(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から光磁気記録媒体に至る光路上に配置されたレンズと、
前記光源から前記レンズに至る光路上に配置され、前記光磁気記録媒体からの反射光の一部を分離するビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタで分離された前記反射光を検出する光検出器と、
前記ビームスプリッタから前記光検出器に至る光路上に配置された第１の回折素子とを含み、
前記ビームスプリッタは、
等方性光学材料からなり、前記光源からの光を反射して前記光磁気記録媒体に至らしめ、前記光磁気記録媒体からの反射光を通過させるための第１の部材と、
前記第１の部材に隣接し、異方性光学材料からなり、前記第１の部材を通過した前記光磁気記録媒体からの反射光をさらに通過させるための第２の部材とを含み、
前記第１の部材は、互いに対向する第１の平行面と、互いに対向し、かつ各々前記第１の平行面と所定の角度をなして交差する第２の平行面とを有する断面が平行四辺形の角柱であり、前記第１の平行面の一方は前記第２の部材と接しており、前記第２の平行面の一方は前記光源と対向するように、前記第２の平行面の他方は前記レンズと対向するように、それぞれ配置され、
前記所定の角度は、前記光源から射出され、予め定められた入射角で前記第２の平行面の前記一方に入射した光が、前記第１の平行面の他方と前記第１の平行面の前記一方とによってこの順序で反射され、前記第２の平行面の前記他方から射出するように選択されており、
前記光検出器は、前記ビームスプリッタの前記第１および第２の平行面と直交する平面に平行な境界線で２分割される一組の２分割光検出部を含み、
前記第１の回折素子は、前記ビームスプリッタの前記第１および第２の平行面と直交する平面に平行な分割線で２分割された第１および第２の領域を有し、
前記第１の領域で回折された前記光磁気記録媒体からの反射光は前記２分割光検出部の境界線上に導かれる、光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記第１の部材は、前記第２の部材の異常光屈折率と略同一の屈折率を有する、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記第１の部材は、前記第１の部材の屈折率と前記第２の部材の異常光屈折率との差が、前記第２の部材の常光屈折率と異常光屈折率との差の１／２以内となるような屈折率を有する、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記第２の部材の結晶軸は、前記第２の平行面の前記他方から射出される光と直交し、かつ前記第２の平行面の前記他方から射出される光の方向の方向ベクトルおよび前記第１の平行面の前記一方の法線ベクトルを含む平面に対して、略４５°をなすように選択されている、請求項３に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記光源および前記光検出器と前記ビームスプリッタとの間に設けられた光透過性基板を含み、
前記光透過性基板上に前記第１の回折素子が設けられている、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
前記光透過性基板中の前記光源からの光を受ける位置に設けられ、前記光源からの光を３つ以上の光ビームに分割する第２の回折素子をさらに含む、請求項５に記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】
前記第１および第２回折素子が同一平面上に並置されている、請求項６に記載の光ピックアップ装置。
【請求項８】
前記光源と前記ビームスプリッタとの間に設けられた１／２波長板をさらに含む、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】
前記第２の部材は、１．４〜２．０の屈折率を有する、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１０】
前記第２の部材は、四ホウ酸化リチウムからなる、請求項９に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１１】
前記２分割検出部の出力を比較してフォーカス誤差信号を得る、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ピックアップ装置に関し、特に、光磁気ディスク再生装置に用いられる光ピックアップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、音声、画像および文書などのデータを繰返し記録再生することができる光磁気ディスク再生装置が開発されており、光ピックアップ装置は、この光磁気ディスク再生装置の基本的な構成要素として、その小型化が重要視されている。
【０００３】
小型化を図った光磁気ピックアップ装置として、特開平８−３２９５４４号公報に開示されている光磁気ピックアップ装置がある。図１１および図１２を参照して、従来の第１の光磁気ピックアップ装置は、光学モジュール３５と、光学モジュール３５上に載置された透明基板４１と、透明基板４１上に載置された、断面が三角形のプリズムと断面が平行四辺形のプリズムとを接合した断面が台形となる偏光プリズム４３と、偏光プリズム４３の上方に設けられた集光素子としての対物レンズ４５とを含む。光学モジュール３５の内部には基板３６が設けられており、基板３６上には、レーザーダイオード３７とフォトダイオード３８〜４０とが形成されている。フォトダイオード３８および３９は、それぞれ図１２に示すように、フォトダイオード３８ａ〜３８ｆおよび３９ａ〜３９ｆの６個ずつに分割されている。また、フォトダイオード４０は、フォトダイオード４０ａ〜４０ｂの２個に分割されている。透明基板４１のレーザーダイオード３７に対向する面にはホログラム回折素子４２が形成されている。
【０００４】
偏光プリズム４３の三角形のプリズムと平行四辺形のプリズムとの接合面４３ａは、レーザーダイオード３７から放射される光（Ｐ偏光）に対する透過率および反射率がそれぞれ７０％および３０％に設定され、かつＳ偏光の透過率が１００％に設定された偏光分離面である。
【０００５】
フォトダイオード４０の上部には、断面が三角形のプリズムと断面が平行四辺形のプリズムとを接合した断面が台形となるプリズム型検光子４４が設けられている。２つのプリズムの接合面４４ａは、Ｐ偏光の透過率を１００％、Ｓ偏光の反射率を１００％に設定された偏光分離面である。プリズム型検光子４４の接合面４４ａは、フォトダイオード４０ａの上方に設けられ、プリズム型検光子４４の反射面４４ｂは、フォトダイオード４０ｂの上方に設けられている。
【０００６】
上述の光磁気ピックアップ装置の基本動作を説明する。レーザーダイオード３７から放射されたＰ偏光の光は、ホログラム回折素子４２が形成された透明基板４１を通過し、偏光プリズム４３の偏光分離面４３ａに入射する。入射したＰ偏光の７０％は、偏光分離面４３ａを通過し、対物レンズ４５によって、光磁気記録媒体１２上に集光される。集光された光は、光磁気記録媒体１２上では、記録されている磁気信号によって光の偏光面が０．５°回転されるとともに、光磁気信号成分であるＳ偏光成分を得て反射し、対物レンズ４５を通過して、偏光分離面４３ａに戻る。偏光分離面４３ａでは、Ｐ偏光成分の７０％が通過し、Ｐ偏光成分の３０％とＳ偏光成分の１００％が反射する。このうち反射した光は、反射面４３ｂでさらに反射されて透明基板４１を通過して光学モジュール３５内に入り、プリズム型検光子４４の偏光分離面４４ａに入射する。偏光分離面４４ａに入射した光のうちＰ偏光成分は通過して、フォトダイオード４０ａに入射し、Ｓ偏光成分は反射して、さらに反射面４４ｂで反射した後、フォトダイオード４０ｂに入射する。
【０００７】
このとき、フォトダイオード４０ａおよび４０ｂで得られる信号を、同一符号を用いて示すと、光磁気信号ＲＦは、以下の式（１）により得られる。
【０００８】
ＲＦ＝４０ａ−４０ｂ                                    …（１）
一方、偏光分離面４３ａを通過した光は、ホログラム回折素子４２に入射し、５°〜２０°の回折角で回折され、＋１次回折光はフォトダイオード３８に、−１次回折光はフォトダイオード３９にそれぞれ入射する。ホログラム回折素子４２はレンズ効果を有し、＋１次回折光はフォトダイオード３８よりホログラム回折素子４２に近いところで焦点を結び、−１次回折光はフォトダイオード３９より遠いところで焦点を結ぶ。光磁気ピックアップ装置と光磁気記録媒体１２とが合焦状態にあるとき、フォトダイオード３８とフォトダイオード３９上での光スポットの直径が同じになるので、フォーカスエラー信号ＦＥは、以下の式（２）で表わすことができる。
【０００９】
ＦＥ＝｛（３８ａ＋３８ｃ＋３８ｄ＋３８ｆ）＋（３９ｂ＋３９ｅ）｝−｛（３８ｂ＋３８ｅ）＋（３９ａ＋３９ｃ＋３９ｄ＋３９ｆ）｝…（２）
また、フォトダイオード３８ａ〜３８ｃおよびフォトダイオード３８ｄ〜３８ｆを分割する分割線と、フォトダイオード３９ａ〜３９ｃおよびフォトダイオード３９ｄ〜３９ｆを分割する分割線と、光磁気記録媒体１２の情報トラックの方向とが平行になるように光磁気ピックアップ装置を配置しておけば、トラッキングエラー信号ＴＥは、以下の式（３）で表わすことができる。
【００１０】
ＴＥ＝｛（３８ａ＋３８ｂ＋３８ｃ）＋（３９ａ＋３９ｂ＋３９ｃ）｝−｛（３８ｄ＋３８ｅ＋３８ｆ）＋（３９ｄ＋３９ｅ＋３９ｆ）｝…（３）
このように、光学モジュール３５と一体にＰ偏光とＳ偏光とで反射率および透過率の異なる偏光プリズム４３を設けたことにより、光磁気ピックアップ装置を小型化でき、かつ光利用効率が高くなり光磁気信号の十分なＳ／Ｎ（Ｓｉｇｎａｌ／Ｎｏｉｓｅ）比を確保することができる。
【００１１】
特開平８−３２９５４４号公報には、以下に示すような光磁気ピックアップ装置も開示されている。
【００１２】
図１３および図１４を参照して、従来の第２の光磁気ピックアップ装置が第１の光磁気ピックアップ装置と相違する点は、偏光プリズム４３を断面が三角形の三角プリズム３個の間に偏光性ホログラム５４を挟んで構成したことと、ホログラム回折素子４２およびレーザーダイオード３７の両側に配置されていたフォトダイオード３８および３９を廃止し、偏光性ホログラム５４の透過光の０次光、１次光および−１次光の受光位置にフォトダイオード５５、５６および５７をそれぞれ配置したことである。
【００１３】
偏光性ホログラム５４は、ニオブ酸リチウムで構成され、入射した光を互いに直交する２つの直線偏光成分に分離し、一方の直線偏光成分を０次光、他方の直線偏光成分を±１次光として射出する作用がある。
【００１４】
また、偏光性ホログラム５４は、±１次回折光の焦点位置が異なるようなレンズ効果を有し、＋１次光はフォトダイオード５６より偏光性ホログラム５４に近いところで焦点を結び、−１次光はフォトダイオード５７より遠いところで焦点を結ぶように構成され、０次光がフォトダイオード５５上で焦点を結ばないように構成されている。このため、±１次光のフォトダイオード５６および５７上での光スポットの直径が異なるので、正しくフォーカスエラー信号が得られるようにフォトダイオード５６および５７の大きさを変えた構成となっている。フォトダイオード５６および５７は、これらの配列方向とは垂直な方向に分割された３個ずつのフォトダイオード５６ａ〜５６ｃおよび５７ａ〜５７ｃよりそれぞれ構成される。フォトダイオード５５は、フォトダイオード５６および５７の配列方向と同じ方向に分割されたフォトダイオード５５ａおよび５５ｂよりなる。
【００１５】
第２の光磁気ピックアップ装置の基本動作は、第１の光磁気ピックアップ装置の基本動作と同様であるため、説明は繰返さない。
【００１６】
上記の構成において、光磁気信号ＲＦは、以下の式（４）で表わされる。
ＲＦ＝（５５ａ＋５５ｂ）−｛（５６ａ＋５６ｂ＋５６ｃ）＋（５７ａ＋５７ｂ＋５７ｃ）｝…（４）
また、フォーカスエラー信号ＦＥおよびトラッキングエラー信号ＴＥは、それぞれ式（５）および式（６）で表わされる。
【００１７】
ＦＥ＝（５６ａ＋５６ｃ＋５７ｂ）−（５６ｂ＋５７ａ＋５７ｃ）…（５）
ＴＥ＝５５ａ−５５ｂ                                    …（６）
従って、第２の光磁気ピックアップ装置によれば、第１の光磁気ピックアップ装置と同様に、光磁気信号の十分なＳ／Ｎ比が得られ、信頼性と耐久性の高い小型で低コストな光磁気ピックアップ装置が得られる。また、レーザーダイオード３７から光磁気記録媒体１２に至る光路中に、偏光プリズム４３以外に回折格子などの余分な光分岐素子がない。このため、光利用効率が一層向上する。それとともに、光磁気信号ＲＦ、フォーカスエラー信号ＦＥおよびトラッキングエラー信号ＴＥを共通のフォトダイオード５５〜５７で検出することにより、基板３６上でのフォトダイオード面積を小さくすることができる。このため、光磁気ピックアップ装置の一層の小型化と低コスト化とを実現することができる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、第１の光磁気ディスクピックアップ装置では、ホログラム回折素子４２がレーザーダイオード３７と光磁気記録媒体１２との間に配置されている。このため、光の回折現象により、光磁気記録媒体１２に到達する光パワーが減少する。したがって、レーザーダイオード３７の出力を大きくしなければならない。
【００１９】
また、レーザーダイオード３７から射出されさらにホログラム回折素子４２で回折された光が対物レンズ４５に入射すると、入射した光は、光磁気記録媒体１２で反射され、フォトダイオード３８および３９上に投射される。このため、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号に偽の信号が発生してしまう。この問題を避けるためには、特開平２−２７３３３６号公報（特公平７−３７０３号公報）に開示される光ピックアップ装置のように、ホログラム回折素子４２の形成領域を制限すればよいが、光の波長が短くなるとホログラム回折素子４２の格子ピッチもそれに比例して短くなる。このため、安価に光磁気ディスクピックアップ装置を製造することが困難になる。
【００２０】
さらに、フォトダイオード３８および３９は、レーザーダイオード３７の近辺に配置されている。このため、透明基板４１で反射されたレーザーダイオード３７からの放射光がフォトダイオード３８および３９に入射して、偽のサーボ信号が発生しやすい。
【００２１】
さらにまた、偏光プリズム４３の幅は、配置および製造上の理由より、２〜５ｍｍになる。このため、フォトダイオード３８からフォトダイオード４０までの距離も２〜５ｍｍとなり、フォトダイオード３８〜４０を基板上に形成するには通常の２〜５倍の大きさの基板３６が必要となる。このため、光磁気ディスクピックアップ装置の製造コストが増大するという問題がある。
【００２２】
一方、第２の光磁気ディスクピックアップ装置では、レーザーダイオード３７から光磁気記録媒体１２に至る光路上に図１１に示すようなホログラム回折素子４２が存在しない。このため、第１の光磁気ディスクピックアップ装置と異なり、光の回折現象により、光磁気記録媒体１２に到達する光パワーが減少することはない。また、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号に偽の信号が発生してしまうこともない。
【００２３】
さらに、第２の光磁気ディスクピックアップ装置では、フォトダイオード５５〜５７は、レーザーダイオード３７から離れた位置に配置されているため、第１の光磁気ピックアップ装置のように、偽のサーボ信号が発生することもない。
【００２４】
しかし、第２の光磁気ディスクピックアップ装置においても、基板３６上にフォトダイオード５５〜５７が形成されている。このため、通常の２〜５倍の大きさの基板３６が必要となり、光磁気ディスクピックアップ装置の製造コストが増大するという、第１の光磁気ディスクピックアップ装置と共通の課題がある。
【００２５】
さらに、第２の光磁気ディスクピックアップ装置では、偏光プリズム４３が多数の部材より構成されている。このため、フォトダイオード５５〜５７に入射する光ビームの位置ずれが大きくなり、組み立てが困難になる。また、偏光プリズム４３の歩留まりが悪くなるといった問題がある。
【００２６】
また、偏光プリズム４３の偏光分離面４３ａと反射面４３ｂとは、異なる部材で形成されている。このため、その平行度を高精度で確保することは困難であり、量産性の点で問題がある。
【００２７】
さらに、ニオブ酸リチウムで構成された偏光性ホログラム５４は、±１次回折光の回折効率が高々４０％であるため、０次光として射出される直線偏光の光と±１次回折光として射出される直線偏光との強度差が１．２倍となる。このため、そのまま差信号を演算して光磁気信号を再生することが困難である上、ホログラムの製造誤差のため０次光として射出されるべき偏光の一部が回折されたり、±１次回折光として射出されるべき光が回折されずに０次光として射出されるなどして十分な消光比が得られず、信号品質が低下するという問題もある。
【００２８】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、その目的は、小型の光ピックアップ装置を提供することである。
【００２９】
本発明の他の目的は、光利用効率の高い光ピックアップ装置を提供することである。
【００３０】
本発明のさらに他の目的は、設計の自由度を向上することができる光ピックアップ装置を提供することである。
【００３１】
本発明のさらに他の目的は、量産性および加工精度に優れた光ピックアップ装置を提供することである。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
本発明のある局面に係る光ピックアップ装置は、光源と、光源から光磁気記録媒体に至る光路上に配置されたレンズと、光源からレンズに至る光路上に配置され、光磁気記録媒体からの反射光の一部を分離するビームスプリッタと、ビームスプリッタで分離された反射光を検出する光検出器と、ビームスプリッタから光検出器に至る光路上に配置された第１の回折素子とを含み、ビームスプリッタは、等方性光学材料からなり、光源からの光を反射して光磁気記録媒体に至らしめ、光磁気記録媒体からの反射光を通過させるための第１の部材と、第１の部材に隣接し、異方性光学材料からなり、第１の部材を通過した光磁気記録媒体からの反射光をさらに通過させるための第２の部材とを含み、第１の部材は、互いに対向する第１の平行面と、互いに対向し、かつ各々第１の平行面と所定の角度をなして交差する第２の平行面とを有する断面が平行四辺形の角柱であり、第１の平行面の一方は第２の部材と接しており、第２の平行面の一方は光源と対向するように、第２の平行面の他方はレンズと対向するように、それぞれ配置され、所定の角度は、光源から射出され、予め定められた入射角で第２の平行面の一方に入射した光が、第１の平行面の他方と第１の平行面の一方とによってこの順序で反射され、第２の平行面の他方から射出するように選択されており、光検出器は、ビームスプリッタの第１および第２の平行面と直交する平面に平行な境界線で２分割される一組の２分割光検出部を含み、第１の回折素子は、ビームスプリッタの第１および第２の平行面と直交する平面に平行な分割線で２分割された第１および第２の領域を有し、第１の領域で回折された光磁気記録媒体からの反射光は２分割光検出部の境界線上に導かれる。
【００３３】
わずか２つの部材（第１の部材および第２の部材）で構成されるビームスプリッタにより反射光の分岐と、偏光分離とが実現できる。このため、装置を小型化することができる。また、ビームスプリッタの構成部品点数が少ないため、作製誤差が小さく、光検出器に入射する光ビームの位置ずれが小さい。このため、装置の組み立てが容易である。さらに、偏光分離には結晶の複屈折性を利用する。このため、分離された２つの直線偏光の間には強度差が生じない。さらにまた、消光比は結晶性により決定されるので良好な結晶を使用することにより、ほぼ１：１００程度の消光比を容易に得ることができる。このため、光利用効率を高めることができる。また、光検出器の基板はＬＤ搭載部が不要であるため、小さくでき、製造コストが抑制できる。
第１の部材の断面は平行四辺形である。このため、第１の部材に入射する光および第１の部材から出射する光の各々の平行度および間隔を高精度に管理することができる。また、第１の部材は平行四辺形であるため、ビームスプリッタの製造方法として、大きな基板を重ね合わせてから切断するという製造方法が採用できる。このため、光ピックアップ装置の量産性を高めることができる。
第１の回折素子は、光磁気記録媒体からの反射光の一部を回折し、制御信号を生成することができる。第１の回折素子は、光源から光磁気記録媒体へ至る光路上には存在しない。このため、半導体レーザから放射された光が効率よく光磁気記録媒体に伝達されるので、より出力の低い半導体レーザを使用することができる。これにより、装置の小型化、設計の自由度を向上することができ、量産性を高めることができる。また、第１の回折素子からの回折光がレンズに入射しないように配慮する必要がなくなる。このため、第１の回折素子の設計の自由度が向上する。さらに、第１の回折素子の回折角は小さくてもよいため、入射する光の波長が短くなったとしても、ホログラムの格子ピッチを大きく保つことができる。よって、たとえば密着露光法などの方法により第１の回折素子を作製することができ、量産性および加工精度を高めることができ、光ピックアップ装置を安価に作製することができる。また、第１の回折素子で回折された光が、光磁気記録媒体で反射され光検出器へ入射することによりフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号に偽の信号が発生してしまうという問題も生じない。
【００３４】
好ましくは、第１の部材は、第２の部材の異常光屈折率と略同一の屈折率を有する。
【００３５】
第１の部材が、異方性光学材料からなる第２の部材の異常光屈折率と略同一の屈折率を有するように、第１および第２の部材を選ぶことで、第１の部材と第２の部材とが接する面における偏光分離角を大きくすることができる。そのため、第１および第２の部材の高さを小さくすることができる。また、ウォークオフの影響を抑えることができるので容易に光学設計ができる。
【００３６】
さらに好ましくは、第１の部材は、第１の部材の屈折率と第２の部材の異常光屈折率との差が、第２の部材の常光屈折率と異常光屈折率との差の１／２以内となるような屈折率を有する。
【００３７】
このような屈折率を有するように、第１および第２の部材を選ぶことで、第１の部材と第２の部材とが接する面における偏光分離角を大きくすることができる。そのため、第１および第２の部材の高さを小さくすることができる。また、ウォークオフの影響が若干発生するものの比較的容易に光学設計ができる。
【００４０】
さらに好ましくは、第２の部材の結晶軸は、第２の平行面の上記他方から射出される光と直交し、かつ第２の平行面の上記他方から射出される光の方向の方向ベクトルおよび第１の平行面の上記一方の法線ベクトルを含む平面に対して、略４５°をなすように選択されている。
【００４１】
異方性光学材料である第２の部材の結晶軸は、前記第２の平行面の前記他方から射出される光と直交し、かつ前記第２の平行面の前記他方から射出される光の方向の方向ベクトルおよび前記第１の平行面の前記一方の法線ベクトルを含む平面に対して、略４５°をなすように選択される。このため、コリメートレンズおよび対物レンズによって光磁気記録媒体に集光された光に含まれる光磁気信号を安定に分離することができる。
【００４２】
さらに好ましくは、光源および光検出器とビームスプリッタとの間に設けられた光透過性基板を含み、光透過性基板上に第１の回折素子が設けられている。
【００４４】
さらに好ましくは、光透過性基板中の光源からの光を受ける位置に設けられ、光源からの光を３つ以上の光ビームに分割する第２の回折素子をさらに含む。
【００４５】
第１の回折素子が形成される光透過性基板に第２の回折素子も形成される。このため、部品点数が増えることなく安定な３ビーム方式でトラッキング信号を得ることができる。これにより、装置の小型化を図り、光の利用効率を高めることができる。
【００４６】
さらに好ましくは、第１および第２回折素子が同一平面上に並置されている。
第２の回折素子は第１の回折素子と同一の平面上に形成されるため、第２の回折素子と第１の回折素子とを同時に作製することができる。このため、作製工数が増加せず、装置の量産性を高めることができる。
【００４７】
さらに好ましくは、光源とビームスプリッタとの間に設けられた１／２波長板をさらに含む。
【００４８】
光源および光検出器とビームスプリッタとの間に１／２波長板が配置されている。このため、光源のファーフィールドパターンおよび偏光方向に関係なくピックアップを構成でき、ビームスプリッタの第１および第２の部材の境界面に形成される偏光膜も作製しやすくなる。
【００４９】
さらに好ましくは、第２の部材は、１．４〜２．０の屈折率を有する。
第２の部材としてガラスに近い屈折率を有する材料が用いられる。このため、第１の部材と第２の部材との境界での主光線の屈折角が小さくなり、発生する非点収差とコマ収差とを抑制することができる。
【００５０】
さらに好ましくは、第２の部材は、四ホウ酸化リチウムからなる。
第２の部材として複屈折が大きい四ホウ酸化リチウムを利用した場合には、偏光分離された光の空間的距離を大きくとることができる。
さらに好ましくは、２分割検出部の出力を比較してフォーカス誤差信号を得る。
【００５１】
【発明の実施の形態】
［実施の形態１］
図１を参照して、本発明の実施の形態に係る光ピックアップ装置は、ステム８と、ステム８上に設けられた光源である半導体レーザ１と、ステム８を覆うキャップ９と、キャップ９上に取付けられた光透過性基板４と、光透過性基板４の上に取付けられた１／２波長板３と、１／２波長板３の上に取付けられたビームスプリッタ２と、半導体レーザ１から放射される光を光磁気記録媒体１２上に集光するコリメートレンズ１０および対物レンズ１１と、ステム８上に配置され、ビームスプリッタ２で分岐された光磁気記録媒体１２からの反射光を検出する光検出器７とを含む。
【００５２】
ビームスプリッタ２は、半導体レーザ１からコリメートレンズ１０に至る光路上に配置され、上述のように光磁気記録媒体１２からの反射光の一部を分離する。また、ビームスプリッタ２は、等方性光学材料からなる第１の部材１５と、異方性光学材料からなる第２の部材１４とで構成され、半導体レーザ１からの光は第１の部材１５中のみを通過してコリメートレンズ１０に至り、光磁気記録媒体１２からの反射光は第１の部材１５および第２の部材１４を通過して光検出器７に到達するように構成されている。ビームスプリッタ２を構成する第１の部材１５は主として断面が平行四辺形の角柱であり、第２の部材１４と接する第１の面１８と、第１の面１８に隣接する第２の面１６と、第１の面１８に対向する第３の面１７と、第２の面１６の面と対向する第４の面１９とを有する。
【００５３】
光透過性基板４には、ビームスプリッタ２から光検出器７に至る光路上に配置され、光磁気記録媒体１２からの反射光の一部を回折させて制御信号を生成する第１の回折素子６が形成されている。また、第１の回折素子６が形成されている面上で半導体レーザ１から放射された光が通過する部分には、半導体レーザ１からの光を２つのトラッキング用ビームと１つの情報再生用ビームとの計３つのビームに分割する第２の回折素子５が形成されている。
【００５４】
キャップ９の光通過領域には窓ガラス２１が取付けられており、内部は気密封止されている。ステム８とキャップ９とで構成されるパッケージ１３内部を気密封止することにより、半導体レーザ１と光検出器７との相対位置が安定に保たれる。
【００５５】
半導体レーザ１から射出されたＰ偏光は第２の回折素子５により２つのトラッキング用ビームと１つの情報再生用ビームとの計３つのビームに分割される。３つのビームは、１／２波長板３により９０°偏光面が回転されてＳ偏光に変換される。Ｓ偏光に変換された３つのビームは、ビームスプリッタ２の第１の部材１５へ第２の面１６から入射する。第１の部材１５に入射した３つのビームは第３の面１７および第１の面１８で反射された後、第４の面１９から射出され、コリメートレンズ１０および対物レンズ１１により光磁気記録媒体１２上に集光される。第２の回折素子５は、上述のように光透過性基板４の第１の回折素子６と同一面に形成され、図２に示すような一定の間隔を有する直線格子である。また、第１の面１８の偏光特性は、たとえばＳ偏光の反射率が７０％（Ｓ偏光の透過率が３０％）、Ｐ偏光の反射率が０％（Ｐ偏光の透過率が１００％）に設定されており、半導体レーザ１から放射される光のうちの７０％が光磁気記録媒体１２に照射される。
このとき、第２の回折素子５は、Ｘ軸に平行な回折格子を有している。このため、上述した２つのトラッキング用ビームと１つの情報再生用ビームはＺ軸に並行に配置される。
【００５６】
光磁気記録媒体１２で反射した光は、光磁気記録媒体１２に記録された磁化の方向に応じてその偏光面が回転する。偏光面が回転した光は、対物レンズ１１およびコリメートレンズ１０を通過してビームスプリッタ２の第１の部材１５の第４の面１９に入射する。第４の面１９に入射した光は、第１の面１８を通過して第２の部材１４に入射する。第１の面１８の偏光特性は上述のように、たとえばＳ偏光の反射率が７０％（Ｓ偏光の透過率が３０％）、Ｐ偏光の反射率が０％（Ｐ偏光の透過率が１００％）に設定されている。このため、光磁気記録媒体１２で反射した光が第１の面１８を通過する際、見かけ上偏光面の回転量が増加する。すなわち、図３に示すように、第１の面１８通過前の反射光の偏光面の回転量をθとした場合、第１の面１８通過後の反射光の偏光面の回転量はθ′となる（θ′＞θ）。
【００５７】
第２の部材１４は光学異方性を有するため、第２の部材１４中において光磁気記録媒体１２からの反射光は直交する２つの偏光成分に分離され、各々異なる方向に進行する。偏光分離された反射光は１／２波長板３を通過して第１の回折素子６に入射し、その一部が回折される。光磁気記録媒体１２からは３つの光ビームが反射されるため、偏光分離により合計６つの光ビームが第１の回折素子６に入射する。
【００５８】
図４を参照して、第１の回折素子６の形状およびそれに入射する６つの光ビームについて説明する。実線および破線の円は、それぞれ直交する２つの偏光成分に分離された光を示す。第１の回折素子６はＸ−Ｙ平面に平行な境界線ＤＬ１とこれに直交する境界線ＤＬ２により３つの領域６ａ〜６ｃに分割され、それぞれの領域で格子間隔が異なる。このため、領域６ａで回折された情報再生用光ビームは図５に示す光検出器７の光検出部７ａに、領域６ｂで回折された情報再生用光ビームは光検出部７ｂに、領域６ｃで回折された情報再生用光ビームは光検出部７ｃおよび７ｄの境界線上に、それぞれ入射する。光検出部７ｃおよび７ｄの境界線は、第１〜第４の面１８，１６，１７，１９と直交するＸ−Ｙ平面に平行である。第１の回折素子６を０次回折光として透過した情報再生用光ビームは、光検出部７ｅおよび７ｆに入射する。
【００５９】
第１の回折素子６を０次回折光として通過した２つのトラッキング用ビームは、それぞれ光検出部７ｇおよび７ｈにて検出される。
【００６０】
したがって、光検出部７ｃおよび７ｄの出力信号の差を演算することにより、フーコー法に基づくフォーカス誤差信号が得られ、光検出部７ｇおよび７ｈの出力信号の差を演算することにより、３ビーム法に基づくラジアル誤差信号が得られる。また、光検出部７ａおよび７ｂの出力信号の差を演算することによりいわゆるプッシュ・プル信号が得られる。このプッシュ・プル信号は、たとえば、光磁気記録媒体１２上に形成されたトラッキング溝を蛇行させて記録したアドレス信号の検出に用いられる。光磁気信号は、光検出部７ｅおよび７ｆの出力信号の差を演算することにより得られる。
【００６１】
ビームスプリッタ２の第２の部材１４の屈折率は、第１の部材１５の屈折率に近いほうが、境界面での屈折が小さく非点収差の発生が抑制できるので好ましい。非点収差が大きくなると光検出器７上での集光スポット形状が乱れて大きくなり、光検出器７もそれに応じて大きくしなけばならないという不具合がある。第１の部材１５としてはガラスが用いられるのが一般的で、その屈折率は１．４〜２．０である。このため、第２の部材１４の屈折率も１．４〜２．０であることが望ましく、たとえば、水晶（Ｎｅ＝１．５４７，Ｎｏ＝１．５３９）、サファイア（Ｎｅ＝１．７６０，Ｎｏ＝１．７６８）または四ホウ酸化リチウム（Ｎｅ＝１．６０５，Ｎｏ＝１．５４９）を用いるのが好ましい。なお、Ｎｅは、複屈折における異常光に対する屈折率を表わし、Ｎｏは、複屈折における常光に対する屈折率を表わす。特に四ホウ酸化リチウムは複屈折が大きく、短い距離で２つの偏光を空間的に分離できる。このため、パッケージ１３をコンパクトにすることができ、好ましい。
【００６２】
１／２波長板３はなくともよいが、ビームスプリッタ２の第１の部材１５の第１の面１８に形成される偏光膜の反射率は一般にはＳ偏光の反射率を高くした方が作製しやすい。このため、半導体レーザ１から放射される光の偏光方向がＰ偏光である場合に、その偏光方向を９０°回転させるために１／２波長板３を配置するほうが好ましい。
【００６３】
以上説明した光ピックアップ装置では、わずか２つの部材（第１の部材１５および第２の部材１４）で構成されるビームスプリッタ２により反射光の分岐と、偏光分離とが実現できる。このため、装置を小型化することができる。また、ビームスプリッタ２の構成部品点数が少ないため、作製誤差が小さく、光検出器７に入射する光ビームの位置ずれが小さい。このため、装置の組み立てが容易である。さらに、偏光分離には結晶の複屈折性を利用する。このため、分離された２つの直線偏光の間には強度差が生じない。さらにまた、消光比は結晶性により決定されるので良好な結晶を使用することにより、ほぼ１：１００程度の消光比を容易に得ることができる。このため、光利用効率を高めることができる。また、光検出器７は、ＬＤ搭載部が不要であるため、基板が小さくなり、製造コストが抑制される。
【００６４】
また、第１の部材１５の断面は平行四辺形である。このため、第１の部材１５に入射する光および第１の部材１５から出射する光の各々の平行度および間隔を高精度に管理することができる。また、第１の部材１５は平行四辺形であるため、ビームスプリッタ１９の製造方法として、大きな基板を重ね合わせてから切断するという製造方法が採用できる。このため、光ピックアップ装置の量産性を高めることができる。
【００６５】
さらに、第１の回折素子６は、半導体レーザ１から光磁気記録媒体１２へ至る光路上には存在しない。このため、半導体レーザ１から放射された光が効率よく光磁気記録媒体１２に伝達されるので、より出力の低い半導体レーザ１を使用することができる。これにより、装置の小型化、設計の自由度を向上することができ、量産性を高めることができる。また、第１の回折素子６からの回折光がコリメートレンズ１０および対物レンズ１１に入射しないように配慮する必要がなくなる。このため、第１の回折素子６の設計の自由度が向上する。さらに、第１の回折素子６の回折角は小さくてもよいため、入射する光の波長が短くなったとしても、ホログラムの格子ピッチを大きく保つことができる。よって、たとえば密着露光法などの方法により第１の回折素子６を作製することができ、量産性および加工精度を高めることができ、安価に光ピックアップ装置を作製することができる。また、第１の回折素子６で回折された光が、光磁気記録媒体１２で反射され光検出器７へ入射することによりフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号に偽の信号が発生してしまうという問題も生じない。
【００６６】
さらにまた、第１の回折素子６が形成される光透過性基板４に第２の回折素子５も形成される。このため、部品点数が増えることなく安定な３ビーム方式でトラッキング信号を得ることができる。これにより、装置の小型化を図り、光の利用効率を高めることができる。また、第２の回折素子５は第１の回折素子６と同一の平面状に形成されるため、第２の回折素子５と第１の回折素子６とを同時に作製することができる。このため、作製工数が増加せず、装置の量産性を高めることができる。
【００６７】
また、ビームスプリッタ２とパッケージ１３との間に１／２波長板３を配置した構成になっている。このため、半導体レーザ１のファーフィールドパターンおよび偏光方向に関係なくピックアップを構成でき、ビームスプリッタ２の第１の面１８に形成される偏光膜も作製しやすくなる。
【００６８】
また、第２の部材１４としてガラスに近い屈折率を有する材料が用いられる。このため、第１の部材１５と第２の部材１４との境界での主光線の屈折角が小さくなり、発生する非点収差とコマ収差とを抑制することができる。
【００６９】
第２の部材１４として複屈折が大きい四ホウ酸化リチウムを利用した場合には、偏光分離された光の空間的距離を大きくとることができる。
【００７０】
［実施の形態２］
図６を参照して、本発明の実施の形態に係る光ピックアップ装置は、ステム８と、ステム８上に設けられた光源である半導体レーザ１と、ステム８を覆うキャップ９と、キャップ９上に取付けられた光透過性基板４と、光透過性基板４の上に取付けられたビームスプリッタ２と、半導体レーザ１から放射される光を光磁気記録媒体１２上に集光するコリメートレンズ１０および対物レンズ１１と、ステム８上に配置され、ビームスプリッタ２で分岐された光磁気記録媒体１２からの反射光を検出する光検出器２７とを含む。
【００７１】
ビームスプリッタ２は、半導体レーザ１からコリメートレンズ１０に至る光路上に配置され、上述のように光磁気記録媒体１２からの反射光の一部を分離する。また、ビームスプリッタ２は、等方性光学材料からなる第１の部材１５と、異方性光学材料からなる第２の部材１４とで構成され、半導体レーザ１からの光は第１の部材１５中のみを通過してコリメートレンズ１０に至り、光磁気記録媒体１２からの反射光は第１の部材１５および第２の部材１４を通過して光検出器２７に到達するように構成されている。ビームスプリッタ２を構成する第１の部材１５は主として断面が平行四辺形の角柱であり、第２の部材１４と接する第１の面１８と、第１の面１８に隣接する第２の面１６と、第１の面１８に対向する第３の面１７と、第２の面１６の面と対向する第４の面１９とを有する。
【００７２】
光透過性基板４には、ビームスプリッタ２から光検出器２７に至る光路上に配置され、光磁気記録媒体１２からの反射光の一部を回折させて制御信号を生成する第１の回折素子２６が形成されている。また、第１の回折素子２６が形成されている面上で半導体レーザ１から放射された光が通過する部分には、半導体レーザ１からの光を２つのトラッキング用ビームと１つの情報再生用ビームとの計３つのビームに分割する第２の回折素子２５が形成されている。
【００７３】
キャップ９の光通過領域には窓ガラス２１が取付けられており、内部は気密封止されている。ステム８とキャップ９とで構成されるパッケージ２３内部を気密封止することにより、半導体レーザ１と光検出器２７との相対位置が安定に保たれる。
【００７４】
半導体レーザ１から射出されたＳ偏光は第２の回折素子２５により２つのトラッキング用ビームと１つの情報再生用ビームとの計３つのビームに分割される。３つのビームは、ビームスプリッタ２の第１の部材１５へ第２の面１６から入射する。第１の部材１５に入射した３つのビームは第３の面１７および第１の面１８で反射された後、第４の面１９から射出され、コリメートレンズ１０および対物レンズ１１により光磁気記録媒体１２上に集光される。第２の回折素子２５は、上述のように光透過性基板４の第１の回折素子２６と同一面に形成され、図７に示すような一定の間隔を有する直線格子である。また、第１の面１８の偏光特性は、たとえばＳ偏光の反射率が７０％（Ｓ偏光の透過率が３０％）、Ｐ偏光の反射率が０％（Ｐ偏光の透過率が１００％）に設定されており、半導体レーザ１から放射される光のうちの７０％が光磁気記録媒体１２に照射される。
【００７５】
光磁気記録媒体１２で反射した光は、光磁気記録媒体１２に記録された磁化の方向に応じてその偏光面が回転する。偏光面が回転した光は、対物レンズ１１およびコリメートレンズ１０を通過してビームスプリッタ２の第１の部材１５の第４の面１９に入射する。第４の面１９に入射した光は、第１の面１８を通過して第２の部材１４に入射する。第１の面１８の偏光特性は上述のように、たとえばＳ偏光の反射率が７０％（Ｓ偏光の透過率が３０％）、Ｐ偏光の反射率が０％（Ｐ偏光の透過率が１００％）に設定されている。このため、光磁気記録媒体１２で反射した光が第１の面１８を通過する際、見かけ上偏光面の回転量が増加する。
【００７６】
第２の部材１４は光学異方性を有するため、第２の部材１４中において光磁気記録媒体１２からの反射光は直交する２つの偏光成分に分離され、各々異なる方向に進行する。偏光分離された反射光は第１の回折素子２６に入射し、その一部が回折される。光磁気記録媒体１２からは３つの光ビームが反射されるため、偏光分離により合計６つの光ビームが第１の回折素子２６に入射する。
【００７７】
図８を参照して、第１の回折素子２６の形状およびそれに入射する６つの光ビームについて説明する。実線および破線の円は、それぞれ直交する２つの偏光成分に分離された光を示す。第１の回折素子２６は３つの領域２６ａ〜２６ｃを有し、それぞれの領域で格子間隔が異なる。このため、領域２６ａで回折された情報再生用光ビームは図９に示す光検出器２７の光検出部２７ａに、領域２６ｂで回折された情報再生用光ビームは光検出部２７ｂに、領域２６ｃで回折された情報再生用光ビームは光検出部２７ｃおよび２７ｄの境界線上に、それぞれ入射する。第１の回折素子２６を０次回折光として透過した情報再生用光ビームは、光検出部２７ｆおよび２７ｉに入射する。
【００７８】
第１の回折素子２６を０次回折光として通過した２つのトラッキング用ビームのうちの一方は光検出部２７ｅおよび２７ｇで検出され、他方は光検出部２７ｈおよび２７ｊで検出される。
【００７９】
したがって、光検出部２７ｃおよび２７ｄの出力信号の差を演算することにより、フーコー法に基づくフォーカス誤差信号が得られ、光検出部２７ｅおよび２７ｇの出力信号の和と、光検出部２７ｈおよび２７ｊの出力信号の和との差を演算することにより、３ビーム法に基づくラジアル誤差信号が得られる。また、光検出部２７ａおよび２７ｂの出力信号の差を演算することにより、いわゆるプッシュ・プル信号が得られる。このプッシュ・プル信号は、たとえば、光磁気記録媒体１２上に形成されたトラッキング溝を蛇行させて記録したアドレス信号の検出に用いられる。光磁気信号は、光検出部２７ｆおよび２７ｉの出力信号の差を演算することにより得られる。
【００８０】
ビームスプリッタ２の第２の部材１４の屈折率は、第１の部材１５の屈折率に近いほうが、境界面での屈折が小さく非点収差の発生が抑制できるので好ましい。非点収差が大きくなると光検出器２７上での集光スポット形状が乱れて大きくなり、光検出器２７もそれに応じて大きくしなけばならないという不具合がある。第１の部材１５としてはガラスが用いられるのが一般的で、その屈折率は１．４〜２．０である。このため、第２の部材１４の屈折率も１．４〜２．０であることが望ましく、たとえば、水晶（Ｎｅ＝１．５４７，Ｎｏ＝１．５３９）、サファイア（Ｎｅ＝１．７６０，Ｎｏ＝１．７６８）または四ホウ酸化リチウム（Ｎｅ＝１．５４８，Ｎｏ＝１．６０４）を用いるのが好ましい。特に四ホウ酸化リチウムは複屈折が大きく、短い距離で２つの偏光を空間的に分離できる。このため、パッケージ２３をコンパクトにすることができ、好ましい。
【００８１】
また、ビームスプリッタ２を構成する等方性材料からなる第１の部材１５の屈折率が異方性光学材料からなる第２の部材１４の異常光屈折率Ｎｅと同等になるような材料を選定することで、第１の面１８で偏光分離する際の偏光分離角を大きく取ることができ、好ましい。換言すれば、第１の部材１５の屈折率と第２の部材の異常光屈折率Ｎｅとの差が、第２の部材の常光屈折率Ｎｏと異常光屈折率Ｎｅとの差の１／２以内となるような屈折率を有する材料を第１の部材１５として選定することが望ましい。一般に、複屈折材料の屈折率は屈折率楕円体を元にして考えることができ、複屈折材料の結晶軸の方位と、複屈折材料に入射する光線の偏光の向きとによって、屈折率が定義される。
【００８２】
たとえば、第１の部材１５および第２の部材１４として、ＳＣＨＯＴＴ社製の光学ガラスＳＦ２（Ｎ＝１．６３５５３、Ｎは屈折率）および四ホウ酸化リチウム（Ｎｅ＝１．５４８、Ｎｏ＝１．６０４）をそれぞれ用い、第２の部材１４への入射光の偏光方向と第２の部材１４の結晶軸とがなす角度を４５°に設定する。上記入射光の第２の部材１４中での異常光屈折率Ｎｅ′は、第２の部材１４への入射光の偏光方向と第２の部材１４の結晶軸との関係から逐次計算を行なうことにより求められ、１．５６３となる。
【００８３】
また、第１の部材１５および第２の部材１４として、ＳＦ２（Ｎ＝１．６３５５３）および四ホウ酸化リチウム（Ｎｅ＝１．５４８、Ｎｏ＝１．６０４）をそれぞれ用い、第２の部材１４への入射光の偏光方向と第２の部材１４の結晶軸とがなす角を０°に設定する。上記入射光の第２の部材１４中での異常光屈折率Ｎｅ′は、１．５４８となる。よって、第２の部材１４への入射光の偏光方向と第２の部材１４の結晶軸とがなす角度により、第１の部材１５および第２の部材１４の境界面での異常光の偏光分離角が変化する。この現象はウォークオフと呼ばれる。
【００８４】
ここで、ビームスプリッタ２を構成する材料により偏光分離角が変化する現象について、３つの例を示す。
【００８５】
第１の例として、ビームスプリッタ２を構成する第１の部材１５であるガラス材料としてＳＦ２（Ｎ＝１．６３５５３）を用い、第２の部材１４である複屈折材料として四ホウ酸化リチウム（Ｎｅ＝１．５４８、Ｎｏ＝１．６０４）を用いる。また、第２の部材１４への入射光の偏光方向と第２の部材１４の結晶軸とのなす角を４５°に設定すると、上記ウォークオフが発生する。このため、第１の部材１５と第２の部材１４との境界面での偏光分離角は約１．５９７°となる。この場合、ＳＦ２の屈折率と四ホウ酸化リチウムの異常光屈折率との差が大きい。また、常光に比べて異常光は大きな収差を持つ。このため、光学的に設計が困難となる。
【００８６】
第２の例として第２の部材１４である複屈折材料の異常光屈折率Ｎｅと同等の屈折率を有するガラス材料を第１の部材１５に用いる。たとえば、第１の部材１５に、ＳＣＨＯＴＴ社製の光学ガラスＰＳＫ３（Ｎ＝１．５４７）を用い、第２の部材１４に四ホウ酸化リチウム（Ｎｅ＝１．５４８、Ｎｏ＝１．６０４）を用いる。第２の部材１４への入射光の偏光方向と第２の部材１４の結晶軸とのなす角を４５°に設定すると、上記ウォークオフが抑制され、境界面での偏光分離角は約２．００１°となる。よって、第１の部材１５にＳＦ２（Ｎ＝１．６３５５３）を用いるよりも、第２の部材１４の異常光屈折率と同等の屈折率を有するガラス材料を第１の部材１５として用いることにより、偏光分離角を大きくすることができる。
【００８７】
図１０を参照して、第２の部材１４に用いられる複屈折材料の結晶軸方向は、第４の面１９と同一平面内において、第３の面１７と第４の面１９との交線２ａに対して、４５°に設定される。これにより、光磁気記録媒体１２で反射された光に含まれる光磁気信号が安定に分離される。
【００８８】
第３の例として第２の部材１４である複屈折材料の異常光屈折率と第１の部材１５であるガラス材料の屈折率との差が、第２の部材１４の常光屈折率と異常光屈折率との差の１／２以下となるようなガラス材料を用いる。たとえば、第１の部材１５に、ＳＣＨＯＴＴ社製の光学ガラスＬＦ５（Ｎ＝１．５７２２）を用い、第２の部材１４に四ホウ酸化リチウム（Ｎｅ＝１．５４８、Ｎｏ＝１．６０４）を用いる。また、第２の部材１４への入射光の偏光方向と第２の部材１４の結晶軸とがなす角度を４５°に設定すると、上記ウォークオフが若干発生するものの第１の部材１５と第２の部材１４との境界面での偏光分離角は約１．９８°となる。この場合、常光および異常光は同程度の収差を持つ。このため、光学的に設計が容易となる。
【００８９】
以上説明した光ピックアップ装置では、第１の部材１５が、異方性光学材料からなる第２の部材１４の異常光屈折率と同等の屈折率を有するように、第１の部材１５および第２の部材１４を選ぶことで、第１の面１８における偏光分離角を大きくすることができる。そのため、パッケージ２３の高さを低くすることができ、装置を小型化することができる。また、ウォークオフの影響を抑えることができるので容易に光学設計ができる。
【００９０】
また、異方性光学材料である第２の部材１４の結晶軸の方向が、第３の面１７および第４の面１９の交線２ａと、第４の面１９と同一平面内で４５°をなすように選ばれ、ビームスプリッタ２が構成される。このため、コリメートレンズ１０および対物レンズ１１によって光磁気記録媒体１２に集光された光に含まれる光磁気信号を安定に分離することができる。
【００９１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光ピックアップ装置の構成を示す側面外観図である。
【図２】第２の回折素子５の外観図である。
【図３】第１の面１８通過前後での光の偏光面の回転量の変化を説明するための図である。
【図４】第１の回折素子６の形状および第１の回折素子６に入射する６つの光ビームを説明するための図である。
【図５】光検出器７の形状および光検出器７に入射する光ビームを説明するための図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る光ピックアップ装置の構成を示す側面外観図である。
【図７】第２の回折素子２５の外観図である。
【図８】第１の回折素子２６の形状および第１の回折素子２６に入射する６つの光ビームを説明するための図である。
【図９】光検出器２７の形状および光検出器２７に入射する光ビームを説明するための図である。
【図１０】第２の部材１４の結晶軸を説明するための、ビームスプリッタ２の上面図である。
【図１１】従来の第１の光磁気ピックアップ装置の構成を示す側面外観図である。
【図１２】従来の第１の光磁気ピックアップ装置の受光素子、発光素子および検光子部分の上面図である。
【図１３】従来の第２の光磁気ピックアップ装置の構成を示す側面外観図である。
【図１４】従来の第２の光磁気ピックアップ装置の受光素子および発光素子部分の上面図である。
【符号の説明】
１  半導体レーザ、２  ビームスプリッタ、３  １／２波長板、４  光透過性基板、５，２５  第２の回折素子、６，２６  第１の回折素子、７，２７  光検出器、８  ステム、９  キャップ、１０  コリメートレンズ、１１  対物レンズ、１２  光磁気記録媒体、１３，２３  パッケージ、１４  第２の部材、１５  第１の部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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