(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部コア層及び上部コア層と、両コア層に記録磁界を与えるコイル層と、前記下部コア層と上部コア層との間に位置し且つトラック幅方向の幅寸法が前記下部コア層及び上部コア層よりも短く規制された磁極部とを有し、前記磁極部が下部磁極層、上部磁極層および前記下部磁極層と前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで構成される磁気ヘッドにおいて、
記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記下部コア層上にはＧｄ決め層が設けられており、前記Ｇｄ決め層の前端面が前記下部コア層表面に対する垂直面または前記下部コア層から上部コア層方向へ離れるにしたがってハイト方向後方に傾く傾斜面で形成され、前記ギャップ層は前記下部磁極層上であって、少なくとも前記Ｇｄ決め層に接する長さで形成され、
前記Ｇｄ決め層上には、非磁性材料によって形成される持ち上げ層が積層され、前記上部磁極層は前記ギャップ層上から前記持ち上げ層上にかけて形成されており、さらに前記持ち上げ層の前記上部磁極層との対向面の一部または全部が金属材料によって形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記持ち上げ層は、非磁性金属材料によって形成される請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記非磁性金属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上が選択される請求項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記持ち上げ層は、前記Ｇｄ決め層上に形成されるメッキ下地層上にメッキ形成されている請求項２または３に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記メッキ下地層は、前記持ち上げ層の下面と重なる部分にのみ形成される請求項４に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記持ち上げ層の前端面は、前記Ｇｄ決め層の前端面よりもハイト方向後方に位置している請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記持ち上げ層の前記上部磁極層との対向面の一部または前記持ち上げ層の前記上部磁極層との対向面の全部に金属膜が形成されている請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記金属膜は非磁性金属材料で形成されている請求項７に記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
前記金属膜は磁性金属材料で形成されている請求項７に記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記非磁性金属材料あるいは磁性金属材料で形成された金属膜はスパッタ成膜されている請求項８または９に記載の磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記Ｇｄ決め層のハイト方向断面は略長方形状である請求項１ないし１０のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記Ｇｄ決め層のハイト方向断面は略台形状である請求項１ないし１０のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記Ｇｄ決め層は非磁性金属材料によって形成される請求項１ないし１２のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記Ｇｄ決め層は有機材料で形成される請求項１ないし１２のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記Ｇｄ決め層はレジスト材料で形成される請求項１４に記載の磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記Ｇｄ決め層は無機材料で形成される請求項１ないし１２のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記ギャップ層は、前記対向面から前記Ｇｄ決め層上面または前記持ち上げ層上面の少なくとも一部にかけて形成され、前記Ｇｄ決め層上面または前記持ち上げ層上面にギャップ層が重ねられた部分での前記上部磁極層は、前記ギャップ層上に形成される請求項１ないし１６のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１８】
前記ギャップ層は、非磁性金属材料で形成されている請求項１ないし１７のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項１９】
前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択されたものである請求項１８記載の磁気ヘッド。
【請求項２０】
前記上部磁極層は２層以上の磁性層の積層構造で形成され、前記磁性層のうち前記ギャップ層と接する最下層は、それ以外の前記磁性層に比べて飽和磁束密度が高い高Ｂｓ層で形成され、前記高Ｂｓ層は前記ギャップ層上追から前記Ｇｄ決め層上にかけて形成されている請求項１ないし１９のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項２１】
以下の工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（ｅ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上にメッキ下地層を形成する工程と、
（ｆ）前記メッキ下地層上の、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の所定位置に、ハイト方向に所定の長さを有するレジスト層を形成し、前記レジスト層で覆われていない前記メッキ下地層を除去する工程と、
（ｇ）前記レジスト層を除去した後、前記メッキ下地層をマスクとして、前記メッキ下地層で覆われていない前記Ｇｄ決め層を除去し、前記メッキ下地層下にハイト方向断面が略長方形状あるいは略台形状となるＧｄ決め層を残す工程、
（ｈ）前記メッキ下地層の上面以外をレジスト層で覆い、前記レジスト層で覆われていない前記メッキ下地層の上面に非磁性金属材料からなる持ち上げ層をメッキ形成する工程と、
（ｉ）前記下部コア層上であって、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成する工程と、
（ｊ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記持ち上げ層の上面にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程。
【請求項２２】
前記（ｅ）及び（ｆ）工程に代えて以下の工程を有する請求項２１記載の磁気ヘッドの製造方法。
（ｋ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上をレジスト層で覆い、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記Ｇｄ決め層にハイト方向に所定の長さを有する穴部を形成する工程と、
（ｌ）前記穴部から露出した前記Ｇｄ決め層上にメッキ下地層を形成する工程。
【請求項２３】
前記（ｅ）ないし（ｈ）工程に代えて以下の工程を有する請求項２１記載の磁気ヘッドの製造方法。
（ｍ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上にメッキ下地層を形成する工程と、
（ｎ）前記メッキ下地層上面をレジスト層で覆い、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記レジスト層にハイト方向に所定の長さを有する穴部を形成し、前記穴部から露出した前記メッキ下地層上に非磁性金属材料からなる持ち上げ層をメッキ形成する工程と、
（ｏ）前記レジスト層を除去した後、前記持ち上げ層に覆われていないメッキ下地層及びＧｄ決め層を除去し、前記持ち上げ層の下にメッキ下地層及びハイト方向断面が略長方形状あるいは略台形状となるＧｄ決め層を残す工程、
【請求項２４】
前記Ｇｄ決め層をレジスト材料で形成し、前記（ｅ）（ｋ）（ｍ）工程で前記Ｇｄ決め層を熱処理して硬化させる請求項２１ないし２３のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２５】
前記（ｃ）または（ｊ）工程で上部磁極層を２層以上の磁性層の積層構造でメッキ形成し、前記磁性層のうちギャップ層と接する最下層をそれ以外の層よりも高い飽和磁束密度を有する高Ｂｓ層としてメッキ形成し、前記高Ｂｓ層を前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層上にかけてメッキ形成する請求項２１ないし２４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２６】
前記（ｂ）、（ｈ）、または（ｎ）工程における非磁性金属材料を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択する請求項２１ないし２５のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２７】
前記（ａ）又は（ｊ）工程におけるギャップ層を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうちのうち１種または２種以上から選択した非磁性金属材料でメッキ形成する請求項２１ないし２６のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ヘッドに係り、特に記録時の上部磁極層の磁気飽和を適切に防止して、ギャップ近傍にて大きな漏れ磁界を発生させることができ、またオーバーライト特性などの諸特性の向上を図ることができ、さらにはトラック幅制御性を向上させることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３４は、従来における薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図３５は、図３４に示す３５−３５線から切断された薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分縦断面図である。
【０００３】
図３４及び図３５に示す符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、この下部コア層１の上に、絶縁層９が形成されている。
【０００４】
絶縁層９には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への内幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された溝部９ａが形成されている。
【０００５】
この溝部９ａ内には、下から順に、下部コア層１に磁気的に接続する下部磁極層３、ギャップ層４、及び上部コア層６に磁気的に接続する上部磁極層５がメッキ形成されている。
【０００６】
そして図３４に示すように、上部磁極層５上に上部コア層６がメッキ形成されている。
【０００７】
また図３５に示すように、絶縁層９の上には、螺旋状にパターン形成されたコイル層７が設けられている。
【０００８】
そしてコイル層７は、レジストなどのコイル絶縁層８により覆われており、コイル絶縁層８の上に、上部コア層６が形成されている。上部コア層６は、その先端部６ａにて上部磁極層５と、また基端部６ｂにて下部コア層１と磁気的に接続された状態になっている。
【０００９】
図３４および図３５に示すインダクティブヘッドでは、コイル層７に記録電流が与えられると、下部コア層１及び上部コア層６に記録磁界が誘導され、下部コア層１と磁気的に接続する下部磁極層３及び上部コア層６と磁気的に接続する上部磁極層５間からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【００１０】
図３４及び図３５に示す従来の薄膜磁気ヘッドでは、記録媒体との対向面からハイト方向に所定距離だけ離れた下部コア層１上に、例えば有機絶縁材料で形成されたＧｄ決め層１０が形成されている。
【００１１】
対向面からＧｄ決め層１０間には、下から下部磁極層３、ギャップ層４及び上部磁極層５が順に積層されている。図３５では、ギャップデプス（Ｇｄ）は、対向面からギャップ層４とＧｄ決め層１０とが接する位置までの長さＴ２で決められ、ギャップデプスの長さの制御をＧｄ決め層１０の形成位置で容易に適正化できると共に、上部磁極層５をＧｄ決め層１０上にまで延ばして形成することで、上部磁極層５をギャップデプスの長さよりも延ばすことができるから、ギャップデプスの長さ寸法に関わらず、上部磁極層５と上部コア層６との接触面積を大きくすることができ、今後の高記録密度化においても上部磁極層５の磁気飽和を適切に低減できるものと考えられた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
図３６は図３５に示す薄膜磁気ヘッドの一工程図であり、下部コア層１上にＧｄ決め層１０を設け、下部コア層１上であって、Ｇｄ決め層１０の前方に下部磁極層３及びギャップ層４をメッキ形成する。さらにギャップ層４上に上部磁極層５をメッキ形成するが、このとき、上部磁極層５を適切にＧｄ決め層１０上にまで延出して形成できないといった課題が発生した。
【００１３】
それはＧｄ決め層１０は有機絶縁材料などの絶縁物であるため上部磁極層をＧｄ決め層１０上に適切にメッキ成長させることはできないためである。またＧｄ決め層１０に上部磁極層５がメッキ形成されてもその膜厚は、ギャップ層４上にメッキ形成される膜厚に比べて極端に薄くなってしまう。
【００１４】
後工程で、上部磁極層５の上面を平坦化するため、上部磁極層５をＤ−Ｄ線まで研削するが、上記のように上部磁極層５の後端側での膜厚が薄いと、研削工程によって上部磁極層５の体積は非常に小さくなってしまい、上部磁極層５が磁気飽和に達しやすくなる。
【００１５】
また平坦化精度によっては、例えばＤ′−Ｄ′線まで研削加工したとき、上部磁極層５の後端に、凹み部分５ｃやあるいは全く上部磁極層５が形成されない部分などが発生することがあった。
【００１６】
またＧｄ決め層１０上に形成される上部磁極層５の膜厚が非常に薄いために、上部コア層６から上部磁極層５へ流れる磁束の通過効率が非常に悪化していまい、これにより上部磁極層５が磁気飽和に達しやすくなると共に、ギャップ層４の近傍で発生する漏れ磁界を大きくできず、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができないという問題も生じる。
【００１７】
また図３７は上部磁極層５を真上から見た部分平面図であり、上部磁極層５は、記録媒体との対向面でのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された先端領域５ａと、その後端において幅寸法が広がる後方領域５ｂとで構成される。
【００１８】
ところで上部磁極層５の後端部（磁極エッジ）５ｂ１の形成位置は、主としてオーバーライト特性に寄与し、また幅寸法が広がり始める端部（Ｐｓ）５ａ１の形成位置は主としてＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性に寄与する。
【００１９】
しかしながら図３６に示すように、上部磁極層５の形成時において、Ｇｄ決め層１０上に上部磁極層５が形成されず、あるいは形成されたとしてもその膜厚は非常に薄いものであると、所定のオーバーライト特性やＮＬＴＳ特性、ＰＷ５０特性を得るために、上部磁極層５の後端部５ｂ１や端部５ａ１の形成位置が制約を受けてしまい、後端部５ｂ１及び端部５ａ１の形成位置の設計の自由度が低下してしまう。
【００２０】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に上部磁極層の磁気飽和を適切に防止して、ギャップ近傍にて良好に漏れ磁界を発生させることができ、またオーバーライト特性などの諸特性の向上を図ることができ、さらにはトラック幅制御を容易にすることが可能な磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下部コア層及び上部コア層と、両コア層に記録磁界を与えるコイル層と、前記下部コア層と上部コア層との間に位置し且つトラック幅方向の幅寸法が前記下部コア層及び上部コア層よりも短く規制された磁極部とを有し、前記磁極部が下部磁極層、上部磁極層および前記下部磁極層と前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで構成される磁気ヘッドにおいて、
記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記下部コア層上にはＧｄ決め層が設けられており、前記Ｇｄ決め層の前端面が前記下部コア層表面に対する垂直面または前記下部コア層から上部コア層方向へ離れるにしたがってハイト方向後方に傾く傾斜面で形成され、前記ギャップ層は前記下部磁極層上であって、少なくとも前記Ｇｄ決め層に接する長さで形成され、
前記Ｇｄ決め層上には、非磁性材料によって形成される持ち上げ層が積層され、前記上部磁極層は前記ギャップ層上から前記持ち上げ層上にかけて形成されており、さらに前記持ち上げ層の前記上部磁極層との対向面の一部または全部が金属材料によって形成されていることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明では、前記Ｇｄ決め層の前記上部磁極層との対向面の一部または全部が金属材料によって形成されているので、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層上にかけて適切に前記上部磁極層をメッキ成長させることができ、前記Ｇｄ決め層上での前記上部磁極層の膜厚を所定膜厚で形成することができる。
【００２３】
よって本発明では、前記上部磁極層と前記上部コア層との接触面積を大きくできると共に、前記上部磁極層の体積を従来に比べて十分に大きく形成でき、今後の高記録密度化においても前記上部磁極層の磁気飽和を適切に低減させることができる。
【００２４】
また前記Ｇｄ決め層上に形成される前記上部磁極層の膜厚を所定膜厚で形成することができるので、前記上部コア層から前記上部磁極層へ流れる磁束の通過効率の低下を防止でき、これによって前記上部磁極層の磁気飽和を低減させることができると共に、前記ギャップ層の近傍で発生する漏れ磁界を大きくでき、高記録密度化に適切に対応可能な磁気ヘッドを提供することができる。
【００２５】
また本発明では、前記Ｇｄ決め層上に所定膜厚の上部磁極層を形成することが可能であるから、前記上部磁極層の後端側において、ハイト方向に向かうにしたがって幅寸法が広がり始める端部（ＰＳ）や前記上部磁極層の後端部（後端エッジ）の形成位置を、オーバーライト特性、ＮＬＴＳ特性及びＰＷ５０特性の最適化に合わせて、自由に設計変更することができる。
【００２６】
またＧｄ決め層上の上部磁極層後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層に対する平坦化精度に左右されず、前記上部磁極層を所定形状で形成できる。
【００２７】
また、本発明では、ギャップデプスを規定するＧｄ決め層の前端面が前記下部コア層表面に対する垂直面または前記下部コア層から上部コア層方向へ離れるにしたがってハイト方向に傾く傾斜面で形成されているので、ギャップデプスの寸法を正確に形成することが容易になる。
【００２９】
前記Ｇｄ決め層の膜厚は薄いことが好ましい。その理由は、後述する製造方法によって前記Ｇｄ決め層を形成する際に、前記Ｇｄ決め層の膜厚を厚くすると前記Ｇｄ決め層の前端面と下部コア層の間にレジスト溜りが発生しやすくなるからである。特に、前記Ｇｄ決め層の前記下部磁極層と接触する面が前記下部コア層表面に対する垂直面または前記下部コア層から上部コア層方向へ離れるにしたがってハイト方向に傾く傾斜面で形成されると、前記レジスト溜りが発生しやすい。
【００３０】
このレジスト溜り上に前記下部磁極層がメッキ形成されると、前記下部磁極層さらにはその上に形成される前記ギャップ層を適切にメッキ成長させることができず、前記ギャップ層のハイト方向奥行き寸法で決められるギャップデプスがばらつくという問題が生じる。
【００３１】
このような不具合を解消するには前記Ｇｄ決め層の膜厚を薄く形成すれば良いが、前記Ｇｄ決め層を薄く形成すると前記Ｇｄ決め層を挟んだ前記下部コア層と前記上部磁極層間の距離が短くなってしまい、前記下部コア層と前郎上部磁極層間で磁界が漏れやすくなり、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界が減少してしまうといった問題が発生する。
【００３２】
そこで、本発明では、前記磁極部のハイト方向後方に形成される前記Ｇｄ決め層上に持ち上げ層を形成している。
【００３３】
本発明では、前記Ｇｄ決め層を薄く形成しても、前記Ｇｄ決め層の上に形成される前記持ち上げ層を厚く形成することによって前記下部コア層と前記上部磁極層の距離を離すことができ、前記Ｇｄ決め層を挟んだ位置での前記下部コア層と前記上部磁極層間の磁界の漏れを減少させることが可能になる。また前記持ち上げ層は非磁性材料からなるものであるから、この部分では適切に磁界が遮断され、前記下部コア層と前記上部磁極層間の磁界の漏れを防止できる。
【００３４】
さらに、前記持ち上げ層の前記上部磁極層との対向面の一部または全部が金属材料によって形成されているので、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層及び前記持ち上げ層上にかけて適切に前記上部磁極層をメッキ成長させることができ、前記Ｇｄ決め層及び前記持ち上げ層上での前記上部磁極層の膜厚を所定膜厚で形成することができる。
【００３５】
よって本発明では、前記上部磁極層と前記上部コア層との接触面積を大きくできると共に、前記上部磁極層の体積を従来に比べて十分に大きく形成でき、今後の高記録密度化においても前記上部磁極層の磁気飽和を適切に低減させることができる。
【００３６】
また前記Ｇｄ決め層及び前記持ち上げ層上に形成される前記上部磁極層の膜厚を所定膜厚で形成することができるので、前記上部コア層から前記上部磁極層へ流れる磁束の通過効率の低下を防止でき、これによって前記上部磁極層の磁気飽和を低減させることができると共に、前記ギャップ層の近傍で発生する漏れ磁界を大きくでき、高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００３７】
また本発明では、前記Ｇｄ決め層及び前記持ち上げ層上に所定膜厚の上部磁極層を形成することが可能であるから、前記上部磁極層の後端側において、ハイト方向に向かうにしたがって幅寸法が広がり始める端部（ＰＳ）や前記上部磁極層の後端部（後端エッジ）の形成位置を、オーバーライト特性、ＮＬＴＳ特性及びＰＷ５０特性の最適化に合わせて、自由に設計変更することができる。
【００３８】
またＧｄ決め層及び前記持ち上げ層上の上部磁極層後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層に対する平坦化精度に左右されず、前記上部磁極層を所定形状で形成できる。
【００３９】
また、本発明では、ギャップデプスを規定するＧｄ決め層の前端面が前記下部コア層表面に対する垂直面または前記下部コア層から上部コア層方向へ離れるにしたがってハイト方向に傾く傾斜面で形成されているので、前記下部磁極層及び前記下部磁極層上に積層されるギャップ層のハイト方向寸法を正確に規定でき、ギャップデプスの寸法を正確に形成することが容易になる。
【００４０】
前記持ち上げ層は例えば全部分が非磁性金属材料によって形成されるものとすることができる。
【００４１】
前記非磁性金属材料として、例えばＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上を選択することができる。
【００４２】
なお、前記持ち上げ層が前記Ｇｄ決め層上に形成されるメッキ下地層上にメッキ形成されるようにすると、前記持ち上げ層を厚く形成することが容易になる。また、前記メッキ下地層は、前記持ち上げ層の下面と重なる部分にのみ形成されることが好ましい。また、本発明では、前記持ち上げ層の前端面を前記Ｇｄ決め層の前端面よりもハイト方向後方に位置するように形成することが好ましい。このとき、前記Ｇｄ決め層上であって前記持ち上げ層が形成されていない部分には前記メッキ下地層が形成されないようにできる。
【００４３】
前記下部磁極層をメッキ形成する際、前記下部磁極層の膜厚を一定の範囲に制御することは困難であるため、前記下部磁極層の膜厚が前記Ｇｄ決め層の膜厚よりも若干大きくなり、前記下部磁極層が前記Ｇｄ決め層上に乗り上ってしまうことがある。このとき、前記Ｇｄ決め層上であって前記持ち上げ層が形成されていない部分にもメッキ下地層が形成されていると、前記下部磁極層がこのメッキ下地層上にも形成されてしまい、前記下部磁極層及び前記下部磁極層上に積層されるギャップ層のハイト方向寸法を正確に規定できなくなり、ギャップデプスの寸法を正確に形成することが困難になる。
【００４４】
本発明のように、前記メッキ下地層が前記持ち上げ層の下面と重なる部分にのみ形成されると、前記下部磁極層の膜厚が前記Ｇｄ決め層の膜厚よりも若干大きくなっても、前記下部磁極層が前記Ｇｄ決め層の上でメッキ形成されることを抑えることができるので、前記下部磁極層及び前記下部磁極層上に積層されるギャップ層のハイト方向寸法を正確に規定でき、ギャップデプスの寸法を正確に形成することができる。
【００４５】
また、本発明では、前記持ち上げ層の前記上部磁極層との対向面の一部または前記持ち上げ層の前記上部磁極層との対向面の全部に金属膜が形成されていることが好ましい。
【００４６】
なお、前記金属膜は、非磁性金属材料で形成されてもよいし、磁性金属材料で形成されてもよい。
【００４７】
前記非磁性金属材料あるいは磁性金属材料で形成された金属膜は、スパッタ成膜によって形成されることができる。
【００４８】
また、本発明では、前記Ｇｄ決め層のハイト方向断面は例えば略長方形状や略台形状である。
【００４９】
また、前記Ｇｄ決め層は、非磁性金属材料で形成されてもよい。または、前記Ｇｄ決め層はレジスト材料などの有機材料で形成されてもよい。あるいは、前記Ｇｄ決め層は無機材料で形成されてもよい。
【００５０】
また、本発明では、前記ギャップ層は、前記対向面から前記Ｇｄ決め層上面または前記持ち上げ層上面の少なくとも一部にかけて形成され、前記Ｇｄ決め層上面または前記持ち上げ層上面にギャップ層が重ねられた部分での前記上部磁極層は、前記ギャップ層上に形成されるようにもできる。
【００５１】
前記ギャップ層は、非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択されたものとすることができる。
【００５２】
また、前記上部磁極層は２層以上の磁性層の積層構造で形成され、前記磁性層のうち前記ギャップ層と接する最下層は、それ以外の前記磁性層に比べて飽和磁束密度が高い高Ｂｓ層で形成され、前記高Ｂｓ層は前記ギャップ層上追から前記金属膜上にかけて形成されていることが好ましい。
【００５３】
本発明では、前記磁気ギャップ層に接する磁性層の飽和磁束密度を他の磁性層よりも高くすることにより、前記ギャップ層周辺で発生する漏れ磁束量を大きくすることができ、高記録密度化に対応できる。
【００５８】
または、本発明の磁気ヘッドの製造方法は以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ｅ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上にメッキ下地層を形成する工程と、
（ｆ）前記メッキ下地層上の、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の所定位置に、ハイト方向に所定の長さを有するレジスト層を形成し、前記レジスト層で覆われていない前記メッキ下地層を除去する工程と、
（ｇ）前記レジスト層を除去した後、前記メッキ下地層をマスクとして、前記メッキ下地層で覆われていない前記Ｇｄ決め層を除去し、前記メッキ下地層下にハイト方向断面が略長方形状あるいは略台形状となるＧｄ決め層を残す工程、
（ｈ）前記メッキ下地層の上面以外をレジスト層で覆い、前記レジスト層で覆われていない前記メッキ下地層の上面に非磁性金属材料からなる持ち上げ層をメッキ形成する工程と、
（ｉ）前記下部コア層上であって、前記対向面から前記Ｇｄ決め層の前記前端面にかけて下部磁極層をメッキ形成する工程と、
（ｊ）前記下部磁極層上にギャップ層をメッキ形成した後、前記ギャップ層上から前記持ち上げ層の上面にかけて上部磁極層をメッキ形成する工程。
【００５９】
本発明では、前記（ｈ）の工程において、前記Ｇｄ決め層上に持ち上げ層を形成している。従って、前記Ｇｄ決め層の前端面にレジスト溜りが形成されることを防止するために前記Ｇｄ決め層を薄く形成した場合でも、前記Ｇｄ決め層の上に形成される前記持ち上げ層を厚く形成することによって前記下部コア層と前記上部磁極層の距離を離すことができ、前記Ｇｄ決め層を挟んだ位置での前記下部コア層と前記上部磁極層間の磁界の漏れを減少させることが可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００６０】
また、本発明では、（ｈ）の工程において前記持ち上げ層を非磁性金属材料からなるものとして形成しており、その結果、前記持ち上げ層の前記上部磁極層との対向面は全部が金属材料によって形成されることになる。従って、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層及び前記持ち上げ層上にかけて適切に前記上部磁極層をメッキ成長させることができ、前記Ｇｄ決め層及び前記持ち上げ層上での前記上部磁極層の膜厚を所定膜厚で形成することができる。
【００６１】
よって本発明では、前記上部磁極層と前記上部コア層との接触面積を大きくできると共に、前記上部磁極層の体積を従来に比べて十分に大きく形成でき、今後の高記録密度化においても前記上部磁極層の磁気飽和を適切に低減させることができる。
【００６２】
本発明では、前記（ｅ）及び（ｆ）工程に代えて以下の工程を有してもよい。
（ｋ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上をレジスト層で覆い、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記Ｇｄ決め層にハイト方向に所定の長さを有する穴部を形成する工程と、
（ｌ）前記穴部から露出した前記Ｇｄ決め層上にメッキ下地層を形成する工程。
【００６３】
あるいは、本発明では、前記（ｅ）ないし（ｈ）工程に代えて以下の工程を有してもよい。
（ｍ）下部コア層上の全面にＧｄ決め層を形成し、さらに前記Ｇｄ決め層上にメッキ下地層を形成する工程と、
（ｎ）前記メッキ下地層上面をレジスト層で覆い、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の前記レジスト層にハイト方向に所定の長さを有する穴部を形成し、前記穴部から露出した前記メッキ下地層上に非磁性金属材料からなる持ち上げ層をメッキ形成する工程と、
（ｏ）前記レジスト層を除去した後、前記持ち上げ層に覆われていないメッキ下地層及びＧｄ決め層を除去し、前記持ち上げ層の下にメッキ下地層及びハイト方向断面が略長方形状あるいは略台形状となるＧｄ決め層を残す工程、
なお、本発明では、前記Ｇｄ決め層をレジスト材料で形成し、前記（ｅ）（ｋ）（ｍ）工程で前記Ｇｄ決め層を熱処理して硬化させることができる。
【００６４】
また、前記（ｃ）または（ｊ）工程で上部磁極層を２層以上の磁性層の積層構造でメッキ形成し、前記磁性層のうちギャップ層と接する最下層をそれ以外の層よりも高い飽和磁束密度を有する高Ｂｓ層としてメッキ形成し、前記高Ｂｓ層を前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層上にかけてメッキ形成することが好ましい。
【００６５】
また、前記（ｂ）、（ｈ）、または（ｎ）工程における非磁性金属材料を、例えばＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択することができる。
【００６６】
また、本発明では、前記（ａ）又は（ｊ）工程におけるギャップ層を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択した非磁性金属材料でメッキ形成することが好ましい。
【００６７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態の磁気ヘッドの正面図、図２は図１に示す磁気ヘッドをＡ−Ａ線から切断し矢印方向から見た縦断面図である。図２に示す記録用の磁気ヘッドＨｗが本発明の磁気ヘッドであり、いわゆるインダクティブヘッドＨｗである。このインダクティブヘッドＨｗは、例えば磁気抵抗効果を利用した再生用磁気ヘッドＨｒの上に積層される。
【００６８】
図１及び図２に示される磁気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成するセラミック材のスライダ１１のトレーリング端面１１ａに形成されたものであり、再生用磁気ヘッドＨｒと、書込み用のインダクティブヘッドとが積層された、複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。
【００６９】
再生用磁気ヘッドＨｒは、磁気抵抗効果を利用してハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。
【００７０】
図１及び図２に示すように、スライダ１１のトレーリング側端面１１ａ上にＡｌ2Ｏ3膜１２を介してＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の下部シールド層１３が形成され、さらにその上に絶縁材料製の下部ギャップ層１４が形成されている。
【００７１】
再生用磁気ヘッドＨｒは、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子やトンネル磁気抵抗効果を利用したＴＭＲ素子、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で形成される磁気抵抗効果素子である磁界読み取り部Ｍと、磁界読み取り部Ｍの上下に下部ギャップ層１４及び上部ギャップ層１５を介して形成された下部シールド層１３と上部シールド層１６を有している。
【００７２】
磁界読み取り部１０のトラック幅方向（Ｘ方向）の長さが、再生用磁気ヘッドＨｒのトラック幅Ｔｒである。また、上部シールド層１６と下部シールド層１３間の距離はＨ２である。
【００７３】
下部ギャップ層１４及び上部ギャップ層１５は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁性材料からなり、下部シールド層１３及び上部シールド層１６は、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成されている。
【００７４】
図１及び２に示す実施形態では、上部シールド層１６がインダクティブヘッドＨｗの下部コア層としても兼用されている。、下部コア層（下部シールド層）１６上には、図２に示されるようにＧｄ決め層３０が形成され、記録媒体との対向面からＧｄ決め層３０の先端部までの長さ寸法でギャップデプス（Ｇｄ）が規制される。Ｇｄ決め層３０は例えば非磁性有機絶縁材料からなるレジスト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性無機絶縁材料、またはＣｕなどの非磁性導電性材料などで形成される。
【００７５】
インダクティブヘッドＨｗでは、下部コア層１６上に絶縁材料で形成された絶縁層２３が形成されている。絶縁材料は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＴｉＯ2、Ｔｉ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、Ｎｉ3Ｏ4、Ｎｉ2Ｏ3、ＷＯ、ＷＯ2、Ｗ2Ｏ5、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮのうち少なくとも１種からなり、絶縁層２３は単層であるいは多層化されて形成されている。
【００７６】
また図２に示すように、記録媒体との対向面からＧｄ決め層３０上にかけて磁極部１８が形成されている。
【００７７】
磁極部１８は下から下部磁極層１９、非磁性のギャップ層２０、及び上部磁極層２１が積層されて形成されている。
【００７８】
下部磁極層１９は、下部コア層１６上に直接メッキ形成されている。また下部磁極層１９の上に形成されたギャップ層２０は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上を選択できる。また、ギャップ層２０は単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【００７９】
なお本発明における具体的な実施形態としてギャップ層２０にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰでギャップ層２０を形成することで前記ギャップ層２０を適切に非磁性状態にできるからである。またギャップ層２０がＮｉＰ合金で形成されると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、下部磁極層１９及び上部磁極層２１との密着性も良い。また下部磁極層１９及び上部磁極層２１との硬さも同等とすることができるので、例えばイオンミリング等により、下部磁極層１９、ギャップ層２０及び上部磁極層２１を加工する際の加工量も同等とすることができ加工性を向上させることができる。
【００８０】
なお、ギャップ層２０はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等のギャップ層２０の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【００８１】
なおギャップ層２０は例えばＡｌ2Ｏ3などの絶縁物であっても良いが、かかる場合、ギャップ層２０上に上部磁極層２１をメッキ形成するためのメッキ下地を形成する必要があり、磁極部１８の形成が煩雑化するため、ギャップ層２０はメッキ形成されることが好ましい。
【００８２】
さらにギャップ層２０の上に形成された上部磁極層２１は、その上に形成される上部コア層２２と磁気的に接続される。
【００８３】
上記のようにギャップ層２０がメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層１９、ギャップ層２０及び上部磁極層２１を連続メッキ形成することが可能である。
【００８４】
なお磁極部１８は、ギャップ層２０及び上部磁極層２１の２層で構成されていてもよい。
【００８５】
図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層２１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は上部コア層２２の幅寸法よりも短く形成されており、この上部磁極層２１の幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制されている。トラック幅Ｔｗは、例えば０．１μｍ〜１．０μｍである。または０．１μｍ〜０．５μｍである。
【００８６】
上部磁極層２１及び下部磁極層１９は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＣｏＮｉ、或いはＣｏＦｅＸ又はＦｅＮｉＸ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔのいずれか１種または２種以上の元素である）の組成式で示される軟磁性材料のうちいずれか１種或いは２種以上を用いて形成される。
【００８７】
本実施の形態では、上部磁極層２１は、磁性層２１ａと磁性層２１ｂの積層構造で形成され、図２に示されるように磁性層２１ａはギャップ層２０上からＧｄ決め層３０上にかけて形成されている。
【００８８】
磁性層２１ｂは、磁性層２１ａを形成する軟磁性材料と同じ組成式で表わされる軟磁性材料で形成されてもよいし、異なる組成式を有する軟磁性材料で形成されてもよい。
【００８９】
ただし、磁性層２１ａは磁性層２１ｂよりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料によって形成されることが好ましい。
【００９０】
このようにギャップ層２０に近い磁性層２１ａを飽和磁束密度の大きい磁性材料で形成することで上部コア層２２から流れてきた磁束をギャップ近傍に集約することが容易になり、記録密度を向上させることが可能になる。
【００９１】
なお磁性層２１ｂも磁性層２１ａと同じ材質の磁性材料で形成する場合、例えばＮｉＦｅ合金で形成する場合には、磁性層２１ａ側のＮｉＦｅ合金のＦｅ量を磁性層２１ｂ側のＮｉＦｅ合金のＦｅ量よりも大きくすることで、磁性層２１ａの飽和磁束密度Ｂｓを磁性層２１ｂの飽和磁束密度Ｂｓよりも大きくすることができる。
【００９２】
また上部磁極層２１が３層以上の多層膜として形成される場合も同様に、ギャップ層２０に近い磁性層ほど飽和磁束密度Ｂｓが高くなるように磁性材料を選択することが好ましい。
【００９３】
なお磁極部は、ギャップ層２０及び上部磁極層２１のみで構成されていてもよい。
【００９４】
また、上部コア層２２は、上部磁極層２１の磁性層２１ｂと磁気的に結合している。磁性層２１ｂは上部コア層２２よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料によって形成されることが好ましい。
【００９５】
上部コア層２２と下部コア層１６は、ＮｉＦｅなどによってメッキ形成されている。上部コア層２２と上部磁極層２１は同じ材質でも異なる材質で形成されてもよい。下部コア層１６と下部磁極層１９は同じ材質でも異なる材質で形成されてもよい。また、下部磁極層１９は、下部コア層１６よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料で形成されることが好ましい。
【００９６】
下部コア層１６の上面は平坦面１６ａで形成されてもよいし、磁極部１８の基端からトラック幅方向（図示Ｘ方向）に離れるにしたがって下面方向に傾く傾斜面１６ｂで形成されてもよい。下部コア層１６の上面が傾斜面１６ｂで形成されると上部コア層２２と下部コア層１６の間隔を広げられるためサイドフリンジングの発生を抑制することが可能である。
【００９７】
図１及び図２に示すように、磁極部１８のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハイト方向後方（図示Ｙ方向）には絶縁層２３が形成されている。絶縁層２３の上面は磁極部１８の上面と同一平面とされる。
【００９８】
図２に示すように、絶縁層２３上にはコイル層２４が螺旋状にパターン形成されている。またコイル層２４上は有機絶縁材料製の絶縁層２５によって覆われている。
【００９９】
図２に示すように、磁極部１８上から絶縁層２５上にかけて上部コア層２２が例えばフレームメッキ法によりパターン形成されている。また、図１に示すように、上部コア層２２の先端部２２ａは、記録媒体との対向面でのトラック幅方向における幅寸法がＴ１で形成され、かかる幅寸法Ｔ１はトラック幅Ｔｗよりも大きく形成されている。
【０１００】
また図２に示すように、上部コア層２２の基端部２２ｂは、下部コア層１６上に形成された磁性材料製の接続層（バックギャップ層）２６上に直接接続されている。
【０１０１】
コイル層２４に記録電流が与えられると、下部コア層１６及び上部コア層２２に記録磁界が誘導され、ギャップ層２０を介して対向する下部磁極層１９及び上部磁極層２１間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０１０２】
図２に示されるように、下部磁極層１９、ギャップ層２０及び上部磁極層２１の後方には、有機材料などで形成されたＧｄ決め層３０が形成され、Ｇｄ決め層３０上に非磁性金属材料からなる持ち上げ層３１が積層されている。
【０１０３】
図３は、図２に示された薄膜磁気ヘッドの記録媒体との対向面周辺の部分拡大断面図である。
【０１０４】
記録媒体との対向面よりもハイト方向後方の下部コア層１６上にはＧｄ決め層３０が設けられており、Ｇｄ決め層３０の下部磁極層１９と接触する面（前端面）３０ａが下部コア層１６の表面に対する垂直面で形成されている。本実施の形態では、Ｇｄ決め層３０のハイト方向断面は略長方形状となっている。
【０１０５】
下部コア層１６上にメッキ下地層１７を介して形成された下部磁極層１９は、記録媒体との対向面からＧｄ決め層３０の前端面３０ａにまで延びてメッキ形成されている。
【０１０６】
ギャップ層２０は下部磁極層１９上に積層されＧｄ決め層３０に接する長さで形成され、ギャップ層２０と上部磁極層２１との対向面のハイト方向の深さ（ギャップデプス）は、Ｇｄ決め層３０の前端面３０ａによってＬ１に規制されている。ここでＬ１＝０．４〜１．５μｍである。また、Ｇｄ決め層３０のハイト方向長さＧ１は２．０〜２０．０μｍである。ただし、Ｇｄ決め層３０のハイト方向長さＧ１は図２に示される（バックギャップ層）２６に接触しない範囲であれば任意に延長してもよい。
【０１０７】
本実施の形態では、Ｇｄ決め層３０の下部磁極層１９と接触する面（前端面）３０ａが下部コア層１６の表面１６ａに対する垂直面であるので、下部磁極層１９のハイト方向寸法及び下部磁極層１９上に積層されるギャップ層２０のハイト方向寸法を正確に規定でき、ギャップデプスＬ１の寸法を正確に形成することが容易になる。ただし、Ｇｄ決め層３０の前端面３０ａは少なくとも下部磁極層１９及びギャップ層２０に接触する部分が下部コア層１６の表面１６ａに対する垂直面となっていればよく、Ｇｄ決め層３０の前端面３０ａの角部３０ａ１周辺が曲面状になっていてもよい。
【０１０８】
Ｇｄ決め層３０上には、非磁性金属材料によって形成される持ち上げ層３１が積層されている。持ち上げ層３１はメッキ下地層３２上にメッキ形成されており厚く形成することが容易になっている。なお、メッキ下地層３２は、非磁性金属材料あるいは磁性金属材料がスパッタ成膜されることが好ましく、膜厚Ｈ４は０．０５μｍ〜０．２μｍ程度である。メッキ下地層３２は、例えばＴｉ、Ａｕ、ＮｉＦｅ、ＮｉＣｕによって形成される。
【０１０９】
本実施の形態では、持ち上げ層３１の全部分を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上から選択された非磁性金属材料によって形成している。
【０１１０】
また持ち上げ層３１がＮｉＰ合金で形成されると、メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、また持ち上げ層３１上に形成される上部磁極層２１との密着性も良い。また持ち上げ層３１がＮｉＰ合金からなるときには、ＮｉＰ合金中の元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等の持ち上げ層３１の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等が組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【０１１１】
そして、ギャップ層２０上にメッキ形成される上部磁極層２１の磁性層（高Ｂｓ層）２１ａは、絶縁層２３よりも記録媒体との対向面側の領域Ｄ内に露出したＧｄ決め層３０上の持ち上げ層３１上にまで延びてメッキ形成されている。
【０１１２】
さらに磁性層２１ａの上には上部磁極層２１を構成する磁性層２１ｂがメッキ形成され、磁性層２１ｂの上面２１ｂ１は、磁性層２１ｂのハイト方向後方（図示Ｙ方向）に位置する絶縁層２３の上面２３ａと同一面上で形成されている。
【０１１３】
本実施の形態では、持ち上げ層３１が非磁性金属材料からなるものであるので、持ち上げ層３１の上部磁極層２１との対向面３１ａの全部が金属材料によって形成されていることになる。
【０１１４】
図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層２１の磁性層（高Ｂｓ層）２１ａのメッキ下地は、ギャップ層２０の他に、持ち上げ層３１である。
【０１１５】
したがって磁性層２１ａをギャップ層２０上から持ち上げ層３１上にかけて所定膜厚で形成することができる。さらに、磁性層２１ａ上の磁性層２１ｂも所定膜厚で形成することができ、上部磁極層２１全体を所定膜厚で形成することができる。
【０１１６】
このように本実施の形態では、Ｇｄ決め層３０上に厚い膜厚の磁性層２１ａ及び磁性層２１ｂを適切に形成することができるから、上部コア層２２から上部磁極層２１に流れる磁束は、磁性層２１ｂを介して飽和磁束密度の高い磁性層（高Ｂｓ層）２１ａに流れ、上部磁極層２１が磁気飽和することを防止することができる。従って磁性層２１ａの前記対向面からは大きな漏れ磁束が発生し、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することが可能である。
【０１１７】
また図４は、上部磁極層２１付近の部分平面図である。なおこの平面図では上部コア層２２や、後述の絶縁層２３を図面から削除している。
【０１１８】
図４に示すように、上部磁極層２１は、記録媒体との対向面でのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された幅細形状の先端領域２１ｃと、先端領域２１ｃよりもハイト方向後方に向けて幅寸法が広がる後方領域２１ｄとで構成される。
【０１１９】
本実施の形態では、Ｇｄ決め層３０の上面に形成された持ち上げ層３１上にまで上部磁極層２１の磁性層２１ａ及び２１ｂを延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を厚く形成することができるので上部磁極層２１全体を所定の膜厚にて形成できる。したがって上部磁極層２１での磁気飽和を適切に防止することができる。
【０１２０】
さらに図４に示す上部磁極層２１の後端部（磁極エッジ）２１ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２１ｃ１の形成位置を、後端部２１ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２１ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１２１】
またＧｄ決め層３０上で上部磁極層２１後端部を十分な体積をもって形成できるので、上部磁極層２１に対する平坦化精度に左右されずに、上部磁極層２１を所定形状で形成できる。よって、上部磁極層２１と上部コア層２２との接触面積を大きくかつ一定にできる。
【０１２２】
Ｇｄ決め層３０の膜厚Ｈ３は例えば０．４μｍ程度と薄いことが好ましい。その理由は、後述する製造方法によってＧｄ決め層３０を形成する際に、Ｇｄ決め層３０の膜厚を厚くするとＧｄ決め層３０の前端面と下部コア層の間にレジスト溜りが発生しやすくなるからである。特に、図３に示されるように、Ｇｄ決め層３０の下部磁極層１９と接触する面（前端面）が下部コア層１６の表面１６ａに対する垂直面で形成されると、前記レジスト溜りが発生しやすい。
【０１２３】
このレジスト溜り上に下部磁極層１９がメッキ形成されると、下部磁極層１９さらにはその上に形成されるギャップ層２０を適切にメッキ成長させることができず、ギャップ層２０のハイト方向奥行き寸法で決められるギャップデプスＬ１がばらつくという問題が生じる。
【０１２４】
このような不具合を解消するにはＧｄ決め層３０の膜厚を薄く形成すれば良いが、Ｇｄ決め層３０を薄く形成するとＧｄ決め層３０を挟んだ下部コア層１６と上部磁極層２１間の距離が短くなってしまい、下部コア層１６と上部磁極層２１間で磁界が漏れやすくなり、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界が減少してしまうといった問題が発生する。
【０１２５】
そこで、本実施の形態では、磁極部１８のハイト方向後方に形成されるＧｄ決め層３０上に持ち上げ層３１を形成しているのである。
【０１２６】
本実施の形態では、Ｇｄ決め層３０を薄く形成しても、Ｇｄ決め層３０の上に形成される非磁性金属材料からなる持ち上げ層３１の厚さＨ５を例えば０．２〜１．０μｍと厚く形成することによって下部コア層１６と上部磁極層２１の距離を離すことができ、Ｇｄ決め層３０を挟んだ位置での下部コア層１６と上部磁極層２１間の磁界の漏れを減少させることが可能になり、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界の減少を抑えることができる。
【０１２７】
なおこの実施形態ではＧｄ決め層３０を前述したようにレジストなどの有機材料で形成しても良いし、ＳｉＯ2などの無機材料で形成しても図３のような縦断面が略長方形状となるＧｄ決め層３０を適切に形成することができる。また、Ｇｄ決め層３０を持ち上げ層３１と同様の非磁性金属材料を用いて形成してもよい。
【０１２８】
また、本実施の形態では、持ち上げ層３１の前端面３１ｂをＧｄ決め層３０の前端面３０ａよりもハイト方向後方に位置するように形成している。さらに、メッキ下地層３２は、持ち上げ層３１の下面３１ｃと重なる部分にのみ形成され、Ｇｄ決め層３０上であって持ち上げ層３１が形成されていない部分には形成されていない。
【０１２９】
下部磁極層１９をメッキ形成する際、下部磁極層１９の膜厚Ｈ６を一定の範囲に制御することは困難であるため、図５に示されるように、下部磁極層１９の膜厚がＧｄ決め層３０の膜厚Ｈ３よりも若干大きくなり、下部磁極層１９がＧｄ決め層３０上に乗り上ってしまうことがある。
【０１３０】
本実施の形態のように、メッキ下地層３２が持ち上げ層３１の下面３１ｃと重なる部分にのみ形成されると、下部磁極層１９の膜厚Ｈ６がＧｄ決め層３０の膜厚Ｈ３よりも若干大きくなっても、下部磁極層１９がＧｄ決め層３０の上でメッキ形成されることを抑えることができるので、下部磁極層１９及び下部磁極層１９上に積層されるギャップ層のハイト方向寸法がぱらつくことを抑えることができ、ギャップデプスの寸法誤差を低減することができる。
【０１３１】
もし、Ｇｄ決め層３０上であって持ち上げ層３１が形成されていない部分にもメッキ下地層３２が形成されていると、下部磁極層１９がこのメッキ下地層３２上にも形成される。すなわち、下部磁極層１９がＧｄ決め層３０上にまで延出し、この延出した部分での下部磁極層１９と上部磁極層２１間で磁界が漏れて、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界が低減すると共に、ギャップデプスが長くなってしまい、前記ギャップデプスを所定値内に収めにくくなる。
【０１３２】
図６は、本発明の第２の実施の形態の磁気ヘッドの縦断面図である。
図６に示される磁気ヘッドでは、ギャップ層２０が記録媒体との対向面からＧｄ決め層３０の上面及び持ち上げ層３１の上面３１ｃの一部にかけて形成されている。さらに、上部磁極層２１は、ギャップ層２０上にメッキ形成されている。
【０１３３】
図６に示された磁気ヘッドのギャップデプス（Ｇｄ）Ｌ２は、記録媒体との対向面から、ギャップ層２０がＧｄ決め層３０に突き当たるＧｄ決め層３０の前端面３０ａまでの長さＬ２で規定される。
【０１３４】
また、上部磁極層２１の飽和磁束密度が高い磁性層２１ａが、ギャップ層２０上全体に適切にメッキ形成され、さらに磁性層２１ａ上に磁性層２１ａよりも飽和磁束密度が低い磁性層２１ｂが重ねてメッキ形成されている。
【０１３５】
また図６のようにギャップ層２０が持ち上げ層３１上にまでメッキ形成されている場合、上部磁極層２１の下に露出する層は、ギャップ層２０のみか、あるいはギャップ層２０と持ち上げ層３１のみとなる。
【０１３６】
図３に示された第１の実施の形態の磁気ヘッドの場合、上部磁極層２１の下の層は、ギャップ層２０と持ち上げ層３１の他に、Ｇｄ決め層３０の上面であって、Ｇｄ決め層３０の前端面３０ａと持ち上げ層３１の前端面３１ｂの間の領域３０ｂにも接する。上部磁極層２１は非磁性金属材料からなるギャップ層２０と持ち上げ層３１の上では適切にメッキ成長するが、メッキ下地層３２が形成されてない領域３０ｂ上ではメッキ成長し難い。
【０１３７】
ただし本実施の形態では、領域３０ｂは微小な間隔Ｅであるので、ギャップ層２０上と持ち上げ層３１上とでメッキ成長する上部磁極層２１が微小な間隔Ｅ内も埋めつくし、間隔Ｅ上でメッキ形成される上部磁極層２１の膜厚が他の部分と比べて極端に小さくなるようなことはない。間隔Ｅのハイト長さは、０．２〜０．８μｍ程度であることが好ましい。
【０１３８】
しかし、より確実に上部磁極層２１をメッキ成長させるには、微小な間隔Ｅでも絶縁性材料からなるＧｄ決め層３０表面が露出しないことが良い。
【０１３９】
図６では、上記のように、非磁性金属材料からなるギャップ層２０が持ち上げ層３１上にも重ねてメッキ形成され、メッキ下地層３２が形成されていない領域３１ｂはギャップ層２０に覆われるので、より確実に上部磁極層２１を所定膜厚にてメッキ形成することが可能である。
【０１４０】
なお図６のようにギャップ層２１がＧｄ決め層３０上の持ち上げ層３１上にまで延ばされて形成された形態は、以下の実施形態においても適用できるものである。
【０１４１】
本実施の形態でも、持ち上げ層３１が非磁性金属材料からなるものであるので、持ち上げ層３１のギャップ層２０を介した上部磁極層２１との対向面の全部が金属材料によって形成されていることになる。
【０１４２】
図６に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層２１の磁性層（高Ｂｓ層）２１ａのメッキ下地は、ギャップ層２０である。
【０１４３】
したがって磁性層２１ａをギャップ層２０上から持ち上げ層３１上にかけて所定膜厚で形成することができる。さらに、磁性層２１ａ上の磁性層２１ｂも所定膜厚で形成することができ、上部磁極層２１全体を所定膜厚で形成することができる。
【０１４４】
このように本実施の形態でも、Ｇｄ決め層３０上に厚い膜厚の磁性層２１ａ及び磁性層２１ｂを適切に形成することができるから、上部コア層２２から上部磁極層２１に流れる磁束は、磁性層２１ｂを介して飽和磁束密度の高い磁性層（高Ｂｓ層）２１ａに流れ、上部磁極層２１が磁気飽和することを防止することができる。従って磁性層２１ａの前記対向面からは大きな漏れ磁束が発生し、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することが可能である。
【０１４５】
さらに上部磁極層２１の後端部（磁極エッジ）２１ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２１ｃ１の形成位置を、後端部２１ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２１ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１４６】
またＧｄ決め層３０上で上部磁極層２１の後端部を十分な体積をもって形成できるので、上部磁極層２１に対する平坦化精度に左右されずに、上部磁極層２１を所定形状で形成できる。よって、上部磁極層２１と上部コア層２２との接触面積を大きくかつ一定にできる。
【０１４７】
本実施の形態でも、Ｇｄ決め層３０を薄く形成したときに、Ｇｄ決め層３０の上に形成される非磁性金属材料からなる持ち上げ層３１の厚さＨ５を例えば０．２〜１．０μｍと厚く形成することによって下部コア層１６と上部磁極層２１の距離を離すことができ、Ｇｄ決め層３０を挟んだ位置での下部コア層１６と上部磁極層２１間の磁界の漏れを減少させることが可能になり、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界の減少を抑えることができる。
【０１４８】
図７は、本発明の第３の実施の形態の磁気ヘッドの縦断面図である。
図７に示される磁気ヘッドでは、Ｇｄ決め層４０のギャップ層２０と接触する面（前端面）４０ａが下部コア層１６から上部コア層２２方向へ離れるにしたがってハイト方向に傾く傾斜面で形成され、Ｇｄ決め層４０のハイト方向断面が略台形状である点で、図１ないし図３に示された第１の実施の形態の磁気ヘッドと異なっている。
【０１４９】
本実施の形態の磁気ヘッドのギャップデプスＬ２は、上部磁極層２１を構成する磁性層２１ａとギャップ層２０の接合面のハイト方向長さで規定される。
【０１５０】
本実施の形態のように、Ｇｄ決め層４０の前端面４０ａが傾斜面として形成されていると、Ｇｄ決め層４０の前端面４０ａと下部コア層１６の間にレジスト溜りが発生しにくくなり、下部磁極層１９さらにはその上に形成されるギャップ層２０を適切にメッキ成長させることが容易になる。従って、ギャップ層２０のハイト方向奥行き寸法で決められるギャップデプスＬ２のばらつきを低減できる。
【０１５１】
この実施形態ではＧｄ決め層４０をレジストなどの有機材料で形成しても良いし、ＳｉＯ2などの無機材料で形成しても良い。また、Ｇｄ決め層４０を持ち上げ層３１と同様の非磁性金属材料を用いて形成してもよい。
【０１５２】
本実施の形態でも、持ち上げ層３１が非磁性金属材料からなるものであるので、持ち上げ層３１の上部磁極層２１との対向面３１ａの全部が金属材料によって形成されていることになる。
【０１５３】
図７に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層２１の磁性層（高Ｂｓ層）２１ａのメッキ下地は、ギャップ層２０及び持ち上げ層３１である。
【０１５４】
したがって磁性層２１ａをギャップ層２０上から持ち上げ層３１上にかけて所定膜厚で形成することができる。さらに、磁性層２１ａ上の磁性層２１ｂも所定膜厚で形成することができ、上部磁極層２１全体を所定膜厚で形成することができる。
【０１５５】
このように本実施の形態でも、Ｇｄ決め層４０上に厚い膜厚の磁性層２１ａ及び磁性層２１ｂを適切に形成することができるから、上部コア層２２から上部磁極層２１に流れる磁束は、磁性層２１ｂを介して飽和磁束密度の高い磁性層（高Ｂｓ層）２１ａに流れ、上部磁極層２１が磁気飽和することを防止することができる。従って磁性層２１ａの前記対向面からは大きな漏れ磁束が発生し、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することが可能である。
【０１５６】
さらに上部磁極層２１の後端部（磁極エッジ）２１ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２１ｃ１の形成位置を、後端部２１ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２１ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１５７】
またＧｄ決め層４０上で上部磁極層２１の後端部を十分な体積をもって形成できるので、上部磁極層２１に対する平坦化精度に左右されずに、上部磁極層２１を所定形状で形成できる。よって、上部磁極層２１と上部コア層２２との接触面積を大きくかつ一定にできる。
【０１５８】
また、本発明では、図８に示される第４の実施の形態の磁気ヘッドのようにＧｄ決め層３０の上面３０ｃ全面にメッキ下地層３２が成膜され、このメッキ下地層３２全面上に持ち上げ層３１がメッキ形成される構成であってもよい。
【０１５９】
図９は、本発明の第５の実施の形態の磁気ヘッドの縦断面図である。
本実施の形態の磁気ヘッドは、持ち上げ層５２が絶縁性材料からなる基体部５０と非磁性金属材料または磁性金属材料からなる金属膜５１とで構成されている点で図３に示された磁気ヘッドと異なっている。
【０１６０】
金属膜５１は、非磁性金属材料で形成されることが好ましい。また前記非磁性金属材料には、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉのうちいずれか１種または２種以上などスパッタ成膜できる材料を選択することが好ましい。金属膜５１を前記非磁性金属材料で形成することにより、金属膜５１上に上部磁極層２１を重ねてメッキ形成するときに、金属膜５１が溶け出す恐れが無い。従って金属膜５１を薄く形成しても適切に上部磁極層２１のメッキ下地として機能させることができる。なお、まずＴｉを敷き、前記Ｔｉ上に、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｐｔのいずれか１種以上を形成すると密着性が向上して好ましい。
【０１６１】
あるいは金属膜５１は磁性金属材料で形成されていてもよい。磁性金属材料にはＮｉＦｅ合金やＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金などを選択することができる。ただしＮｉ濃度が多い磁性金属材料を使用した場合、前記磁性金属材料で形成された金属膜５１上に上部磁極層２１をメッキ成長させていくとき、金属膜５１が溶け出すことが確認されている。このため金属膜５１をＮｉ濃度が大きい磁性材料で形成するとき、金属膜５１の膜厚を、非磁性金属材料で金属膜５１を形成する場合に比べて厚く形成することが好ましい。
【０１６２】
また本実施の形態では、前記非磁性金属材料あるいは磁性金属材料で形成された金属膜５１をスパッタ成膜することが好ましい。これにより金属膜５１を適切にしかも容易に基体部５０上に形成することができる。金属膜５１の膜厚を０．０２μｍ以上で０．３μｍ以下で形成すれば、メッキ下地として十分に機能させることができる。
【０１６３】
なお、金属膜５１は、基体部５０の上面５０ａ上のみまたは基体部５０の上面５０ａ及び前面５０ｂ上のみに成膜され、金属膜５１が、Ｇｄ決め層３０上であって、Ｇｄ決め層３０の前端面３０ａと基体部５０の前端面５０ｂの間の領域３０ｂ上には形成されないことが好ましい。
【０１６４】
金属膜５１が領域３０ｂ上に形成されなければ、下部磁極層１９の膜厚Ｈ６がＧｄ決め層３０の膜厚Ｈ３よりも若干大きくなっても、下部磁極層１９がＧｄ決め層３０の上でメッキ形成されることを抑えることができるので、下部磁極層１９及び下部磁極層１９上に積層されるギャップ層２０のハイト方向寸法がぱらつくことを抑えることができ、ギャップデプスの寸法誤差を低減することができる。
【０１６５】
なおこの実施形態では持ち上げ層５２の基体部５０をレジストなどの有機材料で形成しても良いし、ＳｉＯ2などの無機材料で形成してもよい。
【０１６６】
本実施の形態では、持ち上げ層５２が基体部５０の上面５０ａに金属膜５１が成膜されたものであるので、持ち上げ層５２の上部磁極層２１との対向面５２ａの一部が金属材料によって形成されていることになる。
【０１６７】
図９に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層２１の磁性層（高Ｂｓ層）２１ａのメッキ下地は、ギャップ層２０及び持ち上げ層５２の金属膜５１である。
【０１６８】
したがって磁性層２１ａをギャップ層２０上から持ち上げ層５２上にかけて所定膜厚で形成することができる。さらに、磁性層２１ａ上の磁性層２１ｂも所定膜厚で形成することができ、上部磁極層２１全体を所定膜厚で形成することができる。
【０１６９】
このように本実施の形態でも、Ｇｄ決め層３０上に厚い膜厚の磁性層２１ａ及び磁性層２１ｂを適切に形成することができるから、上部コア層２２から上部磁極層２１に流れる磁束は、磁性層２１ｂを介して飽和磁束密度の高い磁性層（高Ｂｓ層）２１ａに流れ、上部磁極層２１が磁気飽和することを防止することができる。従って磁性層２１ａの前記対向面からは大きな漏れ磁束が発生し、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することが可能である。
【０１７０】
さらに上部磁極層２１の後端部（磁極エッジ）２１ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２１ｃ１の形成位置を、後端部２１ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２１ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１７１】
またＧｄ決め層３０上で上部磁極層２１の後端部を十分な体積をもって形成できるので、上部磁極層２１に対する平坦化精度に左右されずに、上部磁極層２１を所定形状で形成できる。よって、上部磁極層２１と上部コア層２２との接触面積を大きくかつ一定にできる。
【０１７２】
図１０は、本発明の第６の実施の形態の磁気ヘッドの縦断面図である。
図１０に示された磁気ヘッドでは、下部コア層１６上に記録媒体との対向面からハイト方向奥側にかけて、非磁性金属材料または絶縁性材料からなるギャップ層６１が積層され、ギャップ層６１上にメッキ下地層６２が積層されている。
【０１７３】
ギャップ層６１は、例えばＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上から選択された非磁性金属材料によって形成されるか、またはＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの絶縁性材料からなる。
【０１７４】
記録媒体との対向面よりもハイト方向の奥側のメッキ下地層６２層上に、非磁性金属材料からなるＧｄ決め層７０が設けられている。
【０１７５】
ギャップ層６１と上部磁極層６３との対向面のハイト方向の深さ（ギャップデプス）は、Ｇｄ決め層７０の前端面７０ａによってＬ５に規制されている。
Ｇｄ決め層７０の前記ギャップ層と接触する面（前端面）７０ａは、下部コア層１６の表面に対する垂直面で形成されているので、ギャップデプスＬ５の寸法を正確に形成することが容易になる。
【０１７６】
そして、上部磁極層６３の磁性層（高Ｂｓ層）６３ａが、メッキ下地層６２上から絶縁層２３よりも記録媒体との対向面側の領域内に露出したＧｄ決め層７０上にまで延びてメッキ形成されている。
【０１７７】
さらに磁性層６３ａの上には上部磁極層６３を構成する磁性層６３ｂがメッキ形成され、磁性層６３ｂの上面６３ｂ１は、磁性層６３ｂのハイト方向後方（図示Ｙ方向）に位置する絶縁層２３の上面２３ａと同一面上で形成されている。
【０１７８】
絶縁層２３上にはコイル層が螺旋状にパターン形成されている。また前記コイル層上は有機絶縁材料製の絶縁層２５によって覆われている。上部磁極層６３上から絶縁層２５上にかけて上部コア層２２が例えばフレームメッキ法によりパターン形成されている。
【０１７９】
Ｇｄ決め層７０は、非磁性金属材料によってメッキ形成される。なお、メッキ下地層６２は、非磁性金属材料あるいは磁性金属材料でスパッタ成膜されることが好ましい。メッキ下地層６２は、例えばＴｉ、Ａｕ、ＮｉＦｅ、ＮｉＣｕ、ＣｏＦｅによって形成される。メッキ下地層６２の膜厚Ｈ７は０．０５μｍ〜０．２μｍ程度である。また、Ｇｄ決め層７０の膜厚Ｈ８は０．２μｍ〜２．０μｍ程度である。
【０１８０】
本実施の形態では、Ｇｄ決め層７０の全部分を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上から選択された非磁性金属材料によって形成している。
【０１８１】
またＧｄ決め層７０がＮｉＰ合金で形成されると、メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、またＧｄ決め層７０上に形成される上部磁極層６３との密着性も良い。またＧｄ決め層７０がＮｉＰ合金からなるときには、ＮｉＰ合金中の元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等の持ち上げ層３１の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【０１８２】
本実施の形態では、Ｇｄ決め層７０が非磁性金属材料からなるものであるので、Ｇｄ決め層７０の上部磁極層６３との対向面７０ｃの全部が金属材料によって形成されていることになる。
【０１８３】
図１０に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層６３の磁性層（高Ｂｓ層）６３ａのメッキ下地は、メッキ下地層６２の他に、Ｇｄ決め層７０である。
【０１８４】
したがって磁性層６３ａをギャップ層６１上からＧｄ決め層７０上にかけて所定膜厚で形成することができる。さらに、磁性層６３ａ上の磁性層６３ｂも所定膜厚で形成することができ、上部磁極層６３全体を所定膜厚で形成することができる。
【０１８５】
このように本実施の形態では、Ｇｄ決め層７０の上面にまで上部磁極層６３の磁性層６３ａ及び６３ｂを延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を厚く形成することができるので上部磁極層６３全体を所定の膜厚にて形成できる。したがって上部磁極層６３での磁気飽和を適切に防止することができる。
【０１８６】
従って、上部コア層２２から上部磁極層６３に流れる磁束は、磁性層６３ｂを介して飽和磁束密度の高い磁性層（高Ｂｓ層）６３ａに流れ、上部磁極層６３が磁気飽和することを防止することができる。従って磁性層６３ａの前記対向面からは大きな漏れ磁束が発生し、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することが可能である。
【０１８７】
さらに上部磁極層６３の後端部（磁極エッジ）６３ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）６３ｃ１の形成位置を、後端部６３ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部６３ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０１８８】
またＧｄ決め層７０上で上部磁極層６３後端部を十分な体積をもって形成できるので、上部磁極層６３に対する平坦化精度に左右されずに、上部磁極層６３を所定形状で形成できる。よって、上部磁極層６３と上部コア層２２との接触面積を大きくかつ一定にできる。
【０１８９】
なお、Ｇｄ決め層７０の前端面７０ａが下部コア層１６から上部コア層２２方向へ離れるにしたがってハイト方向に傾く傾斜面で形成されてもよい。
【０１９０】
また、上部磁極層６３をマスクとして下部コア層１６を研削して段差を形成することにより、図１１に示されるように、下部磁極層６４を形成してもよい。
【０１９１】
図１２は、本発明の第７の実施の形態の磁気ヘッドの縦断面図である。
図１２に示された磁気ヘッドでは、下部コア層１６上に直接Ｇｄ決め層７０がメッキ形成され、ギャップ層８１も下部コア層１６上に直接メッキ形成されて記録媒体との対向面からＧｄ決め層７０の前端面にかけて形成されている。
【０１９２】
ギャップ層８１は、例えばＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上から選択された非磁性金属材料によって形成される。
【０１９３】
ギャップ層８１と上部磁極層８２との対向面のハイト方向の深さ（ギャップデプス）は、Ｇｄ決め層７０の前端面７０ａによってＬ６に規制されている。
【０１９４】
Ｇｄ決め層７０のギャップ層８１と接触する面（前端面）７０ａは、下部コア層１６の表面に対する垂直面で形成されているので、ギャップデプスＬ６の寸法を正確に形成することが容易になる。
【０１９５】
そして、上部磁極層８２の磁性層（高Ｂｓ層）８２ａが、ギャップ層８１上から絶縁層２３よりも記録媒体との対向面側の領域内に露出したＧｄ決め層７０上にまで延びてメッキ形成されている。
【０１９６】
さらに磁性層８２ａの上には上部磁極層８２を構成する磁性層８２ｂがメッキ形成され、磁性層８２ｂの上面８２ｂ１は、磁性層８２ｂのハイト方向後方（図示Ｙ方向）に位置する絶縁層２３の上面２３ａと同一面上で形成されている。
【０１９７】
絶縁層２３上にはコイル層が螺旋状にパターン形成されている。また前記コイル層上は有機絶縁材料製の絶縁層２５によって覆われている。上部磁極層８２上から絶縁層２５上にかけて上部コア層２２が例えばフレームメッキ法によりパターン形成されている。
【０１９８】
Ｇｄ決め層７０は、非磁性金属材料によってメッキ形成される。なお、Ｇｄ決め層７０の膜厚Ｈ８は０．２μｍ〜２．０μｍ程度である。  本実施の形態では、Ｇｄ決め層７０の全部分を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上から選択された非磁性金属材料によって形成している。
【０１９９】
本実施の形態では、Ｇｄ決め層７０が非磁性金属材料からなるものであるので、Ｇｄ決め層７０の上部磁極層８２との対向面７０ｃの全部が金属材料によって形成されていることになる。
【０２００】
図１２に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層８２の磁性層（高Ｂｓ層）８２ａのメッキ下地は、ギャップ層８１の他に、Ｇｄ決め層７０である。
【０２０１】
したがって磁性層８２ａをギャップ層８１上からＧｄ決め層７０上にかけて所定膜厚で形成することができる。さらに、磁性層８２ａ上の磁性層８２ｂも所定膜厚で形成することができ、上部磁極層８２全体を所定膜厚で形成することができる。
【０２０２】
このように本実施の形態では、Ｇｄ決め層７０上にまで上部磁極層８２の磁性層８２ａ及び８２ｂを延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を厚く形成することができるので上部磁極層８２全体を所定の膜厚にて形成できる。したがって上部磁極層８２での磁気飽和を適切に防止することができる。
【０２０３】
従って、上部コア層２２から上部磁極層８２に流れる磁束は、磁性層８２ｂを介して飽和磁束密度の高い磁性層（高Ｂｓ層）８２ａに流れ、上部磁極層８２が磁気飽和することを防止することができる。従って磁性層８２ａの前記対向面からは大きな漏れ磁束が発生し、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することが可能である。
【０２０４】
さらに上部磁極層８２の後端部（磁極エッジ）８２ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）８２ｃ１の形成位置を、後端部８２ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部８２ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０２０５】
またＧｄ決め層３０上で上部磁極層８２後端部を十分な体積をもって形成できるので、上部磁極層８２に対する平坦化精度に左右されずに、上部磁極層８２を所定形状で形成できる。よって、上部磁極層８２と上部コア層２２との接触面積を大きくかつ一定にできる。
【０２０６】
なお、Ｇｄ決め層７０の前端面７０ａが下部コア層１６から上部コア層２２方向へ離れるにしたがってハイト方向に傾く傾斜面で形成されてもよい。
【０２０７】
また、上部磁極層８２をマスクとして下部コア層１６を研削して段差を形成することにより、下部磁極層８３を形成してもよい。
【０２０８】
図１３は、本発明の第８の実施の形態の磁気ヘッドの縦断面図である。
図１３に示された磁気ヘッドでは、下部コア層１６上に直接Ｇｄ決め層７０がメッキ形成され、ギャップ層８１も下部コア層１６上及びＧｄ決め層７０上に直接メッキ形成されている。
【０２０９】
ギャップ層８１は、例えばＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上から選択された非磁性金属材料によって形成される。
【０２１０】
ギャップ層８１と上部磁極層８２との対向面のハイト方向の深さ（ギャップデプス）は、Ｇｄ決め層７０の前端面７０ａによってＬ７に規制されている。
【０２１１】
本実施の形態でも、Ｇｄ決め層７０のギャップ層８１と接触する面（前端面）７０ａは、下部コア層１６の表面に対する垂直面で形成されているので、ギャップデプスＬ７の寸法を正確に形成することが容易になる。
【０２１２】
そして、上部磁極層８２の磁性層（高Ｂｓ層）８２ａが、ギャップ層８１上にメッキ形成されている。
【０２１３】
本実施の形態では、Ｇｄ決め層７０の全部分を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのいずれか１種または２種以上から選択された非磁性金属材料によって形成している。
【０２１４】
本実施の形態でも、Ｇｄ決め層７０が非磁性金属材料からなるものであるので、Ｇｄ決め層７０の上部磁極層８２との対向面７０ｃの全部が金属材料によって形成されていることになる。
【０２１５】
図１３に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層８２の磁性層（高Ｂｓ層）８２ａのメッキ下地は、ギャップ層８１であり、このギャップ層８２がＧｄ決め層７０上にまで形成されているので、磁性層８２ａを記録媒体との対向面からＧｄ決め層７０上にかけて所定膜厚で形成することができる。さらに、磁性層８２ａ上の磁性層８２ｂも所定膜厚で形成することができ、上部磁極層８２全体を所定膜厚で形成することができる。
【０２１６】
このように本実施の形態では、Ｇｄ決め層７０上にまで上部磁極層８２の磁性層８２ａ及び８２ｂを延ばしてメッキ形成でき、またその膜厚を厚く形成することができるので上部磁極層８２全体を所定の膜厚にて形成できる。したがって上部磁極層８２での磁気飽和を適切に防止することができる。
【０２１７】
従って、上部コア層２２から上部磁極層８２に流れる磁束は、磁性層８２ｂを介して飽和磁束密度の高い磁性層（高Ｂｓ層）８２ａに流れ、上部磁極層８２が磁気飽和することを防止することができる。従って磁性層８２ａの前記対向面からは大きな漏れ磁束が発生し、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することが可能である。
【０２１８】
さらに上部磁極層８２の後端部（磁極エッジ）８２ｄ１や、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）８２ｃ１の形成位置を、後端部８２ｄ１の形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部８２ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０２１９】
またＧｄ決め層７０上で上部磁極層８２後端部を十分な体積をもって形成できるので、上部磁極層８２に対する平坦化精度に左右されずに、上部磁極層８２を所定形状で形成できる。よって、上部磁極層８２と上部コア層２２との接触面積を大きくかつ一定にできる。
【０２２０】
なお、Ｇｄ決め層７０の前端面７０ａが下部コア層１６から上部コア層２２方向へ離れるにしたがってハイト方向に傾く傾斜面で形成されてもよい。
【０２２１】
また、上部磁極層８２をマスクとして下部コア層１６を研削して段差を形成することにより、下部磁極層８３を形成してもよい。
【０２２２】
図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造方法を説明する。
図１４に示す工程では、下部コア層１６の上にメッキ下地層１７をスパッタ成膜した後、メッキ下地層１７上に紫外線硬化樹脂などのレジスト材料で形成されたレジスト材料層９０を形成する。このときレジスト材料層９０の膜厚は０．４μｍ程度である。さらにその上にメッキ下地層３２を形成する。本発明ではレジスト材料層９０に代えてＡｌ2０3やＳｉ０2などの無機材料で形成された無機材料層を形成しても良い。
【０２２３】
この製造方法では、後工程でレジスト材料層９０の一部をエッチングで除去するといった工程がある。エッチング除去工程では、レジスト材料層９０を所定の形状に精度良く加工することが可能であり、またレジスト材料層９０に代えて無機材料層を用いても、無機材料層を所定形状に精度良く加工することが可能である。あるいはレジスト材料層９０に代えて他の有機材料層を形成しても良い。
【０２２４】
なおこの製造方法では、レジスト材料層９０を形成した後、レジスト材料層９０に熱処理を施し、さらに紫外線を照射しレジスト材料層９０を硬化させている。
【０２２５】
またメッキ下地層３２は非磁性金属材料を用いて、スパッタ成膜することが好ましい。これによりレジスト材料層９０の全面にメッキ下地層３２を所定の厚みにて形成することが可能である。なお非磁性金属材料にはＣｕ、Ｎｉ−Ｃｕ、Ａｕ、ＰｔあるいはＴｉのうちいずれか１種または２種以上を選択することが好ましい。またメッキ下地層３２の厚みを０．１μｍ〜０．２μｍ程度で形成することが好ましい。
【０２２６】
次に図１５に示すように、レジスト材料層９０上であって、記録媒体との対向面からハイト方向に所定距離だけ離れた位置に、ハイト方向に所定長さを有するレジスト層Ｒ１を形成する。レジスト層Ｒ１のハイト方向（図示Ｘ方向）への長さは、後工程でＧｄ決め層の上面のハイト方向長さとなる。
【０２２７】
そしてメッキ下地層３２のうちレジスト層Ｒ１に覆われていないメッキ下地層３２ｂを等方性のイオンミリングやＲＩＥなどで除去する。そしてレジスト層Ｒ１を除去する。
【０２２８】
その状態を示したのが図１６である。図１６に示す工程では、レジスト材料層９０の上に一部残されたメッキ下地層３２をマスクとして、メッキ下地層３２に覆われていないレジスト材料層９０ａを等方性イオンミリングやＲＩＥなどで除去する。エッチングレートはレジスト材料層９０ａの方がメッキ下地層３２よりも高いので、メッキ下地層３２はイオンミリングでそれほど削られない。これによりメッキ下地層３２の下には、レジスト材料層９０の一部が残され、この残されたレジスト材料層９０がＧｄ決め層３０となる。
【０２２９】
なおこの製造方法では、Ｇｄ決め層３０の記録媒体との対向面側の前端面３０ａは、下部コア層の表面に対する垂直面として形成され、Ｇｄ決め層３０の縦断面は略長方形状となるが、このようにＧｄ決め層３０が略長方形状になるか否かは、マスクとして機能するメッキ下地層３２の形状に依存しやすい。
【０２３０】
例えば図２４に示すようにレジスト材料層９０上に残されたメッキ下地層３２の縦断面が略台形状である場合、メッキ下地層３２によってイオンミリングから保護されて最終的に残されるＧｄ決め層３０も縦断面が略台形状となりやすい。
【０２３１】
なお図１７のように縦断面が略長方形状で形成されたＧｄ決め層３０を有する薄膜磁気ヘッドは最終的に図３のような構造になり、また図２４のように縦断面が略台形状で形成されたＧｄ決め層４０を有する薄膜磁気ヘッドは最終的に図７のような構造になる。
【０２３２】
なお図１５の工程時において、レジスト層Ｒ１をマスクとしてレジスト層Ｒ１に覆われていないメッキ下地層３２ｂを除去し、その後レジスト層Ｒ１を除去したが、例えばレジスト層Ｒ１をそのまま残し、メッキ下地層３２ｂ、及びその下に形成されたレジスト材料層９０ａを連続してエッチング除去してもよい。
【０２３３】
あるいは図１５に示す工程に代えて図２５に示す工程でメッキ下地層３２を形成しても良い。
【０２３４】
図２５に示す工程では、下部コア層１６上にメッキ下地層１７をスパッタ成膜し、さらにメッキ下地層１７上に例えば紫外線硬化樹脂で形成されたレジスト材料層９０を形成する。そして熱処理を施し、紫外線照射によってレジスト材料層９０を硬化させる。
【０２３５】
次にレジスト材料層９０上全面にレジスト層１００を形成する。そして記録媒体との対向面からハイト方向に所定距離離れたレジスト層１００に、露光現像によってハイト方向に所定長さを有する穴部１００ａを形成し、この穴部１００ａからレジスト材料層９０の表面を露出させる。そして穴部１００ａ内に非磁性金属材料あるいは磁性金属材料で形成されたメッキ下地層３２をスパッタ成膜する。このときレジスト層１００の上にも金属材料の膜３２ｂがスパッタ成膜される。そしてレジスト層１００を除去すると、図１６あるいは図２４のようなメッキ下地層３２がレジスト材料層９０上に残される。その後は図１６あるいは図２４と同じ工程を行う。
【０２３６】
下部コア層１６上に、Ｇｄ決め層３０及びメッキ下地層３２を形成した後、Ｇｄ決め層３０上に非磁性金属材料によって持ち上げ層３１をメッキ形成する。持ち上げ層３１のメッキ形成工程を図１８ないし図２０を参照して説明する。
【０２３７】
まず、メッキ下地層３２上からメッキ下地層１７上にかけてレジスト層Ｒ２を形成し、メッキ下地層３２上に形成されたレジスト層Ｒ２に露光現像により穴部Ｒ２ａを形成する。この穴部Ｒ２ａのハイト方向（図示Ｙ方向）への長さは、メッキ下地層３２のハイト方向への長さ以下とする。そして穴部Ｒ２ａ内に持ち上げ層３１をメッキ形成し、その後レジスト層Ｒ２を除去する。
【０２３８】
本発明では持ち上げ層３１をメッキ形成することで、持ち上げ層３１をＧｄ決め層３０の膜厚よりも十分に大きくできる。持ち上げ層３１の膜厚は０．２〜１．０μｍで形成することが好ましい。
【０２３９】
また持ち上げ層３１をＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択した非磁性金属材料でメッキ形成することが好ましい。
【０２４０】
なお持ち上げ層３１にＮｉＰ合金を選択すると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、また持ち上げ層３１上に形成される上部磁極層２１との密着性も良い。
【０２４１】
また持ち上げ層３１はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等の持ち上げ層３１の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【０２４２】
次に、図１９に示す工程では、持ち上げ層３１をマスクとして、持ち上げ層３１に覆われていないメッキ下地層３０ｂを等方性のイオンミリングやＲＩＥなどで除去すると、図２０に示されるように、メッキ下地層３０ｂが持ち上げ層３１の下面３１ｃと重なる部分にのみ形成され、Ｇｄ決め層３０上であって持ち上げ層３１が形成されていない領域３０ｂには形成されないようにできる。
【０２４３】
なおＧｄ決め層３０の膜厚Ｈ３は０．４μｍ程度にまで薄く形成することが好ましく、これにより後述する工程においてＧｄ決め層３０の前端面３０ａと下部コア層１６間にレジスト溜りが発生するのを抑制できる。これにより下部コア層１６上に下部磁極層１９、ギャップ層２０及び上部磁極層２１を適切にメッキ形成できる。またＧｄ決め層３０の膜厚を薄く形成しても、その上に形成された厚い膜厚の持ち上げ層３１の存在により、Ｇｄ決め層３０を挟んで対向する上部磁極層２１と下部コア層１６間の距離を離すことができ、上部磁極層２１と下部コア層１６間に磁界が漏れるのを防止できる。本実施の形態では、持ち上げ層３１の膜厚Ｈ５を０．２〜１．０μｍとしている。
【０２４４】
次に図２１に示す工程ではメッキ下地層１７上からＧｄ決め層３０及び持ち上げ層３１上にかけてレジスト層Ｒ３を形成し、レジスト層Ｒ３に記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定長さ寸法Ｌ１１の磁極部形成溝Ｒ３ａを露光現像により形成する。なお磁極部形成溝Ｒ３ａからはＧｄ決め層３０及びその上に形成された持ち上げ層３１の一部が露出するように、長さ寸法Ｌ１１を規定する。
【０２４５】
次に図２２に示す工程では、磁極部形成溝Ｒ３ａ内に、下部磁極層１９をメッキ下地層１７上にメッキ形成する。このとき下部磁極層１９の後端をＧｄ決め層３０の前端面３０ａに接するようにメッキ形成する。このとき、下部磁極層１９の膜厚Ｈ６がＧｄ決め層３０の膜厚Ｈ３より大きくならないように、下部磁極層１９の膜厚Ｈ６を適切に調整しながらメッキ形成することが好ましい。
【０２４６】
下部磁極層１９の膜厚Ｈ６がＧｄ決め層３０の膜厚Ｈ３より若干大きくなっても、Ｇｄ決め層３０上であって持ち上げ層３１が形成されていない領域３０ｂは絶縁性材料が露出している領域であるため、下部磁極層１９が領域３０ｂ全面に延出形成されることを防ぐことができる。しかし、下部磁極層１９の膜厚Ｈ６がＧｄ決め層３０の膜厚Ｈ３より大きくなりすぎると、下部磁極層１９が領域３０ｂ全面に延出形成されてしまい、その延出した部分での下部磁極層１９と上部磁極層２１間で磁界が漏れ、記録媒体との対向面から発生する漏れ磁界が減少すると共に、ギャップデプスが長くなり、ギャップデプスを所定値内に収めることが困難となる。
【０２４７】
次に下部磁極層１９にギャップ層２０をメッキ形成する。ギャップ層２０を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択した非磁性金属材料でメッキ形成することが好ましい。
【０２４８】
なおギャップ層２０にＮｉＰ合金を選択すると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、下部磁極層１９及び上部磁極層２１との密着性も良い。
【０２４９】
またギャップ層２０はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等のギャップ層２０の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等が組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【０２５０】
また図２２に示す工程では、ギャップ層２０をＧｄ決め層３０上に形成された持ち上げ層３１よりも記録媒体との対向面側に位置するＧｄ決め層３０の前端面３０ａにまでメッキ形成しているが、ギャップ層２０を持ち上げ層３１上にまで延ばしてメッキ形成しても良い。ギャップ層２０を磁極部形成溝Ｒ３ａ内に露出した持ち上げ層上全体にメッキ形成すれば、完成した薄膜磁気ヘッドは図６のようになる。またギャップ層２０を磁極部形成溝Ｒ３ａ内に露出した持ち上げ層３１上全体にメッキ形成しなくても、持ち上げ層３１上の一部にのみ延出してメッキ形成してもよい。
【０２５１】
次にギャップ層２０上に上部磁極層２１を構成し、飽和磁束密度が高い磁性層２１ａをメッキ形成する。磁性層２１ａをＧｄ決め層３０上に形成された持ち上げ層３１上にまで延ばしてメッキ形成する。
【０２５２】
本実施の形態では、Ｇｄ決め層３０上に持ち上げ層３１が形成されていることで、この持ち上げ層３１をメッキ下地として上部磁極層２１の磁性層２１ａを持ち上げ層３１上にメッキ成長させることができる。
【０２５３】
従って上部磁極層２１の磁性層２１ａを、ギャップ層２０上から磁極部形成溝Ｒ３ａ内に現れたＧｄ決め層３０上にまで所定の膜厚で適切にメッキ形成することが可能である。
【０２５４】
上部磁極層２１の磁性層２１ａ上に磁性層２１ａよりも飽和磁束密度が低い磁性層２１ｂをメッキ形成する。そしてレジスト層Ｒ３を除去する。
【０２５５】
なお、下部磁極層１９、ギャップ層２０、上部磁極層２１のメッキ形成を、パルス電流を用いた電気メッキ法によって行うことが好ましい。
【０２５６】
次に図２３に示す工程では、上部磁極層２１上からハイト方向後方における下部コア層１６上のメッキ下地層１７上にかけて、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の無機材料製の絶縁層２３を形成する。
【０２５７】
そして次に例えばＣＭＰ技術等などを用いて絶縁層２３をＢ−Ｂ線まで研削加工する。この研削工程により上部磁極層２１の磁性層２１ｂを露出させ、上部磁極層２１の磁性層２１ｂの上面と絶縁層２３の上面とが同一面となるようにする。
【０２５８】
さらに、図２に示すコイル層２４を絶縁層２３上にパターン形成した後、コイル層２４上をレジストなどの有機絶縁材料による絶縁層２５で覆い、さらに上部磁極層２１上から絶縁層２５上にかけて上部コア層２２を例えばフレームメッキ法にて形成する。これにより図１ないし図３に示す薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０２５９】
また本発明では、レジスト材料層９０は、その膜厚が０．４μｍ程度に薄いことが好ましいが、これにより不必要なレジスト材料層９０ａをエッチング除去したとき、残されたＧｄ決め層３０、３２の前端面と下部コア層１６間にレジスト溜りが発生することを抑えることができる。このため下部コア層１６に下部磁極層１９、ギャップ層２０及び上部磁極層２１を適切にメッキ形成することが可能である。
【０２６０】
図２６ないし図２８は図８に示すＧｄ決め層３０及び持ち上げ層３１の製造方法を示す一工程図である。
【０２６１】
図２６に示す工程では、下部コア層１６上にメッキ下地層１７をスパッタ成膜した後、メッキ下地層１７の上に紫外線硬化樹脂などで形成されたレジスト材料層１０１を形成する。また紫外線硬化樹脂に代えて別の有機材料層で形成しても良いし、またＡｌ2０3などの無機材料層で形成しても良い。
【０２６２】
次にレジスト材料層１０１の上全面に非磁性金属材料で形成されたメッキ下地層３２を形成する。メッキ下地層３２はスパッタ成膜されることが好ましい。これにより、レジスト材料層１０１の上全面に所定厚みのメッキ下地層３２を適切に形成することができる。また非磁性金属材料には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃu−Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉのうちいずれか１種または２種以上を選択することが好ましく、本発明ではメッキ下地層３２を０．０２μｍ〜０．２μｍの膜厚で形成することが好ましい。
【０２６３】
次に図２６に示すようにメッキ下地層３２の上にレジスト層Ｒ４を形成し、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れたレジスト層Ｒ４に露光現像によりハイト方向に所定長さを有する穴部Ｒ４ａを形成し、穴部Ｒ４ａからメッキ下地層３２を露出させる。
【０２６４】
次に図２７に示す工程では、穴部Ｒ４ａから露出したメッキ下地層３２上に持ち上げ層３１をメッキ成長させる。本発明では持ち上げ層３１をメッキ形成することで、持ち上げ層３１をメッキ下地層３２の膜厚よりも十分に大きくでき、本発明では持ち上げ層３１の膜厚を０．２〜１．０μｍで形成することが好ましい。
【０２６５】
そしてレジスト層Ｒ４を除去する。その状態が図２８である。次に持ち上げ層３１をマスクとして、持ち上げ層３１に覆われていないメッキ下地層３２ａをイオンミリングやＲＩＥなどで除去した後、さらに持ち上げ層３１に覆われておらず、メッキ下地層３２ａの除去によって露出したレジスト材料層１０１ａを除去する。これにより、持ち上げ層３１の下には、メッキ下地層３２と、縦断面が略長方形状のＧｄ決め層３０が残される。Ｇｄ決め層３０の縦断面は略台形状であってもよい。
【０２６６】
Ｇｄ決め層３０及び持ち上げ層３１の形成後、図２１ないし図２３に示された工程と同様を工程を経て、図８に示される磁気ヘッドが得られる。
【０２６７】
図１０に示された磁気ヘッドの製造方法を説明する。
図２９に示す工程では、下部コア層１６上に、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁性材料によってギャップ層６１をスパッタ成膜する。次に、ギャップ層６１上にメッキ下地層６２をスパッタ成膜した後、レジスト層Ｒ５を形成し、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れたレジスト層Ｒ５に露光現像によりハイト方向に所定長さを有する穴部Ｒ５ａを形成し、穴部Ｒ５ａからメッキ下地層６２を露出させる。
【０２６８】
次に図３０に示す工程では、穴部Ｒ５ａから露出したメッキ下地層６２上にＧｄ決め層７０をメッキ成長させる。
【０２６９】
またＧｄ決め層７０をＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのうち１種または２種以上から選択した非磁性金属材料でメッキ形成することが好ましい。
【０２７０】
なおＧｄ決め層７０にＮｉＰ合金を選択すると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、またＧｄ決め層７０上に形成される上部磁極層２１との密着性も良い。
【０２７１】
またＧｄ決め層７０はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等のＧｄ決め層７０の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【０２７２】
そしてレジスト層Ｒ５を除去する。その状態が図３１である。なお、記録媒体との対向面からＧｄ決め層７０の前端面７０ａまでの距離Ｌ５がギャップデプスを規定する。
【０２７３】
次に図３２に示す工程ではメッキ下地層６２上からＧｄ決め層７０上にかけてレジスト層Ｒ６を形成し、レジスト層Ｒ６に記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定長さ寸法Ｌ５１の磁極部形成溝Ｒ６ａを露光現像により形成する。なお磁極部形成溝Ｒ６ａからＧｄ決め層７０の一部が露出するように、長さ寸法Ｌ５１を規定する。
【０２７４】
さらに磁極部形成溝Ｒ６ａ内に露出したメッキ下地層６２上からＧｄ決め層７０上に上部磁極層６３を形成する。まず、飽和磁束密度が高い磁性層６３ａをメッキ形成する。磁性層６３ａをＧｄ決め層７０上にまで延ばしてメッキ形成する。
【０２７５】
本実施の形態では、Ｇｄ決め層７０が非磁性金属材料によって形成されているので、このＧｄ決め層７０をメッキ下地として上部磁極層６３の磁性層６３ａをメッキ成長させることができる。
【０２７６】
従って上部磁極層６３の磁性層６３ａをギャップ層６１上のメッキ下地層６２上から磁極部形成溝Ｒ３ａ内に現れたＧｄ決め層７０上にまで所定の膜厚で適切にメッキ形成することが可能である。
【０２７７】
さらに、上部磁極層６３の磁性層６３ａ上に磁性層６３ａよりも飽和磁束密度が低い磁性層６３ｂをメッキ形成する。そしてレジスト層Ｒ６を除去する。
【０２７８】
次に図３３に示す工程では、上部磁極層６３上からハイト方向後方における下部コア層１６上のメッキ下地層６２上にかけて、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の無機材料製の絶縁層２３を形成する。
【０２７９】
そして次に例えばＣＭＰ技術等などを用いて絶縁層２３をＣ−Ｃ線まで研削加工する。この研削工程により上部磁極層６３の磁性層６３ｂを露出させ、上部磁極層６３の磁性層６３ｂの上面と絶縁層２３の上面とが同一面となるようにする。
【０２８０】
さらに、コイル層を絶縁層２３上にパターン形成した後、コイル層上をレジストなどの有機絶縁材料による絶縁層２５で覆い、さらに上部磁極層６３上から絶縁層２５上にかけて上部コア層２２を例えばフレームメッキ法にて形成する。これにより図１０に示す薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０２８１】
なお、図３２に示された工程の後で、すなわち、上部磁極層６３をメッキ形成しレジスト層Ｒ６を除去した後で、上部磁極層６３をマスクとして下部コア層１６を研削して段差を形成することにより、図１１に示されるように、下部磁極層６４を形成してもよい。
【０２８２】
なお、図１２及び図１３に示される磁気ヘッドを形成するときには、下部コア層１６の形成後、非磁性金属材料からなるＧｄ決め層７０を下部コア層１６上に直接フレームメッキによって形成した後、図３２に示されるフレームメッキ法と同様のフレームメッキ法によって、非磁性金属材料からなるギャップ層８１及び磁性層８２ａ及び磁性層８２ｂからなる上部磁極層８２をメッキ形成する。その後、絶縁層２３及び絶縁層２５及び上部コア層２２を形成する。
【０２８３】
以上、図１４ないし図３３の製造方法により、本発明では、金属材料からなる持ち上げ層または金属膜の上に上部磁極層の後端部をメッキ形成することができる。
【０２８４】
すなわち、持ち上げ層３１、７０の上部磁極層２１、６３との対向面が金属材料によって形成されていることになる。
【０２８５】
したがって上部磁極層２１、６３を記録媒体との対向面から持ち上げ層３１、７０上にかけて所定膜厚で形成することができる。従って、上部磁極層２１、６３が磁気飽和することを防止することができ、記録媒体との対向面であって上部磁極層２１、６３とギャップ層２０、６１の接合部から大きな漏れ磁束が発生し、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することが可能である。
【０２８６】
さらに上部磁極層２１、６３の後端部（磁極エッジ）２１ｄ１、６３ｄや、幅寸法がハイト方向に向けて広がり始める端部（ＰＳ）２１ｃ１、６３ｃ１の形成位置を、後端部２１ｄ１、６３ｄの形成位置に依存するオーバーライト特性や前記端部２１ｃ１、６３ｃ１の形成位置に依存するＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性の最適化に合わせて自由に設計変更することが可能であり、設計の自由度を向上させることが可能である。
【０２８７】
またＧｄ決め層３０上で上部磁極層２１、６３の後端部を十分な体積をもって形成できるので、上部磁極層２１、６３に対する平坦化精度に左右されずに、上部磁極層２１、６３を所定形状で形成できる。よって、上部磁極層２１、６３と上部コア層２２との接触面積を大きくかつ一定にできる。
【０２８８】
なお図２２または図３２工程に示す状態からレジスト層Ｒ３またはＲ６を除去した後、下部磁極層１９、ギャップ層２０及び上部磁極層２１から成る磁極部または上部磁極層６３のトラック幅方向における両側端面をイオンミリングで削って、上部磁極層２１または６３のトラック幅方向における幅寸法（トラック幅Ｔｗ）を小さくすることで、狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できる。なおトラック幅Ｔｗを０．７μｍ以下、好ましくは０．４μｍ以下にすることが好ましい。
【０２８９】
なお図２１または図３２工程におけるレジスト層Ｒ３またはＲ６に形成された磁極部形成溝Ｒ３ａまたはＲ６ａのトラック幅方向における幅寸法が、０．７μｍ以下、好ましくは０．４μｍ以下であれば、上部磁極層２１のトラック幅方向における幅寸法（トラック幅Ｔｗ）を０．７μｍ以下、好ましくは０．４μｍ以下で形成できるので、かかる場合、上記した狭トラック化のためのイオンミリングを行わなくても狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できる。
【０２９０】
なお、上述した実施例において、上部磁極層２１、６３を異なる飽和磁束密度を有する２層の磁性層からなるものとして形成したが、上部磁極層２１、６３は１層の磁性層からなるものとして形成されてもよい。
【０２９１】
また各実施形態において、符号１６の層は、下部コア層と上部シールド層の兼用層となっているが、前記下部コア層と上部シールド層とが別々に形成されていてもよい。かかる場合、前記下部コア層と上部シールド層間には絶縁層または非磁性層を介在させる。
【０２９２】
なお、図１の正面図は模式図的に示したものであり、磁極部１８が下部コア層１６表面から矩形状に立ち上がって形成されていなくてもよい。例えば、下部磁極層１９の両側端面から上部磁極層２１の両側端面にかけてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる、記録媒体との対向面と平行な断面形状が略逆台形状であったり、あるいは下部磁極層１９の記録媒体との対向面と平行な断面形状が略台形状で、その上に形成される、ギャップ層２０から上部磁極層２１までの記録媒体との対向面と平行な断面形状が略逆台形状であるような形状であってもかまわない。
【０２９３】
以上本発明をその好ましい実施例に関して述べたが、本発明の範囲から逸脱しない範囲で様々な変更を加えることができる。
【０２９４】
なお、上述した実施例はあくまでも例示であり、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。
【０２９５】
【発明の効果】
以上詳細に説明した本発明によれば、前記Ｇｄ決め層の前記上部磁極層との対向面の一部または全部が金属材料によって形成されているので、前記ギャップ層上から前記Ｇｄ決め層上にかけて適切に前記上部磁極層をメッキ成長させることができ、前記Ｇｄ決め層上での前記上部磁極層の膜厚を所定膜厚で形成することができる。
【０２９６】
よって本発明では、前記上部磁極層と前記上部コア層との接触面積を大きくできると共に、前記上部磁極層の体積を従来に比べて十分に大きく形成でき、今後の高記録密度化においても前記上部磁極層の磁気飽和を適切に低減させることができる。
【０２９７】
また前記Ｇｄ決め層上に形成される前記上部磁極層の膜厚を所定膜厚で形成することができるので、前記上部コア層から前記上部磁極層へ流れる磁束の通過効率の低下を防止でき、これによって前記上部磁極層の磁気飽和を低減させることができると共に、前記ギャップ層の近傍で発生する漏れ磁界を大きくでき、高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【０２９８】
また本発明では、前記Ｇｄ決め層上に所定膜厚の上部磁極層を形成することが可能であるから、前記上部磁極層の後端側において、ハイト方向に向かうにしたがって幅寸法が広がり始める端部（ＰＳ）や前記上部磁極層の後端部（後端エッジ）の形成位置を、オーバーライト特性、ＮＬＴＳ特性及びＰＷ５０特性の最適化に合わせて、自由に設計変更することができる。
【０２９９】
またＧｄ決め層上の上部磁極層後端部を十分な体積をもって形成できるので、前記上部磁極層に対する平坦化精度に左右されず、前記上部磁極層を所定形状で形成できる。
【０３００】
また、本発明では、このＧｄ決め層の前記ギャップ層と接触する面が前記下部コア層表面に対する垂直面または前記下部コア層から上部コア層方向へ離れるにしたがってハイト方向に傾く傾斜面で形成されているので、ギャップデプスの寸法を正確に形成することが容易になる。
【０３０１】
さらに、本発明では、前記磁極部のハイト方向後方に形成される前記Ｇｄ決め層上に持ち上げ層を形成することができる。
【０３０２】
本発明では、前記Ｇｄ決め層を薄く形成して、磁気ヘッドの製造工程において前記Ｇｄ決め層の前端面にレジスト溜りが発生することを防ぐことができるようにした場合に、前記Ｇｄ決め層の上に形成される前記持ち上げ層を厚く形成することによって前記下部コア層と前記上部磁極層の距離を離すことができ、前記Ｇｄ決め層を挟んだ位置での前記下部コア層と前記上部磁極層間の磁界の漏れを減少させることが可能になる。また前記持ち上げ層は非磁性材料からなるものであるから、この部分では適切に磁界が遮断され、前記下部コア層と前記上部磁極層間の磁界の漏れを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の磁気ヘッドを示す部分正面図、
【図２】図１に示された磁気ヘッドの縦断面図、
【図３】図１及び図２に示された磁気ヘッドの拡大縦断面図、
【図４】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの部分平面図、
【図５】図１ないし図４に示された磁気ヘッドと下部磁極層の厚さが異なる磁気ヘッドの拡大縦断面図、
【図６】本発明の第２の実施の形態の磁気ヘッドを示す拡大縦断面図、
【図７】本発明の第３の実施の形態の磁気ヘッドを示す拡大縦断面図、
【図８】本発明の第４の実施の形態の磁気ヘッドを示す拡大縦断面図、
【図９】本発明の第５の実施の形態の磁気ヘッドを示す拡大縦断面図、
【図１０】本発明の第６の実施の形態の磁気ヘッドを示す拡大縦断面図、
【図１１】図１０の磁気ヘッドの部分斜視図、
【図１２】本発明の第７の実施の形態の磁気ヘッドを示す拡大縦断面図、
【図１３】本発明の第８の実施の形態の磁気ヘッドを示す拡大縦断面図、
【図１４】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図１５】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図１６】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図１７】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図１８】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図１９】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２０】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２１】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２２】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２３】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２４】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２５】図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２６】図８に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２７】図８に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２８】図８に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図２９】図１０に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図３０】図１０に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図３１】図１０に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図３２】図１０に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図３３】図１０に示された磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図３４】従来の磁気ヘッドを示す部分正面図、
【図３５】従来の磁気ヘッドの縦断面図、
【図３６】従来の磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図３７】従来の磁気ヘッドの部分平面図、
【符号の説明】
１６  下部コア層
１７、３２  メッキ下地層
１８  磁極部
１９  下部磁極層
２０  ギャップ層
２１  上部磁極層
２２  上部コア層
２３  絶縁層
３０  Ｇｄ決め層
３１  持ち上げ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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