(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
順番に、
第１の面と該第１の面と反対側の第２の面を有し、第１電極であるシリコン基体と、
前記基体の第１の面上に配置され、バラクタの活性層であるエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層上に配置され、バラクタの誘電体である誘電層と、
前記誘電層上に配置された第２電極と、
前記第２電極上に配置された圧電層と、
前記圧電層上に配置された第３電極とを有する、
一体化されたバラクタ及び圧電デバイスであって、
前記エピタキシャル層、前記誘電層、前記第２電極、前記圧電層、及び前記第３電極は前記シリコン基体の第１の面の上方に配置されている、前記一体化されたバラクタ及び圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、音響インクプリントヘッドのための圧電デバイスと一体化されたバラクタに関する。更に詳細には、バラクタは基体上に直接配置されることでプリントヘッドと一体化されている。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
図１は従来の音響インクジェットプリントヘッドエジェクタ１００を示す。インクチャネル１１２はチャネル形成層１１０内に形成される。フレネルレンズ１０８はガラス基体１０２の表面上に形成され、チャネル形成層１１０は基体１０２に結合されているので、フレネルレンズはインクチャネル１１２内にある。インクチャネル１１２のオープニング（開口）１２２はチャネル形成層１１０の頂部表面１２０上に形成される。通常の動作中、インクはインクチャネル１１２に充填され、オープニング１２２にインク自由表面１１４を形成する。インクチャネル１１２とは反対側の基体１０２に配置された圧電デバイス３１は、二つの電極３２及び１０４且つ圧電層１０６を備える。ＲＦ源３４からの無線周波（ＲＦ）信号が電極３２と１０４の間に与えられると、圧電デバイス３１は基体１０２内に音響エネルギーを生成し、そのエネルギーはインクチャネル１１２に向けられる。フレネルレンズ１０８は、基体１０２からインクチャネル１１２へ入る音響エネルギーをインク自由表面１１４上に集束する。インクチャネル１１２内のインクはインク自由表面１１４にインクマウンド１１６を形成する。最終的に、インクマウンド１１６はインク液滴１１８になり、記録媒体に向かって移動する。
【０００３】
従来の音響インクジェットプリントヘッドにおいては、ＰＩＮダイオード又はバラクタのようなＲＦスイッチは、ＲＦ信号をオン及びオフに切り換えることによってインク射出を制御する。バラクタがＲＦスイッチとして使用されるとき、ＲＦ信号は直列に接続されるバラクタ及び圧電デバイス３１に電力を供給する。この回路では、バラクタは圧電デバイスのコンデンサスイッチとして作動する。バラクタへの制御信号の増加によってバラクタの容量がしきい値を超えて増加されると、圧電デバイス３１が作動し、インク液滴１１８がインクチャネル１１２から射出される。
【０００４】
従来は、音響インクジェットプリントヘッドはエジェクタのアレイ１００を含む。バラクタは圧電デバイス３１と同じ基体上に製造されないので、個々のバラクタはプリントヘッド基体上に配置され、ワイヤボンディングによってプリントヘッドに電気的に接続される。従って、従来のプリントヘッドの製造では望まれないアセンブリコストを受け、更に手作業でバラクタを組み立てるために空間が許容されなければならないので、高密度エジェクタプリントヘッドの製造が妨げられる。
【０００５】
図２はバラクタをプリントヘッドに一体化させるための公知の方法を示す。この音響インクエジェクタは基体１０２を含み、該基体はシリコンでもよく、音響レンズ２０８を有する。音響レンズ２０８は基体１０２からの音響エネルギーをインク自由表面１１４上に集束する。レンズ２０８は図１のフレネルレンズ１０８と同様の機能を果たす。圧電デバイス３１及びバラクタ１０はレンズ２０８とは反対側の基体１０２の表面上に形成される。圧電デバイス３１は、基体１０２上に形成された第１電極１０４、第１電極１０４上に形成された圧電層１０６、圧電層１０６上に形成された第２電極３２を備える。バラクタ１０は誘電層２１０、アモルファスシリコン（ａＳｉ）層２１２、境界（インターフェース）層２１４及び第３電極２１６を含む。
【０００６】
この一体化された音響インクジェットエジェクタ／バラクタは、図１に示されたエジェクタと同様に作動する。圧電デバイス３１は基体１０２上に直接形成され、圧電デバイス３１によって生成した音響エネルギーが基体１０２へ容易に流れることを確実にする。バラクタ１０は基体１０２の反対側の側面上の圧電デバイス３１上に形成される。
【０００７】
バラクタ１０を圧電デバイス３１上に配置するためには、最初に誘電層２１０を電極３２上に形成し、次に誘電層２１０の上に活性バラクタ層２１２を形成することが要求される。ａＳｉの処理温度は圧電層１０６によって耐えられうる温度の範囲とより適合するため、従来は、ａＳｉが活性層２１２の材料として使用されてきた。しかしながら、ａＳｉは非常に抵抗性があるため、バラクタ１０の作動周波数の範囲は音響インクジェットエジェクタ１００の作動周波数の範囲よりも下に制限される。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、高周波数で作動する同一のプリントヘッド基体上にバラクタと圧電デバイスを一体化させる。詳細には、本発明は音響インクジェットエジェクタに要求される１００−２００ＭＨｚで作動する。一体化されたバラクタ−圧電デバイスは、バラクタ及びバラクタの上に形成された圧電デバイスを備える。バラクタは第１電極であるシリコン基体を有し、その基体上にエピタキシャル層を形成し、エピタキシャル層の上にシリコンジオキサイド（ＳｉＯ2 ）層を形成し、ＳｉＯ2 層の上に第２電極を形成することによって形成される。基体、エピタキシャル層、ＳｉＯ2 層及び第２電極がバラクタを形成する。圧電デバイスは、第２電極に付着する酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような圧電層及び圧電層の上に形成された第３電極を備える。第２及び第３電極且つ圧電層が圧電デバイスを形成する。
【０００９】
本発明の音響インクジェットプリントヘッドが電気回路に含まれる場合、ＲＦ源は、ＲＦ源に基体と第３電極を接続することによって一体化されたバラクタ−圧電デバイスに電力を供給する。基体と第２電極間を接続するＤＣ制御信号源は、バラクタの容量を変調する。制御信号は、バラクタの容量を予め決められたしきい値より増加させることによって音響インクジェットプリントヘッドエジェクタを作動させる。音響インクジェットプリントヘッドエジェクタは、バラクタの容量を予め決められたしきい値より下に減少させることによって作動が止められる。
【００１０】
本発明の請求項１の態様では、一体化されたバラクタ及び圧電デバイスであって、第１表面を有するシリコン基体を有し、前記シリコン基体は第１電極であり、前記基体の第１表面上に形成されるエピタキシャル層を有し、前記エピタキシャル層はバラクタの活性層であり、前記エピタキシャル層上に形成される誘電層を有し、前記誘電層はバラクタの誘電体であり、前記誘電層上に形成される第２電極を有し、前記第２電極上に形成される圧電層を有し、前記圧電層上に形成される第３電極を有する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
これらの及び他の目的且つ利点は、図面と関連した以下の詳細な記述から明らかになるであろう。
【００１２】
図３はバラクタ／圧電デバイス１３０の第１の好適な実施の形態を示す。バラクタ１０は第１電極の役割を行うシリコン基体上に形成されたエピタキシャル層１３２、エピタキシャル層１３２上に形成されたシリコンジオキサイド（ＳｉＯ2 ）層１３４及びＳｉＯ2 層１３４上に形成された第２電極１０４を含む。圧電デバイス３１はバラクタ１０上に形成され第２電極１０４上に形成された圧電層１０６及び圧電層１０６上に形成された第３電極３２を含む。
【００１３】
バラクタ／圧電デバイス１３０は第１電極として作動する基体１０２、第２電極１０４及び第３電極３２に入力された信号に基づいて作動する。普通、ＲＦ信号は基体１０２及び第３電極を介して与えられ、制御信号は基体１０２及び第２電極１０４を介して与えられる。バラクタ／圧電デバイス１３０は直列に接続された二つのコンデンサとして作動する。バラクタ１０の容量が予め決められたしきい値より下ならばＲＦ信号は圧電デバイス３１から実効的に接続が外される。しかしながら、バラクタ１０の容量が予め決められたしきい値より上ならばＲＦ信号は圧電デバイス３１を駆動させてインク射出のために必要な音響エネルギーを生成する。
【００１４】
バラクタ１０の容量は制御信号によって制御されている。図４に示されるように、ｎドープされたエピタキシャル層１３２への制御信号が約−２０〜−３０Ｖであるとき、エピタキシャル層１３２は空乏層となり、バラクタ１０の作動は二つのコンデンサＣ１及びＣ２としてモデル化される。第１コンデンサＣ１は第２電極１０４及びＳｉＯ2 層１３４とエピタキシャル層１３２の間の境界層１３６によって形成される。第２コンデンサＣ２は境界層１３６及び基体１０２によって形成される。コンデンサＣ１、Ｃ２及びバラクタの容量値はそれぞれＣ1 、Ｃ 2及びＣV である。
【００１５】
制御信号が約−２０〜−３０Ｖであるとき、バラクタ１０の容量値ＣV は第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサＣ２が直列に接続されたときの容量に等しい。これによって、第１コンデンサＣ１の容量値Ｃ1 か第２コンデンサＣ２の容量値Ｃ 2のいずれよりも小さいバラクタ容量ＣV が導かれる。制御信号が約１０Ｖ〜２０Ｖであるとき、電極１０４は基体１０２よりも正にバイアス印加される。従って、基体１０２からの電子は電極１０４に引き寄せられ、エピタキシャル層１３２に蓄積される。これによって、エピタキシャル層１３２は抵抗性を有する。従って、図５に示されるように、制御信号が１０Ｖから２０Ｖであるとき、一体化されたバラクタ／圧電デバイスは、抵抗器Ｒに直列に接続された第１コンデンサＣ１としてモデル化される。バラクタの容量ＣV は第１コンデンサＣ１の容量Ｃ1 と実質的に同一である。
【００１６】
しかしながら、Ｒの値が大きいとコンデンサＣ１に電流が自由に流れにくくなり、バラクタ１０が低周波数でしか作動しないように制限される。図２に示されるように、これはａＳｉが活性バラクタ層２１２として使用される場合である。ａＳｉは高抵抗性を有することが知られており、活性層としてａＳｉを有するバラクタ１０は、低周波数での作動のみに制限される。
【００１７】
ａＳｉの抵抗性は非常に薄いａＳｉ層を製造することで減少されうる。しかしながら、ａＳｉの薄い層は薄い誘電層２１０も必要とする。薄い誘電層２１０によって低電圧破壊が起こり、作動電圧を音響インクジェットプリントヘッドエジェクタ１００の作動要求より下に制限する。
【００１８】
容量値Ｃ1 を非常に大きくし、容量値Ｃ 2を非常に小さくすることによって、バラクタ１０はＲＦ信号スイッチになる。制御信号がおよそ−２０Ｖ〜−３０Ｖまでのとき、バラクタ容量ＣV は非常に小さい容量であるＣ 2より小さい。ＣV が非常に小さな値であるとき、バラクタ１０は非常に少量のＲＦ信号しか伝導しないため、バラクタ１０はＲＦ信号に対し実効的にオープン回路になる。制御信号が約１０Ｖ〜２０ＶでありＲの値が小さいとき、バラクタ容量ＣV は非常に大きな容量Ｃ1 に実質的に等しい。この場合では、バラクタ１０は大量のＲＦ信号を伝導しバラクタ１０はＲＦ信号の導体となる。
【００１９】
エピタキシャル層１３２が本発明に従って使用されるとき、抵抗器Ｒの実効抵抗率はエピタキシャル層１３２のドーピングレベルを調節することによって制御されうる。エピタキシャル層の抵抗率が約１０から５０Ωｃｍであるときバラクタ１０は音響インクジェットエジェクタに要求される１００から２００ＭＨｚの範囲で容易に作動する。
【００２０】
バラクタ／圧電デバイス１３０は約−２０Ｖ〜−３０Ｖと約１０Ｖ〜２０Ｖのそれぞれの制御信号を切り換えることによってオン及びオフに切り換えられる。制御信号がおよそ−２０Ｖ〜−３０Ｖであるとき、バラクタ１０の小さな容量値はＲＦ電源に対して高インピーダンスを示し、ＲＦ電力は圧電デバイス３１に届きにくくなる。制御信号が約１０Ｖ〜２０Ｖへ上昇するとバラクタ１０の容量も急増し、ＲＦ電源を圧電デバイス３１に接続し、エジェクタ１００は少なくとも一つのインク液滴１１８を射出する。
【００２１】
勿論、エピタキシャル層１３２がｐドープされるとき、バラクタ１０をオン及びオフに切り換える制御信号は、上記に述べられたｎドープされたエピタキシャル層１３２と対照関係にある。ｐドープされたエピタキシャル層１３２に対して約２０Ｖ〜３０Ｖの制御信号がバラクタをオフに切り換え、−１０Ｖ〜−２０Ｖの制御信号がバラクタをオンに切り換える。
【００２２】
エピタキシャル層１３２が高周波バラクタ動作のための解決策を提供すると、別の問題が生じる。圧電デバイス３１によって生成される音響エネルギーの基体１０２への伝達を最大にするために、従来の音響インクジェットエジェクタの圧電デバイス３１はプリントヘッド１００の基体１０２上に直接配置された。従って、従来のデバイスでは圧電デバイス３１は基体１０２上に直接配置された。
【００２３】
しかしながら、圧電デバイス３１が基体１０２上に配置されるとバラクタ１０は圧電デバイス３１上に配置されなければならない。この配置によって別の問題が生じる。圧電層１０６は高温にされてはいけない。バラクタ１０が圧電デバイス３１上に配置されなければならないとき、エピタキシャル層１３２の品質形成には約１０００℃の温度が要求されるため、エピタキシャル層１３２は活性層として使用できない。この理由から従来の技術では、ａＳｉの処理温度が２００℃位の低さであるのでａＳｉを使用した。
【００２４】
さらに、どの非シリコン表面も優れた開始表面をエピタキシャル層１３２に提供しない。バラクタ１０を圧電デバイス３１上に形成するために誘電層２１０が最初に形成されなければならない。この誘電層２１０は、図２に示された音響インクジェットプリントヘッドエジェクタの活性バラクタ層としてのエピタキシャル層１３２の使用を更に複雑にする。
【００２５】
図６に示されるように、本発明の一体化されたバラクタ／圧電デバイス１３０の第１実施の形態では、バラクタ１０は基体１０２と圧電デバイス３１の間に直接挿入される。バラクタ１０の活性層はエピタキシャル層１３２であり、該エピタキシャル層は約５μｍ〜１０μｍの厚みで、シリコン基体１０２上に直接形成される。ＳｉＯ2 層１３４は約０．２μｍ〜０．３μｍの厚みでエピタキシャル層１３２上に付着してバラクタ誘電体を形成する。第２電極１０４は約０．１μｍ〜０．２μｍの厚みの金属層であり、ＳｉＯ2 層１３４上に形成される。基体１０２はドープされて導電体となり第１電極として作動する。従って、基体１０２、エピタキシャル層１３２、ＳｉＯ2 層１３４及び第２電極１０４がバラクタ１０を形成する。圧電層１０６は第２電極１０４上に形成され第３電極は圧電層１０６上に形成されて圧電デバイス３１が完成する。
【００２６】
上記に述べられたように、圧電デバイス３１によって生成された音響エネルギーは、基体１０２に達する前にバラクタ１０を通過して移動しなければならない。上記に示された厚みの範囲によってバラクタ１０を介した音響エネルギーの有効な伝達が達成される。
【００２７】
基体１０２は、基体１０２を導電状態に完全にドーピングするか、バラクタ／圧電デバイス１３０に充てられた、選択された領域のみをドーピングするかのいずれかによって導電性になりうる。バラクタ／圧電デバイス１３０でないデバイスが基体１０２上に形成されるときは、選択された領域のみをドーピングすることが好ましい。基体１０２を使用した論理デバイスの一体化は、本発明によって提供される利点である。
【００２８】
図７は図６に示された音響インクジェットエジェクタ１００の等価回路である。約３０〜５０Ｖ及び１００〜２００ＭＨｚで駆動信号を与えるＲＦ電源３４は、基体１０２及び第３電極３２に接続される。容量変調手段５０は、基体１０２及び第２電極１０４に接続される。ＲＦ電源３４は、バラクタ／圧電装置１３０にＲＦ電力を連続して印加する。ＤＣ制御信号源は、約−３０Ｖ〜−２０Ｖで制御信号を容量変調手段５０へ送る。容量変調手段５０はバラクタ１０に接続される。容量変調手段５０は、ノード３６で電圧を設定することによってバラクタ１０の容量を制御する。容量変調手段５０は、信号線３８を介してプリンタコントローラ（図示せず）からの命令を受け取る。受け取った命令に基づいて、容量変調手段５０は、インク射出のためにバラクタ１０の容量を予め決められたしきい値より増加させたり減少させたりするようにノード３６で電圧を設定することによって、音響インクジェットエジェクタ１００をオン又はオフに切り換える。
【００２９】
図８に示されるように、容量変調手段５０はスイッチ５６、論理回路５２及びローパスフィルター５８を含む。ＤＣ制御信号源５４はスイッチ５６に接続されて制御信号を与える。ローパスフィルター５８はＤＣ制御信号源からスイッチ５６への制御信号を通過させ、論理回路５２及びＤＣ制御信号源５４をノード３６のＲＦ信号から保護する。
【００３０】
図９に示されるように、ローパスフィルター５８は、１０〜３０ＫΩの範囲の抵抗を有する直列抵抗器ＲF 及び２０〜４０ｐｆの範囲の容量を有するシャントコンデンサＣF を備える。ノード３６のＲＦ信号はコンデンサＣF によってグランドにショートされ、スイッチ５６からの制御信号は抵抗器ＲF を介してノード３６へ送られる。
【００３１】
図８の論理回路５２は信号線３８を介してプリンタコントローラ（図示せず）からの命令を受け取る。受け取った命令に基づいて、論理回路５２はスイッチ５６をオン及びオフに切り換える。スイッチ５６がオンになると、ＤＣ制御信号源５４による制御信号出力はオンになり、ＤＣ制御信号源による制御信号出力はローパスフィルター５８に接続される。ローパスフィルター５８は制御信号をノード３６へ通過させ、インク射出のためにバラクタ１０の容量を予め決められたしきい値よりも増加させる。スイッチ５６がオフになると、制御信号はローパスフィルター５８から除去される。従って、制御信号の電圧は約−２０Ｖ〜−３０Ｖになりバラクタ１０の容量ＣV はインク射出のために予め決められたしきい値より下に低下する。
【００３２】
音響インクジェットエジェクタ素子１３１のアレイを有するプリントヘッド３００が図１０に示される。図１１に示されるように、ローパスフィルター５８はバラクタ圧電デバイス１３０に含まれて各エジェクタ素子１３１を形成する。ＲＦ電力及び制御信号は行スイッチ１５６のアレイ及び列スイッチ２５６のアレイによってそれぞれ切り換えられる。エジェクタ素子１３１はｎ個の行とｍ個の列がある。各エジェクタ素子１３１は対応する行及び列の数字によって表される。エジェクタ素子１３１1,1 は最上且つ最左のエジェクタ素子１３１であり、エジェクタ素子１３１n,m は最下且つ最右のエジェクタ素子１３１である。論理回路１５２は信号線３８を介してプリンタコントローラ（図示せず）からの命令を受け取る。各エジェクタ素子１３１は行スイッチ１５６の一つと列スイッチ２５６の一つをオンにすることによって作動する。
【００３３】
行スイッチ１５６はＲＦ電源３４とエジェクタ素子１３１の行を接続させたり接続を外したりし、列スイッチ２５６はＤＣ制御信号源５４とエジェクタ素子１３１の列を接続させたり接続を外したりする。従って、論理回路１５２は、スイッチ１５６1 及び２５６1 をオンにすることによってエジェクタ１３１1,1 を選択する。エジェクタ１３１1,1 が選択されると、ＲＦ電源は行スイッチ１５６2 〜１５６n によって接続が外されるので、列１及び行２〜ｎの他のエジェクタ素子１３１は選択されない。これらのエジェクタ素子１３１の各々のバラクタ容量ＣV がしきい値を超えても対応する圧電デバイス３１にはＲＦ電源３４からのＲＦ電力は供給されない。従って、該圧電デバイスは音響エネルギーを生成しない。これらのエジェクタ素子１３１のバラクタ１０は列スイッチ２５６2 〜２５６m によってオフに切り換えられるため、行１及び列２〜ｍのエジェクタ素子１３１も選択されない。
【００３４】
一回に一つのエジェクタ１３１だけがオンにされるという制限はない。プリントヘッド１００がどのような構造であるかによって、記録媒体を横切る一回の掃引（スイープ）が複数のエジェクタ１３１がインクを射出することを要求する複数のプリントオブジェクトをカバーする。この場合、論理回路１５２は一つの行スイッチ１５６及び複数の列スイッチ２５６をオンにしたり、一つの列スイッチ及び複数の行スイッチ１５６をオンにしたり、複数の行スイッチ１５６及び列スイッチ２５６をオンにしたりする。しかしながら、複数の行スイッチ１５６がオンになるとＲＦ信号源３４の電力要求は再考される必要がある。
【００３５】
行にＲＦ電力信号を与え、列へＤＣ制御信号を与えることによって、エジェクタ素子１３１のアレイに要求されるスイッチ１５６及び２５６の数及びＲＦ電源から要求されるピーク電力を減らすことができる。プリント中、行にはＲＦ電源１３４からのＲＦ電力信号が連続的に与えられるので、任意の一回に一行だけがＲＦ電源に接続される。ｎ個の行があるため、最大数ｍ個のエジェクタが一度にオンになりうる。従って、ＲＦ電源３４は、各プリントサイクル中にプリントヘッド上の全ての可能なｎ×ｍ個のエジェクタ１３０ではなく、多くてｍ個のエジェクタ１３０に電力を与えることができる。行と列を切り換えるようにスイッチ１５６及び２５６を構成することで、一つのエジェクタ素子１３１毎に一つのスイッチ５６を有する必要性もなくす。ｎ個の行及びｍ個の列があるので、ｎ×ｍ個ではなくてｎ＋ｍ個のスイッチのみが必要とされる。
【００３６】
勿論、一つのスイッチ１５６は各エジェクタ素子１３１又はエジェクタ素子１３１のサブセットに含まれうる。しかしながら、スイッチが追加されると音響インクジェットプリントヘッドのコストが増加する。行スイッチ１５６及び列スイッチ２５６の使用によって基体１０２の領域が一定に保たれ、プリントヘッドエジェクタ素子１３１の簡単な構造を提供する。
【００３７】
基体１０２はシリコンであるので、論理回路１５２、ローパスフィルター５８及びスイッチ１５６且つスイッチ２５６を実施するために必要なデバイスは、バラクタ／圧電デバイス１３０と同じ基体１０２上に製造される。この一体化によって、プリントヘッドと外部エレクトロニクスを接続するために必要なワイヤの数が減少し、低製造コスト及び高密度プリントヘッドが可能になる。更に、論理デバイスをプリントヘッド上に直接製造する性能は、プリントヘッド上のよりインテリジェンスな一体化を許容し、結果としてプリンタコントローラの複雑性が減少する。
【００３８】
本発明の精神及び範囲から逸脱しない限り、本発明の多くの異なった実施の形態が行われるため、本発明は、特許請求の範囲に定義された以外の特定の実施の形態に限られないことが理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の音響インクジェットエジェクタの断面図である。
【図２】公知の一体化されたアモルファスシリコンバラクタ／圧電デバイス及び音響インクジェットプリントヘッドエジェクタの断面図である。
【図３】本発明のバラクタ圧電デバイスの第１実施の形態の断面図である。
【図４】約−２０Ｖ〜−３０Ｖの制御信号での図３のバラクタの回路図である。
【図５】約１０〜２０Ｖの制御信号での図３のバラクタの回路図である。
【図６】一体化されたバラクタ／圧電デバイスを含んだ音響インクジェットエジェクタの第１実施の形態の断面図である。
【図７】バラクタ／圧電デバイス、ＲＦ電源、ＤＣ制御電圧源及び容量変調手段のブロック図である。
【図８】容量変調手段のブロック図である。
【図９】ローパスフィルターの回路図である。
【図１０】プリントヘッドのエジェクタのアレイのブロック図である。
【図１１】エジェクタ素子の回路図である。
【符号の説明】
１０    バラクタ
３２    第３電極
１００    音響インクジェットプリントヘッドエジェクタ
１０２    シリコン基体
１０４    第２電極
１３０    バラクタ／圧電デバイス
１３２    エピタキシャル層
１３４    エピタキシャル層
【図１】
0003667831.tif 000002
【図２】
0003667831.tif 000003
【図３】
0003667831.tif 000004
【図４】
0003667831.tif 000005
【図５】
0003667831.tif 000006
【図６】
0003667831.tif 000007
【図７】
0003667831.tif 000008
【図８】
0003667831.tif 000009
【図９】
0003667831.tif 000010
【図１０】
0003667831.tif 000011
【図１１】
0003667831.tif 000012