(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電子部品を搭載し、両者をハンダ接合して一体化する実装方法であって、
電子部品と基板の両方または一方のハンダ接合部をハロゲン化処理し、前記基板に前記電子部品を搭載しハンダ接合し、
前記ハンダ接合された前記基板と前記電子部品との接合部を、水蒸気と接触させて酸化処理するとともに、ハンダに残留するハロゲンを除去することを特徴とする実装方法。
【請求項２】
ハンダ接合された前記基板と前記電子部品との接合部を、１００℃以上に加熱するとともに、水蒸気と接触させることを特徴とする請求項１に記載の実装方法。
【請求項３】
前記電子部品は、半導体チップであることを特徴とする請求項１に記載の実装方法。
【請求項４】
基板と半導体チップの両方または一方のハンダ接合部をハロゲン化処理し、前記基板に前記半導体チップを搭載し、ハンダ接合して一体化する接合工程と、この接合工程においてハンダ接合された前記基板と前記半導体チップとの接合部を水蒸気と接触させて酸化処理するとともに、ハンダに残留するハロゲンを除去する酸化工程と、この酸化工程において酸化処理された前記接合部に樹脂を浸透させて硬化するモールド工程とを有することを特徴とする実装方法。
【請求項５】
ハンダ接合された前記基板と前記半導体チップとの接合部を、１００℃以上に加熱するとともに、水蒸気と接触させることを特徴とする請求項４に記載の実装方法。
【請求項６】
前記半導体チップは、ベアチップであることを特徴とする請求項４に記載の実装方法。
【請求項７】
前記酸化処理は、前記基板を搬送しつつ行なうことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の実装方法。
【請求項８】
前記酸化処理を紫外線または/および赤外線を照射しながら行うことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の実装方法。
【請求項９】
基板と電子部品の両方または一方のハンダ接合部をハロゲン化処理し、前記電子部品の搭載された前記基板のハンダ部を加熱し、前記電子部品と前記基板とをハンダ接合して一体化する接合手段と、この接合手段により一体化された前記電子部品と前記基板との接合部に水蒸気を供給して酸化処理するとともに、ハンダに残留するハロゲンを除去する酸化処理手段を有することを特徴とする実装装置。
【請求項１０】
前記酸化処理手段は、前記基板を加熱する加熱手段と、前記ハンダ接合部に水蒸気を供給する蒸気発生器を有し、
ハンダ接合された前記基板と前記電子部品との接合部を、前記加熱手段により１００℃以上に加熱するとともに、前記蒸気発生器より供給される水蒸気に接触させることを特徴とする請求項９に記載の実装装置。
【請求項１１】
基板と電子部品の両方または一方のハンダ接合部をハロゲン化処理し、前記電子部品の搭載された前記基板を搬送する搬送手段と、この搬送手段により搬送されている前記基板のハンダ部を加熱し、前記電子部品と前記基板とをハンダ接合して一体化する接合手段と、この接合手段により一体化され、前記搬送手段により搬送されている前記電子部品と前記基板との接合部に水蒸気を供給して酸化処理するとともに、ハンダに残留するハロゲンを除去する酸化処理部とを有することを特徴とする実装装置。
【請求項１２】
前記酸化処理部は、前記基板を加熱する加熱手段と、前記ハンダ接合部に水蒸気を供給する蒸気発生器を有し、
ハンダ接合された前記基板と前記電子部品との接合部を、前記加熱手段により１００℃以上に加熱するとともに、前記蒸気発生器より供給される水蒸気に接触させることを特徴とする請求項１１に記載の実装装置。
【請求項１３】
前記電子部品は、ベアチップであることを特徴とする請求項９ないし１２に記載の実装装置。
【請求項１４】
前記酸化処理を紫外線または/および赤外線を照射しながら行うことを特徴とする請求項９ないし１２に記載の実装装置。
【請求項１５】
ベアチップと基板の両方または一方のハンダ接合部をハロゲン化処理し、前記ベアチップを前記基板にハンダ接合したのち、前記接合部を１００℃以上に加熱して水蒸気により酸化処理するとともに、前記ハンダ接合部に残留するハロゲンを除去し、前記ハンダ接合部の酸性度を中性としたことを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、実装方法に係り、特に半導体チップを基板にハンダ接合するのに好適な実装方法および装置並びに半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップを基板に搭載して一体化するいわゆる実装分野においては、従来、一般的にフラックスを用いたハンダ接合が行われる。フラックスを使用したハンダ接合の場合、フラックス中に存在するフッ素（Ｆ）や塩素（Ｃｌ）等のハロゲンが接合部に残存し、これらのハロゲンが腐食やマイグレーションの原因となる。また、近年は、ハンダ面などの接合面をフッ化ガスなどでハロゲン化処理してハンダの濡れ性を改善し、フラックスを用いずにハンダ接合をするようになっている。この場合においても、ハンダに取り込まれるハロゲンの量が多いと、ハンダ接合部にハロゲンが残存して上記と同様の問題を生ずる。
【０００３】
このため、従来は、基板に半導体チップなどの電子部品をハンダを用いて接合した場合、有機溶媒や純水などによる洗浄（ウエット洗浄）を行なってフラックスの残滓やハロゲンを除去するようにしている。そして、ハンダ接合した製品のハロゲン付着物などの付着汚染に関しては、一定の基準を満たしているか否かの基板検査が行われ、一定の基準以下であることを確認した後に出荷している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ウエット洗浄は、濯ぎや乾燥を必要として多くの工程と時間を要するばかりでなく、表面の付着物を除去することができるものの、表層部に化合物として存在するハロゲンを除去することができなかった。また、半導体チップと基板とをハンダ接合した場合、両者のギャップはμｍのオーダーであって、このような微小間隙には表面張力の影響などから洗浄液を浸入させることができず、接合ギャップを洗浄することができなかった。
【０００５】
このようなハロゲン化合物の存在は、活性種が基板表面部に存在することを意味し、これが特に微細化技術としてベアチップ実装を行った場合に、電気的特性に悪影響を与えてしまうおそれがあった。例えば、基板へチップを実装する場合は、通常、パッケージ化されたＩＣを実装するが、最近では細密化のための究極の接合方式といわれているベアチップ実装を行う方向にある。これは、ＩＣをパッケージとせずに直接基板に実装するようにしたもので、チップ全面に接続端子を採ることができ、単位面積当たりの接続端子数を増大できるとともにチップサイズを小さくでき、合わせて配線距離の最短化、高速化により電気的特性に優れたものとなり、接続信頼性が極めて高い。このようなベアチップ実装の場合、ハロゲン化合物が表層部に残存することは電気的特性に与える影響が大きく、例えば、狭ピッチになった場合、リード間にハロゲン化合物が存在するためにマイグレーション等の問題を生じてしまう。特に、将来的にウエハへの直接実装に移行した場合に、残存ハロゲンを除去することは極めて重要である。
【０００６】
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、ハンダ接合部に残存するハロゲンを容易に除去できるようにすることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る実装方法は、基板に電子部品を搭載し、両者をハンダ接合して一体化する実装方法において、ハンダ接合された前記基板と前記電子部品との接合部を１００℃以上に加熱するとともに、水蒸気と接触させて酸化処理する構成となっている。
【０００８】
加熱温度は、水蒸気が凝縮しない１００℃以上であって、ハンダが溶融しない温度または実装する電子部品、基板の耐熱温度（許容温度）以下である。そして、基板は、セラミック基板や樹脂基板、ガラス基板など、どのようなものであってもよい。また、ハンダ接合は、例えばリフロー炉においてハンダ部を溶融して行なってよい。
【０００９】
このように構成した本発明は、１００℃以上に加熱されている接合部に水蒸気（Ｈ２Ｏ）が接触すると、
【００１０】
【化１】
Ｈ２Ｏ→Ｈ＋＋ＯＨ−
または
【００１１】
【化２】
２Ｈ２Ｏ→Ｈ３Ｏ＋＋ＯＨ−
のように分解し、活性な水酸イオン（ＯＨ−）やヒドロニウムイオン（Ｈ３Ｏ＋）が接合部のハロゲン化合物と反応してハロゲン化水素が形成されて蒸発し、酸素がハロゲンの代わりに接合部に取り込まれ、接合部が酸化される。この結果、接合部に残存していたハロゲンが容易に除去され、マイグレーションの発生などの問題を避けることができる。しかも、１００℃以上に加熱しているために水蒸気が凝縮せず、いわゆるドライな処理となるために微細な間隙をも酸化処理が可能で、処理後の乾燥工程などを必要とせず、残存ハロゲンの除去作業を容易に行なうことができる。
【００１２】
そして、酸化処理をすることにより、樹脂に対する濡れ性を向上し、また付着していた有機物がアッシングされため、樹脂をモールドした場合に、モールド樹脂との密着性が向上して温度や湿度が変化しても水分の浸入を防げ、製品の信頼性を向上することができる。さらに、ハンダ接合にフラックスを使用した場合、フラックスの残滓をアッシング作用によって容易に除去することができる。
【００１３】
電子部品は、半導体チップであってよい。微小間隔で多数のリード（電極）を有する半導体チップを上記の方法によって実装することにより、マイグレーションによる短絡の発生が防止できて信頼性を向上することができる。もちろん、電子部品は、抵抗やコンデンサなどでもよい。
【００１４】
また、本発明に係る実装方法は、基板に半導体チップを搭載し、両者をハンダ接合して一体化する接合工程と、この接合工程においてハンダ接合化された前記基板と前記半導体チップとの接合部を１００℃以上に加熱するとともに、水蒸気と接触させて酸化処理する酸化工程と、この酸化工程において酸化処理された前記接合部に樹脂を浸透させて硬化するモールド工程とを有する構成にしてある。
【００１５】
このように構成した本発明は、基板と半導体チップとの微細な接合ギャップに水蒸気の分解によって生じたイオンが容易に進入し、従来洗浄できなかったところまでハロゲンと酸素との置換が行なわれて樹脂に対する濡れ性が向上するため、モールド樹脂が半導体チップと基板との間に深く進入し、樹脂がギャップを完全に埋めるために半導体チップの基板への接合強度が向上し、半導体チップを強固に基板に固着できるとともに、接合部に水分が浸入して腐食を生ずるなどの問題をなくすことができる。半導体チップとして、ベアチップを用いると、パッケージの小型化が図れる。なお、酸化処理を基板を搬送しつつ行なうことにより、実装工程の連続化が可能となり、工程の簡素化とコストの低減を図ることができる。
【００１６】
上記の実装方法を実施するための実装装置は、電子部品の搭載された基板のハンダ部を加熱し、前記電子部品と前記基板とをハンダ接合して一体化する接合手段と、この接合手段により一体化された前記電子部品と前記基板との接合部を１００℃以上に加熱するとともに、前記接合部に水蒸気を供給して酸化処理をする酸化処理手段を有する構成にしてある。
【００１７】
また、本発明に係る実装装置は、電子部品の搭載された基板を搬送する搬送手段と、この搬送手段により搬送されている前記基板のハンダ部を加熱し、前記電子部品と前記基板とをハンダ接合して一体化する接合手段と、この接合手段により一体化され、前記搬送手段により搬送されている前記電子部品と前記基板との接合部を１００℃以上に加熱するとともに、前記接合部に水蒸気を供給して酸化処理をする酸化処理部とを有する構成にした。これにより、ハンダ接合と酸化処理とを連続して行なうことができる。そして、電子部品は、ベアチップであってよい。
【００１８】
さらに、本発明に係る半導体パッケージは、ベアチップを基板にハンダ接合したのち、両者の接合部を１００℃以上に加熱して水蒸気により酸化処理してあることを特徴としている。これにより、ハロゲンの残存を防げ、マイグレーションなどの問題の発生を避けることができ、信頼性を向上することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明に係る実装方法および装置並びに半導体パッケージの好ましい実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の第１実施の形態に係る実装方法の工程説明図である。図１において、接合前処理部１０は、フラックスを用いずにハンダ接合のための前処理であって、基板に形成したハンダ部をハロゲン化処理（実施の形態の場合、フッ化処理）する工程である。この接合前処理部１０は、放電ユニット１２に原料ガス源１４から原料ガスとなるＣＦ４と、水蒸気発生源１６から水蒸気（Ｈ２Ｏ）とが供給されるようになっていて、これらの混合ガスを放電により反応させて反応性フッ化ガスであるＣＯＦ２、ＨＦを生成し、これらのフッ化ガスを含む処理ガス１６をフッ化処理室１８に供給する。
【００２１】
フッ化処理室１８には、所定位置に設けた端子部にハンダがプリコートしてある基板２０と、半球状のハンダバンプ２２を有する電子部品としてのベアチップ（半導体チップ）２４とが配置してある。そして、これらの基板２０とベアチップ２４とは、フッ化処理室１８に供給された処理ガス１６によってハンダ部がフッ化処理される。
【００２２】
フッ化処理された基板２０とベアチップ２４とは、マウント処理部２６に搬送され、ベアチップ２４のハンダバンプ２２が基板２０の端子部に加熱圧着される。すなわち、ベアチップ２４を保持したチップ保持具２８は、ベアチップ２４を加熱できるようになっているとともに、矢印３０に示したように、チップ２４を基板２０に押圧できるようになっている。そして、チップ保持具２８は、ベアチップ２４をピッキングして基板保持具３２に保持させた基板２０の上方に搬送し、画像処理による基板２０とベアチップと２４との位置合せを行ない、ベアチップ２４を下降させて基板２０の所定位置に加熱圧着する。
【００２３】
ベアチップ２４が圧着された基板２０は、接合処理部３４に搬送され、接合手段であるリフロー炉３６に搬入される。リフロー炉３６は、ヒータ３８を備えていて内部がハンダの溶融する所定の温度に保持されている。また、リフロー炉３６には、窒素ガス源４０から窒素ガス（Ｎ２）が供給され、窒素雰囲気となっていてハンダ部などが酸化するのを防止している。そして、リフロー炉３６は、搬入された基板２０とベアチップ２４とを所定の温度に加熱し、ハンダ合金を溶融して基板２０とベアチップ２４とを一体化する。
【００２４】
ベアチップ２４と一体化された基板２０は、酸化処理手段となっている酸化処理部４２に送られる。この酸化処理部４２は、基板２０を収納できるチャンバ４４を有しているとともに、チャンバ４４に水蒸気を供給する蒸気供給発生器４６を備えている。また、チャンバ４４には、ヒータ４８が設けてあって、基板２０とベアチップ２４とのハンダ接合部を１００℃以上の所定の温度に加熱できるようにしてある。
【００２５】
酸化処理部４２のチャンバ４４に搬入された基板２０は、ヒータ４８によってベアチップ２４とのハンダ接合部が水蒸気の凝結しない１００℃以上であって、ハンダが溶融しない温度または基板２０もしくはベアチップ２４の耐熱温度のいずれか低い温度以下に加熱される。そして、蒸気発生器４６は、チャンバ４４に水蒸気を供給する。従って、チャンバ４４内は、高温の水蒸気雰囲気となり、基板２０のハンダ接合部が水蒸気に晒される。このため、高温のハンダ接合部に接触した水蒸気は、酸素イオンやヒドロニウムイオンに分解され、これらのイオンがハンダ金属中のフッ素と反応し、フッ化水素（ＨＦ）を生じて蒸発するとともに、酸素がハンダ金属に取り込まれてこれを酸化する。
【００２６】
この結果、ハンダ接合したのちにハンダに残留していたフッ素が除去され、マイグレーションの発生などの問題をなくすことができる。そして、イオン状態の分子による酸化がなされるため、微細な間隙にもイオンが進入して基板２０とベアチップ２４との微細なギャップをも酸化処理してフッ素を除去する。また、酸化処理することにより、樹脂に対する濡れ性が向上するとともに、アッシング効果が生じて付着していた有機物を除去することができる。しかも、接合部は１００℃以上に加熱されていて供給された蒸気が凝縮して結露するようなことがなく、ドライな処理となっているために乾燥工程などを必要としない。
【００２７】
酸化処理を終了した基板２０は、モールド処理部５６に搬入される。モールド処理部５６は、樹脂供給機５８を有していて、ベアチップ２４の周囲に所定の粘度に調整したモールド樹脂６０を塗布する。塗布されたモールド樹脂６０は、毛細管現象によって基板２０とベアチップ２４との接合ギャップに浸透し、接合ギャップを完全に埋める。そこで、モールド樹脂６０を硬化させ、符号６２に示したような半導体パッケージにする。
【００２８】
このようにして形成した半導体パッケージ６２は、ハンダ接合部にフッ素が残存していないため、マイグレーションが発生するなどの問題を生じないばかりでなく、モールド樹脂が接合ギャップに容易に浸透してギャップを完全に埋めているため、ベアチップ２４の基板２０への接合強度が向上し、また接合ギャップに水分が浸入して絶縁性が低下するなどの問題をなくすことができ、信頼性を向上することができる。
【００２９】
なお、前記実施の形態においては、接合前処理部１０においてハンダ合金をフッ化処理する場合について説明したが、基板２０の電極部またはベアチップ２４のバンプ２２にフラックスを塗布するようにしてもよい。この場合、マウント処理部２６においては、単にベアチップ２４を基板２０に搭載し、両者の加熱圧着を行なわなくてよい。そして、フラックスを用いてハンダ接合した場合、接合後のフラックスの残滓は、酸化処理部４２による酸化処理の際のアッシング効果により除去される。また、前記実施の形態においては、酸化処理部４２のチャンバ４４に基板２０を収納し、チャンバ４４に水蒸気を供給する場合について説明したが、チャンバ４４を省略して接合部に直接水蒸気を吹き付けるようにしてもよい。さらに、吹き付ける水蒸気は、加熱してもよい。
【００３０】
図２は、第２実施の形態の要部の説明図である。この実施の形態においては、ワークとなる基板２０とベアチップ２４とがそれぞれ搬送手段であるコンベヤなどの搬送装置６４によって搬送され、搬送されつつ接合前処理が行なわれるようになっている。そして、基板２０は、移動している状態で本図に図示しないマウント処理部においてベアチップ２４が所定位置に搭載され、矢印６６のように接合処理部６８に搬送される。
【００３１】
接合処理部６８は、加熱器７０が搬送装置６４を跨いで配置してあって、内部を通過する基板２０とベアチップ２４との接合部をハンダの溶融温度以上に加熱し、両者を一体化できるようにしてある。また、加熱器７０には、窒素ガス源４０が接続してあり、加熱器７０の内部を窒素ガス雰囲気にして接合部などが酸化するのを防止するようにしてある。そして、ベアチップ２４を接合された基板２０は、搬送装置６４によって接合処理部６８に隣接して設けた酸化処理部７２に搬送される。この酸化処理部７２は、ハンダ接合部を加熱する紫外線照射器７４と、矢印７６のようにハンダ接合部に水蒸気を供給する蒸気発生器４６とを有している。
【００３２】
このように構成した第２実施形態においては、基板２０が搬送装置６４によって搬送されている状態でフッ化用処理ガスが吹き付けられ、フッ化処理が行なわれる。また、ベアチップ２４も基板２０と同様に、別のラインにおいてフッ化処理が行なわれる。そして、フッ化処理された基板２０は、マウント処理部においてフッ化処理されたベアチップ２４が搭載されて加熱圧着され、接合処理部６８の加熱器７０内に送り込まれる。加熱器７０は、搬送装置６４によって移動している基板２０とベアチップ２４とを所定の温度に加熱し、ハンダを溶融して両者をハンダ接合して一体化する。
【００３３】
ベアチップ２４が接合された基板２０は、搬送装置６４によって酸化処理部７２に搬送される。酸化処理部７２は、紫外線照射器７４が移動している基板２０のハンダ接合部に紫外線を照射して１００℃以上に加熱する。また、蒸気発生器４６は、加熱された接合部に水蒸気を矢印７６のように吹き付ける。これにより、前述したように水蒸気がイオンに分解され、ハンダ中に存在するフッ素と酸素とが置換されてハンダが酸化され、前記と同様の効果が得られる。そして、酸化処理を終了した基板２０は、搬送装置６４によってモールド処理部に送られ、モールド樹脂が塗布される。
【００３４】
このように、この実施形態においては、基板２０が搬送装置６４によって搬送されている状態でフッ化処理や接合処理、酸化処理等が行なわれるため、ベアチップ２４の基板２０への実装を連続して行なうことができる。また、本実施形態においては、紫外線を照射してハンダ接合部を加熱するようにしているため、紫外線のエネルギーにより水蒸気の分解反応を促進することができる。なお、接合部の加熱は、赤外線を用いて行なってもよい。
【００３５】
【実施例】
ハンダ合金に取り込まれたフッ素を水蒸気を用いた酸化処理によって除去する試験を行なった。試験片として長さ２０ｍｍ、幅５ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの銅板に、錫９０％、鉛１０％のハンダメッキを施したものを使用した。
【００３６】
まず、水分を含んだＣＦ４を放電ユニットに供給し、放電によってＨＦを含む処理ガスを生成し、この処理ガスを幅０．５ｍｍ、長さ３００ｍｍのスリット状のノズルから吹き出し、ノズルを１ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動させつつハンダメッキした試験片に吹き付けてフッ化処理を行なった。吹き付け回数は１０回である。その後、フッ化処理をした試験片を錫６０％、鉛４０％のハンダを溶かした２３０℃のハンダ槽に浸漬し、メニスコグラフ法によるハンダの濡れ性の試験を行なった。試験片の浸漬深さは４ｍｍ、浸漬速度は２．５ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間は１０秒である。そして、試験片をハンダ槽に１０秒間浸漬したのち、試験片を引き上げる際のハンダによって引っ張られる力（ハンダの引張り力）を測定した。その結果を図３に示した。
【００３７】
図３は、横軸が試験片のハンダ槽への浸漬時間を表し、単位は秒、縦軸がハンダの引張り力であって単位はミリニュートン（ｍＮ）である。フッ化処理した５つの試験片のハンダ引張り力の平均値は、３．０４ｍＮであって、フッ化処理によりハンダの濡れ性が向上していることが確認された。そして、フッ化処理した試験片に少量の水を付け、ｐＨ試験紙を押し付けてｐＨ測定をしたところ、ｐＨ試験紙が赤く変色して酸性を示した。
【００３８】
次に、フッ化処理した３つの試験片を水を入れたシャーレとともに１５０℃に制御したヒータの上に配置し、これらをアルミニウムの箱で覆って１５０℃の水蒸気雰囲気を形成して試験片の酸化処理を５分間行なった。また、比較のためにフッ化処理した３つの試験片を１５０℃に制御したヒータの上に配置し、大気中に５分間放置して空気酸化処理した。その後、これらの試験片を上記のハンダ槽に浸漬し、上記と同様の条件でハンダの濡れ試験を行なった。その結果を図４に示した。
【００３９】
図４に示したように、１５０℃に加熱して大気中に放置した試験片は、わずかにハンダに対する濡れ性を示し、ハンダの引張り力は０．５３ｍＮであった。これに対して、１５０℃の水蒸気雰囲気で酸化処理をした試験片は、ハンダに対してほとんど濡れず、ハンダの引張り力は−５．３８ｍＮであった。そして、これらの酸化処理した試験片に少量の水を付けてｐＨ試験紙を押圧したところ、空気酸化処理をした試験片は、少し赤く変色し、酸性を示した。これに対して、水蒸気による酸化処理をした試験片は、変色をせず、中性を示した。
【００４０】
以上から、フッ化処理したハンダメッキ試験片を１５０℃に加熱し、水蒸気によって酸化処理をすると、フッ素が酸素と置換されてハンダが酸化されることが確認された。
【００４１】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、１００℃以上に加熱されているハンダ接合部によって水蒸気が分解され、イオンの状態となって接合部に残存しているハロゲンと反応し、ハロゲン化水素が形成されて蒸発するため、接合部に残存していたハロゲンを除去することができ、製品のマイグレージョンなどの発生を防ぐことができる。しかも、１００℃以上に加熱してあるため、接合部に供給した水蒸気が凝縮するようなことがなく、ドライな処理が可能となって、微細な間隙なども容易に処理することができ、酸化処理後の乾燥工程などを必要としない。また、水蒸気による酸化処理により、樹脂に対する濡れ性が向上するばかりでなく、有機物を除去できるアッシング効果を得ることができる。そして、基板と半導体チップとの間に樹脂を浸透させて硬化すると、半導体チップの基板への接合強度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施の形態に係る実装方法の説明図である。
【図２】本発明の第２実施の形態に係る実装方法の要部説明図である。
【図３】フッ化処理したハンダメッキ試験片のハンダ濡れ試験の結果を示す図である。
【図４】フッ化処理したハンダメッキ試験片を酸化処理後のハンダ濡れ試験の結果を示す図である。
【符号の説明】
１０          接合前処理部
１２          放電ユニット
１８          フッ化処理室
２０          基板
２４          電子部品（ベアチップ）
２６          マウント処理部
３４、６８    接合処理部
３６          接合手段（リフロー炉）
４２、７２    酸化処理手段（酸化処理部）
４４          チャンバ
４６          蒸気発生器
４８          ヒータ
５６          モールド処理部
５８          樹脂供給機
６０          モールド樹脂
６２          半導体パッケージ
６４          搬送手段（搬送装置）
７０          加熱器
７４          紫外線照射器
【図１】
0003635915.tif 000002
【図２】
0003635915.tif 000003
【図３】
0003635915.tif 000004
【図４】
0003635915.tif 000005