(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＴＣサーミスタ素子を両側からジュメット部で挟んで互いに電気的に接続し、そのＮＴＣサーミスタ素子並びに各ジュメット部をガラス管で封止すると共に、ガラス管から露出する各ジュメット部の端面並びに各ジュメット部の端面から導出するリード線をメッキ被膜で被覆するガラスダイオード型ＮＴＣサーミスタの製造方法において、
上記メッキ被膜は、ｐＨ４〜１０のメッキ液による第１のメッキ層と、ｐＨ１〜３のメッキ液による第２のメッキ層とを積層させて形成したことを特徴とするガラスダイオード型ＮＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項２】
上記メッキ被膜は、ｐＨ４〜７のメッキ液によるＳｎのメッキ層を第１のメッキ層とし、ｐＨ１〜３のメッキ液によるＳｎ−Ｃｕのメッキ層を第２のメッキ層として形成したことを特徴とする請求項１に記載のガラスダイオード型サーミスタの製造方法。
【請求項３】
上記メッキ被膜は、ｐＨ４〜１０のメッキ液によるＮｉのメッキ層を第１のメッキ層とし、ｐＨ１〜３のメッキ液によるＳｎ−Ｃｕのメッキ層を第２のメッキ層として形成したことを特徴とする請求項１に記載のガラスダイオード型サーミスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、温度センサや温度補償用デバイスとして組付け装備される負の抵抗温度係数を示すＮＴＣサーミスタの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＮＴＣサーミスタは、冷蔵庫やエアコン，自動販売機等の家電製品をはじめ、産業機器，医療機器，カーエレクトロニクス等の各種の機器，装置に温度センサや温度補償用デバイスとして組付け装備されている。
【０００３】
そのＮＴＣサーミスタは、ＮＴＣサーミスタ素子を両側からジュメット部で挟んで互いに電気的に接続し、このＮＴＣサーミスタ素子並びに各ジュメット部をガラス管で封止すると共に、亜硫酸ガス雰囲気中のような腐食の強い環境下でも耐食性を保てしかもはんだ付け実装性を考慮することから、ガラス管から露出する各ジュメット部の端面並びに各ジュメット部の端面から導出するリード線をメッキ被膜で被覆することにより構成されている。
【０００４】
そのメッキ被膜は、耐食性と半田付け実装性を考慮し、はんだによるメッキ処理で形成されている。この他、Ｎｉメッキ処理を各ジュメット部の端面並びに各ジュメット部の端面から導出するリード線に施すことも提案されている（特開平１０−５５９０３号）。
【０００５】
そのメッキ処理には、酸性度の強いメッキ液が用いられるところから、メッキ液がジュメット部とガラス管の間に侵食することにより気密性が悪くなり、特性不良を起す。特に、はんだメッキはｐＨ１程度のメッキ液によるＳｎ：Ｐｂ＝９：１のメッキ被膜として形成されているため、リード線の耐食性に欠け、また、環境対策として鉛フリー対応が迫られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、はんだメッキに代え、気密性の劣化による特性不良を招かず、耐食性に優れしかもはんだ付け性の良好なメッキ被膜を備えて構成するダイオード型サーミスタの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係るダイオード型サーミスタの製造方法においては、ＮＴＣサーミスタ素子を両側からジュメット部で挟んで互いに電気的に接続し、そのＮＴＣサーミスタ素子並びに各ジュメット部をガラス管で封止すると共に、ガラス管から露出する各ジュメット部の端面並びに各ジュメット部の端面から導出するリード線をメッキ被膜で被覆するもので、
ｐＨ４〜１０のメッキ液による第１のメッキ層と、ｐＨ１〜３のメッキ液による第２のメッキ層とを積層させてメッキ被膜を形成するようにされている。
【０００８】
本発明の請求項２に係るダイオード型サーミスタの製造方法においては、ｐＨ４〜７のメッキ液によるＳｎのメッキ層を第１のメッキ層とし、ｐＨ１〜３のメッキ液によるＳｎ−Ｃｕのメッキ層を第２のメッキ層としてメッキ被膜を形成するようにされている。
【０００９】
本発明の請求項３に係るダイオード型サーミスタの製造方法においては、ｐＨ４〜１０のメッキ液によるＮｉのメッキ層を第１のメッキ層とし、ｐＨ１〜３のメッキ液によるＳｎ−Ｃｕのメッキ層を第２のメッキ層としてメッキ被膜を形成するようにされている。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して説明すると、図示実施の形態は温度センサや温度補償用デバイス用の負の抵抗温度係数を示すＮＴＣサーミスタとして製造されている。その製造方法は、図１並びに図２で示すようにメッキ被膜を第１並びに第２のメッキ層から積層形成することを要点とする。
【００１１】
ＮＴＣサーミスタは、ＮＴＣサーミスタ素子１をジュメット部２，３で挟んで互いに電気的に接続し、ＮＴＣサーミスタ素子１並びに各ジュメット部２，３をガラス管４で封止すると共に、ガラス管４から露出する各ジュメット部２，３の端面並びに各ジュメット部２，３の端面から導出するリード線５，６をメッキ被膜７，８（７０，８０）で被覆する構成を有する。
【００１２】
その構成中、ジュメット部２，３は鉄−ニッケル合金の線材を芯材とし、銅の被膜で被覆し、更に、亜鉛化銅で被覆した封止電極として形成されている。ガラス管４としては、ＳｉＯ２−ＰｂＯ−Ｋ２Ｏ等のガラス管が用いられる。リード線５，６としては、鉄または鉄−ニッケル合金の線材を銅で被覆した銅被服線が用いられる。
【００１３】
そのＮＴＣサーミスタを製造するにあたり、酸性度の弱いｐＨ４〜１０のメッキ液による第１のメッキ層７ａ，８ａと、酸性度の強いｐＨ１〜３のメッキ液による第２のメッキ層７ｂ，８ｂとを積層することから、ジュメット部２，３の端面よりリード線５，６を被覆するメッキ被膜７，８が形成されている。
【００１４】
そのＮＴＣサーミスタでは、第１のメッキ層６ａ，７ａを酸性度の弱いｐＨ４〜１０のメッキ液で形成するため、電解メッキを施す際のメッキ液がジュメット部２，３とガラス管４の間に侵食するのを防げることにより、気密性の劣化による特性不良の発生を防げる。また、第２のメッキ層６ｂ，７ｂを酸性度の強いｐＨ１〜３メッキ液で形成するため、耐食性に優れてはんだ付け性も良好なメッキ被膜として形成できる。
【００１５】
その具体例を挙げると、ｐＨ４〜１０のメッキ液によるＳｎのメッキ層と、ｐＨ１〜３のメッキ液によるＳｎ−Ｃｕのメッキ層とを積層させてメッキ被膜として形成できる。この場合、Ｓｎのメッキ層は１〜１０μｍ，好ましくは５〜８μｍ程度の膜厚に、また、Ｓｎ−Ｃｕのメッキ層は１〜１０μｍ，好ましくは２〜３μｍ程度の膜厚に形成すればよい。
【００１６】
別例を挙げると、ｐＨ４〜１０のメッキ液によるＮｉのメッキ層と、ｐＨ１〜３のメッキ液によるＳｎ−Ｃｕのメッキ層とを積層させてメッキ被膜として形成できる。この場合、Ｎｉのメッキ層は０．１〜３．０μｍ，好ましくは０．２〜２．０μｍ程度の膜厚に、また、Ｓｎ−Ｃｕのメッキ層は１〜１０μｍ，好ましくは２〜３μｍ程度の膜厚に形成すればよい。
【００１７】
そのＮＴＣサーミスタの実効性を確認するべく、まず、メッキ液によるジュメット部の侵食率を酸性度毎に確認した。この結果は、次の表１で示す通りで、ｐＨ４〜１０のメッキ液ではメッキ処理時間を１５分，３０分，６０分と設定しても、ジュメット部の侵食は見られなかった。
【００１８】
【表１】
0003609752.tif 000002
【００１９】
次に、本発明品と従来品と（抵抗値：略同等）を用意し、電食性試験，はんだ濡れ性試験を行なうと共に、気密性の劣化を確認した。
【００２０】
電食は、各試料を塩化ナトリウム（純度９９．５％，０．２５０ｇ）を投入した純水１，０００ｃｃに入れ、ＤＣ５Ｖを印加し、リード線が断線する時間により測定した。はんだ濡れ性は、１００℃−１００％ＲＨ，４時間の蒸気エージング後のゼロクロスタイムにより測定した。この判定基準は、ｎ＝５で３秒以上のものが１個でもあれば×とした。気密性は、−４０℃／８５℃，各３０分，１０００サイクルの条件で試験した。その結果は、次の表２で示す通りである。
【００２１】
【表２】
0003609752.tif 000003
【００２２】
その表２から明らかなように、はんだメッキによると、はんだ濡れ性は良好で気密性の劣化は見られないが、リード線の断線による耐食性に劣る。また、Ｎｉメッキによると、リード線の耐食性がやや向上するが、はんだ濡れ性に欠けることから、気密性の確認はパスした。これに対し、本発明品では電食性，はんだ濡れ性のいずれも向上し、気密性の劣化が生じないことが確認できた。
【００２３】
【発明の効果】
以上の如く、本発明に係るガラスダイオード型ＮＴＣサーミスタの製造方法に依れば、ｐＨ４〜１０のメッキ液によるメッキ層をベースに、ｐＨ１〜３のメッキ液によるメッキ層を積層させて形成したメッキ被膜により、ガラス管から露出する各ジュメット部の端面並びに各ジュメット部の端面から導出するリード線を被覆するため、気密性の劣化による特性不良を招かず、耐食性に優れしかもはんだ付け性の良好なガラスダイオード型ＮＴＣサーミスタとして得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法によるガラスダイオード型ＮＴＣサーミスタの構成を示す断面図である。
【図２】図１のＮＴＣサーミスタの構造を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
１              サーミスタ素子
２，３          ジュメット部
４              ガラス管
５，６          リード線
７，８          メッキ被膜（積層）
７ａ，８ａ      第１のメッキ層
７ｂ，８ｂ      第２のメッキ層
【図１】
0003609752.tif 000004
【図２】
0003609752.tif 000005