(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁を介して互いに交差するごとく近接して配されたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極と、放電空間に挿入された、荷電粒子を複数の微小な狭窄孔を通過させることによって放電電流を制限するようにした絶縁体又は金属板からなる狭窄孔板と、内壁面に蛍光体を塗布したスペーサと、全画素に共通な表示陽極とを有し、上記複数の第１及び第２のアドレス電極、上記狭窄孔板、上記スペーサ並びに上記表示陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管体内に封入されてなる放電表示装置において、
上記複数の第１及び第２のアドレス電極と上記狭窄孔板との間に配された、上記全画素に共通な金属板からなる表示陰極と、
複数の透孔が設けられると共に、その各透孔の内壁面を含めた全表面が絶縁層で被覆された、全画素に共通な金属板からなるトリガーシートとを有し、
上記複数の第１及び第２のアドレス電極、上記トリガーシート、上記表示陰極、上記狭窄孔板、上記スペーサ及び上記表示陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管体内に封入されてなることを特徴とする放電表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の放電表示装置において、
上記複数の第１及び第２のアドレス電極と上記狭窄孔板との間に配された、上記全画素に共通な金属板からなる表示陰極を有すると共に、
上記複数の第１又は第２のアドレス電極のどちらか一方又は両方を絶縁層で被覆して、上記全画素に共通なトリガーシートとしての機能をも持たせるようにしたことを特徴とする放電表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の放電表示装置において、
上記狭窄孔板を、金属板の全表面を絶縁層で被覆し、上記第１及び第２のアドレス電極からの荷電粒子を壁電荷として蓄積する狭窄孔付きメモリー板電極にて構成してなり、
該狭窄孔付きメモリー板電極と、上記第１及び第２のアドレス電極の内のカソードとなる電極との間でメモリー放電が起こり、該メモリー放電による補助的放電によって、上記狭窄孔付きメモリー板電極及び上記表示陽極間に表示放電が起こるように、該狭窄孔付きメモリー板電極にパルス電圧を継続的に印加するようにしたことを特徴とする放電表示装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の放電表示装置において、
上記狭窄孔板を、金属板の全表面を絶縁層で被覆し、上記第１及び第２のアドレス電極からの荷電粒子を壁電荷として蓄積する狭窄孔付きメモリー板電極にて構成してなり、
該狭窄孔付きメモリー板電極及び上記表示陰極の間でメモリー放電が起こり、該メモリー放電による補助的放電によって、上記狭窄孔付きメモリー板電極及び上記表示陽極間に表示放電が起こるように、該狭窄孔付きメモリー板電極にパルス電圧を継続的に印加するようにしたことを特徴とする放電表示装置。
【請求項５】
請求項３に記載の放電表示装置において、
上記表示陽極及び該表示陽極に印加すべき所定駆動電位の電位点の間と、上記第１及び第２のアドレス電極の内のカソードとなる電極並びに該カソードとなる電極に印加すべき所定駆動電位の電位点の間とのいずれか一方、又は両方に逆流防止手段を接続したことを特徴とする放電表示装置。
【請求項６】
請求項４に記載の放電表示装置において、
上記表示陽極及び該表示陽極に印加すべき所定駆動電位の電位点の間と、上記表示陰極及び該表示陰極に印加すべき所定駆動電位の電位点の間とのいずれか一方、又は両方に逆流防止手段を接続したことを特徴とする放電表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は蛍光体層を備えた直流型抵抗メモリー方式の放電表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に、従来の放電表示装置（ＰＤＰ：プラズマディスプレイパネル）のいくつかの例を説明する。
【０００３】
図１７は実用化されてはいないが、過去に研究された狭窄放電を実験するための放電管の電極構造を示す。この放電管の特徴は陽極２１及び陰極２２間の放電空間に、微小な透孔即ち狭窄孔（narrow path hole）２４を設けた板即ち狭窄孔板２３が挿入されていることである。放電電流がこの狭窄孔２４を通過すると、この孔２４の部分にイオン鞘（ion sheath）が発生して部分的な強電界を生じるため、ここに強い発光が観測できることが判っており、これを狭窄放電（ristricted glow discharge ）と称している。このため狭窄孔２４の両側では電位差が生じ、言い換えれば等価的な電気抵抗が生じる。なお、狭窄放電が起こるためには、狭窄孔２４の開口面積が陽極２１及び陰極２２の有効面積より十分に狭いことが条件である。
【０００４】
ところで、放電管の特徴的な特性として、負性抵抗を持つことと、放電開始後にはその電気抵抗が著しく減少して定電圧特性を示すことが挙げられる。負性抵抗を持つということは、その２値安定性を利用したメモリー作用が期待されるということである。一方、放電後の低抵抗性は、破壊にいたる過剰な放電電流を規制するための抵抗体の挿入が必要であることを示唆している。ＰＤＰにおいてメモリー型パネルと呼ばれるものにはＡＣ型とＤＣ型があるが、いずれも動作上この抵抗体は各画素ごとに設けることが必要である。ＡＣ型ＰＤＰでは電極表面を絶縁層で被覆することで、各抵抗体毎に容量性のインピーダンスを持たせることができる。又、ＤＣ型ＰＤＰでも、各画素ごとに抵抗体を設ける試みがなされたが、製造が困難なことから、現在では放電の立ち上がり時の過渡的な高インピーダンス性を利用したパルスメモリー型ＰＤＰが主流である。
【０００５】
図１８は初期のパルスメモリー型ＰＤＰの構造を示す。実際に製作された構造とは若干異なるが、後述する本発明の新しいＰＤＰと比較し易くした構造となっている。２７は表示陽極、２８はスペーサ、２９は第１のアドレス電極、３１ａは第１のアドレス電極２９に穿設した貫通孔である。尚、スペーサ３０にも、貫通孔３１ａに連通する貫通孔３１ｂが穿設されている。この場合、背面ガラス板３３側のアドレス電極３２の放電を、第１のアドレス電極（カソード）２９及びスペーサ３０にそれぞれ設けた連通する貫通孔３１ａ，３１ｂを通して前面側に引き出し、表示陽極２７に幅の短い放電維持パルスを間断なく印加することで、メモリー作用を持たせるようにしたものであるが、放電が完全に立ち上がって空間が良導電性になる前の過渡状態を利用することで、各画素ごとに抵抗体があるのと等価な状態を作り出している、と考えることができる。
【０００６】
図１９は図１８のパルスメモリー型ＰＤＰを改善したＰＤＰである。この構造の特徴は、各画素ごとに抵抗体が印刷により形成されていることである。これは構造的に抵抗の挿入で不安定な誤放電による過剰な電流を抑え、ガス圧を高くできるようにして、経時的な放電の安定性を増したものである。３５は陰極、３６は隔壁、３７はオーバーレイ（覆い）、３８は陽極母線、３９は抵抗体、４０は表示陽極、４１は背面ガラス板である。このＰＤＰはパルスメモリー動作で駆動するが、この抵抗体３９を精度良く作ることができれば、パルスメモリーでなくてもＤＣ型抵抗メモリー動作が可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
さて、ＰＤＰの上述した既存の研究や従来装置によれば、いくつかの解決すべき課題がある。
【０００８】
まず、図１７に挙げた狭窄放電による狭窄孔２４に発生する強い発光を表示に利用できないかという問題があるが、狭窄孔２４は微小であり、陰極２２はそれよりも大きな面積であることが条件であるから、もともと微小な画素を多数密集しなければならないＰＤＰにおいては、構造上の工夫が必要であり、狭窄放電を利用したＰＤＰは未だ実現していない。
【０００９】
又、図１８の構造のＰＤＰでパルスメモリー動作を行う場合、表示陽極２７は常に多数の画素を並列的に駆動するために、その駆動回路は無負荷でなければならないから、過電流には十分に注意する必要がある。一方、ＰＤＰでは、カソードの寿命を決定する要因としてイオン衝撃によるスパッタリングが大きな問題であるが、ガス圧を高くするとスパッタリングが減少し長寿命化に寄与する。しかし、ガス圧をあげると、放電時のインピーダンスが低くなり、電流が増大するので不慮の過電流も増大する。このため図１８の構造のパネルでは経時変化が大きな問題であった。
【００１０】
そこで図１９のＰＤＰの説明で述べたように、画素ごとに抵抗体３９を内蔵する改良型のパルスメモリーＰＤＰが提案された。しかし、かかるパルスメモリーＰＤＰには、製造上の問題がある。即ち、抵抗体３９は量産性の観点から一般的に厚膜印刷法で形成するが、この方法では精度の高い抵抗値のものを得ることが難しく、抵抗値のばらつきが輝度のばらつきにつながり、表示品位を低くする。このＰＤＰで抵抗体を使ってメモリー表示をしようとすれば、輝度のばらつきが一層問題になり、実用的ではない。
【００１１】
かかる点に鑑み、本発明は、各画素毎の放電電流を制限するための放電安定抵抗を容易に実現することができ、表示陽極は全画素に共通な構造の簡単なもので済み、蛍光体層の塗布面積を広くとることができ、蛍光体層の輝度と発光効率を改善することができ、しかも、過剰電流による電極劣化をなくし、長寿命化を達成することのできる直流型抵抗メモリー方式の放電表示装置を提案しようとするものであ。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、隔壁を介して互いに交差するごとく近接して配されたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極と、放電空間に挿入された、荷電粒子を複数の微小な狭窄孔を通過させることによって放電電流を制限するようにした絶縁体又は金属板からなる狭窄孔板と、内壁面に蛍光体を塗布したスペーサと、全画素に共通な表示陽極とを有し、上記複数の第１及び第２のアドレス電極、上記狭窄孔板、上記スペーサ並びに上記表示陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管体内に封入されてなる放電表示装置において、上記複数の第１及び第２のアドレス電極と上記狭窄孔板との間に配された、上記全画素に共通な金属板からなる表示陰極と、複数の透孔が設けられると共に、その各透孔の内壁面を含めた全表面が絶縁層で被覆された、全画素に共通な金属板からなるトリガーシートとを有し、上記複数の第１及び第２のアドレス電極、上記トリガーシート、上記表示陰極、上記狭窄孔板、上記スペーサ及び上記表示陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管体内に封入されてなることを特徴とする放電表示装置である。
【００１３】
本発明によれば、それぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極の内の選択された第１及び第２のアドレス電極間にアドレスパルスを印加することによってアドレス放電が行われ、そのアドレス放電により発生した電子が表示陽極の正電圧によって引っ張られるので、その電子が狭窄孔板の狭窄孔を通じて表示陽極側に拡散し、これによって、表示陽極と第１及び第２のアドレス電極のカソードとなる電極との間に新たな放電、即ち、表示放電を誘起し、そこに生ずる陽光柱からの紫外線でスペーサの内壁面の蛍光体を刺激して発光させ、さらに、アドレス動作によって発生した電荷粒子を、全画素のアドレスが終了するまで蓄えておき、メモリー動作は全画素一斉のタイミングで行うことができ、即ち、アドレス動作とメモリー動作が全画素で別々のタイミングで行われるため、動作条件を広く安定させる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して、本発明の各実施の形態を説明する。
【００１５】
〔実施の形態１〕（図１、図２及び図３）
まず、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図１及び図２を参照して、実施の形態１を説明する。この放電表示装置は、前面ガラス板１５及び背面ガラス板１４の周辺がフリットガラスによって封止された管体内に、下記の構造体が収納されると共に、管体内を真空にした後ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等又はこれらの混合気体等の放電用気体（ガス）を２００ｔｏｒｒ〜４００ｔｏｒｒの圧力で封入されて構成されたＰＤＰである。
【００１６】
背面ガラス板１４上に、一定間隔を置いて平行に配されたストライプ状の複数の第２のアドレス電極１０を被着形成する。かかる電極はスクリーン印刷法等の厚膜技術、フォトプロセス等の薄膜技術で容易に形成できるが、リボン状の金属板を背面ガラス板１４上に貼布するようにしても良い。この第２のアドレス電極１０上に積層して、第３のスペーサ７を、同じくスクリーン印刷法等の厚膜技術によって形成するか、あるいは絶縁体の板を積層して形成する。第１のアドレス電極９は前述の第２のアドレス電極１０と略直交するごとく第３のスペーサ７の上に、これも第１のアドレス電極１０と同様な方法で形成する。又、第１のアドレス電極９と第２のアドレス電極１０との交叉する位置には、第１のアドレス電極９及び第３のスペーサ７それぞれに互いに連通する貫通孔８ａ，８ｂが設けられている。かくして、それぞれ複数の第１のアドレス電極９及び第２のアドレス電極１０が貫通孔８ａ，８ｂを介してＸＹマトリクス状に配される。
【００１７】
第３のスペーサ７の厚さは、ガス圧、ガス組成、画素ピッチ等を考慮して最適に設定するが、一般には１００μｍ〜２００μｍ程度である。又貫通孔８ａ，８ｂは第１のアドレス電極９及びスペーサ７の形成方法によっては、第１のアドレス電極９の部分とスペーサ７の部分とで貫通孔８ａ，８ｂの径が異なる場合もある。
【００１８】
第１のアドレス電極９上に積層する如く、狭窄孔板４が第２のスペーサ６を介して配される。第２のスペーサ６の厚さは、第１のアドレス電極９と狭窄孔板４との間に負グローが安定的に存在できる空間を確保し、第１のアドレス電極９がカソードとして十分有効な面積を確保できるようにするもので、第２のスペーサ６の厚さは、例えば約５０μｍ〜１００μｍ程度である。この第２のスペーサ６も、第３のスペーサ７と同様な方法で形成される。
【００１９】
第１のアドレス電極９の厚さが十分にあって、負グローを第２のアドレス電極９の貫通孔８ａの内壁面に発生させることができるならば、この貫通孔８ａの直径を最適化することで、ホロー効果により高効率なカソードを形成できる。この最適な直径はガス圧、ガス組成等で異なるが、通常負グローの厚さの約２倍つまり５０μｍ〜１００μｍ程度である。尚、第２のスペーサ６を省略出来る場合もある。
【００２０】
狭窄孔板４はステンレス、アルミニウム、ニッケル等の金属板、又はこれらの金属板をガラス等の絶縁物で被覆した板、あるいはガラス、セラミック等の薄板で形成される。狭窄孔板４に微小な透孔、即ち、狭窄孔５を穿設する。この狭窄孔５は画素ごとに１つずつ設けられ、その開口面積は第１のアドレス電極９の有効面積つまり負グローの拡がり面積よりも十分に小さいことが必要で、例えば第１のアドレス電極９の有効面積の約１０分の１程度である。
【００２１】
表示陽極１は前面ガラス板１５に最も近接して配された、全画素に共通な電極で、前面ガラス１５上に、例えば、酸化錫又は酸化インジュウム錫等の透明な導電性薄膜、又は、多数の開口部を持つメッシュ状の金属板を形成する。又、この表示陽極１はスクリーン印刷等の厚膜技術でも容易に形成できる。
【００２２】
表示陽極１は第１のスペーサ２によって狭窄孔板４と隔てられている。第１のスペーサ２の厚さは、ここに陽光柱が安定に存在するに十分な空間が確保されるような値、例えば約１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度に設定する。この厚さは、管体内に封入されるガスの圧力、組成等で異なる。この表示陽極１は、エッチング又は打ち抜きで成形した金属板をガラス等の絶縁層で被覆したもの、あるいは薄いガラス板やセラミック板等を積層して形成できるが、これに厚膜印刷等を組み合わせても形成できる。
【００２３】
第１のスペーサ２の壁面及び狭窄孔板４の表示陽極１側には蛍光体層３が形成されている。この蛍光体層３は、スプレー法、沈澱法、あるいは印刷法等によって容易に形成できる。この蛍光体層３は、単色蛍光体又は水平あるいは／及び垂直方向の各画素ごとに順次繰り返し配された赤、緑及び青蛍光体からなる。
【００２４】
次にこの実施の形態１の放電表示装置の動作を図３により説明する。複数の第１及び第２のアドレス電極９及び１０のうち、画像信号に応じて選択された第１及び第２のアドレス電極９と１０の間の放電のＯＮ／ＯＦＦに十分な直流電圧、例えば図３のＡでＯＮ電位＋１００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖ、又、ＢではＯＮ電位−１００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖを、それぞれ第２及び第１のアドレス電極１０、９に印加すれば、選択されて共にＯＮ電圧の印加された第２及び第１のアドレス電極１０、９の交差点にある放電した画素の貫通孔８ａ，８ｂの放電空間は、イオン、電子又は準安定原子で満たされることになる。このとき表示陽極１には、図３のＣに示すように、放電期間において第１のアドレス電極９との間の放電を維持するに十分なだけの電位で、なおかつ高すぎない直流電位、例えば＋１００ｖを印加しておく。なお、表示陽極１と第１のアドレス電極９間の放電開始電圧は、その間の距離が長いことと、狭窄孔板４の存在のため、第１及び第２のアドレス電極９及び１０の間の放電開始電圧よりはかなり高くなるので、表示陽極１の電位を第２のアドレス電極１０のＯＮ電位と同じ＋１００ｖに設定しても、アドレス放電が起きない場合にはこの表示放電は起きない。
【００２５】
こうして画素が選択されてアドレス放電が起きると、表示陽極１と第１のアドレス電極９との間の放電開始電圧は放電維持電圧に近い電圧まで低下し、ここに表示放電が起きる。表示放電は陽光柱を伴うので蛍光体３を光らせるに十分な紫外線が効率よく得られる。
【００２６】
実施の形態１の放電表示装置は、図３に示すように線順次駆動で動作させるが、実施の形態１の放電表示装置は、各画素に狭窄孔板４の狭窄孔５による抵抗体が挿入されているのと等価であるから、一旦第２のアドレス電極１０の電圧が停止しても表示放電は、第１のアドレス電極９に消去電圧が印加されるまで持続するので、この放電表示装置はＤＣ型抵抗メモリー動作とも言うべきメモリー機能を有することが分かる。
【００２７】
複数の第１のアドレス電極９及び複数の第２のアドレス電極１０は画素を選択するためのＸＹマトリクス電極を構成しており、両電極にアドレスパルス（パルス状のＯＮ電圧）を印加することにより、第３のスペーサ７の貫通孔８ｂを通してアドレス放電が起きる。このとき生じた電子が表示陽極１に加えられたプラス電位によって引っ張られて、狭窄孔５を通って第１のスペーサ２で仕切られた空間に拡散し、これによるプライミング効果によって、表示陽極１と第１のアドレス電極９との間に表示放電が誘引される。このとき第１のアドレス電極９は表示陰極としても動作することになる。この場合、表示陽極１と第１のアドレス電極９の間の電圧は、アドレス放電がない場合の放電開始電圧よりは低く、又放電維持電圧よりは高く設定する。こうすることにより、アドレス放電が有る場合には表示陽極１と第１のアドレス電極９との間の放電が起こり、そこから発する紫外線で蛍光体３が光り表示発光を行うが、アドレス放電がない場合には、表示放電が起こらないでので、蛍光体３の表示発光は起きない。
【００２８】
この場合の狭窄孔５の役割は、その開口部の面積を表示陽極１及び第１のアドレス電極９の有効表示面積よりも十分に小さくしておくことにより、荷電粒子の流れ、つまり、放電電流がここで急速に絞られる。又同時に、ここにはイオンが滞留しイオン鞘と呼ばれる空間電荷層ができる。つまりこの狭窄孔５の両側で大きな電位差が生じ、放電空間に電気抵抗が挿入されたことと等価になり、各画素が独立した放電安定化抵抗を持つことができる。従って、表示陽極１が全画素に共通な電極で同じ電位であっても、各画素は独立した放電を行うことができる。勿論狭窄孔板４が無ければ、表示陽極１と第１のアドレス電極９との間で無負荷の放電がおきる場合があり、過剰電流のため放電表示装置の破壊に至る場合がある。狭窄孔４の作用により図１の構造の放電表示装置は、通常の線順次駆動によりいわゆるリフレッシュ型ＤＣ型ＰＤＰとして安定に動作するが、表示放電はアドレスパルスが停止しても狭窄孔５の電圧降下のために、表示陽極１と第１のアドレス電極９との間で独立して持続できる。従って、この放電表示装置は、いわばＤＣ型抵抗メモリーとも言うべきメモリー動作も可能である。
【００２９】
〔実施の形態２〕（図４、図５及び図６）
次に、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図４及び図５を参照して、実施の形態２を説明する。実施の形態１の放電表示装置が構造上はメモリー機能を有していないのに対し、この実施の形態２の放電表示装置は構造上メモリー機能を有する。即ち、この放電表示装置は、一旦壁電荷を形成して情報を保持し、これをトリガーとしてアドレス部とは別の放電空間に新たな表示放電を誘起する構造になっている。図４及び図５において、ＸＹマトリクス電極を構成するアドレス部、つまり第１及び第２のアドレス電極９及び１０と第３のスペーサ７の構造は実施の形態１と同じであり、又狭窄孔板４、表示陽極１、第１のスペーサ２及び蛍光体３との構造的関係も実施の形態１と同じであるから、これらの説明は省略する。
【００３０】
実施の形態２の放電表示装置において、実施の形態１と相違するところは、全画素に共通なトリガーシート（メモリー板電極）１２と、同じく全画素に共通な表示陰極１１とを、狭窄孔板４とアドレス部（第１及び第２のアドレス電極９、１０から構成される）の間に設置したことにある。
【００３１】
トリガーシート１２はステンレス、アルミニウム、ニッケル等の金属又は合金の板１２ａにエッチング又は機械加工等で貫通孔を穿け、これをガラス等の絶縁物１２ｂで貫通孔を含めた全表面を被覆したものである。ガラス等の被覆の方法は、厚膜印刷や電着法によって容易に形成できるが、アルミニウム等の金属板を酸化させて表面に絶縁膜を形成したものでもよい。トリガーシート１２の厚さは貫通孔の内壁面に十分な壁電荷が形成されるようにするため、約１００μｍ〜２００μｍが適当である。又、その絶縁層１２ｂの厚さは壁電荷を蓄えるに十分な静電容量を持たせるために１０μｍ〜２０μｍに設定される。
【００３２】
表示陰極１１はトリガーシート１２の金属板と同様に貫通孔が穿けられた金属板で形成されるが、絶縁層で被覆されないいわゆる直流型電極である。又この金属板の表面を二次電子放射率の高い材料、例えば六ホウ化ランタン等で被覆してもよい。又、この表示陰極１１は、実施の形態１におけるカソードとしての第１のアドレス電極９の説明のところで既述したように、貫通孔の径と板厚を最適化することで、ホロー効果を持つように形成することも可能である。第２のスペーサ６は表示陰極１１に負グローが安定して生ずる空間を確保するためのものであるから、表示陰極１１の構造により高さが設定され、あるいは省略することもできる。
【００３３】
第１のアドレス電極９、トリガーシート１２及び表示陰極１１の各貫通孔と、狭窄孔板４の各狭窄孔５とが連通した空間を形成するように、各電極、電極板及びスペーサが順次積層されて一体となって、放電管の管体内に封入され。
【００３４】
次に、この実施の形態２の放電表示装置の動作を図６により説明する。まず、図６のリセット期間においては、トリガーシート１２に、全画素がいっせいに放電するような高い電圧、例えば２００ｖ程度を有し、短い幅、例えば、数μｓｅｃの幅の正極性パルスを印加して、トリガーシート１２と表示陰極１１との間にリセット放電を起こさせ、全ての画素の壁電荷を一旦消去させる。これは自己消去法と呼ばれる方法で、自己の放電で発生した空間電荷により新たな壁電荷が形成される時間を与えずにパルスの印加を停止することで、壁電荷を消去するものである。
【００３５】
このような初期状態からアドレス動作を開始する。ここでも実施の形態１と同様に、複数の第１及び第２のアドレス電極９及び１０のうち、画像信号に応じて選択された第１及び第２のアドレス電極９と１０の間の放電のＯＮ／ＯＦＦに十分な直流電圧、例えば、図６のＡでＯＮ電位＋１００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖ、又ＢではＯＮ電位−１００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖ、を印加すれば、選択されて共にＯＮ電圧の印加された第２及び第１のアドレス電極１０、９の交差点にある放電した画素の貫通孔８ａ，８ｂの放電空間はイオン、電子又は準安定原子で満たされる。このとき、図６のＥのようにアドレス期間のトリガーシート１２の電位を低い電圧例えば−１００ｖに保持しておくと、アドレス放電の起こった画素におけるトリガーシート１２の絶縁層１２ｂの表面に正の壁電荷が蓄積される。
【００３６】
因みに、選択されない画素では、第１のアドレス電極９の電位はＯＦＦ電位の０ｖになっているので、トリガーシート１２の電位が−１００ｖであっても、第１のアドレス電極９の電位０ｖによって、第１のアドレス電極９と第２のアドレス電極１０との間の電界が弱められ、放電は起きない。こうしてアドレス期間に画像情報に応じて画面全体に正の壁電荷の分布が生じる。
【００３７】
次に、トリガ期間において、トリガーシート１２の電位を例えば＋５０ｖにすると同時に、図６のＤに示すように表示陰極１１の電位を−１００ｖにする。こうすると正の壁電荷のある画素では、トリガーシート１２に＋５０ｖに重畳して高い電圧が現われるのでトリガー放電が起こり、壁電荷のないところには放電は起きない。こうして選択された画素にトリガー放電が起きると、表示陽極１と表示陰極１１との間の放電開始電圧が、放電維持電圧に近い電圧まで低下し、ここに表示放電が起きる。表示放電は陽光柱を伴うので蛍光体層３を光らせるのに十分な紫外線が効率よく発生する。勿論、選択されない画素つまりアドレス放電のない画素では、表示陽極１と表示陰極１１の間の放電が起きない。
【００３８】
表示放電は、狭窄孔５によって電位降下されるので、この狭窄孔５は各画素ごとにインピーダンスが挿入されたのと等価になるから、表示陽極１と表示陰極１１の間に、少なくとも放電維持電圧以上の直流電圧が維持される間は、メモリー放電が持続する。つまり、図４及び図５の構造の放電表示装置は、図１及び図２の放電表示装置と同様にＤＣ型抵抗メモリー機能を有する。勿論、表示陽極１に直流電圧を印加する代わりに、正極性の短い幅のパルスを継続的に印加することで、パルスメモリーを行うことができるのは、従来の方法と同じである。
【００３９】
実施の形態２は、実施の形態１の構造のパネルに一時的に壁電荷を蓄える構造的なメモリー機能を付加したものである。但し、この壁電荷はメモリー動作に移行するための、いわばトリガーとして作用するので、そのメモリー動作は図１及び図２の放電表示装置と同様なＤＣ型抵抗メモリー動作である。
【００４０】
図６に示すように、リセット期間において、トリガーシート１２に短い幅で、高電圧の正極性パルスを印加して、トリガーシート１２と表示陰極１１との間にリセット放電を起こし、全ての画素の壁電荷を一旦消去する。しかる後に、第１のアドレス電極９及び第２のアドレス電極１０により、線順次方式で画素をアドレスすることによって、画像に応じてアドレス放電を起こさせる。このときトリガーシート１２の電位をアドレス放電の放電維持電位より低くしておくと、トリガーシート１２の貫通孔の内壁面及び貫通孔の近傍の絶縁層に正の電荷が壁電荷として蓄積される。このようにして線順次方式による書き込み動作を全画素にわたり行うと、各画素には画像に応じた壁電荷の分布が現れる。この状態で次のメモリー期間に入る。
【００４１】
さて、上述の壁電荷がある画素とない画素の分布が存在する状態で、トリガーシート１２の電位を上げると、正の壁電荷がある場所は無い場所よりも高い電圧を生ずるために、正の壁電荷のあるところ、即ちアドレス放電が起こったところのみで、この壁電荷と表示陰極１１の間に放電が起きる。この放電は放電後直ちに壁電荷を失って停止するが、この放電により表示陰極１１と表示陽極１との間の放電を誘起する。言い換えれば、トリガーシート１２及び表示陰極１１間の放電がトリガー放電となって、表示陰極１と表示陰極１１がともに全画素共通の板状電極にも拘らず、画像に応じた表示放電が起きる。この表示放電はアドレスパルスが停止しても、狭窄孔５による放電の電圧降下のために独立して持続できる。つまりＤＣ型抵抗メモリー動作を行う。又、この表示放電は、表示陽極１又は表示陰極１１に表示中の印加電圧と逆極性の電圧を印加することで一斉に停止する。
【００４２】
〔実施の形態３〕（図７、図８及び図９）
次に、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図７及び図８を参照して、実施の形態３を説明する。この放電表示装置は実施の形態２がトリガーシート１２に壁電荷を一時蓄積する構造であったのに対し、実施の形態３の放電表示装置はトリガーシート１２を省略するかわりに、第１のアドレス電極９の表面を絶縁層１３で被覆したいわゆるＡＣ型電極とすることで、トリガーシートの作用を兼用し、第１のアドレス電極９に壁電荷を一時的に蓄積するようにしたものである。
【００４３】
又、実施の形態３において表示陰極１１、第２のスペーサ６、狭窄孔板４、蛍光体３、第１のスペーサ２及び表示陽極１の構造的関係は実施の形態２と同一であるから、ここでの説明は省略する。
【００４４】
図７及び図８に示される第１のアドレス電極９の表面を被覆する絶縁層１３は、スクリーン印刷法、電着法又は蒸着法等により１０μｍ〜２０μｍのガラス等の材料を用いて形成される。図７及び図８では第１のアドレス電極９のみを絶縁層１３で被覆したものであるが、アドレス放電による壁電荷を一時的に蓄えることが目的であるから、第２のアドレス電極１０又は、第１のアドレス電極９及び第２のアドレス電極１０の両方を絶縁層で被覆した構造も可能である。
【００４５】
そこで図７及び図８に示される実施の形態３の放電表示装置の動作を図９により説明する。まず、図９のリセット期間においては、第１のアドレス電極９に全画素がいっせいに放電するような高い電圧、例えば２００ｖ程度の正極性パルスを印加して、第１のアドレス電極９と表示陰極１１との間にリセット放電を起こし、第１のアドレス電極９の絶縁層１３の表面に負の電荷を壁電荷として蓄積する。この場合のリセットパルスは、実施の形態２のリセットパルスより幅を広くすることで壁電荷を形成している。
【００４６】
次にこのような初期状態からアドレス動作を開始する。実施の形態１又は実施の形態２と同様に、複数の第１及び第２のアドレス電極９及び１０のうち、画像信号に応じて選択された第１及び第２のアドレス電極９と１０の間の放電のＯＮ／ＯＦＦに十分な直流電圧、例えば図９のＡでＯＮ電位＋１００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖ、又ＢではＯＮ電位−１００ｖ、ＯＦＦ電位０ｖを印加すれば、選択されて放電した画素の貫通孔８ａ，８ｂの放電空間はイオン、電子又は準安定原子で満たされる。このとき、全ての画素の第１のアドレス電極９の絶縁層上には負の壁電荷が存在するので、第１のアドレス電極９と第２のアドレス電極１０との間の電圧は一層高くなり確実なアドレス放電が起きる。
【００４７】
こうしてアドレス放電が起きた画素では、第１のアドレス電極９の絶縁層上の負の壁電荷は消去されて直ちに正の壁電荷が形成され、アドレス放電が起きなかった画素ではそのままの状態、つまり負の壁電荷が残る。
【００４８】
この状態で次のトリガー期間において、第１のアドレス電極９に正のトリガーパルスを印加する。この電圧は先のリセットパルスよりも低い電圧、例えば１００ｖでよい。前述のごとくアドレス放電による正の壁電荷の存在する電極では、この電圧に壁電荷の電圧が重畳されるので、ここだけにトリガー放電が起こる。
【００４９】
こうして選択された画素にトリガー放電が起きると、表示陽極１と表示陰極１１との間の放電開始電圧は放電維持電圧に近い電圧まで低下し、ここに表示放電が起きる。表示放電は陽光柱を伴うので、蛍光体３を光らせるに十分な紫外線を効率よく発生する。勿論、選択されない画素つまりアドレス放電のない画素では表示陽極１と表示陰極１１の間の放電は起きない。
【００５０】
表示放電は、狭窄孔５によって電位降下されるので、この狭窄孔５は各画素ごとにインピーダンスが挿入されたのと等価になるから、表示陽極１と表示陰極１１の間に少なくとも放電維持電圧以上の直流電圧を維持する間はメモリー放電が継続する。つまり、図７及び図８の放電表示装置も図１及び図２のＰＤＰと同様にＤＣ型抵抗メモリー機能を有する。勿論、この場合、表示陽極１の直流電圧の代わりに正極性の短い幅のパルスを継続的に印加することでパルスメモリー動作を行わせることができるのは従来の方法と同じである。
【００５１】
図４及び図５の放電表示装置と、図７及び図８の放電表示装置との構造上の差異は、第１のアドレス電極９の表面を貫通孔８ａ内をも含めて絶縁層１３で被覆し、ここに壁電荷を一時的に蓄積することで図４及び図５のトリガーシート１２を省略した点にある。
【００５２】
まず図９のリセット期間においては、第１のアドレス電極９に一斉に正極性のリセットパルスを印加する。この時のパルス幅を図６の場合よりも広くすると、第１のアドレス電極９の各画素の絶縁層上には負の壁電荷が蓄積される。
【００５３】
次に、通常の線順次駆動のごとく、第１のアドレス電極９には負極性の走査パルスを、第２のアドレス電極１０には正の画像信号を印加してアドレス動作を行う。こうして第１のアドレス電極９の放電の起きたところには、正の壁電荷が蓄積され、放電の起きなかったところには負の壁電荷がそのまま残る。
【００５４】
さて、上述のごとく正負の壁電荷が分布した状態で、トリガーシート１２の電位を上げると、正の壁電荷がある場所は無い場所よりも高い電圧を生ずるために、正の壁電荷のあるところ、即ちアドレス放電が起こったところのみで、この壁電荷と表示陰極１１との間に放電が起きる。この放電は放電後直ちに壁電荷を失って停止するが、この放電により表示陰極１１と表示陽極１との間の放電を誘起する。言い換えればアドレス電極９と表示陰極１１間の放電がトリガー放電となって、表示陽極１と表示陰極１１が共に全画素共通な板状電極にも関わらず画像に応じた表示放電が起きる。この表示放電はアドレスパルスが停止しても狭窄孔５による電圧降下のために独立して持続できる。つまりＤＣ型抵抗メモリー動作を行う。
【００５５】
又、この表示放電は、表示陽極１又は表示陰極１１に表示中の印加電圧と逆極性の電圧を印加することで一斉に停止する。
【００５６】
〔実施の形態４〕（図１０、図１１及び図１３）
次に、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図１０及び図１１を参照して、実施の形態４を説明する。この放電表示装置は、図１及び図２で説明した実施の形態１の放電表示装置における狭窄孔板４の代わりに、狭窄孔付きメモリー板電極１６を設けて、上述の実施の形態１の狭窄孔板４にメモリー機能を付加したものである。その他の構成は、実施の形態１と同様であるので、図１０及び図１２において、図１及び図２と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００５７】
狭窄孔付きメモリー板電極１６は、図４及び図５で説明した実施の形態２に設けられているトリガーシート１２と同様の構造を有し、ステンレス、アルミニウム、ニッケル等の金属又は合金の板、即ち金属板１６ａにエッチング又は機械加工等で貫通孔を穿け、これをガラス等の絶縁層１６ｂで、貫通孔を含めた全表面を被覆したものである。５は、その貫通孔が絶縁層１６ｂで被覆された狭窄孔である。この狭窄孔５は画素ごとに１つずつ設けられ、その開口面積は第１のアドレス電極９の有効面積つまり負グローの拡がり面積よりも十分に小さいことが必要で、例えば第１のアドレス電極９の有効面積の約１０分の１程度である。ガラス等の絶縁層１６ｂの金属板１６ａへの被覆の方法は、厚膜印刷法や電着法によって容易に形成できるが、アルミニウム等の金属板を酸化させて表面に絶縁膜を形成したものでもよい。金属板１６ａの厚さは、貫通孔５の内壁面に十分な壁電荷が形成されるようにするため、約１００μｍ〜２００μｍが適当である。又、絶縁層１６ｂの厚さは、壁電荷を蓄えるに十分な静電容量を持たせるために１０μｍ〜２０μｍに設定される。
【００５８】
次に、この実施の形態４の放電表示装置の動作を図１２により説明する。狭窄孔付きメモリー板電極１６は、図４及び図５で説明した実施の形態２に設けられているトリガーシート１２と同様の動作によって、画像に応じたアドレス放電の期間中に発生する空間電荷を、一旦、絶縁層１６ｂの表面上に壁電荷として蓄積する。しかる後、メモリー表示期間において、狭窄孔付きメモリー板電極１６に継続的に印加するサステインパルスによりメモリー放電を行わせる。
【００５９】
アドレス放電からメモリー放電のための壁電荷を形成する過程の説明は、図４及び図５で説明した実施の形態２に設けられているトリガーシート１２に関する動作説明を援用して、重複説明は省略する。
【００６０】
そこで、仮に、アドレス動作によって、狭窄孔付きメモリー板電極１６の絶縁層１６ｂの表面に蓄積した壁電荷による壁電圧が＋５０Ｖであったとすると、この電極１６に、正極性の、例えば、＋１５０Ｖ程度のパルスを印加すると、カソードとして動作する第１のアドレス電極９のオフ電位を０Ｖとすれば、上述のパルスの立ち上がり時には、アドレス電極９と狭窄孔付きメモリー板電極１６との間に２００Ｖの電位差が生じ、アドレス電極９及び狭窄孔付きメモリー板電極１６間に、メモリー放電が起きる。このとき、表示陽極１に、適当な電圧、例えば、＋１５０Ｖ程度の一定電圧を与えておけば、上述の放電に誘起されて、表示陽極１と第１のアドレス電極９との間に表示放電が起きる。
【００６１】
メモリー放電は、所謂、半交流的放電であるから、新たな壁電荷（マイナス電荷）の形成により、上述のメモリー放電は停止する。このとき、狭窄孔付きメモリー板電極１６の狭窄孔５の周辺では、マイナスの壁電荷の形成に伴って表示陽極１側には、プラスの空間電荷層ができ、二重鞘（Double Seath) が形成される。表示陽極１の電位が十分に高く、又、狭窄孔５の径が適度に大きい場合には、実施の形態２及び３のように、この二重鞘を越えて放電が継続するが、実施の形態４のように、表示陽極１の電位が低く、又、狭窄孔５の径が小さい場合には、この二重鞘の形成によって、表示放電は停止する。
【００６２】
さて、上述のように、二重鞘の形成によって、メモリー放電及び表示放電が停止するが、狭窄孔付きメモリー板電極１６に印加した正極性のパルスの立ち下がり時に、狭窄孔付きメモリー板電極１６の狭窄孔５の周辺の電位が低下して、狭窄孔付きメモリー板電極１６と表示陽極１との間の電位差が再び大きくなるので、メモリー放電及び表示放電が再開される。しかし、このメモリー放電によって、今度は、狭窄孔付きメモリー板電極１６の絶縁層１６ｂ上のマイナスの壁電荷が消滅し、狭窄孔５にはプラスの壁電荷が再び形成され、即ち、メモリー放電の初期の状態に再度復帰したことになるので、狭窄孔付きメモリー板電極１６に上述した正極性パルスを継続的に印加すれば、メモリー放電を持続させることができ、その間表示放電も維持される。
【００６３】
〔実施の形態５〕（図１３、図１４及び図１５）
次に、放電表示装置の斜視図及び断面図を示す図１３及び図１４を参照して、実施の形態５を説明する。この放電表示装置は、図４及び図５で説明した実施の形態２の放電表示装置における狭窄孔板４の代わりに、図１０及び図１１を用いた実施の形態４で説明したのと同様の狭窄孔付きメモリー板電極１６を設けて、上述の実施の形態２の狭窄孔板４にメモリー機能を付加したものである。その他の構成は、実施の形態２と同様であるので、図１３及び図１４において、図４及び図５と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００６４】
次に、この実施の形態４の放電表示装置の動作を図１５により説明する。尚、アドレス放電からメモリー放電のための壁電荷を形成する過程の説明は、図４及び図５で説明した実施の形態２に設けられているトリガーシート１２に関する動作説明を援用して、重複説明は省略する。
【００６５】
上述の実施の形態４の動作説明と同様に、仮に、アドレス動作によって、狭窄孔付きメモリー板電極１６の絶縁層１６ｂの表面に蓄積した壁電荷の壁電圧が＋５０Ｖであったとすると、この電極１６に、正極性の、例えば、＋１５０Ｖ程度のパルスを印加すると、カソードとして動作する第１のアドレス電極９のオフ電位を０Ｖとすれば、上述のパルスの立ち上がり時には、アドレス電極９と狭窄孔付きメモリー板電極１６との間に２００Ｖの電位差が生じ、トリガーシート１２と、狭窄孔付きメモリー板電極１６及び表示陰極１１との間で、放電が起きる。この放電が直ちに停止するが、狭窄孔付きメモリー板電極１６の絶縁層１６ｂ上には、プラスの壁電荷ができる。言い換えれば、アドレス放電によって、形成されたトリガーシート１２上のプラスの壁電荷が、狭窄孔付きメモリー板電極１６に移ったことになる。尚、この後の表示放電とメモリー放電との関係は、実施の形態４の場合と同様であるので、重複説明は省略する。
【００６６】
尚、図７及び図８で説明した実施の形態の３の放電表示装置における狭窄孔板４の代わりに、図１３及び図１４を用いて説明した実施の形態５と同様の狭窄孔付きメモリー板電極１６を設けて、上述の実施の形態３の狭窄孔板４にメモリー機能を付加することもできる。この場合の放電表示装置の動作は、実施の形態５の動作と同様であるので、その重複説明は省略する。
【００６７】
〔実施の形態６〕（図１６）
次に、放電表示装置の断面図及び回路を示す図１６を参照して、実施の形態６を説明する。この放電表示装置は、図１３及び図１４で説明した実施の形態５と同じ構造の放電表示装置に、後述の構成を付加したものであるので、図１６では、前面ガラス板１５、表示陽極１、第１のスペーサ２、蛍光体層３、第２のスペーサ６及び狭窄孔付きメモリー板電極１６のみを図示し、その他は図示を省略している。
【００６８】
この実施の形態６は、狭窄孔付きメモリー板電極１６が、表示陽極１と、表示陰極１１との間に設けられ、しかも、これらの各電極が金属板及び表面が絶縁層で被覆された金属板を積層した構造となっているため、各電極板間に比較的大きな静電容量を有することによる問題点を解決したものである。
【００６９】
実施の形態４及び５のところで説明したように、メモリー放電による表示期間では、表示陰極１１電位を０Ｖにし、且つ、表示陽極１にはメモリー放電から表示放電を引き出すのに十分なプラスの電位を与え、この状態で狭窄孔付きメモリー板電極１６に継続的な正極性のパルスを印加して表示放電を行う。
【００７０】
さて、表示陽極１と狭窄孔付きメモリー板電極１６との間には、第１の静電容量（容量値をＣ１とする）１９が、又、表示陰極１１と狭窄孔付きメモリー板電極１６との間には第２の静電容量（容量値をＣ２とする）２０が存在する。そして、表示陽極１及び狭窄孔付きメモリー板電極１６は、それぞれ１枚の板状電極であり、しかもこれらの電極１、１６は、第１のスペーサ２を介して、例えば、１mm程度の間隔を以て、互いに平行に配されており、第１の静電容量１９の容量値は、無視できない程度に大きなものとなる。この第１の静電容量１９の容量値Ｃ１は、第１のスペーサ２の材質、高さ及び幅や、狭窄孔付きメモリー板電極１６の絶縁層１６ｂの材質及び厚さ等に依存するが、２０cm角のＰＤＰの場合を例にとれば、大凡５０００ｐＦ以上にもなる。
【００７１】
一方、表示陰極１１及び狭窄孔付きメモリー板電極１６は、第１のスペーサ２より厚さの小さい第２のスペーサ６を介して、互いに平行に配されているので、第２の静電容量２０の容量値Ｃ２は、第１の静電容量１９の容量値Ｃ１より大きなものとなる。
【００７２】
このように、狭窄孔付きメモリー板電極１６と、その両側に対向する表示陽極１及び表示陰極１１との間に、上述したように、大きな容量値Ｃ１、Ｃ２の静電容量１９、２０が存在するので、この狭窄孔付きメモリー板電極１６に上述のパルス電圧を印加すると、両静電容量１９、２０に電気エネルギーが蓄積され、これに基づいて、表示に必要なガス放電とは無関係な充放電電流が両電極１、１１及びこれらに接続された回路（図示せず）に流れ、大きな電力損失を招来する。
【００７３】
そこで、この実施の形態６では、逆流防止手段としての第１のダイオード（Ｄ１）１７のカソードを表示陽極１に接続し、そのアノードに直流電源２１によって、表示陽極１に印加すべき所定駆動電位（正の電位）を印加する。尚、電源２１の負側は接地されている。又、逆流防止手段としての第２のダイオード（Ｄ２）１８のアノードを表示陰極１１に接続し、そのカソードに、表示陰極１１に印加すべき電位（接地電位）を印加する。
【００７４】
尚、第１及び第２のダイオード１７、１８は、いずれか一方のみを設けても良く、その場合でも、いずれのダイオードも設けない場合に比べて、大幅に電力損失を少なくすることができるが、両方のダイオード１７、１８を設ければ電力損失はより一層大幅に軽減される。
【００７５】
次に、実施の形態６の動作を、図１６を参照して説明する。狭窄孔付きメモリー板電極１６に正極性のパルス電圧Ｐを印加すると、そのパルスＰの印加前に第１の静電容量１９に蓄積されていた電荷に基づく電圧がこのパルス電圧Ｐに重畳されて、表示陽極１には、狭窄孔付きメモリー板電極１６の電圧より高い電圧が印加される。そして、表示放電により、第１の静電容量１９に蓄積されていた電荷が、矢印付きの実線の経路を経て放電される。従って、第１の静電容量１９に蓄積されていた電荷は表示に有効に利用される。尚、表示電流が流れる経路は図示を省略している。
【００７６】
次に、狭窄孔付きメモリー板電極１６に印加されるパルス電圧Ｐの立ち下がりに着目すると、パルス電圧Ｐの狭窄孔付きメモリー板電極１６への印加によって、第２の静電容量２０に電荷が蓄積されるが、パルス電圧Ｐの立ち下がりによって、第２の静電容量２０の電荷による電圧の降下によって、表示陰極１１の電位がマイナスになり、第２の静電容量２０に蓄積されている電荷が、矢印付きの破線の経路を経て放電される。従って、この場合も、その放電電流は表示陽極１から表示陰極１に向かって流れるから、この第２の静電容量２０に蓄積されている電荷は、表示放電に重畳されるので、その電荷が表示に有効に利用される。
【００７７】
この図１６の実施の形態６は、図１３及び図１４で説明した実施の形態５を改良したものであるが、図１０及び図１１で説明した実施の形態４も、実施の形態６と、実質的に同様に改良することができる。即ち、図１３及び図１４の放電表示装置において、第１のダイオード（Ｄ１）１７のカソードを表示陽極１に接続し、そのアノードに直流電源２１によって、表示陽極１に印加すべき所定駆動電位（正の電電位）を印加する。尚、電源２１の負側は接地されている。又、第２のダイオード（Ｄ２）１８のアノードは、カソードとしての第１のアドレス電極９に接続し、その第１のアドレス電極９に、第１のアドレス電極に印加すべき電位（接地電位）を印加する。この場合の動作も、実施の形態６の動作説明と同様なので、重複説明は省略する。
【００８０】
本発明によれば、隔壁を介して互いに交差するごとく近接して配されたそれぞれ複数の第１及び第２のアドレス電極と、放電空間に挿入された、荷電粒子を複数の微小な狭窄孔を通過させることによって放電電流を制限するようにした絶縁体又は金属板からなる狭窄孔板と、内壁面に蛍光体を塗布したスペーサと、全画素に共通な表示陽極とを有し、上記複数の第１及び第２のアドレス電極、上記狭窄孔板、上記スペーサ並びに上記表示陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管体内に封入されてなる放電表示装置において、上記複数の第１及び第２のアドレス電極と上記狭窄孔板との間に配された、上記全画素に共通な金属板からなる表示陰極と、複数の透孔が設けられると共に、その各透孔の内壁面を含めた全表面が絶縁層で被覆された、全画素に共通な金属板からなるトリガーシートとを有し、上記複数の第１及び第２のアドレス電極、上記トリガーシート、上記表示陰極、上記狭窄孔板、上記スペーサ及び上記表示陽極を順次積層させて、放電ガスを有する管体内に封入されてなるので、放電電流を制限するようにした狭窄孔板によって各画素毎の放電安定抵抗が容易に実現でき、表示陽極も全画素に共通な構成の簡単なもので良く、これによって、スペーサに塗布された蛍光体層の塗布面積が拡がり、蛍光体層の輝度と発光効率が改善され、しかも、過剰電流による電極劣化がなくなり、長寿命化を達成することのできる直流型抵抗メモリー方式の放電表示装置を得ることができ、これに加えて、アドレス動作によって発生した電荷粒子を、全画素のアドレスが終了するまで蓄えておき、メモリー動作は全画素一斉のタイミングで行うことができ、即ち、アドレス動作とメモリー動作が全画素で別々のタイミングで行われるため、動作条件を広く安定させることのできる放電表示装置を得ることができる。
【００８１】
第４の本発明によれば、第１又は第２の本発明の放電表示装置において、複数の第１及び第２のアドレス電極と狭窄孔板との間に配された、全画素に共通な金属板からなる表示陰極を有すると共に、複数の第１又は第２のアドレス電極のどちらか一方又は両方を絶縁層で被覆して、全画素に共通なトリガーシートとしての機能をも持たせるようにしたので、第１又は第２の本発明の効果に加えて、アドレス動作によって発生した電荷粒子を、全画素のアドレスが終了するまで蓄えておき、メモリー動作は全画素一斉のタイミングで行うことができ、即ち、アドレス動作とメモリー動作が全画素で別々のタイミングで行われるため、動作条件を広く安定させることができ、しかも構造の簡単な放電表示装置を得ることができる。
【００８３】
第６の本発明によれば、第１又は第２の本発明の放電表示装置において、狭窄孔板を、金属板の全表面を絶縁層で被覆し、第１及び第２のアドレス電極からの荷電粒子を壁電荷として蓄積する狭窄孔付きメモリー板電極にて構成してなり、狭窄孔付きメモリー板電極と、第１及び第２のアドレス電極の内のカソードとなる電極との間でメモリー放電が起こり、そのメモリー放電による補助的放電によって、狭窄孔付きメモリー板電極及び表示陽極間に表示放電が起こるように、その狭窄孔付きメモリー板電極にパルス電圧を継続的に印加するようにしたので、第１又は第２の本発明の効果に加えて、メモリー放電による表示放電の制御が容易且つ確実になる放電表示装置を得ることができる。
【００８４】
第７の本発明によれば、第３、第４又は第５の本発明の放電表示装置において、狭窄孔板と表示陽極との間のスペーサの厚さを、この間隙に陽光柱が安定的に存在するのに十分な厚さに設定すると共に、狭窄孔板と表示陰極との間隙は、表示陰極近傍に負グローが安定的に形成されるに十分な距離又は構造で、なおかつここには陽光柱が発生しないような短い距離又は構造に設定すると共に、狭窄孔板に設けた各狭窄孔の開口面積を、表示陽極及び表示陰極の有効面積、即ちガス空間に対して放電電流を流し得る全表面積よりも十分に小さい面積に設定するようにしたので、第３、第４又は第５のの本発明の効果に加えて、メモリー放電による表示放電の制御が容易且つ確実になる放電表示装置を得ることができる。
【００８５】
第８の本発明によれば、第６の本発明の放電表示装置において、表示陽極及びその表示陽極に印加すべき所定駆動電位の電位点の間と、第１及び第２のアドレス電極の内のカソードとなる電極並びにそのカソードとなる電極に印加すべき所定駆動電位の電位点の間とのいずれか一方、又は両方に逆流防止手段を接続したので、第６の本発明の効果に加えて、狭窄孔付きメモリー板電極及び表示陽極の間と、狭窄孔付きメモリー板電極と、第１及び第２のアドレス電極の内のカソードとなる電極との間とのいずれか一方、又は両方にに存在する静電容量による電力損失を大幅に低減することができ、又、表示陽極に印加すべき所定駆動電位と、第１及び第２のアドレス電極の内のカソードとなる電極に印加すべき所定駆動電位とのいずれか一方、又は両方を低くするこのできる放電表示装置を得ることができる。
【００８６】
第９の本発明によれば、第７の本発明の放電表示装置において、表示陽極及びその表示陽極に印加すべき所定駆動電位の電位点の間と、表示陰極及びその表示陰極に印加すべき所定駆動電位の電位点の間とのいずれか一方、又は両方に逆流防止手段を接続したので、第７の本発明の効果に加えて、狭窄孔付きメモリー板電極及び表示陽極の間と、狭窄孔付きメモリー板電極及び表示陰極の間とのいずれか一方、又は両方に存在する静電容量による電力損失を大幅に低減することができ、又、表示陽極に印加すべき所定駆動電位と、表示陰極に印加すべき所定駆動電位とのいずか一方、又は両方を低くすることのできる放電表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の展開斜視図である。
【図２】その実施の形態１の断面図である。
【図３】その実施の形態１の電圧波形とタイミングを示す図である。
Ａ  第２のアドレス電極の電位（画像信号）（走査信号）
Ｂ  第１のアドレス電極の電位
Ｃ  表示陽極の電位
【図４】本発明の実施の形態２の展開斜視図である。
【図５】その実施の形態２の断面図である。
【図６】その実施の形態２の電圧波形とタイミングを示す図である。
Ａ  第２のアドレス電極の電位（画像信号）
Ｂ  第１おアドレス電極の電位（走査信号）
Ｃ  表示陽極の電位
Ｄ  表示陰極の電位
Ｅ  トリガーシートの電位
【図７】本発明の実施の形態３の展開斜視図である。
【図８】その実施の形態３の断面図である。
【図９】その実施の形態３の電圧波形とタイミングを示す図である。
Ａ  第２のアドレス電極の電位（画像信号）
Ｂ  第１のアドレス電極の電位（走査信号）
Ｃ  表示陽極の電位
Ｄ  表示陰極の電位
【図１０】本発明の実施の形態４の展開斜視図である。
【図１１】その実施の形態４の断面図である。
【図１２】その実施の形態５の電圧波形とタイミングを示す図である。
Ａ  第２のアドレス電極の電位（画像信号）
Ｂ  第１のアドレス電極の電位（走査信号）
Ｃ  表示陽極の電位
Ｄ  狭窄孔付きメモリー板電極
【図１３】本発明の実施の形態４の展開斜視図である。
【図１４】その実施の形態５の断面図である。
【図１５】その実施の形態５の電圧波形とタイミングを示す図である。
Ａ  第２のアドレス電極の電位（画像信号）
Ｂ  第１おアドレス電極の電位（走査信号）
Ｃ  表示陽極の電位
Ｄ  表示陰極の電位
Ｅ  トリガーシートの電位
Ｆ  狭窄孔付きメモリー板電極の電位
【図１６】実施の形態６の一部を示す断面図及び回路図である。
【図１７】従来の狭窄放電パネルの電極構造を示す斜視図である。
【図１８】従来のパルスメモリー型ＰＤＰの展開斜視図である。
【図１９】従来の抵抗付きパルスメモリー型ＰＤＰの展開斜視図である。
【符号の説明】
１  表示陽極
２  第１のスペーサ
３  蛍光体層
４  狭窄孔板
５  狭窄孔
６  第２スペーサ
７  第３のスペーサ
８  貫通孔
９  第１のアドレス電極
１０  第２のアドレス電極
１１  表示陰極
１２  トリガーシート電極
１３  絶縁層
１４  背面ガラス板
１５  前面ガラス板
１６  狭窄孔付きメモリー板電極
１７  第１のダイオード
１８  第２のダイオード
１９  第１の静電容量
２０  第２の静電容量
【図１】
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【図２】
0003641762.tif 000003
【図３】
0003641762.tif 000004
【図４】
0003641762.tif 000005
【図５】
0003641762.tif 000006
【図６】
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【図７】
0003641762.tif 000008
【図８】
0003641762.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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