(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型不純物を添加した窒化物半導体を作製する工程と、
作製した窒化物半導体の表面を酸化し、酸化膜を形成する工程と、
酸化膜を形成したのち、ｐ型不純物を活性化し、ｐ型とする工程と
を含むことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項２】
酸化膜の厚さを５ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項３】
ｐ型不純物の活性化を行ったのち、酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項４】
窒化物半導体を作製したのち、その表面に酸化膜を形成する前に、窒化物半導体の表面を有機溶剤で洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項５】
ｐ型不純物を添加した窒化物半導体を作製する工程と、
作製した窒化物半導体の表面を、活性酸素を含む雰囲気中で処理する工程と、
窒化物半導体の表面を処理したのち、ｐ型不純物を活性化し、ｐ型とする工程と
を含むことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項６】
ｐ型不純物を活性化したのち、窒化物半導体の表面を、酸およびアルカリのうちの少なくとも一方により処理する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項７】
窒化物半導体を作製したのち、活性酸素を含む雰囲気中で処理する前に、窒化物半導体の表面を有機溶剤で洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項８】
ｐ型不純物を添加した窒化物半導体層を成長させる工程と、
成長させた窒化物半導体層の表面を酸化し、酸化膜を形成する工程と、
酸化膜を形成したのち、ｐ型不純物を活性化し、ｐ型とする工程と
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項９】
酸化膜の厚さを５ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項８記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
ｐ型不純物の活性化を行ったのち、酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項８記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
酸化膜を除去したのち、ｐ型の窒化物半導体層に対して電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
窒化物半導体層を成長させたのち、その表面に酸化膜を形成する前に、窒化物半導体層の表面を有機溶剤で洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項８記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
ｐ型不純物を添加した窒化物半導体層を成長させる工程と、
成長させた窒化物半導体層の表面を、活性酸素を含む雰囲気中で処理する工程と、
窒化物半導体層の表面を処理したのち、ｐ型不純物を活性化し、ｐ型とする工程と
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
ｐ型不純物を活性化したのち、窒化物半導体層の表面を、酸およびアルカリのうちの少なくとも一方により処理する工程を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
窒化物半導体層の表面を酸およびアルカリのうちの少なくとも一方により処理したのち、ｐ型の窒化物半導体層に対して電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１４記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
窒化物半導体層を成長させたのち、活性酸素を含む雰囲気中で処理する前に、窒化物半導体層の表面を有機溶剤で洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ｐ型不純物を活性化する工程を含む窒化物半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＩｎＧａＮ混晶などの窒化物半導体は、可視領域から紫外領域までの発光を得ることができる発光素子の構成材料として、あるいは電子素子の構成材料として有望視されている。特に、窒化物半導体を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ；Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）については既に実用化が図られており、大きな注目を集めている。また、窒化物半導体を用いた半導体レーザ（ＬＤ；Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ  ）の実現も報告されており、光ディスク装置の光源を初めとした応用が期待されている。
【０００３】
ところで、このような素子において優れた特性を得るためには、半導体に対して電極を良好にオーミック接触させ、接触抵抗を低くすることが重要である。例えば、ｎ型半導体については、ケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物を添加することにより比較的高いキャリア濃度を得ることができ、電極を容易にオーミック接触させることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ｐ型半導体については、マグネシウム（Ｍｇ）などのｐ型不純物を添加しても水素（Ｈ）と結合しているために活性化率が低く、１×１０１８ｃｍ−３程度のキャリア濃度しか得られない。そのために、電極を良好にオーミック接触させることが難しく、動作電圧が高くなってしまい、特性にもばらつきが生じやすいという問題があった。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電極との接触抵抗を低くすることができる窒化物半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明による窒化物半導体の製造方法は、ｐ型不純物を添加した窒化物半導体を作製する工程と、作製した窒化物半導体の表面を酸化し、酸化膜を形成する工程と、酸化膜を形成したのち、ｐ型不純物を活性化し、ｐ型とする工程とを含むものである。
【０００７】
本発明による他の窒化物半導体の製造方法は、ｐ型不純物を添加した窒化物半導体を作製する工程と、作製した窒化物半導体の表面を、活性酸素を含む雰囲気中で処理する工程と、窒化物半導体の表面を処理したのち、ｐ型不純物を活性化し、ｐ型とする工程とを含むものである。
【０００８】
本発明による半導体素子の製造方法は、ｐ型不純物を添加した窒化物半導体層を成長させる工程と、成長させた窒化物半導体層の表面を酸化し、酸化膜を形成する工程と、酸化膜を形成したのち、ｐ型不純物を活性化し、ｐ型とする工程とを含むものである。
【０００９】
本発明による他の半導体素子の製造方法は、ｐ型不純物を添加した窒化物半導体層を成長させる工程と、成長させた窒化物半導体層の表面を、活性酸素を含む雰囲気中で処理する工程と、窒化物半導体層の表面を処理したのち、ｐ型不純物を活性化し、ｐ型とする工程とを含むものである。
【００１０】
本発明による窒化物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法では、ｐ型不純物を活性化する前に、窒化物半導体の表面を酸化して酸化膜を形成するので、または、窒化物半導体の表面を活性酸素を含む雰囲気中で処理するので、活性化処理における窒化物半導体の表面の変質が防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１は本発明の一実施の形態に係る窒化物半導体の製造方法を表す流れ図であり、図２は窒化物半導体の製造方法を工程順に表すものである。なお、窒化物半導体というのは、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａｌ），インジウム（Ｉｎ）およびホウ素（Ｂ）などからなる短周期型周期表の３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と、窒素（Ｎ），ヒ素（Ａｓ）およびリン（Ｐ）などからなる短周期型周期表の５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素とを含むものを言う。
【００１３】
まず、図２（Ａ）に示したように、例えば、サファイア（α−Ａｌ２  Ｏ３  ）よりなる基板１１のｃ面に、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ；有機金属化学気相成長）法により、マグネシウムなどのｐ型不純物を添加した窒化物半導体１２を成長させ作製する（ステップＳ１０１）。この窒化物半導体１２には水素原子が含まれており、この水素との結合によりｐ型不純物は活性化が阻害されている。
【００１４】
ＭＯＣＶＤを行う際の原料には、ガリウムの原料ガスとして例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ３  ）３  Ｇａ）、アルミニウムの原料ガスとして例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ３  ）３  Ａｌ）、インジウムの原料ガスとして例えばトリメチルインジウム（（ＣＨ３  ）３  Ｉｎ）、ホウ素の原料ガスとして例えばトリメチルホウ素（（ＣＨ３  ）３  Ｂ）、窒素の原料ガスとして例えばアンモニア（ＮＨ３  ）をそれぞれ用いる。また、マグネシウムの原料ガスとしては例えばビス＝シクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ５  Ｈ５  ）２  Ｍｇ）を用いる。
【００１５】
次いで、例えば、必要に応じて窒化物半導体１２の表面をアセトンなどの有機溶剤で洗浄し、表面に付着している不純物を除去する（ステップＳ１０２）。続いて、例えば、窒化物半導体１２の表面を酸およびアルカリのうちの少なくとも一方により更に洗浄するようにしてもよい（ステップＳ１０３）。酸としてはフッ酸（ＨＦ）を含むものが好ましく、アルカリとしては水酸化カリウム（ＫＯＨ），水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）あるいは水酸化アンモニウム（ＮＨ４  ＯＨ）などを含むものが好ましい。
【００１６】
そののち、図２（Ｂ）に示したように、洗浄した窒化物半導体１２の表面を、オゾン（Ｏ３  ）を含む雰囲気中で紫外線を照射することにより処理する。あるいは、洗浄した窒化物半導体１２の表面を、酸素（Ｏ２  ）を含む雰囲気中でプラズマ放電させる酸素アッシャーなど、酸素を含むプラズマ雰囲気中で処理する。すなわち、窒化物半導体１２の表面を、オゾンあるいは酸素が解離して生じた原子状態の活性酸素を含む雰囲気中に曝す（ステップＳ１０４）。これにより、窒化物半導体１２の表面を酸化して酸化膜１３を形成すると共に、窒化物半導体１２の表面に存在する洗浄工程で除去されなかった炭素（Ｃ）あるいは有機物を除去する。これは、後続のｐ型不純物を活性化する処理において、窒化物半導体１２の表面が変質することを防止するためのものである。
【００１７】
特に、窒化物半導体１２の表面をオゾン含有雰囲気中で紫外線を照射することにより処理するようにすれば、窒化物半導体１２の表面の損傷が少ないので好ましい。その際、この処理は、例えば、室温以上において１分以上行うことが好ましい。また、形成する酸化膜１３の厚さは、５ｎｍ以下とすることが好ましい。これ以上厚いと、後続のｐ型不純物を活性化する処理において活性化率が減少してしまったり、あるいは後で酸化膜１３を除去する処理の困難性が増してしまうからである。なお、この酸化膜１３というのは、意図的に形成したものを指し、空気中に放置されることにより形成される自然酸化膜を意味するのではない。
【００１８】
酸化膜１３を形成したのち、例えば、窒化物半導体１２を４００℃以上の温度でアニールする。これにより、水素を放出させ、窒化物半導体１２に含まれるｐ型不純物を活性化して、ｐ型とする（ステップＳ１０５）。本実施の形態では、活性化処理の前に、窒化物半導体１２の表面に存在する炭素を除去すると共に、酸化膜１３を形成しているので、活性化処理における窒化物半導体１２の表面の変質が防止される。また、酸化膜１３により水素の放出が促進され、ｐ型不純物の活性化率が向上すると考えられる。
【００１９】
ｐ型不純物の活性化を行ったのち、図２（Ｃ）に示したように、例えば必要に応じて、窒化物半導体１２の表面を酸およびアルカリのうちの少なくとも一方により処理し、酸化膜１３を除去する（ステップＳ１０６）。酸としてはフッ酸を含むものが好ましく、アルカリとしては水酸化カリウム，水酸化ナトリウムあるいは水酸化アンモニウムなどを３％以上含むものが好ましい。処理温度は１００℃以下とすることが好ましい。処理は酸またはアルカリのいずれか一方のみでもよいが、両方行う方が好ましい。処理の順序は酸またはアルカリのどちらが先でもよい。これにより、変質の少ない良好な界面を有し、ｐ型不純物の活性化率が高い窒化物半導体１２が得られる。
【００２０】
次に、この窒化物半導体の製造方法を用いた半導体素子の製造方法、具体的には半導体レーザの製造方法について説明する。
【００２１】
図３は本実施の形態に係る窒化物半導体の製造方法を用いて製造する半導体レーザの構成を表すものである。まず、例えば、サファイアよりなる基板２１を用意し、この基板２１のｃ面上に、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型窒化物半導体層である各層をそれぞれ成長させる。すなわち、例えば、ｎ型不純物であるケイ素を添加したｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層２２，ケイ素を添加したｎ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｎ型クラッド層２３，ケイ素を添加したｎ型ＧａＮよりなるｎ型ガイド層２４を順次成長させる。
【００２２】
次いで、ｎ型窒化物半導体層の上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法により組成の異なるＧａｘ  Ｉｎ１−ｘ  Ｎ（但し、１≧ｘ≧０）混晶層を積層した多重量子井戸構造を有する活性層２５を成長させる。
【００２３】
活性層２５を成長させたのち、活性層２５の上に、例えばＭＯＣＶＤ法によりｐ型不純物を添加した窒化物半導体層である各層をそれぞれ成長させる。すなわち、例えば、マグネシウムを添加したＡｌＧａＮ混晶よりなる電流ブロック層２６，マグネシウムを添加したＧａＮよりなるｐ型ガイド層２７，マグネシウムを添加したＡｌＧａＮ混晶よりなるｐ型クラッド層２８，マグネシウムを添加したＧａＮよりなるｐ型コンタクト層２９を順次成長させる。
【００２４】
次いで、先の窒化物半導体の製造方法と同様にして、必要に応じてｐ型コンタクト層２９の表面を有機溶剤で洗浄し（図１；ステップＳ１０２参照）、更に酸およびアルカリのうちの少なくとも一方により洗浄したのち（図１；ステップＳ１０３参照）、活性酸素を含む雰囲気中で処理して図３には示していない酸化膜を形成する（図１；ステップＳ１０４参照）。
【００２５】
酸化膜を形成したのち、先の窒化物半導体の製造方法と同様にして、電流ブロック層２６，ｐ型ガイド層２７，ｐ型クラッド層２８およびｐ型コンタクト層２９に含まれるｐ型不純物を活性化し、それらの層をｐ型とする（図１；ステップＳ１０５参照）。本実施の形態では、活性化処理の前に、活性酸素を含む雰囲気中で処理し、酸化膜を形成しているので、ｐ型コンタクト層２９の表面の変質が防止されると共に、ｐ型コンタクト層２９のキャリア濃度が高くなる。
【００２６】
ｐ型不純物を活性化したのち、先の窒化物半導体の製造方法と同様にして、必要に応じて酸およびアルカリのうちの少なくとも一方で処理し、酸化膜を除去する（図１；ステップＳ１０６参照）。この処理は行わなくてもよいが、行った方が、後述するｐ側電極３１とｐ型コンタクト層２９との接触抵抗をより低くすることができるので好ましい。
【００２７】
酸化膜を除去したのち、ｐ型コンタクト層２９の上に図示しないマスク層を形成し、このマスク層を利用して例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；反応性イオンエッチング）によりｐ型コンタクト層２９およびｐ型クラッド層２８の一部を選択的に除去して、ｐ型クラッド層２８の上部およびｐ型コンタクト層２９を細い帯状（リッジ状）とする。そののち、図示しないマスク層を除去し、全面（すなわちｐ型クラッド層２８およびｐ型コンタクト層２９の上）に、例えば蒸着法により二酸化ケイ素（ＳｉＯ２  ）よりなる絶縁膜３０を形成する。次いで、例えば、絶縁膜３０の上に、図示しないレジスト膜を塗布形成し、このレジスト膜をマスクとして、ＲＩＥにより、絶縁膜３０，ｐ型クラッド層２８，ｐ型ガイド層２７，電流ブロック層２６，活性層２５，ｎ型ガイド層２４およびｎ型クラッド層２３の一部を順次選択的に除去し、ｎ型コンタクト層２２を露出させる。
【００２８】
ｎ型コンタクト層２２を露出させたのち、図示しないレジスト膜を除去し、全面（すなわち絶縁膜３０およびｎ型コンタクト層２２の上）に図示しないレジスト膜を塗布形成し、このレジスト膜をマスクとして絶縁膜３０を選択的に除去し、ｐ型コンタクト層２９を露出させる。そののち、全面（すなわちｐ型コンタクト層２９および図示しないレジスト膜の上）に、例えば、パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）を順次蒸着し、図示しないレジスト膜をその上に積層された金属と共に除去し（リフトオフ）、ｐ側電極３１を形成する。本実施の形態では、ｐ型コンタクト層２９の表面が変質の少ない良好な状態であり、ｐ型コンタクト層２９のキャリア濃度が向上されているので、ｐ型コンタクト層２９とｐ側電極３１との接触抵抗が低くなる。
【００２９】
ｐ側電極３１を形成したのち、全面（すなわち、ｎ型コンタクト層２２，絶縁膜３０およびｐ側電極３１の上）に、ｎ型コンタクト層２２に対応して開口を有する図示しないレジスト膜を塗布形成する。そののち、全面（すなわちｎ型コンタクト層２２および図示しないレジスト膜の上）に、例えば真空蒸着法によりチタン（Ｔｉ），アルミニウムおよび金を順次蒸着し、図示しないレジスト膜をその上に形成された金属と共に除去し（リフトオフ）、ｎ側電極３２を形成する。
【００３０】
次いで、基板２１を例えば８０μｍ程度の厚さとなるように研削したのち、基板２１を所定の大きさに整え、ｐ側電極３１の延長方向において対向する一対の共振器端面に図示しない反射鏡膜を形成する。これにより、図３に示した半導体レーザが完成する。
【００３１】
このように本実施の形態によれば、ｐ型不純物を活性化する前に、窒化物半導体１２の表面を活性酸素を含む雰囲気中で処理し、表面に存在する炭素を除去すると共に、酸化膜１３を形成するようにしたので、活性化処理における窒化物半導体１２の表面の変質を防止することができると共に、ｐ型不純物の活性化率を向上させることができる。
【００３２】
よって、この方法を用いて半導体レーザを作製すれば、ｐ型コンタクト層２９とｐ側電極３１との接触抵抗を低くすることができ、動作電圧を低くすることができると共に、特性のばらつきを小さくすることができる。
【００３３】
特に、ｐ型不純物を活性化したのち、酸およびアルカリのうちの少なくとも一方により処理し、形成した酸化膜を除去するようにすれば、ｐ型コンタクト層２９とｐ側電極３１との接触抵抗をより低くすることができ、動作電圧をより小さくすることができる。
【００３４】
【実施例】
更に、本発明の具体的な実施例について、図１および図３を参照して詳細に説明する。
【００３５】
実施例１として、複数の基板２１を用意し、実施の形態で説明した半導体素子の製造方法と同様にして、図３に示した半導体レーザを各基板２１について複数個づつ作製した。
【００３６】
その際、ｐ型不純物を活性化する前の表面処理は、オゾンを含む８０℃の雰囲気中で紫外線を１０分間照射することにより行った（図１；ステップＳ１０４参照）。表面処理前の洗浄（図１；ステップＳ１０２参照）は、アセトンを用いて超音波をかけながら５分間行い、酸およびアルカリによる洗浄は行わなかった（図１；ステップＳ１０２，Ｓ１０３参照）。ｐ型不純物を活性化した後の表面処理は、水酸化カリウム水溶液により６０℃で５分間浸したのち、フッ酸により５０℃で５分間浸すことにより行った（図１；ステップＳ１０６参照）。なお、製造条件は各基板２１についてすべて同一とした。
【００３７】
作製した半導体レーザについて、各基板２１から５個づつ適宜選択し、５０ｍＡの定電流を流した際のｐ側電極３１のコンタクト抵抗および電圧を測定して、基板ごとの平均値を求めた。その結果を図４に示す。
【００３８】
本実施例に対する比較例１として、ｐ型コンタクト層２９の表面をオゾンを含む雰囲気中で紫外線を照射することにより処理しなかったことを除き、本実施例と同様にして複数の基板にそれぞれ複数個づつ半導体レーザを作製し、同様にして基板ごとにコンタクト抵抗および電圧の平均値を求めた。その結果を図５に示す。なお、比較例１では実施例１と別の基板を用意した。
【００３９】
また、実施例２として、更に別の基板２１を２枚用意し、各基板２１の半分側に、実施例１と同様にして複数個づつ半導体レーザを作製した。他の半分側には、比較例２として、活性酸素を含む雰囲気中に曝さなかった半導体レーザを複数個づつ作製した。これら実施例２および比較例２の半導体レーザについても、各基板２１から表１に示した個数づつ適宜選択し、５０ｍＡの電流を流した際のｐ側電極３１のコンタクト抵抗および電圧を測定して、それらの平均値および電圧の標準偏差を求めた。得られた結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
0003622200.tif 000002
【００４１】
図４から分かるように、実施例１によれば、コンタクト抵抗および電圧について共に基板２１の違いによる差が小さかった。これに対して、図５から分かるように比較例１では、コンタクト抵抗および電圧について共に基板による差が大きかった。すなわち、ｐ型不純物を活性化する前に、ｐ型コンタクト層２９の表面を活性酸素を含む雰囲気中で処理するようにすれば、特性のばらつきを小さくし安定させることができることが分かった。
【００４２】
また、表１から分かるように、実施例２は比較例２に比べて、コンタクト抵抗および電圧共に低い値が得られた。すなわち、ｐ型不純物を活性化する前に、ｐ型コンタクト層２９の表面を活性酸素を含む雰囲気中で処理するようにすれば、ｐ型コンタクト層２９とｐ側電極３１との接触抵抗を低くすることができ、動作電圧を低くできることが分かった。
【００４３】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、活性酸素を含む雰囲気で処理することにより酸化膜を形成する場合について説明したが、他の方法により酸化膜を形成するようにしてもよい。
【００４４】
また、上記実施の形態および実施例では、ｐ型不純物の活性化を行った直後に酸化膜を除去するようにしたが、ｐ側電極を形成する前であれば酸化膜をいつ除去してもよく、ｐ側電極を形成する直前に酸化膜を除去するようにすれば、ｐ型コンタクト層表面の汚染が少なくて好ましい。
【００４５】
更に、上記実施の形態および実施例では、半導体素子の製造方法として半導体レーザの製造方法を具体例に挙げて説明したが、本発明は電界トランジスタなどの他の半導体素子を製造する場合についても適用することができる。また、上記実施の形態および実施例では、ｐ型不純物を添加した窒化物半導体層であるｐ型コンタクト層にｐ側電極を形成する場合について説明したが、本発明は、ｐ型不純物を添加した窒化物半導体層にオーミック接触させる必要のある電極を形成する場合に広く適用することができる。
【００４６】
加えて、上記実施の形態および実施例では、ＭＯＣＶＤ法により窒化物半導体を形成する場合について説明したが、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ  ；分子線エピタキシー）法，ハイドライド気相成長法あるいはハライド気相成長法などの他の方法により形成するようにしてもよい。なお、ハイドライド気相成長法とはハイドライド（水素化物）が反応もしくは原料ガスの輸送に寄与する気相成長法のことであり、ハライド気相成長法とはハライド（ハロゲン化物）が反応もしくは原料ガスの輸送に寄与する気相成長法のことである。
【００４７】
更にまた、上記実施の形態および実施例では、サファイアよりなる基板を用いるようにしたが、ＧａＮあるいはＳｉＣなどの他の材料よりなる基板を用いるようにしてもよい。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の窒化物半導体の製造方法、または請求項８ないし請求項１６のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法によれば、ｐ型不純物を活性化する前に、窒化物半導体の表面を酸化し、酸化膜を形成するように、または、窒化物半導体の表面を活性酸素を含む雰囲気中で処理するようにしたので、活性化処理における窒化物半導体の表面の変質を防止できると共に、ｐ型不純物の活性化率を向上させることができる。よって、この窒化物半導体に対して電極をオーミック接触させる場合に、接触抵抗を低くすることができ、動作電圧を低くすることができる。
【００４９】
また、請求項３あるいは請求項６に記載の窒化物半導体の製造方法、または請求項１０，請求項１１，請求項１４あるいは請求項１５に記載の半導体素子の製造方法によれば、ｐ型不純物を活性化したのち、酸化膜を除去するように、または酸およびアルカリのうちの少なくとも一方により処理するようにしたので、接触抵抗をより低くすることができ、動作電圧をより低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る窒化物半導体の製造方法を表す流れ図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る窒化物半導体の製造方法の工程を表す断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る窒化物半導体の製造方法を用いて作製する半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図４】本発明の実施例１に係る半導体レーザのコンタクト抵抗および電圧を示す特性図である。
【図５】本発明の実施例１に対する比較例１に係る半導体レーザのコンタクト抵抗および電圧を示す特性図である。
【符号の説明】
１１，２１…基板、１２…窒化物半導体、１３…酸化膜、、２２…ｎ型コンタクト層、２３…ｎ型クラッド層、２４…ｎ型ガイド層、２５…活性層、２６…電流ブロック層、２７…ｐ型ガイド層、２８…ｐ型クラッド層、２９…ｐ型コンタクト層、３０…絶縁膜、３１…ｐ側電極、３２…ｎ側電極
【図１】
0003622200.tif 000003
【図２】
0003622200.tif 000004
【図３】
0003622200.tif 000005
【図４】
0003622200.tif 000006
【図５】
0003622200.tif 000007