(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
段差を有する下地上に表面が平坦化された層間絶縁膜が形成され、その層間絶縁膜に設けられた接続孔を介して下層の配線と上層の配線とが電気的に接続され、前記下層の配線の上部にＴｉＮ膜が形成されている多層配線を有する半導体装置の製造方法において、以下の工程を含んで多層配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法、
（Ａ）所定のエッチング反応ガスの流量変化に対してエッチレートが変化する最下層絶縁膜を前記下地上に形成する工程、
（Ｂ）前記最下層絶縁膜とは前記エッチング反応ガスの流量変化に対するエッチレートの変化のしかたが異なるが同じ材料からなる１層又は複数層の上層絶縁膜を前記最下層絶縁膜上に形成し、その表面を平坦化する工程、
（Ｃ）接続孔領域に開口をもつフォトレジストを前記上層絶縁膜上に形成する工程、
（Ｄ）前記エッチング反応ガスの流量を前記最下層絶縁膜のエッチレートが小さくなる条件にして接続孔領域の前記上層絶縁膜を除去する第１のエッチング工程、
（Ｅ）前記エッチング反応ガスの流量を、前記最下層絶縁膜のエッチレートが前記第１のエッチングにおけるエッチレートよりも大きく前記ＴｉＮ膜を残した状態で前記接続孔領域の前記最下層絶縁膜を除去できる条件にして、接続孔を形成する第２のエッチング工程、
（Ｆ）前記フォトレジストを除去し、前記接続孔上及び前記上層絶縁膜上に配線を形成する工程。
【請求項２】
前記最下層絶縁膜のエッチレートが小さくなる条件では、前記最下層絶縁膜のエッチレートが前記上層絶縁膜のエッチレートの１／５以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記最下層絶縁膜としてシリコン酸化膜を用い、前記エッチング反応ガスに少なくともＣ4Ｆ8ガスを含み、前記最下層絶縁膜のエッチレート制御をＣ4Ｆ8ガス流量のみで行なう請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線構造を有する半導体装置の製造工程に関し、特に、酸化膜などの絶縁膜を被エッチング膜として深さが異なる接続孔を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、接続孔形成後の半導体装置の従来例を表す断面図である。素子分離領域４やゲート電極６を含む半導体基板２上に層間絶縁膜８が形成されている。層間絶縁膜８上には、ＡｌＣｕ膜１０（１０ａ，１０ｂ）、Ｔｉ膜１２（１２ａ，１２ｂ）及びＴｉＮ膜１４（１４ａ，１４ｂ）が積層された配線層１６（１６ａ，１６ｂ）が所定の位置に形成されている。配線層１６ａ，１６ｂを含む層間絶縁膜８上には、既存の平坦化技術を用いて平坦化された層間絶縁膜１８が形成されており、配線層１６ａ，１６ｂ上には深さが浅い接続孔２０ａ、深さが深い接続孔２０ｂがそれぞれ形成されている。
【０００３】
このように深さの異なる接続孔を従来のドライエッチングで形成しようとすると、深さが浅い接続孔下に位置する下地パターンへのダメージが、深い接続孔に位置する下地パターンのダメージに比べて大きくなる。その結果、接続抵抗値が大きくなったり、接続抵抗値のバラツキが大きくなり、半導体装置の信頼性に問題が生じる。
【０００４】
例えば配線間接続孔を形成する場合、従来のドライエッチングによる接続孔形成方法では、接続孔の下地パターン配線層１６の構造がＡｌＣｕ膜１０／Ｔｉ膜１２／ＴｉＮ膜１４から形成されているとき、平坦化された層間絶縁膜１８は接続孔の深さによって、下地パターン配線層１６のＴｉＮ膜１４ａが底部まで除去された接続孔２０ａとＴｉＮ膜１４ｂが残存する接続孔２０ｂが共存する。特に、ＴｉＮ膜１４ａが除去された接続孔２０ａでは、下地パターン配線層１６のＡｌＣｕ膜１０ａのＡｌとエッチング種であるＣＦ系のガスとが反応し、揮発性の低い弗化物２２が形成され、これが接続孔２０ａ内壁に堆積する。この弗化物２２は、接続孔の接触抵抗を増加させ、低抗値のバラツキを増大させる。また、上層配線を形成する前に行なう５００℃程度の脱ガス処理でＴｉＮ膜１４ａがエッチングされた接続孔２０ａ底部で露出したＡｌＣｕ膜１０ａのＡｌが吹き出し、配線間の短絡を招くことがある。
【０００５】
このように、接続孔形成時に、深さの異なる接続孔を従来のエッチング方法で形成した場合、接続孔が位置する下地パターンへのダメージが接続孔の深さにより異なり、特に浅い接続孔の信頼性を著しく低下させるという問題があった。
そこで、このような不具合を解決するために、例えば以下のような方法が提案されている。
【０００６】
フィールド酸化膜などによって生じる各メタル配線間の段差に起因する各接続孔のエッチング時間の差異を解消するために、所定のエッチングガスに対してエッチレートが、小さい膜／大きい膜／小さい膜からなる層間絶縁膜を、小さい膜は均一の厚みに、大きい膜はその表面が平坦になるように形成する方法が提案されている（特開平７−１２２６３４号（従来例１）、公報参照）。この方法では、エッチレートが大きい膜としてＣＦ基を含有する有機シリコン化合物を用いている。各メタル配線上に形成された層間絶縁膜では、エッチレートが小さい膜の膜厚は同じであるが、エッチレートが大きい膜の膜厚は異なっているものがある。しかし、エッチレートが大きい膜のエッチング時間は、その膜厚にかかわらずほぼ同じであるので、各接続孔のエッチング時間をほぼ均一にすることができる。
【０００７】
別の方法として、段差などの下地パターン構造に起因する酸化膜などの被エッチング膜の膜厚の違いに対して、膜厚が薄い領域に形成する開孔と膜厚が厚い領域に形成する開孔のエッチング後のアスペクト比（開孔の深さ／開孔の直径）が近似するように、エッチングマスクを形成する方法が提案されている（特開平９−１４８２７０号（従来例２）、公報参照）。各開孔のアスペクト比を近似させることにより、エッチング終了時間をほぼ等しくして下地パターンへの悪影響を抑制している。
【０００８】
さらに別の方法として、層間絶縁膜を多層膜にし、基板側から順にエッチレートが順に大きくなるように、すなわち、エッチレートが他の絶縁膜に比べて極めて小さい絶縁膜を最も基板側に形成する方法が提案されている（特開平８−２３６６１９号（従来例３）、公報参照）。このような層間絶縁膜を用いることにより、層間絶縁膜が薄くなる箇所のエッチングマージンを確保し、そのオーバーエッチングを防止している。
【０００９】
さらに別の方法として、接続孔が形成される配線上の領域で、平坦化された層間絶縁膜の薄い領域の配線上に、エッチレートの小さい材料層を予め形成しておく方法が提案されている（特開平９−１７８６２号（従来例４）、公報参照）。エッチレートが小さい材料層を特定の位置に形成することにより、層間絶縁膜が薄くなる箇所のエッチングマージンを確保し、そのオーバーエッチングを防止している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の従来例では、以下のような問題点がある。
従来例１では、エッチレートが大きい膜としてＣＦ基を含有する有機シリコン化合物を用いており、エッチング後に行なうＯ2によるフォトレジスト除去時にこの膜が接続孔側壁で露出していると化学反応を起こしてダメージを受けるので、接続孔内でこの膜が露出しないようにエッチバック工程を加える必要があり、その結果、工程数が多くなる。また、層間絶縁膜の膜厚のバラツキも大きくなる。
従来例２は、深さが異なる開孔のエッチング時間を揃えるために、開孔の径をその深さによって変化させる必要があり、実用的でない。
従来例３は、エッチレートが異なる複数の膜を同時にエッチングするため、接続孔の形状の制御が難しい。
従来例４は、層間絶縁膜の最下層に予めエッチレートが小さい材料膜を形成する工程が増える。また、層間絶縁膜をエッチング後に、上記材料膜を除去する工程も必要であり、工程数が増え、工程が複雑になる。
【００１１】
そこで、本発明は、深さが異なる接続孔をドライエッチングで形成する場合において、接続孔の深さの差による接続孔底部の下地パターンへのダメージを抑制し、かつ均一化し、接続孔及び配線の信頼性を向上させることを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体装置の製造方法は、段差を有する下地上に表面が平坦化された層間絶縁膜が形成され、その層間絶縁膜に設けられた接続孔を介して下層の配線と上層の配線とが電気的に接続され、前記下層の配線の上部にＴｉＮ膜が形成されている多層配線を有する半導体装置の製造方法において、以下の工程を含んで多層配線を形成するものである。
（Ａ）所定のエッチング反応ガスの流量変化に対してエッチレートが変化する最下層絶縁膜を下地上に形成する工程、
（Ｂ）最下層絶縁膜とはエッチング反応ガスの流量変化に対するエッチレートの変化のしかたが異なるが同じ材料からなる１層又は複数層の上層絶縁膜を最下層絶縁膜上に形成し、その表面を平坦化する工程、
（Ｃ）接続孔領域に開口をもつフォトレジストを上層絶縁膜上に形成する工程、
（Ｄ）エッチング反応ガスの流量を最下層絶縁膜のエッチレートが小さくなる条件にして接続孔領域の上層絶縁膜を除去する第１のエッチング工程、
（Ｅ）前記エッチング反応ガスの流量を、最下層絶縁膜のエッチレートが第１のエッチングにおけるエッチレートよりも大きくＴｉＮ膜を残した状態で接続孔領域の最下層絶縁膜を除去できる条件にして、接続孔を形成する第２のエッチング工程、
（Ｆ）フォトレジストを除去し、接続孔上及び上層絶縁膜上に配線を形成する工程。
【００１３】
第１のエッチングにより、接続孔領域の厚さが異なる上層絶縁膜を除去するとき、上層絶縁膜の厚さが薄い接続孔領域の最下層絶縁膜は、上層絶縁膜の厚さが厚い接続孔領域の上層絶縁膜が底部まで除去されるまでの間に除去されるが、最下層絶縁膜のエッチレートは小さいので除去される厚みはわずかである。上層絶縁膜の厚さが厚い接続孔領域の最下層絶縁膜が露出するまでエッチングした後、第２のエッチングにより、各接続孔領域の最下層絶縁膜を除去する。その結果、各接続孔領域の下地パターン（ＴｉＮ膜）のエッチング量をオーバーエッチング率に対して十分小さく抑え、下層の配線の上部に形成されているＴｉＮ膜は残すように接続孔領域の最下層絶縁膜を除去するようにしたので、接続孔底部の状態を均一化でき、信頼性の高い接続孔が形成できる。さらに、最下層絶縁膜と上層絶縁膜を同じ材料で形成することにより、第２のエッチングにおいて最下層絶縁膜／上層絶縁膜のエッチレート比を１以下にすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
第１のエッチングで、最下層絶縁膜のエッチレートが上層絶縁膜のエッチレートの１／５以下であることが好ましい。その場合には、第１のエッチングで除去される最下層絶縁膜の量を十分に抑えることができ、第２のエッチングによる下地パターンのエッチング量をより効果的に軽減することができる。
最下層絶縁膜としてシリコン酸化膜を用い、エッチング反応ガスに少なくともＣ4Ｆ8ガスを含み、最下層絶縁膜のエッチレート制御をＣ4Ｆ8ガス流量で行なうことが好ましい。その場合には、Ｃ4Ｆ8ガス流量のみを調節することにより、最下層絶縁膜のエッチレートを十分に変化させることができる。
【００１５】
【実施例】
以下、本発明を具体化した一実施例の製造工程を図２及び図３を用いて説明する。
（Ａ）単結晶シリコン基板２６上で素子分離領域２８で分離された活性領域に、ゲート酸化膜を介してゲート電極３２を形成し、イオン注入工程などによりソース・ドレイン拡散層３０を形成後、シリコン基板２６上に層間絶縁膜３４を形成する。次に、ゲート電極３２上及びソース・ドレイン拡散層上にそれぞれ接続孔３６ａ，３６ｂを形成する。シリコン基板２６全面にバリア層を堆積後、下から順に例えばＡｌＣｕ膜を５００ｎｍ、Ｔｉ膜を２０ｎｍ、ＴｉＮ膜を５０ｎｍ堆積させ、パターニングする。その結果、接続孔３６ａ，３６ｂ上には、それぞれバリア層３８ａ，３８ｂを介して、ＡｌＣｕ膜４０ａ，４０ｂ、Ｔｉ膜４２ａ，４２ｂ、ＴｉＮ膜４４ａ，４４ｂからなる下層配線層４６ａ，４６ｂが形成される。
【００１６】
（Ｂ）次に、シリコン基板２６上に、例えばガス流量をＳｉＨ４：１５０ｓｃｃｍ，Ｎ２：１５００ｓｃｃｍ，Ｎ２Ｏ：３５００ｓｃｃｍ、圧力を１．４Ｔｏｒｒ、ＲＦ パワーを１００Ｗの条件でＣＶＤにより、屈折率が約１．５７のベース膜（シリコン酸化膜）４８を１００ｎｍ堆積する。次に、素子分離領域２８や第１の配線層４６ａ，４６ｂからなる下地パターンの段差を埋めてシリコン基板２６上を平坦化するために、例えばガス流量をＳｉＨ４：１２０ｓｃｃｍ，Ｎ２：３００ｓｃｃｍ，Ｈ２Ｏ２：０．６５ｇ／分の条件で常圧ＣＶＤによりフローフィル膜（シリコン酸化膜）５０を５５０ｎｍ堆積する。フローフィル膜５０の吸湿を防ぐために、例えばガス流量をＳｉＨ４：１００ｓｃｃｍ，Ｎ２：１０００ｓｃｃｍ，Ｎ２Ｏ：２０００ｓｃｃｍ、圧力を０．７５Ｔｏｒｒ、ＲＦ パワーを５００Ｗの条件でキャップ膜（シリコン酸化膜）５２を２５０ｎｍ堆積した後、例えば４５０℃，３０分，Ｎ２ガス雰囲気の条件でアニール処理を行なってフローフィル膜５０及びキャップ膜５２の水分を除去する。
【００１７】
このように、層間絶縁膜はベース膜４８、フローフィル膜５０及びキャップ膜５２の３層から形成されており、フローフィル膜５０は段差を平坦化しているので領域によっては最大５５０ｎｍの膜厚差をもっている。次に、第１の配線層４６ａ，４６ｂと第２の配線層を接続するための接続孔を形成するために、キャップ膜５２上にフォトレジスト５４によりパターン５６ａ，５６ｂを形成する。パターン５６ａと５６ｂの下の層間絶縁膜には、最大で５５０ｎｍ、最小で５０ｎｍ程度の膜厚差が生じている。
【００１８】
ここで、接続孔を形成するために、エッチングガスに例えばＣ4Ｆ8ガスを使用しマグネトロンＲＩＥを用いて２ステップエッチングを行なう。第１のエッチングでは各パターン下の少なくともフローフィル膜５０を除去し、第２のエッチングではその下のベース膜４８を除去する。層間絶縁膜を構成するベース膜４８、フローフィル膜５０及びキャップ膜５２のＣ4Ｆ8ガス流量（ｓｃｃｍ）に対するエッチレート（ｎｍ／分）を図４に示す。図４から、Ｃ4Ｆ8ガスの流量を変化させることにより、層間絶縁膜の最下層を構成するベース膜４８のエッチレートを大きく変化させることができることがわかる。この実施例ではこれを利用し、深さが浅い接続孔底部の下地パターンへのダメージを最小限に抑える。
【００１９】
（Ｃ）２ステップエッチングの第１のエッチング条件は、ガス流量をＣ4Ｆ8：１８ｓｃｃｍ，ＣＨＦ3：１０ｓｃｃｍ，ＣＯ：３００ｓｃｃｍ，Ａｒ：４００ｓｃｃｍ，Ｏ2：２ｓｃｃｍ、圧力を４０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ パワーを１７００Ｗ（電極の直径が８インチ）、温度を下部電極：２０℃，上部電極：６０℃，側壁６０℃とした。この条件におけるベース膜４８、フローフィル膜５０、キャップ膜５２のエッチレートは、それぞれ８０ｎｍ／分、５００ｎｍ／分、５００ｎｍ／分である（図４の領域４６）。
【００２０】
第１のエッチングを開始すると、まず、パターン５６ａ，５６ｂ下のキャップ膜５２がほぼ同時に除去される。さらに、その下のフローフィル膜５０が除去される。パターン５６ａ下のフローフィル膜５０が底部まで除去され、その下のベース膜４８の除去が開始されるとき、パターン５６ｂ下のフローフィル膜５０はまだ残っている。しかし、第１のエッチング条件では、ベース膜４８のエッチレートはフローフィル膜５０のエッチレートの１／５以下なので、パターン５６ｂ下のフローフィル膜５０が底部まで除去されるまでの間に除去されるパターン５６ａ下のベース膜４８の膜厚はわずかである。その結果、パターン５６ａ，５６ｂ下のＴｉＮ膜４４ａ，４４ｂを露出させることなくキャップ膜５２及びフローフィル膜５０を除去することができる。
【００２１】
（Ｄ）第２のエッチング条件は、ガス流量をＣ4Ｆ8：９ｓｃｃｍとした以外は第１のエッチング条件と同じにした。この条件におけるベース膜４８、フローフィル膜５０、キャップ膜５２のエッチレートは、それぞれ３６０ｎｍ／分、４２０ｎｍ／分、４２０ｎｍ／分である（図４の領域４８）。また、この条件でのＴｉＮ膜４４ａ，４４ｂのエッチレートは３０ｎｍ／分である。
【００２２】
第２のエッチング開始時には、ベース膜４８はパターン５６ａ下でも５６ｂ下でも同じ程度の膜厚が残っているので、パターン５６ａ下とパターン５６ｂ下のベース膜４８は大きな時間差なしに除去される。厳密には、パターン５６ａ下のベース膜４８の方がパターン５６ｂ下のベース膜４８よりも先に底部まで除去され、パターン５６ａ下のＴｉＮ膜４４ａが除去され始める。しかし、第２のエッチング条件では、ＴｉＮ膜４４ａのエッチレートはベース膜４８のエッチレートの約１／１２なので、パターン５６ｂ下のベース膜４８が底部まで除去されるまでの間に除去されるＴｉＮ膜４４ａの膜厚はわずかである。その結果、パターン５６ａ，５６ｂ下のＴｉＮ膜４４ａ，４４ｂを貫通してその下のＴｉ膜４２ａ，４２ｂやＡｌＣｕ膜４０ａ，４０ｂを露出させることなくベース膜４８を底部まで除去し、第１の配線層４６ａ，４６ｂ上に第２の接続孔５８ａ，５８ｂを形成することができる。その後、フォトレジスト５４を除去する。
【００２３】
図５（Ａ）は、同実施例による２ステップエッチングでの接続孔下のＴｉＮ膜エッチング量（ｎｍ）のオーバーエッチング率（％）依存性を表す図である。参考として（Ｂ）に、従来行なわれてきた１ステップエッチングでの同様の図を示す。１ステップエッチングの対象は図２（Ｂ）に示すものと同じであり、エッチング条件は、同実施例の第２のエッチングと同じである。すなわち、ベース膜４８、フローフィル膜５０、キャップ膜５２のエッチレートは、３６０ｎｍ／分、４２０ｎｍ／分、４２０ｎｍ／分であり、ＴｉＮ膜４４ａ，４４ｂのエッチレートは３０ｎｍ／分である。また、図５中のオーバーエッチング率は、最も深い接続孔、すなわち接続孔５８ｂにおける値である。
【００２４】
通常、層間絶縁膜の膜厚のバラツキとウェハ面内でのエッチレートのバラツキを考慮して、３０％程度のオーバーエッチングを行なう。１ステップエッチングの場合、３０％のオーバーエッチングを行なうとＴｉＮ膜のエッチング量が約５５ｎｍになる。ＴｉＮ膜４４ａの膜厚は５０ｎｍであるので、ＴｉＮ膜４４ａはその底面までエッチングされてしまう。一方、同実施例による２ステップエッチングの場合、ＴｉＮ膜のエッチング量は、ＴｉＮ膜４４ａが約２５ｎｍ、ＴｉＮ膜４４ｂが約２０ｎｍになり、接続孔の深さに関わらずＴｉＮ膜を２５ｎｍ程度残すことができる。したがって、１ステップエッチングに比べて接続孔底部の状態を均一化でき、信頼性の高い接続孔が形成できる。
【００２５】
【発明の効果】
本発明による半導体装置の製造方法は、所定のエッチング反応ガスの流量変化に対してエッチレートが変化する最下層絶縁膜、及び最下層絶縁膜のエッチレートが小さくなるエッチング反応ガスの第１の流量でのエッチレートが、第１の流量での最下層絶縁膜のエッチレートよりも大きい１層又は複数層の上層絶縁膜からなる層間絶縁膜を用い、第１の流量で行なう第１のエッチングと、最下層絶縁膜のエッチレートが第１のエッチングにおけるエッチレートよりも大きくなるエッチング反応ガスの第２の流量で下層の配線の上部に形成されているＴｉＮ膜は残すように接続孔領域の最下層絶縁膜を除去し、接続孔を形成する第２のエッチングにより接続孔を形成する。第１のエッチングにより、所定のエッチング反応ガスの第１の流量で接続孔領域の厚さが異なる上層絶縁膜を除去するとき、上層絶縁膜の厚さが薄い接続孔領域の最下層絶縁膜は、上層絶縁膜の厚さが厚い接続孔領域の上層絶縁膜が底部まで除去されるまでの間に一部除去されるが、第１のエッチング条件では最下層絶縁膜のエッチレートは小さいので、除去される厚みはわずかである。上層絶縁膜の厚さが厚い接続孔領域の上層絶縁膜を底部まで除去した後、第２のエッチングにより、ＴｉＮ膜は残すように各接続孔領域の最下層絶縁膜を除去する。その結果、各接続孔領域の下地パターン（ＴｉＮ膜）のエッチング量をオーバーエッチング率に対して十分小さく抑えて接続孔底部の状態を均一化でき、信頼性の高い接続孔及び配線が形成できる。さらに、最下層絶縁膜と上層絶縁膜を同じ材料で形成するようにしたので、第２のエッチングにおいて最下層絶縁膜／上層絶縁膜のエッチレート比を１以下にすることができる。
第１のエッチングで、最下層絶縁膜のエッチレートが上層絶縁膜のエッチレートの１／５以下であると、第１のエッチングで除去される最下層絶縁膜の量を十分に抑えることができ、第２のエッチングによる下地パターンのエッチング量をより効果的に軽減することができる。
最下層絶縁膜としてシリコン酸化膜を用い、エッチング反応ガスに少なくともＣ4Ｆ8ガスを含み、最下層絶縁膜のエッチレート制御をＣ4Ｆ8ガス流量のみで行なうと、Ｃ4Ｆ8ガス流量のみを調節することにより、最下層絶縁膜のエッチレートを十分に変化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  接続孔形成後の半導体装置の従来例を表す断面図である。
【図２】  一実施例の工程断面図である。
【図３】  同実施例の続きの工程断面図である。
【図４】  層間絶縁膜を構成するベース膜、フローフィル膜及びキャップ膜のＣ4Ｆ8ガス流量に対するエッチレートを表す図である。
【図５】  （Ａ）は同実施例による２ステップエッチングでの接続孔下のＴｉＮ膜エッチング量のオーバーエッチング率依存性を表す図であり、（Ｂ）は従来行なわれてきた１ステップエッチングでの同様の図である。
【符号の説明】
２６      シリコン基板
２８      素子分離領域
３０      ソース・ドレイン拡散層
３２      ゲート電極
３４      層間絶縁膜
３６ａ，３６ｂ      接続孔
３８ａ，３８ｂ      バリア層
４０ａ，４０ｂ      ＡｌＣｕ膜
４２ａ，４２ｂ      Ｔｉ膜
４４ａ，４４ｂ      ＴｉＮ膜
４６ａ，４６ｂ      下層配線層
４８      ベース膜
５０      フローフィル膜
５２      キャップ膜
５４      フォトレジスト
５６ａ，５６ｂ      パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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