(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウムを主成分とし、窒化チタンを１０〜３０モル％と、セリウムを酸化物（ＣｅＯ２）換算で６〜２０モル％と、全酸素量からＣｅにＣｅＯ２として結合している酸素量を差し引いた残りの酸素量をＡｌ２Ｏ３換算して０．３〜１０モル％との割合で含有してなり、ＣｅＡｌＯ３を生成せしめるために必要なＡｌ２Ｏ３よりも過剰のＡｌ２Ｏ３を含有せしめてなることを特徴とする窒化アルミニウム質焼結体。
【請求項２】
窒化アルミニウム粉末と、窒化チタン粉末と、ＣｅＯ２粉末と、Ａｌ２Ｏ３粉末とを含む粉末成形体を１７００〜１９５０℃で焼成して得られることを特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウム質焼結体。
【請求項３】
被固定物を静電気力によって吸着保持する静電チャックであって、被固定物を吸着保持する吸着面が、請求項１又は２記載の窒化アルミニウム質焼結体からなることを特徴とする静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐摩耗性、耐食性、耐プラズマ性に優れた抵抗体、主に半導体装置や液晶基板などの製造工程において、半導体ウエハやガラス基板などの被固定物を保持し、特に、被固定物を静電気力によって吸着保持する静電チャック等に使用される、高い静電気力を有する窒化アルミニウム質焼結体とそれを用いた静電チャックに関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、半導体製造工程において、半導体ウエハ（以下、ウエハと称す。）に微細加工を施すためのエッチング工程や、薄膜を形成するための成膜工程、あるいはフォトレジストを行うための露光処理工程等においては、ウエハを保持するために静電チャックが使用されている。
【０００３】
この種の静電チャックとしては、静電吸着用の電極板上にアルミナ、サファイアなどからなる誘電体層を形成したもの（特開昭６０−２６１３７７号公報）や、絶縁基体の上に静電吸着用電極を形成し、その上に誘電体層を形成したもの（特開平４−３４９５３号公報）、さらには誘電体材料からなる基体の内部に静電吸着用電極を埋設したもの（特開昭６２−９４９５３号公報）等誘電体層の上面を吸着面としたものが提案されている。
【０００４】
上記構造の静電チャックにおいては、吸着面にウエハを載置して静電吸着用電極とウエハとの間に電圧を印加することで誘電分極によるクーロン力やジョンソン・ラーベック力等の静電気力を発現させてウエハを吸着保持するものである。また、静電吸着用電極を複数個に分割し、各電極間に電圧を印加することにより吸着面に載置したウエハを吸着保持する双極型の構造の静電チャックも提案されている。
【０００５】
一方、近年、半導体素子における集積回路の集積度が向上し、半導体製造工程に過酷な条件が負荷されるに伴って、吸着面を構成する誘電体層には、ウエハの脱着に対する耐摩耗性と、各種処理工程で使用される腐食性ガスに対する耐食性に加え、耐プラズマ性に優れるとともに、高い熱伝導率を有する材料が望まれるようになり、このような材料として高純度の窒化アルミニウム質焼結体や、焼結助剤として主にＹ2 Ｏ3 やＥｒ2 Ｏ3 を含有した窒化アルミニウム質焼結体を用いることが提案されている。
【０００６】
ウエハを吸着させる静電気力には、前述したように、クーロン力とジョンソン・ラーベック力の２種類があり、クーロン力は、誘電体層を構成する材質の誘電率に依存し、ジョンソン・ラーベック力は、誘電体層を構成する材質の体積固有抵抗値に依存する。具体的には、誘電体層の体積固有抵抗値が１０15Ω・ｃｍより大きい時の吸着力はクーロン力により支配され、誘電体層の体積固有抵抗値が低下するにしたがってジョンソン・ラーベック力が発現し、誘電体層の体積固有抵抗値が１０12Ω・ｃｍ未満となると吸着力はクーロン力に比べて大きな吸着力が得られるジョンソン・ラーベック力により支配されることが知られている。
【０００７】
上記高純度の窒化アルミニウム質焼結体や焼結助剤として主にＹ2 Ｏ3 やＥｒ2 Ｏ3 を含有した窒化アルミニウム質焼結体は、２５０℃以上の高温下においては高い吸着力が得られるものの、２００℃以下の温度下で行われる成膜工程や露光処理工程、あるいはエッチング工程などでは十分な吸着力が得られないといった課題があった。
【０００８】
すなわち、上記窒化アルミニウム質焼結体の体積固有抵抗値は温度が上昇するに伴って低下し、３００℃以上の温度下では１０11Ω・ｃｍ程度であることからジョンソン・ラーベック力による高い吸着力が得られるものの、２００℃以下の温度下では１０16Ω・ｃｍ以上と絶縁性が高いためにクーロン力による吸着力しか得られず、また、誘電率もそれほど高くないことからクーロン力による吸着力も小さく、十分な吸着力を得ることができなかった。
【０００９】
そのため、歪みをもったウエハを吸着した時には、静電チャックの吸着力が小さいためにウエハの全面を吸着面に当接させることができず、成膜面でのウエハの平坦化さらには均熱化等が損なわれ、成膜工程ではウエハ上に均一な厚みをもった薄膜を形成することができず、露光処理工程やエッチング工程では精度の高い処理を施すことができないといった課題があり、高温下でしか使用できなかった。
【００１０】
そこで、本出願人は、特開平１０−１５４７４６号において、窒化アルミニウムに窒化チタンを１０〜３０モル％と、ＣｅをＣｅＯ2 換算で２〜１０モル％の範囲で含有させることにより、２００℃以下での体積固有抵抗値をジョンソン・ラーベック力を発現させることができる抵抗値にまで小さくできることを提案した。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平１０−１５４７４６によれば、２００℃以下での体積固有抵抗値をジョンソン・ラーベック力を発現させることができる抵抗値にまで小さくできるものの、ＡｌＮまたはＡｌ2 Ｏ3 と、ＣｅＯ2 から焼成により形成されるＣｅＡｌＯ3 の含有割合が少ないため、焼結体中に存在する導電性の高い物質間を焼結により接触させるためには多量の液相の生成が必要であった。
【００１２】
しかも、焼成温度が高いために、多量の液相成分が生成し、それが固化するに伴って焼結体中にボイドが発生した。これにより、焼結体の強度が著しく低下するとともに、耐食性および耐磨耗性が低下するという問題があった。
【００１３】
さらに、焼結体中での導電性を示す物質間の接続が不充分であったり、ボイドが生成するために部分的な偏りが生じ、焼結体として安定した抵抗値を得ることが難しかった。
【００１４】
そのため、ボイドのない焼結体を得るためには組成や焼成条件を制御する必要があるが、焼成可能な温度領域が狭く、安定した特性の焼結体を再現性良く得ることができないという問題があった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者は、上記課題に対し、窒化アルミニウム質焼結体について、２００℃以下の低温領域における吸着力を高める組成について検討を重ねた結果、焼結体中にＴｉＮを特定範囲で含有させるとともに、原料中のＣｅＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 の添加量を増やすことにより、焼結体中にＣｅＡｌＯ3 相の析出量を増加させ、焼結体中に存在する導電性の高いＴｉＮ相、ＣｅＡｌＯ3 相間の接触点を増加させることができることから、比較的低い温度での焼成が可能であるとともに、安定した抵抗特性を有する焼結体の作製が可能となることを知見した。
【００１６】
即ち、本発明の窒化アルミニウム質焼結体は、窒化アルミニウムを主成分とし、窒化チタンを１０〜３０モル％と、セリウムを酸化物（ＣｅＯ２）換算で６〜２０モル％と、全酸素量からＣｅにＣｅＯ２として結合している酸素量を差し引いた残りの酸素量をＡｌ２Ｏ３換算して０．３〜１０モル％との割合で含有してなり、ＣｅＡｌＯ３を生成せしめるために必要なＡｌ２Ｏ３よりも過剰のＡｌ２Ｏ３を含有せしめてなることを特徴とするものである。特に、窒化アルミニウム粉末と、窒化チタン粉末と、ＣｅＯ２粉末と、Ａｌ２Ｏ３粉末とを含む粉末成形体を１７００〜１９５０℃で焼成して得られることが好ましい。
【００１７】
また、本発明の静電チャックは、被固定物を静電気力によって吸着保持するものであって、被固定物を吸着保持する吸着面を、上記本発明の窒化アルミニウム質焼結体により形成したことを特徴とするものである。
【００１８】
【作用】
窒化チタンは、絶縁材料である窒化アルミニウム粒子の粒界に存在し、焼結体の抵抗値を下げる効果を示す。窒化アルミニウム質焼結体中に特定量の窒化チタンを含有させることにより、焼結体の体積固有抵抗値を所望の範囲に制御することができる。
【００１９】
また、セリウム（Ｃｅ）は難焼結材である窒化アルミニウムの焼結性を高めるために加える焼結助剤成分であるが、セリウム（Ｃｅ）は焼成により窒化アルミニウムまたはアルミナと化１または化２のように反応し、粒界にＣｅＡｌＯ3 相として存在する。
【００２０】
【化１】
0003663306.tif 000002
【００２１】
【化２】
0003663306.tif 000003
【００２２】
セリウム（Ｃｅ）は酸化物を構成する場合、その価数は通常４価であるが、ＣｅＡｌＯ3 相を構成する際には３価と価数変化する結果、結晶中に空孔が生成し導電性を示す。
【００２３】
そして、絶縁材料である窒化アルミニウム粒子間、すなわち粒界に、これらの導電性を示すＴｉＮ相およびＣｅＡｌＯ3 相を連続的に存在させることにより、粒界を介して導通を図ることができ、窒化アルミニウム質焼結体の抵抗値を下げることができる。
【００２４】
本発明によれば、原料中のＣｅＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 の添加量を増し、焼結体中にＣｅＡｌＯ3 相の含有量を増加させるとともに、焼結体中にＴｉＮを特定範囲で含有させることにより、焼結体中に存在する導電性の高いＴｉＮ結晶相、ＣｅＡｌＯ3 結晶相間の接触点を増加させることができる。これにより、安定した抵抗特性を有する焼結体の作製が可能となる。
【００２５】
本発明によれば、ＣｅＡｌＯ3 を生成せしめるために必要なＡｌ2 Ｏ3 よりも過剰のＡｌ2 Ｏ3 を含有せしめることから、液相生成が可能となり、磁器の焼成温度を低下させることができる。また、導電粒子が多いために、導電粒子間を結合させるための液相量が少なくてすみ、多量の液相の生成および固化がないことから、ボイドの発生を抑制することができ、焼結体の強度、耐食性および耐磨耗性を高めることができる。
【００２６】
さらに、ＣｅＡｌＯ3 相を粒界に介在させることで温度変化に対する抵抗値の変化率を小さくできる（抵抗温度係数が小さい）といった効果も有することから、広範囲の温度領域において使用可能な静電チャックを提供することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の窒化アルミニウム質抵抗体は、窒化アルミニウムを主成分とし、窒化チタンを１０〜３０モル％と、セリウムを酸化物（ＣｅＯ2 ）換算で５〜２０モル％と、全酸素量からＣｅにＣｅＯ2 として結合している酸素量を差し引いた残りの酸素量をＡｌ2 Ｏ3 換算して０．３〜１０モル％との割合で含有してなるものである。
【００２８】
−５０℃〜２００℃の温度域でジョンソン・ラーベック力による吸着力を得るためには、０℃から５０℃の温度域における体積固有抵抗値が１０8 〜１０12Ω・ｃｍであることが必要であり、焼結体中の各元素を上記の含有割合とすることにより、０℃から５０℃の温度域における体積固有抵抗値を１０8 〜１０12Ω・ｃｍ、特に１０9 〜１０11Ω・ｃｍとすることができ、ジョンソン・ラーベック力による吸着力を得ることができるため、かかる焼結体の吸着力が飛躍的に向上する。
【００２９】
即ち、窒化チタンの含有量が上記範囲から逸脱すると、焼結体の体積固有抵抗値を１０8 〜１０12Ω・ｃｍの範囲に制御することができない。窒化チタンの含有量としては、特に、１５〜２５モル％が望ましい。また、セリウム（Ｃｅ）の含有量が酸化物（ＣｅＯ2 ）換算で５モル％未満であると、粒界に生成されるＣｅＡｌＯ3 相の量が少なくなり、前述したとおり、焼結体の体積固有抵抗値の再現性が悪くなる。逆に２０モル％より多いと、ＣｅＡｌＯ3 の生成量が多いのため、焼結体の強度および熱伝導率等が低下する。含有されるセリウム（Ｃｅ）の酸化物（ＣｅＯ2 ）換算量としては、特に、８〜１５モル％が望ましい。
【００３０】
さらに、全酸素量からＣｅにＣｅＯ2 として結合している酸素量を差し引いた残りの酸素量がＡｌ2 Ｏ3 換算して０．３モル％よりも少ないと、液相量が少なくなり、導電粒子の結合状態が悪いために抵抗が高くなり、目標の特性が得られず、また、逆に全酸素量からＣｅにＣｅＯ2 として結合している酸素量を差し引いた残りの酸素量がＡｌ2 Ｏ3 換算して１０モル％よりも多いと、液相量が多くなりすぎて液相の固化収縮によるボイドの発生が顕著となる。前記酸素量のＡｌ2 Ｏ3 換算量としては、特に３〜７モル％が望ましい。
【００３１】
なお、窒化アルミニウムの平均結晶粒子径は０．５〜５０μｍ、特に３〜３０μｍが望ましい。これは、窒化アルミニウムの平均結晶粒子径が５０μｍより大きくなると焼結体の強度や硬度等が大きく低下するため、被固定物との脱着に伴う摺動によって吸着面が摩耗したり、成膜工程やエッチング工程等におけるプラズマや腐食性ガスによって腐食摩耗し易くなるために、静電チャックの寿命が短くなるとともに、被固定物にパーティクルが付着するからであり、逆に、窒化アルミニウムの平均結晶粒子径を０．５μｍより小さくすることは製造上難しいからである。
【００３２】
また、耐食性および耐摩耗性を高める上で、焼結体の相対密度は９５％以上、特に９８％以上であることが望ましく、また、熱伝導率は１５ｗ／ｍＫ以上、特に３０ｗ／ｍＫ以上であることが望ましい。さらに、強度は、薄層化に伴う機械的信頼性の点で１００ＭＰａ以上、特に２００ＭＰａ以上であることが望ましい。
【００３３】
また、本発明のセラミック抵抗体では、緻密化を促進させるために焼結助剤としてセリウム（Ｃｅ）化合物以外にイットリウム（Ｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類元素酸化物を２モル％以下の範囲で含有してもよい。これにより、セラミックスの緻密化がさらに促進されるため、耐食性および耐摩耗性が向上し、静電チャックとして用いた場合、セラミックス表面から発生する脱粒等によるパーティクルの発生を低減でき、静電チャックとしての信頼性が向上する。
【００３４】
以下に本発明のセラミック焼結体の製造方法について説明する。
まず、出発原料である窒化アルミニウム粉末（純度９９％以上、平均粒径０．４μｍ〜５．５μｍ）に対し、ＴｉＮ粉末（純度９９％以上、平均粒径１．５〜２．５μｍ）、酸化セリウム（ＣｅＯ2 ）粉末（純度９９％以上、平均粒径０．５μｍ〜１８μｍ）をセリウムの酸化物（ＣｅＯ2 ）換算量で５〜２０モル％の範囲で添加混合する。
【００３５】
また、アルミナ粉末( 純度９９％以上、平均粒径０．５〜１．５μｍ）を窒化アルミニウム原料粉末中に含まれる不可避的酸素との酸素をアルミナ換算した量との合量で０．３〜１０モル％となるように添加する。
【００３６】
この時、ＣｅＡｌＯ3 相の生成率を高めるために、予め、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）と酸化セリウム（ＣｅＯ2 ）とを反応させて、ＣｅＡｌＯ3 の粉末を作製しておき、これを窒化アルミニウムの粉末と所定の割合で均一に混合してもよい。
【００３７】
また、本発明においては、セリウム（Ｃｅ）以外の焼結助剤としてイットリウム（Ｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類酸化物を２モル％以下の範囲で添加してもよく、これにより焼結体の密度をさらに向上させることができる。
【００３８】
上記混合粉末に対し、所望により有機バインダを添加した後、所定形状に周知の成形手段、例えば、金型プレス、冷間静水圧プレス、ドクターブレード法、圧延法等のテープ成形法、押し出し成形等により成形する。その後、この成形体を所望により真空中または窒素中で脱脂した後、窒素等の非酸化性雰囲気中、１７００℃〜１９５０℃、特に１７５０℃〜１９００℃で１〜数時間焼成することにより窒化アルミニウム質焼結体を作製することができる。
【００３９】
焼成方法としては、常圧焼成、ホットプレス法あるいはガス圧焼成法等が用いられる。さらに、焼結体の密度を高めるために、焼結体に対してＨＩＰ処理を施すこともできる。
【００４０】
図１（ａ）、（ｂ）は本発明に係る静電チャック１を示す斜視図およびＸ−Ｘ線断面図であり、絶縁性を有するセラミック基体２の表面に静電吸着用電極４を備え、この静電吸着用電極４を覆うように上記セラミック基体２の表面に誘電体層３が設けられており、誘電体層３の上面が被固定物１０を吸着する吸着面５を形成している。さらに、吸着面５の反対の面に静電吸着用電極４と電気的に接続された給電端子６が埋設されている。
【００４１】
吸着面５を構成する誘電体層３の抵抗値は吸着力と密接な関係にあるが、本発明の静電チャック１によれば、誘電体層３を上述の窒化アルミニウム質焼結体によって形成する、すなわち誘電体層３を形成する上述した窒化アルミニウム質セラミックスの０〜５０℃の体積固有抵抗値が１０8 〜１０12Ω・ｃｍの範囲となるように適宜調整することができるため、静電チャック１の静電吸着用電極４と吸着面５に載置した被固定物１０との間に電圧を印加することで、被固定物１０と静電吸着用電極４との間に微弱な漏れ電流が流れることからジョンソン・ラーベック力による吸着力を発現させることができ、被固定物１０を吸着面５に強固に吸着保持することができる。
【００４２】
また、耐食性および耐摩耗性を高める上で、誘電体層３の相対密度は９５％以上、特に９８％以上であることが望ましく、また、熱伝導率は、１５ｗ／ｍＫ以上、特に３０ｗ／ｍＫ以上であることが望ましい。さらに、誘電体層３の強度については、薄層化に伴う機械的な信頼性の観点から１００ＭＰａ以上であることが望ましい。
【００４３】
セラミック基体２は、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム等の絶縁性を有するセラミックスで形成すればよいが、特に窒化アルミニウム質焼結体で形成することにより、誘電体層３を構成する窒化アルミニウム質焼結体と同時焼成が可能で、両者間の熱膨張係数差を無くすことができるため、焼成時における反りや歪み等を生じることがなく信頼性の高い静電チャックを得ることができる。
【００４４】
静電吸着用電極４および給電端子６は、焼成時及び加熱時におけるセラミック基体２との密着性を高めるために、セラミック基体２を構成する窒化アルミニウム質焼結体と熱膨張係数が近似したタングステン、モリブデン、白金等の耐熱性金属により形成する。また、給電端子６が腐食性ガスに曝されるような時には鉄−コバルト−クロム合金により形成することが良い。
【００４５】
また、静電吸着用電極４が耐熱性に優れたセラミック基体２内に完全に埋設された構造であることから、比較的高温の２００℃付近においても使用可能であり、さらに、静電チャック１は優れた耐プラズマ性、耐食性を有する窒化アルミニウム質焼結体からなるため、成膜工程やエッチング工程などにおいてプラズマや腐食性ガスに曝されたとしても腐食が少なく、長期使用が可能である。しかも、静電吸着用電極４への通電をＯＦＦにすれば、ただちに吸着力を除去することができるため、離脱応答性にも優れている。
【００４６】
なお、図１に示す静電チャック１では、セラミック基体２の内部に静電吸着用電極４のみを備えた例を示したが、例えば、上記静電吸着用電極４以外にヒータ電極を埋設しても良く、この場合、ヒータ電極により静電チャック１を直接発熱させることができるため、間接加熱方式のものに比べて熱損失を大幅に押さえることができる。
【００４７】
また、セラミック基体２を窒化アルミニウム質セラミックスにより形成した場合、熱伝導特性がよいために、吸着面５に保持した被固定物１０をムラなく均一に加熱することができる。また、静電吸着用電極４以外にプラズマ発生用電極をセラミック基体２内に埋設すれば、装置の構造を簡略化することができる。また、本発明の静電チャック１は主に２００℃以下の温度域で使用されるものであるが、２００℃より高い温度域でももちろん使用可能である。
【００４８】
ところで、このような静電チャック１を作製するには、セラミック基体２を形成する原料として、例えば、純度９９％以上、平均粒径３μｍ以下の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）あるいはこの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末にイットリウム（Ｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類酸化物を添加した粉末に適宜有機バインダを用い、また誘電体層３を形成する原料として、前述した組成の混合粉末を用いて、所定形状に周知の成形方法、例えば、金型プレス、冷間静水圧プレス、ドクターブレード法や圧延法等のテープ成形法、押し出し成形等により任意の形状に成形する。
【００４９】
例えば、テープ成形法を用いる場合、セラミック基体２を形成するグリーンシートを複数枚成形し、このうちの１枚上に導体ペーストを印刷して静電吸着用電極４をす電極パターンを形成した後、各グリーンシートを積層する。
【００５０】
一方、誘電体層３を形成する前述した本発明による組成物からなるグリーンシートを成形し、前記のグリーンシート積層体上に積層し、該積層体に切削加工を施して所望の形状とする。
【００５１】
また、金型プレスを用いる場合には、金型内に上記粉末を充填するとともに板状または粉末状の静電吸着用電極４を粉末中に埋設してプレス成形することにより、静電吸着用電極４を埋設したセラミック成形体を作製することも可能である。
【００５２】
得られた成形体を所望により真空または窒素中で脱脂した後、非酸化性雰囲気下において１７００〜１９５０℃、特に１７５０〜１９００℃で１〜数時間焼成する。焼成方法としては、常圧焼成、ホットプレス法あるいはガス圧焼成法等が用いられる。さらに、焼結体の密度を高めるために、焼結体に対してＨＩＰ処理を施すこともできる。
【００５３】
そして、誘電体層３の表面に研磨加工を施して吸着面５を形成するとともに、吸着面５と反対側の面に静電吸着用電極４と連通する穴を穿孔し、該穴に給電端子６をロウ付け等の方法により接合することにより、図１に示す静電チャック１を得ることができる。
【００５４】
次に、図２は本発明に係る静電チャック１１の他の実施形態を示す図で、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線断面図である。
この静電チャック１１は、窒化アルミニウム質焼結体からなる円盤状をした誘電板１２と、該誘電板１２の下面に敷設した静電吸着用電極１４と、該静電吸着用電極１４を覆うベース基体１５とからなり、上記誘電板１２とベース基体１５とはガラス、ロウ材、あるいは接着剤などの接合剤１６を介して接合し、静電吸着用電極１４を誘電板１２とベース基体１５との間に内蔵するとともに、前記誘電板１２の上面を吸着面１３としてある。なお、ベース基体１５の裏面には上記静電吸着用電極１４と電気的に接続された給電端子１７を埋設してある。
【００５５】
上記ベース基体１５は、サファイアあるいはアルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの各種セラミックス、あるいは樹脂などの絶縁材料により形成してある。また、静電吸着用電極１４は銅、チタンなどの金属やＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＣなどの材質からなり、誘電板１２の下面に蒸着、メタライズ、メッキ、ＰＶＤ、ＣＤ等の方法により形成してある。
【００５６】
また、静電チャック１１の吸着面１３を構成する誘電板１２は、セリウムを酸化物（ＣｅＯ2 ）換算で５〜２０モル％の範囲で含み、かつＣｅＡｌＯ3 相を含有する窒化アルミニウム質焼結体により形成してある。そして、この窒化アルミニウム質焼結体は、０〜５０℃の温度域において１０8 〜１０12Ω・ｃｍの体積固有抵抗値を有することから、静電チャック１１の静電吸着用電極１４と吸着面１３に載置した被固定物１０との間に電圧を印加すれば、被固定物１０と静電吸着用電極１４との間に微小な漏れ電流が流れ、ジョンソン・ラーベック力による吸着力を発現させることができるため、−５０℃から２００℃の温度域において被固定物１０を吸着面１３に強固に吸着保持することができる。
【００５７】
そのため、被固定物１０が反りをもった半導体ウエハなどの基板であっても吸着面１３の精度に倣わせて保持することができるために、例えば、露光処理工程において精度の良い露光処理を施すことができる。
【００５８】
また、静電吸着用電極１４への通電をＯＦＦにすれば、ただちに吸着力を除去することができるため、離脱応答性にも優れている。
【００５９】
しかも、この静電チャック１１は、誘電板１２及びベース基体１５をそれぞれ別々に作製しておき、接合剤１６により接合するだけで良いため簡単に製造することができる。
【００６０】
なお、本実施形態では単極型の静電チャックの例を示したが、双極型の静電チャックにも適用できることは言うまでもない。
【００６１】
【実施例】
図１に示す本発明の静電チャック１を試作し、室温（２５℃）における吸着特性について測定を行った。
【００６２】
まず、純度９９％、平均粒径１．２μｍのＡｌＮ粉末にバインダと溶媒を加えて泥漿を作製した後、ドクターブレード法により厚さ０．５ｍｍ程度のグリーンシートを複数枚成形してそれらを積層し、セラミック基体２を構成するための成形体とした。そして、その一主面にＡｌＮ粉末を５モル％混合したタングステンペーストをスクリーン印刷法により印刷塗布して静電吸着用電極４をなす電極パターンを形成した。
【００６３】
一方、純度９９％、平均粒径１．２μｍのＡｌＮ粉末と、平均粒径１．６μｍのＴｉＮと、平均粒径０．９μｍのＣｅＯ2 と、平均粒径０．７μｍのＡｌ2 Ｏ3 とを焼結体の組成がＩＣＰ分析により表１となるように添加混合し、さらにバインダと溶媒を加えて泥漿を作製した後、ドクターブレード法により厚さ０．５ｍｍ程度のグリーンシートを成形し、誘電体層３用の成形体とした。なお、Ａｌ2 Ｏ3 量は窒化アルミニウム粉末中の不純物酸素のＡｌ2 Ｏ3 換算量と添加したＡｌ2 Ｏ3 との合計量である。
【００６４】
そして、静電吸着用電極４をなす金属膜を備えたセラミック基体２用成形体の金属膜の表面に、誘電体層３用の成形体を積層して、８０℃、５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で熱圧着した。しかる後に、上記積層体に切削加工を施して円板状とし、真空脱脂した後、窒素雰囲気下、１８５０℃程度の温度で３時間程度焼成することにより、外径２００ｍｍ、厚み８ｍｍで、かつ内部に膜厚１５μｍの静電吸着用電極４を備えた板状体を形成した。
【００６５】
その後、誘電体層３をなす窒化アルミニム質焼結体の表面に研磨加工を施して吸着面５を形成するとともに、吸着面５と反対側の面に、前記静電吸着用電極４と連通する穴を穿孔し、該穴に鉄−コバルト−ニッケル合金からなる給電端子をロウ付けして静電チャック１を形成した。
【００６６】
得られた静電チャックについて、２５℃にて、静電チャック１の吸着面５に８インチ径のシリコンウエハを載置し、静電吸着用電極４との間に３００Ｖの電圧を印加することによりウエハを吸着面に吸着保持させ、この状態でシリコンウエハを剥がすのに必要な力を吸着力として測定した。結果は表１に示した。
【００６７】
また、誘電体層３と同じ組成のセラミックスを上記同様に作製し、２５℃における体積固有抵抗値を測定した。また、アルキメデス法により焼結体の密度を測定し、理論密度に対する比率である相対密度（％）を算出した。さらに、厚み２ｍｍの試料について、レーザーフラッシュ法により熱伝導率を測定した。さらに、ＪＩＳＲ１６０１に従い、室温における４点曲げ強度を測定した。また、リークチェックにより多量のボイド発生の有無を確認した。結果は、表１に示した。
【００６８】
【表１】
0003663306.tif 000004
【００６９】
表１の結果から明らかなように、窒化チタン（ＴｉＮ）の含有量が１０モル％より少ない試料Ｎｏ．８では、２００℃以下の温度における体積固有抵抗値を１０12Ω・ｃｍ以下とすることができず、逆に、窒化チタン（ＴｉＮ）の含有量が３０モル％より多い試料Ｎｏ．９では、２００℃以下の温度において体積固有抵抗値が１０8 Ω・ｃｍより小さくなり、吸着力が低下した。
【００７０】
また、ＣｅＯ2 の含有量が５モル％未満である試料Ｎｏ．１０では、多量のボイド生成がみられ、強度が低下した。また、逆に、ＣｅＯ2 の含有量が２０モル％より多い試料Ｎｏ．１１でも、ボイドの生成がみられ、強度が低下した。
【００７１】
さらに、全酸素量からＣｅにＣｅＯ2 として結合している酸素量を差し引いた残りの酸素量のＡｌ2 Ｏ3 換算量が０．３モル％未満である試料Ｎｏ．１では、ボイドの生成がみられ、強度が低下した。逆に、Ａｌ2 Ｏ3 の含有量が１０モル％より多い試料Ｎｏ．５では、２００℃以下の温度において体積固有抵抗値が１０8 Ω・ｃｍよりも小さくなった。
【００７２】
これに対し、本発明の範囲内である試料Ｎｏ．２〜４及び６、７、１３、１４では、２００℃以下の温度において体積固有抵抗値を各々１０8 〜１０12Ω・ｃｍの範囲に設定することができ、吸着力３５０ｇ／ｃｍ2 以上、強度２００ＭＰａ以上、熱伝導率５０Ｗ／ｍＫ以上の優れた特性を示した。
【００７３】
このことから、本発明に係る静電チャックを用いれば、２００℃以下の温度で行われる各種処理工程においてジョンソン・ラーベック力による吸着力が得られ、被固定物を高い吸着力でもって保持できることがわかる。
【００７４】
【発明の効果】
以上詳述したとおり、本発明のセラミック抵抗体およびそれを用いた静電チャックは、０〜５０℃における体積固有抵抗値が１０8 〜１０12Ω・ｃｍであることから、２００℃以下の温度下においてもジョンソン・ラーベック力による吸着力を発現させることができるため、広範囲な温度領域で使用可能であり、また高い吸着力でもって被固定物を強固に保持することができる。
【００７５】
そのため、例えば、本発明の静電チャックを成膜処理工程に用いれば、被固定物上に均一な厚みをもった薄膜を被覆することができ、露光処理工程やエッチング処理工程に用いれば、被固定物に精度の良い露光や加工を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る静電チャックの一実施形態を示す図で、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【図２】本発明に係る静電チャックの他の実施形態を示す図で、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線断面図である。
【符号の説明】
１・・・静電チャック  ２・・・セラミック基体  ３・・・誘電体層
４・・・静電吸着用電極  ５・・・吸着面  ６・・・給電端子
１０・・・被固定物
１１・・・静電チャック  １２・・・誘電板  １３・・・吸着面
１４・・・静電吸着用電極  １５・・・ベース基体  １６・・・接合剤
１７・・・給電端子
【図１】
0003663306.tif 000005
【図２】
0003663306.tif 000006