(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の信号源から、各複数の信号源ごとに設けられたスイッチ手段を介して順次信号電荷を共通線に転送し、該共通線に転送された信号電荷を電圧に変換して出力する電荷電圧変換手段を通して信号を転送する信号転送方法において、
前記電荷電圧変換手段は、非反転入力端子に基準電圧源が接続され、反転入力端子に前記共通線に接続される、差動増幅器であり、
前記信号源は、光電変換素子と該光電変換素子からの信号を蓄積する容量とを含み、又は複数の光電変換素子と該複数の光電変換素子から順次転送される信号を蓄積する容量とを含み、
信号電荷を前記共通線に転送する場合に、前記共通線の信号レベルに基づいて、前記共通線につながる寄生容量の両端子間の電圧の変動をなくす又は減少されるように制御することを特徴とする信号転送方法。
【請求項２】
請求項１に記載の信号転送方法において、前記スイッチ手段は絶縁ゲート型トランジスタであって、該絶縁ゲート型トランジスタのバックゲートの電位を前記信号レベルに基づいて制御することで、該絶縁ゲート型トランジスタの寄生容量の両端子間の電圧の変動をなくす又は減少されるように制御することを特徴とする信号転送方法。
【請求項３】
請求項１に記載の信号転送方法において、前記スイッチ手段は絶縁ゲート型トランジスタであって、前記共通線に信号が転送されている以外の前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極の電位を前記信号レベルに基づいて制御することで、該絶縁ゲート型トランジスタの寄生容量の両端子間の電圧の変動をなくす又は減少されるように制御することを特徴とする信号転送方法。
【請求項４】
請求項１に記載の信号転送方法において、前記スイッチ手段は絶縁ゲート型トランジスタであって、該絶縁ゲート型トランジスタのバックゲートの電位と前記共通線に信号が転送されている以外の前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極の電位とを前記信号レベルに基づいて制御することで、該絶縁ゲート型トランジスタの寄生容量の両端子間の電圧の変動をなくす又は減少されるように制御することを特徴とする信号転送方法。
【請求項５】
複数の信号源と、各複数の信号源ごとに設けられた絶縁ゲート型トランジスタからなるスイッチ手段と、各スイッチ手段を介して順次、前記複数の信号源からの信号電荷が転送される共通線と、該共通線に転送された信号電荷を電圧に変換して出力する、前記共通線に接続された電荷電圧変換手段と、該共通線の転送信号電圧に直流オフセット電圧を加えた電圧を前記絶縁ゲート型トランジスタのバックゲートに入力する入力手段とを有し、
前記電荷電圧変換手段は、非反転入力端子に基準電圧源が接続され、反転入力端子に前記共通線に接続される、差動増幅器であり、
前記信号源は、光電変換素子と該光電変換素子からの信号を蓄積する容量とを含む、又は複数の光電変換素子と該複数の光電変換素子から順次転送される信号を蓄積する容量とを含むことを特徴とする信号転送装置。
【請求項６】
請求項５に記載の信号転送装置において、前記直流オフセット電圧を、前記絶縁ゲート型トランジスタのソース、ドレインとバックゲート間にあるＰＮ接合間が０Ｖもしくは逆バイアス状態が保たれる値とすることを特徴とする信号転送装置。
【請求項７】
請求項５に記載の信号転送装置において、前記スイッチ手段を第１のスイッチ手段とし、
該第１のスイッチ手段のゲートを、絶縁ゲート型トランジスタからなる第２のスイッチ手段を介して、前記入力手段の出力側に接続し、前記第１のスイッチ手段がＯＦＦのときに、前記第２のスイッチ手段をＯＮすることを特徴とする信号転送装置。
【請求項８】
請求項７に記載の信号転送装置において、前記直流オフセット電圧を、前記第１のスイッチ手段がＯＦＦとなるべき場合には、前記第１のスイッチ手段のゲートの電圧が、該第１のスイッチ手段のＯＮ／ＯＦＦを決定するしきい値となる電圧を下まわるような値とすることを特徴とする信号転送装置。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の信号転送方法を用いた固体撮像装置の信号転送方法において、前記光電変換素子は、光電変換手段と、該光電変換手段によって形成された信号電荷を信号電圧に変換して増幅する増幅手段とを有することを特徴とする固体撮像装置の信号転送方法。
【請求項１０】
請求項５〜８のいずれか１項に記載の信号転送装置を用いた固体撮像装置において、前記光電変換素子は、光電変換手段と、該光電変換手段によって形成された信号電荷を信号電圧に変換して増幅する増幅手段とを有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１１】
複数の信号源と、
各複数の信号源ごとに設けられたスイッチ手段と、
各スイッチ手段を介して順次、前記複数の信号源からの信号電荷が転送される共通線と、
前記共通線に転送された信号電荷を電圧に変換して出力する、前記共通線に接続された電荷電圧変換手段と、
信号を前記共通線に転送する場合に、前記共通線の信号レベルに基づいて、前記共通線につながる寄生容量の両端子間の電圧の変動をなくす又は減少されるように制御する寄生容量制御手段とを有し、
前記電荷電圧変換手段は、非反転入力端子に基準電圧源が接続され、反転入力端子に前記共通線に接続される、差動増幅器であり、
前記信号源は、光電変換素子と該光電変換素子からの信号を蓄積する容量とを含む、又は複数の光電変換素子と該複数の光電変換素子から順次転送される信号を蓄積する容量とを含むことを特徴とする信号転送装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の信号転送装置において、前記寄生容量制御手段は、前記スイッチ手段の寄生容量を制御することを特徴とする信号転送装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の信号転送装置において、前記スイッチ手段は、絶縁ゲート型トランジスタからなり、前記寄生容量制御手段は、前記共通線からの信号を、前記絶縁ゲート型トランジスタのバックゲートに入力するための入力手段を含むことを特徴とする信号転送装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は信号転送方法と該信号転送方法を用いた固体撮像装置の信号転送方法、信号転送装置及び該信号転送装置を用いた固体撮像装置に係わり、特に、複数の信号源から、各複数の信号源ごとに設けられたスイッチ手段を介して順次信号を共通線に転送し、入力端子が該共通線に接続され且つ入出力端子が容量を介して接続された増幅手段を通して、該信号を転送する信号転送方法と該信号転送方法を用いた固体撮像装置の信号転送方法、信号転送装置及び該信号転送装置を用いた固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数の信号源からの信号を信号転送用スイッチを介して共通線に転送する信号転送装置は、例えば固体撮像装置に用いられている。
【０００３】
図５は従来のＭＯＳ型固体撮像装置の模式的構成図である。図５に示すように、センサーセル１は行列に２次元的に配置されており、垂直シフトレジスタ１１からの信号２（２−１，２−２，…）によってセンサーセル１を活性化させたり、リセット状態にしたりする制御が行われる。
【０００４】
各センサーセル１の出力端子は垂直信号線５（５−１，５−２，…，５−ｎ）に接続され、センサーセル１で発生した信号電圧はこの垂直信号線５に現われ、クランプ容量３（３−１，３−２，…，３−ｎ）に電荷として保存される。図示されないスイッチ、容量などで各センサーセル１で発生するバラツキをキャンセルする場合が多い。クランプ容量３に保存されている信号電荷は、水平シフトレジスタ１２からの水平選択信号７（７−１，７−２，…，７−ｎ）によって水平選択スイッチ４（４−１，４−２，…，４−ｎ）が順次導通することにより、水平信号線６を介して負帰還容量８を有する差動増幅器９の反転入力端子へ転送され、出力端子１３から電圧として出力される。差動増幅器９の非反転入力端子は基準電圧源１０に接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記固体撮像装置において、水平選択スイッチ４は通常ＭＯＳトランジスタで構成され、例えば水平選択スイッチ４として図６に示すようなＮＭＯＳトランジスタが用いられる。図６において、２１はゲート、２２はｎ型半導体で形成されたソースまたはドレイン拡散領域、２３はｐ型のウェル拡散領域、２５はゲート酸化膜である。図６から分かるように、ソース／ドレイン領域２２とＰウェル領域２３との間にはＰＮ接合容量が形成され、Ｐウェル領域２３は通常半導体集積回路内での最低電位であるＧＮＤへ接続されるため、ソース／ドレイン領域２２はＧＮＤを対極に、ある値のＰＮ接合容量を有することになる（以降、これをＣjとする）。また図６で示した２４は、ソース／ドレイン領域２２の拡散がある程度横方向にも行われることによる、ゲート２１との重なり部分を示しており、ゲート酸化膜２５を誘電体にした、いわゆる重なり容量がゲート２１とソース／ドレイン領域２２との間に形成される（以降、これをＣovとする）。
【０００６】
したがって、図５における水平信号線６には、接続された水平選択スイッチ４が上記寄生容量Ｃj，Ｃovを有するために、図７に示すような等価回路での容量１５，１６が付随することになる。図７は従来例である図５の垂直信号線５から出力端子１３までの信号転送経路の等価回路を示している。
【０００７】
図７において、５（５−１，５−２，…，５−ｎ）は垂直信号線、３（３−１，３−２，…，３−ｎ）はクランプ容量、４（４−１，４−２，…，４−ｎ）は水平転送スイッチ、６は水平信号線、７（７−１，７−２，…，７−ｎ）は水平シフトレジスタ１２から出力される水平選択線、８は出力アンプ９によって、信号電荷を信号電圧に変換するための負帰還容量、１４（１４−１，１４−２，…，１４−ｎ）は水平選択線７を駆動する水平シフトレジスタ１２内の駆動ゲートの出力インピーダンスを表し、図７では例として水平転送スイッチ４をＮＭＯＳトランジスタで構成し、その水平転送スイッチがＯＦＦとなる水平選択線７が“Ｌ”レベルである時に、ＧＮＤに対して形成される前記駆動ゲートの出力インピーダンスを出力インピーダンス１４としている。１５（１５−１，１５−２，…，１５−ｎ）は水平転送スイッチ４であるＮＭＯＳトランジスタのソース−ウェル間のＰＮ接合寄生容量を表し、１６（１６−１，１６−２，…，１６−ｎ）は、このＮＭＯＳトランジスタのゲート−ソース間の重なり容量を表している。図７から明かなように水平信号線６には上記の寄生容量の総和として、
Ｃtot ＝ｎ×（Ｃj ＋Ｃov）
（ｎは固体撮像装置の垂直信号線数）
の容量が付随し、固体撮像装置の総画素数が数十万〜数百万画素のような多画素になると、上記寄生容量Ｃtot は数ｐＦ〜数十ｐＦの大きさになってしまい、この寄生容量Ｃtot の容量は出力アンプ９によって駆動されることになり、出力アンプ９から見た容量Ｃtot を含めた等価回路は図８のようになる。
【０００８】
図８において、９は出力アンプ、８は負帰還容量、ｒ0 は出力アンプ９の等価出力インピーダンス、ＶNは出力アンプの入力換算ランダムノイズ源である。したがって、図８での出力アンプ９は出力インピーダンス０、ランダムノイズ０の理想アンプとしている。出力アンプ９の出力から負極入力端子（−）に至る伝達関数は次式のように表せる。
【０００９】
【数１】
0003658267.tif 000002
ここで、Ｓはラプラス演算子、ＣN は負帰還容量８の容量値である。
【００１０】
上式（数１）から明らかなように、伝達関数はローパスフィルターの形であり、寄生容量Ｃtot の値によってそのカットオフ周波数が影響される。したがって寄生容量Ｃtot の存在によって出力アンプ９はその帯域が狭くなり、出力駆動速度が低下してしまうという課題が生じることになる。
【００１１】
また、出力アンプ９のもつランダムノイズ（ＶN）が寄生容量Ｃtotによって増幅されてしまうことになる（ＶN×（Ｃtot／ＣN））。
【００１２】
本発明の目的は、出力アンプにつながる寄生容量を低減することができる信号転送方法と該信号転送方法を用いた固体撮像装置の信号転送方法、信号転送装置及び該信号転送装置を用いた固体撮像装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の信号転送方法は、複数の信号源から、各複数の信号源ごとに設けられたスイッチ手段を介して順次信号電荷を共通線に転送し、該共通線に転送された信号電荷を電圧に変換して出力する電荷電圧変換手段を通して信号を転送する信号転送方法において、
前記電荷電圧変換手段は、非反転入力端子に基準電圧源が接続され、反転入力端子に前記共通線に接続される、差動増幅器であり、
前記信号源は、光電変換素子と該光電変換素子からの信号を蓄積する容量とを含み、又は複数の光電変換素子と該複数の光電変換素子から順次転送される信号を蓄積する容量とを含み、
信号電荷を前記共通線に転送する場合に、前記共通線の信号レベルに基づいて、前記共通線につながる寄生容量の両端子間の電圧の変動をなくす又は減少されるように制御することを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の固体撮像装置の信号転送方法は、上記本発明の信号転送方法を用いたものである。
【００１６】
本発明の信号転送装置は、複数の信号源と、各複数の信号源ごとに設けられた絶縁ゲート型トランジスタからなるスイッチ手段と、各スイッチ手段を介して順次、前記複数の信号源からの信号電荷が転送される共通線と、該共通線に転送された信号電荷を電圧に変換して出力する、前記共通線に接続された電荷電圧変換手段と、該共通線の転送信号電圧に直流オフセット電圧を加えた電圧を前記絶縁ゲート型トランジスタのバックゲートに入力する入力手段とを有し、
前記電荷電圧変換手段は、非反転入力端子に基準電圧源が接続され、反転入力端子に前記共通線に接続される、差動増幅器であり、
前記信号源は、光電変換素子と該光電変換素子からの信号を蓄積する容量とを含む、又は複数の光電変換素子と該複数の光電変換素子から順次転送される信号を蓄積する容量とを含むことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の信号転送装置は、複数の信号源と、
各複数の信号源ごとに設けられたスイッチ手段と、
各スイッチ手段を介して順次、前記複数の信号源からの信号電荷が転送される共通線と、
前記共通線に転送された信号電荷を電圧に変換して出力する、前記共通線に接続された電荷電圧変換手段と、
信号を前記共通線に転送する場合に、前記共通線の信号レベルに基づいて、前記共通線につながる寄生容量の両端子間の電圧の変動をなくす又は減少されるように制御する寄生容量制御手段とを有し、
前記電荷電圧変換手段は、非反転入力端子に基準電圧源が接続され、反転入力端子に前記共通線に接続される、差動増幅器であり、
前記信号源は、光電変換素子と該光電変換素子からの信号を蓄積する容量とを含む、又は複数の光電変換素子と該複数の光電変換素子から順次転送される信号を蓄積する容量とを含むことを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の固体撮像装置は、上記本発明の信号転送装置を用いたものである。
【００１９】
本発明の好適な態様は、入出力端子が容量を介して接続された出力アンプの入力端子に付随する寄生容量、例えば共通線に接続される水平転送スイッチに付随する２つの寄生容量（ソース−ウェル間ＰＮ接合容量Ｃjとゲート−ソース間重なり容量Ｃov）を低減するものであり、寄生容量そのものの値を小さくするのではなく、寄生容量の端子間電圧を一定又は一定に近い状態にすることで、寄生容量への電荷の流入出をなくし、見かけ上容量として機能しないようにする。上記２つの寄生容量Ｃj，Ｃovの一方の端子は共通線となる水平信号線に接続されているので、その水平信号線の電圧に等しい電圧が上記２つの寄生容量のもう一方の端子に印加されるようにすれば、上記２つの容量の端子間電圧は一定（この場合は０）になる。
【００２０】
ただし、ソースとバックゲート（基板側の電極）との間にあるソース−ウェル間のＰＮ接合が常に０Ｖもしくは逆バイアスになり、スイッチとしての機能を損なわないようにしたり、水平シフトレジスタ内の駆動ゲート出力によって水平転送スイッチがＯＦＦする場合にはＯＦＦが維持されるよう、２つの寄生容量のもう一方の端子へ印加する電圧は、水平信号線の電圧にある値のＤＣ（直流）電圧を足すことが望ましい。
【００２１】
なお、本発明における寄生容量としてはスイッチ手段の寄生容量が挙げられるが、特にスイッチ手段に限定されず、共通線につながる他の素子により生ずる寄生容量も含まれ、かかる寄生容量の制御もスイッチ手段の寄生容量の制御と同様に行うことができる。さらに、本発明のスイッチ手段の寄生容量の制御は共通線からの信号に基づいて行う場合に限定されず、共通線の信号電圧と同様の電圧変動を行う信号発生手段等により（すなわち、スイッチ手段を介して出力される信号に対応する信号により）寄生容量の制御を行ってもよい。
【００２２】
本発明は固体撮像装置に好適に用いられるものであるが、特に固体撮像装置に限定されず、半導体メモリ、フラットディスプレイ等の表示装置等における信号転送装置に用いることができる。
【００２３】
信号源からの信号を転送するスイッチ手段としては、バイポーラトランジスタ，ＣＭＯＳトランジスタ，ＭＯＳトランジスタ等で構成されるトランジスタスイッチ、マイクロスイッチ等を用いることができる。
【００２４】
【実施例】
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明の固体撮像装置における一実施例を示す回路構成図であり、センサーセルを行列に２次元的に配置したＭＯＳ固体撮像装置を示している。
【００２６】
図１において、１はセンサーセルであり、垂直シフトレジスタ１１からの信号２（２−１，２−２，…，２−ｎ）によって活性化したり、リセット状態になる。各センサーセル１の出力は垂直信号線５（５−１，５−２，…，５−ｎ）に接続され、センサーセル１で発生する信号電圧はこの垂直信号線５に現われ、クランプ容量３（３−１，３−２，…，３−ｎ）に信号電荷として蓄えられ、その後水平シフトレジスタ１２からの水平選択信号７（７−１，７−２，…，７−ｎ）によって水平選択スイッチ４（４−１，４−２，…，４−ｎ）が順次ＯＮし、クランプ容量３に蓄えられていた信号電荷が、水平信号線６を介して負帰還容量８を有する差動増幅器９の反転入力端子へ転送され、出力端子１３から電圧として出力される。差動増幅器９の非反転入力端子は基準電圧源１０に接続される。２０は信号転送装置となる回路部分を示す。
【００２７】
ここで例として、１列目の垂直信号線の信号電荷をクランプ容量を介して水平信号線へ伝達する場合について説明する。この場合、水平シフトレジスタ１２内の第１列目の水平転送スイッチ４−１を駆動するＣＭＯＳインバーター（１５−１，１６−１）の入力端子１７−１は“Ｌ”レベルになり、同水平シフトレジスター内の他のＣＭＯＳインバーター（１５−２，１６−２，…，１５−ｎ，１６−ｎ）の入力端子（１７−２，…，１７−ｎ）は“Ｈ”レベルになっているとする。ＣＭＯＳインバーターの構成において、ＰＭＯＳトランジスタ１５（１５−１，１５−２，…，１５−ｎ）のソースは電源へ、ドレインは出力端子に接続されており、ＮＭＯＳトランジスタ１６（１６−１，１６−２，…，１６−ｎ）のドレインは出力端子に接続され、ソースはバッファーアンプ１８の出力端子に接続された配線１９に接続されている。図１に示すＣＭＯＳインバーターが通常のＣＭＯＳインバーターと異なるのは、ＮＭＯＳトランジスタ１６のソースが、バッファーアンプ１８の出力端子に接続された配線１９に接続されていることである。
【００２８】
入力端子１７−１は“Ｌ”レベルであるので、ＰＭＯＳトランジスタ１５−１はＯＮ、ＮＭＯＳトランジスタ１６−１はＯＦＦとなり、第１列目の水平選択信号線７−１は“Ｈ”レベルである。他の入力端子１７−２，…，１７−ｎは“Ｈ”レベルであるので、ＰＭＯＳトランジスタ１５−２，…，１５−ｎはＯＦＦ、ＮＭＯＳトランジスタ１６−２，…，１６−ｎはＯＮになり、第２列目以降の水平選択信号線７−２，…，７−ｎの電位はバッファーアンプ１８の出力電位に等しい値になる。バッファーアンプ１８は、その入力端子に接続された水平信号線６の電位に、ある値のＤＣ電圧を加えた電圧を出力するように設定されているものとすると、第２列目以降の水平選択信号線７−２，…，７−ｎの電位も（水平信号線６の電位＋ある値のＤＣ電圧）に等しくなる。
【００２９】
したがって、第２列目以降の水平選択スイッチ４−２，…，４−ｎのゲート−ソース間電圧は（あるＤＣ電圧）になり、一定になる。
【００３０】
また配線１９は各水平選択スイッチ４のウェルにも接続されており、上記ゲートの場合と同様にソース−ウェル間電圧も一定になる。
【００３１】
以上の説明から２つの寄生容量（ゲート−ソース間重なり容量Ｃov、ソース−ウェル間重なり容量Ｃj）の端子間電圧は一定になり、電荷の移動がなくなるため見かけ上容量としては機能しなくなる。
【００３２】
図２は図１におけるバッファーアンプ１８の一例であって、ＮＭＯＳソースフォロワーとなっており、３１は入力端子、３２は出力端子、３３はバイアス電流源である。
【００３３】
この場合の入力端子と出力端子の端子間電圧はＮＭＯＳトランジスタのゲート−ソース間電圧に等しく、ＮＭＯＳトランジスタのゲート幅、ゲート長の大きさや電流源３３の電流値でほぼ任意に設定でき、その値は図１における水平転送スイッチ４でのソース／ドレイン−ウェル間のＰＮ接合が、あるゆる駆動条件下で順バイアスにならないように設定すれば良い。
【００３４】
なお、図１における水平シフトレジスタ１２での水平選択線７を駆動するゲートはインバーターに限らず、水平転送スイッチ４がＯＦＦのときに水平選択線７の電位が図１のバッファーアンプ１８の出力電位に等しくなり、水平転送スイッチ４がＯＮになる時には“Ｈ”レベルが出力されるよう構成すれば良い。さらに増幅器９は差動型である必要性はなく、ＣＭＯＳインバーターのような単極入力端子の増幅器でも全く同様の動作となる。また図１では垂直信号線の信号電荷をクランプ容量を介して水平信号線へ伝達する場合について説明したが、サンプル−ホールド容量を介して水平信号線へ信号電荷を伝達する場合も全く同様の効果が得られる。
【００３５】
図３は本実施例に用いることのできる固体撮像装置における画素の等価回路図である。なお、ここではエリアセンサに用いる画素構成を示しているが、画素を一列に配列する場合は選択スイッチＱ１４は設けなくて良い。
【００３６】
図３において、５０５が光電変換部にあたるホトダイオードである。Ｑ１３が増幅手段にあたるソースフォロワアンプの入力ＭＯＳトランジスタであり、Ｑ１４は読み出す行を選択するための選択スイッチである。ソースフォロワの定電流負荷は図示していないが、信号出力線５０４に接続されている。Ｑ１２はソースフォロワの入力端子をリセットするためのリセットスイッチであり、増幅手段の入力部のリセット手段にあたる。Ｑ１１は、ホトダイオード５０５の光信号を信号増幅手段であるソースフォロワの入力部に転送するための転送スイッチであり、電荷転送手段にあたる。５０１は電源線、５０２はリセットスイッチ線、５０３は選択スイッチ線、５０６は転送スイッチ線である。
【００３７】
図４は画素を一列に配列する場合の本発明の固体撮像装置における実施例を示す回路構成図である。かかる固体撮像装置においても図１の固体撮像装置と同様な本発明の効果を得ることができる。本実施例において、寄生容量制御手段は、バッファーアンプ１８と、バッファーアンプ１８と水平選択スイッチのバックゲート及びＮＭＯＳトランジスタ１６とを接続する配線１９とで構成されている。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、共通線につながる寄生容量を見かけ上なくすることによって、出力アンプの入力端子、すなわち水平信号線に付随する寄生容量を大幅に削減し、出力アンプの高速動作を可能にし、かつ出力アンプのもつランダムノイズの増大を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の固体撮像装置における一実施例を示す回路構成図である。
【図２】上記本発明の実施例の中のバッファーアンプの一例を示す図である。
【図３】本実施例に用いることのできる固体撮像装置における画素の等価回路図である。
【図４】画素を一列に配列する場合の本発明の固体撮像装置における実施例を示す回路構成図である。
【図５】従来のＭＯＳ型固体撮像装置の模式的構成図である。
【図６】ＭＯＳトランジスタの有する寄生容量を説明する断面図である。
【図７】従来例における問題を説明する等価回路図である。
【図８】従来例における問題を説明する等価回路図である。
【符号の説明】
１  センサーセル
２  制御信号
３  クランプ容量
４  水平選択スイッチ
５  垂直信号線
６  垂直信号線
７  水平選択信号
８  負帰還容量
９  出力アンプ
１０  基準電圧源
１１  垂直シフトレジスタ
１２  水平シフトレジスタ
１３  出力端子
１４  出力インピーダンス
１５  ＰＭＯＳトランジスタ
１６  ＮＭＯＳトランジスタ
１７  入力端子
１８  バッファーアンプ
１９  配線
【図１】
0003658267.tif 000003
【図２】
0003658267.tif 000004
【図３】
0003658267.tif 000005
【図４】
0003658267.tif 000006
【図５】
0003658267.tif 000007
【図６】
0003658267.tif 000008
【図７】
0003658267.tif 000009
【図８】
0003658267.tif 000010