(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号の伝送方向には減衰が小さく、逆方向へは減衰が大きい特性を有し、信号の入出力ポートに整合用コンデンサを配置した非可逆回路素子において、上記整合用コンデンサを、誘電体基板の両主面全面に該基板を挟んで対向するように容量電極を形成してなる単板型コンデンサにより構成し、該単板型コンデンサの容量電極が接続される被接続電極のうちコールド・エンド側の外周縁の少なくとも一部が上記容量電極の外周縁より内側に位置するように形成されていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
請求項１において、上記単板型コンデンサの容量電極が接続される被接続電極のうちホット・エンド側の外周縁の少なくとも一部が上記容量電極の外周縁より内側に位置するように形成されていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、上記被接続電極の外周縁がこれの全周にわたって容量電極の外周縁の内側に位置していることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項４】
請求項１又は２において、上記容量電極及び被接続電極が長方形からなり、該被接続電極の長辺縁が上記容量電極の長辺縁より内側に位置していることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項５】
請求項４において、上記被接続電極の長辺縁の一部が容量電極の長辺縁まで延長形成されていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項６】
請求項１又は２において、上記被接続電極の外側の非接続部が絶縁材料からなる非接合膜により覆われていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項７】
請求項６において、上記非接合膜が樹脂により被覆されたものであることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項８】
請求項７において、上記非接合膜が樹脂を印刷することにより形成されたものであることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項９】
請求項６において、上記被接続電極が下地として被覆された非接合膜の上面に形成されたものであることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項１０】
請求項１又は２において、上記被接続電極の外側の非接続部が容量電極の外周縁から遠ざかるように段落ち形成されていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項１１】
請求項１ないし１０の何れかにおいて、上記単板型コンデンサが、誘電体母基板の両主面に該母基板を挟んで対向するように電極をパターン形成し、該母基板を所定寸法に切断して製造されたものであることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項１２】
請求項１ないし１１の何れかにおいて、上記単板型コンデンサと、上記被接続電極が形成されたアース部材とが互いに接合された状態で一体に組み込まれていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項１３】
請求項１ないし１２の何れかにおいて、上記単板型コンデンサの誘電体基板の厚さが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項１４】
請求項１ないし１３の何れかにおいて、上記単板型コンデンサの容量電極の厚さが０．０５ｍｍ以下であることを特徴とする非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波帯で用いられるアイソレータ，サーキュレータ等の非可逆回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、携帯電話等の移動通信機器に採用される集中定数型アイソレータは、送信信号を伝送方向にのみ通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有している。また、最近の移動通信機器では、その用途からして小型，軽量化とともに、低コスト化に対する要求が強くなっており、これに伴ってアイソレータにおいても同様に小型，軽量化及び低コスト化が要請されている。
【０００３】
このような集中定数型アイソレータとして、従来、図２０に示すように、上，下ヨーク５０，５１内にそれぞれ上から順に永久磁石５２，中心電極体５３，及び整合回路基板５４，アース板５５を配置した構造のものがある。この中心電極体５３は円板のフェライト５６に３本の中心電極５７・・を電気的絶縁状態で互いに交差させて配置して構成されている。
【０００４】
また上記整合回路基板５４は、矩形薄板状の誘電体基板５４ａの中央部に上記中心電極体５３が挿通配置される丸孔５４ｂを形成し、該誘電体基板５４ａの丸孔５４ｂの周縁に上記各中心電極５６の入出力ポートＰ１〜Ｐ３が接続されるコンデンサ電極５８・・を形成した構造のものである。なお、このポートＰ３には終端抵抗膜５９が接続されている。
【０００５】
しかしながら、上記従来の整合回路基板５４では、薄板の誘電体基板５４ａに丸孔５４ｂを形成したり，各コンデンサ電極５８をパターン形成したりする必要があることから、製造時の加工や組付け時の扱いに手間がかかり、コストが上昇するという問題がある。
【０００６】
また従来の整合回路基板５４では、コンデンサ電極５８以外の部分が無駄な面積増大，及び重量増大をもたらし、上述の小型化，軽量化に応えられないという問題がある。ちなみに、近年のアイソレータでは、ミリグラム単位での重量軽減が要請されている。
【０００７】
このような整合回路基板に替わる整合用コンデンサとして、誘電体基板の両面全面に該基板を挟んで対向する容量電極を形成した単板型コンデンサを採用する場合がある。
【０００８】
この単板型コンデンサは、大きな平板からなる母基板の両主面に電極を形成し、該母基板を所定寸法にカット加工するだけで製造でき、大量生産が可能である。このため従来の誘電体基板に丸孔や複数のコンデンサ電極を形成する場合に比べて加工及び扱いが容易であり、コストを低減できる。また基板全面に電極を形成するので、無駄な面積増大，重量増大をなくすことができ、それだけ小型化，軽量化を図ることができる。
【０００９】
図１６〜図１８は、上記単板型コンデンサを採用したアイソレータの一例を示し、図中、図２０と同一符号は同一又は相当部分を示す。これは樹脂製アース部材６０の底壁６０ａに中心電極体５３が挿通配置される丸孔６１を形成し、該丸孔６１の周縁に中心電極体５３を囲むように各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を配置するとともに、単板型抵抗体Ｒを配置して構成されている。
【００１０】
また各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３のコールド・エンド側（下面）の容量電極６２にはアース部材６０に形成されたアース電極６３が形成されており、ホット・エンド側（上面）の容量電極６２には各中心電極５７の入出力ポートＰ１〜Ｐ３が接続されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３は、図１９（ａ），図１９（ｂ）に示すように、容量電極６２が誘電体基板６４の端縁６４ａまで位置することから、この端縁６４ａ部分の容量電極６２には応力が集中し易く、母基板の切断時に微小なひびが発生し易く、誘電体基板６４から剥離する場合がある。
【００１２】
また、図１９（ｃ）に示すように、上記容量電極６２全面をアース電極６３に半田付け接続する場合、誘電体基板６４とアース電極６３との線膨張係数の差による熱応力が起因となって、容量電極６２が剥離し易くなる。
【００１３】
特にアイソレータに採用する場合、送信時にはＩ．Ｌ．や反射電力の終端抵抗での消費に伴う発熱があり、他方の受信時には再び冷えるなどの熱サイクルにかけられることから、電極剥がれの問題が発生し易くなる。
【００１４】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたもので、電極剥離の問題を回避できる非可逆回路素子を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、信号の伝送方向には減衰が小さく、逆方向へは減衰が大きい特性を有し、信号の入出力ポートに整合用コンデンサを配置した非可逆回路素子において、上記整合用コンデンサを、誘電体基板の両主面全面に該基板を挟んで対向するように容量電極を形成してなる単板型コンデンサにより構成し、該単板型コンデンサの容量電極が接続される被接続電極のうちコールド・エンド側の外周縁の少なくとも一部が上記容量電極の外周縁より内側に位置するように形成されていることを特徴としている。
【００１６】
請求項２の発明は、請求項１において、被接続電極のうちホット・エンド側の外周縁の少なくとも一部が上記容量電極の外周縁より内側に位置するように形成されていることを特徴としている。
【００１７】
請求項３の発明は、請求項１又は２において、上記被接続電極の外周縁がこれの全周にわたって容量電極の外周縁の内側に位置していることを特徴としている。
【００１８】
請求項４の発明は、請求項１又は２において、上記容量電極及び被接続電極が長方形からなり、該被接続電極の長辺縁が上記容量電極の長辺縁より内側に位置していることを特徴としている。
【００１９】
請求項５の発明は、請求項４において、上記被接続電極の長辺縁の一部が容量電極の長辺縁まで延長形成されていることを特徴としている。
【００２０】
請求項６の発明は、請求項１又は２において、上記被接続電極の外側の非接続部が絶縁材料からなる非接合膜により覆われていることを特徴としている。
【００２１】
請求項７の発明は、請求項６において、上記非接合膜が樹脂により被覆されたものであることを特徴としている。
【００２２】
請求項８の発明は、請求項７において、上記非接合膜が樹脂を印刷することにより形成されたものであることを特徴としている。
【００２３】
請求項９の発明は、請求項６において、上記被接続電極が下地として被覆された非接合膜の上面に形成されたものであることを特徴としている。
【００２４】
請求項１０の発明は、請求項１又は２において、上記被接続電極の外側の非接続部が容量電極の外周縁から遠ざかるように段落ち形成されていることを特徴としている。
【００２８】
請求項１１の発明は、請求項１ないし１０の何れかにおいて、上記単板型コンデンサが、誘電体母基板の両主面に該母基板を挟んで対向するように電極をパターン形成し、該母基板を所定寸法に切断して製造されたものであることを特徴としている。
【００２９】
請求項１２の発明は、請求項１ないし１１の何れかにおいて、上記単板型コンデンサと、上記被接続電極が形成されたアース部材とが互いに接合された状態で一体に組み込まれていることを特徴としている。
【００３０】
請求項１３の発明は、請求項１ないし１２の何れかにおいて、上記単板型コンデンサの誘電体基板の厚さが０．５ｍｍ以下であることを特徴としている。
【００３１】
請求項１４の発明は、請求項１ないし１３の何れかにおいて、上記単板型コンデンサの容量電極の厚さが０．０５ｍｍ以下であることを特徴としている。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。図１ないし図５は、請求項１、２、３、１１、１２の発明の一実施形態による集中定数型アイソレータを説明するための図であり、図１は集中定数型アイソレータの分解斜視図、図２（ａ）〜図２（ｃ）はそれぞれアース部材の平面図，底面図，電極パターンの透視図、図３，図４は単板型コンデンサの接続状態を示す断面図，平面図、図５は単板型コンデンサの製造方法を示す図である。
【００３３】
本実施形態の集中定数型アイソレータ１は、左, 右側壁２ａ，２ａと底壁２ｂとを有する磁性体金属製下ヨーク２に樹脂製アース部材３を配置するとともに、該アース部材３に中心電極組立体４を配置し、上記下ヨーク２に同じく磁性体金属からなる箱状の上ヨーク５を装着して磁気閉回路を形成して構成されている。また上記上ヨーク５の内面には円板状の永久磁石６が貼着されており、該永久磁石６により上記中心電極組立体４に直流磁界を印加するようになっている。
【００３４】
上記アイソレータ１の外形は平面寸法が７．５×７．５ｍｍ以下で、高さが２．５ｍｍ以下の直方体のものであり、不図示の回路基板のライン上に表面実装される。
【００３５】
上記中心電極組立体４は、円板状のフェライト１２の上面に３本の中心電極１３〜１５を電気的絶縁状態で１２０度角度ごとに交互に交差させて配置し、該各中心電極１３〜１５の一端側の入出力ポートＰ１〜Ｐ３を外方に突出するとともに、他端側の各中心電極１３〜１５共通のシールド部１６を上記フェライト１２の下面に当接した構造のものであり、このシールド部１６は下ヨーク２の底壁２ｂに接続されている。
【００３６】
上記アース部材３は矩形枠状の側壁３ａに底壁３ｂを一体形成した構造のもので、該底壁３ｂの中央部には上記中心電極組立体４が挿入配置される丸孔７が形成されている。この底壁３ｂの丸孔７の周縁にはそれぞれコンデンサ位置決め凹部３ｃが凹設されており、該各凹部３ｃの底面にはそれぞれアース電極８が形成されている。この各アース電極８は左, 右側壁３ａの外面に形成されたアース端子９，９に接続されている。
【００３７】
また上記底壁３ｂの左, 右上端部にはそれぞれ入出力ポート電極１０，１０が形成されており、該各ポート電極１０は左, 右側壁３ａの外面に形成された入出力端子１１，１１に接続されている。この各アース端子９，入出力端子１１が不図示の回路基板のライン上に表面実装される。
【００３８】
上記各位置決め凹部３ｃ内には単板型の整合用コンデンサＣ１〜Ｃ３が収納配置されている。また上記下縁部の位置決め凹部３ｃ内には単板型コンデンサＣ３と並列に終端抵抗Ｒが配置されており、該終端抵抗Ｒはアース端子９に接続されている。
【００３９】
この各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３は、図３に示すように、長方形からなる薄板状誘電体基板１７の両主面全面に該基板１７を挟んで対向するように容量電極１８，１８を形成した構造のものである。また上記単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３は、図５に示すように、大きな平板からなる母基板１９の両表面に印刷，メッキ，圧着，蒸着等の方法により銀製厚膜の電極２０をパターン形成し、該母基板１９を所定寸法に切断することにより製造されたものである。
【００４０】
そして上記各アース電極８はこれの外周縁８ａ全周にわたって上記容量電極１８の外周縁１８の内側に位置するように該容量電極１８より小さく形成されており、これによりアース電極８の外周部は容量電極１８が接続されない非接続部２１となっている。この各アース電極８に各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３のコールド・エンド側の容量電極１８が半田付け接続されている。
【００４１】
上記各中心電極１３〜１５の入出力ポートＰ１〜Ｐ３はそれぞれ単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３の容量電極１８の外周縁１８ａの内側に位置するように形成されており、各入出力ポートＰ１〜Ｐ３はホット・エンド側の容量電極１８に半田付け接続されている。この各入出力ポートＰ１〜Ｐ３のうち２つのポートＰ１，Ｐ２の先端部は上記入出力ポート電極１０に接続されており、残りのポートＰ３の先端部は終端抵抗Ｒに接続されている。
【００４２】
次に本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態の集中定数型アイソレータ１によれば、各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３の容量電極１８が接続されるアース電極８の外周縁８ａ，及び入出力ポートＰ１〜Ｐ３を容量電極１８の外周縁１８ａより内側に位置するように小さく形成したので、応力集中や製造時にひび割れが生じ易い容量電極１８の端縁部における電極剥離を防止でき、品質に対する信頼性を向上できる。
【００４３】
また各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３の誘電体基板１７とアース電極８，中心電極１３〜１５との線膨張率の差による熱応力が生じても容量電極１８の端縁部は接続されないので、電極剥離が生じることはない。これによりアイソレータ１の送信時，受信時に繰り返しの熱サイクルが生じても電極剥離の問題を解消でき、この点からも品質に対する信頼性を向上できる。
【００４４】
本実施形態では、単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を採用したので、上述のように製造が容易でかつ大量生産が可能となり、部品コストを低減できる。また従来の丸孔やコンデンサ電極を形成する場合に比べて加工，及び扱いが容易であり、かつ無駄な面積増大，重量増大をなくすことができ、小型化，軽量化に貢献できる。
【００４５】
図６ないし図１３はそれぞれ請求項４〜１０の発明の一実施形態による集中定数型アイソレータを説明するための図である。図中、図２〜図４と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００４６】
図６は、請求項４の発明の一実施形態を示し、これは長方形に形成されたアース電極８の両長辺縁８ｂのみを容量電極１８の両長辺縁より内側に位置するように形成して構成されている。
【００４７】
本実施形態では、アース電極８の長辺縁８ｂを容量電極１８の内側に位置させたので、電極剥離が生じ易い横方向における電極剥がれを防止できるとともに、縦方向における電極面積を大きくできる。またアース電極８の長辺側を長くできるので、長さの異なる単板型コンデンサに対応できる。
【００４８】
図７は、請求項５の発明の一実施形態を示し、これはアース電極８の両長辺縁８ｂを容量電極１８の両長辺縁より内側に位置させるとともに、長辺縁８ｂの長手方向中央部８ｃを容量電極１８の端縁まで延長形成して構成されている。本実施形態においても、電極剥離が生じ易い横方向における電極剥がれを防止しながら、電極面積を大きくできる。
【００４９】
図８及び図９は、請求項６〜８の発明の一実施形態を示す。これは、各アース電極８の非接続部２１に絶縁性樹脂を印刷することにより非接合膜２５を被覆形成して構成されており、この非接合膜２５に各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３の容量電極１８の外周縁１８ａが当接している。
【００５０】
本実施形態では、非接合部２１に樹脂による非接合膜２５を被覆したので、容量電極１８の外周縁１８ａにおける接合を確実に防止でき、電極剥離をさらに防止できる。これによりアイソレータ１のアース・インピーダンスを下げることができ、ＩＬが減少する分だけ不要輻射を低減できるとともに、高調波除去能力を改善でき、ひいては通信機器に採用した場合の高性能化を図ることができ、かつ安定した動作が得られる。なお、上記非接合膜２５は樹脂に限られるものではなく、他の絶縁材料を被覆してもよい。
【００５１】
図１０は、請求項９の発明の一実施形態による集中定数型アイソレータを示す。これは収納凹部３ｃの底面全面に非接合膜２６を被覆形成し、該非接合膜２６の上面にアース電極８を形成して構成されている。この非接合膜２６にはステンレスが採用されており、上記アース電極８には金メッキが採用されている。
【００５２】
本実施形態では、下地として被覆した非接合膜２６の上面にアース電極８を形成したので、アース電極８以外は非接合膜２６となるので、アース電極８の形状等が複雑となる場合の非接合膜２６の形成を容易にでき、上記同様に電極剥離をより確実に防止でき、不要輻射を低減できるとともに、高調波除去能力を改善できる。
【００５３】
図１１〜図１３は、請求項１０の発明の一実施形態による集中定数型アイソレータを示し、これはアース部材３の凹部３ｃの非接続部２１に対応する部分に容量電極１８の外周縁１８ａから遠ざかるように段落ち部３ｄを形成して構成されている。
【００５４】
本実施形態では、非接続部２１に対応する部分に段落ち部３ｄを形成したので、容量電極１８の外周縁１８ａは非接触となり、凹部３ｃ内の全面にアース電極８を形成した場合の電極剥離を防止できる。
【００５５】
図１４及び図１５は、参考例として示す集中定数型アイソレータである。これは各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３の誘電体基板１７の外周縁に非接合部３０を形成し、これにより容量電極１８の外周縁１８ｂがアース電極８の外周縁８ｃの内側に位置するように形成されている。この非接合部３０を形成するには、誘電体基板１７の非接合部３０を除く部分に容量電極１８を印刷により形成したり，あるいは誘電体基板１７全面に形成した電極の外周縁をエッチングより除去したりすることにより実現できる。
【００５６】
本参考例では、各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３の誘電体基板１７の外周縁に非接合部３０を形成したので、応力集中や製造時にひび割れが生じ易い誘電体基板１７の端縁部には電極がないので、該端縁部における電極剥離を防止でき、品質に対する信頼性を向上できる。
【００５７】
次に、請求項１３及び１４の発明の一実施形態によるアイソレータについて説明する。本実施形態のアイソレータは、上述の各単板型コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３の誘電体基板１７の板厚を０．５ｍｍ以下とし、また上記容量電極１８の膜厚を０．０５ｍｍ以下としたことを特徴としている（図３，図９，図１０，図１３，図１５参照）。
【００５８】
上記単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３の誘電体基板１７の板厚を０．５ｍｍ以下としたので、電極剥がれの問題を生じさせることなく、単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３を小型化，薄型化することができ、ひいてはアイソレータのさらなる小型化に貢献できる。ちなみに、従来の電極全面を半田付けする場合、電極の剥がれを防止しながら必要容量値を得るには、誘電体基板の板厚を例えば１ｍｍ以上にする必要があり、コンデンサが大型化するという問題があった。
【００５９】
また各単板型コンデンサＣ１〜Ｃ３の容量電極１８の膜厚を０．０５ｍｍ以下とすることにより、誘電体基板１７の板厚を０．５ｍｍ以下とした場合の電極剥がれの問題をより確実に防止できる。
【００６０】
以下、上記実施形態の効果を確認するために行ったヒートサイクル試験について図２１〜図２６に基づいて説明する。
試験１
本試験１は、図２１に示すように、誘電体基板Ｄの板厚ｔｄが異なる単板型コンデンサを使用し、各単板型コンデンサの片面側の容量電極Ｅの全面を被接続電極としてのＣｕ板７０に半田付け接続し、この状態でヒートサイクル試験を行った。そして非半田側の容量電極ＥとＣｕ板７０との間における静電容量値の変化率を調べた（図２１の→印参照）。
【００６１】
上記誘電体基板Ｄの板厚ｔｄはそれぞれ０．１，０．２，０．５，１．０ｍｍとした。また上記容量電極ＥにはＡｇ厚膜電極を使用し、該電極Ｅの膜厚ｔｅは０．０２ｍｍとした。また接合用半田厚ｔａは０．０１〜０．０２ｍｍとし、さらにＣｕ板７０の板厚ｔｂは０．２ｍｍとした。
【００６２】
試験２
本試験２は、図２２（ａ），図２２（ｂ）に示すように、容量電極Ｅの膜厚ｔｅが異なる本発明品としての単板型コンデンサを用い、各単板型コンデンサの容量電極Ｅの両面にこれの外周縁より内側に位置するようにＣｕ板７１，７１を半田付け接続し、この状態でヒートサイクル試験を行い、上記試験１と同様に静電容量値の変化率を調べた。なお、各単板型コンデンサの大きさは長さ３ｍｍ×幅１ｍｍのものとした（図２２（ｂ）の平面図参照）。
【００６３】
上記容量電極Ｅの膜厚ｔｅはそれぞれ０．００５，０．０１，０．０２，０．０５，０．１ｍｍとした。また誘電体基板Ｄの板厚ｔｄは０．２ｍｍとし、さらに接合用半田厚ｔａ，及びＣｕ板７１の板厚ｔｂはそれぞれ上記試験１と同様の厚さとした。
【００６４】
図２３，図２４及び図２５，図２６はそれぞれ試験１，２の試験結果を示す特性図である。図中、○印は測定値の最大値，最小値であり、●印はその平均値であり、図２４及び図２６はそれぞれ試験１，２の２０００回サイクルにおける静電容量値の変化率をまとめた特性図である。
【００６５】
図２３，図２４に示すように、試験１の結果から、板厚ｔｄを０．１，０．２ｍｍとした場合は、静電容量変化率は平均値で−１．４，−１．２％（図中、●印参照）と大きくなっており、電極剥がれが生じていることが分かる。また板厚ｔｄを０．５，１．０ｍｍとした場合には、２０００回ヒートサイクル時の変化率は平均値で−０．３，−０．０５％と比較的小さくなっており、板厚ｔｄを大きくするほど電極剥がれが起き難くなっている。しかしながら、誘電体基板Ｄの板厚ｔｄを大きくする分だけ、コンデンサが大型化し、上述のアイソレータの小型化には応えられない。
【００６６】
これに対して試験２の結果では、図２５，図２６からも明らかなように、誘電体基板Ｄの板厚ｔｄを０．２ｍｍと小さくしたにもかかわらず、容量電極Ｅの膜厚ｔｅが０．００５〜０．０５ｍｍの範囲では静電容量の変化はほとんどなく、電極剥がれが生じていないことが分かる。これにより単板型コンデンサの容量電極の外周縁の内側にて非接続電極を半田付け接続することにより、従来に比べて誘電体基板を大幅に薄型化できる。
【００６７】
一方、容量電極Ｅの膜厚ｔｅを０．１ｍｍとした場合には、２０００回ヒートサイクル時の静電容量が平均値で−１．０％（図中、●印参照）と大きく変化している。これは厚いＣｕ板に容量電極全面が半田付けされたのと略同じとなり、これにより熱膨張係数の差に起因した熱応力によって電極剥がれが生じ易くなるものと考えられる。しかし、容量電極Ｅの膜厚ｔｅを０．１ｍｍにするには、誘電体基板Ｄの板厚ｔｄの１／２の厚さとなることから、コストや製造上の手間を考えると実際には困難である。
【００６８】
このように上記試験１，２の結果から、単板型コンデンサの誘電体基板Ｄの板厚ｔｄを０．５ｍｍ以下とするとともに、容量電極Ｅの膜厚ｔｅを０．０５ｍｍ以下とすることにより、電極剥離の問題を生じることなくコンデンサを小型化，薄板化でき、アイソレータのさらなる小型化に貢献できる。ここで、具体的には、誘電体基板Ｄの板厚ｔｄは０．１〜０．５ｍｍの範囲内とし、容量電極Ｅの膜厚ｔｅは０．００５〜０．０５ｍｍの範囲内とするのが望ましい。
【００６９】
なお、上述の各実施形態では、集中定数型アイソレータを例に説明したが、本発明はサーキュレータ等の非可逆回路素子にも勿論適用できる。
【００７０】
【発明の効果】
請求項１の発明に係る非可逆回路素子によれば、単板型コンデンサの容量電極が接続される被接続電極のうちコールド・エンド側の外周縁の少なくとも一部を上記容量電極の外周縁より内側に位置させたので、応力集中や製造時にひび割れが生じ易い容量電極の端縁部における電極剥離を防止でき、品質に対する信頼性を向上できる効果がある。また線膨張率の差による熱応力が生じても容量電極の端縁部は接合されないので、この点からも電極剥離を防止できる効果がある。
【００７１】
請求項２の発明では、上記被接続電極のうちホット・エンド側の外周縁の少なくとも一部を容量電極の外周縁より内側に位置させたので、上記請求項１と同様に電極剥離を防止できる効果がある。
【００７２】
請求項３の発明では、上記被接続電極の外周縁の全周にわたって容量電極の外周縁の内側に位置させたので、電極剥離を確実に防止できる効果がある。
【００７３】
請求項４の発明では、上記容量電極及び被接続電極を長方形とし、該被接続電極の長辺縁を上記容量電極の長辺縁より内側に位置させたので、電極剥離の生じ易い横方向における電極の剥がれを防止できるとともに、縦方向における電極面積を増大できる効果あり、また長さの異なるコンデンサに対応できる効果がある。
【００７４】
請求項５の発明では、上記被接続電極の長辺縁の一部を容量電極の長辺縁まで延長形成したので、上記同様に電極剥がれを防止しながら、横方向における電極面積を増大できる効果ある。
【００７５】
請求項６の発明では、被接続電極の外側の非接続部に絶縁材料からなる非接合膜を被覆したので、電極剥離をより確実に防止できる効果がある。
【００７６】
請求項７，８の発明では、上記非接合膜を樹脂を印刷することにより形成したので、非接合膜を容易に精度良く形成できる効果がある。
【００７７】
請求項９の発明では、被接続電極を下地として被覆した非接合膜の上面に形成したので、被接続電極以外は非接合膜となるので、形状の複雑な被接続電極を形成する場合の非接合膜の形成が容易にできる効果がある。
【００７８】
請求項１０の発明では、被接続電極の外側の非接続部を容量電極の外周縁から遠ざかるように段落ち形成したので、容量電極の外周縁を非接触状態にでき、電極剥離をより確実に防止できる効果がある。
【００８２】
請求項１１の発明では、単板型コンデンサを、誘電体母基板の両主面に該母基板を挟んで対向するように電極をパターン形成し、該母基板を所定寸法に切断して製造したので、製造が容易でかつ大量生産が可能となり、部品コストを低減できるとともに、無駄な面積増大，重量増大を解消でき、小型化，軽量化に貢献できる効果がある。
【００８３】
請求項１２の発明では、単板型コンデンサと、被接続電極が形成されたアース部材とを一体に組込んだので、電極剥離を防止して品質に対する信頼性を向上できる効果があり、また不要輻射の低減，及び高調波除去能力の改善を図ることができる効果ある。
【００８４】
請求項１３の発明では、単板型コンデンサの誘電体基板の厚さを０．５ｍｍ以下としたので、電極剥がれの問題を生じさせることなく、コンデンサ全体を小型化，薄型化することができ、ひいてはアイソレータのさらなる小型化に貢献できる効果がある。
【００８５】
請求項１４の発明では、単板型コンデンサの容量電極の膜厚を０．０５ｍｍとしたので、誘電体基板の厚さを０．５ｍｍ以下とした場合の電極剥がれの問題をより確実に防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  請求項１、２、３、１１、１２の発明の一実施形態による集中定数型アイソレータを説明するための分解斜視図である。
【図２】  上記アイソレータのアース部材を示す図である。
【図３】  上記アース部材の単板型コンデンサのコールド・エンド側の接続状態を示す図である。
【図４】  上記単板型コンデンサのホット・エンド側の接続状態を示す平面図である。
【図５】  上記単板型コンデンサの製造方法を示す図である。
【図６】  請求項４の発明の一実施形態によるアイソレータを示す分解状態の平面図である。
【図７】  請求項５の発明の一実施形態によるアイソレータを示す分解状態の平面図である。
【図８】  請求項６〜８の発明の一実施形態によるアイソレータを示す分解状態の平面図である。
【図９】  上記アイソレータの単板型コンデンサの接続状態を示す図である。
【図１０】  請求項９の発明の一実施形態によるアイソレータを示す図である。
【図１１】  請求項１０の発明の一実施形態によるアイソレータを示す斜視図である。
【図１２】  上記アイソレータの分解状態の平面図である。
【図１３】上記アイソレータの接続状態を示す図である。
【図１４】  参考例として示すアイソレータの分解状態の平面図である。
【図１５】  上記アイソレータの接続状態を示す図である。
【図１６】本発明の成立過程を説明するためのアイソレータの分解斜視図である。
【図１７】  上記成立過程の単板型コンデンサの分解構造を示す平面図である。
【図１８】  上記接続状態を示す図である。
【図１９】  上記単板型コンデンサの電極剥離を示す図である。
【図２０】  従来の一般的なアイソレータを示す分解斜視図である。
【図２１】  請求項１３、１４の発明の一実施形態による単板型コンデンサの効果を確認するために行った試験１を説明するための図である。
【図２２】  上記実施形態の効果を確認するために行った試験２を説明するための図である。
【図２３】  上記試験１のヒートサイクル数と静電容量変化率との関係を示す特性図である。
【図２４】  上記試験１の静電容量変化率と誘電体基板の板厚との関係を示す特性図である。
【図２５】  上記試験２のヒートサイクル数と静電容量変化率との関係を示す特性図である。
【図２６】  上記試験２の静電容量変化率と容量電極の膜厚との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
１          集中定数型アイソレータ（非可逆回路素子）
３          アース部材
８          アース電極（コールド・エンド側被接続電極）
８ａ        外周縁
１３〜１５  中心電極
１７        誘電体基板
１８        容量電極
１８ａ      外周縁
１９        母基板
２０        電極
２１        非接合部
２５，２６  非接合膜
Ｃ１〜Ｃ３  単板型コンデンサ
Ｐ１〜Ｐ３  入出力ポート（ホット・エンド側被接続電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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