(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された、相対的に下側に位置する層からなる複数個の第１のマークと、その第１のマーク上に重ね合わされて形成された、相対的に上側に位置する層からなる複数個の第２のマークとの間の相対的な位置ずれの各々の測定値を補正するための重ね合わせ測定誤差補正方法であって、
マークの位置を認識するために用いられる光源に対向させて前記基板を第１の位置に置いたときに複数個の前記第１と第２のマーク間のそれぞれの相対的な位置ずれを複数個の第１の値として測定するステップと、
前記第１の位置に対して前記基板の法線方向を中心にして１８０°回転させた第２の位置に前記基板を置いたときに前記相対的な位置ずれを複数個の第２の値として測定するステップと、
複数個の前記第１と第２の値の和の半分の値を前記第１と第２とのマークの各々に対応して複数個の第３の値として算出するステップと、
複数個の前記第３の値の分散が第１の基準値を超え、かつ前記第３の値の１つと、複数個の前記第３の値からその１つの前記第３の値を除いて算出される平均値との差が第２の基準値を超えているとき、前記平均値に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップと、
前記分散が前記第１の基準値以下のとき、複数個の前記第３の値のすべての平均値に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップと、
前記分散が前記第１の基準値を超え、かつ前記第３の値の１つと複数個の前記第３の値からその１つの前記第３の値を除いて算出される平均値との差が第２の基準値以下であるとき、複数個の前記第３の値の各々に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップとを備えた、重ね合わせ測定誤差補正方法。
【請求項２】
前記平均値に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップは、複数個の前記第１の値から前記平均値を引くことを含み、
複数個の前記第３の値のすべての平均値に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップは、複数個の前記第１の値から複数個の前記第３の値のすべての平均値を引くことを含み、
複数個の前記第３の値の各々に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップは、複数個の前記第１の値の各々から複数個の前記第３の値の各々を引くことを含む、請求項１に記載の重ね合わせ測定誤差補正方法。
【請求項３】
前記第１の基準値は、重ね合わせ規格値の２乗の１０分の１の値であり、前記第２の基準値は、前記重ね合わせ規格値の半分の値である、請求項１または２に記載の重ね合わせ測定誤差補正方法。
【請求項４】
前記第１および第２のマークは、半導体装置を製造する工程において形成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の重ね合わせ測定誤差補正方法。
【請求項５】
前記第１のマークは、ワード線と同時に形成され、前記第２のマークは、レジストに形成されるコンタクトホール用の孔と同時に形成される、請求項４に記載の重ね合わせ測定誤差補正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、重ね合わせ測定誤差の補正方法に関し、特に、半導体装置を形成する工程で用いられるレジストパターンの重ね合わせ測定誤差の補正方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置を構成する素子の寸法の微細化が図られている。半導体装置の集積度の増加に伴い、レジストパターンの重ね合わせ精度に対する要求は０．２０μｍから０．１０μｍさらにはナノメータオーダになってきている。そのため、半導体装置の各層の素子を形成するためのレジストパターンの重ね合わせ誤差は重要になってきている。ここで、半導体装置の重ね合わせ誤差を測定する方法について、図面を用いて説明する。
【０００３】
図８、９および１１は、重ね合わせ誤差の測定方法を説明するために半導体装置の製造工程に従って示す断面図である。図８を参照して、基板５０１の上にゲート絶縁膜５０２を形成する。ゲート絶縁膜５０２上に導電体からなるゲート電極５０３および重ね合わせ誤差測定用の第１のマーク５０４を形成する。
【０００４】
次に、図９を参照して、基板５０１に不純物領域５０６および５０７を形成する。不純物領域５０７上にキャパシタ（図示せず）を形成する。基板５０１の表面を覆うように層間絶縁膜５０５を形成する。層間絶縁膜５０５の上にレジストパターン５０８を形成する。レジストパターン５０８にはコンタクトホール用の孔５０９と重ね合わせ誤差測定用の孔状の第２のマーク５１０が形成されている。
【０００５】
ここで、孔５０９が不純物領域５０６の上に位置したとき、第２のマーク５１０が第１のマーク５０４の上に位置するように孔５０９および第２のマーク５１０は位置決めされている。そのため、第１のマーク５０４と第２のマーク５１０との間にずれがあれば、不純物領域５０６と孔５０９とはずれていることがわかる。
【０００６】
図１０は、図９の破線Ｘで囲まれた領域の拡大断面図である。図１０を参照して、基板５０１上にゲート絶縁膜５０２が形成されている。ゲート絶縁膜５０２上に第１のマーク５０４が形成されている。基板５０１の表面を覆うようように層間絶縁膜５０５が形成されている。層間絶縁膜５０５の表面にレジストパターン５０８が形成されている。レジストパターン５０８に第２のマーク５１０が形成されている。
【０００７】
ここで、第１のマーク５０４と第２のマーク５１０とのずれを測定するために、図中の矢印５２０で示す測定光を基板に対して垂直に照射して第１および第２のマーク５０４および５１０の側壁間の距離（図中ａおよびｂ）を認識する。そして、（ａ−ｂ）の値を第１のマーク５０４と第２のマーク５１０とのずれとする。第１のマーク５０４と第２のマーク５１０とのずれが許容範囲内であれば、図１１で示す工程へ進む。
【０００８】
図１１を参照して、レジストパターン５０８をマスクとして層間絶縁膜５０５をエッチングすることによりコンタクトホール５１１を形成する。同時に、孔５１２も形成される。
【０００９】
このようにして、半導体装置を構成する各層は積層されていく。
ここで、図１０中の測定光が基板５０１に対して垂直であれば、ａ−ｂを第１のマーク５０４と第２のマーク５１０とのずれとしても何ら問題はない。しかし、測定光が基板に対して垂直でない場合がある。
【００１０】
図１２は、基板に対して垂直でない測定光を用いた場合を説明するために示す、図９中の破線Ｘで囲まれた領域の拡大断面図である。図１２を参照して、矢印５２０で示す測定光は、基板５０１の法線方向（図中の２点鎖線）と角度θをなしている。そのため、矢印５２０で示す測定光は、第１および第２のマーク５０４および５１０の側壁を正確に認識することができない。その結果、側壁間の距離は、図中のａおよびｂとして認識される。
【００１１】
このａおよびｂは側壁間のずれの真の値Ｗ１  およびＷ２  とは異なるものである。そのため、第１のマーク５０４と第２のマーク５１０とのずれとして（ａ−ｂ）の値を用いると、マーク間のずれを正確に認識できない。そのため、（ａ−ｂ）の値を補正することにより、マーク間のずれとしている。その補正方法を以下に説明する。
【００１２】
図１３は、補正方法を説明するために示す基板の平面図である。図１２は図１３のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面を示しているものとする。
【００１３】
図１２および図１３を参照して、基板５０１上のずれ測定点６０１〜６０９に、第１のマーク５０４および第２のマーク５１０を形成する。次に、ずれ測定点６０１〜６０９において、矢印５２０で示す測定光により第１のマーク５０４の側壁と第２のマーク５１０の側壁との距離をａおよびｂとして認識し、第１のマーク５０４と第２のマーク５１０とのずれＸを計算する。ずれＸは、以下の式で表わされる。
【００１４】
【数１】
0003609896.tif 000002
【００１５】
ここで、添字６０１〜６０９は、ずれ測定点６０１〜６０９でのデータであることを示す。
【００１６】
図１４は、補正方法を説明するために示す基板の平面図である。また、図１５は、図１４中のＸＶ−ＸＶ線に沿って見た断面を模式的に示す図である。
【００１７】
図１４および図１５を参照して、図１３で示す位置に対して基板を１８０°回転させる。次に、ずれ測定点６０１〜６０９において矢印５２０で示す測定光により第１のマーク５０４の側壁と第２のマーク５１０の側壁との距離をｃおよびｄとして認識し、第１のマーク５０４と第２のマーク５１０とのずれＹを計算する。ずれＹは、以下の式で表わされる。
【００１８】
【数２】
0003609896.tif 000003
【００１９】
ここで、添字６０１〜６０９は、ずれ測定点６０１〜６０９でのデータであることを示す。
【００２０】
次に、ＸおよびＹを以下の式に代入し、Ｔを計算する。
【００２１】
【数３】
0003609896.tif 000004
【００２２】
このようにして算出されるＴは、測定装置自身の物理的非対称性によって生じる誤差値であり、一般にＴＩＳ（Ｔｏｏｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｈｉｆｔ）と呼ばれている。
【００２３】
次に、Ｔ６０１  〜Ｔ６０９  の平均値Ｔａｖｅ  を以下の式により算出する。
【００２４】
【数４】
0003609896.tif 000005
【００２５】
最後に、ＸおよびＴａｖｅ  を以下の式に代入し、第１のマーク５０４と第２のマーク５１０とのずれを補正してＺとする。
【００２６】
【数５】
0003609896.tif 000006
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
以上に示したように、従来は、ずれ測定点６０１〜６０９の各々でＴＩＳ値（Ｔ６０１  〜Ｔ６０９  ）を求め、これらの平均を用いてずれの測定値を補正していた。この方法は、ＴＩＳ値にばらつきがないときは効果的な補正方法であると言える。
【００２８】
しかしながら、以下で示す場合には、従来の方法では問題が生じる。
図１６は、問題が生じる第１および第２のマークの平面図である。ずれ測定点６０４では、図１６に示すように、第１のマーク５０４の上に第２のマーク５１０が形成されているものとする。第２のマーク５１０の側壁には多くの凹凸がある。そのため、第２のマーク５１０の位置を正確に認識できないため、ずれ測定点６０４でのＴＩＳ値と他のずれ測定点でのＴＩＳ値との間で差が生じる。
【００２９】
図１７は、図１６に示す第１および第２のマークが存在する場合に得られるＴＩＳ値を示すグラフである。図１７を参照して、ずれ測定点６０４でのＴＩＳ値１６０４は、他のずれ測定点でのＴＩＳ値１６０１〜１６０３および１６０５〜１６０９に比べて極端に大きい。
【００３０】
このような場合には、ずれ測定点６０１〜６０９でのＴＩＳ値１６０１〜１６０９の平均値Ｔａｖｅ  は意味を持たないためＴａｖｅ  を用いて補正を行なうのは好ましくない。
【００３１】
図１８は、ばらついたＴＩＳ値を示すグラフである。図１８を参照して、ずれ測定点６０１〜６０９でのＴＩＳ値１６０１〜１６０９は、０を中心に均等にばらついている。このような場合には、ずれ測定点６０１〜６０９でのＴＩＳ値１６０１〜１６０９の平均値Ｔａｖｅ  はＴＩＳ値がばらついているにもかかわらずほぼ０となり意味を持たない。そのため、Ｔａｖｅ  を用いて補正を行なうのは好ましくない。
【００３２】
そこで、この発明は、ＴＩＳ値の中に極端に大きい値があるときやＴＩＳ値がばらついているときにも精度よく重ね合わせ誤差の測定値を補正できる方法を提供することを目的とする。
【００３３】
【課題を解決するための手段】
この発明は、基板上に形成された、相対的に下側に位置する層からなる複数個の第１のマークと、その第１のマーク上に重ね合わされて形成された、相対的に上側に位置する層からなる複数個の第２のマークとの間の相対的な位置づれの各々の測定値を補正するための重ね合わせ測定誤差補正方法であって、以下の▲１▼〜▲６▼で示すステップを備える。
【００３４】
▲１▼  マークの位置を認識するために用いられる光源に対向させて基板を第１の位置に置いたときに複数個の第１と第２のマーク間のそれぞれの相対的な位置ずれを複数個の第１の値として測定するステップ。
【００３５】
▲２▼  第１の位置に対して基板の法線方向を中心にして１８０°回転させた第２の位置に基板を置いたときに上記相対的な位置ずれを複数個の第２の値として測定するステップ。
【００３６】
▲３▼  複数個の第１と第２の値の和の半分の値を第１と第２とのマークの各々に対応して複数個の第３の値として算出するステップ。
【００３７】
▲４▼  複数個の第３の値の分散が第１の基準値を超え、かつ第３の値の１つと、複数個の第３の値からその１つの第３の値を除いて算出される平均値との差が第２の基準値を超えているとき、平均値に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップ。
【００３８】
▲５▼  上記の分散が第１の基準値以下のとき、複数個の第３の値のすべての平均値に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップ。
【００３９】
▲６▼  上記の分散が第１の基準値を超え、かつ第３の値の１つと、複数個の第３の値からその１つの第３の値を除いて算出される平均値との差が第２の基準値以下であるとき、複数個の第３の値の各々に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップ。
【００４０】
また、平均値に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップは、複数個の第１の値から平均値を引くことを含み、複数個の第３の値のすべての平均値に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップは、複数個の第１の値から複数個の第３の値のすべての平均値を引くことを含み、複数個の第３の値の各々に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正するステップは、複数個の第１の値の各々から複数個の第３の値の各々を引くことを含むことが好ましい。
【００４１】
第１の基準値は、重ね合わせ規格値の２乗の１０分の１の値であり、第２の基準値は、重ね合わせ規格値の半分の値であることが好ましい。
【００４２】
ここで、重ね合わせ規格値とは重ね合わせ誤差の許容範囲を言う。
このようなステップを備えた重ね合わせ測定誤差補正方法では、第３の値をＴＩＳ値とすると、複数個のＴＩＳ値の分散が第１の基準値を超え、かつＴＩＳ値の１つの複数個のＴＩＳ値からその１つのＴＩＳ値を除いて算出される平均値との差が第２の基準値を超えているとき、すなわち複数個のＴＩＳ値の中に他のＴＩＳ値との差が大きいＴＩＳ値があるとき、その差の大きいＴＩＳ値を除いたＴＩＳ値の平均値に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正する。そのため、差が大きいＴＩＳ値の影響を受けずに精度のよい補正をすることが可能となる。
【００４３】
また、第３の値をＴＩＳ値とすると、複数個のＴＩＳ値の分散が第１の基準値以下であるとき、すなわちＴＩＳ値が０付近に集まっているとき、複数個のＴＩＳ値のすべての平均値に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正する。ここでの平均値は、極端に絶対値の大きいＴＩＳ値を含まない。そのため、平均値を用いて補正すれば、精度のよい補正をすることができる。
【００４４】
さらに、第３の値をＴＩＳ値とすると、複数個のＴＩＳ値の分散が第１の基準値を超え、かつＴＩＳ値の１つと複数個のＴＩＳ値からその１つのＴＩＳ値を除いて算出される平均値との差が第２の基準値以下であるとき、すなわちＴＩＳ値が０を対称として大きく散らばっているとき、複数個のＴＩＳ値の各々に基づいて複数個のマークの各々の相対的な位置ずれの測定値を補正する。つまり、複数個のマークの各々に対応した補正をするため、精度良く補正をすることができる。
【００４５】
また、第１および第２のマークは、半導体装置を製造する工程において形成されることが望ましい。さらに、第１のマークは、ワード線と同時に形成され、第２のマークは、レジストに形成されるコンタクトホール用の孔と同時に形成されることが好ましい。
【００４６】
このような第１および第２のマークを用いた重ね合わせ測定誤差補正方法は、半導体装置を構成する層の重ね合わせ測定誤差を補正するのに用いることができる。
【００４７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。
【００４８】
図１は、この発明の各ステップを示すフローチャートである。図１を参照して、オリエンテーションフラットを基準に基板を位置決めし、基板上に複数の第１および第２のマークを形成する（ステップ２０１）。
【００４９】
オリエンテーションフラットダウンの状態で、第１のマークと第２のマークとのずれの値を測定する。次に、オリエンテーションフラットダウンの状態から、基板を同一平面内で１８０°回転させ、オリエンテーションフラットアップの状態にする。この状態で、第１のマークと第２のマークとのずれの値を測定する（ステップ２０２）。
【００５０】
ステップ２０１およびステップ２０２で測定した第１のマークと第２のマークとのずれの値から複数のＴＩＳ値を算出する（ステップ２０３）。
【００５１】
複数のＴＩＳ値の分散が基準値以下であるかを判断する（ステップ２０４）。ここで、分散とは、各ＴＩＳ値とＴＩＳ値の平均値との差の２乗の平均を言う。また、基準値は、第１のマークと第２のマークとのずれの許容値の２乗の１０分の１を採用する。
【００５２】
ＴＩＳ値の分散が基準値以下であれば、ＴＩＳ値の平均値を用いてずれの値を補正する（ステップ２０５）。
【００５３】
ＴＩＳ値の分散が基準値を超えるとＴＩＳ値の中に飛値があるかを判断する（ステップ２０６）。飛値を判断する方法としては、判断すべき１つの値とその値を除いた他の値の平均値との差が前述のずれの許容値の２分の１を超えていれば飛値とする方法を採用する。
【００５４】
ＴＩＳ値の中に飛値がなければ、複数の個々のＴＩＳ値を用いてずれの値を補正する（ステップ２０７）。
【００５５】
ＴＩＳ値の中に飛値があれば、飛値を除去した残りのＴＩＳ値の平均値で補正する（ステップ２０８）。
【００５６】
次に、図１で示すステップ２０１〜２０８について、詳細に説明する。
まず、図１のステップ２０１について説明する。
【００５７】
図２は、ステップ２０１を説明するために示す基板の平面図である。また、図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って見た断面を模式的に示す図である。図２を参照して、基板１のオリエンテーションフラット２を基準として基板１を位置決めする。この状態をオリエンテーションフラットダウンという。図３を参照して、基板１上のずれ測定点４０、５０および６０に第１のマーク４１、５１および６１を形成する。また、図２中のずれ測定点１０、２０、および３０ならびにずれ測定点７０、８０および９０にも第１のマークが形成される。ここで、第１のマーク４１、５１および６１は、半導体装置の製造工程において形成されるワード線と同時に形成されることが好ましい。
【００５８】
図４は、第２のマークの製造方法を説明するために示す基板の模式的な断面図である。図４を参照して、基板１を覆うように層間絶縁膜１００が形成される。層間絶縁膜１００上にレジストパターン２００が形成される。レジストパターン２００には第２のマーク４２、５２および６２が形成されている。また、レジストパターン２００には、他のずれ測定点用の第２のマークも形成されている。基板１に形成された不純物領域に達するコンタクトホールを形成するための孔（図示せず）がレジストパターン２００に形成されている。コンタクトホールを形成するための孔が不純物領域の直上に位置すると第１のマーク４１、５１および６１の直上に第２のマーク４２、５２および６２が位置する。
【００５９】
次に、図１のステップ２０２について説明する。
図５は、ステップ２０２を説明するために示す基板の模式的な断面図である。図５を参照して、矢印１１０で示す測定光により第１のマーク４１、５１および６１の側壁と第２のマーク４２、５２および６２の側壁との距離をａ４  、ｂ４  、ａ５  、ｂ５  、ａ６  およびｂ６  として認識する。また、図２中のずれ測定点１０、２０、３０、７０、８０および９０でも第１のマークの側壁と第２のマークの側壁との距離を測定光により認識する。
【００６０】
これらの測定値からずれＸ（＝ａ−ｂ）を計算する。
ずれ測定点１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０および９０での第１のマークの側壁と第２のマークの側壁との距離およびずれを表１にまとめる。
【００６１】
【表１】
0003609896.tif 000007
【００６２】
図６は、図２で示す状態から１８０°回転させた基板の平面図である。図６を参照して、オリエンテーションフラットダウンの状態から基板１を１８０°回転させる。図６で示す状態をオリエンテーションフラットアップという。
【００６３】
図７は、図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線にそって見た断面を模式的に示す図である。図７を参照して、矢印１１０で示す測定光により第１のマーク４１、５１および６１の側壁と第２のマーク４２、５２および６２の側壁との距離をｃ４  、ｄ４  、ｃ５  、ｄ５  、ｃ６  およびｄ６  として認識する。また、図６中のずれ測定点１０、２０、３０、７０、８０および９０でも第１のマークの側壁と第２のマークの側壁との距離を測定光により認識する。
【００６４】
これらの測定値からずれＹ（＝ｃ−ｄ）を計算する。
ずれ測定点１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０および９０での第１のマークの側壁と第２のマークの側壁との距離およびずれを表２にまとめる。
【００６５】
【表２】
0003609896.tif 000008
【００６６】
次に、図１のステップ２０３について説明する。
ステップ２０２で求めたずれＸおよびＹを以下の式に代入してずれ測定点１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０および９０でのＴＩＳ値（Ｔ１  〜Ｔ９  ）を求める。
【００６７】
【数６】
0003609896.tif 000009
【００６８】
次に、図１のステップ２０４について説明する。
ステップ２０４では、ステップ２０３で求めたＴ１  〜Ｔ９  を以下の式に代入してＴ１  〜Ｔ９  の分散σ２  を求める。
【００６９】
【数７】
0003609896.tif 000010
【００７０】
分散σ２  が以下の関係を満たさなければステップ２０５へ進む。分散σ２  が以下の関係を満たせばステップ２０６へ進む。
【００７１】
【数８】
0003609896.tif 000011
【００７２】
ここでは、基準値としては、重ね合わせ規格値Ｓの２乗の１０分の１の値を採用するが、これに限られるものではない。
【００７３】
次に、図１のステップ２０５について説明する。
ステップ２０５では、ステップ２０２で測定したずれの値Ｘ１  〜Ｘ９  を以下の式に代入して補正後のずれの値Ｚ１  〜Ｚ９  を求める。
【００７４】
【数９】
0003609896.tif 000012
【００７５】
次に、図１のステップ２０６について説明する。
ステップ２０６では、Ｔ１  〜Ｔ９  内に飛値があるかどうかを判断する。判断手法としては、以下の関係を満たすＴｍ  が存在すれば飛値があると判断する方法を採用するが、この方法に限定されるものではない。
【００７６】
【数１０】
0003609896.tif 000013
【００７７】
Ｔ１  〜Ｔ９  の中に飛値がなければステップ２０７へ進む。Ｔ１  〜Ｔ９  の中に飛値があればステップ２０８へ進む。
【００７８】
次に、図１のステップ２０７について説明する。
ステップ２０７では、ステップ２０２で測定したずれの値Ｘ１  〜Ｘ９  を以下の式に代入して補正後のずれの値Ｚ１  〜Ｚ９  を求める。
【００７９】
【数１１】
0003609896.tif 000014
【００８０】
最後に、図１のステップ２０８について説明する。
ステップ２０８では、ステップ２０６で検出した飛値がＴｍ  だけであったとすると、Ｔｍ  を除いた残りのＴＩＳ値の平均値Ｕを求める。
【００８１】
【数１２】
0003609896.tif 000015
【００８２】
飛値が複数個あったならば、その複数個の飛値を除いた残りのＴＩＳ値の平均値をＵとする。
【００８３】
ステップ２０２で測定したずれの値Ｘ１  〜Ｘ９  を以下の式に代入して補正後のずれの値Ｚ１  〜Ｚ９  を求める。
【００８４】
【数１３】
0003609896.tif 000016
【００８５】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、ここで説明した以外にもさまざまな変形が可能である。たとえば、数９、１１および１３において、Ｔａｖｅ  、Ｔｎ  およびＵを定数倍してもよい。また、Ｔ１  〜Ｔ９  の過半数が飛値であれば、測定を中止し、レチクルを設計し直すことが好ましい。
【００８６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものでないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００８７】
【発明の効果】
この発明によれば、基板上の各測定点で測定されたＴＩＳ値によって補正方法を異ならせているので重ね合わせ誤差の測定値を精度よく補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の各ステップを示すフローチャートである。
【図２】図１中のステップ２０１を説明するために示す基板の平面図である。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って見た断面を模式的に示す図である。
【図４】第２のマークの製造方法を説明するために示す基板の模式的な断面図である。
【図５】図１中のステップ２０２を説明するために示す基板の模式的な断面図である。
【図６】図２で示す状態から１８０°回転させた基板の平面図である。
【図７】図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って見た断面を模式的に示す図である。
【図８】従来の重ね合わせ誤差の測定方法を説明するために半導体装置の第１の製造工程に従って示す断面図である。
【図９】従来の重ね合わせ誤差の測定方法を説明するために半導体装置の第２の製造工程に従って示す断面図である。
【図１０】図９中の破線Ｘで囲んだ領域の拡大断面図である。
【図１１】従来の重ね合わせ誤差の測定方法を説明するために半導体装置の第３の製造工程に従って示す断面図である。
【図１２】基板に対して垂直でない測定光を用いた場合を説明するために示す、図９中の破線Ｘで囲んだ領域の拡大断面図である。
【図１３】従来の補正方法を説明するために示す基板の平面図である。
【図１４】図１３で示す状態から１８０°回転させた基板の平面図である。
【図１５】図１４中のＸＶ−ＸＶ線に沿って見た断面を模式的に示す図である。
【図１６】問題が生じる第１および第２のマークの平面図である。
【図１７】図１６で示す第１および第２のマークが存在する場合に得られるＴＩＳ値を示すグラフである。
【図１８】ばらついたＴＩＳ値を示すグラフである。
【符号の説明】
２０１〜２０７  ステップ。
【図１】
0003609896.tif 000017
【図２】
0003609896.tif 000018
【図３】
0003609896.tif 000019
【図４】
0003609896.tif 000020
【図５】
0003609896.tif 000021
【図６】
0003609896.tif 000022
【図７】
0003609896.tif 000023
【図８】
0003609896.tif 000024
【図９】
0003609896.tif 000025
【図１０】
0003609896.tif 000026
【図１１】
0003609896.tif 000027
【図１２】
0003609896.tif 000028
【図１３】
0003609896.tif 000029
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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