(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上におけるレーザー光の有効スポット径（以下、有効ＬＤスポット径と記す）と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭冷却パルスから最後尾冷却パルスまでの累積長を変化させるようにし、マルチパルス発光によりｙＴ長のマークを記録する際に、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより小さい場合には、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個の後部加熱パルスと後部冷却パルスを先頭加熱パルスと最後尾冷却パルスの間に繰返し発光させ、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより大きい場合には、ｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パルスと後部冷却パルスを先頭加熱パルスと最後尾冷却パルスの間に繰返し発光させることを特徴とする情報記録方式。
【請求項２】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上におけるレーザー光の有効スポット径（以下、有効ＬＤスポット径と記す）と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭冷却パルスから最後尾冷却パルスまでの累積長を変化させるようにし、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が最短長ｘＴのマークより小さい場合には、有効ＬＤスポット径と最短長ｘＴのマークの差が大きくなるにつれて先頭冷却パルスあるいは最後尾冷却パルスの幅が長くなるように変化させ、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が最短長ｘＴのマークより大きい場合には、有効ＬＤスポット径と最短長ｘＴのマークの差が小さくなるにつれて先頭冷却パルスあるいは最後尾冷却パルスの幅が長くなるように変化させることを特徴とする情報記録方式。
【請求項３】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差と変化させるようにし、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより小さい場合には、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも大きくなるように設定することを特徴とする情報記録方式。
【請求項４】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差と変化させるようにし、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより大きい場合には、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも小さくなるように設定することを特徴とする情報記録方式。
【請求項５】
請求項１から４の何れか一つに記載の情報記録方式において、前記記録媒体の記録層が、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなることを特徴とする情報記録方式。
【請求項６】
請求項１から５の何れか一つに記載の情報記録方式を用いた情報記録再生装置において、単一あるいは複数の光学系を有する光ピックアップを備え、該光ピックアップにより、前記記録媒体上における単一あるいは複数の有効ＬＤスポット径を有する半導体レーザー（ＬＤ）光源を用いて、複数の記録線密度の記録を行なうことを特徴とする情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体（光ディスク等）上に情報を光源からのレーザー光により記録する情報記録方式、及びその情報記録方式を用いた書き替え型光ディスクドライブ装置等の情報記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マルチメディアの普及に伴い音楽用ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭなどの再生専用メディア（記録媒体）や情報再生装置が実用化されている。また最近では、色素メディアを用いた追記型光ディスクや、光磁気（ＭＯ）メディアを用いた書き替え可能なＭＯディスクの他に相変化型メディアも注目されており、これらの記録媒体を用いた情報記録再生装置が実用化されている。尚、相変化型メディアは記録材料を結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化させて情報を記録するものである。また、相変化型メディアは、ＭＯメディアなどと異なり外部磁界を必要とせず半導体レーザーからなる光源からのレーザー光だけで情報の記録、再生ができ、かつ、情報の記録と消去がレーザー光により一度に行なわれるオーバーライト記録が可能である。
【０００３】
相変化型メディアに情報を記録するための一般的な記録波形としては例えばＥＦＭ（Ｅight Ｆourteen Ｍodulation）変調コードなどに基づいて生成した単パルスの半導体レーザー発光波形があるが、この記録波形による単パルス記録では、蓄熱のため記録マークが涙状に歪みを生じたり、冷却速度が不足してアモルファス相の形成が不十分となり、レーザー光に対して低反射率の記録マークが得られないなどの問題がある。
【０００４】
このため、相変化メディアに情報を記録する従来の記録方式は、図１２に示すようにＥＦＭ変調コードなどの記録データに基づいて生成した多段の記録パワーを用いたマルチパルス波形のレーザー光により相変化型メディアにマークを形成することで上記の問題を防止している。このマルチパルス波形のマーク部は、相変化型メディアの記録膜を融点温度以上に十分に予備加熱するための先頭加熱パルスＡと、後続する複数個の連続加熱パルスＢと、それらの間の連続冷却パルスＣからなっており、先頭加熱パルスＡの発光パワーをＰｗａ、加熱パルスＢの発光パワーをＰｗｂ、冷却パルスＣの発光パワーをＰｗｃ、リードパワーをＰｒとすれば、それぞれの発光パワーは、
Ｐｗｂ≧Ｐｗａ＞Ｐｗｃ≒Ｐｒ
に設定されている。また、マルチパルス波形のスペース部はイレースパルスＤからなり、その発光パワーＰｅｄはＰｗａ＜Ｐｅｄ＜Ｐｗｃに設定されている。
このように記録波形をマルチパルス発光波形とすることで、相変化型メディアのマーク部は加熱パルスＡ，Ｂと冷却パルスＣによる加熱→冷却の急冷条件によりアモルファス相が形成され、スペース部はイレースパルスＤによる加熱のみの徐冷条件により結晶相が形成されるため、アモルファス相と結晶相とで十分な反射率差が得られている。
【０００５】
また、情報記録方式としてはマークポジション（ＰＰＭ）記録方式とマークエッジ(ＰＷＭ：Ｐulse Ｗidth Ｍodulation）記録方式があるが、最近では高密度化に対応できるマークエッジ記録方式が用いられるようになっている。相変化型メディアにマークエッジ記録方式で情報を記録する場合、記録マークの両エッジに情報を持たせるため、相変化型メディアは記録マークで十分な加熱と急冷を行なってマーク前後のエッジ部を鮮明に形成することが重要である。したがって、相変化型メディアのチルトや半導体レーザーの発光パワー変動等を考慮して記録パワーを高めに設定している。また、最近の高密度化に伴い、短波長レーザーや高ＮＡ対物レンズによる小スポットを用いてメディアに微小マークを形成するようになってきている。しかし、レーザー光によるメディア媒体面での記録スポットの有効スポット径と最短マーク長が接近してくると、従来の基本記録波形では、最短マークが長く形成されるため、イレースパワーを高くすることでマークの後エッジを短く形成するような設定としている。
【０００６】
尚、情報記録方式の従来技術として、特開昭６３−２６６６３３号公報には、光ディスクにデータの記録を行なうときに、マークの始端部と終端部の光照射エネルギーを中間部より大きくし、これを光照射時間や光照射パワーを変化させることで行なう光情報記録方法が記載されている。また、特公平５−３２８１１号（特開昭６３−１１３９３８号）公報には、相変化型光ディスクにデータの記録を行なうとき、レーザー光のパワーレベルを、相変化型光ディスクの記録膜の結晶化パワーから記録膜の溶融する記録パワーに高めた後、結晶化パワーより低いパワーレベルに瞬時に低減させる情報の光学的記録方法が記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
前述した従来の情報記録方式では、相変化型メディアのチルトや半導体レーザー（ＬＤ）の発光パワー変動等を考慮しながら記録時の加熱やイレースパワーを変化させて設定している。しかしながら、加熱やイレースパワーを高くすると記録膜の劣化が著しくなりオーバーライト特性の低下が顕著になったり、マーク長に応じて蓄熱状態が異なってエッジシフトが増大し再生信号のジッタが悪化するといった問題や半導体レーザーの寿命低下が起こっている。また、加熱パワーを低くすると加熱不足によりアモルファス相が形成されず、イレースパワーを低くすると消し残りによりジッタが悪化してオーバライトできなくなる。これらの問題は図１３のオーバーライト回数の記録パワー依存性から明らかであり、常に適正なパワーにより記録しなければならない。
【０００８】
本発明者らは先に、マークのエッジ部を鮮明に形成しながら平均記録パワーの低減を図ることにより光源の高寿命化とオーバーライト特性の向上や、マーク長に応じた蓄熱によるエッジシフトの防止、ジッタの低減を図ることができる情報記録方式として、光ディスクにデータの記録を行なうとき、先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーをその他の加熱パルスより大きくする、もしくは先頭加熱パルス直後の先頭冷却パルスの発光パワーを、後続するその他の冷却パルスより低くする、もしくは後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスの発光パワーを前述の後半部分の先頭加熱パルスと略等しく大きくする、もしくは後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルス直後の最後尾冷却パルスの発光パワーをその他の冷却パルスより低くする等の手段を備えた情報記録方式を提案した（特願平７−２６６６５２号）。
本発明は、前記従来技術の問題を解決するために上記先願の情報記録方式をさらに改良したものであり、各請求項記載の発明の目的は以下の通りである。
【０００９】
請求項１〜４の発明では、相変化型光ディスク等の記録媒体上での半導体レーザー（ＬＤ）光のスポット径と最短長のマークあるいはスペースの大小に応じて記録波形の累積長やパルス幅または部分的な発光パワーを変化させることにより、マークエッジ部の長さを正確に制御して形成し、マークの増大や減少によるエッジシフトを防止することができる情報記録方式を提供し、さらには、記録パワーやイレースパワーの増減を最小限に抑えて高密度記録から低密度記録までを対応させることができ、半導体レーザーの高寿命化とオーバーライト特性の向上やイレース不足によるジッタの悪化を防止することのできる情報記録方式を提供することを目的とする。
【００１０】
また、請求項５の発明では、請求項１〜４までの情報記録方式によるオーバライト特性の向上やジッタ低減を効果的に発揮することが可能な記録媒体を得ることを目的とする。
【００１１】
また、請求項６の発明では、単一あるいは複数の光学系を有する光ピックアップを用いて、前述の請求項１〜５の発明を適用することで記録変調方式あるいは記録線密度の異なる記録を行なうことができ、多種の規格に対応した互換性を有する情報記録再生装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上におけるレーザー光の有効スポット径（以下、有効ＬＤスポット径と記す）と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭冷却パルスから最後尾冷却パルスまでの累積長を変化させるようにし、マルチパルス発光によりｙＴ長のマークを記録する際に、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより小さい場合には、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個の後部加熱パルスと後部冷却パルスを先頭加熱パルスと最後尾冷却パルスの間に繰返し発光させ、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより大きい場合には、ｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パルスと後部冷却パルスを先頭加熱パルスと最後尾冷却パルスの間に繰返し発光させるようにしたものである。
【００１４】
請求項２記載の発明は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上におけるレーザー光の有効スポット径（以下、有効ＬＤスポット径と記す）と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭冷却パルスから最後尾冷却パルスまでの累積長を変化させるようにし、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が最短長ｘＴのマークより小さい場合には、有効ＬＤスポット径と最短長ｘＴのマークの差が大きくなるにつれて先頭冷却パルスあるいは最後尾冷却パルスの幅が長くなるように変化させ、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が最短長ｘＴのマークより大きい場合には、有効ＬＤスポット径と最短長ｘＴのマークの差が小さくなるにつれて先頭冷却パルスあるいは最後尾冷却パルスの幅が長くなるように変化させるようにしたものである。
【００１５】
請求項３記載の発明は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差と変化させるようにし、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより小さい場合には、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも大きくなるように設定したものである。
【００１７】
請求項４記載の発明では、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差と変化させるようにし、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより大きい場合には、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも小さくなるように設定したものである。
【００１８】
請求項５記載の発明では、請求項１から４の何れか一つに記載の情報記録方式において、前記記録媒体の記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなるようにしたものである。
【００１９】
請求項６記載の発明では、請求項１から５の何れか一つに記載の情報記録方式を用いた情報記録再生装置において、単一あるいは複数の光学系を有する光ピックアップを備え、該光ピックアップにより、前記記録媒体上における単一あるいは複数の有効ＬＤスポット径を有するＬＤ光源を用いて、複数の記録線密度の記録を行なうようにしたものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図示の実施例により詳細に説明する。
【００２１】
（１）実施例１（請求項１の説明）．
図１，２は請求項１記載の情報記録方式の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
本実施例は、ＣＤ−ＲＯＭフォーマットのコードデータを、相変化型メディア（例えば相変化型光ディスク）の記録層に記録（オーバライト）する情報記録再生装置の情報記録方式の例であり、データ変調方式としてＥＦＭ（Ｅight Ｆourteen Ｍodulation）変調コードを用いてマークエッジ(ＰＷＭ：Ｐulse Ｗidth Ｍodulation）記録を行なっている。本発明ではこのようなメディアと記録データを用いて、半導体レーザー（ＬＤ：Ｌaser Ｄiode）をマルチパルス発光させて記録マークを形成することにより情報の記録を行なう。尚、図１，２において、マルチパルス発光波形のマーク部は、相変化型メディアの記録膜（記録層）を融点温度以上に十分に予備加熱するための先頭加熱パルスＡと、後続する複数個の連続加熱パルスＢと、それらの間の連続冷却パルスＣ，Ｃｒからなっている。また、マルチパルス波形のスペース部はイレースパルスＤからなっている。
【００２２】
情報記録再生装置（図示を省略）は、記録時には、光強度制御手段にてＥＦＭ変調コードからなる記録データに基づいてパルス制御信号を生成し、半導体レーザー駆動回路でそのパルス制御信号に応じた駆動電流により、例えば後述する図１１に示す構成の光ピックアップの半導体レーザー（ＬＤ）光源１を駆動して図１，２に示すようなマルチパルスの光を発光させ、相変化型光ディスク７をスピンドルモータで回転させて光ピックアップにて半導体レーザ（ＬＤ）光源１からのマルチパルスの光を光学系を介して相変化型光ディスク７の記録層７ａに照射することで、相変化型光ディスク７に記録マークを形成して情報の記録を行なう。また、この情報記録再生装置では、再生時には、半導体レーザー駆動回路で半導体レーザー（ＬＤ）光源１を駆動して再生パワー（リードパワー）で発光させ、光ピックアップにて半導体レーザー（ＬＤ）光源１からの再生パワーの光を光学系を介して相変化型光ディスク７に照射し、その反射光を光学系を介して受光手段１０で受光し、光電変換して再生信号を得る。
【００２３】
上記ディスク媒体等の相変化型メディアに記録を行なう場合、メディア板面上での有効ＬＤスポット径ωは、光ピックアップのＬＤ波長をλ、開口数をＮＡとすると、
ω≒ｋ×λ／ＮＡ
と表わすことができる。
また、ＥＦＭ変調コードを用いた記録データとして、本実施例ではチャネルクロック周期を１Ｔとして、最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴ（ｙ≧ｘ）の複数のマーク及びスペースを用いてＰＷＭ記録を行なうが、このとき、最短長マークｘＴにおける理想的な最短マーク長をＭＬとすると、有効ＬＤスポット径ωがω＜ＭＬの場合は、図１に示すように、マルチパルス発光によりｙＴ長のマークを記録する際に、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと最後尾冷却パルスＣｒの間に繰返し発光するようにしている。すなわち、図１の例のように、最短マークが３Ｔの場合に、５Ｔマークを記録する場合、ｘ＝３、ｙ＝５であり、ｎ＝３個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと最後尾冷却パルスＣｒの間に繰返し発光される。また、このとき、加熱パワー及びイレースパワー値は、オーバーライト特性やジッタ特性が良好となるように設定し、かつ、記録マークあるいはスペースのエッジシフトが最小となる最後尾冷却パルス幅を設定している。
【００２４】
次に、ω＞ＭＬの場合は、図２に示すように、マルチパルス発光によりｙＴ長のマークを記録する際に、ｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと最後尾冷却パルスＣｒの間に繰返し発光するようにしている。すなわち、図２の例のように、最短マークが３Ｔの場合に、５Ｔマークを記録する場合、ｘ＝３、ｙ＝５であり、ｎ＝２個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと最後尾冷却パルスＣｒの間に繰返し発光される。また、３Ｔマークを記録する場合は、３Ｔマークが最短長マークであるためｎ＝０となり、マルチパルス波形は、先頭加熱パルスＡと１個の冷却パルスＣ（最後尾冷却パルス）となる。尚、以上の制御のとき、加熱パワー及びイレースパワーはω＜ＭＬの場合とほぼ同一値となりオーバーライト特性やジッタ特性は良好である。しかし、ω＞ＭＬの場合に前述のｎ＝ｙ−ｘ＋１個のマルチパルス発光により記録を行なうと、記録マーク長が理想長より長く形成されるため、マークの後ろエッジを短く補正するためにイレースパワーを約１〜２ｍＷ程度大きくしなければならなくなり、オーバーライト特性が顕著に悪化する。このため、有効ＬＤスポット径ωと最短長マークｘＴの最短マーク長ＭＬとの大小関係に応じて、ω＜ＭＬの場合は図１のようにｎ＝ｙ−ｘ＋１個のマルチパルス発光により記録を行ない、ω＞ＭＬの場合は図２のようにｎ＝ｙ−ｘ個のマルチパルス発光により記録を行なうように制御する。
【００２５】
次に具体例としては、λ＝６８０ｎｍでｋ≒０．４５の特性を有する光ピックアップを用いてＮＡ＝０．４と０．６の対物レンズを線密度に応じて切り替えて記録する場合などが考えられる。この光ピックアップにおいて、ＣＤ密度（ＭＬ＝０．９μｍ相当）をＮＡ＝０．４の対物レンズを用いて記録すると、有効ＬＤスポット径はω≒０．７６５μｍであり、ω＜ＭＬとなるため、図１に示すように、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個のマルチパルス発光により記録を行なっている。尚、イレースパワーはオーバーライト特性が良好な６ｍＷで、かつ、最後尾冷却パルス幅は０．５Ｔとしている。
次に上記光ピックアップにおいて、高密度（ＭＬ＝０．４３μｍ相当）をＮＡ＝０．６の対物レンズを用いて記録すると、有効ＬＤスポット径はω≒０．５１０μｍであり、ω＞ＭＬとなるため、図２に示すように、ｎ＝ｙ−ｘ個のマルチパルス発光により記録を行なっている。尚、イレースパワーはオーバーライト特性が良好な５ｍＷで、かつ、最後尾冷却パルス幅は０．５Ｔとしている。
【００２６】
このように発光波形の累積長を切り替えることで加熱パワーやイレースパワーを必要以上に大きくすることなく、異なった線密度の記録が可能となり、記録膜の劣化を防止できる。よって、オーバーライト特性の悪化を防ぐことができる。尚、有効ＬＤスポット径の大きさにより加熱到達温度が異なるため、イレースパワーの最適値は一値に決まるものではない。また、各ｋ、λ、ＮＡやＭＬの設定値は代表的な値を示しており、実際には使用する光ピックアップの設計値や変調方式及び線密度による最短長などによって最適化されたωやＭＬの値を適用するものである。
【００２７】
（２）実施例２（請求項２の説明）．
図３，４及び図５，６は請求項２記載の情報記録方式の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
本実施例におけるコードデータやデータ変調方式などの記録方式は実施例１と同一である。
【００２８】
実施例１では、記録波形の累積長がω＜ＭＬの場合とω＞ＭＬの場合で１Ｔだけ変化させているが、ωとＭＬの差が小さい場合や大きい場合などは記録マーク長が理想長とずれることが考えられる。
そこで本実施例では、これらのずれを補正し、より理想的な記録マーク長を得ることを可能とするものである。
【００２９】
本実施例では、実施例１と同様の光ピックアップでＮＡ＝０．４を用いて記録を行ない、ω＜ＭＬの場合、ｙＴ長のマークでは、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと最後尾冷却パルスＣｒの間に繰返し発光するようにしている。このうち、図３に示すように、ωとＭＬの差が小さいとき、例えばＣＤ７４分の密度（ＭＬ＝０．８３μｍ相当）のとき、最後尾冷却パルス幅を０．２５Ｔとしている。また、図４に示すように、ωとＭＬの差が大きいとき、例えばＣＤ６３分の密度（ＭＬ＝０．９７μｍ相当）のとき、最後尾冷却パルス幅を０．７５Ｔとしている。ここで、図３と図４の最後尾冷却パルス幅の差は０．５Ｔであり、最短マーク長ＭＬの差とほぼ一致させている。このような波形とすることで、加熱パワー及びイレースパワーはどちらの記録密度であっても同一値となり、オーバーライト特性が変化することがなく、ジッタ特性も良好である。
【００３０】
次に、ＮＡ＝０．６を用いて記録を行ない、ω＞ＭＬの場合、ｙＴ長のマークでは、ｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと最後尾冷却パルスＣｒの間に繰返し発光するようにしている。このうち、図５に示すように、ωとＭＬの差が大きいとき、例えばＭＬ＝０．４μｍ相当のとき、最後尾冷却パルス幅を０．２５Ｔとしている。また、図６に示すように、ωとＭＬの差が小さいとき、例えばＭＬ＝０．４７μｍ相当のとき、最後尾冷却パルス幅を０．７５Ｔとしている。ここで図５と図６の最後尾冷却パルス幅の差は０．５Ｔであり、最短マーク長ＭＬの差とほぼ一致させている。この場合、累積長を短く設定することができ、より高密度記録を行なうときに適している。また、このような波形とすることで、実施例１よりも累積長を細かく設定することができ、加熱パワー及びイレースパワーはどちらの記録密度であっても同一値となり、オーバライト特性が変化することがなく、ジッタ特性も良好である。尚、ここでは最後尾冷却パルスＣｒを変化させているが先頭冷却パルスＡであっても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００３１】
このように、先頭冷却パルスＡあるいは最後尾冷却パルスＣｒの幅を変化させることで異なった有効ＬＤスポット径を有する光ピックアップを用いたり、異なった記録密度の記録を行なっても、加熱パワーやイレースパワーを必要以上に変化させることなく設定できるため、オーバーライト特性やジッタ特性の悪化を防止することが可能である。
尚、実際には使用する光ピックアップの各ｋ、λ、ＮＡなどの設計値、及び変調方式や線密度から算出される最短長などによって、最適化されたωやＭＬの値を適用するものである。
【００３２】
（３）実施例３（請求項３の説明）．
図７は請求項３記載の情報記録方式の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
本実施例におけるコードデータやデータ変調方式などの記録方式は実施例１や２と同一である。
【００３３】
一般的に、相変化メディアにＰＷＭ記録を行なう場合、再生信号のジッタ特性を良好にするため加熱パルスの発光パワーを高く設定することが多いが、オーバーライト特性を良好にするには逆に発光パワーを低く設定することが多い。したがって、実際には両方のバランスを取りながら設定しているため、それぞれの最適値での記録は困難であった。本実施例は、オーバーライト特性の向上に効果があり、ここでは、レーザー光源の記録スポット径が最短長ｘＴのマークより小さい場合に特に有効となる記録方式について説明する。
【００３４】
本実施例におけるマルチパルス発光波形は、図７のように先頭加熱パルスＡを前半部分Ａｆと後半部分Ａｒに２分して、その後半部分Ａｒの発光パワーを従来より高く設定し、逆に前半部分Ａｆは従来より低く設定している。また、最後尾加熱パルスＢｒの発光パワーもパルスＡｒと同様に高く設定している。すなわち本実施例では、先頭加熱パルスＡを前半と後半に２分した後半部分Ａｒの先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルスＣの発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスＢｒとその直後の最後尾冷却パルスＣｒとの発光パワーの差を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも大きくなるように設定している。
具体的には、実施例１と同様の光ピックアップを用いてＮＡ＝０．４での記録を行ない、有効ＬＤスポット径ωがω＜ＭＬの場合、ｙＴ長のマークでは、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個のマルチパルス発光を行ない、かつ、ωとＭＬの差が大きいとき、例えばＣＤ６３分の密度（ＭＬ＝０．９７μｍ相当）のとき、最後尾冷却パルス幅を０．７５Ｔとしている。ここで、前述のマルチパルス波形の各発光パワーの設定値は、
Ａｆ部＝１１ｍＷ，Ａｒ部＝１３ｍＷ，Ｂ部＝１１ｍＷ，Ｂｒ部＝１３ｍＷ，Ｃ（Ｃｒ）部＝１ｍＷ（≒リードパワー），Ｄ部＝６ｍＷ（イレースパワー）としている。
【００３５】
このような記録波形とすることで、マークの前エッジ及び後ろエッジに相当する加熱→冷却の発光パワーの差は、従来の１１ｍＷから１２ｍＷに増大してより良好な急冷条件となるため、マークエッジの形成がより鮮明になっていると考えられる。このときのジッタσ／Ｔｗ（Ｔｗ：ウィンドウ幅）は、従来よりも約２％低減できている。また、ジッタσ／Ｔｗの許容値を満足するオーバーライト回数は、マーク記録時の平均発光パワーが低減できているため、従来と比べて約１．５倍に向上している。また、ω＜ＭＬの場合で、ωとＭＬの差が小さいとき、例えばＣＤ７４分密度（ＭＬ＝０．８３μｍ相当）のとき、本実施例の方法を用いると、線密度が高くなった分、ジッタ低減の効果が少なくなるが、オーバーライト特性は同様に向上している。
【００３６】
ここで、本実施例では、マークの前後エッジ部に相当するＡｒ部とＢｒ部を変化させたが、どちらか一方でもよく、相変化型メディアの記録特性に合わせればよいことは言うまでもない。尚、各発光パワーの設定値は代表的な値を示しており、実際には記録材料やメディア相構成などによって最適化された値を適用するものである。
【００３７】
（４）実施例４（請求項４の説明）．
図８は請求項４記載の情報記録方式の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
本実施例におけるコードデータやデータ変調方式などの記録方式は実施例１や２と同一である。
【００３８】
一般的に、相変化メディアにＰＷＭ記録を行なう場合、有効ＬＤスポット径に対して最短長のマークが小さくなると、記録されたマーク長は理想長より長くなるため、イレースパワーを高く設定してマークの後ろエッジを短く形成し、理想長に補正している。しかしイレースパワーを高くすると記録膜の劣化が著しくなりオーバーライト特性が悪化する。そこで、本発明では実施例１，２のように、オーバーライト特性の悪化を防止するためイレースパワーを高くしないで、マークを形成するためのマルチパルス発光波形の累積長を変化させている。しかしながら、先頭冷却パルスや最後尾冷却パルスの幅を０．２５Ｔよりさらに短く設定していくと、十分な冷却時間が確保できなくなり、エッジ部が不明瞭となりジッタ特性が悪化する。本実施例は、ジッタ特性の悪化の防止に効果があり、レーザー光源の記録スポット径が最短長ｘＴのマークより大きい場合に特に有効となる記録方式について説明する。
【００３９】
本実施例におけるマルチパルス波形は、図８のように先頭加熱パルスＡを前半部分Ａｆと後半部分Ａｒに２分して、その後半部分Ａｒの発光パワーを従来より低く設定し、先頭加熱パルスの前半部分Ａｆと最後尾を除いた加熱パルスＢの発光パワーは従来と同一とした。また、最後尾加熱パルスＢｒの発光パワーもパルスＡｒと同様に低く設定している。すなわち本実施例では、先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分Ａｒの先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルスＣの発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスＢｒとその直後の最後尾冷却パルスＣｒとの発光パワーの差を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも小さくなるように設定している。
具体的には、実施例１と同様の光ピックアップを用いてＮＡ＝０．６での記録を行ない、有効ＬＤスポット径ωがω＞ＭＬの場合、ｙＴ長のマークでは、ｎ＝ｙ−ｘ個のマルチパルス発光を行ない、かつ、ωとＭＬの差が大きいとき、例えば高密度（ＭＬ＝０．４μｍ相当）のとき、最後尾冷却パルス幅を０．２５Ｔとしている。ここで、前述のマルチパルス波形の各発光パワーの設定値は、
Ａｆ部＝Ｂ部＝１２ｍＷ，Ａｒ部＝Ｂｒ部＝１０．５ｍＷ，
Ｃ（Ｃｒ）部＝１ｍＷ（≒リードパワー），Ｄ部＝６ｍＷ（イレースパワー）としている。
【００４０】
このような記録波形とすることで、マークの前エッジ及び後ろエッジに相当する加熱→冷却の発光パワーの差は、従来の１１ｍＷから９．５ｍＷに減少して前後エッジが短くなるように形成される。これによりマークエッジの形成は冷却条件としては不鮮明になると考えられるが、冷却時間を確保できるため、トータルとしてのジッタ特性は従来より低減されている。このときのジッタσ／Ｔｗ（Ｔｗ：ウィンドウ幅）は、従来よりも約１．５％低減できている。また、オーバーライト回数は、マーク記録時の平均発光パワーが若干低減できているため、従来と比べて約１．１倍に向上している。また、ω＞ＭＬの場合で、ωとＭＬの差が小さいとき、本実施例の方法を用いると、線密度が低くなった分、ジッタ特性の低減の効果が少なくなるが、オーバーライト特性と共に従来方式より向上している。尚、各発光パワーの設定値は代表的な値を示しており、実際には記録材料やメディア相構成などによって最適化された値を適用するものである。また、本実施例では、マークの前後エッジ部に相当するＡｒ部とＢｒ部を変化させたが、どちらか一方でもよく、相変化型メディアの記録特性に合わせればよいことは言うまでもない。
【００４１】
（５）実施例５（請求項５の説明）．
従来から用いられている相変化型メディアの記録層として、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ系、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ系、Ｓｂ−Ｓｅ系、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｓｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系などがある。
【００４２】
本実施例では、請求項１から４の情報記録方式における相変化型メディアの記録層として、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料を用いている。この記録材料を用いた相変化型メディアにデータの記録をするとき、加熱→冷却による急冷条件に対してアモルファス形成の依存性が高いため、マークの前後エッジ部に相当する加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差の大小によりエッジ部の形状や大きさが左右される。したがって請求項３，４の記録方式に対して、マークの前後エッジ部の形状や大きさの制御が容易である。また、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料を用いた場合、先頭冷却パルスＡから最後尾冷却パルスＣｒまでの累積長に対する形成されたマーク長との関係は、図９に示すように、ほとんど直線的に一致するという傾向があり、レーザー光の有効ＬＤスポット径ωと最短マーク長ＭＬに対して、マルチパルス波形の累積長を変化させることで、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料がマーク長を制御しやすいということがわかる。また、図１０に示すように、イレースパワーや累積長の大きさにより全てのデータ長が均一にエッジシフトを生じるため正確な制御が可能となる。尚、他の記録材料においても、半導体レーザーの発光パワーとジッタ特性及びオーバーライト特性の関係や、記録パルス幅とマーク長の関係は基本的に同じであるため、本記録方式が効果的であることは言うまでもない。
【００４３】
（６）実施例６（請求項６の説明）．
本実施例は請求項１から５の何れか一つに記載の情報記録方式を用いた情報記録再生装置を提供するものである。図１１（ａ）は本実施例における情報記録再生装置の光ピックアップの構成例を示す図であって、図中の符号１は半導体レーザー（ＬＤ）からなる光源、２はコリメートレンズ、３は偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）、４はλ／４板、５はアパーチャ、６は対物レンズ、７は相変化型メディアである相変化型光ディスク、７ａは相変化型光ディスクの実施例５に示した記録材料からなる記録層、８は検出系集光レンズ、９はシリンドリカルレンズ、１０は受光素子である。
【００４４】
図１１（ａ）において、半導体レーザー（ＬＤ）光源１は波長λ＝６８０ｎｍの短波長レーザーを出射し、該光源１から出射されたレーザー光はコリメートレンズ２により平行光となり、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）３により相変化型光ディスク７の方向に反射され、λ／４板４を通過して円偏光となり、アパーチャ部５を通過して、対物レンズ６に入射し、光ディスク７の記録層上のメディア板面でスポット状に集光する。そしてメディア板面で反射された光は対物レンズ６を通過して平行光となり、再びλ／４板４を通過することで、偏光ビームスプリッタ３を透過し、検出系集光レンズ８で集光し、シリンドリカルレンズ９を通過して受光素子１０に入射し、受光素子１０で光電変換されて再生信号が得られる。
【００４５】
本実施例の情報記録再生装置では、このような構成の光ピックアップを用いて記録線密度の異なる記録を行なうために、前記アパーチャ５により、対物レンズ６に入射するレーザー光の径を可変する。例えば、ＮＡ＝０．６の対物レンズを用いる場合は、アパーチャ５を光路外に出してアパーチャが無い状態にし、レーザー光を絞らずに高密度記録を行ない、ＮＡ＝０．４とする場合には、アパーチャ５を光路内に挿入してアパーチャ５によりレーザー光を絞る。すなわち、対物レンズ６の開口数ＮＡをアパーチャ５の有・無により変えることで、ディスク板面上での有効ＬＤスポット径を切り替えることができ、２つの有効ＬＤスポット径のＬＤ光源を得ることができる。よって、例えば、ＮＡ＝０．６に切り替えてＭＬ＝０．５３μｍやＭＬ＝０．４７μｍでの線密度を記録する場合や、ＮＡ＝０．４に切り替えてＭＬ＝０．９７μｍやＭＬ＝０．８３μｍでの線密度を記録する場合は、実施例１〜４に記載の情報記録方式を用いることで、加熱パワーやイレースパワーを必要以上に変化させることなく良好なジッタ特性とオーバーライト特性をすべての線密度の記録において得ることが可能となる。
【００４６】
尚、図１１（ａ）の実施例では、アパーチャ５により対物レンズの開口数ＮＡを切り替える構成を示したが、図１１（ｂ）の部分図に示すように開口数ＮＡの異なる２個の対物レンズ６ａ，６ｂを用いて切り替える構成にしてもよいし、図１１（ｃ）の部分図に示すように対物レンズ６とホログラム１１（あるいはプリズム）を用いた２焦点対物レンズを用いてもよいし、さらには、開口数ＮＡは変えずに波長の異なる２個の半導体レーザーを用いて切り替える構成としてもよく、上記と同様の作用効果を得ることができる。
【００４７】
以上、本発明の各請求項に対応した実施例について説明したが、図１〜８に示した動作タイミングの説明図及び従来例の図１２に示した動作タイミングの説明図における記録マーク及び有効スポット径は、記録データとの長さの整合性を示すものであり、実際の形状や大きさを表わしている訳ではない。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１記載の発明によれば、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭冷却パルスから最後尾冷却パルスまでの累積長を変化させるようにし、マルチパルス発光によりｙＴ長のマークを記録する際に、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより小さい場合には、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個の後部加熱パルスと後部冷却パルスを先頭加熱パルスと最後尾冷却パルスの間に繰返し発光させ、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより大きい場合には、ｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パルスと後部冷却パルスを先頭加熱パルスと最後尾冷却パルスの間に繰返し発光させるようにしたので、加熱パワーやイレースパワーを必要以上に大きくすることなく、理想長のマークを形成することができる。よって、記録膜が劣化することなく、異なった線密度の記録が可能となり、オーバーライト特性の悪化を防止することができる。
【００５０】
請求項２記載の発明によれば、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上におけるレーザー光の有効スポット径（以下、有効ＬＤスポット径と記す）と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭冷却パルスから最後尾冷却パルスまでの累積長を変化させるようにし、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が最短長ｘＴのマークより小さい場合には、有効ＬＤスポット径と最短長ｘＴのマークの差が大きくなるにつれて先頭冷却パルスあるいは最後尾冷却パルスの幅が長くなるように変化させ、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が最短長ｘＴのマークより大きい場合には、有効ＬＤスポット径と最短長ｘＴのマークの差が小さくなるにつれて先頭冷却パルスあるいは最後尾冷却パルスの幅が長くなるように変化させるようにしたので、請求項１（実施例１）の方式よりも累積長を細かく設定することができるため、異なった有効ＬＤスポット径を有する光ピックアップを用いたり、異なった線密度の記録を行なっても、オーバーライト特性やジッタ特性の悪化を防止することが可能である。
【００５１】
請求項３記載の発明によれば、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差と変化させるようにし、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより小さい場合には、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも大きくなるように設定したので、マークの前後エッジ部がより良好な急冷条件となるため、マーク間隔のジッタを低減することが可能となると共に、平均記録パワーの低減によりオーバーライト特性の向上が可能となる。
【００５３】
請求項４記載の発明によれば、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方式において、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差と変化させるようにし、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより大きい場合には、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも小さくなるように設定したので、冷却時間を確保しながら、記録マークの前後エッジが短くなるように形成されるため、エッジシフトを防止できるのでジッタ特性の低減が可能となる。
【００５４】
請求項５記載の発明によれば、請求項１から４の何れか一つに記載の情報記録方式において、前記記録媒体の結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層が、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなるようにしたので、マークの前後エッジ部に相当する加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差の大小によりジッタ特性が大きく左右されるため、前述のジッタ低減の効果が顕著に現われる。また、先頭冷却パルスから最後尾冷却パルスまでの累積長に対する形成されたマーク長の関係がほとんど直線的に一致するという傾向がありマーク長を制御しやすい。
【００５５】
請求項６記載の発明によれば、請求項１から５の何れか一つに記載の情報記録方式を用いた情報記録再生装置において、単一あるいは複数の光学系を有する光ピックアップを備え、該光ピックアップにより、前記記録媒体上における単一あるいは複数の有効ＬＤスポット径を有するＬＤ光源を用いて、複数の記録線密度の記録を行なうようにしたので、加熱パワーやイレースパワーを必要以上に変化させることなく良好なジッタ特性とオーバーライト特性をすべての線密度の記録において得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  請求項１記載の情報記録方式の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
【図２】  請求項１記載の情報記録方式の別の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
【図３】  請求項２記載の情報記録方式の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
【図４】  請求項２記載の情報記録方式の別の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
【図５】  請求項２記載の情報記録方式の別の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
【図６】  請求項２記載の情報記録方式の別の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
【図７】  請求項３記載の情報記録方式の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
【図８】  請求項４記載の情報記録方式の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
【図９】  請求項５の実施例の説明図であって、先頭冷却パルスから最後尾冷却パルスまでの累積長と、記録マーク長との関係を示す特性図である。
【図１０】  請求項５の実施例の説明図であって、イレースパワーやマルチパルス波形の累積長の大きさが変わった場合の、先頭冷却パルスから最後尾冷却パルスまでの累積長と、記録マーク長との関係を示す特性図である。
【図１１】  請求項６の実施例を示す図であって、（ａ）は情報記録再生装置の光ピックアップの構成例を示す概略構成図、（ｂ）は（ａ）に示す光ピックアップの対物レンズとアパーチャ部分を２個の対物レンズに替えた場合の構成例を示す部分図、（ｃ）は（ａ）に示す光ピックアップの対物レンズとアパーチャ部分をホログラムを用いた２焦点対物レンズに替えた場合の構成例を示す部分図である。
【図１２】  従来の情報記録方式の一例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。
【図１３】  オーバーライト回数の記録パワー依存性を示す図であって、半導体レーザー（ＬＤ）パワー設定値と、オーバーライト回数との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
１：半導体レーザー（ＬＤ）
２：コリメートレンズ
３：偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）
４：λ／４板
５：アパーチャ
６：対物レンズ
６ａ：対物レンズ（ＮＡ大用）
６ｂ：対物レンズ（ＮＡ小用）
７：相変化型光ディスク（相変化型メディア）
７ａ：記録層
８：検出系集光レンズ
９：シリンドリカルレンズ
１０：受光素子
１１：ホログラム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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