(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の平行配線群を有するセラミックグリーンシートを焼成して成る第１の絶縁層上に、前記第１の平行配線群と直交する第２の平行配線群を有するセラミックグリーンシートを焼成して成る第２の絶縁層を積層し、前記第１および第２の平行配線群を貫通導体群で電気的に接続して成る積層配線体を具備して成り、前記第１および第２の絶縁層は、前記第１および第２の平行配線群の平行配線間の比誘電率と、前記第１および第２の平行配線群間の比誘電率とを異ならせてあり、かつ、前記平行配線間の誘電体は、セラミックペーストを、前記第１および第２の平行配線群と成る金属ペーストと同時に焼成させることにより形成されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記第１および第２の平行配線群の平行配線は、その厚みが幅よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記第１および第２の平行配線群の平行配線間の比誘電率を前記第１および第２の平行配線群間の比誘電率に対して１．１倍〜２．５倍の値としていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記第１および第２の平行配線群は、それぞれ複数の信号配線と、各信号配線に隣接する電源配線または接地配線とを有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子回路基板等に使用される多層配線基板に関し、より詳細には高速で作動する半導体素子を搭載する多層配線基板における配線構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路素子等の半導体素子が搭載され、電子回路基板等に使用される多層配線基板においては、内部配線用の配線導体の形成にあたって、アルミナ等のセラミックスから成る絶縁層とタングステン（Ｗ）等の高融点金属から成る配線導体とを交互に積層して多層配線基板を形成していた。
【０００３】
従来の多層配線基板においては、内部配線用配線導体のうち信号配線は通常はストリップ線路構造とされており、信号配線として形成された配線導体の上下に絶縁層を介していわゆるベタパターン形状の広面積の接地（グランド）層または電源層が形成されていた。
【０００４】
また、多層配線基板が取り扱う電気信号の高速化に伴い、絶縁層を比誘電率が１０程度であるアルミナセラミックスに代えて比誘電率が３．５  〜５と比較的小さいポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いて形成し、この絶縁層上に蒸着法やスパッタリング法等の気相成長法による薄膜形成技術を用いて銅（Ｃｕ）からなる内部配線用導体層を形成し、フォトリソグラフィ法により微細なパターンの配線導体を形成して、この絶縁層と配線導体とを多層化することにより高密度・高機能でかつ半導体素子の高速作動が可能となる多層配線基板を得ることも行なわれていた。
【０００５】
一方、多層配線基板の内部配線の配線構造として、配線のインピーダンスの低減や信号配線間のクロストークの低減等を図り、しかも高密度配線を実現するために、各絶縁層の上面に平行配線群を形成し、これを多層化して各層の配線群のうち所定の配線同士をビア導体やスルーホール導体等の貫通導体を介して電気的に接続する構造が提案されている。
【０００６】
例えば、特開昭６３−１２９６５５号公報には、第１の方向に延びる複数の第１の信号線およびそれと交互に配置された第１の電力線を含む第１の導電層と、第１の方向と交差する第２の方向に延びる第２の信号線およびそれと交互に配置された第２の電力線とを含む第２の導体層とが、絶縁層と交互に積層され、対応する電圧を受け取る第１および第２の電力線が相互接続されている多層配線構造体が開示されている。これによれば、実装される半導体チップのチップ面積を有効に利用して集積密度を高め、消費電力を減らし、動作速度を高めることが可能になるというものである。
【０００７】
また、特開平１−９６９５３  号公報には、各組が少なくとも第１および第２の配線面を含み、各配線面が主配線方向に向いた導電性配線および直交線の交点に配置された複数の接続部位を有し、第１の配線面の主配線方向が第２の配線面の主配線方向に対して鋭角をなす複数組の配線面を備えた配線構造体が開示されている。これによれば、標準化された１組または数組の配線面を用いて、配線の長さを短縮し、最適化または最小にすることができるというものである。
【０００８】
また、特開平５−３４３６０１号公報には、２層以下の平行導体パターンからなるコンダクター（配線導体）層を導体パターン同士を直交させて積層し、コンダクター層のうち一部のコンダクターを信号用とし、残りを電源用として用い、電源用コンダクターにより信号用コンダクター相互間をシールドするように、コンダクター層の各コンダクター同士を接続した集積回路の接続システムが開示されている。これによれば、信号パターンを一対の電源パターンで挟むように導体コンダクターの格子を形成したため、信号パターン間の間隔を小さくすることができるとともに信号パターンを並列して長く形成することができ、キャリア表面が有効に利用され、また、クロストークが減少しＳ／Ｎ比が良好になるというものである。
【０００９】
さらに、特開平７−９４６６６  号公報には、少なくとも第１および第２の相互接続層から成り、相互接続層のそれぞれは複数の平行導電性領域から成り、第２相互接続層の導電性領域は第１相互接続層の導電性領域に対して直交して配置されており、第１および第２の相互接続層の導電性領域は、少なくとも２つの導電性平面が本質的に各相互接続層と相互に組み合わされ、各導電性平面が両方の相互接続層上に表れるように、またさらに、選択された導電性領域は少なくとも１つの信号回路を形成するように２つの導電性平面から電気的に隔離が可能なように、電気的に相互に接続されている電気的相互接続媒体が開示されている。これによれば、平行電力および接地平面の特質である低インダクタンス電力配分、および光学的リソグラフィ製造技術の特質である信号相互接続配線の高配線密度の利点を失うことなしに、相互配線数を低減した相互配線媒体となるというものである。
【００１０】
さらにまた、特開平９−１８１５６  号公報には、第１の信号配線部と第１の電源配線部と複数の第１のグランド配線部とを有する第１層と、第２の信号配線部と第２の電源配線部と第１層における複数の第１のグランド配線部のそれぞれに接続される複数の第２のグランド配線部とを有し第１層に積層する第２層とから構成され、第１層における第１の信号配線部と第２層における第２の信号配線部とがねじれの位置にある、すなわち直交する位置にある多層プリント配線板が開示されている。これによれば、配線層総数の削減が可能になり、さらに、グランド配線部の配線幅を狭くしても合成コンダクタンス値および合成抵抗値を低くコントロールできることからＩＣ等の素子の高密度の配置が可能になり、伝送信号に対する雑音を低く抑えることができるというものである。また、グランド配線部および電源配線部のシールド効果により、信号配線部の特性インピーダンスによるノイズを抑えることができ、第１の信号配線部と第２の信号配線部とがねじれの位置にあることから、２本の信号配線部間の電磁結合および静電結合によって発生するクロストークノイズの影響をコントロールすることが可能となるというものである。
【００１１】
以上のような平行配線群を有する多層配線基板においては、この多層配線基板に搭載される半導体素子等の電子部品とこの多層配線基板が実装される実装ボードとを電気的に接続するために、多層配線基板内で各平行配線群のうちから適当な配線を選択し、異なる配線層間における配線同士の接続はビア導体等の貫通導体を介して行なわれる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従来の多層配線基板においては、絶縁層や絶縁基板に用いられている誘電体は通常は一様な材料で、比誘電率εｒ  が一様なものが用いられている。また、基板内にデカップリングキャパシタや内蔵コンデンサを設ける場合には、その部分にそれ以外の部分の誘電体よりも比誘電率εｒ  が大きい誘電体を用いる場合があった。
【００１３】
一方、上記のような直交させた平行配線群を有する多層配線基板においても、各絶縁層は通常は比誘電率εｒ  が一様なものを用いて形成される。
【００１４】
また、この直交させた平行配線群を有する多層配線基板においては、信号用の配線導体（信号配線）の特性インピーダンスＺ０  のマッチングは、各配線群内でそれに隣接する配線導体との配線間隔すなわちギャップによって制御して所望の値となるように調整している。
【００１５】
しかしながら、そのように隣接する配線導体とのギャップにより信号配線の特性インピーダンスＺ０  を制御する場合、従来の多層配線基板のように各絶縁層における比誘電率εｒ  を一様で一定のものとすると、隣接する配線間の結合により信号配線の特性インピーダンスＺ０  のマッチングをとるためには、同じ面内で隣接する配線間の結合に加えて上下層の配線間の結合も特性インピーダンスＺ０  のマッチングに影響を及ぼすことから、マッチングの精度を高めることが困難な傾向があるという改善すべき問題点があった。
【００１６】
本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、交互に積層された平行配線群の配線群内において隣接する配線導体により信号配線の特性インピーダンスＺ０  の制御を効率よくかつ精度よく行なうことができてインピーダンスマッチングを効果的に行なうことができる、高周波特性に優れた、高速で作動する半導体素子等の電子部品を搭載する電子回路基板やパッケージ等に好適な多層配線基板を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、第１の平行配線群を有するセラミックグリーンシートを焼成して成る第１の絶縁層上に、前記第１の平行配線群と直交する第２の平行配線群を有するセラミックグリーンシートを焼成して成る第２の絶縁層を積層し、前記第１および第２の平行配線群を貫通導体群で電気的に接続して成る積層配線体を具備して成り、前記第１および第２の絶縁層は、前記第１および第２の平行配線群の平行配線間の比誘電率と、前記第１および第２の平行配線群間の比誘電率とを異ならせてあり、かつ、前記平行配線間の誘電体は、セラミックペーストを、前記第１および第２の平行配線群と成る金属ペーストと同時に焼成させることにより形成されていることを特徴とするものである。
また、本発明の多層配線基板は、上記構成において、前記第１および第２の平行配線群の平行配線は、その厚みが幅よりも大きいことを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の多層配線基板は、上記構成において、前記第１および第２の平行配線群の平行配線間の比誘電率を前記第１および第２の平行配線群間の比誘電率に対して１．１倍〜２．５倍の値としていることを特徴とするものである。
【００１９】
さらに、本発明の多層配線基板は、上記各構成において、前記第１および第２の平行配線群は、それぞれ複数の信号配線と、各信号配線に隣接する電源配線または接地配線とを有することを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の多層回路基板によれば、第１および第２の平行配線群の平行配線間の比誘電率と、第１および第２の平行配線群間の比誘電率とを異ならせていることから、例えば同じ平行配線群内において隣接する配線同士の結合を大きくして特性インピーダンスＺ０  の制御をより効率よくかつ精度よく行なうことができるとともに、上または下の平行配線群の配線との結合を抑えてそれらの影響を受けにくいものとすることができるため、効率よくかつ精度よく配線の特性インピーダンスＺ０  のマッチングをとることができ、高周波特性の優れた多層配線基板となる。
【００２１】
このような作用効果は、平行配線群の平行配線間の比誘電率εｒ１を平行配線群間の比誘電率εｒ２よりも大きくし、特に比誘電率εｒ１を比誘電率εｒ２の１．１  倍〜２．５  倍の値とすることにより、より効果的なものとなる。
【００２２】
また、上または下の配線との結合が弱いので上下の距離を短くしても特性インピーダンスＺ０  に与える影響が小さいため、積層配線体ひいては多層配線基板の厚みを薄くすることができ、高密度化・高集積化する電子回路基板や半導体素子収納用パッケージ等にも好適なものとなる。
【００２３】
これにより、本発明の多層配線基板によれば、隣接する配線導体により信号配線の特性インピーダンスＺ０  の制御を効率よくかつ精度よく行なうことができてインピーダンスマッチングを効果的に行なうことができる、高周波特性に優れた、高速で作動する半導体素子等の電子部品を搭載する電子回路基板やパッケージ等に好適なものとなる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の多層配線基板について添付図面に示す実施例に基づき詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明の多層配線基板に係る積層配線体の実施の形態の一例を示す分解平面図であり、同図（ａ）は第１の絶縁層の、（ｂ）は第２の絶縁層の平面図をそれぞれ示している。また、図２はこれらを積層して成る積層配線体を含む本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【００２６】
これらの図において、Ｉ１およびＩ２はそれぞれ第１および第２の絶縁層であり、Ｌ１およびＬ２はそれぞれ第１および第２の絶縁層Ｉ１・Ｉ２の上面に略平行に配設された第１および第２の平行配線群、Ｔは第１の平行配線群Ｌ１と第２の平行配線群Ｌ２とを所定の箇所で電気的に接続する貫通導体群である。これらにより本発明の多層配線基板に係る積層配線体が構成されている。また、Ｉ３は第２の絶縁層Ｉ２の上に積層され、多層配線基板の表面層となる第３の絶縁層である。
【００２７】
Ｐ１・Ｐ２はそれぞれ第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２中の電源配線、Ｇ１・Ｇ２はそれぞれ第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２中の接地配線、Ｓ１・Ｓ２はそれぞれ第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２中の信号配線を示している。
【００２８】
このように、本発明の多層配線基板の積層配線体においては、第１の平行配線群Ｌ１は第１の方向に略平行に配線され、この上に積層される第２の平行配線群Ｌ２は第１の方向と直交する第２の方向に略平行に配設されており、これらの各配線が第２の絶縁層Ｉ２を貫通する貫通導体群Ｔで電気的に接続されて、積層配線体を構成している。
【００２９】
このような積層配線体によれば、第１の平行配線群Ｌ１と第２の平行配線群Ｌ２とが互いに直交するように積層されていることから、それら平行配線群Ｌ１・Ｌ２の配線間におけるクロストークノイズを減少させて最小とすることができる。
【００３０】
なお、同じ平面に配設された複数の信号配線Ｓ１・Ｓ２はそれぞれ異なる信号を伝送するものとしてもよく、同じ平面に配設された複数の電源配線Ｐ１・Ｐ２はそれぞれ異なる電源を供給するものとしてもよいことは言うまでもない。
【００３１】
多層配線基板の表面層となる第３の絶縁層Ｉ３は必要に応じて形成されるものであり、例えば第２の配線群Ｌ２が第２の絶縁層Ｉ２中に配設される場合などには必ずしも形成する必要はない。
【００３２】
このような多層配線基板には、例えばその表面にＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ  ）・ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  ）・ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）のような半導体素子が搭載される。これらの半導体素子は、例えばいわゆるバンプ電極によりこの多層配線基板の表面に実装されて、あるいは接着剤・ろう材等により搭載部に取着されるとともにボンディングワイヤ等を介して、第２の平行配線群Ｌ２等と電気的に接続される。
【００３３】
貫通導体群Ｔは、第２の絶縁層Ｉ２を貫通して上下の配線同士を電気的に接続するものであり、通常はスルーホール導体やビア導体等が用いられ、接続に必要な箇所に形成される。同様の貫通導体群は、各平行配線群の配線と半導体素子または多層配線基板の表面に取着された外部接続端子等とを電気的に接続する場合にも用いられる。
【００３４】
そして、本発明の多層配線基板によれば、図中に点状の網かけで示した第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２の各平行配線間Ｂにおける比誘電率εｒ１と、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２間における比誘電率εｒ２とを異ならせており、例えば各平行配線間Ｂにおける比誘電率εｒ１を比誘電率εｒ２よりも大きくしてある。このように第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２の各平行配線間Ｂにおける比誘電率εｒ１と、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２間における比誘電率εｒ２とを異ならせていることにより、同じ平行配線群内において隣接する配線同士の結合と、または下の平行配線群の配線との結合とを異ならせることができる。特に、比誘電率εｒ１を比誘電率εｒ２よりも大きくした場合には、同じ平行配線群内において隣接する配線同士の結合を大きくして特性インピーダンスＺ０  の制御をより効率よくかつ精度よく行なうことができるとともに、上または下の平行配線群の配線との結合を小さくしてそれらの影響を受けにくいものとすることができるため、配線群中の隣接する配線同士による信号配線の特性インピーダンスＺ０  のマッチングを高精度に、かつ効果的に行なうことができる。
【００３５】
本発明の多層配線基板においてこのように第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２の各平行配線間Ｂにおける比誘電率εｒ１を第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２間における比誘電率εｒ２よりも大きくする場合、その比誘電率εｒ１と比誘電率εｒ２の比としては１．１  ：１〜２．５  ：１の範囲内、すなわち比誘電率εｒ１を比誘電率εｒ２に対して１．１  倍〜２．５  倍の大きさとするとよく、より好ましくは比誘電率εｒ１と比誘電率εｒ２の比を１．２５：１〜２：１の範囲内、すなわち比誘電率εｒ１を比誘電率εｒ２に対して１．２５倍〜２倍の大きさとするとよい。このように設定することにより、上記の作用効果を有しつつ、比誘電率を変えるためにその材料組成を変えたときであっても焼成等の形成処理後にその基板形状を精度よく保つことができるものとなる。
【００３６】
なお、比誘電率εｒ１が比誘電率εｒ２の１．１  倍未満の場合には、上記のような作用効果が十分に得られない傾向がある。また、比誘電率εｒ１が比誘電率εｒ２の２．５  倍を超えると、例えば材料の組成が大きく異なるものとなるために配線基板としての形状を維持できなくなる傾向もある。
【００３７】
他方、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２の各平行配線間Ｂにおける比誘電率εｒ１と、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２間における比誘電率εｒ２とを異ならせて、比誘電率εｒ１を比誘電率εｒ２よりも小さくした場合には、配線間距離を小さくすることができるため、配線密度を高めることができる。
【００３８】
なお、本発明の多層配線基板においては、積層配線体の上下には種々の配線構造の多層配線部を積層して多層配線基板を構成することができる。例えば、積層配線体と同様に平行配線群を直交させて積層した構成の配線構造、あるいはストリップ線路構造の配線構造、その他、マイクロストリップ線路構造・コプレーナ線路構造等を多層配線基板に要求される仕様等に応じて適宜選択して用いることができる。
【００４０】
また、第１および第２の絶縁層Ｉ１・Ｉ２を始めとする各絶縁層の形状は、図示したような略正方形状のものに限られるものではなく、長方形状や菱形状・多角形状等の形状であってもよい。
【００４１】
なお、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２は、第１および第２の絶縁層Ｉ１・Ｉ２の表面に形成するものに限られず、それぞれの絶縁層Ｉ１・Ｉ２の内部に形成したものであってもよい。
【００４２】
また、図１および図２に示した例に対して、第２の平行配線群Ｌ２を第２の絶縁層Ｉ２の内部に形成した場合には、第３の絶縁層Ｉ３は必ずしも必要ではないものとなる。
【００４３】
本発明の多層配線基板において、第１および第２の絶縁層Ｉ１・Ｉ２を始めとする各絶縁層は、セラミックグリーンシート積層法によって、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ムライト質焼結体・ガラスセラミックス等の無機絶縁材料を使用して形成される。
【００４４】
このとき、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２の各平行配線間Ｂに用いる材料と、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２間に用いる材料との成分あるいは組成を異ならせることにより、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２の各平行配線間Ｂにおける比誘電率εｒ１と、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２間における比誘電率εｒ２とをそれぞれ所望の値として異ならせることができる。
【００４５】
例えば、平行配線群の各平行配線間Ｂの絶縁層に比誘電率が約５のガラスセラミックスを用い、一方、平行配線群間の絶縁層に材料組成を異ならせて比誘電率を約４としたガラスセラミックスを用いれば、比誘電率εｒ１と比誘電率εｒ２の比を約１．２５：１として隣接する配線間の結合を上または下の配線との間の結合よりも大きくすることができ、隣接する配線により信号配線の特性インピーダンスＺ０  の制御を効率よく、かつ精度よく行なうことができるものとなる。
【００４６】
これら絶縁層は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、所定の組成比の酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化カルシウム・酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクターブレード法を採用してシート状となすことによってセラミックグリーンシートを得、しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに各平行配線群および各貫通導体群ならびに導体層となる金属ペーストを所定のパターンに印刷塗布し、さらに例えばこれら配線パターン間に組成比を異ならせたセラミックペーストを印刷塗布して上下に積層し、最後にこの積層体を還元雰囲気中、約１６００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００４７】
これら絶縁層の厚みとしては、使用する材料の特性に応じて、要求される仕様に対応する機械的強度や電気的特性・貫通導体群の形成の容易さ等の条件を満たすように適宜設定される。
【００４８】
また、第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２や貫通導体群Ｔ等は、例えばタングステンやモリブデン・モリブデン−マンガン・銅・銀・銀−パラジウム等の金属粉末メタライズ、あるいは銅・銀・ニッケル・クロム・チタン・金・ニオブやそれらの合金等の金属材料の薄膜などから成る。
【００４９】
例えば、タングステンの金属粉末メタライズから成る場合であれば、タングステン粉末に適当な有機バインダ・溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを絶縁層となるセラミックグリーンシートに所定のパターンに印刷塗布し、これをセラミックグリーンシートの積層体とともに焼成することによって、各絶縁層の上面に配設される。
【００５０】
このとき、各配線をその厚みが幅よりも大きな断面形状を有するものとすると、隣接する配線間の結合をさらに大きくして上または下の配線との間の結合を抑えてその影響を受けにくくするのにより好適なものとなる。このように配線の厚みを幅よりも大きくする場合は、その厚みと幅の比を１．１  ：１〜２：１（厚みを幅に対して１．１  倍〜２倍）とし、より好ましくは厚みと幅の比を１．２  ：１〜１．７  ：１（厚みを幅に対して１．２  倍〜１．７  倍）とすることにより、絶縁層間の密着強度を充分に保ちながら所望の基板形状とすることができる。
【００５１】
また，金属材料の薄膜から成る場合であれば、例えばスパッタリング法・真空蒸着法またはメッキ法により所望の厚みの金属層を形成した後、フォトリソグラフィ法により所定の幅の配線パターンに形成すればよい。
【００５２】
このような第１および第２の平行配線群Ｌ１・Ｌ２の各配線の厚みおよび幅ならびに配線間の間隔は、使用する材料の特性に応じて、また所望の特性インピーダンスＺ０  となるように考慮して、要求される仕様に対応する電気的特性や絶縁層Ｉ１・Ｉ２への配設の容易さ等の条件を満たすように適宜設定される。
【００５３】
貫通導体群Ｔの各貫通導体は、横断面形状が円形のものの他にも楕円形や正方形・長方形等の矩形、その他の異形状のものを用いてもよい。その位置や大きさは、使用する材料の特性に応じて、要求される仕様に対応する電気的特性や絶縁層への形成・配設の容易さ等の条件を満たすように適宜設定される。
【００５４】
例えば、絶縁層に平行配線群の平行配線間Ｂに比誘電率εｒ１が約５のガラスセラミックスを、また平行配線群Ｌ１・Ｌ２間に比誘電率εｒ２が約４のガラスセラミックスを用い、平行配線群にタングステンの金属メタライズを用いた場合であれば、絶縁層の厚みを１５０  μｍとし、配線の厚みを１５μｍ、線幅を１００  μｍ、配線間の間隔を１００  μｍ、貫通導体の大きさを１００  μｍとすることによって、信号配線のインピーダンスを５０Ωとし、上下の平行配線群間における結合の影響を抑えつつ隣接する配線間の結合を大きなものとして、隣接配線間で信号配線の特性インピーダンスＺ０  を制御して所望の値に調整することができる。
【００５５】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例えば、上述の実施例では本発明を半導体素子を搭載する多層配線基板として説明したが、これを半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用するものとしてもよい。あるいは、放熱を考慮した窒化アルミニウム質焼結体・炭化珪素質焼結体や、低誘電率を考慮したガラスセラミックス質焼結体を用いたものとしてもよい。
【００５６】
【発明の効果】
本発明の多層回路基板によれば、第１および第２の平行配線群の平行配線間の比誘電率と、第１および第２の平行配線群間の比誘電率とを異ならせていることから、例えば同じ平行配線群内において隣接する配線同士の結合を大きくして特性インピーダンスＺ０  の制御をより効率よくかつ精度よく行なうことができるとともに、上または下の平行配線群の配線との結合を抑えてそれらの影響を受けにくいものとすることができるため、効率よくかつ精度よく配線の特性インピーダンスＺ０  のマッチングをとることができ、高周波特性の優れた多層配線基板となる。
【００５７】
また、上または下の配線との結合が弱いので上下の距離を短くしても特性インピーダンスＺ０  に与える影響が小さいため、積層配線体ひいては多層配線基板の厚みを薄くすることができ、高密度化・高集積化する電子回路基板や半導体素子収納用パッケージ等にも好適なものとなる。
【００５８】
これにより、本発明の多層配線基板によれば、交互に積層された平行配線群の配線群内において隣接する配線導体により信号配線の特性インピーダンスＺ０  の制御を効率よくかつ精度よく行なうことができてインピーダンスマッチングを効果的に行なうことができる、高周波特性に優れた、高速で作動する半導体素子等の電子部品を搭載する電子回路基板やパッケージ等に好適な多層配線基板を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多層配線基板に係る積層配線体の実施の形態の一例を示す第１の絶縁層および第２の絶縁層の平面図である。
【図２】図１に示す積層配線体を含む本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
Ｉ１、Ｉ２・・・・絶縁層
Ｌ１、Ｌ２・・・・平行配線群
Ｐ１、Ｐ２・・・・電源配線
Ｇ１、Ｇ２・・・・接地配線
Ｓ１、Ｓ２・・・・信号配線
Ｔ・・・・・・・・貫通導体群
Ｂ・・・・・・・・平行配線間
【図１】
0003618061.tif 000002
【図２】
0003618061.tif 000003