(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に光半導体素子が載置される載置部を有する略四角形の基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に複数の貫通孔が形成された平面視形状が略四角形の金属製の枠体と、前記貫通孔よりも小さい開口形状の複数の貫通穴が前記貫通孔と同じ配置で両主面間を貫通するように形成されたセラミックスから成る平板部および前記複数の貫通穴にそれぞれ挿着された複数のリード端子から成り、前記複数の貫通孔に前記複数のリード端子がそれぞれ挿入されるとともに前記平板部の一主面が前記側部の外面にロウ付された入出力端子とを具備した光半導体素子収納用パッケージにおいて、前記平板部は、前記一主面と端面との間の稜部が全周にわたって平面的に面取りされており、かつ前記一主面の面取り部以外の部位にメタライズ層が形成されていることを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記面取り部は、前記平板部の一主面から連続する傾斜面となっている第一平面と、前記平板部の端面に略垂直な第二平面とから成っていることを特徴とする請求項１記載の光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記枠体は鉄−ニッケル−コバルト合金から成り、前記平板部は酸化アルミニウム質焼結体から成ることを特徴とする請求項１または請求項２記載の光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された光半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光半導体素子を収納するための光半導体素子収納用パッケージに関し、特に枠体に設けられる入出力端子を改良したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マイクロ波帯やミリ波帯等の高周波信号を用いる半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子を収納するための光半導体素子収納用パッケージ（以下、光半導体パッケージという）を図３に示す。同図において、１０１は基体、１０２は枠体、１０３は入出力端子、１０５は光半導体素子を示す。これら基体１０１、枠体１０２、入出力端子１０３、蓋体（図示せず）とで、光半導体素子１０５を光半導体パッケージ内に収容する容器が基本的に構成される。
【０００３】
基体１０１は、上側主面に光半導体素子１０５を載置する載置部１０１ａを有し、載置部１０１ａには光半導体素子１０５が金（Ａｕ）−シリコン（Ｓｉ）ロウ材等の接着剤により接着固定されるものであり、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属材料から成る。
【０００４】
枠体１０２は、基体１０１の上側主面に載置部１０１ａを囲繞するように銀ロウ等のロウ材で接合され、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成る。
【０００５】
枠体１０２の一側部には複数の貫通孔が形成され、図４に示すように、その貫通孔よりも小さい開口形状の貫通穴１０６が複数同じ配置で両主面間を貫通するように形成されたセラミックスから成る平板部１０３ａおよび複数の貫通穴１０６にそれぞれ挿着されたリード端子１０４から成る入出力端子１０３が、複数の貫通孔にリード端子１０４がそれぞれ挿入されるとともに一主面が枠体の側部の外面にロウ付されて接合される。なお、図４（ａ）は入出力端子１０３の正面図、（ｂ）は（ａ）のＢ方向からみた側面図である。
【０００６】
この入出力端子１０３は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）等のセラミックスから成る平板部１０３ａおよびリード端子１０４から構成され、平板部１０３ａにはリード端子１０４を挿着するための複数の貫通穴１０６が形成されている。また、枠体１０２に接合する側の主面にはモリブデン（Ｍｏ）−マンガン（Ｍｎ），Ｗ等から成る金属ペーストを焼結したメタライズ層が形成され、枠体１０２に銀ロウ等のロウ材で接合される。
【０００７】
リード端子１０４は、入出力端子１０３の貫通穴１０６に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、外部電気回路と光半導体素子１０５との高周波信号の入出力を行うものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成る。
【０００８】
枠体１０２の他の側部にはさらに貫通孔が形成され、その貫通孔に筒状の光ファイバ固定部材１０８が嵌着されている。この光ファイバ固定部材１０８は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、例えばＦｅ−Ｎｉ合金のインゴット（塊）をプレス加工により所定の筒状に製作される。光ファイバ固定部材１０８は、光ファイバ（図示せず）を挿通可能な貫通孔を有する筒体であり、枠体１０２内側の端部がサファイアやガラス等の透光性材料から成る窓部材で塞がれており、外側端部から光ファイバの一端が挿通固定される。また、光ファイバはその先端部に金属製フランジが設けられており、金属製フランジを光ファイバ固定部材１０８の外側端部にＹＡＧレーザ溶接法等で溶接することにより枠体１０２に固定される。これにより、光ファイバを介して内部に収容する光半導体素子１０５と外部との光信号の授受が可能となる。
【０００９】
また、リード端子１０４の枠体１０２外側の部位は、外部電気回路との高周波信号の入出力を行う機能を有し、外部装置にそのままロウ付等で接合される。リード端子１０４の枠体１０２内側の部位には、光半導体素子１０５と電気的に接続するためのボンディングワイヤが接合される。
【００１０】
そして、基体１０１の載置部１０１ａに光半導体素子１０５を接着固定し、光半導体素子１０５の電極をボンディングワイヤを介してリード端子１０４に接続する。次に、枠体１０２の上面に蓋体を接合し、基体１０１と枠体１０２と入出力端子１０３と蓋体とから成る容器内部に、光半導体素子１０５を気密に収容する。最後に、枠体１０２の光ファイバ固定部材１０８に光ファイバの一端を挿通させるとともに、これを半田等の接着剤やレーザ溶接によって接合し、光ファイバを枠体１０２に固定することによって、最終製品としての光半導体装置となる。そして、光ファイバを介して内部に収容する光半導体素素子１０５と外部との光信号の授受が可能となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体パッケージは、枠体１０２に入出力端子１０３の平板部１０３ａをロウ付けした際に平板部１０３ａの接合面の端に隙間が発生し、光半導体素子１０５の気密性が劣化するという問題点があった。これは、平板部１０３ａがセラミックスから成るため殆どの場合反りが生じており、平板部１０３ａが枠体１０２の側部と完全に密着することが困難であることに原因がある。
【００１２】
即ち、図６に示すように、平板部１０３ａの凸となっている側の主面を枠体１０２に接合しているため、その主面全面にロウ付用のメタライズ層を形成していても、主面の端に隙間が生じているため、主面の端のメタライズ層にはロウ材が流れ出てこなくなる。その結果、平板部１０３ａの接合される主面の端にロウ材の隙間１１０が発生し、その隙間１１０によって接合強度が低下するとともに気密性が劣化していた。
【００１３】
また、このような従来の構成では、入出力端子１０３のリード端子１０４が傾いて、光半導体素子１０５の電極とリード端子１０４がボンディングワイヤで接続されるべき所定の位置からずれ易くなり、光半導体素子１０５と入出力端子１０３との電気的接続を行うためのボンディングワイヤの長さが長くなる部位が生じる。このため、その部位におけるインピーダンスが大きくなる。その結果、光半導体素子１０５と入出力端子１０３との高周波信号の伝送特性が損なわれるという問題点を有していた。
【００１４】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、枠体と入出力端子との間の隙間の発生を抑えて光半導体素子の気密性および高周波信号の伝送特性を良好なものとすることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体パッケージは、上側主面に光半導体素子が載置される載置部を有する略四角形の基体と、前記上側主面に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に複数の貫通孔が形成された平面視形状が略四角形の金属製の枠体と、前記貫通孔よりも小さい開口形状の複数の貫通穴が前記貫通孔と同じ配置で両主面間を貫通するように形成されたセラミックスから成る平板部および前記複数の貫通穴にそれぞれ挿着された複数のリード端子から成り、前記複数の貫通孔に前記複数のリード端子がそれぞれ挿入されるとともに前記平板部の一主面が前記側部の外面にロウ付された入出力端子とを具備した光半導体素子収納用パッケージにおいて、前記平板部はその一主面と端面との間の稜部が全周にわたって平面的に面取りされており、かつ前記一主面の面取り部以外の部位にメタライズ層が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明は、上記の構成により、平板部の面取り部には接合用のメタライズ層が形成されていないため、ロウ材が平板部の端の面取り部にはみ出してくることがなく、平板部の端にロウ材の隙間が形成されない。従って、枠体と入出力端子とを隙間をなくして強固に接合することができる。その結果、光半導体素子の気密性を良好なものとすることができる。また、入出力端子のリード端子が傾くことが抑えられるため、リード端子先端部は光半導体素子の電極に対して常に接続されるべき所定位置にあることになる。そのため、それらを電気的に接続するボンディングワイヤの長さを極端に長くしなければならない部位を発生させることがなくなる。従って、ボンディングワイヤの長さをいずれの部位においても常に所定の長さとでき、インピーダンスが常に一定となる。従って、光半導体素子と入出力端子との間での高周波信号の伝送特性が常に良好となる。
【００１７】
本発明において、好ましくは、前記面取り部は、前記平板部の一主面から連続する傾斜面となっている第一平面と、前記平板部の端面に略垂直な第二平面とから成っていることを特徴とする。
【００１８】
本発明は、上記の構成により、平板部の強度が向上し、平板部をプレス成形法で成形する際に欠けの発生を防止することができる。
【００１９】
また本発明において、好ましくは、前記枠体は鉄−ニッケル−コバルト合金から成り、前記平板部は酸化アルミニウム質焼結体から成ることを特徴とする。
【００２０】
本発明は、上記の構成により、枠体の熱膨張係数が１０〜１１ｐｐｍ／℃（×１０-6／℃）となり、平板部の熱膨張係数が７〜８ｐｐｍ／℃となって、これらの熱膨張係数が近似しているので、これらを接合する際に熱膨張係数差により発生する応力をより小さくして確実にクラックや割れの発生を防止できる。
【００２１】
本発明の光半導体装置は、本発明の光半導体パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された光半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００２２】
本発明は、上記の構成により、上記本発明の光半導体パッケージを用いた信頼性の高い光半導体装置を提供できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体パッケージについて以下に詳細に説明する。図１は本発明の半導体パッケージについて実施の形態の例を示す上面図であり、図２は図１の半導体パッケージの入出力端子であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ方向からみた側面図、（ｃ）は（ｂ）の面取り部（Ｃ面部）の拡大図である。
【００２４】
本発明の基体１は、その上側主面に半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子５が載置される載置部１ａを有し、略四角形の形状である。この基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｃｕ−Ｗ等の金属材料、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体等の焼結体（セラミックス）から成る。金属材料から成る場合、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。一方、セラミックスから成る場合、その原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成し、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法によってセラミックグリーンシートと成し、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層し焼成することによって作製される。
【００２５】
なお、基体１が金属材料から成る場合、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層をメッキ法により順次被着しておくのがよく、基体１が酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、基体１の上側主面の載置部１ａに光半導体素子５を強固に接着固定することができる。一方、基体１がセラミックスから成る場合、光半導体素子５を載置する載置部１ａに耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層をメッキ法により順次被着しておくのがよく、基体１の上側主面の載置部１ａに光半導体素子５を強固に接着固定することができる。
【００２６】
枠体２は、基体１の上側主面に載置部１ａを囲繞するように取着され、側部に複数の貫通孔２ａが形成された平面視形状が略四角形のものである。この枠体２は好ましくはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成り、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴットをプレス加工により所定の枠状となすことによって製作される。また、枠体２の他の側部にはさらに他の貫通孔２ｂが形成され、内部に収容する光半導体素子５との間で光信号を授受するための光ファイバが挿通固定される筒状の光ファイバ固定部材８が貫通孔２ｂに嵌着され、銀ロウ等のロウ材を介して接合される。
【００２７】
本発明の入出力端子３は、枠体２の貫通孔２ａよりも小さい開口形状の複数の貫通穴６が貫通孔２ａと同じ配置で両主面間を貫通するように形成されたセラミックスから成る平板部３ａおよび複数の貫通穴６にそれぞれ挿着された複数のリード端子４から成り、複数の貫通孔２ａに複数のリード端子４がそれぞれ挿入されるとともに平板部３ａの一主面が枠体２側部の外面にロウ付されており、平板部３ａはその一主面と端面との間の稜部が全周にわたって平面的に面取りされており、かつ一主面の面取り部以外の部位にメタライズ層が形成されている。
【００２８】
上記のように平板部３ａの貫通穴６が枠体２の貫通孔２ａよりも小さい開口形状であることから、リード端子４が貫通孔２ａの内面に接触せずショートすることがない。また、リード端子４の貫通穴６への固定を確実にするために、リード端子４の途中に鍔部を設け、その鍔部を貫通穴６の平板部３ａの非接合面側の開口の周囲にロウ付けしてもよい。その場合、貫通穴６の平板部３ａの非接合面側の開口の周囲に、鍔部と略同形のメタライズ層を形成しておけばよい。
【００２９】
入出力端子３の平板部３ａは、好ましくは酸化アルミニウム質焼結体から成り、図２に示すようにリード端子４を挿入するための貫通穴６を有している。また、枠体２に接合する側の主面（接合面）にはＭｏ−Ｍｎ，Ｗ等から成る金属ペーストを焼結したメタライズ層が形成され、枠体２の外面に銀ロウ等のロウ材で接合される。入出力端子３の長さは、光半導体素子５の仕様および寸法に応じて適宜設定されるが、具体的には１８〜３０ｍｍ程度である。
【００３０】
枠体２が好ましくはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成り、入出力端子３の平板部３ａが好ましくは酸化アルミニウム質焼結体から成ることにより、枠体の熱膨張係数が１０〜１１ｐｐｍ／℃となり、平板部の熱膨張係数が７〜８ｐｐｍ／℃となって、これらの熱膨張係数が近似しているので、これらを接合する際に熱膨張係数差により発生する応力をより小さくして確実にクラックや割れの発生を防止できる。
【００３１】
図２の（ｂ）、（ｃ）に示すように、平板部３ａの枠体２に接合される側の主面の端に、Ｃ面部７をバレル研磨等の研磨加工により全周にわたって形成する。Ｃ面部７にはロウ材が回り込まないようにメタライズ層は形成せず、枠体２に接合する主面にのみメタライズ層を形成する。これにより、Ｃ面部７が形成された平板部３ａを枠体２にロウ付する際に、Ｃ面部７にロウ材がはみ出してくることがなくなり、平板部の端にロウ材の流れ出しによる隙間が形成されない。従って、枠体と入出力端子とを隙間をなくして強固に接合することができる。即ち、Ｃ面部７が隙間の発生を抑える機能を有することになり、その結果、光半導体素子５の気密性を良好にすることができる。
【００３２】
具体的には、図７に示すように、平板部３ａはほとんどの場合反っており、その凸となっている側の主面を枠体２に接合しており、Ｃ面部７以外の主面にロウ付用のメタライズ層３ｂを形成する。これにより、ロウ材３ｃはＣ面部７に流れ出ることはなく、平板部３ａの接合される主面の端にロウ材３ｃの隙間が発生することはない。
【００３３】
また、リード端子４が傾かないため、リード端子４の先端部が光半導体素子５の電極に対して、常に接続されるべき所定位置にあることになる。そのため、それらを電気的に接続するボンディングワイヤの長さを極端に長くしなければならない部位を発生させることがなくなる。従って、ボンディングワイヤの長さをいずれの部位においても常に一定とでき、インピーダンスが常に一定となる。そのため、光半導体素子５と入出力端子３との間で高周波信号の伝送特性が常に良好となる。
【００３４】
また、図２（ｃ）に示すようにＣ面部７は、平板部３ａの接合される一主面（接合面）から連続する傾斜面となっている第一平面７ａと、平板部３ａの端面に略垂直な第二平面７ｂとから成っていることが好ましい。第二平面７ｂを設けることによって平板部３ａの強度が向上し、平板部３ａをプレス成形法で成形する際に欠けの発生を防止することができる。
【００３５】
第二平面７ｂの幅Ｘは０．０２ｍｍ以上とするのが好ましい。０．０２ｍｍ未満の場合、バレル研磨等による加工が困難になるとともに、平板部３ａをプレス成形法で成形する際に欠けが発生し易くなる。第二平面７ｂの幅Ｘと第一平面７ａの幅Ｙの比Ｘ／Ｙは０．２〜０．６とするのが好ましい。０．２未満の場合、枠体２と平板部３ａ間に隙間ができて接合強度が低下し、光半導体素子５の気密性が劣化し易くなる。０．６を超えると、平板部３ａの枠体２との接合面積が減少して光半導体素子５の気密性が劣化し易くなる。
【００３６】
また、図５に示すように、平板部３ａの幅Ｃに対するＸ＋Ｙの比（Ｘ＋Ｙ）／Ｃは０．０２〜０．１５が好ましく、平板部３ａの厚さＤに対するＣ面部７の厚さ方向の幅Ｙ１の比Ｙ１／Ｄは０．１〜０．３であることが好ましい。（Ｘ＋Ｙ）／Ｃが０．０２未満でありかつＹ１／Ｄが０．１未満の場合、枠体２に平板部３ａをロウ付した際に発生する応力を緩和するのが困難になり、平板部３ａにクラックや割れが発生し易くなる。（Ｘ＋Ｙ）／Ｃが０．１５を超えかつＹ１／Ｄが０．３を超える場合、平板部３ａの枠体２に対する接合面積が減少し剥がれが発生し易くなる。
【００３７】
Ｃ面部７と平板部３ａの接合面とのなす角度は２０〜８０°程度が好ましい。２０°未満では、枠体２に入出力端子３の平板部３ａを接合する際に発生する応力を十分に緩和することが困難になり、平板部３ａにクラックや割れが発生しやすくなる。８０°を超えると、平板部３ａをプレス成形法で成形する際にＣ面部７付近に欠けが発生し易くなる。
【００３８】
リード端子４は、入出力端子３の貫通穴６に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、外部電気回路と光半導体素子５との高周波信号の入出力を行うものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成る。
【００３９】
光ファイバ固定部材８は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、例えばＦｅ−Ｎｉ合金のインゴット（塊）をプレス加工により所定の筒状に製作される。この光ファイバ固定部材８は、光ファイバ（図示せず）を挿通可能な貫通孔を有する筒体であり、枠体２内側の端部がサファイアやガラス等の透光性材料から成る窓部材で塞がれており、外側端部から光ファイバの一端が挿通固定される。また、光ファイバは、その先端部に金属製フランジが設けられており、その金属製フランジをＹＡＧレーザ溶接法等で光ファイバ固定部材８の外側端部に溶接することにより枠体２に固定される。これにより、光ファイバを介して内部に収容する光半導体素子５と外部との光信号の授受が可能となる。
【００４０】
また、リード端子４の枠体２外側の部位は、外部電気回路との高周波信号の入出力を行う機能を有し、外部装置にそのままロウ付等で接合される。リード端子４の枠体２内側の部位には、光半導体素子５と電気的に接続するためのボンディングワイヤが接合される。
【００４１】
そして、基体１の載置部１ａに光半導体素子５が接着固定され、光半導体素子５の電極をボンディングワイヤを介してリード端子４に接続する。次に、枠体２の上面に蓋体を接合し、基体１と枠体２と入出力端子３と蓋体とから成る容器内部に、光半導体素子５を気密に収容する。最後に、枠体２の光ファイバ固定部材８に光ファイバの一端を挿通させるとともに、これを半田等の接着剤やレーザ溶接によって接合し、光ファイバを枠体２に固定することによって、最終製品としての光半導体装置となる。そして、光ファイバを介して内部に収容する光半導体素素子５と外部との光信号の授受が可能となる。
【００４２】
かくして、本発明は、入出力端子の平板部はその一主面と端面との間の稜部が全周にわたって平面的に面取りされており、かつ一主面の面取り部以外の部位にメタライズ層が形成されていることにより、枠体と入出力端子の平板部との間に隙間が生じるのを抑えることができ、枠体と入出力端子を強固に接合することができる。その結果、半導体素子の気密性を良好なものとすることができる。また、リード端子が傾かないため、リード端子先端部は光半導体素子の電極に対して、常に接続されるべき所定位置にあることになる。そのため、それらを電気的に接続するボンディングワイヤの長さを極端に長くしなければならない部位を発生させることがなくなる。従って、ボンディングワイヤの長さをいずれの部位においても常に一定とでき、インピーダンスが常に一定となる。そのため、光半導体素子と入出力端子との間で高周波信号の伝送特性が常に良好となる。
【００４３】
本発明の光半導体装置は、本発明の光半導体パッケージと、載置部に載置固定されるとともに入出力端子に電気的に接続された光半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことにより、本発明の光半導体パッケージを用いた信頼性の高い光半導体装置を提供できる。
【００４４】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【００４５】
【発明の効果】
本発明は、枠体に形成された複数の貫通孔よりも小さい開口形状の複数の貫通穴が貫通孔と同じ配置で両主面間を貫通するように形成されたセラミックスから成る平板部および複数の貫通穴にそれぞれ挿着された複数のリード端子から成り、複数の貫通孔に複数のリード端子がそれぞれ挿入されるとともに平板部の一主面が枠体側部の外面にロウ付された入出力端子を具備し、平板部はその一主面と端面との間の稜部が全周にわたって平面的に面取りされており、かつ一主面の面取り部以外の部位にメタライズ層が形成されていることにより、ロウ材が平板部の端の面取り部にはみ出してくることがなくなり、平板部の端にロウ材の流れ出しによる隙間が形成されない。従って、枠体と入出力端子とを隙間をなくして強固に接合することができる。その結果、光半導体素子の気密性を良好なものとすることができる。また、入出力端子のリード端子が傾くことが抑えられるため、リード端子先端部は光半導体素子の電極に対して常に接続されるべき所定位置にあることになる。そのため、それらを電気的に接続するボンディングワイヤの長さを極端に長くしなければならない部位を発生させることがなくなる。従って、ボンディングワイヤの長さをいずれの部位においても常に所定の長さとでき、インピーダンスが常に一定となる。従って、光半導体素子と入出力端子との間での高周波信号の伝送特性が常に良好となる。
【００４６】
本発明は、好ましくは面取り部は平板部の一主面から連続する傾斜面となっている第一平面と平板部の端面に略垂直な第二平面とから成っていることにより、平板部の強度が向上し、平板部をプレス成形法で成形する際に欠けの発生を防止することができる。
【００４７】
本発明は、好ましくは枠体は鉄−ニッケル−コバルト合金から成り、平板部は酸化アルミニウム質焼結体から成ることにより、枠体と平板部の熱膨張係数が近似し、これらを接合する際に熱膨張係数差により発生する応力をより小さくして確実にクラックや割れの発生を防止できる。
【００４８】
本発明の光半導体装置は、本発明の光半導体パッケージと、載置部に載置固定されるとともに入出力端子に電気的に接続された光半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことにより、上記本発明の光半導体パッケージを用いた信頼性の高い光半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の例を示す平面図である。
【図２】図１の半導体パッケージの入出力端子であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ方向からみた側面図、（ｃ）は（ｂ）のＣ面部の拡大図である。
【図３】従来の半導体パッケージの平面図である。
【図４】図３の半導体パッケージの入出力端子であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＢ方向からみた側面図である。
【図５】本発明の半導体パッケージにおける入出力端子の平板部の側面図である。
【図６】従来の半導体パッケージにおける入出力端子の平板部の側面図である。
【図７】本発明の半導体パッケージにおける入出力端子の平板部の側面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
３：入出力端子
４：リード端子
５：光半導体素子
６：貫通穴
７：Ｃ面部
【図１】
0003696817.tif 000002
【図２】
0003696817.tif 000003
【図３】
0003696817.tif 000004
【図４】
0003696817.tif 000005
【図５】
0003696817.tif 000006
【図６】
0003696817.tif 000007
【図７】
0003696817.tif 000008