(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
改質ポリテトラフルオロエチレン、改質テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、及び改質テトラフルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル共重合体からなる群より選択された樹脂で形成されたＸ線レンズ。
【請求項２】
さらに、主平面に平行な直線を母線とする柱面からなる第１の表面を有し、該第１の表面が前記主平面に関して面対称であり、該第１の表面と、その母線に垂直な仮想平面との交線が滑らかな第１の曲線であり、該第１の曲線の、前記主平面との交点における曲率半径が２０μｍ以下である請求項１に記載のＸ線レンズ。
【請求項３】
前記第１の表面が凹面である請求項１または２に記載のＸ線レンズ。
【請求項４】
前記第１の曲線が放物線である請求項１または２に記載のＸ線集光レンズ。
【請求項５】
さらに、前記第１の表面の母線に平行な直線を母線とする柱面からなり、該第１の表面とは反対方向を向く第２の表面を有し、該第２の表面が前記主平面に関して面対称な凹面であり、該第２の表面と、その母線に垂直な仮想平面との交線が滑らかな第２の曲線であり、前記第１の表面と第２の表面とに挟まれた部分の最小厚さが５０μｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載のＸ線レンズ。
【請求項６】
改質ポリテトラフルオロエチレン、改質テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、及び改質テトラフルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル共重合体からなる群より選択された樹脂により形成されたＸ線レンズであって、ＸＹＺ直交座標係を考えたとき、Ｙ軸に平行な直線を母線とする柱面からなる第１の表面を有し、該第１の表面がＹＺ面に関して面対称な凹面であり、該第１の表面とＺＸ面との交線が放物線になるＸ線レンズ。
【請求項７】
さらに、前記第１の表面とＺＸ面との交線の、ＹＺ面との交点における曲率半径をＲ、Ｘ線レンズのＹ軸方向の厚さをＴとしたとき、Ｔ／Ｒが５以上である請求項６に記載のＸ線レンズ。
【請求項８】
改質ポリテトラフルオロエチレン、改質テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、及び改質テトラフルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル共重合体からなる群より選択された樹脂により形成された部材を準備する工程と、縁の一部に、凹状の放物線部分を含み、シンクロトロン放射光を透過させないマスクを、前記部材の表面に密着させ、または該表面からある間隔を隔てて配置する工程と、前記マスクを介して前記部材にシンクロトロン放射光を照射し、該部材の、シンクロトロン放射光の照射された部分をエッチングする工程とを含むＸ線レンズの製造方法。
【請求項９】
前記マスクの縁のうち前記放物線部分の最小曲率半径が２０μｍ以下である請求項８に記載のＸ線レンズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線レンズ及びその製造方法に関し、特に焦点距離を短くするのに適したＸ線レンズ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図９は、ネイチャ第３８４巻（１９９６年１１月７日）の第４９〜５１頁に開示されているＸ線レンズの側面図を示す。ボロンまたはアルミニウム等からなる基材１００に、図９の紙面に垂直な中心軸を有する円柱状の複数の貫通孔１０１が形成されている。各貫通孔１０１の半径は１００〜１１００μｍであり、相互に隣接する２つの貫通孔１０１の間隔ｄは、約２５μｍである。
【０００３】
基材１００の図の左端から、Ｘ線１０２が入射する。入射したＸ線は、各貫通孔１０１の内周面で屈折を繰り返す。Ｘ線に対するボロンやアルミニウムの屈折率は１よりもやや小さいため、基材１００の図の右端から出射するＸ線１０３は、収束光線束となる。
【０００４】
種々の材料のＸ線領域における屈折率は非常に１に近いため、焦点距離の短いＸ線レンズを作製することは困難である。図９のように、複数の貫通孔１０１を形成し複合レンズとすることにより、焦点距離の比較的短いレンズを得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
焦点距離を短くするためにレンズの枚数（図９では貫通孔１０１の個数に相当）を多くすると、レンズ材料によるＸ線の吸収が大きくなってしまう。例えば、貫通孔１０１の個数を５０、相互に隣接する２つの貫通孔１０１の間隔ｄを０．０２ｍｍとすると、レンズの吸収体の合計の厚さは１ｍｍになる。
【０００６】
また、複合レンズの有効口径ＡCは、
【０００７】
【数１】
ＡC＝２Ｒ（２／μＲＮ）1/2
と表される。ここで、Ｒは貫通孔１０１の半径、μはＸ線吸収係数、Ｎはレンズ枚数である。例えば、アルミニウムのＸ線吸収係数μは約２０ｃｍ-1である。Ｒ＝０．２ｍｍ、Ｎ＝５０、とすると、有効口径ＡCは０．１２ｍｍになってしまう。
【０００８】
本発明の目的は、Ｘ線吸収が少なく、かつ焦点距離を短くすることが可能なＸ線レンズ及びその製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、改質ポリテトラフルオロエチレン、改質テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、または改質テトラフルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル共重合体で形成されたＸ線レンズが提供される。主平面に平行な直線を母線とする柱面からなる第１の表面を有し、該第１の表面が前記主平面に関して面対称であり、該第１の表面と、その母線に垂直な仮想平面との交線が滑らかな第１の曲線であり、該第１の曲線の、前記主平面との交点における曲率半径が２０μｍ以下であるような構成とすることが好ましい。
【００１０】
レンズ基材として上述の改質フッ素樹脂を用いると、Ｘ線小角散乱を抑制することができる。第１の曲線の曲率半径が２０μｍ以下であるため、第１の表面を屈折面とする焦点距離の短いＸ線レンズが得られる。
【００１１】
本発明の他の観点によると、上述の改質フッ素樹脂により形成されたＸ線レンズであって、ＸＹＺ直交座標係を考えたとき、Ｙ軸に平行な直線を母線とする柱面からなる第１の表面を有し、該第１の表面がＹＺ面に関して面対称な凹面であり、該第１の表面とＺＸ面との交線が放物線になるＸ線レンズが提供される。
【００１２】
第１の表面とＺＸ面との交線が放物線になるような第１の表面を屈折面とすることにより、円柱面を屈折面とする場合に比べて、有効口径が大きく、かつ焦点距離の短いレンズを得ることが可能になる。
【００１３】
本発明のさらに他の観点によると、上述の改質フッ素樹脂により形成された部材を準備する工程と、縁の一部に、凹状の放物線部分を含み、シンクロトロン放射光を透過させないマスクを、前記部材の表面に密着させ、または該表面からある間隔を隔てて配置する工程と、前記マスクを介して前記部材にシンクロトロン放射光を照射し、該部材の、シンクロトロン放射光の照射された部分をエッチングする工程とを含むＸ線レンズの製造方法が提供される。
【００１４】
シンクロトロン放射光を用いて改質フッ素樹脂を加工するため、機械的に加工する場合に比べて、曲率半径の小さな曲面を容易に形成することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１（Ａ）は、本発明の実施例によるＸ線レンズの斜視図を示す。ＸＹＺ直交座標系を考える。改質ポリテトラフルオロエチレン（改質ＰＴＦＥ）からなる直方体形状の基材５０が、各面をＸＹ面、ＹＺ面、及びＺＸ面に平行にするように配置されている。改質ＰＴＦＥの製造方法は、特開平６−１１６４２３号公報、特開平７−１１８４２３号公報、及び特開平７−１１８４２４号公報等に説明されている。本実施例では、約３４０℃まで加熱したＰＴＦＥの基材に、照射線量１００ｋＧｙの電子線を照射して基材５０を得た。電子線を照射する時には、ＰＴＦＥの温度を、その融点（３２７℃）よりもやや高い温度とすることが好ましい。上述の公報に記載されたその他の方法を用いてＰＴＦＥを改質させてもよい。ＰＴＦＥに照射する放射線は、電子線に限らず、その他の電離放射線、例えばガンマ線、Ｘ線、アルファ線等でもよい。改質ＰＴＦＥは、架橋ポリテトラフルオロエチレン（架橋ＰＴＦＥ）とも呼ばれる。なお、改質ＰＴＦＥの化学的物理的性質について、後に詳しく説明する。
【００１６】
ＸＹ面に平行な２つの面に、それぞれ溝５１Ａ及び５１Ｂが形成されている。溝５１Ａの内面（第１の表面５２Ａ）及び溝５１Ｂの内面（第２の表面５２Ｂ）は、共にＹ軸に平行な直線を母線とする柱面であり、ＹＺ面（本明細書において、ＹＺ面を主平面と呼ぶ）に関して面対称である。
【００１７】
第１の表面５２ＡはＺ軸の負の方向を向き、第２の表面５２ＢはＺ軸の正の方向を向いている。すなわち、両者は相互に反対方向を向いている。また、第１及び第２の表面５２Ａ及び５２Ｂは、共に凹面である。第１の表面５２ＡとＺＸ面との交線、及び第２の表面５２ＢとＺＸ面との交線は、共に放物線である。
【００１８】
改質ＰＴＦＥの屈折率をｎとすると、
【００１９】
【数２】
ｎ＝１−δ
と表すことができる。ここで、δは、屈折率低下分（refractive index decrement）である。波長０．７ｎｍのＸ線に対する改質ＰＴＦＥのδは７．２５×１０-7であり、吸収係数μは６ｃｍ-1である。
【００２０】
図１（Ａ）のＺ軸の正の向きに進行するＸ線６０が、第１の表面５２Ａに入射する。第１の表面５２Ａに入射したＸ線は、第１の表面５２Ａで屈折し、さらに第２の表面５２Ｂで屈折し、ＺＸ面内に関して収束するＸ線６１が得られる。すなわち、第１及び第２の表面５２Ａ及び５２Ｂを有する基材５０は、Ｘ線に対して集光レンズとして作用する。
【００２１】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＸ線レンズのＺＸ面における断面形状を示す。第１の表面５２ＡとＺＸ面との交線は、
【００２２】
【数３】
Ｘ2＝２Ｒ（−Ｚ−ｄ／２）
と表され、第２の表面５２ＢとＺＸ面との交線は、
【００２３】
【数４】
Ｘ2＝２Ｒ（Ｚ−ｄ／２）
と表される。ここで、Ｒ＝２μｍ、ｄ＝１０μｍである。すなわち、この放物線の、ＹＺ面との交点における曲率半径は２μｍであり、ＹＺ面上において、第１の表面５２Ａと第２の表面５２Ｂとの間の厚さは１０μｍである。このレンズの焦点距離Ｆは、Ｒ／（２δ）で与えられるため、Ｆ＝１．４ｍとなる。
【００２４】
基材５０のＺ軸方向の厚さを１２００μｍとすると、Ｚ＝±６００μｍの位置における第１及び第２の表面５２Ａ及び５２ＢのＸ座標は約±４９μｍになる。すなわち、このＸ線レンズのＸ軸方向の有効口径は約９８μｍになる。このとき、分解能σ＝１μｍになる。焦点距離Ｆ＝１．４ｍ、有効口径９８μｍの収束レンズを、１枚の円柱面のレンズで実現することは不可能である。上記特性の収束レンズを得るためには、図９に示すように、円柱面レンズを複数用いた複合レンズとしなければならない。本実施例の場合には、屈折面を放物面にしているため、１枚のレンズで焦点距離が短く、かつ有効口径の大きな収束レンズを実現することができる。
【００２５】
実効的にＸ線を集光させることができ、かつ大きな有効口径を確保するためには、第１または第２の表面５２Ａまたは５２ＢとＺＸ面との交線の、ＹＺ面との交点における曲率半径を２０μｍ以下とすることが好ましい。
【００２６】
また、上記実施例では、Ｘ線の光軸近傍（ＹＺ面近傍）におけるレンズの厚さが１０μｍ程度であるため、Ｘ線吸収量を低減することができる。Ｘ線吸収量を十分少なくするためには、第１の表面５２Ａと第２の表面５２Ｂとに挟まれた部分の最小厚さを５０μｍ以下とすることが好ましい。
【００２７】
また、上記実施例では、Ｘ線の入射側と出射側の２つの屈折面を、共に放物面とした場合を説明したが、一方の面のみを放物面としてもよい。また、Ｘ線を収束させる作用を奏する曲面であれば、放物面以外の滑らかな曲面としてもよい。ただし、この場合にも、この曲面とＺＸ面との交線の、ＹＺ面（主平面）との交点における曲率半径を２０μｍ以下とすることが好ましい。
【００２８】
次に、図１（Ａ）に示した実施例によるＸ線レンズの製造方法について説明する。
【００２９】
図２（Ａ）は、実施例によるＸ線レンズの加工装置の概略図である。シンクロトロンに蓄積された電子の軌道１から光軸５に沿ってシンクロトロン放射光（ＳＲ光）２が放射される。光軸５に沿った光源からの距離Ｌの位置に改質ＰＴＦＥ基材４が配置されている。基材４の前方には、間隔Ｇだけ離れてマスク３が配置されている。電子軌道１、基材４及びマスク３は同一の真空容器内に配置されている。
【００３０】
マスク３には、ＳＲ光を実質的に透過させる領域と透過させない領域とが画定されている。なお、実質的に透過させる領域とは、改質ＰＴＦＥ基材４を加工するのに十分な強さのＳＲ光を透過させる領域を意味し、実質的に透過させない領域とは、その領域をＳＲ光が透過しないか、または透過したとしても透過光が改質ＰＴＦＥ基材４を加工しない程度の強さまで弱められるような領域を意味する。
【００３１】
本実施例で使用したマスクは、図１（Ｂ）に示すパターンを有する厚さ１０〜１００μｍの銅板である。すなわち、マスクの縁は、凹状の放物線部分を含む。なお、銅以外の金属を用いてもよい。なお、マスクは、２〜１０μｍ程度の厚さのものでもよい。
【００３２】
ＳＲ光２は、マスク３を介して改質ＰＴＦＥ基材４の表面に照射される。ＳＲ光の照射される面は、図１（Ａ）のＺＸ面に平行な面である。改質ＰＴＦＥ基材４の表面でＳＲ光によるエッチングが生じ、ＳＲ光が照射された部分が剥離される。ＳＲ光２は高い平行度を有するため、加工された改質ＰＴＦＥ基材４は、光軸５に沿って見たときマスク３とほぼ同一形状になる。このため、図１（Ａ）に示すようなＸ線レンズが得られる。
【００３３】
図２（Ｂ）は、加工部の断面図を示す。真空容器２０内に試料保持台１４が配置されている。試料保持台１４の試料保持面に改質ＰＴＦＥ基材４が保持されている。マスク３が、マスク保持手段１７により改質ＰＴＦＥ基材４の前面に配置されている。マスク３を改質ＰＴＦＥ基材４の表面に密着させてもよいし、ある間隔を隔てて配置してもよい。加工時には、図の左方からマスク３を通して改質ＰＴＦＥ基材４の表面にＳＲ光２を照射する。
【００３４】
試料保持台１４は、例えばセラミックで形成され、内部にヒータ８が埋め込まれている。ヒータ８のリード線が、真空容器２０の壁に取り付けられたコネクタ２１の容器内側の端子に接続されている。コネクタ２１の容器外側の端子が、電源７に接続されており、電源７からヒータ８に電流が供給される。ヒータ８に電流を流すことにより、改質ＰＴＦＥ基材４を加熱することができる。
【００３５】
試料保持台１４の試料保持面に熱電対２３が取り付けられている。熱電対２３のリード線は、リード線取出口２２を通して真空容器２０の外部に導出され、温度制御装置９に接続されている。リード線取出口２２は、例えばハンダ付けにより気密性が保たれている。温度制御装置９は、試料保持面の温度が所望の温度になるように、電源７を制御しヒータ８を流れる電流を調節する。
【００３６】
図２（Ｃ）は、試料保持台の他の構成例を示す。試料保持台１５の内部にガス流路１６が形成されている。ガス流路１６に所望の温度のガスを流してガスと改質ＰＴＦＥ基材４との熱交換を行わせ、改質ＰＴＦＥ基材４を所望の温度に維持することができる。
【００３７】
最小曲率半径２０μｍ以下の滑らかな曲面、及び最小の間隔が５０μｍ以下となるような２つの屈折面を、機械的な加工によって作製することは困難である。図２（Ａ）に示すＳＲ光を利用した加工装置を用いることにより、最小曲率半径２０μｍ以下の放物面を容易に形成することができる。また、２つの放物面の最小間隔が５０μｍ以下となるＸ線レンズを再現性よく作製することができる。
【００３８】
ＳＲ光は高い平行度を有するため、図１（Ａ）のＸ線レンズのＹ軸方向の厚さをＴとしたとき、Ｔ／Ｒが５以上のレンズを容易に作製することができる。Ｔ／Ｒが５以上となるようにすることにより、レンズをＹ軸方向に大きくしても、焦点距離を短く維持することができる。
【００３９】
上記実施例で用いた改質ＰＴＦＥは、従来の未架橋ＰＴＦＥにはない種々の特徴を有している。以下、改質ＰＴＦＥの特徴について説明する。
【００４０】
改質ＰＴＦＥに放射線を照射することにより生成するラジカル数が、未架橋ＰＴＦＥに放射線を照射することにより生成するラジカル数よりも著しく多いことが、電子スピン共鳴法（ＥＳＲ）により確かめられている。
【００４１】
図３は、試料１〜４について、補足ラジカルの収量と、ラジカルを発生させるためのガンマ線の吸収線量との関係を示す。横軸はガンマ線の吸収線量を単位「ｋＧｙ」で表し、縦軸は補足ラジカルの収量を単位「スピン／ｇ」で表す。試料１は、放射線照射を行っていない従来の未架橋のＰＴＦＥであり、試料２〜４は、３４０℃に加熱したＰＴＦＥに、それぞれ電子線を１００ｋＧｙ、５００ｋＧｙ、及び３０００ｋＧｙだけ照射して作製した改質ＰＴＦＥである。このように準備された試料１〜４に、室温、真空雰囲気中でガンマ線を照射し、補足ラジカルの収量を測定した。
【００４２】
生成したラジカル数は、各グラフの立ち上がり部の傾き（Ｇ値）で評価することができる。改質ＰＴＦＥ（試料２〜４）のＧ値は、未架橋ＰＴＦＥのＧ値の１０倍以上であることがわかる。
【００４３】
図４は、試料５〜８について、破断時の伸びとガンマ線の吸収線量との関係を示す。横軸は各試料に照射したガンマ線の吸収線量を単位「ｋＧｙ」で表し、縦軸は破断時の伸びを単位「％」で表す。試料５は、未架橋ＰＴＦＥであり、試料６〜８は、３４０℃に加熱したＰＴＦＥに、それぞれ電子線を５０ｋＧｙ、５００ｋＧｙ、及び１０００ｋＧｙだけ照射して作製した改質ＰＴＦＥである。なお、各試料の厚さは０．５ｍｍであり、引っ張り速度は２００ｍｍ／分とした。
【００４４】
図５は、上記試料５〜８について、破断時の引張強度とガンマ線の吸収線量との関係を示す。横軸は各試料に照射したガンマ線の吸収線量を単位「ｋＧｙ」で表し、縦軸は破断時の引張強度を単位「ＭＰａ」で表す。
【００４５】
図４及び図５からわかるように、改質ＰＴＦＥは、従来の未架橋ＰＴＦＥと比べて、ガンマ線を照射された後でも比較的高い機械的強度を維持している。ＳＲ光照射によってＰＴＦＥを加工すると、マスクで遮光されていた領域にも弱められたＳＲ光が照射される。このＳＲ光により、加工後のＰＴＦＥの機械的強度が低下する。改質ＰＴＦＥを用いることにより、ＳＲ光の照射に起因する機械的強度の低下を抑制することができる。
【００４６】
図６は、未架橋ＰＴＦＥに、温度−１９６℃、室温、及び温度３４０℃で電子線を照射した試料の結晶化熱量ΔＨｃを示す。横軸は電子線の吸収線量を単位「ｋＧｙ」で表し、縦軸は結晶化熱量を単位「Ｊ／ｇ」で表す。図中の菱形、三角、及び丸記号は、それぞれ温度−１９６℃、室温、及び温度３４０℃で電子線を照射した試料の結晶化熱量の測定値を示す。
【００４７】
温度−１９６℃、及び室温で電子線を照射した試料の結晶化熱量は、電子線の吸収線量の増加に従って急激に増加し、約８０Ｊ／ｇでほぼ一定になる。これに対し、温度３４０℃で電子線を照射した試料の結晶化熱量は、電子線の吸収線量を増加させるに従って、一旦は増加するがその後減少する。結晶化熱量の減少は、架橋が生じて網目構造が構築され、結晶化が阻害されるようになったためと考えられる。結晶化熱量の増加は、電子線の照射によって分子鎖が切断され、分子鎖同士が配列しやすくなったためと考えられる。
【００４８】
図６から、試料の結晶化熱量を測定することにより、未架橋ＰＴＦＥと改質ＰＴＦＥとの区別を行うことが可能であると考えられる。例えば、結晶化熱量が１５Ｊ／ｇ以下のものは、改質ＰＴＦＥといってよいであろう。
【００４９】
図７は、ＰＴＦＥ（未架橋のものと架橋したものを含む）の光透過率の波長依存性を示す。横軸は波長を単位「ｎｍ」で表し、縦軸は光透過率を単位「％」で表す。なお、測定対象の試料の厚さは、０．５ｍｍであり、測定環境は大気である。図中の各曲線に付された数値は、ＰＴＦＥを架橋させるために照射した電子線の吸収線量を表す。なお、電子線照射時のＰＴＦＥの温度は３４０℃である。ＰＴＦＥを架橋させるために照射する電子線の吸収線量が増加するに従って、光透過率が大きくなっていることがわかる。試料の光透過率を測定することにより、未架橋ＰＴＦＥと改質ＰＴＦＥとを区別することができるであろう。例えば、波長５００ｎｍの光に対する厚さ０．５ｍｍのＰＴＦＥ板の透過率が２０％以上であれば、改質ＰＴＦＥといえるであろう。
【００５０】
厚さ０．５ｍｍの試料の透過率が２０％であるということは、試料を構成する材料の吸光係数が約１４ｃｍ-1であることに相当する。従って、波長５００ｎｍの光に対する吸光係数が１４ｃｍ-1以下であれば改質ＰＴＦＥといえるであろう。
【００５１】
図８は、３４０℃の未架橋ＰＴＦＥに、電子線を１０ＭＧｙだけ照射して作製した改質ＰＴＦＥを、高分解能19Ｆ固体ＮＭＲ測定した結果を示す。横軸はケミカルシフトを単位「ＰＰＭ」で表す。図中の上段及び下段のグラフは、それぞれ試料を１２ｋＨｚ及び１５ｋＨｚで回転させながら測定したものである。また、記号＊は、ＣＦ2基のメインピークのサイドバンドを表す。ピークａ、ｄ及びｉは、架橋構造に由来するものであり、未架橋ＰＴＦＥの測定結果には現れない。従って、高分解能19Ｆ固体ＮＭＲ測定によっても、未架橋ＰＴＦＥと改質ＰＴＦＥとを区別することが可能である。
【００５２】
次に、Ｘ線レンズの基材として改質ＰＴＦＥを用いることの光学的な効果について説明する。
【００５３】
ＰＴＦＥは、１〜１００ｎｍ程度の大きさの結晶化部と、それらを取り巻く非晶質部で構成される。一般的にＰＴＦＥの結晶化度は約４０％である。結晶化部と非晶質部とは、相互に異なる密度を有するため、ＰＴＦＥをＸ線が通過すると前方への散漫散乱が生じる。この散乱は、Ｘ線小角散乱と呼ばれる。例えば、光子エネルギ８〜１０ｋｅＶのＸ線に対するＰＴＦＥの小角散乱率が、非晶質相からなるポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の小角散乱率の５００倍に達するとの報告もある（B. Lengeler et al., J. Applied Physics, Vol.84, pp.5855-5861, (1998)）。Ｘ線小角散乱は、Ｘ線レンズの集光点でのボケの原因になる。その結果、得られる利得が小さくなってしまう。また、このＸ線レンズを用いて拡大撮像を行う場合には、Ｘ線小角散乱が空間分解能低下の要因になる。
【００５４】
これに対し、改質ＰＴＦＥは結晶化部を含まず、非晶質部のみで形成されている。このため、Ｘ線小角散乱を抑制することができる。これにより、集光点の大きさを小さくし、利得を大きくし、また、空間分解能の向上を図ることができるであろう。
【００５５】
上記実施例では、Ｘ線レンズの基材として改質ＰＴＦＥを用いた場合を説明したが、その他の改質フッ素樹脂を用いても同様の効果が期待できるであろう。改質フッ素樹脂の例として、改質テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（例えばデュポン社の登録商標「テフロンＦＥＰ」を改質させたもの）、及び改質テトラフルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（例えばデュポン社の登録商標「テフロンＰＦＡ」を改質させたもの）等が挙げられる。
【００５６】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、曲率半径の小さい曲面で屈折面を構成することにより、焦点距離の短いＸ線レンズを得ることができる。また、ＳＲ光によるエッチングを利用してＸ線レンズを作製することにより、曲率半径の小さな屈折面を容易に形成し、薄いレンズを再現性よく作製することが可能になる。レンズ基材として改質フッ素樹脂を用いることにより、Ｘ線小角散乱を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例によるＸ線レンズの斜視図、及び断面図である。
【図２】実施例で用いる加工装置の概略図、及び基材保持部の断面図である。
【図３】補足ラジカルの収量と、ラジカルを発生させるためのガンマ線の吸収線量との関係を示すグラフである。
【図４】破断時の伸びとガンマ線の吸収線量との関係を示すグラフである。
【図５】破断時の引張強度とガンマ線の吸収線量との関係を示すグラフである。
【図６】未架橋ＰＴＦＥに、温度−１９６℃、室温、及び温度３４０℃で電子線を照射した試料の結晶化熱量を示すグラフである。
【図７】ＰＴＦＥ（未架橋のものと架橋したものを含む）の光透過率の波長依存性を示すグラフである。
【図８】３４０℃の未架橋ＰＴＦＥに、電子線を１０ＭＧｙだけ照射して作製した改質ＰＴＦＥを、高分解能19Ｆ固体ＮＭＲ測定した結果を示すグラフである。
【図９】従来例によるＸ線レンズの側面図である。
【符号の説明】
１  電子軌道
２  ＳＲ光
３  マスク
４  改質ＰＴＦＥ基材
５  光軸
７  電源
８  ヒータ
９  温度制御装置
１４、１５  試料保持台
１６  ガス流路
１７  マスク保持手段
２０  真空容器
２１  コネクタ
２２  リード線取出口
２３  熱電対
５０  基材
５１Ａ、５１Ｂ  溝
５２Ａ  第１の表面
５２Ｂ  第２の表面
６０、６１  Ｘ線
【図１】
0003682402.tif 000002
【図２】
0003682402.tif 000003
【図３】
0003682402.tif 000004
【図４】
0003682402.tif 000005
【図５】
0003682402.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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