(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
0003621996.tif 000007
（ここで、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に炭素数１〜６の鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子を示す。炭素−炭素二重結合に結合している二つのアリール基は互いに同じではない。）で表され、融点が１５０℃以下であるスチルベン系エポキシ樹脂の一種または二種以上と、
一般式（２）
【化２】
0003621996.tif 000008
（ここでＲ9〜Ｒ12はそれぞれ独立に、炭素数１〜６の鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子を示す。）で表される、炭素−炭素二重結合に結合している二つのアリール基は互いに同じであるスチルベン系エポキシ樹脂の一種もしくは二種以上を必須成分とする、融点が１５０℃以下であるエポキシ樹脂混合物。
【請求項２】
一般式（１）において、Ｒ1がｔ−ブチル基である請求項１記載のエポキシ樹脂混合物。
【請求項３】
一般式（１）において、Ｒ1がｔ−ブチル基であり、Ｒ5〜Ｒ8がｔ−ブチル基以外である請求項１または２記載のエポキシ樹脂混合物。
【請求項４】
一般式（１）において、Ｒ1がｔ−ブチル基であり、アリール基において酸素原子の置換位置に対してオルソ位に置換している請求項１、２または３記載のエポキシ樹脂混合物。
【請求項５】
１５０℃での溶融粘度が１ポイズ以下である請求項１、２、３または４記載のエポキシ樹脂混合物。
【請求項６】
２種以上のフェノール類とクロロアセトアルデヒド類とを酸性物質の存在下で反応させて得られた１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体を塩基性物質の存在下に脱塩酸反応を行ってジヒドロキシスチルベン誘導体とした後、該ジヒドロキシスチルベン誘導体を塩基性物質の存在下にエピハロヒドリンと反応させることを特徴とするエポキシ樹脂混合物の製造方法。
【請求項７】
フェノール類が２，６−キシレノール、２，４−キシレノール、３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、２−メチル−６−ｔ−ブチルフェノールからなる群から選ばれる２種以上である請求項６記載のエポキシ樹脂混合物の製造方法。
【請求項８】
フェノール類が２，６−キシレノールおよび３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノールの混合物である請求項６記載のエポキシ樹脂混合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接着、塗料、絶縁材料や積層板等の電気電子材料、特に、電子部品の封止用として有用なエポキシ樹脂混合物、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スチルベン骨格を有するエポキシ樹脂については多くの研究例がある。例えば、無置換、あるいはアルキル基が置換されたスチルベン骨格、好ましくはメチル基が対称的な位置に置換されたスチルベン骨格を有するビスフェノール化合物のグリシジルエーテル体が開示されている（米国特許第４７６２９０１号、独国特許第３６２２６１３号、特開昭６３−２３９３１）。エポキシ樹脂の原料となる、炭素−炭素二重結合に同じアリール基が置換したスチルベン型ビスフェノール化合物についても報告例があり、４，４’−ジヒドロキシスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン等の化合物の製法と物性が開示されている（ｖｏｎ  Ｒｏｌｆ  Ｈ．Ｓｉｅｂｅｒ，Ｌｉｅｂｉｇｓ  Ａｎｎ．Ｃｈｅｍ．７３０，３１−４６（１９６９））。また、スチルベン骨格を有するエポキシ樹脂には液晶構造を発現するものがあり、液晶性を有する化合物を液晶状態下にて少量の触媒を加えて重合を行うと、液晶構造をそのまま保持した架橋体を得ること、特定条件の電場下にて重合を行うことで液晶ドメインの配向が起こることが報告されている（第３回次世代産業基盤技術シンポジウム予稿集Ｐ１８２（１９８５））。この中で４，４’−ジヒドロキシ−α−シアノスチルベンのエポキシ化物が液晶性を示す化合物として例示されている。また、機械特性を改良するために液晶性を示すもしくはロッド状部分を有するエポキシ樹脂が提案されている（特開平２−２７５８７２）。この特許でエポキシ化する水酸基含有化合物として、４，４’−ジヒドロキシ−α−メチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシスチルベン、４，４’−ジヒドロキ−３，３’，５，５’−テトラブロモスチルベン、４，４’−ジヒドロキ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン等が例示されている。この様にスチルベン系エポキシ樹脂は、その応用開発が数多く提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スチルベン系エポキシ樹脂は一般に融点が高く、溶剤への溶解性も低いため、その使用方法は限られる。例えば、４，４’−ジヒドロキシスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベンのグリシジルエーテル化物の融点は、それぞれ２０８〜２１５℃、１５０℃、１５１℃と高く、エポキシ硬化剤との均一混合や他の成分との均一混練が困難である等の問題点があった。
本発明の目的は、低融点を有し、溶剤への溶解性の良いスチルベン系エポキシ樹脂およびその製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
このような事情に鑑み、本発明者らは、鋭意検討を行った結果、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は次のとおりである。
［１］一般式（１）
【化３】
0003621996.tif 000002
（ここで、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に炭素数１〜６の鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子を示す。炭素−炭素二重結合に結合している二つのアリール基は互いに同じではない。）で表され、融点が１５０℃以下であるスチルベン系エポキシ樹脂の一種または二種以上と、
一般式（２）
【化４】
0003621996.tif 000003
（ここでＲ9〜Ｒ12はそれぞれ独立に、炭素数１〜６の鎖状または環状アルキル基、水素原子またはハロゲン原子を示す。）で表される、炭素−炭素二重結合に結合している二つのアリール基は互いに同じであるスチルベン系エポキシ樹脂の一種もしくは二種以上を必須成分とする、融点が１５０℃以下であるエポキシ樹脂混合物。
【０００９】
［２］一般式（１）で表されるスチルベン系エポキシ樹脂において、Ｒ1がｔ−ブチル基である上記［１］記載のエポキシ樹脂混合物。
【００１０】
［３］一般式（１）において、Ｒ1がｔ−ブチル基であり、Ｒ5〜Ｒ8がｔ−ブチル基以外である上記［１］または［２］記載のエポキシ樹脂混合物。
【００１１】
［４］一般式（１）において、Ｒ1がｔ−ブチル基であり、アリール基において酸素原子の置換位置に対してオルソ位に置換している上記［１］、［２］または［３］記載のエポキシ樹脂混合物。
【００１２】
［５］１５０℃での溶融粘度が１ポイズ以下である上記［１］、［２］、［３］または［４］記載のエポキシ樹脂混合物。
【００１３】
［６］２種以上のフェノール類とクロロアセトアルデヒド類とを酸性物質の存在下で反応させて得られた１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体を塩基性物質の存在下に脱塩酸反応を行ってジヒドロキシスチルベン誘導体とした後、該ジヒドロキシスチルベン誘導体を塩基性物質の存在下にエピハロヒドリンと反応させることを特徴とするエポキシ樹脂混合物の製造方法。
【００１４】
［７］フェノール類が２，６−キシレノール、２，４−キシレノール、３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、２−メチル−６−ｔ−ブチルフェノールからなる群から選ばれる２種以上である上記［６］記載のエポキシ樹脂混合物の製造方法。
【００１５】
［８］フェノール類が２，６−キシレノールおよび３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノールの混合物である上記［６］記載のエポキシ樹脂混合物の製造方法。
【００１６】
本発明における一般式（１）または（２）で表されるエポキシ樹脂の置換基Ｒ１〜Ｒ１２を具体的に例示すると、それぞれメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基（各異性体を含む）、塩素原子および臭素原子等があげられる。中でも製品の溶融粘度の低さや原料の入手の容易さからメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が好ましい。
【００１７】
本発明における一般式（１）で表されるエポキシ樹脂の原料となる、炭素−炭素二重結合に結合している二つのアリール基が互いに同じではないスチルベン系フェノール類の具体例としては、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’−メチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−５，３’−ジメチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，６−ジメチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−５−エチル−３’−メチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’−メチル−５−プロピルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−５−ブチル−３’−メチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−５−アミル−３’−メチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−５−ヘキシル−３’−メチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−５−シクロヘキシル−３’−メチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−トリメチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，−ジメチル−５’−プロピルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，６，−ジメチル−５’−プロピルスチルベン等（置換位置の異なる異性体を含む）が例示できるが、合成の容易さ、性能、原料の価格の面から３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−トリメチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベンが特に好ましい。
【００１８】
一般式（２）で表されるエポキシ樹脂の原料となるスチルベン系フェノール類の具体例としては、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルスチルベン、３，３’−ジエチル−４，４’−ジヒドロキシスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジプロピルスチルベン、３，３’−ジアミル−４，４’−ジヒドロキシスチルベン、３，３’−ジヘキシル−４，４’−ジヒドロキシスチルベン、３，３’−ジシクロヘキシル−４，４’−ジヒドロキシスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−  ブチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−５，５’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラ−ｔ−ブチルスチルベン等（置換位置の異なる異性体を含む。）が例示できるが、中でも合成の容易さ、性能、原料の価格の面から２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−５，５’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−６，６’−ジメチルスチルベンが特に好ましい。
【００１９】
本発明において、スチルベン系エポキシ樹脂の出発原料として用いられるフェノール類としては下記のものが具体例として例示できる。ｔ−ブチル基を含むものとして、３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、２−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェノール、２−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール、２−プロピル−６−ｔ−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−イソブチル−６−ｔ−ブチルフェノール、２−アミル−６−ｔ−ブチルフェノール、２−アミル−６−ｔ−ブチルフェノール、２−ヘキシル−６−ｔ−ブチルフェノール、２−シクロヘキシル−６−ｔ−ブチルフェノール等が例示できるが、最終生成物の融点や入手のし易さ、価格の面から３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、２−メチル−６−ｔ−ブチルフェノールが特に好ましい。また、ｔ−ブチル基を含まないものとして、クレゾール、キシレノール、トリメチルフェノール、テトラメチルフェノール、メチルエチルフェノール、メチルプロピルフェノール、メチルイソブチルフェノール、メチルヘキシルフェノール、メチルシクロヘキシルフェノール等（各異性体を含む）が例示できる。これらの中でもキシレノールが性能、価格のバランスで特に好ましい。
【００２０】
本発明において、スチルベン系エポキシ樹脂の出発原料として用いられるクロロアセトアルデヒド類としては、クロロアセトアルデヒド、クロロアセトアルデヒド水溶液、クロロアセトアルデヒドのアセタール類、クロロアセトアルデヒドのトリオキサン型三量体等が例示される。
【００２１】
使用するクロロアセトアルデヒド類の量はフェノール類の合計モル量を１として０．８〜１．４倍モル、好ましくは等量配合で行う。この範囲より少ないと未反応フェノール類が製品に残存し易く、この範囲を超えると、製品が高分子量化し易い。
【００２２】
クロロアセトアルデヒド類とフェノール類との反応は通常、酸性物質の存在下に実施させるが、この様な物質としては、発煙硫酸、濃硫酸、硫酸水溶液、濃塩酸、塩化水素ガス、塩酸水溶液、トリフルオロスルホン酸等の無機酸、ｐ−トルエンスルホン酸、クロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸、ヘテロポリ酸、酸性イオン交換樹脂等が例示できるが、濃硫酸が高純度の製品を簡便に得られる点で好ましい。使用する量はクロロアセトアルデヒド類に対して０．１〜１０倍モル、好ましくは０．５〜２倍モルである。この範囲より小さいと反応の進行が遅く、この範囲を超えて使用しても一定以上の効果は得られない。
【００２３】
反応溶媒としてはトルエン、キシレン等の炭化水素類、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、メタノール、プロパノール等のアルコール類、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒、エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類、酢酸等の酸性溶媒等が例示できるが、中でも酢酸が好ましい。これらの溶媒は一種、もしくは二種以上が使用できる。
【００２４】
溶媒の使用量は、フェノール類とクロロアセトアルデヒド類に対して０．１〜２０重量倍、好ましくは０．５〜１０重量倍が好ましい。この範囲以下であると反応によって析出した結晶により撹拌が困難となり、この範囲を超えると、反応一回当たりの製品得量が低下し、経済的に不利となる。
【００２５】
反応は、フェノール類とクロロアセトアルデヒド類を溶媒に溶かしておいてから、酸性物質を滴下するか、フェノール類と酸性物質を先に反応容器に仕込んでおいてから、クロロアセトアルデヒド類を滴下しても良い。滴下時間は通常０．５時間から１０時間以内である。滴下後は３〜２４時間反応を行う。温度は−３０〜６０℃、好ましくは−１０〜４０℃で行う。この温度以下では反応の進行が遅く、この範囲を超えると不純物の生成が顕著となる。反応後、析出した結晶を濾別し、水洗を行なってから減圧下に乾燥を行う。
このようにして本発明のエポキシ樹脂の中間体である１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体が得られる。
【００２６】
次に、１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体の脱塩酸／転位反応を行う。この化合物を溶媒に溶解し、苛性ソーダ水溶液等の塩基性物質を滴下することにより、容易に行うことができる。使用する溶媒としては、トルエン、キシレン等の炭化水素類、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、メタノール、プロパノール等のアルコール類、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒、エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類、酢酸等の酸性溶媒等が例示できるが、中でもメタノール、プロパノール等のアルコール類が好ましい。これらの溶媒は一種、もしくは二種以上が使用できる。
【００２７】
溶媒の使用量は、１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体に対して０．１〜２０重量倍、好ましくは０．５〜１０重量倍が好ましい。この範囲以下であると反応中に析出した塩により撹拌が困難となり、この範囲を超えると、反応一回当たりの製品得量が低下し、経済的に不利となる。
【００２８】
反応に使用する塩基性物質としては、苛性ソーダ、苛性カリ等の粉末、ペレット、水溶液があるが、中でも苛性ソーダの水溶液が取扱い性や価格の面で好ましい。使用する量は１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体に対して１〜５倍モル、好ましくは１〜２倍モルが好ましい。この範囲以下であると未反応物が残存し、この範囲を超えて使用しても、一定以上の効果は得られない。
【００２９】
反応は、１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体を溶媒に溶かしておいてから、塩基性物質を滴下するか、フェノール類と酸性物質を先に反応容器に仕込んでおいてから、１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体を粉体のまま、あるいは溶液、スラリーの状態で滴下する。滴下時間は通常０．５時間から１０時間以内が好ましい。滴下後は３〜２４時間反応を行うのが好ましい。温度は好ましくは−２０〜１５０℃、さらに好ましくは２０〜１００℃である。この温度以下では反応の進行が遅く、この範囲を超えて反応を行っても一定以上の効果は得られない。
【００３０】
反応後は反応系を中和してから溶媒回収を行う。溶媒回収後、反応容器内に水を入れることにより、反応混合物は容易に結晶化する。これを濾取後、水洗してから減圧下に乾燥する。このようにして本発明のエポキシ樹脂の中間体であるスチルベン骨格を持つビスフェノール化合物が得られる。
【００３１】
本発明のスチルベン系エポキシ樹脂は、上記のようにして得たスチルベン系のビスフェノールをグリシジルエーテル化する周知の方法によって得ることができる。つまり、ビスフェノールとエピハロヒドリンとを、苛性ソーダ等のアルカリの存在下で反応させる方法である。特に、高純度品を得る場合には、特開昭６０−３１５１７号の様に、非プロトン性溶媒やジオキサン等の溶媒を用いる反応が好適である。
【００３２】
本発明において、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂と一般式（２）で表されるエポキシ樹脂の混合物は、それぞれ別々に合成して、混合して調製しても良い。また、エポキシ化までの工程の途中まで別々に合成し、その段階で混合してから残りの工程の反応を行うことによって得ることもできる。
【００３３】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
例中、エポキシ当量とは、エポキシ基１個あたりのエポキシ樹脂の分子量で定義される。
【００３４】
参考例１
（１）１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体の合成−１
温度計、撹拌機、コンデンサーを備えた２リットル四ツ口フラスコに２，６−キシレノール（以下２６ＸＹと略す。）２４４．４ｇ（２．０ｍｏｌ）、４０．５％クロロアセトアルデヒド水溶液１９３．８ｇ（１．０ｍｏｌ）および酢酸３７６ｇを仕込み、撹拌、溶解し、５℃まで冷却した。次に、濃硫酸１２２ｇ（１．２ｍｏｌ）を酢酸８４ｇに混合した溶液を５℃にて３時間かけて滴下、その後２５℃で６時間反応系を保温し、終夜室温で撹拌を続けた。系の温度を５℃まで冷却し、析出した結晶を濾別した。結晶を５００ｇの水で６回洗浄し、その後４０℃にて８時間真空乾燥し、無色結晶２６４ｇ（収率８６．６％）を得た（ＸＹＣＥとする）。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下ＧＰＣと略す。２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９８．３％、赤外吸収スペクトルにより３５００ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３０４のフラグメントが観察できた。
【００３５】
（２）スチルベン系ビスフェノールの合成−１
温度計、撹拌機、コンデンサーの付いたリットル四ツ口フラスコに（１）で得たＸＹＣＥ２２５．６ｇとメタノール４５１．２ｇを仕込み、窒素気流下、撹拌して溶解させた。４８．３％苛性ソーダ水溶液９１．９ｇを内温３０℃、１時間で滴下した。次に昇温しメタノールを還流させながら３時間反応させた。反応後、高速液体クロマトグラフィー（以下ＬＣと略す）で原料のＸＹＣＥは完全に消失していた。６０℃まで冷却後、濃塩酸３７．５ｇを加えて中和し、メタノールを留去した。続いて温水１０００ｇを加えて、析出した結晶を濾取した。結晶を水洗後、８０℃で８時間真空乾燥を行い黄色結晶１９２ｇ（９６．７％）を得た（ＸＹＳＢとする）。ＧＰＣによる純度は９８．１％、赤外吸収スペクトルにより３４００ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量２６８のフラグメントが観察できた。
【００３６】
（３）エポキシの合成−１
（２）で得られた原料フェノール（ＸＹＳＢ）１００ｇを温度計、撹拌機、滴下漏斗、分離管付きコンデンサーの付いた反応容器に仕込み、エピクロルヒドリン４８５．６ｇ、１，４−ジオキサン２４２．８ｇに溶解した。反応系内を１４０ｔｏｒｒに保ちながら、温度６２℃で、４８．３％苛性ソーダ６１．７１ｇを５時間で連続的に滴下した。    この間、温度は６２℃に保ちながら、共沸するエピクロルヒドリンと水を冷却液化し、有機層を反応系内に戻しながら反応させた。
反応終了後に、未反応エピクロルヒドリンと１，４−ジオキサンとを減圧濃縮により除去し、副生塩とグリシジルエーテルをメチルイソブチルケトン８００ｇに溶解させ、副生塩とジメチルスルホキシドを水洗により除去した。その後１６０℃、１０ｔｏｒｒにてメチルイソブチルケトンを減圧留去し目的物を１２２．２ｇ（８６．２％）得た（ＸＹＣＣ−Ｅとする）。
ＧＰＣ（示差屈折率計により検出）による純度は９３．０％、このものの融点は１５１℃、エポキシ当量は１９８ｇ／ｅｑであった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる１２４０ｃｍ−１、９１５ｃｍ−１の吸収を有することが確認された。
【００３７】
参考例２
（１）１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体の合成−２
参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０ｍｏｌ）の代わりに３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール（以下３Ｍ６Ｂと略す。）３２８．５ｇ（２．０ｍｏｌ）を用いた他は同様に操作を行い、淡紫結晶を３１７ｇ（８１．５％）得た（ＸＭＣＥ−１００とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は８７．７％、赤外吸収スペクトルにより３５００ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３８９のフラグメントが観察できた。
【００３８】
（２）スチルベン系ビスフェノールの合成−２
参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに参考例２（１）で得られたＸＭＣＥ−１００を用いて同様に実験を行い、淡黄色結晶１３４ｇ（９４．８％）を得た（ＸＭＳＢ−１００とする）。ＧＰＣによる純度は９３．５％、赤外吸収スペクトルにより３１００ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３５２のフラグメントが観察できた。
【００３９】
（３）エポキシの合成−２
参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりにＸＭＳＢ−１００を用いた他は同様に操作を行い、同様にエポキシ化を行って目的物を５４．７ｇ（３６．２％）得た（ＸＭＣＣ−１００Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計により検出）による純度は９５．２％であった。また、このものの融点は２２０〜２２４℃、エポキシ当量は２３０ｇ／ｅｑであった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる１２３０、９２０ｃｍ−１の吸収を有することが確認された。
【００４０】
実施例１
（１）１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体の合成−３
参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ１９５．５ｇ（１．６ｍｏｌ）と３Ｍ６Ｂ６５．７ｇ（０．４ｍｏｌ）を用いた他は同様に操作を行い、淡紫結晶を２７１ｇ（８４．１％）得た（ＸＭＣＥ−２０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９７．７％、赤外吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３４６、３０４のフラグメントが観察できた。また、ＬＣによる分析で参考例４のＸＭＣＥ−１００は検出されなかった。
【００４１】
（２）スチルベン系ビスフェノールの合成−３
参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに実施例１（１）で得られたＸＭＣＥ−２０を１４４．８ｇを用いて同様に実験を行い、黄色結晶１２４ｇ（９６．６％）を得た（ＸＭＳＢ−２０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９７．１％、赤外吸収スペクトルにより３４００ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３１０、２６８のフラグメントが観察できた。また、ＬＣによる分析で参考例５のＸＭＳＢ−１００は検出されなかった。
【００４２】
（３）エポキシの合成−３
参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりに上記（２）で得られたＸＭＳＢ−２０を９９．７ｇ用いた他は同様に操作を行い、目的物を１３１ｇ（９４％）得た（ＸＭＣＣ−２０Ｅとする）。
ＧＰＣ（示差屈折率計により検出）による純度は９３．６％、２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持つスチルベン系エポキシ化合物は３９．６％であった。このものの融点は１１０〜１３０℃、エポキシ当量は２０８ｇ／ｅｑであった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる１２４０、９２０ｃｍ−１の吸収を有することが確認された。
【００４３】
実施例２
（１）１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体の合成−４
参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ１７１．１ｇ（１．４ｍｏｌ）と３Ｍ６Ｂ９８．６ｇ（０．６ｍｏｌ）ｇを用いた他は同様に操作を行い、淡紫結晶を２５３ｇ（７６．７％）得た（ＸＭＣＥ−３０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９６．０％、赤外吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３４６、３０４のフラグメントが観察できた。また、ＬＣによる分析で参考例４のＸＭＣＥ−１００は検出されなかった。
【００４４】
（２）スチルベン系ビスフェノールの合成−４
参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに上記（１）で得られたＸＭＣＥ−３０を１２２．１ｇを用いて同様に実験を行い、黄色結晶１０８ｇ（９９．４％）を得た（ＸＭＳＢ−３０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９３．３％、赤外吸収スペクトルにより３４００ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３１０、２６８のフラグメントが観察できた。また、ＬＣによる分析で参考例２（２）のＸＭＳＢ−１００は検出されなかった。
【００４５】
（３）エポキシの合成−４
参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりに上記（２）で得られたＸＭＳＢ−３０を９５．４ｇ用いた他は同様に操作を行い、目的物を１１８ｇ（８９．５％）得た（ＸＭＣＣ−３０Ｅとする）。
ＧＰＣ（示差屈折率計により検出）による純度は８６．６％、２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持つスチルベン系エポキシ化合物は５３．２％であった。このものは室温で半固形状であり、エポキシ当量は２００ｇ／ｅｑであった。溶融粘度は１５０℃で０．１６ポイズであった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる吸収１２６０、９１０ｃｍ−１の吸収を有することが確認された。
【００４６】
実施例３
（１）１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体の合成−５
参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ１２２．２ｇ（１．０ｍｏｌ）と３Ｍ６Ｂ１６４．３ｇ（１．０ｍｏｌ）ｇを用いた他は同様に操作を行い、無色結晶を３２１ｇ（９２．５％）得た（ＸＭＣＥ−５０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９０．７％、赤外吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３４６、３０４および微量の３８９のフラグメントが観察できた。
【００４７】
（２）スチルベン系ビスフェノールの合成−５
参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに上記（１）で得られたＸＭＣＥ−５０を１１４．７ｇを用いて同様に実験を行い、淡褐色結晶９８．５ｇ（９５．８％）を得た（ＸＭＳＢ−５０とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９６．５％であり、２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持つスチルベン化合物が８６．４％であった。赤外吸収スペクトルにより３４００ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３１０、２６８および微量の３５２のフラグメントが観察できた。
【００４８】
（３）スチルベン系ビスフェノールの精製
実施例３（２）で得られたＸＭＳＢ−５０をトルエンから再結晶した。結晶をシクロヘキサンで洗浄後、減圧下に乾燥して褐色微結晶を得た。高速液体クロマトグラフィー（以下ＬＣと略）による純度は９９．１％であり、実施例３（２）で得られた２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持つスチルベン系ビスフェノールのＬＣの保持時間と完全に一致した。赤外吸収スペクトルにより３５００ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３１０のフラグメントが観察できた。
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【００４９】
（４）エポキシの合成−５
参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりに上記（２）で得られたＸＭＳＢ−５０を９９．７ｇ用いた他は同様に操作を行い、目的物を１３１ｇ（９４％）得た（ＸＭＣＣ−５０Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計により検出）による純度は９３．５％、２６ＸＹ残基と３Ｍ６Ｂ残基を分子中に持つスチルベン系エポキシ化合物は８０．５％であった。このものの融点は４５℃、エポキシ当量は２２６ｇ／ｅｑ、溶融粘度は１５０℃で０．２ポイズであった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる吸収１２６０、９２０ｃｍ−１の吸収を有することが確認された。
【００５０】
（５）    エポキシの合成−６
参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりに実施例３（３）で得られた再結晶品を３８．８ｇ用いた他は同様に操作を行い、淡黄色の粘稠液状物を５０．２ｇ（９５％）得た。ＬＣによる２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持つスチルベン系エポキシ化合物の純度は９４．２％であった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる吸収１２６０、９１０ｃｍ−１の吸収を有することが確認された。
0003621996.tif 000005
【００５１】
実施例４
（１）１，１−ビス（ヒドロキシフェニル）−２−クロロエタン誘導体の合成−６
参考例１（１）の場合で２６ＸＹ２４４．４ｇ（２．０ｍｏｌ）の代わりに２６ＸＹ９１．７ｇ（０．７５ｍｏｌ）と３Ｍ６Ｂ１６４．３ｇ（１．２５ｍｏｌ）を用いた他は同様に操作を行い、淡紫結晶を３１５ｇ（８８．０％）得た（ＸＭＣＥ−６２．５とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９４．４％、赤外吸収スペクトルにより３４５０と３５５０ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３４６、３８９、３０４のフラグメントが観察できた。
【００５２】
（２）スチルベン系ビスフェノールの合成−６
参考例１（２）の場合で、ＸＹＣＥの代わりに上記（１）で得られたＸＭＣＥ−６２．５を１２１．１ｇを用いて同様に実験を行い、淡褐色結晶１０３ｇ（９４．７％）を得た（ＸＭＳＢ−６２．５とする）。ＧＰＣ（２５４ｎｍの紫外線により検出）による純度は９２．０％、赤外吸収スペクトルにより３５００ｃｍ−１付近に水酸基による幅広い吸収が確認された。また、質量分析スペクトルにより、分子量３１０、２６８、３５２のフラグメントが観察できた。
【００５３】
（３）エポキシの合成−７
参考例１（３）の場合でＸＹＳＢの代わりに実施例４（２）で得られたＸＭＳＢ−６２．５を８０．３ｇ用いた他は同様に操作を行い、目的物を９５．２ｇ（８７．９％）得た（ＸＭＣＣ−６２．５Ｅとする）。ＧＰＣ（示差屈折率計により検出）による純度は８５．８％、２６ＸＹと３Ｍ６Ｂを分子中に持つスチルベン系エポキシ化合物は７１．０％であった。このものの融点は１０５〜１２５℃、エポキシ当量は２３０ｇ／ｅｑ、また、溶融粘度は１５０℃で０．４ポイズであった。赤外吸収スペクトル測定の結果、フェノール性水酸基による吸収は消失し、エポキシによる吸収１２６０、９１５ｃｍ−１の吸収を有することが確認された。
【００５４】
実施例５、溶媒に対するエポキシ樹脂の溶解度試験
実施例１、２、３、４または参考例１、２で得られたエポキシ樹脂（それぞれＸＭＣＣ−２０Ｅ、ＸＭＣＣ−３０Ｅ、ＸＭＣＣ−５０Ｅ、ＸＭＣＣ−６２．５Ｅ、ＸＭＣＣ−１００Ｅ、ＸＹＣＣ−Ｅ）２０重量部にメチルイソブチルケトン８０重量部を加え、８０℃に加熱した時の溶解度を調べた。また、参考例１と２で得られたエポキシ樹脂をそれぞれ１０重量部ずつをメチルイソブチルケトン８０重量部に加えて同様に溶解度を調べた。
結果を表１に示す。溶解した場合には○、溶解しなかった場合には×の記号で示した。また、それぞれの樹脂の融点も併記した。
【００５５】
【表１】
0003621996.tif 000006
【００５６】
【発明の効果】
本発明の互いに異なるアリール基を持つスチルベン系エポキシ化合物またはそれをを含むエポキシ樹脂混合物は、互いに等しいアリール基を持つスチルベン系エポキシ樹脂またはそれを含むエポキシ樹脂混合物と比較して低融点である。このためこれらの樹脂等は、従来品に比べ作業性や成形性が改善され、これらを用いて成形加工を行う場合、製品化工程の時間短縮等、経済性や生産性の面で優れる。また、本発明のエポキシ樹脂等を用いると従来のものに比べ応用範囲も広がる。本発明のエポキシ樹脂等の融点はアリール基の置換基を変えることによって大きく変化させることができ、例えば１５０℃から室温で液状のものまで幅広い対応が可能であり、目的や用途に応じて柔軟に対応することができる。また、本発明のエポキシ樹脂等は、従来のものと比べ溶剤への溶解度も向上しており、ワニスや塗料といった用途にも対応できる。この様に本発明のエポキシ樹脂等は、接着、塗料、絶縁材料や積層板等の電気電子材料、特に電子部品の封止用として有用である。