(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源からの直流信号を印加する電極と、前記直流電源と同一極性の直流電源から駆動信号に従った変調信号を印加する電極とを、活性層の光軸方向に沿って分離して電極配置面上に設けた半導体レーザからなる光送信器用光半導体光源において、
前記半導体レーザの電極配置面上の前記直流信号を印加する電極と、前記変調信号を印加する電極とのそれぞれの接続部分を、絶縁性基板上の接続用のパッドの位置に対応して前記活性層の光軸方向に対して左右の異なる位置に延長した構成を有する
ことを特徴とする光送信器用光半導体光源。
【請求項２】
前記半導体レーザは、ｎ型基板上に活性層及びｐ型層とを含む半導体層を積層した構成を有し、且つ前記ｐ型層の上の電極配置面に、前記活性層の光軸方向に沿って相互に分離した直流信号を印加する電極と、変調信号を印加する電極とを設けたことを特徴とする請求項１記載の光送信器用光半導体光源。
【請求項３】
直流電源からの直流信号を印加する電極と、前記直流電源と同一極性の直流電源から駆動信号に従った変調信号を印加する電極とを、活性層の光軸方向に沿って分離して電極配置面上に設けた半導体レーザからなる光送信器用光半導体光源を用いた光送信モジュールにおいて、
前記半導体レーザは、電極配置面上の前記直流信号を印加する電極と、前記変調信号を印加する電極とのそれぞれの接続部分を、前記活性層の光軸方向に対して左右の異なる位置に延長した構成を有し、前記接続部分と絶縁性基板上の伝送線の一端のパッドとを対向させて接続し、一端を前記半導体レーザの前記活性層の光軸と一致させて対向配置し、他端に光コネクタを接続するアダプタを設けた光結合部を、前記半導体レーザと共に前記絶縁性基板上に固定し、且つ前記半導体レーザと前記光結合部とを気密部により気密封止した構成を有する
ことを特徴とする光送信モジュール。
【請求項４】
前記半導体レーザと前記光結合部とを気密部により気密封止して、前記半導体レーザを駆動する為の電子回路と共に筐体内に収容し、該筐体の一端から前記アダプタを突出させた構成を有することを特徴とする請求項３記載の光送信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、光送信器用の半導体光源と、この半導体光源を用いた光送信モジュールに関するものである。
【０００２】
従来、光伝送技術は、幹線系において広く用いられていたが、光通信技術の発展に伴って、伝送端局装置，交換機等の通信機器間や機器内、または、コンピュータ間もしくはコンピュータ内における高速データ伝送に対しても、光ファイバの広帯域性を利用した光伝送技術の適用が注目され、検討されている。
【０００３】
この種の光伝送技術は、従来の幹線系で用いられていた光伝送技術と比較して、システム内のデータ転送系に使用されるため、伝送距離が比較的短いことと、また消費電力を小さく抑えた小型のハードウェアが要求されていること等が異なっている。
【０００４】
また、電子デバイスにおいては、従来、ＥＣＬ（Emitter Coupled Logic ）レベルで電気信号のインタフェースをとるのが一般的であったが、電子デバイス技術の進展によって、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor ）デバイスの高速化等が実現したことに伴って、より低消費電力で、電気信号のインタフェースを実現する技術へ移行しようとしている。
【０００５】
このような、電気信号インタフェースの変化に伴って、電源系も変化しつつあり、従来、ＥＣＬレベルに対応した負極性の電源や、またはＴＴＬ（Transistor Transistor Logic ）レベルのような比較的低速のインタフェースとの混在のため、正負両極性が混在するかたちの電源が用いられていたものが、正極性のみで、かつ電源電圧として一種類のものが使用されるようになってきた。さらに、低消費電力化のため、できるだけ低い電圧とすることが要求されている。
【０００６】
従って、前述したような光伝送インタフェースにおいては、光送受信器において、電源電圧の低減に適した装置構成方法を実現することが必要である。この場合における、実用的な発光素子としては、発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）および半導体レーザ（Laser Diode ：ＬＤ）があるが、高速化，高出力化の観点からは、半導体レーザを採用することが望ましい。
【０００７】
【従来の技術】
図９は、従来の半導体レーザの駆動方法を示したものであって、半導体レーザの電流に対する光出力特性を示している。図示のように、通常の半導体レーザでは、流す電流Ｉが大きくなるのに伴って、光出力が大きくなるが、ある特定値Ｉthを超えると、レーザ発振を開始する。通常、この特定の値は、発振しきい値電流と呼ばれる。
【０００８】
従来の半導体レーザの駆動方法においては、半導体レーザの電流を、直流的なバイアス電流ＩB と、変調成分であるＩmod とに分け、バイアス電流をＩth付近とし、変調成分電流によって、光出力の大きい状態と小さい状態とをつくり出して、それぞれの状態を、例えばディジタル信号の「１」および「０」に対応させて、光信号を出力するようにしていた。
【０００９】
しかしながら、このような半導体レーザの駆動方法では、半導体レーザの光出力の大きい状態と、小さい状態とを生じさせるために、大きな変調電流成分Ｉmod が必要である。
【００１０】
一般に、高周波の大きな電流（数十ｍＡ程度）を電子回路において生成することは、電源電圧が小さくなると困難になる。特に、半導体レーザにおいては、ダイオード特有の特性として、電流が流れ始めるために必要な、固有の電位差が存在する。光通信システムにおいて、多く用いられる半導体レーザでは、この値は約１Ｖである。
【００１１】
従って、例えば電源電圧を３．３Ｖとして、半導体レーザの電流を数十ｍＡ確保し、さらにその上に、高周波特性を確保することは、非常に困難である。さらに、従来、半導体レーザの高速変調のために用いられている回路形式である、差動形式では、別の困難性が存在する。
【００１２】
図１０は、差動形式の半導体レーザの駆動回路を示したものである。図示のように、ＦＥＴ（Field Effect Transistor ）１０１，１０２からなる差動対の一方に半導体レーザ１０３を接続し、制御信号Ｓに応じて、差動対の電流を切り替えて、定電流源１０４を経て半導体レーザ１０３に電流を供給する。
【００１３】
この場合、一般に、差動対の構成として、図１０に示されるように、低電位側の電流源１０４に負電源ＶSSを供給し、差動対を構成するＦＥＴの高電位側を共通電位のＧＮＤ（Ground）とする。これは、差動対の電位が共通でないと、電位変動によって、その動作が不安定になる恐れがあるためである。
【００１４】
従って、図１０に示されるような構成では、電源を正極性のものに変更した場合、差動対を構成するＦＥＴの高電位側を共通電位とすることができないため、変更前と同じ特性を確保することは困難である。
【００１５】
また、半導体レーザを電流で高速変調するための困難性を解消するものとして、近年において、電界吸収型光変調器を半導体レーザとともに同一基板上に集積した光源の研究が進んでいる。
【００１６】
図１１は、電界吸収型光変調器と半導体レーザとを集積した光源素子を示したものであって、（ａ）は断面構造を示し、（ｂ）は変調器の変調特性を示している（M.Suzuki,et al.,IEEE Trans.on lightware technology vol.10,Jan.1992 p.91 所載) 。
【００１７】
図１１（ａ）に示された素子は、同一ｎ型基板２０１上に、活性層２０２，ｐ型層２０３，Ｚｎドープ絶縁層２０４からなる半導体レーザと、吸収層２０５，ｐ型層２０６，Ｚｎドープ絶縁層２０７からなる電界吸収型変調器とを成長させたものである。なお、Ｚｎドープ絶縁層２０４，２０７において、ハッチング部は導電部分を示している。
【００１８】
図１１（ａ）に示された素子では、共通基板に設けられたｎ型電極２０８に対して、半導体レーザ側の絶縁層上に設けられたｐ型電極２０９を経て正極性の電源から直流電流を流して直流的に発光させるとともに、変調器側の絶縁層上に設けられたｐ型電極２１０から変調信号として負電位を与えて、吸収層２０５における光の吸収度を変化させることによって、出力される光強度を変化させる。
【００１９】
図１１（ｂ）においては、変調信号の大きさと出力光強度との関係が示されており、これによって光のオン／オフ変調を行なうことができる。なお、図中において、２１１は単一波長発光用のλ／４回折格子である。
【００２０】
図１１に示された素子の構造では、直流成分と、変調成分とが、共通基板（ＧＮＤ）に対して、互いに反対極性の電位となるため、必然的に、少なくとも正負２種類の電源を用いる必要があり、電源種類の削減の目的には、不適当である。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
このように、半導体光源として通常の半導体レーザを使用して、電流駆動を行なう方法では、電源の正極性化、低電圧化に対応しながら、高速変調を実現することは困難であるという問題がある。
【００２２】
本発明は、このような従来技術の課題を解決しようとするものであって、光送信器を構成する半導体光源の駆動方法において、電源電圧の正極性化および低電圧化に同時に対応することができ、さらに高速変調を可能にする光送信器用半導体光源と、これを用いた光送信モジュールとを提供することを目的としている。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
(1) 少なくとも１つの直流印加部２と少なくとも１つの交流印加部３とを備えた半導体光源１に対して、直流印加部２に接続された直流信号源４と交流印加部３に接続された交流信号源５とを設け、交流信号源５から、直流印加部４から印加される直流信号と電気的極性が同極性の交流信号を印加することによって、半導体光源１の光出力のオン／オフを制御する。
【００２４】
(2) (1) の場合に、半導体光源１を、半導体レーザから構成する。
【００２５】
(3) (2) の場合に、直流信号源４から直流印加部２に供給される駆動信号を、直流電流とする。
【００２６】
(4) (3) の場合に、交流信号源５から交流印加部３に供給される駆動信号を、電流変調信号とする。
【００２７】
(5) (3) 交流信号源５から交流印加部３に供給される駆動信号を、電圧変調信号とする。
【００２８】
(6) (4) または(5) の場合に、交流印加部３に供給される電流変調信号または電圧変調信号に対して、光出力がしきい値特性または双安定特性を持つようにする。
【００２９】
(7) (5) の場合に、電圧変調信号の、光出力のオン状態に対応する電圧レベルが、半導体レーザの電流−電圧特性の立ち上がり電位を超えないようにする。
【００３０】
(8) (2) 〜(7) の場合に、半導体光源１を２電極半導体レーザ１１から構成する。
【００３１】
(9) (8) の場合に、２電極半導体レーザ１１をｎ型基板１２上に成長された半導体レーザから構成し、ｎ型基板１２が直流信号源４および交流信号源５の電源の基準電位と共通電位であり、かつ直流信号源４および交流信号源５の電源極性が、この共通電位から正方向であるようにする。
【００３２】
(10) (9) の場合に、２電極半導体レーザ４１において、直流信号印加用電極４３と交流印加用電極４４とを、光軸４２に対して互いに反対側に配置する。
【００３３】
(11) (10)の場合に、２電極半導体レーザ４１に対応する絶縁性基板４５を備え、絶縁性基板４５上に設けられた直流信号印加パッド４６に直流信号印加電極４３を直接接合するとともに、絶縁性基板４５上に設けられた交流信号印加パッド４７に交流信号印加電極４３を直接接合し、絶縁性基板４５上に設けられた直流信号伝送線４８を介して直流信号印加パッド４６に直流信号を供給するとともに、絶縁性基板４５上に設けられた交流信号伝送線４９を介して交流信号印加パッド４７に交流信号を供給する。
【００３４】
(12) (1) 〜(11)の場合に、光送信器用半導体光源に光ファイバを直接結合して、光送信モジュールを構成する。
【００３５】
(13) (12)の場合に、光送信器用半導体光源５１と内部に光ファイバを含む光結合部５２とを基板５３上に配置して、内部に光ファイバを含む突き合わせ部５４とともに筐体５６内に収容して気密部５７を形成し、筐体５６に設けられたアダプタ５５に内部に光ファイバを含む光コネクタ５９を嵌合したとき、突き合わせ部５４の端面と光コネクタ５９の端面とが突き合わせられて、光送信器用半導体光源５１の発生光が、光結合部５２と突き合わせ部５４内の光ファイバと、光コネクタ５９内の光ファイバとを経て光伝送路を形成する光ファイバ５８に送出されるようにする。
【００３６】
(14) (13)の場合に、筐体５６内に、光送信器用半導体光源５１を駆動するための電子回路６０を収容する。
【００３７】
【作用】
図１は、本発明の原理的構成を示したものである。図中、１は半導体光源であって、光送信器の光源となる発光素子である。半導体光源１は、少なくとも１つの直流印加部２と、少なくとも１つの交流印加部３とを有している。４は直流信号源であって、半導体光源１の直流印加部２に接続され、直流印加部２に対して直流の電気信号を供給する。５は交流信号源であって、半導体光源１の交流印加部３に接続され、交流印加部３に対して交流の電気信号を供給する。なおここで、交流信号は、厳密な意味での交流信号ではなく、直流成分をバイアスとして含む脈流形式の信号である。直流印加部２と交流印加部３とは、半導体光源１に対して、２つ以上のものを、分散して設けることも可能である。
【００３８】
半導体光源１の直流印加部２に対しては、直流信号源４から、直流の電気信号（電流または電圧）が印加される。一方、交流印加部３に対しては、交流信号源５から交流の電気信号（電流または電圧）が供給される。このとき、直流信号源４から供給される直流信号と、交流信号源５から供給される交流信号とは、半導体光源１の光出力のオン状態（光出力がより大きい状態）と、オフ状態（光出力がより小さい状態）とを、交流信号源からの交流信号によって制御できるように供給されるものとする。
【００３９】
半導体光源１として、半導体レーザを基本とする素子を使用する場合には、直流信号源４としては、半導体レーザに電流を供給する電流源であることが望ましい。また交流信号源５から与える交流信号としては、電圧または電流を使用すればよい。通常の半導体レーザを基本とした素子の場合、直流印加部２と交流印加部３とを、それぞれ１個ずつ具有する素子として、２電極半導体レーザを使用することが考えられる。
【００４０】
【実施例】
図２は、本発明の実施例(1) を示したものであって、光送信器用半導体光源の構成を示し、２電極半導体レーザによって構成した例を示している。図中、１１はｎ型基板１２，活性層１３およびｐ型層１４からなる２電極半導体レーザを示し、１５はその直流印加部、１６は交流印加部である。１７は直流印加部１５に接続された電流源、１８は直流電源である。１９は交流印加部１６に接続された駆動回路、２０は駆動信号端子、２１は交流信号のバイアスを供給するための直流電源である。
【００４１】
２電極半導体レーザの電気−光出力特性は、直流印加部と交流印加部のそれぞれの電極の長さ等に依存して、種々のものが存在し得る。
【００４２】
図３は、２電極半導体レーザの電気−光出力特性の例(1) を示したものであって、電流に対して、光出力特性が双安定特性（ヒステリシス特性）を持つものを例示している。
【００４３】
図３に示された特性は、図２に示された２電極半導体レーザの直流印加部１５に固定値の電流ＩDCを与え、交流印加部１６に与える電流ＩACを変化させたときの、光出力特性を直観的に表現したものであって、電流値がある値Ｉth1 を超えると、急激にレーザ発振を開始する。レーザ発振を停止する電流値は、図３の場合、Ｉth1 よりも小さい値Ｉth2 として与えられ、光出力がヒステリシス特性を示しているが、必ずしも、ヒステリシス特性を有する必要はない。
【００４４】
２電極半導体レーザにおいては、図３に示す直流印加部１５と交流印加部１６のそれぞれの電極長の設定によって、ヒステリシス特性を示さず、特定のしきい値において、急激にレーザ発振を開始するように、素子を作成することも可能であるが、以下においては、このようなしきい値特性の場合と、双安定特性の場合とを同様に扱うものとする。
【００４５】
いま、図３において、２電極半導体レーザの交流印加部に流す電流ＩACを、バイアス電流ＩB と、変調成分Ｉmod とに分けて、第１のしきい値電流（Ｉth1 ）と、第２のしきい値電流（Ｉth2 ：Ｉth1 ＞Ｉth2 ）とに対して、バイアス電流ＩB を、第２のしきい値電流Ｉth2 より小さく設定し、変調成分Ｉmod を、ＩB ＋Ｉmod が、第１のしきい値電流Ｉth1 より大きくなるように設定すると、２電極半導体レーザ１１は、変調成分Ｉmod の変化に応じて、発振状態と非発振状態とを繰り返すことになる。
【００４６】
２電極半導体レーザに対して、このような変調を行なうことによって、従来、変調のために、３０ｍＡ程度以上の電流を要していたものが、高々、数ｍＡで足りるようになる。
【００４７】
これはヒステリシス領域の幅が、数ｍＡ程度になるように設計可能であることによる。さらに、２電極半導体レーザの電極長を適切に設計することによって、交流印加部にほとんど電流を流さないで、すなわち、電圧信号によって変調を行なうことが可能となる。
【００４８】
図４は、２電極半導体レーザの電気−光出力特性の例(2) を示したものであって、電圧に対して、光出力特性が双安定特性（ヒステリシス特性）を持つものを例示し、２電極半導体レーザの交流印加部に与える電圧ＶACを、バイアス電圧ＶB と、変調成分Ｖmod とに分けて、第１のしきい値電圧（Ｖth1 ）と、第２のしきい値電圧（Ｖth2 ：Ｖth1 ＞Ｖth2 ）とに対して、バイアス電圧ＶB を、第２のしきい値電圧Ｖth2 より小さく設定し、変調成分Ｖmod を、ＶB ＋Ｖmod が、第１のしきい値電圧Ｖth1 より大きくなるように設定した場合を示している。
【００４９】
図４に示された例の場合、電圧信号の振幅は、図３の場合と同様に極めて小さく、約１Ｖ以下で十分である。これによって、高周波の電流変調回路を構成するよりも、さらに回路設計が容易になる。
【００５０】
ここで、電圧信号の振幅を１Ｖ以下とした理由は、半導体レーザの電圧−電流特性では、ダイオード特性によって、電圧をある程度与えないと、電流が流れださないためである。
【００５１】
図５は、半導体レーザの電圧−電流特性を模式的に示したものであって、半導体レーザに与える電圧が、ある一定値Ｖ1 を超えると、電流が流れはじめることが示されている。そこで、なるべく電流を流さずに、電圧値で２電極半導体レーザのオン／オフを制御するためには、電圧値をＶ1 以下のレベルとすればよい。
【００５２】
以上説明したように、例えば２電極半導体レーザを用いて、直流信号と交流信号とを分離して印加することによって、極めて小さい電流または電圧からなる変調信号によって、半導体光源を変調することが可能となる。
【００５３】
この際、半導体光源が、例えば図２に示されたような、２電極半導体レーザの構造であると、直流信号と交流信号とは同極性でよい。また、２電極半導体レーザをｎ型基板上に作成し、基板電位を共通電位またはＧＮＤとすると、信号印加側の電位は正極性となる。
【００５４】
前述した、高速変調回路の問題点は、大きな電流を高速変調信号として得ようとしたときに生じていたものであるから、比較的小さな信号で変調を行なうことが可能な本発明の半導体光源によれば、正極性の電源によって、比較的容易に高速変調回路を実現することができる。
【００５５】
また、特に、電圧信号によって変調を行なう場合には、前述のとおり、約１Ｖ程度の振幅の信号を低い電源電圧で得る駆動回路として、ＤＣＦＬ（Direct Coupled FET Lgic ）型の回路を用いることができる。
【００５６】
図６は、駆動回路の構成例を示したものであって、ＤＣＦＬ型回路からなる場合を示している。正極性電源ＶDDから電流源３１を経て、ＧＮＤ間に接続されたＦＥＴ３２に対して、駆動信号源から２値信号からなる変調データＶinを与えることによって、負荷抵抗３３に所望の変調電圧Ｖmod を得ることができる。
【００５７】
図７は、本発明の実施例(2) を示したものであって、本発明の半導体光源によって光送信器を構成した例を示している。図中、４１は図２に示されたような２電極半導体レーザであって、４２はその光軸を示している。４３，４４はそれぞれ２電極半導体レーザの直流信号印加電極および交流信号印加電極であって、光軸４２に対して、互いに異なる側に配置されており、このようにすることによって、信号線の結線に困難を生じさせることなく、電極を構成できる。
【００５８】
さらに、２電極半導体レーザ４１を絶縁性基板４５上に取り付ける場合には、直流信号印加電極４３および交流信号印加電極４４を、それぞれ、絶縁性基板４５上に形成した直流信号印加パッド４６および交流信号印加パッド４７に、例えばフリップ・チップ・ボンディングによって、直接、接合することによって、電気的接続と絶縁性基板４５への機械的接続とを同時に実現することができる。
【００５９】
直流信号印加パッド４６および交流信号印加パッド４７は、それぞれ直流信号伝送線４８および交流信号伝送線４９によって、絶縁性基板４５上の任意の位置に接続することができ、電極数が通常の半導体レーザと比較して増加することに基づく、実装上の課題をすべて解決することができる。
【００６０】
図８は、本発明の実施例(3) を示したものであって、本発明の半導体光源を用いて光送信モジュールを構成した例を示している。本実施例は、図７に示された光送信器に対して、光ファイバをコネクタ結合によって、直接、接続できるような光モジュールを構成した場合の構成を示し、（ａ）は半導体光源のみを含む場合、（ｂ）は半導体光源と駆動用電子回路とを含む場合をそれぞれ示す。
【００６１】
図８（ａ）において、５１は半導体光源、５２は半導体光源５１の光出力を結合するための光結合部、５３は半導体光源５１と光結合部５２とを搭載する基板、５４は光ファイバとの突き合わせ接続を行なうための突き合わせ部、５５は光コネクタを結合するためのアダプタ、５６は筐体である。５７は筐体５６内に形成される気密部であって、半導体光源５１，光結合部５２を収容する。また、５８は光ファイバ、５９は光ファイバを突き合わせ接続するための光コネクタである。
【００６２】
図８に示された光送信モジュールは、外部から光コネクタ５９を介して、光ファイバ５８からなる伝送路に、光信号を出力する構成を有している。光コネクタ５９は内部に光ファイバ５８の先端を収容し、端面は光ファイバとともに斜面に研磨されている。
【００６３】
一方、半導体光源５１の出力光は、光結合部５２および突き合わせ部５４中に収容された光ファイバを介して、突き合わせ部５４の端面まで伝送される。突き合わせ部５４の端面は光ファイバとともに、光コネクタ５９の端面に適合する斜面に研磨されている。
【００６４】
光コネクタ５９を、アダプタ５５に嵌合すると、光コネクタ５９の端面は、突き合わせ部５４の端面と突き合わせられて、突き合わせ部５４内の光ファイバと、光コネクタ５９内の光ファイバとは直接、接合し、半導体光源５１の出力光は、光ファイバ５８へ伝送される。
【００６５】
この際、半導体光源５１，光結合部５２は、筐体５６と突き合わせ部５４とによって形成される気密部５７中に収容されていて、気密状態に保たれるようになっている。
【００６６】
また図８（ｂ）においては、基板５３の延長上に半導体光源５１に関連する電子回路６０を有し、筐体５６がこの電子回路の部分まで収容するように構成さている。
【００６７】
半導体光源５１と光結合部５２との光学的結合は、レンズ結合でもよいが、図８に示されるように、より部品数の少ない、光ファイバ直接結合とすることができる。光ファイバ直接結合の場合、レンズ結合の場合と異なり、光ファイバ部分での気密性を確保することが技術的に困難なことが多いが、図８に示された光モジュールにおいては、光結合部５２を半導体光源５１と光ファイバ直接結合するとともに、光結合部５２と突き合わせ部５４の内部に光ファイバを設けるとともに、光コネクタ５８の内部に光ファイバを設けて、突き合わせ面において、両光ファイバを直接結合するようにしたので、筐体５６と突き合わせ部５４とによって、気密を実現することができる。
【００６８】
上述の実施例では、半導体光源５１のチャネル数について、特に限定するものではないが、図７に示された構造によって、半導体光源を複数個並置することによって、光並列伝送用光モジュールとして構成することも可能である。
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、図１，図７，図８に示すように、直流電源１８からの直流信号を印加する電極と、その直流電源１８と同一極性の直流電源２１から駆動信号に従った変調信号を印加する電極とを、活性層１３の光軸方向に沿って分離して電極配置面上に設けた半導体レーザからなる光送信器用光半導体光源において、半導体レーザの電極配置面上の直流信号を印加する電極と、変調信号を印加する電極とのそれぞれの接続部分を、絶縁性基板上の接続用のパッド４６，４７の位置に対応して、活性層の光軸４２方向に対して左右の異なる位置に４３，４４で示すように延長した構成を有するものであり、絶縁性基板上にワイヤボンディングで接続することなく、直接的に接続することができるから、高速変調が可能となる。
【００７０】
又本発明は、半導体レーザの電極配置面上の直流信号を印加する電極と、変調信号を印加する電極とのそれぞれの接続部分を、活性層１３の光軸方向に対して左右の異なる位置に４３，４４で示すように延長した構成を有し、接続部分と絶縁性基板上の伝送線４８，４９の一端のパッド４６，４７とを対向させて接続し、一端を半導体レーザの活性層の光軸と一致させて対向配置し、他端に光コネクタ５９を接続するアダプタ５５を設けた光結合部５２を、半導体レーザと共に絶縁性基板５３上に固定し、且つ半導体レーザと光結合部５２とを気密部５７により気密封止した構成を有するものであり、信頼性の高い光送信モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成を示す図である。
【図２】本発明の実施例(1) を示す図である。
【図３】２電極半導体レーザの電気−光出力特性の例(1) を示す図である。
【図４】２電極半導体レーザの電気−光出力特性の例(2) を示す図である。
【図５】半導体レーザの電圧−電流特性を模式的に示す図である。
【図６】駆動回路の構成例を示す図である。
【図７】本発明の実施例(2) を示す図である。
【図８】本発明の実施例(3) を示す図であって、（ａ）は半導体光源のみを含む場合、（ｂ）は半導体光源と駆動用電子回路とを含む場合をそれぞれ示す。
【図９】従来の半導体レーザの駆動方法を示す図である。
【図１０】差動形式の半導体レーザの駆動回路を示す図である。
【図１１】電界吸収型光変調器と半導体レーザとを集積した光源素子を示す図であって、（ａ）は断面構造を示し、（ｂ）は変調器の変調特性を示す。
【符号の説明】
１  半導体光源
２  直流印加部
３  交流印加部
４  直流信号源
５  交流信号源
１１  ２電極半導体レーザ
１２  ｎ型基板
４１  ２電極半導体レーザ
４２  光軸
４３  直流信号印加用電極
４４  交流印加用電極
４５  絶縁性基板
４６  直流信号印加パッド
４７  交流信号印加パッド
４８  直流信号伝送線
４９  交流信号伝送線
５１  光送信器用半導体光源
５２  光結合部
５３  基板
５４  突き合わせ部
５８  光ファイバ
５９  光コネクタ
【図１】
0003635470.tif 000002
【図２】
0003635470.tif 000003
【図３】
0003635470.tif 000004
【図４】
0003635470.tif 000005
【図５】
0003635470.tif 000006
【図６】
0003635470.tif 000007
【図７】
0003635470.tif 000008
【図８】
0003635470.tif 000009
【図９】
0003635470.tif 000010
【図１０】
0003635470.tif 000011
【図１１】
0003635470.tif 000012