(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理部を有する基板処理装置と、
この基板処理装置とは別に設置され、空気の温度および湿度を調節し制御する温湿度制御部を有し、温度および湿度が管理された空気を基板処理装置の前記基板処理部へ供給する温湿度管理装置とから構成された基板処理システムにおいて、
前記温湿度管理装置に、前記温湿度制御部に取り込まれる前の空気から特定の化学物質を除去する物質除去手段を一体に組み込み、前記物質除去手段の前段側に、外気を取り入れて物質除去手段へ空気を送り込む第１の送風手段を配設するとともに、前記温湿度制御部の後段側に、温湿度制御部から温度および湿度が管理された空気を前記基板処理装置の基板処理部へ送給する第２の送風手段を設け、前記物質除去手段の空気流出側と前記温湿度制御部の空気流入側とを配管により流路接続して、前記物質除去手段から前記第２の送風手段の吸込み口へ至る空気流路が温湿度管理装置の周囲の気圧に対し陽圧に保たれるようにしたことを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
基板を処理する基板処理部を有する基板処理装置と、
この基板処理装置とは別に設置され、空気の温度および湿度を調節し制御する温湿度制御部を有し、温度および湿度が管理された空気を基板処理装置の前記基板処理部へ供給する温湿度管理装置とから構成された基板処理システムにおいて、
前記温湿度管理装置に、前記温湿度制御部に取り込まれる前の空気から特定の化学物質を除去する物質除去手段を一体に組み込み、前記物質除去手段の前段側に、外気を取り入れて物質除去手段へ空気を送り込む第１の送風手段を配設するとともに、前記温湿度制御部の後段側に、温湿度制御部から温度および湿度が管理された空気を前記基板処理装置の基板処理部へ送給する第２の送風手段を設けて、前記物質除去手段から前記第２の送風手段の吸込み口へ至る空気流路が温湿度管理装置の周囲の気圧に対し陽圧に保たれるようにし、さらに、前記第２の送風手段の吹出し口と前記基板処理装置の基板処理部とを接続する空気流路と、前記物質除去手段の空気流出側と前記温湿度制御部の空気流入側とを連絡する空気流路との間をバイパス流路で連通させ、前記温湿度制御部から吹き出される温度および湿度が管理された空気の一部を、前記バイパス流路を通して温湿度制御部の空気流入側の手前側へ還流させるようにしたことを特徴とする基板処理システム。
【請求項３】
前記温湿度管理装置に前記温湿度制御部と前記物質除去手段とが上下方向に配設された請求項１または請求項２記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記温湿度制御部が下方に配設され、その上方側に前記物質除去手段が配設された請求項３記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハなどの基板に対して表面処理を施すのに使用される半導体製造装置などの基板処理装置を含み、その基板処理装置へ空気および湿度が管理された空気を供給する温湿度管理装置を備えた基板処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の表面処理装置、例えば、半導体ウエハの表面にフォトレジストを塗布しそれを乾燥させて、ウエハ表面にフォトレジスト膜を被着形成する半導体製造装置では、塗布処理部や加熱処理部、ウエハ搬送部などの雰囲気を清浄に保つために、ダストフィルタを通して空気中の微小なダストを吸着除去するとともに、化学吸着フィルタを通して空気中のアンモニアなどの微量ガスを化学吸着反応で除去し、そのように清浄化処理された空気を各ウエハ処理部やウエハ搬送部へ供給するようにしている。また、塗布処理部では、処理雰囲気の温度や湿度によってフォトレジストの性状が変化し塗布膜厚などの塗布品質に影響が出るため、さらに温湿度コントロールユニットにより温度および湿度も管理された空気を塗布処理部へ供給するようにしている。
【０００３】
図２は、基板処理装置を含む従来の基板処理システムの概略構成の１例を示す模式的断面図である。この基板処理システムは、基板処理装置７０と微量ガス除去ユニット７２と温湿度コントロールユニット７４とから構成されている。基板処理装置７０は、この例では、スピンコータ７８を有する塗布処理部７６と、ベーク部（加熱処理部）８０と、搬送ユニット８４が設けられたウエハ搬送部８２とを備えている。塗布処理部７６では、例えば化学増幅型レジストの塗布処理が行われる。微量ガス除去ユニット７２は、密閉された筐体８６内にファン８８を内蔵し、そのファン８８の吸込み口側が外気（雰囲気空気）に連通し、ファン８８の吹出し口側に、空気中の微量ガス、例えばアンモニアガスを化学吸着反応で除去する化学吸着フィルタ９０が配設されている。微量ガス除去ユニット７２の空気流出口９２は、ダクト９４、９６を通して基板処理装置６０のベーク部８０およびウエハ搬送部８２の空気流入口９８に接続されている。ベーク部８０およびウエハ搬送部８２の上部には、ダストフィルタ、例えばウルパフィルタ（ＵＬＰＡ、Ｕｌｔｒａ  ｌｏｗ  ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ  ａｉｒ−ｆｉｌｔｅｒ）１００が配設されていて、微量ガス除去ユニット７２によってアンモニアガスが除去された空気がウルパフィルタ１００を通過することにより、空気中から微小なダストが吸着除去され、アンモニアガスと共に微小なダストが除去された清浄な空気がベーク部８０およびウエハ搬送部８２へ供給されるようになっている。
【０００４】
微量ガス除去ユニット７２の空気流出口９２に接続されたダクト９４は、途中で分岐し、ダクト１０２を通して温湿度コントロールユニット７４の空気流入口に接続されている。温湿度コントロールユニット７４は、図示していないが、ファンならびに冷却部、加熱部および加湿部を備えており、制御器により空気の温度および湿度を所望通りに調節し制御して、温度および湿度が管理された空気を送り出す。温湿度コントロールユニット７４の空気流出口は、ダクト１０４を通して基板処理装置７０の塗布処理部７６の空気流入口１０６に接続されている。塗布処理部７６の上部には、ダストフィルタ、例えばウルパフィルタ１０８が配設されていて、微量ガス除去ユニット７２によってアンモニアガスが除去されるとともに温湿度コントロールユニット７４によって温度および湿度が管理された空気がウルパフィルタ１０８を通過することにより、空気中から微小なダストが吸着除去される。そして、温度および湿度が管理されアンモニアガスと共に微小なダストが除去された清浄な空気が塗布処理部７６へ供給されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図２に示したような従来の基板処理システムでは、微量ガス除去ユニット７２と温湿度コントロールユニット７４とが別々に設置されているので、処理システム全体としてのフットプリントが大きくなる。また、微量ガス除去ユニット７２と温湿度コントロールユニット７４とをダクト９４、１０２によって接続し、微量ガス除去ユニット７２で空気中のアンモニアガスを除去した後ダクト９４、１０２を通して温湿度コントロールユニット７４へ空気を送るので、圧力損失が大きくなり、このため、ファンの容量を大きくする必要があり、コスト高や消費電力の増大を招くことになる。また、処理システム全体のフットプリントを小さくするために微量ガス除去ユニット７２および温湿度コントロールユニット７４を床下に設置すると、圧力損失がますます大きくなってしまう。さらに、従来の処理システムでは、基板処理装置７０の周囲に太いダクトがはい回ることになって、見栄えも悪い、といった問題点がある。
【０００６】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板を処理する基板処理部を有する基板処理装置と、温度および湿度が管理された空気を基板処理装置の基板処理部へ供給する温湿度管理装置とを含む基板処理システムにおいて、処理システム全体としてのフットプリントを小さくするとともに、空気送給時の圧力損失を低減させて、使用される空気送給手段の容量を小さくすることができ、また、基板処理装置の周囲の見栄えも良くすることができるような基板処理システムを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、基板を処理する基板処理部を有する基板処理装置と、この基板処理装置とは別に設置され、空気の温度および湿度を調節し制御する温湿度制御部を有し、温度および湿度が管理された空気を基板処理装置の前記基板処理部へ供給する温湿度管理装置とから構成された基板処理システムにおいて、前記温湿度管理装置に、前記温湿度制御部に取り込まれる前の空気から特定の化学物質を除去する物質除去手段を一体に組み込み、前記物質除去手段の前段側に、外気を取り入れて物質除去手段へ空気を送り込む第１の送風手段を配設するとともに、前記温湿度制御部の後段側に、温湿度制御部から温度および湿度が管理された空気を前記基板処理装置の基板処理部へ送給する第２の送風手段を設け、前記物質除去手段の空気流出側と前記温湿度制御部の空気流入側とを配管により流路接続して、前記物質除去手段から前記第２の送風手段の吸込み口へ至る空気流路が温湿度管理装置の周囲の気圧に対し陽圧に保たれるようにしたことを特徴とする。
【０００８】
請求項２に係る発明は、基板を処理する基板処理部を有する基板処理装置と、この基板処理装置とは別に設置され、空気の温度および湿度を調節し制御する温湿度制御部を有し、温度および湿度が管理された空気を基板処理装置の前記基板処理部へ供給する温湿度管理装置とから構成された基板処理システムにおいて、前記温湿度管理装置に、前記温湿度制御部に取り込まれる前の空気から特定の化学物質を除去する物質除去手段を一体に組み込み、前記物質除去手段の前段側に、外気を取り入れて物質除去手段へ空気を送り込む第１の送風手段を配設するとともに、前記温湿度制御部の後段側に、温湿度制御部から温度および湿度が管理された空気を前記基板処理装置の基板処理部へ送給する第２の送風手段を設けて、前記物質除去手段から前記第２の送風手段の吸込み口へ至る空気流路が温湿度管理装置の周囲の気圧に対し陽圧に保たれるようにし、さらに、前記第２の送風手段の吹出し口と前記基板処理装置の基板処理部とを接続する空気流路と、前記物質除去手段の空気流出側と前記温湿度制御部の空気流入側とを連絡する空気流路との間をバイパス流路で連通させ、前記温湿度制御部から吹き出される温度および湿度が管理された空気の一部を、前記バイパス流路を通して温湿度制御部の空気流入側の手前側へ還流させるようにしたことを特徴とする。
請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２記載の基板処理システムにおいて、温湿度管理装置に温湿度制御部と物質除去手段とを上下方向に配設したことを特徴とする。
【０００９】
請求項４に係る発明は、請求項３記載の基板処理システムにおいて、温湿度制御部を下方に配設し、その上方側に物質除去手段を配設したことを特徴とする。
【００１２】
請求項１に係る発明の基板処理システムにおいては、温湿度管理装置内に外気が取り入れられ、その取り入れられた空気は、物質除去手段によってアンモニアガスなどの特定の化学物質が除去された後、温湿度制御部へ流入し、温湿度制御部において空気の温度および湿度が調節制御され、特定の化学物質が除去され温度および湿度が管理された空気が温湿度管理装置から送り出され、その空気が基板処理装置の基板処理部へ送給される。そして、この基板処理システムでは、温湿度管理装置に温湿度制御部と共に物質除去手段が一体に組み込まれているので、従来の処理システムに比べてフットプリントが小さくなる。また、物質除去手段と温湿度制御部とは、温湿度管理装置の内部流路によって接続されているので、従来の処理システムにおけるように各ユニットがダクトを通して接続されているものに比べ、空気送給時の圧力損失が小さくなる。
また、第１の送風手段により、温湿度管理装置内へ外気が取り入れられて物質除去手段へ送給され、物質除去手段から配管を通って温湿度制御部へ特定の化学物質が除去された空気が送給される。そして、第２の送風手段により、特定の化学物質が除去され温度および湿度が管理された空気が温湿度管理装置から基板処理装置の基板処理部へ送給される。この場合に、温湿度管理装置の内部の物質除去手段から第２の送風手段の吸込み口へ至る空気流路が温湿度管理装置の周囲の気圧に対し陽圧に保たれていることにより、例え前記空気流路の途中に外気とリークする個所があったとしても、温湿度管理装置内への外気の吸い込みが防止され、特定の化学物質が除去されないままの空気が温湿度管理装置から基板処理装置の基板処理部へ送られることが避けられる。
【００１３】
請求項２に係る発明の基板処理システムにおいては、温湿度管理装置内に外気が取り入れられ、その取り入れられた空気は、物質除去手段によってアンモニアガスなどの特定の化学物質が除去された後、温湿度制御部へ流入し、温湿度制御部において空気の温度および湿度が調節制御され、特定の化学物質が除去され温度および湿度が管理された空気が温湿度管理装置から送り出され、その空気が基板処理装置の基板処理部へ送給される。そして、この基板処理システムでは、温湿度管理装置に温湿度制御部と共に物質除去手段が一体に組み込まれているので、従来の処理システムに比べてフットプリントが小さくなる。また、物質除去手段と温湿度制御部とは、温湿度管理装置の内部流路によって接続されているので、従来の処理システムにおけるように各ユニットがダクトを通して接続されているものに比べ、空気送給時の圧力損失が小さくなる。
また、第１の送風手段により、温湿度管理装置内へ外気が取り入れられて物質除去手段へ送給され、物質除去手段から温湿度制御部へ特定の化学物質が除去された空気が送給される。そして、第２の送風手段により、特定の化学物質が除去され温度および湿度が管理された空気が温湿度管理装置から基板処理装置の基板処理部へ送給される。この場合に、温湿度管理装置の内部の物質除去手段から第２の送風手段の吸込み口へ至る空気流路が温湿度管理装置の周囲の気圧に対し陽圧に保たれていることにより、例え前記空気流路の途中に外気とリークする個所があったとしても、温湿度管理装置内への外気の吸い込みが防止され、特定の化学物質が除去されないままの空気が温湿度管理装置から基板処理装置の基板処理部へ送られることが避けられる。
さらに、一般に温湿度制御部の制御可能流量は固定されているが、この基板処理システムでは、温湿度制御部の制御可能流量が温湿度管理装置から基板処理装置の基板処理部への送給流量よりも多いときに、物質除去手段で特定の化学物質が除去され温湿度制御部で温度および湿度が調節制御された空気の余剰分が、そのまま廃棄されることなく、バイパス流路を通して温湿度制御部の空気流入側の手前側へ還流させられる。このため、物質除去手段が効率良く使用されるとともに、温湿度制御部の負荷を軽減させることができる。
請求項３に係る発明の基板処理システムでは、温湿度管理装置に温湿度制御部と物質除去手段とが上下方向に配設されていることにより、温湿度管理装置のフットプリントが小さくなる。
【００１４】
請求項４に係る発明の基板処理システムでは、物質除去手段によって特定の化学物質が除去された空気は、下向きに流れて温湿度制御部へ流入する。そして、温湿度制御部の上方側に物質除去手段が配設されていることにより、温湿度管理装置のフットプリントが小さくなる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図１を参照しながら説明する。
【００１８】
図１は、この発明の実施形態の１例を示し基板処理システムの概略構成を示す模式的断面図である。この基板処理システムは、基板処理装置１０と温湿度管理装置１２とから構成されている。基板処理装置１０は、この例では、図２に示したものと同様に、スピンコータ１６を有する塗布処理部１４と、ベーク部１８と、搬送ユニット２２が設けられたウエハ搬送部２０とを備えて構成されている。
【００１９】
基板処理装置１０のベーク部１８およびウエハ搬送部２０と塗布処理部１４とは、雰囲気的に隔絶されており、ベーク部１８およびウエハ搬送部２０の上部には空調装置２４が設置されている。空調装置２４は、一次化学吸着フィルタ２６、ファンユニット２８および二次化学吸着フィルタ３０ならびにダストフィルタ、例えばウルパフィルタ３２から構成されている。ファンユニット２８は、上面および下面が開口した矩形枠内に回転翼が収納された構成を有し、一次・二次化学吸着フィルタ２６、３０はそれぞれ、上面および下面が開口した矩形枠内にフィルタ素材を収納して構成されており、一次化学吸着フィルタ２６、ファンユニット２８および二次化学吸着フィルタ３０を上下方向に重ね合わせ、上下方向において互いに対向する面をそれぞれ気密に接合して、全体が箱形に形成されている。この箱形に一体化されたユニットの下方側にウルパフィルタ３２が配設されている。そして、ファンユニット２８を駆動させることにより、一次化学吸着フィルタ２６の上面開口を通して雰囲気的空気が空調装置２４内へ吸い込まれ、その吸い込まれた空気は、一次化学吸着フィルタ２６および二次化学吸着フィルタ３０を通過する間にアンモニアガスが除去された後、ウルパフィルタ３２を通過する間に微小なダストが吸着除去される。このようにしてアンモニアガスおよび微小なダストが除去された清浄空気が、空調装置２４からベーク部１８およびウエハ搬送部２０へ下向きに供給される。
【００２０】
また、塗布処理部１４の上部にはウルパフィルタ３４が配設されている。そして、後述するように温湿度管理装置１２においてアンモニアガスが除去されるとともに温度および湿度が管理されて、温湿度管理装置１２からダクト４０を通して基板処理装置１０の塗布処理部１４の空気流入口３６へ送給された空気が、ウルパフィルタ３４を通過する間に、空気中から微小なダストが吸着除去され、温度および湿度が管理されアンモニアガスと共に微小なダストが除去された清浄な空気が塗布処理部１４へ供給されるようになっている。また、空気流入口３６からウルパフィルタ３４へ至る空気流路の途中に、空気の温度および湿度を検知するセンサ３８が配設されている。このセンサ３８によって検知された温度および湿度の検知信号は、後述する温湿度管理装置１２の温湿度コントロール部の制御器へ送られる。
【００２１】
温湿度管理装置１２は、密閉された筐体４２内において、その上方側に第１ファン４４、一次化学吸着フィルタ４６、二次化学吸着フィルタ４８を配設し、その下方側に、温湿度コントロール部５０および第２ファン５２を配設して構成されている。第１ファン４４は、吸込み口が外気に連通しており、吹出し口が、第１フィルタ室５４内に収納された一次側ダクト５５の空気流入側に連通している。そして、一次側ダクト５５の空気流出側は、同じく第１フィルタ室５４内に収納された一次化学吸着フィルタ４６にパッキン６１を介して気密に接続されている。また、第２フィルタ室５８内には、二次化学吸着フィルタ４８と二次側ダクト５９とが収納されており、二次側ダクト５９は、その空気流入側が、パッキン６１を介して二次化学吸着フィルタ４８に気密に接続され、その空気流出側が、接続流路６４に連通している。一次側ダクト５５は、中間室５６を介して二次側ダクト５９に流路接続している。第１フィルタ室５４および第２フィルタ室５８はそれぞれ、メンテナンスカバー６０によって開放可能に閉塞されており、メンテナンスカバー６０を取り外すことにより、化学吸着フィルタ４６、４８の変換、点検等のメンテナンスを行うことができるようになっている。中間室５６には、サンプリングポート６２が形設されている。このサンプリングポート６２を通して適宜、一次化学吸着フィルタ４６を通過した後の空気をサンプリングし、その空気中のアンモニアガス濃度を測定することにより、一次化学吸着フィルタ４６の寿命が来ていないかどうかを検知する。
【００２２】
第２フィルタ室５８は、接続流路６４を通して温湿度コントロール部５０の空気流入口に接続されている。温湿度コントロール部５０は、図示していないが、冷却部、加熱部および加湿部を備えており、基板処理装置１０側に設けられたセンサ３８の検知信号に基づいて制御器により空気の温度および湿度を所望通りに調節し制御する。温湿度コントロール部５０の空気流出口は第２ファン５２の吸込み口に連通しており、第２ファン５２の吹出し口にダクト４０が接続されていて、ダクト４０の末端部が基板処理装置１０の塗布処理部１４の空気流入口３６に接続されている。また、ダクト４０は、途中で分岐して、バイパス管路６６を通し接続流路６４に連通している。さらに、温湿度管理装置１２には、マノメータ６８が設けられており、その検出端が温湿度コントロール部５０の空気流出口と第２ファン５２の吸込み口との間の管路に挿入されている。
【００２３】
第１ファン４４の容量と第２ファン５２の容量とは、マノメータ６８により確認しながら、第２ファン５２の吸込み口の手前側で検出された圧力が陽圧となるような関係に設定される。これにより、一次側ダクト５５、中間室５６、二次側ダクト５９、接続流路６４および温湿度コントロール部５０の各内部が、その外部の気圧に対しそれぞれ陽圧に保たれることになり、その空気流路の途中に外気とリークする個所があったとしても、流路内へ外気が混入することはなく、一次化学吸着フィルタ４６および二次化学吸着フィルタ４８によってアンモニアガスが除去された後の空気のアンモニアガス濃度が上昇することが避けられる。
【００２４】
上記したような構成を有する温湿度管理装置１２では、第１ファン４４により雰囲気空気が装置内へ取り入れられ、その取り入れられた空気は、第１フィルタ室５４内の一次側ダクト５５へ送り込まれて一次化学吸着フィルタ４６を通過し、中間室５６を通って、二次化学吸着フィルタ４８を通過する。これらの一次化学吸着フィルタ４６および二次化学吸着フィルタ４８を空気が通過する間に、空気中のアンモニアガスが化学吸着反応によって除去される。アンモニアガスが除去された空気は、第２フィルタ室５８内の二次側ダクト５９から接続流路６４を経て温湿度コントロール部５０へ送給され、温湿度コントロール部５０により所望通りの温度および湿度に調節制御される。そして、アンモニアガスが除去され温度および湿度が管理された空気が、第２ファン５２によりダクト４０を通って基板処理装置１０の塗布処理部１４の空気流入口３６へ送給される。また、温湿度コントロール部５０で温度および湿度が調整された空気の過剰分は、バイパス管路６６を通して接続流路６４内へ戻される。このように、一次化学吸着フィルタ４６および二次化学吸着フィルタ４８によってアンモニアガスが除去され温湿度コントロール部５０によって温度および湿度が調整された空気の過剰分が廃棄されずに還流させられるので、化学吸着フィルタ４６、４８が効率良く使用され、温湿度コントロール部５０の負荷が軽減される。
【００２５】
なお、上記した実施形態では、化学吸着フィルタ４６、４８を設けるようにしたが、化学吸着フィルタの代わりに活性炭フィルタなどを使用するようにしてもよい。また、上記実施形態では、２つの化学吸着フィルタ４６、４８の両方共、アンモニアガスの除去用としたが、一方を酸の除去用とすることもできる。
【００２６】
また、上記した実施形態では、温湿度管理装置１２は、密閉された筐体４２内において、その上方側に一次ファン４４、一次化学吸着フィルタ４６および二次化学吸着フィルタ４８を配設し、その下方側に温湿度コントロール部５０および第２ファン５２を配設して構成されているが、上下の位置関係を逆転させて、その上方側に温湿度コントロール部５０および第２ファン５２を配設する一方、その下方側に一次ファン４４、一次化学吸着フィルタ４６および二次化学吸着フィルタ４８を配設して構成してもよい。
【００２７】
さらに、上記した実施形態では、第１ファン４４を一次化学吸着フィルタ４６の上流側に設けて構成したが、この第１ファン４４を一次化学吸着フィルタ４６と二次化学吸着フィルタ４８との間の中間室５６に配置するようにしてもよい。この場合には、二次化学吸着フィルタ４８より下流側の二次側ダクト５９、接続流路６４および温湿度コントロール部５０の各内部が、その外部の気圧に対しそれぞれ陽圧に保たれることになる。
【００２８】
【発明の効果】
請求項１に係る発明の基板処理システムは、基板を処理する基板処理部を有する基板処理装置と温度および湿度が管理された空気を基板処理装置へ供給する温湿度管理装置とを含む処理システム全体としてのフットプリントが小さくなり、また、空気送給時の圧力損失が低減するため、使用される空気送給手段の容量が小さくて済み、さらに基板処理装置の周囲の見栄えも良くなる。
また、この基板処理システムでは、リーク個所を通して温湿度管理装置内への外気の吸い込みが防止され、物質除去手段によって特定の化学物質が除去された後の空気に特定の化学物質が混入することが避けられるので、温湿度管理装置から基板処理装置の基板処理部へ特定の化学物質が確実に除去された空気が送給される。
【００２９】
請求項２に係る発明の基板処理システムは、基板を処理する基板処理部を有する基板処理装置と温度および湿度が管理された空気を基板処理装置へ供給する温湿度管理装置とを含む処理システム全体としてのフットプリントが小さくなり、また、空気送給時の圧力損失が低減するため、使用される空気送給手段の容量が小さくて済み、さらに基板処理装置の周囲の見栄えも良くなる。
また、この基板処理システムでは、リーク個所を通して温湿度管理装置内への外気の吸い込みが防止され、物質除去手段によって特定の化学物質が除去された後の空気に特定の化学物質が混入することが避けられるので、温湿度管理装置から基板処理装置の基板処理部へ特定の化学物質が確実に除去された空気が送給される。さらに、この基板処理システムでは、温湿度制御部の制御可能流量が温湿度管理装置から基板処理装置の基板処理部への送給流量よりも多いような場合に、物質除去手段の効率的使用が可能になるとともに、温湿度制御部の負荷が軽減される。
請求項３に係る発明の基板処理システムは、温湿度管理装置に温湿度制御部と物質除去手段とが上下方向に配設されていることによって温度管理装置のフットプリントが小さくなり、処理システム全体としてのフットプリントが小さくなる。
【００３０】
請求項４に係る発明の基板処理システムは、温湿度制御部の上方側に物質除去手段が配設されていることによって温湿度管理装置のフットプリントが小さくなり、処理システム全体としてのフットプリントが小さくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施形態の１例を示し基板処理システムの概略構成を示す模式的断面図である。
【図２】従来の基板処理システムの概略構成の１例を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
１０  基板処理装置
１２  温湿度管理装置
１４  塗布処理部
１８  ベーク部
２０  ウエハ搬送部
２４  空調装置
３４  ウルパフィルタ
３６  塗布処理部の空気流入口
４０  ダクト
４４  第１ファン
４６  一次化学吸着フィルタ
４８  二次化学吸着フィルタ
５０  温湿度コントロール部
５２  第２ファン
６６  バイパス管路
６８  マノメータ
【図１】
0003609226.tif 000002
【図２】
0003609226.tif 000003