(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層構造の光ディスクに対してフォーカス引込み対象層を指定する指定手段と、
フォーカスエラー信号と比較するための基準電圧を生成する基準電圧生成手段と、
フォーカスエラー信号と前記基準電圧生成手段により生成された基準電圧との比較に基づき前記フォーカス引込み対象層にフォーカス引込みを行なうフォーカス引込み手段と、を備え、
前記基準電圧生成手段は、
フォーカスエラー信号を一定時間間隔でサンプリングするサンプリング手段と、
現在のサンプリング時点の現データと１つ前のサンプリング時点の直前データとを記憶する記憶手段と、
記憶されたこれらの現データと直前データとを比較し現データが直前データ以上のときにはＬレベル信号を出力し現データが直前データより小さいときにはＨレベル信号を出力する比較手段と、
この比較手段からの出力信号の立上がりに基づきフォーカスエラー信号の最大ピーク値を記憶し、前記比較手段からの出力信号の立下がりに基づきフォーカスエラー信号の最小ピーク値を記憶するピーク値記憶手段と、
記憶されたこれらの最大ピーク値及び最小ピーク値に基づき前記フォーカス引込み手段用の基準電圧を生成出力する出力手段と、を備え、
前記基準電圧を生成出力する出力手段は、前記ピーク値記憶手段が記憶する複数の最大ピーク値と複数の最小ピーク値の中から最も振幅の小さいＳ字曲線に相当する最大ピーク値および最小ピーク値に基づき、前記最大ピーク値より小さくかつ前記最小ピーク値より大きい電圧値を基準電圧として生成出力することを特徴とする光ディスクフォーカス制御装置。
【請求項２】
多層構造の光ディスクに対してフォーカス引込み対象層を指定する指定手段と、
フォーカスエラー信号と比較するための基準電圧を設定する基準電圧生成手段と、
フォーカスエラー信号と前記基準電圧生成手段により生成された基準電圧との比較に基づき前記フォーカス引込み対象層にフォーカス引込みを行なうフォーカス引込み手段と、を備え、
前記基準電圧生成手段は、
フォーカスエラー信号を一定時間間隔でサンプリングするサンプリング手段と、
現在のサンプリング時点の現データと１つ前のサンプリング時点の直前データとを記憶する記憶手段と、
記憶されたこれらの現データと直前データとを比較し現データが直前データ以下のときにはＬレベル信号を出力し現データが直前データより大きいときにはＨレベル信号を出力する比較手段と、
この比較手段からの出力信号の立下がりに基づきフォーカスエラー信号の最大ピーク値を記憶し、前記比較手段からの出力信号の立上がりに基づきフォーカスエラー信号の最小ピーク値を記憶するピーク値記憶手段と、
記憶されたこれらの最大ピーク値及び最小ピーク値に基づき前記フォーカス引込み手段用の基準電圧を生成出力する出力手段と、を備え、
前記基準電圧を生成出力する出力手段は、前記ピーク値記憶手段が記憶する複数の最大ピーク値と複数の最小ピーク値の中から最も振幅の小さいＳ字曲線に相当する最大ピーク値および最小ピーク値に基づき、前記最大ピーク値より小さくかつ前記最小ピーク値より大きい電圧値を基準電圧として生成出力することを特徴とする光ディスクフォーカス制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数層の記録層を有する多層構造の光ディスクを用いる光ディスク装置における光ディスクフォーカス制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、記録密度の高密度化を図る一つの手法として、光ディスクに関して複数層の記録層を有する多層構造化したものがある。このような多層構造の光ディスクを用いる場合、所望の層に対して照射光をフォーカスさせるようにフォーカス引込みを制御する必要がある。
【０００３】
図７に、このような多層構造の光ディスク１を用いる光ディスク装置における従来の光ディスクフォーカス制御装置の構成例を示す。図中、２は光ディスク１に対向する対物レンズを接近・離反する方向に変位さるためのフォーカスアクチュエータである。対物レンズは特に図示しないが、このフォーカスアクチュエータ２中に含まれるような構造とされ、また、トラッキングアクチュエータ等も有する構造とされている。このようなフォーカスアクチュエータ２はドライバ３からの駆動信号に基づき適宜方向に適宜量だけ駆動される。
【０００４】
このドライバ３にはサーボ信号とフォーカスサーチ信号とを切替えるフォーカス制御切替スイッチ４が接続されている。このフォーカス制御切替スイッチ４の切替えを行なうフォーカス制御切替部５が設けられている。また、フォーカス制御切替スイッチ４のサーボ信号側には焦点のずれを示すＦＥ（フォーカスエラー）信号からサーボ信号を生成する位相補償器６が接続され、フォーカス制御切替スイッチ４のフォーカスサーチ信号側には対物レンズを下から上に（接近する方向に）、又は、上から下に（離反する方向）に移動させるための信号（フォーカスサーチ信号）を出力するフォーカスサーチ信号生成部７が接続されている。
【０００５】
また、ＦＥ信号と所定の基準電圧１とを比較する比較器１  ８と、ＦＥ信号と所定の基準電圧２とを比較する比較器２  ９とが設けられている。これらの比較器８，９の出力側には比較器８又は９の出力の立上がりで計数するカウンタ１０が設けられている。さらに、このカウンタ１０やフォーカス制御切替部５やフォーカスサーチ信号生成部７に所定の命令信号を出して全体を制御するシステムコントローラ１１が設けられている。
【０００６】
このような構成の下、多層構造の光ディスク１のある層に対してフォーカス引込みを行なう際の動作・制御について説明する。図８はこのようなフォーカス引込み時の波形の一例を示すタイムチャートである。まず、システムコントローラ１１からフォーカス引込みの命令及びフォーカス引込み対象層を指定してフォーカス制御切替部５に出力する。また、システムコントローラ１１はフォーカス引込みの命令及び対物レンズを光ディスク１に接近する方向に移動させて引込むか、或いは、光ディスク１から離反する方向に移動させて引込むかをフォーカスサーチ信号生成部７やカウンタ１０に出力する。ここでは、対物レンズを光ディスク１に接近する方向（下から上）に移動させて引込む例とする。
【０００７】
このような前提の下、フォーカス制御切替部５はシステムコントローラ１１からのフォーカス引込みの命令を受けてフォーカス制御切替スイッチ４をフォーカスサーチ側に切替える。フォーカスサーチ信号生成部７ではシステムコントローラ１１はフォーカス引込みの命令等により、図８中に示すようなフォーカスサーチ信号をドライバ３に対して出力する。これにより、フォーカスアクチュエータ２を介して対物レンズを光ディスク１に接近する方向（下から上）に連続的に移動させていく。このように、対物レンズを下から上へ移動させることにより、フォーカス位置が光ディスク１内の各層を横切るような変化を示すため、図８中に示すような多層構造の層数の分（例えば、３層分）のＳ字曲線を持つＦＥ信号が得られる。
【０００８】
このようなＦＥ信号は比較器８，９に各々入力されて各々基準電圧１，２と比較され、比較の結果が、図８中に示すようなパルス信号としてカウンタ１０に対して出力される。ここでは、対物レンズを下から上へ移動させているので、カウンタ１０は比較器１  ８側のパルス信号の立上がりで計数するように動作する。このカウンタ１０の計数値はフォーカス制御切替部５に出力される。そこで、フォーカス制御切替部５ではシステムコントローラ１１から指定されたフォーカス引込み対象層とカウンタ１０の計数値とが一致したら、ＦＥ信号のゼロクロスを検出することでフォーカス制御切替スイッチ４をサーボ側に切替えてフォーカス引込みを行ない、フォーカスサーボ制御に移行する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、現実には、光ディスク１における各層の反射率が違うためにＦＥ信号は例えば図８中に示すように各層によって生ずるＳ字曲線はその大きさ（振幅）が違ってしまう。このため、基準電圧１，２が適正に設定されていない場合には、Ｓ字曲線の振幅の小さい層においては比較器８，９によりパルス信号が生成されなくなってしまう可能性があり、その層には、フォーカス引込みを行なえないケースを生じてしまう。
【００１０】
そこで、本発明は、多層構造の光ディスクの全ての層に対して必ずフォーカス引込みを行なうことができる光ディスクフォーカス制御装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、多層構造の光ディスクに対してフォーカス引込み対象層を指定する指定手段と、フォーカスエラー信号と比較するための基準電圧を生成する基準電圧生成手段と、フォーカスエラー信号と前記基準電圧生成手段により生成された基準電圧との比較に基づき前記フォーカス引込み対象層にフォーカス引込みを行なうフォーカス引込み手段とを備え、前記基準電圧生成手段は、フォーカスエラー信号を一定時間間隔でサンプリングするサンプリング手段と、現在のサンプリング時点の現データと１つ前のサンプリング時点の直前データとを記憶する記憶手段と、記憶されたこれらの現データと直前データとを比較し現データが直前データ以上のときにはＬレベル信号を出力し現データが直前データより小さいときにはＨレベル信号を出力する比較手段と、この比較手段からの出力信号の立上がりに基づきフォーカスエラー信号の最大ピーク値を記憶し、前記比較手段からの出力信号の立下がりに基づきフォーカスエラー信号の最小ピーク値を記憶するピーク値記憶手段と、記憶されたこれらの最大ピーク値及び最小ピーク値に基づき前記フォーカス引込み手段用の基準電圧を生成出力する出力手段とを備え、前記基準電圧を生成出力する出力手段は、前記ピーク値記憶手段が記憶する複数の最大ピーク値と複数の最小ピーク値の中から最も振幅の小さいＳ字曲線に相当する最大ピーク値および最小ピーク値に基づき、前記最大ピーク値より小さくかつ前記最小ピーク値より大きい電圧値を基準電圧として生成出力するものである。
【００１２】
従って、基準電圧生成手段が、フォーカスエラー信号を一定時間間隔でサンプリングして現在のサンプリング時点の現データと１つ前のサンプリング時点の直前データとを順次比較することで対物レンズを光ディスクに接近させる方向に移動させた場合の各Ｓ字曲線の変化の様子、即ち、各層を確実に認識して振幅の最も小さいＳ字曲線を対象に基準電圧を適正に生成して設定することができ、多層構造の光ディスクの全ての層のフォーカス引込みを確実に行なうことができる。
【００１３】
請求項２記載の発明は、多層構造の光ディスクに対してフォーカス引込み対象層を指定する指定手段と、フォーカスエラー信号と比較するための基準電圧を設定する基準電圧生成手段と、フォーカスエラー信号と前記基準電圧生成手段により生成された基準電圧との比較に基づき前記フォーカス引込み対象層にフォーカス引込みを行なうフォーカス引込み手段とを備え、前記基準電圧生成手段は、フォーカスエラー信号を一定時間間隔でサンプリングするサンプリング手段と、現在のサンプリング時点の現データと１つ前のサンプリング時点の直前データとを記憶する記憶手段と、記憶されたこれらの現データと直前データとを比較し現データが直前データ以下のときにはＬレベル信号を出力し現データが直前データより大きいときにはＨレベル信号を出力する比較手段と、この比較手段からの出力信号の立下がりに基づきフォーカスエラー信号の最大ピーク値を記憶し、前記比較手段からの出力信号の立上がりに基づきフォーカスエラー信号の最小ピーク値を記憶するピーク値記憶手段と、記憶されたこれらの最大ピーク値及び最小ピーク値に基づき前記フォーカス引込み手段用の基準電圧を生成出力する出力手段とを備え、前記基準電圧を生成出力する出力手段は、前記ピーク値記憶手段が記憶する複数の最大ピーク値と複数の最小ピーク値の中から最も振幅の小さいＳ字曲線に相当する最大ピーク値および最小ピーク値に基づき、前記最大ピーク値より小さくかつ前記最小ピーク値より大きい電圧値を基準電圧として生成出力するものである。
【００１４】
従って、基準電圧生成手段が、フォーカスエラー信号を一定時間間隔でサンプリングして現在のサンプリング時点の現データと１つ前のサンプリング時点の直前データとを順次比較することで対物レンズを光ディスクから離反させる方向に移動させた場合の各Ｓ字曲線の変化の様子、即ち、各層を確実に認識して振幅の最も小さいＳ字曲線を対象に基準電圧を適正に生成して設定することができ、多層構造の光ディスクの全ての層のフォーカス引込みを確実に行なうことができる。特に、対物レンズを光ディスクから離反させる方向に移動させた場合を想定しているため、基準電圧の設定に要する時間を短縮させることもできる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態を図１ないし図３に基づいて説明する。図７で示した部分と同一部分は同一符号を用いて示す。本実施の形態では、ＦＥ信号に基づき基準電圧１，２を生成して比較器８，９に供給する基準電圧生成部（基準電圧生成手段）１２が付加されている。なお、本発明にいう指定手段の機能は従来と同様であり、システムコントローラ１１による制御の下に多層構造の光ディスク１に対してフォーカス引込み対象層をフォーカス制御切替部５に対して指定する。また、本発明にいうフォーカス引込み手段の機能も従来と同様であり、システムコントローラ１１による制御の下に、指定されたフォーカス引込み対象層とカウンタ１０の計数値とが一致したら、ＦＥ信号のゼロクロスを検出することでフォーカス制御切替部５がフォーカス制御切替スイッチ４をサーボ側に切替えることでフォーカス引込みを行なう動作として実行される。
【００１８】
図２に基準電圧生成部１２の構成例を示す。まず、ＦＥ信号を一定時間間隔でＡ／Ｄ変換することでサンプリングし、各サンプリング時点のデータをデジタル値として出力するＡ／Ｄ変換器１３が設けられている。このＡ／Ｄ変換器１３の出力側にはサンプリングされたデータを記憶する記憶手段１４が接続されている。この記憶手段１４は、Ａ／Ｄ変換器１３から出力される現在のサンプリング時点の現データを順次書替え記憶するレジスタ１  １５と、このレジスタ１  １５に新たな現データが記憶される際にレジスタ１  １５におけるその直前のデータ（即ち、１つ前のサンプリング時点の直前データ）を記憶するレジスタ２  １６とにより構成されている。これらのレジスタ１５，１６の出力側には比較器（比較手段）１７が接続されている。この比較器１７は、レジスタ１５，１６に記憶された現データと直前データとの大小を比較し、現データが直前データ以上のときにはＬレベル信号を出力し現データが直前データより小さいときにはＨレベル信号を出力するように構成されている。
【００１９】
また、この比較器１７からの出力信号（パルス信号）の立上がりや立下がりに基づきレジスタ２  １６に記憶されているデータをピーク値として記憶するピーク値記憶手段１８が設けられている。このピーク値記憶手段１８は比較器１７からの出力信号の立上がりに基づきＦＥ信号の最大ピーク値を記憶する最大ピークレジスタ１９と、比較器１７からの出力信号の立下がりに基づきＦＥ信号の最小ピーク値を記憶する最小ピークレジスタ２０とにより構成されている。これらのレジスタ１９，２０には基準電圧出力部（出力手段）２１が接続されている。この基準電圧出力部２１は、レジスタ１９，２０に記憶されたこれらの最大ピーク値及び最小ピーク値に基づき比較器８，９用の基準電圧１，２を生成して出力する。具体的には、最大ピーク、最小ピークのデータを用いて、一番振幅の小さいＳ字曲線のピークの例えば２／３程度の大きさの電圧値として生成される。
【００２０】
このような構成において、本実施の形態では、対物レンズを光ディスク１に接近する方向（下から上）に移動させて引込む例とする。まず、光ディスク１がセットされると、システムコントローラ１１からフォーカス制御切替部５にフォーカス引込みの命令が送られフォーカス制御切替スイッチ４をフォーカスサーチ側に切替える。また、システムコントローラ１１はフォーカスサーチ信号生成部７に対してもフォーカス引込みの命令等を送出し、図３中に示すようなフォーカスサーチ信号をドライバ３に対して出力する。これにより、フォーカスアクチュエータ２を介して対物レンズを光ディスク１に接近する方向（下から上）に連続的に移動させていく。このように、対物レンズを下から上へ移動させることにより、フォーカス位置が光ディスク１内の各層を横切るような変化を示すため、図３中に示すような多層構造の層数の分（例えば、３層分）のＳ字曲線を持つＦＥ信号が得られる。
【００２１】
このようなＦＥ信号は、基準電圧生成部１２に入力され、基準電圧１，２が生成されて比較器８，９に対して設定される。ここに、この基準電圧生成部１２での基準電圧１，２の生成について図３を参照して説明する。まず、初期状態としてはレジスタ１５，１６の値は０に初期化されているものとする。そこで、最初のサンプリング時点ｔ0でＡ／Ｄ変換器１３よりサンプリングしたデータｄ0をレジスタ１  １５に取り込む。このとき、レジスタ１  １５に取り込まれていたデータ（ここでは、０）をレジスタ２  １６に取り込む。そして、比較器１７でこれらのレジスタ１５，１６のデータｄ0，０を比較し、比較結果を出力する。ここでは、ｄ0≧０であるので、比較器１７はＬレベルを出力する。次のサンプリング時点ｔ1においても同様に、サンプリングしたデータｄ1をレジスタ１  １５に取り込み、レジスタ１  １５に取り込まれていたデータｄ0をレジスタ２  １６に取り込む。そして、比較器１７でこれらのレジスタ１５，１６のデータｄ1，ｄ0を比較し、比較結果を出力する。ここでは、ｄ1≧ｄ0であるので、比較器１７はＬレベルを出力する。このようにして、各サンプリングデータを順次取り込んで比較していく。ここでは、サンプリング時点ｔ5になると、レジスタ１  １５の現データはｄ5、レジスタ２  １６の直前データはｄ4であり、ｄ5＜ｄ4であるので、比較器１７はＨレベルを出力する。即ち、比較器１７の出力はＬレベルからＨレベルに立上がる。そこで、最大ピークレジスタ１９はこの比較器１７の出力信号の立上がりでレジスタ２  １６に格納されているデータｄ4を１つの最大ピークデータとして取り込む。
【００２２】
その後、サンプリング時点ｔ5からｔ12までは、レジスタ１  １５に格納された現データの方がレジスタ２  １６に格納された直前データよりも小さいので比較器１７の出力はＨレベルのままである。そして、サンプリング時点ｔ13に至ると、レジスタ１  １５に格納された現データの方がレジスタ２  １６に格納された直前データよりも大きくなるので比較器１７の出力はＬレベルに変化する。即ち、比較器１７の出力はＨレベルからＬレベルに立下がる。そこで、最小ピークレジスタ２０はこの比較器１７の出力信号の立下がりでレジスタ２  １６に格納されているデータｄ12を１つの最小ピークデータとして取り込む。
【００２３】
以後、同様にして、サンプリング時点ｔ35までいくと、最大ピークレジスタ１９、最小ピークレジスタ２０には、一番振幅の小さなＳ字曲線の最大ピークデータｄ30、最小ピークデータｄ34が取り込まれることとなる。
【００２４】
そこで、基準電圧出力部２１では、これらの最大ピークレジスタ１９、最小ピークレジスタ２０に格納された複数のピークデータ中で一番振幅の小さいＳ字曲線のピークデータに対して、例えば、２／３のレベルの電圧値を各々基準電圧１，２として生成して、比較器８，９に設定する。
【００２５】
この後は、前述した場合と同様に、ＦＥ信号は比較器８，９に各々入力されて各々基準電圧１，２と比較され、比較の結果が、図８中に示した場合と同様にパルス信号としてカウンタ１０に対して出力される。ここでは、対物レンズを下から上へ移動させているので、カウンタ１０は比較器１  ８側のパルス信号の立上がりで計数するように動作する。このカウンタ１０の計数値はフォーカス制御切替部５に出力される。そこで、フォーカス制御切替部５ではシステムコントローラ１１から指定されたフォーカス引込み対象層とカウンタ１０の計数値とが一致したら、ＦＥ信号のゼロクロスを検出することでフォーカス制御切替スイッチ４をサーボ側に切替えてフォーカス引込みを行ない、フォーカスサーボ制御に移行する。このような動作において、基準電圧１，２が一番振幅の小さいＳ字曲線に基づいて適正に設定されているので、多層構造の光ディスク１の全ての層に確実にフォーカス引込みを行なうことができる。
【００２６】
本発明の第二の実施の形態を図４に基づいて説明する。図１ないし図３で示した部分と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する。本実施の形態は、対物レンズを光ディスク１から離反する方向（上から下）に移動させて引込むフォーカスサーチ方式を前提とする。構成的には、図１及び図２をそのまま用い得るものであるが、比較器１７がレジスタ１５，１６に記憶された現データと直前データとを比較し現データが直前データ以下のときにはＬレベル信号を出力し現データが直前データより大きいときにはＨレベル信号を出力する構成のものとされている。また、ピーク値記憶手段１８は比較器１７からの出力信号の立下がりに基づきＦＥ信号の最大ピーク値を記憶する最大ピークレジスタ１９と、比較器１７からの出力信号の立上がりに基づきＦＥ信号の最小ピーク値を記憶する最小ピークレジスタ２０とにより構成されている。
【００２７】
このような構成において、まず、光ディスク１がセットされると、システムコントローラ１１からフォーカス制御切替部５にフォーカス引込みの命令が送られフォーカス制御切替スイッチ４をフォーカスサーチ側に切替える。また、システムコントローラ１１はフォーカスサーチ信号生成部７に対してもフォーカス引込みの命令等を送出し、図４中に示すようなフォーカスサーチ信号をドライバ３に対して出力する。これにより、フォーカスアクチュエータ２を介して対物レンズを光ディスク１から離反する方向（上から下）に連続的に移動させていく。このように、対物レンズを上から下へ移動させることにより、フォーカス位置が光ディスク１内の各層を横切るような変化を示すため、図４中に示すような多層構造の層数の分（例えば、３層分）のＳ字曲線を持つＦＥ信号が得られる。
【００２８】
このようなＦＥ信号は、基準電圧生成部１２に入力され、基準電圧１，２が生成されて比較器８，９に対して設定される。ここに、この基準電圧生成部１２での基準電圧１，２の生成について図４を参照して説明する。まず、初期状態としてはレジスタ１５，１６の値は０に初期化されているものとする。そこで、最初のサンプリング時点ｔ0でＡ／Ｄ変換器１３よりサンプリングしたデータｄ0をレジスタ１  １５に取り込む。このとき、レジスタ１  １５に取り込まれていたデータ（ここでは、０）をレジスタ２  １６に取り込む。そして、比較器１７でこれらのレジスタ１５，１６のデータｄ0，０を比較し、比較結果を出力する。ここでは、ｄ0≦０であるので、比較器１７はＬレベルを出力する。次のサンプリング時点ｔ1においても同様に、サンプリングしたデータｄ1をレジスタ１  １５に取り込み、レジスタ１  １５に取り込まれていたデータｄ0をレジスタ２  １６に取り込む。そして、比較器１７でこれらのレジスタ１５，１６のデータｄ1，ｄ0を比較し、比較結果を出力する。ここでは、ｄ1≦ｄ0であるので、比較器１７はＬレベルを出力する。このようにして、各サンプリングデータを順次取り込んで比較していく。ここでは、サンプリング時点ｔ３になると、レジスタ１  １５の現データはｄ3、レジスタ２  １６の直前データはｄ2であり、ｄ3＞ｄ2であるので、比較器１７はＨレベルを出力する。即ち、比較器１７の出力はＬレベルからＨレベルに立上がる。そこで、最小ピークレジスタ２０はこの比較器１７の出力信号の立上がりでレジスタ２  １６に格納されているデータｄ2を最小ピークデータとして取り込む。
【００２９】
その後、サンプリング時点ｔ3からｔ6までは、レジスタ１  １５に格納された現データの方がレジスタ２  １６に格納された直前データよりも大きいので比較器１７の出力はＨレベルのままである。そして、サンプリング時点ｔ7に至ると、レジスタ１  １５に格納された現データの方がレジスタ２  １６に格納された直前データ以下となるので比較器１７の出力はＬレベルに変化する。即ち、比較器１７の出力はＨレベルからＬレベルに立下がる。そこで、最大ピークレジスタ１９はこの比較器１７の出力信号の立上がりでレジスタ２  １６に格納されているデータｄ6を最大ピークデータとして取り込む。
【００３０】
そして、本実施の形態では、この時点で基準電圧出力部２１では、これらの最大ピークレジスタ１９、最小ピークレジスタ２０に格納されたピークデータを一番振幅の小さいＳ字曲線のピークデータであるとしてそのピークデータに対して、例えば、２／３のレベルの電圧値を各々基準電圧１，２として生成して、比較器８，９に設定する。即ち、第一の実施の形態の場合と基本的には同様であるが、対物レンズを光ディスクから離反させる方向に移動させる場合を想定しているため、フォーカスサーチの最初において一番振幅の小さいＳ字曲線をサーチするので、基準電圧１，２の設定に要する時間を短縮させることもできる。
【００３１】
この後は、前述した場合と同様に、ＦＥ信号は比較器８，９に各々入力されて各々基準電圧１，２と比較され、比較の結果が、図８中に示した場合と同様にパルス信号としてカウンタ１０に対して出力される。ここでは、対物レンズを下から上へ移動させているので、カウンタ１０は比較器１  ８側のパルス信号の立上がりで計数するように動作する。このカウンタ１０の計数値はフォーカス制御切替部５に出力される。そこで、フォーカス制御切替部５ではシステムコントローラ１１から指定されたフォーカス引込み対象層とカウンタ１０の計数値とが一致したら、ＦＥ信号のゼロクロスを検出することでフォーカス制御切替スイッチ４をサーボ側に切替えてフォーカス引込みを行ない、フォーカスサーボ制御に移行する。このような動作において、基準電圧１，２が一番振幅の小さいＳ字曲線に基づいて適正に設定されているので、多層構造の光ディスク１の全ての層に確実にフォーカス引込みを行なうことができる。
【００３２】
参考構成例を図５及び図６に基づいて説明する。図１ないし図３で示した部分と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する。本参考構成例は、比較器８，９及び基準電圧生成部１２に代えて、パルス信号生成手段として機能する層検出部２２が設けられている。この層検出部２２は、図６に示すように、基準電圧生成部１４中からレジスタ１９，２０及び基準電圧出力部２１を除いた構成とされており、ＦＥ信号のサンプリング結果の大小変化に基づきパルス信号を生成して出力する（図３や図４中の比較器出力参照）。また、カウンタ１０は比較器１７から出力されるパルス信号の立上がりで計数する計数手段として機能する。例えば、図３を参照すれば、パルス信号が立上がるサンプリング時点ｔ5，…，ｔ30でカウンタ１０は層数として計数する。よって、このカウンタ１０の計数値とＦＥ信号とによって、そのまま指定手段により指定された層にフォーカス引込みを行なわせることができる。なお、本参考構成例は、フォーカスサーチの方向を問わない。
【００３３】
よって、本参考構成例によれば、基準電圧を生成或いは設定することなく、より簡易な構成で多層構造の光ディスク１の全ての層のフォーカス引込みを確実に行なうことができる。
【００３４】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、基準電圧生成手段が、フォーカスエラー信号を一定時間間隔でサンプリングして現在のサンプリング時点の現データと１つ前のサンプリング時点の直前データとを順次比較することで対物レンズを光ディスクに接近させる方向に移動させた場合の各Ｓ字曲線の変化の様子、即ち、各層を確実に認識して振幅の最も小さいＳ字曲線を対象に基準電圧を適正に生成して設定するので、多層構造の光ディスクの全ての層のフォーカス引込みを確実に行なうことができる。
【００３５】
請求項２記載の発明によれば、基準電圧生成手段が、フォーカスエラー信号を一定時間間隔でサンプリングして現在のサンプリング時点の現データと１つ前のサンプリング時点の直前データとを順次比較することで対物レンズを光ディスクから離反させる方向に移動させた場合の各Ｓ字曲線の変化の様子、即ち、各層を確実に認識して振幅の最も小さいＳ字曲線を対象に基準電圧を適正に生成して設定するので、多層構造の光ディスクの全ての層のフォーカス引込みを確実に行なうことができ、特に、対物レンズを光ディスクから離反させる方向に移動させた場合を想定しているため、最初に振幅の最も小さいＳ字曲線が出現することとになり、基準電圧の設定に要する時間を短縮させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す光ディスクフォーカス制御装置のブロック構成図である。
【図２】その基準電圧生成部の構成を示すブロック図である。
【図３】基準電圧生成のためのサーチ動作に伴う各部の信号波形を示すタイムチャートである。
【図４】本発明の第二の実施の形態における基準電圧生成のためのサーチ動作に伴う各部の信号波形を示すタイムチャートである。
【図５】  参考構成例を示す光ディスクフォーカス制御装置のブロック構成図である。
【図６】その層検出部の構成を示すブロック図である。
【図７】従来例を示す光ディスクフォーカス制御装置のブロック構成図である。
【図８】そのフォーカスサーチ動作に伴う各部の信号波形を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
１  光ディスク
１２  基準電圧生成手段
１３  サンプリング手段
１４  記憶手段
１７  比較手段
１８  ピーク値記憶手段
２１  出力手段
【図１】
0003671324.tif 000002
【図２】
0003671324.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003671324.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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