(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の搬入出用の下端開口を有し、処理位置に配置される被処理体を輻射加熱する一次加熱源を、上記処理位置の上方にのみ備えている縦型プロセスチューブと、
水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定する上下動可能な被処理体用ホルダーと、
上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供給するガス供給手段と、
上記一次加熱源により加熱されることで、上記処理位置に設定された上記被処理体裏面に向けて二次輻射熱線を放射して、少なくとも上記被処理体の周縁部を加熱する二次加熱源と、
を有し、
上記二次加熱源は、被処理体の搬入出用の下端開口を有し、上記プロセスチューブを取り囲むように形成され、かつ、上記処理位置よりも下方領域にて上記プロセスチューブに向けて水平に突出された部分を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
被処理体の搬入出用の下端開口を有し、処理位置に配置される被処理体を加熱する熱源を、上記処理位置の上方にのみ備えている縦型プロセスチューブと、
水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定する上下動可能な被処理体用ホルダーと、
上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供給するガス供給手段と、
上記熱源からの輻射熱線を直接又は間接にて入射し、この入射熱線を上記処理位置に設定された上記被処理体裏面に向けて反射して、少なくとも上記被処理体の周縁部を加熱する反射部材と、
を有し、
上記反射部材は、被処理体の搬入出用の下端開口を有し、上記プロセスチューブを取り囲むように形成され、かつ、上記処理位置よりも下方領域にて上記プロセスチューブに向けて水平に突出された部分を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項２において、
上記反射部材は、上記被処理体用ホルダーに対して昇降移動可能に支持され、上記被処理体との対向間距離を可変としたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項２において、
上記反射部材は、上記被処理体ホルダーの縦軸方向の異なる位置に少なくとも２枚配置され、各反射板は、熱線の反射率が異なる領域が周方向に形成され、各反射板が相対的に回転することにより、各反射板の反射効率の異なる領域の相対位置関係が変化することを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、縦型プロセスチューブ内で被処理体を熱処理する熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体ウェハ、ＬＣＤ基板などの製造においては、酸化、拡散、アニール、ＣＶＤなどの処理を行なうために、各種の熱処理装置が使用される。これらの熱処理装置においては、例えばプロセスの高精度化を達成すること、被処理体の面内の温度分布の均一性を向上させること、また熱処理の効率を高めることなどが大きな技術課題となっている。
【０００３】
ところで、近年、半導体プロセスはより微細化が進み、これとともに、ウェハの口径も８インチ〜１２インチへと、より大口径化が進んでおり、またＬＣＤ基板などの大型の基板を均一に効率良く処理する熱処理装置も必要となってきている。このような状況に応じてプロセスの微細化が進み、被処理体が大口径化するのに応じて処理のさらなる高精度化、被処理体の面内での温度分布のさらなる均一化、熱処理効率のさらなる向上が必要とされる。しかもこのような大口径化にある被処理体を製造する場合のスループットの向上も要望される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような被処理体の大口径化に伴い、実際の処理を行なう場合には、次のような問題があった。
【０００５】
つまり、被処理体の大口径化に伴い、被処理体に生じるスリップ、歪みを効果的に防止し、また、被処理体の面内での温度分布の均一性の向上を図る必要がある。したがって、このような要求に対しては、被処理体にいかにして均一に温度を加えるか、また、中心部より周辺部のほうが放熱量が大きいために生じる中央部と周辺部との温度差をいかにして少なくするか等が、大きな技術課題となる。また、プロセスの微細化に伴い、被処理体に対する処理の高精度化、被処理体に対する汚染度の低減化が必要になる。したがって、被処理体の面内での膜質、膜厚の均一化を図るために、いかにして短時間で効率良く熱処理を行なうかなども大きな技術課題となる。
【０００６】
そこで、本発明の目的とするところは、上記従来の熱処理装置における問題に鑑み、被処理体での面内均一性を確保しながら効率良く熱処理することができる熱処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、被処理体の搬入出用の下端開口を有し、処理位置に配置される被処理体を輻射加熱する一次加熱源を上方に備えている縦型プロセスチューブと、
水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定する上下動可能な被処理体用ホルダーと、
上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供給するガス供給手段と、
上記一次加熱源により加熱されることで、上記処理位置に設定された上記被処理体裏面に向けて二次輻射熱線を放射して、少なくとも上記被処理体の周縁部を加熱する二次加熱源と、
を有することを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１において、
上記二次加熱源は、上記処理位置よりも下方領域であって、上記ホルダーの昇降経路と干渉しない領域に、水平に配置されていることを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載の発明は、被処理体の搬入出用の下端開口を有し、処理位置に配置される被処理体を加熱する熱源を上方に備えている縦型プロセスチューブと、
水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定する上下動可能な被処理体用ホルダーと、
上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供給するガス供給手段と、
上記熱源からの輻射熱線を直接又は間接にて入射し、この入射熱線を上記処理位置に設定された上記被処理体裏面に向けて反射して、少なくとも上記被処理体の周縁部を加熱する反射部材と、
を有することを特徴とする。
【００１０】
請求項４記載の発明は、請求項３において、
上記反射部材は、上記被処理体用ホルダーの上記被処理体支持位置よりも下方の位置に、上記被処理体用ホルダーに水平に取り付けられていることを特徴とする。
【００１１】
請求項５記載の発明は、請求項４において、
上記反射部材は、上記被処理体用ホルダーに対して昇降移動可能に支持され、上記被処理体との対向間距離を可変としたことを特徴とする。
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項４において、
上記反射部材は、上記被処理体ホルダーの縦軸方向の異なる位置に少なくとも２枚配置され、各反射板は、熱線の反射率が異なる領域が周方向に形成され、各反射板が相対的に回転することにより、各反射板の反射効率の異なる領域の相対位置関係が変化することを特徴とする。
【００１３】
【作用】
請求項１及び３記載の発明では、特に放熱が多い被処理体の周縁部を、被処理体の裏面側より加熱することで、被処理体の処理温度の面内均一性を確保することができる。請求項１の発明では、被処理体周縁部の加熱を、一次加熱源により加熱されて二次輻射熱を放射する二次加熱源により行い、請求項３の発明では、面状加熱源からの直接的または間接的に入射する熱線を、被処理体周縁部にその裏面側より反射させることで行っている。
【００１４】
請求項２の発明では、二次加熱源を被処理体の下方にて、かつ、被処理体の昇降経路と干渉しない位置に水平に配置することで、二次加熱源の加熱ひいては被処理体周縁部の加熱を効率良く行うことができる。
【００１５】
請求項４の発明では、被処理体用ホルダーの被処理体支持位置よりも下方の位置に、反射部材を被処理体用ホルダーに水平に取り付けるこで、被処理体周縁部への熱線の反射を効率良く行うことができる。しかも、反射部材は被処理体用ホルダーと共に被処理体の出し入れ位置に移動したとしても、反射部材の温度はさほど高まらないので、被処理体の出し入り口雰囲気の温度が上昇することはない。
【００１６】
請求項５の発明では、反射部材と被処理体との対向間距離を可変とすることで、被処理体周縁部に反射される熱線強度を可変される。これにより被処理体の処理温度の面内均一性を調整できる。
【００１７】
請求項６の発明では、少なくとも２枚の反射板が相対的に回転することにより、各反射板の反射効率の異なる領域の相対位置関係が変化して、被処理体周縁部に反射される熱線強度を可変される。
【００１８】
【実施例】
以下、図１〜図１９に示す実施例によって本発明の詳細を説明する。
【００１９】
図１は、本発明実施例による熱処理装置の全体構成を示し、特に、被処理体Ｗの表裏両面を加熱する構造の一例を示す断面図である。
【００２０】
本実施例における熱処理装置には熱処理部１０、被処理体搬入出部５０およびシャッター駆動部６０が設けられている。
【００２１】
熱処理部１０は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ等の被処理体Ｗに対して各種の熱処理を行なうための部分であり、縦型プロセスチューブ１２を備えている。プロセスチューブ１２は、下端開口を有する円筒状部材であり、本実施例の場合、高純度透明石英によって形成されている。
【００２２】
そして、プロセスチューブ１２の内部には、外部からプロセスガスを供給するための給気パイプ１４が配置されている。この給気パイプ１４は、プロセスチューブ１２の内部空間で上端部に開口を有し、その開口に至る途中、つまり、被処理体Ｗの熱処理位置よりも下方には、図２に示すように、ガス通路を有する予熱部１４Ａが形成されている。予熱部１４Ａは、被処理体Ｗの熱処理位置の下方の雰囲気熱を吸熱することにより、外部から供給されおいて一旦に貯溜されるプロセスガスを加熱したうえで、処理部上方の空間に噴出させるようになっている。従って、プロセスガスは、噴出されるまでの間に処理温度に近い状態を設定されているので、反応処理のための温度に達するまでの時間が短縮されることになる。
【００２３】
また、被処理体Ｗの処理面の裏側に相当する位置は、予熱部１４Ａによって雰囲気熱を吸収されることにで、被処理体Ｗの処理面とその裏側空間との間で被処理体Ｗの面内均一性を設定するための温度勾配が得られる温度に設定される。なお、この給気パイプ１４の予熱部１４Ａ内の構造としては、周方向に沿って複数配置された放熱フィン（図示されず）を設けてもよい。これによって、熱処理部１０からの熱をプロセスガスに対して効率良く伝達することができる。
【００２４】
また、プロセスチューブ１２の下端開口近傍には、図１に示すように、給気パイプ１４から供給されたプロセスガスを排気するための排気パイプ２６が設けられ、これらパイプの組合せにより、プロセスチューブ１２内に導入されたプロセスガスに適当な流れを生じさせて、被処理体Ｗの表面に形成される薄膜の均一化等が行なえるようになっている。なお、プロセスガスと接触する給気および排気パイプ１４、２８は、例えば石英等で覆われ、重金属汚染対策が施されている。
【００２５】
一方、プロセスチューブ１２の周囲には、例えば、アルミナセラミックス等で構成された断熱材１６が設けられている。この断熱材１６は、例えば、その外周に配置されているセラミックスウール成形品からなる断熱材１７の内部に設けられている。
【００２６】
断熱材１７の外壁面には、インナーシェル１８Ａとアウタシェル１８Ｂとで形成された水冷ジャケットからなる水冷機構１８が設けられ、熱処理部１０と外部との間での熱隔離が行なわれている。これによって、熱処理部１０内で高温熱処理を行なっている場合に、外部での操作の安全を確保することができる。
【００２７】
さらに、プロセスチューブ１２の上方には、一次加熱源である面状発熱源２０が設けられている。この面状発熱源２０は、例えば、二硅化モリブデン（ＭｏＳｉ2 ）、または、鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）とアルミニューム（Ａｌ）との合金線であるカンタル（商品名）線等の抵抗発熱体を、断熱材１６の上部内壁面に配置することで構成されている。二硅化モリブデンは、１８００℃の高温にも充分耐えることができる。このような面状発熱源２０は、例えば、二硅化モリブデンの単線からなる抵抗発熱線を螺旋状に配置して構成することも可能である。さらに、この面状発熱源２０の発熱面は、被処理体Ｗの外径の２倍以上であることが、熱効率の点から有効である。
【００２８】
ところで、プロセスチューブ１２と面状発熱源２０との間には、面状発熱源２０からの熱により加熱されて、被処理体Ｗの面内に対して均一に二次輻射熱を放射するための均熱部材２２が配置されている。この均熱部材２２は、例えば、炭化硅素（ＳｉＣ）等の汚染度が比較的低く、耐熱性が良好な材質が選択され、本実施例の場合、均熱部材２２は、図１に示すように、処理位置に設定された被処理体Ｗの上方及び側方を覆うと共に、被処理体Ｗの処理位置よりも下方領域には、被処理体Ｗと平行に水平状態で設置された均熱部材２２Ａを含んでいる。この均熱部材２２Ａは、少なくとも、被処理体Ｗの周縁部に対して、被処理体Ｗの裏面側より二次輻射熱線を放射できるようになっている。従って、比較的放熱量が多い被処理体Ｗの周縁部に対しては、裏面に位置する均熱部材２２Ａからの二次輻射熱によって加熱されるので、放熱量の増加を抑えられて被処理体Ｗの面内での温度分布が変化するのが防止される。
【００２９】
上記した均熱部材２２の配置構成の別な例としては、図３に示すように被処理体Ｗの表面側と裏面側とに均熱部材を分割して配置することも可能である。この場合、特に、裏面の場合には図１に示した場合と同様に、被処理体Ｗの周縁部に対して輻射熱を与えることができる状態に配置されることが必要である。裏面側に位置する均熱部材２２Ａは、二次輻射熱を放射するものに限らず、例えば、表面に研磨層からなる鏡面を備えた炭化ケイ素（ＳｉＣ）で構成することができる。従って、表面側に位置する均熱部材２２からの輻射熱線は、直接被処理体Ｗの表面に達するとともに、裏面側に位置する均熱部材２２Ａに達した一部がこの鏡面で反射されて被処理体Ｗの周縁部に達する。
【００３０】
また、このような分割配置の他の例としては、図４に示す構造もある。すなわち、被処理体Ｗの表面側に位置する均熱部材２２は、上端位置から被処理体Ｗが位置する範囲まで垂下させてある。従って、この場合には、被処理体Ｗの周縁部での加熱が表面と裏面との両方で促進されることになり、周縁部からの放熱による温度の低下が防止される。
【００３１】
さらに、被処理体Ｗの裏面側に位置する均熱部材２２の配置構成には、図５に示す構成がある。すなわち、図５に示す配置構成は、プロセスチューブ１２の内部において、被処理体Ｗの昇降経路と干渉しない領域にて、被処理体Ｗの裏面両側方に均熱部材２２がそれぞれ配置してある。なお、裏面に配置された均熱部材２２は、被処理体Ｗの搬入前に予め面状発熱源２０により加熱されているので、裏面側から被処理体Ｗの周縁部に向けた加熱を行なうことが可能になる。あるいは、図６に示すように、一部の均熱部材２２を、被処理体用ホルダー３０に一体化することもできる。このように、被処理体Ｗの表面はもとより、裏面、特に、被処理体Ｗの周縁部に向けた加熱を行なうことで、被処理体Ｗの放熱が大きい箇所である周縁部での温度を低下させることなく、面内での温度分布を均一化することができる。しかも、炭化硅素等の耐熱性が良好でかつ、汚染度が低い材質を用いることによって、プロセスチューブ１２の処理空間を発熱源から熱的に隔離することができるので、発熱源が汚染の原因となる重金属を含む材料により構成されている場合であっても、重金属による汚染を有効に防止することができる。
【００３２】
一方、プロセスチューブ１２の内部には、処理部１０に対して被処理体Ｗを熱処理部１０に移送するための被処理体用ホルダー３０が設けられている。
【００３３】
被処理体用ホルダー３０は、例えば、図１に示す処理位置と被処理体Ｗの搬出入位置との間で上下動可能なロッド部材で構成され、その上端部には、被処理体Ｗの載置部３０Ａが形成されている。載置部３０Ａは、本実施例の場合、一例として、図７に示すように、リング状に形成された受け台３０Ａ１の上面に周方向に沿って複数、図では４箇所に、載置用支柱３０Ａ２が設けられている。この受け台３０Ａ１は、被処理体Ｗの裏面側に位置する均熱部材２２又は２２Ａからの輻射熱線行を妨げない骨組み構造に設定されている。
【００３４】
遮蔽部材３０Ｂは、処理部内部からの輻射熱の遮断および熱処理部内でのプロセスガスの密封、さらには被処理体Ｗが移動する場合の気流の整流を行なうために設けられていて、被処理体用ホルダー３０の軸方向他端に至る途中に設けられた蓋体で構成されている。
【００３５】
そして、遮蔽部材３０Ｂは、被処理体Ｗの裏面に位置する均熱部材２２からの加熱によって蓄熱することになるので、載置された被処理体Ｗを予熱する機能をもたせることができる。また、遮蔽部材３０Ｂは、被処理体Ｗの移動時での気流の整流を行なう機能を果すための構成を備えている。すなわち、図１において、遮蔽部材３０Ｂの外径（Ａ）は、上記載置部３０Ａが処理位置から搬入出のために移動したとき、給気パイプ１４の予熱部１４Ａの内壁面との間に存在するガスに急激な流速が生じない程度の隙間が得られる大きさに設定されており、本実施例では、予熱部１４Ａの内壁面の内径（Ｂ）よりも５ｍｍ〜３０ｍｍ程度小さくなるように設定されている。
【００３６】
これは、例えば、熱処理後に被処理体用ホルダー３０が熱処理部１０から移動した場合に被処理体Ｗに面内温度差が生じるのを防止するためである。つまり、予熱部１４Ａと遮蔽部材３０Ｂとの関係のように、接近した部材同士が相対的に移動した場合、その間に存在している気体、特に遮蔽部材３０Ｂの周縁近傍に存在する気体には巻き込みによる流速が発生する。そして、この気流の速度は両者間の隙間の大きさに影響され、この隙間が小さ過ぎると流速が急激に増加し、遮蔽部材３０Ｂを境にして一方の空間である処理位置内に対流が起こることになる。このため、被処理体Ｗの周縁部からの放熱が促進されてしまう。そこで、遮蔽部材３０Ｂの外径寸法を決めることにより、熱処理時には被処理位置内での温度勾配を変化させないようにする。さらにこれに加えて、被処理体Ｗがアンロードされるために処理位置に対して移動する場合には、気流速度の増大を抑えて被処理体Ｗの面内温度差が生じるのを防止する。従って、被処理体Ｗがロード，アンロードのために移動する時には、遮蔽部材３０Ｂの周辺で気流にある程度の速度が生じた場合であってもこの速度を処理位置内に作用させないようにして、いわゆる、処理位置での対流を防止し、被処理体Ｗの面内温度差を発生させないようにすることができる。
【００３７】
本実施例では、この遮蔽部材３０Ｂにおける外径寸法の特定に加えて、遮蔽部材３０Ｂには、図７に示すように周方向に沿って気体の逃げ孔３０Ｂ１が上方に貫通して複数形成されている。この気体の逃げ孔３０Ｂ１を形成することで被処理体Ｗの周縁近傍での気体の巻き込みを少なくするようにしてもよい。
【００３８】
なお、遮蔽部材３０Ｂの形状は、上記した蓋状に限らず、被処理体用ホルダー３０が移動するときの気流の乱れや速度の発生を抑える形状が設定されることは勿論であり、例えば、上下に円錐形を組み合わせた形状にしても良く、また、複数枚を連続的に設けても良い。
【００３９】
図８には、複数の遮蔽部材を設けた場合の例が示されている。この場合には、縦軸方向に沿って複数の遮蔽部材、図８では４段の遮蔽部材３０Ｂ１０、３０１２、３０Ｂ１４、３０Ｂ１６が設けられ、下段に向かうに従い、順次、外径が拡大される関係を設定されている。そして、これら各遮蔽部材の周面近傍には、プロセスチューブ１２の内壁に固定され、縦方向に沿って上段側から順に縮径された仕切り板３０Ｂ２０、３０Ｂ２２、３０Ｂ２４が配置されている。この仕切り板３０Ｂ２０、３０Ｂ２２、３０Ｂ２４は、熱処理部１０での熱を遮断することで熱処理部とこの下方との間での温度勾配を防いで気流の発生を防止するために設けられている。また、各段の遮蔽部材には、図７の遮蔽部材３０Ｂに形成されているのと同様に、複数の気体の逃げ孔が形成されている。この場合の気体の逃げ孔は、各段の遮蔽部材同士で異なる位置に形成されている。各仕切り板にも、同様に気体の逃げ孔を形成することができる。さらに、上記各仕切り板に対する２段目以降の遮蔽部材３０Ｂ１０、３０１２、３０Ｂ１４、３０Ｂ１６は、被処理体用ホルダー３０の受け台３０Ａが処理位置にあるとき、仕切り板３０Ｂ２０、３０Ｂ２２Ｃ、３０Ｂ２４の下方に位置する関係を設定されて被処理体用ホルダー３０のロッド部に固定されている。なお、図８に示した遮蔽部材の構造は、プロセスチューブ１２内に図１で示した吸気パイプ１４の予熱部１４Ａがない場合を対象としたが、図１の場合と同様に、吸気パイプ１４の余熱部１４Ａを設けた場合を対象とすることも可能であり、図９には、この場合の構造が示されている。図９に示した場合には、吸気パイプ１４の予熱部１４Ａが下方側に設置されている方が、順次、縮径させて構成されている。
【００４０】
また、被処理体用ホルダー３０の軸方向他端には、上記した遮蔽部材３０Ｂ１０、３０Ｂ１２、３０Ｂ１４、３０Ｂ１６に加えて、さらに一つの遮熱部材３０Ｃが設けられている。この遮熱部材３０Ｃはフランジによって構成され、この端部の下方に位置する冷却ロッド３２に連結されている。遮熱部材３０Ｃは、被処理体用ホルダー３０の載置部３０Ａが熱処理部１０内での被処理体Ｗの処理位置に設定されているとき、プロセスチューブ１２の下端開口近傍を覆って後述する被処理体搬入出部５０に対する輻射熱の通過を遮断するためのものである。なお、前述した遮蔽部材のうち、図８，図９に示すように最上段に位置する遮蔽部材３０Ｂ１０は、被処理体Ｗの裏面加熱のために用いることも可能であり、さらに、裏面側に位置する均熱部材の中央部と周縁部とで材質等を変えて、温度を異ならせることも可能である。特に、後者の場合には、周縁部の方を温度が高く設定することは勿論である。
【００４１】
一方、冷却ロッド３２は、被処理体用ホルダー３０を冷却するためのものである。このため、冷却ロッド３２は金属製であり、内部には、図１０に示すように、水冷ジャケット３２Ａが形成されている。
【００４２】
さらに、被処理体用ホルダー３０および冷却ロッド３２の中央部には、図１０に示すように、載置部３０Ａに至る貫通孔３４が形成されている。この貫通孔３４には、熱処理部１０での処理温度を近似的に測定するための温度計３６のリード線３６Ａが挿通されている。温度計３６は、被処理体Ｗの載置部３０Ａの裏面に配置されて被処理体Ｗの表面温度を検知するようになっている。また、この貫通孔３４は、温度計に代えて、例えば、被処理体Ｗの表面色から温度を検知する光学式温度センサへの光路として用いることも可能である。また、この貫通孔３４の一部には、例えば、Ｎ2 ガスなどのパージガスの供給パイプ３８が連通させてあり、貫通孔３４内をパージするようになっている。
【００４３】
なお、上記被処理体用ホルダー３０における載置部３０Ａは、被処理体Ｗの面内での放熱による温度分布の不均一化を防止するために接触面積を小さくすることが必要である。そこで、本実施例においては、上記載置部３０Ａに設けられている図７の載置支柱３０Ａ２に代えて、図１１に示す載置支持構造とすることも可能である。つまり、図１１（Ａ）に示す構造は、略直角に交差する勾配面３０Ａ１０、３０Ａ１２を形成したものであり、一方の勾配面３０Ａ１０の頂点に被処理体Ｗを載置し、他方の勾配面３０Ａ１２をセンタリングのためのガイド面として用いている。また、図１１（Ｂ）に示す構造は、図１１（Ａ）に示した交差する勾配面を形成する際の切削工具の逃げ部３０Ａ２０を交差位置に形成したものであり、これにより加工性を向上させている。さらに図１１（Ｃ）に示す構造は、上記交差する面が形成されたロッド部材３０Ａ３０を用いたものである。
【００４４】
一方、図１において、被処理体搬入出部５０は、プロセスチューブ１２の下端開口の下方に位置する気密室で構成され、主に、大気に対して気密状態を保ちながら被処理体用ホルダー３０との間で被処理体Ｗを搬入出する箇所である。
【００４５】
このため、被処理体搬入出部５０は、図１２に示すように、第１、第２のロードロック室５２、５４と、これらロードロック室５２、５４からの被処理体Ｗをプロセスチューブ１２に受渡すための受渡し室５６が直角な位置にそれぞれ配置されている。そして、第１、第２のロードロック室５２、５４は、ともに同じ構成とされ、第１のロードロック室５２に関して説明すると、第１、第２のゲートバルブ５２Ａ、５２Ｂ、伸縮・昇降および回転可能な搬送アーム５２Ｃ、ガス導入孔５２Ｄ、ガス排出孔５２Ｅを備えている。
【００４６】
また、第２のロードロック室５４は、第１、第２のゲートバルブ５４Ａ、５４Ｂ、伸縮・昇降および回転可能な搬送アーム５４Ｃ、ガス導入孔５４Ｄ、ガス排出孔５４Ｅをそれぞれ備えている。ゲートバルブ５２Ａ、５２Ｂ、５４Ａ、５４Ｂは、装置外部とロードロック室５２、５４との間であるいはロードロック室５２、５４と受渡し室５６との間で被処理体Ｗを搬入出する際に開き、気密状態を維持する場合に閉じるという開閉機能を備えている。搬送アーム５２Ｃ、５４Ｃは、例えば多関節を有するアームにより構成され、装置外部からロードロック室５２、５４へ、あるいは、ロードロック室５２、５４から受渡し室５６へと被処理体Ｗを搬入出する機能を備えている。ガス導入孔５２Ｄ、５４Ｄは、ロードロック室５２および５４を、例えばＮ2 ガスによりパージするためのものであり、また、ガス排出孔５２Ｅ、５４Ｅは、ロードロック室５２、５４を真空引きするためのものである。
【００４７】
そして、図１において、この被処理体搬入出部５０の近傍には、シャッター駆動部６０が設けられている。
【００４８】
すなわち、シャッター駆動部６０は、プロセスチューブ１２の下端開口の下方で縦軸方向に沿って複数設けられた遮熱用の第１のシャッター６２、第２のシャッター６４を備えている。この遮熱用の第１、第２のシャッター６２、６４は、被処理体搬入出部５０をはさんで縦軸方向両側に配置され、シリンダ等の駆動部材６６により相反する方向に移動することで開閉可能なシャッター板６２Ａ、６２Ｂおよび６４Ａ、６４Ｂを備えている。
【００４９】
上記各シャッター板は、共に、水冷ジャケットが内部に形成された断熱構造のものである。これらシャッター板のうち、プロセスチューブ１２の下端開口側に位置する第１のシャッター６２におけるシャッター板６２Ａ、６２Ｂは、図１３に示すように、対向面がＬ字状に形成されて重なり合うように構成されている。これは、対向面同士が密着した際に、プロセスチューブ１２からの輻射熱線の通過を遮断して、気密室の下方の温度が上昇するのを防止するためである。もちろん、各シャッター板６２Ａ，６２Ｂには、冷却ロッド３２を挿通させる孔が形成されている。また、シャッター板６２Ａ、６２Ｂは、図１４（Ａ）に示すように、先端に被処理体用ホルダー３０をはさみ込むことのできる凹部が形成されている。そして、この先端は、図１４（Ｂ）に示すように、互いにオーバーラップすることができるようになっており、オーバーラップした状態で上方からの熱線の通過を遮断するようになっている。なお、第２のシャッター６４も、図１３，図１４と同様に構成することができる。
【００５０】
また、この第１、第２のシャッター６２、６４が位置する気密室には、被処理体Ｗの雰囲気気体の切り換え構造が設けられている。
【００５１】
すなわち、第１、第２のシャッター６２、６４の進退部には、図１５に示すように、例えば、周方向で等分された位置にプロセスガスとは異なる不活性気体、一例として、ヘリュウムガス（Ｈｅ）を吹き出させるための噴射ノズル７０が配置されている。この噴射気体は、熱処理部１０から搬出された被処理体Ｗをプロセスガスの雰囲気下から即座に雰囲気ガスを切り換えてプロセスガスの接触を断ち、被処理体Ｗの移動途中に望まれない生成膜が形成されるのを防止するようになっている。また、このような雰囲気ガスを即座に切り換え、かつ、熱処理部からの温度の影響を受けていない不活性気体との接触下におかれることで、被処理体Ｗのサーマルバジェット、いわゆる、被処理体Ｗが受ける熱収支を安定させて面内での温度分布の変化を抑えて面内均一性を確保するようになっている。そして、この噴射ノズル７０の数に合わせて周方向で噴射ノズル７０と干渉しない等分位置には排気口（図示せず）が設けられている。この噴射ノズル７０は、水平方向に冷却気体を噴射する噴射口を縦軸方向の複数箇所に有し、図１５に示すように、退避した位置にある被処理体Ｗの面と平行に冷却気体を噴射することができる。なお、この噴出気体を第１、第２のシャッターの冷却用としても良く、さらには、この気体を用いて熱処理部１０から搬出された被処理体Ｗの冷却を行なうようにしても良い。
【００５２】
ところで、図１５において、上記した被処理体用ホルダー３０および冷却ロッド３２の駆動機構４０は、次のような構成となっている。
【００５３】
すなわち、駆動機構４０は、被処理体用ホルダー３０と一体にされている冷却ロッドの軸方向端部に連結された昇降アーム４２を備えており、この昇降アーム４２は、例えば、ボールネジとナットとを組み合わせた昇降機構４４によって上下動させることができる。そして、昇降アーム４２内には、例えば、歯車を介した回転機構が設けられており、この回転機構は、被処理体用ホルダー３０が熱処理部１０に対して搬入出されるときに少なくとも１回転以上の回転を、そして、被処理体用ホルダー３０が熱処理部１０から退避して被処理体Ｗを第１のシャッター６２の下方に位置する噴射ノズル７０に対向させたときには、例えば、６０ｒｐｍ程度の回転を行なわせるようになっている。なお、被処理体用ホルダー３０の昇降動作の際の気密性を確保するために、気密室と被処理体用ホルダー３０との間には、磁性流体を用いたシール構造４６（図１参照）あるいは図示しないベローズ構造が設けられている。なお、被処理体用ホルダー３０の昇降駆動に関しては、上述した昇降機構４４とは別に独立して上下動させるようにしてもよい。
【００５４】
そして、被処理体３０は、熱処理時に必要な回転数を以って回転するようになっているが、熱処理部１０への搬入時および搬出時においても、少なくとも１回転以上の回転を行ないながら移動する駆動制御が行なわれる。このような搬入出時での回転は、面状発熱源２４からの輻射熱の供給およびプロセスガスとの接触を均一化することにより、熱処理前後での被処理体Ｗの面内均一性を確保するために実行される。
【００５５】
次に作用について説明する。
【００５６】
被処理体Ｗの熱処理を行なう場合には、被処理体Ｗが被処理体搬入出部５０に搬入される。すなわち、この場合を第２のロードロック室５４を対象として説明すると次のとおりである。
【００５７】
まず、被処理体Ｗを搬入する場合、第２のロードロック室５４内をガス導入孔５４ＤによるＮ2 パージすることにより、予め、大気圧と同圧に設定しておく。外気とロードロック室５４内とを同圧にすれば、ゲートバルブ５４Ｂが開いたときに、気体の急激な流れ込みによる塵や埃等の浸入飛散を防ぐことができる。次にゲートバルブ５４Ｂを開いて被処理体Ｗが受渡し室５６内に搬入される。その後、ゲートバルブ５４Ｂが閉じられ、ガス排気孔５４Ｅによって真空引きが実行される。この場合には、受渡し室５６も同様に、予め真空引き、Ｎ2 パージが行なわれていることが望ましい。さらに、プロセスチューブ１２、第１、第２のシャッター６２、６４の間の空間も真空引きし、ロードロック室５４と同圧にしておくことが望ましい。
【００５８】
一方、ロードロック室５４内の搬送アーム５４Ｃにより、ゲートバルブ５４Ａを介して被処理体Ｗが受渡し室５６に搬送されると、予め、被処理体用ホルダー３０の載置部３０Ａが搬送アーム５４Ｃの搬送経路上に位置されているので、被処理体Ｗの受渡しが行なわれる。このときには、第１のシャッター６２が閉じられ、そして、第２のシャッター６４が開かれている。そして、被処理体Ｗの受渡しが完了すると、被処理体用ホルダー３０が駆動機構４０により回転し始める。被処理体用ホルダー３０は、熱処理部１０の所定の処理位置に到達するまでの間、例えば、２〜３回転等のような１回転以上の回転を行ない、所定の処理位置に達した時点で回転を停止する。このときには、第１、第２のシャッター６２、６４がともに開いている。
【００５９】
被処理体用ホルダー３０が上昇する過程で、被処理体Ｗは、気体切り換え構造におけるヘリュウムガスによる雰囲気下から熱処理部１０に移動した途端にプロセスガスの雰囲気下に置かれることになる。そして、処理位置に達した被処理体用ホルダー３０は、給気パイプ１４の予熱部１４Ａの内周面近傍に接近した位置に位置決めされて熱処理時での回転数に切り換えられる。そして、熱処理部１０では、給気パイプ１４から予熱されたプロセスガスが供給される。
【００６０】
プロセスガスの供給により熱処理が開始されると、第１のシャッター６２は開いたままであり、そして第２のシャッター６４は閉じた状態に維持される。従って、被処理体用ホルダー３０の遮蔽部材３０Ｂが熱処理部１０の下方を覆う状態に配置されることになるので、熱処理部１０から漏洩する輻射熱の熱線を遮断する。しかも、熱処理部１０内では、プロセスガスが密封されて熱処理環境が設定されるとともに、均熱部材２２を介して被処理体Ｗの表面および裏面、特に、裏面の場合には、周縁部に対して輻射熱線を与えることができるので、被処理体Ｗの面内での温度分布の均一化が促進されることになる。
【００６１】
一方、熱処理終了時点では、被処理体用ホルダー３０が、その載置部３０Ａを第１のシャッター６２の下方に位置決めされる。このとき、被処理体用ホルダー３０の遮蔽部材３０Ｂは、気体の逃げ孔および給気パイプ１４の予熱部１４Ａに対する外径寸法の設定によって周縁部での気体の巻き込みが少なくされることで被処理体Ｗの周縁部からの放熱を抑えられ、面内での温度分布の不均一化を防止されることになる。
【００６２】
また、第１のシャッター６２の下方に位置決めされた被処理体用ホルダー３０は、載置部３０Ａ上の被処理体Ｗが、例えば、６０ｒｐｍ程度の回転数に切り換えられて回転するとともに、シャッターの進退部から供給されるヘリュウムガスにより、被処理体Ｗ搬入出部５０との間の熱遮断を行なうとともに、雰囲気ガスの環境下を切り換え、さらには被処理体Ｗを冷却する。また、この時、被処理体Ｗは、上方に位置する第１のシャッター６２からの冷気により冷却を促進されることになる。
【００６３】
このようにして、熱処理後の冷却が行なわれた被処理体Ｗは、搬入時と同じ状態を設定される。そして、この状態で噴射ノズル７０との対向位置から受渡し室５６に移動させられ、搬入時と逆の手順によって被処理体Ｗを搬出させることができる。
【００６４】
本実施例によれば、プロセスチャンバーの下端開口の下方に位置する気密室に設けられているシャッターを被処理体の冷却構造として用いることができるので、特別な構造を要することなく、冷却時間を短縮することができる。
【００６５】
さらに本実施例によれば、均熱部材とプロセスチューブとの間で処理位置下方を囲繞する断熱材を設けることにより、熱処理位置内での被処理体の表面と裏面との間の温度勾配を適正化することができ、温度勾配の急変による気流の発生を防止して被処理体周縁部での放熱を抑えることができる。
【００６６】
なお、本発明は、上記実施例に限られるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々変形実施することが可能である。
【００６７】
例えば、本発明が対象とする被処理体は、少なくとも面状形状の被処理体であれば良く、半導体ウエハ以外にも例えば、ＬＣＤ等であっても良い。さらに、本発明が適用される熱処理装置としては、ＣＶＤ装置以外にも、例えば、酸化、拡散、アニールに適用される装置を対象とすることも可能である。
【００６８】
次に、図１６以降により本発明による熱処理装置のときに被処理体の裏面を有効的に加熱するための実施例を説明する。
【００６９】
図１６以降に示された実施例は、被処理体ホルダー３０と同軸上に、前記した遮蔽部材に代えて、対構成からなる反射部材を設けたことを特徴としている。なお、図１６以降の図において、図１５までに用いられた構成部品と同じものは同符合とし、その詳細な説明を省く。
【００７０】
すなわち、被処理体ホルダー３０における載置部３０Ａの下方には、被処理体用ホルダー３０と同軸上にて第１の反射部材１００および第２の反射部材１１０がそれぞれ設けられている。
【００７１】
第１の反射部材１００は、被処理体用ホルダー３０に対して独立して回転および上下動が可能な状態に支持され、また、第２の反射部材１１０は、ホルダー３０に固定としてもよいが、好ましくは第１の反射部材１００と一体で上下動させることもできる。なお、上記構成では第１の反射部材１００のみを回転可能としたが、第１，第２の反射部材１００，１１０が相対的に回転されるものであればよい。
【００７２】
第１、第２の反射部材１００、１１０は、図１に示した実施例における遮蔽部材３０Ｂを取り除いて設けられたものであり、載置部３０Ａに対向する面が例えば研磨によって鏡面仕上げされた炭化ケイ素（ＳｉＣ）が用いられている。
【００７３】
第１、第２の反射部材１００、１１０の盤面には、周方向に沿って反射効率が異なる領域が複数箇所に等分されて設けられている。この反射効率を異ならせた領域は、輻射熱線の透過率を異ならせることによって得られるようになっている。このため、本実施例では、図１７に示す一例のように、第１の反射部材１００側においては、周方向に沿って等分して形成された透過部１００Ａが設けられ、また第２の反射部材１１０側では、反射面内に透過部１００Ａの形状に合せた熱線吸収部１１０Ａが形成されている。また、このような透過率を異ならせる構造としては、透明部と不透明部とを交互に設けることによっても得られる。この場合の透過部としては、透明石英が選択され、この透明石英の周方向に沿って不透明化することで透過率を異ならせる。なお、不透明部を構成する場合には、灰色体である炭化ケイ素（ＳｉＣ）を分配配置させてもよい。炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いる場合には、輻射熱を反射させることなく吸収することができるので、この部分からの二次エネルギとして輻射熱を出射するようにすることもできる。
【００７４】
このような熱線の透過率を異ならせる構造を備えた第１、第２の反射部材１００、１１０は、両者の相対的な回転により、その熱線の透過部の位相を異ならせて、いわゆる、重なり具合を調整することにより、被処理体Ｗへの反射熱量を調整することができる。
【００７５】
すなわち、図１７において、二点鎖線で示すように、第２の反射部材の熱線吸収部１１０Ａに対して第１の反射部材１００側の透過部１００Ａの重なり具合を変えることにより、第２の反射部材１１０からの反射熱量が変化する。
【００７６】
本実施例では、このような重なり具合を調整するために、被処理体Ｗの少なくとも周縁部と中心近傍との温度を検出する温度センサ（図示せず）を配置し、この温度センサからの検出温度に応じて、透過部１００Ａと熱線吸収部１１０Ａとの重なりを調整することにより、被処理体Ｗへの反射熱量を変化させることができる。
【００７７】
また、第１、第２の反射部材１００、１１０のうち、被処理体Ｗの裏面に対向する位置にある第１の反射部材１００の上面は、図１８に示すように、横断面形状において中央部が周縁部よりも薄くなる凹状に形成することもできる。この場合、凹状をなす角度θは、被処理体Ｗの裏面に向け反射した熱線が進行できる角度に設定される。
【００７８】
さらに、第１の反射部材１００の内部には、図１６，図１８に示すように、空胴部１００Ｂが形成されており、この空胴部１００Ｂ内には、加熱媒体および冷却媒体のいずれかが導入されるようになっている。
【００７９】
第１の反射部材１００の内部に媒体を供給するための構造としては、図１６に示すように、第２の反射部材１１０を利用する。つまり、第２の反射部材１１０の内部において、遮蔽部材３０Ｃの内部で第１の反射部材１００の空胴部１００Ｂと連通する循環路１１０Ｂを形成し、この循環路１１０Ｂの一部に外部から媒体を供給および回収できる通路１１０Ｃ、１１０Ｄ、１１０Ｅをそれぞれ配管する。これにより、循環路１１０Ｂ内に充填された媒体は、第１の反射部材１００の空胴部１００Ｂ内を循環し、循環路１１０Ｂを介して排出される。なお、図１６中、黒丸は、連結部でのシール部材を示している。
【００８０】
このような加熱媒体あるいは冷却媒体の供給時期は、加熱媒体に関しては、処理位置に向けて被処理体用ホルダー３０が移動する過程で後述する予熱部１４０に被処理体用ホルダー３０の載置部３０Ａが位置したときであり、また、冷却媒体に関しては、被処理体搬入出部５０に向け被処理体用ホルダー３０が移動を開始した時点である。これにより、加熱した場合には、予熱効果を向上させることができるとともに、冷却した場合には、常温に近い温度での被処理体Ｗの搬入出が行える。また、搬出のために移動する被処理体Ｗは、処理位置から離れる際に処理温度以下に設定されるので、不要な自然酸化膜などが成膜される虞がない。
【００８１】
一方、図１９において、プロセスチューブ１２の開口下方の位置で第１、第２のロードロック室５２、５４の上部位置には、被処理体Ｗを予熱するための空間からなる予熱部１４０が設けられている。この予熱部１４０は、上下方向での長さが被処理体用ホルダー３０の載置部３０Ａおよび第１、第２の反射部材１００、１１０が位置することができる長さに設定されている。これにより、被処理体搬入出部５０において被処理体Ｗが載置された被処理体用ホルダー３０は、第１のシャッタ６２が開放された時に予熱部１４０に移動することができる。そして、予熱部１４０に被処理体用ホルダー３０が移動すると、第１のシャッター６２が閉じられ、被処理体用ホルダー３０は一旦停止し、均熱部材２２からの輻射熱を受けて表面温度が高めらる。この温度としては、熱線をなす赤外線の吸収効率が良好になる温度である４００℃以上６００℃以下の温度が設定される。このように被処理体搬入出部５０から処理位置に向け移動する間に被処理体が予熱されることになり、処理位置に達した時点で急激な温度上昇を来すことがないので、スリップ等の弊害を抑制することができる。しかも、処理位置に達した場合に処理温度に上昇するまでの時間が短縮できる。
【００８２】
次に本実施例の作用について説明する。
【００８３】
被処理体Ｗの熱処理を行なう場合には、被処理体Ｗが被処理体搬入出部５０に搬入される。すなわち、この場合を第２のロードロック室５４を対象として説明すると次のとおりである。
【００８４】
まず、被処理体Ｗを搬入する場合、第２のロードロック室５４内をガス導入孔５４Ｄ（図１２参照）によるＮ2 パージすることにより、予め、大気圧と同圧に設定しておく。外気とロードロック室５４内とを同圧にすれば、ゲートバルブ５４Ｂが開いたときに、気体の急激な流れ込みによる塵や埃等の浸入飛散を防ぐことができる。次にゲートバルブ５４Ｂを開いて被処理体Ｗが第２のロードロック室５４内に搬入される。その後、ゲートバルブ５４Ｂが閉じられ、ガス排気孔５４Ｅによって真空引きが実行される。この場合には、受渡し室５６も同様に、予め真空引きが行なわれていることが望ましい。さらに、プロセスチューブ１２、第１、第２のシャッター６２、６４の間の空間も真空引きすることによりロードロック室５４と同圧にしておくことが望ましい。
【００８５】
一方、ロードロック室５４内の搬送アーム５４Ｃにより、被処理体Ｗがゲートバルブ５４Ａを介して受渡し室５６に搬送されると、予め、被処理体用ホルダー３０の載置部３０Ａが搬送アーム５４Ｃの搬送経路上（図１９において符号Ｓ１で示す位置）に位置されているので、被処理体Ｗの受渡しが行なわれる。このときには、第１のシャッター６２及び第２のシャッター６４が閉じられている。そして、被処理体Ｗの受渡しが完了すると、被処理体用ホルダー３０が駆動機構４０により回転し始める。被処理体用ホルダー３０は、熱処理部１０の所定の処理位置に到達するまでの間、例えば、２〜３回転等のような１回転以上の回転を行ない、所定の処理位置に達した時点で回転を停止する。第１、第２のシャッター６２、６４は、ホルダー３０等が上方に移動して各シャッターと干渉しない位置に到達した直後に閉じられる。
【００８６】
被処理体用ホルダー３０が上昇する過程において、被処理体搬入出部５０の上方に移動した被処理体用ホルダー３０は、図１９において符号Ｓ１で示すように、予熱部１４０に達すると一旦停止する。そして、この状態が維持されると、第１の反射部材１００の空胴部１００Ｂ内に加熱媒体が供給されるとともに、均熱部材２２からの輻射熱によって被処理体Ｗの温度が上昇し、いわゆる、予熱が行われる。この予熱温度に関しては、温度計３６によって検出される。
【００８７】
そして、予熱部１４０での被処理体Ｗの温度が所定温度に達した時点で被処理体用ホルダー３０が処理位置へ上昇すると、均熱部材２２に接近したことにより被処理体Ｗの表面の温度が輻射熱を受けることで上昇する。また、被処理体Ｗの裏面は、第１の反射部材の反射面からの反射光によって加熱される。
【００８８】
このとき、図示しない温度センサにより検出された温度に基づき、被処理体Ｗの面内温度が不均一の場合には、第１の反射部材１００における透過部１００Ａと第２の反射部材１１０における反射面をなす不透明部１１０Ａとの相対位置を変化させる。
【００８９】
さらに、この温度調整に関しては、前記した反射効率の変更だけでなく、被処理体ホルダー３０とは独立して第１の反射部材１００と載置部３０Ａとの間の距離を変化さることにより、被処理体Ｗの面内均一性を確保しながら温度調整を実行することができる。
【００９０】
また、第１の反射部材の表面形状によっても被処理体の裏面の温度上昇を促進することができる。
【００９１】
一方、処理位置での成膜処理が終了した場合には、被処理体用ホルダー３０が下降する。下降途中において被処理体搬入出部５０に達する前には、第１の反射部材１００の空胴部１００Ｂに冷却媒体が加熱媒体と入れ替えられ、第１の反射部材１００の温度を下げる。冷却媒体により第１の反射部材１００の温度が下げられるのにあわせて、被処理体用ホルダー３０に保持されている被処理体Ｗの温度が常温近傍に達すると、図１９において符号Ｓ１で示すように、被処理体用ホルダー３０の載置部３０Ａが被処理体搬入出部５０内に位置し、前記した受け渡し作業が行われる。以後、再度被処理体用ホルダー３０の載置部３０Ａに被処理体Ｗが移し変えられた場合には、前記と同様な手順を繰り返す。
【００９２】
【発明の効果】
請求項１及び３記載の発明では、特に放熱が多い被処理体の周縁部を、被処理体の裏面側より加熱することで、被処理体の処理温度の面内均一性を確保することができる。
【００９３】
請求項２の発明では、二次加熱源の加熱ひいては被処理体周縁部の加熱を効率良く行うことができる。
【００９４】
請求項４の発明では、被処理体周縁部への熱線の反射を効率良く行うことができる。しかも、反射部材は被処理体用ホルダーと共に被処理体の出し入れ位置に移動したとしても、反射部材の温度はさほど高まらないので、被処理体の出し入り口雰囲気の温度が上昇することはない。
【００９５】
請求項５及び６の発明では、被処理体周縁部に反射される熱線強度を可変し、被処理体の処理温度の面内均一性を調整できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す熱処理装置の全体構成を説明するための断面図である。
【図２】図１に示した熱処理装置に用いられる給気パイプの構造を示す斜視図である。
【図３】図１に示した熱処理装置での加熱構造の他の例を示す部分的な断面図である。
【図４】図１に示した熱処理装置に用いられる加熱構造の別の例を示す断面図である。
【図５】図１に示した熱処理装置に用いられる加熱構造のさらに他の例を示す断面図である。
【図６】図１に示した熱処理装置に用いられる加熱構造のさらに別の例を示す断面図である。
【図７】図１に示した熱処理装置に用いられる被処理体用ホルダーの一例を示す部分的な斜視図である。
【図８】図７に示した被処理体用ホルダーの他の構造を示す部分的な断面図である。
【図９】図７に示した被処理体用ホルダーの別の例を示す断面図である。
【図１０】図７に示した被処理体用ホルダーの内部構造を説明するための断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ、図７に示した被処理体用ホルダーの載置部の構造を示す部分断面図である。
【図１２】図１に示した熱処理装置に用いられる被処理体搬入出部の構成を説明するための平面視的な模式図である。
【図１３】図１に示した熱処理装置に用いられるシャッターの断面図である。
【図１４】図１３に示したシャッターの一例を示す模式図であり、（Ａ）は開いた状態を、（Ｂ）は閉じた状態をそれぞれ示している。
【図１５】図１に示した熱処理装置における気体切り換えおよび冷却構造を示す断面図である。
【図１６】本発明による熱処理装置の別実施例を説明するための断面図である。
【図１７】本発明による熱処理装置の用部構造を説明するための斜視図である。
【図１８】本発明による熱処理装置に用いられる反射部材の構造を説明するための部分的な拡大断面図である。
【図１９】本発明による熱処理装置の別実施例の全体構成を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１０  処理位置
１２  プロセスチューブ
１４  給気パイプ
１４Ａ  予熱部
３０  被処理体用ホルダー
３０Ａ  載置部
３０Ｂ  遮蔽部材
３０Ｂ１０〜３０Ｂ１６  遮蔽部材
３０Ｃ  遮熱部材
５０  被処理体搬入出部
６０  シャッター駆動部
６２  第１のシャッター
６４  第２のシャッター
６６  噴射ノズル
１００  第１の反射部材
１００Ａ  透明部
１００Ｂ  熱媒体を循環させるための空胴部
１１０  第２の反射部材
１１０Ａ  不透明部
【図１】
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【図２】
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【図１３】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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