(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅及び酸化亜鉛からなる主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第１副成分と、
酸化マグネシウムからなる第２副成分とを含有し、
酸化鉄をＦｅ２  Ｏ３  に、酸化ニッケルをＮｉＯに、酸化銅をＣｕＯに、酸化亜鉛をＺｎＯに、酸化ビスマスをＢｉ２  Ｏ３  に、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に、酸化リンをＰ２  Ｏ５  に、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５ｗｔ％であり、
１ｔ／ｃｍ２  の圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±５％以内であるフェライトを製造する方法であって、
前記第１副成分の酸化シリコンと前記第２副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Ｍｇ３  Ｓｉ４  Ｏ１０（ＯＨ）２  〕の形で、主成分に対し、０．５〜８ｗｔ％添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
【請求項２】
酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅及び酸化亜鉛からなり、酸化鉄をＦｅ２  Ｏ３  に、酸化ニッケルをＮｉＯに、酸化銅をＣｕＯに、酸化亜鉛をＺｎＯに換算したとき、Ｆｅ２  Ｏ３  ：３０〜５０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：１５〜４０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０．５〜１５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１〜３０ｍｏｌ％である主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第１副成分と、
酸化マグネシウムからなる第２副成分とを含有し、
酸化ビスマスをＢｉ２  Ｏ３  に、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に、酸化リンをＰ２  Ｏ５  に、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５ｗｔ％であるフェライトを製造する方法であって、
前記第１副成分の酸化シリコンと前記第２副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Ｍｇ３  Ｓｉ４  Ｏ１０（ＯＨ）２  〕の形で、主成分に対し、０．５〜８ｗｔ％添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
【請求項３】
−２０〜＋６０℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が±１０ｐｐｍ以内である請求項１または２に記載のフェライトの製造方法。
【請求項４】
酸化鉄、酸化ニッケル及び酸化銅からなる主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第１副成分と、
酸化マグネシウムからなる第２副成分とを含有し、
酸化鉄をＦｅ２  Ｏ３  に、酸化ニッケルをＮｉＯに、酸化銅をＣｕＯに、酸化ビスマスをＢｉ２  Ｏ３  に、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に、酸化リンをＰ２  Ｏ５  に、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５ｗｔ％であり、
０．５ｔ／ｃｍ２  の圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±５％以内であるフェライトを製造する方法であって、
前記第１副成分の酸化シリコンと前記第２副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Ｍｇ３  Ｓｉ４  Ｏ１０（ＯＨ）２  〕の形で、主成分に対し、０．５〜８ｗｔ％添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
【請求項５】
酸化鉄、酸化ニッケル及び酸化銅からなり、酸化鉄をＦｅ２  Ｏ３  に、酸化ニッケルをＮｉＯに、酸化銅をＣｕＯに換算したとき、Ｆｅ２  Ｏ３  ：３０〜５０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０．５〜１０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部である主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第１副成分と、
酸化マグネシウムからなる第２副成分とを含有し、
酸化ビスマスをＢｉ２  Ｏ３  に、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に、酸化リンをＰ２  Ｏ５  に、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５ｗｔ％であるフェライトを製造する方法であって、
前記第１副成分の酸化シリコンと前記第２副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Ｍｇ３  Ｓｉ４  Ｏ１０（ＯＨ）２  〕の形で、主成分に対し、０．５〜８ｗｔ％添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
【請求項６】
−２０〜＋６０℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が±２０ｐｐｍ以内である請求項４または５に記載のフェライトの製造方法。
【請求項７】
フェライトからなるコアを有し、このコアが樹脂モールドされているインダクタを製造する方法であって、
前記フェライトを、請求項１〜６に記載のいずれかの方法を用いて製造することを特徴とするインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インダクタンス素子のコア材として使用され、特に樹脂モールドタイプのチップインダクタのコア材として使用されるフェライトの製造方法と、このフェライトの製造方法を用いたインダクタの製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、テレビ、ビデオレコーダ、移動体通信機等の分野で、急速に需要が拡大しつつある樹脂モールドタイプのチップインダクタ、固定コイル等の分野において、小型、軽量、高精度等の要求に応じるべく、これらの部品に対する狭公差化・高信頼性化への要求が大きくなっている。これらの部品におけるコア材料には、一般にフェライトが用いられているが、樹脂モールドタイプのインダクタ部品では、樹脂モールドによってコアに圧縮応力が生じ、一方、フェライトは圧縮応力の値に応じてインダクタンス値が変化するため、樹脂モールドタイプではインダクタンス公差の小さい高品質の部品を得ることが困難である。このため、外力が加わった場合のインダクタンス変化の小さい、すなわち抗応力特性の良好なフェライトが望まれている。また、インダクタ部品を利用する機器の信頼性を高くするためには、インダクタ部品自体の信頼性を高めること、具体的には、インダクタ部品に用いるフェライトの温度特性を小さくすることが重要である。
【０００３】
このような要求に応じるべく、例えば、特開平１−１７９４０２号公報には、ニッケルを必須成分として含有する酸化物フェライト材料に、Ｂｉ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5の少なくとも１種を１．５〜５wt％含有させることにより、外部応力に変動があっても、インダクタンス変化の小さいインダクタ用磁心が記載されている。しかし、この組成のものでは十分な温度特性が得られず、外部温度の変化に対してインダクタンスが変動してしまう。
【０００４】
また、特開平４−２７８５０２号公報には、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトにＰｂＯ：３．１〜３０wt％およびタルク：３．１〜３０wt％を含有させることにより、機械的強度を向上させた酸化物磁性材料が記載されている。しかし、この組成のものは、毒性の強い鉛を含有するため環境汚染が問題となる。特に、製品として市場に流通した後では鉛の回収も困難となり、広範囲に環境を汚染するおそれがある。
【０００５】
特開平３−９１２０９号公報には、２５〜４５mol％のＦｅ2Ｏ3、０〜２０mol％のＺｎＯ、残りがＮｉＯとＣｕＯであり、ＮｉＯのモル比がＣｕＯのモル比よりも多いスピネル型組成物であって、少量成分として０．１〜５wt％のＢｉ2Ｏ3、および０．０５〜４．０wt％のＳｉＯ2を含むフェライト組成物が記載されている。ただし、実施例で示されている組成はＦｅ2Ｏ3：３８．２mol％、ＮｉＯ：５０．３mol％、ＺｎＯ：８．４mol％、ＣｕＯ：３．１mol％の基本組成に、Ｂｉ2Ｏ3：３wt％、ＳｉＯ2：０．８wt％を添加した組成のものだけである。また、同公報の実施例では、加圧によるインダクタンスの変化を測定し、その変化率を求めているが、この変化率は所定の圧力を印加したときの変化率ではなく、樹脂モールド前後のインダクタンスから算出した値である。したがって、例えば１t/cm2の加圧下でインダクタンス変化率が±５％ 以内となるかは疑問である。
【０００６】
特開平５−３２６２４３号公報には、Ｆｅ2０3：４６．５〜４９．５mol％、ＣｕＯ：５．０〜１２．０mol％、ＺｎＯ：２．０〜３０．０mol％、ＮｉＯ：残部、を含有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに対して、Ｃｏ3Ｏ4、Ｂｉ2Ｏ3、ならびにＳｉＯ2およびＳｎＯ2の混合物を、その含有率が、
Ｃｏ3Ｏ4：０．０５〜０．６０wt％、
Ｂｉ2Ｏ3：０．５０〜２．００wt％、
ＳｉＯ2とＳｎＯ2との合計：０．１０〜２．００wt％
となるような割合で配合したフェライト材料が記載されている。また、特開平８−３２５０５６号公報には、主成分の組成比が、酸化物換算で５０．１〜５６mol％のＦｅ2Ｏ3と、３０．１〜３５mol％のＺｎＯと、６mol％以下のＣｕＯと、４mol％以下のＭｎＯと、残部がＮｉＯからなり、これら主成分１００重量部に対して０．６１〜２重量部のＣｏＯと、０．５〜２重量部のＢｉ2Ｏ3とを添加したフェライト材料が記載されている。これらの公報に記載されているフェライト材料にはコバルトが含有されているが、例えば酸化第二鉄が１kg当たり数十円程度であるのに対し、酸化コバルトでは１kg当たり一万円前後と非常に高価である。このため、生産コストを低減し、安価なインダクタを提供するためには、Ｃｏを含有しないかＣｏ含有量が少なく、かつそれによる特性低下のないフェライト材料を開発する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、初透磁率が高く、抗応力特性に優れ、温度特性が良好で、しかも、鉛を使用する必要がなく、かつ、安価なフェライトの製造方法を提供することである。本発明の他の目的は、このフェライトの製造方法を用いることにより、狭公差および高信頼性を実現し、しかも、環境汚染を防ぐことができる樹脂モールド型インダクタの製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記（１）〜（７）のいずれかの構成により達成される。
（１）  酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅及び酸化亜鉛からなる主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第１副成分と、
酸化マグネシウムからなる第２副成分とを含有し、
酸化鉄をＦｅ２  Ｏ３  に、酸化ニッケルをＮｉＯに、酸化銅をＣｕＯに、酸化亜鉛をＺｎＯに、酸化ビスマスをＢｉ２  Ｏ３  に、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に、酸化リンをＰ２  Ｏ５  に、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５ｗｔ％であり、
１ｔ／ｃｍ２  の圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±５％以内であるフェライトを製造する方法であって、
前記第１副成分の酸化シリコンと前記第２副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Ｍｇ３  Ｓｉ４  Ｏ１０（ＯＨ）２  〕の形で、主成分に対し、０．５〜８ｗｔ％添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
（２）  酸化鉄、酸化ニッケル、酸化銅及び酸化亜鉛からなり、酸化鉄をＦｅ２  Ｏ３  に、酸化ニッケルをＮｉＯに、酸化銅をＣｕＯに、酸化亜鉛をＺｎＯに換算したとき、Ｆｅ２  Ｏ３  ：３０〜５０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：１５〜４０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０．５〜１５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１〜３０ｍｏｌ％である主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第１副成分と、
酸化マグネシウムからなる第２副成分とを含有し、
酸化ビスマスをＢｉ２  Ｏ３  に、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に、酸化リンをＰ２  Ｏ５  に、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５ｗｔ％であるフェライトを製造する方法であって、
前記第１副成分の酸化シリコンと前記第２副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Ｍｇ３  Ｓｉ４  Ｏ１０（ＯＨ）２  〕の形で、主成分に対し、０．５〜８ｗｔ％添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
（３）  −２０〜＋６０℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が±１０ｐｐｍ以内である上記（１）または（２）に記載のフェライトの製造方法。
（４）  酸化鉄、酸化ニッケル及び酸化銅からなる主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第１副成分と、
酸化マグネシウムからなる第２副成分とを含有し、
酸化鉄をＦｅ２  Ｏ３  に、酸化ニッケルをＮｉＯに、酸化銅をＣｕＯに、酸化ビスマスをＢｉ２  Ｏ３  に、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に、酸化リンをＰ２  Ｏ５  に、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５ｗｔ％であり、
０．５ｔ／ｃｍ２  の圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±５％以内であるフェライトを製造する方法であって、
前記第１副成分の酸化シリコンと前記第２副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Ｍｇ３  Ｓｉ４  Ｏ１０（ＯＨ）２  〕の形で、主成分に対し、０．５〜８ｗｔ％添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
（５）  酸化鉄、酸化ニッケル及び酸化銅からなり、酸化鉄をＦｅ２  Ｏ３  に、酸化ニッケルをＮｉＯに、酸化銅をＣｕＯに換算したとき、Ｆｅ２  Ｏ３  ：３０〜５０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０．５〜１０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部である主成分と、
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第１副成分と、
酸化マグネシウムからなる第２副成分とを含有し、
酸化ビスマスをＢｉ２  Ｏ３  に、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に、酸化リンをＰ２  Ｏ５  に、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算したとき、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５ｗｔ％であるフェライトを製造する方法であって、
前記第１副成分の酸化シリコンと前記第２副成分の酸化マグネシウムとを、タルク〔Ｍｇ３  Ｓｉ４  Ｏ１０（ＯＨ）２  〕の形で、主成分に対し、０．５〜８ｗｔ％添加することを特徴とするフェライトの製造方法。
（６）  −２０〜＋６０℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が±２０ｐｐｍ以内である上記（４）または（５）に記載のフェライトの製造方法。
（７）  フェライトからなるコアを有し、このコアが樹脂モールドされているインダクタを製造する方法であって、
前記フェライトを、上記（１）〜（６）に記載のいずれかの方法を用いて製造することを特徴とするインダクタの製造方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明により製造されるフェライトは、主成分、添加物、第１副成分および第２副成分を含有する。主成分は、少なくとも酸化鉄および酸化ニッケルを含む。添加物は、酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる。第１副成分は、酸化シリコンからなる。第２副成分は、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウムおよび酸化ストロンチウムの１種または２種以上からなる。各成分の構成比は、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５ｗｔ％、好ましくは０．５〜５ｗｔ％であり、主成分に対する第１副成分の比率が０．１〜１０．０ｗｔ％であり、主成分に対する第２副成分の比率が０．１〜１０ｗｔ％である。なお、これらの構成比は、酸化鉄をＦｅ２  Ｏ３  に、酸化ニッケルをＮｉＯに、酸化ビスマスをＢｉ２  Ｏ３  に、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に、酸化リンをＰ２  Ｏ５  に、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に、酸化シリコンをＳｉＯ２  に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化バリウムをＢａＯに、酸化ストロンチウムをＳｒＯにそれぞれ換算したときのものである。
【００１０】
各成分の構成比を上記範囲内とすることにより、環境に悪影響を与える鉛を含有することなく、初透磁率、温度特性、抗応力特性をバランスよく改善することができる。
【００１１】
具体的には、上記添加物は粒界に濡れ広がるため、特に抗応力特性が改善される。また、上記添加物の含有量が多くなると、温度特性の改善効果も向上する。添加物の構成比が０．５wt％より少ないと、抗応力特性の改善効果がほとんどなくなり、温度特性も悪化する。一方、添加物の構成比が１５wt％より多くなると、特性のバラツキを生じたり、焼結時に焼結体から浸みだして、他のコア材と癒着したりセッターなどの焼成用具を汚染したりする。
【００１２】
また、第１副成分を含有させることにより、温度特性を改善することができる。第１副成分の構成比が０．１wt％より少ないと、温度特性の改善効果がほとんど得られない。一方、第１副成分の構成比が１０wt％を超えると、初透磁率の低下が著しくなる。
【００１３】
また、第１副成分に加えて第２副成分を含有させることにより、さらに温度特性や抗応力特性が改善され、酸化シリコン単独で添加した場合よりも改善効果が著しくなる。第２副成分の構成比が０．１wt％より少ないと、温度特性の改善効果がほとんど得られない。また、第２副成分の構成比が１０wt％を超えると、初透磁率の低下が著しくなる。
【００１４】
第１副成分の酸化シリコンと第２副成分のうち酸化マグネシウムとは、タルク〔一般にＭｇ3Ｓｉ4Ｏ10（ＯＨ）2で表される〕として同時に添加される。その場合の構成比は、主成分に対しＭｇ3Ｓｉ4Ｏ10（ＯＨ）2換算で０．５〜８wt％、好ましくは１〜５wt％とする。タルクとして添加することにより、少量で温度特性と抗応力特性とが改善できるため、初透磁率が低下しない。また、Ｑ値も低下しない。タルクの構成比が０．５wt％より少ないと、温度特性等の改善効果がほとんど得られない。一方、タルクの添加量が８wt％を超えると、初透磁率の低下が著しくなる。
【００１５】
本発明により製造されるフェライトは、鉛を含有することなく優れた抗応力特性や温度特性等を実現することができる。ただし、本発明は、鉛成分を積極的に排除するものではなく、鉛をＰｂＯ換算で０．５〜１０ｗｔ％程度含有していてもよい。また、本発明により製造されるフェライトでは、上記添加物と上記各副成分とを複合添加することにより、酸化コバルトを含有することなく優れた特性が得られる。そして、逆に、酸化コバルトを添加した場合には抗応力特性や温度特性が低下してしまう。このため、酸化コバルトは添加しないことが好ましいが、必要に応じて（例えばＮｉ−Ｃｕ系フェライトにおいて高周波域でのＱを高くするためなど）添加してもよい。ただし、このような場合でも、酸化コバルトの含有量は、主成分に対しＣｏＯ換算で０．０９ｗｔ％以下とすることが好ましい。
【００１６】
本発明により製造されるフェライトは、主成分として少なくとも酸化鉄と酸化ニッケルとを含むものであればよいが、特に、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｃｕ系フェライトであることが好ましい。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトである場合、主成分には、上記酸化物のほか、酸化銅および酸化亜鉛が含有される。酸化銅および酸化亜鉛をそれぞれＣｕＯおよびＺｎＯに換算したとき、主成分の構成比は、
Ｆｅ２  Ｏ３  ：３０〜５０ｍｏｌ％、
ＮｉＯ：１５〜４０ｍｏｌ％、
ＣｕＯ：０．５〜１５ｍｏｌ％、
ＺｎＯ：１〜３０ｍｏｌ％
であることが好ましい。また、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトである場合、主成分の構成比は、
Ｆｅ２  Ｏ３  ：３０〜５０ｍｏｌ％、
ＣｕＯ：０．５〜１０ｍｏｌ％、
ＮｉＯ：残部
であることが好ましい。Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトは、高周波においても高いＱが得られる。
【００１７】
本発明により製造されるフェライトでは、初透磁率μｉの相対温度係数αμｉｒを小さくできる。相対温度係数αμｉｒは、２点の温度間での初透磁率の変化率を表す値であり、例えば、温度Ｔ１  のときの初透磁率をμｉ１  とし、温度Ｔ２のときの初透磁率をμｉ２  としたとき、温度範囲Ｔ１  〜Ｔ２  におけるαμｉｒは、
【００１８】
【数１】
0003672161.tif 000002
【００１９】
で表される。本発明により製造されるフェライト、特にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトでは、−２０〜＋６０℃におけるαμｉｒを±１０ｐｐｍ以内とすることができ、±５ｐｐｍ以内とすることもできる。αμｉｒが小さいと、初透磁率が温度による影響を受けにくくなり、使用する電子機器の対使用環境性能が向上し、信頼性が向上する。一方、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトは、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに比べαμｉｒが大きくなるが、本発明をＮｉ−Ｃｕ系フェライトに適用することにより、−２０〜＋６０℃におけるαμｉｒを±２０ｐｐｍ以内とすることができる。なお、初透磁率の測定周波数は、通常、１００ｋＨｚとする。
【００２０】
本発明により製造されるフェライト、特にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトは、抗応力特性が良好である。すなわち、外力印加による応力発生時のインダクタンス変化が小さい。例えば、１ｔ／ｃｍ２  の圧力で一軸加圧したときのインダクタンス変化率△Ｌ／Ｌを、±５％以内とすることができ、±３％以内とすることもできる。なお、Ｌは加圧前のインダクタンスであり、△Ｌは加圧によるインダクタンス変化量、すなわち、加圧時のインダクタンスから加圧前のインダクタンスを減じた値である。Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトは、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに比べ抗応力特性が悪くなるが、本発明をＮｉ−Ｃｕ系フェライトに適用することにより、０．５ｔ／ｃｍ２  の圧力で一軸加圧したときのインダクタンス変化率△Ｌ／Ｌを、±５％以内とすることができ、±３％以内とすることもできる。本発明のフェライトは、このように抗応力特性が良好なので、樹脂モールドに伴うインダクタンス変化を低減でき、高精度の電子機器を得ることができる。
【００２１】
本発明により製造されるフェライトは、所定形状のコア材に成形加工され、必要な巻線が巻回された後、樹脂モールドされ、固定インダクタ、チップインダクタ等として、テレビ、ビデオレコーダ、携帯電話や自動車電話などの移動体通信機等の各種電子機器に使用される。コアの形状は特に限定されないが、例えば、外径・長さ共に２ｍｍ以下（例えば１．８ｍｍ×１．５ｍｍ）のドラム型コア等が挙げられる。
【００２２】
モールド材（被覆材）として用いられる樹脂は特に限定されないが、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等であり、具体的にはポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、フェノール樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。モールド材をモールドする手段としては、ディップ、塗布、吹き付け等を用いることができ、また、射出成形、流し込み成形等を用いてもよい。
【００２３】
次に、本発明により製造されるフェライトを用いたチップインダクタの、代表的構成例を図を参照しつつ説明する。
【００２４】
図１は本発明により製造されるフェライトを用いたチップインダクタの構成例を示した概略構成図である。図示構成例のチップインダクタは、本発明により製造されるフェライトを用い、両端に径の大きな鍔部を有するコア１と、このコア１の胴部に巻回された巻線２と、巻線２の端部と外部電気回路とを接続し、かつ、コア１を樹脂（モールド材）内に固定するための端子電極６と、これらの外部を覆うように設けられたモールド材５とを有する。
【００２５】
チップインダクタの構成は、図示例に限定されるものではなく、種々の態様をとることができ、例えばリード線をコアの円筒軸の中心部から軸方向に接続するような構成としてもよいし、箱形の樹脂ケース内に、コアに巻線、リード線等を設けたコイル素体を挿入し、開口部をモールド材で封止するような構成としてもよい。
【００２６】
次に、本発明のフェライトの製造方法について説明する。
【００２７】
まず、主成分原料と添加物原料とを混合する。主成分原料には、酸化鉄（α−Ｆｅ2Ｏ3）および酸化ニッケルと、必要に応じて酸化銅、酸化亜鉛等を用いる。添加物原料には、添加物として挙げた酸化物自体、または焼成により上記添加物となる各種化合物を用いるが、好ましくは酸化物、特に、構成比算出の説明において挙げた上記各酸化物を用いることが好ましい。なお、第１副成分および第２副成分の各原料は、この段階で主成分原料および添加物原料と混合してもよい。各副成分原料には、上記酸化物を用いればよい。各原料は、最終組成として前記した構成比となるように混合される。
【００２８】
次いで、混合物を仮焼する。仮焼は酸化性雰囲気中、通常は空気中で行えばよく、仮焼温度は８００〜１０００℃、仮焼時間は１〜３時間とすることが好ましい。
【００２９】
次に、得られた仮焼物をボールミル等により所定の大きさに粉砕する。なお、この粉砕の際に、第１副成分原料および第２副成分原料を添加して混合してもよい。また、副成分は、仮焼前に一部を添加し、仮焼後にその残部を添加してもよい。
【００３０】
仮焼物を粉砕した後、適当なバインダー、例えばポリビニルアルコール等を適当量加えて、所望の形状に成形する。
【００３１】
次いで、成形体を焼成する。焼成は酸化性雰囲気中、通常は空気中で行えばよく、焼成温度は９５０〜１１００℃程度で、焼成時間は２〜５時間とすることが好ましい。
【００３２】
【実施例】
実施例１（Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）
原料として、モル比でＦｅ2Ｏ3：ＮｉＯ：ＣｕＯ：ＺｎＯ＝４８：３０：４：１８の割合で各成分を含む混合粉末と、Ｂｉ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、Ｐ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯおよびタルク〔Ｍｇ3Ｓｉ4Ｏ10（ＯＨ）2〕の各粉末とを用意した。これらの原料粉末を表１に示す構成比となるよう秤量し、ボールミルにて５時間混合した。なお、表１において、添加物、第１副成分、第２副成分およびタルクの各構成比は、主成分に対するものである。
【００３３】
次に、得られた混合物を空気中において９００℃で２時間仮焼成した後、ボールミルにて２０時間混合・粉砕した。粉砕後の混合物を乾燥し、ポリビニルアルコールを１．０wt％加えた後、１t／cm2の圧力で加圧成形して、寸法が３５mm×７mm×７mmの角形成形体と、外径２０mm、内径１０mm、高さ５mmのトロイダル状成形体とを得た。これらの成形体を、空気中において表１に示す温度で２時間焼成して、フェライトからなる角形コアサンプルおよびトロイダルコアサンプルを得た。
【００３４】
角形コアサンプルの中央部にワイヤを２０回巻回した後、これに一定速度で一軸圧縮力を印加し、このときのインダクタンス値をＬＣＲメータにて連続的に測定し、得られた測定値からインダクタンス変化率を算出した。表１に、１t／cm2の一軸圧縮力を印加したときのインダクタンス変化率△Ｌ1／Ｌを示す。
【００３５】
また、トロイダルコアサンプルにワイヤを２０回巻回した後、ＬＣＲメータにてインダクタンス値等を測定し、−２０〜＋６０℃における相対温度係数（αμir）、１００kHzにおける初透磁率（μi）を求めた。また、一部のサンプルについては、ワイヤを３回巻回し、１０ＭHzにおけるＱ（Ｑ10）を求めた。結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
0003672161.tif 000003
【００３７】
表１から明らかなように、本発明のサンプルは、比較サンプルと比べて抗応力特性、温度特性共に優れた値を示している。
【００３８】
なお、第２副成分としてＳｒＯを１〜１０wt%添加した場合でも、表１に示す本発明サンプルとほぼ同等の結果が得られた。また、添加物としてＢ2Ｏ3を用いた場合でも、表１に示す本発明サンプルとほぼ同等の結果が得られた。
【００３９】
実施例２（Ｎｉ−Ｃｕ系フェライト）
表２に示す構成比で各成分が含有されるＮｉ−Ｃｕ系フェライトを、実施例１と同様にして製造した。ただし、焼成は表２に示す温度で行った。なお、主成分中の各酸化物のモル比は、サンプルNo.２０１ではＦｅ2Ｏ3：ＮｉＯ：ＣｕＯ＝４８．５：４９．５：２とし、他のサンプルではＦｅ2Ｏ3：ＮｉＯ：ＣｕＯ＝４９：４９：２とした。
【００４０】
これらのサンプルについて、実施例１と同様な測定を行った。結果を表２に示す。ただし、表２に示すインダクタンス変化率△Ｌ0.5／Ｌは、０．５t／cm2の一軸圧縮力を印加したときの値であり、Ｑ100は、１００MHzにおけるＱである。
【００４１】
【表２】
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【００４２】
表２から、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトにおいても、本発明の効果が実現することがわかる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明方法では、鉛を用いることなく、高い初透磁率、優れた抗応力特性および良好な温度特性を持つフェライトを製造することができる。また、本発明のフェライトの製造方法を用いることにより、狭公差かつ高信頼性であって、かつ環境汚染を引き起こさない樹脂モールド型インダクタを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明により製造されるフェライトを用いたチップインダクタの構成例を示した概略構成図である。
【符号の説明】
１  コア
２  巻線
５  モールド材
６  端子電極
【図１】
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