(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、基板を保持するためにそのベース上に配置された基板より小さい台と、その台の下から突き出てくるピンと、その台の周囲に配置された基板のへりの裏面と対向し昇降するリングとからなる基板の脱離機構において、基板のへりと対向するリング部分の厚みは、台の厚みより薄くしてあり、さらに、ピンが基板を持ち上げた後にリングが基板のへりを持ち上げるための駆動手段を備えたことを特徴とする基板の機械的脱離機構。
【請求項２】
駆動手段は、ベースを昇降させることを特徴とした請求項１記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項３】
駆動手段は、ピンとリングを一緒に昇降させることを特徴とした請求項１記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項４】
駆動手段は、ベースを支える支柱につながったナットと、そのナットと螺合しているネジと、そのネジを回転させるモータと、フレームに当たってピンを持ち上げるためのストッパと、リングを持ち上げるためにベースの周囲に固定されたストッパを有することを特徴とした請求項１記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項５】
駆動手段は、ピンを持ち上げるためのストッパと、リングを持ち上げるためのストッパと、それらのストッパを持ち上げるプレートと、そのプレートのつながっているナットと、そのナットに螺合しているネジと、さらに、そのネジを回転させるモータを有することを特徴とした請求項１記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項６】
ベースと、基板を保持するためにそのベース上に配置された基板より小さい台と、その台から突き出てくるピンと、その台の周囲に配置された基板のへりの裏面と対向し昇降するリングと、前記、基板のへりと対向するリングの部分の厚みは、台の厚みより薄くしてあり、ピンを持ち上げるための駆動手段と、リングを持ち上げるための駆動手段を備えたことを特徴とする基板の機械的脱離機構。
【請求項７】
ピンの駆動手段は、ピンを持ち上げるためのストッパと、そのストッパを持ち上げる円形プレートと、そのプレートのつながっているナットと、そのナットに螺合しているネジと、そのネジを回転させるモータとよりなることを特徴とした請求項６記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項８】
リングの駆動手段は、リングを持ち上げるためのストッパと、そのストッパを持ち上げる馬蹄形プレートと、そのプレートのつながっているナットと、そのナットに螺合しているネジと、そのネジを回転させるモータとよりなることを特徴とした請求項６記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項９】
ベースは、電極であることを特徴とした請求項１または６記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項１０】
台は、誘電体製または誘電体の薄膜をコーディングした金属製台であることを特徴とした請求項１または６記載の機械的脱離機構。
【請求項１１】
ピンは、基板の中央部を突き上げられるような位置にベース内に配置されていることを特徴とした請求項１または６記載の基板の機械的脱離機構。
【請求項１２】
ベース上の台に保持された基板をピンで突き上げて、基板を斜めに傾かせ、ついでピンで基板を持ち上げながらリングで基板のへりを持ち上げることを特徴とする基板の機械的脱離機構を用いた脱離方法。
【請求項１３】
ベース上の台に保持された基板をピンで突き上げて、基板を斜めに傾かせ、ついでピンを固定しながらリングで基板のへりを持ち上げることを特徴とする基板の機械的脱離機構を用いた脱離方法。
【請求項１４】
基板をピンで約１ｍｍ突き上げることを特徴とした請求項１２または１３記載の基板の機械的脱離機構を用いた脱離方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、ベースに保持された基板を機械的に脱離する機構に関する。より詳細には、この発明は、残留電荷によって電極にクランプされたままの基板を機械的に脱離する機構に関する。さらに、この発明は、基板機械的脱離機構を用いた脱離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プラズマ処理装置、例えばドライエッチング装置において処理される基板、例えば半導体ウエハを電極に保持するために、図９に示したような静電チャック（または静電クランプ）が知られている。
【０００３】
図９において、１０１が円盤状の基板、１０２が基板１０１の中央部に対向させた基板上下用ピン、１０３が台、１０４が電極、１０５が処理室、１０６が電極１０４を上下方向に昇降させるための支柱、１０７がフレームである。また、１２５は電極１０４の上面周縁部のカバーである。
【０００４】
台１０３は、誘電体製あるいは誘電体の薄膜をコーディングした金属製台である。従って誘電体に蓄積した静電気による静電吸着力を利用して基板１０１を電極１０４にクランプさせる。もし、基板１０１の裏側に誘電体膜、例えばＳｉＯ２  膜が形成されているならば、台１０３は金属製であっても静電吸着力によって基板１０１を電極１０４にクランプできる。
【０００５】
支柱１０６を介して電極１０４を降下させていくと、ピン１０２に連結した軸１０６ａの下端にあるストッパ１０８がフレーム１０７に当る。さらに電極１０４を降下させると、ピン１０２が台１０３の保持面（図中上面）より突出するので、ピン１０２の突き上げによって基板１０１を台１０３から脱離させることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記の従来の基板脱離機構においては、台１０３に残留した静電気のために、ピン１０２で基板１０１を少し持ち上げると、基板１０１でピン１０２があたる部分は台１０３から少し離れる。しかし、ピン１０２の当たっていない部分、とくに基板１０１のへりはいまだに台１０３にくっついている。さらに、基板１０１を持ち上げると、図１０に示したように基板１０１のへりの一部が台１０３にくっついたままで、基板１０１が上がる。いわゆる基板１０１が片上りする。基板１０１を処理室１０５から取り出すために、ピン１０２の突き上げを止めると基板１０１は斜めに傾いたままとなる。基板１０１が斜めに傾いた状態で、搬送ロボットのハンド３０が基板１０１と台１０３の間に入って、基板１０１をハンド３０に乗せようとすると、４つのつめ３１、３１に沿って基板１０１が収まらない（点線で記した位置）。このようなアクシデントによって基板１０１の受け渡しに支障が生じるという問題点があった。もし、基板１０１の受け渡しの際に、基板１０１が水平の体勢ならば、このようなアクシデントは生じないであろう。
【０００７】
この発明は、前記の如くの問題点に鑑みてなされたもので、基板１０１を台１０３から完全に離脱しかつ水平の体勢に修正できるようにした基板の機械的脱離機構及びその機構を用いた脱離方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成したこの発明は、ベースと、基板を保持するためにそのベース上に配置された基板より小さい台と、その台から突き出てくるピンと、その台の周囲に配置された基板のへりの裏面と対向し昇降するリングとからなる基板の脱離機構において、基板のへりと対向するリングの部分の厚みは、台の厚みより薄くしてあり、さらに、ピンが基板を持ち上げた後にリングが基板のへりを持ち上げるための駆動手段を有している基板の機械的脱離機構である。
【０００９】
駆動手段は、ベースを昇降させるかまたは、ピンとリングを一緒に昇降させる。ベースを昇降させる駆動手段は、ベースを支える支柱につながったナットと、そのナットと螺合しているネジと、そのネジを回転させるモータと、フレームに当たってピンを持ち上げるためのストッパと、さらにリングを持ち上げるためにベースの周囲に固定されたストッパを有する。ピンとリングを一緒に昇降させる駆動手段は、ピンを持ち上げるためのストッパと、リングを持ち上げるためのストッパと、それらのストッパを持ち上げるプレートと、そのプレートのつながっているナットと、そのナットに螺合しているネジと、さらに、そのネジを回転させるモータを有する。
【００１０】
また、別に前記の目的を達成したこの発明は、ベースと、基板を保持するためにそのベース上に配置された基板より小さい台と、その台から突き出てくるピンと、その台の周囲に配置された基板のへりの裏面と対向し昇降するリングと、ここにおいて、基板のへりと対向するリングの部分の厚みは、台の厚みより薄くしてあり、ピンを持ち上げるための駆動手段と、さらに、リングを持ち上げるための駆動手段を有する基板の機械的脱離機構である。
【００１１】
ピンの駆動手段は、ピンを持ち上げるためのストッパと、そのストッパを持ち上げる円形プレートと、そのプレートのつながっているナットと、そのナットに結合しているネジと、さらに、そのネジを回転させるモータを有する。リングの駆動手段は、リングを持ち上げるためのストッパと、そのストッパを持ち上げる馬蹄形プレートと、そのプレートのつながっているナットと、そのナットに結合しているネジと、さらに、そのネジを回転させるモータを有する。
【００１２】
プラズマ処理用の基板の機械的脱離機構のベースは、電極である。さらに、静電吸着で基板を保持する機構を備えた機械的脱離機構の台は、誘電体製または誘電体の薄膜をコーディングした金属製台である。
【００１３】
この機械的脱離機構のピンは、基板の中央部を突き上げられるような位置にベース内に配置されている。
【００１４】
さらに、前記の目的を達成したこの発明は、ベースの台に保持された基板をピンで突き上げて、基板を斜めに傾かせ、そして、ピンで基板を持ち上げながらリングで基板のへりを持ち上げていく脱離方法である。
【００１５】
また、さらに、前記の目的を達成したこの発明は、ベースの台に保持された基板をピンで突き上げて、基板を斜めに傾かせ、そして、ピンを固定しながらリングで基板のへりを持ち上げていく脱離方法である。
【００１６】
この脱離方法では基板をピンで約１ｍｍ突き上げるようにしてある。
【００１７】
【作用】
この発明の機械的脱離機構によれば、基板が置かれた台のかどにくっついている基板のへりを離するための力を、基板のへりに与えることができる。図１１は、ピン２で静電吸着された基板１を持ち上げて、基板１が斜めに傾いた後に、上に持ち上げられているリング９が基板１のへりに接触した状態を示す。この状態のもとで、基板１に作用している力は、リング９の環状段部９ａと接触しているａ点では、リング９が基板１のへりを上に持ち上げる力Ｆ１、台３のかどと接触しているｂ点では、台３に残留する静電気による静電吸着力Ｆ２、ピン２と接触しているｃ点では、ピン２が基板１を上に持ち上げる力Ｆ３、さらに、基板１の重心ｄで基板１の重さＷがある。これらの力が、基板１の脱離を通じて、どのように基板１に作用するかということを、図１２を用いて説明する。
【００１８】
図１２中（１）の段階では、ｃ点でＦ３によって基板１を持ち上げているが、ｂ点でＦ２の作用によって基板１は斜めに傾いている。ただし、この段階では、環状段部９ａが基板１のへりと接触していないため（図１１）、ａ点でＦ１は、まだ、作用していない。この段階で注目すべきことは、基板全体に作用していた静電吸着力が、ｂ点のみにしか作用していないことである。ｂ点のみに作用している静電吸着力Ｆ２を基板１から取り除くことによって、基板１の脱離が達成される。
【００１９】
（２）の段階では、環状段部９ａが基板１のへりと接触して、ａ点でＦ１が作用する。ここで、この発明にとって、基板１にＦ３が作用した後にａ点でＦ１が作用することが重要である。いいかえれば、基板１の脱離には、ピン２で基板１を持ち上げた後にリング９で基板１のへりを持ち上げることが重要である。なぜなら、図１２に示すように、基板全体に均一に静電吸着が作用している状態で、短時間に、ピン２とリング９が同時に基板１を持ち上げると、基板１は飛び跳ねてしまうからである。飛び跳ねた基板１が落下して、台３に衝突して、基板１が割れてしまうことがある。また、（１）の段階で、基板１が斜めに傾かせるために、台３の厚みを環状段部９ａの厚みよりも薄くすることが必要である。台３の厚みと環状段部９ａの厚みが同じだと、リング９で基板１のへりを持ち上げなくとも、ピン２で基板１を持ち上げると同じように基板１は飛び跳ねてしまう。図１４に示すように、ピン２で基板１を持ち上げると同時に、基板１のへりが環状段部９ａに当たるため、見かけ上、基板１のへりを環状段部９ａで持ち上げるようになるからである。したがって、基板１の飛びはねを防止するために、環状段差の厚みは、台３の厚みよりも薄くしなければならない。
【００２０】
（３）の段階で、ｂ点で基板１にかかる静電吸着力Ｆ２に抗して、Ｆ１とＦ３を基板１に作用させながら、基板１を持ち上げていく（矢示３５の方向）。基板１を持ち上げていく間は、リング９（Ｆ１）とピン２（Ｆ２）が同時に持ち上げ、さらにリング９（Ｆ１）の持ち上げる速度とピン２（Ｆ２）の持ち上げる速度が同じであるため、基板１は斜めに傾いたまま持ち上がってくる。基板１のへりが台３のかど、すなわちｂ点を離れた瞬間、基板１に作用していた静電吸着力Ｆ２は消滅する。
【００２１】
（４）の段階で、基板１の重心ｄ点に作用していた基板１の重さＷによって、斜めに傾いていた基板１は、自然に、矢示３６の方向に動く。この動きによって、基板１はすべてのピン２上に乗るため、基板１は水平となる。基板１が水平になるとき、リング９から基板１のへりが離れるため、基板１にＦ１は作用しない。
【００２２】
（３）の段階で別な方法にしたがって、基板を台３から離脱させ、さらに、水平にすることができる。すなわち、ピン２の持ち上げを停止して、リング９のみで基板１のへりを持ち上げていく方法である。この方法によれば、ｃ点が支点、ａ点が力点、そして、ｂ点が作用点としてはたらく、てこの原理によって、斜めに傾いた基板１は、矢示３６の方向に動き、そして、基板１はすべてのピンに乗って水平となる。
【００２３】
【実施例】
以下、この発明を静電チャックで電極に保持された基板を離脱させる実施例を図を参照して説明する。図１が好適な第一実施例の機械的脱離機構を示した断面図である。この機械的脱離機構は、日電アネルバ社製マルチチャンバドライエッチングシステム「ＡＮＥＬＶＡ−４１００」の平行平板形エッチング処理用チャンバ５に組み込まれている。チャンバ５には、図示していないエッチングガスをチャンバ５に導入するための管とチャンバ５内を真空にするための真空ポンプの他に、半導体ウエハ１を設置する電極４とそれに対向する電極４０が供えつけられている。半導体ウエハ１を乗せる誘電体製の円形台３が円形の電極４の上に配置されている。円形台３は半導体ウエハ１よりも小さいので、半導体ウエハ１のへりが円形台３から飛び出している。円形台３の周囲にはリング９が配置してある。リング９は、内側に環状段部９ａが形成されている。その環状段部９ａの一部は、円形台３から飛び出した半導体ウエハ１のへりの裏面と対向している。リング９の外側に環状鍔９ｂが形成されている。図２に示すように、その環状鍔９ｂの裏面と電極４の外側に設けたストッパ１０のヘッドの一部が対向する。４本のストッパ１０は、電極４の外側に等間隔で配置されている。電極４には、プラズマを発生するためのｒｆ電源４１と、可変直流電源４２とｒｆ電源をカットするためのフィルタ４４で成り立つ静電吸着用電源４５がつながっている。
【００２４】
円形台３の中央部に等間隔で４つの孔３ａが形成されている。この孔３ａを通してピン２が電極４から突出または没入する。ピン２で半導体ウエハを持ち上げるためには、少なくとも３本のピンが必要である。しかし、本実施例では、４本のピン２で基板１を持ち上げる。４本のピン２は、孔３ａに合わせて円形の支持プレート１２上に立っている。支持プレート１２の下側に接続された軸６ａは軸受１１ａ、１１ｂによって、上下方向に摺動できるよう保持されている。軸６ａの下端には、シリンダ１４内のピストン３３と接続している。加圧流体（油または空気）をシリンダ１４内に流出入させることで、軸６ａを、後述する支柱６の上下の動きとは別に、独自に上下に動かすことができる。シリンダ１４の下端にはストッパ８が配置されている。ストッパ８が、フレーム７に突き当たることで、軸６ａが下がるのを止める。
【００２５】
電極４の下側に支柱６が設けられている。支柱６はチャンバ５の外側に突きで出いる。チャンバ５の壁面と支柱６が接触する部分では、グリース４６を介して２つのＯリング４３、４３が備え付けられているため、チャンバ５内を気密に保てると共に、支柱６は摺動することができる。電極４の下側に設けた支柱６の側壁には腕１５が設けられている。腕１５の先端にはナット１６が設けられている。ナット１６は、フレーム７内に設置したネジ１７と螺合している。ネジ１７をモータ１８で回転することによって、支柱６が矢示１９のように昇降し、同時に電極４も支柱６と同方向に昇降する。
【００２６】
半導体ウエハ１を円形台３にクランプする場合、ピン２の先端が円形台３の上面（クランプ面）を出ないよう電極４の中央凹所４ａ内に没入させるておく。半導体ウエハ１をクランプしている状態では、ストッパ８はフレーム７に当たっていない。それとともに、シリンダー１４内のピストン３３は、もっとも下側に移動している。さらに、リング９の環状鍔９ｂの下面もストッパ１０に当たっていない（図１）。
【００２７】
次に半導体ウエハ１の脱離の際の支柱６、ピン２とリング９の動作を説明する。
【００２８】
（１）最初にモータ１８を駆動させることによって支柱６を降下させる。支柱６を降下させると、ストッパ８がフレーム７に当たり、支柱６と同時に降下していた軸６ａの降下が停止する。さらに支柱６を降下させると、相対的に軸６ａが上昇する。軸６ａの相対的な上昇によって、ピン２は孔３ａを通して円形台３の上面に突出する。ピン２の先端の面と円形台３の上面が面一の時、環状鍔９ｂとストッパ１０との距離は約１ｍｍである。とくに、環状鍔９ｂとストッパ１０との距離は１ｍｍに限定されない。しかし、この距離が０．５〜１０ｍｍの範囲であっても、半導体半導体ウエハ１を水平の体勢で完全に台３から離脱することができる。
【００２９】
（２）つぎに、さらに、支柱６を降下させると環状鍔９ｂとストッパ１０が接触する。このとき、ピン２は円形台３の上面より約１ｍｍ突出している。この時、円形台３に残留する静電気により半導体ウエハ１のへりの一部が円形台３のかどにくっついたままとなっている。半導体ウエハ１は、図３に示すように斜めに傾いた体勢となっている。
【００３０】
（３）また、さらに支柱６を降下させると、ピン２が１ｍｍを越えて突出する。それとともに、図３に示すように、ストッパ１０に当たったリング９が浮き上がってくる。浮き上がってくるリング９の環状段部９ａが、円形台３のがとにくっついていた半導体ウエハ１のへりにぶつかる。さらに、リング９が浮き上がってくると、円形台３のかどから半導体ウエハ１を引き離し、持ち上げ、そして、半導体ウエハ１をすべてのピン２に乗せる。半導体ウエハ１は図４に示したように円形台３から完全に脱離し、水平の状態で保持される。
【００３１】
（４）続いて、図５に示すように、シリンダー１４に加圧流体を矢印３４の方向から供給して、軸６ａを矢示２０の方向に持ち上げる。軸６ａが持ち上げられると、ピン２が浮き上がっているリング９を越えて突き出して、半導体ウエハ１はリング９の上に持ち上げられる。半導体ウエハ１とリング９の間に搬送ロボットのハンド３０が入り、半導体ウエハ１を４つのつめ３１の沿って収める。
【００３２】
残留電荷以外の原因でも、例えば振動でピン２で持ち上げられた半導体ウエハ１がピン２から滑り落ちたり、または、振動で台３からずれた半導体ウエハ１が持ち上げられると半導体ウエハ１が斜めに傾くことがある。このようなトラブルでも、上記の方法で斜めに傾いたウエハ１を水平の体勢に戻すことができる。
【００３３】
リング９は、金属製または絶縁材製でもよい。半導体ウエハ１に接する部分とストッパ１０に接触する部分の材質を異なるようにするために、図６（ａ）に示したように、内周リング２１ａと外周リング２１ｂの別々の部材としてもよい。また、ピン２は、図６（ｂ）および（ｃ）に示したように、先端に円形プレート２２を設けることもできる。
【００３４】
また、環状段部９ａは、必ずしも環状である必要はない。リング９の内側に少なくとも３個の突片を等間隔で設けるようにしてもよい。環状段部９ａで半導体ウエハ１と接触する表面に凹凸を形成して、半導体ウエハ１との接触面積を可及的に小さくしてもよい。
【００３５】
環状鍔９ｂは、必ずしも環状である必要はない。例えば、図７に示すようにリング９に４個（少なくとも３個）の突片を外側に形成してもよい。この場合、これらの各突片と対向させてストッパ１０を設ける。ストッパ１０は、上記実施例ではチャンバー５の底壁に立てたが、チャンバー５の側壁に設けてもよい。また、ストッパ１０は図６に示したように、円筒２３であってもよい。
【００３６】
第一実施例では、電極４を降下させて、相対的にピン２およびリング９を上昇させていた。しかし、電極４を固定して、ピン２およびリング９を上昇させることもできる。
【００３７】
図７は、円形台３側をチャンバ５内に固定し、ピン２およびリング９が昇降できるようにした好適な第二実施例である。
【００３８】
ナット１６につながったプレート２６が、ストッパ８と、ストッパ１０に接続した昇降軸２４の下端に設けてある。ストッパ８、ストッパ１０、プレート２６、ナット１６、ネジ１７およびモータ１８で構成される駆動機構でピン２とリング９が昇降する。
【００３９】
モータ１８を駆動してプレート２６を上昇させると、最初にストッパ８に当たり、ストッパ８を持ち上げる。ストッパ８が持ち上がることで、ピン２が円形台３より突出する。その途中で、プレート２６は、昇降軸２４に当たり、昇降軸２４を持ち上げている。ピン２が円形台３より約１ｍｍ突出した時点で、持ち上げられている昇降軸２４につながっているストッパ１０がリング９の環状鍔９ｂに当たる。さらに、プレート２６が上昇すると、ピン２が突き当るとともに、リング９が浮き上がる。引き続きプレート２６の上昇を続行すると、リング９の環状段部９ａが傾いた半導体ウエハ１のへりに当たり、そのへりを持ち上げ、そして半導体ウエハ１をすべてのピン２に乗せる。このようにして、斜めに傾いた半導体ウエハ１を水平の状態とすることができる。半導体ウエハ１が水平になった後、第一実施例の（４）と同様に、シリンダー１４に加圧流体を供給して、半導体ウエハ１をリング９の上に持ち上げる。昇降軸２４のうちでチャンバ５の内側に円形ストッパ２７が取り付けられている。このストッパ２７は、プレート２６が上昇するばあい、プレート２６がストッパ８に当たった後に、昇降軸２４がプレート６に当たるようにするための役割をはたす。
【００４０】
図１５は、ピン２およびリング９が別々に昇降できるようにした好適な第三実施例である。リング９を持ち上げる独自の駆動機構が、第三実施例には追加されている。その駆動機構は、ストッパ１０、梅蹄形プレート５２、ナット５０、ネジ５３およびモータ５１で構成されるている。ナット５０につながった馬蹄形プレート５２が、ストッパ１０に接続した昇降軸２４の下端に設けてある。図１６に示されるように、円形プレート２６はストッパ８につながったピン２を、馬蹄形プレート５２はストッパ１０を通してリング９をそれぞれ別個に持ち上げることができる。
【００４１】
この第三実施例によれば、上記の方法で基板を離脱することができるが、さらに別な離脱方法でも、基板を離脱することができる。この別な離脱方法は、リング９で半導体ウエハ１を持ち上げる際に、ピン２は固定されていることが特徴である。  この別な脱離方法によるピン２とリング９の動作を説明する。
【００４２】
（１）モータ１８を駆動させて、ピン２を円形台３の上面から約１ｍｍほど突出させる。ピン２の突出で、半導体ウエハ１のへりの一部が円形台３のかどにくっついたまま、半導体ウエハ１は斜めに傾く。その後、モータ１８の駆動を停止して、ピン２の上昇を停止する。
【００４３】
（２）つぎに、モータ５１を駆動させて、リング９を持ち上げる。持ち上げられている９の環状段部９ａが半導体ウエハ１のへりにあたり、半導体ウエハ１のへりを円形台のかどから引き離す。さらに、環状段部９ａが半導体ウエハ１を持ち上げることで、半導体ウエハ１と接触しているピン２を支点として、斜めに傾いていた半導体ウエハ１が水平となる。半導体ウエハ１が水平となった時点で、モータ５１の駆動を停止して、リング９の上昇を停止する。
【００４４】
（３）半導体ウエハ１をチャンバ５から取り出すために、モータ１８を駆動させて、半導体ウエハ１をさらに持ち上げる。
【００４５】
この発明において、以上説明したきた作用、すなわちピンが基板を持ち上げた後にリングが基板のへりを持ち上げる作用が基板脱離に適用できる限りにおいては、その他の条件はどのようなものであってもよい。静電吸着方式以外の基板保持方式、例えば真空吸着方式であっても、または、米国特許４，９９０，２２９および５，１２２，２５１に記載されているヘリコン波プラズマ処理用チャンバであっても、この発明は応用できる。
【００４６】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、基板を台から完全に離脱でき、かつ基板の受け渡し前に基板を水平に修正できる効果がある。この結果、基板の受け渡し時の支障をなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第一実施例の一部を省略した断面図である。
【図２】同じく第一実施例の一部を省略した平面図である。
【図３】同じく第一実施例で、ピンを上昇開始した状態の一部を省略した断面図である。
【図４】同じく第一実施例で、リングが作用した状態の一部を省略した断面図である。
【図５】同じく第一実施例で、基板の受け渡し時の状態の一部を省略した断面図である。
【図６】この発明の他の実施例の図で、（ａ）リングの一部断面図、（ｂ）ピン部分の断面図、（ｃ）同じく平面図である。
【図７】この発明の他の実施例の、リングとストッパの一部を省略した平面図である。
【図８】この発明の第二実施例の一部を省略した断面図である。
【図９】従来の基板脱離機構の構成図である。
【図１０】同じく従来の基板脱離機構の図で、ピンが作用した状態の図である。
【図１１】この発明の機械的脱離機構で、基板にピンとリングが作用したときの基板に及ぼされる力の状態を示す説明図である。
【図１２】同じく基板が脱離するまでの基板に作用する力を示す説明図である。
【図１３】ピンとリングが同時に基板を持ち上げたときの基板に作用する力を示す説明図である。
【図１４】台とリングの環状段部との厚さが同じもとで、ピンで基板を持ち上げたときに基板に作用する力を示す説明図である。
【図１５】この発明の第三実施例の一部を省略した断面図である。
【図１６】この発明の第三実施例で図１５中Ａ−Ａで切られた断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  ピン
３  円形台
３ａ  孔
４  電極
４ａ  凹所
５  チャンバ
６  支柱
６ａ  軸
７  フレーム
８  ストッパ
９  リング
９ａ  環状段部
９ｂ  環状鍔
１０  ストッパ
１１ａ、１１ｂ  軸受
１２  プレート
１４  シリンダー
１５  腕
１６  ナット
１７  ネジ
１８  モータ
【図１】
0003608121.tif 000002
【図２】
0003608121.tif 000003
【図３】
0003608121.tif 000004
【図４】
0003608121.tif 000005
【図５】
0003608121.tif 000006
【図６】
0003608121.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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