(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性金属と、絶縁性無機材料と、光重合開始剤、光硬化性樹脂及び可塑剤を含む有機バインダと、有機溶剤とを含有する回路基板のシールド壁形成用導電性ペーストであって、
前記導電性金属、前記絶縁性無機材料及び前記有機バインダの合量を１００重量％とした時、前記導電性金属と前記絶縁性無機材料の合量が７０〜９５重量％、前記有機バインダが５〜３０重量％であり、該有機バインダ全量中に可塑剤を５〜２５重量％含有することを特徴とする回路基板のシールド壁形成用導電性ペースト。
【請求項２】
可塑剤がジブチルフタレート及び／又はジオクチルフタレートであることを特徴とする請求項１記載の回路基板のシールド壁形成用導電性ペースト。
【請求項３】
光硬化性樹脂を含有する絶縁膜を露光現像してシールド用貫通溝を形成し、該シールド用貫通溝に、請求項１又は2記載の導電性ペーストを充填して乾燥し、光硬化させる工程を繰り返して積層成形体を作製し、該積層成形体を焼成することを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性ペーストに関し、特に、回路基板のシールド壁を形成するために用いられる導電性ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、電子機器は小型軽量化、携帯化が進んでおり、それに用いられる回路ブロックもその動向に呼応する形で、小型軽量薄型化、表面実装化、複合化が押し進められている。
【０００３】
特に携帯通信等の高周波数を利用した通信機器においては、セラミックスの優れた誘電特性等と多層化技術からセラミック回路ブロックが従来より多用されており、それら回路ブロックを単一機能のものから複合化することが求められてきている。例えば、電圧制御発振器はセラミック基板内部にストリップラインを設けてブロック化しているが、更にセラミック基板の集積度をあげる目的で、ミキサ部を取り込んで１ブロック化しようとする動向がある。
【０００４】
ところが、電圧制御発振器のような高周波領域での発信回路は外からのノイズの影響を受け易く、その対策としてはミキサ部を発振回路から離すしかなく、この構造は小型化のための複合化の利点を損なうものでしかなかった。あえて回路の分離を図ろうとするならば、ミキサ部と発振回路との間にビアホールを多数並べる方法もあったが、これでは十分な分離が困難であり、発振回路がミキサ部から放出されたノイズの影響を受けやすいという問題があった。
【０００５】
従来、複数の回路素子を１ブロック化するにあたって問題となる回路干渉を防ぐ構造として、基板の平面方向に加えて厚み方向にも回路干渉を防ぐ為のシールド壁を形成した高周波複合回路ブロックが開示されている（特開平９−１３００４５号公報参照）。
【０００６】
図１及び図２は高周波複合回路ブロックを示すもので、これらの図では、電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙの２つの回路機能を有するブロックが複合化されている。図において、符号１は絶縁基体を示している。この絶縁基体１には、端面電極２が形成されている。絶縁基体１の表面には表面電極３が形成されており、この表面電極３には厚膜抵抗体４、コンデンサ等のチップ部品６が接続されている。さらに、絶縁基体１にはキャビティ部が形成され、このキャビティ部には半導体ベアチップ７が配置され、この半導体ベアチップ７はワイヤを介して表面電極３に接続されている。
【０００７】
絶縁基体１は、図２に示すように、絶縁層１０ａ〜１０ｈを複数積層して構成され、また、内部配線１１やビアホール導体１３、チップ部品６、半導体ベアチップ７等により２つの回路機能Ｘ、Ｙが形成されている。ここで、回路機能とは、一つの回路機能が他方の回路機能に影響を及ぼす虞があるもので、図２においては、電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙを図示した。
【０００８】
また、絶縁層１０ａ〜１０ｈ間の内部配線１１は、絶縁層１０ａ〜１０ｈの厚み方向に形成されたビアホール導体１３によって接続されているものもあれば、容量結合等で分布定数的に接続されるものもある。
【０００９】
そして、絶縁基体１には、電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙの二つの回路機能の間に、絶縁層１０ａ〜１０ｈの積層方向にシールド壁１７が形成されている。
【００１０】
このシールド壁は１７は、図２に示すように電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙとの間を遮断して形成されている。回路機能Ｘのシールドをシールド壁１７と端面電極２ａにより行っている。即ち、シールド壁１７により電圧制御発振器Ｙとのシールドを、端面電極２ａにより外部とのシールドを行っている。
【００１１】
このような高周波複合回路ブロックは、セラミック又はガラスセラミックからなる絶縁層材料、光硬化可能なモノマー、有機バインダを含有するスリップ材を薄層化し乾燥して絶縁層成形体を形成する工程と、シールド壁の形成位置を除いた前記絶縁層成形体の表面に露光処理を施す工程と、前記絶縁層成形体を現像処理してシールド壁を形成する位置にシールド用貫通溝を形成する工程と、該シールド用貫通溝内に導電性ペーストを充填する工程と、露光処理した前記絶縁層成形体に露光処理前の絶縁層成形体を積層する工程と、露光処理から積層までの工程を繰り返して形成された積層成形体を焼成する工程とにより製造される。
【００１２】
例えば、セラミック粉末、光硬化可能なモノマー、有機バインダ、及び溶剤よりなるセラミックスリップ材を塗布、乾燥、露光して、図３（ａ）に示すように支持基板３１に絶縁膜３２ａを形成し、この絶縁膜３２ａ上に同様にして絶縁膜３２ｂを形成し、この絶縁膜３２ｂを露光、現像して、図３（ｂ）に示すようなビアホール用貫通孔３３ｂ及びシールド用貫通溝３４ｂを形成する。
【００１３】
こうして形成された貫通孔３３ｂ及び貫通溝３４ｂに、図３（ｃ）に示すように、導電性ペーストをスクリーン印刷法等により充填し乾燥した後、紫外線を照射して露光し導電性ペーストを硬化させることによりビアホール導体３５ｂ及びシールド導体３６ｂを形成する。その後、所望により絶縁膜３２ｂの上面に光硬化性樹脂を含有する導電性ペーストを塗布、乾燥後、フォトリソプロセスにより所望形状の内部配線導体膜を形成し、この後、図３（ｄ）に示すように、次の絶縁層となる絶縁膜３２ｃを上述したセラミックスリップ材を塗布、乾燥、露光、現像し、ビアホール用貫通孔３３ｃ及びシールド用貫通溝３４ｃを形成する。上記のような工程を繰り返して、図３（ｅ）に示すような積層成形体を作製し、これを焼成することにより、高周波複合回路ブロックが得られる。
【００１４】
そして、絶縁膜３２ｂ〜３２ｄにフォトリソプロセスにより一括で形成したビアホール用貫通孔３３及びシールド用貫通溝３４内に充填される導電性ペーストは、例えば、本発明者等が先に提案した導電性ペーストが使用される（特願平１０−２４２３３７号参照）。
【００１５】
この導電性ペーストは、導電性金属と、絶縁性無機材料と、光重合開始剤及び光硬化性樹脂を含む有機バインダと、有機溶剤とを含有するとともに、導電性金属、絶縁性無機材料及び有機バインダの合量を１００重量％とした時、導電性金属と絶縁性無機材料の合量が７０〜９５重量％、有機バインダの重量が５〜３０重量％であり、貫通孔３３及び貫通溝３４内に充填、乾燥された後に紫外線照射して露光し硬化される。
【００１６】
これにより、形成されたビアホール導体３５及びシールド導体３６の耐溶剤性が強化され、導体３５、３６上にスリップ材を塗布した際、導体３５、３６中にスリップ材中の有機溶剤が浸透して導体３５、３６の膨潤、変形による導通不良等の不具合を防ぐことができる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
上記導電性ペーストをビアホール導体用として用いた場合には、ビアホール用貫通孔３３ｂに充填、乾燥、露光し、さらにその上にスリップ材を塗布、乾燥、露光、現像処理を行って、次層の絶縁膜３２ｃにビアホール用貫通孔３３ｃを形成する工程を繰り返しても問題は生じないが、シールド用貫通溝３４内に充填される導電性ペーストとして用いる場合には、以下のような問題があった。
【００１８】
即ち、図４（ａ）に示すように、支持基板４１上にスリップ材を塗布、乾燥、露光して絶縁膜４２ａが形成され、この絶縁膜４２ａ上に、スリップ材を塗布、乾燥、露光、現像して絶縁膜４２ｂを形成し、この絶縁膜４２ｂにシールド用貫通溝４４ｂを形成し、シールド用貫通溝４４ｂに上記導電性ペーストが充填され、１層分のシールド導体４６ｂが形成された絶縁膜４２ｂ上に、スリップ材を塗布、乾燥して絶縁膜４２ｃを形成する。
【００１９】
この後、図４（ｂ）に示すように、絶縁膜４２ｃにシールド導体を形成するためのシールド用貫通溝４４ｃを露光、現像処理により形成すると、図４（ｃ）に示すように現像処理後の現像液乾燥時に絶縁膜４２ｃが、図中の矢印の方向に収縮する。この収縮する力はシールド用貫通溝４４ｃに対して垂直に溝を外側に引き裂くように発生するため、この力に引っ張られて固くて脆い状態となっている絶縁膜４２ｂのシールド導体４６ｂの表面に、図４（ｄ）に示すようにクラックｘが発生し、シールド導体を繰り返し積層しても、複数のシールド導体４６が厚み方向に連続した垂直なシールド壁を精度良く形成できなくなるという問題があった。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明における導電性ペーストは、導電性金属と、絶縁性無機材料と、光重合開始剤、光硬化性樹脂及び可塑剤を含む有機バインダと、有機溶剤とを含有する回路基板のシールド壁形成用導電性ペーストであって、前記導電性金属、前記絶縁性無機材料及び前記有機バインダの合量を１００重量％とした時、前記導電性金属と前記絶縁性無機材料の合量が７０〜９５重量％、前記有機バインダが５〜３０重量％であり、該有機バインダ全量中に可塑剤を５〜２５重量％含有することを特徴とするものである。ここで、可塑剤がジブチルフタレート及び／又はジオクチルフタレートであることが望ましい。
【００２１】
また、本発明は、光硬化性樹脂を含有する絶縁膜を露光現像してシールド用貫通溝を形成し、該シールド用貫通溝に、請求項１又は2記載の導電性ペーストを充填して乾燥し、光硬化させる工程を繰り返して積層成形体を作製し、該積層成形体を焼成することを特徴とする回路基板の製造方法である。
【００２２】
【作用】
本発明では、光硬化性樹脂を含有する絶縁膜を露光現像してビアホール用貫通孔及びシールド用貫通溝を形成し、このような貫通孔及び貫通溝に、本発明の導電性ペーストをスクリーン印刷法等により充填し、加熱して溶剤を飛散させて乾燥し、光硬化させることにより、絶縁膜の上面に塗布されるスリップ材に含有される有機溶剤がビアホール導体及びシールド導体に浸透しにくくなり、これら導体の導通不良や変形、クラックを防止でき、かつビアホール導体及びシールド導体が形成された絶縁膜上に塗布されるスリップ材乾燥工程においても、これら導体の絶縁膜表面からの突出や下層の絶縁膜の剥離あるいは支持基板からの積層成形体の剥離を防止できる。さらにこれに伴うビアホール導体およびシールド導体上方の積層絶縁膜表面の平滑性を向上し、導体同士の接続を確実に行うことができる。
【００２３】
即ち、本発明の導電性ペーストは、光硬化前においては粘度が低いため、ビアホール用貫通孔やシールド用貫通溝に充分に充填でき、しかも有機溶剤を飛散させて乾燥した後に、光硬化性樹脂を重合させて硬化させるため、有機溶剤が侵入しにくく膨潤による変形の起こりにくい組織とすることができる。
【００２４】
また、導体が光硬化されるため、導体上面のスリップ材を乾燥させる工程においても、その収縮による導体の変形等が小さく、導体上面が絶縁膜表面から突出したり、支持基板から剥離したり、各絶縁膜に形成された導体の接続部が断線したりすることを防止でき、積層体の平滑性を向上できる。
【００２５】
そして、本発明の導電性ペーストでは、有機バインダ中に可塑剤を含有するので、乾燥し光硬化した導体には可塑剤が含まれており、強度を保った上である程度の柔軟性を有しているため、導体外部からこれを引き裂くような力が作用しても、これにある程度追従することができ、導体表面の亀裂発生を防止できる。従って、現像処理後の現像液乾燥時に絶縁膜が収縮し、この絶縁膜の下層の絶縁膜のシールド導体に、この導体の厚み方向に引き裂くような力が作用しても、シールド導体膜が柔軟性を有するため、シールド導体の表面におけるクラックの発生を防止でき、複数のシールド導体が基板の厚み方向に連続した垂直の寸法精度に優れたシールド壁を形成でき、シールド性良好な複数の回路機能内蔵の高周波モジュール用回路基板を提供できる。
【００２６】
また、例えば、ジブチルフタレート及び／又はジオクチルフタレートからなる可塑剤を有機バインダ全量中に５〜２５重量％含有することにより、シールド導体表面のクラックの発生をさらに防止できるとともに、より寸法精度の良好な垂直なシールド壁を形成できる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の導電性ペーストは、導電性金属と、絶縁性無機材料と、光重合開始剤、光硬化性樹脂及び可塑剤を含む有機バインダと、有機溶剤とを含有するものである。
【００２８】
導電性金属としては、基板材料がガラスセラミックスからなる低温焼成材料（８００〜１１００℃程度の焼成）の場合は、金、銀、銅系あるいはその合金材料が用いられ、基板材料がアルミナの場合はタングステンやモリブデン等の金属が用いられる。導電性金属の平均粒径としては、ペースト作製時の分散性や焼結性という点から５〜１０μｍが望ましい。
【００２９】
絶縁性無機材料としては、硼珪酸ガラス粉末、硼珪酸アルカリ土類金属系ガラス、石英ガラス等があり、少量で導電性金属との分散性を向上するという点から平均粒径０．５〜１０μｍであることが望ましい。またこの絶縁性無機材料は、導電性金属の焼結収縮挙動をコントロールする役割を有する。絶縁性無機材料は、導電性金属の０．１〜１重量％が望ましい。
【００３０】
有機バインダを構成する光重合開始剤としては、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モンフォリノプロパノン−１（チバガイギー社製イルガキュア９０７）やジエチルチオキサントン等がある。これは、光を吸収して、光硬化反応を引き起こす役割を有する。
【００３１】
光硬化性樹脂は、モノマー又はポリマーどちらでも良い。光硬化性樹脂としては、５００℃以下の温度で熱分解可能なアルキルアクリレート又はアルキルメタクリレート、及びその高分子化合物がある。
【００３２】
光硬化性のモノマーとしては、低温短時間で焼失させることが可能で、紫外線照射により重合が起こるエチレン性不飽和結合を有する化合物が挙げられ、具体的にはテトラエチレングリコールジアクリレート等のポリエチレングリコールジアクリレートやトリメチロールプロパントリアクリレート及びそれらに対応するメタクリレート等が挙げられる。また光硬化性のポリマーとしては、上記モノマーの高分子量化合物（分子量：５０００〜５００００）が挙げられる。
【００３３】
また、有機バインダ中には、光硬化性を有しないポリアルキルアクリレートやメタクリレート、例えばポリメチルメタクリレートやポリ（イソ）ブチルメタクリレート等を含有しても良い。
【００３４】
本発明では、さらに有機バインダ中には可塑剤が含有されている。可塑剤は、光硬化性樹脂を構成する高分子間に入り込むことにより樹脂の強固な結合を弱め、乾燥し硬化した、固くて脆い導体に適度な柔軟性を付与するためのもので、導電性ペーストを乾燥させる温度である８０〜１００℃程度の温度では飛散することはなく、かつ焼成時に低温短時間で飛散するものであり、また樹脂を構成するアルキルアクリレートやアルキルメタクリレートと親和性のよい物質が挙げられ、具体的には、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）やジオクチルフタレート（ＤＯＰ）等のフタル酸エステル化合物が最適である。
【００３５】
有機溶剤としては、ブチルカルビトールアセテート、α−ターピネオール等があり、導電性ペーストの粘度をスクリーン印刷に適した粘度に調整する役割を有する。
【００３６】
そして、本発明の導電性ペーストでは、導電性金属、絶縁性無機材料及び有機バインダの合量を１００重量％とした時、導電性金属と絶縁性無機材料の合量が７０〜９５重量％、有機バインダが５〜３０重量％であることが重要である。
【００３７】
これは、有機バインダの重量が５重量％より少ない場合、即ち導電性金属及び絶縁性無機材料の合計重量が９５重量％より多い場合には充分な光硬化性が得られず、有機溶剤の浸透や導体の変形が生じる虞があるからであり、有機バインダの重量が３０重量％を越える場合、即ち導電性金属及び絶縁性無機材料の合計重量が７０重量％より少ない場合には、有機バインダが焼成時に充分に分解せず、導電性金属の焼結性に悪影響を与え、導体の断線が生じるからである。
【００３８】
上記のような理由から、導電性金属及び絶縁性無機材料の合計重量は７０〜９５重量％、有機バインダの重量が５〜３０重量％が望ましく、特に導電性金属及び絶縁性無機材料の合計重量が８０〜９０重量％、有機バインダの重量が１０〜２０重量％が望ましい。
【００３９】
また、本発明の導電性ペーストでは、可塑剤を有機バインダ全量中に５〜２５重量％含有することが重要である。有機バインダ中に含まれる可塑剤の重量が５重量％よりも少ない場合には、導体膜に充分な柔軟性が付与されず、導体を引き裂く力が加わった際に導体表面に亀裂が生じ易くなり、２５重量％を越えると有機バインダを構成しバインダの骨格となる高分子化合物の強度が弱められ過ぎてしまうため、耐溶剤性の劣化や上層現像時の導体の溶解を引き起こす虞があるからである。有機バインダ中の可塑剤の量は、特に１０〜２０重量％が望ましい。
【００４０】
本発明の導電性ペーストは、導電性金属と、絶縁性無機材料と、光重合開始剤、光硬化性樹脂、可塑剤とを含む有機バインダと、有機溶剤とを所定量添加混合することにより得られるが、有機バインダは予め有機溶剤に溶解して有機ビヒクルとしたものを無機成分と混合してもよい。
【００４１】
本発明の導電性ペーストは、光硬化性樹脂を含有する絶縁膜を露光現像してビアホール用貫通孔及びシールド用貫通溝を形成し、このような貫通孔や貫通溝に、本発明の導電性ペーストをスクリーン印刷法等により充填し、加熱して溶剤を飛散させて乾燥し、光硬化させる工程を繰り返して形成される多層セラミック回路基板に用いられる。尚、この導電性ペーストについては、光源としてコンベア式のＵＶ炉等を用いて加熱しながら露光を行うと、短時間で効率よく硬化させることができる。
【００４２】
【実施例】
導電性金属として平均粒径が５μｍの銀粉末、絶縁性無機材料として平均粒径が２μｍの石英ガラス粉末、光重合開始剤として、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モンフォリノプロパノン−１（チバガイギー社製イルガキュア９０７）とジエチルチオキサントンからなる混合物、光硬化性樹脂としてトリメチロールプロパントリアクリレート及びその高分子体、有機バインダのその他の成分としてイソブチルメタクリレート、可塑剤としてジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、有機溶剤としてブチルカルビトールアセテートを用意し、絶縁性無機材料を導電性金属の０．５重量％とし、絶縁性無機材料と導電性金属の合計重量を全量中７０重量％とし、光重合開始剤、光硬化性樹脂、イソブチルメタクリレート、及びジオクチルフタレート（ＤＯＰ）からなる有機バインダを３０重量％、ペースト全量中の有機溶剤を２０重量％の混合物を、セラミック製３本ロールミルにより混練して本発明の導電性ペーストを作製した。尚、有機バインダ中のＤＯＰの量は１０重量％とした。
【００４３】
さらに、絶縁性無機材料と導電性金属の合計重量、有機バインダ量、可塑剤量、有機溶剤量を、表１に示すように変化させて、導電性ペーストを作製した。尚、上記実施例は試料Ｎo.２として記載した。上記導電性ペーストを用いて、以下のようにして回路基板を作製した。
【００４４】
絶縁層を形成するためのセラミックスリップ材を、絶縁材料として平均粒径が３μｍであるアルミナ粉末５０重量％と、平均粒径が３μｍの硼珪酸鉛ガラス粉末５０重量％とを混合したものを用い、光硬化性モノマとしてエチレン性不飽和結合を有するポリエチレングリコールジメタクリレート、有機バインダとしてビアホール用貫通孔及びシールド用貫通溝形成のための現像処理においてアルカリ水溶液に可溶な一定量のカルボキシル基を含むポリ（イソ）ブチルメタクリレートを用い、光重合開始剤としてイルガキュア９０７とジエチルチオキサントン、有機溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを用い、これらを混合しボールミルで混練して作製した。
【００４５】
セラミックスリップ材を、図３（ａ）に示すように、支持基板３１上にドクターブレード法により塗布、乾燥して８０μｍの厚みをもつ絶縁膜３２ａを形成し、露光処理を施し、図３（ｂ）に示すように、この絶縁膜３２ａにセラミックスリップ材を塗布、乾燥して８０μｍの厚みをもつ絶縁膜３２ｂを形成した。この絶縁膜３２ｂに露光処理、現像処理を施して所定の位置にビアホール用貫通孔３３ｂ及びシールド用貫通溝３４ｂを形成した。
【００４６】
具体的には、貫通孔３３ｂ及び貫通溝３４ｂを形成する領域が遮光されるフォトターゲットを用いて、貫通孔３３ｂ及び貫通溝３４ｂを形成する以外の領域に超高圧水銀灯にて１００ｍＪ／ｃｍ2 の露光を行ってその領域を硬化させ、露光されなかった未硬化領域をトリエタノールアミン水溶液の弱アルカリ水溶液を用いたスプレー現像にて溶解除去し、８０℃、１０分間で現像液を乾燥させて貫通孔３３ｂ及び貫通溝３４ｂを形成した。
【００４７】
この貫通孔３３ｂ及び貫通溝３４ｂに、図３（ｃ）に示すように、上記導電性ペーストをそれぞれスクリーン印刷法により充填し、１００℃で加熱し、乾燥してビアホール導体３５ｂ及びシールド導体３６ｂを形成した。このビアホール導体３５ｂ及びシールド導体３６ｂにメタルハライドランプ等のＵＶ光源を用いて露光量１〜５Ｊ／ｃｍ2 の紫外線を照射し、ビアホール導体３５ｂ及びシールド導体３６ｂを硬化させた。
【００４８】
次に、図３（ｄ）に示すように、上記したセラミックスリップ材を塗布、乾燥して絶縁膜３２ｃを形成した後、絶縁膜３２ｃ表面を観察し、ビアホール導体３５ｂ及びシールド導体３６ｂ上方の絶縁膜３２ｃの突出の有無について判断した。突出の有無については、肉眼で突出が確認できるか否かで判断し、その結果を表１に示した。
【００４９】
この後、絶縁膜３２ｃの露光、現像処理によりビアホール用貫通孔３３ｃ及びシールド用貫通溝３４ｃを形成し、８０℃１０分間の乾燥を行った後、貫通孔３３ｃ及び貫通溝３４ｃ下部にあるビアホール導体３５ｂ及びシールド導体３６ｂの表面状態を観察し、クラックの有無について肉眼で判断し、その結果も表１に示した。
この後、図３（ｅ）に示すように、導電性ペーストの貫通孔３３ｃ及び貫通溝３４ｃへの充填、乾燥、紫外線硬化処理を行い、ビアホール導体３５ｃ及びシールド導体３６ｃを作製した。さらに、上記と同様にして絶縁膜３２ｄ、ビアホール導体３５ｄ及びシールド導体３６ｄを作製し、積層成形体を作製し、これを支持基板３１から外した。
【００５０】
次に、積層成形体の断面におけるビアホール導体３５ｂ〜３５ｄ及びシールド導体３６ｂ〜３６ｄの状態について観察した。この結果を表１に示した。
【００５１】
【表１】
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【００５２】
表１より、本発明の試料では、絶縁膜３２ｃ表面に凹凸がなく、シールド導体３６ｂの表面にもクラックの発生がなく、さらに、焼成後のビアホール導体及びシールド壁についても不良はなかった。
【００５３】
一方、試料Ｎｏ．１０では、絶縁膜３２ｃの塗布、乾燥後にビアホール導体３５ｂ、シールド導体３６ｂ上端が絶縁膜３２ｂ表面から突出しており、絶縁膜３２ｃ表面に突出が見られ、積層成形体としても大きな凹凸が確認された。また、試料Ｎｏ．４では、シールド用貫通溝３４ｃ下部のシールド導体３６ｂの中央に沿ってクラックが確認された。
【００５４】
この後上記積層成形体を５００℃で脱バインダを行った後、９００℃で１時間焼成を行った。この焼成体についてビアホール導体及びシールド導体の焼成状態を観察したところ、本発明の導電性ペーストを充填したビアホール導体及びシールド導体については緻密な焼結状態で導通の問題はなく、シールド導体もほぼ垂直であったが、試料Ｎｏ．４では垂直なシールド壁が形成されていなかった。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の導電性ペーストでは、光硬化性樹脂を含有する絶縁膜を露光現像してビアホール用貫通孔及び回路間の相互干渉を防止するための基板厚み方向へのシールド用貫通溝を形成し、このような貫通孔及び貫通溝に、導電性ペーストをスクリーン印刷法等により充填し、加熱して溶剤を飛散させて乾燥し、光硬化させることにより、絶縁膜の上面に塗布されるスリップ材に含有される有機溶剤がビアホール導体やシールド導体に浸透しにくくなり、ビアホール導体やシールド導体の導通不良や変質を防止できるとともに、ビアホール導体及びシールド導体が形成された絶縁膜上に塗布されるスリップ材乾燥工程においても、これら導体の絶縁膜面からの突出や下層あるいは支持基板からの剥離を防止できる。
【００５６】
さらに、シールド導体上に絶縁膜を形成し、これに再度露光、現像処理によりシールド用貫通溝を形成しても、現像処理後に上層膜に発生する力により下層のシールド導体表面にクラックが発生することがなくなり、垂直でかつ信頼性の高いシールド壁の形成が可能となる。これにより、シールド性良好な複数の回路機能内蔵の高周波モジュール用回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】高周波複合回路ブロックの斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】ビルドアップ多層方式による製法を説明する工程図である。
【図４】従来の導電性ペーストを用いた際のシールド導体表面へのクラックの発生を説明するための工程図である。
【符号の説明】
３２ａ〜３２ｄ・・・絶縁膜
３１・・・支持基板
３３ｂ〜３３ｄ・・・ビアホール用貫通孔
３４ｂ〜３４ｄ・・・シールド用貫通溝
３５ｂ〜３５ｄ・・・ビアホール導体
３６ｂ〜３６ｄ・・・シールド導体
【図１】
0003677414.tif 000003
【図２】
0003677414.tif 000004
【図３】
0003677414.tif 000005
【図４】
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