(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象パターンを撮像して得られた検査対象データと、予め設定された基準パターンを有する基準データとを比較し、検査対象パターンの欠陥を検出するパターン検査装置において、
前記検査対象パターン又は基準パターンの何れかと、所定のパターンとに基づいて選択された領域と、前記選択された領域の近傍の領域とからなる選択エリアを設定する選択エリア設定手段と、
前記選択エリアと該選択エリア以外の非選択エリアとでは、互いに異なるしきい値を設定するしきい値設定手段と、
前記検査対象データと前記基準データとの差が、前記選択エリア及び非選択エリアの夫々において前記しきい値設定手段で設定されたしきい値よりも大きいと、前記検査対象パターンの欠陥と判定する欠陥判定部とを備え、
前記近傍の領域が、境界附近で想定している欠陥が収まる広さを有していることを特徴とするパターン検査装置。
【請求項２】
前記所定のパターン及び前記検査対象パターンの双方が、１つのＬＳＩの露光に使用されるマスクパターン、又は、該マスクパターンを作製するためのレチクルパターンである、請求項１に記載のパターン検査装置。
【請求項３】
前記選択エリア設定手段は、前記検査対象パターン又は基準パターンと、前記所定のパターンとが重なる部分及びその近傍の領域を前記選択エリアに設定する、請求項１又は２に記載のパターン検査装置。
【請求項４】
前記検査対象パターン又は基準パターンがゲートパターンであり、前記所定のパターンがフィールドパターンである、請求項１乃至３の何れか一に記載のパターン検査装置。
【請求項５】
検査対象パターンを撮像して得られた検査対象データと、予め設定された基準パターンを有する基準データとを比較し、検査対象パターンの欠陥を検出するパターン検査方法において、
前記検査対象パターン又は基準パターンの何れかと、所定のパターンとに基づいて選択された領域と、前記選択された領域の近傍の領域とからなる選択エリアを設定するステップと、
前記選択エリアと該選択エリア以外の非選択エリアとでは、互いに異なるしきい値を設定するステップと、
前記検査対象データと前記基準データとの差が、前記選択エリア及び非選択エリアの夫々において前記しきい値設定ステップで設定されたしきい値よりも大きいと、前記検査対象パターンの欠陥と判定するステップとを備え、
前記近傍の領域が、境界附近で想定している欠陥が収まる広さを有していることを特徴とするパターン検査方法。
【請求項６】
前記所定のパターン及び前記検査対象パターンの双方が、１つのＬＳＩの露光に使用されるマスクパターン、又は、該マスクパターンを作製するためのレチクルパターンである、請求項５に記載のパターン検査方法。
【請求項７】
前記選択エリアを設定するステップは、前記検査対象パターン又は基準パターンと、前記所定のパターンとが重なる部分及びその近傍を前記選択エリアに設定する、請求項５又は６に記載のパターン検査方法。
【請求項８】
前記検査対象パターン又は基準パターンがゲートパターンであり、前記所定のパターンがフィールドパターンである、請求項５乃至７の何れか一に記載のパターン検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスク等の検査対象を撮像して得られた検査対象データと、予め設定された基準データとを比較して検査対象の欠陥を検出するパターン検査装置及びその方法に関し、特に、高精度の検査が必要なエリアをきめ細かく設定し、かつ擬似欠陥の検出を抑制しつつ、迅速にパターン検査をすることが可能なパターン検査装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マスクやレチクル上のパターン（以下、マスクパターンと呼ぶ）を検査する方法として、マスクパターンを撮像して得られた検査対象データと、ＣＡＤなどに格納されているマスクの電子線直接描画用の設計データとを比較することにより、欠陥を検出する方法が採られている。
【０００３】
ここで、従来のパターン検査装置の一例を図５に示す。
パターン検査装置１１は、検査部１２、変換部１３、比較部１５、欠陥判定部１６、及び、レビュー部１７から構成される。
【０００４】
検査部１２では、検査対象のマスクパターンを撮像し検査対象データを生成し、比較部１５へ送出する。検査対象データは、画素の最小単位であるピクセルからなるデータであり、各ピクセルは撮像したマスクパターンの濃淡に応じて、濃い方から、０から２５５の濃淡レベルにデジタル化されている。
【０００５】
変換部１３は、ＣＡＤ中に格納されている検査対象パターンに対応するレチクルの電子線直接描画用データ（以下、ＥＢデータと呼ぶ）を取り込み、検査対象データと同じデータ形式である基準データに変換し、比較部１５へ送出する。
【０００６】
比較部１５では、検査部１２から送られてきた検査対象データと、変換部１３から送られてきた基準データとを比較し、その差分値を欠陥判定部１６に送出する。ここで言う差分値は、具体的には、レベル差分値と微分差分値とからなり、レベル差分値は、各ピクセルの上述の濃淡レベルの差分値であり、微分差分値は、濃淡レベルをマスク上で所定の方向で微分した差分値である。
【０００７】
欠陥判定部１６では、各差分値に対して、夫々欠陥を検出する上での判断基準となるしきい値が予め設定されている。そして、比較部１５から送られてきた差分値をこのしきい値と比較し、しきい値よりも大きい場合は欠陥として判定し、欠陥の座標情報と欠陥附近のイメージデータとを保存する。
欠陥判定部１６は、所定の検査エリアについて、検出された欠陥の座標情報とイメージデータとをレビュー部１７へ送出する。
【０００８】
レビュー部１７は、欠陥判定部１６から送られてきた、検出された欠陥の座標情報とイメージデータとに基づいて、イメージ画面を表示する。このイメージ画面を目視により参照しながら、欠陥の種別や半導体チップへの影響などについて再度確認を行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、マスクパターンに欠陥があり、その欠陥のサイズそのものは同じであっても、マスクパターン中の欠陥が存在する位置によって、欠陥が半導体チップに及ぼす影響度に差がある。
これにも拘わらず、上述した従来のパターン検査装置及び検査方法では、マスクの所定の検査エリアの全てを、同じしきい値で検査するため、半導体チップへの影響が少ない欠陥（以下、擬似欠陥と呼ぶ）も多く検出してしまうという問題があり、ＴＡＴの長期化等の原因となっていた。
【００１０】
上記問題を解決するために、例えば特開２０００−１４６８５７号公報では、検査するエリア毎にしきい値を変化させて欠陥を検出するパターン検査装置及び検査方法を記載している。
同公報に記載のパターン検査装置の構成を図６に示す。
パターン検査装置５０は、ホストＣＰＵ５９、ディスク６０、設計データ発生回路６１、データ比較回路６２、及び、画像入力装置５２から構成される。
画像入力装置５２は、光源５４、照明光学系５５、ＸＹテーブル５３上に載置されたフォトマスク５１、ＸＹテーブル５３、結像光学系５６、センサ５７、及び、センサ回路５８から構成される。
【００１１】
ディスク６０には、フォトマスク５１の設計データであるＣＡＤデータが格納されており、これをホストＣＰＵ５９が読み出す。読み出されたＣＡＤデータに基づいて、設計データ発生回路６１が設計パターンデータ（基準データ）を発生させ、データ比較回路６２に送出する。
【００１２】
一方、画像入力装置５２では、前記２つの光学系の構成により、センサ５７上にフォトマスク５１の像が結像される。センサ５７は、この像を撮像して、その画像信号をセンサ回路５８に送り、センサ回路５８は、送られた画像信号を、デジタル化し、検査パターンデータ（検査対象データ）としてデータ比較回路６２に送出する。
【００１３】
図７は同装置における判定切替え回路による検出感度をエリアごとに可変する様子を一部拡大しながら示す平面図である。
同装置では、予めフォトマスク５１上の検査エリアＥを検査したい精度に応じて分割し、幾つかの小エリアを設定し、各小エリア毎に欠陥を検出する際のしきい値を設定する。エリアＡ、エリアＢ、及び、エリアＣが小エリアに相当する。そして小エリアの座標情報と各小エリアのしきい値とをデータ比較回路６２中に予め格納しておく。
【００１４】
データ比較回路６２の機能を図８を用いて説明する。データ比較回路６２は、微分比較回路７０及びレベル比較回路７１を備えている。微分比較回路７０では、設計パターンデータがエッジ方向検出回路７２に入力され、エッジ方向検出回路７２は設計パターンデータのパターンのエッジ方向を検出し、エッジ方向を周辺画素エッジ方向微分回路７３及びセレクタ７４に送出する。
【００１５】
周辺画素エッジ方向微分回路７３は、設計パターンデータの画素をエッジ方向検出回路７２によって検出されたエッジ方向と同一方向で微分し、微分された画素の周囲画素の各微分値を求める。これら微分値は、最大値検出回路７５によってその絶対値の最大値が検出されて減算回路７６に送出される。
【００１６】
微分回路７７には検査パターンデータが入力され、検査パターンデータに対して、ＸＹ方向及び±４５度の各方向で微分処理を行い、その微分値の絶対値をセレクタ７４に送出する。セレクタ７４は、微分回路７７から送られてくる各微分値のうち、エッジ方向検出回路７２により検出されたエッジ方向と同一方向で微分した微分値を選択して減算回路７６に送出する。
【００１７】
減算回路７６は、セレクタ７４により選択された微分値から最大値検出回路７５により検出された微分値を差し引いて判定回路７８に送出する。
【００１８】
判定回路７８では、予め設定されている微分比較用欠陥判定しきい値を用いて、減算回路７６から送られてきた微分値を判定して欠陥部を検出する。検出された欠陥部は、オアゲート７９を通して欠陥データとして出力される。
【００１９】
一方、レベル比較回路７１には、検査パターンデータ及び設計パターンデータが入力され、検査パターンデータから設計パターンデータを差し引いた値、つまりこれらのデータ間のレベル差を求めて判定回路８０に送出する。
【００２０】
判定回路８０では、予め設定されているレベル比較用欠陥判定しきい値を用いて、レベル比較回路７１から送られてきたレベル差を判定して欠陥部を検出する。判定回路７８及び判定回路８０で検出された欠陥部は、オアゲート７９を通して欠陥データとして出力される。
【００２１】
同公報の方法では上述のように、検査の最初のステップとして、フォトマスク５１上の検査エリアＥを検査したい精度に応じて分割し、幾つかの小エリアを設定する構成を有する。しかし、このようにエリアを設定する処理では、高精度の検査が必要なエリアをきめ細かく設定することは困難であるという問題があった。
【００２２】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、高精度の検査が必要なエリアをきめ細かく設定し、かつ擬似欠陥の検出を抑制しつつ、迅速にパターン検査をすることが可能なパターン検査装置及びその方法を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するために、本発明者は、ウエハ上の半導体チップのパターンは、複数のマスクパターンを組み合せて、複数回の露光及びエッチング処理を経て形成されるが、高精度の検査が要求されるエリアは、この同じ半導体チップの作製に用いれられる複数のマスクパターンの重なり部分であることが多いことに着目し、本発明を完成するに到った。
【００２４】
即ち、上記目的を達成するために、本発明に係るパターン検査装置は、検査対象パターンを撮像して得られた検査対象データと、予め設定された基準パターンを有する基準データとを比較し、検査対象パターンの欠陥を検出するパターン検査装置において、
前記検査対象パターン又は基準パターンの何れかと、所定のパターンとに基づいて選択エリアを設定する選択エリア設定手段と、
前記選択エリアと該選択エリア以外の非選択エリアとでは、互いに異なるしきい値を設定するしきい値設定手段と、
前記検査対象データと前記基準データとの差が、前記選択エリア及び非選択エリアの夫々において前記しきい値設定手段で設定されたしきい値よりも大きいと、前記検査対象パターンの欠陥と判定する欠陥判定部とを備えることを特徴とする。
【００２５】
検査対象パターン又は基準パターンの何れかと、所定のパターンとに基づいて高精度の検査を行う選択エリアを設定することにより、選択エリアとしてきめ細かなエリアを設定することができ、検査対象パターンの擬似欠陥の検出を抑制しつつ、迅速にパターン検査をすることができる。
【００２６】
本発明の好適な実施態様では、前記所定のパターン及び前記検査対象パターンの双方が、１つのＬＳＩの露光に使用されるマスクパターン、又は、該マスクパターンを作製するためのレチクルパターンである。
この場合、選択エリアの設定において、ＬＳＩの動作上で実際に高精度の検査が必要なエリアに限定できるので、迅速な検査が可能となる。
【００２７】
本発明の好適な実施態様では、前記選択エリア設定手段は、前記検査対象パターン又は基準パターンと、前記所定のパターンとが重なる部分及びその近傍を前記選択エリアに設定する。
双方のマスクのアライメントにおいては、双方のパターンが重なる部分及びその近傍で高精度の検査が要求されることから、検査対象パターン又は基準パターンと、所定のパターンとが重なる部分及びその近傍を前記選択エリアに設定することにより、選択エリアとしてきめ細かなエリアを自動的に設定することができる。
【００２８】
また、本発明に係るパターン検査方法は、検査対象パターンを撮像して得られた検査対象データと、予め設定された基準パターンを有する基準データとを比較し、検査対象パターンの欠陥を検出するパターン検査方法において、
前記検査対象パターン又は基準パターンの何れかと、所定のパターンとに基づいて選択エリアを設定するステップと、
前記選択エリアと該選択エリア以外の非選択エリアとでは、互いに異なるしきい値を設定するステップと、
前記検査対象データと前記基準データとの差が、前記選択エリア及び非選択エリアの夫々において前記しきい値設定ステップで設定されたしきい値よりも大きいと、前記検査対象パターンの欠陥と判定するステップとを備えることを特徴とする。
上記本発明のパターン検査装置が奏する効果と同様な効果が得られる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に、実施形態例を挙げ、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
実施形態例
本実施形態例は、本発明に係るパターン検査装置及びその方法の実施形態例であって、図１は本実施形態例のパターン検査装置のブロック図である。
本実施形態例のマスクパターン検査装置１０は、検査部１２、変換部１３、データレンダリング部１４、比較部１５、欠陥判定部１６、及び、レビュー部１７から構成される。
【００３０】
検査部１２は、検査対象パターンとなるマスクパターン又は該マスクパターンを作製するためのレチクルパターンを撮像し、検査対象データを生成して、比較部１５へ送出する。検査対象データは、画素の最小単位であるピクセルからなるデータであり、各ピクセルは撮像したマスクパターンの濃淡に応じて、濃い方から、０から２５５の濃淡レベルにデジタル化されている。
【００３１】
ここで、検査部１２の構成を説明する。検査部１２は、図４に示すように、レーザ散乱光を利用したマスク表面自動検査装置であり、レーザ発振器３０、透過反射鏡３１、ビーム透過光受光系３２、反射光受光系３３、及び、モニタ光受光系３４から構成されている。
【００３２】
レーザ発振器３０は、例えば、Ａｒレーザである。
ビーム透過光受光系３２は、対物レンズ３５、ＸＹステージ３６及びＸＹステージ３６上に保持されたマスクＭ、コレクタレンズ３７、集光レンズ３８ａ、ビーム透過光受光素子３９から構成されており、反射光受光系３３は、反射鏡４０、集光レンズ３８ｂ、反射光受光素子４１から構成されており、モニタ光受光系３４は、集光レンズ３８ｃ、モニタ光受光素子４２から構成されている。
【００３３】
レーザ発振器３０から発振されたビーム光は、透過反射鏡３１で直角に反射され、対物レンズ３５を通して光径が絞られた後、マスクＭに垂直に入射される。マスクＭを通過した透過光は、コレクタレンズ３７、集光レンズ３８ａを通して、ビーム透過光受光素子３９で計測される。
また、マスクＭでの反射光は、対物レンズ３５と透過反射鏡３１を通過した後、マスクＭの上方に設置されている反射鏡４０で反射され、集光レンズ３８ｂを通して、反射光受光素子４１で計測される。
更に、透過反射鏡２６を透過してきたビーム光は、集光レンズ３８ｃを通過した後、モニタ用光としてモニタ受光素子４２で計測される。
【００３４】
マスクＭに対して入射されるビーム光は単点ビームであり、マスクＭ上をスキャンすることにより、マスク表面の様子を知ることができる。スキャン方式には、例えば、マスクが保持されているＸＹステージをＸ方向に移動しながら、レーザ光を透過反射鏡２６を使用してＹ方向にスキャンし、マスク全面のスキャンを行うラダースキャン方式がある。
【００３５】
ビーム透過光受光素子３９で計測されたマスク上の各位置のビーム強度は、モニタ光受光素子４２で計測されたビーム強度で除された後規格化され、ピクセル毎にデジタル化される。
また、反射光受光素子４１で計測された強度も、マスクＭの欠陥を検出するためのデータとして、レビュー部１７で参酌される。
【００３６】
変換部１３は、図１に示すように、まず検査対象パターンに対応するＥＢデータ及び選択エリアデータを取り込み、夫々、検査対象データと同じデータ形式である基準データ及び選択エリア基準データに変換する。次いで選択エリア基準データを用いて、基準データに選択エリアを設定し、データレンダリング部１４に送出する。
【００３７】
選択エリア及び選択エリアデータは以下のように作成される。
図２（ａ）は、半導体チップ中のゲートを形成するゲートエリア２０のマスクパターンを示す平面図であり、図２（ｂ）は、半導体チップ中のフィールド酸化膜を形成するフィールドエリア２１のマスクパターンを示す平面図であり、図２（ｃ）は、半導体チップ中のコンタクトプラグを形成するコンタクトエリア２２を示す平面図である。ウエハ上の半導体チップのパターンは、図２（ａ）から（ｃ）のマスクパターンを組み合せ、複数回の露光及びエッチング処理を経て形成される。
【００３８】
図２（ａ）から（ｃ）のマスクパターンで、高精度の検査が必要なエリアは、図２（ａ）中及び（ｂ）中に示す拡散層エリア２３とその近傍である。
拡散層エリア２３は、図２（ａ）に示すゲートエリア２０と、図２（ｂ）に示すフィールドエリア２１の重なりとして表すことができる。よって、ＣＡＤ中に格納されているゲートエリア２０のマスクパターンとフィールドエリア２１のマスクパターンとを、重ね合せることにより、図３（ａ）に示すように、拡散層エリア２３のパターンを容易、かつ迅速に得ることができる。
【００３９】
図３（ｂ）は、選択エリアの設定結果を示す平面図である。
図３（ａ）に示すように、拡散層エリア２３とその近傍を含む領域を選択し、これを図３（ｂ）に示す選択エリア２４として設定する。
この選択エリア２４の情報を有するデータが選択エリアデータである。
尚、上記複数のマスクパターンをＣＡＤ中で重ね合せたが、ＣＡＤ中であることに限定されない。
選択エリア２４の拡散層エリア２３近傍の領域は、拡散層エリア２３の境界附近で想定している欠陥が収まる広さであればよい。
【００４０】
図１に戻り、データレンダリング部１４は、変換部１３から送られてきた選択エリアが設定された基準データを保持し、検査部１１で検査を行っている位置を確認しつつ、検査位置の基準データを比較部１５に順次送出する。
【００４１】
比較部１５は、検査部１２から送られてきた検査対象データと、データレンダリング部１４から送られてきた基準データとを比較し、その差分値を欠陥判定部１６へ送出する。
ここで言う差分値は、具体的には、レベル差分値、微分差分値及び／又はエッジの位置誤差からなり、レベル差分値は、各ピクセルの上述の濃淡レベルの差分値であり、微分差分値は、濃淡レベルをマスク上で所定の方向で微分した差分値であり、エッジの位置誤差とは、微分値が最も変化する位置の誤差である。
尚、微分差分値は、実用上は、マスクパターンのエッジ方向に対して、ＸＹ方向及び±４５度の各方向で考える。
【００４２】
欠陥判定部１６では、各差分値に対して、選択エリアと非選択エリアの各エリア毎に欠陥を検出したい精度に応じて、夫々欠陥を検出する上での判断基準となるしきい値が予め設定されている。
そして、比較部１５から送られてきた差分値を取込み、また所定のアルゴリズムに従い検査位置のエリアに対応するしきい値を読み出し、差分値をこのしきい値と比較して、しきい値よりも大きい場合は欠陥として判定、検出し、欠陥の座標情報と欠陥附近のイメージデータとを保存する。
欠陥判定部１６は、所定の検査エリアＥについて検出された欠陥の座標情報とイメージデータとをレビュー部１７へ送出する。
【００４３】
レビュー部１７は、欠陥判定部１６から送られてきた、検出された欠陥の座標情報とイメージデータとに基づいて、イメージ画面を表示する。このイメージ画面を目視により参照しながら、欠陥の種別や半導体チップへの影響などについて再度確認を行う。
【００４４】
本実施形態例によれば、前記公報に記載の方法と比較して、複数のマスクパターンを重ね合せ、高精度の検査が必要なエリアをその重なり部分及びその近傍からなるきめ細かな選択エリアとして容易、かつ迅速に設定することが可能である。
また、本実施形態例では、ゲートパターンとフィールドパターンとが重なる１種類の選択エリアを考えたが、夫々異なった精度が要求される複数の選択エリアを設定することも可能である。
【００４５】
本実施形態例の欠陥判定方法によれば、検査対象データと基準データとをピクセル毎に比較し、それらのレベル差分値、微分差分値及び／又はエッジの位置誤差を、それぞれ、予め設定してあるしきい値と大小を比較することにより欠陥を判定、検出することができる。
また、本実施形態例によれば、変換部１２で基準データに選択エリアを設定し、欠陥判定部１６でアルゴリズムを用いて、各エリアの検査精度に応じた所定のしきい値を読み出し、欠陥の判定、検出を行うことにより、擬似欠陥の検出を抑制しつつ、かつ迅速なパターン検査が可能である。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、複数のマスクパターンを重ね合せ、高精度の検査が必要なエリアをその重なり部分及びその近傍からなるきめ細かな選択エリアとして容易、かつ迅速に設定することが可能である。
また、本発明によれば、変換部で基準データに選択エリアを設定し、欠陥判定部でアルゴリズムを用いて、各エリアの検査精度に応じた所定のしきい値を読み出し、欠陥の判定、検出を行うことにより、擬似欠陥の検出を抑制しつつ、かつ迅速なパターン検査をすることが可能である。
更には、選択エリアを容易、かつ迅速に設定し、かつ擬似欠陥の検出を抑制し、迅速な検査をすることにより、マスクパターンの検査時間が短縮され、製品の短ＴＡＴ化につながる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本実施形態例に係るパターン検査装置を示すブロック図である。
【図２】図２（ａ）から（ｃ）は本実施形態例に係るマスクパターンを示す平面図である。
【図３】図３（ａ）は本実施形態例に係る選択エリアの設定方法を示す平面図であり、図３（ｂ）は本実施形態例に係る選択エリアの設定結果を示す平面図である。
【図４】図４はパターン検査装置の実施形態例に係る検査部（検査装置）を示す模式図である。
【図５】図５はパターン検査装置の従来技術に係るブロック図である。
【図６】図６は特開２０００−１４６８５７号公報に開示のパターン欠陥検査装置を示す構成図である。
【図７】図７は同装置における判定切替え回路による検出感度をエリアごとに可変する様子を一部拡大しながら示す平面図である。
【図８】図８は、前記公報のパターン欠陥検査装置における判定切替え回路を備えたデータ比較回路を示す構成図である。
【符号の説明】
１０……実施形態例のパターン検査装置
１１……従来技術のパターン検査装置
１２……検査部
１３……変換部
１４……データレンダリング部
１５……比較部
１６……欠陥判定部
１７……レビュー部
２０……ゲートエリア
２１……フィールドエリア
２２……コンタクトエリア
２３……拡散層エリア
２４……（設定された）選択エリア
３０……レーザ発振器
３１……透過反射鏡
３２……ビーム透過光受光系
３３……反射光受光系
３４……モニタ光受光系
３５……対物レンズ
３６……ＸＹステージ
３７……コレクタレンズ
３８ａ、３８ｂ、３８ｃ……集光レンズ
３９……ビーム透過光受光素子
４０……反射鏡
４１……反射光受光素子
４２……モニタ光受光素子
５０……特開２０００−１４６８５７号公報に開示のパターン欠陥検査装置
５１……フォトマスク
５２……画像入力装置
５３……ＸＹテーブル
５４……光源
５５……照明光学系
５６……結像光学系
５７……センサ
５８……センサ回路
５９……ホストＣＰＵ
６０……ディスク
６１……設計データ発生回路
６２……データ比較回路
７０……微分比較回路
７１……レベル比較回路（差演算）
７２……エッジ方向検出回路
７３……周辺画素エッジ方向微分回路
７４……セレクタ
７５……最大値検出回路
７６……減算回路
７７……微分回路（ＸＹ、±４５度）
７８……判定回路
７９……オアゲート
８０……判定回路
Ｅ……検査エリア
Ｍ……マスク（或いはレチクル）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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