(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＩＩ）：
【化１】
0003714685.tif 000031
（式中、Ｒ2 はトリメチルシリルエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基、ｐ−アニシルオキシメチル基、グアヤコールメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル基、ジメチルテキシルシリロキシメチル基またはｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル基を示し、Ｒ3 はトリメチルシリルエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル基、ジメチルテキシルシリロキシメチル基またはｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル基を示し、Ｘ1 はハロゲン原子または水素原子を示す）
で表される化合物に、式（ＩＩＩ）：
【化２】
0003714685.tif 000032
（式中、Ｒ′は置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示す）
で表されるジアルキルホスホノ酢酸エステルを作用させて、式（ＩＶ）：
【化３】
0003714685.tif 000033
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、点線はいずれか一方が存在して単結合を示す）
で表される化合物とし、式（ＩＶ）で表される化合物に酸化剤を作用させて、式（Ｖ）：
【化４】
0003714685.tif 000034
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りである）
で表される化合物とし、式（Ｖ）で表される化合物にハロゲン化アルキルスルホニル、ハロゲン化アリールスルホニル、アルキルスルホン酸無水物またはアリールスルホン酸無水物を作用させて式（ＶＩａ）：
【化５】
0003714685.tif 000035
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、Ｒ4 はアルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す）
で表される化合物とし、式（ＶＩａ）で表される化合物にグアニジンを反応させて式（ＶＩＩ）：
【化６】
0003714685.tif 000036
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りである）
で表される化合物とし、式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護することを特徴とする式（Ｉ）：
【化７】
0003714685.tif 000037
（式中、Ｘ1 は前記定義の通りである）
で表されるハイメニアルディシン及びその誘導体の製造法。
【請求項２】
式（ＩＩ）：
【化８】
0003714685.tif 000038
（式中、Ｒ2 はトリメチルシリルエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基、ｐ−アニシルオキシメチル基、グアヤコールメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル基、ジメチルテキシルシリロキシメチル基またはｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル基を示し、Ｒ3 はトリメチルシリルエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル基、ジメチルテキシルシリロキシメチル基またはｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル基を示し、Ｘ1 はハロゲン原子または水素原子を示す）
で表される化合物に、式（ＩＩＩ）：
【化９】
0003714685.tif 000039
（式中、Ｒ′は置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示す）
で表されるジアルキルホスホノ酢酸エステルを作用させて、式（ＩＶａ）：
【化１０】
0003714685.tif 000040
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りである）
で表される化合物にハロゲン化剤を作用させて式（ＶＩｂ）：
【化１１】
0003714685.tif 000041
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、Ｒ5 はハロゲン原子を示す）
で表される化合物とし、式（ＶＩ）で表される化合物にグアニジンを反応させて、式（ＶＩＩ）：
【化１２】
0003714685.tif 000042
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りである）
で表される化合物とし、式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護することを特徴とする式（Ｉ）：
【化１３】
0003714685.tif 000043
（式中、Ｘ1 は前記定義の通りである）
で表されるハイメニアルディシン及びその誘導体の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、式（Ｉ）：
【０００２】
【化１４】
0003714685.tif 000002
【０００３】
（式中、Ｘ1 はハロゲン原子または水素原子を示す）
で表されるハイメニアルディシン（ｈｙｍｅｎｉａｌｄｉｓｉｎｅ）、その誘導体及びその塩の製造法に関する。本発明は、さらに、上記化合物（Ｉ）製造のための中間体及びその製造法に関する。
【０００４】
【従来の技術】
近年、海洋由来の生物活性物質の探索研究が精力的に展開されており、その中から医薬品及び医薬品のリード化合物となり得る有用な物質が見出されてきており、例えば海綿からハイメニアルディシン、デブロモハイメニアルディシンが単離されている。
【０００５】
例えば、ハイメニアルディシンは、Ａｘｉｎｅｌｌａ ｖｅｒｒｕｃｏｓａ、Ａｃａｎｔｈｅｌｌａ ａｕｒａｎｔｉａｃａ（Ｃｉｍｉｎｏ，Ｇ．ら：Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．，２３，７６７（１９８２））、Ｈｙｍｅｎｉａｃｉｄｏｎ ａｌｄｉｓ（Ｋｉｔａｇａｗａ，Ｉ．ら：Ｃｈｅｍ．Ｐｈａｒｍ．Ｂｕｌｌ．，３１，２３２１（１９８３））及び未確認のＫｏｌｏｌｅｖｕ ｓｐｏｎｇｅ（Ｓｃｈｍｉｔｚ，Ｆ．ら：Ｊ．Ｎａｔ．Ｐｒｏｄ．，４８，４７（１９８５））から単離されており、デブロモハイメニアルディシンは、Ｐｈａｋｅｌｌｉａ ｆｌａｂｅｌｌａｔａ（Ｓｈａｒｍａ，Ｇ．ら：Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，４３５（１９８０））及びＨｙｍｅｎｉａｃｉｄｏｎ ａｌｄｉｓ（Ｋｉｔａｇａｗａ，Ｉ．ら：Ｃｈｅｍ．Ｐｈａｒｍ．Ｂｕｌｌ．，３１，２３２１（１９８３）；Ｅｎｄｏ，Ｍ．ら：Ｐｕｒｅ＆Ａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．，５８，３８７（１９８６））から単離されている。
【０００６】
前記式（Ｉ）において、Ｘ1 が臭素原子である化合物がハイメニアルディシン、Ｘ1 が水素原子である化合物がデブロモハイメニアルディシンであり、これらは興味ある生物活性を有している。
【０００７】
ハイメニアルディシン及びデブロモハイメニアルディシンは、抗腫瘍活性を有することが知られており（Ｐｅｔｔｉｔ，Ｇ．ら：Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，６８，１６２１（１９９０））、さらに、デブロモハイメニアルディシンは、α受容体遮断作用を示すことも知られている（Ｋｏｂａｙａｓｈｉ，Ｊ．ら：Ｅｘｐｅｒｉｅｎｔｉａ．，４４，８６（１９８８））。
【０００８】
また、最近、ハイメニアルディシン及びデブロモハイメニアルディシンは、蛋白リン酸化酵素、特に細胞の情報伝達に重要な役割を演じるプロテインキナーゼＣ（Ｎｉｓｈｉｚｕｋａ，Ｙ．：Ｎａｔｕｒｅ，３３４，６６１（１９８８）；ｉｄｅｍ．，ＪＡＭＡ，２６２，１８２６（１９８９））の阻害作用を有することが明らかにされ（Ｎａｍｂｉ，Ｐ．ら：国際公開ＷＯ９３／１６７０３）、プロテインキナーゼＣの活性化が関与すると考えられる病態、例えば、脳虚血性障害、脳血管攣縮、虚血性心疾患、高血圧、動脈硬化、炎症、喘息、腎障害、リウマチ性関節炎、免疫機能の亢進などの改善、治療薬としての用途が期待されている。
【０００９】
しかしながら、ハイメニアルディシン及びその誘導体は、天然からの抽出、単離では、微量にしか得ることができないため、ハイメニアルディシン及びその誘導体を経済的に量産する効率的な製造法の開発が強く望まれているが、その様な技術は未だ知られておらず、僅かにアルディシン誘導体からの変換が検討されているのみであり、それも満足の行く結果は得られておらず全合成には到っていない（Ｐｒａｇｅｒ，Ｒ．ら：Ａｕｓｔ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，４３，３６７（１９９０））。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような背景の下、本発明は、ハイメニアルディシン及びその誘導体を経済的に量産する効率的な製造法を提供することを目的とする。
【００１１】
本発明は、また、これらの化合物を製造するために有用な合成中間体及びその製造法を提供することも目的とする。
【００１２】
【発明を解決するための手段】
本発明に従えば、式（ＩＩ）：
【化１５】
0003714685.tif 000003
（式中、Ｒ2 はトリメチルシリルエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基、ｐ−アニシルオキシメチル基、グアヤコールメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル基、ジメチルテキシルシリロキシメチル基またはｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル基を示し、Ｒ3 はトリメチルシリルエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル基、ジメチルテキシルシリロキシメチル基またはｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル基を示し、Ｘ1 はハロゲン原子または水素原子を示す）
で表される化合物に、式（ＩＩＩ）：
【化１６】
0003714685.tif 000004
（式中、Ｒ′は置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示す）
で表されるジアルキルホスホノ酢酸エステルを作用させて、式（ＩＶ）：
【化１７】
0003714685.tif 000005
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、点線はいずれか一方が存在して単結合を示す）
で表される化合物とし、式（ＩＶ）で表される化合物に酸化剤を作用させて、式（Ｖ）：
【化１８】
0003714685.tif 000006
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りである）
で表される化合物とし、式（Ｖ）で表される化合物にハロゲン化アルキルスルホニル、ハロゲン化アリールスルホニル、アルキルスルホン酸無水物またはアリールスルホン酸無水物を作用させて式（ＶＩａ）：
【化１９】
0003714685.tif 000007
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、Ｒ4 はアルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す）
で表される化合物とし、式（ＶＩａ）で表される化合物にグアニジンを反応させて式（ＶＩＩ）：
【化２０】
0003714685.tif 000008
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りである）
で表される化合物とし、式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護する式（Ｉ）：
【化２１】
0003714685.tif 000009
（式中、Ｘ1 は前記定義の通りである）
で表されるハイメニアルディシン及びその誘導体の製造法が提供される。
本発明に従えば、また式（ＩＩ）：
【化２２】
0003714685.tif 000010
（式中、Ｒ2 はトリメチルシリルエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基、ｐ−アニシルオキシメチル基、グアヤコールメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル基、ジメチルテキシルシリロキシメチル基またはｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル基を示し、Ｒ3 はトリメチルシリルエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル基、ジメチルテキシルシリロキシメチル基またはｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル基を示し、Ｘ1 はハロゲン原子または水素原子を示す）
で表される化合物に、式（ＩＩＩ）：
【化２３】
0003714685.tif 000011
（式中、Ｒ′は置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示す）
で表されるジアルキルホスホノ酢酸エステルを作用させて、式（ＩＶａ）：
【化２４】
0003714685.tif 000012
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りである）
で表される化合物にハロゲン化剤を作用させて式（ＶＩｂ）：
【化２５】
0003714685.tif 000013
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、Ｒ5 はハロゲン原子を示す）
で表される化合物とし、式（ＶＩ）で表される化合物にグアニジンを反応させて、式（ＶＩＩ）：
【化２６】
0003714685.tif 000014
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りである）
で表される化合物とし、式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護する式（Ｉ）：
【化２７】
0003714685.tif 000015
（式中、Ｘ1 は前記定義の通りである）
で表されるハイメニアルディシン及びその誘導体の製造法が提供される。
【００１３】
【化１５】
0003714685.tif 000016
【００１４】
（式中、Ｘ1 はハロゲン原子または水素原子を示す）
で表されるハイメニアルディシン及びその誘導体の化学的な全合成に成功し、本発明の目的を達成するに到った。
【００１５】
なお、ハイメニアルディシン等の天然物は、ピロロ［２，３−ｃ］アゼピン骨格の４位の二重結合についてＺ配置を有するが、本発明によって、得られるハイメニアルディシン及びその誘導体は驚くべきことにＺ配置のもののみが得られる。本発明においていうハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００１６】
式（Ｉ）で表されるハイメニアルディシン及びその誘導体は、以下に示す方法によって合成することができる。以下、それらの方法を順次説明する。
【００１７】
まず、下記工程１及び２において、それぞれ、公知の出発原料（ＶＩＩＩ）及び（ＸＶ）より、化合物（ＩＩａ）及び（ＩＩｂ）を得、次いで、これらの化合物（ＩＩ）より、化合物（ＩＶ）を得る（工程３）。化合物（ＩＶ）より、化合物（Ｖ）を得（工程４）、さらに、化合物（Ｖ）より、化合物（ＶＩａ）を得（工程５）、また、化合物（ＩＶａ）より、化合物（ＶＩｂ）を得て（工程６）、化合物（ＶＩ）より化合物（ＶＩＩ）を得る（工程７）。得られた化合物（ＶＩＩ）より化合物（Ｉ）である目的化合物が得られる（工程８）。
【００１８】
工  程  １：
公知の出発原料ピロール−２−カルボン酸またはその誘導体（ＶＩＩＩ）から式（ＩＩ）中、Ｘ1 がハロゲン原子である化合物（ＩＩａ）が、下記方法により合成できる。
【００１９】
【化２８】
0003714685.tif 000017
【００２０】
（式中、Ｒ″は水素原子もしくはカルボキシル基の保護基を示し、Ｒ2 はトリメチルシリルエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシメチル基、ｐ−アニシルオキシメチル基、グアヤコールメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル基、ジメチルテキシルシリロキシメチル基またはｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル基を示し、Ｒ3 はトリメチルシリルエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル基、ジメチルテキシルシリロキシメチル基またはｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル基を示し、Ｘ2 及びＸ3 はいずれか一方がハロゲン原子及び他方が水素原子を示し、Ｗは水酸基またはアミノ基と容易に交換しうる基を示す。）
【００２１】
上記反応において、式（ＶＩＩＩ）で表されるピロール−２−カルボン酸またはその誘導体を式（ＩＸ）で表されるβ−アミノ酸もしくはその誘導体またはそれらの有機もしくは無機塩と反応させて、式（Ｘ）で表される化合物を製造することができる。
【００２２】
化合物（ＶＩＩＩ）の基Ｗにおけるアミノ基と容易に交換しうる基としては、ハロゲン原子、カルボン酸残基等が挙げられる。また、化合物（ＩＸ）の基Ｒ″において、カルボキシル基の保護基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基などの好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４の低級アルキル基；ベンジル基、９−アンスリルメチル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基のほか、「プロテクティブ  グループス  イン  オーガニック  シンセシス（ＰｒｏｔｅｃｔｉｖｅＧｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）」（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎｅ著；Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ社）等に記載の一般に使用されている保護基を利用することができる。
【００２３】
また、化合物（Ｘ）の合成には、「コンペンディウム  フォア  オーガニックシンセシス（Ｃｏｍｐｅｎｄｉｕｍ  ｆｏｒ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）」（ＷＩＬＥＹ−ＩＮＴＥＲＳＣＩＥＮＣＥ；Ａ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  ｏｆ  Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ社）等に記載の多様な方法を利用することができる。一例を挙げれば、ピロール−２−カルボン酸（化合物（ＶＩＩＩ）中、Ｗ＝ＯＨ）を必要に応じて有機または無機塩基の存在下、ジエチルリン酸シアニド（ＤＥＰＣ）、ジフェニルリン酸アジド（ＤＰＰＡ）、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、２−ヨード−１−メチルピリジニウムアイオダイド等で処理する方法、ピロール−２−カルボン酸を常法により酸ハロゲン化物、対称酸無水物、混合酸無水物、ｐ−ニトロフェニルエステル等の活性エステル等とした後反応させる方法等を利用することができる。
【００２４】
次に、得られた化合物（Ｘ）は、ハロゲン化反応によって（ＸＩ）に変換される。このハロゲン化反応は、化合物（Ｘ）を塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド等の不活性溶媒中、−５０〜１００℃、好ましくは−１０〜６０℃で、０．３〜１．２当量のＮ−クロロコハク酸イミド、トリクロロイソシアヌル酸、次亜塩素酸ｔｅｒｔ−ブチル、三塩化ヨウ素、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、臭素、ジオキサン・臭素錯体、２，４，６，６−テトラブロモ−２，５−シクロヘキサジエン、Ｎ−ヨードコハク酸イミド、ヨウ素、ヨウ素／ヨウ化カリウム、ヨウ素／過ヨウ素酸、ヨウ素・モルホリン錯体、一塩化ヨウ素、一塩化ヨウ素／塩化亜鉛等のハロゲン化剤で１〜１２時間処理することによって行えばよい。
【００２５】
得られた化合物（ＸＩ）は、必要に応じて酸もしくは塩基の作用によりまたは接触還元等の適当な手段によって保護基を除去した後、環化反応に付される。この環化反応は、化合物（ＸＩ）をメタンスルホン酸などの有機酸または硫酸、ポリリン酸等の無機酸と共にまたはこれらに五酸化リンを加えた混合物と共に室温〜１７０℃、好ましくは８０〜１３０℃で処理することにより行われる。この場合、必要に応じて反応に関与しない溶媒を加えてもよい。
【００２６】
得られた化合物（ＸＩＩ）をジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の不活性溶媒中、水素化ナトリウム、水素化カリウム、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等の塩基の存在下、−５０〜１００℃、好ましくは−２０〜６０℃で、化合物（ＸＩＩ）に対して、０．８〜１．５当量の塩化トリメチルシリルエトキシメチル、塩化ベンジルオキシメチル、塩化ｐ−メトキシベンジルオキシメチル（Ｋｏｚｉｋｏｗｓｋｉ，Ａ．ら；Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．，２８，５１２５（１９８７））、塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル、塩化ジメチルテキシルシリロキシメチル、塩化ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル（Ｂｅｎｎｅｃｈｅ，Ｔ．ら；ＡｃｔａＣｈｅｍ．Ｓｃａｎ．，４３，７０６（１９８９））で１〜１２時間処理することによって、化合物（ＸＩＩＩ）に変換することができる。
【００２７】
得られた化合物（ＸＩＩＩ）をジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の不活性溶媒中、−５０〜１００℃、好ましくは−２０〜６０℃で、水素化ナトリウム、水素化カリウム、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等の塩基の存在下、０．８〜１．５当量の塩化トリメチルシリルエトキシメチル、塩化ベンジルオキシメチル、塩化ｐ−メトキシベンジルオキシメチル、クロロメチルメチルエーテル、塩化２−メトキシエトキシメチル、塩化ｔｅｒｔ−ブトキシメチル、塩化ｐ−アニシルオキシメチル、塩化グアヤコールメチル、塩化ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシメチル、塩化ジメチルテキシルシリロキシメチル、塩化ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリロキシメチル（「プロテクティブ  グループス  イン  オーガニック  シンセシス（ＰｒｏｔｅｃｔｉｖｅＧｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）」（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎｅ著；Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ社））で１〜１２時間処理することによって、化合物（ＸＩＶ）に変換することができる。
【００２８】
得られた化合物（ＸＩＶ）を一般に用いられる精製法、例えばカラムクロマトグラフィーなどにより分離精製することによって、式（ＩＩａ）：
【００２９】
【化２９】
0003714685.tif 000018
【００３０】
（式中、Ｒ2 及びＲ3 は前記定義の通りであり、Ｘ4 はハロゲン原子を示す）
で表される化合物が得られる。
【００３１】
なお、混合物（ＸＩＩＩ）からＸ2 がハロゲン原子、Ｘ3 が水素原子である化合物を分取して次工程に用いることによって、式（ＩＩａ）で表される化合物を得ることもできる。
【００３２】
また、化合物（ＸＩＶ）において置換基Ｒ2 とＲ3 が同一である化合物を得る場合は、化合物（ＸＩＩ）から化合物（ＸＩＩＩ）を製造する工程と同様の方法によって１位保護と７位保護を一工程で行うことができる。
【００３３】
上記の各反応で得られた化合物は、そのまま次工程に用いることもできるが、必要に応じて一般に用いられる精製方法、例えば再結晶やカラムクロマトグラフィーなどにより精製してから利用してもよい。
【００３４】
工  程  ２：
公知の出発原料アルディシン（ＸＶ）から、式（ＩＩ）中、Ｘ1 が水素原子である化合物（ＩＩｂ）を合成することができる。
【００３５】
【化３０】
0003714685.tif 000019
【００３６】
（式中、Ｒ2 及びＲ3 は前記定義の通りである。）
【００３７】
原料であるアルディシン（ＸＶ）は、Ｐｒａｇｅｒ，Ｒ．ら：Ａｕｓｔ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，４３，ｐ３５５〜３６５（１９９０）に記載されている公知化合物である。本工程は、工程１の化合物（ＸＩＩ）から化合物（ＸＩＶ）を得る方法と同様にして行うことができる。
【００３８】
得られた化合物（ＩＩｂ）は、そのまま次工程に用いることもできるが、必要に応じて、一般に用いられる精製方法、例えば再結晶やカラムクロマトグラフィーなどにより精製してから利用してもよい。
【００３９】
工  程  ３：
工程１または２で得られた式（ＩＩ）で表される化合物にジアルキルホスホノ酢酸エステル（ＩＩＩ）を反応させることによって、式（ＩＶ）で表される化合物を得ることができる。
【００４０】
【化３１】
0003714685.tif 000020
【００４１】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、Ｒ′は置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基を示し、点線はいずれか一方が存在して単結合を示す。）
【００４２】
本工程は、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルホルムアミド等の不活性溶媒中、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエチラート等の塩基の存在下で、０〜１２０℃、好ましくは室温〜７０℃で、化合物（ＩＩ）に対して１〜１０当量のホスホノ酢酸トリメチル、ジエチルホスホノ酢酸メチル、ジメチルホスホノ酢酸エチル、ジイソプロピルホスホノ酢酸メチル、ジエチルホスホノ酢酸エチル、ジエチルホスホノ酢酸イソプロピル、ジエチルホスホノ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、ビス（２，２，２−トリフルオロエチル）ホスホノ酢酸メチル等のジアルキルホスホノ酢酸エステルを３〜３６時間反応させることによって行えばよい。
【００４３】
上記の方法により得られた化合物（ＩＶ）は、そのまま化合物（Ｖ）を製造するための原料として用いることもできるが、必要に応じて一般に用いられる精製方法、例えばカラムクロマトグラフィーにより、必要に応じ、工程６で用いる化合物（ＩＶａ）を分離した後、精製してから利用してもよい。
【００４４】
工  程  ４：
工程３で得られた式（ＩＶ）で表される化合物を酸化することによって、式（Ｖ）で表される化合物を得ることができる。
【００４５】
【化３２】
0003714685.tif 000021
【００４６】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、点線はいずれか一方が存在して単結合を示す。）
【００４７】
本工程は、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン等の不活性溶媒中、ビス（トリメチルシリル）アミドカリウム、ビス（トリメチルシリル）アミドナトリウム、リチウムビス（トリメチルシリル）アミド、リチウムジイソプロピルアミド等の強塩基の存在下、−１００〜２０℃、好ましくは−７８〜０℃で、化合物（ＩＶ）に対して１〜１．５当量の２−ベンゼンスルホニル−３−フェニルオキサジリジン（Ｄａｖｉｓ，Ｆ．ら：Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５３，２０８７（１９８８））、オキソジパーオキシモリブデン（ピリジン）（ヘキサメチルホスホトリアミド）錯体（Ｖｅｄｅｊｓ，Ｅ．ら：Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４３，１８８（１９７８））、酸素（Ｗａｓｓｅｒｍａｎ，Ｈ．ら；Ｔｅｔｒａｈｅｄｏｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．，１７３１（１９７５））等の酸化剤を１〜１２時間反応させることによって行えばよい。
【００４８】
上記の方法により得られた化合物（Ｖ）は、そのまま化合物（ＶＩａ）を製造するための原料として用いることもできるが、必要に応じて一般に用いられる精製方法、例えばカラムクロマトグラフィーにより精製してから利用してもよい。
【００４９】
工  程  ５：
工程４で得られた化合物（Ｖ）の水酸基をスルホニル化することによって、式（ＶＩａ）で表される化合物を得ることができる。
【００５０】
【化３３】
0003714685.tif 000022
【００５１】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、Ｒ4 はアルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基（好ましいアルキル基としては炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン置換したメチル基（好ましいハロゲンとしてはフッ素原子、塩素原子）が挙げられ、好ましいアリール基としては、フェニル基、ｐ−トリル基、４−メトキシフェニル基、４−クロロフェニル基、ニトロフェニル基が挙げられる。）
【００５２】
本工程は、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、アセトニトリル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、酢酸エチル等の不活性溶媒中、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の塩基の存在下、−２０〜１００℃、好ましくは−１０〜６０℃で、化合物（Ｖ）に対して１〜１０当量の塩化メタンスルホニル、メタンスルホン酸無水物、塩化エタンスルホニル、塩化１−プロパンスルホニル、塩化１−ブタンスルホニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、塩化トリクロロメタンスルホニル、塩化α−トルエンスルホニル、塩化ベンゼンスルホニル、塩化ｐ−トルエンスルホニル、ｐ−トルエンスルホン酸無水物、塩化４−メトキシベンゼンスルホニル、塩化４−クロロベンゼンスルホニル、塩化２−ニトロベンゼンスルホニル、塩化３−ニトロベンゼンスルホニル、塩化４−ニトロベンゼンスルホニル等のスルホニル化剤を３０分間〜１２時間反応させることによって行えばよい。
【００５３】
上記の方法により得られた化合物（ＶＩａ）は、そのまま化合物（ＶＩＩ）を製造するための原料として用いることもできるが、必要に応じて一般に用いられる精製方法、例えばカラムクロマトグラフィーにより精製してから利用してもよい。
【００５４】
工  程  ６：
工程３で得られた化合物（ＩＶ）を分離して得られた化合物（ＩＶａ）をハロゲン化することによって、式（ＶＩ）中、Ｒ6 がハロゲン原子である化合物（ＶＩｂ）が得られる。
【００５５】
【化３４】
0003714685.tif 000023
【００５６】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、Ｒ5 はハロゲン原子を示す。）
【００５７】
本工程は、化合物（ＩＶａ）を塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド等の不活性溶媒中、−５０〜１２０℃、好ましくは−２０〜８０℃で、０．３〜１．２当量のＮ−クロロコハク酸イミド、トリクロロイソシアヌル酸、次亜塩素酸ｔｅｒｔ−ブチル、三塩化ヨウ素、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、臭素、ジオキサン・臭素錯体、２，４，６，６−テトラブロモ−２，５−シクロヘキサジエン、Ｎ−ヨードコハク酸イミド、ヨウ素、ヨウ素／ヨウ化カリウム、ヨウ素／過ヨウ素酸、ヨウ素・モルホリン錯体、一塩化ヨウ素、一塩化ヨウ素／塩化亜鉛等のハロゲン化剤で１〜１２時間処理することによって行えばよい。
上記の方法により得られた化合物（ＶＩｂ）は、そのまま化合物（ＶＩＩ）を製造するための原料として用いることもできるが、必要に応じて一般に用いられる精製方法、例えばカラムクロマトグラフィーにより精製してから利用してもよい。
【００５８】
工  程  ７：
工程５または６で得られた式（ＶＩ）で表される化合物にグアニジンを作用させることによって、式（ＶＩＩ）で表される化合物が得られる。
【００５９】
【化３５】
0003714685.tif 000024
【００６０】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りであり、Ｒ6 はアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基またはハロゲン原子を示す。）
【００６１】
本工程は、化合物（ＶＩ）にベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の不活性溶媒中、０〜２００℃、好ましくは室温〜１２０℃で、１〜１０当量のグアニジンを２〜２４時間反応させることによって行えばよい。
【００６２】
上記の方法により得られた化合物（ＶＩＩ）は、そのまま化合物（Ｉ）を製造するための原料として用いることもできるが、必要に応じて一般に用いられる精製方法、例えば再結晶やカラムクロマトグラフィーにより精製してから利用してもよい。
【００６３】
化合物（ＶＩＩ）の４位の二重結合部分の立体配置については、例えば、プロトンＮＭＲにおいて５位メチレンプロトンのシグナルが、空間的に近接するカルボニル基による遮蔽効果により低磁場側へシフトしていることからＺ配置が確認された。また、本結果は、化合物（ＶＩＩ）を化合物（Ｉ）へ変換することにより確認できる。
【００６４】
工  程  ８：
工程７で得られた式（ＶＩＩ）で表される化合物を脱保護することによって、式（Ｉ）で表される化合物が得られる。
【００６５】
【化３６】
0003714685.tif 000025
【００６６】
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 及びＸ1 は前記定義の通りである。）
【００６７】
本工程は、−５０〜１５０℃、好ましくは−２０〜１２０℃で、化合物（ＶＩＩ）に対して１〜１０当量のフッ化テトラブチルアンモニウム／テトラヒドロフラン、１〜１０当量のフッ化テトラブチルアンモニウム／エチレンジアミン、１〜１０当量のメタノール／塩酸、１〜１０当量のエタノール／塩酸等を反応させるか、または、１〜１０当量の三フッ化ホウ素エーテル錯塩、１〜１０当量のトリフルオロ酢酸、接触還元（Ｐｄ−Ｃ，水素，１気圧）等にて処理した後、５〜２０当量の水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、５〜２０当量のトリエチルアミン等にて処理するか、または、１〜１０当量の２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）によって酸化すればよい。
【００６８】
また、本工程は、酸触媒を用いる方法、接触還元法、酸化などの一般的な脱保護法、例えば、「プロテクティブ  グループス  イン  オーガニック  シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  Ｇｒｏｕｐｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）」（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎｅ著；Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ社）等に記載の多様な方法によっても行うことができる。
【００６９】
上記の方法により得られた化合物（Ｉ）は、一般に用いられる精製方法、例えば再結晶やカラムクロマトグラフィーにより精製することができる。
【００７０】
なお、化合物（Ｉ）は、常法に従い、薬理学的に許容しうる塩として得ることができ、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、臭化水素酸、リン酸などの無機酸、マレイン酸、フマル酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、シュウ酸、酢酸、安息香酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、アジピン酸、パルミチン酸、タンニン酸などの有機酸を常法に従って作用させることにより、前記式（Ｉ）で表される化合物の酸付加塩を製造することができる。
【００７１】
【実施例】
以下、参考例及び実施例に基づいて、本発明を更に具体的に説明するが、本発明をこれらの実施例に限定するものでないことはいうまでもない。
【００７２】
参考例１：３−（ピロロ−２−イルカルボニルアミノ）プロピオン酸メチル（１）の合成
ｉ）ピロール−２−カルボン酸２０ｇの１００ｍｌトルエン懸濁液に、室温下、ジメチルホルムアミド０．２ｍｌ及び塩化チオニル１９．６ｍｌを滴下した。６０℃にて２時間撹拌後、溶媒を減圧留去し、残渣を減圧乾燥することによりピロール−２−カルボン酸塩化物の粗結晶を得た。
【００７３】
ｉｉ）β−アラニンメチルエステル塩酸塩３０．７ｇの１００ｍｌ塩化メチレン懸濁液に、氷冷下、トリエチルアミン７６．６ｍｌを徐々に滴下し、室温で１時間撹拌した。次に、氷冷下、上記工程ｉ）で得られたピロール−２−カルボン酸塩化物の２００ｍｌ塩化メチレン溶液を徐々に滴下し、室温で３時間撹拌した。反応液に水２００ｍｌを添加して振盪後、塩化メチレン層を分取し、５％塩酸２００ｍｌ、次いで飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２５０ｍｌで洗浄した。有機層を乾燥、濾過後、減圧濃縮して粗結晶を得、塩化メチレン／メタノールから再結晶して標題化合物（１）２２ｇ（収率６２％）を得た。
【００７４】
参考例２：３−（２−ブロモピロロ−５−イルカルボニルアミノ）プロピオン酸メチル及び３−（３−ブロモピロロ−５−イルカルボニルアミノ）プロピオン酸メチル（２）の合成
参考例１で合成した化合物（１）１ｇの１８ｍｌテトラヒドロフラン溶液に、氷冷下、Ｎ−ブロモコハク酸イミド９０７ｍｇを添加した。氷冷下で２時間、更に室温で２時間撹拌した。溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）にて精製することにより標題化合物の混合物（２）０．９７５ｇ（収率７０％）を得た。
【００７５】
参考例３：３−（２−ブロモピロロ−５−イルカルボニルアミノ）プロピオン酸及び３−（３−ブロモピロロ−５−イルカルボニルアミノ）プロピオン酸（３）の合成
参考例２で合成した化合物の混合物（２）１．６ｇの２０ｍｌジオキサン溶液に、氷冷下、１０％水酸化カリウム水溶液２５ｍｌを滴下した。室温で３時間撹拌後、氷冷下、反応液を濃塩酸にてｐＨ＝３に調整し、酢酸エチルにて抽出した。抽出液を乾燥、濾過後、減圧濃縮して粗結晶を得、イソプロピルエーテルから再結晶して標題化合物の混合物（３）１．３ｇ（収率８６％）を得た。
【００７６】
参考例４：２−ブロモ−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−４，８（１Ｈ，５Ｈ）ジオン及び３−ブロモ−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−４，８（１Ｈ，５Ｈ）ジオン（４）の合成
ポリリン酸１５ｇに五酸化リン０．１ｇを添加し、１２０℃で１時間撹拌した。温度を一旦１００℃まで下げ、参考例３で合成した化合物の混合物（３）３ｇを添加した。１００℃で１時間撹拌後、反応混合物を室温まで冷却した。氷冷下、反応混合物に氷を添加し、１０％水酸化ナトリウム水溶液にてｐＨ＝５に調整した。酢酸エチルにて抽出し、抽出液を乾燥、濾過、減圧濃縮して標題化合物の混合物（４）１．９ｇ（収率６８％）を得た。
【００７７】
参考例５：２−ブロモ−１−トリメチルシリルエトキシメチル−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−４，８（１Ｈ，５Ｈ）ジオン（５）及び３−ブロモ−１−トリメチルシリルエトキシメチル−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−４，８（１Ｈ，５Ｈ）ジオン（６）の合成
水素化ナトリウム（６０％オイル）０．８７ｇの１００ｍｌジメチルホルムアミド懸濁液に、氷冷下、参考例４で合成した化合物の混合物（４）５ｇを徐々に添加し、室温で１時間撹拌した。氷冷下、塩化トリメチルシリルエトキシメチル３．７ｍｌを滴下し、室温で２時間撹拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液を添加し、酢酸エチルにて抽出した。抽出液を飽和食塩水にて洗浄、乾燥、濾過後、減圧濃縮して標題化合物の混合物を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝４：１〜２：１）にて分離精製し、標題化合物（５）２．７ｇ（収率３５％）及び標題化合物（６）１．８ｇ（収率２３％）を得た。さらに、標題化合物（５）及び（６）の粗結晶を各々ヘキサン／エーテルより再結晶することにより（５）の精製結晶２．２ｇ及び（６）の精製結晶１．４ｇを得た。
【００７８】
参考例６：２−ブロモ−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−４，８（１Ｈ，５Ｈ）ジオン（７）の合成
水素化ナトリウム（６０％オイル）８７．３ｍｇの１０ｍｌジメチルホルムアミド懸濁液に、氷冷下、参考例５で合成した化合物（５）７４０ｍｇの５ｍｌジメチルホルムアミド溶液を滴下し、室温で１時間撹拌した。氷冷下、塩化トリメチルシリルエトキシメチル０．３９ｍｌを滴下し、室温で２時間撹拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液を添加し、酢酸エチルにて抽出した。抽出液を飽和食塩水にて洗浄、乾燥、濾過後、減圧濃縮して残渣を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：エーテル＝２：１）にて精製することにより標題化合物（７）４５０ｍｇ（収率４５％）を得た。
【００７９】
参考例７：１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−４，８（１Ｈ，５Ｈ）ジオン（８）の合成
水素化ナトリウム（６０％オイル）２５２ｍｇの２０ｍｌジメチルホルムアミド懸濁液に、氷冷下、文献記載の６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−４，８（１Ｈ，５Ｈ）ジオン（アルディシン）（Ｐｒａｇｅｒ，Ｒ．ら：Ａｕｓｔ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，４３，ｐ３５５〜３６５（１９９０））５００ｍｇを添加し、室温で１時間撹拌した。氷冷下、塩化トリメチルシリルエトキシメチル１．１２ｍｌを滴下し、室温で３時間撹拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液を添加し、酢酸エチルにて抽出した。抽出液を飽和食塩水にて洗浄、乾燥、濾過後、減圧濃縮して残渣を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝６：１）にて精製することにより標題化合物（８）６２３ｍｇ（収率４８％）を得た。
【００８０】
実施例１：２−ブロモ−４−エトキシカルボニルイリデン−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−４，５，６，７−テトラヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（９）及び２−ブロモ−４−エトキシカルボニルメチル−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（１０）の合成
水素化ナトリウム（６０％オイル）１７３ｍｇの４ｍｌエチレングリコールジメチルエーテル懸濁液に、氷冷下、ジエチルホスホノ酢酸エチル０．８６ｍｌを滴下した。室温で１時間撹拌後、参考例６で合成した化合物（７）４３５ｍｇの３ｍｌエチレングリコールジメチルエーテル溶液を滴下し、５０℃で２４時間撹拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を添加し、エーテルにて抽出した。抽出液を飽和食塩水にて洗浄、乾燥、濾過後、減圧濃縮して標題化合物の混合物を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：エーテル＝２：１）にて分離精製することにより標題化合物（９）１０７ｍｇ（収率２２％）及び標題化合物（１０）３０４ｍｇ（収率６１％）を得た。
【００８１】
実施例２：４−エトキシカルボニルイリデン−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−４，５，６，７−テトラヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（１１）及び４−エトキシカルボニルメチル−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（１２）の合成
実施例１と同様にして、参考例７で合成した化合物（８）７００ｍｇ、水素化ナトリウム（６０％オイル）３２９ｍｇ、ジエチルホスホノ酢酸エチル１．６３ｍｌより、標題化合物（１１）２０５ｍｇ（収率２５％）及び標題化合物（１２）４７０ｍｇ（収率５８％）を得た。
【００８２】
実施例３：２−ブロモ−４−エトキシカルボニルヒドロキシメチル−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（１３）の合成
実施例１で合成した化合物（９）及び（１０）の混合物３９４ｍｇをテトラヒドロフラン８ｍｌに溶解し、−７８℃でビス（トリメチルシリル）アミドカリウム（０．５モル／トルエン溶液）１．５１ｍｌを徐々に滴下した。同温度で２０分間撹拌後、２−ベンゼンスルホニル−３−フェニルオキサジリジン（Ｄａｖｉｓ，Ｆ．ら：Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５３，２０８７（１９８８））１９８ｍｇを添加し、更に３時間撹拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を添加し、エーテルにて抽出した。抽出液を飽和食塩水にて洗浄、乾燥、濾過後、減圧濃縮して残渣を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：エーテル＝３：２）にて精製することにより標題化合物（１３）３１５ｍｇ（収率７８％）を得た。
【００８３】
実施例４：４−エトキシカルボニルヒドロキシメチル−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（１４）の合成
実施例３と同様にして、実施例２で合成した化合物（１１）及び（１２）の混合物１８２ｍｇ、ビス（トリメチルシリル）アミドカリウム（０．５モル／トルエン溶液）０．８８ｍｌ、２−ベンゼンスルホニル−３−フェニルオキサジリジン１０６ｍｇより、標題化合物（１４）１３５ｍｇ（収率７２％）を得た。
【００８４】
実施例５：２−ブロモ−４−エトキシカルボニル（メタンスルホニルオキシ）メチル−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（１５）の合成
実施例３で合成した化合物（１３）２９５ｍｇとトリエチルアミン０．２１ｍｌの５ｍｌ塩化メチレン溶液に、氷冷下、塩化メタンスルホニル０．０４６ｍｌを滴下し、室温で１時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を添加し、塩化メチレンにて抽出した。抽出液を飽和食塩水にて洗浄、乾燥、濾過後、減圧濃縮して残渣を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：エーテル＝２：３）にて精製することにより標題化合物（１５）３３１ｍｇ（収率９９％）を得た。
【００８５】
実施例６：４−エトキシカルボニル（メタンスルホニルオキシ）メチル−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（１６）の合成
実施例５と同様にして、実施例４で合成した化合物（１４）８４０ｍｇ、トリエチルアミン０．６９ｍｌ、塩化メタンスルホニル０．１５ｍｌより、標題化合物（１６）９４０ｍｇ（収率９７％）を得た。
【００８６】
実施例７：４−エトキシカルボニルブロモメチル−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−６，７−ジヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（１７）の合成
実施例２で合成した化合物（１１）９９ｍｇの２ｍｌテトラヒドロフラン溶液に、氷冷下、Ｎ−ブロモコハク酸イミド３９ｍｇを添加し、室温で５時間撹拌した。溶媒を減圧留去して残渣を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：エーテル＝２：１）にて精製することにより標題化合物（１７）６９ｍｇ（収率６０％）を得た。
【００８７】
実施例８：４−（２−アミノ−４−オキソ−２−イミダゾリン−５−イリデン）−２−ブロモ−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−４，５，６，７−テトラヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（１８）の合成
実施例５で合成した化合物（１５）３２５ｍｇとグアニジン１４３ｍｌの５ｍｌジメチルホルムアミド溶液を５０℃で６時間撹拌した。溶媒を減圧留去して残渣を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：メタノール＝１５：１）にて精製した。溶媒を減圧留去後、粗結晶をヘキサン／エーテルより再結晶して標題化合物（１８）１２０ｍｇ（収率４２％）を得た。
【００８８】
実施例９：４−（２−アミノ−４−オキソ−２−イミダゾリン−５−イリデン）−１，７−ジ（トリメチルシリルエトキシメチル）−４，５，６，７−テトラヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（１９）の合成
実施例８と同様にして、実施例６で合成した化合物（１６）９３５ｍｇ、グアニジン２８１ｍｇより粗結晶を得、エーテル／メタノールより再結晶して標題化合物（１９）４２０ｍｇ（収率５０％）を得た。
【００８９】
実施例１０：４−（２−アミノ−４−オキソ−２−イミダゾリン−５−イリデン）−２−ブロモ−４，５，６，７−テトラヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（ハイメニアルディシン）塩酸塩（２０）の合成
実施例８で合成した化合物（１８）３００ｍｇの３ｍｌメタノール溶液に１０％塩酸３ｍｌを添加し、９０℃で１時間撹拌した。溶媒を減圧留去して残渣を得、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール：２％酢酸＝６５：３５：１０）にて精製した。溶媒を減圧留去後、塩酸飽和イソプロピルアルコール１ｍｌで処理して粗結晶を得、メタノール／エーテルより再結晶して、標題化合物（２０）１５０ｍｇ（収率８１％）を得た。
【００９０】
実施例１１：４−（２−アミノ−４−オキソ−２−イミダゾリン−５−イリデン）−４，５，６，７−テトラヒドロピロロ［２，３−ｃ］アゼピン−８−オン（デブロモハイメニアルディシン）塩酸塩（２１）の合成
実施例９で合成した化合物（１９）１０５ｍｇの３．５ｍｌ塩化メチレン溶液に、氷冷下、トリフルオロ酢酸０．５ｍｌを滴下し、室温で２０分間撹拌した。溶媒を減圧留去後、残渣を５０％酢酸５ｍｌ／濃塩酸０．０５ｍｌに溶解し、９０℃で１時間撹拌した。更に、溶媒を減圧留去後、残渣をメタノール５ｍｌ／トリエチルアミン１ｍｌに溶解し、１００℃で３時間撹拌した。溶媒を減圧留去後、残渣を実施例１０と同様の操作で精製し、標題化合物（２１）４２ｍｇ（収率７５％）を得た。
【００９１】
上記参考例で得た化合物の物理化学データを表−１に、実施例で得た化合物の物理化学データを表−２に示す。
【００９２】
【表１】
0003714685.tif 000026
【００９３】
【表２】
0003714685.tif 000027
【００９４】
【表３】
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【００９５】
【表４】
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【００９６】
【表５】
0003714685.tif 000030
【００９７】
【発明の効果】
本発明によれば、ハイメニアルディシン及びその誘導体を化学的全合成によって、経済的、効率的に量産することができる。また、該化合物を製造するために有用な中間体を提供することができる。