(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中枢神経系の治療のため患者に低エネルギ放射療法を施すシステム（１１）で使用され、磁気記憶媒体（１８６）、半導体メモリ記憶媒体（１８９）、機械的記憶媒体（１９４，１９６）および光学的記憶媒体（１９３）から成るグループから選択された制御情報記憶媒体を含むアプリケーション記憶装置（５２）であって、該アプリケーション記憶装置（５２）は、プログラムで制御された電磁エネルギの出力を供給するプログラム制御可能手段を含むと共にかかる電磁エネルギの出力を前記患者に加えるプローブ（１３）を更に含む前記システム（１１）からの電磁エネルギの出力を制御し、且つインタフェース（１６）を介して前記システムに対して接続可能であり、複数の変調信号により変調された変調搬送波信号を発生させるため、複数の変調信号を使用して前記システム（１１）の可制御型発生器（２９）で発生する高周波低エネルギ搬送波信号の振幅を変調するプログラム可能な変調信号発生器（３４）を制御する制御情報を含む変調信号制御情報を組み込んでいることを特徴としたアプリケーション記憶装置。
【請求項２】
請求項１記載のアプリケーション記憶装置であって、前記制御情報は変調周波数制御情報を更に含み、前記システム（１１）は、変調周波数が制御される低エネルギ電磁信号を発生させるプログラム制御可能な変調周波数発生器手段（３１）を含むアプリケーション記憶装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のアプリケーション記憶装置であって、前記制御情報は、変調された低エネルギ電磁放射持続時間制御情報を更に含み、前記システム（１１）は、持続時間が制御され変調された低エネルギ電磁搬送波信号を発生させるプログラム可能な変調された低エネルギ電磁放射持続時間発生器手段（２４）を含むアプリケーション記憶装置。
【請求項４】
請求項３記載のアプリケーション記憶装置であって、前記持続時間制御情報は変調された搬送波信号中断情報を含むアプリケーション記憶装置。
【請求項５】
請求項２記載のアプリケーション記憶装置であって、前記制御情報は放射印加制限情報を更に含むアプリケーション記憶装置。
【請求項６】
請求項１記載のアプリケーション記憶装置であって、前記制御情報は患者治療適合性情報を含むアプリケーション記憶装置。
【請求項７】
請求項１記載のアプリケーション記憶装置であって、前記制御情報は電力レベル制御情報を含むアプリケーション記憶装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載のアプリケーション記憶装置であって、マイクロプロセッサ（２１）が前記アプリケーション記憶装置に組み込まれ、前記システム（１１）のインタフェース（１６）は、前記マイクロプロセッサとアプリケーション記憶装置の結合したものと前記システム（１１）の残りの部分との間に存在する、アプリケーション記憶装置。
【請求項９】
高周波低エネルギ搬送波信号を発生させるとともに、変調信号により前記搬送波信号の振幅を変調して変調された搬送波信号を発生させる可制御型電磁エネルギ振幅変調器・発生器回路（３４）と、前記発生器回路（３４）に接続され前記発生器回路を制御して前記変調された搬送波信号を発生させるデータプロセッサ（２１）と、さらに前記変調された搬送波信号を患者に加えるプローブ（１３）とを含み、プローブ（１３）を介して変調された低エネルギ電磁放射を患者に加えるシステム（１１）であって、その使用に際しては請求項１のアプリケーション記憶装置（５２）と共に使用され、
前記データプロセッサ（２１）に接続され、前記アプリケーション記憶装置に対して接続できるようになっていて、変調信号制御情報を含む制御情報を前記アプリケーション記憶装置から受信し、かつ前記制御情報を前記データプロセッサに転送するアプリケーション記憶装置用インタフェース（１６）と、
前記アプリケーション記憶装置に組み込まれた変調制御情報に応答して複数の変調信号を発生させ、該複数の変調信号により変調された変調搬送波信号を発生させるようになっているプログラム可能な変調信号発生器（３４）と、
を含むことを特徴とする低エネルギ電磁放射を患者に加えるシステム（１１）。
【請求項１０】
請求項９記載のシステムであって、前記可制御型電磁エネルギ発生器回路は、
高周波低エネルギ搬送波信号発生器回路と、
変調信号発生器回路と、
前記搬送波信号発生器回路および前記変調信号発生器回路に接続され、前記変調信号により前記高周波低エネルギ搬送波信号を変調して前記変調された搬送波信号をつくり出すＡＭ変調器・電力発生器と、
を含むシステム。
【請求項１１】
請求項１０記載のシステムであって、前記変調信号回路は、
アドレス指定可能な変調信号記憶装置と、
前記データプロセッサに接続され且つ該データプロセッサにより制御され、前記データプロセッサの制御のもとに前記変調信号記憶装置のアドレスを発生させるアドレス発生器と、
前記変調信号記憶装置に接続され、前記変調信号記憶装置からのディジタル変調信号出力をアナログ変調信号に変換するディジタル・アナログ変換器と、
を含むシステム。
【請求項１２】
請求項１１記載のシステムであって、前記変調信号発生器回路は、
前記データプロセッサに接続され且つ該データプロセッサにより制御され、前記アナログ変調信号を選択的に濾波し、濾波された変調信号をつくり出す選択フィルターと、
前記データプロセッサに接続され且つ該データプロセッサにより制御され、前記濾波された変調信号を前記ＡＭ変調器・電力発生器に供給する前にバッファリングする、変調信号バッファー増幅器と、
を更に含むシステム。
【請求項１３】
請求項９記載のシステムであって、前記変調信号および搬送波信号を受信し、かつ前記変調された搬送波信号を前記プローブに供給するように接続された放射器回路を更に含むシステム。
【請求項１４】
請求項１３記載のシステムであって、前記放射器回路は、
前記変調信号および搬送波信号を変調された搬送波信号に変換するＡＭ変調器と、
前記変調された搬送波信号を増幅する同調共振回路と、
前記変調された搬送波信号を濾波するフィルター回路と、
を含むシステム。
【請求項１５】
請求項９記載のシステムであって、前記データプロセッサに接続され、前記搬送波信号の周波数を有する電磁放射を感知し、かつ前記搬送波信号の有無を表示する電磁放射センサを更に含むシステム。
【請求項１６】
請求項１３記載のシステムであって、前記放射器回路と前記プローブの中間に接続されたアンテナケーブルを更に含むシステム。
【請求項１７】
請求項１６記載のシステムであって、前記放射器回路から見た前記患者のインピーダンスを前記放射器回路の出力インピーダンスに実質的に整合させるため、前記放射器回路と前記プローブの中間に接続されたインピーダンス変成器を更に含むシステム。
【請求項１８】
請求項１７記載のシステムであって、前記インピーダンス変成器は、前記放射器回路と前記プローブの中間に接続されたインダクタと、グラウンドと前記インダクタおよび前記プローブの間の接続点の中間に接続されたキャパシタとを含むシステム。
【請求項１９】
請求項９記載のシステムであって、前記患者に加えられる電磁的電力の量を検出する電力センサを更に含むシステム。
【請求項２０】
請求項１９記載のシステムであって、前記電力センサは、
前記患者に加えられる電力量を検出する検出器と、
前記患者から反射される電力量を検出する検出器と、
前記患者に加えられる前記電力量と前記患者から反射される前記電力量とを比較する手段と、
を含むシステム。
【請求項２１】
請求項９記載のシステムであって、前記データプロセッサに接続され且つ該データプロセッサにより制御され、該システムの動作のしるしを表示するディスプレイ装置を更に含むシステム。
【請求項２２】
請求項９記載のシステムであって、前記プローブは前記患者の粘膜に適用できるようになっている電導性材料のプローブ要素を含むシステム。
【請求項２３】
請求項２２記載のシステムであって、前記プローブ要素は前記患者の口内に適合するようになっているシステム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は中枢神経系障害の治療に低エネルギ放射療法を施す方法及びシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
患者に低エネルギの電磁放射を加えることが含まれている低エネルギ放射療法は、中枢神経系（ＣＮＳ）障害に悩む患者を治療する有効な方法であることがわかってきた。中枢神経系の障害は、一般的になった不安・緊張症（ａｎｘｉｅｔｙ  ｄｉｓｏｒｄｅｒｓ  ）、恐怖症（ｐａｎｉｃ  ｄｉｓｏｒｄｅｒｓ  ）、不眠症（ｉｎｓｏｍｎｉａ）を含む睡眠異常（ｓｌｅｅｐ  ｄｉｓｏｒｄｅｒｓ  ）、睡眠が遅れる概日リズム症（ｃｉｒｃａｄｉａｎ  ｄｉｓｏｒｄｅｒｓ  ）、うつ病（ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ）などの神経障害（ｐｓｙｃｈｉａｔｒｉｃ  ｄｉｓｏｒｄｅｒｓ  ）    、強迫神経症（ｏｂｓｅｓｓｉｖｅ  ｃｏｍｐｕｌｓｉｖｅ  ｄｉｓｏｒｄｅｒｓ）、薬物乱用の結果としての障害、社会病質者（ｓｏｃｉｏｐａｔｈｙ）、外傷後ストレス障害（ｐｏｓｔ  ｔｒａｕｍａｔｉｃ  ｓｔｒｅｓｓ  ｄｉｓｏｒｄｅｒｓ  ）、或いはその他の中枢神経系の障害である。このような治療を行う方法と装置は、本出願と同一譲受人に譲渡された米国特許、第４，６４９，９３５号、及び４，７６５，３２２号に説明されているが、ここでこれらの特許に言及することによりこれらの特許の開示内容は、本願に明確に組み入れることにする。これらの先行特許が開示された時以来、この治療に関するメカニズムの解明並びに最適な結果を保証する方法に関するかなり進んだ知識理解が得られている。この知識に基づいて本装置（以下システムとして説明する）の重要な進展がみられることになった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許の中で説明されている方法と装置は、多くの場合満足すべき結果を提供したとはいえ、結果に対する無矛盾性、有意性に欠けるところがあった。また、治療時間や患者に与える低エネルギ放射の量や特性を適切に制御したり、監視したりすることが常に可能であるとはいえなかった。更に、低エネルギを患者に転送する効率が限定されており、患者が動いたり、外部からの干渉等の要因によって影響を受けるということがあった。
【０００４】
前に説明した装置を制約する別の条件は、本質的に医薬産業に組み込まれた販売組織による従来の販売には、この装置は全然合っていないということである。本装置が患者の療法や治療を目的としており、その患者に低エネルギ放射を与えるということは薬事療法と同じだといえる。したがって医薬産業の販売組織は、医師の処方箋の有無にかかわらず、たとえば薬剤師を通して医薬製品を販売する方法と大きく変わらない方法で、本療法を販売する立場に置かれるべきなのである。
【０００５】
不眠症に対する治療の研究は他の医療研究プロジェクトから遅れている。不眠症に対する現在の治療方法は催眠薬、行動療法（たとえばバイオフィードバック（生体自己制御））、或いは特にベンゾジアゼピン、イミダゾピリジン（ｉｍｉｄａｚｏｐｙｒｉｄｉｎｅｓ）などの薬物の使用のどれかになっている。薬に対する耐性、依存性、長期治療における効果の減退などは現在使用可能なこの種類の薬に共通した欠点である。
【０００６】
過去２０年間にわたる研究から明らかになったことは、脳は通信リンク及び思考処理器官として働くだけではなく、生体に影響する多数の化合物と同様、重要な化学的活動の源泉としても働いているということである。これらの多くの神経伝達物質（ｎｅｕｒｏｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ）化合物及びイオンが分泌されると化学的及び電気的刺激が起こるのである。また研究が示していることは、これらの神経に影響する化合物のあるものは睡眠サイクルと覚醒サイクルの規則に含まれているということである（コエラ：「睡眠の規則と構成」、イクスペリエンシア、１９８４；４０（４）：３０９−４０８（Ｋｏｅｌｌａ，  ”Ｔｈｅ  Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｒｅｇｕｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｌｅｅｐ”Ｅｘｐｅｒｉｅｎｔｉａ，  １９８４；  ４０（４）：３０９−４０８））。
【０００７】
１９７０年代に、アデイ（Ａｄｅｙ）と彼のグループは、適切に規定された低周波で変調された弱い電磁場により、脳内のカルシュームイオンと神経伝達物質（ＧＡＢＡ）の放出を変えることができたることを発表した。（カックマレク及びアデイ、「猫の大脳皮質からの４５Ｃａ２＋及び［３  Ｈ］ｙ−アミノ酪酸の放出」、ブレインリサーチ、１９７３；６３：３３１−３４２（Ｋａｃｚｍａｒｅｋ  ａｎｄ  Ａｄｅｙ，  ”Ｔｈｅ  Ｅｆｆｌｕｘ  ｏｆ      Ｃａ    ａｎｄ  ［Ｈ  ］  ｙ−ａｍｉｎｏｂｕｔｙｒｉｃ  Ａｃｉｄ  ｆｒｏｍ  Ｃａｔ  Ｃｅｒｅｂｒａｌ  Ｃｏｒｔｅｘ，”  Ｂｒａｉｎ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，  １９７３；  ６３：３３１−３４２  ）；    カックマレク及びアデイ、「皮質におけるイオンと伝達物質の放出を変える弱い電子勾配」    ブレインリサーチ、１９７４；６６：５３７−５４０（Ｋａｃｚｍａｒｅｋ  ａｎｄ  Ａｄｅｙ，  ”Ｗｅａｋ  Ｅｌｅｃｃｔｒｏｎｉｃ  Ｇｒａｄｉｅｎｔｓ  Ｃｈａｎｇｅ  Ｉｏｎｉｃ  ａｎｄ  Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ  Ｆｌｕｘｅｓ  ｉｎ  Ｃｏｒｔｅｘ”  Ｂｒａｉｎ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，  １９７４；  ６６：５３７−５４０  ）；ボーインほか、「電磁場による鶏の大脳組織からの４５Ｃａ２＋の放出におけるイオンの要因」、米国科学アカデミー会報、１９７８；  ７５（１２）：６３１４−６３１８（Ｂａｗｉｎ  ｅｔ  ａｌ．，  ”Ｉｏｎｉｃ  Ｆａｃｔｏｒｓ  ｉｎ  Ｒｅｌｅａｓｅ  ｏｆ  Ｃａ  Ｆｒｏｍ  Ｃｈｉｃｋｅｎ  Ｃｅｒｅｂｒａｌ  Ｔｉｓｓｕｅ  ｂｙ  Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｅｔｉｃ  Ｆｉｅｌｄｓ，”  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ａｃａｄｅｍｙ  ｏｆ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，  １９７８；  ７５（１２）：６３１４−６３１８））。これらの実験では、麻酔した猫の大脳皮質は当初、放射性同位元素で識別されたカルシュウムとＧＡＢＡにより培養されていた。この大脳皮質が、２００ヘルツで変調された弱い電場により連続した刺激を受けると、１．２９倍多いＣａ＋＋と１．２１倍多いＧＡＢＡの流出が起こることが研究者たちにより発見された（カックマレク及びアデイ、ブレインリサーチ、１９７３；６３：３３１−３４２（Ｋａｃｚｍａｒｅｋ  ａｎｄ  Ａｄｅｙ，  Ｂｒａｉｎ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，  １９７３；６３：３３１−３４２  ））。興味深いことに、ＧＡＢＡの流出はＣａ＋＋の流出と並行して発生していることであり、このことは２つの現象は密接に関係していることを示している。変調された電磁場による刺激を受けると大脳組織からのＣａ＋＋の流出が増加するということは繰り返し発見されている（ヅッタほか、「マイクロ波輻射により導出されて、培養液中の人間の神経芽腫細胞から流出したカルシュームイオン」、バイオエレクトロマグネチックス、１９８４；５（１）：７１−７８；およびブラックマンほか、「試験管内の大脳組織からのカルシュウムイオンの流出に対する電磁場の影響」バイオエレクロマグネチックス、１９８８；  ９：２１５−２２７（Ｄｕｔｔａ  ｅｔ  ａｌ．，  ”Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃａｌｓｉｕｍ  Ｉｏｎｓ  Ｅｆｆｕｓｅｄ  ｆｒｏｍ  Ｈｕｍａｎ  Ｎｅｕｒｏｂｌａｓｔｏｍａ  Ｃｅｌｌｓ  ｉｎ  Ｃｕｌｔｕｒｅ，  ”Ｂｉｏｅｌｅｃｔ���ｏｍａｇｎｅｔｉｃｓ，  １９８４；  ５（１）：  ７１−７８；  ａｎｄ  Ｂｌａｃｋｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．，  ”Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｉｅｌｄｓ  ｏｎ  ｔｈｅ  Ｅｆｆｌｕｘ  ｏｆ  Ｃａｌｃｉｕｍ  Ｉｏｎｓ  ｆｒｏｍ  Ｂｒａｉｎ  Ｔｉｓｓｕｅ  ｉｎ  Ｖｉｔｒｏ，  ”Ｂｉｏｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｓ，  １９８８；  ９：２１５−２２７  ）。ある種の低周波で変調された弱い電場により、Ｃａ＋＋とＧＡＢＡの流出を変えることができることはもはや既定の事実となったのである。
【０００８】
１９８３年の間に、低周波で変調され、頬面窩洞（ｂｕｃｃａｌ  ｃａｖｉｔｙ  ）    内に設置されたアンテナにより供給された弱い電磁場により、ボランチアの人間のＥＥＧ（脳電図：ｅｌｅｃｔｒｏｅｎｃｅｐｈａｌｏｇｒａｍ）の読みが変わったことが発見された。アデイおよびブラックマンの所見と一致して、非常に適切に規定された低周波により変調され、かつ適切に決められた強度で放射された標準搬送周波数（２７メガヘルツ）の場合のみＥＥＧの変化を顕在化できることが発見されたのである。
【０００９】
本発明は、我々の以前の特許の中で説明した患者の治療に対して、上に述べた欠点を克服しつつ、まったく新しい方法を実行することを可能としたのである。
【００１０】
【課題を解決する手段】
本発明では、システム（装置）の中に応用例記憶装置（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｔｏｒａｇｅ  ｄｅｖｉｃｅ）用のインタフェースを用意する事を意図しているが、このアプリケーション記憶装置には磁気記憶媒体、半導体メモリ記憶媒体、光学式メモリ記憶媒体、機械式記憶媒体などの記憶媒体を含めることができる。選択した記憶媒体は各種の制御情報を運べるようにプログラムされる。記憶媒体に記憶される別の情報には、低エネルギ電磁放射の持続時間、したがって患者に前記電磁波を放射する継続時間を制御する継続時間制御情報が含まれている。更に制御情報にはデューティ・サイクル制御情報を含めても良いが、このデュウテー・サイクル制御情報は、たとえば選択した時間の間に低エネルギ放射を停止したり再開始したりして放射が交互に行われるように制御するものである。更にまた記憶媒体にプログラムされる制御情報には、選択情報、即ち、順番にどんな形式の放射をしてよいか、放射の間にポーズを置くのか置かないのかなど、各種の異なる変調波形と変調周波数の放射を選択する情報が含まれている。また記憶媒体にプログラムされる制御情報には電力レベル制御情報も含まれている。
【００１１】
本発明の１実施例では、このシステムにはマイクロプロセッサが含まれているが、マイクロプロセッサにはアプリケーション記憶装置からの制御情報がロードされる。するとマイクロプロセッサはシステムの機能を制御して望ましい治療用放射を発生させる。
【００１２】
本発明の別の実施例では、アプリケーション記憶装置は１つのユニットに組み合わされ、システムを制御するためにインタフェースを介してシステムに接続されるように考えられている。
【００１３】
これらの実施例の何れにおいても、本発明では、このインタフェースに、たとえば無線周波リンクや電話回線などの通信チャネルが含まれ、このチャネルによりアプリケーション記憶装置がシステムの残り部分に接続されることが考えられている。
【００１４】
また、本発明はシステムの中では、低エネルギ放射の放射器と、患者にこれを放射するプローブの中間に接続されるインピーダンス変成器を用意する事が考えられているが、このインピーダンス変成器により、放射器回路から見た患者のインピーダンスは放射器回路の出力インピーダンスに十分に整合する。
【００１５】
本発明の別の側面は電力反射率検出器を用意する事であるが、この電力検出器は患者に加えられた電力放射量を検出し、その量をシステムにより放射された電力量と比較する。この電力検出器により、患者が処方通りの治療を受けている事を監視することが可能となる。この患者治療適合性情報（ｐａｔｉｅｎｔ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ  ｃｏｍｐｌｉａｎｃｅ  ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）は、後で検索し分析できるようにアプリケーション記憶装置に記憶される。たとえば、この電力検出器は特定の患者に加えられた治療の回数と、治療毎の経過時間を検出するのに使用できるのである。更に、治療の試行回数の記録と同様、各治療日の実際の時間も記録できるのである。
【００１６】
【実施例】
添付の図面と以下に述べる詳細説明を参照すれば、本発明に関するこれらの特徴と利点は当業者には明かとなるであろう。
【００１７】
図１を参照すると、本発明による変調された低エネルギ放射適用システム１１が示されている。前出の米国特許、第４，６４９，９３５号および第４，７６５，３２２号に示されている通り、このシステムは低エネルギ放射療法（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｔｈｅｒａｐｙ  ）（ＬＥＥＴ：本出願人に譲渡された登録商標）を実施するのに有用である事が証明されているが、このシステムには低エネルギ無線周波（ＲＦ）電磁波の放射が含まれており、以下に示す中枢神経系（ＣＮＳ）障害に悩む患者の治療に有効な方法であることが証明されている。中枢神経系の障害とは、たとえば、一般的になった不安・緊張症、恐怖症、不眠症を含む睡眠異常、睡眠が遅れる概日リズム症、うつ病などの神経障害、強迫神経症、薬物乱用の結果としての障害、社会病質者、外傷後ストレス障害、或いはその他の中枢神経系の障害である。本システムにはプローブあるいはマウスピース１３が含まれているが、これらは治療中の患者の口の中に挿入される。プローブ１３は、同軸ケーブル１２とインピーダンス整合用変成器１４を介して電磁エネルギ放出器（図２も参照されたい）に接続されている。プローブ１３はマウスピースとして示しているがどこの粘膜にでも適用できるようになっているプローブならばいかなるプローブでも使用できる。たとえば、口内用、鼻孔用、眼窩用、尿道用、肛門用及び／或いは膣用のプローブは本発明の範囲から逸脱せずに使用可能である。現在のところ望ましいのは、たとえば、鼻孔用や口内用プローブのように脳に近接して置かれるプローブである。
【００１８】
また、適用システム１１にはインタフェース１６が含まれているが、このインタフェースは、たとえば、磁気記憶媒体、半導体メモリ記憶媒体、光学式メモリ記憶媒体、機械的に符号化された媒体などのアプリケーション（応用例）記憶装置を受けるようになっている。またアプリケーション（応用例）記憶装置は、システム１１の動作を制御するのに使用される制御情報によりプログラムされて、治療中の患者に対して望ましいタイプの低エネルギ放射療法が施される。
【００１９】
以下より詳細に示す通り、アプリケーション記憶装置５２はマイクロプロセッサを備えても良く、インタフェース１６につながると、システム１１の機能を制御して望ましい低エネルギ放射療法を提供する。そのかわりとして、アプリケーション記憶装置５２は、システム１１のマイクロプロセッサ２１と共同で使用されるマイクロプロセッサを備えても良い。このような場合、装置５２のマイクロプロセッサはシステム１１と記憶装置５２のインタフェース動作を援助したり、あるいは安全チェック機能を提供したりできる。
【００２０】
またシステム１１にはディスプレイ１７が含まれており、このディスプレイはシステム１１の動作の各種指示を表示できる。更に、システム１１には電源のオンボタン１８、オフボタン１９が含まれている。
【００２１】
適用システム１１の構成で図１に示したものとは別の構成も本発明の精神と範囲から逸脱する事なく使用できる事が理解されるであろう。
【００２２】
つぎに図２を参照すると、示されているのは本発明による適用システム１１の電子回路のブロック図である。マイクロプロセッサ２１は適用システム１１のコントローラとして動作し、アドレス・バス２２、データ・バス２３、Ｉ／Ｏライン２５を介してシステム１１の各種構成部を制御するように接続されている。
【００２３】
マイクロプロセッサ２１には、命令コード、制御プログラム、一時的データ用の中間記憶が含まれていることが望ましい。さらに、マイクロプロセッサ２１には入／出力ポートと内部タイマーが含まれている。マイクロプロセッサ２１は、たとえば、インテル社（Ｉｎｔｅｌ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から入手可能な８ビット・シングルチップ・マイクロコントローラ、８０４８あるいは８０５１で良い。
【００２４】
マイクロプロセッサ２１のタイミングはシステムクロック２４により供給されているが、このシステムクロック２４にはコンデンサ２７、２８と共にクロック用水晶２６が含まれている。システムクロック２４は、使用される特定のマイクロプロセッサに適合するいかなるクロック周波数でも動作できる。本発明の実施例の１つによれば、システムクロック２４はクロック周波数８メガヘルツで動作する。
【００２５】
マイクロプロセッサ２１の動作プログラムは、図１１から図１４を参照して流れ図の形式で以下に示す。一般的に、マイクロプロセッサ２１は可制御型電磁エネルギ発生器回路２９を制御して、プローブ１３を介して患者に加えるための希望する形式の変調された低エネルギ電磁放射を発生させるように機能する。
【００２６】
可制御型発生器回路２９には変調周波数発生器回路３１と搬送波信号発振器３２が含まれている。マイクロプロセッサ２１は、以下より詳細に説明する通り、発振器ディスエーブル・ライン３３を介して可制御型発生器回路２９を起動したり停止したりするように動作する。また、可制御型発生器回路２９にはＡＭ変調・電力発生器３４が含まれているが、ＡＭ変調・電力発生器３４は、搬送波信号発振器３２が発生させた、搬送波信号ライン３６上の搬送波信号を、変調周波数発生器回路３１が発生させた、変調信号ライン３７上の変調信号を使って振幅変調するように動作する。
【００２７】
変調器３４は、振幅変調された搬送波信号を変調搬送波信号ライン３８上に発生させる。振幅変調された搬送波信号はフィルタ回路３９に供給される。フィルタ回路３９は、同軸ケーブル１２とインピーダンス変成器１４を介してプローブ１３に接続される。
【００２８】
マイクロプロセッサ２１は、アドレス・バス２２、データ・バス２３、Ｉ／Ｏライン２５を介して可制御型発生器回路２９の変調周波数発生器回路３１を制御する。特に、マイクロプロセッサ２１はＩ／Ｏライン２５を介して変調波形記憶装置４３に記憶された希望する波形を選択する。また選択した変調信号を検索するために、マイクロプロセッサ２１が波形アドレス発生器４１を制御して、波形アドレス・バス４２上に一連のアドレスをつくり出すと、これらのアドレスは変調信号記憶装置４３に供給される。希望する変調信号は変調信号記憶装置４３から検索され変調信号バス４４にディジタル形式で供給される。変調信号バス４４がディジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）４６につながると、ＤＡＣ４６はディジタル変調信号をアナログ形式に変換する。このアナログ変調信号は選択フィルタ４７につながれ、選択フィルタ４７は、ＤＡＣ４６によってつくられ、変調信号ライン２０上にあるアナログ変調信号をマイクロプロセッサ２１の制御の下で抵抗器４８とコンデンサ４９、５１を使用して濾波する。
【００２９】
本実施例においては、各種の変調信号波形は変調信号記憶装置４３の中に記憶されている。２キロバイトのメモリにより、変調信号記憶装置４３は８つの異なる変調信号波形を記憶することができる。使用して成功した波形には方形波形や正弦波形が含まれている。このほかに使用できそうな波形には整流した正弦波、三角波、上記波形のすべての組み合わせの波形が含まれている。
【００３０】
本実施例においては、各変調信号波形は２５６バイトのメモリを使用しているので、２５６の連続したアドレスを速読（ｒｕｎｎｉｎｇ  ｔｈｒｏｕｇｈ  ）することにより変調信号記憶装置４３から検索される。変調信号の周波数は、変調信号記憶装置４３から波形が検索される早さにより制御される。本実施例によれば、これはマイクロプロセッサ２１から波形アドレス発生器４１の中に含まれるプログラマブルカウンターに制御コードをダウンロードすることにより遂行される。プログラマブルカウンターの出力はリプル・カウンターを駆動すると、リプル・カウンターは８ビットのアドレス列を波形アドレス・バス４２上に発生させる。
【００３１】
波形アドレス発生器４１は、たとえば、ＮＥＣから入手可能なプログラマブル・タイマー／カウンター・ｕＰＤ６５０４２Ｃでよい。変調信号記憶装置４３は、たとえば、希望する波形テーブルによりプログラムされた２８Ｃ１６型電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ：ＥＥＰＲＯＭ）でよい。ディジタル・アナログ変換器４６は、たとえば、アナログ・デバイス（Ａｎａｌｏｇ  Ｄｅｖｉｃｅｓ）社から入手可能なＤＡＣポート、ＡＤ５５７ＪＮでよいし、選択フィルタ４７はナショナル・セミコンダクター（Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）社あるいはハリス・セミコンダクター（Ｈａｒｉｓ    Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）社から入手可能な４０５２型マルチプレクサでよい。
【００３２】
本発明によれば、可制御型発生器回路２９の動作を制御するために使用される特定の変調制御情報はアプリケーション記憶装置５２に記憶される。図１５、図１６、図１７、図１８を参照して以下より詳細に説明する通り、アプリケーション記憶装置５２は、後で検索に使える情報を記憶するどんな記憶装置でもよい。たとえば、アプリケーション記憶装置５２は、カード、テープ、ディスク、ドラムなど磁気記憶媒体を基本とする記憶装置でよい。代替方法としては、アプリケーション記憶装置５２は、消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ：  ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）あるいは不揮発性ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）など半導体メモリを基本とした記憶装置でもよい。アプリケーション記憶装置５２に対するその他の方法として、パンチカード、カムなどの機械的情報記憶装置がある。アプリケーション記憶装置５２の更に別の方法としてはコンパクトディスク読出し専用メモリＣＤ  ＲＯＭ）がある。
【００３３】
強調しておかなければならないことは、マイクロプロセッサ２１を示す図形はアプリケーション記憶装置５２と離れているが、マイクロプロセッサ２１とアプリケーション記憶装置５２は両方とも１つの素子に組み込まれ、この素子はシステム１１にロードされて、ここに説明する通りシステム１１の動作を制御するのである。この場合、インタフェース１６はマイクロプロセッサ２１とアプリケーション記憶装置５２とシステム１１の残り部分との組み合わせの間に介在している事になる。
【００３４】
インタフェース１６は使用される特定のアプリケーション記憶装置５２に対して適切に構成される。インタフェース１６はアプリケーション記憶装置５２に記憶された制御情報を、マイクロプロセッサ２１のメモリ内の記憶に使用可能な形式に翻訳し、マイクロプロセッサ２１が可制御型発生器回路２９を制御して、希望する変調された低エネルギ放射を発生させるようにする。
【００３５】
インタフェース１６はアプリケーション記憶装置５２に記憶された情報を直接読出しても良いし、各種の既存の通信リンクを使用してこの情報を読出ししても良い。インタフェース１６とアプリケーション記憶装置５２の間の情報転送に、たとえば、無線周波、マイクロウエーブ、電話あるいは光による通信リンクを使用してもよい。
【００３６】
アプリケーション記憶装置５２とマイクロプロセッサ２１が同一素子に組み込まれた場合、インタフェース１６は、マイクロプロセッサ２１をシステム１１の残り部分に接続するように構成される。
【００３７】
アプリケーション記憶装置５２に記憶された制御情報により、プローブ１３を介して患者に加えられる変調された低エネルギＲＦ電磁放射の調整可能な各種パラメータが指定される。このような調整可能なパラメータには、たとえば、搬送波の周波数と振幅、搬送波の変調の振幅と周波数、放射持続時間、放射の電力レベル、放射のデューティ・サイクル（即ち、使用中加えられた放射パルスの、オフ時間に対するオン時間の割合）、特定の使用に対する異なる変調周波数の使用の順番、全治療回数、特定の患者に処方された治療毎の継続時間が含まれている。
【００３８】
たとえば、搬送波信号と変調信号は、振幅変調された信号によりプローブ１３を駆動するように選択されるが、振幅変調された信号の中の搬送波信号には１ギガヘルツ以下、望ましくは１メガヘルツと９００メガヘルツの間のスペクトル周波数成分が含まれ、かつ変調信号には、０．１ヘルツと１０キロヘルツの間の、望ましくは１ヘルツと１０００ヘルツの間のスペクトル周波数成分が含まれている。本発明によれば、１つあるいはそれ以上の変調周波数を順番に連続して変調信号を形成している。
【００３９】
追加機能としては、電磁放射センサ５３が備えられていて、搬送波発振器３２の周波数による電磁放射の存在が検出される。放射センサ５３により、希望する周波数の電磁放射が出ているかどうかの指示がマイクロプロセッサ２１に与えられる。以下より詳細に説明する通り、マイクロプロセッサ２１は、たとえば、ディスプレイ１７にエラーメッセージを表示したり、可制御型発生器回路２９を停止したりするなどの適切な作用を行う。
【００４０】
また本発明には電力センサ５４が含まれているが、この電力センサ５４は、プローブ１３を介して患者に加えられる電力量を検出し、この量を該患者から戻ってきたあるいは反射された電力量と比較する。この比率は、治療セッション中にシステムが適正に使用されていることを示している。電力センサ５４は、患者から反射された電力量に対する該患者に加えられた電力量を、電力センス・ライン５６を介してマイクロプロセッサ２１に与える。
【００４１】
電力センス・ライン５６上に与えられる指示はディジタル化されて、マイクロプロセッサ２１により使用され、たとえば、加えた電力のレベルを検出し制御するとともに、実際に加えた治療に関する情報をアプリケーション記憶装置５２に記録する。この情報は、患者の治療の適合性と効果を評価するために治療医や臨床医によって使用される。このような治療上の情報には、たとえば、所定の時間中に加えられた治療回数、治療毎の日時と実際の時間、治療の試行回数、治療の適合性（即ち、治療セッション中にプローブが正しい場所にあったか、正しい場所からはずれていたかどうかということ）、特定の変調周波数の累積放射量、が含まれている。
【００４２】
加えられる電力レベルは、患者によって吸収されたエネルギの固有吸収率（ＳＡＲ：ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｒａｔｅ）が、組織１キログラム当たり１マイクロワットから組織１キログラム当たり５０ワットになるように制御されることが望ましい。さらに望ましくは、ＳＡＲが組織１キログラム当たり１００マイクロワットから組織１キログラム当たり１０ワットに、さらに最も望ましくは、ＳＡＲが組織１キログラム当たり１ミリワットから組織１キログラム当たり１００ミリワットまでとするように電力レベルを調整する。これらＳＡＲは当該患者のどこの組織における値でも良いが、中枢神経形の組織の中である事が望ましい。
【００４３】
また、システム１１には、バッテリ及び充電回路５７とバッテリ電圧変化検出器５８を含んだ電源供給回路が含まれている。
【００４４】
図３から図１０は図２のシステムの各種構成部の詳細を示している。
【００４５】
図３を参照すると、可調整型変調周波数発生器回路３１の詳細な模式図が示されている。変調周波数発生器回路３１には波形アドレス発生器４１、変調信号記憶装置４３、ディジタル・アナログ変換器４６、選択フィルタ回路網４７が含まれている。
【００４６】
マイクロプロセッサ２１は拡張Ｉ／Ｏライン４５を制御して波形記憶装置４３から希望する波形を選択する。ついでマイクロプロセッサ２１が波形アドレス発生器４１に制御情報をダウンロードすると、次に波形アドレス発生器４１は１連の波形アドレスを発生させる。この１連の波形アドレスは波形アドレス・バス４２を介して変調信号記憶装置４３に供給される。すると希望する変調信号が記憶装置４３から検索されて、信号バス４４にディジタル形式で現れる。ディジタル・アナログ変換器４６によってディジタルからアナログへ変換された後、当該変調信号は濾波されて変調信号ライン２０に出力される。
【００４７】
変調信号の周波数は、一連の波形アドレスが発生する速度によって決定される。変調信号の形は拡張Ｉ／Ｏライン４５を介してマイクロプロセッサ２１により選択され、フィルター回路網はＩ／Ｏライン５０を介して選択される。
【００４８】
つぎに図４を参照すると、変調信号バッファー増幅器３５と搬送波発振器回路３２の詳細な模式図が示されている。
【００４９】
変調信号バッファー増幅器３５は基本的には離散型の非インバーティング増幅器である。この増幅器は選択フィルター４７からの変調信号２０をバッファーし、ＡＭ変調・電力発生器３４に対して必要な変調信号振幅と電流ドライブを与える。出力ステ−ジは、出力信号３７が電源線間の電圧振幅（ｒａｉｌ−ｔｏ−ｒａｉｌｖｏｌｔａｇｅ  ｓｗｉｎｇ）になるように設計されている。変調信号バッファーの出力は信号ライン３７に現れる。
【００５０】
つぎのことに注意されたい。即ち、ここに開示した実施例では、変調信号バッファー増幅器３５の利得は実質的に一定であると考えられている。しかし本発明では、ライン３７上の変調信号の大きさを変えるために、マイクロプロセッサ２１によって制御される可変利得増幅器を使用することも意図されており、したがって加える電力の制御をプログラムできるようになっている。
【００５１】
搬送波発振器３２は搬送波発振器水晶５９の周辺につくられている。１つの実施例においては、搬送波発振器３２は２７メガヘルツの無線周波（ＲＦ）搬送周波数を発生させる。本発明の他の実施例では４８メガヘルツ、４５０メガヘルツあるいは９００メガヘルツのＲＦ搬送周波数をつかうことを考えている。一般に、搬送波発振器３２によって発生するＲＦ搬送周波数は、望ましくは１メガヘルツと９００キロヘルツの間の、１メガヘルツより少ないスペクトル周波数成分を有している。これも注意されたい事であるが、開示した実施例では、一度設定されると搬送波発振器の周波数は実質的に一定になっているが、本発明では、搬送波信号発振器３２によって発生する搬送波の周波数は、アプリケーション記憶装置５２に記憶されている制御情報の使用によりマイクロプロセッサ２１によって制御しかつ可変とすることができるのである。これは、たとえば、高周波発振器を使用すれば可能であるが、この場合、高周波発振器の出力を可調整型クロック・デバイダ回路により調整して搬送周波数信号を発生させることになる。
【００５２】
搬送波発振器３２は搬送波信号ライン３６上に搬送波信号を発生させるが、この搬送波信号は信号ライン３７で運ばれる変調信号によって変調される。
【００５３】
発振器ディスエーブル・ライン３３がＮＡＮＤゲート６１に供給されると、その出力はＮＡＮＤゲート６２に供給される。この構成によって、マイクロプロセッサ２１は、適切なディスエーブル信号を発振器ディスエーブル・ライン３３に供給する事により変調信号バッファー３５と搬送波発振器３２の双方を動作不能にすることができる。
【００５４】
図５はＡＭ変調・電力発生器３４と出力フィルター３９の詳細な模式図を示す。ＡＭ変調器は、並列に接続され零交差スイッチング・モードで動作する２つのトランジスタ６６、６７からつくられている。搬送波信号３６はインダクタ６８、６９を介してトランジスタ６６、６７のベースに供給される。トランジスタ６６、６７のコレクタに現れる変調された搬送波が最終結果である。
【００５５】
出力電力は、３対のインダクタとコンデンサ７０、７１、７２により構成されるシングルエンド型同調式共振変換器（ｓｉｎｇｌｅ−ｅｎｄｅｄ  ｔｕｎｅｄ  ｒｅｓｏｎａｎｔ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒｓ）によって発生する。ＬＣ共振回路７０、７１、７２は同調して必要な出力電力を与え、かつ最適化されて変換器の効率は最大となる。
【００５６】
ＡＭ変調・電力発生器３４の出力は信号ライン３８に現れる。この変調された信号は出力フィルタ回路網３９を介して出力コネクタ７８に与えられる。出力フィルタ３９には３つのＬＣフィルターステ−ジ７３、７４、７６が含まれている。
【００５７】
第１のＬＣフィルター・ステ−ジ７３は、通過バンドの中心が２７メガヘルツでバンド・ノッチの中心が５４メガヘルツのバンド・パス・フィルター及びバンド・ノッチ・フィルターである。バンド・ノッチ・フィルターは搬送波の第２高調波を追加して抑止する。第２および第３のＬＣフィルター・ステ−ジ７４、７６はともにバンド・パス・フィルターであって、その通過バンドの中心は２７メガヘルツである。この３ステ−ジの出力フィルターは、ＡＭ変調回路３４の零交差スイッチングに起因する搬送波の高調波を実質的に除去する役目をしている。
【００５８】
出力の直列抵抗器７７は変調器の出力インピーダンスを調整するために使用されている。ＡＭ変調器の出力インピーダンスは５０オームよりかなり小さいという事が測定で判っている。直列抵抗器７７により回路の出力インピーダンスはほぼ５０オームに調整される。
【００５９】
図６はインピーダンス変成器１４の詳細を示す。図１、図２、図５を参照すると、ＡＭ変調・電力発生器３４とフィルタ・ステ−ジ３９の出力は５０オームの出力インピーダンスを持つように設計されているが、これは同軸ケーブル１２の５０オームのインピーダンスに整合するために選択されているのである。インピーダンス変成器１４には、プローブ１３と同軸ケーブル１２の中心導体との間に接続されるインダクタ７９と、プローブ１３と同軸ケーブル１２の接地導体との間に接続されるコンデンサ８１が含まれている。
【００６０】
インピーダンスの測定から決定されている事として、プローブ１３が患者の口の中に挿入されると、プローブと患者の組み合わせにより、１５０＋ｊ２００オームのオーダの複素インピーダンスを呈するという事がある。    インピーダンス変成器１４は、この複素インピーダンスを同軸ケーブル１２の５０オームのインピーダンスに、したがってＡＭ変調器３４と出力フィルタ３９の出力インピーダンスに整合する働きをしているのである。これによって電力の伝送が向上し、反射が最小となる。１つの実施例では、インダクタ７９は０．６８マイクロヘンリー、コンデンサ８１は４７ピコファラッドである。
【００６１】
図７は本発明の放射センサ５３の詳細な模式図を示す。放射センサ５３にはアンテナ８２が含まれており、このアンテナは搬送波発振器３２の周波数の電磁場を検出することができる。アンテナ８２によって誘起された信号は、ダイオード８３、コンデンサ８４、抵抗器８５で形成される簡単なダイオード検波器に供給される。復調された低周波信号はスイッチとして動作するトランジスタ８６のベースに供給される。この出力は低レベル信号ライン８７であり、この出力はマイクロプロセッサ２１に接続されている。放射センサ５３は治療セッションの始めで使用され、プローブ１３が当該搬送周波数の電磁場を放射しているかどうかを検出する。前記電磁場が放射されていれば、マイクロプロセッサ２１は、正しく電磁場がつくられているということをディスプレイ１７に表示する。
【００６２】
また、放射センサ５３は、ＥＸＴ  ＤＣ  ＩＮライン１１５を介して電力供給回路に接続されている（図１０も参照されたい）。外部の直流電力が供給されると、トランジスタ８６のベースに接続されているライン１１５はトランジスタ８６をオンにするので、外部の直流電力が供給されているという表示をマイクロプロセッサ２１に与える事になる。
【００６３】
つぎに図８を参照すると、患者に加える電力とその患者から反射する電力の比を感知するために使用される電力センサ５４の模式図が示されている。この比率は、適用システム１１から患者に対して伝送される電力の効率を示しており、患者治療の適合性を事前調査するのに使用される。また、電力センサ５４は患者に加えられる電力レベルを監視するのにも使用される。
【００６４】
電力センサ５４には双方向カプラ８８が含まれているが、双方向カプラ８８はシナジー・マイクロウエーブ・コーポレーション（Ｓｉｎｅｒｇｙ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ）から入手可能なモデルＫＤＰ−２４３双方向カプラで良い。双方向カプラ８８は、適用システム１１により出力コネクタ７８を介して放射されかつ同軸ケーブル１２により運ばれるエネルギの一部分を、検出回路８９、９０に結合する。
【００６５】
出力コネクタ７８は双方向カプラ８８の１次側入力に接続され、同軸ケーブル１２は双方向カプラ８８の１次側入力に接続されている。双方向カプラ８８には２つの２次側出力が含まれているが、各２次側出力はそれぞれ検出回路８９、９０に接続されている。検出回路８９は、患者に加えられる電力量を検出するように機能し、検出回路９０は、患者から反射される電力を検出するように機能する。検出回路８９は、抵抗性分割器９４を介して差動増幅器９１のプラスの入力に接続されている。検出回路９０は、抵抗性分割器９２を介して差動増幅器９１のマイナスの入力に接続されている。差動増幅器９１の出力は適用システム１１により患者に対して伝送された電力と、患者から反射された電力の差を示しており、したがって患者によって吸収された電力量を示している事になる。差動増幅器９１の出力はアナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）あるいは比較器９３に接続され、ＡＤＣ９３の出力は電力センス・ライン５６を介してマイクロプロセッサ２１に接続されている。
【００６６】
図１１から図１４の流れ図を参照して以下より詳細に説明する通り、マイクロプロセッサ２１、は電力センス・ライン５６に現れる信号を解析して、患者に加えた電力量を調べかつ制御し、さらに患者の治療の適合性を評価するとともに、あとで治療医や臨床医によって分析や評価に使用できるように、患者の治療の適合性の特徴や証拠をアプリケーション記憶装置５２に記録しておく。
【００６７】
図９は情報出力回路１７の詳細な模式図を示す。マイクロプロセッサ２１はデータ・バス２３、アドレス・バス２２を介して情報出力回路１７のディスプレイ・モジュール１０９を制御し、Ｉ／Ｏライン１００によりサウンド制御回路１１０を制御する。ディスプレイ・モジュール１０９はジーメンス（Ｓｉｅｍｅｎｓ  ）から入手可能なインテリジェントＬＥＤディスプレイ・モジュールＰＤ３５３５、あるいはエプソン（ＥＰＳＯＮ  ）から入手可能なＬＣＤグラフィック・モジュールでも良い。サウンド制御回路１１０は図９のブザーでも良いし、最新型の音声合成器でも良い。
【００６８】
つぎに図１０を参照すると、本発明の適用システム１１に使用されている電力供給回路の詳細が示されている。
【００６９】
適用システム１１の動作中は、電力は再充電型バッテリ９５から引き出されるが、このバッテリは、たとえば、６ボルトの再充電型Ｎｉ−Ｃｄバッテリ等でよい。バッテリ９５はリレー９９を介してリレー９８に接続されている。リレー９８の巻線に流れる電流は、ＮＡＮＤゲート１０２の出力により制御されるトランジスタ１０６によって供給される。
【００７０】
ＮＡＮＤゲート１０２、１０３、１０４、１０５はリセット型ラッチを形成するように構成されている。オン・ボタン１８が押下されると、本ラッチによりトランジスタ１０６がオンになり、トランジスタ１０６によってリレー９８の巻線が活性化される。オフ・ボタン１９が押下されると、このラッチはリセットされ、したがってトランジスタ１０６はオフになり、リレー９８の巻線から電力が除かれる。またマイクロプロセッサ２１は、自動オフ・ライン１０７を瞬間ロウに引っ張ることにより、このラッチをリセットできる。この動作は、システム１１がアイドルになっている時、不必要に電力が消費されることを防止する。
【００７１】
リレー９８の巻線に電流が流れると、バッテリ９５は電圧調整器９７に接続され、この電圧調整器９７は調整された電圧Ｖｃｃを供給する。電圧Ｖｃｃは適用システム１１の各種構成部に電力を供給するために使用されている。
【００７２】
コネクタ９６は、バッテリ９５を充電するために使用される外部交流／直流アダプタ（示されていない）を収容するために用意されている。コネクタ９６に外部直流アダプタが接続されると、電圧調整器１０１によって調整された電圧が生じ、この電圧によってリレー９９の巻線に電流が流れる。ついでバッテリ９５は電圧調整器９７から切断され、電圧調整器１０１の出力は電圧調整器９７の入力に接続されるので、適用システム１１は外部直流アダプタにより電力が供給されるようになる。外部直流電圧があることの表示は、ＥＸＴ  ＤＣ  ＩＮライン１１５を介して放射センサ５３（図７）に供給される。
【００７３】
外部直流電力が接続されれば（当初、適用システム１１に電力が供給されているときは、放射センサ５３により判断される）、マイクロプロセッサ２１はバッテリ充電ルーチンを実行し、可制御型発生器回路２９を停止させ、搬送波発振器３２を動作不能にする。また、マイクロプロセッサ２１はバッテリ充電コントローラ５７に信号を送り急速充電回路をオンにする。ディスプレイ１７にメッセージが表示されるか、別の発光ダイオードにバッテリが充電中である事が表示される。
【００７４】
バッテリ充電ルーチンの間、マイクロプロセッサ２１は、データ・バス２３を介して−ｄＶ検出器５８からのバッテリ電圧を常時監視する。必要な−ｄＶが検出されると、Ｎｉ−Ｃｄバッテリ９５は全充電状態に到達し、マイクロプロセッサ２１は高速充電回路をオフに切り換え、システム１１から外部電力を自動的に切り離す。−ｄＶ検出器５８は、たとえば、マキシム・インテグレーテッド、プロダクツ社（Ｍａｘｉｍ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，  Ｉｎｃ．  ）から入手可能なＭＡＸ１６６ディジタル・アナログ変換器を含んだ構成でも良い。
【００７５】
バッテリ電圧はバッテリ電圧モニター１０８により監視されている。バッテリ電圧が所定の低レベル（放射電力が校正された値から３％低下するときの電圧レベル）に低下すると、マイクロプロセッサ２１に信号が供給され、マイクロプロセッサ２１はつぎに放射を停止しディスプレイ１７にエラー・メッセージを供給する。バッテリ電圧モニター１０８は、たとえば、テキサス・インスツルメンツ（Ｔｅｘａｓ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ）あるいはＳＧＳトムソン（ＳＧＳ  Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）から入手可能な電圧監視用集積回路でよい。
【００７６】
つぎに図１１から図１４を参照すると、本発明の方法による図１および図２の適用システム１１の動作の流れ図が示されている。実際にマイクロプロセッサ２１に適用システム１１の機能を制御させるために、図１１から図１４の流れ図は適切なコンピュータ・プログラムにコーディングされマイクロプロセッサ２１の動作プログラム記憶部分にロードされている。
【００７７】
図１１を参照すると、スイッチ１８が作動するとマイクロプロセッサ２１はプログラムの実行を開始する。ブロック１１１で、マイクロプロセッサ２１は波形アドレス発生器４１を停止し、搬送波発振器３２を動作不能にしてディスプレイ・モジュール１０９にユーザに対する歓迎のメッセージを表示することにより回路を初期化する。
【００７８】
ブロック１１２で、初期化後の直流電源が直ちにチェックされる。外部直流電源、たとえば交流／直流アダプタ、が接続されていれば、システム１１はＮｉ−Ｃｄバッテリ充電器として機能していると考えることができる。マイクロプロセッサ２１がブロック１１３に制御を渡すと、バッテリ充電コントローラ５７の急速充電モードをオンに切り換え、ブロック１１４、１１６を含む制御ループの中で−ｄＶ検出器５８を介してバッテリ電圧を監視する。−ｄＶ検出器５８によって検出された通り、Ｎｉ−Ｃｄバッテリ９５がフル充電状態になると、マイクロプロセッサ２１はブロック１１７の急速充電電流をオフに切り換えブロック１１８でシステム１１を自動的にオフに切り換える。
【００７９】
判断ブロック１１２で外部直流電源が接続されていないことが決定されると、システム１１は内部バッテリ９５により電力が供給される。バッテリ電圧モニタ１０８はバッテリ電圧を常時監視し、判断ブロック１１９で使用する情報をマイクロプロセッサ２１に提供する。バッテリの電圧レベルが所定の低レベルに低下すると、マイクロプロセッサ２１はブロック１２１でディスプレイ１０９にエラーメッセージを表示する。これは、システムを再び使用する前にバッテリを再充電してください、というユーザに対する連絡である。また、タイミングループ１２３により決定された通りユーザの応答がなければ、マイクロプロセッサ２１はブロック１２２でシステム１１を自動的にオフに切り換える。
【００８０】
つぎに図１２を参照すると、バッテリのレベルがチェックされた後、マイクロプロセッサ２１はブロック１２４で、インタフェース１６を介してアプリケーション記憶装置５２がシステム１１に接続されていないかチェックする。アプリケーション記憶装置５２が接続されていなければ、マイクロプロセッサ２１はブロック１２６で、ディスプレイ１０９の情報を介してアプリケーション記憶装置５２を接続するように促す。アプリケーション記憶装置５２は、ブロック１２７で決められている通り、所定の時間内に接続されなければならない。さもないとマイクロプロセッサ２１はブロック１２８でシステム１１をオフに切り換える。
【００８１】
ブロック１２４でアプリケーション記憶装置５２が正確に接続されている事が決定されると、マイクロプロセッサ２１はブロック１２９で識別コードを読み、ブロック１３１でアプリケーション記憶装置５２が本物かつ有効であるかチェックする。本物かつ有効でなければ、ブロック１３２でエラー・メッセージが表示され、所定の制限時間の後システム１１はオフに切り換えられる。
【００８２】
有効なアプリケーション記憶装置が接続されると、マイクロプロセッサ２１はブロック１３３で制御情報を読出し、その制御情報を内部のＲＡＭ領域に記憶する。治療のタイプなどのアプリケーション情報は、ユーザが再確認に使用するためブロック１３４でディスプレイ１７に表示される。ついでマイクロプロセッサ２１はブロック１３６でポーズをとり、ユーザからの入力を待つて使用を開始する。
【００８３】
ユーザは、オンスイッチ１８を再度押下することにより使用を開始する。マイクロプロセッサ２１はブロック１３７で、可制御型発生器２９を制御することによりテスト放射を発生し、ブロック１３８で、放射センサ５３を使ってこの放射をチェックするようにユーザを促す。ついでマイクロプロセッサ２１はブロック１３９で表示信号に対する放射センサ入力をチェックする。ブロック１４２によって決定される所定の制限時間内に放射が検出されなければ、マイクロプロセッサ２１はブロック１４３で該当するエラー・メッセージを表示し、ブロック１４６によって決定される所定のアイドル時間の後、ブロック１４４でシステム１１をオフに切り換える。
【００８４】
ブロック１４２によって決定される所定の制限時間内に放射が検出されると、制御はブロック１４７に渡され、ここでマイクロプロセッサ２１は、図１４の流れ図に詳細に示す電磁放射応用ソフトウエア・ルーチンを実行する。
【００８５】
電磁放射応用ソフトウエア・ルーチンは制御情報を取り込み、その情報を解釈して可制御型発生器２９を制御し、該当する変調波形、周波数、電力レベル、持続時間、デューティ・サイクルを発生させる。
【００８６】
図１４を参照すると、マイクロプロセッサ２１はブロック１５１で、第１に全治療時間カウンターを設定する事によりこのルーチンを開始し、全治療時間カウンターは実際の治療のタイミングの痕跡を（ｔｒａｃｋｓ）を保持する。ついでマイクロプロセッサ２１はブロック１５２で、変調用周波数データの第１のブロックを取得して解釈する。ついでブロック１５３で、Ｉ／Ｏライン４５を介して変調波形が選択され、かつ適応するフィルター回路網が拡張Ｉ／Ｏライン５０を介して選択される。また、ブロック１５３で、電力レベル制御情報に従って変調信号バッファー増幅器３５の利得が調整される。ブロック１５４で、波形アドレス発生器４１を介して変調周波数が制御される。ついでブロック１５６で、マイクロプロセッサ２１は放射動作を可能とする。
【００８７】
判断ブロック１５７で、バッテリ電圧モニタ１０８を使用してバッテリ電圧がチェックされ、バッテリレベルが許容値内かどうか判断される。許容値内でなければ、制御はブロック１５８に渡され、ここで適切なエラー・メッセージが表示される。ついでブロック１６１で、判断ブロック１５９で決定される遅延時間の後システム１１は閉塞される。
【００８８】
反対に、バッテリ電圧が許容値内であれば、制御は判断ブロック１６２に渡され、ここで、アプリケーション記憶装置５２がまだインタフェース１６に挿入されているかどうか判断される。挿入されていなければ、制御は判断ブロック１６３に渡され、ここで、アプリケーション記憶装置５２がない状態で所定の時間が経過したかどうか判断される。制限時間が経過すると、制御はブロック１６４に渡され、ここで適切なエラー・メッセージが表示され、最終的にはブロック１６１でシステム１１は自動的に閉塞される。
【００８９】
反対に、判断ブロック１６２でアプリケーション記憶装置５２がインタフェース１６内にあることが確定すると、制御はブロック１６６に渡され、ここでアプリケーション記憶装置５２はユーザの適合性情報により更新される。ついで制御はブロック１６７に渡され、ここで電力センサ５４の出力が読出される。ついで制御はブロック１６８に渡され、ここで電力センサ５４の出力が評価されて、患者に加えられている電力のレベルを確定し、更に治療が有効に加えられているかどうかを評価する。たとえば、センサ５４により大量の反射電力のある事が確定されると、多分この状態はプローブ１３が正しく接続されていないか、あるいは患者の口の中に正しく挿入されていないことを示している。
【００９０】
判断ブロック１６８で治療が正しく加えられていないことが確定すると、制御は判断ブロック１６９に渡され、ここで、正しい治療を検出せずに所定の制限時間が超過したかどうか判断される。制限時間を超過すれば、制御はブロック１７１に渡され、ここでアプリケーション記憶装置５２は、治療プロトコルに適合していない事を示す情報により更新される。
【００９１】
反対に、判断ブロック１６８で治療が正しく加えられていることが確定すると、制御はブロック１７２に渡され、ここで使用中の特定の変調周波数ブロックが終わりに到達したかどうか判断される。終わっていなければ制御は判断ブロック１５７に戻される。反対に、判断ブロック１７２で現在使用中の変調周波数ブロックの終わりに到達している事が確定されると、制御は判断ブロック１７３に渡され、ここで治療時間の終わりになったか判断される。終了していれば、制御はブロック１４８（図１３）に戻る。反対に、判断ブロック１７３で治療セッションの終わりに到達していなかった事が確定されると、制御はブロック１７４に渡され、ここで次の周波数ブロックがアプリケーション記憶装置５２から読出され、治療セッションを継続するため制御はブロック１５３に渡る。
【００９２】
電磁放射応用ルーチンの終わりで制御はもとに戻り、マイクロプロセッサ２１はブロック１４８で終了メッセージを表示し、ブロック１４９でシステムを自動的にオフに切り換える。
【００９３】
図１５、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０はアプリケーション記憶装置５２の代表的な構成を示す。理解されたい事は、本発明の精神と範囲を逸脱せずに、アプリケーション記憶装置５２に対する別の構成も可能であるということである。
【００９４】
図１５を参照すると、アプリケーション記憶装置５２には磁気的に符号化したカード１８１が含まれているが、カード１８１には磁気的に記録できる部分が含まれており、この部分に上に説明した制御情報と患者治療適合性情報が記憶される。
【００９５】
図１６を参照すると、アプリケーション記憶装置５２は半導体メモリ１８３を含んでいるが、半導体メモリ１８３は端子１８４を介してインタフェース１６に接続されている。半導体メモリ１８３は、アプリケーション制御情報と患者治療適合性情報を記憶するのに使用される。
【００９６】
つぎに図１７を参照すると、アプリケーション記憶装置５２は、接点１８７の背後に半導体が隠されているスマートカード１８６の形をしている。この半導体には、ある種の安全制御論理を有するメモリだけを含めても良いし、あるいは、インタフェース１６を介したホストマイクロプロセッサ２１との通信を援助する独立マイクロプロセッサを含めても良い。
【００９７】
図１８に示す通り、アプリケーション記憶装置５２は、キーの形をした構造体１８８の形をとっても良く、この中には、機能的に動作できるように電気端子１９２に接続された半導体メモリ１８９とマイクロプロセッサ１９１が含まれている。
【００９８】
図１９はコンパクト・ディスク読出し専用メモリ（ＣＤ  ＲＯＭ）１９３の形をしたアプリケーション記憶装置５２を示す。制御情報はＣＤ  ＲＯＭ１９３に光学的に符号化される。
【００９９】
最後に図２０に示す通り、アプリケーション記憶装置５２はパンチ・カード１９４の形をとっても良い。このカードの中で制御情報はパンチ孔１９６のパターンで具体的に表される。
【０１００】
本発明に従って、患者に対して変調された低エネルギ電磁放射を加えるシステムは、中枢神経系（ＣＮＳ）の障害に悩む患者の治療に有用である。このシステムを使用する場合、患者に変調された搬送波信号を与えるプローブは、特に患者の口の中に置かれるマウスピース・プローブによりその患者に接続されており、変調された低エネルギ電磁放射は前記プローブを介して患者に加えられている。異なる周波数で変調された少なくとも２つの低エネルギ電磁放射が患者に加えられ有益な結果が得られているが、この結果は単一周波数で変調された１種類だけの低エネルギ電磁放射が加えられる場合よりも改善されている。ＣＮＳ障害の特別治療のためには、異なる周波数で変調されたいくつかの離散的な電磁放射が患者に加えることが有効である。治療時間は患者に加えられる低エネルギ電磁放射の量に関係するが、治療中の障害の性質と希望する効果に依存する広い限界の間で変わって良い。しかしながら一般には、治療時間は少なくとも１日あたり１分であり、１日あたり数時間にわたって継続しても良いであろうが、通常は多くても１日あたり１時間であろう。最も望ましくは、治療時間は１日あたり少なくとも１０分で、この時間を２回あるいはそれ以上の利用回数に分割してよく、たとえば１回の利用時間あたり１０分から４５分の治療時間とするのが望ましい。
【０１０１】
例Ｉ：不眠症の治療
ＣＮＳ障害の１つで、本システムを使って治療し非常に成功したのは睡眠障害、特に不眠症であるが、不眠症は最も重要な睡眠障害である。臨床不眠症は、１９８７年、米国精神医学会から発行されている、精神障害の診断と統計的処理マニュアル（ＤＭＳ−ＩＩＩ−Ｒ）により定義されている。即ち、
【０１０２】
「不眠症の診断基準」
Ａ．とくに目立つ苦情は、睡眠を初めることとその維持が困難である、あるいは睡眠できても体力が回復しない（睡眠の量は適当だと思うが、休息できたと感じられない睡眠）というものである。
【０１０３】
Ｂ．Ａにおける障害が、１ケ月に少なくとも週に３回発生し、それは非常に厳しくて日中に倦怠感を感じるという苦情になったり、あるいは、短気になったり日中の動作が緩慢になったりするという睡眠障害にもとづく症状が第３者により観察される。
【０１０４】
Ｃ．「睡眠・覚醒スケジュール異常あるいは逆説不眠症（Ｐａｒａｓｏｍｎｉａ）」のあいだ、ときどき発生する。
【０１０５】
「３０７．４２１次不眠症に対する診断基準」
基準Ａ、Ｂ、Ｃにより定義された通り、身体的疾患、向精神薬使用による障害、あるいは薬物療法など、他の精神障害あるいは既知の器官による要因の何れによっても持続されない事が明らかな不眠症。
【０１０６】
不眠症を治療するために患者に加えられる低エネルギ電磁放射を変調する周波数は、以下に示す帯域幅から選択された２つあるいはそれ以上の周波数による変調が含まれるとき有効である事が判明している。即ち、１〜５ヘルツ、２１〜２４ヘルツ、４０〜５０ヘルツ、１００〜１１０ヘルツ、１７５〜２００ヘルツの周波数である。
【０１０７】
非常に限定された例として、不眠症に悩む患者に加えられる１組の低エネルギ電磁放射は次に示す周波数で変調され、１週間に毎日あるいは３回で、１日２０分にわたり指定された時間のあいだ患者に順番に加えられる。即ち、
プロトコルＰ４０：約２．７ヘルツで約６秒間、つぎに１秒のポーズ、約２１．９ヘルツで約４秒間、つぎに１秒のポーズ、約４２．７ヘルツで約３秒間、つぎに１秒のポーズ、約４８．９ヘルツで約３秒間、つぎに１秒のポーズ
【０１０８】
上記プロトコルＰ４０による周波数による変調と照射時間のセットを使用した調査が実行され、不眠症の治療における低エネルギ放射療法（ＬＥＥＴ）の効果がテストされた。
【０１０９】
事例ＩＡ；不眠症の治療
本調査の第１の終点（ｅｎｄｐｏｉｎｔ）は、睡眠ポリグラフィ（ＰＳＧ：ｐｏｌｙｓｏｍｎｏｇｒａｐｈｙ  ）により測定された睡眠の測定値（全睡眠時間（ＴＳＴ）および潜伏睡眠（ＳＬ：Ｓｌｅｅｐ  Ｌａｔｅｎｃｙ  ））を得ることと定義された。これもＰＳＧによって計量される第２の終点には、レム（ＲＥＭ：ｒａｐｉｄ  ｅｙｅ  ｍｏｖｅｍｅｎｔ：急速眼球運動）睡眠、ノンレム睡眠、入眠後目覚めた回数、入眠後の覚醒（ＷＡＳＯ）の測定値を得ることが含まれていた。治療に対する個々の反応の測定値も追加して患者の報告から引き出された。
【０１１０】
方法：
本調査はプラシーボ（偽治療）で制御された２重盲式の繰り返し測定による調査（ｐｌａｃｅｂｏ−ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ，  ｄｏｕｂｌｅ−ｂｌｉｎｄ，  ｒｅｐｅａｔｅｄ−ｍｅａｓｕｒｅｓ  ｓｔｕｄｙ  ）で、全部で３０人の被験者に対して行われた。治療には、本発明による１２ボルトのバッテリで駆動された装置が使用され、プロトコル４０に従って放射された。
【０１１１】
本調査に参加する３０人の被験者を選別するために４６人の被験者が睡眠ポリグラフィ（ＰＳＧ）による試験を受けた。ＰＳＧの基準に合致した被験者は、貨幣をはじいて（ｃｏｉｎ  ｆｌｉｐ  ）無作為化し治療グループに分けられた。３０人の被験者はすべて本調査を完了した。各被験者はテレビとラジオの広告を用いた潜在的な登録名簿にした
【０１１２】
本調査に入る前と本調査の期間中、各被験者に多数の格付け尺度が行われた。これらの尺度にはハミルトン不安格付け尺度（ＨＡＬＳ：Ｈａｍｉｌｔｏｎ  Ａｎｘｉｅｔｙ  Ｒａｔｉｎｇ  Ｓｃａｌｅ  ）、気分状態プロフィール（ＰＯＭＳ：Ｐｒｏｆｉｌｅ  ｏｆ  Ｍｏｏｄ  Ｓｔａｔｅｓ）、ホプキンズ症状チェックリスト（ＨＳＣＬ：Ｈｏｐｋｉｎｓ  Ｓｙｍｐｔｏｍ  Ｃｈｅｃｋ  Ｌｉｓｔ）、患者が報告した睡眠格付け尺度が含まれている。ＨＡＲＳ，ＰＯＭＳ、ＨＳＣＬは調査に入る前の精神医学による最初の選別のあいだに行われ、その後は週単位で行われて、本調査の終了時に行われた。本調査の期間中、毎日の睡眠の記録は患者により続けられた。患者は本調査の４週間にわたって毎週３回の治療を受け、２重盲式調査方法に従って実治療グループ（ａｃｔｉｖｅ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ  ｇｒｏｕｐ）あるいは非実治療グループ（ｉｎａｃｔｉｖｅ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ  ｇｒｏｕｐ）の何れかに無作為に割当てられた。低レベルの照明をした睡眠記録用の部屋のベッドに休み、仰向けの姿勢の患者に対して治療が行われた。
【０１１３】
調査に入る基準：
基準線（ｂａｓｅｌｉｎｅ）のＰＳＧ調査を受ける資格を得るために、被験者は選別され、内科の病気に起因しない慢性不眠症が集められた。現在、内科の病気にかかっていたり、（ＤＳＭ−ＩＩＩ−Ｒによる）精神科の病気や薬物やアルコール常習の患者や、ベンゾディアゼピン及び／或いはトランキライザを服用中の患者は除外された。
【０１１４】
本調査に入るためには、患者は（６ケ月以上の）慢性の不眠症に悩んでおり、かつＰＳＧによって確立された睡眠基準の３項目、即ち、３０分以上続く潜伏睡眠、１晩あたり３６０分以下の全睡眠時間（ＴＳＴ）、８５％以下の睡眠効率（全睡眠時間／全記録時間）のうち少なくとも２つの項目に合致している必要があった。被験者は、自分に決まっている就眠時間に研究室のベッドに行くように求められ、かつ眠りたいだけ眠って良い事になっていた。ベッドにいる時間が８．５時間以上で、かつその時当該患者が目覚めてベッドに横になっているという条件の場合にのみ、専門技術者が調査を終了した。
【０１１５】
統計的方法：
統計的に分析する目的で、治療グループの間の（前と後の）変化の得点の差を比較してスチューデントのｔ検定が行われた。妥当な場合には、線形回帰を使用して基準線の値に対する分析の調整が行われた。
【０１１６】
結果：
基準線の評価
合格しかつ資格のある３０人の被験者のうち、１５人が無作為にどちらかの治療グループに割当られた。実治療グループには４人の男性と１１人の女性が居た（平均年齢は３９才）。非実治療グループには６人の男性と７人の女性が居た（平均年齢は４１才）。被験者の平均年齢はグループ間で有為な差はなかった。
【０１１７】
基準線では、定義により全患者は強度の不眠症の基準に合致していた。調査グループの有する基準線における患者報告ＴＳＴ時間はほぼ同等であったが、患者報告およびＰＳＧ測定値によって決定されている通り、プラシーボ・グループの有する基準線における潜伏睡眠は長くなっていた（２０分より大）。治療前の睡眠パラメータは表ＩＩに要約されている。
【０１１８】
治療後の評価：間隔変化
３０名の全患者はテストを完了した。プラシーボ・グループにおけるＰＳＧ
ＴＳＴは、基準線の値に比較して調査の終了時に僅かに減少している（３３７．０±５７．２から３２６．０±１３０．５になり、ＴＳＴの変化は−１１．０±１２２．８でｐ＝０．７４）。同様に、治療前と治療後の患者報告ＴＳＴ測定値はプラシーボ・グループではほぼ等しかった（２６９．０±７３．６から２７４．３±１０３．２になり、ＴＳＴの変化は５±１２２でｐ＝０．８７）。これとは著しく異なり、ＰＳＧ測定ＴＳＴは実治療グループでは約９０分増加していた（２６５．９±６７．５から３５５．８±１０３．５になり、ＴＳＴの変化は８９．９±９３．９でｐ＝０．００２）。この所見は、実治療グループにより報告された患者報告改善値と一致する（２２１．７±１１２．３から３０４．０±１４４．７になり、ＴＳＴの変化は８２．３±１６９．０分でｐ＝０．０８）。
【０１１９】
またつぎのことは注目に値する。即ち、プラシーボ・グループにおけるＲＥＭ睡眠の割合は全睡眠時間の１７．３％から１８．３％に若干増加しただけであるが、実治療グループでは、全睡眠時間の１６．３％から２０．９％に増加した。潜伏睡眠の患者報告測定値は、実治療グループでは本調査の期間中に５０％以上改善された（１４５．８±１３３．２５から７０．７±６７．９になり、ｐ＝０．０３）が、プラシーボ・グループでは本調査の期間中に潜伏睡眠は若干増加した（７１．３±４１．２から８２．８±８４．８になり、ｐ＝０．５８）。
【０１２０】
副作用は表Ｉに要約されている。実治療グループの１患者は夢が多くなったと報告している。外には副作用は報告されていない。
【表１】
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【０１２１】
結論：
本調査に登録された被験者の睡眠は、ひどく妨害された睡眠基準であることが患者報告測定値およびＰＳＧの測定値の双方により示されている。実治療グループはＰＳＧ  ＴＳＴにおいて３４％の改善が示したが、プラシーボ・グループはＰＳＧ  ＴＳＴにおいて３％の減少を示した。グループ間のＴＳＴの変化における基準線からの有意な差は、実治療グループとプラシーボ・グループの基準線が大きく異なっていることだけでは説明することができなかった。補間処理を行ってこの基準線のＴＳＴを回帰モデルに追加しても両治療グループ間の差に対する適切な意味づけは生じなかった。
【０１２２】
患者報告の測定値はＰＳＧによる所見により確認された。即ち、プラシーボ・グループにおける２％の改善に比較して実治療グループにおいては３７％の改善があったのである。他のＰＳＧおよび患者報告の睡眠測定値も、実治療グループにおける改善はプラシーボ・グループに比較して大きく矛盾のないことを示した。これらの結果は、１日おきの（Ｐ４０プロトコルを使用した）ＬＥＥＴ療法によって、全睡眠時間を長くしかつ潜伏睡眠を短くすることによる不眠症の治療が成功したことを示している。更に、患者は睡眠のパターンが改善されたと感じている。治療後の睡眠パラメータは表ＩＩＩに要約されている。
【表２】
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【表３】
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【０１２３】
例ＩＢ：不眠症の治療
非内科疾患の不眠症の治療における低エネルギ放射療法（ＬＥＥＴ）の効果をテストするため、別の２重盲式患者報告調査（ｄｏｕｂｌｅ  ｂｌｉｎｄ，  ｐａｔｉｅｎｔ−ｒｅｐｏｒｔｅｄ  ｓｔｕｄｙ）を計画した。
【０１２４】
本調査の最初のＰＳＧは、患者によって報告される知覚睡眠（全睡眠時間と潜伏睡眠）測定値における両治療グループ間の差を検出することであった。
【０１２５】
方法：
調査は３人の被験者全体に対して行われた。治療には、１２ボルトのバッテリで駆動され、Ｐ４０プロトコルをつかった本発明による装置が用意された。全患者は本調査の全段階を完了した。非実治療グループには８人の男性と７人の女性が居た（平均年齢は４０才）。実治療グループには６人の男性と９人の女性が居た（平均年齢は３９才）。実治療グループと非実治療グループの人数の間で年齢の有為な差はなかった。
【０１２６】
本調査に入る前と本調査の期間中、各被験者に多数の格付け尺度が行われた。これらの尺度にはハミルトン不安格付け尺度（ＨＡＬＳ）、気分状態プロフィール（ＰＯＭＳ）、ホプキンズ症状チェックリスト（ＨＳＣＬ）、患者が報告した睡眠格付け尺度が含まれている。ＨＡＲＳ、ＰＯＭＳ、ＨＳＣＬは調査に入る前の精神医学による最初の選別のあいだに行われ、その後は週単位で行われ、本調査の終了時に行われた。本調査の期間中、患者が報告する毎日の睡眠格付け尺度は患者により記録された。患者は本調査の４週間にわたって毎週３回の治療を受け、２重盲式調査方法に従って実治療グループあるいは非実治療グループの何れかに無作為に割当てられた。低レベルの照明をした睡眠記録用の部屋のベッドに休み、仰向けの姿勢の患者に対して治療が行われた。治療を中止した後２週間、患者は睡眠データの記録をとり続けた。
【０１２７】
調査に入る基準：
この調査に募集されたのは２０才から５０才の間の患者であった。本調査に入るためには、患者は（６ケ月以上の）慢性の不眠症に悩んでおり、かつＰＳＧによって確立された睡眠基準の３項目、即ち、患者が報告する３０分以上続く潜伏睡眠、患者が報告する１晩あたり３６０分以下の全睡眠時間（ＴＳＴ）、患者が報告する８５％以下の睡眠効率（全睡眠時間／全記録時間で計算される）のうち少なくとも２つの項目に合致している必要があった。現在、内科の病気にかかっていたり、（ＤＳＭ−ＩＩＩ−Ｒによる）精神科の病気や、薬物やアルコール依存症の患者は除外された。
【０１２８】
統計的方法：
統計的に分析する目的で、治療グループの間の（前と後の）変化の得点の差を比較してスチューデントのｔ検定が行われた。
【０１２９】
結果：
本調査の過程を通して、各患者は自分の全睡眠時間および潜伏睡眠を推定するように依頼された。電話インタービューの時の患者報告の潜伏睡眠および患者報告の全睡眠時間と、前の晩に治療しその翌日の朝に得られた患者報告の潜伏睡眠および患者報告の全睡眠時間との間の比較を行った。全睡眠時間については、プラシーボ・グループと比較して、実治療グループでは３倍以上の増加を伴う高度に有意な差（両側で、ｐ＝０．００２１）が見られた。また実治療グループでは基準線と比較して潜伏睡眠が５０％以上減少することも示された。睡眠に関する患者の報告は表ＩＶに要約されている。
【表４】
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【０１３０】
他の測定パラメータに対しては２つのグループの間で統計的に有意な差は見られなかった。全睡眠時間あるいは潜伏睡眠の何れの変化によっても評価できるように、第１あるいは第２の夜に不眠症反跳（ｒｅｂｏｕｎｄ  ｉｎｓｏｍｎｉａ）はなかった。更に、治療を中止した後の２週間に効果反跳（ｒｅｂｏｕｎｄ  ｅｆｆｅｃｔ）の事実はなかった。再発不眠症の分析は表Ｖに要約されている。
【表５】
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【０１３１】
本調査の副作用は表ＶＩに要約されている。
【表６】
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【０１３２】
結論：
患者が報告した全睡眠時間の測定値に基づくと、バッテリ駆動のシステムを使用したＬＥＥＴによる治療は不眠症の治療に高い効果がある。
【０１３３】
睡眠に関する患者の報告：上記２つの不眠症の調査を組み合わせた総合分析（ｍｅｔａ−ａｎａｌｙｓｉｓ  ）
前記２つの調査から睡眠に関する患者の報告の総合分析が表ＶＩＩに示されている。これらの調査は、調査への参入・除外基準および調査計画（プラシーボで制御された２重盲式の４週間の調査）という意味では同じであった。６０人の被験者（グループあたり３０人）からのデータを使って行われたこの分析によれば、非実治療グループでは（ｐ＝０．０２５で）変化がないのに対して実治療グループでは、潜伏睡眠が５２分減少したことを示している。全睡眠時間はプラシーボ・グループでは（ｐ＝０．００５で）２８分の増加なのに対し、実治療グループでは１２８分増加した。
【表７】
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【０１３４】
例ＩＩ：一般的になった不安症および恐怖発作（ｐａｎｉｃ  ａｔｔａｃｋｓ  ）の治療
上に説明した通り、異なる周波数で変調されたいくつかの離散的な電磁放射が、ＣＮＳ障害の特殊治療をする患者に加えられる。全睡眠時間および潜伏睡眠における改善は統計的に有意であることが上に報告されているが、これに基づいて低エネルギ放射療法（ＬＥＥＴ）は、更に別のＣＮＳ障害、より詳細には一般的になった不安症および恐怖発作に適用できるように開発計画が進められてきた。これに対して、低エネルギ電磁放射の変調周波数は以下に示す帯域幅内にあるとよいことが解った。即ち、１〜５ヘルツ、１４〜１７ヘルツ、４０〜５０ヘルツ、１７５〜２００ヘルツ、１７５〜２００ヘルツの周波数の帯域幅である。より詳細には、一連の離散的変調が上記帯域幅から選択され、異なる時刻に加えられる。１つの特殊な例には、約１．４ヘルツで約４０秒間、約２．８ヘルツで約２０秒間、約３．４ヘルツで約１５秒間の放射が含まれており、別のグループには、約３．４ヘルツで約１５秒間、約１４．６ヘルツで約４秒間、約４２．７ヘルツで約２秒間、約４８．９ヘルツで約２秒間、    約１８９．７ヘルツで約１秒間の放射が含まれている。
【０１３５】
たとえば、周波数の第１のグループは、各治療日の朝の間に約１５分間順番に連続して患者に加えて良く、周波数の第２のグループは、各治療日の夜間に約３０分間順番に連続して患者に加えて良い。
【０１３６】
不安症に悩む患者の治療に上記の放射基準を用いた場合の結果は以下のように報告されている。
【０１３７】
方法：
被験者が募集された。インフォームド・コンセントを実施した後、被験者はＤＭＳ−ＩＩＩによる構造化臨床面接診断（ＳＣＩＤ：Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ  Ｃｌｉｃｉｃａｌ  Ｉｎｔｅｒｖｉｅｗ  ｆｏｒ  ＤＭＳ−ＩＩＩ  Ｄｉａｇｎｏｓｉｓ  ）による面接を受け、各種の症状はハミルトン不安尺度（Ｈａｍ−Ａ）（ハミルトン、「格付けによる不安状態の審査」英国医療心理学ジャーナル、３２：ページ５０−５５、１９５９年（Ｈａｍｉｌｔｏｎ，  ”Ｔｈｅａｓｓｅｓｓｍｅｎｔ  ｏｆ  Ａｎｘｉｅｔｙ  Ｓｔａｔｅｓ  ｂｙ  Ｒａｔｉｎｇ，”  Ｂｒ．  Ｊ．  Ｍｅｄ．  Ｐｓｙｃｈｏｌ．，  ３２：ｐｐ．  ５０−５５，  １９５９  ））と３１項目のハミルトンうつ病格付け尺度（Ｈａｍ−Ｄ）（ハミルトン、「    うつ病に対する格付け尺度」、精神医療・神経外科ジャーナル、５３：ページ５６−６２、１９６０年（Ｈａｍｉｌｔｏｎ，”Ａ  Ｒａｔｉｎｇ  Ｓｃａｌｅ  ｆｏｒ  Ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ，”  Ｊ．  Ｎｅｕｒｏｌ．  Ｎｅｕｒｏｓｕｒｇ．  Ｐｓｙｃｈｉａｔ．，  ５３：ｐｐ．  ５６−６２，  １９６０  ））の構造化面接版をつかって格付けされた。身体検査が行われ、研究所で選別するために各患者の血液が採取された。
【０１３８】
下記の条件に合致した被験者が調査に入ることになった。
【０１３９】
参入基準
１．年齢が１８才から５０才であること
２．インフォームドコンセントができること
３．最低３カ月間、一般になった不安症あるいは不安な気分のある適応症（Ａｄｊｕｓｔｍｅｎｔ  ｄｉｓｏｒｄｅｒ  ）のＤＳＭ−ＩＩＩ−Ｒ基準に合致していること
４．ハミルトン不安尺度（ＨＡＭ−Ａ）が１８に等しいか１８より大きいこと
【０１４０】
除外基準
１．過去３カ月間、薬物乱用のＤＳＭ−ＩＩＩ−Ｒ基準に合致していること
２．低強度電磁場に対しては禁忌であることが判っている（妊娠中の患者、あるいは近く妊娠しようとしている患者を含む）こと
３．現在躁病状態、軽躁状態、あるいは混合再発性うつ病（Ｍｉｘｅｄ−Ｅｐｉｓｏｄｅ  Ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ）、気分変調、循環気質のＤＳＭ−ＩＩＩ−Ｒ基準に合致していること
４．恐怖症、強迫神経症、精神分裂病、精神分裂病型の感情障害（Ｓｃｈｉｚｏａｆｆｅｃｔｉｖｅ  ｄｉｓｏｒｄｅｒ）の履歴があること
５．選別インタービューのとき激しい自殺願望があることがわかったこと
６．選別訪問したときの１週間以内に不安緩解剤による薬物治療をしていたこと
７．前から１２週間、向精神薬を不定期に使用していたこと
８．６カ月前に新規の心理療法を始めたこと
９．本調査の進行過程中に新規の心理療法を始めることを計画していること
【０１４１】
被験者は、家庭でＬＥＥＴを使用できるように口頭および筆記試験を受けた。毎日の治療として、毎朝１５分間と毎晩３０分間の放射を浴びることになっていた。装置は、被験者が上顎に向けて挿入したアンテナを介して、選択したＡＭ周波数ＲＦＥＭ波を与えるように予めプログラムされていた。被験者は目を閉じて横たわりながら本装置を使用するように指示された。あらゆる格付けがオープンの状態で行われた。６週間の治療後、装置は回収された。被験者は、治療中止後第２週と第４週のフォローアップの訪問に対して報告した。
【０１４２】
結果：
本プロトコルに参画した４人の女性と６人の男性に対して結果が報告された。表ＶＩＩＩに示す通り、Ｈａｍ−Ａの平均は、第１週の治療後、２３．４から８．１に改善した。第３週の治療により、１０人中９人の患者について、Ｈａｍ−Ａに関する自分達の基準線得点の少なくとも５０％が改善されたことが示された。一般的にいって改善は第６週目までずっと持続した。治療後のフォローアップを通じて、治療の中止後もある患者には治療の効果が持続していることが判明した。治療の中止後、多くの患者はＨａｍ−Ｄの若干の増加を経験したが、不安症の反跳を報告した患者は１人もいなかった。またＨａｍ−Ｄの平均得点も基準線における１５．０１から改善して、第１週の治療後はずっと６以下となっていた。
【表８】
0003609440.tif 000020
【０１４３】
検討：
この結果はいくつかの理由から注目に値する。第１に、ＬＥＥＴは全く新しい治療パラダイムであり、興味深い副作用のパターンと、不安症と関連障害を治療する可能性を提供していることである。第２に、この結果から効果の大きさおよび臨床的に有意な改善が得られた患者のパーセンテージの双方に大きな自信が得られたことである。第３に、改善された期間を考えると、観察した効果の全ての例にプラシーボ反応が影響しているという可能性は小さいということと、さらに前に行った制御された調査と、効き目の高いベンゾディアゼピン及び／或いは抗うつ剤を使って以前に行った公開の治療とにおいて、何人かの患者は改善に失敗したということである。２重盲式条件で更に行った研究では、ＬＥＥＴを臨床で使用する場合の用途が明確化し、かつその効果が確立したことを示している。
【０１４４】
いくつかの実施例を参照して本発明を説明してきたが、当業者ならば、本発明の精神と範囲から逸脱せずにこれら実施例に対する追加、削除、変更ができることを理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による、変調された低エネルギ放射を患者に加えるシステム。
【図２】図１のシステムの回路のブロック図。
【図３】図２の回路の変調信号発生器の詳細な模式図。
【図４】図２の回路に使用される変調信号バッファと搬送波発振器の詳細な模式図。
【図５】図２の回路のＡＭ変調・電力発生器と出力フィルターの詳細な模式図。
【図６】図２の回路のインピーダンス変成器の詳細な模式図。
【図７】図２の回路の放射センサ回路の詳細な模式図。
【図８】図２の回路に使用される出力電力センサ回路の詳細な模式図。
【図９】図２の回路に使用されるディスプレイ・モジュールの詳細な模式図。
【図１０】図２の回路に使用される電力供給回路の詳細な模式図。
【図１１】本発明による、図１および図２のシステムの動作方法の流れ図。
【図１２】本発明による、図１および図２のシステムの動作方法の流れ図。
【図１３】本発明による、図１および図２のシステムの動作方法の流れ図。
【図１４】本発明による、図１および図２のシステムの動作方法の流れ図。
【図１５】本発明により使用するアプリケーション記憶装置の例。
【図１６】本発明により使用するアプリケーション記憶装置の例。
【図１７】本発明により使用するアプリケーション記憶装置の例。
【図１８】本発明により使用するアプリケーション記憶装置の例。
【図１９】本発明により使用するアプリケーション記憶装置の例。
【図２０】本発明により使用するアプリケーション記憶装置の例。
【符号の説明】
１１    適用システム
１２    同軸ケーブル
１３    プローブ
１４    インピーダンス変成器
１６    インタフェース
１７    ディスプレイ
１８    オン・ボタン
１９    オフ・ボタン
２０    変調信号
２１    マイクロプロセッサ
２２    アドレス・バス
２３    データ・バス
２４    システム・クロック
２５、５０、１０１  Ｉ／Ｏライン
２６    クロック用水晶
２７、２８、４９、５１、８１、８４  コンデンサ
２９    可制御型発生器回路
３２    搬送波信号発振器
３３    発振器ディスエーブル・ライン
３４    ＡＭ変調・電力発生器
３５    変調信号バッファー増幅器
３６    搬送波信号ライン
３７    信号ライン
３８    変調搬送波信号ライン
３９    フィルター回路
４０    放射器出力フィルター
４１    波形アドレス発生器
４２  波形アドレス・バス
４３    変調信号記憶装置
４４    変調信号バス
４５    拡張Ｉ／Ｏライン
４６    ディジタル・アナログ変換器
４７    選択フィルター
４８、８５    抵抗器
５２    アプリケーション記憶装置
５３  放射センサー
５４  電力センサー
５６    電力センス・ライン
５７    バッテリ充電コントローラ
５８    −ｄＶ検出器
６１、６２、１０２、１０３、１０４、１０５  ＮＡＮＤゲート
６６、６７、８６、１０６  トランジスタ
６８、６９、７９  インダクタ
７０、７１、７２  ＬＣ共振回路
７３、７４、７６  ＬＣフィルター・ステ−ジ
７７    直列抵抗器
７８    出力コネクタ
８２    アンテナ
８３    ダイオード
８７    低レベル信号ライン
８８    双方向カプラ
８９、９０    検出回路
９１    差動増幅器
９２、９４    抵抗性分圧器
９３    アナログ・ディジタル変換器
９５    再充電型バッテリ
９６    コネクタ
９７    電圧調整器
９８、９９  リレー
１０７    自動オフ・ライン
１０８    バッテリ電圧モニタ
１０９    ディスプレイ・モジュール
１１０    サウンド制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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