(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、前記被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめるプローブカードの基板上に、前記接続端子に接触する接触子を形成する方法であって、
前記基板上の一部の領域に犠牲層を形成する犠牲層形成段階と、
前記犠牲層および前記基板上に、過冷却液体域を有する非晶質材料を含む非晶質材料層を形成する非晶質材料層形成段階と、
前記非晶質材料層の一部の領域と前記基板との間に存在する前記犠牲層を取り除いて、前記基板から離れた自由部を一部に有する非晶質材料カンチレバーを形成する非晶質材料カンチレバー形成段階と、
前記自由部を前記基板から離れる方向に曲げて、前記接触子を形成する接触子形成段階
とを備え、
前記接触子形成段階は、前記自由部が前記基板の重力方向下側に存在する状態で、前記自由部に対して、前記基板の両面から赤外線を照射する段階を含む
ことを特徴とする接触子形成方法。
【請求項２】
前記非晶質材料層形成段階は、前記非晶質材料をスパッタリングすることにより前記非晶質材料層を形成することを特徴とする請求項１に記載の接触子形成方法。
【請求項３】
前記接触子形成段階は、前記基板の表面から重力方向下方の所定の位置に曲げ調整部を設ける段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の接触子形成方法。
【請求項４】
前記接触子形成段階における前記曲げ調整部は、前記基板より赤外線の透過率が高いことを特徴とする請求項３に記載の接触子形成方法。
【請求項５】
前記接触子形成段階における前記曲げ調整部は、石英ガラス基板であることを特徴とする請求項３に記載の接触子形成方法。
【請求項６】
前記接触子形成段階における前記曲げ調整部の前記石英ガラス基板は、前記基板の表面から重力方向下方の前記所定の位置に位置決めする位置決め機構を有することを特徴とする請求項５に記載の接触子形成方法。
【請求項７】
前記接触子形成段階は、前記基板の重力方向の動きを抑止するように係止する係止部と、前記基板の表面から重力方向下方の所定の位置に設けられた曲げ調整部とを有する曲げ調整部材を設ける段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の接触子形成方法。
【請求項８】
前記接触子形成段階における前記曲げ調整部は、厚さを変更することにより、前記自由部の曲げ量を調整可能とすることを特徴とする請求項７に記載の接触子形成方法。
【請求項９】
前記接触子形成段階における前記曲げ調整部は、石英ガラスで形成されることを特徴とする請求項７に記載の接触子形成方法。
【請求項１０】
被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、前記被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめるプローブカードの基板上に、前記接続端子に接触する接触子を形成する方法であって、
前記基板上の一部の領域に犠牲層を形成する犠牲層形成段階と、
前記犠牲層および前記基板上に、過冷却液体域を有する非晶質材料を含む非晶質材料層を形成する非晶質材料層形成段階と、
前記非晶質材料層の一部の領域と前記基板との間に存在する前記犠牲層を取り除いて、前記基板から離れた自由部を一部に有する非晶質材料カンチレバーを形成する非晶質材料カンチレバー形成段階と、
前記自由部を加熱することにより前記自由部を前記基板から離れる方向に曲げて、前記接触子を形成する接触子形成段階
とを備え、
前記接触子形成段階は、前記基板の表面から重力方向下方の所定の位置に曲げ調整部を設ける段階を含む
ことを特徴とする接触子形成方法。
【請求項１１】
前記非晶質材料層形成段階は、前記非晶質材料をスパッタリングすることにより前記非晶質材料層を形成することを特徴とする請求項１０に記載の接触子形成方法。
【請求項１２】
前記接触子形成段階は、前記自由部が前記基板の重力方向下側に存在する状態で、前記自由部を加熱することを特徴とする請求項１０に記載の接触子形成方法。
【請求項１３】
前記接触子形成段階は、前記自由部に対して赤外線を照射することにより前記自由部を加熱することを特徴とする請求項１２に記載の接触子形成方法。
【請求項１４】
前記接触子形成段階における前記曲げ調整部は、前記基板より赤外線の透過率が高いことを特徴とする請求項１３に記載の接触子形成方法。
【請求項１５】
前記接触子形成段階における前記曲げ調整部は、石英ガラス基板であることを特徴とする請求項１０に記載の接触子形成方法。
【請求項１６】
前記接触子形成段階における前記曲げ調整部の前記石英ガラス基板は、前記基板の表面から重力方向下方の前記所定の位置に位置決めする位置決め機構を有することを特徴とする請求項１５に記載の接触子形成方法。
【請求項１７】
前記接触子形成段階は、前記基板の重力方向の動きを抑止するように係止する係止部と、前記基板の表面から重力方向下方の所定の位置に設けられた前記曲げ調整部とを有する曲げ調整部材を設けることを特徴とする請求項１０に記載の接触子形成方法。
【請求項１８】
前記接触子形成段階における前記曲げ調整部は、厚さを変更することにより、前記自由部の曲げ量を調整可能とすることを特徴とする請求項１７に記載の接触子形成方法。
【請求項１９】
前記接触子形成段階における前記曲げ調整部は、石英ガラスで形成されることを特徴とする請求項１７に記載の接触子形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の電気的試験において、集積回路と外部半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめるプローブカードに関し、特に、狭ピッチで多数のパッドを有する集積回路に、高周波信号を伝送することができるプローブカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路を製造する際、製造工程中に集積回路の電気的特性試験を行うことが必須とされている。この試験においては、集積回路が製造されたウェハと、外部の半導体試験装置との間に、試験信号を伝送させる伝送路を設ける必要がある。伝送路は先端に接触子を有し、接触子を集積回路上の接続端子に接触させることによって、外部の半導体試験装置で生成された試験信号を集積回路に供給する。近年、高速で動作する半導体デバイスの開発が盛んに進められており、それに伴って、半導体試験装置、接触子、および半導体試験装置と接触子との間の伝送路が、高周波に対応できることが要求されている。さらに、近年、半導体デバイスの高密度化（高集積化）が著しく、狭ピッチで多数のパッドを有する高集積化回路に試験信号を供給することができる伝送路の開発が必要である。
【０００３】
図１は、外部半導体試験装置と、試験対象である被試験回路との間で高周波信号の伝送を可能とする従来の接触部１０の構成を示す。この接触部１０は、接触子１２、同軸ケーブル１４および支持固定部１６を備える。接触子１２は、同軸ケーブル１４の先端に取り付けられており、試験中、被試験回路上の接続端子（例えば、パッド、ハンダボール、金バンプ等）に接触される。同軸ケーブル１４は、外部の半導体試験装置（図示せず）に接続される。支持固定部１６は、同軸ケーブル１４を支持し、接触子１２の位置を固定する。
【０００４】
外部半導体試験装置および被試験回路との間の信号の伝送は、同軸ケーブル１４を介して行われる。従って、接触部１０を用いて高周波信号を伝送すると、伝送信号の減衰を非常に小さくすることが可能となる。
【０００５】
図２は、図１に示された接触部１０の接触子１２付近の領域を、矢印Ａの方向から見た図を示す。図２において、同軸ケーブル１４が、信号を伝送する信号線路１８ａと、接地された接地線路１８ｂとを有する。また、接触子１２は、被試験回路の信号線路と接触する接触子１２ａと、被試験回路の接地部と接触する接触子１２ｂおよび１２ｃからなる。接触子１２ａ、１２ｂおよび１２ｃは、エアコプレナを形成しており、先端の直近までインピーダンス整合が保たれている。
【０００６】
図３は、接触子１２を、被試験回路に接触させた状態を示す。接触子１２ａが被試験回路の信号線路２０ａに接触され、接触子１２ｂ、１２ｃが、被試験回路の接地部２０ｂ、２０ｃに接触されている。同軸ケーブル１４を有する接触部１０によると、１００ＧＨｚ以上の高周波帯域における信号の伝送が可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
近年の集積回路の開発においては、高速化が図られているだけでなく、回路の微細化および高集積化が著しい。図１に示された接触部１０によると、接触子１２のピッチが同軸ケーブル１４の径で制限されるので、狭ピッチのパッドを有する高集積化回路の試験を行うことができない。また、回路の高集積化に伴って、回路上に形成されるパッド数も現在数千程度まで増加しており、図１の接触部１０をパッド数の数だけ作成することは、コスト的に合理的ではない。また、次世代の一般的な集積回路の動作周波数は１ＧＨｚ〜数ＧＨｚのオーダであるが、この接触部１０は、１００ＧＨｚ以上の高周波帯域の信号伝送を可能としており、現在のところ、１００ＧＨｚ以上の過大な帯域における信号伝送までは要求されていない。
【０００８】
図１に示された接触部１０とは別に、狭ピッチで多数のパッドを有する回路を試験するために、狭ピッチで多数の接触子を有するプローブカードが存在する。このようなプローブカードには、高速化、多ピン化、狭ピッチ化などが要求される。また、ピン位置精度の高精度化、被試験回路のパッドに摺動するスクラブ機能、荷重によるプローブカードおよびウェハの変形を防ぐ低荷重化、さらには全面端子型の回路に対応するエリアアレイ対応性なども要求される。また、試験の際には、波形歪みを避けるために、半導体試験装置の入出力端子から被試験回路の接続端子（パッド）までの特性インピーダンスを一定にする必要がある。以下に、プローブカードに用いられる従来の代表的な４種類のプローブピンについて説明し、更にそれぞれのプローブピンの欠点について説明する。
【０００９】
図４は、従来、最も一般的な水平ニードルプローブ方式により作製されたプローブピンを示す。この水平ニードルプローブ方式では、直径が２００〜３００μｍで、先端にテーパをつけたW、ReW、BeCu、Pdなどの金属ニードルを使用する。この方式によると、針先が約２０ｍｍと長いので、この針先の部分で特性インピーダンスが変わり、反射ノイズが生じる。そのため、測定最大周波数は、０．２ＧＨｚ程度と低い。また、このプローブピンは手作業により作製されるので、将来的にもエリアアレイ対応性、高密度化、荷重の低減、および位置の高精度化を実現することが困難である。また、W、ReW、BeCu、Pdなどで形成された金属ニードルには結晶粒界が存在するので、このような材料で形成されたニードルが、被試験回路のパッドに繰り返し接触すると、パッドにスクラブすることにより生じる残渣が結晶粒界に入り込み、その結果、接触抵抗が増加するという欠点を有する。
【００１０】
図５は、垂直ニードルプローブ方式により作製されたプローブピンを示す。垂直ニードルプローブ方式は、水平ニードルプローブ方式で課題とされていたエリアアレイ対応性、高密度化を実現するために開発された方式であるが、十分なエリアアレイ対応性、および高密度化を実現するには至っていない。また、水平ニードルプローブ方式に比べて、プローブカードに少なくとも１．５倍以上の荷重がかかり、低荷重化を実現することができないという欠点を有する。さらに、構造上、摺動動作を行わせることが困難であり、十分なスクラブ機能を得ることができない欠点も有する。
【００１１】
図６は、メンブレン方式により作製されたプローブピンを示す。メンブレン方式は、高速化、高密度化、およびエリアアレイ対応性を実現するために開発された方式である。メンブレン方式では、ポリイミドフィルムの配線基板上にメタルバンプをプローブピンとして形成する。メタルバンプの高さは数十μｍと短いので、メタルバンプの直ぐ手前まで伝送線路を形成することが可能であり、高速化を実現することができる。しかし、この方式によると、垂直方向から荷重をかけるので、大きなスクラブ機能を得ることは困難である。また、ポリイミドフィルムを基板としているので、ＬＳＩの高温試験を行う際に、ポリイミドフィルムが不均一に膨張し、被試験回路のパッドとメタルバンプの位置合わせずれが発生する欠点を有する。
【００１２】
図７は、フォトリソグラフィー・メッキ方式により作製されたプローブピンを示す。フォトリソグラフィー・メッキ方式は、高精度化、高密度化、多ピン化を実現することが可能である。さらに、プローブピンの根元まで伝送線路を形成することができるので、高速化を実現することもできる。しかし、構造上、エリアアレイ対応性が困難である。
【００１３】
米国特許第5,613,861号は、薄膜の内部応力勾配を利用してプローブを作製する方法について開示する。このプローブには、材料としてＭｏＣｒが用いられる。この方法は、内部応力を利用するために、再現性が低く、同一形状のプローブの作製が困難である課題を有する。
【００１４】
また、Donald L. Smith等により開示された" Flip-Chip Bonding on 6-um Pitch using Thin-Film Microspring Technology"（(Proceedings of 48th Electronic Components and Technology Conf.; Seattle, Washington (May, 1998): c1998 IEEE）は、薄膜堆積中に段階的に圧力を上げることにより、膜厚方向に内部応力勾配を有するMoCr薄膜を形成する方法について開示する。この方法は、応力制御の再現性が低く、同一形状のプローブの作製が困難である課題を有する。
【００１５】
また、Soonil Hong等により開示された"DESIGN AND FABRICATION OF A MONOLITHIC HIGH-DENSITY PROBE CARD FOR HIGH-FREQUENCY ON-WAFER TESTING"（IEDM 89, p.289-292）は、応力の異なる薄膜を積層して、プローブを作製する方法について開示する。この方法は、複数の薄膜を形成するために、プローブ間で均一な特性を得ることが困難となり、同一特性のプローブの作製が困難である課題を有する。
【００１６】
また、Yanwei Zhang等により開示された"A NEW MEMS WAFER PROBE CARD"（0-7803-3744-1/97 IEEE, p.395-399）は、バイモルフを利用してプローブを作製する方法について開示する。この方法は、ヒータを用いるので、ヒータ用の配線を備えた複雑な構成が必要となる課題を有する。
【００１７】
また、Shinichiro Asai等により開示された"Probe Card with Probe Pins Grown by the Vapor-Liquid-Solid (VLS) Method"（IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS, PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY-PART A, VOL. 19, NO.2, JUNE 1996）は、基板に垂直に成長させたウィスカープローブについて開示する。このプローブは、１〜３ｍｍと長いので、高速化を図ることが困難であり、低荷重化も困難である課題を有する。
【００１８】
図４〜７および列挙した文献に関して説明したように、従来技術には、全ての目標特性を満足するプローブピンの方式は存在しない。そこで、高速化、高密度化、多ピン化、エリアアレイ対応性、スクラブ機能、低荷重化および位置の高精度化などの複数の課題を同時に全て満足するプローブピン方式を開発する必要がある。
【００１９】
したがって、本発明は、狭ピッチで多数のパッドを有する集積回路に、１ＧＨｚ以上の高周波の信号を伝送することができるプローブカードを提供することを解決すべき課題とする。
【００２０】
そこで本発明は、上記課題を解決することのできるプローブカードを製造するための製造方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の一形態によれば、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめるプローブカードの基板上に、接続端子に接触する接触子を形成する方法であって、基板上の一部の領域に犠牲層を形成する犠牲層形成段階と、犠牲層および基板上に、過冷却液体域を有する非晶質材料を含む非晶質材料層を形成する非晶質材料層形成段階と、非晶質材料層の一部の領域と基板との間に存在する犠牲層を取り除いて、基板から離れた自由部を一部に有する非晶質材料カンチレバーを形成する非晶質材料カンチレバー形成段階と、自由部を基板から離れる方向に曲げて、接触子を形成する接触子形成段階とを備え、接触子形成段階は、自由部が基板の重力方向下側に存在する状態で、自由部に対して、基板の両面から赤外線を照射する段階を含むことを特徴とする接触子形成方法を提供する。
【００２２】
非晶質材料層形成段階は、非晶質材料をスパッタリングすることにより非晶質材料層を形成してもよい。
【００２３】
接触子形成段階は、基板の表面から重力方向下方の所定の位置に曲げ調整部を設ける段階を含んでもよい。この場合、接触子形成段階における曲げ調整部は、基板より赤外線の透過率が高くてもよい。また、接触子形成段階における曲げ調整部は、石英ガラス基板であってよく、接触子形成段階における曲げ調整部の石英ガラス基板は、基板の表面から重力方向下方の所定の位置に位置決めする位置決め機構を有してもよい。
【００２４】
接触子形成段階は、基板の重力方向の動きを抑止するように係止する係止部と、基板の表面から重力方向下方の所定の位置に設けられた曲げ調整部とを有する曲げ調整部材を設ける段階を含んでもよい。この場合、接触子形成段階における曲げ調整部は、厚さを変更することにより、自由部の曲げ量を調整可能としてもよい。また、接触子形成段階における曲げ調整部は、石英ガラスで形成されてもよい。
【００２５】
本発明の他の一形態によれば、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめるプローブカードの基板上に、接続端子に接触する接触子を形成する方法であって、基板上の一部の領域に犠牲層を形成する犠牲層形成段階と、犠牲層および基板上に、過冷却液体域を有する非晶質材料を含む非晶質材料層を形成する非晶質材料層形成段階と、非晶質材料層の一部の領域と基板との間に存在する犠牲層を取り除いて、基板から離れた自由部を一部に有する非晶質材料カンチレバーを形成する非晶質材料カンチレバー形成段階と、自由部を加熱することにより自由部を基板から離れる方向に曲げて、接触子を形成する接触子形成段階とを備え、接触子形成段階は、基板の表面から重力方向下方の所定の位置に曲げ調整部を設ける段階を含むことを特徴とする接触子形成方法を提供する。
【００２６】
非晶質材料層形成段階は、非晶質材料をスパッタリングすることにより非晶質材料層を形成してもよい。
【００２７】
接触子形成段階は、自由部が基板の重力方向下側に存在する状態で、自由部を加熱してもよい。この場合、接触子形成段階は、自由部に対して赤外線を照射することにより自由部を加熱してもよい。また、接触子形成段階における曲げ調整部は、基板より赤外線の透過率が高くてもよい。
【００２８】
接触子形成段階における曲げ調整部は、石英ガラス基板であってもよい。この場合、接触子形成段階における曲げ調整部の石英ガラス基板は、基板の表面から重力方向下方の所定の位置に位置決めする位置決め機構を有してもよい。
【００２９】
接触子形成段階は、基板の重力方向の動きを抑止するように係止する係止部と、基板の表面から重力方向下方の所定の位置に設けられた曲げ調整部とを有する曲げ調整部材を設けてもよい。この場合、接触子形成段階における曲げ調整部は、厚さを変更することにより、自由部の曲げ量を調整可能としてもよい。また、接触子形成段階における曲げ調整部は、石英ガラスで形成されてもよい。
【００３０】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００３２】
図８は、被試験ウェハ７０上に製造された回路を電気的に試験する半導体試験システム３０の構成を示す。この半導体試験システム３０は、半導体試験装置６０およびプローブカード１００を備え、半導体試験装置６０は、試験装置本体４０およびテストヘッド５０を有する。試験装置本体４０には、パターン発生器４２および波形整形器４４が含まれ、テストヘッド５０には、信号伝送部５２および測定部５４が含まれる。プローブカード１００は、被試験ウェハ７０に製造された回路上の接続端子に接触する接触子（図示せず）を有する。信号伝送部５２から伝送される信号は、プローブカード１００を介して被試験ウェハ７０に伝送され、また、被試験ウェハ７０から出力される信号は、プローブカード１００を介して信号伝送部５２に伝送される。
【００３３】
パターン発生器４２が、被試験ウェハ７０上に製造された集積回路を試験するための試験信号を発生する。試験信号は、波形整形器４４に供給され、試験対象である集積回路の入力特性に応じて波形を整形される。波形を整形された試験信号は、信号伝送部５２に送られ、信号伝送部５２からプローブカード１００を介して被試験ウェハ７０に供給される。それから、被試験ウェハ７０は、試験信号に基づいて出力信号を出力し、出力信号が、プローブカード１００を介して信号伝送部５２に供給される。信号伝送部５２は、被試験ウェハ７０の出力信号を測定部５４に供給する。測定部５４は、出力信号に基づいて、被試験ウェハ７０の良否を判定する。
【００３４】
図９は、図８に示された信号伝送部５２と被試験ウェハ７０の間で信号の伝送を行う信号伝送システムの実施形態を参考例として示す。図８においては、信号伝送部５２と被試験ウェハ７０との間にプローブカード１００しか示されていないが、図９に示された信号伝送システムにおいては、プローブカード１００に加えて、パフォーマンスボード７２、プローブカード１００とパフォーマンスボード７２を接続するインターフェース７４が設けられている。被試験ウェハ７０は、可動ステージ７８上に設けられたウェハチャック７６により固定されている。信号伝送部５２と被試験ウェハ７０の間で、信号は、パフォーマンスボード７２、インターフェース７４、およびプローブカード１００を介して伝送される。
【００３５】
信号伝送部５２の下面から、複数の接触子８８が外部に突出している。パフォーマンスボード７２は、上面に複数のパッド８０を有し、下面に複数のパッド８２を有する。インターフェース７４には、伸縮可能な長さ方向の弾性を有する接触子である複数のポゴピン９０が取り付けられている。プローブカード１００は、上面に複数のパッド８４を有し、下面にプローブである複数の接触子９２を有する。
【００３６】
図９に示されるように、この参考例においては、接触子８８が、パッド８０に接触され、ポゴピン９０の両端が、それぞれパッド８２およびパッド８４に接触されている。また、本発明に係る製造方法より製造されるプローブカード１００の接触子９２が、被試験ウェハ７０上のパッド８６に接続される。本発明に係る製造方法より製造される接触子９２は、過冷却液体域を有する非晶質材料（以下、「金属ガラス材料」という）により形成されている。この金属ガラスは、過冷却液体域で粘性流動を示すことを特徴とする。なお、本明細書において、「過冷却液体域」とは、ガラス転移温度から結晶化開始温度までの温度領域をいう。パッド同士が接触子を介して電気的に接続されることにより、信号伝送部５２と被試験ウェハ７０との間における信号伝送が可能となる。
【００３７】
尚、図９においては、信号伝送システムの一部の構成として、パフォーマンスボード７２およびインターフェース７４が示されているが、これらの構成は必ずしも必要ではなく、図８に示されるように、プローブカード１００が信号伝送部５２に電気的に直接接続してもよい。
【００３８】
（本実施形態に係る製造方法により製造されるプローブカード１００の参考例）
図１０は、本発明の実施形態に係る製造方法により製造されるプローブカード１００の部分断面図を参考例として示す。プローブカード１００は、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめる機能を有する。このプローブカード１００は、接触子９２、基板９４、信号伝送路９６、接地導体部９８および穴部１０２を備える。
【００３９】
信号伝送路９６は、基板９４上に形成される。基板９４は、誘電体材料または半導体材料により形成される。接触子９２は、基板９４の片面において、信号伝送路９６の先端に金属ガラス材料により形成される。金属ガラス材料の微細加工技術を利用することによって、接触子９２を非常に微細に形成することが可能となり、さらに複数の接触子９２を同時に一括して形成することが可能となる。接触子９２は、穴部１０２の上方に設けられ、基板９４から離間して形成される。例えば、接触子９２は、基板９４の表面から離れる方向に延びた形状を有してもよい。図示される構成においては、接触子９２は、基板９４の表面から離れる方向に湾曲した形状を有している。また、接触子９２は、基板の表面に対して所定の角度をもって直線的に延びた形状を有してもよい。
【００４０】
接触子９２は、基板９４から離れる方向に延びた形状を有しているので、基板９４の表面に対して垂直方向に弾性を有する。そのため、接触子９２は、試験中、被試験回路に形成された接続端子に、弾性をもって接触することが可能となる。接触子９２は、被試験回路のパッドに接触し、摺動（スクラブ動作）することにより接続端子（パッド）上の汚れを押しのけ、更には酸化皮膜を突き破ることにより十分に低い接触抵抗を確保できることが望ましい。本実施形態による接触子９２は、被試験回路に設けられた接続端子に接触して摺動するように、基板９４の表面に対して垂直方向に弾性を有する。
【００４１】
また、全ての接触子９２が被試験回路の接続端子（パッド）に電気的に確実に接続するためには、各接触子９２が、それぞれ独立して摺動（スクラブ動作）することが望ましい。本実施形態による接触子９２は、それぞれ独立して、基板の表面に対して垂直方向に弾性を有することができ、各接続端子と確実に電気的に接続することが可能である。
【００４２】
図１０は、本実施形態に係る製造方法により製造されるプローブカード１００を、第１の参考例として示す。図１０に示された参考例においては、接地された接地導体部９８が、接触子９２が形成された基板９４の面に対して裏側の面に設けられている。本参考例においては、接地導体部９８が、所定の電位を供給する電位供給部の一例として示されている。すなわち、接地導体部９８は、所定のオフセット電位を供給することができる電位供給部であってもよい。接地導体部９８は、接地電位を供給することができる。
【００４３】
接地導体部９８は、金属により形成されるのが好ましい。接触子９２の製造プロセスの観点より、接地導体部９８は、基板９４の片面において接触子が形成された位置に対向する裏面における位置以外の領域に設けられるのが好ましい。すなわち、接地導体部９８は、基板９４の片面において接触子９２が形成された位置に対向する裏面における位置には設けられないのが好ましい。製造プロセスについては後に詳述するが、接触子９２に赤外線を基板９４の両面から照射できるように、接触子９２が形成された片面に対向する裏面の位置には、金属である接地導体部９８が形成されないのが好ましい。
【００４４】
信号伝送路９６は、基板９４および接地導体部９８とともに、一定の特性インピーダンスを有するマイクロストリップ線路を構成するように形成される。このマイクロストリップ線路の特性インピーダンスは、基板９４を構成する誘電体の種類、基板９４の厚さ、および信号伝送路９６の幅によって定められ、接触子９２の根元までインピーダンス整合が保たれるのが理想的である。また、強度上の要請から、信号伝送路９６の少なくとも先端付近の領域は、接触子９２と同一の金属ガラス材料により形成されることが望ましい。本参考例においては、信号伝送路９６が、図示される範囲において金属ガラス材料により形成されているが、信号伝送路９６の抵抗を下げるために、信号伝送路９６の大部分が金属ガラス材料よりも抵抗の低い金属により形成されてもよい。ただし、上述したように、強度上の要請から、信号伝送路９６の先端付近の領域は、接触子９２の製造プロセス中、接触子９２とともに金属ガラス材料で形成されることが望ましい。
【００４５】
図１１（ａ）は、複数の接触子が形成されたプローブカード１００の片面の一部を参考例として示す。複数の接触子９２が、被試験ウェハに製造された回路上の接続端子（パッドなど）のピッチと同じピッチで配置される。信号伝送路９６は、少なくとも先端部においては、接触子９２と同一のピッチを有する。信号伝送路９６は、基板の表面に対して平行に形成された平行伝送路を有する。この平行伝送路同士は、互いに並行に形成されている。本発明による接触子９２は、微細加工技術を用いて金属ガラスにより形成されているので、被試験回路上の狭ピッチで多数のパッドに合わせて配置されることが可能である。さらに、接触子９２は、被試験回路上にエリア配列されたパッドに合わせて配置されることも可能である。
【００４６】
図１１（ｂ）は、接触子が形成された面に対して裏側の面の一部を参考例として示す。図１１（ｂ）においては、接触子が形成された位置に対向する裏面における位置９９に、接地導体部９８が設けられていない状態が示されている。図１０に関連して説明したように、作製プロセス上の観点より、位置９９には、接地導体部９８を設けないのが好ましい。
【００４７】
図１２は、試験中、プローブカード１００における接触子９２と、被試験ウェハ７０上のパッド８６とが接触した状態を参考例として示す。前述したように、複数の接触子９２のそれぞれは、基板９４の表面に対して垂直方向に弾性を有している。したがって、接触子９２は、パッド８６の高さバラツキ、および接触子９２自身の高さバラツキを吸収し、パッド８６との間の電気的接続を確保することが可能となる。接触子９２とパッド８６とが確実に接触することによって、試験における信号の確実な伝送が可能となる。
【００４８】
また、パッド８６の表面には酸化膜が形成されることがあるが、試験中、パッド８６と接触子９２とは、確実に電気的に接続しなければならない。そのため、接触子９２は、パッド８６に押圧され、パッド８６の表面を摺動（スクラブ）することが望ましい。すなわち、接触子９２は、表面をこするようにパッド８６に接触され、パッド８６との間の電気的接続を確実にする。
【００４９】
以下、図１３から図２６を参照して、プローブカード１００の他の形態を参考例として示す。図１３は、第２の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。プローブカード１００は、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめる機能を有する。このプローブカード１００は、接触子９２、基板９４、信号伝送路９６、接地導体部９８、穴部１０２および低抵抗部１０４を備える。図１０において付された符号と同一の符号で示される構成は、図１０において対応する構成と同一または同様の機能を有する。
【００５０】
このプローブカード１００において、信号伝送路９６に隣接して、信号伝送路９６よりも電気抵抗の低い導体で形成された低抵抗部１０４が形成されている。具体的には、低抵抗部１０４は、信号伝送路９６の上部に形成されている。すなわち、第２の実施形態においては、低抵抗部１０４および信号伝送路９６の両者が、一体となって、信号の伝送を行う低抵抗の信号伝送路として機能する。図１０に関連して説明したように、強度上の要請から、信号伝送路９６の少なくとも先端付近の領域が、接触子９２と同一の金属ガラス材料により形成されることが望ましい。このとき、信号伝送路全体としての電気抵抗を下げるために、金属ガラスよりも電気抵抗の低い低抵抗部１０４を信号伝送路９６に隣接して形成するのが好ましい。低抵抗部１０４は、金属により形成され、金、銅、ニッケル、アルミニウム、プラチナ、ロジウムなどの低抵抗材料により形成される。低抵抗部１０４を信号伝送路９６に隣接して設けることによって、電流が低抵抗部１０４を主に通過するようになる。この結果、信号伝送路９６および低抵抗部１０４により形成される信号伝送路全体の抵抗を低く抑えることができ、高周波成分の減衰を抑止することが可能となる。
【００５１】
図１４は、第３の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。プローブカード１００は、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめる機能を有する。このプローブカード１００は、接触子９２、基板９４、信号伝送路９６、接地導体部９８、穴部１０２および低抵抗部１０４を備える。図１０において付された符号と同一の符号で示される構成は、図１０において対応する構成と同一または同様の機能を有する。
【００５２】
図１３を参照して、図１４に示されたプローブカード１００においては、低抵抗部１０４が、接触子９２にも隣接している。すなわち、このプローブカード１００においては、信号伝送路９６だけでなく、接触子９２もが、金属材料によりコーティングされている。そのため、接触子９２および信号伝送路の抵抗を低く抑えることができ、高周波成分の減衰を一層抑止することが可能となる。
【００５３】
図１５は、第４の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。プローブカード１００は、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめる機能を有する。このプローブカード１００は、接触子９２、基板９４、信号伝送路９６、接地導体部９８、穴部１０２、低抵抗部１０４および接触部１０５を備える。図１０において付された符号と同一の符号で示される構成は、図１０において対応する構成と同一または同様の機能を有する。
【００５４】
図１３を参照して、図１５に示されたプローブカード１００においては、接触部１０５が、接触子９２の先端に設けられている。この接触部１０５は、金属材料により構成され、低抵抗部１０４と同一の金属材料により形成されてもよい。低抵抗の接触部１０５を接触子９２の先端に設けることにより、被試験回路７０の接続端子（パッド）８６と接触部１０５の間で、低い接触抵抗を得ることが可能となる。
【００５５】
図１６は、第５の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。プローブカード１００は、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめる機能を有する。このプローブカード１００は、接触子９２、基板９４、信号伝送路９６、接地導体部９８、穴部１０２、低抵抗部１０４および接触部１０５を備える。図１０において付された符号と同一の符号で示される構成は、図１０において対応する構成と同一または同様の機能を有する。
【００５６】
図１３を参照して、図１６に示されたプローブカード１００においては、低抵抗部１０４が接触子９２に隣接して形成されており、また、接触部１０５が、接触子９２の先端に設けられている。低抵抗部１０４および接触部１０５は、それぞれ金属材料により構成され、同一の金属材料により形成されてもよい。図１６に示されたプローブカード１００は、図１４および図１５の両方に示されたプローブカードの効果を合わせ持つことができる。
【００５７】
図１７は、第６の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。プローブカード１００は、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめる機能を有する。このプローブカード１００は、接触子９２、基板９４、信号伝送路９６、接地導体部９８、穴部１０２、および低抵抗部１０４を備える。低抵抗部１０４は、信号伝送路９６に隣接して形成されている。図１０において付された符号と同一の符号で示される構成は、図１３において対応する構成と同一または同様の機能を有する。
【００５８】
図１３を参照して、図１６に示されたプローブカード１００においては、図１３と同様に、信号伝送路９６および低抵抗部１０４の両者が、信号を伝送する信号伝送路としての機能を実現する。図１３に示されたプローブカードと異なり、図１６に示されたプローブカード１００においては、信号伝送路９６が短く形成され、低抵抗部１０４を主とした信号伝送を可能とした状態が明示的に示されている。ここで、図１３に示されたプローブカード１００においても、信号伝送路９６の大部分が、高導伝（低抵抗）の材料により形成されてもよいことは、図１０に関連して説明した通りである。本参考例においても、信号伝送路９６の少なくとも一部は、接触子９２に課される強度上の要請を実現するように、金属ガラス材料により形成されるのが好ましい。この結果、信号伝送路９６および低抵抗部１０４の双方により形成される信号伝送路の抵抗を低く抑えることができ、高周波成分の減衰を抑止することが可能となる。
【００５９】
図１８は、第７の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。プローブカード１００は、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめる機能を有する。このプローブカード１００は、接触子９２、基板９４、信号伝送路９６、接地導体部９８、穴部１０２、低抵抗部１０４、および接触点１０７を備える。図１３において付された符号と同一の符号で示される構成は、図１３において対応する構成と同一または同様の機能を有する。
【００６０】
図１７を参照して、図１８に示されたプローブカード１００においては、図１７と同様に、信号伝送路９６および低抵抗部１０４の両者が、信号を伝送する信号伝送路としての機能を実現する。本参考例において、接触子９２の先端部に、被試験回路上に設けられた接続端子に接触する接触点１０７が設けられている。接触点１０７は、接点材料により形成されることが望ましい。「接点材料」は、高い電気伝導度と熱伝導率、低い接触抵抗を有し、付着性、溶接性が小さく、耐食性のすぐれた金属をいう。接触点１０７が、被試験回路上の接続端子と直接接触することによって、安定した信号伝送を行うことができる。さらに、接触点１０７が設けられた部分以外の接触子９２の表面を金属材料でコーティングすることによって、高周波成分の減衰を抑止することが可能となる。
【００６１】
図１９は、第８の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。プローブカード１００は、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめる機能を有する。このプローブカード１００は、接触子９２、基板９４、信号伝送路９６、接地導体部９８、穴部１０２および低抵抗部１０６を備える。図１０において付された符号と同一の符号で示される構成は、図１０において対応する構成と同一または同様の機能を有する。
【００６２】
図１９においては、信号伝送路９６に隣接して、信号伝送路９６よりも電気抵抗の低い導体で形成された低抵抗部１０６が形成されている。具体的には、低抵抗部１０６は、基板９４と信号伝送路９６との間に形成されている。信号伝送路９６は、基板９４の少なくとも一部に直接付着するのが好ましい。図１０に関連して説明したように、強度上の要請から、信号伝送路９６の少なくとも先端付近の領域が、接触子９２と同一の金属ガラス材料により形成されることが望ましい。そのため、信号伝送路全体としての電気抵抗を下げるために、金属ガラスよりも電気抵抗の低い低抵抗部１０６を信号伝送路９６に隣接して形成するのが好ましい。低抵抗部１０６は、金属により形成され、好ましくは純金により形成される。また、図１３に関連して説明したように、低抵抗部１０６は、他の低抵抗材料である銅、ニッケル、アルミニウム、プラチナ、またはロジウムなどにより形成されてもよい。低抵抗部１０６を信号伝送路９６に隣接して設けることによって、電流が低抵抗部１０６を主に通過するようになる。この結果、信号伝送路９６の抵抗を低く抑えることができ、高周波成分の減衰を抑止することが可能となる。信号伝送路を流れる電流の高周波成分は主に接地導体部９８の側の表面を流れるので、信号伝送路９６の下部に低抵抗部１０６を形成することによって、電流の高周波成分の通過を容易に行えるようにする。
【００６３】
図２０は、第９の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。プローブカード１００は、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめる機能を有する。このプローブカード１００は、接触子９２、基板９４、信号伝送路９６、穴部１０２、接地導体層１０８および誘電体層１１０を備える。図１０において付された符号と同一の符号で示される構成は、図１０において対応する構成と同一または同様の機能を有する。
【００６４】
図２０においては、接地された接地導体層１０８が、基板９４の片面に形成される。誘電体層１１０が、接地導体層１０８に隣接して、誘電体材料により形成されている。誘電体層１１０は、基板９４とは異なる材料により形成されてもよい。この参考例においては、信号伝送路９６が、誘電体層１１０に隣接して設けられている。
【００６５】
図１０に示されたプローブカード１００においては、信号伝送路９６は、基板９４および接地導体部９８とともに、一定の特性インピーダンスを有するマイクロストリップ線路を構成するように形成されていた。このマイクロストリップ線路の特性インピーダンスは、基板９４を構成する誘電体の材質、基板９４の厚さ、および信号伝送路９６の幅によって定められる。このとき、強度上の要請から、基板９４の厚さはある程度以上に必要であり、また、材質も制約される場合も考えられる。
【００６６】
図２０に示されたプローブカード１００においては、信号伝送路９６が、接地導体層１０８および誘電体層１１０とともに、一定の特性インピーダンスを有するマイクロストリップ線路を形成する。したがって、マイクロストリップ線路の特性インピーダンスは、強度上の制約がある基板９４の厚さ、材質の影響を受けず、誘電体層１１０の厚さ、材質、および信号伝送路９６の幅により決定される。そのため、誘電体層１１０の厚さおよび材質を調節することにより、信号伝送路９６の微細化を行うことが可能となる。したがって、図２０に示されたプローブカード１００においては、接触子９２の根元までインピーダンス整合を保ちながら、接触子９２を狭ピッチに配置することが可能となる。
【００６７】
図２１は、第１０の参考例に係るプローブカード１００の部分平面図である。このプローブカード１００は、接触子９２、信号伝送路９６、穴部１０２および接地線路１１２を備える。接地線路１１２は、隣り合った信号伝送路９６の間に設けられている。図２１においては、接地線路１１２が、信号伝送路９６に離間し且つ平行に設けられる。接地線路１１２を設けることにより、隣り合った信号伝送路９６同士のクロストークを抑止することが可能となる。信号伝送路９６は、両側に平行して設けられた接地線路１１２とともに、コプレナ線路を形成し、高周波信号の伝送に対応することが可能である。このとき、特性インピーダンスは、基板９４の材質、信号伝送路９６の幅、接地線路１１２の幅、および信号伝送路９６と接地線路１１２の空隙により決定される。
【００６８】
図２２は、第１１の参考例に係るプローブカード１００の部分平面図である。このプローブカード１００は、接触子９２、信号伝送路９６、穴部１０２および接地線路１１２を備える。このプローブカード１００においては、２本の接地線路１１２が、隣り合った信号伝送路９６の間に設けられている。したがって、このプローブカード１００においては、図２１に示された参考例よりも、クロストークを更に抑止することが可能となる。
【００６９】
図２３は、第１２の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。このプローブカード１００は、接触子９２、基板９４、信号伝送路９６、接地導体部９８、穴部１０２、接地線路１１２、および裏面パッド８４を有する。この信号伝送路９６は、基板９４の厚さ方向に、基板９４を貫通して形成された貫通伝送部を有している。接触子９２への信号の入出力は、裏面パッド８４を介して行われる。貫通伝送部は、高導電性の金属材料で形成されるのが好ましい。
【００７０】
接地線路１１２が、信号伝送路９６に離間し且つ平行して設けられる。本参考例においては、信号伝送路９６の貫通伝送部が、基板９４の厚さ方向に形成される。接地線路１１２を設けることにより、信号伝送路９６における貫通伝送部のインピーダンス整合が保たれ、また、隣り合った信号伝送路９６のクロストークが抑止される。図２３においては、一本の信号伝送路９６に対して一本の接地線路１１２が対応しているが、クロストーク抑止の観点から、複数本の接地線路１１２が対応してもよい。また、接触子９２が密集して形成される場合には、一本の接地線路１１２が、複数本の信号伝送路９６に対応してもよい。
【００７１】
図２４は、図２３に示された第１２の参考例に係るプローブカード１００の部分平面図である。この平面図において、接触子９２、基板９４および穴部１０２が示されている。このプローブカード１００においては、接触子９２が基板９４の表面上に分布している。このプローブカード１００は、エリアアレイ対応性を有しており、接続端子（パッド）が平面（エリア）状に分布した被試験回路を試験する際に用いられることが可能である。
【００７２】
図２５は、第１３の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。このプローブカード１００は、接触子９２ａおよび９２ｂ、基板９４、および信号伝送路９６を備える。図示されるとおり、このプローブカード１００においては、基板９４の両面に接触子が形成される。接触子９２ａは、基板９４の片面において被試験回路のパッド位置に合わせて配置され、接触子９２ｂは、基板９４の裏面においてパッド８４（図９参照）の替わりに形成される。信号伝送路９６は、接触子９２ａと９２ｂとを電気的に接続するために、貫通伝送部９７を有する。図２４に関連して説明したように、貫通伝送部９７は、高導電性（低抵抗性）の金属材料で形成されるのが好ましい。また、前述したように、基板９４の表面に対して平行に延びる信号伝送路９６における平行伝送部の一部は、高速信号伝送を可能にするために、金属材料で形成されるのが好ましい。接触子９２ｂは、接触子９２ａと同様に、金属ガラスにより形成される。
【００７３】
基板９４の裏面に接触子９２ｂを設けることによって、プローブカード１００は、被試験回路と接触する面のみならず、その裏面においても弾性を有することになる。図９を参照すると、パッド８４の替わりに設けられた接触子９２ｂと、ポゴピン９０との接触が確実に行われ、インターフェース７４とプローブカード１００の間での信号伝送が確実とされる。また、本参考例では、プローブカード１００の両面に、弾性を有する接触子９２ａおよび９２ｂが形成されるので、接触子９２ｂが、信号伝送部５２の接触子８８と直接接触することも可能である。
【００７４】
図２６は、第１４の参考例に係るプローブカード１００の部分断面図である。このプローブカード１００は、複数の接触子９２ａ、９２ｂ、接地層９３ａ、９３ｂ、基板９４および信号伝送路９６を備える。図２５に示されたプローブカード１００と同様に、基板９４の両面には、接触子（９２ａ、９２ｂ）が形成されている。接触子９２ａは、基板９４の片面において被試験回路のパッド位置に合わせて配置され、接触子９２ｂは、基板９４の裏面においてパッド８４（図９参照）の替わりに形成される。接触子９２ａと９２ｂとは、信号伝送路９６を介して電気的に接続される。信号伝送路９６は、基板９４内部で基板９４の表面に対して平行に延びる内部伝送部９５ａ〜９５ｃを有し、さらに、基板９４の厚さ方向に延びる貫通伝送部を有する。接触子９２ｂは、接触子９２ａと同様に、金属ガラスにより形成される。図２５に示されたプローブカード１００と同様に、基板９４の裏面に接触子９２ｂを設けることによって、本参考例に係るプローブカード１００は、被試験回路と接触する面のみならず、その裏面においても弾性を有する。
【００７５】
このプローブカード１００は、内部伝送部９５ａ〜９５ｃが多層に形成されていることを特徴とする。図２６においては、基板９４内部に、２層の配線層が存在する。接触子９２ａは被試験回路のパッド位置に合わせて設けられ、接触子９２ｂはインターフェース７４に設けられたポゴピン９０（図９参照）の間隔に合わせて設けられる。被試験回路のパッド間隔は非常に狭く、そのパッド間隔に対して、一般に、ポゴピンの間隔は広く設定される。そのため、本参考例においては、接触子９２ａと接触子９２ｂを電気的に接続するため、信号伝送路９６が、基板９４内部で基板９４の表面に対して平行に延びる内部伝送部９５ａ〜９５ｃを有する。内部伝送部９５ａ〜９５ｃは、基板９４内部において、基板９４の厚さ方向に多層に形成されるのが望ましい。図２６に示されるプローブカード１００においては、内部伝送部９５ａ、９５ｂと、内部伝送部９５ｃとが、基板９４の表面から異なる距離に設けられている。なお、図２６において、基板９４内部の信号伝送路９６が、一次元的に示されているが、実際には、配線層において二次元的に形成されるのが好ましく、すなわち、配線層においてＸＹ方向に内部伝送部が延びるのが好ましい。
【００７６】
図２７は、上述したプローブカード１００における接触子９２の先端の形状の参考例を示す。例えば、接触子９２は、図２７（ａ）に示されるように、先端に近づくにつれて細くされた先細り形状であって、先端が尖るように形成されてもよい。また、接触子９２は、図２７（ｂ）に示されるように、先端に近づくにつれて細くされた先細り形状であって、先端が丸められるように形成されてもよい。また、接触子９２は、図２７（ｃ）に示されるように、先端が２つに分割された先割れ形状であって、角を付けられて形成されてもよい。また、接触子９２は、図２７（ｄ）に示されるように、先端が２つに分割された先割れ形状であって、丸みを付けられて形成されてもよい。
【００７７】
以下に、図２８〜３４に関連して、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめるプローブカードの基板上に、接続端子に接触する接触子を形成する方法について説明する。この接触子形成方法は、非晶質材料層（金属ガラス層）の先端領域を基板から離して自由部を形成する第１段階と、自由部を曲げて接触子を形成する第２段階とに分けられる。以下に詳述するが、図２８は、接触子形成方法の第１段階の実施例を説明するための図であり、図２９は、接触子形成方法の第１段階の他の実施例を参考例として説明するための図である。図３０〜３４は、接触子形成方法の第２段階の実施例を説明するための図である。
【００７８】
図２８（ａ）〜（ｆ）は、基板９４上に非晶質材料（金属ガラス）カンチレバー１２８を形成することによって、金属ガラス層の自由部１２８ａを形成する、本発明による接触子形成方法の第１段階の第１実施例におけるプロセス中の構造の断面を示す断面構造図である。以下に、図２８（ａ）〜（ｆ）に基づいて、自由部１２８ａを形成する第１実施例について説明する。
【００７９】
まず、図２８（ａ）に示されるように、基板９４上に、低温ＣＶＤ法によりSiO2膜１２０を形成する。このとき、熱によって大きく変形せず、更に絶縁性の材質により構成された基板９４を用いることが望ましい。この実施例においては、Siにより構成された基板９４を用いる。
【００８０】
続いて、図２８（ｂ）に示されるように、フォトリソグラフィ工程を用いてSiO2膜１２０を部分的にエッチングし、基板９４上の一部の領域にSiO2犠牲層１２０ａを形成する。それから、基板９４の表面および犠牲層１２０ａ上にポリイミドを塗布し、硬化させる。続いて、硬化されたポリイミド層に、Al層を蒸着させ、蒸着させたAl層を、後に形成する金属ガラス層１２６ａの形状に合わせて、フォトリソグラフィ工程を用いてエッチングし取り除く。このフォトリソグラフィ工程において、後に形成する金属ガラス層１２６ａの形状を設定する。それから、残されたAl層をマスクとして、ポリイミドをドライエッチングする。
【００８１】
ポリイミドをドライエッチングした後、図２８（ｃ）に示されるように、Al層をウェットエッチングにより除去し、後に形成する金属ガラス層１２６ａの型となるポリイミド層１２４を表出させる。
【００８２】
続いて、図２８（ｄ）に示されるように、犠牲層１２０ａ、基板９４およびポリイミド層１２４上に、金属ガラス材料をスパッタリングして、金属ガラス層１２６を形成する。この実施例においては、金属ガラス材料として、ZrCuAlを用いる。
【００８３】
それから、図２８（ｅ）に示されるように、ポリイミド層１２４をエッチングにより取り除く。その結果、基板９４上には、金属ガラス層１２６ａと、犠牲層１２０ａとが残される。犠牲層１２０ａは、金属ガラス層１２６ａの一部の領域と基板９４との間に存在している。
【００８４】
図２８（ｅ'）は、図２８（ｅ）に示された構造の上面図である。本発明による接触子形成方法は、金属ガラスの微細加工技術を利用し、複数の微細な金属ガラス層１２６ａの構造を同時に一括して形成することができる。図２８（ｅ'）においては、例示的に、３つの金属ガラス層１２６ａが犠牲層１２０ａおよび基板９４上に形成された状態が示されている。前述したとおり、金属ガラス層１２６ａの形状は、ポリイミド層１２４の形状により定められ、第１実施例においては、金属ガラス層１２６ａは、図２７（ａ）に示した先細り形状を有している。
【００８５】
それから、図２８（ｆ）に示されるように、犠牲層１２０ａをエッチングして取り除き、非晶質材料（金属ガラス）カンチレバー１２８を作成する。犠牲層１２０ａを取り除いたことにより、この金属ガラスカンチレバー１２８は、一部に、基板９４から離れた自由部１２８ａを有する。
【００８６】
以上、図２８（ａ）〜（ｆ）に示されたように、本発明による接触子形成方法における第１段階の第１実施例は、犠牲層１２０ａを利用して、複数の微細な金属ガラスカンチレバー１２８を形成する方法を提供することができる。なお、本実施例においては、スパッタリングによって金属ガラス層１２６を形成したが、電子ビーム蒸着法などの他のＰＶＤ法、めっき技術、およびＣＶＤ法などの既知の技術を用いることも可能である。
【００８７】
（接触子形成方法の第１段階の参考例）
図２９を参照して、接触子形成方法の第１段階の他の実施形態を参考例として示す。図２９（ａ）〜（ｄ）は、基板９４の一部の領域をエッチングにより取り除くことによって、非晶質材料層（金属ガラス層）の自由部１２８ａを形成する、接触子形成方法の第１段階の参考例におけるプロセス中の構造の断面を示す断面構造図である。以下に、図２９（ａ）〜（ｄ）に基づいて、自由部１２８ａを形成する第１段階の参考例について説明する。
【００８８】
図２９（ａ）に示されるように、フォトリソグラフィ工程を用いて、基板９４上に、後に形成する金属ガラス層の形状に合わせて、ポリイミド層１６０を形成する。このフォトリソグラフィ工程において、後に形成する金属ガラス層１６２ａの形状を設定する。
【００８９】
それから、図２９（ｂ）に示されるように、基板９４およびポリイミド層１６０上に、金属ガラス材料をスパッタリングして、金属ガラス層１６２を形成する。このとき、金属ガラス材料として、ZrCuAlを用いる。
【００９０】
続いて、図２９（ｃ）に示されるように、ポリイミド層１６０をエッチングにより取り除く。その結果、基板９４上には、金属ガラス層１６２ａが残される。接触子形成方法は、金属ガラスの微細加工技術を利用するので、複数の微細な金属ガラス１６２ａの構造を同時に一括して形成することができる。
【００９１】
図２９（ｃ'）は、図２９（ｃ）に示された構造の上面図である。図２９（ｃ'）においては、例示的に、３つの金属ガラス層１６２ａが、基板９４上に形成された状態が示されている。本参考例において、第１実施例による金属ガラス層２６ａと同様に、金属ガラス層１２６ａが、図２５（ａ）に示した先細り形状を有している。
【００９２】
それから、図２９（ｄ）に示されるように、金属ガラス層１６２ａの一部の領域の下方に存在する基板９４の一部をエッチングにより取り除き、穴部１０２を形成する。その結果、金属ガラス層１６２ａの一部の領域は、基板９４から離れる。具体的には、金属ガラス層１６２ａの先端部の下方に存在する基板９４の一部をエッチングにより取り除き、基板９４から離れた自由部１２８ａを形成する。
【００９３】
図２９（ｄ'）は、図２９（ｄ）に示された構造の上面図である。この上面図においては、一つの穴部１０２が、隣接する金属ガラス層１６２ａに対して形成されているが、別の例においては、穴部１０２が、それぞれの金属ガラス層１６２ａに対して形成されてもよい。
【００９４】
以上、図２９（ａ）〜（ｄ）に示されたように、接触子形成方法の本参考例は、金属ガラス層１６２ａの先端部の下方に存在する基板９４の一部をエッチングして取り除くことによって、自由部１２８ａを形成する方法を提供することができる。なお、本参考例においては、スパッタリングによって金属ガラス層１６２を形成したが、電子ビーム蒸着法などの他のＰＶＤ法、めっき技術、およびＣＶＤ法などを用いることも可能である。
【００９５】
図３０（ａ）〜（ｅ）は、自由部１２８ａを曲げて接触子９２を形成する、本発明による接触子形成方法の第２段階の第１実施例におけるプロセス中の構造の断面を示す断面構造図である。以下に、図３０（ａ）〜（ｅ）に基づいて、自由部１２８ａを曲げて接触子９２を形成する第２段階の第１実施例について説明する。この第１実施例においては、図２８において形成された自由部１２８ａを用いる。
【００９６】
まず、図３０（ａ）に示されるように、基板９４を、図２８（ｆ）に示された状態から反転させる。すなわち、基板９４に対して自由部１２８ａが重力方向下向きに存在する状態に、基板９４を配置する。
【００９７】
続いて、図３０（ｂ）に示されるように、基板９４の表面から重力方向下方の所定の位置に曲げ調整部１３０を設ける。この曲げ調整部１３０は、剛性を有する基板であることが望ましく、この実施例においては、石英ガラス基板である。曲げ調整部１３０を適切な位置に設けることによって、後に自由部１２８ａを曲げるとき、自由部１２８ａの曲げ量を調節することが可能となる。
【００９８】
曲げ調整部１３０を確実に位置決めするために、図３０（ｂ'）に示されるように、位置決め機構１３２を有する曲げ調整部１３０を用いてもよい。位置決め機構１３２は、基板９４の表面から重力下方の所定の位置に、曲げ調整部１３０を位置決めするために用いられる。位置決め機構１３２は、曲げ調整部１３０の表面から垂直方向に所定の長さを有する部材であってよい。位置決め機構１３２の長さは、基板９４の表面と曲げ調整部１３０の表面との所定の間隔に基づいて定められる。位置決め機構１３２の先端を基板９４に接触させることによって、曲げ調整部１３０を、基板９４の表面から所定の位置に配置することが容易に実現可能となる。
【００９９】
曲げ調整部１３０は、基板９４よりも赤外線の透過率が高い材質で形成するのが望ましい。また、曲げ調整部１３０は、均一な曲げ量を有する接触子９２を形成するために、剛性の大きな材質で構成され、±１０μｍよりも小さい平行度平面度を有するのが好ましい。さらに、曲げ調整部１３０の平行度平面度は、±５μｍよりも小さいことが望ましく、更には、±２μｍよりも小さいことが望ましい。
【０１００】
それから、図３０（ｃ）に示されるように、赤外線を自由部１２８ａに照射して加熱する。ここで、赤外線は、Siで構成される基板９４、および石英ガラスである曲げ調整部１３０を通り抜ける。曲げ調整部１３０は、赤外線を照射された際に、熱により大きな変形を生じない材質で構成されるのが好ましい。自由部１２８ａを短時間で加熱するために、赤外線を基板の両面から照射するのが好ましい。図１１（ｂ）に関連して説明したように、金属カンチレバー１２８が形成された面と反対側の基板９４の裏面において、自由部１２８ａの位置に対向する領域には、金属により形成される接地導体部９８が設けられていない。赤外線は金属を通り抜けることができないので、基板９４の裏面全面に接地導体部９８が設けられると、基板９４の裏面から赤外線を自由部１２８ａに照射することができなくなる。そのため、図１１（ｂ）に示した実施形態においては、自由部１２８ａが形成された位置に対向する裏面における位置に接地導体部９８を設けず、赤外線を両面から照射可能としている。
【０１０１】
金属ガラスは、非晶質であり、高降伏強度、高破壊靱性、耐食性、および高硬度などの特性を有する。さらに、金属ガラスは、高温で粘性の低下を示し、塑性変形する特性を有する。この実施例においては、金属ガラス材料としてZr系のZrCuAlを利用しているが、別の実施例においては、Pd系、Ti系などの別の系列の金属ガラス材料を用いることが可能である。
【０１０２】
ZrCuAlで形成された自由部１２８ａは、アモルファスの状態で、温度に応じて粘性を変化させる。具体的には、自由部１２８ａは、過冷却液体域に加熱されると、粘性流動を示す。そのため、全ての自由部１２８ａに赤外線を基板９４の両面から照射して加熱することによって、全ての自由部１２８ａは、図３０（ｄ）に示されるように、塑性変形する。このとき、自由部１２８ａは、重力の作用により基板９４から離れる方向に曲がる。
【０１０３】
全ての自由部１２８ａの先端が曲げ調整部１３０に接触した後、赤外線の照射を止める。自由部１２８ａは、過冷却液体域での粘性流動性を有する金属ガラス材料により形成されているので、曲げられた自由部１２８ａ内部の残留応力はほぼ０である。自由部１２８ａの温度は次第に下がっていくが、自由部１２８ａの内部の残留応力はほぼ０を保つ。そのため、自由部１２８ａの温度が下がることによって、自由部１２８ａは変形せず、赤外線照射停止時の形状を保つ。
【０１０４】
その後、図３０（ｅ）に示されるように、曲げ調整部１３０を取り外し、所望の曲げ量を有する接触子９２を形成する。
【０１０５】
図４に関連して説明したように、W、ReW、BeCu、Pdなどで形成された金属ニードルには、結晶粒界が存在する。このような金属ニードルは、被試験回路のパッドに繰り返し接触したとき、パッドにスクラブすることにより生じる残渣が結晶粒界に入り込み、接触抵抗が増加するという欠点を有していた。それに対して、本発明で用いる金属ガラスには、結晶粒界が存在しない。そのため、金属ガラス材料により形成される接触子９２は、従来の金属ニードルに比べて、非常に優れた接触特性を有している。
【０１０６】
以上、図２８および３０に関連して説明した本発明の実施形態によると、まず、金属ガラス材料により金属ガラスカンチレバー１２８を形成し、それから、金属ガラスカンチレバー１２８の自由部１２８ａを曲げることによって、接触子９２を形成することが可能となる。
【０１０７】
また、図３０に関連して説明した実施例においては、図２８に示された自由部１２８ａを用いて接触子９２を形成したが、図２９に示された自由部１２８ａを図３０において説明した曲げ方法により曲げることもできる。すなわち、図２９に示された自由部１２８ａに赤外線を照射し、自由部１２８ａを塑性変形させることによって、接触子９２を形成することが可能となる。図２９に示された自由部１２８ａを曲げることによって、例えば図１０に示される接触子９２を形成することができる。
【０１０８】
図３１（ａ）は、図３０に示された曲げ調整部１３０および位置決め機構１３２の変形実施例を示す。図３１（ａ）において、曲げ調整部材１３１が、曲げ調整部１３０および係止部１３３を有する。係止部１３３は、基板９４の重力方向の動きを抑止する。図示されるとおり、曲げ調整部材１３１は、係止部１３３を備えた凹部を有する。この実施例において、係止部１３３は、曲げ調整部材１３１の内側面に段を設けることによって形成されているが、曲げ調整部材１３１の内側面に突起部を設けることによって形成されてもよい。係止部１３３の上方における曲げ調整部材１３１の内側面は、基板９４の形状に応じて形成される。曲げ調整部材１３１における上部の内壁の少なくとも一部は、基板９４の側壁に接触し、基板９４の横方向の動きを抑止することが好ましい。
【０１０９】
曲げ調整部材１３１の底部は、図３０に示された曲げ調整部１３０として機能する。そのため、図３０と同様に、曲げ調整部材１３１の少なくとも底部（すなわち、曲げ調整部１３０の部分）は、赤外線の透過率が高い材料により形成されるのが望ましい。自由部１２８ａの曲げ量は、曲げ調整部１３０と係止部１３３の距離によって定められる。すなわち、係止部１３３は、図３０に示された位置決め機構１３２と同じ機能を実現する。平行度平面度の厳格な要求を達成するために、曲げ調整部材１３１は、石英により形成されるのが好ましい。
【０１１０】
図３１（ｂ）は、図３１（ａ）に示した曲げ調整部材１３１の変形例である。この曲げ調整部材１３１は、第１係止部１３３、第２係止部１３５および曲げ調整部１３０を有する。この実施例において、第１係止部１３３および第２係止部１３５は、曲げ調整部材１３１の内側面に段を設けることによって形成されているが、曲げ調整部材１３１の内側面に突起部を設けることによって形成されてもよい。第１係止部１３３は、基板９４の重力方向の動きを抑止する。また、曲げ調整部１３０が、第２係止部１３５上に載置され、第２係止部１３５は、曲げ調整部１３０の重力方向の動きを抑止する。また、第２係止部１３５と第１係止部１３３の間における曲げ調整部材１３１の凹部の内側面は、曲げ調整部１３０の横方向の動きを抑止するのが好ましい。
【０１１１】
自由部１２８ａの曲げ長は、曲げ調整部１３０と第１係止部１３３の距離によって定められる。従って、この実施例における曲げ調整部材１３１においては、曲げ調整部１３０の厚みを変化させることによって、自由部１２８ａを、所望の量だけ曲げることが可能となる。例えば、厚みの異なる曲げ調整部１３０を複数用意し、所望の曲げ量に応じて、第２係止部１３５に載置する曲げ調整部１３０を適宜変更することによって、自由部１２８ａの曲げ量を調整することが可能となる。
【０１１２】
尚、図３０において、重力を利用して自由部１２８ａを曲げる方法について説明したが、例えば、遠心力、電界、磁界などを用いて自由部１２８ａを曲げることも可能である。また、自由部１２８ａをバイモルフ（bimorph）の構成に形成することによって、自由部１２８ａを曲げることも可能である。
【０１１３】
図３２は、電界を用いて自由部１２８ａを曲げる実施例を説明するための図である。自由部１２８ａの下方に電極部１５２を設ける。基板９４に形成された全ての自由部１２８ａを一括して曲げるために、この電極部１５２は、基板９４の表面全面の大きさを有するのが好ましい。それから、自由部１２８ａおよび電極部１５２に電圧電源を接続し、自由部１２８ａを負電位に、電極部１５２を正電位に設定する。自由部１２８ａを正電位に、電極部１５２を負電位に設定してもよい。自由部１２８ａおよび電極部１５２の間に電界をかけることによって、自由部１２８ａが電極部１５２の方向に曲げられる。自由部１２８ａが、過冷却液体域で粘性流動性を有する金属ガラス材料により形成されているので、電圧電源をオフにしても、自由部１２８ａは、曲がった状態を維持する。この実施例は、電界を利用して、一括して接触子を形成することを可能とする。
【０１１４】
図３３は、バイモルフの構成に形成された自由部１２８ａを曲げる実施例を説明するための図である。図３３（ａ）に示されるように、この金属ガラスカンチレバー１２８は、圧電板１５４ａおよび１５４ｂを有する。圧電板１５４ａおよび１５４ｂは、電圧を印加されると、金属ガラスカンチレバー１２８の長さ方向に伸縮するように構成される。図３３（ａ）に示された状態から、圧電板１５４ａが伸びる方向に、圧電板１５４ａに電圧を印加する。また、同時に、圧電板１５４ｂが縮まる方向に、圧電板１５４ｂに電圧を印加する。
【０１１５】
圧電板１５４ａが伸ばされ、圧電板１５４ｂが縮められるので、図３３（ｂ）に示されるように、自由部１２８ａは、下向きに湾曲される。このとき、自由部１２８ａは、加熱されているのが望ましい。自由部１２８ａが下向きに湾曲した状態で、自由部１２８ａの加熱を止める。自由部１２８ａは、冷却され、そのままの状態で固化する。それから、圧電板１５４ａおよび１５４ｂへの電圧の印加を止める。そのとき、圧電板１５４ａおよび１５４ｂは元の状態に戻ろうとするが、自由部１２８ａの金属ガラスが、湾曲した状態で固化しているので、圧電板１５４ａおよび１５４ｂは、元の状態までには戻りきらずに、元の状態と最も湾曲した状態の中間の状態で安定する。
【０１１６】
図３３（ｃ）は、元の状態と最も湾曲した状態の中間の状態で安定して生成された接触子９２を示す。この実施例においては、自由部１２８ａをバイモルフの構成に形成することによって、接触子を一括して形成することが可能となる。図３３においては、圧電板１５４ａ及び１５４ｂを隣接して形成したが、別の実施例においては、自由部１２８ａを挟むように、自由部１２８ａの上層および下層に圧電板１５４ａおよび１５４ｂを設けてもよい。また、自由部１２８ａを曲げて接触子９２を形成した後、圧電板１５４ａ及び１５４ｂを、例えばエッチングにより除去することが可能である。
【０１１７】
図３３においては、２枚の圧電板１５４ａ及び１５４ｂを用いて自由部１２８ａを曲げる方法について説明したが、１枚の圧電板を用いて自由部１２８ａを曲げることも可能である。
【０１１８】
図３４は、磁界を用いて自由部１２８ａを曲げる実施例を説明するための図である。この実施例において、自由部１２８ａの表面に、磁性を示す磁性層１５５が形成される。磁性層１５５に離間して、磁石１５７が配置される。磁性層１５５と磁石１５７の間隔は、自由部１２８ａの所望の曲げ量により定められる。自由部１２８ａを粘性流動する温度に加熱すると、磁力により磁性層１５５および自由部１２８ａが磁石１５７の方向に曲げられる。このとき、磁力により容易に曲がるように、磁性層１５５は、自由部１２８ａの表面に薄く形成されているのが好ましい。磁性層１５５が磁石１５７に接触した時点で、自由部１２８ａの加熱を止める。その後、磁性層１５５をエッチングにより除去し、所定の曲げ量を有する接触子９２を形成する。
【０１１９】
図３０〜３４において、接触子形成方法の第２段階の実施例について説明してきたが、別の方法により自由部１２８ａを曲げることも可能である。例えば、自由部１２８ａを過冷却液体域に加熱し、機械的に押圧等することによって、自由部１２８ａを曲げることも可能である。
【０１２０】
図３５は、本発明による接触子を用いて、パッドと電極リードとを接続する半導体デバイス１４０の切断面を、参考例として示す。この半導体デバイス１４０は、半導体チップ１４２、電極リード１４６、およびパッケージ１４８を有する。パッケージ１４８は、半導体チップを包んでいる。半導体チップ１４２は、複数のパッド１４４を有し、複数のパッド１４４には接触子１５０が形成されている。
【０１２１】
従来、パッド１４４と電極リード１４６とは、ワイヤボンディングにより接続される。それに対して、図３５に示された半導体デバイス１４０においては、金属ガラス材料により形成された接触子１５０により、パッド１４４と電極リード１４６とを接続することができる。接触子１５０は、図９〜３４に関連して説明してきた接触子９２に相当し、接触子１５０に関する詳細な説明は省略する。接触子１５０は、微細加工技術によって形成されることが可能であるので、狭ピッチのパッド１４４上に容易に形成されることができる。
【０１２２】
また、接触子１５０は、パッド１４４から離れる方向に弾性を有している。従って、接触子１５０は、電極リード１４６に押さえつけられるように接触し、接触子１５０と電極リード１４６との確実な接触が実現される。
【０１２３】
図３６は、本発明による接触子を用いて、パッドと外部端子ボールとを接続する半導体デバイス１４０の切断面を、参考例として示す。この半導体デバイス１４０は、半導体チップ１４２、外部端子ボール１５８、およびパッケージ１４８を有する。パッケージ１４８は、半導体チップ１４２を包んでいる。半導体チップ１４２は、複数のパッド１４４を有し、複数のパッド１４４には接触子１５０が形成されている。
【０１２４】
接触子１５０は、図９〜３４に関連して説明してきた接触子９２に相当し、接触子１５０に関する詳細な説明は省略する。接触子１５０は、微細加工技術によって形成されることが可能であるので、狭ピッチのパッド１４４上に容易に形成されることができる。接触子１５０は、パッド１５６に接触する。パッド１５６は、対応する外部端子ボール１５８と電気的に接続している。半導体チップ１４２とパッケージ１４８とは、接着材料により接合されてもよく、また、樹脂を注入することにより固定されてもよい。なお、図３５において、接触子１５０が、パッド１４４に形成されているが、パッド１５６上に形成されて、パッド１４４に接触する構成であってもよい。
【０１２５】
上記説明から明らかなように、本発明によれば、金属ガラスにより形成された接触子を有するプローブカードを製造する製造方法を提供することができる。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることができることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【０１２６】
本実施形態に係る接触子形成方法により、参考例として示したプローブカードとして、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、前記被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめるプローブカードを提供することができる。このプローブカードは、基板と、前記基板において形成された複数の信号伝送路と、前記被試験回路に設けられた前記接続端子に接触するように、前記基板の片面において、過冷却液体域を有する非晶質材料（すなわち、金属ガラス材料）により前記信号伝送路の先端に形成された複数の接触子とを備えることを特徴とする。本実施形態に係る接触子形成方法によると、微細加工技術（マイクロマシン技術）を利用して金属ガラスの接触子（微細プローブピン）を形成することにより、狭ピッチで多数のパッドを有する集積回路に、１ＧＨｚ以上の高周波の信号を伝送することができるプローブカードを提供することが可能となった。また、マイクロマシン技術を用いるので、高速・多ピンのプローブピンを一括作製することが可能となる。
【０１２７】
参考例として示したプローブカードの一つの態様において、前記接触子は、前記基板から離間して形成されてもよい。
【０１２８】
参考例として示したプローブカードの別の態様において、前記接触子は、前記基板の表面から離れる方向に延びた形状を有してもよい。
【０１２９】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記接触子は、前記基板の表面から離れる方向に湾曲した形状を有してもよい。
【０１３０】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記接触子は、前記基板の表面に対して垂直方向に弾性を有してもよい。
【０１３１】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記接触子は、前記被試験回路に設けられた前記接続端子に接触して摺動するように、前記基板の表面に対して垂直方向に弾性を有してもよい。
【０１３２】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、複数の前記接触子は、それぞれ独立して、前記基板の表面に対して垂直方向に弾性を有してもよい。
【０１３３】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記信号伝送路の前記先端付近の領域は、前記接触子と同一の非晶質材料により形成されていてもよい。
【０１３４】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、プローブカードが、前記信号伝送路に離間し且つ平行して設けられた、接地された接地線路を更に備えてもよい。
【０１３５】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、プローブカードが、前記信号伝送路に隣接された、前記信号伝送路よりも電気抵抗の低い低抵抗部を更に備えてもよい。
【０１３６】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記低抵抗部は、金、銅、ニッケル、アルミニウム、プラチナおよびロジウムのいずれかにより構成されていてもよい。
【０１３７】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記接触子は、先端に、接点材料により形成された接触点を有してもよい。
【０１３８】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記接触子は、金属材料でコーティングされていてもよい。
【０１３９】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、プローブカードが、前記基板の前記片面に対して裏側の面である裏面に設けられた、所定の電位を供給する電位供給部を更に備えてもよい。
【０１４０】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記電位供給部は、接地された接地導体部であってもよい。
【０１４１】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記接地導体部は、前記片面において前記接触子が形成された位置に対向する前記裏面における位置以外の領域に設けられていてもよい。
【０１４２】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記基板が、誘電体材料または半導体材料により形成され、前記信号伝送路が、前記基板および前記接地導体部とともに、一定の特性インピーダンスを有するマイクロストリップ線路を形成してもよい。
【０１４３】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、プローブカードが、前記基板の前記片面に形成された、接地された接地導体層と、前記接地導体部に隣接して、誘電体材料により形成された誘電体層とを更に備え、前記信号伝送路が、前記誘電体層に隣接して形成されており、前記信号伝送路が、前記接地導体層および前記誘電体層とともに、一定の特性インピーダンスを有するマイクロストリップ線路を形成してもよい。
【０１４４】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記信号伝送路は、前記基板の表面に対して平行に形成された平行伝送部を有してもよい。
【０１４５】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記信号伝送路は、前記基板の厚さ方向に延びる貫通伝送部を有してもよい。
【０１４６】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記信号伝送路は、前記基板内部で前記基板の表面に対して平行に延びる内部伝送部を有してもよい。
【０１４７】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記信号伝送路が、前記基板の表面から異なる距離にある内部伝送部を有してもよい。
【０１４８】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、プローブカードが、前記基板の前記片面に対して裏側の面である裏面において、前記信号伝送路を介して、前記片面に形成された前記接触子に電気的に接続された、過冷却液体域を有する非晶質材料より形成される複数の接触子を更に備えてもよい。
【０１４９】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記接触子は、前記接触子の先端に近づくにつれて細くされた先細り形状に形成されてもよい。
【０１５０】
参考例として示したプローブカードの更に別の態様において、前記接触子は、前記接触子の先端が少なくとも２つに分割された先割れ形状に形成されてもよい。
【０１５１】
また、参考例として示した接触子形成方法は、被試験回路上に設けられた複数の接続端子に電気的に接続して、前記被試験回路と、外部の半導体試験装置との間で信号の伝送を行わしめるプローブカードの基板上に、前記接続端子と電気的に接触する接触子を形成する。この接触子形成方法は、前記基板上に、過冷却液体域を有する非晶質材料（すなわち、金属ガラス材料）を含む非晶質材料層を形成する非晶質材料層形成段階と、前記非晶質材料層の一部の領域の下方に存在する前記基板の一部をエッチングにより取り除いて、前記非晶質材料層の前記一部の領域に、前記基板から離れた自由部を形成する段階と、前記自由部を前記基板から離れる方向に曲げて、前記接触子を形成する接触子形成段階とを備えることを特徴とする。
【０１５２】
参考例として示した接触子形成方法の一つの態様において、前記非晶質材料層形成段階は、前記非晶質材料をスパッタリングすることによって前記非晶質材料層を形成することができる。
【０１５３】
参考例として示した接触子形成方法の別の態様において、前記接触子形成段階は、前記自由部を前記基板から離れる方向に塑性変形させる段階を含んでもよい。
【０１５４】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、前記自由部を加熱する段階を含んでもよい。
【０１５５】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、前記基板に対して前記自由部が重力方向下向きに存在する状態で、前記自由部を加熱する段階を含んでもよい。
【０１５６】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、前記自由部に対して赤外線を照射する段階を含んでもよい。
【０１５７】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、前記自由部に対して、前記基板の両面から赤外線を照射する段階を含んでもよい。
【０１５８】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、前記基板の表面から重力方向下方の所定の位置に曲げ調整部を設ける段階を含んでもよい。
【０１５９】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、前記基板より赤外線の透過率が高い前記曲げ調整部を設ける段階を含んでもよい。
【０１６０】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、平行度平面度が±１０μｍよりも小さい前記曲げ調整部を設ける段階を含んでもよい。
【０１６１】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、平行度平面度が±２μｍよりも小さい前記曲げ調整部を設ける段階を含んでもよい。
【０１６２】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、前記曲げ調整部として、石英ガラス基板を設ける段階を含んでもよい。
【０１６３】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、前記基板の表面から重力方向下方の前記所定の位置に位置決めする位置決め機構を有する石英ガラス基板を設ける段階を含んでもよい。
【０１６４】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、前記基板の重力方向の動きを抑止する係止部と、前記基板の表面から重力方向下方の所定の位置に設けられた曲げ調整部とを有する曲げ調整部材を設ける段階を含んでもよい。
【０１６５】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、前記曲げ調整部の厚さを変更することによって、前記自由部の曲げ量を調整することができる。
【０１６６】
参考例として示した接触子形成方法の更に別の態様において、前記接触子形成段階は、石英ガラスで形成された前記曲げ調整部を有する前記曲げ調整部材を設ける段階を含んでもよい。
【０１６７】
また、本実施形態に係る接触子形成方法により、参考例として示した半導体チップとして、複数のパッドと、前記複数のパッド上に、過冷却液体域を有する非晶質材料（すなわち、金属ガラス材料）により形成された複数の接触子とを備えた半導体チップであって、前記接触子は、前記パッドの表面から離れる方向に延びた形状を有していることを特徴とする半導体チップを提供することができる。
【０１６８】
また、本実施形態に係る接触子形成方法により、参考例として示した半導体デバイスとして、複数のパッドを有する半導体チップを実装した半導体デバイスであって、複数の電極リードと、前記半導体チップを包むパッケージとを備え、前記半導体チップの前記パッドと前記電極リードとが、過冷却液体域を有する非晶質材料（すなわち、金属ガラス材料）により形成された接触子により接続されていることを特徴とする半導体デバイスを提供することができる。
【０１６９】
また、本実施形態に係る接触子形成方法により、参考例として示した半導体デバイスとして、複数のパッドを有する半導体チップを実装した半導体デバイスであって、複数の外部端子ボールと、前記半導体チップを包むパッケージとを備え、前記半導体チップの前記パッドと前記外部端子ボールとが、過冷却液体域を有する非晶質材料（すなわち、金属ガラス材料）により形成された接触子により電気的に接続されていることを特徴とする半導体デバイスを提供することができる。
【０１７０】
【発明の効果】
本発明によると、狭ピッチで多数のパッドを有する集積回路に、高周波の信号を伝送することができるプローブカードを提供することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】外部半導体試験装置と、試験対象である被試験回路との間で高周波信号の伝送を可能とする従来の接触部１０の構成を示す。
【図２】図１に示された接触部１０の接触子１２付近の領域を、矢印Ａの方向から見た図を示す。
【図３】接触子１２を、被試験回路に接触させた状態を示す。
【図４】従来、最も一般的な水平ニードルプローブ方式により作製されたプローブピンを示す。
【図５】垂直ニードルプローブ方式により作製されたプローブピンを示す。
【図６】メンブレン方式により作製されたプローブピンを示す。
【図７】フォトリソグラフィー・メッキ方式により作製されたプローブピンを示す。
【図８】被試験ウェハ７０上に製造された回路を電気的に試験する半導体試験システム３０の構成を示す。
【図９】図８に示された信号伝送部５２と被試験ウェハ７０の間で信号の伝送を行う信号伝送システムの本発明による実施形態を示す。
【図１０】本発明の第１の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態によるプローブカード１００の部分平面図である。
【図１２】試験中、プローブカード１００における接触子９２と、被試験ウェハ７０上のパッド８６とが接触した状態を示す。
【図１３】本発明の第２の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図１６】本発明の第５の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図１７】本発明の第６の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図１８】本発明の第７の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図１９】本発明の第８の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図２０】本発明の第９の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図２１】本発明の第１０の実施形態によるプローブカード１００の部分平面図である。
【図２２】本発明の第１１の実施形態によるプローブカード１００の部分平面図である。
【図２３】本発明の第１２の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図２４】図２３に示された本発明の第１２の実施形態によるプローブカード１００の部分平面図である。
【図２５】本発明の第１３の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図２６】本発明の第１４の実施形態によるプローブカード１００の部分断面図である。
【図２７】接触子９２の先端の形状の例を示す。
【図２８】本発明による接触子形成方法の第１段階の第１実施例におけるプロセス中の構造の断面を示す断面構造図である。
【図２９】本発明による接触子形成方法の第１段階の第２実施例におけるプロセス中の構造の断面を示す断面構造図である。
【図３０】本発明による接触子形成方法の第２段階の第１実施例におけるプロセス中の構造の断面を示す断面構造図である。
【図３１】曲げ調整部１３０および位置決め機構１３２の変形実施例を示す。
【図３２】電界を用いて自由部１２８ａを曲げる実施例を説明するための図である。
【図３３】バイモルフの構成に形成された自由部１２８ａを曲げる実施例を説明するための図である。
【図３４】磁界を用いて自由部１２８ａを曲げる実施例を説明するための図である。
【図３５】本発明による接触子を用いて、パッドと電極リードとを接続する半導体デバイス１４０の切断面を示す。
【図３６】本発明による接触子を用いて、パッドと外部端子ボールとを接続する半導体デバイス１４０の切断面を示す。
【符号の説明】
１０・・・接触部、１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ・・・接触子、１４・・・同軸ケーブル、１６・・・支持固定部、１８ａ・・・信号線路、１８ｂ・・・接地線路、２０ａ・・・信号線路、２０ｂ、２０ｃ・・・接地部、３０・・・半導体試験システム、４０・・・試験装置本体、４２・・・パターン発生器、４４・・・波形整形器、５０・・・テストヘッド、５２・・・信号伝送部、５４・・・測定部、６０・・・半導体試験装置、７０・・・被試験ウェハ、７２・・・パフォーマンスボード、７４・・・インターフェース、７６・・・ウェハチャック、７８・・・可動ステージ、８０、８２、８４、８６・・・パッド、８８・・・接触子、９０・・・ポゴピン、９２、９２ａ、９２ｂ・・・接触子、９４・・・基板、９５ａ、９５ｂ、９５ｃ・・・内部伝送部、９６・・・信号伝送路、９７・・・貫通伝送部、９８・・・接地導体部、１００・・・プローブカード、１０２・・・穴部、１０４、１０６・・・低抵抗部、１０５・・・接触部、１０７・・・接触点、１０８・・・接地導体層、１１０・・・誘電体層、１１２・・・接地線路、１２０・・・SiO2膜、１２０ａ・・・犠牲層、１２４・・・ポリイミド層、１２６、１２６ａ・・・金属ガラス層、１２８・・・金属ガラスカンチレバー、１２８ａ・・・自由部、１３０・・・曲げ調整部、１３２・・・位置決め機構、１４０・・・半導体デバイス、１４２・・・半導体チップ、１４４・・・パッド、１４６・・・電極リード、１４８・・・パッケージ、１５０・・・接触子、１５２・・・電極部、１５４ａ、１５４ｂ・・・圧電板、１５５・・・磁性層、１５６・・・パッド、１５７・・・磁石、１５８・・・外部接続ボール、１６０・・・ポリイミド層、１６２、１６２ａ・・・金属ガラス層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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