(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層（４）と、この活性層を上下から挟む一対のＳＣＨ層（３、５）と、この活性層を挟んだ一対のＳＣＨ層の各外側に位置する一対のクラッド層（２、８）とを有し、前記一対のＳＣＨ層のうちの少なくとも一方のＳＣＨ層は２層以上の多層構造からなり、かつ多層構造からなるＳＣＨ層を構成する各層（３ａ〜３ｃ、５ａ〜５ｃ）の屈折率を前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下していく半導体レーザにおいて、
前記活性層と前記ＳＣＨ層との境界線上にあり、前記活性層の屈折率が最も低い値に相当する前記境界線上の点を原点として前記ＳＣＨ層を構成する各層の中間点までの距離とこの各層の屈折率との関係を示す屈折率特性が、前記原点と、前記ＳＣＨ層と前記クラッド層との境界におけるクラッド層の屈折率とを結ぶ直線の屈折率特性より屈折率が低い側に位置することを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記多層構造からなるＳＣＨ層を構成する隣接する層相互間の屈折率差を、前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下していくことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記多層構造からなるＳＣＨ層を構成する各層の厚みを、前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って厚くしていくことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記多層構造からなるＳＣＨ層を構成する隣接する層相互間の屈折率差を前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下していき、かつ前記多層構造からなるＳＣＨ層を構成する各層の厚みを、前記活性層から前記クラッド層に向かうに伴って厚くしていくことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザに係わり、特に通信システムに用いられる高出力の半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信システムに用いられる光信号は長距離に亘って敷設された光ファイバ内を伝送されるので、この光信号の光源として用いられる半導体レーザの特性としては高出力、高安定度が要求される。
【０００３】
図８は、高出力特性が配慮された半導体レーザの斜視図であり、図９は要部を取出して示す断面模式図である。図８において、ｎ型InPからなる半導体基板１上に、ｎ型InPからなるｎ型クラッド層２、InGaAsPからなるＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure  光閉込構造）層３、InGaAsPからなる活性層４、InGaAsPからなるＳＣＨ層５が順番に積層されている。なお、ｎ型クラッド層２、ＳＣＨ層３、活性層４、ＳＣＨ層５はメサ型に形成されている。このメサ型の両側にｐ型InPからなる下部埋込層６及びｎ型InPからなる上部埋込層７が形成されている。
【０００４】
ＳＣＨ層５の上側及び上部埋込層７の上面にｐ型InPからなるｐ型クラッド層８が形成されている。このｐ型クラッド層８の上面にｐ型コンタクト層９が形成されている。そして、このｐ型コンタクト層９の上面にｐ電極１０が取付けられ、半導体基板１の下面にｎ電極１１が取付けられている。
【０００５】
さらに、良好な発振特性を得るために、活性層４として、一つの均一物資で構成されたバルク構造の他に、図９に示すように、複数の井戸層４ａとこの各井戸層４ａの両側に位置する複数の障壁層４ｂとを積層したＭＱＷ（Multi Quantum Well  多量子井戸）構造が採用されている。
【０００６】
さらに、このＭＱＷ構造を有した活性層４の下側に位置するＳＣＨ層３を複数の層３ａ、３ｂ、３ｃからなる多層構造とし、同様に、活性層４の上側に位置するＳＣＨ層５を複数の層５ａ、５ｂ、５ｃからなる多層構造としている。
【０００７】
そして、ｎ型クラッド層３、複数の層からなるＳＣＨ層３、ＭＱＷ構造を有した活性層４、複数の層からなるＳＣＨ層５、ｐ型クラッド層８の活性層４で発光する光に対する屈折率ｎを図１０（ｃ）に示す屈折率特性になるように設定されている。
【０００８】
すなわち、中央の活性層４の屈折率が最も高く、両側の各クラッド層２、８の屈折率が最も低く設定している。そして、両者の中間に位置する各ＳＣＨ層３、５を構成する各層３ａ〜３ｃ、５ａ〜５ｃの各屈折率を活性層４から各クラッド層２、８方向へ順番に段階的に低下させている。
【０００９】
この各ＳＣＨ層３、５の屈折率を順番に低下させる場合における屈折率の低下パターンとして、上述した活性層４から各クラッド層２、８まで各層３ａ〜３ｃ、５ａ〜５ｃ毎に段階的に変更する手法の他に、図１０（ｂ）に示すように、屈折率を活性層４近傍領域では緩やかに低下させ、各クラッド層２、８近傍領域では急激に低下させる手法も提唱されている（特開平１―１８１４９２号公報）。さらに、図１０（ａ）に示すように、屈折率を活性層４から各クラッド層２、８まで直線的に低下させる手法も考えられる。
【００１０】
このような図１０（ａ）〜（ｃ）の屈折率特性を有する半導体レーザのｐ電極１０とｎ電極１１との間に直流電圧を印加すると、活性層４で光１２が生起され、生起された光１２が図８に示す半導体レーザの端面１３ａ、１３ｂから外部に出力される。
【００１１】
なお、活性層４の屈折率を各クラッド層２、８の屈折率より高く設定することによって、活性層４で生起した光１２の散逸を防ぐ光導波路が形成される。また、活性層４と両側のクラッド層２、８との間にそれぞれ中間の屈折率を有したＳＣＨ層３、５を介在させることによって、注入したキャリアを活性層４の近傍に集中させる。この結果、発光効率が高くなる。
【００１２】
さらに、活性層４の両側に位置する各ＳＣＨ層３、５の層厚を一定以上に維持することによって、高濃度に不純物（ドーパント）が注入されている各クラッド層２、８の不純物（ドーパント）が、ＳＣＨ層３、５を経由して、元々、不純物（ドーパント）が注入されていない活性層４内に拡散して、この活性層４内に発生する正孔と電子との対からなるキャリアを消滅させることを未然に防止している。
【００１３】
特に、ｐ型InPからなるｐ型クラッド層８の不純物（ドーパント）としてZnが採用されていた場合においては、このZnは結晶中を拡散しやすいので、InGaAsPからなる活性層４に入込み、光子（フォトン）を生成するキャリアを消滅させるので、光の発光効率が低下する。すなわち、光損失が低下する。
【００１４】
逆に、活性層４の両側に位置する各ＳＣＨ層３、５の層厚を過度に広く設定すると、ＳＣＨ層３、５での光損失が過剰に大きくなり、高出力特性に影響を及ぼす。したがって、各ＳＣＨ層３、５の層厚には一定の許容範囲が存在する。
【００１５】
このような構成の半導体レーザにおいて、印加電流Ｉに対する出力される光１２の強度Ｐを示す一般的な出力特性を図１１に示す。一般的に、半導体レーザから出力される光１２の強度（パワー）Ｐを高くするためには、この半導体レーザの両端面１３ａ、１３ｂ間の距離で示される素子長（共振器長）Ｌを大きくすればよい。しかし、この素子長Ｌを大きくすれば、出力特性の傾きを示すスロープ特性が劣化する。
【００１６】
したがって、高出力の半導体レーザを実現するためには、高いスロープ特性を保ちつつ、素子長Ｌを長くする必要がある。このスロープ特性に比例する効率をηdとすると、この効率をηdは、下式で表現できる。
【００１７】
0003706351.tif 000002
αm；反射損失    αi；内部損失    ｌn；自然対数
Ｒ1、Ｒ2；各端面１２ａ、１２ｂでの反射率    ηi；内部量子効率
(1)式において、素子長（共振器長）Ｌを大きくすれば、反射損失αmが小さくなり、スロープ特性に比例する効率ηdが低下する。したがって、スロープ特性を改良するためには、内部損失αiを低減させる必要がある。
【００１８】
この内部損失αiを低減させる半導体レーザの断面構造として従来まで種々の構造が実用化されている。この構造として、図１０（ａ）〜（ｂ）に示したように、活性層４と各クラッド層２、８との間に各ＳＣＨ層３、５を介在させて、かつ、各ＳＣＨ層３、５における屈折率の分布を、活性層４から各クラッド層２、８まで順次低下させている。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１０（ａ）〜（ｂ）に示した屈折率特性を有した各ＳＨＣ層３、５が組込まれた半導体レーザにおいてもまだ改良すべき次のような課題がある。
【００２０】
すなわち、前述したように、図１１に示す光１２の出力特性におけるスロープ特性を改善するためには、内部損失αiを低減する必要がある。内部損失αiに影響を与える要因として、一対のＳＣＨ層３、５で形成される活性層４で生起された光１２を導波する光導波路内に対する光１２の集中度がある。すなわち、光導波路内に光１２が過剰に集中すると、オージェ再接合等の非発光プロセス、すなわち吸収光損失の影響を大きく受ける。
【００２１】
光導波路内に光１２が集中する度合いは、光導波路内おける平均的な屈折率に対応するので、図１０（ａ）〜（ｃ）に示す屈折率特性を有する従来の半導体レーザにおいては、この光導波路内の平均屈折率が高いので、過剰に光１２が光導波路内に集中し、活性層４の光損失が増大する。
【００２２】
その結果、内部損失αiが上昇して、出力特性におけるスロープ特性が劣化し、例えば、素子長（共振長）Ｌを長くすることによって、簡単に高出力化を図ることができない問題が生じる。
【００２３】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、光導波路内に対する光の集中度を緩和することによって、良好なスロープ特性を有する出力特性を実現でき、例えば素子長を変更することによって、簡単に高出力を実現できる半導体レーザを提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、活性層と、この活性層を上下から挟む一対のＳＣＨ層と、この活性層を挟んだ一対のＳＣＨ層の各外側に位置する一対のクラッド層とを有し、一対のＳＣＨ層のうちの少なくとも一方のＳＣＨ層は２層以上の多層構造からなり、かつ多層構造からなるＳＣＨ層を構成する各層の屈折率を活性層からクラッド層に向かうに伴って低下していく半導体レーザに適用される。
【００２５】
そして、上記課題を解消するために、本発明の半導体レーザにおいては、活性層と前記ＳＣＨ層との境界線上にあり、活性層の屈折率が最も低い値に相当する境界線上の点を原点としてＳＣＨ層を構成する各層の中間点までの距離とこの各層の屈折率との関係を示す屈折率特性が、原点と、ＳＣＨ層と前記クラッド層との境界におけるクラッド層の屈折率とを結ぶ直線の屈折率特性より屈折率が低い側に位置する。
【００２６】
このように構成された半導体レーザにおいては、高い屈折率を有する活性層と低い屈折率を有するクラッド層とを接続する各ＳＣＨ層において、活性層の近傍領域においては、すなわち高い屈折率の高い領域においては、屈折率が急激に低下し、クラッド層の近傍領域においては、すなわち屈折率の低い領域においては、屈折率がゆっくり低下する。
【００２７】
その結果、本発明の半導体レーザの各ＳＣＨ層を含む光導波路内における平均的な屈折率が図１０（ａ）〜（ｃ）に示す屈折率特性を有する従来の半導体レーザの各ＳＣＨ層を含む光導波路内における平均的な屈折率に比較して低下できる。よつて、光導波路内に対する光の集中度を緩和することができ、活性層の光損失が低下し、内部損失が低下し、良好なスロープ特性を有する出力特性を実現できる。
【００２８】
また、別の発明は、上述した発明の半導体レーザにおいて上述した各ＳＣＨ層の屈折率特性を実現する一つの具体的手段として、多層構造からなるＳＣＨ層を構成する隣接する層相互間の屈折率差を、活性層からクラッド層に向かうに伴って低下させている。
【００２９】
また、別の発明は、上述した発明の半導体レーザにおいて上述した各ＳＣＨ層の屈折率特性を実現する他の具体的手段として、多層構造からなるＳＣＨ層を構成する各層の厚みを、活性層からクラッド層に向かうに伴って厚くしている。
【００３０】
さらに、別の発明は、上述した発明の半導体レーザにおいて上述した各ＳＣＨ層の屈折率特性を実現するさらに別の具体的手段として、多層構造からなるＳＣＨ層を構成する隣接する層相互間の屈折率差を活性層から前記クラッド層に向かうに伴って低下していき、かつ多層構造からなるＳＣＨ層を構成する各層の厚みを、活性層からクラッド層に向かうに伴って厚くしている。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施形態を図面を用いて説明する。
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る半導体レーザの概略構成を示す斜視図であり、図２は要部を取出して示す断面模式図である。図８、図９に示す従来の半導体レーザと同一部分には同一符号を付して重複する部分の詳細説明を省略する。
【００３２】
この第１実施形態に係る半導体レーザにおいて、ｎ型InPからなる半導体基板１上に、ｎ型InPからなるｎ型クラッド層２、InGaAsPからなるＳＣＨ層３、InGaAsPからなる活性層４、InGaAsPからなるＳＣＨ層５が順番に積層されている。なお、ｎ型クラッド層２、ＳＣＨ層３、活性層４、ＳＣＨ層５はメサ型に形成されている。このメサ型の両側にｐ型InPからなる下部埋込層６及びｎ型InPからなる上部埋込層７が形成されている。
【００３３】
ＳＣＨ層５の上側及び上部埋込層７の上面にｐ型InPからなるｐ型クラッド層８が形成されている。このｐ型クラッド層８の上面にｐ型コンタクト層９が形成されている。そして、このｐ型コンタクト層９の上面にｐ電極１０が取付けられ、半導体基板１の下面にｎ電極１１が取付けられている。
【００３４】
活性層４として、図２に示すように、４層の井戸層４ａとこの各井戸層４ａの両側に位置する５層の障壁層４ｂとを積層した４層のＭＱＷ構造が採用されている。この４層のＭＱＷ構造を有した活性層４の下側に位置するＳＣＨ層３を複数の層３ａ、３ｂ、３ｃからなる多層構造とし、同様に、活性層４の上側に位置するＳＣＨ層５を複数の層５ａ、５ｂ、５ｃからなる多層構造としている。
【００３５】
図２に示すように、活性層４における障壁層４ｂの屈折率をｎs、ｎ型クラッド層３及びｐ型クラッド層８の屈折率をｎa、ＳＣＨ層３を構成する各層３ａ、３ｂ、３ｃの屈折率及び厚みをそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3及びｔ1、ｔ2、ｔ3とする。同様に、ＳＣＨ層５を構成する各層５ａ、５ｂ、５ｃの屈折率及び厚みをそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3及びｔ1、ｔ2、ｔ3とする。
【００３６】
そして、各屈折率の大小関係は、下式に示すように、活性層４から遠ざかるに伴って小さく設定されている。
【００３７】
0003706351.tif 000003
さらに、この第１実施形態の半導体レーザにおいては、(2)式の条件の他に、図３に示すように、各ＳＣＨ層３、５を構成する隣接する層相互間の屈折率差を、活性層４からクラッド層２，８へ向かうに伴って小さく設定されている。
【００３８】
0003706351.tif 000004
さらに、ＳＣＨ層３、５を構成する各層３ａ、３ｂ、３ｃ、５ａ、５ｂ、５ｃの厚みは等しく設定されている。
【００３９】
0003706351.tif 000005
なお、InGaAsPからなるＳＣＨ層３、５の各層３ａ〜３ｃ、５ａ〜５ｃの実際の屈折率ｎ1、ｎ2、ｎ3を異なる値に設定する手段として、InGaAsPの各材料の構成比を調整する。
【００４０】
このように構成された第１実施形態の半導体レーザにおいて、ｐ電極１０とｎ電極１１との間に直流電圧を印加すると、活性層４で光１２が生起され、生起された光１２が図１に示す半導体レーザの端面１３ａ、１３ｂから外部に出力される。
【００４１】
この場合、図３の屈折率特性に示すように、ＳＣＨ層３、５を構成する隣接する層相互間の屈折率差を、活性層４から各クラッド層２、８へ向かうに伴って小さく設定されているので、ＳＣＨ層３、５内における活性層４の近傍領域の高い屈折率の高い領域においては屈折率ｎが急激に低下し、クラッド層の近傍領域の屈折率の低い領域においては屈折率ｎがゆっくり低下する。
【００４２】
この実施形態の半導体レーザのＳＣＨ層３、５内における屈折率特性と従来の半導体レーザのＳＣＨ層３、５内における屈折率特性との関係を図５を用いて説明する。図５は活性層４を原点として、この活性層４から各クラッド層２、８への距離と各距離位置における屈折率ｎとの関係を示す図である。
【００４３】
図１０（ａ）に示す従来の半導体レーザは、活性層４と各クラッド層２、８とを直線で結ぶ屈折率特性１４を有するのに対して、図３で示す実施形態の半導体レーザの屈折率特性１５は、従来の屈折率特性１４より屈折率が低い側に位置する。
【００４４】
その結果、第１実施形態の半導体レーザの各ＳＣＨ層３、５を含む光導波路内における平均的な屈折率ｎが図１０（ａ）に示す従来の半導体レーザの各ＳＣＨ層３、５を含む光導波路内における平均的な屈折率に比較して大幅に低下できる。よつて、光導波路内に対する光の集中度を緩和することができ、活性層４の光損失が低下し、内部損失が低下し、良好なスロープ特性を有する出力特性を実現できる。
【００４５】
（第２実施形態）
以下、本発明の第２実施形態の半導体レーザを説明する。この第２実施形態の半導体レーザは、図１、図２に示す第１実施形態の半導体レーザとほぼ同一構成を有しており、異なるところは、図４の屈折率特性に示すように、活性層４と各クラッド層２、８との間に設けられた各ＳＣＨ層３、５を構成する各層３ａ〜３ｃ、５ａ〜５ｃの各屈折率ｎ1〜ｎ3と各層厚ｔ1〜ｔ3との値が異なるのみである。
【００４６】
そして、各屈折率の大小関係は、前述した第１実施形態と同様に、(2)式に示すように、活性層４から遠ざかるに伴って小さく設定されている。
【００４７】
0003706351.tif 000006
さらに、この第２実施形態の半導体レーザにおいては、(2)式の条件の他に、図４に示すように、各ＳＣＨ層３、５を構成する隣接する層相互間の屈折率差は互いに等しく設定されている。
【００４８】
0003706351.tif 000007
さらに、ＳＣＨ層３、５を構成する各層３ａ、３ｂ、３ｃ、５ａ、５ｂ、５ｃの層厚は、活性層４から各クラッド層２、８に向かうに伴って厚く設定されている。
【００４９】
0003706351.tif 000008
このように構成された第２実施形態の半導体レーザにおいては、図４の屈折率特性に示すように、ＳＣＨ層３、５を構成する各層３ａ〜３ｃ、５ａ〜５ｃの各層厚ｔ1〜ｔ3を活性層４からクラッド層２、８へ向かうに伴って厚く設定されているので、先に説明した第１実施形態の半導体レーザと同様に、ＳＣＨ層３、５内における活性層４の近傍領域の高い屈折率の高い領域においては屈折率ｎが急激に低下し、クラッド層の近傍領域の屈折率の低い領域においては屈折率ｎがゆっくり低下する。
【００５０】
したがって、半導体レーザの各ＳＣＨ層３、５を含む光導波路内における平均的な屈折率ｎが低下し、光導波路内に対する光の集中度を緩和することができ、活性層４の光損失が低下し、内部損失が低下し、良好なスロープ特性を有する出力特性を実現できる。
【００５１】
（第３実施形態）
以下、本発明の第３実施形態の半導体レーザを説明する。この第３実施形態の半導体レーザは、先に説明した第１、第２の実施形態の半導体レーザにおける両方の特徴を兼ね備えている。
【００５２】
すなわち、各ＳＣＨ層３、５を構成する隣接する層相互間の屈折率差を、活性層４からクラッド層２、８へ向かうに伴って小さく設定されている。
【００５３】
0003706351.tif 000009
さらに、ＳＣＨ層３、５を構成する各層３ａ、３ｂ、３ｃ、５ａ、５ｂ、５ｃの層厚は、活性層４から各クラッド層２、８に向かうに伴って厚く設定されている。
【００５４】
0003706351.tif 000010
具体的には、各屈折率を等価的に組成波長で表して、ｎs＝１．２μｍ、ｎ1＝１．１５μｍ、ｎ2＝１．０８μｍ、ｎ3＝０．９９μｍ、ｎa＝０．９０に設定している。さらに、ＳＣＨ層３、５を構成する各層の層厚を、ｔ1＝３．０ｎｍ、ｔ2＝８．０ｎｍ、ｔ3＝２５ｎｍに設定している。
【００５５】
このようにＳＣＨ層３、５を構成する各層３ａ〜３ｃ、５ａ〜５ｃの屈折率、層厚を設定することによって、半導体レーザの各ＳＣＨ層３、５を含む光導波路内における平均的な屈折率ｎがより一層低下し、光導波路内に対する光の集中度を緩和することができる。
【００５６】
図６は、この第３実施形態の半導体レーザにおける出力特性と、図１０（ｃ）で示すＳＣＨ層の屈折率特性を有する従来の半導体レーザにおける出力特性との実験による比較を示す図である。この実験結果にも示すように、実施形態構成を採用することによって出力特性が大幅に改良されたことが理解できる。
【００５７】
（第４実施形態）
以下、本発明の第４実施形態の半導体レーザを説明する。この第４実施形態の半導体レーザは、先に説明した第３の実施形態の半導体レーザとほぼ同一のＳＣＨ層３、５を構成する各層３ａ〜３ｃ、５ａ〜５ｃの屈折率、層厚における対応関係が設定されている。
【００５８】
この第４実施形態の半導体レーザにおいては、図７の不純物濃度特性に示すように、ｐ型クラッド層８の不純物濃度分布を均一とせずに、ＳＣＨ層５の近傍位置に不純物濃度のピーク波形１６を設定している。
【００５９】
このように、ＳＣＨ層５の近傍位置に不純物濃度のピーク波形１６を設定することによって、このｐ型クラッド層８の不純物（ドーパント）の活性層４への拡散により、活性層４からｐ型クラッド層８側へあふれるキャリアをこの不純物濃度のピーク波形１６でブロックして、キャリアを活性層４内へ閉込め、光損失をより一層低減できる。
【００６０】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。各実施形態においては、活性層４の両側に位置する各ＳＣＨ層３、５を同一の屈折率、層厚構成としたが、ｐ型クラッド８側のＳＣＨ層５のみを複数層に形成して上述した屈折率特性、層厚関係を満たすように設定し、ｎ型クラッド２側のＳＣＨ層３を単一層で形成してもよい。
【００６１】
さらに、各実施形態においては、活性層４を４層のＭＱＷ構造としたが、一つの均一物資で構成されたバルク構造としてもよい。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体レーザにおいては、活性層とクラッド層との間に位置するＳＣＨ層内における屈折率の分布特性を平均屈折率が低下するように設定している。
【００６３】
したがって、ＳＣＨ層を極端に薄くすることなく、すなわち、ＳＣＨ層に接したｐ型クラッド層から活性層への不純部（ドーパント）の拡散を防ぎつつ、光導波路内に対する光の集中度が緩和され、良好なスロープ特性を有する出力特性を実現でき、例えば素子長を変更することによって、簡単高出力を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザの概略構成を示す斜視図
【図２】同第１実施形態に係る半導体レーザの要部を取出して示す断面模式図
【図３】同第１実施形態に係る半導体レーザにおける屈折率特性を示す図
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体レーザにおける屈折率特性を示す図
【図５】本発明の実施形態に係る半導体レーザにおける屈折率特性と従来の半導体レーザにおける屈折率特性との対比を示す図
【図６】本発明の第３実施形態に係る半導体レーザにおける出力特性を示す図
【図７】本発明の第４実施形態に係る半導体レーザにおける不純物濃度特性を示す図
【図８】従来の半導体レーザの概略構成を示す斜視図
【図９】同従来の半導体レーザの要部を取出して示す断面模式図
【図１０】同従来の半導体レーザにおける屈折率特性を示す図
【図１１】一般的な半導体レーザにおける出力特性を示す図
【符号の説明】
１…半導体基板
２…ｎ型クラッド層
３、５…ＳＣＨ層
４…活性層
８…ｐ型クラッド層
９…ｐ型コンタクト層
１０…ｐ電極
１１…ｎ電極
１２…光
１３ａ、１３ｂ…端面
１４、１５…屈折率特性
【図１】
0003706351.tif 000011
【図２】
0003706351.tif 000012
【図３】
0003706351.tif 000013
【図４】
0003706351.tif 000014
【図５】
0003706351.tif 000015
【図６】
0003706351.tif 000016
【図７】
0003706351.tif 000017
【図８】
0003706351.tif 000018
【図９】
0003706351.tif 000019
【図１０】
0003706351.tif 000020
【図１１】
0003706351.tif 000021