(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプリングポートから第４エアーバルブ、パーティクルサンプラー、分離バルブ、ポンプ及び排気ポートが順次的に配管連結されたサンプリングラインと、
パージガス供給源から第２エアーバルブを経由した後分岐され、一つは第３エアーバルブを経由して前記第４エアーバルブと前記サンプラーの間に配管連結され、他の一つは第１エアーバルブを経由して前記分離バルブと前記ポンプの間に配管連結されるパージラインと、
前記分離バルブの前端と後端を連結して、第５エアーバルブを含むバイパスラインと、
前記各エアーバルブ、前記分離バルブ及び前記ポンプの動作を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするパーティクルサンプリング装置。
【請求項２】
前記サンプリングポートは半導体素子製造工程が行われる真空チャンバーに連結されることを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項３】
前記分離バルブと前記ポンプの間に第１圧力測定計が、前記バイパスラインの前記第５エアーバルブと前記分離バルブの前端の間に第２圧力測定計が、前記第３エアーバルブと前記サンプラーの前端のパージラインとの合流点の間に第３圧力測定計がそれぞれ設置されていることを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項４】
前記第４エアーバルブと前記パージラインとの合流点の間に手動バルブがさらに設置されることを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項５】
前記パージガス供給源と前記第２エアーバルブの間にレギュレーターがさらに設置されることを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項６】
前記パージラインの分岐点と前記第１エアーバルブ及び前記第３エアーバルブとの間にそれぞれ第１ニードルバルブ及び第２ニードルバルブがさらに設置されることを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項７】
前記サンプリングラインのポンプはロータリーポンプであり、前記ロータリーポンプの前端にターボポンプをさらに設置することを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項８】
前記パーティクルサンプラーは複数個が並列に設置されることを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項９】
前記パーティクルサンプラーは測定ガスの入口に対して垂直に形成され、パーティクルを収集することができるステージが３段に形成されたことであることを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項１０】
前記サンプラー前端に合流するパージライン内にフィルターがさらに設置されることを特徴とする請求項９記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項１１】
前記分離バルブと前記ポンプの間に第１圧力スイッチが、前記パージラインの前記第３エアーバルブと前記サンプラーの前端との合流点の間に第２圧力スイッチが、前記パージガス供給源と前記第２エアーバルブの間に第３圧力スイッチがそれぞれ設置されていることを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項１２】
前記サンプリングライン、前記パージライン、前記バイパスライン及び制御部が移動式カートに集合的に設置されることを特徴とする請求項１記載のパーティクルサンプリング装置。
【請求項１３】
工程チャンバーに連結されるサンプリングポートから第４エアーバルブ、パーティクルサンプラー、分離バルブ、第１圧力測定計、ポンプ及び排気ポートが順次的に配管連結されたサンプリングラインと、パージガス供給源から第２エアーバルブを経由した後分岐され一つは第３エアーバルブ、圧力スイッチ及び第３圧力測定計を経由して前記第４エアーバルブと前記サンプラーの間に連結され、他の一つは第１エアーバルブを経由して前記分離バルブと前記ポンプの間に配管連結されるパージラインと、前記分離バルブ前端で分岐され第２圧力測定計及び第５エアーバルブを経由して前記分離バルブの後端に連結されるバイパスラインとを備えるパーティクルサンプリング装置の駆動方法において、
前記ポンプを駆動して前記サンプリングライン内の圧力を前記工程チャンバーより低圧に維持する準備段階と、
前記サンプリングライン内にパージガスを一定の時間通過させプリパージ（ｐｒｅｐｕｒｇｅ）する段階と、
パージガス供給を遮断して前記サンプリングライン内の圧力が基準圧力以下になるようにポンピングする段階と、
前記第４エアーバルブをオープンさせ工程チャンバー内の工程ガスが前記サンプラーを通過するようにして一定の時間の間パーティクルをサンプリングする段階と、
前記第４エアーバルブをクローズさせた後、前記サンプリングライン内にパージガスを通過させポストパージ（ｐｏｓｔｐｕｒｇｅ）する段階と、
を備えることを特徴とするパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記準備段階は、
前記分離バルブ、前記第１、第２及び第５エアーバルブをクローズさせた状態で前記ポンプを駆動させ前記第１圧力測定計での圧力が所定の圧力以下になるようにする第１準備段階と、
前記第５エアーバルブを継続してオープンし前記第２圧力測定計での圧力が所定圧力以下になるようにする第２準備段階と、
を備えることを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項１５】
前記第１及び第２準備段階で前記第１及び第２圧力測定計の所定圧力は５００ｍＴｏｒｒに設定することを特徴とする請求項１４記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項１６】
前記第１及び第２圧力測定計の圧力が一定の時間内に所定圧力以下に落ちない場合に前記第１及び第２エアーバルブをオープンさせた後、パーティクルサンプリング工程を中止させることを特徴とする請求項１４記載の前記パーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項１７】
前記プリパージ段階は前記第５エアーバルブをクローズさせ、前記分離バルブをオープンさせ、前記第２及び第３エアーバルブをオープンさせた後、所定時間の間行うことを特徴とする請求項１３記載のパーティクル装置の駆動方法。
【請求項１８】
前記ポンピング段階は前記第２及び第３エアーバルブをクローズさせた後前記第２圧力測定計の圧力が基準圧力以下になるように行うことを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項１９】
前記第２圧力測定計の圧力が所定の時間内に前記基準圧力に到達しない場合、前記分離バルブをクローズさせ、前記第１及び第２エアーバルブをオープンさせた後前記ポンピング工程を中止することを特徴とする請求項１８記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記サンプリング段階は前記工程チャンバー内への逆流の有無をチェックする段階をさらに備えることを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項２１】
前記工程チャンバー内への逆流は前記第３圧力測定計の圧力によって判断することを特徴とする請求項２０記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項２２】
前記サンプリング段階で逆流が発生したと判断された時にはサンプリング段階を中止することを特徴とする請求項２１記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項２３】
前記ポストパージは前記第４エアーバルブをクローズさせた後、所定時間の経過後、前記第２及び第３エアーバルブをオープンさせた状態で所定時間行うことを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項２４】
前記ポストパージ段階を行った後、前記分離バルブをクローズさせた後一定の時間が経過するか、又は前記第２圧力スイッチがオンされると前記第３エアーバルブをクローズさせ、前記第１エアーバルブをオープンさせた後工程を完了することを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項２５】
前記工程が完了した後、前記パーティクルサンプラーを分離してパーティクルを分析する段階をさらに備えることを特徴とする請求項２４記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項２６】
前記ポンプ、前記分離バルブ及び前記全てのエアーバルブを手動で操作することを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項２７】
前記ポンプ、前記分離バルブ及び前記全てのエアーバルブを自動操作することを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項２８】
前記ポンプは前記分離バルブ又は第４及び第５エアーバルブがオープンされた状態では停止しないようにインターロックされていることを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項２９】
前記分離バルブは前記第４エアーバルブがオープンされる場合又は前記第２及び第３エアーバルブがオープンされた場合にはクローズできないようにし、前記ポンプが停止した場合にはオープンしないようにしてインターロックされていることを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項３０】
前記第１エアーバルブは前記分離バルブ又は前記第５エアーバルブ又は前記第３エアーバルブがオープンされた状態ではオープンしないようにインターロックされていることを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項３１】
前記第２エアーバルブは前記第４エアーバルブがオープンされた状態ではオープンしないようにインターロックされていることを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項３２】
前記第３エアーバルブは前記第１エアーバルブがオープンされた状態ではオープンしないようにインターロックされていることを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項３３】
前記第４エアーバルブは前記第１、第２、第３エアーバルブがオープンされた場合、前記分離バルブがクローズされるかポンプがオープンされる場合、前記第２圧力測定計の圧力が所定の基準圧力より大きい場合及び前記第２圧力スイッチがオンされた場合にはオープンしないようにインターロックされていることを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項３４】
前記第５エアーバルブは前記第２エアーバルブ及び前記第３エアーバルブがオープンされた場合、前記ポンプがオープンされた場合ではオープンしないようにインターロックされていることを特徴とする請求項１３記載のパーティクルサンプリング装置の駆動方法。
【請求項３５】
半導体素子製造工程が行われる工程チャンバーと、
前記工程チャンバーに連結され工程チャンバーを真空に維持させるための真空ポンプを備える真空ラインと、
サンプリングポートが前記工程チャンバーに連結され、排気ポートが前記真空ラインの前記真空ポンプの後端に配管連結されるパーティクルサンプリング装置とを具備し、
前記パーティクルサンプリング装置は、
前記サンプリングポートから第４エアーバルブ、パーティクルサンプラー、分離バルブ、前記ポンプ及び前記排気ポートが順次的に配管連結されたサンプリングラインと、
パージガス供給源から第２エアーバルブを経由した後分岐され、一つは第３エアーバルブを経由して前記第４エアーバルブと前記パーティクルサンプラーの間に配管連結され、他の一つは第１エアーバルブを経由して前記分離バルブと前記ポンプの間に配管連結されるパージラインと、
前記分離バルブの前端と後端を連結し第５エアーバルブを含むバイパスラインと、
前記各エアーバルブ、前記分離バルブ及び前記ポンプの動作を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする半導体素子製造システム。
【請求項３６】
前記パーティクルサンプリング装置は、前記分離バルブと前記ポンプの間に第１圧力測定計が、前記バイパスラインの前記第５エアーバルブと前記分離バルブの前端の間に第２圧力測定計が、前記第３エアーバルブと前記サンプラーの前端のパージラインとの合流点の間に第３圧力測定計がそれぞれ設置されていることを特徴とする請求項３５記載の半導体素子製造システム。
【請求項３７】
前記パーティクルサンプリング装置は、前記サンプリングラインの前記ポンプがロータリーポンプであり、前記ロータリーポンプの前端にターボポンプをさらに設置することを特徴とする請求項３５記載の半導体素子製造システム。
【請求項３８】
前記パーティクルサンプラーは複数個が並列に設置されることを特徴とする請求項３５記載の半導体素子製造システム。
【請求項３９】
前記パーティクルサンプリング装置は、前記サンプリングライン、前記パージライン、前記バイパスライン及び前記制御部が高さの調節が可能な移動式カートに集合的に設置されることを特徴とする請求項３５記載の半導体素子製造システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はパーティクルサンプリング装置とその駆動方法及びこれを適用した半導体素子製造システムに関し、より詳しくは真空工程（Ｖａｃｕｕｍ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）が行われる工程チャンバーからインシトゥ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）でパーティクルをサンプリングして分析、評価できるようにしたパーティクルサンプリング装置とその駆動方法及びこれを適用した半導体素子製造システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に半導体素子製造工程のためには、非常に清潔な空間が必要であり、このような真空空間が要求される半導体素子製造工程としては低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）、乾式エッチング、スパッタリング、イオン注入工程等があるし、これらの各工程でも各工程設備の種類、工程ガスによって発生する不良も多様である。特に、これらの各工程空間で発生するパーティクルは半導体素子の不良誘発に大きな影響を与え、後続工程にも大きな影響を与える。従って、工程空間で発生されるパーティクルを抑制するためには工程空間で発生されたパーティクルの数や成分を分析、評価してパーティクルの発生要因を迅速に追跡してパーティクルの発生を抑制する必要がある。
【０００３】
従来は工程空間で存在するか工程進行中発生するパーティクルを分析するためには工程が完了された後ウェーハ上のパーティクル等ディフェックトをＫＬＡ装備、ＳＥＭ、ＳＵＲＦＳＣＡＮ等を利用して分析した。従って、工程進行中に発生されるパーティクルを工程進行中に見ることができないのでパーティクル発生の原因を正確に糾明できないという問題点があった。
【０００４】
従って、工程進行中の工程空間内に存在するパーティクルを直接サンプリングして分析できる装備が必要であり、このような装備としてインパクター（ｉｍｐａｃｔｏｒ）がある。インパクターは普通常圧下でパーティクルをサンプリングする装備であり図９に概略的な断面図として図示した。
【０００５】
図９を参照すると、インパクターと呼ばれるパーティクルサンプラー１０は工程チャンバー内のガスを矢印で表示された図面の左側の入口から右側の出口に通過させながらガスの流れの方向に直角に設置されたステージ１４、１５として切断されたウェーハの一部分を配置してパーティクルを収集することである。前記パーティクルサンプラー１０は２段の第１ステージ１４と第２ステージ１５に構成され、前記各ステージの前方には第１ノズル１２と第２ノズル１３がお互い異なる直径を有するように形成されている。
【０００６】
従って、サンプラー１０の右側の出口を真空状態にするとパーティクルを含有したサンプル空気が第１ノズル１２を通過した後、第１ステージ１４に衝突すると、サンプル空気の速度とパーティクルの質量による慣性力によってパーティクルがステージ上に収集される。続いて、第１ステージ１４と衝突したサンプル空気は第１ノズル１２の直径より小さな直径の第２ノズル１３を通過しながら加速され第２ステージ１５に衝突す。サンプル空気の速度が速い場合、より小さいパーティクルが衝突されステージ上に収集される。
【０００７】
従来には前記パーティクルサンプラーを常圧下でガスラインの評価のために使用したが、毒性ガスに対しては使用できず、実際の使用ガスの代わりに窒素ガスを流してパーティクルサンプリングを実施することもあった。
【０００８】
一方、工程チャンバーとポンピングラインの差圧を利用して真空工程でのパーティクルサンプリングを実施することもあった。これは工程チャンバーにサンプリングポートを設置して、サンプリングポートから遮断バルブ、パーティクルサンプラー及び遮断バルブを順次的に配管連結した後、真空ポンプによる排気ラインに連結してサンプリング空気を排気させるようにしたものである。この場合、工程チャンバーで真空工程が進行される間にサンプリングしたい一定の時間の間前記遮断バルブをオープンさせ前記パーティクルサンプラーにパーティクルを収集した後、サンプラーを分離して収集されたパーティクルを分析することになる。
【０００９】
しかし、前記のように単純に工程チャンバーにサンプリングポートを設置して望む時間の間にバルブをオープンさせサンプリングを実施する従来の場合には、特に工程チャンバー内で高真空のプロセスが進行される場合サンプリング中にサンプリング空気が工程チャンバーの方に逆流し前記サンプラーに収集されたパーティクルが工程チャンバーに流入して工程不良を起こすという問題点があった。
【００１０】
また、パーティクルが収集されたサンプラーは分析を経た後、再びパーティクルサンプリング設備に装着して新しくパーティクルを収集するために使用されるので事前に十分にパージ（ｐｕｒｇｅ）しなければならない。しかし、サンプラーをパージした後、設備に再び装着する間にサンプラー自体が再び汚染され得るのでパーティクルに関する十分な分析が行われることができないという問題があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、装置内部にパージシステムを設置すると共に工程進行中（ｉｎ−ｓｉｔｕ）での分析を可能とすることによりパーティクル分析の信頼性、再現性を向上させたパーティクルサンプリング装置とその駆動方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は装置内部にポンプを設置して、工程チャンバーとの差圧を適切に維持できるように構成したパーティクルサンプリング装置とその駆動方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的はサンプリングガスが工程チャンバーに逆流することを防止したパーティクルサンプリング装置とその駆動方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は手動及び自動でパーティクルをサンプリングすることができるパーティクルサンプリング装置とその駆動方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の他の目的は本発明のパーティクルサンプリング装置を適用した半導体素子製造システムを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明によるパーティクルサンプリング装置は、サンプリングポートから第４エアーバルブ、パーティクルサンプラー、分離バルブ、ポンプ及び排気ポートが順次的に配管連結されたサンプリングラインと、パージガス供給源から第２エアーバルブを経由した後分岐され、一つは第３エアーバルブを経由して前記第４エアーバルブと前記サンプラーの間に配管連結され、他の一つは第１エアーバルブを経由して前記分離バルブと前記ポンプの間に配管連結されるパージラインと、前記分離バルブの前端と後端を連結して、第５エアーバルブを含むバイパスラインと、前記各エアーバルブ、前記分離バルブ及び前記ポンプの動作を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
【００１７】
前記サンプリングポートは真空下に行われる低圧化学気相蒸着、プラズマ化学気相蒸着、イオン注入、乾式エッチング、スパッタリング等の半導体素子製造工程が行われる真空チャンバーに連結され得る。
【００１８】
前記分離バルブとポンプの間に第１圧力測定計が、前記バイパスラインの第５エアーバルブと前記分離バルブの前端の間に第２圧力測定計が、前記第３エアーバルブと前記サンプラーの前端のパージラインとの合流点の間に第３圧力測定計がそれぞれ設置されていて前記各バルブ及びポンプの動作を制御する基準になるようにすることができる。
【００１９】
前記第４エアーバルブと前記パージラインとの合流点の間に手動バルブをさらに設置して装置の安全点検と手動操作を円滑にすることができるようにすることが望ましい。また、前記パージガス供給源と第２エアーバルブの間にレギュレーターを設置してパージガスの供給量を調節することができるし、前記パージラインの分岐点と前記第１エアーバルブ及び第３エアーバルブの間にそれぞれ第１ニードルバルブ及び第２ニードルバルブをさらに設置してパーティクルサンプラーの前後でのパージガス量を調節することができる。
【００２０】
前記サンプリングラインのポンプはロータリーポンプであり、前記ロータリーポンプの前端にさらにターボポンプを直列で設置し、高真空プロセス下でのパーティクルを円滑にサンプリングすることができる。また、前記パーティクルサンプラーを複数個並列に設置して真空工程で望む時間帯別にパーティクルをサンプリングすることによりパーティクルの発生原因を正確に糾明できるという点で望ましい。
【００２１】
また、前記分離バルブとポンプの間に第１圧力スイッチを、前記パージラインの第３エアーバルブと前記サンプラーの前端との合流点の間に第２圧力スイッチを、前記パージガス供給源と第２エアーバルブの間に第３圧力スイッチをそれぞれさらに設置して第１圧力スイッチは前記ポンプの動作の有無を確認して、第２圧力スイッチはパージの完了時点を判断して、第３圧力スイッチはパージガスの供給有無を確認できるようにする。
【００２２】
前記サンプリングライン、パージライン、バイパスライン及び制御部が移動式カート（ｃａｒｔ）に集合的に設置して使用できる。
【００２３】
本発明の別の目的を達成するための本発明によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法は、工程チャンバーに連結されるサンプリングポートから第４エアーバルブ、パーティクルサンプラー、分離バルブ、第１圧力測定計、ポンプ及び排気ポートが順次的に配管連結されたサンプリングラインと、パージガス供給源から第２エアーバルブを経由した後分岐され一つは第３エアーバルブ、圧力スイッチ及び第３圧力測定計を経由して前記第４エアーバルブと前記サンプラーの間に連結され、他の一つは第１エアーバルブを経由して前記分離バルブと前記ポンプの間に配管連結されるパージラインと、前記分離バルブ前端で分岐され第２圧力測定計及び第５エアーバルブを経由して前記分離バルブの後端に連結されるバイパスラインとを備えるパーティクルサンプリング装置の駆動方法において、
前記ポンプを駆動して前記サンプリングライン内の圧力を前記工程チャンバーより低圧に維持する準備段階と、前記サンプリングライン内にパージガスを一定の時間、通過させプリパージ（ｐｒｅｐｕｒｇｅ）する段階と、パージガス供給を遮断して前記サンプリングライン内の圧力が基準圧力以下になるようにポンピングする段階と、前記第４エアーバルブをオープンさせ工程チャンバー内の工程ガスが前記サンプラーを通過するようにして一定の時間の間パーティクルをサンプリングする段階と、前記第４エアーバルブをクローズさせた後、前記サンプリングライン内にパージガスを通過させポストパージ（ｐｏｓｔｐｕｒｇｅ）する段階とを備えることを特徴とする。
【００２４】
前記準備段階は、前記分離バルブ、第１、第２及び第５エアーバルブをクローズさせた状態でポンプを駆動させ前記第１圧力測定計での圧力が所定の圧力、例えば５００ｍＴｏｒｒ以下になるようにする第１準備段階及び、継続して前記第５エアーバルブをオープンさせ前記第２圧力測定計での圧力が所定圧力、例えば５００ｍＴｏｒｒ以下になるようにする第２準備段階に構成して、全体パーティクルサンプリングラインを次に準備させ、各配管ラインのリークを検査することができるようにする。
【００２５】
前記第１及び第２圧力測定計の圧力が一定の時間内に所定圧力以下に落ちない場合に、前記第１及び第２エアーバルブをオープンさせた後、パーティクルサンプリング工程を中止させるようにしてサンプリングの正確性を期することができる。
【００２６】
前記プリパージ段階は第５エアーバルブをクローズさせ、前記分離バルブをオープンさせ、前記第２及び第３エアーバルブをオープンさせた後、所定時間の間行い、前記ポンピング段階は前記第２及び第３エアーバルブをクローズさせた後前記第２圧力測定計の圧力が基準圧力以下になるまで行うことが望ましい。
【００２７】
前記第２圧力測定計の圧力が所定の時間内に基準圧力に到達しない場合、前記分離バルブをクローズさせ、前記第１及び第２エアーバルブをオープンさせた後前記ポンピング工程を中止するようにして測定の信頼性を向上させることができる。
【００２８】
前記サンプリング段階では前記工程チャンバー内への逆流の有無をチェックする段階をさらに備えるし、望ましくは前記工程チャンバー内への逆流は前記第３圧力測定計の圧力によって判断できるようにする。
【００２９】
前記ポストパージは前記第４エアーバルブをクローズさせた後、所定の時間経過後、前記第２及び第３エアーバルブをオープンさせた状態で所定時間行うようにし、前記ポストパージ段階を行った後、前記分離バルブをクローズさせた後、一定の時間が経過するか又は前記第２圧力スイッチがオンされると前記第３エアーバルブをクローズさせ、前記第１エアーバルブをオープンさせた後工程を完了するようにする。
【００３０】
前記ポンプ、分離バルブ及び全てのエアーバルブはＬＣＤを用いたタッチスクリーン（ｔｏｕｃｈ  ｓｃｒｅｅｎ）を備える制御部で手動モード又は自動モードで操作できるようにする。
【００３１】
また、前記ポンプ、分離バルブ及び各種エアーバルブは相互にインターロック（ｉｎｔｅｒ−ｌｏｃｋ）されるように構成される。即ち、前記ポンプは前記分離バルブ又は第４及び第５エアーバルブがオープンされた状態ではオフさせられないようにインターロックされ、前記分離バルブは前記第４エアーバルブがオープンされる場合又は前記第２及び第３エアーバルブがオープンされた場合にはクローズしないように、前記ポンプがオフされた場合オープンしないようにインターロックされ、前記第１エアーバルブは前記分離バルブ又は第５エアーバルブ又は第３エアーバルブがオープンされた状態ではオープンしないようにインターロックされ、前記第２エアーバルブは第４エアーバルブがオープンされた状態ではオープンしないようにインターロックされ、前記第３エアーバルブは第１エアーバルブがオープンされた状態ではオープンしないようにインターロックされ、前記第４エアーバルブは第１、第２、第３エアーバルブがオープンされた場合、前記分離バルブがクローズされるかポンプがオープンされた場合、前記第２圧力測定計の圧力が所定の基準圧力より大きい場合、及び前記第２圧力スイッチがオンされた場合にはオープンさせられないようにインターロックされ、前記第５エアーバルブは前記第２エアーバルブ及び第３エアーバルブがオープンされた場合、前記ポンプがオープンされた場合ではオープンしないようにインターロックされている。
【００３２】
また、本発明の別の目的を達成するための本発明による半導体素子製造システムは、半導体素子製造工程が行われる工程チャンバーと、前記工程チャンバーに連結され工程チャンバーを真空に維持させるための真空ポンプを備える真空ラインと、サンプリングポートが前記工程チャンバーに連結され、排気ポートが前記真空ラインの前記真空ポンプの後端に配管連結されるパーティクルサンプリング装置とを具備し、
前記パーティクルサンプリング装置は、前記サンプリングポートから第４エアーバルブ、パーティクルサンプラー、分離バルブ、前記ポンプ及び前記排気ポートが順次的に配管連結されたサンプリングラインと、パージガス供給源から第２エアーバルブを経由した後分岐され、一つは第３エアーバルブを経由して前記第４エアーバルブと前記パーティクルサンプラーの間に配管連結され、他の一つは第１エアーバルブを経由して前記分離バルブと前記ポンプの間に配管連結されるパージラインと、前記分離バルブの前端と後端を連結し第５エアーバルブを含むバイパスラインと、前記各エアーバルブ、前記分離バルブ及び前記ポンプの動作を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
【００３３】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の基本構成図である。
【００３４】
前記パーティクルサンプリング装置は大きくサンプリングライン、パージライン、バイパスライン及び制御部で構成される。
【００３５】
サンプリングラインはパーティクルをサンプリングする時の実際のガス流れラインとして、低圧又はプラズマ化学気相蒸着、乾式エッチング、イオン注入又はスパッタリング工程などの真空工程が行われる工程チャンバーに連結されるサンプリングポート２４からパーティクルサンプラー１０、分離バルブであるＩＶ（Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  Ｖａｌｖｅ；２２）、ロータリーポンプ２０を経て排気ポート２８からなるサンプリングガスの流れラインである。
【００３６】
前記サンプリングポート２４は工程チャンバーの特定位置に取り付け、取り外しが可能であるように連結され、前記サンプリングポート２４とパーティクルサンプラー１０の間には第４エアーバルブであるＡＶ４（Ａｉｒ  Ｖａｌｖｅ  ４；３４ｄ）と手動バルブ３９が順に設置される。
【００３７】
前記パーティクルサンプラー１０は図９で示されるようにインパクターと呼ばれるパーティクル収集装置として、工程チャンバーに連結されたサンプリングポート２４からのサンプリングガスを矢印で表示された図面の左側の入口から右側の出口に通過させながらガスの流れの方向に垂直に設置されたステージ１４、１５から切断されたウェーハの一部分、例えば縦×横が１ｃｍ×１ｃｍである切断されたウェーハの一部分を配置してパーティクルを収集する。
【００３８】
前記パーティクルサンプラー１０は図９に示されるように２段の第１ステージ１４と第２ステージ１５で構成され得るし、図９の各ステージの前方に設置される第１ノズル１２と第２ノズル１３と他の直径を有する第３ステージ（図示せず）を含めて３段で構成できる。前記パーティクルサンプラー１０はサンプリングが終了した後、サンプリングラインから取りはずされ分析設備内に移動され、そこで収集されたパーティクルがＳＥＭ，ＡＥＳ，ＥＰＭＡ等の装備によって成分、大きさ及び分布等が評価される。分析が終わったパーティクルサンプラー１０は再び組み立てられ次のサンプリング作業を行うようになる。
【００３９】
また、前記パーティクルサンプラー１０は上述のように３段ステージの単一インパクターを使用する他に、適切なバルブを組み合わせて複数個のサンプラーを並列に設置することにより、一つのインパクターを取りはずしたときにもパーティクルサンプリングを連続的に行うことや、真空工程で望む時間帯別にパーティクルのサンプリングを実施することができ、パーティクルの発生原因を正確に糾明できるという点で望ましい。
【００４０】
さらに、前記パーティクルサンプラー１０は水平に設置して一定の気流が維持されるようにすることが望ましく、各ステージ内には支持リング（図示せず）を設置してサンプリングガスのリークを防止することが望ましい。
【００４１】
前記分離バルブ２２はオンオフ機能のみを行う断続バルブである。分離バルブ２２の代わりにガスの流れ量を制御できるバルブを使用することができる。
【００４２】
前記分離バルブ２２とロータリーポンプ２０の間には第１圧力測定計であるＣＭ１（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ  Ｍａｎｏｍｅｔｅｒ  １；３０ａ）と第１圧力スイッチであるＰＳ１（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｓｗｉｔｃｈ  １；３２ａ）が設置される。前記第１圧力測定計３０ａは０ないし１Ｔｏｒｒまでの圧力を測定することができるし、前記第１圧力スイッチ３２ａは特定圧力値、例えば７５Ｔｏｒｒで作動することである。
【００４３】
前記パージラインはパーティクルサンプリング前後にサンプラー１０を含むサンプリング配管ラインをパージガス、例えば窒素ガスを使用して洗浄することで、パージガス供給源２６ｂから出発して中間分岐点で分岐して一つは前記サンプリングラインのサンプラー１０と手動バルブ３９の間に配管連結され、他の一つは前記サンプリングラインの分離バルブ２２とロータリーポンプ２０の間、より具体的には前記分離バルブ２２と第１圧力測定計３０ａの間に配管連結される。
【００４４】
前記パージラインの分岐点以前に第３圧力スイッチ（ＰＳ３）３２ｃ、第１レギュレーター３８ａ及び第２エアーバルブ（ＡＶ２）  ３４ｂが順に設置されており、サンプラー１０以前に連結されるパージラインには前記分岐点から第２ニードルバルブ３６ｂ、第３エアーバルブ（ＡＶ３）３４ｃ、第２圧力スイッチ（ＰＳ２）３２ｂ、第３圧力測定計（ＣＭ３）３０ｃが順に設置されており、前記第２圧力スイッチ（ＰＳ２）３２ｂと第３圧力測定計（ＣＭ３）３０ｃの間にフィルター（図示せず）が設置されている。前記パージラインの分岐点から前記ロータリーポンプ２０以前のサンプリングラインとの合流点の間には第１ニードルバルブ３６ａと第１エアーバルブ（ＡＶ１）３４ａが順に設置されている。一方、前記パージラインと合流する他の配管はエアーバルブを操作するためのもので空気供給源２６ａから第２レギュレーター３８ｂを経てパージラインと合流するようになる。
【００４５】
上述したように、前記第４エアーバルブと前記パージラインとの合流点の間に手動バルブをさらに設置して装置の安全点検と手動操作を円滑にすることができるようにすることが望ましい。また、前記パージガス供給源と第２エアーバルブの間にレギュレーターを設置することによりパージガスの供給量を調節することができ、前記パージラインの分岐点と前記第１エアーバルブ及び第３エアーバルブの間にそれぞれ第１ニードルバルブ及び第２ニードルバルブをさらに設置することによりパーティクルサンプラーの前後でのパージガス量を調節することができる。
【００４６】
また、前記分離バルブとポンプの間に第１圧力スイッチを、前記パージラインの第３エアーバルブと前記サンプラーの前端との合流点の間に第２圧力スイッチを、前記パージガス供給源と第２エアーバルブの間に第３圧力スイッチをそれぞれさらに設置して第１圧力スイッチは前記ポンプの動作の有無を確認して、第２圧力スイッチはパージの完了時点を判断して、第３圧力スイッチはパージガスの供給有無を確認できるようにする。
【００４７】
一方、前記バイパスラインは前記分離バルブ２２を迂回する配管ラインとして、分離バルブ前端サンプリングラインから出発して第２圧力測定計（ＣＭ２）３０ｂと第５エアーバルブ（ＡＶ５）３４ｅが中間に順に設置されている。
【００４８】
前記分離バルブとポンプの間に第１圧力測定計が、前記バイパスラインの第５エアーバルブと前記分離バルブの前端の間に第２圧力測定計が、前記第３エアーバルブと前記サンプラーの前端のパージラインとの合流点の間に第３圧力測定計がそれぞれ設置されているため前記各バルブ及びポンプの動作を制御するための基準とすることができる。
【００４９】
前記パーティクルサンプリング装置の各エアーバルブ、分離バルブ及びポンプ等を自動的に制御できる制御部が構成されているが図１には図示していない。
【００５０】
図２は本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置を高さの調節が可能な単一のカート（ｃａｒｔ）の形態に具体化させた図面である。
【００５１】
図２を参照すると、基本構成は図１に図示されたのと同じで、図１のパーティクルサンプリング装置の構成部品を集合して一体化し六面体形状のプレーム５０内に内蔵したもので、フレーム５０の下側にはローラー５２が取り付けられて移動が便利になり、また支持台５４を備えるためサンプリング装置を固定することもできる。またフレーム５０の上側には取っ手５８を取り付け、プレーム５０の上部面上にはパーティクルサンプラー１０が装着される形状で構成し、上部面の取っ手５８側にはＬＥＤでできたタッチスクリーン５６が構成される。    前記タッチスクリーン５６でバルブ等の全てのアクチュエーター（ａｃｔｕａｔｏｒ）を手動または自動に調節できるように画面構成が行われる。パージガスはフレーム５０の側面から供給されるように構成した。
【００５２】
図３は本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置を半導体製造工程システムに適用した一例を示す概略的な図面である。
【００５３】
図３を参照すると、工程チャンバー４０の下部に図１のサンプリングポート２４が結合されており、サンプラー１０を経由してロータリーポンプ２０を経て排気ポート２８を通じてサンプリングガスが排気される。前記サンプリング装置にはパージガス供給源２６ｂからパージガスが供給される。
【００５４】
一方、工程チャンバー４０の下段からスロットル（ｔｈｒｏｔｔｌｅ）バルブ４２、ターボポンプ４４及びロータリーポンプ４６が順に接続され工程チャンバー４０内を望む真空度に維持するようにする。一方前記サンプリング装置内のロータリーポンプ２０の前にターボポンプ（図示せず）をさらに設置して真空システムの真空圧力の均衡を図ることも可能である。
【００５５】
一方、図１で示されたロータリーポンプ、分離バルブ及び各種エアーバルブ等のアクチュエーターは以下のようにそれぞれインターロック機能が設備され測定の信頼度向上及び工程チャンバーにおいて進行する工程の不安定を防止する。
【００５６】
（Ａ）前記ロータリーポンプ２０は、前記分離バルブ２２又は第４及び第５エアーバルブ３４ｄ、３４ｅがオープンされた状態では停止（オフ）しないようにインターロックされている。
【００５７】
（Ｂ）前記分離バルブ（ＩＶ）２２は、前記第４エアーバルブ３４ｄがオープンされた場合又は前記第２及び第３エアーバルブ３４ｂ、３４ｃがオープンされた場合にはクローズできないし、前記ポンプ２０が停止（オフ）した場合オープンさせられないようにインターロックされている。
【００５８】
（Ｃ）前記第１エアーバルブ（ＡＶ１）３４ａは、前記分離バルブ２２又は第５エアーバルブ３４ｅ又は第３エアーバルブ３４ｃがオープンされた状態ではオープンさせられないようにインターロックされている。
【００５９】
（Ｄ）前記第２エアーバルブ（ＡＶ２）３４ｂは、第４エアーバルブ３４ｄがオープンされた状態ではオープンさせられないようにインターロックされている。
【００６０】
（Ｅ）前記第３エアーバルブ（ＡＶ３）３４ｃは、第１エアーバルブ３４ａがオープンされた状態ではオープンさせられないようにインターロックされている。
【００６１】
（Ｆ）前記第４エアーバルブ（ＡＶ４）３４ｄは、第１、第２及び第３エアーバルブ３４ａ、３４ｂ、３４ｃがオープンされた場合、前記分離バルブ２２がクローズされるかポンプ２０がオープンされた場合、前記第２圧力測定計３０ｂの圧力が所定の基準圧力より大きな場合及び前記第２圧力スイッチ３２ｂがオンされた場合にはオープンさせられないようにインターロックされている。
【００６２】
（Ｇ）前記第５エアーバルブ（ＡＶ５）３４ｅは、前記第２エアーバルブ３４ｂ及び第３エアーバルブ３４ｃがオープンされた場合及び前記ポンプ２０がオープンされた場合にはオープンさせられないようにインターロックされている。
【００６３】
次に図４乃至図８を参照して本発明のパーティクルサンプリング装置の駆動方法を詳しく調べてみる。本発明のサンプリング装置の駆動段階は大きく準備段階、プリパージ段階、ポンピング段階、サンプリング段階、ポストパージ段階及び工程完了段階に構成される。
【００６４】
なお、ポンプ、分離バルブ及び全てのエアーバルブはＬＣＤを用いたタッチスクリーン（ｔｏｕｃｈ  ｓｃｒｅｅｎ）を備える制御部によって手動モード又は自動モードで操作できる。
【００６５】
図４は本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法で準備段階でプリパージ段階までの流れ図である。
【００６６】
まず、図４を参照すると、第１エアーバルブ（ＡＶ１）３４ａ、第２エアーバルブ（ＡＶ２）３４ｂおよび第５エアーバルブ（ＡＶ５）３４ｅをクローズさせ、ロータリーポンプ２０を駆動（オン）させる。続いて第１圧力測定計（ＣＭ１）３０ａの圧力が５００ｍＴｏｒｒ以下になると、第５エアーバルブ３４ｅをオープンさせる。この際、６０秒以上が経過しても第１圧力測定計３０ａの圧力が５００ｍＴｏｒｒ以下にならないとサンプリングラインのポンピングラインにリークが発生することに判断して第１エアーバルブ（ＡＶ１）３４ａと第２エアーバルブ（ＡＶ２）３４ｂをオープンさせた後サンプリング工程を中止する。
【００６７】
一方、第５エアーバルブ３４ｅをオープンさせた後、第２圧力測定計（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ  Ｍａｎｏｍｅｔｅｒ；ＣＭ２）３０ｂの圧力が５００ｍＴｏｒｒ以下になるとプリパージ段階に移る。この際、６０秒以上が経過しても第２圧力測定計（ＣＭ２）３０ｂの圧力が５００ｍＴｏｒｒ以下にならないとポンピングラインにリークが発生したものと判断して第５エアーバルブ３４ｅをクローズさせ第１エアーバルブ（ＡＶ１）３４ａと第２エアーバルブ（ＡＶ２）３４ｂをオープンさせた後、サンプリング工程を中止する。
【００６８】
上述したように準備段階は、前記分離バルブ、第１、第２及び第５エアーバルブをクローズさせた状態でポンプを駆動させ前記第１圧力測定計での圧力が所定の圧力、例えば５００ｍＴｏｒｒ以下になるようにする第１準備段階及び、継続して前記第５エアーバルブをオープンさせ前記第２圧力測定計での圧力が所定圧力、例えば５００ｍＴｏｒｒ以下になるようにする第２準備段階を構成して、全体パーティクルサンプリングラインを次に準備させることにより各配管ラインのリークを検査することができるようにする。
【００６９】
また、前記第１及び第２圧力測定計の圧力が一定の時間内に所定圧力以下に落ちない場合には、前記第１及び第２エアーバルブをオープンさせた後、パーティクルサンプリング工程を中止させるようにしてサンプリングの正確性を期することができる。
【００７０】
図５は本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法でプリパージ段階からポンピング段階までの流れ図である。
【００７１】
プリパージ段階は第５エアーバルブ３４ｅをクローズさせ、分離バルブ（ＩＶ）２２をオープンさせ、第２エアーバルブ（ＡＶ２）３４ｂと第３エアーバルブ（ＡＶ３）３４ｃをオープンさせた後行い、経過時間がレシピー（ｒｅｃｉｐｅ）で設定されたプリパージ時間に達する時まで、継続して窒素ガスでパージをさせ、プリパージの時間を超過した場合ポンピング段階に移る。
【００７２】
図６は本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法での、ポンピング段階からサンプリング段階までの流れ図である。
【００７３】
図５でプリパージが終了した後にポンピングし、第３エアーバルブ（ＡＶ３）３４ｃと第２エアーバルブ（ＡＶ２）３４ｂをクローズさせた後、第２圧力測定計（ＣＭ２）３０ｂが工程レシピーで設定した特定の基準圧力以下になるとサンプリングを実施する。しかし、経過時間が１８０秒を超えても基準圧力以下に落ちない場合にはポンピングラインにリークが発生したものと考え、分離バルブ（ＩＶ）２２をクローズさせ、第１エアーバルブ３４ａ及び第２エアーバルブ３４ｂをオープンさせサンプリング工程を中止するようにして測定の信頼性を向上させることができる。
【００７４】
上述したように、前記プリパージ段階は第５エアーバルブをクローズさせ、前記分離バルブをオープンさせ、前記第２及び第３エアーバルブをオープンさせた後、所定の時間行い、前記ポンピング段階は前記第２及び第３エアーバルブをクローズさせた後前記第２圧力測定計の圧力が基準圧力以下になるまで行うことが望ましい。
【００７５】
図７は本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法でサンプリング段階でポストパージ段階までの流れ図である。
【００７６】
前記サンプリング段階では工程チャンバー内への逆流の有無をチェックする段階をさらに備え、望ましくは前記工程チャンバー内への逆流は前記第３圧力測定計の圧力によって判断できるようにする。
【００７７】
すなわち、図７を参照すると、サンプリングは工程チャンバーに近接した第４エアーバルブ（ＡＶ４）３４ｄをオープンさせた後、経過時間が工程レシピーで設定したサンプリング時間を超えるとポストパージ段階に移る。
【００７８】
経過時間がサンプリング時間を超えなく工程レシピーから工程チャンバーへのガスの逆流チェックを選択すると第３圧力測定計（ＣＭ３）３０ｃの圧力と工程レシピーで設定した特定の逆流比率（ｂａｃｋ  ｓｔｒｅａｍ  ｒａｔｅ）とを比較する。前記逆流比率は基準圧力との関係で算出することで、（基準圧力−基準圧力／比率）と表せ、前記基準圧力と比率は工程レシピーで設定した値である。
【００７９】
一方、工程レシピーで逆流チェックを選択しない場合には設定されたサンプリング時間に到達した後、ポストパージ段階に移る。また、逆流チェックを選択して第３圧力測定計（ＣＭ３）３０ｃの圧力が工程レシピーで設定した特定の逆流比率（ｂａｃｋ  ｓｔｒｅａｍ  ｒａｔｅ）より小さくない場合にはサンプリング時間に到達するまでサンプリングした後、ポストパージ段階に移るし、第３圧力測定計（ＣＭ３）３０ｃの圧力が工程レシピーで設定した特定の逆流比率（ｂａｃｋ  ｓｔｒｅａｍ  ｒａｔｅ）より小さい場合には逆流が発生したことと判断してサンプリングを中断し、ラインに対してポストパージを実施する。
【００８０】
図８は本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法でポスト段階で工程完了段階までの流れ図である。
【００８１】
図８を参照すると、サンプリングが終った後、第４エアーバルブ（ＡＶ４）３４ｄをクローズさせた後、１秒待機した後に第２エアーバルブ３４ｂと第３エアーバルブ３４ｃをオープンさせる。前記のように一定時間待機時間を与えることはガスの逆流を防止するためのものである。
【００８２】
続いて、経過時間が工程レシピーで設定したポストパージ時間を超えた場合分離バルブ２２をクローズさせる。分離バルブ２２をクローズさせた後１０秒が経過すると第２圧力スイッチ３２ｂ又は第２ニードルバルブ３６ｂがオフされ、続いて第３エアーバルブ３４ｃをクローズさせ第１エアーバルブ３４ａをオープンさせた後工程を完了する。    もしも経過時間が１０秒を超えない場合には、第２圧力スイッチ（ＰＳ２）３２ｂがオンされない場合１０秒経過まで待つし、第２圧力スイッチ（ＰＳ２）３２ｂがオンされた場合には第３エアーバルブ３４ｃをクローズさせ第１エアーバルブ３４ａをオープンさせた後工程を完了する。
【００８３】
以上で調べてみたようにパーティクルサンプリング工程が終わるとパーティクルサンプラー１０を設備から取り外した後、パーティクル分析評価を実施するようになる。
【００８４】
以上で本発明は記載された具体例についてのみ詳細に説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が添付された特許請求の範囲に属することは当然なことである。
【００８５】
【発明の効果】
したがって、本発明によれば真空工程の進行中（ｉｎ−ｓｉｔｕ）においてもパーティクル分析が可能になるという効果がある。
【００８６】
また、本発明によるとサンプリング装置自身がパージシステムを具備するので、パーティクル分析の信頼性を向上させる効果がある。
【００８７】
また、本発明によると、サンプリング装置内にポンプを具備することで工程チャンバーで行われる工程条件と同一条件下でパーティクルサンプリングを行うことができるのでパーティクルに対する正確な分析ができるという効果がある。
【００８８】
また、本発明によると、サンプリング過程でサンプリングガスが工程チャンバーに逆流することを防止するので工程チャンバーの半導体素子に対して不良の原因等の影響を与えずにパーティクルサンプリングをすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の基本構成図である。
【図２】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の単一カート（ｃａｒｔ）形態に具体化させた図面である。
【図３】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置を半導体製造工程システムに適用した一例を示す概略的な図面である。
【図４】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法で準備段階でプリパージ段階までの流れ図である。
【図５】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法でプリパージ段階からポンピング段階までの流れ図である。
【図６】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法でポンピング段階からサンプリング段階までの流れ図である。
【図７】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法でサンプリング段階でポストパージ段階までの流れ図である。
【図８】本発明の一実施例によるパーティクルサンプリング装置の駆動方法で、ポスト段階から工程完了段階までの流れ図である。
【図９】本発明に適用される一般的なパーティクルサンプラーであるインパクター（ｉｍｐａｃｔｏｒ）を示す断面図である。
【符号の説明】
１０    パーティクルサンプラー
１２、１３    ノズル
１４、１５  ステージ
２０    ロータリーポンプ
２２    分離バルブ
２４    サンプリングポート
２６ｂ  パージガス供給源
２８    排気ポート
３０ａ−３０ｃ    圧力測定計
３２ａ−３２ｃ    圧力スイッチ
３４ａ−３４ｅ    エアーバルブ
３６ａ、３６ｂ    ニードルバルブ
３８ａ、３８ｂ    レギュレーター
４０    工程チャンバー
４２    スロットルバルブ
４４    ターボポンプ
４６    ロータリーポンプ
５０    フレーム
５２    ローラー
５４    支持台
５６    タッチスクリーン
５８    取っ手
【図１】
0003609605.tif 000002
【図２】
0003609605.tif 000003
【図３】
0003609605.tif 000004
【図４】
0003609605.tif 000005
【図５】
0003609605.tif 000006
【図６】
0003609605.tif 000007
【図７】
0003609605.tif 000008
【図８】
0003609605.tif 000009
【図９】
0003609605.tif 000010