(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レ−ザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レ−ザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを有し、前記半導体レ−ザをスイッチング駆動するにあたり、前記半導体レ−ザにバイアス電流を与える半導体レ−ザ駆動装置において、前記半導体レ−ザの発する光量を第２の所定の光量Ｐｂにするにあたり、前記バイアス電流回路によって前記半導体レ−ザに流すバイアス電流初期値をＩｂｓ１、前記スイッチング電流回路によって前記半導体レ−ザに流すスイッチング電流初期値をＩｓｗ１とし、かつ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流をＩａ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流量をＩｂとしたときに、Ｉｂｓ１及びＩｓｗ１を
Ｉｂｓ１≒Ｉａ−（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
Ｉｓｗ１≒（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
とし、但し、０＜Ｉｂｓ１＜Ｉｂ，０＜Ｉｓｗ１＜ＩｂであるからＣはＣ：−Ｐｂ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）なる実数とする制御手段を備え、
前記制御手段は、前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまでは前記バイアス電流回路の電流のみを増加させて前記スイッチング電流回路からは電流の供給を行わず、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後には前記バイアス電流回路の電流を減少勾配△ｄ２で減少させると同時に前記スイッチング電流回路の電流の供給を開始して前記スイッチング電流回路の電流を増加勾配△ｄ３で増加させ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後に前記バイアス電流回路と前記スイッチング電流回路の合成電流が増加する増加勾配を△ｄ１として前記半導体レ−ザの発する光量を増加させるようにし、このときに、△ｄ２、△ｄ３をあらかじめ
△ｄ２＝（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
となるように設定し、但し、ＣはＣ：−Ｐａ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）とし、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記バイアス電流回路に流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記スイッチング電流回路に流れている電流をスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１と設定することを特徴とする半導体レ−ザ駆動装置。
【請求項２】
半導体レ−ザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レ−ザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを有し、前記半導体レ−ザをスイッチング駆動するにあたり、前記半導体レ−ザにバイアス電流を与える半導体レ−ザ駆動装置において、前記半導体レ−ザの発する光量を第２の所定の光量Ｐｂにするにあたり、前記バイアス電流回路によって前記半導体レ−ザに流すバイアス電流初期値をＩｂｓ１、前記スイッチング電流回路によって前記半導体レ−ザに流すスイッチング電流初期値をＩｓｗ１とし、かつ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流をＩａ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流量をＩｂとしたときに、Ｉｂｓ１及びＩｓｗ１を
Ｉｂｓ１≒Ｉａ−（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
Ｉｓｗ１≒（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
とし、但し、０＜Ｉｂｓ１＜Ｉｂ，０＜Ｉｓｗ１＜ＩｂであるからＣはＣ：−Ｐｂ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）なる実数とする制御手段を備え、
前記制御手段は、前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまでは前記バイアス電流回路の電流のみを増加勾配△ｄ４で増加させて前記スイッチング電流回路からは電流の供給を行わず、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後には前記バイアス電流回路の電流を減少勾配△ｄ２で減少させると同時に前記スイッチング電流回路の電流の供給を開始して前記スイッチング電流回路の電流を増加勾配△ｄ３で増加させ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後に前記バイアス電流回路と前記スイッチング電流回路の合成電流が増加する増加勾配を△ｄ１として前記半導体レ−ザの発する光量を増加させるようにし、このときに、△ｄ２、△ｄ３、△ｄ４をあらかじめ
△ｄ２＝（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ４＝△ｄ１
となるように設定し、但しＣはＣ：−Ｐａ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）とし、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記バイアス電流回路に流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記スイッチング電流回路に流れている電流をスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１と設定することを特徴とする半導体レ−ザ駆動装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体レ−ザ駆動装置において、前記半導体レ−ザの発する第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａと、前記半導体レ−ザの発する第２の所定の光量Ｐｂとの関係を
Ｐａ／Ｐｂ≒０．５
としたことを特徴とする半導体レ−ザ駆動装置。
【請求項４】
請求項１、２または３記載の半導体レ−ザ駆動装置において、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、前記半導体レ−ザの電流−光変換特性の変化に応じて変化する前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、前記半導体レ−ザの発光光量を検出して前記スイッチング電流回路の電流もしくは前記バイアス電流回路の電流を変化させることにより、前記半導体レ−ザに流す電流を変化させて前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つオ−トパワ−コントロ−ル手段を備えたことを特徴とする半導体レ−ザ駆動装置。
【請求項５】
請求項１、２または３記載の半導体レ−ザ駆動装置において、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、前記半導体レ−ザの電流−光変換特性の変化に応じて変化する前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、前記半導体レ−ザの発光光量を検出して前記スイッチング電流回路の電流および前記バイアス電流回路の電流を変化させることにより、前記半導体レ−ザに流す電流を変化させて前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保ち、前記スイッチング電流回路の電流の変化に対してあらかじめ定めた所定の比例関係で前記バイアス電流回路の電流を変化させるオ−トパワ−コントロ−ル手段を備えたことを特徴とする半導体レ−ザ駆動装置。
【請求項６】
請求項１、２、３、４または５記載の半導体レ−ザ駆動装置において、
パルスをカウントする第１のカウンタと、この第１のカウンタのカウント値をアナログ値に変換する第１のＤ／Ａコンバ−タとを有し、この第１のＤ／Ａコンバ−タの出力信号によりバイアス電流初期値Ｉｂｓ１の設定を行う第１の設定手段と、
パルスをカウントする第２のカウンタと、この第２のカウンタのカウント値をアナログ値に変換する第２のＤ／Ａコンバ−タとを有し、この第２のＤ／Ａコンバ−タの出力信号によりスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１の設定を行う第２の設定手段と
の少なくとも一方を備えたことを特徴とする半導体レ−ザ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は半導体レーザ駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１２は半導体レ−ザ（以後ＬＤと呼ぶ）の電流−光変換特性（以後Ｉ−Ｌ特性と呼ぶ）を示す。
ＬＤをスイッチング駆動するＬＤ駆動装置においては、そのスイッチング特性を良くするために一般に発振開始電流Ｉｔｈ程度のバイアス電流をＬＤに与え、ＬＤ発光領域での光スイッチングが行われるようにしている。このＬＤに与えるバイアス電流は、多くの場合、実施の容易性から固定バイアスとしている。
また、ＣＰＵによってＬＤのＩ−Ｌ特性を測定し、ＬＤのバイアス電流を決定する装置が特開平３−１３２７７４号公報に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ＬＤに固定バイアスを与える固定バイアス方式では、ＬＤのＩ−Ｌ特性は個々のＬＤによってＩｔｈ、微分効率ηが異なる（図１３参照）ため、個々のＬＤに対して固定バイアス値を調整する必要があり、その調整は煩雑であり、かつ、調整結果は必ずしも個々のＬＤに対して最適なものとは言い難い状態であった。
【０００４】
また、ＬＤのＩ−Ｌ特性は環境温度、経年変化によって図１４に示すように電流−光変換効率が悪くなるように変化する。ＬＤを点灯させるときにその発光光量を一定にすることが必要であるときには、ＬＤの発光光量が一定になるようにＬＤの発光光量を見ながらＬＤに流す電流を増加させるオ−トパワ−コントロ−ル（以後ＡＰＣと呼ぶ）が行われる。固定バイアス方式では、ＬＤの発光光量を一定に保つためにスイッチング電流を図１５に示すような値から図１６に示すような値に増加させることになり、ＬＤにバイアス電流を与えている効果が徐々に小さくなってしまう。
【０００５】
また、上記特開平３−１３２７７４号公報記載の装置では、ＣＰＵによってＬＤのＩ−Ｌ特性を測定してＬＤのバイアス電流を決定するので、大きなシステムとなり、高価な装置となる。
【０００６】
本発明は、上記問題点を改善し、ＬＤのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々のＬＤに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できるＬＤ駆動装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、半導体レ−ザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レ−ザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを有し、前記半導体レ−ザをスイッチング駆動するにあたり、前記半導体レ−ザにバイアス電流を与える半導体レ−ザ駆動装置において、前記半導体レ−ザの発する光量を第２の所定の光量Ｐｂにするにあたり、前記バイアス電流回路によって前記半導体レ−ザに流すバイアス電流初期値をＩｂｓ１、前記スイッチング電流回路によって前記半導体レ−ザに流すスイッチング電流初期値をＩｓｗ１とし、かつ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流をＩａ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流量をＩｂとしたときに、Ｉｂｓ１及びＩｓｗ１を
Ｉｂｓ１≒Ｉａ−（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
Ｉｓｗ１≒（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
とし、但し、０＜Ｉｂｓ１＜Ｉｂ，０＜Ｉｓｗ１＜ＩｂであるからＣはＣ：−Ｐｂ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）なる実数とする制御手段を備え、前記制御手段は、前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまでは前記バイアス電流回路の電流のみを増加させて前記スイッチング電流回路からは電流の供給を行わず、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後には前記バイアス電流回路の電流を減少勾配△ｄ２で減少させると同時に前記スイッチング電流回路の電流の供給を開始して前記スイッチング電流回路の電流を増加勾配△ｄ３で増加させ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後に前記バイアス電流回路と前記スイッチング電流回路の合成電流が増加する増加勾配を△ｄ１として前記半導体レ−ザの発する光量を増加させるようにし、このときに、△ｄ２、△ｄ３をあらかじめ
△ｄ２＝（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
となるように設定し、但し、ＣはＣ：−Ｐａ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）とし、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記バイアス電流回路に流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記スイッチング電流回路に流れている電流をスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１と設定するものである。
【０００８】
請求項２記載の発明は、半導体レ−ザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レ−ザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを有し、前記半導体レ−ザをスイッチング駆動するにあたり、前記半導体レ−ザにバイアス電流を与える半導体レ−ザ駆動装置において、前記半導体レ−ザの発する光量を第２の所定の光量Ｐｂにするにあたり、前記バイアス電流回路によって前記半導体レ−ザに流すバイアス電流初期値をＩｂｓ１、前記スイッチング電流回路によって前記半導体レ−ザに流すスイッチング電流初期値をＩｓｗ１とし、かつ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流をＩａ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流量をＩｂとしたときに、Ｉｂｓ１及びＩｓｗ１を
Ｉｂｓ１≒Ｉａ−（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
Ｉｓｗ１≒（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
とし、但し、０＜Ｉｂｓ１＜Ｉｂ，０＜Ｉｓｗ１＜ＩｂであるからＣはＣ：−Ｐｂ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）なる実数とする制御手段を備え、前記制御手段は、前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまでは前記バイアス電流回路の電流のみを増加勾配△ｄ４で増加させて前記スイッチング電流回路からは電流の供給を行わず、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後には前記バイアス電流回路の電流を減少勾配△ｄ２で減少させると同時に前記スイッチング電流回路の電流の供給を開始して前記スイッチング電流回路の電流を増加勾配△ｄ３で増加させ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後に前記バイアス電流回路と前記スイッチング電流回路の合成電流が増加する増加勾配を△ｄ１として前記半導体レ−ザの発する光量を増加させるようにし、このときに、△ｄ２、△ｄ３、△ｄ４をあらかじめ
△ｄ２＝（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ４＝△ｄ１
となるように設定し、但しＣはＣ：−Ｐａ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）とし、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記バイアス電流回路に流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記スイッチング電流回路に流れている電流をスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１と設定するものである。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の半導体レ−ザ駆動装置において、前記半導体レ−ザの発する第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａと、前記半導体レ−ザの発する第２の所定の光量Ｐｂとの関係を
Ｐａ／Ｐｂ≒０．５
としたものである。
【００１０】
請求項４記載の発明は、請求項１、２または３記載の半導体レ−ザ駆動装置において、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、前記半導体レ−ザの電流−光変換特性の変化に応じて変化する前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、前記半導体レ−ザの発光光量を検出して前記スイッチング電流回路の電流もしくは前記バイアス電流回路の電流を変化させることにより、前記半導体レ−ザに流す電流を変化させて前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つオ−トパワ−コントロ−ル手段を備えたものである。
【００１１】
請求項５記載の発明は、請求項１、２または３記載の半導体レ−ザ駆動装置において、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、前記半導体レ−ザの電流−光変換特性の変化に応じて変化する前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、前記半導体レ−ザの発光光量を検出して前記スイッチング電流回路の電流および前記バイアス電流回路の電流を変化させることにより、前記半導体レ−ザに流す電流を変化させて前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保ち、前記スイッチング電流回路の電流の変化に対してあらかじめ定めた所定の比例関係で前記バイアス電流回路の電流を変化させるオ−トパワ−コントロ−ル手段を備えたものである。
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項１、２、３、４または５記載の半導体レ−ザ駆動装置において、パルスをカウントする第１のカウンタと、この第１のカウンタのカウント値をアナログ値に変換する第１のＤ／Ａコンバ−タとを有し、この第１のＤ／Ａコンバ−タの出力信号によりバイアス電流初期値Ｉｂｓ１の設定を行う第１の設定手段と、パルスをカウントする第２のカウンタと、この第２のカウンタのカウント値をアナログ値に変換する第２のＤ／Ａコンバ−タとを有し、この第２のＤ／Ａコンバ−タの出力信号によりスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１の設定を行う第２の設定手段との少なくとも一方を備えたものである。
【００１６】
【作用】
請求項１記載の発明では、制御手段は、ＬＤの発する光量を第２の所定の光量Ｐｂにするにあたり、バイアス電流回路によってＬＤに流すバイアス電流初期値をＩｂｓ１、スイッチング電流回路によってＬＤに流すスイッチング電流初期値をＩｓｗ１とし、かつ、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量ＰａになるときのＬＤに流れる電流をＩａ、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量ＰｂになるときのＬＤに流れる電流量をＩｂとしたときに、Ｉｂｓ１及びＩｓｗ１を
Ｉｂｓ１≒Ｉａ−（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
Ｉｓｗ１≒（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
とし、但し、０＜Ｉｂｓ１＜Ｉｂ，０＜Ｉｓｗ１＜ＩｂであるからＣはＣ：−Ｐｂ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）なる実数とする。さらに、制御手段は、ＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまではバイアス電流回路の電流のみを増加させてスイッチング電流回路からは電流の供給を行わず、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後にはバイアス電流回路の電流を減少勾配△ｄ２で減少させると同時にスイッチング電流回路の電流の供給を開始してスイッチング電流回路の電流を増加勾配△ｄ３で増加させ、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後にバイアス電流回路とスイッチング電流回路の合成電流が増加する増加勾配を△ｄ１としてＬＤの発する光量を増加させるようにし、このときに、△ｄ２、△ｄ３をあらかじめ
△ｄ２＝（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
となるように設定し、但しＣはＣ：−Ｐａ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）とし、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときにバイアス電流回路に流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときにスイッチング電流回路に流れている電流をスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１と設定する。
【００１７】
請求項２記載の発明では、制御手段は、ＬＤの発する光量を第２の所定の光量Ｐｂにするにあたり、バイアス電流回路によってＬＤに流すバイアス電流初期値をＩｂｓ１、スイッチング電流回路によってＬＤに流すスイッチング電流初期値をＩｓｗ１とし、かつ、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量ＰａになるときのＬＤに流れる電流をＩａ、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量ＰｂになるときのＬＤに流れる電流量をＩｂとしたときに、Ｉｂｓ１及びＩｓｗ１を
Ｉｂｓ１≒Ｉａ−（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
Ｉｓｗ１≒（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
とし、但し、０＜Ｉｂｓ１＜Ｉｂ，０＜Ｉｓｗ１＜ＩｂであるからＣはＣ：−Ｐｂ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）なる実数とする。さらに、制御手段は、ＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまではバイアス電流回路の電流のみを増加勾配△ｄ４で増加させてスイッチング電流回路からは電流の供給を行わず、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後にはバイアス電流回路の電流を減少勾配△ｄ２で減少させると同時にスイッチング電流回路の電流の供給を開始してスイッチング電流回路の電流を増加勾配△ｄ３で増加させ、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後にバイアス電流回路とスイッチング電流回路の合成電流が増加する増加勾配を△ｄ１としてＬＤの発する光量を増加させるようにし、このときに、△ｄ２、△ｄ３、△ｄ４をあらかじめ
△ｄ２＝（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ４＝△ｄ１
となるように設定し、但しＣはＣ：−Ｐａ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）とし、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときにバイアス電流回路に流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときにスイッチング電流回路に流れている電流をスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１と設定する。
【００１８】
請求項３記載の発明では、請求項１または２記載のＬＤ駆動装置において、ＬＤの発する第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａと、ＬＤの発する第２の所定の光量Ｐｂとの関係が
Ｐａ／Ｐｂ≒０．５
となる。
【００１９】
請求項４記載の発明では、請求項１、２または３記載の半導体レ−ザ駆動装置において、オ−トパワ−コントロ−ル手段は、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、前記半導体レ−ザの電流−光変換特性の変化に応じて変化する前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、前記半導体レ−ザの発光光量を検出して前記スイッチング電流回路の電流もしくは前記バイアス電流回路の電流を変化させることにより、前記半導体レ−ザに流す電流を変化させて前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つ。
【００２０】
請求項５記載の発明では、請求項１、２または３記載の半導体レ−ザ駆動装置において、オ−トパワ−コントロ−ル手段は、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、前記半導体レ−ザの電流−光変換特性の変化に応じて変化する前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、前記半導体レ−ザの発光光量を検出して前記スイッチング電流回路の電流および前記バイアス電流回路の電流を変化させることにより、前記半導体レ−ザに流す電流を変化させて前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保ち、前記スイッチング電流回路の電流の変化に対してあらかじめ定めた所定の比例関係で前記バイアス電流回路の電流を変化させる。
【００２１】
請求項６記載の発明では、請求項１、２、３、４または５記載の半導体レ−ザ駆動装置において、第１の設定手段が、第１のカウンタでパルスをカウントして第１のＤ／Ａコンバ−タで第１のカウンタのカウント値をアナログ値に変換し、この第１のＤ／Ａコンバ−タの出力信号によりバイアス電流初期値Ｉｂｓ１の設定を行う動作と、第２の設定手段が、第２のカウンタでパルスをカウントして第２のＤ／Ａコンバ−タで第２のカウンタのカウント値をアナログ値に変換し、この第２のＤ／Ａコンバ−タの出力信号によりスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１の設定を行う動作との少なくとも一方が行われる。
【００２５】
【実施例】
請求項１〜４、６記載の発明の実施例は、ＬＤをスイッチング駆動するにあたり、ＬＤにバイアス電流を与えるＬＤ駆動装置において、個々のＬＤのＩ−Ｌ特性のＩｔｈおよびηにあわせて適正なバイアス電流およびスイッチング電流を自動的に設定するものであり、図９にその原理を示す。
【００２６】
図９において、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量ＰｂとなるときにＬＤに流れている電流をＩｂ、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量ＰａのときにＬＤに流れている電流量をＩａとしたときに、△ａｂｃと△ａｄｅは相似形であるため、
（Ｐｂ−Ｐａ）：Ｐａ≒（Ｉｂ−Ｉａ）：（Ｉａ−Ｉｔｈ）
となる。
【００２７】
∴（Ｐｂ−Ｐａ）・（Ｉａ−Ｉｔｈ）＝Ｐａ・（Ｉｂ−Ｉａ）
∴Ｉａ−Ｉｔｈ≒Ｐａ・（Ｉｂ−Ｉａ）／（Ｐｂ−Ｐａ）
∴Ｉｔｈ≒Ｉａ−Ｐａ／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）・・・（１）
以上から、Ｐａ、Ｐｂ、Ｉａ、Ｉｂを知ることができれば、これらからＩｔｈを換算することができる。そこで、本実施例では、適正バイアス電流をＬＤのＩ−Ｌ特性のＩｔｈ、適正スイッチング電流を（Ｉｂ−Ｉｔｈ）として設定するにあたり、以下の式でバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、スイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定する。
【００２８】
Ｉｂｓ１＝Ｉｔｈ≒Ｉａ−Ｐａ／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）・・・（２）  Ｉｓｗ１＝Ｉｂ−Ｉｔｈ≒Ｐｂ／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）・・・（３）  バイアス電流の設定は基本的にはバイアス電流をＩｔｈとすることが望まれるが、特殊な場合にＩｂｓ１≠Ｉｔｈとする必要が生じる。この場合、（２）、（３）式を以下のように書き替えることによって、Ｉｂｓ１≠Ｉｔｈとすることが可能となる。
【００２９】
Ｉｂｓ１≒Ｉａ−（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）・・・（４）  Ｉｓｗ１≒（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）・・・（５）
ここに、上述のように、本実施例は、ＬＤをスイッチング駆動するにあたり、ＬＤにバイアス電流を与えるＬＤ駆動装置を前提とするから、Ｉｂｓ１、Ｉｓｗ１がどちらもゼロではなく、０＜Ｉｂｓ１＜Ｉｂ，０＜Ｉｓｗ１＜Ｉｂである。よって、Ｃは以下の式の範囲内の実数とする。
【００３０】
−Ｐｂ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）・・・（６）
上記式に従えば、定数Ｃを変えることによりＩｂｓ１およびＩｓｗ１の設定を変えることができ、それぞれの用途に合わせて適切な定数Ｃを設定すれば、それぞれの用途に合わせた適正なバイアス電流初期値、およびスイッチング電流初期値を得ることができる。
【００３１】
Ｃ＝０とすると、
Ｉｂｓ１≒Ｉｔｈ
Ｉｓｗ１≒Ｐｂ／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
となり、Ｐａ／Ｐｂ＝０．５とすると、
Ｉｓｗ１≒２×（Ｉｂ−Ｉａ）
となる。
【００３３】
以下、Ｃ＝０とした場合について説明する。
【００３４】
上記のようなバイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を簡便に得る手段として以下のようにＩｂｓ１およびＩｓｗ１を設定する制御手段が考えられる。
ＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまではバイアス電流回路からＬＤへの電流のみを増加させてスイッチング電流回路からはＬＤへの電流の供給を行わず、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後には、バイアス電流回路の電流を減少勾配△ｄ２で減少させると同時に、スイッチング電流回路の電流の供給を開始してそのスイッチング電流回路の電流を増加勾配△ｄ３で増加させ、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後にバイアス電流回路とスイッチング電流回路とによる合成電流が増加する増加勾配を△ｄ１としてＬＤに合成電流を流してＬＤの発する光量を増加させるようにし、このときに、△ｄ２、△ｄ３をあらかじめ
△ｄ２＝Ｐａ／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝Ｐｂ／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
となるように設定し、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに、バイアス電流回路に流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、同じくＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときにスイッチング電流回路に流れている電流をスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１として設定する。
【００３５】
このように、バイアス電流回路とスイッチング電流回路の電流を、ＬＤの発する光量を観測してタイミングを見ながらその勾配を管理して増減させることで、先の式（４）、（５）、（６）に従った動作となり、適正なバイアス電流およびスイッチング電流を設定することができる。
【００３６】
この制御手段において、ＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまでバイアス電流回路の電流のみを増加させるときに、バイアス電流回路の電流の増加勾配を△ｄ４とし、あらかじめ
△ｄ４＝△ｄ１
となるように設定することで、ＬＤに供給されるバイアス電流回路とスイッチング電流回路の合成電流の増加勾配を、ＬＤ駆動装置が作動を始めてからＬＤが第２の所定の光量Ｐｂを発するまで一定勾配△ｄ１とすることができ、ＬＤ駆動装置が作動を始めてからＬＤが第２の所定の光量Ｐｂを発するまでの時間の見積りが容易になる。
【００３７】
さらに、ＬＤの発する第２の所定の光量Ｐｂと、第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａとの関係をあらかじめ
Ｐａ／Ｐｂ＝０．５
△ｄ４＝△ｄ１
となるように設定すると、ＬＤの発光光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後にバイアス電流回路の電流を減少させる勾配△ｄ２は
△ｄ２＝Ｐａ／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１＝△ｄ１＝△ｄ４
と設定され、バイアス電流回路の電流の増減を同一の勾配｜△ｄ１｜にすることができてバイアス電流回路の電流の増減の制御が容易となる。図１０は、この状態でのバイアス電流、スイッチング電流、およびその合成電流の変化の状態を示し、図１１はそのときのＬＤの発光状態、つまり、時間−ＬＤ電流特性と、ＬＤのＩ−Ｌ特性、光出力−時間特性を示す。
【００３８】
図７は△ｄ２＝△ｄ４（Ｐａ／Ｐｂ＝０．５、△ｄ４＝△ｄ１）の条件でＬＤのバイアス電流を制御する制御回路の例を示す。
この例では、パルス発生器１４が発生するパルスはアップ／ダウンカウンタ１６でカウントされ、そのカウントデ−タがＤ／Ａコンバ−タ１７でアナログ量に変換されてバイアス電流指示信号となる。バイアス電流回路はそのバイアス電流指示信号に比例したバイアス電流をＬＤへ供給し、バイアス電流回路の電流の増減の勾配はパルス発生器１４が発生するパルスの周波数によって決定される。
【００３９】
この制御回路では、ＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、始めのバイアス電流回路の電流のみをＬＤに供給するときはアップ／ダウンカウンタ１６をアップカウントモードとしてバイアス電流回路の電流を一定勾配で増加させ、光量が第２の所定の光量Ｐｂの１／２の光量Ｐａに達した後にはアップ／ダウンカウンタ１６をダウンカウントモードとしてバイアス電流回路の電流を増加させたときと同じ一定勾配で減少させる。ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときにはアップ／ダウンカウンタ１６をカウント禁止としてそのカウント値を固定させることで、バイアス電流回路に流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１として設定することができる。
【００４０】
図８は△ｄ２≠△ｄ４の条件でＬＤのバイアス電流を制御する制御回路の例を示す。
この例では、パルス発生器１４の発生するパルスが分周回路１５に入力されて分周され、この分周回路１５の出力がアップ／ダウンカウンタ１６でカウントされ、そのカウントデ−タがＤ／Ａコンバ−タ１７でアナログ量に変換されてバイアス電流指示信号となる。分周回路１５は、アップ／ダウンカウンタ１６のアップカウント時とダウンカウント時で分周比を変えることができるようになっている。この例において、アップ／ダウンカウンタ１６のアップカウント時とダウンカウント時の分周比を同じに設定すれば、△ｄ２＝△ｄ４となり、アップカウント時とダウンカウント時の分周比を別に設定すれば、△ｄ２≠△ｄ４となる。
【００４１】
また、この図７及び図８の例は、ＬＤのスイッチング電流を制御する制御回路としても展開できるものである。その場合、アップ／ダウンカウンタ１６に入力するパルスの周波数をスイッチング電流回路の電流の変化勾配△ｄ３にあわせ、ＬＤの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後にアップ／ダウンカウンタ１６を作動させ、ＬＤが発する光量が第２の所定の光量Ｐｂになるようにアップ／ダウンカウンタ１６にアップ／ダウンカウントを行わせればよい。
【００４２】
以上述べたように先の式（４）、（５）、（６）に従った動作をＬＤ駆動装置が作動開始を指示されるたびに行うことで、その時点でのそれぞれのＬＤに対しての最適なバイアス電流が自動的に設定されることになる。そして、このような作業を自動的に行う装置は簡便な回路構成によって容易に実現できる。
【００４３】
ＬＤの点灯開始のたびにそれぞれのＬＤに対しての最適なバイアス電流が自動的に設定されることになれば、ＬＤのＩ−Ｌ特性のＩｔｈの経時変化分をバイアス電流が自動的に補正することになり、ＬＤ駆動装置が作動を始めてからのＬＤのＩ−Ｌ特性の変化によるＬＤの発光光量の変動をＡＰＣによって一定に保とうとしたときに、ＬＤのＩ−Ｌ特性の変化に合わせてスイッチング電流を変化させる量が少なくなるため、スイッチング電流の変化によるＬＤのスイッチング特性の変化を小さくすることができる。
【００４４】
さらに、ＬＤのスイッチング特性の変化を小さくするためには、スイッチング電流の量をできるだけ変えないようにすればよいから、ＡＰＣによる電流の制御は、スイッチング電流だけではなくバイアス電流も制御してスイッチング電流の量をできるだけ変えないようにすればよい。
【００４５】
ＬＤのＩ−Ｌ特性は、温度変化によっても変化するが、経験的にその変化はＬＤのＩ−Ｌ特性のＩｔｈのシフトとして現れる。ＬＤ駆動装置の作動開始のたびにそれぞれのＬＤに対しての最適なバイアス電流が自動的に設定され、また最適なスイッチング電流も自動的に設定されるので、ＡＰＣによるＬＤの光量制御をＬＤのスイッチング特性に影響を与えるスイッチング電流ではなくバイアス電流のみで行うことが可能となり、ＬＤのスイッチング特性に影響を与えるスイッチング電流量を変化させずにＬＤの発光光量を一定に保つことができる。
【００４６】
図１は請求項１〜４、６記載の発明の実施例の構成を示し、図１７はこの実施例におけるシステム制御回路の処理フローを示す。
【００４７】
この実施例では、バイアス電流回路を構成する第１の電流源５からＬＤ１にバイアス電流が流される。スイッチング電流回路を構成する第２の電流源６は、第１の電流源５と並列にスイッチング回路４を介して接続され、スイッチング回路４を経てＬＤ１に初期スイッチング電流Ｉｓｗ１を流す。スイッチング電流回路を構成する第３の電流源７は、第２の電流源６と並列に接続され、ＬＤ１にスイッチング電流を流す。ＬＤ１の発光光量が検出器２により検出され、この検出器２の出力が増幅器３により増幅される。
【００４８】
第１の比較器１２は増幅器３の出力と第１の基準信号：ｒｅｆ１とを比較し、第２の比較器１３は増幅器３の出力と第２の基準信号：ｒｅｆ２とを比較する。バイアス電流を制御する制御手段としてのバイアス電流制御回路８は第１の電流源５を制御することにより第１の電流源５からＬＤ１へのバイアス電流を制御する。光量制御回路９は第２の比較器１３からシステム制御回路１１を介して入力される入力信号により第３の電流源７を制御することで第３の電流源７からＬＤ１へのスイッチング電流を制御してＬＤ１の発光光量を一定に制御し、検出器２、増幅器３、第２の比較器１３及び光量制御回路９はＡＰＣ手段を構成する。
【００４９】
スイッチング電流を制御する制御手段としてのスイッチング電流制御回路１０は第２の電流源６を制御することにより初期スイッチング電流Ｉｓｗ１を制御する。装置全体の制御を行う制御手段としてのシステム制御回路１１は、装置の作動を許可するＥＮ信号、ＬＤ１の点灯を指示するＶＩＤＥＯ信号、第１の比較器１２からの信号、第２の比較器１３からの信号をうけ、バイアス電流制御回路８、光量制御回路９、スイッチング電流制御回路１０、スイッチング回路４の作動を制御する。
【００５０】
この実施例では、システム制御回路１１は、ＬＤ１の発光光量をあらかじめ定めた所定の光量Ｐｂを得るにあたり、装置の作動をＥＮ信号によって許可される度毎に、バイアス電流制御回路８に対してバイアス電流を増加させるように指示を出し、バイアス電流制御回路８が第１の電流源５を制御して第１の電流源５からＬＤ１へのバイアス電流を増加勾配△ｄ４で徐々に増加させて行く。システム制御回路１１は、増幅器３の出力と第１の基準信号：ｒｅｆ１とを比較する比較器１２の比較結果からＬＤ１の発する光量が第１の所定の光量Ｐａとなったことを検出したときに、バイアス電流を減少勾配△ｄ２で減少させるようにバイアス電流制御回路８に指示を出すと同時に、スイッチング電流制御回路１０に対してスイッチング電流を増加勾配△ｄ３で増加させるように指示を出す。このため、バイアス電流制御回路８は第１の電流源５を制御して第１の電流源５からＬＤ１へのバイアス電流を増加勾配△ｄ２で減少させ、スイッチング電流制御回路１０が第２の電流源６を制御して第２の電流源６からＬＤ１へのスイッチング電流を増加勾配△ｄ３で増加させる。
【００５１】
その後、システム制御回路１１は、増幅器３の出力と第２の基準信号：ｒｅｆ２とを比較する比較器１３の比較結果からＬＤ１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂとなったことを検出したときに、バイアス電流制御回路８にバイアス電流を固定するように指示を出すと同時に、スイッチング電流制御回路１０に対して初期スイッチング電流を固定するように指示を出す。このため、バイアス電流制御回路８は第１の電流源５からＬＤ１へのバイアス電流を固定し、スイッチング電流制御回路１０は第２の電流源６からＬＤ１へのスイッチング電流を固定する。さらに、システム制御回路１１は増幅器３の出力と第２の基準信号：ｒｅｆ２とを比較する比較器１３の比較結果に基づいてＬＤ１の発する光量が第２の所定の光量を保つようにＡＰＣを行うように光量制御回路９に指示を出し、光量制御回路９は比較器１３の比較結果に基づいてＬＤ１の発する光量が第２の所定の光量を保つようにＡＰＣを行う。
以上において、△ｄ２、△ｄ３、△ｄ４は、あらかじめ式（４）、（５）、（６）によって決定されている。また、これらの制御を行うために必要なスイッチング回路４の制御はシステム制御回路１１によって随時行われている。また、バイアス電流制御回路８及びスイッチング電流制御回路１０はそれぞれ例えば上述した図７に示す制御回路又は図８に示す制御回路が用いられてシステム制御回路１１が図１８に示すような処理フローを実行し、アップダウンカウンタ１６はシステム制御回路１１からイネーブル信号及びアップ／ダウン信号が入力されて作動／停止及びアップ／ダウンカウントモードが制御される。
【００５２】
この実施例では、Ｉｂｓ１およびＩｓｗ１を
Ｉｂｓ１≒Ｉａ−（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
Ｉｓｗ１≒（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
とし、０＜Ｉｂｓ１＜Ｉｂ，０＜Ｉｓｗ１＜Ｉｂであるから、Ｃは
Ｃ：−Ｐｂ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）なる実数とするので、Ｉｂｓ１及びＩｓｗ１を、調整工程を設けることなく、個々のＬＤに対して最適なバイアス電流に自動的に設定することができ、簡便な回路構成によって容易に実現できる。また、ＬＤ駆動装置がＥＮ信号により作動開始を指示されるたびに、その時点でのそれぞれのＬＤに対して最適なバイアス電流を自動的に設定することができる。
【００５３】
このことによって、ＬＤのＩ−Ｌ特性のＩｔｈの経時変化分をＬＤ駆動装置が作動開始を指示されるたびに自動的に補正することができ、ＬＤ駆動装置が作動を始めてバイアス電流およびスイッチング電流が設定されてからのＡＰＣによるスイッチング電流の変化量が少なくなり、スイッチング電流の変化によるＬＤのスイッチング特性の変化を固定バイアス方式と比べて小さくすることができる。
【００５４】
また、ＬＤ１の発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、ＬＤ１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまではバイアス電流のみを増加させてスイッチング電流の供給を行わず、ＬＤ１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後にはバイアス電流を減少勾配△ｄ２で減少させると同時にスイッチング電流の供給を開始してスイッチング電流を増加勾配△ｄ３で増加させ、ＬＤ１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後にバイアス電流とスイッチング電流との合成電流が増加する増加勾配を△ｄ１としてＬＤ１の発する光量を増加させるようにし、このときに、△ｄ２、△ｄ３をあらかじめ
△ｄ２＝（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
となるように設定し、但し、Ｃは上述のようにＣ：−Ｐａ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）とし、ＬＤ１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、ＬＤ１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに流れている電流をスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１と設定するので、バイアス電流とスイッチング電流を、ＬＤ１の発する光量を観測してタイミングを見ながらその勾配を管理して増減させることができ、適正なバイアス電流およびスイッチング電流を設定することができる。
【００５５】
また、△ｄ２、△ｄ３、△ｄ４をあらかじめ
△ｄ２＝（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ４＝△ｄ１
となるように設定し、但し、Ｃは上述のようにＣ：−Ｐａ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）とするので、ＬＤに供給されるバイアス電流とスイッチング電流との合成電流の増加勾配を、ＬＤ駆動装置が作動を始めてからＬＤが第２の所定の光量Ｐｂを発するまで一定勾配△ｄ１とすることができ、ＬＤ駆動装置が作動を始めてからＬＤが第２の所定の光量Ｐｂを発するまでの時間の見積りが容易になる。
【００５６】
また、Ｐａと、Ｐｂとの関係をＰａ／Ｐｂ≒０．５としたので、バイアス電流の増減を同一の勾配｜△ｄ１｜にすることができてバイアス電流の増減の制御が容易となる。
【００５７】
また、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、ＬＤの電流−光変換特性の変化に応じて変化するＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、ＬＤの発光光量を検出してスイッチング電流を変化させることにより、ＬＤに流す電流を変化させてＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つＡＰＣ手段を備えているので、最適なバイアス電流を自動的に設定してＬＤのＩ−Ｌ特性のＩｔｈの経時変化分を自動的に補正することにより、ＬＤのＩ−Ｌ特性の変化によるＬＤの発光光量の変動をＡＰＣによって一定に保とうとしたときに、ＬＤのＩ−Ｌ特性の変化に合わせてスイッチング電流を変化させる量が少なくなり、スイッチング電流の変化によるＬＤのスイッチング特性の変化を小さくすることができる。
【００５８】
また、パルスをカウントするカウンタ１６と、このカウンタ１６のカウント値をアナログ値に変換するＤ／Ａコンバ−タ１７とを有し、このＤ／Ａコンバ−タ１７の出力信号によりバイアス電流初期値Ｉｂｓ１の設定を行うので、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１の設定を簡単な回路で容易に行うことができる。
【００５９】
また、パルスをカウントするカウンタ１６と、このカウンタ１６のカウント値をアナログ値に変換するＤ／Ａコンバ−タ１７とを有し、このＤ／Ａコンバ−タ１７の出力信号によりスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１の設定を行うので、スイッチング電流初期値Ｉｓｗ１の設定を簡単な回路で容易に行うことができる。
【００６０】
図２は、請求項１〜４、６記載の発明の他の実施例を示す。この実施例は、上記実施例において、第３の電流源７を第２の電流源６に統合したものであり、光量制御回路９がスイッチング電流制御回路１０に働きかけて第２の電流源６を制御することによってスイッチング電流を変化させてＬＤ１の発光光量が第２の所定の光量になるように制御するようにしたものである。この実施例では、上記実施例と同様な効果が得られる。
【００６１】
図３は、請求項５記載の発明の一実施例を示す。この実施例は、図２の実施例において、光量制御回路９がＡＰＣ制御を開始したときにスイッチング電流の変化をスイッチング電流制御回路１０からバイアス電流制御回路８に伝え、バイアス電流制御回路８にてあらかじめ定めた所定の比例関係でスイッチング電流の変化に比例してバイアス電流を変化させるようにしたものである。この実施例では、図１及び図２の実施例と同様な効果が得られ、かつ、図１及び図２の実施例に比べてＡＰＣ制御が行われているときのスイッチング電流の変化が少なくなり、ＡＰＣ制御が行われているときのＬＤ１のスイッチング特性の変化も図１及び図２の実施例に比べて少なくなる。
【００６２】
図４は、請求項５記載の発明の他の実施例を示す。この実施例では、図２の実施例において、光量制御回路９は、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、ＬＤの電流−光変換特性の変化に応じて変化するＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、ＡＰＣ制御を開始したときに、第２の比較器１３からシステム制御回路１１を介して入力される入力信号によりスイッチング電流制御回路１０とバイアス電流制御回路８に働きかけることで、スイッチング電流とバイアス電流とをＬＤ１の光量が第２の所定の光量Ｐｂになるようにスイッチング電流制御回路１０とバイアス電流制御回路８とで制御し、スイッチング電流の変化に対してあらかじめ定めた所定の比例関係でバイアス電流を変化させる。
【００６３】
この実施例では、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、ＬＤの電流−光変換特性の変化に応じて変化するＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、ＬＤの発光光量を検出してスイッチング電流回路の電流およびバイアス電流回路の電流を変化させることにより、ＬＤに流す電流を変化させてＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保ち、スイッチング電流回路の電流の変化に対してあらかじめ定めた所定の比例関係でバイアス電流回路の電流を変化させるので、つまり、ＡＰＣによるＬＤ電流の制御においてスイッチング電流だけでなくバイアス電流も制御するので、図１及び図２の実施例と同様な効果が得られるだけでなく、図１及び図２の実施例に比べてＡＰＣ制御が行われているときのスイッチング電流の変化が少なくなり、かつ、ＡＰＣ制御が行われているときのＬＤ１のスイッチング特性の変化も図１及び図２の実施例に比べて少なくなる。
【００６４】
図５は、請求項４記載の発明の一実施例を示す。この実施例は、図１の実施例において、第３の電流源７を第１の電流源５と並列に接続したものであり、第３の電流源７はバイアス電流回路を構成する。光量制御回路９は、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１が設定された後に、ＬＤの電流−光変換特性の変化に応じて変化するＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、ＡＰＣ制御を開始したときに、第２の比較器１３からシステム制御回路１１を介して入力される入力信号によりＬＤ１の光量が第２の所定の光量になるように第３の電流源７を制御してバイアス電流を変化させる。
【００６５】
この実施例では、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、ＬＤの電流−光変換特性の変化に応じて変化するＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、ＬＤの発光光量を検出してバイアス電流を変化させることにより、ＬＤに流す電流を変化させてＬＤの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つので、スイッチング電流を変化させずにすみ、図１及び図２の実施例に比べ、ＡＰＣ制御が行われているときのＬＤ１のスイッチング特性の変化が格段に小さくなる。
【００６６】
図６は、請求項４記載の発明の他の実施例を示す。この実施例は、図５の実施例において、第１の電流源５と第３の電流源７を統合しものであり、バイアス電流制御回路８で第１の電流源５を制御して初期バイアス電流を設定した後に、光量制御回路９が第２の比較器１３からシステム制御回路１１を介して入力される入力信号によりバイアス電流制御回路８に働きかけてＬＤ１の光量が第２の所定の光量になるように第１の電流源５を制御してバイアス電流を変化させる。この実施例では、スイッチング電流を変化させないので、図１及び図２の実施例に比べ、ＡＰＣ制御が行われているときのＬＤ１のスイッチング特性の変化が格段に小さくなる。
【００６７】
【発明の効果】
以上のように請求項１記載の発明によれば、半導体レ−ザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レ−ザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを有し、前記半導体レ−ザをスイッチング駆動するにあたり、前記半導体レ−ザにバイアス電流を与える半導体レ−ザ駆動装置において、前記半導体レ−ザの発する光量を第２の所定の光量Ｐｂにするにあたり、前記バイアス電流回路によって前記半導体レ−ザに流すバイアス電流初期値をＩｂｓ１、前記スイッチング電流回路によって前記半導体レ−ザに流すスイッチング電流初期値をＩｓｗ１とし、かつ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流をＩａ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流量をＩｂとしたときに、Ｉｂｓ１及びＩｓｗ１を
Ｉｂｓ１≒Ｉａ−（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
Ｉｓｗ１≒（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
とし、但し、０＜Ｉｂｓ１＜Ｉｂ，０＜Ｉｓｗ１＜ＩｂであるからＣはＣ：−Ｐｂ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）なる実数とする制御手段を備え、前記制御手段は、前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまでは前記バイアス電流回路の電流のみを増加させて前記スイッチング電流回路からは電流の供給を行わず、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後には前記バイアス電流回路の電流を減少勾配△ｄ２で減少させると同時に前記スイッチング電流回路の電流の供給を開始して前記スイッチング電流回路の電流を増加勾配△ｄ３で増加させ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後に前記バイアス電流回路と前記スイッチング電流回路の合成電流が増加する増加勾配を△ｄ１として前記半導体レ−ザの発する光量を増加させるようにし、このときに、△ｄ２、△ｄ３をあらかじめ
△ｄ２＝（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
となるように設定し、但し、ＣはＣ：−Ｐａ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）とし、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記バイアス電流回路に流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記スイッチング電流回路に流れている電流をスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１と設定するので、Ｉｂｓ１及びＩｓｗ１を、調整工程を設けることなく、個々のＬＤに対して最適なバイアス電流に自動的に設定することができ、簡便な回路構成によって容易に実現できる。さらに、ＬＤのＩ−Ｌ特性のＩｔｈの経時変化分を自動的に補正することができ、ＡＰＣによるスイッチング電流の変化量を少なくでき、スイッチング電流の変化によるＬＤのスイッチング特性の変化を固定バイアス方式と比べて小さくすることができる。また、バイアス電流とスイッチング電流を、ＬＤの発する光量を観測してタイミングを見ながらその勾配を管理して増減させることができ、適正なバイアス電流およびスイッチング電流を設定することができる。
【００６８】
請求項２記載の発明によれば、半導体レ−ザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レ−ザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを有し、前記半導体レ−ザをスイッチング駆動するにあたり、前記半導体レ−ザにバイアス電流を与える半導体レ−ザ駆動装置において、前記半導体レ−ザの発する光量を第２の所定の光量Ｐｂにするにあたり、前記バイアス電流回路によって前記半導体レ−ザに流すバイアス電流初期値をＩｂｓ１、前記スイッチング電流回路によって前記半導体レ−ザに流すスイッチング電流初期値をＩｓｗ１とし、かつ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流をＩａ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂになるときの前記半導体レ−ザに流れる電流量をＩｂとしたときに、Ｉｂｓ１及びＩｓｗ１を
Ｉｂｓ１≒Ｉａ−（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
Ｉｓｗ１≒（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×（Ｉｂ−Ｉａ）
とし、但し、０＜Ｉｂｓ１＜Ｉｂ，０＜Ｉｓｗ１＜ＩｂであるからＣはＣ：−Ｐｂ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）なる実数とする制御手段を備え、前記制御手段は、前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂにならしめるにあたり、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達するまでは前記バイアス電流回路の電流のみを増加勾配△ｄ４で増加させて前記スイッチング電流回路からは電流の供給を行わず、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後には前記バイアス電流回路の電流を減少勾配△ｄ２で減少させると同時に前記スイッチング電流回路の電流の供給を開始して前記スイッチング電流回路の電流を増加勾配△ｄ３で増加させ、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａに達した後に前記バイアス電流回路と前記スイッチング電流回路の合成電流が増加する増加勾配を△ｄ１として前記半導体レ−ザの発する光量を増加させるようにし、このときに、△ｄ２、△ｄ３、△ｄ４をあらかじめ
△ｄ２＝（Ｐａ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ３＝（Ｐｂ＋Ｃ）／（Ｐｂ−Ｐａ）×△ｄ１
△ｄ４＝△ｄ１
となるように設定し、但しＣはＣ：−Ｐａ＜Ｃ＜（Ｉａ×Ｐｂ−Ｉｂ×Ｐａ）／（Ｉｂ−Ｉａ）とし、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記バイアス電流回路に流れている電流をバイアス電流初期値Ｉｂｓ１、前記半導体レ−ザの発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに前記スイッチング電流回路に流れている電流をスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１と設定するので、ＬＤに供給されるバイアス電流とスイッチング電流との合成電流の増加勾配を、ＬＤ駆動装置が作動を始めてからＬＤが第２の所定の光量Ｐｂを発するまで一定勾配△ｄ１とすることができ、ＬＤ駆動装置が作動を始めてからＬＤが第２の所定の光量Ｐｂを発するまでの時間の見積りが容易になる。
【００６９】
請求項３記載の発明によれば、請求項１または２記載の半導体レ−ザ駆動装置において、前記半導体レ−ザの発する第２の所定の光量Ｐｂより小さい第１の所定の光量Ｐａと、前記半導体レ−ザの発する第２の所定の光量Ｐｂとの関係を
Ｐａ／Ｐｂ≒０．５
としたので、バイアス電流の増減を同一の勾配｜△ｄ１｜にすることができてバイアス電流の増減の制御が容易となる。
【００７０】
請求項４記載の発明によれば、請求項１、２または３記載の半導体レ−ザ駆動装置において、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、前記半導体レ−ザの電流−光変換特性の変化に応じて変化する前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、前記半導体レ−ザの発光光量を検出して前記スイッチング電流回路の電流もしくは前記バイアス電流回路の電流を変化させることにより、前記半導体レ−ザに流す電流を変化させて前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つオ−トパワ−コントロ−ル手段を備えたので、最適なバイアス電流を自動的に設定してＬＤのＩ−Ｌ特性のＩｔｈの経時変化分を自動的に補正することにより、ＬＤのＩ−Ｌ特性の変化によるＬＤの発光光量の変動をＡＰＣによって一定に保とうとしたときに、ＬＤのＩ−Ｌ特性の変化に合わせてスイッチング電流を変化させる量を少なくでき、スイッチング電流の変化によるＬＤのスイッチング特性の変化を小さくすることができ、もしくは、スイッチング電流を変化させずにすみ、ＡＰＣ制御が行われているときのＬＤ１のスイッチング特性の変化を小さくすることができる。
【００７１】
請求項５記載の発明によれば、請求項１、２または３記載の半導体レ−ザ駆動装置において、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１およびスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１を設定した後に、前記半導体レ−ザの電流−光変換特性の変化に応じて変化する前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保つために、前記半導体レ−ザの発光光量を検出して前記スイッチング電流回路の電流および前記バイアス電流回路の電流を変化させることにより、前記半導体レ−ザに流す電流を変化させて前記半導体レ−ザの発光光量を第２の所定の光量Ｐｂに保ち、前記スイッチング電流回路の電流の変化に対してあらかじめ定めた所定の比例関係で前記バイアス電流回路の電流を変化させるオ−トパワ−コントロ−ル手段を備えたので、ＡＰＣ制御が行われているときのスイッチング電流の変化を少なくすることができ、ＡＰＣ制御が行われているときのＬＤ１のスイッチング特性の変化を少なくすることができる。
【００７２】
請求項６記載の発明によれば、請求項１、２、３、４または５記載の半導体レ−ザ駆動装置において、パルスをカウントする第１のカウンタと、この第１のカウンタのカウント値をアナログ値に変換する第１のＤ／Ａコンバ−タとを有し、この第１のＤ／Ａコンバ−タの出力信号によりバイアス電流初期値Ｉｂｓ１の設定を行う第１の設定手段と、パルスをカウントする第２のカウンタと、この第２のカウンタのカウント値をアナログ値に変換する第２のＤ／Ａコンバ−タとを有し、この第２のＤ／Ａコンバ−タの出力信号によりスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１の設定を行う第２の設定手段との少なくとも一方を備えたので、バイアス電流初期値Ｉｂｓ１の設定とスイッチング電流初期値Ｉｓｗ１の設定との少なくとも一方を簡単な回路で容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  請求項１〜４、６記載の発明の一実施例を示すブロック図である。
【図２】  請求項１〜４、６記載の発明の他の実施例を示すブロック図である。
【図３】  請求項５記載の発明の一実施例を示すブロック図である。
【図４】  請求項５記載の発明の他の実施例を示すブロック図である。
【図５】  請求項４記載の発明の一実施例を示すブロック図である。
【図６】  請求項４記載の発明の他の実施例を示すブロック図である。
【図７】  上記実施例においてバイアス電流またはスイッチング電流を制御する制御回路の一例を示すブロック図である。
【図８】  上記実施例においてバイアス電流またはスイッチング電流を制御する制御回路の他の例を示すブロック図である。
【図９】  上記実施例の原理を説明するための図である。
【図１０】  上記実施例における初期設定時のバイアス電流、スイッチング電流及びこれらの合成電流を示すタイミングチャートである。
【図１１】  上記実施例における初期設定時のバイアス電流、スイッチング電流及びこれらの合成電流の関係と、ＬＤのＩ−Ｌ特性、光出力−時間特性を示す図である。
【図１２】  ＬＤのＩ−Ｌ特性を説明するための図である。
【図１３】  ＬＤのＩ−Ｌ特性のバラツキを説明するための図である。
【図１４】  ＬＤのＩ−Ｌ特性の温度変化、経時変化を説明するための図である。
【図１５】  固定バイアス方式におけるＬＤのＩ−Ｌ特性と、バイアス電流、スイッチング電流及び光出力の例を示す図である。
【図１６】  固定バイアス方式におけるＬＤのＩ−Ｌ特性と、バイアス電流、スイッチング電流及び光出力の他の例を示す図である。
【図１７】  上記請求項１〜４、６記載の発明の一実施例におけるシステム制御回路の処理フローを示すフローチャートである。
【図１８】  同実施例において図７又は図８の回路を用いた場合におけるシステム制御回路の処理フローを示すフローチャートである。
【符号の説明】
１      ＬＤ
２      光検出器
３      増幅器
４      スイッチング回路
５      電流源
６      電流源
７      電流源
８      バイアス電流制御回路
９      光量制御回路
１０      スイッチング電流制御回路
１１      システム制御回路
１２      比較器
１３      比較器
１４      パルス発生器
１５      分周回路
１６      アップ／ダウンカウンタ
１７      Ｄ／Ａコンバ−タ
【図１】
0003658423.tif 000002
【図２】
0003658423.tif 000003
【図３】
0003658423.tif 000004
【図４】
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【図５】
0003658423.tif 000006
【図６】
0003658423.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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