(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドに用いられる基板ユニットであって、
基板の表面部に形成されて熱エネルギーを発生するための電気熱変換素子と、
該電気熱変換素子に導通するように前記基板の表面部に形成される一対の電極配線と、
前記基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う第１保護層と、
該第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子および該電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを具え、
前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、
前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みが２６００〜３４００Åの範囲にあり、
前記第１保護層は、前記第２保護層によって覆われていない膜厚が均一な部分を有し、
前記第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みは、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄いことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板ユニット。
【請求項２】
前記一対の電極配線の厚みが好ましくは２０００〜２２００Åの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板ユニット。
【請求項３】
前記第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みと、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みとの差は、２００Å以内であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液体吐出ヘッド用基板ユニット。
【請求項４】
前記第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みと、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みとの差は、１００Å以上であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の液体吐出ヘッド用基板ユニット。
【請求項５】
前記第１保護層の厚みが前記一対の電極配線の厚みの１.０８倍以上であることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の液体吐出ヘッド用基板ユニット。
【請求項６】
前記第１保護層がＳｉＮからなることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の液体吐出ヘッド用基板ユニット。
【請求項７】
前記第２保護層がＴａか、ＴａＮか、またはＴａＳｉＮからなることを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の液体吐出ヘッド用基板ユニット。
【請求項８】
液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドに用いられる基板ユニットの製造方法であって、
基板の表面に、熱エネルギーを発生するための電気熱変換素子を形成するステップと、
該電気熱変換素子に導通するように一対の電極配線を前記基板の表面部に形成するステップと、
前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う２６００〜３４００Åの厚みの第１保護層を前記基板の表面部のほぼ全域に形成するステップと、
前記電気熱変換素子および該電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層を前記第１保護層の表面にドライエッチングにて形成することにより、該第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の部分の厚みを当該第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄くするステップとを具え、
前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあることを特徴とする液体吐出ヘッド用基板ユニットの製造方法。
【請求項９】
前記第２保護層をドライエッチングによって形成する際に、前記第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の部分のエッチングされる厚みが２００Å以内であることを特徴とする請求項８に記載の液体吐出ヘッド用基板ユニットの製造方法。
【請求項１０】
前記第２保護層をドライエッチングによって形成する際に、前記第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の部分のエッチングされる厚みが１００Å以上であることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の液体吐出ヘッド用基板ユニットの製造方法。
【請求項１１】
液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドであって、
基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさせるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、
前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一対の電極配線と、
前記基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う第１保護層と、
該第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子および該電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを具え、
前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、
前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みが２６００〜３４００Åの範囲にあり、
前記第１保護層は、前記第２保護層によって覆われていない膜厚が均一な部分を有し、
前記第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みは、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄いことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１２】
前記電気熱変換素子に与えられる駆動パルスによって吐出される前記吐出口からの液体の１回当たりの吐出量が５ピコリットル以下であることを特徴とする請求項１１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１３】
前記吐出口を形成する吐出口形成部材をさらに有し、
該吐出口形成部材は、前記第２保護層の一部および前記第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の部分に密着層を介して接合されたものであることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１４】
前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分と前記第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の部分との境界部近傍の前記第１保護層および前記第２保護層の部分がテーパ形状を有することを特徴とする請求項１３に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１５】
前記テーパ形状は、第２保護層のテーパ形状の角度よりも第１保護層のテーパ形状の角度の方が傾斜が緩やかであることを特徴とする請求項１４に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１６】
前記密着層がポリエーテルアミド樹脂であることを特徴とする請求項１３から請求項１５の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１７】
前記吐出口形成部材がエポキシ樹脂のカチオン重合硬化物により形成されていることを特徴とする請求項１３から請求項１６の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１８】
前記吐出口が前記電気熱変換素子の対向する側に設けられていることを特徴とする請求項１３から請求項１７の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１９】
前記第１保護層がＳiＮからなることを特徴とする請求項１１から請求項１８の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項２０】
前記第２保護層がＴaか、ＴaＮか、またはＴaＳiＮからなることを特徴とする請求項１１から請求項１９の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項２１】
液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドを有するカートリッジであって、
基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさせるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一対の電極配線と、前記基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う厚みの第１保護層と、該第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子および該電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを有する液体吐出ヘッドと、
該液体吐出ヘッドに供給される液体を貯溜するための液体タンクとを具え、
前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、
前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みが２６００〜３４００Åの範囲にあり、
前記第１保護層は、前記第２保護層によって覆われていない膜厚が均一な部分を有し、
前記第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みは、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄いことを特徴とするカートリッジ。
【請求項２２】
前記液体タンクが前記液体吐出ヘッドに対して着脱可能に搭載されることを特徴とする請求項２１に記載のカートリッジ。
【請求項２３】
液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドを用いる画像形成装置であって、
基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさせるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一対の電極配線と、基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う第１保護層と、該第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子および前記電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを有する前記液体吐出ヘッドの取り付け部を具え、
前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、
前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みは２６００〜３４００Åの範囲にあり、
前記第１保護層は、前記第２保護層によって覆われていない膜厚が均一な部分を有し、
前記第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みは、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄いことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液体を吐出するための液体吐出ヘッドに用いられる基板ユニットおよびその製造方法ならびにこの基板ユニットを組み込んだ液体吐出ヘッド、この液体吐出ヘッドと当該液体吐出ヘッドに供給される液体を貯溜するための液体タンクとを一体化したカートリッジおよびプリント媒体に画像を形成するための画像形成装置に関し、一般的なプリント装置のほか、複写機や通信システムを有するファクシミリ、プリント部を有するワードプロセッサなどの装置、さらには各種処理装置と複合的に組み合わされた産業用記録装置に適用可能なほか、捺染装置やエッチングなどの加工装置にも応用することができる。
【０００２】
なお、本明細書において、「プリント」または「記録」とは、文字や図形など有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わず、また人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かを問わず、広くプリント媒体上に画像，模様，パターンなどの形成、あるいはエッチングなどの加工をも含む。
【０００３】
また、「プリント媒体」とは、一般的なプリント装置で用いられる紙片のみならず、布帛，プラスチックフィルム，金属板，ガラス，セラミックス，木材，皮革など、インクを受容可能なものであり、シート状物体以外の三次元立体、例えば球体や円筒体などもその対象となる。
【０００４】
さらに、「液体」とは、上記「プリント（または記録）」の定義と同様広く解釈されるべきものであり、プリント媒体に付与されることによって、画像，模様，パターンなどの形成、またはプリント媒体のエッチング加工、あるいはインクの処理（例えばプリント媒体に付与されるインク中の色材の凝固または不溶化）などに供されるものを含む。
【０００５】
【従来の技術】
現在知られている各種のプリント法のなかでも、プリント時に騒音の発生がほとんどないノンインパクトプリント方法であってかつ高速プリントが可能であり、しかも普通紙に特別の定着処理を必要とせずにプリントを行えるいわゆる液体噴射プリント法（以下、インクジェットプリント法と呼称する）は、極めて有用なプリント方法である。
【０００６】
このインクジェットプリント法は、インクやプリント媒体に対するインクのプリント性を調整するための処理液（以下、本明細書ではこれらをまとめて便宜的にインクと呼称する）などのインク滴を種々の作用原理で飛翔させ、これを紙などのプリント媒体に付着させてプリントを行うものであり、特開昭５２−１１８７９８号公報において提案されているように、その基本原理は以下で概説する通りである。すなわち、このインクジェットプリント法は、インクを収容可能なインク室中に導入されたインクに対し情報信号として熱的パルスを与え、これによりインクの気化膨張に伴って発生する作用力に従って、インク室に連通する吐出口よりインクを吐出してインク滴として飛翔せしめ、これをプリント媒体に付着させてプリントを行う方法である。
【０００７】
ところで、この方法は高密度マルチアレイ構成にして高速プリントおよびカラープリントに適合させやすく、プリント装置の構成が従来のそれに比べて簡略であるため、プリントヘッド、つまりインクジェットヘッドとして全体的にはコンパクト化を図ることが可能で、かつ量産に向くこと、半導体分野において技術の進歩と信頼性の向上が著しいＩＣ技術やマイクロ加工技術の長所を十二分に利用することで長尺化が容易であることなどの利点があり、適用範囲の広い方法である。
【０００８】
このインクジェットプリント法で用いられるインクジェットプリント装置の特徴的なインクジェットヘッドには、吐出口よりインクを吐出して飛翔的インク滴を形成するための熱エネルギー発生手段が設けられている。この熱エネルギー発生手段は、発生する熱エネルギーを効率良くインクに作用させること、インクジェットヘッドの熱作用のオン／オフ応答速度を高めることなどのため、インクに直接接触するように設けられるのが望ましいとされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
基本的に、インクジェットヘッドに設けられる熱エネルギー発生手段は、通電されることによって発熱する発熱抵抗体（電気熱変換素子）層と、この発熱抵抗体層に通電するための一対の電極配線とで構成されているため、発熱抵抗体層が直にインクに接触する状態であると、インクの電気抵抗値によってはインクを通じて電気が流れたり、インクを通じての電気の流れによってインク自体が電気分解したり、あるいは発熱抵抗体層への通電の際に発熱抵抗体層とインクとが反応し、発熱抵抗体層の腐食による抵抗値の変化や発熱抵抗体層の破損あるいは破壊が生じたりする場合があった。
【００１０】
そのために、従来においては、Ｎi，Ｃrなどの合金や、ＺrＢ2，ＨfＢ2などの金属ホウ化物などを発熱抵抗材料としての特性に比較的に優れた無機材料で発熱抵抗体層を構成すると共に、これらで構成された発熱抵抗体層上にＳiＯ2などの耐酸化性に優れた材料で構成された保護層を設けることで発熱抵抗体層がインクに直に接触するのを防止し、上述した問題を解決し、信頼性および繰り返し使用耐久性の向上を図ろうとすることが提案されている。
【００１１】
ところで、このようなインクジェットヘッドの熱エネルギー発生手段を形成するに際しては、発熱抵抗体層を所定の基板上に形成した後、電極配線および保護層を順次積層していくのが一般的であり、このような熱エネルギー発生手段の保護層には、上記のような発熱抵抗体層の破損防止あるいは電極配線間の短絡防止などの保護層としての各種の機能を十分に果たすべく、これら発熱抵抗体層や電極配線の所要部をピンホールなどの欠陥を有することなく一様に被覆することが要求される。
【００１２】
さらにこの保護層の上には、保護層とインクとが完全に遮断されるように、第２の比較的薄い保護層を設けることが一般的に行われる。この保護層は、Ｔaなどの金属の薄膜をスパッタリングで成膜するのが一般的である。この第２保護層を設けることにより、ＳiＯ2，ＳiＮなどの下部第１保護層が、発熱抵抗体による熱発生の繰り返しにより亀裂などが生じたとしても、インクの侵入を防止する役割を果たしている。また、発泡および消泡の繰り返しによるキャビテーション保護の役割も果たしており、この第２保護層を設けることにより、反復使用耐久性の向上が計られてきた。
【００１３】
しかし、この第２保護層は下部第１保護層との膜応力が異なることに起因して下部第１保護層に亀裂を生じさせる原因となるため、基板表面のインクが介在しない領域は、エッチング法により第２保護層を除去することが一般的に行われる。
【００１４】
また、吐出口を形成する吐出口形成部材として樹脂を用いた場合、Ｔaなどの第２保護層は吐出口形成部材との密着性が極めて低いため、吐出口形成部材が第２保護層から剥離してしまうことがあった。そこで、Ｔaなどの第２保護層が形成された基板と吐出口形成部材との密着性を向上させるために、基板と吐出口形成部材との間に密着層としてポリエーテルアミド樹脂を介在させる提案がされている（特開平１１−３４８２９０号公報）。
【００１５】
また、このようなインクジェットヘッドは、前述したように、一般には電極配線が発熱抵抗体層の上に形成されるため、電極配線と発熱抵抗体層との間に段差が生じるが、このような段差部には、層厚の不均一などが発生し易いため、露出部分を生じることのないようにするため、段差を十分に覆うように層形成を実施せねばならない。このような段差部被覆（以下、これを「ステップカバレージ」と記述する）が不十分な状態では、発熱抵抗体層の露出部分とインクとが直に接触し、インクが電気分解されたり、インクと発熱抵抗体層を構成する材料とが化学反応を起こしたりして発熱抵抗体層が破壊されてしまうことがあった。しかも、このような段差部には、膜厚の不均一なども生じやすく、このような膜厚の不均一は、熱発生の繰り返しによって保護層に生じる熱応力の部分集中を招き、保護層に亀裂を生じる原因ともなり、この亀裂の部分にインクが侵入し、上記のような発熱抵抗体層の破壊に至ることもあった。さらには、ピンホールからインクが侵入して発熱抵抗体層が破壊されることもあった。
【００１６】
従来、このような問題の解決にあたっては、保護層の膜厚を厚くし、ステップカバレージの向上やピンホールの減少を図ることが一般に行われているが、保護層を厚くすることは、ステップカバレージやピンホールの減少に寄与するものの、保護層を厚くすることによってインクへの熱供給が阻害され、以下のような新たな問題を生じることになった。
【００１７】
すなわち、発熱抵抗体層に発生する熱は保護層を通じてインクに伝達される訳であるが、この熱の作用面であるところの保護層表面と発熱抵抗体層との間の熱的抵抗が保護層の層厚を厚くすることで大きくなり、このため発熱抵抗体層に必要以上の電力負荷をかける必要が生じ、少電力化の点で不利であり、必要以上の熱が基板に蓄熱されて熱応答性が悪くなり、必要以上の電力のため発熱抵抗体層の耐久性が悪くなるなどの問題を新たに生ずる。
【００１８】
このような問題は、保護層を薄くすれば克服できるのであるが、保護層の形成に例えばスパッタリングあるいは蒸着などの膜形成方法を用いる従来のインクジェットヘッドの製造方法では、ステップカバレージの不良などのため、前述のような耐久上の欠点が生じ、保護層を薄くすることが実質的に困難であった。
【００１９】
また、上記の如きインクジェットヘッドにおけるプリントの際には、一般にはインクの急速加熱を行うほどインクの発泡安定性が向上することが知られている。すなわち、熱エネルギー発生手段に印加する電気信号、一般には矩形の延期パルスであるが、このパルス幅を短くすればするほどインクの発泡安定性が良くなり、これによって飛翔インク滴の吐出安定性が向上してプリント品位が向上するのである。しかしながら、従来のインクジェットヘッドにおいては、前述の如く保護層の膜厚を厚くしなければならず、このため保護層の熱的抵抗が大きくなって必要以上の熱を熱エネルギー発生手段で発生させねばならず、耐久性の劣化や熱応答性の低下を生じる。このため、パルス幅を短くするのも困難であり、プリント品位の向上にはおのずと限度があった。
【００２０】
さらに、従来のインクジェットヘッドの基板側の断面構造を表す図２０に示すように、基板１１の表面部に形成された酸化層１２の表面に発熱抵抗体層１３をスパッタリング法により積層し、この発熱抵抗体層１３と接続する少なくとも一対の電極配線１４ａ，１４ｂを形成する。なお、１５は電極配線１４ａ，１４ｂにより形成されて発熱抵抗体層１３から立ち上がる段差部である。
【００２１】
このような構成では、前述したように第２保護層１６で覆われる下部第１保護層１７にピンホールなどの欠陥を生じ易く、特に段差部１５では電極配線１４ａ，１４ｂが露出し易いため、段差部１５を十分に覆うように下部第１保護層１７の膜厚を必要以上に厚く （通常は、電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚の２倍以上）しなければならなかった。
【００２２】
このようなことから、下部第１保護層１７の膜厚をステップカバレージを悪くすることなく薄くする提案がなされてきた。例えば、特開昭６０−２３４８５０号公報は下部第１保護層１７の成膜方法としてステップカバレージの良好なバイアススパッタが提案されており、特開昭６２−４５２８３号公報、４５２３７号公報は下部第１保護層１７を成膜後、エッチバックやスパッタエッチなどでステップの形状を変えてステップカバレージを改善することが提案されており、特開昭６２−４５２８６号公報は保護膜をリフローすることによってステップカバレージを向上させることが提案されている。
【００２３】
しかしながら、バイアススパッタは膜厚安定性が悪く、また、ターゲット周りからのごみの発生などの欠点がある。また、エッチバック、スパッタエッジ、リフローなどの方法は工程数の増加を招きコストアップの原因となる。
【００２４】
その他の方法として、従来のインクジェットヘッドの基板の部分の断面構造を表す図２１に示すように、電極配線１４ａ，１４ｂの断面形状をテーパ形状として保護膜１５のステップカバレージを改善することがＨＰジャーナル１９８５年５月号にて提案されている。また、アルカリ性溶液である現像液を用い、電極配線１４ａ，１４ｂと同時にレジストをもエッチングをすることも提案されている。なお、図中の符号で先の図２０と同一機能の部材にはこれと同一符号を記してある。
【００２５】
しかしながら、これらの方法によると段差部１５のテーパ形状の場所による均一性、再現性などが悪く、特に大型の基板１１などの場合には不利である。特に段差部１５のテーパ形状の場所による均一性が悪い場合には、以下に記載する問題が発生する。
【００２６】
すなわち、段差部１５のテーパ角度が急な場所では、ステップカバレージが不十分となり前述したような問題が発生する。また、テーパ角度が緩い場所では、電極配線１４ａ，１４ｂの幅および断面積が小さくなって他の部分よりも電気抵抗が高くなっているため、インクジェットヘッド内における配線抵抗のばらつきを生じ、プリント装置として構成した場合のプリント品位などに悪影響を与えるという問題が発生する。
【００２７】
また、その他の方法として、従来のインクジェットヘッドの基板の部分の断面構造を表す図２２に示すように、発熱抵抗体層１３上の保護膜１５を選択的に薄くする方法も実用化されており、図中の符号で先の図２０と同一機能の部材にはこれと同一符号を記してある。
【００２８】
しかしながら、この方法は電極配線１４ａ，１４ｂを形成した後の絶縁物である保護膜１５ａ，１５ｂの形成工程が２回必要になることと、選択的に薄膜化する領域をフォトマスクを使用して露光しなければならず、工程数の増加を招く。また、発熱領域の内側を選択的に薄膜化するため、外周部において、熱効率が悪いという欠点も有している。
【００２９】
【発明の目的】
本発明の目的は、発熱抵抗体上部の第１保護層を可能な限り薄くすると共に発熱抵抗体の電極配線および配線層の膜厚を薄くし、第１保護層および配線層にダメージを与えることなく第２保護層を除去することにより、インクの急速加熱による発泡安定性を向上させると同時に耐久性を高めた液体吐出ヘッド用基板ユニットを提供することにある。
【００３０】
本発明の他の目的は、このような液体吐出基板ユニットを組み込んだ、Ｔaなどの保護層が露出している基板と吐出口形成部材との密着性をより一層高めた信頼性の高い液体吐出ヘッドを提供することにある。
【００３１】
本発明のさらに他の目的は、このような液体吐出ヘッド用基板ユニットの製造方法およびカートリッジおよび画像形成装置を提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の形態は、液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドに用いられる基板ユニットであって、基板の表面部に形成されて熱エネルギーを発生するための電気熱変換素子と、該電気熱変換素子に導通するように前記基板の表面部に形成される一対の電極配線と、前記基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う第１保護層と、該第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子および該電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを具え、前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みが２６００〜３４００Åの範囲にあり、前記第１保護層は、前記第２保護層によって覆われていない膜厚が均一な部分を有し、前記第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みは、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄いことを特徴とするものである。
【００３３】
本発明によると、第１保護層が成膜工程の追加やマスクの使用を増やすことなく、均一な薄い膜厚に形成され、電極配線により形成されて基板の表面から立ち上がる段差部における第１保護層のカバレージ性が良好に保たれる。
【００３４】
本発明の第２の形態は、液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドに用いられる基板ユニットの製造方法であって、基板の表面に、熱エネルギーを発生するための電気熱変換素子を形成するステップと、該電気熱変換素子に導通するように一対の電極配線を前記基板の表面部に形成するステップと、前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う２６００〜３４００Åの厚みの第１保護層を前記基板の表面部のほぼ全域に形成するステップと、前記電気熱変換素子および該電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層を前記第１保護層の表面にドライエッチングにて形成することにより、該第２保護層によって覆われていない前記第１保護層の部分の厚みを当該第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄くするステップとを具え、前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあることを特徴とするものである。
【００３５】
本発明によると、ドライエッチングにより第２保護層を形成する際に、電気熱変換素子および一対の電極配線に対する損傷が防止される。
【００３６】
本発明の第３の形態は、液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドであって、基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさせるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一対の電極配線と、前記基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う第１保護層と、該第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子および該電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを具え、前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みが２６００〜３４００Åの範囲にあり、前記第１保護層は、前記第２保護層によって覆われていない膜厚が均一な部分を有し、前記第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みは、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄いことを特徴とするものである。
【００３７】
本発明の第４の形態は、液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドを有するカートリッジであって、
基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさせるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一対の電極配線と、前記基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う厚みの第１保護層と、該第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子および該電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを有する液体吐出ヘッドと、
該液体吐出ヘッドに供給される液体を貯溜するための液体タンクとを具え、
前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みが２６００〜３４００Åの範囲にあり、前記第１保護層は、前記第２保護層によって覆われていない膜厚が均一な部分を有し、前記第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みは、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄いことを特徴とするものである。
【００３８】
本発明の第５の形態は、液体に熱エネルギーを付与して膜沸騰を生じさせ、これによって吐出口から液滴を吐出する液体吐出ヘッドを用いる画像形成装置であって、
基板に形成されて液体に膜沸騰を生じさせるための熱エネルギーを発生する電気熱変換素子と、前記基板に形成されて前記電気熱変換素子に導通する一対の電極配線と、基板の表面部のほぼ全域に形成されて前記一対の電極配線および前記電気熱変換素子を覆う第１保護層と、該第１保護層の表面に形成されて前記電気熱変換素子および前記電気熱変換素子と前記一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを有する前記液体吐出ヘッドの取り付け部を具え、
前記一対の電極配線の厚みが１８００〜２４００Åの範囲にあり、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みが２６００〜３４００Åの範囲にあり、前記第１保護層は、前記第２保護層によって覆われていない膜厚が均一な部分を有し、前記第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みは、前記第２保護層によって覆われた前記第１保護層の部分の厚みよりも薄いことを特徴とするものである。
【００３９】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の形態による液体吐出ヘッド用基板ユニットにおいて、一対の電極配線の厚みが２０００〜２２００Åの範囲にあることが好ましく、第２保護層によって覆われていない第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みと、第２保護層によって覆われた第１保護層の部分の厚みとの差が１００〜２００Åの範囲にあってよい。また、第１保護層の厚みが一対の電極配線の厚みの１.０８倍以上であってよい。
【００４０】
本発明の第２の形態による液体吐出ヘッド用基板ユニットの製造方法において、第２保護層をドライエッチングによって形成する際に、第２保護層によって覆われていない第１保護層の部分のエッチングされる厚みを１００〜２００Åの範囲にすることができる。
【００４１】
本発明の第３の形態による液体吐出ヘッドにおいて、吐出口を形成する吐出口形成部材をさらに設け、この吐出口形成部材を第２保護層の一部および第２保護層によって覆われていない第１保護層の一部および第２保護層によって覆われていない第１保護層の部分に密着層を介して接合するようにしてもよい。この場合、第２保護層によって覆われた第１保護層の部分と、第２保護層によって覆われていない第１保護層の部分との境界部近傍における第１保護層および第２保護層の部分がテーパ形状を有することが好ましく、このテーパ形状は、第２保護層のテーパ形状の角度よりも第１保護層のテーパ形状の角度の方が傾斜が緩やかであることがより好ましい。密着層がポリエーテルアミド樹脂であってよく、このポリエーテルアミド樹脂が熱可塑性であってよい。吐出口形成部材が樹脂であってよく、エポキシ樹脂のカチオン重合硬化物により形成されていてもよい。吐出口を電気熱変換素子の対向する側に設けることもでき、吐出口を相互に平行に少なくとも２列形成し、それぞれ６００ｄｐｉの間隔で配列すると共に列毎のこれらの配列間隔を相互に半ピッチずらしたものであってよい。さらに、液体がインクやプリント媒体に吐出されるこのインクのプリント性を調整する処理液であってよく、電気熱変換素子に与えられる駆動パルスによって吐出される吐出口からの液体の１回当たりの吐出量が５ピコリットル以下であってよい。
【００４２】
本発明の第４の形態によるカートリッジにおいて、液体タンクが液体吐出ヘッドに対して着脱可能に搭載されるものであってもよい。また、液体吐出ヘッドは吐出口が形成された吐出口形成部材をさらに有し、この吐出口形成部材を第２保護層の一部および第２保護層によって覆われていない第１保護層の部分に密着層を介して接合するようにしてもよい。
【００４３】
本発明の第５の形態による画像形成装置において、液体吐出ヘッドの取り付け部は、液体吐出ヘッドから液体が吐出されるプリント媒体の搬送方向と交差する方向に走査移動可能なキャリッジを有するものであってよい。また、液体吐出ヘッドは着脱手段を介してキャリッジに対して着脱自在に搭載されるものであってよい。液体吐出ヘッドは、吐出口が形成された吐出口形成部材をさらに有し、この吐出口形成部材を第２保護層の一部および第２保護層によって覆われていない第１保護層の部分に密着層を介して接合するようにしてもよい。
【００４４】
【実施例】
本発明をインクジェットプリンタに応用した実施形態について、図１〜図１９を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこのような実施形態に限らず、これらをさらに組み合わせたり、この明細書の特許請求の範囲に記載された本発明の概念に包含されるべき他の技術に応用したりすることができる。
【００４５】
［装置本体］
図１および図２にインクジェット記録方式を用いたプリンタの概略構成を示す。図１において、この実施形態におけるプリンタの外殻をなす装置本体Ｍ１０００は、下ケースＭ１００１，上ケースＭ１００２，アクセスカバーＭ１００３および排出トレイＭ１００４の外装部材と、その外装部材内に収納されたシャーシＭ３０１９（図２参照）とから構成される。
【００４６】
シャーシＭ３０１９は、所定の剛性を有する複数の板状金属部材によって構成され、記録装置の骨格をなし、後述の各記録動作機構を保持するものとなっている。
【００４７】
また、下ケースＭ１００１は装置本体Ｍ１０００の略下半部を、上ケースＭ１００２は装置上本体Ｍ１０００の略上半部をそれぞれ形成しており、両ケースの組合せによって内部に後述の各機構を収納する収納空間を有する中空体構造をなし、その上面部および前面部にはそれぞれ開口部が形成されている。
【００４８】
さらに、排出トレイＭ１００４はその一端部が下ケースＭ１００１に回転自在に保持され、その回転によって下ケースＭ１００１の前面部に形成される開口部を開閉させ得るようになっている。このため、記録動作を実行させる際には、排出トレイＭ１００４を前面側へと回転させて開口部を開成させることにより、ここから記録シートが排出可能となると共に排出された記録シートＰを順次積載し得るようになっている。また、排紙トレイＭ１００４には、２枚の補助トレイＭ１００４ａ，Ｍ１００４ｂが収納されており、必要に応じて各トレイを手前に引き出すことにより、用紙の支持面積を３段階に拡大、縮小させ得るようになっている。
【００４９】
アクセスカバーＭ１００３は、その一端部が上ケースＭ１００２に回転自在に保持され、上面に形成される開口部を開閉し得るようになっており、このアクセスカバーＭ１００３を開くことによって本体内部に収納されている記録ヘッドカートリッジＨ１０００あるいはインクタンクＨ１９００等の交換が可能となる。なお、ここでは特に図示しないが、アクセスカバーＭ１００３を開閉させると、その裏面に形成された突起がカバー開閉レバーを回転させるようになっており、そのレバーの回転位置をマイクロスイッチなどで検出することにより、アクセスカバーの開閉状態を検出し得るようになっている。
【００５０】
また、上ケースＭ１００２の後部上面には、電源キーＥ００１８およびレジュームキーＥ００１９が押下可能に設けられると共に、ＬＥＤ  Ｅ００２０が設けられており、電源キーＥ００１８を押下すると、ＬＥＤ  Ｅ００２０が点灯し記録可能であることをオペレータに知らせるものとなっている。また、ＬＥＤ  Ｅ００２０は点滅の仕方や色の変化をさせたり、ブザーＥ００２１（図７）をならしたりすることにより、プリンタのトラブル等をオペレータに知らせる等種々の表示機能を有する。なお、トラブル等が解決した場合には、レジュームキーＥ００１９を押下することによって記録が再開されるようになっている。
【００５１】
［記録動作機構］
次に、上記プリンタの装置本体Ｍ１０００に収納、保持される本実施形態における記録動作機構について説明する。
【００５２】
本実施形態における記録動作機構としては、記録シートＰを装置本体内へと自動的に給送する自動給送部Ｍ３０２２と、自動給送部から１枚ずつ送出される記録シートＰを所望の記録位置へと導くと共に、記録位置から排出部Ｍ３０３０へと記録シートＰを導く搬送部Ｍ３０２９と、搬送部Ｍ３０２９に搬送された記録シートＰに所望の記録を行う記録部と、記録部等に対する回復処理を行う回復部Ｍ５０００とから構成されている。
【００５３】
（記録部）
ここで、記録部を説明する。
キャリッジ軸Ｍ４０２１によって移動可能に支持されたキャリッジＭ４００１と、このキャリッジＭ４００１に着脱可能に搭載される記録ヘッドカートリッジＨ１０００とからなる。
【００５４】
記録ヘッドカートリッジ
まず、記録ヘッドカートリッジについて図３〜５に基づき説明する。
【００５５】
この実施形態における記録ヘッドカートリッジＨ１０００は、図３に示すようにインクを貯留するインクタンクＨ１９００と、このインクタンクＨ１９００から供給されるインクを記録情報に応じてノズルから吐出させる記録ヘッドＨ１００１とを有し、記録ヘッドＨ１００１は、後述するキャリッジＭ４００１に対して着脱可能に搭載される、いわゆるカートリッジ方式を採るものとなっている。
【００５６】
ここに示す記録ヘッドカートリッジＨ１０００では、写真調の高画質なカラー記録を可能とするため、インクタンクとして、例えばブラック，ライトシアン，ライトマゼンタ，シアン，マゼンタおよびイエローの各色独立のインクタンクが用意されており、図４に示すように、それぞれが記録ヘッドＨ１００１に対して着脱自在となっている。
【００５７】
そして、記録ヘッドＨ１００１は、図５の分解斜視図に示すように、記録素子基板Ｈ１１００，第１のプレートＨ１２００，電気配線基板Ｈ１３００，第２のプレートＨ１４００，タンクホルダＨ１５００，流路形成部材Ｈ１６００，フィルタＨ１７００，シールゴムＨ１８００から構成されている。
【００５８】
記録素子基板Ｈ１１００には、Ｓi基板の片面にインクを吐出するための複数の記録素子と、各記録素子に電力を供給するＡl等の電気配線とが成膜技術により形成され、この記録素子に対応した複数のインク流路と複数の吐出口Ｈ１１００Ｔとがフォトリソグラフィ技術により形成されると共に、複数のインク流路にインクを供給するためのインク供給口が裏面に開口するように形成されている。また、記録素子基板Ｈ１１００は第１のプレートＨ１２００に接着固定されており、ここには、記録素子基板Ｈ１１００にインクを供給するためのインク供給口Ｈ１２０１が形成されている。さらに、第１のプレートＨ１２００には、開口部を有する第２のプレートＨ１４００が接着固定されており、この第２のプレートＨ１４００は、電気配線基板Ｈ１３００と記録素子基板Ｈ１１００とが電気的に接続されるよう、電気配線基板Ｈ１３００を保持している。この電気配線基板Ｈ１３００は、記録素子基板Ｈ１１００にインクを吐出するための電気信号を印加するものであり、記録素子基板Ｈ１１００に対応する電気配線と、この電気配線端部に位置し本体からの電気信号を受け取るための外部信号入力端子Ｈ１３０１とを有しており、外部信号入力端子Ｈ１３０１は、後述のタンクホルダＨ１５００の背面側に位置決め固定されている。
【００５９】
一方、インクタンクＨ１９００を着脱可能に保持するタンクホルダＨ１５００には、流路形成部材Ｈ１６００が超音波溶着され、インクタンクＨ１９００から第１のプレートＨ１２００に亙るインク流路Ｈ１５０１を形成している。また、インクタンクＨ１９００と係合するインク流路Ｈ１５０１のインクタンク側端部には、フィルタＨ１７００が設けられており、外部からの塵埃の侵入を防止し得るようになっている。また、インクタンクＨ１９００との係合部にはシールゴムＨ１８００が装着され、係合部からのインクの蒸発を防止し得るようになっている。
【００６０】
さらに、前述のようにタンクホルダＨ１５００，流路形成部材Ｈ１６００，フィルタＨ１７００およびシールゴムＨ１８００から構成されるタンクホルダ部と、記録素子基板Ｈ１１００，第１のプレートＨ１２００，電気配線基板Ｈ１３００および第２のプレートＨ１４００から構成される記録素子部とを接着等で結合することにより、記録ヘッドＨ１００１を構成している。
【００６１】
キャリッジ
次に、図２に基づきキャリッジＭ４００１を説明する。
【００６２】
図示のように、キャリッジＭ４００１には、キャリッジＭ４００１と係合し、記録ヘッドＨ１００１をキャリッジＭ４００１の装着位置に案内するためのキャリッジカバーＭ４００２と、記録ヘッドＨ１００１のタンクホルダＨ１５００と係合し記録ヘッドＨ１００１を所定の装着位置にセットさせるよう押圧するヘッドセットレバーＭ４００７とが設けられている。
【００６３】
すなわち、ヘッドセットレバーＭ４００７はキャリッジＭ４００１の上部にヘッドセットレバー軸に対して回動可能に設けられると共に、記録ヘッドＨ１００１との係合部には不図示のヘッドセットプレートがばねを介して備えられ、このばね力によって記録ヘッドＨ１００１を押圧しながらキャリッジＭ４００１に装着する構成となっている。
【００６４】
また、キャリッジＭ４００１の記録ヘッドＨ１００１との別の係合部にはコンタクトフレキシブルプリントケーブル（以下、コンタクトＦＰＣと称す）Ｅ００１１が設けられ、コンタクトＦＰＣ  Ｅ００１１上のコンタクト部と記録ヘッドＨ１００１に設けられたコンタクト部（外部信号入力端子）Ｈ１３０１とが電気的に接触し、記録のための各種情報の授受や記録ヘッドＨ１００１への電力の供給などを行い得るようになっている。
【００６５】
ここでコンタクトＦＰＣ  Ｅ００１１のコンタクト部とキャリッジＭ４００１との間には不図示のゴムなどの弾性部材が設けられ、この弾性部材の弾性力とヘッドセットレバーばねによる押圧力とによってコンタクト部とキャリッジＭ４００１との確実な接触を可能とするようになっている。さらにコンタクトＦＰＣ  Ｅ００１１はキャリッジＭ４００１の背面に搭載されたキャリッジ基板Ｅ００１３に接続されている（図７参照）。
【００６６】
［スキャナ］
この実施形態におけるプリンタは、記録ヘッドを示すようなスキャナと交換することで読取装置としても使用することができる。
【００６７】
このスキャナは、プリンタ側のキャリッジと共に移動し、記録媒体に代えて給送された原稿画像を副走査方向において読み取るようになっており、その読み取り動作と原稿の給送動作とを交互に行うことにより、１枚の原稿画像情報を読み取るようになっている。
【００６８】
図６はこのスキャナＭ６０００の概略構成を示す図である。
【００６９】
図示のように、スキャナホルダＭ６００１は箱型形状をなしており、その内部には読み取りに必要な光学系・処理回路などが収納されている。また、このスキャナＭ６０００をキャリッジＭ４００１へと装着した時、原稿面と対面する部分にはスキャナ読取レンズＭ６００６が設けられており、ここから原稿画像を読み取るようになっている。スキャナ照明レンズＭ６００５は内部に不図示の光源を有し、その光源から発せられた光が原稿へと照射される。
【００７０】
スキャナホルダＭ６００１の底部に固定されたスキャナカバーＭ６００３は、スキャナホルダＭ６００１内部を遮光するように嵌合し、側面に設けられたルーバー状の把持部によってキャリッジＭ４００１への着脱操作性の向上を図っている。スキャナホルダＭ６００１の外形形状は記録ヘッドＨ１００１と略同形状であり、キャリッジＭ４００１へは記録ヘッドカートリッジＨ１０００と同様の操作で着脱することができる。
【００７１】
また、スキャナホルダＭ６００１には、処理回路を有する基板が収納される一方、この基板に接続されたスキャナコンタクトＰＣＢが外部に露出するよう設けられており、キャリッジＭ４００１へとスキャナＭ６０００を装着した際、スキャナコンタクトＰＣＢ  Ｍ６００４がキャリッジＭ４００１側のコンタクトＦＰＣ  Ｅ００１１に接触し、基板を、キャリッジＭ４００１を介して本体側の制御系に電気的に接続させるようになっている。
【００７２】
次に、本発明の実施形態における電気的回路構成を説明する。
【００７３】
図７は、この実施形態における電気的回路の全体構成を概略的に示す図である。
【００７４】
この実施形態における電気的回路は、主にキャリッジ基板（ＣＲＰＣＢ）Ｅ００１３，メインＰＣＢ（Printed Circuit Board）Ｅ００１４，電源ユニットＥ００１５等によって構成されている。
【００７５】
ここで、電源ユニットはメインＰＣＢ  Ｅ００１４と接続され、各種駆動電源を供給するものとなっている。
【００７６】
また、キャリッジ基板Ｅ００１３は、キャリッジＭ４００１（図２）に搭載されたプリント基板ユニットであり、コンタクトＦＰＣ  Ｅ００１１を通じて記録ヘッドとの信号の授受を行うインタフェースとして機能する他、キャリッジＭ４００１の移動に伴ってエンコーダセンサＥ０００４から出力されるパルス信号に基づき、エンコーダスケールＥ０００５とエンコーダセンサＥ０００４との位置関係の変化を検出し、その出力信号をフレキシブルフラットケーブル（ＣＲＦＦＣ）Ｅ００１２を通じてメインＰＣＢ  Ｅ００１４へと出力する。
【００７７】
さらに、メインＰＣＢはこの実施形態におけるインクジェット記録装置の各部の駆動制御を司るプリント基板ユニットであり、紙端検出センサ（ＰＥセンサ）Ｅ０００７，ＡＳＦセンサＥ０００９，カバーセンサＥ００２２，パラレルインタフェース（パラレルＩ／Ｆ）Ｅ００１６，シリアルインタフェース（シリアルＩ／Ｆ）Ｅ００１７，レジュームキーＥ００１９，ＬＥＤ  Ｅ００２０，電源キーＥ００１８，ブザーＥ００２１等に対するＩ／Ｏポートを基板上に有し、さらにＣＲモータＥ０００１，ＬＦモータＥ０００２，ＰＧモータＥ０００３と接続されてこれらの駆動を制御する他、インク切れセンサＥ０００６，ＧＡＰセンサＥ０００８，ＰＧセンサＥ００１０，ＣＲＦＦＣ  Ｅ００１２，電源ユニットＥ００１５との接続インタフェースを有する。
【００７８】
図８は、メインＰＣＢの内部構成を示すブロック図である。
【００７９】
図において、Ｅ１００１はＣＰＵであり、このＣＰＵ  Ｅ１００１は内部にオシレータＯＳＣ  Ｅ１００２を有すると共に、発振回路Ｅ１００５に接続されてその出力信号Ｅ１０１９によりシステムクロックを発生する。また、制御バスＥ１０１４を通じてＲＯＭ  Ｅ１００４およびＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）Ｅ１００６に接続され、ＲＯＭに格納されたプログラムに従って、ＡＳＩＣの制御，電源キーからの入力信号Ｅ１０１７およびレジュームキーからの入力信号Ｅ１０１６，カバー検出信号Ｅ１０４２，ヘッド検出信号（ＨＳＥＮＳ）Ｅ１０１３の状態の検知を行い、さらにブザー信号（ＢＵＺ）Ｅ１０１８によりブザーＥ００２１を駆動し、内蔵されるＡ／ＤコンバータＥ１００３に接続されるインク切れ検出信号（ＩＮＫＳ）Ｅ１０１１およびサーミスタ温度検出信号（ＴＨ）Ｅ１０１２の状態の検知を行う一方、その他各種論理演算・条件判断等を行い、インクジェット記録装置の駆動制御を司る。
【００８０】
ここで、ヘッド検出信号Ｅ１０１３は、記録ヘッドカートリッジＨ１０００からフレキシブルフラットケーブルＥ００１２，キャリッジ基板Ｅ００１３およびコンタクトフレキシブルプリントケーブルＥ００１１を介して入力されるヘッド搭載検出信号であり、インクエンド検出信号はインクエンドセンサＥ０００６から出力されるアナログ信号、サーミスタ温度検出信号Ｅ１０１２はキャリッジ基板Ｅ００１３上に設けられたサーミスタ（図示せず）からのアナログ信号である。
【００８１】
Ｅ１００８はＣＲモータドライバであって、モータ電源（ＶＭ）Ｅ１０４０を駆動源とし、ＡＳＩＣ  Ｅ１００６からのＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６に従ってＣＲモータ駆動信号Ｅ１０３７を生成し、ＣＲモータＥ０００１を駆動する。Ｅ１００９はＬＦ／ＰＧモータドライバであって、モータ電源Ｅ１０４０を駆動源とし、ＡＳＩＣ  Ｅ１００６からのパルスモータ制御信号（ＰＭ制御信号）Ｅ１０３３に従ってＬＦモータ駆動信号Ｅ１０３５を生成し、これによってＬＦモータを駆動すると共に、ＰＧモータ駆動信号Ｅ１０３４を生成してＰＧモータを駆動する。
【００８２】
Ｅ１０１０は電源制御回路であり、ＡＳＩＣ  Ｅ１００６からの電源制御信号Ｅ１０２４に従って発光素子を有する各センサ等への電源供給を制御する。パラレルＩ／Ｆ  Ｅ００１６は、ＡＳＩＣ  Ｅ１００６からのパラレルＩ／Ｆ信号Ｅ１０３０を、外部に接続されるパラレルＩ／ＦケーブルＥ１０３１に伝達し、またパラレルＩ／ＦケーブルＥ１０３１の信号をＡＳＩＣ  Ｅ１００６に伝達する。シリアルＩ／Ｆ  Ｅ００１７は、ＡＳＩＣ  Ｅ１００６からのシリアルＩ／Ｆ信号Ｅ１０２８を、外部に接続されるシリアルＩ／ＦケーブルＥ１０２９に伝達し、また同ケーブルＥ１０２９からの信号をＡＳＩＣ  Ｅ１００６に伝達する。
【００８３】
一方、電源ユニットＥ００１５からは、ヘッド電源（ＶＨ）Ｅ１０３９，モータ電源（ＶＭ）Ｅ１０４０およびロジック電源（ＶＤＤ）Ｅ１０４１が供給される。また、ＡＳＩＣ  Ｅ１００６からのヘッド電源ＯＮ信号（ＶＨＯＮ）Ｅ１０２２およびモータ電源ＯＮ信号（ＶＭＯＭ）Ｅ１０２３が電源ユニットＥ００１５に入力され、それぞれヘッド電源Ｅ１０３９およびモータ電源Ｅ１０４０のオン／オフを制御する。電源ユニットＥ００１５から供給されたロジック電源（ＶＤＤ）Ｅ１０４１は、必要に応じて電圧変換された上で、メインＰＣＢ  Ｅ００１４内外の各部へ供給される。
【００８４】
またヘッド電源Ｅ１０３９は、メインＰＣＢ  Ｅ００１４上で平滑された後にフレキシブルフラットケーブルＥ００１１へと送出され、記録ヘッドカートリッジＨ１０００の駆動に用いられる。
【００８５】
Ｅ１００７はリセット回路で、ロジック電源電圧Ｅ１０４０の低下を検出して、ＣＰＵ  Ｅ１００１およびＡＳＩＣ  Ｅ１００６にリセット信号（ＲＥＳＥＴ）Ｅ１０１５を供給し、初期化を行う。
【００８６】
このＡＳＩＣ  Ｅ１００６は１チップの半導体集積回路であり、制御バスＥ１０１４を通じてＣＰＵ  Ｅ１００１によって制御され、前述したＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６，ＰＭ制御信号Ｅ１０３３，電源制御信号Ｅ１０２４，ヘッド電源ＯＮ信号Ｅ１０２２およびモータ電源ＯＮ信号Ｅ１０２３等を出力し、パラレルＩ／Ｆ  Ｅ００１６およびシリアルＩ／Ｆ  Ｅ００１７との信号の授受を行う他、ＰＥセンサＥ０００７からのＰＥ検出信号（ＰＥＳ）Ｅ１０２５，ＡＳＦセンサＥ０００９からのＡＳＦ検出信号（ＡＳＦＳ）Ｅ１０２６，ＧＡＰセンサＥ０００８からのＧＡＰ検出信号（ＧＡＰＳ）Ｅ１０２７，ＰＧセンサＥ０００７からのＰＧ検出信号（ＰＧＳ）Ｅ１０３２の状態を検知し、その状態を表すデータを制御バスＥ１０１４を通じてＣＰＵ  Ｅ１００１に伝達し、入力されたデータに基づきＣＰＵ  Ｅ１００１はＬＥＤ駆動信号Ｅ１０３８の駆動を制御してＬＥＤ  Ｅ００２０の点滅を行う。さらに、エンコーダ信号（ＥＮＣ）Ｅ１０２０の状態を検知してタイミング信号を生成し、ヘッド制御信号Ｅ１０２１で記録ヘッドカートリッジＨ１０００とのインタフェースをとって記録動作を制御する。ここにおいて、エンコーダ信号（ＥＮＣ）Ｅ１０２０はフレキシブルフラットケーブルＥ００１２を通じて入力されるＣＲエンコーダセンサＥ０００４の出力信号である。また、ヘッド制御信号Ｅ１０２１は、フレキシブルフラットケーブルＥ００１２，キャリッジ基板Ｅ００１３およびコンタクトＦＰＣ  Ｅ００１１を経て記録ヘッドＨ１０００に供給される。
【００８７】
図９は、ＡＳＩＣ  Ｅ１００６の内部構成を示すブロック図である。なお、同図において、各ブロック間の接続については、記録データやモータ制御データ等、ヘッドや各部機構部品の制御にかかわるデータの流れのみを示しており、各ブロックに内蔵されるレジスタの読み書きに係わる制御信号やクロック、ＤＭＡ制御にかかわる制御信号などは図面上の記載の煩雑化を避けるため省略している。
【００８８】
図中、Ｅ２００２はＰＬＬであり、図９に示すようにＣＰＵ  Ｅ１００１から出力されるクロック信号（ＣＬＫ）Ｅ２０３１およびＰＬＬ制御信号（ＰＬＬＯＮ）Ｅ２０３３により、ＡＳＩＣ  Ｅ１００６内の大部分へと供給するクロック（図示しない）を発生する。
【００８９】
また、Ｅ２００１はＣＰＵインタフェース（ＣＰＵＩ／Ｆ）であり、リセット信号Ｅ１０１５，ＣＰＵ  Ｅ１００１から出力されるソフトリセット信号（ＰＤＷＮ）Ｅ２０３２，クロック信号（ＣＬＫ）Ｅ２０３１および制御バスＥ１０１４からの制御信号により、以下に説明するような各ブロックに対するレジスタ読み書き等の制御や、一部ブロックへのクロックの供給，割り込み信号の受け付け等（いずれも図示しない）を行い、ＣＰＵ  Ｅ１００１に対して割り込み信号（ＩＮＴ）Ｅ２０３４を出力し、ＡＳＩＣ  Ｅ１００６内部での割り込みの発生を知らせる。
【００９０】
また、Ｅ２００５はＤＲＡＭであり、記録用のデータバッファとして、受信バッファＥ２０１０，ワークバッファＥ２０１１，プリントバッファＥ２０１４および展開用データバッファＥ２０１６などの各領域を有すると共に、モータ制御用としてモータ制御バッファＥ２０２３を有し、さらにスキャナ動作モード時に使用するバッファとして、上記の各記録用データバッファに代えてスキャナ取込みバッファＥ２０２４，スキャナデータバッファＥ２０２６および送出バッファＥ２０２８などの領域を有する。
【００９１】
また、このＤＲＡＭ  Ｅ２００５は、ＣＰＵ  Ｅ１００１の動作に必要なワーク領域としても使用されている。すなわち、Ｅ２００４はＤＲＡＭ制御部であり、制御バスによるＣＰＵ  Ｅ１００１からＤＲＡＭ  Ｅ２００５へのアクセスと、後述するＤＭＡ制御部Ｅ２００３からＤＲＡＭ  Ｅ２００５へのアクセスとを切り替えて、ＤＲＡＭ  Ｅ２００５への読み書き動作を行う。
【００９２】
ＤＭＡ制御部Ｅ２００３では、各ブロックからのリクエスト（図示せず）を受け付け、アドレス信号や制御信号（図示せず），書込み動作の場合には書込みデータ（Ｅ２０３８，Ｅ２０４１，Ｅ２０４４，Ｅ２０５３，Ｅ２０５５およびＥ２０５７）などをＲＡＭ制御部に出力してＤＲＡＭアクセスを行う。また読み出しの場合には、ＤＲＡＭ制御部Ｅ２００４からの読み出しデータ（Ｅ２０４０，Ｅ２０４３，Ｅ２０４５，Ｅ２０５１，Ｅ２０５４，Ｅ２０５６，Ｅ２０５８およびＥ２０５９）をリクエスト元のブロックに受け渡す。
【００９３】
また、Ｅ２００６は１２８４Ｉ／Ｆであり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００１の制御により、パラレルＩ／Ｆ  Ｅ００１６を通じて図示しない外部ホスト機器との双方向通信インタフェースを行う他、記録時にはパラレルＩ／Ｆ  Ｅ００１６からの受信データ（ＰＩＦ受信データＥ２０３６）をＤＭＡ処理によって受信制御部Ｅ２００８へと受け渡し、スキャナ読み取り時にはＤＲＡＭ  Ｅ２００５内の送出バッファＥ２０２８に格納されたデータ（１２８４送信データ（ＲＤＰＩＦ）Ｅ２０５９）をＤＭＡ処理によりパラレルＩ／Ｆに送信する。
【００９４】
Ｅ２００７はＵＳＢＩ／Ｆであり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵＥ１００１の制御により、シリアルＩ／Ｆ  Ｅ００１７を通じて、図示しない外部ホスト機器との双方向通信インタフェースを行う他、印刷時にはシリアルＩ／Ｆ  Ｅ００１７からの受信データ（ＵＳＢ受信データＥ２０３７）をＤＭＡ処理により受信制御部Ｅ２００８に受け渡し、スキャナ読み取り時にはＤＲＡＭ  Ｅ２００５内の送出バッファＥ２０２８に格納されたデータ（ＵＳＢ送信データ（ＲＤＵＳＢ）Ｅ２０５８）をＤＭＡ処理によりシリアルＩ／Ｆ  Ｅ００１７に送信する。受信制御部Ｅ２００８は、１２８４Ｉ／Ｆ  Ｅ２００６またはＵＳＢＩ／Ｆ  Ｅ２００７のうちの選択されたＩ／Ｆからの受信データ  （ＷＤＩＦ）Ｅ２０３８）を受信バッファ制御部Ｅ２０３９の管理する受信バッファ書込みアドレスに書込む。
【００９５】
Ｅ２００９は圧縮・伸長ＤＭＡであり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵＥ１００１の制御により、受信バッファＥ２０１０上に格納された受信データ（ラスタデータ）を受信バッファ制御部Ｅ２０３９の管理する受信バッファ読み出しアドレスから読み出し、そのデータ（ＲＤＷＫ）Ｅ２０４０を指定されたモードに従って圧縮・伸長し、記録コード列（ＷＤＷＫ）Ｅ２０４１としてワークバッファ領域に書込む。
【００９６】
Ｅ２０１３は記録バッファ転送ＤＭＡであり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００７の制御によりワークバッファＥ２０１１上の記録コード（ＲＤＷＰ）Ｅ２０４３を読み出し、各記録コードを記録ヘッドカートリッジＨ１０００へのデータ転送順序に適するようなプリントバッファＥ２０１４上のアドレスに並べ替えて転送（ＷＤＷＰ  Ｅ２０４４）する。また、Ｅ２０１２はワーククリアＤＭＡであり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００１の制御によって記録バッファ転送ＤＭＡ  Ｅ２０１５による転送が完了したワークバッファ上の領域に対し、指定したワークフィルデータ（ＷＤＷＦ）Ｅ２０４２を繰返し書込む。
【００９７】
Ｅ２０１５は記録データ展開ＤＭＡであり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００１の制御により、ヘッド制御部Ｅ２０１８からのデータ展開タイミング信号Ｅ２０５０をトリガとして、プリントバッファ上に並べ替えて書込まれた記録コードと展開用データバッファＥ２０１６上に書込まれた展開用データとを読み出し、展開記録データ（ＲＤＨＤＧ）Ｅ２０４５を生成し、これをカラムバッファ書込みデータ（ＷＤＨＤＧ）Ｅ２０４７としてカラムバッファＥ２０１７に書込む。ここで、カラムバッファＥ２０１７は、記録ヘッドカートリッジＨ１０００へと転送データ（展開記録データ）とを一時的に格納するＳＲＡＭであり、記録データ展開ＤＭＡとヘッド制御部とのシェークハンド信号（図示せず）によって両ブロックにより共有管理されている。
【００９８】
Ｅ２０１８はヘッド制御部で、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００１の制御により、ヘッド制御信号を介して記録ヘッドカートリッジＨ１０００またはスキャナとのインタフェースを行う他、エンコーダ信号処理部Ｅ２０１９からのヘッド駆動タイミング信号Ｅ２０４９に基づき、記録データ展開ＤＭＡに対してデータ展開タイミング信号Ｅ２０５０の出力を行う。
【００９９】
また、印刷時には、ヘッド駆動タイミング信号Ｅ２０４９に従って、カラムバッファから展開記録データ（ＲＤＨＤ）Ｅ２０４８を読み出し、そのデータをヘッド制御信号Ｅ１０２１を通じて記録ヘッドカートリッジＨ１０００に出力する。
【０１００】
また、スキャナ読み取りモードにおいては、ヘッド制御信号Ｅ１０２１を通して入力された取込みデータ（ＷＤＨＤ）Ｅ２０５３をＤＲＡＭ  Ｅ２００５上のスキャナ取込みバッファＥ２０２４へとＤＭＡ転送する。Ｅ２０２５はスキャナデータ処理ＤＭＡであり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００１の制御により、スキャナ取込みバッファＥ２０２４に蓄えられた取込みバッファ読み出しデータ（ＲＤＡＶ）Ｅ２０５４を読み出し、平均化等の処理を行った処理済データ（ＷＤＡＶ）Ｅ２０５５をＤＲＡＭ  Ｅ２００５上のスキャナデータバッファＥ２０２６に書込む。
【０１０１】
Ｅ２０２７はスキャナデータ圧縮ＤＭＡであり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００１の制御により、スキャナデータバッファＥ２０２６上の処理済データ（ＲＤＹＣ）Ｅ２０５６を読み出してデータ圧縮を行い、圧縮データ（ＷＤＹＣ）Ｅ２０５７を送出バッファＥ２０２８に書込み転送する。
【０１０２】
Ｅ２０１９はエンコーダ信号処理部であり、エンコーダ信号（ＥＮＣ）を受けてＣＰＵ  Ｅ１００１の制御で定められたモードに従ってヘッド駆動タイミング信号Ｅ２０４９を出力する他、エンコーダ信号Ｅ１０２０から得られるキャリッジＭ４００１の位置や速度にかかわる情報をレジスタに格納してＣＰＵ  Ｅ１００１に提供する。ＣＰＵ  Ｅ１００１はこの情報に基づき、ＣＲモータＥ０００１の制御における各種パラメータを決定する。また、Ｅ２０２０はＣＲモータ制御部であり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００１の制御により、ＣＲモータ制御信号Ｅ１０３６を出力する。
【０１０３】
Ｅ２０２２はセンサ信号処理部で、ＰＧセンサＥ００１０，ＰＥセンサＥ０００７，ＡＳＦセンサＥ０００９およびＧＡＰセンサＥ０００８等から出力される各検出信号を受け、ＣＰＵ  Ｅ１００１の制御で定められたモードに従ってこれらのセンサ情報をＣＰＵ  Ｅ１００１に伝達する他、ＬＦ／ＰＧモータ制御部ＤＭＡ  Ｅ２０２１に対してセンサ検出信号Ｅ２０５２を出力する。
【０１０４】
ＬＦ／ＰＧモータ制御ＤＭＡＥ２０２１は、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００１の制御により、ＤＲＡＭ  Ｅ２００５上のモータ制御バッファＥ２０２３からパルスモータ駆動テーブル（ＲＤＰＭ）Ｅ２０５１を読み出してパルスモータ制御信号Ｅを出力する他、動作モードによってはセンサ検出信号を制御のトリガとしてパルスモータ制御信号Ｅ１０３３を出力する。
【０１０５】
また、Ｅ２０３０はＬＥＤ制御部であり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００１の制御により、ＬＥＤ駆動信号Ｅ１０３８を出力する。さらに、Ｅ２０２９はポート制御部であり、ＣＰＵＩ／Ｆ  Ｅ２００１を介したＣＰＵ  Ｅ１００１の制御により、ヘッド電源ＯＮ信号Ｅ１０２２，モータ電源オン信号Ｅ１０２３および電源制御信号Ｅ１０２４を出力する。
【０１０６】
次に、上記のように構成された本発明の実施形態におけるインクジェット記録装置の動作を図１０のフローチャートに基づき説明する。
【０１０７】
ＡＣ電源に本装置が接続されると、まず、ステップＳ１では装置の第１の初期化処理を行う。この初期化処理では、本装置のＲＯＭおよびＲＡＭのチェックなどの電気回路系のチェックを行い、電気的に本装置が正常に動作可能であるかを確認する。
【０１０８】
次にステップＳ２では、装置本体Ｍ１０００の上ケースＭ１００２に設けられた電源キーＥ００１８がＯＮされたかどうかの判断を行い、電源キーＥ００１８が押された場合には、次のステップＳ３へと移行し、ここで第２の初期化処理を行う。
【０１０９】
この第２の初期化処理では、本装置の各種駆動機構およびヘッド系のチェックを行う。すなわち、各種モータの初期化やヘッド情報の読み込みを行うに際し、本装置が正常に動作可能であるかを確認する。
【０１１０】
次にステップＳ４ではイベント待ちを行う。すなわち、本装置に対して外部Ｉ／Ｆからの指令イベント，ユーザ操作によるパネルキーイベントおよび内部的な制御イベントなどを監視し、これらのイベントが発生すると当該イベントに対応した処理を実行する。
【０１１１】
例えば、ステップＳ４で外部Ｉ／Ｆからの印刷指令イベントを受信した場合にはステップＳ５へと移行し、同ステップでユーザ操作による電源キーイベントが発生した場合にはステップＳ１０へと移行し、同ステップでその他のイベントが発生した場合にはステップＳ１１へと移行する。
【０１１２】
ここで、ステップＳ５では外部Ｉ／Ｆからの印刷指令を解析し、指定された紙種別，用紙サイズ，印刷品位および給紙方法などを判断し、その判断結果を表すデータを本装置内のＲＡＭ  Ｅ２００５に記憶し、ステップＳ６へと進む。
【０１１３】
次いでステップＳ６ではステップＳ５で指定された給紙方法により給紙を開始し、用紙を記録開始位置まで送り、ステップＳ７に進む。
【０１１４】
ステップＳ７では記録動作を行う。この記録動作では、外部Ｉ／Ｆから送出されてきた記録データを記録バッファに一旦格納し、次いでＣＲモータＥ０００１を駆動してキャリッジＭ４００１の走査方向への移動を開始すると共に、プリントバッファＥ２０１４に格納されている記録データを記録ヘッドＨ１００１へと供給して１行分の記録を行い、１行分の記録データの記録動作が終了するとＬＦモータＥ０００２を駆動し、ＬＦローラＭ３００１を回転させて用紙を副走査方向へと送る。この後、上記動作を繰り返し実行し、外部Ｉ／Ｆからの１ページ分の記録データの記録が終了すると、ステップ８へと進む。
【０１１５】
ステップＳ８では、ＬＦモータＥ０００２を駆動し、排紙ローラＭ２００３を駆動し、用紙が完全に本装置から送り出されたと判断されるまで紙送りを繰返し、終了した時点で用紙は排紙トレイＭ１００４ａ上に完全に排紙された状態となる。
【０１１６】
次にステップＳ９では、記録すべき全ページの記録動作が終了したか否かを判定し、記録すべきページが残存する場合には、ステップＳ５へと復帰し、以下、前述のステップＳ５〜Ｓ９までの動作を繰り返し、記録すべき全てのページの記録動作が終了した時点で記録動作は終了し、その後ステップＳ４へと移行し、次のイベントを待つ。
【０１１７】
一方、ステップＳ１０ではプリンタ終了処理を行い、本装置の動作を停止させる。つまり、各種モータやヘッドなどの電源を切断するために、電源を切断可能な状態に移行した後、電源を切断してステップＳ４に進み、次のイベントを待つ。
【０１１８】
また、ステップＳ１１では、上記以外の他のイベント処理を行う。例えば、本装置の各種パネルキーや外部Ｉ／Ｆからの回復指令や内部的に発生する回復イベントなどに対応した処理を行う。なお、処理終了後にはステップＳ４に進み、次のイベントを待つ。
【０１１９】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
【０１２０】
（実施例１）
実施例１における記録ヘッドＨ１００１の一部を破断状態で図１１に示し、その基板ユニットの主要部の平面形状を図１２に示し、そのXIII−XIII矢視断面構造，XIV−XIV矢視断面構造を図１３，図１４にそれぞれ示す。すなわち、１１は電気熱変換素子１８が設けられる記録素子基板Ｈ１１００としての基板であり、電気熱変換素子１８は一対の電極配線１４ａ，１４ｂとの間に位置する発熱抵抗体層１３によって形成される。１５は一対の電極配線１４ａ，１４ｂにより形成されて発熱抵抗体層１３から立ち上がる段差部、１７は第１保護層、１６は第２保護層をそれぞれ示す。また、１９はインク滴を吐出させるための吐出口であって、上述した吐出口Ｈ１１００Ｔに相当する。２０はこれら吐出口１９にインクを供給するためのインク室、２１はインク室２０にインクを供給するために基板１１に開口するインク供給口であり、上述したインク供給口Ｈ１２０１に対応する。
【０１２１】
基板１１は、通常、Ｓiウェハ上に発熱抵抗体層１３および一対の電極配線１４ａ，１４ｂなどをフォトリソグラフィ技術によってパターニングし、インク室２０、吐出口１９を感光性樹脂によって作成し、異方性エッチングなどによってインク供給口２１を形成した後、Ｓiウェハを切断することによって形成される。そして、この基板１１には、電気熱変換素子１８を駆動するための電気的信号の受け渡しを行う電気配線基板Ｈ１３００（図５参照）が実装技術によって接続される。つまり、この電気配線基板Ｈ１３００には、電気熱変換素子１８に電流をスイッチングさせるパワートランジスタおよびこのパワートランジスタを制御するためのＣＭＯＳロジック回路などが駆動手段として半導体技術を利用して形成され、電極配線１４ａ，１４ｂを介して電気熱変換素子１８に接続している。
【０１２２】
本実施例では、インク供給口２１を挟んで相互に平行な２列の吐出口１９を相互に半ピッチずらしていわゆるジグザグ状に配列しており、各列の吐出口１９に対応するインク室２０の間隔を６００dpiのピッチでそれぞれ配列させている。
【０１２３】
各々のインク室２０には電気熱変換素子１８が設けられ、それぞれ吐出口１９から４ピコリットルのインク滴を吐出できるようにしている。
【０１２４】
本実施例では基板１１としてＳiウェハを使用おり、このＳiウェハを熱酸化により、数μｍ程度のＳiＯ2膜である酸化層１２を形成する。その後、スパッタリングにより発熱抵抗体層１３を５００Å程度の厚みで形成する。この発熱抵抗体層１３として本実施例ではＴaＮを用いたが、ＨfＢ2やＴaＳiＮなどを使用してもよい。そして、電極配線１４ａ，１４ｂとしてＡl層を２１００Åの膜厚にし、±３００Åの膜厚の公差にて成膜した後、マスクを使用して配線領域をパターニングする。本実施例では、電極配線１４ａ，１４ｂとしてＡlを用いているが、Ａl−Ｓi，Ａl−ＣuまたはＡl−Ｓi−Ｃuなどの合金を用いてもよい。そして、発熱抵抗体層１３と電極配線１４ａ，１４ｂとを同時にドライエッチングによりエッチングし、次に電気熱変換素子１８の部分を形成するため、マスクを使用してパターニングを実施し、その後、電気熱変換素子１８の部分のＡl層をウェットエッチングにて除去する。
【０１２５】
このように、電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚を２１００Å程度まで薄くしたが、電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚を薄くすることは、配線抵抗を上昇させるものであり、その配線抵抗により、電力の消費が増大し、さらに基板１１の温度上昇を招来することから、従来では電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚を厚くしていた。
【０１２６】
しかし、その配線抵抗と発熱抵抗体層１３の抵抗値とを比較すると、配線抵抗の割合は微々たるものであり、本発明のように膜厚を薄くすることは、電力ロスや昇温の見地からは大きな問題にはならず、却って発熱抵抗体層１３を覆う第１保護層１７の膜厚を薄くできることによる省電力化や熱応答性および発熱抵抗体層１３の耐久性などにおける改善の効果の方が非常に大きいことが本実施例による検証により実証できた。
【０１２７】
電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚の最小値は、その幅と膜厚とで決定される単位断面積中に、どれだけの電流がどれだけの時間通電されるかという電流密度の観点より判断される。電流密度が高く、通電時間が長いと、エレクトロマイグレーションにより、電極配線材料１４ａ，１４ｂを構成する材料の抵抗値が上昇してゆくことは、通常良く知られている。
【０１２８】
しかし、基板１１に形成される電極配線１４ａ，１４ｂの通電可能な繰り返し耐用回数は、３×１０8から１×１０9回程度であり、また１回の通電時間は、１μｍ程度の非常に短い時間であり、さらにその繰り返し駆動周波数は、３０kＨz程度である。
【０１２９】
本実施例における基板１１を用い、上述した電極配線１４ａ，１４ｂのエレクトロマイグレーションを評価したところ、電流密度を１.５×１０7A/cm、通電パルス幅を１.３μｓ、基板１１の温度を６０℃で一定の状態に保ち、３×１０9パルスまで通電試験を実施したが、電極配線１４ａ，１４ｂの抵抗値変化を示す現象は全く見られなかった。
【０１３０】
上述のような電極配線１４ａ，１４ｂの形成後、ＳiＮによる第１保護層１７をＣＶＤ法により成膜する。このＳiＮの第１保護層１７は、膜厚を３０００Åにし、±４００Åを公差範囲として成膜したが、酸化シリコンを第１保護層１７として成膜することも可能である。
【０１３１】
次に、第２保護層１６として、Ｔaをスパッタリングにより形成するが、その膜厚を２３００Åにし、±２８０Åの公差範囲にて成膜した。このＴaに代えてＴaＮやＴaＳiＮなどを第２保護層１６として採用してもよい。
【０１３２】
次に第２保護層１６であるＴaの不要な部分を削除するため、再度パターニングした後、ドライエッチング法により除去する。このドライエッチングの時間設定は、電気熱変換素子１８の配列方向に沿って平行に配列する発熱抵抗体層１３（およびこれに交互に重なる電極配線１４ａ，１４ｂ）の間の凹部２２に第２保護層１６が残留しないように、オーバーエッチング状態に設定される。第２保護層１６が残留すると、第２保護層が残留した部分（以下「残留部」とも言う）の下部の第１保護層１７にピンホールがあった場合、配線電極と残留部とが通電して残留部は酸化される。ここで、残留部が必要として残した第２保護層１６と通電する場合、第２保護層１６の必要部分まで酸化されてしまい、キャビテーション保護ができなくなる恐れがある。そこで、第２保護層１６の不要部分を残留させずに除去するために、オーバーエッチング量は１００Å以上であることが好ましい。また、このようなオーバーエッチングにより、第２保護層１６が除去された領域の第１保護層１７の膜厚は、第２保護層１６を構成するＴaが存在する領域の膜厚よりも薄くなっているが、電極配線を確実に保護するためにはその差が２００Å以下であることが好ましい。
【０１３３】
このドライエッチングにおいては、エッチングガスの噴射方向を例えば基板１１の表面に対して垂直に設定することにより、発熱抵抗体層１３およびこれに重なる電極配線１４ａ，１４ｂにより形成されて基板１１の表面（図示例では酸化層１２の表面）から立ち上がる段差部２３の部分の第１保護層１７は、エッチングガスの噴射方向に対して傾斜した状態となり、ここに亀裂が入っていたとしてもエッチングガスの浸入が緩和される結果、発熱抵抗体層１３上に重なる電極配線１４ａ，１４ｂが損傷を受けるような不具合は発生しない。尤も、オーバーエッチングにより第１保護層１７を多く削りすぎた場合、膜質が粗になっている段差部２３のエッチングが速いため電極配線１４ａ，１４ｂが損傷を受ける恐れがある。
【０１３４】
このような異方性のドライエッチングを行うことにより、基板１１の表面から立ち上がる段差部２３の部分の第１保護層１７に亀裂が入っていても、発熱抵抗体層１３上に重なる電極配線１４ａ，１４ｂの損傷を受けにくくしている。
【０１３５】
これに対し、上述した第２保護層１６の不要部分をウェットエッチングにて行った場合の基板表面の状態を図１５に示し、そのXVI−XVI矢視断面構造を図１６に示すが、本実施例と同一機能の部材にはこれと同一符号を記してある。すなわち、ウェットエッチングにより第２保護層１６の不要部分を除去した場合、エッチング液が段差部２３において第１保護層１７に存在する亀裂から浸透し、電極配線１４ａ，１４ｂをエッチングしてしまい、欠陥部２４が形成されてしまうことが判明した。しかしながら、本実施例のように第２保護層１６の不要部分をドライエッチングにより除去した場合、第１保護層１７のピンホールや亀裂などの存在の如何にかかわらず、上述したように電極配線１４ａ，１４ｂがエッチングされるような不具合を防止することができる。
【０１３６】
また、上述のドライエッチングでオーバーエッチング状態にする際、第２保護層によって覆われた第１保護層の部分と第２保護層によって覆われていない第１保護層の部分との境界部近傍の第1保護層および第２保護層の部分をテーパ形状にすることができる。該テーパ形状については、実施例２の中で後述する。
【０１３７】
このようにして作られた基板ユニットを組み込んだ記録ヘッドＨ１００１を作成し、インクの吐出繰り返し耐用回数の評価を実施した。３×１０8回以上が耐用目標回数であるが、１×１０9回繰り返しても、発熱抵抗体層１３の断線などの不具合は発生しなかった。この試験で使用した記録ヘッドＨ１００１における電極配線１４ａ，１４ｂの膜厚に対し、第１保護層１７の膜厚はおよそ１.１４倍であった。
【０１３８】
（実施例２）
実施例２における液体吐出ヘッドの主要部の平面形状を図１７に示し、そのXVIII−XVIII矢視断面構造を図１８に示す。ここで、２５は吐出口を形成する吐出口形成部材であり、２６は基板と吐出口形成部材との密着性を向上させるための密着層である。基板と吐出口形成部材とが接合されたものは記録素子基板Ｈ１１００に対応する。その他の構成および効果については、実施例１とほぼ同様である。
【０１３９】
図１７および図１８に示した液体吐出ヘッドは、実施例１で説明したものとほぼ同様の液体吐出ヘッド用基板ユニット２７に、密着層２６および吐出口形成部材２５を形成して作製される。
【０１４０】
まず、実施例１で説明したものとほぼ同様の液体吐出ヘッド用基板ユニット２７に、密着層２６としてポリエーテルアミド樹脂を以下の方法で厚み２.０μｍで形成した。このポリエーテルアミド樹脂には、日立化成工業（株）社製ＨＩＭＡＬ１２００を用い、スピナーで基板ユニット２７上に塗布し、１００℃／３０分＋２５０℃／１時間ベークを行った。
【０１４１】
次いでＨＩＭＡＬ上に東京応化工業（株）社製ポジレジストＯＦＰＲ８００を用いてパターニングを行い、更にＯＦＰＲパターンをマスクとしてＯ2プラズマアッシングによりＨＩＭＡＬ層のパターニングを行い、最後にマスクとして使用したＯＦＰＲパターンを剥離することで図１７および図１８に示したように密着層２６を形成した。
【０１４２】
次いで基板ユニット上に、溶解可能な感光性材料である東京応化工業（株）ポジレジストＯＤＵＲを塗布し、インク流路パターン（不図示）をパターニングした（厚み１２μｍ）。
【０１４３】
さらに、吐出口形成部材２５として被覆樹脂層を基板ユニット２７上に形成し、パターニングによって吐出口１９を形成した。被覆樹脂層としては、吐出口１９をフォトリソグラフィーで容易にかつ精度よく形成できることから、感光性のものが好ましい。また、基板ユニット２７との密着性、耐インク性を有することが要求されるため、エポキシ樹脂のカチオン重合硬化物を構造材料とするものを用いた。
【０１４４】
次いで、ＣＤＥ（ケミカルドライエッチング）でインク供給口２１上のＳiＮ膜を除去し、溶解液に浸すことによりＯＤＵＲを除去することによって、インク供給口２１上のＳiＮ膜およびＯＤＵＲからなるインク流路パターンを除去し、さらに吐出口形成部材２５であるエポキシ樹脂を完全に硬化させるために１８０℃で１時間の加熱を行い、液体吐出ヘッドを得た。
【０１４５】
さらに、吐出口形成部材２５であるエポキシ樹脂を完全に硬化させるために１８０℃で１時間の加熱を行い、液体吐出ヘッドを得た。
吐出口形成部材２５は、図１７および図１８に示したように第２保護層１６の一部および第２保護層１６によって覆われていない第１保護層１７の部分に密着層を介して接合されている。このように密着層２６を介することにより、第１保護層１７および第２保護層１６を形成した基板ユニット２７と吐出口形成部材２５との密着性は改善されている。
【０１４６】
本実施例では、以下に述べるように、密着性をさらに高めることにより、吐出口形成部材２５の剥れを防止し、液体吐出ヘッドの信頼性を向上させることができる。
【０１４７】
実施例１で述べたように、基板ユニットを作製する際、第２保護層１６によって覆われていない第１保護層１６の部分の厚みを第２保護層１６によって覆われた第１保護層１７の部分の厚みよりも薄くした場合、第２保護層１６によって覆われた第１保護層１７の部分と第２保護層１６によって覆われていない第１保護層１７の部分との境界部近傍に第２保護層１６だけでなく第1保護層１７による側壁２８が形成される。その結果、基板ユニット２７上に密着層２６および吐出口形成部材２５を形成して作製された液体吐出ヘッドにおいて、第２保護層１６の近傍における第１保護層１７と密着層２６との密着性が向上し、吐出口形成部材２５の剥れが生じにくくなる。
【０１４８】
ここで、ドライエッチングでオーバーエッチング状態することにより側壁２８を形成する場合、側壁２８をテーパ形状にすることができる。実施例１で説明した図１３は第１保護層１７と第２保護層１６のテーパ形状の角度がほぼ等しい場合の実施例である。図１８は第２保護層１６のテーパ形状の角度よりも第１保護層１７のテーパ形状の角度の方が傾斜が緩やかである場合の実施例である。また、テーパ形状は、曲率を持つものであってもよい。よりいっそう密着性を向上させるためには第１保護層および第２保護層のテーパ形状の角度傾斜が急であるほどよい。
【０１４９】
（その他の実施例）
上述の実施例１および２では吐出口１９と電気熱変換素子１８とが対向するサイドシュータータイプの記録ヘッドＨ１００１について説明したが、吐出口の開口方向が電気熱変換素子の表面に対してほぼ直交するエッジシュータータイプのインクジェットヘッドに対しても本発明を応用することが可能である。
【０１５０】
このような本発明による液体吐出ヘッドの他の実施例の外観を図１９に示すが、先の実施例と同一機能の部材にはこれと同一符号を記すに止め、重複する説明は省略するものとする。すなわち、基板１１上には、溝付き部材２５が接合され、基板１１との間に所定間隔で配列する吐出口１９と、これら吐出口１９にそれぞれインク路２６を介して連通する共通インク室２７と、この共通インク室２７にインクを供給するためのインク供給口２８とが形成されている。インク供給口２８から共通インク室２７内に供給されたインクは、インク路２６内にて電気熱変換体１８により膜沸騰を生じ、吐出口１９からインク滴となって吐出するようになっている。
【０１５１】
本実施例においても、基板１１上に形成される電気熱変換体１８は、上述した実施例と同一構成を有するものである。
【０１５２】
【発明の効果】
本発明によると、基板の表面部のほぼ全域に形成されて一対の電極配線および電気熱変換素子を覆う第１保護層と、この第１保護層の表面に形成されて電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層とを設け、一対の電極配線の厚みを１８００〜２４００Åの範囲内にし、第２保護層によって覆われた第１保護層の部分の厚みを２６００〜３４００Åの範囲内にし、さらに第２保護層によって覆われていない第１保護層の膜厚が均一な部分の厚みを第２保護層によって覆われた第１保護層の部分の厚みよりも薄くしたので、第１保護層を成膜工程の追加やマスクの使用を増やすことなく、均一な薄い膜厚にすることができる。また、電極配線により形成されて基板の表面から立ち上がる段差部における第１保護層のカバレージ性を良好に保つことができる。
【０１５３】
このため、液体の急速加熱が可能となって発泡安定性を向上させることができる結果、液体吐出ヘッドの省電力化および昇温の抑制が可能となり、基板の蓄熱が抑制されて熱応答性が向上し、駆動周波数を高めて高品位のプリント作業を実現することができる。しかも、電気熱変換素子の吐出耐久性の優れた信頼性の高い液体吐出ヘッドを従来と変りない工数で得ることができる。
【０１５４】
特に、一対の電極配線の厚みを２０００〜２２００Åの範囲にした場合には、第１保護層の膜厚をより薄く均一化することができ、熱発生の繰り返しに伴う熱応力の部分集中によって保護層に亀裂が発生し、この亀裂部分から液体が侵入して発熱抵抗層の破壊に至る断線事故を防止することができ、耐久性を向上させることができる。
【０１５５】
電気熱変換素子およびこの電気熱変換素子と一対の電極配線との接続部近傍を覆う第２保護層を第１保護層の表面にドライエッチングにて形成することにより、この第２保護層によって覆われていない第１保護層の部分の厚みを当該第２保護層によって覆われた第１保護層の部分の厚みよりも薄くし、一対の電極配線の厚みを１８００〜２４００Åの範囲にした場合には、電気熱変換素子および電極配線に対して損傷を与えないようにすることができる。
【０１５６】
また、第１保護層および第２保護層の吐出口形成部材に覆われる部分をテーパ形状にすることにより、第２保護層の近傍における前記第１保護層と吐出口形成部材との密着性が向上し、吐出口形成部材の剥れが生じにくくなる。
【０１５７】
このため、電気熱変換素子や一対の電極配線および基板に設けられる駆動素子などに対し、第２保護層を除去することによって露出する第１保護層は、水分の付着や高湿の環境下において、十分な機能を発揮することができる。
【０１５８】
吐出口を相互に平行に少なくとも２列形成し、それぞれ６００dpiの間隔で配列すると共に列毎のこれらの配列間隔を相互に半ピッチずらした場合には、１２００dpiの高性能な液体吐出ヘッドを得ることができる。
【０１５９】
電気熱変換素子に単独に与えられる駆動パルスによって吐出される吐出口から吐出される液体の吐出量が４ピコリットルの場合には、画像の分解能を向上させて得られる画像品質を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態におけるインクジェットプリンタの外観構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示すものの外装部材を取り外した状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に用いる記録ヘッドカートリッジを組立てた状態を示す斜視図である。
【図４】図３に示す記録ヘッドカートリッジを示す分解斜視図である。
【図５】図４に示した記録ヘッドを斜め下方から観た分解斜視図である。
【図６】本発明の実施形態におけるスキャナカートリッジを示す斜視図である。
【図７】本発明の実施形態における電気的回路の全体構成を概略的に示すブロック図である。
【図８】図７に示したメインＰＣＢの内部構成を示すブロック図である。
【図９】図８に示したＡＳＩＣの内部構成を示すブロック図である。
【図１０】本発明の実施形態の動作を示すフローチャートである。
【図１１】本発明による液体吐出ヘッドの一実施例の概略構造を表す破断斜視図である。
【図１２】図１１に示した実施例における基板の主要部の平面図である。
【図１３】図１２中のXIII−XIII矢視断面図である。
【図１４】図１２中のXIV−XIV矢視断面図である。
【図１５】第２保護層をウェットエッチングにより形成した場合の基板の主要部の平面図である。
【図１６】図１５中のXVI−XVI矢視断面図である。
【図１７】本発明による液体吐出ヘッドの他の実施例における主要部の平面図である。
【図１８】図１７中のXVIII−XVIII矢視断面図である。
【図１９】本発明による液体吐出ヘッドの別な実施例の外観の一部を表す斜視図である。
【図２０】従来のインクジェットヘッドの基板の構造の一例を示す断面図である。
【図２１】従来のインクジェットヘッドの基板の構造の他の例を示す断面図である。
【図２２】従来のインクジェットヘッドの基板の構造の別な例を示す断面図である。
【符号の説明】
１１  基板（記録素子基板Ｈ１１００）
１２  酸化層
１３  発熱抵抗体層
１４ａ，１４ｂ  電極配線
１５  段差部
１６  第２保護層
１７  第１保護層
１８  電気熱変換素子
１９  吐出口（Ｈ１１００Ｔ）
２０  インク室
２１  インク供給口（Ｈ１２０１）
２２  凹部
２３  段差部
２４  欠陥部
２５  吐出口形成部材
２６  密着層
２７  基板ユニット
２８  側壁
Ｍ１０００  装置本体
Ｍ１００１  下ケース
Ｍ１００２  上ケース
Ｍ１００３  アクセスカバー
Ｍ１００４  排出トレイ
Ｍ２０１５  紙間調整レバー
Ｍ２００３  排紙ローラ
Ｍ３００１  ＬＦローラ
Ｍ３０１９  シャーシ
Ｍ３０２２  自動給送部
Ｍ３０２９  搬送部
Ｍ３０３０  排出部
Ｍ４００１  キャリッジ
Ｍ４００２  キャリッジカバー
Ｍ４００７  ヘッドセットレバー
Ｍ４０２１  キャリッジ軸
Ｍ５０００  回復系ユニット
Ｍ６０００  スキャナ
Ｍ６００１  スキャナホルダ
Ｍ６００３  スキャナカバー
Ｍ６００４  スキャナコンタクトＰＣＢ
Ｍ６００５  スキャナ照明レンズ
Ｍ６００６  スキャナ読取レンズ１
Ｍ６１００  保管箱
Ｍ６１０１  保管箱ベース
Ｍ６１０２  保管箱カバー
Ｍ６１０３  保管箱キャップ
Ｍ６１０４  保管箱バネ
Ｅ０００１  キャリッジモータ
Ｅ０００２  ＬＦモータ
Ｅ０００３  ＰＧモータ
Ｅ０００４  エンコーダセンサ
Ｅ０００５  エンコーダスケール
Ｅ０００６  インクエンドセンサ
Ｅ０００７  ＰＥセンサ
Ｅ０００８  ＧＡＰセンサ（紙間センサ）
Ｅ０００９  ＡＳＦセンサ
Ｅ００１０  ＰＧセンサ
Ｅ００１１  コンタクトＦＰＣ（フレキシブルプリントケーブル）
Ｅ００１２  ＣＲＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブル）
Ｅ００１３  キャリッジ基板
Ｅ００１４  メイン基板
Ｅ００１５  電源ユニット
Ｅ００１６  パラレルＩ／Ｆ
Ｅ００１７  シリアルＩ／Ｆ
Ｅ００１８  電源キー
Ｅ００１９  レジュームキー
Ｅ００２０  ＬＥＤ
Ｅ００２１  ブザー
Ｅ００２２  カバーセンサ
Ｅ１００１  ＣＰＵ
Ｅ１００２  ＯＳＣ（ＣＰＵ内蔵オシレータ）
Ｅ１００３  Ａ／Ｄ（ＣＰＵ内蔵Ａ／Ｄコンバータ）
Ｅ１００４  ＲＯＭ
Ｅ１００５  発振回路
Ｅ１００６  ＡＳＩＣ
Ｅ１００７  リセット回路
Ｅ１００８  ＣＲモータドライバ
Ｅ１００９  ＬＦ／ＰＧモータドライバ
Ｅ１０１０  電源制御回路
Ｅ１０１１  ＩＮＫＳ（インクエンド検出信号）
Ｅ１０１２  ＴＨ（サーミスタ温度検出信号）
Ｅ１０１３  ＨＳＥＮＳ（ヘッド検出信号）
Ｅ１０１４  制御バス
Ｅ１０１５  ＲＥＳＥＴ（リセット信号）
Ｅ１０１６  ＲＥＳＵＭＥ（リジュームキー入力）
Ｅ１０１７  ＰＯＷＥＲ（電源キー入力）
Ｅ１０１８  ＢＵＺ（ブザー信号）
Ｅ１０１９  発振回路出力信号
Ｅ１０２０  ＥＮＣ（エンコーダ信号）
Ｅ１０２１  ヘッド制御信号
Ｅ１０２２  ＶＨＯＮ（ヘッド電源ＯＮ信号）
Ｅ１０２３  ＶＭＯＮ（モータ電源ＯＮ信号）
Ｅ１０２４  電源制御信号
Ｅ１０２５  ＰＥＳ（ＰＥ検出信号）
Ｅ１０２６  ＡＳＦＳ（ＡＳＦ検出信号）
Ｅ１０２７  ＧＡＰＳ（ＧＡＰ検出信号）
Ｅ００２８  シリアルＩ／Ｆ信号
Ｅ１０２９  シリアルＩ／Ｆケーブル
Ｅ１０３０  パラレルＩ／Ｆ信号
Ｅ１０３１  パラレルＩ／Ｆケーブル
Ｅ１０３２  ＰＧＳ（ＰＧ検出信号）
Ｅ１０３３  ＰＭ制御信号（パルスモータ制御信号）
Ｅ１０３４  ＰＧモータ駆動信号
Ｅ１０３５  ＬＦモータ駆動信号
Ｅ１０３６  ＣＲモータ制御信号
Ｅ１０３７  ＣＲモータ駆動信号
Ｅ００３８  ＬＥＤ駆動信号
Ｅ１０３９  ＶＨ（ヘッド電源）
Ｅ１０４０  ＶＭ（モータ電源）
Ｅ１０４１  ＶＤＤ（ロジック電源）
Ｅ１０４２  ＣＯＶＳ（カバー検出信号）
Ｅ２００１  ＣＰＵ  Ｉ／Ｆ
Ｅ２００２  ＰＬＬ
Ｅ２００３  ＤＭＡ制御部
Ｅ２００４  ＤＲＡＭ制御部
Ｅ２００５  ＤＲＡＭ
Ｅ２００６  １２８４  Ｉ／Ｆ
Ｅ２００７  ＵＳＢ  Ｉ／Ｆ
Ｅ２００８  受信制御部
Ｅ２００９  圧縮Å伸長ＤＭＡ
Ｅ２０１０  受信バッファ
Ｅ２０１１  ワークバッファ
Ｅ２０１２  ワークエリアＤＭＡ
Ｅ２０１３  記録バッファ転送ＤＭＡ
Ｅ２０１４  プリントバッファ
Ｅ２０１５  記録データ展開ＤＭＡ
Ｅ２０１６  展開用データバッファ
Ｅ２０１７  カラムバッファ
Ｅ２０１８  ヘッド制御部
Ｅ２０１９  エンコーダ信号処理部
Ｅ２０２０  ＣＲモータ制御部
Ｅ２０２１  ＬＦ／ＰＧモータ制御部
Ｅ２０２２  センサ信号処理部
Ｅ２０２３  モータ制御バッファ
Ｅ２０２４  スキャナ取込みバッファ
Ｅ２０２５  スキャナデータ処理ＤＭＡ
Ｅ２０２６  スキャナデータバッファ
Ｅ２０２７  スキャナデータ圧縮ＤＭＡ
Ｅ２０２８  送出バッファ
Ｅ２０２９  ポート制御部
Ｅ２０３０  ＬＥＤ制御部
Ｅ２０３１  ＣＬＫ（クロック信号）
Ｅ２０３２  ＰＤＷＭ（ソフト制御信号）
Ｅ２０３３  ＰＬＬＯＮ（ＰＬＬ制御信号）
Ｅ２０３４  ＩＮＴ（割り込み信号）
Ｅ２０３６  ＰＩＦ受信データ
Ｅ２０３７  ＵＳＢ受信データ
Ｅ２０３８  ＷＤＩＦ（受信データ／ラスタデータ）
Ｅ２０３９  受信バッファ制御部
Ｅ２０４０  ＲＤＷＫ（受信バッファ読み出しデータ／ラスタデータ）
Ｅ２０４１  ＷＤＷＫ（ワークバッファ書込みデータ／記録コード）
Ｅ２０４２  ＷＤＷＦ（ワークフィルデータ）
Ｅ２０４３  ＲＤＷＰ（ワークバッファ読み出しデータ／記録コード）
Ｅ２０４４  ＷＤＷＰ（並べ替え記録コード）
Ｅ２０４５  ＲＤＨＤＧ（記録展開用データ）
Ｅ２０４７  ＷＤＨＤＧ（カラムバッファ書込みデータ／展開記録データ）
Ｅ２０４８  ＲＤＨＤ（カラムバッファ読み出しデータ／展開記録データ）
Ｅ２０４９  ヘッド駆動タイミング信号
Ｅ２０５０  データ展開タイミング信号
Ｅ２０５１  ＲＤＰＭ（パルスモータ駆動テーブル読み出しデータ）
Ｅ２０５２  センサ検出信号
Ｅ２０５３  ＷＤＨＤ（取込みデータ）
Ｅ２０５４  ＲＤＡＶ（取込みバッファ読み出しデータ）
Ｅ２０５５  ＷＤＡＶ（データバッファ書込みデータ／処理済データ）
Ｅ２０５６  ＲＤＹＣ（データバッファ読み出しデータ／処理済データ）
Ｅ２０５７  ＷＤＹＣ（送出バッファ書込みデータ／圧縮データ）
Ｅ２０５８  ＲＤＵＳＢ（ＵＳＢ送信データ／圧縮データ）
Ｅ２０５９  ＲＤＰＩＦ（１２８４送信データ）
Ｈ１０００  記録ヘッドカートリッジ
Ｈ１００１  記録ヘッド
Ｈ１１００  記録素子基板
Ｈ１１００Ｔ  吐出口
Ｈ１２００  第１のプレート
Ｈ１２０１  インク供給口
Ｈ１３００  電気配線基板
Ｈ１３０１  外部信号入力端子
Ｈ１４００  第２のプレート
Ｈ１５００  タンクホルダ
Ｈ１５０１  インク流路
Ｈ１６００  流路形成部材
Ｈ１７００  フィルタ
Ｈ１８００  シールゴム
Ｈ１９００  インクタンク
【図１】
0003647365.tif 000002
【図２】
0003647365.tif 000003
【図３】
0003647365.tif 000004
【図４】
0003647365.tif 000005
【図５】
0003647365.tif 000006
【図６】
0003647365.tif 000007
【図７】
0003647365.tif 000008
【図８】
0003647365.tif 000009
【図９】
0003647365.tif 000010
【図１０】
0003647365.tif 000011
【図１１】
0003647365.tif 000012
【図１２】
0003647365.tif 000013
【図１３】
0003647365.tif 000014
【図１４】
0003647365.tif 000015
【図１５】
0003647365.tif 000016
【図１６】
0003647365.tif 000017
【図１７】
0003647365.tif 000018
【図１８】
0003647365.tif 000019
【図１９】
0003647365.tif 000020
【図２０】
0003647365.tif 000021
【図２１】
0003647365.tif 000022
【図２２】
0003647365.tif 000023