(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
準大気圧化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）プロセスで圧力を降下させる方法であって、
（１ａ）チャンバ内に所定の圧力で、キャリアガスに伴われる珪素含有ガスの流入と、オゾンの流入とを、形成するステップと、
（１ｂ）基板上に層を堆積するステップと、
（１ｃ）前記珪素含有ガス及び前記キャリアガスの流入を停止するステップと、
（１ｄ）オゾンの流入を、オゾンより反応性の低いガスで希釈するステップと、
（１ｅ）前記チャンバ内の圧力を低下させるステップと
を有する方法。
【請求項２】
更に、
（２ａ）前記チャンバ内に酸素を導入するステップと、
（２ｂ）前記チャンバ内の圧力を上昇させるステップと、
（２ｃ）第２の珪素含有ガスを前記チャンバ内に導入するステップと、
（２ｄ）プラズマを点火するステップと、
（２ｅ）第２の層を堆積するステップと
を有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、
（ａ）前記ステップ（１ｂ）の間、前記層をドープさせるために、前記チャンバ内にドーパント含有ガスを流入させるステップと、
（ｂ）前記珪素含有ガスの流入及び前記キャリアガスの流入を停止する前に、前記ドーパント含有ガスの流入を停止させるステップと
を有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の珪素含有ガスが、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ：ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）である請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記プラズマが、前記第２の珪素含有ガスの導入の１５〜２０秒後に点火される請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記圧力の上昇が、毎秒０．５〜５トールの上昇速度で行われる請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記オゾンの流入に対する前記希釈の後、前記圧力の減少の前に、ウエハを支持するサセプタを移動させて、ガス排出ヘッドから遠ざける請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマが点火された後、ドーパントがチャンバ内に導入される請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記珪素含有ガスの流入及び前記キャリアガスの流入の停止が、前記ドーパント含有ガスの流入の停止の後１〜５秒後に開始する請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記オゾンより反応性の低いガスが酸素（Ｏ２）  である請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記圧力の降下が、毎秒５〜５０トールの降下速度で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記圧力が、０．４〜２トールの基本圧力まで減少される請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
２層二酸化珪素膜を形成するために、準大気圧化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）プロセスからプラズマ励起化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスへ移行させる方法であって、
（ａ）チャンバ内に所定の圧力で、キャリアガスに伴われるＴＥＯＳの流入と、オゾンの流入とを、形成するステップと、
（ｂ）基板上に第１の層を堆積するステップと、
（ｃ）前記ＴＥＯＳ及び前記キャリアガスの流入を停止するステップと、
（ｄ）オゾンの流入を、オゾンより反応性の低いガスで希釈するステップと、
（ｅ）前記チャンバ内の圧力を低下させるステップと
（ｆ）前記チャンバ内に酸素を導入するステップと、
（ｇ）前記チャンバ内の圧力を上昇させるステップと、
（ｈ）珪素含有ガスを前記チャンバ内に導入するステップと、
（ｉ）プラズマを点火するステップと、
（ｊ）前記第１の層の上に第２の層を堆積するステップと
を有する方法。
【請求項１４】
前記プラズマが点火された後に前記ドーパント含有ガスをチャンバ内に導入するステップを更に有する請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記珪素含有ガスが、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ：ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）である請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記プラズマが、前記珪素含有ガスの導入の１５〜２０秒後に点火される請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記チャンバ内の圧力を上昇させる前記ステップ（ｇ）が、毎秒０．５〜５トールの上昇速度にて行われる請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
２層二酸化珪素膜を形成するために、準大気圧化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）プロセスからプラズマ励起化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスへ移行させる方法であって、
（ａ）チャンバ内に所定の圧力で、ヘリウムキャリアガスに伴われるテトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ：ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）ガスの流入と、オゾンの流入とを、形成するステップと、
（ｂ）基板上に第１の層を堆積するステップと、
（ｃ）前記ＴＥＯＳガス及び前記ヘリウムキャリアガスの流入を停止するステップと、
（ｄ）オゾンの流入を、酸素で希釈するステップと、
（ｅ）ウエハを支持するサセプタを移動させて、ガス排出ヘッドから遠ざけるステップと、
（ｆ）圧力を、毎秒５〜５０トールの速度で、基本圧力０．４〜２トールに至るまで減圧するステップと、
（ｇ）前記チャンバ内に酸素を導入するステップと、
（ｈ）前記基本圧力から、毎秒０．５〜５トールの間にある第２の速度で、第３の圧力まで圧力を上昇させるステップと、
（ｉ）前記チャンバ内にＴＥＯＳを導入するステップと、
（ｊ）前記第３の圧力に達した１５〜２０秒後に、プラズマを点火するステップと
を有する方法。
【請求項１９】
前記オゾンより反応性の低いガスが、酸素又は窒素である請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
準大気圧化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）プロセスの圧力を降下させる方法であって、
珪素含有ガスとキャリアガスとのチャンバ内への流入を開始する第１のステップであって、前記チャンバが、２０トール以上の圧力である、前記第１のステップと、
前記チャンバ内へのオゾンの流入を開始する第２のステップと、
基板上に、実質的に二酸化珪素から成る層を堆積する第３のステップと、
前記珪素含有ガスと前記キャリアガスの流入を停止する第４のステップと、
前記オゾンの流入を酸素で希釈する第５のステップと、
圧力を降下させる第６のステップと
を有する方法。
【請求項２１】
前記ステップ（１ａ）の圧力が２０トール以上である請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記ステップ（ａ）の圧力が２０トール以上である請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記ステップ（ａ）の圧力が２０トール以上である請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記珪素含有ガスが、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ：ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）である請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記オゾンより反応性の低いガスが、酸素又は窒素である請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学気相堆積法（ＣＶＤ）による二酸化珪素膜の表面の欠陥を低減する技術に関し、特に、オゾン−ＴＥＯＳの化学系を用いて二酸化珪素膜を形成した直後にプラズマ励起化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ）により二酸化珪素膜を形成する場合に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在の半導体デバイスの製造において基本的な工程の１つに、気体の化学反応により半導体基板上に薄膜を形成する工程がある。このような堆積の工程を、化学気相堆積法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）  といい、これを省略してＣＶＤと称する。従来技術における熱ＣＶＤプロセスでは、基板表面に反応性のガスを供給し、熱により、所望の膜を生成する化学反応を生じさせる。熱ＣＶＤプロセスが操作される温度では、メタル層を有するデバイス構造体にダメージを与えてしまうことがある。一方、プラズマ励起ＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）（しばしばＰＥＣＶＤと称される）では、基板表面近くの反応領域に高周波（ＲＦ）エネルギーを与えて、反応性ガスの分解を促進し、反応性の高いイオン種のプラズマを生成させる。放たれるイオン種の反応性は高いので、化学反応に要するエネルギーが低くなり、ＣＶＤプロセスに要する温度も低くなる。このようにＰＥＣＶＤプロセスの温度は比較的低いため、例えば、メタル層を堆積しその上に絶縁層を形成するような場合に、このプロセスは有用である。
【０００３】
２層の絶縁膜ないし誘電膜の方が、１層の膜の場合よりも有利である場合がある。低圧ＣＶＤプロセスないし準大気圧のＣＶＤ（ｓｕｂ−ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  ＣＶＤ）（ＳＡＣＶＤ）プロセスでは、メタルライン間のギャップやポリシリコンその他の領域間のギャップを良好に埋めるような膜を形成することができる。アプライドマテリアルズ社によるＳＡＣＶＤプロセスの例の１つでは、オゾンを用いて典型的に温度範囲が３５０〜５００℃、圧力が２０〜６２０トールで行われる。ＳＡＣＶＤでは堆積速度が低く、そのため、第１の層の上にＰＥＣＶＤによる第２の層を堆積する「サンドイッチ」層を採用することが望ましい。ＰＥＣＶＤ層は非常に迅速に形成できるため、所望の厚さに層を堆積するために要する時間を低減することができる。この第２の層をその後、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）を用いて平坦化することができる。
【０００４】
ＳＡＣＶＤプロセスが終われば、プロセスの終了後に生じた反応により、膜の表面に欠陥が生じることがある。この反応により、膜の品質やその後形成する膜との界面に影響することがある。
【０００５】
特に、ＳＡＣＶＤプロセスにより形成した膜の上にＰＥＣＶＤプロセスを用いて第２の二酸化珪素膜を堆積する場合、層間の欠陥が問題となる場合がある。特に、続いてエッチングを行い層の中にメタルコネクションを形成する場合、弱い界面部を横方向にエッチングをしてしまい、望まない場所にメタルが堆積して、メタルコネクションがきれいに垂直なラインとなることを妨害することがある。
【０００６】
二酸化珪素層のそれぞれが、特定のタイプの誘電層となるためにドーパントを含有することがある。この層は、ノンドープのシリカガラス（ＵＳＧ）であってもよく、リンドープの珪素ガラス（ＰＳＧ）やボロン及びリンをドープした珪素ガラス（ＢＰＳＧ）のようにドーパントを含有していてもよい。例えばプリメタル誘電体（ＰＭＤ）やインターメタル誘電体（ＩＭＤ）のため、あるいは絶縁ないしパッシベーション層のために、２層を採用してもよい。
【０００７】
この２層は、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ又はＵＳＧを別々に組合わせたものであってよい。特に、ＳＡＣＶＤによるＵＳＧ層の後に、ＰＥＣＶＤによりＵＳＧ層を形成する。あるいは、ＳＡＣＶＤによるＰＳＧ層の後に、ＵＳＧ又はＰＳＧのＰＥＣＶＤ層を形成してもよい。ＳＡＣＶＤによるＢＰＳＧ層の後に、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ又はＵＳＧのＰＥＣＶＤ層を形成してもよい。好ましい珪素ソースはＴＥＯＳ（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）  であり、ボロンソースとしてはＴＭＢ又はＴＥＢを用いてもよく、リンソースとしてはＴＥＰＯ、ＴＥＰ、ＴＭＰ又はＴＭＯＰを用いてもよい。
【０００８】
２層を形成する方法の１つは、第１の層を堆積した後、プラズマ励起プロセスによる膜を堆積するため、ウエハを第２のリアクタチャンバへ移動させることである。この方法の不利な点は、第２のリアクタチャンバが必要であることと、ウエハを別のチャンバへ移動させる必要があり余分な時間がかかる点である。
【０００９】
２番目の方法は、ＳＡＣＶＤプロセス（２０トール以上、好ましくは２０〜６２０トール）とＰＥＣＶＤプロセス（０．５〜２０トール）の両方を行うことが可能なチャンバを用いる方法である。このチャンバを用いてまずＳＡＣＶＤプロセスにより第１の層を堆積し、次いで、チャンバからウエハを取り出し、チャンバをクリーニングする。続いて、ウエハをチャンバに戻し、プラズマ励起プロセスによる膜を堆積する。この方法では、第１のプロセスと第２のプロセスの間でチャンバをクリーニングすることにより、第２のプロセスにおいて、第１のプロセスでの材料が反応することによる欠陥の形成を排除している。このプロセスでは、チャンバは１つだけあればよいものの、チャンバのクリーニングの中間工程においてウエハの取り出し及び戻しのための時間が必要である。
【００１０】
これら２つの堆積工程を同じチャンバで交互に行うだけで、間にクリーニングを行わなければ、２つの二酸化珪素層の間の界面が弱くなることが見出されている。
【００１１】
図３は、下層５４と上層５６とを有する２層膜の断面図である。ここでは、エッチングによりチャンネル５８がこれら２層の中に形成され、メタライゼーションによりこのチャンネルが充填されている。図から理解されるように、界面６０が弱いために、係るエッチングにより、地点６２のところで側壁にまで侵食されている。従って、側壁は清浄ではなく、そのため、ウエハ上に形成される回路の特性や品質に影響を与え得ることが理解されよう。
【００１２】
ＳＡＣＶＤステップの終点において排気が行われている間、ドーパントガス及びＴＥＯＳの供給を止めた後、オゾンがチャンバ内の反応物と反応する場合に、欠陥が生じて弱い界面が形成されることとなる場合がある。ＰＥＣＶＤプロセスの開始時では、ドーパントは酸素と反応して界面にＢ２Ｏ３やＰ２Ｏ５を生成し、弱い界面を生成することとなる場合もある。ホウ素酸化物やリン酸化物は、二酸化珪素に混入されることが望ましいのであり、二酸化珪素よりも優勢であることは望ましくない。
【００１３】
その他の誘電体層との界面の問題に関しては、従来技術において様々な方法で取り扱われてきた。例えば、米国特許第５，２７１，９７２号では、最初にＰＥＣＶＤ層を形成し次いで熱ＣＶＤ（ＴＨＣＶＤ：ｔｈｅｒｍａｌ  ＣＶＤ）  により層を形成する方法が、説明されている。界面の表面のセンシティビティを低減する目的で、この特許ではＰＥＣＶＤプロセスの終わりで電力をステップ状に低下させることについて記載している。
【００１４】
米国特許第５，４２６，０７６号では、最初に形成したＰＥＣＶＤ層に続いて熱ＣＶＤ層を形成する場合の、界面をより良好にするための別の方法について説明する。この特許では、酸素（Ｏ２）プラズマによるクリーニングのステップを行って、ＰＥＣＶＤプロセスで形成される液体ＴＥＯＳの堆積を除去する。これにより、次のＴＨＣＶＤプロセスでオゾンのＴＥＯＳとの反応が防止される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＳＡＣＶＤによる層形成のプロセスと、ＰＥＣＶＤプロセスが最初ではなく２番目に行われる２誘電体層のプロセスとの、両方を取り扱うものである。この２つの層の界面を向上させ、また、２つのプロセスをインシチュウに又は連続に、同じチャンバ内でクリーニングのステップを介在させずに行うことに対しての要請がある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＳＡＣＶＤプロセスにおいて堆積に係る圧力を減少させるための方法及び装置を提供する。また、本発明は、これに引続き、弱い層間界面を形成する不要な反応を防止するような方法で、ＰＥＣＶＤプロセスの圧力を上昇させるための方法及び装置を提供する。特に、珪素を含有するガス（好ましくはＴＥＯＳ）及び／又はキャリアガス（好ましくはヘリウム）の流入を停止することにより、ＳＡＣＶＤプロセスにおける堆積のための圧力が低下し、他方、酸素系の反応ガスの流入の希釈を行い、例えば、オゾンの流入を酸素（オゾンより反応性の低いガス）で希釈する。圧力の降下は同時に開始する。オゾンを酸素で希釈することにより、プロセスの終わりで不要な反応物との反応が制限される。
【００１７】
Ｏ３  −ＴＥＯＳプロセスでドーパントを用いる場合は、ＴＥＯＳ及びヘリウムキャリアの流入停止の約２秒前にドーパントガスの流入を停止して、ドーパントガスを消費させるようにすることが好ましい。酸素を導入してオゾンを希釈する場合は、ウエハを移動しガス排出ヘッドから遠ざけることが好ましい。圧力は、反応チャンバの基本圧力（０．４〜２トール）に達するまで、例えば毎秒５〜５０トール、好ましくは毎秒約１０トールの速度で減少させることが好ましい。
【００１８】
また、本発明は、ＰＥＣＶＤプロセスの圧力上昇の間に欠陥が形成されることを防止する。これは、まず酸素を供給し、圧力を上昇させることにより行われる。ウエハを載置したサセプタを、同時に又は予め、ガス排出ヘッド近くまで移動させる。続いて、珪素含有ガス（ＴＥＯＳ）を導入し、プラズマを点火する。このとき、二酸化珪素層の形成に用いようとするドーパントを導入する１〜２秒前に、酸素及びＴＥＯＳだけでプラズマを開始することが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の方法の実施に適するＣＶＤシステムの１つが、図１に示される。図１は、真空チャンバ１５を有する平行板化学気相堆積システム１０の概略的な縦断面図である。システム１０は、サセプタ１２上に置かれたウエハ（図示せず）に堆積ガスを分配するためのガス流入マニホールド１１を有している。サセプタ１２は熱応答性が高く、サセプタ１２（及びサセプタ１２の上面で支持されるウエハ）が下方の搬入出のポジションと上方のマニホールド１１近くの処理のポジションとの間を調節可能に移動できるよう、サセプタ１２は支持フィンガ１３上に載置されている。
【００２０】
サセプタ１２及びウエハは、処理のポジション１４にある場合は、バッフル板に包囲され、このバッフル板には、環状の真空マニホールド２４内へと排気させる複数のホール（穴）が、間隔をおいて配置される。処理中は、マニホールド１１へのガスの流入は、矢印２１に示されるように、ウエハ表面の半径方向全体に均一に散布される。そして、真空ポンプシステム（図示せず）によって、ガスはポート２３を通って環状真空マニホールド２４の中へと排出される。マニホールド１１に至る前に、堆積ガス及びキャリアガスは、ガスライン１８を通じてミキシングシステム１９へと流入し、そこで一緒となって、マニホールド１１へと送られる。このＣＶＤシステムは、改造をすることなく、ＳＡＣＶＤプロセス（２０〜６２０トール）とＰＥＣＶＤプロセス（０．５〜２０トール）の両方を行うことが可能なものである。
【００２１】
システム１０では、熱プロセス又はプラズマ励起プロセスの何れも行うことが可能である。熱プロセスは、典型的には、オゾンとＴＥＯＳを用い、温度範囲は３５０〜５００℃、圧力範囲は２０〜６２０トールで行うＳＡＣＶＤプロセスである。プラズマプロセスでは、ＲＦ電源２５によりマニホールド１１へＲＦエネルギーを印加（サセプタ１２を接地する）することにより、ウエハの近くに制御されたプラズマを形成する。具体例の１つでは、ＲＦ電力は、流入マニホールド１１の支持体へのストラップにより接続されるが、他のタイプの接続点を用いてもよい。また、流入マニホールド１１はＲＦ電極でもあり、他方、サセプタ１２は接地されている。ＲＦ電源２５は、チャンバ１５内に導入された反応種の分解を促進するのであれば、単一の周波数のＲＦ電力であっても、混合周波数のＲＦ電力であってもよい。
【００２２】
外部のランプモジュール２６により、コリメートされた環状のパターンの光２７が、クオーツウィンドウ２８を介して、サセプタ１２の環状外側縁部分に与えられる。このように熱分布を設けることにより、サセプタの自然発生的な熱損失のパターンを補償し、有効な堆積のためにサセプタ及びウエハを急速且つ均一に加熱できるようになる。
【００２３】
典型的には、チャンバライニング、ガス流入マニホールドのフェイス板、支持フィンガ１３並びにその他の様々なシステムハードウェアの何れか又は全てが、陽極処理アルミニウム等の材料でできていることが好ましい。このようなＣＶＤ装置は、例えば、標題  ”Ｔｈｅｒｍａｌ  ＣＶＤ／ＰＥＣＶＤ  Ｒｅａｃｔｏｒ  ａｎｄ  Ｕｓｅ  ｆｏｒ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｄｉｏｘｉｄｅ  ａｎｄ  Ｉｎ−ｓｉｔｕ  Ｍｕｌｔｉ−ｓｔｅｐ  Ｐｌａｎａｒｉｚｅｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ”の  Ｃｈａｎｇ  らの米国特許第５，０００，１１３号に記載されている。
【００２４】
モータ３２により、サセプタ１２が、処理のポジション１４と下方のウエハ搬入ポジションとの間を昇降する。モータ３２と、ガスミキシングシステム１９と、ＲＦ電源２５とは、制御ライン３６上のプロセッサ３４によって制御される。プロセッサ３４のオペレーションは、メモリ３８に格納されたコンピュータプログラムの制御の下になされる。コンピュータプログラムは、タイミング、ガスの混合の状態、ＲＦ電力のレベル、サセプタのポジション、その他特定のプロセスのパラメータの指令をする。
【００２５】
図２は、本発明に従って形成したウエハの一例の部分的な断面図である。この断面図では、数個のメタルライン又はポリシリコンライン４０が下層４２の上に形成されているのが示される。下層４２は、典型的には、メタル又はポリシリコンのライン４０とインターコネクトを形成するトランジスタ又はその他の部品を有している。メタルの第２の層を堆積するため、あるいは、単にメタル層のパッシベーションを行うためには、層間絶縁層が必要である。これは、本発明では、２層を用いて行われる。第１の層は、ＳＡＣＶＤ層４４である。ＳＡＣＶＤプロセスを用いる理由は、メタルライン４０同士の間のギャップのようなギャップへの充填が良好であるからである。また、ＳＡＣＶＤプロセスを用いて、ポリシリコンやその他の構造体同士の間のギャップを、その他の層のプレメタル層として充填してもよい。更に、ドーピングを行ったＳＡＣＶＤ層を、温度範囲７５０℃〜９５０℃でアニールし、平坦化（プラナリゼーション）された層又は部分的に平坦化された層を形成してもよい。ＳＡＣＶＤの堆積速度はさほど高くないため、第２のプラズマ励起層４６を堆積し、これにより厚い層を迅速に形成することができる。上面５２は、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリシング）により平坦化してもよい。前述のように、良好な界面５０を形成するためには、典型的には、チャンバを２つ用いるか、あるいは、ＳＡＣＶＤ層の堆積後プラズマ励起層４６の堆積前にウエハをチャンバから取り出しクリーニングを行うかがなされる。本発明は、ウエハをチャンバから取り出さず、また、中間のクリーニングのステップを行わずに、良好な界面５０を形成するためのプロセスを提供する。これは、図５で例示されるように、ＳＡＣＶＤ堆積のステップの圧力を降下させる新規な手順と、図６に例示されるようにＰＥＣＶＤプロセスの圧力を上昇させる手順とにより、実現される。また、ＳＡＣＶＤの手順は、１層の場合に対しても、表面の欠陥を防止する点で有用である。
【００２６】
図４は、プロセスチャンバ１０にガスを供給するガスミキシングシステム１９を例示する。第１のライン６４は、ライン６６からのＴＥＯＳを、供給しようとするドーパント、例えば、バルブ６９を介するライン７０のＴＥＰＯと、また、バルブ７２を介してライン７４のＴＥＢと、混合するために用いられる。これとは別に、第２のライン７６が、酸素をプロセスチャンバ１０のガス排出マニホールドへ、バルブ８０で調節しつつライン７８を通じて供給し、且つ／又は、オゾンを、バルブ８４で調節しつつライン８２を通じて供給し、また、できれば、Ｃ２Ｆ６等の弗素含有ガスをバルブ８８で調節しつつライン８６を通じて供給する。
【００２７】
液体ソース（ＴＥＯＳ、ＴＥＢ、ＴＥＰＯ等）から発生されるプロセスガスは、様々な方法で与えることができる。ライン６６のＴＥＯＳについての１つの例に対して、２つの代替可能な方法が示される。同様の構成を用いて、ＴＥＰＯ（又はＴＥＰ、ＴＭＰやＴＭＯＰ）からのガスをバルブ６８へと発生させ、あるいは、ＴＥＢ（又はＴＭＢ）からのガスをバルブ７２へと発生させることができる。ＴＥＯＳの例では、ＴＥＯＳから発生したガスは、バブラシステム９０又はインジェクションシステム９２の中に供給されてもよい。いずれかを用いるときのため、これらは点線で指示される。バブラシステム９０では、自動流量制御装置（ＡＦＣ）９４が、温度３０〜５０℃のＴＥＯＳ１００を収容するベッセル９８へのライン９６に与えられる。ヘリウムをベッセルに供給してバブリングすることにより、ＴＥＯＳの蒸気を、ライン６６と接続するライン１０２を通じて、ＣＶＤチャンバへと供給できる。
【００２８】
あるいは、ＴＥＯＳソース１０８からの液体ＴＥＯＳを、流量計（ＬＦＭ）を介してインジェクションバルブ１０４へ供給する。ＴＥＯＳソース１０８は、デガス器を有して、加圧ヘリウムを用いてＴＥＯＳを排出する場合にヘリウムを取り除いてもよい。このデガス器は、バブラの例に用いてもよい。流量計は、液体ＴＥＯＳの流量を調節する。キャリアガスとしてのヘリウムは、自動流量コントローラ１０９及び導管１１０を介してインジェクションバルブ１０４へと与えられる、インジェクションバルブ１０４では、急激な圧力の変化ないし体積の変化により、液体ＴＥＯＳが気化する。気化したＴＥＯＳは、ヘリウムキャリアガスによって、導管１１２及び６６を通ってプロセスチャンバへと運ばれる。
【００２９】
チャンバの他方の側では、真空ポンプ１１４が、ステッパモータ１１８により制御される絞りバルブないし可変バルブ１１６を介して、チャンバからの排気ラインに接続される。ステッパモータによりバルブ１１６が閉じているときは、プロセスチャンバ１０に与えられるガスにより、チャンバ内の圧力が上昇する。バルブ１１６を開けば、チャンバ内の圧力を下げることができる。プロセスの間、所望の圧力を維持するようなサーボ制御の下、フィードバックループ及び制御バルブ１１６により、適正な圧力が維持される。
【００３０】
２つのマノメータ１１を用いて、プロセスチャンバ１０内の圧力を測定する。マノメータは、０〜１００トールの範囲の圧力（ＰＥＣＶＤ用）を測定することができ、又は、０〜１０００トールの範囲の圧力（ＳＡＣＶＤ用）を測定することができる。測定された圧力は、フィードバック制御のため、図１のプロセッサ３４に送られる。
【００３１】
図５は、本発明に従ったＣＶＤの圧力降下の具体例の１つのフローチャートである。ステップＡで示すように、ＳＡＣＶＤ堆積のステップがまず完結する。具体例の１つでは、このプロセスはオゾン（Ｏ３）  とＴＥＯＳの混合ガスを約２００トールの圧力でチャンバに与えている。加熱ランプによりサセプタを４００〜５００℃の温度に加熱し、また、プラズマ励起プロセスではないためＲＦ電源とサセプタの間に電力を印加しない。このプロセスがドープ珪素ガラスに関する者である場合は、ノンドープ珪素ガラス（ＵＳＧ）の場合と異なり、混合ガスには、リン含有ガスやリン及びホウ素含有ガス（例えばＴＥＢ（ｔｒｉｅｔｈｙｌｂｏｒａｔｅ）やＴＥＰＯ（ｔｒｉｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈａｔｅ））を含有させる。サセプタは、ガス排気マニホールドから２００〜３００ｍｉｌ（約５．１〜７．６ｍｍ）離れている。用いるオゾン流量は、２０００〜５０００ｓｃｃｍである。インジェクションシステムプロセスについては、具体例の１つでは、ＴＥＯＳを２００〜６００ｍｇｍ、ＴＥＰＯを４０〜９０ｍｇｍ、ＴＥＢを１００〜２５０ｍｇｍである。インジェクションシステムでは、ヘリウムキャリアの流量は２０００〜８０００ｓｃｃｍである。他方、バブラシステムの具体例の１つでは、ヘリウムキャリアの液体ＴＥＯＳベッセルへの流入量は２０００〜５０００ｓｃｃｍであり、ヘリウムキャリアのＴＥＰＯベッセルへの流入量は２０００〜６０００ｓｃｃｍ、ヘリウムキャリアのＴＥＢベッセルへの流入量は２００〜４００ｓｃｃｍである。
【００３２】
層４４（図２に図示）を充分な厚さに堆積するに充分な時間、プロセスを稼働すれば、ホウ素含有ドーパントガス又はホウ素及びリン含有ドーパントガスの流入をまず停止する（図５のステップＢ）。１〜５秒遅れ、好ましくは２〜秒遅れで（ステップＣ）、珪素含有ガス（ＴＥＯＳ）の流入及び／又はキャリアガス（ヘリウム）の流入を停止する（ステップＤ）。これにより、ＴＥＯＳが充分に存在することなくオゾンがドーパントガスと反応することが、防止される。この時間の程度は実験により決定され、１〜５秒、好ましくは２〜３秒に決められた。
【００３３】
また、ステップＤにおいては、オゾンの流入が、酸素によって希釈される。オゾン流入量４０００ｓｃｃｍに対して、酸素の流入量３０００ｓｃｃｍを添加することが好ましく、その他の流量はこれに比例させることが好ましい。これにより、欠陥の形成が防止されるが、何故なら、圧力の降下時にオゾンが高い濃度で存在すれば、ドーパントとＴＥＯＳが望まない態様で制御不能に反応を生じてしまうからである。
【００３４】
酸素の流入を開始した後、サセプタ及びウエハを移動させ、ガス排出マニホールドから遠ざける（ステップＤ）。この移動は、酸素の流入が始まれば直ちに開始し、ＴＥＯＳ及びヘリウムの停止と同時に酸素の流入が開始する。サセプタを下方へ移動させることは反応の可能性を低減するだけでなく、真空排気口から遠ざけることにもなるため、全体が引っ張られることによる欠陥の発生の可能性も少なくなる。
【００３５】
次に、サセプタが、ガス排出フェイス板から約２３０ｍｉｌ（約５．８ｍｍ）離れている処理のポジションから、ガス排出フェイス板から６００ｍｉｌ（約１５ｍｍ）離れているポジションへと移動する際、圧力も低下する。圧力の低下は、反応チャンバの基本圧力（０．４〜２トール）に達するまで、毎秒５〜５０トール、好ましくは毎秒約１０トールの速度で減少させることが好ましい。このプロセスでは、処理圧力によるが、１０〜２０秒かかる。
【００３６】
酸素及びオゾンの流入を停止した後、圧力がチャンバの基本圧力である０．４〜２トールに達する（ステップＥ）。
【００３７】
本発明の圧力降下のプロセスは、オゾン及びＴＥＯＳの流入を停止する前にドーパントの流入を停止することによってなされ、これにより、表面層をドーパント反応物が支配することがなくなる。実際、二酸化珪素層は単独で表面層を形成することがあり、この表面層には過剰なドーパントを有していることが好ましい。別の具体例では、オゾンの希釈に酸素を用いるのではなく、窒素ガス（Ｎ２）  を用いてもよい。
【００３８】
ＳＡＣＶＤプロセスに続いてＰＥＣＶＤプロセスを行う場合は、ＰＥＣＶＤプロセスは、ＳＡＣＶＤプロセスが完結した２〜３秒の直後、酸素及びオゾンを停止して、ＰＥＣＶＤを開始してもよい。その時間の間、ＰＥＣＶＤを迅速に開始できるよう、温度を維持しておく。図６は、ＰＥＣＶＤプロセスの圧力上昇により２つの層の間の界面の欠陥を最小にするステップを例示する。サセプタをまず、ガス排出ヘッドから６００ｍｉｌ（約１５ｍｍ）のポジションから２３０〜２６０ｍｉｌ（約５．８〜６．６ｍｍ）のポジションまで移動させる（ステップＧ）。次いで、ＰＥＣＶＤの圧力上昇（ステップＨ）のために、酸素を、好ましくは流量１０００ｓｃｃｍ程度で流入させて圧力を再び上昇させる。これにより、チャンバの基本圧力である０．４〜２トールから、例えば毎秒０．５〜５トール、好ましくは毎秒約１トールの速度で、５〜１５トールの操作圧力まで圧力が上昇し、これに係る時間は典型的には１０〜１５秒である。
【００３９】
次いで、次の膜の形成のためのＴＥＯＳをチャンバに、好ましくは約６００〜７００ｓｃｃｍで導入し、圧力を最終的な処理圧力、好ましくは７〜１２トールまで上昇させる（ステップＩ）。ステップＩでＴＥＯＳを約１４〜２０秒間導入した後、約５５０〜６００ワットの電力を入れることによりプラズマを点火する（ステップＪ）。プラズマをこのように点火して２秒後、チャンバにドーパントを導入し（ステップＫ）、堆積プロセスを進行させる（ステップＬ）。具体例の１つでは、ＰＳＧに対してＴＥＯＳを５８０ｓｃｃｍ用いてもよく、ＢＰＳＧに対してはＴＥＢを５０ｓｃｃｍとＴＥＰＯを１１００ｓｃｃｍ用いてもよい。あるいは、異なる流量を用いてもよく、又は、バブラプロセスを用いてもよい。圧力と間隔を上昇させ、且つ、ドーパントの導入の前にＴＥＯＳ及びＯ２  を導入することにより、ホウ素と酸素の化合物（Ｂ２Ｏ２等）及びリンと酸素の化合物（Ｐ２Ｏ５等）の２層間の界面での形成が防止される。これらの化合物が形成された場合は、２層間の界面を弱めてしまうこととなる。
【００４０】
本発明に従って形成したウエハ上の２層間の界面の強度を、本発明者らが試験した。膜の堆積後、ウエハを６００゜Ｆでアニールした。次いで、ウエハをポリシリコンはエッチングするが二酸化珪素はエッチングしないＫＯＨの中に置いた。高温酸エッチングを２０秒間行った後、界面の強度を、走査電子顕微鏡で観察した。図３に示すように、エッチングパターンに欠陥は見られなかった。
【００４１】
いわゆる当業者に理解されるように、本発明はその特徴から離れることなく、別の具体的な形態に具体化できる。例えば、ＰＥＣＶＤの圧力上昇過程の後半で、マニホールドの方へサセプタを移動させてもよい。
【００４２】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、２つの層の界面を向上させ、また、２つのプロセスをインシチュウに又は連続に、同じチャンバ内でクリーニングのステップを介在させずに行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従った簡単なＣＶＤリアクタの縦断面図である。
【図２】本発明に従った２層膜断面図である。
【図３】欠陥を有する界面を例示する、２層膜の中のエッチングにより形成したチャンネルの断面図である。
【図４】プロセスシステムのブロック線図であり、異なるガスソース及びその混合を例示する図である。
【図５】本発明のＳＡＣＶＤの圧力降下のステップを例示するフローチャートである。
【図６】本発明のＳＡＣＶＤの圧力上昇のステップを例示するフローチャートである。
【符号の説明】
１０…システム、１１…ガス流入マニホールド、１２…サセプタ、１３…支持フィンガ、１４…処理のポジション、１５…真空チャンバ、１８…ガスライン、１９…ミキシングシステム、２１…矢印、２３…ポート、２４…環状真空マニホールド、２５…ＲＦ電源、２６…ランプモジュール、２７…光、２８…クオーツウィンドウ、３２…モータ、３４…プロセッサ、３６…制御ライン、３８…メモリ、４０…メタルライン又はポリシリコンライン、４２…下層、４４…ＳＡＣＶＤ層、４６…プラズマ励起層、４８…ギャップ、５０…界面、５２…上面、５４…下層、５６…上層、５８…チャンネル、６０…界面、６４…第１のライン、６６，７０，７４，７６，７８，８２，１０２…ライン、６８，７２，８０，８４，８８…バルブ、９０…バブラシステム、９２…インジェクションシステム、９４…自動流量制御装置、１００…ＴＥＯＳ、１０４…インジェクションバルブ、１０６…流量計、１０８…ＴＥＯＳソース、１０９…自動流量コントローラ、１１０，１１２…導管、１１４…真空ポンプ、１１６…絞りバルブ、１１８…ステッパモータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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