(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の工程（イ）、工程（ロ）および工程（ハ）を有することを特徴とする積層型コネクターの製造方法。
工程（イ）：
下部側基板の上面に、下部側配線部およびこの下部側配線部から上方に突出するメタルポストを形成すると共に、前記下部側配線部に接続された、当該下部側基板をその厚み方向に貫通して伸びる下部側短絡部を形成する工程。
工程（ロ）：
上部側基板の下面に、上部側配線部およびこの上部側配線部に接続されたメタルランドを形成すると共に、前記上部側配線部に接続された、当該上部側基板をその厚み方向に貫通して伸びる上部側短絡部を形成する工程。
工程（ハ）：
下部側基板の上面に、熱硬化性樹脂シートよりなる絶縁性接着層形成材を介して、上部側基板をそのメタルランドの各々が対応する当該下部側基板のメタルポスト上に位置されるよう配置し、この状態で熱圧着処理することにより、前記絶縁性接着層形成材が硬化して得られる絶縁性接着層によって前記下部側基板と前記上部側基板とを接着すると共に、当該下部側基板のメタルポストと当該上部側基板のメタルランドとを圧接接合して前記絶縁性接着層をその厚み方向に貫通して伸びる中間短絡部を形成する工程。
【請求項２】
請求項１に記載の工程（イ）、工程（ロ）および工程（ハ）により積層型コネクターを得、この積層型コネクターよりなるアダプター本体の上面上に異方導電性エラストマー層を一体的に形成することを特徴とする回路基板検査用アダプター装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層型コネクターの製造方法およびこの積層型コネクターを具えた回路基板検査用アダプター装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般にプリント回路基板などの回路基板においては、第２０図に示すように、回路基板９０の中央部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領域９１が設けられると共に、その周縁部に機能素子領域９１のための多数のリード電極９２が配列されてなるリード電極領域９３が形成される。そして、現在においては、機能素子領域９１の集積度の増大に伴ってリード電極領域９３のリード電極数が増加し高密度化する傾向にある。
【０００３】
このような回路基板のリード電極と、これに接続すべき他の回路端子などとの電気的な接続を達成するために、従来、各リード電極領域上に異方導電性シートを介在させることが行われている。この異方導電性シートは、厚さ方向にのみ導電性を示すもの、あるいは加圧されたときに厚さ方向にのみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部を有するものであり、種々の構造のものが例えば特公昭５６−４８９５１号公報、特開昭５１−９３３９３号公報、特開昭５３−１４７７７２号公報、特開昭５４−１４６８７３号公報などにより、知られている。
【０００４】
然るに、上記の異方導電性シートは、それ自体が単独の製品として製造され、また単独で取り扱われるものであって、電気的接続作業においては回路基板に対して特定の位置関係をもって保持固定することが必要である。
しかしながら、独立した異方導電性シートを利用して回路基板の電気的接続を達成する手段においては、検査対象である回路基板におけるリード電極の配列ピッチ（以下「電極ピッチ」という。) 、すなわち互いに隣接するリード電極の中心間距離が小さくなるに従って異方導電性シートの位置合わせおよび保持固定が困難となる、という問題点がある。
【０００５】
また、一旦は所望の位置合わせおよび保持固定が実現された場合においても、温度変化による熱履歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応力の程度が、検査対象である回路基板を構成する材料と異方導電性シートを構成する材料との間で異なるため、電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持されない、という問題点がある。
【０００６】
更に、検査対象である回路基板に対して安定な接続状態が維持され得るとしても、例えば実装密度の高いプリント回路基板のように、複雑で微細なパターンの被検査電極群を有する回路基板に対しては、当該被検査電極の各々との電気的な接続を確実に達成することが困難であるため、所要の検査を十分に行うことができない、という問題点がある。
【０００７】
そして、従来、以上のような問題を解決するために、下面に規格化された標準格子点上に配置された端子電極を有し、上面に検査対象回路基板の被検査電極に対応するパターンに従って配置された接続用電極を有するアダプター本体と、このアダプター本体の上面上に一体的に設けられた異方導電性エラストマー層とよりなる回路基板検査用アダプター装置が提案されている。
【０００８】
このような回路基板検査用アダプター装置によれば、検査対象である回路基板におけるリード電極などの被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続を確実に達成することができ、また温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って高い接続信頼性が得られる。
【０００９】
而して、このような回路基板検査用アダプター装置においては、検査対象である回路基板の被検査電極に対応したパターンすなわち電極ピッチが微小で複雑なパターンの接続用電極と、例えば電極ピッチが２．５４ｍｍまたは１．８ｍｍの標準格子点上に配置された端子電極とを電気的に接続することが必要であるため、アダプター本体として積層型コネクターが用いられている。かかる積層型コネクターは、例えば次のようにして製造される。
【００１０】
図２１に示すように、上部側配線部７１および下部側配線部７２が形成された基板７０の上側に、熱硬化性樹脂シート７３および銅箔７４をこの順に重ねて配置すると共に、基板７０の下側にも熱硬化性樹脂シート７５および銅箔７６をこの順に重ねて配置し、これらの全体を加圧下で加熱して熱硬化性樹脂シート７３および熱硬化性樹脂シート７５を硬化することにより圧着させ、これにより、図２２に示すように、基板７０の上面に上部絶縁材層７７を介して銅箔７４による金属薄層が形成され、かつ下面に下部絶縁材層７８を介して銅箔７６による金属薄層が形成されてなる圧着積層型基板７９を形成する。
【００１１】
この圧着積層型基板７９に対し、図２３に示すように、例えば数値制御型ドリリング装置により、上部側配線部７１および下部側配線部７２の形成位置に関連した位置において、当該圧着積層型基板７９の厚さ方向に貫通して伸びるスルーホール８０Ｈが形成される。
次いで、図２４に示すように、無電解銅メッキ法、電解銅メッキ法などによりスルーホール８０Ｈ内に銅メッキ層が形成されて、銅箔７４による金属薄層および銅箔７６による金属薄層、上部側配線部７１および下部側配線部７２に接続された状態で伸びる短絡部８０が形成される。
そして、当該圧着積層型基板７９の上面の銅箔７４および下面の銅箔７６による金属薄層を、例えばフォトエッチング法によってパターニングすることにより、それぞれ接続用電極および端子電極が形成される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような積層型コネクターにおいては、短絡部８０が当該積層型コネクター全体を貫通するスルーホール８０Ｈによるものであるため、基板７０の上部側配線部７１および下部側配線部７２を大きい自由度で形成することができない。従って、検査対象である回路基板の被検査電極が極めて高密度のものである場合において、これに対応する積層型コネクターを製造するためには、積層数を増やすことが必要となり、配線設計に要する時間および費用、積層型コネクターの製造に要する時間および費用が多大なものとなる。
そのため、従来においては、上面に接続用電極を有する基板と、下面に端子電極を有する基板とを用い、これらの基板の間に異方導電性シートを介在させて両者を電気的に接続することが行われているが、２つの基板の間の安定な接続状態を維持することできないため、所要の検査を十分に行うことが困難であった。
【００１３】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、回路基板の検査に用いられる積層型コネクターであって、検査対象回路基板におけるリード電極などの被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場合にも、配線部を大きい自由度でかつ容易に形成することができ、しかも、所要の電気的接続が確実に達成されて接続信頼性の高い積層型コネクターの製造方法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、検査対象回路基板におけるリード電極などの被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続を確実に達成することができ、また温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って接続信頼性の高い回路基板検査用アダプター装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層型コネクターの製造方法は、下記の工程（イ）、工程（ロ）および工程（ハ）を有することを特徴とする。
工程（イ）：
下部側基板の上面に、下部側配線部およびこの下部側配線部から上方に突出するメタルポストを形成すると共に、前記下部側配線部に接続された、当該下部側基板をその厚み方向に貫通して伸びる下部側短絡部を形成する工程。
工程（ロ）：
上部側基板の下面に、上部側配線部およびこの上部側配線部に接続されたメタルランドを形成すると共に、前記上部側配線部に接続された、当該上部側基板をその厚み方向に貫通して伸びる上部側短絡部を形成する工程。
工程（ハ）：
下部側基板の上面に、熱硬化性樹脂シートよりなる絶縁性接着層形成材を介して、上部側基板をそのメタルランドの各々が対応する当該下部側基板のメタルポスト上に位置されるよう配置し、この状態で熱圧着処理することにより、前記絶縁性接着層形成材が硬化して得られる絶縁性接着層によって前記下部側基板と前記上部側基板とを接着すると共に、当該下部側基板のメタルポストと当該上部側基板のメタルランドとを圧接接合して前記絶縁性接着層をその厚み方向に貫通して伸びる中間短絡部を形成する工程。
【００１５】
本発明の回路基板検査用アダプター装置の製造方法は、上記の工程（イ）、工程（ロ）および工程（ハ）により積層型コネクターを得、この積層型コネクターよりなるアダプター本体の上面上に異方導電性エラストマー層を一体的に形成することを特徴とする。
【００１６】
【作用】
本発明の積層型コネクターの製造方法によれば、下部側配線部を有する下部側基板および上部側配線部を有する上部側基板がそれぞれ独立して形成され、これらが絶縁性接着層を介して一体的に積層されることにより製造されるため、短絡部の形成は各基板ごとに行うことができ、従って、当該積層型コネクター全体を貫通するスルーホールにより短絡部を形成することが不要となるので、各基板における配線部を大きい自由度でかつ容易に形成することができ、しかも、下部側基板のメタルポストと上部側基板のメタルランドとが接合されることにより絶縁性接着層を貫通して伸びる中間短絡部が形成されるため、下部側基板と上部側基板との電気的接続が確実に達成されて高い接続信頼性を得ることができる積層型コネクターを製造することができる。
【００１８】
本発明のアダプター装置の製造方法によれば、アダプター本体を構成する積層型コネクターが上記の製造方法によって製造され、その上面上に異方導電性エラストマー層が形成されるため、検査対象である回路基板の被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのパターンのものである場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続を確実に達成することができ、また温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って高い接続信頼性を得ることができるアダプター装置を製造することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の積層型コネクターの一例における構成を示す説明用断面図である。この積層型コネクターは、下部側基板１０と、この下部側基板１０の上面に絶縁性接着層３０を介して一体的に積層された上部側基板２０とにより構成されている。
下部側基板１０および上部側基板２０の材質は、寸法安定性の高い耐熱性材料よりなる板状体であることが好ましく、各種の絶縁性樹脂を使用することができるが、特にガラス繊維補強型エポキシ樹脂が最適である。
また、絶縁性接着層３０は、熱圧着により硬化された熱硬化性樹脂シートにより形成されている。この熱硬化性樹脂シートは寸法安定性の高い耐熱性樹脂よりなることが好ましく、各種の樹脂シートを使用することができるが、ガラス繊維補強型エポキシプリプレグ樹脂シートやポリイミドプリプレグ樹脂シートが好ましい。
【００２０】
図２にも拡大して示すように、下部側基板１０の上面には、適宜のパターンに従って下部側配線部１１が形成され、この下部側配線部１１における適宜の個所に、当該下部側配線部１１から上方に突出するメタルポスト１２が形成されている。また、下部側基板１０には、その厚み方向に貫通して伸びる下部側短絡部１３が形成されており、この下部側短絡部１３の上端には、下部側配線部１１が接続されている。
また、この例においては、下部側基板１０の下面に、検査用テスターに適宜の手段によって電気的に接続される端子電極１４が格子点上に配置されて設けられており、この端子電極１４は、下部側短絡部１３の下端に接続されている。
端子電極１４に係る格子点間の距離、すなわち端子電極１４の電極ピッチは、特に限定されるものではなく、検査の条件に応じて適宜の大きさとすることができるが、例えば２．５４ｍｍまたは１．８ｍｍである。
【００２１】
上部側基板２０の下面には、適宜のパターンに従って上部側配線部２１が形成されると共に、下部側基板１０のメタルポスト１２に対応する位置にメタルランド２２が形成されており、このメタルランド２２は、上部側配線部２１に接続されている。また、上部側基板２０には、その厚み方向に貫通して伸びる上部側短絡部２３が形成されており、この上部側短絡部２３の下端には、上部側配線部２１が接続されている。
また、この例においては、上部側基板１０の上面に、検査対象である回路基板の被検査電極（図示省略）のパターンに対応した位置に配置された接続用電極２４が、当該上面から突出する状態に形成されている。この接続用電極２４は、上部側短絡部２３の上端に直接または上面配線部２５を介して接続されている。
【００２２】
そして、下部側基板１０のメタルポスト１２が上部側基板２０のメタルランド２２に嵌合された状態で互いに接合されることにより、絶縁性接着層３０をその厚み方向に貫通して伸びる中間短絡部３１が形成されている。
メタルポスト１２とメタルランド２２との接合は、圧接接合によるものであることが好ましい。ここで、「圧接接合」とは、メタルポスト１２およびメタルランド２２が、互いに圧接されることによってそれらのいずれか一方または両方が変形した状態で接合されることをいう。
なお、下部側基板１０の下部側配線部１１および上部側基板２０の上部側配線部２１は、図１または図２において、いずれも紙面と交わる方向に伸びる状態に形成され得ることは勿論であって、図３にはそのような状態が示されている。
【００２３】
このように、図１に示す積層型コネクターにおいては、上部側基板２０の上面に形成された接続用電極２４の各々が、上部側短絡部２３、上部側配線部２１、中間短絡部３１（メタルランド２２およびメタルポスト１２）、下部側配線部１１および下部側短絡部１３を介して、下部側基板２０の下面に形成された端子電極１４と電気的に接続されている。
【００２４】
実際の構成において、接続用電極２４と端子電極１４との電気的な接続は回路基板の検査目的に応じた態様で達成されればよい。従って、すべての接続用電極２４と端子電極１４とが必ず１対１の対応関係で接続される必要はなく、端子電極１４、下部側配線部１１、メタルポスト１２、メタルランド２２、上部側配線部２１および接続用電極２４について種々の要請される接続状態を実現することができる。
例えば、上面配線部２５を利用して接続用電極２４同士を接続すること、複数の接続用電極２４を１つの上部側配線部２１に共通に接続すること、その他が可能である。
【００２５】
上記のような積層型コネクターによれば、それぞれ独立して形成される、下部側配線部１１を有する下部側基板１０および上部側配線部２１を有する上部側基板２０が、絶縁性接着層３０を介して一体的に積層されることにより構成されているため、下部側短絡部１３および上部側短絡部２３の形成は各基板ごとに行うことができ、従って、当該積層型コネクター全体を貫通するスルーホールにより短絡部を形成することが不要となるので、下部側配線部１１および上部側配線部２１を大きい自由度でかつ容易に形成することができる。しかも、下部側基板１０のメタルポスト１２と上部側基板２０のメタルランド２２とが接合されることにより、絶縁性接着層３０を貫通して伸びる中間短絡部３１が形成されているため、下部側基板１０と上部側基板２０との電気的接続が確実に達成されて高い接続信頼性を得ることができる。
【００２６】
次に、本発明の積層型コネクターを製造する方法について説明する。
この積層型コネクターの製造方法は、下記の工程（イ）、工程（ロ）および工程（ハ）を有する。
【００２７】
工程（イ）
この工程（イ）は、最終的には図６に示すように、下部側基板１０の上面に、下部側配線部１１およびメタルポスト１２が形成されると共に、当該下部側基板１２をその厚み方向に貫通して伸びる下部側短絡部１３が形成される工程である。
具体的に説明すると、図４に示すように、例えば銅などよりなる金属薄層１１Ａおよび１４Ａが両面に積層して設けられた硬質樹脂よりなる平板状の下部側基板１０が用意され、この下部側基板１０に対し、例えば数値制御型ドリリング装置により、図５に示すようにスルーホール１３Ｈが形成される。
【００２８】
次に、上記下部側基板１０に対し、図６に示すように、無電解銅メッキ、電解銅メッキを施すことにより、スルーホール１３Ｈの内部を銅の堆積体によって充填し、これにより、下部側基板１０を貫通して伸びる下部側短絡部１３が形成される。
また、下部側基板１０の上面の金属薄層１１Ａに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施してその一部を除去することにより、最終的に得るべき態様に応じたパターンの下部側配線部１１が形成される。
更に、図７にも拡大して示すように、下部側基板１０の上面の下部側配線部１１における適宜の個所において、フォトリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法により、下部側配線部１１から上方に突出する微小柱状の金属堆積体が形成されてメタルポスト１２が形成される。このメタルポスト１２の径は例えば０．０６〜０．２ｍｍであり、その高さは３０〜２００μｍ、好ましくは５０〜１００μｍであり、これにより、後述する工程（ハ）の熱圧着処理において、メタルポスト１２が破損することをなしに中間短絡部３１を形成することができる。
【００２９】
一方、下部側基板１０の下面の金属薄層１４Ａに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施してその一部を除去することにより、格子点上に配置された端子電極１４が各々下部短絡部１３に連結された状態で形成される。この端子電極１４の電極ピッチは、例えば２．５４ｍｍまたは１．８ｍｍである。
【００３０】
工程（ロ）
この工程（ロ）は、最終的には図１２に示すように、上部側基板２０の下面に、上部側配線部２１およびメタルランド２２が形成されると共に、当該上部側基板２０をその厚み方向に貫通して伸びる上部側短絡部２３が形成される工程である。
具体的に説明すると、図８に示すように、例えば銅などよりなる金属薄層２１Ａおよび２４Ａが両面に積層して設けられた硬質樹脂よりなる平板状の上部側基板２０が用意され、この上部側基板２０に対し、例えば数値制御型ドリリング装置により、図９に示すようにスルーホール２３Ｈが形成される。
【００３１】
次に、上記上部側基板２０に対し、図１０に示すように、無電解銅メッキ、電解銅メッキを施すことにより、スルーホール２３Ｈの内部を銅の堆積体によって充填し、これにより、上部側基板２０を貫通して伸びる上部側短絡部２３が形成される。
また、上部側基板２０の下面の金属薄層２１Ａに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施してその一部を除去することにより、最終的に得るべき態様に応じたパターンの上部側配線部２１が形成される。
更に、図１１にも拡大して示すように、上部側基板２０の下面における下部側基板１０のメタルポスト１２に対応する個所において、フォトリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法により、上部配線部２１に接続された、メタルポスト嵌合用の凹部２２Ａを有する薄板状の金属堆積体が形成されてメタルランド２２が形成される。このメタルランド２２の径は、例えば０．０８〜０．５ｍｍであり、その厚みは例えば１０〜５０μｍである。また、メタルランド２２の径は、メタルポスト２２の径の１．２倍以上であることが好ましく、これにより、工程（ハ）の熱圧着処理において、メタルポスト１２がメタルランド２２に嵌合された状態で両者を圧接接合することができる。
【００３２】
一方、上部側基板２０の上面の金属薄層２４Ａに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施してその一部が除去されることにより、検査対象である回路基板の被検査電極に対応したパターンの接続用電極基層２４Ｂおよび所望の態様の上面配線部２５が形成される。この接続用電極基層２４Ｂは、上部側短絡部２３に直接または上面配線部２５を介して接続された状態である。
そして、図１２に示すように、上記の接続用電極基層の上面に、例えばメッキ法により金属を堆積させることにより、金属層としての厚みを大きくして所要の接続用電極２４が形成される。
【００３３】
工程（ハ）
この工程（ハ）は、最終的には図１４に示すように、下部側基板１０の上面に、熱硬化性樹脂シートよりなる絶縁性接着層形成材３０Ａを介して上部側基板２０が配置され、この状態で熱圧着することにより、当該絶縁性接着層形成材３０Ａが硬化して得られる絶縁性接着層３０によって下部側基板１０と上部側基板２０とが接着されると共に、当該下部側基板１０のメタルポスト１２と当該上部側基板２０のメタルランド２２とが圧接接合されることにより、中間短絡部３１が形成される工程である。
【００３４】
具体的に説明すると、図１３に示すように、下部側基板１０の上面に、予め当該下部側基板１０のメタルポスト１２に対応する位置に貫通孔３１Ａを形成した絶縁性接着層形成材３０Ａが位置決めされて重ねられることにより、下部側基板１０のメタルポスト１２が絶縁性接着層形成材３０Ａの貫通孔３１Ａ内に挿入された状態とされ、更に、この絶縁性接着層形成材３０Ａの上面上に、上部側基板２０が位置決めされて重ねられることにより、上部側基板２０のメタルランド２２が下部側基板１０のメタルポスト１２上に位置された状態とされる。
そして、図１４に示すように、下部側基板１０、絶縁性接着層形成材３０Ａおよび上部側基板２０に対して熱圧着処理を行うことにより、絶縁性接着層形成材３０Ａが硬化し、これにより得られる絶縁性接着層３０によって下部側基板１０と上部側基板２０とが接着される。これと共に、下部側基板１０のメタルポスト１２と上部側基板２０のメタルランド２２とが互いに圧接されることによってメタルポスト１２がメタルランド２２の凹部２２Ａ内に強制的に嵌合される結果、メタルポスト１２およびメタルランド２２のいずれか一方または両方が変形し、この状態で両者が接合されることにより、絶縁性接着層３０をその厚み方向に貫通して伸びる、メタルポスト１２およびメタルランド２２が圧接接合されてなる中間短絡部３１が形成される。
このようにして、図１に示す構成の積層型コネクターが製造される。
【００３５】
このような方法によれば、下部側配線部１１および下部側短絡部１３を有する下部側基板１０と、上部側配線部２１および上部側短絡部２３を有する上部側基板２０とが、それぞれ独立した工程により製造されるため、各々の工程において、下部側配線部１１および上部側配線部２１を大きい自由度で容易に形成することができる。
また、下部側基板１０、絶縁性接着層形成材３０Ａおよび上部側基板２０を熱圧着処理することにより、絶縁性接着層形成材３０Ａが硬化して得られる絶縁性接着層３０を介して下部側基板１０と上部側基板２０とが接着されると共に、下部側基板１０のメタルポスト１２と上部側基板２０のメタルランド２２とが圧接接合して中間短絡部３１が形成されるので、下部側基板１０と上部側基板２０との電気的接続が確実に達成されて接続信頼性の高い積層型コネクターを製造することができる。
【００３６】
以上において、下部側基板１０のメタルポスト１２および上部側基板２０のメタルランド２２の各々の表面には、例えば金などの貴金属、またはスズ−鉛−ビスマス合金、スズ−鉛合金などの比較的軟質な合金よりなるメッキが施されていることが好ましく、これにより、メタルポスト１２とメタルランド２２との密着性が高くて電気的導通性に優れた中間短絡部３１を形成することができる。また、メッキ層の厚みは０．５〜５μｍであることが好ましい。
【００３７】
下部側基板１０、絶縁性接着層形成材３０Ａおよび上部側基板２０の熱圧着処理としては、例えば真空プレス法を利用することができる。
また、絶縁性接着層形成材３０Ａの厚みは、２０〜１００μｍであることが好ましく、これにより、例えば真空プレス法によって確実にかつ高い効率で下部側基板１０と上部側基板２０とを接着させることができる。
また、下部側基板１０、絶縁性接着層形成材３０Ａおよび上部側基板２０の位置決めは、例えばこれらの各々に位置決め用のガイド孔を形成して共通のガイドピンを挿通させることにより行うことができる。
【００３８】
下部側基板１０の端子電極１４、上部側基板２０の接続用電極２４および上面配線部２５は、それぞれ上記の工程（イ）および工程（ロ）において形成される必要はなく、工程（ハ）における熱圧着処理後に形成することもできる。
【００３９】
メタルポスト１２または接続用電極２４の形成は、下部側基板１０の上面または上部側基板２０の上面にフォトレジスト膜を形成してパターニングを行うことにより、当該フォトレジスト膜におけるメタルポスト１２または接続用電極２４を形成する個所に穴部を形成し、この穴部内に金属をメッキ法などによって充填し、然る後にフォトレジスト膜を除去することにより行うこともできる。このような方法によれば、下部側基板１０の上面から突出した状態のメタルポスト１２または上部側基板２０の上面から突出した状態の接続用電極２４を容易に形成することができる。
【００４０】
次に、本発明の回路基板検査用アダプター装置について説明する。
図１５は、本発明の回路基板検査用アダプター装置の一例における構成を示す説明用断面図である。この回路基板検査用アダプター装置は、アダプター本体１と、このアダプター本体１の上面上に設けられた異方導電性エラストマー層（以下単に「エラストマー層」という。）４０とにより構成されている。
【００４１】
具体的に説明すると、アダプター本体１は、図１に示す構成の積層型コネクターよりなり、このアダプター本体１の上面には、エラストマー層４０が一体的に接着乃至密着した状態で形成されている。このエラストマー層４０は、図１６に示すように、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが密に充填されてなる多数の導電部４１がアダプター本体１の接続用電極２４上に位置された状態で、かつ、隣接する導電部４１が相互に絶縁部４２によって絶縁された状態とされている。各導電部４１においては、導電性粒子Ｐが厚さ方向に並ぶよう配向されており、厚さ方向に伸びる導電路が形成されている。この導電部４１は、厚さ方向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電路が形成される、加圧導電部であってもよい。これに対して、絶縁部４２は、加圧されたときにも厚さ方向に導電路が形成されないものである。
【００４２】
上記エラストマー層４０の導電部４１においては、導電性粒子Ｐの充填率が１０体積％以上、特に１５体積％以上であることが好ましい。導電部を加圧導電部とする場合において、導電性粒子の充填率が高いときには、加圧力が小さいときにも確実に所期の電気的接続を達成することができる点では好ましい。しかし、接続用電極２４の電極ピッチが小さくなると、隣接する導電部間に十分な絶縁性が確保されなくなるおそれがあり、このため、導電部４１における導電性粒子Ｐの充填率は４０体積％以下であることが好ましい。
【００４３】
このような構成の回路基板検査用アダプター装置においては、アダプター本体１の上面にエラストマー層４０が一体的に形成されており、しかもアダプター本体１の接続用電極２４上にエラストマー層４０の導電部４１が配置されているため、電気的接続作業時にエラストマー層４０の位置合わせおよび保持固定を行うことが全く不要であり、従ってリード電極領域の電極ピッチが微小である場合にも、所要の電気的接続を確実に達成することができる。
【００４４】
また、エラストマー層４０はアダプター本体１と一体であるため、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても、良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って常に高い接続信頼性を得ることができる。
【００４５】
図示の例においては、エラストマー層４０の外面において、導電部４１が絶縁部４２の表面から突出する突出部を形成している。
このような例によれば、加圧による圧縮の程度が絶縁部４２より導電部４１において大きいために十分に抵抗値の低い導電路が確実に導電部４１に形成され、これにより、加圧力の変化乃至変動に対して抵抗値の変化を小さくすることができ、その結果、エラストマー層４０に作用される加圧力が不均一であっても、各導電部４１間における導電性のバラツキの発生を防止することができる。
【００４６】
このように導電部４１が突出部を形成する場合には、当該突出部の突出高さｈは、エラストマー層４０の全厚ｔ（ｔ＝ｈ＋ｄ、ｄは絶縁部４２の厚さである。）の８％以上であることが好ましい。また、エラストマー層４０の全厚ｔは、接続用電極２４の中心間距離として定義される電極ピッチｐの３００％以下、すなわちｔ≦３ｐであることが好ましい。このような条件が充足されることにより、エラストマー層４０に作用される加圧力が変化した場合にも、それによる導電部４１の導電性の変化が十分に小さく抑制されるからである。
【００４７】
導電部４１が突出部を形成する場合においては、突出部の平面における全体が導電性を有することは必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、電極ピッチの２０％以下の導電路非形成部分が存在していてもよい。
また、隣接する導電部４１間の離間距離ｒの最小値は、当該導電部４１の幅Ｒの１０％以上であることが好ましい。このような条件が満足されることにより、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が原因となって隣接する導電部４１同士が電気的に接触するおそれを十分に回避することができる。
以上の例において、導電部４１の平面形状は接続用電極２４と等しい幅の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する円形、その他の適宜の形状とすることができる。
【００４８】
導電部４１の導電性粒子としては、例えばニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子もしくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができる。
【００４９】
後述する方法においては、ニッケル、鉄、またはこれらの合金などよりなる導電性磁性体粒子が用いられ、また接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で金メッキされた粒子を好ましく用いることができる。また、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。
【００５０】
導電性粒子の粒径は、導電部４１の加圧変形を容易にし、かつ導電部４１において導電性粒子間に十分な電気的な接触が得られるよう、３〜２００μｍであることが好ましく、特に１０〜１００μｍであることが好ましい。
【００５１】
導電部４１を構成する絶縁性で弾性を有する高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコーンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙げることができる。
【００５２】
具体的には、硬化処理前には液状であって、硬化処理後にアダプター本体１の上部側基板２０と密着状態または接着状態を保持して一体となる高分子物質用材料が好ましい。このような観点から、本発明に好適な高分子物質用材料としては、液状シリコーンゴム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙げることができる。高分子物質用材料には、アダプター本体１の上部側基板２０に対する接着性を向上させるために、シランカップリング剤、チタンカップリング剤などの添加剤を添加することができる。
【００５３】
絶縁部４２を構成する材料としては、導電部４１を構成する高分子物質と同一のものまたは異なるものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダプター本体１の上部側基板２０と密着状態または接着状態を保持してアダプター本体１と一体となるものが用いられる。
【００５４】
このような絶縁部を形成することにより、エラストマー層それ自体の一体性並びにそのアダプター本体に対する一体性が確実に高くなるため、アダプター装置全体としての強度が大きくなり、従って繰り返し圧縮に対して優れた耐久性を得ることができる。
【００５５】
以上のような構成のアダプター装置は、その上面に検査対象である回路基板が配置されて接続用電極２４に回路基板の被検査電極が対接されると共に、下面の端子電極１４が適宜の接続手段を介してテスターに接続され、更に全体が厚み方向に圧縮するよう加圧された状態とされる。この状態においては、アダプター装置のエラストマー層４０の導電部４１が導電状態となり、これにより、被検査電極とテスターとの所要の電気的な接続が達成される。
【００５６】
上記の回路基板検査用アダプター装置は、例えば次のようにしてアダプター本体１の上面にエラストマー層４０が設けられて製造される。
先ず、硬化処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に導電性磁性体粒子を分散させて流動性の混合物よりなるエラストマー材料が調製され、図１７に示すように、このエラストマー材料がアダプター本体１２の上面に塗布されることによりエラストマー材料層４５が形成され、これが金型５０のキャビティ内に配置される。
【００５７】
この金型５０は、各々電磁石を構成する上型５１と下型５２とよりなり、上型５１には、接続用電極２４に対応するパターンの強磁性体部分（斜線を付して示す）Ｍと、それ以外の非磁性体部分Ｎとよりなる、下面が平坦面である磁極板５３が設けられており、当該磁極板５３の平坦な下面がエラストマー材料層４５の表面から離間されて間隙Ｇが形成された状態とされる。
なお、図１７および図１８においては、接続用電極２４を除き、アダプター本体１の詳細は省略されている。
【００５８】
この状態で上型５１と下型５２の電磁石を動作させ、これにより、アダプター本体１の厚さ方向の平行磁場を作用させる。その結果、エラストマー材料層４５においては接続用電極２４上に位置する部分において、それ以外の部分より強い平行磁場が厚さ方向に作用されることとなり、この分布を有する平行磁場により、図１８に示すように、エラストマー材料層４５内の導電性磁性体粒子が、強磁性体部分Ｍによる磁力により接続用電極２４上に位置する部分に集合して更に厚さ方向に配向する。
【００５９】
然るに、このとき、エラストマー材料層４５の表面側には間隙Ｇが存在するため、導電性磁性体粒子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動する結果、接続用電極２４上に位置する部分の高分子物質用材料表面が隆起し、突出した導電部４１が形成される。従って、形成される絶縁部４２の厚さｔ１は、初期のエラストマー材料層４５の厚さｔ０より小さいものとなる。
そして、平行磁場を作用させたまま、あるいは平行磁場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出部を形成する導電部４１と絶縁部４２とよりなるエラストマー層４０をアダプター本体１上に一体的に設けることができ、以てアダプター装置が製造される。
【００６０】
磁極板５３の代わりに、図１９に示すように、接続用電極２４に対応するパターンの強磁性体部分Ｍとそれ以外の非磁性体部分Ｎよりなり、その下面において強磁性体部分Ｍが非磁性体部分Ｎより下方に突出した状態の磁極板５５を使用することもできる。
更に、全体が強磁性体よりなる磁極板であって、接続用電極２４に対応するパターンの部分が、それ以外の部分より下方に突出した状態の磁極板を用いることもできる。
これらの場合にも、エラストマー材料層４５に対しては接続用電極２４の領域において、より強い平行磁場が作用されることとなる。
【００６１】
また、平行磁場を作用させたままで上型５１と下型５２の間隔が可変の金型を用い、始めは上型５１をエラストマー材料層４５のすぐ上に配置し、平行磁場を作用させながら上型５１と下型５２の間隔を徐々に広げ、これによってエラストマー材料層４５の隆起を生じさせ、その後に硬化処理を行うこともできる。
【００６２】
本発明においては、エラストマー層４０の導電部４１が絶縁部４２より突出していることは必須のことではなく、平坦な表面を有するものとすることもできる。このような場合には、例えば図１７に示した構成の金型を用い、間隙Ｇを形成せずに処理すればよい。
【００６３】
エラストマー材料層４５の厚さは例えば０．１〜３ｍｍとされる。このエラストマー材料層４５のための高分子物質用材料は、導電性磁性体粒子の移動が容易に行われるよう、その温度２５℃における粘度が１０1 ｓｅｃ-1の歪速度の条件下において１０4 〜１０7 センチポアズ程度であることが好ましい。
エラストマー材料層４５の硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともできる。
【００６４】
また、磁極板５３の強磁性体部分Ｍは鉄、ニッケルなどの強磁性体により、また非磁性体部分Ｎは、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂または空気層などにより形成することができる。
エラストマー材料層４５に作用される平行磁場の強度は、金型５０のキャビティの平均で２００〜２０，０００ガウスとなる大きさが好ましい。
【００６５】
硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、エラストマー材料層４５の高分子物質用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。例えば、高分子物質用材料が室温硬化型シリコーンゴムである場合に、硬化処理は、室温で２４時間程度、４０℃で２時間程度、８０℃で３０分間程度で行われる。
【００６６】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６７】
〈実施例１〉
（１）積層型コネクターの製造
工程（イ）：
各々の厚みが９μｍの銅よりなる金属薄層（１１Ａ，１４Ａ）を厚さ０．５ｍｍのガラス繊維補強型エポキシ樹脂よりなる板材の両面に積層してなる材料を用意し、これを縦３３０ｍｍ、横５００ｍｍの矩形状に裁断して下部側基板（１０）としたものにおいて、２軸ドリリング装置「ＮＤ−２Ｊ−１８」（日立精工社製）を用いて、ピッチが２．５４ｍｍの格子点上に配置された状態となるよう、各々の内径が０．３ｍｍのスルーホール（１３Ｈ）を形成した（図４および図５参照）。
【００６８】
次いで、銅メッキにより、スルーホール（１３Ｈ）内に下部側短絡部（１３）を形成すると共に、下部側基板（１０）の上面の金属薄層（１１Ａ）に対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、上面に、下部側短絡部（１３）に接続された下部側配線部（１１）を形成した。
その後、下部側基板（１０）の上面の下部側配線部（１１）に、フォトリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法により、下部側配線部１１からの突出高さが９０μｍで直径が０．１５ｍｍの円柱状のメタルポスト（１２）を形成した。
一方、下部側基板（１０）の下面の金属薄層（１４Ａ）に対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、下部短絡部（１３）の下端に連結されて格子点上に配置された端子電極（１４）を形成した（図６および図７参照）。
【００６９】
工程（ロ）：
各々の厚みが９μｍの銅よりなる金属薄層（２１Ａ，２４Ａ）を厚さ０．５ｍｍのガラス繊維補強型エポキシ樹脂よりなる板材の両面に積層してなる材料を用意し、これを縦３３０ｍｍ、横５００ｍｍの矩形状に裁断して上部側基板（２０）としたものにおいて、２軸ドリリング装置「ＮＤ−２Ｊ−１８」（日立精工社製）を用いて、各々の内径が０．３ｍｍのスルーホール（２３Ｈ）を形成した（図８および図９参照）。
【００７０】
次いで、銅メッキにより、スルーホール（２３Ｈ）内に上部側短絡部（２３）を形成すると共に、上部側基板（２０）の下面の金属薄層（２１Ａ）に対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、下面に、上部側短絡部（２３）に接続された上部側配線部（２１）およびメタルランド（２２）を形成し、更に、メタルランド（２２）に、厚みが２μｍの金メッキを施した。
【００７１】
一方、上部側基板（２０）の上面の金属薄層（２４Ａ）に対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、検査対象回路基板の被検査電極に対応するパターン状の接続用電極基層（２４Ｂ）および上面配線部（２５）を形成し、この上部側基板（２０）の上面上に厚みが５０μｍのフォトレジスト膜「ＨＫ３５０」（日立化成工業社製）を設け、これをフォトリソグラフィーの手法により処理して検査対象回路基板の被検査電極に対応するパターンに従って除去し、斯くして形成された穴部に銅メッキ法により金属銅を充填し、その後フォトレジスト膜を剥離することにより、突出高さが５０μｍの接続用電極（２４）を形成し、更に各接続用電極（２４）には厚みが２μｍの金メッキを施した（図１０〜図１２参照）。
以上において、上部側基板（２０）の上面に形成された接続用電極（２４）は、各電極の寸法が０．１５ｍｍ平方で電極ピッチが０．２５ｍｍの電極群と、各電極の寸法が幅０．２ｍｍ、長さ０．５ｍｍの矩形で電極ピッチが０．６ｍｍの電極群と、各電極の寸法が１ｍｍ平方で電極ピッチが２ｍｍの電極群とを有するものであった。
【００７２】
工程（ハ）：
厚さ６０μｍの熱硬化性樹脂シート「ガラス繊維補強プリプレグナショナルマルチＲ１６６１」（松下電工社製）よりなる絶縁性接着層形成材（３０Ａ）における下部側基板（１０）のメタルポスト（１２）に対応する位置に、ＮＣドリルリング装置により直径０．２ｍｍの貫通孔（３１Ａ）を形成し、当該絶縁性接着層形成材（３０Ａ）を、工程（イ）により得られた下部側基板（１０）の上面に、メタルポスト（１２）が貫通孔（３１Ａ）内に挿入されるよう位置合わせした状態で重ねると共に、この絶縁性接着層形成材（３０Ａ）の上面に、工程（ロ）により得られた上部側基板（２０）を、そのメタルランド（２２）がメタルポスト（１２）上に位置されるよう位置合わせした状態で重ね、更に、上部側基板（２０）の上面に厚みが５０μｍのフッソ樹脂製離型フィルム「アフレックス５０Ｎ」（旭硝子社製）と、厚みが２．０ｍｍのフッ素ゴム製クッションシート「キンヨーボードＦ−２００」（金陽社製）をこの順に重ねた後、真空プレス機「ＭＨＰＣＶ−２００−７５０」（名機製作所社製）により、１０ｔｏｒｒの減圧下において、プレス最高圧力３０Ｋｇ／ｃｍ2 、最高温度１７０℃で２時間プレスして熱圧着処理することにより、本発明の積層型コネクターを製造した（図１３および図１４参照）。
【００７３】
（２）アダプター装置の製造：
上記の積層型コネクターをアダプター本体として用い、このアダプター本体の上面、次のようにしてエラストマー層を形成した。
室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径２６μｍのニッケルよりなる導電性磁性体粒子を１５体積％となる割合で混合してなるエラストマー材料を調製し、これをアダプター本体の上面に塗布したものを、基本的に図１９に示した金型を用いる方法に従って処理した。すなわち、下面において強磁性体部分（Ｍ）が非磁性体部分（Ｎ）より０．１ｍｍ突出する磁極板（５５）を用い、強磁性体部分（Ｍ）の下面とエラストマー材料層（４５）との間に０．０３ｍｍの間隙を形成して平行磁場を作用させてコネクター用材料層（４５）を隆起させ、この状態で室温で２４時間放置して硬化させ、これにより、導電部の厚さｔが０．３ｍｍ、絶縁部の厚さｄが０．２７ｍｍ、導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｔが１０％のエラストマー層を形成し、もって回路基板検査用アダプター装置を製造した。
【００７４】
〈実施例２〉
実施例１の工程（ロ）において、メタルランド（２２）の中心に、ドリルにより、直径０．１ｍｍ、深さ２０μｍの穴を形成した後、この穴に厚み２０μｍの銅メッキを施し、更に、２μｍの金メッキを施したこと以外は、実施例１と同様にして回路基板検査用アダプター装置を製造した。
【００７５】
〈実施例３〉
実施例１の工程（ロ）において、メタルランド（２２）の中心に、ドリルにより、直径０．１ｍｍ、深さ２０μｍの穴を形成した後、この穴に厚み２０μｍの銅メッキを施し、更に、１μｍのスズ−鉛−ビスマスからなる低融点半田メッキを施したこと以外は、実施例１と同様にして回路基板検査用アダプター装置を製造した。
【００７６】
〔実験例１〕
以上のアダプター装置について、抵抗測定器「ミリオームハイテスター」（日置電機社製）を用い、基板の下面側に共通の導電板を配置してすべての端子電極を短絡状態とし、この導電板と各接続用電極との間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定した。
その結果、すべての接続用電極について、電気抵抗値は３０ｍΩ以下と非常に小さく、接続されるべき端子電極と接続用電極との間の電気的な接続が十分に達成されていることが確認された。
【００７７】
〔実験例２〕
当該アダプター装置について、上記と同様の抵抗測定器を用い、互いに絶縁状態とされるべき隣接する接続用電極の間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定したところ、電気抵抗値はいずれも２ＭΩ以上と非常に大きく、十分な絶縁状態が達成されていることが確認された。
【００７８】
〔実験例３〕
当該アダプター装置を太陽工業社の検査機「ＴＹ−ＣＨＥＣＫＥＲ  ＨＶ４０９６」に取り付け、予め断線箇所、ショート箇所が明らかな実基板を用い、ゲージ圧２．５〜３．５ｋｇ／ｃｍ2 の推力で基板の検査テストを行ったところ、断線箇所、ショート箇所が従来の方法で検査したデータと相違がないことが確認された。
また、アダプター装置の接触不安定に由来する検査の不安定さが改良され、従来の異方導電シートを層間に介在させたアダプター装置と比較して、検査のやり直しが少なくなり、これにより、検査時間が３０％短縮されることが確認された。
更に、上記の試験を、同一の基板に対して３万回以上繰り返して行ったところ、安定した検査結果が得られることが確認された。
【００７９】
【発明の効果】
本発明の積層型コネクターの製造方法によれば、下部側配線部を有する下部側基板および上部側配線部を有する上部側基板がそれぞれ独立して形成され、これらが絶縁性接着層を介して一体的に積層されることにより製造されるため、短絡部の形成は各基板ごとに行うことができ、従って、当該積層型コネクター全体を貫通するスルーホールにより短絡部を形成することが不要となるので、各基板における配線部を大きい自由度でかつ容易に形成することができ、しかも、下部側基板のメタルポストと上部側基板のメタルランドとが接合されることにより絶縁性接着層を貫通して伸びる中間短絡部が形成されるため、下部側基板と上部側基板との電気的接続が確実に達成されて高い接続信頼性を得ることができる積層型コネクターを製造することができる。
【００８１】
本発明のアダプター装置の製造方法によれば、アダプター本体を構成する積層型コネクターが上記の製造方法によって製造され、その上面上に異方導電性エラストマー層が形成されるため、検査対象である回路基板の被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのパターンのものである場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続を確実に達成することができ、また温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って高い接続信頼性を得ることができるアダプター装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層型コネクターの一例における構成を示す説明用断面図である。
【図２】図１における積層型コネクターの一部を拡大して示す説明用断面図である。
【図３】図１における積層型コネクターの各部の配置の状態を示す説明用平面図である。
【図４】図１における積層型コネクターの製造方法に用いられる下部側基板の説明用断面図である。
【図５】下部側基板にスルーホールが形成された状態を示す説明用断面図である。
【図６】下部側基板に下部側配線部と下部側短絡部とメタルポストとが形成された状態を示す説明用断面図である。
【図７】図６における下部側基板の一部を拡大して示す説明用断面図である。
【図８】図１における積層型コネクターの製造方法に用いられる上部側基板の説明用断面図である。
【図９】上部側基板にスルーホールが形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１０】上部側基板に上部側配線部と上部側短絡部とメタルランドとが形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１１】図６における上部側基板の一部を拡大して示す説明用断面図である。
【図１２】図６における上部側基板の上面に接続用電極が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１３】下部側基板の上面に絶縁性接着層形成材を介して上部側基板が配置された状態を示す説明用断面図である。
【図１４】下部側基板、絶縁性接着層形成材および上部側基板が熱圧着処理された状態を示す説明用断面図である。
【図１５】本発明の回路基板検査用アダプター装置の一例における構成を示す説明用断面図である。
【図１６】図１５における回路基板検査用アダプター装置のコネクター層部分の説明用拡大断面図である。
【図１７】エラストマー材料層が形成されたアダプター本体が金型にセットされた状態を示す説明用断面図である。
【図１８】図１６において平行磁場が作用された状態を示す説明用断面図である。
【図１９】エラストマー層を形成するために用いられる金型の他の例を示す説明用断面図である。
【図２０】プリント回路基板の一例の配置を示す説明図である。
【図２１】従来の積層型コネクターを製造するための部材の配置状態を示す説明用断面図である。
【図２２】図２１における各部材が熱圧着されて圧着積層型基板が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図２３】圧着積層型基板にスルーホールが形成された状態を示す説明用断面図である。
【図２４】圧着積層型基板のスルーホールに短絡部が形成された状態を示す説明用断面図である。
【符号の説明】
１  アダプター本体    １０  下部側基板
１１  下部側配線部      １１Ａ  金属薄層
１２  メタルポスト      １３  下部側短絡部
１３Ｈ  スルーホール    １４  端子電極
１４Ａ  金属薄層        ２０  上部側基板
２１  上部側配線部      ２１Ａ  金属薄層
２２  メタルランド      ２２Ａ  凹部
２３  上部側短絡部      ２３Ｈ  スルーホール
２４  接続用電極        ２４Ａ  金属薄層
２４Ｂ  接続用電極基層
２５  上面配線部        ３０  絶縁性接着層
３１  中間短絡部        ３１Ａ  貫通孔
４０  異導電性エラストマー層
４１  導電部            ４２  絶縁部
Ｅ  弾性高分子物質      Ｐ  導電性粒子
４５  エラストマー材料層
５０  金型              ５１  上型
５２  下型              Ｍ  強磁性体部分
Ｎ  非磁性体部分        ５３  磁極板
Ｇ  間隙                ５５  磁極板
７０  基板              ７１  上部側配線部
７２  下部側配線部      ７３  熱硬化性樹脂シート
７４  銅箔              ７５  熱硬化性樹脂シート
７６  銅箔              ７７  上部絶縁材層
７８  下部絶縁材層      ７９  圧着積層型基板
８０  短絡部            ８０Ｈ  スルーホール
９０  回路基板          ９１  機能素子領域
９２  リード電極        ９３  リード電極領域
【図１】
0003726391.tif 000002
【図２】
0003726391.tif 000003
【図３】
0003726391.tif 000004
【図４】
0003726391.tif 000005
【図５】
0003726391.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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