(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の絶縁膜表面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線材料層を形成する工程と、
前記配線材料層をレジストパターンをマスクとしてリアクティブイオンエッチングによりパターニングして配線を形成する工程と、
ペルオキソ硫酸塩とフッ化水素酸またはフッ化アンモニウムから選ばれるフッ素化合物とｐＨ調整用の酸とを含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液により前記配線を含む絶縁膜表面を処理する工程と
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
基板上の第１層絶縁膜表面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１層配線を形成する工程と、
前記第１層配線を含む前記第１層絶縁膜に第２層絶縁膜を形成した後、この第２層絶縁膜をレジストパターンをマスクとしてリアクティブイオンエッチングにより前記第１層配線表面に達するビアホールを開口する工程と、
ペルオキソ硫酸塩とフッ化水素酸またはフッ化アンモニウムから選ばれるフッ素化合物とｐＨ調整用の酸とを含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液により前記ビアホールを含む第２層絶縁膜表面を処理する工程と、
少なくとも前記ビアホール内面に導電性バリア層を形成する工程と、
前記バリア層が内面に形成された前記ビアホール内を含む第２層絶縁膜表面に導電材料膜を形成する工程と、
前記導電材料膜および導電性バリア層を化学機械研磨により除去してビアフィルを形成する工程と
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
基板上の絶縁膜にタングステンを主体とするビアフィルを形成する工程と、
前記ビアフィルを含む前記絶縁膜に配線材料層を形成する工程と、
前記配線材料層をレジストパターンをマスクとしてリアクティブイオンエッチングによりパターニングして前記ビアフィルとのコンタクト部においてそれより幅の狭い配線を形成する工程と、
ペルオキソ硫酸塩とフッ化水素酸またはフッ化アンモニウムから選ばれるフッ素化合物とｐＨ調整用の酸とを含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液により前記配線を含む絶縁膜表面を処理する工程と
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記ペルオキソ硫酸塩は、ペルオキソ二硫酸アンモニウムで、前記エッチング残渣除去用水溶液中に０．０１モル／Ｌ〜２０モル／Ｌ含有されることを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記フッ素含有化合物は、前記エッチング残渣除去用水溶液中に５×１０-6モル／Ｌ〜１×１０-2モル／Ｌ含有されることを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記エッチング残渣除去用水溶液での処理後、さらに水溶性有機溶媒または純水でリンス処理することを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイスの製造方法に関し、詳しくは半導体装置、液晶表示装置の製造におけるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）後の処理工程を改良した電子デバイスの製造方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、半導体装置では、金属配線としてアルミニウムまたは銅が用いられる。アルミニウム配線は、デバイスに印加される電流がアルミニウム原子の移動を引き起こす、いわゆるエレクトロマイグレーションを生じる。このエレクトロマイグレーションを防止するために配線として少量の銅を添加したアルミニウム合金が用いられている。
【０００３】
また、前記配線においてコンタクトホールに生じることがある電気的スパイクの発生を最小にするためにアルミニウムに少量のシリコンまたはチタン添加したアルミニウム合金が用いられている。
【０００４】
ところで、前記半導体装置における金属配線は次のような種々の工程により形成されている。
【０００５】
１）まず、半導体基板上の絶縁膜にアルミニウムを含む金属層を形成する。つづいて、前記金属層にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を露光、現像処理する、いわゆる写真蝕刻してレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして前記金属層の露出部分をリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により選択的に除去してアルミニウムを含む配線を形成する。この後、残存するレジストパターンを剥離、除去する。
【０００６】
前記１）の方法によるアルミニウムを含む金属層をレジストパターンおよびＲＩＥを用いて選択的にエッチングして金属配線を形成した後において、前記金属配線の表面および側壁に金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物が付着される。このような残渣物は、半導体装置の信頼性を低下させる。このため、従来では金属配線の形成後にヒドロキシルアミンのようなアルカリ水溶液でその表面等を処理して、前記残渣物を除去することが行われている。
【０００７】
しかしながら、前記配線は両性のアルミニウムを含むため、ヒドロキシルアミンのようなアルカリ水溶液下でエッチングされて、例えば配線が細って抵抗値が増大する等の問題を生じる。
【０００８】
２）まず、半導体基板上の第１層絶縁膜にアルミニウムを含む金属層を形成し、この金属層にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして前記金属層の露出部分をＲＩＥにより選択的に除去して第１層配線を形成する。つづいて、前記レジストパターンを剥離、除去した後、前記第１層配線を含む前記第１層絶縁膜に第２層絶縁膜を形成する。ひきつづき、第２層絶縁膜上にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してビアホール形成予定部が開口されたレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記第２層絶縁膜の露出部分をＲＩＥにより選択的に除去してボアホールを開口する。この前記ビアホールを含む第２層絶縁膜上に導電性バリア膜、タングステンのような金属膜を堆積して少なくとも前記ビアホール内面に導電性バリア膜を形成するとともに、この導電性バリア膜が形成されたビアホール内を前記金属膜を埋め込む。この後、前記金属膜、導電性バリア膜を化学機械研磨（ＣＭＰ）処理を施して前記第２層絶縁膜に前記第１層配線と接続されるビアフィルを形成する。
【０００９】
次いで、前記ビアフィルを含む前記第２層絶縁膜上に金属層を形成し、この金属層にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してレジストパターンし、このレジストパターンをマスクとして前記金属層の露出部分をリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により選択的に除去することにより第２層配線を形成する。
【００１０】
前記２）の方法による第２層絶縁膜をレジストパターンおよびＲＩＥを用いて選択的にエッチングしてビアホールを形成した後において、ビアホールの内面にレジストに由来するポリマーおよびレジストと絶縁膜の材料に由来する変質層などの残渣物が付着される。これらの残渣物が残った状態で、ビアホール内面に導電性バリア膜を形成すると、この後のビアホール内への金属膜の埋め込み過程で前記導電性バリア膜が剥離して、そのバリア機能が阻害される。このため、従来ではヒドロキシルアミンのようなアルカリ水溶液でビアホール内面を処理して、前記残渣物を除去することが行われている。
【００１１】
しかしながら、ビアホール底部から露出された前記第１層配線は両性のアルミニウムを含むため、ヒドロキシルアミンのようなアルカリ水溶液下でエッチングされて、例えば第１層配線の厚さが減少して抵抗値が増大したり、極端な場合には第１層配線が消失、断線したりする等の問題を生じる。
【００１２】
また、前記２）の方法による第２層の金属層をレジストパターンおよびＲＩＥを用いて選択的にエッチングして第２層配線を形成した後において、前記第２層配線の表面および側壁に金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物が付着される。この残渣物は、半導体装置の信頼性を低下させる。このため、従来では第２層配線の形成後にヒドロキシルアミンのようなアルカリ水溶液でその第２層配線表面を処理して、前記残渣物を除去することが行われている。
【００１３】
しかしながら、半導体装置の高集積化に伴って前記第２層配線の幅が微細化されると、前記ビアフィルは第２層配線とのコンタクト部において前記第２層配線で覆われずに露出するため、前記ビアフィルがタングステンを主体とする材料を有する場合、ヒドロキシルアミンのようなアルカリ水溶液での第２層配線の処理時にそのアルカリ水溶液が前記タングステン（Ｗ）を主体とする材料からなるビアフィルにも接触して溶解するという問題を生じる。このＷの溶解は、主に前記コンタクト部における前記アルカリ水溶液の存在下での第２層配線（例えばＡｌ）とＷとの間の大きなイオン化傾向差（電位差）に起因するものである。
【００１４】
一方、特開２００１−２４７９８６にはアルミニウムまたはアルミニウム合金の部品、製品を電気メッキするに先立ち、ペルオキソ二硫酸アンモニウムのような酸化剤、硫酸、燐酸のような酸およびフッ化水素酸のようなハライドイオン含有化合物を含むスマット除去用組成物により処理して電気メッキプロセスを妨害する金属、酸化物（スマット）を除去することが開示されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を用いてアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線を形成した後処理において、その配線のエッチングによる細り等を招くことなく、前記配線の表面および側壁に付着された金属残渣物、レジストに由来するポリマーおよび変質層を除去することが可能な電子デバイスの製造方法を提供しようとするものである。
【００１６】
本発明は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる下地の配線と接続するためのビアフィルのビアホールをＲＩＥを用いて絶縁膜に形成した後処理において、その下地配線のエッチングによる厚さ減少等を招くことなく、前記ビアホール内面に付着されたレジストに由来するポリマーおよび変質層を除去することが可能な電子デバイスの製造方法を提供しようとするものである。
【００１７】
本発明は、タングステンを主体とするビアフィルが形成された絶縁膜にＲＩＥを用いて前記ビアフィルとのコンタクト部でそれが露出される微細な配線を形成した後処理において、前記露出したビアフィルのタングステンの溶解等を招くことなく、前記配線の表面および側壁に付着された金属残渣物、レジストに由来するポリマーおよび変質層を除去することが可能な電子デバイスの製造方法を提供しようとするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電子デバイスの製造方法は、基板上の絶縁膜表面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線材料層を形成する工程と、
前記配線材料層をレジストパターンをマスクとしてリアクティブイオンエッチングによりパターニングして配線を形成する工程と、
ペルオキソ硫酸塩とフッ化水素酸またはフッ化アンモニウムから選ばれるフッ素化合物とｐＨ調整用の酸とを含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液により前記配線を含む絶縁膜表面を処理する工程と
を含むことを特徴とするものである。
【００１９】
本発明に係る別の電子デバイスの製造方法は、基板上の第１層絶縁膜表面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１層配線を形成する工程と、
前記第１層配線を含む前記第１層絶縁膜に第２層絶縁膜を形成した後、この第２層絶縁膜をレジストパターンをマスクとしてリアクティブイオンエッチングにより前記第１層配線表面に達するビアホールを開口する工程と、
ペルオキソ硫酸塩とフッ化水素酸またはフッ化アンモニウムから選ばれるフッ素化合物とｐＨ調整用の酸とを含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液により前記ビアホールを含む第２層絶縁膜表面を処理する工程と、
少なくとも前記ビアホール内面に導電性バリア層を形成する工程と、
前記バリア層が内面に形成された前記ビアホール内を含む第２層絶縁膜表面に導電材料膜を形成する工程と、
前記導電材料膜および導電性バリア層を化学機械研磨により除去してビアフィルを形成する工程と
を含むことを特徴とするものである。
【００２０】
本発明に係るさらに別の電子デバイスの製造方法は、基板上の絶縁膜にタングステンを主体とするビアフィルを形成する工程と、
前記ビアフィルを含む前記絶縁膜に配線材料層を形成する工程と、
前記配線材料層をレジストパターンをマスクとしてリアクティブイオンエッチングによりパターニングして前記ビアフィルとのコンタクト部においてそれより幅の狭い配線を形成する工程と、
ペルオキソ硫酸塩とフッ化水素酸またはフッ化アンモニウムから選ばれるフッ素化合物とｐＨ調整用の酸とを含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液により前記配線を含む絶縁膜表面を処理する工程と
を含むことを特徴とするものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２２】
＜第１実施形態＞
（第１工程）
基板上の絶縁膜にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線材料層を形成する。
【００２３】
前記基板としては、例えば製造する電子デバイスが半導体装置である場合、シリコンのような半導体基板、製造する電子デバイスが液晶表示装置である場合、ガラス基板を用いることができる。
【００２４】
前記絶縁膜としては、例えばシリコン酸化膜、ボロン添加ガラス膜（ＢＰＳＧ膜）、リン添加ガラス膜（ＰＳＧ膜）等を用いることができる。また、前記絶縁膜としては、例えばＳｉＯＦ、有機スピンオングラス、ポリイミド、フッ素添加ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化ポリアリルエーテル、フッ素添加パレリン等の比誘電率が３．５以下の絶縁材料からなる膜を用いることができる。
【００２５】
前記アルミニウム合金としては、例えばＡｌ−Ｓｉ合金，Ａｌ−Ｃｕ合金，Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金等を用いることができる。
【００２６】
（第２工程）
前記配線材料層上にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を露光、現像処理する、いわゆる写真蝕刻してレジストパターンを形成する。つづいて、このレジストパターンをマスクとして前記配線材料層の露出部分を例えば塩素系、フッ素系の反応ガスを用いるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により選択的に除去してアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線を形成する。この後、残存するレジストパターンを例えばアッシング処理等により剥離、除去する。
【００２７】
（第３工程）
ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびｐＨ調整用の酸を含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液により前記配線を含む絶縁膜表面を処理する。
【００２８】
前記エッチング残渣除去用水溶液の各成分の作用等を以下に説明する。
【００２９】
１）ペルオキソ硫酸塩
このペルオキソ硫酸塩としては、ペルオキソ一硫酸塩、ペルオキソ二硫酸塩を挙げることができる。ペルオキソ二硫酸塩としては、例えばペルオキソ二硫酸アンモニウム等を挙げることができる。
【００３０】
前記ペルオキソ硫酸塩は、エッチング残渣であるレジストに由来するポリマーおよび変質層などの有機物を分解除去するとともに、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線をフッ素含有化合物によるエッチングから保護する作用を有する。
【００３１】
前記ペルオキソ硫酸塩としてペルオキソ二硫酸アンモニウムを用いた場合、そのペルオキソ二硫酸アンモニウムは前記エッチング残渣除去用水溶液中に０．０１モル／Ｌ〜２０モル／Ｌ含有されることが好ましい。
【００３２】
前記ペルオキソ二硫酸アンモニウムの量を０．０１モル／Ｌ未満にすると、有機物の分解除去およびエッチングの保護作用を図ることが困難になる虞がある。一方、前記ペルオキソ二硫酸アンモニウムの量が２０モル／Ｌを超えると配線表面の酸化が過度に進行して表面の導電性が損なわれる虞がある。より好ましい前記エッチング残渣除去用水溶液中のペルオキソ二硫酸アンモニウムの含有量は０．１モル／Ｌ〜０．５モル／Ｌである。
【００３３】
２）フッ素含有化合物
このフッ素含有化合物は、フッ化水素酸またはフッ化アンモニウムである。
【００３４】
前記フッ素含有化合物は、エッチング残渣である金属、酸化物を除去する作用を有する。
【００３５】
前記金属、酸化物を除去する作用をフッ化水素酸（ＨＦ）を例にして次に説明する。
【００３６】
フッ化水素酸は、水の存在下で下記数１の式（１）、（２）のように解離する。ただし、この解離反応は、平衡反応である。
【００３７】
【数１】
0003688650.tif 000002
【００３８】
前記式（１）の解離前のＨＦは、金属、酸化物に対するエッチング作用が弱いものの、前記（２）式のＨＦ2-は金属、酸化物に対するエッチング作用が強い。このため、前記ＨＦ2-がエッチング残渣除去用水溶液中に多量に存在すると、ＳｉＯ2のような絶縁膜をエッチングするばかりか、前記ペルオキソ硫酸塩によるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線をフッ素含有化合物のエッチングから保護する作用が低下する。このようなことから、後述するｐＨ調整用の酸でｐＨ調整することにより前記エッチング残渣除去用水溶液中のＨＦ2-の生成を抑制している。
【００３９】
前記フッ素含有化合物は、前記エッチング残渣除去用水溶液中に５×１０-6モル／Ｌ〜５×１０-1モル／Ｌ含有されることことが好ましい。前記フッ素含有化合物の量を５×１０-6モル／Ｌ未満にすると、エッチング残渣である金属、酸化物を除去することが困難になる虞がある。一方、前記フッ素含有化合物の量が５×１０-1モル／Ｌを超えると、エッチング残渣除去用水溶液中のＨＦ2-の生成量が多くなって、絶縁膜のエッチング除去、配線のエッチング、細りを生じる虞がある。より好ましい前記エッチング残渣除去用水溶液中のフッ素含有化合物の含有量は１×１０-4モル／Ｌ〜１×１０-2モル／Ｌである。
【００４０】
３）ｐＨ調整用の酸
このｐＨ調整用の酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸のような無機酸、または酢酸、シュウ酸のような有機酸を用いることができる。特に、硫酸が好ましい。
【００４１】
前記ｐＨ調整用の酸によりエッチング残渣除去用水溶液のｐＨ値が０〜３に調整される。このようにエッチング残渣除去用水溶液を強酸性にすることによって、この水溶液中の水素イオン（Ｈ+）濃度を高くして前記式（１）のＨＦの平衡反応を左側にシフト、つまりＨＦが多くなるようにシフトさせ、結果的に前記式（２）の平衡反応を右側にシフトするのを抑えて、水溶液中に生成されるＨＦ2-量を抑えて適正化できる。
【００４２】
前記エッチング残渣除去用水溶液のより好ましいｐＨ値は、０〜１である。
【００４３】
前記エッチング残渣除去用水溶液は、２０〜３５℃の液温で使用することが好ましい。
【００４４】
前記組成を有するエッチング残渣除去用水溶液は、Ａｌを基準にしてＷまたはＴｉ，ＴｉＮに対するイオン化傾向差（電位差）を小さくする作用を有する。
【００４５】
なお、前述した第１実施形態の電子デバイスの製造において、前記エッチング残渣除去用水溶液での処理後、さらにアルコールのような水溶性有機溶媒または純水でリンス処理することを許容する。
【００４６】
以上、第１実施形態によれば基板上の絶縁膜表面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線材料層を形成し、この配線材料層をレジストパターンおよびリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を用いてパターニングして配線を形成した後、ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびｐＨ調整用の酸を含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液で処理することによって、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線のエッチングによる細り等を招くことなく、ＲＩＥにおいて前記配線の表面および側壁に付着された金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物を除去することができる。
【００４７】
すなわち、エッチング残渣除去用水溶液による処理時においてペルオキソ硫酸塩の酸化作用によりレジストに由来するポリマーおよび変質層を除去することができる。
【００４８】
また、同水溶液中のフッ素含有化合物（例えばフッ化水素酸）によって、前記配線の表面および側壁に付着された残渣物である金属を除去することができる。このとき、同水溶液中のｐＨ調整用の酸によりそのｐＨ値を０〜３に調整することによって、同水溶液中のフッ素含有化合物（例えばフッ化水素酸）からのエッチング力の強いＨＦ2-の生成を抑えてＨＦ2-量を適正化できるため、エッチング力のＨＦおよび適正量のＨＦ2-により例えば酸化物からなる絶縁膜のエッチングを抑えつつ、金属残渣物を効率よく除去することができる。
【００４９】
前記エッチング残渣除去用水溶液による処理時において、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線もその水溶液に曝され、同水溶液中のフッ素含有化合物（例えばフッ化水素酸）によるエッチング作用を受ける。このとき、ペルオキソ硫酸塩の酸化作用により前記配線表面等が前記フッ化水素酸から保護されるとともに、前述したようにエッチング力の強いＨＦ2-の生成を抑えてＨＦ2-量を適正化しているため、前記配線がエッチングされて細る等の不都合さを解消することができる。
【００５０】
なお、前記ペルオキソ硫酸塩による酸化作用を受けた前記アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線は、その表面等において十分に高い電気導電性を示す。
【００５１】
したがって、第１実施形態によれば前記組成のエッチング残渣除去用水溶液で配線形成後に処理することによって、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線のエッチングによる細り等を招くことなく、ＲＩＥにおいて前記配線の表面および側壁に付着された金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物を除去することができる。特に、０．０１モル／Ｌ〜２０モル／Ｌのペルオキソ二硫酸アンモニウム、５×１０-6モル／Ｌ〜５×１０-1モル／Ｌのフッ素含有化合物およびｐＨ調整用の酸を含み、ｐＨ値が０〜３のエッチング残渣除去用水溶液で処理することによって、前記配線をエッチングすることなく、前記配線の表面および側壁に付着された残渣物をより確実に除去することができる。
【００５２】
その結果、前記配線が設計した抵抗値に維持され、かつ信頼性が向上された電子デバイスを製造することができる。
【００５３】
また、前記エッチング残渣除去用水溶液で処理した後、さらにアルコールのような水溶性有機溶媒または純水でリンス処理を施すことによって、前記配線がエッチングされることなく前記エッチング残渣除去用水溶液を前記絶縁膜表面から洗い流すことができる。
【００５４】
すなわち、従来のヒドロキシアミン水溶液のようなアルカリ水溶液でアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線を処理した後、純水によりリンス処理すると、アルカリ水溶液が純水で希釈される過程で前記配線のエッチングが急激に進行する。これに対し、本発明で使用するエッチング残渣除去用水溶液は前記リンス処理時における希釈過程で前記配線がエッチングされるのを防止できる。
【００５５】
＜第２実施形態＞
（第１工程）
基板上の第１層絶縁膜表面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線材料層を形成する。つづいて、この配線材料層にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして前記配線材料層の露出部分をエッチングにより選択的に除去することにより第１層配線を形成する。
【００５６】
前記基板、前記絶縁膜および前記アルミニウム合金としては、第１実施形態で説明したのと同様なものを用いることができる。
【００５７】
（第２工程）
前記レジストパターンを例えばアッシング処理等により剥離、除去した後、前記第１層配線を含む前記第１層絶縁膜上に第２層絶縁膜を形成する。ひきつづき、第２層絶縁膜上にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してビアホール形成予定部が開口されたレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記第２層絶縁膜の露出部分をリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により選択的に除去してビアホールを開口する。
【００５８】
前記絶縁膜としては、第１実施形態で説明したのと同様なものを用いることができる。
【００５９】
（第３工程）
ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびｐＨ調整用の酸を含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液により前記ビアホールを含む前記第２層絶縁膜表面を処理する。
【００６０】
前記エッチング残渣除去用水溶液の各成分の作用等は、第１実施形態で説明したのと同様である。
【００６１】
（第４工程）
前記ビアホールを含む第２層絶縁膜上に導電性バリア膜、金属膜を堆積して少なくとも前記ビアホール内面に導電性バリア膜を形成するとともに、この導電性バリア膜が形成されたビアホール内を前記金属膜を埋め込む。この後、前記金属膜、導電性バリア膜を化学機械研磨（ＣＭＰ）処理を施して前記第２層絶縁膜に前記第１層配線と接続されるビアフィルを形成する。
【００６２】
前記導電性バリア膜は、例えばＴａ，ＴａＮ、Ｔｉ，ＴｉＮから選ばれる１層または２層以上から作られる。
【００６３】
前記金属膜としては、例えばタングステン膜、Ｃｕ膜、Ｃｕ−Ｓｉ合金、Ｃｕ−Ａｌ合金、Ｃｕ−Ｓｉ−Ａｌ合金、Ｃｕ−Ａｇ合金などのＣｕ合金膜等を用いることができる。
【００６４】
なお、前述した第２実施形態の電子デバイスの製造において、前記エッチング残渣除去用水溶液での処理後、さらにアルコールのような水溶性有機溶媒または純水でリンス処理することを許容する。
【００６５】
以上、第２実施形態によれば基板上の第１層絶縁膜表面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１層配線を形成し、この第１層配線を含む前記第１層絶縁膜に第２層絶縁膜を形成し、さらにこの第２層絶縁膜をレジストパターンをマスクとしてリアクティブイオンエッチングにより前記第１層配線表面に達するビアホールを開口した後、ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびｐＨ調整用の酸を含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液で処理することによって、前記ビアホール底部から露出したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１層配線の厚さ減少等を招くことなく、ＲＩＥにおいて前記ビアホール内面に付着されたレジストに由来するポリマーおよびレジストと絶縁膜の材料に由来する変質層などの残渣物を除去することができる。
【００６６】
すなわち、エッチング残渣除去用水溶液による処理時においてペルオキソ硫酸塩の酸化作用とフッ素含有化合物（例えばフッ化水素酸）とによって、前記ビアホール内面に付着されたレジストに由来するポリマーおよびレジストと絶縁膜の材料に由来する変質層などの残渣物を除去することができる。このとき、同水溶液中のｐＨ調整用の酸によりそのｐＨ値を０〜３に調整することによって、同水溶液中のフッ素含有化合物（例えばフッ化水素酸）からのエッチング力の強いＨＦ2-の生成を抑えてＨＦ2-量を適正化できるため、エッチング力のＨＦおよび適正量のＨＦ2-により例えば酸化物からなる第２層絶縁膜のエッチングを抑えつつ、微細な前記ビアホール内面に付着した残渣物を効率よく除去することができる。
【００６７】
前記エッチング残渣除去用水溶液による処理時において、前記ビアホールから露出するアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１層配線もその水溶液に曝され、同水溶液中のフッ素含有化合物（例えばフッ化水素酸）によるエッチング作用を受ける。このとき、ペルオキソ硫酸塩の酸化作用により前記第１層配線表面が前記フッ化水素酸から保護されるとともに、前述したようにエッチング力の強いＨＦ2-の生成を抑えてＨＦ2-量を適正化しているため、前記第１層配線がエッチングされて厚さが減少する等の不都合さを解消することができる。
【００６８】
したがって、第２実施形態によれば前記組成を有するエッチング残渣除去用水溶液で前記ビアホールを開口した後に処理することによって、前記ビアホール底部から露出したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１層配線のエッチングによる厚さ減少等を招くことなく、ＲＩＥにおいて前記ビアホール内面に付着された残渣物を除去することができる。特に、０．０１モル／Ｌ〜２０モル／Ｌのペルオキソ二硫酸アンモニウム、５×１０-6モル／Ｌ〜５×１０-1モル／Ｌのフッ素含有化合物およびｐＨ調整用の酸を含み、ｐＨ値が０〜３のエッチング残渣除去用水溶液で処理することによって、前記ビアホールから露出した第１層配線をエッチングすることなく、前記ビアホール内面に付着された残渣物をより確実に除去することができる。
【００６９】
このような内面が清浄化されたビアホールを含む第２層絶縁膜上に導電性バリア膜を堆積し、金属膜を埋め込む際、前記導電性バリア膜が剥離されるのを防止することができる。その結果、前記金属膜、導電性バリア膜を化学機械研磨（ＣＭＰ）処理を施すことによって、前記第２層絶縁膜に前記第１層配線と接続される信頼性の高いビアフィルを有する電子デバイスを製造することができる。
【００７０】
また、前記ペルオキソ硫酸塩による酸化作用を受けた前記アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１層配線は、ビアホールから露出した表面において十分に高い電気導電性を示すため、前記ビアフィルの形成後においてこのビアフィルと良好にオーミックコンタクトを取ることができる。
【００７１】
また、前記エッチング残渣除去用水溶液で処理した後、さらにアルコールのような水溶性有機溶媒または純水でリンス処理を施すことによって、前記ビアホールから露出する第１層配線がその水溶液の希釈過程でエッチングされることなく前記エッチング残渣除去用水溶液を前記第２層絶縁膜表面から洗い流すことができる。
【００７２】
＜第３実施形態＞
（第１工程）
基板上の絶縁膜にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してビアホール形成予定部が開口されたレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜の露出部分をエッチングにより選択的に除去してボアホールを開口する。つづいて、前記ビアホールを含む絶縁膜上に導電性バリア膜、タングステン膜を堆積して少なくとも前記ビアホール内面に導電性バリア膜を形成するとともに、この導電性バリア膜が形成されたビアホール内を前記タングステン膜を埋め込む。この後、前記タングステン膜、導電性バリア膜を化学機械研磨（ＣＭＰ）処理を施して前記絶縁膜にビアフィルを形成する。
【００７３】
前記基板および前記絶縁膜としては、第１実施形態で説明したのと同様なものを用いることができる。
【００７４】
前記導電性バリア膜としては、第２実施形態で説明したのと同様なものを用いることができる。
【００７５】
前記ビアフィルは、基板（半導体基板）のソース領域、ドレイン領域のような拡散層に対応する絶縁膜に形成しても、第１層、第２層の配線間、または第２層、第３層の配線間に位置する絶縁膜に形成してもよい。
【００７６】
（第２工程）
前記ビアフィルを含む前記絶縁膜に配線材料層を形成した後、この配線材料層をレジストパターンをマスクとしてリアクティブイオンエッチングによりパターニングして前記ビアフィルとのコンタクト部においてそれより幅の狭い配線を形成する。この後、前記レジストパターンを例えばアッシング処理等により剥離、除去する。
【００７７】
前記配線材料層としては、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｍｏ，Ｍｏ合金、Ｗ，Ｗ合金等から作られる。
【００７８】
（第３工程）
ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびｐＨ調整用の酸を含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液により前記配線を含む絶縁膜表面を処理する。
【００７９】
前記エッチング残渣除去用水溶液の各成分の作用等は、第１実施形態で説明したのと同様である。
【００８０】
なお、前述した第３実施形態の電子デバイスの製造において、前記エッチング残渣除去用水溶液での処理後、さらにアルコールのような水溶性有機溶媒または純水でリンス処理することを許容する。
【００８１】
以上、第３実施形態によれば基板上の絶縁膜にタングステンを主体とするビアフィルを形成し、このビアフィルを含む前記絶縁膜に配線材料層を形成し、さらにこの配線材料層をレジストパターンをマスクとしてリアクティブイオンエッチングによりパターニングして前記ビアフィルとのコンタクト部においてそれより幅の狭い配線を形成した後、ペルオキソ硫酸塩、フッ素含有化合物およびｐＨ調整用の酸を含み、ｐＨ値が０〜３であるエッチング残渣除去用水溶液により前記配線を含む絶縁膜表面を処理することによって、前記配線から露出するビアフィルのタングステンが溶解されることなく、ＲＩＥにおいて前記配線の表面および側壁に付着された金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物を除去することができる。
【００８２】
すなわち、エッチング残渣除去用水溶液による処理時においてペルオキソ硫酸塩の酸化作用によりレジストに由来するポリマーおよび変質層を除去することができる。
【００８３】
また、同水溶液中のフッ素含有化合物（例えばフッ化水素酸）によって、前記配線の表面および側壁に付着された金属残渣物を除去することができる。このとき、同水溶液中のｐＨ調整用の酸によりそのｐＨ値を０〜３に調整することによって、同水溶液中のフッ素含有化合物（例えばフッ化水素酸）からのエッチング力の強いＨＦ2-の生成を抑えてＨＦ2-量を適正化できるため、エッチング力のＨＦおよび適正量のＨＦ2-により例えば酸化物からなる絶縁膜のエッチングを抑えつつ、残渣物である金属を効率よく除去することができる。
【００８４】
前記エッチング残渣除去用水溶液による処理時において、露出するビアフィルのタングステン（Ｗ）もその水溶液に曝される。前記エッチング残渣除去用水溶液は、既述したようにＡｌを基準にしてＷまたはＴｉ，ＴｉＮに対するイオン化傾向差（電位差）を小さくする作用を有するため、露出した前記ビアフィルのＷが配線（例えばＡｌ系配線）とのコンタクト部において溶解する等の不都合さを解消することができる。
【００８５】
したがって、第３実施形態によれば前記組成のエッチング残渣除去用水溶液で配線形成後に処理することによって、前記配線から露出するビアフィルのタングステンが溶解されることなく、ＲＩＥにおいて前記配線の表面および側壁に付着された金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物を除去することができる。特に、０．０１モル／Ｌ〜２０モル／Ｌのペルオキソ二硫酸アンモニウム、５×１０-6モル／Ｌ〜５×１０-1モル／Ｌのフッ素含有化合物およびｐＨ調整用の酸を含み、ｐＨ値が０〜３のエッチング残渣除去用水溶液で処理することによって、前記配線から露出するビアフィルのタングステンの溶解をより確実に防止できるとともに、前記配線の表面および側壁に付着された残渣物を除去することができる。
【００８６】
その結果、前記ビアフィルに対して前記配線が良好に接続され、かつ信頼性が向上された電子デバイスを製造することができる。
【００８７】
また、前記エッチング残渣除去用水溶液で処理した後、さらにアルコールのような水溶性有機溶媒または純水でリンス処理を施すことによって、その水溶液の希釈過程でイオン傾向差が大きくならないため、前記配線が露出するビアフィルのタングステンが溶解されることなく、前記エッチング残渣除去用水溶液を前記絶縁膜表面から洗い流すことができる。
【００８８】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【００８９】
（実施例１）
まず、図１の（ａ）に示すようにソース領域、ドレイン領域のような拡散層（図示せず）が形成されたシリコン基板１上に例えばＳｉＯ2からなる絶縁膜２をＣＶＤ法により形成した後、Ａｌ−Ｃｕ合金からなる配線材料層３を形成した。つづいて、図１の（ｂ）に示すように前記配線材料層３上にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を露光、現像処理する、いわゆる写真蝕刻してレジストパターン４を形成した。ひきつづき、図１の（ｃ）に示すようにこのレジストパターン４をマスクとして前記配線材料層３の露出部分を例えばフッ素系の反応ガスを用いるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により選択的に除去してＡｌ−Ｓｉからなる配線５を形成した。
【００９０】
次いで、前記レジストパターン４を除去した。この時、図２に示すように前記配線５の表面および側壁に金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物６が付着された。つづいて、０．２モル／Ｌのペルオキソ二硫酸アンモニウム、５×１０-4モル／Ｌのフッ化水素酸およびｐＨ調整用の硫酸を含み、ｐＨ値が０．２０のエッチング残渣除去用水溶液で前記配線５を含む前記絶縁膜２を処理した。
【００９１】
このようなエッチング残渣除去用水溶液での処理により図３に示すように前記配線５の表面および側壁の残査物６が除去された。また、前記配線５はエッチングによる孔明き、細りが全く認められなかった。
【００９２】
また、前記エッチング残渣除去用水溶液で処理した後、さらに純水でリンス処理を施したが、Ａｌ−Ｃｕ合金からなる配線５がエッチングされることなく前記エッチング残渣除去用水溶液を前記絶縁膜２表面から洗い流すことができた。
【００９３】
この後、常法に従って半導体装置を製造した。
【００９４】
なお、比較例１としてエッチング残渣除去用水溶液の代わりに１０ｗｔ％のヒドロキシアミン水溶液で配線を含む絶縁膜を処理した。その結果、前記配線の表面および側壁の残査物を除去できたものの、Ａｌ−Ｃｕ合金の配線がヒドロキシアミン水溶液でエッチングされて細ってしまった。
【００９５】
また、ヒドロキシアミン水溶液での処理後、さらに純水でリンス処理を施してヒドロキシアミン水溶液を洗い流したところ、前記Ａｌ−Ｃｕ合金からなる配線のエッチングがさらに急激に進行した。
【００９６】
（実施例２）
まず、図４の（ａ）に示すようにソース領域、ドレイン領域のような拡散層（図示せず）が形成されたシリコン基板１１上に例えばＳｉＯ2からなる第１層絶縁膜１２をＣＶＤ法により形成した後、Ａｌ−Ｃｕ合金からなる配線材料層を形成した。つづいて、この配線材料層にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクとして前記配線材料層の露出部分をエッチングにより選択的に除去することにより第１層配線１３を形成した。前記レジストパターンを剥離、除去した後、前記第１層配線１３を含む前記第１層絶縁膜１２上にＳｉＯ2からなる第２層絶縁膜１４をＣＶＤ法により形成した。
【００９７】
次いで、図４の（ｂ）に示すように前記第２層絶縁膜１４上にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してビアホール形成予定部が開口されたレジストパターン１５を形成し、このレジストパターン１５をマスクとして前記第２層絶縁膜１４の露出部分を例えばフッ素系の反応ガスを用いるＲＩＥにより選択的に除去してビアホール１６を開口した。つづいて、前記レジストパターン１５を除去した。このとき、図４の（ｃ）に示すように前記ビアホール１６内面にレジストに由来するポリマーおよびレジストと絶縁膜の材料に由来する変質層などの残渣物１７が付着された。
【００９８】
次いで、０．２モル／Ｌのペルオキソ二硫酸アンモニウム、５×１０-4モル／Ｌのフッ化水素酸およびｐＨ調整用の硫酸を含み、ｐＨ値が０．２０のエッチング残渣除去用水溶液で前記ビアホール１６を含む前記第２層絶縁膜１４を処理した。このようなエッチング残渣除去用水溶液での処理により図５の（ｄ）に示すように前記ビアホール１６内面に付着された残査物１７が除去された。また、前記ビアホール１６から露出するＡｌ−Ｃｕ合金からなる第１層配線１３のエッチングによる膜厚減少は全く認められなかった。つづいて、純水でリンス処理を施した。このとき、Ａｌ−Ｃｕ合金からなる第１層配線１３がエッチングされることなく前記エッチング残渣除去用水溶液を前記第２層絶縁膜１４表面から洗い流すことができた。
【００９９】
次いで、図５の（ｅ）に示すように前記ビアホール１６を含む第２層絶縁膜１４上に導電性バリア膜であるＴｉ膜およびタングスタン膜を堆積して前記ビアホール１６内面にＴｉ膜１８を形成するとともに、このＴｉ膜１８が形成されたビアホール１６内を前記タングステン膜１９で埋め込んだ。この後、前記タングステン膜１９、Ｔｉ膜１８を化学機械研磨（ＣＭＰ）処理を施すことにより図５の（ｆ）に示すように前記第２層絶縁膜１４に前記第１層配線１３と接続されるビアフィル２０を形成した。
【０１００】
形成されたビアフィル２０は、Ｔｉ膜１８の部分的な剥離がなく、第１層配線１３と低抵抗接続されていた。
【０１０１】
この後、常法に従って半導体装置を製造した。
【０１０２】
なお、比較例２としてエッチング残渣除去用水溶液の代わりに１０ｗｔ％のヒドロキシアミン水溶液でビアホールを含む第２層絶縁膜を処理した。その結果、前記ビアホール内面に付着した残査物を除去できたものの、前記ビアホールから露出したＡｌ−Ｃｕ合金の第１層配線がヒドロキシアミン水溶液でエッチングされて膜厚減少が生じた。また、ヒドロキシアミン水溶液での処理後、さらに純水でリンス処理を施してヒドロキシアミン水溶液を洗い流したところ、前記Ａｌ−Ｃｕ合金からなる第１層配線のエッチングがさらに急激に進行した。
【０１０３】
（実施例３）
まず、図６の（ａ）に示すようにソース領域、ドレイン領域のような拡散層（図示せず）が形成されたシリコン基板２１上に例えばＳｉＯ2からなる第１層絶縁膜２２をＣＶＤ法により形成した後、例えばＡｌ−Ｃｕ合金からなる配線材料層を形成した。つづいて、この配線材料層にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクとして前記配線材料層の露出部分をエッチングにより選択的に除去することにより第１層配線２３を形成した。前記レジストパターンを剥離、除去した後、前記第１層配線２３を含む前記第１層絶縁膜２２上にＳｉＯ2からなる第２層絶縁膜２４をＣＶＤ法により形成した。ひきつづき、前記第２層絶縁膜２４上にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してビアホール形成予定部が開口されたレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記第２層絶縁膜２４の露出部分を例えばフッ素系の反応ガスを用いるＲＩＥにより選択的に除去してビアホール２５を開口した。
【０１０４】
次いで、図６の（ｂ）に示すように前記ビアホール２５を含む第２層絶縁膜２４上に導電性バリア膜であるＴｉ膜およびタングスタン膜を堆積して前記ビアホール２５内面にＴｉ膜２６を形成するとともに、このＴｉ膜２６が形成されたビアホール２５内を前記タングステン膜２７で埋め込んだ。この後、前記タングステン膜２７、Ｔｉ膜２６を化学機械研磨（ＣＭＰ）処理を施すことにより、図６の（ｃ）に示すように前記第２層絶縁膜２４に前記第１層配線２３と接続されるビアフィル２８を形成した。
【０１０５】
次いで、図７の（ｄ）に示すように前記ビアフィル２８を含む前記第２層絶縁膜２４上に例えばＡｌ−Ｃｕ合金からなる配線材料層２９を形成した。つづいて、図７の（ｅ）に示すようにこの配線材料層２９上にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を写真蝕刻してレジストパターン３０を形成した後、このレジストパターン３０をマスクとして前記配線材料層２９の露出部分を例えばフッ素系の反応ガスを用いるＲＩＥにより選択的に除去し、さらに図７の（ｆ）および図８に示すようにレジストパターン３０を剥離、除去することにより前記ビアフィル２８とのコンタクト部においてそのビアフィル２８より幅の狭い第２層配線３１を形成した。つまり、前記ビアフィル２８は前記第２層配線３１とのコンタクト部においてその配線３１の両側から露出した。この時、前記第２層配線３１の表面および側壁に金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層の残渣物（図示せず）が付着された。
【０１０６】
次いで、０．２モル／Ｌのペルオキソ二硫酸アンモニウム、５×１０-4モル／Ｌのフッ化水素酸およびｐＨ調整用の硫酸を含み、ｐＨ値が０．２０のエッチング残渣除去用水溶液で前記第２層配線３１を含む前記第２層絶縁膜２４を処理した。なお、このエッチング残渣除去用水溶液はイオン化傾向に相関するＡｌ−Ｗ間の電位差が０．２Ｖ、Ａｌ−Ｔｉ間の電位差が０．３５Ｖを示した。
【０１０７】
このようなエッチング残渣除去用水溶液での処理により前記第２層配線３１の表面および側壁の残査物が除去された。また、前記第２層配線３１両側から露出した前記ビアフィル２８のタングステンは前記エッチング残渣除去用水溶液との接触による溶解は全く認められなかった。さらに、Ａｌ−Ｃｕ合金からなる第２層配線３１もエッチング残渣除去用水溶液との接触による孔明き、細りは全く認められなかった。
【０１０８】
また、前記エッチング残渣除去用水溶液で処理した後、さらに純水でリンス処理を施したが、露出した前記ビアフィル２８のタングステンが溶解されることなく前記エッチング残渣除去用水溶液を前記第２層絶縁膜２４表面から洗い流すことができた。
【０１０９】
この後、常法に従って半導体装置を製造した。
【０１１０】
なお、比較例３としてエッチング残渣除去用水溶液の代わりに１０ｗｔ％のヒドロキシアミン水溶液で第２層配線および露出したビアフィルを含む第２層絶縁膜を処理した。その結果、前記第２層配線の表面および側壁の残査物を除去できたものの、前記第２層配線両側から露出したビアフィルのタングステンがヒドロキシアミン水溶液との接触で溶解され、Ａｌ−Ｃｕ合金の第２層配線もエッチングされて細ってしまった。
【０１１１】
また、ヒドロキシアミン水溶液での処理後、さらに純水でリンス処理を施してヒドロキシアミン水溶液を洗い流したところ、前記露出したビアフィルのタングステンの溶解、Ａｌ−Ｃｕ合金からなる第２層配線のエッチングがさらに急激に進行した。
【０１１２】
なお、前記実施例１〜３では半導体装置の製造を例にして説明したが、液晶表示装置の製造にも同様に適用できる。
【０１１３】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、レジストパターンおよびリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を用いてアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線を形成した後処理において、その配線のエッチングによる細り等を招くことなく、前記配線の表面および側壁に付着された金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物を除去することが可能な高信頼性の電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【０１１４】
本発明によれば、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる下地の配線と接続するためのビアフィルのビアホールをレジストパターンおよびＲＩＥを用いて絶縁膜に形成した後処理において、その下地配線のエッチングによる厚さ減少等を招くことなく、前記ビアホール内面に付着されたレジストに由来するポリマーおよびレジストと絶縁膜の材料に由来する変質層などの残渣物を除去することが可能な高信頼性の電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【０１１５】
本発明によれば、タングステンを主体とするビアフィルが形成された絶縁膜にレジストパターンおよびＲＩＥを用いて前記ビアフィルとのコンタクト部でそのビアフィルが露出される微細な配線を形成した後処理において、前記露出したビアフィルのタングステンの溶解等を招くことなく、前記配線の表面および側壁に付着された金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物を除去することが可能な高信頼性の電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図２】本発明の実施例１における半導体装置の製造工程でのレジストパターンを剥離、除去した後のＡｌ−Ｃｕ合金の配線を示す斜視図。
【図３】本発明の実施例１における半導体装置の製造工程でのレジストパターンを剥離、除去し、エッチング残渣除去用水溶液で処理した後のＡｌ−Ｃｕ合金の配線を示す斜視図。
【図４】本発明の実施例２における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図５】本発明の実施例２における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図６】本発明の実施例３における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図７】本発明の実施例３における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図８】図７の（ｆ）の第２層絶縁膜表面のビアフィルおよび第２層配線を示す拡大平面図。
【符号の説明】
１、１１，２１…シリコン基板、
２…絶縁膜、
３、２９…配線材料層、
４，１５，３０…レジストパターン、
５…配線、
６、１７…残渣物、
１２、２２…第１層絶縁膜、
１３、２３…第１層配線、
１４，２４…第２層絶縁膜、
１６，２５…ビアホール、
１８、２６…Ｔｉ膜、
１９，２７…タングステン膜、
２０，２８…ビアフィル、
３１…第２層配線。
【図１】
0003688650.tif 000003
【図２】
0003688650.tif 000004
【図３】
0003688650.tif 000005
【図４】
0003688650.tif 000006
【図５】
0003688650.tif 000007
【図６】
0003688650.tif 000008
【図７】
0003688650.tif 000009
【図８】
0003688650.tif 000010