(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め設定された大気圧、または大気圧よりも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方に対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給することによりライン状プラズマを発生させて被処理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記ライン状プラズマが発生している位置に対応する被処理物の幅に応じて、前記高周波電源から上部電極に供給する電力を加減制御する高周波電源制御器を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
予め設定された大気圧、または大気圧よりも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方に対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給することによりライン状プラズマを発生させて被処理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記ライン状プラズマ発生器に、被処理物を検出する位置検出器を設け、この位置検出器により被処理物が検出された時点からの経過時間と、被処理物の搬送速度と、予め入力されていた被処理物の形状とから、ライン状プラズマが発生している位置に対応する被処理物の幅を求め、求めた被処理物の幅に応じて、前記高周波電源から上部電極に供給する電力を加減制御する高周波電源制御器を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
予め設定された大気圧、または大気圧よりも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方に対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給することによりライン状プラズマを発生させて被処理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、前記被処理物が検出された時点からの経過時間と、被処理物の搬送速度と、予め入力されていた被処理物の形状とから、ライン状プラズマが発生している位置に対応する被処理物の幅を求め、求めた被処理物の幅に応じて、前記高周波電源から上部電極に供給する電力を加減制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大気圧近傍、または大気圧より若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下においてライン状プラズマ発生器からライン状プラズマを発生させ、かつライン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を移動させながら、被処理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法の技術分野に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、フラットパネルディスプレイや半導体デバイス製造ラインでは、種々のプラズマ処理装置が用いられている。これらプラズマ処理装置は主として、減圧ガス雰囲気下、具体的には１〜１００Ｐａの減圧ガス雰囲気下で平面状プラズマを発生させる方式のものである。この方式は、高価な真空排気装置と、この真空排気装置で真空引きされる高強度の成膜容器が必要であり、また成膜容器内は真空であるため減量ガスの存在量が少なく、被処理物の成膜処理速度に限界があり、成膜製品の生産性に問題があった。そこで、近年では、大気圧近傍、または大気圧より若干低圧の弱減圧ガス雰囲気(１０００００Ｐａ〜１０００Ｐａ)下で被処理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置が、例えば、特開平６−２１４９号公報において提案されている。
【０００３】
以下、上記従来例に係るプラズマ処理装置を、その構成例を示す説明図の図８を参照しながら、同公報に記載されている同一名称、ならびに同一符号を以って説明する。この従来例に係るプラズマ処理装置は、後述する構成になる反応槽１を備えている。この反応槽１の槽壁にはガス導入口１１およびガス排出口１２が設けられており、そしてこの反応槽１の内部には上部電極２と下部電極３の二つの平板状電極が所定距離隔てて対面するようにして平行に配置されている。
下部電極３の表面には固体誘電体６が載置されている。多数の送気孔を設けた前面板２ａとガスの流路１５用の裏面板２ｂとから構成されてなる上部電極２は交流電源５に接続され、下部電極３は接地されている。
【０００４】
前記上部電極２の内部には、ガス導入口１１から導入されたガスが流れる流路１５が設けられると共に、上部電極２の下部電極３に望む面に多数の通気孔１６が開口している。そして、この上部電極２の通気穴１６が開口する面の下には多孔質誘電体２０が配置されている。これにより、ガス導入口１１から導入されて流路２５に流入したガスは、通気孔１６を通り、多孔質誘電体２０を透過してプラズマに導入される。なお、下部電極３の内部にはヒータ１９が設けられており、被処理物(基板)４の温度を調節することができるようになっている。
【０００５】
プラズマ処理装置により被処理物４を表面処理する場合には、先ずプラズマ生起ガスとキャリヤガスを兼ねるヘリウムガスをガス導入口１１から導入すると共に、交流電源５を稼働して交流電力の供給を開始すると、上、下部電極２，３の間にグロー放電が発生してプラズマが生起(励起)するので、その後、反応にあずかる適当な種類の反応用ガスをヘリウムガスに混入する。すると、反応用ガスはヘリウムガスと共に通気孔１６を通り抜けると共に、多孔質誘電体２０を透過してプラズマに導入される。そして、プラズマが反応性プラズマになるから、この反応性プラズマによって被処理物４の表面をプラズマ処理することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来例に係るプラズマ処理装置は、それなりに有用であると考えられる。しかしながら、この従来例に係るプラズマ処理装置のように、多孔質誘電体を用いてプラズマを発生させる場合には、多数の通気孔から供給される、反応用ガスとヘリウムガスとからなる反応用ガスの流速は被処理物の全域で均一に制御することは極めて困難であって、実質的に均一にはならない。反応用ガスの流速不均一性により、被処理物の表面全面における反応用ガスの滞在時間に不均一が生じるため、プラズマによる反応用ガスの解離状況が不均一になり、最終的にプラズマ処理性能に不均一性をもたらす。
【０００７】
プラズマ処理性能の不均一性の程度は、ガス流量、ガス圧に加え、上部電極と下部電極とからなる平板状電極間距離に大きく依存する。所定の均一性を得るためには、被処理物のサイズが大きくなるに伴って、平板状電極間距離を大きくする必要がある。ところが、平板状電極間距離を大きくすると、プラズマを発生させるために、上部電極の電位を大きくしなければならず、異常放電防止の観点から、この平板状電極間距離に制約が生じるので、被処理物のサイズが限定されてしまうという問題が生じる。
【０００８】
従って、本発明の目的は、被処理物のサイズに限定されず、種々のサイズの被処理物表面を均一にプラズマ処理することを可能ならしめるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の請求項１に係るプラズマ処理装置が採用した手段は、予め設定された大気圧、または大気圧よりも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方に対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給することによりライン状プラズマを発生させて被処理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記ライン状プラズマが発生している位置に対応する被処理物の幅に応じて、前記高周波電源から上部電極に供給する電力を加減制御する高周波電源制御器を設けたことを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の請求項２に係るプラズマ処理装置が採用した手段は、予め設定された大気圧、または大気圧よりも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方に対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給することによりライン状プラズマを発生させて被処理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記ライン状プラズマ発生器に、被処理物を検出する位置検出器を設け、この位置検出器により被処理物が検出された時点からの経過時間と、被処理物の搬送速度と、予め入力されていた被処理物の形状とから、ライン状プラズマが発生している位置に対応する被処理物の幅を求め、求めた被処理物の幅に応じて、前記高周波電源から上部電極に供給する電力を加減制御する高周波電源制御器を設けたことを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の請求項３に係るプラズマ処理方法が採用した手段は、予め設定された大気圧、または大気圧よりも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方に対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給することによりライン状プラズマを発生させて被処理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、前記被処理物が検出された時点からの経過時間と、被処理物の搬送速度と、予め入力されていた被処理物の形状とから、ライン状プラズマが発生している位置に対応する被処理物の幅を求め、求めた被処理物の幅に応じて、前記高周波電源から上部電極に供給する電力を加減制御することを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のプラズマ処理方法を実施する本実施の形態１に係るプラズマ処理装置を、その構成例を表す説明図の図１と、そのライン状プラズマ発生器による被処理物の処理状態を示す斜視図の図２と、被処理物を載置する誘導サセプタの例１を示す図の図３と、被処理物を載置する誘導サセプタの例２を示す図の図４(ａ)と、電力の供給量が適正である場合の誘導サセプタの例２におけるプラズマ状況説明図の図４(ｂ)と、電力の供給量が過大である場合の誘導サセプタの例２におけるプラズマ状況説明図の図４(ｃ)と、電力の供給量が一定である場合のライン状プラズマの強度をクロス線の密度の大小で示すプラズマ状態説明図の図５(ａ)および図５(ｂ)と、電力の供給量が下限制御される場合のライン状プラズマの強度をクロス線の密度の大小で示すプラズマ状態説明図の図６(ａ)および図６(ｂ)とを順次参照しながら説明する。
【００１３】
図１に示す符号１は、本発明の実施の形態１に係るプラズマ処理装置であって、このプラズマ処理装置１は反応槽(図示省略)を備えている。この反応槽の槽壁にはガス導入口(図示省略)、およびガス排出口(図示省略)が設けられている。
この反応槽の内部には、前記ガス導入口から導入された導入ガスが流入するガス流入路２２と、前記ガス排出口から排出させる排出ガスを流すガス流出路２３とを備えた、後述する構成になるライン状プラズマ発生器２が設けられている。また、前記ライン状プラズマ発生器２の下方の所定距離隔てた対面する位置に、被処理物(以下、基板という。)１１を移動させる搬送台４が設けられている。この搬送台４は、搬送機構６の回転ローラの回転で前記ライン状プラズマ発生器２の幅方向と直交する方向に移動されるように構成されている。そして、この搬送台４の上には、下部電極である誘導サセプタ３が載置されると共に、この誘導サセプタ３の上に基板１１が載置されている。
【００１４】
前記ライン状プラズマ発生器２は、前記ガス流入路２２とガス流出路２３との間であって、かつこれらガス流入路２２とガス流出路２３の幅広のライン状開口の間に、上部電極である幅広のライン状電極２１を備えており、そしてこのライン状電極２１は高周波電源５に接続されている。これにより、ガス導入口から導入されたガスはガス流入路２２に流入し、このガス流入路２２のライン状開口からライン状に、つまり前記搬送台４を横断する状態に吹き出してライン状プラズマに導入されるが、ガス流入路２２を流れるガス流を幅方向に均一にすることができるから、ライン状プラズマ発生器２の幅方向に均一なプラズマを発生させることができる。
【００１５】
ところで、プラズマ処理すべき基板１１が矩形状であれば、この基板１１の位置に関係なく幅が一定であるから、ライン状プラズマの発生領域を一定幅にすればよい。しかしながら、基板１１が半導体デバイス製造ラインで採用されているような円形である場合には、プラズマの強度や発生領域を、基板１１とライン状プラズマとの相対位置関係によって変更する必要がある。
【００１６】
例えば、基板１１の移動方向の先端エッジや後端エッジ付近の表面をプラズマ処理している場合には、プラズマ発生領域が基板１１から大きくはみ出し、基板１１の周辺の表面もプラズマ処理されてしまう。つまり、供給電力が無駄になり、また成膜処理の場合であって、かつ基板１１の周囲に、この基板１１の位置決め用の周辺調整部材が配設されている場合には、周辺調整部材の寿命が短縮されるだけでなく、この周辺調整部材への堆積膜によってパーティクルが発生し、基板１１の成膜形成に悪影響を及ぼすので好ましくない。
【００１７】
そこで、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１の場合には、ライン状プラズマが基板１１よりも外方に広がるという不具合を防止するために、後述する構成になるプラズマ広がり防止手段が講じられている。即ち、基板１１を載置する誘導サセプタ３の外径は、図３に示すように、この基板１１と同寸または同寸以下に設定されている。
【００１８】
勿論、必ず上記のような手段によらなければならないという訳ではなく、例えば、その例２を示す図の図４(ａ)に示すように、基板１１の位置決めのために、この基板１１の周辺部に周辺調整部材３１を配置し、ライン状電極２１と周辺調整部材３１との間に形成される単位面積当たりの静電容量を、これらライン状電極２１と基板１１との間に形成される静電容量よりも２０％以上小容量にしても同等の効果を得ることができる。つまり、従来の減圧プラズマでは、上記のようにしても基板の周辺にプラズマが拡散するが、大気圧近傍，または大気圧より若干低圧の弱減圧ガス雰囲気(１０００００Ｐａ〜１０００Ｐａ)下ではプラズマの拡散が抑制されるからである。
【００１９】
ところで、上記のような手段を講じたとしても、図３に示す誘導サセプタの例１の場合には、ライン状電極２１に供給する電力を一定にすると、基板１１の移動方向の先端エッジ、後端エッジ付近は中央部よりも小面積であるために、単位面積当たりの電力供給量が大きくなってしまい、プラズマの強度が基板１１の搬送方向で不均一になる。また、図４(ａ)に示す誘導サセプタの例２の場合には、静電容量が適正、かつ電力が適正であれば図４(ｂ)に示すように、周辺調整部材３１までプラズマが広がるようなことがないが、例え静電容量が適正であっても電力の供給量が過度であれば、図４(ｃ)に示すように、周辺調整部材３１までプラズマが広がってしまうというような不具合が生じる。
【００２０】
そこで、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１の場合には、上記のようなプラズマの強度の変動やプラズマの広がり不具合を防止するために、さらに前記高周波電源５の電力の出力を、基板１１の幅を求めて、求めた基板１１の幅寸法の大小によって加減制御し得るように構成されている。
【００２１】
即ち、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１は、搬送機構６を制御する搬送機構制御器７から基板１１の搬送速度信号と、ライン状プラズマ発生器２の搬送台４の搬送元側に配設され、基板１１の位置を検出する、例えば半導体レーザと光検出器とからなる位置検出器８からの検出信号を受信して出力する位置検出器制御器９からの検出信号とを受信し、搬送速度信号から搬送速度を求めると共に、位置検出器８により基板１１が検出された時点からの経過時間を求め、求めた搬送速度および経過時間と、予め入力されていた基盤１１の形状とから、ライン状プラズマが発生している位置に対応する基板１１の幅を求める。そして、求めた基板１１の幅に応じて、前記高周波電源５から出力する電力を加減制御する高周波電源制御器１０が設けられている。つまり、基板１１の幅が大寸になるにつれて供給する電力量を増大させる一方、幅が小寸になるにつれて供給する電力量を減少させるように構成されている。
【００２２】
また、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１の場合には、位置検出器８により基板１１が検出された時点から所定時間経過した後にライン状電極２１への電力の供給が開始される一方、位置検出器８により基板１１が検出されなくなってから所定時間経過した時点において、基板１１の幅が０になれば、ライン状電極２１への電力の供給が停止されるものである。
【００２３】
前記ライン状電極２１に供給される電力が一定であった場合には、図５(ａ)，(ｂ)に示すように、基板１１の搬送方向の先端エッジ(後端エッジ付近も同様である。)付近では中央部よりもプラズマが高強度になっていた。しかしながら、上記のように、基板１１の幅寸法によって高周波電源５の電力を加減制御してライン状電極２１に供給することにより、図６(ａ)，(ｂ)に示すように、基板１１の全面にわたってプラズマの強度が実質的に均一になり、基盤１１の全面にわたって均一性に優れたプラズマ処理が行える。
【００２４】
ところで、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１の場合には、基板１１の搬送速度は一定である。従って、基板１１の形状の場合と同様に、搬送速度を予め入力しておけばよいではないかと考えられる。しかしながら、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１のように、搬送気孔制御器７からの搬送速度信号から基板１１の搬送速度を求めるようにすると、基盤１１のプラズマ処理条件に応じて搬送速度が変更される都度、搬送速度を入力しなおすというような煩わしさや入力ミスが解消されるからである。なお、基板１１の形状および搬送速度(一定)は予め分っており、そしてライン状電極２１に対応する位置の幅が分っている。従って、これらのデータを、予めプログラムに組込んでおけばよいので、煩わしさや入力ミスの恐れがあるものの、位置検出器７等を必ずしも設ける必要がないものである。
【００２５】
以下、基板１１が円形状である場合を例として、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１を用いて、基板１１の表面をプラズマ処理する場合を説明する。
即ち、基板１１は搬送機構６により誘導サセプタ３を介して、図１における左側から右側方向に搬送される。ライン状プラズマ発生器２のライン状電極２１には高周波電源５から図示しない整合器を介して電力が供給されているので、ライン状電力２１と基板１１との間にライン状プラズマが発生する。
【００２６】
ガス導入口から導入された反応ガスは、ライン状プラズマ発生器２のガス流入路２２に流入すると共に、このガス流入路２２のライン状開口からライン状プラズマを横切るようにライン上に供給される。そして、反応ガスがライン状プラズマを横切るときに、ライン状プラズマにより反応ガスが生起(励起)されて反応性プラズマになるから、この反応プラズマによって基板１１の表面に成膜処理を施したり、エッチング処理を施したり、またクリーニング処理を施したりするというようなプラズマ処理を行うことができる。
【００２７】
このような基板１１の表面のプラズマ処理において、基板１１が搬送されてくると、位置検出器８により先ず基板１１の搬送方向の先端エッジが検出される。前記位置検出器８による基板１１の検出信号は、位置検出器制御器９に送信される。さらに、基板１１を検出した時点からの相対的な搬送量信号が搬送機構６を制御する搬送器制御器７から高周波電源制御器１０に送信される。すると、各信号を受信した高周波電源制御器１０は、ライン状プラズマと基板１１との相対位置関係を求め、予め入力されていた基板１１の形状に基づいて、ライン状プラズマが面している基板１１の幅寸法(ライン状プラズマの長手方向の幅寸法)を求め、求めた幅寸法に応じて高周波電源５の電力の出力を加減制御する。なお、搬送速度が一定である場合には、前記搬送量信号は必ずしも必要でなく、検出信号の受信時からの経過時間と搬送速度とからライン状プラズマと基板１１との相対位置関係を求めてもよい。
【００２８】
上記のとおり、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１によれば、ライン状電極２１に対しては、基板１１の搬送方向の幅寸法が大きければ高周波電源５から大電力が供給される一方、基板１１の搬送方向の幅寸法が小さければ高周波電源５から小電力が供給されるというように、基板１１の幅寸法に応じて電力の供給量が増減される。従って、例えば図６(ａ)，(ｂ)に示すように、基板１１の表面は全面にわたって均一にプラズマ処理され、従来例に係るプラズマ処理装置のように、基盤のプラズマ処理面が不均一になってしまうようなことがない。
【００２９】
また、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１によれば、基板１１の幅寸法については、ライン状電極２１の幅によって制約を受ける。しかしながら、このライン状電極２１の幅を大きくしても、幅方向の中央部と端部とでガス流に差異がなく均等であるために、基板１１とライン状電極２１との間の間隔を変更するまでもなく、基板１１の表面の全面にわたって均一にプラズマ処理することができる。従って、従来例に係るプラズマ処理装置のように、基板１１のサイズに制約が生じるようなこともない。
【００３０】
さらに、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１によれば、上記のとおり、ライン状電極２１には、基板１１の搬送方向の幅寸法が大きければ大電力が供給され、幅寸法が小さければ小電力が供給されるというように、基板１１の幅寸法に応じて電力の供給量が加減される。従って、基板１１のプラズマ処理に要する消費電力が削減されるから、基板１１のプラズマ処理コストの低減が可能になるという経済効果も生じる。
【００３１】
次に、本発明のプラズマ処理方法を実施する本実施の形態２に係るプラズマ処理装置を、その主要部の構成例を表す斜視図の図７を参照しながら説明する。
但し、本実施の形態２が上記実施の形態１と相違するところは、上記実施の形態１が基板を移動させる構成であるのに対して、本実施の形態２はライン状プラズマ発生器を移動させる構成になっているところにあり、移動するものが相違するだけであるから、同一のものならびに同一機能を有するものに同一符号を付して、その相違する点について以下に説明する。
【００３２】
本実施の形態２に係るプラズマ処理装置１では、基板１１を支持する誘導サセプタ３は、図示しない反応槽の底部に設けられてなる固定台１２の上に載置されている。そして、基板１１の上方であって、かつ基板１１の表面と平行に往復移動するライン状プラズマ発生器２が、一対のガイドレール１３により支持されている。このライン状プラズマ発生器２の進退方向の一側面には基板１１を検出する位置検出器８が設けられると共に、前記ライン状プラズマ発生器２と、図示しない反応槽の槽壁に設けられてなるガス導入口、およびガス排出口とはフレキシブル管(図示省略)で接続されており、このライン状プラズマ発生器２の往復移動に何らの支障がないように構成されている。
【００３３】
ところで、本実施の形態２の場合、上記のとおり、ライン状プラズマ発生器２は一対のガイドレール１３で往復移動可能に支持されている。しかしながら、このライン状プラズマ発生器２を可逆回転される一対の平行なボールねじや台形ねじによって支持する構成にすることもできるから、ガイドレールによる支持構成に限定されるものではない。
【００３４】
本実施の形態２に係るプラズマ処理装置１によれば、上記のとおり、上記実施の形態１の場合には、基板１１をライン状プラズマ発生器２に対して相対的に移動させるのに対して、本実施の形態２の場合には、ライン状プラズマ発生器２を基板１１に対して相対的に移動させるだけであるから、本実施の形態２は上記実施の形態１と同効である。
【００３５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の請求項１または２に係るプラズマ処理装置、および本発明の請求項３に係るプラズマ処理方法によれば、ライン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方に対して相対的に移動させながら、高周波電源制御器により、出力する電力が制御される高周波電源から、ライン状プラズマを発生させるライン状プラズマ発生器の上部電極に、被処理物の相対移動方向の幅寸法が大きければ大電力を供給する一方、被処理物の相対移動方向の幅寸法が小さければ小電力を供給するというように、被処理物の幅寸法に応じて電力の供給量を加減するから、被処理物の表面の全面にわたって均一にプラズマ処理することができ、従来例に係るプラズマ処理装置のように、被処理物のプラズマ処理面が不均一になる従来例に係るプラズマ処理装置のように、基板１１のサイズに制約が生じるようなこともない。
【００３６】
また、本発明の請求項１または２に係るプラズマ処理装置、および本発明の請求項３に係るプラズマ処理方法によれば、上部電極の幅を大きくしても、幅方向の中央部と端部とでガス流に差異がなく均等であるために、被処理物と上部電極との間の間隔を変更するまでもなく、被処理物の表面の全面にわたって均一にプラズマ処理することができるから、従来例に係るプラズマ処理装置のように、被処理物のサイズに制約が生じるようなこともない。
【００３７】
さらに、本発明の請求項１または２に係るプラズマ処理装置、および本発明の請求項３に係るプラズマ処理方法によれば、ライン状プラズマを発生させるライン状プラズマ発生器の上部電極に、被処理物の相対移動方向の幅寸法が大きければ大電力を、被処理物の相対移動方向の幅寸法が小さければ小電力を供給するというように、被処理物の幅寸法に応じて電力の供給量が加減される結果、消費電力が削減されるから、被処理物のプラズマ処理コストの低減が可能になるという経済効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係るプラズマ処理装置の構成例を表す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るプラズマ処理装置のライン状プラズマ発生器による基板の処理状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係るプラズマ処理装置の基板を載置する誘導サセプタの例１を示す図である。
【図４】図４(ａ)は本発明の実施の形態１に係るプラズマ処理装置の基板を載置する誘導サセプタの例２を示す図、図４(ｂ)は電力の供給量が適正である場合の誘導サセプタの例２におけるプラズマ状況説明図、図４(ｃ)は電力の供給量が過大である場合の誘導サセプタの例２におけるプラズマ状況説明図である。
【図５】図５(ａ)および図５(ｂ)は、電力の供給量が一定である場合のラインプラズマの強度をクロス線の密度の大小で示すプラズマ状態説明図である。
【図６】図６(ａ)および図６(ｂ)は、電力の供給量が加減制御される場合のラインプラズマの強度をクロス線の密度の大小で示すプラズマ状態説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係るプラズマ処理装置の主要部の構成例を表す斜視図である。
【図８】従来例に係るプラズマ処理装置の構成例を示す説明図である。
【符号の説明】
１…プラズマ処理装置、２…ライン状プラズマ発生器、２１…ライン状電極、２２…ガス流入路、２３…ガス流出路、３…誘導サセプタ(下部電極)、３１…周辺調整部材、４…搬送台、５…高周波電源、６…搬送機構、７…搬送機構制御器、８…位置検出器、９…位置検出器制御器、１０…高周波電源制御器、１１…基板(被処理物)、１２…固定台、１３…ガイドレール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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