(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に配設するとともに上下に位置する薄膜配線導体層を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して接続してなる多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層の少なくとも１層に穴部を設け、該穴部内に誘電体磁器を挿入させるとともに該誘電体磁器の上下面に厚み２μｍ〜４０μｍの有機樹脂層を介し薄膜配線導体層の一部を対向配置させて該対向する薄膜配線導体層間に容量素子を電気的に接続したことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記有機樹脂層の厚みが２μｍ乃至４０μｍであることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記有機樹脂層に、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン酸化合物、ジルコン酸化合物の少なくとも１種から成る粉末を１０重量％乃至９５重量％含有させたことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層配線基板に関し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の自動部品を多数搭載し、所定の電子回路を構成するようになした混成集積回路装置は、通常、絶縁基板の内部及び表面にタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成る配線導体を形成した構造の配線基板を準備し、次に前記配線基板の表面に半導体素子や容量素子、抵抗器等を搭載取着するとともに該半導体素子等の電極を前記配線導体に接続することによって混成集積回路装置となる。
【０００３】
かかる従来の混成集積回路装置等に使用される配線基板は一般にセラミックスの積層技術及びスクリーン印刷法等の厚膜技術を採用することによって製作されており、具体的には以下の方法によって製作されている。
【０００４】
即ち、
（１）まず、アルミナ等の電気絶縁性に優れたセラミック原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して複数枚のセラミック生シートを得るとともに該各セラミック生シートの上下面にタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成る導電ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜技術を採用することによって所定パターンに印刷塗布する。
【０００５】
（２）次に前記各セラミック生シートを積層し、積層体を得るとともにこれを約１５００℃の温度で焼成し、内部及び表面にタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成る配線導体を有する絶縁基板を得る。
【０００６】
（３）そして最後に、前記配線導体のうち、大気中に露出する表面にニッケル及び金等の耐蝕性に優れ、良導電性で、半田等のロウ材と濡れ性（反応性）の良い金属をめっき法により被着させ、これによって製品としての配線基板が完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の配線基板においては、配線導体がタングステンやモリブデン等の高融点金属粉末から成る導電ペーストをスクリーン印刷法等の厚膜技術を採用し、所定パターンに印刷塗布することによって形成されており、配線導体の微細化が困難で配線導体を高密度に形成することができないという欠点を有していた。
【０００８】
またこの従来の配線基板は表面に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品が多数搭載され、部品の搭載数に応じて大型化してしまうという欠点も有していた。
【０００９】
本発明は上述の欠点に鑑み案出されたもので、その目的は配線導体を薄膜技術により形成される薄膜配線導体とすることによって配線を高密度とし、かつ内部に容量素子を内蔵することによって混成集積回路装置等としたとき装置を小型となすことができる多層配線基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に配設するとともに上下に位置する薄膜配線導体層を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して接続してなる多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層の少なくとも１層に穴部を設け、該穴部内に誘電体磁器を挿入させるとともに該誘電体磁器の上下面に厚み２μｍ〜４０μｍの有機樹脂層を介し薄膜配線導体層の一部を対向配置させて該対向する薄膜配線導体層間に容量素子を電気的に接続したことを特徴とするものである。
【００１１】
また本発明は、前記有機樹脂層の厚みが２μｍ乃至４０μｍであることを特徴とするものである。
【００１２】
更に本発明は、前記有機樹脂層に、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン酸化合物、ジルコン酸化合物の少なくとも１種から成る粉末を１０重量％乃至９５重量％含有させたことを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の多層配線基板によれば、配線導体を薄膜技術によって形成したことから配線導体の微細化が可能となり、配線導体を極めて高密度に形成することが可能となる。
【００１４】
また本発明の多層配線基板によれば、有機樹脂絶縁層に穴部を設け、該穴部内に誘電体磁器を挿入させるとともに誘電体磁器の上下面に薄膜配線導体層の一部を対向配置させたことから、誘電体磁器の比誘電率、厚み、幅、長さを調整することによって所定の静電容量値を有する容量素子を任意数内蔵させることができ、多層配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭載して混成集積回路装置となす場合、多層配線基板に別途容量素子を多数実装する必要はなく、その結果、多層配線基板に実装される部品の数が減り、混成集積回路装置等を小型となすこともできる。
【００１５】
更に本発明の多層配線基板によれば、誘電体磁器の上下面と薄膜配線導体層との間に有機樹脂層を介在させたことから有機樹脂層によって誘電体磁器と薄膜配線導体層との接合が強固となり、薄膜配線導体層の所定位置に所定静電容量値の容量素子を高い信頼性で電気的接続することが可能となるとともに有機樹脂絶縁層に設けた穴が誘電体磁器と有機樹脂層とによって完全に埋められ、上部に位置する有機樹脂絶縁層を平坦として薄膜配線導体層を断線等を招来することなく所定パターンに形成することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
図１及び図２は、本発明の多層配線基板の一実施例を示し、１は基板、２は多層配線部である。
【００１７】
前記基板１はその上面に３つの有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと３つの薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃを交互に多層に配設して成る多層配線部２が形成されており、該多層配線部２を支持する支持部材として作用する。
【００１８】
前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂基板やビスマレイミドトリアジン基板等の電気絶縁材料で形成されており、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６００℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって所定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃の温度で焼成することによって製作され、またガラスエポキシ樹脂基板やビスマレイミドトリアジン基板等で形成されている場合は、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂の前駆体を含浸させたものを複数枚積層し、しかる後、前記エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂の前駆体を所定の温度（１００℃〜２００℃）で熱硬化させることによって製作される。
【００１９】
また前記基板１には上下両主面に貫通する孔径が例えば、直径３００μｍ〜５００μｍの貫通孔５が形成されており、該貫通孔５の内壁には両端が基板１の上下両面に導出する導電層６が被着されている。
【００２０】
前記貫通孔５は後述する基板１の上面に形成される多層配線部２の薄膜配線導体層４ａと外部電気回路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両主面に多層配線部２を配設した場合には両主面の多層配線部２の薄膜配線導体層同士を電気的に接続する導電層６を形成するための形成孔として作用し、基板１にドリル孔あけ加工法を施すことによって基板１の所定位置に所定形状に形成される。
【００２１】
更に前記貫通孔５の内壁及び基板１の上下両面に被着形成されている導電層６は例えば、銅やニッケル等の金属材料から成り、従来周知のめっき法及びエッチング法を採用することによって貫通孔５の内壁に両端を基板１の上下両面に導出させた状態で被着形成される。
【００２２】
前記導電層６は基板１の主面に配設される多層配線部２の薄膜配線導体層３ａを外部電気回路に電気的に接続したり、基板１の上下両主面に配設される各々の多層配線部２の薄膜配線導体層同士を電気的に接続する作用をなす。
【００２３】
また前記基板１に形成した貫通孔５はその内部にエポキシ樹脂から成る有機樹脂充填体７が充填されており、該有機樹脂充填体７によって貫通孔５が完全に埋められ、同時に有機樹脂充填体７の両端面が基板１の上下両主面に被着させた導電層６の面と同一平面となっている。
【００２４】
前記有機樹脂充填体７は基板１の上面及び／又は下面に後述する複数の有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと複数の薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとから成る多層配線部２を形成する際、多層配線部２の各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと各薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃの平坦化を維持する作用をなす。
【００２５】
なお、前記有機樹脂充填体７は基板１の貫通孔５内にエポキシ樹脂の前駆体を充填し、しかる後、これに８０℃〜２００℃の温度を０．５〜３時間印加し、完全に熱硬化させることによって基板１の貫通孔５内に充填される。
【００２６】
更に前記基板１はその上面に３つの有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと３つの薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとが交互に多層に配設された多層配線部２が形成されており、かつ薄膜配線導体層４ａは導電層６と電気的に接続されている。
【００２７】
前記多層配線部２を構成する有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃは上下に位置する薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃの電気的絶縁を図る作用をなし、各薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃは電気信号を伝達するための伝達路として作用する。
【００２８】
前記多層配線部２の各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃは、エポキシ樹脂、ビスマレイミドポリアジド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂から成る場合、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコート法により被着させ、しかる後、これを８０〜２００℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることによって形成される。
【００２９】
また前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃはその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚みに対して約１．５倍程度のスルーホール８が形成されており、該スルーホール８は後述する有機樹脂絶縁層２を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気的に接続するスルーホール導体９を形成するための形成孔として作用する。
【００３０】
前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに設けるスルーホール８は例えば、フォトリソグラフィー技術、具体的には各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ上にレジスト材を塗布するとともにこれに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチング液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃを除去して、有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに穴（スルーホール）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ上より剥離させ除去することによって行われる。
【００３１】
更に前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの各々の上面には所定パターンの薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃが、また各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導体９が各々配設されており、スルーホール導体９によって有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃを間に挟んで上下に位置する各薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃが電気的に接続されるようになっている。
【００３２】
前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの上面及びスルーホール８の内壁に配設される薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃ及びスルーホール導体９は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の薄膜技術及びフォトリソグラフィー技術を採用することによって形成され、例えば、銅で形成されている場合には、有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの上面及びスルーホール８の内表面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットルから成る無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をフォトリソグラフィー技術により所定パターンに加工することによって各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ間、及びスルーホール８内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃ及びスルーホール導体９は薄膜技術により形成されることから配線の微細化が可能であり、これによって薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃを極めて高密度に形成することが可能となる。
【００３３】
なお、前記多層配線部２は各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの厚みが１００μｍを越えると各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃにフォトリソグラフィー技術を採用することによってスルーホール８を形成する際、エッチングの加工時間が長くなってスルーホール８を所望する鮮明な形状に形成するのが困難となり、また５μｍ未満となると各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの上面に上下に位置する有機樹脂絶縁層の接合強度を上げるための粗面加工を施す際、各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに不要な穴が形成され上下に位置する薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃに不要な電気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃはその各々の厚みを５μｍ〜１００μｍの範囲としておくことが重要である。
【００３４】
また前記多層配線部２の各薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃはその厚みが１μｍ未満となると各薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃの電気抵抗値が大きなものとなって各薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃに所定の電気信号を伝達させることが困難となり、また４０μｍを越えると薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃを有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに被着させる際に薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃの内部に大きな応力が内在し、該大きな内在応力によって薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃが有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃから剥離し易いものとなる。従って、前記多層配線部２の各薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃの厚みは１μｍ〜４０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３５】
更に前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとで形成形成される多層配線部２はその有機樹脂絶縁層３ｂに穴部Ｈが設けられているとともに該穴部Ｈ内に誘電体磁器１０が挿入されており、該誘電体磁器１０をその上下両面に配設されている薄膜配線導体層４ａ、４ｂの一部で対向挟持することによって容量素子Ａが形成され、該容量素子Ａは薄膜配線導体層４ａ、４ｂに電気的に接続されている。
【００３６】
前記有機樹脂絶縁層３ｂに形成されている穴部Ｈは誘電体磁器１０を収容するための空所として作用し、有機樹脂絶縁層３ｂにスルーホール８を形成するのと同様の方法、具体的には有機樹脂絶縁層３ｂ上にレジスト材を塗布するとともにこれに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチング液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁層３ｂを除去して、有機樹脂絶縁層３ｂに穴部Ｈを形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層３ｂ上より剥離させ除去することによって行われる。
【００３７】
また前記有機樹脂絶縁層３ｂの穴部Ｈ内に挿入される誘電体磁器１０はチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム等の比誘電率が高い磁器から成り、例えば、チタン酸バリウムから成る場合、炭酸パリウム、酸化チタン、チタン酸マグネシウム等の原料粉末を仮焼、反応させてチタン酸バリウムを得、次にこれを微粉に粉砕するとともに適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物となし、最後に前記泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロール法等によりグリーンシートとなすとともにこれを高温で焼成することによって製作される。
【００３８】
前記有機樹脂絶縁層３ｂの穴部Ｈ内に挿入された誘電体磁器１０の上下両面を薄膜配線導体層４ａ、４ｂの一部で対向挟持して成る容量素子Ａはその静電容量値が誘電体磁器１０の比誘電率、誘電体磁器１０の厚み及び誘電体磁器１０を挟んでの薄膜配線導体層４ａ、４ｂの対向面積によって決定され、誘電体磁器１０の比誘電率や誘電体磁器１０の厚み等を調整することによって所定の静電容量値が得られる。
【００３９】
また前記容量素子Ａは基板１上に設けた多層配線部２の内部に内蔵されており、そのためこの多層配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭載して混成集積回路装置等となす場合、多層配線基板に別途、容量素子を多数搭載実装する必要はなく、その結果、多層配線基板に実装される部品の数が減り、混成集積回路装置等を小型となすことが可能となる。
【００４０】
更に前記誘電体磁器１０の上下両面を薄膜配線導体層４ａ、４ｂの一部で対向挟持して成る容量素子Ａは図２に示す如く、誘電体磁器１０の上下面と薄膜配線導体層４ａ、４ｂとの間に有機樹脂層１１が配されている。
【００４１】
前記有機樹脂層１１は誘電体磁器１０の上下面に薄膜配線導体層４ａ、４ｂを強固に接合させるとともに有機樹脂絶縁層３ｂに設けた穴部Ｈを誘電体磁器１０とで完全に埋める作用をなし、これによって薄膜配線導体層４ａ、４ｂの所定位置に所定静電容量値の容量素子Ａを高い信頼性で電気的接続することが可能となるとともに有機樹脂絶縁層３ｂの上部に位置する有機樹脂絶縁層３ｃを平坦として薄膜配線導体層４ｂ、４ｃ等を断線等を招来することなく所定パターンに形成することが可能となる。
【００４２】
前記有機樹脂層１１は有機樹脂絶縁層３ｂと同質の材料、具体的にはエポキシ樹脂、ビスマレイミドポリアジド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成り、例えば、エポキシ樹脂から成る場合、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体を有機樹脂絶縁層３ｂの穴部Ｈ内に充填し、次に有機樹脂絶縁層３ｂの穴部Ｈ内に誘電体磁器１０を挿入させるとともに該誘電体磁器１０の上部に再度、前記エポキシ樹脂前駆体を適量充填させ、最後に前記エポキシ樹脂前駆体を８０〜２００℃の温度で熱処理し、熱硬化させることによって誘電体磁器１０の上下面と薄膜配線導体層４ａ、４ｂとの間に配される。
【００４３】
また前記有機樹脂層１１はその厚みが２μｍ乃至４０μｍとなっており、厚みが２μｍ未満であると誘電体磁器１０の上下面と薄膜配線導体層４ａ、４ｂとの接合が弱くなる傾向にあり、また４０μｍを超えると薄膜配線導体層４ａ、４ｂ間に接続される容量素子Ａの静電容量値が小さくなり、大きな静電容量値の容量素子Ａを内蔵することが困難となる危険性がある。従って、前記有機樹脂層１１はその厚みを２μｍ乃至４０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００４４】
更に前記有機樹脂層１１はその内部に酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン酸化合物、ジルコン酸化合物の少なくとも１種から成る粉末を１０重量％乃至９５重量％含有させておくと、有機樹脂層１１の表面に微小な凹凸が多量に形成されて薄膜配線導体層４ａ、４ｂと有機樹脂層１１との接合面積が増大し、これによって両者の接合強度を大幅に向上させることができるとともに有機樹脂層１１の熱膨張係数を調整し、熱が印加された際に有機樹脂層１１が穴部Ｈより膨張突出しその上下に位置する薄膜配線導体層４ａ、４ｂを押圧して薄膜配線導体層４ａ、４ｂに断線等を招来させるのが有効に防止できる。従って、前記有機樹脂層１１はその内部に酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン酸化合物、ジルコン酸化合物の少なくとも１種から成る粉末を添加混合させておくことが好ましい。
【００４５】
また更に前記有機樹脂層１１の内部に酸化珪素や酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン酸化合物、ジルコン酸化合物等から成る粉末を添加混合させておく場合、その添加量が１０重量％未満であると有機樹脂層１１の熱膨張係数を充分に調整することができず、熱の印加によって有機樹脂層１１の一部が穴部Ｈの上下側に膨張突出し、薄膜配線導体層４ａ、４ｂに断線等を招来させてしまう危険性があり、また９５重量％を越えると有機樹脂層１１の強度が劣化してしまう危険性がある。従って、前記有機樹脂層１１の内部に酸化珪素や酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、チタン酸化合物、ジルコン酸化合物等から成る粉末を添加混合させておく場合、粉末の添加量は１０重量％乃至９５重量％の範囲が好ましい。
【００４６】
かくして上述の多層配線基板によれば、最上層の有機樹脂絶縁層２上面に設けたボンディングパッド１０に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を熱圧着等により接続させ、電子部品Ａの電極をボンディングパッド１０を介して薄膜配線導体層３に電気的に接続させることによって半導体装置や混成集積回路装置となり、薄膜配線導体層３の一部を外部電気回路に接続すれば前記電子部品Ａが外部電気回路に接続されることとなる。
【００４７】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例においては基板１の上面側のみに複数の有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと複数の薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとを交互に積層して形成される多層配線部２を被着させたが、該多層配線部２を基板１の下面側のみに設けても、上下の両主面に設けてもよい。
【００４８】
また上述の実施例において、有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとを交互に多層に配設して形成される多層配線部２は各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとの接合及び上下に位置する有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ同士の接合を強固となすことができる。従って、前記多層配線部２の各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃはその上面をエッチング加工法等によって粗し、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくことが好ましい。
【００４９】
更に前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃはその表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上としておくと有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと薄膜配線導体層４ａ、４ｂ、４ｃとの接合及び上下に位置する有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ同士の接合がより強固となる。従って、前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃはその表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上としておくとことが好ましい。
【００５０】
前記中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上の有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃは、該有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの上面にＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ａｒ等のガスを吹きつけリアクティブイオンエッチング処理をすることによって表面が所定の粗さに粗される。
【００５１】
なお、前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ上面の中心線平均粗さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの表面を原子間力顕微鏡（Digital Instruments Inc.製のDimension 3000-Nano Scope III)で５０μｍ角の対角（７０μｍ）に走査させてその表面状態を検査測定し、その測定結果より各々の数値を出した。
【００５２】
【発明の効果】
本発明の多層配線基板によれば、基板上に薄膜技術によって配線を形成したことから配線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成することが可能となる。
【００５３】
また本発明の多層配線基板によれば、有機樹脂絶縁層に穴部を設け、該穴部内に誘電体磁器を挿入させるとともに誘電体磁器の上下面に薄膜配線導体層の一部を対向配置させたことから、誘電体磁器の比誘電率、厚み、幅、長さを調整することによって所定の静電容量値を有する容量素子を任意数内蔵させることができ、多層配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭載して混成集積回路装置となす場合、多層配線基板に別途容量素子を多数実装する必要はなく、その結果、多層配線基板に実装される部品の数が減り、混成集積回路装置等を小型となすこともできる。
【００５４】
更に本発明の多層配線基板によれば、誘電体磁器の上下面と薄膜配線導体層との間に有機樹脂層を介在させたことから有機樹脂層によって誘電体磁器と薄膜配線導体層との接合が強固となり、薄膜配線導体層の所定位置に所定静電容量値の容量素子を高い信頼性で電気的接続することが可能となるとともに有機樹脂絶縁層に設けた穴が誘電体磁器と有機樹脂層とによって完全に埋められ、上部に位置する有機樹脂絶縁層を平坦として薄膜配線導体層を断線等を招来することなく所定パターンに形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す多層配線基板の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・・・・・基板
２・・・・・・・・・・・多層配線部
３ａ、３ｂ、３ｃ・・・・有機樹脂絶縁層
４ａ、４ｂ、４ｃ・・・・薄膜配線導体層
８・・・・・・・・・・・スルーホール
９・・・・・・・・・・・スルーホール導体
１０・・・・・・・・・・誘電体磁器
１１・・・・・・・・・・有機樹脂層
Ａ・・・・・・・・・・・容量素子
Ｈ・・・・・・・・・・・穴部
【図１】
0003688844.tif 000002
【図２】
0003688844.tif 000003