(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の誘電体基板と、
前記第１の誘電体基板の一面に形成された第１の地導体パターン抜き部を有する第１の地導体パターンと、
前記第１の地導体パターンを有する面に対向する誘電体基板の面に形成されたストリップ導体パターンと、
前記ストリップ導体パターンに連続して形成された導波管上壁用導体パターンと、
前記第１の誘電体基板内で前記第１の地導体パターンと前記導波管上壁用導体パターンとを接続する第１の接続用導体と、
単層または多層の第２の誘電体基板と、
前記第２の誘電体基板の層間面及び最下面に設けられた第２の地導体パターン抜き部を有する第２の地導体パターンと、
前記第２の地導体パターン抜き部の周囲に設けられた前記第２の誘電体基板を最上面から最下面まで貫通する第２の接続用導体と
を備え、
前記第１の地導体パターンと前記第２の誘電体基板の最上面が向かい合うように前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板が積層され、
前記ストリップ導体パターンと前記第１の地導体パターン及び前記第１の誘電体基板とからなるマイクロストリップ線路と、前記導波管上壁用導体パターンと前記第１の地導体パターンと前記第１の接続用導体及び前記第１の誘電体基板とからなる第１の誘電体導波管と、前記第２の地導体パターンと前記第２の接続用導体と前記第２の誘電体基板とからなる第２の誘電体導波管とを構成したことを特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変換器。
【請求項２】
請求項１に記載の導波管／マイクロストリップ線路変換器において、
前記第２の地導体パターン抜き部に前記第２の地導体パターンと非接触の導体パターンを設けることを特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変換器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の導波管／マイクロストリップ線路変換器において、
前記第２の地導体パターン抜き部の大きさを、前記第２の接続用導体で囲まれた領域の大きさよりも小さくしたことを特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変換器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の導波管／マイクロストリップ線路変換器において、
前記第１の誘電体導波管と前記第２の誘電体導波管の長さがそれぞれの導波管における管内波長の１／４としたことを特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変換器。
【請求項５】
誘電体基板に、請求項１乃至４のいずれかに記載の導波管／マイクロストリップ線路変換器を設け、
前記マイクロストリップ線路を形成する前記誘電体基板上に高周波素子を実装し、前記誘電体基板の上部を覆う蓋体を設けたことを特徴とする高周波パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、主としてマイクロ波帯およびミリ波帯で用いる導波管／マイクロストリップ線路変換器およびこれを用いた高周波パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１７は、例えば特公平１０−２８０３５５１号公報に示された従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す図である。図１７（ａ）は図１７（ｂ）のＢ−Ｂ’断面図、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図において、１０１は導波管、１０２は導波管１０１内部に形成されたテーパー状のリッジ、１０３は誘電体基板、１０４は誘電体基板１０３上に設けられたマイクロストリップ線路である。
【０００３】
図１７に示した従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器では、導波管１０１と誘電体基板１０３を平行に配置し、リッジ１０２とマイクロストリップ線路１０４を接触させることにより接続する。導波管１０１に外部から高周波信号が入力された場合、テーパー状のリッジ１０２において電磁界分布が方形導波管における電磁界分布からリッジ導波管における電磁界分布に変換される。すなわち、リッジ１０２と導波管１０１の壁との間に電界が集中する分布となる。リッジ１０２と導波管１０１の壁との間の高さをマイクロストリップ線路の基板厚に合わせてやれば、このリッジ導波管の電磁界分布はマイクロストリップ線路におけるストリップ導体パターンと地導体パターンの間の電磁界分布に近くなる。
したがって、導波管１０１を伝搬してきた高周波信号はマイクロストリップ線路の伝搬モードとよく結合し、反射を生じることなくマイクロストリップ線路１０４に伝搬することができる。
【０００４】
また、図１８は特公平−２８０３５５１号公報に示された別の従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す図である。図１９は、図１８におけるＡ−Ａ’断面図である。図において、１０５はテーパーライン、１０６はリッジ１０２とテーパーライン１０５を接続する金リボンである。図１８に示した従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器では、導波管１０１と誘電体基板１０３が垂直に配置されており、誘電体基板１０３を導波管１０１内に挿入し、リッジ１０２とテーパーライン１０５の間に金リボン１０６を設けることにより両者を接続している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器では、導波管内部にリッジを形成する必要があり、波長の短いミリ波帯などにおいては導波管断面の大きさが非常に小さくなるため、製作が非常に難しいという問題があった。
また、リッジとマイクロストリップ線路との間の接続を接触や金リボンにて行っているため、良好な接続特性を得ることが難しいという問題もあった。
さらに、高周波素子を実装するパッケージの入出力部にこの従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器を設ける場合、導波管とマイクロストリップ線路の接続部に空間があるため、パッケージ内部を気密封止できないという問題もあった。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、ミリ波帯などの波長が短い領域においても、製作が容易な導波管／マイクロストリップ線路変換器を得ることを目的とする。さらに、入出力部に導波管が接続される高周波パッケージにおいて、内部を気密封止することが可能なパッケージを得ることを目的とする。
【０００７】
【発明を解決するための手段】
この発明に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器は、第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板の一面に形成された第１の地導体パターン抜き部を有する第１の地導体パターンと、前記第１の地導体パターンを有する面に対向する誘電体基板の面に形成されたストリップ導体パターンと、前記ストリップ導体パターンに連続して形成された導波管上壁用導体パターンと、前記第１の誘電体基板内で前記第１の地導体パターンと前記導波管上壁用導体パターンとを接続する第１の接続用導体と、単層または多層の第２の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板の層間面及び最下面に設けられた第２の地導体パターン抜き部を有する第２の地導体パターンと、前記第２の地導体パターン抜き部の周囲に設けられた前記第２の誘電体基板を最上面から最下面まで貫通する第２の接続用導体とを備え、前記第１の地導体パターンと前記第２の誘電体基板の最上面が向かい合うように前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板が積層され、前記ストリップ導体パターンと前記第１の地導体パターン及び前記第１の誘電体基板とからなるマイクロストリップ線路と、前記導波管上壁用導体パターンと前記第１の地導体パターンと前記第１の接続用導体及び前記第１の誘電体基板とからなる第１の誘電体導波管と、前記第２の地導体パターンと前記第２の接続用導体と前記第２の誘電体基板とからなる第２の誘電体導波管とを構成したことを特徴とするものである。
【００１２】
また、前記第２の地導体パターン抜き部に前記第２の地導体パターンと非接触の導体パターンを設けることを特徴とするものである。
【００１３】
また、前記第２の地導体パターン抜き部の大きさを、前記第２の接続用導体で囲まれた領域の大きさよりも小さくしたことを特徴とするものである。
【００１４】
また、前記第１の誘電体導波管と前記第２の誘電体導波管の長さがそれぞれの導波管における管内波長の１／４としたことを特徴とするものである。
【００１５】
この発明に係る高周波パッケージは、誘電体基板に、上記いずれかに記載の導波管／マイクロストリップ線路変換器を設け、前記マイクロストリップ線路を形成する誘電体基板上に高周波素子を実装し、前記誘電体基板の上部を覆う蓋体を設けたことを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１における導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す斜視図である。
図において、１は誘電体基板、２は地導体パターン、３はストリップ導体パターン、４は導波管上壁用導体パターン、５は導波管側壁用ヴィアである。なお、ヴィアとは、本願明細書において内部が中空または中実の円柱状導体を示す用語として用いるものとする。
地導体パターン２とストリップ導体パターン３が対向する誘電体基板１によってマイクロストリップ線路５１が構成される。導波管側壁用ヴィア５は、地導体パターン２と導波管上壁用導体パターン４を接続し、一定の間隔をおいて２列に並べて誘電体基板１内に設けられている。また、地導体パターン２を導波管上壁用導体パターン４の誘電体導波管５２構成部分の中央に接続することにより、マイクロストリップ線路５１と誘電体導波管５２を接続している。
【００１７】
図２は、マイクロストリップ線路５１における断面の電界分布を示し、図３は誘電体導波管５２における断面の電界分布を示している。図２において、マイクロストリップ線路５１では地導体パターン２とストリップ導体パターン３の間に電界が生じている。一方、図３において、誘電体導波管５２では地導体パターン２と導波管上壁用導体パターン４の間に電界が生じており、中央部が最も強い分布となっている。ここで、マイクロストリップ線路５１を構成するストリップ導体パターン３を、誘電体導波管５２を構成する導波管上壁用導体パターン４の誘電体導波管５２構成部の中央に接続すれば、マイクロストリップ線路５１において電界が生じている部分と誘電体導波管５２において電界が強い部分が一致する。一方、誘電体導波管５２を構成する導波管側壁用ヴィア５の列の間隔や同一列内で隣り合うヴィアの間隔を調節することにより、誘電体導波管５２のインピーダンスをマイクロストリップ線路５１のインピーダンスに等しくすることができる。したがって、マイクロストリップ線路５１と誘電体導波管５２の電界分布とインピーダンスが近いことから、高周波信号は大きな反射を生じることなく伝搬することができる。
【００１８】
以上のように、この実施の形態１によれば、マイクロストリップ線路と導波管は同一誘電体基板に導体パターンとヴィアのみで構成され、マイクロストリップ線路と導波管の間の接続はリッジやプローブを用いずに構成される。したがって、通常の基板加工のみで形成することが可能であり、波長の短いミリ波帯などにおいても製作の容易な導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。また、誘電体導波管５２の側壁はヴィアで構成されるため、誘電体導波管５２構成するヴィアの列の間隔だけでなく、同一列内で隣り合うヴィアの間隔を変化させることによっても誘電体導波管５２のインピーダンスを調整でき、マイクロストリップ線路と誘電体導波管のインピーダンス整合が容易であるという効果もある。
【００１９】
なお、この実施の形態１においては、誘電体導波管５２の左右の側壁をそれぞれ１列の導波管側壁用ヴィア５で構成したが、それぞれ複数列のヴィアで構成するようにしてもよい。
【００２０】
実施の形態２．
図４は、この発明の実施の形態２における導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す斜視図である。図において、６はテーパー状導体パターンである。テーパー状導体パターン６は、誘電体基板１上にストリップ導体パターン３と導波管上壁用導体パターン４を接続するように設けられている。マイクロストリップ線路５１において地導体パターン２とストリップ導体パターン３の間の誘電体基板１中に存在する電界分布は、テーパー状導体パターン６により横方向に広げられる。したがって、導波管側壁用ヴィア５の２列の間隔が長い場合、すなわち誘電体導波管５２のａ寸法（横幅）が大きい場合でも、マイクロストリップ線路５１における電界分布を誘電体導波管５２における電界分布に近づけることができるため、高周波信号は大きな反射を生じることなく伝搬することができる。
【００２１】
以上のように、この実施の形態２によれば、誘電体基板１に設けられる導波管側壁用ヴィア５の２列の間隔が長い場合、すなわち誘電体導波管５２のａ寸法（横幅）が大きい場合でも良好な特性を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。
【００２２】
実施の形態３．
図５は、この発明の実施の形態３における導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す斜視図である。なお、上記実施の形態２では、テーパー状導体パターン６の形状が直線で構成されていたが、図５に示すようにテーパー状導体パターン６の形状を曲線でラッパ状に構成してもよい。このような構成においては、マイクロストリップ線路５１から誘電体導波管５２に伝搬する高周波信号から見えるテーパー状導体パターン６の並列容量成分が減少するので、より良好な特性を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器が得られるという効果がある。
【００２３】
実施の形態４．
図６は、この発明の実施の形態４における導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す斜視図である。図において、７はテーパー状導体パターン６に設けられた抜き部である。導体パターン抜き部７は、テーパー状導体パターン６の線路中心付近のパターンを残して、線路中心に対して対称に２つ以上設けられている。
【００２４】
マイクロストリップ線路５１においてはストリップ導体パターン３のパターン端部に電流が集中するが、誘電体導波管５２においては導波管上壁用導体パターン４の誘電体導波管５２構成部の中央に最も電流が流れる。マイクロストリップ線路５１と誘電体導波管５２を接続するテーパー状導体パターン６のパターン幅が、誘電体導波管５２側でかなり大きくなっている場合には、ストリップ導体パターン３のパターン端部を流れていた電流がテーパー状導体パターン６によって誘電体導波管５２の端部に導かれてしまう。したがって、誘電体導波管５２の中央部にはあまり電流が流れず、変換器の反射特性が劣化する恐れがある。そこで、テーパー状導体パターン６の中央部の導体パターンを残して、その両側に導体パターン抜き部７を設ける構成とすることで、電流が誘電体導波管５２の中央部にも流れるようにすることができるため、高周波信号は大きな反射を生じることなく伝搬することができる。
【００２５】
以上のように、この実施の形態４によれば、テーパー状導体パターン６のパターン幅が誘電体導波管側でかなり大きくなっている場合でも、誘電体導波管の中央部に電流が流れやすくなるため、良好な特性を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。
【００２６】
実施の形態５．
図７は、この発明の実施の形態５における導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す断面図である。図８は、図７に示される誘電体基板１ａの上側の面に配置された導体パターンを示す図である。図９は、図７に示される誘電体基板１ａの下側の面に配置された導体パターンを示す図である。図１０は、図７に示される多層誘電体基板１ｂの内層と最下層の面に配置された導体パターンを示す図である。なお、図７に示された断面図は、図８ないし１０に示されるＡ−Ａ’断面図として与えられるものである。
【００２７】
これらの図において、１ａは誘電体基板、１ｂは多層誘電体基板、２ａ、２ｂは地導体パターン、８は地導体パターン抜き部、９は導波管側壁用ヴィア、１０は地導体パターン抜き部である。誘電体基板１ａの上側の面にストリップ導体パターン３、下側の面に地導体パターン２ａを設けることで、マイクロストリップ線路５１を構成している。また、誘電体基板１ａの上側の面に導波管上壁用導体パターン４、下側の面に地導体パターン２ａを設け、導波管上壁用導体パターン４と地導体パターン２ａを接続する導波管側壁用ヴィア５を設けることで、水平方向に高周波信号が伝搬する誘電体導波管５２を構成している。さらに、多層誘電体基板２ｂの層間面と最下面に地導体パターン抜き部１０を有する地導体パターン２ｂを設け、地導体パターン抜き部１０の周囲には多層誘電体基板２ｂを貫通し地導体パターン２ａ、２ｂを接続する導波管側壁用ヴィア９を設けることで、垂直方向に高周波信号が伝搬する誘電体導波管５３を構成している。多層誘電体基板２ｂの下には、この誘電体導波管５３の開口に合わせて外部導波管５４が設けられている。
【００２８】
上記のような構成を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器において、誘電体基板１ａに構成されたマイクロストリップ線路５１に入力された高周波信号は、テーパー状導体パターン６を介して、誘電体基板１ａに構成された誘電体導波管５２を伝搬する。さらに地導体パターン抜き部８を通って、多層誘電体基板１ｂに構成された誘電体導波管５３を下向きに伝搬する。そして、多層誘電体基板１ｂの下に設けられた外部導波管５４に伝搬していく。
【００２９】
以上のように、この実施の形態５によれば、実施の形態１と同様、マイクロストリップ線路と誘電体導波管の間をリッジやプローブを形成することなく接続することができるので、波長の短いミリ波帯などにおいても製作の容易な導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。また、基板の導体パターンとヴィアだけで構成するため、多層誘電体基板内部に形成することが可能であり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むことも容易であるという効果もある。さらに、誘電体基板の下側の面に誘電体導波管の開口を有するため、誘電体基板と外部導波管を接続しやすいという効果もある。
【００３０】
実施の形態６．
図１１は、この発明の実施の形態６における導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す断面図である。図１２は、図１１に示される多層誘電体基板１ｂの最下面に配置された導体パターンを示す図である。なお、図１１に示された断面図は、図１２に示されるＡ−Ａ’断面図として与えられるものである。図において、１１は地導体パターン抜き部１０内に設けられたリアクタンス調整用導体パターンである。
【００３１】
上記のような構成を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器において、地導体パターン抜き部８を介して誘電体導波管５２と誘電体導波管５３が接続されている部分には、導波管壁の不連続によるリアクタンス成分が存在する。したがって、良好な反射特性を得るためには、上記リアクタンス成分を打ち消すことが必要である。地導体パターン抜き部１０に設けられた導体パターン１１は、誘電体導波管５３の内部に設けられた導体として働くため、リアクタンス成分を有する。したがって、導体パターン１１の大きさを適当に調節してやることによって、整合をとることが可能となる。
【００３２】
以上のように、この実施の形態６によれば、導体パターン１１によってリアクタンス成分の調整を行うことができるためインピーダンス整合がとりやすく、良好な特性の導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。なお、この実施の形態６においては、導体パターン１１を多層誘電体基板１ｂの最下面に設けたが、多層誘電体基板１ｂの層間面に設けても同様な効果が得られる。
【００３３】
実施の形態７．
上記実施の形態６では、リアクタンス成分の調整のために導体パターン１１を設けたが、図１３および図１４に示すように、地導体パターン抜き部１０の周囲にアイリス状導体パターン１２を設けるようにしてもよい。
図１３はその場合の導波管／マイクロストリップ線路の断面図、図１４は、図１３に示される多層誘電体基板１ｂの最下面に配置された導体パターンを示す図である。なお、図１３に示された断面図は、図１４に示されるＡ−Ａ’断面図として与えられるものである。
アイリス状導体パターン１２も誘電体導波管５３中において誘電体導波管５３の内部に設けられた導体として働くため、実施の形態６と同様の効果であるリアクタンス成分の調整を行うことができる。さらに、導波管内部は中央部よりも端部における電磁界強度が小さく、導体パターンの影響が小さくなることから、リアクタンス調整用の導体パターン寸法のずれに対する変換器特性のずれが少ないという効果もある。
【００３４】
実施の形態８．
図１５は、この発明の実施の形態８における導波管／マイクロストリップ線路変換器を示す断面図である。誘電体基板１ａの上側の面にストリップ導体パターン３を設け、誘電体基板１ａの下側の面に地導体パターン２ａを設けることで、マイクロストリップ線路５１を構成している。誘電体基板１ａの上側の面に導波管上壁用導体パターン４、下側の面に地導体パターン２ａを設け、導波管上壁用導体パターン４と地導体パターン２ａを接続する導波管側壁用ヴィア５を設けることで、誘電体導波管５２を構成している。また、多層誘電体基板１ｂの層間面と最下面に地導体パターン抜き部１０を有する地導体パターン２ｂを設け、地導体パターン抜き部１０の周囲には地導体パターン２ａ、２ｂを接続する導波管側壁用ヴィア９が設けられ、誘電体導波管５３を構成している。
【００３５】
本実施の形態８においては、誘電体導波管５２と誘電体導波管５３の長さをそれぞれの導波管における管内波長の１／４程度の長さとし、導波管側壁用ヴィア５の２列の間隔と導波管側壁用ヴィア９で囲まれた領域の大きさを変化させて、誘電体導波管５２と誘電体導波管５３のインピーダンスをそれぞれ適当な値にしてやることにより、２つの誘電体導波管がマイクロストリップ線路５１と外部導波管５４を接続する２段のインピーダンス変成器として動作する。したがって、広帯域にわたって整合をとることが可能となる。
【００３６】
実施の形態９．
図１６は、この発明の実施の形態９における高周波パッケージを示す断面図である。１３は誘電体基板上に実装された高周波素子、１４は高周波素子を封止するための蓋、１５は前記高周波素子１３とストリップ導体パターン３とを結合する導電性のワイヤー（又は金リボン等）である。マイクロストリップ線路５１、誘電体導波管５２および誘電体導波管５３から構成される変換器は、導波管のインターフェースが誘電体基板の下側にあり、誘電体基板の上側には導波管を構成する必要がないため、誘電体基板の上に蓋１４を設けるだけで、変換器の特性に影響を与えることなく、容易に誘電体基板上に実装された高周波素子１３を含む領域を封止することが可能である。
【００３７】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
【００３８】
同一誘電体基板に構成されたマイクロストリップ線路と誘電体導波管との間を、リッジやプローブを形成することなく接続することができるため、波長の短いミリ波帯などにおいても製作の容易な導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。
【００３９】
また、誘電体基板に設けられる導波管側壁用ヴィアの２列の間隔が長い場合、すなわち誘電体導波管の寸法（横幅）が大きい場合でも良好な伝搬特性を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。
【００４０】
また、伝搬する高周波信号から見えるテーパー状導体パターンの並列容量成分が減少するので、より良好な伝搬特性を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。
【００４１】
また、テーパー状導体パターンのパターン幅が誘電体導波管側でかなり大きくなっている場合でも、誘電体導波管の中央部に電流が流れやすくなるため、良好な伝搬伝送特性を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。
【００４２】
また、基板の導体パターンと導波管側壁用ヴィアだけで構成するため、多層誘電体基板内部に形成することが可能であり、セラミックなどを用いたパッケージに組み込むことも容易であり、誘電体基板の下側の面に誘電体導波管の開口を有するため、誘電体基板と外部導波管との接続を容易にすることができる。
【００４３】
また、地導体パターンの抜き部に導体パターンを設けたことにより、リアクタンス成分の調整ができるためインピーダンス整合がとりやすく、良好な伝搬特性を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現することができる。
【００４４】
また、導波管内部は中央部よりも端部における電磁界強度が小さく、導体パターンの影響が小さくなることから、リアクタンス調整用の導体パターン寸法のずれに対する変換器の伝搬特性のずれを少なくすることができる。
【００４５】
各誘電体導波管の長さをそれぞれの導波管における管内波長の１／４程度の長さとし、インピーダンスを適当な値とすることにより、２つの誘電体導波管がマイクロストリップ線路と外部導波管を接続する２段のインピーダンス変成器として動作するため、広帯域にわたってインピーダンスの整合をとることができる。
【００４６】
導波管のインターフェースが誘電体基板の下側にあり、誘電体基板の上側には導波管を構成する必要がないため、誘電体基板の上に蓋を設けるだけで、変換器の特性に影響を与えることなく、容易に誘電体基板上に実装された高周波素子を含む領域を封止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図である。
【図２】  この発明の実施の形態１に係るマイクロストリップ線路における断面の電界分布を示す図である。
【図３】  この発明の実施の形態１に係る誘電体導波管における断面の電界分布を示す図である。
【図４】  この発明の実施の形態２に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図である。
【図５】  この発明の実施の形態３に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図である。
【図６】  この発明の実施の形態４に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図である。
【図７】  この発明の実施の形態５に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
【図８】  この発明の実施の形態５に係る誘電体基板１ａの上面に配置した導体パターンを示す図である。
【図９】  この発明の実施の形態５に係る誘電体基板１ａの下面に配置した導体パターンを示す図である。
【図１０】  この発明の実施の形態５に係る多層誘電体基板１ｂの内層と最下層に配置した導体パターンを示す図である。
【図１１】  この発明の実施の形態６に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
【図１２】  この発明の実施の形態６に係る多層誘電体基板１ｂの最下面に配置した導体パターンを示す図である。
【図１３】  この発明の実施の形態７に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
【図１４】  この発明の実施の形態７に係る多層誘電体基板１ｂの最下面に配置した導体パターンを示す図である。
【図１５】  この発明の実施の形態８に係る導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
【図１６】  この発明の実施の形態９に係る高周波パッケージの構成を示す断面図である。
【図１７】  従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
【図１８】  従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す図である。
【図１９】  従来の導波管／マイクロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  誘電体基板、１ａ  誘電体基板、１ｂ  多層誘電体基板、２  地導体パターン、２ａ  地導体パターン、２ｂ  地導体パターン、３  ストリップ導体パターン、４  導波管上壁用導体パターン、５  導波管側壁用ヴィア、６  テーパー状導体パターン、７  導体パターン抜き部、８  地導体パターン抜き部、９  導波管側壁用ヴィア、１０  地導体パターン抜き部、１１  導体パターン、１２  アイリス導体パターン、１３  高周波素子、１４  蓋、１５  導電性ワイヤー、５１  マイクロストリップ線路、５２  誘電体導波管、５３  誘電体導波管、５４  外部導波管、１０１  導波管、１０２  リッジ、１０３  誘電体基板、１０４  マイクロストリップ線路、１０５  テーパーライン、１０６  金リボン、１０７  金属板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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