(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、表面に多数の配線パターンおよび多数の電極パッドを設けた絶縁テープと、前記絶縁テープの配線パターンを設けた面とは反対側の面に接着剤を介して接着した金属板とを有し、前記配線パターンと前記半導体素子の電極とを電気的に接続し、かつ前記電極パッドに多数のはんだバンプを接続し、少なくとも前記半導体素子の回路形成面を封止樹脂で覆った半導体装置において、前記半導体装置の少なくとも一つの側壁が切断端面で構成され、かつその切断端面が前記絶縁テープ、前記接着剤、及び前記金属板の切断端面からなり、前記絶縁テープ、前記接着剤、及び前記金属板の切断端面が一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記金属板は、前記半導体素子を搭載する素子搭載部と、前記素子搭載部の周囲に位置し前記絶縁テープを搭載する絶縁テープ搭載部とを有し、前記素子搭載部上面は前記絶縁テープ搭載部表面より低い位置にあり、かつ前記素子搭載部及び前記絶縁テープ搭載部は、前記絶縁テープ搭載部と前記素子搭載部との境界よりも外側から始まり前記素子搭載部の外周に至る連結用段差部によって連結されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置において、前記金属板の外周の少なくとも一部分が前記絶縁テープの外周よりも外側に突出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、前記金属板の前記絶縁テープの外周よりも外側に突出した部分に、前記金属板と一体で、かつ前記多数のはんだバンプの高さの位置まで突出する突起リードを設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１から４のうちいずれか１項記載の半導体装置において、前記配線パターンと前記半導体素子の電極との電気的接続に、金属ワイヤを用いたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体素子と、表面に多数の配線パターンおよび多数の電極パッドを設けた絶縁テープと、前記絶縁テープの配線パターンを設けた面に対する反対側の面に接着剤を介して接着した金属板とを有し、前記配線パターンと前記半導体素子の電極とを電気的に接続し、かつ前記電極パッドに多数のはんだバンプを接続し、少なくとも前記半導体素子の回路形成面を封止樹脂で覆った半導体装置において、前記金属板の元となるリードフレームへの前記絶縁テープの接着、前記リードフレームへの多数の前記半導体素子の装填、前記配線パターンと前記半導体素子の電極との電気的接続、前記半導体素子の回路形成面への前記封止樹脂の封止を行った後に、前記リードフレームを切断して前記半導体素子の各々に対応する前記金属板が同時に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、前記リードフレームへ接着する際の前記絶縁テープは、前記半導体素子の各々に共通して連続した１枚のテープであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
複数の半導体素子を装填する複数の半導体素子装填部を有し、前記半導体素子の各々を前記半導体素子装填部に装填して前記半導体素子に対応する複数のパッケージを構成する半導体装置用のリードフレームにおいて、前記半導体素子装填部の各々に対応する位置に、多数の配線パターンおよび多数の電極パッドをそれぞれ設けた複数の絶縁テープを、前記配線パターンを設けた面とは反対側の面に接着剤を介して接着したことを特徴とする半導体装置用のリードフレーム。
【請求項９】
複数の半導体素子を装填する複数の半導体素子装填部を有し、前記半導体素子の各々を前記半導体素子装填部に装填して前記半導体素子に対応する複数のパッケージを構成する半導体装置用のリードフレームにおいて、前記半導体素子の各々に共通して連続した１枚のテープで構成され、かつ前記半導体装置の各々に対応する多数の配線パターンおよび多数の電極パッドを設けた絶縁テープを、前記配線パターンを設けた面とは反対側の面に接着剤を介して接着したことを特徴とする半導体装置用のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、表面に多数の配線パターンおよび多数の電極パッドを設けたテープ状の絶縁部材を金属板状に接着し、その金属板に半導体素子を装填し、配線パターンと半導体素子の電極との電気的に接続し、さらにはんだバンプを外部端子として電極パッドに接続した半導体装置の構造に係り、特に外部端子の接続信頼性と製造上の生産性に優れた半導体装置及び半導体装置用のリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、半導体装置の高集積化や多ピン化が進む中で、半導体パッケージの外部端子を従来のリードを用いた１次元配列から金属バンプを用いた２次元配列に変え、ピン数（端子数）を大幅に増加させる技術が実用化されている。具体的な構造の一つは、プリント基板に半導体素子を搭載し、そのプリント基板の裏面に金属バンプを配置した構造が米国特許５，２１６，２７８号に開示されている。この構造は一般にＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）と呼ばれている。
【０００３】
一方、半導体パッケージを、半導体素子の寸法にまで極力小さくした構造の半導体装置が開発されており、このような半導体装置は、一般にＣＳＰ（チップサイズパッケージまたはチップスケールパッケージ）と呼ばれている。ＣＳＰの従来技術としては、特表平６−５０４４０８号公報に開示されているように、半導体素子の回路形成面に柔軟材を介して配線パターンと外部端子とを設けた絶縁テープを搭載し、配線パターンと半導体素子の電極とを電気的に接続した構造の半導体装置がある。また、特開平６−２２４２５９号公報には、スルーホールを設けたセラミック基板に半導体素子を搭載し、そのセラミック基板の反対面に電極を設け、それをプリント基板に実装する構造が開示されている。さらに、特開平６−３０２６０４号公報では、半導体素子の回路形成面に金属配線パターンを形成し、この金属配線パターンに外部端子を設けた構造のＣＳＰが開示されている。
【０００４】
さらに、特開平８−８８２９３号公報では、半導体素子の周囲に配線パターンとはんだバンプ（外部端子）を設けた絶縁テープを設け、配線パターンと半導体素子の電極を電気的に接続した構造の半導体装置が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来技術のうち、特開平８−８８２９３号公報に記載された半導体装置、即ち半導体素子の周囲に絶縁テープを設けた構造の半導体装置は、パッケージの小型化と多ピン化を同時に達成できる構造である。この構造では、配線に絶縁テープを用いているので、プリント基板に比べて配線パターンを細かくすることができ、その結果外部端子としてのはんだバンプのピッチもが小さくでき、パッケージ外周を小さくすることが可能である。また、半導体素子の外側にはんだバンプを設けているので、半導体素子の大きさにかかわらず多数のバンプを設けることができる。
【０００６】
しかし、上記従来技術の構造を有する半導体装置では、以下に示すような改善すべき点があった。
第１の点は、生産性に関することである。この構造では、剛性の低い絶縁テープを用いるため、上記従来技術で説明されているように、絶縁テープを補強するためにそのテープの裏側に金属板を接着する必要がある。このように金属板を接着しないと、テープの平坦度が保てないので、はんだバンプの先端に段差ができてしまい、接続信頼性が著しく低下することになる。ところが、接続信頼性を確保するために、半導体素子に対応して個別に金属板を製作し、絶縁テープに接着することは生産性を著しく阻害する。
【０００７】
第２の点は、絶縁テープの平坦度に関することである。上記のように個別に金属板を製作して絶縁テープに接着する場合、接着剤の厚さが均一に保てなくなったり、あるいは絶縁テープの巻き癖等による反りが解消できない場合がある。絶縁テープの平坦度が悪いと、外部端子であるはんだバンプの高さがばらつき、接続信頼性が低下する。
【０００８】
本発明の目的は、上記のような点を克服し、外部端子の接続信頼性と製造上の生産性を向上させることが可能な半導体装置及び半導体装置用のリードフレームを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明によれば、半導体素子と、表面に多数の配線パターンおよび多数の電極パッドを設けた絶縁テープと、その絶縁テープの配線パターンを設けた面とは反対側の面に接着剤を介して接着した金属板とを有し、前記配線パターンと半導体素子の電極とを電気的に接続し、かつ前記電極パッドに多数のはんだバンプを接続し、少なくとも前記半導体素子の回路形成面を封止樹脂で覆った半導体装置において、前記半導体装置の少なくとも一つの側壁が切断端面で構成され、かつその切断端面が前記絶縁テープ、前記接着剤、及び前記金属板の切断端面からなり、前記絶縁テープ、接着剤、及び金属板の切断端面が一致していることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１０】
上記のように構成した本発明の半導体装置においては、パッケージの少なくとも一つの側壁を切断端面とし、その側壁における絶縁テープ、接着剤、及び金属板の切断端面が一致するような構成とする。このような構成は、金属板の元となるリードフレームに絶縁テープを接着し、またリードフレームに多数の半導体素子を装填し、絶縁テープに設けられた配線パターンと半導体素子の電極との電気的接続を行い、各半導体素子の回路形成面への封止樹脂の封止を行った後に、リードフレームを切断し、半導体素子の各々に対応する金属板を同時に形成することにより形成される。つまり、最終的にリードフレームの切断によって個々の半導体装置に分割した時にいずれかの側壁が切断端面となり、その側壁における絶縁テープ、接着剤、及び金属板の切断端面が一致し、従って切断に伴って生じる端面のキズが連続した状態になる。
【００１１】
このように個々の半導体パッケージの構成をリードフレームに形成してから分割するため、複数の半導体パッケージを同時に製造でき、生産性が著しく向上する。また、最初に単純な形状の２種類の板状部材、即ちリードフレームと絶縁テープを接着するだけであるので、場合に応じて例えばプレスやローラーなど、様々な方式で容易に接着を行うことができ、接着剤の厚さを均一にでき、しかもテープに巻き癖がある場合にもその巻き癖を取り除くことも容易である。従って、絶縁テープの平坦度を向上させることが可能となり、外部端子としてのはんだバンプの接続信頼性を向上させることができる。
【００１２】
また従来では、封止樹脂として、生産性が低く封止後の形状のばらつきの多いポッティング樹脂を用いることが多く、この場合には封止の信頼性が不十分な場合があったが、本発明では、樹脂による封止時には半導体パッケージが個々に分割されていない状態であるため、通常のリード付パッケージのために用いられているトランスファーモールド法を用いることができる。これによっても生産性が向上すると共に、封止の信頼性も向上する。
【００１３】
上記のような半導体装置の金属板は、好ましくは、半導体素子を搭載する素子搭載部と、素子搭載部の周囲に位置し絶縁テープを搭載する絶縁テープ搭載部とを有し、前記素子搭載部上面は前記絶縁テープ搭載部表面より低い位置にあり、かつその素子搭載部及び絶縁テープ搭載部は、絶縁テープ搭載部と素子搭載部との境界よりも外側から始まり素子搭載部の外周に至る連結用段差部によって連結される。
【００１４】
このように素子搭載部上面が絶縁テープ搭載部表面より低い位置にあるため、半導体素子が絶縁テープ上面より突出することを防止することが可能となる。後述のようにワイヤボンデイングを行う際には半導体素子が固定されている必要があるが、この場合には金属板の一部である素子搭載部に半導体素子が搭載、固定されるため、ワイヤボンデイングを安定して確実に行うことが可能となる。
【００１５】
また、上記においては、金属板の外周の少なくとも一部分が絶縁テープの外周よりも外側に突出していてもよい。さらにこの場合、金属板の絶縁テープの外周よりも外側に突出した部分に、金属板と一体で、かつ前記多数のはんだバンプの高さの位置まで突出する突起リードを設けてもよい。このような突起リードを設けたことにより、プリント基板上への実装時に金属板と一体の突起リードをプリント基板のグランドに接続することができ、その結果、半導体パッケージで生じる電気的ノイズを低減でき、動作周波数の高い半導体素子を搭載することが可能になる。さらに、半導体素子から封止樹脂、金属板を通り、突起リードを介してプリント基板に至る放熱経路が形成されるため、半導体素子で発生する熱を効率的に逃がすことができ、熱抵抗を低減することが可能となり、しかも高い発熱量を有する半導体素子の搭載も可能になる。
【００１６】
ここで、配線パターンと半導体素子の電極との接続の際に、テープキャリアパッケージで用いられているテープ・オートメイテッド・ボンディングを用いる場合には、特殊な製造装置が必要であり、また半導体素子の電極に対する配線パターンの自由度が全くないために素子毎にテープを作らなければならないが、本発明では、半導体素子の電極と配線パターンとを接続する際に、絶縁テープの裏側にすでに剛性の高いリードフレームが接着されているため、配線パターンの剛性も高くなっており、より接続信頼性の高いワイヤボンディング法で接続することができる。即ち本発明では、配線パターンと半導体素子の電極との電気的接続に、金属ワイヤを用い、ワイヤボンディング法で接続することが好ましい。
【００１７】
但し、ワイヤボンディングを行わない場合には、配線パターンと半導体素子の電極との電気的接続を、テープ・オートメイテッド・ボンディングを用いて行ってもよい。
【００１８】
また、リードフレームへ接着する際の絶縁テープが、半導体素子の各々に共通して連続した１枚のテープであれば、より好ましい。これにより、各半導体素子毎に絶縁テープを準備する必要がなく、絶縁テープを個別に接着する必要もなくなるため、一層生産性が向上する。
【００１９】
さらに本発明によれば、複数の半導体素子を装填する複数の半導体素子装填部を有し、上記半導体素子の各々を半導体素子装填部に装填してその半導体素子に対応する複数のパッケージを構成する半導体装置用のリードフレームにおいて、前記半導体素子装填部の各々に対応する位置に、多数の配線パターンおよび多数の電極パッドをそれぞれ設けた複数の絶縁テープを、前記配線パターンを設けた面とは反対側の面に接着剤を介して接着したことを特徴とする半導体装置用のリードフレームが提供される。
【００２０】
或いは、上記のようにリードフレームに複数の絶縁テープを接着する代わりに、半導体素子の各々に共通して連続した１枚のテープで構成され、かつ前記半導体装置の各々に対応する多数の配線パターンおよび多数の電極パッドを設けた絶縁テープを、前記配線パターンを設けた面とは反対側の面に接着剤を介して接着してもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施形態について、図１から図５を参照しながら説明する。
図１は本実施形態の半導体装置の斜視図であり、図２は図１の中央部分の断面図である。図１および図２に示すように、金属板６中央の孔には半導体素子１が装填されており、半導体素子１周囲の金属板６表面には配線パターン４およびパッド５を有する絶縁テープ（テープ状の絶縁部材）３が接着されている。この配線パターン４の材質としては、例えば銅箔を用いる。配線パターン４の一方（内方）は絶縁テープ３の内周より突出し、テープ・オートメイテッド・ボンディング法により半導体素子１の電極２に電気的に接続されており、他方ははんだバンプ８を接続するためのパッド５に連なっている。金属板６は、配線パターン４やパッド５が設けられた絶縁テープ３を補強する役割を果たしており、金属板６の外周は絶縁テープ３の外周よりも外側に突出している。また、半導体素子１の回路形成面および側面は封止樹脂７により封止されている。但し、図１では、構造をわかりやすく表現するために、封止樹脂の一部を取り除いて示した。
【００２２】
また、上記半導体装置の側壁１ａは切断端面であって、側壁１ａにおける絶縁テープ３、接着剤２０、及び金属板６の切断端面が一致し、切断に伴って生じる端面のキズが連続した状態になっている（図５参照）。
【００２３】
図１および図２に示した本実施形態の半導体装置の製造工程を図３および図４により説明する。まず、図３に示すように、半導体素子１を収めるための複数の孔９ａ，９ｂ（図３では２個）が設けられたリードフレーム９に、配線パターン４、パッド５、および複数の半導体素子１を収めるための複数の孔３ａ，３ｂが設けられた絶縁テープ３を接着する。この絶縁テープ３は装填すべき複数の半導体素子１の各々に共通して連続した１枚のテープである。この接着工程は、単純な形状の２種類の板状部材、即ちリードフレーム９と絶縁テープ３を接着するだけであるので、場合に応じて例えばプレスやローラーなど、様々な方式で容易に接着を行うことができ、接着剤２０の厚さを均一にでき、しかもテープに巻き癖がある場合にもその巻き癖を取り除くことも容易である。
【００２４】
次に、半導体素子１を孔９ａ，９ｂに装填するが、この時、配線パターン４の内端は孔９ａ，９ｂおよび孔３ａ，３ｂの内周から突出しているため、半導体素子１は配線パターン４の内端を破損しないように、リードフレーム９の下面の方から孔の内部に収めることとする。続いて、配線パターン４と半導体素子１の電極２を電気的に接続するが、本実施形態では、この接続の際にテープ・オートメイテッド・ボンディング法を用いる。
【００２５】
さらに、図４に示すように、封止樹脂７により半導体素子１の回路形成面と側面とを封止する。この封止時には、通常のテープキャリアパッケージで用いられているポッティング法を用いる。続いてリードフレーム９および絶縁テープ３を図の一点鎖線Ａ−Ａに沿って切断して個々の半導体装置に分割し、これによって各半導体装置に対応する金属板６を形成する。そして、最後に絶縁テープ３に設けられたパッド４にはんだボール１０を接続し、はんだバンプ８とする。
【００２６】
上記のような工程で半導体装置を製造すると、最終的にリードフレーム９を切断し個々の半導体装置に分割した時には、前述のように、その切断端面が側壁１ａとなり、その側壁１ａにおける絶縁テープ３、接着剤２０、及び金属板６の切断端面が一致し、図５に示すように切断に伴って生じる端面の加工キズ３０が連続した状態となる。
【００２７】
以上のような本実施形態では、絶縁テープ３、半導体素子１、封止樹脂７等による個々の半導体装置の構成をリードフレーム９に形成し、その後に分割するため、複数の半導体装置を同時に製造でき、生産性を著しく向上させることができる。しかも、絶縁テープ３が装填すべき複数の半導体素子１の各々に共通して連続した１枚のテープであるため、各半導体素子１毎に個別の絶縁テープを準備する必要がなく、絶縁テープを個別に接着する必要もなくなるため、一層生産性を向上できる。
【００２８】
また、最初に単純な形状の２種類の板状部材、即ちリードフレーム９と絶縁テープ３を接着するだけであるので、様々な方式で容易に接着を行うことができ、接着剤２０の厚さを均一にでき、しかも絶縁テープ３の巻き癖を取り除くことも容易である。従って、絶縁テープ３の平坦度を向上させることが可能となり、外部端子としてのはんだバンプ８の接続信頼性を向上させることができる。
【００２９】
また本実施形態では、封止樹脂７による封止時には半導体装置が個々に分割されていない状態であるため、ポッティング樹脂を用いずに、通常のリード付パッケージのために用いられているトランスファーモールド法を用いることができる。これによっても生産性が向上すると共に、封止の信頼性も向上する。
【００３０】
次に、本発明の第２および第３の実施形態について、それぞれ図６および図７を参照しながら説明する。但し、図６および図７において、図１〜図５と同等の部材には同じ符号を付してある。
【００３１】
図６および図７は、それぞれ封止樹脂７で半導体素子１の回路形成面および側面を封止する前の状態を示す図である。図６および図７の実施形態における絶縁テープとしては、図３の絶縁テープ３のように半導体素子１の各々に共通して連続した１枚のテープとはせずに、各半導体素子１に対する個別の絶縁テープ３Ａとする。また、図７に示す第３の実施形態では、分割時の切断が行いやすいように、リードフレーム９ｃに予めスリット１３が設けられている。
【００３２】
これ以外の半導体装置の構成および製造工程は第１の実施形態と同様であり、これらの実施形態においても、絶縁テープ３Ａ、半導体素子１、封止樹脂等による個々の半導体装置の構成をリードフレーム９または９ｃに形成し、その後に分割する。但し、各絶縁テープ３Ａのある程度の間隔が空けられているため、個々の半導体装置に分割する際にはリードフレーム９または９ｃのみを切断することになる。従って、分割後の半導体装置の側壁における絶縁テープ３Ａ、接着剤、及び金属板の切断端面は一致せず、切断に伴って生じる端面のキズも連続した状態にはならない。
【００３３】
これら第２および第３の実施形態によれば、各半導体素子１毎に個別の絶縁テープを準備し、個別に接着する必要があるものの、それ以外は第１の実施形態とほぼ同様の効果が得られる。
【００３４】
次に、本発明の第４の実施形態について、図８から図１０を参照しながら説明する。但し、図８から図１０において、図１〜図７と同等の部材には同じ符号を付してある。
【００３５】
図８は本実施形態の半導体装置の斜視図であり、図９は図８の中央部分の断面図である。図８および図９に示すように、金属板６中央には貫通する孔がなく、金属板６と一体の素子搭載部１２がその中央部に設けられている。そして金属板６の素子搭載部１２より外側は絶縁テープ搭載部１２ａとなっており、かつ素子搭載部１２上面は絶縁テープ搭載部１２ａ表面より低くなっており、素子搭載部１２と絶縁テープ搭載部１２ａとの間は連結用段差部１２ｂで連結されている。また、配線パターン４内方は、半導体素子１の電極２とワイヤ１１により（ワイヤ・ボンディング法を用いて）接続されている。これ以外その他の構成は第２の実施形態と同様である。但し、図８では、構造をわかりやすく表現するために、封止樹脂の一部を取り除いて示した。
【００３６】
図８および図９に示した本実施形態の半導体装置の製造工程を図１０により説明する。まず、半導体素子１を搭載するための複数の（図３では２個）素子搭載部１２が設けられたリードフレーム９Ａに、配線パターン４ａ、パッド５、および複数の半導体素子１を収めるための複数の孔３ｃが設けられた絶縁テープ３Ａを接着する。但し、絶縁テープ３Ａは、図６や図７と同様に各半導体素子１に対して個別のテープとし、さらに、配線パターン４ａは絶縁テープ３の表面内のみに存在しており、配線パターン４ａ内方が絶縁テープ３の孔３ｃに突出しないようになっている。また、連結用段差部１２ｂは、素子搭載部１２と絶縁テープ搭載部１２ａとの境界よりも外側から始まり、素子搭載部１２の外周に至る形状となっている。これにより、素子搭載部１２外周と絶縁テープ搭載部１２ａ内周との距離を極力短くすることが可能である。
【００３７】
次に、半導体素子１をリードフレーム９Ａの上方から素子搭載部１２に搭載し、接着する。この時、配線パターン４ａ内方が絶縁テープ３の孔３ｃに突出しないようになっているため、半導体素子１をリードフレーム９Ａの上方から搭載しても配線パターン４ａを破損することがなく、またハンドリングも容易になる。また、素子搭載部１２上面が絶縁テープ搭載部１２ａ表面より低くなっているため、半導体素子１が絶縁テープ３上面より突出することを防止することが可能となる。次に、配線パターン４ａと半導体素子１の電極２をワイヤ１１により電気的に接続する。これ以降の製造工程は図４と同様である。
【００３８】
上記においては、ワイヤボンディング法を用いているが、この方式は、最初にリードフレーム９Ａと絶縁テープ３Ａとの接着を行うという本実施形態の独自の構造により可能になったものである。ワイヤボンディング法では、熱圧着と超音波接合を併用して金属同士の接合を行うが、このような作業を行うためには、接合する配線パターンの剛性が高いことが必要となる。剛性が低いと接合面が陥没して圧着力が伝わらなくなったり、超音波が吸収されて接合できなくなるからである。本発明では、ワイヤボンディング法により半導体素子１の電極２と配線パターン４ａとを接続すする際に、絶縁テープ３Ａの裏側にすでに剛性の高いリードフレーム９Ａが接着されているため、配線パターン４ａの剛性も高くなっており、ボンディング時にそれらが陥没することがなく、より接続信頼性の高いワイヤボンディング法で安定した接続を行うことができる。しかも、上記ワイヤボンディング時には、半導体素子１が素子搭載部１２上にしっかりと固定されているため、一層確実で信頼性のある接続を行うことができる。
【００３９】
また、テープキャリアパッケージで用いられているテープ・オートメイテッド・ボンディングを用いる場合には、特殊な製造装置が必要であり、また半導体素子の電極に対する配線パターンの自由度が全くないために素子毎にテープを作らなければならないが、本発明では、より接続信頼性の高いワイヤボンディング法で接続することができる点で有利である。
【００４０】
以上のような本実施形態によれば、絶縁テープ３Ａの裏側に剛性の高いリードフレーム９Ａを接着するので、配線パターン４ａの剛性を向上でき、より接続信頼性の高いワイヤボンディング法で安定した接続を行うことができる。しかも、半導体素子１が素子搭載部１２上にしっかりと固定されるので、一層確実で信頼性のある接続を行うことができる。
【００４１】
また、素子搭載部１２上面が絶縁テープ搭載部１２ａ表面より低くなっているので、半導体素子１の搭載時にその半導体素子１が絶縁テープ３上面より突出することを防止できる。
【００４２】
さらに、連結用段差部１２ｂを上記のような形状とするので、素子搭載部１２外周と絶縁テープ搭載部１２ａ内周との距離を極力短くすることが可能である。
【００４３】
次に、本発明の第５の実施形態について、図１１および図１２を参照しながら説明する。但し、図１１および図１２において、図１〜図７と同等の部材には同じ符号を付してある。
【００４４】
図１１は本実施形態の半導体装置の斜視図であり、図１２は図１１の半導体装置をプリント基板に実装した時の中央部分の断面図である。図１１および図１２に示すように、本実施形態の半導体装置においては、金属板６の外周に、金属板６表面より上方に突出する突起リード１４が設けられている。この突起リード１４は、はんだバンプ８の上面を含む平面内にまで、即ちはんだバンプ８の高さの位置まで突出している。これ以外その他の構成は第２の実施形態と同様である。但し、図１１では、構造をわかりやすく表現するために、封止樹脂の一部を取り除いて示した。
【００４５】
この半導体装置がプリント基板に実装される際には、図１２に示すように、プリント基板１５の電極１５ａにはんだバンプ８が接合され、さらにプリント基板１５の突起リード接合部１５ｂに突起リード１４の先端がはんだ１６を介して接合される。また、突起リード接合部１５ｂはグランドに接続される。
【００４６】
このような構成の半導体装置は、プリント基板に実装することにより、次の２つの効果がある。
１つは、電気的特性の向上である。金属板６が配線パターン４とごく近い位置に絶縁されて存在しているため、金属板６と一体の突起リード１４を、グランドに接続された突起リード接合部１５ｂと接合すれば、グランドプレーンとして機能させることができ、半導体装置で生じる電気的ノイズを低減でき、搭載する半導体素子１を動作周波数の高いものとすることができる。
【００４７】
もう一つは、半導体装置からプリント基板に逃がす熱抵抗の低減である。半導体素子１から封止樹脂７、金属板６を通り、突起リード１４を介してプリント基板１５上の突起リード接合部１５ｂに至る放熱経路が形成されるため、半導体素子１で発生する熱を効率的に逃がすことができ、熱抵抗を低減することが可能となり、しかも高い発熱量を有する半導体素子１の搭載もできる。
【００４８】
次に、本発明の第６の実施形態について、図１３により説明する。本実施形態は、図１３に示すように、第４の実施形態の半導体装置における金属板６の外周に、第５の実施形態と同様の突起リード１４を設けたものである。これ以外その他の構成は第４の実施形態と同様であり、図１３において、図８または図１１と同等の部材には同じ符号を付してある。
【００４９】
本実施形態によれば、半導体素子１とプリント基板１５の突起リード接合部１５ｂとが金属板６を介して接続されることになるので、特に前述の第５の実施形態に比べて、放熱効果はさらに向上する。
【００５０】
なお、以上６つの実施の形態では、簡単のため２つの半導体素子を１枚のリードフレームに装填する例を示したが、搭載する半導体素子の数を多くすることは勿論可能で、その数が多ければ多いほど生産性が向上することは言うまでもない。さらに、半導体素子をリードフレームに複数行複数列のマトリックス状に装填すれば一層効率的である。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、個々の半導体装置の構成をリードフレームに形成してから分割するため、複数の半導体パッケージを同時に製造でき、生産性を向上させることが可能になる。また、最初に単純な形状のリードフレームと絶縁テープを接着するだけであるので、容易に接着を行うことが可能で、接着剤の厚さを均一にでき、絶縁テープの平坦度を向上させてはんだバンプの接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体装置の斜視図である。
【図２】図１に示した半導体装置の中央部分の断面図である。
【図３】図１および図２に示した半導体装置の製造工程を示す図である。
【図４】図１および図２に示した半導体装置の製造工程を示す図であって、図３に続く工程を示す図である。
【図５】図１のＶ方向からみた図であって、半導体装置の切断端面を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態による半導体装置の斜視図であって、封止樹脂で半導体素子の回路形成面および側面を封止する前の状態を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態による半導体装置の斜視図であって、封止樹脂で半導体素子の回路形成面および側面を封止する前の状態を示す図である。
【図８】本発明の第４の実施形態による半導体装置の斜視図である。
【図９】図８に示した半導体装置の中央部分の断面図である。
【図１０】図８および図９に示した半導体装置の製造工程を示す図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態による半導体装置の斜視図である。
【図１２】図１１の半導体装置をプリント基板に実装した時の中央部分の断面図である。
【図１３】本発明の第６の実施形態による半導体装置を示す図であって、その半導体装置をプリント基板に実装した時の中央部分の断面図である。
【符号の説明】
１  半導体素子
１ａ  （半導体装置１の）側壁
２  （半導体装置１の）電極
３  絶縁テープ
３ａ，３ｂ，３ｃ  （絶縁テープの）孔
３Ａ  絶縁テープ
４  配線パターン
５  パッド
６  金属板
７  封止樹脂
８  はんだバンプ
９，９Ａ，９ｃ  リードフレーム
９ａ，９ｂ  （リードフレームの）孔
１０  はんだボール
１１  ワイヤ
１２  素子搭載部
１２ａ  絶縁テープ搭載部
１２ｂ  連結用段差部
１３  スリット
１４  突起リード
１５  プリント基板
１５ａ  （プリント基板の）電極
１５ｂ  突起リード接合部
１６  はんだ
２０  接着剤
３０  加工キズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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