(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が一列に配列されてなる第１の発光素子列を複数並列に配列した後、各発光素子が分離されるように前記第１の発光素子列を分断して第１の発光素子列とは異なる方向に少なくともの２種類の発光素子が一列に配列される第２の発光素子列を複数形成し、前記第２の発光素子列を基板上に当該第２の発光素子列同士が離間するように実装することを特徴とする発光素子の実装方法。
【請求項２】
前記第1の発光素子列を複数並列に配列する際には、これら第1の発光素子列は、配列前の基板上の前記発光素子同士の間隔よりは広がるように離間して基板上に配列されることを特徴とする請求項１記載の発光素子の実装方法。
【請求項３】
前記発光素子は、その列同士で隣接している他の発光素子列を選択的に非転写とする間引き転写により離間して配列することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の発光素子の実装方法。
【請求項４】
前記複数並列に配列された第１の発光素子列は、赤色発光素子が配列されたライン状素子基板、緑色発光素子が配列されたライン状素子基板、青色発光素子が配列されたライン状素子基板とからなり、これらライン状素子基板を離間して基板上に繰り返し配列した後、上記切断方向と直交する方向に切断して赤色発光素子，緑色発光素子，青色発光素子が順次配列された前記第２の発光素子列を形成することを特徴とする請求項１記載の発光素子の実装方法。
【請求項５】
発光素子が一列に配列されてなる第１の発光素子列を複数並列に配列した後、各発光素子が分離されるように前記第１の発光素子列を分断して第１の発光素子列とは異なる方向に少なくともの２種類の発光素子が一列に配列される第２の発光素子列を複数形成し、前記第２の発光素子列を基板上に当該第２の発光素子列同士が離間するように実装することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第1の発光素子列を複数並列に配列する際には、これら第1の発光素子列は、配列前の基板上の前記発光素子同士の間隔よりは広がるように離間して基板上に配列されることを特徴とする請求項５記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記発光素子は、その列同士で隣接している他の発光素子列を選択的に非転写とする間引き転写により離間して配列することを特徴とする請求項５又は請求項６記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数並列に配列された第１の発光素子列は、赤色発光素子が配列されたライン状素子基板、緑色発光素子が配列されたライン状素子基板、青色発光素子が配列されたライン状素子基板とからなり、これらライン状素子基板を離間して基板上に繰り返し配列した後、上記切断方向と直交する方向に切断して赤色発光素子，緑色発光素子，青色発光素子が順次配列された前記第２の発光素子列を形成することを特徴とする請求項５記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子を効率的に配列する実装方法に関するものであり、さらには、これを応用した画像表示装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子をマトリクス状に配列して画像表示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）のように基板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体のＬＥＤパッケージを配列することが行われている。例えば、ＬＣＤ、ＰＤＰの如き画像表示装置においては、素子分離ができないために、製造プロセスの当初から各素子はその画像表示装置の画素ピッチだけ間隔を空けて形成することが通常行われている。
【０００３】
一方、ＬＥＤディスプレイの場合には、ＬＥＤチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤーボンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われている。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表示装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピッチは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。
【０００４】
発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）は高価である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチップを製造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を低コストにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを従来約３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップにして、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像表示装置の価格を下げることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のようにＬＥＤチップをダイシング後に取り出して個別に実装する場合、ＬＥＤチップが微細であることから、実装工程が極めて煩雑なものとなり、生産性を大きく損なっている。また、ＬＥＤチップを個別に実装する場合、位置精度の点でも問題が生じ、例えば配列ピッチを一定にすることは難しい。
【０００６】
本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたものであり、発光素子を効率的に実装することが可能で、しかも実装位置精度の確保も容易な発光素子の実装方法を提供することを目的とし、さらには画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明の発光素子の実装方法は、発光素子が一列に配列されてなる第１の発光素子列を複数並列に配列した後、各発光素子が分離されるように前記第１の発光素子列を分断して第１の発光素子列とは異なる方向に少なくともの２種類の発光素子が一列に配列される第２の発光素子列を複数形成し、前記第２の発光素子列を基板上に当該第２の発光素子列同士が離間するように実装することを特徴とする。このような本発明の発光素子の実装方法の一例としては、前記複数並列に配列された第１の発光素子列は、赤色発光素子が配列されたライン状素子基板、緑色発光素子が配列されたライン状素子基板、青色発光素子が配列されたライン状素子基板とからなり、これらライン状素子基板を離間して基板上に繰り返し配列した後、上記切断方向と直交する方向に切断して赤色発光素子，緑色発光素子，青色発光素子が順次配列された前記第２の発光素子列を形成することが可能であり、本発明の発光素子の実装方法を用いて画像表示装置を製造することも可能である。
【０００８】
発光素子は微細な素子であることから、個々に分離した状態で取り扱うのは極めて煩雑である。本発明では、発光素子を絶縁性材料中に埋め込み、これをライン状に切り出して取り扱うようにしており、例えば一列に配列した状態で一括して取り扱うようにしているので、実装の効率を大幅に向上することができる。加えて、１ライン内では発光素子間のピッチなどがずれることはなく、精度の良い実装が実現される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した発光素子の実装方法、画像表示装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】
最初に、本発明の発光素子の実装方法、画像表示装置の製造方法の基本的な構成について説明する。発光素子は、通常、例えばウエハ上に一括して形成され、これをダイシングにより個々の発光素子毎に切り出した後、例えば実装基板上に実装する。これに対して、本発明では、ウエハ上に配列形成された多数の発光素子を、一括して絶縁性材料である樹脂中に埋め込み、樹脂シートの形にして取り扱う。
【００１１】
すなわち、本発明においては、先ず、ウエハ上に配列形成された多数の発光素子を絶縁性材料（樹脂材料）中に埋め込み、この状態で転写する。図１は、ウエハ上に配列形成された発光素子（ＬＥＤ）２を樹脂シート３に転写した状態を示すものであり、基板部分を剥離することにより、樹脂シート３に発光素子２が埋め込まれたシート状素子基板１とすることができる。このシート状素子基板１においては、発光素子２は、例えば上記ウエハ上での配列状態のまま、あるいは所定の間隔となるように発光素子２間の間隔が拡大された状態で樹脂シート３に転写されている。転写は、例えばレーザアブレーションなどの技術を利用して発光素子２を基板（ウエハ）から剥離し、同時に樹脂材料を硬化することにより行う。
【００１２】
図２は、本例において使用される発光素子の一例を示すものである。図２の（ａ）が素子断面図であり、図２の（ｂ）が平面図である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、たとえばサファイア基板上に結晶成長される素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなってサファイア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。
【００１３】
その構造であるが、具体的には、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層１１上に選択成長された六角錐形状のＧａＮ層１２が形成されている。なお、下地成長層１１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ層１２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ法などによって形成される。このＧａＮ層１２は、成長時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧａＮ層１２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。ＧａＮ層１２の傾斜したＳ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層１３が形成されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層１４が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層１４もクラッドとして機能する。
【００１４】
このような発光ダイオードには、ｐ電極１５とｎ電極１６が形成されている。ｐ電極１５はマグネシウムドープのＧａＮ層１４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。ｎ電極１６は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層１１の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極１６の形成は下地成長層１１の表面側には不要となる。
【００１５】
上記構造のＧａＮ系の発光ダイオードは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブレーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離することができ、レーザビームを選択的に照射することで選択的な剥離が実現される。ＧａＮ系の発光ダイオードとしては、平板状や帯状に活性層が形成される構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体素子などであっても良い。
【００１６】
上記によりシート状素子基板１を作製した後、図３に示すように、シート状素子基板１をダイシングにより切断し、複数のライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・に分割する。上記ダイシングは、一次ダイシング工程であり、ここでは、マトリクス状に配列された発光素子２を一列毎に切断する。したがって、各ライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・には、発光素子２が一列に並んだ状態で埋め込まれ、これらライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・の状態で発光素子２を取り扱うことにより、一列分の発光素子２が一括して取り扱われることになる。
【００１７】
次いで、上記ライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・を第２の基板である一次基材４上に転写する（第１転写工程）。一次基材４は、ガラスなどのような剛性を有する基材であってもよいし、各種フィルムのような可撓性を有する基材であってもよい。後者の場合、ロール状の基材、あるいは蛇腹状に折り畳んだ基材なども使用可能である。これら一次基材４の表面に接着剤層などを形成しておけば、転写されたライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・を確実に固定することができる。
【００１８】
転写に際しては、図４乃至図６に示すように、数列おきにライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・を一次基材４上へ転写し、所定の間隔で離間するように配列する。具体的には、先ず、図４に示すように、ライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・のうち３列おきのライン状素子基板１ａ，１ｄ・・・を一次基材４上に転写する。次に、図５に示すように、一次基材４を相対移動し、再び３列おきのライン状素子基板１ｂ，１ｅ・・・を一次基材４上に転写する。さらに、図６に示すように、残りのライン状素子基板１ｃ，１ｆ・・・を一次基材４上に転写する。以上により、各ライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・は、配列ピッチが３倍に拡大された状態で一次基材４上に転写配列されることになる。
【００１９】
カラー画像表示装置を作製する場合、３色（赤、緑、青）の発光素子を配列する必要がある。そこで、例えば、上記により赤色の発光素子を含むライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・を一次基材４上に拡大転写した後、緑色の発光素子が配列されたライン状素子基板５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ・・・、及び青色の発光素子を含むライン状素子基板６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ・・・を順次転写する。これにより、図７に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のライン状素子基板が繰り返し配列されたシート状素子基板１０を得ることができる。
【００２０】
次に、上記シート状素子基板１０を切断し、発光素子２が一列に配列されるライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・に分割する。この切断工程（二次ダイシング工程）における切断方向は、上記一次ダイシング工程とは直交する方向である。すなわち、上記赤色の発光素子が配列されたライン状素子基板１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・、緑色の発光素子が配列されたライン状素子基板５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ・・・、及び青色の発光素子を含むライン状素子基板６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ・・・を横切るように切断する。また、切断の間隔は、発光素子１個に対応した幅とし、これによって、図８に示すように、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子が繰り返し配列され、且つ、これら発光素子が一列に配列されたライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・を得ることができる。
【００２１】
最後に、上記分割されたライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・をディスプレイ基板７上に転写・配列し（第２転写工程）、カラー画像表示装置を完成する。この転写も先の第１転写工程と同様の手法で行い、選択転写により配列間隔を拡大する。具体的には、先ず、図９に示すように、ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・のうち３列おきのライン状素子基板１０ａ，１０ｄ・・・をディスプレイ基板７上に転写する。次に、図１０に示すように、ディスプレイ基板７を相対移動し、再び３列おきのライン状素子基板１０ｂ，１０ｅ・・・をディスプレイ基板７に転写する。さらに、図１１に示すように、残りのライン状素子基板１０ｃ，１０ｆ・・・をディスプレイ基板７上に転写する。以上により、各ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・は、配列ピッチが３倍に拡大された状態でディスプレイ基板７上に転写・配列されることになる。
【００２２】
以上により作製されたカラー画像表示装置においては、各ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・が例えば走査線に対応し、各ライン状素子基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ・・・に配列される赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子を画像信号に応じて駆動すれば、カラー画像の表示が行われる。
【００２３】
以上が本発明の発光素子の実装方法、画像表示装置の製造方法の一構成例であるが、この例に限らず、種々の変更が可能である。例えば、上記の例においては、ライン状素子基板を一次基材やディスプレイ基板上に転写する際に、これらを重ね合わせて選択転写するという方法を採用しているが、ライン状素子基板を機械的手法によって一つずつ保持し、一次基材やディスプレイ基板上に順次配列していくことも可能である。この場合、各ライン状素子基板を何カ所かで保持することができ、安定な機械的転写が可能である。また、一列分の発光素子を一括して保持することができ、効率的な機械的転写が可能である。加えて、１ライン内においては発光素子のピッチがずれることはなく、高精度な配列を実現することができる。
【００２４】
また、上記ライン状素子基板を一次基材などに転写する際、必ずしも接着剤層を形成する必要はなく、例えばライン状素子基板自体が有する密着性を利用して一次基材に固定するようにしてもよい。このように、接着剤なしでライン状素子基板を固定するようにすれば、後から容易に転写位置を修正することができる。
【００２５】
次に、上記ライン状素子基板の具体的な作製方法について説明する。発光素子は図２に示したＧａＮ系の発光ダイオードを用いている。図１２に示すように、第一基板２１の主面上には複数の発光ダイオード２２が密な状態で形成されている。発光ダイオード２２の大きさは微小なものとすることができ、例えば一辺約２０μｍ程度とすることができる。第一基板２１の構成材料としてはサファイア基板などのように発光ダイオード２２に照射するレーザの波長に対して透過率の高い材料が用いられる。発光ダイオード２２にはｐ電極などまでは形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分離の溝２２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード２２は分離できる状態にある。この溝２２ｇの形成は例えば反応性イオンエッチングにより行う。
【００２６】
次いで、第一基板２１上の発光ダイオード２２を第１の一時保持用部材２３上に転写する。ここで一時保持用部材２３の例としては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いることができ、本例では石英ガラス基板を用いた。また、一時保持用部材２３の表面には、離型層として機能する剥離層２４が形成されている。剥離層２４には、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができるが、ここではポリイミドを用いた。
【００２７】
転写に際しては、図１２に示すように、第一基板２１上に発光ダイオード２２を覆うに足る接着剤（例えば紫外線硬化型の接着剤）２５を塗布し、発光ダイオード２２で支持されるように一時保持用部材２３を重ね合わせる。この状態で、図１３に示すように一時保持用部材２３の裏面側から接着剤２５に紫外線（ＵＶ）を照射し、これを硬化する。一時保持用部材２３は石英ガラス基板であり、上記紫外線はこれを透過して接着剤２５を速やかに硬化する。
【００２８】
接着剤２５を硬化した後、図１４に示すように、発光ダイオード２２に対しレーザを第一基板２１の裏面から照射し、当該発光ダイオード２２を第一基板２１からレーザアブレーションを利用して剥離する。ＧａＮ系の発光ダイオード２２はサファイアとの界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザなどが用いられる。このレーザアブレーションを利用した剥離によって、発光ダイオード２２は第一基板２１の界面で分離し、一時保持用部材２３上に接着剤２５に埋め込まれた状態で転写される。
【００２９】
図１５は、上記剥離により第一基板２１を取り除いた状態を示すものである。このとき、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる第一基板２１から剥離しており、その剥離面にＧａ２６が析出しているため、これをエッチングすることが必要である。そこで、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸などによりウエットエッチングを行い、図１６に示すように、Ｇａ２６を除去する。さらに、図１７に示すように、酸素プラズマ（Ｏ２プラズマ）により表面を清浄化し、ダイシングにより接着剤２５を切断してダイシング溝２７を形成し、発光ダイオード２２毎にダイシングした後、発光ダイオード２２の選択分離を行なう。ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザを用いたレーザによる加工を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の接着剤２５で覆われた発光ダイオード２２の大きさに依存するが、一例として、エキシマレーザにて溝加工を行い、チップの形状を形成する。
【００３０】
発光ダイオード２２を選択分離するには、先ず、図１８に示すように、清浄化した発光ダイオード２２上にＵＶ接着剤２８を塗布し、この上に第２の一時保持用部材２９を重ねる。この第２の一時保持用部材２９も、先の第１の一時保持用部材２３と同様、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いることができ、本例では石英ガラス基板を用いた。また、この第２の一時保持用部材２９の表面にもポリイミドなどからなる剥離層３０を形成しておく。
【００３１】
次いで、図１９に示すように、転写対象となる発光ダイオード２２ａに対応した位置にのみ第１の一時保持用部材２３の裏面側からレーザを照射し、レーザアブレーショによりこの発光ダイオード２２ａを第１の一時保持用部材２３から剥離する。それと同時に、やはり転写対象となる発光ダイオード２２ａに対応した位置に、第２の一時保持用部材２９の裏面側から紫外線（ＵＶ）を照射してＵＶ露光を行い、この部分のＵＶ接着剤２８を硬化する。その後、第２の一時保持用部材２９を第１の一時保持用部材２３から引き剥がすと、図２０に示すように、上記転写対象となる発光ダイオード２２ａのみが選択的に分離され、第２の一時保持用部材２９上に転写される。
【００３２】
上記選択分離後、図２１に示すように、転写された発光ダイオード２２を覆って樹脂を塗布し、樹脂層３１を形成する。さらに、図２２に示すように、酸素プラズマなどにより樹脂層３１の厚さを削減し、図２３に示すように、発光ダイオード２２に対応した位置にレーザの照射によりビアホール３２を形成する。ビアホール３２の形成には、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザなどを用いることができる。このとき、ビアホール３２は例えば約３〜７μｍの径を開けることになる。
【００３３】
次に、上記ビアホール３２を介して発光ダイオード２２のｐ電極と接続されるアノード側電極パッド３３を形成する。このアノード側電極パッド３３は、例えばＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。図２４は、発光ダイオード２２を第２の一時保持用部材２９に転写して、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール３２を形成した後、アノード側電極パッド３３を形成した状態を示している。
【００３４】
上記アノード側電極パッド３３を形成した後、反対側の面にカソード側電極を形成するため、第３の一時保持用部材３４への転写を行う。第３の一時保持用部材３４も、例えば石英ガラスなどからなる。転写に際しては、図２５に示すように、アノード側電極パッド３３を形成した発光ダイオード２２、さらには樹脂層３１上に接着剤３５を塗布し、この上に第３の一時保持用部材３４を貼り合せる。この状態で第２の一時保持用部材２９の裏面側からレーザを照射すると、石英ガラスからなる第２の一時保持用部材２９と、当該第２の一時保持用部材２９上に形成されたポリイミドからなる剥離層３０の界面でレーザアブレーションによる剥離が起き、剥離層３０上に形成されている発光ダイオード２２や樹脂層３１は、第３の一時保持用部材３４上に転写される。図２６は、第２の一時保持用部材２９を分離した状態を示すものである。
【００３５】
カソード側電極の形成に際しては、上記の転写工程を経た後、図２７に示すＯ２プラズマ処理により上記剥離層３０や余分な樹脂層３１を除去し、発光ダイオード２２のコンタクト半導体層（ｎ電極）を露出させる。発光ダイオード２２は一時保持用部材３４の接着剤３５によって保持された状態で、発光ダイオード２２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、図２８に示すように電極パッド３６を形成すれば、電極パッド３６は発光ダイオード２２の裏面と電気的に接続される。その後、電極パッド３６をパターニングする。このときのカソード側の電極パッドは、例えば約６０μｍ角とすることができる。電極パッド３６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオード２２の裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。なお、上記電極パッド３６を形成する際に、先に形成したアノード側電極パッド３３と接続される引き出し電極３３ａを形成するようにすれば、実装工程における接続が非常に容易なものとなる。この引き出し電極３３ａは、上記樹脂層３１にビア３１ａを形成し、上記電極パッド３６を形成する際に同時にパターニングすれば簡単に形成することができる。
【００３６】
以上により、上記樹脂層３１や接着剤３５によって発光ダイオード２２が固められた状態が、シート状素子基板の状態である。そして、このシート状素子基板を切断（ダイシング）し、ライン状素子基板の状態にする。切り出しは、例えばレーザダイシングにより行えばよい。図２９は、レーザダイシングによる切り出し工程を示すものである。レーザダイシングは、レーザのラインビームを照射することにより行われ、上記樹脂層３１及び接着剤３５を第３の一時保持用部材３４が露出するまで切断する。このレーザダイシングによりシート状素子基板はライン状素子基板として切り出され、先に図４〜図６により説明した転写工程と移行される。
【００３７】
ライン状素子基板の具体的な作製方法は上記の通りであり、例えば赤色発光ダイオードが配列されたライン状素子基板を上記により作製し転写した後、同様に、他の色の発光ダイオードを含むライン状素子基板を順次転写する。続いて、電極形成などの工程を経た後、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードが繰り返し配列され、且つ、これら発光ダイオードが一列に配列されたライン状素子基板を切り出し、これを離間して再配列し、カラー画像表示装置を完成する。
【００３８】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、発光素子を例えば一列に配列した状態で一括して取り扱うことができ、実装の効率を大幅に向上することができる。また、１ライン内では発光素子間のピッチなどがずれることはなく、精度の良い実装を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】シート状素子基板の状態を模式的に示す平面図である。
【図２】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】切断によりライン状素子基板とした状態を模式的に示す平面図である。
【図４】一次転写工程における１番目の転写を示す模式図である。
【図５】一次転写工程における２番目の転写を示す模式図である。
【図６】一次転写工程における３番目の転写を示す模式図である。
【図７】３色の発光素子が配列されたシート状素子基板を模式的に示す平面図である。
【図８】切断により３色の発光素子が一列に配列されたライン状素子基板とした状態を模式的に示す平面図である。
【図９】二次転写工程における１番目の転写を示す模式図である。
【図１０】二次転写工程における２番目の転写を示す模式図である。
【図１１】二次転写工程における３番目の転写を示す模式図である。
【図１２】一時保持用部材の接合工程を示す概略断面図である。
【図１３】ＵＶ接着剤硬化工程を示す概略断面図である。
【図１４】レーザアブレーション工程を示す概略断面図である。
【図１５】第一基板の分離工程を示す概略断面図である。
【図１６】Ｇａ除去工程を示す概略断面図である。
【図１７】ダイシング工程を示す概略断面図である。
【図１８】一次基材の接合工程を示す概略断面図である。
【図１９】選択的なレーザアブレーション及びＵＶ露光工程を示す概略断面図である。
【図２０】発光素子の選択分離工程を示す概略断面図である。
【図２１】樹脂による埋め込み工程を示す概略断面図である。
【図２２】樹脂層厚削減工程を示す概略断面図である。
【図２３】ビア形成工程を示す概略断面図である。
【図２４】アノード側電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図２５】レーザアブレーション工程を示す概略断面図である。
【図２６】第２の一時保持用部材の分離工程を示す概略断面図である。
【図２７】コンタクト半導体層露出工程を示す概略断面図である。
【図２８】カソード側電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図２９】レーザダイシング工程を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  シート状素子基板
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ  ライン状素子基板
２  発光素子
３  樹脂シート
４  一次基材
７  ディスプレイ基板
１０  シート状素子基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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