(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に実質的に等しい高さで設けられ、それぞれが接着剤と、その周囲を囲む高さ制御部材とからなる複数の接着層と、
各々の前記接着層上に設けられる複数のアクティブ素子と、
を具備し、夫々の前記アクティブ素子が、前記接着剤により前記基板に接着され、前記高さ制御部材により高さが保たれることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
前記高さ制御部材が筒状部材で構成されていることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
前記筒状部材は、その壁面に少なくとも１つの切れ目または穴を有することを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に実質的に等しい高さで設けられ、それぞれが接着剤と、前記接着剤中に所定の形状の粒子として分散されている高さ制御部材とからなる複数の接着層と、
各々の前記接着層上に設けられる複数のアクティブ素子と、
を具備し、夫々の前記アクティブ素子が、前記接着剤により前記基板に接着され、前記高さ制御部材により高さが保たれることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
前記粒子の形状が、球状、柱状若しくはファイバー状であることを特徴とする請求項４記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
第１の基板上に複数のアクティブ素子を形成する工程と、
第２の基板上に、接着剤とその周囲を囲む高さ制御部材とを有する複数の接着層を形成する工程と、
前記アクティブ素子が前記接着剤に接着し、前記高さ制御部材によりその高さが保たれるように前記アクティブ素子を前記第２の基板に転写する工程と、
前記第２の基板上の前記アクティブ素子の配線を行う工程と、
を具備することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】
第１の基板上に複数のアクティブ素子を形成する工程と、
第２の基板上に、接着剤に粒状、柱状もしくはファイバー状の高さ制御部材を分散させた複数の接着層を形成する工程と、
前記アクティブ素子が前記接着剤に接着し、前記高さ制御部材によりその高さが保たれるように前記アクティブ素子を前記第２の基板に転写する工程と、
前記第２の基板上の前記アクティブ素子の配線を行う工程と、
を具備することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項８】
前記アクティブ素子は１つのＴＦＴ、または複数のＴＦＴで構成された画素内メモリ回路、または４つ以上のＴＦＴを用いた有機ＥＬ表示装置の駆動用ＴＦＴのばらつきを補償する回路からなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各画素にアクティブ素子を配置したアクティブマトリクス型ディスプレイは高画質な平面型ディスプレイを実現することができる。
【０００３】
特に、光のシャッタとして液晶を用い、各画素をＴＦＴ等のアクティブ素子で駆動する液晶表示装置（ＬＣＤ）は、ＰＣモニターからテレビの動画表示まで、広く用いられている。
【０００４】
また、ＲＧＢの発光を行うことの出来る有機ＥＬ材料を、インクジェット法やマスク蒸着法で形成して画素とし、各画素をＴＦＴ等のアクティブ素子で駆動する有機ＥＬ表示装置によっても、フルカラーの画像が薄型のパネルで実現することが示されてきた。
【０００５】
従来、このようなアクティブマトリクス型ＬＣＤの画素部を形成する際は、ガラス基板上に、各層をＣＶＤ、スパッタ等の真空薄膜プロセスで成膜して、ドライエッチ若しくはウェットエッチ、及びリソグラフィにより微細加工を行う。そして、これを半導体、金属等の電極、絶縁膜等の各層で繰り返すことから、プロセスの数が多い為にコストがかかる。アクティブ素子は、基板上の全面に形成されるのではなく、各画素の一部の領域に形成されるのであり、無駄が多いことが問題となっていた。大面積のディスプレイを形成するにはさらにコストがかかることから、このように無駄の多い形成方法では、大面積のディスプレイ形成に、経済的な限界を与えている。
【０００６】
これに対して、アクティブ素子をあらかじめ素子形成基板に高密度に形成して中間基板に転写してから、さらにこのアクティブ素子をディスプレイとする基板（転写先基板）上に転写し、その後に配線や画素電極などのパッシブ構造物を形成しコストの低減を図る方法が、特開２００１−７３４０号公報で示されている。
【０００７】
図２５は、特開２００１−７３４０号公報の、中間基板から転写先基板にアクティブ素子を転写する際の工程の一部を示すものである。図２５に示すように、転写先基板２５０１上にはパターニングされた走査線２５０３、層間絶縁膜２５０４、パターニングされた信号線２５０２、平坦化膜２５０５が積層されている。平坦化膜２５０５上には接着層２５０６が設けられる。層間絶縁膜２５０４及び平坦化膜２５０５には、信号線２５０２及び走査線２５０３に対応する領域に、後に配線する為のコンタクトホールが設けられる。
【０００８】
また、中間基板２５０７には、接着・剥離層２５０８を介してＴＦＴ２５１０が形成されている。ＴＦＴ２５１０は保護膜２５０９で覆われ、下部にもやはり保護の意味からアンダー層２５１１が設けられている。
【０００９】
中間基板２５０７から転写先基板２５０１にＴＦＴ２５１０を転写する際には、転写しようとするＴＦＴ２５１０を接着層２５０６に位置あわせし、この領域のみ開口した遮光マスク２５１２を介して光を照射する。そして接着・剥離層２５０８の接着力を弱め、アンダー層２５１１と接着層２５０６を接着することにより転写を行う。
【００１０】
この方法では、製造プロセスの多いＴＦＴ２５１０を、高い密度で素子形成基板に形成し、素子形成基板から中間基板２５０７に一度転写し、さらに中間基板２５０７上のＴＦＴ２５１０を転写先基板２５０１上に転写する。その際、大きな素子形成基板と大きな中間基板２５０７を用いる事により、高密度に配置された中の一定の間隔を置いたＴＦＴ２５１０を転写先基板２５０１に転写することも出来る。このような方法を用いると、多数の基板に用いるＴＦＴ２５１０を一枚の素子形成基板に形成することができることから、素子形成基板と転写先基板のＴＦＴ密度比の分のコストの低減となる。
【００１１】
図２５のような方法でＴＦＴ２５１０を転写先基板２５０１に転写する場合、ＴＦＴ２５１０を接着層２５０６に押し付けて転写する。しかしながら、その際ＴＦＴ２５１０を押し付ける強さの制御が難しく、接着層２５０６が押し付けられて横に広がる場合と広がらない場合で接着層２５０６の高さが異なる、若しくはＴＦＴ２５１０と転写先基板２５０１とが平行にならないという問題があった。従って、その上に設けられるＴＦＴ２５１０の高さや、ＴＦＴ２５０１と転写先基板２５０１との角度が制御されないことから、ＴＦＴ２５１０の形成後の配線の形成が困難となる。
【００１２】
また、ＴＦＴ２５１０を接着層２５０６に押し付けて転写する際、接着層２５０６が横に広がって、隣接するＴＦＴ２５１０までが接着層２５０６に接着する可能性があった。従って、多少接着層２５０６が横に広がっても、隣接するＴＦＴ２５１０まで接着することのないよう、素子形成基板には、隣接するＴＦＴ２５１０の距離を開けて形成しなければならなかった。その為、一枚の素子形成基板に形成できるＴＦＴ２５１０の数が減ることから、コストが増加するという問題がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、多数の基板に用いるアクティブ素子を一枚の素子形成基板に形成し、それを転写先基板に転写する方法はコストの低減となるが、これまでの方法では、転写時に転写先基板面からのアクティブ素子の高さや、転写先基板とアクティブ素子との角度の制御を行うことが困難であった。また、１つのアクティブ素子を転写する領域に、隣接する複数のアクティブ素子が転写されてしまうのを防ぐ為に、素子形成基板上に、高密度にアクティブ素子を形成することができなかった。
【００１４】
そこで本発明では、上記の問題を考慮して、アクティブ素子を転写する際にアクティブ素子の転写先基板面からの高さの制御が可能で、接着層を介してもアクティブ素子と転写先基板とが略平行となるようなアクティブマトリクス基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、基板と、前記基板上に実質的に等しい高さで設けられ、それぞれが接着剤と、その周囲を囲む高さ制御部材とからなる複数の接着層と、各々の接着層上に設けられる複数のアクティブ素子と、を具備し、夫々のアクティブ素子が、接着剤により基板に接着され、高さ制御部材により高さが保たれることを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供する。
【００１６】
本発明においては、接着層とアクティブ素子との間に、絶縁層を設けても良い。
【００１７】
また本発明においては、前記高さ制御部材が筒状部材で構成されても良い。この筒状部材は、その壁面に少なくとも１つの切れ目または穴を有しても良い。
【００１８】
また本発明は、基板と、基板上に実質的に等しい高さで設けられ、それぞれが接着剤と、接着剤中に所定の形状の粒子として分散されている高さ制御部材とからなる複数の接着層と、各々の接着層上に設けられる複数のアクティブ素子とを具備し、夫々のアクティブ素子が、接着剤により基板に接着され、高さ制御部材により高さが保たれることを特徴とするアクティブマトリクス基板を提供する。粒子の所定の形状として、球状、柱状若しくはファイバー状であっても良い。
【００１９】
また本発明は、第１の基板上に複数のアクティブ素子を形成する工程と、第２の基板上に、接着剤とその周囲を囲む高さ制御部材とを有する複数の接着層を形成する工程と、前記アクティブ素子が前記接着剤に接着し、前記高さ制御部材によりその高さが保たれるように前記アクティブ素子を前記第２の基板に転写する工程と、前記第２の基板上の前記アクティブ素子の配線を行う工程と、を具備することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。
【００２０】
また本発明は、第１の基板上に複数のアクティブ素子を形成する工程と、第２の基板上に、接着剤に粒状、柱状もしくはファイバー状の高さ制御部材を分散させた複数の接着層を形成する工程と、前記アクティブ素子が前記接着剤に接着し、前記高さ制御部材によりその高さが保たれるように前記アクティブ素子を前記第２の基板に転写する工程と、前記第２の基板上の前記アクティブ素子の配線を行う工程とを具備することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態を図面を参照しつつ詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００２２】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について説明する。本実施形態はアクティブ素子（以下単に素子とする）を素子形成基板（第１の基板）に形成し、中間基板にこれを転写した後、さらに高さ制御部材とこれに囲まれた接着剤を形成した転写先基板（第２の基板）に転写し、配線等を形成してアクティブマトリクス基板を形成するものである。本実施形態のアクティブマトリクス基板を図１６に示し、構成を説明する。
【００２３】
本実施形態のアクティブマトリクス基板は、転写先基板４０１に実質的に等しい高さで設けられる接着層４０４と、接着層４０４上に設けられる素子３０１とを有する。接着層４０４は、接着剤４０３と、接着剤４０３を囲むように設けられる高さ制御部材４０２とを有する。素子３０１上には全面に転写後絶縁膜４１５が設けられ、素子３０１のコンタクト部に対応する領域の転写後絶縁膜４１５はパターニングされ、画素電極２０１等の配線が形成されている。
【００２４】
次に、このアクティブマトリクス基板の製造方法を図５から図１６を用いて説明する。
【００２５】
まず、素子形成基板に素子を形成し、これを中間基板に転写する方法を、図５から図７を用いて説明する。
【００２６】
まず、図５に示すように、素子形成基板５０１上に素子３０１を形成する。素子３０１、つまりアクティブ素子の内部構成としては、１つのＴＦＴでも良いし、複数のＴＦＴで構成された画素内メモリ回路や、４つ以上のＴＦＴを用いた有機ＥＬ表示装置の駆動用ＴＦＴのＶｔｈのばらつきを補償する回路等を１つの素子３０１の内部構成としても良く、限定されるものではない。
【００２７】
次に、図６（ａ）に示すように、中間基板６０１の、各素子３０１に対応する位置に、裏面を黒化したＣｒＯｘ等を用いて光変換体６０２を形成する。光変換体６０２を形成した中間基板６０１には、加熱により発泡し接着力が低下する粘着剤である日東電工株式会社製リバアルファを用いて、約５〜２０μｍの厚さとなるよう、接着・剥離層６０３を塗布し、素子形成基板５０１と貼り合わせ、真空ラミネートする。
【００２８】
本実施形態では、紫外光もしくは可視光等を照射して、その光を光変換体６０２が吸収して熱に変換し、接着・剥離層６０３を加熱することにより発泡させて、接着力を低下させる。したがって、光変換体６０２としては、本実施形態に用いるもの以外でもよく、光照射面を黒化した、ＣｒＯｘ、ＭｏＴａ、ＭｏＷ、ＴｉＯｘ等の金属膜、或いはこれらの金属多層膜、カーボン膜、黒色塗料有機膜等をパターニングしたものを用いてもよい。また、接着・剥離層６０３として、熱ではなく紫外光等の光を照射されることにより剥離する材料を用いる場合には、光変換体６０２としては、照射された光の波長を、剥離を促進する波長に変換する材料をパターニングして用いればよい。なお、光変換体６０２はなくとも良い。
【００２９】
また、図６（ｂ）に示すように、光変換体６０４を素子３０１の上に形成しても良い。その場合は、例えば顔料を分散した、厚さ約１〜３μｍの絶縁性黒色樹脂を素子３０１の上面に保護膜の一部として形成することが出来る。この場合、光変換体６０４が素子３０１上に設けられることにより、素子３０１自体も発熱することで、加熱する領域が局在化出来、接着・剥離層６０３の剥離に対する解像度が大幅に向上する。例えば、素子寸法が約５０μｍで、素子間隔が約５〜１０μｍの場合でも、問題なく剥離することが出来る。また、光変換体６０４を素子３０１上に設ける場合には、接着・剥離層６０３として、接着し、熱や光等で粘着力を弱めることも可能な粘着剤をキャリアフィルム上に塗布したシート状の材料を用いることも可能である。これは、光変換体６０４を素子３０１上に設けることにより、キャリアフィルムが約１００μｍ、粘着剤が約５０μｍと厚い場合でも、接着・剥離層６０３の剥離に対する解像度を高くすることが出来る為である。また、素子３０１上に設けた光変換体６０４は、素子３０１中のＴＦＴの遮光層となり、光リーク電流の低減にも効果がある。さらに、素子３０１の保護膜４１４全体を黒色樹脂としても良く、また黒色でなくても、照射する光を吸収して熱に変換するものとしても良い。
【００３０】
接着・剥離層６０３も、本実施形態に用いるものに限定されない。例えば、熱を受けると粘性が下がり接着力が低下する、アピーゾンプロダクツリミテッド製のアピエゾンワックス等の、ワックスやロウ等を用いることも出来る。紫外光による反応で接着力が低下する材料として、粘着剤の中に紫外線硬化樹脂を分散させて接着し、光照射された際に粘着剤を含むネットワークを硬化することで接着力を低下させる有機樹脂材料を用いても良い。紫外光で接着性が低下する物質、例えば紫外光で分解しやすいベンゾフェロン等を含む、アクリル系粘着剤等を用いても良い。また、接着・剥離層６０３として、温度変化に応答する感温性粘着剤や粘着テープを用いても良い。例えば温度によって、結晶状態や非結晶状態に変化する有機材料を用いて、粘着力の強度変化を１桁以上変えることも可能である。具体的には、ニッタ株式会社製のインテリマー等を用いることが出来る。スイッチング温度以上で剥離するＷａｒｍ−ｏｆｆタイプが用いやすいが、スイッチング温度以下で剥離するＣｏｏｌ−ｏｆｆタイプも、それに適したプロセスとすることにより使用可能である。また、結晶−非結晶間の転移は可逆的であるため、この材料を複数回使用することが出来、好ましい。
【００３１】
中間基板６０１としては、ガラスの他にＰＥＴやポリオレフィン等のプラスチック基板を用いることが出来る。また接着・剥離層６０３をシート状のものとして、中間基板６０１と素子形成基板５０１との間に挟んで貼り合わせても良い。
接着・剥離層６０３は中間基板６０１に塗布形成しても良い。
【００３２】
次に、図７に示すように、素子形成基板５０１を除去する。本実施形態では、素子形成基板５０１をガラス基板としているので、機械研磨により薄くした後に、フッ酸と界面活性剤との混合液等でエッチングする。この際、アンダー層までエッチングされることのないよう、エッチング液及びアンダー層の材質を調整する。例えば、ガラスをフッ酸系エッチャントでエッチングする場合には、アンダー層としてＡｌＯｘやＴａＯｘ、ＳｉＮｘ、有機樹脂等の、耐フッ酸性のある材料を用いることが好ましい。素子形成基板５０１の除去は、研磨、エッチングによる他、レーザーアブレーションする層をアンダー層の一部とするかアンダー層の下側に設けて、裏面からレーザーを照射して剥離する等の方法により行っても良い。
【００３３】
次に、図８から図１６を用いて、中間基板に転写した素子を、さらに転写先基板に転写して、配線を形成する工程を説明する。
【００３４】
まず、図８に示すように無アルカリガラス、ソーダライム、プラスチックもしくは金属箔等からなる転写先基板４０１上の、素子を転写する領域に高さ制御部材４０２を形成する。本実施形態では高さ制御部材４０２として、感光性アクリル樹脂を塗布し、フォトリソグラフィによりパターニングする。高さ制御部材４０２は素子を囲むような土手状の形状をなし、転写先基板４０１より約１〜５μｍ高くなるようにしている。高さ制御部材４０２の内周の大きさは、素子の大きさよりも小さくしている。
【００３５】
次に、図９に示すように高さ制御部材４０２の内側に、接着剤４０３を形成し、接着層４０４とする。接着剤４０３は、紫外線硬化接着剤をスクリーン印刷することにより形成する。その際、図１０に示すように、高さ制御部材４０２が素子に対応する領域の周囲を囲んでいるので、接着剤４０３は、形成時は液体であってそれを適当量滴下し、後に硬化させるものであっても良い。
【００３６】
次に、図１１に示すように、素子３０１を転写した中間基板６０１と、接着層４０４を形成した転写先基板４０１を位置合わせし、仮止めする。このとき、中間基板６０１を転写先基板４０１に押し当てるが、接着層４０４の高さ制御部材４０２は高さを保つ機能を有する。つまり、接着剤４０３が素子３０１下面に押されて広がるが、高さ制御部材４０２の存在により高さが保たれ、接着剤４０３の広がりが規制される。このことにより、接着層４０４の高さは一定の高さ制御部材４０２の高さとなり、制御できる。接着剤４０３の量は、素子３０１を接着するのに不足しない程度とすればよい。また、接着層４０４は高さ制御部材４０２により囲まれており、これより外側に広がらないために、隣接した素子３０１まで１つの素子３０１の領域に接着されることがなく、１つの接着層４０４に１つの素子３０１が接着される。なお、中間基板６０１と転写先基板４０１を仮止めする際は、機械的に位置を固定しても良いし、適当な仮止め用の接着剤で固定しても良い。仮止め用の接着剤を用いて固定する場合には、転写先基板４０１と中間基板６０１の大きさがほぼ同等の大きさであることが好ましく、接着剤で固定する部位は、素子が存在しない、両基板の周辺部とすることが好ましい。
【００３７】
次に、図１２に示すように、素子３０１を選択的に中間基板６０１から剥離できるよう、中間基板６０１の裏面から赤外光を照射して、転写したい素子３０１を固定している接着・剥離層６０３の接着力を弱める。このとき、転写しない素子３０１には赤外光が当たらないように、ガラスマスク１２０１を設けて選択的に赤外光を照射する。そして、約９０℃で剥離性を発現するよう接着・剥離層６０３を調整した場合には、赤外光の強度を調整して、選択した素子３０１の光変換体６０２が約２秒間、約１００℃のピークを保つようにする。すると、周辺の選択しない素子３０１は、赤外光がほとんど照射されないために、約８０℃以下の温度を保つことが出来、これらの素子３０１を固定している接着・剥離層６０３の接着力はほとんど低下しなかった。
【００３８】
接着・剥離層６０３の接着力を弱めるのと同時に、転写先基板４０１の裏面から紫外光を照射して接着剤４０３を硬化させ、素子３０１を転写先基板４０１に接着する。このとき、図１３に示すように、素子３０１の外周（破線部）が高さ制御部材４０２の外周よりも内側に設けられ、接着剤４０３が高さ制御部材４０２の内側に設けられている状態であると、これらの構成から出来る段差が滑らかになる。したがって、後に配線する際に、段切れ、巣入り等の不良が低減されることにより、約１００万個以上もの素子を有するアクティブマトリクス基板の歩留まりを著しく改善することが出来る。接着剤４０３を熱硬化型とした場合は、中間基板６０１と転写先基板４０１とを、加熱ローラで挟んで局所的に加熱することも出来る。
【００３９】
図１４に示すように、接着・剥離層６０３の接着力を弱め、接着剤４０３を硬化させた状態で、中間基板６０１と転写先基板４０１とを分離し、所定の素子３０１のみを転写先基板４０１に転写する。
【００４０】
このとき、選択した素子３０１以外の素子３０１には接着剤４０３が付着せず、ほぼ１００％の選択性で、１つの接着層４０４には１つの素子３０１が接着していた。また、中間基板６０１に残った非転写素子へのダメージは全くなかった。
【００４１】
次に、図１５に示すように、素子３０１を転写した転写先基板４０１の全面に、感光性アクリル樹脂を用いて転写後絶縁膜４１５を形成する。素子３０１のコンタクト部１０８に対応する領域には、転写後絶縁膜４１５をパターニングして開口する。
【００４２】
次に、図１６に示すように、ＡｌやＩＴＯ等をスパッタ法により全面に形成し、パターニングして、信号線や走査線、画素電極２０１等の配線を形成する。図１６ではこのうち画素電極２０１のみを示している。これにより、アクティブマトリクス基板を完成する。
【００４３】
本実施形態では、転写先基板に高さ制御部材と、高さ制御部材で囲まれた接着剤とを有する接着層を形成して、その上に素子を転写する。接着剤は、筒状部材で構成される高さ制御部材で囲まれている為に高さ制御部材より外に出ない。従って、接着剤が周囲に広がりすぎて、隣接する素子まで同時に１つの接着層に接着され、転写されてしまうことを防止できる。高さ制御部材を形成する筒状部材としては、接着剤を囲むような形状であれば良く、外周及び内周の形状は限定されない。例えば、図１０に示すような、正方形若しくは長方形などの四角形でも良いし、円形、楕円形等でも良い。また、各接着層において高さ制御部材の高さがほぼ統一されたものとなっているため、転写先基板上の素子毎に高さが異なったり、転写先基板面と素子とが平行でないという問題もなく、その後の配線を容易に行うことが出来る。高さ制御部材及び接着剤はアクティブマトリクス基板完成時に固体であるものが好ましい。接着剤は高さの制御を行うものではないので、粘性を有し、さらに可塑性や弾性を有するような固体であっても良い。
【００４４】
次に、本実施形態で用いることの出来る素子の例を示す。この例では、素子として、２つのＴＦＴ及び補助容量を素子形成基板に形成し、これを中間基板に転写し、さらに転写先基板に転写した後、配線を形成してＥＬ表示装置を形成するものである。
【００４５】
このＥＬ表示装置の１画素の回路図を図１に、１画素の平面図を図２に、１画素中の素子（図２の点線で囲った部分）の平面図を図３に、図３のＡ−Ａ´間の断面図を図４に示す。図２中の素子に対応する部分は、素子より上の構成を示したものである。なお、ＥＬ表示装置の全体図は、これらの各画素をアレイ状に配置したものであり、省略する。
【００４６】
これらの図を用いて本実施形態のＥＬ表示装置の構成を説明する。
【００４７】
まず、図１を用いて本実施形態のＥＬ表示装置の１画素の回路を説明する。本実施形態のＥＬ表示装置の１画素は、信号線１０１、走査線１０２、走査用ＴＦＴ１０３、蓄積容量１０４、駆動用ＴＦＴ１０５、有機ＥＬ部１０６及び電源線１０７を有する。なお、図１中のコンタクト部１０８は、図２、図３中におけるコンタクト部の位置を示すものである。
【００４８】
走査用ＴＦＴ１０３のゲートは走査線１０２に接続し、ソース又はドレインの一方は信号線１０１に、他方は蓄積容量１０４及び駆動用ＴＦＴ１０５のゲートに接続する。蓄積容量１０４の反対側は電源線１０７に接続する。また、駆動用ＴＦＴ１０５のソースまたはドレインの一方は電源線１０７に接続し、他方は有機ＥＬ部１０６に接続する。
【００４９】
この画素において有機ＥＬ部１０６の発光を行う場合には、走査線１０２のパルスにより、所定のタイミングで走査用ＴＦＴ１０３をＯＮ状態とし、信号線１０１からの画像信号を走査用ＴＦＴ１０３を介して駆動用ＴＦＴ１０５のゲートに印加する。このゲートと電源線１０７との間には蓄積容量１０４が介在する。
従って、走査線１０２がローレベルとなり信号線１０１と駆動用トランジスタ１０５との間が切り離された後でも電荷が逃げない為に、駆動用トランジスタ１０５に書き込まれた画像信号に従って、電源線１０７からの電流が有機ＥＬ部１０６に供給されて、所定の輝度で有機ＥＬ部１０６が発光する。
【００５０】
次に、図２、図３及び図４を用いて図１の回路を実現する構成を説明する。
【００５１】
まず、図３及び図４を用いて画素中の素子３０１を説明する。
【００５２】
転写先基板４０１上に、高さ制御部材４０２とこれに囲まれた接着剤４０３を有する接着層４０４が設けられている。接着層４０４上には、アンダー層（絶縁層）４０５及びバッファ層４０６が積層されている。
【００５３】
バッファ層４０６上には、所定の位置に走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の半導体層４０７が設けられ、その上にゲート絶縁膜４０８が全面に設けられている。ゲート絶縁膜４０８上には、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の半導体層４０７に対応する領域にゲート電極４０９が設けられている。
駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９は、伸びて蓄積容量１０４の下側の電極を兼ねている。
【００５４】
ゲート電極４０９上には、全面に層間絶縁膜４１０が設けられている。走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の半導体層４０７の、ソース領域及びドレイン領域に対応する部分には、ゲート絶縁膜４０８及び層間絶縁膜４１０をパターニングして素子内コンタクト部４１３が設けられている。また、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９に対応する部分にも、層間絶縁膜４１０をパターニングして素子内コンタクト部４１３が設けられている。
【００５５】
そして、この素子内コンタクト部４１３を介して、走査用ＴＦＴ１０３のソース・ドレイン領域の一方と駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９とを接続する素子内配線４１１ａが設けられている。また、素子内コンタクト部４１３を介して、走査用ＴＦＴ１０３のゲート電極４０９と走査線１０２とを接続する素子内配線４１１ｂ、駆動用ＴＦＴ１０５のソース・ドレイン領域の一方と画素電極２０１とを接続する素子内配線４１１ｃ、駆動用ＴＦＴ１０５のソース・ドレイン領域の他方と電源線１０７とを接続する素子内配線４１１ｄ、走査用ＴＦＴ１０３のソース・ドレイン領域の他方と信号線１０１とを接続する素子内配線４１１ｅが設けられている。これらの配線は後述する。素子内配線４１１ｄは、蓄積容量１０４の上側の電極を兼ねている。
【００５６】
素子内配線４１１上にはバッファ層４０６より上の素子３０１全てを覆うようにパッシベーション膜４１２が設けられている。各素子内配線４１１の所定の領域に対応するパッシベーション膜４１２はパターニングされ、コンタクト部１０８が開口されている。
【００５７】
パッシベーション膜４１２上には、上部だけでなく側部も覆うように保護膜４１４が設けられている。コンタクト部１０８が設けられた領域は、同様に保護膜４１４もパターニングされ、コンタクト部１０８が開口されている。
【００５８】
次に、図２及び図４を用いて素子３０１の上の領域と、１画素中の素子３０１以外の領域の説明をする。
【００５９】
素子３０１の保護膜４１４上と、１画素の素子３０１以外の領域には転写先基板４０１上に直接、転写後絶縁膜４１５が設けられている。素子内配線４１１ｂ、４１１ｃ、４１１ｄ及び４１１ｅの所定の領域に対応する領域の、転写後絶縁膜４１５には、夫々コンタクト部１０８が開口されている。そして、転写後絶縁膜４１５の上には、これらのコンタクト部１０８を介して、素子内配線４１１ｂと接続する走査線１０２、素子内配線４１１ｃと接続する画素電極２０１、素子内配線４１１ｄと接続する電源線１０７、素子内配線４１１ｅと接続する信号線１０１が設けられている。また、画素電極２０１上には有機ＥＬ部１０６が設けられている。有機ＥＬ部１０６は、ホール注入層、発光層及び陰極の順に積層して構成すれば良い。
【００６０】
次に、上述したような構成の、本実施形態のＥＬ表示装置の製造方法を説明する。
【００６１】
本実施形態のＥＬ表示装置の製造方法は、まず素子形成基板に図３及び図４に示すような素子３０１を形成し、中間基板にこれを転写した後、さらに転写先基板に転写し、配線を形成するものである。
【００６２】
まず、図３及び図４を用いて、素子形成基板に素子３０１を形成する方法を説明する。
【００６３】
素子形成基板（図示せず）としては、無アルカリガラス基板を用い、この上に素子分離を容易にする為のアンダー層４０５を全面に形成する。アンダー層４０５としては、約１〜２μｍの厚さのアルミナ（ＡｌＯｘ）、ＴａＯｘやＳｉＮｘ等を用いれば良い。続いて、アンダー層４０５上に、バッファ層４０６としてＳｉＮｘを約２００ｎｍの膜厚となるよう全面に成膜する。
【００６４】
バッファ層４０６上にはアモルファスシリコン半導体層４０７を約５０ｎｍの膜厚となるようＣＶＤ法により全面に堆積する。このアモルファスシリコン半導体層４０７を急加熱し、結晶化させることにより、多結晶シリコン膜４０７とする。この多結晶シリコン膜４０７をフォトリソグラフィで加工して島状とし、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の半導体層４０７とする。
【００６５】
次に、ゲート絶縁膜４０８として約１５０ｎｍの厚さとなるようＳｉＯ２膜をＣＶＤ法で全面に成膜する。ゲート絶縁膜４０８上には、ＭｏＷをスパッタで約４００ｎｍの厚さとなるよう成膜し、フォトリソグラフィにより加工して、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９とする。駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９は、蓄積容量１０４の下側の電極を兼ねる。ゲート電極４０９をマスクとして、不純物をイオン注入、あるいはイオンシャワーによりドーピングすることにより、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５のソース・ドレイン領域を形成する。ソース・ドレイン領域を形成する際には、ＬＤＤ領域を形成しても良い。ＬＤＤ領域を形成する際は、レジストでＬＤＤ領域をカバーするマスクを設けて高ドーズに注入してから、レジストを除去して低ドーズで注入すると良い。なお、本実施形態では走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の双方を、ｎ型ＴＦＴで構成可能であるので、ソース・ドレイン領域にリンを約１０２０ｃｍ−３となるようドーピングすれば良いが、ＴＦＴをＣＭＯＳとすることも可能である。その際には、リン、ホウ素等のｎ型、ｐ型不純物を順次ドーピングし、一方をドーピングする時には、ドーピングしたくない方のＴＦＴを覆う様にすれば良い。
【００６６】
次に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を約４００ｎｍの厚さとなるよう形成し、層間絶縁膜４１０とする。走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５の半導体層４０７の、ソース領域及びドレイン領域に対応する部分の、ゲート絶縁膜４０８及び層間絶縁膜４１０の所定の領域を、フォトリソグラフィによりパターニングして素子内コンタクト部４１３を形成する。また、走査用ＴＦＴ１０３及び駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９に対応する部分の層間絶縁膜４１０の所定の領域も、フォトリソグラフィによりパターニングして、素子内コンタクト部４１３を形成する。
【００６７】
次に、Ａｌ−Ｚｒ等のＡｌ合金をスパッタで約５００〜８００ｎｍの膜厚となるよう堆積させ、フォトリソグラフィによりパターニングすることにより、素子内配線４１１ａ、４１１ｂ、４１１ｃ、４１１ｄ、４１１ｅを形成する。素子内配線４１１は、後にコンタクト部１０８で他の電極と接続するので、Ａｌ合金のままの表面であると酸化膜が生成し、コンタクト抵抗が増加する可能性がある。
従って、酸化しにくい、あるいは酸化しても導電性を持つように、Ａｌ合金の上に、さらにＭｏを積層しても良い。また、素子内配線４１１の、後にコンタクト部１０８となる領域の耐薬品性を向上させることは好ましい。その為には、少なくともコンタクト部１０８となる領域を、Ｍｏ、ＷやＴａ等の高融点金属や、ＰｔやＡｕ等の貴金属、またはＣｕ、Ｎｉ等の金属、合金を用いることが好ましい。
【００６８】
素子内配線４１１ａ により、素子内コンタクト部４１３を介して走査用ＴＦＴ１０３のソース・ドレイン領域の一方と駆動用ＴＦＴ１０５のゲート電極４０９とが接続される。また、素子内コンタクト部４１３を介して、走査用ＴＦＴ１０３のゲート電極４０９と走査線１０２、駆動用ＴＦＴ１０５のソース・ドレイン領域の一方と画素電極２０１、駆動用ＴＦＴ１０５のソース・ドレイン領域の他方と電源線１０７、走査用ＴＦＴ１０３のソース・ドレイン領域の他方と信号線１０１とが接続される。走査線１０２、画素電極２０１、電源線１０７及び信号線１０１は素子内配線４１１よりも上に形成される。また、これらの形成方法は後述する。
【００６９】
次に、素子形成基板上の１つ１つの素子を島状に分離するために、各素子の外周部の層間絶縁膜４１０、ゲート絶縁膜４０８及びバッファ層４０６をリアクティブドライエッチング（ＲＩＥ）などによりパターニングする。
【００７０】
この１つ１つの素子を覆うように、ＣＶＤ法によりＳｉＮｘを用いてパッシベーション膜４１２を形成する。パッシベーション膜４１２の、コンタクト部１０８と、各素子３０１の外周部領域に対応する領域をパターニングする。また、パッシベーション膜４１２で覆った領域をさらに覆うように、アンダー層４０５と同じＡｌＯｘを用いて保護膜４１４を形成する。保護膜４１４の、コンタクト部１０８と、各素子３０１の外周部領域に対応する領域をパターニングする。
【００７１】
本実施形態では、水分の透過率の小さいＳｉＮｘを用いてパッシベーション膜４１２を形成し、さらにＡｌＯｘを用いてアンダー層４０５及び保護膜４１４を形成して全体を覆う構造としている。このような構造とすることにより、転写プロセスのダメージ低減、応力緩和による素子の湾曲防止、接着剤を含む素子外部からのコンタミの防止、及び水分に対する素子信頼性の向上を図っている。
【００７２】
また、保護膜４１４とパッシベーション膜４１２とを同一材料として、保護膜４１４でパッシベーションを兼ねても良い。その場合は、上記の効果を得る為に、ＡｌＯｘとＳｉＮｘとの積層膜や、ＡｌＳｉＮｘＯｙ、ＴａＯｘ等を用いることが出来る。
【００７３】
なお、パッシベーション膜４１２と保護膜４１４とをパターニングして開口部１０８を設ける方法としては、後述する転写先基板に素子を転写する工程の後に、全体に転写後絶縁膜を形成してから、これらの膜を３層同時にパターニングすることにより行っても良い。この場合は素子の側面ではパッシベーション膜を覆うように保護膜を形成することは出来ないが、素子を素子形成基板から取り出すときの工程を工夫することにより影響を小さくすることが出来る。
【００７４】
また、パッシベーション膜４１２を形成した後に素子分離せずに保護膜４１４を形成し、その後に素子分離を行っても良い。その場合は、信頼性を向上させるために、走査用ＴＦＴ１０３と駆動用ＴＦＴ１０５を、素子分離する際の端から約５〜１０μｍ離すことが好ましい。素子分離の際、アンダー層４０５は分離しなくても良い。
【００７５】
このように素子形成基板上に形成した素子を、中間基板に転写し、さらに高さ制御部材とこれに囲まれる接着剤を形成した転写先基板に転写する工程は、上述した方法により行えばよく、説明を省略する。
【００７６】
次に、図４に示すように、素子３０１を転写した転写先基板４０１上に、全面に感光性アクリル樹脂を用いて転写後絶縁膜４１５を形成する。素子３０１のコンタクト部１０８に対応する領域の転写後絶縁膜４１５は、パターニングして開口する。
【００７７】
次に、図２に示すようにＡｌやＩＴＯ等をスパッタ法等により全面に形成し、フォトリソグラフィ等を用いてパターニングして、信号線１０１、走査線１０２、電源線１０７及び画素電極２０１を形成する。
【００７８】
この後、図２に示すように画素電極２０１上に有機ＥＬ部１０６を設け、カバー用基板と貼り合わせ、封止して配線を行うことにより（図示せず）ＥＬ表示装置を完成することができる。
【００７９】
また、対向基板に透明電極等を形成して素子を形成した転写先基板と対向させ、液晶を注入して封止し、配線を行うことにより、液晶表示装置とすることも出来る。
【００８０】
本実施形態では、このような素子を、高さ制御部材及び接着剤を形成した転写先基板に転写することにより、高さの制御された素子を有するＥＬ表示装置を形成することが出来る。素子の高さ制御がなされていることから、配線を行う際に、配線と素子とが持つ容量などにばらつきがなく、高い表示品位を保つことが出来る。
【００８１】
また、本実施形態では、図２に示すように、１画素の大きさを約４０μｍ×約１２０μｍ、１素子の大きさを約４０μｍ×約２５μｍとしていることから、素子の大きさは、１画素中の約１／５である。また素子は製造プロセスが多いが、これを別の素子形成基板で高密度に形成して転写する。従って、素子形成基板と転写先基板の大きさを同じとすると、１枚の素子形成基板には、転写先基板４枚以上の素子を形成することが出来る。製造プロセスの多い素子を一度に多数形成できることは、コストの低減を可能とするため好ましい。
【００８２】
さらに、本実施形態では、各素子は各素子毎に分離されたアンダー層上に設けられている。アンダー層は、素子の下層膜の歪みを緩和する為、信頼性が向上する。歪みの緩和は、素子特性の変化を防ぎ、また剥がれ不良なども防ぐことから転写時の接着信頼性の向上に効果がある。
【００８３】
また、本実施形態では、接着層の高さ制御部材として、感光性アクリル樹脂を用いたが、高さ制御部材は接着層の高さを保つことのできる固体であれば良く、これに限定されるものではない。例えば、ポリイミド、ＢＣＢ、フッ素系樹脂等の感光性樹脂、或いは、ＰＥＴ、ＰＥＳ、ＰＥＮ等の基板として用いられる材料や基板自体のエンボス加工や射出成型等による加工体として形成する材料等の非感光性の樹脂、塗布型のスピンオングラスにより、またはポリシラザンから焼成したＳｉＯｘ膜、ＣＶＤ成膜したＳｉＯｘやＳｉＮｘ、リンガラス等の無機系絶縁膜等も、接着層の高さを制御することが出来る為、好ましい。
【００８４】
また、本実施形態では、接着層の接着剤として、紫外線硬化接着剤を用いたが、接着剤はアクティブマトリクス基板を完成するときに、素子と接着する材料であれば良く、これに限定されるものではない。例えば、熱硬化型接着剤、熱可塑性接着剤、弾性接着剤、アロイ接着剤等の接着剤等も素子と良好に接着するために、好ましい。これらの接着剤の材料としては、例えば、一液性、二液性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンツイミダゾール樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、レゾルシノール樹脂、セルロースアセテート、ニトロセルロース、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、シアノアクリレート、ポリウレタンゴム、シリコーンゴム、アクリルエマルジョン等がある。これらの接着剤は、形成時に液体であって後に硬化させるものであっても良い。そして、所定量をノズルから滴下する方法で形成しても良い。滴下にはメカニカルポンプあるいは圧電素子によりディスペンスしたり、空中を液滴が飛行するように打ち込んでも良い。また、接着剤形成時から固体として、小片に切り出したものを機械的に置いたり、静電力で吸引して置く等の方法で形成しても良い。接着剤は高さの制御を行うものではないので、可塑性や弾性を有する固体であっても良い。
【００８５】
また、本実施形態では転写先基板としてガラス基板を用いたが、プラスチック基板、樹脂フィルム、セラミックス基板、金属薄板基板などを用いることも出来る。従来、プラスチック基板や樹脂フィルム等は、軽量ではあるが、熱変形や熱膨張率の大きさから、高精細なアクティブマトリクス基板として精密に形成することが出来なかった。しかしながら本実施形態では、熱工程を含む素子形成は素子形成基板上で行い、これを転写するものである為、転写先基板の材質を問わず、軽量な基板を選択することも可能となるのである。
【００８６】
次に、図１７に本実施形態の中間基板から転写先基板への転写工程の変形例を示す。第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００８７】
本変形例では、図１７に示すように、中間基板６０１上に中間基板上マスク１７０１をさらに設ける。中間基板６０１が厚い場合、ガラスマスク１２０１のみを介して光を照射すると、選択しない素子３０１にも光が照射されてしまうことがある。しかしながら、このように中間基板上マスク１７０１を設けることにより、光の照射領域の境界を明確にして、転写する素子３０１の選択性を向上させることが出来る。本変形例の場合には、光変換体を設けなくても選択性が向上する。従って、これは紫外光により接着力が低下する接着・剥離層６０３を用いる場合に、光変換体として適当な材料がない場合などに、特に有効である。転写する素子３０１の大きさが約２０〜４０μｍと小さい場合も、空間精度良く接着・剥離層６０３の剥離を行うことが出来る為有効である。本変形例においても、接着層４０４が、接着剤４０３と高さ制御部材４０２により選択的に１つの素子３０１のみを接着するために、素子３０１と接着層４０４の接着及び接着・剥離層６０３との剥離を行い、総合的な選択性を確保できるのである。
【００８８】
なお、ガラスマスク１２０１、または中間基板上マスク１７０１を設けずに、照射する光をレーザ等として、転写したい素子３０１のみに選択的にビーム光を照射しても良い。
【００８９】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、転写先基板に形成する接着層の形状が第１の実施形態と異なる。本実施形態では、接着層以外は第１の実施形態と同様に行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【００９０】
本実施形態のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図１８（ａ）に、１つの素子に対応する接着層の平面図を図１８（ｂ）に示す。本実施形態は、図１８（ｂ）に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２の内周の形状を円としている他は、第１の実施形態と同様の構成である。図１８（ｂ）の破線は素子３０１の外周を示す。
【００９１】
本実施形態では、このように高さ制御部材４０２の内周の形状を曲率を持たせた曲面とすることにより、素子３０１を接着層４０４に押し付けた際の、広がった接着剤４０３と高さ制御部材４０２との隙間を小さくすることが出来る。接着剤４０３として、粘性の高い液体状の接着剤を用いる場合には、素子３０１によって押し付けられた形状が曲面を有するであろう事から、特に高い効果を得ることが出来る。図１８に示すように、高さ制御部材４０２の外周が正方形に近い形状である場合は、高さ制御部材４０２の内周の形状を円形とすることが好ましい。高さ制御部材４０２の内周の形状は、高さ制御部材４０２の外周の形状に対応した曲率を持った曲面とすれば同様な効果を得ることが出来る。高さ制御部材４０２の内周の曲率半径は、接着剤４０３の材料の粘度等にも依存するが、高さ制御部材４０２の一辺の長さの、１／５〜１／２程度とすれば良い。高さ制御部材４０２の材料、形成方法などは第１の実施形態と同様とすれば良い。
【００９２】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態は、転写先基板に形成する接着層の形状が第１の実施形態と異なる。本実施形態では、接着層以外は第１の実施形態と同様に行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【００９３】
本実施形態のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図１９（ａ）に、１つの素子に対応する接着層の平面図を図１９（ｂ）に、１つの素子の平面図を図１９（ｃ）に示す。本実施形態は、図１９（ｂ）に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２が切り込み（切れ目）１９０１を持って接着剤４０３を囲むように設けられる他は、第１の実施形態と同様の構成である。図１９（ｂ）の破線は素子３０１の外周を示す。
【００９４】
本実施形態では、このように高さ制御部材４０２が切り込み１９０１を持って接着剤４０３を囲むように設けられることにより、接着剤４０３の量が多少多くても、余分な接着剤４０３が切り込み１９０１を通って高さ制御部材４０２の外に出る。接着剤４０３の量を厳密に制御しなくても、接着層４０４の高さ、広がりの大きさを制御できる為、好ましい。また、この切り込み１９０１の形状を、高さ制御部材４０２の内周に近い部分では狭く、外周に近い部分では広い構造とすることにより、切り込み１９０１から出た接着剤の高さを、高さ制御部材４０２の高さよりも低くし、隣接する素子への接着を防止することが出来る。さらに、切り込み１９０１の位置を、図１９（ｃ）に示すような素子３０１のコンタクト部１０８に対応する位置とは別の場所に設けることにより、接着剤４０３が切り込み１９０１から出て素子３０１の上にかぶることがあっても、コンタクト不良の発生を低減することが出来る。
【００９５】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施形態は、転写先基板に形成する接着層の形状が第１の実施形態と異なる。本実施形態では、接着層以外は第１の実施形態と同様に行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【００９６】
本実施形態のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図２０（ａ）に、１つの素子に対応する接着層の平面図を図２０（ｂ）に示す。図２０（ｂ）の破線で示す領域が、素子３０１に対応する位置である。本実施形態は、図２０（ｂ）に示すように、素子３０１が、接着層４０４の高さ制御部材４０２の内周よりも内側に設けられる他は、第１の実施形態と同様の構成である。
【００９７】
本実施形態において、中間基板から転写先基板に素子３０１を転写する際には、素子３０１の周囲の接着・剥離層が高さ制御部材４０２に接触し、それ以上押し付けられるのを防ぐ為、第１の実施形態と同様に接着層４０４の高さを一定とし、転写先基板面と素子とを略平行となるよう転写することが出来る。また、高さが制御できることから、接着剤４０３の広がりを防ぐ事も出来る。本実施形態では、素子３０１を高さ制御部材４０２の内周よりも内側に設けることにより、素子３０１と接着剤４０３の接触面積を広く出来、接着力が増すので好ましい。
【００９８】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。本実施形態は、転写先基板に形成する接着層の形状が第１の実施形態と異なる。本実施形態では、接着層以外は第１の実施形態と同様に行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【００９９】
本実施形態のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図２１（ａ）に、１つの素子に対応する接着層の平面図を図２１（ｂ）に示す。本実施形態は、図２１（ｂ）に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２が接着剤４０３を囲むように設けられるだけでなく、素子３０１領域の下にも第２の高さ制御部材２１０１が設けられる他は、第１の実施形態と同様の構成である。
【０１００】
本実施形態においては、第２の高さ制御部材２１０１はＪＳＲ社製のＨＲＣ等の感光性アクリル樹脂やエポキシ樹脂、ノボラック樹脂等を用いてフォトリソグラフィ等によって形成すればよい。また、高さ制御部材４０２と第２の高さ制御部材２１０１とを同時に形成しても良い。例えば、感光性アクリル樹脂を全面に形成し、高さ制御部材４０２と第２の高さ制御部材２１０１の形状に対応したフォトマスクで露光し現像すれば、同一の高さの２つの高さ制御部材を実現することが出来る。本実施形態では、素子３０１に対応する領域の下にも第２の高さ制御部材２１０１を設けることにより、素子３０１の高さ制御をより確実に行うことが出来る。特に、第４の実施形態のように、高さ制御部材の内周よりも素子の大きさを小さくする場合には効果的である。素子３０１領域の下に設けられる第２の高さ制御部材２１０１の面積は、素子３０１の面積の約０．１〜０．８倍であることが望ましい。素子３０１の変形に対する強度が弱い場合には、素子３０１へのダメージを低減する為に、第２の高さ制御部材２１０１の面積は大きい方が好ましい。特に、一度に転写する面積が大きく、中間基板６０１と転写先基板４０１とを押し付ける圧力が場所によりばらつく場合には、上記の面積は約０．５倍以上であった方が、素子３０１へのダメージを低減するために好ましい。
【０１０１】
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態について説明する。本実施形態は、転写先基板に形成する接着層の形状が第１の実施形態と異なる。本実施形態では、接着層以外は第１の実施形態と同様に行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【０１０２】
本実施形態のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図２２（ａ）に、１つの素子に対応する接着層の平面図を図２２（ｂ）に示す。本実施形態は、図２２（ｂ）に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２は接着剤４０３を囲むようには設けられずに、高さ制御部材４０２の周囲を接着剤４０３が囲む他は、第１の実施形態と同様の構成である。
【０１０３】
本実施形態においては、高さ制御部材４０２は、パターニングの際に、小さな高さ制御部材４０２を複数形成すればよく、また接着部４０３は、形成時に形状を保つことが出来る材料を用いて、印刷などによって所定の形状に形成すればよい。接着剤４０３の形状は、素子３０１の形状に近いものが好ましい。本実施形態では、高さ制御部材４０２は接着剤４０３を囲むようには設けないが、高さ制御部材４０２があることにより、他の実施形態と同様に、素子３０１を押し付けても高さが一定となる。また接着剤４０３自身が形状を保ち、また素子３０１が押し付けられるのを高さ制御部材４０２が抑制する為に、接着剤４０３の広がりを抑えることも出来る。印刷等により形成可能で、接着剤４０３自身が形状を保つ材料としては、印刷インクとして増粘剤等を配合した液晶メインシール用接着剤や、紫外線硬化型エポキシ樹脂、熱硬化型エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いる事も出来る。
【０１０４】
（第７の実施形態）
次に、本発明の第７の実施形態について説明する。本実施形態は、転写先基板に形成する接着層の形状が第１の実施形態と異なる。本実施形態では、接着層以外は第１の実施形態と同様に行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【０１０５】
本実施形態のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図２３（ａ）に、１つの素子に対応する接着層の平面図を図２３（ｂ）に示す。本実施形態は、図２３（ｂ）に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２は接着剤４０３を囲むようには設けられずに、高さ制御部材４０２が接着剤４０３に分散されたものである他は、第１の実施形態と同様の構成である。
【０１０６】
本実施形態においては、接着層４０４は、高さ制御部材４０２を接着剤４０３に分散させて、印刷などにより形成すればよい。高さ制御部材４０２は、シリカ、ＳｉＮｘ、ポリエステル、ポリエチレン、アクリル樹脂等を用いて、柱状、球状、ファイバー、ビーズなどの形状として、接着剤４０３に分散すれば良い。本実施形態においても、高さ制御部材４０２があることにより、他の実施形態と同様に、素子３０１を押し付けても高さが一定となり、かつ接着剤４０３の広がりを抑えることも出来る。また、本実施形態では、高さ制御部材４０２を形成する工程がない為に、アクティブマトリクス基板の製造工程を減少させる効果もある。
【０１０７】
（第８の実施形態）
次に、本発明の第８の実施形態について説明する。本実施形態は、転写先基板に形成する接着層の形状が第１の実施形態と異なる。本実施形態では、接着層以外は第１の実施形態と同様に行えばよく、接着層以外の説明を省略する。
【０１０８】
本実施形態のアクティブマトリクス基板の１つの素子を示す断面図を図２４（ａ）に、１つの素子に対応する接着層の平面図を図２４（ｂ）に示す。本実施形態は、図２４（ｂ）に示すように、接着層４０４の高さ制御部材４０２は接着剤４０３を囲むだけでなく、接着剤４０３の上部も一部覆っている他は、第１の実施形態と同様の構成である。図２４（ｂ）の破線は素子３０１の外周を示す。
【０１０９】
本実施形態においては、接着剤４０３をまず印刷などによって形成する。そして、前もってプラスチックなどで成形した高さ制御部材４０２を、転写先基板４０１に接合することにより、実現できる。その後は、他の実施形態と同様にして、素子３０１を押し付けることにより、高さ制御部材４０２の上面から出た接着剤４０３と素子３０１が接着する。本実施形態によっても、他の実施形態と同様に、素子３０１を押し付けても高さが一定となり、かつ接着剤４０３の広がりを抑えることも出来る。また、本実施形態では、接着剤４０３の側部及び上部の一部が高さ制御部材４０２により覆われているので、接着剤のマージンを大幅に広げることが出来、素子３０１接着の際の歩留まり向上にも効果がある。
【０１１０】
また、これらの各種実施形態を組み合わせることも可能である。
【０１１１】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、アクティブ素子を転写する際に、アクティブ素子の転写先基板面からの高さの制御が可能で、接着層を介してもアクティブ素子と転写先基板とが略平行となるようなアクティブマトリクス基板及びその製造方法を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の１画素を示す回路図である。
【図２】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の１画素を示す平面図である。
【図３】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の１画素の素子を示す平面図である。
【図４】  図３のＡ−Ａ´間を示す断面図である。
【図５】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図６】  （ａ）、（ｂ）とも本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図７】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図８】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図９】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１０】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す平面図である。
【図１１】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１２】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１３】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す平面図である。
【図１４】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１５】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１６】  本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１７】  本発明の第１の実施形態の変形例に係るアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１８】  （ａ）、（ｂ）とも本発明の第２の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１９】  （ａ）、（ｂ）、（ｃ）とも本発明の第３の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）、（ｃ）は平面図である。
【図２０】  （ａ）、（ｂ）とも本発明の第４の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２１】  （ａ）、（ｂ）とも本発明の第５の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２２】  （ａ）、（ｂ）とも本発明の第６の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２３】  （ａ）、（ｂ）とも本発明の第７の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２４】  （ａ）、（ｂ）とも本発明の第８の実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２５】  従来のアクティブマトリクス基板の製造方法の一工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１，２５０２…信号線
１０２，２５０３…走査線
１０３…走査用ＴＦＴ
１０４…蓄積容量
１０５…駆動用ＴＦＴ
１０６…有機ＥＬ部
１０７…電源線
１０８…コンタクト部
２０１…画素電極
３０１…素子
４０１，２５０１…転写先基板
４０２…高さ制御部材
４０３…接着剤
４０４，２５０６…接着層
４０５，２５１１…アンダー層
４０６…バッファ層
４０７…半導体層
４０８…ゲート絶縁膜
４０９…ゲート電極
４１０，２５０４…層間絶縁膜
４１１ａ，４１１ｂ，４１１ｃ，４１１ｄ，４１１ｅ…素子内配線
４１２…パッシベーション膜
４１３…素子内コンタクト部
４１４，２５０９…保護膜
５０１…素子形成基板
６０１，２５０７…中間基板
６０２，６０４…光変換体
６０３，２５０８…接着・剥離層
１２０１…ガラスマスク
１７０１…中間基板上マスク
１９０１…切り込み
２１０１…第２の高さ制御部材
２５０５…平坦化膜
２５１０…ＴＦＴ
２５１２…遮光マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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