(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象物のはんだ供給面上に形成される第１のはんだレジスト層と、当該第１のはんだレジスタ層の上層に形成される第２のはんだレジスト層とを有するはんだレジストにおいて、
上記第１のはんだレジスト層には、上記加工対象物の上記はんだ供給面上のはんだ供給位置を露出させる第１の開口部が形成され、
上記第２のはんだレジスト層には、上記第１のはんだレジスト層の上記第１の開口部を露出させる、当該第１の開口部よりも大きな第２の開口部が形成され、
上記第２の開口部の大きさは、
上記第１の開口部及び上記第２の開口部からなる段状の凹部に充填されるはんだによつて上記はんだ供給位置上に形成されるはんだコートの高さが、所望の高さとなるように選定される
ことを特徴とするはんだレジスト。
【請求項２】
上記第２の開口部の大きさは、
上記はんだコートの高さが、上記第２のはんだレジスト層の上面位置よりも高くなるように選定される
ことを特徴とする請求項１に記載のはんだレジスト。
【請求項３】
上記加工対象物は配線基板でなり、
上記はんだ供給位置は電極でなる
ことを特徴とする請求項１に記載のはんだレジスト。
【請求項４】
上記第２のはんだレジスタ層は、
さらに複数のはんだレジスタ層でなり、それぞれのはんだレジスタ層毎に異なる大きさの開口部が形成されてなる
ことを特徴とする請求項１に記載のはんだレジスト。
【請求項５】
加工対象物のはんだ供給面上に形成される第１のはんだレジスト層と、当該第１のはんだレジスタ層の上層に形成される第２のはんだレジスト層とを有するはんだレジストの形成方法において、
上記加工対象物の上記はんだ供給面上に感光性レジストからなる第１のはんだレジスト層及び第２のはんだレジスト層を順次積層形成すると共に、上記第１のはんだレジスト層における上記加工対象物の上記はんだ供給面上のはんだ供給位置との対向部分に現像後に第１の開口部が形成され、さらに上記第２のはんだレジスト層における上記第１の開口部との対向部分に現像後に当該第１の開口部よりも大きな第２の開口部が形成されるように上記第１のはんだレジスト層及び上記第２のはんだレジスト層をそれぞれ露光する第１の工程と、
上記第１のはんだレジスト層及び上記第２のはんだレジスト層を現像することにより、上記加工対象物の上記はんだ供給位置を上記第１のはんだレジスト層及び上記第２のはんだレジスト層にそれぞれ形成された上記第１の開口部及び上記第２の開口部を順次介して露出させる第２の工程とを具え、
上記第１の工程では、
上記第２の開口部の大きさを、上記第１の開口部及び上記第２の開口部からなる段状の凹部に充填されるはんだによつて上記はんだ供給位置上に形成されるはんだコートの高さが所望の高さとなるように選定する
ことを特徴とするはんだレジストの形成方法。
【請求項６】
上記第１の工程では、
上記第２の開口部の大きさを、上記はんだコートの高さが上記第２のはんだレジスト層の上面位置よりも高くなるように選定する
ことを特徴とする請求項５に記載のはんだレジストの形成方法。
【請求項７】
加工対象物のはんだ供給面上のはんだ供給位置にはんだ供給するはんだ供給方法において、
上記加工対象物の上記はんだ供給面上に第１のはんだレジスト層及び第２のはんだレジスト層を順次積層形成すると共に、上記第１のはんだレジスト層における上記加工対象物の上記はんだ供給面上の上記はんだ供給位置との対向部分に第１の開口部を形成し、さらに上記第２のはんだレジスト層における上記第１の開口部との対向部分に当該第１の開口部よりも大きな第２の開口部を形成する第１の工程と、
上記第１の開口部及び上記第２の開口部からなる段状の凹部にはんだを充填する第２の工程と、
上記段状の凹部に充填された上記はんだを加熱溶融することにより上記はんだ供給位置上にはんだコートを形成する第３の工程とを具え、
上記第１の工程では、
上記第２の開口部の大きさを、上記第３の工程で形成される上記はんだコートの高さが所望の高さとなるように選定する
ことを特徴とするはんだ供給方法。
【請求項８】
上記第１の工程は、
上記加工対象物の上記はんだ供給面上に感光性レジストからなる第１のはんだレジスト層及び第２のはんだレジスト層を順次積層形成すると共に、上記第１のはんだレジスト層における上記加工対象物の上記はんだ供給面上の上記はんだ供給位置との対向部分に現像後に第１の開口部が形成され、さらに上記第２のはんだレジスト層における上記第１の開口部との対向部分に現像後に当該第１の開口部よりも大きな第２の開口部が形成されるように上記第１のはんだレジスト層及び上記第２のはんだレジスト層をそれぞれ露光する露光工程と、
上記第１のはんだレジスト層及び上記第２のはんだレジスト層を現像することにより、上記加工対象物の上記はんだ供給位置を上記第１のはんだレジスト層及び上記第２のはんだレジスト層にそれぞれ形成された上記第１の開口部及び上記第２の開口部を順次介して露出させる現像工程とでなる
ことを特徴とする請求項７に記載のはんだ供給方法。
【請求項９】
上記第１の工程では、
上記第２の開口部の大きさを、上記第３の工程で形成されるはんだコートの高さが上記第２のはんだレジスト層の上面位置よりも高くなるように選定する
ことを特徴とする請求項７に記載のはんだ供給方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【目次】
以下の順序で本発明を説明する。
産業上の利用分野
従来の技術（図４）
発明が解決しようとする課題（図４）
課題を解決するための手段（図１〜図３）
作用（図１〜図３）
実施例（図１〜図３）
発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】
本発明ははんだレジスト及びその形成方法並びにはんだ供給方法に関し、例えば配線基板上に形成するはんだレジスト及びその形成方法、並びに配線基板の電極上にはんだを供給するはんだ供給方法として適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】
従来、ＩＣ（集積回路）ベアチツプを基板に実装する実装方法の１つとして、図４に示すように、ＩＣベアチツプ１の各パツド２上に高融点のはんだバンプ３をそれぞれ形成すると共に、基板４の各電極５上にはんだバンプ３を載せ易くするために先端部を平坦化したはんだコート６をそれぞれ形成し、ＩＣベアチツプ１の各はんだバンプ３が基板４の対応するはんだコート６とそれぞれ接触するように当該ＩＣベアチツプ１を基板４上に位置決めマウントした後、基板４のはんだコート６のみを加熱溶融させて接触するＩＣベアチツプ１のはんだバンプ３とそれぞれ接合させることにより、当該ＩＣベアチツプ１を基板４上に実装する方法がある。
【０００４】
この場合、上述のように基板４の各電極５上にはんだコート６を形成する方法としては、従来から種々の方法が提案され、実現化されている。
このようなはんだコート６の形成方法の１つとして、近年、基板４上に電極５又は電極５の一部分を避けてドライフイルム等でなるはんだレジスト層７（図４）を形成し、かくして形成されるはんだレジスト層７の各開口部７Ａにそれぞれはんだペーストを充填した後、当該はんだペーストを加熱溶融することにより各電極５上にはんだコートを形成する方法（以下、これを第１のはんだコート形成方法と呼ぶ）が考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが上述のような第１のはんだコート形成方法では、基板４の電極５上に形成されるはんだコート６の高さがはんだレジスト層７の各開口部７Ａに供給するはんだ量によつて決定（すなわち当該開口部７Ａの容積によつて決定）する。
従つてはんだレジスト層７の各開口部７Ａの形状（深さ、幅及び長さ等）に制限を受け易い通常の基板４に対してこの第１のはんだコート形成方法を適用しようとすると、基板４の各電極５上に形成されるはんだコート６の高さを任意に変え難い問題があつた。
【０００６】
また通常用いられている基板４に対して上述のような第１のはんだコート形成方法を適用しようとすると、はんだペーストがはんだ粒子とペースト等との混合物であるために、はんだレジスト層７の厚み以上の高さのはんだコート６を基板４の電極５上に形成することが困難であり、従つてはんだレジスト層７を基板４上から除去しないと電極５上に形成されたはんだコート６の先端部を平坦化し難い問題があつた。
【０００７】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、形成するはんだコートの高さを任意に制御することのできるはんだレジスト及びその形成方法並びにはんだ供給方法を提案しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明においては、加工対象物（１０）のはんだ供給面（１１Ａ）上に形成される第１のはんだレジスト層（１２）と、当該第１のはんだレジスタ層（１２）の上層に形成される第２のはんだレジスト層（１３）とを有するはんだレジストにおいて、第１のはんだレジスト層（１２）には、加工対象物（１０）のはんだ供給面（１１Ａ）上のはんだ供給位置（１５）を露出させる第１の開口部（１２Ａ）が形成され、第２のはんだレジスト層（１３）には、第１のはんだレジスト層（１２）の第１の開口部（１２Ａ）を露出させる、当該第１の開口部（１２Ａ）よりも大きな第２の開口部（１３Ａ）が形成され、このうち第２の開口部（１３Ａ）の大きさは、第１の開口部（１２Ａ）及び第２の開口部（１３Ａ）からなる段状の凹部（１４Ａ）に充填されるはんだ（３０）によつてはんだ供給位置（１５）上に形成されるはんだコート（３１）の高さが、所望の高さとなるように選定されるようにした。
【０００９】
また本発明においては、加工対象物（１０）のはんだ供給面（１１Ａ）上に形成される第１のはんだレジスト層（１２）と、当該第１のはんだレジスタ層（１２）の上層に形成される第２のはんだレジスト層（１３）とを有するはんだレジストの形成方法において、加工対象物（１０）のはんだ供給面（１１Ａ）上に感光性レジストからなる第１のはんだレジスト層（１２）及び第２のはんだレジスト層（１３）を順次積層形成すると共に、第１のはんだレジスト層（１２）における加工対象物（１０）のはんだ供給面（１１Ａ）上のはんだ供給位置（１５）との対向部分に現像後に第１の開口部（１２Ａ）が形成され、さらに第２のはんだレジスト層（１３）における第１の開口部（１２Ａ）との対向部分に現像後に当該第１の開口部（１２Ａ）よりも大きな第２の開口部（１３Ａ）が形成されるように第１のはんだレジスト層（１２）及び第２のはんだレジスト層（１３）をそれぞれ露光する第１の工程と、第１のはんだレジスト層（１２）及び第２のはんだレジスト層（１３）を現像することにより、加工対象物（１０）のはんだ供給位置（１５）を第１のはんだレジスト層（１２）及び第２のはんだレジスト層（１３）にそれぞれ形成された第１の開口部（１２Ａ）及び第２の開口部（１３Ａ）を順次介して露出させる第２の工程とを設け、第１の工程では、第２の開口部（１３Ａ）の大きさを、第１の開口部（１２Ａ）及び第２の開口部（１３Ａ）からなる段状の凹部（１４Ａ）に充填されるはんだ（３０）によつてはんだ供給位置（１５）上に形成されるはんだコート（３１）の高さが所望の高さとなるように選定するようにした。
【００１０】
さらに本発明においては、加工対象物（１０）のはんだ供給面（１１Ａ）上のはんだ供給位置（１５）にはんだ供給するはんだ供給方法において、加工対象物（１０）のはんだ供給面（１１Ａ）上に第１のはんだレジスト層（１２）及び第２のはんだレジスト層（１３）を順次積層形成すると共に、第１のはんだレジスト層（１２）における加工対象物（１０）のはんだ供給面（１１Ａ）上のはんだ供給位置（１５）との対向部分に第１の開口部（１２Ａ）を形成し、さらに第２のはんだレジスト層（１３）における第１の開口部（１２Ａ）との対向部分に当該第１の開口部（１２Ａ）よりも大きな第２の開口部（１３Ａ）を形成する第１の工程と、第１の開口部（１２Ａ）及び第２の開口部（１３Ａ）からなる段状の凹部（１４Ａ）にはんだ（３０）を充填する第２の工程と、段状の凹部（１４Ａ）に充填されたはんだ（３０）を加熱溶融することによりはんだ供給位置（１５）上にはんだコート（３１）を形成する第３の工程とを設け、第１の工程では、第２の開口部（１３Ａ）の大きさを、第３の工程で形成されるはんだコート（３１）の高さが所望の高さとなるように選定するようにした。
【００１１】
【作用】
本発明のはんだレジストによれば、大きさの異なる第１の開口部及び第２の開口部からなる段状の凹部を形成すると共に、このうち第２の開口部の大きさを、段状の凹部に充填されるはんだによつてはんだ供給位置上に形成されるはんだコートの高さが、所望の高さとなるように選定するようにした。このように第２の開口部の大きさを設定することで、段状の凹部に充填されるはんだの量を調節して、はんだコートの高さを任意に制御することができる。
【００１２】
また本発明のはんだレジストによれば、第２のはんだレジスト層に形成する第２の開口部の大きさを選定するようにしたことにより、最下層の第１のはんだレジスト層に形成される第１の開口部が、基板設計及び実装等の条件によりその大きさ及び形状が制限されようとも、はんだコートの高さを任意に制御することができる。
【００１３】
さらに本発明のはんだレジストの形成方法においても、第１の工程及び第２の工程によつて、大きさの異なる第１の開口部及び第２の開口部からなる段状の凹部を形成すると共に、このうち第２の開口部の大きさを、段状の凹部に充填されるはんだによつてはんだ供給位置上に形成されるはんだコートの高さが、所望の高さとなるように選定するようにしたことにより、はんだコートの高さを任意に制御することができる。
【００１４】
さらに本発明のはんだ供給方法においても、第１の工程及び第２の工程により、大きさの異なる第１の開口部及び第２の開口部によつて段状の凹部を形成すると共に、このうち第２の開口部の大きさを、段状の凹部に充填されるはんだによつてはんだ供給位置上に形成されるはんだコートの高さが、所望の高さとなるように選定するようにしたことにより、第３の工程で形成されるはんだコートの高さを任意に制御することができる。
【００１５】
【実施例】
以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
【００１６】
図１（Ａ）及び（Ｂ）において、１０は全体として本発明を適用した配線基板を示し、配線基板１０を構成する基板１１のパターン面１１Ａ上に第１及び第２のレジスト層１２、１３からなるはんだレジスト１４が積層形成されて構成されている。
この場合第１のレジスト層１２には、基板１１のパターン面１１Ａ上に形成された各電極１５とそれぞれ対応させて、これら各電極１５上面の一部が露出するように開口部１２Ａが設けられている。
【００１７】
また第２のレジスト層１３には、第１のレジスト層１２の各開口部１２Ａとそれぞれ対応する位置に、第１のレジスト層１２の対応する開口部１２Ａがそれぞれ露出するようにこれら各開口部１２Ａよりも一回り大きな開口部１３Ａが形成されている。
【００１８】
従つてこのはんだレジスト１４では、第１のレジスト層１２の開口部１２Ａが通常のはんだレジストとしての役割を果たすために基板設計及び実装等の条件によつてその形状に制約を受けるものの、第２のレジスト層１３の開口部１３Ａが形状（深さｔ、幅ｗ、長さｌ）に制約を受けないため、当該第２のレジスト層１３の開口部１３Ａの形状を任意に設定することによつて、第１のレジスト層１２の開口部１２Ａと、第２のレジスト層１３の開口部１３Ａとで構成されるはんだレジスト１４全体からみた基板１１の各電極５に対する開口部１４Ａの形状（容積）を任意に設定し得るようになされている。
【００１９】
ここで実際上このはんだレジスト１４は図２（Ａ）〜図３（Ａ）のような工程により形成することができる。
すなわち、まず図２（Ａ）に示すように、電極１５が形成された基板１１のパターン面１１Ａ上に、感光性レジストをラミネート又は塗布することにより第１の感光性レジスト層２０を形成する。
続いて図２（Ｂ）に示すように、当該第１の感光性レジスト層２０を現像後に電極５と対向する所定部分に所定形状の開口部を形成し得るようにフオトマスク２１を用いて紫外線等により露光する。
【００２０】
次いで図２（Ｃ）に示すように、第１の感光性レジスト層２０上に再び感光性レジストをラミネート又は塗布することにより第２の感光性レジスト層２２を形成した後、当該第２の感光性レジスト層２２をフオトマスク２３を用いて紫外線等により現像後に第１の感光性レジスト層２０に形成される開口部との対向部分に当該開口部よりも一回り大きな開口部が形成されるように露光し、この後第１及び第２の感光性レジスト層２０、２２をそれぞれ現像する。
【００２１】
これにより図３（Ａ）に示すように、基板１１の各電極５にそれぞれ対応させて、当該各電極５上面の一部が露出するように２段構成の開口部１４Ａが形成されたはんだレジスト１４を基板１１のパターン面１１Ａ上に積層形成することができる。
因に、この配線基板１０の電極１５上にはんだコートを形成する場合には、図３（Ｂ）に示すように、はんだレジスト１４の開口部１４Ａにはんだペースト３０を充填した後、このはんだペースト２２を加熱溶融すれば良く、この際第２のレジスト層１３の開口部１３Ａの形状を選定することによつて図３（Ｃ）のように、所望する電極１５上にはんだコート３１を第２のレジスト層１３の上面位置よりも先端位置を高く形成することができる。
【００２２】
以上の構成において、このはんだレジスト１４では、配線基板１０の各電極１５を露出させるための開口部１４Ａの内部が２段構成となつているため、形状の制限を受けない第２のレジスト層１３の開口部１３Ａの形状を選定することによつてはんだレジスト１４の開口部１４Ａの形状（容積）を任意に設定することができる。
従つて配線基板１０の電極１５に供給するはんだペースト２２の量を調整制御することができるため、各電極１５上に形成するはんだコート２３の高さを任意に制御することができる。
【００２３】
以上の構成によれば、配線基板１０上に形成されたはんだレジスト１４の、当該配線基板１０の各電極１５を露出させるための開口部１４Ａを２段構成とするようにしたことにより、各電極１５上にそれぞれ形成されるはんだコート２３の高さを上段の開口部１３Ａの形状を選定することで所望の高さにすることができ、かくして配線基板１０の電極１５上に形成するはんだコート２３の高さを任意に制御することのできるはんだレジスト及びその形成方法、並びにはんだコートの形成方法を実現できる。
【００２４】
なお上述の実施例においては、はんだレジスト１４の、配線基板１０の電極１５を露出させるための開口部１４Ａ内部を２段構成にするようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、２段以外の複数段構成にするようにしても良い。
【００２５】
また上述の実施例においては、はんだレジスト１４自体を第１及び第２のレジスト層１２、１３からなる２層構成とすることで、当該はんだレジスト１４の開口部１４Ａ内部を２段構成にするようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は、配線基板１０の電極１５を露出させるためにはんだレジスト１４に形成する開口部１４Ａの内部を複数段構成にすることができるのであれば、はんだレジスト１４の開口部１４Ａ内部を２段構成にする方法としてこの他種々の方法を用いるようにしても良い。
【００２６】
さらに上述の実施例においては、本発明を配線基板１０上に積層形成するはんだレジスト１４及びその形成方法、並びに配線基板１０の電極１５上にはんだを供給するためのはんだ供給方法として適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他半導体チツプ等の電子部品などのはんだ供給面上に積層形成するはんだレジスト及びその形成方法、並びに当該はんだ供給面のはんだ供給面上にはんだを供給するためのはんだ供給方法として適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】
上述のように本発明のはんだレジストによれば、大きさの異なる第１の開口部及び第２の開口部によつて段状の凹部を形成すると共に、このうち第２の開口部の大きさを、段状の凹部に充填されるはんだによつてはんだ供給位置上に形成されるはんだコートの高さが、所望の高さとなるように選定するようにした。このように第２の開口部の大きさを設定することで、段状の凹部に充填されるはんだの量を調節して、はんだコートの高さを任意に制御することができ、かくして形成するはんだコートの高さを任意に制御することのできるはんだレジストを実現できる。
【００２８】
また本発明のはんだレジストの形成方法によれば、感光性レジストに対する露光及び現像処理によつて、大きさの異なる第１の開口部及び第２の開口部からなる段状の凹部を形成すると共に、このうち第２の開口部の大きさを、段状の凹部に充填されるはんだによつてはんだ供給位置上に形成されるはんだコートの高さが、所望の高さとなるように選定するようにしたことにより、はんだコートの高さを任意に制御することができ、かくして形成するはんだコートの高さを任意に制御することのできるはんだレジストの形成方法を実現できる。
【００２９】
さらに本発明のはんだ供給方法によれば、大きさの異なる第１の開口部及び第２の開口部からなる段状の凹部を形成すると共に、このうち第２の開口部の大きさを、段状の凹部に充填されるはんだによつてはんだ供給位置上に形成されるはんだコートの高さが、所望の高さとなるように選定するようにしたことにより、はんだコートの高さを任意に制御することができ、かくして形成するはんだコートの高さを任意に制御することのできるはんだ供給方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例によるはんだレジストの構成の説明に供する配線基板の上面図及び断面図である。
【図２】実施例によるはんだレジストの形成方法の説明に供する断面図である。
【図３】実施例によるはんだレジストの形成方法及びはんだコートの形成方法の説明に供する断面図である。
【図４】従来行われているフリツプチツプ実装方法及び近年考えられているはんだコートの形成方法の説明に供する断面図である。
【符号の説明】
１０……配線基板、１１……基板、１１Ａ……パターン面、１２、１３……はんだレジスト層、１２Ａ、１３Ａ、１４Ａ……開口部、１４……はんだレジスト、１５……電極、２２……はんだペースト、２３……はんだコート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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