(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が
一般式(1) ：
【化１】
0003646012.tif 000097
（式中、Ｒ1 およびＲ3 は同一または異なって、アルキル基、アリール基、アラルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ2 およびＲ4 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）で表されるスチルベン誘導体およびバインダー樹脂としてポリカーボネートを含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記一般式(1) 中のＲ2 およびＲ4 の置換位置が４（パラ）位のとき、Ｒ2 およびＲ4 は水素原子であるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記一般式(1) 中のＲ3 とＲ1 とが同一の基で、かつＲ4 とＲ2 とが同一の基であるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記感光層が、一般式(1) で表されるスチルベン誘導体と共に、電荷発生剤と電子輸送剤とを含有した単層型の感光層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、優れた電荷輸送能を有するスチルベン誘導体、その製造方法および前記スチルベン誘導体を含有した、静電式複写機、ファクシミリ、レーザービームプリンタ等の画像形成装置に用いられる電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
上記画像形成装置においては、当該装置に用いられる光源の波長領域に感度を有する種々の有機感光体が使用されている。この有機感光体は、従来の無機感光体に比べて製造が容易であり、電荷輸送剤、電荷発生剤、結着樹脂等の感光体材料の選択肢が多様で、機能設計の自由度が高いという利点を有することから、近年、広く用いられている。
【０００３】
有機感光体には、電荷輸送剤を電荷発生剤とともに同一の感光層中に分散させた単層型感光体と、電荷発生剤を含有する電荷発生層と電荷輸送剤を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光体とがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記有機感光体に使用される電荷輸送剤として、特開昭５０−３１７７３号公報および特開平７−２４４３８９号公報にはスチルベン誘導体が開示されている。
しかしながら、上記公報に開示されているスチルベン誘導体は、一般にバインダー樹脂との相溶性が乏しく、感光層中に均一に分散されず、電荷移動が生じにくい。そのため、前記スチルベン誘導体自体は高い電荷移動度を有しているが、これを電荷輸送剤として感光体に使用した際には、その特性が十分に発揮できず、感光体の残留電位が高くなり、光感度が不十分になる。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、上記技術的な問題を解決し、電子写真感光体の電荷輸送剤として好適な新規なスチルベン誘導体およびその製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、従来に比べて感度が向上した電子写真感光体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために研究を重ねていくなかで、スチルベン誘導体のうち、分子末端のジフェニルアミノ基が非対称であって、当該ジフェニルアミノ基における一方のフェニル基に置換基がなく、少なくとも他方のフェニル基の２（オルト、ｏ−)位に置換基を有する化合物は、従来のスチルベン誘導体よりもバインダー樹脂としてのポリカーボネートとの相溶性に優れ、かつ電荷移動度が大きいという新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明におけるスチルベン誘導体は、一般式（１）：
【０００８】
【化６】
0003646012.tif 000002
（式中、Ｒ1 およびＲ3 は同一または異なって、アルキル基、アリール基、アラルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ2 およびＲ4 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
で表されることを特徴とする。
【０００９】
上記一般式(1) で表される本発明のスチルベン誘導体は、上記特開平７−２４４３８９号公報および特開昭５０−３１７７３号公報に具体的に開示されていない、ジフェニルアミノ基の一方のフェニル環上の２（オルト，ｏ−）位が置換された化合物であると共に、前記公報に具体的に開示された化合物よりもバインダー樹脂との相溶性が高く、かつ高い電荷移動度を有するものである。
【００１０】
従って、かかるスチルベン誘導体(1) を電子写真感光体における電荷（正孔）輸送剤として使用することにより、高感度の電子写真感光体を得ることができる。
また、より高感度の電子写真感光体を得るには、上記スチルベン誘導体(1) の中でも、分子末端のジフェニルアミノ基における一方のフェニル基に置換基がなく、他方のフェニル基の２，３位、２，５位もしくは２，６位に、または２位のみに置換基を有するスチルベン誘導体（すなわち、フェニル基の４（パラ，ｐ−）位が水素原子であるスチルベン誘導体）を使用するのが好ましい。
【００１１】
また本発明者らは、前記スチルベン誘導体(1) の製造方法において、出発原料である下記トリフェニルアミンのホルミル体(2) を効率よく得る方法を検討したところ、フェニル基の２位に置換基を有するトリフェニルアミン誘導体(5) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化すれば、上記化合物(5) の３つのフェニル基のうち、置換基を有するフェニル基はホルミル化されず、無置換のフェニル基のみがホルミル化された前記化合物(2) が効率よく製造でき、スチルベン誘導体(1) の生産性の向上につながるという新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明のスチルベン誘導体(1) の製造方法は、一般式(2) ：
【００１３】
【化７】
0003646012.tif 000003
（式中、Ｒ1 はアルキル基、アリール基、アラルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）で表されるホルミル化トリフェニルアミン誘導体と、一般式(3) ：
【００１４】
【化８】
0003646012.tif 000004
で表されるビスリン酸エステル誘導体とを反応させることを特徴とするものである。
【００１５】
かかる本発明の製造方法に使用する上記ホルミル化トリフェニルアミン誘導体(2) は、一般式(4) ：
【００１６】
【化９】
0003646012.tif 000005
（式中、Ｒ1 はアルキル基、アリール基、アラルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）で表されるアニリン誘導体にヨードベンゼンを反応させて、一般式(5) ：
【００１７】
【化１０】
0003646012.tif 000006
（式中、Ｒ1 はアルキル基、アリール基、アラルキル基またはよいアルコキシ基を示し、Ｒ2 は水素原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）で表されるトリフェニルアミン誘導体を得、この化合物(5) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化させることにより得られる化合物である。
【００１８】
前記トリフェニルアミン誘導体(5) をフィルスマイヤー(Vilsmeier) 法によりホルミル化させると、スチルベン誘導体(1) の原料であるトリフェニルアミンのホルミル体(2) のみが高収率で製造されるその理由は定かではないが、前記化合物(5) の３つのフェニル基のうち、オルト位に置換基Ｒ1 を有するフェニル基は、他のフェニル基に比べて、前記化合物(5) における窒素原子とフェニル基との結合軸が置換基Ｒ1 の影響によりねじれ、窒素原子からの電子供与が乏しくなり、当該フェニル基の求核性が低下してしまう。その結果、当該フェニル基のパラ位はホルミル化されず、他のフェニル基のパラ位のみがホルミル化される。
【００１９】
また、本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層が、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を含有することを特徴とする。
本発明の電子写真感光体は、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を感光層中に含有することから、電荷発生剤で発生した電荷（正孔）を輸送する速度が速く、すなわち電荷移動度が大きく、帯電および露光時の光感度が優れている。その結果、本発明の電子写真感光体によれば、従来のスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用したときよりも、高い感度が得られる。
【００２０】
前記感光層は、上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体と共に、電荷発生剤と電子輸送剤とを含有した単層型の感光層であるのが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
まず、本発明のスチルベン誘導体(1) について詳細に説明する。
上記一般式(1) 中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 に相当するアルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル等の炭素数が１〜６のアルキル基があげられる。中でも、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチルなどの炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
【００２２】
また、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 に相当するアルキル基は置換基を有していてもよく、具体的にはヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基などがあげられる。
【００２３】
とりわけ本発明のスチルベン誘導体(1) においては、電荷移動度を高めるという観点から、置換基としてアルコキシ基、モノアルキルアミノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基などの電子供与性基を有するアルキル基が好ましい。
上記ヒドロキシアルキル基としては、例えばヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、２−ヒドロキシブチル、１−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６のヒドロキシアルキル基があげられる。
【００２４】
上記アルコキシアルキル基としては、例えばメトキシメチル、メトキシエチル、メトキシブチル、エトキシヘキシル、エトキシメチル、ブトキシエチル、ｔ−ブトキシヘキシル、ヘキシルオキシメチルなどの、アルキル部分およびアルコキシ部分の炭素数がいずれも１〜６であるアルコキシアルキル基があげられる。
上記モノアルキルアミノアルキル基としては、例えばメチルアミノメチル、エチルアミノメチル、ヘキシルアミノメチル、エチルアミノエチル、ヘキシルアミノエチル、メチルアミノプロピル、ブチルアミノプロピル、メチルアミノブチル、エチルアミノブチル、ヘキシルアミノブチル、メチルアミノヘキシル、エチルアミノヘキシル、ブチルアミノヘキシル、ヘキシルアミノヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアルキルアミノアルキル基があげられる。
【００２５】
上記ジアルキルアミノアルキル基としては、例えばジメチルアミノメチル、ジエチルアミノメチル、ジヘキシルアミノメチル、ジエチルアミノエチル、ジヘキシルアミノエチル、ジメチルアミノプロピル、ジブチルアミノプロピル、ジメチルアミノブチル、ジエチルアミノブチル、ジヘキシルアミノブチル、ジメチルアミノヘキシル、ジエチルアミノヘキシル、ジブチルアミノヘキシル、ジヘキシルアミノヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるジアルキルアミノアルキル基があげられる。
【００２６】
上記アルコキシカルボニルアルキル基としては、例えばメトキシカルボニルメチル、メトキシカルボニルエチル、メトキシカルボニルヘキシル、エトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルエチル、プロポキシカルボニルメチル、イソプロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、ペンチルオキシカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルメチル、ヘキシルカルボニルブチル、ヘキシルカルボニルヘキシルなどの、アルキル部分およびアルコキシ部分のいずれも炭素数が１〜６であるアルコキシカルボニルアルキル基があげられる。
【００２７】
上記カルボキシアルキル基としては、例えばカルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシブチル、カルボキシヘキシル、１−メチル−２−カルボキシエチルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるカルボキシアルキル基があげられる。
上記ハロゲン置換アルキル基としては、例えばモノクロルメチル、モノブロモメチル、モノヨードメチル、モノフルオロメチル、ジクロルメチル、ジブロモメチル、ジヨードメチル、ジフルオロメチル、トリクロルメチル、トリブロモメチル、トリヨードメチル、トリフルオロメチル、モノクロルエチル、モノブロモエチル、モノヨードエチル、モノフルオロエチル、ジブロモブチル、ジヨードブチル、ジフルオロブチル、クロルヘキシル、ブロモヘキシル、ヨードヘキシル、フルオロヘキシルなどの、１〜３個のハロゲン原子が置換された炭素数１〜６のアルキル基があげられる。
【００２８】
アルカノイルオキシアルキル基としては、アセトキシメチル、２−アセトキシエチル、プロピオニルオキシメチル、１−ヘキサノイルオキシ−２−メチルペンチルなどの、炭素数２〜６のアルカノイル部分と、炭素数１〜６のアルキル部分とを有するアルカノイルオキシ基があげられる。
上記アミノアルキル基としては、例えばアミノメチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチル、アミノヘキシルなどの、アルキル部分の炭素数が１〜６であるアミノアルキル基があげられる。
【００２９】
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 に相当するアルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等の炭素数が１〜６のアルコキシ基があげられる。また、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 に相当するアルコキシ基は置換基を有してもよく、その置換基としては、ハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルカノイルオキシ基などの、前述のアルキル基と同様の置換基があげられる。
【００３０】
Ｒ1 およびＲ3 に相当するアリール基としては、例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリルなどの基があげられる。
またＲ1 およびＲ3 に相当するアラルキル基としては、例えばベンジル、１−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニルヘキシルなどのアルキル部分の炭素数が１〜６であるアラルキル基があげられる。
【００３１】
上記アリール基およびアラルキル基は置換基を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、ヒドロキシル基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基などの他、前述と同様の炭素数１〜６の置換基を有してもよいアルキル基や炭素数１〜６の置換基を有してもよいアルコキシ基などがあげられる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されない。
【００３２】
本発明のスチルベン誘導体(1) には中心ナフタレン環への置換位置の違いによって種々のスチルベン誘導体が含まれるが、とりわけ下記の一般式(11)〜(13)で表されるスチルベン誘導体が好適である。
【００３３】
【化１１】
0003646012.tif 000007
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は前記と同じである。）
上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体の具体例として、基Ｒ1 〜Ｒ4 に相当する置換基を下記の表１〜３に示す。表１〜３中、化合物番号が「１１−」で始まるものは、一般式(11)に含まれるスチルベン誘導体であって、また化合物番号が「１２−」で始まるものは、一般式(12)に含まれるスチルベン誘導体であって、また化合物番号が「１３−」で始まるものは、一般式(13)に含まれるスチルベン誘導体である。
【００３４】
なお、表１〜３中、Ｈは水素原子、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基、ＭｅＯはメトキシ基、ＥｔＯはエトキシ基、Ｐｈはフェニル基、Ｂｚｌはベンジル基を示す。
【００３５】
【表１】
0003646012.tif 000008
【００３６】
【表２】
0003646012.tif 000009
【００３７】
【表３】
0003646012.tif 000010
また、本発明のスチルベン誘導体(1) には、＞Ｃ＝Ｃ＜に対する中心ナフタレン環と周辺置換基：トリフェニルアミンとの配置の違いによって、下記一般式(1-1) で表されるシス（ｃｉｓ−）異性体と、下記一般式(1-2) で表されるトランス（ｔｒａｎｓ−）異性体とが存在する。
【００３８】
【化１２】
0003646012.tif 000011
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は前記と同じである。）
本発明の電子写真感光体には、ｔｒａｎｓ−異性体(1-2) を使用するのが好ましい。
【００３９】
本発明のスチルベン誘導体(1) の合成方法を、Ｒ1 とＲ3 が同一の基で、かつＲ2 とＲ4 が同一の基である場合を例にとって説明する。
反応式(I) ：
【００４０】
【化１３】
0003646012.tif 000012
（式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同じである。）
この反応は、一般式(2) で表されるトリフェニルアミンのホルミル体とビスリン酸エステル誘導体(3) とを適当な無水溶媒中、塩基の存在下で反応させることにより、一般式(1-a) で表される本発明のスチルベン誘導体を得るものである。
【００４１】
上記反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素があげられる。
上記塩基としては、ナトリウムメトキシドなどのナトリウムアルコキシド、水素化ナトリウムなどの金属水素化物があげられる。
【００４２】
ビスリン酸エステル誘導体(3) に対する塩基の使用量は、少なくとも２〜４倍モル量、好ましくは２〜２．５倍モル量である。
化合物(2) の使用量は、ビスリン酸エステル誘導体(3) に対して１．８〜２．５倍モル量、好ましくは１．９５〜２．０５倍モル量である。反応は、通常−１０〜２５℃で行われ、３〜１２時間程度で終了する。
【００４３】
反応式(II)：
【００４４】
【化１４】
0003646012.tif 000013
（式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同じである。）
この反応は、アニリン誘導体(4) とヨードベンゼン(80)とをニトロベンゼン中に加え、無水炭酸カリウム、銅等の触媒とともに反応させることにより、トリフェニルアミン誘導体(5) を得、ついで、このトリフェニルアミン誘導体(5) をフィルスマイヤー法によりホルミル化することにより、上記反応式(I) の出発原料であるトリフェニルアミンのホルミル体(2) を得るものである。
【００４５】
前記アニリン誘導体(4) とヨードベンゼン(80)との使用割合は、モル比で１：１．７〜３、好ましくは１：１．８〜２．２である。反応は、通常１６０〜２２０℃で行われ、４〜３０時間程度で終了する。
前記フィルスマイヤー法に使用する試薬（Vilsmeier 試薬）は、(i) オキシ塩化リン、ホスゲン、塩化オキサリル、塩化チオニル、トリフェニルホスフィン−臭素、ヘキサクロロトリホスファザトリエン等のハロゲン化剤と、(ii)Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルホルムアニリド（ＭＦＡ）、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド等との組み合わせにより調製される。特に本発明では、オキシ塩化リンと、溶媒としても使用できるＤＭＦとの組み合わせが好適に用いられる。
【００４６】
前記Vilsmeier 試薬の調製において、前記(i) と(ii)との使用割合は、通常モル比で１：１〜２、好ましくは１：１〜１．２である。
上記Vilsmeier 試薬の使用量は、トリフェニルアミン誘導体(5) に対して０．９〜２倍モル量、好ましくは１〜１．１倍モル量である。前記化合物(5) のホルミル化は、通常４０〜８０℃で行われ、２〜５時間程度で終了する。
【００４７】
なお、本発明のスチルベン誘導体(1) においてＲ1 および／またはＲ2 が置換基を有するアルキル基、例えばＲ1 がヒドロキシアルキル基であるスチルベン誘導体(1-x) を合成する場合には、▲１▼ヒドロキシアルキル基を有するアニリン誘導体(4-x) を出発原料として用いてスチルベン誘導体(1-x) を合成してもよく、▲２▼Ｒ1 がアルキル基であるスチルベン誘導体(1-xx)を合成した後、そのアルキル基を慣用の方法（例えば酸化など）によりヒドロキシアルキル基へと変換してスチルベン誘導体(1-x) を合成してもよい。
【００４８】
反応式(III) ：
【００４９】
【化１５】
0003646012.tif 000014
（式中、Ｘはハロゲン原子である。）
この反応は、ビスハロゲノメチルナフタレン(81)に亜リン酸トリエステルを無溶媒または適当な溶媒中にて反応させることにより、上記反応式(I) の出発原料であるビスリン酸エステル誘導体(3) を得るものである。その際、第三級アミンを添加すると、反応系からハロゲン化アルキルが除去され、反応が促進する。
【００５０】
上記反応に使用する溶媒としては、反応に影響を及ぼさないものであればよく、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルホルムアミドがあげられる。
上記第三級アミンとしては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジンなどがあげられる。
【００５１】
ビスハロゲノメチルナフタレン(81)に対する亜リン酸トリエステルの使用量は、少なくとも２倍モル量、好ましくは２〜２．４倍モル量である。反応は、通常、８０〜１５０℃で行われ、１〜４時間程度で終了する。
反応式(IV)  ：
【００５２】
【化１６】
0003646012.tif 000015
（式中、Ｒa は炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｘは前記と同じである。）
この反応は、ナフタレンジカルボン酸(84)を通常のエステル化反応に付すことにより、ナフタレンジカルボン酸のエステル誘導体(83)を得、ついでこのエステル誘導体(83)に水素化還元剤を用いて還元することにより、一般式(82)で表されるナフタレンのビスヒドロキメチル体を得、次いでこの化合物(82)をハロゲン化剤と反応させることにより、反応工程式(III) の出発材料である化合物(81)を得るものである。
【００５３】
上記のエステル化反応は、例えば触媒の存在下でナフタレンジカルボン酸(84)に一般式(85)：
Ｒa −ＯＨ
（式中、Ｒa は前記と同じである。）
で表されるアルコール類を反応させることにより行なわれる。
【００５４】
使用される触媒としては、エステル化反応に慣用の触媒が用いられ、具体的には塩化水素、濃硫酸、リン酸、ポリリン酸、三フッ化ホウ素、過塩素酸等の無機酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロメタンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機酸、トリクロロメタンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物等の酸無水物、塩化チオニル等の触媒があげられる。
【００５５】
上記のエステル化反応は、無溶媒または適当な溶媒の存在下に行なわれる。使用される溶媒としては、エステル化反応に慣用の溶媒のいずれも使用でき、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類などがあげられる。
【００５６】
化合物(84)に対するアルコール類(85)の使用割合は、２〜６倍モル量、好ましくは３〜４倍モル量とするのがよい。また、反応温度は８０〜１６０℃、好ましくは１００〜１５０℃で行なうのがよい。
また、化合物(83)は、化合物(84)のアルカリ金属塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩等）に、一般式(86)：
Ｒa −Ｘ
（式中、Ｒa およびＸは前記同じ）
で表されるアルコール類(85)のハライド化合物を反応させる方法や、化合物(84)のカルボキシ基を縮合剤やハラゲン化剤などによって反応性基( 酸塩化物、アミドまたは無水物) に変換した後、アルコール類(85)を反応させる方法等によっても得ることができる。これらのエステル化反応は慣用の方法に準じて行うことができる。
【００５７】
化合物(83)から化合物(82)を得る反応は、適当な溶媒中で行われる。上記溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジグライム等のエーテル類；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素等があげられる。
また、この反応に用いられる水素化還元剤としては、水素化リチウムアルミニウム、水素化アルミニウム、水素化ジイソプロピルアルミニウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム−塩化アルミニウム、ジボラン等があげられる。
【００５８】
化合物(83)に対する水素化還元剤の使用量は、少なくとも２倍モル量、好ましくは２〜２．２倍モル量程度が適当である。反応は、通常、氷冷下〜１２０℃、好ましくは３０〜８０℃程度で行われ、約１〜２０時間で終了する。
化合物(82)から化合物(81)を得る反応は、無溶媒または適当な溶媒中で行われる。この反応で用いられる溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素があげられる。
【００５９】
また、この反応に用いられるハロゲン化剤としては、例えば塩化チオニル、臭化チオニル等のハロゲン化チオニル、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素等のハロゲン化水素、三塩化リン、三臭化リン等のハロゲン化リンがあげられる。
化合物(82)に対するハロゲン化剤の使用量は、少なくとも２倍モル量、好ましくは２〜３倍モル量である。反応は、氷冷下〜１２０℃、好ましくは４０〜１００℃程度で行われ、約１〜１８時間で終了する。
【００６０】
次に、スチルベン誘導体の合成において、基Ｒ1 とＲ3 またはＲ2 とＲ4 が異なる基である場合には、上記ビスリン酸エステル誘導体(3) に代えてモノリン酸エステル誘導体を、順次、異なる基を有するトリフェニルアミンのホルミル体(2) に反応させることにより、合成される。
具体的には、下記反応式(V) に示すように、まず、一般式(87)で表される化合物に亜リン酸トリエステルを反応させてモノリン酸エステル(88)を得、ついで、これに上記トリフェニルアミンのホルミル体(2) を反応させてモノスチルベン誘導体(89)を得、さらにそれをハロゲン化した化合物(90)を得る。
【００６１】
反応式(V) ：
【００６２】
【化１７】
0003646012.tif 000016
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＸは前記と同じである。）
次いで、下記反応式(VI)に示すように、上記化合物(90)に亜リン酸トリエステルを反応させて化合物(91)を得、これにトリフェニルアミンのホルミル体(2')を反応させることにより、スチルベン誘導体(1-b) が得られる。
【００６３】
反応式(VI)：
【００６４】
【化１８】
0003646012.tif 000017
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 およびＸは前記と同じである。）
なお、反応式(V) の出発原料として使用する上記化合物(87)は、ナフタレンジカルボン酸(84)に代えてメチルナフタレンカルボン酸(92)を用いて前記反応式(IV)と同様にしてエステル化反応、還元反応、ハロゲン化反応の順に付することにより、合成することができる。
【００６５】
上記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体は、前述のように電荷移動度が大きく、すなわち高い正孔輸送能を有することから、電子写真感光体における正孔輸送剤として好適に使用されるほか、太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子等の種々の分野での利用が可能である。
次に、本発明の電子写真感光体について詳細に説明する。
【００６６】
本発明の電子写真感光体は、前記一般式(1) で表されるスチルベン誘導体を含有した感光層を、導電性基体上に設けたものである。感光体には、前述のように単層型と積層型とがあるが、本発明はこのいずれにも適用可能である。
単層型感光体は、導電性基体上に単一の感光層を設けたものである。この感光層は、一般式(1) で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）、電荷発生剤、結着樹脂、さらに必要に応じて電子輸送剤を適当な溶媒に溶解または分散させ、得られた塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させることで形成される。かかる単層型感光体は、単独の構成で正負いずれの帯電型にも適用可能であるとともに、層構成が簡単で生産性に優れている。
【００６７】
本発明の単層型電子写真感光体は、従来の単層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。
一方、積層型感光体は、まず導電性基体上に、蒸着または塗布等の手段によって、電荷発生剤を含有する電荷発生層を形成し、次いでこの電荷発生層上に、一般式(1) で表されるスチルベン誘導体（正孔輸送剤）の少なくとも１種と結着樹脂とを含む塗布液を塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成することによって作製される。また、上記とは逆に、導電性基体上に電荷輸送層を形成し、その上に電荷発生層を形成してもよい。但し、電荷発生層は電荷輸送層に比べて膜厚がごく薄いため、その保護のためには、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成するのが好ましい。
【００６８】
積層型感光体は、上記電荷発生層および電荷輸送層の形成順序と、電荷輸送層に使用する電荷輸送剤の種類によって、正負いずれの帯電型となるかが選択される。例えば、上記のように、導電性基体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を形成した場合において、電荷輸送層における電荷輸送剤として、本発明のスチルベン誘導体(1) のような正孔輸送剤を使用した場合には、感光体は負帯電型となる。
【００６９】
本発明の積層型感光体は、従来のスチルベン誘導体を正孔輸送剤として使用した積層型電子写真感光体に比べて、感光体の残留電位が大きく低下しており、感度が向上している。
前述のように、本発明の電子写真感光体は、単層型および積層型のいずれにも適用できるが、特に正負いずれの帯電型にも使用できること、構造が簡単で製造が容易であること、層を形成する際の被膜欠陥を抑制できること、層間の界面が少なく、光学的特性を向上できること等の観点から、単層型が好ましい。
【００７０】
次に、本発明の電子写真感光体に用いられる種々の材料について説明する。
《電荷発生剤》
本発明に用いられる電荷発生剤としては、例えば下記の一般式(CG1) 〜(CG12)で表される化合物があげられる。
(CG1) 無金属フタロシアニン
【００７１】
【化１９】
0003646012.tif 000018
(CG2) オキソチタニルフタロシアニン
【００７２】
【化２０】
0003646012.tif 000019
(CG3) ペリレン顔料
【００７３】
【化２１】
0003646012.tif 000020
（式中、Ｒg1およびＲg2は同一または異なって、炭素数が１８以下の置換または未置換のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルカノイル基またはアラルキル基を示す。）
(CG4) ビスアゾ顔料
【００７４】
【化２２】
0003646012.tif 000021
〔式中、Ｃｐ1 およびＣｐ2 は同一または異なってカップラー残基を示し、Ｑは次式：
【００７５】
【化２３】
0003646012.tif 000022
（式中、Ｒg3は水素原子、アルキル基、アリール基または複素環式基を示し、アルキル基、アリール基または複素環式基は置換基を有していてもよい。ωは０または１を示す。）
【００７６】
【化２４】
0003646012.tif 000023
（式中、Ｒg4およびＲg5は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を示す。）
【００７７】
【化２５】
0003646012.tif 000024
（式中、Ｒg6は水素原子、エチル基、クロロエチル基またはヒドロキシエチル基を示す。）
【００７８】
【化２６】
0003646012.tif 000025
または
【００７９】
【化２７】
0003646012.tif 000026
（式中、Ｒg7、Ｒg8およびＲg9は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリール基またはアラルキル基を示す。）
で表される基を示す。〕
(CG5) ジチオケトピロロピロール顔料
【００８０】
【化２８】
0003646012.tif 000027
（式中、Ｒg10 およびＲg11 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒg12 およびＲg13 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
(CG6) 無金属ナフタロシアニン顔料
【００８１】
【化２９】
0003646012.tif 000028
（式中、Ｒg14 、Ｒg15 、Ｒg16 およびＲg17 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）
(CG7) 金属ナフタロシアニン顔料
【００８２】
【化３０】
0003646012.tif 000029
（式中、Ｒg18 、Ｒg19 、Ｒg20 およびＲg21 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、ＭはＴｉまたはＶを示す。）
(CG8) スクアライン顔料
【００８３】
【化３１】
0003646012.tif 000030
（式中、Ｒg22 およびＲg23 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。）
(CG9) トリスアゾ顔料
【００８４】
【化３２】
0003646012.tif 000031
（式中、Ｃｐ3 、Ｃｐ4 およびＣｐ5 は同一または異なって、カップラー残基を示す。）
(CG10)インジゴ顔料
【００８５】
【化３３】
0003646012.tif 000032
（式中、Ｒg24 およびＲg25 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、Ｚは酸素原子または硫黄原子を示す。）
(CG11)アズレニウム顔料
【００８６】
【化３４】
0003646012.tif 000033
（式中、Ｒg26 およびＲg27 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
(CG12)シアニン顔料
【００８７】
【化３５】
0003646012.tif 000034
（式中、Ｒg28 およびＲg29 は同一または異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒg30 およびＲg31 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
上記例示の電荷発生剤において、アルキル基としては、前述と同様な基があげられる。炭素数１８以下の置換または未置換のアルキル基は、炭素数１〜６のアルキル基に加えて、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、ペンタデシル、オクタデシル等を含む基である。
【００８８】
シクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル等の炭素数３〜８の基があげられる。
アルコキシ基およびアリール基としては、前述と同様な基があげられる。アルカノイル基としては、例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ペンタノイル、ヘキサノイルなどがあげられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素があげられる。
【００８９】
複素環式基としては、例えばチエニル、フリル、ピロリル、ピロリジニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、２Ｈ−イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラニル、ピリジル、ピペリジル、ピペリジノ、３−モルホリニル、モルホリノ、チアゾリルなどがあげられる。また、芳香族環と縮合した複素環式基であってもよい。
【００９０】
上記基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基などがあげられる。
Ｃｐ1 、Ｃｐ2 、Ｃｐ3 、Ｃｐ4 およびＣｐ5 で表されるカップラー残基としては、例えば下記一般式(Cp-1)〜(Cp-11) に示す基があげられる。
【００９１】
【化３６】
0003646012.tif 000035
【００９２】
【化３７】
0003646012.tif 000036
各式中、Ｒg32 は、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイル基、オキサモイル基、アントラニロイル基、カルバゾイル基、グリシル基、ヒダントイル基、フタルアモイル基またはスクシンアモイル基を示す。これらの基は、ハロゲン原子、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有していてもよい。
【００９３】
Ｒg33 は、ベンゼン環と縮合して芳香族環、多環式炭化水素または複素環を形成するのに必要な原子団を示し、これらの環は前記と同様な置換基を有してもよい。
Ｒg34 は、酸素原子、硫黄原子またはイミノ基を示す。
Ｒg35 は、２価の鎖式炭化水素基または芳香族炭化水素基を示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【００９４】
Ｒg36 は、アルキル基、アラルキル基、アリール基または複素環式基を表し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
Ｒg37 は、２価の鎖式炭化水素基もしくは芳香族炭化水素基とともに、または上記基(Cp-1)〜(Cp-11) 中の２つの窒素原子とともに複素環を形成するのに必要な原子団を表し、これらの環は前記と同様な置換基を有してもよい。
【００９５】
Ｒg38 は、水素原子、アルキル基、アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、アロファノイル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリール基またはシアノ基を示し、水素原子以外の基は前記と同様な置換基を有していてもよい。
Ｒg39 は、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【００９６】
アルケニル基としては、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−メチルアリル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル等の炭素数が２〜６のアルケニル基があげられる。
前記Ｒg33 において、ベンゼン環と縮合して芳香族環を形成するのに必要な原子団としては、例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等の炭素数１〜４のアルキレン基があげられる。
【００９７】
上記Ｒg33 とベンゼン環との縮合により形成される芳香族環としては、例えばナフタリン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環等があげられる。
またＲg33 において、ベンゼン環と縮合して多環式炭化水素を形成するのに必要な原子団としては、例えば上記炭素数１〜４のアルキレン基や、あるいはカルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾフラン環等があげられる。
【００９８】
またＲg33 において、ベンゼン環と縮合して複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えばベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、インドリル、１Ｈ−インドリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−インダドリル、ベンゾイミダゾリル、クロメニル、クロマニル、イソクロマニル、キノリニル、イソキノリニル、シンノリニル、フタラジニル、キナゾニリル、キノキサリニル、ジベンゾフラニル、カルバゾリル、キサンテニル、アクリジニル、フェナントリジニル、フェナジニル、フェノキサジニル、チアントレニル等があげられる。
【００９９】
上記Ｒg33 とベンゼン環との縮合により形成される芳香族性複素環式基としては、例えばチエニル、フリル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、チアゾリルがあげられる。また、さらに他の芳香族環と縮合した複素環式基（例えばベンゾフラニル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、キノリル等）であってもよい。
【０１００】
前記Ｒg35 、Ｒg37 において、２価の鎖式炭化水素基としては、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられ、２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン、ナフチレン、フェナントリレン等があげられる。
前記Ｒg36 において、複素環式基としては、ピリジル、ピラジル、チエニル、ピラニル、インドリル等があげられる。
【０１０１】
前記Ｒg37 において、２つの窒素原子とともに複素環を形成するのに必要な原子団としては、例えばフェニレン、ナフチレン、フェナントリレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等があげられる。
上記Ｒg37 と、２つの窒素原子とにより形成される芳香族性複素環式基としては、例えばベンゾイミダゾール、ベンゾ［ｆ］ベンゾイミダゾール、ジベンゾ［ｅ，ｇ］ベンゾイミダゾール、ベンゾピリミジン等があげられる。これらの基は前記と同様な置換基を有してもよい。
【０１０２】
前記Ｒg38 において、アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル等の基があげられる。
本発明においては、上記例示の電荷発生剤のほかに、例えばセレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、アモルファスシリコン等の無機光導電材料の粉末や、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キナクリドン系顔料等の従来公知の電荷発生剤を用いることができる。
【０１０３】
また、上記例示の電荷発生剤は、所望の領域に吸収波長を有するように、単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
上記例示の電荷発生剤のうち、特に半導体レーザー等の光源を使用したレーザービームプリンタやファクシミリ等のデジタル光学系の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば前記一般式(CG1) で表される無金属フタロシアニンや一般式(CG2) で表されるオキソチタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料が好適に用いられる。なお、上記フタロシアニン系顔料の結晶形については特に限定されず、種々のものを使用できる。
【０１０４】
一方、ハロゲンランプ等の白色の光源を使用した静電式複写機等のアナログ光学系の画像形成装置には、可視領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば前記一般式(CG3) で表されるペリレン顔料や一般式(CG4) で表されるビスアゾ顔料等が好適に用いられる。
《正孔輸送剤》
本発明の電子写真感光体においては、正孔輸送剤である本発明のスチルベン誘導体(1) とともに、従来公知の他の正孔輸送剤を感光層に含有させてもよい。
【０１０５】
かかる正孔輸送剤としては、高い正孔輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(HT1) 〜(HT13)で表される化合物などがあげられる。
【０１０６】
【化３８】
0003646012.tif 000037
（式中、Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ａおよびｂは同一または異なって０〜４の整数を示し、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは同一または異なって０〜５の整数を示す。但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆが２以上のとき、各Ｒh1、Ｒh2、Ｒh3、Ｒh4、Ｒh5およびＲh6は異なっていてもよい。）
【０１０７】
【化３９】
0003646012.tif 000038
（式中、Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｇ、ｈ、ｉおよびｊは同一または異なって０〜５の整数を示し、ｋは０〜４の整数を示す。但し、ｇ、ｈ、ｉ、ｊまたはｋが２以上のとき、各Ｒh7、Ｒh8、Ｒh9、Ｒh10 およびＲh11 は異なっていてもよい。）
【０１０８】
【化４０】
0003646012.tif 000039
（式中、Ｒh12 、Ｒh13 、Ｒh14 およびＲh15 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。Ｒh16 はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｍ、ｎ、ｏおよびｐは同一または異なって、０〜５の整数を示す。ｑは０〜６の整数を示す。但し、ｍ、ｎ、ｏ、ｐまたはｑが２以上のとき、各Ｒh12 、Ｒh13 、Ｒh14 、Ｒh15 およびＲh16 は異なっていてもよい。）
【０１０９】
【化４１】
0003646012.tif 000040
（式中、Ｒh17 、Ｒh18 、Ｒh19 およびＲh20 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。ｒ、ｓ、ｔおよびｕは同一または異なって、０〜５の整数を示す。但し、ｒ、ｓ、ｔまたはｕが２以上のとき、各Ｒh17 、Ｒh18 、Ｒh19 およびＲh20 は異なっていてもよい。）
【０１１０】
【化４２】
0003646012.tif 000041
（式中、Ｒh21 およびＲh22 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。Ｒh23 、Ｒh24 、Ｒh25 およびＲh26 は同一または異なって、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。）
【０１１１】
【化４３】
0003646012.tif 000042
（式中、Ｒh27 、Ｒh28 およびＲh29 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１１２】
【化４４】
0003646012.tif 000043
（式中、Ｒh30 、Ｒh31 、Ｒh32 およびＲh33 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１１３】
【化４５】
0003646012.tif 000044
（式中、Ｒh34 、Ｒh35 、Ｒh36 、Ｒh37 およびＲh38 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１１４】
【化４６】
0003646012.tif 000045
（式中、Ｒh39 は水素原子またはアルキル基を示し、Ｒh40 、Ｒh41 およびＲh42 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１１５】
【化４７】
0003646012.tif 000046
（式中、Ｒh43 、Ｒh44 およびＲh45 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【０１１６】
【化４８】
0003646012.tif 000047
（式中、Ｒh46 およびＲh47 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアルコキシ基を示す。Ｒh48 およびＲh49 は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【０１１７】
【化４９】
0003646012.tif 000048
（式中、Ｒh50 、Ｒh51 、Ｒh52 、Ｒh53 、Ｒh54 およびＲh55 は同一または異なって、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリール基を示す。αは１〜１０の整数を示し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚおよびβは同一または異なって０〜２の整数を示す。但し、ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚまたはβが２のとき、各Ｒh50 、Ｒh51 、Ｒh52 、Ｒh53 、Ｒh54 およびＲh55 は異なっていてもよい。）
【０１１８】
【化５０】
0003646012.tif 000049
（式中、Ｒh56 、Ｒh57 、Ｒh58 およびＲh59 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアルコキシ基を示し、Φは次式：
【０１１９】
【化５１】
0003646012.tif 000050
で表される基（Φ−１）、（Φ−２）または（Φ−３）を示す。）
上記例示の正孔輸送剤において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
【０１２０】
上記基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置については特に限定されない。
【０１２１】
また本発明においては、上記例示の正孔輸送剤(HT1) 〜(HT13)とともに、またはこれに代えて、従来公知の正孔輸送物質、すなわち２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、有機ポリシラン化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物などを用いることもできる。
【０１２２】
本発明において、正孔輸送剤は１種のみを用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。また、ポリビニルカルバゾール等の成膜性を有する正孔輸送剤を用いる場合には、結着樹脂は必ずしも必要でない。
《電子輸送剤》
本発明に用いられる電子輸送剤としては、高い電子輸送能を有する種々の化合物、例えば下記の一般式(ET1) 〜(ET17)で表される化合物などがあげられる。
【０１２３】
【化５２】
0003646012.tif 000051
（式中、Ｒe1、Ｒe2、Ｒe3、Ｒe4およびＲe5は同一または異なって、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよいフェノキシ基またはハロゲン原子を示す。）
【０１２４】
【化５３】
0003646012.tif 000052
（式中、Ｒe6はアルキル基、Ｒe7は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。γは０〜５の整数を示す。但し、γが２以上のとき、各Ｒe7は互いに異なっていてもよい。）
【０１２５】
【化５４】
0003646012.tif 000053
（式中、Ｒe8およびＲe9は同一または異なって、アルキル基を示す。δは１〜４の整数を示し、εは０〜４の整数を示す。但し、δおよびεが２以上のとき、各Ｒe8およびＲe9は異なっていてもよい。）
【０１２６】
【化５５】
0003646012.tif 000054
（式中、Ｒe10 はアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基またはハロゲン原子を示す。ζは０〜４、ηは０〜５の整数を示す。但し、ηが２以上のとき、各Ｒe10 は異なっていてもよい。）
【０１２７】
【化５６】
0003646012.tif 000055
（式中、Ｒe11 はアルキル基を示し、σは１〜４の整数を示す。但し、σが２以上のとき、各Ｒe11 は異なっていてもよい。）
【０１２８】
【化５７】
0003646012.tif 000056
（式中、Ｒe12 およびＲe13 は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシ基、水酸基、ニトロ基またはシアノ基を示す。Ｘは酸素原子、＝Ｎ−ＣＮ基または＝Ｃ（ＣＮ）2 基を示す。）
【０１２９】
【化５８】
0003646012.tif 000057
（式中、Ｒe14 は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基または置換基を有してもよいフェニル基を示し、Ｒe15 はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。λは０〜３の整数を示す。但し、λが２以上のとき、各Ｒe15 は互いに異なっていてもよい。）
【０１３０】
【化５９】
0003646012.tif 000058
（式中、θは１〜２の整数を示す。）
【０１３１】
【化６０】
0003646012.tif 000059
（式中、Ｒe16 およびＲe17 は同一または異なって、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基を示す。νおよびξは０〜３の整数を示す。但し、νまたはξが２以上のとき、各Ｒe16 およびＲe17 は互いに異なっていてもよい。）
【０１３２】
【化６１】
0003646012.tif 000060
（式中、Ｒe18 およびＲe19 は同一または異なって、フェニル基、縮合多環式基または複素環式基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）
【０１３３】
【化６２】
0003646012.tif 000061
（式中、Ｒe20 はアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アルキル基またはフェニル基を示し、πは１〜２の整数を示す。但し、πが２のとき、各Ｒe20 は互いに異なっていてもよい。）
【０１３４】
【化６３】
0003646012.tif 000062
（式中、Ｒe21 は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアラルキル基を示す。）
【０１３５】
【化６４】
0003646012.tif 000063
（式中、Ｒe22 はハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、アルコキシカルボニル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、シアノ基またはニトロ基を示す。μは０〜３の整数を示す。但し、μが２以上のとき、各Ｒe22 は互いに異なっていてもよい。）
【０１３６】
【化６５】
0003646012.tif 000064
（式中、Ｒe23 は置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒe24 は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基または基：
−Ｏ−Ｒe24a
を示す。上記基中のＲe24aは、置換基を有してもよいアルキル基または置換基を有してもよいアリール基を示す。）
【０１３７】
【化６６】
0003646012.tif 000065
（式中、Ｒe25 、Ｒe26 、Ｒe27 、Ｒe28 、Ｒe29 、Ｒe30 およびＲe31 は同一または異なってアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。χおよびφは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
【０１３８】
【化６７】
0003646012.tif 000066
（式中、Ｒe32 およびＲe33 は同一または異なってアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン化アルキル基を示す。τおよびψは同一または異なって０〜４の整数を示す。）
【０１３９】
【化６８】
0003646012.tif 000067
（式中、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 およびＲe37 は同一または異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基またはアミノ基を示す。但し、Ｒe34 、Ｒe35 、Ｒe36 、Ｒe37 のうち少なくとも２つは、水素原子でない同一の基である。）
上記例示の電子輸送剤において、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、複素環式基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
【０１４０】
ハロゲン化アルキル基におけるアルキル基およびハロゲン原子としては、前述と同様な基があげられる。
縮合多環式基としては、例えばナフチル、フェナントリル、アントリル等があげられる。アラルキルオキシカルボニル基としては、アラルキル部分が前述した各種のアラルキル基であるものがあげられる。Ｎ−アルキルカルバモイル基としては、アルキル部分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられる。
【０１４１】
ジアルキルアミノ基としては、アルキル部分が前述した各種のアルキル基であるものがあげられる。なおアミノに置換する２つのアルキルは同一でも、互いに異なっていてもよい。
上記各基に置換してもよい置換基としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアルケニル基等があげられる。置換基の置換位置については特に限定されない。
【０１４２】
また本発明においては、上記例示のほかに従来公知の電子輸送物質、すなわち例えばベンゾキノン系化合物、マロノニトリル、チオピラン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等を用いることができる。
【０１４３】
本発明において、電子輸送剤は１種のみを用いるほか、２種以上を混合して用いてもよい。
《結着樹脂》
上記各成分を分散させるための結着樹脂としては、従来より感光層に使用されているポリカーボネートが使用可能である。
【０１４４】
感光層には、上記各成分のほかに、電子写真特性に悪影響を与えない範囲で、従来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。
【０１４５】
単層型感光体において、電荷発生剤は、結着樹脂１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すればよい。本発明のスチルベン誘導体(1) （正孔輸送剤）は、結着樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤を含有させる場合、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜１００重量部、好ましくは１０〜８０重量部とするのが適当である。また、単層型感光体における感光層の厚さは５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。
【０１４６】
積層型感光体において、電荷発生層を構成する電荷発生剤と結着樹脂とは、種々の割合で使用することができるが、結着樹脂１００重量部に対して電荷発生剤を５〜１０００重量部、好ましくは３０〜５００重量部の割合で配合するのが適当である。電荷発生層に正孔輸送剤を含有させる場合は、正孔輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して１０〜５００重量部、好ましくは５０〜２００重量部とするのが適当である。
【０１４７】
電荷輸送層を構成する正孔輸送剤と結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しない範囲で種々の割合で使用することができるが、光照射により電荷発生層で生じた電荷が容易に輸送できるように、結着樹脂１００重量部に対して、本発明のスチルベン誘導体(1) （正孔輸送剤）を１０〜５００重量部、好ましくは２５〜２００樹脂の割合で配合するのが適当である。電荷輸送層に電子輸送剤を含有させる場合は、電子輸送剤の割合を結着樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部とするのが適当である。
【０１４８】
積層型感光体における感光層の厚さは、電荷発生層が０．０１〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜３μｍ程度であり、電荷輸送層が２〜１００μｍ、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
単層型感光体においては、導電性基体と感光層との間に、また積層型感光体においては、導電性基体と電荷発生層との間、導電性基体と電荷輸送層との間または電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよい。また、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよい。
【０１４９】
上記感光層が形成される導電性基体としては、導電性を有する種々の材料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス等があげられる。
【０１５０】
導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラム状等のいずれであってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導電性基体は、使用に際して十分な機械的強度を有するものが好ましい。
前記感光層を塗布の方法により形成する場合には、前記例示の電荷発生剤、電荷輸送剤、結着樹脂等を適当な溶剤とともに、公知の方法、例えばロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機等を用いて分散混合して分散液を調整し、これを公知の手段により塗布して乾燥させればよい。
【０１５１】
上記分散液を作るための溶剤としては、種々の有機溶剤が使用可能であり、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等があげられる。これらの溶剤は単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
【０１５２】
さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
【０１５３】
【実施例】
以下、本発明を合成例、実施例および比較例に基づいて説明する。
《スチルベン誘導体の合成》
参考例１
〔２，６−ジメチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリン１５ｇ（１２４ミリモル）、ヨードベンゼン５０ｇ（２４５ミリモル）、無水炭酸カリウム１７ｇ（１２３ミリモル）および粉末銅１ｇ（１６ミリモル）をニトロベンゼン１５０ミリリットル中に加え、還流下、約２４時間反応させた。反応後、無機塩を除去し、溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、標記化合物２８．８ｇを得た（収率８５％）。
参考例２
〔２−エチル−６−メチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて６−エチル−ｏ−トルイジンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物２８．１ｇを得た（収率７９％）。
参考例３
〔２，６−ジエチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２，６−ジエチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物３１．０ｇを得た（収率８３％）。
参考例４
〔２，３−ジメチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２，３−ジメチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物２８．４ｇを得た（収率８４％）。
参考例５
〔２−エチルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−エチルアニリンを同モル量用いた以外は参考例１と同様に反応を行い、標記化合物２６．７ｇを得た（収率７９％）。
参考例６
〔２−メトキシトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えてｏ−アニシジンを同モル量用いて参考例１と同様にして反応を行うことにより、合成することができる。
参考例７
〔２−エトキシトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えてｏ−フェネチジンを同モル量用いて参考例１と同様にして反応を行うことにより、合成することができる。
参考例８
〔２−メトキシ−６−メチル−トリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−メトキシ−６−メチルアニリンを同モル量用いて参考例１と同様にして反応を行うことにより、合成することができる。
参考例９
〔２−メトキシ−５−メチル−トリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて２−メトキシ−５−メチルアニリンを同モル量用いて参考例１と同様にして反応を行うことにより、合成することができる。
参考例１０
〔５−メトキシ−２−メチル−トリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルアニリンに代えて５−メトキシ−２−メチルアニリンを同モル量用いて参考例１と同様にして反応を行うことにより、合成することができる。
参考例１１
〔２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミン２８ｇ（１０２ミリモル）をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ミリリットルに溶解し、オキシ塩化リン酸１６ｇ（１０４ミリモル）を加えて４０℃で１時間反応させた。反応後、水３００ミリリットル中に加え、酢酸エチルで抽出した。次いで、有機層を水洗乾燥して溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、標記化合物２６．８ｇ（収率８７％）を得た。
参考例１２
〔２−エチル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−エチル−６−メチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２８．２ｇを得た（収率８７％）。
参考例１３
〔２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２，６−ジエチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２７．１ｇを得た（収率８０％）。
参考例１４
〔２，３−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２，３−ジメチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２７．５ｇを得た（収率８９％）。
参考例１５
〔２−エチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−エチルトリフェニルアミンを同モル量用いた以外は参考例１１と同様に反応を行い、標記化合物２４．８ｇを得た（収率８０％）。
参考例１６
〔２−メトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メトキシトリフェニルアミンを同モル量用いて参考例１１と同様にして反応を行うことにより、合成することができる。
参考例１７
〔２−エトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−エトキシトリフェニルアミンを同モル量用いて参考例１１と同様にして反応を行うことにより、合成することができる。
参考例１８
〔２−メトキシ−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メトキシ−６−メチル−トリフェニルアミンを同モル量用いて参考例１１と同様にして反応を行うことにより、合成することができる。
参考例１９
〔２−メトキシ−５−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて２−メトキシ−５−メチル−トリフェニルアミンを同モル量用いて参考例１１と同様にして反応を行うことにより、合成することができる。
参考例２０
〔５−メトキシ−２−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンの合成〕
２，６−ジメチルトリフェニルアミンに代えて５−メトキシ−２−メチル−トリフェニルアミンを同モル量用いて参考例１１と同様にして反応を行うことにより、合成することができる。
参考例２１
〔ビスリン酸エステル(3p)の合成〕
ディーンスターンおよび還流管を備えたフラスコに、２，６−ナフタレンジカルボン酸１０ｇ（４６ミリモル）、ｎ−ブタノール１３．７ｇ（１８５ミリモル）、溶媒としてトルエン２００ｍｌ、および硫酸を触媒量加え、８時間還流した。反応後、反応液を濃縮し、得られた残渣をメタノールで再結晶することにより、２，６−ナフタレンジカルボン酸ブチルエステルを得た（１２．８ｇ、８５％）。
【０１５４】
ついで、アルゴン雰囲気下、還流管を備えたフラスコに、水素化リチウム２．３ｇ（６０ミリモル）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液を加え、これにテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解させた上記２，６−ナフタレンジカルボン酸ブチルエステル１０ｇ（３０ミリモル）をゆっくり滴下した後、室温で約３時間反応させた。反応後、反応液を氷浴中に移し、酢酸エチルで抽出した。得られた酢酸エチル層を十分水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、酢酸エチルを留去して、２，６−ナフタレンビスヒドロキシメチルを得た（収率９５％）。
【０１５５】
そして、還流管を備えたフラスコに、この２，６−ナフタレンビスヒドロキシメチル１０ｇ（５３ミリモル）、塩化チオニル２５ｍｌ、および相関移動触媒であるピリジン（触媒量）を順次加え、８時間還流した。反応終了後、溶媒を留去し、得られた残渣をメタノールで再結晶することにより、２，６−ナフタレンビスクロロヒドロキシメチルを得た（収率８０％）。
【０１５６】
次に、アルゴン雰囲気下、還流管を備えたフラスコに、この２，６−ナフタレンビスクロロヒドロキシメチル１０ｇ（４４ミリモル）、リン酸トリエチル１７．７ｇ（１０６ミリモル）を順次加え、４時間還流した。反応終了後、溶媒を留去し、得られた残渣をヘキサンで再結晶することにより、下記式(3p)で表されるビスリン酸エステル誘導体を得た（収率８０％）。
参考例２２
〔ビスリン酸エステル(3m)の合成〕
２，６−ナフタレンジカルボン酸に代えて１，４−ナフタレンジカルボン酸を同モル量使用した以外は参考例２１と同様にして反応を行い、下記式(3m)で表されるビスリン酸エステル誘導体を得た。
参考例２３
〔ビスリン酸エステル(3n)の合成〕
２，６−ナフタレンジカルボン酸に代えて２，３−ナフタレンジカルボン酸を同モル量使用した以外は参考例２１と同様にして反応を行い、下記式(3n)で表されるビスリン酸エステル誘導体を得た。
【０１５７】
上記参考例２１〜２３で得たビスリン酸エステル誘導体(3p)〜(3n)を以下の通りである。
【０１５８】
【化６９】
0003646012.tif 000068
合成例１〔スチルベン誘導体(11-2)の合成〕
上記式(3p)で表されるビスリン酸エステル６．２ｇ（１５．６ミリモル）と脱気乾燥した水素化ナトリウム０．７５ｇ（３１．２ミリモル）とをテトラヒドロフラン２００ミリリットル中に加え、氷冷した。これに、テトラヒドロフラン５０ミリリットルに溶解した２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミン９．５ｇ（３１．５ミリモル）を滴下し、室温で約３時間反応させた。反応後、約２％の希塩酸水溶液４００ミリリットルに加え、析出した結晶をろ過し、水洗した。結晶を乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製して、前記表１において化合物番号１１−２で示したスチルベン誘導体９．３ｇを得た（収率８３％）。
合成例２〔スチルベン誘導体(11-6)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−エチル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−６で示したスチルベン誘導体１０ｇを得た（収率８５％）。
【０１５９】
融点：２４４〜２４６℃
上記スチルベン誘導体(11-6)の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１に、赤外線吸収スペクトルを図２に示す。
合成例３〔スチルベン誘導体(12-6)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−エチル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用い、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表２において化合物番号１２−６で示したスチルベン誘導体９．５ｇを得た（収率８１％）。
合成例４〔スチルベン誘導体(13-6)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−エチル−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用い、上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3n)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表３において化合物番号１３−６で示したスチルベン誘導体８．８ｇを得た（収率７８％）。
合成例５〔スチルベン誘導体(11-1)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いたほかは、合成例１と同様にして反応を行い、前記表１において化合物番号１１−１で示したスチルベン誘導体９．０ｇを得た（収率８０％）。
合成例６〔スチルベン誘導体(11-7)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表１において化合物番号１１−７で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例７〔スチルベン誘導体(11-14) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表１において化合物番号１１−１４で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例８〔スチルベン誘導体(11-15) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−エトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表１において化合物番号１１−１５で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例９〔スチルベン誘導体(11-16) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メトキシ−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表１において化合物番号１１−１６で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例１０〔スチルベン誘導体(11-17) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メトキシ−５−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表１において化合物番号１１−１７で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例１１〔スチルベン誘導体(11-18) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、５−メトキシ−２−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表１において化合物番号１１−１８で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例１２〔スチルベン誘導体(12-2)の合成〕
上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表２において化合物番号１２−２で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例１３〔スチルベン誘導体(12-1)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用い、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表２において化合物番号１２−１で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例１４〔スチルベン誘導体(12-7)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用い、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表２において化合物番号１２−７で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例１５〔スチルベン誘導体(12-14) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて２−メトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンを、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表２において化合物番号１２−１４で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例１６〔スチルベン誘導体(12-15) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて２−エトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンを、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表２において化合物番号１２−１５で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例１７〔スチルベン誘導体(12-16) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メトキシ−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表２において化合物番号１２−１６で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例１８〔スチルベン誘導体(12-17) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メトキシ−５−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表２において化合物番号１２−１７で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例１９〔スチルベン誘導体(12-18) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、５−メトキシ−２−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3m)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表２において化合物番号１２−１８で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例２０〔スチルベン誘導体(13-2)の合成〕
上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3n)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表３において化合物番号１３−２で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例２１〔スチルベン誘導体(13-1)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用い、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3n)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表３において化合物番号１３−１で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例２２〔スチルベン誘導体(13-7)の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２，６−ジエチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを同モル量用い、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3n)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表３において化合物番号１３−７で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例２３〔スチルベン誘導体(13-14) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて２−メトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンを、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3n)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表３において化合物番号１３−１４で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例２４〔スチルベン誘導体(13-15) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて２−エトキシ−４’−ホルミルトリフェニルアミンを、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3n)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表３において化合物番号１３−１５で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例２５〔スチルベン誘導体(13-16) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メトキシ−６−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3n)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表３において化合物番号１３−１６で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例２６〔スチルベン誘導体(13-17) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、２−メトキシ−５−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3n)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表３において化合物番号１３−１７で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
合成例２７〔スチルベン誘導体(13-18) の合成〕
２，６−ジメチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンに代えて、５−メトキシ−２−メチル−４’−ホルミルトリフェニルアミンを、また上記式(3p)で表されるビスリン酸エステルに代えて上記式(3n)で表されるビスリン酸エステルを同モル量用いて合成例１と同様にして反応を行うことにより、前記表３において化合物番号１３−１８で示したスチルベン誘導体を得ることができる。
《結着樹脂との相溶性についての評価》
試験例１
合成例１〜５で得たスチルベン誘導体についてそれぞれ、結着樹脂との相溶性を下記の方法にて評価した。
（試料の調製）
結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部と溶媒（テトラヒドロフラン）８００重量部との混合液に、合成例１〜５で得たスチルベン誘導体をそれぞれ１〜１００重量部配合し、均一な塗布液が得られるスチルベン誘導体の最大添加量（重量部）を求めた。なお、塗布液の調製は、上記成分をボールミルにて５０時間混合分散させることにより行った。
【０１６０】
つぎに、上記各スチルベン誘導体の最大添加量（重量部）を下記式に代入し、結着樹脂に対するスチルベン誘導体の配合率（重量％）を求め、結着樹脂との相溶性について評価した。なお、この配合率が高い程、結着樹脂への溶解性が高く、結着樹脂との相溶性に優れていることを示す。
【０１６１】
【数１】
配合率（重量％）＝スチルベン 誘導体の配合量×１００／結着樹脂の配合量
なお対照化合物として、下記式(6-1) 〜(6-7) で表されるスチルベン誘導体についてそれぞれ、上記と同様にして結着樹脂への溶解性を評価した。
【０１６２】
【化７０】
0003646012.tif 000069
【０１６３】
【化７１】
0003646012.tif 000070
これらの結果を下記表４に示す。
【０１６４】
【表４】
0003646012.tif 000071
表４から明らかなように、合成例１〜５で得たスチルベン誘導体は、対照化合物であるスチルベン誘導体(6-1) 〜(6-7) に比べて、結着樹脂との相溶性が非常に優れていることがわかる。
《電子写真感光体の製造》
（デジタル光源用単層型感光体）
実施例１
電荷発生剤にはＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) を用いた。正孔輸送剤には、前記表１の化合物番号(11-2)で表されるスチルベン誘導体を用いた。
【０１６５】
上記電荷発生剤５重量部、正孔輸送剤１００重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１００重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）８００重量部とともにボールミルにて５０時間混合分散させて、単層型感光層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を導電性基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１００℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を有するデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例２
正孔輸送剤として、前記表１の化合物番号(11-6)で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３
正孔輸送剤として、前記表２の化合物番号(12-6)で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例４
正孔輸送剤として、前記表３の化合物番号(13-6)で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例５
単層型感光層用の塗布液中に、さらに電子輸送剤として、式(ET17-1)：
【０１６６】
【化７２】
0003646012.tif 000072
で表されるジフェノキノン誘導体を３０重量部配合したほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例６
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(11-6)を用いたほかは、実施例５と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例７
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(12-6)を用いたほかは、実施例５と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例８
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(13-6)を用いたほかは、実施例５と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例９〜１２
電子輸送剤として、式(ET14-1)：
【０１６７】
【化７３】
0003646012.tif 000073
で表される化合物を用いたほかは、実施例５〜８と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１３〜１６
電子輸送剤として、式（ET14−2）：
【０１６８】
【化７４】
0003646012.tif 000074
で表される化合物を用いたほかは、実施例５〜８と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例１
正孔輸送剤として、式（6−1）：
【０１６９】
【化７５】
0003646012.tif 000075
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例２
正孔輸送剤として、式(6-2) ：
【０１７０】
【化７６】
0003646012.tif 000076
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例３
正孔輸送剤として、式(6-3) ：
【０１７１】
【化７７】
0003646012.tif 000077
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例４
正孔輸送剤として、式(6-4) ：
【０１７２】
【化７８】
0003646012.tif 000078
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例５
正孔輸送剤として、式(6-5) ：
【０１７３】
【化７９】
0003646012.tif 000079
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例６
正孔輸送剤として、式(6-6) ：
【０１７４】
【化８０】
0003646012.tif 000080
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例７
正孔輸送剤として、式(6-7) ：
【０１７５】
【化８１】
0003646012.tif 000081
で表されるスチルベン誘導体を用いたほかは、実施例１と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０１７６】
上記実施例１〜１６および比較例１〜７で得られた感光体について下記の電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(I)
ジェンテック（GENTEC）社製のドラム感度試験機を用いて各感光体の表面に印加電圧を加え、その表面を＋７００±２０Ｖに帯電させた後、表面電位Ｖo （Ｖ）を測定した。次いで、露光光源であるハロゲンランプの白色光からバンドパスフィルタを用いて取り出した波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光強度８μＪ／ｃｍ2 ）を感光体の表面に照射（照射時間１．５秒）して、上記表面電位Ｖo が１／２になるのに要した時間を測定し、半減露光量Ｅ1/2 （μＪ／ｃｍ2 ）を算出した。また、露光開始から０．５秒経過した時点での表面電位を残留電位Ｖr （Ｖ）として測定した。
【０１７７】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表５に示す。なお、以下の表において、電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類はそれぞれの式番号または化合物に付した番号で示した。
【０１７８】
【表５】
0003646012.tif 000082
実施例１７〜２０
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１〜４と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例２１〜２４
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例５〜８と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例２５〜２８
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例９〜１２と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例２９〜３２
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例１３〜１６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例８〜１４
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、比較例１〜７と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０１７９】
上記実施例１７〜３２および比較例８〜１４で得られた感光体について前記電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表６に示す。
【０１８０】
【表６】
0003646012.tif 000083
実施例３３〜３６
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例１〜４と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例３７〜４０
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例５〜８と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例４１〜４４
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例９〜１２と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
実施例４５〜４８
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例１３〜１６と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
比較例１５〜２１
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、比較例１〜７と同様にしてデジタル光源用の単層型感光体を製造した。
【０１８１】
上記実施例３３〜４８および比較例１５〜２１で得られた感光体について前記電気特性試験(I) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表７に示す。
【０１８２】
【表７】
0003646012.tif 000084
（デジタル光源用積層型感光体）
実施例４９
電荷発生剤であるＸ型無金属フタロシアニン(CG1-1) ２．５重量部および結着樹脂（ポリビニルブチラール）１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１５重量部とともにボールミルにて混合分散させて、電荷発生層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を導電性基材（アルミニウム素管）上にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。
【０１８３】
次に、正孔輸送剤であるスチルベン誘導体(11-2)１重量部および結着樹脂（ポリカーボネート）１重量部を溶媒（テトラヒドロフラン）１０重量部とともにボールミルにて混合分散させて、電荷輸送層用の塗布液を作製した。次いでこの塗布液を上記電荷発生層上にディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２０μｍの電荷発生層を形成し、デジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例５０
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(11-6)を用いたほかは、実施例４９と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例５１
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(12-6)を用いたほかは、実施例４９と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例５２
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(13-6)を用いたほかは、実施例４９と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例５３〜５６
電荷発生剤としてα型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-1) を用いたほかは、実施例４９〜５２と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
実施例５７〜６０
電荷発生剤としてＹ型オキソチタニルフタロシアニン(CG2-2) を用いたほかは、実施例４９〜５２と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例２２〜２８
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(6-1) 〜(6-7) を用いたほかは、実施例４９と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例２９〜３５
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(6-1) 〜(6-7) を用いたほかは、実施例５３と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
比較例３６〜４２
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(6-1) 〜(6-7) を用いたほかは、実施例５７と同様にしてデジタル光源用の積層型感光体を製造した。
【０１８４】
上記実施例４９〜６０および比較例２２〜４２で得られた感光体について下記の電気特性試験(II)を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(II)
感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、前記電気特性試験(I) と同様にして表面電位Ｖo （Ｖ）、残留電位Ｖr （Ｖ）および半減露光量Ｅ1/2 （μＪ／ｃｍ2 ）を求めた。
【０１８５】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表８および９に示す。
【０１８６】
【表８】
0003646012.tif 000085
【０１８７】
【表９】
0003646012.tif 000086
（アナログ光源用単層型感光体）
実施例６１〜６４
電荷発生剤として、式(CG3-1) ：
【０１８８】
【化８２】
0003646012.tif 000087
で表されるペリレン顔料を用いたほかは、実施例１〜４と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例６５〜６８
電荷発生剤としてペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、実施例５〜８と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例６９〜７２
電荷発生剤としてペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、実施例９〜１２と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例７３〜７６
電荷発生剤としてペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、実施例１３〜１６と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例４３〜４９
電荷発生剤としてペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、比較例１〜７と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０１８９】
上記実施例６１〜７６および比較例４３〜４９で得られた感光体について下記の電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(III)
露光光源としてハロゲンランプの白色光（光強度８ルックス）を用いたほかは、前記電気特性試験(I) と同様にして、表面電位Ｖo （Ｖ）、残留電位Ｖr （Ｖ）および半減露光量Ｅ1/2 （ｌｕｘ・秒）を求めた。
【０１９０】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１０に示す。
【０１９１】
【表１０】
0003646012.tif 000088
実施例７７〜８０
電荷発生剤として、式(CG4-1) ：
【０１９２】
【化８３】
0003646012.tif 000089
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例６１〜６４と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例８１〜８４
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、実施例６５〜６８と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例８５〜８８
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、実施例６９〜７２と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例８９〜９２
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、実施例７３〜７６と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例５０〜５６
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、比較例４３〜４９と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０１９３】
上記実施例７７〜９２および比較例５０〜５６で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１１に示す。
【０１９４】
【表１１】
0003646012.tif 000090
実施例９３〜９６
電荷発生剤として、式(CG4-2) ：
【０１９５】
【化８４】
0003646012.tif 000091
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例６１〜６４と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例９７〜１００
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、実施例６５〜６８と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１０１〜１０４
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、実施例６９〜７２と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１０５〜１０８
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、実施例７３〜７６と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例５７〜６３
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、比較例４３〜４９と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０１９６】
上記実施例９３〜１０８および比較例５７〜６３で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１２に示す。
【０１９７】
【表１２】
0003646012.tif 000092
実施例１０９〜１１２
電荷発生剤として、式(CG4-3) ：
【０１９８】
【化８５】
0003646012.tif 000093
で表されるビスアゾ顔料を用いたほかは、実施例６１〜６４と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１１３〜１１６
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、実施例６５〜６８と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１１７〜１２０
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、実施例６９〜７２と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
実施例１２１〜１２４
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、実施例７３〜７６と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
比較例６４〜７０
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、比較例４３〜４９と同様にしてアナログ光源用の単層型感光体を製造した。
【０１９９】
上記実施例１０９〜１２４および比較例６４〜７０で得られた感光体について前記電気特性試験(III) を行い、各感光体の電気特性を評価した。各実施例および比較例で使用した電荷発生剤、正孔輸送剤および電子輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１３に示す。
【０２００】
【表１３】
0003646012.tif 000094
（アナログ光源用積層型感光体）
実施例１２５〜１２８
電荷発生剤としてペリレン顔料(CG3-1) を用いたほかは、実施例４９〜５２と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１２９〜１３２
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-1) を用いたほかは、実施例４９〜５２と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１３３〜１３６
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-2) を用いたほかは、実施例４９〜５２と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
実施例１３７〜１４０
電荷発生剤としてビスアゾ顔料(CG4-3) を用いたほかは、実施例４９〜５２と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例７１〜７６
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(6-1) 〜(6-6) を用いたほかは、実施例１２５と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例７７〜８２
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(6-1) 〜(6-6) を用いたほかは、実施例１２９と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例８３〜８８
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(6-1) 〜(6-6) を用いたほかは、実施例１３３と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
比較例８９〜９５
正孔輸送剤としてスチルベン誘導体(6-1) 〜(6-7) を用いたほかは、実施例１３７と同様にしてアナログ光源用の積層型感光体を製造した。
【０２０１】
上記実施例１２５〜１４０および比較例７１〜９５で得られた感光体について下記の電気特性試験(IV)を行い、各感光体の電気特性を評価した。
電気特性試験(IV)
感光体の表面を−７００±２０Ｖに帯電させたほかは、前記電気特性試験(III) と同様にして表面電位Ｖo （Ｖ）、残留電位Ｖr （Ｖ）および半減露光量Ｅ1/2 （ｌｕｘ・秒）を求めた。
【０２０２】
上記各実施例および比較例で使用した電荷発生剤および正孔輸送剤の種類と、電気特性の試験結果とを表１４および１５に示す。
【０２０３】
【表１４】
0003646012.tif 000095
【０２０４】
【表１５】
0003646012.tif 000096
表５〜１５から明らかなように、実施例１〜１４０の電子写真感光体は、各実施例に対応する比較例に比べて残留電位Ｖr の絶対値が小さい。また、半減露光量Ｅ1/2 についても、対応する比較例での値と同等またはその値を下回っている。このことから、実施例１〜１４０の電子写真感光体は、優れた感度を有することがわかる。
【０２０５】
また、合成例６〜２７におけるスチルベン誘導体を、前述の実施例１〜１４０と同様にして電子写真感光体（アナログ光源用の単層型および積層型の感光体、デジタル光源用の単層型および積層型の感光体）を製造すれば、実施例１〜１４０の電子写真感光体と同様に優れた感度を有する感光体が得られる。
【０２０６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明のスチルベン誘導体(1) は、バインダー樹脂との相溶性が高く、かつ高い電荷輸送能（正孔輸送能）を有する。
また本発明の電子写真感光体は、上記スチルベン誘導体(1) を正孔輸送剤として用いることから、高感度である。従って、本発明の電子写真感光体は、静電式複写機やレーザービームプリンタ等の各種画像形成装置の高速化、高性能化等に寄与するという特有の作用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】スチルベン誘導体(11-6)の 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示すグラフである。
【図２】スチルベン誘導体(11-6)の赤外線吸収スペクトルを示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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