(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板および第２の基板が対向した状態でシール材によって貼り合わされた電気光学パネルを有し、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板が他方の基板の基板縁から張り出した張り出し領域を備えているとともに、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方には電気光学物質を駆動するための駆動用電極が形成された電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学パネルの状態で前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも切断面および基板縁にエッチングを施して前記第１の基板および前記第２の基板から微小な傷あるいはクラックを除去するエッチング工程を具備し、
当該エッチング工程を行う際には、保護層で、少なくとも前記張り出し領域内に形成されている全ての配線と端子とを覆い、且つ前記シール材よりも外周側で前記第１の基板と前記第２の基板との間に構成された隙間内に形成されている配線をも覆い、
当該エッチング工程は、前記第１の基板および第２の基板の厚みを殆ど変えることなく、前記傷あるいはクラックを除去する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、当該エッチング工程を行う際には、前記保護層によって、前記張り出し領域に形成されてなる配線を覆っておくことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方は、ガラス製であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記エッチングとしてウエットエッチングを行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記張り出し領域には、ＩＣチップが実装されるＩＣ実装端子が形成され、
当該ＩＣ実装端子に前記ＩＣチップを実装する前に前記エッチング工程を行うとともに、当該エッチング工程を行う際には、前記ＩＣ実装端子も前記保護層で覆っておき、
前記エッチング工程の後、前記保護層のうち、少なくとも、前記ＩＣ実装端子を覆う保護層については除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、前記張り出し領域には、ＩＣチップが実装されるＩＣ実装端子が形成され、
当該ＩＣ実装端子に前記ＩＣチップを実装した後、前記エッチング工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記保護層のうち、前記張り出し領域に対する第１の保護層の形成、および前記隙間に対する第２の保護層の形成のいずれについても、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた電気光学パネルの状態で行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記保護層のうち、前記張り出し領域に対する第１の保護層の形成、および前記隙間に対する第２の保護層の形成のいずれについても、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる前の基板の状態で行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記保護層のうち、前記張り出し領域に対する第１の保護層の形成については、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた電気光学パネルの状態で行い、前記隙間に対する第２の保護層の形成については、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる前の基板の状態で行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記保護層のうち、前記張り出し領域に対する第１の保護層の形成については、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる前の基板の状態で行い、前記隙間に対する第２の保護層の形成については、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた電気光学パネルの状態で行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７または１０において、前記電気光学パネルの状態で前記隙間に対して前記第２の保護層を形成する際には、前記隙間の開口端の全周における少なくとも一部分に保護層形成用の液状物を塗布し、該液状物の毛細管力により前記隙間の奥および全周に前記液状物を行き渡らせることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれかにおいて、前記保護層の全部、あるいは一部として、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された有機絶縁膜と同時形成された有機絶縁膜を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１０のいずれかにおいて、前記保護層の全部、あるいは一部として、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された無機絶縁膜と同時形成された無機絶縁膜を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかにおいて、前記電気光学物質は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持された液晶であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１３のいずれかにおいて、前記電気光学物質は、前記第第２の基板上に形成されたエレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５のいずれかに規定される製造方法で製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１７】
請求項１６に規定された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定サイズに切り出された一対の基板が対向して貼り合わされた電気光学パネルを備えた電気光学装置の製造方法、この方法で製造された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、電気光学パネルの状態で行う基板の割れ防止処理に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などのＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、電気泳動表示装置、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などといった電気光学装置は、電気光学物質を駆動する駆動用電極が双方に形成された一対のガラス基板がシール材で貼り合わされたパネル構造、あるいは、電気光学物質を駆動する駆動用電極が形成されたガラス基板に対してガラス製の保護基板がシール材で貼り合わされたパネル構造を有している。これらいずれパネル構造の電気光学装置においても、基板は、単品サイズよりも大型の基板から所定サイズに切り出されて使用される。
【０００３】
例えば、液晶装置の場合、一般に、単品サイズの液晶パネルを各々多数枚取りできる大型基板に電極パターンなどの形成工程を行い、これらの大型基板を貼り合せた後、所定の大きさに切断して単品の液晶パネルが製造される。
【０００４】
ここで、液晶パネルでは、駆動用電極に液晶を駆動するための信号を供給する必要があるので、一対の基板のうち、一方の基板を他方の基板の縁から張り出させ、この張り出し領域に、可撓性基板が接続される基板実装端子、ＩＣが実装されるＩＣ実装端子、およびＩＣからの出力信号を電極パターンに供給するための配線が形成されている。
【０００５】
また、液晶パネルでは、シール材の外周側で基板同士が対向して隙間が形成されており、このような隙間に相当する部分の基板上にも配線が存在している（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−４９０２６号公報（第５頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
液晶パネルを構成する基板は、大型基板の表面にダイヤモンドカッターなどにより切断線を引いた後、治具によって裏面側から力を加えて押し割る方法、あるいは切断線を引いた後、切断線に沿ってレーザ光を照射して大型基板を切断する方法によって、所定サイズに切り出される。これらいずれの切断方法でも、切断の際の応力によって基板の切断面や基板縁に微小な傷やクラックが入ることがあり、このような傷やクラックは、その後に加わった応力によって成長する。このため、液晶パネルを携帯電話機などに搭載した状態で携帯電話機を落下させると、そのときの衝撃により液晶パネルが割れるという問題点がある。
【０００８】
ここに、本願発明者等は、切断した基板の切断面および基板縁にエッチングを施して、切断面および基板縁から微小な傷やクラックを消去しておくことを提案するものである。
【０００９】
しかしながら、ガラスをエッチングするには、通常、フッ酸などの強酸が使用される一方、液晶パネルの張り出し領域には、ＩＴＯ膜あるいは金属膜からなる配線が形成されているため、ガラス基板の切断面および基板縁に形成された微小な傷やクラックをエッチングにより消去する際、配線もエッチング液で腐食してしまうという問題点がある。また、シール材の外周側に形成されている隙間内に位置する配線もエッチング液で腐蝕してしまうという問題点もある。
【００１０】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、一対の基板を貼り合せた電気光学パネルの張り出し領域および隙間に形成されている配線を腐蝕させることなく、基板の縁および切断面に存在する微小な傷やクラックをエッチングにより消去可能な電気光学装置の製造方法、この方法で製造された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明では、第１の基板および第２の基板が対向した状態でシール材によって貼り合わされた電気光学パネルを有し、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板が他方の基板の基板縁から張り出した張り出し領域を備えているとともに、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方には電気光学物質を駆動するための駆動用電極が形成された電気光学装置の製造方法において、前記電気光学パネルの状態で前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも切断面および基板縁にエッチングを施して前記第１の基板および前記第２の基板から微小な傷あるいはクラックを除去するエッチング工程を行うとともに、当該エッチング工程を行う際には、少なくとも前記第１の基板および前記第２の基板の切断面および基板縁を避けるように形成した保護層によって、前記シール材よりも外周側で前記第１の基板と前記第２の基板との間に構成された隙間内に形成されている配線を覆っておくことを特徴とする。
【００１２】
本発明では、保護層を形成した状態においても、外側表面の全体、切断面（側端面）、および基板縁は、露出した状態にあり、エッチングが施される。そして、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされ、微小な傷およびクラックが消失する。それ故、電気光学パネルに応力が加わった時でもクラックが成長するということがないので、電気光学パネルが割れることがない。しかも、エッチング工程を行う際、シール材よりも外周側に形成された隙間内の配線は保護層で保護されるので、配線に腐食などの不具合が発生しない。さらに、基板を貼り合わせた電気光学パネルの状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。
【００１３】
本発明において、当該エッチング工程を行う際には、前記保護層によって、前記張り出し領域に形成されてなる配線を覆っておくことを特徴とする。
【００１４】
張り出し領域に形成されている配線は保護層で覆われ、エッチングされないので、腐食などの不具合が発生しない。
【００１５】
本発明において、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方は、ガラス製である。
【００１６】
本発明において、前記エッチングとしてウエットエッチングを行うことが好ましい。ウエットエッチングでは、エッチングが等方的に進行するため、傷やクラックを消去するのに適している、また、ウエットエッチングによれば、大量の電気光学パネルを一括して処理できるという利点がある。
【００１７】
本発明において、前記張り出し領域には、ＩＣチップが実装されるＩＣ実装端子が形成され、当該ＩＣ実装端子に前記ＩＣチップを実装する前に前記エッチング工程を行うことがある。このような場合には、当該エッチング工程を行う際には、前記ＩＣ実装端子も前記保護層で覆っておき、前記エッチング工程の後、前記保護層のうち、少なくとも、前記ＩＣ実装端子を覆う保護層については除去する。また、ＩＣチップを実装する前にエッチング工程を行えば、ＩＣチップがエッチング液やエッチングガスで損傷するのを防止することができる。
【００１８】
本発明において、前記張り出し領域には、ＩＣチップが実装されるＩＣ実装端子が形成され、当該ＩＣ実装端子に前記ＩＣチップを実装した後、前記エッチング工程を行ってもよい。このように構成すると、エッチングの際、ＩＣ実装端子については保護層で覆っておく必要がない。ここで、ＩＣチップがエッチング液やエッチングガスで損傷するおそれがあるときは、ＩＣチップも保護層で覆っておけばよい。また、ＩＣチップを構成するシリコン基板の表層をエッチング液やエッチングガスで積極的にエッチングする構成を採用すれば、シリコン基板の切断面および基板縁に存在する微小な傷やクラックを消去することができるので、ＩＣチップが割れることを防止することができる。
【００１９】
本発明においては、前記保護層を形成するタイミングとしては、以下の４つのパターンがある。
【００２０】
まず、第１のパターンでは、前記保護層のうち、前記張り出し領域に対する第１の保護層の形成、および前記隙間に対する第２の保護層の形成のいずれについても、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた前記電気光学パネルの状態で行う。
【００２１】
第２のパターンでは、前記保護層のうち、前記張り出し領域に対する第１の保護層の形成、および前記隙間に対する第２の保護層の形成のいずれについても、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる前の基板の状態で行う。
【００２２】
第３のパターンでは、前記保護層のうち、前記張り出し領域に対する第１の保護層の形成については、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた前記電気光学パネルの状態で行い、前記隙間に対する第２の保護層の形成については、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる前の基板の状態で行う。
【００２３】
第４のパターンでは、前記保護層のうち、前記張り出し領域に対する第１の保護層の形成については、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる前の基板の状態で行い、前記隙間に対する第２の保護層の形成については、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた前記電気光学パネルの状態で行う。
【００２４】
本発明においては、前記保護層の全部、あるいは一部として、テープを用いることができる。
【００２５】
本発明において、前記保護層の全部、あるいは一部を、液状物を塗布することにより形成してもよい。
【００２６】
この場合、前記液状物の塗布は、例えば、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、さらには、オフセット印刷などの方法で行うことができる。このような塗布方法のうち、スクリーン印刷、インクジェット法、およびオフセット印刷によれば、液状物の塗布工程を自動化することができる。また、インクジェット法であれば、電気光学パネルに非接触で液状物を塗布することができ、かつ、任意の領域に液状物を高い精度で選択的に塗布することができる。
【００２７】
本発明において、前記の第１のパターン、および第４のパターンのように電気光学パネルの状態で隙間に対して第２の保護層を形成する際には、前記隙間の開口端の全周における少なくとも一部分に保護層形成用の液状物を塗布し、該液状物の毛細管力により前記隙間の奥および全周に前記液状物を行き渡らせる方法を採用することが好ましい。このように構成すると、隙間の奥に存在する第２の配線の腐蝕を防止することができ、かつ、基板の切断面および基板縁への液状物の付着を最小限に止めることができる。また、隙間の開口端の全周における少なくとも一部分に保護層形成用の液状物を塗布すればよいので、塗布工程を効率よく行うことができるとともに、液状物の塗布に各種の方法を採用することができるので、生産性が向上する。
【００２８】
本発明において、前記液状物は、例えば、レジスト、あるいはレジストを溶剤で希釈したものを用いることが好ましい。レジストであれば、フォトリソグラフィ技術を用いて、任意の位置にレジスト層（保護層）を確実に選択的に形成することができる。
【００２９】
本発明において、前記液状物は、塗料、あるいは塗料を溶剤で希釈したものである。
【００３０】
本発明において、前記液状物は、塗布面に撥水性を付与する撥水化剤、あるいは該撥水化剤を溶剤で希釈したものを用いることが好ましい。ウエットエッチングで用いるエッチング液は通常、水系であるため、撥水化剤による処理で配線の表面を撥水性とした場合でも、配線をエッチング液から保護することができる。
また、撥水化剤による処理であれば、極めて薄い保護層が形成されるだけであるため、端子の表面に形成された保護層を除去しなくても、ＩＣの実装や可撓性基板の電気的な接続に支障がない。
【００３１】
本発明において、前記保護層は、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された有機絶縁膜と同時形成された有機絶縁膜、あるいは、前記基板における前記シール材で区画される領域内に形成された無機絶縁膜と同時形成された無機絶縁膜を利用することができる。このように構成すると、保護層を形成するために新たな工程を追加する必要がないので、製造工程数の増加を最小限に止めることができる。
【００３２】
本発明は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に電気光学物質として液晶が保持された液晶装置、あるいは、前記第２の基板上に電気光学物質としてエレクトロルミネッセンス材料が形成されたエレクトロルミネッセンス表示装置などに適用することができる。
【００３３】
このような電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示部などして用いられる。
【発明の効果】
【００３４】
以上説明したように、本発明では、保護層を形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）は、露出した状態にあり、エッチングが施される。従って、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。それ故、パネルの強度が高い。しかも、ウエットエッチングを行う際、配線は、保護層で覆われ、エッチングされないので、腐食、損傷などの不具合が発生しない。また、基板を貼り合わせたパネルの状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
図面を参照して、本発明の実施の形態として、本発明をパッシブマトリクス型液晶装置（電気光学装置）に適用した例を中心に説明する。なお、以下の説明では、各実施の形態で共通な液晶装置の構成、および製造方法を説明した後、各実施の形態を説明する。
【００３６】
［液晶装置の全体構成］
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の斜視図、および分解斜視図である。図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１のＩ−Ｉ′線で電気光学装置を切断したときのＩ側端部の断面図、およびＩ′側端部の断面図である。
図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の電気光学装置では、より多数の電極パターンや端子が形成されている。
【００３７】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１は、パッシブマトリクス型のカラー表示用の液晶パネル１′（電気光学パネル）を備えている。この液晶パネル１′は、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形のガラスなどからなる一対の基板１０、２０を有している。基板１０、２０間には、シール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内には、電気光学物質としての液晶３６が封入されている。ここでは、前記一対の基板のうち、液晶封入領域３５内で縦方向に延びる複数列の第１の電極パターン４０が形成されている方の基板を第１の基板１０とし、液晶封入領域３５内で横方向に延びる複数列の第２の電極パターン５０が形成されている方の基板を第２の基板２０とする。
【００３８】
ここに示す電気光学装置１は透過型であり、照明装置９をバックライトとして所定の表示を行なう。このため、液晶パネル１′の両面のうち、第２の基板２０の外側表面には偏光板２０９が貼られ、第１の基板１０の外側表面には偏光板１０９が貼られている。また、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれも、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）に代表される透明導電膜によって形成されている。
【００３９】
なお、第２の電極パターン５０の下に絶縁膜を介してパターニングされたアルミニウムや銀合金等の膜を薄く形成すれば、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。また、第２の電極パターン５０をアルミニウムや銀合金等の反射膜で形成するとともに、それに光透過孔を形成しても、半透過・半反射型の電気光学装置を構成できる。さらに、偏向板２０９に半透過反射板をラミネートすることでも半透過・半反射型の電気光学装置１を構成できる。さらにまた、第２の電極パターン５０の下に反射性の膜を配置すれば、反射型の電気光学装置を構成でき、この場合には、第２の基板２０の裏面側から照明装置９を省略すればよい。
【００４０】
電気光学装置１では、外部との間での信号の入出力、および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の基板１０および第２の基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近において第１の基板１０および第２の基板２０のそれぞれに形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。
【００４１】
また、第２の基板２０として、第１の基板１０よりも大きな基板が用いられている。このため、第２の基板２０は、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板１０の基板辺１０１から張り出す張り出し領域２５を備えており、この張り出し領域２５に形成されているＩＣ実装端子２６、２７に対して駆動用ＩＣ１３（電子部品）が異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）を介してＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装されているとともに、基板実装端子２８に可撓性基板２９（電子部品）が異方性導電膜を介して実装されている。
【００４２】
このような実装構造を構成するにあたって、第２の基板２０では、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０の配線部分５１が張り出し領域２５まで延びており、その端部によって、第２の端子形成領域２１には、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極が電気的に接続されるＩＣ実装端子２７が形成されている。
【００４３】
また、第２の端子形成領域２１には、ＩＣ実装端子２７より基板辺２０１の側に位置する部分に、可撓性基板２９を実装するための基板実装端子２８が形成され、これらの基板実装端子２８を構成するＩＴＯ膜からなるパターンは、駆動用ＩＣ１３の実装領域まで延びて、そのバンプ電極と電気的に接続されるＩＣ実装端子２６を構成している。
【００４４】
さらに、第２の基板２０の張り出し領域２５において、ＩＣ実装端子２６、２７、および基板実装端子２８が形成されている領域の両側には、そこに、駆動用ＩＣ１３および可撓性基板２９を実装するときに用いるアライメントマーク５５がＩＴＯ膜によって形成されている。
【００４５】
また、第２の端子形成領域２１において、駆動用ＩＣ１３より液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第１の基板１０の側との基板間導通用に用いられるので、第１の基板１０との重なり部分に、複数の基板間導通用端子７０が形成されている。これらの基板間導通用端子７０を構成するＩＴＯ膜からなるパターンも、配線部分７１として駆動用ＩＣ１３の実装領域まで延びて、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極と電気的に接続されるＩＣ実装端子２７を構成している。
【００４６】
これに対して、第１の基板１０において、第１の端子形成領域１１は、第２の基板２０の側との基板間導通に用いられるので、第２の基板２０との重なり部分には、複数の基板間導通用端子６０が形成されている。これらの基板間導通用端子６０は、いずれもＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０の端部によって構成されている。
【００４７】
従って、第１の基板１０と第２の基板２０とを、基板間導通剤を含有するシール材３０で貼り合わせて基板間で基板間導通用端子６０、７０同士を導通させた後、第２の基板２０に駆動用ＩＣ１３および可撓性基板２９を実装し、この状態で、可撓性基板２９から駆動用ＩＣ１３に所定の信号を入力すれば、駆動用ＩＣ１３から出力された信号は、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０に供給される。
【００４８】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１の基板１０には、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に、アクリル樹脂などからなる平坦化膜１３、ＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０、およびポリイミド膜からなる配向膜１２がこの順に形成されている。また、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの下層側には、金属膜あるいは樹脂からなる遮光膜１６が形成されている。これに対して、第２の基板２０には、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０、アクリル樹脂やシリコン酸化膜などからなるオーバーコート膜２９、およびポリイミド膜からなる配向膜２２がこの順に形成されている。従って、可撓性基板２９を介して駆動用ＩＣ１３に信号を入力すると、駆動用ＩＣ１３から第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０の各々に所定の信号が供給されるので、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する各画素毎で液晶４を駆動することができ、所定のカラー画像を表示することができる。
【００４９】
［電気光学装置１の製造方法］
図４および図５（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、電気光学装置１の製造方法を示す工程図、およびこれらの各工程への仕掛途中品の様子を示す説明図である。
【００５０】
図４および図５（Ａ）、（Ｂ）において、本形態の電気光学装置１を製造するにあたって、第１の基板１０および第２の基板２０はいずれも、これらの基板１０、２０を各々、多数枚取りできる大型基板１００、２００の状態で、半導体プロセスを利用して電極パターン４０、５０などの形成工程が行われる。すなわち、第１の基板１０を多数枚取りできる大型基板１００の状態で、フォトリソグラフィ技術や各種印刷技術を利用して、遮光膜１６の形成工程ＳＴ１１、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの形成工程ＳＴ１２、平坦化膜１３の形成工程ＳＴ１３、電極パターン４０の形成工程ＳＴ１４、配向膜１２の形成・ラビング工程ＳＴ１５、シール材３０の塗布工程ＳＴ１６が行われる。
【００５１】
また、第２の基板２０を多数枚取りできる大型基板２００の状態で、電極パターン５０の形成工程ＳＴ２１、オーバコート膜２９の形成工程ＳＴ２２、配向膜２２の形成・ラビング工程ＳＴ２３、ギャップ材の散布工程ＳＴ２４が行われる。
【００５２】
次に、貼合せ工程ＳＴ３１において、図５（Ｃ）に示すように、大型基板１００、２００同士をシール材３０によって貼り合せ、大型のパネル構造体３００を形成する。
【００５３】
次に、１次ブレイク工程ＳＴ３２において、大型のパネル構造体３００を、図５（Ｄ）に示す短冊状のパネル構造体４００に切断して注入口３１を開口させる。それには、まず、大型のパネル構造体３００の表面および裏面のうち、大型基板１００の表面に対してダイヤモンドカッタによって浅い溝からなる切断予定線を形成した後、裏面側の大型基板２００の側から治具によって応力を加えて大型基板１００を割断する。また、大型基板２００の表面に対してダイヤモンドカッタによって浅い溝からなる切断予定線を形成した後、表面側の大型基板１００の側から治具によって応力を加えて大型基板２００を割断する。
【００５４】
次に、液晶封入・封止工程ＳＴ３３において、短冊状のパネル構造体４００の内部に液晶３６を注入した後、注入口３１を封止材３２で封止する。
【００５５】
次に、２次ブレイク工程ＳＴ３４において、短冊状のパネル構造体４００を、図１および図５（Ｅ）に示すように、第２の基板２０の端部が張り出し領域２５として第１の基板１０から張り出した単品の液晶パネル１′に切断する。
【００５６】
次に、ＩＣ実装工程ＳＴ３５で、図１および図５（Ｆ）に示すように、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に対して駆動用ＩＣ１３を実装する。
【００５７】
また、ＩＣ実装工程ＳＴ３５の後、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に対して可撓性基板２９を実装する。
【００５８】
［実施の形態１］
図６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、液晶パネル１′を構成する基板に微小な傷およびクラックが入っている様子を模式的に示す説明図、およびエッチング工程で微小な傷およびクラックが消失した状態を示す説明図である。図７（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本形態に係る電気光学装置の製造工程途中における液晶パネルの平面図、および断面図である。図８（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。図９（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った後、保護層を部分的に残した様子を示す平面図、および断面図である。図１０（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った効果を説明するためのグラフである。
【００５９】
電気光学装置１を製造する際、図５（Ｅ）に示す２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′とするまでの間に、液晶パネル１′を構成する第１の基板１０、および第２の基板２０の基板縁、および切断面には、図６（Ａ）で示すような微小な傷５やクラック６が入る。
【００６０】
そこで、本形態では、図４および図５（Ｅ）に示す２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、図４および図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する前に、単品の液晶パネル１′の状態で第１の基板１０および第２の基板２０の切断面および基板縁にウエットエッチングを施してその表層を削ることにより、図６（Ｂ）に示すように、切断面および基板縁から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００６１】
但し、図１、図３（Ａ）、（Ｂ）、および図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、液晶パネル１′において、第２の基板２０の張り出し領域２５では、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が露出した状態にあり、このままエッチングを行うと、配線部分５１、７１、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５がエッチング液によって腐食、損傷、消失してしまう。
【００６２】
また、液晶パネル１′において、シール材３０は、第１の基板１０の外周縁よりも内側領域に形成されている。このため、シール材３０の外周側には、第１の基板１０の外周縁に沿って、第１の基板１０と第２の基板２０との間で外部に連通する隙間３があり（図３（Ａ）、（Ｂ）、および図７（Ａ）、（Ｂ）を参照）、この隙間３には、第１の基板１０の第１の電極パターン４０の基板辺２０２側の端部４２、および第２の基板２０の配線部分５１、７１の一部５２、７２が存在している。従って、この状態のままエッチング工程を行うと、シール材３０の外周側に形成された隙間３にエッチング液が隙間３内に入り込んで、隙間３内に位置する配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２が腐蝕してしまう。ここで、第１の基板１０に第１の電極パターン４０が基板縁２０１まで端部４２が届いているのは、液晶パネル１′となった以降も、静電気を外部から放出するためである。
【００６３】
なお、以下の説明では、このような配線部分５１、５２、配線の一部５２、７２、および第１の電極４０の端部４２のうち、張り出し領域２５で露出している配線部分５１、７１を第１の配線６とし、隙間３内に位置する配線の一部５２、７２、および第１の電極４０の端部４２を第２の配線７とする。
【００６４】
このような配線６、７の腐蝕を防止するため、本形態では、２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、エッチング工程ＳＴ４０を行う前に、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５、および隙間３を保護層９０（狭いピッチの右上がりの斜線を付した領域）で覆い、この状態でウエットエッチングを行う。
【００６５】
このような保護層９０として、本形態では、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して、第１の保護層９１としてのテープを貼る。その結果、第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、第１の保護層９１で覆われる。
【００６６】
また、本形態では、保護層９０として、隙間３の開口を塞ぐように第１の基板１０の外周縁に沿って第２の保護層９２としてのテープを貼る。その結果、隙間３内に位置する第２の配線７（配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２）は、第２の保護層９２で覆われる。ここで、第２の保護層９２については、第１の基板１０および第２の基板２０の切断面ができるだけ露出するように形成する。
【００６７】
そして、この状態でエッチング工程ＳＴ４０を行う。ここで用いるエッチング液は、例えば、フッ酸系の薬液である。例えば、フッ酸液、フッ化硫酸液、ケイフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化水素酸などのエッチング液を用いることができる。また、それらを含む水溶液を使用することもできる。例えば、フッ化水素酸と硝酸の混合水溶液、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムと硝酸の混合水溶液、フッ化水素酸と水素二フッ化アンモニウムの水溶液、フッ化水素酸と水素二フッ化アンモニウムと硝酸の水溶液などを用いることができる。また、エッチング速度が遅いが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの強アルカリ性の薬液を用いることができる。
【００６８】
その結果、第１の基板１０では、テープを保護層９０（第１の保護層９１、および第２の保護層９２）として貼った状態においても、外側表面の全体、切断面（側端面）、第１の基板１０において第２の基板２０と重なる内側の基板縁を除く他の全ての基板縁、および第２の基板２０において第１の基板２０と重なる内側の基板縁を除く他の全ての基板縁にウエットエッチングが施され、ウエットエッチングが施された部分の表層が薄くエッチングされる。それ故、第１の基板１０および第２の基板２０の切断面および基板縁から微小な傷およびクラックが消失する。
【００６９】
また、本形態では、このようなエッチング工程を行う際、張り出し領域２５の第１の配線６（配線部分５１、７１）は、第１の保護層９１で覆われているので、エッチング液に接触せず、腐蝕することがない。また、隙間３が第２の保護層９２で塞がれているため、エッチング液は、隙間３内に入り込むことがない。それ故、隙間３内に位置する配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２（第２の配線７）が腐蝕することがない。
【００７０】
なお、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板実装端子２８については、基板縁に位置する部分がわずかに第１の保護層９１から露出しており、この露出部分では腐食、損傷が起こるが、基板実装端子２８のほとんどの部分は、第１の保護層９１で覆われているため、可撓性基板２９の実装に支障はない。
【００７１】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥し、次に保護層９０（第１の保護層９１および第２の保護層９２）を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する。
【００７２】
ここで、保護層９０（第１の保護層９１および第２の保護層９２）については、その一部を除去し、残りの部分をそのまま残してもよい。例えば、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１の保護層９１については、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、アライメントマーク５５の表面、およびその周辺領域からは除去し、かつ、隙間３を覆う第２の保護層９２については完全に除去する一方、配線部分５１、７１を覆う部分の第１の保護層９１についてはそのまま残し、この状態で、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装してもよい。このように構成すると、配線部分５１、７１は、それ以降も第１の保護層９１で覆われた状態にあるので、配線部分５１、７１の耐候性などが向上するという利点がある。
【００７３】
以上説明したように、本形態では、単品パネル１′の状態でエッチング工程ＳＴ４０を行って、第１の基板１０、および第２の基板２０の外側表面の全体、切断面（側端面）、および基板縁から微小な傷やクラックを消去する。それ故、図１０を参照して後述するように、液晶装置１が携帯電話機に搭載された後、衝撃や応力が加わっても、微小な傷やクラックが成長するということがないので、液晶パネル１′が割れるということがない。
【００７４】
また、本形態では、エッチング工程ＳＴ４０を行う際、配線部分５１、７１（第１の配線６）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５を第１の保護層９１で覆っておくので、これらの配線や端子などは、エッチング液に接触しない。それ故、配線部分５１、７１（第１の保護層６）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が腐食してしまうことがない。
【００７５】
さらに、隙間３は第２の保護層９２で塞がれているため、エッチング液が隙間３内に入り込むことがない、それ故、隙間３内に位置する配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２（第２の配線７）が腐蝕することがない。
【００７６】
さらにまた、一対の基板を貼り合わせた液晶パネル１′の状態、すなわち、製造工程の終段でエッチング工程ＳＴ４０を行うので、それまでに発生した全ての傷やクラックを一括して消失することができる。
【００７７】
しかも、エッチング工程ＳＴ４０で採用したウエットエッチングでは、エッチングが等方的に進行するため、傷やクラックを消去するのに適している、また、ウエットエッチングによれば、大量の液晶パネル１′を一括して処理できるという利点がある。
【００７８】
なお、エッチング工程ＳＴ４０でのエッチング深さと、複数のサンプルについて強度試験結果との関係を図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す。この試験に用いた液晶パネルは、第１の基板１０、および第２の基板２０の厚さがいずれも０．５ｍｍである。
【００７９】
試験は、エッチング工程ＳＴ４０を行わなかった液晶パネル、エッチング深さを１０μｍとした液晶パネル、エッチング深さを５０μｍとした液晶パネル、およびエッチング深さを１００μｍとした液晶パネルの各々に所定値の荷重を加えて各サンプルが破壊された時点での加重値を求め、その結果を図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示してある。なお、各グラフにおいて、破壊されたサンプルの個数が集中している荷重値が、各レベルのエッチング処理が行われた液晶パネルの平均強度を表している。
【００８０】
各図を比較するとわかるように、エッチングなしの場合と比較して、エッチング処理有りの方が、パネルの強度が向上している。従って、エッチング処理によって、ガラス基板上の傷やクラックが除去され、液晶パネルを構成しているガラス基板において、割れ強度が改善されていることがわかる。但し、エッチング深さ１０μｍの場合と、エッチング深さが５０μｍの場合とは平均強度が約１５ｋｇであり、差がほとんどない。
【００８１】
これに対して、エッチング深さが１００μｍの場合、逆に平均強度が１３ｋｇ程度にまで低下している。これは、エッチング深さが１０μｍあるいは５０μｍの場合と比較して、エッチングによりガラス基板の傷やクラックは除去されているものの、ガラス基板自体の強度の絶対値が低下した結果である。
【００８２】
このようにエッチング工程ＳＴ４０を行うことにより、液晶パネル１′を構成する第１の基板１０および第２の基板２０から微小な傷やクラックを除去できるので、液晶パネル１′の割れ強度が改善されることがわかる。また、エッチング深さとしては、１０μｍ程度が必要であることがわかる。さらに、エッチング深さについてはある程度以上の深さまでエッチングしても強度が改善されず、エッチング深さが深すぎると、基板厚が薄くなって、液晶パネル１′の強度が低下する傾向にある。
【００８３】
［実施の形態２］
図１１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本形態の電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。図１２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本形態の電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルのシール材の外周側に形成されている隙間内に保護膜を形成する方法を示す平面図、および断面図である。図１３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った後、保護層を部分的に残した様子を示す平面図、および断面図である。なお、以下に説明する実施の形態２〜５はいずれも、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、図１１〜図１３に加えて、図７などを参照しながら、特徴的な部分のみを説明し、共通する部分の説明を省略する。
【００８４】
本形態でも、図４および図５（Ｅ）に示す２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、図４および図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する前に、単品の液晶パネル１′の状態で第１の基板１０および第２の基板２０の切断面および基板縁にウエットエッチングを施してその表層を削ることにより、切断面および基板縁から微小な傷やクラックを消去しておく（エッチング工程ＳＴ４０）。
【００８５】
また、本形態では、２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、エッチング工程ＳＴ４０を行う前に、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５、および隙間３を保護層９０（狭いピッチの右上がりの斜線を付した領域）で覆い、この状態でウエットエッチングを行う。
【００８６】
このような保護層９０として、本形態では、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により、液状のフォトレジスト、あるいはフォトレジストを溶剤で希釈した液状物を塗布した後、露光、現像し、レジスト層からなる第１の保護層９１を形成する。その結果、第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、第１の保護層９１で覆われる。
【００８７】
また、隙間３内にもレジスト、あるいはフォトレジストを溶剤で希釈した液状物を塗布した後、露光、現像し、レジスト層からなる第２の保護層９２を形成する。その結果、隙間３内に位置する第２の配線７（配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２）は、第２の保護層９２で覆われる。
【００８８】
ここで、第１の基板１０と第２の基板２０との隙間３は、極めて狭い隙間であるため、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、オフセット印刷のいずれの方法でも、隙間３内に直接、レジスト塗布するのは、困難であるか、あるいは極めて手間のかかる作業である。
【００８９】
そこで、本形態では、第１の保護膜９１を形成する前、第１の保護膜９１を形成した後のいずれのタイミングでもよいが、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、隙間３の開口端の全周における少なくとも一部分に保護層形成用の液状物Ｌをスポット状に塗布し、この液状物Ｌの毛細管力により、図１２（Ａ）、（Ｂ）に矢印Ｓ、Ｔで示すように、隙間３の奥および全周に液状物Ｌを行き渡らせ、しかる後に、液状物Ｌを固化させ、第２の保護層９２とする。従って、第１の基板１０および第２の基板２０の切断面および全ての基板縁が露出する状態に第２の保護層９２を形成できる。
【００９０】
そして、この状態でエッチング工程ＳＴ４０を行う。その結果、第１の基板１０では、保護層９０（第１の保護層９１、および第２の保護層９２）を形成した状態においても、外側表面の全体、切断面（側端面）、および全ての基板縁にウエットエッチングが施され、ウエットエッチングが施された部分の表層が薄くエッチングされる。それ故、第１の基板１０および第２の基板２０の切断面および基板縁から微小な傷およびクラックが消失する。
【００９１】
また、本形態では、このようなエッチング工程を行う際、張り出し領域２５の第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、第１の保護層９１で覆われているので、エッチング液に接触せず、腐蝕することがない。また、隙間３が第２の保護層９２で塞がれているため、エッチング液は、隙間３内に入り込むことがないので、隙間３内に位置する配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２（第２の配線７）が腐蝕することがない。
【００９２】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、剥離液を用いて、レジストからなる保護層９０（第１の保護層９１および第２の保護層９２）を完全に除去して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す状態に戻し、しかる後に、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する。
【００９３】
この際、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１の保護層９１については、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５の表面、およびその周辺領域からは除去する一方、配線部分５１、７１を覆う部分についてはそのまま残し、この状態で、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装してもよい。このように構成すると、配線部分５１、７１は、それ以降も保護層９０で覆われた状態にあるので、耐候性などが向上するという利点がある。また、第２の保護層９２については、隙間３内にそのまま残してもよい。
【００９４】
［実施の形態３］
本形態でも、実施の形態２と同様、２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、エッチング工程ＳＴ４０を行う前に、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５、および隙間３を保護層９０（狭いピッチの右上がりの斜線を付した領域）で覆い、この状態でウエットエッチングを行う。
【００９５】
このような保護層９０として、本形態では、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により、塗料、および塗料を溶剤で希釈した液状物を塗布した後、乾燥、固化して、塗膜からなる保護層９１を形成する。その結果、第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、第１の保護層９１で覆われる。
【００９６】
また、隙間３内にも塗料、および塗料を溶剤で希釈した液状物を塗布した後、乾燥、固化して、塗膜からなる第２の保護層９２を形成する。その結果、隙間３内に位置する第２の配線７（配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２）は、第２の保護層９２で覆われる。
【００９７】
ここで、第１の基板１０と第２の基板２０との隙間３は、極めて狭い隙間であるため、本形態でも、実施の形態２と同様、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、隙間３の開口端の全周における少なくとも一部分に保護層形成用の塗料（液状物Ｌ）を塗布し、この液状物Ｌの毛細管力により、図１２（Ａ）、（Ｂ）に矢印Ｓ、Ｔで示すように、隙間３の奥および全周に液状物Ｌを行き渡らせ、しかる後に、液状物を固化させ、第２の保護層９２とする。
【００９８】
そして、この状態でエッチング工程ＳＴ４０を行う。その結果、第１の基板１０では、保護層９０（第１の保護層９１、および第２の保護層９２）を形成した状態においても、外側表面の全体、切断面（側端面）、および全ての基板縁にウエットエッチングが施され、ウエットエッチングが施された部分の表層が薄くエッチングされる。それ故、第１の基板１０および第２の基板２０の切断面および基板縁から微小な傷およびクラックが消失する。但し、張り出し領域２５の第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、第１の保護層９１で覆われているので、エッチング液に接触せず、腐蝕することがない。また、隙間３が第２の保護層９２で塞がれているため、エッチング液は、隙間３内に入り込むことがないので、隙間３内に位置する配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２（第２の配線７）が腐蝕することがない。
【００９９】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、剥離液を用いて、塗料からなる保護層９０（第１の保護層９１および第２の保護層９２）を完全に、あるいは一部を除去し、しかる後に、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する。
【０１００】
［実施の形態４］
図１４（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。
【０１０１】
本形態でも、実施の形態２と同様、２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、エッチング工程ＳＴ４０を行う前に、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５、および隙間３を保護層９０（狭いピッチの右上がりの斜線を付した領域）で覆い、この状態でウエットエッチングを行う。
【０１０２】
このような保護層９０を形成するにあたって、本形態では、配向膜形成・ラビング工程ＳＴ１５、ＳＴ２３を利用して、大型基板１００、２００のうちに保護膜９０を形成する。
【０１０３】
すなわち、配向膜形成・ラビング工程ＳＴ２３において、大型基板２００の状態にある第２の基板２０の全面にスピンコート法や各種印刷法にてポリイミドを塗布、硬化させた後、酸素プラズマ処理でシール材３０で区画された領域内にポリイミドを配向膜２２として選択的に残す際、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対してもポリイミド膜を選択的に残して第１の保護層９１とする。また、隙間３内に形成されている第２の配線７（配線部分５１、７１の一部５２、７２）を覆うようにポリイミド膜を残して第２の保護層９２とする。
【０１０４】
また、配向膜形成・ラビング工程ＳＴ１５において、大型基板１００の状態にある第１の基板１０の全面にスピンコート法や各種印刷法にてポリイミドを塗布、硬化させた後、酸素プラズマ処理でシール材３０で区画された領域内にポリイミドを配向膜１２として選択的に残す際、シール材３０より外周側にもポリイミド膜を選択的に残して、隙間３内で第２の配線７（第１の電極パターン４０の端部４２）を覆う第２の保護層９２を形成する。
【０１０５】
そして、この状態でエッチング工程ＳＴ４０を行う。その結果、第１の基板１０では、保護層９０（第１の保護層９１、および第２の保護層９２）を形成した状態においても、外側表面の全体、切断面（側端面）、および全ての基板縁にウエットエッチングが施され、ウエットエッチングが施された部分の表層が薄くエッチングされる。それ故、第１の基板１０および第２の基板２０の切断面および基板縁から微小な傷およびクラックが消失する。但し、張り出し領域２５の第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、第１の保護層９１で覆われているので、エッチング液に接触せず、腐蝕することがない。また、隙間３内に第２の保護層９２が形成されているため、隙間３内に位置する配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２（第２の配線７）が腐蝕することがない。
【０１０６】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、酸素プラズマ処理で第１の保護層９１を完全に、あるいは一部を除去し、しかる後に、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する。
【０１０７】
このように本形態では、保護層９０を形成するにあたって、シール材３０で区画される領域内に配向膜２２として形成されるポリイミド（有機絶縁膜）と同時形成されたポリイミドを利用する。このため、保護層９０を形成するために新たな工程を追加する必要がないので、製造工程数の増加を最小限に止めることができる。
【０１０８】
なお、第２の基板２０の側にオーバーコート層２９を有機絶縁膜で形成する際（オーバーコート膜形成工程）、このオーバーコート層２９を構成する樹脂を張り出し領域２５に保護層９０として形成してもよい。また、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂについては、第２の基板２０の側に形成される場合があるので、このカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂを構成する樹脂を張り出し領域２５に保護層９０として形成してもよい。
【０１０９】
なお、基板におけるシール材３０で区画される領域内に無機絶縁膜が選択的に形成される場合、例えば、オーバーコート層２９をシリコン酸化膜などの無機絶縁膜で形成する際には、この無機絶縁膜と同時形成されるシリコン酸化膜などの無機絶縁膜を保護層９０として用いてもよい。この場合には、無機絶縁膜を後でエッチング除去する際、この無機絶縁膜と配線を構成する材料とのエッチング選択性が高いエッチング液を用いることが好ましい。
【０１１０】
［実施の形態５］
図１５（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。
【０１１１】
本形態でも、実施の形態２と同様、２次ブレイク工程ＳＴ３４で単品の液晶パネル１′に切断した後、エッチング工程ＳＴ４０を行う前に、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、張り出し領域２５、および隙間３を保護層９０（狭いピッチの右上がりの斜線を付した領域）で覆い、この状態でウエットエッチングを行う。
【０１１２】
このような保護層９０として、本形態では、第２の基板２０の張り出し領域２５のうち、第２の基板２０の基板縁からやや内側領域に対して、刷毛塗り、スクリーン印刷、インクジェット法、あるいは、オフセット印刷により、撥水剤、あるいは撥水剤を溶剤に溶かした液状物を塗布した後、乾燥させて、撥水層からなる第１の保護層９１を形成する。その結果、第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５は、第１の保護層９１で覆われる。
【０１１３】
また、隙間３内にも撥水剤、あるいは撥水剤を溶剤に溶かした液状物を塗布した後、乾燥させて、撥水層からなる第２の保護層９２を形成する。その結果、隙間３内に位置する第２の配線７（配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２）は、第２の保護層９２で覆われる。
【０１１４】
ここで、第１の基板１０と第２の基板２０との隙間３は、極めて狭い隙間であるため、本形態でも、実施の形態２と同様、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、隙間３の開口端の全周における少なくとも一部分に撥水剤、あるいは撥水剤を溶剤に溶かした液状物Ｌを塗布し、この液状物Ｌの毛細管力により、図１２（Ａ）、（Ｂ）に矢印Ｓ、Ｔで示すように、隙間３の奥および全周に液状物Ｌを行き渡らせ、第２の保護層９２を形成する。
【０１１５】
そして、この状態でエッチング工程ＳＴ４０を行う。ここで、第１の基板１０、および第２の基板２０は、撥水剤を保護層９０として形成した状態においても、外側表面の全体、基板縁、および切断面（側端面）が親水性のままであり、エッチングが施される。従って、第１の基板１０および第２の基板２０では、エッチングが施された部分では、表層が薄くエッチングされる結果、微小な傷およびクラックが消失する。
【０１１６】
これに対して、第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が形成されている領域は、撥水性であるため、腐蝕することがない。また、隙間３内も撥水性になっているので、隙間３内に位置する配線部分５１、７１の一部５２、７２、および第１の電極パターン４０の端部４２（第２の配線７）が腐蝕することがない。
【０１１７】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、撥水剤からなる保護層９０（第１の保護層９１および第２の保護層９２）を完全に、あるいは一部を除去し、しかる後に、図５（Ｆ）に示すＩＣ実装工程ＳＴ３５で単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３を実装する。
【０１１８】
このようにしてエッチング工程ＳＴ４０を行った後は、液晶パネル１′を水洗、乾燥した後、撥水剤の全体、あるいはその一部を除去してもよいが、撥水剤は、極めて薄い層から形成されているので、このような保護層９０であれば、そのまま残しても、単品の液晶パネル１′の張り出し領域２５に駆動用ＩＣ１３および可撓性基板２９を実装するのに支障がない。
【０１１９】
［その他の実施の形態］
上記実施形態において、基板実装端子２８は、基板縁に位置する部分がわずかに保護層９０から露出しており、この露出部分では腐食、損傷が起こる。そこで、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板実装端子２８については、基板縁を避けて、やや内側に入った部分に形成してもよい。
【０１２０】
また、上記形態では、エッチング工程ＳＴ４０をＩＣ実装工程ＳＴ３５の前に行ったが、ＩＣ実装工程ＳＴ３５の後、エッチング工程ＳＴ４０を行ってもよい。この場合でも、配線部分５１、７１、および基板実装端子２８は露出しているので、保護層９０で覆うことになる。この場合、駆動用ＩＣ１３はすでに実装した状態でエッチングを行うことになるので、駆動用ＩＣ３１を保護膜９０で覆った状態でエッチング工程を行ってもよいが、駆動用ＩＣ３１が露出する状態でエッチング工程を行ってもよい。駆動用ＩＣ３１が露出する状態でエッチング工程を行っても、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極、およびＩＣ実装端子２６、２７は、異方性導電膜で覆われているので、エッチング液で腐食、損傷するおそれはない。逆に駆動用ＩＣ３１が露出する状態でエッチング工程を行うと、ＩＣチップの基板縁、および切断面（側端面）もエッチングされる結果、ＩＣチップをシリコンウエハーから切断した際の微小な傷やクラックを消失させることができる。
【０１２１】
さらに上記形態では、エッチング工程ＳＴ４０にウエットエッチングを採用したが、ドライエッチングを採用してもよい。
【０１２２】
さらにまた、保護膜９０を形成するタイミングとしては、以下の４つのパターンがあるが、いずれのパターンで保護膜９０を形成してもよい。
【０１２３】
すなわち、第１のパターンでは、保護層９０のうち、張り出し領域２５に対する第１の保護層９１の形成、および隙間３に対する第２の保護層９２の形成のいずれについても、第１の基板１０と第２の基板２０とが貼り合わされた液晶パネル１′の状態で行う。
【０１２４】
第２のパターンでは、保護層９０のうち、張り出し領域２５に対する第１の保護層９１の形成、および隙間３に対する第２の保護層９２の形成のいずれについても、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせる前の大型基板の状態で行う。
【０１２５】
第３のパターンでは、保護層９０のうち、張り出し領域２５に対する第１の保護層９１の形成については、第１の基板１０と第２の基板２０とが貼り合わされた液晶パネル１′の状態で行い、隙間３に対する第２の保護層９２の形成については、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせる前の大型基板の状態で行う。
【０１２６】
第４のパターンでは、保護層９０のうち、張り出し領域２５に対する第１の保護層の形成については、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせる前の大型基板の状態で行い、隙間３に対する第２の保護層２０の形成については、第１の基板１０と第２の基板２０とが貼り合わされた液晶パネル１′の状態で行う。
【０１２７】
また、上記形態では、第１の保護膜９１および第２の保護膜９２のいずれについても、テープ、レジスト、塗料、撥水化剤、配向膜を用いた例を説明したが、第１の保護膜９１および第２の保護膜９２の各々について、異なる材料を用いてもよい。
【０１２８】
上記形態では、第１の基板１０及び第２の基板２０において露出している第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５を保護層で覆っているが、微小な傷やクラックを消去するためのエッチングを施した後でも、第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５の機能に支障をきたさないのであれば、保護層で覆わなくても良い。例えば、第１の配線６（配線部分５１、７１）、ＩＣ実装端子２６、２７、基板実装端子２８、およびアライメントマーク５５が、エッチングを施されて厚みが薄くなった後でも機能するだけの厚みを予め備えているような場合である。
【０１２９】
［本発明を適用可能な電気光学装置の構成］
上記形態はいずれも、パッシブマトリクス型の液晶装置からなる電気光学装置に本発明を適用したが、図１７ないし図１９を参照して以下に説明するいずれの電気光学装置においても、電気光学物質を保持する剛性基板に可撓性基板を接続して信号の入力が行われるので、本発明を適用することができる。
【０１３０】
図１７は、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
図１８は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図１９は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【０１３１】
図１７に示すように、画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ａでは、複数の配線としての走査線５１ａが行方向に形成され、複数のデータ線５２ａが列方向に形成されている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する位置には画素５３ａが形成され、この画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａ（非線形素子）とが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【０１３２】
このように構成した電気光学装置１ａでも、一対のガラス基板などを対向した状態でシール材で貼り合わせ、かつ、少なくとも一方の基板に駆動用ＩＣをＣＯＧ実装した構造、あるいは、駆動用ＩＣをＣＯＦ実装した可撓性基板をガラス基板に接続した構造が採用されるので、本発明を適用することが好ましい。
【０１３３】
図１８に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素端子９ｂ、および画素端子９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０ｂが形成されており、画素信号を供給するデータ線６ｂが当該ＴＦＴ３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線６ｂに書き込む画素信号は、データ線駆動回路２ｂから供給される。また、ＴＦＴ３０ｂのゲートには走査線３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路３ｂから供給される。画素端子９ｂは、ＴＦＴ３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ｂから供給される画素信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素端子９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号は、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【０１３４】
ここで、保持された画素信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素端子９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量７０ｂによって、画素端子９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。
これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３１ｂとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【０１３５】
このように構成した電気光学装置１ｂでも、一対のガラス基板などを対向した状態でシール材で貼り合わせ、かつ、一方のガラス基板に可撓性基板を接続した構造が採用されるので、本発明を適用することが好ましい。
【０１３６】
図１９に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置は、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【０１３７】
ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線３ｐと、この走査線３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線６ｐと、これらのデータ線６ｐに並列する複数の共通給電線２３ｐと、データ線６ｐと走査線３ｐとの交差点に対応する画素１５ｐとが構成されている。データ線６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。
【０１３８】
また、画素１５ｐの各々には、走査線３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ３１ｐと、この第１のＴＦＴ３１ｐを介してデータ線６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量３３ｐと、この保持容量３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３２ｐと、第２のＴＦＴ３２ｐを介して共通給電線２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子４０ｐとが構成されている。
【０１３９】
ここで、発光素子４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極２０ｐは、データ線６ｐなどを跨いで複数の画素１５ｐにわたって形成されている。
【０１４０】
このように構成した電気光学装置１ｐにおいては、発光素子を形成したガラス基板からなる素子基板にガラス製の保護基板がシール材を介して貼り合わされ、かつ、素子基板に可撓性基板を接続した構造が採用されるので、本発明を適用することが好ましい。
【０１４１】
また、上述した実施形態以外にも、電気光学装置として、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１４２】
［電子機器の実施形態］
図２０は、本発明に係る電気光学装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１７０、表示情報処理回路１７１、電源回路１７２、タイミングジェネレータ１７３、そして電気光学装置１７４を有する。また、電気光学装置１７４は、表示パネル１７５及び駆動回路１７６を有する。電気光学装置１７４としては、前述した電気光学装置を用いることができる。
【０１４３】
表示情報出力源１７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１７１に供給する。
【０１４４】
表示情報処理回路１７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１７６へ供給する。駆動回路１７６は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１４５】
図２１（Ａ）は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード１８１を備えた本体部１８２と、液晶表示ユニット１８３とを有する。液晶表示ユニット１８３は、前述した電気光学装置１および液晶パネル１′などを含んで構成される。
【０１４６】
図２１（Ｂ）は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１９０は、複数の操作ボタン１９１と、前述した電気光学装置１などを有している。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の斜視図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】図１のＩ−Ｉ′線で電気光学装置を切断したときのＩ′側端部の断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の製造工程での仕掛途中品の様子を示す説明図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の製造工程の途中において液晶パネルを構成する基板に微小な傷およびクラックが入っている様子を模式的に示す説明図、およびエッチング工程で微小な傷およびクラックが消失した状態を示す説明図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造工程途中における液晶パネルの平面図、および断面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態１に係る電気光学の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態１に係る電気光学の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った後、保護層を部分的に残した様子を示す平面図、および断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った効果を説明するためのグラフである。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。
【図１２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルのシール材の外周側に形成されている隙間内に保護膜を形成する方法を示す平面図、および断面図である。
【図１３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行った後、保護層を部分的に残した様子を示す平面図、および断面図である。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の製造工程途中において、液晶パネルにエッチングを行う際、保護層を形成した状態を示す平面図、および断面図である。
【図１６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の製造工程途中における別の液晶パネルの平面図、および断面図である。
【図１７】画素スイッチング素子として非線形素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図１８】画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。
【図１９】電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。
【図２０】本発明に係る電気光学装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図２１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図、および携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
【０１４８】
１  電気光学装置、１′  液晶パネル、３  液晶パネルの隙間、６  第１の配線、７  第２の配線、１０  第１の基板、１１  第１の端子形成領域、１３  駆動用ＩＣ（電子部品）、２０  第２の基板、２１  第２の端子形成領域、２５  第２の基板の張り出し領域、２６、２７  ＩＣ実装端子、２８  基板実装端子、２９  可撓性基板（電子部品）、３０  シール材、３５  液晶封入領域、４０  第１の電極パターン、４２  第１の電極の端部（第２の配線）、５０  第２の電極パターン、５１、７１  配線部分（第１の配線）、５２、７２  配線の一部（第２の配線）、５５  アライメントマーク、６０、７０  基板間導通用端子、９０  保護層、９１  第１の保護層、９２  第２の保護層、１００、２００  大型基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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