(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振回路を含む光ピックアップ用高周波重畳モジュールであって、
前記発振回路は、ＬＣ共振回路と、増幅素子と、バイアス回路とを含み、前記ＬＣ共振回路と、前記増幅素子とにより発振周波数信号を生成するコルピッツ型回路であり、
前記増幅素子は、トランジスタでなり、エミッタが直接接地され、コレクタがレーザダイオードのための出力端子に導かれ前記出力端子に前記発振周波数信号を供給するものであり、
前記バイアス回路は、前記トランジスタに直流バイアスを加える回路であって、バイアス抵抗の一つは、前記トランジスタのコレクタから電源供給端子に導かれる電源ラインに直列に挿入接続され、発振周波数成分が前記電源ラインへ漏洩するのを阻止する素子として兼用されており、バイアス抵抗のもう一つは、一端が前記電源ラインにおいて前記トランジスタのコレクタと前記バイアス抵抗の一つとの間に導かれ、他端が前記トランジスタのベースに導かれており、
前記二つのバイアス抵抗は、前記トランジスタのベース．エミッタ間電圧が変動したとき、コレクタ電流の変動作用に対して負帰還を加え、コレクタ電流を一定化する制御を前記トランジスタに与える
高周波重畳モジュール。
【請求項２】
光ピックアップ用高周波重畳モジュールに用いられるコルピッツ型発振回路であって、
ＬＣ共振回路と、増幅素子と、バイアス回路とを含み、前記ＬＣ共振回路と前記増幅素子とにより発振周波数信号を生成し、
前記増幅素子は、トランジスタでなり、エミッタが直接接地され、コレクタがレーザダイオードのための出力端子に導かれ前記出力端子に発振周波数信号を供給するものであり、
前記バイアス回路は、前記トランジスタに直流バイアスを加える回路であって、バイアス抵抗の一つは、前記トランジスタのコレクタから電源供給端子に導かれる電源ラインに直列に挿入接続され、発振周波数成分が前記電源ラインへ漏洩するのを阻止する素子として兼用されており、バイアス抵抗のもう一つは、一端が前記電源ラインにおいて前記トランジスタのコレクタと前記バイアス抵抗の一つとの間に導かれ、他端が前記トランジスタのベースに導かれており、
前記二つのバイアス抵抗は、前記トランジスタのベース．エミッタ間電圧が変動したとき、コレクタ電流の変動作用に対して負帰還を加え、コレクタ電流を一定化する制御を前記トランジスタに与える
発振回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ピックアップ用高周波重畳モジュールに関する。この種の高周波重畳モジュールは、ＤＶＤ（ディジタル．ビデオ．ディスク）、ＭＤ（光磁気ディスク）またはＣＤ（コンパクト．ディスク）等の光ディスクを用いる情報記録再生装置において、光ピックアップを構成する部品の一つとして用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
光ピックアップでは、光ディスクのデータを読み込む情報再生時において、レ−ザ−ダイオ−ドからの光を光ディスクに照射し、光ディスクからの反射光の変調分を電気信号に変換して、再生信号を出力する。この時、光ディスクから戻り光によりレ−ザ−ノイズが誘起され、再生信号にノイズとなって現れる。このレ−ザ−ノイズの発生を防止する方法として、高周波重畳信号によりレ−ザ−ダイオ−ドを駆動する高周波重畳法が知られている（特公昭５９−９０８６号公報）。
【０００３】
高周波重畳法を採用した光ピックアップに用いられる高周波重畳モジュールは、発振回路を有し、レ−ザ−光出力を数百ＭＨｚの周波数でオン、オフさせ、レ−ザ−光の縦モ−ドをマルチ化し、レ−ザ−ノイズの発生を防止している。
【０００４】
高周波重畳モジュ−ルに用いられている発振回路は、一般には、インダクタ（Ｌ）、キャパシタ（Ｃ）、抵抗（Ｒ）、トランジスタ（Ｔｒ）を用い、Ｌ、Ｃ素子の共振現象を利用して構成されている。具体的な回路例は、特開平０７−０９３７５８号公報に記載されている。
【０００５】
ところで、ディスクトップ型パソコン等に用いられる光ピックアップでは、高周波重畳モジュールの厚み寸法に、それほど厳しい制限はない。例えば、厚み６．０ｍｍ程度の寸法であっても許容される。これに対して、ノートブック型パソコンに用いられる光ピックアップでは、高周波重畳モジュールの厚み寸法が、例えば、４．５ｍｍ以下となるように制限される。従って、ノートブック型パソコンに用いられる光ピックアップでは、高周波重畳モジュールの厚み寸法を、上述した値以下となるようにしなければならない。
【０００６】
ところが、従来の高周波重畳モジュールでは、その回路構成のために、上述した４．５ｍｍ以下の厚みに対応することが困難であった。
【０００７】
即ち、この種の高周波重畳モジュールは、発振回路で生成された高周波発振信号を、直流電源電圧に重畳して、レ−ザ−ダイオ−ドに供給するようになっているので、高周波の発振周波数成分が、不要輻射として、電源ラインに漏洩し易い。不要輻射とは、法的規制の対象となっている周波数の輻射を言い、規制対象となる電子機器としてのノイズ輻射レベルがＦＣＣクラスＢ規格などの法的規制値を下回っていなければならない。高周波重畳モジュールが光ピックアップに実装され、ＤＶＤドライブ装置等に組まれた時、当然、高周波重畳モジュールの発振周波数成分の漏洩レベルも規制の対象となる。
【０００８】
高周波重畳モジュ−ルから生じる不要輻射の主原因の１つは、発振回路によって生成された発振周波数成分であり、これが、電源ラインヘ漏洩し、電源ラインが放射アンテナとして作用し、電源ラインから輻射される。
【０００９】
不要輻射を防止する手段として、従来は、増幅素子となるトランジスタに対する電源供給ラインに、インダクタを直列に挿入してあった。このインダクタは、不要輻射阻止という観点から、基本的に要求される素子であるから、小型化及び薄型化が要求されるからと言って、省略することはできない。
【００１０】
また、従来の高周波重畳モジュールにおける発振回路は、増幅素子となるトランジスタのエミッタを、インダクタと抵抗との直列回路を介して接地するとともに、コレクタを、キャパシタを介して高周波的に接地する構成としてあった。
【００１１】
上述したような回路構成のために、従来の高周波重畳モジュ−ルでは、部品点数を１６点よりも削減することができなかった。１６点という部品点数は、特性を得るための必要最小限の数であり、これよりも部品点数を削減すると、高周波重畳モジュールの特性が損なわれることになる。このため、小型化に限界が生じ、延ては光ピックアップの小型化、薄型化の妨げになっていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、機能や特性を損なうことなく、小型化及び薄型化を図った高周波重畳モジュールを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係る光ピックアップ用高周波重畳モジュールにおいて、発振回路は、増幅素子と、バイアス回路とを含み、出力側が、直流電圧の供給される出力端子に導かれている。
【００１４】
前記増幅素子は、主電極の一方が直接接地されている。前記バイアス回路は、前記増幅素子に直流バイアスを加える回路である。前記バイアス回路に含まれるバイアス抵抗の少なくとも一部は、発振周波数成分が電源ラインへ漏洩するのを阻止する素子として兼用される。
【００１５】
増幅素子において、主電極の一方が直接接地されている回路方式をとる発振回路の代表例は、コルピッツ型発振回路として周知である。この回路方式によれば、増幅素子の他、ＬＣ共振用の回路部品を備えればよく、従来の発振回路において電極（エミッタ）に直列に接続されていたインダクタ及び抵抗が不要である。また、もう一方の電極（コレクタ）を高周波的に接地するキャパシタも不要である。従って、少なくとも、３つの部品が削減される。
【００１６】
更に、増幅素子のバイアス回路に含まれるバイアス抵抗の少なくとも一部は、発振周波数成分が電源ラインへ漏洩するのを阻止する素子として兼用される。従って、従来、不要輻射を防止する手段として、増幅素子に対する電源供給ラインに、直列に挿入する必要のあったインダクタを省略できる。
【００１７】
このため、従来の高周波重畳モジュールとの比較において、部品点数を減少し、しかも、機能及び特性を損なうことのない高周波重畳モジュールを得ることができる。
【００１８】
代表的な高周波重畳モジュールにおいて、増幅素子は、トランジスタであり、エミッタが接地されており、トランジスタによるコルピッツ型発振回路が構成される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る高周波重畳モジュールの電気回路図である。図において、点線枠Ｍで囲まれた部分が高周波重畳モジュールを示している。図示された高周波重畳モジュールＭは、発振回路１と、インピーダンス整合部３と、フィルタ部７、９とを含む。発振回路１は、フィルタ部７を介して、直流電圧Ｖｃｃの供給される電源端子Ｔ１に接続されている。インピーダンス整合部３は発振回路１の出力側（後段）に備えられている。インピーダンス整合部３の出力端は、レーザーダイオードＬＤのための出力端子Ｔ４に接続されている。出力端子Ｔ４は、直流電圧ＶＬＤの供給される電源端子Ｔ２に接続されている。バックモニター用のフォトダイオードＰＤのための端子Ｔ５は、直流電圧ＶＰＤの供給される電源端子Ｔ３に接続されている。インピーダンス整合部３は、キャパシタＣ３、Ｃ４を含み、発振回路１の出力側（後段）に接続されている。発振回路１で生成された発振周波数信号は、インピーダンス整合部３を介して、レーザーダイオードＬＤのための出力端子Ｔ４に供給される。
【００２０】
フィルタ部７は、キャパシタＣ６を含んでいる。フィルタ部９はインダクタＬ３、Ｌ５及びキャパシタＣ７を含んでいる。インピーダンス整合部３及びフィルタ部７、９の回路構成は周知であるので、その詳細は省略する。高周波重畳モジュールＭは、図示された回路構成に限らず、他の構成であってもよい。
【００２１】
発振回路１で生成された発振周波数信号（数百ＭＨｚ）は、インピーダンス整合部３を介して、出力端子Ｔ４に供給され、出力端子Ｔ４からレーザーダイオードＬＤに供給される。レーザーダイオードＬＤのレーザー光出力は、発振周波数信号でオン、オフされる。これにより、レーザー光の縦モードがマルチ化され、レーザーノイズの発生が防止される。
【００２２】
発振回路１は、トランジスタＴｒ１でなる増幅素子、抵抗Ｒ１、Ｒ２、キャパシタＣ１、Ｃ２及びインダクタＬ１を含んでいる。
【００２３】
発振回路１のトランジスタＴｒ１のエミッタ端子は、インダクタ、キャパシタまたは抵抗等の受動回路素子を介さず、直接接地してある。発振回路１は、キャパシタＣ１、Ｃ２及びインダクタＬ１によるＬＣ共振現象を用い、数百ＭＨｚの発振周波数信号を生成する。このような回路構成になる発振回路１は、コルピッツ型として、よく知られている。図２にコルピッツ型発振回路の基本構成を示す。この場合、発振周波数ｆは下記のようにＬａとＣａ、Ｃｂの合成容量Ｃとの直列共振により決まる。
ｆ＝１／２π（Ｌａ・Ｃ）1/2
また、トランジスタＴｒＡは発振回路における増幅素子の役割をするが、動作させるために、直流バイアスを印加し、いずれかの端子を発振周波数において接地しなければならない。また、いずれかの端子から出力を取り出すことにより、高周波重畳モジュールの出力が得られる。
【００２４】
抵抗Ｒ１、Ｒ２はトランジスタＴｒ１のバイアス回路を構成する。図３は直流バイアス動作を説明する図である。抵抗Ｒ１の端子電圧Ｖｒ１は、
Ｖｒ１＝Ｉｃ×Ｒ１
として表現され、コレクタ電流Ｉｃの値に比例する。温度変動等によりトランジスタＴｒ１の特性が変動し、例えば、トランジスタＴｒ１のベース．エミッタ間電圧Ｖｂｅが低下した場合、コレクタ電流Ｉｃの変動前と考えれば、コレクタ．エミッタ間電圧Ｖｒが一定であるため、
Ｖｒ２＝Ｖｒ−Ｖｂｅ
の式に従って、抵抗Ｒ２の端子電圧Ｖｒ２が上昇する。ベース電流Ｉｂは、
Ｉｂ＝Ｖｒ２／Ｒ２
の式に従って増加する。ベース電流Ｉｂが増加と、トランジスタＴｒ１の増幅作用により、コレクタ電流Ｉｃも、
Ｉｃ＝ｈｆｅ×Ｉｂ
の式に従って、電流増幅率ｈｆｅに比例して増加するが、コレクタ電流Ｉｃが増加することで、端子電圧Ｖｒ１も、
Ｖｒ１＝Ｉｃ×Ｒ１
の式に従って上昇する。この結果、コレクタ．エミッタ間電圧Ｖｒは低下し、抵抗Ｒ２の端子電圧Ｖｒ２も、
Ｖｒ２＝Ｖｒ−Ｖｂｅ
の式に従って、もとの値に戻る方向に低下する。ベース電流Ｉｂも、
Ｉｂ＝Ｖｒ２／Ｒ２
の式に従って、もとの値に戻るように減少する方向に制御される。結果的にはベース．エミッタ間電圧Ｖｂｅの低下によるコレクタ電流Ｉｃの増加作用に対して負帰還が加わり、コレクタ電流Ｉｃは一定に制御されることになる。
【００２５】
温度変動等によりトランジスタＴｒ１の特性が変動し、例えば、トランジスタＴｒ１のベース．エミッタ間電圧Ｖｂｅが上昇した場合、コレクタ電流Ｉｃの変動前と考えれば、コレクタ．エミッタ間電圧Ｖｒは一定であるため、
Ｖｒ２＝Ｖｒ−Ｖｂｅ
の式に従って、端子電圧Ｖｒ２が低下する。ベース電流Ｉｂは、
Ｉｂ＝Ｖｒ２／Ｒ２
の式に従って減少する。ベース電流Ｉｂが減少することにより、トランジスタＴｒ１の増幅作用により、コレクタ電流Ｉｃも、
Ｉｃ＝ｈｆｅ×Ｉｂ
の式に従って減少するが、コレクタ電流Ｉｃが減少することで、端子電圧Ｖｒ１も、
Ｖｒ１＝Ｉｃ×Ｒ１
の式に従って低下する。この結果、コレクタ．エミッタ間電圧Ｖｒは上昇し、端子電圧Ｖｒ２も、
Ｖｒ２＝Ｖｒ−Ｖｂｅ
の式に従って、もとの値に戻る方向に上昇し、ベース電流Ｉｂも、
Ｉｂ＝Ｖｒ２／Ｒ２
の式に従って、もとの値に戻るように、増加する方向に制御される。結果的にはベース．エミッタ間電圧Ｖｂｅの上昇によるコレクタ電流Ｉｃの減少作用に対して負帰還が加わり、コレクタ電流Ｉｃは一定に制御されることになる。
【００２６】
更に、トランジスタＴｒ１の直流バイアス用の抵抗Ｒ１、Ｒ２のうち、抵抗Ｒ１は電源供給端子Ｔ１に導かれる電源ラインＶｃｃに直列に接続されている。この回路構成により、抵抗Ｒ１は、発振回路１で生成された発振周波数成分が電源ラインＶｃｃへ漏洩するのを阻止する素子として兼用されることとなる。
【００２７】
実施例に示す高周波重畳モジュールにおいて、発振回路１は、増幅素子となるトランジスタＴｒ１の他、ＬＣ共振用のキャパシタＣ１、Ｃ２、インダクタＬ１及びバイアスのための抵抗Ｒ１、Ｒ２を備えればよく、従来の発振回路において、エミッタに直列に接続されていたインダクタ及び抵抗が不要である。また、コレクタを高周波的に接地するキャパシタも不要である。従って、少なくとも、３つの部品が削減される。
【００２８】
更に、トランジスタＴｒ１のバイアスに必要な抵抗Ｒ１、Ｒ２のうち、抵抗Ｒ１は、発振周波数成分が電源ラインＶｃｃへ漏洩するのを阻止する素子として兼用される。従って、従来、不要輻射を防止する手段として、トランジスタＴｒ１に対する電源ラインＶｃｃに、直列に挿入する必要のあったインダクタを省略できる。
【００２９】
このため、従来の高周波重畳モジュールとの比較において、部品点数を減少させ、しかも、機能及び特性を損なうことなく、小型化及び薄型化を図った高周波重畳モジュールを得ることができる。
【００３０】
次に、高周波重畳モジュールの実装例及び高周波重畳モジュールを組み込んだ光ピックアップについて説明する。
【００３１】
図４は本発明に係る高周波重畳モジュールＭの平面図である。図示された高周波重畳モジュールは、図１に図示された回路構成において、発振回路１のトランジスタ（増幅素子）Ｔｒ１、及び、他の回路部品Ｃ１〜Ｃ４、Ｃ６、Ｃ７、Ｌ１、、Ｌ３、Ｌ５、Ｒ１、Ｒ２を基板１５に搭載し、基板１５の上に形成された導体パターンにより、図１に図示された所要の回路結線が得られるように接続してある。実施例に示す高周波重畳モジュールは、外形サイズが１１．０ｍｍ×４．５ｍｍである。
【００３２】
図５は図４に示した高周波重畳モジュールを組み込んだ光ピックアップの斜視図である。図５に図示された光ピックアップはノートブック型パソコンに適した厚みＡを有する。高周波重畳モジュールＭは、光学ベース１３の一面側に取り付けられ、フレキシブル基板２０等により、外部回路に接続されている。
【００３３】
図示された光ピックアップは、レーザーダイオードＬＤ（図１〜３参照）から出射されるレーザー光出力を元に、データの記録再生を行うものであり、レーザーダイオードは、高周波重畳モジュールＭの配置された一面とは反対側の面において、光学ベース１３に取り付けられている。
【００３４】
光学ベース１３には、レーザー光を光ディスク上に集光させるための対物レンズ１７が取り付けられている。対物レンズ１７はレーザー光が常に光ディスク（図示しない）上に集光するように、アクチュエータ１９により駆動される。対物レンズ１７から出射された光は、光ディスクに集光され、光ディスク上に記録されている情報により変調され、反射される。反射光は集光レンズを経て、光学ベース１３の内部に備えられた光学系を経由して受光素子（図示しない）に送られる。そして、この受光素子により、変調された光信号は電気信号に変換され、再生信号となる。このような光学的信号伝送及び処理は周知であるので、説明は省略する。
【００３５】
アクチュエータ１９、信号再生用受光素子、レーザーダイオード、高周波重畳モジュールＭの各電源は、フレキシブル基板２０上に形成された導体パターンを介して供給される。レーザーダイオードＬＤ、及び、フォトダイオードＰＤの電源は、フレキシブル基板２０により、高周波重畳モジュールＭを経由せずに、供給される。
【００３６】
次に、上述した本発明に係る高周波重畳モジュールを、従来例と比較して説明する。
【００３７】
図６は従来の高周波重畳モジュールの電気回路図である。図において、図１に示された構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。図示するように、従来の高周波重畳モジュールにおいて、発振回路１は、インダクタＬ１、Ｌ２、キャパシタＣ１、Ｃ２、トランジスタＴｒ１で構成されていた。抵抗Ｒ１〜Ｒ３はトランジスタＴｒ１の直流バイアス用に設けられている。
【００３８】
インダクタＬ２は、トランジスタＴｒ１の直流バイアス補助の役割をする。抵抗Ｒ３のみでは、発振周波教において、トランジスタＴｒ１のエミッタとＧＮＤとのアイソレーションが不充分なので、トランジスタＴｒ１のエミッタとＧＮＤとの間において、インピ−ダンスを増大させるために挿入され、発振回路の出力とＧＮＤ聞のアイソレ−ションを補う役割をする。
【００３９】
更に、不要輻射対策用として、キャパシタＣ６の他、インダクタＬ４が電源ラインＶｃｃに直列に挿入されている。
【００４０】
＜図１に示された電気回路と図６に示された電気回路との比較＞
（ａ）図６に示された電気回路の場合、回路部品点数は１６点である。１６点の回路構成素子数は、特性を得るための必要最小限の数であり、素子数を削減すると、高周波重畳モジュールの特性が損なわれることになる。このため、回路構成素子数の下限値から小型化に限界が生じ、延ては、光ピックアップの小型化、薄型化の妨げにもなっていた。
【００４１】
これに対して、図１に示された本発明に係る高周波重畳モジュールにおいて、回路部品点数は１２点であり、図６に示した回路構成の従来高周波重畳モジュールよりも、回路部品点数が４点も削減されている。このため、小型、かつ、薄型の高周波重畳モジュールが得られる。
【００４２】
（ｂ）図６に示す従来例では、トランジスタＴｒ１のコレクタ端子を、発振周波数において、キャパシタＣ５を介して接地し、エミッタ端子から出力を得ていた。これに対して、図１に示す本発明の実施例では、トランジスタＴｒ１のエミッタ端子をキャパシタを介さず、直接、接地し、コレクタ端子から出力を得ている。このため、トランジスタＴｒ１を動作させるために必要不可欠なキャパシタＣ６（図６参照）を省略できる。
【００４３】
（ｃ）図６に示す従来例では、不要輻射対策用の電源ラインフィルタとして機能するインダクタＬ４を、トランジスタＴｒ１の直流バイアス用の抵抗とは別に設けていた。
【００４４】
これに対して、図１に示す本発明の実施例では、トランジスタＴｒ１のエミッタ端子を接地し、トランジスタＴｒ１のコレクタ端子から出力を得る構成とすることにより、トランジスタＴｒ１の直流バイアス用抵抗の１つである抵抗Ｒ１を、電源ラインＶｃｃに直列に接続し、不要輻射対策用の電源ラインフィルタとして作用させてある。しかも、抵抗Ｒ１は、図６に示す従来例のインダクタＬ２に相当する直流バイアス補助の機能も兼ねる。この結果、本発明によれば、従来例の図６に示す回路図から、不要輻射対策フィルタ素子であるインダクタＬ４と、トランジスタＴｒ１の直流バイアス補助用素子のインダクタＬ２とを省略することができる。
【００４５】
（ｄ）図６に示す従来例の場合、３つのバイアス用抵抗Ｒ１〜Ｒ３が必要であった。
【００４６】
これに対して、本発明によれば、トランジスタＴｒ１のエミッタ端子を接地し、コレクタ端子から出力を取り出すようにし、トランジスタＴｒ１の直流バイアス抵抗Ｒ１、Ｒ２を図１のように配置することにより、２素子で達成することが可能となる。
【００４７】
（ｅ）図６に示す従来例において、高周波重畳モジュールの電源（Ｖｃｃ）ラインフィルタは、インダクタＬ４とキャパシタＣ６のＬ型フィルタで構成され、インダクタＬ４のインピーダンスは、１２０Ω以上のものを用いる必要がある。
【００４８】
これに対し、図１に示す本発明の実施例では、電源ラインＶｃｃに入るラインフィルタは抵抗Ｒ１とキャパシタＣ６とによるＬ型フィルタで構成されており、フィルタの構成は従来例と同じＬ型である。そして、抵抗Ｒ１のインピーダンス（抵抗値）を１２０Ω以上に設定することは容易に可能である。キャパシタＣ６については、従来例と同じインピーダンスのものを用いているので、従来のレベルと同等の特性が得られる。
【００４９】
（ｆ）図６に示す従来例において、インダクタＬ２は、発振回路の出力とＧＮＤのアイソレーションを図り、高周波重畳モジュールの負荷であるＬＤへ発振回路の出力を効率良く伝達させるためのもので、インダクタＬ２と抵抗Ｒ３との合成インピーダンスの一例として、１５０Ω以上のものを用いる。
【００５０】
これに対し、図１に示す本発明の実施例では、トランジスタＴｒ１のコレクタ端子から、発振回路の出力を取り出し、トランジスタＴｒ１のコレクタ端子と電源供給端子Ｔ１との間に抵抗Ｒ１を配置し、そのインピーダンスを１５０Ω以上に保てば、上記インダクタＬ２、抵抗Ｒ３の機能を、１個の抵抗Ｒ１で、兼ねることができる。本発明の回路構成では、抵抗Ｒ１を１５０Ω以上の値に保つのは、容易である。
【００５１】
（ｇ）図６に示す従来例において、抵抗Ｒ３が１５０Ω以上の抵抗値とすると、トランジスタＴｒ１に印加するバイアスの関係から、トランジスタＴｒ１のベース電位を上げなければならず、この結果、トランジスタＴｒ１のコレクタ．ぺ一ス間に印加すべきバイアス電圧は、抵抗Ｒ１で強制的に決められ、小さくなり、増幅素子としての動作に支障をきたす。このため、従来の回路構成では、高周波重畳モジュールの特性を得るため、抵抗Ｒ３の低抗値はある値以上に設定することができない。具体的には、抵抗Ｒ３の抵抗値は、１ＯＯΩ未満の範囲内でのみ設定できるだけである。
【００５２】
＜高周波重畳モジュールでの比較＞
図７に従来の高周波重畳モジュールの構成例を示す。図７において、図４に図示された構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。図示された高周波重畳モジュールは、図６に図示された回路構成において、発振回路１のトランジスタＴｒ１、及び、他の回路部品Ｃ１〜Ｃ７、Ｌ１〜Ｌ５、Ｒ１〜Ｒ３を基板１５に搭載し、基板１５の上に形成された導体パターンにより、図６に図示された所要の回路結線が得られるように接続する。外形サイズは１２．０ｍｍ×６．０ｍｍである。
【００５３】
これに対して、図４に図示された本発明に係る高周波重畳モジュールでは、前述したように、外形サイズが１１．０ｍｍ×４．５ｍｍであり、図７に示される従来例の外形サイズ１２．０ｍｍ×６．０ｍｍと比べ、小さくできる。
【００５４】
＜光ピックアップの比較＞
図８は図７に図示された従来の高周波重畳モジュールを組み込んだ光ピックアップの斜視図である。図５に示された構成部分と同一の構成部分については同一の参照符号を付してある。図８はディスクトップ型パソコンに用いられる光ピックアップであり、図５のノートブック型パソコン用光ピックアップよりも厚みＡが厚くなっている。
【００５５】
ディスクトップ型パソコン用光ピックアップでは、厚み寸法に制約を受けないタイプが主であるが、ノートブック型パソコン用光ピックアップでは、厚み寸法Ａが、ディスクトップ型パソコンに用いられる場合と比べ小さく、小型のタイプが求められる。
【００５６】
図７に示す従来の高周波重畳モジュ−ルにおいて、１６点の回路構成素子数は、特性を得るための必要最小限の数であり、素子数を削減すると、高周波重畳モジュールの特性が損なわれることになる。このため、回路構成素子数の下限値から小型化に限界が生じ、このために、光ピックアップの小型化、薄型化の妨げとなり、ノートブック型パソコン用光ピックアップに対応できなかった。
【００５７】
これに対して、本発明に係る高周波重畳モジュールでは、回路部品点数を、従来よりの削減できるから、ノートブック型パソコン用光ピックアップにも十分に対応できる。
【００５８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、機能や特性を損なうことなく、小型化及び薄型化を図った高周波重畳モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波重畳モジュールの電気回路図である。
【図２】コルピッツ型発振回路の基本構成を示す。
【図３】図１に示した高周波重畳モジュールにおける直流バイアス動作を説明する図である。
【図４】本発明に係る高周波重畳モジュールの平面図である。
【図５】図４に示した高周波重畳モジュールを組み込んだ光ピックアップの斜視図である。
【図６】従来の高周波重畳モジュールの電気回路図である。
【図７】従来の高周波重畳モジュールの平面図である。
【図８】図７に図示された従来の高周波重畳モジュールを組み込んだ光ピックアップの斜視図である。
【符号の説明】
Ｍ              高周波重畳モジュール
Ｔｒ１          増幅素子
Ｒ１〜Ｒ３      抵抗
Ｃ１〜Ｃ６      キャパシタ
Ｌ１〜Ｌ５      インダクタ
【図１】
0003710041.tif 000002
【図２】
0003710041.tif 000003
【図３】
0003710041.tif 000004
【図４】
0003710041.tif 000005
【図５】
0003710041.tif 000006
【図６】
0003710041.tif 000007
【図７】
0003710041.tif 000008
【図８】
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