(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、チップ電極に接続される金属部材とで構成される半導体パッケージにおいて、チップ電極がＡｌまたはＡｌ合金膜で構成され、金属部材の接合表面が貴金属めっき膜で構成され、チップ電極と金属部材がＡｕバンプで接合されており、前記Ａｕバンプと前記ＡｌまたはＡｌ合金膜とのＡｕ／Ａｌ接合面内の８０％以上の面積のＡｌ膜が厚さ方向に全てＡｕＡｌ合金層となっていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
半導体チップと、チップ裏面電極に接続される第１の金属部材と、チップ上回路形成面の主電流電極に接続される第２の金属部材と、制御用電極に接続される第３の金属部材とで構成される半導体パッケージにおいて、主電流電極と制御用電極がＡｌまたはＡｌ合金膜で構成され、各Ａｌ電極膜上に複数のＡｕバンプが金属的に接合された状態で形成され、貴金属めっきされた第２及び第３の金属部材がＡｕバンプに圧接されかつ金属部材とチップ間の空隙に樹脂が充填された構造であり、チップ投影面内の第１の金属部材のチップと反対側の面及び第２と第３の金属部材のチップと反対側の面が表面に露出した構造となっていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
半導体チップと、チップ裏面電極に接続される第１の金属部材と、チップ上回路形成面の主電流電極に接続される第２の金属部材と、制御用電極に接続される第３の金属部材とで構成される半導体パッケージにおいて、チップと第１の金属部材の間隙に間隙以上の粒径を有する貴金属粒子と樹脂が充填され、チップと第２の金属部材及び第３の金属部材間の間隙に間隙以上のバンプ径を有する貴金属バンプと樹脂が充填された構造となっていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４】
請求項３において、貴金属粒子と金属部材及び電極，貴金属バンプと金属部材及び電極が金属的に接合されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項５】
半導体チップと、チップ裏面電極に接続される第１の金属部材と、チップ上回路形成面の主電流電極に接続される第２の金属部材と、制御用電極に接続される第３の金属部材とで構成される半導体パッケージにおいて、第１の金属部材と、第２の金属部材、第３の金属部材とがチップを挟んで配置され、金属部材間の主たる機械的結合が、チップを介して行われた構造であり、チップ裏面電極と第１の金属部材との接続が貴金属粒子の金属接合とレジン接着を併用した接合構造であることを特徴とするトランジスターパッケージ。
【請求項６】
請求項５において、金属部材がレジンとの機械的結合構造を取れるように凹凸加工あるいは開口加工されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランジスターパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の小信号トランジスターパッケージは、主電流及び制御用Ａｌ電極と外部取り出し用電極リード間の接続がＡｕワイヤボンディングによって行われる構造であった。また、トランジスターチップのＡｌ電極は、膜抵抗を下げて大きな電流を通電できるように通常数μｍ以上の厚さに形成されていた。このＡｌ膜とＡｕワイヤのボンディングは加熱温度：１８０〜２３０℃の領域で超音波を併用して短時間に行われる。その後の工程でレジンのモールドと、加熱温度：２００℃以下で数時間程度のベーク処理が行われる。
【０００３】
また、上記で述べた従来のトランジスターパッケージは、チップをペ付けしたダイ搭載リードと他の電極リード間がチップとボンディングワイヤを介して繋がっている構成であり、この構造では両者を機械的に固定できないため、全体をレジンで封止して固めてチップと各電極リードを固定する方法が採用されている。このため、レジンの封止が必須の構造であった。一方、パッケージの実装抵抗を下げるため、リードとチップ間をバンプで接続する構造が特開平8−64634号公報に開示されているが、バンプ接続部の機械的強度が低いため、ワイヤボンディング構造と同様に全体をレジンで封止する構造を採用し、信頼性を確保していた。
また、従来のトランジスターパッケージでは、チップとダイパッドとのペ付けに、半田接合やＡｇペーストによる接着のいずれかが行われている。Ａｇペーストは、１０μｍ径以下の微細なＡｇ粒子を低粘度の液状レジンに混合したもので、加熱により硬化させて接着強度を得る。レジンの接着力でチップとダイ搭載リードを固定し、Ａｇ粒子の接触で電気と熱を伝えている。Ａｇペーストを用いる場合は、高温あるいは高湿環境下での接着信頼性に問題があるため、ペ付け部のチップとダイパッドの全体をレジンで覆ってレジンの収縮力による押し付け効果で信頼性を確保している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のワイヤボンディング構造のトランジスターパッケージでは、Ａｕ／Ａｌ接合部の初期強度が低く、さらに高温保持後の強度がＡｕ−Ａｌ金属間化合物層の成長とともにＡｌ側の界面にＡｕＡｌ2 の脆い層を形成して低下する現象があった。しかし、ワイヤボンディング部がレジンで封止されて固められた構造であったため、Ａｌ膜とＡｕワイヤの接合強度が小さくても、電極リードに加わる外力がワイヤの変形で吸収されるため、接合部の剥離が生じることがなく信頼性に問題はなかった。
【０００５】
しかし、最近の半導体技術の進歩に伴ってオン抵抗の非常に小さいトランジスターチップが開発され、パッケージの実装抵抗を下げる要求が出てきた。この要求に対応して、電極リードとチップ電極間をワイヤで接続するのではなく、バンプを介して直接接合する構造が提案されて来た。しかし、リード材質のＣｕとＳｉチップは熱膨張率に大きな差があり、バンプが広い範囲に形成された場合、接合部に大きな熱歪みが加わり、接合部が断線してしまうという問題が生じた。バンプ材が半田の場合には、半田強度が弱いため半田部で破壊し、Ａｕバンプの場合には接合温度が３５０℃以上と高いため冷却過程においてＡｕ−Ａｌ接合界面に成長した弱い金属間化合物層で熱応力により破壊していた。
【０００６】
本発明の目的は、半導体パッケージにおいて、チップ上電極／電極リード接合部の強度を向上し、高信頼の半導体パッケージを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体パッケージにおいては、Ａｕバンプ／Ａｌ電極接合部を高温で熱処理することによって、Ａｕバンプ／Ｓｉ基板間のＡｌ膜を接合面積の８０％以上に渡って厚み方向全てをＡｕ−Ａｌ化合物に変え、接合強度を向上する。さらに、電極リード／チップ間にレジンを充填して接合部に圧縮荷重が加わる構造とし、温度サイクル寿命を改善する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
まず、半導体パッケージの温度サイクル寿命を向上するための改善点から説明する。
【０００９】
図８は、厚さ３.５μｍ のＡｌ電極膜上に２００℃の接合温度でＡｕボールボンディングを行い、高温で保持したときの接合部の強度変化を示す。保持温度２００℃以下では、短時間側において何れも強度の低下が生じているが、保持温度が高いほど早い時間に強度の上昇が認められ、さらに保持時間を増すと再び強度の低下が生じている。この原因を詳細に解析した結果、接合直後の強度はＡｌ膜自身の強度に依存しており、高温保持の最初の強度低下はＡｕＡｌ合金層とＡｌ膜の界面に従来から知られているパープルプレーグと呼ばれるＡｕＡｌ2 化合物が成長するためであることが判明した。また、強度の上昇は接合部のＡｌ膜が全てＡｌより強度の高いＡｕＡｌ合金層に変わるためであり、その後の強度低下はＡｕ／ＡｕＡｌ合金層界面にカーケンダルボイドと呼ばれる欠陥が成長するためであることが判明した。また接合強度の２倍もの上昇は、トランジスターチップの基板表面が多数のセル構造に対応して細かい凹凸が存在し合金層とＳｉ基板が機械的噛み合わせ構造をとっていることが理由であることも見い出した。従来のＬＳＩデバイスでは生じない現象である。また、２５０℃以上の高温で短時間の熱処理を行った後は、カーケンダルボイドの成長が加熱温度：１５０℃で保持時間：２０００ｈにおいては問題とならず、図９に示すように強度の低下が生じないことが判明した。我々はこの現象を活用することによって、初期の接合強度を約２倍に向上することができ、実使用上の温度である１５０℃以下の領域での温度サイクルや高温保持における金属接合部自体の接続信頼性を向上することができたのである。さらに、電極リードとチップ上Ａｕバンプの接合において、従来の３５０℃の熱圧着に変えて低温（２５０℃以下）・低荷重でチップダメージのない超音波熱圧着技術を開発し、低温での接合を可能にしたため、接合時の冷却過程で発生する熱歪みを大きく低減することができ、この点からも金属接合部の接続信頼性を向上できたのである。同時に、低温接合の実現によって、電極リード／チップ接合時にレジンを電極リード／チップ間に充填して、金属接合とレジン接着を同時に行うことが可能となり、レジンは加圧押し出しされるためボイドのないレジン充填が行え、レジンの硬化収縮現象によってＡｕバンプに圧縮荷重が加わった状態で接合できるため、温度サイクルが加わった場合でも圧縮応力の作用によって疲労寿命を長くすることができるのである。
【００１０】
次に、Ｐｂレス化とレジン封止を省略したパッケージの高信頼化について説明する。トランジスターパッケージでは、３つの独立した金属部材がチップの各電極と電気的に接続されて固定された構造をとる。従来は、各金属部材の固定を硬化したレジンで行っていたが、本発明では各金属部材間の固定を、各金属部材とチップを金属接合とレジン接着を併用して柔軟でかつ高強度に固着することにより行う構造とした。金属接合とレジン接着を併用した理由は、金属接合のみでは高い強度を実現できるものの、金属部材のコア材であるＣｕとＳＩチップを強固に接合すると両者の熱膨張差によってＳｉチップに大きな歪みが発生し、特性の劣化や極端な場合にはチップの損傷を招く恐れがあるためである。このため、接合部に歪みを吸収させる柔軟構造をもたせる必要があり、空間の多い金属接合構造として、強度不足をレジン接着で補強する構造としたのである。本構造において、レジンをフィルム状にして用いればレジン接着と金属接合を同一接合工程で行うことができ、レジンのモールド・ベーク工程を省略して生産コストの低減と生産性の向上を図ることができ、環境にやさしいトランジスターパッケージを提供することができるのである。また、金属接合を超音波を併用した熱圧着とし、接合前に表面をスパッタクリーニングし、接合荷重を超音波を加えた状態で低荷重から高荷重にスロープ状に変化させることにより、バンプの変形が小さい条件で強度の高い金属接合を達成することができる。
【００１１】
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本発明によるトランジスターパッケージの構造の一実施例を示す。図において、トランジスターチップ１の回路形成面には膜厚２μｍのＡｌ電極２、反対の面には最表面がＡｕの裏面電極３が形成されている。Ａｌ電極にはＡｕバンプ７がボールボンディング法により形成され、その段階で例えば３００℃−２ｈや２５０℃−１０ｈの熱処理によりバンプ下のＡｌ電極膜が全てＡｕＡｌ合金９に変えられている。金属リード４は、表面にＰｄ／Ａｕめっきが施されており、Ａｌ電極上に形成したＡｕバンプとは２５０℃以下の比較的低い温度で超音波熱圧着により一括接合している。第１のレジン８は超音波熱圧着時にシート状で供給し、Ａｕバンプの接合と同時に接着・硬化させている。圧着後のバンプ高さ（レジン厚さ）は数十μｍである。チップ裏面電極とダイ搭載リード６は、両者の間に貴金属粒子を埋設した第２のレジン１１のシートを挟み、２５０℃以下の比較的低い温度に加熱して超音波を加えながら加圧して接合している。貴金属粒子、この場合Ａｇ粒子１０は裏面電極とダイパッドに押し付けられて変形し金属的に接合された状態にしている。ダイ搭載リードは予め曲げ加工が施されており、Ａｇ粒子を変形させて接合した後の下側の面が電極リードの面とほぼ同一平面になるように接合条件を制御している。第１及び第２のレジンは、上下の部材と接着し、硬化時の収縮現象により接合部に圧縮応力を与えている。ここでは、第１及び第２のレジンに熱融着性ポリイミド樹脂を用いているが、常温で硬化しているエポキシ樹脂や他の樹脂を用いてもよい。
【００１３】
本実施例によれば、トランジスターパッケージにおいて接合部下のＡｌを全て合金化することによりＡｌ電極／Ａｕバンプ／電極リード接合部の強度を向上し、かつ高温保持における強度の低下を防止でき、レジン接着の効果により接合部に圧縮応力を加えた構造となるため温度サイクル寿命を大幅に高めた高信頼で低抵抗のトランジスターパッケージを提供することができる。また、貴金属同士の圧着における接合温度を超音波を併用することで２５０℃以下に下げたため、レジン接着との同時接合が可能となってレジン中のボイドのない充填接着が可能となり、また低温接合による接合部の残留応力を低減することが可能となったため、これらの点によってもトランジスターパッケージの信頼性を向上できるのである。
【００１４】
また、チップの裏面電極とダイ搭載リードを金属接合とレジン接着を併用した接合構造としたことにより、金属接合部で熱的及び電気的伝導性を確保すると同時にチップとダイ搭載リード間の熱膨張差をレジンで埋めた空間の変形によって吸収し、さらにレジンの硬化収縮による金属接合部への圧縮荷重印加効果により、ペ付け部の温度サイクル寿命を向上することができ、熱と電気の伝導特性と温度サイクル信頼性と半田リフロー耐性とを兼ね備えたＰｂレスのパッケージを提供できるのである。
【００１５】
さらに、上記の２つの理由によって、レジン封止を行わなくてもパッケージ信頼性を確保できるため、省レジンで環境にやさしく、モールド工程の省略によって生産コストの低減と生産タクトの短縮が可能で、小型で低抵抗のトランジスターパッケージを提供できるのである。
【００１６】
また、チップと電極リードをＡｕバンプによって超音波熱圧着する工程において、予めＡｌ電極とＡｕバンプの接合部を熱処理によってＡｕ−Ａｌ合金に変えて強化しているため、圧着のためにチップ側あるいはリード側から荷重と振動を加えてＡｕバンプを圧壊した場合でも、バンプ下のＳｉ基板やトランジスター素子にクラック等のダメージを与えることがなく、接合ダメージによる製品不良の発生を防いで製造歩留りの向上を図れるのである。
【００１７】
図２は、本発明によるトランジスターパッケージの構造の他の一実施例を示す。図において、トランジスターチップ１５の回路形成面には膜厚５μｍのＡｌ電極１６，反対の面には最表面がＡｇの裏面電極１７が形成されている。Ａｌ電極にはＡｕバンプ２０がボールボンディング法により形成され、その段階で例えば３００℃−２ｈや２５０℃−１０ｈの熱処理によりバンプ下のＡｌ電極膜を全てＡｕ−Ａｌ合金層２１に変えている。電極リード１８とダイ搭載リード１９のチップ対面領域には、開口部２５，２６が形成され、部材の全面にＰｄ／Ａｕフラッシュめっきが施されている。電極リードとＡｌ電極上に形成したＡｕバンプとは２５０℃以下の比較的低い温度で超音波熱圧着により一括接合している。第１のレジン２２は超音波熱圧着時にシート状で供給し、Ａｕバンプの接合と同時に接着・硬化させている。圧着後のバンプ高さ（レジン厚さ）は数十μｍである。チップ裏面電極とダイ搭載リードは、両者の間に貴金属粒子を埋設した第２のレジン２４のシートを挟み、２５０℃以下の比較的低い温度に加熱して超音波を加えながら加圧して接合している。貴金属粒子、この場合Ａｇ粒子２３は、加熱と加圧と超音波振動により裏面電極とダイ搭載リードに押し付けられて変形し、金属的に接合された状態となる。第１及び第２のレジンは、上下の部材と接着し、硬化時の収縮現象により接合部に圧縮応力を与えている。
【００１８】
本実施例によれば、図１と同様に高信頼度，低抵抗，対環境対応のパッケージを提供できる。さらに、電極リードとレジン及びダイ搭載リードとレジンが、界面での化学的結合（接着）以外に開口部の機械的結合によって強固に固着されるため、高温高湿環境下や温度サイクル環境下においてもレジン接着部の剥離が起きず、ＡｕバンプやＡｇ粒子の金属接合部に加わる歪みが低減でき、パッケージの信頼性を大幅に改善できる。
【００１９】
図３は、本発明によるトランジスターパッケージの構造の他の一実施例を示す。図において、トランジスターチップ３０の回路形成面には膜厚３.５μｍ のＡｌ電極３１，３２、反対の面には最表面がＡｇの裏面電極３３が形成されている。Ａｌ電極にはＡｕバンプ４３がボールボンディング法により形成されている。電極リード３６，３９とダイ搭載リード４２の部材の全面にＰｄ／Ａｕフラッシュめっき３５，３８，４１が施されている。電極リードとＡｌ電極上に形成したＡｕバンプとは２００℃以下の比較的低い温度で超音波熱圧着により一括接合している。第１のレジン４４は超音波熱圧着後に液状で供給して間隙に流し込み、接着・硬化させている。チップ裏面電極とダイ搭載リードは、両者の間に貴金属粒子を埋設した第２のレジン４８のシートを挟み、２５０℃以下の比較的低い温度に加熱して超音波を加えながら加圧して接合している。貴金属粒子、この場合３０μｍのＣｕ粒子４５表面に５μｍ厚さのＡｇめっき４６を施した粒子４７は、加熱と加圧と超音波振動により裏面電極とダイ搭載リードに押し付けられて変形し、金属的に接合された状態となる。第１及び第２のレジンは、上下の部材と接着し、硬化時の収縮現象により接合部に圧縮応力を与えている。２つの電極リードと１つのダイ搭載リードはチップを挟んで反対側に配置され、各リードの大きさは略チップの大きさと同等にしている。
【００２０】
本実施例によれば、図１と同様に高信頼度，低抵抗，対環境対応のパッケージを提供できる。さらに、チップ裏面電極とダイ搭載リードの接合に、貴金属に比べて安価なＣｕをコアとしたＡｇめっきＣｕ粒子を用いているため、部材コストの低減が図れるのである。また、外部接続端子面がチップの上下に位置しているため、パッケージを両側から挟んで実装する構造が採用でき、機械的接触による実装が容易となる。また、チップサイズのパッケージが実現でき、実装面積を縮小して高密度実装が可能となるのである。
【００２１】
図４は、本発明によるトランジスターパッケージの構造の他の一実施例を示す。図において、トランジスターチップ５０の回路形成面には膜厚３.５μｍ のＡｌ電極５１，反対の面には最表面がＡｕの裏面電極５２が形成されている。
【００２２】
Ａｌ電極にはＡｕバンプ６１がボールボンディング法により形成され、その段階で例えば３００℃−２ｈや２５０℃−１０ｈの熱処理によりバンプ下のＡｌ電極膜が全てＡｕ−Ａｌ合金層６２に変えられている。電極リード５５は、表面にＰｄ／Ａｕめっき５４が施されており、Ａｌ電極上に形成したＡｕバンプとは２００℃以下の比較的低い温度で超音波熱圧着により一括接合している。チップ裏面電極とダイリードは、両者の間に貴金属粒子５９を埋設したペ付け用レジン６０のシートを挟み、２５０℃以下の比較的低い温度に加熱して超音波を加えながら加圧して接合している。貴金属粒子、この場合Ａｇ製の粒子は、加熱と加圧と超音波振動により裏面電極とダイ搭載リードに押し付けられて変形し、金属的に接合された状態となる。チップ及び各リード全体は、外部接続端子部分を除いてモールドレジンで覆われている。チップと各リードの接合部はモールドレジンの収縮現象によって接合部に圧縮応力を与えている。
【００２３】
本実施例によれば、ＡｕバンプとＡｌ電極膜の接合部がＡｕＡｌ合金化によって通常の２倍の強度に向上されており、高温保持時に形成される強度の弱いＡｕＡｌ2 化合物の形成が無いため、温度サイクル信頼性に優れた低抵抗のトランジスターパッケージを実現できるのである。
【００２４】
図５は、本発明によるペ付け用接着フィルムの一実施例を示す。図において、貴金属粒子６６は、レジンフィルム６５に一部が表面に露出する状態で埋設されている。貴金属粒子は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ粒子、Ｃｕ，ＮｉコアにＡｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔめっきした粒子の中から選択され、そのサイズはフィルム厚さの１／２以上の高さを有する粒子を多数含む構成としている。レジンフィルムは、ポリイミド樹脂，エポキシ樹脂，ポリエステル樹脂，フェノール樹脂の中から選択され、熱可塑性と熱硬化性を合わせ持つ状態（溶剤を揮発させ半硬化させた状態）に加工されている。
【００２５】
図６は、本発明によるペ付け用接着フィルムの他の実施例を示す。図において、貴金属粒子６８，６９はレジンフィルム６７の両面に露出している。
【００２６】
図７は、図５のペ付け用フィルムを用いて２つの部材を接合する方法を示す。図の工程（Ａ）において、貴金属薄膜を蒸着したチップ部品７０とＡｇ粒子７２を埋設したペ付け用フィルム７１と接合面に厚いＡｇめっきを施したダイ搭載リード７３を積層して位置合わせする。次に工程（Ｂ）において、積層したワークをヒートステージ７４に載せ、有機フィルム７７を介して接合ツール７６を荷重７８を加えて押し付ける。ワークの温度が所定の温度に上昇した段階で接合ツールに超音波振動７９を加え、Ａｇ粒子を圧壞しつつチップ部品をペ付け用フィルムに押し込み、チップ部品とダイ搭載リードをＡｇ粒子を介して金属接合すると共にペ付けフィルムによって両者を接着する。超音波の印加開始温度はペ付けフィルムが軟化し始める温度であり、最終加熱温度は同フィルムが硬化する温度である。接合ツールとチップ部品の間に挟む有機フィルムは１回または複数回毎に交換するもので、ロールテープ状にして順次送出して交換する方法としている。材質は、接合温度で軟化しない高ガラス転移温度の有機材で構成している。接合後の状態を（Ｃ）に示すが、チップ部品とダイ搭載リードは１個ないし２個程度のＡｇ粒子を介して複数ヵ所で金属的に接合され、ペ付け用フィルムの余った量は、両部材の隙間から外部に押し出される。このため、部材間の間隙を埋めるレジン中にはボイドは発生しない。
【００２７】
本実施例によれば、Ａｇ粒子がペ付けフィルムから露出しているため、Ａｇ粒子の清浄な金属面をチップ部品に押し付けることができ、粒子サイズを大きくして間隙以上の大きさとしているためＡｇ粒子を確実に変形させることができ、接合界面での両金属部材のミクロな塑性流動を生じさせ、超音波振動によって確実な金属接合が可能となるのである。一方、Ａｇ粒子とダイ搭載リードの接合工程では、積層したワークをヒートステージに搭載して接合ツールでチップから荷重を加えた段階で、まず、Ａｇ粒子が温度上昇によって軟化を始めたレジンフィルムを押し分けてダイ搭載リードに接触する。この段階でまだレジンは固体であるため金属面に濡れておらず、Ａｇ粒子とダイ搭載リードは清浄な金属面で接触する。このため、超音波振動を加えることで確実な金属接合が可能となるのである。レジンは、Ａｇ粒子とダイ搭載リードが密着した後のさらなる加熱で一度液状となり、チップとダイ搭載リードの間隙から余分な量が外に排出された後、硬化を始めるのである。以上の現象によって、上下の部材がＡｇ粒子で確実に金属接合できると同時にレジンによる接着を同時に進行させることができ、接合工程数の削減と生産性の向上が図れるのである。
【００２８】
また、接合ツールとチップ部材との間に消耗品としての有機フィルムを挿入したことにより、硬い接合ツールの接触によるチップ部品の損傷を防いで製造歩留りの向上が図れ、接合ツールの消耗を防いで装置の使用可能回数を大幅に向上できて生産コストの低減が図れるのである。
【００２９】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、Ａｌ電極／Ａｕバンプ／電極リード接合部の強度を向上した半導体パッケージを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるトランジスターパッケージの構造の一実施例。
【図２】本発明によるトランジスターパッケージの構造の他の一実施例。
【図３】本発明によるトランジスターパッケージの構造の他の一実施例。
【図４】本発明によるトランジスターパッケージの構造の他の一実施例。
【図５】本発明によるペ付け用フィルムの断面構造の一実施例。
【図６】本発明によるペ付け用フィルムの断面構造の他の一実施例。
【図７】本発明によるペ付け用フィルムを用いた接合方法の一実施例。
【図８】Ａｕ／Ａｌ接合部の高温保持における強度変化の実験データ。
【図９】本発明によるＡｕ／Ａｌ接合部の高温保持における強度変化の実験データ。
【符号の説明】
１，１５，３０，５０…トランジスターチップ、２，１６，３１，３２，５１，８２，８６…Ａｌ電極、３，１７，３３，５２…裏面電極、４，５，１８，３６，３９，５５…電極リード、６，１９，４２，５８，７３…ダイ搭載リード、７，２０，６１，８７…Ａｕバンプ、８，２２，４４…第１のレジン、９…Ａｕ−Ａｌ合金、１０，２３，７２…Ａｇ粒子、１１，２４…第２のレジン、
２１，８４，８８…Ａｕ−Ａｌ合金層、２５，２６…開口部、３４，３７，４０，５３，５６…Ｃｕコアリード、３５，３８，４１…Ｐｄ／Ａｕフラッシュめっき、４３，８７…Ａｕバンプ、４５…Ｃｕ粒子、４６…Ａｇめっき、４７，５９，６６，６８，６９…貴金属粒子、５４…Ｐｄ／Ａｕめっき、５７…Ｐｄめっき、６０…ペ付け用レジン、６２…Ａｕ−Ａｌ化合物、６３…モールドレジン、
６５，６７…レジンフィルム、７０…チップ部品、７１…ペ付け用フィルム、
７４…ヒートステージ、７５…ヒータ、７６…接合ツール、７７…有機フィルム、７８…荷重、７９…超音波振動、８１，８５…Ｓｉ基板、８３…Ａｕボールバンプ、８９…金属部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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