(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物の一主面に突出した突出部をその高さを求めて検査する外観検査装置であって、
前記一主面に対して撮像面が平行に配置されており前記突出部を撮像して前記突出部の頂点の高さを二次元の位置ずれとして出現させる煽り撮像装置と、前記突出部を前記煽り撮像装置と異なる方向から撮像する第二の撮像装置と、前記煽り撮像装置の撮像結果と前記第二の撮像装置の撮像結果とに基づいて前記突出部の高さを求める演算部とを備えていることを特徴とする外観検査装置。
【請求項２】
前記第二の撮像装置が、前記一主面に対して撮像面が平行に配置されており前記突出部を真上から撮像する真上撮像装置であり、前記演算部が、前記煽り撮像装置による煽り頂点像と前記真上撮像装置による真上頂点像とに基づいて前記突出部の高さを求めるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項３】
前記撮像面がエリアセンサによって構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の外観検査装置。
【請求項４】
前記煽り撮像装置が前記一主面に平行に配置されたエリアセンサおよびレンズを備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の外観検査装置。
【請求項５】
前記撮像面がラインセンサによって構成されているとともに、このラインセンサがその長さ方向と直角方向に前記検査物に対して相対的に走査されるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の外観検査装置。
【請求項６】
前記煽り撮像装置の撮像に際して、前記一主面を平行光束によって斜方照明する斜方照明装置を備えていることを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の外観検査装置。
【請求項７】
前記突出部はバンプであることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６に記載の外観検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外観検査技術、特に、平面から突出した突出部の外観を検査する技術に関し、例えば、ボール・グリッド・アレイパッケージ（以下、ＢＧＡという。）を備えている半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）や、チップ・サイズ・パッケージ（以下、ＣＳＰという。）を備えているＩＣの外部端子の高さを検査するのに利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣを使用する電子機器の小型薄形化に伴って、ＩＣのパッケージの縮小が要望されている。この要望に応ずるためのパッケージとして、ＢＧＡや各種のＣＳＰが開発されている。これらのＢＧＡやＣＳＰにおいては、実装密度を高めるために、外部端子が半田によって略半球形状に形成されている。この半田によって略半球形状に形成された外部端子は、コントロールドコラプス法（通常、ＣＣＢと呼ばれている。）の半田バンプに相当するため、以下、バンプという。
【０００３】
ＢＧＡやＣＳＰにおけるバンプの高さは、ＢＧＡ・ＩＣやＣＳＰ・ＩＣのプリント配線基板に対する半田付けの良否に影響するため、これらＩＣのメーカーの出荷時やユーザーの受入れ時に外観検査される。ところが、ＢＧＡ・ＩＣやＣＳＰ・ＩＣの外部端子であるバンプは、挿入リード形パッケージ（例えば、ＤＩＰ）および表面実装形パッケージ（例えば、ＱＦＰやＱＦＪ）の外部端子であるアウタリードと異なり半球形状であるため、これらのリード外観検査装置を使用することができない。
【０００４】
そこで、マルチ・チップ・モジュール（ＭＣＭ）のバンプを検査するための検査装置（以下、ＭＣＭバンプ検査装置という。）や、半導体ウエハ（以下、ウエハという。）の状態でＣＣＢのバンプを検査するための検査装置（以下、ウエハバンプ検査装置という。）を利用して、ＢＧＡやＣＳＰ・ＩＣのバンプを検査することが考えられている。
【０００５】
ＭＣＭバンプ検査装置は高精度のレーザ変位計およびＸＹテーブルを備えており、レーザ光をバンプの頂点に照射してバンプの上に形成されたスポット光痕の位置を斜めに設定したラインセンサ等によって検出することにより、バンプの高さを測定するように構成されている。
【０００６】
ウエハバンプ検査装置はスリット光源、エリアセンサおよびＸテーブルを備えており、バンプに対してスリット光源からスリット光を照射してエリアセンサによってバンプの切断形状を得ることにより、バンプの高さを測定するように構成されている。
【０００７】
なお、ＢＧＡ・ＩＣを述べてある例としては、日経ＢＰ社１９９３年５月３１日発行「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」Ｐ１７３〜Ｐ１７８、がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ＭＣＭバンプ検査装置においては、次のような問題点がある。
▲１▼  バンプ毎にレーザスポット光を高精度に照射する必要があるため、高精度のＸＹ方向の位置決めが要求される。
▲２▼  バンプ毎に位置決め動作が必要であるため、検査時間が長くなる。
▲３▼  レーザスポット光がバンプの頂点に照射されないと、バンプ高さを測定したことにならない。バンプは偏心していることが多々あり、バンプの中心が最も高いとは限らない。そのため、バンプの中心付近をレーザ光で走査して最も高い測定点を求める処理を実行する必要があり、検査時間がより一層長くなる。
▲４▼  レーザ光を一定速度、一定ピッチで走査することによって面（エリア）画像情報が得られるが、走査時間が長くなり、画像処理が複雑になる。
▲５▼  バンプの頂点に発生するスポット光痕を検出する方式であるため、バンプ表面は原則的には無光沢状態が望ましい。したがって、光沢度の高いバンプの場合は精度が低下する。
【０００９】
ウエハバンプ検査装置においては、次のような問題点がある。
▲１▼  バンプ列毎にスリット光を高精度に照射する必要があるため、高精度の位置決め装置が必要になる。
▲２▼  バンプ列毎に位置決め動作が必要であるため、検査時間が長くなる。
▲３▼  スリット光がバンプの頂点に照射されないと、バンプ高さを測定したことにならない。バンプは偏心していることが多々あり、バンプの中心が最も高いとは限らない。そのため、バンプの中心付近をスリット光で走査して最も高い測定点を求める処理を実行する必要があり、検査時間がより一層長くなる。
▲４▼  スリット光を一定速度、一定ピッチで走査することによって面画像情報が得られるが、膨大な画像情報からバンプ高さを抽出する必要があるため、画像処理が複雑になる。
▲５▼  バンプの頂点に発生するスリット光痕を検出する方式であるため、バンプ表面は原則的には無光沢状態が望ましい。したがって、光沢度の高いバンプの場合は精度が低下する。
【００１０】
本発明の第１の目的は、突出部の高さを精度よく、しかも、短時間に検査することができる外観検査技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の第２の目的は、高さに制限されずに突出部の高さを検査することができる外観検査技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の第３の目的は、突出部の高さに基づいて突出部群の頂点によって構成される平面の平坦度を検査することができる外観検査技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。
【００１５】
すなわち、被検査物の一主面に突出した突出部をその高さを求めて検査する外観検査装置は、前記一主面に対して撮像面が平行に配置されており前記突出部を撮像して前記突出部の頂点の高さを二次元の位置ずれとして出現させる煽り撮像装置と、この位置ずれに基づいて前記突出部の高さを求める演算部とを備えている。
【００１６】
前記演算部は、前記検査対象の突出部が突出部の高さと外径との関係に基づいて分類される低い突出部、中間突出部、高い突出部の三つのモデルのいずれかに該当するかを判定するように構成されていることを特徴とする。
【００１７】
前記一主面に突出した複数個の突出部の頂面群が構成した平坦度を検査する外観検査装置であって、
前記突出部群のうち前記煽り撮像装置の焦点が合った平面における前記突出部の頂点の二次元の位置が基準位置として設定され、この基準位置に対する前記突出部のそれぞれにおける頂点の二次元の位置ずれに基づいて、前記突出部毎の高さが求められ、これら突出部毎の高さ群によって構成される平面の平坦度が求められることを特徴とする。
【００１８】
前記した第１の手段によれば、煽り撮像装置により突出部を撮像して突出部の頂点の高さを二次元の位置ずれとして出現させることができるため、この位置ずれに基づいて突出部の高さを測定することができる。したがって、突出部にレーザスポット光やスリット光を高精度に照射しなくても済むため、高精度の位置合わせや位置決めを省略することができ、突出部の高さについての検査時間を大幅に短縮することができる。また、煽り撮像装置と真上撮像装置とを併用して、煽り撮像装置による煽り撮像画像と真上撮像装置による真上撮像画像とから、偏心した突出部であっても真の高さである頂点の高さを求めることができるため、突出部の高さを正確に検査することができる。
【００１９】
前記した第２の手段によれば、前記検査対象の突出部の高さを前記判定されたモデルに予め設定されている計算式によって求めることができる。また、前記モデルのいずれかに該当するかの判定結果に基づいて前記検査対象の突出部の高さの良不良を判定することができる。
【００２０】
前記した第３の手段によれば、基準位置に対する前記突出部のそれぞれにおける頂点の二次元の位置ずれに基づいて求められた突出部毎の高さ群によって構成される平面の平坦度が求められるため、突出部群全体としての平坦度を求めることができ、被検査物の利用に最も適した状態を検査することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１（ａ）は本発明の一実施形態である外観検査装置を示す模式図、（ｂ）はその作用を説明するための説明図である。図２はＢＧＡ・ＩＣを示しており、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は拡大部分断面図である。
【００２２】
本実施形態において、本発明に係る外観検査装置は、ＢＧＡ・ＩＣにおけるバンプの高さを検査するものとして構成されている。被検査物としてのＢＧＡ・ＩＣ１は封止体およびバンプ群から成るＢＧＡ２を備えている。封止体３は略正方形の平盤形状に形成されており、封止体３の一主面（以下、第１主面とする。）４には底の浅い穴部５が複数個、規則的に配列されて没設されている。各穴部５の底には各電極パッド６が同心円に配置されてそれぞれ形成されており、各電極パッド６にはバンプ７がそれぞれ突設されている。バンプ７は半田ボール（図示せず）が封止体３の電極パッド６に半田付けされることによって略半球形状に形成されている。
【００２３】
本実施形態において、外観検査装置１０は水平に設定された検査台１１を備えている。検査台１１の上面には負圧供給路を接続された吸引口（図示せず）が開設されており、検査台１１は吸引口の真空吸引力によりＢＧＡ・ＩＣ１の封止体３の第２主面を吸着することにより、ＢＧＡ・ＩＣ１を位置決め保持し得るようになっている。
【００２４】
検査台１１の斜め上方には平行光束を検査台１１に対して４５度の傾斜角をもって照射する斜方照明装置１２が設備されており、検査台１１に保持されたＢＧＡ・ＩＣ１のバンプ７群が斜方照明装置１２から照射された照射光１３によって全体的に照明されるようになっている。照射光１３の全反射した全反射光１４は、左右対称の斜め４５度上方に進むことになる。
【００２５】
検査台１１の斜方照明装置１２と左右対称の斜め上方には、被写体に対してカメラを後ろへ傾ける状態（光学分野において所謂煽る状態）になるように構成された撮像装置（以下、煽り撮像装置という。）１５が設備されている。煽り撮像装置１５は機枠としての暗箱１６、レンズ１７、画像取り込み装置としてのエリアセンサ１８および画像処理部１９を備えている。レンズ１７は光軸１７ａが垂直になるように暗箱１６に配設されており、検査台１１からの全反射光１４が光軸１７ａに対して４５度の夾角をもってレンズ１７に入射するようになっている。すなわち、レンズ１７は被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して煽る状態に配置されている。レンズ１７は焦点距離が検査台１１に保持されたＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４の中心において合うように設定されているとともに、エリアセンサ１８の撮像面１８ａにＢＧＡ・ＩＣ１の像を鮮明に結像させるように設定されている。
【００２６】
エリアセンサ１８はＣＣＤ（電荷結合素子）等の光学センサ（固体撮像装置）が使用されて、被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の面（エリア）画像情報を取り込むように構成されており、面画像情報である電気信号を画像処理部１９に入力させるようになっている。エリアセンサ１８は撮像面１８ａが被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４と平行になるように暗箱１６に水平に配設されており、検査台１１からの全反射光１４が撮像面１８ａに対して４５度の夾角をもって入射するようになっている。すなわち、エリアセンサ１８は被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して煽る状態に配置されている。
【００２７】
画像処理部１９はエリアセンサ１８からの面画像情報としての電気信号を電気的に処理して、被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の面画像を形成するように構成されている。画像処理部１９には演算部２０が接続されており、演算部２０は画像処理部１９が形成した面画像に基づいて後述する作用によってバンプ７の高さを求めるとともに、高さの良否を判定するように構成されている。
【００２８】
次に、前記構成に係る外観検査装置の作用を説明することにより、本発明の一実施形態である外観検査方法を説明する。
【００２９】
被検査物であるＢＧＡ・ＩＣ１はバンプ７群が配列された第１主面４側を上側に向けた状態で、検査台１１の所定位置に載置されて保持される。検査台１１に保持されたＢＧＡ・ＩＣ１は斜方照明装置１２によって全体的に照明される。斜方照明装置１２によって全体的に照明されたＢＧＡ・ＩＣ１は、封止体３の第１主面４から突出されているバンプ７群の全てを煽り撮像装置１５によって撮影される。すなわち、煽り撮像装置１５の画像処理部１９からは、バンプ７については図１（ｂ）に示されているバンプ像２１が出力されることになる。
【００３０】
この際、バンプ７が半球形状に形成されていることにより、図１（ｂ）に示されているように、バンプ７に照射した照射光１３の全反射光１４のうち頂点７ａ（実際には微小な面となる。）に照射して全反射した頂点全反射光１４ａだけが、煽り撮像装置１５のレンズ１７に入射するため、エリアセンサ１８の撮像面１８ａに明るい像（以下、頂点像という。）２１ａを結ぶことになる。頂点７ａ外の球面に照射した照射光１３の頂点外全反射光１４ｂは、煽り撮像装置１５のレンズ１７に入射しないため、相対的に、エリアセンサ１８の撮像面１８ａには暗い像（以下、全体像という。）２１ｂが結ばれることになる。
【００３１】
ここで、半球形状のバンプ７において頂点７ａは水平状態になっており、入射角と反射角とは等しいという法則から頂点７ａに入射した照射光１３の頂点全反射光１４ａは、斜方照明装置１２と左右対称形に配置された煽り撮像装置１５に入射するため、頂点像２１ａが撮影される。これに対して、頂点７ａ外の球面に照射した照射光１３の頂点外全反射光１４ｂは、入射角と反射角とは等しいという法則から煽り撮像装置１５の設置方向と異なる方向に進むため、煽り撮像装置１５に入射せず暗い全体像２１ｂを相対的に結ぶことになる。
【００３２】
ところで、封止体３の第１主面４は水平面であるため、第１主面４での全反射光１４ｃは煽り撮像装置１５に入射して明るい像（以下、周囲像という。）２１ｃを結ぶことになる。但し、第１主面４に没設された穴部５に照射した照射光１３の全反射光は立ち上がり壁面で再反射するため、煽り撮像装置１５に入射しない。したがって、バンプ７の暗い全体像２１ｂの外周縁は、暗い像である穴部５と第１主面４での全反射光１４ｃによる明るい周囲像２１ｃとの境界によって規定されることになる。しかし、穴部５とバンプ７とは同心円に配置されているため、全体像２１ｂの中心２１ｄはバンプ７の平面上の中心７ｄに対応している。また、斜め撮像画像であるが、煽り撮像装置１５による煽り撮像画像なので、第１主面４に配置されたバンプ７群全てについて均一の画像を全く歪なく得ることができる。ちなみに、煽り撮像装置１５を使わずに斜め撮像すると、楕円になり、かつ、前後のバンプの画像が歪む。
【００３３】
以上のようにして撮影されて画像処理されたバンプ像２１の全体像２１ｂは、レンズ１７およびエリアセンサ１８が被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して煽り状態すなわち平行に配置されているため、図１（ｂ）に示されているように真円形に形成される。つまり、バンプ７を真上から撮影した場合と均等の状態になっており、全体像２１ｂの中心２１ｄはバンプ７の平面上の中心７ｄを示していることになる。しかし、頂点像２１ａはバンプ７における頂点７ａの高さの分だけ、全体像２１ｂの中心２１ｄから偏心している。したがって、バンプ頂点７ａがバンプ７の中心にあるという前提条件下において、全体像２１ｂにおける中心２１ｄからの頂点像２１ａの偏心量を算出することにより、バンプ７における頂点７ａの高さｈが求められることになる。
【００３４】
演算部２０は次の式によってバンプ７における頂点７ａの高さｈを求める。
Ａ＝ｈ／ｔａｎθ＋ｒ・・・▲１▼
ｒ＝Ｒ・・・▲２▼
故に、ｈ＝（Ａ−Ｒ）×ｔａｎθ・・・▲３▼
【００３５】
式中、ｈは第１主面４からのバンプ７の頂点７ａの高さであり未知数である。ｒは穴部５の半径であって設計値に規定されているが、実寸値は未知数である。なお、後述する真上撮像装置によれば、ｒは実測することができる。Ｒは後述する真上撮像装置により得られた画像からバンプ７の全体像の外縁から頂点線までの距離、すなわち、頂点の偏心量と全体像の半径の和である。すなわち、バンプ７に変形がなく頂点に偏心がない場合には画像処理部１９の情報に基づいて全体像２１ｂの直径を測定することにより、Ｒは求めることができる。Ａはバンプ像２１における全体像２１ｂの外縁から頂点像２１ａまでの距離であり、画像処理部１９の情報に基づいて測定することができる。θは全反射角であって照射光１３の照射角に等しい。
【００３６】
本実施形態において、θは４５度であるから、ｔａｎθは「１」である。故に、前式▲３▼は、ｈ＝Ａ−Ｒ、になる。したがって、バンプ７に変形がなく頂点７ａがバンプ７の平面上の中心７ｄの上にあるという前提条件下では、バンプ７の頂点７ａの高さｈは、画像処理によって測定した全体像２１ｂの外縁から頂点像２１ａまでの距離Ａと、全体像２１ｂの半径との差に等しいということになる。なお、後述するように真上撮像装置を併用すれば、バンプ７が変形し頂点７ａが偏心している場合であってもバンプ７の高さｈを正確に求めることができる。
【００３７】
以上のようにして求めたバンプ７の頂点７ａの高さｈと予め設定された標準値との差値を算出し、その差値が予め設定された公差の範囲内か否かを判定することにより、演算部２０はバンプ７の高さの良否を検査することができる。
【００３８】
前記実施形態によれば、次の効果が得られる。
▲１▼  レンズ１７およびエリアセンサ１８を被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して煽り状態すなわち平行に配置することにより、半球形状のバンプ７を真上から撮影した場合と等しく、バンプ像２１の全体像２１ｂを真円形に撮影することができるため、全体像２１ｂにおける中心２１ｄからの頂点像２１ａの偏心量を算出することにより、バンプ７における頂点７ａの高さｈを求めることができる。
【００３９】
▲２▼  前記▲１▼により、バンプにレーザスポット光やスリット光を高精度に照射しなくても済むため、高精度の位置合わせや位置決めを省略することができ、バンプの高さについての検査時間を大幅に短縮することができる。
【００４０】
▲３▼  煽り撮像装置１５による斜め撮像画像としての煽り撮像画像は、第１主面４に配置されたバンプ７群全てについて均一の画像を全く歪みなく撮映することができるため、一度の撮映によってバンプ７群全ての頂点７ａの高さを求めることができ、全てのバンプ７の高さを正確かつ迅速に検査することができる。
【００４１】
▲４▼  多数個のバンプであっても照射光および撮像装置を走査せずに一度の撮映によって一括して画像を取り込むことができるため、検査時間の延長を未然に回避することができる。
【００４２】
▲５▼  高精度で高価なレーザ変位計や位置決め装置等を必要としないため、外観検査装置の設備費用やメンテナンス費用およびランニング費用を低減することができる。
【００４３】
▲６▼  斜方照明装置１２によって被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１を照明することにより、バンプ７の頂点像２１ａと全体像２１ｂとのコントラストを鮮明に撮影させることができるため、バンプの高さの測定精度および検査精度をより一層高めることができる。
【００４４】
図３は本発明の他の実施形態である外観検査装置を示す模式図であり、図４はその作用を説明するための説明図である。
【００４５】
本実施形態２が前記実施形態１と異なる点は、煽り撮像装置にラインセンサが使用されている点および真上撮像装置が併用されている点である。すなわち、本実施形態２に係る外観検査装置１０Ａは、水平に設定されたＸテーブル３０を備えており、Ｘテーブル３０には検査台３１が水平に設置されている。Ｘテーブル３０は検査台３１を斜め撮像ステージ３０ａと真上撮像ステージ３０ｂとの間で往復移動させるように構成されており、中央演算処理装置（以下、ＣＰＵという。）４０によって制御されるようになっている。
【００４６】
斜め撮像ステージ３０ａの斜め上方には平行光束を検査台３１に対して４５度の傾斜角をもって照射する斜方照明装置３２が設備されており、検査台３１に保持されたＢＧＡ・ＩＣ１のバンプ７群が斜方照明装置３２から照射された照射光３３によって全体的に照明されるようになっている。
【００４７】
斜め撮像ステージ３０ａの斜方照明装置３２と左右対称の斜め上方には、ラインセンサを使用した煽り撮像装置３５が設備されており、煽り撮像装置３５は後記する真上撮像装置と共に走査装置４１に吊持されている。走査装置４１はＣＰＵ４０によって制御されることにより、煽り撮像装置３５および真上撮像装置をＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して平行方向であるＸ方向に走査するようになっている。なお、図示しないが、斜方照明装置３２および後記する垂直落射照明装置も走査装置４１によってＸ方向に走査されるようになっている。
【００４８】
煽り撮像装置３５は暗箱３６、レンズ３７、画像取り込み装置としてのラインセンサ３８および画像処理部３９を備えている。レンズ３７は光軸が４５度になるように暗箱３６に配設されており、検査台３１からの全反射光３４が光軸と平行に入射するようになっている。すなわち、レンズ３７は被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して煽る状態に配置されていない。しかし、ＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に平行に走査するという条件の下では、煽りによる斜め撮像（煽り撮像）の効果が得られる。レンズ３７は焦点距離が検査台３１に保持されたＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４の中心において合うように設定されているとともに、ラインセンサ３８の撮像面３８ａにＢＧＡ・ＩＣ１の像を鮮明に結像させるように設定されている。
【００４９】
ラインセンサ３８はＣＣＤ（電荷結合素子）等の光学センサが使用されて、被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の線（ライン）画像情報を取り込むように構成されており、線画像情報である電気信号を画像処理部３９に入力させるようになっている。ラインセンサ３８は撮像面３８ａが被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４と平行になるように暗箱３６に水平に、かつ、ＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４の一方の中心線と一致する方向（以下、Ｙ方向とする。）に長く敷設されている。そして、煽り撮像装置３５が走査装置４１によって水平移動されると、ラインセンサ３８の撮像面３８ａは被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４と平行なエリア（面）撮像面を構成するようになっている。検査台３１からの全反射光３４はこのラインセンサ３８の撮像面３８ａが構成するエリア撮像面に対して４５度の夾角をもって入射するようになっている。すなわち、ラインセンサ３８は被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して煽る状態に配置されている。なお、ラインセンサ３８は暗箱３６に、撮像面３８ａの光軸が検査台３１からの全反射光３４と平行になるように設置することが望ましい。
【００５０】
画像処理部３９にはＣＰＵ４０が接続されており、画像処理部３９はラインセンサ３８からの線画像情報としての電気信号と、走査装置４１を制御するためのＣＰＵ４０からの走査信号とを電気的に処理して被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の面（エリア）画像を形成するように構成されている。ＣＰＵ４０には演算部が組み込まれており、演算部は画像処理部３９および真上撮像装置が形成した面画像を併用してバンプ７の高さを求めるとともに、高さの良否を判定するように構成されている。
【００５１】
真上撮像ステージ３０ｂには平行光束を検査台３１に対して垂直に照射する垂直落射照明装置４２が設備されており、検査台３１に保持されたＢＧＡ・ＩＣ１のバンプ７群が垂直落射照明装置４２から照射された垂直落射光４３によって全体的に照明されるようになっている。垂直落射照明装置４２は平行光束を水平に照射する光源４２ａと、水平に照射された平行光束を垂直に落射させるハーフミラー４２ｂとを備えており、ハーフミラー４２ｂは検査台３１からの全反射光４４を真上撮像装置４５に透過させるように構成されている。
【００５２】
真上撮像ステージ３０ｂの垂直落射照明装置４２と光学的に後方の垂直位置には、ラインセンサを使用した真上撮像装置４５が設備されており、真上撮像装置４５は煽り撮像装置３５と共に走査装置４１に吊持されている。したがって、真上撮像装置４５も走査装置４１によりＸ方向に走査されるようになっている。なお、垂直落射照明装置４２も前記した斜方照明装置３２と共に走査装置４１によりＸ方向に走査されるようになっている。
【００５３】
真上撮像装置４５は暗箱４６、レンズ４７、画像取り込み装置としてのラインセンサ４８および画像処理部４９を備えている。レンズ４７は光軸が垂直になるように暗箱４６に配設されており、検査台３１からの全反射光４４が光軸と平行に入射するようになっている。すなわち、レンズ４７は被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して煽る状態に配置されていない。レンズ４７は焦点距離が検査台３１に保持されたＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４の中心において合うように設定されているとともに、ラインセンサ４８の撮像面４８ａにＢＧＡ・ＩＣ１の像を鮮明に結像させるように設定されている。
【００５４】
ラインセンサ４８はＣＣＤ（電荷結合素子）等の光学センサが使用されて、被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の線（ライン）画像情報を取り込むように構成されており、線画像情報である電気信号を画像処理部４９に入力させるようになっている。ラインセンサ４８は撮像面４８ａが被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４と平行になるように暗箱４６に水平に配設されており、検査台３１からの全反射光４４が撮像面４８ａに対して垂直に入射するようになっている。すなわち、ラインセンサ４８は被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して煽る状態に配置されていない。また、ラインセンサ４８はＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４の一方の中心線と一致する方向（以下、Ｙ方向とする。）に長く敷設されている。
【００５５】
画像処理部４９にはＣＰＵ４０が接続されており、画像処理部４９はラインセンサ４８からの線画像情報としての電気信号と、走査装置４１を制御するためのＣＰＵ４０からの走査信号とを電気的に処理して被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の面（エリア）画像を形成するように構成されている。
【００５６】
なお、５０はＣＰＵ４０の演算結果や判定結果等をモニタリングするためのモニタであり、５１は煽り撮像装置３５の面画像をモニタリングするためのモニタであり、５２は真上撮像装置４５の面画像をモニタリングするためのモニタである。
【００５７】
次に、前記構成に係る外観検査装置１０Ａの作用を説明することにより、本発明の実施形態２である外観検査方法を説明する。
【００５８】
ＢＧＡ・ＩＣ１はバンプ７群が配列された第１主面４側を上側に向けた状態で、検査台３１の所定位置に載置されて保持される。ＢＧＡ・ＩＣ１を保持した検査台３１が真上撮像ステージ３０ｂに配置されると、走査装置４１によって真上撮像装置４５および垂直落射照明装置４２が被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して平行であるＸ方向に走査されるとともに、検査台３１に保持されたＢＧＡ・ＩＣ１は垂直落射照明装置４２によって垂直落射照明される。これにより、真上撮像装置４５は封止体３の第１主面４から突出されているバンプ７群の全てを撮影して面画像情報を出力する。すなわち、真上撮像装置４５の画像処理部４９からは、バンプ７については図４に示されているバンプ真上像５３が出力されることになる。
【００５９】
この際、バンプ７が半球形状に形成されていることにより、バンプ７に照射した垂直落射光４３の全反射光４４のうち、頂点７ａ（実際には微小な面となる。）に照射して全反射した頂点全反射光４４ａだけが真上撮像装置４５に入射するため、バンプ真上像５３には頂点７ａの明るい像（以下、真上頂点像という。）５３ａが形成される。頂点７ａ外の球面に照射した垂直落射光４３の頂点外全反射光４４ｂは、真上撮像装置４５に入射しないため、バンプ真上像５３には暗い像（以下、真上全体像という。）５３ｂが形成される。
【００６０】
ここで、半球形状のバンプ７において頂点７ａは水平状態になっており、入射角と反射角とは等しいという法則から、頂点７ａに入射した垂直落射光４３の頂点全反射光４４ａは垂直に配置された真上撮像装置４５に入射するため、真上頂点像５３ａが撮影される。これに対して、頂点７ａ外の球面に照射した垂直落射光４３の頂点外全反射光４４ｂは、入射角と反射角とは等しいという法則から、真上撮像装置４５の垂直方向に進まないため、真上撮像装置４５に入射せずに暗い真上全体像５３ｂを相対的に形成することになる。
【００６１】
ところで、封止体３の第１主面４は水平面であるため、第１主面４での周囲全反射光４４ｃは真上撮像装置４５に入射して明るい周囲像５３ｃを結ぶことになる。したがって、バンプ７の暗い真上全体像５３ｂの外周縁は第１主面４での周囲全反射光４４ｃによる明るい周囲像５３ｃとの境界によって規定されることになる。
【００６２】
以上のようにして真上撮像装置４５により得られたバンプ真上像５３の真上全体像５３ｂは図４に示されているように実質的に真円形に形成され、真上頂点像５３ａは理想的には当該真円形の中心に位置している。つまり、バンプ７が変形しその頂点７ａが偏心している場合はその限りでないが、バンプ７を真上から鳥瞰視した場合と均等の状態になっている。
【００６３】
次に、ＢＧＡ・ＩＣ１を保持した検査台３１が斜め撮像ステージ３０ａに配置されると、走査装置４１によって煽り撮像装置３５および斜方照明装置３２が被写体であるＢＧＡ・ＩＣ１の第１主面４に対して平行であるＸ方向に走査されるとともに、検査台３１に保持されたＢＧＡ・ＩＣ１は斜方照明装置３２によって斜方照明される。これにより、煽り撮像装置３５は封止体３の第１主面４から突出されているバンプ７群の全てを撮影して面画像情報を出力する。すなわち、煽り撮像装置３５の画像処理部３９からは、バンプ７については図４に示されているバンプ煽り像５４が出力されることになる。
【００６４】
この際、バンプ７が半球形状に形成されていることにより、バンプ７に照射した照射光３３の全反射光３４のうち頂点７ａ（実際には微小な面となる。）に照射して全反射した頂点全反射光３４ａだけが、煽り撮像装置３５のレンズ３７に入射するため、ラインセンサ３８の撮像面３８ａに明るい像（以下、煽り頂点像という。）５４ａを結ぶことになる。頂点７ａ外の球面に照射した照射光３３の頂点外全反射光３４ｂは、煽り撮像装置３５のレンズ３７に入射しないため、相対的に、ラインセンサ３８の撮像面３８ａには暗い像（以下、煽り全体像という。）５４ｂが結ばれることになる。
【００６５】
ここで、半球形状のバンプ７において頂点７ａは水平状態になっており、入射角と反射角とは等しいという法則から、頂点７ａに入射した照射光３３の頂点全反射光３４ａは斜方照明装置３２と左右対称形に配置された煽り撮像装置３５に入射するため、煽り頂点像５４ａが撮影される。これに対して、頂点７ａ外の球面に照射した照射光３３の頂点外全反射光３４ｂは、入射角と反射角とは等しいという法則から煽り撮像装置３５の設置方向と異なる方向に進むため、煽り撮像装置３５に入射せず暗い煽り全体像５４ｂを相対的に結ぶことになる。つまり、明るい煽り頂点像５４ａは暗い煽り全体像５４ｂに取り囲まれて鮮明に認識し得る状態になっている。
【００６６】
以上のようにして煽り撮像装置３５によって撮像された煽り頂点像５４ａは、バンプ７における頂点７ａの高さの分だけ、真上頂点像５３ａの位置から偏心している。したがって、真上頂点像５３ａと煽り頂点像５４ａとの位置ずれ量を測定することにより、バンプ７における頂点７ａの高さｈが求められることになる。
【００６７】
そこで、ＣＰＵ４０は真上頂点像５３ａの座標位置と、煽り頂点像５４ａの座標位置との差値を測定して、バンプ７における頂点７ａの高さｈを求める。そして、以上のようにして求めたバンプ７の頂点７ａの高さｈと予め設定された標準値との差値を算出し、その差値が予め設定された公差の範囲内か否かを判定することにより、ＣＰＵ４０はバンプ７の高さの良否を検査することができる。
【００６８】
以上説明した本実施形態２によれば、前記実施形態１と同様の効果に加えて、煽り撮像装置による煽り頂点像と真上撮像装置による真上頂点像とに基づいて画像処理によってバンプ７の頂点７ａを求めることができる。したがって、バンプ頂点が偏心している場合でも、正確にバンプ高さを求めることができる。また、ラインセンサを使用することにより、コスト増を抑制しつつ解像度を大幅に高めることができるため、測定精度や検査精度を容易に高めることができる。
【００６９】
煽り効果による二次元の位置ずれに基づいてバンプの高さが求められるため、煽り撮像装置による撮映時と真上撮像時の撮像時とにおいて、検査対象物であるＢＧＡ・ＩＣが機械的に移動された場合であっても、当該移動に伴う誤差についてのキャリブレーションは省略することができる。このようにキャリブレーションを省略することができるため、外観検査装置および方法の信頼性を高めることができるとともに、ランニングコスト等を大幅に軽減することができる。
【００７０】
図５は本発明の一実施形態である外観検査方法を比較例によって明らかにするための各説明図である。（ａ）は本発明の一実施形態である外観検査装置を示す模式図、（ｂ）はその撮像画面図、（ｃ）はバンプ高さの測定原理を示す説明図である。（ｄ）は比較例としてのテレセントリック光学系による外観検査装置を示す模式図、（ｅ）はその撮像画面図、（ｆ）はバンプ高さの測定原理を示す説明図である。
【００７１】
前記実施形態１および２で説明した通り、図５（ａ）示されている煽り撮像装置を使用すると、単純かつ安価な構成によって、図５（ｂ）に示されているように、撮像画面全体にわたって全く歪みの無い撮像画面であって、しかも、真上撮像装置と均等な撮像を得ることができ、図５（ｃ）に示されているように、頂点像の二次元の偏心に基づいてバンプの高さｈの寸法値を測定することができ、また、変形したバンプの頂点の高さであっても正確に求めることができる。
【００７２】
図５（ｄ）に示されているテレセントリック光学系による外観検査装置５５は、図５（ｅ）に示されているように、撮像画面全体にわたってピントの合った画像を得ることができる。しかし、図５（ｂ）と図５（ｅ）との比較から明らかな通り、テレセントリック光学系５６の傾きの手前側と奥行き側とが縮小してしまう。すなわち、テレセントリック光学系５６を通したエリアセンサ５７による斜め撮映画像には歪みがある。つまり、常に座標変換が必要になるため、テレセントリック光学系５６が複雑かつ高価格なこととあいまって、テレセントリック光学系による外観検査装置５５のコストはきわめて高くなってしまう。
【００７３】
テレセントリック光学系を使用した外観検査装置を含めて煽り撮像装置を使用しない通常の斜め撮映画像によるバンプ７の高さは、図５（ｆ）に示されている原理によって測定される。しかしながら、この測定原理によれば、画像５８の頂点５８ｆによって求められるのは、バンプ７における頂点７ａの若干下側の位置（実際には微小な面である。）７ｆということになるため、正確な測定が原理的に不能である。また、バンプ７の頂点７ａを測定するのではないから、バンプ７が変形することによってバンプ７の頂点７ａが偏心している場合には偏心しているか否かさえも原理的に認識することができない。つまり、変形したバンプ７における頂点７ａの偏心の補正は、測定原理からして不能である。
【００７４】
ところで、第１主面４の穴部５の底に形成された電極パッド６ではなく、図６に示されているように、第１主面４の上に形成された電極パッド６にバンプ７が突設されていると、バンプ７の第１主面４からの高さｈは、真上撮像装置と煽り撮像装置とによる測定原理では次のような理由によって測定することができない場合がある。
【００７５】
真上撮像装置と煽り撮像装置とによってバンプ７の高さｈを測定するには、真上撮像装置と煽り撮像装置とが同一の外周縁を撮像していることが条件になる。これは図４および前記した式▲１▼、▲２▼、▲３▼から理解することができる。バンプ７が第１主面４の穴部５の底に突設されている場合には、図４に示されているように、真上撮像装置と煽り撮像装置とは穴部５の外周縁を同一の外周縁として撮像するため、この条件を満足することになる。
【００７６】
図６（ｂ）に示されているように、第１主面４の上に形成された電極パッド６にバンプ７が突設されている場合であってバンプ７の高さが高い場合には、真上撮像装置はバンプ７の実際のエッジＡおよびＢを撮像する。ところが、煽り撮像装置はバンプ７の影のエッジＡ’およびＢ’を撮像することになる。つまり、この場合には、前記した▲１▼式において、▲２▼式のｒ＝Ｒが成立しないため、▲３▼式によってｈを求めることができない。
【００７７】
但し、図６（ａ）に示されているように、第１主面４の上に形成された電極パッド６にバンプ７が突設されている場合であってもバンプ７の高さが低い場合には、真上撮像装置および煽り撮像装置のいずれもがバンプ７の実際のエッジＡおよびＢを撮像することになるため、▲３▼式によってｈを求めることができる。つまり、この場合には前記した▲１▼式において、▲２▼式のｒ＝Ｒが成立するため、▲３▼式によってｈを求めることができる。
【００７８】
図６（ｃ）に示されているように、第１主面４の上に形成された電極パッド６にバンプ７が突設されている場合であっても、真上撮像装置と煽り撮像装置とによる測定原理によって測定することができるバンプ７の高さｈは、
ｈ≦｛（２−２ 1/2）／２｝×Ｒ・・・▲４▼
の通りである。この▲４▼式によれば、バンプ７の高さｈが電極パッド６の直径の約０．３以下でないと、測定することができないということになる。ところが、ＢＧＡやＣＳＰ等のバンプに使用される半田バンプの高さｈは電極パッド６の直径の０．３以上になる場合が多い。
【００７９】
ここで、半田バンプの形成方法について説明する。半田バンプの形成方法には大きく分けて、半田ボールが電極パッドに付着される方法と、電極パッドに半田材料が印刷法やめっき法によって供給されリフロー処理によって接着される方法とがある。半田ボールによるバンプ形成方法によれば、バンプの高さはボールの直径に依存するため、一定して高くなる。半田リフロー法によるバンプ形成方法においては、バンプの高さが表面張力に依存するため、半田材料の供給によってバンプの高さは高いものから低いものまで種々に出現することになる。
【００８０】
したがって、バンプの高さを検査するためには、半田リフロー法によるバンプ形成方法によって形成されたバンプであって、高いものから低いものまでの高さを測定する必要があり、これらを測定することができれば、他のバンプの高さについても検査を達成することができるということになる。
【００８１】
そこで、本発明の実施形態３である外観検査方法においては、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）示されている三つのモデルにバンプを分類するとともに、各バンプの高さをそれぞれに対応する計算方法によって求めるように構成した。以下に三つのモデルと各計算方法について説明する。
【００８２】
第１のモデルは図７（ａ）に示されているように、影が第１主面に発生しない程に高さｈが低いバンプ（以下、低いバンプという。）である。第２のモデルは図７（ｂ）に示されているように、第１主面に影が発生し直径が電極パッドと等しい中間高さのバンプ（以下、中間バンプという。）である。第３のモデルは図７（ｃ）に示されているように、高さが電極パッドの直径よりも高いバンプ（以下、高いバンプという。）である。
【００８３】
図７（ｄ）は低いバンプと中間バンプとの境界条件を示す説明図であり、図７（ｅ）は中間バンプと高いバンプとの境界条件を示す説明図である。図７において、θが煽り撮像装置の傾斜角度とすると、低いバンプの高さｈは、
ｈ≦（１−ｃｏｓθ）／ｓｉｎθ×Ｒ・・・(i)
中間バンプの高さｈは、
（１−ｃｏｓθ）／ｓｉｎθ×Ｒ＜ｈ≦Ｒ・・・(ii)
高いバンプの高さｈは、
Ｒ＜ｈ・・・(iii)
によってそれぞれ表されるため、低いバンプと中間バンプと高いバンプとは明確に分類することができる。
【００８４】
低いバンプは影が第１主面に発生しないことにより真上撮像装置および煽り撮像装置のいずれもがバンプの実際のエッジを撮像することになるため、前記実施形態に準じてｈを求めることができる。しかし、中間バンプおよび高いバンプでは影が第１主面に発生することにより煽り撮像装置はバンプの影のエッジを撮像することになるため、ｈを求めることができない。
【００８５】
そこで、中間バンプおよび高いバンプについても前記実施形態２に係る外観検査装置を使用して高さｈを測定することができるように、図８、図９、図１０のモデルを想定してｈを求めた。図８は低いバンプ、図９は中間バンプ、図１０は高いバンプをそれぞれ示している。図８〜図１０において、いずれのバンプも球の一部によって構成されているとともに、バンプが偏心している場合を配慮して大きい曲率の球と小さい曲率の球とから構成されている場合が想定されている。ここで、三つのバンプが大小曲率の二つの球モデルによって表されているため、厳密には五つのモデルが想定されることになる。しかし、実際のバンプの偏心量は極僅かであるため、大小の曲率によって発生する二つのモデルは無視しても実用上差し支えない。
【００８６】
図８〜図１０において、ｈは第１主面からのバンプの高さ、Ｔ1 は真上全体像における斜方照明装置側のバンプエッジからバンプ頂点像までの距離、Ｔ2 は真上全体像における煽り撮像装置側のバンプエッジからバンプ頂点像までの距離、Ｓ1 は煽り全体像における斜方照明装置側のバンプ影のエッジからバンプ頂点像までの距離、Ｓ2 は煽り全体像における煽り撮像装置側のバンプ影のエッジからバンプ頂点像までの距離、ｒ1 はバンプを構成した斜方照明装置側の球の半径、ｒ2 はバンプを構成した煽り撮像装置側の球の半径、Ｒはバンプの平均半径、θは第１主面からの煽り撮像傾斜角度である。
【００８７】
図８に示されている通り、低いバンプの場合には真上撮像装置および煽り撮像装置のいずれでもバンプエッジを同一の外周縁として撮像する状態になるため、バンプエッジを共通の測定基準として使用することができる。したがって、図３および図４について説明した外観検査装置および方法に準じた測定原理によってバンプの高さｈを求めることができる。この場合には、真上撮像装置からＴ1 とＴ2 という二つの情報が得られ、煽り撮像装置からはＳ1 とＳ2 という二つの情報が得られるが、Ｔ1 とＳ1 またはＴ2 とＳ2 のいずれか二つの情報を使用することにより、バンプ高さｈを計算することができる。
【００８８】
但し、Ｔ1 およびＳ1 を使用した計算式の解の値と、Ｔ2 およびＳ2 を使用した計算式の解の値との平均値を求めるという考え方で、測定精度を高めることができる。その計算式が図８に示されている（１）式である。後述するが、（１）式を採用することにより、中間バンプおよび高いバンプについての計算式（２）、（３）との関係が明確になる。
【００８９】
中間バンプの場合には、図９に示されている通り（２）式が得られる。
【００９０】
高いバンプの場合には、図１０に示されている通り（３）式が得られる。
【００９１】
ここで、低いバンプの場合の（１）式、中間バンプの場合の（２）式、高いバンプの場合の（３）式を比較すると、（Ｓ2 −Ｓ1 ）項と（Ｔ2 −Ｔ1 ）項とに分けて考えることができる。バンプ偏心量が零である場合にはＴ2 とＴ1 とは等しいので、（Ｔ2 −Ｔ1 ）項は零になる。したがって、バンプ偏心量が零であると仮定すれば、（１）式、（２）式および（３）式は、
ｈ＝ｔａｎθ（Ｓ2 −Ｓ1 ）／２・・・（４）
と全く同一の計算式になる。
【００９２】
また、煽り撮像装置の傾斜角度θが４５度に選定された場合には、（１）式、（２）式および（３）式は図８、図９および図１０にそれぞれ示されている通り、（１）’式、（２）’式および（３）’式に単純化される。ちなみに、煽り撮像装置の傾斜角度θは３０度〜６０度が好ましい。煽り撮像装置の傾斜角度θを寝かし過ぎると、バンプの測定に際して隣のバンプの干渉が発生し、起こし過ぎると、煽り撮像による横ずれの効果が少なくなってしまう。
【００９３】
以上の計算式を使用した外観検査方法の実施形態を図１１に示されているフローチャートについて説明する。ここで、本実施形態に係る外観検査方法における測定データは、図３および図４について説明した外観検査装置が使用されて採取される。本実施形態に係る外観検査方法においては、その測定データに基づいてフローチャートに示された演算処理がＣＰＵ４０において実行される。
【００９４】
ところで、図３に示されているように、煽り撮像装置３５においてラインセンサ３８が使用されている場合には、煽り撮像装置３５のモニタ５１に表示される実際上の画像においては、煽り頂点像５４ａの変移は図４に示されているバンプ煽り像５４の左右方向と異なり、図１２に示されているように上下方向に発生する。これは次の理由による。ラインセンサ３８は長手方向（画素が並んだ方向でモニタの水平方向）に直交する方向（モニタの垂直方向）に送られるため、煽り効果による煽り頂点像５４ａの変移はモニタ５２の垂直方向に発生する。
【００９５】
そして、以下の説明は実験時のモニタ画像によって得たデータに基づくため、図１３〜図２０に示されている画像図において、煽り頂点像５４ａの変移は上下方向に発生しているように示されている。
【００９６】
なお、前記実施形態２の説明においては、幾何学的関係による理解のし易さに配慮して、図４において煽り頂点像５４ａの変移は横方向に発生するように示されている。
【００９７】
図１３〜図２０は前述したリフロー半田法によるバンプ形成方法によって形成されたバンプの種々の形状をそれぞれ示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はバンプ煽り像の画面図である。（ｃ）のバンプ煽り像５４（図１９参照）において煽り頂点像５４ａの変移はモニタ５１の垂直方向に発生している。
【００９８】
各図において、絶縁材料から形成された下地６１の上には金（Ａｕ）が使用されて形成されたパッド６２が敷設されており、パッド６２には下側スルーホール６３が開設されている。パッド６２の上には所謂半田レジスト膜６４が被着されており、半田レジスト膜６４には下側スルーホール６３よりも大きい上側スルーホール６５が同心円に形成されている。バンプは半田材料が下側スルーホール６３および上側スルーホール６５の内部に供給された後にリフロー処理されて、半田レジスト膜６４によってせき止められることにより、半田レジスト膜６４の上に突出した状態に形成される。したがって、本実施形態において、半田レジスト膜６４の上面が第１主面４を構成していることになる。
【００９９】
図１３はリフロー処理によって隣合うバンプ同士が一連に繋がってしまった所謂半田ブリッジ不良のバンプを示している。半田ブリッジ不良のバンプは半田材料の供給量が多かった場合や、供給時に隣合うバンプ同士の半田材料が繋がってしまった場合に発生する。図１３（ｃ）に示されている半田ブリッジ不良のバンプ煽り像において、二つのバンプが繋がって形成された塊は黒色像６６として観測され、当該塊の外側の半田レジスト膜６４の表面および当該塊の中央部に位置する頂部分は白く輝くため、白色像６７として観測される。半田ブリッジの塊は二つのバンプが繋がっているため、半田ブリッジ不良のバンプ煽り像の黒色像６６は予め設定された検査エリア６８からはみ出した状態になる。すなわち、黒色像６６は検査エリア６８において孤立した状態になる。
【０１００】
そこで、本実施形態に係る外観検査装置においては、図１１のフローチャートに示されているように、バンプ煽り像から黒色像６６を抽出し（ステップ１）、黒色像６６は検査エリア６８内で孤立しているかを判定する（ステップ２）。孤立していない場合には、半田ブリッジ不良と判定される。孤立している場合には次のステップ３に進む。ここで、黒色像６６が孤立しているとは検査エリア６８において黒色像６６の全周外側に半田レジスト膜６４の表面による白色像６７が検出されることを意味し、半田ブリッジ不良の場合には黒色像６６が検査エリア６８からはみ出すため、黒色像６６は孤立していない状態になってしまう。
【０１０１】
図１４は半田材料が全く供給されなかった場合を示しており、上側スルーホール６５の底でパッド６２が露出し、下側スルーホール６３の底で下地６１が露出した状態になっている。半田材料が全く供給されない事態は、半田クリームがスクリーン印刷法によって供給される場合にはスクリーンの目詰まりや、半田クリームの補給不足、印刷ずれ等によって発生する。図１４（ｃ）に示されている半田材料供給無しのバンプ煽り像において、下側スルーホール６３で露出した下地６１は円形の黒色像６６として観測され、上側スルーホール６５の側壁による影は円形リング形状の黒色像６６として観測される。また、上側スルーホール６５の底のパッド６２の露出面は白色像６７として観測される。すなわち、半田材料供給無しの場合には、黒色像６６の内部に白色像６７が存在し、白色像６７の内部に黒色像６６が存在する。これは、白色像６７は内部まで完全に白色では無いことを意味する。
【０１０２】
図１５は半田材料は供給されたが、リフロー後に何らかの理由で半田材料が失われてしまった場合を示している。この場合には、上側スルーホール６５の底がリフロー半田盛り部６９によって薄く被覆される状態になり、リフロー半田盛り部６９の底面は上側スルーホール６５および下側スルーホール６３に倣った凹曲面形状になる。このリフロー半田盛り部６９の凹曲面には曲率が零で、バンプ頂点のように光る場所がある筈であるが、光の入射が深い下側スルーホール６３によって妨害されるため、図１５（ｃ）に示されているバンプ煽り像においては、全体が円形の黒色像６６として観測される。すなわち、黒色像６６の内部には白色像６７が存在しない。これも、白色像６７は内部まで完全に白色では無いことを意味する。
【０１０３】
そこで、図１１のフローチャートに示されているように、黒色像から白色像を抽出し（ステップ３）、白色像は内部まで完全に白色であるかを判定する（ステップ４）。完全に白色では無い場合には、半田供給不良と判定される。完全に白色である場合には次のステップ５に進む。
【０１０４】
図１６は半田材料が全く供給されなかった場合であって、しかも、下側スルーホール６３が無い場合を示しており、上側スルーホール６５の底でパッド６２が露出した状態になっている。図１６（ｃ）に示されているバンプ煽り像において、上側スルーホール６５の側壁による影は円形リング形状の黒色像６６として観測され、上側スルーホール６５の底のパッド６２の露出面は白色像６７として観測される。この場合には、黒色像６６の内部に白色像６７が存在し、しかも、白色像６７は完全に内部まで白色であることを意味する。
【０１０５】
しかし、図１６の場合には白色像６７は良品の煽り頂点像５４ａに比べて遙かに大きくなるため、良品とは区別することができる。そこで、図１１のフローチャートにおいては、白色像のサイズはバンプ頂点像のサイズ以下かを判定する（ステップ５）。大きい場合には、半田供給不良と判定される。以下の場合には次のステップ６に進む。
【０１０６】
なお、以上のステップ１〜５はバンプ煽り像５４を使用して実行するに限らず、バンプ真上像５３を使用して実行することもできるし、双方を使用することによって検査制度を高めることもできる。
【０１０７】
図１７は半田材料は供給されたが、リフロー後に何らかの理由で半田材料が失われてしまった場合であって、かつ、下側スルーホール６３がリフロー半田盛り部７０によって埋められた状態になり、リフロー半田盛り部７０の底面は上側スルーホール６５内で凹曲面形状になっている。この場合におけるリフロー半田盛り部７０の凹曲面の底は曲率が零でバンプ頂点のように光るため、図１７（ｃ）に示されているバンプ煽り像においては、黒色像６６の内部に小さい白色像６７が形成された状態になる。
【０１０８】
しかし、図１７（ａ）に示されているように、リフロー半田盛り部７０の凹曲面の底面は半田レジスト膜６４の上面よりも低い位置にあるため、図１７（ｃ）に示されているように、リフロー半田盛り部７０の底面によって得られる円形の白色像６７の中心は、リフロー半田盛り部７０の凹曲面全体によって得られる黒色像６６の中心に対して画面の上側に偏心した状態になる。この偏心量は煽り効果による高さ成分の二次元変移量に相当し、上側に偏心したことは高さがマイナスであることを示している。
【０１０９】
そこで、図１１のフローチャートにおいては、偏心がプラスであるかを判定する（ステップ６）。偏心がプラスでない（マイナスである）場合には、半田供給不良と判定される。偏心がプラスである場合には次のステップ７に進む。
【０１１０】
なお、半田材料は供給されたが、リフロー後に何らかの理由で半田材料が失われてしまった場合であって、かつ、下側スルーホール６３が形成されていない場合もリフロー半田盛り部７０の底面は上側スルーホール６５内で凹曲面形状になるため、図１７の場合と同様に半田供給不良と判定されることになる。
【０１１１】
また、図１６の場合において、パッド６２の底面は半田レジスト膜６４の上面よりも低いため、図１６（ｃ）のパッド６２の底面から得られる白色像６７の中心は上側スルーホール６５によって得られる円形リング形状の黒色像６６の中心に対して画面の上側に偏心した状態になるため、図１７の場合と同様に判定することもできる。
【０１１２】
図１８〜図２０は高さに違いはあるもののいずれもバンプ７が形成された場合を示している。図１８は高さが低く形成された場合を示しており、図8 に示された低いバンプに相当する。図１９は高さが中間に形成された場合を示しており、図９に示された中間バンプに相当する。図２０は高さが高く形成された場合を示しており、図１０に示された高いバンプに相当する。これらの場合には、図１８、図１９、図２０の（ｃ）に示されているように、バンプ煽り像において、黒色像６６の内部に小さい白色像６７が形成された状態になる。
【０１１３】
低いバンプ、中間バンプ、高いバンプの高さはバンプ煽り像の全体像と頂点像とから得たＳ1 、Ｓ2 、Ｔ1 、Ｔ2 を前記した（１）式、（２）式、（３）式に代入することにより、算出されるのは前述した通りである。ところが、バンプ高さに対応して（１）式、（２）式、（３）式を使い分けるとすると、厳密にはバンプ高さを計算するまでは実際のバンプ高さは判明していないので、矛盾した事態が発生する。ここで、バンプ偏心量を零と仮定すると、（１）式、（２）式、（３）式は前述した通り（４）式に共通化される。
【０１１４】
そこで、図１１のフローチャートにおいては、（４）式を使用してこれから検査しようとする検査対象のバンプが低いバンプ、中間バンプ、高いバンプのうちどれに該当するかを予備的に判定する（ステップ７）。
【０１１５】
そして、判定した低いバンプ、中間バンプ、高いバンプに対応する（１）式、（２）式、（３）式を使用して偏心量を考慮した高さを算出する（ステップ８）。例えば、低いバンプと判定された場合には（１）式に、バンプ煽り像の全体像と頂点像とから得たＳ1 、Ｓ2 、Ｔ1 、Ｔ2 を代入することにより、検査対象のバンプの高さｈを算出する。
【０１１６】
その後、検査対象のバンプの算出した高さｈが予め設定された基準値の公差範囲内に入っているかを判定する（ステップ９）。公差範囲内に入っていない場合には、検査対象のバンプは高さ不良と判定される。公差範囲内に入っている場合には検査対象のバンプの高さは良好であると判定される。
【０１１７】
予備的に判定した結果により、低いバンプ、中間バンプ、高いバンプのいずれかであるかを出力する（ステップ１０）。この出力によって、低いバンプと高いバンプとはバンプ高さ不良と判定させることもできる。
【０１１８】
検査対象のバンプについて算出された高さｈの値がそれぞれ出力される（ステップ１１）。このバンプ高さｈの値は後述する平坦度検査方法において使用することができる。
【０１１９】
以降、前記した各ステップ１〜９が検査対象であるバンプ全てに対して実行されることにより、バンプの外観検査方法が実施されて行く。また、ステップ１０および１１は必要において実行される。
【０１２０】
以上説明した実施形態３によれば、図１３〜図２０に示された各種のバンプを分類しつつ良不良を判定することができ、バンプの外観検査を自動的に実行することができる。なお、前記外観検査装置を使用した外観検査方法の実験結果を目視検査の結果および三次元測定による外観検査装置の結果と照合したところ、検査精度がきわめて高いことが検証された。
【０１２１】
図２１は本発明の他の実施形態である平坦度検査方法を示すフローチャートである。図２２はその作用を説明するための説明図である。
【０１２２】
本発明の他の実施形態である平坦度検査方法は外観検査方法の一工程として実施されるものであり、一主面に突出した複数個の突出部としてのバンプの頂点群が構成した面の平坦度を検査する方法である。本実施形態に係る平坦度検査方法は、前記した外観検査装置によって採取された測定データに基づいてＣＰＵにおいて実施される。つまり、本実施形態に係る平坦度検査装置は前記した外観検査装置に組み込まれていることになる。
【０１２３】
ところで、ＢＧＡ・ＩＣの第１主面４は反りが図２２に示されているように発生しているのが一般的である。第１主面４が反っていると、第１主面４に突設されたバンプ７の頂点は当該反りに従って上下方向に変移した状態になるため、個々のバンプ７の高さｈが全体にわたって均一であったとしても、ＢＧＡ・ＩＣのプリント配線基板への表面実装に際しては、半田付け不良が発生する。すなわち、バンプ７群が突設された第１主面４に反りが発生していると、ＢＧＡ・ＩＣがプリント配線基板の上に載置された状態において、反りの窪みの底に位置したバンプ７はその頂点がプリント配線基板のランドに接触しないため、半田盛り部がランドとの間で機械的かつ電気的に接続されない場合が発生する。このため、ＢＧＡ・ＩＣにおけるバンプの外観検査方法の一貫としてバンプ群の平坦度検査工程が必要になるわけである。
【０１２４】
平坦度検査方法を実施する図２１に示されたフローチャートにおいて、図２２に示されているように、バンプ７群のうち煽り撮像装置の焦点が合った平坦な面（以下、平面という。）が基準面８０として選定される（ステップ１）。基準面８０は煽り撮像装置の撮像面に対して平行であり、ＢＧＡ・ＩＣの第１主面４における如き反りは無い。
【０１２５】
図２２に示されているように、反りが発生した第１主面４に突設されたバンプ７は基準面８０に対して高低差を構成し、この高低差はバンプ煽り像５４において二次元の位置ずれになって出現する。したがって、基準面８０に頂点が接するバンプについてのバンプ煽り像５４における煽り頂点像５４ａを基準点８１として、各煽り頂点像５４ａの基準点に対する位置ずれ量を計測することにより、基準面８０からの高低差が求まることになる。各バンプ煽り像５４における基準点８１は各バンプ真上像５３の真上頂点像５３ａによって定めることができる。
【０１２６】
そこで、図２１のフローチャートにおいては、基準面８０に頂点が接するバンプについてのバンプ煽り像５４における煽り頂点像５４ａを基準点８１として設定する（ステップ２）。続いて、各煽り頂点像５４ａの基準点８１との位置ずれ量をそれぞれ計測し、これら計測値に基づいて各バンプの基準面８０からの高さをそれぞれ求める（ステップ３）。そして、各バンプ毎の基準面８０からの高さによって面（検査対象面であって、曲率の大きい曲面を構成していたり微少の凹凸を構成していることがある。以下、被検査面という。）を構成し当該平面の平坦度を求める（ステップ４）。最後に、当該被検査面の平坦度が予め設定された平坦度の公差範囲内に入っているかを判定する（ステップ５）。公差範囲内である場合には被検査面の平坦度は良好と判定され、公差範囲外である場合には平坦度は不良と判定される。
【０１２７】
例えば、図２２において、座標Ｘ1 のバンプの基準面８０から高さＺ1 は、
Ｚ1 ＝（Ａ1 −Ａ2 ）×ｔａｎθ
によって求められ、Ｘ1 およびＺ1 の座標点がＸＺ座標に取られる。同様にして、座標Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 についてＺ2 、Ｚ3 、Ｚ4 がそれぞれ求められ、ＸＺ座標に順次取られて行く。これにより、図２２に示されているＸＺ座標のグラフが構成される。この作業がＸＹ方向に実施されることにより、ＸＹＺ座標の三次元グラフが作成される。この三次元グラフは反った第１主面４に突設されたバンプ７群の被検査面を表示する三次元曲面に相当するわけである。
【０１２８】
図２３は平坦度検査方法の他の実施形態を示すフローチャートである。図２４はその作用を説明するための説明図である。
【０１２９】
本実施形態が前記実施形態と異なる点は、プリント配線基板の実装面に相当する仮想平面を基準面として想定し当該仮想平面を基準にしてバンプ群の被検査面を構成する点にある。
【０１３０】
バンプ群の平坦度についての評価はプリント配線基板の実装面に表面実装する時の状態で実行することが望ましい。平面は三点によって構成されるため、バンプ群がプリント配線基板の実装面に表面実装される際には、高い３個のバンプの頂点が実装面に接触した状態になる。この３個のバンプの実装面への接触によって実装面に相対的に支持されたＢＧＡ・ＩＣの姿勢は、実装面と平行になっているとは限らず、バンプ群が突設された第１主面は実装面と平行になっているとは限らない。したがって、煽り撮像装置の撮像面と平行な平面を基準面とした場合には、バンプ群の平坦度についての評価はプリント配線基板の実装面に表面実装する時の状態で実行したとは言えない場合があることになる。
【０１３１】
そこで、本実施形態においては、バンプ７の第１主面４からの高さｈの情報を使用して、表面実装に際して実装面に接触すると想定される３個のバンプを選定し、それら３個のバンプの頂点が構成する仮想平面を基準面としてバンプ群が構成した被検査面の平坦度を求めることとした。
【０１３２】
図２３に示されたフローチャートにおいて、各バンプ７の第１主面４からの高さｈを計測する（ステップ１）。バンプ７は第１主面４上においてＸＹ方向に整列しており、各バンプ７は高さｈをそれぞれ有するため、図２４に示されているように三次元の座標が得られることになる。
【０１３３】
次いで、仮想平面９０を構成する３個のバンプが選定される（ステップ２）。３個のバンプは最も高い３個のバンプを選定してもよいが、図２４に示されているように、四隅のバンプのうちの３個のバンプ７Ａ、７Ｂ、７Ｃを選定してもよい。選定された３個のバンプ７Ａ、７Ｂ、７Ｃの三次元座標を、（Ｘａ、Ｙａ、Ｚａ）、（Ｘｂ、Ｙｂ、Ｚｂ）、（Ｘｃ、Ｙｃ、Ｚｃ）とする。
【０１３４】
続いて、３個のバンプから仮想平面９０を基準面として想定する（ステップ３）。仮想平面９０は３個のバンプの頂点７Ａ、７Ｂ、７Ｃを通るため、
ＡＸａ＋ＢＹａ＋ＣＺａ＝０
ＡＸｂ＋ＢＹｂ＋ＣＺｂ＝０
ＡＸｃ＋ＢＹｃ＋ＣＺｃ＝０
によって仮想平面が定義される。第１主面４をＺ＝０とし、三つの式からＡ、Ｂ、Ｃを求めると、
ＡＸ＋ＢＹ＋ＣＺ＝０
Ｚ＝−（ＡＸ＋ＢＹ）／Ｃ、となる。
【０１３５】
次いで、個々のバンプ（Ｘｎ、Ｙｎ、Ｚｎ）ついて、
ΔＺｎ＝Ｚｎ−Ｚ（Ｘｎ、Ｙｎ）＝Ｚｎ＋（ＡＸｎ＋ＢＹｎ）／Ｃ…（５）
を計算する（ステップ４）。
【０１３６】
そして、各バンプ毎の仮想平面９０からの高さΔＺｎによって被検査面を構成し当該被検査面の平坦度を求める（ステップ５）。最後に、当該被検査面の平坦度が予め設定された平坦度の公差範囲内に入っているかを判定する（ステップ６）。公差範囲内である場合には被検査面の平坦度は良好と判定され、公差範囲外である場合には被検査面の平坦度は不良と判定される。
【０１３７】
以上説明した実施形態によれば、反りが発生した第１主面であってもバンプ群の平坦度検査を自動的に実行することができる。また、測定されたバンプの高さを使用して仮想平面を想定することにより、プリント配線基板への実装態様に対応した状態でバンプ群の被検査面についての平坦度を評価することができるため、実用に対応した平坦度検査を実行することができ、検査の信頼性を高めることができる。
【０１３８】
ところで、図３に示された外観検査装置においては、バンプ真上像５３を得る場所とバンプ煽り像５４を得る場所とが相違するため、それぞれの場所における検査対象であるＢＧＡ・ＩＣ１の位置ずれという要素が加わる。この位置ずれは検査対象物を移動させる場合には、必ず配慮する必要がある。そこで、従来の外観検査装置を含めて一般的な検査装置においては、種々の手法によって位置ずれを補正することが実行されている。このため、従来の外観検査装置等においては、きわめて高価なものになってしまうという問題点がある。
【０１３９】
しかし、前記実施形態に係る平坦度検査装置においては、検査対象物の移動に伴う位置ずれの補正を省略することができる。以下、これを説明する。
【０１４０】
図２５は光学系に対して検査対象物であるＢＧＡ・ＩＣ１が位置ずれした場合を示している。バンプ群の平坦度検査方法の場合においては、バンプ真上像５３における真上頂点像５３ａの絶対値を基準として、バンプ煽り像５４における煽り頂点像５４ａの絶対値が測定されるため、測定値にはバンプ７の高さｈおよび第１主面４の反りという真のバンプ群平坦度情報以外に、検査対象であるＢＧＡ・ＩＣの位置ずれに伴う見掛け上の変移が加算されることになる。
【０１４１】
図２５においては位置ずれが平行方向だけに発生した場合が示されているが、実際には回転ずれも考慮する必要がある。図２６においては位置ずれが回転方向にも発生した場合が示されている。以下、図２６によって説明する。
【０１４２】
図２６において、Ｏ（Ｘ、Ｙ）は光学系の全体視野であり、Ｔは真上撮像装置による第１主面の全体像（以下、視野Ｔということがある。）、Ｓは煽り撮像装置による第１主面の全体像（以下、視野Ｓということがある。）である。Ｏｔ（Ｘｔ、Ｙｔ）は真上撮像装置による第１主面の全体像の座標系であり、原点はＯｔ（ＯｔＸ、ＯｔＹ）である。Ｏｓ（Ｘｓ、Ｙｓ）は煽り撮像装置による第１主面の全体像であり、原点は（ＯｓＸ、ＯｓＹ）である。Ｐｔ（ＰＴｘ、ＰＴｙ）は真上撮像装置による座標系におけるバンプ頂点の位置である。ＰＳ（ＰＳｘ、ＰＳｙ）は煽り撮像装置による座標系におけるバンプ頂点の位置である。ＰＳｏ（ＰＳｏｘ、ＰＳｏｙ）は煽り撮像装置による座標系におけるバンプ頂点位置であって、煽り効果による移動が無いと仮定した場合のバンプ頂点位置である。ＰＳｈ（ＰＳｈｘ、ＰＳｈｙ）は煽り撮像装置による座標系におけるバンプ頂点位置であって、煽り効果による移動が無いと仮定した場合のバンプ頂点位置である。
【０１４３】
ここで、視野Ｓでの第１主面の位置は視野Ｔにおける位置に対して、第１主面の原点において（ＯｓＸ−ＯｔＸ、ＯｓＹ−ＯｔＹ）のずれがあり、かつ、θだけ回転していると仮定する。以上の条件において、ＰＳｏの座標をＰＴの座標によって記述することができれば、検査対象であるＢＧＡ・ＩＣの第１主面の位置ずれに伴って発生したバンプ頂点位置の変移量が明らかになる。その考察手順は、図２６に示されている通りであり、（６）式が得られる。この（６）式が視野Ｔに対する視野Ｓにおけるバンプ頂点の位置ずれを表している。ここで、煽り効果による高さの二次元ずれは煽った方向だけに表れる。
【０１４４】
煽り方向がＸ方向からの場合の見掛け上のバンプ高さｈｘを求めると、
ｈｘ＝（ｃｏｓθ−１）×ＰＴｘ＋ｓｉｎθ×ＰＴｙ＋ＯＳｘ−ＯＴｘ・・・（７）
煽り方向がＹ方向からの場合の見掛け上のバンプ高さｈｙを求めると、
ｈｙ＝−ｓｉｎθ×ＰＴｙ＋（ｃｏｓθ−１）×ＰＴｘ＋ＯＳｙ−ＯＴｙ・・・（８）
になり、（７）式、（８）式は（ＰＴｘ、ＰＴｙ）に対して平面の方程式になっている。
【０１４５】
煽り効果による高さの二次元ずれは煽った方向だけに表れるため、図２５および図２６においては、煽り効果による高さの二次元ずれは、光学系視野ＯのＸ軸方向だけに表れる。したがって、（７）式のｈｘが視野Ｓにおける位置ずれによって見掛け上に発生するバンプ高さになる。したがって、平坦度検査方法において影響を及ぼすのは、（７）式によって求められるｈｘということになる。
【０１４６】
ここで、（７）式を分析してみると、θは煽り傾斜角度であるから固定数値である。（ＯＳｘ−ＯＴｘ）は平坦度検査のためにバンプ真上像およびバンプ煽り像が得られた段階で定まる数値で、全てのバンプに対して固定数値である。故に、（７）式はＰＴｘ、ＰＴｙという二つの変数により見掛け上のバンプ高さｈｘを一次方程式によって記述したものであり、平面の方程式である。
【０１４７】
以上を要するに、位置ずれを伴っている場合には、バンプ煽り像において煽り頂点像の位置には位置ずれ成分が含まれており、見掛け上のバンプ高さが含まれていることになる。そして、見掛け上のバンプ高さｈｘの増加分は（７）式から平面を構成することが証明された。つまり、平坦度検査方法においては、基準面を基準にして測定されたバンプ高さに対して、（７）式によって求められる見掛け上のバンプ高さｈｘが加算された値がバンプ高さｈとして測定されることになる。これは（８）式により、煽り方向がＹ方向からである場合も同じである。
【０１４８】
そして、見掛け上のバンプ高さが加算された値がバンプ高さとして測定されるということは、図２２について説明した平坦度検査方法において、煽り撮像面と平行な平面を基準面として設定したのと同じ原理であることを意味する。
【０１４９】
図２４について説明した仮想平面が基準面として設定される平坦度検査方法においてバンプ群の被検査面の平坦度が評価される際には、見掛け上のバンプ高さもキャンセルされてしまうことは、図２７からも明らかである。すなわち、図２７に示されているように、バンプの高さは仮想平面９０からの高さΔＺとして求められるため、位置ずれによる見掛け上のバンプ高さｈｘはキャンセルされてしまう。
【０１５０】
以上説明した通り、前記実施形態に係る平坦度検査装置においては、検査対象物の移動に伴う位置ずれの補正を省略することができるため、外観検査装置への補正装置の搭載を省略することができ、外観検査装置の製造コストや保守点検コスト等のランニングコストを大幅に低減することができる。また、位置ずれ補正のためのステップを省略することにより、外観検査方法の作業効率を高めることができるため、検査時間を短縮することができるとともに、ランニングコストを低減することができる。
【０１５１】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１５２】
例えば、斜方照明装置および垂直落射照明装置は省略することができる。また、レンズは省略することができる。
【０１５３】
撮像装置としては、エリアセンサやラインセンサ等の固体撮像装置を使用するに限らず、テレビカメラ等の撮像管装置を使用してもよい。ラインセンサを使用する場合には、ラインセンサ側を移動させるように構成するに限らず、検査対象側を移動させるように構成してよく、要は、ラインセンサは検査対象物に対して相対的に走査させればよい。
【０１５４】
前記実施形態１において、ラインセンサを用いて走査装置によって平行移動させることにより面（エリア）画像を得るように構成してもよいし、前記実施形態２において、エリアセンサを用いて面画像を得るように構成してもよい。
【０１５５】
平坦度検査方法において仮想平面を選定する場合には、三隅のバンプによって構成される平面や３個の高いバンプによって構成される平面を選定するに限らず、互いに最も離れた３個のバンプによって構成される平面や最小二乗平面等を選定してもよい。
【０１５６】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるＢＧＡ・ＩＣのバンプの外観検査に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、ＣＳＰ・ＩＣやＣＣＢのバンプの外観検査、ピン・グリット・アレイパッケージのピンの長さの検査、さらには、半田ペースト印刷において印刷された半田ペーストの厚みの検査等の平面から突出した突出部の外観検査全般に適用することができる。
【０１５７】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
【０１５８】
撮像装置を突出部を有する被検査面に対して煽り状態すなわち平行に配置することにより、突出部の高さを撮像面内の位置ずれとして出現させることができるとともに、被検査面全体にわたって全く歪みがなく焦点の合った画像を得ることができるため、撮像面内の位置ずれの測定に基づいて突出部の高さを正確かつ迅速に求めることができる。
【０１５９】
突出部群が構成する被検査面の平坦度を求めることにより、突出部群の平坦度を検査することができるため、外観検査装置および方法の有効性ないしは利用価値をより一層高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である外観検査装置を示しており、（ａ）は模式図、（ｂ）はその作用を説明するための説明図である。
【図２】ＢＧＡ・ＩＣを示しており、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は拡大断面図である。
【図３】本発明の実施形態２である外観検査装置を示す模式図である。
【図４】その作用を説明するための説明図である。
【図５】本発明の一実施形態である外観検査方法を比較例によって明らかにするための各説明図である。
【図６】バンプの高さの違いによる撮像を説明するための各説明図であり、（ａ）は低いバンプの場合、（ｂ）は高いバンプの場合、（ｃ）は測定可能バンプの場合をそれぞれ示している。
【図７】三分類されるバンプを説明するための各説明図であり、（ａ）は低いバンプ、（ｂ）は中間バンプ、（ｃ）は高いバンプ、（ｄ）は低いバンプと中間バンプとの分類境界を、（ｅ）は中間バンプと高いバンプとの分類境界をそれぞれ示している。
【図８】低いバンプの高さを求めるための説明図である。
【図９】中間バンプの高さを求めるための説明図である。
【図１０】高いバンプの高さを求めるための説明図である。
【図１１】本発明の他の実施形態である外観検査方法を示すフローチャートである。
【図１２】その作用を説明するための説明図である。
【図１３】半田ブリッジ不良を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はバンプ煽り像の画面図である。
【図１４】第１の半田材料供給不良を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はバンプ煽り像の画面図である。
【図１５】第２の半田材料供給不良を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はバンプ煽り像の画面図である。
【図１６】第３の半田材料供給不良を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はバンプ煽り像の画面図である。
【図１７】第４の半田材料供給不良を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はバンプ煽り像の画面図である。
【図１８】低いバンプを示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はバンプ煽り像の画面図である。
【図１９】中間バンプを示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はバンプ煽り像の画面図である。
【図２０】高いバンプを示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はバンプ煽り像の画面図である。
【図２１】本発明の実施形態である平坦度検査方法を示すフローチャートである。
【図２２】その作用を説明するための説明図である。
【図２３】本発明の他の実施形態である平坦度検査方法を示すフローチャートである。
【図２４】その作用を説明するための説明図である。
【図２５】光学系に対して検査対象物が平行に位置ずれした場合を示す説明図である。
【図２６】光学系に対して検査対象物が回転方向にも位置ずれした場合を示す説明図である。
【図２７】位置ずれによる見掛け上のバンプ高さのキャンセル作用を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１…ＢＧＡ・ＩＣ、２…ＢＧＡ、３…封止体、４…第１主面、５…穴部、６…電極パッド、７…バンプ、７ａ…頂点、７ｄ…中心、７ｆ…微小な面、１０…外観検査装置、１１…検査台、１２…斜方照明装置、１３…照射光、１４…全反射光、１４ａ…頂点全反射光、１４ｂ…頂点外全反射光、１４ｃ…全反射光、１５…煽り撮像装置、１６…暗箱、１７…レンズ、１７ａ…光軸、１８…エリアセンサ、１８ａ…撮像面、１９…画像処理部、２０…演算部、２１…バンプ像、２１ａ…頂点像、２１ｂ…全体像、２１ｃ…周囲像、２１ｄ…中心、１０Ａ…外観検査装置、３０…Ｘテーブル、３０ａ…斜め撮像ステージ、３０ｂ…真上撮像ステージ、３１…検査台、３２…斜方照明装置、３３…照射光、３４…全反射光、３４ａ…頂点全反射光、３４ｂ…頂点外全反射光、３５…煽り撮像装置、３６…暗箱、３７…レンズ、３８…ラインセンサ、３８ａ…撮像面、３９…画像処理部、４０…ＣＰＵ（演算部）、４１…走査装置、４２…垂直落射照明装置、４２ａ…光源、４３…垂直落射光、４４…全反射光、４４ａ…頂点全反射光、４４ｂ…頂点外全反射光、４４ｃ…周囲全反射光、４５…真上撮像装置、４６…暗箱、４７…レンズ、４８…ラインセンサ、４８ａ…撮像面、４９…画像処理部、５０、５１、５２…モニタ、５３…バンプ真上像、５３ａ…真上頂点像、５３ｂ…真上全体像、５３ｃ…明るい周囲像、５３ｄ…中心、５４…バンプ煽り像、５４ａ…煽り頂点像、５４ｂ…煽り全体像、５４ｄ…中心、５５…外観検査装置、５６…テレセントリック光学系、５７…エリアセンサ、５８…画像、５８ｆ…画像の頂点、６１…下地、６２…パッド、６３…下側スルーホール、６４…半田レジスト膜、６５…上側スルーホール、６６…黒色像、６７…白色像、６８…検査エリア、６９、７０…リフロー半田盛り部、８０…基準面、８１…基準点、９０…仮想平面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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