(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面上にストリップ導体パターンを設け、前記ストリップ導体パターンを設けた面と反対側の面に地導体パターンを設けた第１の誘電体基板と、片面のみに地導体パターンを設けた第２の誘電体基板を、それぞれの地導体パターンが外側になるように積層してストリップラインを構成し、前記ストリップ導体パターンの先端部に前記ストリップ導体パターンと電気的に接続され前記第１の誘電体基板を貫く内導体用スルーホールを設け、前記内導体用スルーホールを取り囲んで前記ストリップ導体パターンの上側と下側の地導体パターンを電気的に接続する複数の外導体用スルーホールを円弧状に設け、前記第１の誘電体基板の地導体パターン側から前記内導体用スルーホールに同軸コネクタの中心導体を挿入して接続し、前記第１の誘電体基板の地導体パターンと前記同軸コネクタの外導体を電気的に接続し、前記ストリップ導体パターン上の前記内導体用スルーホールからおよそ１／４波長離れた位置に、前記ストリップ導体パターンと電気的に接続され前記第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを設け、前記整合用スルーホールの周囲に、前記ストリップ導体パターンの上側と下側における地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを設けたことを特徴とするストリップライン給電装置。
【請求項２】
同軸コネクタの中心導体が挿入され接続される内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に設けられた整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの領域には、当該第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンが設けられていることを特徴とする請求項１記載のストリップライン給電装置。
【請求項３】
一方の面上にストリップ導体パターンを設け、前記ストリップ導体パターンを設けた面と反対側の面に地導体パターンを設けた第１の誘電体基板と、片面のみに地導体パターンを設けた第２の誘電体基板を、それぞれの地導体パターンが外側になるように積層してストリップラインを構成し、前記ストリップ導体パターンの先端部に前記ストリップ導体パターンと電気的に接続され前記第１の誘電体基板および前記第２の誘電体基板を貫く内導体用スルーホールを設け、該内導体用スルーホールを取り囲んで前記ストリップ導体パターンの上側と下側の地導体パターンを電気的に接続する複数の外導体用スルーホールを円弧状に設け、前記第１の誘電体基板の地導体パターン側から前記内導体用スルーホールに同軸コネクタの中心導体を挿入して接続し、前記第１の誘電体基板の地導体パターンと前記同軸コネクタの外導体を電気的に接続し、前記ストリップ導体パターン上の前記内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に、前記ストリップ導体パターンと電気的に接続され前記第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを設け、該整合用スルーホールの周囲に、前記ストリップ導体パターンの上側と下側の地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを設けたことを特徴とするストリップライン給電装置。
【請求項４】
同軸コネクタの中心導体が挿入され接続される内導体用スルーホールと整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの各領域には、当該第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記内導体用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンおよび前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンが設けられていることを特徴とする請求項３記載のストリップライン給電装置。
【請求項５】
一方の面上に第１のストリップ導体パターンを設け、前記第１のストリップ導体パターンを設けた面と反対側の面に第１の地導体パターンを設けた第１の誘電体基板と、片面のみに第２の地導体パターンを設けた第２の誘電体基板を、それぞれの地導体パターンが外側になるように積層してストリップラインを構成し、前記第１の誘電体基板における第１の地導体パターンの上に第３の誘電体基板を積層し、前記第３の誘電体基板における第１の地導体と反対側の面に第２のストリップ導体パターンを設け、前記第１の地導体パターンと前記第２のストリップ導体パターンとでマイクロストリップ線路を構成し、前記第１のストリップ導体パターンの先端部と前記第２のストリップ導体パターンの先端部が上下に重なるように配置し、前記第１の誘電体基板と前記第３の誘電体基板を貫き前記第１のストリップ導体パターンと前記第２のストリップ導体パターンそれぞれの先端部の間を電気的に接続する内導体用スルーホールを設け、該内導体用スルーホールを取り囲んで前記第１の地導体パターンと前記第２の地導体パターンとを電気的に接続する複数の外導体用スルーホールを円弧状に設け、前記第１のストリップ導体パターン上の前記内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に、前記第１のストリップ導体パターンと電気的に接続され前記第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを設け、該整合用スルーホールの周囲に、前記第１のストリップ導体パターンの上側と下側の地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを設けたことを特徴とするストリップライン給電装置。
【請求項６】
整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの領域には、当該第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンが設けられていることを特徴とする請求項５記載のストリップライン給電装置。
【請求項７】
一方の面上に第１のストリップ導体パターンを設け、前記第１のストリップ導体パターンを設けた面と反対側の面に第１の地導体パターンを設けた第１の誘電体基板と、片面のみに第２の地導体パターンを設けた第２の誘電体基板を、それぞれの地導体パターンが外側になるように積層してストリップラインを構成し、前記第１の誘電体基板の第１の地導体パターンの上に第３の誘電体基板を積層し、前記第３の誘電体基板における前記第１の地導体パターンと反対側の面に第２のストリップ導体パターンを設け、前記第１の地導体パターンと前記第２のストリップ導体パターンとでマイクロストリップ線路を構成し、前記第１のストリップ導体パターンの先端部と前記第２のストリップ導体パターンの先端部が上下に重なるように配置し、前記第２のストリップ導体パターンの先端部から前記第３の誘電体基板と前記第１の誘電体基板を貫き前記第１のストリップ導体パターンに接続され、さらに前記第２の誘電体基板を貫く内導体用スルーホールを設け、該内導体用スルーホールを取り囲んで前記第１の地導体パターンと前記第２の地導体パターンとを電気的に接続する複数の外導体用スルーホールを円弧状に設け、前記第１のストリップ導体パターン上の前記内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に、前記第１のストリップ導体パターンと電気的に接続され前記第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを設け、該整合用スルーホールの周囲に、前記第１のストリップ導体パターンの上側と下側の前記第１の地導体パターンおよび前記第２の地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを設けたことを特徴とするストリップライン給電装置。
【請求項８】
内導体用スルーホールおよび整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの各領域には、当該第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記内導体用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンおよび前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンが設けられていることを特徴とする請求項７記載のストリップライン給電装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ストリップ線路に高周波信号を給電するためのストリップライン給電装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３３は、特開平８−２５０９１２号公報に示された従来のストリップライン給電装置の構成を示す平面図である。図において、１はストリップ導体パターン、２は円弧状導体パターン、３は内導体用スルーホール、４は外導体用スルーホール、１０はストリップ導体パターン先端部、４０はネジ止め用スルーホールである。
【０００３】
図３４は、図３３のａ−ａ’断面構造図、図３５は図３３におけるｂ−ｂ’断面構造図である。これらの図において、５ａ，５ｂは誘電体基板、６ａ，６ｂは地導体パターン、７は同軸コネクタ中心導体、８は同軸コネクタ誘電体、９は同軸コネクタ外導体、１０はストリップ導体パターン先端部、２０は同軸コネクタ部である。
片面にストリップ導体パターン１、反対側の面に地導体パターン６ａを設けた誘電体基板５ａと、片面のみに地導体パターン６ｂを設けた誘電体基板５ｂを、それぞれの地導体が外側になるように積層して図３４、図３５に示すような断面構造のストリップラインを構成している。
【０００４】
そして、ストリップ導体パターン先端部１０に内導体用スルーホール３を設け、この内導体用スルーホール３を取り囲むように円弧状の導体パターン２が誘電体基板５ａ，５ｂそれぞれの地導体と反対側の面に設けられている。その円弧状導体パターン２の内側の端部に沿って、円弧状導体パターン２を貫通してストリップラインの上下の地導体パターン６ａ，６ｂの間を接続する複数の外導体用スルーホール４が設けられ、内導体用スルーホール３と外導体用スルーホール４によって、同軸コネクタ部２０およびストリップラインの特性インピーダンスとほぼ等しい特性インピーダンスを有するようにして、誘電体基板５ａを貫通する同軸線路構造が形成されている。
【０００５】
そして、誘電体基板５ａの地導体側６ａから同軸コネクタ部２０の中心導体７を内導体用スルーホール３に挿入して半田付け等により電気的な導通を確保している。
また、同軸コネクタ部２０の外導体９は、誘電体基板５ａの地導体６ａに接触させて導通をとっている。なお、コネクタ中心導体７はコネクタ誘電体８によってコネクタ外導体９の内部に保持されている。
【０００６】
ネジ止め用スルーホール４０は、同軸コネクタ部２０のフランジにあいたネジ穴と同じ寸法になっており、ネジを通して同軸コネクタ部２０のフランジと誘電体基板５ａ，５ｂをともに固定するために用いられる。
【０００７】
このような構造のストリップライン給電装置では、同軸コネクタ部２０から加えられた高周波信号は内導体用スルーホール３を通ってストリップ導体パターン１に給電されストリップラインを伝搬する。このときグラウンド信号については、同軸コネクタ部２０の外導体９から誘電体基板５ａの上側の面の地導体パターン６ａに流れ、一部がそのまま地導体パターン６ａをストリップ導体パターン１に沿って流れ、残りは外導体用スルーホール４を通って、誘電体基板５ｂの下側の面の地導体パターン６ｂに伝わり、地導体パターン６ｂ上をストリップ導体パターン１に沿って流れる。ここでは、内導体用スルーホール３と外導体用スルーホール４で構成された同軸線路構造の寸法が同軸コネクタとほぼ同じになるようにしてあるため、同軸線路を伝搬してきた高周波信号がストリップラインに効率よく給電される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のストリップライン給電装置は以上のように構成されているので、同軸コネクタ部２０の中心導体と内導体用スルーホール３の接続部や内導体用スルーホール３とストリップ導体パターン１の接続部における不連続構造により、電磁界の乱れが生じて反射特性が劣化する課題があった。
【０００９】
また、同軸コネクタ部２０と内導体用スルーホール３の接続部が積層した基板の内側に入るため、半田付けなどの接続作業が難しく、また、多層基板で構成しようとした場合に基板の内部に隠れたブラインドスルーホールが必要になるため、製造工程が複雑になる課題もあった。
【００１０】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、高い周波数においても良好な反射特性が実現できるとともに、組立作業が容易なストリップライン給電装置を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るストリップライン給電装置は、ストリップ導体パターン上の内導体用スルーホールからおよそ１／４波長離れた位置に、前記ストリップ導体パターンと電気的に接続され第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを設け、前記整合用スルーホールの周囲に、前記ストリップ導体パターンの上側と下側における地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを設けた構成を備えるようにしたものである。
【００１２】
この発明に係るストリップライン給電装置は、同軸コネクタの中心導体が挿入され接続される内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に設けられた整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの領域に、当該第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンを備えるようにしたものである。
【００１３】
この発明に係るストリップライン給電装置は、ストリップ導体パターンの先端部に該ストリップ導体パターンと電気的に接続され第１の誘電体基板および第２の誘電体基板を貫く内導体用スルーホールを備えるようにしたものである。
【００１４】
この発明に係るストリップライン給電装置は、ストリップ導体パターン上の内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に、前記ストリップ導体パターンと電気的に接続され第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを備えるとともに、該整合用スルーホールの周囲に、前記ストリップ導体パターンの上側と下側の地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを備えるようにしたものである。
【００１５】
この発明に係るストリップライン給電装置は、同軸コネクタの中心導体が挿入され接続される内導体用スルーホールと整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの各領域に、その第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記内導体用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンおよび前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンを備えるようにしたものである。
【００１６】
この発明に係るストリップライン給電装置は、第１のストリップ導体パターン上の内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に、前記第１のストリップ導体パターンと電気的に接続され第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを備えるとともに、該整合用スルーホールの周囲に、前記第１のストリップ導体パターンの上側と下側の地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを備えるようにしたものである。
【００１７】
この発明に係るストリップライン給電装置は、整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの領域には、その第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンを備えるようにしたものである。
【００１８】
この発明に係るストリップライン給電装置は、第２のストリップ導体パターンの先端部から第３の誘電体基板と第１の誘電体基板を貫き第１のストリップ導体パターンに接続され、さらに第２の誘電体基板を貫く内導体用スルーホールを設けるとともに、前記第１のストリップ導体パターン上の前記内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に、前記第１のストリップ導体パターンと電気的に接続され前記第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを設け、該整合用スルーホールの周囲に、前記第１のストリップ導体パターンの上側と下側の第１の地導体パターンおよび第２の地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを設けた構成を備えるようにしたものである。
【００１９】
この発明に係るストリップライン給電装置は、内導体用スルーホールおよび整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの各領域に、その第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記内導体用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンおよび前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンを備えるようにしたものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
参考例１．
図１は、この参考例１のストリップライン給電装置を示す断面図、図２は図１における誘電体基板（第１の誘電体基板）５ａの下側の面における導体パターン図であり、図１は図２におけるｂ−ｂ’断面構造を示している。図３は図２におけるａ−ａ’断面構造を示す断面図である。
【００２１】
これらの図において、１はストリップ導体パターン、２は円弧状導体パターン、３は内導体用スルーホール、４は外導体用スルーホール、５ａは誘電体基板、５ｂは誘電体基板（第２の誘電体基板）、６ａ，６ｂは地導体パターン、７はコネクタ中心導体、８はコネクタ誘電体、９はコネクタ外導体（同軸コネクタの外導体）、１０はストリップ導体パターン先端部、１１はシャーシ、２０は同軸コネクタ部、３０は高インピーダンス部である。そして、片面にストリップ導体パターン１、反対側の面に地導体パターン６ａを設けた誘電体基板５ａと、片面のみに地導体パターン６ｂを設けた誘電体基板５ｂを、それぞれの地導体パターンが外側になるように積層して図３に示すような断面構造のストリップラインを構成している。
【００２２】
また、ストリップ導体パターン先端部１０に内導体用スルーホール３を設け、この内導体用スルーホール３を取り囲むように円弧状導体パターン２が誘電体基板５ａの地導体パターン６ａと反対側の面に設けられている。その円弧状導体パターン２を貫通してストリップラインの上下の地導体パターン６ａ，６ｂの間を接続する複数の外導体用スルーホール４が設けられ、内導体用スルーホール３と外導体用スルーホール４によって擬似的な同軸線路が構成されている。そして、誘電体基板５ａの地導体パターン６ａ側から同軸コネクタ部２０のコネクタ中心導体７を内導体用スルーホール３に挿入して半田付け等により電気的な導通を確保している。
【００２３】
また、同軸コネクタのコネクタ外導体９は、誘電体基板５ａの地導体６ａに接触させて導通をとっている。コネクタ中心導体７はコネクタ誘電体８によって、コネクタ外導体９の内部に保持されている。
ストリップライン、同軸コネクタおよびスルーホールで構成された擬似同軸線路はすべて等しい特性インピーダンスを有している。
高インピーダンス部３０においてはストリップ導体の幅が他の部分より狭くなっており、ストリップ線路の特性インピーダンスが他の部分より高くなっている。
【００２４】
このような構造においては、コネクタ中心導体７が内導体用スルーホール３を介してストリップ導体１に接続される部分において、高周波電流の流れる方向が９０度変化する不連続構造となっているため、電磁界が大きく乱れて反射特性が劣化する。このとき、電磁界の乱れの効果は、回路のこの部分に寄生サセプタンスが生じると考えることができる。
寄生サセプタンスとしては、マイクロストリップ線路のような平面回路における９０度コーナの場合と同じように並列容量性のサセプタンスとなるものと考えられる。従って、この不連続部分の近傍に特性インピーダンスを他の部分より高くした高インピーダンス部３０を設けることによって、等価的に回路に直列誘導性の素子を挿入し、不連続部の並列容量性サセプタンスをうち消せば、反射特性を改善することができる。
【００２５】
図４は、高インピーダンス部３０の効果を確認するため、３次元電磁界解析手法の一つであるＦＤ−ＴＤ（Ｆｉｎｉｔｅ−Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ  Ｔｉｍｅ −Ｄｏｍａｉｎ）法を用いたシミュレーションを行なって高インピーダンス部がない場合とある場合の反射特性を計算したときの論理特性図である。図４に示すように、高インピーダンス部３０の効果により、高い周波数帯における反射特性が改善されていることがわかる。
【００２６】
以上のように、この参考例１によれば、高周波電流の流れる方向が９０度変化する不連続構造部分近傍に高インピーダンス部３０を設けることで、高い周波数においても反射特性の劣化の少ないストリップライン給電装置を実現できる効果がある。
【００２７】
参考例２．
図５は、この参考例２のストリップライン給電装置を示す断面図、図６は図５における誘電体基板５ａの下側の面における導体パターン図であり、図５は図６におけるｂ−ｂ’断面構造を示している。図７は図５における誘電体基板５ｂの下側の面における導体パターン図である。これらの図において図１から図３と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。
これらの図において、１２は地導体パターン６ｂに設けられた穴、１３はシャーシ１１に設られた凹部である。ストリップ導体パターン先端部１０の下方において地導体パターン６ｂに円形の穴１２が設けられ、さらに、穴１２の下側においてシャーシ１１に円筒状の凹部１３が設けられている。
【００２８】
このように、コネクタ中心導体７が内導体用スルーホール３を介してストリップ導体１に接続される部分において、ストリップ線路の下側の地導体パターン６ｂに穴１２を形成することにより、この部分のストリップ線路の特性インピーダンスが等価的に高くなるため、前記参考例１における高インピーダンス部３０の効果と同様に、不連続構造による反射特性の劣化をうち消すことが可能となる。
また、前記参考例１のようにストリップ導体パターン幅を狭くする必要がないため、線路の伝送損失が増加したり、ストリップ導体幅がパターンの加工制限より細くなるような問題が生じない。
【００２９】
以上のように、この参考例２によれば、ストリップ導体パターン幅を狭くすることなく、高周波電流の流れる方向が９０度変化する不連続構造部分近傍のストリップ線路の特性インピーダンスを等価的に高くすることができるため、高い周波数においても良好な反射特性が実現でき、ストリップ導体幅を狭くする必要のない製造の容易な、かつ信頼性の高いストリップライン給電装置が得られる効果がある。
【００３０】
実施の形態１．
図８は、この実施の形態１のストリップライン給電装置を示す断面図、図９は図８の誘電体基板５ａの下側の面における導体パターン図であり、図８は図９におけるｂ−ｂ’断面構造を示している。図１０は、誘電体基板５ｂの下側の面における導体パターン図である。なお、図８から図１０において図１から図３と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。
【００３１】
これらの図において、１２ａは地導体６ｂに形成した穴、１４は整合用スルーホール、１５は穴１２ａ内に形成されたランドパターン、１６はシャーシ１１に設けた凹部、１７は地導体パターン短絡用スルーホール（スルーホール）である。ストリップ導体パターン先端部１０から距離Ｌ離れた位置に、ストリップ導体パターン１に一方の端が接続され、他方の端が誘電体基板５ｂの下側の面に設けたランドパターン１５に接続された整合用スルーホール１４を設け、この整合用スルーホール１４の周囲においてストリップ線路の上下の地導体６ａ，６ｂを地導体パターン短絡用スルーホール１７で接続している。
【００３２】
このような構成では、整合用スルーホール１４およびランドパターン１５からなる部分は、ストリップ線路に並列に接続された容量性素子として作用する。このため、ストリップ導体先端部１０から整合用スルーホール１４までの距離Ｌを使用周波数における１／４波長程度に選定し、ランドパターン１５の大きさを適当に選ぶと、コネクタ中心導体７が内導体用スルーホール３を介してストリップ導体パターン１に接続される部分において発生する容量性サセプタンスによる反射を、整合用スルーホール１４とランドパターン１５からなる容量性素子によってうち消して、反射特性を改善することができる。
【００３３】
ここで、整合用スルーホール１４の周囲に設けた地導体パターン短絡用スルーホール１７は、ストリップ線路の上下の地導体６ａ，６ｂの間を接続して同電位にすることにより、整合用スルーホール１４を設けたことによるストリップ線路の構造の非対称性により励振される平行平板モードの伝搬を抑圧する効果がある。
【００３４】
このような構造では、ランドパターン１５の寸法を大きくすれば大きな並列容量が得られるため、ストリップ導体先端部１０における不連続の反射が非常に大きい場合でも、これをうち消して反射特性を改善できる。
【００３５】
以上のように、この実施の形態１によれば、高周波電流の流れる方向が９０度変化する不連続構造部分による反射が大きい場合でも良好な反射特性が実現できるストリップライン給電装置が得られる効果がある。
【００３６】
参考例３．
図１１は、この参考例３のストリップライン給電装置を示す断面図、図１２は図１１における誘電体基板５ａの下側の面における導体パターン図であり、
図１１は図１２におけるｂ−ｂ’断面構造を示している。図１３は図１１における誘電体基板５ｂの下側の面における導体パターン図である。なお、図１１から図１３において、図２、図５、図６、図７と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。
これらの図において、１８は内導体用スルーホール延長部、１９はランドパターンである。
【００３７】
この参考例３においては、内導体用スルーホール３がストリップ導体パターン１を突き抜けて内導体用スルーホール延長部１８によって誘電体基板５ｂの下側の面に設けたランドパターン１９に接続されている。また、ストリップ導体パターン１のストリップ導体パターン先端部１０の近傍には、ストリップ導体幅を狭めて特性インピーダンスを高くした高インピーダンス部３０が設けられている。
【００３８】
このような構成では、同軸コネクタ部２０の中心導体を接続する中心導体用スルーホールが、積層された２枚の誘電体基板５ａ、５ｂを貫通しているため、同軸コネクタ部２０のコネクタ中心導体７の先端を内導体用スルーホール３および内導体用スルーホール延長部１８に挿入し、誘電体基板５ｂの下側の面からランドパターン１９上に半田を流すことにより同軸コネクタとストリップ線路の接続が行える。これにより、同軸コネクタとストリップ線路の接続が容易かつ確実に行える。
【００３９】
また、このような構成では、ストリップ導体パターン先端部１０に内導体用スルーホール延長部１８およびランドパターン１９で構成される並列容量が接続された構成となるが、この並列容量と内導体用スルーホール３とストリップ導体パターン１の接続部における不連続によって生じる容量性の寄生サセプタンス分は、高インピーダンス部３０によって打ち消すことができ、良好な反射特性を得ることができる。
【００４０】
以上のように、この参考例３によれば、同軸コネクタとストリップ線路の接続が容易かつ確実に行えるとともに、良好な反射特性が実現できるストリップライン給電装置が得られる効果がある。
【００４１】
実施の形態２．
図１４は、この実施の形態２のストリップライン給電装置を示す断面図、図１５は図１４における誘電体基板５ａの下側の面における導体パターン図であり、図１４は図１５におけるｂ−ｂ’断面構造を示している。図１６は図１４における誘電体基板５ｂの下側の面における導体パターン図である。これらの図において１から１３、および２０は図５から図７と同様であり、１４から１９は図８から図１３と同様である。
【００４２】
なお、この実施の形態２では、シャーシ１１には前記実施の形態１の凹部１３と、前記参考例３の凹部１６が形成されている。また、地導体パターン６ｂには、前記実施の形態１の穴１２ａおよびランドパターン１５と前記参考例３の穴１２およびランドパターン１９が形成されている。
【００４３】
このような構成では、整合用スルーホール１４およびランドパターン１５で構成された部分がストリップ線路に並列に接続された容量素子となるため、ストリップ導体パターン先端部１０から整合用スルーホール１４の距離Ｌをほぼ１／４波長とし、ランドパターン１５，１９の大きさを適当に選ぶことにより、ストリップ導体パターン先端部の反射と整合用スルーホール１４の部分における反射がうち消され、良好な反射特性が得られる。
【００４４】
以上のように、この実施の形態２によれば、同軸コネクタとストリップ線路の接続が容易かつ確実に行えるとともに、良好な反射特性が得られるという効果がある。
【００４５】
参考例４．
図１７は、ストリップ線路とマイクロストリップ線路の間の高周波信号の層間接続を行うためのこの参考例４のストリップライン給電装置を示す断面図、図１８は図１７における誘電体基板５ａの下側の面における導体パターン図であり、図１７は図１８におけるｂ−ｂ’断面構造を示している。図１９は図１７における誘電体基板５ｃの上側の面における導体パターン図、図２０は図１８におけるａ−ａ’断面図である。これらの図において図１から図３と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。図１７から図２０において、１ａはストリップ導体パターン（第１のストリップ導体パターン）、１ｂはストリップ導体パターン（第２のストリップ導体パターン）、５ｃはその上側の面にストリップ導体パターン１ｂが形成された誘電体基板（第３の誘電体基板）である。なお、地導体パターン６ａは第１の地導体パターン、地導体パターン６ｂは第２の地導体パターンに対応する。
【００４６】
この参考例４のストリップライン給電装置では、ストリップ導体パターン１ａ、誘電体基板５ａ、５ｂ、地導体パターン６ａ、６ｂによってストリップ線路が形成され、ストリップ導体１ｂ、誘電体基板５ｃおよび地導体パターン６ａによってマイクロストリップ線路が形成されている。そして、それぞれの線路の先端部が積層された誘電体基板の上下で重なるように配置され、両者の間を内導体用スルーホール３で接続している。
【００４７】
また、内導体用スルーホール３の周囲において、地導体パターン６ａと地導体パターン６ｂの間を、外導体用スルーホール４で接続している。そして、内導体用スルーホール３と外導体用スルーホール４により擬似同軸線路が形成されている。ストリップ線路、マイクロストリップ線路および擬似同軸線路はほぼ等しい特性インピーダンスとなっており、ストリップ線路とマイクロストリップ線路の間で高周波信号を接続することができる。また、ストリップ線路側のストリップ導体パターン先端部１０の付近において、ストリップ導体幅を細くして、特性インピーダンスが他の部分より高い高インピーダンス部３０が形成されている。
【００４８】
このような構成では、前記参考例１の場合と同じように、ストリップ導体パターン１ａと内導体用スルーホール３の接続部、およびストリップ導体パターン１ｂと内導体用スルーホール３の接続部における不連続により、並列容量性の寄生サセプタンスが発生する。これに対して、高インピーダンス部３０を設けて等価的に直列誘導性の素子を挿入することにより、両者を相殺して反射特性を改善することができる。
【００４９】
なお、ストリップ導体パターン先端部１０近傍のマイクロストリップ線路側においてそのマイクロストリップ導体幅を細くして、特性インピーダンスが他の部分より高い高インピーダンス部３０を形成してもよい。
【００５０】
以上のように、この参考例４によれば、ストリップ線路とマイクロストリップ線路の間で高周波信号の層間接続が容易に行えるとともに、良好な反射特性が得られるという効果がある。
【００５１】
参考例５．
図２１は、ストリップ線路とマイクロストリップ線路の間の高周波信号の層間接続を行うためのこの参考例５のストリップライン給電装置を示す断面図、図２２は図２１における誘電体基板５ａの下側の面における導体パターン図であり、図２１は図２２のｂ−ｂ’断面構造を示している。図２３は図２１における誘電体基板５ｂの下側の面における導体パターン図である。これらの図において図１７から図２０と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。図２１において、６ｄは中心導体用スルーホール３の下方位置に孔１２ｂが形成された地導体パターン、５ｄは地導体パターン６ｄの下側に配置された誘電体基板、６ｃは誘電体基板５ｄの下側の面に形成された地導体パターンである。
【００５２】
内導体用スルーホール３の下方の地導体パターン６ｄには穴１２ｂが形成され、地導体パターン６ｄの下側には誘電体基板５ｄおよび地導体パターン６ｃが配置されている。地導体パターン６ｃには外導体用スルーホール４が地導体パターン６ｄを貫通して伸びており、地導体パターン６ｄとは電気的に接続されている。
【００５３】
地導体パターン６ｃには、地導体パターン６ｄに設けた穴１２ｂから高周波信号が漏れ出さないようにシールドする効果がある。
【００５４】
このような構成では、前記参考例２の場合と同じように、ストリップ導体パターン１ａの幅を変えることなく、ストリップ線路上に高インピーダンスの部分を設けることができるので、図１８のようにストリップ導体に線路幅を細くした高インピーダンス部３０を設ける必要がなく反射特性を改善することができ、また地導体パターン６ｄに設けた穴１２ｂから高周波信号が漏れ出さないようにできるなど前記参考例４と同様な効果が期待できる。
【００５５】
以上のように、この参考例５によれば、ストリップ線路とマイクロストリップ線路の間の高周波信号の層間接続において、線路幅の細い部分を有したストリップ導体を用いることなしに良好な反射特性が得られるという効果がある。
【００５６】
実施の形態３．
図２４は、ストリップ線路とマイクロストリップ線路の間の高周波信号の層間接続を行うためのこの実施の形態３のストリップライン給電装置を示す断面図、図２５は図２４における誘電体基板５ａの下側の面における導体パターン図であり、図２４は図２５におけるｂ−ｂ’断面構造を示している。図２６は図２５におけるａ−ａ’断面図である。図２４、図２５、図２６において図１７から図２０と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。なお、この実施の形態３では、ストリップ導体パターン１ａには高インピーダンス部３０は形成されていない。これらの図において、５ｄは地導体パターン６ｅの下側に配置された誘電体基板、６ｃは誘電体基板５ｄに形成された地導体パターンである。地導体パターン６ｅは誘電体基板５ｂの下側の面に形成されている。１４は整合用スルーホール、１５はランドパターン、１７は短絡用スルーホールである。
【００５７】
ストリップ導体パターン先端部１０から距離Ｌ離れた位置に、ストリップ導体パターン１ａに一方の端が接続され、他方の端が誘電体基板５ｂの下側の面に設けられたランドパターン１５に接続された整合用スルーホール１４を設け、この整合用スルーホール１４の周囲においてストリップ線路の上下の地導体パターン６ａ，６ｅおよび地導体パターン６ｃを地導体短絡用スルーホール１７で接続している。
【００５８】
このような構成では、前記実施の形態１と同様に、ストリップ導体パターン先端部１０から整合用スルーホール１４までの距離Ｌを使用周波数における１／４波長程度に選び、ランドパターン１５の大きさを適当に選ぶと、内導体用スルーホール３とストリップ導体パターン１ａ、１ｂとの接続部で発生する反射を、整合用スルーホール１４とランドパターン１５からなる容量性素子によってうち消して、反射特性を改善することができる。
【００５９】
以上のように、この実施の形態３によれば、ストリップ線路とマイクロストリップ線路の間の高周波信号の層間接続において、良好な反射特性が得られるという効果がある。
【００６０】
参考例６．
図２７は、ストリップ線路とマイクロストリップ線路の間の高周波信号の層間接続を行うためのこの参考例６のストリップライン給電装置を示す断面図、図２８は図２７における誘電体基板５ａの下側の面における導体パターン図であり、図２７は図２８におけるｂ−ｂ’断面構造を示している。図２９は図２７における誘電体基板５ｂの下側の面における導体パターン図である。これらの図において図１７から図２０と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。図２７、図２８、図２９において、６ｆは誘電体基板５ｂの下側の面に形成された地導体パターンである。１１ａはシャシであり、内導体用スルーホール３の下方位置に凹部１３が形成されている。１８は内導体用スルーホール延長部、１９はランドパターンである。内導体用スルーホール延長部１８によって内導体用スルーホール３が誘電体基板５ｂの下側の面まで延長され、ランドパターン１９に接続されている。
【００６１】
このような構成では、ストリップ導体パターン先端部１０に内導体用スルーホール延長部１８およびランドパターン１９で構成される並列容量が接続された構成となるが、この並列容量と、内導体用スルーホール３とストリップ導体パターン１の接続部における不連続によって生じる容量性の寄生サセプタンス分は、高インピーダンス部３０によって打ち消すことができ、良好な反射特性を得ることができる。また、内導体用スルーホール３として、全ての誘電体基板５ａ，５ｂ，５ｃを貫通するスルーホールを用いているため、３枚の誘電体基板を張り合わせた後で穴開けをしてスルーホールメッキを行うという簡単な製造工程で層間接続構造が実現できる。
【００６２】
以上のように、この参考例６によれば、簡単な基板の製造工程で層間接続構造を実現できる効果がある。
【００６３】
実施の形態４．
図３０は、ストリップ線路とマイクロストリップ線路の間の高周波信号の層間接続を行うためのこの実施の形態４のストリップライン給電装置を示す断面図、図３１は図３０における誘電体基板５ａの下側の面における導体パターン図であり、図３０は図３１におけるｂ−ｂ’断面構造を示している。図３２は図２７における誘電体基板５ｂの下側の面における導体パターン図である。これらの図において図２４から図２６と、図２７から図２９と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。図３０から図３２において、６ｇは誘電体基板５ｂの下側の面に形成された地導体パターンである。１１ｂはシャシであり、ランドパターン１５の下方位置に凹部１６が形成されている。
【００６４】
また、この実施の形態４の短絡用スルーホール１７は、整合用スルーホール１４の周囲においてストリップ線路の上側と下側の地導体パターン６ａと地導体パターン６ｇを接続している。
【００６５】
このような構成では、整合用スルーホール１４およびランドパターン１５で構成された部分がストリップ線路に並列に接続された容量素子となるため、ストリップ導体パターン先端部１０から整合用スルーホール１４の距離Ｌをほぼ１／４波長とし、ランドパターン１５，１９の大きさを適当に選ぶことにより、ストリップ導体パターン先端部の反射と整合用スルーホール１４の部分における反射がうち消され、良好な反射特性が得られる。
【００６６】
以上のように、この実施の形態４によれば、簡単な基板の製造工程で層間接続構造を実現できるとともに良好な反射特性が得られる効果がある。
【００６７】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、ストリップ導体パターン上の内導体用スルーホールからおよそ１／４波長離れた位置に、前記ストリップ導体パターンと電気的に接続され第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを設け、前記整合用スルーホールの周囲に、前記ストリップ導体パターンの上側と下側における地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを設けるように構成したので、不連続構造部分による反射を整合用スルーホール部分の容量性素子によってうち消すことができ、反射特性を改善することができる効果がある。
【００６８】
この発明によれば、同軸コネクタの中心導体が挿入され接続される内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に設けられた整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの領域に、当該第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンを備えるように構成したので、前記ランドパターンの大きさを選定することで、不連続構造部分による反射を整合用スルーホール部分の容量性素子によって有効にうち消すことができ、反射特性を改善できる効果がある。
【００６９】
この発明によれば、ストリップ導体パターン上の内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に、前記ストリップ導体パターンと電気的に接続され第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを備えるとともに、該整合用スルーホールの周囲に、前記ストリップ導体パターンの上側と下側の地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを備えるように構成したので、前記整合用スルーホールの部分における反射がうち消され、良好な反射特性が得られるとともに、組立作業が容易かつ確実に行える効果がある。
【００７０】
この発明によれば、同軸コネクタの中心導体が挿入され接続される内導体用スルーホールと整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの各領域に、その第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記内導体用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンおよび前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンを備えるように構成したので、前記ランドパターンの大きさを選定することで前記ストリップ導体パターン先端部の反射と前記整合用スルーホールの部分における反射がうち消され、良好な反射特性が得られるとともに、組立作業が容易かつ確実に行える効果がある。
【００７１】
この発明によれば、第１のストリップ導体パターン上の内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に、前記第１のストリップ導体パターンと電気的に接続され第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを備えるとともに、該整合用スルーホールの周囲に、前記第１のストリップ導体パターンの上側と下側の地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを備えるように構成したので、不連続構造部分による反射を整合用スルーホール部分の容量性素子によってうち消すことができ、反射特性を改善することができる効果がある。
【００７２】
この発明によれば、整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの領域には、その第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンを備えるように構成したので、前記ランドパターンの大きさを選定することで、不連続構造部分による反射を整合用スルーホール部分の容量性素子によって有効にうち消すことができ、反射特性を改善できる効果がある。
【００７３】
この発明によれば、第２のストリップ導体パターンの先端部から第３の誘電体基板と第１の誘電体基板を貫き第１のストリップ導体パターンに接続され、さらに第２の誘電体基板を貫く内導体用スルーホールを設けるとともに、前記第１のストリップ導体パターン上の前記内導体用スルーホールから略１／４波長離れた位置に、前記第１のストリップ導体パターンと電気的に接続され前記第２の誘電体基板を貫く整合用スルーホールを設け、該整合用スルーホールの周囲に、前記第１のストリップ導体パターンの上側と下側の第１の地導体パターンおよび第２の地導体パターンを電気的に接続する複数のスルーホールを設けるように構成したので、ストリップ線路とマイクロストリップ線路の間で高周波信号の層間接続が容易、かつ確実に行えるようになり、組立作業が容易かつ確実に行え、さらにストリップ導体パターンの幅を他の部分より狭くした部分を構成することなく前記整合用スルーホールの部分における反射がうち消され、良好な反射特性が得られる効果がある。
【００７４】
この発明によれば、内導体用スルーホールおよび整合用スルーホールの下方に位置する第２の地導体パターンの各領域に、その第２の地導体パターンと電気的に分離されているとともに、前記内導体用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンおよび前記整合用スルーホールと電気的に接続されたランドパターンを備えるように構成したので、前記ランドパターンの大きさを選定することで、ストリップ導体パターン先端部の反射と前記整合用スルーホールの部分における反射がうち消され、良好な反射特性が得られるとともに、組立作業が容易かつ確実に行える効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の参考例１のストリップライン給電装置を示す断面図である。
【図２】  この発明の参考例１のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面における導体パターン図である。
【図３】  この発明の参考例１のストリップライン給電装置における図２のａ−ａ’断面構造を示す断面図である。
【図４】  この発明の参考例１のストリップライン給電装置における高インピーダンス部がない場合とある場合の反射特性を計算したときの論理特性図である。
【図５】  この発明の参考例２のストリップライン給電装置を示す断面図である。
【図６】  この発明の参考例２のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面におけるストリップ導体パターンなどの導体パターン図である。
【図７】  この発明の参考例２のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面における地導体パターンなどの導体パターン図である。
【図８】  この発明の実施の形態１のストリップライン給電装置を示す断面図である。
【図９】  この発明の実施の形態１のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面におけるストリップ導体パターンなどの導体パターン図である。
【図１０】  この発明の実施の形態１のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面における地導体パターンなどの導体パターン図である。
【図１１】  この発明の参考例３のストリップライン給電装置を示す断面図である。
【図１２】  この発明の参考例３のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面におけるストリップ導体パターンなどの導体パターン図である。
【図１３】  この発明の参考例３のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面における地導体パターンなどの導体パターン図である。
【図１４】  この発明の実施の形態２のストリップライン給電装置を示す断面図である。
【図１５】  この発明の実施の形態２のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面におけるストリップ導体パターンなどの導体パターン図である。
【図１６】  この発明の実施の形態２のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面における地導体パターンなどの導体パターン図である。
【図１７】  この発明の参考例４のストリップライン給電装置を示す断面図である。
【図１８】  この発明の参考例４のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面におけるストリップ導体パターンなどの導体パターン図である。
【図１９】  この発明の参考例４のストリップライン給電装置におけるマイクロストリップ線路の導体パターン図である。
【図２０】  この発明の参考例４のストリップライン給電装置における図１８のａ−ａ’断面構造を示す断面図である。
【図２１】  この発明の参考例５のストリップライン給電装置を示す断面図である。
【図２２】  この発明の参考例５のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面におけるストリップ導体パターンなどの導体パターン図である。
【図２３】  この発明の参考例５のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面における地導体パターンなどの導体パターン図である。
【図２４】  この発明の実施の形態３のストリップライン給電装置を示す断面図である。
【図２５】  この発明の実施の形態３のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面におけるストリップ導体パターンなどの導体パターン図である。
【図２６】  この発明の実施の形態３のストリップライン給電装置における図２５のａ−ａ’断面構造を示す断面図である。
【図２７】  この発明の参考例６のストリップライン給電装置を示す断面図である。
【図２８】  この発明の参考例６のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面におけるストリップ導体パターンなどの導体パターン図である。
【図２９】  この発明の参考例６のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面における地導体パターンなどの導体パターン図である。
【図３０】  この発明の実施の形態４のストリップライン給電装置を示す断面図である。
【図３１】  この発明の実施の形態４のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面におけるストリップ導体パターンなどの導体パターン図である。
【図３２】  この発明の実施の形態４のストリップライン給電装置における誘電体基板の下側の面における地導体パターンなどの導体パターン図である。
【図３３】  従来のストリップライン給電装置の構成を示す平面図である。
【図３４】  従来のストリップライン給電装置の図３３におけるａ−ａ’断面構造図である。
【図３５】  従来のストリップライン給電装置の図３３におけるｂ−ｂ’断面構造図である。
【符号の説明】
１  ストリップ導体パターン、１ａ  ストリップ導体パターン（第１のストリップ導体パターン）、１ｂ  ストリップ導体パターン（第２のストリップ導体パターン）、３  内導体用スルーホール、４  外導体用スルーホール、５ａ  誘電体基板（第１の誘電体基板）、５ｂ  誘電体基板（第２の誘電体基板）、５ｃ  誘電体基板（第３の誘電体基板）、６ａ  地導体パターン（第１の地導体パターン）、６ｂ  地導体パターン（第２の地導体パターン）、９  コネクタ外導体（同軸コネクタの外導体）、１２，１２ｂ  穴、１４  整合用スルーホール、１５，１９  ランドパターン、１７  地導体パターン短絡用スルーホール（スルーホール）、１８  内導体用スルーホール延長部、３０  高インピーダンス部。
【図１】
0003710652.tif 000002
【図２】
0003710652.tif 000003
【図３】
0003710652.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003710652.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003710652.tif 000011
【図１１】
0003710652.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
0003710652.tif 000015
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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