(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
読取時に被読取面を照射する発光手段と、
前記被読取面で反射した反射光を受光する受光手段とを有するハンディタイプの密着型イメージセンサであって、
前記被読取面からの反射光の入射位置付近に、前記被読取面側に２段階状に突出する凹凸追随用の突出部を設けたことを特徴とする、ハンディタイプの密着型イメージセンサ。
【請求項２】
読取時に被読取面に表面が当接する透明体と、
前記透明体を支持するケースと、
前記透明体を介して前記被読取面を照射する発光手段と、
前記被読取面で反射して前記透明体を通過した反射光を受光する受光手段とを有するハンディタイプの密着型イメージセンサであって、
前記透明体の表面における前記被読取面からの反射光の入射位置付近が、その周辺部よりも前記被読取面側へ凹凸追随用に２段階状に突出していることを特徴とする、ハンディタイプの密着型イメージセンサ。
【請求項３】
前記透明体はほぼ平板状であり、その表面の一部に透明な帯状の２段階突出部を設け、この突出部の突出端に前記入射位置を設定した、請求項２に記載のハンディタイプの密着型イメージセンサ。
【請求項４】
前記透明体は帯状であり、その表面が前記ケースの表面よりも突出するように、前記ケースに前記透明体を取り付るとともに、前記透明体の表面に第２段階の突部を設ける一方、この第２段階の突部の突出端に前記入射位置を設定した、請求項２に記載のハンディタイプの密着型イメージセンサ。
【請求項５】
読取時に被読取面に表面が当接する透明体と、
前記透明体を支持するケースと、
前記透明体を介して前記被読取面を照射する発光手段と、
前記被読取面で反射して前記透明体を通過した反射光を受光する受光手段とを有するハンディタイプの密着型イメージセンサであって、
前記透明体の表面における前記被読取面からの反射光の入射位置付近が、その周辺部よりも前記被読取面側へ凹凸追随用に突出しており、かつ、
前記ケースは、隣り合い且つ相互に交差する方向に広がる２つの外形規定面を有し、前記透明体は、当該２つの外形規定面の間に配置されていることを特徴とする、ハンディタイプの密着型イメージセンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、原稿などの被読取面に密着させることにより、被読取面の画像を読み取って電気信号に変換する、密着型イメージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ファクシミリ装置などにおいても、原稿を読み取るためのイメージセンサ部分を取り外して、ハンディタイプのイメージセンサとして使用することにより、書籍などの画像を読み取ることができるように工夫された製品が市場に登場しており、ハンディタイプとして使用可能なイメージセンサの需要は増大するものと考えられる。
【０００３】
しかも、従来のハンディタイプの複写装置とは異なり、ファクシミリ装置の場合、Ａ４サイズあるいはＢ４サイズなどの大きな原稿を読み取る必要があるので、イメージセンサの長さが長くなり、全体的に大型化してしまうが、これはハンディタイプとしては不都合であり、長さ以外の要素を極力小型化することが強く要望されている。
【０００４】
イメージセンサとしては、一般にＣＣＤが用いられる縮小結像方式のものと、一般にホトトランジスタなどが用いられる密着方式のものとがあるが、縮小結像方式では光路長が長くなって大型化するので、ハンディタイプのイメージセンサとしては好ましくない。すなわち、ハンディタイプのイメージセンサとしては、小型化が可能な密着型イメージセンサが好ましい。
【０００５】
従来の密着型イメージセンサは、一般に図２３に示すような構成であった。すなわち、ケース８１により、カバーガラス８２、ロッドレンズ８３、第１の基板８４、および第２の基板８５が支持されている。第１の基板８４の上面には、ＭＯＳ型イメージセンサチップ８６が搭載されており、第２の基板８５の上面には、発光ダイオードチップ８７が搭載されている。発光ダイオードチップ８７の発光面から放射された光は、カバーガラス８２の上面に接触している原稿などの被読取面で反射し、その反射光がロッドレンズ８３によりＭＯＳ型イメージセンサチップ８６の受光面に結像されることにより、ＭＯＳ型イメージセンサチップ８６から被読取面の画像に応じた電気信号が出力される。すなわち、被読取面がカバーガラス８２の上面に接触するので、カバーガラス８２の上面に線状に形成される、被読取面からの反射光の入射位置８８における画像をＭＯＳ型イメージセンサチップ８６の受光面に結像させるように、ロッドレンズ８３の配置位置が調整されている。
【０００６】
このような従来の密着型イメージセンサでは、プラテンローラにより原稿を強固に保持して原稿の被読取面を読み取る方式の場合、特に問題は無いが、密着型イメージセンサを手で持って被読取面に押し付け、被読取面上を移動させる、いわゆるハンディタイプとして使用する場合、被読取面が凹状の曲面であったり、あるいは微小な凹凸があったりすれば、焦点ずれが発生し、鮮明な再生画像を得ることができないという問題があった。
【０００７】
すなわち、図２４に示すように、密着型イメージセンサ９１のカバーガラス８２を被読取面９２に接触させながら矢印方向に移動させるものとすると、密着型イメージセンサ９１の入射位置８８を含む平面が非常に広いため、被読取面９２に密着型イメージセンサ９１の長さ方向と平行な複数の凹凸が存在する場合、それらの凹凸により、密着型イメージセンサ９１が被読取面９２の複数の凸部の突出端に乗ってしまい、入射位置８８と凹部の底との間に隙間Ｌができる。この隙間Ｌの長さがロッドレンズ８３の焦点深度を越えると、ＭＯＳ型イメージセンサチップ８６の受光面に被読取面９２の画像が正しく結像されなくなり、正確な読み取りができなくなるのである。
【０００８】
一般的な密着型イメージセンサの場合、焦点深度は０．６ｍｍ程度であるから、被読取面に高低差０．６ｍｍ程度を越える複数の凹凸があれば焦点ずれを発生することになる。
【０００９】
なお、縮小結像方式のイメージセンサの場合、焦点深度が２ｍｍ程度と比較的大きいので、被読取面の凹凸に対しては好都合であるが、既述のように小型化が困難であるのでハンディタイプのイメージセンサとしては好ましくない。
【００１０】
【発明の開示】
本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、凹凸のある被読取面の画像を正確に読み取ることができるハンディタイプの密着型イメージセンサを提供することを、その課題とする。
【００１１】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１２】
本願発明の第１の側面によれば、読取時に被読取面を照射する発光手段と、前記被読取面で反射した反射光を受光する受光手段とを有するハンディタイプの密着型イメージセンサであって、前記被読取面からの反射光の入射位置付近に、前記被読取面側に２段階状に突出する凹凸追随用の突出部を設けたことを特徴とする、ハンディタイプの密着型イメージセンサが提供される。
【００１３】
このようにすれば、被読取面に密着型イメージセンサの長さ方向と平行な複数の凹凸があったとしても、読取時に突出部が被読取面の凹部に入り込むので、焦点ずれを良好に回避でき、被読取面の画像を正確に読み取ることができることから、鮮明な再生画像を得られる。
【００１４】
すなわち、入射位置付近に突出部を設けた場合、被読取面の凹凸の有無に係わらず、突出部の突出端が被読取面に接触するので、被読取面の読取位置と受光手段の受光面との距離が常にほぼ一定ということになり、焦点ずれを生じることがないのである。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
本願発明の第２の側面によれば、読取時に被読取面に表面が当接する透明体と、前記透明体を支持するケースと、前記透明体を介して前記被読取面を照射する発光手段と、前記被読取面で反射して前記透明体を通過した反射光を受光する受光手段とを有するハンディタイプの密着型イメージセンサであって、前記透明体の表面における前記被読取面からの反射光の入射位置付近が、その周辺部よりも前記被読取面側へ凹凸追随用に２段階状に突出していることを特徴とする、ハンディタイプの密着型イメージセンサが提供される。
【００１８】
このようにすれば、被読取面に凹凸があったとしても、読取時に透明体の入射位置付近が被読取面の凹部に入り込むので、凹部の底と入射位置との間に隙間が生じることによる焦点ずれを良好に回避できる。この結果、被読取面の画像を正確に読み取ることができ、鮮明な再生画像を得られる。
【００１９】
他の好ましい実施の形態においては、前記透明体は帯状であり、その表面が前記ケースの表面よりも突出するように、前記ケースに前記透明体を取り付るとともに、前記透明体の表面に第２段階の突部を設ける一方、この第２段階の突部の突出端に前記入射位置を設定している。
【００２０】
本願発明の第３の側面によれば、読取時に被読取面に表面が当接する透明体と、前記透明体を支持するケースと、前記透明体を介して前記被読取面を照射する発光手段と、前記被読取面で反射して前記透明体を通過した反射光を受光する受光手段とを有するハンディタイプの密着型イメージセンサであって、前記透明体の表面における前記被読取面からの反射光の入射位置付近が、その周辺部よりも前記被読取面側へ凹凸追随用に突出しており、かつ、前記ケースは、隣り合い且つ相互に交差する方向に広がる２つの外形規定面を有し、前記透明体は、当該２つの外形規定面の間に配置されていることを特徴とする、ハンディタイプの密着型イメージセンサが提供される。
【００２１】
このようにすれば、読取時にケースの外形規定面（例えば上面や側面）が邪魔にならず、透明体を凹部の底まで挿入することができるので、焦点ずれを一層良好に防止できる。
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００３１】
図１は、本願発明に係る密着型イメージセンサの幅方向の断面図であって、断面矩形のケース１内の空間には、透明体の一例としてのカバーガラス２、ロッドレンズ３、第１の基板４、および第２の基板５が設置されている。第１の基板４には、受光手段の一例としての複数のＭＯＳ型イメージセンサチップ６が搭載されている。第２の基板５には、発光手段の一例としての複数の発光ダイオードチップ７が搭載されている。カバーガラス２の上面には、突出部２ａが一体に突設されており、この突出部２ａを除いて、カバーガラス２の上面はケース１の上面とほぼ面一である。
【００３２】
ケース１は、たとえば樹脂製であり、カバーガラス２、ロッドレンズ３、第１の基板４、および第２の基板５を保持している。カバーガラス２は、ガラスからなり、ケミカルエッチングあるいは研削などにより、帯状でかつ下広がり状の突出部２ａが形成されている。突出部２ａは、カバーガラス２の長さ方向全長あるいはほぼ全長にわたって形成されており、その突出端はカバーガラス２の上面と平行な平面状である。突出部２ａの幅方向両側面は、平面状であるが、外向きに突出した曲面状であってもよい。読取時には、突出部２ａの突出端が、被読取面１１に接触する。ロッドレンズ３は、たとえばセルフォックレンズアレイからなり、被読取面１１からの反射光をＭＯＳ型イメージセンサチップ６の受光面に結像させる。第１の基板４は、ＭＯＳ型イメージセンサチップ６を支持するとともに、ＭＯＳ型イメージセンサチップ６に対する電源や各種信号の入出力のための配線パターンを備えている。第２の基板５は、発光ダイオードチップ７を支持するとともに、発光ダイオードチップ７に電源を供給するための配線パターンを備えている。各ＭＯＳ型イメージセンサチップ６は、多数の受光面を有しており、被読取面１１からの反射光を受光して、それに応じた電気信号を出力する。複数のＭＯＳ型イメージセンサチップ６は、それら全部の受光面がほぼ等ピッチになるように、第１の基板４の長さ方向に沿って一列に配置されている。各発光ダイオードチップ７は、被読取面１１を照射するための光を放射する。複数の発光ダイオードチップ７は、第２の基板５の長さ方向に沿って概ね等ピッチで配列されている。
【００３３】
読取時に発光ダイオードチップ７から放射された光は、カバーガラス２を通過して被読取面１１で反射し、カバーガラス２を通過してロッドレンズ３に入射する。この反射光は、ロッドレンズ３によりＭＯＳ型イメージセンサチップ６の受光面に結像される。これによりＭＯＳ型イメージセンサチップ６からは、被読取面１１の１ライン分の画像に応じた電気信号が出力される。したがって、カバーガラス２の突出部２ａを被読取面１１に接触させた状態で密着型イメージセンサを移動させることにより、被読取面１１の画像を読み取ることができる。
【００３４】
すなわち、被読取面１１からの反射光が入射するライン状の入射位置１２は、カバーガラス２の突出部２ａの突出端に形成され、この入射位置１２における画像がＭＯＳ型イメージセンサチップ６の受光面に結像されるように、ロッドレンズ３の位置が調整されている。
【００３５】
この密着型イメージセンサは、被読取面からの反射光の光軸と直交し、かつ被読取面からの反射光の透明体への入射位置を含む仮想平面を想定したときに、入射位置付近以外の全ての部分が、仮想平面に対して受光手段側に所定距離以上離れて位置しているということができる。具体的には、被読取面１１からの反射光の光軸１３と直交し、かつ被読取面１１からの反射光のカバーガラス２への入射位置１２を含む仮想平面を想定したときに、入射位置１２付近以外の全ての部分が、仮想平面に対してＭＯＳ型イメージセンサチップ６側に所定距離以上離れて位置しているということである。ちなみに、図１においては、仮想平面は被読取面１１に一致しており、入射位置１２付近とは、突出部２ａに相当する。
【００３６】
このような密着型イメージセンサを手で持って、図２に示すように、カバーガラス２の突出部２ａの突出端を被読取面１１に接触させながら、矢印方向に移動させると、被読取面１１に密着型イメージセンサの長さ方向と平行な複数の凹凸が存在していても、被読取面１１の凹部１１ａに突出部２ａが入り込む。したがって、被読取面１１の凹部１１ａの底と突出部２ａの突出端に形成される入射位置１２との間にロッドレンズ３の焦点深度を越える隙間があくことがなく、焦点ずれを生じることがない。
【００３７】
カバーガラス２の突出部２ａの幅や高さは、被読取面１１の凹凸の高低差に応じて適宜決定すればよいが、一般的には、突出部２ａの幅は５ｍｍ以下になるものと考えられる。もちろん、密着型イメージセンサの長さは、原稿の読取幅に応じて決定される。
【００３８】
なお、突出部２ａを一体に形成したカバーガラス２の代わりに、図３に示すように、平板状の透明な樹脂板１５に帯状のガラス１６を嵌め込んだカバーガラス１７を用いてもよい。
【００３９】
また、断面台形の突出部２ａを突設したカバーガラス２の代わりに、図４に示すように、表面の全体が曲面状の突出部２１ａを突設したカバーガラス２１を用いてもよいし、図５に示すように、表面の一部が曲面状の突出部２２ａを突設したカバーガラス２２を用いてもよい。突出部２１ａ，２２ａの曲面は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部であってもよい。入射位置１２は、突出部２１ａ，２２ａの突出端である曲面の突出端に設定される。
【００４０】
また、突出部２ａを一体に形成したカバーガラス２の代わりに、図６に示すように、突出部２ａと同程度の幅のカバーガラス２５を用い、上面がケース１の上面から突出するようにカバーガラス２５をケース１に取り付けてもよい。
【００４１】
また、上半部の断面形状が台形のカバーガラス２５の代わりに、図７に示すように、ケース１の上面から突出する部分の表面の全体が曲面状のカバーガラス２６を用いてもよいし、図８に示すように、ケース１の上面から突出する部分の表面の一部が曲面状のカバーガラス２７を用いてもよい。カバーガラス２６，２７の曲面は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部であってもよい。入射位置１２は、カバーガラス２６，２７の突出端である曲面の突出端に設定される。
【００４２】
また、上面が水平なケース１の代わりに、図９に示すように、上面の幅方向一端部が斜面３１ａになったケース３１を用いてもよい。この斜面３１ａは、カバーガラス３２から遠ざかるにしたがってケース３１の下面に近づくように傾斜している。この場合、図９に示すように、幅方向の断面形状が台形のカバーガラス３２を用い、カバーガラス３２の幅方向一端側の側面３２ａとケース３１の斜面３１ａとを面一にしておけば、カバーガラス３２の上面を被読取面１１の凹部１１ａにさらに深く挿入できるので好ましい。
【００４３】
また、幅方向の断面形状が台形のカバーガラス３２の代わりに、図１０に示すように、略上半部の全体が曲面状のカバーガラス３３を用いてもよいし、図１１に示すように、上面の一部が曲面状のカバーガラス３４を用いてもよい。カバーガラス３３，３４の曲面は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部であってもよい。入射位置１２は、カバーガラス３３，３４の曲面の突出端に設定される。
【００４４】
また、上面の幅方向一端部が斜面３１ａになったケース３１の代わりに、図１２に示すように、カバーガラス３２の幅方向両側が斜面３５ａ，３５ｂになったケース３５を用いてもよい。このようにすれば、カバーガラス３２の上面を被読取面１１の凹部１１ａに一層深く挿入できる。この密着型イメージセンサにおいては、ＭＯＳ型イメージセンサチップ６と発光ダイオードチップ７とが共通の基板３９に搭載されており、発光ダイオードチップ７からの光は導光板３８により被読取面に導かれる。
【００４５】
また、幅方向の断面形状が台形のカバーガラス３２の代わりに、図１３に示すように、略上半部の全体が曲面状のカバーガラス３６を用いてもよいし、図１４に示すように、上面の一部が曲面状のカバーガラス３７を用いてもよい。カバーガラス３６，３７の曲面は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部であってもよい。入射位置１２は、カバーガラス３６，３７の曲面の突出端に設定される。
【００４６】
また、カバーガラス３２の幅方向両側が斜面３５ａ，３５ｂになったケース３５の代わりに、図１５に示すように、角部にカバーガラス４１を保持できるケース４２を用いてもよい。このケース４２は断面ほぼ矩形であり、その矩形の４つの角部のうちの１つにカバーガラス４１が配置されている。カバーガラス４１は、幅方向の断面形状が矩形である。このような密着型イメージセンサにおいても、図１６に示すように、カバーガラス４１の表面を被読取面１１に接触させながら矢印方向に移動させることにより、カバーガラス４１が被読取面１１の凹部１１ａに嵌まり込む。
【００４７】
また、幅方向の断面形状が矩形のカバーガラス４１の代わりに、図１７に示すように、略上半部の全体が曲面状のカバーガラス４３を用いてもよいし、図１８に示すように、上面の一部が曲面状のカバーガラス４４を用いてもよい。カバーガラス４３，４４の曲面は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部であってもよい。入射位置１２は、カバーガラス４３，４４の曲面の突出端に設定される。
【００４８】
また、ロッドレンズ３を下面に対して傾斜状に支持するケース４２の代わりに、図１９に示すように、ロッドレンズ３を下面に対して垂直に支持するケース５１を用いてもよい。カバーガラス５３は、幅方向の断面形状がほぼ矩形である。この密着型イメージセンサにおいては、被読取面１１からの反射光の光軸１３がカバーガラス５３の裏面で屈曲しているのに対して、被読取面１１への入射光の光軸５２が、発光ダイオードチップ７から被読取面１１まで一直線である。この密着型イメージセンサにおいては、被読取面への入射光の光軸と直交し、かつ被読取面からの反射光の透明体へのライン状の入射位置を含む仮想平面を想定したときに、透明体の表面に形成される入射位置付近以外の全ての部分が、仮想平面に対して受光手段側に所定距離以上離れて位置しているということができる。具体的には、被読取面１１への入射光の光軸５２と直交し、かつ被読取面からの反射光のカバーガラス４１へのライン状の入射位置１２を含む仮想平面を想定したときに、カバーガラス５３の表面に形成される入射位置１２付近以外の全ての部分が、仮想平面に対してＭＯＳ型イメージセンサチップ６側に所定距離以上離れて位置しているということである。ちなみに、図１９においては、仮想平面はカバーガラス５３の表面に一致しており、入射位置１２付近とは、カバーガラス５３に相当する。
【００４９】
また、幅方向の断面形状がほぼ矩形のカバーガラス５３の代わりに、図２０に示すように、略上半部の全体が曲面状のカバーガラス５５を用いてもよいし、図２１に示すように、上面の一部が曲面状のカバーガラス５６を用いてもよい。カバーガラス５５，５６の曲面は、断面が円の一部であってもよいし、楕円の一部であってもよい。入射位置１２は、カバーガラス５５，５６の曲面の突出端に設定される。
【００５０】
なお、被読取面への入射光の光軸と被読取面からの反射光の光軸との双方が透明体の裏面で屈曲する場合には、透明体の表面において被読取面への入射光の光軸と被読取面からの反射光の光軸とがなす角度を２等分する直線と直交し、かつ被読取面からの反射光の透明体へのライン状の入射位置を含む仮想平面を想定したときに、透明体の表面に形成される入射位置付近以外の全ての部分が、仮想平面に対して受光手段側に所定距離以上離れて位置するように構成すればよい。具体的には、被読取面への入射光の光軸と被読取面からの反射光の光軸との双方がカバーガラスの裏面で屈曲する場合には、カバーガラスの表面において被読取面への入射光の光軸と被読取面からの反射光の光軸とがなす角度を２等分する直線と直交し、かつ被読取面からの反射光のカバーガラスへのライン状の入射位置を含む仮想平面を想定したときに、カバーガラスの表面に形成される入射位置付近以外の全ての部分が、仮想平面に対してＭＯＳ型イメージセンサチップ側に所定距離以上離れて位置するように構成するのである。
【００５１】
また、カバーガラス２５の上面をケース１の上面から突出させる代わりに、図２２に示すように、カバーガラス６１の幅方向両側に位置する突出部６２ａ，６２ｂを有するカバー６２を用いてもよい。突出部６２ａ，６２ｂは、カバー６２の長さ方向全長あるいはほぼ全長にわたって形成されている。このような密着型イメージセンサにおいても、突出部６２ａ，６２ｂの突出端が被読取面１１に接触するので、図６に示す密着型イメージセンサと同様の効果を得ることができる。
【００５２】
なお、カバーガラスの幅方向両側に、それぞれケースの長さ方向適当間隔おきに突出部を突設してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本願発明の一実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図２】  図１に示す密着型イメージセンサの使用状態の説明図である。
【図３】  図１に示す密着型イメージセンサにおけるカバーガラスの変形例の説明図である。
【図４】  別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図５】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図６】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図７】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図８】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図９】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図１０】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図１１】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図１２】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図１３】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図１４】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図１５】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図１６】  図１５に示す密着型イメージセンサの使用状態の説明図である。
【図１７】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図１８】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図１９】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図２０】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図２１】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図２２】 さらに別の実施形態における密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図２３】  従来の密着型イメージセンサの幅方向の断面図である。
【図２４】  図２３に示す密着型イメージセンサの使用状態の説明図である。
【符号の説明】
１  ケース
２  カバーガラス
２ａ  突出部
３  ロッドレンズ
４  第１の基板
５  第２の基板
６  ＭＯＳ型イメージセンサチップ
７  発光ダイオードチップ
１１  被読取面
１１ａ  凹部
１２  入射位置
１３  光軸
１７  カバーガラス
２１  カバーガラス
２１ａ  突出部
２２  カバーガラス
２２ａ  突出部
２５  カバーガラス
２６  カバーガラス
２７  カバーガラス
３１  ケース
３１ａ  斜面
３２  カバーガラス
３３  カバーガラス
３４  カバーガラス
３５  ケース
３５ａ  斜面
３５ｂ  斜面
３６  カバーガラス
３７  カバーガラス
４１  カバーガラス
４２  ケース
４３  カバーガラス
４４  カバーガラス
５１  ケース
５２  光軸
５３  カバーガラス
５５  カバーガラス
５６  カバーガラス
６１  カバーガラス
６２  ケース
６２ａ  突出部
６２ｂ  突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
0003696707.tif 000018
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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