(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に電極が配置された半導体チップと、
前記電極を被覆するようにして該電極に接続され、前記半導体チップ上で横方向に延びるように形成された第１の配線と、
前記主面上に設けられ前記第１の配線の一部を被覆して前記電極が配置されている領域を開口した絶縁層と、
前記絶縁層に形成され前記第１の配線のうち前記横方向に延びた領域の一部に到達する貫通穴と、
前記絶縁層の上に設けられ外部機器との間で信号を授受するための外部電極端子と、
前記貫通穴を埋めるように形成され、前記第１の配線と前記外部電極端子とを接続するための第２の配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２の配線の上端部が前記外部電極端子となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記外部電極端子を開口して形成され、該外部電極端子と前記外部機器の接続端子とを電気的に接続するための導電性材料をはじく性質を有する保護膜を更に備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置において、
前記外部電極端子上に設けられた突起状電極を更に備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
電極を有する半導体チップの主面上に、前記電極を被覆して横方向に延びる第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線のうち前記横方向に延びた領域の一部に到達する貫通穴が設けられ、かつ前記電極を開口した絶縁層を形成する工程と、
前記貫通穴が埋められるように第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線のうち外部電極端子となる上端部の上方に開口を有し、該外部電極端子と外部機器の接続端子とを電気的に接続するための導電性材料をはじく性質を有する保護膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記外部電極端子上に突起状電極を形成する工程を更に備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程は、前記半導体チップ上に感光性を有する絶縁膜を形成した後に、露光とエッチングとを順次行って前記絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程は、前記半導体チップ上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜をパターニングしてエッチングレジストを形成した後にエッチングを行って前記絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程は、前記半導体チップ上に絶縁膜を形成した後に、レーザー又はプラズマを用いて前記絶縁膜をパターニングして前記絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
主面上に電極が配置された半導体チップと、
前記電極を被覆するようにして該電極に接続された第１の配線と、
前記主面上に設けられ前記第１の配線の一部を被覆して前記電極が配置されている領域を開口した絶縁層と、
前記絶縁層の上に設けられ外部機器との間で信号を授受するための外部電極端子と、
前記第１の配線と前記外部電極端子とを接続する第２の配線とを備え、
前記第１の配線は、前記電極が近接する辺部側にはみ出さないように被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置において、
前記第１の配線は、前記電極が近接する辺部の反対側に向かって延びるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランジスタ等の半導体素子を有する半導体装置であって、特に外部機器と接続するための配線の微細化を可能にする半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴い、半導体装置に対して小型化、高密度化、高速化が要求されるようになってきた。このため、例えば、メモリー用パッケージとしてはＬＯＣ（リード・オン・チップ）やＳＯＮ（スモール・アウトライン・ノンリード）等が開発され、あるいはＴＡＢテープを利用したμＢＧＡ（マイクロ・ボール・グリッド・アレイ）（特表平０６−５０４４０８号公報）といったパッケージが開発されている。
【０００３】
以下、μＢＧＡを用いた従来のＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）と呼ばれる半導体装置及びその製造方法について、図３を参照しながら説明する。図３は、μＢＧＡと呼ばれる従来の半導体装置を示す断面図である。図３において、１０１はトランジスタ等の半導体素子を内蔵する半導体チップ、１０２は半導体チップ１０１上に設けられた配線回路シート、１０３は半導体チップ１０１と配線回路シート１０２との間に介在するしなやかな低弾性率材料、１０４は配線回路シート１０２が有する部分リード、１０５は半導体チップ１０１が有する電極、１０６は配線回路シート１０２の電極であって半導体装置と外部とを接続するための外部電極である。図３に示すように、μＢＧＡと呼ばれる半導体装置は、半導体チップ１０１上に低弾性率材料１０３を介して配線回路シート１０２が接合された構造を有し、半導体チップ１０１の電極１０５と配線回路シート１０２の外部電極１０６とが、部分リード１０４を介して電気的に接続されたものである。
【０００４】
次に、μＢＧＡと呼ばれる従来の半導体装置の製造方法を図３を参照して説明する。まず、半導体チップ１０１上に、外部電極１０６と該外部電極１０６から延設された部分リード１０４とを有する配線回路シート１０２を、低弾性率材料１０３を介して接合する。該低弾性率材料１０３は絶縁材料であって、接着機能を有する。次に、「ＴＡＢ」（テープ・オートメイテッド・ボンディング）作業で電気的に接続する際に通常用いられる従来の熱圧着技術又は超音波ボンディング技術によって、部分リード１０４と電極１０５とを接続する。以上の方法によって、μＢＧＡと呼ばれる半導体装置を製造していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置によれば、予め配線回路シート１０２を作成する必要があるので製造工数が増大する。また、配線回路シート１０２は高価であり、半導体チップ１０１に配線回路シート１０２を接続するためには高性能なマウンタ（搭載設備）が必要となるので、材料コスト及び設備コストの増大を免れなかった。また、電極１０５と配線回路シート１０２から延在した部分リード１０４とを接続する場合、特に微細配線における場合には、部分リード１０４の幅や厚みが小さくなって形状が安定しないので、部分リード１０４と電極１０５との接続が困難となるという欠点を有していた。
【０００６】
本発明は、上記従来の課題に鑑み、配線回路シート１０２を設けることなく、外部機器と接続するための配線の微細化と、高信頼性化とを可能にする半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明では、第１及び第２の半導体装置に関する手段と、半導体装置の製造方法に関する手段とを講じている。
【００１２】
本発明の第１の半導体装置は、主面上に電極が配置された半導体チップと、電極を被覆するようにして該電極に接続され、半導体チップ上で横方向に延びるように形成された第１の配線と、主面上に設けられ第１の配線の一部を被覆して電極が配置されている領域を開口した絶縁層と、絶縁層に形成され第１の配線のうち横方向に延びた領域の一部に到達する貫通穴と、絶縁層の上に設けられ外部機器との間で信号を授受するための外部電極端子と、貫通穴を埋めるように形成され、第１の配線と外部電極端子とを接続するための第２の配線とを備えている。
【００１３】
これにより、半導体チップ上に第１の配線が微細に設けられ、絶縁層の貫通穴を埋めるように設けられた第２の配線によって第１の配線と外部電極端子とが確実に接続されるので、配線が微細化され、信頼性が更に向上した半導体装置が得られる。
【００１４】
本発明の第１の半導体装置において、第２の配線の上端部が外部電極端子となっていることが好ましい。
【００１５】
これにより、外部電極端子に加えられた押圧力が第２の配線から直下方に作用するので、電極に加わる応力が緩和されて半導体装置の信頼性が向上する。
【００１８】
第１の半導体装置において、外部電極端子を開口して形成され、該外部電極端子と外部機器の接続端子とを電気的に接続するための導電性材料をはじく性質を有する保護膜を更に備えることが好ましい。
【００１９】
これにより、外部電極端子以外の部分が保護膜により覆われるので、外部電極端子と外部機器の接続端子との接続等の後工程における、外部電極端子以外の配線の断線や短絡が防止されて、半導体装置の信頼性が向上する。
【００２０】
第１の半導体装置において、外部電極端子上に設けられた突起状電極を更に備えることが好ましい。
【００２１】
これにより、半導体装置と外部機器との間で、突起状電極を介していっそう確実に信号を授受することができる。
【００２４】
本発明の半導体装置の製造方法は、電極を有する半導体チップの主面上に、電極を被覆して横方向に延びる第１の配線を形成する工程と、第１の配線のうち横方向に延びた領域の一部に到達する貫通穴が設けられ、かつ電極を開口した絶縁層を形成する工程と、貫通穴が埋められるように第２の配線を形成する工程と、第２の配線のうち外部電極端子となる上端部の上方に開口を有し、該外部電極端子と外部機器の接続端子とを電気的に接続するための導電性材料をはじく性質を有する保護膜を形成する工程とを備えている。
【００２５】
この方法によれば、半導体チップの電極を被覆した第１の配線の一部を被覆して絶縁層を形成するので、絶縁層の上にある外部電極端子に押圧力が加わった場合等において、電極に加わる応力が第１の配線と絶縁層とにより緩和される。また、貫通穴に第２の配線を形成してその上端部を外部電極端子とすることにより、外部電極端子に加えられた押圧力が第２の配線から直下方に作用するので電極に加わる応力が緩和され、かつ、外部電極端子と第１の配線とが確実に接続される。したがって、信頼性が向上した半導体装置を製造できる。更に、それぞれ、半導体チップ上に第１の配線を、貫通穴に第２の配線と外部電極端子とを微細に形成できるので、配線が微細化し実装密度が向上した半導体装置を製造できる。
【００２６】
本発明の半導体装置の製造方法において、外部電極端子上に突起状電極を形成する工程を更に備えることが好ましい。
【００２７】
この方法によれば、半導体装置と外部機器との間で、突起状電極を介していっそう確実に信号を授受できる半導体装置を製造することができる。
【００２８】
本発明の半導体装置の製造方法において、絶縁層を形成する工程は、半導体チップ上に感光性を有する絶縁膜を形成した後に、露光とエッチングとを順次行ってすることとしてもよい。
【００２９】
この方法によれば、感光性を有する絶縁膜を直接露光した後にエッチングして、絶縁層を形成することができる。
【００３０】
本発明の半導体装置の製造方法において、絶縁層を形成する工程は、半導体チップ上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜をパターニングしてエッチングレジストを形成した後にエッチングを行って絶縁層を形成することとしてもよい。
【００３１】
この方法によれば、絶縁膜の上に形成したエッチングレジストを用いて、絶縁層を形成することができる。
【００３２】
本発明の半導体装置の製造方法において、絶縁層を形成する工程は、半導体チップ上に絶縁膜を形成した後に、レーザー又はプラズマを用いて絶縁膜をパターニングして絶縁層を形成することとしてもよい。
【００３３】
この方法によれば、絶縁膜を直接パターニングして、絶縁層を形成することができる。
本発明の第２の半導体装置は、主面上に電極が配置された半導体チップと、電極を被覆するようにして該電極に接続された第１の配線と、主面上に設けられ第１の配線の一部を被覆して電極が配置されている領域を開口した絶縁層と、絶縁層の上に設けられ外部機器との間で信号を授受するための外部電極端子と、第１の配線と外部電極端子とを接続する第２の配線とを備え、第１の配線は、前記電極が近接する辺部側にはみ出さないように被覆されている。
本発明の第２の半導体装置において、第１の配線は、前記電極が近接する辺部の反対側に向かって延びるように形成されていることが好ましい。
【００３４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態について、図１を参照しながら説明する。図１（ａ）は本実施形態に係る半導体装置のソルダーレジストのない状態を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のソルダーレジストのある状態を示すＩ−Ｉ線における断面図である。図１（ａ），（ｂ）において、１０は例えばシリコンからなる半導体ウェハの一部が分割されてなり、かつトランジスタ等の半導体素子からなる半導体集積回路を内蔵する、四角形状の半導体チップである。半導体チップ１０の主面において、辺部の近傍に複数の電極１１が配列されている。
【００３５】
各電極１１の少なくとも一部を覆うように、かつ、各電極１１が近接する辺部の反対側、つまり半導体チップ１０上で内側に向かって横方向に金属からなる第１の配線２０Ａが設けられている。少なくとも電極１１上における第１の配線２０Ａを露出させ、かつ、該第１の配線２０Ａの一部と半導体チップ１０の主面とを覆うように、低弾性率を有する絶縁材料からなる絶縁層３０が設けられている。絶縁層３０の端部は、第１の配線２０Ａが設けられた半導体チップ１０の主面に対して、傾斜したくさび状の断面形状を有する。そして、第１の配線２０Ａの少なくとも一部と絶縁層３０との上には、金属からなる第２の配線２１が設けられている。つまり、第２の配線２１は、絶縁層３０の端部が有するくさび状の断面形状の斜面上にわたって、かつ絶縁層３０の平坦部の上に形成されている。
【００３６】
絶縁層３０の平坦部の上に形成され第２の配線２１につながるランド２２を露出させて、ソルダーレジスト４０が設けられている。ランド２２は、半導体チップ１０と外部機器との間で信号を入出力するための外部電極端子として機能する。そして、ランド２２の上には、突起状電極である金属ボール５０が設けられている。すなわち、ソルダーレジスト４０の開口部に露出するランド２２に金属ボール５０が接合された構造になっている。
【００３７】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置によれば、低弾性率を有する絶縁層３０の上に形成されたランド２２が、絶縁層３０の平坦部と斜面と半導体チップ１０の主面との上にわたって形成された第２の配線２１と、該主面上に形成された第１の配線２０Ａとを介して、電極１１に接続されている。したがって、従来の配線回路シートの部分リードを用いた半導体装置に比較して、絶縁層３０の斜面上において第１の配線２０Ａを微細に形成できるので、配線の微細加工に適し、かつ多ピン化に対応できる、製造コストの安価な半導体装置が実現される。
【００３８】
また、本実施形態の半導体装置は、第２の配線２１とランド２２とが、低弾性率を有する絶縁層３０の上に形成される。したがって、外部機器の基板に半導体装置を実装後に、半導体装置と基板との間に生ずる熱応力が絶縁層３０によって吸収され、その結果金属ボール５０に印加される熱応力が緩和されるので、高い信頼性を有する半導体装置が実現される。
【００３９】
また、電極１１に接続された第１の配線２０Ａの一部を被覆して絶縁層３０が設けられるので、絶縁層の上にある外部電極端子に押圧力が加わった場合等において電極１１に印加される応力が第１の配線２０Ａと絶縁層３０とにより緩和され、この点からも高い信頼性を有する半導体装置が実現される。
【００４０】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図１（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【００４１】
まず、電極１１を有する半導体チップ１０の主面上に、蒸着又は無電解めっきによって金属層を形成する。
【００４２】
次に、金属層の上にレジストを塗布し、電極１１を覆い、かつ半導体チップ１０の主面において内側へ延びるようにしてレジストをパターニングをした後に、エッチングを行う。つまり、電極１１を覆い、かつ半導体チップ１０の主面において内側へ延びるようにして、金属からなる第１の配線２０Ａを形成する。
【００４３】
次に、第１の配線２０Ａが形成された半導体チップ１０の主面の全面にわたって絶縁性と低弾性とを有する感光性材料を塗布した後に、乾燥と露光と現像とを順次行う。このことによって、少なくとも電極１１上における第１の配線２０Ａを開口した絶縁層３０を形成する。この場合において、例えば露光で散乱光を使用して、開口部における絶縁層３０の断面形状を、第１の配線２０Ａに対して垂直ではなくテーパー状にして形成する。絶縁層３０を形成するための感光性材料としては、例えばポリイミド、エポキシ等のような絶縁性を有するポリマーであればよい。
【００４４】
次に、半導体チップ１０の主面の全面において、無電解めっき法、真空蒸着法、スパッタリング法、又はＣＶＤ法によって金属薄膜層を形成する。例えば、無電解めっき法を用いてＣｕからなる金属薄膜層を形成する。
【００４５】
次に、金属薄膜層が形成された半導体チップ１０の主面の全面にわたって感光性レジストを塗布して、露光によって所定のパターン部以外のレジストを硬化させた後に、該パターン部のレジストを除去する。
【００４６】
次に、電解めっきを使用して、前記パターン部に例えばＣｕからなる大きい膜厚を有する金属層を形成し、レジストを溶融して除去し、その後形成された金属層に対して無電解Ｎｉめっきと無電解Ａｕめっきとを順次行う。
【００４７】
次に、エッチング液に浸漬して、金属薄膜層のみからなる部分を溶かし、かつ大きい膜厚を有する金属層を残すことによって、所定のパターンを有する第２の配線２１とランド２２とを同時に形成する。
【００４８】
なお、半導体チップ１０の主面の全面にわたって金属膜を堆積させ、その上にレジストを塗布し、公知のフォトリソグラフィー技術を使用して所定のパターン部の上にエッチングマスク用レジストを形成し、このレジストをマスクとして金属層をエッチングすることによって、第２の配線２１とランド２２とを同時に形成してもよい。
【００４９】
次に、第１の配線２０Ａと絶縁層３０と第２の配線２１とランド２２とが形成された半導体チップ１０の主面の全面にわたって感光性ソルダーレジストを塗布した後に、フォトリソグラフィー技術を使用して、少なくともランド２２を露出させてソルダーレジスト４０を形成する。ソルダーレジスト４０によって、ランド２２以外の配線である、第１の配線２０Ａと第２の配線２１とが、後工程において溶融したハンダから保護される。
【００５０】
次に、ハンダ、Ｃｕ、Ｎｉ等からなる、又はハンダめっきされた金属からなる金属ボール５０をランド２２の上に載置した後に、金属ボール５０とランド２２とを溶融接合する。以上の工程によって、本実施形態に係る半導体装置を得ることができる。
【００５１】
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップ１０の主面において、電極１１を開口した部分の絶縁層３０の断面形状をテーパー状に形成する。このことによって、絶縁層３０の斜面上にわたって第２の配線２１を微細に形成しやすく、かつ第２の配線２１が断線しにくい構造を構成することができる。
【００５２】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について、図２を参照しながら説明する。図２（ａ）は本実施形態に係る半導体装置のソルダーレジストのない状態を示す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のソルダーレジストのある状態を示すＩＩ−ＩＩ線における断面図である。図２（ａ），（ｂ）において、第１の実施形態と同一の構成要素には、図１（ａ），（ｂ）における符号と同一の符号を付して、適宜その説明を省略する。
【００５３】
本実施形態においては、各電極１１の少なくとも一部を覆うように、かつ、各電極１１が近接する辺部の反対側、つまり半導体チップ１０の内側に向かって第１の実施形態におけるよりもいっそう内側へ延びるようにして、金属からなる第１の配線２０Ｂが設けられている。そして、半導体チップ１０上には、電極１１上における第１の配線２０Ｂを露出させ、かつ、第１の配線２０Ｂが露出された領域よりも内側を覆うように、絶縁性と低弾性率とを有する絶縁材料からなる絶縁層３０が設けられている。つまり、半導体チップ１０の内側へ延びた第１の配線２０Ｂの端部は、絶縁層３０が有する平坦部の下に設けられている。そして、第１の配線２０Ｂの端部上の絶縁層３０には第１の配線２０Ｂに到達する貫通穴が形成されており、この貫通穴に例えば印刷法によってＡｇペーストやＣｕペースト等からなる導電体が埋め込まれて第２の配線２１Ｂが形成されている。
【００５４】
絶縁層３０の平坦部において、第２の配線２１Ｂが露出している上端部はランド２２を構成する。また、半導体チップ１０の主面の全体を覆うように、かつランド２２を露出させてソルダーレジスト４０が設けられている。ランド２２は、半導体チップ１０と外部機器との間で信号を入出力するための外部電極端子として機能する。すなわち、第２の配線２１Ｂにより、外部電極端子であるランド２２と第１の配線２０Ｂとが接続されている。
【００５５】
ランド２２の上には、突起状電極である金属ボール５０が設けられている。すなわち、ソルダーレジスト４０の開口部に露出するランド２２に金属ボール５０が接合された構造になっている。
【００５６】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置によれば、低弾性率を有する絶縁層３０の貫通穴に設けられた第２の配線２１Ｂの上端部がランド２２を構成し、ランド２２上には金属ボール５０が形成される。第２の配線２１Ｂは、絶縁層３０の下に設けられた第１の配線２０Ｂを介して、半導体チップ１０の電極１１に接続されている。したがって、従来の配線回路シートの部分リードを用いた半導体装置に比較して、半導体チップ１０の上において第１の配線２０Ｂを微細に形成できるので、配線の微細加工に適し、かつ多ピン化に対応できる、製造コストの安価な半導体装置が実現される。
【００５７】
また、外部機器の基板に半導体装置を実装後に、半導体装置と基板との間に生ずる熱応力が絶縁層３０によって吸収され、その結果金属ボール５０に印加される熱応力が緩和されるので、高い信頼性を有する半導体装置が実現される。
【００５８】
また、電極１１に接続された第１の配線２０Ｂの一部を被覆して絶縁層３０が設けられるので、絶縁層の上にある外部電極端子に押圧力が加わった場合等において、電極１１に印加される応力が第１の配線２０Ｂと絶縁層３０とにより緩和され、高い信頼性を有する半導体装置が実現される。
【００５９】
また、第２の配線の上端部を外部電極端子とすることにより、外部電極端子に加えられた押圧力が第２の配線から直下方に作用して電極に加わる応力が緩和されるので、この点からも高い信頼性を有する半導体装置が実現される。
【００６０】
また、絶縁層３０の下に第１の配線２０Ｂを形成することによって、絶縁層３０の端部における寸法や形状の精度を緩和できるので、半導体装置の製造歩留りを向上できる。
【００６１】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図２（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【００６２】
まず、第１の実施形態と同様の方法によって、金属からなる第１の配線２０Ｂを形成する。この場合において、第１の実施形態におけるよりもいっそう半導体チップ１０の内側へ延びるようにして、第１の配線２０Ｂを形成する。
【００６３】
次に、第１の配線２０Ｂが形成された半導体チップ１０の主面の全面にわたって絶縁性と低弾性とを有する感光性材料を塗布した後に、乾燥と露光と現像とを順次行って絶縁層３０を形成する。絶縁層３０を形成する際に、第１の配線２０Ｂの電極１１上の部分を開口し、かつ絶縁層３０の下における第１の配線２０Ｂの端部に到達するように貫通穴を形成する。第１の実施形態と同様に、開口部における絶縁層３０の断面形状を第１の配線２０Ｂに対してテーパー状にして形成する。絶縁層３０を形成するための感光性材料としては、例えばポリイミド、エポキシ等のような絶縁性を有するポリマーであればよい。
【００６４】
次に、それぞれ第１の実施形態と同様の方法により、半導体チップ１０の主面の全面においてＣｕからなる金属薄膜層を形成し、該金属薄膜層が形成された半導体チップ１０の主面の全面にわたって感光性レジストを塗布して、露光により絶縁層３０における貫通穴の上以外のレジストを硬化させた後に、貫通穴の上のレジストを除去する。つまり、絶縁層３０の貫通穴において、レジストを残留させず、形成された金属薄膜層を露出させた状態にする。
【００６５】
次に、それぞれ第１の実施形態と同様の方法により、貫通穴における露出した金属薄膜層の上に例えばＣｕからなる大きい膜厚を有する金属層を形成し、レジストを溶融して除去し、その後に無電解Ｎｉめっきと無電解Ａｕめっきとを順次行う。このことによって、貫通穴が埋められるように金属層を形成し、絶縁層３０において露出した金属層の上端面に対してもＮｉとＡｕとを順次無電解めっきする。
【００６６】
次に、エッチング液に浸漬して、金属薄膜層のみからなる部分を溶かし、大きい膜厚を有する金属層を残すことによって、絶縁層３０における貫通穴に金属層からなる第２の配線２１Ｂを形成する。したがって、第２の配線２１Ｂを、第１の配線２０Ｂを介して電極１１に接続することができる。絶縁層３０の表面における第２の配線２１Ｂの露出部、つまり第２の配線２１Ｂの上端部は、ランド２２として機能する。
【００６７】
次に、第１の実施形態と同様の方法によって、少なくともランド２２を露出させてソルダーレジスト４０を形成する。ソルダーレジスト４０によって、ランド２２以外の配線である第１の配線２０Ｂが、後工程において溶融したハンダから保護される。
【００６８】
次に、ランド２２の上に金属ボール５０を載置した後に、金属ボール５０とランド２２とを溶融接合する。以上の工程によって、本実施形態に係る半導体装置を得ることができる。
【００６９】
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップ１０の上において第１の配線２０Ｂを形成するので、配線の微細加工に適し、かつ断線しにくい構造を有する半導体装置を製造できる。
【００７０】
また、絶縁層３０の下に第１の配線２０Ｂを形成することによって、配線の断線防止を目的とした絶縁層３０の端部における寸法や形状の精度管理を緩和できるので、高い製造歩留りで半導体装置を製造できる。
【００７１】
なお、以上説明した各実施形態においては、絶縁層３０を形成するために、絶縁性と低弾性とを有する感光性材料を塗布した。これに限らず、それぞれ予めフィルム状に形成された、低弾性と感光性とを有する絶縁材料を使用してもよい。この場合には、低弾性と感光性とを有するフィルム状の絶縁材料を半導体チップ１０の主面上に貼り合わせた後に露光、現像して第１の配線２０Ａ，２０Ｂを露出させる。
【００７２】
また、散乱光を用いて絶縁層３０の開口部における断面形状をテーパー状に形成した。これに代えて、平行光を用いて露光し、現像後の熱処理における温度プロファイルを制御する等して、絶縁層３０の開口部における断面形状をテーパー状に形成してもよい。
【００７３】
また、感光性のない絶縁材料も使用できる。この場合には、半導体チップ１０の主面において形成された感光性のない絶縁材料を、レーザーやプラズマ等の機械的加工によって直接パターニングする。あるいは、半導体チップ１０の主面において形成された感光性のない絶縁材料の上にエッチングレジストを形成し、該エッチングレジストをパターニングした後にエッチング等の化学的加工を行う。これらの方法によって、第１の配線２０Ａ，２０Ｂを露出させる。
【００７４】
更に、半導体チップ１０の主面上の外側に電極１１を、内側の絶縁層３０にランド２２と金属ボール５０とをそれぞれ形成したが、これに代えて半導体チップ１０の主面上の内側、例えば中央部付近に電極１１を形成し、電極１１を開口して絶縁層３０を形成し、外側の絶縁層３０に貫通穴、ランド２２及び金属ボール５０を形成してもよい。
【００７５】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置によれば、第２の配線を介して電極に加わる応力が第１の配線と絶縁層とにより緩和され、かつ実装後に外部電極端子に加わる応力が絶縁層により緩和されるので、半導体装置の信頼性が向上する。また、絶縁層上に外部電極端子が微細に形成されるので、微細配線が可能になる。
【００７６】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、本発明に係る半導体装置の構造を容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置のソルダーレジストのない状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のソルダーレジストのある状態を示すＩ−Ｉ線における断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置のソルダーレジストのない状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のソルダーレジストのある状態を示すＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図３】従来の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１０  半導体チップ
１１    電極
２０Ａ，２０Ｂ    第１の配線
２１Ａ，２１Ｂ    第２の配線
２２  ランド（外部電極端子）
３０    絶縁層
４０  ソルダーレジスト（保護膜）
５０  金属ボール
【図１】
0003618212.tif 000002
【図２】
0003618212.tif 000003
【図３】
0003618212.tif 000004