(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転部材（２）と、該回転部材（２）の回転中心に取着された回転体（４）と、前記回転部材（２）における回転面の回転中心の回りに所定の間隔で、前記回転体（４）の軸方向に立設されている複数個の磁路変更片（３６ａ〜３６ｃ）と、前記回転部材（２）に対して所定の向きに配設された磁石（４５ｂ〜４７ｂ）と、該磁石（４５ｂ〜４７ｂ）の磁束を検出する磁気検知素子（４５ａ〜４７ａ）とからなる回転検出センサにおいて、
前記磁路変更片（３６ａ〜３６ｃ）を、前記磁気検知素子（４５ａ〜４７ａ）に対して、回転面の径方向の内側にのみ配設するとともに、前記磁路変更片（３６ａ〜３６ｃ）の前記回転体（４）側の面を該回転体（４）に当接させた回転検出センサ。
【請求項２】
回転面の回転中心の回りに所定の間隔に複数個の磁路変更片（３６ａ〜３６ｃ）を立設した回転部材（２）と、前記回転部材（２）に対して所定の向きに配設された磁石（４５ｂ〜４７ｂ）と、該磁石（４５ｂ〜４７ｂ）を検出する磁気検知素子（４５ａ〜４７ａ）とからなる回転検出センサにおいて、
前記磁路変更片（３６ａ〜３６ｃ）を前記磁気検知素子（４５ａ〜４７ａ）に対して回転面の径方向の内側にのみ配設するとともに、前記磁路変更片（３６ａ〜３６ｃ）は前記回転部材（２）の回転中心に取着された回転体（４）に対してその周囲に配置したボスを兼用するものであって、前記磁路変更片（３６ａ〜３６ｃ）の前記回転体（４）側の面を該回転体（４）に当接させた回転検出センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転検出センサ及に係り、詳しくはマグネットを用いた回転検出センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
本出願人は、回転体の回転を検出するための回転検出センサとして、図１０及び図１１に示すものを提案している。同図に示す回転検出センサ１はモータのモータ軸の回転角度を検出するものであって、鉄板よりなる回転部材としての回転板２と磁気検知部材３とから構成されている。回転板２は、モータ軸４の回転とともに、その軸心Ｏを回転中心に回転する。図１１に示すように、前記回転板２の回転面内の最外周部において、前記軸心Ｏを中心とする円弧状の３個の磁路変更片６ａ〜６ｃが同回転板２から延出形成されている。各磁路変更片６ａ〜６ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみて６０度の角度に設定されている。従って、回転板２の回転面内の最外周部において、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片６ａ〜６ｃと、これら磁路変更片６ａ〜６ｃが形成されていない空間７ａ〜７ｃが交互に存在している。
【０００３】
又、回転板２の中心部には磁路変更片としての円柱状の磁路形成凸部８が前記磁路変更片６ａ〜６ｃと同じ方向に同回転板２から延出形成されている。
従って、磁路変更片６ａ〜６ｃから軸心Ｏに向かって回転板２を切断した場合の断面形状は、磁路変更片６ａ〜６ｃ、回転板２及び磁路形成凸部８とでコの字状となる。
【０００４】
又、磁路形成凸部８には貫通孔９が形成され、前記モータ軸４が貫挿固着されている。
前記磁気検知部材３は、検知部本体１０と支持アーム１１とから構成されている。図１１に示すように、検知部本体１０は、回転板２に形成した磁路変更片６ａ〜６ｃの内側であって、その磁路変更片６ａ〜６ｃと磁路形成凸部８との間に位置する空間内に配設される。検知部本体１０は複数の磁気検知体１３〜１５を樹脂モールド材１２にて封止することにより構成されている。各磁気検知体１３〜１５は、回転板２に対して対向して配置されるとともに所定の向きに配設されたバイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと該バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束を検出する磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａとを備えている。そして、この回転検出センサ１は、回転中の回転板２とともに一体に移動する磁路変更片６ａ〜６ｃが各磁気検知体１３と対応する位置を通過する際にバイアスマグネット１３ｂの磁束の向きが変更されたことを磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａにて検出するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、回転検出センサ１は検出ポイントにてバイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの磁束の向きが大きく変化するように、検知部本体１０の内外両側に磁路変更片６ａ〜６ｃ及び磁路形成凸部８を設けている。そのため、回転板２の質量が大きいものとなる。従って、例えばモータ軸の回転を検出するためにこの回転検出センサ１を使用する場合、回転板２の質量が大きいためモータに負荷がかかり、しかも、高速回転させると磁路変更片６ａ〜６ｃの空気抵抗が大きくなるため、電流消費が増大するという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題を解消するためになされたものであって、その目的は、回転部材の軽量化を図り、回転体の負荷を低減することができる回転検出センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、回転部材と、該回転部材の回転中心に取着された回転体と、前記回転部材における回転面の回転中心の回りに所定の間隔で、前記回転体の軸方向に立設されている複数個の磁路変更片と、前記回転部材に対して所定の向きに配設された磁石と、該磁石の磁束を検出する磁気検知素子とからなる回転検出センサにおいて、前記磁路変更片を、前記磁気検知素子に対して、回転面の径方向の内側にのみ配設するとともに、前記磁路変更片の前記回転体側の面を該回転体に当接させた回転検出センサを要旨とするものである。
【０００８】
請求項２の発明は、回転面の回転中心の回りに所定の間隔に複数個の磁路変更片を立設した回転部材と、前記回転部材に対して所定の向きに配設された磁石と該磁石を検出する磁気検知素子とからなる回転検出センサにおいて、前記磁路変更片を前記磁気検知素子に対して回転面の径方向の内側にのみ配設するとともに、前記磁路変更片は前記回転部材の回転中心に取着された回転体に対してその周囲に配置したボスを兼用するものであって、前記磁路変更片の前記回転体側の面を該回転体に当接させたものである。
【００１０】
（作用）
請求項１に記載の発明によれば、回転部材の磁路変更片を、磁気検知素子よりも回転面の径方向内側にのみ配置した場合には、従来の図１０及び図１１の構成とは異なり、回転板を大きくする必要がなく、従って、回転部材がコンパクト化される。
【００１２】
このように、回転部材そのものがコンパクト化されると、軽量化が可能となり、回転部材を高速回転させても、磁路変更片の空気抵抗が大きくなることがない。
【００１３】
請求項２に記載の発明によれば、前記磁路変更片は、回転部材の回転中心に取着された回転軸に対してその周囲に配置したボスとして兼用されるため、ボスを別途に設ける必要がない。従って、回転部材の軽量化を図ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（第１の参考例）
以下、本発明を回転位置センサに具体化した一参考例を図１〜図４に従って説明する。なお、前記従来の形態に相当する構成については同一符号を付す。
【００１６】
図１は、回転位置センサの要部分解斜視図である。回転検出センサとしての回転位置センサ１００は、鉄板よりなる回転部材としての回転板２と磁気検知部材３とから構成されている。
【００１７】
前記回転板２はそのボス部１７にてモータのモータ軸４に対して貫通取着され、モータ軸４の回転とともに、その軸心Ｏを回転中心に回転する。なお、前記ボス部１７には前記モータ軸４を貫挿固着するための貫通孔９が形成されている。前記回転板２の最外周部には、３個の磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃが設けられている。
【００１８】
すなわち、図２に示すように、磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃは前記回転板２の回転面に対して、前記ボス部１７とは軸心Ｏから若干離間した位置において、前記軸心Ｏを中心とした断面円弧状に、延出形成されている。磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃは、一端から他端までが前記軸心Ｏからみて６０度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃが互いになす間隔は、前記軸心Ｏからみて６０度の角度をなすように形成されている。
【００１９】
従って、回転板２の面内の最外周部において、軸心Ｏからみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃと、これら磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃが形成されていない空間１９ａ，１９ｂ，１９ｃが交互に存在することになる。
【００２０】
前記磁気検知部材３の検知部本体１０は、回転板２に形成した磁路変更片１８、１８ｂ、１８ｃの外側に配設されている。
前記検知部本体１０は、３個の第１〜第３の磁気検知体１３、１４、１５が樹脂モールド材１２にて封止され、前記支持アーム１１の先端部に固設されている。支持アーム１１の基端部は図示しない固定部材に固定されている。第１の磁気検知体１３は、磁気検知素子としての第１磁気抵抗素子１３ａと磁石としての第１バイアスマグネット１３ｂとから構成されている。第１バイアスマグネット１３ｂは軸心Ｏ側がＮ極で外側がＳ極となるように配設されるとともに、第１磁気抵抗素子１３ａに対して軸心Ｏ側で、且つ図２において時計回り方向にオフセットさせて配置されている。
【００２１】
第１磁気抵抗素子１３ａは、第１バイアスマグネット１３ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気抵抗素子であって、図４に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する４個の抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を備えている。２個の抵抗体Ｒ１，Ｒ４のグループは、同じ配列方向に向かって配置され、２個の抵抗体Ｒ２，Ｒ３のグループは前記抵抗体Ｒ１，Ｒ４の向く配列方向とは直交する配列方向に向かって配置されている。
【００２２】
本参考例での磁束の向きの変化範囲は、磁束の向きが軸心Ｏから略半径方向に対し反時計回り方向に所定角度の向きになるときから、前記略半径方向に対して時計回り方向に所定角度の向きになるときの範囲までである。
【００２３】
なお、各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４はＮｉ−ＣＯ薄膜を基板に対してジグザグ状にすなわち、折れ線状に成膜されている。抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、同温度雰囲気下において抵抗値が同一となるように設定されている。なお、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は雰囲気温度が上昇すると、感度が変化する感度温度特性を備えている。この感度温度特性は、感度温度変化率と抵抗温度変化率とが一致しているのが好ましい。
【００２４】
そして、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に対し反時計回り方向へ所定角度をなす向きになるときは、抵抗Ｒ１，Ｒ４は抵抗値が大きくなる第１の状態になるとともに、抵抗Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が小さくなる第２の状態になるように配置され、磁束の向きが前記略半径方向に対して時計周り方向へ所定角度のをなす向きになるとき、抵抗Ｒ１，Ｒ４は抵抗値が小さくなる第２の状態になるとともに、抵抗Ｒ２，Ｒ３は抵抗値が大きくなる第１の状態となるように配置されている。従って、これらの状態は、磁束の変化に応じて交互に生ずる。
【００２５】
前記各抵抗Ｒ１〜Ｒ４は図４に示すようにブリッジ回路としての４端子ブリッジ回路Ｂを構成するように接続されている。
前記抵抗Ｒと抵抗Ｒ２との接続点（中点）ａは、基板に設けられたコンパレータＣＰの非反転入力端子に接続され、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との接続点（中点）ｂは、同コンパレータＣＰの反転入力端子に接続されている。
【００２６】
前記コンパレータＣＰ、４端子ブリッジ回路Ｂとにより検出回路ＤＣが構成されている。
前記検出回路ＤＣのブリッジ回路Ｂを構成する抵抗Ｒ１，Ｒ４は、磁束の向きが前記軸心Ｏから略半径方向に対し反時計周り方向へ所定角度をなす向きになる場合、中点ａの電位は、中点ｂの基準電圧よりも小さいＬレベルとなる。
【００２７】
又、磁束の向きが前記略半径方向に対して時計周り方向へ所定角度をなす向きになる場合、中点ａの電位は中点ｂの基準電圧よりもＨレベルとなる。
なお、本参考例での検出ポイントＰは移動（回転）中の磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃの回転方向のエッジ部分である。
【００２８】
第２の磁気検知体１４は、磁気検知素子としての第２磁気抵抗素子１４ａと磁石としての第２バイアスマグネット１４ｂとから構成されている。第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関係と同じである。そして、第２磁気抵抗素子１４ａと第２バイアスマグネット１４ｂは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂに対して、図２において、前記軸心Ｏを中心に時計回り方向に４０度の位置に配設される。
【００２９】
第２磁気抵抗素子１４ａは、前記第１磁気抵抗素子１３ａと同様に第２バイアスマグネット１４ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、図４に示すような４個の抵抗Ｒ１〜Ｒ４を備えており、前記第１磁気抵抗素子１３ａと同様に作用する。
【００３０】
又、第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子１３ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第２磁気抵抗素子１４ａの抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、コンパレータＣＰとともに、検出回路ＤＣを構成している。この検出回路ＤＣ及びブリッジ回路Ｂの作用は前記第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路ＤＣと同様に機能（作用）する。
【００３１】
第３の磁気検知体１５は、磁気検知素子としての第３磁気抵抗素子１５ａと磁石としての第３バイアスマグネット１５ｂとから構成されている。第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂとの間の配置関係と同じである。そして、第３磁気抵抗素子１５ａと第３バイアスマグネット１５ｂは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子１３ａと第１バイアスマグネット１３ｂに対して、図２において、前記軸心Ｏを中心に反時計回り方向に４０度の位置に配設される。
【００３２】
第３磁気抵抗素子１５ａは、前記第１磁気抵抗素子１３ａと同様に第３バイアスマグネット１５ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気検知素子であって、図４に示すような４個の抵抗Ｒ１〜Ｒ４を備えており、前記第１磁気抵抗素子１３ａと同様に作用する。
【００３３】
又、第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子１３ａの場合と同様に４端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第３磁気抵抗素子１５ａの抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、コンパレータＣＰとともに、検出回路ＤＣを構成している。この検出回路ＤＣ作用は前記第１磁気抵抗素子１３ａの場合の検出回路２０と同様に機能（作用）する。
【００３４】
さて、上記のように構成された回転位置センサ１００の作用を説明する。
第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片１８ａ〜１８ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２に示す第３バイアスマグネット１５ｂの位置に位置するとき、即ち、軸心ＯからＮ極を通る放射線上（以下、内側方という）に磁路変更片１８ａ〜１８ｃのいずれかが位置する場合には、それらの磁束は略半径方向に対して反時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。
【００３５】
これは、磁路変更片１８ａ〜１８ｃ、及び回転板２を通過する磁路が形成され、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂのＮ極から磁束が磁路変更片１８ａ〜１８ｃに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片１８ａ〜１８ｃ側、即ち略半径方向に対して反時計回り方向に所定角度をなす向となる。つまり、磁路変更片１８ａ〜１８ｃは磁路形成片となる。
【００３６】
従って、この場合には４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａ電圧はＬレベルとなる。又、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片１８ａ〜１８ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２に示す第２バイアスマグネット１４ｂの位置に位置したとき、即ち、Ｎ極の内側方に磁路変更片１８ａ〜１８ｃが位置しない場合には、それら磁束は略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片１８ａ〜１８ｃがないため、磁束は引き込まれるものがないからである。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きとなる。
【００３７】
従って、この場合には４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａ電圧はＨレベルとなる。さらに、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと磁路変更片１８ａ〜１８ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂの各々が、図２に示す第１バイアスマグネット１３ｂの位置に位置し、磁路変更片１８ａ〜１８ｃがない位置から磁路変更片１８ａ〜１８ｃの端を通過する時には、それら磁束の向きは略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きから、略半径方向に対して反時計周り方向へ所定角度をなす向きに変わる。
【００３８】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａはＨレベルからＬレベルに立ち下がる電圧を出力する。
さらに、磁路変更片１８ａ〜１８ｃがある位置からその端を通過する時には、それら磁束の向きは略略半径方向に対して反時計回り方向へ所定角度をなす向きから、略半径方向に対して時計周り方向へ所定角度をなす向きに変わる。
【００３９】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａはＬレベルからＨレベルに立ち４上がる電圧を出力する。
このようにして、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電位は、Ｈレベル、Ｌレベルとなり、検出回路ＤＣのコンパレータＣＰによって基準電圧（閾値電圧）となる側の中点ｂに基づいて立ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。
【００４０】
次に、上記のように構成した回転位置センサ１００の特徴について説明する。
（１）本参考例では、第１〜第３磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａと第１〜第３バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂからなる検知部本体１０を回転板２の回転面の径方向外側に配設し、すなわち、磁路変更片１８ａ〜１８ｃの外側方にのみ配設した。
【００４１】
この結果、磁路変更片１８ａ〜１８ｃは、磁気検知部材３よりも径方向内側に配置されるため、回転板２の中心側に位置する。従って、回転板２（回転部材）そのものがコンパクト化されるとともに、回転板２の磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃを磁気検知部材３よりも径方向外側に配置した場合よりも軽量化が可能となる。又、回転板２を高速回転させても、回転板２の磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃを磁気検知部材３よりも径方向外側に配置した場合よりも磁路変更片１８ａ，１８ｂ，１８ｃの空気抵抗が大きくなることがない。
【００４２】
このため、回転板２をモータ軸４に取着した場合、モータの回転負荷を小さくでき、大きくなることがない。
（２）  本参考例では検知部本体１０を回転板２の回転面の径方向外側に配設したので、回転位置センサが大型化することはない。
【００４３】
（３）  本参考例では磁路変更片１８ａ〜１８ｃは、回転板２と一体に形成されているため、部品点数の増加はなく、組み付け工数も増加することはない。
（実施形態）
次に、本発明の一実施形態を図４〜図７に従って説明する。
【００４４】
尚、説明の便宜上、第１参考例と共通の部材について符号を同じにしてその詳細な説明は省略する。
図５及び図６に示すように、この回転位置センサ４０では、前記第１参考例の構成中、磁路変更片１８ａ〜１８ｃが省略され、回転板２上には前記モータ軸４から最外周部にいたる断面扇形状の磁路変更片３６ａ，３６ｂ，３６ｃが形成されている。磁路変更片３６ａ，３６ｂ，３６ｃは、一端から他端までが、前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。又、各磁路変更片３６ａ，３６ｂ，３６ｃが互いになす間隔は、前記軸心からみて６０度の角度をなすように形成されている。
【００４５】
従って、回転板２の面内の内周部において、軸心からみて６０度の角度毎にこれらの磁路変更片３６ａ，３６ｂ，３６ｃと、これら磁路変更片３６ａ，３６ｂ，３６ｃが形成されていない空間３７ａ，３７ｂ，３７ｃとが交互に存在することになる。又、前記磁路変更片３６ａ，３６ｂ，３６ｃの内周面は、モータ軸４に当接されており、従って、前記磁路変更片３６ａ，３６ｂ，３６ｃは回転板２２のボスを兼用している。
【００４６】
磁気検知部材４３は、検知部本体４４と支持アーム１１とから構成されている。検知部本体４４は、回転板２に形成した磁路変更片３６ａ，３６ｂ，３６ｃの外側に位置するように配設される。
【００４７】
検知部本体４４は、３個の第１〜第３の磁気検知体４５，４６，４７が樹脂モールド材１２にて封止され、前記支持アーム１１の先端部に固設されている。
第１の磁気検知体４５は、磁気検知素子としての第１磁気抵抗素子４５ａと磁石としての第１バイアスマグネット４５ｂとから構成されている。第１バイアスマグネット４５ｂは軸心Ｏ側がＮ極で外側がＳ極となるように配設されるとともに、第１磁気抵抗素子４５ａよりも外側で、且つ図６において時計回り方向にオフセットさせて配置されている。
【００４８】
第１磁気抵抗素子４５ａは、第１バイアスマグネット４５ｂの磁束の向きによって、検出電圧が変化する磁気抵抗素子であって、図４に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する４個の抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を備えている。２個の抵抗Ｒ１，Ｒ４のグループは、同じ配列方向に向かって配置され、抵抗Ｒ２，Ｒ３のグループは前記抵抗Ｒ１，Ｒ４の向く配列方向とは直交する配列方向に向かって配置されている。
【００４９】
本実施形態での磁束の向きの変化範囲は、第１参考例と同様に磁束の向きが軸心Ｏから略半径方向に対し反時計回り方向に所定角度の向きになるときから、前記略半径方向に対して時計回り方向に所定角度の向きになるときの範囲までである。又、各抵抗Ｒ１〜Ｒ４の構成及び配置についても前記第１参考例と同様に設けられている。前記各抵抗Ｒ１〜Ｒ４は図４に示すようにブリッジ回路としての４端子ブリッジ回路Ｂを構成するとともに抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との接続点（中点）ａは、第１参考例と同様にコンパレータＣＰの非反転入力端子に接続され、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４との接続点（中点）ｂは、同コンパレータＣＰの反転入力端子に接続されている。
【００５０】
なお、本実施形態での検出ポイントＰは移動（回転）中の磁路変更片３６ａ，３６ｂ，３６ｃの回転方向のエッジ部分である。
第２の磁気検知体４６は、磁気検知素子としての第２磁気抵抗素子４６ａと、磁石としての第２バイアスマグネット４６ｂとから構成されている。第２磁気抵抗素子４６ａと第２バイアスマグネット４６ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子４５ａと第１バイアスマグネット４５ｂとの間の配置関係と同じである。そして、第２磁気抵抗素子４６ａと第２バイアスマグネット４６ｂとは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子４５ａと第１バイアスマグネット４５ｂとに対して、図６において、前記軸心Ｏを中心に時計回り方向に４０度の位置に配設される。
【００５１】
第２磁気抵抗素子４６ａは、前記第１磁気抵抗素子４５ａと同様に第２バイアスマグネット４６ｂの磁束の向きによって検出電圧が変化する磁気抵抗素子であって、図４に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する４個の抵抗Ｒ１〜Ｒ４を備えており、前記第１磁気抵抗体４５ａと同様に構成配置され、同作用を行う。
【００５２】
又、第２磁気抵抗素子４６ａの抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子４５ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第２磁気抵抗素子４６ａの抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、コンパレータＣＰとともに、検出回路ＤＣを構成している。この検出回路ＤＣ及びブリッジ回路Ｂの作用は前記第１磁気抵抗素子４５ａの場合の検出回路ＤＣと同様に機能（作用）する。
【００５３】
第３の磁気検知体４７は、磁気検知素子としての第３磁気抵抗素子４７ａと磁石としての第３バイアスマグネット４７ｂとから構成されている。第３磁気抵抗素子４７ａと第３バイアスマグネット４７ｂとの間の配置関係は前記第１磁気抵抗素子４５ａと第１バイアスマグネット４５ｂとの間の配置関係と同じである。そして、第３磁気抵抗素子４７ａと第３バイアスマグネット４７ｂとは、それぞれ前記第１磁気抵抗素子４５ａと第１バイアスマグネット４５ｂとに対して、図６において、前記軸心Ｏを中心に反時計回り方向に４０度の位置に配設される。
【００５４】
第３気抵抗素子４７ａは、前記第１磁気抵抗素子４５ａと同様に第３バイアスマグネット４７ｂの磁束の向きによって検出電圧が変化する磁気抵抗素子であって、図４に示すような磁束の向きによってその抵抗値が変化する４個の抵抗Ｒ１〜Ｒ４を備えており、前記第１磁気抵抗体４５ａと同様に構成配置され、同作用を行う。
【００５５】
又、第３磁気抵抗素子４７ａの抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、第１磁気抵抗素子４５ａの場合と同様の４端子ブリッジ回路を構成する。さらに、第３磁気抵抗素子４７ａの抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、コンパレータＣＰとともに、検出回路ＤＣを構成している。この検出回路ＤＣ及びブリッジ回路Ｂの作用は前記第１磁気抵抗素子４５ａの場合の検出回路ＤＣと同様に機能（作用）する。
【００５６】
さて、上記のように構成された回転位置センサ４０の作用を説明する。
第１〜第３バイアスマグネット４５ｂ〜４７ｂが、図６に示す第３バイアスマグネット４７ｂの位置に位置するとき、即ち、Ｎ極の前方に磁路変更片３６ａ〜３６ｃのいずれかが位置する場合には、それら第１〜第３バイアスマグネット４７ｂ〜４７ｂの磁束の向きは磁束は略半径方向に対して反時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。これは、第１〜第３バイアスマグネット４５ｂ〜４７ｂのＮ極から磁束が磁路変更片３６ａ〜３６ｃに引き寄せられるからである。その結果、磁束の向きは、磁路変更片３６ａ〜３６ｃ側、即ち略半径方向に対して反時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。
【００５７】
従って、この場合には４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａ電圧はＬレベルとなる。又、第１〜第３バイアスマグネット４５ｂ〜４７ｂと磁路変更片３６ａ〜３６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット４５ｂ〜４７ｂが、図６に示す第２バイアスマグネット４６ｂの位置に位置するとき、即ち、Ｎ極の前方に磁路変更片３６ａ〜３６ｃが位置しない場合には、それら第１〜第３バイアスマグネット４５ｂ〜４７ｂの磁束は半径方向に対して時計回り方向に所定角度をなす向きとなる。これは、磁路を形成する磁路変更片３６ａ〜３６ｃがないため、磁束は引き込まれるものがないからである。その結果、磁束は放射状にのび、磁束の向きは略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きとなる。
【００５８】
従って、この場合には４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａ電圧はＨレベルとなる。さらに、第１〜第３バイアスマグネット４５ｂ〜４７ｂと磁路変更片３６ａ〜３６ｃとの相対位置関係において、第１〜第３バイアスマグネット４５ｂ〜４７ｂの各々が、図６に示す第１バイアスマグネット４５ｂの位置にあって、Ｎ極の前方に磁路変更片３６ａ〜３６ｃがない位置から磁路変更片３６ａ〜３６ｃの端部が通過する時には、それら第１〜第３バイアスマグネット４５ｂ〜４７ｂの磁束の向きは略半径方向に対して時計回り方向へ所定角度をなす向きから、略半径方向に対して反時計周り方向へ所定角度をなす向きに変わる。
【００５９】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａはＨレベルからＬレベルに立ち下がる電圧を出力する。
さらに、第１〜第３磁気抵抗素子４５ａ〜４７ａの前方に磁路変更片３６ａ〜３６ｃがある位置から磁路変更片３６ａ〜３６ｃの端部が通過する時には、それら第１〜第３バイアスマグネット４５ｂ〜４７ｂの磁束の向きは略略半径方向に対して反時計回り方向へ所定角度をなす向きから、略半径方向に対して時計周り方向へ所定角度をなす向きに変わる。
【００６０】
従って、この場合には、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａはＬレベルからＨレベルに立ち上がる電圧を出力する。
このようにして、４端子ブリッジ回路Ｂの中点ａの電位は、Ｈレベル、Ｌレベルとなり、検出回路ＤＣのコンパレータＣＰによって基準電圧（閾値電圧）となる側の中点ｂに基づいて立ち下がりが急峻となる検出信号に波形整形される。
【００６１】
次に、上記のように構成した回転位置センサ４０の特徴について説明する。
（１）本実施形態では、小径の回転板２を使用し、この回転板２上にはモータ軸４から最外周部にいたる磁路変更片３６ａ，３６ｂ，３６ｃを形成し、回転板２の外周部に磁気検知部材４３を配置した。
【００６２】
従って、本実施形態の回転板２は従来の回転板２と比較して質量を小さくすることができる。よって、例えばモータ軸４の回転を検出するためにこの回転位置センサ４０を使用する場合、モータにかかる負荷を低減して電流消費の増大を抑制することができる。
【００６３】
（第２参考例）
次に回転検出センサとしての回転位置センサ２００に係る第２参考例を図８及び図９を参照して説明する。なお、本参考例では、図１０及び図１１に示す従来の形態を変更したものであり、従来と同一の構成については、同一符号を付して、異なるところのみを省略する。
【００６４】
本参考例では、図８及び図９に示すように、磁路形成凸部８が省略されて、回転板２がモータ軸４に一体に固定されている。従って、本参考例では、磁路変更片６ａ〜６ｃから軸心Ｏに向かって回転板２を切断した場合の断面形状は、磁路変更片６ａ〜６ｃ、回転板２とにてＬ形状をなす。
【００６５】
すなわち、本参考例では、回転面の回転中心の回りに所定の間隔に複数個の磁路変更片６ａ〜６ｃを立設した回転板２と、回転板２に対して所定の向きに配設されたバイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂと同バイアスマグネット１３ｂ〜１５ｂを検出する磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａとからなる回転位置センサを構成した。そして、磁路変更片６ａ〜６ｃを、磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａに対して、回転面の径方向の外側にのみ配設した。
【００６６】
この結果、本参考例では、磁路形成凸部８が省略された分だけ、回転板２を小径とすることができ、この結果、コンパクト化、及び軽量化ができる。
なお、実施形態及び参考例は上記実施形態及び参考例に限定されるものではなく、次のように変更してもよい。
【００６７】
○  前記実施形態及び参考例では、磁路変更片１８ａ〜１８ｃ、３６ａ〜３６ｃは、一端から他端までが軸心Ｏからみて６０度の角度をなすようにし、すなわち、６０度間隔とし、各磁気検知体１３，１４，１５を軸心Ｏからみて４０度間隔とした。この代わりに、磁路変更片１８ａ〜１８ｃ、３６ａ〜３６ｃを３０度間隔とし、各磁気検知体１３，１４，１５の間隔を２０度間隔としてもよい。こうすると、各実施形態及び参考例よりも細かい角度が検出できる。
【００６８】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１に記載の発明によれば、回転部材が軽量化でき、回転体の負荷を低減することができる。
【００６９】
請求項２に記載の発明によれば、磁路変更片を、回転部材の回転中心に取着された回転軸に対してその周囲に配置したボスとして兼用されるため、ボスを別途に設ける必要がなく、回転部材の軽量化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１参考例の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図２】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図３】同じく回転位置センサの要部断面図。
【図４】磁気抵抗素子の等価回路図。
【図５】実施形態を説明するための回転位置センサの要部分解斜視図。
【図６】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図７】同じく回転位置センサの要部断面図。
【図８】第２参考例を説明するための回転位置センサの要部分解斜視図。
【図９】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【図１０】出願人が提案している従来の回転位置センサの要部分解斜視図。
【図１１】同じく回転板と磁気検知部材の配置関係を示す平面図。
【符号の説明】
４０，１００，２００…回転検出センサとしての回転位置センサ、２…回転板
３…磁気検知部材、４…回転体としてのモータ軸、
６ａ〜６ｃ、１８ａ〜１８ｃ、３６ａ〜３６ｃ…磁路変更片、
１９ａ〜１９ｃ…空間、９…貫通孔、１０…検知部本体、１１…支持アーム、
１２…樹脂モールド材、１３，４５…第１の磁気検知体，
１４，４６…第２の磁気検知体，１５，４７…第３の磁気検知体、
１３ａ，４５ａ…第１磁気抵抗素子、
１３ｂ，４５ｂ…第１バイアスマグネット、
１４ａ，４６ａ…第２磁気抵抗素子、
１４ｂ，４６ｂ…第２バイアスマグネット、
１５ａ，４７ａ…第３磁気抵抗素子、
１５ｂ，４７ｂ…第３バイアスマグネット、
Ｖｏｕｔ…検出電圧、Ｒ１〜Ｒ４…抵抗体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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