(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰからなる半導体基板（１１）上に、多重量子井戸構造を含む活性層（１４）と、該活性層を挟むｎ型クラッド層（３２）及びＩｎＰからなるｐ型クラッド層（１８）と、前記活性層に電流を注入するためのｐ電極（２０）及びｎ電極（２１）とを設けるとともに、光の出射端面が高反射率膜の施された端面（２２ｂ）と低反射率膜の施された端面（２２ａ）とでなる半導体レーザにおいて、
前記ｎ型クラッド層をＩｎＧａＡｓＰによって構成し、
かつ、前記活性層で生起された光を前記ｎ型クラッド層側に偏って分布させて前記ｐ型クラッド層内における価電子帯間吸収を低減させるように、前記ｎ型クラッド層内の屈折率を前記ｐ型クラッド層の屈折率よりも高くするとともに、
前記活性層の上方に位置する前記ｐ電極または前記ｎ電極のいずれか一方を前記活性層のストライプ方向に複数個に分割し、
前記複数個に分割されたそれぞれの電極の活性層上を占める長さが、前記高反射率膜の施された端面から前記低反射率膜の施された端面に向かって減少しており、
さらに各前記電極にいずれも等しい大きさの電流が流れるようにしたことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記ｎ型クラッド層を構成する前記ＩｎＧａＡｓＰの組成波長が０．９８μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、活性層に多重量子井戸を用いた半導体レーザに関し、特に高出力化を実現した半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信システムに用いられる光信号は、長距離にわたって敷設された光ファイバ内を伝送されるので、この光信号の光源に用いられる半導体レーザの特性としては、高出力、高安定度が要求される。高出力特性が配慮された半導体レーザ１０の斜視図を図１１に、またその要部の断面模式図を図１２に示す。半導体レーザ１０は、図１１に示すように、ｎ型ＩｎＰからなる半導体基板１１上に、ｎ型ＩｎＰからなるｎ型クラッド層１２、ＩｎＧａＡｓＰからなるＳＣＨ（光閉込構造）層１３、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層１４、ＩｎＧａＡｓＰからなるＳＣＨ層１５、ｐ型ＩｎＰからなるｐ型クラッド層１８の一部（下層部）を順番に積層させ、その後にそれらをエッチングしてメサ型のストライプを形成し、そのストライプの両側にｐ型ＩｎＰからなる下部埋込層１６とｎ型ＩｎＰからなる上部埋込層１７を積層させ、さらにｐ型クラッド層１８の下層部の上面及び上部埋込層１７の上面にｐ型クラッド層１８の残りの一部（上層部）とｐ型コンタクト層１９を積層させ、その後にｐ型コンタクト層１９の上面にｐ電極２０、半導体基板１１の下面にｎ電極２１をそれぞれ設けて形成されている。そして、光の出射端面は、高反射率膜の施された端面（ＨＲ端面）２２ｂ、低反射率膜の施された端面（ＬＲ端面）２２ａより成っている。
【０００３】
良好な発光特性を得るために、活性層１４として、図１２に示すように、複数の井戸層１４ａとこの各井戸層１４ａの上下両側に位置する複数の障壁層１４ｂとを積層したＭＱＷ（多重量子井戸）構造が採用されている。また、このＭＱＷ構造を有した活性層１４の下側に位置するＳＣＨ層１３及び上側に位置するＳＣＨ層１５は、それぞれ複数の層１３ａ、１３ｂ、１３ｃ及び複数の層１５ａ、１５ｂ、１５ｃからなる多層構造とされている。
【０００４】
そして、ｎ型クラッド層１２、複数の層からなるＳＣＨ層１３、ＭＱＷ構造を有した活性層１４、複数の層からなるＳＣＨ層１５、ｐ型クラッド層１８の各層についての、活性層１４で発光する光に対する屈折率を、図１３に示す屈折率特性となるように設定されている。すなわち、中央の活性層１４の屈折率が最も大きく、両側の各クラッド層１２、１８の屈折率が等しくて最も小さく、そしてＳＣＨ層１３、１５の複数の層もその中間で段階的に変化されて、活性層１４を中心として上下対称の特性となるように設定されている。
【０００５】
このような屈折率特性を有する半導体レーザ１０のｐ電極２０とｎ電極２１との間に直流電流を印加すると、活性層１４で光が生起され、その生起された光Ｐの大部分が半導体レーザ１０のＬＲ端面２２ａから、そのわずかな残りがＨＲ端面２２ｂからそれぞれ外部へ出射される。
【０００６】
なお、活性層１４の屈折率が各クラッド層１２、１８の屈折率より大きいことによって、活性層１４で生起した光Ｐの散逸を防ぐ光導波路が形成され、また、活性層１４と上下両側のクラッド層１２、１８との間にそれぞれ中間の屈折率を有するＳＣＨ層１３、１５を介在させることにより、注入した電流すなわちキャリアを活性層１４の近傍に集中させることができ、キャリアと光が同時に同一領域に集中するので発光効率が高くなる。
【０００７】
このような構造の半導体レーザ１０は、光ファイバ増幅器の励起光源、距離計測等の計測用光源として用いられるための高出力化が望まれており、その高出力化には、ＳＣＨ層１３、１５及び活性層１４への光閉じ込め係数を低減して活性層１４での内部損失を減らすことが有効である。しかしながら、このように光閉じ込め係数を低減した場合、両クラッド層１２、１８を通過する光の成分が多くなり、別の問題が発生する。すなわち、両クラッド層１２、１８を通過する光の成分が多くなることに対応して両クラッド層１２、１８の厚さを増す必要があるが、ｐ型クラッド層１８は比較的電気抵抗が高いため、このｐ型クラッド層１８の厚さの増加によって素子全体の電気抵抗が増大して、高電流領域での発熱量が大きくなり、光出力を低下させてしまう。また、両クラッド層１２、１８のうち、ｐ型クラッド層１８内の光の分布が増加すると、価電子帯間光吸収による光損失量が増大してしまう。この価電子帯間光吸収による光損失量は、ｐ型クラッド層１８のｐ型不純物濃度を小さくすることで低減することができるが、このようにｐ型不純物濃度を小さくすると、素子の電気抵抗がさらに増大してしまい、高出力が得られなくなってしまう。
【０００８】
この価電子帯間光吸収による光損失量の増大の問題を解決する方法として、図１４に示すように、ｎ型クラッド層１２の内部に、そのｎ型クラッド層１２より屈折率が大きく、活性層１４の屈折率に近い屈折率を有する光フィールド制御層２３を設けて、光の分布をｎ型クラッド層１２側にシフトさせ、ｐ型クラッド層１８内に分布する光の量を減らすという技術があった。（例えば、特許文献1参照）
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−１７４３９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、このようにｎ型クラッド層１２内に活性層１４の屈折率に近い屈折率を有する光フィールド制御層２３を設けると、その構造が複雑化するだけでなく、新たな問題が発生する。すなわち、光フィールド制御層２３は、活性層１４と同様の構造であるからＳＣＨ層１３から遠い位置に設けた場合、別の光導波路が形成されて光の分布が双峰特性になってしまう。したがって、この光フィールド制御層２３はＳＣＨ層１３の近くに設けなければならないが、このように屈折率の高い光フィールド制御層２３をＳＣＨ層１３の近くに設けると、導波路全体の等価屈折率が高くなり、シングルモードから横高次モードへ変移しやすくなってしまう。また、この横高次モードへの変移は、活性層１４とＳＣＨ層１３、１５を含めた活性領域の幅を狭くすることで防止できるが、このようにこれらの領域の幅を狭くすることは、素子の電気抵抗及び熱抵抗の増加を招き、発光効率を却って低下させてしまう。
【００１１】
本発明は、これらの課題を解決し、活性層への光閉じ込め係数を低くした場合でも、簡単な構成で高出力が得られ、モード変移の起こりにくい半導体レーザを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１の半導体レーザでは、ＩｎＰからなる半導体基板（１１）上に、多重量子井戸構造を含む活性層（１４）と、該活性層を挟むｎ型クラッド層（３２）及びＩｎＰからなるｐ型クラッド層（１８）と、前記活性層に電流を注入するためのｐ電極（２０）及びｎ電極（２１）とを設けるとともに、光の出射端面が高反射率膜の施された端面（２２ｂ）と低反射率膜の施された端面（２２ａ）とでなる半導体レーザにおいて、前記ｎ型クラッド層をＩｎＧａＡｓＰによって構成し、かつ、前記活性層で生起された光を前記ｎ型クラッド層側に偏って分布させて前記ｐ型クラッド層内における価電子帯間吸収を低減させるように、前記ｎ型クラッド層内の屈折率を前記ｐ型クラッド層の屈折率よりも高くするとともに、前記活性層の上方に位置する前記ｐ電極または前記ｎ電極のいずれか一方を前記活性層のストライプ方向に複数個に分割し、前記複数個に分割されたそれぞれの電極の活性層上を占める長さが、前記高反射率膜の施された端面から前記低反射率膜の施された端面に向かって減少しており、さらに各前記電極にいずれも等しい大きさの電流が流れるようにしている。
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の請求項２の半導体レーザでは、上述した請求項１に記載の半導体レーザにおける前記ｎ型クラッド層を構成する前記ＩｎＧａＡｓＰの組成波長が０．９８μｍ以下であるようにしている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体レーザでは、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層と、屈折率の大きいＩｎＧａＡｓＰによってｎ型クラッド層とを構成し、かつ、電極を複数個に分割し、それぞれの電極から活性層に注入される電流密度が高反射率膜の施された端面（ＨＲ端面）から低反射率膜の施された端面（ＬＲ端面）に向かって増加するようにしている。したがって、活性層の閉じ込め係数を低くした場合でも、光の分布をｎ型クラッド層側に偏らせることができるので、ｐ型クラッド層における価電子帯間吸収による光出力の低下を防止でき、高出力化が図れる。そして、光の分布をｎ型クラッド層側に偏らせることができることにより、ｐ型クラッド層の厚さを薄くでき、素子の電気抵抗減少により光出力の飽和出力の電流値を向上できる。
【００１６】
また、活性層とｎ型クラッド層との屈折率差が従来のものより小さくなるので、横高次モードを抑圧できる最大の活性層幅（カットオフ幅）も拡大でき、これによっても素子電気抵抗が下がるため、高出力化にさらに有利になる。そして、活性層に注入される電流密度をＨＲ端面からＬＲ端面に向かって増加させることにより、ＬＲ端面側での光密度の増大によるキャリア密度の減少を抑え、さらに光出力の高出力化が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明の実施例を記載する。
【実施例１】
【００１８】
本発明の実施例１の半導体レーザ３０の全体構成を示す斜視図を図１に、またその要部の断面模式図を図２に示す。従来の半導体レーザ１０と同一要素には同一の符号を付けてある。この半導体レーザ３０は、図１に示すように、ｎ型ＩｎＰからなる半導体基板１１上に、ＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層３２、ＩｎＧａＡｓＰからなるＳＣＨ層１３、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層１４、ＩｎＧａＡｓＰからなるＳＣＨ層１５、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層１８の一部（下層部）を順番に積層させ、その後にそれらをエッチングしてメサ型のストライプを形成し、そのストライプの両側にｐ型ＩｎＰからなる下部埋込層１６とｎ型ＩｎＰからなる上部埋込層１７を積層させ、さらにｐ型クラッド層１８の下層部の上面及び上部埋込層１７の上面にｐ型クラッド層１８の残りの一部（上層部）とｐ型コンタクト層１９を積層させ、その後にｐ型コンタクト層１９の上面にｐ電極２０、半導体基板１１の下面にｎ電極２１をそれぞれ設けて形成されている。そして、光の出射端面は、高反射率膜の施された端面（ＨＲ端面）２２ｂ、低反射率膜の施された端面（ＬＲ端面）２２ａより成っている。
【００１９】
活性層１４としては、図２に示すように、４層の井戸層１４ａとこの各井戸層１４ａの上下両側に位置する５層の障壁層１４ｂとを積層したＭＱＷ構造を採用し、また、この活性層１４の下側に位置するＳＣＨ層１３及び上側に位置するＳＣＨ層１５は、それぞれ、層１３ａ、１３ｂ、１３ｃ及び層１５ａ、１５ｂ、１５ｃからなる３層構造としている。
【００２０】
活性層１４を中心とした各層の屈折率は、図３に示すように、活性層１４から遠ざかるほど小さく設定し、かつ、ＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層３２の屈折率はＩｎＰからなるｐ型クラッド層１８の屈折率より大きく設定している。具体的には、活性層１４における障壁層１４ｂの屈折率をｎs、ｎ型クラッド層３２の屈折率をｎa、ｐ型クラッド層１８の屈折率をｎb、ＳＣＨ層１３を構成する各層１３ａ、１３ｂ、１３ｃの屈折率をそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3及びＳＣＨ層１５を構成する各層１５ａ、１５ｂ、１５ｃの屈折率をそれぞれｎ1、ｎ2、ｎ3（ＳＣＨ層１３を構成する各層と同一の屈折率）とすると、各層の屈折率の大小関係は、図３に示すように、ｎs＞ｎ1＞ｎ2＞ｎ3＞ｎa＞ｎbとなっている。
【００２１】
また、この半導体レーザ３０においては、図３に示すように、ＳＣＨ層１３、１５を構成する各層の隣接するもの同士の屈折率差が、活性層１４から各クラッド層３２、１８へ向かうほど小さくなるように、すなわち、ｎs−ｎ1＞ｎ1−ｎ2＞ｎ2−ｎ3＞ｎ3−ｎb＞ｎ3−ｎaとなるように設定している。なお、ＳＣＨ層１３を構成する各層１３ａ、１３ｂ、１３ｃのそれぞれの厚みｔ1、ｔ2、ｔ3及びＳＣＨ層１５を構成する各層１５ａ、１５ｂ、１５ｃのそれぞれ厚みｔ1、ｔ2、ｔ3は、共にそれぞれ等しく、すなわちｔ1＝ｔ2＝ｔ3としている。
【００２２】
そして、このように構成された半導体レーザ３０のｐ電極２０とｎ電極２１との間に直流電流を印加すると、活性層１４で光が生起され、その生起された光Ｐの大部分が半導体レーザ３０のＬＲ端面２２ａから、そのわずかな残りがＨＲ端面２２ｂからそれぞれ外部へ出射される。
【００２３】
以上のような構造の本発明の半導体レーザ３０は、次のような特徴を有している。すなわち、図３の屈折率特性に示したように、ＳＣＨ層１３、１５を構成する各層の隣接するもの同士の屈折率差が、活性層１４から各クラッド層３２、１８へ向かうほど小さくなるように設定されているので、ＳＣＨ層１３、１５内における活性層１４の近傍領域の屈折率の大きい領域においては屈折率が急激に小さくなり、逆に各クラッド層３２、１８の近傍領域の屈折率の小さい領域においては屈折率が緩慢に小さくなる。このため、光導波路（活性層１４及びＳＣＨ層１３、１５）内で光の集中度を緩和する、すなわち、光閉じ込め係数を低くすることができ、内部損失が低下する。
【００２４】
また、ＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層３２の屈折率ｎaは、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層１８の屈折率ｎbより大きいので、図４に示すように、光の分布が、両クラッド層３２、１８を同一の屈折率にしたときの対称な特性Ａ´に対して、特性Ａのようにｎ型クラッド層３２側に偏って分布する。このため、活性層１４及びＳＣＨ層１３、１５における光閉じ込め係数を低くしたことによるｐ型クラッド層１８における価電子帯間光吸収による光損失の増加を抑制することができ、高出力のレーザ光を得ることが出来る。
【００２５】
また、活性層１４とＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層３２との屈折率差が、ＩｎＰからなるｎ型クラッド層１２を用いた従来例のものより小さいので、横高次モードを抑圧できる最大の活性層１４の活性層幅も拡大することができ、レーザ光の高出力化にさらに有利になる。また、ｎ型クラッド層１２内に屈折率の大きい光フィールド制御層２３を設けた従来例のものより、構造が簡単で、活性層幅を拡大でき、素子の電気抵抗の増加による発光効率の低下も防止できる。そして、ｐ型クラッド層１８の厚さを増加させる必要がなく、素子の電気抵抗の増加による光出力の低下を招く恐れもなくなる。
【００２６】
次に、本発明の半導体レーザ３０が、図５に示す屈折率特性を有する場合について説明する。上述の場合では、活性層１４及びＳＣＨ層１３、１５における光閉じ込め係数を低くするための一つの方法として、ＳＣＨ層１３、１５を構成する各層の隣接するもの同士の屈折率差が活性層１４から各クラッド層３２、１８へ向かうほど小さく、かつ、各層の厚さが等しくなるように、すなわち、ｎs−ｎ1＞ｎ1−ｎ2＞ｎ2−ｎ3＞ｎ3−ｎb＞ｎ3−ｎa、かつ、ｔ1＝ｔ2＝ｔ3となるように設定していたが、この場合では、図５に示すように、ＳＣＨ層１３、１５を構成する各層の隣接するもの同士の屈折率差が等しくし、かつ、各層１３ａ、１３ｂ、１３ｃ及び各層１５ａ、１５ｂ、１５ｃのそれぞれの厚みｔ1、ｔ2、ｔ3が共に活性層１４から各クラッド層３２、１８へ向かうほど大きくなるように、すなわち、ｎs−ｎ1＝ｎ1−ｎ2＝ｎ2−ｎ3＝ｎ3−ｎb＞ｎ3−ｎa、かつ、ｔ1＜ｔ2＜ｔ3となるように設定する。この場合にも図３に示す場合と同様な特徴を有している。
【００２７】
次に、本発明の半導体レーザ３０が、図６に示す屈折率特性を有する場合について説明する。上述の図３の場合では、ｎs−ｎ1＞ｎ1−ｎ2＞ｎ2−ｎ3＞ｎ3−ｎb＞ｎ3−ｎa、かつ、ｔ1＝ｔ2＝ｔ3となるように設定していたが、この場合では、図６に示すように、ＳＣＨ層１３、１５を構成する各層の隣接するもの同士の屈折率差は図３の場合と同一に、かつ、各層１３ａ、１３ｂ、１３ｃ及び各層１５ａ、１５ｂ、１５ｃのそれぞれの厚みｔ1、ｔ2、ｔ3は図５の場合と同一となるように、すなわち、ｎs−ｎ1＞ｎ1−ｎ2＞ｎ2−ｎ3＞ｎ3−ｎb＞ｎ3−ｎa、かつ、ｔ1＜ｔ2＜ｔ3となるように設定する。この場合にも図３に示す場合と同様な特徴を有している。
【００２８】
この図６に示す屈折率特性の場合の半導体レーザ３０について、屈折率、厚さ等の具体的数値例を示す。ＨＲ端面２２ｂとＬＲ端面２２ａ間の長さで決まる共振器長を２．３ｍｍ、活性層１４の活性層幅を４．０μｍとし、また、それぞれの層の屈折率を組成波長で表して、ｎs＝１．２μｍ、ｎ1＝１．１５μｍ、ｎ2＝１．０８μｍ、ｎ3＝０．９９μｍ、ｎa＝０．９５μｍ、ｎb＝０．９２５μｍとし、また、各層の厚さをそれぞれ、ｔ1＝３．０ｎｍ、ｔ2＝８．０ｎｍ、ｔ3＝２５ｎｍとした。なお、ｎb＝０．９２５μｍは、ｐ型クラッド層１８が組成の決まっているＩｎＰによって構成されているので、一義的に決まる組成波長である。
【００２９】
ここで、上記の具体的数値例に基づく半導体レーザ３０の製造工程の一例を説明する。（１）先ず、不純物濃度１〜２×１０18／ｃｍ3のｎ型ＩｎＰの半導体基板１１上に、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法を用いて、層厚７．５μｍ、不純物濃度１〜２×１０18／ｃｍ3、組成波長０．９５μｍのＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層３２を形成する。続いて、組成波長０．９９μｍ、１．０８μｍ、１．１５μｍのノンドープＩｎＧａＡｓＰをそれぞれ２５ｎｍ、８．０ｎｍ、３．０ｎｍの厚さで積層して、ＳＣＨ層１３を形成する。続いて、ＳＣＨ層１３の上に、ＩｎＧａＡｓＰの井戸層１４ａとＩｎＧａＡｓＰの障壁層１４ｂを交互に成長させ、井戸層数４の多重量子井戸構造の活性層１４を形成する。続いて、活性層１４の上に、組成波長１．１５μｍ、１．０８μｍ、０．９９μｍのノンドープＩｎＧａＡｓＰをそれぞれ３．０ｎｍ、８．０ｎｍ、２５ｎｍの厚さで積層して、ＳＣＨ層１５を形成する。そして、ＳＣＨ層１５の上に、層厚０．５μｍ、不純物濃度５〜７×１０17／ｃｍ3のＩｎＰからなるｐ型クラッド層１８の下層部を成長させる。
【００３０】
（２）次に、プラズマＣＶＤ法等により全面にＳｉＮx膜を数１０ｎｍ程度堆積し、これをフォトリソグラフィ工程で幅７μｍ程度のストライプ状に形成したものをエッチングマスクとして、塩酸、過酸化水素水、水の混合液からなるエッチング溶液に浸し、メサ形状を形成する。これにより活性層幅はおよそ４μｍとなる。
【００３１】
（３）次に、上述のＳｉＮx膜を成長阻害マスクに利用して、ＭＯＶＰＥ法により、ｐ型ＩｎＰの下部埋込層１６、ｎ型ＩｎＰの上部埋込層１７を積層して、メサ型のストライプの両側を埋め込んだ後、ＳｉＮx膜を除去する。その後、全面に、層厚２．５μｍ、不純物濃度５〜７×１０17／ｃｍ3のＩｎＰからなるｐ型クラッド層１８の上層部を成長させ、さらに、層厚０．３μｍ、不純物濃度５×１０18／ｃｍ3程度のＩｎＧａＡｓＰからなるｐ型コンタクト層１９を成長させる。
【００３２】
（４）そして、ｐ型コンタクト層１９の上面にｐ電極２０を形成し、半導体基板１１の下面にｎ電極２１を形成した後、長さ２．３ｍｍで切り出し、端面の一方にＨＲ膜を施してＨＲ端面２２ｂとし、他方にＬＲ膜を施してＬＲ端面２２ａとして、半導体レーザ３０となる。
【００３３】
なお、上述の（１）の工程で、ｎ型クラッド層３２の層厚を７．５μｍとしているが、４元素であるＩｎＧａＡｓＰの場合格子間間隔を合わせてこのような厚さに形成することは通常は困難であり、特に組成波長０．９５μｍの場合、ＧａとＡｓの割合がＩｎやＰに対して微量となってさらに困難さが増すが、希釈原料の導入や各ガスの流量と成長速度の制御によってこれを実現している。
【００３４】
このように製造された実施例の半導体レーザ３０の供給電流対出力の特性を図７に示す。図７において、特性Ｆは本発明の半導体レーザ３０の特性であり、特性Ｆ´はＩｎＰからなるｐ型クラッド層１８と同じ屈折率のＩｎＰからなるｎ型クラッド層１２を用いた、活性層幅が３．３μｍの従来例の半導体レーザ１０（光フィールド制御層２３を含んでいないもの）の特性である。
【００３５】
この図７から明らかなように、特性Ｆの光出力は特性Ｆ´より大きくなっており、特に低電流領域のスロープ効率(傾き)が格段に大きくなっており、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層１８より屈折率の大きいＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層３２を用いたことによる顕著な効果が現れている。また、活性層幅を従来例の３．３μｍから４μｍに広げることができたことにより、放熱効果が大となり、飽和出力の電流値が増加している。
【００３６】
また、この半導体レーザ３０のｐ型クラッド層１８内における光閉じ込め係数は２１パーセントであり、従来例の半導体レーザ１０の場合の４２パーセントに対して大幅に低減していることが確認されている。また、実際に製造した半導体レーザ３０から見積もった活性層１４における内部損失の値も、従来例の半導体レーザ１０の場合が５〜６ｃｍ-1であるのに対し、この半導体レーザ３０の場合には、３．５ｃｍ-1まで改善されている。
【実施例２】
【００３７】
本発明の半導体レーザの活性層１４に注入される電流密度がＨＲ端面２２ｂからＬＲ端面２２ａに向かって増加させる場合について説明する。上述の実施例１では、活性層幅がＨＲ端面２２ｂとＬＲ端面２２ａ間で例えば４μｍと一定で、かつｐ電極２０及びｎ電極２１から活性層１４に注入される電流も一定であるために、単位面積当たりの電流すなわち電流密度もＨＲ端面２２ｂとＬＲ端面２２ａ間で一定であった。活性層１４内の光強度はＨＲ端面２２ｂからＬＲ端面２２ａに向かって指数関数で増大し、実施例１のように活性層幅が一定の場合には、単位面積当たりの光強度すなわち光密度も同様に指数関数で増大する。ＨＲ端面２２ｂからの距離ｚのところの光強度Ｉ（ｚ）は、ＨＲ端面２２ｂでの光強度Ｉ0、単位長さ当たりの内部利得ｇを用いて、［Ｉ（ｚ）＝Ｉ0ｅｘｐ（ｇ・ｚ）］表される。
【００３８】
このように、活性層１４に注入される電流密度が一定の場合には、ＬＲ端面に向かって光強度が増大すると、それに伴ってキャリア密度も減少するため、光強度が大きいＬＲ端面付近でキャリアが不足し、光出力の最大値が制限されるという現象が起こる。
【００３９】
この実施例２では、光強度の増大によりキャリア密度の不足が起こるという現象に対処するために、活性層１４に注入される電流密度をＨＲ端面２２ｂからＬＲ端面２２ａに向かって増加させて、キャリア密度の減少を抑えるようにした。具体的には、図８に示すように、ｐ電極２０が活性層１４のストライプ方向に例えば３個のｐ電極２０1、２０2、２０3に分離溝２４ａ、２４ｂを挟んで分割されており、各ｐ電極２０1、２０2、２０3はそれぞれＳ1、Ｓ2、Ｓ3の面積を有するとともに、不図示の外部電源からそれぞれＩ1、Ｉ2、Ｉ3の直流電流が印加される。活性層１４に注入される電流密度をＨＲ端面２２ｂからＬＲ端面２２ａに向かって増加させるために、図８においては、各ｐ電極２０1、２０2、２０3に供給されるそれぞれの直流電流Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3を等しく、かつ、各ｐ電極２０1、２０2、２０3のそれぞれの面積Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3をＨＲ端面２２ｂからＬＲ端面２２ａに向かって小さくしている。すなわち、直流電流をＩ1＝Ｉ2＝Ｉ3とし、面積をＳ1＞Ｓ2＞Ｓ3としている。
【００４０】
なお、上記説明では、直流電流Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3を等しくするようにしたが、面積Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3を等しくして、直流電流Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3をＨＲ端面２２ｂからＬＲ端面２２ａに向かって、大きくしてもよい。すなわち、面積をＳ1＝Ｓ2＝Ｓ3とし、直流電流をＩ1＜Ｉ2＜Ｉ3とする。
【００４１】
本発明の実施例２の半導体レーザ４０においては、活性層１４に注入される電流密度をＨＲ端面２２ｂからＬＲ端面２２ａに向かって増加させることにより、ＬＲ端面２２ａ側での光強度密度の増大によるキャリア密度の減少を抑え、さらに光出力の高出力化が図ることができる。
【００４２】
次に、実施例２に示すｐ電極が分割している半導体レーザ４０の製造工程の一例を説明する。尚、実施例１にて説明した製造工程（１）〜（３）までは同一であり、製造工程（４）のみ相違する。よって以下では（４）の工程のみ説明する。
【００４３】
（１）〜（３）実施例１と同一。
（４）リフトオフ法によりｐ型コンタクト層１９の上面にｐ電極パターンを形成した後、これをマスクとしてコンタクト層を硫酸系エッチング溶液で削り、電極分離用の溝２４ａ、２４ｂを形成する。そして、半導体基板１１の下面にｎ電極２１を形成してから、長さ２．３ｍｍで切り出し、端面の一方にＨＲ膜を施してＨＲ端面２２ｂとし、他方にＬＲ膜を施してＬＲ端面２２ａとして、半導体レーザ４０となる。
【００４４】
なお、上述の実施例１〜２の半導体レーザでは、ｎ型の半導体基板１１上に各層を形成した例を示したが、図９に示すように、ｐ型の半導体基板１１´上に各層を形成した半導体レーザにおいても、そのｎ型クラッド層３２を、ＩｎＰからなるｐ型クラッド層１８より屈折率が大きいＩｎＧａＡｓＰによって構成することで、実施例１と同様な効果を得ることができ、また活性層１４の上方に位置するｎ電極２１を活性層１４のストライプ方向に分割することで、実施例２と同様な効果を得ることができる。
【００４５】
また、上述の実施例１〜２の半導体レーザでは、ＳＣＨ層１３の最も外側の層１３ｃの屈折率を、ＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層３２の屈折率より大きくしていたが、図１０に示すように、ＩｎＧａＡｓＰからなるｎ型クラッド層３２の屈折率より小さくしてもよい。
【００４６】
また、上述の実施例１〜２の半導体レーザでは、ｎ型クラッド層３２を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成波長を０．９５μｍとしていたが、本発明はこれに限定されるものではない。ただし、活性層１４への光閉じ込め係数にもよるが、一般的な高出力レーザにおいてＩｎＧａＡｓＰの組成波長を０．９８μｍより大きくすると、活性層を導波する光（導波光）はこのｎ側クラッドの影響を強く受け過ぎて、導波モードが存在できなくなるので、ｎ型クラッド層３２を構成するＩｎＧａＡｓＰの組成波長は０．９８μｍ以下にするのが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施例１の全体構成を示す斜視図
【図２】本発明の実施例１の要部の断面模式図
【図３】本発明の実施例１の各層の屈折率特性を示す図
【図４】本発明の実施例１の光の分布特性を示す図
【図５】本発明の実施例１の各層の屈折率特性を示す図
【図６】本発明の実施例１の各層の屈折率特性を示す図
【図７】本発明の実施例１の供給電流対出力の特性を示す図
【図８】本発明の実施例２の全体構成を示す斜視図
【図９】本発明の他の実施例のｐ型半導体基板で構成した例を示す断面模式図
【図１０】本発明の他の実施例の各層の屈折率特性を示す図
【図１１】従来例の全体構成を示す斜視図
【図１２】従来例の要部の断面模式図
【図１３】従来例の要部の屈折率特性を示す図
【図１４】別の従来例の要部の屈折率特性を示す図
【符号の説明】
【００４８】
１０，３０…半導体レーザ、１１，１１´…半導体基板、１２，３２…ｎ型クラッド層、１３，１５…ＳＣＨ層、１４…活性層、１４ａ…井戸層、１４ｂ…障壁層、１６，１７…上部埋込層、１８…ｐ型クラッド層、１９…ｐ型コンタクト層、２０、２０1、２０2、２０3…ｐ電極、２１…ｎ電極、２２ａ…ＬＲ端面、２２ｂ…ＨＲ端面、２３…光フィールド制御層、２４…分離溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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