(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップ上に接着された絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上に形成された、前記半導体チップのパッドに接続されるボンディング部、外部電極に接続されるパッド部、および前記ボンディング部と前記パッド部とを接続する配線部をそれぞれ含む導電性パターンと、
前記絶縁性基材上に形成された、電気的に浮遊な島状部と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電気的に浮遊な島状部は、平状、縞状、千鳥状、格子状の少なくともいずれか一つのパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電気的に浮遊な島状部は、少なくとも前記絶縁性基材の、前記パッド部がマトリクス状に配置されたパッドエリア内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電気的に浮遊な島状部は、少なくとも前記絶縁性基材の、前記パッド部がマトリクス状に配置されたパッドエリア外に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導電性パターンは、前記パッドエリア外に配置されたオプションパッド部を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記電気的に浮遊な島状パターンは、前記導電性パターンを構成する導電性材料と同じ材料で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記導電性材料は、少なくとも１７０ＨＶのビッカース硬さを持つことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁性基材は、ＴＡＢテープであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記配線部は、幅が異なった拡張部を持つことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記拡張部の形状は、フィン状であることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記フィン状の拡張部は、前記導電性パターンとは異なった別の導電性パターン間に延びることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記拡張部は、少なくとも前記絶縁性基材の、前記パッド部がマトリクス状に配置されたパッドエリア内に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記拡張部は、少なくとも前記絶縁性基材の、前記パッド部がマトリクス状に配置されたパッドエリア外に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記導電性パターンは、前記パッドエリア外に配置されたオプションパッド部を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記導電性パターンは、前記導電性パターンを構成する導電性材料は、少なくとも１７０ＨＶの硬度を持つことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記絶縁性基材は、ＴＡＢテープであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体装置に係わり、特にＴＡＢ方式のボールグリッドアレイ型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１９Ａは従来のＴＡＢテープの平面図、図１９Ｂは図１９Ａ中の１９Ｂ−１９Ｂ線に沿う断面図、図１９Ｃは図１９Ａ中の１９Ｃ−１９Ｃ線に沿う断面図である。
【０００３】
図１９Ａ〜図１９Ｃに示すように、ポリイミドテープ（絶縁性基材）１の表面上には、銅（Ｃｕ）からなるＣｕパターン２が形成されている。Ｃｕパターン２は、例えばＣｕ箔をポリイミドテープ１に例えば接着剤で貼り付け、例えばＣｕパターン２に対応したパターンを持つレジスト層をマスクに用いて、Ｃｕ箔をエッチングすることにより形成される。ポリイミドテープ１の表面上にはソルダーレジスト層３が形成されており、このソルダーレジスト層３は、Ｃｕパターン２を、少なくともワイヤボンディング部２ＷＢ、およびボールパッド部２ＢＰを除いて被覆する。
【０００４】
ポリイミドテープ１の裏面上には接着剤層４が形成されている。接着剤層４上には保護テープ５が貼られている。
【０００５】
半導体チップ６は、上記ＴＡＢテープ上に搭載されるとともに、接着剤層４を介してＴＡＢテープに接着される。
【０００６】
この接着は、図２０Ａに示すように、まず、搭載装置のウェハ・チップトレイから、半導体チップ６をピックアップし、チップ６を、圧着装置の下側金型２２上に載せる。
【０００７】
次に、図２０Ｂに示すように、保護テープ５を剥がしたＴＡＢテープとチップ６との位置補正を行った後、上側金型２３を降下させて、ＴＡＢテープをチップ６に熱圧着する。これによりチップ６は、ＴＡＢテープに接着される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のＴＡＢテープでは、図１９Ｂ、図１９Ｃ、あるいは図２０Ｂに示すように、Ｃｕパターン２が形成されている面に、Ｃｕパターン２の有無により凹凸ができる。凹部２０はＣｕパターン２が無い部分で、凸部２１はＣｕパターン２が有る部分である。
【０００９】
このため、ＴＡＢテープにチップ６を熱圧着するとき、図２０Ｃに示すように、圧力が凸部２１に集中してしまい、凹部２２には圧力が掛かり難くなる。この圧力分布の差は、ＴＡＢテープとチップ６との密着力の差を生み、後々剥離の原因となる。
【００１０】
また、従来のＴＡＢテープでは、図２１Ａ、図２１Ｂに示すように、ソルダーレジスト層３と、ワイヤボンディング部２ＷＢとの交差角度θが９０度未満の部分が出る。
【００１１】
このため、ソルダーレジストをＴＡＢテープ上に印刷する際、特にワイヤボンディング部２ＷＢ近傍のＣｕパターン２において、ペースト状のソルダーレジストの流れにムラを生じ、ソルダーレジスト層３内に気泡２４を巻き込み易くなる。
【００１２】
ソルダーレジスト層３内や、ソルダーレジスト層３とポリイミドテープ１との間に気泡が発生すると、外部から気泡に水分が侵入し、時間の経過とともにＣｕパターン２を腐食させていく。
【００１３】
この発明は上記の事情に鑑み為されたもので、絶縁性機材とチップとの密着力の差を小さくし、安定した密着性を有する半導体装置を提供する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この発明の一態様に係る半導体装置は、パッドを有する半導体チップと、この半導体チップ上に接着された絶縁性基材と、この絶縁性基材上に形成された、前記半導体チップのパッドに接続されるボンディング部、外部電極に接続されるパッド部、および前記ボンディング部と前記パッド部とを接続する配線部をそれぞれ含む導電性パターンと、前記絶縁性基材上に形成された電気的に浮遊な島状部とを具備することを特徴としている。
【００１６】
上記構成を有する半導体装置によれば、導電性パターンに加えて、電気的に浮遊な島状部をさらに設けることで、導電性パターンの有無により生ずる凹凸を緩和できる。このため、圧力分布の差が従来に比べて緩和され、テープとチップとの密着力の差が小さくなる。よって、安定した密着性を有する半導体装置を得ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００２２】
（第１実施形態）
図１Ａはこの発明の第１実施形態に係る半導体装置の平面図、図１Ｂは図１Ａ中の１Ｂ−１Ｂ線に沿う断面図である。
【００２３】
図１Ａ、図１Ｂに示すように、ポリイミドテープ（絶縁性基材）１の表面上には、導電性パターン、例えは銅（Ｃｕ）からなるＣｕパターン（導電性パターン）２が形成されている。Ｃｕパターン２は、ワイヤボンディング部２ＷＢ、ボールパッド部２ＢＰ、および配線部２ＷＲを含む。ボールパッド部２ＢＰは、ポリイミドテープ１のほぼ中央に設定されたパッドエリア１２に、マトリクス状に配置される。配線部２ＷＲは、ワイヤボンディング部２ＷＢとボールパッド部２ＢＰとを接続する。
【００２４】
ポリイミドテープ１の主要面上には、ソルダーレジスト層（被覆層）３が形成されている。ソルダーレジスト層３は、Ｃｕパターン２を、少なくともワイヤボンディング部２ＷＢ、およびボールパッド部２ＢＰを除いて被覆する。ポリイミドテープ１は、半導体チップ６のパッド７が露呈する開孔部８を有する。ワイヤボンディング部２ＷＢは、開孔部８に露呈したパッド７と、例えば金（Ａｕ）からなるボンディングワイヤ９を介して接続される。
【００２５】
ポリイミドテープ１の裏面上には、接着剤層４が形成されており、この接着剤層４を介して、ポリイミドテープ１は、半導体チップ６に接着されている。接着剤の一例は、アクリル−エポキシ系接着剤である。この他、シリコーン（silicone）系接着剤等も使用できる。
【００２６】
図１Ｃは、半導体装置完成後を示す断面図である。
【００２７】
開孔部８には、ボンディングワイヤ９や、パッド７を外界から封止するための封止樹脂１０が形成されている。また、ボールパッド部２ＢＰ上には、例えばハンダからなるハンダバンプ（ハンダボールとも言う）１１が形成されている。ハンダバンプ１１は、半導体チップ６の外部電極となる。この状態での、ポリイミドテープ１の厚さの一例は0.075mm±0.008mm、接着剤層４の厚さの一例は0.05mm±0.01mm、チップ６の厚さの一例は0.38mm±0.02mmである。
【００２８】
また、パッドエリア１２の外側の周辺エリア１３に形成されたハンダバンプ１１’は、オプションボールと呼ばれるもので、ＴＡＢ方式のボールグリッドアレイ型半導体装置の機械的強度を高める役目を持つ。
【００２９】
ハンダバンプ（オプションボール）１１’は、オプションパッド部２ＢＰ’上に形成され、オプションパッド部２ＢＰ’は、周辺エリア１３に配置される。
【００３０】
図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃおよび図２Ｄはそれぞれ、この発明に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００３１】
まず、図２Ａに示すように、Ｃｕパターン２が形成されたポリイミドテープ１を準備する。
【００３２】
次に、図２Ｂに示すように、ソルダーレジスト層形成パターンに対応した窓５０を持つスクリーン５１を、Ｃｕパターン２上に近づける。次に、スキージ５２を図中矢印に示す方向に移動させ、ペースト状のソルダーレジスト５３を、スクリーン５１を介してテープ１上に印刷し、ソルダーレジスト層３を形成する。これにより、ＴＡＢテープが完成する。
【００３３】
次に、図２Ｃに示すように、半導体チップ６を、下側金型２２上に載せる。次に、保護テープ５を剥がしたＴＡＢテープとチップ６との位置補正を行った後、上側金型２３を降下させて、ＴＡＢテープをチップ６に熱圧着する。これによりチップ６は、ＴＡＢテープに接着される。
【００３４】
次に、図２Ｄに示すように、Ｃｕパターン２のワイヤボンディング部２ＷＢを、チップ６のパッド７に、ボンディングワイヤ９により接続する。次に、樹脂１０により、ボンディングワイヤ９やパッド７を封止し、ボールパッド部２ＢＰ上に、ハンダバンプ１１を形成することにより、この発明に係る半導体装置が製造される。
【００３５】
上記第１実施形態に係る半導体装置は、大きく３つの要素を含んでいる。
【００３６】
以下、順に説明する。
【００３７】
（第１の要素）
図３Ａはこの発明に係る半導体装置が備えるＴＡＢテープの第１基本パターンを示す平面図、図３Ｂは図３Ａ中の３Ｂ−３Ｂ線に沿う断面図、図３Ｃは図３Ａ中の３Ｃ−３Ｃ線に沿う断面図である。
【００３８】
第１実施形態のＣｕパターン２は、図３Ａ〜図３Ｃに示すように、ワイヤボンディング部２ＷＢ、ボールパッド部２ＢＰおよび配線部２ＷＲ等に加えて、電気的に浮遊な島状部２ＩＬを有する。島状部２ＩＬは、例えば配線部２ＷＲ間、あるいはボールパッド部２ＢＰ間に配置される。
【００３９】
Ｃｕパターン２が、電気的に浮遊な島状部２ＩＬを有することで、凸部２１の面積が増え、Ｃｕパターン２の有無により生ずる凹凸を緩和できる。この結果、図４Ａ〜図４Ｃに示す熱圧着工程時、チップ６にかかる圧力分布の差が、例えば図２０Ｃ示した従来に比べて緩和できる。この結果、ＴＡＢテープとチップ６との密着力の差が小さくなり、安定した密着性を有する半導体装置を得ることができる。
【００４０】
島状部２ＩＬを配置する領域としては、少なくともパッドエリア１２の外側の周辺エリア１３、即ちチップ６の周辺部に沿って配置されることが好ましい。
【００４１】
このように島状部２ＩＬを、周辺エリア１３に配置することで、チップ６の周辺部において、ＴＡＢテープとの密着性が高まり、剥離に対してより強固な耐性を得ることができる。
【００４２】
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄはそれぞれ、島状部の基本的なパターンを示す平面図である。
【００４３】
ところで、Ｃｕパターン２が島状部２ＩＬを有すると、配線部２ＷＲの寄生容量が増え、配線部２ＷＲの電気的特性、特にＲＣＬ特性に影響がでることが懸念される。
【００４４】
この影響は、島状部２ＩＬのデザインを、図５Ａ示す平状パターンに代えて、図５Ｂに示す縞状パターン、図５Ｃに示す千鳥状パターン、図５Ｄに示す格子状パターン等に変更することで、最小限に抑制することができる。例えば図５Ｂ〜８Ｃに示すパターンは、間隙を持つ。この間隙の分、例えば配線部２ＷＲの寄生容量を減ずることができ、配線部２ＷＲの電気的特性、特にＲＣＬ特性への影響を最小限に抑制できる。また、島状部２ＩＬのデザインを変えることで、配線部２ＷＲの電気的特性を調節することも可能である。
【００４５】
（第２の要素）
図６Ａはこの発明に係る半導体装置が備えるＴＡＢテープの第２基本パターンを示す平面図、図６Ｂは図６Ａ中の６Ｂ−６Ｂ線に沿う断面図、図６Ｃは図６Ａ中の６Ｃ−６Ｃ線に沿う断面図である。
【００４６】
第１実施形態のＣｕパターン２は、図６Ａ〜図６Ｃに示すように、少なくともその配線部２ＷＲの一部に、幅が広くされた拡張部２ＷＲＷを持つ。拡張部２ＷＲＷは、配線部２ＷＲ間やボールパッド部２ＢＰ間の間隙Ｄを小さくする。
【００４７】
Ｃｕパターン２が、拡張部２ＷＲＷを有することで、島状部２ＩＬを有する場合と同様、凸部２１の面積を増やすことができ、Ｃｕパターン２の有無により生ずる凹凸を緩和できる。この結果、図７Ａ〜図７Ｃに示す熱圧着工程時、チップ６にかかる圧力分布の差が、例えば図２０Ｃ示した従来に比べて緩和できる。この結果、ＴＡＢテープとチップ６との密着力の差が小さくなり、安定した密着性を有する半導体装置を得ることができる。
【００４８】
拡張部２ＷＲＷを設ける部分としては、島状部２ＩＬと同様に、少なくともパッドエリア１２の外側の周辺エリア１３、即ちチップ６の周辺部に沿って配置されることが好ましい。
【００４９】
さらに拡張部２ＷＲＷは、例えば配線部２ＷＲの幅を拡張することで得られるため、島状部２ＩＬを設け難い部分、例えば配線密度が密な部分にも容易に設けられる、という利点がある。
【００５０】
ただし、島状部２ＩＬには、拡張部２ＷＲＷを設け難い部分、例えば配線密度が疎な部分に設け易い、という利点がある。配線密度が疎な部分に、拡張部２ＷＲＷを設ける場合には、大きな拡張部２ＷＲＷを必要とし、配線部２ＷＲの容量が大きく増大してしまうからである。
【００５１】
これら島状部２ＩＬ、拡張部２ＷＲＷはそれぞれ、半導体装置の電気的特性を考慮しつつ、適切に配置されれば良い。適切な配置の一例は、図１Ａに示したように、島状部２ＩＬは、配線密度が比較的疎な周辺エリア１３に設け、拡張部２ＷＲＷは、配線密度が比較的密なパッドエリア１２に設けられることである。
【００５２】
図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｄはそれぞれ、拡張部の基本的なパターンを示す平面図。
【００５３】
拡張部２ＷＲＷの基本パターンの形状は、図８Ａに示すように、配線部２ＷＲの片側、もしくは両側に突き出た、もしくは膨んだフィン状である。フィン状の拡張部２ＷＲＷは、図８Ａに示すように、配線部２ＷＲの途中に、これに隣接する配線部２ＷＲ間の間隙Ｄを小さくするように設けられる。あるいは図８Ｂに示すように、別のＣｕパターン２間に延び、これら別のＣｕパターン２のボールパッド部２ＢＰ間の間隙を小さくするように、あるいは図８Ｃに示すように、別のＣｕパターン２の配線部２ＷＲ間の間隙を小さくするように設けられる。また、フィン状の拡張部２ＷＲＷは、図８Ｄに示すように、配線部２ＷＲの末端に設けられても良い。
【００５４】
これらのような拡張部２ＷＲＷや、島状部２ＩＬを含むＣｕパターン２の硬度としては、ビッカース硬さで１７０ＨＶ以上が好ましい。Ｃｕパターン２の潰れを抑制する観点からである。
【００５５】
また、この発明に係る拡張部２ＷＲＷや、島状部２ＩＬを含むＣｕパターン２を持つ場合の配線密度の一例は、Ｃｕパターン面積／テープ面積＝６８．５％である。従来の配線密度は、Ｃｕパターン面積／テープ面積＝４５．７％である。この観点から、配線密度（Ｃｕパターン面積／テープ面積）＝４５．７％を超えれば、従来の装置に比べれば、密着性が高まる。
【００５６】
（第３の要素）
図９Ａはこの発明に係る半導体装置が備えるＴＡＢテープの第３基本パターンを示す平面図、図９Ｂは図９Ａ中の９Ｂ−９Ｂ線に沿う断面図である。
【００５７】
第１実施形態のＣｕパターン２は、図９Ａ、図９Ｂに示すように、ワイヤボンディング部２ＷＢと、ソルダーレジスト層３のエッジとの交差角度θが９０度以上を保つ。交差角度θが９０度以上を保つことで、図２１Ａに示した交差角度が９０度未満の部分が出る従来に比べて、ワイヤボンディング部２ＷＢ近傍のＣｕパターン２において、印刷時、気泡が巻き込まれ難くなる。気泡が巻き込まれ難くなる結果、ソルダーレジスト層３内や、ソルダーレジスト層３とポリイミドテープ１との間に気泡が発生し難くなり、時間の経過とともにＣｕパターン２が腐食される事情を抑制できる。よって、導電性パターンの腐食に対して、高い信頼性を有する半導体装置を得ることができる。
【００５８】
図１０Ａおよび図１０Ｂはそれぞれ、上記Ｃｕパターン２を持つテープ１への、ソルダーレジスト印刷工程例を示す平面図である。
【００５９】
図１０Ａに示すように、ソルダーレジスト層形成パターンに対応した窓５０を持つスクリーン５１を、Ｃｕパターン２上に近づける。
【００６０】
次に、図１０Ｂに示すように、スキージ５２を、図中矢印に示す方向の方向に沿って動かす。具体的には、スキージ５２を、ワイヤボンディング部２ＷＢから配線部２ＷＲに向かって動かすことにより、ペースト状のソルダーレジスト５３がスクリーン５１の窓５０を介してテープ１上に印刷される。これにより、気泡が発生し難いソルダーレジスト層３が形成される。
【００６１】
図１１Ａ、および図１１Ｂはそれぞれ、ボンディング部の基本的なパターンを示す平面図である。
【００６２】
図１１Ａに示すＣｕパターン２は、交差角度θが９０度に保たれている場合であり、図１１Ｂに示すＣｕパターン２は、交差角度θが９０度を超えて保たれている場合である。交差角度θが９０度を超えて保つ場合には、ワイヤボンディング部２ＷＢの形状を、先端に向かって細るテーパ状とすれば良い。
【００６３】
次に、この発明のさらに他の実施形態のいくつかを説明する。
【００６４】
（第２実施形態）
図１２はこの発明の参考例に係る半導体装置の平面図であり、図１３はこの発明の第２実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【００６５】
図１３に示すように、第２実施形態に係る半導体装置は、図１２に示す参考例のＣｕパターン２に対して、島状部２ＩＬをさらに設けた例である。本例の島状部２ＩＬは、パッドエリア１２の外側、即ち周辺エリア１３に設けられている。
【００６６】
なお、第２実施形態は、第１実施形態で示したオプションパッド部２ＢＰ’を持たない例を示している。
【００６７】
（第３実施形態）
図１４は、この発明の第３実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【００６８】
図１４に示すように、第３実施形態に係る半導体装置は、図１２に示す参考例のＣｕパターン２に対して、拡張部２ＷＲＷをさらに設けた例である。本例の拡張部２ＷＲＷは、パッドエリア１２の外側、即ち周辺エリア１３に設けられている。
【００６９】
（第４実施形態）
図１５は、この発明の第４実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【００７０】
図１５に示すように、第４実施形態に係る半導体装置は、図１２に示す参考例のＣｕパターン２に対して、島状部２ＩＬ、拡張部２ＷＲＷをそれぞれさらに設けた例である。本例の島状部２ＩＬ、拡張部２ＷＲＷはそれぞれ、パッドエリア１２の外側、即ち周辺エリア１３に設けられている。
【００７１】
（第５実施形態）
図１６は、この発明の第５実施形態に係る半導体装置の平面図。
【００７２】
図１６に示すように、第５実施形態に係る半導体装置は、図１２に示す参考例のＣｕパターン２に対して、拡張部２ＷＲＷを設けた例であり、かつ拡張部２ＷＲＷを、パッドエリア１２、周辺エリア１３のそれぞれに設けたものである。特に本例では、パッドエリア１２、周辺エリア１３のほぼ全てに対して、拡張部２ＷＲＷが設けられている。
【００７３】
（第６実施形態）
図１７はこの発明に係る半導体装置の平面図、図１８はこの発明の第６実施形態に係る半導体装置の平面図である。なお、図１７、図１８はそれぞれ、特にテープ１側からではなく、チップ６側から見た平面図である。
【００７４】
図１７に示すように、第１〜第５実施形態に係る半導体装置を、チップ６側から見ると、封止樹脂１０がテープ１の開孔部８の周囲にのみ存在する。
【００７５】
第６実施形態では、図１８に示すように、封止樹脂１０をチップ６の周囲全体に存在させるようにした。封止樹脂１０をチップ６の周囲全体に存在させることで、チップ６とテープ１との密着性を、さらに安定させることができる。
【００７６】
以上、この発明を第１〜第６実施形態により説明したが、この発明はこれら実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、様々に変形することが可能である。
【００７７】
例えば導電性パターン２の例として、銅（Ｃｕ）を例示したが、これは銅合金、あるいはその他の導電物に変更することもできる。また、銅合金、あるいはその他の導電物に変更した場合には、その硬度は、少なくとも１７０ＨＶ以上あることが望ましい。
【００７８】
また、半導体チップのパッド配置として、チップの周辺と、チップのセンターとにパッドを配置したものを例示したが、パッド配置は、例えばチップの周辺のみ、あるいはチップのセンターのみに変更することもできる。
【００７９】
また、半導体チップ内に形成される半導体製品としては、ＳＲＡＭ、ＦＬＡＳＨ-ＥＥＰＲＯＭ、ＤＲＡＭ、混載ＤＲＡＭ、ＣＰＵなど、小型のパッケージが要求される製品が、特に好ましい。
【００８０】
また、上記第１〜第６実施形態はそれぞれ、単独で実施することが可能であるが、これら実施形態を様々に組み合わせて実施することも可能である。
【００８１】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、絶縁性基材とチップとの密着力の差を小さくし、安定した密着性を有する半導体装置を提供できる。
【００８２】
また、気泡の発生を抑制し、導電性パターンの腐食に対して、高い信頼性を有する半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１Ａはこの発明の第１実施形態に係る半導体装置の平面図、図１Ｂは図１Ａ中の１Ｂ−１Ｂ線に沿う断面図、図１Ｃは装置完成後を示す断面図。
【図２】図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃおよび図２Ｄはそれぞれこの発明に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３】図３Ａはこの発明に係る半導体装置が備えるＴＡＢテープの第１基本パターンを示す平面図、図３Ｂは図３Ａ中の３Ｂ−３Ｂ線に沿う断面図、図３Ｃは図３Ａ中の３Ｃ−３Ｃ線に沿う断面図。
【図４】図４Ａ、図４Ｂおよび図４Ｃはそれぞれ熱圧着工程を示す断面図。
【図５】図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄはそれぞれ島状部の基本的なパターンを示す平面図。
【図６】図６Ａはこの発明に係る半導体装置が備えるＴＡＢテープの第２基本パターンを示す平面図、図６Ｂは図６Ａ中の６Ｂ−６Ｂ線に沿う断面図、図６Ｃは図６Ａ中の６Ｃ−６Ｃ線に沿う断面図。
【図７】図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃはそれぞれ熱圧着工程を示す断面図。
【図８】図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｄはそれぞれ拡張部の基本的なパターンを示す平面図。
【図９】図９Ａはこの発明に係る半導体装置が備えるＴＡＢテープの第３基本パターンを示す平面図、図９Ｂは図９Ａ中の９Ｂ−９Ｂ線に沿う断面図。
【図１０】図１０Ａおよび図１０Ｂはそれぞれ印刷工程を示す平面図。
【図１１】図１１Ａおよび図１１Ｂはそれぞれボンディング部の基本的なパターンを示す平面図。
【図１２】図１２はこの発明の参考例に係る半導体装置の平面図。
【図１３】図１３はこの発明の第２実施形態に係る半導体装置の平面図。
【図１４】図１４はこの発明の第３実施形態に係る半導体装置の平面図。
【図１５】図１５はこの発明の第４実施形態に係る半導体装置の平面図。
【図１６】図１６はこの発明の第５実施形態に係る半導体装置の平面図。
【図１７】図１７はこの発明に係る半導体装置の平面図。
【図１８】図１８はこの発明の第６実施形態に係る半導体装置の平面図。
【図１９】図１９Ａは従来のＴＡＢテープの平面図、図１９Ｂは図１９Ａ中の１９Ｂ−１９Ｂ線に沿う断面図、図１９Ｃは図１９Ａ中の１９Ｃ−１９Ｃ線に沿う断面図。
【図２０】図２０Ａ、図２０Ｂおよび図２０Ｃはそれぞれ熱圧着工程を示す断面図。
【図２１】  図２１Ａは従来のＴＡＢテープの平面図、図２１Ｂは図２１Ａ中の２１Ｂ−２１Ｂ線に沿う断面図。
【符号の説明】
１…ポリイミドテープ（絶縁性基材）、
２…Ｃｕパターン（導電性パターン）、
２ＷＢ…ワイヤボンディング部、
２ＢＰ…ボールパッド部、
２ＢＰ’…オプションパッド部、
２ＷＲ…配線部、
２ＩＬ…島状部、
２ＷＲＷ…拡張部、
３…ソルダーレジスト層（絶縁層）、
４…接着剤層、
５…保護テープ、
６…半導体チップ、
７…パッド、
８…開孔部、
９…ボンディングワイヤ、
１０…封止樹脂、
１１…ハンダバンプ（外部電極）、
１１’…オプションボール、
１２…パッドエリア、
１３…周辺エリア、
２０…凹部、
２１…凸部、
２２…下側金型、
２３…上側金型、
２４…気泡、
５０…窓、
５１…スクリーン、
５２…スキージ、
５３…ペースト状のソルダーレジスト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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