(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｃｏ１−ａＸａ）（但し、ＸはＭｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｇｅ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素（但し、ＭｏとＺｎの共添加を除く）、０．１≦ａ≦０．３）を主成分とし、さらにＢ，Ｎ，Ｃ，Ｐの群から選んだ少なくとも一種以上の元素を０．００１〜５ａｔ％含有すると共に、強磁性／非磁性の２相分離組織を備えていることを特徴とする記録特性に優れた磁気記録媒体。
【請求項２】
（Ｃｏ１−ａＸａ）（但し、ＸはＭｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｇｅ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素（但し、ＭｏとＺｎの共添加を除く）、０．１≦ａ≦０．３）を主成分とし、さらにＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素及び又はＭｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｇｅの群から選択した一種以上の元素（但し、Ｘ成分と重複する元素は除外する）を３〜２５ａｔ％含有すると共に、強磁性／非磁性の２相分離組織を備えていることを特徴とする記録特性に優れた磁気記録媒体。
【請求項３】
さらに、Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐの群から選んだ少なくとも一種以上の元素を０．００１〜５ａｔ％含有することを特徴とする請求項２記載の記録特性に優れた磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性基体上に非磁性又は磁性下地層を介して記録磁性層を形成したことを特徴とする請求項１〜３のそれぞれに記載の記録特性に優れた磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度磁気記録媒体に関し、特に最小磁化単位のサイズ低減により記録特性を改善した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報化社会の発展に伴い、記録技術の更なる高密度化が切望されている。特に、ビット単価が安く、不揮発かつ大容量記録の可能な磁気記録においては、高密度記録の可能な磁気記録媒体の開発が強く要求され、種々の研究開発によりここ数年著しい高密度化が実現された。
しかし、将来的に更なる進化が期待される情報化社会において、例えば十年、二十年先の市場要求に対応できる高密度化の技術的見通しは殆ど得られていない。
【０００３】
高密度を実現するには、記録分解能の向上とノイズの低減が重要である。これらの要求を記録媒体特性という観点から考えると、高保磁力化そして最小磁化単位のサイズ低減が求められていることになる。
現行の高密度ハードディスク媒体の記録磁性層にＣｏ−Ｃｒ主体の合金薄膜が選ばれるのも上記の理由による。
すなわち、Ｃｏ−Ｃｒ合金は比較的高い保磁力を示し、さらに偏析と呼ばれる現象により、Ｃｏリッチの強磁性微粒子がＣｒリッチの非磁性相の存在によって、多かれ少なかれ磁気絶縁されるため磁化単位が小さくなることが経験的に知られている。
【０００４】
しかし、単にＣｏ−Ｃｒ二元合金を薄膜化しただけでは、保磁力の面でも磁化単位サイズの面でも記録の高密度化にあたっては不十分で、高い記録分解能及び低ノズル化を実現できない。
特に、後者の高密度化については、磁性を担う微小領域の磁気的分離が不十分なため、磁気的に結合した比較的大きな磁気集団（クラスター）を形成するという問題がある。そのサイズは凡そサブミクロンオーダーにも達し、現行の磁気記録技術における最小ビットサイズと同程度になる。
このような粗大クラスターの存在は記録密度の限界を決定すると共に、記録信号位置に相当する磁化遷移領域の形状を著しく乱し、ノイズを増加させる。
【０００５】
磁気記録媒体の高密度化に当たって、上記のような問題を克服するために、経験的にＰｔ又はＴａ等の元素がＣｏ−Ｃｒに添加された。前者は高保磁力化に効果があるもののノイズを増大させるという問題がある。一方、後者はノイズを低減できるものの通常保磁力が低下するという問題がある。
そこで、これら両元素の添加量を適当に調整し、高保磁力化と低ノイズ化の双方を妥協可能なレベルに至らしめる工夫がなされてきた。しかし、材料選択の幅が極めて狭いため、将来の超高密度記録技術を発展させていく上で、材料面での大きな不安が残されていた。
一方、Ｃｏ−Ｃｒ貴合金膜とは異なるアプローチとして、グラニュラー型媒体やリソグラフィー技術により微細加工したパターンドメディアが提案されている。しかし、これらも記録特性、コスト及び量産性の面で殆ど実用化の目途が立っていないのが現状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来研究されてきたＣｏ基合金薄膜媒体が抱える粗大磁気クラスターの存在に起因したノイズ増大の問題を解決し、以って高密度記録性能に優れた低ノイズ磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
１  （Ｃｏ１−ａＸａ）（但し、ＸはＭｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｇｅ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素（但し、ＭｏとＺｎの共添加を除く）、０．１≦ａ≦０．３）を主成分とし、さらにＢ，Ｎ，Ｃ，Ｐの群から選んだ少なくとも一種以上の元素を０．００１〜５ａｔ％含有すると共に、強磁性／非磁性の２相分離組織を備えていることを特徴とする記録特性に優れた磁気記録媒体
２  （Ｃｏ１−ａＸａ）（但し、ＸはＭｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｇｅ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素（但し、ＭｏとＺｎの共添加を除く）、０．１≦ａ≦０．３）を主成分とし、さらにＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素及び又はＭｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｇｅの群から選択した一種以上の元素（但し、Ｘ成分と重複する元素は除外する）を３〜２５ａｔ％含有すると共に、強磁性／非磁性の２相分離組織を備えていることを特徴とする記録特性に優れた磁気記録媒体
３  さらに、Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐの群から選んだ少なくとも一種以上の元素を０．００１〜５ａｔ％含有することを特徴とする上記２記載の記録特性に優れた磁気記録媒体
４  非磁性基体上に非磁性又は磁性下地層を介して記録磁性層を形成したことを特徴とする上記１〜３のそれぞれに記載の記録特性に優れた磁気記録媒体
を提供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
金属磁性薄膜において、磁気クラスター形成を抑制しノイズを低減するには、偏析を促進することが有効であることが分かっているが、発明者らはこの偏析メカニズムについて実験と詳細な検討を行い、Ｃｏ系合金の偏析は基本的に磁気相転移に基づくｈｃｐ相の２相分離に起因していることをつきとめた。
そして、Ｃｏ系合金磁性薄膜への微量元素の添加により偏析（基本的にはｈｃｐ相の２相分離）をさらに促進させることができ、これを熱力学による理論解析から定量的に再現できることを明らかにすることができた。
本発明は、この理論解析をＣｏ基合金に広く展開し、顕著な偏析効果が得られる元素の組合せが存在することを確認し、それを磁気記録媒体に利用するものである。
【０００９】
すなわち、本発明においてＣｏにＭｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｇｅ，Ｚｎの群（Ｘ群）から選択した一種以上の元素を１０〜３０ａｔ％添加した合金は、顕著な偏析が観測されたが、これらの合金に下記（I）〜（III）のグループの元素を添加することにより、磁気記録媒体としてさらに好ましい特性が得られることが分かった。
（I）強磁性相／非磁性二相磁気分離状態において、強磁性組成をよりＣｏリッチ側に移行させる性質を持つ元素であり、これは本発明においてＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素である。
（II）強磁性相／非磁性二相磁気分離状態において、非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させる性質を持つ元素であり、これは本発明においてＭｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｇｅの群から選択した一種以上の元素である。
なお、このＣｒ（II）群の元素において、Ｃｒ量が１０ａｔ％以下の場合（実施例に記載の成分）は、Ｍｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｇｅ，Ｚｎの群（Ｘ群）の主要成分に対して本質的に影響を与えるものではなく、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｇｅと同効の性質を示す。
（III）組織微細化及び非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させる性質を持つ元素であり、これは本発明において、Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐの群から選んだ少なくとも一種以上の元素である。
【００１０】
以上、三つのグループ（I群、II群、III群）の元素を選択し、適切に上記Ｃｏ基二元合金に添加することにより、良好な磁気分離及び最小磁化単位の微小化を実現することができた。
この場合、Ｃｏへの主たる添加元素すなわちＸ群（Ｍｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｇｅ，Ｚｎ）により、好適な添加元素I群、II群及びＢ，Ｎ，Ｐ群（III群）は変化する。それは、Ｘ群と添加元素I群、II群及びＢ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素の原子間相互パラメータが変化するためである。したがって、具体的には下記の組み合わせとなる。
【００１１】
Ｘ＝Ｍｏの場合、I群はＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素、II群はＷ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｇｅの群から選択した一種以上の元素であり、I群及び又はII群を総量で３〜２５ａｔ％含有させる。
I群の元素を添加した場合、３ａｔ％未満では強磁性相中のＣｏ濃度が増加して、磁気異方性エネルギーを増大させる効果がなく、また２５ａｔ％を超えるとＳ／Ｎ比（メディアノイズ）が悪くなるので好ましくない。
II群の元素を添加した場合、３ａｔ％未満では非磁性相への偏析を促進させ、Ｓ／Ｎ比を増大させる効果がなく、また２５ａｔ％を超えると磁気異方性エネルギーが減少するので好ましくない。
また、Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上を０．００１〜５ａｔ％で添加し、組織微細化及び非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させることができる。０．００１ａｔ％未満では組織微細化及び又は偏析を促進させ磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減するという添加の効果がなく、また５ａｔ％を超えて添加するとホウ化物、窒化物、炭化物などの化合物が形成され好ましくないので、上記の範囲とする。
Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上の０．００１〜５ａｔ％添加は、前記I群及び又はII群を総量で３〜２５ａｔ％含有させたＣｏ−Ｍｏ合金系にさらに添加することができる。
これによって、金属磁性薄膜において偏析を促進させ、磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減することができる。
【００１２】
Ｘ＝Ｗの場合、I群はＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素、II群はＭｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｇｅの群から選択した一種以上の元素であり、I群及び又はII群を総量で３〜２５ａｔ％含有させる。
I群の元素を添加した場合、３ａｔ％未満では強磁性相中のＣｏ濃度が増加して、磁気異方性エネルギーを増大させる効果がなく、また２５ａｔ％を超えるとＳ／Ｎ比（メディアノイズ）が悪くなるので好ましくない。
II群の元素を添加した場合、３ａｔ％未満では非磁性相への偏析を促進させ、Ｓ／Ｎ比を増大させる効果がなく、また２５ａｔ％を超えると磁気異方性エネルギーが減少するので好ましくない。
また、Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上を０．００１〜５ａｔ％で添加し、組織微細化及び非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させることができる。０．００１ａｔ％未満では組織微細化及び又は偏析を促進させ磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減するという添加の効果がなく、また５ａｔ％を超えて添加するとホウ化物、窒化物、炭化物などの化合物が形成され好ましくないので、上記の範囲とする。
Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上の０．００１〜５ａｔ％添加は、前記I群及び又はII群を総量で３〜２５ａｔ％含有させたＣｏ−Ｗ合金系にさらに添加することができる。
これによって、金属磁性薄膜において偏析を促進させ、磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減することができる。
【００１３】
Ｘ＝Ｒｕの場合、I群はＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素、II群はＷ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｇｅの群から選択した一種以上の元素であり、I群及び又はII群を総量で３〜２５ａｔ％含有させる。
I群の元素を添加した場合、３ａｔ％未満では強磁性相中のＣｏ濃度が増加して、磁気異方性エネルギーを増大させる効果がなく、また２５ａｔ％を超えるとＳ／Ｎ比（メディアノイズ）が悪くなるので好ましくない。
II群の元素を添加した場合、３ａｔ％未満では非磁性相への偏析を促進させ、Ｓ／Ｎ比を増大させる効果がなく、また２５ａｔ％を超えると磁気異方性エネルギーが減少するので好ましくない。
また、Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上を０．００１〜５ａｔ％で添加し、組織微細化及び非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させることができる。０．００１ａｔ％未満では組織微細化及び又は偏析を促進させ磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減するという添加の効果がなく、また５ａｔ％を超えて添加するとホウ化物、窒化物、炭化物などの化合物が形成され好ましくないので、上記の範囲とする。
Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上の０．００１〜５ａｔ％添加は、前記I群及び又はII群を総量で３〜２５ａｔ％含有させたＣｏ−Ｒｕ合金系にさらに添加することができる。
これによって、金属磁性薄膜において偏析を促進させ、磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減することができる。
【００１４】
Ｘ＝Ｇｅの場合、I群はＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素、II群はＷ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの群から選択した一種以上の元素であり、I群及び又はII群を総量で３〜２５ａｔ％含有させる。
I群の元素を添加した場合、３ａｔ％未満では強磁性相中のＣｏ濃度が増加して、磁気異方性エネルギーを増大させる効果がなく、また２５ａｔ％を超えるとＳ／Ｎ比（メディアノイズ）が悪くなるので好ましくない。
II群の元素を添加した場合、３ａｔ％未満では非磁性相への偏析を促進させ、Ｓ／Ｎ比を増大させる効果がなく、また２５ａｔ％を超えると磁気異方性エネルギーが減少するので好ましくない。
また、Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上を０．００１〜５ａｔ％で添加し、組織微細化及び非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させることができる。０．００１ａｔ％未満では組織微細化及び又は偏析を促進させ磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減するという添加の効果がなく、また５ａｔ％を超えて添加するとホウ化物、窒化物、炭化物などの化合物が形成され好ましくないので、上記の範囲とする。
Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上の０．００１〜５ａｔ％添加は、前記I群及び又はII群を総量で３〜２５ａｔ％含有させたＣｏ−Ｇｅ合金系にさらに添加することができる。
これによって、金属磁性薄膜において偏析を促進させ、磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減することができる。
【００１５】
Ｘ＝Ｚｎの場合、I群はＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕの群から選択した一種以上の元素、II群はＷ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの群から選択した一種以上の元素であり、I群及び又はII群を総量で３〜２５ａｔ％含有させる。
I群の元素を添加した場合、３ａｔ％未満では強磁性相中のＣｏ濃度が増加して、磁気異方性エネルギーを増大させる効果がなく、また２５ａｔ％を超えるとＳ／Ｎ比（メディアノイズ）が悪くなるので好ましくない。
II群の元素を添加した場合、３ａｔ％未満では非磁性相への偏析を促進させ、Ｓ／Ｎ比を増大させる効果がなく、また２５ａｔ％を超えると磁気異方性エネルギーが減少するので好ましくない。
また、Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上を０．００１〜５ａｔ％で添加し、組織微細化及び非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させることができる。０．００１ａｔ％未満では組織微細化及び又は偏析を促進させ磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減するという添加の効果がなく、また５ａｔ％を超えて添加するとホウ化物、窒化物、炭化物などの化合物が形成され好ましくないので、上記の範囲とする。
Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上の０．００１〜５ａｔ％添加は、前記I群及び又はII群を総量で３〜２５ａｔ％含有させたＣｏ−Ｚｎ合金系にさらに添加することができる。
これによって、金属磁性薄膜において偏析を促進させ、磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減することができる。
【００１６】
本発明者等の広範囲な実験により、上記組成において顕著な磁気的相分離が実現でき、粗大磁気クラスターの形成が抑制されるため、低ノイズの優れた高密度記録特性を実現することが可能となった。
この優れた低ノイズ特性は、上記記録磁性層をＣｒ若しくはＣｒ合金等の非磁性下地層上に形成した長手記録媒体においても、またパーマロイ、センダストなどの軟磁性下地層上、若しくは薄い非磁性中間層を介して形成した垂直磁気記録媒体においても、同様にその有効性が確認できた。
本発明において、膜厚に特に制限はないが、磁気記録システムとの兼ね合いで、膜厚５０ｎｍ以下においてその効果が顕著であった。
【００１７】
【実施例】
次に、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、本実施例は本発明の理解を容易にするためのものであり、これらの例によって本発明が制限されるものではない。
（実施例１）
表１に示す各種合金のターゲットを作製（試料番号１〜１０）し、下記の条件でスパッタリングを行い００２〜０．０４μｍの磁性薄膜を形成した。
基板にはガラスを用い、膜厚０．０２μｍのＣｒ薄膜を下地層として形成した。記録特性の評価は、磁気抵抗素子を具備した磁気ヘッドにより行った。記録トラック幅は０．７μｍであり、線記録密度３５０ｋＢＰＩ（ビッド／インチ）、トラック密度３４ｋＴＰＩ（トラック／インチ）の面密度１０Ｇビット／インチ２の条件でＳ／Ｎ比評価を行った。
（スパッタ条件）
マグネトロンスパッタリング装置
アルゴン圧：３ｍＴｏｒｒ
【００１８】
【表１】
0003607941.tif 000002
【００１９】
（比較例１）
比較例として、Ｃｏ−Ｃｒ合金及び本発明の組成範囲外のＣｏ−Ｃｒ系合金を示す。これらの合金を同様に表１（試料番号１１〜１４）に示す。
また、これらの合金を実施例１と同様の条件でターゲットを製作し、スパッタリングを行い０．０２〜０．０４μｍの磁性薄膜を形成した。基板には同様にガラスを用い、膜厚０．０２μｍのＣｒ薄膜を下地層として形成した。記録特性の評価は、磁気抵抗素子を具備した磁気ヘッドにより行った。
記録トラック幅は０．７μｍであり、線記録密度３５０ｋＢＰＩ（ビッド／インチ）、トラック密度３４ｋＴＰＩ（トラック／インチ）の面密度１０Ｇビット／インチ２の条件でＳ／Ｎ比評価を行った。
【００２０】
上記実施例１及び比較例１の磁性薄膜の特性値を表２に示す。
この表２に示すように、比較例１のＳ／Ｎ比が１０ｄＢ未満と低いのに対して、本実施例１の試料番号１〜１０の磁気異方性エネルギー及びＳ／Ｎ比は１５ｄＢ以上であり、同比較例に比べ格段に優れた結果が得られている。
これは、記録磁性層中の１０〜３０ａｔ％のＸ、すなわちはＭｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｇｅ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素の存在と、Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐの群から選んだ少なくとも一種以上の元素が０．００１〜５ａｔ％含有することによるものであり、これによって組織微細化及び非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させることができ、効果的に偏析を促進させて磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減することができたものと推察される。
【００２１】
【表２】
0003607941.tif 000003
【００２２】
（実施例２）
表３〜表５に示す（Ｃｏ１−ａＸａ）系合金のターゲットを作製した。
そして、これらのターゲットについて実施例１と同様の条件でスパッタリングを行い、０．０２〜０．０４μｍの磁性薄膜を形成した。基板にはガラスを用い、膜厚０．０１μｍのＣｒＭｏ薄膜を下地層として形成した。特性評価法は実施例１と同じである。
表３には、合金磁性薄膜を形成するための成分であるＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素（Ｙ１〜Ｙ１０）の比率を、表４にはＭｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｇｅの群から選択した一種以上の元素（Ｚ１〜Ｚ１０）の比率を示す。
そして、表５にこれらの合金磁性薄膜の組合せを総合的に示している。
【００２３】
（比較例２）
比較例として、本発明の組成範囲外の（Ｃｏ１−ａＸａ）系合金を示す。これらの合金を同様に表３（Ｙ１１〜Ｙ１２）、表４（Ｚ１１〜１２）及び表５（試料番号３２〜３５）に示す。
また、これらの合金を実施例１と同様の条件でターゲットを製作し、スパッタリングを行い０．０２〜０．０４μｍの磁性薄膜を形成した。基板には同様にガラスを用い、膜厚０．０１μｍのＣｒＭｏ薄膜を下地層として形成した。特性評価法は実施例２と同じである。
【００２４】
【表３】
0003607941.tif 000004
【００２５】
【表４】
0003607941.tif 000005
【００２６】
【表５】
0003607941.tif 000006
【００２７】
上記実施例２及び比較例２の磁性薄膜の特性値を表６に示す。
この表６に示すように、比較例２（試料番号３２〜３５）のＳ／Ｎ比が          １０ｄＢ未満であるのに対して、本実施例２の試料番号１６〜３１のＳ／Ｎ比は                    １５ｄＢ以上であり、同比較例に比べ格段に優れた結果が得られている。
これは、記録磁性層中の１０〜３０ａｔ％のＸ、すなわちはＭｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｇｅ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素の存在、及び合金磁性薄膜を形成するための成分であるＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素（Ｙ１〜Ｙ１０）とＭｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｇｅの群から選択した一種以上の元素（Ｚ１〜Ｚ１０）の適切な配合によるものである。
そして、これによって強磁性相／非磁性二相磁気分離状態において、強磁性組成をよりＣｏリッチ側に移行させる性質を持つ元素と非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させる性質を持つ元素との効果的な組合せにより、偏析を促進させて磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減することができたものと推察される。
【００２８】
【表６】
0003607941.tif 000007
【００２９】
（実施例３）
表５に示す本発明の代表的な磁性材料である試料番号１６の合金に、Ｂ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上を０．００１〜５ａｔ％で添加した合金のターゲットを作製した。
そして、実施例１同様の条件でスパッタリングを行い０．０２〜０．０４μｍの磁性薄膜を形成した。基板にはガラスを用い、膜厚０．０１μｍのＣｒＭｏ薄膜を下地層として形成した。特性評価法は実施例２と同じである。
表７にこの合金組成を示す。
【００３０】
【表７】
0003607941.tif 000008
【００３１】
上記実施例３の磁性薄膜の特性値を表８に示す。
この表８に示すように、本実施例３の試料番号３６〜４５のＳ／Ｎ比は１５ｄＢ以上であり、さらに優れた結果が得られている。
これは、記録磁性層中の１０〜３０ａｔ％のＸ、すなわちはＭｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｇｅ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素の存在及び合金磁性薄膜を形成するための成分であるＰｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｚｎの群から選択した一種以上の元素（Ｙ１〜Ｙ１０）とＭｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｇｅの群から選択した一種以上の元素（Ｚ１〜Ｚ１０）の適切な配合、さらにはＢ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素一種以上を０．００１〜５ａｔ％で添加したことによるものである。
そして、これによって強磁性相／非磁性二相磁気分離状態において、強磁性組成をよりＣｏリッチ側に移行させる性質を持つ元素と非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させる性質を持つ元素との効果的な組合せにより、さらに組織微細化及び非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させることができるＢ，Ｎ，Ｃ，Ｐ群（III群）の元素を添加することにより、効果的に偏析を促進させて磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減することができたものと推察される。
【００３２】
【表８】
0003607941.tif 000009
【００３３】
【発明の効果】
強磁性相／非磁性二相磁気分離状態において、強磁性組成をよりＣｏリッチ側に移行させる性質を持つ元素と非磁性相組成をより非磁性元素リッチ側に移行させる性質を持つ元素との効果的な組合せにより、効果的に偏析を促進させて磁気クラスター形成を抑制しノイズを効果的に低減することができるという優れた効果を有する。そして、従来研究されてきたＣｏ基合金薄膜媒体が抱える粗大磁気クラスターの存在に起因したノイズ増大の問題を解決し、以って高密度記録性能に優れた低ノイズ磁気記録媒体を提供することができる。