(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームにより電子ビームレジストを所定の露光パターンに露光する際、再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償する方法において、
前記所定の露光パターンを四角形のメッシュに分割する段階と、
隣接するメッシュの露光時に再散乱した電子ビームにより追加で露光されるドーズをメッシュごとに求める段階と、
所定の基準値から各メッシュの追加露光ドーズを引いてメッシュごとに補償露光ドーズを求める段階と、
前記メッシュごとの補償露光ドーズにより前記電子ビームレジストを補償露光する段階と、を含むことを特徴とする再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化の補償方法。
【請求項２】
追加露光ドーズをメッシュごとに求める段階は、
前記各メッシュの露光パターン密度を求める段階と、
前記メッシュごとの追加露光ドーズを下記式を用いて求める段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化の補償方法。
【数１】
0003671152.tif 000005
ここで、δijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッシュの追加露光ドーズを、ξは再散乱の範囲を、そしてＤijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッシュの露光パターン密度を各々表す。
【請求項３】
前記所定の基準値は、前記メッシュごとの追加露光ドーズのうち最大値に設定されることを特徴とする請求項１に記載の再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化の補償方法。
【請求項４】
前記補償露光する段階は、前記メッシュごとの補償露光ドーズによってあらかじめ定まった補償露光パターンに前記電子ビームレジストを補償露光する段階であることを特徴とする請求項１に記載の再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化の補償方法。
【請求項５】
前記補償露光パターンは、前記補償露光ドーズに比例する幅をもつ線パターンが一定の間隔をもって平行に配列されてなることを特徴とする請求項４に記載の再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化の補償方法。
【請求項６】
前記補償露光パターンは、前記各メッシュを一定数の四角形領域に分け、各領域のうち前記補償露光ドーズに比例する個数の四角形領域を露光するパターンであることを特徴とする請求項４に記載の再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化の補償方法。
【請求項７】
前記電子ビームレジストで前記補償露光パターンを補償露光するとき、前記電子ビームレジストの表面に結ばれる電子ビームのスポットを広めて、前記電子ビームレジストに前記補償露光パターンが実際に現像されないようにすることを特徴とする請求項４に記載の再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化の補償方法。
【請求項８】
電子ビームにより電子ビームレジストを所定の露光パターンに露光する際、再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償するための補償露光データを求める方法を記録した、コンピュータで読み取り可能な記録媒体において、
前記所定の露光パターンを四角形のメッシュに分割して、隣接するメッシュの露光時に再散乱した電子ビームにより追加で露光されるドーズをメッシュごとに求めるプログラムモジュールと、
所定の基準値から各メッシュの追加露光ドーズを引いてメッシュごとに補償露光ドーズを求めるプログラムモジュールと、
前記メッシュごとの補償露光ドーズに比例する面積に見合う分を露光するようにあらかじめ定まった補償露光パターンにメッシュごとの補償露光パターンを設定するプログラムモジュールと、を含むことを特徴とする補償露光データを求める方法を記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
【請求項９】
前記メッシュごとに追加露光ドーズを求めるプログラムモジュールは、
前記各メッシュの露光パターン密度を求めるサブプログラムモジュールと、
前記メッシュごとの追加露光ドーズを下記式を用いて求めるサブプログラムモジュールと、を含むことを特徴とする請求項８に記載の補償露光データを求める方法を記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
【数２】
0003671152.tif 000006
ここで、δijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッシュの追加露光ドーズを、ξは再散乱の範囲を、そしてＤijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッシュの露光パターン密度を各々表す。
【請求項１０】
前記所定の基準値は、前記メッシュごとの追加露光ドーズのうち最大値に設定されることを特徴とする請求項８に記載の補償露光データを求める方法を記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
【請求項１１】
前記補償露光パターンは、前記補償露光ドーズに比例する幅をもつ線パターンが一定の間隔をもって平行に配列されてなることを特徴とする請求項８に記載の補償露光データを求める方法を記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
【請求項１２】
前記補償露光パターンは、前記各メッシュを一定数の四角形領域に分けて、各領域のうち前記補償露光ドーズに比例する個数の四角形領域を露光するパターンであることを特徴とする請求項８に記載の補償露光データを求める方法を記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路の製造に用いられる電子ビームリソグラフィに係り、特に、電子ビーム露光時に現れる電子ビームの再散乱効果によりパターンサイズが変化することを補償する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子ビームリソグラフィは、基板の全面に所定の物質層を形成し、この物質層を所望のパターンにパタニングするのに用いられる技術である。すなわち、電子ビームリソグラフィとは、前記物質層上に電子ビームレジストを塗布した後、所望のパターンに電子ビームを照射（露光とも言う）し、電子ビームレジストを現像した後に、所望のパターンに形成された電子ビームレジストパターンをマスクとして前記物質層をエッチングする過程を言う。電子ビームリソグラフィは、基板上に直ちに集積回路をなす所定の物質層パターンを形成するために使用できるが、通常は、フォトリソグラフィに用いられるフォトマスクを製造するときに用いられる。
【０００３】
以下、図１に基づき、このフォトマスクを製造する過程についてより詳細に説明する。まず、透明基板１１０の全面に形成された遮光膜１２０（位相反転マスクの場合には位相反転層になり得る。以下、簡単に遮光膜として説明する）上に電子ビームレジスト１３０を塗布する。次に、電子ビーム１５０を所望のパターンに照射する。次に、電子ビームの照射により変わる溶解度の違いをもって電子ビームレジストを現像する。最後に、形成されたレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする。
【０００４】
ところが、電子ビーム１５０は、所望の部位の電子ビームレジスト１３０だけを露光するのではなく、図面において１７０で示したように、遮光膜１２０の表面から反射したり、あるいは電子ビームレジスト１３０の内部でレジスト物質の原子と衝突して散乱したり、図面において１６０で示したように、電子ビームレジスト１３０の内部または表面から反射され、電子ビーム照射器の対物レンズ１４０の底面から反射したりして、好ましくない部位の電子ビームレジスト１３０を露光することもある。
【０００５】
このように、電子ビーム１５０の散乱により電子ビームレジスト１３０が追加で露光される量（ドーズ）は、図２に示された通りである。図２から明らかなように、電子ビームレジストは、電子ビームが照射される部位、すなわち、パターンのエッジから最長１０ｃｍに至るまで、元の露光ドーズの最高２５％まで追加で露光できる。図２において、電子ビームが照射される部位から約１０μｍまで影響する追加露光２１０は、図１において参照符号１７０で示した電子ビームの前方散乱（ｆｏｒｗａｒｄ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）および後方散乱（ｂａｃｋｗａｒｄ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）によるものであり、約１０ｃｍまで影響する追加露光２２０は、図１において参照符号１６０で示した電子ビームの再散乱（ｒｅ−ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）によるものである。これらの追加露光は、結果として、微細に形成されるべき遮光膜パターンの正確性を落として臨界寸法（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ、以下、ＣＤ）エラーの原因となる。この内、前者の追加露光２１０によるパターンサイズの変化を近接効果（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｅｆｆｅｃｔ）と言い、後者の追加露光２２０によるパターンサイズの変化を電子ビームの再散乱効果（ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔまたはｆｏｇｇｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔとも言う）と言う。本発明は、後者の電子ビーム再散乱効果によるパターンサイズの変化を補償する方法に関する。
【０００６】
電子ビーム再散乱効果は、その影響を及ぼす範囲が広く（現在の集積回路の集積度に鑑みたとき、１０ｃｍは極めて広い範囲である）、かつ、追加露光２２０によるドーズが相対的に小さいため、これまでよく知られてなく、これを補償する方法もあまり知られていなかった。しかし、このような電子ビーム再散乱効果によるフォトマスクのパターンサイズの変化は、１０ｋｅＶの加速電圧下で８μＣ／ｃｍ2のドーズの電子ビームにより露光するとき、約１０〜２０ｎｍと推定され、次第に高集積化しつつある集積回路の製造に無視できないほどの影響を及ぼす。
【０００７】
一方、サイトノリオ（Ｓａｉｔｏ  Ｎｏｒｉｏ）らは、ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．１４６５，１９９１，ｐｐ．１８５−１９１に開示された"Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｓｃａｔｔｅｒｅｄ  ｅ−ｂｅａｍ  ｅｆｆｅｃｔ  ｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"という題の論文において、電子ビーム再散乱効果を紹介し、これを低減するための方法として、再散乱した電子ビームが反射される対物レンズの底面を原子番号の低い物質から形成することを提案している。すなわち、前記論文では、対物レンズの底面を各々銅、アルミニウム、炭素から形成したときの電子ビーム再散乱効果による追加ドーズを測定し、中でも炭素を用いる場合に、電子ビーム再散乱効果が最も低いということを明らかにしている。しかし、図２から明らかなように、炭素を用いた場合であっても、再散乱効果が大幅に低減していない。すなわち、図２において、"○"はアルミニウムを使用した場合であり、"□"は炭素を使用した場合である。
【０００８】
さらに、シモムラナオハル（Ｓｈｉｍｏｍｕｒａ  Ｎａｏｈａｒｕ）らは、ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．３７４８，１９９９，ｐｐ．１２５-１３２に開示された"Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｆｏｇｇｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔ  ｃａｕｓｅｄ  ｂｙ  ｓｃａｔｔｅｒｅｄ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎ  ａｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  ｓｙｓｔｅｍ"という題の論文において、対物レンズの底面に蜂の巣もようの溝が形成された吸収板を取り付けて再散乱した電子ビームを吸収することにより、再散乱効果を低減させる方法を提案している。しかし、この方法によっても再散乱した電子をすべて吸収することはできず、再散乱効果を低減させる上で限界があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、その目的は、前述した電子ビーム再散乱効果によるパターンサイズの変化を補償する方法を提供するところにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明による再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償する方法は、元の露光パターンを四角形のメッシュに分けて再散乱した電子ビームにより追加で露光されるドーズをメッシュごとに求め、この追加露光ドーズがすべてのメッシュで一定になるように補償する。すなわち、元の露光パターンを四角形のメッシュに分けた後に、隣接するメッシュの露光時に再散乱した電子ビームにより追加で露光されるドーズをメッシュごとに求める。次に、所定の基準値から各メッシュの追加露光ドーズを引いて、メッシュごとに補償露光ドーズを求める。求められた各メッシュの補償露光ドーズによって電子ビームレジストを補償露光する。
【００１１】
前述した本発明による電子ビーム再散乱効果によるパターンサイズの変化を補償する方法は、汎用のコンピュータにより読み出されて実行されるプログラムを記録した記録媒体の形態で提供できる。すなわち、本発明によるパターンサイズの変化を補償するための補償露光データを求める方法を記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体は、元の露光パターンを四角形のメッシュに分けて、隣接するメッシュの露光時に再散乱した電子ビームにより追加で露光されるドーズをメッシュごとに求めるプログラムモジュールと、所定の基準値から各メッシュの追加露光ドーズを引いてメッシュごとに補償露光ドーズを求めるプログラムモジュール、およびメッシュごとの補償露光ドーズに比例する面積に見合う分を露光するようにあらかじめ定まった補償露光パターンにメッシュごとの補償露光パターンを設定するプログラムモジュールを具備する。
【００１２】
このように、本発明によれば、電子ビーム再散乱効果による微細パターンのサイズの変化を補償することにより、次第に高集積化しつつある集積回路の微細パターンを均一に形成できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
まず、図３は、本発明の実施形態における、再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償する過程を示したフローチャートである。
【００１５】
図３を参照すると、まず、電子ビームを用い、所定の露光パターンに従い電子ビームレジストを露光する（ステップ３１０）。すなわち、透明基板（図１の１１０）の全面に形成された遮光膜（図１の１２０）上に電子ビームレジスト（図１の１３０）を塗布し、所望のパターンに電子ビームを照射する。すなわち、ステップ３１０の電子ビーム露光は通常の露光段階に当たり、このとき、再散乱した電子ビームにより露光されてはならない部位が追加で露光される。ここで、所望のパターンは、たとえば、図４に示されたような所定の物質層パターンであり、所望のパターンのレイアウトは電子ビームの露光に必要なデータ形式に変換されて電子ビーム照射器に提供される。図４において、後続するフォトリソグラフィ工程により実際に形成されるべき物質層パターンは斜線の引かれた部分に当たり、電子ビームにより露光される部分は、後続する写真工程で用いられるフォトレジストがネガティブタイプであれば図４の斜線の引かれた部分になり、ポジティブタイプであれば、図４の斜線の引かれた部分を除いた部分になる（以下では、説明の便宜上、電子ビームレジストおよび後続する写真工程で用いられるフォトレジストはいずれもポジティブであると仮定する）。
【００１６】
ステップ３２０からは、再散乱した電子ビームにより追加で露光されたドーズを補償する段階であって、まず、露光パターン、すなわち、図４に示されたレイアウトを四角形のメッシュ４１０に分け（ステップ３２０）、各メッシュ４１０別に隣接したメッシュの露光時に再散乱した電子ビームによる追加露光ドーズを計算する（ステップ３３０）。各メッシュ４１０別に追加露光ドーズを計算する過程は、下記のように細分できる。
【００１７】
まず、メッシュごとに露光パターン密度を計算する。前述のように、後続する写真工程で用いられるフォトレジストがポジティブタイプであれば、実際にフォトマスクを製造するために電子ビームにより露光する部分は図４の斜線の引かれた部分を除いた部分になり、あるメッシュ４１０に斜線の引かれた部分が全く含んでいなかったとしたとき、そのメッシュの露光パターン密度は１になり、逆に、あるメッシュがいずれも斜線の引かれた部分よりなるとしたとき、そのメッシュの露光パターン密度は０になる。すなわち、各メッシュの露光パターン密度はそのメッシュにおいて、斜線の引かれていない部分が占める面積の割合になる。
【００１８】
このようにメッシュごとに露光パターン密度を計算した後、メッシュごとの追加露光ドーズを下記式を用いて計算する。
【００１９】
【数３】
0003671152.tif 000002
【００２０】
ここで、δijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッシュの追加露光ドーズを、ξは再散乱の範囲を、そしてＤijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッシュの露光パターン密度を各々表す。
【００２１】
以下、前式１についてより詳細に説明する。例えば、図４において、最中央のメッシュ４１０部分を露光するとき、太い実線で示されたウインド４２０のエッジまで再散乱した電子ビームが及ぶのであれば、再散乱の範囲ξは２になり、最中央のメッシュ４１０の追加露光ドーズを計算するためには、ウインド４２０内に含まれたすべてのメッシュの露光時に電子ビーム再散乱効果による追加露光ドーズを加えれば良い。また、露光時に再散乱効果による各メッシュの追加露光ドーズはそのメッシュの露光パターン密度に比例し、最中央のメッシュ４１０からの距離に反比例する。
【００２２】
こうしてすべてのメッシュに対する追加露光ドーズを求めた後に、メッシュごとに補償露光ドーズを計算する（ステップ３４０）。補償露光ドーズは、電子ビーム再散乱効果により追加露光されるドーズがすべてのメッシュに対して一定になるように補償するためのドーズであって、所定の基準値から各メッシュの追加露光ドーズを引いた値にする。このとき、前記所定の基準値は、前記ステップ３３０で計算したすべてのメッシュに対する追加露光ドーズのうち最大値にしても良く、適宜な値を任意に指定しても良い。すなわち、図２から明らかなように、電子ビーム再散乱効果による追加露光ドーズは、対物レンズの底面の物質を炭素とした場合約６％以下であるため、最大の追加露光ドーズは、元の露光（ステップ３１０）ドーズの６％に設定できる。一方、前記基準値を追加露光ドーズのうち最大値にする場合、図５に示されたように、あるメッシュｘの補償露光ドーズは、最大の追加露光ドーズ５１０からそのメッシュの追加露光ドーズを引けば良い。
【００２３】
次に、メッシュごとに求められた補償露光ドーズによって補償露光を行うが、これは、具体的に、メッシュごとの補償露光ドーズによってあらかじめ定まった補償露光パターンのうちいずれかを選択し（ステップ３５０）、メッシュごとに選択された補償露光パターンをまとめて補償露光データを構築し、この補償露光データに基づき、電子ビームにより電子ビームレジストを露光することにより（ステップ３６０）行われる。
図６および図７は、選択可能な補償露光パターンの例を示した図である。各図面において、斜線の引かれた部分６０３、７０３は、電子ビームにより補償露光される部分を表す。補償露光パターンは、各メッシュの補償露光ドーズによって露光される部分が段階別に広くなるが、図６の補償露光パターンは全１１段階に、そして図７の補償露光パターンは全１０段階に分けられている。メッシュごとの補償露光ドーズによる図６または図７の補償露光パターンの選択は各々、下記表１または表２のように行えば良い。表１および表２において、δijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッシュの補償露光ドーズを、そしてδmaxは前述した最大の追加露光ドーズを各々表す。
【００２４】
【表１】
0003671152.tif 000003
【００２５】
【表２】
0003671152.tif 000004
【００２６】
一方、補償露光（ステップ３６０）時の最大ドーズは、元の露光（ステップ３１０）時の最大ドーズに比べて既に十分に小さい値（例えば、６％以下）であるが、補償露光時間も、図６または図７の補償露光パターンが実際にフォトマスク上に形成されないように、比較的に短い時間、たとえば３０分以下（元の露光時の露光時間は、普通数時間である）にすることが好ましい。
【００２７】
また、図８に示されたように、好ましくは、補償露光時の電子ビームスポット８１０径は、補償露光パターン６０３の線幅の数倍にして、補償露光されてない部分６０５にも重なるようにする。
【００２８】
このように補償露光を行うと、各メッシュでの電子ビーム再散乱効果による追加露光ドーズが一定になり、フォトマスクのパターンサイズの変化が防止される。
【００２９】
一方、前述した実施例では、本発明の方法をフォトマスクの製造に適用した場合について説明したが、本発明の方法は、基板の全面に形成された所定の物質層を所望の集積回路を構成するためにパタニングする場合にもそのまま適用できるのは言うまでもない。
【００３０】
以下、本発明の方法に従い補償露光を行った場合および補償露光を行わない場合のパターンの線幅変化を測定した実験例について説明する。
【００３１】
まず、図９のように、一定の線幅をもつ線状パターン９５０が幾つか整列されたテストパターン９４０が形成された７０ｍｍ×７０ｍｍの露光パターン９１０を用意する。図９において、斜線の引かれた領域９３０、９５０は遮光膜パターンに当たり、斜線の引かれていない領域９２０は電子ビームにより露光される部分に当たる。
【００３２】
図１０は、この露光パターン９１０に従い通常の電子ビーム露光（ステップ３１０）を行った後のテストパターン９４０の線幅を測定して示したグラフである。図１０のグラフにおいて、横軸は図９のすべて露光される領域（斜線の引かれていない領域）９２０と全く露光されてない領域（斜線の引かれた領域）９３０との境界から全く露光されてない領域９３０側への距離を表わし、縦軸はテストパターンの測定された線幅を表す。また、参照符号１０１０は、５０ｋｅＶの加速電圧下で、３２μＣ／ｃｍ2のドーズで露光を行った場合の線幅を表し、参照符号１０２０は、１０ｋｅＶの加速電圧下で、８μＣ／ｃｍ2のドーズで露光を行った場合の線幅を表す。また、参照符号１０３０は、１０ｋｅＶの加速電圧下で、８μＣ／ｃｍ2のドーズに露光を行うが、図９のすべて露光された領域９２０を通常の集積回路素子にほぼ等しい７０％の平均露光パターン密度をもつ領域に換算した場合の線幅を表す。
【００３３】
図１０を参照すると、線幅の変化幅、すなわち、最大線幅と最低線幅との差が各々の場合に、約５３ｎｍ（１０１０）、１５ｎｍ（１０２０）、１０ｎｍ（１０３０）になることが分かる。また、すべて露光される領域９２０のテストパターン９４０での線幅変化まで合わせた場合、各々の線幅の変化幅は、約８７ｎｍ（１０１０）、２２ｎｍ（１０２０）、１５ｎｍ（１０３０）であった。
【００３４】
次に、前述した本発明の再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償する方法に従い補償露光を行った。すなわち、図９の７０ｍｍ×７０ｍｍの露光パターン９１０を１ｍｍ×１ｍｍのメッシュに分け、各メッシュに対して露光パターン密度および追加露光ドーズを求めた。このとき、再散乱の範囲ξは８ｍｍに、最大の追加露光ドーズ値δmaxは元の露光ドーズの３．５％に設定した。このように設定して、メッシュごとに補償露光ドーズを求めた後、補償露光ドーズにより補償露光を行って形成されたテストパターンの線幅を測定した。
【００３５】
図１１は、前述の測定の結果を示したグラフであって、横軸および縦軸は図１０の場合と同様であり、参照符号１１１０、１１２０、１１３０は各々、図１０の１０１０、１０２０、１０３０に各々対応する場合の測定された線幅を表す。図１１を参照すると、１１１０、１１２０、１１３０の場合はいずれも、図１０に比べて線幅の変化幅が大幅に減ったことが分かる。すべて露光される領域９２０のテストパターン９４０での線幅変化まで合わせた場合、各々の線幅の変化幅は２３ｎｍ（１１１０）、６ｎｍ（１１２０）、４ｎｍ（１１３０）であった。
【００３６】
一方、前述した本発明の再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償する方法はプログラムで具現可能であり、このプログラムは、コンピュータで読み取り可能な記録媒体により提供できる。このため、本発明のパターンサイズの変化を補償する方法は、汎用のデジタルコンピュータにより実行できる。前記記録媒体は、磁気記録媒体（たとえば、ＲＯＭ、フロッピーディスク（ＦＤ）、ハードディスク（ＨＤ）など）、光学的な記録媒体（たとえば、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤなど）およびキャリアウェーブ（たとえば、インターネットを介して伝送）などの貯蔵媒体を含む。
【００３７】
一般に、図４に示されたような露光パターンは、電子ビームの照射のための露光データに変換されて電子ビーム照射器に提供されるが、本発明の方法に従い求められた図６または図７のような補償露光パターンもやはり電子ビーム照射器に補償露光データとして提供される。特に、本発明の方法のすべての段階、すなわち、元の露光パターン（図４）を所定のサイズをもつメッシュに分け、再散乱した電子ビームにより追加露光されるドーズをメッシュごとに計算する段階と、補償露光ドーズをメッシュごとに計算する段階、および補償露光ドーズによりあらかじめ定まった補償露光パターンをメッシュごとに選択して全体の露光パターンに対する補償露光データを構築する段階は、実質的にコンピュータプログラムの各モジュールで具現でき、しかも、コンピュータプログラムで具現されることが好ましい。ここで、各プログラムモジュールを実際にコード化した機能的なプログラムコードおよびコードセグメントは、本発明が属する技術分野のプログラマによって容易に作成できる。
【００３８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、露光パターンを四角形のメッシュに分け、電子ビーム再散乱効果による追加露光ドーズおよび補償露光ドーズをメッシュごとに計算し、メッシュごとの補償露光ドーズにより所定の補償露光パターンに従い補償露光することにより、電子ビーム再散乱効果によるパターンサイズの変化を最小化できる。
【００３９】
さらに、本発明の電子ビーム再散乱効果によるパターンサイズの変化の補償方法は、コンピュータプログラムで具現され、汎用のデジタルコンピュータで実行することにより、電子ビームを用いた露光システムにおける再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を容易に最小化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子ビーム露光時に電子ビームの散乱現象を説明するための断面図である。
【図２】散乱した電子ビームにより追加で露光されるドーズを示したグラフである。
【図３】本発明に従い再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償する過程を示したフローチャートである。
【図４】本発明に従い所定の露光パターンをメッシュに分ける過程を説明するためのレイアウト図である。
【図５】本発明に従い再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償するために補償露光ドーズを求める過程を説明するためのグラフである。
【図６】本発明による補償露光パターンの例を示した図である。
【図７】本発明による補償露光パターンの例を示した図である。
【図８】本発明による補償露光時の電子ビームスポット径を説明するための図である。
【図９】本発明に従い再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償する実験に用いられた露光パターンを示したレイアウト図である。
【図１０】各々パターンサイズの変化を補償する前と、本発明に従い補償を行った後の線幅を測定して示したグラフである。
【図１１】各々パターンサイズの変化を補償する前と、本発明に従い補償を行った後の線幅を測定して示したグラフである。
【符号の説明】
４１０…メッシュ
４２０…ウインド
５１０…追加露光ドーズ
６０３…補償露光パターン
８１０…電子ビームスポット
９１０…露光パターン
９４０…テストパターン
【図１】
0003671152.tif 000007
【図２】
0003671152.tif 000008
【図３】
0003671152.tif 000009
【図４】
0003671152.tif 000010
【図５】
0003671152.tif 000011
【図６】
0003671152.tif 000012
【図７】
0003671152.tif 000013
【図８】
0003671152.tif 000014
【図９】
0003671152.tif 000015
【図１０】
0003671152.tif 000016
【図１１】
0003671152.tif 000017