(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の上面側に設けたＩＣチップ用の接続電極と、下面側に設けた外部接続用のパッド電極とをスル−ホ−ルを介して接続し、前記パッド電極には半田バンプを設けると共に前記回路基板の上面を樹脂封止してなる半導体装置に於いて、前記回路基板のＩＣチップ搭載部に設けた貫通穴の下面側に放熱板を固定し、該放熱板の上面側に前記ＩＣチップを固定すると共に前記放熱板の下面側に放熱用の半田バンプを設けた事を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
前記パッド電極に形成された半田バンプと前記放熱板の下面側に形成された放熱用の半田バンプとは半田バンプの高さが異なる請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、放熱特性を改善した樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、樹脂基板の上面側に設けたＩＣチップの接続電極と、下面側に設けた外部接続用のパッド電極とをスル−ホ−ルを介して接続し、前記パッド電極には半田パンプを設けると共に前記樹脂基板の上面を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置が開発され、これらの半導体装置はプラスチック・ボ−ルグリッドアレイ（以後ＰＢＧＡと略記する）の名称にて商品化されている。然るに、上記ＰＢＧＡは従来のセラミックＢＧＡに比較して低価格にて製造出来るというメリットがある反面、放熱特性が悪い為、端子数が少なく放熱特性が問題にならない小型のＰＢＧＡにその用途が限定されるという欠点があった。
【０００３】
上記の欠点を解決する方法としては従来より各種の提案があるが、特に回路基板の下面側に放熱する方式としては米国特許５、２８５、３５２号に開示がありその構成を図３により説明する。
【０００４】
図３は回路基板の下面側に放熱機構を設けたＰＢＧＡの断面図で、１は樹脂基板であり該樹脂基板１の上面には接続電極２が、又下面側には外部接続用のパッド電極３が形成され、前記樹脂基板１の上面側の接続電極２と下面側のパッド電極３とはスル−ホ−ル４を介して接続されている。更に樹脂基板１のＩＣチップ搭載部には貫通穴５が形成され、該貫通穴５には熱伝導の良い金属よりなる放熱ブロック６が埋設される事により回路基板７が構成されている。
【０００５】
そして前記回路基板１の上面側のＩＣチップ搭載部にはＩＣチップ９が熱伝導の良い接着材１０により固着されると共に前記ＩＣチップ９の各電極はボンディング・ワイヤ−１１によって前記接続電極２に接続されている。更に回路基板７の上面側を封止樹脂１２により封止した後、回路基板７の下面側のパッド電極３と前記放熱ブロック６の下面とに半田バンプ１３を形成する事によりＰＢＧＡ１５が完成する。
【０００６】
上記構成を有するＰＢＧＡ１５は、図示しないマザ−ボ−ドに前記半田ボ−ル１３を溶融して実装される事により、前記ＩＣチップ９に発生した発熱は熱伝導の良い接着剤１０、放熱ブロック６、半田ボ−ル１３を介してマザ−ボ−ド側に放出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
前記ＰＢＧＡ１５の構成はＩＣチップの発熱を回路基板側に放出できる、という点に於いて優れているが構成的には樹脂基板１の貫通穴５に放熱ブロック６を整合して位置決めする方式である為、樹脂基板１の厚さのバラツキや貫通穴５の加工制度のバラツキの影響を受けやすく回路基板７の上面側及び下面側の位置制度が安定せず、ＩＣチップ９の接着位置や半田バンプ１３の形成高さが安定しないという問題がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願の目的は上記従来の問題を解決したＰＢＧＡを提供する事であり、上記目的を達成するための本発明の要旨は下記の通りである。
回路基板の上面側に設けたＩＣチップ用の接続電極と、下面側に設けた外部接続用のパッド電極とをスル−ホ−ルを介して接続し、前記パッド電極には半田バンプを設けると共に前記回路基板の上面を樹脂封止してなる半導体装置に於いて、前記回路基板のＩＣチップ搭載部に設けた貫通穴の下面側に放熱板を固定し、該放熱板の上面側に前記ＩＣチップを固定すると共に前記放熱板の下面側に放熱用の半田バンプを設けた事を特徴とする。
【０００９】
又、前記パッド電極に形成された半田バンプと前記放熱板の下面側に形成された放熱用の半田バンプとは半田バンプの高さが異なることを特徴とする。
【００１０】
【実施例】
図１は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施例であるＰＢＧＡの断面図であり図３に示すＰＢＧＡと同一部材には同一番号を付し説明を省略する。図１に示すＰＢＧＡ１５０に於いて図３にしめすＰＢＧＡ１５との違いは樹脂基板１の貫通穴５０をＩＣチップ９の径よりも大きく形成し、その貫通穴５０の下面側に放熱板２０を固定し、該放熱板２０の上面側にＩＣチップ９を接着すると共に前記放熱板２０の下面側に放熱用の半田バンプ２３を設けたことである。
【００１１】
次に図１に示すＰＢＧＡ５０の製造方法及び各部の寸法に付いて説明する。
前記放熱板２０としては厚さ０．２ｍｍの金属板に表面処理として銀メッキを施した構成が望ましい。上記構成の放熱板２０は熱伝導度が良い上、上面側に接着されるＩＣチップのダイボンド材との密着力と封止樹脂との密着力がよく、又下面側に形成される半田バンプとの濡れ性も良いためである。前記放熱板２０を高温に耐える接着剤によって樹脂基板１に強固に固定した後、ＩＣチップ９のダイボンデング、ワイヤ−ボンデング、射出成形による封止樹脂の形成を行う。
【００１２】
次に半田バンプ１３及び２３の形成方法に付き図１及び図２により説明する。図２は図１に示すＰＢＧＡ１５０の下面図であり、樹脂基板１の下面には半田バンプ１３が整列配置され、また放熱板２０の下面には放熱用半田バンプ２３が整列配置されている。ここで半田バンプ１３は半田バンプ２３に比較して平面形状が小さく、図１に示す如く高さが大きく形成されており、この結果半田バンプ１３と半田バンプ２３とは放熱板２０の厚みを補正して底面の位置（マザ−ボ−ドと接する位置）が等しくなっている。
【００１３】
一般に半田バンプの形成方法としてはパッド電極上に半田バンプの外径を規制する丸窓を設けたレジスト膜をラミネ−トし、前記各丸窓部に半田ボ−ルを各々供給した後加熱処理を行って半田バンプを形成するが、この時前記丸窓の径を変化させる事によって半田バンプの高さを任意に変化させる事ができる。本実施例では、半田バンプ１３を形成する為の丸窓に対して半田バンプ２３を形成する為の丸窓を少し大きく形成し、同じ形状の半田ボ−ルを用いて加熱処理を行った結果、半田バンプ１３の高さが０．７ｍｍに対し半田バンプ２３の高さを０．５ｍｍに形成する事により、放熱板２０の高さを補正して両半田バンプの高さを略等しくしている。
【００１４】
尚、前記各実施例ではモ−ルド工程として射出成形による樹脂封止を示したが本願はこれに限定される物ではなく、例えば熱可塑性樹脂によるポッティング等の技術によって封止樹脂を形成する事も本願の範囲に含まれるものである。
【００１５】
【発明の効果】
上記のごとく本発明によれば、ＩＣチップが発生する発熱を回路基板の下面側より放出する方式に於いて、従来の様な放熱ブロック埋設するという面倒な構成を取ることなく、単に放熱板を接着し、その下面に設ける半田バンプの高さを制御すると言う簡単な構成によって十分な放熱効果を達成する事が出来る為、放熱特性を改善すると共に比較的コストアップを抑えた樹脂封止型半導体装置を提供する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置の下面図である。
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１  樹脂基板
３  パッド電極
５、５０  貫通穴
７  回路基板
９  ＩＣチップ
１２  封止樹脂
１３  半田バンプ
２３  放熱用半田バンプ
１５、１５０  樹脂封止型半導体装置
２０  放熱板
【図１】
0003628058.tif 000002
【図２】
0003628058.tif 000003
【図３】
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