(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間絶縁膜を介して上下に隣接して配線中に多数の空孔が存在する上層配線と下層配線とを配置し、前記上層配線と下層配線とを接続する半導体装置の配線方法であって、
コンピュータによる自動配置配線処理により前記上層配線および下層配線を配置するとともに前記上層配線および下層配線を接続する第１のコンタクト部を配置した後、前記上層配線および下層配線の配線長を算出し、前記上層配線および下層配線の両方の配線長が所定の長さ未満の場合には処理を終了し、前記上層配線および前記下層配線のうち何れかまたは両方の配線長が所定の長さ以上の場合には前記上層配線および前記下層配線のうち少なくとも一方を前記第１のコンタクト部から所定の範囲内で他方の配線と重なるように延長し、前記上層配線と前記下層配線との重なり領域で１個以上の第２のコンタクト部を形成することを特徴とする半導体装置の配線方法。
【請求項２】
算出した上層配線および下層配線の配線長のうち何れかまたは両方の配線長が所定の長さ以上の場合に、前記上層配線および前記下層配線のうち少なくとも一方を延長すると他の配線と所定の間隔がとれず第２のコンタクト部を形成できないときには、前記第２のコンタクト部を形成するために再度コンピュータによる自動配置配線処理を行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の配線方法。
【請求項３】
算出した上層配線および下層配線の配線長を比較する所定の長さは１００μｍであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の配線方法。
【請求項４】
前記上層配線および下層配線はアルミ合金で形成され、前記第１および第２のコンタクト部はタングステンで形成されていることを特徴とする請求項１，２または３記載の半導体装置の配線方法。 
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線を有する半導体装置の配線方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、多層配線は高密度半導体集積回路には欠かせない技術として注目されている。その中でコンタクト部の形成に於いては近年の微細化に伴い高アスペクト比になってきておりその信頼性および初期特性の歩留まりを維持することが大変困難な状況になってきている。
【０００３】
以下図面を参照しながら、従来の半導体装置の配線方法の一例について説明する。
図７は従来の半導体装置の配線方法を示す図である。図７において、１０１は配線層１０５に設けられた端子、１０２は配線層１０６に設けられた端子、１０３は配線層１０５の一部で形成される配線、１０４は配線層１０６の一部で形成される配線、１０７はコンタクト部であり、配線層１０６と配線層１０５とは層間絶縁膜を介して隣接した配線層で、配線層１０６が配線層１０５のすぐ上の配線層になっている。
【０００４】
図７（ａ）は配線層１０５のみを取り出した図であり、図７（ｂ）は配線層１０６のみを取り出した図であり、図７（ｃ）は配線層１０５と１０６の両者を上からみた図である。
配線層１０５に設けられた端子１０１と配線層１０６に設けられた端子１０２とを接続する場合、図７（ｄ）に示すように、端子１０１からｘ方向に延長した配線１０３を配線層１０５で形成する。また、端子１０２からｙ方向に延長した配線１０４を配線層１０６で形成する。そして、配線１０３と配線１０４の交点（上から見たときの交点）でコンタクト部１０７を形成する。このように配線１０３，コンタクト部１０７，配線１０４を介して端子１０１と端子１０２とが接続される。配線１０３と配線１０４とは上から見た場合、互いに直交している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の半導体装置の配線方法では、以下の（１），（２），（３）で示す問題点があった。
（１）ＬＳＩ（半導体装置）の規模が大規模化されるにつれ、必要なコンタクト部の数が膨大になり、コンタクト部の歩留まりがＬＳＩの歩留まりに大きく影響するようになってきている。コンタクト部の数と歩留まりとの関係は、コンタクト部１個あたりの不良率をパラメータにして、図８のようになる。図８は片対数グラフであり、図８において、横軸はＬＳＩの必要なコンタクト部の個数、縦軸はＬＳＩの良品率を示し、曲線ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉは、それぞれコンタクト部１個あたりの不良率が１０-4，１０-5，１０-6，１０-7，１０-8，１０-9，１０-10 ，１０-11 ，１０-12 の場合について示している。この図８から、必要なコンタクト部の個数が増加するにつれてＬＳＩの歩留まりが大幅に低下することが分かる。
【０００６】
（２）図９に層間コンタクトをとる場合の配線の長さとコンタクト部の寿命との関係を示す。図９において、横軸は配線長さ（Ｌｏｇスケール）、縦軸はコンタクト部の寿命（Ｌｏｇスケール）を示す。接続される配線の長さと寿命の関係は配線の長さが長くになるにつれ、コンタクト部の寿命は短くなる。この現象は次のように説明できる。すなわち配線は通常アルミ合金で形成されており、この中にはたくさんの空孔ができている。また、コンタクト部は通常タングステンで形成されている。コンタクト部で接続された配線に電流を流すことで、配線とコンタクト部に用いられているタングステンとの間でアルミのなかに存在する空孔がタングステンを通り抜けないことにより、空孔はコンタクト部のタングステンと配線のアルミ合金との間に溜まってくる。長いアルミ配線ほど配線の中に存在する空孔が多く、電流を流すにつれて空孔が溜まり、抵抗が上昇し、寿命にいたると考えられる。
【０００７】
（３）配線の微細化に伴い、同一配線層で形成された配線間で配線間容量が増大する傾向にある。図１０に同一配線層で形成された２つの配線の断面を示す。微細化に伴い、配線幅、配線間隔ともに小さくなってくる。配線高さは配線の抵抗上昇を抑えるために小さくできない。配線間の容量は擬似的に次のように示される。
【０００８】
配線間容量＝誘電率×配線高さ×配線長さ／配線間隔
したがって配線間隔が小さくなるほど、配線間容量は増大することになる。そして配線間容量が増大すると、次の式からＬＳＩの速度を落とすことになる。
時定数＝配線抵抗×配線間容量
すなわち、配線間隔を小さくすることは配線間容量増大のためにＬＳＩの速度が低下することになる。
【０００９】
本発明の目的は、コンタクト部の接続状態に起因する半導体装置の不良発生度合いを低減し、歩留りおよび信頼性の向上を図るとともに、コンタクト部に接続される配線長が長い場合でもコンタクト部の寿命を延ばすことができる半導体装置の配線方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の半導体装置の配線方法は、層間絶縁膜を介して上下に隣接して配線中に多数の空孔が存在する上層配線と下層配線とを配置し、上層配線と下層配線とを接続する半導体装置の配線方法であって、コンピュータによる自動配置配線処理により上層配線および下層配線を配置するとともに上層配線および下層配線を接続する第１のコンタクト部を配置した後、上層配線および下層配線の配線長を算出し、上層配線および下層配線の両方の配線長が所定の長さ未満の場合には処理を終了し、上層配線および下層配線のうち何れかまたは両方の配線長が所定の長さ以上の場合には上層配線および下層配線のうち少なくとも一方を第１のコンタクト部から所定の範囲内で他方の配線と重なるように延長し、上層配線と下層配線との重なり領域で１個以上の第２のコンタクト部を形成することを特徴とする。
【００１１】
この配線方法によれば、上層配線および下層配線のうち何れかまたは両方の配線長が所定の長さ以上の場合に、第１および第２のコンタクト部からなる複数個のコンタクト部で上層配線と下層配線とが接続されるため、複数個のコンタクト部のうち最低１個のコンタクト部の接続状態が良好であればよく、コンタクト部の接続状態に起因する半導体装置の不良発生度合いを低減し、歩留りおよび信頼性の向上を図ることができる。また、コンタクト部を複数個設けることにより、複数個のコンタクト部と上層配線および下層配線との総接触面積を大きくできるため、配線長が長くてもコンタクト部と上層配線および下層配線との間の抵抗の上昇を抑えることができ、コンタクト部の寿命を延ばすことができる。
【００１２】
請求項２記載の半導体装置の配線方法は、請求項１記載の半導体装置の配線方法において、算出した上層配線および下層配線の配線長のうち何れかまたは両方の配線長が所定の長さ以上の場合に、上層配線および下層配線のうち少なくとも一方を延長すると他の配線と所定の間隔がとれず第２のコンタクト部を形成できないときには、第２のコンタクト部を形成するために再度コンピュータによる自動配置配線処理を行うことを特徴とする。
【００１３】
この配線方法によれば、算出した上層配線および下層配線の配線長のうち何れかまたは両方の配線長が所定の長さ以上の場合に、容易に複数個のコンタクト部を設けることができる。
請求項３記載の半導体装置の配線方法は、請求項１または２記載の半導体装置の配線方法において、算出した上層配線および下層配線の配線長を比較する所定の長さは１００μｍであることを特徴とする。
【００１４】
これは、配線長が１００μｍ以上になるとコンタクト−配線間のエレクトロマイグレーション特性に劣化が生じるが、この劣化を防止するためである。
請求項４記載の半導体装置の配線方法は、請求項１，２または３記載の半導体装置の配線方法において、上層配線および下層配線はアルミ合金で形成され、第１および第２のコンタクト部はタングステンで形成されていることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
〔第１の参考例〕
図１は第１の参考例における半導体装置の配線方法を示す図である。図１において、１１１は配線層１１５に設けられた端子、１１２は配線層１１６に設けられた端子、１１３は配線層１１５の一部で形成される配線、１１４は配線層１１６の一部で形成される配線であり、配線層１１６と配線層１１５とは層間絶縁膜を介して隣接した配線層で、配線層１１６が配線層１１５のすぐ上の配線層になっている。
【００１６】
図１（ａ）は配線層１１５のみを取り出した図であり、図１（ｂ）は配線層１１６のみを取り出した図であり、図１（ｃ）は配線層１１５と１１６の両者を上からみた図である。
配線層１１５に設けられた端子１１１と配線層１１６に設けられた端子１１２とを接続する場合、図１（ｄ）に示すように、端子１１１からｘ方向に延長した配線１１３を配線層１１５で形成する。また、端子１１２からｙ方向に延長した配線１１４を配線層１１６で形成する。そして、配線１１３と配線１１４の交点（上から見たときの交点）でコンタクト部１１７を形成する。このように配線１１３，コンタクト部１１７，配線１１４を介して端子１１１と端子１１２とが接続される。この作業はコンピュータ上の自動配置配線処理により行われる。配線１１３と配線１１４とは上から見た場合、互いに直交している。ここまでは、従来例と同様であり、配線１１３と１１４とを接続するコンタクト部の個数はコンタクト部１１７の１個のみである。
【００１７】
つぎに、以下の（イ）〜（ハ）の処理により、配線１１３と１１４とを接続するためのコンタクト部の個数を増やす。
（イ）コンタクト部１１７付近の配線状態を調査する。例えばコンタクト部１１７からｘ方向およびｙ方向に±１０μｍ以内の領域Ａの範囲内のどの距離に配線が存在するかを調査する。
（ロ）コンタクト部１１７を配線１１３の端子とみなす。
（ハ）コンタクト部１１７と配線１１４の接続をコンタクト部１１７以外の場所で試みる。
【００１８】
この処理（イ）〜（ハ）により、コンタクト部１１７から配線層１１５上で延長する配線を配線１１８とする。そして、配線１１８と配線１１４のコンタクト部１１７以外でのコンタクト部をコンタクト部１１９として形成する。この結果、配線層１１５で配線１１３と配線１１８とからなるＬ字形の配線が形成され、配線層１１６で配線１１４が形成され、配線１１３，１１８からなるＬ字形の配線と配線１１４との重なり部分で２つのコンタクト部１１７，１１９が形成される。
【００１９】
以上のように、本参考例によれば、上記の処理（イ）〜（ハ）を追加することで、上層と下層の配線接続を２カ所以上で行うことが可能になり、複数個のコンタクト部１１７，１１９で上層の配線１１４と下層の配線１１３，１１８とが接続されるため、複数個のコンタクト部１１７，１１９のうち最低１個のコンタクト部の接続状態が良好であればよく、コンタクト部の接続状態に起因する半導体装置の不良発生度合いを低減し、歩留りおよび信頼性の向上を図ることができる。また、複数個のコンタクト部１１７，１１９を設けることにより、複数個のコンタクト部１１７，１１９と上層の配線１１４および下層の配線１１３，１１８との総接触面積を大きくできるため、配線長が長い場合でもコンタクト部と上層配線および下層配線との間の抵抗の上昇を抑え、コンタクト部の寿命を延ばすことができる。
【００２０】
なお、上記の処理（イ）〜（ハ）では、コンタクト部１１７を配線１１３の端子とみなしたが、コンタクト部１１７を配線１１４の端子とみなして、配線１１３との接続を試みることによっても、複数個のコンタクト部を形成でき同様の効果を得ることができる。
【００２１】
〔第１の実施の形態〕
図２は第１の実施の形態における半導体装置の配線方法を示す図である。図２において、１２１は配線層１２５に設けられた端子、１２２は配線層１２６に設けられた端子、１２３は配線層１２５の一部で形成される配線、１２４は配線層１２６の一部で形成される配線であり、配線層１２６と配線層１２５とは層間絶縁膜を介して隣接した配線層で、配線層１２６が配線層１２５のすぐ上の配線層になっている。
【００２２】
図２（ａ）は配線層１２５のみを取り出した図であり、図２（ｂ）は配線層１２６のみを取り出した図であり、図２（ｃ）は配線層１２５と１２６の両者を上からみた図である。端子１２１と端子１２２は２００μｍ離れている。
配線層１２５に設けられた端子１２１と配線層１２６に設けられた端子１２２とを接続する場合、第１の参考例同様、コンピュータによる自動配置配線処理により、図２（ｄ）に示すように、端子１２１からｘ方向に延長され配線層１２５で形成された配線１２３と、端子１２２からｙ方向に延長され配線層１２６で形成された配線１２４と、配線１２３と配線１２４とを接続するコンタクト部１２７とを形成する。
【００２３】
次に、コンタクト部１２７と端子１２１および端子１２２との距離を算出する、言い換えれば、配線１２３の長さと配線１２４の長さを算出し、少なくとも一方の配線の長さが所定長（例えば１００μｍ）以上の場合に、第１の参考例と同様の方法（例えば処理（イ）〜（ハ））により、コンタクト部１２７以外のコンタクト部を形成する。ここでは、配線１２３の長さが１００μｍ以上であり、第１の参考例と同様の方法により、コンタクト部１２７から配線層１２５上で延長した配線１２８を形成し、配線１２８と配線１２４のコンタクト部１２７以外でのコンタクト部をコンタクト部１２９として形成している。なお、配線１２３，１２４の長さを算出した結果、配線１２３と配線１２４のどちらの長さも所定長（例えば１００μｍ）より短い場合には、処理を終了し、コンタクト部１２７以外のコンタクト部は形成しないものとする。
【００２４】
以上のように本実施の形態によれば、配線１２３の長さと配線１２４の長さを算出し、少なくとも一方の配線の長さが所定長（例えば１００μｍ）以上の場合には、複数個のコンタクト部１２７，１２９で上層の配線１２４と下層の配線１２３，１２８とが接続されるため、第１の参考例と同様の効果が得られる。特に、配線長が１００μｍ以上になるとコンタクト−配線間のエレクトロマイグレーション特性に劣化が生じるため、１００μｍを上記の例のように所定長とすることにより、この劣化を防止することができる。
【００２５】
〔第２の実施の形態〕
図３は第２の実施の形態における半導体装置の配線方法を示す図である。図３において、１３１は配線層１３５に設けられた端子、１３２は配線層１３６に設けられた端子、１３３は配線層１３５の一部で形成される配線、１３４は配線層１３６の一部で形成される配線であり、配線層１３６と配線層１３５とは層間絶縁膜を介して隣接した配線層で、配線層１３６が配線層１３５のすぐ上の配線層になっている。
【００２６】
図３（ａ）は配線層１３５のみを取り出した図であり、図３（ｂ）は配線層１３６のみを取り出した図であり、図３（ｃ）は配線層１３５と１３６の両者を上からみた図である。端子１３１と端子１３２は２００μｍ離れている。
配線層１３５に設けられた端子１３１と配線層１３６に設けられた端子１３２とを接続する場合、第１の参考例同様、コンピュータによる自動配置配線処理により、図３（ｄ）に示すように、端子１３１からｘ方向に延長され配線層１３５で形成された配線１３３と、端子１３２からｙ方向に延長され配線層１３６で形成された配線１３４と、配線１３３と配線１３４とを接続するコンタクト部１３７とを形成する。このとき例えば、自動レイアウト処理により配線１４１，１４２が配線層１３５で形成され、配線１４３，１４４が配線層１３６で形成されているとする。なお、図３（ｅ）は配線層１３５の配線、図３（ｆ）は配線層１３６の配線を示す。
【００２７】
次に、コンタクト部１３７と端子１３１および端子１３２との距離を算出する、言い換えれば、配線１３３の長さと配線１３４の長さを算出し、少なくとも一方の配線の長さが所定長（例えば１００μｍ）以上の場合に、第１の参考例と同様の方法（例えば処理（イ）〜（ハ））により、コンタクト部１３７以外のコンタクト部を形成する。ここでは、配線１３３の長さが１００μｍ以上であるとするが、図３（ｄ）に示すレイアウトでは、配線１４１，１４２，１４３，１４４が存在するためにコンタクト部１３７以外のコンタクト部を形成することができない。そこで、コンタクト部１３７を含めてコンタクト部を複数個形成するために、再度コンピュータによるレイアウト処理を行う。再度レイアウト処理を行い、コンタクト部１３７以外のコンタクト部としてコンタクト部１４５を形成したものが図３（ｇ）である。この場合の配線層１３５の配線を図３（ｈ）に、配線層１３６の配線を図３（ｉ）に示す。この結果、配線層１３６の配線１４６，１４７が再レイアウトされ、端子１３１に接続された配線１３３と端子１３２に接続された配線１４７とは２つのコンタクト部１３７，１４５で接続され、端子１３１と端子１３２間が接続される。
【００２８】
なお、図３（ｄ）の状態で、配線１３３，１３４の長さを算出した結果、配線１３３と配線１３４のどちらの長さも所定長（例えば１００μｍ）より短い場合には、第１の実施の形態と同様、処理を終了し、コンタクト部１３７以外のコンタクト部は形成しないものとする。
以上のように本実施の形態によれば、配線１３３の長さと配線１３４の長さを算出し、少なくとも一方の配線の長さが所定長（例えば１００μｍ）以上の場合に、コンタクト部を複数個形成するために、再度コンピュータによるレイアウト処理を行うことにより、容易に複数個のコンタクト部１３７，１４５を設けることができる。
【００２９】
〔第２の参考例〕
図４は第２の参考例における半導体装置の配線方法を示す図である。図４において、１５１は配線層１５５に設けられた端子、１５２は配線層１５６に設けられた端子、１５８は配線層１５５の一部で形成される配線、１５９は配線層１５６の一部で形成される配線であり、配線層１５６と配線層１５５とは層間絶縁膜を介して隣接した配線層で、配線層１５６が配線層１５５のすぐ上の配線層になっている。
【００３０】
図４（ａ）は配線層１５５のみを取り出した図であり、図４（ｂ）は配線層１５６のみを取り出した図であり、図４（ｃ）は配線層１５５と１５６の両者を上からみた図である。
配線層１５５に設けられた端子１５１と配線層１５６に設けられた端子１５２とを接続する場合、図４（ｄ）に示すように、配線層１５５で形成され端子１５１からｘ方向に延長されて終端部分で折れ曲がったＬ字形の配線１５８と、配線層１５６で形成され端子１５２からｙ方向に延長されて終端部分で折れ曲がったＬ字形の配線１５９とを形成する。配線１５８，１５９は、それぞれ折れ曲がった部分が互いの配線と重なるように形成され、これにより、配線１５８と配線１５９とを接続するコンタクト部１５７を複数個形成することができる。なお、図４（ｅ）は配線層１５５の配線を示し、図４（ｆ）は配線層１５６の配線を示す図である。
【００３１】
以上のように本参考例によれば、上層の配線１５９および下層の配線１５８の接続部近傍の終端部分をＬ字形にし、このＬ字形の部分で上層の配線１５９および下層の配線１５８とが重なり、この重なり領域で複数個のコンタクト部１５７を形成することにより、第１の参考例同様、コンタクト部の接続状態に起因する半導体装置の不良発生度合いを低減し、歩留りおよび信頼性の向上を図ることができるとともに、コンタクト部１５７と配線１５８および配線１５９との総接触面積が大きくなるため、配線長が長い場合でもコンタクト部と上層配線および下層配線との間の抵抗の上昇を抑え、コンタクト部の寿命を延ばすことができる。
【００３２】
なお、第２の参考例では、平面形状が正方形のコンタクト部１５７を複数個形成したが、平面形状が長方形のコンタクト部を複数個形成することにより、コンタクト部と配線１５８および配線１５９との総接触面積をより大きくすることができる。
また、コンタクト部１５７を複数個形成する代わりに、配線１５８と配線１５９とが重なるＬ字形の全領域に、平面形状がＬ字形のコンタクト部を形成することにより、コンタクト部と配線１５８および配線１５９との総接触面積をさらにより大きくすることができる。
【００３３】
〔第３の参考例〕
図５は第３の参考例における半導体装置の配線方法を示す図である。図５において、１６１は配線層１６５に設けられた端子、１６２は配線層１６６に設けられた端子、１６３は配線層１６５の一部で形成される配線、１６４は配線層１６６の一部で形成される配線であり、配線層１６６と配線層１６５とは層間絶縁膜を介して隣接した配線層で、配線層１６６が配線層１６５のすぐ上の配線層になっている。
【００３４】
図５（ａ）は配線層１６５のみを取り出した図であり、図５（ｂ）は配線層１６６のみを取り出した図であり、図５（ｃ）は配線層１６５と１６６の両者を上からみた図である。
配線層１６５に設けられた端子１６１と配線層１６６に設けられた端子１６２とを接続する場合、図５（ｄ）に示すように、配線層１６５で形成され端子１６１からｘ方向に延長された配線１６３と、配線層１６６で形成され端子１６２からｙ方向に延長された配線１６４と、配線１６３と配線１６４とを接続するＬ字形のコンタクト部１６７とを形成する。配線１７１，１７２は配線１６３と同じ配線層１６５で形成される配線である。なお、図５（ｅ）は配線層１６５の配線を示しＶＩＡ領域に形成されている。図５（ｆ）は配線層１６６の配線を示す図である。
【００３５】
ここで配線のレイアウトルールを次のように設定するとする。
最小配線幅：０．５μｍ
最小配線間隔：０．５μｍ
コンタクト部幅：０．５μｍ
コンタクト部と配線との最小間隔：０．３μｍ
このレイアウトルールでは配線１６３と配線１７２との間隔は０．５μｍが最小である。また、本参考例では、配線１６３はコンタクト部１６７のＬ字形の一端部の下側に接触し、配線１６４はコンタクト部１６７のＬ字形の他端部の上側に接触した状態に形成しており、コンタクト部１６７と配線１７１との間隔は最小０．３μｍとすることが可能である。
【００３６】
ここで比較のため、図６に、従来の半導体装置の配線方法により上記のレイアウトルールを用いて図５と同様な配線を行った図を示す。図６において、１８１は層間絶縁膜を挟んで隣接した上下の配線層のうち下の配線層に設けられた端子、１８２は上の配線層に設けられた端子、１８３，１９１，１９２は下の配線層の一部で形成される配線、１８４は上の配線層の一部で形成される配線、１８７はコンタクト部である。この場合、端子１８１と端子１８２とを接続するために、下の配線層で形成され端子１８１からｘ方向に延長された配線１８３と、上の配線層で形成され端子１８２からｙ方向に延長された配線１８４とを形成し、配線１８３と配線１８４との交差点でコンタクト部１８７を形成している。ここで、上記のレイアウトルールより、配線１８３と配線１９１との最小間隔は０．５μｍとなる。すなわち、図５の方法では、図６の方法よりｙ方向に０．２μｍだけ縮小可能になる。
【００３７】
以上のように本参考例によれば、コンタクト部１６７をＬ字形にし、上層の配線１６４および下層の配線１６３をコンタクト部１６７のＬ字形の異なる端部で接触させることにより、コンタクト部がＬ字形でなければ上層配線および下層配線が他の配線と隣接する区間を、Ｌ字形のコンタクト部が他の配線と隣接する区間に置き換えて、上層配線および下層配線と他の配線との間隔を小さくすることができるため、配線間容量を低減しながら高密度配線を実現することができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、上層配線および下層配線のうち何れかまたは両方の配線長が所定の長さ以上の場合に、第１および第２のコンタクト部からなる複数個のコンタクト部で上層配線と下層配線とが接続されるため、複数個のコンタクト部のうち最低１個のコンタクト部の接続状態が良好であればよく、コンタクト部の接続状態に起因する半導体装置の不良発生度合いを低減し、歩留りおよび信頼性の向上を図ることができる。また、コンタクト部を複数個設けることにより、複数個のコンタクト部と上層配線および下層配線との総接触面積を大きくできるため、配線長が長い場合でもコンタクト部と上層配線および下層配線との間の抵抗の上昇を抑え、コンタクト部の寿命を延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の参考例における半導体装置の配線方法を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における半導体装置の配線方法を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態における半導体装置の配線方法を示す図である。
【図４】第２の参考例における半導体装置の配線方法を示す図である。
【図５】第３の参考例における半導体装置の配線方法を示す図である。
【図６】第３の参考例における効果を説明するための従来の半導体装置の配線方法による配線図である。
【図７】従来の半導体装置の配線方法を示す図である。
【図８】従来例におけるコンタクト部の個数と良品率の関係を示す図である。
【図９】コンタクト部に接続される配線長さとコンタクト部の寿命を示す図である。
【図１０】配線の断面図を表す図である。
【符号の説明】
１１１，１２１，１３１，１５１，１６１  端子
１１２，１２２，１３２，１５２，１６２  端子
１１３，１１８，１２３，１２８，１３３，１５８，１６３  配線（下層）
１１４，１２４，１３４，１４７，１５９，１６４  配線（上層）
１１５，１２５，１３５，１５５，１６５  配線層（下層）
１１６，１２６，１３６，１５６，１６６  配線層（上層）
１１７，１１９，１２７，１２９，１３７，１４５，１５７，１６７  コンタクト部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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