(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを試験する試験装置であって、
前記電子デバイスに照射する照射光を生成する光源と、
前記照射光を集光させ、前記電子デバイスの試験されるべき領域である被照射領域に照射する集光部と、
前記電子デバイスに試験パターンを入力する入力部と、
前記試験パターンに基づいて前記電子デバイスが出力すべき期待値信号に対する、前記照射光が前記電子デバイスに照射された場合に、前記試験パターンに基づいて前記電子デバイスが出力する出力信号の遅延量に基づいて、前記電子デバイスの、前記照射光が照射された前記被照射領域の良否を判定する判定部と
を備えることを特徴とする試験装置。
【請求項２】
集光された前記照射光を、複数の前記被照射領域に照射させる走査部を更に備え、
前記判定部は、前記試験パターンに基づいて前記電子デバイスが出力すべき期待値信号に対する、前記被照射領域のそれぞれに前記照射光が照射された場合に、前記試験パターンに基づいて前記電子デバイスが出力する出力信号の遅延量に基づいて、複数の前記被照射領域のそれぞれの良否を判定することを特徴とする請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記判定部は、予め与えられた所定の値と、前記遅延量との比較結果に基づいて前記被照射領域の良否を判定し、
前記判定部は、前記所定の値を複数与えられ、前記遅延量と複数の前記所定の値のそれぞれとの比較結果に基づいて、複数の前記所定の値のそれぞれに対する前記被照射領域の良否を判定することを特徴とする請求項２に記載の試験装置。
【請求項４】
前記光源は、異なる強度の前記照射光を生成し、
前記走査部は、異なる強度を有する前記照射光のそれぞれを、前記電子デバイスの前記被照射領域に照射し、
前記判定部は、異なる強度を有する前記照射光のそれぞれが前記被照射領域に照射された場合に、前記試験パターンに基づいて前記電子デバイスが出力すべき期待値信号に対する、前記被照射領域のそれぞれに前記照射光が照射された場合に、前記試験パターンに基づいて前記電子デバイスが出力する出力信号の遅延量に基づいて、異なる強度を有する前記照射光のそれぞれに対する、前記被照射領域の良否を判定することを特徴とする請求項２に記載の試験装置。
【請求項５】
前記走査部は、異なる照射時間で、前記被照射領域に前記照射光を照射し、
前記判定部は、異なる照射時間で、前記照射光が前記照射領域に照射された場合に、前記試験パターンに基づいて前記電子デバイスが出力すべき期待値信号に対する、前記被照射領域のそれぞれに前記照射光が照射された場合に、前記試験パターンに基づいて前記電子デバイスが出力する出力信号の遅延量に基づいて、前記照射光の前記照射時間のそれぞれに対する、前記被照射領域の良否を判定することを特徴とする請求項２に記載の試験装置。
【請求項６】
前記判定部が判定した、前記被照射領域の良否を記憶する結果記憶部と、
前記結果記憶部に記憶された前記被照射領域の良否を、前記電子デバイスの前記被照射領域の位置に対応させ表示する表示部と
を更に備えることを特徴とする請求項２から５のいずれかに記載の試験装置。
【請求項７】
前記判定部が判定した、前記被照射領域の良否を記憶する結果記憶部と、
前記結果記憶部に記憶された前記被照射領域の良否を、複数の前記所定の値のそれぞれに対する前記被照射領域の良否に区別し、区別した複数の前記所定の値のそれぞれに対する良否を、前記電子デバイスの前記被照射領域の位置に対応させ表示する表示部と
を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の試験装置。
【請求項８】
前記判定部が判定した、前記被照射領域の良否を記憶する結果記憶部と、
前記結果記憶部に記憶された前記被照射領域の良否を、異なる強度を有する前記照射光のそれぞれに対する前記被照射領域の良否に区別し、区別した異なる強度を有する前記照射光のそれぞれに対する良否を、前記電子デバイスの前記被照射領域の位置に対応した同一のマップに表示する表示部と
を更に備えることを特徴とする請求項４に記載の試験装置。
【請求項９】
前記判定部が判定した、前記被照射領域の良否を記憶する結果記憶部と、
前記結果記憶部に記憶された前記被照射領域の良否を、異なる照射時間のそれぞれに対する前記被照射領域の良否に区別し、区別した異なる照射時間のそれぞれに対する良否を、前記電子デバイスの前記被照射領域の位置に対応させ表示する表示部と
を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の試験装置。
【請求項１０】
前記判定部は、前記照射光を前記電子デバイスに照射せずに、前記試験パターンを前記電子デバイスに入力した場合に、前記電子デバイスが出力する信号を前記期待値信号として、前記被照射領域の良否を判定することを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の試験装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイスを試験する試験装置に関する。特に、電子デバイスの不良個所を特定可能な試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子デバイスは、回路規模が増大し、全ての電気的経路を試験することは、現実的な方法では無い。そのため従来は、試験対象とする電気的経路を限定し、電子デバイスの試験を行っていた。しかし、電子デバイスの全ての領域を試験していないため、電子デバイスにおいて不良個所を発見できない場合があり、全ての電気的経路を容易に試験することが可能な試験装置の開発が望まれていた。
【０００３】
例えば、従来行われているパス遅延故障試験は、試験するべき電子デバイスの回路中の電気的経路を選択し、選択した電気的経路に対応した入力端子に所定の入力信号を入力し、選択した電気的経路に対応した出力端子から出力される出力信号を取りだしていた。入力信号と出力信号との遅延時間を算出し、選択した電気的経路における遅延時間が許容範囲であるか否かを判定していた。また、入力された入力信号に基づいて、電子デバイスが出力するべき期待値信号と、出力信号とに基づいて、電子デバイスにおける電気的経路の良否を判定していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述したように、従来の試験では、電子デバイスの選択された電気的経路のみを試験しているため、電子デバイスの不良個所を発見できない場合があった。また、単に電気的経路について良否判定を行うのみでは十分と言えず、例えば、試験時に良品判定であった電子デバイスであっても、出荷後に同一の箇所で不良が多発するような電子デバイス設計起因の潜在的な不良個所を発見し、電子デバイス設計にフィードバックすることが望まれていた。
【０００５】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる電子デバイス試験装置を提供することを目的とする。この目的は、特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の形態においては、電子デバイスを試験する試験装置であって、電子デバイスに照射する照射光を生成する光源と、照射光を集光させ、電子デバイスの試験されるべき領域である被照射領域に照射する集光部と、電子デバイスに試験パターンを入力する入力部と、試験パターンに基づいて電子デバイスが出力すべき期待値信号に対する、照射光が電子デバイスに照射された場合に、試験パターンに基づいて電子デバイスが出力する出力信号の遅延量に基づいて、電子デバイスの、照射光が照射された被照射領域の良否を判定する判定部とを備えることを特徴とする試験装置提供する。
【０００７】
集光された照射光を、複数の被照射領域に照射させる走査部を更に備え、判定部は、試験パターンに基づいて電子デバイスが出力すべき期待値信号に対する、被照射領域のそれぞれに照射光が照射された場合に、試験パターンに基づいて電子デバイスが出力する出力信号の遅延量に基づいて、複数の被照射領域のそれぞれの良否を判定してよい。また、判定部は、予め与えられた所定の値と、遅延量との比較結果に基づいて被照射領域の良否を判定し、判定部は、所定の値を複数与えられ、遅延量と複数の所定の値のそれぞれとの比較結果に基づいて、複数の所定の値のそれぞれに対する被照射領域の良否を判定してよい。
【０００８】
また、光源は、異なる強度の照射光を生成し、走査部は、異なる強度を有する照射光のそれぞれを、電子デバイスの被照射領域に照射し、判定部は、異なる強度を有する照射光のそれぞれが被照射領域に照射された場合に、試験パターンに基づいて電子デバイスが出力すべき期待値信号に対する、被照射領域のそれぞれに照射光が照射された場合に、試験パターンに基づいて電子デバイスが出力する出力信号の遅延量に基づいて、異なる強度を有する照射光のそれぞれに対する、被照射領域の良否を判定してよい。また、走査部は、異なる照射時間で、被照射領域に照射光を照射し、判定部は、異なる照射時間で、照射光が照射領域に照射された場合に、試験パターンに基づいて電子デバイスが出力すべき期待値信号に対する、被照射領域のそれぞれに照射光が照射された場合に、試験パターンに基づいて電子デバイスが出力する出力信号の遅延量に基づいて、照射光の照射時間のそれぞれに対する、被照射領域の良否を判定してよい。
【０００９】
また、判定部が判定した、被照射領域の良否を記憶する結果記憶部と、結果記憶部に記憶された被照射領域の良否を、電子デバイスの被照射領域の位置に対応させ表示する表示部とを更に備えてよい。また、判定部が判定した、被照射領域の良否を記憶する結果記憶部と、結果記憶部に記憶された被照射領域の良否を、複数の所定の値のそれぞれに対する被照射領域の良否に区別し、区別した複数の所定の値のそれぞれに対する良否を、電子デバイスの被照射領域の位置に対応させ表示する表示部とを更に備えてよい。また、判定部が判定した、被照射領域の良否を記憶する結果記憶部と、結果記憶部に記憶された被照射領域の良否を、異なる強度を有する照射光のそれぞれに対する被照射領域の良否に区別し、区別した異なる強度を有する照射光のそれぞれに対する良否を、電子デバイスの被照射領域の位置に対応した同一のマップに表示する表示部とを更に備えてよい。
【００１０】
判定部が判定した、被照射領域の良否を記憶する結果記憶部と、結果記憶部に記憶された被照射領域の良否を、異なる照射時間のそれぞれに対する被照射領域の良否に区別し、区別した異なる照射時間のそれぞれに対する良否を、電子デバイスの被照射領域の位置に対応させ表示する表示部とを更に備えてよい。また、判定部は、照射光を電子デバイスに照射せずに、試験パターンを電子デバイスに入力した場合に、前記電子デバイスが出力する信号を前記期待値信号として、被照射領域の良否を判定してよい。
【００１１】
尚、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又、発明となりうる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態に係る試験装置１００の構成の一例を示す。試験装置１００は、光を生成する光源１０、光を集光する集光部１２、集光された光を電子デバイス５０に走査させる走査部１４、電子デバイス５０に所定の試験パターンを入力する入力部１６、電子デバイス５０が出力信号に基づいて電子デバイス５０の良否を判定する判定部１８、判定部１８における判定結果を記憶する結果記憶部２０、及び結果記憶部２０に記憶された判定結果を表示する表示部２２を備える。光源１０は、電子デバイス５０に照射する照射光を生成する。光源１０は、生成した照射光を照射し、集光部１２は、照射光を集光させ、電子デバイスの試験されるべき領域である被照射領域に照射する。集光部１２は、例えば光学レンズであってよい。また他の例においては、光源１０及び集光部１２は、レーザ光を生成し、照射するレーザ光源であってよい。また、集光部１２は、電子デバイス５０の回路パターンが形成された基板において、当該回路パターンが形成された基板面の裏面に照射光を照射させることが好ましい。試験される電子デバイス５０が、例えばシリコン（Si）基板に生成された半導体素子である場合、光源１０が生成し、集光部１２が集光させた照射光は、Siを活性化しない波長であることが好ましい。例えば当該照射光の波長は、およそ１．１μｍ以上であることが好ましい。
【００１４】
走査部１４は、集光された照射光を、電子デバイス５０の複数の被照射領域に照射させる。例えば走査部１４は、複数の被照射領域のそれぞれに、所定の時間照射光を照射する。入力部１６は、電子デバイス５０に所定の試験パターンを入力する。電子デバイス５０は、入力された試験パターンに基づいた出力信号を出力する。判定部１８は、入力された試験パターンに基づいて電子デバイス５０が出力すべき期待値信号に対する、照射光が電子デバイス５０に照射された場合に、試験パターンに基づいて電子デバイス５０が出力する出力信号の遅延量に基づいて、電子デバイス５０の照射光が照射された被照射領域の良否を判定する。
【００１５】
照射光が照射された電子デバイス５０の被照射領域には温度変化が生じ、温度変化に基づく入力信号に対する出力信号の遅延量が変化する。判定部１８は、当該遅延量の変化を測定し、被照射領域の良否を判定する。つまり、入力信号に基づいて電子デバイス５０が出力すべき期待値信号の、入力信号に対する遅延量と、被照射領域に照射光が照射された場合の電子デバイスが出力した出力信号の、入力信号に対する遅延量とを比較し、温度変化に基づく遅延量変化を算出し、予め与えられた所定の値と遅延量変化との比較結果に基づいて被照射領域の良否を判定する。また、判定部１８は、照射光を電子デバイス５０に照射せずに、試験パターンを電子デバイス５０に入力した場合に、電子デバイス５０が出力する信号を、期待値信号として、被照射領域の良否を判定してよい。
【００１６】
判定部１８は、試験パターンに基づいて電子デバイス５０が出力すべき期待値信号に対する、走査部１４が照射光を順に照射した複数の被照射領域のそれぞれに照射光が照射された場合に、試験パターンに基づいて電子デバイス５０が出力する出力信号の遅延量に基づいて、複数の被照射領域のそれぞれの良否を判定する。入力部１６は、電子デバイス５０に入力した試験パターンに基づいて当該期待値信号を生成し、判定部１８に与えてよい。
【００１７】
被照射領域が例えばＭＯＳトランジスタが設けられている場合、温度変化によりキャリア移動度が変化し、ＭＯＳトランジスタにおける信号の遅延量が変化する。ＭＯＳトランジスタが不良である場合には、良品である場合に対し、温度変化に対する当該遅延量の変化の割合が異なる値を示す。本発明では、このような良否に基づく温度変化に対する遅延量の変化の割合の差に基づいて、被照射領域の良否を判定することが好ましい。本発明によれば、ＭＯＳトランジスタにおける、エレクトロマイグレーション及びストレスボイドによる配線亀裂（オープン欠陥）、配線、コンタクト及びビアの抵抗異常、プロセスパラメータ（しきい電圧、ゲート酸化膜圧等）のシフト、パーティクル及びプロセスエラーによるショート欠陥及びオープン欠陥、ゲート酸化膜（ゲート酸化膜に生じるピンホール及びリーク等）、及び欠陥ブロック（トランスミッションゲートのオープン、配線バッファの故障）等を検出することが可能となる。
【００１８】
結果記憶部２０は、判定部１８が判定した被照射領域の良否を記憶する。表示部２２は、結果記憶部２０に記憶された被照射領域の良否を、電子デバイスの被照射領域の位置に対応させ表示する。例えば、表示部２２は、複数の被照射領域の良否を、試験された電子デバイスの回路パターンに対応させ、電子デバイスのそれぞれの素子、配線の良否を表示する。
【００１９】
また、判定部１８は、良否判定に用いる所定の値を複数与えられ、照射光が照射された電子デバイス５０の出力信号の遅延量と、複数の所定の値のそれぞれとを比較し、それぞれの比較結果に基づいて、複数の所定の値のそれぞれに対する被照射領域の良否を判定してよい。つまり、良否を判定するレベルを複数与えられ、被照射領域の良否を複数与えられたレベルのそれぞれに対して判定し、被照射領域の故障の危険度を判定する。例えば出荷検査基準では良品と判定される電子デバイスであっても、故障の危険度が高い箇所が判定でき、電子デバイスの設計の見直し等を行うことが可能となる。この場合、表示部２２は結果記憶部２０に記憶された被照射領域の良否を、複数の所定の値のそれぞれに対する被照射領域の良否に区別し、区別した複数の所定の値のそれぞれに対する良否を、電子デバイス５０の被照射領域の位置に対応させ表示することが好ましい。例えば、表示部２２は、複数のレベルで判定した被照射部の故障の危険度を、色や色の濃淡等で区別し、同一の画面上に、試験された電子デバイスの回路パターンに対応させ表示してよい。
【００２０】
以上説明した試験装置１００によれば、走査部１４により電子デバイスの全領域に対して照射光を照射し、複数の被照射領域のそれぞれに対して良否を判定することにより、試験する電気的経路を限定することなく、電子デバイスの全領域の試験を行うことが可能となる。また、判定部１８が複数の所定の値に対して被照射領域の良否を判定することにより、潜在的な不良個所即ち故障の危険度の高い電気的経路（クリティカルパス）を検出することが可能となる。また、光を被照射領域に照射し、被照射領域を加熱することで生じる遅延量の変化を計測しているため、電子デバイス５０が多層構造を有するデバイスであっても、全ての領域において、良否を判定することが可能である。
【００２１】
図２は、走査部１４が照射光７０に電子デバイス５０を走査させる動作を説明する図である。図２において図１と同一の符号を付した物は、図１に関連して説明した物と、同一又は同様の機能及び構成を有してよい。走査部１４は、集光部１２が集光した光を複数の被照射領域６０に照射させる。図２において、点線で区切られた複数の領域が、複数の被照射領域６０である。照射光７０は、電子デバイス５０の、回路パターンが形成された面の裏面に照射されることが好ましい。また、複数の被照射領域６０は、当該裏面の全面を分割した領域であってよく、また他の例においては、複数の被照射領域６０は、電子デバイス５０の、回路パターンが形成された領域に対応する領域を分割した領域であってよい。また、他の例においては、電子デバイス５０の所定の領域を分割した領域であってよい。更に他の例においては、集光部１２は、１つの被照射領域６０に照射光７０を照射してよい。
【００２２】
入力部１６は、電子デバイス５０に試験パターンを入力する。電子デバイス５０は、入力された試験パターンに基づいた出力信号を出力する。判定部１８は、試験パターンに対する、出力信号の遅延量に基づいて、照射光７０が照射された被照射領域６０の良否を判定する。走査部１４は、複数の被照射領域６０のそれぞれに所定の時間、照射光７０を照射する。入力部１６は、複数の被照射領域６０のそれぞれに照射光７０が照射される間、所定の試験パターンを入力し、判定部は、複数の被照射領域６０のそれぞれに照射光が照射されたときの出力信号に基づいて、複数の被照射領域６０のそれぞれの良否を判定する。また、電子デバイス５０が複数の入力端子及び出力端子を有する場合、複数の入力端子のそれぞれに、試験パターンを入力し、それぞれの入力端子に入力された試験パターンのそれぞれに基づいた期待値信号に対する、それぞれの入力端子に対応する出力端子から出力される出力信号の遅延量に基づいて、照射光７０が照射された被照射領域６０の良否を判定する。
【００２３】
また、図１及び図２に関連して説明した試験装置１００においては、判定部１８は、予め与えられた複数の所定の値に基づいて、被照射領域６０の良否又は故障の危険度を判定したが、他の例においては、光源１０が生成する光の強度を変化させることにより、被照射領域６０において複数の温度変化量を生じさせ、それぞれの温度変化量に対応する、出力信号の遅延量に基づいて、被照射領域６０の良否又は故障の危険度を判定してよい。つまり、光源１０は異なる強度の照射光を生成し、走査部１４は、異なる強度を有する照射光のそれぞれを電子デバイス５０の被照射領域に照射し、判定部１８は、異なる強度を有する照射光のそれぞれが被照射領域に照射された場合に、電子デバイス５０に入力された試験パターンに基づいて電子デバイス５０が出力すべき期待値信号に対する、被照射領域のそれぞれに照射光が照射された場合に、試験パターンに基づいて電子デバイス５０が出力する出力信号の遅延量に基づいて、異なる強度を有する照射光のそれぞれに対する、被照射領域の良否を判定してよい。また、更に他の例においては、走査部１４が被照射領域に照射光を照射する照射時間を変化させることにより、被照射領域６０において複数の温度変化量を生じさせ、それぞれの温度変化量に対応する、出力信号の遅延量に基づいて、被照射領域６０の良否又は故障の危険度を判定してよい。つまり、走査部１４は、異なる照射時間で被照射領域に照射光を照射し、判定部１８は、異なる照射時間で、照射光が照射領域に照射された場合に、電子デバイス５０に入力された試験パターンに基づいて電子デバイス５０が出力すべき期待値信号に対する、被照射領域のそれぞれに照射光が照射された場合に、試験パターンに基づいて電子デバイス５０が出力する出力信号の遅延量に基づいて、照射光の照射時間のそれぞれに対する、被照射領域の良否を判定してよい。
【００２４】
本例において説明した試験装置１００によれば、複雑な回路パターンを有する電子デバイス５０においても、入力される試験パターンと出力される出力信号とに基づいて、全ての領域について容易に良否が判定することが可能となる。つまり、複雑な電気的経路を有する電子デバイスであっても、それぞれの電気的経路を個別に試験すること無く、容易に全電気的経路及び電気的素子の良否を判定することが可能となる。
【００２５】
図３は、電子デバイス５０に入力される試験パターン、試験パターンに基づく期待値信号、及び電子デバイス５０が出力する出力信号の一例を示す。図３（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、横軸が時間を表し、縦軸が信号レベルを表す波形図である。図３（ａ）は、電子デバイス５０に入力される試験パターンの一例を示す。図３（ｂ）は、入力された試験パターンに基づいて、電子デバイス５０が出力すべき期待値信号の一例を示す。期待値信号は、試験パターンに対してΔｔ１の遅延量を有する。図３（ｃ）は、電子デバイス５０が出力する出力信号の一例を示す。出力信号は、試験パターンに対してΔｔ２の遅延量を有する。判定部１８は、Δｔ１とΔｔ２の誤差が、与えられた所定の値以上であるか否かによって、被照射領域の良否を判定する。本例において、試験パターンは、複数の矩形波からなる信号であるが、他の例においては、試験パターンは１つのパルス状信号であってよい。また、本例において、判定部１８は、遅延量の誤差に基づいて被照射領域の良否を判定したが、他の例においては、期待値信号の波形と出力信号の波形を比較し、波形歪みによって被照射領域の良否を判定してよく、また、期待値信号の周波数と、出力信号の周波数との誤差に基づいて、被照射領域の良否を判定してもよい。また、異なる周波数を有する信号を電子デバイス５０に入力し、良否判定に合格する信号であって、最も良否判定の合格マージンが少ない信号で、遅延量に基づく良否判定を行ってよい。
【００２６】
図４は、表示部２２が表示する表示パターンの一例を示す。本例において、表示部２２は、複数の被照射領域を含む領域について、複数の所定の値に対してそれぞれ判定されたそれぞれの被照射領域の良否を示す。つまり、表示部２２は、被照射領域のそれぞれについて、故障の危険度のレベル別に区別した物を表示する。図４に示した例において、判定部１８は、４つの所定の値のそれぞれに対して、被照射領域の良否を判定し、表示部２２は、それぞれの所定の値毎の結果を同一の画面に表示する。
【００２７】
表示８２は、４つの所定の値のうち、最も小さい値、即ち故障危険度判定レベルが最も低いレベルで被照射領域の良否を判定した結果を表す。表示８４は、表示８２の次に小さい値で被照射領域の良否を判定した結果を表す。表示８６は、表示８４の次に小さい値で被照射領域の良否を判定した結果を表す。表示８８は、４つの所定の値のうち、最も大きい値、即ち遅延量誤差が最も大きく、故障危険度判定レベルが最も高いレベルで被照射領域の良否を判定した結果を表す。表示９０は、表示８２〜表示８８の４つの表示を同一の画面で表示した物である。表示部２２は、表示９０において、最も大きい所定の値で不良領域と判定された領域即ち表示８８について表示し、次に大きい所定の値で不良領域と判定された領域即ち表示８６のうち、表示８８に含まれていない領域について表示する。同様に、表示８４及び表示８２についても表示する。表示部２２は、それぞれのレベルで判定した被照射領域の良否を色で区別して表示してよい。また、他の例においては、表示部２２は、それぞれのレベルで判定した被照射領域の良否を色の濃淡で区別して表示してよい。
【００２８】
本例において、表示部２２は、複数の所定の値に対してそれぞれ良否を判定された被照射領域を、レベル毎に区別して表示したが、他の例においては、被照射部に照射された照射光の強度毎に判定された、被照射領域の良否を、故障危険度レベル毎に区別して表示してよい。つまり、表示部２２は、結果記憶部２０に記憶された被照射領域の良否を、異なる強度を有する照射光のそれぞれに対する被照射領域の良否に区別し、区別した異なる強度を有する照射光のそれぞれに対する良否を、電子デバイス５０の被照射領域の位置に対応した同一のマップに表示してよい。また、更に他の例においては、被照射領域に照射光が照射される照射時間毎に判定された、被照射領域の良否を、故障危険度レベル毎に区別して表示してよい。つまり、結果記憶部２０に記憶された被照射領域の良否を、異なる照射時間のそれぞれに対する被照射領域の良否に区別し、区別した異なる照射時間のそれぞれに対する良否を、電子デバイス５０の被照射領域の位置に対応させ表示してよい。
【００２９】
本例において説明した試験装置１００によれば、被照射領域の良否を、故障危険度毎に区別して表示することができるため、最も故障する危険が高い電気的経路（クリティカルパス）を容易に判別することが可能となる。
【００３０】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００３１】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば、電子デバイス５０の全領域の試験を容易に行うことが可能となる。また、最も故障の危険度の高い電気的経路（クリティカルパス）を検出することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態に係る試験装置１００の構成の一例を示す。
【図２】  走査部１４が照射光７０に電子デバイス５０を走査させることを説明する図である。
【図３】  電子デバイス５０に入力される試験パターン、試験パターンに基づく期待値信号、及び電子デバイス５０が出力する出力信号の一例を示す。
【図４】  表示部２２が表示する表示パターンの一例を示す。
【符号の説明】
１０・・・光源、１２・・・集光部
１４・・・走査部、１６・・・入力部
１８・・・判定部、２０・・・結果記憶部
２２・・・表示部、５０・・・電子デバイス
６０・・・被照射領域、７０・・・照射光
１００・・・試験装置
【図１】
0003696495.tif 000002
【図２】
0003696495.tif 000003
【図３】
0003696495.tif 000004
【図４】
0003696495.tif 000005