(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する工程と、
上記被処理基板を加熱してレジスト膜中の溶媒を蒸発させた後、異なる同心円上の複数箇所について上記レジスト膜の膜厚を測定する第１の膜厚測定工程と、
次いで、上記被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う工程と、
現像処理された上記被処理基板の上記異なる同心円上の複数箇所について、レジスト膜の膜厚を測定する第２の膜厚測定工程と、
上記第１の膜厚測定及び第２の膜厚測定により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算し、上記減膜量に基づいて膜質を評価する工程と、
を有することを特徴とする膜質評価方法。
【請求項２】
被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する工程と、
上記被処理基板を加熱してレジスト膜中の溶媒を蒸発させた後、異なる同心円上の複数箇所について上記レジスト膜の膜厚を測定する第１の膜厚測定工程と、
次いで、上記被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う工程と、
現像処理された上記被処理基板の上記異なる同心円上の複数箇所について、レジスト膜の膜厚を測定する第２の膜厚測定工程と、
上記第１の膜厚測定及び第２の膜厚測定により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算する工程と、
上記減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報と、線幅変動許容範囲とに基づいて線幅変動を評価する工程と、
を有することを特徴とする線幅変動評価方法。
【請求項３】
被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、上記被処理基板を加熱する第１の加熱工程と、次いで上記被処理基板にパターンを露光する露光工程と、露光後の上記被処理基板を加熱する第２の加熱工程と、上記被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像工程と、を有する処理方法において、
評価用の上記被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する工程と、
上記評価用の被処理基板を加熱してレジスト膜中の溶媒を蒸発させた後、異なる同心円上の複数箇所について上記レジスト膜の膜厚を測定する第１の膜厚測定工程と、
次いで、上記評価用の被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う工程と、
現像処理された上記評価用の被処理基板の上記異なる同心円上の複数箇所について、レジスト膜の膜厚を測定する第２の膜厚測定工程と、
上記第１の膜厚測定及び第２の膜厚測定により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算する工程と、
上記減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報と、線幅変動許容範囲とに基づいて線幅変動を評価する工程と、
上記線幅変動の評価に基づいて、上記レジスト膜形成工程、第１の加熱工程、露光工程、第２の加熱工程、現像工程の各処理温度、処理雰囲気及び露光工程の露光量のいずれか１以上を制御し、線幅変動を線幅変動許容範囲内に補正することを特徴とする線幅変動評価機能を有する処理方法。
【請求項４】
被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成手段と、
上記被処理基板を加熱してレジスト膜中の溶媒を蒸発させる加熱手段と、
上記被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理手段と、
上記被処理基板の異なる同心円上の複数箇所について、現像処理前のレジスト膜の膜厚と、現像処理後のレジスト膜の膜厚とを測定する膜厚測定手段と、
上記膜厚測定手段により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算し、上記減膜量に基づいて膜質を評価する評価手段と、を具備することを特徴とする膜質評価装置。
【請求項５】
被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成手段と、
上記被処理基板を加熱してレジスト膜中の溶媒を蒸発させる加熱手段と、
上記被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理手段と、
上記被処理基板の異なる同心円上の複数箇所について、現像処理前のレジスト膜の膜厚と、現像処理後のレジスト膜の膜厚とを測定する膜厚測定手段と、
上記膜厚測定手段により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算し、上記減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報と、線幅変動許容範囲とに基づいて線幅変動を評価する評価手段と、
を具備することを特徴とする線幅変動評価装置。
【請求項６】
被処理基板の表面にレジスト液を供給するレジスト膜形成手段と、上記被処理基板を加熱する第１の加熱手段と、上記被処理基板にパターンを露光する露光手段と、露光後の上記被処理基板を加熱する第２の加熱手段と、上記被処理基板を現像する現像処理手段と、を具備する処理装置において、
上記現像処理手段によって現像処理される評価用の被処理基板の現像処理前及び現像処理後のレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定手段と、
上記膜厚測定手段により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算し、上記減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報と、線幅変動許容範囲とに基づいて線幅変動を評価する評価手段とを具備し、
上記線幅変動の評価に基づいて、上記レジスト膜形成手段、第１の加熱手段、露光手段、第２の加熱手段、現像処理手段の各処理温度、処理雰囲気及び露光手段の露光量のいずれか１以上を制御可能とすることを特徴とする線幅変動評価機能を有する処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えばレジスト膜が形成された半導体ウエハ等の被処理基板の膜質評価方法及びその装置、線幅変動評価方法及びその装置並びに膜質評価機能を有する処理方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体ウエハの製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ基板等（以下にウエハ等という）の表面に、レジストのパターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォトリソグラフィ技術は、ウエハ等の表面にレジスト液を供給（吐出、塗布）してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、形成されたレジスト膜に回路パターンを露光する露光工程と、露光後のウエハ等に現像液を供給（吐出、塗布）して現像処理を行う現像工程とを有している。
【０００３】
また、上記処理工程間においては、例えばレジスト塗布工程と露光処理工程との間で行われる、レジスト膜中の残留溶剤を蒸発させてウエハ等とレジスト膜との密着性を向上させるための加熱処理｛プリベーク（ＰＡＢ）｝や、露光処理工程と現像処理工程との間で行われる、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ：chemically amplified resist）における酸触媒反応を誘起するための加熱処理｛ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）｝や、現像処理工程後に行われる、レジスト中の残留溶媒や現像時にレジスト中に取り込まれたリンス液を除去し、ウェットエッチング時の浸み込みを改善するための加熱処理（ポストベーク）等、種々の加熱処理が行われている。
【０００４】
フォトリソグラフィー工程においては、回路パターンや線幅（ＣＤ）の微細化が進むにつれて、パターン線幅のウエハ面内均一性（ＣＤ均一性）が厳しく求められており、パターン寸法に大きく影響を与えるとされていた現像工程及びＰＥＢ工程以外に、露光前の工程における線幅変動要因を改善することが求められている。
【０００５】
そこで従来では、ウエハ表面に形成されたレジスト膜の膜厚均一性の向上を図ることにより、線幅変動の改善を行っていた。しかし、近年、レジスト膜の膜厚が均一であっても、例えば、レジスト膜に残留する溶剤量等のレジスト構成物の量分布や、レジスト中の保護基の比率分布差、レジスト中のポリマーの集結状態差等、レジスト膜の化学的、物理的性質（以下に膜質という）の差によって線幅が異なる膜質変化起因の線幅変動が確認されるに至り、レジスト膜の膜質均一性に影響を与える要因を解明することが非常に重要となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来は、露光前の工程における処理温度や処理雰囲気等の因子が膜質均一性に与える影響を評価するためには、図１１に示すように、ウエハ等に上述したフォトリソグラフィー技術の全行程を施した後、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いてウエハ面内の線幅を測定する必要があったため、非常に手間と時間が掛かるという問題があった。また、ウエハ等にフォトリソグラフィー技術の全行程を施すと、線幅に影響を与える因子には、露光前の工程における因子のみならず、全行程の因子が積算されるため、線幅変動に与える露光前因子の寄与度が不明確となるという問題があった。
【０００７】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、線幅変動に与えるプロセス因子の切り分けが露光前後で可能であると共に、簡便且つ短時間でレジスト膜の膜質均一性を評価し得る膜質評価方法及びその装置を提供すること、更には、膜質均一性の評価から線幅予想を可能とする線幅変動評価方法及びその装置、並びに線幅予想から線幅の改善を可能とする膜質評価機能を有する処理方法及びその装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の膜質評価方法は、被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する工程と、上記被処理基板を加熱してレジスト膜中の溶媒を蒸発させた後、異なる同心円上の複数箇所について上記レジスト膜の膜厚を測定する第１の膜厚測定工程と、次いで、上記被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う工程と、現像処理された上記被処理基板の上記異なる同心円上の複数箇所について、レジスト膜の膜厚を測定する第２の膜厚測定工程と、上記第１の膜厚測定及び第２の膜厚測定により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算し、上記減膜量に基づいて膜質を評価する工程と、を有することを特徴とする（請求項１）。
【０００９】
また、この発明の線幅変動評価方法は、被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する工程と、上記被処理基板を加熱してレジスト膜中の溶媒を蒸発させた後、異なる同心円上の複数箇所について上記レジスト膜の膜厚を測定する第１の膜厚測定工程と、次いで、上記被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う工程と、現像処理された上記被処理基板の上記異なる同心円上の複数箇所について、レジスト膜の膜厚を測定する第２の膜厚測定工程と、上記第１の膜厚測定及び第２の膜厚測定により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算する工程と、上記減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報と、線幅変動許容範囲とに基づいて線幅変動を評価する工程と、を有することを特徴とする（請求項２）。
【００１０】
また、この発明の膜質評価機能を有する処理方法は、被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、上記被処理基板を加熱する第１の加熱工程と、次いで上記被処理基板にパターンを露光する露光工程と、露光後の上記被処理基板を加熱する第２の加熱工程と、上記被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像工程と、を有する処理方法において、評価用の上記被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する工程と、上記評価用の被処理基板を加熱してレジスト膜中の溶媒を蒸発させた後、異なる同心円上の複数箇所について上記レジスト膜の膜厚を測定する第１の膜厚測定工程と、次いで、上記評価用の被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う工程と、現像処理された上記評価用の被処理基板の上記異なる同心円上の複数箇所について、レジスト膜の膜厚を測定する第２の膜厚測定工程と、上記第１の膜厚測定及び第２の膜厚測定により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算する工程と、上記減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報と、線幅変動許容範囲とに基づいて線幅変動を評価する工程と、上記線幅変動の評価に基づいて、上記レジスト膜形成工程、第１の加熱工程、露光工程、第２の加熱工程、現像工程の各処理温度、処理雰囲気及び露光工程の露光量のいずれか１以上を制御し、線幅変動を線幅変動許容範囲内に補正することを特徴とする（請求項３）。
【００１１】
また、この発明の膜質評価装置は、請求項１の膜質評価方法を具現化するもので、被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成手段と、上記被処理基板を加熱してレジスト膜中の溶媒を蒸発させる加熱手段と、上記被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理手段と、上記被処理基板の異なる同心円上の複数箇所について、現像処理前のレジスト膜の膜厚と、現像処理後のレジスト膜の膜厚とを測定する膜厚測定手段と、上記膜厚測定手段により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算し、上記減膜量に基づいて膜質を評価する評価手段と、を具備することを特徴とする（請求項４）。
【００１２】
また、この発明の線幅変動評価装置は、請求項２記載の線幅変動評価方法を具現化するもので、被処理基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成手段と、上記被処理基板を加熱してレジスト膜中の溶媒を蒸発させる加熱手段と、上記被処理基板の表面に現像液を供給して現像処理を行う現像処理手段と、上記被処理基板の異なる同心円上の複数箇所について、現像処理前のレジスト膜の膜厚と、現像処理後のレジスト膜の膜厚とを測定する膜厚測定手段と、上記膜厚測定手段により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算し、上記減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報と、線幅変動許容範囲とに基づいて線幅変動を評価する評価手段と、を具備することを特徴とする（請求項５）。
【００１３】
また、この発明の線幅変動評価機能を有する処理装置は、請求項３記載の膜質評価機能を有する処理方法を具現化するもので、被処理基板の表面にレジスト液を供給するレジスト膜形成手段と、上記被処理基板を加熱する第１の加熱手段と、上記被処理基板にパターンを露光する露光手段と、露光後の上記被処理基板を加熱する第２の加熱手段と、上記被処理基板を現像する現像処理手段と、を具備する処理装置において、上記現像処理手段によって現像処理される評価用の被処理基板の現像処理前及び現像処理後のレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定手段と、上記膜厚測定手段により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算し、上記減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報と、線幅変動許容範囲とに基づいて線幅変動を評価する評価手段とを具備し、上記線幅変動の評価に基づいて、上記レジスト膜形成手段、第１の加熱手段、露光手段、第２の加熱手段、現像処理手段の各処理温度、処理雰囲気及び露光手段の露光量のいずれか１以上を制御可能とすることを特徴とする（請求項６）。
【００１４】
請求項１，４記載の発明によれば、露光工程やＰＥＢ工程を経ずに被処理基板の減膜量によって膜質評価を行うことができるので、露光工程やＰＥＢ工程で線幅に影響を与える因子を除外することができ、露光前の膜質評価を簡便且つ短時間で正確に行うことができる。
【００１５】
請求項２，５記載の発明によれば、露光工程やＰＥＢ工程を経ずに、減膜量によって線幅を予想することができるので、装置の立ち上げ時や薬液交換時、あるいは一定期間経過後の装置の状況を簡便且つ短時間で確認することができる。
【００１６】
請求項３，６記載の発明によれば、膜厚測定手段を装置内に搭載し、減膜量から線幅を予想して、フォトリソグラフィー技術の各工程を制御することができるので、パターン線幅のウエハ面内均一性（ＣＤ均一性）を簡易な方法で迅速に補正することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
図１はレジスト液塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図、図２は図１の正面図、図３は図２の背面図である。
【００１９】
上記処理システムは、被処理基板として半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなるこの発明の処理装置を具備する処理ステーション２０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露光装置４０（ＥＸＰ）との間でウエハＷを受け渡すためのインター・フェース部３０とで主要部が構成されている。
【００２０】
上記カセットステーション１０は、図１に示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット４は、水平のθ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送できるようになっている。
【００２１】
上記処理ステーション２０は、図１に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２１を収容する室２２の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面（図１において手前）側に並列され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェース部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。
【００２２】
この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップ２３内でウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置して所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニット、例えばウエハＷの表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及びウエハＷの表面に現像液を供給して現像処理を行う現像ユニット（ＤＥＶ）が、垂直方向に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２も同様に、２台のスピナ型処理ユニット例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）が垂直方向の下から順に２段に重ねられている。このようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に配置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配置することも可能である。
【００２３】
図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷをウエハ載置台２４に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークする４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。第４の組Ｇ４も同様に、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及び２つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。
【００２４】
上記のように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００２５】
なお、図１に示すように、処理ステーション２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニット）の側壁の中には、それぞれダクト６５，６６が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト６５，６６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。
【００２６】
また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール６７に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００２７】
上記インター・フェース部３０は、奥行き方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインター・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカセット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、背面部には周辺露光装置３３が配設され、中央部には、ウエハ搬送アーム３４が配設されている。
【００２８】
周辺露光装置３３は、図６に示すように、一方の側壁に吸気用のファン７７を有する共に、対向する側壁に排気口７８を有するケーシング７９と、このケーシング７９内に設けられ、ウエハＷを吸着保持すると共に、駆動手段例えばモータ７４によって回転自在に形成される載置台７１と、露光のための光を照射する照射部７６とで主に構成されている。また、周辺露光装置３３には、レジスト膜の膜厚を測定可能な膜厚測定器２５（膜厚測定手段）が設けられている。
【００２９】
膜厚測定器２５は、レジスト膜の膜厚を測定する膜厚センサ７２と、周辺露光に共用される上記載置台７１と、載置台７１を水平移動可能な、例えば水平方向に延びるガイドレール７５及びボールねじ機構（図示せず）等により構成される移動手段と、ウエハＷの位置を検出可能なウエハ位置検出センサ７３とで構成されている。
【００３０】
膜厚センサ７２は、載置台７１の上方に設けられており、レーザ光等の光を、ウエハＷのレジスト膜に照射すると共に、その反射光を感知し、反射光の干渉を利用してレジスト膜の膜厚を測定可能に形成されている。また、膜厚センサ７２は、ＣＰＵ１００と電気的に接続されており、検出した膜厚データをＣＰＵ１００に送信可能に形成されている。
【００３１】
ウエハ位置検出センサ７３は、例えばレーザ等の光を載置台７１の上方から発光する発光部７３ａと、発光部７３ａから発光された光をウエハＷを挟む対向する位置で受光する例えばＣＣＤセンサ等の受光部７３ｂとで構成され、ウエハＷの半径方向の位置を正確に検出可能に形成されている。また、ウエハ位置検出センサ７３は、ＣＰＵ１００と電気的に接続されており、検出した位置データをＣＰＵ１００に送信可能に形成されている。
【００３２】
上記のように構成される膜厚測定器２５によれば、載置台７１を回転及び水平移動させて、ウエハＷの異なる同心円上の複数箇所についてレジスト膜の膜厚を測定し、膜厚均一性を検査することができる。
【００３３】
ウエハ搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送アーム３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置４０（ＥＸＰ）側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送できるように構成されている。
【００３４】
上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム５０内に設置されるが、更にシステム内でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。
【００３５】
次に、上記処理システムの動作について説明する。まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置台２４からウエハＷを受け取る。
【００３６】
処理ステーション２０において、主ウエハ搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハＷは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ1又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。
【００３７】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤（溶媒）を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送する。このユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷは次工程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３０のウエハ搬送アーム３４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送アーム３４はウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置３３へ搬入する。ここで、ウエハＷはエッジ部に露光を受ける。なお、周辺露光装置３３においては、膜厚測定器２５を用いて定期的にウエハＷの膜厚を測定し、膜厚均一性の検査も行うことができる。
【００３８】
周辺露光が終了すると、ウエハ搬送アーム３４は、ウエハＷを周辺露光装置３３から搬出し、隣接する露光装置４０（ＥＸＰ）側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置４０（ＥＸＰ）へ渡される前に、バッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００３９】
露光装置４０（ＥＸＰ）で全面露光が済んで、ウエハＷが露光装置４０（ＥＸＰ）側のウエハ受取り台に戻されると、インター・フェース部３０のウエハ搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される前にインター・フェース部３０内のバッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００４０】
ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）処理が施される。
【００４１】
その後、ウエハＷは、第１の組Ｇ１又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー方式により、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なくかけられる。現像が終了すると、ウエハＷ表面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。
【００４２】
現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００４３】
ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカセット載置台上の処理済みウエハ収容用のカセット１の所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。
【００４４】
◎膜質評価
上述したように、ウエハＷの通常のフォトリソグラフィー工程においては、レジストが塗布されたウエハＷの表面に、パターンを露光し、その後、現像処理することにより、ポジ型レジストにおいては露光部分が現像液に溶けて除去される。しかし、このポジ型レジストは、露光しなくても僅かではあるが現像液に溶けることが認められ、溶解量は膜質の差によって変化する。したがって、レジストが塗布されたウエハＷを露光せずに現像処理し、現像処理前後のレジスト膜の膜厚の差（以下に減膜量という）を用いて溶解量を表わせば、減膜量によって膜質を評価することができる。
【００４５】
また、回路パターンの線幅と減膜量との間には相関があり、例えば図４（ａ），（ｂ）に示すように、減膜量が少ない位置では線幅は太くなり、減膜量が多い位置では線幅は細くなる。したがって、回路パターンの線幅を均一にするためには、減膜量の均一性（膜質均一性）を評価することが重要である。
【００４６】
以下に、上記レジスト液塗布・現像処理システム等によって処理されるウエハＷの膜質を評価する、本発明の膜質評価装置の実施形態について、図５を参照して説明する。
【００４７】
膜質評価装置は、図５に示すように、ウエハＷの表面にレジスト液を供給（滴下、塗布）してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）と、ウエハＷを加熱してレジスト膜中の溶剤（溶媒）を蒸発させるホットプレートユニット（ＨＰ）と、ウエハＷの表面に現像液を供給（滴下、塗布）して現像処理を行う現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷの異なる同心円上の複数箇所について、現像処理前のレジスト膜の膜厚と、現像処理後のレジスト膜の膜厚とを測定する膜厚測定器２５（図６参照）と、この膜厚測定器２５により得られた測定値の差により、異なる同心円上の複数箇所について減膜量を計算し、減膜量に基づいて膜質を評価する評価手段、例えばＣＰＵ１００とで構成される。
【００４８】
この場合、膜質評価装置は、上記レジスト液塗布・現像処理システムのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）、ホットプレートユニット（ＨＰ）、現像ユニット（ＤＥＶ）を共用することも可能である。
【００４９】
また、膜厚測定器２５は、独立したユニットとして設けることも可能であるし、例えば上述した周辺露光装置３３に設けられるものを利用することも可能である（図６参照）。また、膜厚測定器２５を他のユニット内に設けることも勿論可能である。
【００５０】
次に、上記膜質評価装置を用いたウエハＷの膜質評価方法について、図７を参照して説明する。
【００５１】
まず、評価用のウエハＷ（以下にダミーウエハＤＷという）を用意し｛図７（ａ）｝、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）でダミーウエハＤＷの表面にポジ型のレジスト液を供給（滴下、塗布）して、レジスト膜８０の膜厚が可及的に均一になるように形成する｛図７（ｂ）｝。
【００５２】
次に、ホットプレートユニット（ＨＰ）においてダミーウエハＤＷを加熱し、レジスト膜８０中の溶剤（溶媒）を蒸発させた後｛図７（ｃ）｝、膜厚測定器２５を用いて異なる同心円上の複数箇所についてレジスト膜８０の膜厚を測定する｛図７（ｄ）｝。
【００５３】
次いで、ダミーウエハＤＷを現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送し、ダミーウエハＤＷの表面に現像液を供給して現像処理を行った後｛図７（ｅ）｝、再度、現像処理前に膜厚測定が行われた箇所と同一円周上、好ましくは同一箇所についてレジスト膜８０の膜厚を膜厚測定器２５を用いて測定する｛図７（ｆ）｝。
【００５４】
上記のようにして得られた測定値は、ＣＰＵ１００（評価手段）に送られ、現像処理の前後における膜厚の差により減膜量を計算し、複数箇所の減膜量に基づいて膜質均一性が評価される｛図７（ｇ）｝。
【００５５】
すなわち、減膜量が均一であれば膜質は均一であると評価され、減膜量が不均一であれば膜質も不均一であると評価される。
【００５６】
このように膜質を評価することにより、露光工程やＰＥＢ工程を経ずにダミーウエハＤＷの減膜量によって膜質評価を簡便且つ短時間で正確に行うことができるので、露光前の工程において線幅に影響を与える因子、例えば処理温度や処理湿度等が膜質すなわち線幅にどのような影響を与えるか等の研究に役立てることができる。
【００５７】
なお、この膜質評価方法によれば、現像前の膜厚の測定結果から、ＰＡＢ工程後の膜厚均一性の評価も同時に行うことができる。
【００５８】
◎線幅変動評価
回路パターンの線幅と減膜量との間には、レジストの種類によって異なる相関がある。例えば、使用するレジストＡ、レジストＢについて、ＰＡＢ処理温度を±２〜５℃及び処理時間を±５〜１５ｓｅｃ程度変化させ、このときの平均線幅と平均減膜量を求めると、パターン線幅と減膜量との間には、図８に示すように比例関係がある。したがって、ウエハＷ面内において、線幅の不均一性がデバイス設計上許容される範囲、換言すれば、ウエハ面内の最大線幅と最小線幅の誤差が許容される範囲（以下に線幅変動許容範囲という）を求めておけば、減膜量の変動許容範囲を計算することができ、減膜量によって線幅変動を評価することができる。
【００５９】
以下に、上記レジスト液塗布・現像処理システム等によって処理されるウエハＷの線幅を評価する、この発明の線幅変動評価装置の実施形態について説明する。
【００６０】
線幅変動評価装置は、上述した膜質評価装置と同様に、ウエハＷの表面にレジスト液を供給（滴下、塗布）してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）と、ウエハＷを加熱してレジスト膜中の溶剤（溶媒）を蒸発させるホットプレートユニット（ＨＰ）と、ウエハＷの表面に現像液を供給（滴下、塗布）して現像処理を行う現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷの異なる同心円上の複数箇所について、現像処理前のレジスト膜の膜厚と、現像処理後のレジスト膜の膜厚とを測定する膜厚測定器２５（膜厚測定手段）と、この膜厚測定器２５と電気的に接続されており、膜厚測定器により得られた測定値の差により減膜量を計算するＣＰＵ１００とで構成される。また、ＣＰＵ１００には、線幅変動許容範囲及び予め求められた減膜量と線幅との相関情報が記憶されており、これらの情報と減膜量とに基づいて線幅変動を評価し得るように構成されている。
【００６１】
次に、上記線幅変動評価装置を用いたウエハＷの線幅変動評価方法について、図８又は図９を参照して説明する。
【００６２】
まず、ＣＰＵ１００は、予め求められた減膜量と線幅の相関情報に基づいて、線幅変動許容範囲から減膜量の面内変動許容範囲を求める。例えば、レジストＡの線幅変動に対する減膜量の相関値（図８の実線の傾きの逆数）は、図８より２Å／nmであるから、ウエハＷの線幅変動許容範囲が１０nmであるとすると、レジストＡの減膜量の減膜量変動許容範囲は２０Åとなる。
【００６３】
次に、上述した膜質評価方法と同様の方法でダミーウエハＤＷの異なる同心円上の複数箇所について減膜量を検出する（図７参照）。
【００６４】
次いで、ダミーウエハＤＷの異なる同心円上の複数箇所の減膜量が減膜量変動許容範囲内にあるか否かを比較して、線幅変動を評価する。例えば、図９の実線で示すように、レジストＡの減膜量が面内変動許容範囲２０Å以内である場合には、レジスト液塗布・現像処理システムによる処理は正常であると判断することができ、図９の１点鎖線で示すように、レジストＡの減膜量が面内変動許容範囲２０Å以内にないときは、露光前工程のユニット及びプロセスの確認が必要であると判断することができる。
【００６５】
なお、検出された減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報に基づいて予想線幅（線幅変動）を計算し、この予想線幅が線幅変動許容範囲内にあるか否かによって線幅変動を評価することも可能である。
【００６６】
このように線幅を評価することにより、レジスト液塗布・現像処理システムの立ち上げ時、薬液入れ替え時、あるいは一定期間経過ごとに、ウエハＷの面内減膜量の幅を監視し、レジスト液塗布・現像処理システムのチェックを行うことができる。
【００６７】
◎線幅変動評価機能を有する処理装置及び処理方法
上述したように、回路パターンの線幅と減膜量との間には、レジストの種類によって異なる相関がある。また、従来の研究から、回路パターンの線幅は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）、ホットプレートユニット（ＨＰ）、露光装置４０（ＥＸＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）、現像ユニット（ＤＥＶ）の各処理温度、処理雰囲気及び露光装置４０（ＥＸＰ）の露光量によって変動することも明らかになっている。
【００６８】
したがって、減膜量からパターンの線幅変動を評価し、その評価に基づいて、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）、ホットプレートユニット（ＨＰ）、露光装置４０（ＥＸＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）、現像ユニット（ＤＥＶ）の各処理温度、処理雰囲気及び露光装置４０（ＥＸＰ）の露光量のいずれか１以上を制御すれば、パターン線幅のウエハ面内均一性（ＣＤ均一性）を簡易な方法で補正することができる。
【００６９】
以下に、この発明の線幅変動評価機能を有する処理装置の実施形態について説明する。
【００７０】
この発明の線幅変動評価機能を有する処理装置は、少なくともウエハＷの表面にレジスト液を供給するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）｛レジスト膜形成手段｝と、ウエハＷを加熱するホットプレートユニット（ＨＰ）｛第１の加熱手段｝と、ウエハＷにパターンを露光する露光装置４０（ＥＸＰ）｛露光手段｝と、露光後のウエハＷを加熱するチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）｛第２の加熱手段｝と、ウエハＷを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）｛現像処理手段｝と、を具備する。したがって、この発明に係る線幅変動評価機能を有する処理装置を例えば上述したレジスト液塗布・現像処理システム等の処理装置にて構成することができる。すなわち、処理装置は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）によってレジスト膜が形成され、ホットプレートユニット（ＨＰ）によって加熱されてレジスト膜中の溶剤（溶媒）を蒸発させた後、現像ユニット（ＤＥＶ）によって現像処理されるダミーウエハＤＷの現像処理前及び現像処理後のレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定器２５（膜厚測定手段）と、膜厚測定器２５により得られた測定値の差により減膜量を計算し、減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報とに基づいて線幅変動を評価するＣＰＵ１００ａ（評価手段）とを具備し、線幅変動の評価に基づいて、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）、ホットプレートユニット（ＨＰ）、露光装置４０（ＥＸＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）、現像ユニット（ＤＥＶ）の各処理温度、処理雰囲気及び露光装置４０（ＥＸＰ）の露光量のいずれか１以上を制御可能に構成されるものである。
【００７１】
次に、上記線幅変動評価機能を有する処理装置を用いた処理方法について、図１ないし３及び図１０を参照して説明する。ここで、図１０の実線はダミーウエハＤＷの流れを示し、破線は通常のフォトリソグラフィー工程におけるウエハＷの流れを示す。また、２点鎖線は、電気信号（検出信号及び制御信号）の伝達方向を示す。また、膜厚測定器２５としては、周辺露光装置３３内に設けられるものを用いる場合について説明する。
【００７２】
レジスト液塗布・現像処理システムにダミーウエハＤＷが投入されると、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内で、ダミーウエハＤＷの表面にレジスト液が供給されレジスト膜が形成される。次に、ダミーウエハＤＷは、ホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬送されて、レジスト膜中の溶媒を蒸発させるためにプリベーク処理が施される。プリベーク処理が終了すると、次に、周辺露光装置３３内へ搬送され、周辺露光装置３３内の膜厚測定器２５によって、ウエハＷの異なる同心円上の複数箇所についてレジスト膜の膜厚が測定される。次いで、ダミーウエハＤＷは、現像ユニット（ＤＥＶ）内に搬送され、現像液を供給されて現像処理が施された後、再び周辺露光装置３３内に搬送されて、現像処理前に膜厚測定が行われた箇所と同一円周上、好ましくは同一箇所について膜厚を測定される。
【００７３】
このように、現像処理の前後において測定された膜厚は、電気信号としてＣＰＵ１００に伝達され、異なる同心円上の複数箇所について減膜量が計算される。
【００７４】
次に、ＣＰＵ１００は、上記減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報とに基づいて、予想線幅（線幅変動）を計算し、この予想線幅が線幅変動許容範囲内にあるか否かを評価する。
【００７５】
予想線幅が線幅変動許容範囲内にある場合には、レジスト液塗布・現像処理システムの各ユニットを補正をすることなく、ウエハＷの処理をそのまま続行する。
【００７６】
また、予想線幅が線幅変動許容範囲内にない場合には、線幅変動に基づいて、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）、ホットプレートユニット（ＨＰ）、露光装置４０（ＥＸＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）、現像ユニット（ＤＥＶ）の各処理温度、処理雰囲気及び露光装置４０（ＥＸＰ）の露光量のいずれか１以上を制御して、線幅変動が線幅変動許容範囲内に入るように補正する。
【００７７】
このようにレジスト液塗布・現像処理システムに線幅変動評価機能を設けてウエハＷを処理することにより、パターン線幅のウエハ面内均一性（ＣＤ均一性）を簡易な方法で迅速に補正することができるので、更に均一な回路パターンを形成することができる。
【００７８】
なお、上記実施形態では、被処理基板が半導体ウエハの場合について説明したが、ウエハ以外に例えばＬＣＤ基板においてもこの発明が適用できることは勿論である。
【００７９】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００８０】
１）請求項１，４記載の発明によれば、被処理基板の減膜量によって膜質評価を行い、露光工程やＰＥＢ工程で線幅変動に影響を与える因子を除外して、露光前の膜質評価を簡便且つ短時間で正確に行うことができるので、回路パターンの線幅均一性改善のための研究、開発等に役立てることができる。
【００８１】
２）請求項２，５記載の発明によれば、露光工程やＰＥＢ工程を経ずに、減膜量によって線幅を予想することができるので、装置の立ち上げ時や薬液交換時、あるいは一定期間経過後の装置の状況を簡便且つ短時間で確認し、線幅変動を補正することができるので、回路パターンの線幅均一性を向上することができる。
【００８２】
３）請求項３，６記載の発明によれば、膜厚測定手段を装置内に搭載し、減膜量から線幅を予想して、フォトリソグラフィー技術の各工程を制御するので、パターン線幅のウエハ面内均一性（ＣＤ均一性）を簡易な方法で迅速に補正することができ、更に均一な回路パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係るレジスト液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略正面図である。
【図３】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略背面図である。
【図４】被処理基板上の測定位置と回路パターンの線幅及び減膜量との関係を示すグラフである。
【図５】この発明の膜質評価装置を示す概略構成図である。
【図６】この発明における膜厚測定手段を示す概略構成図である。
【図７】この発明の膜質評価方法を示す概略説明図である。
【図８】被処理基板のパターン線幅と減膜量との関係を示すグラフである。
【図９】線幅変動の評価方法を説明するグラフである。
【図１０】線幅変動評価機能を有する処理方法を示す概略構成図である。
【図１１】従来の膜質評価方法を示す概略構成図である。
【符号の説明】
Ｗ    半導体ウエハ（被処理基板）
ＤＷ  ダミーウエハ（評価用被処理基板）
ＣＯＴ  レジスト塗布ユニット（レジスト膜形成手段）
ＤＥＶ  現像ユニット（現像処理手段）
ＨＰ  ホットプレートユニット（加熱手段・第１の加熱手段）
ＣＨＰ  チリングホットプレートユニット（第２の加熱手段）
ＥＸＰ  露光装置（露光手段）
２５  膜厚測定器（膜厚測定手段）
８０  レジスト膜
１００  ＣＰＵ（評価手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003672529.tif 000009
【図９】
0003672529.tif 000010
【図１０】
0003672529.tif 000011
【図１１】
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