(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダマシンプロセスを用いて形成され、配線層中に複数のスリットダミーが離間配設された配線層構造において、
配線層の配線幅をＷとし、
該配線層に想定された最大許容配線抵抗率変化により指定される基準最大配線幅をＷｍａｘとし、
距離Ｒを前記基準最大配線幅Ｗｍａｘの半分の値、すなわち、Ｒ＝Ｗｍａｘ／２とし、及び、前記配線幅Ｗが、前記基準最大配線幅Ｗｍａｘより大きいとき、複数の前記スリットダミーは、互いに隣接する２つのスリットダミー間の間隔Ｌが、０＜Ｌ＜２Ｒを満たす関係で、配設され、前記スリットダミーは、前記配線層の延在する長手方向に沿って、スリットダミー列として、列方向に等しい配列ピッチＳで、かつ、二列以上並列に配列されていて、互いに隣接する一方の列のスリットダミーは、他方の列のスリットダミーとは、前記配列ピッチの二分の一の距離だけ位置をずらして配設され、及び、一つ又は二つの前記スリットダミー列は、前記配線層の端縁に設けられていて、
前記基準最大配線幅Ｗｍａｘは、実験により得られた下記の２つの近似式（１）及び（２）とから導出した配線幅とシート抵抗変化との関係式（３）と、
３〜１０％の範囲内で設定された、該配線層に想定する設計配線抵抗に対して最大に許容できる前記最大許容配線抵抗の変化率と
から決定していることを特徴とする配線層構造。
近似式（１）：ΔＲ≒ＨＷ／（ＨＷ−ＷＤ／２）−１
近似式（２）：Ｄ≒７０ｌｎＷ
関係式（３）：Ｗｍａｘ≒ｅｘｐ（ＨΔＲ／３５（ΔＲ＋１））
但し、ΔＲは配線層のシート抵抗変化率（％）
Ｈは配線層の厚み（高さ）
Ｄは凹み量（ディッシング：Ｄｉｓｈｉｎｇ）
とする。
【請求項２】
ダマシンプロセスを用いて形成され、配線層中に複数のスリットダミーが離間配設された配線層構造において、
配線層の配線幅をＷとし、
該配線層に想定された最大許容配線抵抗率変化により指定される基準最大配線幅をＷｍａｘとし、
距離Ｒを前記基準最大配線幅Ｗｍａｘの半分の値、すなわち、Ｒ＝Ｗｍａｘ／２とし、及び、前記配線幅Ｗが、前記基準最大配線幅Ｗｍａｘより大きいとき、複数の前記スリットダミーは、互いに隣接する２つのスリットダミー間の間隔Ｌが、０＜Ｌ＜２Ｒを満たす関係で、配設され、前記スリットダミーは、前記配線層の延在する長手方向に沿って、スリットダミー列として、列方向に等しい配列ピッチＳで、かつ、二列以上並列に配列されていて、互いに隣接する一方の列のスリットダミーは、他方の列のスリットダミーとは、前記配列ピッチの二分の一の距離だけ位置をずらして配設され、前記配列ピッチＳをＳ＝√３Ｒとし、及び、隣り合うスリットダミー列間の距離を３Ｗｍａｘ／４とし、
前記基準最大配線幅Ｗｍａｘは、実験により得られた下記の２つの近似式（１）及び（２）とから導出した配線幅とシート抵抗変化との関係式（３）と、
３〜１０％の範囲内で設定された、該配線層に想定する設計配線抵抗に対して最大に許容できる前記最大許容配線抵抗の変化率と
から決定していることを特徴とする配線層構造。
近似式（１）：ΔＲ≒ＨＷ／（ＨＷ−ＷＤ／２）−１
近似式（２）：Ｄ≒７０ｌｎＷ
関係式（３）：Ｗｍａｘ≒ｅｘｐ（ＨΔＲ／３５（ΔＲ＋１））
但し、ΔＲは配線層のシート抵抗変化率（％）
Ｈは配線層の厚み（高さ）
Ｄは凹み量（ディッシング：Ｄｉｓｈｉｎｇ）
とする。
【請求項３】
ダマシンプロセスを用いて形成され、配線層中に複数のスリットダミーが離間配設された配線層構造において、
配線層の配線幅をＷとし、
該配線層に想定された最大許容配線抵抗率変化により指定される基準最大配線幅をＷｍａｘとし、
距離Ｒを前記基準最大配線幅Ｗｍａｘの半分の値、すなわち、Ｒ＝Ｗｍａｘ／２とし、及び、前記配線幅Ｗが、前記基準最大配線幅Ｗｍａｘより大きいとき、複数の前記スリットダミーは、互いに隣接する２つのスリットダミー間の間隔Ｌが、０＜Ｌ＜２Ｒを満たす関係で、配設され、前記スリットダミーは、前記配線層の延在する長手方向に沿って、スリットダミー列として、列方向に等しい配列ピッチＳで、かつ、二列以上並列に配列されていて、互いに隣接する一方の列のスリットダミーは、他方の列のスリットダミーとは、前記配列ピッチの二分の一の距離だけ位置をずらして配設され、前記間隔Ｌを前記基準最大配線幅Ｗｍａｘの８５％の値とし、隣り合うスリットダミー列間の距離を３Ｗｍａｘ／４とし、
前記基準最大配線幅Ｗｍａｘは、実験により得られた下記の２つの近似式（１）及び（２）とから導出した配線幅とシート抵抗変化との関係式（３）と、
３〜１０％の範囲内で設定された、該配線層に想定する設計配線抵抗に対して最大に許容できる前記最大許容配線抵抗の変化率と
から決定していることを特徴とする配線層構造。
近似式（１）：ΔＲ≒ＨＷ／（ＨＷ−ＷＤ／２）−１
近似式（２）：Ｄ≒７０ｌｎＷ
関係式（３）：Ｗｍａｘ≒ｅｘｐ（ＨΔＲ／３５（ΔＲ＋１））
但し、ΔＲは配線層のシート抵抗変化率（％）
Ｈは配線層の厚み（高さ）
Ｄは凹み量（ディッシング：Ｄｉｓｈｉｎｇ）
とする。
【請求項４】
ダマシンプロセスを用いて形成され、配線層中に複数のスリットダミーが離間配設された配線層構造において、
配線層の配線幅をＷとし、
該配線層に想定された最大許容配線抵抗率変化により指定される基準最大配線幅をＷｍａｘとし、
距離Ｒを前記基準最大配線幅Ｗｍａｘの半分の値、すなわち、Ｒ＝Ｗｍａｘ／２とし、及び、前記配線幅Ｗが、前記基準最大配線幅Ｗｍａｘより大きいとき、複数の前記スリットダミーは、互いに隣接する２つのスリットダミー間の間隔Ｌが、０＜Ｌ＜２Ｒを満たす関係で、配設され、前記基準最大幅Ｗｍａｘを、越えている配線幅部分に対応する配線層部分の平面的な面積を増分配線面積とするとき、該増分配線面積の単位面積あたりの、前記スリットダミーの占有面積を１５〜３０％の範囲としてあり、
前記基準最大配線幅Ｗｍａｘは、実験により得られた下記の２つの近似式（１）及び（２）とから導出した配線幅とシート抵抗変化との関係式（３）と、
３〜１０％の範囲内で設定された、該配線層に想定する設計配線抵抗に対して最大に許容できる前記最大許容配線抵抗の変化率と
から決定していることを特徴とする配線層構造。
近似式（１）：ΔＲ≒ＨＷ／（ＨＷ−ＷＤ／２）−１
近似式（２）：Ｄ≒７０ｌｎＷ
関係式（３）：Ｗｍａｘ≒ｅｘｐ（ＨΔＲ／３５（ΔＲ＋１））
但し、ΔＲは配線層のシート抵抗変化率（％）
Ｈは配線層の厚み（高さ）
Ｄは凹み量（ディッシング：Ｄｉｓｈｉｎｇ）
とする。
【請求項５】
請求項４に記載の配線層構造において、
前記スリットダミーは、前記配線層の延在する長手方向に沿って、スリットダミー列として一列に等しい配列ピッチＳで配列されていることを特徴とする配線層構造。
【請求項６】
請求項４に記載の配線層構造において、
前記スリットダミーは、前記配線層の延在する長手方向に沿って、スリットダミー列として、列方向に等しい配列ピッチＳで、かつ、二列以上並列に配列されていて、互いに隣接する一方の列のスリットダミーは、他方の列のスリットダミーとは、前記配列ピッチの二分の一の距離だけ位置をずらして配設されていることを特徴とする配線層構造。
【請求項７】
請求項３に記載の配線層構造において、
前記配列ピッチＳをＳ＝√３Ｒとし、隣り合うスリットダミー列間の距離を３Ｗｍａｘ／４とすることを特徴とする配線層構造。
【請求項８】
請求項２、３、６及び７のいずれか１項に記載の配線層構造において、
一つ又は二つの前記スリットダミー列は、前記配線層の端縁に設けられていることを特徴とする配線層構造。
【請求項９】
配線層中に、複数のスリットダミーが離間配設された配線層構造をダマシンプロセスを用いて形成する方法において、
配線幅Ｗの、形成すべき配線層に３〜１０％の範囲内で最大許容配線抵抗の変化率を想定し、
実験により得られた下記の２つの近似式（１）及び（２）とから導出した配線幅とシート抵抗変化との関係式（３）を求め、
該配線層に想定する設計配線抵抗に対して最大に許容できる前記最大許容配線抵抗の変化率を設定することにより、
前記関係式（３）から求められる配線幅を前記基準最大配線幅Ｗｍａｘと決定し、
前記配線幅Ｗが、前記基準最大配線幅Ｗｍａｘより大きい場合に、前記配線層に複数のスリットダミーを設けることを特徴とする配線層構造の形成方法。
近似式（１）：ΔＲ≒ＨＷ／（ＨＷ−ＷＤ／２）−１
近似式（２）：Ｄ≒７０ｌｎＷ
関係式（３）：Ｗｍａｘ≒ｅｘｐ（ＨΔＲ／３５（ΔＲ＋１））
但し、ΔＲは配線層のシート抵抗変化率（％）
Ｈは配線層の厚み（高さ）
Ｄは凹み量（ディッシング：Ｄｉｓｈｉｎｇ）
とする。
【請求項１０】
請求項９に記載の配線層構造の形成方法において、距離ＲをＲ＝Ｗｍａｘ／２とし、複数の前記スリットダミーを、互いに隣接する２つのスリットダミーが距離Ｌ（但し０＜Ｌ≦２Ｒ）だけ離間するようにして設けることを特徴とする配線層構造の形成方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の配線層構造の形成方法において、複数の前記スリットダミーを前記配線層の延在する長手方向に沿って、一列に等しい配列ピッチＳでスリットダミー列として配列して設けることを特徴とする配線層構造の形成方法。
【請求項１２】
請求項９又は１０に記載の配線層構造の形成方法において、複数の前記スリットダミーを前記配線層の延在する長手方向に沿って、二列以上並列に、等しい配列ピッチＳで、スリットダミー列として配列して設けることを特徴とする配線層構造の形成方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか一項に記載の配線層構造の形成方法において、前記スリットダミーを、前記基準最大配線幅Ｗｍａｘの８５％の値の間隔で配列し、隣り合うスリットダミー列間の距離は、３Ｗｍａｘ／４として設けることを特徴とする配線層構造の形成方法。
【請求項１４】
請求項９〜１２のいずれか一項に記載の配線層構造の形成方法において、前記基準最大配線幅Ｗｍａｘを越える配線幅部分に対応する配線層部分の平面的な面積を増分面積とするとき、該増分配線面積の単位面積当たりの、前記スリットダミーの占有面積を１５〜３０％の範囲とするように、前記スリットダミーを配設することを特徴とする配線層構造の形成方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の配線層構造の形成方法において、前記スリットダミーの占有面積を１５〜３０％の範囲とした基本スリットダミーパターンを用意し、該基本スリットダミーパターンを配列して、スリットダミーを設けることを特徴とする配線層構造の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、配線層構造、及びその形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置では、素子の高集積度に伴い、配線間隔が非常に狭まってきている。また、配線自体もより細く、長くなっている。その結果、素子のスピードが配線遅延で律則されるようになり、この配線遅延を少なくする手段として、銅配線が用いられるようになってきた。銅を用いることにより、アルミニウム等の配線に比べ、低抵抗で信頼性の高い配線が可能になる。
【０００３】
この銅配線を形成するのに用いられるのが、酸化膜内部に配線溝を形成し配線材料を埋め込み、溝上部の不要配線膜を化学的機械研磨等により取り除き配線する「ダマシンプロセス」と呼ばれる技術である。銅は、アルミニウム等に比べエッチング加工が難しいが、ＣＶＤ法（化学気相成長法）や埋め込みのためのメッキ法で厚膜を形成するのが、比較的容易であるので、ダマシン法による配線形成が、非常に有効である。
【０００４】
従来のダマシンプロセスによる層配線形成工程の概略を図１０（Ａ）〜（Ｄ）に示す。
【０００５】
半導体基板２０２上に、配線溝加工時のストッパー窒化膜２０４及び酸化膜２０６を形成し（図１０（Ａ））、その酸化膜２０６に配線溝２０８ａ、２０８ｂを形成する（図１０（Ｂ））。銅配線用のバリアメタルを形成後、銅膜２１０を成膜し配線溝を銅で埋め込む（図１０（Ｃ））。その後、銅膜上部を化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等の技術を用いて除去し、配線溝内のみに銅膜を残し銅配線とする（図１０（Ｄ））。
【０００６】
このようなダマシン法による配線形成において、ＣＭＰによる不要配線膜除去時に配線幅に応じて配線膜厚が減少するという問題がある。
【０００７】
図１０（Ｄ）に示すように、化学機械研磨後の配線幅方向断面には、ディッシング２１２と呼ばれる皿状の凹みが発生する。この凹みの最も深い位置の深さを凹み量Ｄとすると、凹み量Ｄは、銅配線層２１０ａのように配線幅Ｗ（配線短辺方向に沿う方向）が広くなるほど顕著となり、大きい値をとるようになることが知られている。
【０００８】
この典型的な例として、銅配線における配線幅Ｗと配線のシート抵抗変化率Ｑの関係の実験データを図２に示す。図２では、配線高さ５００ｎｍの場合の配線幅Ｗ［μｍ］（横軸）とシート抵抗変化率ΔＲ［％］（縦軸）の関係をグラフに表している。このグラフによれば、配線幅Ｗが２μｍ程度ならば、ΔＲは５〜６％であるが、Ｗが１０μｍ程度となると、ΔＲは２０％程度となり、Ｗが２０μｍ程度となると、ΔＲが２５％以上となることがわかる。このように、幅が広い配線では設計段階で期待した以上の配線抵抗が問題となってくる。
【０００９】
この問題に対し、
１．配線幅の最大幅基準を設ける。
２．一定配線幅以上の配線に対して、スリットダミーを設ける。
等の手法が用いられている。
【００１０】
このスリットダミーとは、配線層領域内に、ＣＭＰによるディッシングを防ぐために設ける配線材料と異なる材質で形成される領域である。一般には、図１０（Ｂ）に示した配線溝を形成する工程で形成され、配線溝の形成領域をパターニングする段階で、配線領域内に同時にパターニングすることで、エッチング加工する絶縁膜と同じ材料で構成される。
【００１１】
図１１は、従来のスリットダミーを挿入した配線層の概略図を示している。
【００１２】
銅配線層２２２は、底部を窒化膜２１８、側面を酸化膜２１６によって領域を区切られており、この銅配線層２２２内にスリットダミー２１４が挿入されている。スリットダミー２１４は、高さは配線高さと同一に形成される。しかし、配線幅方向の大きさＤｗおよび配線の延在する長手方向の大きさＤｄには、明確な基準はなく、適宜決定して設けられている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように配線幅の最大幅に基準を設ける、或いは一定配線幅以上の配線に対して、スリットダミーを導入すると、全体として必要配線幅の増大を招く。この必要配線幅の増大を最小限にするために、効率的な最大配線幅決定方法及びスリットダミーの配置基準が必要である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
そこで、この出願に係る発明者は、抵抗のばらつきを低減し、かつ、配線面積を最小にとどめる方法を鋭意研究し、最大許容配線抵抗率変化をもとに、基準最大配線幅及びスリットダミーの配置基準を決めて形成された配線層構造により、信頼性が高く、配線幅の増大を抑えた配線層構造を提供できることを見いだした。
【００１５】
この発明の配線層構造は、ダマシンプロセスを用いて形成され、配線層中に複数のスリットダミーが離間配設されている。
【００１６】
この配線層の配線幅をＷとすると、配線層に想定された最大許容配線抵抗により指定される基準最大配線幅をＷｍａｘとする。距離Ｒは、基準最大配線幅Ｗｍａｘの半分の値、すなわち、Ｒ＝Ｗｍａｘ／２とし、スリットダミーの配列パターンを決めるさいに用いる。配線幅Ｗが、基準最大配線幅Ｗｍａｘ以下の値の場合には、スリットダミーを設置しない。配線幅Ｗが基準最大配線幅Ｗｍａｘより大きいときには、複数のスリットダミーを互いに隣接する２つのスリットダミーの間の間隔Ｌが、０＜Ｌ＜２Ｒを満たす関係で配設されている。スリットダミー間の間隔Ｌは、隣接する２つのスリットダミーの互いに最も近い端縁間の距離である。ここで、隣接する２つのスリットダミーとは、複数配設されるスリットダミーのうち、間隔Ｌがもっとも短い関係にあるものを指す。このとき、実験により得られた下記の近似式（１）及び（２）とから導出した配線幅とシート抵抗変化との関係式（３）を求め、３〜１０％の範囲内で設定された、この配線層に想定する設計配線抵抗に対して最大に許容できる前記最大許容配線抵抗の変化率を設定することにより、近似式（３）から求められる配線幅を基準最大配線幅Ｗｍａｘと決定する。
近似式（１）：ΔＲ≒ＨＷ／（ＨＷ−ＷＤ／２）−１
近似式（２）：Ｄ≒７０ｌｎＷ
関係式（３）：Ｗｍａｘ≒ｅｘｐ（ＨΔＲ／３５（ΔＲ＋１））
但し、ΔＲは配線層のシート抵抗変化率（％）
Ｈは配線層の厚み（高さ）
Ｄは凹み量（ディッシング：Ｄｉｓｈｉｎｇ）
とする。
【００１７】
この発明による配線層構造によれば、スリットダミー或いは配線端縁（配線層端縁ともなる）からの距離が、常に基準最大配線幅Ｗｍａｘ以内に抑えられているため、ディッシングの影響を受けにくい。また、効率的にスリットダミーを配置してあるので、想定配線抵抗に対する配線幅の増大を最低限に抑えている。
【００１８】
ここで、上述したスリットダミーは、配線層の延在する長手方向に沿って、スリットダミー列として、一列に等しい配列ピッチＳで配列されても良い。配列ピッチＳは、隣接する２つのスリットダミーの中心間の距離である。
【００１９】
一列に配置されることにより、形成時のパターニングが容易になり、かつ、配線層に対して、より効率的に挿入することが出来る。
【００２０】
また、このスリットダミー列は、二列以上並列に配列され、互いに隣接する一方の列のスリットダミーは、他方の列のスリットダミーとは配列ピッチＳの二分の一の距離だけ配線層の延在する長手方向沿って位置をずらして配設されても良い。
【００２１】
配線幅が広い場合、上述のように、配線の延在する長手方向にスリットダミー列を配置することで、複数のスリットダミー列を効率的に配置できる。
【００２２】
これらの複数のスリットダミー列のうち、１つ又は２つのスリットダミー列が、配線層の端縁に設けられていても良い。
【００２３】
スリットダミーの配線幅方向の高さが、設計時に決まる最小加工寸法Ｗｍｉｎ（加工できる最小の寸法）より小さくなる場合でも、配線層の端縁に設けることで、スリットダミーを挿入することができる。
【００２４】
また、配列ピッチＳは、Ｓ＝√３Ｒとし、隣り合うスリットダミー列間の距離を３Ｗｍａｘ／４としても良い（ここで、√３は３の平方根の値を示す。以下同様に用いる。）。
【００２５】
さらに、間隔Ｌは、基準最大配線幅Ｗｍａｘの８５％の値をとり、隣り合うスリットダミー列間の距離を３Ｗｍａｘ／４としても良い。間隔Ｌを基準最大配線幅Ｗｍａｘの８５％の値とすることで、シート抵抗変化の変動を抑え、かつ、ダミー占有面積を小さくすることができる。
【００２６】
配線幅Ｗが基準最大配線幅Ｗｍａｘを越えている配線幅部分に対する配線層部分の平面的な面積を増分配線面積とするとき、この増分配線面積の単位面積あたりのスリットダミーの占有面積を、１５〜３０％としても良い。
【００２７】
上述のように、スリットダミーの占有面積を、固定することにより、設計時に配線層内に入るスリットダミーの量がわかる。これにより、設計時に想定した配線抵抗に非常に近い配線が可能になる。
【００２８】
次に、この発明における配線層構造の形成方法によれば、複数のスリットダミーが離間配設された配線層構造をダマシンプロセスによって形成する方法において、配線幅Ｗの、形成すべき配線層に３〜１０％の範囲内で最大許容配線抵抗の変化率を想定し、この想定した最大許容配線抵抗に基づいて基準最大配線幅Ｗｍａｘを指定し、配線幅Ｗがこの基準最大配線幅Ｗｍａｘよりも大きい場合に、配線層に複数のスリットダミーを設ける。
【００２９】
このとき、実験により得られた下記の近似式（１）及び（２）とから導出した配線幅とシート抵抗変化との関係式（３）を求め、この配線層に想定する設計配線抵抗に対して最大に許容できる前記最大許容配線抵抗の変化率を設定することにより、近似式（３）から求められる配線幅を前記基準最大配線幅と決定する。
【００３０】
近似式（１）：ΔＲ≒ＨＷ／（ＨＷ−ＷＤ／２）−１
近似式（２）：Ｄ≒７０ｌｎＷ
関係式（３）：Ｗｍａｘ≒ｅｘｐ（ＨΔＲ／３５（ΔＲ＋１））
但し、ΔＲは配線層のシート抵抗変化率（％）
Ｈは配線層の厚み（高さ）
Ｄは凹み量（ディッシング：Ｄｉｓｈｉｎｇ）
とする。
【００３１】
この発明による配線層構造の形成方法によれば、スリットダミー或いは配線端縁からの距離が、常に基準最大配線幅Ｗｍａｘ以内に抑えられるため、配線層用の導電層に対しＣＭＰ処理を行っても、ディッシングを受けにくい。また、効率的にスリットダミーを配置できるので、想定配線抵抗に対する配線幅の増大を最低限に抑えて配線層構造を形成できる。
【００３２】
ここで、距離ＲをＲ＝Ｗｍａｘ／２とし、複数のスリットダミーを、互いに隣接する２つのスリットダミーが距離Ｌ（但し０＜Ｌ＜２Ｒ）だけ離間するようにして設けて形成しても良い。
【００３３】
また、複数のスリットダミーを配線層の延在する長手方向に沿って、一列に等しい配列ピッチＳでスリットダミー列として配列して設けて形成しても良く、同様に二列以上並列に、等しい配列ピッチＳで、スリットダミー列として配列して形成しても良い。
【００３４】
ここで、スリットダミーは、基準最大配線幅Ｗｍａｘの８５％の値の間隔Ｌで配列し、隣り合うスリットダミー列間の距離を３Ｗｍａｘ／４としても良い。
【００３５】
基準最大配線幅Ｗｍａｘを越える配線幅部分に対応する配線層部分の平面的な面積を増分配線面積として、この増分配線面積の単位面積当たりの、スリットダミーの占有面積を１５〜３０％の範囲とするように、スリットダミーを配設して形成しても良い。
【００３６】
スリットダミーの占有面積を１５〜３０％の範囲とした基本スリットダミーパターンを用意し、この基本スリットダミーパターンを配列して、スリットダミーを設けて配線層構造を形成することもできる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。なお、図中、各構成成分の寸法、形状及び配置関係は、この発明が理解できる程度に概略的に示してあるにすぎない。また、以下に述べる既成成分の形状、使用材料、膜厚などの数値的条件は、この発明の範囲内の一例にすぎない。また、各図において、同様の構成成分については、同一の番号を付し、その重複する説明を省略することもある。また、断面を表すハッチング等については、一部省略して示している。
【００３８】
尚、配線層用の導電層としては、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）その他の金属や合金等を用いることが出来るが、以下の説明では、一例として、銅を用いた配線層構造について説明する。
【００３９】
［第１の実施の形態］
図１〜図６を参照して、この発明の第１の実施の形態を説明する。
【００４０】
図３に示したように、配線幅方向のディッシングの開始点を結ぶ直線を底辺とし、ディッシングの最大凹み量の点を頂点とする二等辺三角形（破線図示）のように、ディッシングの断面形状を近似直線Ａ１、Ａ２のように直線的に扱うことにより、シート抵抗変化率ΔＲ、配線幅Ｗ、配線高さＨ及び凹み量Ｄには、以下のような近似式（１）が成り立つことを見いだした。
【００４１】
ΔＲ≒ＨＷ／（ＨＷ−ＷＤ／２）−１
∴  Ｄ＝２ＨΔＲ／（ΔＲ＋１）  ・・・  （１）
ここに、配線高さＨ及び凹み量Ｄはｎｍ単位の値、配線幅Ｗはμｍの値である。
【００４２】
式（１）と図２で示した配線のシート抵抗上昇率ΔＲから、配線高さ５００ｎｍの場合の凹み量Ｄが求められる。
【００４３】
図４は配線幅Ｗとシート抵抗変化率ΔＲ及び凹み量Ｄの関係（配線高さ５００ｎｍの場合）を示している。横軸は、配線幅Ｗの自然対数値を、縦軸は、シート抵抗変化率ΔＲ（左側（単位：％））と、凹み量Ｄ（右側（単位：ｎｍ））とを表している。
【００４４】
図４のグラフより、配線幅Ｗの自然対数値と凹み量Ｄが直線関係にあることから、以下の近似式（２）が得られる。
【００４５】
Ｄ≒７０ｌｎＷ  ・・・  （２）
ここに、Ｄはｎｍ単位の値、Ｗはμｍ単位の値である。
【００４６】
一般的に、配線抵抗の変動は、３〜１０％程度で管理される。ここでは、最も一般的な５％をΔＲの変動の最大値として想定し、この規定された最大許容配線抵抗の範囲内で配線のシート抵抗を管理するように設定した（ΔＲ＝０．０５）。この時の基準最大配線幅Ｗｍａｘは、所望の配線高さＨが決定されれば、式（１）及び式（２）より導出される。
【００４７】
７０ｌｎ（Ｗｍａｘ）＝２Ｈ×０．０５／１．０５
∴  Ｗｍａｘ＝ｅｘｐ（Ｈ／７３５）・・・（３）
ここに、Ｗｍａｘはμｍの値、Ｈはｎｍの値である。
【００４８】
このダマシン法で形成される配線は、式（３）の関係を満たすように
１．配線幅Ｗを制限
２．スリットダミーを形成
する必要がある。
【００４９】
上記式（３）によって基準最大配線幅Ｗｍａｘが決定し、所望の配線幅ＷがＷｍａｘを超える場合、スリットダミーを挿入する必要がある。
【００５０】
例えば、配線高さＨ＝３００ｎｍを要求された場合の基準最大配線幅Ｗｍａｘは、式（３）より、
Ｗｍａｘ（Ｈ＝３００ｎｍ）＝ｅｘｐ（３００／７３５）＝１．５μｍ
である。従って、最大配線幅は１．５μｍであり、それ以上の配線幅を有する場合には、スリットダミーを導入する必要がある。
【００５１】
スリットダミーは、必要最小限の設置個数で配線に対して均一に配置されることが望ましい。
【００５２】
そこで、図６に示すようなパラメータ、すなわち配線幅Ｗと、基準最大配線幅Ｗｍａｘとを用い、配線端縁（短辺方向の両端縁）又はスリットダミー端部から基準最大配線幅Ｗｍａｘの１／２の距離Ｒ以内に全ての配線領域が含まれるようにスリットダミーを配置することを考える（図６（Ａ））。
【００５３】
この時のスリットダミーの形状は、１辺を最小加工寸法Ｗｍｉｎ（設計時に決まる加工できる最小寸法）とした、正方形とし、１辺が、配線層の延在する長手方向に平行になるように配置している。
【００５４】
まず、配線幅Ｗの中央の位置に、すなわち長手方向に延在する中心線上に、スリットダミー１０６ａ、１０６ｂを離間して設置する。この２つのスリットダミー１０６ａ、１０６ｂ間の間隔をＬとする。
【００５５】
スリットダミー１０６ａ、１０６ｂの向かい合う壁面の中点をＭ１、Ｍ２とすると、この２つの点からＲの距離にある点すなわちＭ１、Ｍ２を中心とする半径Ｒの２つの円の交点をＢ１、Ｂ２とする。このＢ１、Ｂ２からＲの距離だけ、配線幅方向に配線端縁側へ離れた点をＣ１、Ｃ２とする。この二つの点Ｃ１、Ｃ２を結んだ線上に、配線端縁に近いスリットダミー１０６ｃ、１０６ｄをそれぞれ配置する。このとき、点Ｃ１、Ｃ２はスリットダミー１０６ｃ、１０６ｄの互いに対向する側面の長さの中点になるようにする。
【００５６】
この配置パターンによって、配線幅Ｗと間隔Ｌを変化させることにより、図６（Ｂ）〜図６（Ｄ）のような位置関係でスリットダミーの配置を考える。
【００５７】
間隔Ｌが小さく、点Ｃ１、Ｃ２が酸化膜１０２の領域に入ってしまう場合及び、配線端縁上にある場合には、スリットダミー１０６ａ、１０６ｂのみを配置する（図６（Ｂ））。
【００５８】
配線端縁に設置されるスリットダミー１０６ｃ、１０６ｄが酸化膜１０２と配線層１０４にまたがって配置される場合には、配線端縁と点Ｃ１及びＣ２との距離Ｄｈが、スリットダミー１０６ｃ、１０６ｄの配線幅方向の大きさとなる（図６（Ｃ））。
【００５９】
スリットダミー１０６ｃ、１０６ｄが配線端縁と接する場合（図６（Ｄ））及び、配線端縁から配線幅中央方向に離れて配置される場合（図６（Ｅ））には、上述の基準で一辺の長さがＷｍｉｎの正方形のスリットダミー１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ及び１０６ｄを配置する。
【００６０】
図５は、基準最大配線幅Ｗｍａｘ＝２［μｍ］（Ｒ＝１［μｍ］）、スリットダミー寸法Ｗｍｉｎ＝０．２［μｍ］とした場合のスリットダミー間隔Ｌ（＝αＲ）（横軸（単位：μｍ）とダミー占有面積比率Ｑ（縦軸（単位：％））の関係を示している。但し、αは後述する、Ｒへの変換ファクタである。
【００６１】
ダミー占有面積比率Ｑは、単位面積Ｓｐあたりのスリットダミーの合計面積Ｓｄを単位面積で割った値である。
【００６２】
ここで、単位面積の値は、最小加工寸法Ｗｍｉｎを含めずにＳ＝Ｌとしても、単位面積の増減の傾向に大きな差はないと考えられる。よって、単位面積Ｓｐは、スリットダミーの幅を誤差範囲として無視できるものと考え、スリットダミー間の間隔Ｌと配線幅Ｗの積により求めている。これにより求められたダミー占有面積比率は、配線層全体に占めるダミー占有面積比率と同じになる。
【００６３】
配線幅Ｗ＝３．６μｍの場合を例にとると、
スリットダミー間の間隔Ｌによって、スリットダミーの合計面積Ｓｄが変化する。それぞれの場合の単位面積Ｓｐに存在するスリットダミー合計面積Ｓｄは、以下のように求められる。
【００６４】
（ａ）０．２＜Ｌ≦１．２の場合：スリットダミーは１個。Ｓｄ＝Ｗｍｉｎ×Ｗｍｉｎ
（ｂ）１．２＜Ｌ＜１．６の場合：配線幅方向の長さが変化する配線端部のスリットダミー２個とスリットダミー１個。Ｓｄ＝Ｗｍｉｎ×Ｗｍｉｎ＋Ｗｍｉｎ×Ｄｈ×２
（ｃ）１．６≦Ｌ≦２．０の場合：スリットダミー３個。Ｓｄ＝Ｗｍｉｎ×Ｗｍｉｎ×３
このようにして求めたＳｄを単位面積Ｓｐで割ることにより、ダミー占有面積比率Ｑが算出される。
【００６５】
Ｑ＝Ｓｄ／Ｓｐ
配線幅Ｗが２．１μｍから４．２μｍまで（０．１μｍごと）について、スリットダミー間の間隔Ｌを０．２μｍから２．０μｍまで変化させて、同様の計算を行い、ダミー占有面積比率Ｑを算出し、各間隔Ｌが同じ場合の各配線幅Ｗに対するダミー占有面積比率Ｑの平均値をグラフに示している。縦軸は求めた平均値のダミー占有面積比率Ｑ、横軸はスリットダミー間の間隔ＬをαＲ（αは正の実数）と表した場合のαの値を示す。
【００６６】
この図５に示すαとダミー占有面積比率Ｑの関係から、α＝√３すなわち、スリットダミー間の間隔Ｌを√３Ｒ（Ｗｍａｘの８５％程度の値）でスリットダミーを配列することで、スリットダミーの占有比率を最小、すなわちＱ＝１．３％程度にできることがわかる。
【００６７】
スリットダミーの配線の長手方向に沿う方向の長さをＤｄとすると、ダミー配列ピッチＳとスリットダミー間の間隔Ｌ（＜Ｓ）とから、Ｄｄ＝（Ｓ−Ｌ）で与えられるので、ＳはＤｄ＜Ｓ≦２Ｒ＋Ｄｄとなる。従って、（Ｓ−Ｌ）＜Ｓ≦２Ｒ＋Ｄｄと表せる。
【００６８】
ところで、スリットダミーの配列パターンを決める場合に、ダミー配列ピッチＳとスリットダミー間の間隔Ｌとを、同値と考えてもさほど支障がない。従って、以下の配置基準を考える際には、ダミー配列ピッチＳを用いて説明している。
【００６９】
以上のことから、配線幅Ｗによるスリットダミーの設置基準の決定手順を考えると、以下のようになる。
【００７０】
手順１：シート抵抗変化率から基準最大配線幅Ｗｍａｘの導出
手順２：スリットダミーの配列ピッチＳの決定
ダミー配列ピッチＳ＝√３Ｗｍａｘ／２
手順３：スリットダミー配置基準の決定
以下の図１（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、この決定手順につき、順次説明する。
【００７１】
手順１で決定した基準最大配線幅Ｗｍａｘと配線幅Ｗの比較によって場合分けを行い、配列ピッチＳで配線層の延在する長手方向にスリットダミーを配置する。
【００７２】
ここで、図６の配置基準より、スリットダミー１０６間の間隔Ｌすなわち配列ピッチＳ＝√３Ｗｍａｘ／２の時、隣り合うスリットダミー列間の距離Ｄｐは、３Ｗｍａｘ／４になる。
【００７３】
以下のような配線幅Ｗの値による場合分けに基づいて、スリットダミー１０６の配列を決定する。
【００７４】
（ａ）Ｗ≦Ｗｍａｘの場合：スリットダミーを挿入しない（図１（Ａ））。
【００７５】
（ｂ）Ｗｍａｘ＜Ｗ≦３Ｗｍａｘ／２の場合：配線幅中央線Ｏ上に、スリットダミー列として一列に等しい配列ピッチＳ（Ｓ＝√３Ｗｍａｘ／２）でスリットダミー１０６を挿入する（図１（Ｂ））。
【００７６】
（ｃ）３Ｗｍａｘ／２＜Ｗ≦９Ｗｍａｘ／４の場合：配線中央線Ｏから等距離（３Ｗｍａｘ／８）にある平行な直線（スリットダミー列中央線）をＯ１、Ｏ２とし、このスリットダミー列中央線Ｏ１、Ｏ２上に２本のスリットダミー列を平行に配置し、一方の列のスリットダミーは他方の列のスリットダミーとは、配列ピッチＳの二分の一の距離だけずらして配設する（図１（Ｃ））。
【００７７】
（ｄ）９Ｗｍａｘ／４＜Ｗ≦３Ｗｍａｘの場合：スリットダミー列は３列平行に配置し、１列を配線幅中央線Ｏ上に、他の２列を配線中央線Ｏから３Ｗｍａｘ／４の距離にある直線（スリットダミー列中央線）Ｏ３、Ｏ４上に配設する。一方の列のスリットダミーは、隣の列のスリットダミーとは、配列ピッチＳの二分の一の距離だけずらして配設する（図１（Ｄ））。
【００７８】
以降、４列以上のスリットダミー列を設ける場合には、配線幅Ｗによって以下のようにスリットダミーを配置する。
【００７９】
ｎをｎ≧４を満たす自然数とすると、まず、３ｎＷｍａｘ／４＜Ｗ≦３（ｎ＋１）Ｗｍａｘ／４で場合分けを行う。
【００８０】
ｎが偶数の時、ｎ列のスリットダミーを配置し、そのうちの２列を、図１（Ｃ）と同様に、配線幅中央線Ｏから３Ｗｍａｘ／８の距離に配置し、残りのスリットダミー列を、隣のスリットダミー列との距離が３Ｗｍａｘ／４になるように配置する。
【００８１】
ｎが奇数の時、ｎ列のスリットダミー列を配置し、図１（Ｄ）の場合と同様に、配線幅中央線Ｏ上にスリットダミーを１列配置し、隣のスリットダミー列との距離が３Ｗｍａｘ／４になるように、残りのスリットダミー列を配置する。
【００８２】
上記いずれの場合にも、隣り合うスリットダミー列の一方の列のスリットダミーと他方の列のスリットダミーは、配列ピッチＳの二分の一の距離だけずらして配設される。
【００８３】
このような手順によって、配線幅Ｗに合わせてスリットダミー列を導入する基準が決定できる。
【００８４】
ここで示した配列パターンでスリットダミーを導入すると、配線端部及びスリットダミー端部から１／２Ｗｍａｘの領域に全ての配線層領域が含まれる。
【００８５】
以上説明したように、この発明の第１の実施の形態によれば、最小加工寸法Ｗｍｉｎのスリットダミーを配線高さＨから規定された基準最大配線幅Ｗｍａｘを基準に定めた配列ピッチＳ（Ｓ＝√３Ｗｍａｘ／２）で二次元的に配列することにより、配線面積の減少を最小限に抑えられる。また、スリットダミーを設けてあることにより、ＣＭＰ処理の結果生ずる、ディッシング量も小さく、そのため配線シート抵抗のバラツキを低減することが出来るので、信頼性の高い配線層構造を提供できる。
【００８６】
［第２の実施の形態］
図７は第１の実施の形態の基準でスリットダミーを配置した場合のスリットダミー占有面積比率Ｑ（縦軸（単位：％））と配線幅Ｗ（横軸（単位：μｍ））の関係を表している。このように、第１の実施の形態の基準では、配線幅Ｗに対してスリットダミー占有面積比率Ｑが配線幅Ｗに対して一定でないので、設計時に想定した配線抵抗に対して、誤差が生じる。
【００８７】
また、図７に示す結果によれば、配線幅２〜１０μｍに対するスリットダミー占有面積比率Ｑが、０．７％〜１．６％と小さいため、配線幅Ｗが広い場合（例えば配線幅Ｗが１００μｍ以上の場合）や、配線が密集した場合（例えば配線幅１０μｍの配線が０．５μｍ間隔で１００μｍ巾で複数配置された場合）、スリットダミーがＣＭＰ時に削られ、銅配線のディッシングを抑制出来なくなる可能性が高い。
【００８８】
そこで、第２の実施の形態では、配線層内に挿入するスリットダミー占有面積比率Ｑの変化を抑え、配線幅Ｗが広い場合でもスリットダミーがＣＭＰによって削られないために、スリットダミー占有面積率Ｑを１５〜３０％にして、設計時の想定配線抵抗に非常に近い配線を提供する。
【００８９】
以下図８を参照して配線幅Ｗが、基準最大幅Ｗｍａｘを越えている場合、このＷｍａｘの３／４の値より越えた増加幅（Ｗ−３Ｗｍａｘ／４）に対応する配線領域の増加領域の単位面積を考え、この単位面積に対するスリットダミーの全面積の占有率をスリットダミー占有面積比率Ｑ’とした場合について説明する。
【００９０】
第１の実施の形態と同様に、基準最大配線幅Ｗｍａｘを決定する。
【００９１】
配線幅Ｗの値により、以下のようなＷｍａｘを用いた場合分けを行って、スリットダミー１０６の配列パターンを決定する。Ｗｍｉｎは、加工できるスリットダミーの最小寸法幅であり、基本的には、この値をスリットダミーの配線幅方向の長さＤｗとする（図８）。
【００９２】
基本的なスリットダミー１０６の配置パターンは、まず、配線幅中央線Ｏ上にスリットダミー列を配置したと仮定する。配線層の両側の配線端部１１０から中央線側へと３Ｗｍａｘ／８（合計３Ｗｍａｘ／４）の領域を除いた中央側領域を増加領域１０８として決定する。
【００９３】
次に、算出手順を簡便にするために、上述したように配線幅Ｗに応じて変化するこの増加領域１０８に対して２０％のスリットダミーが導入されるように配置パターンを決定する。
【００９４】
以下に具体的な場合分けを説明する。
【００９５】
第２の実施の形態では、配列ピッチＳを用いて増加領域の単位面積を算出し、スリットダミー間の間隔Ｌを近似値として用いない。
【００９６】
（ａ）Ｗ≦Ｗｍａｘの場合：スリットダミーを挿入しない（図８（Ａ））。但し、配線幅Ｗが基準最大配線幅Ｗｍａｘ以下の場合でも、複数の配線を隣接させる際には、配線密度が８０％になるように配線を設計する。これにより、ディッシングを防ぐことが出来る。
【００９７】
（ｂ）Ｗｍａｘ＜Ｗ≦３Ｗｍａｘ／４＋Ｗｍｉｎの場合：まず、スリットダミーの配線長方向の長さをＤｄとし、かつ、配線幅方向の長さをＤｗとする。そして、Ｄｄを０．２×√３Ｗｍａｘ／２とする。増加領域１０８の単位面積あたり２０％の占有率のスリットダミーを導入するので、スリットダミーの配線幅方向の長さＤｗが、最小加工寸法Ｗｍｉｎよりも小さくなる。そのため、配線幅方向の中央にスリットダミー列を配置しても、目的の大きさに加工できないため、２０％の面積にするために必要な配線幅方向の長さＤｗの二分の一の幅をもち、配線長方向の長さＤｄが０．２×√３Ｗｍａｘ／２のスリットダミー２つに分割し配線層の端縁に配置する。但し、Ｗｍｉｎ＜１／４Ｗｍａｘの場合には、Ｗ＜Ｗｍａｘとなるので、スリットダミーを設置しなくて良い（図８（Ｂ））。
【００９８】
以下、説明する配列例の場合には、スリットダミーの配線幅方向の長さＤｗは、すべて最小加工寸法Ｗｍｉｎとする。また、配列ピッチＳもすべて√３Ｗｍａｘ／２とする。
【００９９】
（ｃ）Ｗ＝３Ｗｍａｘ／４＋Ｗｍｉｎの場合：配線長方向の長さＤｄを（０．２×√３Ｗｍａｘ）／２とするスリットダミーを、配線幅中央線上に１列設置する（図８（Ｃ））。
【０１００】
（ｄ）３Ｗｍａｘ／４＋Ｗｍｉｎ＜Ｗ≦３Ｗｍａｘ／４＋４Ｗｍｉｎの場合：配線長方向の長さＤｄを｛√３Ｗｍａｘ×（Ｗ−３Ｗｍａｘ／４）×０．２｝／Ｗｍｉｎとするスリットダミーを配線幅中央線上に１列設置する（図８（Ｄ））。
【０１０１】
Ｗ＝３Ｗｍａｘ／４＋４Ｗｍｉｎ：このとき、スリットダミーの配線長方向の長さＤｄが０．８×√３Ｗｍａｘ／２となり、配列ピッチＳの８０％に達する。これ以上長くなるとスリットダミーによって配線が分断される可能性があるため、Ｄｄが配列ピッチＳの８０％に達した時点で、スリットダミーを配線長方向の長さＤｄが二分の一の２つのスリットダミーに分割し、二列のスリットダミー列にする。２つのスリットダミー列の一方のスリットダミーは、他方の列のスリットダミーとは、配列ピッチＳの二分の一の長さだけずらして配置する（図８（Ｅ））。
【０１０２】
以降、２ｋ列（ｋはｋ≧２を満たす自然数）以上の場合には、以下のようにスリットダミーを配列する。
【０１０３】
Ｗ＝３Ｗｍａｘ／４＋２(k+1)Ｗｍｉｎ（ｋは自然数）に達するごとに、上述の手順（ｄ）と同様の方法１列あたりのスリットダミー列を２列に分割し、スリットダミー列数を２k列にして配置することで、増加面積の２０％に対して、スリットダミーを導入する。
【０１０４】
以上のスリットダミーの配列方法により、配線層に対して近似的に２０％の占有面積のスリットダミーを導入できるため、配線幅Ｗが大きい配線に対してもディッシングをおさえられ、かつ、配線層内のスリットダミーの比率があまり変動しないため、設計時の想定配線抵抗に近い配線が可能になる。
【０１０５】
［第３の実施の形態］
第２の実施の形態では、すでに設計してレイアウトした配線に対して、配線幅をチェックし、スリットダミーを挿入する基準例を説明した。
【０１０６】
この方法では、配線幅Ｗが、基準最大配線幅Ｗｍａｘを越えている場合、このＷｍａｘの３／４の値より越えた増加幅（Ｗ−３Ｗｍａｘ／４）に対応する配線領域の増加領域の単位面積を考え、この単位面積に対するスリットダミーの全面積の占有率をスリットダミー占有面積比率Ｑ’としている。このため、スリットダミー占有面積比率Ｑ’を保つために、配線幅Ｗに応じて様々なスリットダミーを発生させなければならず、処理に時間がかかる。
【０１０７】
そこで、第３の実施の形態では、基準最大配線幅Ｗｍａｘ以上の配線幅の配線をレイアウトする場合、スリットダミーの占有面積を２０％にした基本スリットダミーパターンを用意し、この基本スリットダミーパターンに合わせた配線幅で配線をレイアウトする。
【０１０８】
この場合、配線幅Ｗが基本スリットダミーパターンの幅で決定されるため、配線幅の自由度が多少失われるが、スリットダミー挿入の工数的効率は、大幅に向上する。
【０１０９】
その例を図９に示す。基本スリットダミーパターンの幅は、可能な限り狭い方が設計の自由度が高くなる。図９の例では、幅を３Ｗｍｉｎとし、配線幅方向及び配線の延在する長手方向の中心に占有面積比率２０％で幅Ｗｍｉｎのスリットダミー１１４を配置した基本スリットダミーパターン１１２を用いている（図９（Ａ））。配線幅Ｗが１２Ｗｍｉｎの場合、まず、この基本スリットダミーパターン１１２を配線長方向に一列に配置する。これを基本スリットダミーパターン列とする。この基本スリットダミーパターン列を配線幅Ｗ方向に４列密着させて配置する。このとき、２つの基本スリットダミーパターン列の一方の基本スリットダミーパターンの位置は、配線の延在する長手方向の長さの二分の一の距離だけずらした位置に配列する。（図９（Ｂ））。
【０１１０】
配線幅が基本スリットダミーパターンの幅のｎ倍（ｎは任意の自然数）の場合には、図９（Ｂ）（ｎ＝４の場合）と同様に、ｎ列の基本スリットダミーパターン列を配置し、隣接する一方の列の基本スリットダミーパターンは、他方の基本スリットダミーパターンとは、基本スリットダミーパターンの配線長方向の長さすなわち配列ピッチＳの二分の一の距離だけずらして配置する。
【０１１１】
また、この配線領域の端縁部では、この基本スリットダミーパターンが配線領域の端縁境界を越える場合には、スリットダミーを挿入しない。
【０１１２】
このようにスリットダミーを配列すると、基本スリットダミーパターンによって規則的にスリットダミーの導入された、銅配線層構造を形成できる（図９（Ｃ））。
【０１１３】
第３の実施の形態によれば、基本スリットダミーパターンを用いてスリットダミーの配置を決定することにより、配線密度を一定に保ち、かつ、配線幅に対するスリットダミーサイズの決定等の工数が無くなるため、レイアウト効率が大幅に向上する。
【０１１４】
ここでは、多くの場合ダマシン法で配線形成される銅配線について述べてきた。しかしながら、同様の手順を用いて他の金属（例えばアルミニウム、タングステン等）についても、最大基準配線幅Ｗｍａｘを設定して配線層構造を形成することが可能である。
【０１１５】
【発明の効果】
上述した実施の形態例からも明らかなように、この発明の配線層構造によれば、ＣＭＰによるディッシングをおさえ、配線抵抗のばらつきを低減できるため、信頼性の高い配線構造を提供できる。
【０１１６】
また、基準最大配線幅Ｗｍａｘを設け、それを越える配線幅Ｗの場合に効率的にスリットダミーを挿入したことにより、配線面積の増大を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、第１の実施の形態でのスリットダミーの配列パターンである。
【図２】ダマシン法で形成した銅配線の配線幅Ｗとシート抵抗変化率の関係を表すグラフである。
【図３】ディッシングを受けた配線層の断面図である。
【図４】配線幅Ｗとシート抵抗変化率Ｑ及び凹み量Ｄの関係を表すグラフである。
【図５】スリットダミー間隔Ｌとスリットダミー占有面積比率Ｑの関係を表すグラフである。
【図６】（Ａ）〜（Ｅ）は、スリットダミーの配列パターンのパラメータを表す図である。
【図７】第１の実施の形態での基準で配置したスリットダミー占有面積比率Ｑと配線幅Ｗの関係を表すグラフである。
【図８】（Ａ）〜（Ｅ）は、第２の実施の形態でのスリットダミーの配列パターンを表す図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｃ）は、第３の実施の形態の説明図である。
【図１０】従来のダマシン法による配線形成の工程図である。
【図１１】スリットダミーを挿入した配線層の概略図である。
【符号の説明】
１００：銅配線層
１０２：酸化膜
１０４：銅配線層
１０６：スリットダミー
１０７：配線の延在する長手方向
１０８：増加領域
１１０：配線端部
１１２：基本スリットダミーパターン
１１４：スリットダミー
１１６：酸化膜
１１８：銅配線層
２０２：半導体基板
２０４：ストッパー窒化膜
２０６：酸化膜
２０８ａ、２０８ｂ：配線溝
２１０：銅膜（バリアメタルを含む）
２１０ａ、２１０ｂ：銅配線層
２１２：ディッシング
２１４：スリットダミー
２１６：酸化膜
２１８：窒化膜
２２０：配線の延在する長手方向
２２２：銅配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0003614412.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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