(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査信号が順次供給される複数の走査線と、
前記複数の走査線に交差し、画像信号が供給される複数のデータ線と、
前記複数の走査線とデータ線に対応して設けられた複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタに対応して設けられた複数の画素電極と、
画面表示領域の輪郭に沿って形成された遮光性の周辺見切りと、
前記複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を前記画像信号に先行して夫々供給するプリチャージ回路と、
前記周辺見切りに対向する位置において、前記走査線上に絶縁膜を介して形成される導電体であり、前記プリチャージ回路に接続された信号線と、を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記導電体の幅は、前記周辺見切りの幅より狭いことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
走査信号が順次供給される複数の走査線と、
前記走査線の両側各々に設けられた前記走査線を駆動するための走査線駆動回路と、
前記複数の走査線に交差し、画像信号が供給される複数のデータ線と、
前記複数の走査線とデータ線に対応して設けられた複数の薄膜トランジスタと、
前記複数の薄膜トランジスタに対応して設けられた複数の画素電極と、
画面表示領域の輪郭に沿って形成された遮光性の周辺見切りと、
前記複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を前記画像信号に先行して夫々供給するプリチャージ回路と、
前記プリチャージ回路のプリチャージ信号線及びプリチャージ回路駆動信号線とを備え、
前記プリチャージ信号線の少なくとも一部は、前記周辺見切りに対向する位置において、前記画面表示領域の一方の側に沿って前記走査線上に絶縁膜を介して配線されており、
前記プリチャージ回路駆動信号線の少なくとも一部は、前記周辺見切りに対向する位置において、前記画面表示領域の他方の側に沿って前記走査線上に絶縁膜を介して配線されることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
前記プリチャージ信号線は複数本を有することを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に属し、特に、プリチャージ回路、サンプリング回路、検査回路などの薄膜トランジスタからなる周辺回路がＴＦＴアレイ基板上に形成される形式の液晶装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置においては、縦横に夫々配列された多数の走査線及びデータ線並びにこれらの各交点に対応して多数の画素電極がＴＦＴアレイ基板上に設けられている。そして、これらに加えて、走査線駆動回路、データ線駆動回路、プリチャージ回路、サンプリング回路、検査回路などのＴＦＴを構成要素とする各種の周辺回路が、このようなＴＦＴアレイ基板上に設けられる場合がある。
【０００３】
これらの周辺回路のうち、プリチャージ回路は、コントラスト比の向上、データ線の電位レベルの安定、表示画面上のラインむらの低減等を目的として、データ線に対し、データ線駆動回路から供給される画像信号に先行するタイミングで、プリチャージ信号（画像補助信号）を供給することにより、画像信号をデータ線に書き込む際の負荷を軽減する回路である。特に液晶を交流駆動するために通常行われるデータ線の電圧極性を所定周期で反転して駆動する所謂１Ｈ反転駆動方式においては、プリチャージ信号をデータ線に予め書き込んでおけば、画像信号をデータ線に書き込む際に必要な電気量を顕著に少なくできる。例えば、特開平７−２９５５２０号公報に、このようなプリチャージ回路の一例が開示されている。
【０００４】
サンプリング回路は、高周波数の画像信号を各データ線に所定のタイミングで安定的に走査信号と同期して供給するために、画像信号をサンプリングする回路である。また、検査回路は、製造途中や出荷時の液晶装置の品質、欠陥等を検査するための回路である。その外にも、液晶表示における画質の向上、消費電力の低減、コストの低減等の観点から、ＴＦＴ等を用いた各種の周辺回路をＴＦＴアレイ基板上に設けることも可能である。
【０００５】
ここで、液晶パネルやこれに周辺回路を加えた液晶表示モジュールのサイズが同じであれば、マトリクス状に配置された複数の画素電極により規定される画面表示領域、即ち液晶パネル上で実際に液晶の配向状態の変化により画像が表示される領域は、表示装置の基本的要請として大きい程よいとされている。従って、周辺回路は、画面表示領域の周囲に位置するＴＦＴアレイ基板の狭く細長い周辺部分に設けられるのが一般的である。
【０００６】
他方で、この種の液晶装置の液晶パネル内に封止された液晶に直流電圧を印加すると、液晶の劣化を招くことが知られている。このため一般には、液晶を直流駆動することは行われておらず、各画素に対する走査信号及び画像信号の電圧極性を例えば１フィールド毎などの所定周期で反転することにより、液晶を交流駆動するようにしている。しかるに、前述のデータ線駆動回路、走査線駆動回路、サンプリング回路、プリチャージ回路、検査回路等の周辺回路を、液晶に面する基板部分に設けると、各周辺回路を駆動する際に用いられる直流電圧成分が大なり小なり液晶に漏れ込んで印加されてしまい、上記直流駆動した場合と同様に液晶の劣化を招いてしまう。従って、これらの周辺回路を液晶に面する基板部分に設けることは一般的ではない。また、周辺回路を液晶に面する基板部分に設けることは、有効表示面積を相対的に減じてしまう観点からも一般的ではない。
【０００７】
尚、これらの周辺回路は、一般にＴＦＴ等の半導体回路から構成されており、例えばＴＦＴのａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜やｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜から構成されたチャネル形成用の領域に光が入射すると、この領域において光電変換効果により光電流が発生してしまいＴＦＴのトランジスタ特性が劣化する。このため、画面表示領域の周辺に位置し周辺回路が形成される基板の周辺部分は、プラスチック等からなる遮光性のケースの内部に納められているのが通常である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、走査線駆動回路やデータ線駆動回路に加えてサンプリング回路、プリチャージ回路、検査回路等の周辺回路までも前述の狭く細長い周辺部分に設けると、特定の仕様に沿うようにこれらの周辺回路を設計することが困難になるという問題点がある。
【０００９】
画面表示領域にある液晶に面する基板部分に周辺回路を設けることは、有効表示面積の減少を招くと共に、直流電圧が周辺回路から液晶に印加されるのを防ぐための特殊構成が必要となってしまい、更に画面表示領域を介して入射される光に対する遮光を周辺回路に施さねばならぬという問題点がある。
【００１０】
また、画面表示領域の周囲で両基板を貼り合わせて液晶を包囲するシール部材は幅が１ｍｍ程度あるが、仮に、このシール部材に面する基板部分に周辺回路の素子（例えば、ＴＦＴ等）を形成すると、両基板間の距離を所定値に保つためにシール部材に混入されたスペーサ（例えば、球形の微粒子）により素子が破壊される可能性がある。更に、一般に光硬化性の接着剤からなるシール部材を光硬化させるためには、シール部材に面する第１及び第２基板部分に十分な光透過性を与える必要性があるため、遮光の必要がある周辺回路素子をこのようなシール部材に面する基板部分に設けることは、シール部材の光硬化工程との関係からも都合が悪いという問題点がある。
【００１１】
更にまた、表示装置の基本的要請に従えば、画面表示領域の周囲において安易に基板を大きくすることは全く望ましいことではない。
【００１２】
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、プリチャージ回路、サンプリング回路、検査回路等の周辺回路が空間効率良く配置されており、液晶パネルや液晶表示モジュールのサイズと比較して相対的に有効表示面積が大きい液晶装置及び当該液晶装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶装置は上記課題を解決するために、走査信号が順次供給される複数の走査線と、前記複数の走査線に交差し、画像信号が供給される複数のデータ線と、前記複数の走査線とデータ線に対応して設けられた複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに対応して設けられた複数の画素電極と、画面表示領域の輪郭に沿って形成された遮光性の周辺見切りと、前記複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を前記画像信号に先行して夫々供給するプリチャージ回路と、前記周辺見切りに対向する位置において、前記走査線上に絶縁膜を介して形成される導電体であり、前記プリチャージ回路に接続された信号線と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
この液晶装置によれば、プリチャージ信号線の少なくとも一部は所定幅の導電体からなり、プリチャージ信号線は低抵抗とされる。同時に、この導電体は、走査線との間で所定量の容量を持つように所定幅で走査線上に絶縁膜を介して形成されるので、プリチャージ信号線には配線容量が付与され、プリチャージ信号線は低インピーダンスとされる。例えば、この導電体は、周辺見切りの幅内で、他の回路や配線の妨げとならない範囲で可能な限り広い幅に形成される。
【００１５】
また、本発明の液晶装置は、前記所定量の容量を持つ導電体は、前記走査線上に絶縁膜を介して形成されると良い。
【００１６】
また、本発明の液晶装置は、前記導電体の幅は、前記周辺見切りの幅より狭いと良い。
【００１７】
また、本発明の液晶装置は、走査信号が順次供給される複数の走査線と、前記走査線の両側各々に設けられた前記走査線を駆動するための走査線駆動回路と、前記複数の走査線に交差し、画像信号が供給される複数のデータ線と、前記複数の走査線とデータ線に対応して設けられた複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタに対応して設けられた複数の画素電極と、画面表示領域の輪郭に沿って形成された遮光性の周辺見切りと、前記複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を前記画像信号に先行して夫々供給するプリチャージ回路と、前記プリチャージ回路のプリチャージ信号線及びプリチャージ回路駆動信号線とを備え、
前記プリチャージ信号線の少なくとも一部は、前記周辺見切りに対向する位置において、前記画面表示領域の一方の側に沿って前記走査線上に絶縁膜を介して配線されており、
前記プリチャージ回路駆動信号線の少なくとも一部は、前記周辺見切りに対向する位置において、前記画面表示領域の他方の側に沿って前記走査線上に絶縁膜を介して配線されることを特徴とする。
【００１８】
この液晶装置によれば、画面表示領域の両側からの走査信号に応じてスイッチング制御を行う、例えばＴＦＴ素子のゲート遅延の如き、スイッチング素子のスイッチング遅延には、画面表示領域の一方側における配線容量を定めるプリチャージ信号線及び走査線が重なる面積と、画面表示領域の他方側における配線容量を定めるプリチャージ回路駆動信号線及び走査線が重なる面積との差に依存して、相互に差が出る。ここで、これらの面積の差は、当該液晶装置の特性に基づいて予め定められる所定値未満とされ、例えば、これらのスイッチング遅延を回路の仕様、精度等との関係から実質的に均等とする零に近い値とされる。この結果、画面表示領域の両側からの走査信号についてのスイッチング遅延を合わせることが可能となる。
【００１９】
また、本発明の液晶装置は、前記プリチャージ信号線及び前記走査線が重なる面積と、前記プリチャージ回路駆動信号線及び前記走査線が重なる面積がほぼ同じであると良い。
【００２０】
また、本発明の液晶装置は、前記プリチャージ信号線は複数本を有し、複数本の前記プリチャージ信号線及び前記走査線が重なる面積と、前記プリチャージ回路駆動信号線及び前記走査線が重なる面積がほぼ同じであると良い。
【００２１】
本発明の電子機器は、上記液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００２２】
この電子機器によれば、電子機器は、上述した本願発明の液晶装置を備えており、液晶パネルやモジュールのサイズに対し画面表示領域が大きいので、電子機器の全体のサイズに対しても画面表示領域が大きくなり、且つ高品位の画像表示が可能となる。
【００２３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（液晶装置の構成）
液晶装置の実施の形態の構成について図１から図５に基づいて説明する。
【００２５】
先ず、液晶装置の全体構成について、図１から図３を参照して説明する。図１は、液晶装置の実施の形態におけるＴＦＴアレイ基板上に設けられた各種配線、周辺回路等の構成を示すブロック図であり、図２は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図３は、対向基板を含めて示す図２のＨ−Ｈ’断面図である。
【００２６】
図１において、液晶装置２００は、例えば石英基板、ハードガラス等からなるＴＦＴアレイ基板１を備えている。ＴＦＴアレイ基板１上には、マトリクス状に設けられた複数の画素電極１１と、Ｘ方向に複数配列されており夫々がＹ方向に沿って伸びるデータ線３５（ソース電極線）と、Ｙ方向に複数配列されており夫々がＸ方向に沿って伸びる走査線３１（ゲート電極線）と、各データ線３５と画素電極１１との間に夫々介在すると共に該間における導通状態及び非導通状態を、走査線３１を介して夫々供給される走査信号に応じて夫々制御するスイッチング素子の一例としての複数のＴＦＴ３０とが形成されている。またＴＦＴアレイ基板１上には、後述の蓄積容量（図６参照）のための配線である容量線３１’（第２蓄積容量電極）が、走査線３１と平行に形成されている。
【００２７】
ＴＦＴアレイ基板１上には更に、複数のデータ線３５に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して夫々供給するプリチャージ回路２０１と、画像信号をサンプリングして複数のデータ線３５に夫々供給するサンプリング回路３０１と、データ線駆動回路１０１と、走査線駆動回路１０４とが形成されている。
【００２８】
走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から供給される電源、基準クロック等に基づいて、所定タイミングで走査線３１（ゲート電極線）に走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【００２９】
データ線駆動回路１０１は、外部制御回路から供給される電源、基準クロック等に基づいて、走査線駆動回路１０４が走査信号を印加するタイミングに合わせて、６つの画像入力信号線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６夫々について、データ線３５毎にサンプリング回路駆動信号をサンプリング回路３０１にサンプリング回路駆動信号線３０６を介して所定タイミングで供給する。
【００３０】
プリチャージ回路２０１は、ＴＦＴ２０２を各データ線３５毎に備えており、プリチャージ信号線２０４がＴＦＴ２０２のソース電極に接続されており、プリチャージ回路駆動信号線２０６がＴＦＴ２０２のゲート電極に接続されている。そして、プリチャージ信号線２０４を介して、外部電源からプリチャージ信号を書き込むために必要な所定電圧の電源が供給され、プリチャージ回路駆動信号線２０６を介して、各データ線３５について画像信号に先行するタイミングでプリチャージ信号を書き込むように、外部制御回路からプリチャージ回路駆動信号が供給される。プリチャージ回路２０１は、好ましくは中間階調レベルの画素データに相当するプリチャージ信号（画像補助信号）を供給する。
【００３１】
サンプリング回路３０１は、ＴＦＴ３０２を各データ線３５毎に備えており、画像入力信号線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６がＴＦＴ３０２のソース電極に接続されており、サンプリング回路駆動信号線３０６がＴＦＴ３０２のゲート電極に接続されている。そして、画像入力信号線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を介して、６つのパラレルな画像信号が入力されると、これらの画像信号をサンプリングする。また、サンプリング回路駆動信号線３０６を介して、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号が入力されると、６つの画像入力信号線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６夫々についてサンプリングされた画像信号を、６つの隣接するデータ線３５からなるグループ毎に順次印加する。即ち、データ線駆動回路１０１とサンプリング回路３０１とは、入力信号線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６から入力された６つのパラレルな外部ＩＣにより６相展開され、画像信号をデータ線３５に供給するように構成されている。本実施の形態では隣接する６つのデータ線３５に接続されるサンプリング回路３０１を同時に選択し、６つのデータ線３５からなるグループ毎に順次転送していく方式を述べたが、データ線３５を１本毎に選択してもよいし、隣接する２、３、…、５本或いは７本以上を同時に選択してもよい。また、データ線３５に供給される画像信号の相展開数は６相のみならず、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ３０２の書き込み特性が良ければ、５相以下でもよいし、画像信号の周波数が高ければ、７相以上に増やしてもよい。この際、少なくとも画像信号の相展開数だけ画像入力信号線が必要なことは言うまでもない。
【００３２】
本実施の形態では特に、プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１は、図１中斜線領域で示すように且つ図２及び図３に示すように、対向基板２に形成された遮光性の周辺見切り５３に対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１上に設けられており、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、液晶層５０に面しないＴＦＴアレイ基板１の狭く細長い周辺部分上に設けられている。
【００３３】
図２及び図３において、ＴＦＴアレイ基板１の上には、複数の画素電極１１により規定される画面表示領域（即ち、実際に液晶層５０の配向状態変化により画像が表示される液晶パネルの領域）の周囲において両基板を貼り合わせて液晶層５０を包囲するシール部材の一例としての光硬化性樹脂からなるシール剤５２が、画面表示領域に沿って設けられている。そして、対向基板２上における画面表示領域とシール剤５２との間には、遮光性の周辺見切り５３が設けられている。
【００３４】
周辺見切り５３は、後に画面表示領域に対応して開口が開けられた遮光性のケースにＴＦＴアレイ基板１が入れられた場合に、当該画面表示領域が製造誤差等により当該ケースの開口の縁に隠れてしまわないように、即ち、例えばＴＦＴアレイ基板１のケースに対する数百μｍ程度のずれを許容するように、画面表示領域の周囲に５００μｍ〜１ｍｍ程度の幅を持つ帯状の遮光性材料から形成されたものである。このような遮光性の周辺見切り５３は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属材料を用いたスパッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチングにより対向基板２に形成される。或いは、カーボンやＴｉ（チタン）をフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成される。
【００３５】
シール剤５２の外側の領域には、画面表示領域の下辺に沿ってデータ線駆動回路１０１及び実装端子１０２が設けられており、画面表示領域の左右の２辺に沿って走査線駆動回路１０４が画面表示領域の両側に設けられている。更に画面表示領域の上辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、シール剤５２の四隅には、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板２との間で電気的導通をとるための導通剤からなる銀点１０６が設けられている。そして、シール剤５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２が当該シール剤５２によりＴＦＴアレイ基板１に固着されている。
【００３６】
プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１は、基本的に交流駆動の回路である。このため、シール剤５２により包囲され両基板間に挟持された液晶層５０に面するＴＦＴアレイ基板１部分にこれらのプリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１を設けても、直流電圧印加による液晶層５０の劣化という問題は生じない。これに対して、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、液晶層５０に面することのないＴＦＴアレイ基板１の周辺部分に設けられている。従って、液晶層５０に、特に直流駆動されるデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４からの直流電圧成分が、漏れ込んで印加されることを未然に防止できる。
【００３７】
そして、このように周辺見切り５３下に、プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１を設けることで、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１をＴＦＴアレイ基板１の周辺部分に余裕を持って形成することができ、特定の仕様に沿うようにこれらの周辺回路を設計することが容易になる。また、言わばデッドスペースである周辺見切り５３下に、プリチャージ回路２０１やサンプリング回路３０１を設けることで、液晶装置２００における有効表示面積の減少を招くこともなく、同時に、特に周辺見切り５３は遮光性であるので、画面表示領域を介して入射される光に対する遮光をプリチャージ回路２０１やサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２及び３０２に施す必要も無い。加えて、シール剤５２に面するＴＦＴアレイ基板１部分にプリチャージ回路２０１やサンプリング回路３０１を形成する訳ではないので、これらの回路を構成するＴＦＴ２０２及び３０２をシール剤５２に混入されたスペーサにより破壊する恐れはない。更に、これらの回路を構成するＴＦＴ２０２及び３０２に対して、別途遮光層を設ける必要も無いので、このような遮光層がシール剤５２の光硬化の妨げになる事態も未然に防げる。即ち、両基板のシール剤５２に対向する位置には、遮光層を設ける必要はないので、シール剤５２を光硬化させる工程で両基板側から光を十分に照射でき、良好に光硬化を行える。このため、基板の変形等が懸念される熱硬化性樹脂をシール剤５２として使用しなくて済み有利である。
【００３８】
図１に示したように本実施の形態では、プリチャージ信号線２０４及びプリチャージ回路駆動信号線２０６は、周辺見切り５３に対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１に設けられている。この場合、プリチャージ回路２０１は、基本的に交流駆動の回路であるため、液晶層５０に面するＴＦＴアレイ基板１部分にこのようなプリチャージ信号線２０４とプリチャージ回路駆動信号線２０６とを設けても、直流電圧印加による液晶の劣化という問題は生じない。そして、このように周辺見切り５３下に、２種類の入出力配線を設ければ、液晶装置における有効表示面積の減少を招くことはない。
【００３９】
プリチャージ信号線２０４の一部は、走査線３１との間で所定量の容量を持つように走査線３１上に絶縁膜を介して形成された所定幅の導電体からなる。このため、プリチャージ信号線２０４は低抵抗とされる。更に、この導電体は、走査線３１との間で所定量の容量を持つように形成されており、即ち、プリチャージ信号線２０４には配線容量が付与されているので、プリチャージ信号線２０４は低インピーダンスとされる。例えば、この導電体は、周辺見切り５３の幅より若干幅が狭くなるように形成され、他の回路や配線の妨げとならない範囲で可能な限り広い幅に形成される。
【００４０】
また図１に示すように、複数の走査線３１は、画面表示領域の両側から周辺見切り５３へ抜けるように夫々配線されている。そして、画面表示領域の一方の側に沿って、プリチャージ信号線２０４の一部は、周辺見切り５３下において走査線３１上に絶縁膜を介して配線されている。他方、画面表示領域の他方の側に沿って、プリチャージ回路駆動信号線２０６の一部は、周辺見切り５３下において走査線３１上に絶縁膜を介して配線されている。ここで、両側からの走査信号に応じてスイッチング制御を行う各画素におけるＴＦＴ３０のゲート遅延は、プリチャージ信号線２０４及び走査線３１が重なる面積と、プリチャージ回路駆動信号線２０６及び走査線３１が重なる面積との差に応じて発生するおそれがある。しかるに本実施の形態では、この差は、これら両側からの走査信号のゲート遅延を回路の仕様、精度等との関係から実質的に均等とする程度に零に近い値とされているので、このようなゲート遅延を合わせることが可能となる。また、走査線毎にプリチャージ信号の極性反転を行う１Ｈ反転駆動場合には、プリチャージ信号線２０６は１本で良いが、データ線３５毎に極性反転を行う１Ｓ反転駆動や走査線３１とデータ線３５とを互いに１ライン毎に極性反転するドット反転駆動の場合には、プリチャージ信号線２０４に対し、奇数列のデータ線３５のグループと偶数列のデータ線３５のグループとで逆極性のプリチャージ信号を印加する必要があるため、プリチャージ信号線２０６が少なくとも２本以上必要になる。このような場合でも、画面表示領域の一方の端を通り、走査線３１上に絶縁膜を介して重なるプリチャージ信号線２０４の２本分の面積と画面表示領域の一方の端を通るプリチャージ回路駆動信号線２０６との面積がほぼ同じになるようにすると良い。
【００４１】
更に図１に示すように、複数のデータ線３５は、画面表示領域の下辺にある一端から画像信号が供給され、他方の側にある他端からプリチャージ信号が供給される。従って、プリチャージ回路２０１を、画像信号を供給するためのデータ線駆動回路１０１及びサンプリング回路３０１と画面表示領域を挟んで反対の側に設けることができ、周辺見切り５３下のスペースをバランス良く有効に利用できる。
【００４２】
次に、プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ２０２及び３０２の具体的な回路構成について図４及び図５を参照して夫々説明する。尚、図４は、プリチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２を構成する各種のＴＦＴを示す回路図であり、図５は、サンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２を構成する各種のＴＦＴを示す回路図である。
【００４３】
図４（１）に示すようにプリチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２（図１参照）は、ＮＭＯＳ（Ｎチャネル）型のＴＦＴ２０２ａから構成されてもよいし、図４（２）に示すようにＰＭＯＳ（Ｐチャネル）型のＴＦＴ２０２ｂから構成されてもよいし、図４（３）に示すようにＣＭＯＳ（相補型ＭＯＳ）型のＴＦＴ２０２ｃから構成されてもよい。尚、図４（１）から図４（３）において、図１に示したプリチャージ回路駆動信号線２０６を介して入力されるプリチャージ回路駆動信号２０６ａ、２０６ｂは、ゲート電圧として各ＴＦＴ２０２ａ〜２０２ｃに入力される。ｎチャネル型のＴＦＴ２０２ａにゲート電圧として印加されるプリチャージ回路駆動信号２０６ａと、ｐチャネル型のＴＦＴ２０２ｂにゲート電圧として印加されるプリチャージ回路駆動信号２０６ｂとは、相互に反転信号であることは言うまでもない。従って、プリチャージ回路２０１をＣＭＯＳ型のＴＦＴ２０２ｃで構成する場合には、プリチャージ回路駆動信号線２０６が少なくとも２本以上必要となる。このようにプリチャージ回路駆動信号線２０６が２本以上になる場合、画面表示領域の一方の側に集中して配線してもよいし、プリチャージ信号線２０４と組み合わせて、画面表示領域の両側から配線してもよい。図１に示したプリチャージ信号線２０４を介して入力されるプリチャージ信号は、ソース電圧として各ＴＦＴ２０２ａ〜２０２ｃに入力され、ドレイン側に電気的に接続されたデータ線３５に印加される。
【００４４】
図５（１）に示すようにサンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２（図１参照）は、ＮＭＯＳ（Ｎチャネル）型のＴＦＴ３０２ａから構成されてもよいし、図５（２）に示すようにＰＭＯＳ（Ｐチャネル）型のＴＦＴ３０２ｂから構成されてもよいし、図５（３）に示すようにＣＭＯＳ型のＴＦＴ３０２ｃから構成されてもよい。尚、図５（１）から図５（３）において、図１に示した画像信号線ＶＩＤｎ（例えばＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を介して入力される６つの画像信号は、ソース電圧として各ＴＦＴ３０２ａ〜３０２ｃに入力され、同じく図１に示したデータ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線３０６を介して入力されるサンプリング回路駆動信号３０６ａ、３０６ｂは、ゲート電圧として各ＴＦＴ３０２ａ〜３０２ｃに入力される。尚、サンプリング回路３０１においても、前述のプリチャージ回路２０１の場合と同様に、ｎチャネル型のＴＦＴ３０２ａにゲート電圧として印加されるサンプリング回路駆動信号３０６ａと、ｐチャネル型のＴＦＴ３０２ｂにゲート電圧として印加されるサンプリング回路駆動信号３０６ｂとは、相互に反転信号である。従って、サンプリング回路３０１をＣＭＯＳ型のＴＦＴ３０２ｃで構成する場合には、サンプリング回路駆動信号３０６ａ、３０６ｂ用のサンプリング回路駆動信号線３０６が２本必要となる。図１に示した画像入力信号線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を介して入力される画像信号は、ソース電圧として各ＴＦＴ３０２ａ〜３０２ｃに入力され、ドレイン側に電気的に接続されたデータ線３５に印加される。
（液晶パネルの構成）
次に、液晶装置２００が含む液晶パネル部分の具体的構成について図６から図１０を参照して説明する。ここに、図６は液晶パネルの断面図であり、図７は図６に示したＴＦＴアレイ基板上に形成される各種電極等の平面図であり、図８は液晶パネル１０のプリチャージ信号線２０４に沿った断面図であり、図９はプリチャージ回路２０１の平面図であり、図１０は検査回路の回路図である。尚、図６及び図８においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４５】
尚、図６のＴＦＴ３０部分の断面図は、図７のＡ−Ａ’に沿った断面に対応している。
【００４６】
図６の断面図において、液晶パネル１０は、各画素に設けられるＴＦＴ３０部分において、ＴＦＴアレイ基板１並びにその上に積層された第１層間絶縁層４１、半導体層３２、ゲート絶縁層３３、走査線３１（ゲート電極）、第２層間絶縁層４２、データ線３５（ソース電極）、第３層間絶縁層４３、画素電極１１及び配向膜１２を備えている。液晶パネル１０はまた、例えばガラス基板から成る対向基板２並びにその上に積層された共通電極２１、配向膜２２及びブラックマトリクス２３を備えている。液晶パネル１０は更に、これらの両基板間に挟持された液晶層５０を備えている。
【００４７】
ここでは先ず、これらの層のうち、ＴＦＴ３０を除く各層の構成について順に説明する。
【００４８】
ＴＦＴ３０の下地となる第１層間絶縁層４１は、１００００Å程度の厚みのＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる。尚、第１層間絶縁層４１に対し、約９００℃のアニール処理を施すことにより、汚染を防ぐと共に平坦化してもよい。ＴＦＴアレイ基板１が十分に研磨、洗浄されている場合には、工程削減のため、第1層間絶縁層４１は無くてもよい。また、第２層間絶縁層４２及び第３層間絶縁層４３は夫々、５０００〜１５０００Å程度の層みを持つＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる。
【００４９】
画素電極１１は例えば、ＩＴＯ膜（インジウム・ティン・オキサイド膜）などの透明導電性薄膜からなる。このような画素電極１１は、スパッタリング処理等によりＩＴＯ膜等を約５００〜２０００Åの厚さに堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を施すこと等により形成される。尚、当該液晶パネル１０を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極１１を形成してもよい。
【００５０】
配向膜１２は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。このような配向膜１２は、例えばポリイミド系の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により形成される。
【００５１】
共通電極２１は、対向基板２の全面に渡って形成されている。このような共通電極２１は、例えばスパッタリング処理等によりＩＴＯ膜等を約５００〜２０００Åの厚さに堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を施すこと等により形成される。
【００５２】
配向膜２２は、例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。このような配向膜２２は、例えばポリイミド系の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により形成される。
【００５３】
ブラックマトリクス２３は、ＴＦＴ３０に対向する所定領域に設けられている。このようなブラックマトリクス２３は、前述の周辺見切り５３同様に、ＣｒやＮｉなどの金属材料を用いたスパッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチングにより形成されたり、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成される。ブラックマトリクス２３は、ＴＦＴ３０の半導体（ポリシリコン膜等）層３２に対する遮光の他に、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を有する。
【００５４】
液晶層５０は、画素電極１１と共通電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１と対向基板２との間において、シール剤５２（図２及び図３参照）により囲まれた空間に液晶が真空吸引等により封入されることにより形成される。液晶層５０は、画素電極１１からの電界が印加されていない状態で配向膜１２及び２２により所定の配向状態を採る。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール剤５２は、二つの基板１及び２をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのスペーサが混入されている。
【００５５】
次に、ＴＦＴ３０に係る各層の構成について順に説明する。
【００５６】
ＴＦＴ３０は、走査線３１（ゲート電極）、走査線３１からの電界によりチャネルが形成される半導体層３２、走査線３１と半導体層３２とを絶縁するゲート絶縁層３３、半導体層３２に形成されたソース領域３４、データ線３５（ソース電極）、及び半導体層３２に形成されたドレイン領域３６を備えている。ドレイン領域３６には、複数の画素電極１１のうちの対応する一つが接続されている。ソース領域３４及びドレイン領域３６は後述のように、半導体層３２に対し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のｎ型用又はｐ型用のドーパントをドープすることにより形成されている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素子であるＴＦＴ３０として用いられることが多い。
【００５７】
ＴＦＴ３０を構成する半導体層３２は、例えば、下地としての第１層間絶縁層４１上にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜を形成後、アニール処理を施して約５００〜２０００Åの厚さに固相成長させることにより形成する。この際、ｎチャネル型のＴＦＴ３０の場合には、Ｓｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素のドーパントを用いたイオン注入等によりドープする。また、ｐチャネル型のＴＦＴ３０の場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素のドーパントを用いたイオン注入等によりドープする。特にＴＦＴ３０をＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層３２に、ソース領域３４及びドレイン領域３６のうちチャネル側に夫々隣接する一部にＰなどのＶ族元素のドーパントにより低濃度ドープ領域を形成し、同じくＰなどのＶ族元素のドーパントにより高濃度ドープ領域を形成する。また、ｐチャネル型のＴＦＴ３０とする場合、半導体層３２に、 ＢなどのIII族元素のドーパントを用いてソース領域３４及びドレイン領域３６を形成する。このようにＬＤＤ構造とした場合、ショートチャネル効果を低減できる利点が得られる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造における低濃度ドープ領域に不純物イオンを注入しないオフセット構造のＴＦＴとしてもよいし、ゲート電極をマスクとして高濃度な不純物イオン注入することにより、高濃度ドープ領域（ソース領域３４及びドレイン領域３６）を形成してセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。
【００５８】
ゲート絶縁層３３は、半導体層３２を約９００〜１３００℃の温度により熱酸化することにより、３００〜１５００Å程度の比較的薄い厚さの熱酸化膜を形成して得る。
【００５９】
走査線３１（ゲート電極）は、減圧ＣＶＤ法等により半導体膜を堆積した後、マスクを用いたフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により形成される。或いは、Ｗ、Ｍｏ等の金属膜又は金属シリサイド膜から形成されてもよい。この場合、走査線３１（ゲート電極）を、ブラックマトリクス２３が覆う領域の一部又は全部に対応する遮光膜として配置すれば、金属膜や金属シリサイド膜の持つ遮光性により、ブラックマトリクス２３の一部又は全部を省略することも可能となる。この場合特に、対向基板２とＴＦＴアレイ基板１との貼り合わせずれによる画素開口率の低下を防ぐことが出来る利点がある。
【００６０】
データ線３５（ソース電極）は、画素電極１１と同様にＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜から形成してもよい。或いは、スパッタリング処理等により、約１０００〜５０００Åの厚さに堆積されたＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等から形成してもよい。
【００６１】
また、第２層間絶縁層４２には、ソース領域３４へ通じるコンタクトホール３７及びドレイン領域３６へ通じるコンタクトホール３８が夫々形成されている。このソース領域３４へのコンタクトホール３７を介して、データ線３５（ソース電極）はソース領域３４に電気的接続される。更に、第３層間絶縁層４３には、ドレイン領域３６へのコンタクトホール３８が形成されている。このドレイン領域３６へのコンタクトホール３８を介して、画素電極１１はドレイン領域３６に電気的接続される。前述の画素電極１１は、このように構成された第３層間絶縁層４３の上面に設けられている。各コンタクトホールは、例えば、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成される。
【００６２】
尚、一般にはチャネルが形成される半導体層３２は、光が入射するとポリシリコン膜が有する光電変換効果により光電流が発生してしまいＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化するが、本実施の形態では、対向基板２には各ＴＦＴ３０に夫々対向する位置にブラックマトリクス２３が形成されているので、入射光が半導体層３２の少なくともチャネル領域に入射することが防止される。更にこれに加えて又は代えて、ゲート電極を上側から覆うようにデータ線３５（ソース電極）をＡｌ等の不透明な金属薄膜から形成すれば、ブラックマトリクス２３と共に又は単独で、半導体層３２の少なくともチャネル領域への入射光（即ち、図６で上側からの光）の照射を効果的に防ぐことが出来る。
【００６３】
ここで、図７の平面図に示すように、以上のように構成された画素電極１１は、ＴＦＴアレイ基板１上にマトリクス状に配列され、各画素電極１１に隣接してＴＦＴ３０が設けられており、また画素電極１１の縦横の境界に夫々沿ってデータ線３５（ソース電極）及び走査線３１（ゲート電極）が設けられている。また、走査線３１に沿って平行に容量線３１’（第２蓄積容量電極）が配設され、半導体層３２から延設された第１蓄積容量電極３２’との間でゲート絶縁膜を介して蓄積容量を形成する。データ線３５と同一工程により形成される低抵抗なアルミニウム膜等からなる定電位配線５０１が画面表示領域周辺に引き回され、半導体層３２とデータ線３５を電気的に接続するために開孔するコンタクトホール３７と同一工程で形成されるコンタクトホール５０２において、定電位配線５０１と容量線３１’が電気的に接続される。この定電位配線５０１は、外部ＩＣから実装端子を介して専用の配線を引き回しても良いが、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に供給される電源（高電位側の定電圧電源でも良いし、低電位側の定電圧電源でも良い。）を延設して形成しても良いし、対向基板に対向電極電位を供給する配線を延設しても良い。このような構成にすれば、専用の実装端子や配線を形成する必要がないので、周辺領域を有効に利用することができる。更に、従来デッドスペースであった周辺見切り５３下を通るように定電位配線５０１を設けることで、スペースの有効利用が図れる。同様にして、プリチャージ信号線２０４（或いはプリチャージ回路駆動信号線２０６）を図７に示すように、周辺見切り５３下に形成することで、スペースの有効利用を図り、シール領域や周辺回路の領域を十分確保することができる。
【００６４】
尚、図７は、説明の都合上、画素電極１１のマトリクス状配列等を簡略化して示すためのものであり、実際の各電極は層間絶縁層の間や上をコンタクトホール等を介して配線されており、図６から分かるように３次元的により複雑な構成を有している。また、図６のＴＦＴ３０部分の断面図は図７のＡ−Ａ’断面に対応している。
【００６５】
再び図６において、上述したように画素電極１１には蓄積容量７０が夫々設けられている。この蓄積容量７０は、より具体的には、半導体層３２と同一工程により形成される第１蓄積容量電極３２’、ゲート絶縁層３３と同一工程により形成される絶縁層３３’、走査線３１と同一工程により形成される容量線３１’（第２蓄積容量電極）、第２及び第３層間絶縁層４２及び４３、並びに第２及び第３層間絶縁層４２及び４３を介して容量線３１’に対向する画素電極１１の一部から構成されている。このように蓄積容量７０が設けられているため、デューティー比が小さくても高精細な表示が可能とされる。
【００６６】
図６において、液晶パネル１０には、プリチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２（図１参照）がデータ線３５毎に設けられている。図６に示されるＴＦＴ２０２は図９の平面図におけるＢ−Ｂ’に沿った断面図である。このＴＦＴ２０２は、より具体的には、半導体層３２と同一工程により形成される半導体層３２”、ゲート絶縁層３３と同一工程により形成されるゲート絶縁層３３”及び走査線３１（ゲート電極）と同一工程により形成されるプリチャージ回路駆動信号線２０６（ゲート電極）を備えている。半導体層３２”には、ＴＦＴ３０の場合と同様に、ソース領域３４”、チャネル形成領域及びドレイン領域３６”が設けられ、第２層間絶縁層４２に開けられたコンタクトホール３７”及び３８”を夫々通じてドレイン領域３６”にはデータ線３５が接続され、ソース領域３４”にはプリチャージ信号線２０４が接続されている。そして、このような層構造を持つＴＦＴ２０２は、対向基板２に設けられた遮光性の周辺見切り５３に対向する位置において、ＴＦＴアレイ基板１上に設けられている。
【００６７】
図８は図７Ｃ−Ｃ’に沿った断面図を示す。図８の断面図に示すように、周辺見切り５３に対向する位置において複数の走査線３１上の第２層間絶縁層４２上部をプリチャージ信号線２０４は通過する。プリチャージ回路駆動信号線２０６も、同様に走査線３１上の第２層間絶縁層４２上部を通過する。そして、これらのプリチャージ信号線２０４及びプリチャージ回路駆動信号線２０６は、その殆どの部分がデータ線３５と同一工程で形成されたＡｌ等の金属薄膜で形成された低抵抗な配線である。
【００６８】
また図９の平面図に示すように、プリチャージ回路２０１は、プリチャージ信号線２０４、プリチャージ回路駆動信号線２０６及びデータ線３５が平行に配置されている。プリチャージ信号線２０４は、各コンタクトホール３７”を介して各ＴＦＴ２０２のソース領域に電気的接続されており、データ線３５は各コンタクトホール３８”を介して各ＴＦＴ２０２のドレイン領域に電気的接続されている。また、プリチャージ回路駆動信号線２０６はＴＦＴ２０２のゲート電極として、これらのソース領域とドレイン領域とを結ぶチャネル部分にゲート絶縁層３３”を介して対向配置されている。
【００６９】
尚、図６には図示していないが、サンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２（図１参照）は、プリチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２と同様に構成されており、対向基板２に設けられた遮光性の周辺見切り５３に対向する位置において、ＴＦＴアレイ基板１上に設けられている。
【００７０】
本実施の形態では特に、ＴＦＴ３０はポリシリコンタイプのＴＦＴであるので、ＴＦＴ３０の形成時に同一薄膜形成工程で、サンプリング回路２０１、プリチャージ回路３０１、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の同じくポリシリコンＴＦＴタイプのＴＦＴ２０２、３０２等から構成された周辺回路を形成できるので製造上有利である。例えば、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、図４（３）及び図５（３）に示したプリチャージ回路２０１やサンプリング回路３０１の場合と同様に、ｎチャネル型ポリシリコンＴＦＴ及びｐチャネル型ポリシリコンＴＦＴから構成されるＣＭＯＳ構造の複数のＴＦＴからＴＦＴアレイ基板１上の周辺部分に形成される。
【００７１】
尚、図６には示されていないが、対向基板２の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１の投射光が出射する側には夫々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、 ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００７２】
以上説明した液晶パネル１０は、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、３つの液晶パネル１０がＲＧＢ用のライトバルブとして夫々用いられ、各パネルには夫々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が入射光として夫々入射されることになる。従って、各実施の形態では、対向基板２に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、液晶パネル１０においてもブラックマトリックス２３の形成されていない画素電極１１に対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に本実施の形態の液晶パネルを適用できる。更に、対向基板２上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶パネルが実現できる。更にまた、対向基板２上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶パネルが実現できる。
【００７３】
液晶パネル１０において、ＴＦＴアレイ基板１側における液晶分子の配向不良を抑制するために、第３層間絶縁層４３の上に更に平坦化膜をスピンコート等で塗布してもよく、又はＣＭＰ処理を施してもよい。或いは、第３層間絶縁層４３を平坦化膜で形成してもよい。
【００７４】
また、液晶パネル１０のスイッチング素子は、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、本実施の形態は有効である。
【００７５】
更に、液晶パネル１０においては、一例として液晶層５０をネマティック液晶から構成したが、液晶を高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜１２及び２２、並びに前述の偏光フィルム、偏光板等が不要となり、光利用効率が高まることによる液晶パネル１０の高輝度化や低消費電力化の利点が得られる。更に、画素電極１１をＡｌ等の反射率の高い金属膜から構成することにより、液晶パネル１０を反射型液晶装置に適用する場合には、電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されたＳＨ（スーパーホメオトロピック）型液晶などを用いても良い。更にまた、液晶パネル１０においては、液晶層５０に対し垂直な電界（縦電界）を印加するように対向基板２の側に共通電極２１を設けているが、液晶層５０に平行な電界（横電界）を印加するように一対の横電界発生用の電極から画素電極１１を夫々構成する（即ち、対向基板２の側には縦電界発生用の電極を設けることなく、ＴＦＴアレイ基板１の側に横電界発生用の電極を設ける）ことも可能である。このように横電界を用いると、縦電界を用いた場合よりも視野角を広げる上で有利である。その他、各種の液晶材料（液晶相）、動作モード、液晶配列、駆動方法等に本実施の形態を適用することが可能である。
【００７６】
（液晶装置の動作）
次に、以上のように構成された液晶装置２００の動作について図１を参照して説明する。
【００７７】
先ず、走査線駆動回路１０４は、所定タイミングで走査線３１に走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【００７８】
これと並行して、６つの画像入力信号線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６から６つのパラレルな画像信号を受けると、サンプリング回路３０１は、これらの画像信号をサンプリングする。データ線駆動回路１０１は、走査線駆動回路１０４がゲート電圧を印加するタイミングに合わせて、６つの画像入力信号線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６夫々について一つのデータ線毎にサンプリング回路駆動信号を供給して、サンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２をオン状態とする。これにより、隣接する６つのデータ線３５に対して、サンプリング回路３０１にサンプリングされた画像信号を順次印加する。即ち、データ線駆動回路１０１とサンプリング回路３０１により、画像入力信号線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６から入力された６つの６相展開されたパラレルな画像信号は、データ線３５に供給される。
【００７９】
他方で、各画像信号に先行するタイミングで、プリチャージ回路２０１は、プリチャージ信号を各データ線３５に供給する。より具体的には、プリチャージ回路２０１は、プリチャージ信号をデータ線３５に書き込むための電源をプリチャージ信号線２０６から受けつつ、プリチャージ回路駆動信号線２０６を介して入力されるプリチャージ回路駆動信号に応じてＴＦＴ２０２をオン状態とし、プリチャージ信号をデータ線３５に書き込む。
【００８０】
このように、走査信号（ゲート電圧）及び画像信号（ソース電圧）の両方が印加されたＴＦＴ３０においては、ソース領域３４、半導体層３２に形成されたチャネル及びドレイン領域３６を介して画素電極１１に電圧が印加される。そして、この画素電極１１の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間だけ蓄積容量７０（図６参照）により保持される。特に本実施の形態では、液晶を交流駆動するために、１フィールド或いは１フレームといった所定周期毎にソース電圧の電圧極性が反転されるが、上述のように各画像信号がＴＦＴ３０に供給される前に、各データ線３５には、好ましくは中間階調レベルの画素データに相当するプリチャージ信号が供給されているので、画像信号を書込む際の負荷は軽減されており、データ線３５の電位レベルは、前回に印加された電圧レベルによらずに安定している。このため、今回の画像信号を各データ線３５（ソース電極）に安定した電位により供給することができる。
【００８１】
以上のように、画素電極１１に電圧が印加されると、液晶層５０におけるこの画素電極１１と共通電極２１とに挟まれた部分における液晶の配向状態が変化し、ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶パネル１０からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。この際、本実施の形態では特に、外部ＩＣにより多相展開された画像信号をサンプリング回路３０１によりサンプリングし、データ線に供給するので、高周波数の画像信号を各データ線に所定のタイミングで安定的に走査信号と同期して供給できる。更に、プリチャージ回路２０１から画像信号に先行してプリチャージ信号が供給されているので、コントラスト比の向上、データ線の電位レベルの安定、表示画面上のラインむらの低減等が図られ、液晶パネル１０の画面表示領域には、高品位の画像が表示される。
【００８２】
以上説明した実施の形態では、プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１を設けるようにしたが、これらに代えて又は加えて周辺見切り５３下に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路を設けてもよい。図１０に、このような検査回路の一例を示す。
【００８３】
図１０において、検査回路４０１は、複数のＴＦＴ４０２を備えている。ＴＦＴ４０２のゲートには、検査回路駆動信号ＴＸ１及びＴＸ２を夫々供給するための駆動信号線４０３ａ及び４０３ｂが接続されている。ＴＦＴ４０２のソースには、検査信号ＣＸ１〜ＣＸ４を夫々供給するための検査信号線４０４ａ〜４０４ｄが接続されている。そして、ＴＦＴ４０２のドレインには、データ線３５が接続されている。検査の際には、検査回路駆動信号ＴＸ１及びＴＸ２によりＴＦＴ４０２が、選択的にオンオフされ、所定電圧の検査信号ＣＸ１〜ＣＸ４、所定電圧のプリチャージ信号及び所定電圧の画像信号が印加される。そして、検査信号線４０４ａ〜４０４ｄに流れる電流値が測定され、予め経験的又は理論的に得られた無欠陥品における電流値と比較される。この結果、所定種類の組み合わせでこれらの印加電圧を印加して電流を測定することにより、例えば配線間における断線の検査、配線間におけるショート（短絡）の検査、プリチャージ回路２０１やサンプリング回路３０１における回路リークの検査等を比較的簡単に行うことができる。
【００８４】
このように検査回路を周辺見切り５３下に設ければ、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１をＴＦＴアレイ基板１の周辺部分に余裕を持って形成することができ、液晶装置における有効表示面積の減少を招くことなく、同時に、特に周辺見切り５３は遮光性であるので、画面表示領域を介して入射される光に対する遮光を検査回路を構成するＴＦＴに施す必要も無い。更に、プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１に代えて又は加えて周辺見切り５３下に、当該液晶装置を動作させるための、例えば画質の向上、消費電力の低減、コストの低減等の観点からＴＦＴ等を用いた各種の周辺回路のうち、交流電圧駆動されるタイプの回路を設けてもよい。このように周辺回路を設ければ、液晶装置における有効表示面積の減少を招くことなく、同時に、特に周辺見切り５３は遮光性であるので、画面表示領域を介して入射される光に対する遮光を周辺回路を構成するＴＦＴに施す必要も無い。そして、周辺回路は交流電圧駆動されるので、直流電圧印加による液晶層５０の劣化という問題は生じない。
【００８５】
また、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、サンプリング回路３０１、プリチャージ回路２０１及び検査回路のうちのいずれか一つのみを周辺見切り５３下に形成し、残りをＴＦＴアレイ基板１上の周辺部分等に形成しても、デッドスペースの有効利用の効果は多少なりとも得られる。
【００８６】
更にまた、以上の実施の形態において、特開平９−１２７４９７号公報、特公平３−５２６１１号公報、特開平３−１２５１２３号公報、特開平８−１７１１０１号公報等に開示されているように、ＴＦＴアレイ基板１上においてＴＦＴ３０に対向する位置（即ち、ＴＦＴ３０の下側）にも、例えば高融点金属からなる遮光層を設けてもよい。このようにＴＦＴ３０の下側にも遮光層を設ければ、ＴＦＴアレイ基板１の側からの戻り光等がＴＦＴ３０に入射するのを未然に防ぐことができ、ＴＦＴ３０の光によるリーク電流を防ぐことができる。
【００８７】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した液晶装置２００を備えた電子機器の実施の形態について図１１から図１５を参照して説明する。
【００８８】
先ず図１１に、このように液晶装置２００を備えた電子機器の概略構成を示す。
【００８９】
図１１において、電子機器は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、前述の走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１を含む駆動回路１００４、前述のように周辺見切り下にプリチャージ回路及びサンプリング回路が設けられた液晶パネル１０、クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、光ディスク装置などのメモリ、同調回路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１によって前述の駆動方法により液晶パネル１０を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶パネル１０を構成するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。
【００９０】
次に図１２から図１５に、このように構成された電子機器の具体例を夫々示す。
【００９１】
図１２において、電子機器の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶パネル１０を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂとして用いた投写型プロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、ライトガイド１１０４の内部で、複数のミラー１１０６を介して、２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂに夫々導かれる。そして、ライトバルブ１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーンなどにカラー画像として投写される。
【００９２】
図１３において、電子機器の他の例たるラップトップ型のパーソナルコンピュータ１２００は、上述した液晶パネル１０がトップカバーケース内に備えられており、更にＣＰＵ、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組み込まれた本体１２０４を備えている。
【００９３】
図１４において、電子機器の他の例たるページャ１３００は、金属フレーム１３０２内に前述の駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載されて液晶表示モジュールをなす液晶パネル１０が、バックライト１３０６ａを含むライトガイド１３０６、回路基板１３０８、第１及び第２のシールド板１３１０及び１３１２、二つの弾性導電体１３１４及び１３１６、並びにフィルムキャリアテープ１３１８と共に収容されている。この例の場合、前述の表示情報処理回路１００２（図１１参照）は、回路基板１３０８に搭載してもよく、液晶パネル１０のＴＦＴアレイ基板上に搭載してもよい。更に、前述の駆動回路１００４を回路基板１３０８上に搭載することも可能である。
【００９４】
尚、図１４に示す例はページャであるので、回路基板１３０８等が設けられている。しかしながら、駆動回路１００４や更に表示情報処理回路１００２を搭載して液晶モジュールをなす液晶パネル１０の場合には、金属フレーム１３０２内に液晶パネル１０を固定したものを液晶装置として、或いはこれに加えてライトガイド１３０６を組み込んだバックライト式の液晶装置として、生産、販売、使用等することも可能である。
【００９５】
また図１５に示すように、駆動回路１００４や表示情報処理回路１００２を搭載しない液晶パネル１０の場合には、駆動回路１００４や表示情報処理回路１００２を含むＩＣ１３２４がポリイミドテープ１３２２上に実装されたＴＣＰ（Tape  Carrier  Package）１３２０に、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して物理的且つ電気的に接続して、液晶装置として、生産、販売、使用等することも可能である。
【００９６】
以上図１２から図１５を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが図１１に示した電子機器の例として挙げられる。
【００９７】
以上説明したように、本実施の形態によれば、相対的に画面表示領域が大きく且つ高品位の画像表示が可能な液晶装置２００を備えた各種の電子機器を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  液晶装置の実施の形態におけるＴＦＴアレイ基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロック図である。
【図２】  図１の液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図３】  図１の液晶装置の全体構成を示す断面図である。
【図４】  液晶装置に設けられたプリチャージ回路を構成するＴＦＴの回路図である。
【図５】  液晶装置に設けられたサンプリング回路を構成するＴＦＴの回路図である。
【図６】  液晶装置に備えられた液晶パネルの構成を示す断面図である。
【図７】  図６の液晶パネルを構成するＴＦＴアレイ基板の平面図である。
【図８】  図６の液晶パネルのプリチャージ信号線に沿った断面図である。
【図９】  図６の液晶パネルに設けられるプリチャージ回路の平面図である。
【図１０】  検査回路の一例の回路図である。
【図１１】  本発明による電子機器の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。
【図１２】  電子機器の一例としての液晶プロジェクタを示す断面図である。
【図１３】  電子機器の他の例としてのパーソナルコンピュータを示す正面図である。
【図１４】  電子機器の一例としてのページャを示す分解斜視図である。
【図１５】  電子機器の一例としてのＴＣＰを用いた液晶装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
１・・・ＴＦＴアレイ基板
２・・・対向基板
１０・・・液晶パネル
１１・・・画素電極
１２・・・配向膜
２１・・・共通電極
２２・・・配向膜
２３・・・ブラックマトリクス
３０・・・ＴＦＴ
３１・・・走査線（ゲート電極）
３２・・・半導体層
３３・・・ゲート絶縁層
３４・・・ソース領域
３５・・・データ線（ソース電極）
３６・・・ドレイン領域
３７、３８・・・コンタクトホール
４１・・・第１層間絶縁層
４２・・・第２層間絶縁層
４３・・・第３層間絶縁層
５０・・・液晶層
５２・・・シール剤
５３・・・周辺見切り
７０・・・蓄積容量
１０１・・・データ線駆動回路
１０２・・・実装端子
１０４・・・走査線駆動回路
２００・・・液晶装置
２０１・・・プリチャージ回路
２０２・・・ＴＦＴ
２０４・・・プリチャージ信号線
２０６・・・プリチャージ回路駆動信号線
３０１・・・サンプリング回路
３０２・・・ＴＦＴ
４０１・・・検査回路
４０２・・・ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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