(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクのトラックにデータを書き込むのに先立って、少なくともトラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マージンをヘッドに対して複数の温度毎に測定する測定ステップと、
温度に依存するパラメータに基づいて、該少なくともＴＰＩマージンが最大となるように該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数の温度毎に可変設定する設定ステップとを含む、書き込み条件設定方法。
【請求項２】
前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生するアラーム発生ステップを更に含む、請求項１記載の書き込み条件設定方法。
【請求項３】
前記アラーム発生ステップは、限界値を前記少なくともＴＰＩマージンから求める、請求項２記載の書き込み条件設定方法。
【請求項４】
前記限界値を、前記少なくともＴＰＩマージンに基づいて更新する更新ステップを更に含む、請求項２又は３記載の書き込み条件設定方法。
【請求項５】
前記測定ステップ及び前記設定ステップを、任意のタイミングで行う、請求項１〜４のいずれか１項記載の書き込み条件設定方法。
【請求項６】
前記測定ステップは、可変設定した書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を記憶し更新する、請求項１〜５のいずれか１項記載の書き込み条件設定方法。
【請求項７】
前記測定ステップ及び前記設定ステップは、複数設けられたヘッドの各々に対して独立に行う、請求項１〜６のいずれか１項記載の書き込み条件設定方法。
【請求項８】
前記測定ステップ及び前記設定ステップは、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に行う、請求項１〜７のいずれか１項記載の書き込み条件設定方法。
【請求項９】
前記設定ステップは、前記ＴＰＩマージンに加えてオフセットマージン及びオントラック精度マージンの少なくとも一方が最大となるように前記書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を可変設定する、請求項１〜８のいずれか１項記載の書き込み条件設定方法。
【請求項１０】
前記温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータである、請求項１〜９のいずれか１項記載の書き込み条件設定方法。
【請求項１１】
ディスクのトラックにデータを書き込み読み出すヘッドと、
該ディスクに前記ヘッドでデータを書き込むのに先立って、少なくともトラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マージンを該ヘッドに対して複数の温度毎に測定する測定手段と、
温度に依存するパラメータに基づいて、該少なくともＴＰＩマージンが最大となるように該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数の温度毎に可変設定する設定手段とを備えた、ディスク装置。
【請求項１２】
前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生するアラーム発生手段を更に備えた、請求項１１記載のディスク装置。
【請求項１３】
前記アラーム発生手段は、限界値を前記少なくともＴＰＩマージンから求める、請求項１２記載のディスク装置。
【請求項１４】
前記限界値を、前記少なくともＴＰＩマージンに基づいて更新する更新手段を更に備えた、請求項１２又は１３記載のディスク装置。
【請求項１５】
前記測定手段及び前記設定手段は、夫々任意のタイミングで前記少なくともＴＰＩマージンの測定と、書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の可変設定を行う、請求項１１〜１４のいずれか１項記載のディスク装置。
【請求項１６】
記憶手段を更に備え、前記測定手段は、可変設定した書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を該記憶手段に記憶し更新する、請求項１１〜１５のいずれか１項記載のディスク装置。
【請求項１７】
前記ヘッドは複数設けられており、前記測定手段及び前記設定手段は、該複数のヘッドの各々に対して独立に行う、請求項１１〜１６のいずれか１項記載のディスク装置。
【請求項１８】
前記測定手段及び前記設定手段は、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に行う、請求項１１〜１７のいずれか１項記載のディスク装置。
【請求項１９】
前記設定手段は、前記ＴＰＩマージンに加えてオフセットマージン及びオントラック精度マージンの少なくとも一方が最大となるように前記書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を可変設定する、請求項１１〜１８のいずれか１項記載のディスク装置。
【請求項２０】
前記温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータである、請求項１１〜１９のいずれか１項記載のディスク装置。
【請求項２１】
データ書き込み時に、前記設定手段により設定された書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を読み出して前記ディスクにデータを書き込む手段を更に備えた、請求項１１〜２０のいずれか１項記載のディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は書き込み条件設定方法及びディスク装置に係り、特に磁気ディスクにデータを書き込む際にヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を設定する書き込み条件設定方法及びこのような書き込み条件設定方法を採用するディスク装置に関する。
【０００２】
近年、コンピュータシステムの高速化及び高性能化に伴い、大量のデータを取り扱う頻度が増加している。このため、補助記憶装置等としても使用される磁気ディスク装置に対しても、高速化、大容量化及び高性能化が要求されている。
磁気ディスク装置を大容量化するために、ＴＰＩ（Ｔｒａｃｋ  Ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）やＢＰＩ（Ｂｉｔ  Ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）を増加させて、面密度（ＢＰＳＩ：Ｂｉｔ  Ｐｅｒ  Ｓｑｕａｒｅ  Ｉｎｃｈ）を向上する方法が提案されており、リード用ヘッドに磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗効果型（ＭＲ：Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドを使用することも提案されている。
【０００３】
特に、高ＴＰＩ化に伴い、データを書き込むトラック間隔が非常に狭くなって来たため、隣接トラック間の磁気的干渉を極力小さくする必要性が生じている。
【０００４】
【従来の技術】
従来の磁気ディスク装置では、磁気ディスクにデータを書き込む際にヘッドに印加する書き込み電流を決定する場合、オーバーライト特性及びヘッド出力レベルの飽和特性に基づいて決定するのが一般的であった。磁気ディスク装置では、書き込まれたデータを消去してからデータを書き込むのではなく、書き込まれたデータの上にデータを重ね書き（オーバーライト）するのが一般的である。このため、前に書き込まれたデータの残存成分が、重ね書きの後にどの程度残っているかを表すのがオーバーライト特性である。他方、書き込み電流をパラメータにして、ヘッドの出力レベルが飽和する最大レベルを表すのがヘッド出力レベルの飽和特性である。
【０００５】
書き込み電流を決定した後、書き込み電流は、磁気ディスク装置に対して固定的に設定された。
ところで、高ＴＰＩ化に伴い、ヘッドを取付けられたアクチュエータを移動してヘッドを所定のトラックに位置決めする際の位置決め精度誤差、ディスクを回転させるスピンドルモータの偏心成分による位置決め変動量（Ｒｕｎ  Ｏｕｔ）、書き込みを行うヘッドのコア幅の精度に依存する書き込みトラック幅のバラツキ（トラックの書き拡がり）等により、書き込み時の隣接トラックへの磁気的干渉が顕著に現われるようになってきた。このため、ディスクからデータを読み出す際のリードマージンが減少してきている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来、ヘッドに印加される書き込み電流は、磁気ディスク装置に拘らず固定されていた。しかし、上記位置決め精度誤差、位置決め変動量、トラックの書き拡がり等は、部品の製造バラツキにより、個々の磁気ディスク装置によって多少異なるため、必ずしも最適な書き込み電流が設定されないという問題があった。
【０００７】
又、上記位置決め精度誤差、位置決め変動量、トラックの書き拡がり等のパラメータは、磁気ディスク装置が使用される環境、特に温度によって変動するにも拘らず、従来は書き込み電流を設定する際に温度に依存するパラメータは全く考慮されていないため、使用環境の最適な書き込み電流が設定されないという問題もあった。
【０００８】
他方、ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値を表すオフトラックスライスが、磁気ディスク装置に対して固定的に設定されていると、上記位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのバラツキによっては、ＴＰＩマージンに対して過剰又は過少なチェックが発生してしまう。このため、ヘッド又はトラック位置によって、実際に使用されるＴＰＩマージンにバラツキが生じてしまうという問題もあった。
【０００９】
そこで、本発明は、個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書き込み条件を設定可能とすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、請求項１記載の、ディスクのトラックにデータを書き込むのに先立って、少なくともトラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マージンをヘッドに対して複数の温度毎に測定する測定ステップと、温度に依存するパラメータに基づいて、該少なくともＴＰＩマージンが最大となるように該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数の温度毎に可変設定する設定ステップとを含む書き込み条件設定方法によって達成される。
【００１１】
請求項２記載の発明では、請求項１において、前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生するアラーム発生ステップを更に含む。
請求項３記載の発明では、請求項２において、前記アラーム発生ステップは、限界値を前記少なくともＴＰＩマージンから求める。
【００１２】
請求項４記載の発明では、請求項２又は３において、前記限界値を、前記少なくともＴＰＩマージンに基づいて更新する更新ステップを更に含む。
請求項５記載の発明では、請求項１〜４のいずれかにおいて、前記測定ステップ及び前記設定ステップを、任意のタイミングで行う。
請求項６記載の発明では、請求項１〜５のいずれかにおいて、前記測定ステップは、可変設定した書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を記憶し更新する。
【００１３】
請求項７記載の発明では、請求項１〜６のいずれかにおいて、前記測定ステップ及び前記設定ステップは、複数設けられたヘッドの各々に対して独立に行う。請求項８記載の発明では、請求項１〜７のいずれかにおいて、前記測定ステップ及び前記設定ステップは、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に行う。
【００１４】
請求項９記載の発明では、請求項１〜８のいずれかにおいて、前記設定ステップは、前記ＴＰＩマージンに加えてオフセットマージン及びオントラック精度マージンの少なくとも一方が最大となるように前記書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を可変設定する。
請求項１０記載の発明では、請求項１〜９のいずれかにおいて、前記温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータである。
【００１５】
上記の課題は、請求項１１記載の、ディスクのトラックにデータを書き込み読み出すヘッドと、該ディスクに前記ヘッドでデータを書き込むのに先立って、少なくともトラック・パー・インチ（ＴＰＩ）マージンを該ヘッドに対して複数の温度毎に測定する測定手段と、温度に依存するパラメータに基づいて、該少なくともＴＰＩマージンが最大となるように該ヘッドに印加する書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を複数の温度毎に可変設定する設定手段とを備えたディスク装置によっても達成される。
【００１６】
請求項１２記載の発明では、請求項１１において、前記ヘッドの走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値が所定値を越えるとアラームを発生するアラーム発生手段を更に備える。
請求項１３記載の発明では、請求項１２において、前記アラーム発生手段は、限界値を前記少なくともＴＰＩマージンから求める。
【００１７】
請求項１４記載の発明では、請求項１２又は１３において、前記限界値を、前記少なくともＴＰＩマージンに基づいて更新する更新手段を更に備える。
請求項１５記載の発明では、請求項１１〜１４のいずれかにおいて、前記測定手段及び前記設定手段は、夫々任意のタイミングで前記少なくともＴＰＩマージンの測定と、書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の可変設定を行う。
【００１８】
請求項１６記載の発明では、請求項１１〜１５のいずれかにおいて、記憶手段を更に備え、前記測定手段は、可変設定した書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を該記憶手段に記憶し更新する。
請求項１７記載の発明では、請求項１１〜１６のいずれかにおいて、前記ヘッドは複数設けられており、前記測定手段及び前記設定手段は、該複数のヘッドの各々に対して独立に行う。
【００１９】
請求項１８記載の発明では、請求項１１〜１７のいずれかにおいて、前記測定手段及び前記設定手段は、複数設けられたディスクのゾーンの各々に対して独立に行う。
請求項１９記載の発明では、請求項１１〜１８のいずれかにおいて、前記設定手段は、前記ＴＰＩマージンに加えてオフセットマージン及びオントラック精度マージンの少なくとも一方が最大となるように前記書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を可変設定する。
【００２０】
請求項２０記載の発明では、請求項１１〜１９のいずれかにおいて、前記温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータである。
請求項１及び１１記載の発明によれば、個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を設定することができる。
【００２１】
請求項２〜４及び１２〜１４記載の発明によれば、データ破壊等のパーマネントエラー（アンリカバラブルエラー）の発生を防止することができる。
請求項５、６、１５及び１６の発明によれば、温度及び時間に依存するディスク装置の特性変動を考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができるので、磁気ディスク装置内の部品の経時変化にも対応可能である。
【００２２】
請求項７、１７及び２１記載の発明によれば、各ヘッドに対して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができる。
請求項８及び１８記載の発明によれば、ディスクの各ゾーンに対して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができる。
【００２３】
請求項９及び１９記載の発明によれば、より最適な書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の設定が可能であり、データ破壊等のパーマネントエラー（アンリカバラブルエラー）の発生をより確実に防止することができる。
請求項１０及び２０記載の発明によれば、温度に対する位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータに合わせて書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を最適に設定することができる。
【００２４】
従って、本発明によれば、個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書き込み条件を設定可能であり、書き込み時の隣接トラックからの干渉及び隣接トラックへの干渉を防止することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面と共に本発明の実施例を説明する。
【００２６】
【実施例】
図１は、本発明になるディスク装置の一実施例を概略構成を示すブロック図である。ディスク装置の本実施例では、本発明になる書き込み条件設定方法を採用する。又、ディスク装置の本実施例では、本発明が磁気ディスク装置に適用されている。
【００２７】
磁気ディスク装置は、大略図１に示す如く接続されたヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）１、リード／ライト制御部２、制御部３、メモリ部４、シーケンサ制御部５、マイクロコントローラユニット（ＭＣＵ）６及びインタフェース制御部７からなる。インタフェース制御部７は、インタフェース８を介してホストコンピュータ９に接続されている。
【００２８】
ＨＤＡ１は、ヘッド集積回路（ＩＣ）１１、アクチュエータ１２、複数のヘッド１３、スピンドルモータ１４及び複数の磁気ディスク１５からなる周知の構成を有する。ヘッドＩＣ１１は、ヘッド１３によるディスク１５への書き込み（ライト）及びディスク１５からの読み出し（リード）を制御する。アクチュエータ１２は、各ヘッド１３の各ディスク１５に対する位置決めを制御する。スピンドルモータ１４は、各ディスク１５が取付けられたスピンドルを駆動して各ディスク１５を回転する。
【００２９】
リード／ライト制御部２は、ＨＤＡ１のディスク１５に書き込むデータの変調及び書き込み動作と、ＨＤＡ１のディスク１５から読み出したデータの復調と読み出し動作とを制御する。制御部３は、シーク動作の制御等を行うサーボ制御部３ａと、スピンドルモータ１４の制御を行うスピンドル制御部３ｂとからなる。メモリ部４は、バッファメモリとして使用され、各種データを格納する。
【００３０】
シーケンサ制御部５は、バッファ管理やプロトコル管理等を行い、磁気ディスク装置とホストコンピュータ９との間のデータ転送の送受信を制御する。ＭＣＵ６は、プログラム格納部６ａを含み、各制御部２，３，５を制御して、磁気ディスク装置全体の制御を行う。インタフェース制御部７は、インタフェース８を介してホストコンピュータ９と接続しており、磁気ディスク装置とホストコンピュータ９との間のインタフェース８を制御する。シーケンサ制御部５及びインタフェース制御部７は、後述するハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）を構成する。ホストコンピュータ９は、ＨＤＡ１内のディスク１５に書き込むデータを磁気ディスク装置に入力したり、磁気ディスク１５から読み出されたデータに処理を施したりする。
【００３１】
図２は、ＴＰＩマージンの測定方法を説明する図である。ＴＰＩマージンとは、データを書き込まれた所定トラック（又はシリンダ）の一部が、片側又は両側の隣接トラックの書き込みにより別のデータを書き込まれても、リードヘッドが所定トラックに対してオントラックして所定トラックからデータを読み取ることが可能な隣接トラックからのトラックオフセットの限界を表す。
【００３２】
図２中、トラックＴｎ−１，Ｔｎ，Ｔｎ＋１はＨＤＡ１内の１つのディスク１５上に形成されており、ヘッド１３がインダクティブヘッド（ライトヘッド）１３ａとＭＲヘッド（リードヘッド）１３ｂからなるものとする。ヨー（Ｙａｗ）角によるリード損失を考慮して、ライトヘッド１３ａのライトコア幅Ｃｗは、リードヘッド１３ｂのリードコア幅Ｃｒより大きく設定されている。Ａ，Ｂ，Ｃは、夫々トラックＴｎ−１，Ｔｎ，Ｔｎ＋１の中心（以下、トラックセンタと言う）、ＤＳは未書き込みスペース（デッドスペース）、ΔＳはトラック追従精度誤差（オントラック精度）、ΔＸは隣接トラックからのオフセット量を示す。
【００３３】
オントラック精度は、スピンドルモータ１４の回転に同期した位置決め変動量（ＲＲＯ：Ｒｅｐｅａｔａｂｌｅ  Ｒｕｎ  Ｏｕｔ）、スピンドルモータ１４の回転に非同期の位置決め変動量（ＮＲＲＯ：Ｎｏｎ−Ｒｅｐｅａｔａｂｌｅ  Ｒｕｎ  Ｏｕｔ）、コアズレ補正誤差及びサーボ追従誤差等の成分を含む。ライトコア幅Ｃｗの中心と、リードコア幅Ｃｒの中心とは、ヘッド１３の製造プロセスに起因するバラツキ等により、必ずしも一致しない。このため、一般には書き込まれたトラックを読み取る場合、書き込み時のライトコア幅Ｃｗの中心に読み出し時のリードコア幅Ｃｒの中心が一致するようにトラッキング補正を行うが、この際に発生する誤差成分が上記コアズレ補正誤差である。又、サーボ追従誤差とは、ＭＲヘッド特有な出力振幅の上下非対称性又はバルクハウゼンノイズによって発生する追従誤差成分である。
【００３４】
トラックＴｎへの隣接トラックＴｎ−１からのオフセット量ΔＸは、次のように求められ、この値がＴＰＩマージンとなる。つまり、隣接トラックＴｎ−１のトラックセンタＡからのオフセットして書き込む場合のオフセット量ＯＳＱは、ＯＳＱ＝ΔＸ＋ΔＳで表され、トラックＴｎのトラックセンタＢから揺れて読み出しを行う場合のズレ量ＥはＥ＝Ｃｒ／２＋ΔＳで表される。ここで、オフセット量ＯＳＱとズレ量Ｅとが重なっても読み出し可能なオフセット量をαとすると、次式（１）が成立し、式（１）から式（２）に示すようにオフセット量ΔＸを求めることができる。
【００３５】
（ΔＸ＋ΔＳ）＋（Ｃｒ／２＋ΔＳ）−α＝ＤＳ＋Ｃｗ／２      式（１）
ΔＸ＝ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−２ΔＳ              式（２）
従って、各ヘッド１３のＴＰＩマージンは、ヘッド１３のライトコア幅Ｃｗとオントラック精度ΔＳに依存する度合いが大きいことがわかる。又、ライトヘッド１３ａによる実効的なライトコア幅Ｃｗは、印加される書き込み電流や環境温度に応じて変化する書き拡がり量によって左右されるため、実際のライトコア幅Ｃｗは、書き込み電流に依存する。
【００３６】
ライトコア幅Ｃｗは、個々のヘッド１３によって異なる。又、オントラック精度ΔＳは、追従するトラックによって異なる。そこで、本実施例では、上記式（２）で表されるオフセット量ΔＸ、即ち、ＴＰＩマージンの値を求め、ＴＰＩマージンの値が所定値以上となるような、書き込み電流を自動的に測定する。又、本実施例では、求められたＴＰＩマージンより書き込み条件の測定は、個々のヘッド１３毎及びトラックの追従を行うディスク１５上の各ゾーン毎に行う。もちろん、全ヘッド、全トラックの書き込み電流について測定せずに近似的に求めても良い。
【００３７】
ここで、上記式（１）より、実効的なライトコア幅Ｃｗを測ることによりＴＰＩマージンを求めれば、オントラック精度ΔＳが求められる。ＴＰＩマージンが最大となる、即ち、オフセット量ΔＸの限界値が最大となる時、オントラック精度ΔＳの限界値は最小となり、オントラック精度マージンは最大となる。従って、いずれかのマージンが最大となるように書き込み条件を設定すれば良い。
【００３８】
書き込み電流の測定及び更新は、磁気ディスク装置の製造プロセス中の試験工程、磁気ディスク装置の出荷時、任意のタイミング、一定時間間隔毎、磁気ディスク装置の置かれた環境の変化が検出される度、エラー発生時、エラー発生回数が一定値を越えた場合等に行うことができる。
自動測定された書き込み電流の値は、ヘッド１３毎及びディスク１５のゾーン毎にマップ化されてテーブル形式でメモリ部４に格納される。図３は、メモリ部４に格納された書き込み電流値をテーブル形式で示した一実施例である。ヘッド１３の数（又はヘッド番号）がｎで、ゾーンの数（又はゾーン番号）がｍで示されている。例えば、図３中、ヘッド番号が２でゾーン番号が３の場合の書き込み電流は、Ｉ３２である。
【００３９】
図３に示すテーブルの内容は、温度測定による温度タイミングや、所定時間間隔毎のタイミングで、キャリブレーションを調整用シリンダに対して行うことで更新可能である。
調整シリンダとしては未使用のデータ領域のシリンダ、調整用に特別に設けられたシリンダ、最内周や最外周側のデータ領域のシリンダ等を使用することができる。
【００４０】
また、図３に示すテーブルを複数の温度毎に、例えば０℃，２５℃，５０℃についての測定結果に対応して設けておくことで、ライトコマンド受信時におけるディスク装置の内部や外部の環境温度に応じて、書き込み電流を最適な値に設定してライトを行うことが可能になる。なお、０〜２５℃の間、２５〜５０℃の間等の細かな温度変化に対しては、３つの温度のテーブルを使用して計算により求めて、その計算値を最適な値として、ライト時に書き込み電流を設定することも可能である。
【００４１】
キャリブレーションは時間がかかる為ホストからの応答性能が低下してしまう為、ユーザの使用環境によってはキャブレーションは電源投入時やエラーが発生しない限り行えない場合がある。
このようにキャリブレーションが行えない場合は、メモリ部４に装置出荷時に予め格納された温度に対する書き拡がり量を示す温度補正特性を示す図４を使用する。図４中、縦軸は書き拡がり量γ（μｍ）を示し、横軸は温度（℃）で示す。
【００４２】
従って、温度測定による所定温度タイミングや、概略の温度変化に対応する所定時間タイミングで、もしくはライトコマンド受信時に温度や経過時間を測定して、図４から対応する書き拡がり量を求めることができる。そして、求めた書き拡がり量を用いてＴＰＩマージンに対する温度補正を行うことができる。
具体的には、例えば書き込み電流が２５℃で調整されている場合、高温の５０℃を想定して書き拡がり量γをライトコア幅Ｃｗに加算しても、高温時での充分なＴＰＩマージンが確保できるように書き込み電流を設定する。つまり、ΔＸ−（ｂ−ａ）の値が所定値以上となる書き込み電流を、上記図３に示す温度毎の書き込み電流値のテーブルに、ヘッド毎及びゾーン毎に設定すれば良い。
【００４３】
上記図４の温度補正特性を使用した温度補正は、勿論キャリブレーションが行われる場合に行っても良いことは言うまでもない。
次に、オフトラックスライスの設定方法について説明する。オフトラックスライスとは、ヘッド１３の走査するべきトラックに対する位置ずれ量の限界値を表す。トラックＴｎに対し、隣接トラックＴｎ−１のトラックセンタＡからオフセットして書き込む場合のオフセット量ＯＳＱは、上記の如くＯＳＱ＝ΔＸ＋ΔＳで表される。このオフセット量ＯＳＱに対し、オフトラックスライスＯＴＳＬをＯＴＳＬ≦ΔＸ＋ΔＳを満足するように設定すれば、トラックＴｎが隣接トラックＴｎ−１から侵食されて、トラックＴｎの一部が許容範囲を越えて隣接トラックＴｎ−１により書き込まれる前にこれを検出して例えばアラームを発生することで、このような不都合を防止できる。
【００４４】
オフトラックスライスＯＴＳＬは、次式（３）を満足するように設定すれば良い。
0003628515.tif 000002
上記式（３）からわかるように、オフトラックスライスＯＴＳＬは、ＴＰＩマージン、即ち、調整後の書き込み電流、ライトコア幅Ｃｗ及びオントラック精度に依存する。従って、書き込み電流と同様に、オフトラックスライスＯＴＳＬもＴＰＩマージンを測定して自動的に調整して設定することができる。又、オフトラックスライスＯＴＳＬの設定は、個々のヘッド１３毎及びトラックの追従を行うディスク１５上の各ゾーン毎に行うことができる。
【００４５】
オフトラックスライスＯＴＳＬの測定及び更新は、磁気ディスク装置の製造プロセス中の試験工程、磁気ディスク装置の出荷時、任意のタイミング、一定時間間隔毎、磁気ディスク装置の置かれた環境の変化が検出される度、エラー発生時、エラー発生回数が一定値を越えた場合等に行うことができる。
自動測定されたオフトラックスライスＯＴＳＬの値は、ヘッド１３毎及びディスク１５のゾーン毎にマップ化されてテーブル形式でメモリ部４に格納される。図５は、メモリ部４に格納されたオフトラックスライスＯＴＳＬ値をテーブル形式で示した一実施例である。ヘッド１３の数（又はヘッド番号）がｎで、ゾーンの数（又はゾーン番号）がｍで示されている。例えば、図５中、ヘッド番号が２でゾーン番号が３の場合の書き込み電流は、Ｏ３２である。
【００４６】
図５に示すテーブルの内容は、温度測定による温度タイミングや、所定時間間隔毎のタイミングで、キャリブレーションを調整用シリンダに対して行うことで更新可能である。
調整シリンダとしては未使用のデータ領域のシリンダ、調整用に特別に設けられたシリンダ、最内周や最外周側のデータ領域のシリンダ等を使用することができる。
【００４７】
また、図５に示すテーブルを複数の温度毎に、例えば０℃，２５℃，５０℃についての測定結果に対応して設けておくことで、ライトコマンド受信時におけるディスク装置の内部や外部の環境温度に応じて、オフトラックスライスＯＴＳＬを最適な値に設定してライトを行うことが可能になる。なお、０〜２５℃の間、２５〜５０℃の間等の細かな温度変化に対しては、３つの温度のテーブルを使用して計算により求めて、その計算値を最適な値として、ライト時にオフトラックスライスＯＴＳＬを設定することも可能である。
【００４８】
キャリブレーションは時間がかかる為ホストからの応答性能が低下してしまう為、ユーザの使用環境によってはキャブレーションは電源投入時やエラーが発生しない限り行えない場合がある。
このようにキャリブレーションが行えない場合は、上記の如くメモリ部４に装置出荷時に予め格納された温度に対する書き拡がり量を示す温度補正特性を示す図４を使用する。
【００４９】
具体的には、例えばオフトラックスライスＯＴＳＬが２５℃で調整されている場合、一定時間間隔毎に温度測定を行うことで、図４に示す温度変化に対する書き拡がり量γの関係からＴＰＩマージンの値ΔＸにこの書き拡がり量γを加算することで、温度変化に対するＴＰＩマージン（ΔＸ＋γ）よりオフトラックスライスＯＴＳＬが求まるので、図５に示す温度毎のオフトラックスライスＯＴＳＬの値のテーブルを、ヘッド毎及びゾーン毎に更新することができる。
【００５０】
図４の温度補正特性を使ってＴＰＩマージンの補正を行う場合は、温度補正分を加味してＯＴＳＬ≦［ΔＸ−（ｂ−ａ）］＋［ΔＳ＋（±τ）］となるようなオフトラックスライスＯＴＳＬの値を求めて設定すれば良い。ここで、τはＴＰＩマージンと共に測定によって求められるか、ＴＰＩマージンに加味されているものとして無視してτ＝０とみなすことが可能である。
【００５１】
次に、ディスク装置の本実施例の構成を、図６と共により詳細に説明する。図６は、図１に示す磁気ディスク装置の構成をより詳細に示すブロック図である。同図中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図６に示すように、磁気ディスク装置は、ＨＤＡ（又は、ディスクエンクロージャ）１と、リード／ライト制御部２と、制御部３と、ユニット１００と、ＲＡＭ４−１と、フラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２と、電源監視回路１２１と、発振器１２２とからなる。ＲＡＭ４−１及びフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２は、メモリ部４を構成する。
【００５２】
ＨＤＣ１は、大略スピンドルモータ１４と、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）１６と、ヘッド／ディスクアセンブリ１８と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１９とからなる。ＦＰＣ１６には、ヘッドＩＣ１１と温度センサ１７とが設けられている。ヘッド／ディスクアセンブリ１８は、アクチュエータ１２、ヘッド１３及びディスク１５を含み、ＶＣＭ１９はアクチュエータ１２を駆動する。ＨＤＣ１自体の構成は、温度センサ１７がＦＰＣ１６に設けられていることを除けば、基本的には周知のディスク装置のＨＤＣと同様である。
【００５３】
ＭＣＵ６は、大略図６に示す如く接続されたＣＰＵ６１、ＲＯＭ６２、ＲＡＭ６３、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）６４、論理回路６５、デジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器６６及びアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器６７からなる。ＣＰＵ６１は、ＲＯＭ６２に格納されたプログラムに基づき、磁気ディスク装置の各部を制御する。ＣＰＵ６１がプログラムを実行する際に用いるデータや計算処理で発生する中間データ等は、ＲＡＭ６３に格納される。ＤＳＰ６４及び論理回路６５は、ＣＰＵ６１が実行するプログラムより高速にデータ処理を行うために設けられている。Ｄ／Ａ変換器６６は、ＨＤＡ１内のディスク１５に書き込まれるデータをアナログ信号に変換し、Ａ／Ｄ変換器６７は、ＨＤＡ１内のディスク１５から読み出されたデータをデジタル信号に変換する。Ａ／Ｄ変換器６７には、ＨＤＡ１内の温度センサ１７の出力信号も入力される。又、ヘッド１３に印加される書き込み電流は、Ｄ／Ａ変換器６６から出力される。尚、フラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２は、ＭＣＵ６の補助メモリとして設けられている。
【００５４】
ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１１０は、大略インタフェース制御部７と、ディスクフォーマッタ１１１と、データフローコントローラ１１２と、リードソロモン／誤り訂正符号（ＥＣＣ）回路１１３と、バッファコントローラ１１４とからなる。ディスクフォーマッタ１１１は、ＨＤＡ１内のディスク１５上に書き込まれる情報のフォーマッティングを行う。データフローコントローラ１１２は、磁気ディスク装置とホストコンピュータ９との間のデータの流れを制御する。リードソロモン／ＥＣＣ回路１１３は、ディスク１５に書き込むデータの符号化及びＥＣＣの付加等と、ディスク１５から読み出したデータの復号化及びＥＣＣによる誤り訂正処理等を行う。バッファコントローラ１１４は、ＲＡＭ４−１に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する。ディスクフォーマッタ１１１、データフローコントローラ１１２、リードソロモン／ＥＣＣ回路１１３及びバッファコントローラ１１４は、シーケンサ制御部５を構成する。
【００５５】
電源監視回路１２１は、制御部３やユニット１００に供給される電源電圧を監視して、許容範囲内の電源電圧が磁気ディスク装置の各部に供給されるようにする。発振器１２２は、基準クロックをユニット１００内のＰＬＬ回路１０１に入力し、ＰＬＬ回路１０１は、基準クロックに基づいて生成されたクロックをＭＣＵ６及びＨＤＣ１１０内の各部へ供給する。ＭＣＵ６、ＰＬＬ回路１０１及びＨＤＣ１１０は、ユニット１００を構成する。
【００５６】
リード／ライト制御部２、制御部３、ユニット１００、ＲＡＭ４−１、フラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２、電源監視回路１２１及び発振器１２２からなる装置部分自体は、周知の構成のものを使用可能である。本実施例では、ＭＣＵ６が行う処理に特徴がある。
図７は、ＴＰＩマージンの測定処理を説明するフローチャートである。同図に示す測定処理は、ＭＣＵ６内のＣＰＵ６１、又は、ＣＰＵ６１及びＤＳＰ６４及び／又は論理回路６５により行われる。
【００５７】
図７において、ステップＳ１は、書き込み電流Ｉｗを設定する。この書き込み電流Ｉｗは、例えばｗ＝２０ｍＡ〜５０ｍＡとすると、２ｍＡのステップでＩｗ＝ｗｍＡに設定される。ステップＳ２は、ヘッド番号ｎを選択する。この場合、ヘッド番号は「０」〜「ｎ」の順に選択される。ステップＳ３は、ヘッド番号が最大数ＭＡＸ＋１であるか否かを判定し、ヘッド番号がＭＡＸ＋１＝ｎ＋１であると、判定結果がＹＥＳであり処理は終了する。
【００５８】
他方、ステップＳ３の判定結果がＮＯであると、ステップＳ４は、シリンダ番号ｍを選択してシーク動作を開始する。シリンダ番号ｍは、例えば各ディスク１５のアウタゾーンの最インナシリンダに選択される。ディスク１５のアウタ側が最小シリンダ番号の場合、シリンダ番号ｍは、データ領域に属さずデータ領域の内側の（最大シリンダ番号＋２）又はデータ領域の外側の（最小シリンダ番号−２）に選択されても良い。次に、ステップＳ５は、データパターンを選択する。データパターンは、例えばシリンダ番号ｍに対しては「００Ｈ  ］の繰り返し、シリンダ番号ｍ＋１に対しては「ＦＦＨ  」の繰り返し、シリンダ番号ｍ−１に対しては「ＦＦＨ  」の繰り返しに選択される。ステップＳ６は、シリンダ番号ｍにデータを書き込む。これにより、測定を行うシリンダ番号ｍと、この両側にあるシリンダ番号ｍ−１，ｍ＋１とでは、異なるデータパターンが書き込まれ、シリンダ番号ｍから読み出されたデータパターンをシリンダ番号ｍ−１，ｍ＋１から読み出されたデータパターンと比較することで、誤り認識を防止することができる。
【００５９】
ステップＳ７は、シリンダ番号ｍ＋１をシークし、ヘッド１３をシリンダ番号ｍの方向へΔＸμｍオフセットしてデータの書き込みを行う。又、ステップＳ８は、シリンダ番号ｍ−１をシークし、ヘッド１３をシリンダ番号ｍの方向へΔＸμｍオフセットしてデータの書き込みを行う。ステップＳ９は、シリンダ番号ｍからデータの読み出しを行い、ステップＳ１０は、読み出されたデータのエラーレイトが１０−ｎ未満であるか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであれば、処理はステップＳ１へ戻る。
【００６０】
他方、ステップＳ１０の判定結果がＮＯであると、ステップＳ１０−１は書き込み電流Ｉｗが最大であるか否かを判定する。つまり、ステップＳ１０−１は、この場合２ｍＡのステップで２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲で設定されるので、２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲内でΔＸが最大の値を検出する。ステップＳ１０−１の判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ１へ戻り、書き込み電流Ｉｗが２ｍＡのステップで変えられる。このようにして、Ｉｗ＝２０〜５０ｍＡの範囲で測定を行い、ΔＸの限界値が最大となるＩｗを見つける。他方、ステップＳ１０−１の判定結果がＹＥＳであると、ΔＸμｍオフセットしてエラーレイトが１０−ｎ以上となる限界値を求める。具体的には、ステップＳ１１は、オフセット量（ＴＰＩマージン）ΔＸμｍの限界値（オフトラックスライス）ＯＴＳＬが最大となる書き込み電流Ｉｗの値を求める。又、ステップＳ１２は、この場合のヘッド番号、シリンダ番号、書き込み電流Ｉｗの値、オフトラックスライスＯＴＳＬの値及び温度をＲＡＭ６３又はフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２に格納する。ステップＳ１２の後、処理はステップＳ１へ戻る。
【００６１】
尚、上記ステップＳ４〜Ｓ１２は、本実施例ではディスク１５のゾーン毎に行うので、この場合、ステップＳ１２では、シリンダ番号に加えてゾーン番号をＲＡＭ６３又はフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２に格納する。これにより、図３に示したような書き込み電流値のテーブル及び図５に示すようなオフトラックスライス値のテーブルが夫々作成されて格納される。このようにして、上記ステップを複数の温度で繰り返し、複数の温度毎のテーブルを作成する。
【００６２】
上記の如く、図７に示す測定処理は、任意のタイミングで行えば良い。
図８は、出荷後のキャリブレーション時のＴＰＩマージンについての処理を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、ＭＣＵ６内のＣＰＵ６１、又は、ＣＰＵ６１及びＤＳＰ６４及び／又は論理回路６５により行われる。
図８において、ステップＳ２１は、コマンドを実行中であるか否かを判定する。ステップＳ２１の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ２２は、コマンド処理を続行し、処理はステップＳ２１へ戻る。他方、ステップＳ２１の判定結果がＮＯであると、ステップＳ２３は、キャリブレーションのタイマがタイムアウトしているか否かを判定する。ステップＳ２３の判定結果がＹＥＳになると、ステップＳ２３−１で温度センサ１７の出力を読み取って現在の温度を検出する。ステップＳ２３−２は、検出された現在の温度から２５℃を減算した温度が例えば１０℃より大きいか否かを判定し、判定結果がＮＯであると処理は終了する。他方、ステップＳ２３−２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ２３−３で書き込み電流Ｉｗを例えばｗ＝２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲で２ｍＡのステップでＩｗ＝ｗ  ｍＡに設定し、ステップＳ２４以降のキャリブレーションが行われる。本実施例では、キャリブレーションが各ヘッド１３毎に行われる。
【００６３】
ステップＳ２４は、ヘッド番号ｎを選択する。この場合、ヘッド番号は「０」〜「ｎ」の順に選択される。ステップＳ２５は、ヘッド番号が最大数ＭＡＸ＋１であるか否かを判定し、ヘッド番号がＭＡＸ＋１＝ｎ＋１であると、判定結果がＹＥＳであり処理は終了する。
他方、ステップＳ２５の判定結果がＮＯであると、ステップＳ２６は、シリンダ番号ｍを選択してシーク動作を開始する。シリンダ番号ｍは、例えばディスク１５のアウタ側が最小シリンダ番号の場合、データ領域に属さずデータ領域の内側の（最大シリンダ番号＋２）及びデータ領域の外側の（最小シリンダ番号−２）に選択される。次に、ステップＳ２７は、データパターンを選択する。データパターンは、例えばシリンダ番号ｍに対しては「００Ｈ  ］の繰り返し、シリンダ番号ｍ＋１に対しては「ＦＦＨ  」の繰り返し、シリンダ番号ｍ−１に対しては「ＦＦＨ  」の繰り返しに選択される。ステップＳ２８は、シリンダ番号ｍにデータを書き込む。これにより、測定を行うシリンダ番号ｍと、この両側にあるシリンダ番号ｍ−１，ｍ＋１とでは、異なるデータパターンが書き込まれ、シリンダ番号ｍから読み出されたデータパターンをシリンダ番号ｍ−１，ｍ＋１から読み出されたデータパターンと比較することで、誤り認識を防止することができる。
【００６４】
ステップＳ２９は、シリンダ番号ｍ＋１をシークし、ヘッド１３をシリンダ番号ｍの方向へΔＸμｍオフセットしてデータの書き込みを行う。又、ステップＳ３０は、シリンダ番号ｍ−１をシークし、ヘッド１３をシリンダ番号ｍの方向へΔＸμｍオフセットしてデータの書き込みを行う。ステップＳ３１は、シリンダ番号ｍからデータの読み出しを行い、ステップＳ３２は、読み出されたデータのエラーレイトが１０−ｎ未満であるか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであれば、処理はステップＳ２１へ戻る。
【００６５】
他方、ステップＳ３２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ３２−１は書き込み電流Ｉｗが最大であるか否かを判定する。つまり、ステップＳ３２−１は、書き込み電流Ｉｗが例えば２ｍＡのステップで２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲で設定されるので、２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲内でΔＸが最大の値を検出する。ステップＳ３２−１の判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ２１へ戻り、書き込み電流Ｉｗが２ｍＡのステップで変えられる。このようにして、Ｉｗ＝２０〜５０ｍＡの範囲で測定を行い、ΔＸの限界値が最大となるＩｗを見つける。他方、ステップＳ３２−１の判定結果がＹＥＳであると、ΔＸμｍオフセットしてエラーレイトが１０−ｎ以上となる限界値を求める。具体的には、ステップＳ３３は、オフセット量（ＴＰＩマージン）ΔＸμｍの限界値（オフトラックスライス）ＯＴＳＬが最大となる書き込み電流Ｉｗの値を求める。又、ステップＳ３４は、この場合のヘッド番号と、最大又は最小シリンダ番号とに対して温度毎にＲＡＭ６３又はフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２に格納された書き込み電流Ｉｗの値及びオフトラックスライスＯＴＳＬの値を更新する。つまり、書き込み電流Ｉｗの値及びオフトラックスライスＯＴＳＬの値は、各温度毎に設けられたテーブルに対して更新される。本実施例では例えば２５℃，３５℃，４５℃，５５℃と言った具合に１０℃毎に更新が行われるが、初期温度を例えば０℃にするか２５℃にするかはユーザの温度に依存する。ここでは、初期温度は便宜上２５℃（常温）であるものとする。ステップＳ３４の後、処理はステップＳ２１へ戻る。
【００６６】
この場合、キャリブレーションは、各ヘッド１３に対して、（最大シリンダ番号＋２）及び（最小シリンダ番号−２）の２箇所でしか行わないので、各ゾーンにおけるＴＰＩマージンの値は、図９に示す方法にて線形補完を行えば良い。図９は、例えば予め出荷時の試験工程で求められたＴＰＩマージンの値と、キャリブレーションによって得られたＴＰＩマージンの値とを示す図である。同図中、縦軸はＴＰＩマージンの値を示し、横軸はゾーンを示す。実線は、出荷時の試験工程で求められたＴＰＩマージンの値を示し、Ｔ１，Ｔ２はキャリブレーションによって得られたＴＰＩマージンの値を示す。
【００６７】
試験工程で求められたＴＰＩマージンの値に対して、キャリブレーションによって得られたＴＰＩマージンの値Ｔ１，Ｔ２を図９中破線で示すように線形補完することで最新のＴＰＩマージンの値が得られ、これに基づいてオフトラックスライスＯＴＳＬの値を求めることができる。この最新のオフトラックスライスＯＴＳＬの値を図５に示すオフトラックスライス値のテーブルに格納することで、オフトラックスライス値のテーブルを更新することができる。
【００６８】
尚、図７のステップＳ１２又は図８のステップＳ３４において、オフトラックスライスＯＴＳＬの値が所定値を越えるとアラームを発生するようにしても良い。このアラームは、例えばＣＰＵ６１からホストコンピュータ９へ通知される。図１０は、温度センサ１７の出力と、Ａ／Ｄ変換器６７の出力との関係を示す図である。同図中、縦軸はＡ／Ｄ変換器６７の出力を任意単位で示し、横軸は温度センサ１７の出力を℃で示す。
【００６９】
図８に示すキャリブレーションが行われない場合には、図１０に示す温度センサ１７の出力温度情報に基づいて、図４に示す如き書き拡がり量γを求めることができる。例えば、磁気ディスク装置の出荷時に２５℃で調整されている場合には、一定時間間隔毎に温度センサ１７の出力をＣＰＵ６１で監視することで、温度変化に対する書き拡がり量γを求め、ＴＰＩマージンΔＸにこの書き拡がり量γを加算することで、温度変化に対するＴＰＩマージン（ΔＸ＋γ）が求められる。オフトラックスライスＯＴＳＬの値は、この温度変化に対するＴＰＩマージン（ΔＸ＋γ）から求めて、図５に示す如きオフトラックスライス値のテーブルを更新すれば良い。この場合のＴＰＩマージンの測定処理は、図７のステップＳ１２において、オフトラックスライスＯＴＳＬの値を、上記温度変化に対するＴＰＩマージン（ΔＸ＋γ）から求める点を除けば、図７の測定処理と実質的に同じである。
【００７０】
ところで、ＴＰＩマージンの値を求める代わりに、オフセットマージン又はオントラック精度マージンの値を各ヘッドに対して測定するようにしても良い。ここで、オフセットマージンとは、所定シリンダに書き込まれたデータが、この所定シリンダに対して位置決めされたヘッドがオフセットを起こしても読み出すことができるオフセットの限界を表す。
【００７１】
つまり、図７又は図８において、ＴＰＩマージンの値を測定する代わりに、オフセットマージン又はオントラック精度マージンの値を測定しても良い。この場合、温度に依存するパラメータを考慮した上で、ＴＰＩマージンの値を求める代わりに、オフセットマージン又はオントラック精度マージンが最大となるようにヘッド１３に印加する書き込み電流を可変設定する。又、温度に依存するパラメータは、位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータであれば良い。
【００７２】
図１１は、キャリブレーション時のオフセットマージンについての処理を説明するフローチャートである。同図に示す処理は、ＭＣＵ６内のＣＰＵ６１、又は、ＣＰＵ６１及びＤＳＰ６４及び／又は論理回路６５により行われる。同図中、図８と同一ステップには同一符号を付し、その説明は省略する。
図１１において、ステップＳ２７の後、ステップＳ１２８はｍシリンダの両隣りのｍ＋１シリンダ及びｍ−１シリンダにノイズを書き込む。ステップＳ１２９は、ｍシリンダにデータを書き込む。ステップＳ１３０は、ヘッドをｍシリンダのトラック中心からｍ−１方向（ｍ＋１方向）へオフセットさせながらデータを読み取る。ステップＳ１３１は、オフセット値ΔＯをセーブし、ステップＳ１３２は、読み取られたデータのエラーレイトが１０−ｎ未満であるか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであれば処理はステップＳ２１へ戻る。
【００７３】
他方、ステップＳ１３２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ１３２−１は書き込み電流Ｉｗが最大であるか否かを判定する。つまり、ステップＳ１３２−１は、書き込み電流Ｉｗが例えば２ｍＡのステップで２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲で設定されるので、２０ｍＡ〜５０ｍＡの範囲内でオフセットマージン（ΔＯ）が最大の値を検出する。ステップＳ１３２−１の判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ２１へ戻り、書き込み電流Ｉｗが２ｍＡのステップで変えられる。このようにして、Ｉｗ＝２０〜５０ｍＡの範囲で測定を行い、オフセットマージン（ΔＯ）の限界値が最大となるＩｗを見つける。他方、ステップＳ１３２−１の判定結果がＹＥＳであると、セーブしたオフセット値ΔＯについて、エラーレイトが１０−ｎ以上となる限界値を求める。具体的には、ステップＳ１３３は、オフセットマージンの（ΔＯ）限界値が最大となる書き込み電流Ｉｗの値を求める。又、ステップＳ１３４は、この場合のヘッド番号と、最大又は最少シリンダ番号とに対して温度毎にＲＡＭ６３又はフラッシュＥＥＰＲＯＭ４−２に格納された書き込み電流Ｉｗの値及びライトオフトラックスライスＯＴＳＬの値を更新する。つまり、書き込み電流Ｉｗの値及びライトオフトラックスライスＯＴＳＬの値は、各温度毎に設けられたテーブルに対して更新される。ステップＳ１３４の後、処理はステップＳ２１へ戻る。
【００７４】
尚、オフセットマージンを測定する際、オフセットマージンとなるオフセット値（量）ΔＯは、或るトラックの両側のトラックにノイズを書いた時にヘッドを上記或るトラックに対してオフセットさせて読めた全幅に対応し、次式で表わされる。
0003628515.tif 000003
ここで、ΔＸ＝ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−２ΔＳなので、２ΔＳ＝ＤＳ＋（Ｃｗ／２−Ｃｒ／２）＋α−ΔＸとなる。従って、オフセット値ΔＯは次式で表わされる。
【００７５】
0003628515.tif 000004
このように、オフセットマージンからＴＰＩマージンが求められるので、ＴＰＩマージンの場合と同様にオフトラックスライスを求めることができる。
更に、ディスク１５のトラックにデータを書き込む際に、ＴＰＩマージン、オフセットマージン及びオントラック精度マージンを各ヘッド１３に対して測定しておき、２以上のマージンが最大となるように書き込み電流を可変設定するようにしても良い。
【００７６】
ヘッド毎及びゾーン毎に書き込み電流を設定することで、例えばライトコア幅の広いヘッド、即ち、書き拡がり量が大きいヘッドを使用する際、トラックの位置決め精度誤差及び位置決め変動量が大きい場合には書き込み動作時に隣接トラックのデータを消してしまってアンリカラブルエラーを引き起こす可能性がある。しかし、温度変動により影響を受ける位置決め精度誤差及び位置決め変動量と、ライトコア幅で決定される書き拡がり量とは、個々のヘッド及び位置によってバラツキが生じる。そこで、本発明の如く、個々のヘッドに対してＴＰＩマージン等のマージンを測定し、隣接トラックのデータを消してしまうような不都合が発生しないように書き込み電流及びオフトラックスライスを設定することで、アンリカラブルエラーの発生を確実に防止することができる。
【００７７】
尚、上記各実施例では、キャリブレーションを行えない場合に温度に応じた処理を行っているが、電源オン時やエラー検出時等にも行っても良い。
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【００７８】
【発明の効果】
請求項１及び１１記載の発明によれば、個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方の書き込み条件を設定することができる。
請求項２〜４及び１２〜１４記載の発明によれば、データ破壊等のパーマネントエラー（アンリカバラブルエラー）の発生を防止することができる。
【００７９】
請求項５、６、１５及び１６の発明によれば、温度及び時間に依存するディスク装置の特性変動を考慮して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができるので、磁気ディスク装置内の部品の経時変化にも対応可能である。
請求項７、１７及び２１記載の発明によれば、各ヘッドに対して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができる。
【００８０】
請求項８及び１８記載の発明によれば、ディスクの各ゾーンに対して最適な書き込み電流及び最適なオフトラックスライスの少なくとも一方を設定することができる。
請求項９及び１９記載の発明によれば、より最適な書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方の設定が可能であり、データ破壊等のパーマネントエラー（アンリカバラブルエラー）の発生をより確実に防止することができる。
【００８１】
請求項１０及び２０記載の発明によれば、温度に対する位置決め精度誤差、位置決め変動量及びトラックの書き拡がりのうち少なくとも１つのパラメータに合わせて書き込み電流及びオフトラックスライスの少なくとも一方を最適に設定することができる。
従って、本発明によれば、個々のディスク装置に対して、温度に依存するパラメータを考慮して最適な書き込み条件を設定可能であり、書き込み時の隣接トラックからの干渉及び隣接トラックへの干渉を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になるディスク装置の一実施例を概略構成を示すブロック図である。
【図２】ＴＰＩマージンの測定方法を説明する図である。
【図３】メモリ部に格納される書き込み電流値のテーブルの一実施例を示す図である。
【図４】温度補正特性を示す図である。
【図５】メモリ部に格納されるオフトラックスライス値のテーブルの一実施例を示す図である。
【図６】ディスク装置の実施例の構成をより詳細に示すブロック図である。
【図７】ＴＰＩマージンの測定処理を説明するフローチャートである。
【図８】キャリブレーション時の処理を説明するフローチャートである。
【図９】出荷時の試験工程で求められたＴＰＩマージンの値と、キャリブレーションによって得られたＴＰＩマージンの値とを示す図である。
【図１０】温度センサの出力とＡ／Ｄ変換器の出力との関係を示す図である。
【図１１】キャリブレーション時の処理を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
１  ＨＤＡ
２  リード／ライト制御部
３  制御部
４  メモリ部
５  シーケンサ制御部
６  ＭＣＵ
７  インタフェース制御部
８  インタフェース
９  ホストコンピュータ
１１  ヘッドＩＣ
１２  アクチュエータ
１３  ヘッド
１４  スピンドルモータ
１５  磁気ディスク
【図１】
0003628515.tif 000005
【図２】
0003628515.tif 000006
【図３】
0003628515.tif 000007
【図４】
0003628515.tif 000008
【図５】
0003628515.tif 000009
【図６】
0003628515.tif 000010
【図７】
0003628515.tif 000011
【図８】
0003628515.tif 000012
【図９】
0003628515.tif 000013
【図１０】
0003628515.tif 000014
【図１１】
0003628515.tif 000015