(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定の間隔で電極と対向配置され、相対変位可能な振動板と、
前記電極と前記振動板との間に静電気力を発生させて前記振動板を相対変位させる駆動手段と、
前記振動板の相対変位によって容積が変動するインク室と、
前記インク室に連通しているインクノズルとを備え、
前記駆動手段は、前記振動板のそれぞれに形成した電極と、これらの電極の間に電気パルスを印加する電圧印加手段とを備え、前記電気パルスの印加に応じて前記インクノズルからインク液滴が吐出されるインクジェットヘッドであって、
前記電極または前記振動板のうちの少なくとも一方の部材における他方の部材との対向表面には疎水膜が形成されており、前記疎水膜はヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）から形成されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載のインクジェットヘッドの製造方法であって、前記対向表面にＨＭＤＳを付着して前記疎水膜を形成する付着工程と、形成された前記疎水膜を安定化させる後処理工程とを含み、当該後処理工程は、前記疎水膜に水分を付与する水分付与工程、前記疎水膜を所定の時間に渡って放置する放置工程、および前記疎水膜に紫外線を照射する紫外線照射工程のうちの少なくとも一つの工程を含むことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記水分付与工程は、前記付着工程の終了前から開始することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項４】
請求項２または３において、前記放置工程は、湿度が２乃至１００％で温度が２０°Ｃ乃至２００°Ｃの雰囲気中に前記疎水膜を放置することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項２〜４いずれかにおいて、前記放置工程における雰囲気温度は７０°Ｃ乃至１５０°Ｃの範囲内であることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項２〜５いずれかにおいて、前記紫外線照射工程で使用する紫外線は４００ｎｍ以下の波長帯域の光であることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項２〜６いずれかにおいて、前記付着工程に先立って、前記対向表面から付着水分を除去する前処理工程を含んでいることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記前処理工程は真空加熱工程であることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項９】
請求項７または８において、前記前処理工程は、前記対向表面の雰囲気を真空雰囲気および窒素雰囲気に交互に切り換える工程であることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は対向電極間に電圧を印加することにより発生する静電気力を駆動源として利用している静電アクチュエータおよびその製造方法に関するものである。更に詳しくは、本発明は、静電気力により相対変位する部材の表面に疎水膜を備えた静電アクチュエータにおける当該疎水膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
インクジェットプリンタのインクジェットヘッド等は、半導体の微細加工技術を用いて形成された微小構造のアクチュエータである。このような微小構造のアクチュエータとしては、その駆動源として静電気力を利用したものが知られている。例えば、本願人によって、静電気力を利用してインク液滴の吐出を行う静電インクジェットヘッドが特開平５−５０６０１号公報、同６−７１８８２号公報に開示されている。
【０００３】
この形式のインクジェットヘッドは、インクノズルに連通しているインク室の底面が弾性変形可能に形成され、当該底面には、一定の間隔で基板が対向配置され、これら底面および基板にそれぞれ対向電極が配置された構成となっている。対向電極間に電圧を印加すると、それらの間に発生する静電気力によって、インク室の底面は基板の側に静電吸引あるいは静電反発されて振動する。このインク室底面の振動によって発生するインク室の内圧変動によって、インクノズルからインク液滴が吐出される。
【０００４】
ここで、対向電極間に繰り返し電圧を印加してインクジェットヘッドを駆動している間に、対向電極の表面、すなわち、対峙しているインク室底面および基板表面に水分等が付着すると、これらの極性分子の帯電によって、静電吸引特性あるいは静電反発特性が低下するおそれがある。また、表面に吸着した極性分子が相互に裾結合して、インク室底面が基板側に貼り付いたままとなり、動作不能となる不具合が発生するおそれもある。
【０００５】
このような不具合を回避するためには、インク室底面および基板表面に疎水化処理を施すことが考えられる。例えば、パーフルオロデカン酸（ＰＦＤＡ）の配向単分子層をこれらの表面に形成することにより、これらの表面を疎水化することが考えられる。
【０００６】
ＰＦＤＡを用いて疎水化処理が施された静電アクチュエータの例は、例えば、特開平５−５４２５９号公報に開示されている。この公報においては、静電アクチュエータであるマイクロメカニカル装置における対向電極の表面にＰＦＤＡの配向単分子層を形成することにより、これらが駆動中に膠着状態に陥ることなどを防止するようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＰＦＤＡを用いた疎水化処理は次のような解決すべき課題がある。まず、ＰＦＤＡを単に相対変位する部材の対向表面に付着したのみでは、その層の耐久性が十分ではない。このため、静電気力によって繰り返し相対変位させられるこれらの部材の間に発生する繰り返し電界のために、ＰＦＤＡの層が部材の表面から剥離し、剥離部分が凝集して部材間の相対変位を妨げる異物が発生するおそれがある。このような異物が発生すると、静電アクチュエータが動作不能に陥る危険性もある。
【０００８】
次に、静電アクチュエータでは、相対変位する対向部材の間に発生する静電気力を十分に大きな力とするために、これらの対向部材の間隔を可能な限り狭くすることが望ましい。また、静電アクチュエータの高密度化、一層の微小化を達成するためにも、対向部材の間隔を可能な限り狭くすることが望ましい。しかしながら、対向部材の間隔を狭くすると、ＰＦＤＡの分子は大きいので、狭い間隔の対向部材表面にそれを付着させることが不可能となってしまう。
【０００９】
本発明の課題は、このような点に鑑みて、耐久性のある疎水膜を備えた静電アクチュエータおよびその製造方法を提案することにある。
【００１０】
また、本発明の課題は、静電気力により相対変位する対向部材の間隔が狭い場合においてもこれらの対向部材の表面に付着形成可能な疎水膜を備えた静電アクチュエータおよびその製造方法を提案することにある。
【００１１】
【課題を解決する手段】
本発明は、一定の間隔で電極と対向配置され、相対変位可能な振動板と、
電極と振動板との間に静電気力を発生させて振動板を相対変位させる駆動手段と、
振動板の相対変位によって容積が変動するインク室と、
インク室に連通しているインクノズルとを備え、
駆動手段は、振動板のそれぞれに形成した電極と、これらの電極の間に電気パルスを印加する電圧印加手段とを備え、電気パルスの印加に応じてインクノズルからインク液滴が吐出されるインクジェットヘッドであって、
電極または振動板のうちの少なくとも一方の部材における他方の部材との対向表面には疎水膜が形成されており、疎水膜はヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）から形成されていることを特徴とする。
【００１３】
このように、本発明では相対変位する部材の対向表面にＨＭＤＳからなる疎水膜を形成している。この疎水膜は、ＰＦＤＡからなる疎水膜に比べて耐久性がある。また、分子が小さいので、相対変位する部材の間隔が狭い場合においても、それらの対向表面に付着させることができる。
【００１４】
一方、本発明は、上記構成の静電アクチュエータの製造方法に関するものであり、前記対向表面にＨＭＤＳを付着させることにより前記疎水膜を形成する付着工程と、形成された前記疎水膜を安定化させる後処理工程とを含み、当該後処理工程は、前記疎水膜に水分を付与する水分付与工程、前記疎水膜を所定の時間に渡って放置する放置工程、および前記疎水膜に紫外線を照射する紫外線照射工程のうちの少なくとも一つの工程を含むことを特徴としている。
【００１５】
このような後処理工程を行うことにより、形成された前記疎水膜を安定化させ、その耐久性を改善できることが確認された。
【００１６】
ここで、前記水分付与工程は、前記付着工程の終了前から開始してもよい。
【００１７】
また、前記放置工程としては、湿度が２乃至１００％で温度が２０°Ｃ乃至２００°Ｃの雰囲気中に前記疎水膜を放置する工程とすることができる。ここで、雰囲気温度を５０°Ｃ乃至１００°Ｃの範囲内にすることが望ましい。
【００１８】
さらに、前記紫外線照射工程で使用する紫外線は４００ｎｍ以下の波長帯域の光とすることが望ましい。
【００１９】
一方、本発明の方法では、前記付着工程に先立って、前記対向表面から付着水分を除去する前処理工程を行うようにしてもよい。この前処理工程として真空加熱工程を採用できる。この代わりに、前記対向表面の雰囲気を真空雰囲気および窒素雰囲気に交互に切り換える工程を採用してもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して本発明を適用した静電アクチュエータであるインクジェットヘッドを説明する。
【００２１】
（全体構成）
図１は本発明を適用した静電アクチュエータとしてのインクジェットヘッドの断面図であり、図２はその平面図であり、図３はその部分断面図である。
【００２２】
これらの図に示すように、インクジェッドヘッド１は、シリコン基板２を挟み、上側に同じくシリコン製のノズルプレート３、下側にシリコンと熱膨張率が近いホウ珪酸ガラス基板４がそれぞれ積層された３層構造となっている。中央のシリコン基板２には、その表面からエッチングを施すことにより、独立した５つのインク室５と、１つの共通インク室６と、この共通インク室６を各インク室５に連通しているインク供給路７としてそれぞれ機能する溝が加工されている。これらの溝がノズルプレート３によって塞がれて、各部分５、６、７が区画形成されている。
【００２３】
ノズルプレート３には、各インク室５の先端側の部分に対応する位置に、インクノズル１１が形成されており、これらが各インク室５に連通している。また、共通インク室６が位置しているノズルプレート３の部分には、これに連通するインク供給口１２（図２参照）が形成されている。インクは、外部の図示しないインクタンクから、インク供給口１２を通って共通インク室６に供給される。共通インク室６に供給されたインクは、各インク供給路７を通って、独立した各インク室５に供給される。
【００２４】
独立した各インク室５は、その底壁５１が薄肉とされて、面外方向、すなわち、図１において上下方向に弾性変位可能な振動板として機能するように設定されている。したがって、この底壁５１の部分を、以後の説明の都合上、振動板と称して説明することもある。
【００２５】
次に、シリコン基板２の下側に位置しているガラス基板４において、その上面であるシリコン基板２との接合面には、シリコン基板２の各インク室５に対応した位置に、浅くエッチングされた凹部９が形成されている。したがって、各インク室５の底壁５１は、非常に狭い隙間Ｇを隔てて凹部９が形成されたガラス基板からなる対向壁９１の表面９２に対峙している。この隙間Ｇは、底壁５１と対向壁９１の間に配置した封止剤９３によって封止されている。
【００２６】
ここで、各インク室５の底壁５１は、各インク室側の共通電極として機能する。この底壁５１の表面にはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）からなる疎水膜５３が形成されている。この共通電極としての底壁５１に対峙するように、ガラス基板４の凹部表面９１には、ＩＴＯからなるセグメント電極１０が形成されている。各セグメント電極１０の表面にも、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）からなる疎水膜１５が形成されている。隙間Ｇを挟み、共通電極である各インク室底壁５１と、対応する各セグメント電極１０とが対向電極を形成している。
【００２７】
図２に示すように、これらの対向電極の間に駆動電圧を印加するための電圧印加手段２１は、図示していない外部からの印字信号に応じて、これらの対向電極間に駆動電圧を印加する。電圧印加手段２１の一方の出力は個々のセグエント電極１０に接続され、他方の出力はシリコン基板２に形成された共通電極端子２２に接続されている。シリコン基板２自体は導電性をもつため、この共通電極端子２２から底壁５１の共通電極に電圧を供給することができる。また、より低い電気抵抗で共通電極に電圧を供給する必要がある場合には、例えば、シリコン基板の一方の面に金等の導電性材料の薄膜を蒸着やスパッタリングで形成すればよい。本実施例では、シリコン基板２とガラス基板４との接続に陽極接合を用いているので、シリコン基板２の流路形成面側に導電膜を形成してある。
【００２８】
ここで、このように構成したインクジェットヘッド１においては、電圧印加手段２１からの駆動電圧が対向電極間に印加されると、対向電極間に充電された電荷によるクーロン力が発生し、底壁（振動板）５１はセグメント電極１０の側へ撓み、インク室５の容積が拡大する。次に、電圧印加手段２１からの駆動電圧を解除して対向電極間の電荷を放電すると、振動板５１はその弾性復帰力によって復帰し、インク室５の容積が急激に収縮する。この時発生するインク圧力により、インク室５を満たすインクの一部が、このインク室に連通しているインクノズル１１からインク滴として吐出する。
【００２９】
（製造方法）
図４には上記構成のインクジェットヘッド１の製造工程の概略フローチャートを示してある。この図に示すように、まず、ステップＳＴ１において、インクジェットヘッド１を構成しているシリコン基板２、シリコン製のノズルプレート３、ガラス基板４をそれぞれウエハーから加工して製造する。次に、ステップＳＴ２において、これらの３部材を相互に組み立ててインクジェットヘッドを形成する。すなわち、間隔Ｇが形成されるように、シリコン基板２の底面側にガラス基板４を組み付ける。この状態では、共通電極である底壁５１の表面、およびセグメント電極１０の表面の何れにも疎水膜は形成されていない。
【００３０】
この後は、ステップＳＴ３の前処理工程において、インクジェットヘッド１に対して前処理を施して、その表面に付着している水分を除去する。しかる後に、ステップＳＴ４のＨＭＤＳ付着工程において、共通電極である底壁５１の表面およびセグメント電極１０の表面に、それぞれＨＭＤＳからなる疎水膜５３、１５を形成する。この後はステップＳＴ５の後処理工程において、形成した疎水膜５３、１５の安定化のための後処理を当該疎水膜に施す。この後は、ステップＳＴ６において封止剤９３によって間隔Ｇの部分を気密封止する。
【００３１】
次に、上記の前処理工程、ＨＭＤＳ付着工程および後処理工程について更に詳しく説明する。
【００３２】
まず、ステップＳＴ３の前処理工程は、ＨＭＤＳ付着状況の安定化を図るために行われる処理である。すなわち、底壁５１の表面およびセグメント電極１０の表面から余分な付着水分を除去して、ＨＭＤＳの付着状況の安定化を図り、次の工程におけるＨＭＤＳの付着状態にばらつきが出来ることを回避するためのものである。
【００３３】
この前処理工程においては、インクジェットヘッド１を真空加熱することにより、その表面から余分な水分を除去すればよい。例えば、真空室内にインクジェットヘッド１を入れて、その雰囲気温度を１００°Ｃ以上にし、真空度を１０-1Ｔｏｒｒよりも高い真空度にして、この状態を所定の時間だけ保持すればよい。真空加熱の代わりに、インクジェットヘッド１を、真空雰囲気中に置く動作と窒素雰囲気中に置く動作を繰り返し行ってもよい。このように、インクジェットヘッド１を入れた真空雰囲気中に窒素をポンピングすることによっても余分な水分をインクジェットヘッド１の表面から除去することができる。
【００３４】
次に、ステップＳＴ４のＨＭＤＳの付着工程においては、気相処理あるいは液相処理によって、共通電極である底壁５１の表面およびセグメント電極１０の表面にＨＭＤＳを付着させることができる。気相処理には、ＨＭＤＳを大気圧中で蒸着する方法と真空中で蒸着する方法がある。これらの方法では、インクジェットヘッド１をＨＭＤＳ雰囲気中に放置すればよい。例えば、ＨＭＤＳ雰囲気中においてインクジェットヘッド１を２０°Ｃ乃至２００°Ｃに保持し、真空度を１０Ｔｏｒｒ以上に高い状態に保持して、約５乃至１５０分程度放置すれば、ＨＭＤＳからなる疎水膜を底板５１の表面およびセグメント電極１０の表面に形成できる。同一条件で雰囲気圧力を大気圧に保持した場合には、インクジェットヘッド１を１時間から２４時間程度放置する必要がある。
【００３５】
液相処理はＨＭＤＳ中にインクジェットヘッドを浸漬することによりＨＭＤＳを付着する方法であり、この方法では、毛細管力によって、隙間Ｇの間にＨＭＤＳが入り込み、底壁５１の表面およびセグメント電極１０の表面にＨＭＤＳが付着する。この方法では、例えば、インクジェットヘッド１およびＨＭＤＳを常温に保持し、ＨＭＤＳ液にインクジェットヘッド１を５分以上浸漬し、しかる後に、２０°乃至２００°Ｃの雰囲気中において隙間Ｇに入り込んでいる余分なＨＭＤＳを気化させて除去すればよい。
【００３６】
図５には、シリコン製の底壁５１の表面およびＩＴＯ製のセグメント電極１０の表面に形成されたＨＭＤＳの疎水層５３、１５の分子結合状態を示してある。この図に示すように、各表面では、ＯＨ基が疎水基であるＯＳｉ（ＣＨ3 ）3 基と入れ代わった状態になる。
【００３７】
次に、ステップＳＴ５の後処理工程としては、水分付与工程と、放置工程と、紫外線照射工程とを挙げることができる。これらの各工程は単独でもよいし、組み合わせて採用してもよい。
【００３８】
まず、水分付与工程は、形成されたＨＭＤＳからなる疎水膜から余分なＨＭＤＳを加水分解することにより除去する工程である。形成されたＨＭＤＳの疎水膜に水分を付与すると、当該疎水膜の経時変化による異物化を抑制でき、膜の安定化を改善できることが確認された。この工程としては、例えば、前述したＨＭＤＳの付着工程の終了後に、インクジェットヘッドを、湿度が２乃至１００％ＲＨ、温度が２０°Ｃ乃至２００°Ｃの雰囲気中に放置する工程を挙げることができる。ここで、水分付与工程は、ＨＭＤＳの付着工程の終了後に開始してもよいが、ＨＭＤＳの付着工程の途中から開始してもよい。この場合には、ＨＭＤＳの付着工程の最初ではＨＭＤＳのみの雰囲気中にインクジェットヘッドを入れ、途中から、雰囲気中にＨＭＤＳと共に水分を加えればよい。
【００３９】
次に、放置工程は、例えば、ＨＭＤＳの付着後にインクジェットヘッドを、温度２０°Ｃ乃至２００°Ｃで湿度が数％の雰囲気中に数日から１週間程度放置する工程である。この工程を経ることにより、ＨＭＤＳの結合状態を安定化させることができ、当該疎水膜の経時変化による異物化を抑制でき、膜の安定化を改善できることが確認された。
【００４０】
一方、紫外線照射工程は、例えば、ＨＭＤＳの付着後に、その疎水膜の部分に波長帯域が４００ｎｍ以下の紫外線を照射する工程であり、この工程を経ることにより、疎水膜から余分なＨＭＤＳが紫外線により分解除去されて、その安定化を向上できることが確認された。
【００４１】
【実施例】
以下に、本発明者等が行った共通電極およびセグメント電極の表面の疎水化処理の具体例を列記する。以下の具体例はいずれも図１乃至３に示す構造のインクジェットヘッド１を用いて行ったものである。
【００４２】
（実験例１）
(1) 前処理工程（真空加熱）
インクジェットヘッドを入れた処理室を温度３４０°Ｃ、真空度１０-3Ｔｏｒｒで９分間保持し、次に、窒素雰囲気にして１分間保持した。この処理を１サイクル（１０分間）として合計１２サイクル繰り返した。
【００４３】
(2) ＨＭＤＳ付着工程（浸漬による付着）
雰囲気温度を２５°Ｃ（室温）に保持し、ＨＭＤＳ液槽にインクジェットヘッドを９０分間に渡って浸漬した。次に、ＨＭＤＳ液槽からインクジェットヘッドを引き上げて、２５°Ｃ（室温）中で２４時間放置して、ＨＭＤＳを自然乾燥させた。
【００４４】
(3) 後処理工程（放置工程）
ＨＭＤＳ付着後のインクジェットヘッドを、温度７０°Ｃ、絶対湿度８ｇ／ｍ3 （相対湿度２乃至４％）の環境下で１週間放置した。
【００４５】
（実験例２）
(1) 前処理工程（真空加熱）
実験例１と同一条件で処理した。
【００４６】
(2) ＨＭＤＳ付着工程（蒸着による方法）
１０Ｔｏｒｒ以上の真空度のＨＭＤＳ雰囲気を形成し、この中に８０°Ｃ前後に加熱したインクジェットヘッドを１５０分間放置して、ＨＭＤＳの蒸着を行った。
【００４７】
(3) 後処理工程（放置工程）
実験例１と同一条件で処理した。
【００４８】
（実験例３）
(1)   前処理工程（真空加熱）
実験例１と同一条件で処理した。
【００４９】
(2) ＨＭＤＳ付着工程（浸漬による付着）
実験例１と同一条件で処理した。
【００５０】
(3) 後処理工程（水分付与工程＋放置工程）
温度５０°Ｃ、湿度９０％の雰囲気中にインクジェットヘッドを１２時間放置することにより、ＨＭＤＳの疎水層に水分を付与した。
【００５１】
次に、インクジェットヘッドを実験例１の放置工程と同一条件で放置した。
【００５２】
（実験例４）
(1) 前処理工程（真空加熱）
実験例１と同一条件で処理した。
【００５３】
(2) ＨＭＤＳ付着工程（浸漬による付着）
実験例１と同一条件で処理した。
【００５４】
(3) 後処理工程（紫外線照射工程）
室温中に置いたインクジェットヘッドのＨＭＤＳ膜に対して、波長４４０ｎｍの紫外線を１０分間照射した。
【００５５】
（実験結果）
上記の各実験例によりＨＭＤＳからなる疎水膜が形成されたインクジェットヘッドでは、いずれも、形成された疎水膜はばらつきの無い均一なものであり、耐久性があり、安定していることが確認された。また、インクジェットヘッドの対向電極間に繰り返し電界を印加しても、インク室の底壁５１は常に適切な振動を行うことが確認され、電極相互間の静電吸着力の低下、電極間の貼り付き等の不具合は認められなかった。さらには、継続使用によっても疎水膜が異物化して底壁５１の振動が阻害なされる等の弊害も確認されなかった。
【００５６】
特に、上記の実験例１による方法を採用した場合に最も良好な結果が得られた。すなわち、最も耐久性があり、しかも安定化したＨＭＤＳからなる疎水膜を得ることができた。
【００５７】
なお、インクジェットヘッドの電極間のギャップを２０００オングストローム程度にした場合において、ＰＦＤＡを真空中にて気化させた環境に９０分放置したところ、ＰＦＤＡは電極間に充分に入っていくことができないために、インクジェットヘッドの耐久性は未処理のものと何ら変わらないことが確認された。すなわち、インクジェットヘッドの耐久性は、電圧印加に伴う振動壁の振動サイクルで測定した場合に約数十万サイクルでしかなかった。
【００５８】
これに対して、上記の実験例１による方法によってＨＭＤＳの疎水膜を形成した場合には、耐久性は数十億サイクル程度であり、ＨＭＤＳの疎水膜による効果が格段に優れていることが確認された。
【００５９】
（その他の実施の形態）
なお、以上の説明は、インクジェットヘッドに対して本発明を適用した例である。本発明はインクジェットヘッド以外の静電アクチュエータに対しても同様に適用できる。例えば、特開平５−５４２５９号公報に開示されているようなマイクロメカニカル装置に対しても本発明を同様に適用できる。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の静電アクチュエータにおいては、静電気力により相対変位する対向部材の対向表面にＨＭＤＳからなる疎水膜を形成した構成を採用している。ＨＭＤＳはＰＦＤＡ等に比べて分子が小さく、しかも形成された疎水膜の耐久性が高く、膜安定性も高い。従って、本発明によれば、対向部材の間隔が狭い静電アクチュエータに対しても均一でばらつきの無い疎水膜を形成できる。また、耐久性および動作安定性の高い静電アクチュエータを実現することができる。
【００６１】
また、本発明の静電アクチェータの製造方法では、ＨＭＤＳからなる疎水膜に対して水分付与、放置、紫外線照射といった後処理を施すことにより、その疎水膜の安定性を高めている。従って、耐久性が一層改善された静電アクチュエータを実現できる。
【００６２】
さらに、静電アクチュエータとしてのインクジェットヘッドに対してＨＭＤＳの疎水膜を形成するする場合には、次のような利点もある。ＨＭＤＳによる疎水膜の形成は、インクジェットヘッドを構成しているシリコン基板、シリコン製のノズルプレート、ガラス基板を相互に組み立てた後、換言すると、一定のギャップで対向電極を配置した後に行う必要がある。この理由は、高温下で行われるＡＢ接合での疎水膜の分解防止とＡＢ接合強度を確保するためである。しかし、各部材を接合した後に疎水膜を形成すると、シリコン基板はインク流路も兼ねているので、インク流路にも疎水膜が形成されて疎水性が付与されしまい、気泡の排出性が悪化する等の問題を生ずる。しかしながら、ＨＭＤＳは、封止剤による気密封止後にＲＣＡ洗浄等を行うことにより簡単にインク流路表面から除去することが可能であり、気泡の排出性悪化等の問題が併発することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したインクジェットヘッドの概略縦断面図である。
【図２】図１のインクジェットヘッドの平面図である。
【図３】図１のインクジェットヘッドの一部を示す概略横断面図である。
【図４】図１のインクジェットヘッドの製造工程を示す概略フローチャートである。
【図５】形成されたＨＭＤＳの疎水層を示す模式図である。
【符号の説明】
１      インクジェットヘッド
２      基板
３      ノズルプレート
４      ガラス基板
５      インク室
５１    インク室の底壁（共通電極）
５３    ＨＭＤＳの疎水層
６      共通インク室
７      インク供給路
９      凹部
９１    対向壁
９２    対向壁表面
１０    電極
１１    インクノズル
１２    インク供給口
１０    セグメント電極
１５    ＨＭＤＳの疎水層
２１    電圧印加手段
２２    共通電極端子
Ｇ      振動板と対向壁の隙間
【図１】
0003726390.tif 000002
【図２】
0003726390.tif 000003
【図３】
0003726390.tif 000004
【図４】
0003726390.tif 000005
【図５】
0003726390.tif 000006