(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で含有し、Ｃａ、Ｂｅの少なくとも１種を総計で０．００５〜０．０５重量％、且つ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０２５〜０．０５重量％の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
【請求項２】
Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で含有し、Ｃｒを必須成分とし、Ｍｎ、Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．０１〜０．２重量％の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
【請求項３】
Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で含有し、Ｃｕを必須成分とし、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０１〜４重量％の範囲で含有し、さらにＣａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０１８〜０．０５重量％の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
【請求項４】
Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で含有し、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０１〜４重量％の範囲で含有し、Ｃａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０００５〜０．０５重量％の範囲で含有し、さらにＣｒを必須成分とし、Ｍｎ、Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．０１〜０．２重量％の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
【請求項５】
Ａｇの含有量の範囲が１重量％以上かつ６重量％以下であることを特徴とする請求項１乃至４記載の半導体素子用金銀合金細線。
【請求項６】
半導体基板上の配線電極とリード上のＡｇメッキ面またはＰｄメッキ面との間を、請求項１乃至５記載の半導体素子用金銀合金細線によって接続したことを特徴とする半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板上の電極と外部リードを接続するために使用されるボンディングワイヤに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体基板上の内部配線と、インナーリード部との電気的導通を得る接続法として、線径２０〜５０μｍの細線を用いたボンディングワイヤ法が主流である。この細線の材料としては、ＬＳＩの大半を占める樹脂封止する半導体では、金合金細線が広く用いられている。金合金細線の長所として、金は化学的に安定であることが挙げられる。金合金細線は半導体基板上のアルミ電極との接続に用いるボール接合において、大気中でのワイヤ溶融時の酸化の心配がなく、真球で清浄なボールが容易に得られ、超音波を併用した熱圧着により良好な接合性が得られており、高速接合、量産性に優れている。
【０００３】
金合金細線は上記のように優れた特性を有するが、原料である金が高価であり、金合金細線の製造方法を改善するだけではコストを大幅に低減することができず、半導体素子の価格低減をはばむ要因の一つとなっている。ボンディングワイヤとしての特性を具備した上で、高価な金の使用量を削減することができれば、半導体素子の製造コスト削減に寄与するところは大きい。
【０００４】
現状の半導体素子用金合金細線のほとんどすべては、特性発現のために添加する不純物の総量を０．０１％以下におさえた、純度が９９．９９％（４  Ｎ：フォーナイン）の高純度細線が用いられているのが現状であり、高機能化した半導体の開発が進む中でも、主原料としての金の成分範囲には大きな変動はみられていない。最近では、不純物総量として１％程度含有する合金細線の検討もされているが、さらなる低コスト化のメリットを重視した、数％程度の合金化を達成した金合金細線が使用された実例はみられない。
【０００５】
Ａｇは金中に全率固溶する金属であり、金中に高濃度の添加をする試みがなされてきた。Ａｇの高濃度添加では、特開昭５５−１５８６４２号公報において、低コスト化と硫化による細線表面の変色などを考慮して、Ａｇの添加範囲として２０〜５０重量％が開示されている。また特開昭５６−１９６２８号公報においては、Ａｇ添加により高温での機械的強さ特に破断強さに優れ、且つ接合部の引張強さに優れていることを考慮して、Ａｇの添加範囲として１９〜５９重量％と他元素群Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｒｕ  を０．０００３〜０．１  重量％との併用について開示されており、また特開昭５６−１９６２９号公報においては、同様の効果を得るためのＡｇの添加範囲として１９〜５９重量％と、他元素群Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉを０．０００３〜０．１  重量％との併用について開示されている。ただし、実際の量産に用いられる半導体素子用細線としては、Ａｇを高濃度含有した金銀合金細線は用いられていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らの研究により、従来知られている上記のＡｇを高濃度に含有した金銀合金細線は、純金に比較してワイヤの引張強度は改善されているものの、リード端子との接合部の接合強度が十分に得られないという問題を有していることが明らかになった。多ピン狭ピッチ化に伴いリード端子が微細となるため、その微細なリード端子上の銀メッキおよびＰｄメッキ面と金銀合金細線との良好な接合が得られなかったのである。また、特に過酷な条件で用いられる半導体素子に対しては、金銀合金細線と半導体基板のアルミ電極との接合の信頼性が十分でないとの問題点も明らかになった。
【０００７】
半導体素子用の細線にＡｇを高濃度に含有させて半導体素子の製造コストを低減させるためには、細線とリード端子との接合部の接合強度を十分に確保しなければならない。また、特に過酷な条件で用いられる半導体素子に対してＡｇを高濃度に含有させた金銀合金細線を用いるためには、過酷な条件における信頼性を確保しなければならない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その要旨とするところは以下のとおりである。
（１）  Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で含有し、Ｃａ、Ｂｅの少なくとも１種を総計で０．００５〜０．０５重量％、且つ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０２５〜０．０５重量％の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
（２）  Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で含有し、Ｃｒを必須成分とし、Ｍｎ、Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．０１〜０．２重量％の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
（３）  Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で含有し、Ｃｕを必須成分とし、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０１〜４重量％の範囲で含有し、さらにＣａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０１８〜０．０５重量％の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
（４）  Ａｇを１重量％以上かつ１１重量％未満の範囲で含有し、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０１〜４重量％の範囲で含有し、Ｃａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０００５〜０．０５重量％の範囲で含有し、さらにＣｒを必須成分とし、Ｍｎ、Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．０１〜０．２重量％の範囲で含有し、残部が金および不可避不純物からなることを特徴とする半導体素子用金銀合金細線。
（５）  Ａｇの含有量の範囲が１重量％以上かつ６重量％以下であることを特徴とする上記（１）乃至（４）に記載の半導体素子用金銀合金細線。
（６）  半導体基板上の配線電極とリード上のＡｇメッキ面またはＰｄメッキ面との間を、上記（１）乃至（５）に記載の半導体素子用金銀合金細線によって接続したことを特徴とする半導体素子。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明（１）〜（４）においては、金中にＡｇを１重量％以上かつ１１重量％未満含有することを特徴とする。
金中のＡｇの含有量が１％未満であると、金細線を半導体素子のボンディングワイヤとして使用する場合の強度が不足し、ボールボンディング後のネック部での破断が発生したり、あるいは形成したループがたわんで隣のループとの接触を起こし、ボンディングワイヤとして機能することができない。本発明においては、金細線中にＡｇを１％以上含有することで金細線の強度の向上を図り、その結果、ネック部の破断強度、ループのたわみともに向上し、Ａｇ以外に添加成分を加えることなくボンディングワイヤとして必要な特性を獲得することを特徴とする。Ａｇ含有により細線の強度が上昇してループ制御が容易になり、その結果としてループ高さのばらつきが低減する。一般には材料費低減の目的で不純物元素を大量に添加すると、強度の増加および伸線くせなどが原因となってむしろループ形状のばらつきが増加する傾向が見られる。その中で、Ａｇを本発明範囲で添加すると、強度のバランスが良好に実現し、却ってループ形状のばらつきの低減が実現できるのである。
【００１０】
一方、金中のＡｇ濃度が１１重量％以上では、細線とリード端子上のＡｇメッキおよびＰｄメッキ面とのステッチ接合における接合不良発生頻度が増大する。リード端子との接合時の荷重印加時の細線の硬化が大きいこと、表面部において金中のＡｇが酸化膜を形成すること、また接合部のリード端子のＡｇメッキおよびＰｄめっきとの拡散が抑えられることなどが関係していると考えられる。接合不良を防止するために接合荷重を高めると、細線がつぶれすぎてリード接合部近傍の細線の強度が低下したり断線不良の原因となる。その結果として、ループ形成後の強度評価法として多用されているプル試験において、通常はボール接合部直上のネック部で破断するが、高荷重で接合した場合、細線とリード端子部との接合部近傍で破断が生じ、この部位での強度低下が問題となる。
【００１１】
本発明は、ボンディングワイヤの特性として、上記に示した特性以外の特性も良好である。即ち、電極とのボール接合のためにワイヤ先端に作製したボールの形状、細線先端のボールと電極との接合部のボールと電極の損傷の有無、ボール接合部の接合強度、ループ形成時のワイヤ曲がり状況、通常の半導体素子の電極接合部に要求される信頼性評価についても、ボンディングワイヤとして必要な特性を具備していることが確認できた。
【００１２】
本発明の金銀の合金細線に、さらにＣｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０１  〜４  重量％の範囲で含有させることにより、アルミ電極との接続直後の接合強度が高まる。その効果は、上記の元素を高純度の金のみに添加するよりも、Ａｇと併用して含有させることにより、より高められる。Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの含有量を上記範囲と定めたのは、０．０１  重量％未満であれば上記効果は小さく、４重量％を超えるとボール部が硬化するため接合時に半導体素子に損傷を与えることが懸念され、それを回避するために接合時の変形を軽減すると接合強度がむしろ低下するという理由に基づくものである。
【００１３】
本発明の金銀合金細線に、Ｃａ、Ｂｅの少なくとも１種を総計で０．００５〜０．０５重量％、且つ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０２５〜０．０５重量％の範囲で含有すると、伸線時の断線不良が低下し、ループ形成時の曲がり変形が低下するため、隣接する細線ピッチが狭い高密度接合に好適な金銀合金細線が得られる。その効果は、上記の元素を高純度の金のみに添加するよりも、Ａｇと併用して含有させることにおいて、高い効果が得られる。Ｃａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の含有量を上記範囲と定めたのは、０．０２５重量％未満であれば上記効果は小さく、０．０５重量％を超えると伸線後に熱処理を施しても伸線時の加工ぐせを低減することが困難になり、ワイヤのループ形成時の曲がり変形が増加するためである。
【００１４】
また、本発明の金銀合金細線に、Ｃｕを必須成分とし、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を総計で０．０１〜４重量％の範囲で含有させ、さらにＣａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の少なくとも１種を総計で０．０１８〜０．０５重量％の範囲で含有させると、樹脂封止工程における金銀合金細線の変形量が低減することが判明した。これは、高温強度が増加することと関連するものである。上記の元素添加による樹脂封止時の変形量の低減する効果については、Ａｇと併用して含有させることにおいて、より高い効果が得られる。ここで、各元素群の含有量を上記範囲と定めたのは、前述した理由に基づくものである。
【００１５】
また、本発明の金銀の合金細線に、Ｃｒを必須成分とし、Ｍｎ、Ｃｒの少なくとも１種を総計で０．０１〜０．２重量％の範囲で含有すると、ボール部の接合時における変形容易性が向上する。Ａｇ濃度が増加するに従い、ボール部が硬くなるため、接合時に半導体基板へのダメージを与えないように注意を払う必要が生じるが、Ａｇに加えてＣｒを必須成分とし、Ｍｎ、Ｃｒを適量添加すると、ボール変形性が高まり接合面積が増加する効果がある。従って、低い接合荷重および超音波出力でも十分な接合強度が得られることから、ダメージ軽減に効果が得られる。ここで、含有量を上記範囲と定めたのは、０．０１重量％未満では上記効果は小さく、０．２重量％を超えると、大気中のボール形成では真球で清浄なボール部を得ることが困難となるためである。
【００１６】
通常用いられる半導体素子用のボンディングワイヤにおいては、半導体基板のアルミ電極との接合信頼性に関しては通常の信頼性試験での評価が良好であれば問題無く使用することができる。即ち、第１に、ボンディングワイヤを半導体基板のアルミ電極にボール接合した接合部を、樹脂封止しない状態で窒素ガス中において１２０℃で２００時間加熱処理した後に、シェアテストによって接合強度の変化を評価した。第２に、樹脂封止した最終製品について、信頼性試験を行った。金中にＡｇを１〜１１％含有した本発明において、通常の信頼性に関してはなんら問題はない。
【００１７】
本発明者らは、通常の使用条件を超える過酷な使用環境においてボンディングワイヤとアルミ電極との接合部の強度が保持されるかどうかを評価する新たな接合信頼性評価試験を導入し、評価を行った。即ち、ボンディングワイヤを半導体基板のアルミ電極にボール接合した接合部を、樹脂封止しない状態で窒素ガス中において２００℃で２００時間加熱処理した後に、シェアテストによって接合強度の変化を評価した。その結果、金銀合金細線中のＡｇ濃度が１〜６％の範囲において、上記高温加熱テストを経た後であっても接合部の接合強度が低下しないことを明らかにした。
【００１８】
本発明（５）は上記の知見に基づいてなされたものであり、本発明（１）〜（４）において、金銀合金細線における金中のＡｇ含有量を１〜６％とすることにより、２００℃×２００時間と言う過酷な条件においても金銀合金細線とアルミ電極接合部の接合強度は全く低下することがなく、過酷な条件においても信頼性の高い半導体素子を実現する。Ａｇ含有量の上限を６％としたのは、６％を超えると２００℃×２００時間の加熱後の接合部シェア強度が低下するからである。Ａｇ含有量の下限を１％としたのは、本発明（１）と同じ理由である。
【００１９】
本発明（１）〜（４）の金銀合金細線をボンディングワイヤとして用い、半導体基板上の電極とリード上のＡｇメッキまたはＰｄメッキ面とを接合することによって製造した半導体素子は、従来知られているボンディングワイヤを用いた場合と同等の性能を従来に比較して安価な製造コストで実現することができる。また、本発明（５）の金銀合金細線をボンディングワイヤとして用いれば、過酷な条件においても信頼性の高い半導体素子を実現することができる。
【００２０】
【実施例】
母材の金としては金純度が約９９．９９５重量％以上の電解金を、添加するＡｇとしては純度が９９．９５  ％以上の高純度のものを用いた。前述の各添加元素群を含有する母合金を個別に高周波真空溶解炉で溶解鋳造して母合金を溶製した。
【００２１】
このようにして得られた各添加元素の母合金の所定量と金純度が約９９．９９５重量％以上の電解金とにより、表１〜４に示す化学成分の金合金を高周波真空溶解炉で溶解鋳造し、その鋳塊を圧延した後に常温で伸線加工を行い、必要に応じて金合金細線の中間焼鈍工程を加え、さらに伸線工程を続け、最終線径が２５μｍの金合金細線とした後に、連続焼鈍して伸び値が４％程度になるように調整した。得られた金合金細線について、半導体素子用途のボンディング性などの使用性能を調べた結果を表１〜４に併記した。
【００２２】
ワイヤボンディングに使用される高速自動ボンダーを使用して、アーク放電によりワイヤ先端に作製した金銀合金ボールを１０本採取し、走査型電子顕微鏡で観察した。結果を表１〜４の「ボール形状」に示す。ボール形状が異常なもの、ボール先端部において収縮孔の発生が認められるもの等半導体素子上の電極に良好な接合ができないものを△印で、形状が真球で表面も清浄である良好なボールについて○印で示した。
【００２３】
接合時のチップ損傷を調べるため、ボンディングした素子を王水中に数分間漬けて、金ワイヤおよびアルミ電極などを溶解した後に、接合箇所を光学顕微鏡により観察したした。問題となる損傷が認められなかったものについては、更にＳＥＭで５００倍程度の倍率で観察して微小なクラックが認められるものについて○印、損傷のない特に良好な結果について◎印で示した。結果を「ボール接合損傷」に示す。
【００２４】
ボンディング後にリードフレームと測定する半導体素子を固定した状態で、ボンディング後の金合金細線をフックで上方に引張り、そのときの破断強度を３  ０本測定したプル強度の平均値で評価した。結果を表１〜４の「プル強度」に示す。その際、リード端子との接合性を評価するために、フックを掛けて上方引張する箇所を、中央部よりもリード端子に近いところで試験した。結果を表１〜４の「プルテスト破断モード」に示す。このプルテストにおける破断箇所として、リード端子との接合部近傍が１  本でもあれば、この部位の強度がループの中でも相対的に低下しているため△で示し、３０本とも破断箇所が中央部およびボール直上のネック部の場合には、リード部接合は良好であると判断し○印で表示した。細線のループ形状制御容易性の評価は、ループ高さのばらつき測定で行った。ループ高さは、半導体素子上の電極と外部リードとの間を接合した後に形成される各ループの頂高と当該半導体素子の電極面とを光学顕微鏡で５０本測定し、その両者の高さの差であるループ高さとそのばらつきを評価した。結果を表１〜４の「ループ高さ」「ループ高さ偏差」に示す。
【００２５】
金銀合金細線のループ形成時のワイヤ曲がりは、ワイヤ両端の接合距離（スパン）が４．５ｍｍとなるようボンディングしたワイヤを半導体素子とほぼ垂直上方向から観察し、ワイヤ中心部からワイヤの両端接合部を結ぶ直線と、ワイヤの曲がりが最大の部分との垂線の距離を、投影機を用いて５０本測定した平均値で、結果を表１〜４の「接続後のワイヤ曲がり」に示した。
【００２６】
樹脂封止後のワイヤ流れの測定に関しては、ワイヤのスパンとして４．５ｍｍが得られるようにボンディングした半導体素子が搭載されたリードフレームを、モールディング装置を用いてエポキシ樹脂で封止した後に、軟Ｘ線非破壊検査装置を用いて樹脂封止した半導体素子内部をＸ線投影し、前述したワイヤ曲がりと同等の手順によりワイヤ流れが最大の部分の流れ量を４０本測定し、その平均値をワイヤのスパン長さで除算した値（百分率）を封止後のワイヤ流れと定義し、結果を表１〜４の「樹脂封止ワイヤ流れ」に示した。
【００２７】
ボール接合部の接合強度については、アルミ電極の２μｍ上方で冶具を平行移動させて剪断破断を読みとるシェアテスト法で測定し、４０本の破断荷重の平均値を測定し、表１〜４の「接合直後のシェア強度」に示した。
【００２８】
通常の使用条件における電極接合部信頼性評価として、金ボールをアルミニウム電極に接合した半導体装置を樹脂封止しない状態で、窒素ガス中において１２０℃で２００時間加熱処理した後に、４０本のシェアテストの平均値により接合強度の変化を評価した。結果を、表１〜４の「加熱後のシェア強度／１２０℃」に示した。
【００２９】
過酷な使用条件における電極接合部信頼性評価として、金ボールをアルミニウム電極に接合した半導体装置を樹脂封止しない状態で、窒素ガス中において２００℃で２００時間加熱処理した後に、４０本のシェアテストの平均値により接合強度の変化を評価した。結果を、表１〜４の「加熱後のシェア強度／２００℃」に示した。
【００３０】
【表１】
0003612179.tif 000002
【００３３】
【表２】
0003612179.tif 000003
【００３４】
表１において、実施例Ｎｏ．１〜４は本発明（１）に係るものであり、実施例Ｎｏ．５〜７は本発明（２）、実施例Ｎｏ．８、９は本発明（３）、実施例Ｎｏ．１０は本発明（４）に係る金銀合金細線の結果である。
【００３５】
表２の比較例Ｎｏ．１〜４は、Ａｇの含有量が本発明範囲外となる比較例として示した。
【００３７】
ボール接合損傷については、実施例Ｎｏ．１〜１０の本発明の範囲内においてはいずれも光学顕微鏡観察結果において実用上問題となる損傷は認められなかった。
【００３９】
Ａｇの適正量の含有に加えて、Ｃａ、Ｂｅの少なくとも１種を総計で０．００５〜０．０５重量％、且つ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の含有量が０．０２５〜０．０５重量％の範囲である実施例Ｎｏ．１〜４では、ループ形成時のワイヤ曲がり量が２０μｍ以下であり、すなわち金細線の直径よりも小さく抑えられている。
【００４０】
Ａｇの適正量の含有に加えて、Ｃｒを必須成分とし、Ｍｎ、Ｃｒの含有量が０．０１〜０．２重量％の範囲である実施例Ｎｏ．５〜７では、シェア強度が６０ｇｆ以上の高い値が得られた。接合されたボール部の直径を測定したところ、実施例Ｎｏ．５〜７では約７５μｍ  であり、例えば実施例Ｎｏ．１〜４における約６５μｍに比して、高い値を示し、この接合面積の増加が、シェア強度の増加に寄与している。更に、ボール接合損傷の評価結果においては、実施例Ｎｏ．５〜７及び１１ではＳＥＭ観察においてもクラックなどは認められず、非常に良好であり、Ｍｎ、Ｃｒを添加した効果が見られた。
【００４１】
Ｃｕを必須成分とし、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの元素群と、Ｃａ、Ｉｎ、希土類元素の元素群とを、本発明（３）の範囲で含有する実施例Ｎｏ．８、９では、樹脂封止時のワイヤ流れ率が３％以下であり、他の金合金細線における流れ率が４％以上の結果と比較しても、半分以下にまでに低く抑えられていることが確認された。
【００４２】
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの元素群と、Ｃａ、Ｉｎ、Ｂｅ、希土類元素の元素群、さらにＣｒを必須成分とし、Ｍｎ、Ｃｒの元素群を、本発明（４）の範囲で含有する実施例Ｎｏ．１０では、接合強度の上昇効果が大きく、７０ｇｆ超の高い値が得られた。本発明（４）の成分の細線において、実施例Ｎｏ．１〜４と同等の５０ｇｆ以下のシェア強度を確保するには、接合時の荷重および超音波振動の設定値を１〜２割も低く抑えることができ、ダメージの低減には有効である。
【００４３】
通常の使用条件における電極接合部信頼性評価である１２０℃で２００時間加熱後のシェア強度は、本発明の範囲である実施例Ｎｏ．１〜１０のすべてにわたって良好な結果を示した。
【００４４】
過酷な使用条件における電極接合部信頼性評価である２００℃で２００時間加熱後のシェア強度は、本発明（５）の範囲内にある実施例Ｎｏ．１〜１０については良好な結果を示した。
【００４５】
【発明の効果】
本発明の範囲でＡｇを含有する金銀合金細線を半導体素子に用いることにより、性能を損なうことなく半導体素子の製造原価を低減することができる。更に、製造原価の低減を実現し、かつ過酷な条件での使用に耐える半導体素子を実現することができる。