(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装される回路基板と、
前記回路基板を覆うシールド部材と、
からなり、前記回路基板と前記シールド部材とを電気的に接続する高周波シールド構造において、
前記回路基板の表面には、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有する突起が形成されており、
前記突起の上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状とされ、
前記シールド部材には、前記突起に対応して開口部が形成されており、
前記回路基板を前記シールド部材に対して配置したときに、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が、前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触するものであることを特徴とする高周波シールド構造。
【請求項２】
電子部品が実装される回路基板と、
前記回路基板を覆うシールド部材と、
からなり、前記回路基板と前記シールド部材とを電気的に接続する高周波シールド構造において、
前記回路基板の表面には、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有する突起が形成されており、
前記突起の上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状とされ、
前記シールド部材には、前記突起に対応して開口部が形成されており、
前記回路基板を前記シールド部材に対して配置したときに、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が、前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触しつつ、前記突起の先端が前記開口部から上方に突出するものであることを特徴とする高周波シールド構造。
【請求項３】
請求項１又は２に係る高周波シールド構造における回路基板。
【請求項４】
請求項１又は２に係る高周波シールド構造におけるシールド部材。
【請求項５】
請求項１又は２に係る高周波シールド構造を有する液晶表示装置。
【請求項６】
回路基板の表面に、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有し、上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状である突起を形成する第１の過程と、
シールド部材に開口部を形成する第２の過程と、
前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触するように、前記回路基板と前記シールド部材とを配置する第３の過程と、
からなることを特徴とする高周波シールド構造の組立方法。
【請求項７】
回路基板の表面に、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有し、上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状である突起を形成する第１の過程と、
シールド部材に開口部を形成する第２の過程と、
前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触しつつ、前記突起の先端が前記開口部から上方に突出するように、前記回路基板と前記シールド部材とを配置する第３の過程と、
からなることを特徴とする高周波シールド構造の組立方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板とシールド部材との間を電気的に確実に導通させる高周波シールド構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、液晶表示装置その他の装置においては、電源や信号回路からノイズが発生する。従来、このノイズを低減するために、回路（主に、回路基板）からシールド部材に電気的な導通をとり、これにより、グラウンド（ＧＮＤ）レベルを安定させていた。
【０００３】
回路基板とシールド部材との間の接続は、モジュールの構造上、立体的な接続になる。
【０００４】
また、一般に、回路基板とシールド部材とは別工程で実装される。このため、回路基板とシールド部材との間の接続は、回路基板とシールド部材とを実装した後に、行われることになる。
【０００５】
例えば、特公平７−６３１１４号公報には、弾性部材からなるシールド部材を介して回路基板と、この回路基板を覆っている金属カバーとを接続することにより、高周波をシールドする装置が提案されている。
【０００６】
また、特開平９−１３８３８９号公報には、相互に直交する第一の板と第二の板とからなる細長い金属製薄板を介して、回路基板のグランドラインと金属製シールドケースとを半田付けで接続し、ノイズを除去する装置が提案されている。
【０００７】
特開平１０−６２７５６号公報には、金属製シールドケースに、絞り加工により、回路基板に向かって凸状に突出部を形成し、この突出部を介して、金属製シールドケースと回路基板とを接触させる液晶表示装置が提案されている。
【０００８】
特開平７−２４８４８１号公報には、電磁シールドケースの一部をアース端子となるソケットとして形成している液晶表示装置を提案している。このソケットは、対応する駆動回路基板に取り付けられたコネクタ端子に接続される。
【０００９】
また、特開平７−３３３６３８号公報は、プリント基板の電子部品搭載領域及び配線形成領域を被って導電膜が形成された液晶表示装置を提案している。この導電膜の内部には絶縁膜が内包されており、この導電膜により、プリント基板の電子部品搭載領域及び配線形成領域から発生するＥＭＩを防止する。
【００１０】
さらに、回路基板とシールド部材との間の接続方法の他の例として、回路基板上に突起を形成し、この突起とシールド部材とを接触させる方法がある。
【００１１】
図１１は、回路基板とシールド部材との間の従来の接続方法の一例を示す側面図である。
【００１２】
図１１に示すように、回路基板１１０の表面上には円錐形状の突起１１１が形成されており、突起１１１の先端が回路基板１００の上方に配置されているシールド部材１１２に接触している。突起１１１の先端とシールド部材１１２との間は圧力により機械的に接続されるか、あるいは、半田などを用いて金属結合される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
最近では、モジュールの厚さはより薄いものであることが要求されており、また、厚さが薄いモジュールほど製品としての競争力を持っている。モジュールを薄くするため、モジュールを構成する各部材も薄くなってきている。その反面、最終製品の強度（厚さ方向の曲げ応力）が弱くなってきているという問題が生じている。
【００１４】
また、図１１に示したように、突起１１１を介して回路基板１１０とシールド部材１１２とを接続させる構造の場合、外的応力によって、この構造を含む液晶表示装置などの最終製品がわずかでもたわんだりすると、突起１１１とシールド部材１１２との接触箇所において、ルーズコンタクトが発生し、液晶の表示異常を発生させることがある。
【００１５】
このような問題を解決するために、突起１１１にバネ性を持たせ、この突起１１１をシールド部材１１２に接触させる方法が考えられる。この場合、突起１１１を構成するバネは、シールド部材１１２と確実に接触させるため、弾性力が強いものが選定される。
【００１６】
逆に、このために、最終製品の薄型化のために薄く設計されているシールド部材１１２が押し上げられ、最終製品が変形し、設計に対して最終製品の厚さが規定値を超えることがある。
【００１７】
さらに、液晶パネルの場合には、表示面にかかるストレスがセルギャップに影響を及ぼし、干渉縞が発生することがある。
【００１８】
この問題を解決するため、図１１に示した突起１１１を厚み方向（弾性方向）に小さくする方法がある。
【００１９】
しかしながら、この場合には、突起１１１の反発力がより大きくなり、やはり、最終製品の変形を引き起こす原因となる。
【００２０】
また、突起１１１を板バネで構成した場合には、その幅を小さくすると、反発力が弱くなる。反発力が弱くなると、突起１１１とシールド部材１１２との間の接触面積が小さくなり、そのコンタクト抵抗が増加し、ＥＭＩ効果が低減する。
【００２１】
上記の方法はいずれも突起１１１の先端とシールド部材１１２の金属面との間で接触をとる方法である。このため、突起１１１とシールド部材１１２との間の接触は点接触又は線接触となり、最終製品のたわみなどに起因して、接触不良が発生しやすい。
【００２２】
突起１１１とシールド部材１１２との間の接触面積を増やす方法として、単純に突起１１１の使用個数を増やし、あるいは、１つの突起１１１に複数の接触点または線を設ける方法がある。
【００２３】
この方法によれば、突起１１１とシールド部材１１２とが接触しているときは、接触抵抗値は低いが、最終製品のたわみなどによって発生するルーズコンタクトに対する危険度は上記の場合とあまり変わらない。
【００２４】
さらに、図１１に示した突起１１１とシールド部材１１２との接触構造においては、最終製品の裏面において、一番高い部分がシールド部材１１２であるため、最終製品の厚さは突起１１１の高さにより決まることになる。
【００２５】
すなわち、突起１１１の高さをＡ、シールド部材１１２の厚みをＢとすると、最終製品の裏面における高さは（Ａ＋Ｂ）となる。
【００２６】
上述したような接続に関する問題や厚みに関する問題を解決する手段として、突起１１１とシールド部材１１２との半田接続がある。
【００２７】
半田接続は接続の信頼性は高いが、作業工数が増加し、さらに、熱膨張係数の異なる金属間の完全固定により、外的熱変形が発生し、採取製品の破損が発生するという問題を伴う。
【００２８】
また、半田接続以外の金属接続は高温プロセスを必要とするため、熱に弱い部品を使用している最終製品に悪影響を及ぼす。
【００２９】
また、図１１に示したように、突起１１１の先端とシールド部材１１２とを接触させる構造の場合、組立後、接触箇所はシールド部材１１２に隠れてしまうため、突起１１１の先端が実際にシールド部材１１２に接触しているかどうかを確認することができない。
【００３０】
確認を行うには、最終製品（例えば、液晶表示装置）を分解しなければならず、確認終了後に再び組み立てるという作業を必要とする。このように、組立時に突起１１１に変形が発生し、シールド部材１１２と接触していなくても、最終製品を解体せずに、接触または非接触の確認を行うことは不可能である。
【００３１】
以上のように、図１１に示したような突起１１１とシールド部材１１２とを機械的に接続させる構造は次のような問題を有していた。
【００３２】
突起１１１の最高点とシールド部材１１２とを接触させるため、最終製品のたわみなどによって、接触不良が発生する。
【００３３】
この接触不良を改善するために、バネ製の突起を使用すると、シールド部材１１２を押し上げ、最終製品の厚みを増やす方向に変形する。
【００３４】
さらに、突起１１１の先端の上にシールド部材１１２が重なるため、突起１１１の高さＡとシールド部材１１２の厚さＢとの和がモジュール裏側の最大の高さになる。
【００３５】
加えて、突起１１１とシールド部材１１２との接触箇所はシールド部材１１２により覆われているために、最終製品を解体することなく、突起１１１とシールド部材１１２とが接触しているか否かを確認することは困難である。
【００３６】
また、突起１１１とシールド部材１１２との間の接触は点接触であるため、導通抵抗が高く、ＥＭＩ低減の効果が低い。
【００３７】
本発明は、以上のような従来のシールド構造における問題点に鑑みてなされたものであり、回路基板とシールド部材との間の接触不良を起こすことなく、さらに、ＥＭＩ防止性能を低減させることなく、モジュール全体の厚さを低減することができ、かつ、最終製品を組み立てた後においても、回路基板とシールド部材との間の接触状態を容易に確認することができる高周波シールド構造を提供することを目的とする。
【００３８】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明は、電子部品が実装される回路基板と、前記回路基板を覆うシールド部材と、からなり、前記回路基板と前記シールド部材とを電気的に接続する高周波シールド構造において、前記回路基板の表面には、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有する突起が形成されており、前記突起の上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状とされ、前記シールド部材には、前記突起に対応して開口部が形成されており、前記回路基板を前記シールド部材に対して配置したときに、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が、前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触するものであることを特徴とする高周波シールド構造を提供する。
【００３９】
本高周波シールド構造においては、回路基板上に形成されている突起がシールド部材に設けられている開口部に係合する。このため、突起の外側周囲において、突起と開口部とが接触することになる。図１１に示した従来のシールド構造においては、突起１１１とシールド部材１１２との間の接触は点接触にすぎなかったが、本高周波シールド構造によれば、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、突起とシールド部材との間の接触長さを増大させることができ、回路基板とシールド部材との間の接触不良を防止することができる。
【００４０】
また、最終製品の組み立て後においても、シールド部材に設けられた開口部を介して、突起とシールド部材との間の接触状態を確認することができ、突起とシールド部材とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はもはやない。
【００４１】
本発明は、さらに、電子部品が実装される回路基板と、前記回路基板を覆うシールド部材と、からなり、前記回路基板と前記シールド部材とを電気的に接続する高周波シールド構造において、前記回路基板の表面には、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有する突起が形成されており、前記突起の上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状とされ、前記シールド部材には、前記突起に対応して開口部が形成されており、前記回路基板を前記シールド部材に対して配置したときに、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が、前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触しつつ、前記突起の先端が前記開口部から上方に突出するものであることを特徴とする高周波シールド構造を提供する。
【００４２】
本高周波シールド構造においては、回路基板上に形成されている突起がシールド部材に設けられている開口部に係合する。このため、突起の外側周囲において、突起と開口部とが接触することになる。図１１に示した従来のシールド構造においては、突起１１１とシールド部材１１２との間の接触は点接触にすぎなかったが、本高周波シールド構造によれば、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、突起とシールド部材との間の接触長さを増大させることができ、回路基板とシールド部材との間の接触不良を防止することができる。
【００４３】
また、突起の先端が開口部から上方に突出しているので、最終製品の組み立て後においても、突起とシールド部材との間の接触状態を容易に確認することができ、突起とシールド部材とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はもはやない。
【００４４】
さらに、図１１に示した従来のシールド構造においては、最終製品の裏面における高さは（Ａ＋Ｂ）であったが、本高周波シールド構造によれば、シールド部材は突起の先端よりも低位置にあるため、最終製品の裏面における高さはＡとなり、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、最終製品の裏面における高さを低くすることができる。
【００４５】
また、前記突起は、上方に向かって付勢された状態で、前記シールド部材に接触するものとして構成されているとともに、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有するので、突起はシールド部材に対して常に接触している状態を維持することができるとともに、最終製品のたわみなどによりシールド部材が上下方向に変位しても、シールド部材の変位に追従して突起も上下方向に揺動し、シールド部材との接触状態を維持することができる。
【００４６】
以上のような高周波シールド構造は各種装置に用いることができ、例えば、液晶表示装置に応用することができる。
【００４７】
本発明は、さらに、回路基板の表面に、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有し、上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状である突起を形成する第１の過程と、シールド部材に開口部を形成する第２の過程と、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触するように、前記回路基板と前記シールド部材とを配置する第３の過程と、からなることを特徴とする高周波シールド構造の組立方法を提供する。
【００４８】
本発明は、さらに、回路基板の表面に、バネ性材料からなり、パンタグラフの形状を有し、上部の外形形状は、下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状である突起を形成する第１の過程と、シールド部材に開口部を形成する第２の過程と、前記突起が上方に向かって付勢された状態で、前記突起の上部外面が前記シールド部材の前記開口部の内周に対し線接触しつつ、前記突起の先端が前記開口部から上方に突出するように、前記回路基板と前記シールド部材とを配置する第３の過程と、からなることを特徴とする高周波シールド構造の組立方法を提供する。
【００４９】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明の実施形態に係る高周波シールド構造について説明する前に、第一の参考例に係る高周波シールド構造について説明する。
【００５０】
図１は、第一の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図であり、図２は、図１に示した高周波シールド構造の斜視図である。
【００５１】
第一の参考例に係る高周波シールド構造は、電子部品が実装される回路基板１０と、回路基板１０を覆うように配置されているシールド部材１１とからなる。
【００５２】
回路基板１０の表面には、導電性材料からなる円錐形状の突起１２が形成されており、シールド部材１１には、突起１２に対応して開口部１３が形成されている。
【００５３】
第一の参考例に係る高周波シールド構造においては、回路基板１０をシールド部材１１に対して配置したときに、突起１２がその斜面において開口部１３の内側周囲に接触しつつ、突起１２の先端が開口部１３から上方に突出する。
【００５４】
第一の参考例に係る高周波シールド構造によれば、突起１２の外側周囲において、突起１２と開口部１３とが接触する。図１１に示した従来のシールド構造においては、突起１１１とシールド部材１１２との間の接触は点接触にすぎなかったが、第一の参考例に係る高周波シールド構造によれば、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、突起１２とシールド部材１１との間の接触長さを増大させることができ、回路基板１０とシールド部材１１との間の接触不良を防止することができる。
【００５５】
さらに、突起１２とシールド部材１１との間の接触長さの増大に伴い、接触抵抗値を低減させることができ、ひいては、ＥＭＩ低減の効果を向上させることができる。
【００５６】
例えば、図１１に示した従来の高周波シールド構造における突起１１１とシールド部材１１２との間の接触抵抗値の平均値、σn-1、最大値、最小値と、図１及び２に示した第一の参考例に係る高周波シールド構造における突起１２とシールド部材１１との間の接触抵抗値の平均値、σn-1、最大値、最小値を比較すると、次のようになる（単位［Ω］）。
【００５７】
平均値   σn-1    最大値    最小値
従来（図１１）       16.95      8.73     28.14      4.80
本参考例（図１，２）  1.04      0.53      0.70      0.47
この比較から明らかであるように、第一の参考例に係る高周波シールド構造においては、図１１に示した従来の高周波シールド構造と比較して、顕著に接触抵抗値が低減されており、この結果、ＥＭＩを顕著に低減させることができる。
【００５８】
また、突起１２の先端が開口部１３から上方に突出しているので、最終製品の組み立て後においても、突起１２とシールド部材１１との間の接触状態を容易に確認することができ、突起とシールド部材とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はない。
【００５９】
加えて、突起１２とシールド部材１１との間の接触抵抗値も簡単に測定することができる。
【００６０】
さらに、図１１に示した従来のシールド構造においては、最終製品の裏面における高さは（Ａ＋Ｂ）であったが、第一の参考例に係る高周波シールド構造によれば、シールド部材１１の上面は突起１２の先端よりも低位置にあるため、最終製品の裏面における高さは突起１２の高さＡに等しくなり、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、最終製品の裏面における高さをシールド部材１１の厚さの分だけ低くすることができる。
【００６１】
例えば、７６２８Ｃ−１８Ｍの場合、最終製品の裏面における高さを０．４ｍｍ薄くすることができる。
【００６２】
第一の参考例においては、突起１２の形状を円錐形状としたが、突起１２の形状はこれには限定されない。下方から上方に向かって徐々に横断面積が減少する形状であれば、突起１２の形状を任意の形状にすることができる。
【００６３】
次に、本発明の実施形態に係る高周波シールド構造について説明する。
【００６４】
図３は、本発明の実施形態に係る高周波シールド構造の縦断面図であり、図４は、図３に示した高周波シールド構造の斜視図である。
【００６５】
本実施形態に係る高周波シールド構造においては、第一の参考例における突起１２に代えて、突起２０が形成されている。突起２０以外の構造は第一の参考例に係る高周波シールド構造と同様である。
【００６６】
突起２０は、薄いバネ性の板材料からなり、縦断面が菱形になるように形成されている。すなわち、突起２０は、パンタグラフのような形状をなしている。
【００６７】
突起２０は、バネ性の材料からなるものであるため、最も下方に位置する頂点を起点として、上下方向に揺動可能である。
【００６８】
さらに、突起２０を下方に押し込んだ状態で、突起２０を回路基板１０とシールド部材１１との間に配置することにより、突起２０は、常に、上方に向かって付勢された状態となり、その結果、突起２０はシールド部材１１に常に接触している状態を維持する。
【００６９】
これにより、最終製品のたわみなどによりシールド部材１１が上下方向に変位しても、シールド部材１１の変位に追従して突起２０も上下方向に揺動するため、突起２０とシールド部材１１との間の接触状態を維持することができる。
【００７０】
図５は、第二の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図であり、図６は、図５に示した高周波シールド構造の斜視図である。
【００７１】
第二の参考例に係る高周波シールド構造は、電子部品が実装される回路基板３０と、回路基板３０を覆うように配置されているシールド部材３１とからなる。
【００７２】
回路基板３０の表面には、導電性材料からなる半球形状の突起３２が形成されており、シールド部材３１には、突起３２に対応して開口部３３が形成されている。
【００７３】
第二の参考例に係る高周波シールド構造においては、回路基板３０をシールド部材３１に対して配置したときに、突起３２がその表面において開口部３３の内壁の下縁に接触する。
【００７４】
さらに、突起３２の頂点はシールド部材３１の表面とほぼ同じ高さにある。
【００７５】
第二の参考例に係る高周波シールド構造によれば、突起３２の外側周囲において、突起３２と開口部３３とが接触する。図１１に示した従来のシールド構造においては、突起１１１とシールド部材１１２との間の接触は点接触にすぎなかったが、第二の参考例に係る高周波シールド構造によれば、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、突起３２とシールド部材３１との間の接触長さを増大させることができ、回路基板３０とシールド部材３１との間の接触不良を防止することができる。
【００７６】
さらに、突起３２とシールド部材３１との間の接触長さの増大に伴い、接触抵抗値を低減させることができ、ひいては、ＥＭＩ低減の効果を向上させることが可能である。
【００７７】
また、突起３２の先端が開口部３３の中に位置しているので、最終製品の組み立て後においても、突起３２とシールド部材３１との間の接触状態を容易に確認することができ、突起３２とシールド部材３１とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はない。
【００７８】
加えて、突起３２とシールド部材３１との間の接触抵抗値も簡単に測定することができる。
【００７９】
さらに、図１１に示した従来のシールド構造においては、最終製品の裏面における高さは（Ａ＋Ｂ）であったが、第二の参考例に係る高周波シールド構造によれば、シールド部材３１の上面は突起３２の先端とほぼ同じ高さにあるため、最終製品の裏面における高さは突起３２の高さＡに等しくなり、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、最終製品の裏面における高さをシールド部材３１の厚さの分だけ低くすることができる。
【００８０】
図７は、第三の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図であり、図８は、図７に示した高周波シールド構造の斜視図である。
【００８１】
第三の参考例に係る高周波シールド構造においては、第一の参考例における突起１２に代えて、突起４０が形成されている。突起４０以外の構造は第一の参考例に係る高周波シールド構造と同様である。
【００８２】
突起４０は円柱形状をなしており、その直径はシールド部材１１に設けられている開口部１３の内径に等しい。このため、突起４０は開口部１３に嵌合し得る。
【００８３】
さらに、突起４０の高さは、突起４０を開口部１３に嵌合させたときに、突起４０がシールド部材１１の上面と同じ高さになるように、設定されている。
【００８４】
第三の参考例に係る高周波シールド構造によれば、突起４０の外側表面において、突起４０と開口部１３とが接触する。図１１に示した従来のシールド構造においては、突起１１１とシールド部材１１２との間の接触は点接触にすぎなかったが、第三の参考例に係る高周波シールド構造によれば、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、突起４０とシールド部材１１との間の接触長さを増大させることができ、回路基板１０とシールド部材１１との間の接触不良を防止することができる。
【００８５】
さらに、突起４０とシールド部材１１との間の接触長さの増大に伴い、接触抵抗値を低減させることができ、ひいては、ＥＭＩ低減の効果を向上させることが可能である。
【００８６】
また、突起４０の先端が開口部１３の中に位置しているので、最終製品の組み立て後においても、突起４０とシールド部材１１との間の接触状態を容易に確認することができ、突起４０とシールド部材１１とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はない。
【００８７】
加えて、突起４０とシールド部材１１との間の接触抵抗値も簡単に測定することができる。
【００８８】
さらに、図１１に示した従来のシールド構造においては、最終製品の裏面における高さは（Ａ＋Ｂ）であったが、第三の参考例に係る高周波シールド構造によれば、シールド部材１１の上面は突起４０の先端と同じ高さにあるため、最終製品の裏面における高さは突起４０の高さＡに等しくなり、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、最終製品の裏面における高さをシールド部材１１の厚さの分だけ低くすることができる。
【００８９】
第三の参考例においては、突起４０は円柱形状のものとしたが、一定の横断面積を有しているものである限り、円柱形状以外の形状とすることも可能である。例えば、突起４０を三角柱や六角柱などの四角柱とすることも可能である。
【００９０】
また、第三の参考例においては、突起４０の高さをシールド部材１１の上面の高さと同じになるように設定したが、突起４０の高さはこれに限定されるものではなく、突起４０を開口部１３に嵌合させたときに、シールド部材１１よりも上方に突出しないような高さであればよい。
【００９１】
図９は、第四の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図であり、図１０は、図９に示した高周波シールド構造の斜視図である。
【００９２】
第四の参考例に係る高周波シールド構造においては、第三の参考例における突起４０に代えて、突起５０が形成されている。突起５０以外の構造は第三の参考例に係る高周波シールド構造と同様である。
【００９３】
第四の参考例における突起５０は、回路基板１０上に形成された円柱形状の第一部分５０ａと、第一部分５０ａの上に第一部分５０ａと同心に形成された円柱形状の第二部分５０ｂとからなっている。
【００９４】
第二部分５０ｂの横断面積は第一部分５０ａの横断面積よりも小さく設定されている。すなわち、第二部分５０ｂの直径は第一部分５０ａの直径よりも小さく設定されている。
【００９５】
開口部１３は第二部分５０ｂの直径に等しい内径を有している。このため、突起５０の第二部分５０ｂは開口部１３に嵌合することが可能である。
【００９６】
さらに、突起５０の第二部分５０ｂの高さは、突起５０を開口部１３に嵌合させたときに、突起５０の第二部分５０ｂがシールド部材１１の上面と同じ高さになるように、設定されている。
【００９７】
第四の参考例においては、回路基板１０をシールド部材１１に対して配置したときに、突起５０の第二部分５０ｂが開口部１３に嵌合するとともに、シールド部材１１は、第二部分５０ｂの周囲において、第一部分５０ａの表面上に載置される。
【００９８】
第四の参考例によれば、第三の参考例に係る高周波シールド構造により得られる効果に加えて、シールド部材１１が第二部分５０ｂの周囲において第一部分５０ａの表面上に載置されるので、シールド部材１１の安定性を増すことができるとともに、突起５０の第二部分５０ｂを介して、回路基板１０とシールド部材１１との間の位置決めを行うことが可能になる。
【００９９】
第四の参考例においては、突起５０の第二部分５０ｂは円柱形状のものとしたが、一定の横断面積を有しているものである限り、円柱形状以外の形状とすることも可能である。例えば、第二部分５０ｂを三角柱や六角柱などの四角柱とすることも可能である。
【０１００】
また、第四の参考例においては、突起５０の第二部分５０ｂの高さをシールド部材１１の上面の高さと同じになるように設定したが、第二部分５０ｂの高さはこれに限定されるものではなく、突起５０を開口部１３に嵌合させたときに、シールド部材１１よりも上方に突出しないような高さであればよい。
【０１０１】
以上の実施形態並びに第一乃至第四の参考例に係る高周波シールド構造は、回路基板に搭載されている電子部品から放出される高周波を遮断するために、回路基板とシールド部材と電気的に接続する必要がある装置であれば、どのような装置にも適用することが可能である。例えば、最も好ましくは、上記の実施形態並びに第一乃至第四の参考例に係る高周波シールド構造は液晶表示装置に適用することができる。
【０１０２】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る高周波シールド構造においては、回路基板上に形成されている突起がシールド部材に設けられている開口部に係合する。このため、突起の外側周囲において、突起と開口部とが接触することになる。図１１に示した従来のシールド構造においては、突起１１１とシールド部材１１２との間の接触は点接触にすぎなかったが、本高周波シールド構造によれば、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、突起とシールド部材との間の接触長さを増大させることができ、回路基板とシールド部材との間の接触不良を防止することができる。
【０１０３】
また、突起の先端が開口部の中に位置しているので、最終製品の組み立て後においても、突起とシールド部材との間の接触状態を容易に確認することができ、突起とシールド部材とが確実に接触しているか否かを確認するために最終製品を分解する必要はもはやない。
【０１０４】
さらに、図１１に示した従来のシールド構造においては、最終製品の裏面における高さは（Ａ＋Ｂ）であったが、本高周波シールド構造によれば、シールド部材は突起の先端よりも低位置にあるため、最終製品の裏面における高さはＡとなり、図１１に示した従来のシールド構造と比較して、最終製品の裏面における高さを低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第一の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図である。
【図２】  本発明の第一の参考例に係る高周波シールド構造の斜視図である。
【図３】  本発明の実施形態に係る高周波シールド構造の縦断面図である。
【図４】  本発明の実施形態に係る高周波シールド構造の斜視図である。
【図５】  本発明の第二の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図である。
【図６】  本発明の第二の参考例に係る高周波シールド構造の斜視図である。
【図７】  本発明の第三の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図である。
【図８】  本発明の第三の参考例に係る高周波シールド構造の斜視図である。
【図９】  本発明の第四の参考例に係る高周波シールド構造の縦断面図である。
【図１０】  本発明の第四の参考例に係る高周波シールド構造の斜視図である。
【図１１】  従来の高周波シールド構造の縦断面図である。
【符号の説明】
１０  回路基板
１１  シールド部材
２０  突起
１３  開口部
【図１】
0003683171.tif 000002
【図２】
0003683171.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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