(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出する電子源と、発光部と該発光部の両側に位置する光反射部を備えるレーザー構造体とを含み、前記電子源から放出される電子を前記レーザー構造体に照射することにより、前記レーザー構造体からレーザー光を発生する電子線励起レーザー装置において、
前記電子源から照射される側の前記光反射部を、第１の誘電率を有する部と第２の誘電率を有する部とが周期的に配列されたフォトニック結晶構造とし、且つ前記第１及び第２の誘電率を有する部の一方を真空で構成することを特徴とする電子線励起レーザー装置。
【請求項２】
前記フォトニック結晶構造が２次元フォトニック結晶構造であり、その周期方向に対して、垂直方向から電子を照射することを特徴とする請求項１に記載の電子線励起レーザー装置。
【請求項３】
前記フォトニック結晶構造の一部に欠陥を有することを特徴とする請求項１あるいは２に記載の電子線励起レーザー装置。
【請求項４】
前記フォトニック結晶構造は、陽極酸化アルミナ層に円柱状のナノホールが２次元方向に規則的に配列された陽極酸化アルミナナノホール構造であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子線励起レーザー装置。
【請求項５】
前記発光部にもフォトニック結晶構造が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電子線励起レーザー装置。
【請求項６】
請求項１記載の前記電子源と前記レーザー構造体が複数配置され、複数のレーザー光による出力ができるマルチ電子線励起レーザー装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線励起レーザー装置及びマルチ電子線励起レーザー装置、特に可視から紫外域の発光を示す電子線励起レーザー装置及びマルチ電子線励起レーザー装置に関するものである。本発明の電子線励起レーザー装置及びマルチ電子線励起レーザー装置はレーザービームプリンタ、光記録装置、光通信、ポインタ、表示装置等の光源として用いることができる。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、レーザーはレーザー媒質、反射鏡からなる共振器及び励起源から構成され、レーザー媒質は励起源からエネルギーを得る事により固有の波長の光を誘導放出し、ゲインを持って増幅できる状態となってレーザー発振を行う。この際、光共振器はレーザー媒質から放出された光を反射し、レーザー媒質に戻し多数回往復させることで、次々に増幅させてレーザー発振させるものである。このレーザーは、レーザー媒質としてＨｅ−Ｎｅ，Ａｒ等の気体を用いたガスレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧ，Ｔｉ：サファイア等を用いた固体レーザー、色素を用いた色素レーザー、ＧａＡｌＡｓ等の半導体を用いた半導体レーザー等に分類される。また、励起源としては、光を用いた光励起レーザー、電流を用いた電流注入レーザー、電子線を用いた電子線励起レーザー等が知られている。共振器としては、反射鏡やプリズム、回折格子を用いたファブリ・ペロー型共振器やリング型共振器が挙げられる。また、半導体レーザーとしては反射面としてへき界面や多層膜を用いる場合や、分布帰還（ＤＦＢ）型や分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）型等の構成が挙げられる。
【０００３】
半導体レーザーは、小型、軽量であり、動作電力が小さい、電気−光変換効率が高い等の利点がある。一方、光記録装置の高密度化やレーザービームプリンタの感光特性上の理由及び表示装置におけるカラー化（特開平６−８９０７５号公報参照）に向けて、短波長、特に青から紫外域の小型レーザが望まれているが、広バンドギャップの半導体は、電気的な特性、特にドーピングを自由に行うことができない等の理由により、電流注入によるレーザー発振は困難である。一方、電子線励起レーザーは、すべてのダイレクトギャップ半導体を使用することが可能であり、特に電流注入レーザーの構成が困難であるすべてのダイレクトギャップ半導体に適用することができる。これにより、紫外から赤外域に渡ってレーザー発振を期待できる。
【０００４】
一般的な電子線励起半導体レーザーについて説明する。図１７は従来の電子線励起レーザーを示す構成図である。図１７において、１０１は基板、１０２は発光部（活性層）、１０３，１０４は反射部である。図示しない電子源から電子が放出されると、発光部１０２が励起され、反射部１０３，１０４が共振器として働き、レーザー発振が起こってレーザー光を放出する。活性層には、ＺｎＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ等のII−VI族化合物半導体等が主に用いられる。共振器を構成する光反射部としては、基板へき開面やＡｌ等の金属反射鏡、あるいはＳｉＯ2 とＴｉＯ2 等の誘電体多層膜や屈折率の異なる２種類の化合物半導体等の組合せの多層膜反射鏡等が用いられる。
【０００５】
また、スピント型の電子放出素子と、ＣｄＴｅ／ＣｄＭｎＴｅ系のレーザー構造体を用いて小型の電子線励起レーザーを構成したレーザーの報告がある(Applied Physics Letters,Vol.62,p-796(1993))。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の電子線励起レーザーには以下に示すような問題点が有り、実用化の妨げになっていた。
（１）従来の電子線励起レーザーは、発光効率が低く発振閾値が高いこと、多モードのレーザー発振が起こり、レーザー発振が広い波長領域で起こる。
（２）電子線照射側に十分な光反射能を有するように光学反射層を厚くすると、電子線が活性層に到達するまでに減衰することで発光効率が低下し、電子線加速電圧を高くしなければならない。
（３）レーザー構造体（半導体層）はＭＢＥやＣＢＥの気相成長で作製するため製造コストが高く、安価にレーザー装置を提供することが難しい。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、発光効率の向上、発振閾値の低下、レーザー発振波長幅の狭帯域化、レーザー発振のモード数の低減等高性能化を実現でき、しかも、容易に且つ安価に作製することが可能な電子線励起レーザー装置及びマルチ電子線励起レーザー装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、電子を放出する電子源と、発光部と該発光部の両側に位置する光反射部を備えるレーザー構造体とを含み、前記電子源から放出される電子を前記レーザー構造体に照射することにより、前記レーザー構造体からレーザー光を発生する電子線励起レーザー装置において、前記電子源から照射される側の前記光反射部を、第１の誘電率を有する部と第２の誘電率を有する部とが周期的に配列されたフォトニック結晶構造とし、且つ前記第１及び第２の誘電率を有する部の一方を真空で構成することを特徴とする電子線励起レーザー装置によって達成される。
【０００９】
また、本発明の目的は、上記電子源とレーザー構造体が複数配置され、複数のレーザー光による出力ができるマルチ電子線励起レーザー装置によって達成される。
【００１１】
【作用】
本発明は、レーザー構造体の光反射部に多次元フォトニック結晶構造を用いることにより、光の閉じ込めが有効に働き、レーザーの高効率化、レーザー発振波長幅の狭帯域化、単一モードでのレーザー発振の確率向上が可能である。特に、電子線照射側の光反射部の一部を真空で構成することにより、十分な反射能と電子線透過率を併せ持つ光反射部を実現でき、低閾値（低加速電圧での）のレーザー発振が可能となる。
【００１２】
また、本発明は、レーザー構造体の発光部に多次元フォトニック結晶構造を用いることにより、フォトニックバンドの群速度が小さいモードや、欠陥構造に伴う局在モードを利用する事で、レーザーの高効率化、レーザー発振波長幅の狭帯域化、単一モードでのレーザー発振の確率向上が可能である。更に、レーザー構造体の光反射部及び発光部の両方に多次元フォトニック結晶構造を用いることにより、光反射部と発光部のいずれか一方に多次元フォトニック結晶構造を用いた場合に比べて効果が倍増し、更に性能を向上できる。また、多次元フォトニック結晶に陽極酸化アルミナナノホール構造を用いることにより、簡易な製法で安価に電子線励起レーザー装置を作製できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の電子線励起レーザー装置の一実施形態の構成を示す図である。図１において、１は内部が真空の真空容器である。真空容器１内には、下面に電子を放出する電子源２が配置され、上面には電子源２と対向してレーザー光を発するレーザー構造体３が配置されている。レーザー構造体３は、発光部（発光層）４とその両側に発光部４を挟むように光反射部（光反射層）５，６が積層された構造となっている。光反射部５，６は発光部４の光を多重反射する共振器として機能するものである。また、電子加速手段７は電子源２とレーザー構造体３の間に所定の電圧を印加することにより、電子源２から放出された電子を加速するための電源である。
【００１４】
電子源２としては、熱電子放出素子、電界放出素子、ＭＩＭ型電子放出素子、表面伝導型電子放出素子等の電子放出素子を用いる事ができる。特に、レーザーを小型化するためには、基板上に形成可能で、小型、高効率の電子放出素子が望ましく、スピント型の電界放出素子やＭＩＭ型電子放出素子、表面伝導型電子放出素子等が好ましい。また、電子放出能に優れているダイヤモンドやカーボンナノチューブ等の電子放出材料を基板上に配して電子源とし、レーザー構造体に対向して配置してもよい。更に、電子源２として、光電子放出素子を用いることができる。この場合、入力光により光電子放出素子から放出された電子を電子加速手段で加速し、レーザー構造体３に照射することで、レーザー構造体から出力光が得られ、光増幅器、光−光変換器を構成できる。この際、電子加速手段を制御する事で増幅器を変調可能である。
【００１５】
電子加速手段７としては、電圧１０Ｖ〜１００ｋＶの範囲の電源を用いる事ができる。この際、直流電源、パルス電源を用いる事ができ、それぞれレーザー光の連続発振、パルス発振を得ることができる。また、電子線のビーム径を制御できる様に真空容器１内に電子線集束用電極を配することもできる。
【００１６】
レーザー構造体３は前述のように発光部４と共振器として働く光反射部５，６から成っている。図１の実施形態では、このレーザー構造体３は図２に示すように発光部４の上下の面を光反射部５，６で挟んだ構造となっている。レーザー構造体３としては、これ以外にも様々な形態がある。例えば、図３に示すように発光部４の側面を光反射部５，６で挟んだ構造、図４に示すように発光部４を光反射部６に埋め込み、発光部４の上下及び側面に光反射部を配した構造、図５に示すように発光部４全体を光反射部６に埋め込んだ構造等がある。
【００１７】
電子加速手段７から所定の電圧を印加すると、電子源２から放出された電子は加速され、レーザー構造体３に照射される。この電子の照射により、レーザー構造体３において発光部４が励起され、光反射部５，６が共振器として働くため、レーザー発振が起こり、レーザー光が発せられる。レーザー光の放出方向は図２〜図５のレーザー構造体それぞれにおいて光反射部の反射率を適宜設定することにより、図６に示すように電子入射方向と平行方向（矢印Ａ方向）、電子入射方向と逆平行方向（矢印Ｂ方向）、電子入射方向と垂直方向（矢印Ｃ方向）と任意に設定することができる。
【００１８】
また、図７に示すように真空容器１内に電子源２を複数配置し、各々の電子源２に対向してレーザー構造体３を複数配置することも可能である。このように電子源２とレーザー構造体３を複数配置することにより、同時に複数のレーザー光を得ることが可能なマルチ電子線励起レーザー装置を実現できる。また、図７において、１３は制御電極、１４は電子量制御手段である。このように制御電極１３を設けて、電子量制御手段１４から電子源２と制御電極１３の間に所定の電圧を印加することにより、電子源２からの電子の量を制御することが可能である。これは、図１の装置にも適用可能である。
【００１９】
次に、レーザー構造体３の材料について説明する。まず、レーザー構造体３のうち発光部４を構成するレーザー媒質、即ち、発光材料としては、紫外から可視、赤外域に発光を示す材料であれば何でもよく、半導体、蛍光体、色素、発光ガラス等を用いる事ができる。半導体としては、直接遷移半導体が望ましく、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＣｄＳ等のII−VI族化合物半導体、ＡｌＡｓ、ＧａＰ等のIIIb−Ｖ族化合物半導体、あるいはＧａＮ、ＡｌＮ等のIII −Ｖ族化合物半導体、あるいはＭｇＳ、ＭｎＳ等のカルコゲナイド化合物、もしくはこれらの混晶等を用いることができる。
【００２０】
また、蛍光体としては、ＣＲＴ用の蛍光体である赤色のＺｎ3 （ＰＯ4 ）2 ：Ｍｎ2+、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、ＹＶＯ4 ：Ｅｕ3+、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ3+、Ｙ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ3+を用いることができる。また、緑色のＹ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｔｂ3+、青色のＺｎＳ：Ａｇや（Ｌａ，Ｙ）ＯＢｒ：Ｃｅ3+、（Ｌａ，Ｇｄ）ＯＢｒ：Ｃｅ3+等を用いる事ができる。更に、１０〜１００Ｖの低電圧電子線励起の発光表示板に用いられるＺｎＯ：Ｚｎ、ＳｎＯ2 ：Ｅｕ3+、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ3+＋Ｉｎ2 Ｏ3 等を用いてもよい。
【００２１】
光反射部には、後述する多次元フォトニック結晶や、基板へき界面、Ａｌ、Ａｇ等の金属反射鏡、あるいはＳｉＯ2 とＴｉＯ2 の多層膜反射鏡や屈折率の異なる２種類の化合物半導体等を組み合せた多層膜反射鏡等を用いることができる。本実施形態では、特に、レーザー構造体３に多次元フォトニック結晶構造を用いている。具体的には、図８（ａ）に示すようにレーザー構造体３の光反射部５，６に多次元フォトニック結晶構造を用い、あるいは図８（ｂ）に示すようにレーザー構造体３の発光部４に多次元フォトニック結晶構造を用いている。また、図８（ｃ）に示すように発光部４と光反射部５，６の両方に多次元フォトニック結晶構造を用いている。
【００２２】
フォトニック結晶については、J.D.Joannnopoulous et al."Photonic Crystals "Princeton University Press に詳しいが、以下に簡単に説明する。フォトニック結晶とは人工的な多次元周期構造であり、２種類以上の屈折率（誘電率）の異なる誘電体を周期的に配列させた構造である。この様な媒質は、半導体のバンド形成理論において電子波がブラッグ反射されてエネルギーＥと波数ｋとの分散関係がバンドを形成するのに類推されるように光においても波長程度の屈折率の周期性がフォトニックバンドを生み出す。また、その周期構造によっては、光が存在できない波長領域、即ち、フォトニックバンドギャップが形成される。このようなフォトニックバンドを制御するためには、その構造周期として光の波長程度から光の波長の数分の１のサイズを必要とする。
【００２３】
フォトニック結晶は、その周期性の次元数によって１次元（１Ｄ）、２次元（２Ｄ）、３次元（３Ｄ）に分類される。１Ｄフォトニック結晶は１次元方向に周期性を有する構造であり、例えば積層膜やＤＦＢ構造が挙げられる。２Ｄフォトニック結晶は２次元方向（ｘ，ｙ方向）に周期性を有する構造であり、例えば、図９に示すように第１の誘電体２１の中に誘電率の異なる柱状形状の第２の誘電体２２を規則的に２次元に配列した構造である。第２の誘電体２２は発光波長より小さい短軸長を有し、これが第１の誘電体２１の中に発光波長より小さい周期で規則的に２次元に配列されている。ここで、図９（ａ）は２Ｄフォトニック結晶構造を模式的に斜視図として示す図、図９（ｂ）は平面図として示している。この例では、第２の誘電体２２は正方配列となっている。また、図９（ｃ）に示すように第２の誘電体２２を三方配列としてもよい。
【００２４】
３Ｄフォトニック結晶は、３次元方向に周期性を有する構造である。例えば、図１０（ａ）に示すように２Ｄフォトニック結晶（図９（ａ））に更にＺ方向に周期性を付与する構造とすることで実現できる。即ち、柱状形状の第２の誘電体の中途に第３の誘電体２３を設けてＺ方向に周期性を持たせている。第１〜第３の誘電体２１〜２３はそれぞれ誘電率が異なっている。また、図１０（ｂ）に示すように誘電体ロッド２４をＸ方向とＹ方向に交互に周期的に配列することにより、誘電体ロッド２４をＺ方向に積み上げた構造がある。更に、図１０（ｃ）に示すように誘電体球２５を積み上げることによっても３Ｄフォトニック結晶構造を実現できる。図１０（ｂ）の例では、誘電体ロッド２４を第１の誘電体とすると、誘電体ロッド２４間の空気が第２の誘電体となる。図１０（ｃ）の場合も同様である。
【００２５】
以上多次元フォトニック結晶構造を具体例を挙げて説明したが、このフォトニック結晶をレーザー構造体の光反射部や発光部に用いる場合、誘電率の異なる誘電体として任意の材料（空気、真空を含む）を適用可能である。例えば、図９（ａ）を例にとると、第１の誘電体２１をガラス、第２の誘電体２２をシリコン、あるいは第１の誘電体２１をガラス、第２の誘電体２１を空気というように誘電率の異なる誘電体を用いればよい。更に、フォトニック結晶においては、次元を多次元化する事で、そのバンド構造の制御性が広がり、特に有効なフォトニックバンドギャップを得ることができることから、多次元フォトニック結晶を用いるのが好ましい。
【００２６】
また、フォトニック結晶においては、周期構造により生じるフォトニックバンド構造によって発光波長における状態密度の減少や分散関係の異方性等で発光効率が向上するという効果が現われるが、フォトニックバンドギャップが開いていることがより好ましい。２Ｄフォトニック結晶としてはフォトニックバンドギャップが開くという観点から、図９（ｃ）に示すように第１の誘電体２１の中に、円柱状形状の第２の誘電体２２を６方向対称でハニカム状に規則的に配列した構造が好ましい。
【００２７】
更に、フォトニック結晶の一部に欠陥を配置することも可能である。例えば、図１１に示すように第１の誘電体２１の中に規則的に配列された柱状形状の第２の誘電体２２の一部に径の小さい欠陥２６を配置する。このように欠陥を配置すると、フォトニック結晶に局所的な乱れが生じ、詳しく後述するように発振閾値が低く、単一モードのレーザー発振が容易に得られる。なお、欠陥２６としては、第２の誘電体２２と径が異なっていればよく、第２の誘電体２２よりも径の大きなものを用いてもよい。
【００２８】
図１２は２Ｄフォトニック結晶をレーザー構造体３の光反射部に用いた例を示す断面図である。図１２では２次元的に配列された構造の周期方向は一方向のみとして描いている。図１２（ａ）はフォトニック結晶の非周期方向が電子線入射方向と平行な場合、図１２（ｂ）は垂直な場合の例を示している。ここで、特に電子線入射側の光反射部６にフォトニック結晶を用いる場合は、その電子到達距離を長くするために、その構造部位の一部を真空とするのが望ましい。これにより、十分な反射能と電子線透過率を併せ持つ光反射層を実現でき、低閾値（低加速電圧での）のレーザー発振が可能となる。このようにフォトニック結晶を構成する誘電体の一部に真空を用いる場合、例えば、図９（ａ）の２Ｄフォトニック結晶を例にとると、第２の誘電体２２を真空とする。また、図１２（ａ）の２Ｄフォトニック結晶において第２の誘電体を真空にする場合は、その周期方向に対し垂直方向から電子を照射することが電子エネルギーを損失しにくく、効果的な励起方法として望ましい。
【００２９】
図１３はレーザー構造体３の発光部４に２Ｄフォトニック結晶を用いた例を示す断面図である。図１３（ａ）、（ｂ）は２Ｄフォトニック結晶の非周期方向が電子線入射方向と平行な場合、図１３（ｃ）は垂直な場合の例を示している。図１３（ａ）は図９の第２の誘電体２２として発光材料を用い、この発光材料のロッドを第１の誘電体２１の中に周期的に配列している。図１３（ｂ）は図９の第１の誘電体２１として発光材料を用い、第２の誘電体２２を空孔として周期的に配置している。図１３（ｃ）は図１３（ａ）と同様に第２の誘電体２２として発光材料を用い、これを周期的に配列している。
【００３０】
図１４は２Ｄフォトニック結晶を発光部と光反射部の両方に用いた場合の例を示す断面図である。図１４（ａ）の例では、２Ｄフォトニック結晶の非周期方向を電子線入射方向と平行方向とし、この２Ｄフォトニック結晶の一部に図１３（ａ）で説明したように第２の誘電体２２として発光材料を用いることによって２Ｄフォトニック結晶の発光部４を形成している。この場合、発光部４の両側にもフォトニック結晶の光反射部１１が形成される。
【００３１】
また、図１４（ｂ）の例では、２Ｄフォトニック結晶の非周期方向を電子線入射方向と垂直方向とし、２Ｄフォトニック結晶の一部に図１４（ａ）と同様に発光材料を用いて発光部４を形成している。この場合は、発光部４の上面のフォトニック結晶が光反射部５、下面のフォトニック結晶が光反射部６として形成される。図１４（ｃ）の例では、光反射部５，６として周期的に空孔を有する２次元フォトニック結晶、発光部４として発光材料の中に周期的に空孔を有する２次元フォトニック結晶を用いている。光反射部、発光部における２次元フォトニック結晶の非周期方向は電子線入射方向と平行方向である。
【００３２】
なお、３Ｄフォトニック結晶構造をレーザー構造体３の発光部４に用いる場合は、例えば、図１０（ａ）の例では、第１〜第３の誘電体２１〜２３のうち少なくとも１つの誘電体を発光材料とする。また、図１０（ｂ）の例では、例えば、誘電体ロッド２４の全部又は特定の一部を発光材料とし、図１０（ｃ）の例では、誘電体球２５を発光材料、もしくは誘電体球２５の隙間に発光材料を埋め込む構造とすればよい。
【００３３】
このようにレーザー構造体３の光反射部、発光部、もしくはその両方に多次元のフォトニック結晶を用いることにより以下のような効果がある。
（１）多次元フォトニック結晶のフォトニックバンドギャップを光反射部として用いることで、高度な光反射、光閉じ込めが可能となる。これにより、周波数幅の狭い発振が可能となり、単一モードの発振を得る事が容易になる。更にはフォトニック結晶の多次元性により発光の異方性を制御できる。
（２）多次元フォトニック結晶における周期的に配置する材料として発光材料を用いることにより、発光効率を高め、発振閾値を低下することができる。何故なら、フォトニック結晶においては、群速度が小さい光モードをつくることができるが、物質系と輻射場の相互作用時間が群速度に反比例するので、この群速度低下を利用して増幅率の増強を引き起こすからである（O Plus E Vol 21 1533(1999)) 。
（３）フォトニック結晶に局所的な乱れ、即ち欠陥を導入する事で、フォトニックバンドギャップ中に光の局在モードを作り出す事ができる。発光周波数がフォトニックバンドギャップに含まれる場合、この局在モード以外の周波数では、発光を担う光モードが存在しないため光の自然放出や誘導放出が抑制される。このような欠陥を有する多次元フォトニック結晶を発光部もしくは光反射部に適用する事で、この局在モードを利用し、発光、レーザー発振は周波数幅が狭く、時間的・空間的コヒーレンスも高いものとすることができる。これにより、低閾値で単一モードのレーザー発振を得る事が容易になる。
【００３４】
一方、多次元フォトニック結晶はこのような特徴を有する一方で、その作製方法が困難である事から十分な応用がなされていない。特に、可視域のフォトニック結晶の作製には数１００ｎｍ程度のサイズで周期的構造を作製する必要があるため、作製が困難となっている。フォトニック結晶を作製するには、まず、電子線露光とドライエッチングや選択成長の技術を適用した手法を用いることが挙げられる。しかし、このような手法は、歩留まりの悪さや装置のコストが高い等の問題があるため、以下のように自然に形成される規則的なナノ構造を用いることが好ましい。
【００３５】
即ち、自己組織的に形成されるナノ構造としては、ポリスチレン等の微小球を配列させる方法や微細ファイバーを束ねる方法、その他に陽極酸化アルミナ皮膜等が挙げられる。これらの方法の中でも、陽極酸化アルミナは陽極酸化という簡易な手法で大面積にわたるアスペクトの高い２次元周期構造、即ち、２Ｄフォトニック結晶を作製できるため最も好ましい。また、その周期サイズは作製条件により数１０から５００ｎｍの範囲で制御できるため、可視から紫外域においてフォトニック結晶を構成することができる。以下、陽極酸化アルミナナノホールについて説明する。
【００３６】
陽極酸化アルミナナノホールはＡｌ膜やアルミ箔、アルミ板等をある特定の酸化溶液中で陽極酸化することにより作製することができる（例えば、R.C.Furneaux,W.R.Rigby & A.P.Davidson NATURE Vol.337 P147(1989) 等を参照）。図１５は陽極酸化アルミナナノホールの概略図を示す。この陽極酸化アルミナ５２はＡｌと酸素を主成分とし、多数の円柱状のナノホール５３を有し、そのナノホール５３は基体の表面にほぼ垂直に形成され、それぞれのナノホール５３は互いに平行且つほぼ等間隔に配置されている。
【００３７】
即ち、陽極酸化アルミナ５２（図９の第１の誘電体２１に対応する）の中に中空のナノホール５３（図９の柱状形状の第２の誘電体２２に対応する）が、ハニカム状に規則的に２次元に配列された構造（２次元フォトニック結晶としての構造）から成っている。アルミナナノホールの直径２ｒは数ｎｍ〜数１００ｎｍ、間隔２Ｒは数１０ｎｍ〜数１００ｎｍ程度であり、陽極酸化条件により制御可能である。また、陽極酸化アルミナ５２の厚さ、ナノホール５３の深さは、陽極酸化時間等で制御することができる。これは、例えば１０ｎｍ〜５００μｍの間である。アルミナナノホールの細孔径２ｒはエッチングにより広げることが可能である。これには、りん酸溶液等が利用可能である。
【００３８】
また、２段陽極酸化法やＡｌ表面にハニカム状の凹凸（細孔開始点）を形成してから陽極酸化する方法により細孔配列を規則化する事ができる。（益田：OPTRONICS No.8 (1998)211参照）。更に、陽極酸化アルミナナノホールの細孔内に誘電体や発光材料等を埋め込む事で、２Ｄフォトニック結晶としての高機能化が可能である。また、ナノホール内に内包物を埋め込むには電着による方法が簡易で制御性も良いが、電着以外には電気泳動法や塗布、浸透法の他、ＣＶＤ法等の成膜法を利用できる。このように陽極酸化アルミナを用いることにより、図９で説明した２Ｄフォトニック結晶を容易に作製でき、これを図１２〜図１４で説明したようにレーザー構造体３の光反射部５，６や発光部４に用いることで、電子線励起レーザー装置を容易且つ安価に作製することが可能である。
【００３９】
次に、本発明の電子線励起レーザー装置を実施例を挙げて詳細に説明する。まず、本願発明者は、図１５で説明した陽極酸化アルミナ（２次元フォトニック結晶）からなるレーザー構造体の光反射部を作製し、評価実験を試みた。これを実施例１〜６として説明する。この場合、レーザー構造体３としては、図１２（ａ）、（ｂ）の構造としている。レーザー構造体３の発光部４にはＣｄＳ単結晶を用い、このＣｄＳ単結晶を１５μｍ程度の厚さに研磨した後、Ａｒ雰囲気で５５０℃、１時間のアニールを行い、その後、ＣｄＳ単結晶の両面に陽極酸化アルミナからなる２Ｄフォトニック結晶からなる光反射部を形成する事でレーザー構造体を作製した。このフォトニック結晶による光反射部として６種類のものを作製し、実施例１〜６としている。また、比較例として光反射部がアルミ膜のものを作製した。
【００４０】
次に、陽極酸化アルミナを用いた光反射部の作製方法について説明する。まずＣｄＳ単結晶上に蒸着によりアルミ膜を１μｍ成膜した。成膜にはスパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸発法等任意の成膜方法が適用可能である。次に、陽極酸化の前工程としてアルミの表面に陽極酸化のナノホール開始点となるように凹凸を作製しておく。この表面加工により、アルミナの細孔配列を規則的なものとする事ができる。この凹凸は陽極酸化アルミナの細孔配列に対向してハニカム状に形成することがアスペクト比の大きいナノホールを作製する上で好ましい。この細孔開始点（凹部）の形成方法としては、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を照射する手法、ＡＦＭを始めとするＳＰＭを用いて行う手法、特開平１０−１２１２９２号公報で開示されたプレスパターニングを用いて凹みを作成する手法、レジストパターン作成後エッチングにより凹みを作る手法等を用いることができる。
【００４１】
これらの手法の中でも、集束イオンビーム照射を用いる手法はレジスト塗布、電子ビーム露光、レジスト除去というような手間のかかる工程は不必要であり、直接描画で所望の位置に短時間で細孔開始点を形成することが可能であることや、被加工物に圧力をかける必要がないので、機械的強度が強くない被加工物に対しても適用可能である等の観点から特に好ましい。この場合は、Ｇａの集束イオンビームを照射する手法を用い、１９０ｎｍ間隔のハニカム配列にドット状の開始点を形成した。ここで、集束イオンビーム加工のイオン種はＧａ、加速電圧は３０ｋＶ、イオンビーム径は１００ｎｍ、イオン電流は３００ｐＡ、各ドットの照射時間は１０ｍｓｅｃとしている。
【００４２】
次に、上記アルミ膜を陽極酸化することによりナノホールを作製した。図１６はこの陽極酸化アルミナナノホール構造を作製する装置を示す図である。図１６において、４０は恒温槽、４１は試料、４２はＰｔ板のカソード（白金電極）、４３は電解質、４４は反応容器である。４５は陽極酸化電圧を印加する電源、４６は陽極酸化電流を測定する電流計である。なお、図１６では省略しているが、この他に電圧、電流を自動制御、測定するコンピュータ等が組み込まれている。試料４１及びカソード４２は恒温水槽により温度を一定に保たれた電解質中に浸漬され、電源４５から試料４１、カソード４２間に電圧を印加することで陽極酸化を行う。陽極酸化に用いる電解質は、例えば、シュウ酸、りん酸、硫酸、クロム酸溶液等が挙げられる。
【００４３】
アルミナナノホールの細孔間隔、即ち、構造周期は陽極酸化電圧とほぼ次式の相関を有するため、開始点配列（間隔）に対応して陽極酸化電圧を設定する事が望ましい。
【００４４】
２Ｒ＝２．５×Ｖａ
２Ｒ（ｎｍ）：細孔周期、Ｖａ（ｖｏｌｔ）：陽極酸化電圧である。
【００４５】
アルミナナノホールの厚さは、アルミ膜の膜厚や陽極酸化の時間によって制御する事ができる。例えば、全膜厚をすべてアルミナナノホールに置換する事や、所望のアルミ膜を残す事もできる。更に、アルミナナノホール層を酸溶液（例えば、りん酸溶液）中に浸す処理（ポアワイド処理）を行うことにより、適宜ナノホール径を広げることができ、酸濃度、処理時間、温度を制御することにより所望のナノホール径を有するアルミナナノホールを形成することができる。本実施例では、陽極酸化の電解液として０．３Ｍリン酸浴を用い、７５Ｖの陽極酸化を行った。また、ポアワイド処理を行い、２５℃のりん酸溶液５ｗｔ％中に７０分浸すことでナノホール径を約１５０ｎｍに広げている。
【００４６】
次に、実施例１〜６のレーザー構造体について説明する。まず、実施例１においては、ほとんどのＡｌ膜を陽極酸化アルミナに変換する事で、図１２（ａ）のように発光部４がアルミナ膜（２Ｄフォトニック結晶）に挟まれたレーザー構造体としている。実施例２においては、Ａｌ膜の厚さ１００ｎｍを残して陽極酸化を終了した。即ち、発光部はアルミ膜に挟まれ、それを更にアルミナナノホール（２Ｄフォトニック結晶）で挟んだ構造である。
【００４７】
実施例３においては、実施例１の陽極酸化アルミナの上に更に反射膜と帯電防止膜として働くＡｇ膜を１００ｎｍ相当の厚さ成膜した。実施例４においては、実施例２と同様であるが、片面のアルミ膜のみを陽極酸化することで陽極酸化アルミナとし、陽極酸化アルミナ側から電子線を入射した。実施例５においては、実施例２と同様であるが、片面のアルミ膜のみを陽極酸化することで陽極酸化アルミナとし、アルミ側から電子線を入射した。実施例６においては、アルミ膜上に更にニオブ膜を形成し、陽極酸化する事で図１２（ｂ）のように横（膜面方向）に細孔が形成された陽極酸化アルミナを作製した。即ち、実施例６においては電子線入射方向と２Ｄフォトニック結晶の周期方向が同一である。比較例１においては、陽極酸化を行わず１００ｎｍ厚さのＡｌ膜をそのまま光反射部として用いている。
【００４８】
次に、このようにして作製した実施例１〜６のレーザー構造体、比較例１のレーザー構造体を用いて評価実験を行った。即ち、ＣｄＳ単結晶からなる発光部と２Ｄフォトニック結晶からなる光反射部を用いたレーザー構造体を、真空装置内に設置し、１０-6Ｐａまで排気後、液体窒素温度まで冷却し、対向するＬａＢ6 からなる電子銃より電子を放出させ、加速電圧１０〜５０ｋｅＶに加速された電子ビームを照射したところ、５２０ｎｍ付近の緑色光のレーザー発振をさせることができた。具体的には、実施例１のレーザー構造体ではレーザー発振閾値として１５〜２０Ａ／ｃｍ2 程度であった。一方、比較例１のものでは２０〜５０Ａ／ｃｍ2 であった。
【００４９】
実施例２、３においては、実施例１に比べて若干高い加速電圧を必要としたが、低電流励起での発振が可能であり、発振の経時安定性に優れている。実施例４においては、実施例２に比べレーザー発振波長幅がやや広いものの、実施例２と同様に低閾値で発振が可能であった。実施例５のものは、比較例１と同様に発振閾値は高かったが、レーザー発振波長幅がやや狭かった。実施例６のレーザー構造体においては、レーザー発振閾値が１０〜１５Ａ／ｃｍ2 程度と低かった。更に、実施例１、２、３及び６において、その中でも特に実施例６のものはレーザー発振波長幅が狭く、レーザー発振モード数が低減されていた。実施例１〜６の結果から明らかなように、レーザー構造体の光反射部に陽極酸化アルミナからなる２Ｄフォトニック結晶を用いることにより、レーザー発振閾値電流を低減できることを確認できた。
【００５０】
次に、陽極酸化アルミナ（２次元フォトニック結晶）に発光材料を充填することで発光部を有するレーザー構造体を作製し、評価実験を試みた。この時のレーザー構造体は図１３（ａ）、図１４（ａ）の構造としている。また、４種類のレーザー構造体を作製し、これを実施例７〜１０として説明する。発光部４には陽極酸化アルミナにＺｎＯを充填したもの、即ち、アルミナ中にＺｎＯロッドが２次元配列形成されたフォトニック結晶を用いている。
【００５１】
具体的な作製方法としては、石英基板上に厚さ１００ｎｍのＮｂ膜、更にＤＣスパッタによりアルミ膜を１μｍ成膜した後、実施例１と同様にアルミ膜を陽極酸化することでアルミナナノホールに変換した。この時は、開始点は１４０ｎｍ間隔のハニカム配列に形成し、０．３Ｍリン酸浴を用いて５６Ｖの陽極酸化を行った。ポアワイド処理として、２５℃のりん酸溶液５ｗｔ％中に５０分浸すことでナノホール径を約１１０ｎｍに広げた。
【００５２】
更に、細孔内に電着によりＺｎＯを充填して発光部を作製し、６０℃に保持した硝酸亜鉛０．１Ｍの水溶液中で、白金の対向電極と共に浸して約５Ｖの負の電圧を印加することでナノホール内にＺｎＯの結晶を形成した。ここで、実施例７においては、この硝酸をナノホールから溢れるまで成長させた後、表面を研磨した。実施例８においてはナノホールの深さの途中約３００ｎｍの深さまでＺｎＯを堆積した（実施例７、８は図１３（ａ）のレーザー構造体に対応）。引き続いて、Ｈｅ雰囲気中で４００℃１時間の熱処理を行い、更に１００ｎｍ厚さ相当量のＡｇを蒸着する事で光反射部を形成した。
【００５３】
更に、実施例９（図１４（ａ）に対応）として、予めフォトリソグラフィーにより、下地Ｎｂ膜を５μｍの幅でライン状にパターニングしておき、その上にＡｌ膜を形成、陽極酸化、ＺｎＯ充填を行った。下地にＮｂ膜を有する部分（５μｍ幅）のライン状にのみＺｎＯを堆積した。即ち、図１４（ａ）のように陽極酸化アルミナ（２Ｄフォトニック結晶）の一部に部分的に発光材料を充填させた。実施例１０においては、陽極酸化アルミナの作製工程において局所的にイオンビーム照射量を多くする事で、深い開始点を形成した。これにより、図１１に示すように局所的に細孔径の小さい部分を有する陽極酸化アルミナナノホールを形成した（実施例１０は図１３（ａ）に欠陥を配置）。
【００５４】
このようにして作製した実施例７〜１０のレーザー構造体を真空装置内に設置し、１０-6Ｐａまで排気後、液体窒素温度まで冷却し、対向するＬａＢ6 からなる電子銃より電子を放出させ、加速電圧１０〜５０ｋｅＶに加速された電子ビームを照射したところ、３９０ｎｍ付近の紫外域においてレーザー発振をさせることができた。レーザー発振閾値として１０〜１５Ａ／ｃｍ2 程度であった。一方、比較例２としてＮｂ膜上にＺｎＯ、Ａｇを積層した試料ものでは発振閾値として２０〜５０Ａ／ｃｍ2 程度であった。
【００５５】
このように発光部に陽極酸化アルミナからなる２Ｄフォトニック結晶を有するレーザー構造体を用いることにより、閾値電流密度を低減できることを確認できた。更に、レーザー発振波長幅が狭くレーザー発振モード数が低減されており、特に実施例８、９においては発振波長幅が狭かった。実施例１０においては欠陥に起因したと思われるモードが見られた。この実施例７〜１０においてはフォトニック結晶に発光体を導入する事で、群速度低下に伴う発振閾値の低下を実現できたと考えられる。
【００５６】
更に、実施例８においては、ＺｎＯが未充填の高さ約７００ｎｍのアルミナナノホールの部位が、フォトニック結晶（反射部）として作用したと考えられる。実施例９においては、フォトニック結晶からなる発光部の側部に非充填陽極酸化アルミナがフォトニック結晶の反射部として光の閉じ込めに有効に作用したと考えられる。実施例１０では２Ｄフォトニック結晶（陽極酸化アルミナ）における欠陥がレーザー発振に寄与したと考えられる。
【００５７】
次に、ＭＢＥ法により作製したＧＲＩＮＳＨ（graded index, separrate confonement)型のＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅヘテロ構造を発光部として用いたレーザー構造体を作製し、評価実験を試みた。これを実施例１１として説明する。この時のレーザー構造体は図１２（ａ）に対応し、発光部をヘテロ構造としている。ヘテロ構造はＩｎＧａＡｓ（１００）基板上に厚さ１μｍのＺｎＳｅのバッファー層を介し、更にその上にＺｎ１−ｘＣｄｘＳｅ（ｘ＝０〜０．０５）の屈折率変化層に挟まれたＺｎ0.75Ｃｄ0.25Ｓｅからなる量子井戸構造を有してなる。屈折率変化層の厚さは５００ｎｍである。
【００５８】
このヘテロ構造の上に実施例２と同様の手法により陽極酸化アルミナからなる光反射部を形成し、レーザー構造体を作製した。本実施例においては、開始点は１７０ｎｍ間隔のハニカム配列に形成し、０．３Ｍリン酸浴を用いて６８Ｖの陽極酸化を行った。ポアワイド処理として２５℃のりん酸溶液５ｗｔ％中に７０分浸すことでナノホール径を約１４０ｎｍに広げている。
【００５９】
次に、電子源として１ｍｍ2 当たり１０4 −１０5 個のＭｏチップを有するスピント型の電子源を用意し、ガラスからなる容器内にスピント型電子源と対向して以上のようにして作製したレーザー構造体を設置し、真空容器内を排気後、ガラス容器を封着した。そして、電子加速手段として高圧電源を電子源とレーザー構造体に接続し、加速電圧１０〜５０ｋｅＶに加速された電子ビームを照射したところ、４８０ｎｍ付近の青色光のレーザー発振をさせることができた。本実施例においては、レーザー発振閾値として０．３〜０．５ｍＡ／ｃｍ2 程度であった。一方、陽極酸化アルミナを配置しなかった比較例のものでは０．５〜１ｍＡ／ｃｍ2 であった。更に、レーザー発振波長幅が狭く、レーザー発振モード数が低減されていることを確認できた。
【００６０】
次に、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多重量子井戸活性層を持つウエハーを電子線リソグラフィーの技術により２Ｄフォトニック結晶構造に加工する事でレーザー構造を作製し、評価実験を試みた。これを実施例１２として説明する。なお、この時は、レーザー構造体は図１４（ｃ）の構造としている。まず、ＩｎＰ基板上に、２００ｎｍ厚ｌｎＧａＡｓエッチングストップ層、１００ｎｍ厚ＩｎＰ層、ＳＣＨ（separate confinement heterostructure) 多重量子井戸活性層、更に１００ｎｍ厚ＩｎＰ層１５が成長したウエハーを用意した。活性層は５０ｎｍ厚のＩｎＧａＡｓＰからなるＳＣＨ層（バンドギャップエネルギー波長λｇ＝１．１μｍ）、７ｎｍ厚のＩｎＧａＡｓＰ井戸（λｇ＝１．３６μｍ）、１５ｎｍ厚ＩｎＧａＡｓＰバリアー層（λｇ＝１．１μｍ）からなる。
【００６１】
次いで、ウエハー表面にＳｉＯ2 を成膜した後、フォトレジスタを塗布し、電子ビームリソグラフィーにより半径２５０ｎｍの円形開口パターンが間隔４６０ｎｍの六方格子状に配列されたレジストマスクを形成した。更に、レジストマスクをもとに、ＳｉＯ2 膜に反応性イオンエッチングで転写し、更にこのＳｉＯ2 マスクをもとに反応性イオンビームエッチングを行うことにより、ウエハーに二次元ホール列を形成し、最後にＳｉＯ2 マスクを除去してレーザー構造体を作製した。
【００６２】
電子源としてはシリコン基板上にホットフィラメントＣＶＤ法で窒素ドープダイヤモンド膜を成膜する事で作成し、成膜条件としては、タングステンフィラメントの温度を２３００℃、基板温度を８００℃、反応圧力は１００ｔｏｒｒであり、反応ガスと水素の比率は０．６％である。反応ガスとしては、（ＮＨ2 ）2 ＣＯとメタノールの飽和溶液をアセトンで１／１０に希釈したものを気化させて用いている。
【００６３】
このようにして発光部及びその上下の光反射部に２Ｄフォトニック結晶が配置されたレーザー構造体を作製した。これを真空装置内に設置し、ダイヤモンド膜を配した電子源と２ｍｍ対向してレーザー構造体を配置した。そして、電子源からり電子を放出させ、加速電圧１０〜５０ｋｅＶに加速された電子ビームを照射したところ、１．３μｍ付近でレーザー発振をさせることができた。レーザー発振閾値としては０．２〜０．５ｍＡ／ｃｍ2 程度であった。一方、二次元ホール列を配置しなかった比較例では０．５〜０．８ｍＡ／ｃｍ2 であった。本実施例では、光反射部に２Ｄフォトニック結晶を有するレーザー構造体を用いることにより、発振閾値を低減できることを確認できた。更に、レーザー発振波長幅が狭く、レーザー発振モード数が低減されていた。
【００６４】
次に、誘電体球による３Ｄフォトニック結晶構造の光反射部を有するレーザー構造体を作製し、評価実験を試みた。これを実施例１３として説明する。なお、この時は、光反射部６として図１０（ｃ）に示す３Ｄフォトニック結晶構造、光反射部５として金属反射膜、発光部４としてＺｎＯ膜を用いている。まず、サファイア（０００１）基板上にレーザーＭＢＥの手法でＺｎＯの成膜を行い、ＺｎＯの発光部を作製した。成膜時は酸素分圧１×１０-6ｔｏｒｒ、基板温度は５５０℃とし、ＺｎＯ焼結ターゲットにＫｒＦエキシマレーザーを照射、蒸発させることで行った。膜厚は約６０ｎｍである。
【００６５】
更に、１７０ｎｍ径（標準偏差３％）のポリスチレンからなる微小球が分散した水溶液（４ｗｔ％）を滴下させ、水を蒸発させる事によりポリスチレン球が図１０（ｃ）に示すように３次元的に自己組織化し、配列された光反射部を作製した。また、帯電防止及び反射膜としてＡｇを１００ｎｍ成膜し、基板の裏面にも反射膜としてＡｇを２００ｎｍ成膜した。
【００６６】
このようにしてＺｎＯからなる発光部の上面に誘電体球が配列された３Ｄフォトニック結晶からなる光反射部を有するレーザー構造体を作製した。これを真空装置内に設置し、対向するＬａＢ6 電子銃から電子を放出させ、加速電圧１０〜５０ｋｅＶに加速された電子ビームを照射したところ、３９０ｎｍ付近の紫外光のレーザー発振をさせることができた。レーザー発振閾値としては０．１〜０．４Ａ／ｃｍ2 程度であった。一方、ポリスチレン球を配置しなかった比較例３では０．５〜１Ａ／ｃｍ2 であった。本実施例では、光反射部にポリスチレン球配列による３Ｄフォトニック結晶を有するレーザー構造体を用いる事で、閾値電流を低減できることを確認できた。更に、レーザー発振波長幅が狭く、レーザー発振モード数が低減されていた。
【００６７】
次に、３Ｄフォトニック結晶構造の発光部を有するレーザー構造体を作製し、評価実験を試みた。これを実施例１４として説明する。この際、発光部４として図１０（ｃ）の構造を用い、誘電体球２５の隙間に発光体（ＣｄＳ）を埋め込んだ構造としている。光反射部５、６としては、金属反射膜を用いている。具体的には、以下のプロセスを繰り返すことにより、誘電体球２５の隙間に発光体が埋め込まれた３Ｄフォトニック結晶構造を作製した。即ち、実施例１３と同様にして石英基板上に３８０ｎｍ径のポリスチレンから成る微小球を分散し、配列して形成後、０．０２５ＭＣｄＳ０４へ浸すこと、Ｓ＝Ｃ（ＮＨ２）２溶液に浸すことを繰り返し行う。この際、両方の溶液は６０℃に保持し、触媒としてアンモニアを溶解させた。次に、反射膜として表面及び基板の裏面にＡｇを１００ｎｍ成膜した。
【００６８】
このようにして誘電体球２５の隙間に発光体が埋め込まれた３Ｄフォトニック結晶構造の発光部を有するレーザー構造体を作製し、これを真空装置内に設置して、対向するＬａＢ6 電子銃から電子を放出させ、加速電圧３０〜８０ｋｅＶに加速された電子ビームを照射したところ、５２０ｎｍ付近の緑色光のレーザー発振をさせることができた。また、ポリスチレン球を配置しなかった比較例４と比べてレーザー発振閾値が低かった。即ち、本実施例では、誘電体球配列の隙間に発光体を配した３Ｄフォトニック結晶構造の発光部を有するレーザー構造体を用いることで、閾値電流密度の低減が図られ、更にレーザー発振波長幅が狭く、レーザー発振モード数が低減されていた。
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、次の効果がある。
（１）光反射部に多次元フォトニック結晶を有するレーザー構造体を用いることにより、共振器特性が向上し、レーザー発光効率を向上できるばかりでなく、レーザー発振波長幅を狭帯域化でき、レーザー発振モード数の低減された電子線励起レーザーを実現できる。特に、フォトニック結晶を構成する誘電体の一部を真空とすることにより、発光部に到達する実質的な電子ビームの強度が増加するため、レーザー発振の閾値電流密度、閾値電圧を低下できる。
（２）レーザー構造体の発光部に多次元フォトニック結晶を用いることにより、レーザー発光効率の向上、及びレーザー発振波長幅の狭帯域化、レーザー発振モード数の低減された電子線励起のレーザーを実現できる。
（３）レーザー構造体の光反射部及び発光部に多次元フォトニック結晶構造を用いることにより、光反射部と発光部のいずれか一方に多次元フォトニック結晶を用いた場合に比べて更に性能を向上できる。
（４）多次元フォトニック結晶に陽極酸化アルミナを用いることにより、簡易な製法で安価に電子線励起レーザーを作製できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子線励起レーザー装置の一実施形態の構成を示す図である。
【図２】図１のレーザー構造体の斜視図である。
【図３】レーザー構造体の他の例を示す斜視図である。
【図４】レーザー構造体の他の例を示す斜視図である。
【図５】レーザー構造体の更に他の例を示す斜視図である。
【図６】レーザー光の放出方向を示す図である。
【図７】マルチ電子線レーザー装置の例を示す図である。
【図８】レーザー構造体の光反射部、発光部、光反射部と発光部の両方をフォトニック結晶で構成した場合の例を示す図である。
【図９】２次元フォトニック結晶の例を示す図である。
【図１０】３次元フォトニック結晶の例を示す図である。
【図１１】フォトニック結晶の一部に欠陥を配置した例を示す図である。
【図１２】２次元フォトニック結晶を光反射部に用いた場合の例を示す図である。
【図１３】２次元フォトニック結晶を発光部に用いた場合の例を示す図である。
【図１４】２次元フォトニック結晶を光反射部と発光部の両方に用いた場合の例を示す図である。
【図１５】陽極酸化アルミナによる２次元フォトニック結晶を示す図である。
【図１６】陽極酸化アルミナによる２次元フォトニック結晶を作製する装置を示す図である。
【図１７】従来例の電子線励起レーザー装置を示す図である。
【符号の説明】
１    真空容器
２    電子源
３    レーザー構造体
４    発光部
５，６，１１    光反射部
７    電子加速手段
１３    制御電極
１４    電子量制御手段
２１    第１の誘電体
２２    第２の誘電体
２３    第３の誘電体
２４    誘電体ロッド
２５    誘電体球
２６    欠陥
４０    恒温槽
４１    試料
４２    白金電極
４３    電解質
４４    反応容器
４５    電源
４６    電流計
５１    Ａｌ板
５２    陽極酸化アルミナ
５３    ナノホール
【図１】
0003667188.tif 000002
【図２】
0003667188.tif 000003
【図３】
0003667188.tif 000004
【図４】
0003667188.tif 000005
【図５】
0003667188.tif 000006
【図６】
0003667188.tif 000007
【図７】
0003667188.tif 000008
【図８】
0003667188.tif 000009
【図９】
0003667188.tif 000010
【図１０】
0003667188.tif 000011
【図１１】
0003667188.tif 000012
【図１２】
0003667188.tif 000013
【図１３】
0003667188.tif 000014
【図１４】
0003667188.tif 000015
【図１５】
0003667188.tif 000016
【図１６】
0003667188.tif 000017
【図１７】
0003667188.tif 000018