(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出面に配列された複数の画素の各画素に対応して設けられ入射したＸ線を電荷に変換する電荷変換手段と、
この各電荷変換手段に対応して設けられ前記電荷変換手段により変換された電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、
この各電荷蓄積手段に対応して設けられ前記電荷蓄積手段により蓄積された電荷を読み出す電荷読出手段と、
この各電荷読出手段に対応して設けられ、前記電荷読出手段の入力側に接続され、印加される電圧が所定の電圧以上となった時に前記電荷蓄積手段に蓄積されている電荷を掃き出す掃き出し手段と、
この掃き出し手段により掃き出された電荷を外部に取り出す電荷取出手段と、を備えることを特徴とするＸ線平面検出器。
【請求項２】
前記所定の電圧は、各画素の電荷飽和時の電圧近傍に設定されることを特徴とする請求項１記載のＸ線平面検出器。
【請求項３】
前記電荷取出手段は、ブロック分割された複数画素毎に設けられ、各電荷取出手段は、ブロック分割された複数画素内の各画素に対応する掃き出し手段から掃き出された各々の電荷を加算し、加算された複数画素分の電荷に基づく信号を、飽和Ｘ線入射量以上のＸ線量を入射した画素の有無を示す飽和有無情報として表示装置又はＸ線曝射を制御する制御装置に出力することを特徴とする請求項２に記載のＸ線平面検出器。
【請求項４】
前記掃き出し手段は、所定の電圧以上の電圧が印加された時に電圧降伏を起こす非線形素子であることを特徴とする請求項１記載のＸ線平面検出器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、人体を透過したＸ線像を画像化するＸ線診断装置に用いるＸ線平面検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、Ｘ線撮影検査で主に使用されている撮像系は、例えば、以下のようなものがある。
【０００３】
（１）スクリーン・フィルムシステムによるＸ線撮影検査は、増感紙とＸ線フィルムを組み合わせ、カセッテと呼ばれるケースに保持された状態で、Ｘ線撮影が行われる。
【０００４】
また、Ｘ線撮影時には、散乱線の影響を除去する目的で、高速に振動するＧＲＩＤ（ブッキー）等と併用して用いられることが多い。このカセッテは、厚さ数ｍｍ程度の比較的小型軽量であることから、被検体が身動きできない場合にはベットサイドに、移動型Ｘ線発生器とともに持ち込み、その場でＸ線撮影を行なうこともある。
【０００５】
また、Ｘ線寝台に見られるカセッテレスシステムは、未撮影フィルムと撮影済みフィルムを保管するマガジンとフィルム搬送部とを有する。Ｘ線撮影時には、未撮影フィルムがＸ線グリッドや増感紙が予め配置された所定の位置に搬送され、Ｘ線を受けることで撮影が行われる。
【０００６】
撮影されたフィルムは、自動現像器を用いて、現像処理を行うことでＸ線像として観察できる。
【０００７】
しかし、現状のフィルムにおいては、現像が済むまで、フィルムが露光しないように、また、損傷が生じないようにフィルムの取扱いに注意が必要であり、操作性が悪かった。
【０００８】
また、自動現像器等の専用処理器を必要とし、これらの専用処理器が水や薬品を使用することから設置場所が限定され、画像の即時表示が不可能であった。
【０００９】
（２）次に、コンピューテッド・ラジオグラフィーは、Ｘ線検出器として従来のフィルムを用いる代わりに、輝尽発光体を塗布したプレート（イメージング・プレート）を用いるＸ線撮影方法である。
【００１０】
イメージング・プレートは、フィルムと比較して非常に広いダイナミックレンジを有しており、広い線量範囲で画像を撮影することができる。イメージング・プレートにＸ線を曝射すると、Ｘ線のエネルギーによって電子のエネルギー順位が高められ、Ｘ線強度分布が潜像として記憶される。
【００１１】
後に、レーザーを照射して高い順位の電子を励起すると、この時のエネルギーが光として検出される。この光は、イメージング・プレートに吸収されたＸ線のエネルギーに比例するため、Ｘ線像を電気的に得ることができる。
【００１２】
しかし、現状のイメージング・プレートは、解像度が悪く、ノイズが多い。また、イメージング・プレートは、使用時にキズがついて性能が劣化する。さらに、読み取り装置が高価であった。
【００１３】
（３）さらに、Ｘ線を光に変換するイメージ・インテンシファイア（Ｉ．Ｉ．）とテレビジョン装置を組み合わせ、Ｘ線像を得る方式がある（Ｉ．Ｉ．−ＴＶシステム）。この方式は、イメージ・インテンシファイアのＸ線入力面サイズが撮影可能サイズとなり、大体１６インチ視野程度のものまである。
【００１４】
光に変換されたＸ線像はイメージ・インテンシファイア出力部で一度結像されるが、この出力像を光学系を介して、テレビジョンカメラで撮像し、電気的映像として出力する。この方式では、Ｘ線像をリアルタイムに観察できる。
【００１５】
しかし、この方式では、解像度が悪く、フィルム系と比較して、撮像系が大きい等の短所を持っていた。
【００１６】
近年、前記フィルム−スクリーン系やイメージング・プレートの様な携帯性や、高解像度特性を有し、且つＩ．Ｉ．−ＴＶシステムの持つリアルタイム性を備える次世代Ｘ線撮像装置として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thin film transistor）をスイッチングゲートに用いたＸ線平面検出器が考えられている（以下、Ｘ線平面検出器と呼ぶ）。
【００１７】
Ｘ線平面検出器は、現在、以下の２つの構成が考えられている。第１の構成のＸ線平面検出器は、平板上の検出面にＸ線を光に変換する蛍光体とその光を電荷に変換するフォトダイオードアレイ，電荷を蓄積するコンデンサ，電荷を読み出すＳＷから構成される。
【００１８】
第２の構成のＸ線平面検出器は、平板上の検出面にＸ線を直接電荷に変換する半導体層からなる画素部と、電荷を蓄積するコンデンサからなる電荷蓄積部と、電荷を読み出すため読み出しスイッチ（読み出しＳＷと称する。）とから構成される。
【００１９】
どちらもフィルム同様に等倍像を得る電気的撮像装置であり、従来のＩ．Ｉ．−ＴＶ装置と同様に画像の即時表示性に優れ、電気的画像保管が容易である。更に、構造的に薄型であることから、フィルム−スクリーン系やイメージング・プレートを用いたカセッテに置き換わることも可能である。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記第２の構成のＸ線平面検出器においては、各画素のＸ線入射量に比例して増加する電荷が増加し、電荷蓄積部には高電圧が印加されることがある。この印加された電圧が、Ｘ線曝射中においては、読み出しＳＷの入力側に印加されることになる。
【００２１】
しかし、Ｘ線曝射中に前記印加された電圧が一定電圧を越えると、読み出しＳＷが破壊する可能性があった。
【００２２】
この状況は、特に、必要以上のＸ線が検出器に曝射された場合に起こると考えられる。臨床上では、例えばＸ線管球から出たＸ線が被検体である人体を透過せず、直接、検出器に入射する場合や、誤って長時間のＸ線曝射を行なってしまった場合などに、電荷が増加し、電荷蓄積部に高電圧が印加される。このため、読み出しＳＷの入力側に印加された電圧が一定電圧を越えるため、読み出しＳＷが破壊される。
【００２３】
一方、良好なＸ線画像を得るためには、Ｘ線曝射中の画像情報をリアルタイムにモニタできることが望ましい。その実現手段として、フィルムシステムにおける前面採光型のファイバシンチレータによるＸ線曝射量モニタ、Ｉ．Ｉ．−ＴＶ系における光電子増倍管（ＰＭＴ）等によるＩ．Ｉ．出力光モニタなどが実用化されている。
【００２４】
Ｘ線平面検出器においても、フィルムシステムと同様に前面採光型のファイバシンチレータを組み合わせる等の方法が考えられるが、専用の検出機構を必要とし、検出器全体としてのサイズ増大や高価格の要因となっていた。
【００２５】
本発明の目的は、Ｘ線曝射中に高電圧が読み出しＳＷに印加しうる構造を有するＸ線平面検出器において、読み出しＳＷの破壊を防止する共にサイズを増大することなく、しかも低価格でＸ線曝射状況をモニタすることのできるＸ線平面検出器を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、検出面に配列された複数の画素の各画素に対応して設けられ入射したＸ線を電荷に変換する電荷変換手段と、この各電荷変換手段に対応して設けられ前記電荷変換手段により変換された電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、この各電荷蓄積手段に対応して設けられ前記電荷蓄積手段により蓄積された電荷を読み出す電荷読出手段と、この各電荷読出手段に対応して設けられ、前記電荷読出手段の入力側に接続され、印加される電圧が所定の電圧以上となった時に前記電荷蓄積手段に蓄積されている電荷を掃き出す掃き出し手段と、この掃き出し手段により掃き出された電荷を外部に取り出す電荷取出手段と、を備える。
【００２７】
本発明によれば、印加される電圧が所定の電圧以上となった時に電荷蓄積手段に蓄積されている電荷が掃き出されるとともに、電荷取出手段を介して掃き出された電荷が外部に取り出されるので、電荷蓄積状況をモニタすることができる。例えば、異常量のＸ線曝射の有無をモニタすることができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のＸ線平面検出器の実施の形態を説明する。
【００３８】
＜実施の形態１＞
まず、図１に、本発明のＸ線平面検出器の一例を示す。図１において、Ｘ線平面検出器１０、ゲートドライバ１９、読み出しアンプ２３ａ〜２３ｅ、マルチプレクサ（ＭＵＸ）２５が設けられる。
【００３９】
Ｘ線平面検出器１０の検出面には複数の画素からなる電荷変換手段としての複数の画素部１１が２次元状に配列されている。各画素部１１毎に、電荷蓄積手段としての電荷蓄積部１３、電荷読出手段としてのＴＦＴ１７、掃き出し手段としてのツェナーダイオード１７が設けられている。
【００４０】
図２にＸ線平面検出器の単一の画素の断面図を示す。図２において、前記画像部１１は、基板３１の上部であって、かつ、上部電極３３と下部電極３５との間に設けられ、その画素に入射されたＸ線を電荷に変換する。
【００４１】
ここでは、画素部１１であるＸ線検出半導体として、例えば、アモルファス−セレン（以下、ａ−Ｓｅと称する。）を用いる。ａ−Ｓｅの上部電極３３には高電位が印加され、上部電極３３から下部電極３５に向けて電界Ｅが発生している。Ｘ線曝射によりａ−Ｓｅ内に発生した負電荷は、上部電極３３に集められ、正電荷は下部電極３５に集められる。
【００４２】
下部電極３５には直列に電荷蓄積用の容量からなる前記電荷蓄積部１３が設けられており、ａ−Ｓｅ内で発生した電荷を蓄積する。
【００４３】
下部電極３５を介して電荷蓄積部１３にはＴＦＴ１５が接続される。ＴＦＴ１５は、電荷蓄積部１３により蓄積された電荷を読み出しアンプ２３ａ〜２３ｅに読み出す読み出しＳＷである。
【００４４】
ＴＦＴ１５は、Ｘ線曝射終了後に、ゲートドライバ１９からのゲート制御信号がゲートＧに入力されることによりドレインＤ・ソースＳ間がオンしてスイッチとして動作する。Ｘ線曝射終了後、各画素部１１に蓄積されたＸ線像情報を有する電荷は、ＴＦＴ１５を介して外部の読み出しアンプ２３ａ〜２３ｅに読み出される。
【００４５】
ゲートドライバ１９は、ゲート制御信号を出力する４つの制御線２１ａ〜２１ｄを有し、各制御線２１ａ〜２１ｄは、自己の制御線に対応する行の４つのＴＦＴ１５のゲートＧに接続される。
【００４６】
各読み出しアンプ２３ａ〜２３ｄは、自己の読み出しアンプに対応する列の４つのＴＦＴ１５のソースＳに接続され、対応する列の４つのＴＦＴ１５の電荷を読み出してＭＵＸ２５に出力する。
【００４７】
ＭＵＸ２５は、各読み出しアンプ２３ａ〜２３ｄからのパラレル出力をシリアル出力に変換し、図示しないアナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換器に送る。
【００４８】
各々のツェナーダイオード１７は、ＴＦＴ１５の入力側であるドレインＤに一端であるカソードＣが接続され、ＴＦＴ１５を破壊する電圧未満の所定の電圧で降伏することにより電荷蓄積部１３からＴＦＴ１５のドレインＤに供給された電荷をアースに掃き出す。各々のツェナーダイオード１７は、非線形な抵抗作用を持つ素子であり、ある一定量以上の逆バイアス電圧が印加されると電圧降伏を起こし、電流が流れる特性を持つ。
【００４９】
なお、以上実施の形態１のＸ線平面検出器の構造について説明したが、ツェナーダイオード１７の構成を除くＸ線平面検出器の構造については、例えば「X-ray imaging using amorphous selenium:Feasibility of a flat panel'selfscanned detector for digital radiology,Wei Zhao et,al.,Med.Phys.1995 」に記載されている。
【００５０】
この論文の記載においては、ａ−Ｓｅには数千Ｖの電圧が印加されており、Ｘ線曝射と共にａ−Ｓｅ間の電圧は降下し、逆に、電荷蓄積部１３間の電圧が上昇する。
【００５１】
次に、図３に示す単一の画素の電気的等価回路図を参照して実施の形態１の動作を説明する。この検出器では、Ｘ線曝射中においては、ａ−Ｓｅ内で入射されたＸ線により発生した電荷に対応して、印加電圧３５は、ａ−Ｓｅである画素部１１の画素部容量３７と電荷蓄積部１３の電荷蓄積容量３９とに配分される。
【００５２】
Ｘ線曝射中においては、読み出しＳＷであるＴＦＴ１５はＯＦＦであり、ＴＦＴ１５にはＡ点の電位が印加される。画素側電位−ＴＦＴ１５のゲート側電位間差、または、画素側電位−読み出しアンプ２３ａ側電位間差がＴＦＴ１５に直接負荷として印加される。
【００５３】
そして、Ｘ線曝射終了後には、各画素部１１に蓄積されたＸ線像情報を有する電荷は、ＴＦＴ１５を介して読み出しアンプ２３ａに読み出される。なお、図３では、読み出しアンプ２３ａの反転入力端子と出力端子との間にコンデンサ４１を接続した積分型のアンプとした。
【００５４】
しかし、Ｘ線曝射中に前記電位差がある程度以上（一般的に５０〜１００Ｖ）になると、ＴＦＴ１５は絶縁破壊を起こしてしまう。
【００５５】
このため、検出器の各画素に対し、ＴＦＴ１５に並列に一定電圧で降伏する非線形抵抗素子であるツェナーダイオード１７が配置され、片端が基準電位（例えばＧＮＤ）に設定されている。
【００５６】
また、ツェナーダイオード１７の降伏電圧が、ＴＦＴ１５の破壊電圧より低く設定されているので、その破壊電圧以上の電位がＡ点に発生しても、全てツェナーダイオード１７を介して基準電位側に電流が流れていくことになる。その結果、読み出しＳＷであるＴＦＴ１７は破壊されなくなる。
【００５７】
なお、実施の形態１では、この非線形な抵抗作用を持つ素子としてツェナーダイオード１７を例として説明したが、同様の機能を有するＴＦＴを用いて構成しても良い。
【００５８】
図４に、ＴＦＴを非線形抵抗素子として用いて構成したＸ線平面検出器の単一画素の電気的等価回路を示す。図４に示す例では、前記ツェナーダイオード１７に代えて、ＴＦＴ１５のドレインＤとアース間に、直列に接続された３つのＴＦＴ４３ａ〜４３ｃを設けたことを特徴とする。
【００５９】
この場合、ＴＦＴ４３ａのゲートＧ・ソースＳ間を接続し、ＴＦＴ４３ｂのゲートＧ・ソースＳ間を接続し、ＴＦＴ４３ｃのゲートＧ・ソースＳ間を接続している。
【００６０】
このような構成のＴＦＴ４３ａ〜４３ｃであれば、ゲートＧ・ドレインＤ間のダイオードとなり、ゲートＧに所定の電圧が印加されると、電圧降伏を起こす。すなわち、前記ツェナーダイオード１７と同一の動作を行なうので、ＴＦＴ１７は破壊されなくなる。なお、このような構成のＴＦＴを１つ又は２つ用いても良く、また、ＴＦＴ４３ａのゲートＧ・ソースＳ間の接続に代えて、ＴＦＴ４３ａのゲートＧ・ドレインＤ間を接続しても、同様な効果が得られる。
【００６１】
＜実施の形態２＞
次に、本発明のＸ線平面検出器の実施の形態２を説明する。図５に実施の形態２のＸ線平面検出器の単一の画素の電気的等価回路を示す。実施の形態１では、読み出しＳＷであるＴＦＴ１５の破壊を防止するために、非線形な抵抗作用を持つ素子であるツェナーダイオード１７をＴＦＴ１５と並列に配置した。
【００６２】
実施の形態２では、同様の構成を検出器側に持たせると共に、非線形な抵抗作用を持つ素子の片端からの電荷を読みとるようにしたものである。
【００６３】
図５を用いてその構成を説明する。実施の形態２では、ＴＦＴ１５のドレインＤにカソードが接続されたツェナーダイオード１７ａと、ツェナーダイオード１７ａのアノードに接続された電荷取出手段としての読み出しアンプ４５と、読み出しアンプ４５のの反転入力端子と出力端子との間に設けられたコンデンサ４６を備えたことを特徴とする。
【００６４】
なお、その他の構成は図３に示す実施の形態１の構成と同一であるので、同一部分には同一符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００６５】
ツェナーダイオード１７ａは、所定の電圧で降伏することにより電荷蓄積部１３からＴＦＴ１５のドレインＤに供給された電荷を読み出しアンプ４５に掃き出す。読み出しアンプ４５は、ツェナーダイオード１７ａから掃き出された電荷を外部に取り出す。
【００６６】
ツェナーダイオード１７ａの降伏電圧は、各画素の飽和Ｘ線入射量に相当する電圧に設定され、読み出しアンプ４５は、各画素の飽和Ｘ線入射量を越えるＸ線入射量があった場合に、ツェナーダイオード１７ａの電圧降伏により掃き出された電荷を取り出す。
【００６７】
この場合、画素の飽和Ｘ線入射量は、その画素の飽和電荷量に対応する。従って、ツェナーダイオード１７ａの降伏電圧は、画素の電荷飽和時のＡ点における電圧にほぼ同じに設定される。
【００６８】
このような構成によれば、画素に飽和Ｘ線入射量を越えるＸ線入射があった場合には、Ａ点には画素の電荷飽和時の電圧以上の電圧が発生する。このため、ツェナーダイオード１７ａが降伏し、電荷がツェナーダイオード１７ａから読み出しアンプ４５に読み出される。そして、その出力を外部の表示装置などに表示する。
【００６９】
従って、異常量のＸ線曝射の有無をモニタすることができる。例えば、飽和Ｘ線入射量を越えるＸ線入射量があった場合には、異常量のＸ線曝射がなされたことがわかる。また、検出器としてのダイナミックレンジを損なうことなく、飽和電荷量以上の電荷を発生した画素の有無を検出することができる。
【００７０】
次に、実施の形態２の各非線形な抵抗作用を持つ素子の片端の処理方法の実施例を、ここでは、２つ上げて説明する。
【００７１】
（実施例１）
まず、図６に実施の形態２の各非線形な抵抗作用を持つ素子の片端の処理方法の実施例１の構成図を示す。
【００７２】
図６に示すＸ線平面検出器１０ａを含むＸ線撮影装置において、各画素毎に、ＴＦＴ１５のドレインＤにはツェナーダイオード１７ａのカソードが接続される。全てのツェナーダイオード１７ａのアノードは、１つの読み出しアンプ４５に接続される。
【００７３】
すなわち、各画素のツェナーダイオード１７ａの片端であるアノードを１本にまとめた場合である。
【００７４】
さらに、Ｘ線撮影装置には制御装置４７、Ｘ線発生装置４９、表示ランプ５１が設けられる。制御装置４７は読み出しアンプ４５の出力に基づきＸ線発生装置４９を制御する。Ｘ線発生装置４９は制御装置４７からの制御信号に基づきＸ線量を制御する。表示ランプ５１は、読み出しアンプ４５の出力を表示する。
【００７５】
このような構成によれば、検出器全体において１画素でも、飽和電荷容量を超えたＸ線入射があると、出力をだすことになる。
【００７６】
この出力は、制御装置４７に送られ、Ｘ線発生装置４９は、その出力量に対応してＸ線を遮断する。また、表示ランプ５１に単に飽和領域が存在することを表示しても良い。
【００７７】
（実施例２）
次に、各非線形な抵抗作用を持つ素子の片端の処理方法の実施例２を説明する。図７に実施の形態２の各非線形な抵抗作用を持つ素子の片端の処理方法の実施例２の構成図を示す。
【００７８】
図７に示すＸ線平面検出器１０ａを含むＸ線撮影装置においては、１６画素の検出器全体を、例えば、４つの２×２のブロックＢＫ１，ＢＫ２，ＢＫ３，ＢＫ４に分割し、それぞれのブロックにおける各画素のツェナーダイオード１７ａの片端を１本にまとめたものである。
【００７９】
例えば、ブロックＢＫ１における各画素のツェナーダイオード１７ａのアノードを読み出しアンプ４５−１に共通に接続し、ブロックＢＫ２における各画素のツェナーダイオード１７ａのアノードを読み出しアンプ４５−２に共通に接続する。
【００８０】
ブロックＢＫ３における各画素のツェナーダイオード１７ａのアノードを読み出しアンプ４５−３に共通に接続し、ブロックＢＫ４における各画素のツェナーダイオード１７ａのアノードを読み出しアンプ４５−４に共通に接続する。
【００８１】
読み出しアンプ４５−１〜４５−４の出力は、制御装置４７及び表示ランプ５１に接続される。なお、制御装置４７、Ｘ線発生装置４９、表示ランプ５１の構成は実施例１のそれらと同一構成である。
【００８２】
このような構成によれば、検出器全体のあるブロックにおいて、飽和電荷容量を超えたＸ線入射があると、そのブロックに対応する読み出しアンプが出力を出すことになる。従って、４つのブロックそれぞれについての飽和の有無を知ることができる。
【００８３】
臨床においては、撮影領域によっては関心領域以外の部分にＸ線に対し薄い領域が存在し、関心領域に適正濃度を得るためには、画像の一部が飽和状態になってもやむを得ない場合がある。
【００８４】
前記４本の飽和の有無情報から目的の部分についての信号情報のみを選択して使用し、Ｘ線発生装置４９を制御することにより、より細かい曝射制御が可能となる。
【００８５】
また、４つの出力からハレーション領域を術者に示す情報を作成して、その情報を表示ランプ５１に表示しても良い。さらに、１６画素の分割数も４つに限らず、いくつでも良い。例えば、各画素毎に読み出しアンプを設け、各画素の飽和の有無を知るようにしてもよい。
【００８６】
さらに、前記情報を表示ランプ５１に表示する代わりに、その情報を警報ブザーなどで報知するようにしても良い。
【００８７】
【発明の効果】
本発明によれば、印加される電圧が所定の電圧以上となった時に電荷蓄積手段に蓄積されている電荷が掃き出されるとともに、電荷取出手段を介して掃き出された電荷が外部に取り出されるので、電荷蓄積状況をモニタすることができる。例えば、異常量のＸ線曝射の有無をモニタすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＸ線平面検出器の実施の形態１の構成図である。
【図２】Ｘ線平面検出器の単一の画素の断面図である。
【図３】単一の画素の電気的等価回路を示す図である。
【図４】ＴＦＴを非線形抵抗素子として用いて構成したＸ線平面検出器の単一画素の電気的等価回路を示す図である。
【図５】実施の形態２におけるＸ線平面検出器の単一の画素の電気的等価回路を示す図である。
【図６】実施の形態２の各非線形な抵抗作用を持つ素子の片端の処理方法の実施例１の構成を示す図である。
【図７】実施の形態２の各非線形な抵抗作用を持つ素子の片端の処理方法の実施例２の構成を示す図である。
【符号の説明】
１０，１０ａ  Ｘ線平面検出器
１１  画素部
１３  電荷蓄積部
１５，４３ａ〜４３ｃ  ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１７，１７ａ  ツェナーダイオード
１９  ゲートドライバ
２１ａ〜２１ｄ  制御線
２３ａ〜２３ｅ，４５  読み出しアンプ
２５  ＭＵＸ（マルチプレクサ）
３３  上部電極
３５  下部電極
３７  画素部容量
３９  電荷蓄積容量
４１，４６  コンデンサ
４７  制御装置
４９  Ｘ線発生装置
５１  表示ランプ
【図１】
0003683987.tif 000002
【図２】
0003683987.tif 000003
【図３】
0003683987.tif 000004
【図４】
0003683987.tif 000005
【図５】
0003683987.tif 000006
【図６】
0003683987.tif 000007
【図７】
0003683987.tif 000008