(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光導波路と第２の光導波路とを基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少なくともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数およびＴＭ導波モード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ上記ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係数を上記ＴＭ導波モード後退波と上記ＴＥ放射モードとの変換係数よりも小さくしたことを特徴とする光非相反回路。
【請求項２】
第１の光導波路と第２の光導波路とを基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少なくともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数とＴＭ導波モード後退波の位相定数との中間の値とし、上記ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係数を上記ＴＭ導波モード後退波の上記ＴＥ放射モードへの変換係数よりも小さくしたことを特徴とする光非相反回路。
【請求項３】
上記第１の光導波路が第１のポートおよび第３のポートに接続され、上記第２の光導波路が第２のポートおよび第４のポートに接続され、上記第１のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進波は上記第３のポートに出射され、上記第２のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進波は上記第４のポートに出射され、上記第３のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード後退波に再度変換されて上記第２のポートに出射され、上記第４のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード後退波に再度変換されて上記第１のポートに出射されることを特徴とする請求項１または２に記載の光非相反回路。
【請求項４】
第１の光導波路と第２の光導波路とを基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少なくともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数およびＴＭ導波モード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ上記ＴＭ導波モード後退波と上記ＴＥ放射モードとの変換係数を上記ＴＭ導波モード前進波と上記ＴＥ放射モードとの変換係数よりも小さくしたことを特徴とする光非相反回路。
【請求項５】
上記第１の光導波路が第１のポートおよび第３のポートに接続され、上記第２の光導波路が第２のポートおよび第４のポートに接続され、上記第３のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波は上記第１のポートに出射され、上記第４のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波は上記第２のポートに出射され、上記第１のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード前進波に再度変換されて上記第４のポートに出射され、上記第２のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード前進波に再度変換されて上記第３のポートに出射されることを特徴とする請求項４に記載の光非相反回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光サーキュレータ動作等を行ない、光通信、光計測等に用いられる光非相反回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光部品の集積化が進む中で、光サーキュレータにおいても光導波路構造を用いる集積化の試みがなされている。
【０００３】
図１１は従来の光導波路構造の光サーキュレータ（１９９０年電子情報通信学会春季全国大会Ｃ−１９７）を示す概略斜視図である。図に示すように、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２からなる基板１上に（ＬｕＮｄＢｉ）３（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２からなるガイド層２が設けられ、ガイド層２上にＳｉＯ２からなるクラッド層３が設けられ、ガイド層２に光導波路４、５が形成され、光導波路４、５が接近したカプラー部６、７が設けられ、カプラー部６、７の間の光導波路４、５上に非相反移相器８、９が設けられ、光導波路４に第１のポート１０および第３のポート１２が接続され、光導波路５に第２のポート１１および第４のポート１３が接続されている。
【０００４】
この光サーキュレータにおいては、各ポート１０〜１３から入射したＴＭモード光はカプラー部６、７で２つに分けられ、カプラー部７、６で再び合成される。そして、カプラー部６、７で分けられた２つの光はそれぞれ非相反移相器８、９を通ることにより、前進方向では同位相、後退方向では逆位相となって干渉合成され、同位相の場合はクロスポートに出射し、逆位相の場合は平行ポートに出射する。したがって、ポート１０から入射した光はポート１３に出射し、ポート１１から入射した光はポート１２に出射し、ポート１２から入射した光はポート１０に出射し、ポート１３から入射した光はポート１１に出射する。このように原理的にはサーキュレータとしての動作をする。
【０００５】
なお、特開平４−３２６３１９号公報、特開平８−６８９６５号公報には光導波路構造の光アイソレータが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１１に示した光サーキュレータは構造が複雑であるから、実際に回路を作製することは容易ではなく、また実験的に得られているアイソレーションも３ｄＢと満足な性能は得られていない。
【０００７】
本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、光集積化に適しており、かつ高性能な光非相反回路を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明においては、第１の光導波路と第２の光導波路とを基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少なくともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数およびＴＭ導波モード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ上記ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係数を上記ＴＭ導波モード後退波と上記ＴＥ放射モードとの変換係数よりも小さくする。
【０００９】
また、第１の光導波路と第２の光導波路とを基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少なくともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数とＴＭ導波モード後退波の位相定数との中間の値とし、上記ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係数を上記ＴＭ導波モード後退波の上記ＴＥ放射モードへの変換係数よりも小さくする。
【００１０】
これらの場合、上記第１の光導波路が第１のポートおよび第３のポートに接続され、上記第２の光導波路が第２のポートおよび第４のポートに接続され、上記第１のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進波は上記第３のポートに出射され、上記第２のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進波は上記第４のポートに出射され、上記第３のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード後退波に再度変換されて上記第２のポートに出射され、上記第４のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード後退波に再度変換されて上記第１のポートに出射されるようにするのが好ましい。
【００１１】
また、第１の光導波路と第２の光導波路とを基板上で平行とし、上記第１、第２の光導波路は少なくともその一部を磁気光学材料で形成し、上記第１の光導波路および上記第２の光導波路では、ＴＥモードのカットオフをＴＭ導波モード前進波の位相定数およびＴＭ導波モード後退波の位相定数よりも大きくし、かつ上記ＴＭ導波モード後退波と上記ＴＥ放射モードとの変換係数を上記ＴＭ導波モード前進波と上記ＴＥ放射モードとの変換係数よりも小さくする。
【００１２】
この場合、上記第１の光導波路が第１のポートおよび第３のポートに接続され、上記第２の光導波路が第２のポートおよび第４のポートに接続され、上記第３のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波は上記第１のポートに出射され、上記第４のポートから入射した上記ＴＭ導波モード後退波は上記第２のポートに出射され、上記第１のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード前進波に再度変換されて上記第４のポートに出射され、上記第２のポートから入射した上記ＴＭ導波モード前進波はＴＥ放射モードに変換され、上記ＴＭ導波モード前進波に再度変換されて上記第３のポートに出射されるようにするのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る光非相反回路を示す概略斜視図である。図に示すように、ＧＧＧ（Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２）、ＮＧＧ（Ｎｄ３Ｇａ５Ｏ１２）、カチオンドープＧＧＧ等からなるガーネット基板２１上にＣｅ置換ＹＩＧ等の磁気光学材料からなる磁気光学膜２２が設けられ、磁気光学膜２２の上部にリブが設けられて非相反性を示す第１の光導波路２３、第２の光導波路２４が形成され、光導波路２３に第１のポート２５および第３のポート２７が接続され、光導波路２４に第２のポート２６および第４のポート２８が接続されている。なお、光導波路２３と光導波路２４との間隔は約６０μｍである。
【００１４】
つぎに、図２により図１に示した光非相反回路の製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に示すように、ガーネット基板２１上にＣｅ置換ＹＩＧからなる磁気光学膜２２をＲＦスパッタにより形成する。つぎに、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、磁気光学膜２２上にフォトレジスト、Ｃｒ、Ｔｉ等からなるマスク３１を形成する。つぎに、図２（ｃ）に示すように、ＢＣｌ３等の塩素系ガスによるリアクティブイオンエッチング、Ａｒイオン等によるイオンミーリングまたは燐酸等によるケミカルエッチングなどを行なうことにより、光導波路２３、２４を形成する。最後に、図２（ｄ）に示すように、マスク３１を除去する。
【００１５】
図３は図１に示した光非相反回路における位相定数の一例を示すグラフであり、図３（ａ）は光導波路２４のＴＭモードの位相定数βＴＭ２を示し、図３（ｂ）はＴＥモードの位相定数βＴＥを示し、図３（ｃ）は光導波路２３のＴＭモードの位相定数βＴＭ１を示し、また斜線を付した部分は放射モード領域を示し、斜線を付さない部分は導波モード領域を示す。このグラフから明らかなように、ＴＥモードのカットオフβＴＥＣはＴＭモードのカットオフβＴＭＣよりも大きく、またカットオフβＴＥＣはＴＭ導波モード前進波の位相定数βＴＭＦおよびＴＭ導波モード後退波の位相定数βＴＭＢより大きい（βＴＭＦ＜βＴＭＢ＜βＴＥＣ）。
【００１６】
このような位相定数を有する光非相反回路においては、ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係数ＫＦ、ＴＭ導波モード後退波とＴＥ放射モードとの変換係数ＫＢとの関係をＫＦ＜ＫＢとし、更にはほぼＫＦ＝０、ＫＢ≠０の条件を満足させたときには、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード前進波はＫＦ＝０の条件よりＴＥ放射モードに変換しないでそのまま進む。したがって、ポート２５から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２７に出射され、またポート２６から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２８に出射される。一方、βＴＭＦ＜βＴＭＢ＜βＴＥＣの条件によりＴＭ導波モードはＴＥ放射モードに位相整合し、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード後退波はＫＢ≠０の条件によりＴＥ放射モードに変換され、このＴＥ放射モードが変換係数ＫＢにより光導波路２４、２３のＴＭ導波モード後退波に再度変換される。したがって、ポート２７から入射したＴＭ導波モード後退波はポート２６に出射され、またポート２８から入射したＴＭ導波モード後退波はポート２５に出射される。
【００１７】
なお、磁気光学膜２２中の磁化ベクトルＭの光の導波方向に対して垂直の成分たとえばｙ軸成分により非相反移相効果が生じ、ＴＭモード光の位相定数βＴＭ１、βＴＭ２は前進波と後退波とで異なり、光導波路２３、２４の構造異方性を利用してカットオフβＴＥＣを位相定数βＴＭＦおよび位相定数βＴＭＢより大きくなるようにする。また、変換係数ＫＦ、ＫＢはｙ軸方向に印加した外部磁界により誘起された磁気光学膜２２中の磁化ベクトルＭのｙ軸成分またはｚ軸成分により生じる磁気光学効果、または歪みや膜成長誘導による光学異方性により変化する。また、ＫＦ＝０、ＫＢ≠０の条件は、変換係数ＫＦ、ＫＢが位相定数の関数であることから非相反移相効果を利用する方法または磁気光学効果と歪み等による相反効果をお互いに作用させる方法によって可能である。
【００１８】
つぎに、等価屈折率法を用いて上記の位相定数の条件を満たすための設計法について説明する。ここで、図４は３層スラブ光導波路における磁気光学膜の膜厚と導波モードの位相定数との関係を示すグラフである。図４から明らかなように、一般にスラブ光導波路の位相定数はＴＥモードの方がＴＭモードより大きい。また、スラブ部（リブ部以外の部分）の磁気光学膜の膜厚ｔ２によりカットオフβＴＥＣ、βＴＭＣが決まる。したがって、カットオフβＴＥＣをカットオフβＴＭＣよりも大きくすることができる。また、リブの高さ（ｔ１−ｔ２）を小さくすることにより、カットオフβＴＥＣは大きくなり、カットオフβＴＥＣを位相定数βＴＭＦ、βＴＭＢより大きくすることができる。また、リブのパタン幅を小さくすることにより、位相定数βＴＭＢ、βＴＭＦは小さくなる。したがって、リブの高さおよびパタン幅を小さくすることにより、図３に示した位相定数の条件を満足させることができる。
【００１９】
つぎに、変換係数ＫＦ、ＫＢを異ならせる方法について、以下２つの方法について述べる。
【００２０】
その１つは、その変換係数が位相定数によって異なることを利用する。すなわち、図５に示すように、ＴＥ放射モードへの変換係数は位相定数の関数である。一方、上述したように、磁気光学膜中の磁化ベクトルＭのｙ軸成分により非相反移相効果が生じ、ＴＭモード光の位相定数は前進波と後退波とで異なっている。そして、図５に示すように、位相定数βＴＭＦを変換係数が０となるようにし、位相定数βＴＭＢを変換係数が０でないように設計することにより、ＫＦ＝０、ＫＢ≠０の条件が可能となる。
【００２１】
もう１つの方法は、磁気光学膜以外の膜の歪みや膜成長誘導等による相反な光学異方性を利用する方法である。すなわち、Ｋｍ、Ｋｓを磁気光学、歪み異方性による変換係数とすると、変換係数ＫＦ、ＫＢは数１式、数２式で与えられる。
【００２２】
【数１】
ＫＦ＝−Ｋｍ＋Ｋｓ
【００２３】
【数２】
ＫＢ＝Ｋｍ＋Ｋｓ
したがって、Ｋｍ＝Ｋｓのとき、ＴＭ導波モード前進波においてはＫＦ＝０となり、ＴＥ放射モード変換は生じない。一方、ＴＭ導波モード後退波においてはＫＢ＝２Ｋｍとなり、ＴＥ放射モード変換が生ずる。
【００２４】
図６は図１に示した光非相反回路における位相定数の他の例を示すグラフであり、図６（ａ）は光導波路２４のＴＭモードの位相定数βＴＭ２を示し、図６（ｂ）はＴＥモードの位相定数βＴＥを示し、図６（ｃ）は光導波路２３のＴＭモードの位相定数βＴＭ１を示し、また斜線を付した部分は放射モード領域を示し、斜線を付さない部分は導波モード領域を示す。このグラフから明らかなように、ＴＥモードのカットオフβＴＥＣはＴＭモードのカットオフβＴＭＣよりも大きく、またカットオフＴＥＣはＴＭ導波モード前進波の位相定数βＴＭＦとＴＭ導波モード後退波の位相定数βＴＭＢとの中間の値であり、位相定数βＴＭＦは位相定数βＴＭＢより大きい（βＴＭＢ＜βＴＥＣ＜βＴＭＦ）。
【００２５】
このような位相定数を有する光非相反回路においては、ＴＭ導波モード前進波とＴＥ放射モードとの変換係数ＫＦ、ＴＭ導波モード後退波とＴＥ放射モードとの変換係数ＫＢとの関係をＫＦ＜ＫＢとし、さらにはほぼＫＦ＝０、ＫＢ≠０の条件を満足させたときには、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード前進波はβＴＥＣ＜βＴＭＦの条件よりＴＥ放射モードに変換しないでそのまま進む。したがって、ポート２５から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２７に出射され、またポート２６から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２８に出射される。一方、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード後退波はβＴＭＢ＜βＴＥＣ、ＫＢ≠０の条件によりＴＥ放射モードに変換され、このＴＥ放射モードが変換係数ＫＢにより光導波路２４、２３のＴＭ導波モード後退波に再度変換される。したがって、ポート２７から入射したＴＭ導波モード後退波はポート２６に出射され、またポート２８から入射したＴＭ導波モード後退波はポート２５に出射される。
【００２６】
なお、光導波路２３、２４の構造異方性を利用して、カットオフβＴＥＣをカットオフβＴＭＣよりも大きくする。また、磁化ベクトルＭのｙ軸成分を磁気光学膜２２に与えることによりＴＭモードの位相定数に非相反移相を起させ、位相定数βＴＭＦを位相定数βＴＭＢよりも大きくする。また、磁気光学膜２２または基板２１に光学異方性（光弾性効果、電気光学、磁気光学等）を与えることにより、変換係数ＫＦ、ＫＢを与える。
【００２７】
つぎに、等価屈折率法を用いて上記の位相定数の条件を満たすための設計法について説明する。図７は３層スラブ導波路における磁気光学膜の膜厚と導波モードの位相定数との関係を示すグラフである。図７に示すように、一般にスラブ導波路の位相定数はＴＥモードの方がＴＭモードよりも大きい。また、スラブ部（リブ部以外の部分）の磁気光学膜の膜厚ｔ２をスラブ導波モードが存在するようにとると、このスラブ導波モードがリブ導波路における放射モードになる。したがって、カットオフβＴＥＣはカットオフβＴＭＣよりも大きくなる。また、磁化ベクトルＭのｙ軸成分が磁気光学膜中に生じ、磁気光学効果により非相反移相を起こすことにより、位相定数βＴＭＦを位相定数βＴＭＢよりも大きくすることができる。この効果は、基板２１の屈折率と空気の屈折率とが異なる非対称構造が必要である。つぎに、リブ光導波路のＴＭモードの位相定数は、リブのパタン幅の調整によって、膜厚ｔ１に対するスラブ導波路の位相定数βＴＭＳと膜厚ｔ２に対する位相定数すなわちカットオフβＴＭＣとの間の値をとることができるため、リブのパタン幅を調整することによって、βＴＭＢ＜βＴＥＣ＜βＴＭＦの条件を満足させることができる。
【００２８】
また、ＫＦ＝０、ＫＢ≠０の条件は、磁気光学膜２２または基板２１の光学異方性（誘電率テンソルの非対角成分εｘｙ，εｙｚ）により生じ、基板２１に磁気光学膜２２を形成するときの膜応力によって誘起される光弾性効果、および磁気光学膜２２の磁化ベクトルＭのｚ軸成分またはｘ軸成分による磁気光学効果等によって与えられるが、磁化ベクトルＭのｘ軸成分は容易に制御できるため、簡単に変換係数ＫＦ、ＫＢを誘起することが可能である。図１においては磁化ベクトルＭの方向をｙ軸からｚ軸の方向に角θだけ傾け、磁化ベクトルＭのｚ軸成分を与えている。
【００２９】
このように、図１に示した光非相反回路においては、位相定数を図３または図６に示すようにし、かつＫＦ＝０、ＫＢ≠０にすることにより、ポート２５から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２７に出射され、ポート２６から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２８に出射され、ポート２７から入射したＴＭ導波モード後退波はポート２６に出射され、ポート２８から入射したＴＭ導波モード後退波はポート２５に出射されるから、光サーキュレータ動作を行なう。また、簡単な構造であるから、光集積化に適しており、しかも高性能である。
【００３０】
図８は光導波路２３にポート２５から波長１．５５μｍの光を導波させたときの出射端におけるニャフィールドパタンを示す図である。なお、実験では簡単のために、光の進行方向を変える代わりに、磁界の方向を逆転させた。光の方向を変えても、同じ結果が得られることは確認している。図８（ａ）は磁界を−５０Ｏｅ印加したときのＴＭ導波モード前進波に対応する出射光のパタンで、ほぼ光導波路２３をそのまま導波している。図８（ｂ）は磁界を＋５０Ｏｅ印加したときのＴＭ導波モード後退波に対応する出射光のパタンで、光は光導波路２３からほぼ光導波路２４に移っている。この光サーキュレータのアイソレーションおよび消光比は１０〜２０ｄＢであった。通常２本の光導波路間の光結合（方向性結合器）においては光導波路間隙が光の波長オーダ程度しか許されないが、ＴＥ放射モードへの変換を利用したため、従来にない非常に広い光導波路間隙においても光の結合を実現することができる。
【００３１】
図９は本発明に係る他の光非相反回路を示す概略断面図である。図に示すように、基板４１上に磁気光学材料からなる磁気光学膜４２が設けられ、磁気光学膜４２上にＳｉ、ＴｉＯ２等からなる高屈折率膜４３が形成され、高屈折率膜４３がリブ形導波路に加工されて、第１、第２の光導波路４４、４５が形成されている。
【００３２】
図１０は本発明に係る他の光非相反回路を示す概略断面図である。図に示すように、基板５１上に磁気光学材料からなる磁気光学膜５２が設けられ、磁気光学膜５２上にＳｉ、ＴｉＯ２等からなるストリップ状の高屈折率膜が設けられて、第１、第２の光導波路５３、５４が形成されている。
【００３３】
図９、図１０に示した光非相反回路においても、位相定数を図３または図６に示すようにし、かつＫＦ＝０、ＫＢ≠０にすることにより、光サーキュレータ動作を行なう。また、簡単な構造であるから、光集積化に適しており、しかも高性能である。また、伝搬定数の非相反変化量が大きくなる（電子情報通信学会論文誌、８８／５，  Ｖｏｌ．Ｊ７１−Ｃ，  Ｎｏ．５，  ｐｐ７０２−７０８）。
【００３４】
なお、上述実施の形態においては、位相定数を図３に示すようにしたときに、変換係数ＫＦ、ＫＢの関係をＫＦ＜ＫＢとし、更にはほぼＫＦ＝０、ＫＢ≠０の条件としたが、変換係数ＫＦ、ＫＢの関係をＫＦ＞ＫＢとし、更にはほぼＫＦ≠０、ＫＢ＝０の条件としてもよい。この場合、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード後退波はＫＢ＝０の条件よりＴＥ放射モードに変換しないでそのまま進む。したがって、ポート２７から入射したＴＭ導波モード後退波はポート２５に出射され、ポート２８から入射したＴＭ導波モード後退波はポート２６に出射される。一方、光導波路２３、２４中を進むＴＭ導波モード前進波はβＴＭＦ＜βＴＥＣ、ＫＦ≠０の条件によりＴＥ放射モードに変換され、このＴＥ放射モードが変換係数ＫＦにより光導波路２４、２３のＴＭ導波モード前進波に再度変換される。したがって、ポート２５から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２８に出射され、ポート２６から入射したＴＭ導波モード前進波はポート２７に出射される。また、上述実施の形態においては、基板としてガーネット基板２１を用いたが、他の基板を用いてもよい。
【００３５】
【発明の効果】
本発明に係る光非相反回路においては、構造が簡単であるから、光集積化に適しており、かつ高性能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光非相反回路を示す概略斜視図である。
【図２】図１に示した光非相反回路の製造方法の説明図である。
【図３】図１に示した光非相反回路における位相定数の一例を示すグラフである。
【図４】図３に示した位相定数の条件を満足する方法を説明するためのグラフである。
【図５】変換係数の条件を満足する方法を説明するためのグラフである。
【図６】図１に示した光非相反回路における位相定数の他の例を示すグラフである。
【図７】図６に示した位相定数の条件を満足する方法を説明するためのグラフである。
【図８】図１に示した光非相反回路における出射端のニャフィールドパタンを示す図である。
【図９】本発明に係る他の光非相反回路を示す概略断面図である。
【図１０】本発明に係る他の光非相反回路を示す概略断面図である。
【図１１】従来の光導波路構造の光サーキュレータを示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１…基板
２…ガイド層
３…クラッド層
４、５…光導波路
６、７…カプラー部
８、９…非相反移相器
１０〜１３…ポート
２１…ガーネット基板
２２…磁気光学膜
２３…第１の光導波路
２４…第２の光導波路
２５…第１のポート
２６…第２のポート
２７…第３のポート
２８…第４のポート
４１…基板
４２…磁気光学膜
４３…高屈折率膜
４４…第１の光導波路
４５…第２の光導波路
５１…基板
５２…磁気光学膜
５３…第１の光導波路
５４…第２の光導波路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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