(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報が記録される記録層と、該記録層に隣接して設けられ、記録層と磁気的に結合された補助層とを有する光磁気記録媒体に対して、
情報を記録する前に初期化磁界を印加することによって上記補助層の磁化方向を一方向に初期化する初期化手段と、
上記初期化手段に対して光磁気記録媒体の進行方向側に配置されると共に、上記光磁気記録媒体に対する光ビーム照射部位の中心が高温部となり、該高温部の周辺が高温部より温度の低い中温部となる光ビームを発生させる光ビーム照射手段と、
情報の消去命令に応じて、光ビーム照射部位に記録磁界とは逆向きの消去磁界を印加する磁界印加手段とを備え、
上記光ビームを照射しながら消去磁界を印加することによって、光ビーム照射部位では、記録層の高温部の磁化方向が上記消去磁界の方向に消去され、中温部の磁化方向が上記補助層の初期化方向と同一方向に消去されることを特徴とする光磁気記録媒体の消し残り消去装置。
【請求項２】
情報が記録される記録層と、該記録層に隣接して設けられ、記録層と磁気的に結合された補助層と、磁化方向が常に一定であるイニシャライズ層とが積層された光磁気記録媒体に対して、
上記光磁気記録媒体に対する光ビーム照射部位の中心が高温部となり、該高温部の周辺が高温部より温度の低い中温部となる光ビームを発生させる光ビーム照射手段と、
情報の消去命令に応じて、光ビーム照射部位に記録磁界とは逆向きの消去磁界を印加する磁界印加手段とを備え、
上記光ビームを照射しながら消去磁界を印加することによって、光ビーム照射部位では、記録層の高温部の磁化方向が上記消去磁界の方向に消去され、中温部の磁化方向が上記補助層の初期化方向と同一方向に消去されることを特徴とする光磁気記録媒体の消し残り消去装置。
【請求項３】
上記消去磁界の印加は、情報の書き換えが一定回数に達した場合に行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置。
【請求項４】
上記消去磁界の印加は、光磁気記録媒体の周囲の温度が前に記録を行った際の温度から一定温度差以上に変化した場合に行われることを特徴とする請求項１、２、又は３に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置。
【請求項５】
上記光ビーム照射手段は、パルス化された光ビームを照射することを特徴とする請求項１、２、３、又は４に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気ディスク、光磁気テープ、及び光磁気カード等の光磁気記録媒体に記録された情報の消し残りを消去するための光磁気記録媒体の消し残り消去装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体に情報をオーバーライトする方法としては、一定の磁界を与えながら、情報信号に応じて光ビームの強度を変調するいわゆる光変調オーバーライト方式がある。このような方法は、例えば特開平６−２５１４４３号公報に開示されている。
【０００３】
図１１は、この方法における情報記録方法を説明する図である。この方法では少なくとも補助層１１１と記録層１１２の２層を持つ多層構造の光磁気記録媒体を使用する。あらかじめ補助層１１１は初期化磁石１１３から発生される初期化磁界Ｈinitによって下方向へ磁化されている。
【０００４】
このとき、図１２に示すように、室温において補助層１１１の保磁力Ｈ2 が初期化磁界Ｈinitよりも小さいので、補助層１１１が初期化される。ところが、室温における記録層１１２の保磁力Ｈ1 は初期化磁界Ｈinitより大きいので、記録層１１２の磁化の反転は生じない。つまり、補助層１１１のみの初期化が可能となる。
【０００５】
その後、記録磁石１１４によって記録磁界ＨW を与えながら、記録情報に応じて強弱に変化させたレーザビーム１２３を照射して、情報を記録する（図１１参照）。レーザビーム１２３の高レベル及び低レベルの設定は、以下の通りである。
【０００６】
高レベルのレーザビーム１２３が照射されると、補助層１１１の保磁力Ｈ2 を記録磁界ＨW の磁力が上回り、記録層１１２と補助層１１１が共に記録可能となる記録温度ＴH まで昇温する。この記録温度ＴH は、記録層１１２と補助層１１１との各々のキュリー温度Ｔ1 とＴ2 との間にあって補助層１１１の保磁力Ｈ2 と記録磁界ＨW との交点の温度ＴX より高い温度範囲を示している。
【０００７】
一方、低レベルのレーザビーム１２３が照射されると、記録層１１２と補助層１１１が中温部ＴL まで昇温する。この中温部ＴL は、記録層１１２の保磁力Ｈ1 と記録磁界ＨW との交点の温度ＴY より高く、上記温度ＴX より低い、即ち、記録磁界ＨW の磁力が記録層１１２の保磁力Ｈ1 より大きく、且つ、記録磁界ＨW の磁力が補助層１１１の保磁力Ｈ2 より小さくなる温度範囲を示す。
【０００８】
したがって、図１１に示すように、高レベルのレーザビーム１２３が照射されると、補助層１１１の磁化は上向きの記録磁界ＨW により上向きに反転し、記録層１１２の磁化は冷却の過程で界面に作用する交換力により補助層１１１の向きと一致する。したがって、記録層１１２の磁化の向きは上向きとなり、記録マークが記録される。
【０００９】
一方、低レベルのレーザビーム１２３が照射されると、補助層１１１は保磁力Ｈ2 が記録磁界ＨW の磁力より小さくなる記録温度ＴH までは昇温しないため、磁化は記録磁界ＨW により反転することはない。記録層１１２の磁化は、上記と同様に、冷却の過程で界面に作用する交換力により補助層１１１の向きと一致する。したがって、記録層１１２の磁化の向きは下向きになり、記録マークが消去される。
【００１０】
図１３は、この方法における記録層１１２及び補助層１１１の温度分布ｄｄをトラックに垂直な方向の断面において示した図である。上述のように、強いレーザビーム１２３を照射した記録層１１２及び補助層１１１の中心部ＣH の温度が記録温度ＴH の領域となり、記録磁石１１４から発生される上向きの記録磁界ＨW に応じて補助層１１１及び記録層１１２の磁化方向が例えば図１１に示すように上向きに記録される。この上向き部分は図１３（ａ）に示す記録マーク１１５となる。なお、記録マーク１１５は強いレーザビーム１２３が照射された温度部分のみで記録されるため俵型の形状となる。また、この記録マーク１１５の周辺に示す破線で囲まれた領域２２２は消去温度（中温部）ＴL となり、初期化されている補助層１１１の磁化方向（例えば図１１では下向き）となる。
【００１１】
次に、弱いレーザビーム１２３を照射した部分では中心部ＣL の温度が消去温度（中温部）ＴL の領域となり、補助層１１１の磁化方向によって記録層１１２の磁化方向が例えば下向きに記録される。この下向き部分は図１３（ｂ）における消去部分１１６となる。
【００１２】
以上のように、従来では、初期化磁界Ｈinitと記録磁界ＨW は常に一定方向に固定し、記録情報に応じて光ビームを強く照射したり、弱く照射することによりオーバーライトを行っていた。
【００１３】
また、記録層１１２及び補助層１１１の他にスイッチング層とイニシャライズ層とを設けた光磁気記録媒体に対して光変調オーバーライトを行う構成が IEEE Trans. on Mag. Vol.28, No.5, September 1992 pp2509-2511 に開示されている。このような光磁気記録の場合は、スイッチング層とイニシャライズ層とが前記初期化磁石１１３の役割を果たしており、それ以外は上記と同様であるので説明は省略する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、オーバーライト可能な光磁気記録媒体に対しては記録と消去が同時に行われるため、従来では消去の動作が必要ないと考えられていたが、実際には消し残りが発生するという問題がある。
【００１５】
図１４は従来の光変調オーバーライト方式における問題点を説明する図である。あらかじめ古い記録マーク１２０（図１３の記録マーク１１５に相当）が記録されていたトラックに、レーザビーム１２３によって新しい記録マーク１２１をオーバーライトする場合を考える。
【００１６】
例えば、古い記録マーク１２０を記録したときの光磁気記録媒体の周囲温度よりも、新しい記録マーク１２１をオーバーライトするときの光磁気記録媒体の周囲温度が低い場合、記録温度ＴH に達する領域が狭くなるため、古い記録マーク１２０の幅よりも新しい記録マーク１２１の幅の方が狭くなる。すると、古い記録マーク１２０を完全に消去することができず、消し残り１２２・１２２が発生する。
【００１７】
ここで、新しい記録マーク１２１の周囲は消去温度（中温部）ＴL にあり、これによって古い記録マーク１２０が消去されるので、消し残り１２２・１２２は弱いレーザビーム１２３が照射される消去部分１２４（図１３の消去部分１１６に相当）の両側のみに発生する。この消し残り１２２・１２２は、後に記録マーク１２１を再生するときにＳ／Ｎ比を劣化させ、再生エラーを発生するという大きな問題を生じる。
【００１８】
なお、たとえ記録時の気温が一定でも、レーザビーム１２３の光量が下がれば同様な問題点が発生する。また、書き換えの回数が増すほど、消し残りが増加しＳ／Ｎ比が劣化する。
【００１９】
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、光変調オーバーライトにおける消し残りの消去を行い、その後に記録された情報の再生時のＳ／Ｎ比を高くすることが可能な光磁気記録媒体の消し残り消去装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の請求項１に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置は、情報が記録される記録層と、該記録層に隣接して設けられ、記録層と磁気的に結合された補助層とを有する光磁気記録媒体に対して、情報を記録する前に初期化磁界を印加することによって上記補助層の磁化方向を一方向に初期化する初期化手段と、上記初期化手段に対して光磁気記録媒体の進行方向側に配置されると共に、上記光磁気記録媒体に対する光ビーム照射部位の中心が高温部となり、該高温部の周辺が高温部より温度の低い中温部となる光ビームを発生させる光ビーム照射手段と、情報の消去命令に応じて、光ビーム照射部位に記録磁界とは逆向きの消去磁界を印加する磁界印加手段とを備え、上記光ビームを照射しながら消去磁界を印加することによって、光ビーム照射部位では、記録層の高温部の磁化方向が上記消去磁界の方向に消去され、中温部の磁化方向が上記補助層の初期化方向と同一方向に消去されることを特徴としている。
【００２１】
上記の構成によれば、まず、情報を消去する前に初期化手段によって補助層を初期化しておく。その後、光磁気記録媒体に光ビーム照射手段によって光ビームを照射しながら、磁界印加手段から消去磁界を印加する。このとき、消去磁界が記録磁界と逆向きの磁界であり、また光ビーム照射部位の中心部は高温部となっているので、補助層では消去磁界に応じた磁化反転が生じ、冷却の過程で補助層の磁化方向が記録層に転写され、記録マークが消去される。一方、高温部の周囲の中温部では補助層の磁化方向が初期化方向のままなので、記録層の磁化方向も初期化方向となり、同様に消去される。
【００２２】
したがって、記録マークの両側を初期化（消去）しながら消去作業を行うことになるので、オーバーライトを行った際に発生する消し残りを完全に消去することができる。この結果、その後に記録された情報の再生の際のＳ／Ｎ比を良好にすることができ、再生データの信頼性を高めることが可能となる。
【００２３】
請求項２に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置は、情報が記録される記録層と、該記録層に隣接して設けられ、記録層と磁気的に結合された補助層と、磁化方向が常に一定であるイニシャライズ層とが積層された光磁気記録媒体に対して、上記光磁気記録媒体に対する光ビーム照射部位の中心が高温部となり、該高温部の周辺が高温部より温度の低い中温部となる光ビームを発生させる光ビーム照射手段と、情報の消去命令に応じて、光ビーム照射部位に記録磁界とは逆向きの消去磁界を印加する磁界印加手段とを備え、上記光ビームを照射しながら消去磁界を印加することによって、光ビーム照射部位では、記録層の高温部の磁化方向が上記消去磁界の方向に消去され、中温部の磁化方向が上記補助層の初期化方向と同一方向に消去されることを特徴としている。
【００２４】
上記の構成によれば、消し残りの消去時に、光磁気記録媒体に光ビーム照射手段によって光ビームを照射しながら、磁界印加手段から消去磁界を印加する。光ビームの照射部位では温度が上昇すると補助層とイニシャライズ層との間の交換結合が切断される。切断後の記録層及び補助層の磁化反転動作は、請求項１の構成による作用と同様である。
【００２５】
記録層における消し残りが消去された後、光磁気記録媒体の温度が低下すると補助層とイニシャライズ層との間の交換結合が復活する。そのため、補助層はイニシャライズ層からの強い交換結合力によって磁化反転し、一方向に初期化される。
【００２６】
したがって、初期化手段としてイニシャライズ層を設けるだけでよいので、請求項１の構成による効果に加えて、消し残り消去装置を小型化することができる。また、初期化磁界の制限がないため、補助層の保磁力を比較的自由に設定することが可能となる。
【００２７】
請求項３に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置は、請求項１、又は２に記載の構成に加えて、上記消去磁界の印加は、情報の書き換えが一定回数に達した場合に行われることを特徴としている。
【００２８】
上記の構成によれば、書き換え回数の増加に伴った消し残りを消去することができ、Ｓ／Ｎ比の劣化を防止することが可能となる。また、消し残りの消去動作を最低限に抑えることができるので、消費電力の増加を防止することが可能となる。
【００２９】
請求項４に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置は、請求項１、２、又は３に記載の構成に加えて、上記消去磁界の印加は、光磁気記録媒体の周囲の温度が前に記録を行った際の温度から一定温度差以上に変化した場合に行われることを特徴としている。
【００３０】
上記の構成によれば、光磁気記録媒体の周囲温度の変化によって発生する消し残りを消去することができ、Ｓ／Ｎ比の劣化を防止することができる。また、消し残りの消去動作を最低限に抑えることができるので、消費電力の増加を防止することが可能となる。
【００３１】
請求項５記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置は、請求項１、２、３、又は４に記載の構成に加えて、上記光ビーム照射手段は、パルス化された光ビームを照射することを特徴としている。
【００３２】
上記の構成によれば、光ビームがパルス化されているので、通常の記録動作と同様の動作で消去を行うことができる。また、パルス化によって光磁気記録媒体上の温度分布をより急峻にすることができるので、消去幅をより細くすることが可能となる。したがって、隣接トラックの記録マークが消去されるのを防止することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の第１の実施の形態について図１ないし図７に基づくと共に、図１２を参照して説明すれば、以下の通りである。
【００３４】
図１に示すように、本実施の形態で用いる光磁気記録媒体（以下、単に記録媒体と称する）は、少なくとも記録層１及び補助層２の２層を有する多層構造の記録媒体である。この記録媒体は、例えば前記図１２のグラフに示す関係を満たすものである。即ち、
Ｈ2 ＜Ｈinit＜Ｈ1 （室温）
Ｈ1 ＜ＨW ＜Ｈ2   （消去温度ＴL ）
Ｈ2 ＜ＨW         （記録温度ＴH ）
の関係を満たしている。但し、Ｈ1 は記録層１の保磁力、Ｈ2 は補助層２の保磁力、Ｈinitは初期化磁界、ＨW は記録磁界である。
【００３５】
図１に基づいて、本実施の形態にかかる光磁気記録媒体の消し残り消去装置の構成を説明する。上記消し残り消去装置は記録装置の構成も兼ねており、初期化磁石５、レーザ駆動回路６、半導体レーザ７、対物レンズ８、符号器９、磁気ヘッド駆動回路１０、磁気ヘッドコイル１１、及びコントローラ１２を備えている。
【００３６】
初期化磁石５は永久磁石又は電磁石であり、上記補助層２を常時初期化するものである。なお、永久磁石の方が強い磁界を得やすく補助層２の初期化を確実に行うことができるので、永久磁石の方が好ましい。
【００３７】
符号器９は、記録を行いたいデータａを記録情報ｂに変調する。この変調は、よく知られている（１，７）ＲＬＬ（run length limited) 、（２，７）ＲＬＬ、ＥＦＭ（Eight to Fourteen Modulation) 等の変調である。
【００３８】
レーザ駆動回路６は、記録情報ｂに応じて変化する電流、あるいは一定電流の駆動電流ｃを生成し、それを半導体レーザ７に供給する。半導体レーザ７は、駆動電流ｃに基づいて、記録情報ｂに応じてオン／オフするレーザビーム３、あるいは一定光量のレーザビーム３を出射する。対物レンズ８は記録媒体にレーザビーム３を集光する。
【００３９】
磁気ヘッド駆動回路１０は磁気ヘッド駆動電流ｄを生成し、それを磁気ヘッドコイル１１に供給する。磁気ヘッドコイル１１は、磁気ヘッド駆動電流ｄの向きに応じて磁界の向きを反転することによって、図３に示す記録磁界ＨW あるいは消去磁界ＨE を発生させる。なお、消去磁界ＨE を発生させるために、電磁石としての磁気ヘッドコイル１１以外に永久磁石を用いることもできる。この場合、永久磁石を回転させて磁界の向きを反転させればよい。ただし、電磁石の方が、記録磁界ＨW の反転動作を高速で行うことができ、高速に消去動作と記録動作との切り換えを行うことができるので好ましい。
【００４０】
コントローラ１２は、情報記録時又は消し残り消去時に命令信号ｅをレーザ駆動回路６と磁気ヘッド駆動回路１０とに送出する。
【００４１】
なお、請求項１及び請求項２に記載の光ビーム照射手段は、コントローラ１２、レーザ駆動回路６、半導体レーザ７、及び対物レンズ８からなり、磁界印加手段は、コントローラ１２、磁気ヘッド駆動回路１０、磁気ヘッドコイル１１からなっている。
【００４２】
上記の構成によれば、補助層２は初期化磁石５から発生される初期化磁界Ｈinit（図３参照）によって例えば下向きにあらかじめ初期化される。記録時に、コントローラ１２から命令信号ｅが発せられると、レーザ駆動回路６から記録情報ｂに応じて変化する駆動電流ｃが半導体レーザ７に供給され、強度変調されたレーザビーム３が記録層１と補助層２に照射される。また、命令信号ｅは磁気ヘッド駆動回路１０にも入力され、それによって磁気ヘッド駆動電流ｄが磁気ヘッドコイル１１に供給される。
【００４３】
一方、消去時に、コントローラ１２から命令信号ｅが発せられると、レーザ駆動回路６から一定電流の駆動電流ｃが半導体レーザ７に供給され、一定光量のレーザビーム３が記録層１と補助層２に照射される。また、命令信号ｅは磁気ヘッド駆動回路１０にも入力され、それによって記録時とは逆向きの磁気ヘッド駆動電流ｄが磁気ヘッドコイル１１に供給される。
【００４４】
図２は上記磁気ヘッド駆動回路１０を詳細に説明する図である。磁気ヘッド駆動回路１０は、例えばｐｏｗｅｒ  ＭＯＳ  ＦＥＴ（field effect transistor)からなる４つのスイッチ素子１３・１４・１７・１８、インバータ１６、電源１９、及び２つのダイオード２０・２１により構成される。
【００４５】
上記命令信号ｅはスイッチ素子１３・１４とインバータ１６とに送られる。インバータ１６で反転された命令信号ｅは同じくスイッチ素子１７・１８に送られる。ここでは命令信号ｅが「１」の場合に記録命令信号となって、スイッチ素子１３・１４をオンとし、スイッチ素子１７・１８をオフとする。このとき、電源１９からスイッチ素子１３、ダイオード２０、磁気ヘッドコイル１１、スイッチ素子１４を順次通って磁気ヘッド駆動電流ｄが流れるので、上向きの記録磁界ＨW （図３参照）が発生する。
【００４６】
逆に、命令信号ｅが「０」の場合には消去命令信号となって、スイッチ素子１３・１４をオフとし、スイッチ素子１７・１８をオンとする。このとき、電源１９からスイッチ素子１８、ダイオード２１、磁気ヘッドコイル１１、スイッチ素子１７を順次通って磁気ヘッド駆動電流ｄが流れるので、下向きの消去磁界ＨE （図３参照）が発生する。
【００４７】
つまり、命令信号ｅが「１」のときは磁気ヘッドコイル１１の下方向へ電流が流れ、「０」のときは磁気ヘッドコイル１１の上方向へ電流が流れる。これによって、磁界を反転させて、図３に示す記録磁界ＨW と消去磁界ＨE を発生させることが可能となる。
【００４８】
図４に、記録磁界ＨW 及び消去磁界ＨE とレーザビーム３の光量との関係を示す。上述のように、記録時には情報に応じてレーザビーム３をオン又はオフするが、消去時にはレーザビーム３を光量ＰW の一定光にする。また、記録時には記録方向である上向きの記録磁界ＨW を発生させ、消去時には反転させて下向きの消去磁界ＨE を発生させる。ここで、消去磁界ＨE の大きさを記録磁界ＨW と同じにすると、消し残り消去装置の構成を簡単にすることができる。
【００４９】
このようにして、図３に示すように、記録時には記録媒体の一方の面側から記録情報ｂに応じて強度変調されたレーザビーム３を照射しながら、上記レーザビーム３の照射位置に対応する他方の面から記録磁界ＨW を与え、消去時には一定光量のレーザビーム３を照射しながら、初期化磁界Ｈinitと同じ向き、即ち記録磁界ＨW とは逆向きの消去磁界ＨE を与える。なお、記録媒体はレーザビーム３及び記録磁界ＨW あるいは消去磁界ＨE に対して相対的に移動している。
【００５０】
図５の上部に、レーザビーム３を記録媒体に照射したときのトラックに垂直な方向の断面における記録層１及び補助層２の温度分布ｆを示す。ここで、レーザビーム３を照射すると、記録層１及び補助層２の中心部の温度は記録温度ＴH となる。
【００５１】
命令信号ｅが「０」の消去時には、補助層２の磁化は消去磁界ＨE の向きと同じ下向きであるので、記録層１の磁化は冷却の過程で界面に作用する交換力により補助層２の向きと一致する。つまり、磁気ヘッドコイル１１から発生される消去磁界ＨE の方向に応じて記録層１の磁化方向が下向きに消去される。この下向き部分は図５の下部における破線内の消去部分２４となる。
【００５２】
ここで、この消去部分２４の周辺に破線で示す周辺部分２３の温度は、記録温度ＴH より低い消去温度ＴL となるので、補助層２の磁化は消去磁界ＨE により反転することはない。ところが、記録層１の磁化は上記と同様に冷却の過程で界面に作用する交換力により補助層２の向きと一致するので、記録層１の磁化の向きは初期化されている補助層２の磁化方向（本実施の形態では下向き）に消去される。この結果、消去部分２４と周辺部分２３との磁化の方向は一致する。
【００５３】
このように高温部のみでなく、周辺の中温部まで消去領域を広げることができる。つまり、記録時と同一のレーザパワーと磁界の強さによって、記録マークよりも幅広く消去するため、消し残りが発生することはない。
【００５４】
なお、記録時のレーザパワーや磁界の強さに対して、消去時にはこれらを若干下げても消し残りの消去が可能なため、消費電力の低減も可能である。これは、消去部分２４とその周辺部分２３を合わせた消去領域の幅が記録マークの幅と同じになるまで低減できる。
【００５５】
消し残りの消去が終了し、新たな記録を行う場合に、命令信号ｅを「１」にすると記録磁界ＨW が上向きに反転する。すると、記録層１の磁化方向がレーザビーム３の光量に応じて上向きに記録され、記録マーク２２が記録される。これは、従来の記録方法と同様であるので詳細な説明は省略する。
【００５６】
図６は、記録時と消去時とで周囲温度が変化した場合における本実施の形態の効果を説明する図である。あらかじめ古い記録マーク２５が記録されていたトラックに、前記レーザビーム３によって古い記録マーク２５を消去するときに、記録マーク２５を記録したときの記録媒体の周囲温度よりも、記録マーク２５を消去するときの記録媒体の周囲温度が低い場合がある。
【００５７】
この場合、レーザビーム３によって記録温度ＴH に達する高温部２８の領域が狭くなるため、記録マーク２５の幅よりも消去部分２６の幅の方が狭くなる。しかし、消去部分２６の両側に接する周辺部分２７では上述のように常時消去が行われるため、記録マーク２５の消し残りが発生しない。これによって、次に情報を記録した際に周辺の消し残りがないため、新たな記録マークを再生するときのＳ／Ｎ比を向上させ、再生データの信頼性を向上させることが可能となる。
【００５８】
また、隣接トラックの記録マークとの間に必ず消去領域である周辺部分２７を挟むことができるため、隣接トラック間のクロストークを大幅に低減できる。これによって、記録媒体のトラック密度を高くすることが可能となる。
【００５９】
さらに、気温が一定でレーザビーム３の光量が下がる場合でも、図６に示すように、記録マーク２５の幅よりも消去部分２６の幅の方が狭くなるので、上記と同様の効果が得られる。
【００６０】
なお、上記のような消し残りの消去動作は記録情報を書き換えるたびに行ってもよいが、以下に示す特定の条件が満たされた場合にのみ消去動作を行うようにしたほうが消費電力の低減、及び消去動作に要する時間の増大の防止を図ることができるので好ましい。
【００６１】
即ち、情報の書き換え回数が増すほど消し残りによるＳ／Ｎ比が劣化するため、書き換え回数が一定回数に達した場合に上記の消去動作を行うようにする。また、記録媒体の周囲温度の変化が大きいほど消し残りが大きく発生するため、周囲温度が一定温度差以上に変化した場合も、上記消去動作を行うようにする。
【００６２】
図７に、消し残り消去動作のフローチャートを示す。
まず、情報の検索や再生時等の通常動作の際に（Ｓ１）、前記コントローラ１２（図１参照）によって情報の記録を行うかどうかを判断する（Ｓ２）。記録を行わない場合には通常動作に戻るが、記録を行う場合にはその記録セクタが所定回数以上の記録を行ったかどうかを消去用の管理マップを元に判断する（Ｓ３）。ここで、この管理マップのために記録媒体上に所定領域を確保しておき、その所定領域に、記録の回数や温度センサによって検出したそのときの周囲温度を記録しておく。
【００６３】
Ｓ３で書き換えが所定回数に達していれば消し残りの消去を行い（Ｓ５）、管理マップを書き換えて、次回の消し残りの消去に使用する（Ｓ６）。その後、情報の記録を行う（Ｓ７）。
【００６４】
一方、Ｓ３で書き換えが所定回数に達していなければ、周囲温度が前回の記録時に比べて一定温度差以上変化したかどうかを上記管理マップを元に判断する（Ｓ４）。Ｓ４で一定温度差以上に変化していれば消し残り消去を行い（Ｓ５）、上記同様にＳ６・Ｓ７の工程へ進む。また、Ｓ４で一定温度差以上に変化していなければ、消し残りの消去は行わずに管理マップの書き換えのみを行って（Ｓ６）、その後情報を記録する（Ｓ７）。Ｓ７で情報の記録が終わると、再び通常動作に戻る（Ｓ１）。
【００６５】
〔実施の形態２〕
本発明の第２の実施の形態について図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【００６６】
本実施の形態では、実施の形態１の図１に示す記録媒体及び初期化磁石５の代わりに、図８に示す記録媒体を用いている。上記記録媒体は、記録層１、補助層２、スイッチング層３０、及びイニシャライズ層３１がこの順に積層されたものである。
【００６７】
スイッチング層３０は、補助層２とイニシャライズ層３１との間の交換結合を所定温度で切断するための層で記録層１及び補助層２のキュリー点よりも低いキュリー点を持つ。
【００６８】
イニシャライズ層３１は、あらかじめ一定方向（本実施の形態では上向き）に初期化されており、以後の記録再生あるいは消去にかかわらず、磁化の方向が変化することがない。
【００６９】
上記の構成によれば、記録媒体をレーザビーム３及び記録又は消去磁界に対して相対的に移動させると共に、記録媒体にレーザビーム３を照射しながら命令信号に応じて磁気ヘッドコイル１１から記録又は消去磁界を与える。レーザビーム３の照射部位では温度が上昇し、スイッチング層３０のキュリー点を越えると、補助層２とイニシャライズ層３１との間の交換結合が切断される。切断後の記録層１及び補助層２の磁化反転動作は、実施の形態１と同様なのでここでは説明を省略する。
【００７０】
記録層１に情報が記録された後、記録媒体の温度が低下してスイッチング層３０のキュリー点以下になると、補助層２とイニシャライズ層３１との間の交換結合が復活する。そのため、補助層２はイニシャライズ層３１からの強い交換結合力によって磁化反転し、一方向に初期化される。
【００７１】
したがって、このような記録媒体に対しても実施の形態１で説明した消し残り消去装置を用いて、消し残りを消去することができ、実施の形態１の効果と同様の効果が得られる。さらに、スイッチング層３０とイニシャライズ層３１とが実施の形態１の初期化磁石５の役割を果たしているので、実施の形態１の効果に加えて、消し残り消去装置を小型化することができる。また、初期化磁界の制限がないため、補助層２の保磁力を比較的自由に設定することが可能となる。
【００７２】
〔実施の形態３〕
本発明の第３の実施の形態について図９及び図１０に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
【００７３】
上記実施の形態１及び２ではレーザビーム３の消去光量を一定光量としたが、本実施の形態では図９に示すように、最大光量がＰW ’のパルス光とする。このパルス光は方形波であり、最大光量ＰW ’が前記光量ＰW （図４参照）よりも高い値である。また、パルス光は情報記録位置に同期しており、情報記録位置で最大光量ＰW ’となるように設定されている。
【００７４】
これにより、平均的に実施の形態１の一定光量ＰW のレーザビームを与えることと等価になり、また記録情報を常に「１」とし、記録磁界を反転させて消去磁界とするだけで、通常の記録動作と同様の動作で消去を実現できる。また、このようにレーザビーム３をパルス化することによって記録媒体上の温度分布をより急峻にすることができるため、消去領域の幅をより細かくすることも可能となる。これによって、隣接トラックの記録マークを消去することを防止できる。
【００７５】
なお、上記すべての実施の形態においては、消し残りの消去時の消去磁界の向きを記録時の記録磁界の向きと反対に設定したが、同じ向きに設定した場合には消し残りを一旦消去することができるが、次に情報を記録した際に消し残りが発生する。したがって、消去磁界と記録磁界とは磁界の向きを逆向きに設定する必要がある。このことを図１０に基づいて説明する。
【００７６】
仮に消去磁界の向きが記録磁界の向きと同一であるとすると、消し残り消去後には消去ゾーン４０が形成される。この消去ゾーン４０は、記録マークの磁化の向きと同一の方向に磁化されている。その後にレーザビームによる光スポット４３によって情報を記録した際に、高レベルのレーザビームによって記録された記録マーク４１の周辺部分４５は消去されるが、低レベルのレーザビームによって消去された消去部分４４の両側は消去温度に達しないため、消し残り４２・４２が発生する。
【００７７】
この状態では、記録マークと消し残りが同期しており、Ｓ／Ｎ比は劣化しないが、さらに別のデータをオーバーライトすると、消し残りと別のデータによる記録マークとの間の相関が悪くなってＳ／Ｎ比が劣化してしまう。これにより、消し残り消去時の磁界の向きを、記録時の磁界の向きと反対にする場合に限り、消し残りを完全に消去することができることがわかる。
【００７８】
なお、以上のすべての実施の形態では、消し残り消去装置と記録装置とを一体とした構成としているが、これらを分離して別々の構成にしたり、初期化磁石と消し残り消去装置とを一体化する構成にしたりすることも可能である。しかしながら、装置の小型化、及び低コスト化を図ることができるので、消し残り消去装置と記録装置とを一体化する方が望ましい。
【００７９】
【発明の効果】
以上のように、本発明の請求項１に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置は、情報が記録される記録層と、該記録層に隣接して設けられ、記録層と磁気的に結合された補助層とを有する光磁気記録媒体に対して、情報を記録する前に初期化磁界を印加することによって上記補助層の磁化方向を一方向に初期化する初期化手段と、上記初期化手段に対して光磁気記録媒体の進行方向側に配置されると共に、上記光磁気記録媒体に対する光ビーム照射部位の中心が高温部となり、該高温部の周辺が高温部より温度の低い中温部となる光ビームを発生させる光ビーム照射手段と、情報の消去命令に応じて、光ビーム照射部位に記録磁界とは逆向きの消去磁界を印加する磁界印加手段とを備え、上記光ビームを照射しながら消去磁界を印加することによって、光ビーム照射部位では、記録層の高温部の磁化方向が上記消去磁界の方向に消去され、中温部の磁化方向が上記補助層の初期化方向と同一方向に消去される構成である。
【００８０】
これにより、記録マークの両側を初期化（消去）しながら消去作業を行うことになるので、オーバーライトを行った際に発生する消し残りを完全に消去することができる。この結果、その後に記録された情報の再生の際のＳ／Ｎ比を良好にすることができ、再生データの信頼性を高めることが可能となるという効果を奏する。
【００８１】
請求項２に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置は、情報が記録される記録層と、該記録層に隣接して設けられ、記録層と磁気的に結合された補助層と、磁化方向が常に一定であるイニシャライズ層とが積層された光磁気記録媒体に対して、上記光磁気記録媒体に対する光ビーム照射部位の中心が高温部となり、該高温部の周辺が高温部より温度の低い中温部となる光ビームを発生させる光ビーム照射手段と、情報の消去命令に応じて、光ビーム照射部位に記録磁界とは逆向きの消去磁界を印加する磁界印加手段とを備え、上記光ビームを照射しながら消去磁界を印加することによって、光ビーム照射部位では、記録層の高温部の磁化方向が上記消去磁界の方向に消去され、中温部の磁化方向が上記補助層の初期化方向と同一方向に消去される構成である。
【００８２】
これにより、初期化手段としてイニシャライズ層を設けるだけでよいので、請求項１の構成による効果に加えて、消し残り消去装置を小型化することができる。また、初期化磁界の制限がないため、補助層の保磁力を比較的自由に設定することが可能となるという効果を奏する。
【００８３】
請求項３に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置は、請求項１、又は２に記載の構成に加えて、上記消去磁界の印加は、情報の書き換えが一定回数に達した場合に行われる構成である。
【００８４】
これにより、書き換え回数の増加に伴った消し残りを消去することができ、Ｓ／Ｎ比の劣化を防止することが可能となる。また、消し残りの消去動作を最低限に抑えることができるので、消費電力の増加を防止することが可能となるという効果を奏する。
【００８５】
請求項４に記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置は、請求項１、２、又は３に記載の構成に加えて、上記消去磁界の印加は、光磁気記録媒体の周囲の温度が前に記録を行った際の温度から一定温度差以上に変化した場合に行われる構成である。
【００８６】
これにより、光磁気記録媒体の周囲温度の変化によって発生する消し残りを消去することができ、Ｓ／Ｎ比の劣化を防止することができる。また、消し残りの消去動作を最低限に抑えることができるので、消費電力の増加を防止することが可能となるという効果を奏する。
【００８７】
請求項５記載の光磁気記録媒体の消し残り消去装置は、請求項１、２、３、又は４に記載の構成に加えて、上記光ビーム照射手段は、パルス化された光ビームを照射する構成である。
【００８８】
これにより、光ビームがパルス化されているので、通常の記録動作と同様の動作で消去を行うことができる。また、パルス化によって光磁気記録媒体上の温度分布をより急峻にすることができるので、消去幅をより細くすることが可能となり、隣接トラックの記録マークが消去されるのを防止することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における光磁気記録媒体の消し残り消去装置を示す構成図である。
【図２】上記消し残り消去装置における磁気ヘッド駆動回路の構成を示す回路図である。
【図３】上記消し残り消去装置による消去方法を示す説明図である。
【図４】記録磁界及び消去磁界と、光量との関係を示す説明図である。
【図５】トラックの温度分布と、それに対応する記録及び消去状態とを示す説明図である。
【図６】上記消し残り消去装置によって消去を行った場合の消去状態を示す説明図である。
【図７】上記消し残り消去装置における消去動作を示すフローチャートである。
【図８】本発明の第２の実施の形態における光磁気記録媒体の消し残り消去装置に用いる光磁気記録媒体を示す構成図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態における光磁気記録媒体の消し残り消去装置の記録磁界及び消去磁界と光量との関係を示す説明図である。
【図１０】記録磁界と消去磁界とを同じ向きにした場合の記録及び消去状態を示す説明図である。
【図１１】従来の光変調オーバーライト方法を行うための光変調オーバーライト装置の構成を示す構成図である。
【図１２】多層構造の光磁気記録媒体における各層の保磁力の関係を示すグラフである。
【図１３】上記従来の光変調オーバーライト装置による記録時のトラックにおける温度分布とそれに対応する記録状態とを示す説明図であり、（ａ）は高レベルのレーザビームを照射した場合、（ｂ）は低レベルのレーザビームを照射した場合である。
【図１４】上記従来の光変調オーバーライト装置による消し残り発生状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１    記録層
２    補助層
３    レーザビーム
５    初期化磁石（初期化手段）
６    レーザ駆動回路（光ビーム照射手段）
７    半導体レーザ（光ビーム照射手段）
８    対物レンズ（光ビーム照射手段）
９    符号器
１０    磁気ヘッド駆動回路（磁界印加手段）
１１    磁気ヘッドコイル（磁界印加手段）
１２    コントローラ（光ビーム照射手段・磁界印加手段）
３０    スイッチング層
３１    イニシャライズ層
【図１】
0003655015.tif 000002
【図２】
0003655015.tif 000003
【図３】
0003655015.tif 000004
【図４】
0003655015.tif 000005
【図５】
0003655015.tif 000006
【図６】
0003655015.tif 000007
【図７】
0003655015.tif 000008
【図８】
0003655015.tif 000009
【図９】
0003655015.tif 000010
【図１０】
0003655015.tif 000011
【図１１】
0003655015.tif 000012
【図１２】
0003655015.tif 000013
【図１３】
0003655015.tif 000014
【図１４】
0003655015.tif 000015