(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって，
前記処理装置には，基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており，
前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，
前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し，紫外線を照射し，
前記紫外線の照射は，基板の処理面に前記紫外線が照射されないように行われることを特徴とする，処理装置の汚れを除去する方法。
【請求項２】
処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって，
前記処理装置には，基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており，
前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，
前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し，紫外線を照射し，
前記紫外線の照射は，基板が前記処理装置内に無いときに行われることを特徴とする，処理装置の汚れを除去する方法。
【請求項３】
処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって，
前記処理装置には，基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており，
前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，
前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し，紫外線を照射し，
前記紫外線の照射は，前記処理装置においてレシピが同じ一群の基板の処理が終了してから，次の一群の基板の処理が開始されるまでの間に行われることを特徴とする，処理装置の汚れを除去する方法。
【請求項４】
前記紫外線の照射は，前記蓋体を洗浄するために前記処理装置から当該蓋体が取り外されてから当該蓋体が洗浄されるまでの間に行われることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記載の処理装置の汚れを除去する方法。
【請求項５】
前記処理室内の雰囲気を排気する排気管が備えられ，
前記排気管の内周面には，光触媒が被覆されており，
前記光触媒が被覆されている排気管の内周面に対して，前記紫外線を照射することを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の処理装置の汚れを除去する方法。
【請求項６】
処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって，
前記処理室内の雰囲気を排気し，内周面に光触媒が被覆されている排気管が備えられており，
前記排気管の内周面に対し，紫外線を照射することを特徴とする，処理装置の汚れを除去する方法。
【請求項７】
前記処理装置は，加熱処理装置であることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５又は６のいずれかに記載の処理装置の汚れを除去する方法。
【請求項８】
処理室内で基板を処理する処理装置であって，
前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し，
少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，
前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置と，前記基板を下方から支持して，当該基板を昇降させる昇降ピンとをさらに有し，
前記照射装置は，前記昇降ピンに設けられていることを特徴とする，処理装置。
【請求項９】
処理室内で基板を処理する処理装置であって，
前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し，
少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，
前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置と，前記基板を載置して処理する処理板と，前記処理板の外周を囲む外周部材とをさらに有し，
前記照射装置は，前記外周部材に設けられていることを特徴とする，処理装置。
【請求項１０】
前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し，
前記排気管の内周面には，光触媒が被覆されていることを特徴とする，請求項８又は９のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１１】
処理室内で基板を処理する処理装置であって，
前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し，
少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，
前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し，
前記排気管の内周面には，光触媒が被覆されていることを特徴とする，処理装置。
【請求項１２】
前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置を有することを特徴とする，請求項１１に記載の処理装置。
【請求項１３】
前記排気管の内周面に対し，紫外線を照射可能な照射機構を有することを特徴とする，請求項１０，１１又は１２のいずれかに記載の処理処置。
【請求項１４】
前記排気管には，前記雰囲気内の不純物を回収するフィルタが設けられており，
前記排気管の照射機構は，前記フィルタの上流側に設けられていることを特徴とする，請求項１３に記載の処理装置。
【請求項１５】
処理室内で基板を処理する処理装置であって，
前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し，
前記排気管の内周面には，光触媒が被覆されており，
前記排気管の内周面に対し，紫外線を照射可能な照射機構を有することを特徴とする，処理装置。
【請求項１６】
前記処理装置は，加熱処理装置であることを特徴とする，請求項８〜１５のいずれかに記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理装置の汚れを除去する方法及び処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程においては，半導体ウエハ（以下，「ウエハ」）の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処理（プリベーキング）や，パターンの露光を行った後の加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング），現像処理後の加熱処理等の種々の加熱処理が行われている。
【０００３】
これらの加熱処理は，通常加熱処理装置において行われ，当該加熱処理装置は，例えばヒータが内蔵されウェハを載置し加熱する熱板と，当該熱板上のウェハを上方から覆い処理室を形成する蓋体とを有している。そして，所定温度に維持された熱板上にウェハを載置し，蓋体をウェハ上に被せて所定時間加熱することによって，加熱処理が行われている。また，加熱処理装置には，加熱によりウェハから発生する有機物等の不純物を排気するための排気管が設けられており，当該不純物がウェハに再付着することを防止している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，前記不純物は，排気される際に蓋体や排気管に付着し，蓋体や排気管を汚染する。この状態のまま放置すると，蓋体からウェハ上に当該不純物が落下したり，排気管が詰まったりする恐れがあるため，頻繁にメンテナンスを行う必要がある。当該メンテナンスには，相当の時間を要し，その間はウェハ処理を停止せざる終えないため，メンテナンスの回数，時間が多ければ多いほど，スループットの低下に繋がる。
【０００５】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，蓋体や排気管に付着した不純物を簡易に除去し，メンテナンスの回数，時間を減少させることのできる処理装置の汚れを除去する方法と当該方法を実施可能な処理装置とを提供することをその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
参考例として，処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって，前記処理装置には，基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており，前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し，紫外線を照射する処理装置の汚れを除去する方法を提案できる。なお，光触媒とは，紫外線が照射されると，光触媒近辺に存在する有機物等を分解する性質を有する物質をいい，例えば二酸化チタン，酸化亜鉛，酸化タングステン，酸化バナジウム等がある。
【０００７】
このように，光触媒の被覆された蓋体上面に対して紫外線を照射することによって，基板から発生して，蓋体上面に付着した有機物を分解し，除去することができる。これによって，蓋体上面に付着した有機物が基板上に落下し，基板を汚染することが防止できる。また，有機物の除去を簡易に行うことができ，メンテナンス作業の回数や時間を減少させることができる。
【０００８】
上記参考例において前記紫外線の照射が，基板の処理中に常時行われるようにしてもよい。このように，紫外線の照射を常時行うことによって，常に蓋体に付着しようとする有機物を光触媒によって分解し，除去することができる。これによって，蓋体の汚染が抑制されるため，メンテナンスの回数の減少させ，メンテナンスの作業時間を短縮することができる。
【０００９】
本発明によれば，処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって，前記処理装置には，基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており，前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し，紫外線を照射し，前記紫外線の照射は，基板の処理面に前記紫外線が照射されないように行われることを特徴とする処理装置の汚れを除去する方法が提供される。
また，別の観点による本発明によれば，処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって，前記処理装置には，基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており，前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し，紫外線を照射し，前記紫外線の照射は，基板が前記処理装置内に無いときに行われることを特徴とする処理装置の汚れを除去する方法が提供される。
さらに，別の観点による本発明によれば，処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって，前記処理装置には，基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体が備えられており，前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，前記光触媒の被覆されている前記蓋体の上面内側に対し，紫外線を照射し，前記紫外線の照射は，前記処理装置においてレシピが同じ一群の基板の処理が終了してから，次の一群の基板の処理が開始されるまでの間に行われることを特徴とする処理装置の汚れを除去する方法が提供される。
【００１０】
上述したように紫外線の照射タイミングを制御することによって，当該紫外線が基板に直接当たることを防止できる。したがって，強い光エネルギーを有する紫外線によって，基板や基板上の塗布液が変質又は反応し，基板の処理が適切に行われなくなることを防止できる。
【００１１】
以上で記載した発明において，前記紫外線の照射が，前記蓋体を洗浄するために前記蓋体が前記処理装置から取り外されてから当該蓋体が洗浄されるまでの間に行われるようにしてもよい。光触媒は，紫外線を照射することによって疎水性から超親水性に変化する性質を持っている。紫外線の照射を蓋体の洗浄時に行うことによって，光触媒の被覆されている蓋体上面が親水性に変化し，汚れが落ちやすくなる。したがって，蓋体を洗浄するのにかかる時間が短縮され，メンテナンス作業を迅速に行うことができる。
【００１２】
上述した発明において，前記処理室内の雰囲気を排気する排気管が備えられ，前記排気管の内周面には，光触媒が被覆されており，前記光触媒が被覆されている排気管の内周面に対して，前記紫外線を照射するようにしてもよい。このように，排気管内を光触媒によって被覆し，当該排気管内に紫外線を照射することによって，排気管内に付着した有機物を分解し，除去することができる。これよって，排気管が有機物によって詰まることが防止できるとともに，排気管内の有機物の除去を簡易に行うことができ，メンテナンス作業の回数や時間を減少させることができる。
【００１３】
別の観点による本発明によれば，処理室内で基板を処理する処理装置の汚れを除去する方法であって，前記処理室内の雰囲気を排気し，内周面に光触媒が被覆されている排気管が備えられており，前記排気管の内周面に対し，紫外線を照射することを特徴とする処理装置の汚れを除去する方法が提供される。
【００１４】
このように，排気管内を光触媒によって被覆し，当該排気管内に紫外線を照射することによって，排気管内に付着した有機物を分解し，除去することができる。これよって，排気管が有機物等によって閉鎖することが防止されると共に，排気管内の有機物の除去を簡易に行うことができ，メンテナンス作業の回数や時間を減少させることができる。
【００１５】
以上で記載した各発明は，前記処理装置が，加熱処理装置であってもよい。加熱処理装置では，熱によって基板から多くの有機物が発生し，蓋体や排気管に当該有機物が付着し易いので，光触媒を用いて有機物を分解，除去することによって，有機物の基板への落下や排気管の詰まりなどの不安が解消される。また，付着物を簡易に除去することによってメンテナンスの回数や時間を減少させることができる。
【００１６】
別の観点による本発明によれば，処理室内で基板を処理する処理装置であって，前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し，少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置と，前記基板を下方から支持して，当該基板を昇降させる昇降ピンとをさらに有し，前記照射装置は，前記昇降ピンに設けられていることを特徴とする処理装置が提供される。
【００１７】
光触媒は，紫外線が照射されない場合には，疎水性を有し，不純物の付着を抑制する。本発明では，当該光触媒を蓋体上面に被覆することによって，不純物の付着を抑制できる。これによって，蓋体から基板上に不純物が落下し，基板を汚染することが防止できる。また，汚れが抑制されるため，メンテナンスの回数，時間を減少させることができる。
【００１８】
また，蓋体上面に紫外線を照射可能な照射装置を有することによって，上述した発明を実施することができる。したがって，蓋体上面に付着した有機物を分解，除去し，当該有機物が基板上に落下することを抑制することができる。また，有機物の除去を簡易に行うことができ，メンテナンスの回数，時間を減少させることができる。
【００２０】
さらに，照射装置から紫外線を照射していても，基板が昇降ピン支持されると，紫外線が基板によって遮断され，基板上面の処理面に紫外線が照射されることを抑制することができる。これによって，上述した処理装置の汚れを除去する方法の発明が実施可能となり，高いエネルギーを有する紫外線によって，基板や基板上の塗布液が変質し，基板処理が適切に行われなくなるのを抑制することができる。
【００２１】
別の観点による本発明によれば，処理室内で基板を処理する処理装置であって，前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し，少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置と，前記基板を載置して処理する処理板と，前記処理板の外周を囲む外周部材とをさらに有し，前記照射装置は，前記外周部材に設けられていることを特徴とする処理装置が提供される。
かかる場合，紫外線の照射が基板によって妨げられないため，蓋体上面に常時紫外線を当てることができる。したがって，上述した処理装置の汚れを除去する方法の発明を実施することができ，有機物の蓋体上面への付着を適切に抑制することができる。
【００２２】
上述した発明において，前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し，前記排気管の内周面には，光触媒が被覆されるようにしてもよい。このように，排気管の内周面に光触媒を被覆することによって，光触媒の疎水性によって不純物の付着を抑制することができる。したがって，メンテナンスの回数や時間を減少させることができる。
別の観点による本発明によれば，処理室内で基板を処理する処理装置であって，前記基板を上方から覆い前記処理室を形成する蓋体を有し，少なくとも前記基板に対向する前記蓋体の上面内側には，光触媒が被覆されており，前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し，前記排気管の内周面には，光触媒が被覆されていることを特徴とする処理装置が提供される。
また，上記処理装置は，前記蓋体の上面内側に対して紫外線を照射可能な照射装置を有していてもよい。
【００２３】
上記発明において，前記排気管の内周面に対し，紫外線を照射可能な照射機構を有するようにしてもよい。このように排気管の内周面に対して紫外線を照射する照射機構を有することによって，上述した処理装置の汚れを除去する方法の発明を実施することができる。したがって，排気管内に付着した有機物を分解し，除去することができるので，排気管が有機物によって詰まることが防止できるとともに，排気管内の有機物の除去を簡易に行うことができ，メンテナンス作業の回数や時間を減少させることができる。
【００２４】
また，前記排気管には，前記雰囲気内の不純物を回収するフィルタが設け，前記排気管の照射機構は，前記フィルタの上流側に設けられているようにしてもよい。このように，前記照射機構をフィルタの上流側に設けることによって，紫外線の照射によって除去した有機物をフィルタにおいて回収し，当該有機物がフィルタより下流に流れることを防止できる。これによってフィルタより下流にある，例えば吸引装置等が有機物等によって汚染されることが防止できる。
【００２５】
別の観点による本発明によれば，処理室内で基板を処理する処理装置であって，前記処理室内の雰囲気を排気する排気管を有し，前記排気管の内周面には，光触媒が被覆されており，前記排気管の内周面に対し，紫外線を照射可能な照射機構を有することを特徴とする処理装置が提供される。このように，排気管の内周面に光触媒を被覆することによって，光触媒の疎水性によって不純物の付着を抑制することができる。したがって，排気管の汚染が抑制されるため，メンテナンスの回数や時間を減少させることができる。
【００２６】
また，排気管の内周面に対し紫外線を照射できる照射機構を設けることによって，上述した処理装置の汚れを除去する方法を実施することができる。これによって，排気管が有機物等によって詰まることが防止されると共に，排気管内の有機物の除去を簡易に行うことができ，メンテナンス作業の回数や時間を減少させることができる。
【００２７】
以上で記載した各処理装置において，前記処理装置が，加熱処理装置であってもよい。加熱処理装置では，その熱によって基板から多量の不純物が発生し，その不純物が蓋体等に付着することが認められている。したがって，前記処理装置が加熱処理装置である場合には，紫外線によって有機物を分解，除去するメリットが大きい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本発明にかかる処理装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２９】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００３０】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００３１】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００３２】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されており，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理装置群の数は，１以上であれば４つで無くてもよい。
【００３３】
第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１７と，露光後のウェハＷを現像処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００３４】
第３の処理装置群Ｇ３では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，本実施の形態にかかる処理装置としてのプリベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００３５】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を施すポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００３６】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００３７】
次に上述したプリベーキング装置３３の構成について詳しく説明する。図４に示すように，プリベーキング装置３３は，ケーシング３３ａを有し，プリベーキング３３装置は，当該ケーシング３３ａ内に，上側に位置して上下動自在な蓋体６０と，下側に位置して蓋体６０と一体となって処理室Ｓを形成する熱板収容部６１とを有している。
【００３８】
蓋体６０は，上面が閉口し下面が開口した略円筒状の形態を有している。蓋体６０の上面内側である天井部６０ａには，光触媒，例えば二酸化チタンがコーティングされている。蓋体６０の中央部には，排気管６２が接続されている。排気管６２は，ケーシング３３ａの側面からプリベーキング装置３３外に通じており，処理室Ｓ内の雰囲気をプリべーキング装置３３外に排出できるようになっている。なお，排気管６２は，フレキシビリティを有しており，蓋体６０の上下動に対応できるようになっている。また，排気管６２の内周面には，光触媒，例えば二酸化チタンがコーティングされている。
【００３９】
一方，熱板収容部６１には，ウェハＷを載置して加熱する処理板としての熱板６３が設けられている。熱板６３は，厚みが例えば２〜１０ｍｍ程度の薄い円盤状に形成されており，その材質には，熱伝導性の優れたセラミックである例えば炭化ケイ素や窒化アルミニウムが用いられている。
【００４０】
熱板６３の裏面には，熱板６３の熱源となるヒータ６４が印刷技術を用いて設けられており，図示しない制御装置によりヒータ６４の発熱量を制御することによって，熱板６３をウェハＷの加熱温度である所定の温度に維持できるようになっている。
【００４１】
熱板６３の下方には，ウェハＷの下面を支持し，昇降させるための昇降ピン６５が複数設けられている。当該昇降ピン６５は，熱板６３の中央付近に設けられてた貫通孔６７内を移動自在である。また，昇降ピン６５には，当該昇降ピン６５を上下方向に移動可能とする昇降駆動機構６６が設けられており，昇降ピン６５は，貫通孔６７内を上下方向に移動して，熱板６３上に突出できるように構成されている。
【００４２】
昇降ピン６５には，蓋体６０の天井部６０ａに対して紫外線を照射可能な照射装置６８が設けられている。照射装置６８は，紫外線を照射する照射部６９と，照射部６９に紫外線を伝送するケーブル７０と，紫外線の照射を制御する制御部７１とを有する。照射部６９は，例えば図５に示すように各昇降ピン６５の先端部に設けられた凹部に設けられており，ケーブル７０は，当該照射部６９から昇降ピン６５の内部を通って昇降ピン６５の下部から昇降ピン６５の外部に通じるように設けられている。なお，ケーブル７０には，光ファイバを使用してもよい。
【００４３】
また，熱板収容部６１は，熱板６３の外縁部を支持する支持部材７２と，当該支持部材７２を支持する支持台７３とを有している。支持部材７２には，熱板６３の熱を外部に逃がさないように断熱材が使用されている。また，支持台７３は，上面が開口した略筒状に形成されており，その上部に支持部材７２を支持している。
【００４４】
さらに，熱板収容部６１は，支持部材７２とその支持台７３とを囲む略筒状の外周部材としてのサポートリング７４を有している。このサポートリング７４には，処理室Ｓ内に向けて気体，例えば不活性ガスを噴出する吹き出し口７４ａが設けられており，処理室Ｓ内を当該気体でパージすることができる。また，サポートリング７４の外方には，熱板収容部６１の外壁となる円筒状のケース７５が設けられている。
【００４５】
上述した蓋体６０から伸びる排気管６２は，処理室Ｓ内の雰囲気を排気するために吸引する吸引装置７７に通じている。当該吸引装置７７の上流側，すなわち蓋体６０と吸引装置７７の間の排気管６２には，フィルタ７８が設けられており，排気の中に含まれる不純物を捕集し，当該不純物が吸引装置７７側に流れることを防止できるようになっている。また，フィルタ７８の上流側の排気管６２には，排気管６２内に紫外線を照射可能な照射装置７９が設けられている。当該照射装置７９は，上述した照射装置６８と同じ構成を有し，照射部８０，ケーブル８１及び制御部８２とを有している。照射部８０は，排気管６２内に設けられており，フィルタ７８上流側の排気管６２の内周面に対して，紫外線を照射できるようになっている。なお，照射部８０は，排気管６２内の全体に紫外線が照射されるように排気管６２内の複数箇所に設けられるようにしてもよい。また，ケーブル８１には，光ファイバを用いるようにしてもよい。
【００４６】
また，プリベーキング装置３３のケーシング３３ａの側面には，ウェハＷを搬入出するための搬送口８５が設けられている。搬送口８５には，当該搬送口８５を開閉可能とするシャッタ８６が設けられており，当該シャッタ８６によって，プリベーキング装置３３から発生する熱を可能な限り遮断し，他の処理装置に熱的な影響を与えることを抑制できる。
【００４７】
次に，以上のように構成されているプリベーキング装置３３の作用について，塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００４８】
先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群Ｇ３に属するアドヒージョン装置３１に搬入する。このアドヒージョン装置３１において，レジスト液との密着性を向上させるＨＭＤＳなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０搬送され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷはレジスト塗布装置１７又１９に搬送され，ウェハＷ上に所定量のレジスト液が塗布される。そして，表面にレジスト膜が形成されたウェハＷは，プリベーキング装置３３又は３４に搬送され，レジスト液中の溶剤を蒸発させるための加熱処理が行われる。
【００４９】
そして，加熱処理の終了したウェハＷは，主搬送装置１３によりエクステンション・クーリング装置４１に搬送され，所定温度に冷却される。次いでウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送され，その後，主搬送装置１３によってポストエクスポージャーベーキング装置４４又は４５に搬送される。そして，ウェハＷは主搬送装置１３によりクーリング装置４３，現像処理装置１８又は２０，ポストベーキング装置３５，３６，４６又は４７，クーリング装置３０と順次搬送され，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介して，ウェハ搬送体７によってカセットＣに戻され，一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【００５０】
次に上述したプリベーキング装置３３の作用について詳しく説明する。先ず，プリベーキング装置３３にウェハＷが搬入される前は，昇降ピン６５は，図６にう示すように昇降ピン６５の先端部が熱板６３の表面付近になるように位置される。そして，当該昇降ピン６５の先端部の照射部６９から上昇している蓋体６０の天井部６０ａに対し，紫外線が照射される。
【００５１】
一方，排気管６２の照射部８０からも排気管６２の内周面に対して紫外線が照射される。この照射部８０の照射は，例えばウェハＷの加熱処理工程とは無関係に，一定期間の照射が所定時間毎に断続的に行われるように制御される。これらの照射部６９及び照射部８０の紫外線の照射によって，光触媒作用が開始され，蓋体６０の天井部６０ａや排気管６２内に付着していた有機物が分解され，当該有機物が天井部６０ａや排気管６２から除去される。
【００５２】
また，熱板６３は，ヒータ６４を調節し熱板温度を制御する図示しない制御装置によって所定の加熱温度，例えば９０℃に維持される。
【００５３】
前工程であるレジスト塗布処理が終了すると，搬送口８５のシャッタ８６が開放され，主搬送装置１３によってウェハＷがプリベーキング装置３３内に搬入される。そして，熱板６３上方まで搬送されたウェハＷは，予め熱板６３上方の所定の位置で待機していた昇降ピン６５上に支持される。このとき昇降ピン６５の先端部の照射部６９はウェハＷの裏面に覆われるため，照射していた紫外線が遮断され，天井部６０ａへの照射は一時中断される。
【００５４】
次いで，蓋体６０が下降され，熱板収容部６１と一体となって処理室Ｓが形成される。このとき，サポートリング７４の吹き出し口７４ａから不活性ガスの供給が開始される一方で，吸引装置７７が作動し，排気管６２からの排気が開始される。これによって，処理室Ｓ内に強い上昇気流が形成され，ウェハＷから発生した溶剤等の有機物が処理室Ｓ内から排気される。以後加熱処理が終了するまで，処理室Ｓ内の雰囲気がパージされ続ける。
【００５５】
その後，ウェハＷは昇降駆動機構６６により昇降ピン６５と共に下降され，熱板６３上に載置される。そして，ウェハＷが載置されると同時に加熱が開始され，その後，ウェハＷは所定時間加熱される。
【００５６】
そして，所定時間経過後，昇降ピン６５によってウェハＷが再び上昇されて，熱板６３による加熱が終了する。次いで，蓋体６０が上昇され，処理室Ｓが開放されると，主搬送装置１３が搬送口８５から再び進入し，昇降ピン６５上のウェハＷが当該主搬送装置１３に受け渡される。そして，ウェハＷが熱板６３上方から移動されると，再び照射部６９からの紫外線が天井部６０ａに照射され，光触媒の作用によって，天井部６０ａに付着した有機物が分解，除去される。その後，吸引装置７７による排気と吹き出し口７４ａからの不活性ガスの供給が停止され，ウェハＷが搬送口８５から搬出されて一連の加熱処理が終了する。
【００５７】
以上の実施の形態では，蓋体６０の天井部６０ａに二酸化チタンの光触媒をコーティングし，当該コーティングされた位置に紫外線を照射可能な照射部６９を設けたので，その照射によって，天井部６０ａに付着した有機物が分解され，当該有機物を除去することができる。また，紫外線が照射されていないときには，光触媒が疎水性を有するため，有機物等の不純物が天井部６０ａに付着することを抑制できる。
【００５８】
また，天井部６０ａと対向する位置にある昇降ピン６５の先端部に照射部６９を設けたため，天井部６０ａ全面への紫外線の照射が好適に行われる。また，ウェハＷが熱板６３上に搬入されると，ウェハＷによって紫外線が遮断されるため，その後照射部６９からの紫外線がウェハＷ表面に照射されることが防止され，紫外線によるレジスト液の変質等が防止される。
【００５９】
さらに，排気管６２内周面にも二酸化チタンをコーティングし，当該排気管６２の内周面に対し，紫外線を照射する照射部８０を設けたため，紫外線を照射することによって，排気管６２に付着した有機物を分解，除去することができる。また，紫外線を照射しない場合には，二酸化チタンの疎水性によって排気管６２内に有機物等の不純物が付着することを抑制できる。さらに，照射部８０をフィルタ７８の上流側に設けたので，分解され除去された有機物をフィルタ７８で回収することができ，下流の吸引装置７７等を汚染することが防止できる。
【００６０】
以上の実施の形態では，天井部６０ａに紫外線を照射する照射部６９が昇降ピン６５に設けられていたが，図７に示すように外周部材としてのサポートリング７４の上端部に設けるようにしてもよい。このような場合は，ウェハＷが熱板６３上に載置されたときでも，紫外線の照射が遮断されないため，常時天井部６０ａに紫外線を照射し続けることができる。このように当該照射部６９からの紫外線の照射を，ウェハＷの加熱処理中に常時行うようにしてもよい。これによって，天井部６０ａに付着しようとした有機物が即座に分解，除去され，天井部６０ａを清浄に維持することができる。したがって，天井部６０ａを洗浄するためのメンテナンスの回数を減少させ，またメンテナンス作業にかかる時間を短縮することができる。なお，照射部６９を，熱板６３を支持する支持部材７２の上端部に設けるようにしてもよい。
【００６１】
また，サポートリング７４に照射部６９を設けた場合に，制御部７１によって紫外線の照射タイミングを制御し，ウェハＷが搬出されてから次のウェハＷが搬入されるまでの間だけ，すなわちウェハＷがプリベーキング装置３３内に無いときにだけ紫外線を照射するようにしてもよい。こうすることによって，紫外線がウェハＷ表面に照射されることが防止され，ウェハＷ上のレジスト膜に悪影響を与えることを防止できる。
【００６２】
さらに，以上の実施の形態において，照射部６９からの紫外線の照射をウェハのレシピが変更される際，すなわちレシピが同じ一群のウェハＷ処理が終了してから次の一群のウェハＷ処理が開始されるまでの間に行うようにしてもよい。通常塗布現像処理では，ウェハＷのレシピが変更される際には，一旦塗布現像処理システム１全体が停止され，各処理装置の設定値等の変更が行われる。そこで，前ロットの加熱処理が終了し，次のロットの加熱処理が開始されるまでの間に紫外線を照射し，天井部６０ａに付着した有機物を除去するようにする。こうすることで，蓋体６０のメンテナンス時間を別途設ける必要が無く，通常必要なロット変更時間の間に，天井部６０ａの汚れの除去ができる。また，ウェハＷに紫外線が照射されることも防止できる。
【００６３】
また，蓋体６０を取り外して蓋体６０全体を洗浄する際にも，天井部６０ａへの紫外線の照射を行うようにしてもよい。この場合，例えば作業員が，移動自在な照射装置によって蓋体６０を洗浄する直前に蓋体６０の天井部６０ａに対して紫外線を照射する。これによって，天井部６０ａに付着した有機物が剥がれ易くなり，洗浄にかかる時間を短縮することができる。
【００６４】
以上の実施の形態では，排気管６２内への紫外線の照射は，一定期間の照射を断続的に行うようにしたが，上述した蓋体６０の天井部６０ａの場合と同様に，加熱処理中に常に照射するようにしてもよいし，ウェハＷのレシピの変更時，メンテナンス時等に行うようにしてもよい。
【００６５】
以上の実施の形態は，本発明をプリベーキング装置３３について適用した例であったが，他の熱処理装置，例えばポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置３５，３６，４６，４７及びクーリング装置３０，４０，４３等にも本発明を適用できる。また，本発明は，ウェハＷを高温で加熱する代わりに密閉された処理室を減圧して，レジスト液等に含まれる溶剤等を蒸発させる装置においても適用できる。
【００６６】
また，以上で説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハの処理装置について適用したものであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の処理装置においても適用できる。
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば，有機物の除去を簡易に行うことができるので，メンテナンス作業の回数や時間が減少され，その分基板の処理時間が確保され，スループットの向上が図られる。また，基板への不純物の落下が防止できるので，歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかるプリベーキング装置を有する塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本実施の形態にかかるプリベーキング装置の縦断面の説明図である。
【図５】照射装置を備えた昇降ピンの縦断面図である。
【図６】照射部から紫外線を照射している状態を示すプリベーキング装置の縦断面の説明図である。
【図７】照射装置をサポートリングに設けた場合のプリベーキング装置の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
３３    プリベーキング装置
６０    蓋体
６０ａ  天井部
６１    熱板収容部
６２    排気管
６３    熱板
６５    昇降ピン
６９    照射部
８０    照射部
Ｓ    処理室
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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