(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にオーミック用金属膜を形成しかつ前記オーミック用金属膜上に障壁金属膜を形成する段階と、前記障壁金属膜をアニーリングして前記オーミックコンタクト用金属膜と前記半導体基板との界面でシリサイド膜を形成させコンタクト抵抗を低める段階と、前記アニーリング段階とインサイチュで連続して酸素アニーリングを実施する段階とを備えることを特徴とする半導体装置の障壁金属膜の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に窒化チタンからなる障壁金属膜を形成する段階と、前記障壁金属膜を窒素雰囲気でアニーリングしてチタンと窒素原子の比率を１:１に近く調節することで窒化チタンからなる前記障壁金属膜の膜質自体を緻密に形成する段階と、前記アニーリング段階とインサイチュで連続して酸素アニーリングを実施する段階とを備えることを特徴とする半導体装置の障壁金属膜の製造方法。
【請求項３】
前記アニーリング段階は窒素雰囲気で実施することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の障壁金属膜の製造方法。
【請求項４】
前記酸素アニーリング段階により前記障壁金属膜と前記半導体基板との間の導電性を維持しつつ前記障壁金属膜の表面に拡散防止特性を有する酸化膜を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の障壁金属膜の製造方法。
【請求項５】
前記酸素アニーリング段階における酸素供給時間は５ないし２０分であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の障壁金属膜の製造方法。
【請求項６】
前記アニーリング段階及び前記酸素アニーリング段階はバッチ型のファーネスで実施することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の障壁金属膜の製造方法。
【請求項７】
前記酸素のフロー率は１００ｓｃｃｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の障壁金属膜の製造方法。
【請求項８】
前記障壁金属膜は窒化チタン膜で形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の障壁金属膜の製造方法。
【請求項９】
半導体基板上に形成された不純物領域を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホール内にオーミック用金属膜を形成しかつ前記オーミック用金属膜上に障壁金属膜を形成する段階と、前記障壁金属膜をアニーリングして前記オーミックコンタクト用金属膜と前記半導体基板との界面でシリサイド膜を形成させコンタクト抵抗を低める段階と、前記アニーリング段階とインサイチュで連続して酸素アニーリングを実施する段階と、前記酸素アニーリング処理された障壁金属膜上に配線膜を形成する段階とを備えることを特徴とする半導体装置金属配線膜の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板上に形成された不純物領域を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホール内に窒化チタンからなる障壁金属膜を形成する段階と、前記障壁金属膜を窒素雰囲気でアニーリングしてチタンと窒素原子の比率を１:１に近く調節することで窒化チタンからなる前記障壁金属膜の膜質自体を緻密に形成する段階と、前記アニーリング段階とインサイチュで連続して酸素アニーリングを実施する段階と、前記酸素アニーリング処理された障壁金属膜上に配線膜を形成する段階とを備えることを特徴とする半導体装置金属配線膜の製造方法。
【請求項１１】
前記障壁金属膜を形成する段階前に、前記コンタクトホール内にオーミックコンタクト用金属膜を形成する段階をさらに備えることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の半導体装置金属配線膜の製造方法。
【請求項１２】
前記障壁金属膜は窒化チタン膜で、前記配線膜はアルミニウム膜で形成することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の半導体装置金属配線膜の製造方法。
【請求項１３】
前記アニーリング段階は窒素雰囲気で実施することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の半導体装置金属配線膜の製造方法。
【請求項１４】
前記酸素アニーリング段階により前記障壁金属膜と前記半導体基板との間の導電性を維持しつつ前記障壁金属膜の表面に拡散防止特性を有する酸化膜を形成することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の半導体装置金属配線膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体装置の障壁金属膜の製造方法及びこれを用いた金属配線膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高集積回路の半導体装置は半導体基板上に多様な物質を用いて形成した多様な回路パターンでなされる。このような回路パターンは不純物がドーピングされたシリコン(Ｓｉ)のような導電性半導体物質またはアルミニウム(Ａｌ)、白金(Ｐｔ)、銅(Ｃｕ)及びタングステン(Ｗ)などのような金属配線物質から構成される。多様な物質で形成された回路パターンは、コンタクトホールなどを通じ相互電気的に連結され回路を構成する。
【０００３】
この時、相異なる構成物質でなされた回路パターン間のコンタクト界面を安定化させるためには相異なる構成物質の相互拡散や化学反応を抑制する役割をする障壁金属膜の存在が必須である。一般的に障壁金属膜は窒化チタン膜(ＴｉＮ)、窒化タンタル膜(ＴａＮ)、窒化チタンシリサイド膜(ＴｉＳｉＮ)または窒化タンタルシリサイド膜(ＴａＳｉＮ）等から構成される。障壁金属膜の特性としては高い導電性の維持、安定的な拡散防止機能の維持及び熱的な安全性などが要求される。
【０００４】
ところが障壁金属膜形成工程の特性上障壁金属膜内には複数個の欠陥(defect)や微小亀裂(micro crack）が発生する傾向がある。したがって障壁金属膜上に形成された配線膜を構成する物質が障壁金属膜の欠陥や微小亀裂に拡散され入り込み、半導体基板まで拡散され接合スパイク(junction spike)を形成する。このような接合スパイクによりコンタクトの電気的特性が劣化され接合漏れ電流レベル(junction leakage current level）が高まって製品の収率及び素子の信頼性を低下させる問題点が発生する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が果たそうとする技術的課題は拡散防止機能が増大された障壁金属膜の製造方法を提供することである。
本発明が果たそうとする他の技術的課題は前記障壁金属膜の製造方法を用いた金属配線膜の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を達成するための本発明にともなう障壁金属膜の製造方法によれば、まず半導体基板上に障壁金属膜を形成する。次に、前記障壁金属膜をアニーリングした後、前記アニーリング段階とインサイチュで連続して酸素アニーリングを実施する。
【０００７】
前記他の技術的課題を達成するための本発明にともなう金属配線膜の製造方法によれば、まず半導体基板上に形成された不純物領域を露出させるコンタクトホールを形成した後、前記コンタクトホール内に障壁金属膜を形成する。続いて前記障壁金属膜をアニーリングした後、前記アニーリング段階とインサイチュで連続して酸素アニーリングを実施する。最後に前記酸素アニーリング処理された障壁金属膜上に配線膜を形成し金属配線膜を完成する。
【０００８】
本発明によれば、前記アニーリング段階は窒素雰囲気で実施することが望ましい。
そして、前記酸素アニーリング段階は障壁金属膜が有するコンタクト抵抗を半導体素子で許容される限度以上に増やさなく、障壁金属膜の表面に拡散防止特性を有する酸化膜を形成するに適した時間酸素を供給することによって進行することが望ましい。
【０００９】
一方、前記アニーリング段階及び前記酸素アニーリング段階はバッチ型のファーネスで実施し、前記酸素アニーリング段階は前記ファーネス内にローディングされた位置に関係なく酸素アニーリングが均一に生じうるフロー率（フローレート）で前記酸素を供給することが望ましい。
本発明において、前記障壁金属膜は窒化チタン膜、前記配線膜はアルミニウム膜で形成し、前記障壁金属膜形成段階前にオーミックコンタクト用金属膜、例えばチタン膜をさらに形成することが望ましい。
【００１０】
本発明に伴って、障壁金属膜及び配線膜を形成すれば、障壁金属膜表面に拡散防止機能を遂行する非晶質状態の酸化膜が形成され配線物質が障壁金属膜内に拡散され接合スパイクを発生させることを防止できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下添付した図面を参照して本発明の望ましい実施の形態を説明することによって本発明を詳細に説明する。しかし本発明は以下で開示される実施の形態に限定されることでなく相異なる多様な形態で具現されることであり、単に本実施の形態は本発明の開示が完全なるようにし、通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されることである。添付された図面で多様な膜と領域の厚さは明瞭性のために強調されている。またある一つの膜が他の膜または基板上に存在することと指称される時、他の膜または基板の真上にある場合もあり、層間膜が存在する場合もある。図面で同一参照符号は同一部材を示す。
【００１２】
本発明の一実施の形態に伴って、障壁金属膜及び金属配線膜を形成する工程を図１ないし図５を参照して説明する。
図１を参照すれば、まず半導体基板１００上に形成された絶縁膜１１０を部分的に蝕刻し半導体基板１００の活性領域(図示せず)を露出させるコンタクトホール１２０を形成する。
【００１３】
図２を参考にすれば、コンタクトホール１２０が形成された結果物上にコンタクト抵抗を低めるためのオーミックコンタクト用金属膜１３０をスパッタリング方法を用いて形成する。オーミックコンタクト用金属膜１３０としてチタン(Ｔｉ)膜が主に使われる。
引続きインサイチュ(in situ)でオーミックコンタクト用金属膜１３０上に障壁金属膜１４０をスパッタリング方法を用いて形成する。障壁金属膜１４０は窒化チタン膜または窒化チタンシリサイド膜を使用して形成することが望ましい。
【００１４】
次に、図３及び図４のグラフに示されているように障壁金属膜１４０をアニーリングして障壁金属膜１４０の障壁特性を向上させる。
アニーリング工程を図３及び図４を参照して説明すれば、まずオーミックコンタクト用金属膜１３０及び障壁金属膜１４０が形成された図２の結果物をバッチ式の垂直型ファーネス(図示せず)にローディングする。ローディングに所要される時間はｔ１である。バッチ式の垂直型ファーネスでアニーリングを遂行する理由は枚葉式チャンバで進行することより生産性が向上されるためである。
【００１５】
次にｔ２時間中ファーネス内を安定化させた後、ｔ３時間中障壁金属膜１４０をアニーリングする。アニーリングは窒素雰囲気で実施することが望ましい。アニーリングの目的はオーミックコンタクト用金属膜１３０と半導体基板１００との界面でシリサイド膜を形成させコンタクト抵抗を低めるためのことである。アニーリングはまた障壁金属膜１４０の障壁特性を向上させるために実施する。例えば障壁金属膜１４０として窒化チタン膜を形成した場合、窒化チタン膜を窒素雰囲気でアニーリングすればチタンと窒素原子の比率を１:１に近く調節でき窒化チタン膜の膜質自体を緻密に形成することができ、窒化チタン膜の表面に熱窒化処理された窒化チタン薄膜が形成され障壁特性を向上させることもできる。
【００１６】
ｔ３時間アニーリングを進行した後、続けてファーネス内でｔ４時間中酸素ガスをフローさせ酸素アニーリングを実施する。酸素アニーリングを実施する理由は障壁金属膜１４０の表面に酸化膜を形成させるためのことである。障壁金属膜１４０の表面に形成された酸化膜は障壁金属膜の欠陥や微小亀裂で配線物質が拡散されることを防止する。
【００１７】
アニーリング中、終始、酸素ガスをフローさせるのでなくｔ３時間中は窒素雰囲気におけるアニーリングのみ進行し、その後にｔ４時間中のみ酸素アニーリングを実施する理由は次の通りである。アニーリング工程始終酸素ガスを供給する場合には、障壁金属膜１４０または障壁金属膜１４０下部のオーミックコンタクト用金属膜１３０大部分が酸化され不導体の特性を示すようになりシリコン基板内の不純物領域との間でコンタクト抵抗が増えて素子自体を使用出来なくなる。したがってアニーリング初期には酸素ガスを供給せずにアニーリングを実施し、一定時間が経過すれば酸素ガスを供給し始め酸素アニーリングを実施する。酸素ガスの供給時間ｔ４は障壁金属膜が有するコンタクト抵抗を半導体素子で許容される限度以上に増やすことなく、かつ、障壁金属膜の表面に充分な酸素を供給し配線物質の拡散を防止できる酸化膜を形成することができるような範囲内に設定する。
【００１８】
障壁金属膜１４０として窒化チタン膜を形成する場合、酸素ガスを供給して酸素アニーリングを実施する時間ｔ４は５〜２０分が望ましい。この時、酸素ガスのフロー率（フローレート）は１００ｓｃｃｍ以上になるようにしてファーネス内にローディングされた位置に関係なく酸素アニーリングが均一に起きるようにすることが望ましい。
【００１９】
続いてアニーリングを中断した後、半導体基板をファーネス内にｔ５時間置いた次にアンローディングする。アンローディングに所要される時間はｔ６である。すなわち、本発明にともなうアニーリング時間はｔ３+ｔ４+ｔ５になり、実際酸素が供給される時間はｔ４であり、ｔ４は障壁金属膜内に配線物質が拡散されることを遮断することに充分な酸化膜を形成できる時間であって、コンタクト抵抗を高めない範囲内で設定されるべきである。
【００２０】
最後に、図５に示されているように前記酸素アニーリング処理された障壁金属膜の上部に配線膜１６０を形成する。配線膜１６０はアルミニウム(Ａｌ)、白金(Ｐｔ)、銅(Ｃｕ)及びタングステン(Ｗ)などのような金属配線物質を蒸着して形成する。
本発明に伴って酸素アニーリング処理により障壁金属膜を形成すれば、障壁金属膜内の欠陥や微小亀裂内に酸素が充填され薄い酸化膜が形成されるために障壁金属膜上に形成された配線膜を構成する物質が障壁金属膜内の欠陥や微小亀裂内に拡散され結局には接合スパイクを発生させる問題点を効果的に防止できる。
【００２１】
本発明は下記の実験例を参考にさらに詳細に説明され、この実験例が本発明を制限することではない。
以下の実験例ではオーミックコンタクト用金属膜としてはチタン膜を、障壁金属膜としてはチタン窒化膜を形成し、障壁金属膜に対し多様な条件で酸素アニーリングを実施した後、反射率測定、Ｘ線回折(X- Ray  Diffrac tion:XRD)測定、オージェ電子分光学(Auger Electron Spectroscopy:  ＡＥＳ)による成分分析、ＴＥＭ(Transmission Electron Microscopy)写真撮影及び漏れ電流測定などを実施して酸素アニーリングが障壁金属膜、すなわちチタン窒化膜の特性におよぶ影響を評価した。
【００２２】
<実験例１:アニーリング処理>
複数個の半導体基板をＨＢ溶液とＨＦ溶液の混合溶液に前処理した後、半導体基板上にスパッタリング方法でチタン膜と窒化チタン膜を各々３００オングストローム及び９００オングストローム厚さで形成した。各膜の蒸着時のＤＣ電力は各々１２ｋＷ及び１７ｋＷに設定し、窒化チタン膜形成時窒素ガスとアルゴンガスのフロー率（フローレート）は、各々１０ｓｃｃｍ及び１００ｓｃｃｍとした。
次にチタン膜/窒化チタン膜が形成された複数枚の半導体基板を６個の試料グループに分けた後、そのうち５グループの各々はバッチ式の垂直型ファーネスで下表１の条件でアニーリングを実施した。そして残り一グループは対照試料として酸素アニーリングは実施せずに窒素雰囲気におけるアニーリングのみを実施した。アニーリングの間、窒素ガスは１５ｓｌｍ(standard liter per minute）のフローレートでファーネス内に持続的に供給した。全体アニーリング時間はファーネス内に基板をローディングし安定化させた後からアンロディングする前までの時間(図４のｔ３+ｔ４+ｔ５参考)を意味する。
【００２３】
【表１】
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【００２４】
<実験例２:反射率測定>
各試料に対し４８００オングストロームの波長を用いる光プローブを使用して反射率を測定した。いずれの膜も形成していない半導体基板に対する反射率を１００に設定して基準値として使用した。反射率比率(R.I.ratio）はアニーリング処理後の窒化チタン膜に対する反射率をアニーリング処理前の窒化チタン膜に対する反射率で割った値である。測定結果を表２と図６に各々示した。
【００２５】
【表２】
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【００２６】
表２と図６の結果から分かるようにアニーリング処理していない窒化チタン膜の反射率の比が１.８２で最低であった。試料１、４及び５の結果を比較してみれば、酸素フロー時間が増えるほど反射率の比が増えたことが分かる。一方、試料１、２及び３の結果を比較してみれば、酸素フローレートが増えるほど反射率の比も増えたことが分かる。反射率の変化の様子を見れば、酸素フロー率（フローレート）よりも酸素フロー時間が反射率比の変化に及ぶ影響がさらに大きいことが分かる。これは一定時間中、チタン窒化膜との反応に加えられる酸素原子の数は一定であり、一旦ファーネス内の反応チューブ内に酸素が飽和されてしまえば、反応は反応時間に比例して起きるためであることと解釈される。
【００２７】
<実験例３:ＸＲＤ分析>
表１の条件でアニーリング処理された６個の試料に対してＸＲＤを測定してその結果を表３と図７ないし図１２に各々示した。図７ないし図１２は順序通り試料１ないし５及び対照群に対して測定したＸＲＤ分析グラフを示す。
【００２８】
【表３】
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【００２９】
ＸＲＤ分析結果を比較してみれば酸素アニーリング処理をしていない対照試料と酸素アニーリング処理をした試料１ないし５の結果の間には２種の相違点が顕著に現れた。第一、試料１ないし５においてＴｉＮ（１１１）ピークの強度が３８００ないし４１００間である反面、対照試料群ではＴｉＮ（１１１）ピークの強度が８５３９に現れた。すなわち、酸素アニーリング処理をした場合のＴｉＮ（１１１）ピークの強度が酸素アニーリング処理をしていない場合に比べ２倍以上減少した。二つ目には、試料１ないし５においてＴｉ（０１１）ピークの強度が５００ないし８５０間である一方、対照試料群ではＴｉ（０１１）ピークの強度が２７７に現れ、ピークの幅がさらに広く現れた。
【００３０】
酸素アニーリング処理をした試料１ないし５においてＴｉＮ（１１１）ピークが減少する理由は、ＴｉＮと酸素の反応によりＴｉＮ膜の厚さが減少して、この反応物がＸ−Ｒａｙの回折に干渉を起こすためであると分析される。また、図７ないし図１１においてＴｉＮとＴｉ以外のピークは発見されていないことを考えると、ＴｉＮと酸素の反応物は非晶質状態を有するものと類推できる。一方、ＴｉＮ（１１１）の格子定数は全ての試料においてほとんど同一であることを見ると、一定時間アニーリング処理のみすればＴｉＮ（１１１）膜の緻密化はこれ以上進行されないものと解釈される。
【００３１】
したがって、ＸＲＤ分析結果から酸素アニーリングはＴｉＮ膜組織特性には影響を与えないが、酸素とＴｉＮ膜が反応してＴｉｘＮｙＯｚ系列の非晶質膜が形成されると結論づけられる。
【００３２】
<実験例４:ＡＥＳ分析>
表１の条件でアニーリング処理された６個の試料に対してＡＥＳ分析を実施してその結果を表４と図１３ないし図１８に各々示した。この時、チタン膜及びチタン窒化膜を形成する前に半導体基板の表面に熱酸化膜を１０００オングストローム厚さで形成しＡＥＳ分析に適合するように措置した。図１３ないし図１８は順序通り試料１ないし５及び対照試料に対して測定したＡＥＳ成分分析グラフを示す。
【００３３】
【表４】
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【００３４】
前記表４でＣｓはＴｉＮ膜表面における酸素原子の濃度(％)、Ｘｊ１はＣｓ値が１/ｅほど減少した時のスパッタリング時間(分)、Ｘｊ２はＣｓがバルクＴｉＮ膜内の酸素濃度と同一になった時のスパッタリング時間(分)、Ｘｊ３はバルクＴｉＮ膜がＴｉが豊富な状態に変わる時のスパッタリング時間(分)を各々示す。
【００３５】
酸素アニーリング時間及び酸素フローレートに関係なくＣｓ値は全ての試料においてほとんど同一になった。試料１、４、５及び対照試料のＡＥＳ結果を比較すると、酸素フロー時間が増えるほどＸｊ１とＸｊ２が増えることが分かる。また、試料１、２、３及び対照試料のＡＥＳ結果を比較すると、酸素フローレートが増えるほどＸｊ１とＸｊ２もまた増えることが分かる。
【００３６】
したがって、酸素アニーリングによりＴｉＮ膜表面の近くの酸素濃度が増えるということが分かった。例えば対照試料と試料５のＸｊ２を基準に換算すれば、対照試料の場合にはＴｉＮ膜の表面から１００オングストロームになる領域まで酸素が充填される反面、試料５の場合にはＴｉＮ膜表面から１３０オングストロームなる領域まで酸素が充填されることが分かる。したがって従来の窒素雰囲気におけるアニーリング処理のみ行なったＴｉＮ膜に比べ本発明に伴って酸素アニーリング処理をすれば、ＴｉＮ膜の場合酸素分布領域が約３０オングストローム程度さらに拡張されＴｉＮ膜の障壁特性を向上させる。
【００３７】
また、Ｘｊ１とＸｊ２の変化率から見て酸素フローレート(試料１、２、３及び対照試料の結果参考)よりは酸素フロー時間(試料１、４、５及び対照試料の結果参考）が酸素濃度の増加にさらに多くの影響を及ぼすことが分かる。したがって酸素分布深さの調節は酸素フロー時間で調節し、バッチ型のファーネス内においてＴｉＮ膜が形成された基板がローディングされたファーネスの位置に関係なく酸素アニーリングを均一に起こさせるためには酸素フローレートを１００ｓｃｃｍ以上にしてファーネス内が酸素で飽和されるようにすることが望ましい。
【００３８】
<実験例５:漏れ電流測定>
複数個の半導体基板をＨＢ溶液とＨＦ溶液の混合溶液に前処理した後、半導体基板上にスパッタリング方法でチタン膜と窒化チタン膜を各々３００オングストローム及び５００オングストローム厚さで形成した。次に複数個の半導体基板を３グループに分けた後、下表５のように相異なる条件でアニーリングした。
【００３９】
【表５】
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【００４０】
前記表５に設定された条件でアニーリング処理をした後,各半導体基板当８３ケ所に対して金属とP+コンタクト領域間の漏れ電流を測定した.漏れ電流が１０-８Ａ以上である時、素子のペールで計算しその結果を下表６に示した。
【００４１】
【表６】
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【００４２】
前記表６の結果から酸素アニーリング処理をしない場合に比べ酸素アニーリング処理をした場合に漏れ電流発生頻度がはるかに減少することが分かる。また、酸素フロー時間が増えるほど漏れ電流発生頻度が減少することが分かる。
【００４３】
<実験例６:ＴＥＭ(Transmission Electron Microscopy)測定>
酸素アニーリング処理後、表１の試料５に対してＴＥＭ写真を撮影した。
ＴＥＭ写真撮影結果試料５のＴｉＮ膜表面から基板方向にＴｉｘＮｙＯｚ膜として推定される７０オングストローム厚さの非晶質膜が観察された。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、障壁金属膜に対してアニーリングを実施した後、アニーリング処理とインサイチュで続けて酸素アニーリングを実施する。このように酸素アニーリングをアニーリング処理途中に実施すれば金属膜表面の所定深さにのみ非晶質状態の酸化膜が形成され障壁金属膜内部までは酸素が拡散されない。障壁金属膜表面に形成された非晶質状態の酸化膜は障壁金属膜の上部に形成される配線膜に対する拡散防止膜として作用し配線物質が障壁金属膜内に拡散され接合スパイクを発生させることを効果的に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に伴って障壁金属膜を製造する工程を説明するための工程中間段階構造物の断面図である。
【図２】  本発明に伴って障壁金属膜を製造する工程を説明するための工程中間段階構造物の断面図である。
【図３】  本発明に伴って障壁金属膜を製造する工程を説明するための工程中間段階構造物の断面図である。
【図４】  図３に示された酸素(Ｏ２)アニーリング工程進行過程を説明するためのタイミンググラフである。
【図５】  酸素アニーリング処理された障壁金属膜上に配線膜を製造する工程を説明するための構造物の断面図である。
【図６】  酸素フロー時間と酸素フローレートを別の条件にしながら酸素アニーリング工程を進行したチタン膜/窒化チタン膜が形成された試料５個と酸素アニーリング工程を進行していないチタン膜/窒化チタン膜が形成された対照試料に対し測定した反射率指数を示すグラフである。
【図７】  図６で形成した５個の試料に対するＸＲＤ(X- Ray Diffraction)分析グラフである。
【図８】  図６で形成した５個の試料に対するＸＲＤ(X- Ray Diffraction)分析グラフである。
【図９】  図６で形成した５個の試料に対するＸＲＤ(X- Ray Diffraction)分析グラフである。
【図１０】  図６で形成した５個の試料に対するＸＲＤ(X- Ray Diffraction)分析グラフである。
【図１１】  図６で形成した５個の試料に対するＸＲＤ(X- Ray Diffraction)分析グラフである。
【図１２】  図６で形成した対照群に対するＸＲＤ分析グラフである。
【図１３】  図６で形成した５個の試料に対するＡＥＳ(Auger Electron Spectroscopy)成分分析グラフである。
【図１４】  図６で形成した５個の試料に対するＡＥＳ(Auger Electron Spectroscopy)成分分析グラフである。
【図１５】  図６で形成した５個の試料に対するＡＥＳ(Auger Electron Spectroscopy)成分分析グラフである。
【図１６】  図６で形成した５個の試料に対するＡＥＳ(Auger Electron Spectroscopy)成分分析グラフである。
【図１７】  図６で形成した５個の試料に対するＡＥＳ(Auger Electron Spectroscopy)成分分析グラフである。
【図１８】  図６で形成した対照群に対するＡＥＳ成分分析グラフである。
【符号の説明】
１００：半導体基板
１１０：絶縁膜
１３０：オーミックコンタクト用金属膜
１４０：障壁金属膜
１６０：配線膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0003676093.tif 000018
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0003676093.tif 000023
【図１７】
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【図１８】
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