(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温測定膜（１０６）、高温安定材料からなり前記高温測定膜（１０６）の一端に接続された第１接続部（１０８）及び高温安定材料からなり前記高温測定膜（１０６）の他端に接続された第２接続部（１１２）を含んでいる高温センサー（１００）と、
第１の細長いセラミック基板（２３０）、第２の細長いセラミック基板（２００）及び第３の細長いセラミック基板（２６０）を含んでいる細長いケース（３００）であって、それらのセラミック基板は互いに連結されており、前記第１の細長いセラミック基板（２３０）が第２の細長いセラミック基板（２００）と第３の細長いセラミック基板（２６０）の間に配置され、かつ前記第１の細長いセラミック基板（２３０）が、このケース（３００）の第１端部（２３４）の近くに前記高温センサー（１００）をその第１、第２接続部（１０８，１１２）がこの第１の細長いセラミック基板（２３０）の長手方向に沿って並ぶ方向に配置する貫通穴（２３２）を備えており、前記第２及び第３のセラミック基板（２００，２６０）が第１のセラミック基板（２３０）の前記貫通穴（２３２）を完全に被うように配置されている細長いケース（３００）と、
前記第２の細長いセラミック基板（２００）上にあって高温安定材料からなり、前記高温センサー（１００）の第１接続部（１０８）に接続され、前記ケース（３００）の第２端部方向に延びている第１導体路（２０６）と、
前記第３の細長いセラミック基板（２６０）上にあって高温安定材料からなり、前記高温センサー（１００）の第２接続部（１１２）に接続され、前記ケース（３００）の第２端部方向に延びている第２導体路（２６６）と、
前記ケース（３００）の第２端部の近くに設けられ、かつ非高温安定材料によりリード線（４０２，４０４）が接続されるように適合されており、前記高温センサー（１００）によって作られた信号を取り出すのに適合した接続点（２１４，３０２）とを含んでいる混成高温検出器。
【請求項２】
前記高温測定膜（１０６）は高温安定材料からなるパターン化された膜であり、
前記第１接続部（１０８）、第２接続部（１１２）及びパターン化された膜（１０６）は同じ高温安定材料からなり、セラミック基板（１０２）上に形成されている請求項１に記載の混成高温検出器。
【請求項３】
前記第１と第２の導体路（２０６，２６６）は、前記第１接続部（１０８）、第２接続部（１１２）及びパターン化された膜（１０６）を形成するのに使用されたのと同じ高温安定材料で形成されている請求項２に記載の混成高温検出器。
【請求項４】
前記第１導体路（２０６）は、前記第２の細長いセラミック基板（２００）の面で前記第１セラミック基板（２３０）に対向する第１面に配置され、第２端部（２０４）の近くに設けられた貫通接触手段（２１０）を介して第２の細長いセラミック基板（２００）の第２面上の接続点である第１接続領域（２１４）に接続されており、かつ
前記第２導体路（２６６）は、前記第３の細長いセラミック基板（２６０）の面で前記第１セラミック基板（２３０）に対向する第１面に配置され、第２端部（２６８）の近くに設けられた貫通接触手段（２７０）を介して第３の細長いセラミック基板（２６０）の第２面上の接続点である第２接続領域（３０２）に接続されている請求項１から３のいずれかに記載の混成高温検出器。
【請求項５】
前記ケース（３００）上で前記ケース（３００）の第１端部と第２端部の間の位置に配置された熱遮蔽（４０６）を含んでいる請求項１から４のいずれかに記載の混成高温検出器。
【請求項６】
前記熱遮蔽（４０６）は金属材料又はセラミック材料からなる請求項５に記載の混成高温検出器。
【請求項７】
前記高温安定材料は白金である請求項１から６のいずれかに記載の混成高温検出器。
【請求項８】
以下のステップを含んで混成高温検出器を製造する方法。
ａ）高温測定膜（１０６）、高温安定材料からなり前記高温測定膜（１０６）の一端に接続された第１接続部（１０８）及び高温安定材料からなり前記高温測定膜（１０６）の他端に接続された第２接続部（１１２）を含んでいる高温センサー（１００）を準備するステップ、
ｂ）第１セラミック基板（２３０）の第１端部（２３４）の近くに配置された貫通穴（２３２）内に前記高温センサー（１００）をその第１、第２接続部（１０８，１１２）がこの第１セラミック基板（２３０）の長手方向に沿って並ぶ方向に配置するステップ、
ｃ）第２セラミック基板（２００）上に配置されて第２セラミック基板（２００）の第２端部へ延びている導体路（２０６）が第２セラミック基板（２００）の第１端部（２０２）で前記高温センサー（１００）の第１接続部（１０８）と接続されるように、前記第１セラミック基板（２３０）を第２セラミック基板（２００）と融合させるステップ、
ｄ）第３セラミック基板（２６０）上に配置されて第３セラミック基板（２６０）の第２端部へ延びている導体路（２６６）が第３セラミック基板（２６０）の第１端部（２６４）で前記高温センサー（１００）の第２接続部（１１２）と接続されるように、前記第１セラミック基板（２３０）を第３セラミック基板（２６０）と融合させるステップ、及び
ｅ）前記高温センサー（１００）によって作られた信号を取り出すように非高温安定材料によりリード線（４０２，４０４）を接続するために、前記第２の細長いセラミック基板（２００）に第１接続領域（２１４）を形成し、前記第３の細長いセラミック基板（２６０）に第２接続領域（３０２）を形成するステップ。
【請求項９】
第１と第２の導体路（２０６，２６６）を、前記第２、第３のセラミック基板（２００，２６０）のそれぞれの第２端部（２０４，２６８）の近くに配置された第１及び第２の接続領域（２１４，３０２）と接触させるステップを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１、第２及び第３のセラミック基板を融合して得られたケース上で前記ケースの第１端部と第２端部の間の位置に熱隔壁（４０６）を配置するステップを含む請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
以下のステップを含んで混成高温検出器を製造する方法。
ａ）高温測定膜（１０６）、高温安定材料からなり前記高温測定膜（１０６）の一端に接続された第１接続部（１０８）及び高温安定材料からなり前記高温測定膜（１０６）の他端に接続された第２接続部（１１２）を含んでいる高温センサー（１００）を準備するステップ、
ｂ）第１未焼成セラミック薄片（２３０）の第１端部（２３４）の近くに配置された貫通穴（２３２）内に前記高温センサー（１００）をその第１、第２接続部（１０８，１１２）がこの第１未焼成セラミック薄片（２３０）の長手方向に沿って並ぶ方向に配置するステップ、
ｃ）第２未焼成セラミック薄片（２００）上に配置されて第２未焼成セラミック薄片（２００）の第２端部へ延びている導体路（２０６）が第２未焼成セラミック薄片（２００）の第１端部（２０２）で前記高温センサー（１００）の第１接続部（１０８）と接続され、第３未焼成セラミック薄片（２６０）上に配置されて第３未焼成セラミック薄片（２６０）の第２端部へ延びている導体路（２６６）が第３未焼成セラミック薄片（２６０）の第１端部（２６４）で前記高温センサー（１００）の第２接続部（１１２）と接続されるように、前記第１未焼成セラミック薄片（２３０）を第２未焼成セラミック薄片（２００）及び第３未焼成セラミック薄片（２６０）と焼結させるステップ、及び
ｄ）前記高温センサー（１００）によって作られた信号を取り出すように非高温安定材料によりリード線（４０２，４０４）を接続するために、前記第１、第２及び第３の未焼成セラミック薄片を焼結して得られたケースに第１接続領域（２１４）及び第２接続領域（３０２）を形成するステップ。
【請求項１２】
前記ケース上でそのケースの第１端部と第２端部の間の位置に熱隔壁（４０６）を配置するステップを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記熱隔壁（４０６）は金属材料又はセラミック材料からなる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記高温測定膜（１０６）は高温安定材料からなるパターン化された膜であり、
前記第１接続部（１０８）、第２接続部（１１２）及びパターン化された膜（１０６）は同じ高温安定材料からなり、セラミック基板（１０２）上に形成されている請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１と第２の導体路（２０６，２６６）は、前記第１接続部（１０８）、第２接続部（１１２）及びパターン化された膜（１０６）を形成するのに使用されたのと同じ高温安定材料で形成されている請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１導体路（２０６）は、前記第２未焼成セラミック薄片（２００）の面で前記第１未焼成セラミック薄片（２３０）に対向する第１面に配置され、第２端部（２０４）の近くに設けられた貫通接触手段（２１０）を介して第１接続領域（２１４）に接続されており、かつ
前記第２導体路（２６６）は、前記第３未焼成セラミック薄片（２６０）の面で前記第１未焼成セラミック薄片（２３０）に対向する第１面に配置され、第２端部（２６８）の近くに設けられた貫通接触手段（２７０）を介して第２接続領域（３０２）に接続されている請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記高温安定材料は白金である請求項１１から１６のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は高温検出器及びそのような高温検出器を製造する方法に関するものである。
【０００２】
従来技術においては、薄膜技術により製造されて６００℃までの温度範囲で使用するようになっている白金測定抵抗体が広く用いられている。温度範囲と使用分野に従って異なった形態のものが開発されてきている。この２，３年、更に高温(例えば８００℃まで、又はさらに１０００℃及びそれ以上まで)で使用するのに適する形態に対する要請が高まってきている。そのような白金測定抵抗体は、例えばこの出願後に公開されたＤＥ１９９０１１８３ＡやＤＥ１９９０１１８４に記載されている。
【０００３】
物品が量産品として扱われる場合、信頼できる機能に加えて、特に低価格に生産できることが最も重要であることが多い。
ＥＰ−Ａ−００１７３５９は、セラミック材料からなる絶縁基板を含んだセラミックセンサーを記載している。その絶縁基板上には一対のリード線が形成され、絶縁カバーによって覆われている。その基板の一端には一対の出力接続部が設けられ、他端にはセンサー素子が配置され、そのセンサー素子は前記リード線によって前記出力接続部に接続されている。
【０００４】
この従来技術から出発して、本発明の目的は簡単で低価格の高温検出器と、高温検出器を簡単にかつ低価格で製造する方法を提供することである。
【０００５】
この目的は請求項１による装置と請求項８，１１による方法により実現される。
【０００６】
本発明は、高温測定膜、高温安定材料からなり前記高温測定膜に接続された第１接続部及び高温安定材料からなり前記高温測定膜に接続された第２接続部を含んでいる高温センサーと、第１の細長いセラミック基板、第２の細長いセラミック基板及び第３の細長いセラミック基板を含んでいる細長いケースであって、それらのセラミック基板は互いに連結されており、前記第１の細長いセラミック基板が第２の細長いセラミック基板と第３の細長いセラミック基板の間に配置され、かつ前記第１の細長いセラミック基板がこのケースの第１端部の近くに前記高温センサーを配置する貫通穴を備えており、前記第２及び第３のセラミック基板が第１のセラミック基板の前記貫通穴を完全に被うように配置されている細長いケースと、前記第２の細長いセラミック基板上にあって高温安定材料からなり、前記高温センサーの第１接続部に接続され、前記ケースの第２端部方向に延びている第１導体路と、前記第３の細長いセラミック基板上にあって高温安定材料からなり、前記高温センサーの第２接続部に接続され、前記ケースの第２端部方向に延びている第２導体路と、前記ケースの第２端部の近くに設けられ、かつ非高温安定材料によりリード線が接続されるように適合されており、前記高温センサーによって作られた信号を取り出すのに適合した接続点とを備えた混成高温検出器を提供するものである。
【０００７】
本発明は、以下のステップを含んで混成高温検出器を製造する方法を提供するものである。高温測定膜、高温安定材料からなり前記高温測定膜に接続された第１接続部及び高温安定材料からなり前記高温測定膜に接続された第２接続部を含んでいる高温センサーを準備するステップ、第１セラミック基板の第１端部の近くに配置された貫通穴内に前記高温センサーを配置するステップ、第２セラミック基板上に配置されて第２セラミック基板の第２端部へ延びている導体路が第２セラミック基板の第１端部で前記高温センサーの第１接続部と接続されるように、前記第１セラミック基板を第２セラミック基板と融合させるステップ、第３セラミック基板上に配置されて第３セラミック基板の第２端部へ延びている導体路が第３セラミック基板の第１端部で前記高温センサーの第２接続部と接続されるように、前記第１セラミック基板を第３セラミック基板と融合させるステップ、及び前記高温センサーによって作られた信号を取り出すように非高温安定材料によりリード線を接続するために、前記第２の細長いセラミック基板に第１接続領域を形成し、前記第３の細長いセラミック基板に第２接続領域を形成するステップ。
【０００８】
本発明の好ましい形態は従属項に定義されている。
【０００９】
以下に、本発明の好ましい実施例を添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】
本発明の好ましい実施例の以下の説明においては、異なる図で同一又は同様の部分には同じ参照数字を用いる。
【００１１】
本発明はいわゆるＳＭＤチップから始まる。ＳＭＤチップは適度な価格で製造することができ、半田付け可能な接点をもち、低温領域、例えば１５０℃までの領域で利用されるものとして知られている。しかしながら、非常な高温を含む用途の場合には、測定電流用リード線の信頼できる接触を保証するために、不利な環境条件で白金抵抗層の信頼できる保護を確かなものとすること(すなわち、白金に有害な外部物質が拡散するのを防ぐこと)のためには、大幅な変更が必要である。特に注目しなければならないのは、使用されている材料は、使用される目的温度において必要な測定電流によって電気化学的に分解しない適当な材料だけでなければならないという事実である。
【００１２】
まず第一に、適当なＳＭＤチップを製造しなければならない。そのＳＭＤチップは、白金膜がセラミック基板に形成されてパターン化されているが、保護ガラス層で覆われていない限りにおいて、また接触領域が銀又は銀合金（例えばＡｇ／Ｐｄ）を含まず純白金である限りにおいて、従来の形態とは異なる
【００１３】
図１は、例えばＡＬ2Ｏ3からなるセラミック基板１０２を含んだそのようなＳＭＤチップ１００を示している。セラミック基板１０２の第１主面１０４には、白金又はロジウムが僅かに合金化された白金の膜からなるパターン化された測定膜１０６が形成されている。第１接続部１０８が形成されており、それは測定膜１０６の第１端部１１０に接続されている。図１からわかるように、第１接続部１０８はセラミック基板１０２の第１主面１０４からセラミック基板１０２の側面を通り、セラミック基板１０２の第２主面上に延びている。第２接続部１１２は測定膜１０６の第２端部１１４に接続されているものであるが、同じように形成されている。
【００１４】
図１に示された実施例において、測定膜１０６、第１接続部１０８及び第２接続部１１２は同じ高温安定材料、例えば白金からなっている。しかし、他の実施例においては、必要な高温安定性を持つという条件を満たせば、他の材料もまた使用することができる。可能な材料は白金合金であり、簡単な使用(８００℃程度での使用)に対してはニッケル及びニッケル合金も可能である。
【００１５】
それ故、図１に示されるＳＭＤチップ１００は高温センサーであり、膜１０６が高温測定素子を定義づけている。
【００１６】
図2を参照し、本発明による装置のケースを製作するのに使用する各セラミック基板を以下に詳細に説明する。
【００１７】
図2ａは第1もしくは下側のセラミック基板又はセラミックカバープレート２００を表わしており、ここに示されている面はケースを組み立てた状態では高温センサー又はＳＭＤチップと対向する関係に設けられる面である。事柄を容易にするために、この側を「内側」という。図2ａにおいて、セラミック基板２００とＳＭＤチップ１００が重なって配置されている領域が破線で示されている。セラミック基板２００の第２端部が参照数字２０４で示されている。セラミック基板２００の内側上に、白金又は白金合金(例えばＰｔＲｈ)のような高温安定材料からなる導体路２０６が形成されている。
【００１８】
セラミック基板２００の第１端部２０２の近くにおいて、導体路２０６は接点２０８を備えており、導体路２０６は検出器が組み立てられるときその接点２０８を介してＳＭＤチップ１００の第１接続部１０８（図１参照）と接触する。導体路２０６は接点２０８からセラミック基板２００の第２端部２０４の方向に延び、セラミック基板２００の第２端部２０４の近くに配置された導体路端部には貫通接触手段２１０が設けられており、導体路２０６はこの貫通接触手段２１０によって図２ａに示されているセラミック基板２００の「内側」から図２ｂに部分的に示されているセラミック基板２００の「外側」２１２へ導かれていることがわかる。図２ｂから分かるように、接続領域２１４はセラミック基板２００の「外側」２１２に配置されている。
【００１９】
導体路を他の方法で実現する場合には、貫通接触手段(図４)は省略することができる。その場合、第１セラミック基板(中間セラミック基板)は第２端部で前面と背面に約３ｍｍの長さの金属被覆を有する。２枚の外側のセラミック基板(第２と第３のセラミック基板)はその実施例では約２ｍｍ短いものとする。その結果、第２と第３のセラミック基板の第２端部の領域に、第１セラミック基板の金属層とのそれぞれの重なり領域が存在し、そしてその重なり領域の外側に第１セラミック基板の金属皮膜がそれぞれの接続領域を形成し、例えばそこは溶接によって接続線を取り付けるのに使用される。
【００２０】
両方の(接続線との)接点が、出来上がったセンサー素子の一方の側に設けられる実施例では、上述の導体路実現方法の組合わせを使用することができる(貫通接触が１つ、重なり接触が１つとなる)。
【００２１】
セラミック基板２００はその境界にグレーズ（glaze）層２１６を備えている。このグレーズ層２１６は、ケースの各部材が組み立てられるとき、まだ説明していない１部のセラミック基板を含む各セラミック基板が密閉状態に融合する結果をもたらす。
【００２２】
図２ｃには第２セラミック基板２３０が示されている。第２セラミック基板２３０は図２ａと２ｂを参照して説明した第１基板２００と同じ材料からなる。第2或いは中間のセラミック基板２３０は導体路構造を含んでおらず、図１を参照して説明したＳＭＤチップ１００(破線で表わされている)が嵌め込まれる開口或いは切り抜き部分２３２だけが設けられている。その開口２３２は第２セラミック基板２３０の第１端部２３４の近くに配置され、セラミック基板２３０の第２端部は参照数字２３６で示されている。
【００２３】
図２ｄは「上側」セラミックカバープレート或いは第３セラミック基板２６０を示している。その構造的意匠は、ＳＭＤチップ１００の第２接続部１１２（図１参照）と接触するのに使用される接触領域２６２が第3のセラミック基板２６０の第１端部２６４からより離れて設けられているという点を除いて、図2ａを参照して説明したセラミックプレート２００と実質的に同一である。このことはＳＭＤチップ１００のそれぞれの接続部の配置様式が異なっていることによる。図2ａを参照して説明した接点２０８と同様に、接点２６２も第２接続部１１２（図１参照）を介してＳＭＤチップ１００と電気的に接触するのに使用される。接点２６２から始まって、導体路２６６は第３基板２６０の第２端部２６８の方向に延びている。導体路２６６は図２ａに関して説明した導体路の材料に対応する材料で形成することができる。図２ａと同様に、図２ｄはセラミック基板２６０の「内側」、すなわち組み立てられた状態では第２基板２３０に対向して設けられる側を示している。第３基板２６０の第２端部２６８の近くには、貫通接触手段２７０が設けられている。第１セラミック基板と同様に、この貫通接触手段２７０は、導体路２６６を「外側」へ延ばし、そこで図２ｄには示されていない接続部に接続されるようにするものである。
【００２４】
上に述べたように、図１を基にして説明したＳＭＤチップ１００は第１から第３のセラミック基板２００，２３０，２６０を含んだ特別なセラミック構造物内に収納される。そうすることにより、チップの接続及び接触領域１０８，１１２はそれぞれの下側及び上側のセラミックカバープレート２００，２６０の白金導体路２０６，２６６と接触する。したがって、セラミックケースの構造的意匠は、３つの重ね合わされたプレート２００，２３０，２６０の全てからなるものであり、典型的な寸法として例えば２５ｍｍ×３ｍｍ×０．３ｍｍ（長さ、幅、厚さ）をもつことができる。下側と上側のカバープレート２００，２６０はそれぞれ縦方向に導かれる白金導体路２０６，２６６を備えており、これらの導体路２０６，２６６は、それぞれ図２ａ及び図２ｄからわかるように、それぞれの端部で外側の接触領域２14に貫通接触している。中間プレート２３０は、図２ｃに示された方法によりＳＭＤチップ１００を嵌め込むことのできる矩形の切り抜き部分２３２を備えている。
【００２５】
図３は３つのセラミックプレート２００，２３０及び２６０の組合わせにより得られたケース３００を示している。図２を参照して説明した要素に加えて、第３の基板２６０の外側にある接続部３０２も図３に見ることができ、第３の基板２６０の導体路は貫通接触手段２７０を介して外側のこの接続部３０２に延びている。
【００２６】
一連の製造ステップにおいて、下側のセラミックカバープレート２６０を、例えば下側のカバープレートの一部に設けられたグレーズペースト２７２によって、まず中間セラミックプレート２３０に密着して融合させることができる（図２ｄ参照）。下側のプレート２６０の内側及び／又は上側にある白金導体路２６６は、この下側プレート２６０の上面に配置された中間プレート２３０の切り抜き部分２３２に嵌め込まれるＳＭＤチップ１００の「前側」接触位置までくるように導かれている。
【００２７】
この時、切り抜き部分２３２内に位置するこの導体路部分には、厚膜導体ペースト（例えば白金）の小さい「滴」が既につけられている。続いて、ＳＭＤチップ１００の接続部１１２がこの下側導体路２６６と電気的に接続されるように、ＳＭＤチップをその切り抜き部分内に置く。次に、ＳＭＤチップ１１０の反対側の接続部１０８には、その上側に白金圧膜ペーストの「滴」を設ける。そして、嵌め込まれたＳＭＤチップ１００が上側セラミックプレート２００の下向きの導体路２０６に予め設けられた白金ペーストによって電気的に接続されるように、上側セラミックカバープレート２００（その導体路２０６は下側を向いている）を中間セラミックプレート２３０の上面上に置く。上側のセラミックカバープレート２００の下側及び／又は内側の一部には、カバープレート２００が焼成工程でＳＭＤチップ１００を封入して中間プレート２３０と密着して融合できるように、前段の工程ステップでグレーズ層２１６が既に設けられている。いまここで述べた焼成工程は、１２００℃から１４５０℃の間の温度で約３０分間（ピーク時間）行う。グレーズペーストとしては、ＳｉＯ2（４６．６％）、ＢａＯ（３９．２％）、Ａｌ2Ｏ3（１２．７％）、ＣａＯ（０．５％）、ＳｒＯ（０．５％）からなるフリット１、又はＳｉＯ2（２０．５％）、Ａｌ2Ｏ3（５５．０％）、ＣａＯ（１９．０％）、ＭｇＯ（５．５％）（カッコ内は重量％である）からなるフリット２を使用するのが好ましい。
【００２８】
ＳＭＤ素子は上に述べた方法により３つのセラミックプレート２００，２３０，２６０の内部に密封され、電気的接続は導体路２０６，２６６と貫通接触手段２１０，２７０を介して外側の接触領域２１４，３０２に導かれる。
【００２９】
第１、第２及び第３のセラミックプレートに替えて、いわゆる「未焼成セラミック（green ceramic）」を使用すると他の実施例となる。この場合、セラミックプレートを融合させるために必要とされるグレーズペーストは印刷する必要がない。それは、３枚の未焼成セラミック薄片（既にＳＭＤチップを搭載しており、かつ白金導体ペーストが既に印刷されている）は、その積層体全体に適当な焼成処理（Ｔ＞１２００℃）を施すと密封構造を形成するように焼結するからである。
【００３０】
もしケース３００が適当な全長をもつとすれば、この構造意匠はセンサーの先端（ＳＭＤチップ）の温度よりも著しく低い温度の外部接触接続部を可能にする。
【００３１】
図４を参照して以下に述べるように、「離壁」が装置のほぼ中央部で有効になるということからも、この効果を支持することができる。図４は本発明の他の実施例によるセンサー４００を示しており、このセンサーは図３に示されているケース３００を含んでいる。図からわかるように、図４に示された実施例ではそれぞれのリード線はＳＭＤチップ１００から間隔をもってケース３００の端部に取りつけられており、そのリード線は第１及び第２の引込み線４０２及び４０４として実現されている。
【００３２】
ケース３００に沿って接続領域２１０及び３０２からそれほど離れていない位置に金属(例えばクロム鋼)又はセラミック(例えばＡｌ2Ｏ3又はセラミック２２１)からなる隔壁４０６が配置されている。ケース３００と離壁４０６の間には、適当な熱膨張係数をもったグレーズ（フリット１）又はセラミックペースト(例えばCotronics９８９)からなるシーリング組成物４０８が配置されている。
【００３３】
リード線４０２，４０４用の接点２１０，３０２は、特に現在の接続に含まれる非常な高温において大きな熱負荷にさらされるものであるが、本発明による装置の主たる利点は、それらの接点２１０，３０２を温度がずっと低い領域に適度な価格で配置できることである。ケース３００の「長い」セラミックプレート２００，２３０，２６０の単位領域当りのコストは、温度センサーや高温センサー１００の白金被覆された薄膜セラミックのコストよりずっと低く、しかも感熱部であるＳＭＤ素子１００のサイズは比較的小さく維持することができ、それ故価格が適度なものとなる。
【００３４】
温度センサーに対して短応答時間が要求される場合には、上に述べた構造意匠により他の利点が達成され、これもまた非常に重要である。その場合、(薄いセラミックプレートの)寸法を適当に選ぶとともに、特に、従来の構造意匠では通常必要とされている温度センサーの付加的な保護管をなくすことができることによって、測定媒体との最適結合を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  白金ＳＭＤチップを示す。
【図２】  ａからｄはケースを形成するのに使用された各セラミック基板を示す。
【図３】  セラミック基板からなるケースを示す。
【図４】  本発明の他の実施例による高温センサーを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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