(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダウンフローが構成されたクリーンルーム内において被塗布面が下方を向いた姿勢で保持された基板の前記被塗布面に形成されるレジスト膜の乾燥方法であって、前記レジスト膜を形成した後、当該基板の姿勢を保った状態で、前記ダウンフローが前記被塗布面に回り込むのを抑制しながら前記レジスト膜を乾燥させる事を特徴とするレジスト膜の乾燥方法。
【請求項２】
請求項１記載のレジスト膜の乾燥方法に於いて、前記被塗布面に形成された前記レジスト膜は、前記被塗布面よりも下方に溜められたレジストを毛細管現象により上昇させ、上昇させたレジストをノズルを介して前記被塗布面に接液させた状態で、当該ノズルを前記被塗布面に亘って走査させる事により形成されたものである事を特徴とするレジスト膜の乾燥方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のレジスト膜の乾燥方法に於いて、前記レジスト膜が形成された前記被塗布面の下方から当該レジスト膜に向かって清浄気体を供給する事により、前記ダウンフローが前記被塗布面に回り込むのを抑制する事を特徴とするレジスト膜の乾燥方法。
【請求項４】
請求項１又は２記載のレジスト膜の乾燥方法に於いて、前記レジスト膜が形成された前記被塗布面の周縁部分における前記ダウンフローを遮蔽板によって遮る事により、当該ダウンフローが前記被塗布面に回り込むのを抑制する事を特徴とするレジスト膜の乾燥方法。
【請求項５】
ダウンフローが構成されたクリーンルーム内において被塗布面が下方を向いた姿勢で保持された基板の前記被塗布面より下方に溜められたレジストを、毛細管現象により上昇させ、上昇させた前記レジストをノズルを介して前記被塗布面に接液させた状態で、当該ノズルを前記被塗布面に亘って走査させる事により、前記レジストを前記被塗布面に塗布して成るレジスト膜の乾燥方法であって、前記ノズルを走査させる際に、当該ノズルに追随する様に、前記レジスト膜を局所的に乾燥する乾燥手段を走査させる事を特徴とするレジスト膜の乾燥方法。
【請求項６】
請求項５記載のレジスト膜の乾燥方法に於いて、前記乾燥手段が、ホットプレートである事を特徴とするレジスト膜の乾燥方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか記載のレジスト膜の乾燥方法に於いて、前記基板が、透光性基板の一方面に遮光膜が成膜されて成るフォトマスクブランクである事を特徴とするレジスト膜の乾燥方法。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載のレジスト膜の乾燥方法により前記レジスト膜を乾燥させた後、前記基板の保持を解除し、次いで当該基板を導電性部材に接触させる事を特徴とするレジスト膜の形成方法。
【請求項９】
請求項７記載のレジスト膜の乾燥方法を用いて、前記フォトマスクブランクの前記遮光膜上にレジスト膜を形成する工程を含む事を特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
ダウンフローが構成されたクリーンルーム内に配置され、基板を、その被塗布面が下方に面した姿勢で保持する保持手段と、前記保持手段によって保持された前記基板の前記被塗布面にレジストを塗布する塗布手段と、を具備する塗布装置であって、前記塗布手段によって前記レジストが塗布された前記被塗布面に前記ダウンフローが回り込むのを抑制するダウンフロー抑制手段を備えた事を特徴とする塗布装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の塗布装置において、
前記塗布手段は、前記保持手段によって保持された前記基板の前記被塗布面より下方に配置される液槽と、前記液槽に溜められるレジストを、毛細管現象により前記被塗布面まで上昇させると共に前記被塗布面に接液させるノズルと、前記ノズルを前記被塗布面に亘って走査させる事により、前記レジストを前記被塗布面に塗布する走査手段と、を具備する事を特徴とする塗布装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１記載の塗布装置に於いて、
前記ダウンフロー抑制手段は、前記レジスト膜が形成された前記被塗布面の下方から当該レジスト膜に向かって清浄気体を供給する手段であることを特徴とする塗布装置
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれかに記載の塗布装置に於いて、
前記ダウンフロー抑制手段は、前記レジスト膜が形成された前記被塗布面の周縁部分における前記ダウンフローをさえぎる遮蔽板であることを特徴とする塗布装置。
【請求項１４】
ダウンフローが構成されたクリーンルーム内に配置され、基板を、その被塗布面が下方に面した姿勢で保持する保持手段と、前記保持手段によって保持された前記基板の前記被塗布面より下方に配置される液槽と、前記液槽に溜められるレジストを、毛細管現象により前記被塗布面まで上昇させると共に前記被塗布面に接液させるノズルと、前記ノズルを前記被塗布面に亘って走査させる事により、前記レジストを前記被塗布面に塗布する走査手段と、を具備する塗布装置であって、前記レジスト膜を局所的に乾燥させる乾燥手段を備えると共に、この乾燥手段が、前記ノズルの走査に追随する如く前記被塗布面下を走査するよう構成されて成る事を特徴とする塗布装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の塗布装置に於いて、
前記乾燥手段が、ホットプレートであることを特徴とする塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の表面に塗布膜を形成する技術に関し、特にダウンフローが構成されたクリーンルーム内において被塗布面が下方を向いた姿勢で保持された基板の当該被塗布面に形成される塗布膜を乾燥する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、フォトレジスト等の塗布液をシリコンウエハ等の基板に塗布する塗布装置（コータ）としては、基板の中央に塗布液を滴下し、次いで基盤を高速回転させる事により、遠心力の作用によって塗布液を伸展させ基板表面に塗布膜を形成する所謂スピンコータが主流であった。
一方、近年では、パターンの微細化や、液晶表示装置等の製造に使用されるフォトマスクの大型化等に伴い、より正確な厚さで塗布膜を形成する技術が望まれている。この事に鑑み、塗布装置として例えば、特開２００１−６２３７０号公報に開示されてある様なＣＡＰコータも提供されている。
【０００３】
このＣＡＰコータは、塗布液が溜められた液槽に毛管状隙間を有するノズルを沈めておき、吸着盤によって被塗布面が下方を向いた姿勢で保持された基板の当該被塗布面近傍までノズルを上昇させると共に毛管状隙間から塗布液を接液し、次いでノズルを被塗布面に亘って走査させる事により塗布膜を形成するものであり、被塗布面とノズル先端との間隔によって塗布厚を確実に調整できるので、スピンコータに比べて膜厚を正確に設定できると云う効果を奏する。
【０００４】
また、このＣＡＰコータは、吸着盤を上下方向に回転させる回転機構を具備しているので、基板をセットする際は、吸着面が上向きとなる状態まで吸着盤を回転させると共に、当該吸着面上に被塗布面が上方を向くようにして基板を載置し、かくして基板のセットが完了すると再び吸着面が下向きとなる状態まで吸着盤を回転させて塗布を行えると云う利便性を有するものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
一方、このＣＡＰコータは、上記の様な利便性を有する反面、回転機構におけるバックラッシュ等に起因して、塗布中においても吸着盤が微動してしまう事があり、この事が薄膜品質に悪影響を与えていた。
この様な事態を回避するには、吸着面が下方を向いた状態で吸着盤を固定してしまえば、これが常に水平に維持されるので、基板のガタつきを確実に回避でき、ひいては歩留まりの向上が図れることとなる。そこで、かかる技術の実現が望まれていた。
【０００６】
しかしながら、かかる技術の実現には次の様な課題が残されていた。
即ち、ダウンフローが構成されたクリーンルーム内では、図１６に模式的に示す様に、ダウンフローの気流Ｄが吸着盤７１の上面で遮られ、遮られた気流Ｄが吸着面７１ａ側に回り込み、当該箇所で渦を構成するが、吸着面７１ａが下方を向いた状態で吸着盤７１を固定する場合は、基板７２の被塗布面７２ａが常に下方を向いた状態となるので、塗布膜が渦にさらされる。従って、塗布後においてダウンフローに任せて塗布膜を乾燥させる際には、渦によって膜厚にムラが発生してしまう。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決すべく成されたものであり、ダウンフローが構成されたクリーンルーム内において被塗布面が下方を向いた姿勢で保持された基板の被塗布面に形成される塗布膜をムラなく乾燥させる技術を提供する事を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の第１の態様による塗布膜としてのレジスト膜の乾燥方法は、ダウンフローが構成されたクリーンルーム内において被塗布面が下方を向いた姿勢で保持された基板の前記被塗布面に形成される塗布膜の乾燥方法であって、前記塗布膜を形成した後、当該基板の姿勢を保った状態で、前記ダウンフローが前記被塗布面に回り込むのを抑制しながら前記塗布膜を乾燥させる事を特徴とする。
【０００９】
本発明の第１の態様による塗布膜の乾燥方法によれば、ダウンフローが被塗布面に回り込むのを抑制しながら塗布膜を乾燥させるので、乾燥の際に塗布膜がダウンフローに起因して生じる渦にさらされることはない。従って、塗布膜をムラなく乾燥させる事ができる。
【００１０】
本発明の第２の態様による塗布膜の乾燥方法は、第１の態様による塗布膜の乾燥方法に於いて、前記被塗布面に形成された前記塗布膜は、前記被塗布面よりも下方に溜められた塗布液たるレジストを毛細管現象により上昇させ、上昇させた塗布液をノズルを介して前記被塗布面に接液させた状態で、当該ノズルを前記被塗布面に亘って走査させる事により形成されたものである事を特徴とする。
【００１１】
本発明の第２の態様による塗布膜の乾燥方法によれば、ノズルと被塗布面との間隔によって塗布膜の厚さを設定することができるので、正確な厚さで塗布膜を形成する事が可能となる。
【００１２】
本発明の第３の態様による塗布膜の乾燥方法は、第１又は第２の態様による塗布膜の乾燥方法に於いて、前記塗布膜が形成された前記被塗布面の下方から当該塗布膜に向かって清浄気体を供給する事により、前記ダウンフローが前記被塗布面に回り込むのを抑制する事を特徴とする。
【００１３】
本発明の第３の態様による塗布膜の乾燥方法によれば、塗布膜が形成された被塗布面の下方から当該塗布膜に向かって供給された清浄気体は、塗布膜にあたると当該塗布膜に沿ってその周縁方向に流れる。そして、この被塗布面に沿う清浄気体の流れと、ダウンフローとが被塗布面の周縁近傍においてぶつかるので、ダウンフローが被塗布面に回り込むのが抑制される。これにより、渦の発生が阻止されるので、塗布膜をムラなく乾燥させる事ができる。
【００１４】
本発明の第４の態様による塗布膜の乾燥方法は、第１又は第２の態様による塗布膜の乾燥方法に於いて、前記塗布膜が形成された前記被塗布面の周縁部分における前記ダウンフローを遮蔽板によって遮る事により、当該ダウンフローが前記被塗布面に回り込むのを抑制する事を特徴とする。
【００１５】
本発明の第４の態様による塗布膜の乾燥方法によれば、塗布膜が形成された被塗布面の周縁部分におけるダウンフローを遮蔽板によって遮るので、被塗布面下において渦が発生することはない。即ち、渦は遮蔽板の裏側においてのみ発生するので、被塗布面が渦にさらされる事が阻止される。従って、塗布膜をムラなく乾燥させる事ができる。
【００１６】
本発明の第５の態様による塗布膜の乾燥方法は、ダウンフローが構成されたクリーンルーム内において被塗布面が下方を向いた姿勢で保持された基板の前記被塗布面より下方に溜められた塗布液を、毛細管現象により上昇させ、上昇させた前記塗布液をノズルを介して前記被塗布面に接液させた状態で、当該ノズルを前記被塗布面に亘って走査させる事により、前記塗布液を前記被塗布面に塗布して成る塗布膜の乾燥方法であって、前記ノズルを走査させる際に、当該ノズルに追随する様に、前記塗布膜を局所的に乾燥する乾燥手段を走査させる事を特徴とする。
【００１７】
本発明の第５の態様による塗布膜の乾燥方法によれば、ノズルを走査させる際に、当該ノズルに追随する様に、塗布膜を局所的に乾燥する乾燥手段を走査させるので、毛細管現象によりノズルから流出した塗布液は、直ちに乾燥手段によって強制的に乾燥させられる。従って、仮に被塗布面がダウンフローに起因して発生する渦にさらされたとしても、塗布膜は既に乾燥しているので、当該渦の影響を受けてムラが生じる事はない。
【００１８】
本発明の第６の態様による塗布膜の乾燥方法は、第５の態様による塗布膜の乾燥方法において、前記乾燥手段がホットプレートである事を特徴とする。
【００１９】
本発明の第７の態様による塗布膜の乾燥方法は、第１乃至第６の何れかの態様による塗布膜の乾燥方法において、前記塗布膜がレジスト膜である事を特徴とする。
【００２０】
本発明の第８の態様による塗布膜の乾燥方法は、第１乃至第７の何れかの態様による塗布膜の乾燥方法に於いて、前記基板が、透光性基板の一方面に遮光膜が成膜されて成るフォトマスクブランクである事を特徴とする。
【００２１】
本発明の第９の態様による塗布膜の形成方法は、第１乃至第８の何れかの態様による塗布膜の乾燥方法により前記塗布膜を乾燥させた後、前記基板の保持を解除し、次いで当該基板を導電性部材に接触させる事を特徴とする。
【００２２】
本発明の第９の態様による塗布膜の形成方法によれば、基板を導電性部材に接触させると、当該基板に帯電した電荷が緩やかに導電性部材に流れる。従って、静電破壊によって塗布膜が破損してしまう事が防止され、歩留まりを向上できる。
【００２３】
本発明の第１０の態様によるフォトマスクの製造方法は、請求項８記載の塗布膜の乾燥方法を用いて、前記フォトマスクブランクの前記遮光膜上に前記塗布膜としてのレジスト膜を形成する工程を含む事を特徴とする。
【００２４】
本発明の第１１の態様による塗布装置は、ダウンフローが構成されたクリーンルーム内に配置され、基板を、その被塗布面が下に面した姿勢で保持する保持手段と、前記保持手段によって保持された前記基板の前記被塗布面に塗布液を塗布する塗布手段と、を具備する塗布膜形成装置に於いて、前記塗布手段によって前記塗布液が塗布された前記被塗布面に前記ダウンフローが回り込むのを抑制する抑制手段を備えた事を特徴とする。
【００２５】
本発明の第１１の態様による塗布装置によれば、抑制手段によって、ダウンフローが被塗布面に回り込むのが抑制されるので、基板を保持手段に保持させたまま塗布膜を乾燥させる際に、当該塗布膜がダウンフローに起因して生じる渦にさらされることはない。従って、塗布膜をムラなく乾燥させる事ができる。
【００２６】
本発明の第１２の態様による塗布装置は、ダウンフローが構成されたクリーンルーム内に配置され、基板を、その被塗布面が下方に面した姿勢で保持する保持手段と、前記保持手段によって保持された前記基板の前記被塗布面より下方に配置される液槽と、前記液槽に溜められる塗布液を、毛細管現象により前記被塗布面まで上昇させると共に前記被塗布面に接液させるノズルと、前記ノズルを前記被塗布面に亘って走査させる事により、前記塗布液を前記被塗布面に塗布する走査手段と、を具備する塗布膜形成装置に於いて、前記塗布膜を局所的に乾燥させる乾燥手段を備えると共に、この乾燥手段が、前記ノズルの走査に追随する如く前記被塗布面下を走査するよう構成されて成る事を特徴とする。
【００２７】
本発明の第１２の態様による塗布装置によれば、ノズルが走査する際に、当該ノズルに追随する様に、塗布膜を局所的に乾燥する乾燥手段が走査するので、毛細管現象によりノズルがら流出した塗布液は、直ちに乾燥手段によって強制的に乾燥させられる。従って、基板を保持手段に保持させたまま塗布膜を乾燥させる際に、仮に被塗布面がダウンフローに起因して発生する渦にさらされたとしても、塗布膜は既に乾燥しているので、当該渦の影響を受けてムラが生じる事はない。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図１乃至図１５を参照して本発明が適用された塗布装置について説明する。この塗布装置は、フォトマスクの製造工程において使用されるものであり、ダウンフローが構成されたクリーンルーム内に設置され、フォトマスクブランクの被塗布面（主表面）にレジストを塗布する装置である。
【００２９】
〔第１の実施の形態〕
図１は、塗布装置の左側面図であり、図２は塗布装置の正面図である。
図１及び図２に示す様に、この塗布装置１０は、水平な床面に設置されたベースフレーム１１を基礎として構成されており、このベースフレーム１１の上には、左右一対の支持ブロック１２，１２と、リニアウエイ１３，１３上を前後方向（図１において左右方向）に移動可能な左右一対の移動フレーム１４，１４と、が載置されている。
【００３０】
支持ブロック１２，１２は共に、導電性の高い樹脂から成るものであり、これによって導電性部材を構成している。図２に示す様に、支持ブロック１２，１２は略三角形状の断面を有しており、ベースフレーム１１上の適宜位置において前後方向（図１において左右方向）に延設されている。詳細には、これら支持ブロックは、後述するフォトマスクブランク２０の幅よりも僅かに狭い間隔を隔てて互いに平行に配置されている。
【００３１】
左右一対の移動フレーム１４，１４は、梁１５によって一体的に繋がれている。これら移動フレーム１４，１４は、ベースフレーム１１の左側面に設けられたネジ棒１６をモータ１７によって回転させる事により、リニアウエイ１３，１３に沿って移動する。即ち、左側の移動フレーム１４には、ネジ棒１６と螺合する雌ネジ部を有する移動部１８が設けられており、この移動部１８がネジ棒１６の回転に伴って螺進する事により、移動フレーム１４，１４が前後方向に移動する。
これら移動フレーム１４，１４、ネジ棒１６、及びモータ１７によって走査手段を構成している。
【００３２】
両端が移動フレーム１４，１４によって支持された梁１５の中央には、保持手段としての吸着盤１９が取り付けられている。この吸着盤１９は、その吸着面１９ａが下方を向いた姿勢で回転せぬよう固定されている。この吸着盤１９によって、基板たるフォトマスクブランク２０が吸着される事によりこれが保持される様に成っている。そして、吸着盤１９は、フォトマスクブランク２０を保持した常態で、移動フレーム１４，１４の移動に伴いこれと一体的に前後方向に移動する。
【００３３】
ここで、フォトマスクブランク２０は、石英ガラス等を精密研磨して得られる透光性基板の一方面に、クロム（Ｃｒ）等から成る遮光膜が成膜されて成るものであり、半導体ウエハに微細パターンを転写する際に使用されるフォトマスクの元となる原板である。
【００３４】
次に、吸着盤１９の吸着構造について説明する。図３は吸着盤１９周りの断面図を示し、図４は吸着盤１９の裏面すなわち吸着面１９ａを示す。図３に示す様に、吸着面１９ａには、複数の吸着孔１９１，１９１…が開口しており、これら複数の吸着孔１９１は吸着盤１９の全面に亘って規則的且つ均一に配されている。また、吸着盤１９の内部には、複数の区画に分割された吸着空間１９２，１９２…が設けられている。
【００３５】
具体的には、図４に示す様に、第１区画は、吸着面１９ａの手前側中央に配された４つの吸着空間１９２…から構成されている。当該各吸着空間１９２は、細い空気経路１９３によって連通している。そして、これら４つの吸着空間１９２の各部分にそれぞれ４つの吸着孔１９１が開口している。
【００３６】
この第１区画を構成する吸着空間１９２には、図３に示す様に、空気を吸い込む吸引パイプ１９４が連通しており、この吸引パイプ１９４は手動バルブ１９５を介して梁１５の内部に挿通されている。そして、この挿通された吸引パイプ１９４は、左方の移動フレーム１４の左側から取り出され、真空ポンプ２１９６に連結されている。
【００３７】
また、吸着盤１９の第２区画は、図４に示す様に、第１区画をコの字状に取り囲んだ状態で配置されており、６つの吸着空間１９２…から構成されている。これらの吸着空間１９２…も空気経路２０３によって互いに連通していると共に、吸引パイプ１９４によって真空ポンプ１９６に通じている。同様にして第３区画、第４区画…が構成されている。
【００３８】
再び図１を参照して説明すると、ベースフレーム１１の内部には、抑制手段としての気流発生装置２１と、塗布手段としての塗布機構２２とが設けられている。
【００３９】
気流発生装置２１は、クリーンルームのダウンフローに逆らう方向すなわち上方に向かって清浄気体を供給するものである。具体的には、気流発生装置２１は、上方に向かう気流を発生させるファンと、このファンの上方に配置されたエアフィルタとを備えている。ここで、エアフィルタとしては、ＨＥＰＡフィルタ（High Efficiency Particulate Air filter）を用いるのが好ましい。
この気流発生装置２１としては、例えば、エアテックの「ＳＳ−ＭＡＣ−１０ＦＲ」を採用する事ができる。
【００４０】
次に、塗布機構２２について説明する。図５は塗布機構２２の斜視図であり、図６は塗布機構２２の正面図であり、図７は図６におけるＸ−Ｘ線断面図である。
図５から図７に示す様に、塗布機構２２は、ベースフレーム１１の左右方向に配されたベースプレート２３を基礎に構成されている。ベースプレート２３の上面には、左右一対の移動コッタ２４，２５が設けられている。
【００４１】
右側の移動コッタ２５は、ベースプレート２３の上面に左右方向に配されたリニアウエイ２６に沿って移動可能である。また、移動コッタ２５の上面は左方に向かって傾斜した斜面２５ａになっている。この斜面２５ａの上にもリニアウエイ２７が設けられている。
左側の移動コッタ２４も同様にベースプレート２３に対してリニアウエイ２８に沿って左右方向に移動可能となっており、また、斜面２４ａの上にはリニアウエイ２９が設けられている。
【００４２】
これら移動コッタ２４，２５は連結シャフト３０によって貫かれている。連結シャフト３０の外周面には雄ネジ溝が螺刻されてあると共に、移動コッタ２４，２５の貫通部分には雌ネジ溝が螺刻されてあり、当該各ネジ溝が螺合している。従って、連結シャフト３０をサーボモータ３１によって回転させる事により、移動コッタ２４，２５がそれぞれリニアウエイ２８，２６に沿って左右方向に螺進する。
【００４３】
移動コッタ２４，２５の上方には、支持プレート３２が設けられている。この支持プレート３２は、Ｌ字型断面を有しており、ベースプレート２３に平行に配置された第１の支持板３３と、この第１の支持板３３に垂直に配置された第２の支持板３４とから構成されている。
【００４４】
第１の支持板３３の裏面には左右一対の支持脚３５，３６が設けられている。支持脚３５,３６の下面は斜面と成っており、それぞれリニアウエイ２９,２７に沿って摺動可能となっている。
また、第１の支持板３３の裏面中央部からベースプレート２３の上面に亘って、上下移動用のガイドシャフト３７が設けられている。支持プレート３２は、このガイドシャフト３７に沿って上下方向にのみ移動可能である。
【００４５】
第２の支持板３４の上端部分には、図７に示す様に、塗布液としてのレジストを溜める液槽３８が固定されている。この液槽３８については後述する。
また、第２の支持板３４には、それぞれ左右方向に延びる左右一対のリニアウエイ３９,３９を介して左右移動プレート４０が連結されている。左右移動プレート４０は、エアシリンダ４１に繋がれており、このエアシリンダ４１の駆動に伴い、リニアウエイ３９,３９に沿って左右方向にのみ移動する。
【００４６】
左右移動プレート４０には、それぞれ右方に向かって傾斜している左右一対のリニアウエイ４２，４２を介して上下移動プレート４３が連結されている。この上下移動プレート４３は左右方向には移動せぬようになっており、第１の支持板３３の上面に立設された左右一対のガイドシャフト４４,４４に沿って上下方向にのみ移動可能となっている。
【００４７】
上下移動プレート４２の左端部及び右端部からは、それぞれ上方に向かってノズル支持シャフト４５,４６が延びている。これら左右一対のノズル支持シャフト４５,４６によってノズル４７が支持されている。
【００４８】
次に、前述した液槽３８周りの構造について説明する。図８及び図９は液槽３８の断面図を示し、図１０は液槽３８内の循環態様を模式的に示す。
第２の支持板３４の上端部分において左右方向に延設された液槽３８は、図８及び図９に示す様に、略台形状の断面を有している。そして、その上端部には、左右方向に延びるスリット４８が形成されている。このスリット４８は、液槽３８の外方に設けられた蓋４９によって閉塞可能となっている。
【００４９】
液槽３８の内部には、ノズル４７が内蔵されている。このノズル４７は、左右方向に延びる毛管状隙間５０を隔てて相対面する前後一対の前ノズル部材４７１と後ノズル部材４７２とより構成されている。これら前ノズル部材４７１と後ノズル部材４７２との形状は前後対称であって、上方ほどくちばしの様に尖った断面形状となっている。
【００５０】
ノズル４７の左端部及び右端部には前述した左右一対のノズル支持シャフト４５,４６が固定されている。これらノズル支持シャフト４５,４６は、液槽３８の底面に形成された左右一対の貫通孔５１,５２を挿通している。この貫通孔５１，５２からレジスト（塗布液）が漏れ出さないようにする為に、当該各ノズル支持シャフト４５,４６を取り囲む蛇腹状の閉塞部材５３,５４を、ノズル４７の底面から液槽３８の底面に亘って設けている。これにより、ノズル支持シャフト４５，４６が上下動しても、それに伴って蛇腹状の閉塞部材５３，５４が上下方向に伸び縮みするので、貫通孔５１，５２からレジストが漏れ出す事はない。
【００５１】
また、図１０に示す様に、レジストを溜めたタンク５５からレジストがポンプ５６によってくみ出され、くみ出されたレジストがフィルタ５７を介して液槽３８の側面に開口した供給口５８から流出する様に成っている。また、液槽３８の底面には循環口５９が開口しており、この循環口５９からタンク５５にレジストが循環する。
【００５２】
更に、液槽３８の側面の上部には、貫通孔６０が形成され、そこからＬ字状の高さ調整管６１が突出している。この高さ調整管６１の上端は開口している。また、高さ調整管６１の外部側面には、レジストの液高を検知するセンサ６２が設けられている。
即ち、液槽３８にレジストが満たされた場合に、それと同じ高さまで高さ調整管６１にレジストが満たされ、その際の液高がセンサ６２によって検知され、検知結果がマイコンより成るモータ制御部６３に送られる。モータ制御部６３は、センサ６２の検出結果に応じてポンプ５６のモータ６４を駆動して、予め設定された高さになるまで液槽３８に塗布液を供給する。
【００５３】
また、図示はしないが、この塗布装置１０は、入力部と、この入力部からの入力信号に基づいて、前述したモータ１７、気流発生装置２１、真空ポンプ２０６、サーボモータ３１、及びエアシリンダ４１の動作を全体的に司る制御部とを具備している。
【００５４】
以下、塗布装置１０の動作について説明する。
前提として、液槽３８には所定の高さまでレジストが満たされていると共に、ノズル４７はレジスト中に完全に沈んだ状態とされているものとする。
【００５５】
先ず、図示せぬ制御部は、操作者による操作に基づいて、モータ１７を駆動させる事により、図１における基材位置Ａに吸着盤１９を位置させると共に、真空ポンプ２０６を駆動させる。ここで、操作者は、被塗布面を下方に向けた状態で、フォトマスクブランク２０を吸着面１９ａに吸着させる。これにより、フォトマスクブランク２０が吸着盤１９に保持される。
【００５６】
尚、ここに云う被塗布面とは、基板の表面のうち塗布液を塗布しようとする方の表面をさす。具体的には、フォトマスクブランク２０の被塗布面とは、フォトマスクブランク２０の表面のうちレジストを塗布しようとする方の表面、即ちクロム膜が成膜されている方の表面を云う。
【００５７】
次いで、制御部は、再びモータ２０を駆動する事により、ノズル４７の先端が被塗布面の塗布開始位置に位置するよう吸着盤１９を前後方向に移動させる。
【００５８】
次いで、制御部は、スリット４８を閉塞している蓋４９を開けて、サーボモータ３１を駆動させる事により、左右一対の移動コッタ２４,２５を斜面２４ａ,２５ａが傾斜している方向（図６において左方向）に移動させる。これに伴い、左右方向に移動が規制された支持プレート３２が、リニアウエイ２９,２７に沿って上方に移動する。これにより、支持プレート３２に固定された液槽３８がフォトマスクブランク２０の下方まで上昇する。
【００５９】
次いで、制御部は、液槽３８の上昇を一端停止させ、液槽３８からノズル４７のみを突出させる。
詳細には、制御部は、エアシリンダ４１を駆動させる事により、左右移動プレート４０をリニアウエイ４２の傾斜方向（図６において右方向）に移動させる。すると、上下移動プレート４３は左右方向に移動が規制されているので、リニアウエイ４２の傾斜面に案内されながら上昇する。これに伴って、上下移動プレート４３に固着されたノズル支持シャフト４５,４６が上昇するので、これに支持されたノズル４７が上昇する。
ここで、ノズル４７はレジストに完全に沈んでいたので、毛管状隙間５０はレジストで満たされている。即ち、ノズル４７は、毛管状隙間５０の先端までレジストが満たされた状態で上昇する。
【００６０】
次いで、制御部は、ノズル４７のみの上昇を停止させ、再び液槽３８を上昇させる事により、フォトマスクブランク２０の被塗布面にレジストを接液する。即ち、制御部は、ノズル４７の毛管状隙間５０に満たされているレジストを被塗布面に接触させる。
【００６１】
ここで、液槽３８の上昇速度及び上昇距離はかなり微妙な調整を要求されるが、前述した様に、サーボモータ３１を駆動させると、移動コッタ２４,２５の斜面２４ａ,２５ａに沿って支持プレート３２が上下動するので、この微妙な調整を確実且つ容易に行う事ができる。また、左右方向に水平な状態で液槽３８を上昇させるので、レジスト膜の膜厚が左右方向に変化する事がない。
【００６２】
次いで、制御部は、レジストをフォトマスクブランク２０の被塗布面に接液した状態で、ノズル４７と共に液槽３８を塗布高さの位置まで下降させる。即ち、ノズル４７の先端と被塗布面との間隔が塗布厚さとなるわけである。
【００６３】
次いで、制御部は、モータ１７を駆動させる事により、吸着盤１９を一定速度で移動させる。これにより、被塗布面にレジストが塗布される。
このとき、吸着盤１９は梁１５に固定されているので、バックラッシュの様なガタツキが生じる事はなく、フォトマスクブランク２０の前後方向の姿勢及び左右後方の姿勢は何れも常に水平に維持される。
【００６４】
次いで、制御部は、吸着盤１９が塗布終了位置に達すると、モータ１７の駆動を停止させる。ここで、塗布終了位置とは、レジストの塗布が完了する際の吸着盤１９の位置を云う。具体的には、気流発生装置２１の近傍を塗布終了位置とするのが好ましい。このように、塗布終了位置を気流発生装置２１の真上とした場合は、塗布終了後、直ちにレジスト膜の乾燥に移行できる。
【００６５】
次いで、制御部は、気流発生装置２１を駆動させる。これにより、レジスト膜をムラなく乾燥させる事ができる。
その原理について図１１を参照しながら説明する。図１１において、符号Ｄが示す矢印はダウンフローの流れを表し、符合Ｕが示す矢印は気流発生装置２１によって供給される清浄気体の流れを表す。図１１に示す様に、気流発生装置２１によって、フォトマスクブランク２０の下方から当該レジスト膜に向かって上方に供給された清浄気体は、被塗布面にあたると当該被塗布面に沿ってその周縁方向に流れる。従って、この被塗布面に沿う清浄気体の流れと、ダウンフローとがフォトマスクブランク２０の周縁部分においてぶつかるので、ダウンフローがレジスト膜に回り込むのが抑制される。これにより、渦の発生が阻止されるので、レジスト膜をムラなく乾燥させる事ができる。
【００６６】
次いで、制御部は、気流発生装置２１の駆動から所定時間が経過すると、当該気流発生装置２１の駆動を停止させると共に、真空ポンプ２０６内の図示せぬバルブを切り替えて、吸着孔２０１からエアブローを放出させる。これにより、図１２に示す様に、フォトマスクブランク２０が吸着盤１９から剥離されて、左右一対の支持ブロック１２,１２の上に載る。かくして、一連の塗布動作が終了する。
ここで、支持ブロック１２,１２は導電性の高い樹脂から成るので、フォトマスクブランク２０と支持ブロック１２,１２とが接触する際には、フォトマスクブランク２０に帯電した電荷が緩やかに支持ブロック１２,１２に流れる。これにより、静電破壊が防止される。
【００６７】
即ち、仮に支持ブロック１２,１２が導電性の低い素材から成っているとすると、フォトマスクブランク２０を吸着盤１９から剥離した際に、図１３（ａ）に示す様に、フォトマスクブランク２０に帯電した電荷が一気に当該各支持ブロックに流れるので、フォトマスクブランク２０と当該各支持ブロックとの接触個所において静電破壊が生じる。そうすると、フォトマスクブランク２０のクロム膜が溶けてピンホールが形成されてしまうこととなる。
一方、支持ブロック１２,１２を導電性の高い素材で製造した場合は、図１３（ｂ）に示す様に、フォトマスクブランク２０に帯電した電荷が緩やかに支持ブロック１２,１２に流れるので、静電破壊が防止され、歩留まりを向上させる事ができる。
【００６８】
以上説明した塗布装置１０によれば、吸着面１９ａが下方を向いた状態で吸着盤１９を梁１５に固定したので、吸着盤１９は何らガタつくことはなく常に水平に維持される。従って、塗布の際にフォトマスクブランク２０が微動してしまう事を確実に回避できるので、薄膜品質を向上させることができ、ひいては歩留まりの向上が図れる。
また、被塗布面を下方に向けたままムラ無くレジスト膜を乾燥させる事が実現されるので、塗布終了後、フォトマスクブランク２０を搬送させる必要なく直ちにレジスト膜の乾燥に移行できるという利便性を提供できる。
【００６９】
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態による塗布装置の構成は、第１の実施の形態による塗布装置１０と同様であるので、重複する部分については、同一符号を用いて説明する。第２の実施の形態による塗布装置は、気流発生装置２１を搭載する代わりに、吸着盤１９の周縁部分におけるダウンフローを遮る遮蔽板６４を備えたものである。この遮蔽板６４は、平面視において、吸着盤１９の全周からはみだす様にして当該吸着盤１９に取り付けられている。具体的には、図１４に示す様に、遮蔽板６４は、吸着盤１９の上面における周縁部分に当該吸着盤１９と平行に配置されている。
この遮蔽板６４によって抑制手段を構成している。
【００７０】
第２の実施の形態による塗布装置によれば、吸着盤１９の周縁部分を通過しようとするダウンフローが遮蔽板６４によって遮られるので、フォトマスクブランク２０下において渦が発生することはない。即ち、図１４に示す様に、遮蔽板６４によって遮られたダウンフローは、当該遮蔽板６４の裏面に回りこみ、当該箇所においてのみ渦を形成するので、レジスト膜が渦にさらされる事が回避される。従って、レジスト膜をムラなく自然乾燥させる事ができる。
【００７１】
尚、遮蔽板６４を取り付ける箇所は特に限定されない。例えば、吸着盤１９の側面に取り付けてもよい。また、吸着盤１９のサイズをフォトマスクブランク２０に対して十分大きくすると共にその吸着面１９ａの周縁部分に吸着口を設けない領域を確保する事によっても上記と同様の効果が得られる。
また、塗布装置に気流発生装置２１と遮蔽板６４の双方を搭載してもよい。この場合は、乾燥時に発生するレジスト膜のムラを一層確実に防止できる。
〔第３の実施の形態〕
第３の実施の形態による塗布装置の構成は、第１の実施の形態による塗布装置１０と同様であるので、重複する部分については同一符号を用いて説明する。
第３の実施の形態による塗布装置は、気流発生装置２１を搭載する代わりに、ホットプレートを搭載した事を特徴としている。
このホットプレートは、レジスト膜を局所的に強制的に乾燥させるものあり、これによって乾燥手段を構成している。
【００７２】
このホットプレートは、ベースフレーム１１の左右方向にフォトマスクブランク２０の幅と略同じ長さに亘って設けられている。また、このホットプレートは、ノズル４７よりも塗布時における吸着盤１９の移動方向側において、当該ノズル４７に近設されている。
そして、このホットプレートは固定されているので、塗布時には、ホットプレートがノズル４７と共に、被塗布面に対して相対的に移動することとなる。具体的には、塗布時には、ホットプレートがノズル４７の走査に追随する如く被塗布面下を走査することとなる。
【００７３】
第３の実施の形態による塗布装置によれば、図１５に示す様に、ノズル４７が走査する際に、当該ノズル４７に追随する様に、ホットプレート６５が走査するので、毛細管現象によりノズル４７から流出した塗布液Ｒ中の溶媒は直ちに蒸散除去される。従って、フォトマスクブランク２０を吸着盤１９に保持させたままレジスト膜を乾燥させる際に、仮に被塗布面がダウンフローに起因して発生する渦にさらされたとしても、当該レジスト膜は既に乾燥しているので、渦の影響を受けてムラが生じる事はない。
【００７４】
尚、塗布装置に、ホットプレート６５と、気流発生装置２１及び遮蔽板６４の少なくとも何れか一方と、を搭載してもよい。この場合は、乾燥時に発生するレジスト膜のムラを一層確実に防止できる。
【００７５】
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の技術思想はこれに限られるものではない。例えば、気流発生装置２１から温風或いは熱風を供給することとしてもよい。この場合は、レジスト膜を素早く乾燥させることができる。
【００７６】
【発明の効果】
本発明によれば、ダウンフローが構成されたクリーンルーム内において被塗布面が下方を向いた姿勢で保持された基板の被塗布面に形成される塗布膜をムラなく乾燥させる事が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態による塗布装置の左側面図である。
【図２】第１の実施の形態による塗布装置の正面図である。
【図３】吸着盤の構造を説明する為の断面図である。
【図４】吸着盤の吸着面を示す図である。
【図５】塗布機構の主要部を示す斜視図である。
【図６】塗布機構の主要部を示す正面図である。
【図７】図６におけるＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図８】液槽の断面概略図である。
【図９】液槽の断面概略図である。
【図１０】レジストの循環態様を説明する為の模式図である。
【図１１】乾燥時におけるフォトマスクブランク周りの気流の流れを説明する為の模式図である。
【図１２】フォトマスクブランクを吸着盤から剥離させる工程を説明する為の模式図である。
【図１３】フォトマスクブランクに帯電した電荷の流れを説明する為の模式図である。
【図１４】第２の実施の形態を説明する為の模式図である。
【図１５】第３の実施の形態を説明する為の模式図である。
【図１６】従来技術の課題を説明する為の図である。
【符号の説明】
１０…塗布装置、１２…支持ブロック（導電性部材）、１４…移動フレーム、１６…ネジ棒、１７…モータ、１９…吸着盤、２０…フォトマスクブランク、２１…気流発生装置、２２…塗布機構、４７…ノズル、６４…遮蔽板、６５…ホットプレート（乾燥手段）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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