(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成されたｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成されたｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｎ側電極と、ｐ側電極と、を有する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子に電流を供給する電極端子と、
前記ｐ側電極と前記電極端子とを接続する複数のワイアと、
を備え、前記複数のワイアは、前記半導体レーザ素子の前記ｐ側電極のうちの前記半導体レーザ素子のストライプ状に存在する発振領域の上の部分に沿って接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記基板は、サファイアまたはＳｉＣから形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ装置に関する。より詳しくは、本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置であって、素子の活性層からの放熱特性を顕著に改善することができる半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、青色から紫外域の発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ用の材料としてＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮなど窒化ガリウム系化合物半導体を用いたものが実現されつつある。窒化ガリウム系化合物半導体は、直接遷移型のバンド構造を有することから高い発光効率を得られるために注目されている。
【０００３】
この材料系を用いた半導体レーザは、その発振波長が短いがゆえに高密度の情報処理用の光源としての応用が期待されている。例えば、光ディスク記録装置の光源として用いれば、記録密度を倍増することが可能となる。
【０００４】
なお、本明細書において「窒化ガリウム系化合物半導体」とは、ＧａｘＡｌｙＩｎｚＢ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（ｘ≦１，ｙ≦１，ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ、及びｚをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半導体を含むものとする。例えば、ＧａＩｎＮ（ｘ＝０．６、ｙ＝０、ｚ＝０．４）も「窒化ガリウム系化合物半導体」に含まれるものとする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、これらの窒化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体レーザは、その活性層で発生する熱を効率良く外部に逃がすことが困難であるという問題があった。以下、この問題について詳述する。
【０００６】
まず、窒化ガリウム系化合物半導体として代表的な窒化ガリウム（ＧａＮ）を例に挙げると、そのバンドギャップエネルギーは３．４ｅＶである。そのため、半導体レーザの動作電圧はそれ以上の値とならざるを得ない。一方で、半導体レーザにおいては、活性層への電流の集中が要求される。従って、駆動電流値が同じであるとしても、発光ダイオード（ＬＥＤ）と半導体レーザとでは、電流密度の点で大きく異なる。
【０００７】
ここで、発熱量は駆動電圧と駆動電流密度との積によって決まるものである。すなわち、窒化ガリウム系化合物半導体で半導体レーザを構成した場合、その発熱量は他の材料系と比べて大きく、しかも、その発熱は活性層の発振領域に集中することとなる。
【０００８】
一方、窒化ガリウム系化合物半導体材料の積層構造を形成する際には、成長用基板としてサファイアが用いられることが一般的である。しかしながら、サファイアは熱伝導率が非常に低く放熱には適さない材料である。しかも、発熱量がもっとも大きい領域は、活性層のうちの発振領域であり、これは通常、基板から比較的遠く、むしろ表面に近い箇所にある。従って、このような通常用いられる素子構成は、基板側から熱を逃すという点では望ましいものではない。
【０００９】
以上説明したように、従来の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ装置では、活性層の発振領域において高い密度で発生する熱を効率よく外部へ逃がすことができないという問題点があった。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものである。すなわち、その目的は、良好な放熱構造を実現することにより、発光特性、温度特性や信頼性が改善され、長寿命な半導体レーザ装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明による半導体レーザ装置は、窒化ガリウム系化合物半導体を含み、少なくともひとつの電極パッドを有する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に電流を供給する電極端子と、前記電極パッドと前記電極端子とを接続する複数のワイアと、を備えたことを特徴とし、複数のワイアを介して、効率的に放熱することができるようになる。
【００１２】
さらに具体的には、本発明の半導体レーザ装置は、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、活性層と、ｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を有する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に電流を供給する電極端子と、前記ｐ側電極と前記電極端子とを接続する複数のワイアと、を備えたことを特徴とし、活性層において発生する熱をｐ側電極を介して効率的に放出することができる。
【００１３】
また、本発明による半導体レーザ装置は、基板と、前記基板上に形成されたｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成されたｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｎ側電極と、ｐ側電極と、を有する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に電流を供給する電極端子と、前記ｐ側電極と前記電極端子とを接続する複数のワイアと、を備えたことを特徴とし、活性層において発生する熱を基板を介して効率的に放出することができないようなレーザ素子においても、複数のワイアを介して効率的に放熱することができるようになる。
【００１４】
ここで、前記基板は、サファイアであり、前記複数のワイアは、前記半導体レーザ素子の前記ｐ側電極のうちの発振領域の上の部分に接続されていることを特徴とすることにより、熱伝導率の低い基板を有するレーザ素子において、効率的に放熱することができる。
【００１５】
または、前記複数のワイアは、前記半導体レーザ素子のストライプ状に存在する前記発振領域に沿って接続されていることを特徴とすることにより、活性層の発振領域において発生する熱を効率的に放出することができるようになる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子のｐ側電極に複数のワイアを接続することにより、半導体レーザ素子の活性層の発振領域において高い密度で発生する熱を効率的に外部に放出することができる半導体レーザ装置を提案するものである。
【００１７】
以下に図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の要部を表す概略説明図である。また、図２は、その半導体レーザ素子の断面構造を例示する概略図である。
【００１８】
本発明の半導体レーザ装置１０Ａは、半導体レーザ素子２０Ａと電極端子５０及び６０Ａと、複数のワイア７０、７０、・・・及び８０、８０、・・・を備える。これらの要素は、例えば、リードフレーム、ステム、チップキャリア、或いは絶縁性基板や導電性基板などの図示しない部材の上に適宜配置することができる。
【００１９】
半導体レーザ素子２０Ａは、窒化ガリウム系化合物半導体を含むレーザ素子であり、ｐ側電極３０とｎ側電極４０とを有する。
【００２０】
電極端子５０、６０Ａは、半導体レーザ素子２０Ａに駆動電流を供給するための電極端子である。その具体例としては、例えば、図示しないリードフレームのインナー・リード部や、ステムの電極端子、或いは絶縁性の基板上に形成された配線パターンの一部などを挙げることができる。また、図示しない増幅素子、抵抗素子、容量素子、或いはインダクタなど電気素子の入出力端子であっても良い。
【００２１】
レーザ素子２０Ａのｐ側電極３０と電極端子５０とは、複数のワイア７０、７０、・・・によって接続されている。ここで、ワイア７０の数は、図示した３本に限定されず、２本以上の複数であれば良い。
また、レーザ素子２０Ａのｎ側電極４０と電極端子６０Ａとは、複数のワイア８０、８０、・・・により接続されている。ここで、ｎ側のワイア８０は、図示した例に限定されず、１本であっても良い。
【００２２】
本発明によれば、このようにレーザ素子２０Ａのｐ側電極３０と電極端子５０とを複数のワイア７０、７０、・・・で接続することにより、放熱効率を大幅に改善することができる。
【００２３】
この効果を図２に示したレーザ素子２０Ａの断面図を参照しつつ説明する。すなわち、レーザ素子２０Ａは、ｃ面を主面とする厚さ約６０μｍのサファイア基板上に形成されている。サファイア基板１０１Ａの上には、まず、窒化ガリウム（ＧａＮ）バッファ層１０２が形成され、その上にＧａＮ品質改善層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４が積層されている。さらに、その上に部分的に、ｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）クラッド層１０５、アンドープＧａＮガイド層１０６、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の活性層１０７、ｐ型ＧａＮガイド層１０８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９、ｐ型ＧａＮ第１コンタクト層１１０が積層されている。さらに、活性層の発振領域、すなわち電流が注入されてレーザ発振が生ずる領域に注入電流を狭窄するためのｎ型電流ブロック層１１１が設けられている。そして、それを覆うようにｐ型ＧａＮ第２コンタクト層１１２、さらに最上層として高キャリア濃度ｐ型ＧａＮ第３コンタクト層１１３が形成されている。また、ｎ型コンタクト層１０４からｐ型第３コンタクト層までの側面を保護するようにＳｉＯ２膜１２０が形成されている。
【００２４】
また、ｐ型コンタクト層１１３の上にはｐ側電極３０が形成され、ｎ型コンタクト層１０４の上にははｎ側電極４０が形成されている。ここで、ｐ側電極３０は、例えば、半導体側からＰｔ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕの４層からなる積層構造とすることができる。また、ｎ側電極４０は、半導体層側からＴｉ、Ａｕの積層構造とすることができる。
【００２５】
本発明によれば、このような窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子２０Ａのｐ側電極３０に対して、図示したように複数のワイア７０、７０、・・を接続する。さらに具体的には、この複数のワイア７０、７０、・・・は、活性層１０７のストライプ状の発振領域Ｌの直上において、ストライプに沿ってボンディングすることが望ましい。
【００２６】
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子は、図２に例示したように、注入電流が狭窄されレーザ発振が生ずる活性層１０７の発振領域Ｌにおいて高い密度で熱が発生する。ここで、例えば、図２における発振領域Ｌからｐ側電極３０までの距離は１〜３μｍ程度であるのに対し、Ｌから基板１０１Ａの下面までは基板厚に半導体層の厚さを加えた６５μｍ程度、Ｌからｎ側電極までの距離は横方向の寸法から３０μｍ程度である。このような距離関係を考えても分かるように、発振領域Ｌの直上にあるｐ側電極３０は、発生した熱の放出経路として極めて有効に作用する。
【００２７】
一方、複数のワイア７０、７０、・・・を接続することにより、電気的な抵抗を下げ、また、容量やインダクタンスを調節することができるという効果も併せて得られる。すなわち、ワイア部分の抵抗、電気容量、インダクタンスを低下することにより、レーザ素子を従来よりも高速で変調することができるようになり、情報の送信速度を増大することができるようになる。
【００２８】
ここで、ガリウム砒素系やインジウムリン系などの材料系を用いたレーザ素子の場合には、活性層の直上にワイア・ボンディングを施すと活性層に欠陥が誘起され、素子劣化の原因となる。これに対して、窒化ガリウム系化合物半導体は、欠陥密度が比較的高い場合でも素子劣化が生じにくいという特性を有する。すなわち、窒化ガリウム系化合物半導体系の半導体レーザにおいては、素子の劣化を生じさせることなく、活性層の直上に複数のワイア・ボンディングを施すことができるという利点を有する。
【００２９】
ここで、本発明において用いるボンディング・ワイアの径は、通常の１００μｍΦでも良いが、放熱効率を考慮した場合には、それ以上の太さ、例えば１５０μｍΦ以上であることが望ましい。このように、活性層の真上に所定の太さの複数のワイアをボンディングすることにより、従来よりも大幅に放熱性を改善し、半導体レーザ素子の初期特性と信頼性とを向上させることができる。
【００３０】
本発明者の実験の結果、１２０μｍΦの４本のワイアを発振領域の直上にボンディングしたレーザ装置においては、従来よりも電流−発光強度特性におけるスロープ効率が約３０％改善された。同時に、レーザの最大発光強度が約１５％上昇した。さらに、実用的なレーザ発振光が得られる上限温度も従来の４０℃から６５℃に改善された。例えば、ＤＶＤ装置の光ピックアップとして使用する際には、最大定格温度として６５℃付近におけるレーザ発振動作が要求される場合が多い。本発明によれば、素子の放熱効率を改善することにより、従来よりも動作条件温度を上昇させ、半導体レーザ装置の応用範囲を顕著に広げることができる。
【００３１】
さらに、本発明によれば、レーザ素子の寿命も伸ばすことができる。本発明者の実験の結果、従来の単一のボンディングと比べて約３倍の寿命を得ることができた。
【００３２】
また、本発明によれば、複数のワイアをボンディングを施すことにより、電極の接触抵抗を下げ、付着強度を改善する効果も得られる。すなわち、ワイア・ボンディング工程においては、通常、加熱状態において所定の荷重で電極にワイアを押しつけると共に、超音波を印加する。このようなワイア・ボンディングを複数箇所で行なうことにより、電極とその下のコンタクト層との付着力が改善され、同時に接触抵抗も低減させることができる。窒化ガリウム系化合物半導体の場合には、特にｐ側において電極の接触抵抗や付着強度が十分でない場合が多い。従って、本発明のこの効果は顕著である。
【００３３】
本発明者の実験によれば、従来と比較して、ｐ側電極３０の接触抵抗を約１／５に低下させ、電極の付着強度を５０％向上することができた。
【００３４】
ここで、本発明の主眼は窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を用いたレーザ装置における電極へのワイア・ボンディングを複数にすることであり、レーザ素子内部の積層構造にはよらない。しかし、いわゆるＢＨ（ｂｕｒｉｅｄ  ｈｅｔｅｒｏ：埋め込みヘテロ）構造のように注入電流をより絞った構造においては発振領域における発熱密度がさらに上がるので、本発明を適用してより顕著な効果を得ることができる。
【００３５】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００３６】
図３は、本発明の第２の半導体レーザ装置１０Ｂの要部を表す概略説明図である。
【００３７】
ここで、本発明の半導体レーザ装置１０Ｂは、半導体レーザ素子２０Ｂと電極端子５０及び６０Ｂと、複数のワイア７０、７０、・・・と、を備える。前述した第１実施形態と同様に、レーザ素子２０Ｂの電極３０と電極端子５０とは、複数のワイア７０、７０、・・・により接続されている。
【００３８】
ここで、本実施形態が前述した第１実施形態と相違する点は、レーザ素子２０Ｂが電極端子６０Ｂの上に直接マウントされ、ワイアを介することなく接続されていることである。すなわち、レーザ素子２０Ｂの裏面側にｎ側電極４０が形成されている。これは、レーザ素子２０Ｂの基板１０１Ｂとして導電性の材料を用いることにより実現することができる。そのような材料の具体例としては、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）を挙げることができる。すなわち、基板１０１ＢとしてＳｉＣ基板を用いることにより、その上に所定の品質の結晶性を有する窒化ガリウム系化合物半導体層をエピタキシャル成長することができ、さらに基板１０１Ｂを介して電流を流すことができる。
【００３９】
ここで、基板として用いるＳｉＣの結晶型としては、いわゆる「６Ｈ型」よりも「４Ｈ型」或いは「２Ｈ型」であることが望ましい。窒化ガリウム系化合物半導体層とのヘテロ障壁をより小さくして、電流に対する抵抗を下げることができるからである。
【００４０】
また、基板１０１Ｂの裏面に形成するｎ側電極としては、基板側から、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）とをこの順序に積層したものを用いることができる。または、白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）とをこの順序に積層したものでも良い。さらに、これらの金（Ａｕ）の代わりに金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）またはシリコン（Ｓｉ）との合金を用いることもできる。
【００４１】
なお、基板１０１Ｂの上に形成する窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造は、図２に例示したものと概略同様とすることができる。或いは、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた各種の半導体レーザ素子の構造を同様に採用することができる。
【００４２】
本実施形態においても、図１に関して前述した種々の効果を同様に得ることができる。さらに、本実施形態によれば、ｎ側のワイア・ボンディングが不要となり、構成を簡略化するとともに、装置の小型化、製造工程の簡略化などの効果も併せて得ることができる。
【００４３】
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
【００４４】
図４は、本発明の第３の半導体レーザ装置１０Ｃの要部を表す概略説明図である。
【００４５】
ここで、半導体レーザ装置１０Ｃは、半導体レーザ素子２０Ｃと電極端子５０、６０Ｃと、複数のワイア７０、７０、・・・とを備える。前述した第１実施形態と同様に、レーザ素子２０Ｃの電極３０と電極端子５０とは、複数のワイア７０、７０、・・・により接続されている。
【００４６】
ここで、本実施形態においても、前述した第２実施形態と同様にレーザ素子２０Ｃの裏面側にｎ側電極４０が形成され、電極端子６０Ｃの上に直接マウントすることによりワイアを介することなく接続されている。但し、本実施形態においては、レーザ素子２０Ｃは、基板を有しない。すなわち、窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造のみにより構成されている。
【００４７】
例えば、レーザ素子２０Ｃは、図２に表したコンタクト層１０４から上の積層構造体とすることができる。このようなレーザ素子２０Ｃは、図示しない基板上に積層構造体を形成した後に、その基板を除去することによって得られる。具体的には、サファイアやＳｉＣなどの基板の上に、特定のエッチング条件でエッチングされやすい結晶層を介して、窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造体をエピタキシャル成長する。その後に、エッチングされやすい結晶層をエッチング除去することにより、基板と積層構造体と分離することができる。このように特定のエッチング条件においてエッチングされやすい結晶層としては、例えば、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＡｌＮなどを挙げることができる。
【００４８】
基板を除去した後に、さらに、バッファ層や品質改善層などをエッチング除去してｎ型コンタクト層１０４を素子の裏面に露出させることにより、ｎ側電極４０を素子の裏面に形成することができる。あるいは、バッファ層や品質改善層に適量のドーピングを施すことによりｎ型コンタクト層としての働きを持たせることも可能である。
【００４９】
本実施形態においても、図１に関して前述した種々の効果を同様に得ることができる。さらに、本実施形態によれば、ｎ側のワイア・ボンディングが不要となり、構成を簡略化するとともに、装置の小型化、製造工程の簡略化などの効果も併せて得ることができる。
【００５０】
また、図４に示した例の他にも、基板を有しないレーザ素子において、図１の場合と同様にｎ型コンタクト層１０４の一部を露出させ、ｎ側電極４０をｎ型コンタクト層１０４の上側に形成しても良い。この場合には、図１の場合と同様に、電極端子６０Ｃをレーザ素子２０Ｃとは別の位置に設け、ワイアを介してｎ側電極４０と接続すれば良い。
【００５１】
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。
【００５２】
図５は、本発明の第４の半導体レーザ装置１０Ｄの要部を表す概略説明図である。ここで、半導体レーザ装置１０Ｄは、半導体レーザ素子２０Ｄと電極端子５０、６０Ｄと、複数のワイア７０、７０、・・・と、複数のワイア８０、８０、・・・と、を備える。前述した第１の実施形態と同様に、レーザ素子２０Ｄの電極３０と電極端子５０とは、複数のワイア７０、７０、・・・により接続されている。また、レーザ素子２０Ｄの電極４０と電極端子６０Ｄとは、複数のワイア８０、８０、・・・により接続されている。
【００５３】
本実施形態においては、電極３０のワイア・ボンディングは発振領域Ｌの直上には形成されていない。この理由を以下に説明する。すなわち、レーザ素子の基板１０１Ａとしてサファイア基板を用いた場合、サファイアが絶縁性であるため、窒化ガリウム系化合物半導体が積層された構造の一部をエッチング除去することによってｎ側のコンタクトを確保することが一般的である。この時、積層面と平行な方向に流れる電流成分が必ず生ずる。その距離は層構造の厚さや抵抗率、構造にも依存するが、一般にこの距離が長すぎることは、それだけ横方向の抵抗が大きくなり、抵抗低減の観点からは望ましいものではない。また、短すぎることもエッチングの制御性からくる発振領域へのダメージの影響、あるいは電極形成プロセスの制御性からくる電極金属のはいあがりに伴うリーク電流の発生、などの観点から望ましいものではない。
【００５４】
以上説明したような理由により、発振領域Ｌはメサ領域の側面９０からの距離を１０〜２０μｍ程度に設定することが望ましい場合もある。このような場合に、発振領域Ｌの直上にワイア・ボンディングを施すと、側面９０へのボンディングの回り込みが発生し、密着性が低下するおそれがある。従って、ボンディングの回り込みが生じないように側面９０から離し、且つ、発振領域Ｌの直上にできるだけ近いようにボンディングを施すことが必要となる。このような構造にしたものが図５である。すなわち、同図に例示した構造にすると、発振領域の直上にボンディングを施した場合と比較して約２０％程度、放熱性が低下するが、本願の主旨を逸脱することなく、一定の効果を得ることが可能となる。
【００５５】
以上、本発明の実施の形態について具体例を示しつつ説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【００５６】
例えば、レーザ素子の電極３０に接続するワイアの本数は、図示した３本に限定されることなく、レーザやワイアの寸法、活性層における発熱量、その他の種々のパラメータを考慮して適宜決定することができる。
【００５７】
また、レーザ素子２０Ａの基板１０１はサファイアに限定されず、その他、ＳｉＣや、Ｓｉ、ＧａＡｓなどの各種の材料を用いることができる。但し、本発明によれば、熱伝導率が低い基板を用いた場合において、より顕著な効果を得ることができる。このような基板としては、前述したサファイアの他に、例えば、スピネル、ＳｃＡｌＭｇＯ４、（ＬａＳｒ）（ＡｌＴａ）Ｏ３などを挙げることができる。ここで、ＳｃＡｌＭｇＯ４基板の場合には、（０００１）面、（ＬａＳｒ）（ＡｌＴａ）Ｏ３基板の場合には（１１１）面を用いることが望ましい。
【００５８】
また、レーザ素子の構造やその導電型も前述した具体例には、限定されず、例えば、ｐ型とｎ型とを反転した構造であっても良い。
【００５９】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に説明する効果を奏する。
【００６０】
まず、本発明によれば、活性層の発振領域の直上に複数のワイヤーボンディングを施すことにより、レーザ素子の放熱性を改善することができる。その結果として、半導体レーザ装置の諸特性を改善し、信頼性や寿命を延ばすことができ、応用範囲を大幅に広げることができる。
【００６１】
また、本発明によれば、複数のワイアをボンディングすることによって、レーザ素子の電極の接触抵抗および付着強度を改善することもできる。その結果として、駆動電流を低下させ、発光特性を安定化させると共に、振動や衝撃などに対する機械的強度も改善することができる。
【００６２】
複数のワイアを接続することにより、電気的な抵抗を下げ、また、容量やインダクタンスを調節することができるという効果も併せて得られる。すなわち、ワイアの発熱を抑制しつつ、窒化ガリウム系化合物半導体のレーザを高出力で動作させ、レーザ素子を従来よりも高速で変調することができるようになり、情報の送信速度を増大することができるようになる。
【００６３】
このように、本発明によれば、高性能で高信頼性を有する半導体レーザ装置を提供することができるようになり、産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の概略説明図である。
【図２】レーザ素子２０Ａの断面を表す概略図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の概略説明図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る半導体レーザ装置の概略説明図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る半導体レーザ装置の概略説明図である。
【符号の説明】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ  半導体レーザ装置
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ  半導体レーザ素子
３０、４０  電極
５０、６０  電極端子
７０、８０  ワイア
９０  メサ側面
１０１Ａ  基板
１０２  バッファ層
１０３  品質改善層
１０４  コンタクト層
１０５、１０９  クラッド層
１０６、１０８  ガイド層
１０７  活性層
１１０  第１コンタクト層
１１１  ブロック層
１１２  第２コンタクト層
１１３  第３コンタクト層
１２０  保護膜
Ｌ  発振領域
【図１】
0003618989.tif 000002
【図２】
0003618989.tif 000003
【図３】
0003618989.tif 000004
【図４】
0003618989.tif 000005
【図５】
0003618989.tif 000006