(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に少なくとも第一保護層、相変化記録層、第二保護層、金属反射層を有し、相変化記録層が次の組成式で表される合金からなることを特徴とする光記録媒体。
（Ｘ１）αＳｂβ（Ｘ２）γ
（但し、Ｘ１はＧａ、Ｇｅ、Ｉｎから選ばれる少なくとも一種の元素、Ｘ２はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一種の元素、α、β、γは原子％、２≦α≦２０、５５≦β≦９５、０＜γ≦１０、α＋β＋γ＝１００）
【請求項２】
合金が、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｅ、Ｃ、Ｎ、Ｍｎ、Ｄｙから選ばれた少なくとも一種の添加元素を１〜４０原子％含むことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
保護層が、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
金属反射層が、Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
第二保護層と金属反射層との間に、Ｓｉ又はＳｉＣを主成分とする第三保護層を設けることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体。
【請求項６】
最適記録線速度が、２８．０±３ｍ／ｓの範囲にあることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高速記録が可能な相変化型光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤの高速記録化に伴い記録層組成の組成比マージンが非常に限定されてきている。そして特許文献の多くは、Ｓｂ−ＴｅをベースにＧａ、Ｇｅ、Ｉｎ等が添加された系を採用している（特許文献１〜１６、非特許文献１参照）。これはカルコゲン元素（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）が「多くの元素と結合して多種の非晶質状態を作る」という特徴を有するためであり、この事が特にＴｅを中心に相変化材料の必須構成元素として注目されてきた理由の一つである。しかしながら本発明者らの研究によれば、ＤＶＤ８倍速相当の高速記録をターゲットとした最適Ｇａ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ系組成領域でＴｅを添加すると、Ｔｅが記録層材料の結晶化速度を低下させてしまうため良好な高速記録特性が得られないことが分った。また本発明の記録層には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一種の元素が必須構成元素として含まれ、かつそれらが記録層内部で結晶性粒子となっているが、上記文献においてこのような特徴が明記されたものはない。
【０００３】
【特許文献１】特開昭６０−１７９９５４号公報
【特許文献２】特公平０３−０５２６５１号公報
【特許文献３】特公平０４−００１９３３号公報
【特許文献４】特開平０５−２８６２４９号公報
【特許文献５】特開平０７−０６５４１４号公報
【特許文献６】特開平０７−１２０８６７号公報
【特許文献７】特開平０８−２１２６０４号公報
【特許文献８】特開２０００−１９０６３７号公報
【特許文献９】特開２０００−３３９７５０号公報
【特許文献１０】特開２００１−０６７７２２号公報
【特許文献１１】特開２００２−２６４５１４号公報
【特許文献１２】特開２００２−２８３７２６号公報
【特許文献１３】特開２００２−３３１７５８号公報
【特許文献１４】特開２００３−００６８５９号公報
【特許文献１５】特許第２９４１８４８号公報
【特許文献１６】特許第３２１４２１０号公報
【非特許文献１】“Ｐｈａｓｅ−Ｃｈａｎｇｅ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｄａｔａ  ｓｔｏｒａｇｅ  ｉｎ  ＧａＳｂ”，Ａｐｌｉｅｄ  Ｏｐｔｉｃａｓ，Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．２２１１５，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ，１９８７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ＤＶＤ８倍速相当の高速記録に適し、かつ記録材料の初期化が容易で初期化後の反射率分布が一様な相変化光記録媒体の提供を目的とする。
半導体レーザービームの照射により情報の書換えが可能な光記録媒体の一つに、結晶―非晶質間又は結晶―結晶間の相転移を利用した、いわゆる相変化光記録媒体が知られている。この相変化光記録媒体は単一ビーム繰り返し記録が可能で、またドライブ側の光学系がより単純であることを特徴とし、コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体として応用され世界的に普及している。そしてＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷなどの光記録媒体は、普及と共に高速記録化が進んでおり、相変化光記録媒体も高密度画像記録などへの展望から、記録媒体の容量・密度の増加、従って高速記録が必須となっている。
このような相変化光記録媒体は、一般に基板と記録層を有し、この記録層の両面に耐熱性及び透光性を有す保護層が設けられている。また光ビーム入射方向と反対側の保護層上には、金属又は合金などからなる金属反射層が積層されている。そしてレーザー光のパワーを変化させるだけで記録・消去が可能であり、記録方式は一般に結晶状態を未記録・消去状態とし、非晶質状態を記録マーク（アモルファスマーク）としている。
【０００５】
相変化光記録媒体の記録原理は次のようである。記録層の結晶状態／非晶質状態の切り替えには３つの出力レベルでパルス化された集束レーザビームを用いる。その際、最も高い出力レベルは記録層の溶融に使用され、中間の出力レベルは融点直下、結晶化温度よりも高い温度まで記録層を加熱するのに使用し、最も低いレベルは記録層の加熱又は冷却の制御に使用される。最も高い出力レベルのレーザパルスにより溶融した記録層は、続く急冷により非晶質ないしは微結晶となって反射率低下が起こり、記録マークとなる。また、中間出力のレーザパルスでは全て結晶質となり消去が可能となる。このように、出力レベル間で書込みレーザパルスを変化させる事により記録層に交互に結晶領域と非晶質領域を作成することができ、情報が記憶される。
【０００６】
高速記録を実現するに当っては、記録層材料として速い結晶化速度を有する相変化材料が求められる。このような相変化材料として、これまでにＧｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等が、結晶化速度が速く、かつ高速記録時の消去比が高いことで注目されてきている。
しかしながら、高速記録の実現は記録層材料の結晶化速度を速めるだけでは不充分であり、別の大きな課題として「初期化の容易さの確保」という問題がある。例えば高速記録材料の一つとして知られるＧａ−Ｓｂ系の相変化材料は、結晶化速度が極めて速いことが報告されているが（非特許文献１）、その結晶化温度は３５０℃と非常に高く初期化が困難であり、また仮に高い初期化パワーを照射して初期化を行っても、初期化後の反射率にばらつきが生じ、記録特性に大きな影響を与えてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
今回本発明者らは、ＤＶＤ８倍速相当の高速記録をターゲットとした光記録媒体の開発過程において、上記課題を解決する方法として、本発明者らが８倍速記録に特に適すと考えるＧａ―Ｓｂ系相変化材料に着目し、これにＡｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一種類以上の元素を添加し、初期結晶化を行う過程で記録層内部に結晶性粒子を生成させることで、初期化が飛躍的に改善され、かつ初期化後の反射率分布が均一となることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、上記課題は、次の１）〜６）の発明（本発明１〜６という）によって解決される。
１）  透明基板上に少なくとも第一保護層、相変化記録層、第二保護層、金属反射層を有し、相変化記録層が次の組成式で表される合金からなることを特徴とする光記録媒体。
（Ｘ１）αＳｂβ（Ｘ２）γ
（但し、Ｘ１はＧａ、Ｇｅ、Ｉｎから選ばれる少なくとも一種の元素、Ｘ２はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一種の元素、α、β、γは原子％、２≦α≦２０、５５≦β≦９５、０＜γ≦１０、α＋β＋γ＝１００）
２）  合金が、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｅ、Ｃ、Ｎ、Ｍｎ、Ｄｙから選ばれた少なくとも一種の添加元素を１〜４０原子％含むことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
３）  保護層が、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなることを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４）  金属反射層が、Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金からなることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５）  第二保護層と金属反射層との間に、Ｓｉ又はＳｉＣを主成分とする第三保護層を設けることを特徴とする４）記載の光記録媒体。
６）  最適記録線速度が、２８．０±３ｍ／ｓの範囲にあることを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の光記録媒体。
【０００８】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明では、ＤＶＤ８倍速相当の高速記録に適し、かつ初期化が容易で初期化後の反射率分布が一様となる相変化材料として、本発明１の組成式の合金を用いる。主要構成元素であるＳｂは高速記録を実現できる優れた相変化材料であり、Ｓｂ比を変化させることで結晶化速度を調整でき、比率を高くすれば結晶化速度を速めることができる。しかしＳｂ単独では、ＤＶＤ８倍速相当の速い結晶化速度及び保存安定性に優れた記録層材料を実現することが困難であるため、オーバーライト特性や保存信頼性を損なわずに結晶化速度を速める方法として、Ｇａ、Ｉｎから選ばれる少なくとも一種の元素を添加し、また保存信頼性を向上させる方法としてＧａ、Ｉｎ、特にＧｅを添加する。
【０００９】
Ｇａは少ない添加量で結晶化速度を速くすることができ、また相変化材料の結晶化温度を高める効果を持つことからマークの安定性（保存信頼性）に効果的である。
Ｇｅは結晶化速度を速める効果は持たないが、Ｇａほど結晶化温度を上げず少量の添加で保存信頼性を飛躍的に向上させることができるため、Ｇａと同様に重要な元素である。
ＩｎはＧａと同様の効果を持ち、Ｇａほど結晶化温度を高くしないというメリットがあるため、初期化の問題を考慮した場合、Ｇａを補う元素として用いると有効である。
このようなＸ１−Ｓｂ系（Ｘ１はＧａ、Ｇｅ、Ｉｎから選ばれる少なくとも一種の元素）の相変化材料は、組成比の調整で結晶化速度が速くかつ保存安定性に優れた記録層材料を設計することができる。しかしながら先に述べたように、このような材料は一般に結晶化温度が高いという欠点を有し、初期化不良の問題を新たに生じさせてしまう。
【００１０】
そこで検討した結果、本発明者らは、記録層材料中にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一種の元素を添加し、結晶性粒子を生成させれば、記録層中に予め「結晶核」を生成させておくことになり、高速結晶化材料の初期化問題が解決できることを見出した。
金属結晶性粒子は、記録層中に存在する金属原子をＸ２０とすると、次の〔式１〕の過程を経て生成されるものと思われる。
〔式１〕    ｎＸ２０＋加熱→（Ｘ２０）ｎ（結晶性粒子）
また、記録層中に金属原子がイオンと存在している場合は、次の〔式２〕の過程も考えられる。
〔式２〕    Ｘ２＋＋Ｓｂ２＋＋ｈν→Ｘ２０＋Ｓｂ４＋（Ｓｂによる還元反応）
Ｓｂによる還元反応は、通常、感光反応とされており、紫外線照射等によって反応が進行するとされているが、この場合、例えば紫外線硬化樹脂を硬化する際に用いる紫外線の影響で金属原子が生成することも考えられる。
何れにせよ記録層中に存在する金属原子Ｘ２０が、初期化時のレーザー照射によって得た熱により〔式１〕に示すように微細な金属結晶性粒子へと変換され、このような「結晶核」の役目をする粒子が記録層中の内部に均等に形成されることで、初期化が容易となり、かつ反射率分布の一様な初期化を可能にするものと思われる。
【００１１】
更に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕは、保存信頼性に効果的な添加元素であるため、初期化不良を解決するばかりでなく、保存信頼性にも優れた相変化材料を設計することができる。
従って、本発明１は、記録層材料として、Ｘ１−Ｓｂ系化合物（Ｘ１はＧａ、Ｇｅ、Ｉｎから選ばれる少なくとも一種の元素）の持つ高速結晶化特性に注目し、その特性を利用する一方で、前記化合物の欠点である高い結晶化温度によりもたらされる初期化不良の問題を、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一種の元素を添加して記録層材料中に結晶性粒子を生成させることで改善したものであり、本発明１によって高速記録と保存信頼性の両特性を満足し、かつ記録材料の初期化が容易で初期化後の反射率分布が一様な光学的情報記録媒体を実現できる。
【００１２】
ＤＶＤ８倍速相当の高速記録に適した相変化記録材料を設計するためには、記録層材料中のＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの添加量γを１０原子％以下とする。先に述べたようにＡｕ、Ａｇ、Ｃｕは保存信頼性に優れ、かつ高速記録材料の初期化不良を改善するのに有効な元素であるが、反面、記録層材料の結晶化限界速度を低下させ高速記録を妨げる働きをする特性も備えている。そのためＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの添加量が１０原子％を超えると、ＤＶＤ８倍速相当の高速記録に適した相変化記録材料を設計することが困難となるため、添加量の上限は１０原子％とする必要がある。しかし、少なすぎると、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕの添加効果が不明瞭となってしまうため下限は１原子％とすることが好ましい。
【００１３】
ＳｂとＧａ、Ｇｅ、Ｉｎの組成比に関しては、式中のαを２原子％以上とする必要がある。例えばＸ１がＧａ及び／又はＩｎからなりαが２原子％未満の場合、或いはβが５５原子％より少ない場合は、結晶化速度が低下し、ＤＶＤ８倍速に相当する２８ｍ／ｓの記録線速下でのオーバーライトが困難となる。またαが２原子％未満の場合は、保存信頼性も低下してしまう。Ｇａ及び／又はＩｎは、少ない添加量で結晶化速度を速くすることができ、また特にＧａは相変化材料の結晶化温度を高める効果を持つことからマークの安定性向上に効果的な元素である。しかし、式中のαが２０原子％より大きいと初期化が極めて難しくなり、特にＧａの添加量が多いと逆に結晶化温度が高くなり過ぎ、初期化時に均一で高い反射率を持つ結晶状態を得ることが難しくなる。一方ＩｎはＧａと同様の効果を持ち、またＧａほど結晶化温度を高くしないというメリットがあるため、初期化の問題を考慮した場合、Ｇａを補う元素として用いると有効である。しかし、Ｉｎの過剰な添加も繰り返し記録特性を低下させ、また反射率低下の原因となるため、２０原子％以下とすることが好ましい。
【００１４】
Ｘ１がＧｅ単独の場合、ＧｅはＧａほど結晶化温度を上げず少量の添加で保存信頼性を飛躍的に向上させることができるため、保存信頼性に特に優れた記録材料を実現できる。Ｇｅは結晶化速度の速い記録層のアモルファス安定化に特に効果を奏し、その効果は添加量が２原子％以上で現われ、添加量が増えるに従いその効果は高くなる。しかし一方で、Ｇｅには結晶化速度を低下させてしまう効果があり、また過剰の添加はオーバーライトによるジッター上昇などの弊害も招くことから、上限は２０原子％以下とすることが好ましい。Ｇｅの添加量を２０原子％としても、βが９５原子％を超える場合は、結晶化速度の上昇が急激となりマーク形成が困難となる他、保存信頼性が低下するため、βは９５原子％以下とすることが好ましい。
更に、Ｘ１がＧａ及び／又はＩｎとＧｅからなる場合は、Ｇａ及び／又はＩｎ量を減らしてその分Ｇｅを添加し、αを２原子％以上とすることによっても良好な保存信頼性を得ることができる。
【００１５】
本発明２のように、ＤＶＤ８倍速相当の高速記録に適し、かつ初期化が容易で初期化後の反射率分布が一様となる相変化材料として、本発明１で規定する組成式の合金に、更に添加元素としてＡｌ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｅ、Ｃ、Ｎ、Ｍｎ、Ｄｙから選ばれる少なくとも一種の元素を加えた合金は、本発明を構成する記録材料としてより一層好適である。これらの元素は、それぞれが記録特性、保存信頼性を向上させる独自の効果を有するため、適量の添加によりＸ１‐Ｓｂ‐Ｘ２合金の特性を更に向上させることができる。
上記添加元素の効果について説明すると、Ｇａ、Ｉｎ以外に、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｈｇにも結晶化限界速度を速くする効果がある。中でもＳｂに最も原子番号が近くＳｂとの親和性が高いと思われるＳｎが好ましく、結晶化限界速度を速くすると共にオーバーライト特性も改善する。しかし、添加量が多すぎると再生光劣化や初期ジッターの劣化を引き起すため、組成範囲は何れの元素の場合も４０原子％以下とする必要がある。
【００１６】
保存信頼性に関しては、Ｇｅ以外に、Ａｌ、Ｃ、Ｎ、Ｓｅも効果を奏する。更にＡｌ、Ｓｅの場合は高速結晶化にも寄与する。またＳｅは記録感度の向上にも寄与する。
更に本発明者等の研究によって、ＭｎやＤｙもＩｎと同様の効果を奏することが判り、特にＭｎはＧｅ添加量をそれほど増やす必要のない保存信頼性に優れた添加元素であることが判った。Ｍｎの最適添加量は１〜１５原子％であり、１原子％より少ないと効果が現われず、１５原子％より多いと未記録状態（結晶状態）の反射率が低くなり過ぎる。
記録層の膜厚は６〜２０ｎｍとする。６ｎｍよりも薄いと繰り返し記録による記録特性の劣化が著しく、また２０ｎｍよりも厚いと繰り返し記録による記録層の移動が起り易くジッター増加が激しくなるので好ましくない。更に、結晶と非晶質の吸収率差をなるべく小さくして消去特性を向上させるためには、記録層の厚さが薄い方がよいので、好ましい厚さは８〜１６ｎｍである。
【００１７】
第一保護層の膜厚は、熱的及び光学的条件から最適な範囲が選定されるが、通常は４０〜２００ｎｍ、好ましくは４０〜１００ｎｍとする。
第二保護層の膜厚については、記録層の冷却に関係し直接的な影響が大きいので、良好な消去特性・繰り返し記録耐久性を得るために２ｎｍ以上は必要である。これよりも薄いとクラック等の欠陥を生じ繰り返し記録耐久性が低下するほか、記録感度が悪くなるため好ましくない。しかし、２０ｎｍを越えると記録層の冷却速度が遅くなるためマーク形成が難しくなり、マーク面積が小さくなってしまうので好ましくない。好ましい膜厚範囲は４〜１５ｎｍである。
本発明３では、保護層にＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を用いる。ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物は、保護層に求められる耐熱性、低熱伝導率性、化学的安定性に優れており、膜の残留応力が小さく、記録／消去の繰り返しによっても記録感度、消去比などの特性劣化が起き難く、更には記録層との密着性にも優れるという点で本発明を構成する保護層として適切である。
【００１８】
本発明４のように純Ａｇ又はＡｇ合金を金属反射層に用いると、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物のような硫黄を含む保護層を用いた場合、硫黄が硫化反応によってＡｇを腐食し欠陥となる不具合が生じてしまう。従って、このような反応を防止するために第三保護層を設けると良い。この第三保護層には、次の（１）〜（５）の観点から適切な材料を選定するが、好ましい具体例としてはＳｉ又はＳｉＣを主成分とする材料が挙げられる。
（１）Ａｇの硫化反応を防ぐバリヤ能力があること。
（２）レーザー光に対して光学的に透明であること。
（３）アモルファスマーク形成のため熱伝導率が低いこと。
（４）保護層や金属反射層との密着性が良いこと。
（５）形成が容易であること。
第三保護層の膜厚は、Ａｇの硫化反応を防止するため少なくとも２ｎｍ必要である。
反射層の膜厚は、通常１００〜３００ｎｍとする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ＤＶＤ８倍速相当の高速記録に適し、かつ記録材料の初期化が容易で初期化後の反射率分布が一様な相変化光記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００２０】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例や使用した初期化装置等により何ら制限されるものではない。例えば、成膜の順序が逆になる表面記録型の書換え型光記録媒体や、ＤＶＤ系に見られるような、貼り合せ用基板８に代えて樹脂保護層を介して同一又は異なる光記録媒体が互いに２枚貼り合わされた記録媒体等に対しても適用しうる。
また、図１は、実施例及び比較例として作製した相変化光ディスク（以下、光ディスクという）の概略断面図であり、レーザー光の案内溝が設けられた透明な基板１の上面に、第一保護層２、結晶と非晶質の可逆的相変化をする相変化記録層３、第二保護層４、第三保護層５、金属反射層６、樹脂保護層７を備え、最後に基板と同様な貼り合せ用基板８が貼着された層構成を有する。
【００２１】
［実施例１〜５］
基板１の上にスパッタリング法により、第一保護層２、相変化記録層３、第二保護層４、第三保護層５、金属反射層６をこの順に成膜し、その上にスピンコート法により樹脂保護層７を塗布し、更に貼り合せ用基板８を貼り合せて光ディスクを作製した。次いで、初期化装置として日立コンピュータ機器社製の‘ＰＣＲ  ＤＩＳＫ  ＩＮＩＴＩＡＬＩＺＥＲ’を使用し、上記光ディスクを一定線速度で回転させ、パワー密度１０〜２０ｍＷ／μｍ２のレーザー光を、半径方向に一定の送り量で移動させながら照射することにより初期化した。
基板１には、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製で、トラックピッチ
０．７４μｍの案内溝付き基板を用いた。第一保護層２は、厚さ６５ｎｍのＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ２（２０モル％）とした。相変化記録層３は厚さ１６ｎｍとし、Ｇａ９Ｓｂ８６Ａｇ５（実施例１）、Ｇｅ１６Ｓｂ７９Ａｇ５（実施例２）、Ｉｎ１３Ｓｂ８２Ａｇ５（実施例３）、Ｇａ９Ｇｅ３Ｓｂ８５Ａｇ３（実施例４）、Ｇａ８Ｉｎ４Ｓｂ８３Ａｇ５（実施例５）とした。第二保護層４は、厚さ１４ｎｍのＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ２（２０モル％）とした。第三保護層５は、厚さ４ｎｍのＳｉＣとした。金属反射層６は、厚さ１４０ｎｍのＡｇとした。貼り合せ用基板８は、基板１と同一の直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板を用いた。
【００２２】
［比較例１］
記録層をＧａ１０Ｓｂ９０に変更した点以外は、実施例１と同様の層構成及び製造方法で光ディスクを作製した。実施例１に比べ本比較例では記録層材料にＡｇが含まれない組成となっている。
【００２３】
［比較例２］
記録層をＧａ９Ｓｂ８１Ａｇ５Ｔｅ５に変更した点以外は、実施例１と同様の層構成及び製造方法で光ディスクを作製した。本比較例は実施例１の記録層材料にＴｅを５原子％添加したものである。
【００２４】
初期化後の各光ディスクについて、反射率分布及び記録特性を評価した。
反射率分布の評価は、光ディスクから得られるＲｆ信号の信号幅を測定することにより行った。記録特性の評価は、波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有する光ディスク評価装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）を用いて、記録線速度２８ｍ／ｓ（ＤＶＤの８倍速に相当）、線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔの条件で、ＥＦＭ＋変調方式により３Ｔシングルパターンを１０回オーバーライトしたときのＣ／Ｎ比を評価することで行った。評価基準は次の通りである。
・反射率分布の評価：現在市販されている２．４倍速記録対応ＤＶＤ＋ＲＷ（表２に比較例３として示した）の初期化後の反射率分布をおおよその基準として比較した。
また実施例１と比較例１については、初期化後の記録層の状態を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により観察し、結晶状態の違いについても評価を行った（図２参照）。
・記録特性の評価：書換え型の光ディスクシステムを実現する場合、そのＣ／Ｎ比は少なくとも４５ｄＢ以上必要であるとされており、５０ｄＢ以上あれば更に安定したシステムが実現できるとされているので、Ｃ／Ｎ比が４５ｄＢ未満の場合を「×」、４５ｄＢ以上５０ｄＢ未満の場合を「○」、５０ｄＢ以上の場合を「◎」とした。
表１〜表３に結果を纏めて示すが、実施例１〜５は何れも初期化後の反射率分布が小さく、４５ｄＢ以上の高いＣＮ比を有し良好な記録特性であった。また、初期化後の反射率分布についてのＴＥＭ観察結果は、図２に示すように、実施例１では小さな結晶粒径が均一に分布したイメージが得られたのに対し、比較例１では小さな結晶粒径と大きな結晶粒径が不均一に混在したイメージが得られ、反射率分布を生む原因となっていることが確認された。
また、比較例１の初期化後のＲｆ信号は実施例１〜５に比べて非常に幅広であり、従って初期化後の反射率が不均一で充分な初期化を行うことが困難であることが分った。
また、比較例１及び２について、実施例１と同様に記録特性の評価も行ったが、比較例１では反射率変動が大きいことが原因で、良好な特性は得られず、比較例２では実施例１に比べ記録材料の結晶化速度が低下してしまい、記録線速度２８ｍ／ｓにおける記録特性で良好な結果を得ることはできなかった。
【００２５】
【表１】
0003691501.tif 000002
【表２】
0003691501.tif 000003
【表３】
0003691501.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施例の相変化光ディスクの概略断面図。
【図２】初期化後の記録層の状態を透過電子顕微鏡により観察した結果を示す図。
【符号の説明】
【００２７】
１  プラスチック基板
２  第一保護層
３  相変化記録層
４  第二保護層
５  第三保護層
６  金属反射層
７  樹脂保護層
８  貼り合せ用基板
【図１】
0003691501.tif 000005
【図２】
0003691501.tif 000006