(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のローラ間に張設されたワイヤ列に半導体インゴットを押圧し、該ワイヤ列に切削材を含むスラリーを供給しながらワイヤを走行させてウエーハのスライス切断を行う半導体インゴットのスライス装置において、
前記インゴットのワイヤ入射位置近傍にスラリーが供給されるように配設した第１スラリー供給手段と、
該第１のスラリー供給手段よりワイヤ走行方向上流側で且つ最初のローラの張設位置までに位置するワイヤ面にスラリーを供給する第２スラリー供給手段とを備え、前記第１スラリー供給手段と第２スラリー供給手段の夫々のスラリー供給方向がワイヤを挟んでその両側よりワイヤに向けて位置し、前記第１スラリー供給手段のスラリー供給方向がワイヤのインゴット切削面を臨む側であり、第２スラリー供給手段のスラリー供給方向がインゴットのワイヤを押圧する側に位置していることを特徴とする半導体インゴットのスライス装置。
【請求項２】
複数のローラ間に張設されたワイヤ列に半導体インゴットを押圧し、該ワイヤ列に切削材を含むスラリーを供給しながらワイヤを往復走行させてウエーハのスライス切断を行う半導体インゴットのスライス装置において、
前記ワイヤ往復方向のインゴット両側近傍に第１スラリー供給手段、ワイヤ往復方向に沿って前記第１スラリー供給手段よりインゴットから離れる方向に夫々第２スラリー供給手段を配設し、前記第１スラリー供給手段のスラリー供給方向がワイヤのインゴット切削面を臨む側であり、第２スラリー供給手段のスラリー供給方向がインゴットのワイヤを押圧する側に位置していることを特徴とする半導体インゴットのスライス装置。
【請求項３】
複数のローラ間に張設されたワイヤ列に半導体インゴットを押圧し、該ワイヤ列に切削材を含むスラリーを供給しながらワイヤを往復走行させてウエーハのスライス切断を行う半導体インゴットスライス装置において、
前記インゴットを挟んでその両側に夫々第１及び第２のスラリー供給手段を配設するとともに、
前記第１スラリー供給手段は、ワイヤ入射位置近傍に夫々スラリーが供給されるように配設され、
第２スラリー供給手段は、前記インゴット両側に配設した夫々の第１スラリー供給手段より最初のローラの張設位置までに位置するワイヤ面にスラリーを供給するように、前記第１スラリー供給手段のスラリー供給方向がワイヤのインゴット切削面を臨む側であり、第２スラリー供給手段のスラリー供給方向がインゴットのワイヤを押圧する側に位置させたことを特徴とする半導体インゴットのスライス装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか1項記載のスライス装置において、
上記第１及び第２スラリー供給手段を上記各ワイヤにスラリーを供給するためのノズル孔を複数有する管体で構成し、これらノズル孔の口径を各ワイヤに対するスラリー供給量が互いに等しくなるようにスラリー供給部から遠ざかるに従ってその口径が順次大きくなるように設定したことを特徴とする半導体インゴットのスライス装置。
【請求項５】
請求項４記載のスライス装置において、
上記ノズル孔を複数有する管体を外管で二重管的に覆うと共に、該外管の上記ノズル孔との対面部に上記ノズル孔を結ぶ方向に延び且つ、ノズル孔より管軸両外側に延びたスリットを形成し、該スリットの幅を上記最小口径のノズル孔より幅狭に設定したことを特徴とする半導体インゴットのスライス装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は単結晶インゴットその他の半導体インゴットのスライス装置に係り、特に、走行するワイヤと半導体インゴットとの切削面にスラリーを供給しながらワイヤに単結晶インゴットを押し付けてスライスする半導体インゴットのスライス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば単結晶インゴットのスライス装置としては、図１０（ａ）,（ｂ）に示されるように、内周端面にダイヤモンドが電着された内周刃ａに対して単結晶インゴットのワークｂを軸直角方向へ移動させてスライスする内周刃スライサーｃによりスライス切断するものと、図１１に示すように、ワイヤｄに切削材、研磨剤の砥粒を含むスラリー（切削液）を供給しながらこのワイヤｄに単結晶インゴットのワークｂを押し付けて砥粒のラッピング作用によりウェーハを切出す半導体インゴットのワイヤソーｅとがある。
【０００３】
前者の内周刃スライサーｃは、後者の半導体インゴットのスライス装置ｅと比べて高精度にスライスすることができるが、構造上、ウェーハを一枚ずつ切り出していかなくてはならないので量産性が低いという問題があり、また、強度上内周刃ａの歯厚を後者のワイヤソーｅのワイヤｄの線径よりも薄くすることができないため、スライス時に於ける材料のロスが多いという問題がある。
一方、ワイヤソーｅは、多数のワイヤｄにワークｂを押し付けてスライスする構成のため一度に多数のウェーハをスライス切断を行うことができる利点を有し、また、内周刃スライサーｃと比べて材料のロスが少ないという利点を有しているが、場合によってはスライス面にうねりが出て、スライス及びラップ工程を含めた所要時間が内周刃スライサーｃを使用した場合よりも長くなってしまうという問題がある。
このため、８インチ（２００ｍｍ）クラスまでのインゴットスライスには、主として内周刃スライサーｃが用いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、単結晶インゴットの引き上げ技術の目ざましい進歩により、インゴットの引き上げサイズが、今後、短期間のうちに８インチから１２インチ、１６インチ更には２０インチ以上に推移していくことを考えれば、上記内周刃スライサーｃの単なるスケールアップでは、加工時間、加工コストの両面で対応しきれないものと懸念される。
このため半導体インゴットのスライス装置の弱点であるうねりの問題を改善し、利点である量産性を最大限に活用することが望まれる。
【０００５】
そこで、直径２００ｍｍ及び直径３００ｍｍの単結晶インゴットのワークを、ワイヤソーでスライスし、うねりの状態と、その発生メカニズムについて検討した。
なお、ワイヤソーには、図１２に示すように、ローラ外周面にワイヤｄの嵌め込み溝（図示せず）を所定の螺旋ピッチで形成したヘッドローラｆ及びテールローラｇを互いに適宜間隔隔て配設し、これらローラｆ，ｇ間ほぼ中央下方に、同じくワイヤｄの嵌め込み溝を形成した駆動ローラｈを配置し、これらローラｆ，ｇ，ｈの外側から各嵌め込み溝に、ワイヤｄとして線経０．０８〜０．２５mm程度の特殊ピアノ線を螺旋状に巻付けた。また、ワイヤｄに上記スラリーを供給するノズルｉには、そのノズル部ｊがワイヤｄの各巻付部に対してそれぞれスラリーを供給し得る長さに形成したものを一対用い、これらノズルｉをヘッドローラｆ、テールローラｇの上方を横断するように配置した。
【０００６】
そして、駆動ローラｈには、これを正・逆に切り換えてワイヤｄを往復走行させる駆動装置（図示せず）を取付け、このワイヤｄにスラリーを供給しながら走行させ、ワーク送り装置ｋでワイヤｄにワークｂを押し付けてウェーハを切出した。
この結果、直径２００ｍｍの半導体インゴットでは実用上問題となるほどのうねりは見られなかったが、直径３００ｍｍのインゴット（ワーク）では、うねりが大きく、ワイヤとシリコンとが直接こすれたような痕跡が見られた。
【０００７】
図１３（ａ）に前記ワークのスライス状態を、図１３（ｂ）に直径３００ｍｍの半導体インゴットに生じたうねりを示す。
図１３（ａ）において、ｘはワークｂ切り込み開始点Ｓからスライス完了点Ｅまでの切り込み切り込み深さを表し、図１３（ｂ）においてＳ−Ｅはうねりの方向と大きさを測るための基準面で、図１３のスライス区間Ｓ−Ｅに対応している。また、図１３（ｂ）において、ｙはうねりの大きさ（μｍ）を表し、（＋）は凸側のうねりを、（−）は凹側のうねりを表す。
なお、うねり、即ち凹凸の測定には接触式の粗さ測定装置（Perthen社製 Pertometer又は小坂粗さ計）を使用した。
【０００８】
図１３（ｂ）に示したように、うねりｙは、最初の切り始め点Ｓでは小さく、切り込み長さに比例して大きくなり、ワークｂ中心を通る最大切り込み点において最大となる傾向がある。
理論上、摩擦は抗力に比例しても切削面積に比例しないことを考えれば、うねりの発生及びその程度はスラリー切れ、つまりは、切り込みに対してのスラリーの供給不良（飲み込みの悪さ）が起因しているものと考えられる。
従って、半導体インゴット直径が直径３００ｍｍ以上でも切り込み全体に絶え間なくスラリーを供給してワイヤと半導体インゴットとの切削面にスラリーを供給することができれば、スラリー切れに起因するうねりを小さく抑制できるものと考えられる。
なお、うねりの形態には、図１３（ｂ）の結果の他、図１３（ｃ）のように凹側と凸側の両方向に生じる形態や、また、図１３（ｄ）に示すように凹側のみに生じる形態も考えられる。
【０００９】
本発明の目的は、半導体インゴットとワイヤとの切削面に切断に対して充分な量のスラリーを供給して、スラーリー切れによるうねりの発生を抑制することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は以下の構成により達成される。
請求項１記載の発明は、複数のローラ間に張設されたワイヤ列に半導体インゴットを押圧し、該ワイヤ列に切削材を含むスラリーを供給しながらワイヤを走行させてウエーハのスライス切断を行う半導体インゴットのスライス装置において、
上記インゴットのワイヤ入射位置近傍にスラリーが供給されるように配設した第１スラリー供給手段と、
該第１スラリー供給手段よりワイヤ走行方向上流側で且つ最初のローラの張設位置までに位置するワイヤ面にスラリーを供給する第２スラリー供給手段とを備え、前記第１スラリー供給手段と第２スラリー供給手段の夫々のスラリー供給方向がワイヤを挟んでその両側よりワイヤに向けて位置させることによりワイヤの上下両側より均等にスラリーが供給されて前記発明の効果を一層円滑に達成され、更に、前記第１スラリー供給手段のスラリー供給方向がワイヤのインゴット切削面を臨む側であり、第２スラリー供給手段のスラリー供給方向がインゴットのワイヤを押圧する側に位置されることにより切削面によるスラリーの冷却とともに、切削面へのスラリーの供給が十分なされる。
尚、前記ワイヤは一般に往復走行させてウエーハのスライス切断を行う場合が多い。
【００１２】
この場合は、前記ワイヤ往復方向のインゴット両側近傍に第１スラリー供給手段、ワイヤ往復方向に沿って前記第１スラリー供給手段よりインゴットから離れる方向に夫々第２スラリー供給手段を配設し、前記第１スラリー供給手段のスラリー供給方向がワイヤのインゴット切削面を臨む側であり、第２スラリー供給手段のスラリー供給方向がインゴットのワイヤを押圧する側に位置している事を特徴とし、より具体的には前記インゴットを挟んでその両側に夫々第１及び第２のスラリー供給手段を配設するとともに、
第１スラリー供給手段は、ワイヤ入射位置近傍に夫々スラリーが供給されるように配設され、第２スラリー供給手段は、前記インゴット両側に配設した夫々の第１スラリー供給手段より最初のローラの張設位置までに位置するワイヤ面にスラリーを供給するよう配設したものである。
【００１３】
即ち、具体的に本発明を説明すると、本発明は、半導体インゴットの切出し開始から完了するまで、半導体インゴットとワイヤとの切削面に対するスラリーの供給を可能とし、さらに、半導体インゴットに対してワイヤのインゴット入射位置にスラリーを供給してスラリーをワイヤに絡み付かせることによって、ワイヤと半導体インゴットとの切削面に対するスラリーの不足を無くし、スラリー切れに起因するうねりの発生を防止する。従って、切出し品質の高いウェーハを多数切出すことができ、コストダウンを達成することができる。
請求項４記載の発明は、前記発明において、上記第１及び第２スラリー供給手段を上記各ワイヤにスラリーを供給するためのノズル孔を複数有する管体で構成し、これらノズル孔の口径を各ワイヤに対するスラリー供給量が互いに等しくなるようにスラリー供給部から遠ざかるに従ってその口径が順次大きくなるように設定したことを特徴とする。
【００１４】
すなわち、本発明は、一つの管体に各ワイヤにスラリーを供給するノズル孔を設けただけでは、管路抵抗に起因してノズル孔毎にそれぞれ供給量が異なってしまうことに鑑み、各ノズル孔の口径の設定に対して管路抵抗を考慮したものである。従って上記ワイヤの走行方向上流部及びワイヤと半導体インゴットとの切削面に供給するスラリー量を一定値に維持でき、スラリー供給不足によるうねりの発生を防止することができる。
【００１５】
請求項５記載の発明は、前記発明において、上記ノズル孔を複数有する管体を外管で二重管的に覆うと共に、該外管の上記ノズル孔との対面部に上記ノズル孔を結ぶ方向に延び且つ、ノズル孔より管軸両外側に延びたスリットを形成し、該スリットの幅を上記最小口径のノズル孔より幅狭に設定したことを特徴とする。
この発明は、外管内を一種のバッファとして機能させ、長さ方向において均一なスラリーの供給を可能とし、スラリー供給の信頼性を改善する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。だだし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対位置などは特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。
【００１７】
図１乃至図６は本発明の一実施形態を示し、図１は本実施形態に係るワイヤソーの基本構成を示す構成図、図２は本実施形態に係るワイヤソーの構成を示す斜視図、図３はスラリー供給ノズルの構造を示す要部詳細断面図、図４は図３のＩＶ−ＩＶ線断面矢視図、図５はスラリー供給ノズル内部に形成されたスラリー分配口の口径と圧力及び流量との関係を示す図、図６は本実施形態に係るワイヤソーを構成するローラの構造を示す一部破断側断面図、図７はスラリー供給ノズルに対するスラリーの供給系統とスラリー戻り系統を示す図である。
である。
【００１８】
まず、本実施形態に係る半導体単結晶インゴットのスライス装置の基本構成を図２に基づいて説明する。
図２に示すように、スライス装置であるワイヤソー１の上部には互いに間隔を隔ててヘッドローラ２とテールローラ３とが配設され、これらヘッドローラ２及びテールローラ３の下方ほぼ中央には駆動ローラ４が配設され、これらローラ２，３，４に対して１本のワイヤ５が所定螺旋ピッチ（ウェーハの厚さ＋切り代）で巻付けられている。このワイヤ５は、切削材を含むスラリー（切削液）と協同して半導体インゴット（ワーク）ｂからウェーハを切出すため、硬質、高張力線材（例えば、線経０．０８〜０．２５mmの特殊ピアノ線等）からなり、上記ヘッドローラ２，テールローラ３及び駆動ローラ４外周に形成された所定螺旋ピッチ（ウェーハの厚さ＋切り代）の嵌め込み溝（図示せず）に一定張力で嵌め込まれて、滑りなく駆動されるようになっている。また、ワイヤ５を駆動するためのローラ駆動装置６は、上記駆動ローラ４に取付けられ、ワイヤ５を前後に往復動させるための制御装置（図示せず）の制御によりワイヤ５を往復移動させるようになっている。
なお、上記ヘッドローラ２，テールローラ３及び駆動ローラ４は、本実施形態にあっては、図６に示すよう鋳鉄等の芯金８に樹脂等の円筒材９を圧入して形成され、ベアリング９を介して上記ワイヤソー１の本体フレーム１０に支持されるようになっている。
【００１９】
さて、図２に示すように半導体インゴットｂの送り出しとスラリーの供給とについて詳述すれば、ヘッドローラ２、テールローラ３のほぼ中央上方には半導体インゴットｂを下降させてワイヤ５に押圧するワーク送り装置１２が配設され、また、図１に示すように、ヘッドローラ２とテールローラ３の間でかつ、上記インゴット（ワーク）ｂの移動域Ａ（下降域）を挟む両外側Ｂで且つ移動域Ａ寄りに、ワークｂとワイヤ５との切削面１３へ向けてスラリーを供給すべく第１スラリー供給ノズル（第１スラリー供給手段）１４が設けられ、ヘッドローラ２及びテールローラ３の上方に、それぞれ各ワイヤ５にスラリーを供給すべく第２スラリー供給ノズル（第２スラリー供給手段）１５が設けられている。
上記第１及び第２スラリー供給ノズル１４，１５は、図３及び図４に示す如く、スラリー搬送管１６を外管１７内に収容した二重管構造となっていて、内部のスラリー搬送管１６には、上記ワイヤ５の螺旋ピッチと同じ間隔Ｐを隔ててノズル孔１８が複数（多数）形成されている。
【００２０】
これらノズル孔１８は、スラリー供給元（すなわち、第１及び第２スラリー供給ノズル１４，１５の軸方向中央部であって、図７に示す第１及び第２スラリー供給パイプ１９，２０との接続部）から遠ざかるに従って（図３においては左側に進むに連れて）その口径ｄ1,ｄ2,ｄ3,…,ｄn-1,ｄnが順次大きくなるように設定されていて（ｄ1＜ｄ2＜ｄ3＜…＜ｄn-1＜ｄn）、各ノズル孔１８からのスラリー供給量がヘッドローラ２，テールローラ３の軸方向において均一に保たれるようになっている。そして外管１７のノズル孔１８との対面部には、最小口径ｄ1の上記ノズル孔１８よりも幅狭い（Ｂ＜ｄ1）スリット２１が、これらノズル孔１８を結ぶ線に沿い且つ、両端のノズル孔１８より適宜外側まで延びて形成されていて、外管１７内を一種のバッファとして機能させ、ワイヤ５とワークｂとの切削面（ワーク入射部）１３及びワークｂ対してワイヤ５の往復走行方向上流側のローラ２、３張設位置までのワイヤ面に上下両側より絶え間なくスラリーを供給できるようになっている。
【００２１】
なお、スラリーの供給系統及びリターン系統について図７に基づいて説明すれば、スラリー供給系統は、スラリー供給タンク２６と第１及び第２スラリー供給ノズル１４、１５のスラリー搬送管１６とをそれぞれ個別に連通する第１及び第２スラリー供給管１９，２０と、これらにそれぞれ介設された第１及び第２スラリー供給ポンプ２２，２３で構成され、また、スラリーリターン系統は、ワイヤ５、ワークｂ等から落下したスラリーを受入れるスラリー溜め２５と、このスラリー溜め２５とスラリー供給タンク２１とを連通するスラリー排出管２４で構成されている。
このように第１，第２スラリー供給ノズル１４,１５に対してそれぞれ個別のスラリー供給系を接続すると、２つの独立した系統によるスラリー供給量の調節を可能として、将来の大口径単結晶インゴットのスライスに備えこともできる。
【００２２】
以下に、本実施形態の作用について説明する。
上記ワイヤソーでワークｂからウェーハを切出すには、第１及び第２スラリー供給ポンプ２２，２３を作動し（図７参照）、ローラ駆動装置６を作動し、そしてワーク送り装置を作動する。これにより、ワイヤ５にスラリーが供給されワークｂが押圧される。
第１及び第２スラリー供給ポンプ２２，２３が作動すると、第１及び第２スラリー供給管１９，２０とそれぞれ第１及び第２スラリー供給ノズル１４，１５のスラリー搬送管１６との接続部へとスラリーが供給される。スラリーはこの接続部からスラリー搬送管１６の両端部へと向かって流れ、各ノズル孔１８から噴出しスリット２１から流出しようするが、上記したようにこのスリット２１の幅はノズル孔１８の最小径よりも小さいため（Ｂ<ｄ1）、外管１７内のスラリーが一時に全て流出してしまうことはなく、一種のバッファ効果によって外管１７内に一時滞留する。このとき上記複数のノズル孔１８…の口径が上記したｄ1<ｄ2<ｄ3<…<ｄn-1<ｄnに設定されているため、図５に示すように、配管抵抗に起因してスラリー供給方向に圧力が低下しても、各ノズル孔１８のスラリー供給量は互いに同じとなる（図５参照）。
【００２３】
従って、このようなスラリー供給ノズル１４，１５を使用すれば、信頼性の高いスラリーの供給が可能となる。
第１及び第２スラリー供給ポンプ２２，２３の駆動により、第１及び第２スラリー供給ノズル１４，１５からそれぞれスラリーが吐出されると、図１に示すようにワイヤ５とワークｂの切削面（切込みが進んだときはワーク及びウェーハのスライス面を含む）には、その下方から切削面に向けてスラリーが所定量供給されると共に、ワークｂよりワイヤ５の走行方向上流位置で前もって上方よりスラリーが供給される。
このようにこの実施形態にあっては、ワークｂとワイヤ５の切削面１３との接触前にワイヤ５に供給されたスラリーと、このワイヤ５のスラリー上に、ワークｂとの接触時（切出し時）において重ねられるスラリーとにより、また、切出し開始から完了まで絶え間なくスラリーを供給することによって、スラリー切れのないウェーハの切出しを可能にするのである。
【００２４】
従って、本実施形態に係るワイヤソー１は、第１及び第２スラリー供給ポンプ２２，２３の回転数を最適に調節するだけで、スラリー切れがなく、うねりの極めて小さいウェーハの切出しを行うことができるため、ウェーハのコストダウンに貢献することができる。
（実施例）
上記構成の単結晶半導体インゴットのスライス装置（ワイヤーソー）を使用して半導体インゴット切断をする際、第１及び第２スラリー供給ポンプ２２，２３の回転数又は流量制御弁（各ポンプと各ノズル間に設置）の開度を調節して、上記第１及び第２スラリー供給ノズル１４，１５個々のスラリー流量（スラリー供給量）を、インゴット切断開始時、インゴットの中心部切断時、インゴット切断終了時の各段階において変更し、また、切断開始時から切断終了までの間、スラリー流量を漸次（二次関数的）に変化させて、直径３００ｍｍの単結晶半導体インゴットｂの切断を行った。
このように、インゴットの切断開始時から切断終了までの間、スラリー流量を漸次変化させる理由は、切断長（インゴットとワイヤが接する長さ）の違いにより必要とされるスラリーの量が切断位置によって異なるためである。そして、切断長の最も長いインゴット中心部で最も多くのスラリーが必要となる。こうして切断長によりスラリー流量を変化させることで更にウェーハのうねりを低減することができる。
この場合、上記第１及び第２スラリー供給ノズル１４，１５個々のスラリー流量の変化率はそれぞれ図８に示すように徐々に変化（二次関数的）させ、第１及び第２スラリー供給ノズル１４，１５個々のスラリー流量はそれぞれ図９に示すように変化させた。
すなわち、第１スラリー供給ノズル１４及び第２スラリー供給ノズル１５のスラリー流量を、切断開始時は、１０〜２５ｌ／ｍｉｎ（２０〜５０ｌ／ｍｉｎ）の範囲内に、インゴット中央部切断時は２５〜４０ｌ／ｍｉｎ（５０〜８０ｌ／ｍｉｎ）の範囲内に、切断終了時は、１０〜２５ｌ／ｍｉｎ（２０〜５０ｌ／ｍｉｎ）の範囲内にそれぞれ調節すると共に、切断開始時からインゴット中心部切断時までは、スラリー流量が順次増加するよう、また、インゴット中心部切断時から切断終了時までは、スラリー流量が漸次減少するよう調節した。
そして、全体としては、切断開始時は２０〜５０ｌ／ｍｉｎ（合計４０〜１００ｌ／ｍｉｎ）の範囲内に、インゴット中心部切断時は５０〜８０ｌ／ｍｉｎ（合計１００〜１６０ｌ／ｍｉｎ）の範囲内に、切断終了時は２０〜５０ｌ／ｍｉｎ（４０〜１００ｌ／ｍｉｎ）の範囲内に調節すると共に、切断開始時からインゴット中心部切断時までは、スラリー流量が漸次増加するよう、また、インゴット中心部切断時から切断終了時までは、スラリー流量が漸次減少するよう調節した。なお、（）内の数字は、各ノズル毎の合計流量である。
切断後、各ウェーハｂについて、表面あらさ、うねり、傷の検査を行ったところ、実用上問題となる表面あらさ、うねりは小さくなり、傷は認められられず、結果的にスラリー切れが生じていなかったことが確認された。
【００２５】
【発明の効果】
以上、説明したことから明かなように本発明によれば、半導体インゴットの切り込みに対して絶えることなくスラリーを供給することができ、スラリー切れによるうねりが極めて小さいウェーハを切出せるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態に係るワイヤソーの基本構成を示す図であり、図１（ａ）は半導体インゴットの端面側から見た半導体インゴットのスライス装置の正面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のｂ−ｂ線矢視図である。
【図２】本実施形態に係る半導体インゴットのスライス装置の構成を示す斜視図である。
【図３】スラリー供給ノズルの構造を示す要部詳細断面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線断面矢視図である。
【図５】スラリー供給ノズル内部に形成されたスラリー分配口の口径と圧力及び流量との関係を示す図である。
【図６】本実施形態に係る半導体インゴットのスライス装置を構成するローラの構造を示す一部破断側断面図である。
【図７】スラリー供給ノズルに対するスラリーの供給系統とスラリー戻り系統を示す図ある。
【図８】インゴット切断の際の第１及び第２スラリー供給ノズルの個々の流量変化率の調節具合を示す図である。
【図９】インゴット切断の際の第１及び第２スラリー供給ノズルの個々の流量の調節具合を示す図である。
【図１０】内周刃スライサーの構造を説明するための図である。
【図１１】半導体インゴットのスライス装置の切断試験に使用した半導体インゴットのスライス装置の構造を示す斜視図である。
【図１２】スライス装置としての内周刃スサイサーを示し、図１２（ａ）は内周刃スライサーの構造を概略的に示す斜視図、図１２（ｂ）は内周刃スライサーの構造を示す断面図である。
【図１３】切断試験の状態とうねりの状態の説明するための図であり、図１３（ａ）は、切断状態を示す断面図、図１３（ｂ）〜（ｃ）は切断長さとうねりの大きさとの関係を示す図である。
【符号の説明】
２    ヘッドローラ
３    テールローラ
５    ワイヤ
１３  切削面
１４  第１スラリー供給ノズル
１５  第２スラリー供給ノズル
１６  スラリー搬送管
１７  外管
１８  ノズル孔
ｂ    半導体インゴット
【図１】
0003658920.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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