(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路面に形成された複数の電極上にそれぞれ突起電極が設けられた複数のチツプ部品を、それぞれ上記回路面を上方に向けてモールド金型の底部に所定状態に配置して位置決めした状態で、当該モールド金型内に各上記チツプ部品の上記回路面側から、各上記チツプ部品及び各上記突起電極を埋め込むように絶縁材を充填して硬化させる第１の工程と、
上記モールド金型内から上記硬化させた上記絶縁材を取り出して、各上記突起電極をそれぞれ一様な所定高さとするように上記絶縁材の上面を研磨することにより各上記突起電極の上部を露出させる第２の工程と、
各上記突起電極の上記上部を露出させた上記絶縁材の上記上面に、所定の絶縁材からなる絶縁層と、それぞれ対応する各上記突起電極に電気的に接続された所定の導体パターンからなる配線層とを最上層が上記絶縁層となるように所望の層数まで順次交互に積層形成する第３の工程と、
上記積層形成した上記絶縁層及び上記配線層のうち上記最上層となる上記絶縁層の所定の一端側を剥離することにより、当該最上層の上記絶縁層よりも１階層下に位置する上記配線層に設けられた上記導体パターンの端部でなる外部端子を露出させる第４の工程と
を具えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
上記第１の工程は、
上記モールド金型の上記底部に突出して設けられた複数の位置決め部に、各上記チツプ部品の周側面の一端側を当接させる
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
上記第３の工程は、
上記絶縁層上に導電性金属箔を形成し、当該絶縁層上の上記導電性金属箔をフオトプロセスによりパターニングすることにより上記導体パターンからなる上記配線層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
上記第３の工程は、
上記絶縁層の、上記突起電極とそれぞれ対応する所定位置にスルーホールを形成し、当該絶縁層上及び上記スルーホールの内周面上に上記導電性金属箔を形成して当該スルーホールの上記内周面上の上記導電性金属箔でなるビアを形成した後、上記絶縁層上の上記導電性金属箔を上記フオトプロセスによりパターニングすることによりそれぞれ対応する各上記突起電極に上記ビアを介して電気的に接続された上記導体パターンからなる上記配線層を形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【目次】
以下の順序で本発明を説明する。
発明の属する技術分野
従来の技術（図２６）
発明が解決しようとする課題（図２６）
課題を解決するための手段（図１〜図２５）
発明の実施の形態
（１）第１の実施の形態
（１−１）第１の実施の形態によるマルチチツプモジユールの構成（図１）
（１−２）第１の実施の形態によるマルチチツプモジユールの製造手順（図２（Ａ）〜図５）
（１−３）第１の実施の形態による動作及び効果
（２）第２の実施の形態
（２−１）第２の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの構成（図６〜図１０（Ｂ））
（２−２）第２の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの製造手順（図１１（Ａ）〜図１３（Ｂ））
（２−３）第２の実施の形態による動作及び効果
（３）第３の実施の形態
（３−１）第３の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの構成（図１４〜図１７）
（３−２）第３の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの製造手順（図１８（Ａ）〜図２１（Ｂ））
（３−３）第３の実施の形態による動作及び効果
（４）他の実施の形態（図２２〜図２５（Ｂ））
発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の製造方法に関し、例えばマルチチツプモジユール及びその製造方法に適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】
従来、この種の電子部品としては、多層配線基板上に複数のチツプ部品が高密度実装されて全体が小型化されることにより、各チツプ部品間の配線長を比較的短くし、かくして各チツプ部品の高速特性及び高周波特性等を向上させるようにした、いわゆるマルチチツプモジユールがある。
【０００４】
ここで図２６に示すように、通常、マルチチツプモジユール１は、セラミツク基板又は有機基板等からなる絶縁層と、所定の導体パターンからなる配線層とがその厚み方向に順次積層形成されてなる多層配線基板２の一面２Ａに、複数のチツプ部品３がそれぞれ回路面３Ａに形成された複数のパツド（図示せず）と、それぞれ多層配線基板２の対応するランド（図示せず）とがはんだでなる突起電極（以下、これをはんだバンプと呼ぶ）４を介して電気的及び物理的に接続されることにより実装されている。
【０００５】
ところでマルチチツプモジユール１では、多層配線基板２の熱膨張係数が、チツプ部品３の熱膨張係数の２倍以上の値を有することより、当該チツプ部品３の動作等により発熱した場合、多層配線基板２と各チツプ部品３との間の各はんだバンプ４に熱応力が集中して当該はんだバンプ４を破損させることがある。
【０００６】
このためこのマルチチツプモジユール１では、多層配線基板２の一面２Ａと、各チツプ部品３の回路面３Ａとの間の隙間にそれぞれエポキシ樹脂等でなる絶縁材（すなわちアンダーフイル材）５が各はんだバンプ４を埋め込むように充填される。これによりこのマルチチツプモジユール１では、絶縁材５により各はんだバンプ４に生じる熱応力の集中を緩和させ、かくしてはんだバンプ４の破損を防止し得るようになされている。また絶縁材５は、各はんだバンプ４の破損の防止に加えて各チツプ部品３のそれぞれ回路面３Ａを覆うことにより、当該回路面３Ａを外気に含まれる不純物や水分による故障から保護し得るようになされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところでかかる構成のマルチチツプモジユール１においては、近年、多層配線基板２の一面２Ａに各チツプ部品３をさらに高密度に実装するようにして、当該マルチチツプモジユール１をさらに小型化する要望がある。
ところがこのようなマルチチツプモジユール１では、各チツプ部品３間の間隔がある程度以上狭くなると、多層配線基板２の一面２Ａと、各チツプ部品３の回路面３Ａとの間の隙間に絶縁材５を充填し難くなり、当該絶縁材５によつて各はんだバンプ４の破損を防止し難くなると共に、各チツプ部品３の回路面３Ａを保護し難くなる問題が生じる。従つて各チツプ部品３をさらに高密度に実装してマルチチツプモジユール１をさらに小型化した場合には、当該マルチチツプモジユール１の品質及び信頼性が著しく低下する問題があつた。
【０００８】
またこのマルチチツプモジユール１では、多層配線基板２の一面２Ａに実装されるチツプ部品３の数が増加した場合、各チツプ部品３の動作による発熱量も増加して多層配線基板２と、チツプ部品３との熱膨張係数の違いに起因して各はんだバンプ４に集中する熱応力を絶縁材５だけでは緩和させ難くなる。従つてこのような場合には、絶縁材５に加えて各はんだバンプ４の大きさを比較的大きくすることにより、各はんだバンプ４に集中する熱応力を緩和する方法が考えられる。
ところがこのような場合には、はんだバンプ４の大きさに応じて多層配線基板２のランドを大きくする必要があり、多層配線基板２が大きくなる問題があつた。すなわち多層配線基板２が大きくなることにより、マルチチツプモジユール１全体も大型化する問題があつた。
【０００９】
さらにこのマルチチツプモジユール１では、多層配線基板２の一面２Ａに実装される各チツプ部品３のパツド数が比較的多い場合、これに応じて多層配線基板２のランドに電気的に接続される配線の本数も比較的多くなり、当該多層配線基板２の層数を増加させる必要がある。
ところが多層配線基板２は、配線層と共に増加する絶縁層が一層当たり 0.1〔ｍｍ〕程度の厚みを有することにより、当該多層配線基板２がその厚み方向に比較的厚くなる問題があつた。
【００１０】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、電子部品を容易に小型化し得る電子部品の製造方法を提案しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明においては、回路面に形成された複数の電極上にそれぞれ突起電極が設けられた複数のチツプ部品を、それぞれ回路面を上方に向けてモールド金型の底部に所定状態に配置して位置決めした状態で、当該モールド金型内に各チツプ部品の回路面側から、これら各チツプ部品及び各突起電極を埋め込むように絶縁材を充填して硬化させ、次いでモールド金型内から硬化させた絶縁材を取り出して、各突起電極をそれぞれ一様な所定高さとするように絶縁材の上面を研磨することにより各突起電極の上部を露出させ、続いて各突起電極の上部を露出させた絶縁材の上面に、所定の絶縁材からなる絶縁層と、それぞれ対応する各突起電極に電気的に接続された所定の導体パターンからなる配線層とを最上層が絶縁層となるように所望の層数まで順次交互に積層形成し、さらに積層形成した絶縁層及び配線層のうち最上層となる絶縁層の所定の一端側を剥離することにより、当該最上層の絶縁層よりも１階層下に位置する配線層に設けられた導体パターンの端部でなる外部端子を露出させるようにした。
【００１２】
また本発明においては、モールド金型の底部に突出して設けられた複数の位置決め部に、各チツプ部品の周側面の一端側を当接させるようにした。
【００１３】
さらに本発明においては、絶縁層上に導電性金属箔を形成し、当該絶縁層上の導電性金属箔をフオトプロセスによりパターニングすることにより導体パターンからなる配線層を形成するようにした。
【００１５】
従つて本発明では、回路面に形成された複数の電極上にそれぞれ突起電極が設けられた複数のチツプ部品を、それぞれ回路面を上方に向けてモールド金型の底部に所定状態に配置して位置決めした状態で、当該モールド金型内に各チツプ部品の回路面側から、これら各チツプ部品及び各突起電極を埋め込むように絶縁材を充填して硬化させ、次いでモールド金型内から硬化させた絶縁材を取り出して、各突起電極をそれぞれ一様な所定高さとするように絶縁材の上面を研磨することにより各突起電極の上部を露出させ、続いて各突起電極の上部を露出させた絶縁材の上面に、所定の絶縁材からなる絶縁層と、それぞれ対応する各突起電極に電気的に接続された所定の導体パターンからなる配線層とを最上層が絶縁層となるように所望の層数まで順次交互に積層形成し、さらに積層形成した絶縁層及び配線層のうち最上層となる絶縁層の所定の一端側を剥離することにより、当該最上層の絶縁層よりも１階層下に位置する配線層に設けられた導体パターンの端部でなる外部端子を露出させるようにしたことにより、各チツプ部品間の間隔に係わらずにこれら各チツプ部品の回路面及び各突起電極を絶縁材によりほぼ確実に覆い外気に含まれる不純物や水分から保護することができ、その結果、各チツプ部品を格段的に狭い間隔で配置することができる。
【００１６】
また本発明では、モールド金型の底部に突出して設けられた複数の位置決め部に、各チツプ部品の周側面の一端側を当接させるようにしたことにより、各チツプ部品を所定間隔で、かつ所定状態に配置して位置決めすることができる。
【００１７】
さらに本発明では、絶縁層上に導電性金属箔を形成し、当該絶縁層上の導電性金属箔をフオトプロセスによりパターニングすることにより導体パターンからなる配線層を形成するようにしたことにより、導体パターンからなる配線層を比較的高密度に形成することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００２０】
（１）第１の実施の形態
（１−１）第１の実施の形態によるマルチチツプモジユールの構成
図１において、１０は全体として本発明を適用した第１の実施の形態によるマルチチツプモジユールを示し、回路面１１Ａに形成された複数のパツド（図示せず）上にそれぞれはんだバンプ１２が設けられた複数のチツプ部品１１が、その回路面１１Ａを同一方向に向けて所定状態に配置されると共に、各回路面１１Ａを覆い、かつ各はんだバンプ１２の上端部をそれぞれ露出させるようにエポキシ樹脂等でなるモールド材１３により一体に封止され、さらに当該モールド材１３上に、ポリイミド樹脂でなる絶縁層１４と、所定の導体パターンからなる配線層１５とが順次交互に、かつ最上層が絶縁層１４となるように積層形成されてなる配線部１６が設けられて構成されている。
【００２１】
この場合配線部１６では、各はんだバンプ１２にそれぞれ対応する配線層１５、及び各配線層１５間がビア１７を介して導通接続されている。
またこの配線部１６では、各配線層１５のうち、最上層に位置する配線層１５Ａの一端側に、当該一端に沿つて導体パターンの端部でなる複数の外部端子１５Ｂが位置しており、各外部端子１５Ｂを露出させるように当該最上層に位置する配線層１５Ａ上に絶縁層１４が積層形成されている。
【００２２】
これによりマルチチツプモジユール１０では、各外部端子１５Ｂがそれぞれマザーボード（図示せず）の対応する電極に電気的に接続されることにより、各チツプ部品１１がそれぞれ対応するはんだバンプ１２と、配線層１５と、ビア１７と、外部端子１５Ｂとを順次介してマザーボードから信号を入力し、又は信号を出力し得るようになされている。またこれに加えてこのマルチチツプモジユール１０では、各外部端子１５Ｂに検査装置（図示せず）のプローブ（図示せず）を当てることにより、各外部端子１５Ｂにそれぞれ対応する配線層１５及びビア１７の断線の有無や、はんだバンプ１２の破損の有無、さらにはチツプ部品１１の故障の有無等を検査し得るようになされている。
【００２３】
（１−２）マルチチツプモジユールの製造手順
ここで実際上このマルチチツプモジユール１０は、図２（Ａ）〜図５に示す以下の手順により製造することができる。
すなわちまず図２（Ａ）に示すように、各チツプ部品１１のそれぞれ回路面１１Ａに形成された複数のパツド上に、それぞれはんだバンプ１２を形成する。この後各チツプ部品１１をそれぞれ回路面１１Ａが上方を向くようにモールド金型２０の底部２０Ａに所定状態に配置して位置決めする。
この場合モールド金型２０の底部２０Ａには、突出してなる複数の位置決め部２０Ｂが設けられており、各チツプ部品１１の周側面の一端側をそれぞれ位置決め部２０Ｂに当接させることにより、各チツプ部品１１を所定間隔で、かつ所定状態に配置して位置決めし得るようになされている。
【００２４】
次いで図２（Ｂ）に示すように、所定のモールド装置（図示せず）を用いてモールド金型２０内に、各チツプ部品１１と、各はんだバンプ１２とを埋め込むようにエポキシ樹脂等でなるモールド材１３を充填する。なおこの場合モールド材１３を各チツプ部品１１のそれぞれ回路面１１Ａ側からモールド金型２０内に充填することにより、各チツプ部品１１間の間隔に係わらずに当該チツプ部品１１の回路面１１Ａをモールド材１３により確実に覆うことができるようになされている。従つて各チツプ部品１１の間隔を、従来のマルチチツプモジユール１（図９）の各チツプ部品３（図９）間の間隔よりも格段的に狭くし得るようになされている。
【００２５】
この後モールド材１３が充填されたモールド金型２０を、内部が所定温度に保持された所定の加熱炉（図示せず）内に入れて所定時間加熱することにより、当該モールド金型２０内のモールド材１３を硬化させる。
続いて図２（Ｃ）に示すように、モールド金型２０内のモールド材１３が硬化した後、当該モールド金型２０から硬化したモールド材（以下、これをモールドシートと呼ぶ）２１を取り出す。
【００２６】
次いで図２（Ｄ）及び図３に示すように、各はんだバンプ１２の高さがそれぞれ一様に所定高さとなるように、モールドシート２１の上面を所定の研磨機（図示せず）によつて研磨して、各はんだバンプ１２の上部を露出させる。かくして各チツプ部品１１を、回路面１１Ａを覆い、かつ各はんだバンプ１２の上部が露出されるようにモールド材１３によつて一体に封止したモールドシート２１を成形することができる。
【００２７】
続いて図４（Ａ）に示すように、モールドシート２１の研磨面２１Ａ上に、ポリイミド樹脂を滴下又は塗布する。この後スピンコートによつてモールドシート２１の研磨面２１Ａを、ほぼ均一な30〜50〔μｍ〕程度の厚みを有するポリイミド樹脂で覆う。次いでこのモールドシート２１を、内部が所定温度に保持された所定の加熱炉（図示せず）内に入れて所定時間加熱することにより、ポリイミド樹脂を硬化させ、この後当該硬化したポリイミド樹脂の各はんだバンプ１２とそれぞれ対応する所定位置に、所定のフオトプロセスにより所定径を有するスルーホール１７Ａを形成することにより、モールドシート２１の研磨面２１Ａ上にポリイミド樹脂からなる絶縁層１４を形成する。因みに絶縁層１４として用いるポリイミド樹脂は、従来のマルチチツプモジユール１（図９）の多層配線基板２（図９）に用いられる絶縁層（絶縁基板又は有機基板等からなる）に比べて比較的低い熱膨張係数を有する。
【００２８】
続いて図４（Ｂ）に示すように、所定のスパツタ装置（図示せず）を用いて絶縁層１４上、及び各スルーホール１７Ａの内周面上にそれぞれ銅をスパツタリングして、かくして絶縁層１４上に所定の厚みを有する銅箔を積層形成すると共に複数のビア１７を形成する。この後銅箔をフオトプロセスによりパターニングして、絶縁層１４上にそれぞれ対応するビア１７と導通接続された導体パターンからなる配線層１５を形成する。
これにより図５に示すように、各チツプ部品１１の各パツド２２が、それぞれ対応するはんだバンプ１１と、ビア１７とを順次介して対応する配線層１４に導通接続される。
【００２９】
次いで必要に応じて上述した図４（Ａ）及び（Ｂ）を繰り返して、配線層１５上に絶縁層１４と、配線層１５とを順次交互に、かつ最上層が導体パターンの端部でなる複数の外部端子１５Ｂを有する配線層１５Ａとなるように積層形成する。続いて最上層の配線層１５Ａ上に、ポリイミド樹脂を滴下又は塗布し、この後スピンコートによつて当該配線層１５Ａをポリイミド樹脂で覆う。
【００３０】
次いでモールドシート２１を所定の加熱炉（図示せず）内に入れて所定時間加熱することにより、ポリイミド樹脂を硬化させ、かくして最上層の配線層１５Ａ上に絶縁層１４を積層形成する。この後最上層の配線層１５Ａ上に積層形成した絶縁層１４の所定の一端側を、所定のフオトプロセスにより所定幅を有するように剥離する。これにより複数の配線層１５のうち、最上層の配線層１５Ａの各外部端子１５Ｂを露出させ、かくして絶縁層１４と、配線層１５とが順次交互に積層形成されてなる配線部１６をモールドシート２１上に形成してマルチチツプモジユール１０を製造することができる。
【００３１】
（１−３）第１の実施の形態による動作及び効果
以上の構成において、このマルチチツプモジユール１０では、各パツド上にそれぞれはんだバンプ１２を形成した各チツプ部品１１をそれぞれ回路面１１Ａが上方を向くようにモールド金型２０の底部２０Ａに所定間隔で、かつ所定状態に配置して位置決めし（図２（Ａ））、この後モールド金型２０内にモールド材１３を充填して、当該モールド材１３により各チツプ部品１１と、各はんだバンプ１２とを埋め込むようにして一体に封止する（図２（Ｂ））。
【００３２】
次いでモールド金型２０内からモールドシート２１を取り出し（図２（Ｃ））、当該取り出したモールドシート２１の上面を研磨して、各はんだバンプ１２の上部を露出させ（図２（Ｃ）及び図３）、この後モールドシート２１の研磨面２１Ａ上に、所定位置にビアホール１７Ａが形成された絶縁層１４を積層形成する（図４（Ａ））。続いて絶縁層１４上に、それぞれ対応するはんだバンプ１２とビア１７を介して導通接続された導体パターンからなる配線層１５を積層形成すると共に、この後必要に応じて絶縁層１４と、配線層１５とを順次交互に、かつ最上層が絶縁層１４となるように積層形成し、かくしてモールドシート２１上に配線部１６が積層形成されたマルチチツプモジユール１０を製造することができる。
【００３３】
従つてこのマルチチツプモジユール１０の製造手順では、モールド金型２０の底部２０Ａに各チツプ部品１１を所定間隔で、かつ所定状態に配置して位置決めし、当該モールド金型２０内に、各チツプ部品１１の回路面１１Ａ側から、各チツプ部品１１と、各はんだバンプ１２とを埋め込むようにモールド材１３を充填するようにしたことにより、各チツプ部品１１間の間隔に係わらずに、モールド材１３により各チツプ部品１１の回路面１１Ａ及び各はんだバンプ１２をほぼ確実に覆うことができ、かくして各チツプ部品１１を、従来のマルチチツプモジユール１（図９）の各チツプ部品３（図９）間の間隔よりも格段的に狭い間隔で配置することができる。これに加えて各チツプ部品１１の回路面１１Ａを外気に含まれる不純物及び水分からモールド材１３によりほぼ確実に保護することができ、マルチチツプモジユール１０の品質及び信頼性を向上させることができる。
【００３４】
またこのマルチチツプモジユール１０の製造手順では、銅箔から所定のフオトプロセスにより所定の導体パターンからなる配線層１５を形成するようにしたことにより、各配線層１５の導体パターンを線幅及び線間が20〜30〔μｍ〕程度となるように、従来のマルチチツプモジユール１の多層配線基板２（図９）の配線層よりも比較的高密度に形成することができ、かくして配線部１６を小型化することができる。
【００３５】
さらに絶縁層１４の一層当たりの厚みを30〜50〔μｍ〕程度となるように形成するようにしたことにより、当該絶縁層１４の厚みを、従来のマルチチツプモジユール１（図９）の絶縁層の一層当たりの厚みに比べて大幅に薄くすることができる。従つて従来のマルチチツプモジユール１の多層配線基板２と同じ層数でなる配線部１６とを比較すると、当該配線部１６の厚みを大幅に薄くすることができる。
【００３６】
従つてこのような製造手順によつて製造されたマルチチツプモジユール１０は、従来のマルチチツプモジユール１に比べて、各チツプ部品１１間の間隔が格段的に狭く、かつ配線部１６が大幅に薄く、かつ小型化されて形成されていることにより、当該マルチチツプモジユール１０を小型化して、軽量化することができる。従つてこのマルチチツプモジユール１０では、設けられる各チツプ部品３のパツド数が比較的多い場合でも、同様のチツプ部品２が同数設けられた従来のマルチチツプモジユール１に比べて小型化することができる。
【００３７】
またこのマルチチツプモジユール１０では、従来のマルチチツプモジユール１の多層配線基板２に用いられる絶縁基板又は有機基板等でなる絶縁層に比べて、比較的熱膨張係数の低いポリイミド樹脂からなる絶縁層１４を設けるようにしたことにより、従来のマルチチツプモジユール１に設けられるチツプ部品３（図９）の数に比べて、格段的に多い数のチツプ部品１１が設けられた場合でも、各はんだバンプ１２の大きさを大きくせずに各はんだバンプ１２に集中する熱応力をモールド材１３だけで緩和させて、各ばんだバンプ１２の破損を防止することができ、かくしてマルチチツプモジユール１０の品質及び信頼性を向上させることができる。
【００３８】
さらにこのマルチチツプモジユール１０では、配線部１６の上面の一端側に各外部端子１５Ｂを設けるようにしたことにより、各外部端子を介して配線層１５及びビア１７の断線の有無や、はんだバンプ１２の破損の有無、さらにはチツプ部品１１の故障の有無等を容易に検査することができる。
【００３９】
以上の構成によれば、回路面１１Ａの各パツド上にそれぞれはんだバンプ１２が設けられた複数のチツプ部品１１と、それぞれ回路面１１Ａを同一方向に向けて所定状態に配置された各チツプ部品１１を各回路面１１Ａを覆い、かつ各はんだバンプ１２の上端部をそれぞれ露出させるように一体に封止するモールド材１３と、当該モールド材１３上に順次交互に絶縁層１４及び配線層１５が積層形成されてなる配線部１６と、各はんだバンプ１２とそれぞれ対応する配線層１５及びそれぞれ対応する配線層１５間を導通接続するビア１７とを設けるようにしたことにより、各チツプ部品１１のそれぞれ回路面１１Ａ及び各はんだバンプ１２をモールド材１３によりほぼ確実に覆うことができ、かくして容易に小型化し得る電子部品を実現することができる。
【００４０】
また回路面１１Ａの各パツド上にそれぞれはんだバンプ１２が設けられた各チツプ部品１１を、それぞれ回路面１１Ａを同一方向に向けて所定状態に配置して各回路面１１Ａを覆い、かつ各はんだバンプ１２の上端部をそれぞれ露出させるようにモールド材１３により一体に封止し、次いで当該モールド材１３上に絶縁層１４と、それぞれ対応する各はんだバンプ１２とビア１７を介して導通接続された配線層１５とをその厚み方向に所望の層数となるように交互に積層形成するようにしたことにより、各チツプ部品１１間の間隔を格段的に狭くすることができると共に、配線部１６を大幅に薄く形成することができ、かくして電子部品を容易に小型化して製造することができる電子部品の製造方法を実現することができる。
【００４１】
（２）第２の実施の形態
（２−１）第２の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの構成
図６は、第２の実施の形態による多層マルチチツプモジユール３０を示し、複数のマルチチツプモジユール３１〜３３がその厚み方向に接着剤３４を介して順次積層形成され、周側面３０Ａに各マルチチツプモジユール３１〜３３間を電気的に接続するように所定パターンの配線ライン（図示せず）と、当該配線ラインを保護する保護膜３５とが形成されていると共に、最上層に位置するマルチチツプモジユール３１（以下、これを第１のマルチチツプモジユールと呼ぶ）の上面３１Ａにおいて当該周側面３０Ａと対向する側の一端に複数の外部端子３６が設けられて構成されている。
【００４２】
実際上図１との対応部分に同一符号を付した図７に示すように、第１のマルチチツプモジユール３１においては、複数のチツプ部品１１がそれぞれ回路面１１Ａと対向する裏面１１Ｂを接着剤３７を介して所定の金属でなるベース基板３８の一面３８Ａに接続された状態でモールド材１３によつて一体に封止されている。また外部端子３６が設けられた一端と対向する側の周側面３１Ａに配線部１６の所定の導体パターンの端部が露出されている。
【００４３】
図１との対応部分に同一符号を付した図８に示すように、第１のマルチチツプモジユール３１の下側に位置するマルチチツプモジユール（以下、これを第２のマルチチツプモジユールと呼ぶ）３２及び３３においては、配線部３９の最上層に位置する絶縁層４０がそのすぐ下に位置する配線層１５を全面に亘つて覆うように形成されていると共に、１つの周側面３２及び３３Ａに当該配線部３９の所定の導体パターンの端部が露出されている。これに加えて第２のマルチチツプモジユール３２及び３３においては、上述した第１のマルチチツプモジユール３１の場合と同様に各チツプ部品１１がそれぞれ裏面１１Ｂを接着剤３７を介してベース基板３８の一面３８Ａに接続された状態でモールド材１３によつて一体に封止されている。
【００４４】
さらに図９に示すように、多層マルチチツプモジユール３０においては、第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３が導体パターン１５Ｄの端部が露出された周側面３１Ａ〜３３Ａ（周側面３０Ａ）を同一方向に向けて積層配置されてなる。
これにより図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、周側面３０Ａ上には、対応する導体パターンの端部同士をそれぞれ導通接続するように所定パターンに配線ライン４１が形成されている（図１０（Ａ））と共に、当該配線ライン４１を保護する保護膜３５が形成されている（図１０（Ｂ））。
【００４５】
かくして多層マルチチツプモジユール３０においては、各外部端子３６が例えばマザーボード（図示せず）のそれぞれ対応する電極に電気的に接続されて搭載されたときに、当該マザーボードの各電極と、周側面３０Ａ上の配線ライン４１とが比較的離れて位置し、かくしてマザーボードの各電極と、配線ライン４１とがシヨートすることを防止し得るようになされている。
【００４６】
（２−２）第２の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの製造手順
ここで実際上この多層マルチチツプモジユール３０は、図２及び図４との対応部分に同一符号を付した図１１（Ａ）〜図１３（Ｂ）に示す以下の手順により製造することができる。
【００４７】
すなわちまず図１１（Ａ）に示すように、複数のチツプ部品１１を裏面１１Ｂを接着剤３７を介してベース基板３８の一面３８Ａに接合するようにして所定状態に配置する。次いで図１１（Ｂ）に示すように、各チツプ部品１１の回路面１１Ａが上方を向くようにベース基板３８をモールド金型４３の底部４３Ａに配置して位置決めする。
【００４８】
続いて図１１（Ｃ）に示すように、所定のモールド装置（図示せず）を用いてモールド金型４３内にモールド材１３を充填し、この後加熱炉（図示せず）等を用いて当該充填したモールド材１３を加熱して硬化させる。
【００４９】
次いで図１１（Ｄ）に示すように、モールド金型４３からモールドシート４４を取り出し、この後図１２（Ａ）に示すように、モールドシート４４の上面を所定の研磨機（図示せず）を用いて研磨して各はんだバンプ１２の上部を露出させる。
【００５０】
続いて図１２（Ｂ）に示すように、スピンコート法等の手法によつてモールドシート４４の研磨面４４Ａ上にポリイミド樹脂を被膜形成し、これをフオトプロセス等の手法によつてパターニングすることにより絶縁層１４を形成する。次いで所定のスパツタ装置（図示せず）を用いて絶縁層１４上に銅をスパツタリングし、得られた銅箔をフオトプロセス等の手法によつてパターニングすることにより当該絶縁層１４上に配線層１５を形成し、この後同様にして当該配線層１５上に絶縁層１４と配線層１５とを絶縁層４０が最上層となるように順次交互に積層形成し、かくして所定の周側面３２Ａ及び３３Ａに導体パターンの端部を露出させた第２のマルチチツプモジユール３２及び３３を製造することができる。
【００５１】
また図１２（Ｃ）に示すように、フオトプロセス等の手法によつて配線部３９の最上層に位置する絶縁層４０において周側面３１Ａと対向する側の一端を剥離することにより当該配線部３９に各外部端子３６を露出させ、かくして第１のマルチチツプモジユール３１を製造することができる。
【００５２】
次いで図１３（Ａ）に示すように、第１のマルチチツプモジユール３１を最上層に位置させ、かつ周側面３１Ａ〜３３Ａを同一方向を向くようにして第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３をその厚み方向に接着剤３４を介して順次積層形成し、この後周側面３１Ａ〜３３Ａに所定のスパツタ装置（図示せず）を用いて銅をスパツタリングし、得られた銅箔をフオトプロセス等の手法によつてパターニングすることにより配線ライン４１を形成し、かくして導体パターンの対応する端部同士を配線ライン４１を介して導通接続する。
【００５３】
続いて図１３（Ｂ）に示すように、配線ライン４１が形成された周側面３１Ａ〜３３Ａ上にスクリーン印刷法等の手法によつて保護膜３５を形成し、かくして第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３が積層形成されてなる多層マルチチツプモジユール３０を製造することができる。
【００５４】
（２−３）第２の実施の形態による動作及び効果
以上の構成において、各チツプ部品１１をベース基板３８の一面３８Ａに所定状態に配置した状態でモールド金型４３の底部４３Ａに配置し、モールド材１３によつて一体に封止する（図１１（Ａ）〜（Ｃ））。この後このようにして得られたモールドシート４４の上面を研磨して各はんだバンプ１２を露出させ、当該モールドシート４４の研磨面４４Ａ上に配線部１６又は３９を形成し、かくして第１及び第２のマルチチツプモジユール３２及び３３を製造する（図１２（Ａ）〜（Ｃ））。
【００５５】
次いで第１及び第２のマルチチツプモジユール３１を周側面３１Ａ〜３３Ａを同一方向に向け、かつ第１のマルチチツプモジユール３１を最上層に位置させるように接着剤３４を介して順次積層形成し、この後周側面３１Ａ〜３３Ａに配線ライン４１及び保護膜３５を順次形成し、かくして第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３間を電気的に接続して多層マルチチツプモジユール３０を製造する（図１３（Ａ）及び（Ｂ））。
【００５６】
従つてこの製造手順では、上述した第１の実施の形態によるマルチチツプモジユール１０（図１）とほぼ同じ大きさでなる第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３を製造し、当該製造した第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３から多層マルチチツプモジユール３０を製造することができる。なおこの製造手順では、多層マルチチツプモジユール３０の周側面３０Ａ上に形成した配線ライン４１を介して第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３間を電気的に接続するようにしたことにより、当該多層マルチチツプモジユール３０の大きさを第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３を単に積層形成してなる大きさとほぼ同じ大きさに製造することができる。
【００５７】
すなわち、第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３間を比較的短い配線ライン４１で電気的に接続することができることにより、製造された多層マルチチツプモジユール３０の動作時に高速特性及び高周波特性の劣化を防止することができる。
【００５８】
またこのような製造手順によつて製造された多層マルチチツプモジユール３０においては、第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３のそれぞれ裏面にベース基板３８を設けることにより、当該ベース基板３８によつて動作時に第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３間でクロストークノイズが発生することを防止することができる。また最下層に位置する第２のマルチチツプモジユール３３がベース基板３８を介して内部で発生した熱を放熱することができる。従つてこの多層マルチチツプモジユール３０においては、動作時においても比較的高い品質を維持し、比較的高い信頼性を得ることができる。
【００５９】
さらにこの多層マルチチツプモジユール３０においては、外部端子３６と、第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３間を電気的に接続する配線ライン４１とを比較的離して位置させることにより、外部端子３６を介して例えばマザーボードに接続されたときに当該外部端子３６と配線ライン４１とが短絡することを防止することができる。
【００６０】
以上の構成によれば、各パツド上にそれぞれはんだバンプ１２が設けられた各チツプ部品１１を、それぞれ回路面１１Ａを同一方向に向けて所定状態に配置して各はんだバンプ１２の上端部を露出させるようにモールド材１３によつて一体に封止し、当該モールドシート材１３上に絶縁層１４及び４０と、各はんだバンプ１２に導通接続された配線層１５とを順次交互に積層形成して第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３を製造し、この後第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３をその厚み方向に順次積層形成し、周側面３０Ａ上に配線ライン４１を形成するようにしたことにより、第１及び第２のマルチチツプモジユール３１〜３３を単に積層形成してなる大きさとほぼ同じ大きさの多層マルチチツプモジユール３０を製造することができ、かくして容易に小型化し得る電子部品及び電子部品の製造方法を実現することができる。
【００６１】
（３）第３の実施の形態
（３−１）第３の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの構成
図１４は、第３の実施の形態による多層マルチチツプモジユール５０を示し、箱状でなるキヤビテイ５１内に、複数のマルチチツプモジユール５２〜５４がその厚み方向に積層配置され、かつ当該キヤビテイ５１上にねじ５５で取り付けられた平板でなる蓋部５６によつて所定圧力で加圧されて収納されていると共に、当該キヤビテイ５１の周側面５１Ａの下端部に突出するように設けられた平板部５１Ｂの一面５１Ｃに複数の外部端子５７が設けられて構成されている。
【００６２】
この場合図１との対応部分に同一符号を付した図１５に示すように、マルチチツプモジユール５２〜５４においては、複数のチツプ部品１１がその裏面１１Ｂをベース基板６０の一面６０Ａに接着材６１を介して所定状態に接続されて配置され、かつ一面６３Ａ及び裏面６３Ｂにはんだバンプ６４が設けられてなるチツプ部品型電極６３が各チツプ部品１１の周囲に所定状態に配置された状態で、各チツプ部品１１及びチツプ部品型電極６３がベース基板６０の裏面６０Ｂ及びチツプ部品型電極６３の裏面６３Ｂのはんだバンプ６４の先端部を露出させるようにモールド材１３によつて一体に封止されている。
【００６３】
またマルチチツプモジユール５２〜５４においては、配線部６５の最上層に位置する絶縁層６６において、各チツプ部品型電極６３の配置位置と対向する部分が剥離され、当該剥離された部分から配線層１５の所定の導体パターンの端部が端子６８として露出されており、この露出された端子６８と、対応するチツプ部品型電極６３の一面６３Ａのはんだバンプ６４とが配線層１５の導体パターンと、ビア１７とを順次介して導通接続されている。
【００６４】
なお図１６に示すように、チツプ部品型電極６３は、絶縁基板等でなる基材６３Ｃ内に形成されたビア６７を介して一面６３Ａのはんだバンプ６４と、裏面６３Ｂの対応するはんだバンプ６４とが導通接続されている。
【００６５】
従つて図１７に示すように、この多層マルチチツプモジユール５０においては、キヤビテイ５１内の底面５１Ｄにマルチチツプモジユール５４の裏面５４Ｂに露出されたはんだバンプ６４と対向させて外部端子５７と導通接続された信号入出力用の端子（図示せず）が設けられており、当該底面５１Ｄと、マルチチツプモジユール５４の裏面５４Ｂの一端側及び他端側とそれぞれ対向する位置に例えばゴムシートに複数の導電性金属細線が高密度に埋設されてなる異方性導電シート７０を挟み込むと共に、各マルチチツプモジユール５２〜５４の一端側及び他端側同士の間に異方性導電シート７０を挟み込み、このような状態のもとに各マルチチツプモジユール５２〜５４を加圧することにより、当該異方性導電シート７０を介して対応する端子６８とはんだバンプ６４とを導通接続し得るようになされている。因みに各マルチチツプモジユール５２〜５４に付加する圧力は、キヤビテイ５１上に蓋部５６を取り付けるねじ５５の締め込み量によつて調整し得るようになされている。
【００６６】
（３−２）第３の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの製造手順
ここで実際上この多層マルチチツプモジユール５０は、図２及び図４との対応部分に同一符号を付した図１８（Ａ）〜図２１（Ｂ）に示す以下の手順により製造することができる。
【００６７】
すなわちまず図１８（Ａ）に示すように、各チツプ部品１１をその裏面１１Ｂを接着剤６１を介してベース基板６０の一面６０Ａに接合して所定状態に配置する。なお図１９に示すように、このとき絶縁材でなる基材６３Ｃの一面６３Ａにフオトプロセス等の手法によつてパターニングして所定間隔に貫通孔を穿設すると共に、当該穿設した貫通孔を導電性金属で埋めるようにしてビアを形成する。この後基材６３Ｃの一面６３Ａ及び裏面６３Ｂにおいて露出されたビアの端部にはんだバンプ６４を形成し、かくしてチツプ部品型電極６３を形成する。
【００６８】
次いで図１８（Ｂ）に示すように、チツプ部品１１の回路面１１Ａが上方を向くようにベース基板６０をモールド金型７２の底部７２Ａに配置して位置決めすると共に、チツプ部品型電極６３を一面６３Ａを上方に向けてベース基板６０の周囲に配置して位置決めする。
【００６９】
続いて図１８（Ｃ）に示すように、所定のモールド装置（図示せず）を用いてモールド金型７２内にモールド材１３を充填し、この後加熱炉（図示せず）等で当該充填したモールド材１３を加熱して硬化させる。
【００７０】
次いで図１９（Ａ）に示すように、モールド金型７２からモールドシート７３を取り出し、この後図１９（Ｂ）に示すように、モールドシート７３の上面を所定の研磨機（図示せず）によつて研磨して各はんだバンプ１２及び６４の上部を露出させる。
【００７１】
続いて図１９（Ｃ）に示すように、スピンコート法等によつてモールドシート７３の研磨面７３Ａ上にポリイミド樹脂を被膜形成すると共に、フオトプロセス等の手法によつて絶縁層１４を形成する。次いで所定のスパツタ装置（図示せず）を用いて絶縁層１４上に銅をスパツタリングし、得られた銅箔をフオトプロセス等の手法によつてパターニングすることにより当該絶縁層１４上に配線層１５を形成する。この後上述と同様にして配線層１５上に絶縁層１４と配線層１５とを絶縁層１４が最上層となるように順次交互に積層形成し、当該最上層に形成した絶縁層１４をフオトプロセスの手法によつてパターニングすることにより複数の端子６８を露出させ、かくしてマルチチツプモジユール５２〜５４を製造することができる。
【００７２】
ここで図２１（Ａ）に示すように、グリーンシート法等によつてキヤビテイ５１を製作する。次いで図２１（Ｂ）に示すように、当該製作したキヤビテイ５１内に各マルチチツプモジユール５２〜５４をその厚み方向に異方性導電シート７０を介して順次積層配置するようにして収納し、この後各マルチチツプモジユール５２〜５４を所定圧力で加圧するようにキヤビテイ５１上にねじ５５で蓋部５６を取り付け、かくして多層マルチチツプモジユール５０を製造することができる。
【００７３】
（３−３）第３の実施の形態による動作及び効果
以上の構成において、この多層マルチチツプモジユール５０では、各パツド上にそれぞれはんだバンプ１２が形成された各チツプ部品１１をその裏面１１１Ｂをベース基板６０の一面６０Ａに接続するようにして所定状態に配置し（図１８（Ａ））、この後各チツプ部品１１が配置されたベース基板６０とチツプ部品型電極６３とをモールド金型７２の底部７２Ａに配置して位置決めしてモールド材１３によつて一体に封止する。（図１８（Ａ）〜（Ｃ））。
【００７４】
次いでこのようにして形成されたモールドシート７３の上面を研磨して各はんだバンプ１２及び６４を露出させ、この後研磨によつて得られた研磨面７３Ａ上に配線部６５を形成し、かくして各マルチチツプモジユール５２〜５４を製造する（図１９（Ａ）〜（Ｂ））。続いてキヤビテイ５１内に各マルチチツプモジユール５２〜５４をその厚み方向に異方性導電シート７０を介して順次積層配置するようにして収納し、当該キヤビテイ５１上に蓋部５６を取りつけることにより多層マルチチツプモジユール５０を製造する（図２１（Ａ）及び（Ｂ））。
【００７５】
従つてこの製造手順においては、各マルチチツプモジユール５２〜５４を配線部６５上に端子を露出させ、かつ内部にチツプ部品型電極６３を設け、キヤビテイ５１内に順次異方性導電シート７０を介して積層配置するように収納したことにより、各マルチチツプモジユール５２〜５４間を電気的に容易に接続することができる。また多層マルチチツプモジユール５０を、各マルチチツプモジユール５２〜５５を単に積層配置させた大きさと比較的近い大きさにして製造することができる。
【００７６】
またこのような製造手順によつて製造されて得られた多層マルチチツプモジユール５０においては、各マルチチツプモジユール５２〜５４をキヤビテイ５１によつて外部から機械的に保護することができる。
【００７７】
以上の構成によれば、各パツド上にそれぞれはんだバンプ１２が形成されたチツプ部品１１とチツプ部品型電極６３とを、回路面１１Ａと一面６３Ａとを同一方向に向けて所定状態に配置して各はんだバンプ１２及び６４の上端部を露出させるようにモールド材１３によつて一体に封止し、当該各チツプ部品１１を封止した複数のモールド材１３上にそれぞれ絶縁層６６と、配線層１５とをその厚み方向に所定の層数となるように順次交互に積層形成してマルチチツプモジユール５２〜５４を製造し、各マルチチツプモジユール５２〜５４をキヤビテイ５１内に異方性導電シート７０を介して順次積層配置するように収納するようにしたことにより、各マルチチツプモジユール５２〜５４間を積層配置するだけで容易に導通接続して当該各マルチチツプモジユール５２〜５４を単に積層配置した大きさと比較的近い大きさの多層マルチチツプモジユール５０を製造することができ、かくして容易に小型化し得る電子部品及び電子部品の製造方法を実現することができる。
【００７８】
（４）他の実施の形態
なお上述の第１〜第３の実施の形態においては、各チツプ部品１１の回路面１１Ａに形成された各パツド上にそれぞれはんだバンプ１２を形成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、はんだバンプ１２に代えて、例えば図５との対応部分に同一符号を付した図２２に示すように、各パツド２２上にそれぞれ金でなる突起電極８０を設けるようにしても良い。
【００７９】
また上述の第１の実施の形態においては、本発明を一層でなるマルチチツプモジユール１０に適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、複数のマルチチツプモジユール１０からなる多層マルチチツプモジユールに適用するようにしても良い。
【００８０】
この場合例えば図１との対応部分に同一符号を付した図２３に示すように、多層マルチチツプモジユール８１においては、僅かに異なる大きさに製造された各マルチチツプモジユール１０Ａ〜１０Ｃを外部端子１５Ｂが設けられた一端側が階段状となり、それぞれ外部端子１５Ｂを露出させるようにエポキシ系等の接着剤を介して順次積層配置する。これに加えて図２４に示すように、各マルチチツプモジユール１０Ａ〜１０Ｃの各外部端子１５Ｂは、それぞれ対応するもの同士を、例えばワイヤーボンデイングにより導通接続するようにしても良い。このようにすれば複数のマルチチツプモジユール１０Ａ〜１０Ｃを容易に積層配置することができる。
【００８１】
さらに上述の第２の実施の形態においては、多層マルチチツプモジユール３０の周側面３０Ａ上にスパツタリング及びフオトプロセスの手法によつて配線ライン４１を形成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば周側面３０Ａ上に導電性金属をスパツタリングし、この後レーザカツテイング法等によつて配線ライン４１を形成するようにしても良い。
【００８２】
さらに上述の第１〜第３の実施の形態においては、各チツプ部品１１をモールド金型２０、４３及び７２の底部２０Ａ、４３Ａ及び７２Ａに配置してモールド材１３を充填するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、トランスフアモールドの手法によつて各チツプ部品１１を一体に封止するようにしても良い。
【００８３】
さらに上述の第１〜第３の実施の形態においては、モールドシート２１、４４及び７３の研磨面２１Ａ、４４Ａ及び７３Ａ上及び配線層１５上にスピンコートによつて絶縁層１４を形成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、モールドシート２１、４４及び７３の研磨面２１Ａ、４４Ａ及び７３Ａ上及び配線層１５上に印刷法の手法により絶縁層１４を形成するようにしても良い。
【００８４】
さらに上述の第１〜第３の実施の形態においては、配線層１５の導体パターンを銅箔から形成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、導体パターンをアルミニウム箔等のようにこの他種々の導電性金属箔から形成するようにしても良い。
【００８５】
さらに上述の第１〜第３の実施の形態においては、それぞれ回路面を同一方向に向けて所定状態に配置された各チツプ部品１１を、各回路面１１Ａを覆い、かつ各突起電極１２をそれぞれ露出させるように一体に封止する絶縁材として、エポキシ樹脂でなるモールド材１３を適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、それぞれ回路面を同一方向に向けて所定状態に配置された各チツプ部品１１を、各回路面１１Ａを覆い、かつ各突起電極１２をそれぞれ露出させるように一体に封止することができれば、その他の樹脂材等のようにこの他種々の絶縁材を適用するようにしても良い。
【００８６】
さらに上述の第１〜第３の実施の形態においては、各突起電極とそれぞれ対応する配線層及びそれぞれ対応する配線層間を導通接続する導通接続手段として、スルーホール１７Ａの内周面上に銅箔が形成されてなるビア１７を適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、スルーホール１７Ａの内周面上にアルミニウム箔が形成されてなるビアや、当該スルーホール１７Ａを埋め込むようにした銀等の導電材等のようにこの種々の導通接続手段を適用するようにしても良い。
【００８７】
さらに上述の第１〜第３の実施の形態においては、各チツプ部品と、絶縁材と、絶縁層及び配線層と、導通接続手段とからなる電子部品を積層配置させて接続す接続手段として、機械的に接続する接着剤３４及びねじ５５で蓋部５６が取り付けられたキヤビテイ５１を適用し、電気的に接続する配線ライン４１、保護膜３５、異方性導電シート７０を適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば例えば図２５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、多層マルチチツプモジユール８５にレーザ等でスルーホールを穿設し、当該穿設したスルーホール内に導電性接着剤を埋め込み、又は当該スルーホールの内周面に導電性金属を鍍金するようにして形成されたビア又はビアホール８６を適用するようにしても良い。なおこのようにして各マルチチツプモジユール８５Ａ〜８５Ｃ間を電気的に接続した場合、ビア又はスルーホール８６を外部端子８７が設けられた一端側と対向する他端側に形成することにより、多層マルチチツプモジユール８５を例えばマザーボード（図示せず）に搭載するときに当該ビア又はスルーホール８６と外部端子８７及び又は当該マザーボードの複数の電極とが短絡することを防止し得る。
【００８８】
さらに上述の第１〜第３の実施の形態においては、本発明の電子部品をマルチチツプモジユール１０に適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、複数の種々のチツプ部品が設けられたこの他の種々の電子部品に適用するようにしても良い。
【００８９】
【発明の効果】
上述のように本発明によれば、回路面に形成された複数の電極上にそれぞれ突起電極が設けられた複数のチツプ部品を、それぞれ回路面を上方に向けてモールド金型の底部に所定状態に配置して位置決めした状態で、当該モールド金型内に各チツプ部品の回路面側から、これら各チツプ部品及び各突起電極を埋め込むように絶縁材を充填して硬化させ、次いでモールド金型内から硬化させた絶縁材を取り出して、各突起電極をそれぞれ一様な所定高さとするように絶縁材の上面を研磨することにより各突起電極の上部を露出させ、続いて各突起電極の上部を露出させた絶縁材の上面に、所定の絶縁材からなる絶縁層と、それぞれ対応する各突起電極に電気的に接続された所定の導体パターンからなる配線層とを最上層が絶縁層となるように所望の層数まで順次交互に積層形成し、さらに積層形成した絶縁層及び配線層のうち最上層となる絶縁層の所定の一端側を剥離することにより、当該最上層の絶縁層よりも１階層下に位置する配線層に設けられた導体パターンの端部でなる外部端子を露出させるようにしたことにより、各チツプ部品間の間隔に係わらずにこれら各チツプ部品の回路面及び各突起電極を絶縁材によりほぼ確実に覆い外気に含まれる不純物や水分から保護することができるので、各チツプ部品を格段的に狭い間隔で配置することができ、かくして電子部品を容易に小型化し得る当該電子部品の製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマルチチツプモジユールの構成の第１の実施の形態を示す略線的断面図である。
【図２】第１の実施の形態によるマルチチツプモジユールのモールドシートの製造手順を示す略線的断面図である。
【図３】上面が研磨されたモールドシートの説明に供する略線的斜視図である。
【図４】第１の実施の形態によるマルチチツプモジユールの配線部の製造手順を示す略線的断面図である。
【図５】マルチチツプモジユールに設けられたチツプ部品の説明に供する略線的断面図である。
【図６】第２の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの構成を示す略線的断面図である。
【図７】第２の実施の形態による第１のマルチチツプモジユールの構成を示す略線的断面図である。
【図８】第２の実施の形態による第２のマルチチツプモジユールの構成を示す略線的断面図である。
【図９】多層マルチチツプモジユールの周側面の説明に供する略線図である。
【図１０】第１及び第２のマルチチツプモジユール間が電気的に接続された周側面の説明に供する略線図である。
【図１１】第１及び第２のマルチチツプモジユールの製造手順を示す略線的断面図である。
【図１２】第１及び第２のマルチチツプモジユールの製造手順を示す略線的断面図である。
【図１３】多層マルチチツプモジユールの製造手順を示す略線的断面図である。
【図１４】第３の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの構成を示す略線的斜視図である。
【図１５】第３の実施の形態によるマルチチツプモジユールの構成を示す略線的断面図である。
【図１６】チツプ部品型電極の構成を示す略線的断面図である。
【図１７】多層マルチチツプモジユールの内部の構成を示す略線的断面図てある。
【図１８】チツプ部品型電極の説明に供する略線的斜視図である。
【図１９】マルチチツプモジユールの製造手順を示す略線的断面図である。
【図２０】マルチチツプモジユールの製造手順を示す略線的断面図である。
【図２１】キヤビテイ及び多層マルチチツプモジユールの製造の説明に供する略線的断面図である。
【図２２】他の実施の形態によるチツプ部品の各パツド上にそれぞれ形成された突起電極を示す略線的断面図である。
【図２３】他の実施の形態によるマルチチツプモジユールの構成を示す略線的断面図である。
【図２４】他の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの外部端子の説明に供する略線的斜視図である。
【図２５】他の実施の形態による多層マルチチツプモジユールの構成を示す略線図てある。
【図２６】従来のマルチチツプモジユールの構成を示す略線的断面図である。
【符号の説明】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、５２、５３、５４……マルチチツプモジユール、１１……チツプ部品、１１Ａ……回路面、１２……はんだバンプ、１３……モールド材、１４、４０、６６……絶縁層、１５……配線層、１５Ｂ、３６、５７……外部端子、１７……ビア、３０、５０、８１、８５……多層マルチチツプモジユール、３１……第１のマルチチツプモジユール、３２、３３……第２のマルチチツプモジユール、４１……配線ライン、５１……キヤビテイ、６３……チツプ部品型電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１６】
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【図１５】
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【図１７】
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【図１９】
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【図１８】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２４】
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【図２３】
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【図２５】
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【図２６】
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