(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状記録媒体に光ビームを照射するとともに、該光ビーム照射位置に外部磁界を印加することにより該円盤状記録媒体に情報を記憶する情報記憶装置において、
前記円盤状記録媒体の円周方向の位置に応じた前記外部磁界の最適強度を前記光ビームの出力を初期値に設定した状態で取得する磁界強度取得手段と、
前記円盤状記録媒体上で前記光ビームが照射される位置に応じて前記外部磁界の強度を前記磁界強度取得手段で取得された最適磁界強度に制御する外部磁界制御手段を有することを特徴とする情報記憶装置。
【請求項２】
前記外部磁界制御手段は、前記記録媒体の所定数のセクタ毎に前記外部磁界強度を制御することを特徴とする請求項１記載の情報記憶装置。
【請求項３】
前記外部磁界制御装置は、前記記録媒体の半径方向の位置に応じて前記記録媒体に印加する前記外部磁界強度を制御することを特徴とする請求項１又は２記載の情報記憶装置。
【請求項４】
前記外部磁界制御手段は、前記記録媒体の領域毎の前記外部磁界強度の設定値が格納された設定メモリを有し、
前記光ビームの照射位置のセクタに応じて前記設定メモリから前記設定値を読み出し、前記記録媒体に与える外部磁界強度を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の情報記憶装置。
【請求項５】
前記円盤状記録媒体に照射する前記光ビームの強度を前記円盤状記録媒体上で前記光ビームが照射される位置の前記円盤状記録媒体の円周方向の位置に応じて制御するビームパワー制御手段を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の情報記憶装置。
【請求項６】
前記ビームパワー制御手段は、前記記録媒体の所定数のセクタ毎に前記光ビームパワーを制御することを特徴とする請求項５記載の情報記憶装置。
【請求項７】
前記ビームパワー制御手段は、前記記録媒体の半径方向の位置に応じて前記記録媒体に照射される前記光ビームのパワーを制御することを特徴とする請求項５又は６記載の情報記憶装置。
【請求項８】
前記ビームパワー制御手段は、前記記録媒体の領域毎の前記光ビームのパワーの設定値が格納された設定メモリを有し、
前記光ビームが照射されるセクタに応じて前記設定メモリから前記設定値を読み出し、前記記録媒体に照射する光ビームパワーを制御することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項記載の情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は情報記憶装置に係り、特に、記録媒体にレーザビームを照射するとともに磁界を印加することにより情報を記憶する情報記憶装置に関する。
光ディスクは、近年、急速に発展するマルチメディアの中核となる記憶媒体として注目されている。また、光ディスクでは、大容量化が望まれており、例えば、３．５インチのＭＯでは、最大で１．３ＧＢと大容量となり、これに伴い、ビームのスポットの小さくなり、フォーカスサーボの精度、レーザパワーの精度が要求されている。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、媒体交換可能な記憶装置の場合、記録媒体ロード時のスピンドルモータに対するメカニカルなずれや、媒体保持部のメカ的な公差がある。また、記録媒体にも物理的な形状ムラや歪みがある。
このため、記録媒体が光学ヘッドに対して傾いてセットされ、いわゆる、ティルトやスキューが生じる。
【０００３】
図１に記録媒体の再生状態の一例を示す図、図２に記録媒体の再生状態の一例の光学ヘッドと記録媒体との傾きと電磁石と記録媒体との距離の特性を示す図を示す。
図１は、スピンドルモータ１００のスピンドル軸１０１に対して記録媒体１０２の面が垂直ではなく傾いてセットされた状態を示す。
【０００４】
このような状態で、スピンドルモータ１００により記録媒体１０２が回転され、トラック１０４上を光学ヘッド１０３からのビームスポット１０５が走査すると、光学ヘッド１０３が射出するレーザビームの光軸と記録媒体１０２の面との傾きの関係は図２に実線で示すように正弦波的に変移する。
また、電磁石１０６は光学ヘッド１０３とは、記録媒体１０２を挟んで対向して設けられているため、記録媒体１０２回転に応じて近接、離間し、余弦波的に変移する。
また、図３に記録媒体の再生状態の他の一例を示す図、図４に記録媒体の再生状態の他の一例のヘッド位置に対する記録媒体の傾きの特性を示す図、図５に記録媒体の再生状態の他の一例の記録媒体と電磁石との距離の関係を示す図を示す。
【０００５】
図３は、記録媒体１１０が皿状に変形した状態を示す。このような状態では、光学ヘッド１０３が矢印Ａ２方向に移動すると、光学ヘッド１０３が射出するレーザビームの光軸と記録媒体１１０の記録面との傾き量が図４に示すように変移する。また、電磁石１０６と記録媒体１１０の記録面との距離は、図５に示すように記録媒体１１０のインナー側で大きくなり、アウター側で小さくなる。
【０００６】
しかし、図１や図３に示すような状態になると、光ヘッドからレーザビームが垂直に入射されないので、レーザスポットの形状歪みが生じ、期待した記録・再生レーザパワーが得られなくなる。また、記録媒体１０２、１１０と電磁石１０６との距離により記録媒体１０２、１１０に印加すべき外部磁界が変動し、期待する外部磁界強度が得られなくなる。
【０００７】
期待したレーザパワーが得られなくなると、トラックピッチ（ＴＰＩ）やビット密度（ＢＰＩ）の条件が緩い場合、すなわち、記録密度が低い場合には、影響は小さいが、トラックピッチやビット密度の条件が厳しい場合、すなわち、記録密度が高い場合には、無視できなくなり、エラーレートが増大する。
また、期待した外部磁界強度が得られなくなると、トラックピッチやビット密度の条件が緩い場合、すなわち、記録密度が低い場合には、影響は小さいが、トラックピッチやビット密度の条件が厳しい場合、すなわち、記録密度が高い場合には、無視できなくなり、エラーレートが増大する。
【０００８】
このため、ティルトやスキューなどをスピンドルモータの傾きを補正する等メカに補正する方法が既に提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、ティルトやスキューなどをスピンドルモータの傾きを補正する等のメカ的な方法により補正する方法では、傾きを制御するためのメカ的な構造が必要となるため、スペースが必要となるとともに、メカ的に変移させるので、高速回転に追従できない等の問題点があった。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、外部磁界強度並びにレーザパワーを制御することにより、記録媒体の傾きによらず、最適外部磁界強度並びにレーザパワーが得られる情報記憶装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１は、円盤状記録媒体に光ビームを照射するとともに、該光ビーム照射位置に外部磁界を印加することにより該円盤状記録媒体に情報を記憶する情報記憶装置において、前記円盤状記録媒体の円周方向の位置に応じた前記外部磁界の最適強度を前記光ビームの出力を初期値に設定した状態で取得する磁界強度取得手段と、前記円盤状記録媒体上で前記光ビームが照射される位置に応じて前記外部磁界の強度を前記磁界強度取得手段で取得された最適磁界強度に制御する外部磁界制御手段を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項１によれば、磁界強度取得手段により、予め円盤状記録媒体の円周方向の位置に応じた外部磁界の最適強度を光ビームの出力を初期値に設定した状態で取得しておき、円盤状記録媒体上で光ビームが照射される位置に応じて外部磁界の強度を磁界強度取得手段で取得された最適磁界強度に制御することにより、確実に磁界強度の最適値を取得でき、よって、記録媒体の回転角度に応じて外部磁界が変動することがなくなるため、記録媒体への情報の記憶を最適に行える。
また、本発明の請求項２は、前記記録媒体の所定数のセクタ毎に前記外部磁界強度を制御するようにしてもよい。
【００１３】
本発明の請求項２によれば、隣接する所定数のセクタ毎に外部磁界を制御することにより、外部磁界の設定値の数を低減でき、小さい回路規模で実現できる。
本発明の請求項３は、前記記録媒体の半径方向に応じて前記記録媒体に印加する前記外部磁界強度を制御する。
本発明の請求項３によれば、記録媒体の回転角だけでなく、半径方向の位置に応じて外部磁界強度を制御することにより、記録媒体との傾きだけでなく、記録媒体の変形に対しても記録媒体に照射される光ビームのパワーを制御できる。
【００１４】
請求項４は、前記記録媒体の領域毎の前記外部磁界強度の設定値が格納された設定メモリと、前記光ビームの照射位置のセクタに応じて前記設定メモリから前記設定値を読み出し、前記記録媒体に外部磁界強度を切り換える外部磁界強度切換手段とを外部磁界制御手段に設ける。
請求項４によれば、光ビームが照射されるセクタに応じて設定メモリから設定値を読み出し、外部磁界を切り換えることにより、セクタに応じて外部磁界強度を制御でき、常に外部磁界を最適なパワーに保持し、記録媒体への情報の記憶を最適な条件で行える。
【００１５】
また、設定メモリに、前記設定値として、前記外部磁界強度の初期値に加算されて用いられるオフセット値を格納するようにしてもよい。
このようにすることにより、外部磁界強度を制御する設定値としてオフセット値を格納することにより、外部磁界強度そのものを設定値として格納する場合に比べて記憶容量を小さくでき、小さい回路規模で実現できる。
【００１６】
また、前記設定メモリに、前記記録媒体にテストパターンを書き込み、書き込まれた該テストパターンを読み出した結果に応じて設定するようにしてもよい。
このようにすることにより、記録媒体にテストパターンを書き込み、書き込まれた該テストパターンを読み出した結果に応じて設定メモリの設定値を設定することにより、装着された記録媒体に状態に応じて外部磁界を制御できるので、装着された記録媒体毎に最適な条件で情報の記憶が行える。
【００１７】
また、前記設定メモリを、前記記録媒体が装着されたときに、設定するようにしてもよい。
このようにすることにより、設定メモリの設定値を記録媒体が装着されたときに、設定することにより、記録媒体毎に設定値を設定できるので、各記録媒体の状態に応じて外部磁界を最適状態に制御でき、最適な条件で情報の記憶が行える。
【００１８】
さらに、前記設定メモリを、前記記録媒体が装着された状態で、所定の時間毎に設定するようにしてもよい。
このようにすることにより、記録媒体が装着された状態で、所定の時間毎に設定メモリの設定値を設定することにより、記録媒体が装着されて、設定メモリに設定値が設定された後に、回転軸に対する記録媒体の装着状態が変化しても、所定時間毎に記録媒体の状態に応じて設定値が設定されるため、常に記録媒体の状態に応じて外部磁界の制御を行うことができ、装着された記録媒体の状態に応じた最適な条件で情報の記憶が行える。
【００１９】
また、前記記録媒体に記録された情報を読み出すときに前記外部磁界を制御するようにしてもよい。
このようにすることにより、記録媒体に記録された情報を読み出すときに記録媒体に印加する外部磁界を制御することにより、記録媒体に記録された情報を最適な外部磁界強度で読み出すことができ、読み出した情報のエラーを低減できる。
【００２０】
また、前記記録媒体に情報を記録するときに、円盤状記録媒体に印加する外部磁界強度を制御するようにしてもよい。
このようにすることにより、記録媒体に情報を記録するときに、記録媒体に印加する外部磁界を制御することにより、記録媒体に情報を記録する際に、最適な外部磁界で記録を行うことができるので、記録媒体に確実に情報を記録できる。
【００２１】
請求項５は、前記円盤状記録媒体に照射する前記光ビームの強度を前記円盤状記録媒体上で前記光ビームが位置する前記円盤状記録媒体の円周方向の位置に応じて制御するビームパワー制御手段を設ける。
請求項５によれば、外部磁界に加えて記録媒体の回転角に応じて記録媒体に照射する光ビームを制御することにより、記録媒体が回転軸に傾いて装着された場合などに、例えば、光ビームと記録媒体の傾き量が垂直でなくなった場合には、ビームパワーが大きくなるように制御することにより、記録媒体に照射される光ビームパワーを最適なパワーに保持できるため、記録媒体への情報の記憶を最適に行える。
【００２２】
請求項６は、前記ビームパワー制御手段により前記記録媒体のセクタ毎に前記光ビーム照射手段から前記記録媒体に照射される前記光ビームのパワーを制御する。
請求項６によれば、記録媒体の周方向を分割した領域であるセクタ毎に記録媒体に照射される光ビームのパワーを制御することにより、記録媒体の回転角度に応じた光ビームのパワー制御と同等な制御が行えるため、光ビームと記録媒体の傾き量が垂直でなくなった場合には、光ビームパワーが大きくなるように制御することにより、外部磁界強度を最適な強度に保持できるとともに、記録媒体に照射される光ビームパワーを最適なパワーに保持できるため、記録媒体への情報の記憶を最適に行える。
【００２３】
請求項７は、前記記録媒体の半径方向の位置に応じて前記記録媒体に照射される前記光ビームのパワーを制御する。
請求項７によれば、記録媒体の回転角だけでなく、半径方向の位置に応じて記録媒体に照射される光ビームのパワーを制御することにより、記録媒体の傾斜だけでなく、記録媒体の変形に対しても記録媒体に照射される光ビームのパワーを制御できる。
【００２４】
請求項８は、ビームパワー制御手段を前記記録媒体の領域毎の光パワーの設定値が格納された設定メモリを設け、光ビームが照射されるセクタに応じて前記設定メモリから前記設定値を読み出し、前記記録媒体に照射する光ビームパワーを制御する。
請求項８によれば、光ビームが照射されるセクタに応じて設定メモリから設定値を読み出し、記録媒体に照射する光ビームパワーを切り換えることにより、セクタに応じて光ビームパワーを制御でき、外部磁界だけでなく記録媒体に照射される光ビームパワーを最適なパワーに保持し、記録媒体への情報の記憶を最適な条件で行える。
【００２５】
また、本発明は、前記設定メモリに、前記設定値として、前記光ビームパワーの初期値に加算されて用いられるオフセット値を格納するようにしてもよい。
このようにすることにより、光ビームパワーを制御する設定値としてオフセット値を格納することにより、光ビームパワーそのものを設定値として格納する場合に比べて記憶容量を小さくでき、小さい回路規模で実現できる。
【００２６】
また、本発明は、前記設定メモリを、前記記録媒体にテストパターンを書き込み、書き込まれた該テストパターンを読み出した結果に応じて設定するようにしてもよい。
このようにすることにより、記録媒体にテストパターンを書き込み、書き込まれた該テストパターンを読み出した結果に応じて設定メモリの設定値を設定することにより、装着された記録媒体に状態に応じて光ビームパワーを制御できるので、装着された記録媒体毎に最適な条件で情報の記憶が行える。
【００２７】
さらに、本発明は、前記設定メモリを、前記記録媒体が装着されたときに、設定するようにしてもよい。
このようにすることにより、設定メモリの設定値を記録媒体が装着されたときに、設定することにより、記録媒体毎に設定値を設定できるので、各記録媒体の状態に応じて光ビームパワーを最適状態に制御でき、最適な条件で情報の記憶が行える。
【００２８】
また、本発明は、前記設定メモリを、前記記録媒体が装着された状態で、所定の時間毎に設定する。
このようにすることにより、記録媒体が装着された状態で、所定の時間毎に設定メモリの設定値を設定することにより、記録媒体が装着されて、設定メモリに設定値が設定された後に、回転軸に対する記録媒体の装着状態が変化しても、所定時間毎に記録媒体の状態に応じて設定値が設定されるため、常に記録媒体の状態に応じて光ビームパワーの制御を行うことができ、装着された記録媒体の状態に応じた最適な条件で情報の記憶が行える。
【００２９】
さらに、本発明は、前記ビームパワー制御手段により、前記記録媒体に記録された情報を読み出すときに前記記録媒体に照射する光ビームを制御するようにしてもよい。
本発明によれば、記録媒体に記録された情報を読み出すときに記録媒体に照射する光ビームを制御することにより、記録媒体に記録された情報を最適な外部磁界及びレーザパワーで読み出すことができ、読み出した情報のエラーを低減できる。
【００３０】
また、本発明は、前記記録媒体に情報を記録するときに、前記記録媒体に照射する光ビームを制御するようにしてもよい。
このようにすることにより、記録媒体に情報を記録するときに、記録媒体に照射する光ビームを制御することにより、記録媒体に情報を記録する際に、最適な外部磁界及び光ビームパワーで記録を行うことができるので、記録媒体に確実に情報を記録できる。
【００３１】
さらに、本発明は、円盤状記録媒体に光ビームを照射するとともに、該光ビーム照射位置に外部磁界を印加することにより該円盤状記録媒体に情報を記憶する情報記憶装置に、前記円盤状記録媒体上の前記光ビームの照射位置に印加する前記外部磁界の出力を最適外部磁界強度から予め設定された所定の強度だけずらせてエラーを検出し、検出エラーに応じて前記円盤状記録媒体の欠陥を検出する欠陥検出手段を設けてもよい。
【００３２】
本発明によれば、予め決定された最適磁界強度から円盤状記録媒体上に発生すると思われる欠陥を予測できるため、情報を記録した後に欠陥が発見されることがなく、記憶情報の保護及び情報の信頼性を向上できる。
なお、欠陥検出手段を設けた情報記憶装置は、製造時などに媒体欠陥検査装置として用いることもできる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
図６に本発明の第１実施例のブロック構成図を示す。
本発明の光ディスクドライブ１は、主に、コントローラ１０とエンクロージャ１２で構成される。コントローラ１０には、光ディスクドライブ１の全体的な制御を行うＭＰＵ１４、上位装置との間でコマンド及びデータのやり取りを行なうインタフェースコントローラ１６、光ディスク媒体に対するデータのリード、ライトに必要な処理を行うフォーマッタ１８、ＭＰＵ１４、インタフェースコントローラ１６及びフォーマッタ１８で共用されるバッファメモリ２０を有する。
【００３４】
フォーマッタ１８には、データライト系統としてエンコーダ２２を介してレーザダイオード制御回路２４が接続される。レーザダイオード制御回路２４の制御出力は、エンクロージャ１２側の光学ユニットに設されたレーザダイオードユニット３０に供給される。レーザダイオードユニット３０は、レーザダイオードとモニタ用の受光素子とが一体化された構成とされている。
【００３５】
ＭＰＵ１４には、リードパワーをセクタ毎に制御するためのリードパワー設定テーブル１４ａ及びライトパワーをセクタ毎に制御するためのライトパワー設定テーブル１４ｂ並びに、外部磁界強度をセクタ毎に制御するための外部磁界強度設定テーブル１４ｃが内部メモリ内に設定されている。
ＭＰＵ１４は、レーザダイオード制御回路２４に接続され、リードパワー設定テーブル１４ａ及びライトパワー設定テーブル１４ｂに設定された設定値に応じてリードパワー及びライトパワーが制御されるようにレーザダイオード制御回路２４を制御する。また、ＭＰＵ１４は、外部磁界強度設定テーブル１４ｃに設定された設定値に応じて電磁石ドライバ回路４２を制御して外部磁界強度を制御する。
【００３６】
また、ＭＰＵ１４には、フォーマッタ１８が接続されており、ＭＰＵ１４は、装着された媒体が１２８ＭＢまたは２３０ＭＢか、５４０ＭＢまたは６４０ＭＢ、１．３ＧＢかを種別を認識し、フォーマッタ１８に通知する。
フォーマッタ１８は、ＭＰＵ１４から通知された媒体の種別の認識結果に応じて、１２８ＭＢ媒体であれば、ＰＰＭ記録に対応したフォーマット処理を行い、２３０ＭＢ、５４０ＭＢまたは６４０ＭＢ、１．３ＧＢ媒体であれば、ＰＷＭ記録に従ったフォーマット処理を行う。
【００３７】
また、フォーマッタ１８には、データリード系統としては、リードＬＳＩ回路２８がデコーダ２６に接続される。
リードＬＳＩ回路２８には、エンクロージャ１２に設けられたディテクタ３２によりレーザダイオードユニット３０からのビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ３４を介して供給される。受光信号には、ＩＤ信号及びＭＯ信号を含む。リードＬＳＩ回路２８にはＡＧＣ回路、フィルタ、セクタマーク検出回路、シンセサイザ及びＰＬＬ等の回路機能が設けられ、ヘッドアンプ３４から入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロック及びリードデータを抽出し、デコーダ２６に供給する。
【００３８】
また、スピンドルモータ４０による媒体の記録方式としてゾーンＣＡＶを採用していることから、リードＬＳＩ回路２８に対してはＭＰＵ１４より、内蔵したシンセサイザに対しゾーン対応のクロック周波数の切替制御が行われている。
ここで、エンコーダ２２の変調方式及びデコーダ２６の復調方式は、フォーマッタ１８による媒体種別に応じ、１２８ＭＢについてはＰＰＭ記録の変調及び復調方式に切り替えられる。一方、２３０ＭＢ、５４０及び６４０ＭＢ、１．３ＧＢの媒体については、ＰＷＭ記録の変調及び復調方式に切り替えられる。
【００３９】
ＭＰＵ１４には、エンクロージャ１２に設けた温度センサ３６から温度検出信号が供給される。ＭＰＵ１４は、温度センサ３６で検出した装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路２４を制御し、リード、ライト、イレーズの各発光パワーを最適値に制御するとともに、電磁石ドライバ回路４２を制御し、外部磁界強度を最適値に制御する。
【００４０】
また、ＭＰＵ１４は、ドライバ３８によりヘッド部１２側に設けたスピンドルモータ４０を制御する。ＭＯカートリッジの記録フォーマットはＺＣＡＶであり、スピンドルモータ４０が、例えば、３６００ｒｐｍの一定速度に回転するように制御する。
さらに、ＭＰＵ１４は、ドライバ４２を介してエンクロージャ１２に設けた電磁石４４を制御する。電磁石４４は、装置内にローディングされたＭＯカートリッジのビーム照射側と反対側の面に配置されており、記録時及び消去時、並びに、再生時に媒体に外部磁界を供給する。
【００４１】
ＤＳＰ１５は、媒体に対しレーザダイオードユニット３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を実現する。ＤＳＰ１５には、ＦＥＳ検出回路（フォーカスエラー信号検出回路）４８からフォーカスエラー信号が供給されるとともに、ＴＥＳ検出回路（トラッキングエラー信号検出回路）５０からトラッキングエラー信号が供給される。
【００４２】
エンクロージャ１２側の光学ユニットには、媒体からの戻り光を受光するディテクタ４６が設けられている。ディテクタ４６は、複数の領域に分割されており、媒体からの戻り光の形状に応じて異なる信号レベルが得られるように構成されている。
ＦＥＳ検出回路（フォーカスエラー信号検出回路）４８が、２分割ディテクタ４６の受光出力からフォーカスエラー信号Ｅ１を作成してＤＳＰ１５に入力している。
【００４３】
また、ＴＥＳ検出回路（トラッキングエラー信号検出回路）５０が２分割ディテクタ４６の受光出力からトラッキングエラー信号Ｅ２を作成し、ＤＳＰ１５に入力している。トラッキングエラー信号Ｅ２はＴＺＣ回路（トラックゼロクロス検出回路）４５に入力され、トラックゼロクロスパルスＥ３を作成してＤＳＰ１５に入力している。
【００４４】
更にエンクロージャ１２側には、媒体に対しレーザビームを照射する対物レンズのレンズ位置を検出するレンズ位置センサ５２が設けられ、そのレンズ位置検出信号Ｅ４をＤＳＰ１５に入力している。ＤＳＰ１５は、ビーム位置決めのため、ドライバ５４，５８，６２を介してフォーカスアクチュエータ５６、レンズアクチュエータ６０及びＶＣＭ６４を制御駆動している。
【００４５】
ここで、光ディスクドライブ１のエンクロージャの概略について説明する。
図７に本発明の第１実施例の概略構成図を示す。
ハウジング６６内にはスピンドルモータ４０が設けられ、スピンドルモータ４０の回転軸のハブに対しインレットドア６８側よりＭＯカートリッジ７０を挿入することで、内部のＭＯ媒体７２がスピンドルモータ４０の回転軸のハブに装着され、ローディングが行われる。
【００４６】
ローディングされたＭＯカートリッジ７０のＭＯ媒体７２の下側には、キャリッジ７６が配置される。キャリッジ７６は、ＶＣＭ６４により媒体トラックを横切る方向に移動自在とされている。また、キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７８に設けている半導体レーザからのビームをプリズム８２を介して入射し、ＭＯ媒体７２の媒体面にビームスポットを結像する。
【００４７】
対物レンズ８０は、図６に示すエンクロージャ１２に設けられたフォーカスアクチュエータ５６により光軸方向に移動制御され、フォーカスの制御を行う。また、レンズアクチュエータ６０により媒体トラックを横切る半径方向に、例えば、数十トラックの範囲内で移動され、トラッキング制御を行う。
このキャリッジ７６に搭載している対物レンズ８０の位置は、図６のレンズ位置センサ５２により検出される。レンズ位置センサ５２は、対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号が０となり、アウタ側への移動とインナ側への移動に対しそれぞれ異なった極性の移動量に応じたレンズ位置検出信号が出力される。
【００４８】
図８に本発明の第１実施例の記録媒体のデータフォーマットを示す図を示す。記録媒体７２は、円盤状をなし、例えば、同心円状に複数のトラックｔｒが形成されている。また、媒体７２の円周方向は、ｎ個のセクタ＃０〜＃（ｎ−１）に分割されている。また、セクタ＃０〜＃（ｎ−１）の間には所望のトラックｔｒをトレースするためのサーボ信号（図示せず）が等間隔に配置される。なお、サーボ信号は必ずしもセクタ＃０〜＃（ｎ−１）の間に配置されるとは限らない。
【００４９】
次に、ＭＰＵ１４によるレーザビームのリードパワーの設定処理について説明する。
図９に本発明の第１実施例のレーザビームのリードパワー設定処理の処理フローチャートを示す。
ＭＰＵ１４は、リードパワー設定処理を実施される。なお、リードパワー設定処理の実行タイミングとしては、例えば、記録媒体挿入時や所定時間毎、あるいは、媒体挿入後に最初に記録・再生コマンドが供給されたとき、または、エラーリトライ時、温度変化時などがある。
【００５０】
レーザビームのリードパワー設定処理では、ＭＰＵ１４は、まず、テストパターンを作成し、バッファメモリ２０に格納する（ステップＳ１−１）。
次に、セクタを識別するために内部に設定される変数Ｎに「０」を設定する（ステップＳ１−２）。
次に、記録媒体の所定の領域に設定されたテストトラックにポジショニングして、テストトラックのテスト対象セクタＮをイレーズする（ステップＳ１−３）。
【００５１】
ステップＳ１−３で、テスト対象セクタＮがイレーズされると、次にステップＳ１−１でバッファメモリ２０に格納されたテストパターンをテスト対象セクタＮにライトする（ステップＳ１−４）。このとき媒体が１２８ＭＢ媒体または２３０ＭＢ媒体であればＰＰＭ記録を行い、５４０ＭＢ媒体または６４０ＭＢ、１．３ＧＢ媒体であればＰＷＭ記録を行う。
【００５２】
ステップＳ１−４で、ＭＰＵ１４はテスト対象セクタＮにテストパターンを書き込むと、次に、レーザスポットのパワーをデフォルト値（初期値に相当する）に設定し（ステップＳ１−５）、テスト対象セクタＮからテストパターンをリードする（ステップＳ１−６）。
次に、ステップＳ１−６で、リードしたテストパターンをステップＳ１−１で生成し、バッファメモリ２０に格納した元のテストパターンと比較して、ビットエラーレートを算出し、ＭＰＵ１４の内部メモリに保存する（ステップＳ１−７）。ビットエラーレートｅは、テストパターンの合計ビット数をbit0、リードしたテストパターンとバッファメモリ２０に格納した元のテストパターンとの不一致ビット数をbit1とすると、
ｅ＝（bit1）／（bit0）                                  ・・・（１）
で求められる。
【００５３】
なお、このとき、ＥＣＣ復調回路のエラーバイト数情報を使う場合には、ビットエラーレートｅは、テストパターンの合計バイト数をBYTE0 、リードしたテストパターンのバッファメモリ２０に格納した元のテストパターンに対するエラーバイト数をBYTE1 とすると、
ｅ＝（BYTE1 ）／（BYTE0 ）                              ・・・（２）
で求められる。
【００５４】
ステップＳ１−７で、エラーレートｅが算出されると、次に、リードパワーオフセット値として＋ｋを設定し、レーザスポットのリードパワーｐをデフォルト値ｐ0 にｋを加算したレーザパワー（ｐ0 ＋ｋ）とし、ステップＳ１−６に戻って、再び、所定のテスト対象セクタＮからテストパターンをリードする（ステップＳ１−８、Ｓ１−９）。
【００５５】
上記ステップＳ１−６〜Ｓ１−９を繰り返し、レーザスポットのリードパワーｐを（ｐ0 ＋ｋ）、（ｐ0 ＋２ｋ）・・・・（ｐ0 ＋(i-1) ｋ）、（ｐ0 ＋ｉｋ）、及び、（ｐ0 −ｋ）、（ｐ0 −２ｋ）・・・・（ｐ0 −(i-1) ｋ）、（ｐ0 −ｉｋ）でのビットエラーレートｅ0,N 、ｅ1,N ・・・ｅ(i-1),N 、ｅi,N 、及び、ｅ-1,N・・・ｅ(-(i-1)),N、ｅ-i,Nを求めて保存する。
【００５６】
上記ステップＳ１−６〜Ｓ１−９の処理を繰り返すことにより、セクタＮにおけるリードパワーに対するエラーレートの特性が得られる。
なお、このとき、電磁石４４で発生される外部磁界は一定、例えば、リード時のデフォルト値となるように制御される。
図１０に本発明の第１実施例のレーザビームのリードパワーに対するエラーレートの一例の特性図を示す。
【００５７】
図１０に示すように、レーザビームのリードパワー（ｐ0 −ｉｋ）〜（ｐ0 ＋ｉｋ）でエラーレートがｅmin 〜ｅi,N で変化し、略Ｕ字状の特性が得られる。図９の特性において、最小のエラーレートｅmin となるリードパワー（ｐ0 ＋Δｐmin ）が最適リードパワーとなる。
よって、ＭＰＵ１４は、ステップＳ１−６〜Ｓ１−９の処理で求められ、保存されたエラーレートのうち最小となるエラーレートを選択し、そのときのリードパワーオフセットΔｐmin をセクタＮのリードパワーを設定するリードパワー設定テーブル１４ａに格納する（ステップＳ１−１０、Ｓ１−１１）。
【００５８】
次に、ＭＰＵ１４は、セクタを識別する変数Ｎを順次（Ｎ＋１）とし、変数Ｎが記録媒体に設定されるセクタ数ｎとなるまで、ステップＳ１−３〜Ｓ１−１１を繰り返し、記録媒体に設定される全てのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）に対して最適リードパワーオフセットを求め、リードパワー設定テーブル１４ａに格納する（ステップＳ１−１２、Ｓ１−１３）。
【００５９】
図１１に本発明の第１実施例のレーザビームのリードパワー設定テーブルのデータ構成図を示す。
リードパワー設定テーブル１４ａは、例えば、ＭＰＵ１４の内部メモリに設定される。リードパワー設定テーブル１４ａは、図１１に示されるように、ｎ個のセクタ＃０〜＃（ｎ−１）に分割されているとすると、セクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にリードパワーオフセット値Δｐ0 〜Δｐ(n-1) が設定される。
【００６０】
図９に示すリードパワー設定処理によりリードパワー設定テーブル１４ａにセクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎のリードパワーオフセット値Δｐ0 〜Δｐ(n-1) が設定される。
記録媒体からのデータのリード時には、リードパワー設定テーブル１４ａに設定されたリードパワーオフセット値Δｐ0 〜Δｐ(n-1) によりリードパワーが制御され、データのリードが行われる。
【００６１】
なお、本実施例のリードパワー設定処理ではエラーレートの測定は各リードパワーに対して１回しか行われていないが、複数回繰り返し、その平均を求めることにより、エラーレートの測定を精度良く行え、高精度にリードパワーを制御できる。また、加えて、テストパターンを代えて行うことによりエラーレートの測定をさらに精度良く行え、高精度にリードパワーを制御できる。
【００６２】
次に、ＭＰＵ１４による外部磁界強度の設定処理について説明する。
図１２に本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理の処理フローチャートを示す。
ＭＰＵ１４は、外部磁界強度設定処理を実行する。なお、外部磁界強度設定処理の実行タイミングとしては、例えば、記録媒体挿入時や所定時間毎、あるいは、媒体挿入後に最初に記録・再生コマンドが供給されたとき、または、エラーリトライ時、温度変化時などがある。
【００６３】
外部磁界強度の設定処理では、ＭＰＵ１４は、まず、テストパターンを作成し、バッファメモリ２０に格納する（ステップＳ２−１）。
次に、セクタを識別するために内部に設定される変数Ｎに「０」を設定する（ステップＳ２−２）。
次に、記録媒体の所定の領域に設定されたテストトラックにポジショニングして、テストトラックのテスト対象セクタＮをイレーズする（ステップＳ２−３）。
【００６４】
ステップＳ２−３で、テスト対象セクタＮがイレーズされると、次にステップＳ１−１でバッファメモリ２０に格納されたテストパターンをテスト対象セクタＮにライトする（ステップＳ２−４）。このとき媒体が１２８ＭＢ媒体または２３０ＭＢ媒体であればＰＰＭ記録を行い、５４０ＭＢ媒体または６４０ＭＢ、１．３ＧＢ媒体であればＰＷＭ記録を行う。
【００６５】
ステップＳ２−４で、ＭＰＵ１４はテスト対象セクタＮにテストパターンを書き込むと、次に、レーザスポットのパワー及び外部磁界強度をデフォルト値（初期値に相当する）に設定し（ステップＳ２−５）、テスト対象セクタＮからテストパターンをリードする（ステップＳ２−６）。
次に、ステップＳ２−６で、リードしたテストパターンをステップＳ２−１で生成し、バッファメモリ２０に格納した元のテストパターンと比較して、ビットエラーレートを算出し、ＭＰＵ１４の内部メモリに保存する（ステップＳ２−７）。ビットエラーレートｅは、レーザパワー設定処理時と同様に算出される。
【００６６】
ステップＳ２−７で、エラーレートｅが算出されると、次に、外部磁界強度をオフセット値として＋ｋを設定し、外部磁界強度ｍをデフォルト値ｍ0 にｋを加算した外部磁界強度（ｍ0 ＋ｋ）とし、ステップＳ２−６に戻って、再び、所定のテスト対象セクタＮからテストパターンをリードする（ステップＳ２−８、Ｓ２−９）。
【００６７】
上記ステップＳ２−６〜Ｓ２−９を繰り返し、外部磁界強度ｍを（ｍ0 ＋ｋ）、（ｍ0 ＋２ｋ）・・・・（ｍ0 ＋(i-1) ｋ）、（ｍ0 ＋ｉｋ）、及び、（ｍ0 −ｋ）、（ｍ0 −２ｋ）・・・・（ｍ0 −(i-1) ｋ）、（ｍ0 −ｉｋ）としたときのビットエラーレートｅｍ0,N 、ｅｍ1,N ・・・ｅｍ(i-1),N 、ｅｍi,N 、及び、ｅｍ-1,N・・・ｅｍ(-(i-1)),N、ｅｍ-i,Nを求めて保存する。
【００６８】
上記ステップＳ２−６〜Ｓ２−９の処理を繰り返すことにより、セクタＮにおける外部磁界強度ｍに対するエラーレートｅｍの特性が得られる。
なお、このとき、レーザパワーは、一定、例えば、リード時のデフォルト値となるように制御される。
上記外部磁界強度設定処理により保存された外部磁界強度ｍとビットエラーレートｅｍとから得られる特性から最適外部磁界強度を得る。
【００６９】
図１３に本発明の第１実施例の外部磁界強度に対するエラーレートの一例の特性図を示す。
図１３に示すように、電磁石４４で発生される外部磁界強度（ｍ0 −ｉｋ）〜（ｍ0 ＋ｉｋ）で略Ｕ字状のエラーレートの特性が得られる。図１３の特性において、エラーレートが略平坦になり、かつ、比較的小さい外部磁界強度となる外部磁界強度が最適外部磁界強度とする。すなわち、エラーレートが小さく、かつ、記録媒体への影響が小さいとともに消費電流が小さくて済む外部磁界強度を最適磁界強度として選択する。
【００７０】
例えば、外部磁界強度ｍを増加されてもエラーレートｅｍの状態が変化しない状態がｎ回連続したときの磁界強度を最適外部磁界強度とする。
図１４に本発明の第１実施例の外部磁界強度設定テーブルのデータ構成図を示す。
外部磁界強度設定テーブル１４ｃは、例えば、ＭＰＵ１４の内部メモリに設定される。外部磁界強度設定テーブル１４ｃは、図１４に示されるように、ｎ個のセクタ＃０〜＃（ｎ−１）に分割されているとすると、セクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にリードパワーオフセット値Δｍ0 〜Δｍ(n-1) が設定される。
【００７１】
図１２に示す外部磁界強度設定処理により外部磁界強度設定テーブル１４ｃにセクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎の外部磁界強度オフセット値Δｍ0 〜Δｍ(n-1) が設定される。
記録媒体からのデータのリード時には、外部磁界強度設定テーブル１４ｂに設定された外部磁界強度オフセット値Δｍ0 〜Δｍ(n-1) により外部磁界強度が制御され、データのリードが行われる。
【００７２】
なお、本実施例の外部磁界強度設定処理ではエラーレートの測定は各外部磁界強度に対して１回しか行われていないが、複数回繰り返し、その平均を求めることにより、エラーレートの測定を精度良く行え、高精度に外部磁界強度を制御できる。また、加えて、テストパターンを代えて行うことによりエラーレートの測定をさらに精度良く行え、高精度に外部磁界強度を制御できる。
【００７３】
なお、本実施例では、各セクタ毎に最適リードパワーオフセット値及び最適外部磁界強度オフセット値を求め、設定したが、全てのセクタのエラーレートを求め、エラーレートテーブルに格納した後に、エラーレートテーブルに格納されたエラーレートに応じて最適リードパワーオフセット値及び最適外部磁界強度オフセット値を求めるようにしてもよい。
【００７４】
図１５に本発明の第１実施例のリードパワー設定処理の変形例の処理フローチャートを示す。同図中、図９と同一処理部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
本変形例では、全てのセクタのエラーレートを求め、エラーレートテーブルに格納した後に、エラーレートテーブルに格納されたエラーレートに応じて最適リードパワーオフセット値を求めるものである。
【００７５】
本変形例では、所定のテスト対象セクタで、ステップＳ１−６〜Ｓ１−９を繰り返すことにより求められたビットエラーレートが保存される。所定のテスト対象セクタに対するエラーレートが保存されると、テスト対象セクタを識別する変数Ｎが「＋１」されて、次のテスト対象セクタに対してステップＳ１−６〜Ｓ１−９が繰り返され、エラーレートが保存され、変数Ｎが記録媒体７２の全セクタ数ｎになるまで繰り返される（ステップＳ１−１４、Ｓ１−１５）。なお、エラーレートテーブル１４ｄは、例えば、ＭＰＵ１４の内部メモリに設定される。
【００７６】
なお、このとき、電磁石４４で発生される外部磁界強度は、リード時のデフォルト値に制御される。
図１６に本発明の第１実施例のリードパワー設定処理の変形例で用いられるエラーレートテーブルのデータ構成図を示す。
エラーレートテーブル１４ｄは、ステップＳ１−９で設定されるセクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にエラービットレートが格納される構成とされている。また、エラービットレート格納部は、ステップＳ１−５、Ｓ１−９で設定されるレーザパワーオフセット値毎にエラービットレートが設定される構成とされている。
【００７７】
例えば、セクタ＃０をデフォルトパワーｐ0 、オフセット「０」で読み取ったときの、エラーレートがｅ0,0 であるとすると、セクタ＃０、パワーオフセット「０」の位置にエラーレートｅ0,0 が格納される。また、例えば、セクタ＃（ｎ−１）をリードパワーｐ0 ＋（（ｉ−１）＊ｋ）、オフセット「（ｉ−１）＊ｋ」で読み取ったときの、エラーレートがｅ(i+1),(n-1) あるとすると、セクタ＃０、パワーオフセット「（ｉ−１）＊ｋ」の位置にはエラーレートｅ(i+1),(n-1) が格納される。
【００７８】
ステップＳ１−３〜Ｓ１−１５を繰り返すことにより、図１６に示すようなエラーレートテーブル１４ｄが作成される。本変形例では、エラーレートテーブル１４ｄが作成された後、各セクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にエラーレートが最小となるパワーオフセット値を求め、エラーレートが最小となるパワーオフセット値をリードパワー設定テーブル１４ａに格納する（ステップＳ１−１６、Ｓ１−１７）。以上により、図１１と同様なリードパワー設定テーブル１４ａが生成される。
【００７９】
図１７に本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理の変形例の処理フローチャートを示す。同図中、図１２と同一処理部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
本変形例では、全てのセクタのエラーレートを求め、エラーレートテーブルに格納した後に、エラーレートテーブルに格納されたエラーレートに応じて最適外部磁界強度オフセット値を求めるものである。
【００８０】
本変形例では、所定のテスト対象セクタで、ステップＳ２−６〜Ｓ２−９を繰り返すことにより求められたビットエラーレートが保存される。所定のテスト対象セクタに対するエラーレートが保存されると、テスト対象セクタを識別する変数Ｎが「＋１」されて、次のテスト対象セクタに対してステップＳ１−６〜Ｓ１−９が繰り返され、エラーレートが保存され、変数Ｎが記録媒体７２の全セクタ数ｎになるまで繰り返される（ステップＳ２−１４、Ｓ２−１５）。なお、エラーレートテーブル１４ｄは、例えば、ＭＰＵ１４の内部メモリに設定される。
【００８１】
なお、このとき、レーザーパワーはリード時のデフォルト値に制御される。
図１８に本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理の変形例で用いられるエラーレートテーブルのデータ構成図を示す。
外部磁界強度エラーレートテーブル１４ｅは、ステップＳ２−９で設定されるセクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にエラービットレートが格納される構成とされている。また、エラービットレート格納部は、ステップＳ２−５、Ｓ２−９で設定される外部磁界強度オフセット値毎にエラービットレートが設定される構成とされている。
【００８２】
例えば、セクタ＃０をデフォルトパワーｍ0 、オフセット「０」で読み取ったときの、エラーレートがｅｍ0,0 であるとすると、セクタ＃０、オフセット「０」の位置にエラーレートｅｍ0,0 が格納される。また、例えば、セクタ＃（ｎ−１）を外部磁界強度ｍ0 ＋（（ｉ−１）＊ｋ）、オフセット「（ｉ−１）＊ｋ」で読み取ったときの、エラーレートがｅｍ(i+1),(n-1) あるとすると、セクタ＃０、パワーオフセット「（ｉ−１）＊ｋ」の位置にはエラーレートｅｍ(i+1),(n-1) が格納される。
【００８３】
ステップＳ２−３〜Ｓ２−１５を繰り返すことにより、図１８に示すような外部磁界強度エラーレートテーブル１４ｅが作成される。本変形例では、エラーレートテーブル１４ｅが作成された後、各セクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にエラーレートが最小となるパワーオフセット値を求め、エラーレートが最小となる外部磁界強度パワーオフセット値を外部磁界強度設定テーブル１４ｃに格納する（ステップＳ２−１６、Ｓ２−１７）。以上により、図１４と同様な外部磁界強度設定テーブル１４ｃが生成される。
【００８４】
ホストからリードコマンドが供給されたときには、リードパワー設定テーブル１４ａ、外部磁界強度設定テーブル１４ｃに設定されたパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値に応じてリードパワーが制御される。
次にリード処理時の動作を説明する。
図１９に本発明の第１実施例のリード処理の処理フローチャートを示す。
【００８５】
リード処理時にはホストからリードコマンドが供給される（ステップＳ３−１）。ホストから供給されるリードコマンドとしては、例えば、トラックＴのセクタＳからｍセクタ分のデータを読み出すというようなコマンドが供給される。
次に、セクタＭとしてステップＳ３−１で指定されたセクタＳを代入する（ステップＳ３−２）。
【００８６】
次に、トラックＴのセクタＭにビームスポットが移動するように制御を行う（ステップＳ３−３）。
ステップＳ３−３での移動制御によりビームスポットがトラックＴのセクタＭに移動すると、設定テーブルのトラックＴ、セクタＭに対応する位置に格納されたレーザパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値を読み出し、ビームスポットの出力レーザパワーとしてセットする（ステップＳ３−４）。レーザスポットは、パワーオフセット値が設定テーブルに格納されたレーザパワーオフセット値を設定され、最適な値に設定される。また、外部磁界強度は、外部磁界強度オフセット値により最適な値に設定される。
【００８７】
次に、レーザスポットが次にセクタ（Ｍ＋１）に移動すると（ステップＳ３−５）、Ｍを（Ｍ＋１）にセットする（ステップＳ３−６）。次に、Ｍが（Ｓ＋ｍ）となったか否かを判定する（ステップＳ３−７）。
ステップＳ３−７で、Ｍが（Ｓ＋ｍ）に達したと判断された場合には、レーザスポットがセクタＳからｍセクタ分のデータを走査し、読み出したことになるので、リードコマンドを終了する。
【００８８】
また、ステップＳ３−７で、Ｍが（Ｓ＋ｍ）に達していないと判断された場合には、ステップＳ３−４に戻って、セクタＭ（＝Ｓ＋１）に応じたレーザパワーオフセット値及び外部磁界オフセット値をリードパワー設定テーブル１４ａ及び外部磁界強度設定テーブル１４ｃから読み出し、レーザスポットのレーザパワー及び外部磁界強度を制御する。
【００８９】
以上により、予めリードパワー設定テーブル１４ａ及び外部磁界強度設定テーブル１４ｃに設定されたレーザパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値で、レーザスポットのレーザパワー及び外部磁界強度が制御されるので、最適なレーザパワー及び外部磁界強度でデータの読み出しを行える。
なお、上記はリードパワー設定処理、リード処理について説明したが、ライトパワーについても同様に設定処理が行われ、ライト処理時には、ライトパワー設定処理により設定された設定値に応じてライトパワーが制御される。
【００９０】
図２０に本発明の第１実施例のレーザビームのライトパワー設定処理の処理フローチャートを示す。
ＭＰＵ１４は、ライトパワー設定処理を実施する。なお、ライトパワー設定処理の実行タイミングとしては、例えば、記録媒体挿入時や所定時間毎、あるいは、媒体挿入後に最初に記録・再生コマンドが供給されたとき、または、エラーリトライ時、温度変化時などがある。
【００９１】
ライトパワー設定処理では、ＭＰＵ１４は、まず、テストパターンを作成し、バッファメモリ２０に格納する（ステップＳ１−２１）。
次に、セクタを識別するために内部に設定される変数Ｎに「０」を設定する（ステップＳ１−２２）。また、ライトパワーをデフォルト値に設定する（ステップＳ１−２３）。
【００９２】
次に、記録媒体の所定の領域に設定されたテストトラックにポジショニングして、テストトラックのテスト対象セクタＮをイレーズする（ステップＳ１−２４）。
ステップＳ１−２４で、テスト対象セクタＮがイレーズされると、次にステップＳ１−２１でバッファメモリ２０に格納されたテストパターンをテスト対象セクタＮにライトする（ステップＳ１−２５）。このとき媒体が１２８ＭＢ媒体または２３０ＭＢ媒体であればＰＰＭ記録を行い、５４０ＭＢ媒体または６４０ＭＢ媒体であればＰＷＭ記録を行う。
【００９３】
ステップＳ１−２５で、ＭＰＵ１４はテスト対象セクタＮにテストパターンを書き込むと、次に、テスト対象セクタＮからテストパターンをリードする（ステップＳ１−２６）。
次に、リードパワー設定処理と同様に、ステップＳ１−２６でリードしたテストパターンをステップＳ１−２１で生成し、バッファメモリ２０に格納した元のテストパターンと比較して、ビットエラーレートを算出し、ＭＰＵ１４の内部メモリに保存する（ステップＳ１−２７）。
【００９４】
ステップＳ１−２７で、エラーレートｅが算出されると、次に、ライトパワーオフセット値として＋ｋを設定し、ビームスポットのライトパワーｐをデフォルト値ｐ0 にｋを加算したレーザパワー（ｐ0 ＋ｋ）とし、ステップＳ１−２４に戻って、再び、テストトラックをイレーズし、テストパターンをライトした後、テストパターンをリードする（ステップＳ１−２８、Ｓ１−２９）。
【００９５】
上記ステップＳ１−２４〜Ｓ１−２９を繰り返し、レーザスポットのライトパワーｐを（ｐ0 ＋ｋ）、（ｐ0 ＋２ｋ）・・・・（ｐ0 ＋(i-1) ｋ）、（ｐ0 ＋ｉｋ）、及び、（ｐ0 −ｋ）、（ｐ0 −２ｋ）・・・・（ｐ0 −(i-1) ｋ）、（ｐ0 −ｉｋ）でのビットエラーレートｅ0,N 、ｅ1,N ・・・ｅ(i-1),N 、ｅi,N 、及び、ｅ-1,N・・・ｅ(-(i-1)),N、ｅ-i,Nを求めて保存する。
【００９６】
上記ステップＳ１−２４〜Ｓ１−２９の処理を繰り返すことにより、セクタＮにおけるライトパワーに対するエラーレートの特性が得られる。
ＭＰＵ１４は、ステップＳ１−２４〜Ｓ１−２９の処理で求められ、保存されたエラーレートのうち最小となるエラーレートを選択し、そのときのライトパワーオフセットΔｐmin をセクタＮのライトパワーを設定するライトパワー設定テーブル１４ｂに格納する（ステップＳ１−３０、Ｓ１−３１）。
【００９７】
次に、ＭＰＵ１４は、セクタを識別する変数Ｎを順次（Ｎ＋１）とし、変数Ｎが記録媒体に設定されるセクタ数ｎとなるまで、ステップＳ１−２３〜Ｓ１−３１を繰り返し、記録媒体に設定される全てのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）に対して最適ライトパワーオフセットを求め、ライトパワー設定テーブル１４ｂに格納する（ステップＳ１−３２、Ｓ１−３３）。
【００９８】
このとき、電磁石４４で発生される外部磁界はライト時のデフォルト値となるように制御される。
図２１に本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理の処理フローチャートを示す。
ＭＰＵ１４では、ライトパワー設定処理と同様に記録媒体挿入時や所定時間毎に、外部磁界強度設定処理が実施される。
【００９９】
ライトパワー設定処理では、ＭＰＵ１４は、まず、テストパターンを作成し、バッファメモリ２０に格納する（ステップＳ２−２１）。
次に、セクタを識別するために内部に設定される変数Ｎに「０」を設定する（ステップＳ２−２２）。また、外部磁界強度をデフォルト値に設定する（ステップＳ２−２３）。
【０１００】
次に、記録媒体の所定の領域に設定されたテストトラックにポジショニングして、テストトラックのテスト対象セクタＮをイレーズする（ステップＳ２−２４）。
ステップＳ２−２４で、テスト対象セクタＮがイレーズされると、次にステップＳ２−２１でバッファメモリ２０に格納されたテストパターンをテスト対象セクタＮにライトする（ステップＳ２−２５）。このとき媒体が１２８ＭＢ媒体または２３０ＭＢ媒体であればＰＰＭ記録を行い、５４０ＭＢ媒体または６４０ＭＢ媒体、１．３ＧＢであればＰＷＭ記録を行う。
【０１０１】
ステップＳ２−２５で、ＭＰＵ１４はテスト対象セクタＮにテストパターンを書き込むと、次に、テスト対象セクタＮからテストパターンをリードする（ステップＳ２−２６）。
次に、リード時の外部磁界設定処理と同様に、ステップＳ２−２６でリードしたテストパターンをステップＳ２−２１で生成し、バッファメモリ２０に格納した元のテストパターンと比較して、ビットエラーレートを算出し、ＭＰＵ１４の内部メモリに保存する（ステップＳ２−２７）。
【０１０２】
ステップＳ２−２７で、エラーレートｅが算出されると、次に、外部磁界強度オフセット値として＋ｋを設定し、外部磁界強度をデフォルト値ｐ０にｋを加算した外部磁界強度（ｐ0 ＋ｋ）とし、ステップＳ１−２４に戻って、再び、テストトラックをイレーズし、テストパターンをライトした後、テストパターンをリードする（ステップＳ２−２８、Ｓ２−２９）。
【０１０３】
上記ステップＳ２−２４〜Ｓ２−２９を繰り返し、外部磁界強度ｍを（ｍ0 ＋ｋ）、（ｍ0 ＋２ｋ）・・・・（ｍ0 ＋(i-1) ｋ）、（ｍ0 ＋ｉｋ）、及び、（ｍ0 −ｋ）、（ｍ0 −２ｋ）・・・・（ｍ0 −(i-1) ｋ）、（ｍ0 −ｉｋ）でのビットエラーレートｅｍ0,N 、ｅｍ1,N ・・・ｅｍ(i-1),N 、ｅｍi,N 、及び、ｅｍ-1,N・・・ｅｍ(-(i-1)),N、ｅ-i,Nを求めて保存する。
【０１０４】
上記ステップＳ２−２４〜Ｓ２−２９の処理を繰り返すことにより、セクタＮにおけるライト時の外部磁界強度に対するエラーレートの特性が得られる。
ＭＰＵ１４は、ステップＳ２−２４〜Ｓ２−２９の処理で求められ、保存されたエラーレートのうち最小となるエラーレートを選択し、そのときのライト時の外部磁界強度のオフセットΔｍmin をライト時の外部磁界強度設定テーブル１４ｃに格納する（ステップＳ２−３０、Ｓ２−３１）。
【０１０５】
次に、ＭＰＵ１４は、セクタを識別する変数Ｎを順次（Ｎ＋１）とし、変数Ｎが記録媒体に設定されるセクタ数ｎとなるまで、ステップＳ１−２３〜Ｓ１−３１を繰り返し、記録媒体に設定される全てのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）に対して最適ライト時の外部磁界強度のオフセットを求め、ライト時の外部磁界強度設定テーブル１４ｂに格納する（ステップＳ１−３２、Ｓ１−３３）。
【０１０６】
このとき、ライトレーザパワー及びリードレーザパワーは、デフォルト値となるように制御される。
なお、ライトパワー設定テーブル１４ｂ、外部磁界強度設定テーブル１４ｃは、図１１、図１４に示すリードパワー設定テーブル１４ａ及び外部磁界強度設定テーブル１４ｃと同様であるので、その説明は省略する。
【０１０７】
また、リードパワー設定処理と同様に、全てのセクタのエラーレートを求め、エラーレートテーブルに格納した後に、エラーレートテーブルに格納されたエラーレートに応じて最適ライトパワーオフセット値を求めるてもよい。
ライト時には以上のようにして求められたライトパワー設定テーブル１４ｂ、外部磁界強度設定テーブル１４ｃに基づいてレーザビームのライトパワー及び外部磁界強度が制御され、情報の書き込みが行われる。
【０１０８】
図２２に本発明の第１実施例のライト処理の処理フローチャートを示す。
ライト処理では、リード処理と同様に、ホストからライトコマンドが供給される（ステップＳ４−１１）。ホストから供給されるライトコマンドとしては、例えば、トラックＴのセクタＳからｍセクタ分のデータをライトするコマンドが供給される。
【０１０９】
次に、セクタＭとしてステップＳ４−１１で指定されたセクタＳを代入する（ステップＳ４−１２）。
次に、トラックＴのセクタＭにビームスポットが移動するように制御を行う（ステップＳ４−１３）。
ステップＳ４−１３での移動制御によりビームスポットがトラックＴのセクタＭに移動すると、ライトパワー設定テーブル１４ｂ及びライト時の外部磁界強度設定テーブル１４ｃのトラックＴ、セクタＭに対応する位置に格納されたレーザパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値を読み出し、ビームスポットの出力レーザパワーとしてセットし、データがライトされる（ステップＳ４−１４）。レーザスポットは、パワーオフセット値がライトパワー設定テーブル１４ｂに格納されたレーザパワーオフセット値に設定され、最適なライトパワーに設定される。外部磁界強度は、外部磁界強度オフセット値が外部磁界強度設定テーブル１４ｃに格納された外部磁界強度オフセット値により制御される。
【０１１０】
次に、レーザスポットが次にセクタ（Ｍ＋１）に移動すると（ステップＳ４−１５）、Ｍを（Ｍ＋１）にセットする（ステップＳ４−１６）。次に、Ｍが（Ｓ＋ｍ）となったか否かを判定する（ステップＳ４−１７）。
ステップＳ４−１７で、Ｍが（Ｓ＋ｍ）に達したと判断された場合には、レーザスポットがセクタＳからｍセクタ分を走査し、データをライトして、ライトコマンドを終了する。
【０１１１】
また、ステップＳ４−１７で、Ｍが（Ｓ＋ｍ）に達していないと判断された場合には、ステップＳ４−１４に戻って、セクタＭ（＝Ｓ＋１）に応じたレーザパワーオフセット値をライトパワー設定テーブル１４ｂから読み出し、レーザスポットのレーザパワーを制御する。
このように、本実施例によれば、セクタ及びブロック毎に予め最適値となるように設定されたレーザパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値によりレーザスポットのレーザパワー及び電磁石４４で発生される外部磁界強度を制御することにより、記録媒体に照射されるレーザスポットのレーザパワー及び記録媒体に印加される外部磁界強度をセクタ毎に最適値に制御できるので、記録媒体がスピンドルモータの回転軸に対して直交しなくても、直交していない状態で予め最適なレーザパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値を測定して、設定された設定テーブルからセクタ及びブロックに応じてレーザパワーオフセット値及び外部磁界強度を読み出してレーザスポットのレーザパワー及び外部磁界を制御するので、データの読み取り、書き込み等を確実に行える。
【０１１２】
このように、外部磁界を印加することにより再生を行うＭＳＲなどの媒体では、外部磁界強度が適切でないと、記録媒体に書き込まれた情報を読み出せなくなるため、本実施例のように外部磁界強度を制御することにより、確実に記録媒体から情報を読み出すことができる。
なお、本実施例では、ＭＳＲなどの記録媒体に対応するために記録・再生時の両方で外部磁界強度を最適値に制御する場合について説明したが、再生時に外部磁界強度を印加する必要がない記録媒体に適用する場合には、記録時のみ外部磁界強度を最適値に制御すればよい。
【０１１３】
また、本実施例では、ライト／リード時のレーザーパワー及び外部磁界強度を設定し、制御する場合について説明したが、光磁気記録では、通常、イレース、ライト、リードを行っており、ライト／リードと同様にイレース時にもレーザーパワー及び外部磁界強度を設定し、制御するようにしてもよい。
なお、以上のようにして設定された最適ライト／リードパワー及び外部磁界強度を用いて光磁気ディスクの欠陥を検出するようにしてもよい。すなわち、最適ライト／リードパワー及び最適外部磁界強度においては情報のリードライトに最適なライト／リードパワー及び外部磁界強度が設定される。
【０１１４】
このため、最適ライト／リードパワー及び最適外部磁界強度において、情報が正しくライト／リードできない場合には、記録媒体自体に欠陥があると判断できる。このとき、外部磁界強度を最適外部磁界強度からずれた強度とすることにより、欠陥を確実に検出できる。
図２３は本発明の第１実施例の欠陥検出を行うときのパラメータ取得処理の処理フローチャートを示す。
【０１１５】
欠陥検出を行うときには、まず、最適ライト／リードパワー及び最適外部磁界強度を取得する。
まず、上記図９、図１２、図１５、図１７、図２０、図２１によりレーザビームの最適ライト／リードパワー及び最適ライト／リード外部磁界強度を取得し、記憶する（ステップＳ１０−１〜Ｓ１０−４）。
【０１１６】
欠陥は、上記ステップＳ１０−１〜Ｓ１０−４で取得された最適ライト／リードパワーで、外部磁界強度を最適ライト／リード外部磁界強度からわずかにずらした値に設定してリードライトを行い、そのときのエラーを検出することにより検出される。
ここで、欠陥検出処理について説明する。
【０１１７】
図２４は本発明の第１実施例の媒体欠陥検出処理の処理フローチャートを示す。
媒体欠陥検出処理は、ホストからの媒体検査指示に応じて実行される。ホストから媒体検査指示が供給されると、媒体検査開始セクタが検査対象セクタとして設定される（ステップＳ１１−１）。
【０１１８】
ステップＳ１１−１で媒体開始セクタが検査対象セクタに設定されると、まず、媒体開始セクタにおける最適ライト／リードパワー及び最適ライト／リード外部磁界強度を読み出し、ライト／リードパワーを最適ライト／リードパワーに設定し、外部磁界強度を最適外部磁界強度の９０％に設定する（ステップＳ１１−２）。
【０１１９】
次に、ステップＳ１１−２で設定された最適ライト／リードパワー及び最適ライト／リードの９０％の外部磁界強度で検査対象セクタにリードライトを行う（ステップＳ１１−３）。
次に、ステップＳ１１−３でのライト／リードの結果、再生エラーが検出されたか否かが判定される（ステップＳ１１−４）。
【０１２０】
ステップＳ１１−４で、再生エラーが検出されると、媒体欠陥処理が行われる（ステップＳ１１−５）。ステップＳ１１−２〜Ｓ１１−５の処理をセクタ番号を１つずつ増加させつつ、実行することにより全セクタについて実行する（ステップＳ１１−６）。
ステップＳ１１−５の媒体欠陥処理は、再生エラーが検出されたセクタを欠陥セクタとしてディフェクトリストに登録する処理である。ディフェクトリストは、媒体上のコントロール領域に記憶され、媒体に情報を記録再生するときに、読み出される。ディフェクトリストに記録されたディフェクト情報により欠陥セクタに情報が記録されないように記録再生が行われる。
【０１２１】
図２５は本発明の第１実施例の媒体欠陥検出処理の動作説明図を示す。
最適ライト／リードパワー及び最適ライト／リード外部磁界強度を図２５に示すようなブロック毎に設定されているとすると、ブロックＩＡに存在するセクタが検査対象セクタの場合、ブロックＩＡに設定された最適ライト／リードパワー及び最適ライト／リード外部磁界強度に基づいてリードライトが行われる。
【０１２２】
また、ブロックＩＢに存在するセクタが検査対象セクタの場合、ブロックＩＢに設定された最適ライト／リードパワー及び最適ライト／リード外部磁界強度に基づいてリードライトが行われる。
ステップＳ１１−３でのライト／リードの結果、再生エラーの有無を判定する（ステップＳ１１−４）。ステップＳ１１−４でのライト／リードの結果、再生エラーが検出された場合には、検査対象セクタに欠陥があると判定して、検査対象セクタの位置を欠陥情報として記憶する媒体欠陥処理を行う（ステップＳ１１−５）。
【０１２３】
また、ステップＳ１１−４でのライト／リードの結果、再生エラーが検出されなければ、検査対象セクタに欠陥はないと判断する。
上記ステップＳ１１−２〜Ｓ１１−５の処理をセクタ番号を「＋１」しながら全セクタ分検査する（ステップＳ１１−６、Ｓ１１−７）。
以上のように本実施例では、外部磁界強度を最適外部磁界強度の９０％としてリードライトを行い、このときにエラーが検出された場合には、媒体に欠陥があると判定して、欠陥情報を作成する。
【０１２４】
上記媒体欠陥検出処理は、製造時の媒体欠陥リストであるＰＤＬ（Primary Defect List ）の作成時にホストコンピュータからの命令により行うようにしてもよい。すなわち、上記情報記憶装置を記録媒体の欠陥検査装置として適用することもできる。
本実施例によれば、最適外部磁界強度を用いて予め媒体の欠陥を検出できる。
【０１２５】
なお、本実施例では外部磁界強度を最適外部磁界強度の９０％と減少させたが、外部磁界強度を最適外部磁界強度の１１０％と増加させて、リードライトを行うようにしてもよい。
また、本実施例の情報記憶装置は、異なる種類の媒体に対して使用できる装置であり、媒体の種類に応じて再生磁界の調整を行うことができる。
【０１２６】
さらに、本実施例では、磁界を与えずに再生する媒体の場合、信号出力を大きくするようにレーザーパワーを制御し、磁界を与えて再生する、ＭＳＲ方式などの媒体の場合には、再生層、中間層の磁化状態によるマスク再生が確実に行われるようにレーザーパワーと磁界との両方の制御が行える。
なお、本実施例では、セクタ毎にリードパワー、ライトパワー設定テーブル１４ａ、１４ｂ及び外部磁界強度設定テーブル１４ｃを設定したが、これに限られるものではない。例えば、ゾーンＣＡＶの制御を行っている場合には、各セクタを半径方向に所定数のゾーンに分割して、セクタだけでなく、ゾーン毎にレーザパワーオフセットが設定されたリードパワー、ライトパワー設定テーブル１４ａ、１４ｂ、及び、外部磁界強度が設定された外部磁界強度設定テーブル１４ｃを設定し、このリードパワー、ライトパワー設定テーブル１４ａ、１４ｂに基づいてセクタ及びゾーン毎にレーザスポットのレーザパワーを制御し、外部磁界強度設定テーブル１４ｃに基づいてセクタ及びゾーン毎に外部磁界強度を制御するようにしてもよい。このような設定を行う場合の実施例は第２実施例で説明する。
【０１２７】
図２６に本発明の第２実施例のリードパワー設定処理の処理フローチャートを示す。本実施例の構成は、第１実施例と同一であるので、その説明は省略する。本実施例では、セクタに加えて、ゾーン毎にレーザパワーを制御する。このため、リードパワー処理が第１実施例とは相違する。
本実施例では、セクタを識別するための変数Ｎに加えて、媒体７２の周方向をｍ個の領域に分割するゾーンを設定し、ゾーンを識別する変数Ｍを設定する。
【０１２８】
ＭＰＵ１４では、まず、テストパターン作成後、変数Ｎ、Ｍを初期化する（ステップＳ５−１、Ｓ５−２）。
図２７に本発明の第２実施例の記録媒体のフォーマットを示す。
本実施例では、記録媒体７２を円周方向にｎ個のセクタ＃０〜＃（ｎ−１）に分割するとともに、記録媒体７２の半径方向をｍ個のゾーンＺ０〜Ｚ（ｍ−１）に分割される。
【０１２９】
次に、セクタＮ、ゾーンＭの所定のトラックをイレーズし、ステップＳ５−１で作成されたテストパターンをライトする（ステップＳ５−３）。ステップＳ３−３でライトされたテストパターンをデフォルトパワーｐ0 でリードし、ビットエラーを算出し、保存する（ステップＳ５−５、Ｓ５−６、Ｓ５−７）。
上記、ステップＳ５−６、Ｓ５−７のテストパターンのリード及びビットエラーレートの算出保存をリードパワーを変更させつつ、保存する（ステップＳ５−８、Ｓ５−９）。
【０１３０】
ステップＳ５−６〜Ｓ５−９を繰り返すことにより求められたビットエラーレートが最小となるオフセット値をセクタＮ、ゾーンＭで最適なリードパワーとして設定テーブル１４に格納する（ステップＳ５−１０、Ｓ５−１１）。上記ステップＳ５−３〜Ｓ５−１１をセクタＮを「＋１」しつつ、ｎ回繰り返すことにより、ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）におけるリードパワーオフセット値が設定テーブル１４ａに設定される。
【０１３１】
ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）における最適リードパワーが設定テーブル１４ａに設定されると、次に、セクタを識別する変数Ｎをリセットし、ゾーンを識別する変数Ｍを「＋１」して、変数Ｍを「＋１」しつつ、ゾーンの全数ｍとなるまで、ステップＳ５−３〜Ｓ５−１４を繰り返す（ステップＳ５−１５、Ｓ５−１６）。
【０１３２】
以上によりリードパワー設定テーブル１４ａにセクタ及びゾーン毎にリードパワーオフセット値が設定できる。
なお、このとき、電磁石４４で発生される外部磁界はリード時のデフォルト値となるように制御される。
図２８に本発明の第２実施例のリードパワー設定テーブルのデータ構成図を示す。
【０１３３】
本実施例のリードパワー設定テーブル１４ａは、セクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にリードパワーオフセット値設定領域Ａ０〜Ａ（ｎ−１）が設定されており、各リードパワーオフセット値設定領域Ａ０〜Ａ（ｎ−１）は、ゾーンＺ0 〜Ｚ（m-1 ）毎にリードパワーオフセット値Δｐ00〜Δｐ(n-1),(m-1) が設定される。
次に、外部磁界強度の設定処理について説明する。
【０１３４】
図２９に本発明の第２実施例のリード時の外部磁界強度設定処理の処理フローチャートを示す。
本実施例では、セクタを識別するための変数Ｎに加えて、媒体７２の周方向をｍ個の領域に分割するゾーンを設定し、ゾーンを識別する変数Ｍを設定する。
ＭＰＵ１４では、まず、テストパターンを作成し、テストパターン作成後、変数Ｎ、Ｍを初期化する（ステップＳ６−１、Ｓ６−２）。
【０１３５】
次に、セクタＮ、ゾーンＭの所定のトラックをイレーズし、ステップＳ６−１で作成されたテストパターンをライトする（ステップＳ６−３）。ステップＳ６−３でライトされたテストパターンをデフォルトパワーｐ0 でリードし、ビットエラーを算出し、保存する（ステップＳ６−５、Ｓ６−６、Ｓ６−７）。
上記、ステップＳ６−６、Ｓ６−７のテストパターンのビットエラーレートを再生外部磁界強度のオフセットを変更させつつ、算出し、保存する（ステップＳ６−８、Ｓ６−９）。
【０１３６】
ステップＳ６−６〜Ｓ６−９を繰り返すことにより求められたビットエラーレートが最小となるオフセット値をセクタＮ、ゾーンＭで最適なリードパワーオフセット値として設定テーブルに格納する（ステップＳ６−１０、Ｓ６−１１）。上記ステップＳ６−３〜Ｓ６−１１をセクタＮを「＋１」しつつ、ｎ回繰り返すことにより、ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）における最適外部磁界強度オフセット値が設定テーブル１４に設定される。
【０１３７】
ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）における最適外部磁界強度が外部磁界強度設定テーブル１４ｃに設定されると、次に、セクタを識別する変数Ｎをリセットし、ゾーンを識別する変数Ｍを「＋１」して、変数Ｍを「＋１」しつつ、ゾーンの全数ｍとなるまで、ステップＳ６−３〜Ｓ６−１４を繰り返す（ステップＳ６−１５、Ｓ６−１６）。
【０１３８】
以上により外部磁界強度設定テーブル１４ｃにセクタ及びゾーン毎にリードパワーオフセット値が設定できる。
なお、このとき、リードパワーは、デフォルト値となるように制御される。
図３０に本発明の第２実施例の外部磁界強度設定テーブルのデータ構成図を示す。
【０１３９】
本実施例の外部磁界強度設定テーブル１４ｃは、セクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にリードパワーオフセット値設定領域Ａ０〜Ａ（ｎ−１）が設定されており、各リードパワーオフセット値設定領域Ａ０〜Ａ（ｎ−１）は、ゾーンＺ0 〜Ｚ（m-1 ）毎に外部磁界強度オフセット値Δｍ00〜Δｍ(n-1),(m-1) が設定される。
次に、本実施例のリード処理について説明する。
【０１４０】
図３１に本発明の第２実施例のリード処理の処理フローチャートを示す。同図中、図１９と同一処理部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
本実施例では、ホストからのリードコマンドによりステップＳ３−３で、トラックＴ、セクタＭへの移動制御が行われると、指示されたトラック位置からゾーンが判定され（ステップＳ７−１）、ゾーン及び、セクタによりリードパワー設定テーブル１４ａ及び外部磁界強度設定テーブル１４ｃからリードパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値が決定され、決定されたリードパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値をデフォルト値に加算することによりリードパワー及び外部磁界が設定される（ステップＳ７−２）。
【０１４１】
同様にライトパワーも設定される。
図３２に本発明の第２実施例のライトパワー設定処理の処理フローチャートを示す。本実施例の構成は、第１実施例と同一であるので、その説明は省略する。本実施例では、セクタに加えて、ゾーン毎にレーザパワーを制御する。このため、ライトパワー処理が第１実施例とは相違する。
【０１４２】
本実施例では、セクタを識別するための変数Ｎに加えて、媒体７２の周方向をｍ個の領域に分割するゾーンを設定し、ゾーンを識別する変数Ｍを設定する。
ＭＰＵ１４では、まず、テストパターンを作成し、テストパターン作成後、変数Ｎ、Ｍを初期化する（ステップＳ５−２１、Ｓ５−２２）。
次に、ライトパワー及び外部磁界強度をデフォルト値に設定する（ステップＳ５−２３）。次に、セクタＮ、ゾーンＭの所定のトラックをイレーズし、ステップＳ５−１１で作成されたテストパターンをライトする（ステップＳ５−２４、Ｓ５−２５）。ステップＳ５−２５でライトされたテストパターンを所定のリードパワーでリードし、ビットエラーを算出し、保存する（ステップＳ５−２６、Ｓ５−２７）
。
【０１４３】
上記、ステップＳ５−２４、Ｓ５−２７のテストパターンのイレーズ、ライト、リード及びビットエラーレートの算出保存をライトパワーオフセットを変更させつつ、実行する（ステップＳ５−２８、Ｓ５−２９）。
ステップＳ５−２４〜Ｓ５−２９を繰り返すことにより求められたビットエラーレートが最小となるオフセット値をセクタＮ、ゾーンＭで最適なライトパワーオフセット値としてライトパワー設定テーブル１４ｂに格納する（ステップＳ５−３０、Ｓ５−３１）。上記ステップＳ５−２３〜Ｓ５−３１をセクタＮを「＋１」しつつ、ｎ回繰り返すことにより、ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）における最適外部磁界強度オフセット値が設定テーブル１４に設定される。
【０１４４】
ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）における最適ライトパワーオフセット値がライトパワー設定テーブル１４ｂに設定されると、次に、セクタを識別する変数Ｎをリセットし、ゾーンを識別する変数Ｍを「＋１」して、変数Ｍを「＋１」しつつ、ゾーンの全数ｍとなるまで、ステップＳ５−２３〜Ｓ５−３４を繰り返す（ステップＳ５−３５、Ｓ５−３６）。
【０１４５】
以上によりライトパワー設定テーブル１４ｂにセクタ及びゾーン毎にライトパワーを設定できる。
なお、このとき、電磁石４４で発生される外部磁界強度はライト時のデフォルト値に制御される。
次にライト時の外部磁界強度の設定処理について説明する。
【０１４６】
図３３に本発明の第２実施例の外部磁界強度設定処理の処理フローチャートを示す。
本実施例では、セクタを識別するための変数Ｎに加えて、媒体７２の周方向をｍ個の領域に分割するゾーンを設定し、ゾーンを識別する変数Ｍを設定する。
ＭＰＵ１４では、まず、テストパターンを作成し、テストパターン作成後、変数Ｎ、Ｍを初期化する（ステップＳ６−２１、Ｓ６−２２）。
【０１４７】
次に、ライトパワー及び外部磁界強度をデフォルト値に設定する（ステップＳ６−２３）。次に、セクタＮ、ゾーンＭの所定のトラックをイレーズし、ステップＳ６−１１で作成されたテストパターンをライトする（ステップＳ６−２４、Ｓ６−２５）。ステップＳ６−２５でライトされたテストパターンを所定の外部磁界強度でリードし、ビットエラーを算出し、保存する（ステップＳ６−２６、Ｓ６−２７）。
【０１４８】
上記、ステップＳ６−２４、Ｓ６−２７のテストパターンのイレーズ、ライト、リード及びビットエラーレートの算出保存をライトパワーオフセットを変更させつつ、実行する（ステップＳ６−２８、Ｓ６−２９）。
ステップＳ６−２４〜Ｓ６−２９を繰り返すことにより求められたビットエラーレートが最小となるオフセット値をセクタＮ、ゾーンＭで最適な外部磁界強度オフセット値として外部磁界強度設定テーブル１４ｃに格納する（ステップＳ６−３０、Ｓ６−３１）。上記ステップＳ６−２３〜Ｓ６−３１をセクタＮを「＋１」しつつ、ｎ回繰り返すことにより、ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）における最適外部磁界強度オフセット値が外部磁界強度設定テーブル１４ｃに設定される。
【０１４９】
ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）における最適外部磁界強度オフセット値が外部磁界強度設定テーブル１４ｃに設定されると、次に、セクタを識別する変数Ｎをリセットし、ゾーンを識別する変数Ｍを「＋１」して、変数Ｍを「＋１」しつつ、ゾーンの全数ｍとなるまで、ステップＳ６−２３〜Ｓ６−３４を繰り返す（ステップＳ６−３５、Ｓ６−３６）。
【０１５０】
以上により外部磁界強度設定テーブル１４ｃにセクタ及びゾーン毎に外部磁界強度を設定できる。
なお、このとき、ライトパワーはライト時のデフォルト値に制御される。
上記処理によりライトパワー設定テーブル１４ｂ及び外部磁界強度設定テーブル１４ｃに設定されたライトパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値によるライト処理について説明する。
【０１５１】
図３４に本発明の第２実施例のライト処理の処理フローチャートを示す。同図中、図２２と同一処理部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
本実施例では、ホストからのライトコマンドによりステップＳ４−３で、トラックＴ、セクタＭへの移動制御が行われると、指示されたトラック位置からゾーンが判定され（ステップＳ８−１）、ゾーン及び、セクタによりライトパワー設定テーブル１４ｂ及び外部磁界強度設定テーブル１４ｃからライトパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値が決定され、決定されたライトパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値をライトパワー及び外部磁界強度のデフォルト値に加算することによりライトパワー及び外部磁界強度が設定される（ステップＳ８−２）。
【０１５２】
本実施例によれば、セクタのみならず、ゾーンによってもレーザパワー及び外部磁界強度が制御されるので、記録媒体の半径方向への変形による半径方向へのレーザパワーのずれ及び外部磁界強度の変動にも対応できる。
また、第１、第２実施例では、セクタ毎にパワーオフセット値及び外部磁界強度を設定したが、連続する所定数のセクタを１ブロックとして、ブロック毎にリードパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値を設定するようにしてもよい。
【０１５３】
さらに、上記第２実施例で設定されたレーザビームの最適ライト／リードパワー及び最適外部磁界強度に基づいて媒体の欠陥を検出するようにしてもよい。
ここで、連続する所定数のセクタを１ブロックとして、ブロック毎にリードパワーオフセット値を設定する実施例について説明する。なお、本実施例の構成は、第１実施例と同一であるので、その説明は省略する。
【０１５４】
図３５に本発明の第３実施例の記録媒体のフォーマットを示す。
本実施例の記録媒体７２は、セクタ＃０、＃１、＃２をブロックＢ１、セクタ＃３、＃４、＃５をブロックＢ２・・・セクタ＃（ｎ−３）、＃（ｎ−２）、＃（ｎ−１）をブロックＢｎとして、ブロック毎にリードパワーオフセット値及び外部磁界強度を設定する。なお、リード、ライトパワー設定処理及び外部磁界強度設定処理は、例えば、図９、図１２、図１５、図１７、図２０、図２１、図２６、図２９、図３２、図３３でセクタ毎に行っている処理をブロックＢ１〜Ｂｎ毎に行えばよいので、その説明は省略する。
【０１５５】
本実施例では、リード、ライトパワー設定処理をブロックＢ１〜Ｂｎ毎に行うので、リードパワー設定テーブル１４ａ、外部磁界強度設定テーブル１４ｃ、ライトパワー設定テーブル１４ｂの構成がセクタ毎のものとは相違する。
図３６に本発明の第３実施例のリードパワー設定テーブルのデータ構成図を示す。
【０１５６】
本実施例のリードパワー設定テーブル１４ａは、ブロックＢ１〜Ｂｎ毎にパワーオフセット値Δｐ0 〜Δｐ( n-1 ）が設定される。
リードコマンド発生時には、図３６に示す構成のリードパワー設定テーブル１４ａが参照され、リードパワーが設定される。
図３７に本発明の第３実施例のリード、ライト処理の処理フローチャートを示す。同図中、図１９と同一処理部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【０１５７】
本実施例では、ホストからのリード、ライトコマンドによりステップＳ３−３で、トラックＴ、セクタＭへの移動制御が行われると、指示されたセクタからブロックが判定され（ステップＳ９−１）、リードパワー設定テーブル１４ａのブステップＳ９−１で判定されたブロックに応じたリード、又は、ライトパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値が決定され、決定されたリード、ライトパワーオフセット値、外部磁界強度オフセット値をデフォルト値に加算することによりリード、又は、ライトパワー、外部磁界強度が設定される（ステップＳ９−２）。
【０１５８】
本実施例によれば、ブロック毎にリード、ライト、外部磁界強度オフセット値が格納されるので、各設定テーブル１４ａ、１４ｂ、１４ｃのデータ容量を削減できる。
なお、上記第１〜第３実施例では、リードパワー設定テーブル１４ａ、外部磁界強度設定テーブル１４ｃ、ライトパワー設定テーブル１４ｂ、外部磁界強度設定テーブル１４ｃにリード、又は、ライトパワーオフセット値を格納したが、リード、又は、ライトパワーをそのまま格納してもよく、リードパワー、外部磁界強度、ライトパワー設定テーブル１４ａ〜１４ｃに格納するデータは、格納されたデータによりリードパワー、外部磁界強度、ライトパワーが求めることができるデータであればよい。
【０１５９】
なお、本実施例で用いられた設定テーブルは、使用にはメモリに展開されて用いられる。
また、上記実施例によれば、外部磁界強度を制御する設定値としてオフセット値を格納することにより、外部磁界強度そのものを設定値として格納する場合に比べて記憶容量を小さくでき、小さい回路規模で実現できる。
【０１６０】
さらに、上記実施例によれば、記録媒体にテストパターンを書き込み、書き込まれた該テストパターンを読み出した結果に応じて設定メモリの設定値を設定することにより、装着された記録媒体に状態に応じて外部磁界を制御できるので、装着された記録媒体毎に最適な条件で情報の記憶が行える。
また、上記実施例によれば、設定メモリの設定値を記録媒体が装着されたときに、設定することにより、記録媒体毎に設定値を設定できるので、各記録媒体の状態に応じて外部磁界を最適状態に制御でき、最適な条件で情報の記憶が行える。
【０１６１】
さらに、上記実施例によれば、記録媒体が装着された状態で、所定の時間毎に設定メモリの設定値を設定することにより、記録媒体が装着されて、設定メモリに設定値が設定された後に、回転軸に対する記録媒体の装着状態が変化しても、所定時間毎に記録媒体の状態に応じて設定値が設定されるため、常に記録媒体の状態に応じて外部磁界の制御を行うことができ、装着された記録媒体の状態に応じた最適な条件で情報の記憶が行える。
【０１６２】
また、上記実施例によれば、記録媒体に記録された情報を読み出すときに記録媒体に印加する外部磁界を制御することにより、記録媒体に記録された情報を最適な外部磁界強度で読み出すことができ、読み出した情報のエラーを低減できる。
さらに、上記実施例によれば、記録媒体に情報を記録するときに、記録媒体に印加する外部磁界を制御することにより、記録媒体に情報を記録する際に、最適な外部磁界で記録を行うことができるので、記録媒体に確実に情報を記録できる。
【０１６３】
また、上記実施例によれば、レーザビームパワーを制御する設定値としてオフセット値を格納することにより、レーザパワーそのものを設定値として格納する場合に比べて記憶容量を小さくでき、小さい回路規模で実現できる。
さらに、上記実施例によれば、記録媒体にテストパターンを書き込み、書き込まれた該テストパターンを読み出した結果に応じて設定メモリの設定値を設定することにより、装着された記録媒体に状態に応じてレーザパワーを制御できるので、装着された記録媒体毎に最適な条件で情報の記憶が行える。
【０１６４】
また、上記実施例によれば、設定メモリの設定値を記録媒体が装着されたときに、設定することにより、記録媒体毎に設定値を設定できるので、各記録媒体の状態に応じてレーザパワーを最適状態に制御でき、最適な条件で情報の記憶が行える。
さらに、上記実施例によれば、記録媒体が装着された状態で、所定の時間毎に設定メモリの設定値を設定することにより、記録媒体が装着されて、設定メモリに設定値が設定された後に、回転軸に対する記録媒体の装着状態が変化しても、所定時間毎に記録媒体の状態に応じて設定値が設定されるため、常に記録媒体の状態に応じてレーザパワーの制御を行うことができ、装着された記録媒体の状態に応じた最適な条件で情報の記憶が行える。
【０１６５】
また、記録媒体に記録された情報を読み出すときにレーザビーム照射手段から記録媒体に照射するレーザビームを制御することにより、記録媒体に記録された情報を最適な外部磁界及びレーザパワーで読み出すことができ、読み出した情報のエラーを低減できる。
さらに、記録媒体に情報を記録するときに、レーザビーム照射手段から記録媒体に照射するレーザビームを制御することにより、記録媒体に情報を記録する際に、最適な外部磁界及びレーザパワーで記録を行うことができるので、記録媒体に確実に情報を記録できる。
【０１６６】
また、予め決定された最適磁界強度から円盤状記録媒体上に発生すると思われる欠陥を予測できるため、情報を記録した後に欠陥が発見されることがなく、記憶情報の保護及び情報の信頼性を向上できる。
【０１６７】
【発明の効果】
上述の如く、本発明の請求項１によれば、磁界強度取得手段により、予め円盤状記録媒体の円周方向の位置に応じた外部磁界の最適強度を光ビームの出力を初期値に設定した状態で取得しておき、円盤状記録媒体上で光ビームが照射される位置に応じて外部磁界の強度を磁界強度取得手段で取得された最適磁界強度に制御することにより、確実に磁界強度の最適値を取得でき、よって、記録媒体の回転角度に応じて外部磁界が変動することがなくなるため、記録媒体への情報の記憶を最適に行える等の特長を有する。
【０１６８】
請求項２によれば、隣接する所定数のセクタ毎に外部磁界を制御することにより、外部磁界の設定値の数を低減でき、小さい回路規模で実現できる等の特長を有する。
請求項３によれば、記録媒体の回転角だけでなく、半径方向に応じて外部磁界強度を制御することにより、記録媒体との傾きだけでなく、記録媒体の変形に対しても記録媒体に印加される外部磁界強度を制御できる等の特長を有する。
【０１６９】
請求項４によれば、光ビームが照射されるセクタに応じて設定メモリから設定値を読み出し、外部磁界を切り換えることにより、セクタに応じて外部磁界強度を制御でき、常に外部磁界を最適な外部磁界強度に制御し、記録媒体への情報の記憶を最適な条件で行える等の特長を有する。
請求項５によれば、外部磁界に加えて記録媒体の回転角に応じて記録媒体に照射する光ビームを制御することにより、記録媒体が回転軸に傾いて装着された場合などに、例えば、光ビームと記録媒体の傾き量が垂直でなくなった場合には、ビームパワーが大きくなるように制御することにより、外部磁界強度及び記録媒体に照射される光ビームパワーを最適なパワーに保持できるため、記録媒体への情報の記憶を最適に行える等の特長を有する。
【０１７０】
請求項６によれば、記録媒体の周方向を分割した領域であるセクタ毎に記録媒体に照射される光ビームのパワーを制御することにより、記録媒体の回転角度に応じた光ビームのパワー制御と同等な制御が行えるため、光ビームと記録媒体の傾き量が垂直でなくなった場合には、光ビームパワーが大きくなるように制御することにより、外部磁界強度及び記録媒体に照射される光ビームパワーを最適なパワーに保持できるため、記録媒体への情報の記憶を最適に行える等の特長を有する。
【０１７１】
請求項７によれば、記録媒体の回転角だけでなく、半径方向に応じて記録媒体に照射される光ビームのパワーを制御することにより、記録媒体の傾斜だけでなく、記録媒体の変形に対しても記録媒体に照射される光ビームのパワーを制御できる等の特長を有する。
請求項８によれば、レーザビームが照射されるセクタに応じて設定メモリから設定値を読み出し、記録媒体に照射する光ビームパワーを切り換えることにより、セクタに応じて光ビームパワーを制御でき、外部磁界だけでなく記録媒体に照射される光ビームパワーを最適なパワーに保持し、記録媒体への情報の記憶を最適な条件で行える等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】記録媒体の再生状態の一例を示す図である。
【図２】記録媒体の再生状態の他の一例を示す図である。
【図３】記録媒体の再生状態の一例のヘッド位置に対する記録媒体の傾きの特性を示す図である。
【図４】記録媒体の再生状態の他の一例のヘッド位置に対する記録媒体の傾きの特性を示す図である。
【図５】記録媒体の再生状態の他の一例の媒体の位置に対する電磁石の位置の特性を示す図である。
【図６】本発明の第１実施例のブロック構成図である。
【図７】本発明の第１実施例の概略構成図である。
【図８】本発明の第１実施例の記録媒体のフォーマットを示す図である。
【図９】本発明の第１実施例のリードパワー設定処理の処理フローチャートである。
【図１０】本発明の第１実施例の最適リードパワーの決定方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の第１実施例の設定テーブルのデータ構成図である。
【図１２】本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理の処理フローチャートである。
【図１３】本発明の第１実施例の外部磁界強度の決定方法を説明するための図である。
【図１４】本発明の第１実施例の外部磁界強度設定テーブルのデータ構成図である。
【図１５】本発明の第１実施例のリードパワー設定処理の変形例の処理フローチャートである。
【図１６】本発明の第１実施例のリードパワー設定処理の変形例で用いられるエラーレートテーブルのデータ構成図である。
【図１７】本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理の変形例の処理フローチャートである。
【図１８】本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理の変形例で用いられるエラーレートテーブルのデータ構成図である。
【図１９】本発明の第１実施例のリード処理の処理フローチャートである。
【図２０】本発明の第１実施例のライトパワー設定処理の処理フローチャートである。
【図２１】本発明の第１実施例のライト時の外部磁界強度設定処理フローチャートである。
【図２２】本発明の第１実施例のライト処理の処理フローチャートである。
【図２３】本発明の第１実施例の欠陥検出を行うときのパラメータ取得処理の処理フローチャートである。
【図２４】本発明の第１実施例の欠陥検出処理の処理フローチャートである。
【図２５】本発明の第１実施例の欠陥検出処理の動作説明図である。
【図２６】本発明の第２実施例のリードパワー設定処理の処理フローチャートである。
【図２７】本発明の第２実施例の記録媒体のフォーマットである。
【図２８】本発明の第２実施例の設定テーブルのデータ構成図である。
【図２９】本発明の第２実施例のリード時の外部磁界強度設定処理の処理フローチャートである。
【図３０】本発明の第２実施例の外部磁界強度設定テーブルのデータ構成図である。
【図３１】本発明の第２実施例のリード処理の処理フローチャートである。
【図３２】本発明の第２実施例のライトパワー設定処理の処理フローチャートである。
【図３３】本発明の第２実施例の外部磁界強度設定処理の処理フローチャートである。
【図３４】本発明の第２実施例のライト処理の処理フローチャートである。
【図３５】本発明の第３実施例の記録媒体のフォーマットを示す図である。
【図３６】本発明の第３実施例のリードパワー設定テーブルのデータ構成図である。
【図３７】本発明の第３実施例のリード・ライト処理の処理フローチャートである。
【符号の説明】
１  光ディスクドライブ
１０  コントローラ
１２  エンクロージャ
１４  ＭＰＵ
１４ａ  リードパワー設定テーブル
１４ｂ，１４ｅ  ライトパワー設定テーブル
１４ｃ，１４ｆ  外部磁界強度設定テーブル
１４ｄ  エラーレートテーブル
１５  ＤＳＰ
１６  インタフェースコントローラ
１８  フォーマッタ
２０  バッファメモリ
２２  エンコーダ
２４  レーザダイオード制御回路
２６  デコーダ
２８  リードＬＳＩ回路
３０  レーザダイオードユニット
３２、４６  ディテクタ
３４  ヘッドアンプ
３６  温度センサ
３８、４２、５４、５８、６２  ドライバ
４０  スピンドルモータ
４４  電磁石
５２  レンズ位置センサ
５６  フォーカスアクチュエータ
６０  レンズアクチュエータ
６４  ＶＣＭ
６６  ハウジング
６８  インレットドア
７０  ＭＯカートリッジ
７２  ＭＯ媒体
７６  キャリッジ
８０  対物レンズ
【図１】
0003647681.tif 000002
【図２】
0003647681.tif 000003
【図３】
0003647681.tif 000004
【図４】
0003647681.tif 000005
【図５】
0003647681.tif 000006
【図６】
0003647681.tif 000007
【図７】
0003647681.tif 000008
【図８】
0003647681.tif 000009
【図９】
0003647681.tif 000010
【図１０】
0003647681.tif 000011
【図１１】
0003647681.tif 000012
【図１２】
0003647681.tif 000013
【図１３】
0003647681.tif 000014
【図１４】
0003647681.tif 000015
【図１５】
0003647681.tif 000016
【図１６】
0003647681.tif 000017
【図１７】
0003647681.tif 000018
【図１８】
0003647681.tif 000019
【図１９】
0003647681.tif 000020
【図２０】
0003647681.tif 000021
【図２１】
0003647681.tif 000022
【図２２】
0003647681.tif 000023
【図２３】
0003647681.tif 000024
【図２４】
0003647681.tif 000025
【図２５】
0003647681.tif 000026
【図２６】
0003647681.tif 000027
【図２７】
0003647681.tif 000028
【図２８】
0003647681.tif 000029
【図２９】
0003647681.tif 000030
【図３０】
0003647681.tif 000031
【図３１】
0003647681.tif 000032
【図３２】
0003647681.tif 000033
【図３３】
0003647681.tif 000034
【図３４】
0003647681.tif 000035
【図３５】
0003647681.tif 000036
【図３６】
0003647681.tif 000037
【図３７】
0003647681.tif 000038