(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面が酸化されている扁平状の軟磁性合金粉末と結合剤からなる複合磁性体であって、前記軟磁性合金粉末は表面の酸化物部分と粉末内部の非酸化物部分からなり、前記軟磁性合金粉末の非酸化物部分が、結晶異方性定数または磁歪定数がゼロであるような挙動を示していることを特徴とする複合磁性体。
【請求項２】
少なくとも表面が酸化されている扁平状の軟磁性合金粉末と結合剤からなる複合磁性体であって、前記軟磁性合金粉末の非酸化物組成が、そのキュリー温度Ｔｃと結晶異方性定数または磁歪定数がゼロである軟磁性合金バルク材のキュリー温度とで管理され、前記軟磁性合金粉末が結晶異方性定数または磁歪定数がゼロであるような挙動を示していることを特徴とする複合磁性体。
【請求項３】
前記軟磁性合金粉末は、前記複合磁性体中において配向配列されていることを特徴とする請求項１又は２記載の複合磁性体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の複合磁性体と導電性材料とから実質的になる電磁干渉抑制体。
【請求項５】
酸化性の組成を含む軟磁性合金粉末の製造方法であって、結晶異方性定数または磁歪定数ゼロの組成のバルク材のキュリー温度を測定し、前記バルク材の組成からあらかじめズレた組成を有する出発原料バルク材を粉末化してなる軟磁性合金粉末のキュリー温度Ｔｃを測定し、前記キュリー温度Ｔｃを前記結晶異方性定数または磁歪定数ゼロの組成のバルク材のキュリー温度と共に用いて、前記軟磁性体合金粉末の非酸化物の組成を管理することを特徴とする軟磁性合金粉末の製造方法。
【請求項６】
酸化性の組成を含む軟磁性合金粉末及び結合剤から実質的になる複合磁性体の製造方法であって、結晶異方性定数または磁歪定数ゼロの組成のバルク材のキュリー温度を測定し、前記バルク材の組成からあらかじめズレた組成を有する出発原料バルク材を粉末化してなる軟磁性合金粉末のキュリー温度Ｔｃを測定し、前記キュリー温度Ｔｃを前記結晶異方性定数または磁歪定数ゼロの組成のバルク材のキュリー温度と共に用いて、前記軟磁性体合金粉末の非酸化物の組成を管理することを特徴とする複合磁性体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波領域に於いて優れた複素透磁率特性を有する複合磁性材料およびそれを用いた電磁波吸収体に関し、高周波電子回路や装置に於いて問題となる電磁干渉の抑制に有効な手段を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、デジタル電子機器をはじめ高周波を利用する電子機器類の普及が進み、中でも準マイクロ波帯域を使用する移動通信機器類の普及がめざましい。それに伴い、インダクタンス部品や電波吸収体に用いられる軟磁性体材料にも高周波化への対応が求められている。加えて、その用途が携帯電話機等の小型、軽量な通信機器の場合には、軟磁性体への要求特性に、軽量、肉薄、堅牢等が追加される。
【０００３】
軟磁性材料の高周波化を阻む主な要因の一つは、渦電流損失であり、その低減化手段として、表皮深さを考慮した薄膜化及び高電気抵抗化が挙げられ、前者の例としては、磁性体層と誘電体層を交互に積層製膜したもの、また後者の代表としては高電気抵抗のＮｉ−Ｚｎ系フェライトを挙げることができる。
【０００４】
準マイクロ波帯域における軟磁性体の用途は、前述のインダクタンス部品及び電波吸収体が主であり、インダクタンス部品には実部透磁率μ′が用いられ、電波吸収体には虚数部透磁率μ″が用いられる。
【０００５】
しかしながら、インダクタンス部品には高いＱ値が要求される場合が多いものの、準マイクロ波帯域では必要なインダクタンスが極めて小さな値となる為に、磁芯材料としての用途は限られている。
【０００６】
一方、虚数部透磁率μ″を用いる電波吸収体としての用途は、高周波機器類の普及と共に拡大しつつある。
【０００７】
例えば、携帯電話に代表される移動体通信機器には、とりわけ小型化軽量化の要求が顕著であり、電子部品の高密度実装化が最大の技術課題の一つとなっている。従って、過密に実装された電子部品類やプリント配線あるいはモジュール間配線等が互いに極めて接近することになり、更には、信号処理速度の高速化も図られているため、静電及び電磁結合による線間結合の増大化や放射ノイズによる干渉などが生じ、機器の正常な動作を妨げる事態が少なからず生じている。
【０００８】
このようないわゆる電磁障害に対して従来は、主に導体シールドを施す事による対策がなされてきた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、導体シールドは空間とのインピーダンス不整合に起因する電磁波の反射を利用する電磁障害対策であるために、遮蔽効果は得られても不要輻射源からの反射による電磁結合が助長され、その結果二次的な電磁障害を引き起こす場合が少なからず生じている。
【００１０】
この二次的な電磁障害対策として、磁性体の磁気損失、即ち虚数部透磁率μ″を利用した不要輻射の抑制が有効である。
【００１１】
即ち、前記シールド体と不要輻射源の間に磁気損失の大きい磁性体を配設する事で不要輻射を抑制することが出来る。
【００１２】
ここで、磁性体の厚さｄは、μ″＞μ′なる関係を満足する周波数帯域にてμ″の大きさに反比例するので、前記した電子機器の小型、軽量化要求に迎合する薄い電磁干渉抑制体即ち、シールド体と磁性体からなる複合体を得るためには、虚数部透磁率μ″の大きな磁性体が必要となる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
懸る要求に対応すべく透磁率の高周波特性に優れ、磁気損失体として機能する磁性体即ち、低周波数領域にてμ′の値が大きく、更にμ″＞μ′なる周波数領域に於いてμ″が大きな値を示す磁性体の検討を行った。
【００１４】
本発明者らは、以前に扁平形状を有し、表面に酸化被膜を有する軟磁性合金粉末をマトリックス中に配向配列させた複合磁性体が優れた高周波透磁率特性を有することを示した（日本応用磁気学会誌２０，４２１−４２４（１９９６））。ここで用いた扁平状の軟磁性合金粉末は、略球状ないし不定形状の粗粉末を溶媒中で機械的に摩砕処理することにより得られるもので、前記粗粉末は、原料メルトを冷媒中にアトマイズする直接造粒や、原料インゴットを出発原料とし、これを機械粉砕することで得られるものである。このような製法にて代表的な軟磁性材料であるＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金（センダスト）を扁平状の粉末に加工し、その磁気特性について、粉末化および扁平化プロセスとの関連を調べたところ、粉末の比表面積の増大化と共に前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金組成中のＳｉおよびＡｌの選択的な酸化、即ち合金の組成ずれが進行することが判明した。Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金においては、Ｆｅ８５％、Ｓｉ９．６％、Ａｌ５．４％近傍に透磁率μが極めて大きくなる領域が存在し、このときの結晶異方性定数及び磁歪定数は共に殆どゼロとなっている（この領域のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金は一般にセンダストとよばれる）。
【００１５】
従って、前述の様に微細化されたＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金粉末では、特定組成（ＳｉおよびＡｌ）の選択的酸化によって合金組成のずれが生じ、この為に結晶異方性定数及び磁歪定数が共にゼロでは無くなり透磁率μの大幅な劣化が生じることになる。
【００１６】
ところで、磁性合金の組成分析は、通常、元素分析により行われるが、この方法では、構成元素がメタル状態で存在するのか或いは酸化物となっているのかの区別が不能である。別の分析手段、例えば原子間の結合エネルギーの違いを利用してメタル状態と酸化物状態を分別する手法もあるが、被分析試料が微細な粉末であるため定量性に高い精度が望めないという問題がある。
【００１７】
本発明は、軟磁性合金の粉末化に伴う特定合金組成の選択的欠乏を予め出発原料の段階で補っておき、粉末化された軟磁性合金の有効組成がバルク合金の設計組成と略同一となる様にすることで、優れた透磁率特性を実現するものであり、更には粉末の有効組成をキュリー温度Ｔｃの測定により精度良く検証可能とするものである。バルク軟磁性合金の設計組成は、通常結晶異方性定数が略ゼロの組成または／及び磁歪定数が略ゼロとなる組成であることが多く、本発明の組成基準となる出発原料の合金組成は、通常結晶異方性定数又は／及び磁歪定数が略ゼロの合金組成とした。これらを実現することで高い透磁率と、応力歪みの影響を受けない安定した磁気特性が得られる。
【００１８】
また、磁性体のキュリー温度Ｔｃは、合金組成により一義的に定まるものであり、磁気天秤等をもちいて磁化の温度変化を測定することにより粉末状態でも容易に精度良く求めることができるので、本発明の目的である粉末状態での合金組成の最適化を判定する手段として極めて適している。
【００１９】
即ち、本発明によれば、少なくとも表面が酸化されている扁平状の軟磁性合金粉末と結合剤からなる複合磁性体であって、前記軟磁性合金粉末は表面の酸化物部分と粉末内部の非酸化物部分からなり、前記軟磁性合金粉末の非酸化物部分が、結晶異方性定数または磁歪定数がゼロであるような挙動を示していることを特徴とする複合磁性体が得られる。
【００２０】
また、本発明によれば、少なくとも表面が酸化されている扁平状の軟磁性合金粉末と結合剤からなる複合磁性体であって、前記軟磁性合金粉末の非酸化物組成が、そのキュリー温度Ｔｃと結晶異方性定数または磁歪定数がゼロである軟磁性合金バルク材のキュリー温度とで管理され、前記軟磁性合金粉末が結晶異方性定数または磁歪定数がゼロであるような挙動を示していることを特徴とする複合磁性体が得られる。
【００２２】
また、本発明によれば、前記軟磁性合金粉末は、前記複合磁性体中において配向配列されていることを特徴とする複合磁性体が得られる。
【００２３】
また、本発明によれば、前記複合磁性体と導電性材料とから実質的になる電磁干渉抑制体が得られる。
【００２４】
また、本発明によれば、酸化性の組成を含む軟磁性合金粉末の製造方法であって、結晶異方性定数または磁歪定数ゼロの組成のバルク材のキュリー温度を測定し、前記バルク材の組成からあらかじめズレた組成を有する出発原料バルク材を粉末化してなる軟磁性合金粉末のキュリー温度Ｔｃを測定し、前記キュリー温度Ｔｃを前記結晶異方性定数または磁歪定数ゼロの組成のバルク材のキュリー温度と共に用いて、前記軟磁性体合金粉末の非酸化物の組成を管理することを特徴とする軟磁性合金粉末の製造方法の製造方法が得られる。
【００２５】
また、本発明によれば、酸化性の組成を含む軟磁性合金粉末及び結合剤から実質的になる複合磁性体の製造方法であって、結晶異方性定数または磁歪定数ゼロの組成のバルク材のキュリー温度を測定し、前記バルク材の組成からあらかじめズレた組成を有する出発原料バルク材を粉末化してなる軟磁性合金粉末のキュリー温度Ｔｃを測定し、前記キュリー温度Ｔｃを前記結晶異方性定数または磁歪定数ゼロの組成のバルク材のキュリー温度と共に用いて、前記軟磁性体合金粉末の非酸化物の組成を管理することを特徴とする複合磁性体の製造方法が得られる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明に於いては、高周波透磁率の大きなＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金（センダスト）、Ｆｅ−Ｓｉ合金或いは各種アモルファス合金等の金属軟磁性材料を原料素材として用いることが出来る。
【００２７】
本発明では、これらの粗原料を摩砕、延伸〜引裂加工等により扁平化し、そのアスペクト比を概ね１０以上とする。所望のアスペクト比を得るには、例えば溶媒中で摩砕処理する方法が挙げられ、具体的には、ボールミル、アトライタ、ピンミル等を用いることができ、前記した条件を満足するアスペクト比が得られれば扁平化手段に制限はない。また、原料メルトを、回転する冷却コーン上に噴霧し直接扁平粒子を得る方法を用いても良い。
【００２８】
また、本発明に於いては、個々の磁性粉末同士の電気的な隔離、即ち複合磁性体の非良導性を磁性粉の高充填状態においても確保出来る様、軟磁性粉末は、その表面に誘電体層が形成されている必要がある。この誘電体層は、金属磁性粉末の表面を酸化させることにより得られる構成元素と酸素からなる金属酸化物層であり、例えばＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金（センダスト）の場合には、主にＡｌＯx 及びＳｉＯx であると推察される。金属粉末の表面を酸化させる手段の一例として、特に粉末の大きさが比較的小さく、活性度の高いものについては、炭化水素系有機溶媒中あるいは不活性ガス雰囲気中にて酸素分圧の制御された窒素−酸素混合ガスを導入する液相徐酸法或いは気相徐酸法により酸化処理する事が酸化反応制御の容易性、安定性及び安全性の点で好ましい。
【００２９】
本発明の副材料として用いる有機結合剤としては、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ニトリル−ブダジエン系ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミド系樹脂、イミド系樹脂或いはそれらの共重合体を挙げることが出来る。
【００３０】
以上述べた本発明の構成要素を混練・分散し複合磁性体を得る手段には特に制限はなく、用いる結合剤の性質や工程の容易さを基準に好ましい方法を選択すればよい。
【００３１】
この混練・分散された磁性体混合物中の磁性粒子を配向・配列させる手段としては、せん断応力による方法と磁場配向による方法があり、いずれの方法を用いても良い。
【００３２】
【実施例】
次に本発明を、以下の実施例に基づき詳細に説明する。
【００３３】
はじめに、結晶異方性定数及び磁歪定数が共にほぼゼロであるセンダスト中心組成（Ｆｅ８５％、Ｓｉ９．４％、Ａｌ５．６％）を有する原料インゴット（バルク合金材）を用意し、これを溶解して水アトマイズ法によりＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金の粗粉末を作製した。次にアトライタを用いて摩砕加工を行い、摩砕処理時間の異なる複数の試料を作製した。ここで得られた各試料に関し、炭化水素系有機溶媒中で酸素分圧３５％の窒素−酸素混合ガスを導入しながら８時間撹拌し液相徐酸処理した後、表面に酸化被膜を有する粉末の試料を得た。得られた粉末を表面分析した結果、金属酸化物の生成が明確に確認され、試料粉末の表面に於ける酸化被膜の存在が認められた。
【００３４】
ここで得られたアトライタ摩砕処理時間の異なる扁平形状で表面に酸化被膜を有する粉末試料について、外部磁界５ｋエルステッドにて磁気天秤により飽和磁化の温度変化を測定し、得られた飽和磁化の温度特性より各粉末試料のキュリー温度Ｔｃを求めた。図１に各粉末試料のキュリー温度Ｔｃのアトライタ摩砕処理時間依存性を示す。
【００３５】
図１より、試料粉末のキュリー温度Ｔｃが、アトライタ摩砕処理時間の進行と共に単調に上昇していることが分かる。
【００３６】
この結果に加えて、更に試料粉末の出発原料である原料インゴット（バルク合金材）のキュリー温度が約４５０℃であること、及び純鉄のキュリー温度が約７７０℃であることから、アトライタによる摩砕処理の進行により、試料粉末の合金組成がＦｅ過剰となる、言い換えればＳｉ及び／又はＡｌの選択的欠落が生じると推定できる。その理由は、Ｓｉ及び／又はＡｌの金属→酸化物変化における標準生成Ｇｉｂｂｓエネルギー値、および合金中での移動度がＦｅに比べて大きいことにより、Ｓｉ及び／又はＡｌが選択的に粉末表面にて酸化される為と考えられる。従って、粉末の表面積が大きい程、Ｓｉ及び／又はＡｌの酸化が促進され、その結果としてキュリー温度Ｔｃの変化も大きくなると予想される。図２は、アトライタ摩砕時間の異なる各試料について、キュリー温度ＴｃをＢＥＴ比表面積の関数として示した図であり、キュリー温度ＴｃがＢＥＴ比表面積に略比例すること、即ち、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金においては、Ｓｉ及び／又はＡｌの選択的な酸化が粉末の表面積の大きさに応じて生じ、その結果合金組成が変化し、キュリー温度の上昇がおこることが分かる。
【００３７】
本発明の効果を検証するにあたり、合金組成の異なる出発バルク原料から作製した各種の粉末試料を用いて以下に述べる複合磁性体を作製し、μ−ｆ特性及び電磁干渉抑制効果を調べた。
【００３８】
μ−ｆ特性の測定には、トロイダル形状に加工された複合磁性体試料を用いた。これを１ターンコイルを形成するテストフィクスチャに挿入し、インピーダンスを計測することによりμ′及びμ″を求めた。
【００３９】
一方、電磁干渉抑制効果の検証は、図３に示される評価系により行い、試料となる電磁干渉抑制体１０としては、複合磁性体１に銅板２を裏打ちしてなる厚さ２ｍｍで一辺の長さが２０ｃｍのものを用いた。ここで波源用素子及び受信用素子としては、ループ径１．５ｍｍの電磁界送信用微小ループアンテナ３及び電磁界受信用微小ループアンテナ４を用い、結合レベルの測定にはネットワークアナライザを使用した。なお５は電磁界波源用発信器、６は電磁界強度測定器である。
【００４０】
（検証用試料１）
センダスト中心組成（Ｆｅ８５％、Ｓｉ９．６％、Ａｌ５．４％）よりもＳｉ及びＡｌ過剰の組成（Ｆｅ８４％、Ｓｉ１０％、Ａｌ６％）からなる原料インゴットを作製し、これを粗粉砕後、扁平状に加工し粉末試料を得た。この粉末試料を用いて、表１に示した配合からなる軟磁性体ペーストを調合し、これをドクターブレード法により製膜し、熱プレスを施した後に８５℃にて２４時間キュアリングを行い検証用試料１を得た。
【００４１】
【表１】
0003722391.tif 000002
【００４２】
なお、得られた試料１を走査型電子顕微鏡を用いて解析したところ、扁平磁性粒子は試料膜面内方向に配向配列されていた。
【００４３】
（比較用試料２）
センダスト中心組成（Ｆｅ８５％、Ｓｉ９．６％、Ａｌ５．４％）からなる原料インゴットを作製し、これを粗粉砕後、扁平状に加工し粉末試料を得た。この粉末試料を用いて、表２に示した配合からなる軟磁性体ペーストを調合し、これをドクターブレード法により製膜し、熱プレスを施した後に８５℃にて２４時間キュアリングを行い比較用試料２を得た。
【００４４】
【表２】
0003722391.tif 000003
【００４５】
なお、得られた試料２を走査型電子顕微鏡を用いて解析したところ、扁平磁性粒子は試料膜面内方向に配向配列されていた。
【００４６】
（比較用試料３）
センダスト中心組成（Ｆｅ８５％、Ｓｉ９．６％、Ａｌ５．４％）からなる原料インゴットを作製し、これを粗粉砕後、扁平状に加工し粉末試料を得た。この粉末試料を用いて、表３に示した配合からなる軟磁性体ペーストを調合し、これをドクターブレード法により製膜し、熱プレスを施した後に８５℃にて２４時間キュアリングを行い比較用試料３を得た。
【００４７】
【表３】
0003722391.tif 000004
【００４８】
なお、得られた試料３を走査型電子顕微鏡を用いて解析したところ、扁平磁性粒子は試料膜面内方向に配向配列されていた。
【００４９】
得られた各試料の実部透磁率μ′及び磁気共鳴周波数ｆr を表４に示す。
【００５０】
【表４】
0003722391.tif 000005
【００５１】
図４は、本発明の検証例である試料１及び比較例である試料２のμ−ｆ特性であり、磁気共鳴周波数ｆr は、試料２が高く、実部透磁率μ′の値は試料１が大きな値を示している。また、表４から明らかな様に試料３の磁気共鳴周波数ｆr 、及び実部透磁率μ′の値は、共に試料１と試料２の中間に位置している。
【００５２】
これらの結果より、本発明の実施例である粉末化による特定組成の選択的欠落を予め補った合金組成からなる粉末を用いた検証用試料１は、ほぼセンダスト中心組成を有する出発原料からなる原料磁性粉末を用いた比較用試料である試料２乃至試料３に比べて実部透磁率μ′および虚数部透磁率μ″が共に大きく、その差は歴然である。
【００５３】
以上より、磁性粉末の組成を、粉末のキュリー温度Ｔｃが粉末の出発原料となるバルク合金材の結晶異方性定数又は／及び磁歪定数が略ゼロになる組成のキュリー温度と略等しくなるようにすることで、高周波域にて高い透磁率が得られることが明白である。
【００５４】
また軟磁性合金粉末と結合剤とからなる複合磁性体に於いて、軟磁性合金の粉末化に伴って生じる特定合金組成の選択的欠乏を予め出発原料の段階で補っておき、粉末化された軟磁性合金の有効組成がバルク合金の設計組成と略同一となる様にする。これと共に、粉末化された状態でのキュリー温度Ｔｃを測定することで軟磁性合金粉末のメタル組成をモニターし、これを出発原料組成配合にフィードバックさせる。具体的には、軟磁性合金粉末の非酸化物組成を、キュリー温度Ｔｃの測定を伴って管理する。これにより、優れた透磁率特性を実現することが出来る。
【００５５】
また、本発明の一効果として、粉末での磁歪定数をほぼ０とすることが出来るので、第１表中に示した粉末のアニール処理によるμ′の変化率が小さいことから推察出来るように、粉末に加工時の応力歪みが残留している場合でも磁気特性の劣化は殆ど生じず、粉末の焼鈍処理が不要となる。
【００５６】
更には、本発明の複合磁性体をインダクタンス素子用磁芯として用いる場合でも、巻線、樹脂モールド等による歪みの影響を受けないので、温度特性の良好なインダクタンス素子を実現することも可能となる。
【００５７】
次に、検証用試料１及び比較用試料２の表面抵抗、及び電磁干渉抑制効果を表５に示す。
【００５８】
【表５】
0003722391.tif 000006
【００５９】
ここで、表面抵抗はＡＳＴＭ−Ｄ−２５７法による測定値であり、電磁干渉抑制効果の値は、銅板を基準（０ｄＢ）としたときの信号減衰量である。
【００６０】
図４及び表５より以下に述べる効果が明白である。
【００６１】
即ち、本発明による複合磁性体は、磁気損失項μ″の値が大きいことにより、信号減衰量が磁気損失項μ″の小さな比較用試料に比べて大きな値を示しており、高周波不要輻射の抑制を目的とする電磁干渉抑制体として好適である。
【００６２】
なお、本発明の試料及び比較試料共、表面抵抗の値が１０7 〜１０8 Ωとなっており、少なくとも表面が酸化された磁性粉末を用いる事によって、複合磁性体を非良導性とする事が出来、導体やバルクの金属磁性体等にてみられるようなインピーダンス不整合による電磁波の表面反射を抑制出来る。
【００６３】
また、本実施例では、軟磁性合金としてＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金を例に取り上げたが、本発明の効果は無論これに限定されるものではなく、例えば鉄珪素合金や、各種アモルファス合金にも適応することが可能であり、磁性体の種類に限定されない。
【００６４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、移動体通信機器をはじめとする高周波電子機器類内部での電磁波の干渉抑制に有効な複合磁性体および電磁干渉抑制体を得ることが出来る。この複合磁性体及び電磁干渉抑制体によると、優れた透磁率特性を実現することが出来、高周波領域にて大きな磁気損失が得られるので、優れた電磁干渉抑制効果が実現される。
【００６５】
また、本発明による複合磁性体および電磁干渉抑制体は、その構成要素から判るように容易に可撓性を付与することが可能であり、複雑な形状への対応や厳しい耐振動、衝撃要求への対応が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】水アトマイズ法により作製したＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金粉末試料のキュリー温度Ｔｃのアトライタ摩砕処理時間依存性を示した図。
【図２】アトライタ摩砕時間の異なるＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金粉末試料におけるキュリー温度ＴｃのＢＥＴ比表面積依存性を示した図。
【図３】電磁干渉抑制体の特性評価に用いた評価系を示す概略図。
【図４】検証例１及び比較例２の条件にて作製した各試料のμ−ｆ特性図。
【符号の説明】
１    複合磁性体
２    銅板
３    電磁界送信用微小ループアンテナ
４    電磁界受信用微小ループアンテナ
５    電磁界波源用発振器
６    電磁界強度測定器
１０  電磁干渉抑制体
【図１】
0003722391.tif 000007
【図２】
0003722391.tif 000008
【図３】
0003722391.tif 000009
【図４】
0003722391.tif 000010