(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を予め設定された温度プロファイルに基づいて熱処理するに際し、上下に多段に積層された複数の炉の内部温度を各炉内の上部に設けられた複数のガス供給手段よりガスを供給することによって予め設定された温度に制御する工程と、前記各温度に制御された各炉に前記基板を搬入・搬出する工程とを有し、前記基板を搬入・搬出する工程では、前記複数の炉から選択された炉に前記基板を搬入し、所定時間経過後、前記選択された炉より前記基板を搬出し、前記搬出した基板を前記選択された炉から搬出した側と同じ側から前記選択された炉と異なる炉に搬入し、所定時間経過後、前記異なる炉より前記基板を搬出することを前記温度プロファイルに基づいて行うことを特徴とする基板の熱処理方法。
【請求項２】
基板を搬入・搬出するタイミングや基板搬入後の経過時間に基づいて各炉へのガスの供給排気量を制御することを特徴とする請求項１記載の基板の熱処理方法。
【請求項３】
基板は、プラズマディスプレイパネルを構成する基板であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の基板の熱処理方法。
【請求項４】
基板を予め設定された温度プロファイルに基づいて熱処理する炉設備であって、上下に多段に積層された複数の炉と、前記各炉内の上部に設けられた複数のガス供給手段と、前記複数の炉の内部温度を個別の温度に制御する温度制御手段と、前記各温度に制御された各炉に前記基板を前記温度プロファイルに基づいて前記各炉の同じ側から搬入・搬出する搬入搬出手段とを有することを特徴とする炉設備。
【請求項５】
基板を搬入・搬出するタイミングや基板搬入後の経過時間に基づき各炉へのガスの供給排気量を制御する給排気制御手段を有することを特徴とする請求項４記載の炉設備。
【請求項６】
ガス供給手段の基板と対向しない位置にガス噴出孔が設けられたことを特徴とする請求項４または請求項５のいずれかに記載の炉設備。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法およびそのための炉設備に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フラットディスプレイ装置を構成するプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰパネルともいう）の製造工程では、４２インチ，５０インチ等の大型ＰＤＰパネルに即した大きな基板に電極材料などを印刷し、乾燥し、露光し、現像し、焼成すると言った加工工程が何工程も繰り返されて、目的とする前面板や背面板が製造されている。この場合の各工程で乾燥や焼成に使用される炉設備としては、別工程の塵（コンタミ）が付着しないように別々の炉設備が設けられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一つの乾燥工程に使用される炉設備は、一定方向に連続搬送されるワークに対して乾燥の温度プロファイルを実行するよう温度管理される複数のゾーンが直列に配置されるため、長さ１５〜２０メートルにもなる。したがって、乾燥工程が５回繰り返される場合は、乾燥工程だけで５つの炉設備、１００メートルもの搬送経路が必要である。同様に、一つの焼成工程に使用される炉設備は長さ５０メートルにもなり、焼成工程だけで数百メートルもの搬送経路が必要となる。
【０００４】
そのため、製造工場のレイアウトにおいて炉設備に大きな床面積を要し、各炉設備とも表面積が大きいだけに熱効率もよくないのが現状である。
本発明は、製造工場での設置床面積が小さくて済み、熱効率を改善することができ、かつ、均一に熱処理できるプラズマディスプレイパネルの製造方法および炉設備を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、基板を予め設定された温度プロファイルに基づいて熱処理するに際し、上下に多段に積層された複数の炉の内部温度を各炉内の上部に設けられた複数のガス供給手段よりガスを供給することによってそれぞれの温度に制御する工程と、前記各温度に制御された各炉に前記基板を搬入・搬出する工程とを有し、前記複数の炉から選択された炉に前記基板を搬入し、所定時間経過後、前記選択された炉より前記基板を搬出し、前記搬出した基板を前記選択された炉から搬出した側と同じ側から前記選択された炉と異なる炉に搬入し、所定時間経過後、前記異なる炉より前記基板を搬出することを前記温度プロファイルに基づいて行うことを特徴とする。これによれば、各炉を個別に温度制御するので、各炉に順次に搬入搬出するワークに対して、複雑な温度プロファイルを実現可能である。
【０００６】
また、基板を搬入・搬出するタイミングや基板搬入後の経過時間に基づいて各炉へのガスの供給排気量を制御することを特徴とする。つまり、ワークが搬出されている間は排気量を大きくすることにより、炉内で蒸発したバインダ等の溶剤の蒸発ガスを短時間で排出し、炉内のガス雰囲気を初期状態に戻す。このことにより、順次に搬入される複数のワークの乾燥あるいは焼成の状態を均一にできる。
基板は、プラズマディスプレイパネルを構成する基板であってよい。
【０００９】
また本発明は、基板を予め設定された温度プロファイルに基づいて熱処理する炉設備を、上下に多段に積層された複数の炉と、前記各炉内の上部に設けられた複数のガス供給手段と、前記複数の炉の内部温度を個別の温度に制御する温度制御手段と、前記各温度に制御された各炉に前記基板を前記温度プロファイルに基づいて前記各炉の同じ側から搬入・搬出する搬入搬出手段とを有する構成としたことを特徴とする。これによれば、複数の炉（ゾーン）を平面配置する構成に比べて、設置スペースを低減できるとともに、表面積を低減することができ、効率よく温度制御することが可能になる。また炉設備全体を運転停止することなく各炉をメンテナンス可能である。
【００１０】
上記構成の炉設備において、基板を搬入・搬出するタイミングや基板搬入後の経過時間に基づき各炉へのガスの供給排気量を制御する給排気制御手段を有することを特徴とする。
【００１５】
ガス供給手段の基板と対向しない位置にガス噴出孔が設けられたことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて具体的に説明する。
（実施の形態１）
図１はプラズマディスプレイパネルの前面板に関する温度プロファイルの一例を示すグラフであり、ワークを目的温度まで昇温させてその温度を所定時間だけキープし、その後に冷却させるようにしている。
【００１７】
図２に示すように、この温度プロファイルを実現する炉設備１（ここでは乾燥炉）は、３つの炉２，３，４を上下方向に多段に積層して構成されている。最上段の炉２，中段の炉３，最下段の炉４は、それぞれの搬入搬出口２ａ，３ａ，４ａが炉設備１の一側部に開口し、開閉自在なシャッタ２ｂ，３ｂ，４ｂを備えていて、炉ごとに独立して制御可能である。
【００１８】
各炉２，３，４には、平板状のヒータ５，６がそれぞれ天部，底部に設置され、これらのヒータ５，６から適当距離だけ離れた位置で板状のワーク７を水平方向に支持する複数のローラ８が並列に、かつ水平方向の軸心廻りに正逆回転可能に設置されている。また、複数の吐出孔９ａを有した給気管９が天部のヒータ５に沿って配列され、排気管（後述する図７参照）が開口している。そしてこれらにより炉２，３，４はこの順に、１００℃，２００℃，３００℃に温度制御されるようになっている。２Ｔ，３Ｔ，４Ｔは温度検出手段である。
【００１９】
各炉２，３，４の搬入搬出口２ａ，３ａ，４ａの近傍にはそれぞれ、横送りの搬入搬出手段としてのコンベア１０が一端を近づけて配置され、また各段のコンベア１０と同等高さまで昇降自在なローダ・アンローダ１１が配置されている。各コンベア１０，ローダ・アンローダ１１にはそれぞれ、複数のローラ８が並列に、水平方向の軸心まわりに正逆回転可能に取りつけられている。１２はコンベア１０を駆動するモータ（最下段のみ図示する）、１３はローダ・アンローダ１１を駆動するモータである。
【００２０】
このような炉設備１においては、たとえば印刷工程からローダ・アンローダ１１にワーク７が搬入されると、このローダ・アンローダ１１によって最上段のコンベア１０に載置され、ローラ８により最上段の炉２に搬入され、炉２内のローラ８上に載置される。それに伴ってシャッタ２ｂが閉じられる。ローラ８上のワーク７は、図１の昇温ゾーン▲１▼を満足する時間まで炉２に留まり、その後にローラ８の逆転によってコンベア１０に搬出され、続いてローダ・アンローダ１１に搬出される。
【００２１】
次いで、ローダ・アンローダ１１が１段降下し、ワーク７は、上記と同様にして、中段のコンベア１０を介して中間の炉３に搬入され、炉３内のローラ８上に載置され、シャッタ３ｂが閉じられた炉３内に図１の昇温ゾーン▲２▼を満足する時間まで留まり、コンベア１０を介してローダ・アンローダ１１に搬出される。
【００２２】
次いで、ローダ・アンローダ１１が１段降下し、ワーク７は、上記と同様にして、最下段のコンベア１０を介して最下段の炉４に搬入され、炉４内のローラ８上に載置され、シャッタ４ｂが閉じられた炉４内に図１のキープゾーン(3)を満足する時間まで留まり、コンベア１０を介してローダ・アンローダ１１に搬出される。
【００２３】
このようにして一連の昇温・キープ期間を終了したワーク７は、この最下段のコンベア１０に留まって、温度プロファイルに沿った傾きで降温され、その後にローダ・アンローダ１１を介して次工程に搬出される。
【００２４】
なおこのとき、各炉２，３，４の内部にワーク７が留まっている昇温・キープ期間の少なくとも一部と、最下段のコンベア１０にワーク７が留まっている冷却期間の少なくとも一部とにおいて、ローラ８が停止されずに正逆回転され、ワーク７は搬入搬出方向に小さな幅で揺動される。このことにより、ワーク７に対するローラ８の当接個所が変更され、ローラ８によって熱が遮断されたり滞留されることなく均一に加熱されることになり、乾燥ムラが低減される。
【００２５】
またこのとき、各炉２，３，４で給気管９から空気などの予め決められたガスが噴出され、排気管（図示せず）を通じて排気されることにより、電極材料に含まれる溶剤成分などが炉内から排除されるとともに、ガス温度、ガス流量によって炉内温度が調節される。各給気管９は直接にワーク７に向けてガスを噴出しないように、たとえば天部やワーク７の外周側に向けて噴出孔９ａが形成されていて、ワーク７がガスの影響を局部的に受けて、乾燥ムラなど生じることがないよう図られている。
【００２６】
ガスとしては、バインダー等を酸化させてＣＯ2として排出するためにはＯ2リッチな空気を選択し、酸化させたくない材料が含まれる場合にはＮ2リッチな空気や不活性ガスを選択するなど、適宜に選択される。全く給気しない場合もある。ここで、Ｏ2リッチな空気とは、外部よりＯ2を別途に供給して通常空気以上に単位体積当りの酸素分圧（濃度）を高くコントロールした空気をいう。各炉２，３，４では、シャッタ２ｂ，３ｂ，４ｂが炉内のガス圧力を制御する機能を担う。
【００２７】
なお、各炉２，３，４については適宜に、ワーク７の搬出後に、炉内で生成して凝固した不要物を除去する等のメンテナンスが実施される。
以上のようにして、この炉設備１において、従来の平面配置型の炉設備と同等にワーク７を乾燥させることができる。
【００２８】
しかもこの炉設備１によれば、炉２，３，４が上下方向に多段に積層配置されているため、従来の平面配置型に比べて、炉設備１の設置面積、したがって製造工場の床面積が小さくて済む。
【００２９】
また、中段の炉３は上下を炉２と炉４とで挟まれているため、従来の平面配置型に比べて、炉設備１全体としての表面積が少なくなり、温度管理が容易になるとともに、熱効率も大幅に改善される。
【００３０】
さらに、ワーク７を揺動させることで均一加熱が可能であるため、炉２，３，４を、ワーク７の周囲に適当な間隙を形成するだけの幅・奥行きに抑えることができ、炉高も低く抑えることができる。たとえば、３ｍｍ厚程度のガラス基板に電極材料を印刷し、ローラ上に載置して乾燥させる場合には、炉高１１０ｍｍ程度に抑えることができる。よって、極めて多段な炉積層、および設置面積の低減が可能である。
【００３１】
なお、高温の炉、中温の炉、低温の炉をどの段に配置するか、またワーク７を各炉にどの順序で搬入搬出するかは、適宜に決めることができる。たとえば、上記した炉設備１とは逆に、最上段の炉を高温に、最下段の炉を低温にしてもよく、その場合は熱が上方に溜まる性質を利用できるため温度管理がより容易になる。ワーク７の温度を急激に昇温させたい場合には、ワーク７を高温の炉に先に搬入すればよい。
【００３２】
また、上記した炉設備１では各炉２，３，４の搬入搬出口２ａ，３ａ，４ａが同一側部に開口したものとして説明したが、開口位置は、各炉２，３，４へのワーク７の出し入れ、並びに隣接工程に対する搬入搬出が容易になるように決めればよい。たとえば、図３(a)(b)に示すように、搬入口２ａと搬出口２ｃとを互いに背反する側部に開口させてもよいし、搬入口２ａと搬出口２ｄとを互いに隣接する側部に開口させてもよい。したがって、ワーク７を下方より支持する支持手段であって、搬入搬出手段でもあり、揺動手段でもあるローラ８を、各段ごとに異なる向きに回転するように構成したり、他の搬入搬出手段、揺動手段で代えることも可能である。
【００３３】
また、上記した炉設備１は乾燥炉として説明したが、６００℃程度で焼成を実施する焼成炉も同様に構成することができる。
さらに、上記した炉設備１は３つの炉２，３，４で構成したが、炉数を増やすことにより、図４に示した昇温、キープ、昇温、キープ、冷却というような、より複雑な温度プロファイルも実現可能である。
【００３４】
また、たとえば炉２，３，４を複数組設けておくことにより、複数列の処理フローを実現可能である。
また、温度ゾーン数よりも多い炉数を設定しておくことにより、上記したような各炉のメンテナンスを、各炉を順次に運転停止して実施可能である。この場合も、炉設備１全体を運転停止する必要はなく、よって、他の工程の停止を回避できる。
（実施の形態２）
図５は本発明の実施の形態２における炉設備を示す。この炉設備１Ａが上記した炉設備１と異なるのは、各段のコンベア１０の上方に、ワーク７の上面に対向するように板状のカバー１４が設けられ、カバー１４の下面に沿うように給気管１５が配列された点である。また最上段および中段のコンベア１０については、カバー１４の下面とコンベア１０の下方とにヒータ１４ａが設けられている。そしてこのことにより、ヒータ１４ａの温度や給気管１５から噴出するガスの流量・温度によって、炉外のワーク７の温度を制御可能である。
【００３５】
たとえば、図６に示したような、焼成温度などの高温から急激に降温させるプロファイルでは、高温の炉４から最下段のコンベア１０の上に搬出されたワーク７は、給気管１５からのガスによって速やかに冷却される。その一方で、低温の炉２に搬入されるワーク７は、最上段のコンベア１０の上でヒータ１４ａ，給気管１５によって予備加熱され、中温の炉３に搬入されるワーク７は、中段のコンベア１０の上でヒータ１４ａ，給気管１５によって保温される。
【００３６】
なお、ヒータ１４ａ，給気管１５は、各段のコンベア１０の全てに配置してもよいし、上記したように必要な段に対してのみ配置してもよい。またヒータ１４ａ，給気管１５の位置は上記した位置に限定されず、たとえば給気管１５はローラ８と並列に配置してもよい。カバー１４は、ワーク７の２次輻射を有効利用できるように反射板として構成してもよく、コンベア１０全体を覆うように筒状などに構成してもよい。
（実施の形態３）
図７は本発明の実施の形態３における炉設備を示す。この炉設備１Ｂが上記した炉設備１Ａと異なるのは、炉２，３，４のそれぞれに弁装置１６を介して排気ファン１７が連通した排気系（上記した各炉設備で図示を省略した排気系）の排気量を、ワーク７の搬入・搬出のタイミングに合わせて増減制御するように、各弁装置１６とコンベヤ１０のモータ１２とに接続して、コントローラ１８が設けられている点である。
【００３７】
つまりコントローラ１８は、ワーク７が炉外へ搬出されている間は排気量を高く制御して、炉内で発生したガスを短時間で排出し、炉内のガス雰囲気を初期状態に戻す。このことにより、各炉２，３，４に順次に搬入される複数のワーク７に対して一定のガス雰囲気を形成することが可能になり、ワーク７の乾燥あるいは焼成の状態を均一化することが可能になる。
【００３８】
初期状態に戻った炉内にワーク７が搬入され、当初は排気量を低く制御することにより、バインダの溶剤などを徐々に蒸発させ、乾燥ムラを防止する。そしてワーク７の乾燥が進むにつれて排気量を増減させることにより、ワーク７中に含まれる前記溶剤などの温度をほぼ一定に維持し、均一に蒸発または燃焼させる。このときにはたとえば、ワーク７の表面温度を放射温度計などの温度検出手段（図示せず）によりモニタする。
（実施の形態４）
図８は本発明の実施の形態４における炉設備を示す。この炉設備２１は、昇温のための多段昇温炉２２と、温度キープのためのキープ炉２３と、降温のための多段降温炉２４とを有している。
【００３９】
キープ炉２３は、上述した温度プロファイルにおけるキープゾーンの温度に制御されるようになっており、一端のゾーン２３Ａが多段昇温炉２２の最高温の炉を兼ね、他端のゾーン２３Ｂが多段降温炉２４の最高温の炉を兼ねており、中央部のゾーン２３Ｃは、開閉可能なシャッタ２３Ｄによってゾーン２３Ｂから区分されている。
【００４０】
多段昇温炉２２は、キープ炉２３のゾーン２３Ａの下に、実施の形態１で説明したのと同様の炉２５，２６，２７を上下方向に多段に積層して構成されており、ゾーン２３Ａ，最上段の炉２５，中段の炉２６，最下段の炉２７は、前記温度プロファイルにおける昇温ゾーンを複数に分割した各ゾーンごとの温度に、この順に高い温度に制御されるようになっている。
【００４１】
多段降温炉２４は、キープ炉２３のゾーン２３Ｂの下に、実施の形態１で説明したのと同様の炉２８，２９，３０を上下方向に多段に積層して構成されており、最下段の炉３０，中段の炉２９，最上段の炉２８，ゾーン２３Ｂは、前記温度プロファイルにおける降温ゾーンを複数に分割した各ゾーンごとの温度に、この順に低い温度に制御されるようになっている。
【００４２】
多段昇温炉２２の各炉，キープ炉２３，多段降温炉２４の各炉には、平板状のヒータ３１，３２が天部と底部とに設置され（ただし、炉２７，２９には天部のみ、炉３０にはヒータはない）、複数の吐出孔を有した給気管３３がヒータ３１（あるいは天部）に沿って配列され、図示を省略した排気管が開口している。また、ワーク３４の支持手段かつ搬入搬出手段かつ揺動手段であるローラ３５が並列に、かつ水平方向の軸心廻りに回転可能に設置されている。
【００４３】
多段昇温炉２２のゾーン２３Ａ，各炉２５，２６，２７の搬入搬出口２３ａ，２５ａ，２６ａ，２７ａは炉設備２１の一側部に開口していて、シャッタ２３ｂ，２５ｂ，２６ｂ，２７ｂによって開閉可能である。各搬入搬出口２３ａ，２５ａ，２６ａ，２７ａの近傍には、昇降自在なローダ・アンローダ３６が、一端を近づけて配置されている。
【００４４】
ローダ・アンローダ３６は筒状のカバー３７を有していて、多段昇温炉２２に背反する他端開口３７ａはシャッタ３７ｂによって開閉可能である。このワーク収容部３７には、上記各炉と同様のヒータ３１，３２，給気管３３，ローラ３５が配置されている。
【００４５】
多段降温炉２４のゾーン２３Ｂ，各炉２８，２９，３０の搬入搬出口２３ｃ，２８ａ，２９ａ，３０ａは、炉設備２１の他側部に開口していて、２３ｄ，シャッタ２８ｂ，２９ｂ，３０ｂによって開閉可能である。各搬入搬出口２３ｃ，２８ａ，２９ａ，３０ａの近傍には、昇降自在なローダ・アンローダ３８が、一端を近づけて配置されている。
【００４６】
ローダ・アンローダ３８は筒状のカバー３９を有していて、多段降温炉２４に背反する他端開口３９ａはシャッタ３９ｂによって開閉可能である。このワーク収容部３９には、上記各炉と同様の給気管３３，ローラ３５が配置されている。
【００４７】
このような炉設備２１では、印刷工程からローダ・アンローダ３６に搬入されたワーク３４は、このローダ・アンローダ３６によって搬入搬出されつつ、多段昇温炉２２の各炉２７，２６，２５に順次、図１の昇温ゾーン▲１▼の内の所定部分を満足する時間ずつ留まり、その後にキープ炉２３のゾーン２３Ａ，２３Ｃ，２３Ｂで図１のキープゾーン▲２▼を満足する時間だけ留まる。
【００４８】
次にワーク３４は、ローダ・アンローダ３９によって搬入搬出されつつ、多段降温炉２４の各炉２８，２９，３０に順次、図１の降温ゾーン▲３▼の内の所定部分を満足する時間ずつ留まり、その後にローダ・アンローダ３９を介して次工程へ搬出される。
【００４９】
したがって、この炉設備２１でも、ワーク３４を従来の平面配置型の炉設備と同等に乾燥または焼成することができる。従来の平面配置型に比べて、設置面積が小さくて済み、表面積が小さいため温度管理が容易になり、熱効率が大幅に改善されることは、上記した各実施の形態と同様である。
（実施の形態５）
図９は本発明の実施の形態５における炉設備を示す。この炉設備４０は、上層が下層よりも高温に設定された昇温炉４１と、上層が前記昇温炉４１の上層温度と同等あるいはその付近の温度に設定され、下層が前記上層よりも低温に設定された降温炉４２と、昇温炉４１の上層と降温炉４２の上層とに開閉自在なシャッタ４３，４４を介して連通し、昇温あるいは温度キープする昇温・キープ炉４５とを有している。
【００５０】
昇温炉４１は、下部に搬入口４１ａが形成され、この搬入口４１ａより上方に、温度の異なる加熱ガス流Ｇ１，Ｇ２（Ｇ１はＧ２より高温）を横方向に給排気する給排気手段４６が設けられるとともに、上記した実施の形態４と同様のヒータ３１が上面に配置され、ヒータ３１に沿って給気管１３が設けられていて、それにより上層が下層よりも昇温した炉内雰囲気が形成されている。
【００５１】
この昇温炉４１の内部には、搬入口４１ａから順次に搬入される複数のワーク３４を水平方向に支持しつつ上方へ搬送する縦型間欠搬送手段としてのウォーキングビーム４７と、最下層および最上層での横向き搬送手段としてのローラ３５とが設けられている。ウォーキングビーム４７は、水平方向の支持具４７ａを取り付けたベルト４７ｂを１対、上下方向に走行自在に配置して、ワーク３４の周縁部を支持具４７ａにより下方から支持してワーク３４を上方へタクト搬送するように構成したものである。
【００５２】
昇温・キープ炉４５は、上記した実施の形態４と同様のヒータ３１，３２が上面および下面に配置され、ヒータ３１に沿って給気管３３が設けられ、横向き搬送手段としてのローラ３５が設けられている。
【００５３】
降温炉４２は、下部に搬出口４２ａが形成され、この搬入口４２ａより上方に、温度の異なる加熱ガス流Ｇ３，Ｇ４（Ｇ３はＧ４より高温）を横方向に給排気する給排気手段４８が設けられるとともに、上記した実施の形態４と同様のヒータ３１が上面に配置されていて、それにより下層が上層よりも降温した炉内雰囲気が形成されている。
【００５４】
この降温炉４２の内部には、昇温・キープ炉４５から順次に搬入される複数のワーク３４を水平方向に支持しつつ下方へ搬送する、上記したのと同様のウォーキングビーム４９と、最下層での横向き搬送手段としてのローラ３５とが設けられている。
【００５５】
昇温炉４１の搬入口４１ａと降温炉４２の搬出口４２ａの近傍にはそれぞれ、ローラ３５を備えたコンベヤ５０，５１が横送り手段として設置されている。
このような炉設備４０では、印刷工程からコンベヤ５０に搬入されたワーク３４は、このコンベヤ５０によって昇温炉４１の下層のローラ３５に移載され、次いでウォーキングビーム４７に移載されて上方に搬送され、上層のローラ３５に移載され、この間に昇温ゾーンを満足する時間だけ昇温炉４１に留まり、ローラ３５によって昇温・キープ炉４５に搬出される。
【００５６】
昇温・キープ炉４５内に搬入されたワーク３４は、ローラ３５によって下方より支持され搬入搬出方向に揺動される状態において、所定のキープゾーンを満足する時間だけ留り、その後にローラ３５によって降温炉４２に搬出される。
【００５７】
次にワーク３４は、降温炉４内でウォーキングビーム４９に移載されて下方に搬送され、下層のローラ１５に移載され、この間に降温ゾーンを満足する時間だけ降温炉４２に留まり、ローラ３５によってコンベヤ５１へ、次いで次工程へと送られる。
【００５８】
したがって、この炉設備４０でも、ワーク３４を従来の平面配置型の炉設備と同等に乾燥または焼成することができる。その際に、連続的に昇温あるいは降温した炉内雰囲気中でワーク３４を移送するので、ワーク３４を緩やかに、したがって面内で均一に昇温あるいは降温させることができる。従来の平面配置型に比べて、設置面積が小さくて済み、表面積が小さいため温度管理が容易になり、熱効率が大幅に改善されることは、上記した各実施の形態と同様である。
（実施の形態６）
図１０は本発明の実施の形態６における炉設備を示す。この炉設備５２では、搬入口５３ａにシャッタ５３ｂを有した１段の昇温炉４１Ａが、図９と同様に昇温・キープ炉４５を介して降温炉４２の上層に接続されている。昇温炉４１Ａの側方には、その搬入口４１ａまで昇降自在なローダ５４が設けられており、降温炉４２の側方には、図９と同様のコンベヤ５１が設けられている。
【００５９】
この炉設備５２は、ワーク３４を急激に昇温させ、徐々に冷却する温度プロファイルに適している。この炉設備５２も、従来の平面配置型に比べて炉設置面積、表面積を低減できる。
（実施の形態７）
図１１は本発明の実施の形態７における炉設備を示す。この炉設備５５では、図８と同様の多段昇温炉２２が、図９と同様に昇温・キープ炉４５を介して降温炉４２の上層に接続されている。多段昇温炉２２の側方には、図８と同様のローダ・アンローダ３６が設けられており、降温炉４２の側方には、図９と同様のコンベヤ５１が設けられている。
【００６０】
この炉設備５５は、ワーク３４を厳重に温度管理して昇温させ、徐々に冷却する温度プロファイルに適している。この炉設備５５も、従来の平面配置型に比べて炉設置面積、表面積を低減できる。
【００６１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、昇温過程と降温過程の少なくとも一方で縦型の炉を用いてワークを上下方向に移送するようにしたことにより、複数の炉を平面配置する従来の炉設備に比べて、設置床面積および表面積を低減することができ、製造工場の省スペース、省エネルギーを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の炉設備で実施される温度プロファイルを示した時間対温度のグラフである。
【図２】本発明の実施の形態１における炉設備の構成を示す断面図である。
【図３】図２の炉設備と同様の炉設備であって、搬入搬出方向の異なる炉設備の構成を示す平面図である。
【図４】本発明の炉設備で実施される他の温度プロファイルを示した時間対温度のグラフである。
【図５】本発明の実施の形態２における炉設備の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の炉設備で実施されるさらに他の温度プロファイルを示した時間対温度のグラフである。
【図７】本発明の実施の形態３における炉設備の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４における炉設備の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態５における炉設備の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態６における炉設備の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態７における炉設備の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１     炉設備
２，３，４  炉
５，６  ヒータ
７      ワーク
８      ローラ
９      給気管
10      コンベア
11      ローダ・アンローダ
12      モータ
14      カバー
14a     ヒータ
15      給気管
16      弁装置
17      排気ファン
18      コントローラ
21      炉設備
22      多段昇温炉
23      昇温・キープ炉
24      多段降温炉
40      炉設備
41      昇温炉
42      降温炉
45      昇温・キープ炉
47，49  ウォーキングビーム
52      炉設備
55      炉設備
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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