(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＸＹＺ三次元座標系を定義したときに、ＸＹ平面を規定する基板と、
前記基板と対向している検知部材と、
前記基板と前記検知部材との間に位置し、前記検知部材がＺ軸方向に変位するのに伴ってＺ軸方向に変位する導電性部材と、
前記基板上に形成され、前記導電性部材と電気的に接続されるとともに、接地または一定の電位に保持された基準電極と、
前記基板上に形成された第１の電極と、
前記基板上に形成され、前記導電性部材との間で第１の容量素子を構成する第２の電極と、
前記第２の電極に接触し且つ前記第１の電極から離隔しつつ前記第１の電極を覆うように配置されていると共に、前記導電性部材が変位するのに伴ってクリック感を付随しつつ弾性変形して前記第１の電極と接触可能なドーム形状の第３の電極とを備えており、
前記第１の電極と前記第３の電極とが接触しているときに、前記第１の電極に対して入力される信号を利用して前記導電性部材と前記第２の電極との間隔の変化に起因する前記第１の容量素子の静電容量値の変化を検出することに基づいて前記検知部材の変位を認識可能であることを特徴とする静電容量式センサ。
【請求項２】
前記基準電極と前記導電性部材との間に、第２の容量素子が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の静電容量式センサ。
【請求項３】
前記第１の電極、前記第２の電極および前記第３の電極の組が複数形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量式センサ。
【請求項４】
前記第１の電極、前記第２の電極および前記第３の電極の組を２つ有しており、これら二組の一方を含む回路および他方を含む回路に、互いに位相が異なる信号が供給されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
【請求項５】
前記第１の電極、前記第２の電極および前記第３の電極の組を２つ有しており、これら二組の一方を含むＣＲ回路と他方を含むＣＲ回路との時定数が異なることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
【請求項６】
前記第１の電極、前記第２の電極および前記第３の電極の組を２つ有しており、これら二組の一方を含む回路および他方を含む回路にそれぞれ入力された信号の出力信号が論理素子を利用した信号処理回路により検出されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
【請求項７】
前記論理素子が、排他的論理和演算を行うことを特徴とする請求項６に記載の静電容量式センサ。
【請求項８】
前記論理素子が、論理和演算を行うことを特徴とする請求項６に記載の静電容量式センサ。
【請求項９】
前記論理素子が、論理積演算を行うことを特徴とする請求項６に記載の静電容量式センサ。
【請求項１０】
前記論理素子が、論理積演算および否定演算を行うことを特徴とする請求項６に記載の静電容量式センサ。
【請求項１１】
前記第２の電極が、Ｘ軸方向に離隔し且つＹ軸に対して線対称に配置された一対の第４の電極と、Ｙ軸方向に離隔し且つＸ軸に対して線対称に配置された一対の第５の電極とを含んでいることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
【請求項１２】
前記検知部材が、前記第４の電極および前記第５の電極のそれぞれに対応して分割されていることを特徴とする請求項１１に記載の静電容量式センサ。
【請求項１３】
前記基板上に形成された第６の電極と、
前記基準電極に接触し且つ前記第６の電極から離隔するように配置されていると共に、前記導電性部材が変位するのに伴って弾性変形して前記第６の電極と接触可能な第７の電極とをさらに備えていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
【請求項１４】
前記検知部材が、前記第２の電極および前記第６の電極に対応して分割されていることを特徴とする請求項１３に記載の静電容量式センサ。
【請求項１５】
前記導電性部材を支持し且つ弾性体で形成された支持部材をさらに備えており、
前記導電性部材が、前記支持部材に塗布された導電性インクにより形成されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の静電容量式センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多次元方向の操作入力を行うために用いて好適な静電容量式センサに関し、特に、クリック感を感じつつ操作を行うことができる静電容量式センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
静電容量式センサは、操作者が加えた力の大きさおよび方向を電気信号に変換する装置として利用されている。例えば、ゲーム機器の入力装置として、多次元方向の操作入力を行うための静電容量式力覚センサ（いわゆるジョイスティック）として組み込んだ装置が利用されている。
【０００３】
静電容量式センサでは、操作者から伝えられた力の大きさとして、所定のダイナミックレンジをもった操作量を入力することができる。また、加えられた力を各方向成分ごとに分けて検出することが可能な二次元または三次元力覚センサとしても利用されている。特に、２枚の電極によって静電容量素子を形成し、電極間隔の変化に起因する静電容量値の変化に基づいて力の検出を行う静電容量式力覚センサは、構造を単純化してコストダウンを図ることができるメリットがあるために、さまざまな分野で実用化されている。
【０００４】
例えば、特開平７−２００１６４号公報には、図２２に示すような静電容量式力覚センサが開示されている。力覚センサ５１０は、基板５２０と、基板５２０上に設けられた弾性ゴム板５３０と、弾性ゴム板５３０の下面に設けられた電極部５４０と、基板５２０の上面に設けられた電極部５００〜５０４（図２３参照）と、弾性ゴム板５３０を基板５２０に対して支持固定する押え板５６０と、基板５２０の下面に設けられた電子装置５８０とから構成されている。また、電極部５００〜５０４は、図２３に示すように、原点について対称に配置された４つの電極部５０１〜５０４と、これらの外側に配置された円環状の電極部５００とにより構成されている。また、電極部５４０の外周部分は、接地されている電極部５００と接触しており、電極部５００を介して接地されている。
【０００５】
操作者が弾性ゴム板５３０を押下すると、その押下力に伴って電極部５４０が下方に変位して、これと４つの電極部５０１〜５０４との間の距離が変化する。すると、４つの電極部５０１〜５０４のそれぞれと電極部５４０との間で構成された容量素子の静電容量値が変化する。従って、この静電容量値の変化を検出することによって、操作者が加えた力の大きさおよび方向を知ることが可能となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図２２および図２３に示した力覚センサ５１０では、操作者が弾性ゴム板５３０を押下したとき、その押下する力に伴って電極部５４０は変位するが、その変位量は押下力に対してほぼ比例するように変化することが多く、操作者は明確な操作感を感じることがほとんどない。したがって、操作者は操作を実行していることを感覚的に把握することなく操作を施すことになり、力覚センサ５１０の操作対象の動作を視覚により確認しない限り操作を実行していることを容易に把握することができない。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、操作を実行していることを感覚的に容易に把握することができる静電容量式センサを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１の静電容量式センサは、ＸＹＺ三次元座標系を定義したときに、ＸＹ平面を規定する基板と、前記基板と対向している検知部材と、前記基板と前記検知部材との間に位置し、前記検知部材がＺ軸方向に変位するのに伴ってＺ軸方向に変位する導電性部材と、前記基板上に形成され、前記導電性部材と電気的に接続されるとともに、接地または一定の電位に保持された基準電極と、前記基板上に形成された第１の電極と、前記基板上に形成され、前記導電性部材との間で第１の容量素子を構成する第２の電極と、前記第２の電極に接触し且つ前記第１の電極から離隔しつつ前記第１の電極を覆うように配置されていると共に、前記導電性部材が変位するのに伴ってクリック感を付随しつつ弾性変形して前記第１の電極と接触可能なドーム形状の第３の電極とを備えている。そして、請求項１の静電容量式センサは、前記第１の電極と前記第３の電極とが接触しているときに、前記第１の電極に対して入力される信号を利用して前記導電性部材と前記第２の電極との間隔の変化に起因する前記第１の容量素子の静電容量値の変化を検出することに基づいて前記検知部材の変位を認識可能である。
【０００９】
請求項１において、第３の電極がクリック感を付随しつつ弾性変形して第１の電極と接触可能とするために、第３の電極は、ある一定以上の外力を加えると第１の電極の方向への変位速度が（好ましくは急激に）大きくなる部材、つまり、加えられる外力が所定値を超えると、外力が所定値よりも小さいとき（このときの変位速度はゼロでもよい）よりも第１の電極の方向への変位速度が大きくなる部材で構成されている。
【００１０】
請求項１によると、検知部材に対して操作を施す場合には、操作方向に対応する第３の電極がクリック感を付随しつつ弾性変形して第１の電極と接触したときに始めて検知部材の変位の認識が開始されるため、操作者はクリック感を感じることで操作を実行していることを感覚的に容易に把握することができる。また、クリック感を生じさせるのに必要な所定の大きさの外力が与えられて始めて検知部材の変位の認識が開始されるので、操作者が意識的に操作したのではないクリック感を生じさせない範囲の小さな外力が検知部材に加えられたときには検知部材の変位が認識されない。従って、検知部材が偶然に別部材に接触するなどの外乱を排して、操作者の意識的な操作に基づく検知部材の変位だけを確実に検出することが可能になる。
【００１２】
また、請求項１によると、導電性部材から作用する力が所定値に達したときにドーム形状をした第３の電極の頂部近傍が急激に変位して凹んだ状態となって第１の電極に接触するため、操作者に明瞭なクリック感を与えることが可能となる。
【００１３】
請求項２の静電容量式センサは、前記基準電極と前記導電性部材との間に、第２の容量素子が構成されていることを特徴としている。請求項２によると、導電性部材が直接接触することによってではなく、容量結合によって接地または一定の電位に保持された基準電極と電気的に結合される。そのため、センサの耐電圧特性が向上し、スパーク電流が流れることによってセンサが破損することがほとんどなくなるとともに、接続不良などの不具合を防止することができるため、信頼性の高い静電容量式センサを得ることができる。また、基準電極と導電性部材との間に絶縁膜を配置した場合においても、絶縁膜の一部をカットして基準電極と導電性部材とを接触させる必要がないため、組立および実装面でも有利となる。
【００１４】
請求項３の静電容量式センサは、前記第１の電極、前記第２の電極および前記第３の電極の組が複数形成されていることを特徴としている。請求項３によると、各組を別方向の力を認識するために用いることによって多次元的な力の認識が可能になる。
【００１５】
請求項４の静電容量式センサは、前記第１の電極、前記第２の電極および前記第３の電極の組を２つ有しており、これら二組の一方を含む回路および他方を含む回路に、互いに位相が異なる信号が供給されることを特徴としている。請求項４によると、二組の一方を含む回路および他方を含む回路の時定数が同じものであるかどうかにかかわらず、検知部材の変位を認識することができる。
【００１６】
請求項５の静電容量式センサは、前記第１の電極、前記第２の電極および前記第３の電極の組を２つ有しており、これら二組の一方を含むＣＲ回路と他方を含むＣＲ回路との時定数が異なることを特徴としている。請求項５によると、回路を通過することによる信号の位相のずれを大きくできるため、検知部材の変位認識の精度を向上させることができる。また、検知部材の変位検出可能範囲を大きくすることができる。
【００１７】
請求項６〜１０の静電容量式センサは、前記第１の電極、前記第２の電極および前記第３の電極の組を２つ有しており、これら二組の一方を含む回路および他方を含む回路にそれぞれ入力された信号の出力信号が排他的論理和演算、論理和演算、論理積演算、論理積演算および否定演算のいずれかを行う論理素子を利用した信号処理回路により検出されることを特徴としている。請求項６〜１０によると、出力信号を精度よく検出することができ、さらに必要に応じて検出精度を調整することができる。
【００１８】
請求項１１の静電容量式センサは、前記第２の電極が、Ｘ軸方向に離隔し且つＹ軸に対して線対称に配置された一対の第４の電極と、Ｙ軸方向に離隔し且つＸ軸に対して線対称に配置された一対の第５の電極とを含んでいることを特徴としている。請求項１１によると、検知部材が外部から受けた力のＸ軸方向およびＹ軸方向の方向成分をそれぞれ別々に認識することができる。
【００１９】
請求項１２の静電容量式センサは、前記検知部材が、前記第４の電極および前記第５の電極のそれぞれに対応して分割されていることを特徴としている。請求項１２によると、外部からの力のＸ軸方向またはＹ軸方向の各成分が明確に分離されるため、異なる方向の成分が互いに干渉するのを軽減することができ、誤操作を減少させることができる。
【００２０】
請求項１３の静電容量式センサは、前記基板上に形成された第６の電極と、前記基準電極に接触し且つ前記第６の電極から離隔するように配置されていると共に、前記導電性部材が変位するのに伴って弾性変形して前記第６の電極と接触可能な第７の電極とをさらに備えていることを特徴としている。
【００２１】
請求項１３によると、上述した効果が得られるほか、さらに、検知部材の操作によって互いに接触可能な第６の電極および第７の電極を備えていることで、入力の決定操作を行う際などに使用可能なスイッチを付加することができる。
【００２２】
請求項１４の静電容量式センサは、前記検知部材が、前記第２の電極および前記第６の電極に対応して分割されていることを特徴としている。請求項１４によると、操作方向に対応する外部からの力と決定操作に対応する外部からの力とが明確に分離されるため、これらの力が互いに干渉するのを軽減することができ、誤操作を減少させることができる。
【００２３】
請求項１５の静電容量式センサは、前記導電性部材を支持し且つ弾性体で形成された支持部材をさらに備えており、前記導電性部材が、前記支持部材に塗布された導電性インクにより形成されていることを特徴としている。請求項１５によると、導電性部材が製造しやすく、製造コストを低減することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下で説明する実施の形態は本発明の静電容量式センサを力覚センサとして用いたものである。
【００２５】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る静電容量式センサの模式的な断面図である。図２は、図１の静電容量式センサの検知部材の上面図である。図３は、図１の静電容量式センサの基板上に形成されている複数の電極の配置を示す図である。
【００２６】
静電容量式センサ１０は、基板２０と、人などによって操作されることによって外部から力が加えられる操作用の検知部材３０と、変位電極４０と、基板２０上に形成された容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４と、ドーム形状を有するスイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４（図１ではＥ２１およびＥ２２のみを示す）と、その内側に配置されたスイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４（図１ではＥ１１およびＥ１２のみを示す）と、基準電極（共通電極）Ｅ０と、複数の電極に密着して基板２０上を覆うように形成された絶縁膜５０と、検知部材３０および変位電極４０を基板２０に対して支持固定する支持部材６０と、支持部材６０および検知用部材３０の周囲を覆うように配置されたカバーケース７０とを有している。
【００２７】
ここでは、説明の便宜上、図示のとおり、ＸＹＺ三次元座標系を定義し、この座標系を参照しながら各部品に配置説明を行うことにする。すなわち、図１では、基板２０上の基準電極Ｅ０の中心位置に原点Ｏが定義され、右水平方向にＸ軸が、上垂直方向にＺ軸が、紙面に垂直奥行方向にＹ軸がそれぞれ定義されている。ここで、基板２０の表面は、ＸＹ平面を規定し、基板２０上の基準電極Ｅ０、検知部材３０および変位電極４０のそれぞれの中心位置をＺ軸が通ることになる。
【００２８】
基板２０は、一般的な電子回路用のプリント回路基板であり、この例ではガラスエポキシ基板が用いられている。また、基板２０として、ポリイミドフィルムなどのフィルム状の基板を用いてもよいが、フィルム状の基板の場合は可撓性を有しているため、十分な剛性をもった支持基板上に配置して用いるのが好ましい。
【００２９】
検知部材３０は、受力部となる小径の上段部３１と、上段部３１の下端部に伸延する大径の下段部３２とから構成され、全体として円盤状に形成されている。ここで、上段部３１の径は、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４のそれぞれの外側の曲線を結んでできる円の径より小さく、下段部３２の径は、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４のそれぞれの外側の曲線を結んでできる円の径とほぼ同じである。なお、操作性を向上させるために、検知部材３０に樹脂製のキャップをかぶせてもよい。
【００３０】
また、検知部材３０の上段部３１の上面には、図２に示すように、Ｘ軸およびＹ軸のそれぞれの正方向および負方向に対応するように、すなわち、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４に対応するように、操作方向（カーソルの移動方向）に対応した矢印が形成されている。
【００３１】
変位電極４０は、導電性を有するシリコンゴムで形成され、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４のそれぞれの外側の曲線を結んでできる円の径とほぼ同一の径を有する円盤状であり、弾性を有するシリコンゴムで形成された支持部材６０の下面に付着されている。また、変位電極４０の下面には、変位電極４０の中心位置を中心とし、基準電極Ｅ０と同一の径の円形で下方に突出した凸部４１が形成されている。凸部４１は、その下面が基準電極Ｅ０と接触することができる高さを有している。このように、変位電極４０の中心位置に凸部４１が形成されているため、検知部材３０に力が作用したときに変位電極４０が凸部４１を支点として傾くことができるようになっている。また、スイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４にそれぞれ対向する位置には、４つの突起体４２が形成されている。
【００３２】
なお、変位電極４０としては、シリコンゴムの他、例えば、導電性インク、導電性熱可塑性樹脂（ＰＰＴ、エラストマー）、導電性プラスチック、金属蒸着フィルムを用いてもよい。また、変位電極４０の突起体４２は無くてもよい。
【００３３】
また、基板２０上には、図３に示すように、原点Ｏを中心とする円形の基準電極Ｅ０と、その外側に扇形であり、それぞれのほぼ中央部に円形の孔Ｈ１〜Ｈ４を有する容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４と、孔Ｈ１〜Ｈ４の内側で、孔Ｈ１〜Ｈ４の径よりも小さい径を有する円形のスイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４とが形成されている。ここで、スイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４の面積は、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４の面積に比べて極力小さい方が好ましい。一対の容量素子用電極Ｅ１およびＥ２は、Ｘ軸方向に離隔してＹ軸に対して線対称に配置されている。また、一対の容量素子用電極Ｅ３およびＥ４は、Ｙ軸方向に離隔してＸ軸に対して線対称に配置されている。なお、基準電極Ｅ０は、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４の外側に形成されてもよい。この場合には、変位電極４０の凸部４１も容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４の外側に形成される。
【００３４】
ここでは、容量素子用電極Ｅ１はＸ軸の正方向に対応するように配置され、一方、容量素子用電極Ｅ２はＸ軸の負方向に対応するように配置され、外部からの力のＸ軸方向成分の検出に利用される。また、容量素子用電極Ｅ３はＹ軸の正方向に対応するように配置され、一方、容量素子用電極Ｅ４はＹ軸の負方向に対応するように配置され、外部からの力のＹ軸方向成分の検出に利用される。
【００３５】
基準電極Ｅ０およびスイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４は、スルーホールなどを利用して端子Ｔ０〜Ｔ５（図４参照）にそれぞれ接続されており、端子Ｔ０〜Ｔ５を通じて外部の電子回路に接続されるようになっている。なお、ここでは、基準電極Ｅ０は、端子Ｔ０を介して接地されている。
【００３６】
また、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４にそれぞれ接触するとともに、スイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４と離隔しつつこれを覆うようにスイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４が配置されている。したがって、スイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４は孔Ｈ１〜Ｈ４よりも大きい径を有するドーム状の部材である。
【００３７】
また、絶縁膜５０は、基板２０上の容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４の一部およびスイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４に密着して、基板２０上を覆うように形成されている。このため、銅などで形成された容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４およびスイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４の絶縁膜５０で覆われている部分は空気にさらされることがなく、それらが酸化されるのを防止する機能を有している。なお、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４およびスイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４に対して、その表面への金メッキの形成などの酸化防止対策を施しておいてもよい。また、絶縁膜５０が形成されているため、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４およびスイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４と、変位電極４０とが直接接触することはない。
【００３８】
次に、上述のように構成された本実施の形態に係る静電容量式センサ１０の動作について、図面を参照して説明する。図４は、図１に示す静電容量式センサの構成に対する等価回路図である。図５は、図１に示す静電容量式センサの検知部材にＸ軸正方向への操作が施された場合の側面の模式的な断面図である。図６は、図１に示す静電容量式センサに入力される周期信号から出力信号を導出する方法を説明するための説明図である。
【００３９】
まず、静電容量式センサ１０の構成と等価な回路構成について、図４を参照して説明する。基板２０上に形成された容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４は、変位電極４０と対向している。ここで、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４に接続されたスイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４は、スイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４と接触する位置または接触しない位置を選択的にとり得ることにより、端子Ｔ１〜Ｔ４と容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４とを接続させるまたは接続させないスイッチＳ１〜Ｓ４としての機能を有している。
【００４０】
スイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４がスイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４と接触していない（スイッチがＯＦＦ状態）場合には、スイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４の面積が容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４の面積に比べて非常に小さく、または、スイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４が一種の静電シールドとなることにより、スイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４とスイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４との間には、静電容量がほとんど発生しない。
【００４１】
一方、スイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４がスイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４と接触している（スイッチがＯＮ状態）場合には、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４がスイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４と接続され、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４と変位電極４０とが対向して、共通の電極である変位可能な変位電極４０と、固定された個別の容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４との間で容量素子Ｃ１〜Ｃ４を構成する。容量素子Ｃ１〜Ｃ４は、それぞれ変位電極４０の変位に起因して静電容量値が変化するように構成された可変容量素子であるということができる。
【００４２】
容量素子Ｃ１〜Ｃ４のそれぞれの静電容量値は、変位電極４０と、容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４のそれぞれに接続された端子Ｔ１〜Ｔ４との間の静電容量値として、それぞれ独立して測定することができる。ここで、基準電極Ｅ０は、端子Ｔ０を介して接地されているため、容量素子Ｃ１〜Ｃ４における共通の電極である変位電極４０は接地されていると考えられる。
【００４３】
次に、図１に示す検知部材３０に力が作用していないときの状態において、図５に示すように、検知部材３０にＸ軸正方向への操作のみが施された場合、すなわち、検知部材３０の上段部３１に形成されたＸ軸正方向に対応するように形成された矢印を基板２０側に押し下げるような力（Ｚ軸負方向への力）を加えた場合を考える。
【００４４】
検知部材３０のＸ軸正方向に対応する部分が押し下げられることにより、変位電極４０に形成されたＸ軸正方向に対応する突起体４２が下方へと変位する。すると、突起体４２から絶縁膜５０を介してスイッチ用可動電極Ｅ２１の中央部に対して下方向への力が作用する。そして、その力が所定値に満たないときにはスイッチ用可動電極Ｅ２１はほとんど変位しないが、その力が所定値に達したときには、スイッチ用可動電極Ｅ２１の頂部近傍部分が座屈を伴って急激に弾性変形して凹んだ状態となってスイッチ用固定電極Ｅ１１と接触する。これにより、スイッチＳ１がＯＮ状態になる。このとき、操作者には、明瞭なクリック感が与えられることになる。その後、引き続き検知部材３０が変位すると、スイッチＳ１がＯＮ状態を保持しつつ変位電極４０がさらに変位することにより、変位電極４０のＸ軸正方向部分と容量素子用電極Ｅ１との間隔が変化する。
【００４５】
このように、容量素子Ｃ１を構成する電極（変位電極４０のＸ軸正方向部分と容量素子用電極Ｅ１）の間隔が変化すると、それに伴って容量素子Ｃ１の静電容量値も変化する。ここで、一般的に、容量素子の静電容量値は、容量素子を構成する電極の間隔に反比例する。したがって、容量素子Ｃ１を構成する電極が小さくなることから容量素子Ｃ１の静電容量値は大きくなる。
【００４６】
一方、このとき変位電極４０のＸ軸負方向部分はほとんど変位しない。また、変位電極４０のＹ軸正方向部分および変位電極４０のＹ軸負方向部分もほとんど変位しない。ここで、実際には、検知部材３０に対する力の加わり方によっては、変位電極４０のＸ軸負方向部分、Ｙ軸正方向部分およびＹ軸負方向部分が、それぞれ下方に若干変位する場合もあるが、それぞれの方向に対応するスイッチ用可動電極Ｅ２２〜Ｅ２４とスイッチ用固定電極Ｅ１２〜Ｅ１４とを接触させるまで変位電極４０のそれぞれの部分が変位しない限り、スイッチＳ２〜Ｓ４はＯＦＦ状態を保持するため、スイッチ用可動電極Ｅ２２〜Ｅ２４とスイッチ用固定電極Ｅ１２〜Ｅ１４との間には静電容量がほとんど発生せず、それらの変位は出力に影響を与えない。
【００４７】
以上のように、検知部材３０にＸ軸正方向への操作のみが施された場合は、容量素子Ｃ１〜Ｃ４のなかで、スイッチＳ１〜Ｓ４がＯＮ状態を保持しつつ容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４と変位電極４０との間の間隔に変化があった容量素子Ｃ１の静電容量値のみが変化する。
【００４８】
次に、スイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４とスイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４とが接触している（スイッチＳ１〜Ｓ４がＯＮ状態）場合において、容量素子Ｃ１〜Ｃ４のそれぞれの静電容量値の変化から検知部材３０への外部からの力の大きさおよび方向を示す出力信号の導出方法について、図６を参照して説明する。ここで、出力信号Ｖｘ  、Ｖｙ  は、それぞれ外部からの力のＸ軸方向成分およびＹ軸方向成分の大きさおよび方向を示す。
【００４９】
ここで、出力信号Ｖｘ  、Ｖｙ  を導出するために、端子Ｔ１〜Ｔ４に対して、常にクロック信号などの周期信号が入力される。端子Ｔ１〜Ｔ４に周期信号が入力されている状態で、検知部材３０が外部からの力を受けて変位すると、これに伴って変位電極４０がＺ軸方向に変位する。そして、変位電極４０からスイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４に作用する力が所定値に達すると、スイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４の中央部が座屈をともない弾性変形することにより、スイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４と接触してスイッチＳ１〜Ｓ４がＯＮ状態になる。その後、引き続き検知部材３０が変位すると、スイッチＳ１〜Ｓ４がＯＮ状態を保持しつつ変位電極４０がさらに変位することにより、容量素子Ｃ１〜Ｃ４の電極間隔が変化して、容量素子Ｃ１〜Ｃ４のそれぞれの静電容量値が変化する。すると、端子Ｔ１〜Ｔ４に入力された周期信号の位相にずれが生じる。このように、周期信号に生じる位相のずれを利用して、検知部材３０の変位、つまり検知部材３０が外部から受けた力のＸ軸方向およびＹ軸方向の大きさと方向を示す出力信号Ｖｘ  、Ｖｙ  を得ることができる。
【００５０】
さらに詳細に説明すると、端子Ｔ１〜Ｔ４に対して周期信号を入力するとき、端子Ｔ１、Ｔ３に対しては周期信号Ａが入力され、一方、端子Ｔ２、Ｔ４に対しては周期信号Ａと同一の周期で、かつ、周期信号Ａの位相とは異なる周期信号Ｂが入力される。そのとき、検知部材３０が外部から力を受けて、容量素子Ｃ１〜Ｃ４の静電容量値がそれぞれ変化すると、端子Ｔ１〜Ｔ４にそれぞれ入力された周期信号Ａまたは周期信号Ｂの位相にそれぞれ異なった量のずれが生じる。
【００５１】
すなわち、外部からの力にＸ軸正方向成分が含まれる場合は、容量素子Ｃ１の静電容量値が変化し、端子Ｔ１に入力された周期信号Ａの位相にずれが生じる。また、外部からの力にＸ軸負方向成分が含まれる場合は、容量素子Ｃ２の静電容量値が変化し、端子Ｔ２に入力された周期信号Ｂの位相にもずれが生じる。ここで、容量素子Ｃ１、Ｃ２の静電容量値の変化量は、それぞれ外部からの力のＸ軸正方向成分、Ｘ軸負方向成分の大きさに対応している。このように、端子Ｔ１および端子Ｔ２にそれぞれ入力された周期信号Ａおよび周期信号Ｂの位相のずれを排他和回路で読み取ることによって、出力信号Ｖｘ  が導出される。この出力信号Ｖｘ  の符号が、外部からの力のＸ軸方向成分が正方向または負方向の向きかを示し、その絶対値がＸ軸方向成分の大きさを示す。
【００５２】
また、外部からの力にＹ軸正方向成分が含まれる場合は、容量素子Ｃ３の静電容量値が変化し、端子Ｔ３に入力された周期信号Ａの位相にずれが生じる。また、外部からの力にＹ軸負方向成分が含まれる場合は、容量素子Ｃ４の静電容量値が変化し、端子Ｔ４に入力された周期信号Ｂの位相にもずれが生じる。ここで、容量素子Ｃ３、Ｃ４の静電容量値の変化量は、それぞれ外部からの力のＹ軸正方向成分、Ｙ軸負方向成分の大きさに対応している。このように、端子Ｔ３および端子Ｔ４にそれぞれ入力された周期信号Ａおよび周期信号Ｂの位相のずれを排他和回路で読み取ることによって、出力信号Ｖｙ  が導出される。この出力信号Ｖｙの符号が、外部からの力のＹ軸方向成分が正方向または負方向の向きかを示し、その絶対値がＹ軸方向成分の大きさを示す。
【００５３】
なお、外部からの力にＸ軸方向成分またはＹ軸方向成分が含まれる場合において、Ｘ軸正方向およびＸ軸負方向の両方の成分またはＹ軸正方向およびＹ軸負方向の両方の成分を含む場合がある。ここで、例えばＸ軸方向について考えると、Ｘ軸正方向成分およびＸ軸負方向成分のそれぞれの大きさが同じ場合の出力信号Ｖｘ  の値は、外部からの力にＸ軸方向成分が含まれない場合の出力信号Ｖｘ  の値とほとんど同じである（詳細は、後述する）。一方、Ｘ軸正方向成分とＸ軸負方向成分とが異なる場合には、端子Ｔ１、Ｔ２に入力されたそれぞれの周期信号Ａおよび周期信号Ｂの位相のずれる量がそれぞれ異なり、上述した場合と同様に、その位相のずれを排他和回路で読み取ることによって、出力信号Ｖｘ  が導出される。また、このことは、Ｙ軸方向についての出力信号Ｖｙ  の導出に対しても同様のことがいえる。
【００５４】
次に、端子Ｔ１〜Ｔ４に入力された周期信号Ａ、Ｂによる出力信号Ｖｘ  、Ｖｙを導出するための信号処理回路について、図面を参照しながら説明する。図７は、図１に示す静電容量式センサの信号処理回路を示す回路図である。
【００５５】
図７に示す信号処理回路において、端子Ｔ１〜Ｔ４には、図示されていない交流信号発振器から所定周波数の周期信号が入力される。これらの端子Ｔ１〜Ｔ４には、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４がそれぞれ接続されている。また、抵抗素子Ｒ１、Ｒ２の出力端および抵抗素子Ｒ３、Ｒ４の出力端には、それぞれ排他和回路の論理素子であるＥＸ−ＯＲ素子８１、８２が接続されており、その出力端は端子Ｔ１１〜Ｔ１２に接続されている。さらに、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４の出力端は、スイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４およびスイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４により構成されるスイッチＳ１〜Ｓ４の入力端にそれぞれ接続されている。スイッチＳ１〜Ｓ４の出力端は、それぞれ容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４と変位電極４０との間で構成される容量素子Ｃ１〜Ｃ４に接続されている。また、容量素子Ｃ１〜Ｃ４のそれぞれの一方の電極である変位電極４０は接地されている。
【００５６】
ここから、例として、Ｘ軸方向成分の出力信号Ｖxの導出方法について、図８を参照して説明する。なお、Ｙ軸方向成分の出力信号Ｖyの導出方法についても同様であるので説明を省略する。図８は、図１に示す静電容量式センサのＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図（図７の一部分）である。この信号処理回路において、容量素子Ｃ１と抵抗素子Ｒ１および容量素子Ｃ２と抵抗素子Ｒ２はそれぞれＣＲ遅延回路を形成している。端子Ｔ１、Ｔ２に入力された周期信号（矩形波信号）は、それぞれＣＲ遅延回路によって所定の遅延が生じ、ＥＸ−ＯＲ素子８１において合流する。ここで、容量素子Ｃ１と抵抗素子Ｒ１を含むＣＲ回路と、容量素子Ｃ２と抵抗素子Ｒ２を含むＣＲ回路とのそれぞれの時定数は異なっているのが好ましい。この場合には、回路を通過することによる周期信号の位相のずれが大きくなるので、検知部材３０の変位認識の精度が向上する。また、このとき、検知部材３０の変位検出可能範囲が大きくなる。
【００５７】
なお、端子Ｔ１、Ｔ２に対して十分な駆動能力を持った信号を供給することが出来ない場合には、端子Ｔ１と抵抗素子Ｒ１との間および端子Ｔ２と抵抗素子Ｒ２との間にインバータ素子を挿入するのが好ましい。ここで、インバータ素子は、ＣＲ遅延回路を駆動するために十分な駆動電力を発生させる素子であり、論理的には意味のない素子である。また、インバータ素子として、同一の素子を用いることにより、異なる経路の信号を同じ条件で比較することが可能である。
【００５８】
次に、図８の回路の動作について、図９を参照して説明する。図９は、図８に示す信号処理回路の各端子および各節点における周期信号の波形を示す図である。
【００５９】
図８の信号処理回路において、端子Ｔ１、Ｔ２のそれぞれに入力された周期信号は、ＣＲ遅延回路を通過することにより、それぞれ所定の遅延を生じて、それぞれＥＸ−ＯＲ素子８１に入力される。詳細に説明すると、端子Ｔ１には周期信号ｆ（φ）（上述の周期信号Ａに対応しており、以下周期信号Ａと称する）が入力され、また、端子Ｔ２にはｆ（φ）と同一の周期で、かつ、位相がθだけずれている周期信号ｆ（φ＋θ）（上述の周期信号Ｂに対応しており、以下周期信号Ｂと称する）が入力される。ここでは、周期信号Ａのデューティ比Ｄ０は５０％であり、周期信号Ｂは周期信号Ａの位相が周期信号Ａの周期の１／４だけ進んでいる場合について説明する。
【００６０】
ここで、端子Ｔ１、Ｔ２にそれぞれ入力される異なる位相の周期信号Ａおよび周期信号Ｂは、１つの交流信号発振器から出力された周期信号を２つの経路に分け、その一方の経路に図示しないＣＲ遅延回路を設け、ＣＲ遅延回路を通過する周期信号の位相を遅延させることによって発生させられる。なお、周期信号の位相をずらせる方法は、ＣＲ遅延回路を用いる方法に限らず、他のどのような方法であってもよいし、また、２つの交流信号発振器を用いて、それぞれ異なる位相の周期信号Ａおよび周期信号Ｂを発生させ、端子Ｔ１、Ｔ２のそれぞれに入力してもよい。
【００６１】
図９の（ａ）、（ｂ）は、端子Ｔ１、Ｔ２に入力される周期信号Ａおよび周期信号Ｂの波形を示している。ここで、検知部材３０に外部から力が作用していない（操作が施されない）状態では、図８の信号処理回路のスイッチＳ１、Ｓ２はＯＦＦ状態であるため、容量素子Ｃ１、Ｃ２は無視できる位に十分小さく、周期信号Ａおよび周期信号Ｂはほとんど遅延することなくＥＸ−ＯＲ素子８１に入力される。したがって、ＥＸ−ＯＲ素子８１には、端子Ｔ１、Ｔ２における周期信号と同一の波形の信号が入力され、これらの信号の間で排他的論理演算が行われ、その結果を端子Ｔ１１に対して出力される。ここで、端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  は、図９の（ｃ）に示すように、デューティ比Ｄ１を有する矩形波信号である。
【００６２】
次に、検知部材３０にＸ軸正方向への操作のみが施された場合（図５参照）には、スイッチＳ１がＯＮ状態となり、容量素子Ｃ１が抵抗素子Ｒ１に接続されることにより遅延回路が構成される。端子Ｔ１に入力される周期信号Ａは、容量素子Ｃ１および抵抗素子Ｒ１で構成する遅延回路を通過することにより遅延して節点Ｘ１に到達する。ここで、図９（ｄ）は、端子Ｔ１に周期信号Ａを入力した場合の図８に示す信号処理回路の節点Ｘ１における電位の変化を示している。
【００６３】
端子Ｔ１に「Ｈｉ」または「Ｌｏ」の信号を繰り返す周期信号が入力された場合には、図９（ｄ）に示すように、「Ｈｉ」の信号の入力が開始するとＣＲ遅延回路を構成する容量素子Ｃ１に次第に電荷が蓄えられることにより、節点Ｘ１における電位は次第に増加し、また、「Ｌｏ」の信号の入力が開始するとＣＲ遅延回路を構成する容量素子Ｃ１の電荷が次第に放電されることにより節点Ｘ１における電位は次第に減少するという変化を繰り返す。
【００６４】
なお、実際には、節点Ｘ１の電位の波形は、所定のしきい値を有するコンパレータ（図示しない）を介することによって矩形波（パルス波形）に変換されるようになっている。このコンパレータでは、設定されたしきい値よりも大きい場合は「Ｈｉ」の信号を出力し、小さい場合は「Ｌｏ」の信号を出力することにより矩形波を形成する。ここで、ＥＸ−ＯＲ素子８１がＣ−ＭＯＳ型の論理素子の場合には、電源電圧がＶｃｃであれば、コンパレータのしきい値電圧をＶｃｃ／２程度としておくことが好ましい。このように、節点Ｘ１の電位の波形は、コンパレータを介することにより、図９（ｅ）に示すように、デューティ比Ｄ２を有する矩形波に変換される。
【００６５】
また、このときスイッチＳ２はＯＦＦ状態であるから、容量素子Ｃ２および抵抗素子Ｒ２は遅延回路を構成しないため、節点Ｘ２に到達する周期信号の波形は周期信号Ｂ（図９（ｂ）に示す波形の信号）と同一である。
【００６６】
したがって、ＥＸ−ＯＲ素子８１には、節点Ｘ１、Ｘ２における周期信号と同一の波形の信号（図９（ｂ）および図９（ｅ）に示す波形の信号）が入力され、これらの信号の間で排他的論理演算が行われ、その結果を端子Ｔ１１に対して出力される。ここで、端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  は、図９（ｆ）に示すようにデューティ比Ｄ３を有する矩形波信号である。
【００６７】
なお、検知部材３０のＸ軸正方向部分がさらに押下されると、変位電極４０と容量素子用電極Ｅ１との間隔が小さくなり、それに伴って容量素子Ｃ１の静電容量値が大きくなる。このとき、周期信号Ａが遅延回路を通過することによる位相のずれ（遅延する量）はおおきくなり、端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  のデューティ比Ｄ３も大きくなる。
【００６８】
次に、検知部材３０にＸ軸負方向への操作のみが施された場合には、スイッチＳ２がＯＮ状態となり、容量素子Ｃ２が抵抗素子Ｒ２に接続されることにより遅延回路が構成される。端子Ｔ２に入力される周期信号Ｂは、容量素子Ｃ２および抵抗素子Ｒ２で構成する遅延回路を通過することにより遅延して節点Ｘ２に到達する。ここで、図９（ｇ）は、端子Ｔ２に周期信号Ｂを入力した場合の図８に示す信号処理回路の節点Ｘ２における電位の変化を示している。
【００６９】
端子Ｔ２に「Ｈｉ」または「Ｌｏ」の信号を繰り返す周期信号が入力された場合には、図９（ｇ）に示すように、「Ｈｉ」の信号の入力が開始するとＣＲ遅延回路を構成する容量素子Ｃ２に次第に電荷が蓄えられることにより、節点Ｘ２における電位は次第に増加し、また、「Ｌｏ」の信号の入力が開始するとＣＲ遅延回路を構成する容量素子Ｃ２の電荷が次第に放電されることにより節点Ｘ２における電位は次第に減少するという変化を繰り返す。
【００７０】
なお、実際には、節点Ｘ２の電位の波形は、所定のしきい値を有するコンパレータ（図示しない）を介することによって矩形波（パルス波形）に変換されるようになっている。このコンパレータでは、設定されたしきい値よりも大きい場合は「Ｈｉ」の信号を出力し、小さい場合は「Ｌｏ」の信号を出力することにより矩形波を形成する。ここで、ＥＸ−ＯＲ素子８１がＣ−ＭＯＳ型の論理素子の場合には、電源電圧がＶｃｃであれば、コンパレータのしきい値電圧をＶｃｃ／２程度としておくことが好ましい。このように、節点Ｘ２の電位の波形は、コンパレータを介することにより、図９（ｈ）に示すように、デューティ比Ｄ４を有する矩形波に変換される。
【００７１】
また、このときスイッチＳ１はＯＦＦ状態であるから、容量素子Ｃ１および抵抗素子Ｒ１は遅延回路を構成しないため、節点Ｘ１に到達する周期信号の波形は周期信号Ａ（図９（ａ）に示す波形の信号）と同一である。
【００７２】
したがって、ＥＸ−ＯＲ素子８１には、節点Ｘ１、Ｘ２における周期信号と同一の波形の信号（図９（ａ）および図９（ｈ）に示す波形の信号）が入力され、これらの信号の間で排他的論理演算が行われ、その結果を端子Ｔ１１に対して出力される。ここで、端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  は、図９（ｉ）に示すようにデューティ比Ｄ５を有する矩形波信号である。
【００７３】
検知部材３０のＸ軸負方向部分がさらに押下されると、変位電極４０と容量素子用電極Ｅ２との間隔が小さくなり、それに伴って容量素子Ｃ２の静電容量値が大きくなる。このとき、周期信号Ｂが遅延回路を通過することによる位相のずれ（遅延する量）はおおきくなり、端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖxのデューティ比Ｄ５は小さくなる。
【００７４】
このように、検知部材３０にＸ軸負方向への操作のみが施された場合に端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  のデューティ比Ｄ５（図９（ｉ）参照）は、検知部材３０にＸ軸正方向への操作のみが施された場合に端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  のデューティ比Ｄ２（図９（ｅ）参照）よりも小さくなっている。
【００７５】
ここで、検知部材３０にＸ軸正方向およびＸ軸負方向への操作が同時に施された場合には、端子Ｔ１、Ｔ２に入力される周期信号Ａおよび周期信号Ｂは、容量素子Ｃ１および抵抗素子Ｒ１で構成する遅延回路および容量素子Ｃ２および抵抗素子Ｒ２で構成する遅延回路をそれぞれ通過して節点Ｘ１、Ｘ２に到達する。したがって、このときの節点Ｘ１、Ｘ２における電位の変化は図９（ｄ）および図９（ｇ）に示すようになる。
【００７６】
したがって、ＥＸ−ＯＲ素子８１には、節点Ｘ１、Ｘ２における電位の変化（図９（ｄ）および図９（ｇ）に示す波形）を所定のしきい値でデジタル化した信号（図９（ｅ）および図９（ｈ）に示す波形の信号）が入力され、これらの信号の間で排他的論理演算が行われ、その結果を端子Ｔ１１に対して出力される。ここで、端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  は、図９（ｊ）に示すようにデューティ比Ｄ６を有する矩形波信号である。
【００７７】
このように、検知部材３０にＸ軸正方向およびＸ軸負方向への操作が同時に施された場合に端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  のデューティ比Ｄ６（図９（ｊ）参照）は、検知部材３０に操作が施されない場合に端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  のデューティ比Ｄ１（図９（ｃ）参照）とほとんど同じである。但し、両者の信号の位相はずれている。
【００７８】
また、端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  は、アナログ電圧Ｖｘ  ’に変換して利用することができる。図１０は、図１に示す静電容量式センサのＸ軸方向成分についての出力信号をアナログ電圧に変換する回路を含む信号処理回路を示す回路図である。
【００７９】
図１０に示すように、端子Ｔ１１に対して出力される出力信号Ｖｘ  は、抵抗素子Ｒ５０および容量素子Ｃ５０で構成されるローパスフィルター５０を通過することにより平滑され、端子５０に対してアナログ電圧Ｖｘ  ’として出力される。このアナログ電圧Ｖｘ  ’の値は、出力信号Ｖｘ  のデューティ比に比例して変化する。したがって、出力信号Ｖｘ  のデューティ比が大きくなるとそれに伴ってアナログ電圧Ｖｘ  ’の値も大きくなり、一方、出力信号Ｖｘ  のデューティ比が小さくなるとそれに伴ってアナログ電圧Ｖｘ  ’の値も小さくなる。また、出力信号Ｖｘデューティ比がほとんど変化しないときはアナログ電圧Ｖｘ  ’の値もほとんど変化しない。
【００８０】
以上のように、本実施の形態の静電容量式センサ１０は、検知部材３０に対して操作を施す場合には、操作方向に対応するスイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４がクリック感を付随しつつ弾性変形してスイッチ用固定電極Ｅ１１〜Ｅ１４と接触したときにはじめて検知部材３０の変位の認識を開始するため、操作者はクリック感を感じることで操作を実行していることを感覚的に容易に把握することができる。また、クリック感を生じさせるのに必要な所定の大きさの外力が与えられて始めて検知部材３０の変位の認識が開始されるので、操作者が意識的に操作したのではないクリック感を生じさせない範囲の小さな外力が検知部材３０に加えられたときには検知部材３０の変位が認識されない。従って、検知部材３０が偶然に別部材に接触するなどの外乱を排して、操作者の意識的な操作に基づく検知部材３０の変位だけを確実に検出することが可能になる。
【００８１】
また、複数の容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４が形成され、検知部材３０が外部から受けた力のＸ軸方向およびＹ軸方向の方向成分をそれぞれ別々に認識することができる。ここで、対となる容量素子用電極（Ｅ１およびＥ２、Ｅ３およびＥ４）に対して、互いに位相が異なる信号が供給されるため、回路を通過することによる信号の位相のずれを大きくでき、さらに、その信号を論理素子を利用した信号処理回路を用いるため、精度よく検出することができる。なお、この構成の静電容量式センサは、パソコン、携帯電話、ゲームなどの入力装置として利用されるのに好ましい。
【００８２】
次に、本発明の第１の実施の形態の第１の変形例について、図面を参照しつつ説明する。図１１は、第１の変形例に係る静電容量式センサのＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。図１２は、検知部材に作用する押下力と出力されるアナログ電圧との関係を示す図である。図１１の信号処理回路が、図１の静電容量式センサの信号処理回路と異なる点は、図１０のローパスフィルター５０と端子１１との間に回路６０が接続されている点である。なお、その他の構成は、図１の静電容量式センサと同一であるので、同一符号を付して説明を省略する。
【００８３】
回路６０は、コンパレータ６３、６４と、可変抵抗器６５、６６と、端子６１、６２とを有しており、ローパスフィルター５０と端子１１との間の節点Ｘ６０に接続されている。コンパレータ６３の一方の入力端子には可変抵抗器６５が接続されており、他方の入力端子は節点Ｘ６０に接続されている。また、コンパレータ６３の出力端子は端子６１に接続されている。同様に、コンパレータ６４の一方の入力端子には可変抵抗器６６が接続されており、他方の入力端子は節点Ｘ６０に接続されている。また、コンパレータ６４の出力端子は端子６２に接続されている。ここで、可変抵抗器６５、６６には図示しない電源によって所定の電圧が印可されており、それぞれの抵抗値を変化させることによりコンパレータ６３、６４に入力される値（以下、比較値と称する）を変更することができる。
【００８４】
ここで、検知部材３０に作用する押下力Ｆｘ  １、Ｆｘ  ２と出力されるアナログ電圧Ｖｘ  ’との関係を図１２を参照して説明する。なお、押下力Ｆｘ  １および押下力Ｆｘ  ２は、それぞれ検知部材３０のＸ軸正方向およびＸ軸負方向に作用する力を示している。押下力Ｆｘ  １および押下力Ｆｘ  ２がともに作用していないときのアナログ電圧Ｖｘ  ’の値は電圧値ａである。
【００８５】
押下力Ｆｘ  １が押下力Ｆｘ  １０に達するまではアナログ電圧Ｖｘ  ’の値は電圧値ａのままで変化しない。そして、押下力Ｆｘ  １が押下力Ｆｘ  １０に達すると、アナログ電圧Ｖｘ  ’の値は電圧値ｂに瞬時に増加する。なお、押下力Ｆｘ  １０は、第１の実施の形態で説明において、スイッチ用可動電極Ｅ２１の中央部が座屈を伴うことで変位が急増するときの力（所定値）に対応している。さらに、押下力Ｆｘ  １が増加すると、それに伴ってアナログ電圧Ｖｘ  ’の値は比例するように増加する。
【００８６】
同様に、押下力Ｆｘ  ２が押下力Ｆｘ  ２０に達するまではアナログ電圧Ｖｘ  ’の値は電圧値ａのままで変化しない。そして、押下力Ｆｘ  ２が押下力Ｆｘ  ２０に達すると、アナログ電圧Ｖｘ  ’の値は電圧値ｃに瞬時に減少する。なお、押下力Ｆｘ  ２０は、第１の実施の形態で説明において、スイッチ用可動電極Ｅ２２の中央部が座屈を伴うことで変位が急増するときの力（所定値）に対応している。さらに、押下力Ｆｘ  ２が増加すると、それに伴ってアナログ電圧Ｖｘ  ’の値は比例するように減少する。
【００８７】
したがって、可変抵抗器６５の抵抗値を変化させてコンパレータ６３の比較値を電圧値ａと電圧値ｂとの間に設定することにより、端子６１に対してＯＮ状態またはＯＦＦ状態のいずれかを示す信号を出力することが出来る。すなわち、押下力Ｆｘ  １が押下力Ｆｘ  １０に達するまではＯＦＦ状態を示し、押下力Ｆｘ  １が押下力Ｆｘ  １０に達するとＯＮ状態を示す信号を出力することが出来る（図１２参照）。
【００８８】
また同様に、可変抵抗器６６の抵抗値を変化させてコンパレータ６４の比較値を電圧値ａと電圧値ｃとの間に設定することにより、端子６２に対してＯＮ状態またはＯＦＦ状態のいずれかを示す信号を出力することが出来る。すなわち、押下力Ｆｘ  ２が押下力Ｆｘ  ２０に達するまではＯＦＦ状態を示し、押下力Ｆｘ  ２が押下力Ｆｘ  ２０に達するとＯＮ状態を示す信号を出力することが出来る（図１２参照）。
【００８９】
以上のように、回路６０を含む信号処理回路を用いると、静電容量式センサ１０をスイッチ機能を有するアナログ電圧制御装置として利用することができる。すなわち、スイッチＳ１、Ｓ２を外部からの力のＸ軸方向の成分の認識を開始するためのスイッチとして用いるとともに、その他の接続された回路または機器のＯＮ状態とＯＦＦ状態とを選択的に切り替える別のスイッチとして用いることができる。
【００９０】
なお、回路６０の機能は、Ａ／Ｄ変換ポート付きのマイコンを用いてプログラムなどのソフトウェアにより実行することが可能である。
【００９１】
次に、本発明の第１の実施の形態の第２の変形例について、図面を参照しつつ説明する。図１３は、第２の変形例に係る静電容量式センサのＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。図１３の信号処理回路が、図１の静電容量式センサの信号処理回路と異なる点は、変位電極４０と基準電極Ｅ０との間に容量素子Ｃ０が構成されている点である。なお、その他の構成は、図１の静電容量式センサと同一であるので、同一符号を付して説明を省略する。
【００９２】
絶縁膜５０を基板２０上に容量素子用電極Ｅ１〜Ｅ４、スイッチ用可動電極Ｅ２１〜Ｅ２４および基準電極Ｅ０に密着して、基板２０上を覆うように形成する。このように、変位電極４０と基準電極Ｅ０との間に絶縁膜５０を配置することにより、変位電極４０と基準電極Ｅ０との間に容量素子Ｃ０を構成する。
【００９３】
したがって、変位電極４０は、直接接触することによってではなく、容量素子Ｃ０（カップリングコンデンサとしての機能を有している）による容量結合によって接地された基準電極Ｅ０と電気的に結合される。したがって、静電容量式センサ１０の耐電圧特性が向上し、スパーク電流が流れることによってセンサが破損することがほとんどなくなるとともに、接続不良などの不具合を防止することができるため、信頼性の高い静電容量式センサを得ることができる。また、基準電極Ｅ０が空気にさらされることがなく、それらが酸化されるのを防止することができる。
【００９４】
次に、本発明の第１の実施の形態の第３の変形例について、図面を参照しつつ説明する。図１４は、第３の変形例に係る静電容量式センサのＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。図１４の信号処理回路が、図１の静電容量式センサの信号処理回路と異なる点は、論理素子として、ＥＸ−ＯＲ素子の代わりにＯＲ素子が用いられている点である。なお、その他の構成は、図１の静電容量式センサと同一であるので、同一符号を付して説明を省略する。
【００９５】
図１４において、検知部材３０のＸ軸正方向部分が押下され、スイッチＳ１がＯＮ状態となり、さらに検知部材３０のＸ軸正方向部分が押下されると、端子Ｔ１に入力された周期信号Ａは、容量素子Ｃ１と抵抗素子Ｒ１により構成されるＣＲ遅延回路を通過して、節点Ｘ１に到達する。このとき、節点Ｘ１における周期信号には、図９（ｅ）に示すように所定の遅延が生じている。同様に、検知部材３０のＸ軸負方向部分が押下され、スイッチＳ２がＯＮ状態となり、さらに検知部材３０のＸ軸負方向部分が押下されると、端子Ｔ２に入力された周期信号Ｂは、容量素子Ｃ２と抵抗素子Ｒ２により構成されるＣＲ遅延回路を通過して、節点Ｘ２に到達する。このとき、節点２における周期信号には、図９（ｈ）に示すように所定の遅延が生じている。
【００９６】
したがって、図８と同様に、ＯＲ素子８３には、節点Ｘ１、Ｘ２における周期信号と同一の波形の信号が入力され、これらの信号の間で論理和演算が行われ、その結果を端子Ｔ１１に対して出力される。ここで、端子１１に対して出力される信号は、所定のデューティ比をもった矩形波信号である。
【００９７】
ここで、ＯＲ素子８３が用いられた場合に端子５１に対して出力される矩形波信号と検知部材３０に操作が施されていないときに端子５１に対して出力される矩形波信号との間のデューティ比の変化量は、ＥＸ−ＯＲ素子が用いられた場合に端子５１に対して出力される矩形波信号のそれと比較して小さくなり、このため、静電容量式センサとしての感度が低減すると考えられる。
【００９８】
したがって、静電容量式センサの各部材が感度が非常によくなる材料で製作された場合に、信号処理回路の構成によって、静電容量式センサの感度を調節する（ここでは、感度を低下させる）ために用いるのに好ましい。
【００９９】
次に、本発明の第１の実施の形態の第４の変形例について、図面を参照しつつ説明する。図１５は、第４の変形例に係る静電容量式センサのＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。図１５の信号処理回路が、図１の静電容量式センサの信号処理回路と異なる点は、論理素子として、ＥＸ−ＯＲ素子の代わりにＡＮＤ素子が用いられている点である。なお、その他の構成は、図１の静電容量式センサと同一であるので、同一符号を付して説明を省略する。
【０１００】
図１５において、検知部材３０のＸ軸正方向部分が押下され、スイッチＳ１がＯＮ状態となり、さらに検知部材３０のＸ軸正方向部分が押下されると、端子Ｔ１に入力された周期信号Ａは、容量素子Ｃ１と抵抗素子Ｒ１により構成されるＣＲ遅延回路を通過して、節点Ｘ１に到達する。このとき、節点Ｘ１における周期信号には、図９（ｅ）に示すように所定の遅延が生じている。同様に、検知部材３０のＸ軸負方向部分が押下され、スイッチＳ２がＯＮ状態となり、さらに検知部材３０のＸ軸負方向部分が押下されると、端子Ｔ２に入力された周期信号Ｂは、容量素子Ｃ２と抵抗素子Ｒ２により構成されるＣＲ遅延回路を通過して、節点Ｘ２に到達する。このとき、節点２における周期信号には、図９（ｈ）に示すように所定の遅延が生じている。
【０１０１】
したがって、図８と同様に、ＡＮＤ素子８４には、節点Ｘ１、Ｘ２における周期信号と同一の波形の信号が入力され、これらの信号の間で論理和演算が行われ、その結果を端子Ｔ１１に対して出力される。ここで、端子１１に対して出力される信号は、所定のデューティ比をもった矩形波信号である。
【０１０２】
ここで、ＡＮＤ素子８４が用いられた場合に端子５１に対して出力される矩形波信号と検知部材３０に操作が施されていないときに端子５１に対して出力される矩形波信号との間のデューティ比の変化量は、ＥＸ−ＯＲ素子が用いられた場合に端子５１に対して出力される矩形波信号のそれと比較して小さくなり、このため、静電容量式センサとしての感度が低減すると考えられる。
【０１０３】
したがって、静電容量式センサの各部材が、静電容量式センサとしたときの感度が非常によくなる材料で製作された場合に、信号処理回路の構成によって、静電容量式センサの感度を調節する（ここでは、感度を低下させる）ために用いるのが好ましい。
【０１０４】
次に、本発明の第１の実施の形態の第５の変形例について、図面を参照しつつ説明する。図１６は、第５の変形例に係る静電容量式センサのＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。図１６の信号処理回路が、図１の静電容量式センサの信号処理回路と異なる点は、論理素子として、ＥＸ−ＯＲ素子の代わりにＮＡＮＤ素子が用いられている点である。なお、その他の構成は、図１の静電容量式センサと同一であるので、同一符号を付して説明を省略する。
【０１０５】
図１６において、検知部材３０のＸ軸正方向部分が押下され、スイッチＳ１がＯＮ状態となり、さらに検知部材３０のＸ軸正方向部分が押下されると、端子Ｔ１に入力された周期信号Ａは、容量素子Ｃ１と抵抗素子Ｒ１により構成されるＣＲ遅延回路を通過して、節点Ｘ１に到達する。このとき、節点Ｘ１における周期信号には、図９（ｅ）に示すように所定の遅延が生じている。同様に、検知部材３０のＸ軸負方向部分が押下され、スイッチＳ２がＯＮ状態となり、さらに検知部材３０のＸ軸負方向部分が押下されると、端子Ｔ２に入力された周期信号Ｂは、容量素子Ｃ２と抵抗素子Ｒ２により構成されるＣＲ遅延回路を通過して、節点Ｘ２に到達する。このとき、節点２における周期信号には、図９（ｈ）に示すように所定の遅延が生じている。
【０１０６】
したがって、図８と同様に、ＮＡＮＤ素子８５には、節点Ｘ１、Ｘ２における周期信号と同一の波形の信号が入力され、これらの信号の間で論理和演算が行われた後、引き続き否定演算が行われ、その結果を端子Ｔ１１に対して出力される。ここで、端子１１に対して出力される信号は、所定のデューティ比をもった矩形波信号である。
【０１０７】
ここで、端子１１に対して出力される矩形波信号は、ＥＸ−ＯＲ素子が用いられた場合に端子１１に対して出力される矩形波信号と比較して、デューティ比の値が平均的に小さくなり、このため、静電容量式センサとしての感度が低減すると考えられる。
【０１０８】
したがって、静電容量式センサの各部材が、静電容量式センサとしたときの感度が非常によくなる材料で製作された場合に、信号処理回路の構成によって、静電容量式センサの感度を調節する（ここでは、感度を低下させる）ために用いるのが好ましい。
【０１０９】
次に、本発明の第２の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【０１１０】
図１７は、本発明の他の実施の形態に係る静電容量式センサの側面の模式的な断面図である。図１８は、図１７の静電容量式センサの検知部材の上面図である。図１９は、図１７の静電容量式センサの基板上に形成されている複数の電極の配置を示す図である。
【０１１１】
静電容量式センサ１１０は、基板１２０と、人などによって操作されることによって外部から力が加えられる操作用の検知部材１３０と、変位電極１４０と、基板１２０上に形成された容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４と、ドーム形状を有するスイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４（図１７ではＥ１２１およびＥ１２２のみを示す）と、その内側に配置されたスイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４（図１７ではＥ１１１およびＥ１１２のみを示す）と、基準電極（共通電極）Ｅ１００と、ドーム形状を有するボタン用可動電極Ｅ１２５と、その内側に配置されたボタン用固定電極Ｅ１１５と、複数の電極に密着して基板１２０上を覆うように形成された絶縁膜１５０と、検知部材１３０および変位電極１４０を基板１２０に対して支持固定する支持部材１６０と、支持部材１６０および検知部材１３０の周囲を覆うように配置されたカバーケース１７０とを有している。
【０１１２】
ここでは、説明の便宜上、図示のとおり、ＸＹＺ三次元座標系を定義し、この座標系を参照しながら各部品に配置説明を行うことにする。すなわち、図１７では、基板１２０上のボタン用固定電極Ｅ１１５の中心位置に原点Ｏが定義され、右水平方向にＸ軸が、上垂直方向にＺ軸が、紙面に垂直奥行方向にＹ軸がそれぞれ定義されている。ここで、基板１２０の表面は、ＸＹ平面を規定し、基板１２０上のボタン用固定電極Ｅ１１５、検知部材１３０および変位電極１４０のそれぞれの中心位置をＺ軸が通ることになる。
【０１１３】
基板１２０は、基板２０と同様に、一般的な電子回路用のプリント回路基板であり、この例ではガラスエポキシ基板が用いられている。また、基板１２０として、ポリイミドフィルムなどのフィルム状の基板を用いてもよいが、フィルム状の基板の場合は可撓性を有しているため、十分な剛性をもった支持基板上に配置して用いるのが好ましい。
【０１１４】
検知部材１３０は、原点を中心とする円形の中央ボタン１３１と、中央ボタン１３１の外側に配置されたリング状のサイドボタン１３２とから構成されている。ここで、中央ボタン１３１の径は、基準電極Ｅ１００の外径とほぼ同じか、それより若干小さく、サイドボタン１３２の外径は、容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４のそれぞれの外側の曲線を結んでできる円の径とほぼ同じである。また、中央ボタン１３１の下面のボタン用固定電極Ｅ１１５に対向する位置には突起体１３１ａが形成されており、サイドボタン１３２の下面のスイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４にそれぞれ対向する位置には、４つの突起体１３２ａが形成されている。
【０１１５】
また、弾性を有するシリコンゴムで形成された支持部材１６０には、突起体１３１ａおよび突起体１３２ａに対応する位置に貫通孔１６０ａおよび１６０ｂが形成されている。中央ボタン１３１は、突起体１３１ａが貫通孔１６０ａに嵌挿され、支持部材１６０の上面に接着されている。サイドボタン１３２は、４つの突起体１３２ａがそれぞれ貫通孔１６０ｂに嵌挿され、支持部材１６０の上面に抜け止め構造により配置されている。なお、サイドボタン１３２を支持部材１６０の上面に接着してもよい。
【０１１６】
また、サイドボタン１３２の上面には、図１８に示すように、Ｘ軸およびＹ軸のそれぞれの正方向および負方向に対応するように、すなわち、容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４に対応するように、操作方向（カーソルの移動方向）に対応した矢印が形成されている。
【０１１７】
変位電極１４０は、導電性を有するシリコンゴムで形成され、容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４のそれぞれの外側の曲線を結んでできる円の径とほぼ同一の径を有する円盤状であり、支持部材１６０の下面に付着されている。
【０１１８】
なお、変位電極４０としては、シリコンゴムの他、例えば、導電性インク、導電性熱可塑性樹脂（ＰＰＴ、エラストマー）、導電性プラスチック、金属蒸着フィルムを用いてもよい。ここで、支持部材１６０の下面に平板状に（面一に）形成されるため、変位電極１４０をスクリーン印刷により形成することが可能である。
【０１１９】
また、基板１２０上には、図１９に示すように、原点Ｏを中心とする円形のボタン用固定電極Ｅ１１５と、その外側に形成されたリング状の基準電極Ｅ１００と、さらにその外側に扇形であり、それぞれのほぼ中央部に円形の孔Ｈ１０１〜Ｈ１０４を有する容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４と、孔Ｈ１０１〜Ｈ１０４の内側で、孔Ｈ１０１〜Ｈ１０４の径よりも小さい径を有する円形のスイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４とが形成されている。ここで、スイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４の面積は、容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４の面積に比べて極力小さい方が好ましい。一対の容量素子用電極Ｅ１０１およびＥ１０２は、Ｘ軸方向に離隔してＹ軸に対して線対称に配置されている。また、一対の容量素子用電極Ｅ１０３およびＥ１０４は、Ｙ軸方向に離隔してＸ軸に対して線対称に配置されている。
【０１２０】
ここでは、容量素子用電極Ｅ１０１はＸ軸の正方向に対応するように配置され、一方、容量素子用電極Ｅ１０２はＸ軸の負方向に対応するように配置され、外部からの力のＸ軸方向成分の検出に利用される。また、容量素子用電極Ｅ１０３はＹ軸の正方向に対応するように配置され、一方、容量素子用電極Ｅ１０４はＹ軸の負方向に対応するように配置され、外部からの力のＹ軸方向成分の検出に利用される。さらに、ボタン用固定電極Ｅ１１５は、原点Ｏ上に配置されており、ボタン用可動電極Ｅ１２５とともに、入力などの決定操作に利用される。
【０１２１】
基準電極Ｅ１００、スイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４およびボタン用固定電極Ｅ１１５は、スルーホールなどを利用して端子Ｔ１００〜Ｔ１０４および端子Ｔ１１５（図２０参照）にそれぞれ接続されており、端子Ｔ１００〜Ｔ１０４および端子Ｔ１１５を通じて外部の電子回路に接続されるようになっている。なお、ここでは、基準電極Ｅ１００は、端子Ｔ１００を介して接地されている。
【０１２２】
また、容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４にそれぞれ接触するとともに、スイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４と離隔しつつこれを覆うようにスイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４が配置されている。したがって、スイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４は孔Ｈ１０１〜Ｈ１０４よりも大きい径を有するドーム状の部材である。同様に、基準電極Ｅ１００に接触するとともに、ボタン用固定電極Ｅ１１５と離隔しつつこれを覆うようにドーム状のボタン用可動電極Ｅ１２５が配置されている。したがって、ボタン用可動電極Ｅ１２５は基準電極Ｅ１００の内径よりも大きい径を有している。
【０１２３】
また、絶縁膜１５０は、基板１２０上の容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４の一部、基準電極Ｅ１００の一部、スイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４およびボタン用可動電極Ｅ１２５に密着して、基板１２０上を覆うように形成されている。このため、銅などで形成された容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４、基準電極Ｅ１００、スイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４およびボタン用可動電極Ｅ１２５の絶縁膜１５０で覆われた部分が空気にさらされることがなく、それらが酸化されるのを防止する機能を有している。また、絶縁膜１５０が形成されているため、スイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４およびボタン用可動電極Ｅ１２５と、変位電極１４０とが直接接触することはない。
【０１２４】
次に、上述のように構成された本実施の形態に係る静電容量式センサ１１０の動作について、図面を参照して説明する。図２０は、図１７に示す静電容量式センサの構成に対する等価回路図である。図２１は、図１７に示す静電容量式センサに入力される周期信号から出力信号を導出する方法を説明するための説明図である。
【０１２５】
まず、静電容量式センサ１１０の構成と等価な回路構成について、図２０を参照して説明する。基板１２０上に形成された容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４は、変位電極１４０と対向している。ここで、容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４に接続されたスイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４は、スイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４と接触する位置または接触しない位置を選択的にとり得ることにより、端子Ｔ１０１〜Ｔ１０４と容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４とを接続させるまたは接続させないスイッチＳ１０１〜Ｓ１０４としての機能を有している。また、基準電極Ｅ１００（ボタン用可動電極Ｅ１２５）と変位電極１４０との間で、容量素子Ｃ１００を形成している。さらに、基準電極Ｅ１００に接続されたボタン用可動電極Ｅ１２５と、ボタン用固定電極Ｅ１１５との間には、中央ボタン１３１の押圧に伴って開閉するスイッチＳ１０５が構成されている。
【０１２６】
スイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４がスイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４と接触していない（スイッチがＯＦＦ状態）場合には、スイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４の面積が容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４の面積に比べて非常に小さく、または、スイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４が一種の静電シールドとなることにより、スイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４とスイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４との間には、静電容量がほとんど発生しない。
【０１２７】
一方、スイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４がスイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４と接触している（スイッチがＯＮ状態）場合には、容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４がスイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４と接続され、容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４と変位電極１４０とが対向して、共通の電極である変位可能な変位電極１４０と、固定された個別の容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４との間で容量素子Ｃ１０１〜Ｃ１０４を構成する。容量素子Ｃ１０１〜Ｃ１０４は、それぞれ変位電極１４０の変位に起因して静電容量値が変化するように構成された可変容量素子であるということができる。
【０１２８】
容量素子Ｃ１０１〜Ｃ１０４のそれぞれの静電容量値は、変位電極１４０と、容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４のそれぞれに接続された端子Ｔ１０１〜Ｔ１０４との間の静電容量値として、それぞれ独立して測定することができる。ここで、基準電極Ｅ１００は、端子Ｔ１００を介して接地されているため、容量素子Ｃ１０１〜Ｃ１０４における共通の電極である変位電極１４０は容量素子Ｃ１００および端子Ｔ１００を介して接地されていると考えられる。
【０１２９】
次に、スイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４とスイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４とが接触している（スイッチＳ１０１〜Ｓ１０４がＯＮ状態）場合において、容量素子Ｃ１０１〜Ｃ１０４のそれぞれの静電容量値の変化からサイドボタン１３２への外部からの力の大きさおよび方向を示す出力信号の導出方法について、図２１を参照して説明する。ここで、出力信号Ｖｘ  、Ｖｙ  は、それぞれ外部からの力のＸ軸方向成分およびＹ軸方向成分の大きさおよび方向を示す。
【０１３０】
ここで、出力信号Ｖｘ  、Ｖｙ  を導出するために、端子Ｔ１０１〜Ｔ１０４に対して、常にクロック信号などの周期信号が入力される。端子Ｔ１０１〜Ｔ１０４に周期信号が入力されている状態で、サイドボタン１３２が外部からの力を受けて変位すると、これに伴って変位電極１４０がＺ軸方向に変位する。そして、その力が所定値に満たないときにはスイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４はほとんど変位しないが、その力が所定値に達したときには、スイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４の頂部近傍部分が座屈を伴って急激に弾性変形して凹んだ状態となってスイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４と接触する。これにより、スイッチＳ１０１〜Ｓ１０４がＯＮ状態になる。このとき、操作者には、明瞭なクリック感が与えられることになる。その後、引き続きサイドボタン１３２が変位すると、スイッチＳ１０１〜Ｓ１０４がＯＮ状態を保持しつつ変位電極１４０がさらにも変位することにより、容量素子Ｃ１０１〜Ｃ１０４の電極間隔が変化して、容量素子Ｃ１０１〜Ｃ１０４のそれぞれの静電容量値が変化する。すると、端子Ｔ１０１〜Ｔ１０４に入力された周期信号の位相にずれが生じる。このように、周期信号に生じる位相のずれを利用して、サイドボタン１３２の変位、つまりサイドボタン１３２が外部から受けた力のＸ軸方向およびＹ軸方向の大きさと方向を示す出力信号Ｖｘ  、Ｖｙ  を得ることができる。なお、導出方法の詳細については、図１の静電容量式センサにおける信号処理回路について説明したのと同様であるので省略する。
【０１３１】
以上のように、本実施の形態の静電容量式センサ１１０は、サイドボタン１３２に対して操作を施す場合には、操作方向に対応するスイッチ用可動電極Ｅ１２１〜Ｅ１２４がクリック感を付随しつつ弾性変形してスイッチ用固定電極Ｅ１１１〜Ｅ１１４と接触したときにはじめてサイドボタン１３２の変位の認識を開始するため、操作者はクリック感を感じることで操作を実行していることを感覚的に容易に把握することができる。また、クリック感を生じさせるのに必要な所定の大きさの外力が与えられて始めてサイドボタン１３２の変位の認識が開始されるので、操作者が意識的に操作したのではないクリック感を生じさせない範囲の小さな外力がサイドボタン１３２に加えられたときにはサイドボタン１３２の変位が認識されない。従って、サイドボタン１３２が偶然に別部材に接触するなどの外乱を排して、操作者の意識的な操作に基づくサイドボタン１３２の変位だけを確実に検出することが可能になる。また、本実施の形態では、ボタン用可動電極Ｅ１２５とボタン用固定電極Ｅ１１５とが接触する際にもクリック感が操作者に与えられる。
【０１３２】
また、複数の容量素子用電極Ｅ１０１〜Ｅ１０４が形成され、サイドボタン１３２が外部から受けた力のＸ軸方向およびＹ軸方向の方向成分をそれぞれ別々に認識することができる。ここで、対となる容量素子用電極（Ｅ１０１およびＥ１０２、Ｅ１０３およびＥ１０４）に対して、互いに位相が異なる信号が供給されるため、回路を通過することによる信号の位相のずれを大きくでき、さらに、その信号を論理素子を利用した信号処理回路を用いるため、精度よく検出することができる。
【０１３３】
また、決定操作用のスイッチ（中央ボタン１３１）の付いた入力装置を作成することができ、決定操作をしたときに、明確な操作触感が得られるため、誤操作を防止することができる。また、検知部材１３０が中央ボタン１３１とサイドボタン１３２とに分割されているため、サイドボタン１３２に作用する操作方向に対応する外部からの力と中央ボタン１３１に作用する決定操作に対応する外部からの力とが明確に分離されるため、これらの力が互いに干渉するのを軽減することができ、誤操作を減少させることができる。なお、この構成の静電容量式センサは、パソコン、携帯電話、ゲームなどの入力装置として利用されるのに好ましい。
【０１３４】
また、変位電極１４０は、直接接触することによってではなく、容量素子Ｃ１００（カップリングコンデンサとしての機能を有している）による容量結合によって接地された基準電極Ｅ１００と電気的に結合されるため、静電容量式センサ１１０の耐電圧特性が向上し、スパーク電流が流れることによってセンサが破損することがほとんどなくなるとともに、接続不良などの不具合を防止することができるため、信頼性の高い静電容量式センサを得ることができる。また、基準電極Ｅ１００と変位電極１４０との間に絶縁膜１５０が配置されているが、絶縁膜１５０の一部をカットして基準電極Ｅ１００と変位電極１４０とを接触させる必要がないため、組立および実装面でも有利となる。
【０１３５】
なお、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて、様々な設計変更を行うことが可能なものである。例えば、上述の第１の実施の形態では、容量素子用電極の内側に形成された基準電極と変位電極の下面中央部に形成された凸部とが接触しているものについて説明しているが、これに限らず、例えば、容量素子用電極の外側に形成された基準電極と変位電極の下面外縁部に形成された凸部とが接触しているものなど、基準電極と変位電極とが電気的に接続されておればどのような構成であってもよい。
【０１３６】
また、上述の第１または第２の実施の形態では、スイッチ用可動電極として、ドーム形状を有する電極を用いたものについて説明しているが、これに限らず、変位電極が変位するのに伴ってクリック感を付随しつつ弾性変形してスイッチ用固定電極と接触可能な電極であれば、どのような形状の電極を用いてもよい。
【０１３７】
また、上述の第１または第２の実施の形態では、スイッチ用固定電極が容量素子用電極の内側に形成されたものについて説明しているが、これに限らず、スイッチ用固定電極が容量素子用電極に隣接するように形成されたものであってもよい。
【０１３８】
また、上述の第１または第２の実施の形態では、検知部材がＸ軸方向およびＹ軸方向に対応する容量素子用電極に対して一体に形成されているものについて説明しているが、これに限らず、検知部材がＸ軸方向およびＹ軸方向に対応する容量素子用電極のそれぞれに対応して分割されているものであってもよい。
【０１３９】
また、上述の第１または第２の実施の形態では、Ｘ軸およびＹ軸の正方向および負方向の４方向に対応する容量素子用電極が形成されているものについて説明しているが、これに限らず、用途に合わせて必要な方向の成分だけを検出できるように容量素子用電極を形成してもよい。
【０１４０】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１によると、検知部材に対して操作を施す場合には、操作方向に対応する第３の電極がクリック感を付随しつつ弾性変形して第１の電極と接触したときに始めて検知部材の変位の認識が開始されるため、操作者はクリック感を感じることで操作を実行していることを感覚的に容易に把握することができる。また、クリック感を生じさせるのに必要な所定の大きさの外力が与えられて始めて検知部材の変位の認識が開始されるので、操作者が意識的に操作したのではないクリック感を生じさせない範囲の小さな外力が検知部材に加えられたときには検知部材の変位が認識されない。従って、検知部材が偶然に別部材に接触するなどの外乱を排して、操作者の意識的な操作に基づく検知部材の変位だけを確実に検出することが可能になる。
【０１４１】
また、請求項１によると、導電性部材から作用する力が所定値に達したときにドーム形状をした第３の電極の頂部近傍が急激に変位して凹んだ状態となって第１の電極に接触するため、操作者に明瞭なクリック感を与えることが可能となる。
【０１４２】
請求項２によると、導電性部材が直接接触することによってではなく、容量結合によって接地または一定の電位に保持された基準電極と電気的に結合される。そのため、センサの耐電圧特性が向上し、スパーク電流が流れることによってセンサが破損することがほとんどなくなるとともに、接続不良などの不具合を防止することができるため、信頼性の高い静電容量式センサを得ることができる。また、基準電極と導電性部材との間に絶縁膜を配置した場合においても、絶縁膜の一部をカットして基準電極と導電性部材とを接触させる必要がないため、組立および実装面でも有利となる。
【０１４３】
請求項３によると、各組を別方向の力を認識するために用いることによって多次元的な力の認識が可能になる。請求項４によると、二組の一方を含む回路および他方を含む回路の時定数が同じものであるかどうかにかかわらず、検知部材の変位を認識することができる。
【０１４４】
請求項５によると、回路を通過することによる信号の位相のずれを大きくできるため、検知部材の変位認識の精度を向上させることができる。請求項６〜１０によると、出力信号を精度よく検出することができ、さらに必要に応じて検出精度を調整することができる。また、検知部材の変位検出可能範囲を大きくすることができる。
【０１４５】
請求項１１によると、検知部材が外部から受けた力のＸ軸方向およびＹ軸方向の方向成分をそれぞれ別々に認識することができる。請求項１２によると、外部からの力のＸ軸方向またはＹ軸方向の各成分が明確に分離されるため、異なる方向の成分が互いに干渉するのを軽減することができ、誤操作を減少させることができる。
【０１４６】
請求項１３によると、上述した効果が得られるほか、さらに、検知部材の操作によって互いに接触可能な第６の電極および第７の電極を備えていることで、入力の決定操作を行う際などに使用可能なスイッチを付加することができる。請求項１４によると、操作方向に対応する外部からの力と決定操作に対応する外部からの力とが明確に分離されるため、これらの力が互いに干渉するのを軽減することができ、誤操作を減少させることができる。請求項１５によると、導電性部材が製造しやすく、製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る静電容量式センサの模式的な断面図である。
【図２】図１の静電容量式センサの検知部材の上面図である。
【図３】図１の静電容量式センサの基板上に形成されている複数の電極の配置を示す図である。
【図４】図１に示す静電容量式センサの構成に対する等価回路図である。
【図５】図１に示す静電容量式センサの検知部材にＸ軸正方向への操作が施された場合の側面の模式的な断面図である。
【図６】図１に示す静電容量式センサに入力される周期信号から出力信号を導出する方法を説明するための説明図である。
【図７】図１に示す静電容量式センサの信号処理回路を示す回路図である。
【図８】図１に示す静電容量式センサのＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。
【図９】図１に示す信号処理回路の各端子および各節点における周期信号の波形を示す図である。
【図１０】図１に示す静電容量式センサのＸ軸方向成分についての出力信号をアナログ電圧に変換する回路を含む信号処理回路を示す回路図である。
【図１１】図１に示す静電容量式センサの第１の変形例のＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。
【図１２】検知部材に作用する押下力と出力されるアナログ電圧との関係を示す図である。
【図１３】図１に示す静電容量式センサの第２の変形例のＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。
【図１４】図１に示す静電容量式センサの第３の変形例のＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。
【図１５】図１に示す静電容量式センサの第４の変形例のＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。
【図１６】図１に示す静電容量式センサの第５の変形例のＸ軸方向成分についての信号処理回路を示す回路図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る静電容量式センサの模式的な断面図である。
【図１８】図１９の静電容量式センサの検知部材の上面図である。
【図１９】図１９の静電容量式センサの基板上に形成されている複数の電極の配置を示す図である。
【図２０】図１９に示す静電容量式センサの構成に対する等価回路図である。
【図２１】図１９に示す静電容量式センサに入力される周期信号から出力信号を導出する方法を説明するための説明図である。
【図２２】従来の静電容量式センサの模式的な断面図である。
【図２３】図２２の静電容量式センサの基板上に形成されている複数の電極の配置を示す図である。
【符号の説明】
１０、１１０  静電容量式センサ
２０、１２０  基板
３０、１３０  検知部材
４０、１４０  変位電極
４２  突起体
５０、１５０  絶縁膜
６０、１６０  支持部材
７０、１７０  カバーケース
１３１  中央ボタン
１３２  サイドボタン
１３１ａ、１３２ａ  突起体
１６０ａ、１６０ｂ  貫通孔
Ｅ０、Ｅ１００  基準電極
Ｅ１〜Ｅ４、Ｅ１０１〜Ｅ１０４  容量素子用電極
Ｅ１１〜Ｅ１４、Ｅ１１１〜Ｅ１１４  スイッチ用固定電極
Ｅ２１〜Ｅ２４、Ｅ１２１〜Ｅ１２４  スイッチ用可動電極
Ｅ１１５  ボタン用固定電極
Ｅ１２５  ボタン用可動電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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