(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＮＡを固定化して増幅するための熱伝導性に優れたＤＮＡ固定化用固体状基体であって、基体がダイヤモンド、窒化アルミニウム、炭化チタン、タングステン又はアルミナであり、末端に水酸基を有するように化学修飾がされたＤＮＡ固定化用固体状基体。
【請求項２】
ＤＮＡを固定化して増幅するための熱伝導性に優れたＤＮＡ固定化用固体状基体であって、基体がダイヤモンド、窒化アルミニウム、炭化チタン、タングステン又はアルミナであり、カルボン酸ソーダがエステル結合又はペプチド結合を介して基体表面に結合し、末端にカルボキシル基を有するように化学修飾がされたＤＮＡ固定化用固体状基体。
【請求項３】
ＤＮＡを固定化して増幅するための熱伝導性に優れたＤＮＡ固定化用固体状基体であって、基体がダイヤモンド、窒化アルミニウム、炭化チタン、タングステン又はアルミナであり、基体表面の水酸基にシランカップリング剤によりエポキシ基が導入され、末端にエポキシ基を有するように化学修飾がされたＤＮＡ固定化用固体状基体。
【請求項４】
ＤＮＡを固定化して増幅するための熱伝導性に優れたＤＮＡ固定化用固体状基体であって、基体がダイヤモンド、窒化アルミニウム、炭化チタン、タングステン又はアルミナであり、基体表面の水酸基にシランカップリング剤によりアミノ基が導入され、末端にアミノ基を有するように化学修飾がされたＤＮＡ固定化用固体状基体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の基体にＤＮＡを固定化したＤＮＡ固定化チップ。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の基体又は請求項５記載のチップを用いてＤＮＡを増幅する方法。
【０００１】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
本発明は、分子生物学分野や生化学関連分野において用いられるＤＮＡ等を固定化するための基体に関し、より詳しくは、熱伝導性に優れた基体に関し、さらに詳しくは、末端に水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基等を有する化学修飾された基体及びその基体にＤＮＡ等を固定化したチップに関する。
【０００２】
【背景技術】
従来、ＤＮＡの増幅反応等においては、目的とするＤＮＡを特定量得るために、
１）二本鎖ＤＮＡの水素結合をほどくために試料の温度を９５℃に上昇させる、
２）次いでＤＮＡを複製するためのプライマーと再結合させるために試料の温度を４５℃に下降させる、
３）さらに耐熱性ポリメラーゼによりプライマーを伸長させてＤＮＡを複製させるために試料の温度を７４℃に上昇させる、といった１）〜３）のヒートサイクルを幾度も繰り返す必要があった。
このような、いわゆるＰＣＲ法を用いたＤＮＡの増幅反応では、試料を反応溶液とともにチューブ状プラスチック反応容器などに入れ、この容器をアルミブロックに収容し前記ヒートサイクルを行っていた。
しかし、前記増幅反応はＤＮＡを反応溶液とともに加熱・冷却を行うために、目的とする量のＤＮＡを得るには多大な時間を要していた。また、反応溶液の温度制御の精度が低いために、目的とする以外のＤＮＡも複製されるという問題点もあった。
本発明は、このような問題点に鑑み、ＤＮＡ等を容易に固定化できて、ＤＮＡ増幅反応によりＤＮＡを複製するために最適な固体状基体、その基体にＤＮＡ等を固定化したチップ、及びＤＮＡを増幅する方法を提供することを技術的課題とする。
【０００３】
【発明の開示】
請求項１に記載の基体は、ＤＮＡを固定化して増幅するための熱伝導性に優れていることを特徴とする。これらの基体はダイヤモンド、窒化アルミニウム、炭化チタン、タングステン又はアルミナであり、末端に水酸基を有するように化学修飾がされたものであることを特徴とする。
請求項２に記載の基体は、基体がダイヤモンド、窒化アルミニウム、炭化チタン、タングステン又はアルミナであり、カルボン酸ソーダがエステル結合又はペプチド結合を介して基体表面に結合し、末端にカルボキシル基を有するように化学修飾がされたものであることを特徴とする。
請求項３に記載の基体は、基体がダイヤモンド、窒化アルミニウム、炭化チタン、タングステン又はアルミナであり、基体表面の水酸基にシランカップリング剤によりエポキシ基が導入され、末端にエポキシ基を有するように化学修飾がされたものであることを特徴とする。
請求項４に記載の基体は、基体がダイヤモンド、窒化アルミニウム、炭化チタン、タングステン又はアルミナであり、基体表面の水酸基にシランカップリング剤によりアミノ基が導入され、末端にアミノ基を有するように化学修飾がされたものであることを特徴とする。
請求項５に記載のＤＮＡ固定化チップは、請求項１〜４のいずれかに記載の基体にＤＮＡを固定化したものであることを特徴とする。
請求項６に記載のＤＮＡを増幅する方法は、請求項１〜４のいずれかに記載の基体又は請求項５記載のチップを用いてＤＮＡを増幅する方法であることを特徴とする。
【０００４】
【発明を実施するための最良の形態】
本発明の基体は、ＤＮＡを固定化して増幅するために用いる固体状の基体であって、熱伝導性に優れたものであることが望ましい。例えば、ダイヤモンドは物質の中でも抜群の熱伝導率を有しており急速に加熱冷却させることが可能であるため、本発明の基体を用いれば、ＤＮＡ増幅反応のように、加熱冷却を繰り返すヒートサイクル時間をきわめて短縮できる。
また、本発明の基体は、表面を水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基等で化学修飾してあるので、ＤＮＡ等の固定化を容易に行え、ＤＮＡ増幅反応によりＤＮＡを複製するためのチップなどに最適である。
また、本発明のチップは、表面が汚染された場合に、加水分解させて化学修飾を再生させることができる。
【０００５】
本発明に用いる基体は、例えば、固体状の基体は熱伝導率が０．１Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上であることが望ましい。
さらに、好ましくは熱伝導率が０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上であることが望ましい。さらに、より好ましくは熱伝導率が１Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上であることが望ましい。基体の熱伝導率が０．１Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上であると、ＤＮＡを本発明の基体に固定化させて、ＰＣＲ（ポリメラーゼ・チェイン・リアクション）反応を行う場合等において、加熱・冷却の追随性が優れているからである。
【０００６】
熱伝導性がよいものの例としては、ダイヤモンド、銀、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン等の金属などがあげられる。また、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化チタン、炭化珪素、シリコン、等のセラミックスがあげられる。また、上記の金属とセラミックスとの混合体も適用出来る。また、ポリカーボネートやフッ素樹脂等のプラスチックなども適用できる。また、化学的に安定なものであれば、上記した金属、セラミックス、プラスチックスに限定されない。例えば、ダイヤモンドやダイヤモンドライクなとも適用できる。また、プラスチックスと上記金属、セラミックス、ダイヤモンド等との混合体でもよい。
ダイヤモンド基体の素材としては、合成ダイヤモンド、高圧合成ダイヤモンド、あるいは天然のダイヤモンドなどを用いることができる。またそれらの単結晶体あるいは多結晶体のいずれの構造を有していても差し支えない。生産性の観点から、マイクロ波プラズマＣＶＤ法などの気相合成法を用いて製造されたダイヤモンドを用いることが好ましい。
【０００７】
本発明の基体の形成方法は適宜選択できる。例えば、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲＣＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法、ＩＰＣ法、直流スパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、イオンプレーティング法、アークイオンプレーティング法、ＥＢ蒸着法、抵抗加熱蒸着法などがあげられる。また、金属粉末やセラミックス粉末等に、樹脂をバインダーとして混合して結合形成したものがあげられる。また、金属粉末やセラミックス粉末等の原料をプレス成形機を用いて圧粉したものを高温で焼結したものもあげられる。
【０００８】
本発明の基体表面は、意図的に粗面化されていることも望ましい。このような粗面化表面は基体の表面積が増えて、多量のＤＮＡ等を固定化させることに好都合だからである。基体の形状は、平板状、糸状、球状、多角形状、粉末状など特に問わない。さらにこれらの基体と他の物質との複合体（例えば２層体）であってもよい。
【０００９】
本発明の基体は、基体表面を化学修飾されたものであり、化学修飾の末端に極性基、水酸基又はカルボキシル基を有するものであることが好ましい。すなわち、上記の基体の表面に特定の基を付加（化学修飾）させる。この化学修飾によって、ＤＮＡが基体の表面に固定化されやすくなる。基体表面に付加（化学修飾）され、末端に極性基を有する特定の基としては、水酸基、カルボキシル基、硫酸基、シアノ基、ニトロ基、チオル基、アミノ基、エポキシ基などの基があげられる。また、この他、有機カルボン酸も含まれる。前記の基のうち、カルボキシル基は、ダイヤモンドなどの基体に直接付加させてもよいが、基体との間に他の炭化水素基を介し、末端にカルボキシル基を有することとしてもよい。
【００１０】
この場合の炭化水素基は炭素数１〜１０のものが、ＤＮＡの固定化にあたって好ましい。炭化水素基となりうるような酸は、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのモノカルボン酸や、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸などのジカルボン酸や、トリメリット酸などの多価カルボン酸などがあげられる。
ＰＣＲ法などを用いて、ＤＮＡの増幅反応に本発明の基体を適用する場合、耐加水分解性が必要とされる場合と、加水分解させて化学修飾を再生させる必要がある場合との２通りの適用ケースがある。
耐加水分解性が必要とされる場合は、耐アルカリ性を付与するために、上記の炭化水素基の末端にカルボキシル基が結合した基を、ペプチド結合を介して基体表面に結合させることが好ましい。
【００１１】
一方、生成した化学修飾を加水分解させて除去し再生させる必要がある場合は、アルカリ溶液で加水分解可能とするために、上記の炭化水素基の末端にカルボキシル基が結合した基を、エステル結合を介して基体表面に結合させることが好ましい。
【００１２】
炭化水素基の末端に水酸基を基体表面に結合させる方法としては、基体表面を酸素プラズマで酸化し、次いで水蒸気処理する方法、または塩素ガス中で紫外線照射して基体表面を塩素化した後アルカリ溶液中で加水分解してヒドロキシル化する方法、さらに基体表面を酸素プラズマで酸化し、次いで塩素化した後アルカリ溶液中で加水分解してヒドロキシル化する方法を挙げることができる。
【００１３】
なお、基体表面に水酸基が結合されている場合は、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、アルミカップリング剤などをその上に処理すると、カルボキシル基などとの化学修飾がより強固なものになる。
【００１４】
また、炭化水素基の末端にカルボキシル基が結合した基をペプチド結合を介して基体表面に結合させる方法としては、塩素ガス中で紫外線照射して基体表面を塩素化し、次いでアンモニアガス中で紫外線照射してアミノ化した後、非水溶媒中でカルボン酸クロライドと反応させ、次いで弱アルカリ溶液中で中和させる方法を挙げることができる。
【００１５】
また、炭化水素基の末端にカルボキシル基が結合した基をエステル結合を介して基体表面に結合させる方法としては、塩素ガス中で紫外線照射して基体表面を塩素化し、次いで非水溶媒中でカルボン酸ソーダと反応させ、次いで弱酸溶液中で中和させる方法、または、基体表面を酸素プラズマで酸化し、次いで塩素化した後アルカリ溶液中で加水分解してヒドロキシル化した後、非水溶媒中でカルボン酸クロライドと反応させ、次いで弱アルカリ溶液中で中和させる方法を挙げることができる。以下、実施例にて本発明を詳細に説明する。
【００１６】
（実施例１）
マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いて、直径が６４ｍｍ、厚さが０．３ｍｍのダイヤモンドを気相合成した後、全体が均一な０．２５ｍｍの厚さとなるよう表面を研磨した。このようにして研磨した表面の１０ｍｍ×１０ｍｍの面積において、ＦＴＩＲ法（フーリエ変換赤外分光分析法）により炭素―水素の伸縮の振動に由来する２８７９ｃｍ−１の吸収強度を測定したところ、ほぼ一定の値が得られた。このダイヤモンドからレーザーにより１０ｍｍ角の試料を切り出し、以下の実施例１〜６の試料として用いた。実施例１においては、マイクロ波により励起した酸素プラズマでダイヤモンド表面を酸化した後、セパラブルフラスコ中に配置し、フラスコ中の雰囲気を水蒸気で置換した後、水蒸気を流入させながら４００℃に加熱し３０分間保持した後放冷した。
次いで試料を取り出し乾燥し、末端に水酸基を有するダイヤモンドを得た。また、ＳＩＭＳ法（二次イオン質量分析法）により、表面研磨後、酸素プラズマ処理後、および水蒸気処理後の水素、水酸基のピーク強度を測定したところ、水素のピーク強度を１とした場合の水酸基のピーク強度比は、下記の表１に示す値となった。
【００１７】
【表１】
0003607199.tif 000002
表１に示すように、水酸基のピーク強度比は、酸素プラズマ処理、それに続く水蒸気処理により増加しており、ダイヤモンド表面が水酸基により化学修飾されていることが確認された。
【００１８】
（実施例２）
実施例１で得られた気相合成ダイヤモンドを表面研磨し、レーザーにより１０ｍｍ角の試料を切り出した。この試料をセパラブルフラスコ中に配置し、フラスコ中の雰囲気をアルゴンガスで置換した後、塩素ガスを１ＳＣＣＭの流量で流入させながらＨｇ−Ｘｅランプを用い、主波長が３６００オングストロームの紫外線を６０分間照射してダイヤモンド表面を塩素化した。雰囲気をアルゴンガスで置換した後試料を取り出し、１０重量％の水酸化ナトリウム水溶液中で１５分間煮沸し、さらに水洗した後乾燥し、末端に水酸基を有するダイヤモンドを得た。また、ＳＩＭＳにより、表面研磨後、塩素化後、および水酸化ナトリウム処理後の水素、水酸基および塩素基のピーク強度を測定したところ、水素のピーク強度を１とした場合の、水酸基、塩素基のピーク強度比は下記の表２に示す値となった。
【００１９】
【表２】
0003607199.tif 000003
表２に示すように、水酸基のピーク強度比は、塩素化処理、それに続く水酸化ナトリウム処理により増加しており、ダイヤモンド表面が水酸基により化学修飾されていることが確認された。また、塩素基が減少していることがら水酸基により置換されたことが確認された。
【００２０】
（実施例３）
実施例１で得られた気相合成ダイヤモンドを表面研磨し、レーザーにより１０ｍｍ角の試料を切り出し、マイクロ波により励起した酸素プラズマで表面を酸化した後、実施例２と同様にしてダイヤモンド表面を塩素化した。雰囲気をアルゴンガスで置換した後試料を取り出し、１０重量％の水酸化ナトリウム水溶液中で１５分間煮沸し、さらに水洗した後乾燥し、末端に水酸基を有するダイヤモンドを得た。また、ＳＩＭＳにより、表面研磨後、酸素プラズマ処理後、塩素化後、および水酸化ナトリウム処理後の水素、水酸基、塩素基のピーク強度を測定したところ、水素のピーク強度を１とした場合の、水酸基、塩素基のピーク強度比は、表３に示す値となった。
【００２１】
【表３】
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上記表３に示すように、水酸基のピーク強度比は、酸素プラズマ処理、それに続く塩素化、さらにそれに続く水酸化ナトリウム処理により増加しており、ダイヤモンド表面が水酸基により化学修飾されていることが確認された。また、塩素基が減少していることから水酸基により置換されたことが確認された。
【００２２】
（実施例４）
実施例１で得られた気相合成ダイヤモンドを表面研磨し、レーザーにより１０ｍｍ角の試料を切り出し、セパラブルフラスコ中に配置し、フラスコ中の雰囲気をアルゴンガスで置換した後、塩素ガスをＩＳＣＣＭの流量で流入させなからＨｇ−Ｘｅランプを用い、主波長が３６００オングストロームの紫外線を６０分間照射してダイヤモンド表面を塩素化した。再びフラスコ中の雰囲気をアルゴンガスで置換した後、１重量％のセバシン酸ソーダのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液１００ｍｌを添加し、セパラブルフラスコにコンデンサを設置し、２時間還流した。次いで試料を取り出し、１重量％の酢酸水溶液で洗浄し、さらにアセトンで洗浄した後乾燥し、セバシン酸がエステル結合を介して結合した、末端にカルボキシル基を有するダイヤモンドを得た。また、ＳＩＭＳにより、表面研磨後、塩素化後、およびセバシン酸ソーダ処理後の水素、水酸基、塩素基のピーク強度を測定したところ、水素のピーク強度を１とした場合の、水酸基、塩素基のピーク強度比は、表４に示す値となった。
【００２３】
【表４】
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表４に示すように、水酸基のピーク強度比は、塩素化、さらにそれに続くセバシン酸ソーダ処理により増加していること、またＦＴＩＲ法を用いてで試料表面の炭素―水素の伸縮振動に由来する吸収強度、および炭素―酸素の伸縮振動に由来する吸収強度を測定したところ、いずれの吸収強度も増大していた（ダイヤモンドブランクに対する吸収強度の増大率は約３０％であった）。
このことから、ダイヤモンド表面がセバシン酸の炭化水素基の末端にカルボキシル基が結合した基により化学修飾されていることが確認された。
また、塩素基が減少していることから水酸基により置換されたことが確認された。
【００２４】
（実施例５）
実施例１で得られた気相合成ダイヤモンドを表面研磨し、レーザーにより１０ｍｍ角の試料を切り出し、マイクロ波により励起した酸素プラズマで表面を酸化した後、実施例２と同様にしてダイヤモンド表面を塩素化した。雰囲気をアルゴンガスで置換した後試料を取り出し、１０重量％の水酸化カリウム水溶液中で１５分間煮沸してダイヤモンド表面をヒドロキシル基で置換した。乾燥した後、上部に塩化カルシウム乾燥管を備えたコンデンサを設置したセパラブルフラスコ中に試料を配置し、クロロホルム５０ｍｌとトリエチルアミン１ｇを添加し、フラスコ中の雰囲気をアルゴンガスで置換した。次いで、セパラブルフラスコを氷冷しながら、クロロホルム５０ｍｌに塩化スクシニル１０ｇを溶解させた溶液を徐々に添加した。その後４時間還流した後試料を取り出し、１０重量％の炭酸カリウム水溶液で洗浄し、さらにアセトンで洗浄した後乾燥し、マロン酸がエステル結合を介して結合した、末端にカルボキシル基を有するダイヤモンドを得た。また、ＳＩＭＳにより、表面研磨後、酸素プラズマ処理後、塩素化後、ヒドロキシル化後、および塩化スクシニル処理後の水素、水酸基のピーク強度を測定したところ、水素のピーク強度を１とした場合の水酸基のピーク強度比は、表５に示す値となった。
【００２５】
【表５】
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表５に示すように、水酸基のピーク強度比は、酸素プラズマ処理、それに続く塩素化、さらにそれに続くヒドロキル化、さらにそれに続く塩化スクシニル処理により増加していること、またＦＴＩＲ法を用いて試料表面の炭素―水素の伸縮振動に由来する吸収強度、および炭素―酸素の伸縮振動に由来する吸収強度を測定したところ、いずれの吸収強度も増大していた（ダイヤモンドブランクに対する吸収強度の増大率は約２５％であった）。
このことから、ダイヤモンド表面がマロン酸の炭化水素基の末端にカルボキシル基が結合した基により化学修飾されていることが確認された。
【００２６】
（実施例６）
実施例１で得られた気相合成ダイヤモンドを、レーザーにより１０ｍｍ角の試料を切り出し、マイクロ波により励起した水素プラズマで表面を処理した後、実施例２と同様にしてダイヤモンド表面を塩素化した。
試料が配置されたセパラブルフラスコ中の雰囲気をアルゴンガスで置換した後、アンモニアガスを１ＳＣＣＭの流量で流入させなからＨｇ―Ｘｅランプを用い、主波長が３６００オングストロームの紫外線を６０分間照射してダイヤモンド表面をアミノ化した。雰囲気をアルゴンガスで置換した後、セパラブルフラスコ上部に塩化カルシウム乾燥管をそなえたコンデンサを設置し、クロロホルム５０ｍｌを添加し、再び雰囲気をアルゴンガスで置換した。
次いで、セパラブルフラスコを氷冷しながら、クロロホルム５０ｍｌに塩化スクシニル１０ｇを溶解させた溶液を徐々に添加した。その後４時間還流した後試料を取り出し、１０重量％の炭酸カリウム水溶液で洗浄し、さらにアセトンで洗浄した後乾燥し、マロン酸がペプチド結合を介して結合した、末端にカルボキシル基を有するダイヤモンドを得た。また、ＳＩＭＳにより、各種処理前、塩素化後、アミノ化後、および塩化スクシニル処理後の水素、水酸基、塩素基のピーク強度を測定したところ、水素のピーク強度を１とした場合の水酸基、塩素基のピーク強度比は、表６に示す値となった。
【００２７】
【表６】
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表６に示すように、水酸基のピーク強度比は、水素プラズマ処理、それに続く塩素化、さらにそれに続くヒドロキル化、さらにそれに続く塩化スクシニル処理により増加していること、またＦＴＩＲ法を用いて試料表面の炭素―水素の伸縮振動に由来する吸収強度、および炭素―酸素の伸縮振動に由来する吸収強度を測定したところ、いずれの吸収強度も増大していた（ダイヤモンドブランクに対する吸収強度の増大率は約２５％であった）。このことから、ダイヤモンド表面がマロン酸の炭化水素基の末端にカルボキシル基が結合した基により化学修飾されていることが確認された。
実施例１〜６のようにして得られた末端にカルボキシル基を有する化学修飾されたダイヤモンドチップを用いてＤＮＡの増幅反応を実施したところ、約１時間で目的とする量のＤＮＡを得ることができた。
さらに本発明の化学修飾されたダイヤモンドチップを用い、末端水酸基または末端カルボキシル基に、水素結合でオリゴ核酸の末端塩基を固定化し、さらに、このオリゴ核酸と相補的塩基配列を有するＤＮＡを固定して、ＤＮＡライブラリチップとして用いることもできる。また、ＤＮＡのかわりに、ヌクレオチド、オリゴヌクレオチド、ＤＮＡフラグメント等を、ダイヤモンド表面に固定化して、ライブラリーとすることもできる。
【００２８】
（実施例７）
高周波プラズマＣＶＤ法を用いて、直径が６４ｍｍ、厚さが０．１ｍｍの表面粗さがＲａで０．１ｍｍの炭化チタンの円板を気相合成した。この円板からレーザーにより３×５ｍｍ角の試料を切り出し、熱伝導率を測定した結果、０．４４Ｗ／ｃｍ・Ｋの値が得られた。
実施例７においては、高周波により励起した酸素プラズマで試料表面を酸化した後、セパラブルフラスコ中に配置し、フラスコ中の雰囲気を水蒸気で置換した後、水蒸気を流入させながら４００℃に加熱し３０分間保持した後放冷した。次いで試料を取り出し乾燥し、末端に水酸基を有する基体を得た。さらにこの基体表面をシランカップリング溶液中にディップして基体表面にシランカップリング剤を被覆した基体を得た。この基体を加熱冷却手段であるペルチェ素子に直接接触させて基体の温度制御ができるようにして、以下のＰＣＲ法を行った。
【００２９】
（ＤＮＡの固定化）
まず、基体表面に、ｍＲＮＡ（ｍｅｓｓｅｎｇｅｒ ＲＮＡ：メッセンジャーＲＮＡ）の場合はオリゴ−ｄＴ１６−２０を固定化した。一方ｇＤＮＡ（ｇｅｎｏｍｉｃ ＤＮＡ：染色体ＤＮＡ）の場合は目的の制限酵素部位を持ったオリゴヌクレオチドを、化学的なエステル結合反応によって固定化した。次に、ｃＤＮＡ（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ＤＮＡ）固定化の場合は、組織・細胞から抽出した全ＲＮＡ溶液を加えて０〜４℃の低温でｍＲＮＡを固定化オリゴ−ｄＴ１６−２０にハイブリダイズさせた後に、基体温度を３７〜６０℃に温度制御して、逆転写酵素（Ｒｅｖｅｒｓｅ Ｔｒａｎｓｃｒｉｐｔａｓｅ：ＲＴ）によってｃＤＮＡ合成を行った。このときのｃＤＮＡは、固定化オリゴ−ｄＴ１６−２０の５’へ向けての延長反応させ固定化したものを用いた。
合成された固定化ｃＤＮＡとｍＲＮＡとのハイブリダイズ状態にある溶液を９０℃に昇湿させてｍＲＮＡを脱ハイブリダイズした後、反応溶液をＴｒｉｓ−ＥＤＴＡ（ＴＥ）緩衝液に交換し、再度０〜４℃の低温にしてエタノール洗浄し、一本鎖ＤＮＡの状態の精製された固定化ｃＤＮＡチップを作製した。
【００３０】
ｇＤＮＡ固定化の場合は、まず、目的の制限酵素部位を持った固定側オリゴヌクレオチドを上記のオリゴ−ｄＴ１６−２０の場合と同様に本発明の基体表面に固定化した。次に、その化学的な固定化のための反応溶液を０〜４℃の低温でハイブリ側オリゴヌクレオチドと目的の制限酵素を含む反応溶液に交換した。そして、オリゴヌクレオチド間のハイブリダイゼーション後、３７℃にまで昇温して半固定化されたオリゴヌクレオチドの制限酵素切断を行った。
制限酵素切断後に、基体温度を０〜４℃の低温にして、目的の制限酵素で断片化したｇＤＮＡとライゲーション酵素（Ｌｉｇａｓｅ）を含む反応溶液に交換し、再び基体温度を３７℃にまで上昇させてライゲーション反応を行い、一本鎖ＤＮＡの状態のｇＤＮＡ固定化チップを作製した。
【００３１】
なお、基体表面上に上記作製されたｃＤＮＡ固定化チップ或いは上記作製されたｇＤＮＡ固定化チップを、
（１）多検体での同種の組織・細胞の遺伝子変異の比較、
（２）同一検体での各組織・細胞の遺伝子発現変動の比較、
（３）同一検体での治療・手術等に伴う余後経過に対応する遺伝子発現変動の比較、等を目的として、それぞれを別の容器内に設置することもできる。
たとえば、（１）の場合は、同種の組織・細胞の遺伝子変異の比較をするために、多検体（複数のＤＮＡ固定化チップ）を、別の容器中に設置し、これらの複数の容器を連結した１カセットとする。そしてこれらのカセットを反応器本体に埋設する。さらにこれらのカセットを２カセット以上を系統的に作れば、効率的に多検体の比較を行うことができる。
上記、複数の容器を連結した１カセットあるいは複数のカセッカセットを集合体にして、これらのそれぞれの容器内にＤＮＡ固定化チップを設置したものを、カセット型ＤＮＡライブラリーとすることができる。
【００３２】
これらのカセット型ＤＮＡライブラリーを用いて、前記（１）〜（２）の比較を系統的に行うことによって、遺伝子の変動を効率的に調査することもできる。
そして、本発明のＤＮＡ固定化チップを、ＴＥ緩衝液及び７０〜７５％のエタノール水溶液で十分に洗浄後、１００％エタノールに浸潤して冷凍保存すれば、比較データ等の要求に応じて半永久的に利用可能である。
【００３３】
（ＤＮＡ固定化チップを用いての遺伝子増幅）
上記のｃＤＮＡ固定化チップの複数枚を用いて反応容器を構成し、加熱・冷却手段に調節接触させた。この反応容器内面をＴＥ緩衝液で十分に洗浄後、増幅目的のＤＮＡに対するプライマーをセットし、４種のヌクレオチド及びＤＮＡポリメラーゼを含むＰＣＲ反応溶液を加えた。その後、反応容器を、二本鎖のＤＮＡを一本鎖ＤＮＡに分離させる熱変性温度（９５℃）に瞬時に昇温した。そして９５℃で約１．５分間保持した、次に、一本鎖ＤＮＡとＤＮＡプライマとを結合させるアニーリング温度である４５℃に瞬時に降温した。そして４５℃に約１分間保持した。次に、耐熱性ＤＮＡポリメラーゼによりＤＮＡ鎖の伸長反応を行わせるＤＮＡ増幅温度である７４℃に昇温した。そしてその温度で約２分間保持した。上記温度サイクルを３０回繰り返しＰＣＲを行った。ＰＣＲに要した時間は昇温、降温の時間を全く必要としなかったので、保持時間の和である約１３５分であった。
【００３４】
（実施例８）
実施例１で得られた気相合成ダイヤモンドをレーザにより１０ｍｍ角の試料に切り出し、マイクロ波プラズマにより励起した水素プラズマで表面を処理した後、実施例２と同様にしてダイヤモンド表面を塩素化した。雰囲気をアルゴンガスで置換した後試料を取り出し、１０重量％の水酸化カリウム水溶液中で１５分間煮沸してダイヤモンド表面をヒドロキシル化した。一方１００ｃｃの９５％エタノール−５％水溶液を酢酸でＰＨ５に調整し、２ｃｃの３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを撹拌しつつ添加した。この溶液にヒドロキシルダイヤモンドを浸して取り出し、エタノールで軽く洗浄した後、１１０℃で５分間処理することによりダイヤモンド表面にエポキシ基を導入した。
【００３５】
（実施例９）
エポキシ基に対して、５´末端アミノ化オリゴ核酸（プライマー）を固定化して、ｍＲＮＡをアニールした後逆転写酵素でｃＤＮＡレプリカ作製すると同時にチップに固定化した。
【００３６】
（実施例１０）
実施例１で得られた気相合成ダイヤモンドをレーザにより１０ｍｍ角の試料に切り出し、マイクロ波プラズマにより励起した水素プラズマで表面処理した後、実施例２と同様にしてダイヤモンド表面を塩素化した。雰囲気をアルゴンガスで置換した後試料を取り出し、１０重量％の水酸化カリウム水溶液中で１５分煮沸してダイヤモンド表面をヒドロキシル化した。一方１００ｃｃの９５％エタノール−５％水溶液に２ｃｃの３−アミノプロピルトリメトキシシランを撹拌しつつ添加した。その溶液にヒドロキシル化ダイヤモンドを浸して取り出し、エタノールで軽く洗浄した後、１１０℃で５分間処理することによりダイヤモンド表面にアミノ基を導入した。
【００３７】
（実施例１１）
実施例１０で得られたアミノ基導入ダイヤモンド表面に５´末端にカルボキシル基を修飾したオリゴ核酸をペプチド結合で固定化した後、ｍＲＮＡを鋳型として逆転写酵素によりｃＤＮＡをダイヤモンドに固定化した。
【００３８】
（実施例１２）
アークイオンプレーティング法を用いて、直径が６４ｍｍ、厚さが０．１ｍｍの表面粗さがＲａで０．３ｍｍの窒化アルミニウム円板を気相合成した。この円板をレーザーにより３×５ｍｍ角の試料を切り出し、熱伝導率を測定した結果、１．７０Ｗ／ｃｍ・Ｋの値が得られた。この試料をセパラブルフラスコ中に配置し、フラスコ中の雰囲気をアルゴンガスで置換した後、塩素ガスを１ＳＣＣＭの流量で流入させながらＨｇ−Ｘｅランプを用い、主波長が３６００オングストロームの紫外線を６０分間照射して試料表面を塩素化した。雰囲気をアルゴンガスで置換した後試料を取り出し、１０重量％の水酸化ナトリウム水溶液中で１５分間煮沸し、さらに水洗した後乾燥し、末端に水酸基を有する基体を得た。その後、この基体を用いて、実施例１と同様にして、ＤＮＡの固定化及びＰＣＲ法を利用した増幅を行った。
【００３９】
（実施例１３）
粉末焼結法を用いて、直径が６４ｍｍ、厚さが０．３ｍｍの表面粗さが平均表面粗さＲａで０．５ｍｍのタングステン円板を得た。この円板からレーザーにより３×５ｍｍ角の試料を切り出し、熱伝導率を測定した結果、１．６７Ｗ／ｃｍ・Ｋの値が得られた。そして、マイクロ波により励起した酸素プラズマで表面を酸化した後、試料表面を塩素化した。雰囲気をアルゴンガスで置換した後試料を取り出し、１０重量％の水酸化ナトリウム水溶液中で１５分間煮沸し、さらに水洗した後乾燥し、末端に水酸基を有する基体を得た。その後、この基体を用いて、実施例１と同様にして、ＤＮＡの固定化及びＰＣＲ法を利用した増幅を行った。
【００４０】
（実施例１４）
粉末焼結法によりアルミナ円板を形成し、この円板をレーザーにより３×５ｍｍ角の試料を切り出し、熱伝導率を測定した結果、０．３Ｗ／ｃｍ・Ｋの値が得られた。そして、セパラブルフラスコ中に配置し、フラスコ中の雰囲気をアルゴンガスで置換した後、塩素ガスを１ＳＣＣＭの流量で流入させながらＨｇ―Ｘｅランブを用い、主波長が３６００オングストロームの紫外線を６０分間照射して試料表面を塩素化した。再びフラスコ中の雰囲気をアルゴンガスで置換した後、１重量％のセバシン酸ソーダのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液１００ｍｌを添加し、セパラブルフラスコにコンデンサを設置し、２時間還流した。次いで試料を取り出し、１重量％の酢酸水溶液で洗浄し、さらにアセトンで洗浄した後乾燥し、セバシン酸がエステル結合を介して結合した、末端にカルボキシル基を有する基体を得た。その後、この基体を用いて、実施例１と同様にして、ＤＮＡの固定化及びＰＣＲ法を利用した増幅を行った。
【００４１】
なお、本発明の基体やＤＮＡチップは、上記のようにサーミスタ等の加熱・冷却手段に直接接触させて用いる他に、従来のＰＣＲ法でのＤＮＡ増幅法のようにエッペン型チューブ内の反応液中に投入して用いることもできる。この場合には、前述の実施例に記載したようにきわめて短時間でＰＣＲ増幅法を終了させることはできないが、従来行われていた反応液中にＤＮＡを投入する方法よりも迅速に終了させることができる。
【００４２】
【産業上の利用可能性】
本発明においては、熱伝導率に優れた基体を用いたことにより、ＰＣＲ法を用いたＤＮＡ増幅反応をきわめて短時間に終えることができる。
また、基体に直接加熱・冷却手段を接触させて基体を加熱・冷却することによって、前記ＰＣＲ反応の温度制御も精度よく行えるために、増幅目的以外のＤＮＡはほとんど複製されないという利点がある。
【００４３】
また、本発明の基体は、熱伝導性に優れた固体状基体にＤＮＡを直接固定化しているので、基体の温度を直接加熱・冷却させることによって、ＰＣＲ法等によるヒートサイクルの追随性を向上させることができ、目的とする量のＤＮＡを短時間で得ることができる。
また、本発明の基体は、表面を水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基等で化学修飾してあるので、ＤＮＡ等の固定化の安定化を図れ、ＰＣＲ法などを用いてＤＮＡ増幅反応によりＤＮＡを複製するためのチップなどに最適である。
また、本発明の基体は、表面が汚染された場合に、加水分解させて化学修飾を再生させることができ、高価なＤＮＡチップを節約できる。