(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｒＦエキシマレーザーからのレーザ光で集積回路のパターンを照明し、石英ガラス材からなる光学系により集積回路のパターンをウエーハ上に焼き付けて集積回路を製造する為の露光装置において、
前記光学系を構成する少なくともレンズを水素ドープされた合成石英ガラス製光学部材で構成するとともに、該レンズを水素分子濃度の異なる複数種の石英ガラス製光学部材群で構成し、夫々の光学部材群の水素分子濃度  ＣＨ２（分子／ｃｍ３）が、対応するレンズを透過するＡｒＦエキシマレーザー光の１パルス当たりのエネルギー密度をε（ｍＪ／ｃｍ２）として、
ε＜０．２ｍＪ／ｃｍ２においては、
式１９．２＋２．９８Ｌｏｇε≦Ｌｏｇ（ＣＨ２）＜１８．６
ε≧０．２ｍＪ／ｃｍ２においては、
式１９．２＋２．９８Ｌｏｇε≦Ｌｏｇ（ＣＨ２）≦２０．７＋２．９８Ｌｏｇε
で規定される範囲にあるように設定した事を特徴とする半導体露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は６４Ｍから２５６Ｍをにらんだ集積回路製造用露光装置に係り、特にＡｒＦエキシマレーザーからのレーザ光で集積回路のパターンを照明し、石英ガラス材からなる光学系により集積回路のパターンをウエーハ上に焼き付けて集積回路を製造する為の露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、光を用いてマスク上のパターンをウエーハ上に転写する光リソグラフィ技術は電子線やΧ線を用いる他の技術に比較してコスト面で優れている事から集積回路を製造する為の露光装置として広く用いられている。
従来かかる光リソグラフィ技術を利用した露光装置には光源に高圧水銀ランプから発する波長３６５ｎｍのｉ線を用いて線幅０．５〜０．４μｍのパターン形成が露光装置が開発されているが、かかる露光装置は１６Ｍビット−ＤＲＡＭ以下の集積回路に対応するものである。
一方次世代の６４Ｍビット〜２５６Ｍビットでは０．２５〜０．３５μｍの結像性能を、更には１Ｇビットでは０．１３〜０．２０μｍの解像性能を必要とするが、０．３５μｍという解像性能はｉ線の波長を下回るもので、光源としてＫｒＦ光が用いられる。そして更に０．２０μｍを切る領域ではＫｒＦ光に代ってＡｒＦ光、特にＡｒＦエキシマレーザーが使用される。
【０００３】
しかしながらＡｒＦエキシマレーザーを用いた光リソグラフィ技術には種々の課題があり、その一つが投影光学系を構成するレンズ、ミラーやプリズムを形成するための光学材料の問題である。
即ちＡｒＦの１９３ｎｍ波長で透過率のよい光学材料は実質的に石英ガラス、特に高純度の合成石英ガラスに限定されるが、ＡｒＦ光は石英ガラスに与えるダメージがＫｒＦ光に比べて１０倍以上大きい。
【０００４】
さて、石英ガラスのエキシマレーザー照射に対する耐性は、本出願人の出願にかかる特願平１ー１４５２２６に示される様に含有される水素濃度に依存する。
このため従来のＫｒＦエキシマレーザーを光源とする露光装置では光学系を構成する石英ガラスはその含有する水素濃度が５×１０１６分子／ｃｍ３以上あれば、十分な耐性を確保することが出来たと前記技術に記載されている。
しかしながらＡｒＦレーザー光が石英ガラスに与える影響は前記したようにＫｒＦに比べて甚大であるために、ＡｒＦレーザー光によって合成石英ガラスに引き起こされるダメージの程度（透過率の変化及び屈折率の変化）を調べてみると、必要とされる水素分子濃度はＫｒＦレーザー光に比べて場合によっては１００〜１０００倍以上も高濃度、具体的には５×１０１８分子／ｃｍ３以上の水素分子濃度が必要がある事が判明した。
【０００５】
さてこの光学系を構成する石英ガラスに含まれる水素分子濃度は原料素材を合成する条件及び／またはその後の熱処理工程（水素ｄｏｐｅも含む）の条件により決定される数字であり、一般的には水素分子濃度は工程のばらつきによる範囲を無視すれば一義的に定まり、従って露光装置を構成するミラーやレンズ等の光学系に用いられる合成石英ガラス部材は水素濃度という視点からみればただ１種類の合成石英ガラスから成り立っていた。
合成石英ガラスに水素分子を含ませる方法は２つあるが、まず製造時の雰囲気を調整して常圧で合成石英ガラスに水素分子を含ませる場合、含ませうる水素分子濃度は最高で５×１０１８分子／ｃｍ３程度までである。またもう１つの方法として水素雰囲気での加圧熱処理により水素分子を石英ガラス中にドープする場合でも、高圧ガス取り締まり法の対象とならない上限の１０気圧／ｃｍ２の水素処理において導入される水素分子濃度はやはりが５×１０１８分子／ｃｍ３が上限である。
【０００６】
このため石英ガラス中に５×１０１８分子／ｃｍ３以上の水素分子を含ませようとする場合には、１０気圧より遥かに高い高圧の水素圧力で熱処理を行う事が必要となる。
例えば本出願人が出願した特開平４ー１６４８３３においては、アルゴンガス１００％の高圧雰囲気で、１７５０℃の温度を再溶融加熱処理することにより略５×１０１８（ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３）の程度の水素分子をドープし得る技術が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら１７５０℃の温度を再溶融加熱処理することは石英ガラスに新たな欠陥を誘起するために、熱処理温度は２００〜８００℃の範囲で行う事が好ましいが（特開平６−１６６５２８）、この温度領域で水素熱処理により石英ガラス光学部材に５×１０１８分子／ｃｍ３以上の多量の水素分子を導入する場合、水素分子の拡散速度があまり大きくないので大きな光学部材においては処理に非常に時間がかかるという欠点を有するうえに、高圧雰囲気で熱処理を行う事は石英ガラス光学部材の屈折率の均質性が低下し、また歪みが導入されるという問題点も有している。
従って高圧熱処理を行った場合においても再度の調整のための熱処理が必要で、このため５×１０１８分子／ｃｍ３以上水素分子を含有しかつ露光装置の光学系を構成するに足りる屈折率の均質性、低歪み等の光学特性を兼ね備えた石英ガラスは工業的には極めて複雑で長時間の処理を経た非常に高価なものとなってしまう。
【０００８】
本発明は、水素ドープされた石英ガラスからなる光学系を用いてＡｒＦエキシマレーザー露光装置を構成する場合においても、耐久性や品質を劣化させる事なく、光学系全体として低コストで製造容易に構成することのできる露光装置を提供する事を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明はかかる技術課題を達成する為に、ＡｒＦエキシマレーザーからのレーザ光で集積回路のパターンを照明し、石英ガラス材からなる光学系により集積回路のパターンをウエーハ上に焼き付けて集積回路を製造する為の露光装置において、
前記光学系を構成する少なくともレンズを水素ドープされた合成石英ガラス製光学部材で構成するとともに、該レンズを水素分子濃度の異なる複数種の石英ガラス製光学部材群で構成し、夫々の光学部材群の水素分子濃度  ＣＨ２（分子／ｃｍ３）が、対応するレンズを透過するＡｒＦエキシマレーザー光の１パルス当たりのエネルギー密度をε（ｍＪ／ｃｍ２）として、
ε＜０．２ｍＪ／ｃｍ２においては、
式１９．２＋２．９８Ｌｏｇε≦Ｌｏｇ（ＣＨ２）  ＜１８．６    …１）
ε≧０．２ｍＪ／ｃｍ２においては
式１９．２＋２．９８Ｌｏｇε≦Ｌｏｇ（ＣＨ２）≦２０．７＋２．９８Ｌｏｇε    …２）
で規定される範囲にあるように設定した事を特徴とする半導体露光装置を提案する。
【００１０】
以下本発明を詳細に説明する。
図１は本発明に適用されるＡｒＦエキシマレーザーを用いたリソグラフィ露光装置の概略構成図で、１はＡｒＦエキシマレーザー光源、２はウエーハ面上において回析光の干渉のないパターン像を形成するための変形照明手段で、中心部が遮光面となる例えば四重極照明若しくは輪帯照明光源状の形状を有す。
３は前記光源より照射されたエキシマレーザー光をレチクルに導く為のコンデンサレンズ、４はマスク（レチクル）、５は投影光学系で、例えば屈折力が正のレンズ群と、屈折力が負のレンズ群を組合せて、前記光学系中に瞳面を形成し、解像力の向上を図っている。６はウエーハステージ７上に載置されたウエーハで、前記レチクル４に形成したマスクパターンが前記投影光学系を介してウエーハ６上に結像描画される。
【００１１】
かかる装置において、前記投影光学系にはウエーハ面にパターン光を結像させるために、ウエーハ面と最近接位置に配置した集光レンズ群５ａと、瞳面近傍に配置したレンズ群５ｂが存在するが、瞳面には光源の像である二次光源が形成される。従って瞳面に光源像が離散的に表われると、そこにエネルギーが集中し、ウエーハ側とともに光学系の破損要因となる。
一方レチクル側はウエーハ側に比べ結像倍率の２乗でエネルギー密度が小さくなる為厳しい条件とはならない。
【００１２】
本発明はかかる点に着目したのであり、
即ち、具体的に説明すると、ＡｒＦエキシマレーザーの瞳面の大きさは参考文献によるとφ３０〜φ５０ｍｍ程度であり、この面積に対して何倍かという基準でエネルギー密度を決める事が合理的である。
例えばレジスト感度２０〜５０ｍＪとし、これを２０〜３０パルスのレーザー照射で露光するとすると、瞳面上のパルス当たりのエネルギー密度は  ０．７〜１．７ｍＪ／ｃｍ２、正確には露光面と瞳面ではエネルギー密度は異なり、ウエーハ面の方が僅かに大きいと仮定した場合ででも前記ウエーハ面に最も近接された位置に配置されたレンズ群のエネルギー密度はその８０〜９０％程度の０．６〜１．５ｍＪ／ｃｍ２程度であると推定される。又瞳面はこれより僅かに低いものと思料される。
【００１３】
一方光の狭帯域化と解像力の向上を図るために、屈折力が正のレンズ群と、屈折力が負のレンズ群を組合せて前記投影光学系を構成するが（例えば特開平３−３４３０８参照）、この場合夫々のレンズ群は収差を極力排除する必要があり、このような場合実際の夫々のレンズ群の縮小若しくは拡大する倍率はある程度抑えて設定するのがよく、してみると前記最近接位置より次段のレンズ群のエネルギー密度は０．６〜１．５ｍＪ／ｃｍ２の１／３程度、具体的には０．２〜０．６ｍＪ／ｃｍ２程度であると推定される。
その他のほとんどのレンズ群は１パルス当たりのエネルギー密度ε≦０．２ｍＪ／ｃｍ２である。
従って前記夫々のエネルギー密度を前記式に当てはめてみると、１）式より１パルス当たりのエネルギー密度ε≦０．２ｍＪ／ｃｍ２の前記投影光学系の殆どのレンズ群の水素分子濃度ＣＨ２分子／ｃｍ３は、１×１０１７≦ＣＨ２＜５×１０１８に設定でき、かかる水素濃度範囲であれば特に製造条件が困難を伴う事もなくレンズ用水素ドープ合成石英ガラスの製造が可能である。
【００１４】
又同様に１パルス当たりのエネルギー密度０．２≦ε≦０．６ｍＪ／ｃｍ２の、最も強いエネルギーを受ける次段のレンズ群は２）式から水素分子濃度ＣＨ２分子／ｃｍ３が５×１０１７≦ＣＨ２≦５×１０１８に設定出来、この場合もかかる水素濃度範囲であれば特に製造条件が困難を伴う事もなくレンズ用水素ドープ合成石英ガラスの製造が可能である。
そして１パルス当たりのエネルギー密度０．６≦ε≦１．５ｍＪ／ｃｍ２の最も強い光エネルギーを受けるウエーハ露光面又は／及び瞳面に最も近接した位置にあるレンズ（群）についてのみ水素分子濃度ＣＨ２分子／ｃｍ３が５×１０１８≦ＣＨ２≦５×１０１９に設定すればよい。
【００１５】
尚、本発明は前記図１に示した投影光学系露光装置のみならず、反射光学系露光装置にも適用可能である。
即ち、図２は高解像度を図るためにプリズム型のビームスプリッタを用いた反射光学系露光装置のレンズ構成を示す概略図で、その構成を簡単に説明するに、光源１１より第１レンズ群１２を介してビームスプリッタ１３を通過した光が第２レンズ群１４を通過し、その後ミラー１５で変向されて、その後第３レンズ群１６で集光した後、該集光光で、レチクル１７をスキャンした後、再度第３レンズ群１６、ミラー１５、第２レンズ群１４を介して再びビームスプリッタ１３に戻り、今度は該スプリッタ１３に変向されて第４レンズ群１９で結像されてウエーハ１８上に集積回路パターンを焼き付ける。
【００１６】
かかる装置によれば前記スプリッタ１３に変向後の第４レンズ群１９は１パルス当たりのエネルギー密度０．６≦ε≦１．５  ｍＪ／ｃｍ２の最も強い光エネルギーを受ける為水素分子濃度ＣＨ２分子／ｃｍ３を５×１０１８≦ＣＨ２≦５×１０１９に設定すればよく、又本装置においてはレチクル１７側で第３レンズ群１６で集光スキャンされるために１パルス当たりのエネルギー密度０．２≦ε≦０．６  ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーを受ける為水素分子濃度ＣＨ２分子／ｃｍ３を５×１０１７≦ＣＨ２≦５×１０１８に設定すればよく、そして他のレンズ、ミラー、及びプリズム型のビームスプリッタにおいては１パルス当たりのエネルギー密度ε≦０．２  ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーしか受けない為に、そのレンズ群等の水素分子濃度ＣＨ２分子／ｃｍ３は、１×１０１７≦ＣＨ２≦５×１０１８に設定すればよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている組成、ドープ量、製造条件等は特に特定的な記載がないかぎりは、この発明の範囲をそれに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
さて前記図１及び図２に示す露光装置において実際の操業条件における光学特性の長期にわたる安定性を確認する事は非常に時間がかかるので、レンズ、ミラー、及びプリズム等を製造するための石英ガラス光学部材のみを取り出し、実際の操業を加速したシュミレーション実験を行った。
【００１８】
一般に石英ガラスのレーザー照射におけるダメージの進行速度は照射エキシマレーザーのエネルギー密度（フルエンス）の２乗に比例して早くなるが（光学  第２３巻１０号“エキシマレーザ用石英ガラス”藤ノ木朗著参照、以下文献１という）この事を利用して加速実験の基準とした。
【００１９】
四塩化珪素を酸水素火炎で加水分解しながら回転する基体上に堆積させるいわゆる直接法で石英ガラスインゴットを作成した。
得られた石英ガラスインゴットはＯＨ基を８００〜１０００ｐｐｍ含有し、かつ水素分子を５×１０１８分子／ｃｍ２含有していた。この石英ガラスインゴットを特開平７−２６７６６２号に示される方法で均質化処理を行い１１５０℃で４０時間の歪取アニール為の加熱、徐冷を行った。
得られた均質な光学用石英ガラス材料の光学特性を測定したが、３方向に脈理が存在せず、また屈折率分布を干渉計（Ｚｙｇｏ  ＭａｒｋＩＶ）で測定したところΔｎは１×１０−６以下と極めて良好な値を示した。また直交ニコルの歪み測定器で複屈折量を測定したが、複屈折量は１ｎｍ／ｃｍ以下であった。
【００２０】
この光学用石英ガラス材料は文献２（Ｎｅｗ  Ｇｌａｓｓ  ＶｏＬ６  Ｎｏ，２（１９８９）１９１−１９６“ステッパ用石英ガラスについて”牛田一雄著）に示されるエキシマレーザーステッパーに用いられる石英ガラス部材として必要な光学特性を満たしているために、この光学用石英ガラス材料を用いて光学部品を構成する事によりＡｒＦを光源とする半導体露光装置を作る事が可能である。
一方で該光学用石英ガラス材料に含有された水素分子濃度をレーザーラマン法にて測定したところ、５×１０１７分子／ｃｍ２であった。（サンプル番号Ａ）
水素分子含有量はラマン分光光度計を用いて行なったが、これは日本分光工業社製のラマン分光光度計・ＮＲ１１００を用いて、励起波長４８８ｎｍのＡｒレーザー光で出力７００ｍＷ、浜松ホトニクス社製のホトマル・Ｒ９４３−０２を使用するホストカウンティング法で行なった。なお、この水素分子含有量はこのときのラマン散乱スペクトルで８００ｃｍ−１に観察されるＳｉＯ２の散乱バンドと水素の４１３５−４０ｃｍ−１に観察される散乱バンドの面積強度比を濃度に換算して求めた。また、換算定数は文献値４１３５ｃｍ−１／８００ｃｍ−１×１．２２×１０２１  （Ｚｈｕｒｎａｌ  Ｐｒｉ−Ｋｌａｄｎｏｉ  Ｓｐｅｋｔｒｏｓｋｏｐｉｉ，  Ｖｏｌ．４６、Ｎｏ．６、ＰＰ９８７〜９９１，Ｊｕｎｅ，１９８７）を使用した。
【００２１】
また該光学用石英ガラス材料からφ６０ｍｍ×ｔ２０ｍｍの試料を切り出し、大気雰囲気で１０００℃×２０時間の酸化処理を行った後、水素ガスの高圧（５０気圧）雰囲気で６００℃×１０００時間の水素ドープ処理を行った。処理後のサンプルの屈折率分布を測定したところΔｎが４×１０−６で複屈折量は５ｎｍ／ｃｍ、含有される水素分子濃度は２×１０１９分子／ｃｍ３であった。（サンプル番号Ｄ）
【００２２】
更に該光学用石英ガラス材料からφ６０ｍｍ×ｔ２０ｍｍの試料を切り出し、大気雰囲気で１０００℃×２０時間の酸化処理を行った後、雰囲気炉中で水素ガスの加圧（９気圧）雰囲気で６００℃×１０００時間の水素ドープ処理を行った。処理後のサンプルの屈折率分布を測定したところΔｎが３×１０−６で複屈折量は３ｎｍ／ｃｍ、含有される水素分子濃度は５×１０１８分子／ｃｍ３であった。（サンプル番号Ｂ）
【００２３】
再び該光学用石英ガラス材料からφ６０ｍｍ×ｔ２０ｍｍの試料を切り出し、大気雰囲気で１０００℃×２０時間の酸化処理を行った後、雰囲気炉中で水素ガスの加圧（３気圧）雰囲気で６００℃×１０００時間の水素ドープ処理を行った。処理後のサンプルの屈折率分布を測定したところΔｎが２×１０−６で複屈折量は２ｎｍ／ｃｍ、含有される水素分子濃度は２×１０１８分子／ｃｍ３であった。（サンプル番号Ｃ）
【００２４】
ここで、サンプルＡ及びＣを除いてはそれぞれ１種類の石英ガラスのみではＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光装置を構成するには十分な均質性を有しておらず、また複屈折量も大きすぎる事が判ったが、サンプルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄで代表される光学部材を図１の装置の投影光学系として光路長に換算して４：２：１：１でレンズ系を構成したとして光学系全体の屈折率の均質性を計算したところ、光路１ｃｍあたりのΔｎとしては２×１０−６、複屈折の平均値は２ｎｍ／ｃｍであり露光装置を構成するに十分な光学特性が得られている事が判った。
【００２５】
尚、４つのサンプルの波長１９３ｎｍの紫外線に対する透過率を紫外分光光度計で測定したところ、１ｃｍ当たりの内部透過率で９９．８％と良好な値を示した。やはりエキシマレーザーステッパーを構成するのに十分な透過性を有している。
【００２６】
得られた４つのサンプルに対してＡｒＦエキシマレーザーを照射して光学特性の変化を調べた。照射条件はパルス当たりのエネルギー密度が１０ｍＪ／ｃｍ２、照射周波数は３００Ｈｚで行った。これは文献１に示される様に実際の操業における光学部材を透過するレーザーの光エネルギー密度をεｍＪ／ｃｍ２とすると、（１００／ε）２倍の加速試験に該当する。
表１に各サンプルのエキシマレーザー照射結果を示す。照射数は２．５×１０７ショットで、この照射に伴う１９３ｎｍの透過率変化と屈折率の変化を示す。
【００２７】
【表１】
0003607006.tif 000002
【００２８】
サンプルＤに関しては屈折率の変化量が少なすぎるため正確な測定が行えなかった。
この結果から露光装置としての安定性を決定するパラメーターとして光学部材のＡｒＦレーザー照射による屈折率の変化が最も重要なパラメーターであることが判った。
今、サンプルＡ〜Ｃの結果を用いてパルス当りのＡｒＦレーザーのエネルギー密度１０ｍＪ／ｃｍ２における屈折率の変化率と水素濃度の関係を調べると、以下の式を得た。
【００２９】
Ｌｏｇ［ｄｎ／ｄｐ１０ｍＪ］＝−１．１３−０．６７Ｌｏｇ［ＣＨ２］
ここでこの加速シュミレーション実験の条件から、実際の露光装置の操業において石英ガラス光学部材を透過するＡｒＦエキシマレーザー光のエネルギー密度をεｍＪ／ｃｍ２とした場合に対する加速率は（１００／ε）２倍であると考えられるので、ＡｒＦエキシマレーザー光のエネルギー密度をεｍＪ／ｃｍ２の場合における屈折率の変化率は、
Ｌｏｇ［ｄｎ／ｄｐεｍＪ］＝−３．１３−０．６７Ｌｏｇ［ＣＨ２］＋２Ｌｏｇ［ε］
であらわせる事が判った。
【００３０】
これらの石英ガラス光学部材より構成されるＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光装置においては照射数が１×１０１０〜１×１０１１ショットのエキシマレーザー照射（これは６００Ｈｚの周波数で半年〜６００Ｈｚの周波数で５年強に対応する）に対して屈折率の変化量Δｎが１×１０−６以下であれば、実際の半導体露光には十分な安定性が確保できていると判断できるため、この基準でエネルギー密度εｃｍ２の場合における屈折率の変化率は、
−１７≦Ｌｏｇ［ｄｎ／ｄｐεｍＪ］≦−１６
の範囲にある事が好ましい事が分かった。
【００３１】
このことから、石英ガラス光学部材より構成されるＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光装置において透過するＡｒＦエキシマレーザー光のエネルギー密度がεｍＪ／ｃｍ２である石英ガラス部材が十分な安定性を有するためには、該石英ガラス部材に含まれるべき水素分子濃度は、以下の式であらわされる事が分かった。
１９．２＋２．９８Ｌｏｇε≦Ｌｏｇ（ＣＨ２）≦２０．７＋２．９８Ｌｏｇε
ここで、上記式によって求められる水素分子濃度はエネルギー密度εとの関係で表にすると以下のような範囲になる。
【００３２】
【表２】
0003607006.tif 000003
【００３３】
ここでε＜０．２ｍＪ／ｃｍ２の低いエネルギー密度の領域においては、石英ガラス光学部材に含有される水素濃度の最大値に関しては、４×１０１８分子／ｃｍ２のレベルであれば工程的に負担の少ないより水素濃度の高い石英ガラス材料でも代替できると考えられるので、上記式はε≧０．２ｍＪ／ｃｍ２に対して規定し、ε＜０．２ｍＪ／ｃｍ２においては、
式１９．２＋２．９８Ｌｏｇε≦Ｌｏｇ（ＣＨ２）＜１８．６
を用いればよい事が判明した。
【００３４】
【発明の効果】
以上記載のごとく本発明によれば、水素ドープされた石英ガラスからなる光学系を用いてＡｒＦエキシマレーザー露光装置を構成する場合においても、耐久性や品質を劣化させる事なく、光学系全体として低コストで製造容易に構成することのできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される投影光学系を用いた集積回路製造用露光装置である。
【図２】本発明が適用される反射光学系を用いた集積回路製造用露光装置である。
【符号の説明】
１      ＡｒＦエキシマレーザー光源
２      変形照明手段
３      コンデンサレンズ
４      マスク（レチクル）
５      投影光学系
６      ウエーハ
１１    光源
１２    第１レンズ群１２
１３    ビームスプリッタ
１４    第２レンズ群
１５    ミラー
１６    第３レンズ群
１７    レチクル
１９    第４レンズ群
１８    ウエーハ
【図１】
0003607006.tif 000004
【図２】
0003607006.tif 000005