(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号の波長λの２分の１以下の間隔で配置した平行平板導体間に金属部材を設置し、該金属部材に高周波信号を発振する高周波ダイオードと、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成されたチョーク型バイアス供給線路と、該チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する帯状導体とを設けるとともに、前記高周波ダイオードの近傍に前記高周波信号を受信し伝搬させる誘電体線路を配設して成る高周波ダイオード発振器において、前記チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の長さと幅の狭い線路の長さをそれぞれ略λ／４、前記帯状導体の長さを略｛（３／４）＋ｎ｝λ（ｎは０以上の整数）とし、バイアス電圧印加方向が前記帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた周波数変調用ダイオードを前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたことを特徴とする高周波ダイオード発振器。
【請求項２】
前記周波数変調用ダイオードは、第二のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成されかつ該主面が前記平行平板導体に対し垂直に設置される配線基板と、前記第二のチョーク型バイアス供給線路の中途に立設されかつ前記第二のチョーク型バイアス供給線路に連続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成る変調回路基板上に設置されて、前記補助基板の前記接続導体の中途に接続されていることを特徴とする請求項１記載の高周波ダイオード発振器。
【請求項３】
前記周波数変調用ダイオードと前記帯状導体との間隔をλ以下としたことを特徴とする請求項１または２記載の高周波ダイオード発振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ミリ波集積回路等の高周波回路に組み込まれるガンダイオード発振器等の高周波ダイオード発振器であって、バラクタダイオード等の周波数変調用ダイオードを有する非放射性誘電体線路型の高周波ダイオード発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のバラクタダイオードを電圧制御することにより発振周波数を変調可能なガンダイオード発振器を図３，図４に示す。これらの図において、１は一対の平行平板導体であり、それらの間隔ｚをｚ≦λ／２とすることにより外部から誘電体線路７へのノイズの侵入をなくしかつ外部への高周波信号の放射をなくして信号を伝送させる、所謂非放射性誘電体線路（nonradiative dielectric waveguide で、以下、ＮＲＤガイドという）を構成する。尚、λは使用周波数において空気中を伝搬する電磁波（高周波信号）の波長である。
【０００３】
また、２はガンダイオードを設置（マウント）するための金属ブロック等の金属部材、３はマイクロ波，ミリ波を発振する高周波ダイオードの１種であるガンダイオード、４は金属部材２の一側面に設置され、ガンダイオード３にバイアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路４ａを形成した配線基板、５はチョーク型バイアス供給線路４ａとガンダイオード３の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、６は誘電体の基体に共振用の金属ストリップ線路６ａを設けた金属ストリップ共振器、７は金属ストリップ共振器６により共振した高周波信号を外部等へ導く誘電体線路である。
【０００４】
さらに、誘電体線路７の中途には、周波数変調用ダイオードであって可変容量ダイオードの１種であるバラクタダイオード１０を装荷した配線基板８を設置しており、このバラクタダイオード１０のバイアス電圧印加方向Ｂは誘電体線路７での高周波信号の伝搬方向Ｄに垂直かつ平行平板導体１の主面に平行な方向とされている。このバイアス電圧印加方向Ｂは、誘電体線路７中を伝搬するＬＳＭ01モードの高周波信号の電界方向Ｅに合致しており、これにより高周波信号とバラクタダイオード１０とを電磁結合させ、バイアス電圧を制御することによりバラクタダイオード１０の静電容量を変化させることで、高周波信号の発振周波数を制御可能となる。また、９は、バラクタダイオード１０と誘電体線路７とのインピーダンス整合をとるための高比誘電率の誘電体板である。なお、図３では、内部を透視するために平行平板導体１の上側を一部切り欠いている。
【０００５】
また図４に示すように、配線基板８の一主面には第二のチョーク型バイアス供給線路１２が形成され、第二のチョーク型バイアス供給線路１２の中途にビームリードタイプのバラクタダイオード１０が配置される。第二のチョーク型バイアス供給線路１２のバラクタダイオード１０との接続部には、電極１１が形成されている。
【０００６】
そして、ガンダイオード３から発振された高周波信号は、金属ストリップ共振器６を通して誘電体線路７に導出される。次いで、高周波信号の一部はバラクタダイオード１０部で反射されてガンダイオード３側へ戻る。この反射信号がバラクタダイオード１０の容量とともに変化することにより、発振周波数が変化する。
【０００７】
なお、チョーク型バイアス供給線路４ａは、幅の広い線路と幅の狭い線路とが交互に形成されており、幅の広い線路の一つの長さと幅の狭い線路の一つの長さとがそれぞれ略λ／４で反復されたチョークを構成しており、また帯状導体５の長さも略λ／４に設定されローパスフィルタの一部として機能している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のガンダイオード発振器においては、高周波信号がバラクタダイオード１０を設置した配線基板８を透過する構造となっているため、高周波信号出力が低下するという問題点があった。また、高周波信号の周波数変調幅を調整するには、バラクタダイオード１０の挿入位置を変化させる必要があるが、位置調整による周波数変調幅の制御は困難であり、容易に周波数変調幅を制御できなかった。
【０００９】
従って、本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり、その目的は、高出力の高周波信号が得られ、周波数変調幅を容易に制御可能なものとすることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波ダイオード発振器は、高周波信号の波長λの２分の１以下の間隔で配置した平行平板導体間に金属部材を設置し、該金属部材に高周波信号を発振する高周波ダイオードと、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成されたチョーク型バイアス供給線路と、該チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する帯状導体とを設けるとともに、前記高周波ダイオードの近傍に前記高周波信号を受信し伝搬させる誘電体線路を配設して成る高周波ダイオード発振器において、前記チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の長さと幅の狭い線路の長さをそれぞれ略λ／４、前記帯状導体の長さを略｛（３／４）＋ｎ｝λ（ｎは０以上の整数）とし、バイアス電圧印加方向が前記帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた周波数変調用ダイオードを前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたことを特徴とする。
【００１１】
本発明は、このような構成により、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、その共振器の帯状導体に周波数変調用ダイオードを設けた変調回路基板を近接配置して電磁結合させるとともに、周波数変調用ダイオードに印加するバイアス電圧を変化させることで、発振周波数を制御できる。また、誘電体線路中に周波数変調用ダイオードを配置する必要がないため、損失が小さく高出力が得られるとともに、全体が小型化する。さらに、周波数変調用ダイオードの位置を調整することにより、共振器としても機能する帯状導体と周波数変調用ダイオードとの電磁結合の強さを変えることができ、それにより周波数変調幅を調整し得る。
【００１２】
本発明において、好ましくは、前記周波数変調用ダイオードは、第二のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成されかつ該主面が前記平行平板導体に対し垂直に設置される配線基板と、前記第二のチョーク型バイアス供給線路の中途に立設されかつ前記第二のチョーク型バイアス供給線路に連続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成る変調回路基板上に設置されて、前記補助基板の前記接続導体の中途に接続されていることを特徴とする。
【００１３】
上記構成により、変調回路基板の上面視における形状が凸型となり、位置ずれや捩じれ等が小さくなり設置の安定性がきわめて高くなる。また、周波数変調用ダイオードのバイアス電圧印加方向を高周波信号の電界方向に合致させた状態で、周波数変調用ダイオードを帯状導体に近接配置し、位置調整できるため、容易に周波数変調幅を調整可能となる。
【００１４】
また好ましくは、前記周波数変調用ダイオードと前記帯状導体との間隔をλ以下としたことを特徴とする。前記範囲内に調整することで、高周波信号の出力を大きくして周波数変調幅を広げることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の電圧制御型の高周波ダイオード発振器について以下に説明する。図１は本発明のＮＲＤガイド型の高周波ダイオード発振器を、図２は本発明の高周波ダイオード発振器用の周波数変調用ダイオードを有する変調回路基板を示し、これらの図において、１はガンダイオード等の高周波ダイオードが発振する高周波信号の空気中での波長λの２分の１以下の間隔で配置した一対の平行平板導体、２はガンダイオード３を設置（マウント）するための略直方体状の金属ブロック等の金属部材、３はマイクロ波，ミリ波を発振する高周波ダイオードの１種であるガンダイオード、４は金属部材２の一側面に設置され、ガンダイオード３にバイアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路４ａを形成した配線基板、５はチョーク型バイアス供給線路４ａとガンダイオード３の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、７はガンダイオード３の近傍に配置され高周波信号を受信し外部へ伝搬させる誘電体線路である。尚、図１では、内部を透視するために平行平板導体１の上側を一部切り欠いている。
【００１６】
また、１０は補助基板１４に設置された周波数変調用ダイオードとしてのバラクタダイオードであり、そのバイアス電圧印加方向は帯状導体５に生じ空間に放射形成される電磁界の電界に平行な方向とされ、即ち電界方向と合致した状態とされ、帯状導体５に近接配置されて電磁結合している。１１は、補助基板１４に形成されたバラクタダイオード１０接続用の電極（接続導体）、１２は、配線基板１３の主面に形成された第二のチョーク型バイアス供給線路である。２０は、バラクタダイオード１０を設けた変調回路基板であり、第二のチョーク型バイアス供給線路１２が主面に形成されかつ該主面が平行平板導体１に対し垂直に設置される配線基板１３と、第二のチョーク型バイアス供給線路１２の中途に立設され、かつ第二のチョーク型バイアス供給線路１２に連続する接続導体をその主面に有する補助基板１４とから成る。
【００１７】
本発明において、チョーク型バイアス供給線路４ａは、図１に示すように、幅の広い線路の一つの長さと幅の狭い線路の一つの長さとがそれぞれ略λ／４の広狭線路から成り、また帯状導体５の長さは略｛（３／４）＋ｎ｝λ（ｎは０以上の整数）である。この帯状導体５の長さは略３λ／４〜略｛（３／４）＋３｝λが良く、略｛（３／４）＋３｝λを超えると帯状導体５が長くなり、撓み、捩じれ等が生じ易くなり、個々の高周波ダイオード発振器間で発振周波数等の特性のばらつきが大きくなるとともに、種々の共振モードが発生して、所望の発振周波数と異なる周波数の信号が発生するという問題が生じる。より好ましくは、略３λ／４，略｛（３／４）＋１｝λである。
【００１８】
また、略｛（３／４）＋ｎ｝λとしたのは、｛（３／４）＋ｎ｝λから多少ずれていても共振は可能だからである。例えば、帯状導体５を｛（３／４）＋ｎ｝λよりも１０〜２０％程度長く形成しても良く、その場合、帯状導体５の接するチョーク型バイアス供給線路４ａの１パターン目の長さλ／４のうち一部が共振に寄与すると考えられるからである。従って、帯状導体５の長さは｛（３／４）＋ｎ｝λ±２０％程度の範囲内で変化させることができる。
【００１９】
これらチョーク型バイアス供給線路４ａおよび帯状導体５の材料は、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｗ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ等から成り、特にＣｕ，Ａｇが、電気伝導度が良好であり、損失が小さく、発振出力が大きくなるといった点で好ましい。
【００２０】
また、チョーク型バイアス供給線路４ａはプリント配線基板等の配線基板４に形成され、帯状導体５の一端をチョーク型バイアス供給線路４ａに他端をガンダイオード３の上部導体に半田付けや熱圧着等により接続しているが、帯状導体５も配線基板４に形成して、チョーク型バイアス供給線路４ａと一体化しても良い。
【００２１】
そして、金属部材２は、ガンダイオード３の電気的な接地（アース）を兼ねているため金属導体であれば良く、その材料は金属（合金を含む）導体であれば特に限定するものではなく、真鍮（黄銅：Ｃｕ−Ｚｎ合金），Ａｌ，Ｃｕ，ＳＵＳ（ステンレス），Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等から成る。また金属部材２は、全体が金属から成る金属ブロック，セラミックスやプラスチック等の絶縁基体の表面全体または部分的に金属メッキしたもの，絶縁基体の表面全体または部分的に導電性樹脂材料等をコートしたものであっても良い。
【００２２】
また、誘電体線路７の材料は、コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ），アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等のセラミックス、その他ポリテトラフルオロエチレン（テフロン）等の樹脂材料が好ましく、これらは高周波帯域において低損失である。ガンダイオード３と誘電体線路７との間隔は１．０ｍｍ程度以下が好ましく、１．０ｍｍを超えると損失を小さくして電磁的結合が可能な最大離間幅を超える。
【００２３】
本発明において、好ましくは、周波数変調用ダイオードと前記帯状導体５との間隔をλ以下とする。λよりも大きいと、バラクタダイオード１０の容量変化による周波数の変調が困難となり、周波数変調幅が小さくなる。より好ましくは、周波数変調用ダイオードと帯状導体５との間隔は０．１ｍｍ〜λであり、０．１ｍｍ未満では電極１１と帯状導体５とが接触し易くなる。
【００２４】
また、バラクタダイオード１０の帯状導体５に対する位置は、帯状導体５の中心部から、チョーク型バイアス供給線路４ａ側へ帯状導体５の長さの１／４程度までの範囲が良い。バラクタダイオード１０が、帯状導体５の中心部よりもガンダイオード３側へ近くなると発振出力が低下し、チョーク型バイアス供給線路４ａ側へ帯状導体５の長さの１／４を超えて配置されると、周波数変調幅が小さくなる。
【００２５】
上記実施形態では、バラクタダイオード１０のバイアス電圧印加方向が、帯状導体５で生じる電界の方向、即ち平行平板導体１に平行な方向かつ帯状導体５表面に垂直な方向に合致するようにしたが、帯状導体５より生じる電界は帯状導体５から離れるに従い広がり、平行平板導体１に垂直な方向の成分が発生する。従って、平行平板導体１に垂直な方向の電界にバラクタダイオード１０のバイアス電圧印加方向を合致させるように設けることもできる。
【００２６】
本発明でいう高周波帯域は、数１０〜数１００ＧＨｚ帯域のマイクロ波帯域およびミリ波帯域に相当し、例えば３０ＧＨｚ以上、特に５０ＧＨｚ以上、更には７０ＧＨｚ以上の高周波帯域が好適である。
【００２７】
また本発明の高周波ダイオードとしては、インパット（impatt：impact ionisation avalanche transit time）・ダイオード，トラパット（trapatt ：trapped plasma avalanche triggered transit）・ダイオード，ガンダイオード等のマイクロ波ダイオードおよびミリ波ダイオードが好適に使用される。また、周波数変調用ダイオードとしては、バラクタダイオードが好適である。
【００２８】
本発明のＮＲＤガイド用の平行平板導体１は、高い電気伝導度および加工性等の点で、Ｃｕ，Ａｌ，Ｆｅ，ＳＵＳ（ステンレス），Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等の導体板、あるいはセラミックス，樹脂等から成る絶縁板の表面にこれらの導体層を形成したものでもよい。
【００２９】
また、本発明のＮＲＤガイド型の高周波ダイオード発振器は、無線ＬＡＮ，自動車のミリ波レーダ等に使用されるものであり、例えば自動車の周囲の障害物および他の自動車に対しミリ波を照射し、反射波を元のミリ波と合成してビート信号を得、このビート信号を分析することにより障害物および他の自動車までの距離、それらの移動速度等が測定できる。
【００３０】
かくして、本発明は、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが共振器として機能し、その共振器の帯状導体に周波数変調用ダイオードを近接配置して電磁結合させ、周波数変調用ダイオードに印加するバイアス電圧を変化させることで発振周波数を制御でき、また誘電体線路中に周波数変調用ダイオードを配置する必要がないため、損失が小さく高出力が得られるとともに、全体が小型化する。さらに、周波数変調用ダイオードの位置を調整することにより、共振器としても機能する帯状導体と周波数変調用ダイオードとの電磁結合の強さを変えることができ、それにより周波数変調幅を調整し得る。
【００３１】
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行っても何等差し支えない。
【００３２】
【実施例】
本発明の実施例を以下に説明する。
【００３３】
（実施例）
図１のＮＲＤガイド型のガンダイオード発振器を以下のように構成した。一対の平行平板導体１，１として、縦８０ｍｍ×横８０ｍｍ×厚さ２ｍｍのＡｌ板を１．８ｍｍの間隔で配置し、それらの間にガンダイオード３をネジ止めした真鍮性の金属部材２とコーディエライトセラミックスから成る誘電体線路７を設置した。この金属部材２は高さが約１．８ｍｍの直方体状であり、その一側面には、発振周波数約７７ＧＨｚで波長λが約３．９ｍｍの高周波信号（電磁波）を発振するガンダイオード３と、ガンダイオード３にバイアス電圧を入力するチョーク型バイアス供給線路４ａが形成された配線基板４と、チョーク型バイアス供給線路４ａとガンダイオード３の上部導体とを接続する帯状導体５を設けた。そして、ビームリードタイプのバラクタダイオード１０を図２の変調回路基板２０に装荷し、補助基板１４が平行平板導体１の内側主面に立設された状態で、バラクタダイオード１０を帯状導体５の略中心部に対応する位置に近接配置した。
【００３４】
前記配線基板４はガラスエポキシ樹脂から成り、金属部材２に接着剤により固定した。また、チョーク型バイアス供給線路４ａの幅の広い線路と幅の狭い線路について、幅の広い線路の長さはλ／４＝０．７０ｍｍ（誘電体基板上では短波長化する）、幅の狭い線路の長さはλ／４＝０．７０ｍｍであり、幅の広い線路部の幅は１．５ｍｍ、幅の狭い線路部の幅は０．２ｍｍであり、帯状導体５は厚さ３５μｍ，幅０．６ｍｍの銅箔リボンから成り、一端をチョーク型バイアス供給線路４ａに他端をガンダイオード３の上部導体に各々半田付けした。誘電体線路７は、比誘電率５のコーディエライトセラミックスから成り、ガンダイオード３の上部導体から約０．５ｍｍの間隔をあけて配置した。
【００３５】
バラクタダイオード１０マウント用の補助基板１４はガラスエポキシ樹脂から成り、横幅１．８６ｍｍ，高さ１．２ｍｍの導体パターンの中心部に０．２ｍｍの隙間を設けて、接続導体用の電極１１，１１を形成し、前記隙間にビームリードタイプのバラクタダイオード１０を電極１１，１１に接続し設置した。この電極１１，１１は、補助基板１４のバラクタダイオード１０設置面と反対面側にも延在しており、電極１１，１１の両端は第二のチョーク型バイアス供給線路１２に半田付けにより接続した。また、補助基板１４は接着剤で配線基板１３に接着しており、配線基板１３はガラスエポキシ樹脂から成る。そして、配線基板１３の主面には、幅１．５ｍｍの幅の広い線路と幅０．２ｍｍの幅の狭い線路が０．７ｍｍ毎に交互に形成されて成る第二のチョーク型バイアス供給線路１２が形成され、第二のチョーク型バイアス供給線路１２の両端にはエナメル線を接続し、電源部よりバイアス電圧を印加するようにした。
【００３６】
そして、帯状導体５と補助基板１４の端部との間隔を１．５ｍｍ、即ち帯状導体５とバラクタダイオード１０との距離が２．４３ｍｍ、または３．０ｍｍ、即ち帯状導体５とバラクタダイオード１０との距離が３．９３ｍｍでλよりも大きい、とした２種のガンダイオード発振器を作製した。
【００３７】
これらのガンダイオード発振器について、バラクタダイオード１０のバイアス電圧を種々に変化させた場合の発振周波数、発振出力を測定した結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
0003667172.tif 000002
【００３９】
表１より、帯状導体５と補助基板１４の端部との間隔が１．５ｍｍの場合には、バイアス電圧を変化させると発振周波数，発振出力を制御できたが、帯状導体５と補助基板１４の端部との間隔が３．０ｍｍの場合には、発振周波数，発振出力の制御が殆どできなくなり、従って帯状導体５とバラクタダイオード１０との距離をλ以下にすれば良いことが判った。
【００４０】
また比較例として、図３，図４の従来タイプのものを、本発明の変調回路基板２０以外は上記実施例と同様に作製し、また金属ストリップ共振器６を付加して作製した。そして、バラクタダイオード１０のバイアス電圧を０Ｖ，５Ｖ，１０Ｖに変化させて、発振周波数、発振出力を測定した結果、発振周波数は７６．３２ＧＨｚ〜７６．３３ＧＨｚでほぼ一定しており、発振出力はいずれも１０．０ｄＢｍ程度であった。よって、従来タイプでは発振周波数は殆ど変調されず、また発振出力が低下して実用に供するのが困難なものとなった。
【００４１】
【発明の効果】
本発明は、チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路の長さと幅の狭い線路の長さをそれぞれ略λ／４、帯状導体の長さを略｛（３／４）＋ｎ｝λ（ｎは０以上の整数）とし、バイアス電圧印加方向が帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた周波数変調用ダイオードを帯状導体に近接配置して電磁結合させたことにより、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、その共振器の帯状導体に周波数変調用ダイオードを設けた変調回路基板を近接配置して電磁結合させ、周波数変調用ダイオードに印加するバイアス電圧を変化させることで、発振周波数を制御できる。また、従来のように誘電体線路中に周波数変調用ダイオードを配置する必要がないため、損失が小さく高出力が得られるとともに全体が小型化する。さらに、周波数変調用ダイオードの位置を調整することにより、帯状導体と周波数変調用ダイオードとの電磁結合の強さを変化させることで周波数変調幅を調整し得る。
【００４２】
また本発明は、好ましくは、周波数変調用ダイオードが、第二のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成されかつ主面が平行平板導体に対し垂直に設置される配線基板と、第二のチョーク型バイアス供給線路の中途に立設されかつ第二のチョーク型バイアス供給線路に連続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成る変調回路基板上に設置されて、補助基板の接続導体の中途に接続されていることにより、変調回路基板の上面視形状が凸型となり、位置ずれや捩じれ等が小さくなり設置の安定性がきわめて高くなる。また、周波数変調用ダイオードのバイアス電圧印加方向を高周波信号の電界方向に合致させた状態で、周波数変調用ダイオードを帯状導体に近接配置し、位置調整できるため、容易に周波数変調幅を調整可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＮＲＤガイド型の高周波ダイオード発振器の内部を透視した斜視図である。
【図２】本発明の周波数変調用ダイオードを設けた変調回路基板の斜視図である。
【図３】従来のＮＲＤガイド型のガンダイオード発振器の内部を透視した斜視図である。
【図４】従来のバラクタダイオードを設けた配線基板の斜視図である。
【符号の説明】
１：平行平板導体
２：金属部材
３：ガンダイオード
４：配線基板
４ａ：チョーク型バイアス供給線路
５：帯状導体
７：誘電体線路
１０：バラクタダイオード
１２：第二のチョーク型バイアス供給線路
１３：配線基板
１４：補助基板
２０：変調回路基板
【図１】
0003667172.tif 000003
【図２】
0003667172.tif 000004
【図３】
0003667172.tif 000005
【図４】
0003667172.tif 000006