(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置のパッケージ底面に設けられた接地用電極との当接面に、曲面を有する形状またはその断面が台形状である複数の凸部または複数の凹部が形成され、さらに、前記複数の凸部の間または前記複数の凹部の底部に貫通孔を備えた接地接続用ブロックと、
前記接地接続用ブロックの貫通孔に通じる第２の貫通孔を備え、前記接地接続用ブロックを着脱可能なベース台座と、
によって構成された台座を備えたことを特徴とする半導体装置テスト治具。
【請求項２】
前記凸部は、断面の形状が、前記接地用電極との当接面側を長さａの上底、底部側を長さｂ（≧ａ）の下底とする台形であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置テスト治具。
【請求項３】
前記凹部は、断面の形状が、前記接地用電極との当接面側を長さｃの上底、底部側を長さｄ（≦ｃ）の下底とする台形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置テスト治具。
【請求項４】
前記凸部は、その形状が半球面状または半円柱状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置テスト治具。
【請求項５】
前記凸部は、複数の半円柱を格子状に配置した形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置テスト治具。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラスチックパッケージの底面に接地用電極を備えた半導体装置のテスト治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップをパッケージングした後の出荷前の半導体装置（以下、デバイスと称する。）のファイナルテストにおいて、良品のデバイスを誤って不良品として判定してしまう原因の１つにコンタクト不良がある。コンタクト不良を起こす原因として最も多いのが、バリなどゴミのテスト治具への混入である。
【０００３】
テスト治具へのゴミの混入は、以下のようにして発生する。すなわち、ファイナルテスト以前の工程であるパッケージングのモールド形成工程時に、デバイスにバリなどのゴミが付着する。そして、ファイナルテストにおいて、テスト治具にデバイスをセットする際に、このゴミがテスト治具の電気的接続用電極に落下する。
【０００４】
テスト治具は、テスト測定時における電気的接続を確実にするために、一般的にデバイスの押圧部材に接続されたバネなどを用いて押さえる構成となっている。したがって、テスト治具にデバイスをセットすると、デバイスの端子及びテスト治具の電極の間にゴミが挟まれて、電気的接続用電極に圧着されてしまう。バリなどのゴミは、一度電気的接続用電極に圧着されてしまうと、容易に外れない。また、バリなどのゴミは、電気的には絶縁物であるため、それ以降に別のデバイスを測定する場合でも、電気的接続が非常に不安定な状態、または最悪オープン状態となってしまう。このため、デバイスそのものは良品であるにも関わらず、不良品と判定されて、ファイナルテストの１回目の検査での不良率は非常に悪くなってしまい、例えば、５〜１０％の不良率となってしまう。しかしながら、バリなどのゴミをテスト治具から除去して、不良品となったデバイスに対して、さらに１回〜数回ファイナルテストを行うと、最終的には、不良率は１％以下となる。
【０００５】
上記の問題を解決するために、従来、様々技術が提案されている。例えば、実開平４−６８３８５号公報には、デバイスのテスト治具にバリなどのゴミが付着しにくくするための構造として、ニードル（針) 状の接続端子を用いる技術が開示されている。
【０００６】
また、特開２０００−３０４８０６公報の半導体機器のテスト用ソケットでは、デバイスのリード端子とテスト治具の接続用端子が接触する際、こすってゴミ除去を行えるように接続用端子に摺動させる機構が開示されている。
【０００７】
さらに、特開２０００−２２８２６２公報のテストソケットのピン及び溝形成方法では、デバイスのリード端子との接続用端子に横溝と段差を付け、かつ先端部に弾力を持たせる構造にして、ゴミの付着する確率を低減させるとともに、ゴミが付着しても次の段で接触させる構造が開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
高周波半導体装置（以下、高周波デバイスと称する。）には、ＳｉやＧａＡｓを材料に用いた高周波トランジスタを使用し、ギガ帯域（ＧＨｚ）で動作させるパワーアンプやミキサやローノイズアンプなどがある。これの高周波デバイスの中で、特に高周波パワーアンプＩＣでは、グランド端子の他に、パッケージ底面に大面積のグランド電極（以下、スラグと称する。）が形成されているものがある。このスラグは、接地用として使用するとともに、放熱用の役目も果たす。
【０００９】
高周波デバイスのファイナルテスト時には、従来、図１７に示した半導体装置テスト治具（以下、テスト治具と称する。）１１０を使用する。図１７は、従来のテスト治具に検査対象である高周波デバイスを装着した状態の上面図及び正面断面図である。図１８は、従来のテスト治具に高周波デバイスを装着した際にゴミを挟み込んだ状態を示した正面断面図である。
【００１０】
テスト治具１１０は、高周波デバイスのスラグに当接するグランド台座１１１、高周波デバイスのリード端子との接続部１１４、高周波デバイスを押圧するための押圧部材１１５及び押圧バネ１１６を備えている。また、接続部１１４は、絶縁性プリント基板１１４ｂの上部に複数の接続用端子１１４ａが形成された構成である。グランド台座１１１は、高周波デバイスのスラグとの当接する平面を有している。また、グランド台座１１１と接続部１１４との間には、凹部１１７ａ，１１７ｂが設けられている。
【００１１】
なお、グランド台座１１１及び複数の接続用端子１１４ａは、図外の評価装置に接続されている。また、上面図には、押圧部材１１５及びバネ１１６は図示していない。
【００１２】
高周波デバイス１２は、パッケージ底面（下部）に大面積の接地用電極（グランド電極）であるスラグ１３を備え、また、左右の側面から突出した複数のリード端子１２ａを備えている。
【００１３】
テスト治具１１０で高周波デバイス１２のファイナルテストを行う場合は、図１７に示したように、グランド台座１１１に高周波デバイス１２のスラグ１３が当接するように、高周波デバイス１２を載置する。また、高周波デバイス１２のリード端子１２ａを、テスト治具１１０の接続用端子１１４ａに接続する。そして、高周波デバイス１２のパッケージ部１２ｂを、押圧部材１１５で押圧してテスト治具１１０に固定する。
【００１４】
高周波デバイス１２のスラグ１３は、他のリード端子１２ａに比べて当接面積が大きいため、スラグ１３を当接させるグランド台座１１１にバリなどのゴミが付着する可能性は非常に高い。よって、この箇所での不良率増大の確率が非常に高い。特に、高周波パワーアンプＩＣのスラグは、電気的には直流並びに高周波信号の基準電位をとるための端子として使用するとともに、前記のように高周波デバイス内で発生した熱を外部に放出するためのヒートシンクとして使用する。そのため、図１７に示した高周波デバイス１２において、特にスラグ１３とテスト治具１１０のグランド台座１１１は、密着させる必要がある。
【００１５】
しかし、図１８に示したように、テスト治具１１０のグランド台座１１１とスラグ１３との間に、バリなどのゴミ１２５が挟まれることにより、高周波デバイス１２のスラグ１３が傾いてグランド台座１１１と接触すると、当接面積が減り、電気的にも熱的にもデバイスの特性が悪くなる。また、最悪の場合、完全にオープン状態となって、高周波デバイスの持つ本来の特性を引き出すことが不可能となる。このように、高周波デバイスにおいても、バリなどのゴミによって、ファイナルテストで良好な結果が得られずに、不良率がアップするといる問題があった。
【００１６】
また、ファイナルテスト時に高周波デバイス１２は、上面から押圧部材１１５によって強く押さえつけられるため、挟み込まれたゴミがテスト治具１１０のグランド台座１１１に圧着されてしまう。よって、１度ゴミが付着すると測定中は治具から取れる可能性はほとんど無い。
【００１７】
一般にこのバリなどのゴミがテスト治具に付着した場合、清掃が必要となるが、清掃はある特定のロット測定終了後に行い、例えば、有機溶剤を浸した綿棒等を用いたり、ピンセット等を用いたりして付着したゴミを除去する。その後、そのロットにおいて不良判定された高周波デバイスの測定を再度行う。この動作を１回〜数回繰り返すことにより、不良品として判定してしまった良品を拾い上げている。このように、１つの高周波デバイスを複数回測定することとなり、処理能力の低下、さらにはコストアップにつながるという問題があった。
【００１８】
これらの問題に対して、前記公報に開示された従来技術は、高周波デバイスのテスト治具には、残念ながら使用できない。すなわち、実開平４−６８３８５号公報のＩＣ実装用ソケットは、デバイスのリード端子に対するもので、かつ当接面積が小さくなることから接続抵抗が高くなってしまい、さらにニードル状のため寄生インダクタンス成分が大きくなる。特に、グランドとの間に発生した寄生インダクタンスが高周波デバイスに悪影響を及ぼすため、高周波特性が劣化するのはもちろんのこと、アンプなどでは発振してしまうことになる。また、高周波デバイスで特に問題となる放熱性が悪くなるという問題が発生する。
【００１９】
また、特開２０００−３０４８０６公報の半導体機器のテスト用ソケットや特開２０００−２２８２６２公報のテストソケットのピン及び溝形成方法では、高周波デバイスのスラグとの接続に使用できて、また、安定した低寄生インダクタンス成分で、かつ放熱性の良い電気的接続を実現することができない。さらにはテスト治具の機構が複雑となるため、信頼性が悪くかつコストアップとなる。特に、高周波パワーアンプでは、グランド接触の安定性が特性に非常に敏感に影響するため、採用し難い。
【００２０】
そこで、本発明は上記の問題を解決するために創作したものであり、その目的は、テスト治具のグランド台座の形状を改良して、放熱性を低下させることなく電気的接続不良を低減させ、かつ治具クリーニングの時間手間などを少なくすることにより、ファイナルテスト工程での検査の効率を向上させるテスト治具を提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上記の課題を解決するための手段として、以下の構成を備えている。
【００２２】
(1) 半導体装置のパッケージ底面に設けられた接地用電極との当接面に、曲面を有する形状またはその断面が台形状である複数の凸部または複数の凹部が形成され、さらに、前記複数の凸部の間または前記複数の凹部の底部に貫通孔を備えた接地接続用ブロックと、
前記接地接続用ブロックの貫通孔に通じる第２の貫通孔を備え、前記接地接続用ブロックを着脱可能なベース台座と、
によって構成された台座を備えたことを特徴とする。
【００２３】
この構成において、半導体装置テスト治具が備えている台座は、半導体装置のパッケージ底面に設けられた接地用電極との当接面であって、複数の凸部または複数の凹部が形成され、この複数の凸部または複数の凹部は曲面を有する形状またはその断面が台形状であり、さらに、この複数の凸部の間または複数の凹部の底部に貫通孔を備えた接地接続用ブロックと、この接地接続用ブロックの貫通孔に通じる第２の貫通孔を備え、接地接続用ブロックを着脱可能なベース台座と、によって構成されている。したがって、台座の当接面の当接面積を減らすことで、バリなどのゴミが付着する確率を低減することが可能となり、半導体装置のパッケージ底面と設置接続用ブロックとの当接面積を適度に確保できるので、効率的に放熱できるとともに、寄生インダクタンスを低減できる。また、複数の凸部の間または複数の凹部に半導体装置に付着したゴミを落とし込むことが可能となる。さらに、凸部の間または凹部の底面に落下したゴミは、貫通孔及び第２の貫通孔を通って落下するので、第２の貫通孔の下部に容器を設置することで容易にゴミを回収することが可能となる。また、台座の清掃回数を低減することが可能となる。加えて、接地接続用ブロックの当接面が摩耗や傷により劣化したとしても、接地接続用ブロックのみを取り替えればよく、半導体装置テスト治具全体を再度作成しなくても良いため、半導体装置テスト治具のコストダウンが可能である。また、接地接続用ブロックを取り外して清掃を行うことができるので、エアーブローなどで清掃を行っても、テスト治具の他の部位にゴミが付着することがなく容易に清掃ができ、清掃の効率を向上させることが可能となる。
【００３２】
(2) 前記凸部は、断面の形状が、前記接地用電極との当接面側を長さａの上底、底部側を長さｂ（≧ａ）の下底とする台形であることを特徴とする。
【００３３】
この構成において、台座の当接面における凸部は、その断面形状が、接地用電極との当接面側を長さａの上底、底部側を長さｂ（≧ａ）の下底とする台形である。したがって、台座の当接部の当接面積が減り、バリなどのゴミが付着する確率を低減することが可能となり、また、寄生インダクタンスを低減できるとともに、放熱性を向上させることができる。
【００３４】
(3) 前記凹部は、断面の形状が、前記接地用電極との当接面側を長さｃの上底、底部側を長さｄ（≦ｃ）の下底とする台形状であることを特徴とする。
【００３５】
この構成において、台座の当接面における凹部は、その断面形状が、接地用電極との当接面側を長さｃの上底、底部側を長さｄ（≦ｃ）の下底とする台形状である。したがって、台座の当接部の当接面積が減り、バリなどのゴミが付着する確率を低減することが可能となるとともに、寄生インダクタンスを低減できる。また、放熱性を向上させることができる。
【００３６】
(4) 前記凸部は、その形状が半球面状または半円柱状であることを特徴とする。
【００３７】
この構成において、台座の当接面における凸部は、その形状が、半球面状または半円柱状である。したがって、台座の凸部が曲面を有する形状であるため、テスト治具において、長期間にわたり、複数の高周波デバイスを押圧部材で圧着してテストを行ったとしても、半導体装置の接地用電極との当接面は、磨滅してしまうことがほとんどなく、また、複数の凸部を備えているので当接面積も確保でき、半導体装置における低寄生インダクタンス性及び放熱性を良好に維持しつつ、バリなどのゴミが半導体装置テスト治具に付着しにくい構造を実現できる。
【００３８】
(5) 前記凸部は、複数の半円柱を格子状に配置した形状であることを特徴とする。
【００３９】
この構成において、半導体装置テスト治具では、複数の半円柱を格子状に配置した形状に凸部が形成されている。したがって、台座の凸部が曲面を有する形状であるため、当接面積も確保でき、半導体装置における低寄生インダクタンス性及び放熱性を良好に維持しつつ、バリなどのゴミが半導体装置テスト治具へ付着しにくい構造を実現できる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
図１は、半導体装置テスト治具のグランド電極構造を説明するための正面断面図である。半導体装置テスト治具（以下、テスト治具と称する。）１０は、従来のテスト治具１１０におけるグランド台座１１１の構造を改良したものである。
【００４１】
テスト治具１０は、高周波デバイスのスラグを当接するグランド台座１１、高周波デバイスのリード端子との接続部１５、高周波デバイスを押圧するための押圧部材１６及び押圧バネ１７を備えている。また、接続部１５は、絶縁性プリント基板１５ｂの上部に複数の接続用端子１５ａが形成された構成である。また、グランド台座１１と接続部１５との間には、凹部１７ａ，１７ｂが設けられている。
【００４２】
グランド台座１１は、高周波デバイス１２のスラグ１３との当接する平面を有しており、この当接面に複数の凸部１４を形成した形状である。複数の凸部１４は、上部は平面で、それぞれ同じ高さであり、所定の間隔で配置されている。なお、グランド台座１１及び複数の接続用端子１５ａは、従来のテスト治具１１０と同様に、図外の評価装置に接続されている。また、グランド台座２１は、例えば、真鍮やアルミなど導電性のものを材質としている。
【００４３】
テスト治具１０で高周波デバイス１２のファイナルテストを行う場合は、図１に示したように、グランド台座１１における複数の凸部１４の上面に高周波デバイス１２のスラグ１３が当接するように、高周波デバイス１２を載置する。また、高周波デバイス１２のリード端子１２ａを、テスト治具１０の接続用端子１５ａに接続する。そして、図外の押圧部材で高周波デバイス１２の上面を押圧して、半導体装置テスト治具１１０に対して固定する。
【００４４】
〔第１形態〕
次に、第１形態に係るテスト治具１０のグランド台座の具体的な形状について説明する。図２は、角柱形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。図３は、高周波デバイスのスラグとテスト治具のグランド台座における当接部の正面拡大図である。
【００４５】
図１に示したように、第１形態において、テスト治具１０のグランド台座における凸部の垂直方向の断面形状は台形である。また、その具体的な例として、図２に示したグランド台座２１には、高周波デバイス１２のスラグ１３との当接面において、複数の溝２３を設けることによって、複数の凸部２２が形成されている。
【００４６】
凸部２２は、当接面側を長さａの上底、底部側を長さｂ（≧ａ）の下底とする台形状である垂直方向の断面を有する角柱である。また、複数の凸部２２は、それぞれ所定の間隔をおいて平行に配置されている。
【００４７】
凸部２２の形状を上記のようにすることで、以下のような効果がある。すなわち、断面を台形状として、スラグとの当接面の長さ（上底の長さａ）をできるだけ短くして、グランド台座の当接面の当接面積を減らすことで、バリなどのゴミが付着する確率を低減することができる。また、寄生インダクタンスをできるだけ減らすため、また、放熱性を良好にするためにも、凸部２２は上記の形状が望ましい。
【００４８】
図３に示したように、溝２３は、ファイナルテストの際に高周波デバイスに付着したバリなどのゴミ２４が落下した場合に、このゴミを落とし込むために設けたものである。
【００４９】
ファイナルテスト以前の工程から高周波デバイス１２に付着して持ち込まれたバリなどのゴミ２４は、テスト治具１０への高周波デバイス１２装着時に、多くはテスト治具１０のグランド台座２１に設けられた凸部２２と別の凸部２２との間の溝（凹部）２３に落下する。よって、テスト治具１０のグランド台座２１の当接面と、高周波デバイス１２のスラグ１３と、の間にゴミ２４が挟まれることが非常に少なくなり、テスト時における接触不良による不良率増大の問題を解決することができる。
【００５０】
なお、従来、ロット１回目の検査時不良率が５〜１０％という高い値であったが、第１形態をファイナルテストに適用することで、１回の検査で従来の最終不良率である１パーセント以下となった。
【００５１】
また、溝２３に落ちたゴミは検査時に圧着されていないため、エアーブローなどで簡単に除去清掃することができ、新たなロットにおけるデバイスのテスト測定時へスムーズに移行できる。
【００５２】
さらに、このようなグランド台座形状であるため、高周波デバイスのスラグ面と治具グランド台座の当接面との当接面積も適度に確保できることから、電気的に安定した接続が得られるとともに、前記のように、高周波デバイスからスラグを介して治具に伝わった熱を効率的に放熱できるという利点も維持することができる。
【００５３】
次に、凸部形状の変形した他の例を図４に基づいて説明する。図４は、突起状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。図４に示したグランド台座３１は、高周波デバイスのスラグとの当接面において、格子状の溝３３を設けることによって、突起状の複数の凸部３２を形成した形状である。
【００５４】
凸部３２は、その形状が、一辺の長さｂの正方形である底面と、一辺の長さａ（≦ｂ）の正方形である上面（当接面）と、が平行な切頭四角錐（角錐台）である。したがって、凸部３２の断面形状は、当接面側が長さａの上底、底部側が長さｂ（≧ａ）の下底である台形となる。複数の凸部３２は、上記のように格子状の溝３３をおいて等間隔に設けられている。
【００５５】
次に、凸部形状を変形した別の例を図５に基づいて説明する。図５は、格子状の凸部を有するグランド台座の斜視図である。図５に示したグランド台座４１は、高周波デバイスのスラグとの当接面において、切頭四角錐状の凹部４３を複数設けることにより、格子状の凸部４２を形成したものである。
【００５６】
凹部４３は、その形状が、一辺の長さｄの正方形である底面と、一辺の長さｃ（≧ｄ）の正方形である上面（当接面）と、が平行な切頭四角錐（角錐台）である。したがって、凹部４３の断面形状は、当接面側が長さｃの上底、底部側が長さｄ（≦ｃ）の下底である台形となる。複数の凹部４３は、上記のように格子状の凸部４２をおいて等間隔に設けられている。
【００５７】
なお、テスト治具１０のグランド台座における当接面の形状は、図２、図４及び図５に示した凸部及び凹部の形状に限るものではなく、様々な変形例が考えられる。例えば、図５に示した凹部の当接面側の形状を、三角形、六角形、円形などにしてもよい。
【００５８】
〔第２形態〕
次に、第２形態に係るテスト治具のグランド台座形状を説明する。図６は、第２形態に係るテスト治具のグランド台座形状を示した正面断面図である。図７は、半円柱形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。図８は、半球形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。図９は、高周波デバイスのスラグとテスト治具のグランド台座における当接部の正面拡大図である。
【００５９】
図６に示したように、第２形態において、テスト治具１０のグランド台座における凸部の垂直方向の断面形状は半円である。これにより、第１形態と比較して平らな面が少なくなることにより、高周波デバイス１２のスラグ１３とグランド台座との間に、バリなどのゴミを挟み込むことによる不具合の発生を、さらに低減することが可能となる。
【００６０】
図６に示した凸部の具体的な例である図７に示したグランド台座６１は、高周波デバイスのスラグとの当接面において、複数の溝６３を設けることによって、垂直方向の断面が半円形状で、水平方向の断面を底面とした半円柱である複数の凸部６２が形成されている。なお、グランド台座６１の両端部には、高周波デバイス１２の底部におけるスラグ１３ではない部分が当接するため、断面が台形状の角柱６５を設けて、高周波デバイス１２を保持する構造である。
【００６１】
次に、凸部形状を変形した他の例を図８に基づいて説明する。図８に示したグランド台座７１は、高周波デバイスのスラグとの当接面において、格子状の溝７３を設けることによって、断面を底面とする半球形状の複数の凸部７２を複数形成した形状である。なお、グランド台座７１の当接面における両端部には、高周波デバイス１２の底部におけるスラグ１３ではない部分が当接するため、垂直方向の断面が台形状の角柱７５を設けて、高周波デバイス１２を保持する構造である。
【００６２】
第２形態においても第１形態と同様の効果が得られる。すなわち、図９に示したように、ファイナルテスト以前の工程から高周波デバイス１２に付着して持ち込まれたバリなどのゴミ６４は、テスト治具１０への高周波デバイス１２装着時に、テスト治具１０のグランド台座２１に設けられた溝６３に落下する。よって、テスト治具１０のグランド台座２１の当接面と、高周波デバイス１２のスラグ１３と、の間にゴミ２４が挟まれることが非常に少なくなり、テスト時における接触不良による不良率増大の問題を解決することができる。
【００６３】
また、溝６３に落ちたゴミは検査時に圧着されていないため、エアーブローなどで簡単に除去清掃することができ、新たなロットにおけるデバイスのテスト測定時へスムーズに移行できる。
【００６４】
さらに、このような形状のグランド台座をテスト治具１０は備えているので、高周波デバイス１２のスラグ１３とテスト治具１０におけるグランド台座の当接面との当接面積も適度に確保できることから、電気的に安定した接続が得られるとともに、前記のように、高周波デバイスからスラグを介して治具に伝わった熱を効率的に放熱できるという利点も維持することができる。
【００６５】
加えて、第２形態においては、グランド台座の凸部が曲面を有する形状であるため、テスト治具１０において、長期間にわたり、複数の高周波デバイス１２を図外の押圧部材で圧着してテストを行ったとしても、従来技術のニードル状形状と比較して、高周波デバイス１２のスラグ１３との当接面は、磨滅してしまうことがほとんどない。また、複数の凸部を備えているので当接面積も確保できる。よって、高周波デバイス１２で最も重要な低寄生インダクタンス性及び放熱性を良好に維持しつつ、バリなどのゴミの付着しにくい構造を実現できる。
【００６６】
なお、テスト治具１０のグランド台座における当接面の形状は、図７及び図８に示した凸部の形状に限るものではなく、様々な変形例が考えられる。例えば、図示は省略するが、図５に示した格子状の凸部における垂直方向の断面形状を半円形として、半円柱を格子状に配置した凸部形状などが考えられる。
【００６７】
なお、第１形態及び第２形態に示したグランド台座は、金属ブロックの削り出し加工や鋳造によって形成することができる。
【００６８】
〔第３形態〕
次に、本発明の第３形態に係るテスト治具のグランド台座構造を説明する。図１０は、第３形態に係るテスト治具のグランド台座構造を示した正面断面図である。図１１は、第３形態の半導体テスト治具におけるグランド台座の斜視図及び上面図である。
【００６９】
図１０及び図１１に示したように、グランド台座の凹部の底面または複数の凸部の間に設けた溝の底面に、所定の深さの穴または貫通孔９６を複数設けている。これにより、凹部（溝）９４に落下したゴミは、さらに貫通孔９６に落下させることができるので、凹部におけるゴミの蓄積を抑制することができる。また、グランド台座の内側に空洞９７を設け、ゴミを回収するための容器などを空洞９７に設置することで、グランド台座９３の下部からゴミを回収できるようにすることもできる。
【００７０】
なお、図１１に示した垂直方向の断面形状が台形のグランド台座に限るものではなく、第１形態及び第２形態で図示した形状や、他の形状のものが適用可能である。
【００７１】
また、図１１には、溝１０３の底面に複数の貫通孔１０４を設けた例を示したが、これに限るものではなく、例えば、溝１０３における底面の略全域を開口部とする貫通孔を設けても良い。
【００７２】
〔第４形態〕
次に、第４形態に係るテスト治具のグランド台座の形状について説明する。図１２は、第４形態のテスト治具の構造を説明するための正面断面図である。図１３は、第４形態のテスト治具におけるグランド台座の構造を示した斜視図である。図１４は、第４形態のテスト治具における別のグランド台座の構造を示した斜視図である。
【００７３】
図１２に示したように、グランド台座１３１は、ベース台座１３２及び接地接続用ブロックであるブロック１３３によって構成される。
【００７４】
ベース台座１３２は、上部が平面であり、ブロック１３３を着脱可能に積載する。ブロック１３３は、上部が高周波デバイス１２のスラグ１３との当接面であり、複数の凸部１４または複数の凹部（溝）が備えている。また、ブロック１３３の下部（底面）は、その面積がベース台座１３２の上面と略等しい平面であり、ベース台座にブロック１３３を搭載した際には、ベース台座１３２の上面と密着する。
【００７５】
図２に示したグランド台座２１に本形態を適用すると、図１３に示したように、ベース台座１４２とブロック１４３で構成したグランド台座１４１のような構成となる。また、図５に示したグランド台座４１に本形態を適用すると、図１４に示したように、ベース台座１５２とブロック１５３で構成したグランド台座１５１のような構成となる。
【００７６】
ブロックの材質は例えば真鍮やアルミなどの導電性材質の金属ブロックを用いるとよい。また、図１４に示した格子状のブロック１５３の場合、所定の厚みの金属シートを打ち抜き加工することで簡単に形成可能であり、製造費のコストダウンが図れる。この場合、凸部１５４の上面側の長さａ（上底）と、凸部１５４の底面側の長さｂ（下底）と、は等しくなる。しかし、凸部１５４のスラグ１３に対する当接面積が大きいため、問題は発生しない。
【００７７】
第４形態においては、第１形態及び第２形態と同様の効果が得られる。また、それに加えて、テスト治具１０において、長期間にわたり、複数の高周波デバイスを押圧部材で圧着してテストを行ったとしても、従来技術のニードル状形状と比較して、高周波デバイス１２のスラグ１３との当接面が摩耗や傷により劣化したとしても、ブロックのみを取り替えればよいため、テスト治具１０のコストダウンも可能である。
【００７８】
さらに、溝２３に落ちたゴミを除去する際に、ブロックを取り外して清掃を行うことができるので、エアーブローなどで清掃を行ってもテスト治具１０の他の部位にゴミが付着することがなく、容易に清掃ができ、新たなロットにおけるデバイスのテスト測定へよりスムーズに移行できる。
【００７９】
なお、当接面の形状としては、第１形態及び第２形態で説明した形状や他の形状が適用可能である。
【００８０】
〔第５形態〕
次に、第５形態に係るテスト治具のグランド台座の形状について説明する。図１５は、第５形態のテスト治具の構造を説明するための正面断面図である。図１６は、第５形態のテスト治具におけるグランド台座の外観を示した斜視図である。
【００８１】
第５形態のテスト治具のグランド台座は、第４形態のグランド台座を構成するブロック及びベース台座にゴミを落とし込む貫通孔を設けた構成である。図１５に示したように、グランド台座１６１は、ベース台座１６２及び接地接続用ブロックであるブロック１６３によって構成される。
【００８２】
ベース台座１５２は、上部が平面であり、ブロック１６３を載置可能である。ブロック１６３は、上部が高周波デバイス１２のスラグ１３との当接面であり、複数の凸部１４または複数の凹部（溝）が備えている。また、ブロック１６３の下部（底面）は、その外周の大きさがベース台座１６２の上面外周の大きさと略等しい平面であり、ベース台座にブロック１６３を搭載した際には、ベース台座１６２の上面と密着する。さらに、ブロック１６３は、凹部または溝１６４の底面に、複数の貫通孔１６６を備えている。
【００８３】
また、ベース台座１５２は、上面に１つまたは複数の貫通孔を備えている。例えば、ベース台座１５２の上面が図１５のＡ−Ａ’に示した位置の場合、ベース台座１５２は上面に複数の貫通孔１６８を備え、内側に空洞１６７を備えている。ベース台座１６２にブロック１６３を載置した際に、ブロック１６３が備える複数の貫通孔１６８の下面側開口部と、ベース台座１６２が備える複数の貫通孔１６８の上面側開口部と、はそれぞれ一致するように配置されて、貫通孔１６６と貫通孔１６８とは通じている。
【００８４】
また、ベース台座１５２の上面が図１５のＢ−Ｂ’に示した位置の場合、ベース台座１５２は、上面側に１つの開口部を備えた貫通孔である空洞１６７を備えている。ベース台座１６２にブロック１６３を載置した際に、ベース台座１６２の上面開口部はブロック１６３の各貫通孔１６６の下面側開口部を封止せず、各開口部に通じるようになっている。
【００８５】
よって、凹部（溝）１６４に落下したゴミは、貫通孔１６６を通って、または貫通孔１６６と貫通孔１６８とを通って、空洞１６７に落下するので、ゴミを回収するための容器などを空洞１６７に設置することで、グランド台座１６１の下部からゴミを回収できるようにすることが可能となる。
【００８６】
図１３に示したグランド台座１４１に本形態を適用すると、図１６に示したように、ベース台座１７２とブロック１７３を備えたグランド台座１７１のような構成となる。
【００８７】
第５形態では、第３形態において得られる効果に加えて、第４形態において得られる効果を得ることができる。
【００８８】
なお、本形態におけるブロックの当接面の形状は、第１形態及び第２形態で説明した形状や、他の形状が適用可能である。
【００８９】
また、図１５においては、ベース台座１６２及びブロック１６３が共に貫通孔を備えた構成を示したが、ブロック１６３における凹部の底面、または複数の凸部の間に設けた溝の底面にのみ、所定の深さの穴を複数備えた構成であってもよい。この場合、所定の深さの穴にゴミを蓄積することが可能であり、テスト治具１０における清掃回数を削減することができる。また、ブロック１６３を取り外して、容易にエアーブローなどを用いて清掃することができ、清掃の効率が向上する。
【００９０】
以上に説明したグランド台座構造を有するテスト治具を使用して高周波デバイスのファイナルテストを行うことで、高周波デバイスに付着したバリなどのゴミを凹部に落とし込む構造により、デバイスとの間に挟み込まれることが大幅に減少する。よって、ファイナルテスト時の不良率増大を回避でき、再測定を行わなければならない高周波テバイスの個数を低減することができる。また、テスト治具をクリーニングする頻度の減少及びクリーニング作業の簡素化を実現することにより、ファイナルテストに係る時間及びコストを大幅に低減することができる。さらに、以上に説明したグランド台座構造を導入したテスト治具の製造は容易であり、構造も簡単であることから、安価で信頼性の高いテスト治具を提供できるとともに、テスト効率をアップできる。
【００９１】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果が得られる。
【００９２】
(1) 半導体装置テスト治具は、台座の当接面の当接面積を減らすことで、バリなどのゴミが付着する確率を低減することができ、半導体装置のパッケージ底面と設置接続用ブロックとの当接面積を適度に確保できるので、効率的に放熱できるとともに、寄生インダクタンスを低減できる。また、複数の凸部の間または複数の凹部に半導体装置に付着したゴミを落とし込むことができる。さらに、凸部の間または凹部の底面に落下したゴミは、貫通孔及び第２の貫通孔を通って落下するので、第２の貫通孔の下部に容器を設置することで容易にゴミを回収することができる。また、台座の清掃回数を低減することができる。加えて、接地接続用ブロックの当接面が摩耗や傷により劣化したとしても、接地接続用ブロックのみを取り替えればよく、半導体装置テスト治具全体を再度作成しなくても良いため、半導体装置テスト治具のコストダウンができる。また、接地接続用ブロックを取り外して清掃を行うことができるので、エアーブローなどで清掃を行っても、テスト治具の他の部位にゴミが付着することがなく容易に清掃ができ、清掃の効率を向上できる。
【００９７】
(2) 台座の当接面における凸部は、その断面形状が、接地用電極との当接面側を長さａの上底、底部側を長さｂ（≧ａ）の下底とする台形であるため、台座の当接部の当接面積が減り、バリなどのゴミが付着する確率を低減することが可能となり、また、寄生インダクタンスを低減できるとともに、放熱性を向上できる。
【００９８】
(3) 台座の当接面における凹部は、その断面形状が、接地用電極との当接面側を長さｃの上底、底部側を長さｄ（≦ｃ）の下底とする台形であるので、台座の当接部の当接面積が減り、バリなどのゴミが付着する確率を低減することができるとともに、寄生インダクタンスを低減できる。また、放熱性を向上させることができる。
【００９９】
(4) 台座の当接面における凸部は、その形状が、半球面状または半円柱状であることにより、台座の凸部が曲面を有する形状であるため、テスト治具において、長期間にわたり、複数の高周波デバイスを押圧部材で圧着してテストを行ったとしても、半導体装置の接地用電極との当接面は、磨滅してしまうことがほとんどなく、また、複数の凸部を備えているので当接面積も確保でき、半導体装置における低寄生インダクタンス性及び放熱性を良好に維持しつつ、バリなどのゴミが半導体装置テスト治具に付着しにくい構造を実現できる。
【０１００】
(5) 半導体装置テスト治具では、複数の半円柱を格子状に配置した形状に凸部が形成されているので、台座の凸部が曲面を有する形状であり、当接面積も確保でき、半導体装置における低寄生インダクタンス性及び放熱性を良好に維持しつつ、バリなどのゴミが半導体装置テスト治具へ付着しにくい構造を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置テスト治具のグランド電極構造を説明するための正面断面図である。
【図２】角柱形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。
【図３】高周波デバイスのスラグとテスト治具のグランド台座における当接部の正面拡大図である。
【図４】突起状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。
【図５】格子状の凸部を有するグランド台座の斜視図である。
【図６】第２形態に係るテスト治具のグランド台座形状を示した正面断面図である。
【図７】半円柱形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。
【図８】半球形状の複数の凸部を有するグランド台座の斜視図である。
【図９】高周波デバイスのスラグとテスト治具のグランド台座における当接部の正面拡大図である。
【図１０】第３形態に係るテスト治具のグランド台座構造を示した正面断面図である。
【図１１】第３形態の半導体テスト治具におけるグランド台座の斜視図及び上面図である。
【図１２】第４形態のテスト治具の構造を説明するための正面断面図である。
【図１３】第４形態のテスト治具におけるグランド台座の構造を示した斜視図である。
【図１４】第４形態のテスト治具における別のグランド台座の構造を示した斜視図である。
【図１５】第５形態のテスト治具の構造を説明するための正面断面図である。
【図１６】第５形態のテスト治具におけるグランド台座の外観を示した斜視図である。
【図１７】従来のテスト治具に検査対象である高周波デバイスを装着した状態の上面図及び正面断面図である。
【図１８】従来のテスト治具に高周波デバイスを装着した際にゴミを挟み込んだ状態を示した正面断面図である。
【符号の説明】
１０−半導体装置テスト治具
１２−半導体装置
１３−接地用電極（スラグ）
１４−凹部
１３１−台座
１３２−ベース台座
１３３−接地接続用ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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