(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子，配線層が形成されているウェハの上方に、ボンディングパッドを形成する工程（ａ）と、
上記工程（ａ）の後に、上記ボンディングパッドの一部の上方に位置する領域を含む開口部を有するパッシベーション膜を形成する工程（ｂ）と、
上記工程（ｂ）の後に、上記パッシベーション膜の一部を覆うバッファコート膜を堆積する工程（ｃ）と、
上記バッファコート膜に、上記ウェハの外周からある距離の範囲にある外周領域と、スクライブライン領域と、上記ボンディングパッドの一部との上方に位置する各領域を含む開口部を形成する工程（ｄ）と、
上記工程（ｄ）の後に、接着用部材を用いて上記ウェハに表面保護テープを接着させる工程（ｅ）と、
上記工程（ｅ）の後に、上記ウェハの裏面を研磨する工程（ｆ）と
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）では、上記バッファコート膜をポジ型感光剤を用いて形成し、
上記工程（ｄ）は、上記バッファコート膜のうち上記ウェハの外周領域上に位置する部分を露光させる処理を含む，半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）では、上記バッファコート膜をポジ型感光剤を用いて形成し、
上記工程（ｄ）は、上記バッファコート膜のうち，上記ウェハの外周領域に係るチップ領域全体上に位置する部分を露光させる処理を含む，半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）では、上記バッファコート膜を有機樹脂を用いて形成し、
上記工程（ｄ）は、上記バッファコート膜のうち上記ウェハの外周領域上に位置する部分を溶剤によって選択的に除去する処理を含む，半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）では、上記バッファコート膜を有機樹脂を用いて形成し、
上記工程（ｄ）は、バッファコート膜の硬化前に上記バッファコート膜のうち上記ウェハの外周領域上に位置する部分に気体を吹き付ける処理を含む，半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体素子，配線層が形成されているウェハの上方に、ボンディングパッドを形成する工程（ａ）と、
上記工程（ａ）の後に、上記ボンディングパッドの一部の上方に位置する領域を含む開口部を有するパッシベーション膜を形成する工程（ｂ）と、
上記工程（ｂ）の後に、上記パッシベーション膜の一部を覆うバッファコート膜を堆積する工程（ｃ）と、
上記バッファコート膜に、スクライブライン領域と、上記ボンディングパッドの一部との上方に位置する各領域を含む開口部を形成するとともに、上記バッファコート膜のうち上記ウェハの外周からある距離の範囲にある外周領域上に位置する部分の厚さを薄くする工程（ｄ）と、
上記工程（ｄ）の後に、接着用部材を用いて上記ウェハに表面保護テープを接着させる工程（ｅ）と、
上記工程（ｅ）の後に、上記ウェハの裏面を研磨する工程（ｆ）と
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｄ）では、上記バッファコート膜のうち上記外周領域上に位置する部分の厚さを３μｍ以下に薄くする，半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パッシベーション膜上に形成されたバッファコート膜を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２０（ａ）〜図２１（ｂ）は、図２２に示すXX-XX 線断面における，従来の半導体装置の製造工程を示す断面図である。また、図２２は、図２１（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をXXII-XXII 線において破断して示す平面図である。
【０００３】
まず、図２０（ａ）に示す工程において、トランジスタ等の半導体素子（図示せず）やその上方の多層配線層（図示せず）が形成されているウェハ３０２上に、たとえばスパッタリング法によりアルミニウム合金膜からなる導電膜を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、導電膜をパターニングすることによりボンディングパッド３０４を形成する。ボンディングパッド３０４は、下方の半導体素子に配線，プラグなどを介して接続されている。次に、このボンディングパッド３０４を覆うように、ウェハ３０２上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜３０６を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、スクライブライン領域３１０上及びボンディングパッド３０４上のパッシベーション膜３０６に所定の形状の開口部３０６ａ及び３０６ｂを形成する。
【０００４】
次に、図２０（ｂ）に示す工程において、基板上にスピン塗布法により感光剤からなる厚み６μｍ程度のバッファコート膜３０８を形成した後、リソグラフィ法を用いて、バッファコート膜３０８のうちボンディングパッド３０４及びスクライブライン領域３１０上に位置する部分を除去して開口部３０８ａを形成する。この結果、バッファコート膜３０８は、パッシベーション膜３０６のうちボンディングパッド３０４より内側の領域（トランジスタ形成領域）の上に形成される。
【０００５】
次に、図２１（ａ）に示す工程において、バッファコート膜３０８が形成されているウェハ上に、表面保護テープ３１２を、表面保護テープ３１２の裏面に付着した接着糊３２０によって接着する。この接着糊３２０の厚さは１５μｍである。
【０００６】
次に、図２１（ｂ）に示す工程において、表面保護テープ３１２を保護膜としてウェハ３０２の裏面をウェハが所定の厚さに達するまで研磨する。この研磨の時には、研磨剤を液体に分散させてなる研磨液を用いて研磨を行い、発生した切削屑は研磨液とともに排出される。
【０００７】
その後、表面保護テープ３１２を除去した後、ウェハ３０２のスクライブライン領域３１０をスクライブし、ウェハを各チップごとに分離して、半導体装置を組み立てる。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１１−８７２８２号公報（要約書）
【特許文献２】
特開２０００−２０１４４２号公報（要約書）
【特許文献３】
特開２００２−２２０５７号公報（要約書）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような従来の半導体装置の製造方法では、研磨液が裏面研磨工程において発生する切削屑を含んだ状態でウェハの外周領域のボンディングパッド表面に付着して、半導体装置の組立歩留まりを低下させるという問題があることがわかった。本発明者は、種々の検討の結果、以下のような作用によって、半導体装置の組立歩留まりが低下することを突き止めた。
【００１０】
図２１（ｂ）に示すように、バッファコート膜３０８に設けた開口部３０８ａ領域におけるウェハ３０２と接着糊３２０との間に隙間が存在している。このため、図２２に示すように、裏面研磨工程で発生する切削屑を含んだ液体が、ウェハ３０２の周辺部の矢印の浸入方向３１６から開口部３０８ａの隙間に沿ってウェハ３０２の中央部に向かって浸入し、ボンディングパッド３０４の表面に付着すると考えられる。
【００１１】
本発明の目的は、裏面研磨工程において用いられる研磨液がウェハの周辺部から侵入することに起因するボンディングパッドの汚染を防止し得る，ボンディングの信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子，配線層が形成されているウェハの上方に、ボンディングパッド，パッシベーション膜，バッファコート膜を形成した後、接着用部材を用いてウェハに表面保護テープを接着させてから、ウェハの裏面を研磨する方法において、ウェハのスクライブラインを含むバッファコートの開口部から研磨液が内部に侵入するのを防ぐ手段を講じたものである。
【００１３】
その具体的方法として、以下の方法がある。
【００１４】
バッファコート膜の開口部をウェハの外周領域まで広げることにより、接着用部材によって、ウェハの外周領域におけるスクライブラインを含むバッファコートの開口部が塞がれるので、裏面研磨工程において研磨液が内方に侵入するのが阻止される。
【００１５】
バッファコート膜のうちウェハの外周領域上に位置する部分を薄くする方法によっても、ウェハの外周領域におけるスクライブラインを含むバッファコートの開口部が塞がれるか、或いは、ほとんど塞がれた状態になるので、裏面研磨工程において研磨液が内方に侵入するのが阻止される。
【００１６】
接着用部材として厚さの大きい接着糊を用いる方法によっても、ウェハの外周領域におけるスクライブラインを含むバッファコートの開口部が塞がれるか、或いは、ほとんど塞がれた状態になるので、裏面研磨工程において研磨液が内方に侵入するのが阻止される。
【００１７】
研磨液として粘性の大きいものを用いる方法によっても、裏面研磨工程において研磨液が内方に侵入するのが阻止される。
【００１８】
バッファコート膜に、チップ領域同士の間を接続する連結部を残して開口部を形成する構造又は方法によっても、ウェハの外周領域におけるスクライブラインを含むバッファコートの開口部が途中で塞がれるので、裏面研磨工程において研磨液が内方に侵入するのが阻止される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図２（ｂ）は、図３に示すI-I 線断面における，第１の実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。また、図３は、図２（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をIII-III 線において破断して示す平面図である。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示す工程において、トランジスタ等の半導体素子（図示せず）やその上方の多層配線層（図示せず）が形成されているウェハ２０２（半導体基板）上に、たとえばスパッタリング法によりアルミニウム合金膜からなる導電膜を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、導電膜をパターニングすることによりボンディングパッド２０４を形成する。ボンディングパッド２０４は、下方の半導体素子に配線，プラグなどを介して接続されている。次に、このボンディングパッド２０４を覆うように、ウェハ２０２上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によりシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜２０６を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、パッシベーション膜２０６に、ウェハのスクライブライン領域の上方に位置する領域を含む開口部２０６ａと、ボンディングパッド２０６の一部の上方に位置する領域を含む開口部２０６ｂとを形成する。
【００２１】
次に、図１（ｂ）に示す工程において、基板上の全面にスピン塗布法により、ポジ型感光剤であるポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）からなる厚さ６μｍ程度のバッファコート膜２０８を形成した後、リソグラフィ法を用いて、バッファコート膜２０８のうちボンディングパッド２０４及びスクライブライン領域２１０上に位置する各部分を除去して開口部２０８ａを形成する。また、バッファコート膜２０８のうち，図３に示すウェハ２０２の端から３ｍｍまでの外周領域２１８上に位置する部分をも除去する。この結果、バッファコート膜２０８は、外周領域２１８には全く存在せず、かつ、パッシベーション膜２０６のうちボンディングパッド２０４より内側の領域（トランジスタ形成領域）の上に形成される。この外周領域２１８上に位置する部分の除去のタイミングと除去方法とについては、種々のバリエ−ションがあるので、後に詳しく説明する。
【００２２】
次に、図２（ａ）に示す工程において、バッファコート膜２０８が形成されたウェハ上に、表面保護テープ２１２を表面保護テープ２１２の裏面に付着した接着糊２２０によって接着する。この接着糊２２０の厚さは１５μｍである。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示す工程において、表面保護テープ２１２を保護膜としてウェハ２０２の裏面をウェハが所定の厚さに達するまで研磨する。この研磨の時には、研磨剤を液体に分散させてなる研磨液を用いて研磨を行い、発生した切削屑は研磨液とともに排出される。
【００２４】
その後、表面保護テープ２１２を除去した後、ウェハ２０２のスクライブライン領域２１０をスクライブし、ウェハを各チップごとに分離して、半導体装置を組み立てる。
【００２５】
この第１の実施形態の半導体装置の製造方法によると、バッファコート膜２０８のうち外周領域２１８上に位置する部分を除去することにより、図３に示すように、外周領域２１８において、表面保護テープ２１２をパッシベーション膜２０６とスクライブライン領域２１０とに接着糊２２０によって隙間無く接着させることができる。したがって、図２（ｂ）に示す工程（裏面研磨工程）で使用する研磨液がバッファコート膜２０８の開口部２０８ａ（スクライブライン領域２１０）に毛管現象によって浸入しようとするのを防止することができる。よって、ウェハ２０２のボンディングパッド２０４に切削屑を含んだ研磨液が接触することに起因する汚染を防止することができる。
【００２６】
−外周領域の除去方法の第１の具体例−
図１９（ａ）は、水銀ランプを用いてバッファコート膜２０８の外周領域２１８上に位置する部分を除去する，第１の具体例に係る方法を示す斜視図である。図１９（ａ）に示すように、ウェハステージにウェハを取り付けてウェハを回転させながら、バッファコート膜２０８の外周領域２１８上に位置する部分に光を照射する（露光する）。この露光のタイミングには、以下のバリエーションがある。
【００２７】
ポジ型感光剤を用いてバッファコート膜２０８を形成する場合、以下の手順が可能である。
【００２８】
第１の手順では、感光剤を塗布し、塗布後ベークを行なった後、開口部２０８ａを形成するためのパターン露光を行なう。その後、図１９（ａ）に示す外周領域露光を行なった後に、露光後ベークを行ない、その後、現像後ベークを行なう。
【００２９】
第２の手順では、感光剤を塗布し、塗布後ベークを行なった後、図１９（ａ）に示す外周領域露光を行なう。その後、開口部１０８ａを形成するためのパターン露光を行なった後に、露光後ベークを行ない、その後、現像後ベークを行なう。
【００３０】
一般的には、第１，第２の手順のうち第２の手順が好ましい。その理由は、露光と露光後ベークとの間の時間間隔はできるだけ短いことが好ましいが、外周領域よりは内部領域の方が重要であるために、内部領域の露光をできるだけ露光後ベークの直前に行なうことが好ましいからである。
【００３１】
−外周領域の除去方法の第２の具体例−
図１９（ｂ）は、シンナーを用いてバッファコート膜２０８の外周領域２１８上に位置する部分を除去する第２の具体例に係る方法を示す斜視図である。図１９（ｂ）に示すように、ウェハステージにウェハを取り付けてウェハを回転させながら、バッファコート膜２０８の外周領域２１８上に位置する部分にシンナーを滴下する。感光剤を塗布し、塗布後ベークを行なった後であれば、シンナーを滴下するタイミングは、いつでもよい。
【００３２】
−外周領域の除去方法のその他の例−
感光剤以外の材料を用いてバッファコート膜２０８を形成することも技術的には可能である。その場合には、図１９（ｂ）に示すような態様により、当該材料のエッチング剤をウェハの作用させればよい。
【００３３】
また、第３の実施形態において説明するように、おけるバッファコート膜の塗布後，露光前に、ウェハの外周領域２０８に窒素または空気を吹き付けることにより、バッファコート膜２０８のうち外周領域２１８上に位置する部分を除去することができる。
【００３４】
（第２の実施形態）
図４（ａ）〜図５（ｂ）は、図６に示すIV-IV 線断面における，第２の実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。また、図６は、図５（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をVI-VI 線において破断して示す平面図である。
【００３５】
まず、図４（ａ）に示す工程において、トランジスタ等の半導体素子（図示せず）やその上方の多層配線層（図示せず）が形成されているウェハ２０２上に、たとえばスパッタリング法によりアルミニウム合金膜からなる導電膜を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、導電膜をパターニングすることによりボンディングパッド２０４を形成する。ボンディングパッド２０４は、下方の半導体素子に配線，プラグなどを介して接続されている。次に、このボンディングパッド２０４を覆うように、ウェハ２０２上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によりシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜２０６を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、パッシベーション膜２０６に、ウェハのスクライブライン領域の上方に位置する領域を含む開口部２０６ａと、ボンディングパッド２０６の一部の上方に位置する領域を含む開口部２０６ｂとを形成する。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示す工程において、基板上の全面にスピン塗布法によりポジ型感光剤からなる厚さ６μｍ程度のバッファコート膜２０８を形成した後、リソグラフィ法を用いて、バッファコート膜２０８のうちボンディングパッド２０４及びスクライブライン領域２１０上に位置する各部分を除去して開口部２０８ａを形成する。また、図６に示すように、バッファコート膜２０８のうちウェハ２０２の端から３ｍｍまでの外周領域２１８上に位置する部分を除去する。このバッファコート膜２０８の外周領域２１８上に位置する部分の除去は、ポジ型感光剤を用いる場合には、露光によりパターンをウェハ２０２上に転写する際に外周領域２１８全体を露光し、バッファコート膜２０８を感光させることにより行なわれる。
【００３７】
この結果、バッファコート膜２０８は、少なくとも一部が外周領域２１８上に位置するようなチップ領域には全く存在せず、かつ、パッシベーション膜２０６のうちボンディングパッド２０４より内側の領域（トランジスタ形成領域）の上に形成される。
【００３８】
次に、図５（ａ）に示す工程において、バッファコート膜２０８が形成されたウェハ上に、表面保護テープ２１２を表面保護テープ２１２の裏面に付着した接着糊２２０によって接着する。この接着糊２２０の厚さは１５μｍである。
【００３９】
次に、図５（ｂ）に示す工程において、表面保護テープ２１２を保護膜としてウェハ２０２の裏面をウェハが所定の厚さに達するまで研磨する。この研磨の時には、研磨剤を液体に分散させてなる研磨液を用いて研磨を行い、発生した切削屑は研磨液とともに排出される。
【００４０】
その後、表面保護テープ２１２を除去した後、ウェハ２０２のスクライブライン領域２１０をスクライブし、ウェハを各チップごとに分離して、半導体装置を組み立てる。
【００４１】
この第２の実施形態の半導体装置の製造方法によると、バッファコート膜２０８のうち，外周領域２１８にかかるチップ領域上のバッファコート膜２０８を除去することにより、図６に示すように、外周領域２１８において、表面保護テープ２１２をパッシベーション膜２０６とスクライブライン領域２１０とに接着糊２２０によって隙間無く接着させることができる。したがって、図５（ｂ）に示す工程（裏面研磨工程）で使用する研磨液がバッファコート膜２０８の開口部２０８ａ（スクライブライン領域２１０）に毛管現象によって浸入しようとするのを防止することができる。よって、ウェハ２０２のボンディングパッド２０４に切削屑を含んだ研磨液が接触することに起因する汚染を防止することができる。
【００４２】
（第３の実施形態）
図７（ａ）〜図８（ｂ）は、図９に示すVII-VII 線断面における，第３の実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。また、図９は、図８（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をIX-IX 線において破断して示す平面図である。
【００４３】
まず、図７（ａ）に示す工程において、トランジスタ等の半導体素子（図示せず）やその上方の多層配線層（図示せず）が形成されているウェハ２０２上に、たとえばスパッタリング法によりアルミニウム合金膜からなる導電膜を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、導電膜をパターニングすることによりボンディングパッド２０４を形成する。ボンディングパッド２０４は、下方の半導体素子に配線，プラグなどを介して接続されている。次に、このボンディングパッド２０４を覆うように、ウェハ２０２上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によりシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜２０６を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、パッシベーション膜２０６に、ウェハのスクライブライン領域の上方に位置する領域を含む開口部２０６ａと、ボンディングパッド２０６の一部の上方に位置する領域を含む開口部２０６ｂとを形成する。
【００４４】
次に、図７（ｂ）に示す工程において、基板上の全面にスピン塗布法によりポジ型感光剤からなる厚さ６μｍ程度のバッファコート膜２０８を形成した後、リソグラフィ法を用いて、バッファコート膜２０８のうちボンディングパッド２０４及びスクライブライン領域２１０上に位置する各部分を除去して開口部２０８ａを形成する。その際、感光剤を塗布した後、露光前に、バッファコート膜２０８のうちウェハ２０２の端から３ｍｍまでの外周領域２１８上に位置する部分に窒素または空気を吹き付けることにより、図９に示すように、バッファコート膜２０８の一部を厚さ３μｍ以下の薄肉部２０８ｂとする。
【００４５】
次に、図８（ａ）に示す工程において、バッファコート膜２０８が形成されたウェハ上に、表面保護テープ２１２を表面保護テープ２１２の裏面に付着した接着糊２２０によって接着する。この接着糊２２０の厚さは１５μｍである。
【００４６】
次に、図８（ｂ）に示す工程において、表面保護テープ２１２を保護膜としてウェハ２０２の裏面をウェハが所定の厚さに達するまで研磨する。この研磨の時には、研磨剤を液体に分散させてなる研磨液を用いて研磨を行い、発生した切削屑は研磨液とともに排出される。
【００４７】
その後、表面保護テープ２１２を除去した後、ウェハ２０２のスクライブライン領域２１０をスクライブし、ウェハを各チップごとに分離して、半導体装置を組み立てる。
【００４８】
この第３の実施形態の半導体装置の製造方法によると、バッファコート膜の塗布後露光前に、窒素または空気を吹き付けることにより、バッファコート膜２０８のうち外周領域２１８上に位置する部分（薄肉部２０８ｂ）を他の部分の厚さ６μｍよりも薄い３μｍとしたので、図８（ｂ）及び図９に示すように、外周領域２１８において、表面保護テープ２１２をパッシベーション膜２０６とスクライブライン領域２１０とに接着糊２２０によって隙間無く接着させることができる。したがって、図８（ｂ）に示す工程（裏面研磨工程）で使用する研磨液がバッファコート膜２０８の開口部２０８ａ（スクライブライン領域２１０）に毛管現象によって浸入しようとするのを防止することができる。よって、ウェハ２０２のボンディングパッド２０４に切削屑を含んだ研磨液が接触することに起因する汚染を防止することができる。
【００４９】
なお、第３の実施形態では、バッファコート膜２０８のうち外周領域２１８上に位置する部分（薄肉部２０８ｂ）の膜厚を３μｍ以下としたが、第１の実施形態のその他の具体例において説明したように、バッファコート膜の塗布後露光前に、窒素または空気を吹き付けることにより、バッファコート膜２０８のうち外周領域２１８上に位置する部分を完全に除去することも可能である。
【００５０】
また、感光剤を用いる場合感光剤以外の材料を用いる場合のいずれにおいても、研磨によってバッファコート膜２０８のうち外周領域２１８上に位置する部分を薄くしてもよい。
【００５１】
（第４の実施形態）
図１０（ａ）〜図１１（ｂ）は、図１２に示すX-X 線断面における，第４の実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。また、図１２は、図１１（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をXII-XII 線において破断して示す平面図である。
【００５２】
まず、図１０（ａ）に示す工程において、トランジスタ等の半導体素子（図示せず）やその上方の多層配線層（図示せず）が形成されているウェハ２０２上に、たとえばスパッタリング法によりアルミニウム合金膜からなる導電膜を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、導電膜をパターニングすることによりボンディングパッド２０４を形成する。ボンディングパッド２０４は、下方の半導体素子に配線，プラグなどを介して接続されている。次に、このボンディングパッド２０４を覆うように、ウェハ２０２上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によりシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜２０６を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、パッシベーション膜２０６に、ウェハのスクライブライン領域の上方に位置する領域を含む開口部２０６ａと、ボンディングパッド２０６の一部の上方に位置する領域を含む開口部２０６ｂとを形成する。
【００５３】
次に、図１０（ｂ）に示す工程において、基板上の全面にスピン塗布法によりポジ型感光剤からなる厚さ６μｍ程度のバッファコート膜２０８を形成した後、リソグラフィ法を用いて、バッファコート膜２０８のうちボンディングパッド２０４及びスクライブライン領域２１０上に位置する各部分を除去して開口部２０８ａを形成する。
【００５４】
次に、図１１（ａ）に示す工程において、バッファコート膜２０８が形成されたウェハ上に、表面保護テープ２１２を表面保護テープ２１２の裏面に付着した接着糊２２０によって接着する。この接着糊２２０の厚さは１５μｍである。
【００５５】
次に、図１１（ｂ）に示す工程において、表面保護テープ２１２を保護膜としてウェハ２０２の裏面をウェハ２０２が所定の厚さに達するまで研磨する。この研磨の時には、研磨剤を粘度が４ｍｍ2 ／ｓｅｃの液体に分散させてなる研磨液を用いて研磨を行い、発生した切削屑は研磨液とともに排出される。この研磨液はポリエチレングリコールを純水に加えたものを使用している。
【００５６】
その後、表面保護テープ２１２を除去した後、ウェハ２０２のスクライブライン領域２１０をスクライブし、ウェハ２０２を各チップごとに分離して、半導体装置を組み立てる。
【００５７】
図１９（ｂ）に示す従来の半導体装置の裏面研磨工程においては、粘度が１ｍｍ2 ／ｓｅｃの純水を用いて研磨液を調整していたため、図２０に示すように、この研磨液が侵入方向３１６からウェハ３０２のスクライブライン３１０上とボンディングパッド３０４まで侵入することに起因する汚染があった。
【００５８】
しかしながら、この第４の実施形態の半導体装置の製造方法では、裏面研磨工程における研磨液として、純水又は純水にポリエチレングリコールを加えたもの，又はポリエチレングリコールを用いているので、研磨液の粘度を４ｍｍ2 ／ｓｅｃ程度まで高めることができる。したがって、図１１（ｂ）に示す工程（裏面研磨工程）で、バッファコート膜２０８の開口部２０８ａ（スクライブライン領域２１０）において表面保護テープ２１２の接着糊２２０がウェハに密着していなくても、使用する研磨液がバッファコート膜２０８の開口部２０８ａ（スクライブライン領域２１０）に毛管現象によって浸入しようとするのを防止することができる。よって、ウェハ２０２のボンディングパッド２０４に切削屑を含んだ研磨液が接触することに起因する汚染を防止することができる。
【００５９】
なお、第４の実施形態の効果を発揮するためには、裏面研磨工程で使用する研磨液の粘度は、３ｍｍ2 ／ｓｅｃ以上で１０ｍｍ2 ／ｓｅｃ以下であればよい。
【００６０】
（第５の実施形態）
図１３（ａ）〜図１４（ｂ）は、図１５に示すXIII-XIII 線断面における，第５の実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。また、図１５は、図１４（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をXV-XV 線において破断して示す平面図である。
【００６１】
まず、図１３（ａ）に示す工程において、トランジスタ等の半導体素子（図示せず）やその上方の多層配線層（図示せず）が形成されているウェハ２０２上に、たとえばスパッタリング法によりアルミニウム合金膜からなる導電膜を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、導電膜をパターニングすることによりボンディングパッド２０４を形成する。ボンディングパッド２０４は、下方の半導体素子に配線，プラグなどを介して接続されている。次に、このボンディングパッド２０４を覆うように、ウェハ２０２上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によりシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜２０６を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、パッシベーション膜２０６に、ウェハのスクライブライン領域の上方に位置する領域を含む開口部２０６ａと、ボンディングパッド２０６の一部の上方に位置する領域を含む開口部２０６ｂとを形成する。
【００６２】
次に、図１３（ｂ）に示す工程において、基板上の全面にスピン塗布法によりポジ型感光剤からなる厚さ６μｍ程度のバッファコート膜２０８を形成した後、リソグラフィ法を用いて、バッファコート膜２０８のうちボンディングパッド２０４及びスクライブライン領域２１０上に位置する各部分を除去して開口部２０８ａを形成する。このとき、図１５に示すように、隣り合うチップ上のバッファコート膜２０８のパターンの一部をつなげるように連結部２０８ｃを形成する。この隣り合うチップ領域をつなげる連結部２０８ｃは、図１５に示すように、各チップの四隅をつなげるように形成することが望ましい。これにより、次の工程で、バッファコート膜２０８の開口部２０８ａ（スクライブライン）を確実に封鎖することができるからである。
【００６３】
次に、図１４（ａ）に示す工程において、バッファコート膜２０８が形成されたウェハ上に、表面保護テープ２１２を表面保護テープ２１２の裏面に付着した接着糊２２０によって接着する。この接着糊２２０の厚さは１５μｍである。
【００６４】
次に、図１４（ｂ）に示す工程において、表面保護テープ２１２を保護膜としてウェハ２０２の裏面をウェハ２０２が所定の厚さに達するまで研磨する。
【００６５】
この第５の実施形態の半導体装置の製造方法によると、隣り合うチップ領域のバッファコート膜２０８同士が連結部２０８ｃでつながっている。したがって、図１４（ｂ）に示す工程（裏面研磨工程）で、研磨液がバッファコート膜２０８の開口部２０８ａ（スクライブライン領域２１０）に毛管現象によって浸入しようとするのを防止することができる。よって、ウェハ２０２のボンディングパッド２０４に切削屑を含んだ研磨液が接触することに起因する汚染を防止することができる。
【００６６】
（第６の実施形態）
図１６（ａ）〜図１７（ｂ）は、図１８に示すXVI-XVI 線断面における，第６の実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。また、図１８は、図１７（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をXVIII-XVIII 線において破断して示す平面図である。
【００６７】
まず、図１６（ａ）に示す工程において、トランジスタ等の半導体素子（図示せず）やその上方の多層配線層（図示せず）が形成されているウェハ２０２上に、たとえばスパッタリング法によりアルミニウム合金膜からなる導電膜を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、導電膜をパターニングすることによりボンディングパッド２０４を形成する。ボンディングパッド２０４は、下方の半導体素子に配線，プラグなどを介して接続されている。次に、このボンディングパッド２０４を覆うように、ウェハ２０２上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によりシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜２０６を堆積した後、リソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて、パッシベーション膜２０６に、ウェハのスクライブライン領域の上方に位置する領域を含む開口部２０６ａと、ボンディングパッド２０６の一部の上方に位置する領域を含む開口部２０６ｂとを形成する。
【００６８】
次に、図１６（ｂ）に示す工程において、基板上の全面にスピン塗布法によりポジ型感光剤からなる厚さ６μｍ程度のバッファコート膜２０８を形成した後、リソグラフィ法を用いて、バッファコート膜２０８のうちボンディングパッド２０４及びスクライブライン領域２１０上に位置する各部分を除去して開口部２０８ａを形成する。
【００６９】
次に、図１７（ａ）に示す工程において、バッファコート膜２０８が形成されたウェハ上に、表面保護テープ２１２を表面保護テープ２１２の裏面に付着した接着糊２２１によって接着する。この接着糊２２１の厚さは３０μｍである。
【００７０】
次に、図１７（ｂ）に示す工程において、表面保護テープ２１２を保護膜としてウェハ２０２の裏面をウェハ２０２が所定の厚さに達するまで研磨する。
【００７１】
この第６の実施形態の半導体装置の製造方法によると、従来１５μｍしかなかった接着糊の厚さを３０μｍとすることで、図１７（ｂ）に示すように、バッファコート膜２０８の開口部２０８ａにおいて、ウェハ２０２と表面保護テープ膜２１２との間を接着糊２２１で埋めることができる。したがって、図１４（ｂ）に示す工程（裏面研磨工程）で、研磨液がバッファコート膜２０８の開口部２０８ａ（スクライブライン領域２１０）に毛管現象によって浸入しようとするのを防止することができる。よって、ウェハ２０２のボンディングパッド２０４に切削屑を含んだ研磨液が接触することに起因する汚染を防止することができる。
【００７２】
なお、第６の実施形態では、表面保護テープ２１２の接着糊２２１の厚さを３０μｍとしたが、２０μｍ以上５０μｍ以下であればよい。
【００７３】
また、他の方法として、ウェハ２０２上のスクライブライン領域２１０のパターンに対応する領域の表面保護テープ２１２の接着糊２２１の厚さを２０μｍ以上５０μｍ以下とし、他の領域の接着糊の厚さを１５μｍとしても良い。このようにウェハ２０２上に形成されているスクライブライン領域２１０（凹部）に対応する箇所だけ接着糊２２１の厚さを大きくすることで、ウェハ２０２と表面保護テープ２１２とを両者の間に隙間を生じさせることなく、接着することができる。
【００７４】
また、第１の実施形態〜第６の実施形態では、ポジ型感光剤であるポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）を用いてバッファコート膜２０８を形成したが、ＰＢＯ以外の有機樹脂を用いてバッファコート膜２０８を形成してもよい。
【００７５】
なお、上記第１，第２，第３，の実施形態〜第６の実施形態においては、外周領域２１８をウェハ２０２の端から３ｍｍの範囲としたが、外周領域２１８がウェハの端から２ｍｍ以上で１０ｍｍ以下の範囲であれば、各実施形態の効果を発揮することができる。
【００７６】
【発明の効果】
本発明によれば、表面保護テープの貼付性の向上、裏面研磨時に使用する液体の高粘度化、バッファコート膜パターンの改善のいずれかを行うことによって、研磨屑がボンディングパッド表面に付着することを防止し、ボンディングの信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ），（ｂ）は、図３に示すI-I 線断面における，第１の実施形態の半導体装置の製造工程の前半部分を示す断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は、図３に示すI-I 線断面における，第１の実施形態の半導体装置の製造工程の後半部分を示す断面図である。
【図３】図２（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をIII-III 線において破断して示す平面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、図６に示すIV-IV 線断面における，第２の実施形態の半導体装置の製造工程の前半部分を示す断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、図６に示すIV-IV 線断面における，第２の実施形態の半導体装置の製造工程の後半部分を示す断面図である。
【図６】図５（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をVI-VI 線において破断して示す平面図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は、図９に示すVII-VII 線断面における，第３の実施形態の半導体装置の製造工程の前半部分を示す断面図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は、図９に示すVII-VII 線断面における，第３の実施形態の半導体装置の製造工程の後半部分を示す断面図である。
【図９】図８（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をIX-IX 線において破断して示す平面図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、図１２に示すX-X 線断面における，第４の実施形態の半導体装置の製造工程の前半部分を示す断面図である。
【図１１】（ａ），（ｂ）は、図１２に示すX-X 線断面における，第４の実施形態の半導体装置の製造工程の後半部分を示す断面図である。
【図１２】図１１（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をXII-XII 線において破断して示す平面図である。
【図１３】（ａ），（ｂ）は、図１５に示すXIII-XIII 線断面における，第５の実施形態の半導体装置の製造工程の前半部分を示す断面図である。
【図１４】（ａ），（ｂ）は、図１５に示すXIII-XIII 線断面における，第５の実施形態の半導体装置の製造工程の後半部分を示す断面図である。
【図１５】図１４（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をXV-XV 線において破断して示す平面図である。
【図１６】（ａ），（ｂ）は、図１８に示すXVI-XVI 線断面における，第６の実施形態の半導体装置の製造工程の前半部分を示す断面図である。
【図１７】（ａ），（ｂ）は、図１８に示すXVI-XVI 線断面における，第６の実施形態の半導体装置の製造工程の後半部分を示す断面図である。
【図１８】図１７（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をXVIII-XVIII 線において破断して示す平面図である。
【図１９】（ａ），（ｂ）は、バッファコート膜の外周領域上に位置する部分を除去する，第１，第２の具体例に係る方法を示す斜視図である。
【図２０】（ａ），（ｂ）は、図２２に示すXX-XX 線断面における，従来の半導体装置の製造工程の前半部分を示す断面図である。
【図２１】（ａ），（ｂ）は、図２２に示すXX-XX 線断面における，従来の半導体装置の製造工程の後半部分を示す断面図である。
【図２２】図２１（ｂ）に示す工程におけるウェハの外周領域を、一部をXXII-XXII 線において破断して示す平面図である。
【符号の説明】
２０２  ウェハ
２０４  ボンディングパッド
２０６  パッシベーション膜
２０６ａ  開口部
２０６ｂ  開口部
２０８  バッファコート膜
２０８ａ  開口部
２０８ｂ  薄肉部
２０８ｃ  連結部
２１０  スクライブライン領域
２１２  表面保護テープ
２１４  研磨液
２１６  液体の浸入方向
２１８  外周領域
２２０  接着糊
２２１  接着糊
【図１】
0003722809.tif 000002
【図２】
0003722809.tif 000003
【図３】
0003722809.tif 000004
【図４】
0003722809.tif 000005
【図５】
0003722809.tif 000006
【図６】
0003722809.tif 000007
【図７】
0003722809.tif 000008
【図８】
0003722809.tif 000009
【図９】
0003722809.tif 000010
【図１０】
0003722809.tif 000011
【図１１】
0003722809.tif 000012
【図１２】
0003722809.tif 000013
【図１３】
0003722809.tif 000014
【図１４】
0003722809.tif 000015
【図１５】
0003722809.tif 000016
【図１６】
0003722809.tif 000017
【図１７】
0003722809.tif 000018
【図１８】
0003722809.tif 000019
【図１９】
0003722809.tif 000020
【図２０】
0003722809.tif 000021
【図２１】
0003722809.tif 000022
【図２２】
0003722809.tif 000023