(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍ個の入力端子およびｋ個の出力端子を有し、前記Ｍ個の入力端子から入力された光パケット信号を波長多重した後これをｋ個に分配すると共に該分配された光信号に０〜（ｋ−１）パケット分の遅延を生じさせて前記ｋ個の出力端子に出力する光信号加工手段と、
該光信号加工手段の後段に設けられ、ｋ個の入力端子およびＮ個の出力端子を有し、前記ｋ個の入力端子から入力された光信号を前記Ｎ個の出力端子のうちの任意の出力端子に導く光方路接続手段と、
該光方路接続手段のＮ個の出力端子ごとに接続され、前記光信号加工手段で波長多重された光信号から任意の波長の光信号のみを選択的に出力する合計Ｎ個の光波長選択手段と
を具え、
前記光方路接続手段は、
ｋ個の入力端子にそれぞれ接続され、Ｎ個の出力を持つｋ個の光分配手段と、
Ｎ個の出力端子にそれぞれ接続され、ｋ個の入力を持つＮ個の光合流手段とを備え、
前記ｋ個の光分配手段のＮ個の出力のそれぞれに光ゲートスイッチを接続してある
ことを特徴とする光メモリ装置（ただし、Ｍ，Ｎのいずれか片方は２以上の任意の正の整数でありもう片方は１以上の任意の正の整数（Ｍ＝Ｎの場合もあり得る。）、ｋは要求されるバッファの深さに応じ決められる２以上の正の整数である。）。
【請求項２】
請求項１に記載の光メモリ装置において、
前記光信号加工手段を、
Ｍ個の入力端子およびｋ個の出力端子を有し、前記Ｍ個の入力端子から入力された光パケット信号を合流した後これをｋ個に分配し前記ｋ個の出力端子に出力する光合流／分配手段と、
該光合流／分配手段のｋ個の出力端子ごとに接続され各々は０〜（ｋ−１）パケット分の遅延量のいずれかを生じさせる合計ｋ個の光導波手段と
で構成したこと
を特徴とする光メモリ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光メモリ装置において、
前記光信号加工手段を、
Ｍ個の入力端子を有し該Ｍ個の入力端子から入力された光パケット信号を合流して出力する光合流手段と、
該光合流手段の後段に設けられ、前記合流された光信号を順次に２分配して最終的にｋ分配されるよう階段状に配列した光分配手段群であって、各光分配手段の出力の一方は遅延量０の光導波手段によって後段と接続してあり、かつ、他方の出力は、当該光分配手段が光分配手段群の最終段からみて何段目に当たるかをＳで示すとして（従ってＳ＝１，２，・・・）、２S-1 パケット分の遅延量を生じさせる光導波手段によって後段と接続してある光分配手段群と
で構成したこと
を特徴とする光メモリ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、ＡＴＭ  （Ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｍｏｄｅ）交換網を始めとするパケット交換網で用いる交換装置に光スイッチング技術を導入した交換装置いわゆる光パケット交換装置の内部に設けて好適な、光メモリ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＡＴＭ  交換装置の一層の高速化を図るため、該装置に光スイッチング技術を導入した装置いわゆる光ＡＴＭ  交換装置がある（例えば文献Ｉ：１９９４年電子情報通信学会秋季大会Ｂ−４０８  ）。図６はこの文献Ｉに開示の光ＡＴＭ  交換装置の４×４の規模のものの構成を示した図である。この光ＡＴＭ  交換装置は、入力ポート９００ａ〜９００ｄ、入力処理部９０１ａ〜９０１ｄ、光源９０２ａ〜９０２ｄ、スターカプラ９０３  、遅延ブロック９０４ａ〜９０４ｄ、波長選択手段９０５ａ〜９０５ｄ、出力ポート９０６ａ〜９０６ｄおよび制御装置９０７  で構成されていた。この光ＡＴＭ  交換装置において、１つの遅延ブロックとそれに接続されている波長選択手段で構成される部分９０８ａ〜９０８ｄそれぞれは、同一のタイムスロットにおいて同一の出力ポートに出力を希望する複数のセル（ＡＴＭ  ではパケットをセルという。）がある場合のそれらセルの競合を防止するために、セルをメモリするための光メモリ装置となる。各遅延ブロック９０４ａ〜９０４ｄ各々は、光分岐器９０９  と、該光分岐器９０９  に並列に接続されたｎ本（要求されるバッファの深さで決まる２以上の整数。ここでは４本）の光導波手段９１０ａ〜９１０ｄと、各光導波手段から送られる光信号うちの１つを選択して出力するｎ×１の光スイッチ９１１  とでそれぞれ構成されていた。但し、光導波手段９１０ｂ〜９１０ｄは、そこを導波する光を光導波手段９１０ａに対し、順次に１セルずつ遅延できるように互いの長さが異なっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来の光メモリ装置の場合、出力回線（出力ポート）ごとに当該光メモリ装置を用意する必要があるため、光ＡＴＭ  交換装置の小型化を図るうえで好ましくない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そこで、この発明の光メモリ装置によれば、Ｍ個の入力端子およびｋ個の出力端子を有し、前記Ｍ個の入力端子から入力された光パケット信号を波長多重した後これをｋ個に分配すると共に該分配された光信号に０〜（ｋ−１）パケット分の遅延を生じさせて前記ｋ個の出力端子に出力する光信号加工手段と、
該光信号加工手段の後段に設けられ、ｋ個の入力端子およびＮ個の出力端子を有し、前記ｋ個の入力端子から入力された光信号を前記Ｎ個の出力端子のうちの任意の出力端子に導く光方路接続手段と、
該光方路接続手段のＮ個の出力端子ごとに接続され、前記光信号加工手段で波長多重された光信号から任意の波長の光信号のみを選択的に出力する合計Ｎ個の光波長選択手段と
を具え
前記光方路接続手段は、ｋ個の入力端子にそれぞれ接続され、Ｎ個の出力を持つｋ個の光分配手段と、Ｎ個の出力端子にそれぞれ接続され、ｋ個の入力を持つＮ個の光合流手段とを備え、前記ｋ個の光分配手段のＮ個の出力のそれぞれに光ゲートスイッチを接続してあることを特徴とする。ただし、Ｍ，Ｎのいずれか片方は２以上の任意の正の整数でありもう片方は１以上の任意の正の整数である（Ｍ＝Ｎの場合もあり得る。）。ｋは要求されるバッファの深さに応じ決められる２以上の正の整数である。
【０００５】
【作用】
この発明の構成によれば、例えばＡＴＭ  光交換装置の出力ポート全部で共通に使用できる光メモリ装置を提供出来る。
【０００６】
【実施例】
以下、図面を参照してこの発明の実施例についてそれぞれ説明する。ただし、いずれの図もこれらの発明を理解出来る程度に各構成成分の寸法、形状及び配置関係を概略的に示してある。また、説明に用いる各図において同様な構成成分については同一の番号を付し、その重複する説明を省略することもある。
【０００７】
１．第１の実施例
図１は第１の実施例の光メモリ装置１３０の説明図である。特に、この第１の実施例の光メモリ装置１３０をＡＴＭ  光交換装置１５０に組み込んだ状態を示している。ただし、ここでは、４入力４出力の規模のＡＴＭ  光交換装置１５０およびこれに対応する光メモリ装置１３０の例を示している。
【０００８】
この図１において、１００ａ〜１００ｄそれぞれは入力ポートを、１０１ａ〜１０１ｄそれぞれは入力処理部を、１０２ａ〜１０２ｄそれぞれは光源を、１０３は光信号加工手段を、１０４は光信号加工手段１０３の一構成成分である光合流／分配手段を、１０５〜１０８それぞれは光信号加工手段１０３の他の構成成分である光導波手段を、示す。ただし、光導波手段１０５〜１０８において、光導波手段１０６〜１０８は、光導波手段１０５に対し順次１パケット（以下、セルともいう。）分ずつ信号の伝達を遅延させ得るように例えばその長さを異ならせたものとしている。さらにこの図１において、１０９は光方路接続手段を、１１０ａ〜１１０ｄそれぞれは光波長選択手段を、１１１ａ〜１１１ｄそれぞれは出力ポートを、１４０は制御装置を、また、Ｓ０〜Ｓ７はこのＡＴＭ  光交換装置１５０を伝達される光セル信号（詳細は動作説明において説明する。）を、それぞれ示す。
【０００９】
ここで、入力処理部１０１ａ〜１０１ｄは、例えば電気回路で構成される公知のものを用い得る。この入力処理部１０１ａ〜１０１ｄは、対応する入力ポート１００ａ〜１００ｄから送られてきた光セル信号を電気信号に変換した後それに対しヘッダ処理を行ない、かつ、この処理で得られた宛て先情報を制御装置１４０に送るものである。ただし、この入力処置部１０１ａ〜１０１ｄは、電気回路で構成するのではなく光論理回路等で構成してももちろん良い。たとえば、文献ＩＩ（「西尾  他、ＶＳＴＥＰを用いた光ＡＴＭスイッチの検討と基礎実験」電子情報通信学会交換研究会ＳＳＥ９１−８２）に開示の技術は、光による論理回路素子技術であり入力処理部を光論理回路で実現する手段として用い得る可能性を示している。
【００１０】
また、光源１０２ａ〜１０２ｄは対応する入力処理部から送られてくる信号（この実施例では電気状態のセル信号）をこの場合は入力ポートごとで異なる波長λａ〜λｄの光セル信号に変換して光信号加工手段１０３における光合流／分配手段１０４に出力するものである。これら光源１０２ａ〜１０２ｄは例えば半導体レーザを用いた公知のもので構成出来る。ただし、信号の競合状態の頻度や各入力処理部１０１ａ〜１０１ｄ間での通信制御を行なうことにより必ずしも、入力ポートごとに波長を異ならせる必要はない。
【００１１】
また、光信号加工手段１０３の一構成成分である光合流／分配手段１０４は、Ｍ個（ここでは４個）の入力端子およびｋ個（ここでは４個）の出力端子を有し、前記Ｍ個の入力端子から入力された光パケット信号を合流した後これをｋ個に分配し前記ｋ個の出力端子に出力するものである。この光合流／分配手段１０４は例えばスターカプラで構成出来る。なお、光合流／分配手段１０４の出力端子数ｋは、光メモリ装置に要求されるバッファの深さ（セルの破棄率をどの程度におさえるか）に応じ決められる値である。
【００１２】
また、光信号加工手段１０３の他の構成成分である光導波手段１０５〜１０８は例えばそれぞれの長さを所定量異ならせた光ファイバにより構成出来る。もちろん、光導波路手段１０５〜１０８は光ファイバに限られず、導波路板など他の好適な光導波手段で構成しても良い。
【００１３】
また、光方路接続手段１０９は、ｋ個（ここでは４個）の入力端子およびＮ個（ここでは４個）の出力端子を有し、前記ｋ個の入力端子から入力された光信号を前記Ｎ個の出力端子のうちの任意の出力端子（１の場合と、複数（全部も含む）の場合がある。）に導くものである。この光方路接続手段１０９は例えば光スイッチで構成出来る。なお、この光方路接続手段１０９は好ましくは放送機能付きのものが好ましい。Ｎ個の出力端子の中の複数の端子に光信号を出力する場合それを同時に行なえるからである。放送機能付きの光方路接続手段１０９の一構成例を図２に、示している。つまりこの場合、光導波手段１０５〜１０８に別々に接続されそれぞれは４つの出力を持つ第１〜第４の光分配手段（例えば第１〜第４のスターカプラ）１０９ａ〜１０９ｄと、第１〜第４の光分配手段１０９ａ〜１０９ｄの各出力端にそれぞれ接続された合計１６個の光ゲートスイッチ１０９ｅと、光波長選択手段１１０ａ〜１１０ｄに別々に接続されそれぞれは４つの入力を持つ第１〜第４の光合流手段（例えば第１〜第４のスターカプラ）１０９ｆ〜１０９ｉとで構成された、放送機能付きの光方路接続手段１０９である。ただし、第１の光合流手段１０９ｆには、第１〜第４の光分配手段１０９ａ〜１０９ｄ各々のゲートスイッチを経た出力ノードのうちの例えばそれぞれ図２中最上段の出力ノードが接続され、第２の光合流手段１０９ｇには、第１〜第４の光分配手段１０９ａ〜１０９ｄ各々のゲートスイッチを経た出力ノードのうちの例えばそれぞれ図２中２番目の出力ノードが接続され、・・、というように、光分配手段１０９ａ〜１０９ｄと光合流手段１０９ｆ〜１０９ｉとを接続してある。
【００１４】
なお、光方路接続手段１０９が１：１の接続機能しか持たないものは、絶対に使用不可能という訳ではないが、制御が複雑になる、セルの遅延が大きくなる等の問題が発生する。
【００１５】
また、光波長選択手段１１０ａ〜１１０ｄ各々は、任意の波長の光信号のみを選択的に出力するものであり、例えば公知のチューナブルフィルタで構成出来る。なお、光波長選択手段は、任意の１波を選択するものでも複数波長を選択するものでも良い。この第１実施例では、任意の１波を選択する例を示し、複数波長を選択する例は後の第３の実施例において説明する。
【００１６】
また、制御装置１４０は入力処理部１０１ａ〜１０１ｄで光セル信号から得た宛て先情報に応じ光方路接続手段１０９、光波長選択手段１１０ａ〜１１０ｄを適性に制御するものであり、例えば電気回路を用いた技術で構成出来る。
【００１７】
次に、この第１の実施例の光メモリ装置の理解を深めるためその動作をＡＴＭ  光交換装置の動作と共に説明する。
【００１８】
入力ポート１００ａ〜１００ｄから入力処理部１０１ａ〜１０１ｄに送られてきた光セル信号は、これら入力処理部１０１ａ〜１０１ｄで一旦電気信号に変換された後ヘッダ処理が行なわれる。このヘッダ処理により得られた光セル信号の宛て先情報を入力処理部１０１ａ〜１０１ｄは制御装置１４０に送る。
【００１９】
また、入力処理部１０１ａ〜１０１ｄはヘッダ処理した信号を光源１０２ａ〜１０２ｄに送る。光源１０２ａ〜１０２ｄはこの信号をここでは、λａ〜λｄの波長の光信号に変換する。
【００２０】
なお、図１では、光源から、タイムスロットｔ１において光信号セル（以下、セルと略称することもある。）Ｓ０〜Ｓ３がそれぞれ出力され、タイムスロットｔ２において光信号セルＳ４〜Ｓ７がそれぞれ出力される例を示している。また、以後の説明では、光信号セルの交換例として、出力ポート１１１ａには、光信号セルＳ０、Ｓ２およびＳ５を、出力ポート１１１ｂには光信号セルＳ１、Ｓ４を、出力ポート１１１ｃには光信号Ｓ５を、出力ポート１１１ｄには光信号セルＳ３、Ｓ６、Ｓ７をそれぞれ導く例を説明する。然も、光信号セルＳ５は、出力ポート１１１ａと出力ポート１１１ｃとの双方に放送されるべきセルである例を説明する。ここで、図１中の各所に同じ番号の光信号が示されているが、もちろんこの意味は、ある光信号が時間経過に伴い分配や伝送されていく様子を同一図に表している意味であることは理解されたい。
【００２１】
図１に示した光信号セルＳ０〜Ｓ７は、光信号加工手段１０３における光合流／分配手段１０４で波長多重された後、それぞれ遅延量が異なる光導波手段１０５〜１０８に送られる。これら光導波手段１０５〜１０８のうちの、光導波手段１０６は光導波手段１０５に対し１セル分の遅延量を、光導波手段１０７は同２セル分の遅延量を、光導波手段１０８は同３セル分の遅延量をそれぞれ生じさせて、各光信号を光方路接続手段１０９に導く。
【００２２】
タイムスロットｔ１では、光方路接続手段１０９は、光導波手段１０５を伝搬してきた光信号Ｌ１を処理する。この光信号Ｌ１は光信号Ｓ０〜Ｓ３を合流しこれを分配したものの１つであるので、このＬ１中には出力ポート１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｄに出力したい光信号Ｓ０、Ｓ１、Ｓ３が含まれている。そこで光方路接続手段１０９は、光信号Ｌ１をそのＮ個（ここでは４個）の出力端子のうちの出力ポート１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｄに接続されている出力端子にそれぞれ出力する。これらを図１中にＬ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｄとそれぞれ示している。これら光信号Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｄは対応する光波長選択手段１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｄにそれぞれ入力されここで必要な光信号が通過されるよう選択されるので、タイムスロットｔ１では、出力ポート１１１ａには光信号セルＳ０を、出力ポート１１１ｂには光信号セルＳ１を、出力ポート１１１ｄには光信号セルＳ３をそれぞれ出力することができる。
【００２３】
また、光信号Ｌ１には出力ポート１１１ａに出力するべき光信号セルとして光信号セルＳ０の他に光信号セルＳ２も含まれている。しかし、タイムスロットｔ１で光信号Ｓ２も出力すると出力ポート１１１ａでは光信号Ｓ０と光信号Ｓ２とが競合してしまう。そこで、光信号セルＳ２については、光導波路手段１０６を伝送してきた光信号Ｌ２（Ｌ１と内容は同じであるがＬ１より１セル分遅延された光信号）をタイムスロットｔ２において光波長手段１１０ａに導く。これを図１中にＬ２ａとして示している。また、このタイムスロットｔ２においては出力ポート１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ各々には、光信号Ｌ２内に含まれる光信号Ｓ０〜Ｓ３中には出力するべきものがなく、光信号Ｓ４〜Ｓ７を含む光信号Ｌ３中に出力すべき光信号が含まれているので、光方路接続手段１０９は光導波手段１０５を伝搬してきた光信号Ｌ３を、光波長選択手段１１０ｂ、１１０ｃおよび１１０ｄに導く。これらを図１中Ｌ３ｂ、Ｌ３ｃ、Ｌ３ｄとそれぞれ示した。これら光信号Ｌ２ａおよびＬ３ｂ、Ｌ３ｃ、Ｌ３ｄは対応する光波長選択手段１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄにそれぞれ入力されここで必要な光信号が通過されるよう選択されるので、タイムスロットｔ２では、出力ポート１１１ａには光信号セルＳ２を、出力ポート１１１ｂには光信号セルＳ４を、出力ポート１１１ｃには光信号セルＳ５を、出力ポート１１１ｄには光信号セルＳ６をそれぞれ出力することができる。
【００２４】
また、タイムスロットｔ３では、出力ポート１１１ａに対しタイムスロットｔ２において光信号Ｓ２を送り出していたため送れなかった光セル信号Ｓ５を送るため、光方路接続手段１０９は、光導波手段１０６を伝送されてきた光信号Ｌ４（Ｌ３と内容は同じであるがＬ３より１セル分遅延された光信号）を光波長選択手段１１０ａに導く。これを図１中Ｌ４ａと示す。また、このタイムスロットｔ３では、出力ポート１１１ｄに対しタイムスロットｔ２において光信号Ｓ６を送り出していたため送れなかった光セル信号Ｓ７を送るため、光方路接続手段１０９は、光導波手段１０７を伝送されてきた光信号Ｌ５（Ｌ４と内容は同じであるがＬ４より１セル分遅延された光信号）を光波長選択手段１１０ｄに導く。これを図１中Ｌ５ｄと示す。これら光信号Ｌ４ａ、Ｌ５ｄは対応する光波長選択手段１１０ａ、１１０ｄにそれぞれ入力されここで必要な光信号が通過されるよう選択されるので、タイムスロットｔ３では、出力ポート１１１ａには光信号セルＳ５を、出力ポート１１１ｄには光信号セルＳ７をそれぞれ出力することができる。
【００２５】
以上の様に、この発明の光メモリ装置１３０は、任意の入力ポートのセルを任意の出力ポートに導くことが可能であり、さらに、同一タイムスロットに同一出力を希望するセルがあってもそれらを異なるタイムスロットに割り当てて衝突を回避して出力することができる。然も、この発明の光メモリ装置では、出力ポートごとに光メモリ装置を設けていた従来構成とは異なり出力ポート全部で１つの光メモリ装置を共通に使用するものであるので、その分ハード量を少なく出来る。具体的に説明すれば、図６を用いて説明した従来技術に比べると、光メモリ装置における光信号の遅延を受け持つ部分のハード量が従来のものの１／出力ポート数とできる。このため、例えばATM 光交換装置の小型化が図れる。
【００２６】
２．第２の実施例
次に、光信号加工手段を他の構成とした例（第２の実施例）を説明する。この説明を図３を参照して行なう。ただし、この図３では、光メモリ装置２３０の規模を一般化したＭ入力Ｎ出力の規模としかつバッファの深さも一般化したｋとした状態で示してある。
【００２７】
この第２実施例の光メモリ装置２３０では、光信号加工手段１３０を、Ｍ個の入力端子を有し該Ｍ個の入力端子から入力された光パケット信号を合流して出力する光合流手段２３１と、該光合流手段２３１の後段に設けられた所定の光分配手段群２３３とで構成している。
【００２８】
ここで、所定の光分配手段群２３３とは、光合流手段２３１で合流された光信号を順次に２分配して最終的にｋ分配されるよう階段状に配列した光分配手段群であって、各光分配手段２３３ａの出力の一方は遅延量０の光導波手段２３３ｂによって後段と接続してあり、かつ、他方の出力は、当該光分配手段２３３ａが光分配手段群の最終段からみて何段目に当たるかをＳで示すとして（従ってＳ＝１，２，・・・）、２Ｓ−１  パケット分の遅延量を生じさせる光導波手段２３３ｃによって後段と接続してある光分配手段群である。なお、この光分配手段群２３３において、遅延量０の光導波手段２３３ｂとは、他方の光導波手段２３３ｃに対し相対的に遅延量が０であるという意味であり、必ずしも絶対的に０を意味するものではない。また、当該光分配手段が光分配手段群２３３の最終段からみて何段目に当たるかを示すＳとは、光分配手段群２３３の図３における例えば最も右に位置している４つの光分配手段おのおのは１段目（Ｓ＝１）という意味である。
【００２９】
この第２実施例の光メモリ装置も、第１実施例同様、任意の入力ポートのセルを任意の出力ポートに導くことが可能であり、さらに、同一タイムスロットに同一出力を希望するセルがあってもそれらを異なるタイムスロットに割り当てて衝突を回避して出力することができる。然も、第１実施例同様、この光メモリ装置２３０では、出力ポートごとに光メモリ装置を設けていた従来構成とは異なり出力ポート全部で１つの光メモリ装置を共通に使用するものであるので、その分ハード量を少なく出来る。しかも、遅延線を構成する光導波手段２３３ｃの長さを短くできる効果が第１実施例より大きい。なお、光分配手段群２３３については新規性がないが同部位が第１の実施例に限定されるものではない為、ここに示した。
【００３０】
３．第３の実施例（主に、光メモリ装置の使用例）
上述の第１および第２の実施例では、光メモリ装置の各入力端子には常に定まった１波長のセルが入力され各出力端子からは１つの波長のセルが出力される例を説明した。しかし、各入力端子の一部または全部に複数の波長のセルが入力され各出力端子の一部または全部からは複数の波長のセルが出力されるようなシステムにこの発明の光メモリ装置を組み込んでも良い。この第３実施例はその例である。この説明を図４および図５を参照して行なう。ここで、図４は、第３実施例の光メモリ装置１３０（もちろん第２実施例の光メモリ装置２３０でも良い。）を、その入力端子に複数の波長のセルが入力されるよう動作する光ネットワーク３２０に組込んだ状態を示した図である。また、図５はこの第３実施例で多波長を多重して出力する場合に用いる光波長選択手段の一構成例を示した図である。
【００３１】
この図４において、３００−１〜３００−Ｚそれぞれは端末を、３０２−１〜３０２−Ｍそれぞれはマルチプレクサ装置（以下、ＭＵＸ装置）を、示す。各ＭＵＸ装置３０２−１〜３０２−Ｍの出力端子は光ファイバ等の回線３０４により光メモリ装置１３０の対応する入力端子に接続してある。なお、端末はＡＴＭ端末など任意好適なものを用いることが出来る。また、ここでいう端末とは別のネットワークであっても良い。また、ＭＵＸ装置も公知の種々のものを用いることが出来る。
【００３２】
次に、この図４に示した光ネットワークの動作について説明する。端末３００−１〜３００−Ｍから送られてきた光セル信号は、ＭＵＸ装置３０２−１〜３０２−Ｍで集められかつ波長多重された後、光メモリ装置１３０の対応する入力端子に送られる。図４の例の場合、タイムスロットｔ１において、光セル信号λ１、λ４、λ５、λ６、λ７、λ８、λ９が、タイムスロットｔ２において、光セル信号λ１、λ２、λ３、λ４、λ６、λ７、λ９が、タイムスロットｔ３において、光セル信号λ１、λ２、λ４、λ５、λ６、λ９が、それぞれ光メモリ装置に入力される例を示してある。
【００３３】
ここで、各ＭＵＸ装置に接続する端末の数はＭＵＸ装置が発振可能な波長数より多くとも構わない。その場合、ＭＵＸ装置と端末との間の信号伝送速度がＭＵＸ装置より出される光セル信号の速度より遅いか、或は、端末からの送信量がＭＵＸ装置にバッファを設けておけば充分に吸収できる程度に小さいことが必要である。すなわち、ＭＵＸ装置が信号を出力できる能力≧ＭＵＸ装置への信号の入力量を満たしていれば良い。またもちろん、ＭＵＸ装置に接続される端末が１台の場合があっても良い（図４のＭＵＸ３０２−Ｍ参照）。
【００３４】
ＭＵＸ装置３０２−１〜３０２−Ｍから光メモリ装置１３０の各入力端子に入力された各光セル信号は、光信号加工手段１０３に備わる光合流／分配手段１０４により合流された後、ｋ分配され、遅延線である光導波路手段１０５、１０６、１０７、１０８、・・・、３１１、３１２に出力される。光導波路手段１０６、１０７、１０８、・・・、３１１、３１２は、ここを導波する各光信号を、光導波路手段１０５を導波する光信号に対し、順次に１〜（ｋ−１）セル分遅延を生じさせた後、光方路接続手段１０９に出力する。
【００３５】
この光方路接続手段１０９は、第１の実施例におい説明したと同様な処理、すなわち各出力ポートに出力させたい光セル信号を考慮しかつ競合を回避することを考慮して方路接続処理を行なって、対応する光波長選択手段１１０ａ〜１１０Ｍに光セル信号（所望の光セル信号を含む波長多重された光セル信号）を出力する。また、光波長選択手段、光方路接続手段１０９から送られてきた光セル信号から所望の光セル信号を選択し対応する出力ポートに送る。ここで、出力ポートの先に接続される装置がもし波長多重セルを受けつけるものであり、かつ、出力ポートから出力されるべき光セル信号が２波長以上の複数の信号である場合、これら複数の信号を波長多重状態のまま選択できれば便宜である。その例を図４の出力ポート１１１ｄに光信号ＬＡ、ＬＢとして示している。ただし、波長多重のまま出力を得るためには、光波長選択手段は単なる１波選択の波長選択フィルタではなく、任意の複数波長選択可能なフィルタであることが要求される。複数波長選択可能なフィルタの一構成例を図５に示した。すなわち、光分配手段（例えばスターカプラ）３２０ａと、該光分配手段３２０ａの分配光の出力端子各々に接続されそれぞれは１波選択特性を有し互いは波長選択特性が異なる複数個の波長フィルタ３２０ｂと、各波長フィルタ３２０ｂの出力端子ごとに接続された光ゲートスイッチ３２０ｃと、各光ゲートスイッチ３２０ｃの出力を合流して出力ポートに出力する光合流手段３２０ｄとで構成した、任意の複数波長選択可能なフィルタである。
【００３６】
この図４に示した光ネットワークにおいて、端末とＭＵＸ装置とが遠く離れて設置されていて、反面ＭＵＸ装置と光メモリ装置とが同一の電話局内に設置されているというように近い場合、この光ネットワークは多端子入力のＡＴＭ  光交換装置として動作するものとみなすことが出来る。一方、端末とＭＵＸ装置とが比較的近くに設置されていて、ＭＵＸ装置と光メモリ装置とが遠く離れて設置されている場合、この光ネットワークは分散された光ネットワークといえるので、この場合の光メモリ装置はルーターとみなすことが出来る。
【００３７】
なお、この第３実施例では、ＭＵＸ装置３０２−１は信号を波長λ１〜λ３の３つの波長で、ＭＵＸ装置３０２−１は信号を波長λ４〜、λ５の２つの波長で、・・・というように、送信波長が静的に割り当てられている礼を示した。しかし、入力ポートに入力するセルの数などに応じＭＵＸ装置の送信波長数の割り当て数を変化させるように（つまり動的に割り当てるように）しても何ら問題はない。
【００３８】
この第３実施例の説明から明らかな様にこの発明の光メモリ装置では、複数の波長の光が多重された信号を１つの入出力端子で扱うことも出来る。したがって、この発明に寄れば、ＭＵＸ装置と光メモリ装置（ルータとして動作するもの）との距離が長い場合でも両者の間に複数のファイバを引く必要がないという効果も得られる。
【００３９】
なお、上述の各実施例ではこの発明の光メモリ装置をＡＴＭ  光交換装置に組み込んだ例を説明したがこの光メモリ装置は他のパケット交換装置例えばフレームリレー交換装置にも適用できる。
【００４０】
【発明の効果】
上述した説明から明らかなように、この発明の光メモリ装置によれば、所定の光信号加工手段と、該光信号加工手段の後段に設けられ該手段から入力される光信号をＮ個の出力端子のうちの任意の出力端子に導く光方路接続手段と、該光方路接続手段のＮ個の出力端子ごとに接続され任意の波長の光信号のみを選択的に出力する合計Ｎ個の光波長選択手段とを具えたので、例えばＡＴＭ  光交換装置に組み込んで使用できる光メモリ装置とできると共に該交換装置の出力ポート全部で共通に使用できる光メモリ装置を提供出来る。このため、従来より小型のパケット光交換装置の実現が期待出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例の説明図（その１）であり、第１の実施例の光メモリ装置をＡＴＭ  光交換装置に組み込んだ状態を示した図である。
【図２】第１の実施例の説明図（その２）であり、第１の実施例の光メモリ装置に備わる光方路接続手段の一構成例を示した図である。
【図３】第２の実施例の説明図であり、第２の実施例の光メモリ装置をＡＴＭ  光交換装置に組み込んだ状態を示した図である。
【図４】第３の実施例の説明図（その１）であり、第１の実施例の光メモリ装置を光ネットワークに組み込んだ状態を示した図である。
【図５】第３の実施例の説明図（その２）であり、複数波長の選択が可能な光波長選択手段の一構成例を示した図である。
【図６】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
１０３：光信号加工手段
１０４：光合流／分配手段
１０５〜１０８：遅延量が異なる光導波手段
１０９：光方路接続手段
１１０ａ〜１１０ｄ：光波長選択手段
１３０：第１実施例の光メモリ装置
２３０：第２実施例の光メモリ装置
２３１：光合流手段
２３３：光分配手段群
２３３ａ：光信号を２分配する光分配手段
２３３ｂ：遅延量０の光導波手段
２３３ｃ：２Ｓ−１  パケット分の遅延量を生じさせる光導波手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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