(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面に第１絶縁膜及び第２絶縁膜を順次形成する工程と、
前記第１絶縁膜の上面一部が露出されるように第２絶縁膜をエッチングして、第２絶縁膜パターンを形成する工程と、
該第２絶縁膜パターンをマスクとして、前記露出された第１絶縁膜を選択的酸化成長させる工程と、
前記第１絶縁膜及び第２絶縁膜パターンを除去して半導体基板の上面に段差を有する上段面側と下段面側とをそれぞれ形成する工程と、
前記半導体基板の段差の上面に熱酸化法を施して第３絶縁膜を、該第３絶縁膜の上面に第１導電膜及び第４絶縁膜を順次形成する工程と、
前記半導体基板の上段面側にのみマスクを施して、前記下段面上の第４絶縁膜、第１導電膜及び第３絶縁膜を順次エッチングして該下段面側を露出させ、上段面側のみに第３絶縁膜パターン、第１導電膜パターン及び第４絶縁膜パターンを順次形成する工程と、
前記露出された半導体基板の下段面側の上面に熱酸化法を施して、前記第３絶縁膜よりも厚い第５絶縁膜を形成する工程と、
前記第４絶縁膜パターン及び第５絶縁膜の上面に第２導電膜及び平坦化膜を順次形成する工程と、
前記半導体基板上の上段面側の第２導電膜の上面が露出されるように前記平坦化膜をエッチバックする工程と、
該エッチバックされた平坦化膜をマスクとして、前記第１導電膜パターンの上面が露出されるように、前記第２導電膜、平坦化膜及び第４絶縁膜パターンを順次エッチングする工程と、
前記第３絶縁膜パターン、第５絶縁膜、第１導電膜パターン及び第２導電膜をエッチングして、半導体基板の上段面側及び下段面側の上面に二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極を形成する工程と、を順次行うことを特徴とする二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法。
【請求項２】
前記第４絶縁膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１記載の二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法。
【請求項３】
前記平坦化膜は、ＳＯＧ膜であることを特徴とする請求項１記載の二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子の製造方法に係るもので、詳しくは、半導体基板の上面に厚さの相異する複数のゲート絶縁膜を形成した二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法について、図面に基づいて説明する。
まず、図３(A) に示したように、半導体基板１の上面にシリコン酸化膜の第１絶縁膜２を熱酸化により形成し、該第１絶縁膜２の上面に感光膜３を形成する。
【０００３】
次いで、図３(B) に示したように、前記第１絶縁膜２の一部が露出するように前記感光膜３をエッチングして、感光膜パターン３a を形成する。
次いで、図３(C) に示したように、前記感光膜パターン３a をマスクとして前記第１絶縁膜２をパターニングし、第１絶縁膜パターン２a を形成した後、感光膜パターン３a を包含する半導体基板１をエッチング溶液に所定時間浸漬して感光膜パターン３a を除去する。
【０００４】
次いで、図３(D) に示したように、前記第１絶縁膜パターン２a を包含する半導体基板１の上面にシリコン酸化膜の第２絶縁膜４を形成し、該第２絶縁膜４の上面に導電膜５を形成する。
次いで、図３(E) に示したように、前記導電膜５、前記第１絶縁膜パターン２ａ及び第２絶縁膜４をエッチングしてパターニングすることにより、前記基板１の上面に厚さの相異する二つの絶縁膜６、４を有するゲート電極７を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法においては、ゲート絶縁膜の上面に感光膜をパターニングして除去するとき、該感光膜中のメタル及びカーボンの成分が下方のゲート絶縁膜中に含浸、拡散して、損傷を与えるため、厚さの相異するゲート絶縁膜を得ることが難しく、ゲート電極の信頼性を低下するという問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、感光膜中のメタル及びカーボンの成分のゲート絶縁膜中への含浸、拡散を防止すると共に、半導体基板の上面に段差を形成し、該段差を利用して厚さが相異する二重ゲート絶縁膜を正確に形成し、ゲート電極の信頼性を向上し得る二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、半導体基板の上面に第１絶縁膜及び第２絶縁膜を順次形成する工程と、前記第１絶縁膜の上面一部が露出されるように第２絶縁膜をエッチングして、第２絶縁膜パターンを形成する工程と、該第２絶縁膜パターンをマスクとして、前記露出された第１絶縁膜を選択的酸化成長させる工程と、前記第１絶縁膜及び第２絶縁膜パターンを除去して半導体基板の上面に段差を有する上段面側と下段面側とをそれぞれ形成する工程と、前記半導体基板の段差の上面に熱酸化法を施して第３絶縁膜を、該第３絶縁膜の上面に第１導電膜及び第４絶縁膜を順次形成する工程と、前記半導体基板の上段面側にのみマスクを施して、前記下段面上の第４絶縁膜、第１導電膜及び第３絶縁膜を順次エッチングして該下段面側を露出させ、上段面側のみに第３絶縁膜パターン、第１導電膜パターン及び第４絶縁膜パターンを順次形成する工程と、前記露出された半導体基板の下段面側の上面に熱酸化法を施して、前記第３絶縁膜よりも厚い第５絶縁膜を形成する工程と、前記第４絶縁膜パターン及び第５絶縁膜の上面に第２導電膜及び平坦化膜を順次形成する工程と、前記半導体基板上の上段面側の第２導電膜の上面が露出されるように前記平坦化膜をエッチバックする工程と、該エッチバックされた平坦化膜をマスクとして、前記第１導電膜パターンの上面が露出されるように、前記第２導電膜、平坦化膜及び第４絶縁膜パターンを順次エッチングする工程と、前記第３絶縁膜パターン、第５絶縁膜、第１導電膜パターン及び第２導電膜をエッチングして、半導体基板の上段面側及び下段面側の上面に二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極を形成する工程と、を順次行うことを特徴とする。
【０００９】
請求項２に係る発明は、前記第４絶縁膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に係る発明は、前記平坦化膜がＳＯＧ膜であることを特徴とする。
【００１１】
【発明の効果】
請求項１に係る発明によれば、半導体基板を選択的に酸化して、上面の高い上段面側と上面の低い下段面側を夫々形成し、各領域に厚さの相異する二つのゲート絶縁膜を選択的に熱酸化法を施して形成することにより、半導体基板の上面に複数のゲート電極を形成するとき、ゲート電極を構成する各ゲート絶縁膜の上面に直接感光膜を形成しないため、該各ゲート絶縁膜へのメタル及びカーボンの微粒子の含浸、拡散による損傷を防止しつつ、該各ゲート絶縁膜の厚さになるように形成することができるため、ゲート電極の信頼性が大いに向上する。また、請求項２に係る発明によれば、第４絶縁膜をシリコン窒化膜で形成したことにより、熱酸化工程を施して熱酸化膜の第５絶縁膜を形成する際に、第４絶縁膜の下への酸化膜の拡散を抑制することができる。そして、請求項３に係る発明によれば、平坦化膜をＳＯＧ膜としたことにより、ＳＯＧ液をスピンコートして形成することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明する。
まず、図１(A) に示したように、半導体基板１０の上面にシリコン酸化膜を用いてパッド酸化膜の第１絶縁膜２０を形成し、該第１絶縁膜２０の上面にシリコン窒化膜の第２絶縁膜パターン３０を形成する。
【００１３】
次いで、図１(B) に示したように、該第２絶縁膜パターン３０をマスクとして露出された前記第１絶縁膜２０を選択的酸化成長（selective oxidation growth）させると、該選択的酸化成長は下方まで進行して第１絶縁膜２０にバーズビーク（Bird’s beak ）が形成される。次いで、図１(C) に示したように、前記第１絶縁膜２０及び第２絶縁膜パターン３０を除去して半導体基板１０の上面に段差を形成し、該段差を有する半導体基板１０の上面に熱酸化法によるシリコン酸化膜の第３絶縁膜４０、該第３絶縁膜４０上にポリシリコン膜の第１導電膜５０、該第１導電膜５０上にシリコン窒化膜の第４絶縁膜６０及び前記半導体基板の上段面側の前記第４絶縁膜６０上に前記感光膜パターン７０を順次形成する。
【００１４】
このとき、半導体基板１０の上面が高い部分を“上段面側１１”と称し、該上面が低い部分を“下段面側１２”と称す。
次いで、図１(D) に示したように、前記感光膜パターン７０をマスクとして、前記半導体基板１０の下段面側１２が露出されるまで、前記第４絶縁膜６０、第１導電膜５０及び第３絶縁膜４０を順次エッチングして、前記感光膜パターン７０を除去する。その結果、前記半導体基板１０の上段面側１１のみに第４絶縁膜パターン６０a 、第１導電膜パターン５０a 及び第３絶縁膜パターン４０a が順次形成され、前記半導体基板１０の下段面側１２の上面が露出される。
【００１５】
次いで、露出された半導体基板１０の下段面側１２の上面に、熱酸化工程を施して熱酸化膜の第５絶縁膜８０を形成するが、このとき、シリコン窒化膜の第４絶縁膜パターン６０ａは、熱酸化を施す際、他の部位への酸化膜の拡散を抑制する酸化防止膜の役割を担い、該前記第４絶縁膜パターン６０ａによりカバーされない前記第１導電層パターン５０ａの側面一部が酸化されて、酸化層（ゲート電極の形成のため、パターニングするとき除去される。）が形成され、前記第５絶縁膜８０は、第３絶縁膜パターン４０a よりも厚く形成される。
【００１６】
前記第５絶縁膜８０及び上段面側１１の第４絶縁膜パターン６０ａの上面にポリシリコンの第２導電膜９０を形成し、前記第２導電膜９０の上面にＳＯＧ膜の平坦化膜１００を形成する。
次いで、図２(A) に示したように、半導体基板１０の上段面側１１の第２導電膜９０の上面が露出されるように前記平坦化膜１００をエッチバックした後、該平坦化膜１００をマスクとして、図２(B) に示したように、前記第１導電膜パターン５０a の上面が露出されるように前記第２導電膜９０、平坦化膜１００及び第４絶縁膜パターン６０a を順次エッチングする。
【００１７】
次いで、図２(C) に示したように、第３絶縁膜パターン４０a 及び第１導電膜パターン５０a をエッチングして、半導体基板１０上の上段面側１１に夫々第１ゲート絶縁膜４０a 及び第１ゲート電極１１０を形成し、前記第５絶縁膜８０及び第２導電膜９０をエッチングして、半導体基板１０の上面の下段面側１２に、第２ゲート絶縁膜８０及び第２ゲート電極１２０を形成することにより、本発明に係る二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法を終了する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法の前段工程を工程順に示した縦断面図
【図２】本発明に係る二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法の後段工程を工程順に示した縦断面図
【図３】従来の二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法を示した工程縦断面図
【符号の説明】
１：半導体基板                      ３０：第２絶縁膜パターン
２：第１絶縁膜                      ４０：第３絶縁膜（第１ゲート絶縁膜）
２a ：第１絶縁膜パターン            ４０a ：第３絶縁膜パターン
３：感光膜                          ５０：第１導電膜
３a:感光膜パターン                  ５０a ：第１導電膜パターン
４：第２絶縁膜（第１ゲート絶縁膜）  ６０：第４絶縁膜
５：第１導電膜                      ６０a ：第４絶縁膜パターン
６：第２ゲート絶縁膜                ７０：感光膜パターン
７：第１導電膜（ゲート電極）        ８０：第５絶縁膜（第２ゲート絶縁膜）
１０：半導体基板                    ９０：第２導電膜
１１：上段面側                      １００：平坦化膜
１２：下段面側                      １１０：第１ゲート電極
２０：第１絶縁膜                    １２０：第２ゲート電極
【図１】
0003684433.tif 000002
【図２】
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【図３】
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