(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子化合物の被膜で被覆された粉体を互いに相分離を起こす２種類以上の混合液体中に混合、分散させた後、上記液体を同時に留去し、上記粉体を乾燥することを特徴とする高分子被覆粉体の製造方法。
【請求項２】
（１）粉体を有機溶剤に溶解した分子中にＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｈ結合を有するケイ素系高分子化合物で処理し、粉体表面を該ケイ素系高分子化合物からなる被膜で被覆する工程、
（２）前記第一工程でケイ素系高分子化合物からなる被膜で被覆された粉体が分散した有機溶剤に、この有機溶剤と相分離を起こす他の溶剤を添加、混合した後、上記両溶剤を同時に留去し、上記粉体を乾燥する工程
を含むことを特徴とするケイ素系高分子被覆粉体の製造方法。
【請求項３】
分子中にＳｉ−Ｓｉ結合を有するケイ素系高分子化合物が、下記一般式（１）で表されるものである請求項２記載のケイ素系高分子被覆粉体の製造方法。
（Ｒ１ｍＲ２ｎＸｐＳｉ）ｑ              （１）
（式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ水素原子、置換もしくは非置換の一価炭化水素基、ＸはＲ１と同様の基、アルコキシ基、ハロゲン原子、酸素原子又は窒素原子である。ｍは０．１≦ｍ≦１、ｎは０．１≦ｎ≦１、ｐは０≦ｐ≦０．５であり、かつ１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５を満足する数、ｑは２≦ｑ≦１００，０００の整数である。）
【請求項４】
分子中にＳｉ−Ｈ結合を有するケイ素系高分子化合物が、下記一般式（２）で表されるものである請求項２記載のケイ素系高分子被覆粉体の製造方法。
（Ｒ３ａＲ４ｂＨｃＳｉＯｄ）ｅ            （２）
（式中、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ水素原子、置換もしくは非置換の一価炭化水素基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。ａは０．１≦ａ≦１、ｂは０．１≦ｂ≦１、ｃは０．０１≦ｃ≦１であり、かつ１≦ａ＋ｂ＋ｃ≦２．５、ｄは１≦ｄ≦２を満足する数である。ｅは２≦ｅ≦１００，０００の整数である。）
【請求項５】
互いに相分離する一方の有機溶剤が炭素数６〜１２の炭化水素化合物であり、他方の溶剤が極性溶媒である請求項２，３又は４記載のケイ素系高分子被覆粉体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、凝集がほとんどない高分子被覆粉体、特にケイ素系高分子被覆粉体の製造方法に関し、特に導電性や触媒能を持つ充填剤、抗菌剤等として有用な金属被覆粉体の原料として好適な高分子被覆粉体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
粉体、特に非導電性の粉体を種々の金属でコートして製造した金属被覆粉体は、べースフィラーとなる素材の選択の自由度が大きく、導電性フィラーや抗菌剤として、塗料、充填剤、コーティング剤等の広い分野に応用が期待できるため、様々な製造手法が検討され、中でも無電解メッキ法を利用した方法などにより実用化されていた。
【０００３】
しかしながら、無電解メッキ法は、メッキ金属と粉体との間の密着性に問題があり、より密着性のよい金属被膜を持つ粉体を製造するため、シランカップリング剤（例えばγ−アミノプロピルトリエトキシシラン）のようなシランモノマーを用いる方法（特開昭６１−２５７４７９号公報、特開昭６２−２９７４７１号公報）、ＮａＢＨ４のような還元剤を使用したパラジウムコロイドゾルを使用する方法（特開昭６３−７９９７５号公報）、粉体表面をエッチング処理する方法などが提案されている。しかし、これら方法では必ずしも良好な金属被覆粉体が得られていないのが現状であった。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、高分子化合物被膜、特にケイ素系高分子化合物被膜で密着性良く被覆され、粉体同士の凝集がほとんどなく、導電性や触媒能を持つ充填剤、抗菌剤等として有用な金属被覆粉体の原料として好適な高分子被覆粉体を安価で簡便な工程により得ることができる高分子被覆粉体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、粉体を、有機溶剤に溶解した分子中にＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｈ結合を有するケイ素系高分子化合物で処理し、粉体表面を該ケイ素系高分子化合物からなる被膜で被覆する工程を行った後、この第一工程でケイ素系高分子化合物からなる被膜で被覆された粉体を分散した有機溶剤に、この有機溶剤と互いに相分離を起こす他の溶剤を添加混合した後、これら溶剤を同時に留去して乾固させることにより、非凝集のケイ素系高分子化合物で被覆されたケイ素系高分子被覆粉体を形成させることができること、即ち、このように安価で簡便な工程で、粉体表面がケイ素系高分子化合物からなる被膜で強固に密着性よく被覆され、しかもこのようにケイ素系高分子被覆粉体を互いに相分離を起こす２種類以上の溶剤を含む混合溶剤中に分散させたものから溶剤を留去、乾固することで、粒子同士の接触が防止された非凝集のケイ素系高分子被覆粉体が得られること、このケイ素系高分子被覆粉体は、導電性や触媒能を持つ充填剤、抗菌剤等に利用される金属被覆粉体の原料として幅広く利用可能であることを見出した。
【０００６】
この場合、ケイ素系高分子化合物は、炭素に比べてケイ素の持つ金属性、電子非局在性、高い耐熱性と柔軟性、良好な薄膜形成特性から、非常に興味深いポリマーであり、中でもポリシラン又はケイ素原子に直接結合した水素原子を有するポリシロキサンは、還元性を持つ高分子化合物として知られ、各種用途に利用されている。更に、ポリシランは炭化ケイ素セラミック材料の前駆体として、ポリシロキサンは酸化ケイ素セラミック材料の前駆体として、熱処理等の後処理により非常に耐熱性に優れる絶縁材料になることも良く知られている。
【０００７】
本出願人は、このような還元作用を持つケイ素系高分子化合物を用いて表面を処理した粉体を金属イオンを含む溶液と接触させると、粉体表面で金属コロイドが生成・保持されることを見出し、これを利用した密着性のよい金属被膜粉体の製造方法を特願平１０−１２１８３６号に提案したが、この方法は、ケイ素系高分子化合物で表面処理した粉体が製造時に凝集するおそれがあった。
【０００８】
そこで、本発明者は、ケイ素系高分子化合物で表面処理された粉体の製造技術について更に研究を重ね、ケイ素系高分子被覆粉体の製造時に、互いに相分離を起こす２種類以上の溶剤を含む混合溶剤中に分散させ、この液体を留去、乾燥させることにより、粒子同士の接触が効果的に防止され、凝集のほとんどない良好なケイ素系高分子被覆粉体を簡単かつ安価に効率良く製造できること、かかる方法は他の高分子被覆粉体にも有効であることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【０００９】
従って、本発明は、高分子化合物の被膜で被覆された粉体を互いに相分離を起こす２種類以上の混合液体中に混合、分散させた後、上記液体を同時に留去し、上記粉体を乾燥することを特徴とする高分子被覆粉体の製造方法を提供する。また、本発明は、特に非凝集のケイ素系高分子被覆粉体を得る方法として、（１）粉体を有機溶剤に溶解した分子中にＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｈ結合を有するケイ素系高分子化合物で処理し、粉体表面を該ケイ素系高分子化合物からなる被膜で被覆する工程、（２）前記第一工程でケイ素系高分子化合物からなる被膜で被覆された粉体が分散した有機溶剤に、この有機溶剤と相分離を起こす他の溶剤を添加、混合した後、上記両溶剤を同時に留去し、上記粉体を乾燥する工程を含むことを特徴とするケイ素系高分子被覆粉体の製造方法を提供する。
【００１０】
以下、本発明につき更に詳しく説明すると、本発明の高分子被覆粉体の製造方法は、高分子化合物の被膜で被覆された粉体を互いに相分離を起こす２種類以上の混合液体中に混合、分散させた後、上記液体を同時に留去し、上記粉体を乾燥するもので、これによって非凝集の高分子被覆粉体が得られる。
【００１１】
この場合、高分子化合物としては適宜選定されるが、本発明は、特に非凝集のケイ素系高分子被覆粉体を得る場合に好適に用いられる。
【００１２】
このような非凝集ケイ素系高分子被覆粉体を得る場合は、特に、
（１）粉体を有機溶剤に溶解した分子中にＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｈ結合を有するケイ素系高分子化合物で処理し、粉体表面を該ケイ素系高分子化合物からなる被膜で被覆する工程、
（２）前記第一工程でケイ素系高分子化合物からなる被膜で被覆された粉体が分散した有機溶剤に、この有機溶剤と相分離を起こす溶剤を添加、混合した後、上記両溶剤を同時に留去し、上記粉体を乾燥する工程
により行うことができる。
【００１３】
まず、第一工程は、粉体を、有機溶剤に溶解した分子中にＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｈ結合を有するケイ素系高分子化合物で処理し、粉体表面をケイ素系ポリマーからなる被膜で被覆するものである。
【００１４】
本発明で使用される粉体としては、例えばシリカ、アルミナ、ケイ酸アルミナ等の絶縁性粉体、酸化チタン、酸化亜鉛等の半導電性粉体、カーボン、アルミ等の導電性粉体などが挙げられる。なお、形状は特に制限はなく、粉末状、繊維状、フレーク状等の種々な形状のものを用いることができる。
【００１５】
本発明では、還元作用を持つケイ素系高分子化合物として分子中にＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｈ結合を有するケイ素系高分子化合物を用いる。
【００１６】
ここで、分子中にＳｉ−Ｓｉ結合を有するケイ素系高分子化合物としては、ポリシランが好ましく用いられ、下記一般式（１）で表されるポリシランが好適である。
【００１７】
（Ｒ１ｍＲ２ｎＸｐＳｉ）ｑ              （１）
上記式（１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ水素原子、置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、Ｒ１とＲ２とは互いに同一であっても異なっていてもよいが、上記一価炭化水素基としては、脂肪族、脂環式又は芳香族一価炭化水素基が用いられる。脂肪族又は脂環式一価炭化水素基としては、炭素数１〜１２、特に１〜６のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基などが挙げられる。また、芳香族一価炭化水素基としては、炭素数６〜１４、特に６〜１０のものが好適であり、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。なお、置換一価炭化水素基としては、上記に例示した非置換の一価炭化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アミノアルキル基などで置換したもの、例えばモノフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等が挙げられる。
【００１８】
Ｘは、Ｒ１と同様の基、アルコキシ基、ハロゲン原子、酸素原子又は窒素原子であり、アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の好ましくは炭素数１〜４のもの、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。Ｘとしては、これらの中でも通常メトキシ基、エトキシ基が好適に用いられる。
【００１９】
ｍは０．１≦ｍ≦１、好ましくは０．５≦ｍ≦１、ｎは０．１≦ｎ≦１、好ましくは０．５≦ｎ≦１、ｐは０≦ｐ≦０．５、好ましくは０≦ｐ≦０．２であり、かつ１≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２．５、好ましくは１．５≦ｍ＋ｎ＋ｐ≦２を満足する数であり、ｑは２≦ｑ≦１００，０００、好ましくは１０≦ｑ≦１０，０００の範囲の整数である。
【００２０】
また、ケイ素原子に直接結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を有するケイ素系高分子化合物は、側鎖にＳｉ−Ｈ基、主鎖にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合をもつ下記一般式（２）で表されるポリシロキサンが好適に用いられる。
【００２１】
（Ｒ３ａＲ４ｂＨｃＳｉＯｄ）ｅ            （２）
上記式中、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ水素原子、置換もしくは非置換の一価炭化水素基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、Ｒ３とＲ４とは互いに同一であっても異なっていてもよいが、上記一価炭化水素基としては、脂肪族、脂環式又は芳香族一価炭化水素基が用いられる。脂肪族又は脂環式一価炭化水素基としては、炭素数１〜１２、特に１〜６のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基等が挙げられる。芳香族一価炭化水素基としては、炭素数６〜１４、特に６〜１０のものが好適であり、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。なお、置換の脂肪族、脂環式又は芳香族の一価炭化水素基としては、上記に例示した非置換の一価炭化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、アルコキシ基、アミノ基、アミノアルキル基などで置換したもの、例えばモノフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基等が挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜４のものが好適であり、ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、通常メトキシ基、エトキシ基が好適に用いられる。
【００２２】
ａは０．１≦ａ≦１、好ましくは０．５≦ａ≦１、ｂは０．１≦ｂ≦１、好ましくは０．５≦ｂ≦１、ｃは０．０１≦ｃ≦１、好ましくは０．１≦ｃ≦１であり、かつ１≦ａ＋ｂ＋ｃ≦２．５、好ましくは１≦ａ＋ｂ＋ｃ≦２．２を満足する数である。ｄは１≦ｄ≦２である。ｅは２≦ｅ≦１００，０００、好ましくは１０≦ｅ≦１０，０００の範囲の整数である。
【００２３】
ここで、粉体へのケイ素系ポリマー処理方法としては、溶剤等の液体を用いる湿式法が採用され、ポリマーを溶剤に溶解させ希釈した状態で粉体と混合し、このスラリーを容器内で撹拌羽根を回転させ分散接触させる撹拌式、また気流中にこのスラリーを分散させ瞬時に乾燥させる噴霧式が好適に用いられる。
【００２４】
ケイ素系高分子化合物を溶解させる第一溶剤としては、有機溶剤、特に炭素数６〜１２の炭化水素化合物が好適であり、例えばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素溶剤などが好適に用いられる。ポリマー溶液の濃度は０．０１〜５０％（重量％、以下同様）、特に１〜２０％が好適である。
【００２５】
次に、第二工程では、第一工程でケイ素系高分子化合物からなる被膜で被覆された粉体を分散した有機溶剤に、この溶剤と互いに相分離を起こす他の溶剤を添加混合した後、これらの溶剤を同時に留去して乾固させるもので、これにより非凝集のケイ素系高分子被覆粉体を得ることができる。
【００２６】
この場合、第二工程では、第一工程でケイ素系高分子化合物を溶解させた有機溶剤中でケイ素系高分子化合物で粉体を被覆処理した後、この有機溶剤を完全に留去することなく、この有機溶剤中にケイ素系高分子被覆粉体を分散させた状態で、これにこの溶剤と相分離を起こし得る他の溶剤を添加、混合することが好ましい。この工程を行うことにより、有機溶剤に分散したケイ素系高分子に表面が覆われた粉体が、前記溶剤と相分離を起こしている液体により分離され、粒子同士の接触が防止された状態で乾固されるため、粉体の凝集を防止することができる。
【００２７】
上記有機溶剤としては、第一工程で挙げたものを用いることができ、この有機溶剤と相分離を起こし得る他の溶剤としては、水やアセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル等のエステル類、メタノール、エタノール等のアルコール類などの極性溶媒などの１種を単独で、又は２種以上を併用して用いることができるが、中でも水あるいはメタノール、エタノール等のアルコール類を好適に用いることができる。
【００２８】
これら他の溶剤の添加量は、上記有機溶剤１００重量部に対して１０〜１，０００重量部、特に５０〜２００重量部が好適であり、添加量が少なすぎても多すぎても、２相に分離が起こらないため、凝集を防止する効果が得られない場合がある。
【００２９】
なお、これら他の溶剤の添加後は、十分撹拌、混合することが好ましい。
【００３０】
この後、温度を上げたり、減圧にするなどにより、分散媒となっている溶剤を同時に留去させるが、通常、減圧下で分散媒の沸点以上の温度、具体的には１〜１００ｍｍＨｇという減圧下で４０〜２００℃程度で撹拌しながら乾燥することが効果的である。
【００３１】
処理後は、しばらく乾燥雰囲気下、あるいは減圧下で４０〜２００℃程度の温度で静置することで、溶剤が完全に留去して処理粉体が乾燥し、ケイ素系高分子処理粉体を製造できる。
【００３２】
本発明では、必要に応じて、上記ケイ素系高分子被覆粉体を金属塩処理することができる。これは、ケイ素系高分子処理粉体の表面を金属塩を含む溶液と接触させるもので、この処理では、ケイ素系高分子化合物の還元作用により金属コロイドがケイ素系高分子化合物の被膜表面に形成され、金属被膜が形成されるものである。
【００３３】
ここで、金属塩としては、標準酸化還元電位０．５４Ｖ以上の金属の塩が好適である。より具体的には、金（標準酸化還元電位１．５０Ｖ）、パラジウム（標準酸化還元電位０．９９Ｖ）、銀（標準酸化還元電位０．８０Ｖ）等の塩が好適に用いられる。なお、標準酸化還元電位が０．５４Ｖより低い銅（標準酸化還元電位０．３４Ｖ）、ニッケル（標準酸化還元電位０．２５Ｖ）等の塩では、ケイ素系高分子化合物で還元し難い。
【００３４】
金塩としては、Ａｕ＋又はＡｕ３＋を含んでなるもので、具体的には、ＮａＡｕＣｌ４、ＮａＡｕ（ＣＮ）２、ＮａＡｕ（ＣＮ）４等が例示される。パラジウム塩としては、Ｐｄ２＋を含んでなるもので、通常Ｐｄ−Ｚ２の形で表すことができる。Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等のハロゲン、アセテート、トリフルオロアセテート、アセチルアセトネート、カーボネート、パークロレート、ナイトレート、スルフェート、オキサイド等の塩である。具体的には、ＰｄＣｌ２、ＰｄＢｒ２、ＰｄＩ２、Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ３）２、Ｐｄ（ＯＣＯＣＦ３）２、ＰｄＳＯ４、Ｐｄ（ＮＯ３）２、ＰｄＯ等が例示される。銀塩としては、溶剤に溶解し、Ａｇ＋を生成させ得るもので、通常Ａｇ−Ｚ（Ｚはパークロレート、ボレート、ホスフェート、スルフォネート等の塩とすることができる）の形で表すことができる。具体的には、ＡｇＢＦ４、ＡｇＣｌＯ４、ＡｇＰＦ６、ＡｇＢＰｈ４、Ａｇ（ＣＦ３ＳＯ３）、ＡｇＮＯ３等が例示される。
【００３５】
粉体を金属塩を含む溶液で処理する接触方法としては、ケイ素系ポリマーを溶解せず、かつ金属塩を溶解又は分散させることができる溶剤を用いて金属塩を含む溶液を調製し、この溶液にケイ素系ポリマー被膜で被覆された粉体を投入して金属塩と接触させる方法が好適である。このように処理することにより、ケイ素系ポリマーで被覆された粉体のケイ素系ポリマー被膜表面に金属塩が吸着されると共に還元され、金属被覆粉体が形成される。
【００３６】
ここで、ケイ素系ポリマーを溶解せず、かつ金属塩を溶解又は分散させることができる溶媒としては、水や、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール等のアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒などが挙げられ、中でも水が好適に用いられる。
【００３７】
金属塩の濃度は、塩を溶解させる溶媒によって異なるが、０．０１％〜塩の飽和溶液までが好ましい。濃度が０．０１％未満では、メッキ触媒の効果が十分でない場合があり、飽和溶液を超えると、固体塩の析出がある場合があり、好ましくない。なお、溶媒が水の場合は金属塩の濃度が０．０１〜２０％、特に０．１〜５％の範囲であることが好ましい。上記粉体を室温から７０℃の温度で０．１〜１２０分、より好ましくは１〜１５分程度、ケイ素系高分子処理粉体を金属塩溶液に浸漬すればよい。これにより、ケイ素系高分子化合物の還元作用により金属をこの膜表面に形成させることができ、金属コロイド処理粉体が製造できる。
【００３８】
上記処理後は、金属塩を含まない上記と同様の溶剤で処理し、粉体に担持されなかった不要な金属塩を除き、最後にこの粉体から不要な溶媒を乾燥除去することが好ましく、これにより金属被覆粉体を得ることができる。乾燥は、通常０〜１５０℃で常圧又は減圧下で行うのが好ましい。
【００３９】
更に、本発明方法では、必要に応じて、上記工程を行った後、金属被覆粉体を無電解メッキ処理することができる。上記工程で生成した金属コロイドを触媒として無電解メッキ処理を行うことにより、より完全に多彩な金属で被覆された粉体を得ることができる。
【００４０】
この場合、無電解メッキ液としては、銅、ニッケル、コバルト、パラジウム、金、白金、ロジウム等の金属を含むものが好適に用いられるが、特に金、銅、ニッケルを含むものが好適である。なお、無電解メッキ液は、通常、金属塩に次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤、酢酸ナトリウム、フェニレンジアミンや酒石酸ナトリウムカリウム等の錯化剤を含む。通常、銅、ニッケル、銀、金等の金属を含むものは、無電解メッキ液として市販されており、安価に入手することができる。
【００４１】
メッキ温度は１５〜１２０℃、特に２５〜８５℃、接触時間は１分〜１６時間、特に１０〜６０分が好適である。なお、無電解メッキ処理後は、最後に不要な界面活性剤を除くため水洗を行うことが望ましい。
【００４２】
また必要に応じて、この金属被覆粉体を高温処理することによりセラミック層からなる絶縁層を形成させることができる。高温処理は、通常２００〜１２００℃、特に３００〜９００℃で１分〜２４時間、特に３０分〜４時間が好適である。この高温処理により、粉体と金属間にあるケイ素系ポリマーがセラミックに変化し、より高い耐熱性と絶縁性と密着性を持つことになる。特にポリシランを高温処理すると、Ｓｉ−Ｓｉ結合が切断され、様々な元素が入り安定化するため、このときの雰囲気を空気中のような酸化系で行うと酸化ケイ素のセラミック、アンモニアガスのような還元性雰囲気下で行うと窒化ケイ素のセラミック、アルゴンのような不活性雰囲気下や真空系で行うと炭化ケイ素のセラミックを得ることができる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の高分子被覆粉体の製造方法によれば、粒子同士の凝集がほとんどない高分子化合物で被覆され、特に導電性や触媒能を持つ充填剤や抗菌剤等に有用な金属被覆粉体の原料として好適な粉体を工業的に有利に製造できる。特に、本発明方法でケイ素系高分子被覆粉体を原料として製造した金属被覆粉体は、熱処理等の後処理の条件を変えることにより、酸化ケイ素、炭化ケイ素といった優れた耐熱性を持つ膜を形成した金属被覆粉体にすることができ、広い応用をもっている。
【００４４】
【実施例】
以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００４５】
〔合成例〕
フェニルポリシラン（以下、ＰＰＨＳと略記する）の製造：
アルゴン置換したフラスコ内に、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコノセンにメチルリチウムのジエチルエーテル溶液を添加することで、系内で触媒であるビス（シクロペンタジエニル）ジメチルジルコノセンを調製した。これにフェニルシランを触媒の５０倍モル添加し、１５０℃で２４時間加熱撹拌を行った。この後、モレキュラーシーブスを添加濾過することにより触媒を除去したところ、ほぼ定量的に重量平均分子量２，６００のＰＰＨＳの固体を得た。
【００４６】
〔実施例〕
粉体として、球状シリカＵＳ−１０（三菱レーヨン（株）製；平均粒径１０μｍ）を用いた。ＰＰＨＳ５ｇをトルエン６５ｇに溶解させ、この溶液をＵＳ−１０  １００ｇに加え、１時間撹拌し、スラリーにした。ロータリーエバポレーターにて、温度８０℃、４５ｍｍＨｇの圧力でトルエンを３０ｇ留去させ、ＰＰＨＳ処理球状シリカを得た。この状態でＰＰＨＳ処理球状シリカは、トルエン中に均一に分散しており、流動性があった。
【００４７】
次に、これに水３５ｇを加え、激しく撹拌すると、水がＰＰＨＳ処理球状シリカ含有トルエン相と混ざり、流動性が無くなった。この状態を再びロータリーエバポレーターにて８０℃の温度、４５ｍｍＨｇの圧力でトルエン３５ｇと水３０ｇを同時に留去させた。この状態では、ＰＰＨＳ処理球状シリカは泡中に膨れ上がった状態で分散しており、ローラー等により簡単に解砕された。顕微鏡で粉体を観察したところ、ほとんど凝集は見られず、球状の形状であった。
【００４８】
〔比較例〕
トルエン中に均一に分散したＰＰＨＳ処理球状シリカに、水を全く加えない以外は実施例と同様の操作を行ったところ、トルエン６５ｇを留去させた状態では、ＰＰＨＳ処理球状シリカは固化状態であり、ローラー等により解砕できず、少量を破砕して顕微鏡で粉体を観察したところ、凝集により１００μｍ以上の不定形の形状であった。