(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ表面の１つの平面内にアノード電極とカソード電極を有する半導体パッケージであって、
上記電極の両側のチップ側面がそれぞれ、チップ切断時にチップ間に形成される溝であってＶ字形状部と平行部とから成る溝の側面に該当し上記平面に対して傾斜した第１の部分と、上記溝の側面に該当し上記平面に対し略直角の第２の部分と、上記第２の部分の一方の端部側に段差をもって結合され上記平面に対し略直角でチップ裏面に続く第３の部分とを有して構成される半導体チップと、
上記電極上にそれぞれ突起状に形成され該電極を外部基板に接続する突起電極と、
少なくとも、上記突起電極の上記外部基板への接続部を除く表面部及び上記半導体チップのチップ表面のうちの上記平面と上記チップ側面の上記第１、第２の部分とを覆う絶縁樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
半導体ウェハから分離された半導体チップで構成され、チップ表面の１つの平面内にアノード電極とカソード電極を有する半導体パッケージであって、
上記電極の両側の半導体ウェハからの分離面がそれぞれ、チップ切断時にチップ間に形成される溝であってＶ字形状部と平行部とから成る溝の側面に該当し上記平面に対して傾斜した第１の分離面と、上記溝の側面に該当し上記平面に対し略直角の第２の分離面と、上記第２の分離面の一方の端部側に段差をもって結合され上記平面に対し略直角でチップ裏面に続く第３の分離面とを有して構成される半導体チップと、
上記電極上に突起状に形成され該電極を外部基板に接続する突起電極と、
少なくとも、上記突起電極の上記外部基板への接続部を除く表面部及び上記半導体チップのチップ表面のうちの上記平面と上記チップ側面の上記第１、第２の分離面とを覆う絶縁樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
チップ表面の１つの平面内にアノード電極とカソード電極を有する半導体パッケージの製造方法であって、
上記電極それぞれの上に外部基板への接続用の突起電極が形成された半導体チップが、複数個整列状に配された半導体ウェハを製造する第１のステップと、
該半導体ウェハ上の半導体チップの上記電極及び上記突起電極が配された第１の平面の反対側の第２の平面を、ダイシングシートに固定する第２のステップと、
上記第１の平面側において半導体チップ間に、Ｖ字状形状部と平行部とから成る溝を形成する第３のステップと、
上記半導体ウェハの上記第２の平面から上記ダイシングシートを除去し、該第２の平面を基台に固定する第４のステップと、
上記半導体チップ及び上記突起電極の表面を絶縁樹脂で覆うとともに該絶縁樹脂を上記溝内に充填する第５のステップと、
上記突起電極の表面の上記外部基板への接続用の部分から上記絶縁樹脂を除去する第６のステップと、
上記半導体ウェハ上にある上記絶縁樹脂を硬化させる第７のステップと、
上記溝の部分において上記半導体ウェハを、上記Ｖ字状形状部と上記平行部とに上記絶縁樹脂を残した状態で分離し、個々の半導体チップにする第８のステップと、
を経て、半導体パッケージを製造することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
チップ面にアノード電極とカソード電極を有する半導体パッケージの製造方法であって、
チップ面の第１の平面内に配された電極の上に外部基板への接続用の突起電極が形成された半導体チップが、複数個整列状に配された半導体ウェハを製造する第１のステップと、
該半導体ウェハ上の半導体チップの上記第１の平面の反対側の第２の平面を、第１のダイシングシートに固定する第２のステップと、
半導体チップ相互間に溝を形成し複数個の半導体チップに分離する第３のステップと、
上記突起電極の先端面側を、上記第１のダイシングシートよりも粘着性の高い第２のダイシングシートに固定し、上記第２の平面から上記第１のダイシングシートを除去する第４のステップと、
絶縁樹脂を上記溝内に充填するとともに、上記突起電極の表面及び上記半導体チップの上記第２の平面を含む表面を該絶縁樹脂で覆う第５のステップと、
上記半導体ウェハ上にある上記絶縁樹脂を硬化させる第６のステップと、
上記溝に充填された絶縁樹脂を該溝の側面側に残した状態で該絶縁樹脂を切断して個々の半導体チップに分離するとともに、上記第２のダイシングシートを突起電極の先端面側から除去する第７のステップと、
を経て、半導体パッケージを製造することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
上記第３のステップでは、開口部に断面形状がテーパ状とされた溝が形成される請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アノード電極とカソード電極とを有する半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
アノードとカソードの２電極を有する半導体パッケージの従来例としてダイオードパッケージ１の例を図１及び図２に示す。図１は外形図、図２は断面図である。図１において、２個のリードフレーム２、３が略同一軸線上に配置され、一方のリードフレーム２側の面上に半導体チップ４が共晶接合や圧着等によりボンディングされ、該半導体チップ４の表面には金線５が接続され、該金線５により、該半導体チップ４の表面が他方のリードフレーム３側に電気的に接続されている。該半導体チップ４、金線５、リードフレーム２、３は、外形が略直方体状とした樹脂６で覆われている。リードフレーム２、３間の電流は半導体チップ４の厚さ方向に流れる構成である。ダイオードパッケージ１の寸法は、樹脂６の外形寸法として、長さＬが略１．０ｍｍ、幅Ｗが略０．６ｍｍ、高さＨが略０．５５ｍｍであり、樹脂６内の半導体チップ４の寸法は、長さＬが０．３ｍｍ、幅Ｗが略０．３ｍｍ、高さＨが略０．１５ｍｍである。
また、特開平８−３０６８５３号公報には、ダイオードパッケージに比べ該パッケージサイズが大きく、かつ３個以上の多数の電極を有する半導体パッケージの構成として、半導体チップの表面上に多数の電極パッドと多数のリードとを形成し、該電極パッドと該リードとの間をそれぞれワイヤで接続し、かつ、該リードの一部に突起電極を形成し、該リードの表面と半導体チップの側面部とを樹脂封止し、突起電極の先端及び側面、並びに半導体チップの裏面は露出した構成が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年、電子機器の小形軽量化に伴い、該電子機器を構成するモジュールも小形化され、さらに該モジュールを構成するダイオードパッケージ１のような電子部品も小形化、低背化のニーズが増大している。ダイオードパッケージ１の小形化、低背化のためにはパッケージサイズを小さくする必要がある。図１、図２の従来のダイオードパッケージ１においては、パッケージ内で、半導体チップ４はリードフレーム２上に、パッケージ底面から底上げされた状態で形成され、かつ、金線５によるワイヤボンディングでもう1つのリードフレーム３に接続されているため、パッケージ高さ（厚さ）の縮減には限界がある。かかる従来構造下で、パッケージの小形化のために半導体チップ４やリードフレームの大幅小形化を行ったとしても、それらの樹脂６に占める割合が小さくなり、樹脂６にわずかなクラックが発生した場合にも、それが致命的な欠陥となり易い。また、上記公報記載のような樹脂封止タイプの製造プロセスでも、小形化を進める上で寸法的に限界があり、パッケージ構造の変更が必要となる。パッケージ構造の変更には一般にコストアップを伴うため、これを抑えられるパッケージ構造が求められる。さらに、半導体パッケージを小形化する場合、製造過程等における不良発生頻度も増える傾向にあるため、高信頼性を保証できる技術も必要となる。
本発明の課題点は、上記従来技術の状況に鑑み、ダイオードパッケージ等の２電極構成の半導体パッケージにおいて、コストアップが抑えられかつ高信頼性が得られる小形パッケージ構造を実現することにある。
本発明の目的は、上記課題点を解決できる技術の提供にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題点を解決するために、本発明では、アノード電極とカソード電極を有する半導体パッケージにおいて、（１）パッケージの構造として、上記電極を半導体チップのチップ表面の１つの平面内に配し、該電極上に、該電極を外部基板に接続する突起電極を形成するとともに、該半導体チップを、チップ切断時にチップ間に形成される溝であってＶ字形状部と平行部とから成る溝の側面に該当し上記平面に対して傾斜した第１の部分と、上記溝の側面に該当し上記平面に対し略直角の第２の部分と、上記第２の部分の一方の端部側に段差をもって結合され上記平面に対し略直角でチップ裏面に続く第３の部分とを有した構成とする。さらに、上記突起電極の上記外部基板への接続部を除く表面部及び上記半導体チップのチップ表面のうちの上記平面と上記チップ側面の上記第１、第２の部分とを絶縁樹脂で覆う。（２）パッケージの製造方法として、アノード電極とカソード電極をチップ表面の第１の平面内に配し該電極の上に突起電極を形成した複数の半導体チップから成る半導体ウェハを製造し、該半導体ウェハの半導体チップ間に、Ｖ字状形状部と平行部とから成る溝を形成し、チップ表面及び突起電極の表面を絶縁樹脂で覆うとともに該樹脂を上記溝内に充填した後、上記突起電極の表面の上記外部基板への接続部から上記絶縁樹脂を除去する。さらに、絶縁樹脂を硬化させた後、上記溝の部分において半導体ウェハを、上記Ｖ字状形状部と上記平行部とに上記絶縁樹脂の一部を残した状態で分離し、個々の半導体チップにする。（３）パッケージの製造方法として、上記（２）と同様にして半導体ウェハを製造し、該半導体ウェハの上記第１の平面の反対側の第２の平面をウェハ固定用の第１のダイシングシートに固定して半導体チップ相互間に溝を形成することで半導体チップ相互間を分離した後、突起電極の先端面側を第１のダイシングシートよりも粘着性の高い第２のダイシングシートに固定して、その後上記第１のダイシングシートを第２の平面から除去し、絶縁樹脂を上記溝内を充填するとともに上記突起電極の表面及び上記半導体チップの上記第２の平面を含む表面を、該絶縁樹脂で覆った後、絶縁樹脂を硬化させる。その後、溝内の絶縁樹脂を該溝の側面側に残した状態で切断して個々の半導体チップに分離するとともに、上記第２のダイシングシートを突起電極の先端面側から除去する。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例につき、図面を用いて説明する。実施例は、ダイオードパッケージの場合の例を示す。
図３はベアチップタイプのダイオードパッケージ５０の構造例を示す。本ダイオードパッケージ５０は半導体チップ１０の表面側でアノード及びカソードの２電極を形成する、いわゆるラテラル構造である。半導体チップ１０の表面に電極１１を形成し、例えばスパッタ等で蒸着したアンダーバンプメタル１２を介し、該メタル１２上にさらに、外部基板にアノード電極及びカソード電極を電気的に接続するための突起電極１３をメッキ等により形成する。このとき、突起電極１３の酸化を抑制するために、突起電極１３の表面には酸化抑制のための金属メッキ１４を施す。外部基板への接続をはんだ付け（はんだ接合）で行う場合、突起電極１３は、銅やニッケルが主体となり、該突起電極１３の酸化抑制のために用いる金属メッキ１４には金を用いる。突起電極１３の高さは略２０〜２５μｍである。かかるラテラル構造とすることによって、パッケージの低背化（高さ寸法の縮減化）が可能となり、付随的に、これを使用するモジュールや電子機器も薄形構造にすることができる。
【０００６】
図４は、上記ダイオードパッケージ５０を外部基板１６に対しはんだ接合する場合のはんだリフロー工程において、突起電極の高さ寸法と、半導体チップ１０と突起電極１３の界面に生じる最大応力値との関係を示す。これによると、突起電極１３の高さが高くなるほど、最大応力値が増え、半導体チップ１０にクラックが生じる可能性が高まる。
【０００７】
図５は突起電極１３近傍の拡大モデル図を示す。図５において、半導体チップ１０の膨張係数αｃと外部基板１６の膨張係数αｋとの違いにより、突起電極１３の端部１３ｂにはせん断力Ｆが発生する。該せん断力Ｆと突起電極１３の高さｈとにより、突起電極１３には曲げモーメントＭが生じ、半導体チップ１０と突起電極１３の界面Ｂに応力σが発生する。該応力σが大きいと、半導体チップ１０にクラックが生じる可能性がある。該応力σの低減化のためには、突起電極１３に生じる曲げモーメントＭを小さくする必要があり、そのためには、突起電極１３の高さｈを小さくしたり、突起電極の端部１３ｂに生じるせん断力Ｆを小さくしたりすることが必要である。これは、上記図４の結果と一致する。また、はんだ接合のために外部基板１６に予め設けられたはんだの厚さは略１０μｍであるため、突起電極の高さｈが低いと外部基板１６への接続が困難となる。上記図３に示すようなベアチップタイプのダイオードパッケージ５０では、外部基板への実装時に、半導体チップ１０と突起電極１３の界面に生じる応力が大きくなり易い。この結果、半導体チップ１０にクラックが生じ易く、該クラックが電気的不良の原因となるおそれがある。
【０００８】
図６は、半導体チップ１０の電極面及び側面の一部を絶縁樹脂１５により被覆した構造のダイオードパッケージ５１を示す。図６の構成において、例えば、絶縁樹脂１５としてポリイミド樹脂を用いた場合には、耐銅マイグレーション性が悪いため、突起電極１３としてはニッケルを用いる。また、該ポリイミド樹脂を硬化させるには高温ベークを施す必要があり、このとき、突起電極１３にはニッケルを用い、突起電極１３の酸化抑制のための金属メッキ１４としては錫を用いる。金属メッキ１４として金を用いると、相互拡散が生じ、突起電極１３の酸化が促進される。また、ラテラル構造の半導体チップ１０の場合、突起電極１３が形成された表面から略５〜２０μｍの領域に電極が形成されるため、半導体チップ１０の側面における電極保護のためには、半導体チップの表面から略５〜２０μｍの領域が絶縁樹脂１５で被覆されていればよい。
【０００９】
図７はベアチップタイプのダイオードパッケージ５０の簡略構成を示し、図８には絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージ５１の簡略構成を示す。図７に示すベアチップタイプの場合、突起電極１３ａが外部基板１６と接続できればよい。しかし、図８に示す絶縁樹脂塗布タイプの場合は、半導体チップ１０の電極面並びに側面を絶縁樹脂１５により被覆するために、突起電極１３ａも該絶縁樹脂１５で被覆されてしまう。そのため、突起電極１３ａの外部基板１６への接続部１４ａを露出させる必要がある。
【００１０】
以下、図７、図８の構成のダイオードパッケージ５０、５１をはんだ接合により外部基板に接続する場合につき述べる。
図９は、図８の絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージ５１をはんだ接合により外部基板１６に接続したときの状態を示し、図１０は該接続部の拡大構成を示し、図１１は、該接続部において半導体チップ１０と突起電極１３との界面Ａに生じる最大主応力及び該界面Ａにおける累積破断確率につき、図７のベアチップタイプのダイオードパッケージ５０の場合と比較した結果を示す。図１１（ａ）は最大主応力値の比較結果、（ｂ）は最大主応力と累積破断確率の関係の比較結果である。これによると、ベアチップタイプの小形ダイオード５０の場合、最大主応力は略１３０ＭＰａ、累積破断確率は略５０％であるのに対し、絶縁樹脂塗布タイプの場合は、最大主応力略７８ＭＰａ、累積破断確率は１％以下である。この結果から、半導体チップ１０を絶縁樹脂１５で被覆することにより、半導体チップ１０と突起電極１３の界面に生じる応力が緩和されて概略１／２となり、半導体チップ１０のクラックの発生が１／５０以下に抑えられて高信頼性が確保される。
【００１１】
図１２は、ベアチップタイプのダイオードパッケージ５０または絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージ５１を外部基板１６にマウントするときの概念図を示す。マウント時、半導体チップ１０の裏面１０ａにマウント荷重Ｐが作用して、外部基板１６に突起電極１３が押し付けられる。このとき、突起電極１３には反力Ｒが生じ、突起電極１３には圧縮応力が生じる。また、突起電極１３が支点となり、半導体チップ１０がたわみ、半導体チップ１０の電極面１０ｂには引張応力σが生じる。
【００１２】
図１３は、引張応力σに関し、ベアチップタイプのダイオードパッケージ５０の場合と絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージ５１の場合の比較結果である。半導体チップ１０の裏面１０ａに負荷される荷重Ｐが増大するにつれ、応力σも増えるが、ベアチップタイプのダイオードパッケージ５０の結果３２に比べ、絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージ５１の結果３３では応力が略５０％低い値となっている。この結果、半導体チップ１０の表面を絶縁樹脂１５で被覆することにより、高い信頼性を確保できることが明らかである。
【００１３】
図１４は、絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージ５１の製造プロセスを示す。図１４において、（ａ）半導体ウェハ６０として、表面にアノード及びカソードの２電極を有し、かつ、該電極を外部基板１６と電気的に接続するための突起電極１３を有する複数の半導体チップ１０を形成する。該半導体チップ１０の、電極面との反対側の面をダイシングシート１９で固着する。例えば０６０３サイズ（パッケージの長さＬが略０．６ｍｍ、幅Ｗが略０．３ｍｍのサイズ）のダイオードパッケージに関しては、５インチの半導体ウェハ６０上には略４００００個の半導体チップ１０が形成される。（ｂ）半導体チップ１０相互間に、絶縁樹脂１５を充填するための溝１８を形成する。該溝１８中に充填される絶縁樹脂１５は、半導体チップ１０の側面を絶縁保護するとともに、該絶縁樹脂とチップのダイシング加工のときの該両者間の界面剥離を抑制する。ラテラル構造をした半導体チップ１０の場合、突起電極１３がある電極表面から深さ略５〜２０μｍの領域において電極を形成しているため、半導体チップ１０の側面における電極の絶縁保護範囲もチップ表面から略５〜２０μｍでよいことになり、絶縁樹脂１５により、チップ表面から最小略５〜２０μｍの深さの領域が被覆されていればよいことになる。本実施例では、ハーフダイシングの溝１８は、深さ略５０μｍ、幅略４０〜６０μｍとする。幅については、1枚の半導体ウェハ６０から得られる半導体チップ１０の数に関連する。（ｃ）突起電極１３及び半導体チップ１０の表面を保護するために絶縁樹脂１５で被覆し、かつ、上記（ｂ）で形成した溝１８に絶縁樹脂１５を充填し、半導体チップ１０の電極面も絶縁樹脂１５で被覆する。該被覆のための絶縁樹脂の塗布方法としては種々あるが、半導体ウェハ６０の回転を利用するスピンコート方式では、半導体ウェハ６０の略中心部に絶縁樹脂１５を滴下し、初期段階では半導体ウェハ６０を比較的低速で回転させ、上記（ｂ）において形成された溝部１８内に該絶縁樹脂１５を充填し、次の段階では回転数を増大させ、遠心力により絶縁樹脂１０の膜厚を調整する。塗布方法としてはこの他、超音波や低周波の振動を利用する振動方式もある。該振動方式においては、半導体ウェハ６０の略中心部に絶縁樹脂１５を滴下し、半導体ウェハ６０に超音波あるいは低周波振動を付与することで、上記（ｂ）において形成した溝部１８内に絶縁樹脂１５を充填したり、半導体ウェハ６０の全体に絶縁樹脂１６を行き渡らせて塗布したりする。さらに、半導体ウェハ６０に、互いに交わる２軸方向に張力を付与して溝１８の幅を拡張し、絶縁樹脂１５を該拡幅した溝内に充填したり、半導体ウェハ６０の所定面に塗布したりする方法や、半導体ウェハを他の部材の曲率面に押し当て、ウェハ平面の曲げ変形により上記溝幅を拡張し、絶縁樹脂１５を、該拡幅した溝内に充填したり、半導体ウェハ６０の所定面に塗布したりする方法もある。これら溝を拡幅する塗布方法は、上記ｂ）により形成した溝１８の幅が小さく、絶縁樹脂１５の粘性との関係において、絶縁樹脂１５を該溝内に充填できない場合に有効である。さらにまた、溝１８の形状を、溝開口部で溝幅が広くなった形状とすることで、絶縁樹脂１５の該溝１８���への充填性を改善できる。図１５は、溝開口部を広げた溝形状の場合の絶縁樹脂１５の充填状態例を示し、図１６は溝の両側面が略平行で開口部側と底部側との溝幅が略等しい場合の絶縁樹脂１５の充填状態例を示す。特に、溝幅が狭い場合や絶縁樹脂１５の粘性が高い場合は、図１６のような不十分な充填状態となり易いが、図１５のような溝形状とすることによって、これを改善できる。（ｄ）突起電極１３の外部基板１６との接続部１４ａを露出させるために、該接続部１４ａから絶縁樹脂１５を除去する。例えば、絶縁樹脂１５が感光性ポリイミドであれば、露光現像処理により絶縁樹脂１５を除去できる。除去後、半導体チップ１０の表面及び側面を保護するために塗布した絶縁樹脂１５を熱硬化させるために高温処理を行う。例えば、絶縁樹脂１５が感光性ポリイミドの場合は、略３５０℃の環境内に略１時間放置する。この際、突起電極１３及び突起電極１３の酸化防止のために用いる金属メッキ１４の種類によっては、相互拡散を生じる可能性がある。特に、突起電極１３が銅あるいはニッケルで、突起電極１３の酸化防止のために用いる金属メッキ１４が金の場合は、相互拡散が著しい。この相互拡散防止対策としては、例えば上記金属メッキ１４に錫を用いるとよい。（ｅ）ダイオードパッケージ５１を分離、個片化するために、上記（ｃ）において、絶縁樹脂１５を充填した溝部１８よりも幅の狭い溝２０で、上記半導体チップ１０の側面を保護するための絶縁樹脂１５が該半導体チップ１０の側面に残存する状態、つまり溝１８内の絶縁樹脂１５を該溝１８の側面側に残した状態で、各半導体チップ間を切断する。例えば、上記（ｂ）における溝１８が深さ略５０μｍ、幅略４０〜６０μｍとすると、溝２０の幅は略２０〜３０μｍがよい。また、一度に切断すると、半導体チップ１０の絶縁樹脂１５で被覆されていない部分でチッピングが生じるおそれがある。このため、複数の切り込みを経た切断を行うとよい。また、絶縁樹脂１５と半導体チップ１０では、硬さが異なるため、第１ステップで、絶縁樹脂１５を切断し、第２ステップで半導体チップ１０を切断する方法もある。図１７は、上記（ｂ）でＶ字形状溝を形成し、上記（ｃ）で絶縁樹脂１５を塗布し、上記（ｅ）で溝中の絶縁樹脂を切断して得た絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージの簡略側面図である。また、図１８は、上記（ｂ）でＶ字形状部と平行部とから成る溝を形成し、上記（ｃ）で絶縁樹脂１５を塗布し、上記（ｅ）で溝中の絶縁樹脂を切断して得た絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージの簡略側面図である。
【００１４】
図１９は、本発明の実施例として他の製造プロセス例を示す。本方式は、いわゆるフルダイシング方式のプロセスである。本方式では、上記図１４（ｄ）の突起電極１３の外部基板１６との接続部１４ａのみを露出させるための絶縁樹脂１５の除去工程をなくすことができる。また、ダイオードパッケージ５５は、半導体チップ１０のほぼ全面（突起電極１３を接続した部分を除く全面）を絶縁樹脂１５で被覆しているので、不意な荷重がかかった場合などにおける半導体チップ１０の信頼性は高い。（ａ）半導体ウェハ６０として、表面にアノード及びカソードの２電極を有し、かつ、該電極を外部基板１６と電気的に接続するための突起電極１３を有する複数の半導体チップ１０を形成する。該半導体チップ１０の、電極面との反対側の面（裏面）を第１のダイシングシート２１で固着する。（ｂ）上記半導体チップ１０間に溝２３を形成し半導体チップ１０を分離する。分離された各半導体チップ１０は、その裏面が第１のダイシングシート２１により固着されているのでばらばらにはならない。（ｃ）半導体チップ１０の表面の突起電極１３に、上記（ｂ）において半導体ウェハ６０を固着した第１のダイシングシート２１よりも接着力の大きい第２のダイシングシート２２を貼り付け、第１のダイシングシート２１は半導体チップ１０の裏面から剥離して除去する。このようにして半導体チップ１０を第１のダイシングシート２１側から第２のダイシングシート２２側に移す。上記第１のダイシングシート２１は、溝２３の形成時において半導体チップ１０が動かない程度の接着力があればよい。（ｄ）半導体チップ１０の表面、裏面（第１のダイシングシート２１を剥離させた面）及び側面、並びに突起電極１３の側面を絶縁樹脂１５で覆う。具体的には、上記（ｂ）において形成した溝２３中、及び第２のダイシングシート２２と半導体チップ１０の電極面と突起電極１３とにより形成される空隙２４中に絶縁樹脂１５を充填し、かつ半導体チップ１０の裏面（第１のダイシングシート２１を剥離させた面）を絶縁樹脂１５で覆う。塗布方式としては、例えば、半導体ウェハ６０に超音波あるいは低周波の振動を与える振動方式、あるいは、予め絶縁樹脂１５を槽に入れておき、該槽に上記半導体ウェハ６０及び第２のダイシングシート２２を漬けるディップ方式が適する。絶縁樹脂１５を塗布した後、絶縁樹脂１５の熱硬化処理としての高温処理を行う。このとき、第２のダイシングシート２２は半導体チップ１０及び突起電極１３を固着した状態にあるため、耐高温性が必要である。（ｅ）絶縁樹脂１５の熱硬化後、溝２３に充填された絶縁樹脂１５の一部を該溝２３の側面側に残した状態で該絶縁樹脂１５を切断して個々の半導体チップ１０に分離する。分離後、第２のダイシングシートを突起電極１３の先端面側から除去する。
【００１５】
図２０は、絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージ５１の外観を示す。外部基板１６に対しては、該ダイオードパッケージド５１は、例えばフェイスダウンにより実装される。
【００１６】
上記実施例によれば、小形のダイオードパッケージを提供できる。また、半導体チップの電極面に絶縁樹脂を設ける構成のため、半導体チップと突起電極との界面部に生じる応力を緩和でき、クラック発生を抑えることができる。製造の工程数を減らすことができる。ワイヤ接続を用いない構成のため、接続作業が容易であり、信頼性も向上させられる。半導体ウェハの状態で、絶縁樹脂の塗布を行う構成のため、塗布作業が容易かつ短時間に行える。コスト低減も可能である。
【００１７】
特許請求の範囲に記載した発明に関連する発明であって、上記実施例中に記載された発明としては、（１）半導体チップ間に溝を形成するステップにおいて、深さ略５０μｍ以下、幅略４０μｍから１００μｍの範囲の溝を形成する半導体パッケージの製造方法、（２）半導体チップ間に溝を形成するステップにおいて、該溝として、断面形状がテーパ状の溝を開口側に形成後、溝側面が互いに平行な溝を溝底面側に形成する半導体パッケージの製造方法、（３）保護用の絶縁樹脂を設けるステップにおいて、半導体ウェハに対しウェハ平面内の２軸方向に張力を与えて半導体チップ間の溝の幅を拡張した状態で、絶縁樹脂の塗布と上記溝中への充填を行う半導体パッケージの製造方法、（４）保護用の絶縁樹脂を設けるステップにおいて、半導体ウェハを曲率面に押し当て、ウェハ平面の曲げ変形により半導体チップ相互間の溝幅を拡張し、該状態で、絶縁樹脂の半導体ウェハ面上への塗布と上記溝中への充填を行う半導体パッケージの製造方法、等がある。
【００１８】
なお、上記実施例では、アノード及びカソードの２電極を有する半導体パッケージとして、ダイオードパッケージの例につき説明したが、本発明はこれに限定されず、ダイオードパッケージ以外の半導体パッケージであってもよい。
【００１９】
【発明の効果】
本発明によれば、小形のダイオードパッケージを提供できる。また、クラック発生を抑えることができ、信頼性も向上させられる。製造プロセスの工程数を減らすことができ、電極接続作業や絶縁樹脂塗布作業が容易である。コスト低減も可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のダイオードパッケージの概略を示す図である。
【図２】図１のダイオードパッケージの断面図である。
【図３】ベアチップタイプのダイオードパッケージの側面図である。
【図４】突起電極高さが半導体チップと突起電極の界面の応力に及ぼす影響を示す図である。
【図５】はんだリフロー時における突起電極付近の拡大モデル図である。
【図６】絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージの側面図である。
【図７】ベアチップタイプのダイオードパッケージの簡略側面図である。
【図８】絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージの簡略側面図である。
【図９】絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージの、基板実装時の断面図である。
【図１０】図９の構成における突起電極付近の拡大図である。
【図１１】絶縁樹脂塗布タイプとベアチップタイプのダイオードパッケージにおいて、半導体チップと突起電極の界面における最大主応力及び累積破断確率を示す図である。
【図１２】基板マウント時のダイオードパッケージの概念図である。
【図１３】基板マウント時のダイオードパッケージ裏面の負荷荷重と半導体チップの最大応力との関係を示す図である。
【図１４】絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージの製造方法の説明図である。
【図１５】半導体チップ間の溝をＶ字形状とした場合の絶縁樹脂の充填状態の説明図である。
【図１６】半導体チップ間の溝を平行形状とした場合の絶縁樹脂の充填状態の説明図である。
【図１７】Ｖ字形状溝による絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージの簡略側面図である。
【図１８】Ｖ字形状溝と平行溝とによる絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージの簡略側面図である。
【図１９】絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージの他の製造方法の説明図である。
【図２０】絶縁樹脂塗布タイプのダイオードパッケージの外観例を示す図である。
【符号の説明】
１…ダイオードパッケージ、  ２…タブ側リードフレーム、  ３…ポスト側リードフレーム、  ４…半導体チップ、  ５…金線、  ６…樹脂、  １０…ラテラル型半導体チップ、  １３…突起電極、  １５…絶縁樹脂、  １６…実装基板、１７…はんだ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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