(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にタンタル単体又はタンタル合金により形成される第１導電体と、前記第１導電体の表面を陽極酸化して形成される絶縁体と、前記絶縁体上に積層された第２導電体とからなる２端子型非線形素子において、
前記第２導電体として、アルミニウムにネオジムを添加した金属を用いたことを特徴とする２端子型非線形素子。
【請求項２】
前記第１導電体として、タンタルにタングステンを添加した金属を用いたことを特徴とする請求項１に記載の２端子型非線形素子。
【請求項３】
前記第２導電体と、液晶層を駆動するための画素電極とを一体としたことを特徴とする請求項１又は２に記載の２端子型非線形素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の２端子型非線形素子を有する液晶パネル用基板と、対向電極を有する対向基板とが適当な間隔をおいて配置されるとともに、前記液晶パネル用基板と前記対向基板との間隙内に液晶が封入されていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶表示パネルを備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、液晶表示パネルなどにおいて、画素電極を駆動するスイッチング素子に用いて好適な２端子型非線形素子、その製造方法、その非線形素子を用いた液晶表示パネルおよび電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、アクティブ・マトリクス方式の液晶表示パネルは、マトリクス状に配列された画素電極の各々に非線形（スイッチング）素子が設けられた素子アレイ基板と、カラーフィルタなどが形成された対向基板と、これら両基板との間に充填された液晶とから構成され、各非線形素子を駆動して、画素毎に液晶の配向状態を制御することによって、所定の情報を表示するものである。
【０００３】
ここで、非線形素子としては、主に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などの３端子型非線形素子と、薄膜ダイオード（ＴＦＤ：Thin Film Diode）などの２端子型非線形素子とに大別されるが、後者の２端子型非線形素子の方が、配線の交差部分がないために配線間の短絡不良が原理的に発生しない点、さらに、成膜工程およびフォトリソグラフィ工程を短縮できる点において有利である。
【０００４】
このような２端子型非線形素子は、一般には、導電体−絶縁体−導電体のサンドイッチ構造であり、かかる構造により双方向のダイオードスイッチング特性を有する。
【０００５】
一方、近年では、装置小型化や、軽量化、低消費電力化などの理由から、液晶表示パネルに対して、バックライトを廃して反射型とする要求が高まりつつある。
【０００６】
ここで、２端子型非線形素子を用いた液晶表示パネルを反射型とする場合、単純には、液晶表示パネルの背面に設けられる偏光板に反射板を加えることで、あるいは、反射型偏光板に置換することで可能である。ただし、偏光板の光透過率は低いので、画面全体が暗くなり、いわゆるペーパーホワイト化が達成できない。
【０００７】
そこで、第１に、画素電極と第２導電体とを一体とするとともに、両者をアルミニウムなどの反射率の高い金属膜から構成し、第２に、電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されるＳＨ（スーパーホメオトロピック）型液晶などを用いることによって、透過率の低い偏光板の使用をなるべく避けて、２端子型非線形素子を用いた反射型液晶表示パネルを構成することが考えられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、純粋なアルミニウムは、耐食性や耐熱性に乏しいため、そのままでは、液晶表示パネルの品質や信頼性などが低下する、という問題があった。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、液晶表示パネルに適用した場合、品質や信頼性などを高い状態で維持することが可能な２端子型非線形素子およびその製造方法、ならびに、その非線形素子を用いて、画面が明るい液晶表示パネルおよび電子機器を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、基板上にタンタル単体又はタンタル合金により形成される第１導電体と、前記第１導電体の表面を陽極酸化して形成される絶縁体と、前記絶縁体上に積層された第２導電体とからなる２端子型非線形素子において、前記第２導電体として、アルミニウムにネオジムを添加した金属を用いたことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、２端子型非線形素子において、耐食性や耐熱性などが改善されるだけでなく、電流−電圧特性のシフトや、ドリフトなどについても改善することが可能となる。
【００１４】
また前記第１導電体として、タンタルにタングステンを添加した金属を用いたことを特徴とする。
【００１５】
また前記第２導電体と、液晶層を駆動するための画素電極とを一体としたことを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、第２導電体あるいは画素電極の成膜工程およびフォトリソグラフィ工程を省略すること可能となる。
【００１７】
また上記の２端子型非線形素子を有する液晶パネル用基板と、対向電極を有する対向基板とが適当な間隔をおいて配置されるとともに、前記液晶パネル用基板と前記対向基板との間隙内に液晶が封入されていることを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、２端子型非線形素子において耐食性や耐熱性などが改善されるだけでなく、電流−電圧特性のシフトや、ドリフトなどについても改善されるので、液晶表示パネルにおいて焼き付き・残像の軽減化を図ることが可能となる。
【００１９】
また電子機器にあっては、上記の液晶表示パネルを備えたことを特徴とする。このような液晶表示パネルを適用した電子機器としては、例えば、カーナビゲーションシステム、携帯情報端末機器、その他各種の電子機器が考えられる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２１】
＜ＴＦＤ素子＞
まず、本発明の実施形態にかかる２端子型非線形素子について説明する。この２端子型非線形素子は、例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置の各画素を駆動するＴＦＤ素子として用いられるものである。ここで、図１（ａ）は、このＴＦＤ素子を適用した液晶パネル基板における１画素分のレイアウトを示す平面図であり、図１（ｂ）は、そのＴＦＤ素子の構造を図１（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿って示す断面図である。
【００２２】
これらの図に示すように、ＴＦＤ素子２０は、基板３０上に形成された絶縁膜３１を下地として、その上面に形成されており、絶縁膜３１の側から順番に第１導電体膜２２、絶縁体たる酸化膜２４、および、第２導電体膜２６から構成されて、導電体−絶縁体−導電体のサンドイッチ構造を採る。そして、かかる構造によりＴＦＤ素子は、双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。
【００２３】
また、ＴＦＤ素子２０を構成する第１導電体膜２２は、そのまま一方の端子として走査線１２となる一方、第２導電体膜２６は、そのまま他方の端子として画素電極３６となる。
【００２４】
基板３０は、絶縁性および透明性を有するものであり、例えば、ガラス、プラスチックなどから構成される。ここで、下地をなす絶縁膜３１が設けられる理由は、第２導電体膜２６の堆積後における熱処理により、第１導電体膜２２が下地から剥離しないようにするため、および、第１導電体膜２２に不純物が拡散しないようにするためである。したがって、これが問題とならない場合には、絶縁膜３１は省略可能である。
【００２５】
また、第１導電体膜２２は、導電性の金属薄膜であり、例えば、タンタル単体あるいはタンタル合金からなる。酸化膜２４は、例えば、第１導電体膜２２の表面を、化成液中により陽極酸化することによって形成される絶縁膜である。第２導電体膜２６は、導電性の金属薄膜であり、アルミニウムに少量の希土類元素、特に、ネオジム、サマリウム、セリウムなどのランタノイド系元素を添加した金属からなる。そして、画素電極３６は、第２導電体膜２６と一体に形成されている。
【００２６】
＜ＴＦＤ素子の製造プロセス▲１▼＞
次に、図１に示した非線形素子たるＴＦＤ素子２０の製造プロセスについて説明する。
【００２７】
（１）まず、図２に示すように、基板３０上面に絶縁膜３１が形成される。この絶縁膜３１は、例えば、酸化タンタルからなり、スパッタリング法で堆積したタンタル膜を熱酸化する方法や、酸化タンタルからなるターゲットを用いたスパッタリングあるいはコスパッタリング法などにより形成される。この絶縁膜３１は、上述したように、第１導電体膜２２の密着性を向上させ、さらに基板３０からの不純物の拡散を防止することを主目的として設けられるので、その膜厚は、例えば、50〜200nm程度で十分である。
【００２８】
（２）次いで、絶縁膜３１上面に第１導電体膜２２が成膜される。この第１導電体膜２２の組成は、例えば、タンタル単体あるいはタンタル合金からなる。タンタル合金とする場合、主成分のタンタルに、例えば、タングステン、クロム、モリブデン、レニウム、イットリウム、ランタン、ディスプロリウムなどの周期律表において第６〜第８族に属する元素を添加しても良い。特に添加する元素としては、タングステンが好ましく、その含有割合は、例えば、0.1〜6重量％が望ましい。
【００２９】
また、第１導電体膜２２は、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法などで形成可能であり、タンタル合金からなる第１導電体膜２２を形成する場合には、混合ターゲットを用いたスパッタリング法や、コスパッタリング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。
【００３０】
なお、第１導電体膜２２の膜厚は、ＴＦＤ素子の用途によって好適な値が選択され、通常、100〜500nm程度である。
【００３１】
（３）そして、第１導電体膜２２が、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によってパターニングされる。
【００３２】
（４）続いて、酸化膜２４が第１導電体膜２２の表面に形成される。詳細には、第１導電体膜２２の表面が、陽極酸化法によって酸化することで形成される。このとき、走査線１２の表面も同時に酸化されて絶縁膜が形成される。酸化膜２４の膜厚は、その用途によって好ましい値が選択され、例えば、20〜70nm程度とされる。陽極酸化に用いられる化成液は、特に、限定されないが、例えば、0.01〜0.1重量％のクエン酸水溶液を用いることができる。
【００３３】
（５）次いで、第２導電体膜２６が成膜される。この第２導電体膜２６は、上述したように、アルミニウムに少量の希土類元素、特に、ネオジム、サマリウム、セリウムなどのランタノイド系元素を添加した金属からなり、スパッタリング法などによって堆積させることによって形成されている。また、第２導電体膜２６の膜厚は、例えば、50〜300nm程度である。
【００３４】
（６）そして、第２導電体膜２６が、画素電極３６をも一体として、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によりパターニングされる。
【００３５】
このようなプロセスにより、基板３０には、複数のＴＦＤ素子２０がマトリックス状に形成されて、素子アレイ基板となる。
【００３６】
＜ＴＦＤ素子における他の例＞
次に、ＴＦＤ素子における他の例について説明する。
【００３７】
＜バック・トゥ・バック構造＞
次に、ＴＦＤ素子の他の例として、バック・トゥ・バック（back-to-back）構造のＴＦＤ素子について説明する。図３（ａ）は、このＴＦＤ素子を適用した液晶パネル基板における１画素分のレイアウトを示す平面図であり、図３（ｂ）は、そのＴＦＤ素子の構造をＢ−Ｂ線に沿って示す断面図である。
【００３８】
バック・トゥ・バック構造とは、非線形特性の対称化を図るため、２つのダイオードを逆向きに直列接続した構造をいう。このため、図に示すように、ＴＦＤ素子４０は、第１のＴＦＤ素子４０ａと第２のＴＦＤ４０ｂとが、極性を互いに反対にして直列接続した構造となっている。
【００３９】
具体的には、基板３０と、この表面に形成された絶縁膜３１と、第１導電体膜４２と、この表面に陽極酸化によって形成された酸化膜４４と、この表面に形成されて相互に離間した第２導電体膜４６ａ、４６ｂとから構成されている。
【００４０】
そして、第１のＴＦＤ素子４０ａにおける第２導電体膜４６ａはそのまま走査線４８となる一方、第２のＴＦＤ素子４０ｂにおける第２導電体膜４６ｂはそのまま画素電極４５となっている。なお、酸化膜４４は、図１に示したＴＦＤ素子２０における酸化膜２４に比べて膜厚が小さく設定され、例えば、約半分程度に形成される。また、第１導電体膜４２や、酸化膜４４、第２導電体膜４６ａ、４６ｂなどの各構成要素の具体的な構成などは、前述したＴＦＤ素子２０と同様であるので、その説明を省略することとする。
【００４１】
このほかに、２つのダイオードを逆向きに並列接続したリング状素子によっても非線形特性の対称性を確保することができる。
【００４２】
＜ＴＦＤ素子の製造プロセス▲２▼＞
次に、図３に示したようなバック・トゥ・バック構造のＴＦＤ素子４０の製造プロセスについて説明する。
【００４３】
（１）まず、図４に示すように、基板３０上面に絶縁膜３１が形成される。なお、この工程は、図２に示した工程（１）と同一である。
【００４４】
（２）次いで、絶縁膜３１上面に第１導電体膜４２が成膜される。なお、この工程についても、図２に示した工程（２）と同一である。
【００４５】
（３）そして、第１導電体膜４２が、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によってパターニングされる。
【００４６】
（４）続いて、酸化膜４４が第１導電体膜４２の表面に形成される。詳細には、図２に示した工程（４）と同様に、陽極酸化法が用いられる。これにより、走査線４８の表面も同時に酸化される。ただし、酸化膜４４の膜厚は、上述したように、図２に示した酸化膜２２の膜厚の約半分程度である。
【００４７】
（５）次いで、第２導電体膜４６が成膜される。なお、この工程は、図２に示した工程（５）と同一である。
【００４８】
（６）さらに、図５に示すように、第２導電体膜２６が、画素電極４５をも一体として、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によりパターニングされる。
【００４９】
（７）そして、酸化膜４４が形成された第１導電体膜４２であって、図において破線で示された部分４９が、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によりパターニングされて、走査線４８の下層たる第１導電体膜から分離される。
【００５０】
このようなプロセスにより、基板３０には、第１のＴＦＤ素子４０ａと第２のＴＦＤ４０ｂとからなるバック・トゥ・バック構造のＴＦＤ素子４０が、マトリックス状に形成されて、素子アレイ基板となる。
【００５１】
なお、バック・トゥ・バック構造を有するＴＦＤ素子の製造プロセスについては、上記工程（１）〜（７）の順番に限られず、例えば、工程（４）によって第１導電体膜４２の表面に酸化膜２２を形成した直後に、工程（７）によって、走査線４８から分離して、この後、工程（５）、（６）を実行することによっても可能である。
【００５２】
＜ＴＦＤ素子の特性についての考察＞
次に、本実施形態にかかるＴＦＤ素子の優位性について検討する。ここで、本願発明者らは、ＴＦＤ素子の第２導電体膜の材料として、従来より用いられているクロムを用いた場合と、本実施形態のようにアルミニウムにネオジムを添加した金属とを用いた場合とで比較実験を行った。なお、本実験では、アルミニウムに対するネオジムの添加量を1.0重量％（=0.19原子％）とした。
【００５３】
まず、ＴＦＤ素子における電流−電圧特性のシフトについて検討する。ここで、電流−電圧特性のシフトとは、図７において、元の電流−電圧特性▲１▼が、ＴＦＤ素子を駆動することによって、その形状を保ったまま、例えば▲２▼のように変動することをいう。このような変動が発生すると、同一電圧値に対する電流値が相違するので、コントラストが変化する。すなわち、同一階調レベルの表示でも画面全体においてはコントラスト差が生じる。このコントラスト差が、いわゆる焼き付きとして見えることになる。
【００５４】
さて、図６（ａ）に示すように、電流値変化に対するシフト変化の傾きは、第２導電体としてクロムを用いた場合よりも、アルミニウムにネオジムを添加した金属を用いた場合の方が小さいことが判る。なお、同図における電流値は、ＴＦＤ素子の両端に一定電圧（4V）を印加した場合の値である。
【００５５】
したがって、本実施形態では、クロムを用いる場合と比べると、電流−電圧特性のシフトが小さく抑えられるため、いわゆる焼き付きが軽減できるという点においてそれだけ有利となる。
【００５６】
次に、ＴＦＤ素子における電流−電圧特性のドリフトについて検討する。ここで、電流−電圧特性のドリフトとは、図７において、元の電流−電圧特性▲１▼が、ＴＦＤ素子の両端に電圧を印加することによって、例えば▲３▼のように変動して、正負において非対称となることをいう。このように非対称になると、絶対値が同一である正負電圧での電流値に差が生じて、正負期間での直流オフセット電圧となり、これが画面上において残像として見えることとなる。
【００５７】
さて、図６（ｂ）に示すように、ドリフト値は、第２導電体としてクロムを用いた場合が0.15〜0.2Vであるのに対し、アルミニウムにネオジムを添加した金属を用いた場合が0.1V以下であるため、後者の方が小さいことが判る。なお、同図における電流値は、ＴＦＤ素子に一定電流値が流れる場合の値である。
【００５８】
また、このドリフトは、第１導電体として、タンタルにタングステンを添加した金属を用いると減少し、さらに、本実施形態のように、第２導電体としてアルミニウムにネオジムを添加した金属を用いると、より減少することが判った。
【００５９】
したがって、本実施形態では、クロムを用いる場合と比べると、電流−電圧特性のドリフトが小さく抑えられるため、残像が少ないという点においてそれだけ有利となる。
【００６０】
よって、本実施形態にかかるＴＦＤ素子を液晶表示パネルに適用すると、焼き付き・残像の軽減化を図ることが可能となる。
【００６１】
なお、第２導電体膜２６としてアルミニウムにネオジムを添加した金属を用いることのみによっても、ＴＦＤ素子における電流−電圧特性の急峻性、シフト、ドリフトが改善されるため、第２導電体膜２６と画素電極３６とを一体とせずに、画素電極３６をＩＴＯ（Indium Tin Oxide)などの透明導電膜で形成しても、同様な効果が得られる。ただし、図２に示した工程（１）〜（６）、あるいは、図４、図５に示した工程（１）〜（７）に加えて、画素電極たる金属膜の成膜工程およびパターニング工程が別途必要となる。
【００６２】
＜液晶表示パネル＞
次に、上述した製造プロセスにより作成したＴＦＤ素子２０（４０）を適用した液晶表示パネルの一例について説明する。図８は、その等価回路の一例を示すブロック図である。
【００６３】
この図に示すように、液晶表示パネル１０では、走査線１２とデータ線１４との各交点において画素領域１６が形成されており、各画素領域１６は、液晶表示要素（液晶層）１８とＴＦＤ素子２０とが直列に接続された構成となっている。ここで、各走査線１２は走査信号駆動回路１００によって、また、各データ線１４はデータ信号駆動回路１１０によって、それぞれ駆動される。
【００６４】
なお、図８では、ＴＦＤ素子２０が走査線の側に接続され、液晶層１８がデータ線の側に接続されているが、これとは逆に、ＴＦＤ素子２０をデータ線の側に、液晶層１８を走査線の側に設ける構成でもよい。
【００６５】
さらに、液晶表示パネル１０の構造について説明する。図９は、その一例を摸式的に示す部分破断斜視図である。この図に示すように、液晶表示パネル１０は、素子アレイ基板３０と、これに対向配置される対向基板３２とを備えている。対向基板３２は、例えば、ガラス基板からなる。
【００６６】
素子アレイ基板３０において、画素電極３６は、それぞれマトリクス状に複数配列する。ここで、同一行に配列する画素電極３６は、行方向に短冊状に延在する複数の走査線１２の１本に、ＴＦＤ素子２０を介して接続されている。
【００６７】
一方、対向基板３２において、複数のデータ線１４は、それぞれ走査線１２の延在方向と直交する列方向へ短冊状に延在して、かつ、素子アレイ基板３０の画素電極３６と交差するように形成されている。
【００６８】
さて、このように構成された素子アレイ基板３０と対向基板３２とは、一方の基板の周辺に沿って塗布されるシール剤と、適切に散布されたスペーサとによって、一定のギャップ（間隙）を保っており、この閉空間に例えば、ＳＨ（スーパーホメオトロピック）型の液晶が封入されて、液晶層１８（図８参照）が形成されている。
【００６９】
一方、図８における走査信号駆動回路１００が、各ＴＦＤ素子２０に所定電圧の走査信号を、走査線１２を介して順次供給するのに合わせて、データ信号駆動回路１１０は、表示の階調レベルに応じたパルス幅を有するデータ信号を、データ線１４を介して順次供給する。
【００７０】
そして、走査線１２とデータ線１４とに印加される電位差に基づきＴＦＤ素子２０の電流値が変化して、液晶層１８が充放電される結果、当該液晶層１８の表示状態、非表示状態またはその中間状態に切り替えられる。これにより、液晶層１８の表示動作が制御されることとなる。
【００７１】
ほかに、対向基板３２には、液晶表示パネル１０の用途に応じて、例えば、ストライプ状モザイク状や、トライアングル状等に配列されたカラーフィルタが設けられ、さらに、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどのブラックマトリクスが設けられる。
【００７２】
また、液晶表示パネル１０において、分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜、偏光板等が不要となるため、光利用効率が高まり、このため液晶表示パネルの高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。
【００７３】
＜電子機器：その１＞
次に、このような液晶表示パネル１０を電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。
【００７４】
まず、この液晶表示パネルをライトバルブとして用いたビデオプロジェクタについて説明する。図１０は、ビデオプロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００７５】
この図に示すように、ビデオプロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された複数のミラー１１０６、１１０６、……および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００７６】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した通りであり、図示しないビデオ信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動される。さて、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７７】
なお、このように液晶表示パネル１０をプロジェクタに適用する場合、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇは透過型となるので、画素電極がＩＴＯなどの透明導電膜で第２導電体とは別途形成されることとなる。
【００７８】
また、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、対向基板３２にカラーフィルタを設ける必要はない。
【００７９】
＜電子機器：その２＞
さらに、液晶表示パネルをパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１１は、このパーソナルコンピュータの構成を示す正面図である。図において、パーソナルコンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶ディスプレイ１２０６とから構成されている。この液晶ディスプレイ１２０６は、先に述べた液晶表示パネル１０にカラーフィルタとバックライトとを付加することにより構成される。
【００８０】
＜電子機器：その３＞
次に、液晶表示パネルをページャに適用した例について説明する。図１２は、このページャの構造を示す分解斜視図である。この図に示すように、ページャ１３００は、金属フレーム１３０２において、液晶表示パネル１０を、バックライト１３０６ａを含むライトガイド１３０６、回路基板１３０８、第１、第２のシールド板１３１０、１３１２とともに収容する構成となっている。そして、液晶表示パネル１０と回路基板１０との導通は、対向基板３２に対しては２つの弾性導電体１３１４、１３１６によって、素子アレイ基板３０に対してはフィルムテープ１３１８によって、それぞれ図られている。
【００８１】
なお、図１０〜図１２を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などが電子機器の例として挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、第１導電体−絶縁体−第２導電体からなる２端子型非線形素子において、前記第２導電体として、Ａｌに希土類元素を添加した金属を用いることにより、純粋なＡｌを用いた場合と比べて、耐食性や耐熱性などが改善されるだけでなく、２端子型非線形素子における電流−電圧特性の急峻性、シフト、ドリフトについても改善されるので、液晶表示パネルに適用した場合に、焼き付き・残像の軽減化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）は、本発明の実施形態にかかるＴＦＤ素子を適用した液晶パネル用基板の１画素分についてのレイアウトを示す平面図であり、（ｂ）は、そのＡ−Ａ線の断面図である。
【図２】  （１）〜（６）は、それぞれ同ＴＦＤ素子の製造プロセスを示す図である。
【図３】  （ａ）は、さらに、他のＴＦＤ素子を適用した液晶パネル用基板の１画素分についてのレイアウトを示す平面図であり、（ｂ）は、そのＢ−Ｂ線の断面図である。
【図４】  （１）〜（５）は、それぞれ同ＴＦＤ素子の製造プロセスを示す図である。
【図５】  （６）、（７）は、それぞれ同ＴＦＤ素子の製造プロセスを示す図である。
【図６】  （ａ）および（ｂ）は、それぞれＴＦＤ素子の電流−電圧特性の優位性を説明するための図である。
【図７】  ＴＦＤ素子の電流−電圧特性におけるシフト、ドリフトを説明するための図である。
【図８】  液晶表示パネルおよびその駆動回路の構成を示すブロック図である。
【図９】  液晶表示パネルの構成を示す部分破断斜視図である。
【図１０】  液晶表示パネルを適用した電子機器の一例たる液晶プロジェクタの構成を示す断面図である。
【図１１】  液晶表示パネルを適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す正面図である。
【図１２】  液晶表示パネルを適用した電子機器の一例たるページャの構成を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
１０……液晶表示パネル
１２、４８……走査線
１４……データ線
１８……液晶層
２０、４０……ＴＦＤ素子
２２……第１導電体膜（第１導電体）
２４……酸化膜（絶縁体）
２６……第２導電体膜（第２導電体）
３０……（素子アレイ）基板
３２……対向基板
３６、４５……画素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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