(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、この真空容器の内部を排気する排気系とを備え、真空容器内の所定の位置に対象物を配置して所定の処理を施す真空処理装置において、
真空容器内に浮遊する材料が真空容器の内面に付着するのを防止して当該内面に薄膜が堆積しないようにするための防着シールドが、当該内面に設けられ、この防着シールドは、多孔質材料からなる所定の厚さの板状の部材で形成されており、
防着シールドは、アルミナからなるものであって体積開口率が９以上１２以下であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記防着シールドは、開口部分を除く真空容器の内面の全面を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記防着シールドは、通気性を有するよう形成されているとともに、真空容器内にガスの流れが発生する際に防着シールドを通して当該ガスが流れることが可能な状態で配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の真空処置装置。
【請求項４】
前記防着シールドは、孔の大きさが０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１，２又は３記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記防着シールドは、交換可能に設けられていることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記真空容器内に所定のガスを導入するガス導入機構と、導入されたガスにエネルギーを与えてプラズマを形成するための電力供給機構とを具備し、形成されたプラズマを利用して所定の処理を対象物に施すことが可能に構成されていることを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記ガス導入機構は、防着シールドに堆積した薄膜をプラズマエッチングして除去することが可能なガスを真空容器内に導入できるよう構成されていることを特徴とする請求項６記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記防着シールドにシールドバイアス電圧を印加するシールドバイアス電圧印加機構が設けられていることを特徴とする請求項６又は７記載の真空処理装置。
【請求項９】
前記シールドバイアス電圧印加機構は、対象物の処理の際に前記防着シールドに高周波電圧を印加して前記シールドバイアス電圧を印加するものであり、前記シールドバイアス電圧は、前記防着シールドに堆積した薄膜が前記プラズマ中のイオンによりスパッタされる程度の電圧であることを特徴とする請求項８記載の真空処理装置。
【請求項１０】
前記真空処理装置内には、対象物が載置されるホルダーが設けられており、前記防着シールドは、ホルダーとは別に設けられた部材であることを特徴とする請求項１乃至９いずれかに記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本願の発明は、真空を利用して対象物に所定の処理を施す真空処理装置に関し、特にプラズマ気相成長装置等のような真空容器の内面に薄膜が堆積することがある真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空を利用して処理を行う装置としては、真空蒸着装置やスパッタ装置等の各種の装置が知られている。このうち、大規模集積回路（ＬＳＩ）や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等を製作する際には、これらの他、プラズマ気相成長装置やプラズマエッチング装置等が多用されている。
図５は、このような従来の真空処理装置の一例としてプラズマ気相成長装置の概略構成を示したものである。
【０００３】
図５に示す真空処理装置は、排気系１１を備えた真空容器１と、真空容器１内に所定のガスを導入するガス導入機構２と、導入されたガスにエネルギーを与えてプラズマを形成するための電力供給機構３と、対象物としての基板４０を装置するための基板ホルダー４などから主に構成されている。
図５の装置では、不図示のゲートバルブを通して基板４０を真空容器１内に搬入して基板ホルダー４上に載置する。排気系１１によって真空容器１内を排気した後、ガス導入機構２によって所定のガスを導入する。次に、電力供給機構３によって高周波電力等のエネルギーを真空容器１内のガスに印加し、プラズマを形成する。そして、プラズマによって生ずる気相反応によって基板の表面に所定の薄膜が堆積する。例えば、ガス導入機構２によってシランガスと酸素ガスを導入すれば、プラズマによって分解反応等を生じ、酸化硅素の薄膜が基板の表面に作成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記真空処理装置において、真空処理を続けていくうちに真空容器の内面に薄膜が堆積してしまうことがある。この薄膜堆積は、真空容器の内部で浮遊する粒子が容器内面に付着するのが原因である。即ち、浮遊粒子が付着して相当時間滞在し、その付着滞留が相当量及び時間に達することによって薄膜に成長する。
このような容器内面への薄膜堆積がある程度の厚さに達すると、薄膜内部の内部応力等によって薄膜が剥離する。剥離した薄膜は真空容器の内部で塵埃となり、真空処理の質を損なう原因となる。例えば、ＬＳＩプロセスのような回路形成のための処理を行う装置では、塵埃によって回路が断線したりショートしたりして、致命的な製品欠陥につながる恐れがある。
本願の発明は係る課題を解決するためになされたものであり、真空容器の内面に堆積した薄膜の剥離に起因した問題を解決し、良質な真空処理を行えるようにすることを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本願の請求項１記載の発明は、真空容器と、この真空容器の内部を排気する排気系とを備え、真空容器内の所定の位置に対象物を配置して所定の処理を施す真空処理装置において、
真空容器内に浮遊する材料が真空容器の内面に付着するのを防止して当該内面に薄膜が堆積しないようにするための防着シールドが、当該内面に設けられ、この防着シールドは、多孔質材料からなる所定の厚さの板状の部材で形成されており、
防着シールドは、アルミナからなるものであって体積開口率が９以上１２以下であるという構成を有する。
同様に上記目的を達成するため、請求項２記載の発明は、上記請求項１の構成において、防着シールドは、開口部分を除く真空容器の内面の全面を覆うように設けられている。
同様に上記目的を達成するため、請求項３記載の発明は、上記請求項１又は２の構成において、防着シールドは、通気性を有するよう形成されているとともに、真空容器内にガスの流れが発生する際に防着シールドを通して当該ガスが流れることが可能な状態で配置されている。
同様に上記目的を達成するため、請求項４記載の発明は、上記請求項１，２又は３の構成において、防着シールドは、孔の大きさが０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下である。
同様に上記目的を達成するため、請求項５記載の発明は、上記請求項１，２，３又は４の構成において、防着シールドは、交換可能に設けられている。
同様に上記目的を達成するため、請求項６記載の発明は、上記請求項１，２，３，４又は５の構成において、真空容器内に所定のガスを導入するガス導入機構と、導入されたガスにエネルギーを与えてプラズマを形成するための電力供給機構とを具備し、形成されたプラズマを利用して所定の処理を対象物に施すことが可能に構成されている。
同様に上記目的を達成するため、請求項７記載の発明は、上記請求項１，２，３，４，５又は６の構成において、ガス導入機構は、防着シールドに堆積した薄膜をプラズマエッチングして除去することが可能なガスを真空容器内に導入できるよう構成されている。
同様に上記目的を達成するため、請求項８記載の発明は、上記請求項１，２，３，４，５，６又は７の構成において、防着シールドにシールドバイアス電圧を印加するシールドバイアス電圧印加機構が設けられている。
同様に上記目的を達成するため、請求項９記載の発明は、上記請求項８の構成において、前記シールドバイアス電圧印加機構は、対象物の処理の際に前記防着シールドに高周波電圧を印加して前記シールドバイアス電圧を印加するものであり、前記シールドバイアス電圧は、前記防着シールドに堆積した薄膜が前記プラズマ中のイオンによりスパッタされる程度の電圧である。
同様に上記目的を達成するため、請求項１０記載の発明は、上記請求項１乃至９いずれかの構成において、前記真空処理装置内には、対象物が載置されるホルダーが設けられており、前記防着シールドは、ホルダーとは別に設けられた部材である。
【０００６】
【実施例】
以下、本願発明の実施例を説明する。
図１は、本願発明の実施例の真空処理装置の概略図である。図１に示す真空装置は、図５の装置と同様、排気系１１を備えた真空容器１と、真空容器１内に所定のガスを導入するガス導入機構２と、導入されたガスにエネルギーを与えてプラズマを形成するための電力供給機構３と、薄膜作成を行う基板を載置するための基板ホルダー４とを有している。そして、この実施例の装置は、真空容器１内に浮遊する材料が真空容器１の内面に付着するのを防止して当該内面に薄膜が堆積しないようにするための防着シールド５を有している。
【０００７】
まず、真空容器１は、成膜室１０１と、成膜室１０１の下側に位置した少し大きな空間の真空排気室１０２を構成している。そして、成膜室１０１を構成する部分と真空排気室１０２を構成する部分とが分離可能に構成されている。これは後述する防着シールド５の交換のためである。また、成膜室１０１の部分の真空容器１の器壁には不図示のゲートバルブが設けられ、真空排気室１０２の部分の器壁には、排気系１１がつながる排気管１３が設けられている。排気系１１は、粗引きポンプ１１１と、粗引きポンプ１１１の前段に配置された主ポンプ１１２と、これらのポンプ１１１，１１２によって排気する排気経路上に配置された主バルブ１１３及び可変リークバルブ１１４とから主に構成されている。
【０００８】
上記真空容器１は、上側にベルジャー１２を有している。真空容器１の上部器壁には中央に円形の開口が設けられ、ベルジャー１２はこの開口に気密に接続されている。ベルジャー１２は、先端が半球状で下端が開口になっている直径１００ｍｍ程度の円筒状の形状を有するものであり、石英ガラス等の誘電体で形成されている。真空容器１は、上部の壁の中央に円形の開口を有し、この開口に気密に接続することでベルジャー１２が配置されている。
【０００９】
ガス導入機構２は、図１に示す例では、二つのガス導入系２１，２２から構成されており、二種の異なるガスを同時に導入できるようになっている。各々のガス導入系２１，２２は、不図示のタンクに接続された配管２１１，２２１と、配管２１１，２２１の終端に接続されたガス導入体２１２，２２２とから主に構成されている。
図２は、上記ガス導入体の構成を説明する図である。図２に示すように、ガス導入体２１２，２２２は、断面円形の円環状のパイプから構成されている。このガス導入体２１２，２２２は、真空容器１に設けられた支持棒２３によって支持され、真空容器１の内面に沿う形で水平に配置されている。尚、真空容器１は、円筒形の場合もあるし、角筒形の場合もある。
【００１０】
また、真空容器１の壁を気密に貫通する状態で輸送管２４が設けられており、この輸送管２４の一端はガス導入体２１２，２２２に接続されている。ガス導入体２１２，２２２の他端は図１の配管２１１，２２１に接続されている。
そして、ガス導入体２１２，２２２は、図２に示すように、その内側面にガス吹き出し口２５を有している。このガス吹き出し口２５は、直径０．５ｍｍ程度の開口であり、２５ｍｍ程度の間隔をおいて周上に設けられている。
【００１１】
一方、図１に戻り、電力供給機構３は、ベルジャー１２の周囲を取り囲んで配置された高周波コイル３１と、この高周波コイル３１に整合器３２を介して高周波電力を供給する高周波電源３３とから主に構成されている。高周波電源３３には、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を発生させるものが採用され、高周波コイル３１からベルジャー１２内にこの高周波電力が供給される。
【００１２】
また、真空容器１内のベルジャー１２下方位置には、基板ホルダー４が設けられている。この基板ホルダー４は、薄膜作成を行う基板４０を上面に載置させるものであり、必要に応じて基板４０を加熱又は冷却する温度調節機構４１を内蔵している。
この基板ホルダー４には、生成されるプラズマと高周波との相互作用によって基板４０に所定の基板バイアス電圧を印加するための基板バイアス電圧印加機構４２が付設されている。基板バイアス電圧印加機構４２は、基板用整合器４２１と、基板用整合器４２１を介して印加する所定の高周波電力を発生させる基板用高周波電源４２２とから構成されている。尚、「プラズマと高周波との相互作用によるバイアス電圧」には、高周波電源４２２とプラズマとの間に相当のキャパシタンスが存在していることが必要である。従って、基板ホルダー４や基板４０がすべて金属で形成されている場合には、基板ホルダー４への給電ライン上に所定のコンデンサを配置するようにする。
【００１３】
次に、本実施例の装置の大きな特徴点の一つである防着シールド５，５０について説明する。図３は、防着シールドの外観を説明する斜視図である。
図１及び図３に示すように、防着シールド５，５０は、多孔質材料からなる板状の部材で形成されている。図１に示すように、本実施例では、ベルジャー１２と基板ホルダー４の間の部分の内面を覆う防着シールド５と、その他の部分の内面を覆う補助防着シールド５０とを配置している。これら防着シールド５，５０を形成する板状の部材は、例えばＥＮＥＲＧＹ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＡＮＤ  ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ，Ｉｎｃ．社製のＤＵＯＣＥＬ等の多孔質材料で成形されており、厚さは例えば８ｍｍ程度である。
【００１４】
防着シールド５は、このような多孔質材料から板状の部材を丸めてほぼ円筒状に形成されている。図１に示すように、ほぼ円筒状の防着シールド５は、上にいくに従って徐々に内径が小さくなる形状になっている。防着シールド５の上半分の丸みを帯びている部分の曲率は、基板ホルダー４上の基板４０の中心点に対してほぼ球面を形成するよう構成されている。また、防着シールド５は、一つの板状の部材のみで上記ほぼ円筒状を形成しているのではなく、複数の部材を周状に並べて上記ほぼ円筒状を形成している。
【００１５】
この防着シールド５は、第一第二の二つのシールド支持体５１，５２によって交換可能に配置されている。まず、第一のシールド支持体５１は、帯板を周状に形成したような円環状の部材である。この第一のシールド支持体５１は、板の縁を真空容器の上壁部分に固定するようにして配置されている。そして、図１に示すように、第一のシールド支持体５１は、途中から外側に折れ曲がっており、その折れ曲がった部分で防着シールド５の先端を支持するようになっている。
【００１６】
また、第二のシールド支持体５２も同様に帯板を周状に形成したような円環状の部材である。この第二のシールド支持体５２は、板の縁の部分を真空容器１の側壁部分に固定するようにして配置されている。図１に示すように、第二のシールド支持体５２は、途中から上方に折れ曲がっており、その折れ曲がった部分（以下、先端部）で防着シールド５を支持するようになっている。尚、先端部は、完全な円環を形成するのではなく、所定距離の円弧ごとに分割して複数設けられている。
【００１７】
上記第二のシールド支持体５２の先端部は、不図示の蝶番が設けられて図１に示すように開閉可能になっている。防着シールド５を交換のために取り外す際には、真空容器１の上側部分を持ち上げて下側部分から分離した後、第二のシールド支持体５２の先端部を図１中点線で示すように開いて防着シールド５を取り出す。また、新しい防着シールド５を取り付ける際には、第二のシールド支持体５２を開いた状態にして図１に示すように防着シールド５を配置し、その後先端部を閉じて先端部が動かないように固定する。
【００１８】
上記防着シールド５には、シールドバイアス電圧印加機構５３が設けられている。本実施例のシールドバイアス電圧印加機構５３は、シールド用整合器５３１と、シールド用整合器５３１を介して防着シールド５に印加する所定の高周波電力を発生させるシールド用高周波電源５３２とから主に構成されている。即ち、本実施例のシールドバイアス電圧印加機構５３は、基板バイアス電圧印加機構４２と同様に、前記「プラズマと高周波との相互作用によるバイアス電圧」を発生させる機構が採用されている。
【００１９】
なお、防着シールド５が誘電体からなる場合、防着シールド５の厚さが厚くなると、高周波によるバイアス電圧の印加が難しくなる。その点から、例えば防着シールド５がアルミナからなる場合、３ｍｍ程度以下の厚さとすることが好ましい。
尚、シールド用整合器５３１からの給電ラインは、第一第二のシールド支持体５１，５２に対して接続されている。即ち、第一第二のシールド支持体５１，５２は、絶縁材５４を介在させて真空容器１の器壁に貫通させて配置されており、この第一第二のシールド支持体５１，５２に給電ラインを接続している。
【００２０】
また、補助防着シールド５０は、図１に示すように上記防着シールド５が覆う部分以外の容器内面を覆うように配置されている。この補助防着シールド５０は、防着シールド５と異なり、平坦な板状の部材で形成されている。補助防着シールド５０は、防着シールド５の場合と同様に構成して交換可能としてもよい。ただ、補助防着シールド５０への浮遊材料の付着は比較的少ないので、交換可能としなくても良い。これら防着シールド５及び補助防着シールド５０によって、開口部分を除く真空容器１の内面の全面が覆われている。尚、前述したように、対象物としての基板４０は、基板ホルダー４に載置されるようになっており、防着シールド５，５０は、基板ホルダー４とは別に設けられた部材である。
【００２１】
次に、上記構成に係る本実施例の真空処理装置の動作について説明する。
まず、真空容器１に設けられた不図示のゲートバルブを通して基板４０を真空容器１内に搬入し、基板ホルダー４上に載置する。ゲートバルブを閉じて排気系１１を作動させ、真空容器１内を例えば５ｍＴｏｒｒ程度まで排気する。
次に、ガス導入機構２を動作させ、所定のガスを所定の流量で真空容器１内に導入する。この際、ガスは、配管２１１，２２１から輸送管２４を経由してガス導入体２１２，２２２に供給され、ガス導入体２１２，２２２のガス吹き出し口２５から内側に吹き出すようにして真空容器１内に導入される。導入されたガスは真空容器１内を拡散してベルジャー１２内に達する。
【００２２】
この状態で電力供給機構３を作動させて、高周波電源３３から整合器３２を介して高周波コイル３１に１３．５６ＭＨｚ２５００Ｗ程度の高周波電力を印加する。同時に、基板バイアス電圧印加機構４２及びシールドバイアス電圧印加機構５３も動作し、基板４０及び防着シールド５に所定のバイアス電圧がそれぞれ印加される。
電力供給機構３が供給した高周波電力は、高周波コイル３１を介してベルジャー１２内に導入され、ベルジャー１２内に存在するガスにエネルギーを与えてプラズマを生成する。生成されたプラズマは、ベルジャー１２から下方の基板４０に向けて拡散する。プラズマ中では、所定の生成物が生じ、この生成物が基板４０に到達することにより所定の処理が施される。
【００２３】
例えば酸化硅素薄膜を作成するプラズマ気相成長処理を行う場合、第一のガス導入系２１によってモノシランガスを導入し、第二のガス導入系２２によって酸素ガスを導入する。モノシラン／酸素のプラズマによってモノシランが分解し、酸素と反応することによって酸化硅素薄膜が作成される。
この際、基板バイアス電圧印加機構４２が与える基板バイアス電圧によって、基板４０の表面にはプラズマ中のイオンが基板４０の表面に衝突するようになっている。このイオン衝撃が与えるエネルギーによって効率良く薄膜作成が行われる。
【００２４】
さて、上述のような動作を行う本実施例の真空処理装置においては、防着シールド５，５０によって浮遊材料が捕集され、塵埃の発生が抑制されている。図４を用いてこの点をさらに詳しく説明する。図４は、防着シールドの作用効果を説明する断面概略図である。
まず、真空容器１の内部には何らかの浮遊材料が存在している。例えば、上述のようなプラズマ気相成長を行う装置ではプラズマ中で生成された材料が浮遊しているし、プラズマエッチングを行う装置では、エッチングされた材料が真空容器１内で浮遊する。このような浮遊材料が真空容器１の内面に付着すると、従来の装置では前述のように内面に薄膜が堆積する場合があった。
【００２５】
しかしながら、本実施例の装置では、図４（ａ）に示す通り、防着シールド５，５０が真空容器１の内面を覆っているので、浮遊材料は防着シールド５，５０に付着し容器内面には付着しない。このため、容器内面には、薄膜が堆積しないようになっている。そしてこの際、本実施例の防着シールド５，５０が前述のように多孔質材料で形成されているので、その孔の部分に浮遊材料が捕集され、上記防着効果がさらに向上している（図４（ｂ））。そして、浮遊材料の捕集が進んで薄膜に成長したとしても、その薄膜は防着シールド５，５０の複雑な孔の内部で堆積するため、容易に剥離せず、長い時間に亘って薄膜剥離による塵埃の発生を防止することができる（図４（ｃ））。
【００２６】
またさらに、本実施例では、図１，図３及び図４に示すように防着シールド５，５０が真空容器１から離間した位置に配置されている。この場合、多孔質材料の当該孔が単なる凹部ではなく少なくとも一部分で貫通したものであると、防着シールド５，５０が通気性を有することになり、真空容器１内に存在するガスの流れは防着シールド５，５０の部分を容易に通過することになる。このため、このガスの流れに乗ってきた浮遊材料が効率よく防着シールド５，５０に捕集され、さらに捕集効果が向上する。尚、真空容器１内は定常状態ではガスの流れは少ないが、大気圧から排気を開始した際やガス導入機構２によってガス導入を開始した際などには、相当のガスの流れが発生する。
【００２７】
このような多孔質材料の作用効果については、孔の大きさや密度が特に重要である。本願の発明者の検討によると、孔の大きさについては０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度が最適である。即ち、あまり孔が大きすぎると、浮遊材料が通過して背後の真空容器１の内面に達してしまうし、あまり孔が小さすぎると、すぐに目詰まりして効果が無くなってしまうからである。ただ、このような多孔質材料の孔の大きさや密度は、実際には体積開口率ｒ（＝（孔以外の部分の体積）／（孔も含めた全体積）×１００）で表され、ｒを３〜１２程度しておくことが好ましい。
【００２８】
尚、この場合のｒの上限は、孔を形成する材料の柔軟性にも関連する。即ち、ｒを大きくとって孔の部分の体積の比率を大きくしていくと、孔を形成する材料の部分の量が少なくなるから、その部分の剛性が低下する。あまりに剛性が低下すると強度的に問題となるが、ある程度柔軟性がないと、薄膜の内部応力による変形を許容できなくなる問題がある。
即ち、孔の中への浮遊材料の付着が進むと、内部に薄膜が堆積する。この堆積した薄膜は内部応力を緩和しようと変形するが、孔の周囲の材料の剛性が高いとこの変形が許容されないので、薄膜は割れて剥離してしまう。剥離した薄膜は、従来のように塵埃となってしまう。
【００２９】
このような柔軟性は、例えば多孔質材料がアルミナから形成される場合、体積開口率ｒが９程度になるように成形しておくと達成される。尚、多孔質材料の成形は、所定の成形器に溶融した材料を封入し、所定の高圧ガスを吹き込みながら圧縮して冷却することで行われる。体積開口率は、多孔構造として成形した場合の単位体積あたりの重量と、孔を形成しないで成形した場合の単位体積あたりの重量とを比較することにより算出される。
【００３０】
また、上述した本実施例の装置の動作において、シールドバイアス電圧機構に５３よって所定のシールドバイアス電圧を防着シールド５に印加するようにするとさらに好適である。即ち、防着シールド５に堆積した薄膜がプラズマ中のイオンによってスパッタされる程度のシールドバイアス電圧を印加することによって、防着シールド５における薄膜堆積が抑制される。
【００３１】
また、防着シールド５に堆積した薄膜をプラズマエッチングによって除去するようにすることも有効である。例えば、上述した酸化硅素薄膜の作成を６００回程度繰り返すと、防着シールド５の孔の内部に厚く薄膜が堆積してしまう。この場合、上述したように防着シールド５そのものを交換してしまってもよいが、プラズマエッチングによって薄膜を除去するようにするとさらに好適である。
プラズマエッチングを行う場合には、ガス導入機構２によって四フッ化炭素等のフッ素系のガスを真空容器１内に導入し、電力供給機構３によってプラズマを形成する。プラズマ中ではフッ素系の励起活性種が生成され、この励起活性種が孔の内部に進入することで、内部に堆積した薄膜がエッチングして除去される。即ち、励起活性種は、薄膜と反応して揮発物を生成し、この揮発物が排気系によって排出されることで薄膜が除去される。
【００３２】
上述した実施例の真空処理装置は、ヘリコン波プラズマを利用するように構成を変更することができる。ヘリコン波プラズマは、強い磁場を加えるとプラズマ振動数より低い周波数の電磁波が減衰せずにプラズマ中を伝搬することを利用するものであり、高密度プラズマを低圧で生成できる技術として最近注目されているものである。プラズマ中の電磁波の伝搬方向と磁場の方向とが平行のとき、電磁波はある定まった方向の円偏光となり螺旋状に進行する。このことからヘリコン波プラズマと呼ばれている。
ヘリコン波プラズマを形成する場合には、一本の棒状の部材を曲げて丸い上下二段のループ状に形成したループ状アンテナを図１の高周波コイル３１に代えてベルジャー１１の外側を取り囲むようにして配置し、その外側にヘリコン波用磁場設定手段としての直流の電磁石をベルジャー１２と同心上に配置する。整合器２２を介して高周波電源２３から１３．５６ＭＨｚの高周波をベルジャー１２内に供給すると、磁場の作用によって上記ヘリコン波プラズマが形成される。
【００３３】
上記実施例の説明では、真空処理の例としてプラズマ気相成長を採り上げたが、本願の発明はこれに限って適用されるものではなく、プラズマエッチングやスパッタリング等の各種の真空処理に対して適用可能である。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本願の請求項１記載の発明によれば、防着シールドによって真空容器の内面への浮遊材料の付着が防止されるので、容器内面に堆積した薄膜の剥離に起因した問題が解決され、良質な真空処理を行える。また、防着シールドに堆積した薄膜が内部応力を緩和しようして変形するのが許容されるので、薄膜の剥離が抑制されてさらに防塵効果が向上する。
また請求項２記載の発明によれば、防着シールドが真空容器の内面の全面を覆うよう構成されているので、上記請求項１の効果がさらに向上する。
また請求項３記載の発明によれば、上記請求項１又は２の効果において、防着シールドを通るガスの流れに乗ってきた浮遊粒子が効率よく防着シールドに捕集されるため、さらに捕集効果が向上する。
また請求項４記載の発明によれば、上記請求項１，２又は３の効果において、浮遊材料の通過してしまって効果が低減することがなく、またすぐに目詰まりが生じて効果が無くなってしまう問題がない。
また請求項５記載の発明によれば、上記請求項１，２，３又は４の効果において、防着シールドを交換することができるので、浮遊材料の捕集効果を再生することでさらに良質な真空処理を継続することができる。
また請求項６記載の発明によれば、上記請求項１，２，３，４又は５の効果を得ながらプラズマを利用した処理を施すことが可能となる。
また請求項７記載の発明によれば、上記請求項６の効果に加え、防着シールドに堆積した薄膜をエッチングによって除去することができるので、浮遊材料の捕集効果を再生することでさらに良質な真空処理を継続することができる。
さらに請求項８記載の発明によれば、上記請求項６又は７の効果を得るに際し、シールドバイアス電圧が防着シールドに印加されるので、堆積する薄膜をスパッタして再放出させたり、プラズマエッチングによる薄膜除去を効率化させたりする効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の実施例の真空処理装置の概略図である。
【図２】図１のガス導入体２１２，２２２の構成を説明する図である。
【図３】防着シールドの外観を説明する斜視図である。
【図４】防着シールドの作用効果を説明する断面概略図である。
【図５】従来の真空処理装置の一例としてプラズマ気相成長装置の概略構成を示したものである。
【符号の説明】
１  真空容器
１１  排気系
２  ガス導入機構
３  電力供給機構
４  基板ホルダー
４０  対象物としての基板
５  防着シールド
５０  補助防着シールド
５３  シールドバイアス電圧印加機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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