定試料をＸ線源と分光結晶の間、または分光結晶と全反射ミラーの間に設置することで、分光結晶の回折Ｘ線の高調波を除去するＸ線回折法が記載されている。
ところで、近年の半導体デバイスや磁気ヘッド素子の微細化、小型化により、素子を構成する薄膜の極薄膜化、多層膜化が進み、従来のＸ線反射率法では解析困難となってきている。そこで、異常分散を用いたＸ線反射率法が検討された。この方法は、元素のＸ線に対する原子散乱因子（ｆ）が元素の吸収端近傍の波長で大きく変化することを利用して測定精度を向上する手法である。しかし、この方法でも薄膜積層数の増大に伴い解析が困難になっている。
【０００４】
Ｘ線反射率法は、試料表面すれすれにＸ線を入射し、薄膜（表面）で反射されたＸ線強度の入射角依存性から薄膜の情報を得る方法である。入射角を試料表面に対して０．１゜〜２゜の範囲で逐次変えながら、反射Ｘ線の強度を測定するため、Ｘ線の試料表面への入射角度制御が測定精度、再現性、解析精度に大きく影響する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
試料表面とＸ線を平行にする作業（以後、軸立て作業と呼ぶ）は、（１）入射Ｘ線の強度が当初の５０％になるように試料をＸ線を遮るように移動（並進）させる工程と、（２）入射Ｘ線と試料表面の法線で構成される散乱面に垂直な軸で試料を回転し、入射Ｘ線強度が最大になる角度に調整する工程を繰り返し、最大強度が当初の５０％で、試料を回転すると強度が減少する様に試料を調整する。この方法は半割り法と呼ばれているが、Ｘ線と試料表面の平行度の精度が０．１゜程度と低い。反割りの後で、入射角／散乱角を全反射角度に移動し、反射Ｘ線強度が最大になるように試料の並進と入射角を調整することにより、入射角を０．０１゜程度の精度で軸立てすることができる。また、淡路ら［特開平７−２６０７１２号公報］は試料を回転させながら、全反射角を測定し、その角度が試料の回転によって変化しないように軸立てする方法を提案している。淡路らはこの方法を用いることにより０．００５゜の精度で軸立てができるとしている。
【０００６】
従来の薄膜評価装置は、図７に示したように、試料５の上流に分光素子９がある。このため波長を切り替える毎に、入射Ｘ線と２軸回転台７の回転中心の位置合わせ、２θの原点決め、試料の軸立ての作業が必要となる。これら作業を慎重に行ったとしても、試料へのＸ線の入射角を０．００５゜の精度で再現するのは極めて難しい。しかも、新しく決めた入射角は、前の波長のときの入射角とは一致しない。複数の波長を用いた測定では、各波長間での入射角ずれ量を０．０００５゜以下で決定する必要が有るため、従来の薄膜評価装置では高精度な測定が困難である。
また、図８に示すように、試料５とＸ線検出器１１の間に分光結晶９を配置した薄膜評価装置もある。この場合、分光素子９が試料５の下流にあるため、入射Ｘ線と２軸回転台７の回転中心の位置合わせ、試料の軸立ての作業が不要となり、各波長間の入射角のずれは無い。
【０００７】
図９は、この装置を用いて試料のＸ線反射率を繰り返し測定した場合の再現性を示す。ＣｏＫβの測定結果１３とＣｕＫβの測定結果１４を同じ図上に示してある。図９の縦軸は反射率の対数である。横軸の表記中、λは波長、θは入射角、Ａはオングストロームである。図示されたＸ線反射率のプロファイル２４〜３７は、反射率測定のため試料にＸ線が照射されていた時間が異なる。反射率測定のために試料にＸ線が照射されていた積算時間は、プロファイル２４が０時間、プロファイル２５が４時間、プロファイル２６が８時間、プロファイル２７が１０時間、プロファイル２８が１２時間、プロファイル２９が１６時間、プロファイル３０が２０時間、プロファイル３１が２４時間、プロファイル３２が２８時間、プロファイル３３が３２時間、プロファイル３４が３４時間、プロファイル３５が３６時間、プロファイル３６が３８時間、プロファイル３７が４０時間である（図は照射時間毎に測定結果を縦方向にずらして表示してある）。
【０００８】
図９の横軸の範囲が０．１５〜０．２５の範囲でＸ線の照射時間が増加するに従って、Ｘ線反射率のプロファイル中に最初無かった振動構造が見えるようになってくる。このように、Ｘ線の照射時間とともに、Ｘ線反射率のプロファイルが変化している。従って、この従来方法でも薄膜の膜厚を高精度で計測するのは困難である。
【０００９】
以上述べたように、従来の薄膜評価装置では、複数の波長を用いて高精度にＸ線反射率を測定することは困難である。本発明は、このような従来技術の問題点に鑑み、Ｘ線の試料への入射角を変化させることなく波長を切り替え可能でかつ、Ｘ線の照射時間とともにＸ線反射率のプロファイルが変化することのない、高精度な薄膜評価が可能な薄膜評価装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
Ｘ線の照射時間とともにＸ線反射率のプロファイルが変化するのは、薄膜試料がＸ線照射によりダメージを受けるためと考えられる。そこで、Ｘ線の試料への入射角を変化させることなく波長を切り替え可能で、試料へのＸ線照射ダメージが小さいＸ線照射方法、Ｘ線源、試料、分光素子等の配置について検討し、本発明に至った。
【００１１】
すなわち、本発明による薄膜評価装置は、２以上の特性Ｘ線を発生するＸ線源と、θ軸と２θ軸が同軸配置された２軸回転台と、２軸回転台のθ軸に配置された試料支持台と、Ｘ線源と試料支持台の間に配置された全反射Ｘ線反射鏡と、２軸回転台の２θ軸とともに回転可能な分光素子及びＸ線検出器と、２軸回転台及び分光素子を駆動制御する制御部とを備え、全反射Ｘ線反射鏡によって反射されたＸ線源からのＸ線を試料台に保持された薄膜試料に入射させ、薄膜試料で反射されたＸ線を分光素子によって分光したのちＸ線検出器で検出し、薄膜試料のＸ線反射強度をＸ線源の２以上の特性Ｘ線の波長で測定することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明による薄膜評価装置は、２以上の特性Ｘ線を発生するＸ線源と、θ軸と２θ軸が同軸配置された２軸回転台と、２軸回転台のθ軸に配置された試料支持台と、Ｘ線源と試料支持台の間に配置された２以上の特性Ｘ線の反射角度が同角度である多層膜Ｘ線反射鏡と、２軸回転台の２θ軸とともに回転可能な分光素子及びＸ線検出器と、２軸回転台及び分光素子を駆動制御する制御部とを備え、多層膜Ｘ線反射鏡によって反射されたＸ線源からのＸ線を試料台に保持された薄膜試料に入射させ、薄膜試料で反射されたＸ線を分光素子によって分光したのちＸ線検出器で検出し、薄膜試料のＸ線反射強度をＸ線源の２以上の特性Ｘ線の波長で測定することを特徴とする。
【００１３】
本発明の薄膜評価装置の制御部は、２軸回転台を駆動制御することによって設定されるＸ線の薄膜試料への入射角度θ、薄膜試料からの散乱角度２θの各測定点で、薄膜試料からのＸ線反射強度をＸ線源の２以上の特性Ｘ線の波長に切り替えて測定するように分光素子を駆動制御することができる。あるいは、本発明の薄膜評価装置の制御部は、Ｘ線源の１つの特性Ｘ線による薄膜試料の反射Ｘ線強度の入射角依存性を測定した後、Ｘ線源の他の特性Ｘ線による薄膜試料の反射Ｘ線強度の入射角依存性を測定するように、分光素子と２軸回転台を駆動制御することができる。
【００１４】
本発明による薄膜評価装置は、Ｘ線源と試料の間に配置した全反射Ｘ線反射鏡あるいは２以上の特性Ｘ線の反射角度が同角度である多層膜Ｘ線反射鏡を用いて、試料にダメージを与える高エネルギーのＸ線を除去している。これにより試料ダメージのない複数の特性Ｘ線を含んだ入射Ｘ線が得られる。この入射Ｘ線を試料に照射し、試料からの反射Ｘ線強度を試料とＸ線検出器の間に配置した分光素子で分光して複数の特性Ｘ線の波長で測定することで、波長を切り替えても、Ｘ線と２軸回転台の回転中心の位置合わせ、試料の軸立ての作業が不要となり、波長毎に入射角が変化することがなくなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
〔実施の形態１〕
図１は、本発明による薄膜評価装置の一例を示す装置構成図である。Ｘ線源１で発生したＸ線を、スリット２で幅１００μｍ、高さ１０ｍｍの短冊状に成形し、全反射Ｘ線反射鏡３に照射する。全反射Ｘ線反射鏡３には、表面を平滑に磨いたガラス板を用いた。Ｘ線の全反射Ｘ線反射鏡３への入射角を０．１５゜程度にすることにより、波長がＣｕＫβ以上の長波長の特性Ｘ線は全反射されるが、薄膜試料にダメージを与える高エネルギーのＸ線は全反射Ｘ線反射鏡３を透過あるいは全反射Ｘ線反射鏡３に吸収される。
【００１６】
図２に、全反射Ｘ線反射鏡３への入射前後におけるＸ線の波長分布を示す。図２の上方に示したのは全反射Ｘ線反射鏡３への入射前のＸ線の波長分布、下方に示したのは全反射Ｘ線反射鏡３によって全反射されたＸ線の波長分布である。図２の上下に示したＸ線波長分布を比較すると、全反射Ｘ線反射鏡３で全反射されたＸ線には、Ｘ線源１で発生した高エネルギーのＸ線が含まれていないことが分かる。
【００１７】
図１に戻り、全反射Ｘ線反射鏡３で全反射されたＸ線を、スリット４で幅１００μｍ、高さ５ｍｍに成形し、薄膜試料５に入射する。薄膜試料５で反射されたＸ線は分光素子９に入射して分光され、スリット１０で受光範囲を制限されて、Ｘ線検出器１１で受光される。薄膜試料５はＺステージ付き試料支持台６に固定され、２軸回転台７のθ軸上に配置されている。また、同軸の２θ軸は、２θアーム８上に配置した分光素子９とＸ線検出器１１を動かす軸となっている。２軸回転台７の各軸とＺステージ付き試料支持台６のＺ軸、分光素子９の駆動軸（図示せず）はパルスモータで駆動されており、その制御はドライバー／コントローラ３８を介してコンピュータ３９で行っている。またＸ線検出器１１で計測したＸ線強度は、チャンネルアナライザ（図示せず）を経由してコンピュータ３９に取り込み、その結果をＣＲＴ４０に表示する構成になっている。
【００１８】
この薄膜評価装置は、コンピュータ３９の制御により、２軸回転台７の各軸を駆動して全反射Ｘ線反射鏡３で反射されたＸ線の薄膜試料５への入射角度をθ、薄膜試料５からの散乱角度を２θに設定した各測定点において、分光素子９をＸ線源１の２つ以上の特性Ｘ線の波長に切り替え制御して複数の波長におけるＸ線強度を測定することができる。あるいは、コンピュータ３９の制御により、Ｘ線源１の１つの特性Ｘ線がＸ線検出器１１で検出されるように分光素子９を調整して薄膜試料５で反射されたＸ線強度の入射角依存性を測定した後、Ｘ線源１の別の特性Ｘ線がＸ線検出器１１で検出されるように分光素子９を調整し直して薄膜試料５からの反射Ｘ線強度の入射角依存性を測定することを繰り返すことで、複数の特性Ｘ線の波長でＸ線強度測定を行うこともできる。
【００１９】
図１の装置により、Ｘ線源にＣｕとＣｏの複合ターゲットを用い、ＣｏＫβ及びＣｕＫβを用いて、薄膜試料へのＸ線照射の影響を調べた結果を示すのが図３である。図３には、ＣｏＫβの測定結果１３とＣｕＫβの測定結果１４を合わせて示した。なお、図３は照射時間毎に測定結果を縦方向にずらして表示してある。
Ｘ線照射時間を０時間（図３中のプロファイル１５）、４時間（プロファイル１６）、８時間（プロファイル１７）、１２時間（プロファイル１８）、１６時間（プロファイル１９）、２０時間（プロファイル２０）、２６時間（プロファイル２１）、２８時間（プロファイル２２）と増やしても、どちらの波長とも反射率の入射角依存性に変化がないことがわかる。図９との実験条件の違いは、全反射Ｘ線反射鏡３の有無である。
【００２０】
次に、測定結果を解析することにより、それぞれの波長での入射角ずれ量を求めた。その結果を表１に示す。また比較のため、図７に示した従来の薄膜評価装置を用いて、ＣｕＫβとＣｏＫβの各波長での反射率を測定し、解析結果から入射角のずれ量を求めた。この結果も表１に示す。２波長以上の反射率の解析では横軸を入射角ではなく、散乱ベクトルの大きさで表示する。散乱ベクトルの大きさ（ｑ）は、Ｘ線の入射角をθ、Ｘ線の波長λとすると、ｑ＝（４π／λ）ｓｉｎθの式で計算した。表１の入射角のずれ量は、散乱ベクトルの大きさ（ｑ）で示してある。表１の２波長間の差の欄には、ＣｕＫβの入射角のずれ量からＣｏＫβの入射角のずれ量を引いた値を示した。表中の数値の単位は１／Åである。従来技術では、波長を切り替えたときの入射角のずれ量（２波長間の差）は、入射角でおおよそ０．００１゜相当する。本発明の装置による２波長間の入射角の差は０゜であった。
以上述べたように、本発明によると、薄膜試料に対するＸ線照射ダメージの無い、高精度な多波長Ｘ線反射率測定を行うことのできる薄膜評価装置が得られる。
【００２１】
〔実施の形態２〕
図４は、本発明による薄膜検査装置の別の一例を示す装置構成図である。図４において、図１と同じ機能部分には図１と同じ符号を付して示した。本実施の形態では、Ｘ線反射鏡として、ＷとＣを組み合わせた多層膜Ｘ線反射鏡１２を用いた。多層膜Ｘ線反射鏡１２としては他にＭｏ−Ｓｉを組み合わせた物を検討した。ここでは、ＷとＣを組み合わせた多層膜Ｘ線反射鏡１２を中心に説明する。
【００２２】
図５は、多層膜Ｘ線反射鏡の断面模式図である。多層膜Ｘ線反射鏡１２は、重元素（Ｗ）と軽元素（Ｃ）の膜の膜厚と繰り返し回数で反射するＸ線の波長と反射率、回折の半値幅が決まる。本実施の形態の多層膜Ｘ線反射鏡は、最初にＣｕＫαが約４゜に回折されるＷとＣの膜厚を計算し、Ｓｉ基板上にＷとＣの膜を計算された膜厚だけ成膜する作業を３０回繰り返し、Ｗ／Ｃの膜の組み合わせを３０層成膜した。次に、ＣｕＫβが約４゜で回折されるように計算で求めたＷとＣの膜厚の組み合わせを３０層分、先に作成した多層膜の上に成膜した。これにより、ＣｕＫαが下の３０層の多層膜で４゜に反射され、上の３０層の多層膜でＣｕＫβが４゜に反射される多層膜Ｘ線反射鏡１２ができた。
【００２３】
実施の形態１と同様に、Ｘ線源１で発生したＸ線を、スリット２で１００μｍ、高さ１０ｍｍの短冊状に成形し、多層膜Ｘ線反射鏡１２に照射する。Ｘ線の多層膜Ｘ線反射鏡１２への入射角を４゜程度にすることにより、散乱角８゜の所にＣｕＫβとＣｕＫαの２つの波長のＸ線が反射される。反射されたＸ線をスリット４で幅１００μｍ、高さ５ｍｍに成形し、薄膜試料５に入射する。薄膜試料５は、Ｚステージ付き試料支持台６に固定され、２軸回転台７のθ軸上に配置されている。また同軸の２θ軸は、２θアーム８上に配置した分光素子９とＸ線検出器１１を動かす軸となっている。２軸回転台７の各軸とＺステージ付き試料支持台６のＺ軸、分光素子９の駆動軸（図示せず）はパルスモータで駆動されており、その制御はドライバー／コントローラ３８を介してコンピュータ３９で行っている。また、Ｘ線検出器１１で計測したＸ線強度はチャンネルアナライザ（図示せず）を経由してコンピュータ３９に取り込み、その結果をＣＲＴ４０に表示する構成になっている。
【００２４】
この薄膜評価装置は、コンピュータ３９の制御により、２軸回転台７の各軸を駆動して多層膜Ｘ線反射鏡１２で反射されたＸ線の薄膜試料５への入射角度をθ、薄膜試料５からの散乱角度を２θに設定した各測定点において、分光素子９をＸ線源１の２つ以上の特性Ｘ線の波長に切り替え制御して複数の波長におけるＸ線強度を測定することができる。あるいは、コンピュータ３９の制御により、Ｘ線源１の１つの特性Ｘ線がＸ線検出器１１で検出されるように分光素子９を調整して薄膜試料５で反射されたＸ線強度の入射角依存性を測定した後、Ｘ線源１の別の特性Ｘ線がＸ線検出器１１で検出されるように分光素子９を調整し直して薄膜試料５からの反射Ｘ線強度の入射角依存性を測定することを繰り返すことで、複数の特性Ｘ線の波長でＸ線強度測定を行うこともできる。
【００２５】
図６は、図４に示す装置を用いてＸ線照射の影響を調べた結果である。Ｘ線源にはＣｕとＣｏの複合ターゲットを用い、ＣｕＫβ及びＣｕＫαを用いて調べた結果が図６である。図６には、ＣｕＫβの測定結果１４とＣｕＫαの測定結果２３を合わせて示した（図６も、照射時間毎に測定結果を縦方向にずらして表示してある）。Ｘ線照射時間が０時間（プロファイル１５）、４時間（プロファイル１６）、８時間（プロファイル１７）、１２時間（プロファイル１８）、１６時間（プロファイル１９）、２０時間（プロファイル２０）、２６時間（プロファイル２１）、２８時間（プロファイル２２）と増やしても、どちらの波長とも反射率の入射角依存性に変化がないことがわかる。
【００２６】
次に、測定結果を解析することによりそれぞれの波長での入射角ずれ量を求めた。その結果を表１に示す。また実施の形態１と同様、比較のため、図７に示した従来技術の薄膜評価装置を用いて、ＣｕＫβとＣｕＫαの各波長での反射率を測定し、解析結果から入射角のずれ量を求めた。この結果も表１に示す。２波長以上の反射率の解析では横軸を入射角ではなく、散乱ベクトルの大きさで表示する。散乱ベクトルの大きさ（ｑ）はＸ線の入射角をθ、Ｘ線の波長λとすると、ｑ＝（４π／λ）ｓｉｎθの式で計算した。表１の入射角のずれ量は散乱ベクトルの大きさ（ｑ）で示してある。表１の２波長間の差の欄にはＣｕＫβの入射角のずれ量からＣｏＫβの入射角のずれ量を引いた値を示した。表中の数値の単位は１／Åである。従来技術では、波長を切り替えたときの入射角のずれ量（２波長間の差）は入射角でおおよそ０．００１５゜相当する。本発明を用いた場合の２波長間の入射角の差は０゜であった。
以上述べたように、本発明を用いれば、Ｘ線照射ダメージの無い、高精度な多波長Ｘ線反射率測定ができる薄膜評価装置を得ることができる。
【００２７】
【表１】
0003619391.tif 000002
【００２８】
【発明の効果】
本発明によれば、Ｘ線源と薄膜試料の間に配置した全反射Ｘ線反射鏡あるいは多層膜Ｘ線反射鏡を用いて、薄膜試料にダメージを与える高エネルギーのＸ線を除去し、薄膜試料ダメージのない複数の特性Ｘ線を含んだ入射Ｘ線が得られる。この入射Ｘ線を用い、薄膜試料からの反射又は回折Ｘ線強度を薄膜試料とＸ線検出器の間に配置した分光素子で複数の特性Ｘ線の波長で測定することで、波長を切り替えても、入射角が変化しない、しかも薄膜試料へのＸ線照射ダメージの無い薄膜評価装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による薄膜検査装置の一例の構成図。
【図２】全反射Ｘ線反射鏡への入射前後におけるＸ線の波長分布を示す図。
【図３】薄膜試料へのＸ線照射の影響を示す図。
【図４】本発明による薄膜検査装置の別の例の構成図。
【図５】多層膜Ｘ線反射鏡の断面模式図。
【図６】薄膜試料へのＸ線照射の影響を示す図。
【図７】従来の薄膜検査装置の一例の概念図。
【図８】従来の薄膜検査装置の他の例の概念図。
【図９】従来技術で発生するＸ線照射ダメージを説明する図。
【符号の説明】
１…Ｘ線源、２…スリット、３…Ｘ線全反射鏡、４…スリット、５…薄膜試料、６…Ｚステージ付き試料支持台、７…２軸回転台、８…２θアーム、９…分光素子、１０…スリット、１１…Ｘ線検出器、１２…多層膜Ｘ線反射鏡、１３…ＣｏＫβの測定結果、１４…ＣｕＫβの測定結果、３８…ドライバー／コントローラー、３９…コンピューター、４０…ＣＲＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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