(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被塗布体を回転可能に保持するホルダと、このホルダに保持された前記被塗布体上方に配置され、この被塗布体表面上に塗布液を滴下するノズルとを有し、前記ホルダを回転させ、遠心力により前記塗布液を前記被塗布体上に広げて前記被塗布体の表面に塗布膜を形成する回転塗布装置と、
前記回転塗布装置を覆い、この回転塗布装置の周囲に一定の空間を形成するチャンバと、
前記ノズルに接続され、前記チャンバ内に前記塗布液を供給する塗布液供給手段と、
前記チャンバを内部に配置する筐体と、
前記筐体内部に配置され、前記塗布液供給手段に連結されて前記塗布液を貯蔵する塗布液貯蔵部と、
前記チャンバに接続され、前記チャンバ内にガスを搬入するガス導入手段と、
前記ガス導入手段に設けられ、前記チャンバ内に導入されるガスの温度を制御するガス温度制御手段と、
前記チャンバに接続され、前記チャンバ内からガスを排出するガス排出手段と、
前記チャンバ外でかつ前記筐体内に設けられ、前記チャンバに搬入される前記被塗布体を貯蔵する被塗布体貯蔵部と、
前記筐体内に設けられ、前記筐体内の温度を、前記筐体外の温度よりも高く制御する温度制御装置と、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の温度を前記筐体外の温度よりも高い温度に制御するチャンバ温度制御手段と、
を具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項２】
前記被塗布体貯蔵部に設けられ、前記被塗布体の温度を前記筐体外の温度よりも高い温度に制御する被塗布体温度制御装置を具備することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項３】
前記ガス導入手段に設けられ、前期チャンバ内に導入されるガスの温度を前記筐体外の温度よりも高い温度に制御するガス温度制御手段を具備することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項４】
前記塗布液貯蔵部と前記ノズルとの間に設けられ、前記塗布液貯蔵部からの前記塗布液が前記チャンバ内に供給される前に、前記塗布液の温度を前記筐体外の温度よりも高い温度に制御する塗布液温度制御手段を具備することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項５】
前記ホルダに設けられ、前記ホルダを介して前記ホルダに保持される被塗布体の温度を前記筐体外の温度よりも高い温度に制御するホルダ温度制御手段を具備することを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項６】
少なくとも前記温度制御装置により、前記筐体内の温度が、前記筐体外の温度に対して７℃±５℃の温度範囲で制御されていることを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被塗布体上に塗布液を供給し、被塗布体を回転させて所望の膜を成膜する塗布膜形成装置を具備する塗布膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハや液晶基板などの被塗布体上に均一な厚さの塗布膜を形成する方法として回転塗布法がある。これは、塗布膜が滴下された被塗布体を回転させることにより、回転遠心力で塗布液を被塗布体上の全面に広げるとともに塗布液中の溶媒を蒸発させて塗布膜を形成する方法である。
【０００３】
従来の塗布膜形成装置の構成について、図１１を参照して説明する。
【０００４】
ウェハ等の被塗布体１は、真空吸着式のチャック２の上に水平に保持される。チャック２の上方には被塗布体１の上面にレジスト等の塗布液５を滴下させるノズル６が配置されている。モータ４を除くこれらの要素は、塗布液５の飛散防止及び回収を兼ねたチャンバ７内に収容されている。チャック２は回転軸３に接続され、回転軸３はモータ４によって回転支持されている。
【０００５】
チャンバ７の上部中央部には気流導入口８が形成されており、チャンバ７の下壁周辺部には気流排出口９が形成されている。そして、気流導入口８は不活性のキャリアガスを供給する気体供給装置１０に接続され、各気流排出口９はそれぞれ排気ダクト１１を介して排気処理装置１２に接続されている。
【０００６】
ノズル６の基端側は塗布液供給ポンプ１３を介して塗布液タンク１４に通じている。
【０００７】
チャンバ７の近傍には被塗布体収納ケース１５が設けられ、内部に被塗布体１を複数収納している。
【０００８】
このように構成された装置を使って被塗布体１の表面にレジスト等の塗膜を形成するには次のような手順が採用される。
【０００９】
まず、気体供給装置１０からチャンバ７内にキャリアガスを供給するとともに排気処理装置１２を動作させる。
【００１０】
次に、被塗布体収納ケース１５から被塗布体１を図示しないアームを使って取りだし、この被塗布体１をチャンバ７の周壁に開閉自在に形成された窓を通してチャック２の上に固定した後に窓を閉める。このとき、キャリアガスは被塗布体１の上面、つまり塗布面に対して直行する方向から塗布面に向けて流れ、塗布面において周方向に方向変換された状態で流れる。
【００１１】
次に、ノズル６から塗布液５を被塗布体１の上に所定量滴下させる。
【００１２】
次に、モータ４を回転開始させ、被塗布体１を一定時間回転させる。
【００１３】
このように被塗布体１を回転させることにより、被塗布体１の上に滴下された塗布液５が遠心力によって被塗布体上の全面に広がるとともに塗布液５の中に含まれる溶媒が蒸発して被塗布体１の表面に固体状のレジスト膜が形成される。この装置では、キャリアガスを前記形態に流しているのでレジスト膜厚の均一化を図り易い。
【００１４】
レジスト膜の厚みは、塗布過程初期においては遠心力による塗布液５の広がりによって支配されるが、溶媒の蒸発に伴なう粘性の増大とともに塗布液５の流動性が低くなるに従って溶媒の蒸発量のみによって支配されるようになり、最終的には、気液界面から溶媒が蒸発できなくなった時点で決定される。
【００１５】
なお、塗布膜形成時に被塗布体１から飛び散る塗布液５は、チャンバ７の内周面で捕獲される。また、気体供給装置１０からはプロセス作業に適した量の気体が供給され、各排気ダクト９を通してプロセス作業に見合った量の気体が排気処理装置１２によって排気される。また、一般的には、図１１中一点鎖線Ｐで囲まれた部分がいわゆるクリーンルーム内に置かれて運転される。
【００１６】
しかしながら、上記のように構成された従来の塗布膜形成装置にあっては次のような問題があった。
【００１７】
すなわち、このような装置を用いる半導体産業分野では生産性の向上を図るために塗布時間の短縮化を求められている。塗布時間の短縮化は、仮に塗布時間が半分になれば単位時間あたりの処理量が２倍に増加し、処理総数が同じならば装置台数が半分ですむことになり、設備投資の面からも有利である。
【００１８】
塗布時間を短縮するには単位時間あたりの溶媒蒸発量を増加させればよく、そのためにレジストの物性を変えることが考えられる。しかしながら、溶媒の物性はレジスト樹脂の溶解のし易さや人や環境への配慮からある程度種類が限定されてしまうため、溶媒の物性を変えることには限界がある。一方、装置の運転条件である回転数を上げることによって塗布時間の短縮化を図ることも考えられるが、回転数を変えることはレジスト膜厚にも影響を与えることになるので自ずと限界がある。すなわち、回転数を高くすると遠心力が増加し、その結果レジストの膜厚が薄くなることから所望のレジスト厚みを得ることが難しくなる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、従来の塗布膜形成装置にあっては、溶媒の物性上の問題、塗膜の厚み上の問題等の制約条件が原因して塗布時間を短縮することが困難で、その結果生産性向上に寄与できないという問題点があった。
【００２０】
そこで本発明は、装置設計を大幅に変えることなく、しかもレジスト溶媒などの原料物性を変えることなく、塗布時間の短縮化を図れる塗布膜形成装置を提供することを目的としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の塗布膜形成装置は、被塗布体を回転可能に保持するホルダと、このホルダに保持された前記被塗布体上方に配置され、この被塗布体表面上に塗布液を滴下するノズルとを有し、前記ホルダを回転させ、遠心力により前記塗布液を前記被塗布体上に広げて前記被塗布体の表面に塗布膜を形成する回転塗布装置と、前記回転塗布装置を覆い、この回転塗布装置の周囲に一定の空間を形成するチャンバと、前記ノズルに接続され、前記チャンバ内に前記塗布液を供給する塗布液供給手段と、前記塗布液供給手段に連結され、前記塗布液を貯蔵する塗布液貯蔵部と、前記チャンバに接続され、前記チャンバ内にガスを搬入するガス導入手段と、前記ガス導入手段に設けられ、前記チャンバ内に導入されるガスの温度を制御するガス温度制御手段と、前記チャンバに接続され、前記チャンバ内からガスを排出するガス排出手段と、前記チャンバ外に設けられ、前記チャンバに搬入される前記被塗布体を貯蔵する被塗布体貯蔵部と、前記回転塗布装置、前記チャンバおよび前記被塗布体貯蔵部を内部に設けた筐体と、前記筐体内に設けられ、前記筐体内の温度を、前記筐体外の温度よりも高く制御する温度制御装置とから構成される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の塗布膜形成装置の構成について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
図１は、本発明の塗布膜形成装置の第１実施形態の構成図である。
【００２４】
尚、この図では、図９に示される従来の塗布膜形成装置と同一の機能部分が同一符合で示されている。したがって、重複する部分の詳細説明は省略する。
【００２５】
第１実施形態の特徴は、筐体Ｐ（一点差線内）が設置されるクリーンルームＣＲ（点線内）に温度測定センサ３０（温度制御装置）と筐体Ｐ内部に温度測定センサ３１（温度制御装置）を設置し温度制御装置３２（温度制御装置）で筐体内加熱装置３３（温度制御装置）を制御して筐体Ｐ内部の温度がクリーンルームの温度よりも高くなるようにしたことにある。
【００２６】
実質的に平らな表面を持つウェハ等の被塗布体１は、真空吸着式のチャック２（ホルダ）の上に水平に回転可能に保持される。チャック２の上方には被塗布体１の上面にレジスト等の塗布液５を滴下させるノズル６が配置されている。モータ４を除くこれらの要素は、塗布液５の飛散防止及び回収を兼ねたチャンバ７内に収容されている。チャック２は回転軸３に接続され、回転軸３はモータ４によって回転支持されている。回転塗布装置は、チャック２、回転軸３、モータ４とそれらを覆うチャンバ７とを有する。
【００２７】
チャンバ７は、被塗布体１とチャック２とノズル６を有する回転塗布装置の周囲に一定の空間を形成するよう設けられる。チャンバ７の上部中央部には気流導入口８（ガス導入手段）が形成されており、チャンバ７の下壁周辺部には気流排出口９（ガス排出手段）が形成されている。そして、気流導入口８は不活性のキャリアガスを供給する気体供給装置１０（ガス導入手段）に接続され、各気流排出口９はそれぞれ排気ダクト１１（ガス排出手段）を介して排気処理装置１２（ガス排出手段）に接続されている。
【００２８】
ノズル６の基端側は塗布液供給ポンプ１３（塗布液供給手段）を介して塗布液タンク１４（塗布液貯蔵部）に通じている。
【００２９】
チャンバ７の近傍には被塗布体収納ケース１５（被塗布体貯蔵部）が設けられ、内部に被塗布体１を複数収納している。
【００３０】
気流導入口８と気体供給装置１０との間にガス温度制御装置２１（ガス温度制御手段）を設け、このガス温度制御装置２１でチャンバ７内に流れ込む気流の温度を所定に保つようにしている。また、ノズル６の途中に塗布液温度制御装置２２（塗布液温度制御手段）を設け、この塗布液温度制御装置２２でノズル６から被塗布体１上に滴下される塗布液５の温度を所定に保つようにしている。
【００３１】
ガス温度制御装置２１、塗布液温度制御装置２２は、電気ヒータ等を主体にして構成されてそれぞれ気流及び塗布液を加熱する加熱装置２３、２４と、これら加熱装置２３、２４より下流域を流れる気流及び塗布液の温度を検出する温度センサ２５、２６と、これら温度センサ２５、２６の出力を導入してチャンバ７内に流れ込む気流の温度及び被塗布体１上に滴下される塗布液５の温度が予め定められた設定値となるように加熱装置２３、２４の入力を制御する入力制御装置２７、２８とで構成されている。なお、加熱装置２３、２４のエネルギ源としては、電気に限らず、蒸気などを用いてもよい。ガス温度制御装置２１によりキャリアガスの温度制御を行っているため、所望の蒸発速度を得ることができる。
【００３２】
また、排気処理装置１２はキャリア供給装置１０から供給されるキャリアガスの量と被塗布体１の回転による遠心ポンプ作用で被塗布体１の表面に沿って排出される気体流量との和よりも多い気体を排出する能力を備えたものが用いられている。
【００３３】
筐体Ｐ内には、塗布膜形成装置と、収納ケース１５と、塗布液温度制御装置２２と、塗布液タンク１４と、塗布液供給ポンプ１３と、ノズル６と、加熱装置３３と、センサ３１とを少なくとも有している。筐体Ｐには、使用者や被塗布体１などの補充交換品が進入あるいは排出可能な出入口が設けられているが略密閉状態にある。
【００３４】
尚、筐体Ｐ外とは、クリーンルーム内であって筐体Ｐ外の領域を指す。また、クリーンルームとは、大気中に比べて不純物が少ない略密閉された空間を指す。
【００３５】
次に、上記のように構成された塗布膜形成装置を使って被塗布体としての半導体ウェハ上にレジスト膜を形成する場合について図２に示す流れ図を参照しながら説明する。尚、クリーンルーム内の温度は、２３度以下の所望の温度に設定されているとする。
【００３６】
塗布膜を形成する動作に入る前に、収納ケース１５は、筐体Ｐの所定位置に設けられる開閉自在の窓５０から筐体Ｐ内へ導入されている。収納ケース１５は処理される被塗布体１の枚数により複数設けられる場合もある。
【００３７】
まず、各温度制御装置２１、３２、及び２２における制御目標温度を設定する。
【００３８】
次に、気体供給装置１０から所定流量のキャリアガスの供給を開始させるともに排気処理装置１２を動作開始させてチャンバ７内からの排気を開始する。気体供給装置１０から送り出された気体は温度制御装置２１によって所定温度、たとえば３０℃に保たれてチャンバ内に供給される。この工程以降、チャンバ７内は負圧になり、チャンバ７外で筐体Ｐ内は加圧されていることになる。このため、筐体Ｐ内から塗布膜形成装置外部への気体の漏洩はほとんどなくなる。
【００３９】
次に、被塗布体１としてのウェハを被塗布体収納ケース１５から図示しないアームによって取り出しこのウェハをチャンバ７の周壁に開閉自在に形成された窓を通してチャック２上に固定し窓を閉める。チャンバ７に供給される直前の被塗布体１の温度は、実質的に筐体Ｐ外の温度よりも高い筐体Ｐ内温度である。
【００４０】
次に、ウェハ上に図示しない反射防止膜原料供給系から反射防止膜形成液を滴下し、続いてモータ４を回転開始する。
【００４１】
所定の回転数で所定時間運転し、反射防止膜の厚みが５０（ｎｍ）程度の所定値になった時点で回転を中止する。その後、ノズル６から塗布液５としてのレジスト液をウェハ面に向けて滴下する。このレジスト液は塗布液温度制御装置２２によって所定温度、たとえば３０℃に保たれている。
【００４２】
先に説明したように、チャンバ７内には３０℃の気流が供給されており、また３０℃に加熱されたレジスト液がウェハの上に塗布されるので、ウェハ上のレジスト液の温度は例えばほぼ３０℃に保たれる。
【００４３】
次に、被塗布体１をモータ４により所定の回転数で所定時間運転する。この運転によってウェハ上に滴下されているレジスト液が遠心力によってウェハ上全面に広がるとともにレジスト液中の溶媒が蒸発してウェハ上に固体上のレジスト膜が形成される。
【００４４】
そしてレジストの膜厚が、０．３〜０．７（μｍ）になった時点でモータ４を停止させウェハをチャンバ７外部に取り出して工程を終了する。
【００４５】
チャンバ７外に取り出されたウェハは、ロボットアーム（不図示）などにより所定の待機位置に移動された後、筐体Ｐ外へ窓５０から排出される。
【００４６】
なお、筐体Ｐ内部への吸気、排気系は電力と同様に通常クリーンルームの設備の一部として供給されているが塗布膜形成装置単独の付帯設備であっても良い。
【００４７】
また、筐体Ｐ内の雰囲気は、温度制御装置３２で制御され、筐体Ｐ内に設置された温度センサ３１、クリーンルーム内に設置された温度センサ３０によって、筐体Ｐ内温度は常にクリーンルーム温度よりも高くなるように制御されている。より好ましくは、筐体Ｐ内の温度が、筐体外のクリーンルーム内の温度に対して、７℃±５℃の温度範囲であればよい。
【００４８】
このような回転塗布工程において、塗布時間は被塗布体１上に塗布液５が滴下された時点から被塗布体１の表面に固体状のレジスト膜が形成されるまでの時間で定義される。
【００４９】
発明者らの研究によると、この塗布時間は塗布液中に含まれている溶媒の蒸発速度によって大きく左右され、塗布液５の温度をあげれば溶媒の蒸発速度が増加して塗布時間を短くできることが判明した。
【００５０】
すなわち、発明者らは、溶媒の物性値が判明している５種類の塗布液Ａ〜Ｅについて、被塗布体上の塗布液温度が２０℃、２３℃、２５℃、３０℃、３５℃のときにおける塗布時間を計算で求めてみた。その結果、表１に示す値が得られた。なお、この計算では被塗布体１の直径および回転数を一定として、かつ１（μｍ）の塗布厚みを得る条件にしている。
【表１】
0003655153.tif 000002
この表から分かるように、塗布液５の温度を高くすれば、溶媒の蒸発速度を増加させることができ、その結果、塗布時間を短縮することができる。
【００５１】
また、温度を上げすぎて溶媒の蒸発速度を増加させすぎると、レジスト液の表面部分が先に固体化しその下の部分では溶媒が残ってしまう現象が生じる。このような状態では逆に塗布時間が長くなる。したがって温度には上限があり、発明者らの研究では４０℃前後が上限である。
【００５２】
したがって、第１実施形態のように、温度制御装置２１および温度制御装置２２、温度制御装置３２を使って被塗布体１上の塗布液５の温度をクリーンルーム内の温度以上のたとえば３０℃以上とし蒸発速度が速すぎ表面に固体膜ができてしまう温度４０℃以下に保持することによって塗布時間を大幅に短縮することが可能となる。また、各温度制御手段２１、２２、３２を付加するだけで良いため、大幅な設計変更を必要としない。したがって、既存の装置にも適用できる。
【００５３】
なお、塗布液５を滴下する時間は被塗布体１の回転数を所定位置まで上昇させた後でも良い。また、気体供給装置１０および排気処理装置１２を動作させる時間も塗布液の滴下以前であれば良く、さらに連続運転させてもよい。さらに、ガス温度制御装置２１と塗布液温度制御装置２２、及び温度制御装置３２とを設けているが、一つの温度制御装置だけで被塗布体１上の塗布液の温度を所定に設定できる場合には、少なくとも設定可能な温度制御装置のみ設けても良い。また、各種条件によっては、温度制御装置３２のみによって筐体内温度を制御することもでき、同様な効果が得られる。
【００５４】
また、気体供給装置１０から供給される気体を温度制御装置２１にて所定の温度に制御して塗布膜形成装置内に供給しただけでも塗布時間の短縮効果は得られる。
【００５５】
また、被塗布体の温度は、キャリアガス、塗布液、収納ケース１５の温度のうち、少なくともいずれか一箇所と実質的に同一温度であっても塗布時間の短縮効果は得られる。
【００５６】
次に、本発明の塗布膜形成装置の第２実施形態の構成について図３を参照して説明する。
【００５７】
尚、以下の各実施形態において、第１実施形態と同一構成要素は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５８】
第２実施形態の特徴は、筐体Ｐに供給される筐体Ｐ外からの気体の温度をクリーンルームの温度よりも高くするように制御したことである。
【００５９】
筐体Ｐ外であって、クリーンルーム内に温度センサ３０が設けられる。筐体Ｐ内部には温度センサ３１が設けられる。温度センサ３０、３１は、温度制御装置３２に接続されている。温度制御装置３２は、筐体Ｐ外に設けられる筐体外加熱装置３４の温度制御を行っている。
【００６０】
このような構成によって、温度センサ３０、３１からの信号を元に、温度制御装置３２で筐体外加熱装置３４を制御する。加熱装置３４では、制御装置３２からの制御信号に基づいて筐体Ｐ内に供給される、クリーンルーム内を例えば上方から下方へ通流している気体を予め所定の温度例えば３０℃に調整し、筐体Ｐ内へ導入している。この気体は、筐体およびクリーンルーム内を所定のクラス（単位体積辺りに含有する所定の大きさを有する塵などの物質の数）にするために所定の方向（通常上方から下方）に常に循環しているものである。
【００６１】
以上述べたような第２実施形態では、筐体Ｐ内に導入される気体の温度をクリーンルーム内の温度よりも高く設定することにより筐体Ｐ内の温度をクリーンルーム内の温度よりも高く保持することにより、塗布時間を短縮して処理能力を向上させることができる。
【００６２】
また、筐体Ｐ内を通流する加熱装置３４からの気体は、筐体Ｐの上壁から流入され、下壁から流出されるため、筐体Ｐ内の温度をより均一に保つことができる。また、内部に導入される気体を筐体Ｐ外にて加熱するため、筐体Ｐ内での設置場所を余分に取ることがない。
【００６３】
次に、本発明の塗布膜形成装置の第３実施形態の構成について図４を参照して説明する。
【００６４】
第３実施形態の特徴は、塗布液タンク１４を冷却する冷却装置３５（塗布液温度制御装置）を設け、この冷却装置３５を使って塗布液タンク１４内に収容されている塗布液を、筐体Ｐ内温度よりも低い温度で保存させるようにしたことにある。
【００６５】
図４は、本発明の塗布膜形成装置の第３実施形態の構成図である。
【００６６】
筐体Ｐ内に載置される塗布液タンク１４を所望温度に保持する冷却装置３５が設けられる。通常、筐体Ｐ内の温度よりも低い温度例えば５度程度に塗布液タンク１４が保持されている。
【００６７】
これは、レジスト液は、温度変化に敏感で長時間にわたって高温下で保存されると劣化する可能性があるためである。第３実施形態のように、常時は冷却装置３５で塗布液タンク１４を冷却して塗布液を低温保存しておき、使用する際に必要な量だけ温度制御装置２２によって温度上昇させることにより保存される塗布液の温度による劣化を防ぐことができ、長寿命とすることができる。
【００６８】
以上述べたような第３実施形態では、筐体Ｐ内の温度をクリーンルーム内の温度よりも高く設定し保持することにより、塗布時間を短縮して処理能力を向上させることができる。
【００６９】
また、冷却装置３５により、塗布液の品質劣化を抑制し、より寿命を長くすることができる。
【００７０】
次に、本発明の塗布膜形成装置の第４実施形態の構成について図５を参照して説明する。
【００７１】
第４実施形態の特徴は、塗布液タンク１４のみを筐体Ｐ外のクリーンルーム内に設置したことにある。
【００７２】
図５は、本発明の塗布膜形成装置の第４実施形態の構成図である。
【００７３】
塗布液タンク１４を筐体Ｐ外であってクリーンルーム内に載置する。
【００７４】
このような構成であれば、クリーンルーム内の温度が例えば２０度以下の温度範囲であるので、レジスト膜となる塗布液の保存を行うことができる。
【００７５】
以上述べたような第４実施形態では、筐体Ｐ内の温度をクリーンルーム内の温度よりも高く設定し保持することにより、塗布時間を短縮して処理能力を向上させることができる。
【００７６】
また、塗布液タンク１４の取替えが頻繁である場合には、クリーンルーム内に塗布液タンク１４が載置されることにより容易に保管、交換などの作業を行うことができる。また、容易に保管、交換作業を行うことができ、塗布液の劣化を抑制する温度で保持するため長寿命となる。また、筐体Ｐ内での塗布液タンク１４の設置面積を少なくすることもできる。また、筐体Ｐ内に冷却源となる塗布液タンク１４が設けられないため、より効率よく均一に筐体Ｐ内の温度制御ができる。
【００７７】
次に、本発明の塗布膜形成装置の第５実施形態の構成について図６を参照して説明する。
【００７８】
第５実施形態の特徴は、被塗布体１であるウェハを収容している被塗布体収納ケース１５の温度測定センサ３８（被塗布体温度制御装置）と、筐体Ｐ外の温度センサ３７（被塗布体温度制御装置）及び温度制御装置３６（被塗布体温度制御装置）とによって予め設定された温度に制御されるように収納ケース１５をヒータ３９（被塗布体温度制御装置）によって温度制御可能な構成として、収納ケース１５のウェハを予め筐体Ｐの温度と略同一の温度に制御していることにある。
【００７９】
図６は、本発明の塗布膜形成装置の第５実施形態の構成図である。
【００８０】
収納ケース１５あるいは近傍に温度測定センサ３８が設けられる。筐体Ｐ外であってクリーンルーム内の温度を測定する温度センサ３７が設けられる。センサ３７、３８は、温度制御装置３６に接続され、各センサの出力が温度制御装置３６に入力される。温度制御装置３８からの制御信号は、収納ケース１５あるいは収納ケース近傍に設けられるヒータ３９に入力され、所望の温度に制御される。収納ケース１５の温度は、つまり被塗布体１の温度は、筐体Ｐ内の温度と実質的に同一温度となるよう制御されている。
【００８１】
尚、ヒータ３９の加熱エネルギは、電気に限らず蒸気などによっても同様の効果が得られる。
【００８２】
このような第５実施形態では、筐体Ｐ内の温度をクリーンルーム内の温度よりも高く設定し保持することにより、塗布時間を短縮して処理能力を向上させることができる。
【００８３】
また、被塗布体１の温度を所定の温度、例えば筐体Ｐ内の温度と実質的に同一な温度に制御することにより、塗布時間を短縮させ、またレジスト膜特性を均一にすることができる。また、被塗布体１の温度を所定の温度にまで上昇させる場合においても、予め筐体Ｐ内の温度と実質的に同一温度に保持されているため、温度上昇にかかる時間を短くすることができ、塗布時間を短くすることができる。
【００８４】
次に、本発明の塗布膜形成装置の第６実施形態の構成について図７を参照して説明する。
【００８５】
第６実施形態の特徴は、筐体Ｐ内に筐体Ｐ内気体を循環するための攪拌ファン４０（気体攪拌手段）が設けられていることにある。
【００８６】
図７は、本発明の塗布膜形成装置の第６実施形態の構成図である。
【００８７】
筐体Ｐ内の所望の位置に、筐体Ｐ内に通流する気体を循環、攪拌するファン４０が設けられる。ファン４０の取り付け位置は、加熱装置３３あるいは加熱装置３３近傍であれば、より好ましい。尚、ファン４０の個数、設置場所、送風方向、回転動作は、筐体Ｐ内に設置可能であればどのような条件であっても構わない。
【００８８】
このような構成により、ファン４０の動作によって、筐体４０内の雰囲気（気体）が攪拌しながら通流する。
【００８９】
以上述べたような第６実施形態では、筐体Ｐ内の温度をクリーンルーム内の温度よりも高く設定し保持することにより、塗布時間を短縮して処理能力を向上させることができる。
【００９０】
また、ファン４０によって筐体Ｐ内の気体を強制的に流通させ循環させることにより、筐体Ｐ内での温度均一性が促進され、その結果として塗布時間をより短くすることができる。
【００９１】
次に、本発明の塗布膜形成装置の第７実施形態の構成について図８を参照して説明する。
【００９２】
第７実施形態の特徴は、筐体Ｐ内に設置された収納ケース１５の外壁がなく設置されていることにある。
【００９３】
図８は、本発明の塗布膜形成装置の第７実施形態の構成図である。
【００９４】
筐体Ｐ内に設置される収納ケース１５には、複数の被塗布体１なるウェハが、所定間隔離間して積層されている。収納ケース１５は、外壁が設けられておらず、筐体Ｐ内の雰囲気と実質的に同一雰囲気となっている。つまり、筐体Ｐ内と収納ケース１５内との温度、湿度、圧力などの環境条件は、概ね同一である。
【００９５】
以上述べたような第７実施形態では、筐体Ｐ内の温度をクリーンルーム内の温度よりも高く設定し保持することにより、塗布時間を短縮して処理能力を向上させることができる。
【００９６】
また、収納ケース１５に外壁を設けないため、被塗布体１を所望の温度に加熱するための加熱装置が不要となり、常に筐体Ｐ内の温度と実質的に同一とすることができる。よって、被塗布体１を所定温度に上昇させるために必要な時間を短縮でき、塗布時間を短くすることができる。
【００９７】
次に、本発明の塗布膜形成装置の第８実施形態の構成について図９を参照して説明する。
【００９８】
第８実施形態の特徴は、温度制御装置２１、温度制御装置２２のほかに、チャック２を所定温度に保つチャック温度制御装置４１（ホルダ温度制御手段）を設けていることにある。
【００９９】
図９は、本発明の塗布膜形成装置の第８実施形態の構成図である。
【０１００】
チャック温度制御装置４１は、チャック２の周縁部に電気ヒータを取り付けて構成された加熱装置４２と、この加熱装置４２に外部から給電する回転トランス４３と、図示しない温度センサと、この温度センサで検出された温度が予め定められた温度となるように加熱装置４２の入力を制御する図示しない入力制御装置とで構成されている。
【０１０１】
このような構成であると、チャック２を常に所定温度に保つことができるので、被塗布体１を所定温度まで温度上昇させるのに必要な時間を短くでき、塗布時間をより一層短くできる。また、被塗布体１が温度制御されているため、塗布液５の蒸発速度を向上させることができる。
【０１０２】
なお、この例において、温度制御装置４１による温度管理だけで被塗布体上の塗布液５の温度を所定に設定できる場合には、他の温度制御装置を省略することができる。また、この例においても、図４に示される装置のように、塗布液を低温保存する手段を設けると効果的である。
【０１０３】
次に、本発明の塗布膜形成装置の第９実施形態の構成について図１０を参照して説明する。
【０１０４】
第９実施形態の特徴は、チャンバ７の外面を通してチャンバ７内の温度をこの種の装置が設けられるクリーンルームの温度以上の筐体Ｐの温度に保つチャンバ温度制御装置４４（チャンバ温度制御手段）を設けていることにある。
【０１０５】
温度制御装置４４は、電気ヒータ等で構成されてチャンバ７の外面に設けられた加熱装置４５と、チャンバ７内の下流雰囲気温度を検出する温度センサ４６と、この温度センサ４６で検出された温度が予め定められた所定値（筐体Ｐ内の温度）となるように加熱装置４５の入力を制御する入力制御装置４７とで構成されている。
【０１０６】
このような構成により、チャンバ７内の温度を温度センサ４６で検知し加熱装置４５でチャンバ７を加熱することにより、筐体Ｐ内の温度と、チャンバ７内の温度とを、実質的に同一温度に制御する。
【０１０７】
なお、温度制御装置４４による温度管理だけで被塗布体１上の塗布液５の温度を所定に保持できる場合には、他の温度制御装置を省略することができる。また、この例においても、図４に示される装置のように、塗布液を低温保存する手段を設けると効果的である。
【０１０８】
以上述べたような第１０実施形態では、筐体Ｐ内の温度をクリーンルーム内の温度よりも高く設定し保持することにより、塗布時間を短縮して処理能力を向上させることができる。
【０１０９】
また、チャンバ７内の温度を、筐体Ｐ内の温度と、実質的に同一にするため、より効率よく処理することができ、処理時間の短縮、レジスト膜特性の均一化が達成できる。
【０１１０】
尚、本発明は上記実施形態には限定されず、その主旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できることは言うまでもない。例えば、被塗布体として半導体ウェハを想定しているが、液晶基板などにも適用できる。また、チャンバ７内から排出される排出ガスは、所定の物質を排除する除害装置を通過させることにより環境に配慮した構成とすることもできる。
【０１１１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、装置設計を大幅に変えることなく、塗布時間の短縮化を図ることができ、生産性の向上に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の塗布膜形成装置の第１実施形態の構成図。
【図２】  本発明の塗布膜形成装置の動作の説明図。
【図３】  本発明の塗布膜形成装置の第２実施形態の構成図。
【図４】  本発明の塗布膜形成装置の第３実施形態の構成図。
【図５】  本発明の塗布膜形成装置の第４実施形態の構成図。
【図６】  本発明の塗布膜形成装置の第５実施形態の構成図。
【図７】  本発明の塗布膜形成装置の第６実施形態の構成図。
【図８】  本発明の塗布膜形成装置の第７実施形態の構成図。
【図９】  本発明の塗布膜形成装置の第８実施形態の構成図。
【図１０】  本発明の塗布膜形成装置の第９実施形態の構成図。
【図１１】  従来の塗布膜形成装置の構成図。
【符号の説明】
１  被塗布体
２  チャック
３  回転軸
４  モータ
５  塗布液
６  ノズル（塗布液供給手段）
７  チャンバ
８  気流導入口（ガス導入手段）
９  気流導入口（ガス排気手段）
１０  気体供給装置（ガス導入手段）
１１  排気ダクト（ガス排出手段）
１２  排気処理装置（ガス排出手段）
１３  塗布液供給ポンプ（塗布液供給手段）
１４  塗布液タンク（塗布液貯蔵部）
１５  塗布液収納ケース（被塗布体貯蔵部）
２１  ガス温度制御装置
２２  塗布液温度制御装置（塗布液温度制御手段）
２３、２４、４２、４５  加熱装置
２５、２６、４６  温度センサ
２７、２８、４７  入力制御装置
３０  温度測定センサ（温度制御装置）
３１  温度測定センサ（温度制御装置）
３２  温度制御装置（温度制御装置）
３３  筐体内加熱装置（温度制御装置）
３４  筐体外加熱装置
３５  冷却装置（塗布液温度制御装置）
３６  温度制御装置（被塗布体温度制御装置）
３７  温度センサ（被塗布体温度制御装置）
３８  温度測定センサ（被塗布体温度制御装置）
３９  ヒータ（被塗布体温度制御装置）
４０  ファン（気体攪拌手段）
４１  チャック温度制御装置（ホルダ温度制御手段）
４４  チャンバ温度制御装置（チャンバ温度制御手段）
４３  回転トランス
Ｐ  クリーンルーム内に設置される筐体
ＣＲ  クリーンルーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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