(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ並びに金属製底板と、互いに並置されている６個の可制御電力用半導体スイッチと、負荷電流端子とを備え、
前記金属製底板上には電気的に絶縁性で熱的に伝導性であって、導電路を載置した基板が配置されており、
前記各半導体スイッチは、各々導電路の１つに導電的に固定され、
前記負荷電流端子はパッケージ壁に接続されると共にパッケージの内部においてその下側にボンディング面を持ち、該ボンディング面がボンディングワイヤを介して可制御電力用半導体スイッチに電気的に接続されている電力用半導体モジュールにおいて、
ａ）互いに並置される電力用半導体スイッチ（１乃至６）の各々２つに少なくとも１つの付加的な導電路（３０乃至３２）が設けられ、
ｂ）この付加的な導電路がボンディング面（３５乃至４３）に直接或いは側方にずれて対向し、この際各付加的な導電路は、
ボンディング面（３５乃至４３）の１つ、
並置される２つの電力用半導体スイッチの少なくとも一方、及び
隣接した２つの電力用半導体スイッチの付加的な導電路
の少なくとも１つにボンディングワイヤを介して接続され、
ｃ）各々１つのボンディング面を備えた少なくとも６個の負荷電流端子が設けられ、
ｄ）互いに並置される２つの電力用半導体スイッチの導電路が該スイッチによって占められていない面を備え、直接ボンディングワイヤを介して相互に接続された
ことを特徴とする電力用半導体モジュール。
【請求項２】
パッケージが矩形形状に形成され、負荷電流端子（１５乃至１９）の少なくとも幾つかがパッケージの長手側面の１つに配置され、付加的な導電路が電力用半導体スイッチと長手側壁との間にあることを特徴とする請求項１記載の電力用半導体モジュール。
【請求項３】
互いに並置された電力用半導体スイッチの各々２つがそれぞれ１つの共通の基板（７、８、９）に配置されていることを特徴とする請求項１記載の電力用半導体モジュール。
【請求項４】
一方では第一、第三、第五の半導体スイッチの基板（７、８、９）及び導電路（２５、２７、２９）と、他方では第二、第四、第六の半導体スイッチの基板及び導電路（２４、２６、２８）とが互いに同一であることを特徴とする請求項３記載の電力用半導体モジュール。
【請求項５】
電力用半導体スイッチがＩＧＢＴであることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の電力用半導体モジュール。
【請求項６】
ＩＧＢＴの各々にそれぞれ１つのダイオード（４５）が逆並列接続されていることを特徴とする請求項５記載の電力用半導体モジュール。
【請求項７】
各電力用半導体スイッチが複数の並列接続された半導体デバイスからなることを特徴とする請求項１記載の電力用半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、パッケージと、電気的に絶縁性で熱的に伝導性であってその上に導電路を載置した基板が配置されている金属製底部と、互いに並置されている６個の可制御電力用半導体スイッチとを備え、この半導体スイッチがそれぞれ導電路の１つに導電的に固定され、さらにパッケージ壁に接続されると共にパッケージの内部においてその下側にボンディング面を持つ負荷電流端子を備え、このボンディング面がボンディングワイヤを介して可制御電力用半導体スイッチに電気的に接続されている電力用半導体モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
このような電力用半導体モジュールは市販されており、例えば１９９３／９４年版カタログ「エスアイピーエムオーエス半導体（ＳＩＰＭＯＳ  Ｈａｌｂｌｅｉｔｅｒ）」３５頁に記載されている。この半導体モジュールは電力用半導体スイッチとして、３相整流器ブリッジに接続された６個の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）を有している。このモジュールは２個の直流端子と３個の交流端子とを備えている。これらの端子を通じて負荷電流が流れる。
【０００３】
前述の種類の電力用半導体モジュールを例えばそれぞれ２倍の負荷電流に耐える３個の個別スイッチの形で或いは３相整流器モジュールの３倍の負荷電流に耐えるブリッジ分岐として使用することがユーザー側からしばしば望まれている。従来このためには導電路のレイアウト変更を必要とした。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の課題は、上述の種類の電力用半導体モジュールを改良して、複数の回路変形をパッケージ内のボンディング接続の変更のみで実現することができるようにすることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この課題は、この発明によれば、
ａ）互いに並置される電力用半導体スイッチの各々２つに少なくとも１つの付加的な導電路が設けられ、
ｂ）この付加的な導電路の各々がボンディング面の１つ及び／又は互いに並置される２つの電力用半導体スイッチの少なくとも１つに及び／又は隣接した電力用半導体スイッチの付加的な導電路にボンディングワイヤを介して接続可能であり、
ｃ）各々１つのボンディング面を備えた少なくとも６個の負荷電流端子が設けられ、
ｄ）互いに並置される２つの電力用半導体スイッチの導電路が直接ボンディングワイヤを介して接続される
ことによって解決される。
【０００６】
この発明の実施態様は請求項２以降に記載されている。
【０００７】
【実施例】
この発明を図１乃至４に関連して２つの実施例を参照して詳細に説明する。
【０００８】
図１に示す電力用半導体モジュールは１０は絶縁枠１１が固定されている金属製底部１２を有している。絶縁枠１１はモジュール１０の壁を形成し、負荷電流端子１３乃至２１を有している。絶縁枠１１には蓋が被せてあるが、図では示されていない。この蓋と枠とでパッケージを形成している。
【０００９】
底部１２の上に基板７、８、９が固定されている。これらは例えば酸化アルミニウムＡｌ2 Ｏ3 、窒化アルミニウムＡｌＮからなる。その下側に金属膜を備え、これを介して基板７、８、９が底部１２と例えばろう付けにより接続されている。基板７、８、９の上側には導電路２４、２５、２６、２７、２８、２９が設けられている。これらの導電路はそれぞれ電力用半導体スイッチ１、２、３、４、５、６を支持している。半導体スイッチは例えばＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）で、その各々にフリーホイールダイオードが逆並列接続されている。電力用半導体スイッチ１においてこのダイオードは符号４５で示されているが、他のスイッチではこのダイオードは分かり易くするため省略されている。半導体スイッチはまたＭＯＳＦＥＴ或いは他の互いに並列接続された半導体デバイスからなることもできる。
【００１０】
互いに並置される２つの半導体スイッチにはそれぞれ１つの付加的な導電路３０、３１、３２が付設されている。付加的な導電路は好ましくは半導体スイッチの導電路と少なくとも１つの負荷電流端子との間にある。電力用半導体モジュール１０が矩形形状を持つ場合、負荷電流端子の大部分はパッケージの長手側面に配置される。この場合負荷電流端子１５、１６、１７、１８及び１９がそれである。その中３つの負荷電流端子１９、１７及び１５は３相Ｕ、Ｖ及びＷの交流側端子である。パッケージの短手側面の端子２０、１４はマイナス側の直流電圧端子であり、端子２１、１３はプラス側の端子である。しかしまた直流電圧をそれぞれ負荷電流端子１３、１４或いは２０、２１に印加することでも充分である。
【００１１】
モジュールの内部配線は専らボンディング接続により行われる。このために負荷電流端子２１乃至１３は下端にボンディング面３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２及び４３を備えている。これらのボンディング面はパッケージの内部に突出している。負荷電流端子の上側は好ましくはピンとして形成され、これを介してモジュールが回路板にフローソルダリングで接続される。
【００１２】
３相整流器ブリッジとして接続されたモジュールの負荷電流は個々には次のように、即ち端子１９─ボンディング面３７─導電路２４─ＩＧＢＴ２のコレクタ─ＩＧＢＴ２のエミッタ─導電路３０─ボンディング面３６─端子２０に流れる。その他に電流は端子１３／２１から導電路２５─ＩＧＢＴ１のコレクタ─ＩＧＢＴ１のエミッタ─導電路２４─ボンディング面３７─負荷電流端子１９に流れる。
【００１３】
負荷電流端子１７から電流はボンディング面３９─導電路２６─ＩＧＢＴ４のコレクタ─ＩＧＢＴ４のエミッタ─導電路３１─導電路３０／３２を介して負荷電流端子２０／１４に流れる。その他に電流は端子１３／２１から導電路２７─ＩＧＢＴ３のコレクタ─ＩＧＢＴ３のエミッタ─導電路２６─導電路２５／２９を介して負荷電流端子１７に流れる。
【００１４】
負荷電流端子１５から電流はそのボンディング面４１─導電路２８─ＩＧＢＴ６のコレクタ─ＩＧＢＴ６のエミッタ─導電路３２─ボンディング面４２を介して負荷電流端子１４に及び導電路３１、３０を介して負荷電流端子１４／２０に流れる。更に電流は負荷電流端子１３／２１から導電路２５、２７、２９─ＩＧＢＴ５のコレクタ─ＩＧＢＴ５のエミッタ─導電路２８─ボンディング面４１を介して負荷電流端子１５に流れる。
【００１５】
図１においてはより分かり易くするためモジュール内の電気的接続はそれぞれ３本のボンディングワイヤで表されている。大電流の場合はそれ以上の、例えば１０乃至１５本の並列のボンディングワイヤが使用されることは勿論である。このようなボンディングワイヤが例えば４００μｍの直径を持つならば、これにより例えば３×１２０Ａの負荷電流を持つ３相整流器ブリッジが実現される。逆並列接続されたダイオードはＩＧＢＴのエミッタ側のボンディング支持点を形成する。
【００１６】
図２による電力用半導体モジュールは、ボンディングワイヤで接続された内部の電気接続を除いて図１による電力用半導体モジュールと同じ構造を持っている。半導体スイッチもしくはＩＧＢＴの符号はここでは分かり易くするため省略されている。負荷電流端子及び導電路並びにボンディング面は図１と同じ符号を付けられている。
【００１７】
図２の電力用半導体モジュールは３個の個別スイッチを実現している。即ちこれらにおいてはそれぞれ半導体スイッチ１及び２、３及び４、５及び６が導電路２４及び２５、２６及び２７、２８及び２９の間のボンディング接続により並びに２つの隣接するＩＧＢＴ１及び２、３及び４、５及び６とそれぞれ付設される付加的な導電路３０、３１、３２との間のボンディング接続により互いに並列接続されている。ＩＧＢＴ１及び２並びに逆並列に接続されたダイオードからなる第一の個別スイッチに対して負荷電流端子１９はマイナス側の端子Ｎ−であり、負荷電流端子２０はプラス側の端子Ｐ＋である。個々には負荷電流端子１９から負荷電流端子２０への電気的接続はボンディング面３７─導電路３０─ＩＧＢＴ１／ＩＧＢＴ２のエミッタ─導電路２４／２５─ボンディング面３６−負荷端子２０を介して行われる。ＩＧＢＴ３及び４からなる第二の個別スイッチに対しては負荷電流端子１７はプラス側の端子Ｐ＋であり、負荷電流端子１６はマイナス側の端子Ｎ−である。負荷電流端子１７及び１６は、ボンディング面３９─導電路２６／２７─ＩＧＢＴ３／ＩＧＢＴ４のコレクタ─ＩＧＢＴ３／ＩＧＢＴ４のエミッタ─導電路３１─ボンディング面４０─負荷電流端子１６を介して接続されている。
【００１８】
ＩＧＢＴ５及び６からなる第三の個別スイッチに対しては負荷電流端子１５はマイナス側の直流電圧端子Ｎ−であり、負荷電流端子１４はプラス側の直流電圧端子Ｐ＋である。両者はボンディング面４１─導電路３２─ＩＧＢＴ５／ＩＧＢＴ６のエミッタ─ＩＧＢＴ５／ＩＧＢＴ６のコレクタ─導電路２８／導電路２９─ボンディング面４２─負荷電流端子１４を介して接続されている。
【００１９】
モジュールの他の長手側面に設けられている端子は適当なボンディング面を介してＩＧＢＴのゲート接点及び場合によっては補助エミッタ接点と接続されている制御端子である。より分かり易くするためにこれらの本発明にとって重要でないコンポーネントには符号が付されていない。
【００２０】
この発明にとって重要なことは、少なくとも６個の負荷電流端子が設けられていることである。これらの負荷電流端子のボンディング面は選択的に付加的な導電路の１つに或いはＩＧＢＴを備えた導電路の１つに接続可能でなければならない。このために付加的な導電路はボンディング面に直接或いは側方にずれて対向していなければならない。パッケージの長手側面には付加的な導電路が、好ましくは、ボンディング面と他の導電路との間に存在する。
【００２１】
互いに隣接する導電路２５及び２７、２７及び２９（図１）並びに２４及び２５、２６及び２７、２８及び２９（図２）をボンディングワイヤによって接続するためにこれら導電路は半導体スイッチによって占められていない面を備える。
【００２２】
３倍の負荷電流のためのブリッジ分枝は図１のモジュールにおいて端子１５、１７、１９を互いに接続することによって得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】３相整流器ブリッジに接続されているこの発明による電力用半導体モジュールの平面図。
【図２】３個の個別スイッチを含むこの発明による電力用半導体モジュールの平面図。
【図３】図１によるモジュールの回路図。
【図４】図２によるモジュールの回路図。
【符号の説明】
１〜６        電力用半導体スイッチ
１０          パッケージ
１３〜２１    負荷電流端子
２４〜２９    導電路
３０〜３２    付加導電路
３５〜４３    ボンディング面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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