(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結法に適用するためのＢｉ系酸化物高温２２２３相超電導体の焼結体用仮焼粉であって、全体組成は焼結体と実質的に同一であり、かつ、大気中、最高温度７２０〜８００℃で仮焼されていて、結晶形態は主成分のＢｉ−２２１２相結晶に超伝導相以外の不純物酸化物相あるいはＢｉ−２２０１相が取り込まれることなく均一に分散し、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８６０〜８７５℃に頂点を持つ低温側吸熱ピークと、８７５〜８９０℃に頂点を持つ高温側吸熱ピークとが表われることを特徴とするＢｉ系高温相超電導体用の仮焼粉。
【請求項２】
焼結法に適用するためのＢｉ系酸化物高温２２２３相超電導体の焼結体用仮焼粉であって、全体組成は焼結体と実質的に同一であり、かつ、大気中、最高温度８００〜８４０℃で仮焼されていて、結晶形態はＢｉ−２２１２相結晶あるいはＢｉ−２２２３相結晶に超伝導相以外の不純物酸化物相が均一に取り込まれて分散し、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８７５〜８９０℃に頂点を持つ吸熱ピークのみが表われることを特徴とするＢｉ系高温相超電導体用の仮焼粉。
【請求項３】
成分組成が次式（１）
【化１】
0003683395.tif 000004
（式中の元素数は次の値を示す。
１．２０≦ａ≦２．５０
０≦ｂ≦０．８０
１．２０≦ｃ≦３．００
１．２０≦ｄ≦３．００
９．００≦ｘ≦１０．００）
で表わされるＢｉ系酸化物高温相超電導体の焼結体製造用の仮焼粉であって、全体組成は前記式（１）と実質的に同一であり、かつ、次式（２）
【化２】
0003683395.tif 000005
（式中の元素数は次の値を示す。
１．５０≦ａ≦２．５０
０≦ｂ≦０．０５
１．５０≦ｃ≦２．５０
０．５０≦ｄ≦１．５０
７．００≦ｘ≦８．００）
で表わされる成分組成の結晶とそれ以外のＢｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａおよびＣｕの元素の１種以上のものの酸化物とを含有する請求項１または２の仮焼粉。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかの仮焼粉が焼結されてなるＢｉ系酸化物高温相超電導体の多結晶体であって、Ｊｃ（臨界電流密度）≧９０００Ａ／ｃｍ2 の特性を有することを特徴とするＢｉ系高温相超電導の多結晶体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この出願の発明は、Ｂｉ系高温相超電導体用の仮焼粉とこの仮焼粉より得られる高Ｊｃ高温相超電導体多結晶体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】
Ｂｉ系酸化物高温超電導体については、Ｔｃ（臨界温度）が１００Ｋレベルの高温相結晶体と、８０Ｋレベルの低温相結晶体があることが知られており、前者の高温相結晶体は、その成分組成が（Ｂｉ，Ｐｂ）2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx として標準化して表わされる２２２３相の結晶からなり、一方、低温相結晶体は、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ1 Ｃｕ2 Ｏx として標準化して表わされる２２１２相の結晶からなることが明らかにされている。
【０００３】
これらＢｉ系超電導体のうち、前者の高温２２２３相超電導体については、線材化が難しく、Ｊｃ（臨界電流密度）が低いという問題点を解消すべく、その実用化について精力的に検討が進められており、たとえばこれまでにも、短い試料ではあるが、Ａｇシース法により、Ｊｃ≧６０，０００Ａ／ｃｍ2 の特性を有するものが実現されたと報告されている。
【０００４】
しかしながら、大きな期待にもかかわらず、２２２３高温相超電導体のＪｃは、一般的な焼結法では一桁低い１，０００〜２，５００Ａ／ｃｍ2 レベルにとどまっているのが現状であり、この点についての抜本的で大幅な特性改善が望まれているところである。
このような問題の解決には、製造工程の改善がなによりも考慮され、焼結のための原料粉の扱いも見直されるべきと考えられる。実際、たとえば、「粉体及び粉末冶金」３５（１９８８）、Ｐ１０２０、または「粉体及び粉末冶金」３９（１９９２）、Ｐ３７８には、原料粉を焼結して超電導焼結体を製造するさいに、中間圧縮工程を挿入するとＣ軸配向組織の形成と高密度化により臨界電流密度が大きく向上すると報告されている。また、焼結に適用する原料粉（仮焼粉）の状態を示す評価手段として、ＸＲＤ図、ＴＧ−ＤＴＡ図を用いることは一般的に行われている。例えば、Jpn. J.Appl.Phys.,２８（１９８９），Ｌ２１９６には、酸素分圧や、示差熱分析の昇温速度によってＤＴＡ吸熱曲線の形状が変化することが報告されている。
【０００５】
しかし、焼結に適用する原料粉（仮焼粉）の状態が超電導焼結体の臨界電流密度に及ぼす影響については報告例は少なく、充分に解析されていない。
そこで、この出願の発明は、以上のとおりの従来技術の限界を克服し、焼結に適用する原料粉（仮焼粉）に着目することで、Ｂｉ系酸化物高温相超電導体のＪｃ（臨界電流密度）を大幅に向上させるための新しい技術的手段を提供することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、焼結法に適用するためのＢｉ系酸化物高温２２２３相超電導体の焼結体用仮焼粉であって、全体組成は焼結体と実質的に同一であり、かつ、大気中、最高温度７２０〜８００℃で仮焼されていて、結晶形態は主成分のＢｉ−２２１２相結晶に超伝導相以外の不純物酸化物相あるいはＢｉ−２２０１相が取り込まれることなく均一に分散し、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８６０〜８７５℃に頂点を持つ低温側吸熱ピークと、８７５〜８９０℃に頂点を持つ高温側吸熱ピークとが表われることを特徴とするＢｉ系高温相超電導体用の仮焼粉（請求項１）と、焼結法に適用するためのＢｉ系酸化物高温２２２３相超電導体の焼結体用仮焼粉であって、全体組成は焼結体と実質的に同一であり、かつ、大気中、最高温度８００〜８４０℃で仮焼されていて、結晶形態はＢｉ−２２１２相結晶あるいはＢｉ−２２２３相結晶に超伝導相以外の不純物酸化物相が均一に取り込まれて分散し、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８７５〜８９０℃に頂点を持つ吸熱ピークのみが表われることを特徴とするＢｉ系高温相超電導体用の仮焼粉（請求項２）を提供する。また、この出願の発明は、上記の仮焼粉について、成分組成が次式（１）
【０００７】
【化３】
0003683395.tif 000002
【０００８】
（式中の元素数は次の値を示す。
１．２０≦ａ≦２．５０
０≦ｂ≦０．８０
１．２０≦ｃ≦３．００
１．２０≦ｄ≦３．００
９．００≦ｘ≦１０．００）
で表わされるＢｉ系酸化物高温相超電導体の焼結体製造用の仮焼粉であって、全体組成は前記式（１）と実質的に同一であり、かつ、次式（２）
【０００９】
【化４】
0003683395.tif 000003
【００１０】
（式中の元素数は次の値を示す。
１．５０≦ａ≦２．５０
０≦ｂ≦０．０５
１．５０≦ｃ≦２．５０
０．５０≦ｄ≦１．５０
７．００≦ｘ≦８．００）
で表わされる成分組成の結晶とそれ以外のＢｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａおよびＣｕの元素の１種以上のものの酸化物とを含有することを特徴とするＢｉ系高温相超電導体用の仮焼粉（請求項３）をも提供する。
【００１１】
そして、さらにこの出願の発明は、以上の仮焼粉が焼結されてなるＢｉ系酸化物高温相超電導体の多結晶体であって、Ｊｃ（臨界電流密度）≧９０００Ａ／ｃｍ2 の特性を有することを特徴とするＢｉ系高温相超電導体の多結晶体（請求項４）も提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
この出願の発明は、上記のとおりの特徴を持つものであるが、発明者による詳細な検討の結果導かれた新しい知見に基づいて完成されている。
発明は、この知見に留意することにより様々な形態として実施することができる。
【００１３】
すなわち、まず、一般に焼結法によるＢｉ系２２２３相焼結体は、多結晶体であるがために結晶粒界が多く存在し、粒界間の弱結合により超電導電流が阻害され臨界電流密度（Ｊｃ）が最大で２，５００Ａ／ｃｍ2 程度しか得られていなかったが、同じ多結晶体でありながら、Ａｇシース線材ではＪｃ数万Ａ／ｃｍ2 以上得られている。このことから、粒界の性状を改善する事により多結晶体であっても現状の値から大きく改善することができると考えられることから、発明者は、焼結する前の段階における仮焼粉に着目し、様々な要因を検討している。
【００１４】
仮焼粉の一般的製造プロセスは、たとえば図１に示すことができ、また、多結晶体の製造プロセスは、たとえば図２に示すことができるが、高Ｊｃが得られる多結晶体とするには、仮焼粉を大気中で焼結する際にＢｉ系２２２３相が成長しやすく、粒界間に不純物が出来るだけ存在しないような、仮焼の段階での適切な結晶形態とその割合があると考えられる。また、Ｂｉ系２２２３相はＢｉ−２２１２相とＣａ2ＰｂＯ4，ＣｕＯなどの超電導相以外の酸化物が反応して成長することが知られている。そこで理想的な仮焼粉は、Ｂｉ−２２１２相結晶にＣａ2ＰｂＯ4，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物酸化物相あるいはＢｉ−２２０１相が均一に分散されていることが望ましいことがわかる。
【００１５】
このような超電導相と不純物相あるいはＢｉ−２２０１相の分散状態を熱分析のＴＧ−ＤＴＡ（熱重量−示差熱分析装置）を用いることで判断できることが見出されている。たとえば、高温相の結晶と実質的に同じ成分組成に原料を調整し、最高温度７００℃で仮焼すると２２０１相の結晶ができ、さらに温度を上昇して７２０℃〜８００℃の最高温度で仮焼するとＢｉ−２２１２相結晶とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相とＢｉ−２２０１相となる。粉砕を行い、再度同条件で仮焼することにより主成分のＢｉ−２２１２相結晶にＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相あるいはＢｉ−２２０１相が取り込まれることなく均一に分散している状態となる。そのとき所定の条件で測定すると図３▲１▼のＤＴＡ曲線となる。この曲線の特徴は８６０℃〜８７５℃に頂点を持つ低温側吸熱ピークと８７５℃〜８９０℃に頂点を持つ高温側吸熱ピークの２つの吸熱ピークを持つことにある。
【００１６】
また、最高温度８００℃にて仮焼し、粉砕を行い再度同条件で仮焼すると、やはりＢｉ−２２１２相結晶とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相あるいはＢｉ−２２０１相の結晶形態であるが、その主成分のＢｉ−２２１２相結晶にＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相が一部取り込まれて分散している状態となる。そのとき所定の条件で図３▲２▼のＤＴＡ曲線となる。この曲線の特徴は、前述の８６０℃〜８７５℃に頂点を持つ低温側吸熱ピークが高温側にシフトし、その曲線が前述の８７５℃〜８９０℃に頂点を持つ高温側吸熱曲線と一部重なっていることにある。
【００１７】
最高温度８００℃〜８４０℃にて仮焼すると、Ｂｉ−２２１２相結晶とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相の結晶、Ｂｉ−２２２３相の結晶の混相状態となるが、そのＢｉ−２２１２相結晶、あるいはＢｉ−２２２３相の結晶にＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相が均一に取り込まれて分散している状態となる。そのとき所定の条件で図３▲３▼のＤＴＡ曲線となる。この曲線の特徴は、前述の低温側吸熱ピークが無くなり、８７５℃〜８９０℃に頂点を持つ一つの吸熱ピークのみということにある。
【００１８】
最高温度８４０℃〜融点以下にて仮焼するとＢｉ−２２１２相結晶とＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相の結晶、Ｂｉ−２２２３相の結晶の混相状態となるが、Ｂｉ−２２２３相が主成分となる。そのため多結晶焼結体を作成時に高温相が成長するところは少なく、結果的にＢｉ−２２２３相になりきらない部分が残り、高Ｊｃが得られなくなる。そのときのＤＴＡ曲線は、所定の測定条件で、図３▲３▼となる。この曲線の特徴は、前述の低温側吸熱ピークが無くなり、８７５℃〜８９０℃に頂点を持つ一つの吸熱ピークのみということにある。
【００１９】
そして、以上の仮焼粉の組成構成、結晶の混晶状態、並びにＤＴＡ吸熱ピークとＪｃ（臨界電流密度）との対応関係からは、Ｂｉ系２２２３相多結晶体で高い臨界電流密度を得るには、焼結する前の段階における仮焼粉がＢｉ系２２２３相の結晶と実質的に同じ成分組成を有し、Ｂｉ−２２１２相の結晶が主成分となり、Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａまたはＣｕの１種以上の酸化物から実質的になるものであり、主成分のＢｉ−２２１２相の結晶に取り込まれることなくその他の酸化物が均一に分散しているためＤＴＡの吸熱ピークが所定の測定条件で図３▲１▼の特徴を持つものであればよいことがわかる。また、その仮焼条件は、最高温度７２０℃〜８００℃望ましくは７４０℃〜７８０℃であり、さらにその焼成時間は固相反応の開始に最低必要な０．１時間以上であればよいが、あまり長いと外部からのコンタミネーションが懸念されるため、最長でも３００時間とするが、望ましくは１時間〜１００時間である。
【００２０】
あるいは、仮焼粉は、Ｂｉ−２２１２相の結晶が主成分となり、Ｂｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａまたはＣｕの１種以上の酸化物から実質的になるものであり、主成分のＢｉ−２２１２相の結晶にその他の酸化物が均一に取り込まれているためＤＴＡの吸熱ピークが所定の測定条件で図３▲３▼の特徴を持つものであればよいことがわかる。また、その仮焼条件が最高温度８００℃〜８４０℃望ましくは８０５℃〜８３０℃であり、さらにその焼成時間は上記と同様の理由により０．１時間〜３００時間望ましくは１時間〜１００時間である。
【００２１】
そこで、この出願の発明の仮焼粉では、前記のとおり、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８６０〜８７５℃に頂点を持つ低温側吸熱ピークと８７５〜８９０℃に頂点を持つ高温側吸熱ピークとが表われるもので、特に、最高温度７２０〜８００℃、望ましくは７４０〜７８０℃で、上記と同様の理由により０．１〜３００時間、望ましくは１〜１００時間仮焼されてなるものであること、あるいは、ＤＴＡ吸熱ピークとして、８７５〜８９０℃のみに頂点を持つ吸熱ピークが表われるもので、特に、最高温度８００〜８４０℃、望ましくは８０５〜８３０℃で、上記と同様の理由により０．１〜３００時間、望ましくは１〜１００時間仮焼されてなるものであることを特徴としている。
【００２２】
また、この発明の仮焼粉は、成分組成が式（１）で表わされるＢｉ系酸化物高温相超電導体の焼結体製造用の仮焼粉であって、全体組成は前記式（１）と実質的に同一であり、式（２）で表わされる成分組成の結晶とそれ以外のＢｉ，Ｐｂ，Ｓｒ，ＣａおよびＣｕの元素の１種以上のものの酸化物とを含有することを適当としている。
【００２３】
式（１）（２）における元素数は、各々Ｃｕを３および２として標準化した時のものである。そしてこの元素数の上下限の範囲は、高温相超電導体の焼結体としての多結晶体を得るために望ましいものである。
なお、前記の「実質的に同一」との規定は、不可避的要因（不純物の混入等）を除いて同一であることを意味している。
【００２４】
仮焼粉の製造プロセスについては、図１のような一般的なものとして適宜に考慮される。また、この発明のＪｃ≧９０００Ａ／ｃｍ2 の特性の多結晶体の製造も図２のような一般的なものとして適宜に考慮される。
また、前記のＤＴＡ吸熱ピークについても、その測定は通常の手法によるものとして考慮される。
【００２５】
以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明の実施の形態について例示説明する。もちろん、この発明は以下の例により何ら限定されることはない。
【００２６】
【実施例】
以下の実施例においては次の諸条件が共通して採用されている。
ＴＧ−ＤＴＡ（熱重量−示差熱分析）装置は、マックサイエンス製２０００型を用いた。
測定条件は、７００℃〜９２０℃で２℃／ｍｉｎの昇温速度、試料充填量は内容積０．１ｃｃのアルミナ容器に２０ｍｇ、乾燥Ａｉｒ雰囲気で行った。
【００２７】
１軸成形条件としては、１．０〜５．０Ｔｏｎ／ｃｍ2 のプレス成形を行った。
中間圧縮はＣＩＰ装置を用い１〜３Ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力をかけ、必要に応じて数回行った。
焼結条件は、温度８２０〜８６０℃、雰囲気は大気である。
【００２８】
Ｊｃ測定にあたっては、上記プロセスにて得られた多結晶体を短冊状に切り出し、電極を作成して測定用試料とした。この試料を４端子通電法にてＪｃを測定した。
実施例１
所要の原料を、酸化物組成がＢｉ1.85Ｐｂ0.35Ｓｒ1.90Ｃａ2.05Ｃｕ3.05ＯX となるように調整し、圧粉体を形成してこれを仮焼した。
【００２９】
仮焼は乾燥空気中７６０℃で１０時間行った。粉砕は極性有機溶媒と非極性有機溶媒５：１００（重量比）の混合液を溶媒に用いて、Ｚｒボールを使用しての湿式粉砕により行った。粉砕は、平均粒子径が２．０μｍ以下になるまで行った。粉砕後の乾燥は減圧乾燥法で密閉系で行い大気中の水分やカーボンが吸着しないようにした。再び仮焼を乾燥空気中７６０℃で１０時間行い仮焼粉を得た。平均粒径は２．５μｍ以下であり、ＸＲＤにて確認したところＢｉ−２２１２相Ｂｉ−２２０１相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなっていた。また、ＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったところ、８６５℃と８８３℃の頂点を持つ吸熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素含有量は１８０ｐｐｍであった。この仮焼粉を用いて、前記焼結条件に沿って、以下の条件で焼結体を作製した。
【００３０】
プレス成型：直径２０φｍｍ、厚さ１ｍｍの円盤状圧粉体に３．０Ｔｏｎ／ｃｍ2 
焼結：８５０℃＊５０時間（大気中）
中間圧縮：ＣＩＰ法で３．０Ｔｏｎ／ｃｍ2 
こうして得られた試料を短冊状に切り出し、Ａｇ電極を作製し、４端子通電法により７７Ｋで臨界電流密度Ｊｃを測定したところ、１０，５００Ａ／ｃｍ2 の値が得られた。
実施例２
実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を８２０℃とした以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。ＸＲＤにて確認したところ仮焼粉はＢｉ−２２２３相、Ｂｉ−２２１２相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなっており、Ｂｉ−２２２３相の割合は５％であった。ＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったところ、８８３℃の頂点を持つ吸熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素含有量は１６０ｐｐｍであった。この試料のＪｃは、９，０００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。
実施例３
実施例１において得られた仮焼粉を銀シースに充填し外径が約２ｍｍになるまで線引きを行った。その後電気炉にて簡単な熱処理を行い、テープ厚が０．２ｍｍ程度になるまで圧延を行い、その後８４０℃前後で２５〜１００時間焼成を行う。この圧延と焼成を数回繰り返し試料を作製した。こうして得られた試料のＪｃは、２０，０００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。
実施例４
実施例１において作製した仮焼粉と同じ条件で作製した仮焼粉を、有機溶剤及び有機バインダーにより合成した有機ビヒクルと重量比３：１でそれぞれ混合し、三本ロールにより均一分散させ、超電導ペーストを得た。このペーストを用い、スクリーン印刷法により銀基板上に膜厚５０μｍのペースト厚膜を作製し、８５０℃×５０時間の熱処理を行って試料を作製した。この試料のＪｃは、１１，２００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。
比較例１
実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を８００℃とした以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。Ｂｉ−２２１２相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなっており、またＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったところ、８７５℃と８８５℃に頂点を持つ吸熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素含有量は１９０ｐｐｍであった。この試料のＪｃは、５，０００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。
比較例２
実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を７００℃とした以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。Ｂｉ−２２０１相・Ｂｉ−２１２２相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなっていて、その主成分は、Ｂｉ−２２０１相であった。また、ＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったところ、８３０〜８９０℃に４つの吸熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素含有量は３８０ｐｐｍであった。この試料のＪｃは、１，５００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。
比較例３
実施例１において仮焼粉作製時に仮焼温度を８５０℃とした以外は、同様な方法でＪｃ測定用試料を作製した。Ｂｉ−２２２３相、Ｂｉ−２２１２相及びＣａ2 ＰｂＯ4 ，ＣｕＯなどの超電導相以外の不純物相からなっていて、その主成分は、Ｂｉ−２２２３相であり、割合は９０％であった。また、ＴＧ−ＤＴＡ測定を行ったところ、８８４℃にのみ吸熱ピークが確認された。この時の仮焼粉の炭素含有量は１８０ｐｐｍであった。この試料のＪｃは、１，０００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。
比較例４
比較例１で得られた仮焼粉を用い、焼結時の焼結温度を８３０℃とした以外は、実施例１と同じ手法で焼結体を作製した。この試料のＪｃを測定したところ、８００Ａ／ｃｍ2 の値しか得られなかった。
比較例５
比較例３で得られた仮焼粉を用いた以外は、実施例３と同一条件にて銀テープを作製した。この試料のＪｃを測定したところ、８，５００Ａ／ｃｍ2 の値しか得られなかった。
比較例６
比較例３で得られた仮焼粉を用いた以外は、実施例４と同一条件にてペースト厚膜を作製した。この試料のＪｃを測定したところ、４，３００Ａ／ｃｍ2 の値しか得られなかった。
【００３１】
【発明の効果】
以上詳しく説明したとおり、この出願の発明により、Ａｇシース等の手段を採用することなしに、焼結によって、Ｊｃ（臨界電流密度）の高いＢｉ系高温相超電導体が提供されることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】仮焼粉の製造プロセスを示した工程図である。
【図２】焼結多結晶体の製造プロセスを示した工程図である。
【図３】ＤＴＡ吸熱ピークを示した図である。
【図１】
0003683395.tif 000006
【図２】
0003683395.tif 000007
【図３】
0003683395.tif 000008