(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードを中心部に配置したアノードと、
このアノード内の上記カソードの外側で放射状に配置された複数のベーンと、
このベーンに取り付けられた環状体であって、所定の位置で切断されるストラップとを有し、これらの部材を備えたアノードを共振器として動作させるマグネトロンにおいて、
上記アノード内で寄生共振を起こす空間の容積を調整することにより、アノード共振の基本周波数であるπモードの周波数±３００ＭＨｚの範囲内に、このπモード以外の高次モードの共振周波数が存在するように設定し、この高次モードの共振は外部回路に対し、結合係数βが０．２以上、尖鋭度ＱL が７５以上で結合することを特徴とするマグネトロン。
【請求項２】
複数配置された上記ストラップでのそれぞれの切断位置を変えることにより、上記高次モードの共振周波数がπモードの周波数±３００ＭＨｚの範囲内に存在するようにしたことを特徴とする上記請求項１記載のマグネトロン。
【請求項３】
上記ストラップの所定長さの切断端部を曲げることにより、上記高次モードの共振周波数のシフト位置を調整したことを特徴とする上記請求項１又は２記載のマグネトロン。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマグネトロン、特にレーダ装置等に用いられるマグネトロンで、ベーン・ストラップタイプの共振器構造とされたアノードの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１４には、従来のレーダ装置用マグネトロンの主にアノード部分の平面図（ベーン及びストラップを露出した状態）が示されており、図示のように、円筒形状のアノード１の外周部に出力部２が接続され、このアノード１の中心部にカソード３が配置される。また、このアノード１は外周壁体であるシェル４を有しており、このシェル４の内側に、上記カソード３を中心として放射状にかつ等間隔で１８個のベーンＢ1 〜Ｂ18が配置され、このベーンＢ1 〜Ｂ18の上側に４個の環状のストラップＳ1 〜Ｓ4 が配置される。このストラップＳ1 〜Ｓ4 は、Ｓ1 ，Ｓ3 とＳ2 ，Ｓ4 が異なる位置で一つおきとなる位置のベーンＢ1 〜Ｂ18に取り付けられ、このストラップの中のＳ1 とＳ3 がベーンＢ5 の位置で切断（カット部Ｃ1 ）され、Ｓ2 とＳ4 がベーンＢ6 の位置で切断（カット部Ｃ2 ）される。
【０００３】
このような構造のマグネトロンによれば、上記ベーンＢ1 〜Ｂ18、ストラップＳ1 〜Ｓ4 及びシェル４で構成されたアノード１がマイクロ波帯の共振器を構成することになり、この共振器構成により、基本の発振周波数であるπモードの共振周波数（スプリアス周波数も同様であるが）が決定される。そうして、このアノード１が発振したマイクロ波の電力は、ベーンＢ1 〜Ｂ18から出力部２を通って外部の導波管結合器（不図示）に伝送されて出力される。
【０００４】
このようなレーダ装置用のマグネトロンにおける従来の設計方法では、共振の基本周波数であるπモード周波数の発振を安定させるために、（π−１）モード等の高次モードについては、πモードから極力周波数を離す、即ち離調するか、高次モードのＱL （尖鋭度）を可能な限り低くすることが一般的に行われる。
【０００５】
そして、この高次モードのＱL （負荷のＱ）は、上記ストラップＳ1 〜Ｓ4 を１箇所又は複数箇所カットすることにより低くでき、上記図１４の構成においても、ベーンＢ5 の位置でストラップＳ1 とＳ3 を、ベーンＢ6 の位置でストラップＳ2 とＳ4 をカットして、上記ＱL を可能な限り低くしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のマグネトロンでは、上述した（π−１）モード等の高次モードの周波数やその他の原因による周波数の発振、即ちスプリアス放射が存在し、このスプリアス放射のレベルを良好に抑制できないという問題がある。特に、近年の電波法等によれば、レーダ装置において、上記スプリアス放射レベルをπモードに対し−４０ｄＢｃ以下に抑制することが求められており、上記のベーン・ストラップタイプの従来のマグネトロンではこの要求を満たすことが困難であった。
【０００７】
上記図１４のマグネトロンでは、上記アノード１の内部空間のベーンＢによる分割数をｎ（図１４の場合は１８）とすると、（ｎ／２）個の共振が発生し、その中でπモードが最も低い周波数となる。そして、このπモードから周波数の高い方に、π−Ｎ［Ｎ＝１，２，３  …  （ｎ／２）−１］の（ｎ／２）−１個の高次モードの共振が現れることになり、特にこの高次モードの中でも、πモードと周波数の近い（πー１）モード及び（πー２）モードがスプリアス放射の原因となる。
【０００８】
図１５には、上記図１４のマグネトロンのコールドテストデータが示され、図１６には、このコールドテストデータでの発振のスペクトラム波形が示されている。このコールドテストデータとは、ネットワークアナライザーを用いてマグネトロンのリターンロスを出力側より測定し、横軸に周波数、縦軸にリターンロスを示したもので、これによってマグネトロンの共振周波数、結合係数β（波形の高さ）及びＱL （波形の尖鋭度）を確認することができる。
【０００９】
図１５において、△１〜△５はマグネトロンでの発振モードと対応する共振点を示しているが、△１はπモード、△２はπ−１モード、△３はエンドスペース（上記シェル４の内側空間）の寄生共振、△４はπ−２モード、△５は出力部２の内部構造に起因する共振の共振点である。ここで、上記の△１、△２及び△４はアノード１に起因する共振で、上記の△３及び△５はアノード１に起因しない共振であり、従ってアノード１の共振とは直接関係のない共振も存在することになる。
【００１０】
このことは、ネットワークアナライザーで観測しながら、ベーンＢ1 〜Ｂ18に触れてみることにより容易に判断ができる。即ち、アノード１に起因する共振、厳密にいえばベーンＢ1 〜Ｂ18とストラップＳ1 〜Ｓ4 に起因する共振でなければ、ベーンＢ1 〜Ｂ18に触れても共振周波数は変らないが、アノード１に起因する共振であれば、ベーンＢ1 〜Ｂ18に触れたとき共振周波数が変化するからである。
【００１１】
そして、図１６のスペクトラムに示されるように、πモード（波形Ｇ1 ）の周波数約９．４ＧＨｚに対し、周波数約９．８ＧＨｚの（πー１）モード（波形Ｇ2 ）のスプリアスが観測され、このスプリアスはπモードに対し約−３０ｄＢｃの差しかない。従って、従来のマグネトロンはπモードについては、安定に発振して問題なく動作するが、高次モードのスプリアス放射については、好ましい値としての−４０ｄＢｃ以下という要求値を達成できないことになる。
【００１２】
このため、従来においてレーダ装置にベーン・ストラップタイプのマグネトロンを用いる場合は、その伝送回路中若しくはアンテナ部分にスプリアス低減用のフィルタを入れたりする等の工夫が施されるが、この場合は、構造が複雑となるし、コスト高にもつながる。
【００１３】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、その目的は、スプリアス低減用フィルタ等の付加部品を用いることなく、スプリアス放射レベルを低く抑制し、安定した動作が可能となるマグネトロンを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１の発明に係るマグネトロンは、カソードを中心部に配置したアノードと、このアノード内の上記カソードの外側で放射状に配置された複数のベーンと、このベーンに取り付けられた環状体であって、所定の位置で切断されるストラップ（均圧環）とを有し、これらの部材を備えたアノードを共振器として動作させるマグネトロンにおいて、上記アノード内で寄生共振を起こす空間の容積を調整することにより、アノード共振の基本周波数であるπモードの周波数±３００ＭＨｚの範囲内に、このπモード以外の高次モードの共振周波数が存在するように設定し、この高次モードの共振は外部回路に対し、結合係数βが０．２以上、尖鋭度ＱL が７５以上で結合することを特徴とする。
請求項２記載の発明は、複数配置された上記ストラップでのそれぞれの切断位置を変えることにより、上記高次モードの共振周波数がπモードの周波数±３００ＭＨｚの範囲内に存在するようにしたことを特徴とする。なお、このとき、πー２モードのスプリアス放射も考慮すれば、この（π−２）モードの共振周波数をπモードの共振周波数よりも１５００ＭＨｚ以上離すことが好ましい。
請求項３記載の発明は、上記ストラップの所定長さの切断端部を曲げることにより、上記高次モードの共振周波数のシフト位置を調整したことを特徴とする。
【００１５】
上記の構成によれば、上記アノード内のエンドスペースの空間容積を例えば１．０ｃｍ3 に広げることにより、（π−１）モード（高次モード）の共振周波数をπモードの周波数±３００ＭＨｚの範囲内に入れることができる。即ち、πモードの共振周波数とエンドスペースの寄生共振周波数との差を小さくして、高次モードの共振点をπモード側へシフトさせる。このように、アノード（ベーンとストラップ）に起因する高次モード周波数を±３００ＭＨｚ以内までπモードに近づけることにより、スプリアス放射レベルを低く抑制することが可能となる。
【００１６】
また、πモード以外の高次モードの共振周波数をπモードの周波数±３００ＭＨｚの範囲内にシフトさせる調整は、請求項２のように、複数配置されたストラップのカット位置を変えたり、また請求項３のように、ストラップの切断端部を所定角度だけ曲げたりして行われ、これらの各種の手法を用いて、上記高次モードの共振が外部回路に対し、結合係数β：０．２以上、尖鋭度ＱL ：７５以上で結合させればよく、これを設定の判断条件とすれば上記の周波数シフトの調整が容易となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１及び図２には、実施形態の第１例に係るマグネトロンの構成が示されており、このマグネトロンも従来と同様に、円筒形状のアノード１０の中心部にカソード３が配置される。このアノード１０の外周には、シェル１１が設けられ、このシェル１１の内側に、上記カソード３を中心として放射状にかつ等間隔で１８個のベーンＢ1 〜Ｂ18が配置される。このベーンＢ1 〜Ｂ18の上側には、４個の環状のストラップ（均圧環）Ｓ1 〜Ｓ4 が交互にベーンＢ1 〜Ｂ18に一つおきに取り付けられて配置される。即ち、ストラップＳ1 ，Ｓ3 が取り付けられるベーンＢには、ストラップＳ2 ，Ｓ4 が取り付けられず、ストラップＳ2 ，Ｓ4 が取り付けられるベーンＢには、ストラップＳ1 ，Ｓ3 が取り付けられないことになる。
【００１８】
上記のベーンＢ1 〜Ｂ18の上下には、上記カソード３を保持すると共に、アノード１０の上下の蓋体となるポールピース１２，１３が設けられており、上記のシェル１１とポールピース１２，１３で囲まれた空間がエンドスペース１５となる。なお、上記ベーンＢ1 〜Ｂ18に接続した状態で出力部２がシェル１１の外周に取り付けられる。また、この第１例では、πモードの発振周波数は９．４ＧＨｚ帯（Ｘバンド）とされ、図１に示されるアノード内径Ｄは４．６ｍｍ、ベーンＢ1 〜Ｂ18の高さは３ｍｍとされている。
【００１９】
このような構造のマグネトロンにおいて、第１例では、上記のシェル１１とポールピース１２，１３で囲まれたエンドスペース１５の容積（全体の容積）Ｖ2 を１．０ｃｍ3 とすると共に、ストラップＳ1 〜Ｓ4 のカット位置をベーンＢ6 とＢ15の位置とし、これにより、πモード以外の高次モードの共振がπモードの周波数の±３００ＭＨｚ以内に存在するように設定したものである。即ち、従来のエンドスペースの容積Ｖ1 が０．４４ｃｍ3 とされていたものを、１．０ｃｍ3 まで広くしたのであるが、このことを説明する前に、スプリアス放射のレベルと、πモードと高次モードの周波数差との関係をまず説明する。
【００２０】
図３には、高次モードのＱL を変化させた場合の、πモードと高次モードの周波数差とスプリアス放射レベルとの関係が示されており、この場合の高次モードのＱL は、ストラップＳ1 〜Ｓ4 のカット位置を変えること、或いは上記エンドスペース１５の容積を変えること、或いはアノード１にアッテネータを入れることにより、変化させたものである。この図３から理解されるように、高次モードとπモードとの周波数差が小さい程、また高次モードのＱL の値が大きい程、スプリアス放射レベルが低くなることになる。
【００２１】
図４には、上記図３の場合と同様の手法により、高次モードの結合係数βを変化させた場合の、πモードと高次モードの周波数差とスプリアス放射レベルの関係が示されている。この図４から理解されるように、高次モードとπモードとの周波数差が小さい程、また高次モードの結合係数βの値が大きい程、スプリアス放射レベルが低くなることになる。
【００２２】
このような図３及び図４の結果によれば、スプリアス放射レベルを定常的に−４０ｄＢｃ以下とするためには、高次モードのＱL を７５以上で、かつその結合係数βを０．２以上として、高次モードとπモードとの周波数差を３００ＭＨｚ以下にすれば良いことが分る。しかし、従来の装置では、上記のように周波数差を３００ＭＨｚ以下にすることはできず、例えばストラップＳ1 〜Ｓ4 のカット位置に着目してもこの条件を満たすことが困難である。
【００２３】
図５には、上記のストラップＳ1 〜Ｓ4 のカット位置と、高次モードとπモードの周波数差との関係が示されている。ここで、グラフの横軸に示された数字は、カット位置のベーンＢ1 〜Ｂ18の番号を示し、「１−２」とは、ベーンＢ1 の位置でストラップＳ2 ，Ｓ4 、ベーンＢ2 の位置でストラップＳ1 ，Ｓ3 をカットしたことを意味する。この図５では、折れ線１０１がエンドスペース１５の容積がＶ1 （０．４４ｃｍ3 ）の従来のマグネトロンの結果であり、いずれの組合せであっても、周波数差を３００ＭＨｚ以下にできないことが分る。
【００２４】
図６には、上記のエンドスペース１５の空間容積と、πモードとエンドスペース共振の周波数差との関係が示されている。この図６から分るように、容積Ｖの大きさに反比例してπモードとエンドスペース共振の周波数差は小さくなるという性質がある。本発明では、このことに着目し、エンドスペース１５の空間を広げ、エンドスペース共振とπモードの周波数差を小さくすることにより、（πー１）モードの共振周波数がπモードとの周波数から±３００ＭＨｚ以内に現れるようにしたものである。
【００２５】
即ち、図１に示したアノード１０において、シェル１１の内壁を削ることにより、エンドスペース１５の空間を、従来の容積Ｖ1 （０．４４ｃｍ3 ）から容積Ｖ2 （１ｃｍ3 ）まで大きくし、図６に示されるように、エンドスペース１５による寄生共振周波数をπモードの共振周波数よりも約４３０ＭＨｚ（従来は約６４０ＭＨｚの周波数差がある）高くなるように、高次モードの共振周波数に対しては約１３０ＭＨｚ高くなるように調整する。そして、この容積Ｖ2 で上記ストラップＳ1 〜Ｓ4 のカット位置を選択すると、図５の折れ線１０２に示されるように、「６−１５」のとき、つまりベーンＢ6 の位置（カット部Ｃ2 ）でストラップＳ2 ，Ｓ4 、ベーンＢ15の位置（カット部Ｃ1 ）でストラップＳ1 ，Ｓ3 をカットしたとき、πモードと高次モードとの周波数差が３００ＭＨｚ以下となった。
【００２６】
ところで、このストラップカットの最適な位置は、エンドスペース１５の空間容量を１．０ｃｍ3 とした場合、アノード寸法によって変り、第１例のように、アノード内径を４．６ｍｍ、ベーン高さを３ｍｍとした場合は、上記「６−１５」の位置であったが、アノード内径を３．５ｍｍ、ベーン高さを３．４ｍｍとした場合は、「２−９」の位置となった。このように、ストラップカットの最適な位置の求め方についての明確な法則は分っていないのが現状であり、最良点は個々の構造のマグネトロンにおいてカットアンドトライで探すしかないが、ストラップカット位置の選択は、高次モードとπモードとの共振周波数の差を３００ＭＨｚ以内に設定する一つの有効な手段となることが明らかである。
【００２７】
図７には、この第１例のマグネトロンにおいて、ネットワークアナライザーを用いて出力側よりリターンロスを測定したコールドテストデータ（横軸：周波数、縦軸：リターンロス）が示されている。図７において、△１はπモード、△２は（π−１）モード、△３はエンドスペース１５の寄生共振、△４は出力部２の内部構造に起因する共振の共振点である。
【００２８】
この図に示されるように、πモードの共振周波数９．４５０ＧＨｚに対し、πー１の高次モードの共振周波数が９．６０６ＧＨｚとなり、周波数差が３００ＭＨｚ以内となっていることが分る。なお、この第１例の高次モードの結合係数βは０．５、ＱL は７５である。
【００２９】
図８には、上記図７のコールドテストデータでの発振のスペクトラム波形が示されており、図示されるように、９．４ＧＨｚのπモード（波形Ｇ1 ）の共振周波数の近傍には、大きなスプリアスは存在せず、スプリアス放射レベルが−４０ｄＢｃ以下となった。このように、実施形態例では、エンドスペース１５の寄生共振を利用して、高次モードの周波数をπモードの周波数の±３００ＭＨｚ以内に設定し、またπモード以外の共振が結合係数β：０．２以上、ＱL （負荷のＱ）：７５以上で結合するように設定したことにより、スプリアス放射レベルを−４０ｄＢｃ以下に抑制することができたことになる。
【００３０】
更に、第１例では、上記の−４０ｄＢｃ以下のスプリアス放射レベルを得るために、次の（πー２）の高次モードについてもストラップカットの位置選択等の際に考慮し、この（π−２）モードの共振周波数をπモードの共振周波数よりも１５００ＭＨｚ以上離すようにしている。即ち、上記のように、（π−１）モードについてのスプリアス放射レベルを抑制すると、（π−２）モードの周波数が顕著となり、スプリアス放射としての影響が大きくなる場合がある。このことについては、実験の結果、通常の変調器（パルス電源）を使用している場合には、（π−２）モードの周波数をπモードの周波数よりも１５００ＭＨｚ以上高くすれば、スプリアス放射レベルを−４０ｄＢｃ以下に抑制することが確認された。上記図７においても、（π−２）モードの周波数が、πモードの周波数９．４５０ＧＨｚから１５００ＭＨｚ離れた１０．９５０ＧＨｚまでの範囲には存在しない。
【００３１】
即ち、マグネトロンが発振するためには、外部より高圧電圧を印加してアノード・カーソド間に電流を流さなければならないが、ここで必要となる高圧電圧は、マグネトロンの周波数と相関があり、周波数が高くなるに従って発振に必要となる電圧は高くなる。しかし、通常、電源の容量は限られているため、ある一定電圧以上には上がらないし、また電圧が上がったとしても、マグネトロンに流すことができる電流が少ないため、発振することができない。
【００３２】
従って、（π−２）モード以上の高次モードの共振周波数についてはπモードよりも１５００ＭＨｚまで高くしておくことにより、その発振が抑制でき、スプリアス放射レベルを低くすることができる。
【００３３】
図９には、（π−１）モードの周波数がπモードの周波数よりも低くなる第２例の構成が示されている。この第２例は、シェル１１の内壁を点線の位置から更に削り、エンドスペース１７の空間容量Ｖ3 を１．３ｃｍ3 程度まで大きくしたもので、このエンドスペース１７の寄生共振と高次モードの共振の結合により、（π−１）モードの共振周波数がπモードの共振周波数よりも低くなった例である。
【００３４】
図１０には、この第２例でのコールドテストデータが示され、図１１には、この図１０のコールドテストデータでの発振のスペクトラム波形が示されている。この図１０において、△１がエンドスペース１７の寄生共振と高次モード共振が結合した共振、△２はπモード共振、△３は出力部２の構造に起因する共振の共振点である。
【００３５】
そして、図１１に示されるように、周波数９．４９ＭＨｚのπモード（波形Ｇ1 ）に対するスプリアスは小さくなり、スプリアス放射レベルが−４０ｄＢｃ以下となった。このように、（π−１）モードの共振周波数をπモードの共振周波数±３００ＭＨｚの範囲内で設定すれば、スプリアス放射を抑制することができる。
【００３６】
図１２には、上記ストラップＳ1 とＳ3 を切断した部分を曲げ形成した第３例の構造が示されており、第３例では図示されるように、所定長さＬ（例えば約３ｍｍ）の端部１８Ａ，１８Ｂを±αの角度（＋は上側、−は下側への角度）だけ曲げたものである。この端部１８Ａ，１８Ｂの角度調整により、上述したπモードと高次モードとの周波数差、高次モードのＱL 、結合係数βを変えることができ、これによって、高次モードとπモードとの共振周波数差を３００ＭＨｚ以内にする調整が容易に行える。なお、上記例では、ストラップＳ1 とＳ3 を切断した部分を曲げ形成したが、ストラップＳ2 とＳ4 を切断した部分を曲げ形成した構造でも同様の調整を行うことができる。
【００３７】
図１３には、上記のストラップ端部の曲げ角度αと上記の各条件の関係が示されており、この図から端部１８Ａ，１８Ｂの曲げにより、πモードと高次モードとの周波数差、高次モードのＱL 、結合係数βを調整できることが理解される。また、上記周波数差が３００ＭＨｚ以内、ＱL が７５以上という条件を満たす角度は、αが−５〜＋２５度の範囲であることが分る。
【００３８】
また、この例では、端部１８Ａ，１８Ｂの長さＬを約３ｍｍとしたが、これよりも短くすると、ストラップカット部分を曲げる効果が少なく、逆に長くすれば、πモードと高次モードとの周波数差、高次モードのＱL 、結合係数βをより大きく変えられることになる。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、アノード内で寄生共振を起こす空間の容積を調整して、アノード共振の基本周波数であるπモードの周波数±３００ＭＨｚの範囲内に、このπモード以外の高次モードの共振周波数が存在するように設定し、この高次モードの共振は外部回路に対し、結合係数βが０．２以上、尖鋭度ＱL が７５以上で結合するようにしたので、スプリアス放射レベルを低く抑制することができ、マグネトロンの安定した動作を確保することが可能となる。また、スプリアス低減用のフィルタ等の付加部品を用いる必要がなく、低コスト化を図ることができる。
【００４０】
更に、上記の高次モードの共振周波数をπモードの周波数±３００ＭＨｚの範囲内に設定するための調整は、複数配置されたストラップのカット位置を変えたり、またストラップの切断端部を所定角度だけ曲げたりして行うことができ、これらの各種の手法を用いて、上記高次モードの共振が外部回路に対し、結合係数β：０．２以上、尖鋭度ＱL ：７５以上で結合するようにすれば、上記の周波数をシフトさせる調整が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の第１例のマグネトロン（特にアノード）の構成を示す一部断面図である。
【図２】図１のアノードの内部を示す平面図である。
【図３】第１例において、高次モードのＱL を変化させた場合の、πモードと高次モードの周波数差とスプリアス放射レベルの関係を示すグラフ図である。
【図４】第１例において、高次モードの結合係数βを変化させた場合の、πモードと高次モードの周波数差とスプリアス放射レベルとの関係を示すグラフ図である。
【図５】第１例のマグネトロンにおけるストラップのカット位置と、高次モードとπモードの周波数差との関係を、従来のマグネトロンと比較して示すグラフ図である。
【図６】カソード内のエンドスペースの空間容積と、πモードとエンドスペース共振の周波数差との関係を示すグラフ図である。
【図７】第１例のマグネトロンのコールドテストデータを示す波形図である。
【図８】図７のコールドテストデータでの第１例の発振のスペクトラム波形を示す図である。
【図９】実施形態の第２例のマグネトロンの構成を示す断面図である。
【図１０】第２例のマグネトロンのコールドテストデータを示す波形図である。
【図１１】図１０のコールドテストデータでの第２例の発振のスペクトラム波形を示す図である。
【図１２】実施形態の第３例のマグネトロンのアノードの構成を示す断面図である。
【図１３】第３例のストラップ端部の曲げ角度αと各条件との関係を示すグラフ図である。
【図１４】従来のマグネトロンのアノード内部を示す平面図である。
【図１５】従来のマグネトロンのコールドテストデータを示す波形図である。
【図１６】図１５のコールドテストデータでの従来の発振のスペクトラム波形を示す図である。
【符号の説明】
１，１０  …  アノード、
２  …  出力部、
３  …  カソード、
４，１１  …  シェル、
１５，１７  …  エンドスペース、
Ｂ1 〜Ｂ18  …  ベーン、
Ｓ1 〜Ｓ4   …  ストラップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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