(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導電部分を有し、器具のポンプハウジングの内部に配置される基板と、
前記基板に装着され、光エネルギーのビームを第１の線に沿って導く手段と、
前記基板に装着され、前記第１の線と交差する位置にあり、前記導く手段から光エネルギーを直接に受光し、入射した光の強さを表わす第１の信号を発生する第１の光感知手段と、
前記基板に装着され、前記第１の線に対して角度を成す第２の線と交差する位置にあり、前記導く手段からの前記第２の線に沿った反射光を受光し、入射した光の強さを表わす第２の信号を発生し、前記導く手段と前記第１の受光手段と共に、前記基板の前記導電部分と電気的に通信する状態で接続されている第２の光感知手段と、
前記第１の受光手段と第２の受光手段と信号通信状態で接続されており、前記第１の信号と前記第２の信号とを比較する手段と、
前記基板に装着され、前記基板から延出し且つ互いに所定の距離だけ離間する２つの電極から構成されており、前記基板の前記導電部分のうち第２の部分と電気的に通信する状態で接続され、液体の導電率を測定する第１の手段とを具備し、
前記光エネルギーのビームを第１の線に沿って導く手段と、前記第１の光感知手段と、前記第２の光感知手段とは、光透過性で不浸透性の物質の中にカプセル化され、さらに、前記液体の導電率を測定する第１の手段も２つの電極が液体と電気的に通信する状態に置くことができるように上記物質を貫通して突き出た状態でカプセル化されることを特徴とする液体状態センサ。
【請求項２】
前記基板に装着され、前記基板の前記導電部分のうち第３の部分と電気的に通信する状態で接続されており、前記液体の温度を測定する第２の手段をさらに具備する請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
透明エポキシよりなる光透過性で不浸透性の被膜をオーバーモールドしてカプセル化する請求項１または２に記載のセンサ。
【請求項４】
濁度を確定するため、第１の光感知手段と第２の光感知手段が受信する光信号の少なくとも一方の強さを監視する回路がさらに設けられ、その監視された信号の強さは、光エネルギーのビームの光源を駆動するために必要な電流の最も効率の良い値を有利に確定するために使用される請求項１ないし３のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項５】
第１の光感知手段と第２の光感知手段が受信する光信号の少なくとも一方の強さの関数として、光源の電流を制御する手段をさらに有する請求項１ないし４のいずれか一項に記載のセンサ。
【発明の詳細な説明】
発明の背景
発明の分野：
本発明は一般に物品を洗浄する装置で使用するためのセンサに関し、特に、一連のパラメータ感知素子を含み保護し、且つ装置で使用される液体の状態を監視するために食器洗い機または洗たく機の内部の様々な場所に装着可能であるセンサプラットフォーム又はセンサクラスタに関する。
従来の技術の説明：
1992年８月18日にKingへ発行された米国特許第5,140,168号は、交番光源を使用する濁り度計信号処理回路を開示している。濁り度計は、液体が流入する入口を備えた空洞を有するハウジングを含む。液体を通して変調光ビームを伝送するために、所定の周波数を有する交番信号により２つのエミッタを交互に駆動する。２つの検出器は、液体中の散乱光と非散乱光の強さを表わす信号を発生する。それらの検出器信号の各々は、所定の周波数の信号成分のレベルを測定するために処理される。そのような処理は、所定の周波数の成分信号のレベルを示す信号を発生するために検出器信号をフィルタリングし且つ位相復調することを含む。濁り度は、各エミッタが励起されたときに測定される信号レベルから計算される。
1975年６月10日にBasharkへ発行された米国特許第3,888,269号は、食器洗い機の制御システムを説明している。食器洗い機は、複数の異なる食器洗い動作及び食器処理動作を実行するための１つの制御用押しボタンを有する。食器が食器洗い機の中にあるときの食器の状態に基づいて食器洗い機の中の食器の最適の処理を確定する能力を有する改良された自動制御装置を含む。
1975年３月11日にBasharkへ発行された米国特許第3,870,417号は、食器洗い機のセンサを開示している。この特許は、液体の濁り度を確定する手段と、乾燥状態を確定するように液体の所定の蒸発量を確定する手段とを含み、食器洗い液のような液体の状態を確定する方法及び装置を説明している。光の放射を上方の液体の中へ導き、液体により搬送されている固体から反射された光放射を感知して、濁り度測定値を提供するか、又は液体の上面の下側から反射された光放射を感知して、乾燥度測定値を提供するための手段が設けられている。
1992年12月22日にOnoへ発行された米国特許第5,172,572号は、洗浄液が供給される洗浄タンクの中で汚れた物を洗浄する自動洗浄装置を開示している。装置は、洗浄タンクを通過した洗浄液に対して光を発生する発光素子を具備する。また、洗浄液を通って発光素子の光軸に沿って進む直線光ビームを受光する第１の受光素子をさらに具備する。さらに、洗浄液を通って発行素子の光軸から外れた方向に進む散乱光を受光する第２の受光素子を具備し、洗浄状態は第１の受光素子により受光された光の量と、第２の受光素子により受光された光の量とに従って制御される。
1972年５月９日にKarklyへ発行された米国特許第3,662,186号は、電気器具の電子制御回路を説明している。電気器具などの多重機能装置の制御部は電子クロック又はタイマーと、電子プログラム回路と、実行すべき機能を選択し且つ制御するためのデジタル回路とを利用する。電子プログラム回路は複数の双安定回路を有し、その一方の部分はいくつかのサブサイクルの各々において繰り返される一連のステップを制御し、他方の部分はそれらのサブサイクルのシーケンスを制御する。第２の部分は、所望の動作プログラムを確立するためにプリセットされても良い。デジタル回路は双安定プログラム回路の状態と、クロックとに応答して、器具の動作を制御する。
1994年３月８日にMolnarへ発行された米国特許第5,291,626号は、物品を洗浄する装置を開示している。食器洗い機のような装置は、少なくとも一部が透明の液体の濁り度を測定する装置を内蔵している。装置は、偏光にかかわらず散乱電磁放射を検出するセンサと、透過電磁放射を検出するセンサとを含む。
1993年４月26日にKubisiak他により出願され且つHoneywell  Inc.に譲渡された米国特許出願番号第08/053,042号は、光源と、導管に近接して配置されて、光源から導管を直接通る光及びそれに対し角度を成す光の強さを測定する複数の光感知素子とを具備する濁り度センサを説明している。導管には、センサの光ビームを気泡が通過するのを阻止するために導管の壁から半径方向内側に延びる複数の突起が設けられている。直接光ビームと散乱光とを比較して、導管を通過する液体の濁り度を表わす関係を成立させる。濁り度の変化率は監視変数として与えられる。このKubisiak他の出願の中には、デルタ−シグマアナログ／デジタル変換方法と呼ばれる技術がきわめて詳細に説明されている。以上説明したKubisiak他の出願は参考として本明細書中にも明確に取り入れられている。
1990年３月６日にLin他へ発行された米国特許第4,906,101号は、静止流れ又は動的流れの濁り度を測定する濁り度測定装置を説明しており、この場合、液体は8,500ppmまでの固体を有し、その深さは８インチまでである。装置は強い光源と、流れの中のカラー変数をフィルタリングするために透過光の波長を550nmないし900nmに制御する手段とを含む。また、流れを透過した光をピックアップするための観察手段とアライメントされるフォトセンサも具備している。
1991年９月17日にMatsumi他へ発行された米国特許第5,048,139号は、濁り度計を備えた洗たく機及びその濁り度計を動作させる方法を開示している。洗たく機は、洗たくサイクルと洗浄サイクルの持続時間を制御するために洗浄水の濁り度を測定する目的で濁り度計を使用する。泡の影響をごくわずかにするように水流が弱いときに測定値を取り出し、後続するステップで使用される初期値を検出するためにサイクルの開始時に濁り度が降下するまで待つことによって、この制御の品質は向上する。
1991年３月12日にSilvestonへ発行された米国特許第4,999,514号は、パラメータの選択及び重み付けを伴う濁り度計を開示している。濁り度計は、試験すべき液体の中に光源と共に支持される感知ユニットと、一方の光センサが透過光を受光するように光源と整列し且つ残るセンサは液体によって散乱した光を受光するように配置されるように支持される少なくとも２つの光センサとを有する。光源とセンサは、共に、試験すべき液体から物質が沈澱するのを防止するために、加圧液体の薄い層が光源のレンズとセンサの上を流れるように加圧液体源と接続する流れ形成チャンバを有する。
1986年10月28日にMeserol他へ発行された米国特許第4,619,530号は、一体の光学素子と、それら光学素子と光学的に密接して接触する発光素子及び感光素子を伴う電気回路とを有するキュベットを説明している。キュベットの組合わせを光学的特性が変化する媒体を受け入れ、その変化が媒体を通過するエネルギーのアレイのエネルギーレベルを変化させ、また、キュベットには、コリメータレンズと集光レンズのような、一体に形成された第１及び第２のアレイ変更光学手段が設けられている。第１の光線変更光学手段は光線を受光し、カルミネーションなどの第１の方式で光線を変更した後、その光線を媒体の中へ送る。第２の光線変更光学手段は光線を受光し、媒体を通過した光線に対して、集光などの第２の方式で光線を変更し、その光線をキュベットから送り出す。電気回路は発光器及び光検出器などの発光手段と感光手段を含み、発光手段はキュベットの第１の光線変更光学素子と光学的に密接に接触し、感光手段は第２の光線変形手段と光学的に接触している。
1980年３月18日にWynnへ発行された米国特許第4,193,692号は、液体中の微粒子の濃度を光学的に測定する方法及び装置を説明している。Wynnの特許には、ほぼ濃度の線形関数である出力信号を供給する光学濃度測定装置及び方法が開示されている。装置は液体標本を入れるチャンバと、チャンバを通過し、標本を透過するビームを発生する光学放射源とを含む。第１の光電池は透過ビームを受光して、チャンバ及び液体標本を通過した後のビームの強さに比例する電気信号を発生するように配置されている。直接ビームに関して選択された角度を成して配置され、選択された信号に対応する方向に散乱した光に比例する電気信号を発生する第２の光電池も設けられている。散乱ビームに比例する信号と、直接ビームに比例する信号とは単一のプロセッサに印加され、プロセッサはそれらの信号の比を発生する。信号の一方には定数値を乗算する。この方法によれば、信号処理装置からの信号が微粒子濃度とほぼ線形であるように定数値を選択できる。
周知の濁り度感知装置は２つの条件のうち一方の下で動作する。第１に、流体を所定の検出ゾーンを通過するように流すために、管状構造が設けられている。流体が導管を流れるにつれて、液体を通して光を導き、導管の直径にわたって配置され、場合によっては発光手段と、発光手段から見て導管の反対の側に配置された光感知手段との間の延長線に対してある角度を成して配置される１つ又は複数の光感知素子によって、その光を受光する。濁り度センサを利用する別の方法は、監視すべき流体の標本部分を収納する流体接続タンク又はウェルを設けている。発光素子と光感知素子はウェルの両側に配置されて、液体を通して光を導く。濁り度センサを適用するそれら２つの周知の方法には、共通する欠点がある。これらの方法は、センサの動作検出ゾーンへ液体を導く又は搬送する何らかの手段を必要とする。この必要条件があるために、用途によっては適応性が制限されてしまう。
先に説明した欠点に加えて、温度センサ、導電率センサ、回転自在の洗浄アームのような所定の構成要素の運動の検出を可能にする位置検出器などの複数の他のセンサを組込むように周知の濁り度センサを適用させるのは容易ではない。食器洗い機又は衣類洗たく機などの物品を洗浄する最新の装置においては、制御回路は洗浄液の濁り度、洗浄液の導電率、洗浄液の温度及び水スプレーアームなどの回転自在の部材の運動に関連する情報から利益を得ることができる。従って、洗浄液の濁り度、温度及び導電率を感知できると共に、可動物体が適正に機能しているか否かを判定できる単一のセンサモジュール又はセンサクラスタを設けることができたならば、有益であろう。管、導管又は液体を入れる液体だめを設ける必要なく、器具内部の複数の場所に配置できる単一の部材として、そのようなセンサのクラスタを設けることができたならば、さらに有益であろう。また、別のマイクロプロセッサによる器具の制御と並行して、センサのクラスタが温度、水の濁り度レベル、水の導電率レベル及び可動物体の位置などの装置のパラメータを監視し且つパラメータの測定値を他方のホストマイクロプロセッサによる呼び出し時に利用可能とすることができれば有益であろう。このように、測定値を取り出している間に待機する必要がないために、ホストマイクロプロセッサに負担がかかることはないであろう。
発明の概要
本発明の液体状態センサは、第１の平坦な面を有する基板を具備する。基板の第１の平坦な面には、複数の導電部分が配置されている。言いかえれば、基板は表面に複数の導電性経路が配置されたプリント回路基板の形態であっても良い。本発明の好ましい一実施形態は、基板に装着されて、基板の第１の平坦な面と平行な方向に第１の線に沿って光エネルギーのビームを導く手段をさらに具備する。また、基板に装着されて、導く手段から直接に光エネルギーを受光する第１の光感知手段を具備する。第１の線は第１の受光手段及び光源と交差する。第１の受光手段は、第１の受光手段に入射する光の強さを表わす第１の信号を発生する。本発明は、基板に装着された第２の光感知手段をさらに具備する。第２の光感知手段は、第１の平坦な面と平行な第２の線に沿って導く手段からの散乱光を受光するように設けられている。本発明の好ましい一実施態様では、第２の線は第１の線に対して垂直である。第２の線は第２の受光手段と交差し、第２の受光手段は第２の受光手段に入射する光の強さを表わす第２の信号を発生する。光を導く手段と、第１の受光手段と、第２の受光手段とは、基板の複数の導電部分のうち第１の部分と電気的に通信する状態で接続している。加えて、本発明は第１の信号と第２の信号とを比較する手段を具備する。この比較する手段は、第１の受光手段及び第２の受光手段と信号通信状態で接続している。
本発明の基板を食器洗い機のポンプハウジングの内部に配置することができる。また、本発明は、基板の第１の平坦な面に近接する液体の導電率を測定する第１の手段をさらに具備する。この測定手段は、基板の複数の導電部分のうち第２の部分と電気的に通信する状態で接続している。第１の測定手段は、既知の表面積を有し且つ第１の平坦な面から延出し、互いに所定の距離だけ離間している２つの電極を具備する。
本発明に特に好ましい一実施態様は、基板の第１の平坦な面に近接する液体の温度を測定する第２の手段をさらに具備する。第２の測定手段は、基板上の複数の導電部分のうち第３の部分と電気的に通信する状態で接続している。
本発明の好ましい一実施態様は、基板に近接する所定の検出ゾーンの内部における強磁性物体の有無を検出する磁気感知素子をさらに具備する。磁気感知素子は、基板の複数の導電部分のうち第４の部分と電気的に通信する状態で接続している。本発明の特に好ましい一実施態様においては、磁気感知素子は磁気抵抗素子から構成されている。
本発明の特に好ましい一実施態様は、基板の第２の平坦な面から延び出す複数の電気導体をさらに具備し、基板の第２の平坦な面は基板とおいて、第１の平坦な面とは反対の側に位置している。複数の電気導体は、基板の第１、第２、第３及び第４の導電部分と信号通信状態で接続している。基板と、光を導く手段と、第１の光感知手段と、第２の光感知手段とは、光透過性で不浸透性の物質の中にカプセル化されている。
本発明の一実施態様は、発光ダイオードへ流れる電流を第１の光感知素子36と、第２の光感知素子40とにより供給される第１の信号及び第２の信号の一方又は２つ以上の関数として調整する濁り度センサを具備する。この実施態様におけるセンサは、検出ゾーンを通る第１の線に沿った方向に光のビームを発するように配置された光源を具備する。また、第１の線に沿って透過した光を受光するように配置された第１の光センサを具備する。第１の光センサは、それに入射する光の強さを表わす第１の信号を発生する。さらに、第２の線に沿って散乱される光を受光し且つその散乱光の強さを表わす第２の信号を発生するように、第２の光センサが配置されている。光源から発する光の強さを第１の信号及び第２の信号のうち所定の一方の関数として制御するために、調整器が設けられている。本発明の別の実施態様は、発光ダイオードを流れる電流を、透過光を受光する第１の光感知素子又は散乱光を受光する第２の光感知素子の関数として調整することができる。あるいは、発光ダイオードを流れる電流を制御する調整器は、第１の光感知素子及び第２の光感知素子からそれぞれ発生する第１の信号と第２の信号の双方の関数として電流を調整することができる。双方の信号を利用する実施態様においては、２つの信号のうち高いほうを使用する。
【図面の簡単な説明】
図面と関連して好ましい実施形態の説明を読むことによって、本発明はさらに十分に理解されるであろう。図面中：
図１は、当業者には知られている技術に従って製造された濁り度センサの横断面である。
図２は、図１に示す濁り度センサの側面図である。
図３は、本発明の斜視図である。
図４は、光透過性で不浸透性の材料から成る被膜を有する図３のセンサクラスタの図である。
図５は、本発明の１つの用途の概略図である。
図６は、本発明の別の用途の概略図である。
図７は、濁り度センサを監視し且つ制御するために使用される回路の概略ブロック線図である。
図８は、本発明と観点して使用される回路の概略図である。
図９は、食器洗い機で使用される下部ポンプハウジングの底面図である。
図10は、図９に示す例の断面図である。
図11は、濁り度センサの動作を表わすために使用されるグラフである。
図12は、ある不利な条件の下にある濁り度センサの信号のグラフ表示である。
図13A,図13B及び図13Cは、本発明に従って使用できる概略的回路の各部である。
図14は、上部と、下部とから構成されるハウジングを利用する本発明の別の実施形態を示す。
好ましい実施形態の説明
好ましい実施形態の説明を通して、同様の構成要素は一貫して同じ図中符号により指示される。
図１は、当業者に知られている１つの型の濁り度センサ構成の横断面図を示す。発光ダイオードのような光源10は、この光源10が導管20内部の液体28の中へ光のビームを向かわせるように導管20に対して配置されている。発生されるこの光は図１には矢印Ｅにより表わされている。第１の光感知素子14は導管20の、光源10と正対する位置に装着されている。光源10から第１の光感知素子14へ透過される光は矢印Ｔにより表わされている。
図１をさらに参照すると、第２の光感知素子18は導管20の、光源10及び第１の光感知素子14とは一線上に並ばない位置に装着されている。図１に示す実施形態では、第２の光感知素子18の位置は光源10と第１の光感知素子14との間に引いた線に対してほぼ垂直であるが、その他の角度構成も当業者には知られている。矢印Ｓは、光源10から発し、第２の光感知素子18により受光される散乱光を表わす。当業者に知られている濁り度センサの中には、導管20の周囲に配置されたハウジング24の内部に光源10と、第１の光感知素子14と、第２の光感知素子18とを配設したものもある。ハウジング24の中に、光源と光感知素子との間の必要な電気的接続を収納できる。
矢印Ｅにより指示するように、光源10から光が発生されると、光は液体28の中へと進む。液体が微粒子29を含有している場合、光の一部は矢印Ｓにより指示するように散乱し、また、光の一部は矢印Ｔにより表わすように第１の光感知素子14へ透過される。第１の光感知素子14と第２の光感知素子18が受光した光の強さの大きさを観測することにより、微粒子29の量を測定できる。当業者にとっては、光源10から微粒子29を通過して第１の光感知素子14に至る光の測定は、液体の濁り度の感知ということである。微粒子29によって散乱し、第２の光感知素子18により受光される光を、液体中の微粒子物質の量の表現として使用することも可能である。この散乱光の測定を当業者は比濁分析と呼ぶこともある。簡潔にするため、双方の型の測定をここでは濁り度測定という。
導管20内の液体の濁り度が増すにつれて、第１の光感知素子により受光される光の大きさは減少し、第２の光感知素子18により受光される光の大きさは増加する。従って、第１の光感知素子が受信した信号と、第２の光感知素子が受信した信号との比を導管20内部の液体の濁り度の程度を示す標識として使用することができる。
図２は、図１に表わす装置の側断面図を示す。図からわかる通り、導管20は、液体が矢印Ｆにより表わされるように流れることができる手段を構成する。ハウジング24は導管20の周囲に配設され、光源10と第１の光感知素子14を内部に配置できる区画室を構成する。図２は示されていないが、第２の光感知素子もハウジング24の中に配置されている。図２に示すような構成によれば、導管20を通って流れる液体の濁り度を測定できる。
図１及び図２を参照すると、この濁り度測定手段には、導管20のような何らかの種類の液体導通手段を使用して、あらかじめ選択された検出ゾーンを通過して液体を導通させる必要があることがわかる。さらに、導電率検出器、温度検出器及び運動検出器などの追加のセンサを図示したこの種の構成と密接に関連させるのが困難であることもわかる。
図３は、本発明の好ましい一実施形態を示す。この実施形態は、プリント回路基板であっても良い基板30を含む。明瞭にするために図３には示していないが、基板30の第１の面32には複数本の導通経路が配置されている。発光ダイオードであっても良い光源34は基板30の第１の面32に装着され、光源34は発射された光のビームＥを第１の面32とほぼ平行な方向へ導くように基板30と関連させて配置されている。フォトダイオードであっても良い第１の光感知素子36も基板30の第１の面32に装着され、光源34から発生されて第１の面32と平行な方向に進み、第１の光感知素子36に向かって進む透過光Ｔを受光すべき位置に配置されている。第２の光感知素子40も基板30の第１の面32に装着され、光源34から発生された散乱光Ｓを受光すべき場所に配置されている。図３には示していないが、散乱光Ｓは発生された光Ｅが光源34と第１の光感知素子36との間の領域にある複数の微粒子に入射し、それらの微粒子により偏向されることによって発生するということを理解すべきである。図３からわかるように、本発明は、光源と第１の光感知素子との間で液体を導くために導管を利用しない。さらに、液体を貯めておくための液体だめ又はウェルも利用しない。当業者には一般に知られている方式により、第１の光感知素子36と第２の光感知素子40とが発生した信号を互いに関連させて使用して、基板30の第１の面32に近接した、光源34と第１の光感知素子36との間の検出ゾーンの中の液体の濁り度の値を確定することができる。
本発明では、互いに所定の距離だけ互いに離間した２つの導体44及び45も設けられている。２つの導体44及び45は互いに対して所定の電位に維持されている。本発明の好ましい一実施形態においては、この電位は交流電圧であり、２つの導体のいずれかにが維持される直流オフセット電圧を阻止する手段が設けられている。２つの導体の間に液体が導入されると、当業者には知られている適切な回路を介して液体の導電率を確定できる。この導電率測定値を使用して、基板30の第１の面32に近接する液体の中に懸濁している固体の種類を確定することができる。導電率測定値を多くの目的のために使用できるが、基板に近接する液体に食器洗い機用洗剤が溶解しているか否かを判定するのに特に有利である。
基板30の第１の面32には、温度測定手段48も装着されている。その目的は、第１の面32に近接する液体の温度の測定を可能にすることである。食器洗い機又は物品を洗浄する他の器具の動作の効率を向上させるために、洗浄過程で使用される液体の温度は、器具の動作を監視し且つ制御する際に有用な情報を提供することができる。
本発明の特に好ましい一実施形態では、基板30に磁気感知素子54も装着されている。本発明の一実施形態においては、磁気感知素子54は光源34に近接して、光源34に装着されている。しかしながら、磁気感知素子54を基板30上の別の場所に配置できることも明確に理解すべきである。本発明の最も好ましい一実施形態では、磁気感知素子は、磁気感知素子54に近接する強磁性素子の有無を検出するための磁気抵抗素子から構成されている。本発明を食器洗い機と関連させて採用する場合、磁気感知素子は食器洗い機のアームに装着された磁石又は強磁性素子の有無を検出できる。食器洗い機のアームが中心軸に対して回転するにつれて、磁気感知素子54は回転に伴うアーム素子の通過を検出することができる。これにより、マイクロプロセッサはアームの回転速度を確定できるのに加えて、アームが申し分のない速度で回転しているか否かを判定できる。基板30の第２の面66からは、複数の導体を収納するような形状のハウジング50が延びている。ハウジング50は第２の面66に装着されており、導体は第１の面32にある導電性経路と電気的に連通する状態で接続しているので、光源34と、第１の光感知素子36と、第２の光感知素子40と、２つの導体44及び45と、温度感知素子48と、磁気感知素子54との電気的通信が可能になる。温度感知素子48はサーミスタであっても良いが、第１の面32に近接する液体の温度を測定するというこの機能を実行するために他の素子を使用することは可能である。図中符号58は、ハウジング50から延びている導体を表わす。コネクタ67は装置の組立てと、装置と他の制御素子との接続を容易にする。
図３をさらに参照すると、第１の面32の上に示されている全ての素子は基板30に堅固に装着されており、基板と一体の構造を形成することを理解すべきである。
図４は、透明エポキシより成る光透過性で不浸透性の被膜をオーバモールドした後の図３の装置を示す。基板30とそれに装着されている全ての素子はカプセル化物質60の中に収納されている。２つの導体44及び45は、液体の導電率を測定するという導体の機能を果たすために、第１の面32に近接する液体と電気的に通信する状態におくことができるように、オーバモールド物質を貫通して突き出ている。
図３及び図４を参照すると、ハウジング50をそれを配置すべき何らかの装置の面と螺合する関係で装着できるように、ハウジング50の外面にねじ山を形成することができる。本発明のいくつかの実施形態では、ハウジング50にねじ山を形成する必要はない。その代わりに、ハウジングの外面の開口との間に液密装着関係を維持するようにハウジングを開口に押し込むことを可能にするために、ハウジングにわずかに圧縮自在の材料を設けることができる。
図５は、本発明を有利に利用できる方法の１つを概略的に示す。タンク70内の液体の濁り度を測定することが望ましいのであれば、タンク70の底部に形成された穴72を通してハウジング50を挿入することができる。これにより、図４に示すセンサクラスタをタンクの底部に近接して配置できる。光源と、第１の光感知素子及び第２の光感知素子とは液体74の表面より下方に位置しているので、液体は光源と第１の光感知素子との間の検出ゾーンの中にあり、その特性を測定できる。言いかえれば、液体74の濁り度と、液体74の導電率と、液体74の温度とをセンサクラスタの計器によって確定することができる。アレージ（漏損量）76が基板上のセンサ素子の動作部分より上である限り、それらの特性を監視し、食器洗い機のような器具を制御するために使用することができる。
図６は、本発明のセンサクラスタをタンク70の側壁に取り付けた別の構成を概略的に示す。ハウジング50は穴72を通して挿入され、液体74の漏れを防止するために密封されている。基板30の第１の面に装着されたセンサが液体74の表面より下方で、アレージ76より下に位置している限り、クラスタのセンサは液体74の濁り度、導電率及び温度に関する情報を提供できる。
図５及び図６は、本発明の利点の１つを例示している。光感知素子が外部光源からの周囲光により悪影響を受けない限り、本発明は、液体が存在している実質的にどのような位置でも、また、実質的にどのような種類の装置であっても使用可能である。本発明では、液体の濁り度、導電率及び温度を測定するために、液体を所定の場所を通過するように導くための導管又は管は不要である。加えて、基板を第１の面に対して特定の場所に液体だめ又はウェルを配置する必要もない。センサクラスタのセンサ素子が液体の表面より下方に位置している限り、センサクラスタを有利な任意の位置に配置できる。
図７は、本発明の濁り度検出器を動作できるようにするための手段を示す概略図を示す。先に説明した通り、光源34は発射光のビームＥを発生し、このビームは液体の微粒子29を通過する。通過した光ビームＴはフォトダイオードなどの第１の光感知素子36により感知されるが、散乱ビームＳは同様にフォトダイオードであって良い第２の光感知素子40により感知される。本発明の特に好ましい一実施形態では、発射光Ｅは面92に形成された開口90を通って導かれる。開口90は、第１の光感知素子36の、光が示される所定の領域を規定することを目的としている。当業者には一般に知られているような方式で、デルタ−シグマアナログ／デジタル変換技法を使用することができる。この技術は、1993年４月26日にKubisiak他により出願され且つHoneywell  Inc.に譲渡されている米国特許出願番号第08/053,042号（T10−14718）の中でかなり詳細に説明されている。この米国特許出願は参考として本明細書中にも明示して取り入れられている。デルタ−シグマA/D100は信号線102及び104により第１の光感知素子36と、第２の光感知素子40とにそれぞれ接続されている。第１の光感知素子と第２光感知素子からの信号を組合わせた後、信号は信号線104を介してマイクロプロセッサ106に供給される。信号線104の信号によって、マイクロプロセッサ106は液体の濁り度を確定できる。さらに、以下にさらに詳細に説明するが、マイクロプロセッサ106は、本発明の好ましい一実施形態では発光ダイオードである光源34に供給する電流もこの信号によって制御する。LED駆動制御部108は、光源34として動作する光ダイオードに信号線110を介して大きさが可変である電流を供給するために使用される。光源に供給される電流を調整するために使用される回路については、以下にさらに詳細に説明する。しかしながら、この回路は光源に対する電流を第１の光源及び第２の光源から個別に又は合わせて取り出され、受信される信号の関数として調整するために使用されるということを理解すべきである。
図８は、センサクラスタの基板の第１の面に近接する液体の濁り度、温度、磁気センサ54及び導電率を監視するために使用される回路の概略図である。本発明と関連して他にも多くの代替回路を使用することが可能であるが、図８の線図はそれらの液体特性を監視する可能な方法の１つを表わしている。さらに、この回路は、磁気センサ、すなわち、磁気感知素子を監視できるようにするための手段を含んでいる。
図８においては、マイクロプロセッサ106は先に説明したようにLED駆動制御部108及びデルタ−シグマA/D100と信号通信状態で接続している。さらに、マイクロプロセッサは、先に説明したような導体44及び45の間の導電率を監視する導電率電子回路124と関連するデルタ−シグマA/D120と信号通信状態で接続している。
マイクロプロセッサ106は、サーミスタであっても良い温度センサ48とも信号通信状態で接続している。電圧調整器128は、マイクロプロセッサ106と、サーミスタ48と、導電率感知素子と、磁気センサ54と、図８では図中符号130により表わされている濁り度の測定に関連する素子とに調整された電力を供給する。本発明の好ましい一実施形態においては磁気抵抗アレイである磁気感知素子54も、マイクロプロセッサ106と信号通信状態で接続している。
図８をさらに参照すると、マイクロプロセッサが食器洗い機又は同様の器具の外部構成要素と通信できるように、通信インタフェース134が設けられている。通信インタフェース134により供給される信号によって、器具の他の制御回路は濁り度、温度及び導電率の測定値に反応でき、また、他の制御素子は前述の磁気センサの測定値の結果に反応することができる。
先に図３から図８に関連して説明したように、本発明は、多くの異なる種類の液体監視の用途と関連させることができるセンサクラスタである単一の構造を提供する。センサクラスタが単一の構造であるため、濁り度、導電率及び温度の測定が可能になると共に、クラスタが食器洗い機のスプレーアームなどの強磁性物体の運動を監視できるように、センサクラスタを動いている強磁性物体の経路に近接して配置することが可能になる。１つの一体のクラスタに複数のセンサを配置することにより、本発明は、液体状態センサの数多くの異なる必要条件に容易に対応できる装置を提供する。また、先に説明したように個々のセンサを有利な１つのクラスタに組合わせなかった場合に必要になると思われるように、複数のセンサを器具の様々な部分に取り付けて、それらの個々のセンサを信号通信状態で一体に接続する必要はなくなる。
前述のように、本発明は、液体の濁り度及びその他の特性を確定する能力を要求する様々な種類の機構と関連させて使用するためのセンサクラスタを提供する。たとえば、本発明によれば、食器洗い機のような器具は濁り度センサに特に適合する導管、管、液体だめ又はウェルの使用を必要とすることなく、洗浄液の濁り度を監視できる。図９は、食器洗い器具で使用できる下部ポンプハウジング150の底面図を示す。図９では、ハウジングに出入口導管154と、正規の食器洗いサイクルの様々な部分の間に液体が通過する上部洗浄アーム給水導管156とが設けられていることがわかる。
図10は、図９の下部ポンプハウジング150の断面図を示す。図10には示されていないが、モータは通常は下部ポンプハウジング150のすぐ下方の、中心線160と一致する位置に取り付けられること、さらに、回転自在のポンプアセンブリは下部ポンプハウジング150に形成された空洞164の中に取り付けられるであろうということを理解すべきである。図示を簡潔にするために、モータと回転自在のポンプアセンブリは図10には示されていない。下部ポンプハウジングに穴170が形成され、その穴170を通してセンサクラスタのハウジング50が挿入されている。図10に示す通り、ハウジング50は穴170を通って下へ延びており、導体58とコネクタ67は器具の別のケーブルに接続するように下部ポンプハウジングの下方に配置されている。下部ポンプハウジングの底面の上方で広がっている基板30は、光線34と、第１の光感知素子36と、第２の光感知素子40とを支持している。図10には示されていないが、基板30は温度感知素子48と、導電率感知素子を構成する２つの導体44及び45をも支持するであろうということを理解すべきである。さらに、磁気感知素子54は光源34が収納されているのと同じペデスタルの中に配置されている。センサクラスタを下部ポンプハウジング150に堅固に装着するために、ナット190は作用の上でハウジング50と螺合する関係にある。
図10をさらに参照すると、洗浄アーム194が破線により概略的に示されている。図10は洗浄アーム194の一部セグメントしか示していないが、洗浄アームは一般に中心線160に関して対称形であることを理解すべきである。水のスプレーを所定のパターンで発生させるために、洗浄アーム194は中心線160に対して回転する。本発明のセンサクラスタの中に収納されている磁気感知素子54は、動作の上で、洗浄アーム194に装着された永久磁石196を検出するような位置に配置されている。このようにして、磁気感知素子はセンサに近接する検出ゾーンを通過する磁石の動きを検出して、洗浄アームのセンサクラスタ通過を確定することができる。この技術を利用して、電子制御回路は洗浄アーム194が動いていることを確定でき、さらに、所定の期間中に磁石196が磁気感知素子を通過したときに受信される信号パルスの数をカウントすることにより、移動の速度をも確定できる。
濁り度センサにより使用する場合に特に適する液体導管又は液体だめを不要としたことにより、本発明においては、濁り度センサとその関連素子を下部ポンプハウジング150の内部の、洗浄アーム194の動きを容易に監視できる領域に配置できるため、有利である。このような適応能力は、従来の技術で知られているように濁り度センサを透明導管又はチューブと関連させて組込まなければならない場合には得られないであろう。加えて、従来の技術において教示されているように濁り度センサが液体だめを特別に設けることを要求するならば、この適応能力は著しく制限されてしまうであろう。
濁り度センサでは、光センサを１つしか使用しないか又は先に説明したように２つ使用するかに関わらず、光源の強さに変化が生じる可能性があるために、光の強さの測定値に変化を生じやすい。光源が発光ダイオードである場合に、この傾向は特に強く見られる。発光ダイオードを所定の電流が流れているとき、発光ダイオードにより発射される光の強さは３倍もの大きさで変化することがありうる。さらに、発光ダイオードは老化しやすく、その結果、ダイオードを流れる特定の電流に対して光の強さが低下する。２つの光センサの比を取り出すという上述の方法によれば、濁り度センサが光の強さを生じやすいという脆弱性は軽減されるが、この種の濁り度センサは一方又は双方の光センサの飽和を招きやすい。本発明に従って構成された濁り度センサは、発光ダイオードを流れる電流を光センサが受信する信号の関数として調整することにより、その脆弱性を極力起こりにくくする。
この問題を例示すため、図11及び図12は、濁り度センサの第１の光センサ及び第２の光センサにより供給される信号と、それらの信号の比とを表わしている。図11及び図12では、検出器の出力を任意濁り度単位の関数として表わしている。任意ではあるが、10の濁り度値はきわめて濁った液体を表わし、０の濁り度値はほぼ透明な液体を表わす。図11において、曲線200は、発光ダイオードから液体を直接に透過した光を受光するような配置された光感知素子により発生された信号を表わす。図からわかるように、透明な液体の中では、検出器の出力はその最大値であり、濁り度が増すにつれて、第１の光感知素子からの第１の信号の大きさは減少する。図11にさらに示されている曲線202は、液体中の微粒子物質29によって分散し、反射された散乱光を受光するように配置された第２の光感知素子からの第２の出力を表わす。曲線204は散乱光202と透過光200との比を表わす。第１の光感知素子及び第２の光感知素子からの散乱光信号と透過光信号との比を、検出ゾーンを通過する液体の濁り度を示す標識として使用することができる。仮定として、発光ダイオードが図11の曲線を発生するために使用される強い光を発射するとした場合、曲線200及び202はそれに比例して共に大きくなるであろうが、比204は指示したのとほぼ同じままとなるべきである。この比技術は、発光ダイオードにより発射される光の強さによって起こりうる上述の問題を回避する。ところが、発光ダイオードが光感知素子からの信号を増幅するために使用される素子を飽和させるのに十分である光を発生した場合には、曲線200又は曲線202はゆがむ可能性があるだろう。第１の光感知素子及び第２の光感知素子に対して使用される増幅技術によって、２つの信号のうち一方を他方の信号より以前に飽和するおそれがあることを理解すべきである。この説明の便宜上、曲線200の最大値は曲線202の最大値より大きく、従って、発光ダイオードが発射する光の強さが飽和を発生させるために必要なレベルを越えるほどに増した場合には、曲線200が飽和する確率のほうが高いであろう。
図12は、濁り度センサの発光ダイオードにより発射される光の強さが双方の曲線200及び202の大きさをそれらの信号を増幅するために使用される素子の飽和を生じさせるレベルまで増加するのに十分であるような仮定の例を示す。図12においては、曲線200′は飽和を生じさせる大きさまで増加した曲線200を表わし、同様に曲線202′は飽和を生じさせるのに十分な大きさに増加した曲線202を表わす。この例の説明では、便宜上、34,000の任意値を双方の曲線200′及び202′の飽和レベルとして使用している。このことは図12の例でわかる。これら２つの信号が飽和したことにより得られる。線204′に表わされている比は、曲線200′が飽和したときの低い濁り度値に対して特に、光感知素子からの２つの曲線のいずれか一方が飽和するというところで不正確である。
図11及び図12をさらに参照すると、発光ダイオードにより発生される光の強さを第１の光感知素子及び第２の光感知素子により供給される信号の一方又は双方の飽和を回避するために調整できるのであれば、非常に有利であろう。
図13は、本発明の好ましい一実施形態で使用される回路を示す。抵抗器R12及びコンデンサC6はマイクロプロセッサU4のRB1出力端子からのパルスを積分するために使用され、この積分信号は演算増幅器U6の反転入力端子に接続する。この同じ信号は、抵抗器R39と、コンデンサC19とから構成される低域フィルタに供給される。マイクロプロセッサU4のRB1出力端子により供給される信号がシグマ−デルタ技術を使用する場合に通常見られるようにデジタル信号であることを理解すべきである。この技術は当業者には良く知られており、先に説明した通りである。抵抗器R39と、コンデンサC19とから構成される低域フィルタは、ダイオード対Q5のアノードにDC入力を供給する。直前に説明したのと同様の方式で、マイクロプロセッサU4のRB3出力端子は信号を供給し、その信号は抵抗器R10及びコンデンサC5によって積分されて、演算増幅器U6の反転入力端子に接続する。
本発明の好ましい一実施形態では、点P3と点P4にまたがって１つのフォトダイオードが接続され、点P5と点P6にまたがって別のフォトダイオードが接続されている。点P3と点P4にまたがって接続する第１のフォトダイオードは、発光ダイオードから液体を通って直接に透過した光を受光するために使用される光感知素子である。点P5と点P6にまたがって接続するフォトダイオードは、散乱光を検出するために使用される光感知素子である。また、本発明の好ましい一実施形態では、発光ダイオードは図13の点P1と点P2にまたがって接続している。
図13をさらに参照すると、Q5に含まれている対のダイオードは、抵抗器R39及びコンデンサC19から構成される低域フィルタと、抵抗器R12及びコンデンサC6から構成される低域フィルタとから受信される２つの信号のうち高いほうの信号を選択する。それら２つの信号の最大値は演算増幅器U2の反転入力端子に接続する。演算増幅器U2の出力端子はトランジスタQ3のベースに接続しており、この出力は発光ダイオード及び抵抗器R44を通過する電流を調整する。演算増幅器U2の非反転入力端子は、本発明の特定の一実施形態では3.5ボルトである基準電圧に接続している。演算増幅器U2の非反転入力端子に供給される電圧は、第１の光感知素子及び第２の光感知素子と関連する演算増幅器の、分圧器38、39、40及び41によりスケーリングされる飽和レベルを表わすように選択される。そのため、演算増幅器U2の出力は、光感知素子と関連する２つの演算増幅器のいずれかがその飽和レベルに接近しているか否かを判定する。従って、この出力は、トランジスタQ3のベース電流を調整することにより、トランジスタQ3を通過する電流のレベルを確定する。演算増幅器U2の反転入力端子の信号の大きさがその非反転入力端子における基準電圧に近づくと、ベース電流は減少し、点P1及びP2の、発光ダイオードを流れる電流は減少する。従って、濁り度センサの発光ダイオードを通過する電流は、飽和を防止するため、第１の光感知素子及び第２の光感知素子からの増幅信号の関数として調整される。演算増幅器U2がもう１つの有用な目的を果たしていることがわかる。第１の光感知素子及び第２の光感知素子からの増幅信号がきわめて低い場合、演算増幅器U2の出力は増加し、発光ダイオードを流れる電流もトランジスタQ3の作用によって増加する。従って、濁り度センサによって感知すべき液体がきわめて濁っており、双方の光感知素子が非常に低下した強さの光を受光しているならば、この状況を部分的に克服するために、発光ダイオードの輝度を増すことができる。
従って、演算増幅器U2の動作は、光感知素子から受信される２つの増幅信号のいずれかを飽和することなく、発光ダイオードが発射する光の強さをできる限り高いレベルに維持する働きをする。光感知素子からの２つの信号を比として比較するので、第１の光感知素子及び第２の光感知素子から受信される信号の関数として発光ダイオードを制御することができる。光感知素子からの２つの信号を比として比較しない場合には、光の強さに対する影響は濁り度センサが液体の濁り度を正確に測定する能力に悪影響を及ぼすので、この種の技術は不可能になるであろう。
先に論じたように、２つの光感知素子の一方からの信号が飽和していない間に、他方からの信号が飽和してしまうことはありうるであろう。第１の光感知素子及び第２の光感知素子と関連する増幅器の利得に応じて、増幅信号の一方が飽和していない間に、他方又は双方の増幅信号が飽和状態になることはありうるであろう。本発明の好ましい一実施形態では、第１の光感知素子からの第１の信号と、第２の光感知素子からの第２の信号の双方を使用し、それら２つの信号の最大値を演算増幅器の非反転入力端子における基準電圧と比較するが、この方式では信号のいずれか一方しか使用できないであろう。たとえば、第２の散乱信号の増幅利得が第１の透過信号の増幅利得よりはるかに高い場合、どのような条件の下でも飽和するとは予期されない用途においては、透過信号を監視する必要はないであろう。これに反し、透過信号が散乱信号の大きさより著しく高い大きさに到達すると予期される場合には、これらの目的のために透過信号のみを使用できるであろう。ところが、本発明の好ましい一実施形態における好ましい回路構成は第１の光感知素子及び第２の光感知素子の双方からの信号を使用し、点P1及びP2で発光ダイオードを流れる電流を制御する際に使用するためにそれら２つの信号の最大値を選択することがわかっている。
図13をさらに参照すると、ピンP7及びP8は導体44及び45を図13に示す回路に接続する働きをする。マイクロプロセッサU4はそのRB5出力端子から一連のパルスを供給する。本発明の好ましい一実施形態においては、パルスは50パーセントのデューティサイクルと、ゼロボルトから５ボルトの範囲の振幅を有する20KHz方形波である。それらのパルスは、図示するようにダイオードQ6を介して接地点に接続する抵抗器R5に供給される。これにより、ダイオードQ6のアノードには、０ボルトから0.6ボルトまで変化する電圧レベルが与えられる。コンデンサC3の作用によって、ピンP7の信号は交流＋0.3ボルトから交流−0.3ボルトまで変化する。反転増幅器U2の反転入力端子は抵抗器R6及びコンデンサC13を介してピンP8に接続している。反転増幅器U2の利得は、抵抗器R13の抵抗を抵抗器R6の抵抗と、点P7と点P8との間の溶液のインピーダンスとの和で除算した値に等しい。反転増幅器U2の出力端子はアナログマルチプレクサU1のY0入力端子に接続している。アナログマルチプレクサU1のＡ入力端子は20KHzパルス源に接続している。その結果、アナログマルチプレクサU1のＺ出力は反転増幅器U2からの出力信号と、反転増幅器U2の非反転入力端子に供給される信号との間で交番する。アナログマルチプレクサからの出力Ｚは増幅器U2の非反転入力端子に接続し、増幅器U2の反転入力端子は抵抗器R14を介して供給される信号に接続している。出力端子が抵抗器R15と抵抗器R17との間に接続している増幅器U2は、アナログマルチプレクサの交番動作と、増幅器U2の動作との結果である準直流信号を供給する。アナログマルチプレクサU1のY0入力として与えられる。反転増幅器U2の出力の負の半サイクルの間に、U2増幅器は単位利得反転増幅器として動作し、反転増幅器U2の出力の正の半サイクルの間には、正の半サイクルを抵抗器R15と抵抗器R17との間の出力へと渡す電圧フォロワとして動作する。抵抗器R15と抵抗器R17との間の点に供給される直流信号は、常に、1.79ボルトとU2のレール電圧との間にあり、その値は点P7と点P8との間に液体の導電率レベルを表わす。抵抗器R17とコンデンサC8は、増幅器U2の出力端子の、抵抗器R15と抵抗器R17との間の信号の中に存在していることがある持続時間の短い電圧スパイクを除去するための低域フィルタとして動作する。
マイクロプロセッサU4と、反転入力端子が抵抗器R18及びR16に接続している増幅器との動作を通して、デルタ−シグマ技術を使用して、点P7と点P8との間の液体の導電率の大きさを確定することができる。
図13をさらに参照すると、点P9と点P10との間に接続するサーミスタを使用することにより、基板の上面に近接する液体の温度を測定できる。サーミスタの抵抗を確定し、それにより、本発明を取り囲んでいる液体の温度を確定できるようにするために、マイクロプロセッサU4の出力RA1はその状態を０ボルトからVCCに変化させて、点P9にその電位を発生させる。コンデンサC9とサーミスタとを組合わせた構成としたため、コンデンサC9の両側の電圧は、RC回路網により提供される時定数の関数として変化する。コンデンサC9の電圧をマイクロプロセッサU4のRTCC入力端子により感知でき、マイクロプロセッサU4はその電圧を所定の閾値と比較する。その所定の閾値に到達するために要求される時間をマイクロプロセッサU4により監視し、温度測定プロセスの第２のステップに備えてセーブしておく。マイクロプロセッサのRJCC入力が閾値電圧レベルに到達するために必要な時間を確定した後、コンデンサC9は完全に放電する。コンデンサが放電すると、マイクロプロセッサU4の出力端子RA0は抵抗器R21に電位を供給する。出力端子RA0により供給される電位は、プロセスの第１のステップの間に出力端子RA1により供給される電位と同じである。再び、マイクロプロセッサU4のRTCC入力端子はコンデンサC9の電圧レベルを監視し、コンデンサ電圧が所定の閾値に達すると、時間T2をセーブする。ここで、マイクロプロセッサU4は時間T1及びT2をわかっており、また、抵抗器R21は既知の抵抗値を有しているので、サーミスタの未知の抵抗を解決するために、得られた時定数と、コンデンサC9の既知のキャパシタンスと、抵抗器R21の既知の抵抗とから、点P9と点P10との間のサーミスタの抵抗を確定できる。
図13をさらに参照すると、磁気感知素子U7は本発明の好ましい一実施形態においては磁気抵抗素子である。状況によっては、ホール効果素子を使用できるであろうということを理解すべきであるが、本発明を食器洗い機に適用した場合、回転アームに装着された磁石の位置と、磁気感知素子U7の位置との間に相対的に広い間隙が形成される。従って、本発明の好ましい一実施形態では、パーマロイなどの磁気抵抗素子を使用すべきであることが確定された。磁気感知素子U7は、磁石が付近を通過するたびに、マイクロプロセッサU4のRA3入力端子にデジタル信号を供給する。
本発明と関連して数多くの異なる種類の回路を使用でき、また、図13に示す回路に類似する回路はコンポーネントや素子の様々な組合わせを含むことができるであろうが、表１は本発明の特に好ましい一実施形態の素子の型と値を示す。
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本発明の好ましい一実施形態では、センサクラスタの素子を光透過性で不浸透性のオーバモールド材料の中に収納していたが、本発明の別の実施形態においては、光透過性で不浸透性の２つの部分から構成されているケースの中に素子を密封することができる。図14は、本発明のこの代替実施形態を示す。先に図3,図4,図5,図6,図7,図8,図９及び図10に関連して説明した素子については図14に関して繰り返し説明しないが、図14に示すそれらの素子は同じ図中符号により指示されている。
図14のハウジングはオーバモールドハウジングではなく、上部220と、下部224とから構成されている。上部220は下部224の中に受け入れられるような形状であり、下部224には、下部224の中に上部220を係止するために所定の位置に嵌合する複数の弾性フィンガが設けられている。切欠き断面図には、フィンガ228が線230の右側に示されている。フィンガ228の先端234は上部220にあらかじめ形成されている切欠きを覆う所定の位置に嵌合する。上部と下部は、図示した通り、両部分の間に基板30を受け入れるような形状を有する。
図14に示す実施形態は、ピン44及び45が図３に示すように基板30から上方へ延びるのではなく、下方へ延びているという点で、図３に示す実施形態とは異なる。導電性ピンに関するこの構成は特定の用途に対応して選択されたもので、本発明を限定してはいないことを理解すべきである。
ハウジング構造の上部220は、先に説明した発光素子及び発光素子を受け入れるための突起を上面に有するように形成されている。第１の突起240は発光ダイオード34を受け入れるべき形状であり、第２の突起244は光感知素子36を受け入れるべき形状である。図14には示されていないが、他方の光感知素子40を受け入れるための類似の突起が形成されるであろうということを理解すべきである。
図14には、簡明にするため、導体58とコネクタ67は示されていない。しかしながら、導体58はセンサクラスタの開口250を貫通しているであろうということを理解すべきである。基板30の第１の面及び第２の面の素子を保護するために、ハウジングの上部と下部は、シール260,270及び280を利用する液体が浸透しない方式で互いに装着されている。シール260は、フィンガ228及びその先端234により加えられる力によって関連する面の間で圧縮されている。図14に示すシールは単なる例であり、ハウジングの上部と下部との間の空洞に液体が侵入するのを防止する別の方法をシールの代わりに使用することは可能であろう。
図４及び図14は同じ発明の２つの代替実施形態を表わしていることを理解すべきである。図４に示す実施形態は、光透過性で不浸透性の材料から成るオーバモールド被膜を利用する。図14に示す実施形態は、間に電子素子を密封するように組合わされるハウジング上部とハウジング下部を利用する。これら２つの実施形態のうちどちらを選択するかは、用途と、周囲の液体環境から保護すべき基板や素子の構造とによって決まる。
本発明をかなり詳細に説明し且つ高度に特定した形で図示したが、それに代わる実施形態も範囲内に入っていることを理解すべきである。
【図１０】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４】
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