(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に熱処理を行う熱処理装置であって、
基板に熱処理を行うための処理空間となる第１空間と、
前記第１空間において基板を保持する保持手段と、
前記保持手段を回転させる円環状の駆動機構部と、
前記駆動機構部が配置される円環状の第２空間と、
前記第１空間に処理ガスを供給するための処理ガス供給手段と、
前記第２空間に沿って前記第１空間および前記第２空間を連通する円環状であり、前記第１空間および前記第２空間よりも細い連通部分から前記第１空間にある処理ガスを排出する排出手段と、
前記連通部分において前記保持手段と前記駆動機構部とを連結させる円筒形状であり、かつ前記連通部分において前記第１空間から前記排出手段へ流れる処理ガスの流路を一旦内周側流路と外周側流路とに分岐させ、前記内周側流路に流れた処理ガスと前記外周側流路に流れた処理ガスとを合流させて前記排出手段へと導く連結手段と、
を備えたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の熱処理装置であって、
前記第２空間へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに備え、
前記排出手段は、前記連通部分から前記第２空間にある不活性ガスを排出することを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の熱処理装置であって、
前記連結手段は、
前記第１空間から前記排出手段へ流れる処理ガスの流路を前記内周側流路と前記外周側流路とに分岐させる第１スリットと、
前記第１スリットにより分岐され、前記内周側流路を前記連通部分おいて流れる処理ガスを前記外周側流路へ流して、前記内周側流路に流れた処理ガスと前記外周側流路に流れた処理ガスとを合流させる第２スリットと、
を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の熱処理装置であって、
前記排出手段は、処理ガスを前記連通部分から排出する排出口を有しており、
前記排出口から処理ガスを排出する際の第２スリットの位置は、前記排出口の位置と対応することを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項３に記載の熱処理装置であって、
前記連結手段は、上下方向に移動可能であり、
前記排出手段は、処理ガスを前記連通部分から排出する排出口を有しており、
前記第２スリットは、上側第２スリットと下側第２スリットとを有しており、
前記連結手段が上側位置にある際には、前記排出口の位置と前記下側第２スリットの位置とが対応し、前記連結手段が下側位置にある際には、前記排出口の位置と前記上側第２スリットの位置とが対応することを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の熱処理装置であって、
前記連結手段は、前記連通部分において前記第２空間から前記排出手段へ流れる不活性ガスの流路を一旦内周側流路と外周側流路とに分岐させ、前記内周側流路に流れた不活性ガスと前記外周側流路に流れた不活性ガスとを合流させて前記排出手段へと導くことを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の熱処理装置であって、
前記第２スリットは、分岐された前記内周側流路を流れる不活性ガスを前記外周側流路へ流して、前記内周側流路に流れた不活性ガスと前記外周側流路に流れた不活性ガスとを合流させて前記排出手段へと導くことを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して熱処理を行う熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、基板の一種であるウエハの製造工程において、種々の熱処理が行われている。ウエハに対して熱処理を行う熱処理装置としては、例えば、光照射によってウエハの加熱を行う光照射型の熱処理装置（例えば、ランプアニール）が用いられている。
【０００３】
図６は、従来の熱処理装置を示す側面図である。この熱処理装置は、光照射型の熱処理装置である。図６の熱処理装置においては、チャンバー１０１とカバー１１０とによって半密閉の空間である処理室１３０が形成されている。カバー１１０の上方には光の照射源たるランプ１１５が複数設けられている。カバー１１０は、透明の石英板を用いて構成されており、ランプ１１５からの光を処理室１３０内へ透過させることができる。
【０００４】
処理室１３０内においては、熱処理の対象であるウエハＷが均熱リング１４０に載置され、略水平姿勢にて保持されている。均熱リング１４０は、サセプタ１４５によって支持されている。そして、サセプタ１４５は、回転機構部１４６によって回転可能とされている。そなわち、回転機構部１４６がサセプタ１４５を回転させるのにともなって、ウエハＷも処理室１３０内にて回転することとなるのである。
【０００５】
また、処理室１３０内には、ガス導入部１２０が設けられている。ガス導入部１２０からは、アンモニアガス（ＮＨ３）、塩化水素ガス（ＨＣｌ）のような活性なガスをウエハＷの処理に使用される処理ガスとして処理室１３０内へ供給される。さらに、処理室１３０よりも下方であって、回転機構部１４６よりも上方には排出口１５０が形成されている。排出口１５０は装置外部に設けられている排出機構に接続されている。
【０００６】
この熱処理装置においてウエハＷの熱処理を行う際には、熱処理工程に応じてガス導入部１２０から処理室１３０内へ種々のガスが処理ガスとして供給される。供給されたガスは処理室１３０内に広がり、やがて隙間１５５を通って機構部空間１５６に流入する。機構部空間１５６に流入した処理ガスは排出口１５０から装置外部へ排出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ガス導入部１２０から処理室１３０内に処理ガスとして供給されるアンモニアガス（ＮＨ３）、塩化水素ガス（ＨＣｌ）、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、一酸化二窒素ガス（Ｎ２Ｏ）等は機械構造部分を腐食させる性質を有する腐食性のガスである。図６で示す従来の熱処理装置においては、これらの処理ガスが機構部空間１５６に流入することになるため、回転機構部１４６が腐食するおそれが生じる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、第２空間に配置される駆動手段の腐食を防止できる熱処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板に熱処理を行う熱処理装置であって、基板に熱処理を行うための処理空間となる第１空間と、前記第１空間において基板を保持する保持手段と、前記保持手段を回転させる円環状の駆動機構部と、前記駆動機構部が配置される円環状の第２空間と、前記第１空間に処理ガスを供給するための処理ガス供給手段と、前記第２空間に沿って前記第１空間および前記第２空間を連通する円環状であり、前記第１空間および前記第２空間よりも細い連通部分から前記第１空間にある処理ガスを排出する排出手段と、前記連通部分において前記保持手段と前記駆動機構部とを連結させる円筒形状であり、かつ前記連通部分において前記第１空間から前記排出手段へ流れる処理ガスの流路を一旦内周側流路と外周側流路とに分岐させ、前記内周側流路に流れた処理ガスと前記外周側流路に流れた処理ガスとを合流させて前記排出手段へと導く連結手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の熱処理装置であって、前記第２空間へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに備え、前記排出手段は、前記連通部分から前記第２空間にある不活性ガスを排出することを特徴とするものである。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の熱処理装置であって、前記連結手段は、前記第１空間から前記排出手段へ流れる処理ガスの流路を前記内周側流路と前記外周側流路とに分岐させる第１スリットと、前記第１スリットにより分岐され、前記内周側流路を流れる処理ガスを前記外周側流路へ流して、前記内周側流路に流れた処理ガスと前記外周側流路に流れた処理ガスとを合流させる第２スリットと、を有することを特徴とするものである。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の熱処理装置であって、前記排出手段が、処理ガスを前記連通部分から排出する排出口を有しており、前記排出口から処理ガスを排出する際の第２スリットの位置が、前記排出口の位置と対応することを特徴とするものである。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項３に記載の熱処理装置であって、前記連結手段が、上下方向に移動可能であり、前記排出手段が、処理ガスを前記連通部分から排出する排出口を有しており、前記第２スリットが、上側第２スリットと下側第２スリットとを有しており、前記連結手段が上側位置にある際には、前記排出口の位置と前記下側第２スリットの位置とが対応し、前記連結手段が下側位置にある際には、前記排出口の位置と前記上側第２スリットの位置とが対応することを特徴とするものである。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の熱処理装置であって、前記連結手段が、前記連通部分において前記第２空間から前記排出手段へ流れる不活性ガスの流路を一旦内周側流路と外周側流路とに分岐させ、前記内周側流路に流れた不活性ガスと前記外周側流路に流れた不活性ガスとを合流させて前記排出手段へ導くことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の熱処理装置であって、前記第２スリットが、分岐された前記内周側流路を流れる不活性ガスを前記外周側流路へ流して、前記内周側流路に流れた不活性ガスと前記外周側流路に流れた不活性ガスとを合流させて前記排出手段へ導くことを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明に係る熱処理装置を示す側面図である。この熱処理装置は、光照射によって、基板の一種であるウエハの加熱処理を行う光照射型の熱処理装置である。なお、図１は、ウエハＷに対して熱処理を行っている状態の装置を示している。
【００１８】
図１の熱処理装置においては、上部チャンバ１１、パンチング板３５およびウエハＷによって囲まれた半密閉の空間である処理空間３０（第１空間）が形成されている。ウエハＷの熱処理は、この処理空間３０において行われる。パンチング板３５の上方には、透明の石英板を用いて構成されるカバー１０が設けられ、さらにその上方には光の照射源たるランプ１５が複数設けられている。パンチング板３５も透明の石英板を用いて構成されており、ランプ１５から射出された光はカバー１０およびパンチング板３５を透過して処理空間３０内のウエハＷに照射される。また、パンチング板３５は複数の孔３７を有している。
【００１９】
熱処理の対象であるウエハＷは、保持手段に相当する均熱リング４０に載置され、所定の高さ位置に略水平姿勢にて保持されている。均熱リング４０は、熱処理中のウエハＷの端縁部の温度を補償して、ウエハＷの温度の面内均一性を維持するための部材である。そして、均熱リング４０は、連結手段に相当するサセプタ４５によって支持されている。
【００２０】
図３に示すように、均熱リング４０とサセプタ４５本体との間に、第１スリット４５ａが形成されている。さらに、第１スリット４５ａの下側には、上側第２スリット４５ｂと下側第２スリット４５ｃとがそれぞれ形成されている。なお、これらの第２スリット４５ｂ，４５ｃは、長孔であるが、複数の丸孔でもよい。
【００２１】
サセプタ４５は、駆動部７０および駆動機構部６１によって、鉛直方向を軸として回転可能とされている。駆動部７０は、ハウジング１７の内部であって下部チャンバ１２の下方に設けられており、モータ７１と内ば歯車７３とを備えている。モータ７１の上方の回転軸にはピニンオン７２が固設されており、ピニオン７２は内ば歯車７３と歯合している。したがって、モータ７１の回転はピニオン７２を介して内ば歯車７３に伝達され、内ば歯車７３を回転させる。
【００２２】
駆動機構部６１は、下部チャンバ１２によって規定されるリング状の第２空間に相当する機構部空間に設けられており、内側部材６２と外側部材６３とベアリング６４とを備えている。外側部材６３は円環状の部材であって、下部チャンバ１２に固設されている。内側部材６２も円環状の部材であって、ベアリング６４を介して外側部材６３に対して回転自在に支持されている。サセプタ４５は、この内側部材６２に載置されている。
【００２３】
ここで、内ば歯車７３の上端部と内側部材６２の下端部には、互いに極性の異なる磁石が内臓されている。したがって、内ば歯車７３の上端部と内側部材６２の下端部との間には磁力による引力が発生し、内ば歯車７３が回転すると、それに連動して内側部材６２も回転し、内側部材６２上に載置されているサセプタ４５、均熱リング４０およびウエハＷも鉛直方向を軸として回転する。すなわち、ウエハＷは、駆動部７０によって駆動機構部６１を介して回転駆動されるのであり、駆動機構部６１はウエハＷを回転駆動させるために使用されるものであると言える。
【００２４】
また、図１の熱処理装置は、上部チャンバ１１内および下部チャンバ１２内に支持部５０を備えている。支持部５０の上部には、複数の支持ピン５５を有しているとともに、図示を省略している昇降機構によって鉛直方向に昇降可能とされている。支持部部５０が上昇すると、支持ピン５５がウエハＷの裏面に当接し、均熱リング４０からウエハＷを突き上げる。逆に、支持部５０が下降すると、支持ピン５５に載置されていたウエハＷが均熱リング４０に渡される。支持部５０の昇降は、主としてウエハＷの搬出入のために行われる。すなわち、装置外部とのウエハＷの受け渡しは支持部５０が上昇して行われ、ウエハＷの処理中は図１に示すように、支持部５０が下降して均熱リング４０にそのウエハＷを渡している。
【００２５】
また、熱処理装置には、処理ガス供給手段に相当するガス導入部２０および不活性ガス供給手段に相当する機構部供給口２５が設けられている。ガス導入部２０からは複数の種類のガス、すなわち、アンモニアガス（ＮＨ３）、塩化水素ガス（ＨＣｌ）、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、一酸化二窒素ガス（Ｎ２Ｏ）等の腐食性の処理ガスを熱処理工程や目的に応じて導入することができる。ガス導入部２０から導入された処理ガスはカバー１０とパンチング板３５との間の空間に流れ、パンチング板３５に設けられた複数の孔３７から処理空間３０内に供給される。このときに、複数の孔３７のそれぞれからは鉛直方向下向きのガス流が処理空間３０内に流入し、処理空間３０内にてダウンフローが形成される。すなわち、複数の孔３７を有するパンチング板３５は、鉛直方向に沿った均一な処理ガス流であるダウンフローを形成するために、処理空間３０に処理ガスを供給するためのシャワーノズルとしての機能を果たしている。
【００２６】
一方、機構部供給口２５は、窒素ガスのような不活性ガスを機構部空間６０に供給することができる不活性ガス供給手段としての機能を果たしている。機構部供給口２５からは、主として駆動機構部６１のベアリング６４の周辺に向けて窒素ガスが供給される。
【００２７】
ガス導入部２０には、そのガス供給量を調節するバルブが設けられている(図示省略)。これにより、ガス導入部２０は、パンチング板３５から処理空間３０へ流入するガス供給量を可変としている。また、機構部供給口２５にも図示を省略するガス供供給量調節バルブが設けられている。これにより、機構部供給口２５は、機構部空間６０へ供給する窒素ガスの量を可変としている。ガス導入部２０および機構部供給口２５からのガスの供給量は、後述する制御部２８（図２省略）によって調整される。
【００２８】
また、本実施の形態の熱処理装置は、上部チャンバ１１の側部に排出口８０を設けている。処理空間３０と機構部空間６０とは相互に気体が流通可能に連通されており、排出口８０は、その連通部分９０からガスの排出を行う。排出口８０からのガスの排出の態様についてはさらに後述する。
【００２９】
また、この熱処理装置は、ハウジング１７および下部チャンバ１２を一体的に昇降させることができる。すなわち、モータ１８がその回転軸の雄ねじ１９を回転させると、雄ねじ１９に螺合しているハウジング１７が昇降し、それにともなって下部チャンバ１２も昇降する。上部チャンバ１１と下部チャンバ１２との間には伸縮自在のジャバラ１３が設けられており、下部チャンバ１２が上昇したときにはジャバラ１３が収縮し、下部チャンバ１２が下降したときにはジャバラ１３が伸張する。つまり、下部チャンバ１２は、上部チャンバ１１に対して接近するように上昇し、上部チャンバ１１から離間するように下降するのである。
【００３０】
ハウジング１７および下部チャンバ１２が一体的に昇降するのにともなって、それらに付随して設けられている駆動部７０、駆動機構部６１、支持部５０、サセプタ４５および均熱リング４０も同時に昇降する。なお、上部チャンバ１１、カバー１０およびパンチング板３５は昇降しない。また、支持部５０は、下部チャンバ１２とともに昇降する場合の他に、独自の昇降機構によって下部チャンバ１２に対して相対的に昇降することができる。
【００３１】
以上、本実施の形態の熱処理装置の全体構成について説明したが、次に、この熱処理装置における処理ガスおよび不活性ガスの供給・排出について説明する。図２は、熱処理装置における処理ガスおよび不活性ガスの供給・排出について説明するための図であり、図１の一部を拡大したものである。
【００３２】
本実施の形態の熱処理装置においては、制御部２０の制御により複数の孔３７を有するパンチング板３５から処理空間３０に矢印Ａ１１にて示すように処理ガスが供給されると同時に、機構部供給口２５から機構部空間６０に矢印Ａ２１にて示すように不活性ガスが供給される。そして、処理空間３０と機構部空間６０との連通部分９０から処理ガスおよび不活性ガスの排出が行われるように、排出口８０が設けられているため、処理空間３０に供給された処理ガスは矢印Ａ１２にて示すように連通部分９０へ流れていく。図２に示すように、この連通部分９０は、サセプタ４５により外周側流路（外側流路）９０ａと内周側流路（内側流路）９０ｂとに区分けされている。そして、サセプタ４５に形成された第１スリット４５ａにより矢印Ａ１２の処理ガスの流れは、矢印Ａ１３と矢印Ａ１４とに分離され、矢印Ａ１３の処理ガスは、外周側流路９０ａを下方向に流れていき、矢印Ａ１４の処理ガスは、内周側流路９０ｂを下方向に流れていく。さらに、下側第２スリット４５ｃにおいて内周側流路９０ｂを下方向に流れていた処理ガス（矢印Ａ１４）が外周側流路９０ａへ流れて、矢印Ａ１３の処理ガスと矢印Ａ１４の処理ガスが外周側流路９０ａで合流し、排出口８０から熱処理装置外へ排出される。
【００３３】
一方、機構部空間６０に供給された不活性ガス（矢印Ａ２１）は、第３スリット４５ｄにより矢印Ａ２１の不活性ガスの流れは、矢印Ａ２２と矢印Ａ２３とに分離され、矢印Ａ２２の処理ガスは、外周側流路９０ａを上方向に流れていき、矢印Ａ２３の処理ガスは、内周側流路９０ｂ側へと流れていく。さらに、下側第２スリット４５ｃの位置から内周側流路９０ｂを上方向に流れていた不活性ガス（矢印Ａ２４）が外周側流路９０ａへ流れて、矢印Ａ２２の不活性ガスと矢印Ａ２４の不活性ガスとが外周側流路９０ａで合流し、排出口８０から熱処理装置外へ排出される。
【００３４】
このとき、処理空間３０からの処理ガスと機構部空間６０からの不活性ガスとが排出口８０に対応する外周側流路９０ａにて合流し、排出口８０から排出されるのである。
【００３５】
したがって、腐食性の処理ガスが機構部空間６０に流入することがなくなるため、機構部６１の腐食を防止することができる。また、機構部空間６０には駆動機構部６１（特に、ベアリング６４）からパーティクルが発生することもあるが、機構部空間６０からの不活性ガスが処理空間３０に流入することもないため、パーティクルのウエハＷへの付着を防止することもできる。
【００３６】
特に、連通部分９０は、処理空間３０や機構部空間６０よりも細く、さらにサセプタ４５により外周側流路９０ａと内周側流路９０ｂとに分けており、その結果、流体抵抗が大きくなり、処理空間３０から処理ガスが排出口８０を回避して機構部空間６０に流入することが防止され、機構部空間６０から不活性ガスが排出口８０を回避して処理空間３０へ流入することも防止される。よって、駆動機構部６１の腐食を確実に防止することができる。
【００３７】
また、図２に示すように、排出口８０と連通部分９０との接続部分は排出案内部８１を設けている。排出案内部８１は、気体の通過方向に垂直な気体通過可能面積が排出口８０よりも大きくなっている。すなわち、排出口８０から連通部分９０に向けて気体通過面積が大きくなるように排出案内部８１は形成されている。このため、処理空間３０からの処理ガスおよび機構部空間６０からの不活性ガスは、排出案内部８１を経てより円滑に排出口８０から排出されることとなる。その結果、駆動機構部６１の腐食をより確実に防止することができるのである。
【００３８】
ところで、本実施の形態の熱処理装置においては、上述のように下部チャンバ１２を昇降させることができる。下部チャンバ１２が昇降すると、それに付随して設けられている各部材もの同時に昇降するため、処理空間３０および機構部空間６０の容積が変化する。すなわち、処理空間３０および機構部空間６０の容積は可変とされている。そして、本実施の形態の熱処理装置においては、下部チャンバ１２が停止しているときと昇降動作を行っているときとで、異なるガス給排気を行っており、以下の順で説明する。
【００３９】
まず、ウエハＷに対して光照射による熱処理を行っているとき（図１の状態のとき）は、下部チャンバ１２が停止しており、処理空間３０および機構部空間６０の容積も変化することはない。このときには、パンチング板３５から処理空間３０に供給する処理ガスの供給量（α１／ｍｉｎ．）と機構部供給口２５から機構部空間６０に供給する不活性ガスの供給量（α１／ｍｉｎ．）とを実質的に等量にしている。これは、下部チャンバ１２が停止していることを認識した制御部２８がガス導入部２０および機構部供給口２５を制御することによって行われるものである。
【００４０】
仮に、例えば、処理空間３０に供給される処理ガスの供給量の方が機構部空間６０に供給される不活性ガスの供給量よりも多いとすると、機構部空間６０の内圧よりも処理空間３０の内圧の方が高くなり、処理空間３０から処理ガスが連通部分９０を通り抜けて機構部空間６０に流入する恐れもある。処理空間３０に供給される処理ガスの供給量と機構部空間６０に供給される不活性ガスの供給量とを実質的に等量にすれば、機構部空間６０の内圧と処理空間３０の内圧とは略等しくなる。そして、処理ガスおよび不活性ガスの双方とも下側第２スリット４５ｃを介して、内周側流路９０ｂから外周側流路９０ｃへ流れ、確実に排出口８０から排出される。したがって、駆動機構部６１の腐食をより確実に防止することができる。
【００４１】
次に、下部チャンバ１２が昇降動作を行っている場合について説明する。本実施の形態の熱処理装置においては、主としてウエハＷの搬入・搬出を行うときに、図１で示す状態よりも、下部チャンバ１２が下降した状態となる。なお、この状態のときには、支持部５０が上昇してウエハＷの裏面を突き上げるように支持する。
【００４２】
下部チャンバ１２が下降しても上部チャンバ１１は不動であるため、処理空間３０および機構部空間６０とともにその容積が増大する。本実施の形態の熱処理装置において、機構部空間６０よりも処理空間３０の方がその増大量が大きい。ここで、下部チャンバ１２が下降している過程での単位時間当たりの処理空間３０の容積変化率Ｖ１ｌ／ｍｉｎ．とし、機構部空間６０の容積変化率をＶ２ｌ／ｍｉｎ．とする（但し、Ｖ１＞Ｖ２）。このときには、パンチング板３５から処理空間３０へ供給される処理ガスの供給量をＶ１ｌ／ｍｉｎ．増加させてα＋Ｖ１ｌ／ｍｉｎ．とし、機構部供給口２５から機構部空間６０へ供給される不活性ガスの供給量をＶ２ｌ／ｍｉｎ．増加させてα＋Ｖ２ｌ／ｍｉｎ．とする。なお、下部チャンバ１２が下降している場合には、処理ガスおよび不活性ガスの排出の際には、上側第２スリット４５ｂが使用される。
【００４３】
次に、下部チャンバ１２が上昇しているときには、処理空間３０および機構部空間６０ともにその容積が減少する。このときには、パンチング板３５から処理空間３０に供給する処理ガスの供給量をＶ１ｌ／ｍｉｎ．減少させてα−Ｖ１ｌ／ｍｉｎ．とし、機構部供給口２５から機構部空間６０に供給する不活性ガスの供給量をＶ２ｌ／ｍｉｎ．減少させてα−Ｖ１ｌ／ｍｉｎ．とする。すなわち、処理空間３０および機構部空間６０のそれぞれの容積変動分を補償するように処理ガスおよび不活性ガスの供給量を増減させているのである。これらのガス供給量の増減は、下部チャンバ１２が昇降を始めてから行うようにしてもよいし、昇降を始める少し前から行うようにしてもよい。
【００４４】
このようにすれば、上述した下部チャンバ１２が停止している場合と同様に、機構部空間６０の内圧と処理空間３０の内圧とが略等しくなり、それぞれの空間に存在するガスが異なる空間に流入することはなくなり、処理ガスおよび不活性ガスの双方ともに確実に排出口８０から排出される。したがって、駆動機構部６１の腐食をより確実に防止することができる。
【００４５】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態においては、排出口８０と連通部分９０との接続部分に形成された排出案内部８１の形状を段差形状としていたが、この形状に限定されるのものではなく、図４に示すような形状にしてもよい。図４に示す排出案内部８１の形状は連通部分９０に向けて広がるようなテーパ形状である。このようにしても、処理空間３０から処理ガスおよび機構部空間６０からの不活性ガスは、排出案内部８１を経て円滑に排出口８１から排気されることとなる。換言すれば、排出案内部８１は、気体の通過方向に垂直な気体通過可能面積が排出口８０から連通部分に向けて大きくなるように形成されていればよいのである。
【００４６】
また、上記の実施の形態においては、駆動機構部６１がウエハＷを回転駆動させるのに使用されるものであったが、これに限らず、例えば、ウエハＷを昇降駆動させるのに使用されているものであってもよい。
【００４７】
また、上位の実施の形態においては、処理空間３０および機構部空間６０のそれぞれの容積変動分を補償するように処理ガスおよび不活性ガスの供給量を増減させていたが、それらの容積変動分を必ずしも厳密に補償する必要はない。すなわち、処理空間３０および機構部空間６０のそれぞれの容積が変動したときに、その容積変動に応じて処理ガスおよび不活性ガスの供給量を増減させ、少なくとも処理空間３０から機構部空間６０への処理ガスの流入および機構部空間６０から処理空間３０への不活性ガスの流入を防止できるようにすればよい。
【００４８】
また、上部チャンバ１１に排出口８０を設ける態様については種々の形態をとることができる。図５は、上部チャンバ１１に排出口８０を設ける種々の形態を示す図である。図５（ａ）に示す態様では、円筒状の排出口８０を上部チャンバ１１の外周方向に沿って一列かの２０から３０個程度設けられている。また、図５（ｂ）に示す態様では、円筒状の排出口８０を上部チャンバ１１の外周方向に沿って二列に設けている。また、図５（ｃ）に示す態様では、スリット状の排出口８０を上部チャンバ１１の外周方向に沿って設けている。また、図５（ｄ）に示す態様では、スリット形状の排出口８０を上部チャンバ１１の外周方向に沿って間欠的に設けている。さらに、図５（ｅ）に示す態様では、長尺形状の排出口８０を設けるようにしている。このように、排出口８０としては種々の態様が採用可能であるが、円滑な排気を行うために上部チャンバ１１の外周方向にそって均一に開口を有するような形態が望ましい。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、円環状の連通部分において保持手段と駆動機構部とを連結させる円筒形状の連結手段が、連通部分において処理空間である第１空間から排出手段へ流れる処理ガスの流路を一旦内周側流路と外周側流路とに分岐させ、内周側流路に流れた処理ガスと外周側流路に流れた処理ガスとを合流させて排出しているので、第２空間に配置される駆動機構部の腐食を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る熱処理装置を示す側面図である。
【図２】図１に示す熱処理装置における処理ガスおよび不活性ガスの供給・排出について説明するための図である。
【図３】サセプタの側面図である。
【図４】排出案内部の他の形状を示す図である。
【図５】上部チャンバに排出口を設ける種々の態様を示す図である。
【図６】従来の熱処理装置を示す側面図である。
【符号の説明】
１１      上部チャンバ
１２      下部チャンバ
１５      ランプ
２０      ガス導入部
２５      機構部供給口
３０      処理空間（第１空間）
４５      サセプタ
４５ａ    第１スリット
４５ｂ    上側第２スリット
４５ｃ    下側第２スリット
４５ｄ    第３スリット
６０      機構部空間（第２空間）
６１      駆動機構部
７０      駆動部
８０      排出口
９０      連通部分
９０ａ    外周側流路
９０ｂ    内周側流路
Ａ１１    処理ガスの流れ
Ａ１２    処理ガスの流れ
Ａ１３    処理ガスの流れ
Ａ１４    処理ガスの流れ
Ａ２１    不活性ガスの流れ
Ａ２２    不活性ガスの流れ
Ａ２３    不活性ガスの流れ
Ａ２４    不活性ガスの流れ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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