(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
異種の半導体基板にそれぞれ成長させた半導体層を直接接着法により互いに接着して形成された素子構造を有し、一方の半導体基板に成長させた活性層と、他方の半導体基板に成長させた半導体層であって前記活性層よりもバンドギャップが大きく、且つ前記活性層とは格子定数が異なるｐ側クラッド層とを直接接着した半導体レーザ装置であって、
前記直接接着される前記ｐ側クラッド層と前記活性層との間に、その接着界面の格子定数を一致、または接近させる接着層を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記接着層は、異種の半導体基板にそれぞれ成長されて直接接着される半導体層の一方、または双方に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記接着層は、Ｉn1-xＧaxＰ層（但し、ｘは０.５以下）からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記接着層は、ＩnＧaＡsＰ層からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、異種の半導体基板にそれぞれ成長させた半導体層を直接接着法により互いに接着して形成される半導体レーザ装置に係り、特に接着界面での界面準位の発生を防いだ構造の半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【関連する背景技術】
長波長帯の半導体レーザ装置は、例えば異種の半導体基板にそれぞれ成長させた半導体層を直接接着法により互いに接着して形成され、活性層よりもバンドギャップが大きく、且つ該活性層とは格子定数が異なるクラッド層をｐ側に備えた構造を有する。
【０００３】
この種の半導体レーザ装置は、図１にその概略的な製作工程とその素子構造を模式的に示すように、先ず図１(ａ)に示すようにｎ-ＩnＰ基板１上に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によりｎ-ＩnＰクラッド層２、発振波長１.３μｍのＧＲＩＮ-ＳＣＨ-ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層３、そしてＩnＰ層４を順に成長させる。一方、図１(ｂ)に示すようにＧaＡs基板５上に同様にしてＭＯＣＶＤ法によりＩnＧaＰエッチング停止層６、ｐ-ＧaＡsコンタクト層７、ｐ-ＩnＧaＰクラッド層８を順に成長させる。
【０００４】
しかる後、上記各半導体層をそれぞれ成長させたエピタキシャル基板を、例えば［３:１:１］に混合されたＨ2ＳＯ4，Ｈ2Ｏ2，Ｈ2Ｏ、およびフッ酸により処理する。そしてこれらの各基板をそれぞれ乾燥させた後、図１(ｃ)に示すように前記ＩnＰ層４と前記ｐ-ＩnＧaＰクラッド層８とを、その劈開面を揃えて室温大気中にて張り合わせる。次いで上記の如く張り合わせた２枚の基板上に、例えば約３０ｇ/ｃｍ2程度のモリブデン（Ｍo）からなる重りを載せ、水素雰囲気中にて５００℃程度の温度で３０分間の熱処理を施して前記ＩnＰ層４とｐ-ＩnＧaＰクラッド層８とを直接接着する。
【０００５】
その後、図１(ｄ)に示すように前記ｐ-ＧaＡs基板５をアンモニア系のエッチング液を用いて除去する。この際、前記ＩnＧaＰエッチング停止層６は上記アンモニア系のエッチング液ではエッチングされないため、前記ｐ-ＧaＡs基板５のエッチングはＩnＧaＰエッチング停止層６の表面にて自動的に停止する。そこで次に塩酸（ＨＣl）を用いて前記ＩnＧaＰエッチング停止層６をエッチング除去する。このとき前記ｐ-ＧaＡsコンタクト層７は上記塩酸ではエッチングされないため、上記ＩnＧaＰエッチング停止層６のエッチングはｐ-ＧaＡsコンタクト層７の表面にて自動的に停止する。
【０００６】
しかる後、幅５μｍ程度のＳiＮx膜（図示せず）をマスクとして用い、硫酸系エッチング液と塩酸系のエッチング液とを用いて、図１(ｅ)に示すようにｐ-ＧaＡsコンタクト層７とｐ-ＩnＧaＰクラッド層８の途中までをエッチングする。そしてこのエッチングによりストライプ状の逆メサを、例えばメサ底部の幅が約３μｍ程度となるように形成する。その後、その全面にＳiＮx膜９を形成した後、メサの上部のＳiＮx膜９を開口して電流通路を形成する。そして前記ｎ-ＩnＰ基板１の裏面側を研磨してその厚みを１００μｍ程度とした後、ｐ側電極１０とｎ側電極１１とをそれぞれ形成する。
【０００７】
かくして上述した如く異種の半導体基板にそれぞれ成長させた半導体層を直接接着法により接着して製作され、図１(ｅ)に示す如き素子構造を有する半導体レーザ装置によれば、ＭＱＷ活性層３に比較して、ｐ-ＩnＧaＰクラッド層８のバンドギャップが十分に大きく、価電子帯と伝導帯とのバンドオフセットを（１：２）と仮定した場合においても。導電帯のバンドギャップ差ΔＥcが３００ｍｅＶ以上大きく、しかもこのクラッド層８をｐ側に有するので、電子のオーバーフローを効果的に抑制することができる。この結果、長波長帯の半導体レーザ装置において問題となっている温度特性の劣化を防ぎ、温度特性の向上を図ることが可能となる。
【０００８】
また上述した如くワイドバンドのギャップを持つクラッド層８を、その基板であるｎ-ＩnＰ基板１とは異種のｐ-ＧaＡs基板５上に形成し、これをｎ-ＩnＰ基板１上に成長させた半導体層に直接接着しているので、格子定数が大きく異なる半導体材料を適宜用いて半導体レーザ装置を実現することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで格子定数の異なる半導体材料を接合した場合、その接合界面には、所謂ダングリングボンドが発生し易い。このダングリングボンドの密度は面方位によって異なるが、例えばその接合界面が（１００）面同士である場合、その格子定数がａ1,ａ2（ａ1＜ａ2）で与えられるとき
４［（ａ22−ａ12）／ａ22ａ12］
として求めることができる。ちなみにダイヤモンド結晶構造では、ダングリングボンドの密度（表面準位密度）が１０13ｃｍ-2以上である場合、接合面でのフェルミ準位は、その禁制帯幅（バンドギャップ）の約１／３の点でクランプされる。また半導体におけるヘテロ接合の場合にも、空乏層が形成される。
【００１０】
前述した図１に示す素子構造の半導体レーザ装置にあっては、その接着界面が前述したようにＩnＰ層４と、ｐ-ＧaＡs基板５に格子整合したｐ-ＩnＧaＰクラッド層８とによって形成される。従ってＧaＡsの格子定数ａ1は５.６５３２Åであり、ＩnＰの格子定数ａ2が５.８６８７Åであるので、当該接着界面でのダングリングボンドの密度は、約９×１０13ｃｍ-2となる。これ故、その接着界面における界面準位の影響によってキャリアの非発光再結合が誘起されることが否めず、特性の劣化が懸念される。
【００１１】
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、その目的は、異種の半導体基板にそれぞれ成長させた半導体層を直接接着法により互いに接着して形成される半導体レーザ装置において、特にその接着界面における界面準位の発生を防ぎ、界面準位の影響による特性の劣化をなくした構造の半導体レーザ装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するべく本発明に係る半導体レーザ装置は、異種の半導体基板にそれぞれ成長させた半導体層を直接接着法により互いに接着して形成された素子構造を有し、特に一方の半導体基板に成長させた活性層と、他方の半導体基板に成長させた半導体層であって前記活性層よりもバンドギャップが大きく、且つ前記活性層とは格子定数が異なるｐ側クラッド層を前記活性層に直接接着した半導体レーザ装置に係り、
直接接着される前記ｐ側クラッド層と前記活性層との間に、その接着界面における互いの格子定数を一致、または接近させる接着層を設けたことを特徴としている。
【００１３】
特に前記接着層を、異種の半導体基板にそれぞれ成長されて直接接着される半導体層の一方に、またはその双方にそれぞれ形成するようにし、また前記接着層をＩn1-xＧaxＰ層（但し、ｘは０.５以下）として、或いはＩnＧaＡsＰ層として実現することを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置について説明する。
図２は本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の概略的な製作工程とその素子構造を模式的に示している。この半導体レーザ装置は、先ず図２(ａ)に示すように、ｎ-ＩnＰ基板２１上にＭＯＣＶＤ法によりｎ-ＩnＰクラッド層２２、発振波長１.３μｍのＧＲＩＮ-ＳＣＨ-ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層２３、そしてＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層２４を順次成長させる。一方、図２(ｂ)に示すようにＧaＡs基板２５上に、同様にしてＭＯＣＶＤ法によりＩn0.5Ｇa0.5Ｐエッチング停止層２６、ｐ-ＧaＡsコンタクト層２７、ｐ-Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐクラッド層２８、更にＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層２９を順に成長させる。
【００１５】
しかる後、上記各半導体層をそれぞれ成長させたエピタキシャル基板を、例えば［３:１:１］に混合された[Ｈ2ＳＯ4，Ｈ2Ｏ2，Ｈ2Ｏ]、およびフッ酸により処理する。そしてこれらの各基板をそれぞれ乾燥させた後、図２(ｃ)に示すように前記ｎ-ＩnＰ基板２１上のＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層２４と、前記ＧaＡs基板２５上のＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層２９とを、その劈開面を揃えて室温大気中にて張り合わせる。次いで上記の如く張り合わせた２枚の基板上に、例えば約３０ｇ／ｃｍ2程度のモリブデン（Ｍo）からなる重りを載せ、水素雰囲気中にて５００℃程度の温度で３０分間の熱処理を施して前記両Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層２４,２９を互いに直接接着する。
【００１６】
その後、図２(ｄ)に示すように前記ＧaＡs基板２５をアンモニア系のエッチング液を用いて除去する。この際、前記ＩnＧaＰエッチング停止層２６は上記アンモニア系のエッチング液でエッチングされることがないので、前記ｐ-ＧaＡs基板２５のエッチングはＩn0.5Ｇa0.5Ｐエッチング停止層２６の表面にて自動的に停止する。そこで次に塩酸（ＨＣl）を用いて前記Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐエッチング停止層２６をエッチング除去する。このとき前記ｐ-ＧaＡsコンタクト層２７は上記塩酸ではエッチングされないため、上記Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐエッチング停止層２６のエッチングはｐ-ＧaＡsコンタクト層２７の表面にて自動的に停止する。
【００１７】
しかる後、幅５μｍ程度のＳiＮx膜（図示せず）をマスクとして用い、硫酸系エッチング液と塩酸系のエッチング液とを用いて、図２(ｅ)に示すようにｐ-ＧaＡsコンタクト層２７とｐ-Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐクラッド層２８の途中までをエッチングし、ストライプ状の逆メサを、例えばメサ底部の幅が約３μｍ程度となるように形成する。その後、その全面にＳiＮx膜３０を形成した後、メサの上部の上記ＳiＮx膜３０を開口して電流通路を形成する。そして前記ｎ-ＩnＰ基板２１の裏面側を研磨してその厚みを１００μｍ程度とした後、ｐ側電極３１とｎ側電極３２とをそれぞれ蒸着形成する。
【００１８】
かくしてこのようにして製作される半導体レーザ装置によれば、直接接着されて接合界面をなす半導体層が、前記ｎ-ＩnＰ基板２１上のＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層２４と、前記ｐ-ＧaＡs基板２５上のＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層２９であり、その格子定数が同じである。従って従来のように格子定数の差に起因して発生するダングリングボンドの密度は、実質的に無視できる程度まで小さくなり、その接着界面での界面準位に起因する悪影響が発生しなくなる。具体的にはキャリアの非発光再結合の発生を防ぐことが可能となる。
【００１９】
また上述した素子構造であれば、図１に示した従来構造の半導体レーザ装置と同様にバンドギャップの大きいクラッド層をｐ側に備えるので、電子のオーバーフローを抑制することができ、長波長帯の半導体レーザ装置で問題となっていた温度特性の劣化を効果的に防ぐことができる。つまり温度特性に優れた半導体レーザ装置を効果的に実現することができる。
【００２０】
尚、上述した実施形態においては、ＩnxＧa1-xＰ接着層２４,２９における組成比ｘを（０.３）としたが、実際的には組成比ｘを（０.５）以下に設定すれば良い。即ち、接着層２４,２９の格子定数が必ずしも一致していなくても、その間の格子定数が接近していれば、その接着界面に生じるダングリングボンドの密度を十分に小さくすることができるので、接着界面での界面準位に起因する悪影響を十分に抑え得る。
【００２１】
但し、例えばＭＱＷ活性層２３やｐ-Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐクラッド層２８等との格子定数の差が大きい場合には、ＩnxＧa1-xＰ接着層２４,２９の結晶成長自体が困難となるので、例えば上記組成比ｘを（０.２〜０.３）程度に設定した接着層を、その双方に設けることが好ましい。またこの接着層２４,２９における組成比ｘを、その厚み方向に徐々に変えることも好ましい。
【００２２】
ところで上述した第１の実施形態に係る半導体レーザ装置は、ＧaＡs基板２５をエッチング除去し、最終的にはＩnＰ基板２１上にエピタキシャル層を形成した構造として実現されが、逆にＩnＰ基板を除去してＧaＡs基板上にエピタキシャル層を形成して半導体レーザ装置を実現することもできる。
図３は本発明に係る第２の実施形態を示すもので、ＩnＰ基板を除去してＧaＡs基板上に半導体レーザ装置を実現する例を示している。この場合には、先ず図３(ａ)に示すように、ｎ-ＩnＰ基板４１上にＭＯＣＶＤ法によりｎ-ＩnＧaＡsコンタクト層４２、ｎ-ＩnＰクラッド層４３、発振波長１.３μｍのＧＲＩＮ-ＳＣＣ-ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層４４、そしてＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層４５を順次成長させる。一方、図３(ｂ)に示すようにｐ-ＧaＡs基板４６上に、同様にしてＭＯＣＶＤ法によりｐ-Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐクラッド層４７、Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層４８を順に成長させる。
【００２３】
しかる後、上記各半導体層をそれぞれ成長させたエピタキシャル基板を前述した第１の実施形態と同様にして処理し、図３(ｃ)に示すように前記ｐ-ＧaＡs基板４６上のＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層４８と前記ｎ-ＩnＰ基板４１上のＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層４５とをその劈開面を揃えて室温大気中にて張り合わせ、荷重を加えた状態で水素雰囲気中にて加熱処理を施すことで、前記両Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層４８,４５を互いに直接接着する。
【００２４】
その後、ｎ-ＩnＰ基板４１を塩素系のエッチング液で除去する。このとき前記ｎ-ＩnＧaＡsコンタクト層４２は上記塩酸ではエッチングされないため、上記ｎ-ＩnＰ基板４１のエッチングは上記ｐ-ＩnＧaＡsコンタクト層４２の表面にて自動的に停止する。
しかる後、先の第１の実施形態と同様にして、例えば図３(ｄ)に示すようにｎ-ＩnＧaＡsコンタクト層４２とｎ-ＩnＰクラッド層４３の途中までをエッチングし、リッジ型構造に加工する。その後、その全面にＳiＮx膜４９を形成した後、リッジ上部の上記ＳiＮx膜４９を開口して電流通路を形成する。そして前記ｐ-ＧaＡs基板４６の裏面側を研磨してその厚みを１００μｍ程度とした後、ｐ側電極５１とｎ側電極５０とをそれぞれ形成する。
【００２５】
このようにしてｐ-ＧaＡs基板４６上に形成される素子構造の半導体レーザ装置であれば、前述した第１の実施形態に係る半導体レーザ装置と同様な効果が奏せられる。しかも最終的にはｎ-ＩnＰ基板４１をエッチング除去し、ＧaＡs基板４６上に素子が形成されることになるので、ＧaＡs基板上に形成される他の電子デバイスとの同時集積化が容易になる等の効果が奏せられる。
【００２６】
ところで本発明は、面発光型の半導体レーザ装置にも適用することができる。図４および図５はその実施形態を示すもので、活性層の両側に格子定数の異なる半導体層を接合形成した例を示している。
即ち、この面発光型の半導体レーザ装置は、先ず図４(ａ)に示すようにＧaＡs基板６１上にＭＯＣＶＤ法を用いてＩn0.5Ｇa0.5Ｐエッチング停止層６２、ｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６３、Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層６４を順に成長させる。一方、ｎ-ＩnＰ基板６５上には、図４(ｂ)に示すようにＩnＧaＡsエッチング停止層６６、Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層６７、量子井戸活性層６８、更にＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層６９を順次成長させる。これに加えて更に第３の基板として、図４(ｃ)に示すようにｎ-ＧaＡs基板７０上に、同様にしてＭＯＣＶＤ法によりｎ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層７１、Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層７２を順に成長させる。
【００２７】
しかる後、これらの各半導体層をそれぞれ成長させたエピタキシャル基板を、例えば［３:１:１］に混合された[Ｈ2ＳＯ4，Ｈ2Ｏ2，Ｈ2Ｏ]、およびフッ酸により処理する。そして先ず、図４(ｄ)に示すようにｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６３を有するＧaＡs基板６１のＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層６４と、前記ｎ-ＩnＰ基板６５のＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層６９とを直接接着法により接着する。そして塩素系のエッチング液を用いてｎ-ＩnＰ基板６５をエッチング除去し、更に硫酸系エッチング液を用いて前記ＩnＧaＡsエッチング停止層６６をエッチング除去する。
【００２８】
次いで図５(ａ)に示すように上記ｎ-ＩnＰ基板６５とＩnＧaＡsエッチング停止層６６とを除去することで露出したＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層６７と、前記ｎ-ＧaＡs基板７０上のＩn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層７２とを、先と同様にして直接接着する。そして前記ＧaＡs基板６１とＩn0.5Ｇa0.5Ｐエッチング停止層６２とを順にエッチング除去する。
【００２９】
しかる後、図５(ｂ)に示すようにｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６３を、例えばＳiＮx膜（図示せず）をマスクとして用いてドライエッチングし、該ｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６３を円柱状のメサに加工する。そしてこのｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６３の、特にＡl(Ｇa)Ａs層の側面を酸化し、メサに電流および光の閉じ込め機能を持たせる。そして前記ｎ-ＧaＡs基板７０の裏面を研磨した後、前記ｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層６３の上面にｐ側電極７３を蒸着形成し、更にｎ-ＧaＡs基板７０の裏面にｎ側電極７４を円環状に蒸着形成する。
【００３０】
このように量子井戸層６８の両側にＧaＡs／Ａl(Ｇa)ＡsからなるＤＢＲミラー層６３,７１を接着した素子構造の半導体レーザ装置によれば、ミラー部における損失が少なく、熱放散性も良いので、長波長帯の面発光型レーザとして優れた効果を発揮する。しかも室温環境での動作特性に優れている等の効果が奏せられる。更には接着界面が２箇所も存在するにも拘わらず、接着界面での界面準位の影響がないので、その特性の向上を図ることが可能となる。
【００３１】
尚、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。例えば長波長帯の半導体レーザ装置に限らず、他の波長帯の半導体レーザ装置にも同様に適用することができる。また活性層の構造としても、上述した例に限られるものではない。更には接着層としてＩnＧaＡsＰを用いることも可能であり、要は接着界面をなす接着層の格子定数が一致、若しくは接近しており、ダングリングボンドによる界面準位の影響が生じないようにすれば良い。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、異種の半導体基板にそれぞれ成長させた半導体層を直接接着法により互いに接着して形成される半導体レーザ装置において、直接接着される半導体層間に、その接着界面における互いの格子定数を一致または接近させる接着層を設けているので、格子定数の異なり起因するダングリングボンドの密度を無視できる程度に小さくすることができ、接着界面での界面準位の影響を抑えてキャリアの非発光再結合を防ぐことができる。特に活性層よりもバンドギャップが大きく、且つ活性層とは格子定数が異なるクラッド層をｐ側に備えた半導体レーザ装置にあっては、電子のオーバーフローを抑制し、その温度特性の向上を図ることができる等の効果が奏せられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】直接接着法を用いて製作される従来の半導体レーザ装置の素子構造とその製作工程とを模式的に示す図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の素子構造とその製作工程とを模式的に示す図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の素子構造とその製作工程とを模式的に示す図。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製作工程の一部を模式的に示す図。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の図４に示す製作工程に続く工程と、その素子構造とを模式的に示す図。
【符号の説明】
２１  ｎ-ＩnＰ基板
２２  ｎ-ＩnＰクラッド層
２３  ＧＲＩＮ-ＳＣＨ-ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層
２４  Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層
２５  ＧaＡs基板
２６  Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐエッチング停止層
２７  ｐ-ＧaＡsコンタクト層
２８  ｐ-Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐクラッド層
２９  Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層２９
３０  ＳiＮx膜
３１  ｐ側電極
３２  ｎ側電極
４１  ｎ-ＩnＰ基板
４２  ｎ-ＩnＧaＡsコンタクト層
４３  ｎ-ＩnＰクラッド層
４４  ＧＲＩＮ-ＳＣＣ-ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層
４５  Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層
４６  ＧaＡs基板４６
４７  ｐ-Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐクラッド層
４８  Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層
４９  ＳiＮx膜
５０  ｎ側電極
５１  ｐ側電極
６１  ＧaＡs基板
６２  Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐエッチング停止層
６３  ｐ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層
６４  Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層
６５  ｎ-ＩnＰ基板
６６  Ｉn0.5Ｇa0.5Ｐエッチング停止層
６７  Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層
６８  量子井戸活性層
６９  Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層
７０  ｎ-ＧaＡs基板
７１  ｎ-ＧaＡs／Ａl(Ｇa)Ａs-ＤＢＲミラー層
７２  Ｉn0.7Ｇa0.3Ｐ接着層
７３  ｐ側電極
７４  ｎ側電極
【図１】
0003676029.tif 000002
【図２】
0003676029.tif 000003
【図３】
0003676029.tif 000004
【図４】
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【図５】
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