(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁芯に一次巻線および二次巻線を巻回した第１トランスおよび第２トランスを備え、前記第１トランスの一方の出力端子を第１ダイオードのアノード側と電気的接続し、前記第１トランスの他方の出力端子を第１コンデンサの一端および前記第２トランスの一方の入力端子と電気的接続し、前記第１ダイオードのカソード側を前記第１コンデンサの他端およびスパークギャップ部の一端と電気的接続し、前記スパークギャップ部の他端を前記第２トランスの他方の入力端子と電気的接続したトランス装置であって、前記磁芯を前記第１トランスおよび前記第２トランスとの間で共有して、第２ダイオードのカソード側を前記第１トランスの一方の出力端子と電気的接続し、前記第２ダイオードのアノード側を前記第１トランスの他方の出力端子と電気的接続したトランス装置。
【請求項２】
第２コンデンサの一端を前記第２トランスの一方の入力端子と電気的接続し、前記第２コンデンサの他端を前記第２トランスの他方の出力端子と電気的接続した請求項１記載のトランス装置。
【請求項３】
第２コンデンサを介して前記第１トランスの他方の出力端子および前記第２ダイオードのアノード側を電気的接続し、第３コンデンサの一端を前記第１トランスの他方の出力端子と電気的接続するとともに、前記第３コンデンサの他端を前記第１ダイオードのカソード側と電気的接続した請求項１記載のトランス装置。
【請求項４】
第４コンデンサの一端を第１コンデンサの一端と電気的接続し、前記第４コンデンサの他端を第２トランスの他方の入力端子と電気的接続した請求項３記載のトランス装置。
【請求項５】
第２コンデンサを介して前記第１トランスの他方の出力端子および前記第２ダイオードのアノード側を電気的接続した請求項１記載のトランス装置。
【請求項６】
前記第２トランスの巻線は、一次巻線を断面円形状の円形銅線とし、二次巻線を金属平板状のエッジワイズ銅線とし、前記二次巻線の外周に前記一次巻線を巻回した請求項１記載のトランス装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種民生機器等に用いるトランス装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以下、従来のトランス装置について図面を参照しながら説明する。
【０００３】
図１５は従来のトランス装置の斜視図、図１６は同トランス装置の回路図、図１７は同トランス装置の特定ポイントにおける特性波形図、図１８は同トランス装置の特定ポイントにおける拡大特性波形図である。
【０００４】
図１５、図１６において、従来のトランス装置は、一定周期の基本電圧を出力する電源部５１と、この電源部５１に接続し、電源部５１の基本電圧を入力するとともに、この基本電圧を電圧変換して第１出力電圧を出力する第１トランス５２と、この第１出力電圧を入力するとともに、この第１出力電圧を電圧変換して第２出力電圧を出力する第２トランス５３とを備え、第２トランス５３の第２出力電圧をプロジェクター等の点灯装置５４に供給している。
【０００５】
また、第１トランス５２は、基本電圧を入力する高電位の第１入力端子５５と低電位の第１入力端子５６と、第１出力電圧を出力する高電位の第１出力端子５７と低電位の第１出力端子５８とを有し、第２トランス５３は、第１出力電圧を入力する高電位の第２入力端子５９と低電位の第２入力端子６０と、第２出力電圧を出力する高電位の第２出力端子６１と低電位の第２出力端子６２とを有しており、それぞれ、貫通孔を有したボビンに巻線を巻回するとともに、貫通孔に磁芯を挿入して形成し、実装基板にそれぞれ１つずつ配置している。
【０００６】
さらに、高電位の第１出力端子５７と第１ダイオード６６のアノード側とを電気的接続し、低電位の第１出力端子５８と第１コンデンサ６９の一端と低電位の第２入力端子６０とを電気的接続し、第１ダイオード６６のカソード側と３ｋＶのスパークギャップ部８０の一端と第１コンデンサ６９の他端とを電気的接続し、スパークギャップ部８０の他端と高電位の第２入力端子５９とを電気的に接続している。
【０００７】
このとき、トランス装置の回路の各（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）のポイントにおける特性波形図は図１７、図１８に示すようになる。ポイント（ａ）は電源部５１の内部に配置したコンデンサの両端電圧の波形を示し、ポイント（ｂ）は第１トランス５２の出力電圧の波形を示し、ポイント（ｃ）はスパークギャップ部８０の入力電圧の波形を示し、ポイント（ｄ）は第２トランス５３から出力された点灯装置５４の起動電圧の波形を示し、それぞれのポイントは図１６における（ａ）〜（ｄ）に対応しており、特に、図１７の（Ａ）の部分を拡大した波形を図１８に示している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、プロジェクター等の点灯装置では、第２トランス５３の出力電圧が２０ｋＶ程度であり、１つのトランスで、商用電源電圧等を電圧変換すると、種々の問題が生じるために、通常は第１トランス５２および第２トランス５３の２つのトランスを用いて電圧変換をする。
【０００９】
上記従来の構成では、トランス装置の回路の（ｂ）のポイントにおいて、電圧パルス波の負極側の振幅が大きくなるので、第１トランス５２の形状を大きくして、第１トランス５２の耐絶縁性を向上していた。
【００１０】
そのために、第１トランス５２の形状の小型化を図れないとともに、トランス装置全体の小型化も図れないという問題点を有していた。
【００１１】
本発明は上記問題点を解決するもので、耐絶縁性を向上しつつ、第１トランスの形状を小型化して、トランス装置全体の小型化を図ることのできるトランス装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために本発明の請求項１記載の発明は、特に、磁芯を第１トランスおよび第２トランスとの間で共有して、第２ダイオードのカソード側を前記第１トランスの一方の出力端子と電気的接続し、前記第２ダイオードのアノード側を前記第１トランスの他方の出力端子と電気的接続した構成である。
【００１３】
上記構成により、磁芯を第１トランスおよび第２トランスとの間で共有しているので、第１トランスおよび第２トランスを各々個別に形成する必要がなく、実装基板等への実装面積も減少し、トランス装置全体として小型化を図ることができる。
【００１４】
また、第２ダイオードのカソード側を第１トランスの一方の出力端子と電気的接続し、第２ダイオードのアノード側を前記第１トランスの他方の出力端子と電気的接続しているので、第１トランスの出力電圧の負極側のパルス波の振幅を抑制でき、正負極間におけるパルス波の振幅を抑制して、耐絶縁性をより向上するとともに、小型化を図ることができる。
【００１５】
本発明の請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、特に、第２コンデンサの一端を前記第２トランスの一方の入力端子と電気的接続し、前記第２コンデンサの他端を前記第２トランスの他方の出力端子と電気的接続した構成である。
【００１６】
上記構成により、第２トランスの出力電圧における単位時間あたりの出力時間が長くなり、一定電圧以上の出力電圧を長く持続できるので、トランス装置による出力電圧を点灯装置等に供給する場合は、点灯装置等の再起動性を向上することができる。
【００１７】
また、第１トランスの出力電圧の正負極側のパルス波の振幅を抑制でき、正負極間におけるパルス波の振幅をより抑制して、耐絶縁性を一層向上するとともに、小型化を図ることができる。
【００１８】
本発明の請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、特に、第２コンデンサを介して前記第１トランスの他方の出力端子および前記第２ダイオードのアノード側を電気的接続し、第３コンデンサの一端を前記第１トランスの他方の出力端子と電気的接続するとともに、前記第３コンデンサの他端を前記第１ダイオードのカソード側と電気的接続した構成である。
【００１９】
上記構成により、第１トランスの出力電圧の負極側のパルス波の振幅を抑制でき、正負極間におけるパルス波の振幅を抑制して、耐絶縁性をより向上するとともに、小型化を図ることができる。
【００２０】
本発明の請求項４記載の発明は、請求項３記載の発明において、特に、第４コンデンサの一端を第１コンデンサの一端と電気的接続し、前記第４コンデンサの他端を第２トランスの他方の入力端子と電気的接続した構成である。
【００２１】
上記構成により、第２トランスの出力電圧における単位時間あたりの出力時間が長くなり、一定電圧以上の出力電圧を長く持続できるので、トランス装置による出力電圧を点灯装置等に供給する場合は、点灯装置等の再起動性を向上することができる。
【００２２】
本発明の請求項５記載の発明は、請求項１記載の発明において、特に、第２コンデンサを介して前記第１トランスの他方の出力端子および前記第２ダイオードのアノード側を電気的接続した構成である。
【００２３】
上記構成により、第１トランスの出力電圧の負極側のパルス波の振幅を抑制でき、正負極間におけるパルス波の振幅を抑制して、耐絶縁性をより向上するとともに、小型化を図ることができる。
【００２４】
本発明の請求項６記載の発明は、請求項１記載の発明において、特に、前記第２トランスの巻線は、一次巻線を断面円形状の円形銅線とし、二次巻線を金属平板状のエッジワイズ銅線とし、前記二次巻線の外周に前記一次巻線を巻回した構成である。
【００２５】
上記構成により、第２トランスの二次巻線の占積率を大きくでき、小型化を図ることができるとともに、第２トランスの一次巻線を二次巻線の外周に巻回しているので、磁芯から一次巻線までの距離を略均等にすることができ、漏れ磁束を減少し結合度を向上することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１において、請求項１、請求項２、請求項６記載の発明について、図面を参照しながら説明する。
【００２７】
図１は本発明の実施の形態１におけるトランス装置の第１トランスおよび第２トランスの正面断面図、図２は同トランス装置の斜視図、図３は同トランス装置の回路図、図４は同トランス装置の特定ポイントにおける特性波形図、図５は同トランス装置の特定ポイントにおける拡大特性波形図である。
【００２８】
図１〜図５において、本発明の実施の形態１におけるトランス装置は、一定周期の基本電圧を出力する電源部１と、この電源部１に接続し、電源部１の基本電圧を入力するとともに、この基本電圧を電圧変換して第１出力電圧を出力する第１トランス２と、第１出力電圧を入力するとともに、この第１出力電圧を電圧変換して第２出力電圧を出力する第２トランス３とを備え、第２トランス３の第２出力電圧をプロジェクター等の点灯装置４に供給している。
【００２９】
また、第１トランス２は、基本電圧を入力する高電位の第１入力端子５と低電位の第１入力端子６と、第１出力電圧を出力する高電位の第１出力端子７と低電位の第１出力端子８とを有し、第２トランス３は、第１出力電圧を入力する高電位の第２入力端子１２と低電位の第２入力端子１１と、第２出力電圧を出力する高電位の第２出力端子１０と低電位の第２出力端子９とを有している。
【００３０】
さらに、第１トランス２および第２トランス３には巻線を巻回したボビン１４に挿入する磁芯１５を設けるとともに、この磁芯１５を第１トランス２および第２トランス３との間で共有して、第１トランス２および第２トランス３とを互いに磁気結合させるとともに、第１トランス２および第２トランス３の内、一方が機能中には他方を機能停止中にする制御回路手段を設けている。機能中とは、第１トランス２においては、第１入力電圧を入力し、電圧変換して第１出力電圧を出力している状態のことであり、第２トランス３においては、第２入力電圧を入力し、電圧変換して第２出力電圧を出力している状態のことであり、また機能停止中とは、第１トランス２においては、第１入力電圧を入力していない状態のことであり、第２トランス３においては、第２入力電圧を入力していない状態のことである。
【００３１】
この制御回路手段は、高電位の第１出力端子７と第１ダイオード１６のアノード側と第２ダイオード１７のカソード側とを電気的接続し、低電位の第１出力端子８と第２ダイオード１７のアノード側と第１コンデンサ１９の一端と低電位の第２入力端子１１とを電気的接続し、第１ダイオード１６のカソード側と３ｋＶのスパーク電圧のスパークギャップ部２０の一端と第１コンデンサ１９の他端とを電気的接続し、スパークギャップ部２０の他端と高電位の第２入力端子１２とを電気的接続した手段である。
【００３２】
また、第１トランス２は、高電位の第１入力端子５と低電位の第１入力端子６に接続された一次巻線２１と、高電位の第１出力端子７と低電位の第１出力端子８に接続された二次巻線２２とをボビン１４に巻回し、第２トランス３は、高電位の第２入力端子１２と低電位の第２入力端子１１に接続された一次巻線２３と、高電位の第２出力端子１０と低電位の第２出力端子９に接続された二次巻線２４とを第１トランス２と共有するボビン１４に巻回して、このボビン１４の貫通孔２５に磁芯１５も共有するように挿入している。
【００３３】
そして、第１トランス２の一次巻線２１および二次巻線２２および第２トランス３の一次巻線２３は、断面円形状の円形銅線を用い、第２トランス３の二次巻線２４は、絶縁被膜付の金属平板状のエッジワイズ銅線を用いて、第１トランス２の一次巻線２１と二次巻線２２とを隣接するようにボビン１４の同軸上に巻回し、第２トランス３の一次巻線２３を二次巻線２４の外周に巻回し、第１トランス２および第２トランス３とを一体化して実装基板に実装している。
【００３４】
このとき、トランス装置の回路の各（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）のポイントにおける特性波形図は図４、図５に示すようになる。ポイント（ａ）は電源部１の内部に配置したコンデンサの両端電圧の波形を示し、ポイント（ｂ）は第１トランス２の出力電圧の波形を示し、ポイント（ｃ）はスパークギャップ部２０の入力電圧の波形を示し、ポイント（ｄ）は第２トランス３から出力された点灯装置４の起動電圧の波形を示し、それぞれ図４における（ａ）〜（ｄ）に対応しており、特に、（Ａ）の部分を拡大した波形を図５に示している。
【００３５】
上記構成のトランス装置について、以下その機能を説明する。
【００３６】
上記構成により、磁芯１５を第１トランス２および第２トランス３との間で共有しているので第１トランス２および第２トランス３を各々個別に形成する必要がなく、実装基板等への実装面積も減少し、トランス装置全体として小型化を図れるとともに、第１トランス２および第２トランス３とを互いに磁気結合させるとともに、第１トランス２および第２トランス３の内、一方が機能中には他方を機能停止中にする制御回路手段を設けているので、第１トランス２および第２トランス３間で影響が生じにくく、耐絶縁性を向上することもできる。
【００３７】
また、制御回路手段は、高電位の第１出力端子７と第１ダイオード１６のアノード側と第２ダイオード１７のカソード側とを電気的接続し、低電位の第１出力端子８と第２ダイオード１７のアノード側と第１コンデンサ１９の一端と低電位の第２入力端子１１とを電気的接続し、第１ダイオード１６のカソード側とスパークギャップ部２０の一端と第１コンデンサ１９の他端とを電気的接続し、スパークギャップ部２０の他端と高電位の第２入力端子１２とを電気的に接続しているので、第１トランス２の出力電圧の負極側のパルス波の振幅を抑制でき、正負極間におけるパルス波の振幅を抑制して、耐絶縁性をより向上するとともに、小型化を図ることができる。
【００３８】
さらに、第２トランス３の巻線は、一次巻線２３を断面円形状の円形銅線とし、二次巻線２４を金属平板状のエッジワイズ銅線とし、ボビン１４に巻回した二次巻線２４の外周に一次巻線２３を巻回しているので、第２トランス３の二次巻線２４の占積率を大きくでき、小型化を図ることができるとともに、第２トランス３の一次巻線２３を二次巻線２４の外周に巻回しているので、磁芯１５から一次巻線２３までの距離を略均等にすることができ、漏れ磁束を減少し結合度を向上することができる。
【００３９】
通常、第２トランス３の二次巻線２４には、三層絶縁被膜銅線等を用いることもあるが、この場合だと、エッジワイズ銅線に比べて占積率が小さくなるので、巻回数を多くしてボビン１４に複数層に渡って巻回したりする必要が生じる。よって、この二次巻線２４の外周に巻回する一次巻線２３も、層の異なる部分において、磁芯１５からの距離が不均等になったり、磁芯１５からの距離が遠ざかったりして、一次巻線２３と二次巻線２４との間で結合度を低下させる恐れもある。しかし、エッジワイズ銅線を用いれば、これを回避できる。特に、低抵抗化についても有利である。
【００４０】
このように本発明の実施の形態１によれば、トランス装置全体として小型化を図れるとともに、第１トランス２および第２トランス３間で影響が生じにくく、耐絶縁性を向上することもできる。
【００４１】
また、第１トランス２の出力電圧の負極側のパルス波の振幅を抑制でき、正負極間におけるパルス波の振幅をより抑制して、耐絶縁性を一層向上するとともに、小型化を図ることができる。
【００４２】
さらに、第２トランス３の漏れ磁束を減少し結合度を向上することもできる。
【００４３】
なお、実施の形態１において、図６に示すように、第２ダイオード１７のアノード側とコンデンサ１９の一端と低電位の第２入力端子１１とに、第２コンデンサ２６の一端を電気的接続するとともに、高電位の第２入力端子１２とスパークギャップ部２０の他端とに、第２コンデンサ２６の他端を電気的接続すれば、図７に示すように、第２トランス３の出力電圧（点灯装置４の起動電圧）における単位時間あたりの出力時間（ｔ２）が図５の（ｄ）に示す出力時間（ｔ１）よりも長くなり、点灯装置４を起動させる最低起動電圧値（ｘ）を長く持続でき、トランス装置の再機能性を向上することができる。特に、プロジェクター等の点灯装置では、再点灯性が良好になる。
【００４４】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２において、請求項１、請求項３、請求項４、請求項６記載の発明について、図面を参照しながら説明する。
【００４５】
図８は本発明の実施の形態２におけるトランス装置の回路図、図９は同トランス装置の特定ポイントにおける特性波形図、図１０は同トランス装置の特定ポイントにおける拡大特性波形図である。
【００４６】
図８〜図１０において、本発明の実施の形態２におけるトランス装置は、本発明の実施の形態１におけるトランス装置の制御回路手段を改良したものである。
【００４７】
本発明の実施の形態２におけるトランス装置は、実施の形態１における制御回路手段を、高電位の第１出力端子７と第１ダイオード１６のアノード側と第２ダイオード１７のカソード側とを電気的接続し、低電位の第１出力端子８と第３コンデンサ３１の一端と第２コンデンサ３０の一端とを電気的接続し、第１ダイオード１６のカソード側と第１コンデンサ１９の他端と第３コンデンサ３１の他端とスパークギャップ部２０の一端とを電気的接続し、低電位の第２入力端子１１と第２ダイオード１７のアノード側と第２コンデンサ３０の他端とを電気的接続し、高電位の第２入力端子１２とスパークギャップ部２０の他端とを電気的接続した手段としたものである。
【００４８】
このとき、トランス装置の回路の各（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）のポイントにおける特性波形図は図９、図１０に示すようになる。
【００４９】
上記構成のトランス装置について、以下その機能を説明する。
【００５０】
上記構成により、第１トランス２の出力電圧の正負極側のパルス波の振幅を抑制でき、正負極間におけるパルス波の振幅をより抑制し、耐絶縁性を一層向上するとともに、小型化を図ることができる。
【００５１】
このように本発明の実施の形態２によれば、耐絶縁性を一層向上するとともに、小型化を図ることができる。
【００５２】
なお、実施の形態１において、図１１に示すように、第２ダイオード１７のアノード側と低電位の第２入力端子１１とに、第４コンデンサ３２の一端を電気的接続するとともに、高電位の第２入力端子１２とスパークギャップ部２０の他端とに、第４コンデンサ３２の他端を電気的接続すれば、図１２に示すように、第２トランス３の出力電圧（点灯装置４の起動電圧）における単位時間あたりの出力時間（ｔ２）が図１０の（ｄ）に示す出力時間（ｔ１）よりも長くなり、点灯装置４を起動させる最低起動電圧値（ｘ）を長く持続でき、トランス装置の再機能性を向上することができる。特に、プロジェクター等の点灯装置では、再点灯性が良好になる。
【００５３】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３について、図面を参照しながら説明する。
【００５４】
図１３は本発明の実施の形態３におけるトランス装置の回路図である。
【００５５】
図１３において、本発明の実施の形態３におけるトランス装置は、本発明の実施の形態１におけるトランス装置の制御回路手段を改良したものである。
【００５６】
本発明の実施の形態３におけるトランス装置は、実施の形態１における制御回路手段を、高電位の第１出力端子７と第１ダイオード１６のアノード側と第２ダイオード１７のカソード側とを電気的接続し、低電位の第１出力端子８と第１コンデンサ３３の一端とを電気的接続し、第１ダイオード１６のカソード側と第１コンデンサ３３の他端と第２コンデンサ３４の一端とスパークギャップ部２０の一端とを電気的接続し、低電位の第２入力端子１１と第２ダイオード１７のアノード側と第２コンデンサ３４の他端とを電気的接続し、高電位の第２入力端子１２とスパークギャップ部２０の他端とを電気的接続した手段としたものである。
【００５７】
上記構成によれば、実施の形態１と同様な効果を得ることができる。
【００５８】
また、第２ダイオード１７のアノード側と低電位の第２入力端子１１と第２コンデンサ３４の他端とに、第３コンデンサの一端を電気的接続するとともに、高電位の第２入力端子１２とスパークギャップ部２０の他端とに、第３コンデンサの他端を電気的接続してもよい。
【００５９】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４において、請求項１、請求項５記載の発明について、図面を参照しながら説明する。
【００６０】
図１４は本発明の実施の形態４におけるトランス装置の回路図である。
【００６１】
図１４において、本発明の実施の形態４におけるトランス装置は、本発明の実施の形態１におけるトランス装置の制御回路手段を改良したものである。
【００６２】
本発明の実施の形態４におけるトランス装置は、実施の形態１における制御回路手段を、高電位の第１出力端子７と第１ダイオード１６のアノード側と第２ダイオード１７のカソード側とを電気的接続し、低電位の第１出力端子８と第２コンデンサ３６の一端とを電気的接続し、第１ダイオード１６のカソード側と第１コンデンサ３７の一端とスパークギャップ部２０の一端とを電気的接続し、低電位の第２入力端子１１と第２ダイオード１７のアノード側と第２コンデンサ３６の他端と第１コンデンサ３７の他端とを電気的接続し、高電位の第２入力端子１２とスパークギャップ部２０の他端とを電気的接続した手段としたものである。
【００６３】
上記構成によれば、実施の形態１と同様な効果を得ることができる。
【００６４】
また、第２ダイオード１７のアノード側と低電位の第２入力端子１１と第２コンデンサ３６の他端と第１コンデンサ３７の他端とに、第３コンデンサの一端を電気的接続するとともに、高電位の第２入力端子１２とスパークギャップ部２０の他端とに、第３コンデンサの他端を電気的接続してもよい。
【００６５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、磁芯を第１トランスおよび第２トランスとの間で共有しているので、第１トランスおよび第２トランスを各々個別に形成する必要がなく、実装基板等への実装面積も減少し、トランス装置全体として小型化を図ることができる。また、第２ダイオードのカソード側を第１トランスの一方の出力端子と電気的接続し、第２ダイオードのアノード側を前記第１トランスの他方の出力端子と電気的接続しているので、第１トランスの出力電圧の負極側のパルス波の振幅を抑制でき、正負極間におけるパルス波の振幅を抑制して、耐絶縁性をより向上するとともに、小型化を図ることができる。
【００６６】
この結果、耐絶縁性を向上しつつ、第１トランスの形状を小型化して、トランス装置全体の小型化を図ることのできるトランス装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１におけるトランス装置の第１トランスおよび第２トランスの正面断面図
【図２】  同トランス装置の斜視図
【図３】  同トランス装置の回路図
【図４】  （ａ）〜（ｄ）はそれぞれ同トランス装置の特定ポイントにおける特性波形図
【図５】  （ａ）〜（ｄ）はそれぞれ同トランス装置の特定ポイントにおける拡大特性波形図
【図６】  他のトランス装置の回路図
【図７】  同トランス装置の特定ポイントにおける拡大特性波形図
【図８】  本発明の実施の形態２におけるトランス装置の回路図
【図９】  （ａ）〜（ｄ）はそれぞれ同トランス装置の特定ポイントにおける特性波形図
【図１０】  （ａ）〜（ｄ）はそれぞれ同トランス装置の特定ポイントにおける拡大特性波形図
【図１１】  他のトランス装置の回路図
【図１２】  同トランス装置の特定ポイントにおける特性波形図
【図１３】  本発明の実施の形態３におけるトランス装置の回路図
【図１４】  本発明の実施の形態４におけるトランス装置の回路図
【図１５】  従来のトランス装置の斜視図
【図１６】  同トランス装置の回路図
【図１７】  （ａ）〜（ｄ）はそれぞれ同トランス装置の特定ポイントにおける特性波形図
【図１８】  （ａ）〜（ｄ）は同特性波形図
【符号の説明】
１  電源部
２  第１トランス
３  第２トランス
４  点灯装置
５  高電位の第１入力端子
６  低電位の第１入力端子
７  高電位の第１出力端子
８  低電位の第１出力端子
９  低電位の第２出力端子
１０  高電位の第２出力端子
１１  低電位の第２入力端子
１２  高電位の第２入力端子
１４  ボビン
１５  磁芯
１６  第１ダイオード
１７  第２ダイオード
１９  第１コンデンサ
２０  スパークギャップ部
２１  一次巻線
２２  二次巻線
２３  一次巻線
２４  二次巻線
２５  貫通孔
２６  第２コンデンサ
３０  第２コンデンサ
３１  第３コンデンサ
３２  第４コンデンサ
３３  第１コンデンサ
３４  第２コンデンサ
３６  第２コンデンサ
３７  第１コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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