(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射に応答するセンサ素子のアレイの一部として、半導体手段に集積マイクロメカニカル・センサ素子を製造する製造方法であって、前記センサ素子アレイの一部をなす四角形状で薄いセンサ領域部(12，12')は、半導体手段内の特定の結晶構造によって定義される等価なものも含めて複数の（１１１）面を有するピットによって、半導体手段の本体から熱的に分離されており、
単結晶の半導体手段の（１００）表面に、前記センサ領域部(12，12')に従った四角形状のセンサ領域を定めるステップを備え、
前記半導体手段の（１００）表面の前記センサ領域に位置される放射センサ手段を作るステップを備え、前記放射センサ手段には、前記センサ領域から外方へと延びる少なくとも２つのリードアウト領域上に少なくとも２つのリードアウト手段が設けられており、
前記半導体手段の（１００）表面におけるＬ字状の細長い２つの表面領域を、前記ピットのエッチングによる形成用のエッチング・ウインドウとして露出させるステップであって、それらの２つの表面領域は、前記センサ領域の２つのコーナから前記リードアウト手段が延びているリードアウト領域を除いて、前記四角形状のセンサ領域部の四辺を囲むように配置され、且つ、前記２つの表面領域は［１１０］方向に平行または垂直に延びる辺によって形成されるようにする、露出させるステップを備え、
前記２つの表面領域すなわちエッチング・ウインドウからの前記半導体手段に対する異方性エッチングで、前記ピットを設けるステップを備え、エッチングされたピットの大きさは、センサ領域部を囲む前記２つの表面領域の外縁と交叉する（１１１）面によって定まり、前記異方性エッチングが前記Ｌ字状の細長い２つの表面領域それぞれのコーナから始まり、前記センサ領域を囲んでいるそれらの２つの表面領域の外辺までに限られる
ことを特徴とする、集積されたマイクロメカニカルセンサ素子の製造方法。
【請求項２】
放射に応答するセンサ素子のアレイの一部として、半導体手段に集積マイクロメカニカル・センサ素子を製造する製造方法であって、前記センサ素子アレイの一部をなす四角形状で薄いセンサ領域部(12，12')は、半導体手段内の特定の結晶構造によって定義される等価なものも含めて複数の（１１１）面を有するピットによって、半導体手段の本体から熱的に分離されており、
単結晶の半導体手段の（１００）表面に、前記センサ領域部(12，12')に従った四角形状のセンサ領域を定めるステップを備え、
前記半導体手段の（１００）表面の前記センサ領域に位置される放射センサ手段を作るステップを備え、前記放射センサ手段には、前記センサ領域から外方へと延びる少なくとも２つのリードアウト領域上に少なくとも２つのリードアウト手段が設けられており、
前記半導体手段の（１００）表面における、コ字状のおよび棒状の２つの表面領域を、前記ピットのエッチングによる形成用のエッチング・ウインドウとして露出させるステップであって、それらの２つの表面領域は、前記センサ領域の２つのコーナから前記リードアウト手段が延びているリードアウト領域を除いて、前記四角形状のセンサ領域部の四辺を囲むように配置され、且つ、前記２つの表面領域は［１１０］方向に平行または垂直に延びる辺によって形成されるようにする、露出させるステップを備え、
前記２つの表面領域すなわちエッチング・ウインドウからの前記半導体手段に対する異方性エッチングで、前記ピットを設けるステップを備え、エッチングされたピットの大きさは、センサ領域部を囲む前記２つの表面領域の外縁と交叉する（１１１）面によって定まり、前記異方性エッチングが前記コ字状の細長い２つの表面領域それぞれのコーナから始まり、前記センサ領域を囲んでいるそれらの２つの表面領域の外辺までに限られる
ことを特徴とする、集積されたマイクロメカニカルセンサ素子の製造方法。
【請求項３】
放射に応答するセンサ素子のアレイの一部として、半導体手段に集積マイクロメカニカル・センサ素子を製造する製造方法であって、前記センサ素子アレイの一部をなす四角形状で薄いセンサ領域部(12，12')は、半導体手段内の特定の結晶構造によって定義される等価なものも含めて複数の（１１１）面を有するピットによって、半導体手段の本体から熱的に分離されており、
単結晶の半導体手段の（１００）表面に、前記センサ領域部(12，12')に従った四角形状のセンサ領域を定めるステップを備え、
前記半導体手段の（１００）表面の前記センサ領域に位置される放射センサ手段を作るステップを備え、前記放射センサ手段には、前記センサ領域から外方へと延びる４つのリードアウト領域上に少なくとも２つのリードアウト手段が設けられており、
前記半導体手段の（１００）表面における、棒状の４つの表面領域を、前記ピットのエッチングによる形成用のエッチング・ウインドウとして露出させるステップであって、それらの４つの表面領域は、前記センサ領域のコーナから延びる４つのリードアウト領域を除いて、前記四角形状のセンサ領域部の四辺を囲むように配置され、且つ、前記４つの表面領域は［１１０］方向に平行または垂直に延びる辺によって形成されるようにする、露出させるステップを備え、
前記４つの表面領域すなわちエッチング・ウインドウからの前記半導体手段に対する異方性エッチングで、前記ピットを設けるステップを備え、エッチングされたピットの大きさは、センサ領域部を囲む前記４つの表面領域の外縁と交叉する（１１１）面によって定まり、前記異方性エッチングが前記４つのリードアウト領域の下から始まり、前記センサ領域を囲んでいる前記４つの表面領域の外辺までに限られる
ことを特徴とする、集積されたマイクロメカニカルセンサ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
関連出願との相互参照
本発明は、１９８３年７月６日付けＲ．ヒガシ及びＲ．ジョンソンの名前による出願番号５１１，３７０の「マイクロメカニカル熱電センサ素子」（Micromechanical Thermoelectric Sensor Element）の主題に関する。上記出願は本願の譲り受人に譲渡されている。本願はまた、１９８１年１０月９日Ｒ．ジョンソン及びＲ．ヒガシの名前で出願の「半導体デバイス」（Semiconductor Device）の主題に関する。この出願もまた本願の譲り受人に譲渡されている。
発明の背景
非常に小さなセンサ及び制御デバイスの製造は、過去３０年にわたって高水準に発展してきた。過去３０年間において、シリコン・ウェハーに関する微細電子回路の大量生産は同様の製造技術による他の各種デバイス生産の先駆者となった。半導体結晶は、一般にシリコンにおける新しい３次元の微細電子デバイスの加工は、デバイスを等方性及び異方性エッチングを含む多くのテクニックを通して加工することによって達成されてきた。これらのテクニックは、単結晶半導体の結晶構造を利用している。これらのテクニックは、１インチ当たり数千のデバイスが大量に製造されるまでに発達した。
最先端の技術は、一般に出願中の特許出願や多くの出版された記事に見られる。本文におけるこの種の記事の引用は、単に背景技術として提供されており、これらの記事は本願で請求される特定の発明に対する従来技術とは考えられていない。特に興味ある記事は、「IEE Transactions on Electronic Devices」Ｅｄ−２５巻第１０号（１９７８年１０月）の第１１７８頁及び第１２４１頁に見られる。第１１７８頁の記事はＥ．バスースによって「（１００）及び（１１０）シリコンの異方性エッチングによる新３次元微細構造の加工」（Fabrication of Novel Three Dimensional Microstructures by Anisotropic Etching of (100) and (110) Silicon）と題されている。第１２４１頁の記事は、Ｋ．ペターソンによって「シリコンのダイナミックマイクロメカニカル：テクニックとデバイス」（Dynamic Micro-mechanics on Silicon：Techniques and Devices）と題されている。また一般的背景として興味深いのは、「Scientific American」１９８３年４月号の第４４頁−第５５頁の「シリコンマイクロメカニカルデバイス」（Silicon Micromechanical Devices）と題された記事である。
上で参照した記事や特許出願は、単結晶のエッチングによって微細デバイスを製造することが古い、既知の技術であることを明確に示している。エッチングの技術は一般に最大エッチング速度を得ることに依存し、従って結晶内の面によって構造体の表面におけるデバイスの向きが示される。単結晶シリコンの表面上に製作されたデバイスの向きの指示は、個々の特定デバイスを製造する実用的方法を提供する。一般にシリコン構造体は、個々のデバイスが別々に利用でき、結晶構造に対するシリコン結晶の不使用表面を通常残して製造後分離される。時にはこれら不使用表面は、エッチング技術で作成されたデバイスとともに動作する集積回路を置く領域として使用される。その他の場合は、この領域は単に不要な領域である。
発明の概要
本発明は放射に応答するセンサ素子のアレイに使用できるセンサ素子の設計、製造に関する。センサ素子の群がアレイの形で置かれる所では、素子の製造における不用の表面領域空間は望ましくない。不用の空間は素子のアレイを非効率的にし、放射センスに関して実用的サイズ及び構成で製造され得るセンサ素子の数を著しく減少させる傾向がある。
本発明は、最も効率的で集中した構成でのセンサ素子の向きの概念に関するものである。この配置は必ずしもデバイス全体を迅速に製造するためのエッチャント使用に対する最も効率的又は実用的構成ではない。従って、シリコン半導体結晶からセンサ素子を熱的に分離するピットをセンサ素子の下でエッチングする実用的方法を見つけなければならない。センサ素子を半囲みにする少なくとも２つの離れた表面領域を適切に配置することによって、センサ素子自体の質を落とすことなくまた、センサ素子の下にエッチングされたピットをセンサ素子とほゞ一致する領域に限定してデバイスを充分速く製造するエッチングのやり方が提供できる。
具体的には、本発明は半導体結晶内で特定の結晶構造の選択された方向に並行及び垂直の方向で効果的に組み合わせた２つの領域を配置することである。２つの離れた領域を適切に配置することによって、充分に速いエッチングが得られ、センサ領域自体を過剰エッチングすることなくセンサ領域の下でピットをエッチングでき、そのピットは一般にエッチングに使用した領域に対応する面によって定義される境界を有する。比較的速いエッチングはセンサ素子の低下をもたらさない。センサ素子は実際上エッチャントによる侵食を受けずにピットのエッチングを可能にしている。表面領域を半導体結晶内の特定の結晶構造の選択された方向に対して並行及び垂直になるように指向させることによって、エッチングされたピットはほゞ大きさと形状がセンサ素子に一致し、このことによってセンサ素子同士の辺と辺を近づけることができ、従って半導体結晶の表面を効率的に使ってセンサ素子の集中したアレイを構築できる。本発明によれば、放射に応答するように適合したセンサ素子のアレイで使用する集積電子機械センサ素子が提供され、次の構成を含む。半導体手段内の特定の結晶構造によって決められている複数の面を有する単結晶半導体手段を備えている。その半導体手段は２つのリードアウト手段を有する放射センサ手段を含むほゞ平坦な表面を有し、少なくとも２つの離れた表面領域が上記センサ手段をほぼ囲む。その２つの表面領域は少なくとも２つのリードアウト領域を備え、各リードアウト領域は、上記センサリードアウト手段を載せる支持体となっている。上記表面の下にピットを設けて上記センサ手段を上記半導体手段から事実上熱的に分離する。そのピットは上記２つの表面領域の間で異方性エッチングされる。その大きさは上記単結晶半導体手段内の上記面によって限定され、上記面は上記センサ手段を囲む２つの表面領域と交差して上記２つの表面領域に大体一致する上記ピットのパラメータを決めるように組み合わされる。上記２つの表面領域は上記特定の結晶構造の選択された方向に対して並行及び垂直な辺を有する。
また本発明によれば、集積マイクロメカニカルセンサ素子の製造方法が提供される。これは、センサ素子のアレイの一部として、センサ素子が放射に応答する上記半導体手段内の特定結晶構造によって定義された複数の面を有する単結晶半導体手段のほゞ平坦な表面上に製造される。この方法は、次のステップからなる。上記半導体表面上に少なくとも２つのリードアウト手段を有する放射センサ手段を設け、少なくとも２つの離れた表面領域を上記センサ手段をほぼ囲むように上記半導体表面上に露出させる。その２つの表面領域は上記特定結晶構造の選択された方向に対して並行及び垂直な辺を有する。２つの表面領域が上記センサリードアウト手段が載せられる支持体となる少なくとも２つのリードアウト領域を定める。上記２つの表面領域の間からピットを異方性エッチングする。このピットは上記センサ手段を上記半導体手段から事実上熱的に分離するものである。上記エッチングされたピットは、大きさが上記単結晶半導体手段内の上記表面領域によって限定される。上記センサ手段を囲む上記２つの表面領域が上記２つの表面領域とほぼ一致するピットの境界を決めるように組み合わされる。上記放射センサ手段のプロセスを完了する。
【図面の簡単な説明】
図１はセンサ素子の実施例の平面図。
図２は図１に対するエッチングされたピットの構成を示す平面図。
図３はセンサ素子の好適実施例の平面図。
図４は表面領域の第３の構成を示す図。
図５は図３の素子のアレイを表した図。
好適実施例の説明
図１において、単結晶半導体手段の表面１０に集積されたマイクロメカニカルセンサ素子が示されている。単結晶半導体手段は一般にシリコンであり、表面は高品質、高密度の集積回路に関する調整と同等の調整が施されている。一般的に１１で示したセンサ素子を置く方向は本発明にとって重要であり、センサ素子は、その軸を半導体手段の結晶構造の［１１０］方向又はその等価方向に並行に置かれる。この点については、構造体の説明を行った後詳細に説明する。
センサ素子１１は、破線１３で示すセンサ領域１２から成っている。センサ領域すなわち放射センサ手段は入り組んだニッケル・鉄抵抗素子（後に図３と関連して説明する）又は酸化亜鉛のような堆積されたピロ電気物質でよい。放射センサ手段１２の特定の組成が本発明の部分ではない。放射センサ手段１２は、放射センサ手段１２との間で電気的接続を提供する一対のリードアウト手段１４及び１５を有する。リードアウト手段１４及び１５は、２つの離れた表面領域２０及び２１の間にある一対のリードアウト領域１６及び１７上に作られる。この表面領域２０及び２１は、ピットがエッチングされる前は、センサ手段１２を決め、これをほぼ囲むようにウィンドウカットによって露出されたシリコン半導体手段の表面である。２つの離れた表面領域２０及び２１は、断面を示すためではなく、単にそれらを識別するために斜線模様で示されている。第１の表面領域２０は長い脚２２及びそれと直角に短い脚２３を有し、更に長い脚２２と並行に延びる短い脚２４を有する。第２の表面２１は長い脚２５、短い垂直の脚２６及び脚２５とほゞ平行の非常に短い脚２７を有することに注目されたい。実際、２つの表面２０及び２１は実質的に同一の構成であり、デバイスが調整されるシリコン結晶構造の選択された方向［１１０］に対して並行及び垂直の方向で互いに効果的に組み合わされている。
領域２０の比較的長い脚２２及び領域２１の短い脚２７はリードアウト領域１７を決め、一方領域２１と２０の脚２５及び２４はリードアウト領域１６を決めている。リードアウト領域１６及び１７は、２つのリードアウト手段１４及び１５を適切に支持し、構造体の加工後センサ領域１２を正しく支持するのに必要な幅でできており、これについては以下に述べる。
領域２０及び２１は実際、異方性エッチング技術によってセンサ領域１２の下のピットをエッチングするために区画した領域である。エッチングはセンサ素子の製作上都合の良い点で始まり、単結晶半導体表面上のアレイに進む。領域２０及び２１のそれぞれは、３０、３１、３２及び３３で示される２つの凸状の内側コーナーを有する。表面１０の上にセンサ素子１１を２つの離れた表面領域２０及び２１と一緒に配置することによってセンサ領域１２の下に異方性エッチングされたピットが形成される。エッチングが行われるとき、エッチングは凸状の内側コーナーで始まり、２つの離れた領域２０及び２１の外側の境界に制限される。これは２つの表面領域２０及び２１の外端と交差する面が形成されるまでエッチングが起こるという半導体手段の構造によるものである。その面はシリコン結晶構造の（１１１）面である。エッチングによってセンサ領域１２の下にピットが形成され、リードアウト領域１６及び１７を除いてセンサ領域１２を熱的に分離する。リードアウト領域１６及び１７はリードアウト手段１４及び１５を形成し、センサ領域の下のピット上でセンサ領域の支持体となるのに充分な大きさに制約されている。エッチングはセンサ素子自体に劣化を生じさせることなく行われ、ピットが形成される。表面領域２０及び２１の方向が最も効率の良いすなわち最大のエッチング条件より悪い状態に選択されていても、センサ領域１２がエッチャントによって侵食される前に充分速くピットを設けることができる。このことは従来技術のデバイスとは非常に異なっている。従来技術においては、主たる関心は本発明の場合のような折裏案とは対照的にエッチャントが最も効率良く働く方向で結晶構造に到達するように表面を置くことにあった。しかし折裏案は、２つの離れた表面２０及び２１の下の領域に基本的に限定される四角形のピットを提供する。このことを図２と関連してより詳細に説明する。
図２において、図１で示されたセンス・デバイスの下のピット３４がより明確に示されている。表面領域２０及び２１は図１と同様に示されている。凸状の内側コーナー３０、３１、３２及び３３及びピット３４が示されており、ピット３４は一点鎖線で示された境界３５で画定されている。デバイスのエッチングは凸状の内側コーナー３０、３１、３２及び３３で始まり、一点鎖線３５で示すように本来基本的に上部では四角形であり、一点鎖線の交差３６及び３７を有する（１１１）面からなる下り傾斜の辺を有するピット３４をエッチングする。ピット３４は、センス手段を囲む２つの表面領域と交差する面で限定され、２つの表面領域とほゞ一致するピットの境界３５を画定する。２つの表面領域は、デバイスがその表面１０に製作される単結晶半導体手段すなわちシリコンの特定結晶構造の選択された方向（方向［１１０］又は同等）に対して並行及びほゞ垂直な辺を有する。ピット３４は、センサ素子１１の外側領域に干渉することなくセンサ素子の形に一致する。従って、複数のセンサ素子１１を非常に圧縮した領域に置き、最小の空間的損失でアレイを形成できる。従来技術においては、センサ素子を並べて配置した場合にエッチングが可能でなかったので、多くの空間の無駄を生じ、集積マイクロメカニカルセンサ素子をアレイにすることはあまり望まれずまた効率的でなかった。
センサ１１の設計において、構造体の軸（脚２２及び２５で定まる、領域２０及び２１の長辺）は方向［１１０］又はその等価方向に並行に向いている。その結果、これら長辺の縁はシリコン内の（１１１）原子面と（１１０）原子面との交差となり、エッチングはセンサ領域１２の下でこの縁を越えてシリコン内に進行しない。しかし表面領域すなわちウィンドウの内側コーナーの頂点では、シリコンはセンサ領域１２の下で侵食され、センサ領域１２のコーナーから始まって大体対角線上にエッチングされる。一般に表面領域２０及び２１のような、（１００）のシリコン表面上の定形領域からのエッチングによって形成されるピットは、定形領域の形状に関係なく上面は四角形であり、四角形の大きさは定形領域の最大及び最小Ｘ，最大及び最小Ｙ座標で決まる。このような２つの四角形の領域が重なるとき、合成定形領域の最大及び最小のＸ及びＹの値で定義される１つのピットが形成される。従って各ウィンドウすなわち表面領域の最終エッチングされたピット領域を重ね合わせることによって、図２の鎖線３５で定義されるような合成領域に限定された、正確に必要な大きさで合成ピットが形成される。従って、無駄なピット空間は出現せず、カットすなわち表面領域２０及び２１は、狭くすることができ、全体のピット領域のわずかな部分を占めるにすぎない。アレイに使用する素子の企図した寸法は最大０．１０１６mm（０．００４インチ）であるので、本構成の結晶軸方向におけるエッチングにより長い時間を要とすることは、重大な欠点ではない。
図３において、アレイで使用される集積マイクロメカニカルセンサ素子の好適実施例が示されている。半導体手段の表面１０が示されており、シリコンと考えられる。表面は従来技術で既知のマイクロメカニカル製造技術及び集積回路技術に共通な技術で調整されている。センサ手段１２’はこの表面上に設けられており、一般にニッケル−鉄でできている曲がりくねって入り組んだ抵抗素子３９で示されている。センサ素子は実質的にセンサ領域１２’を覆っており、一対のリードアウト導体すなわちリードアウト手段４０及び４１を有する。リードアウト手段４０はリードアウト領域４２にあり、一方リードアウト手段４１はリードアウト領域４３にある。リードアウト領域４２及び４３は２つの離れた表面領域４４及び４５によって画定されている。図３のセンサにおいて、２つの離れた表面領域４４及び４５は、単にその領域を明確に識別するために斜線を引いてあり、この識別は断面図を表しているのではない。表面領域４４及び４５のそれぞれは、２本の脚と中間の領域を有するＵ字形である。Ｕ字形の領域４４は、同一の長さで中間部４８によって結合される一対の脚４６及び４７を有する。第２の表面領域４５は中間部５２によって結合される同一長の脚５０及び５１を有するＵ字形の素子である。表面領域４５は、表面領域４４より小さく、その脚５０及び５１を脚４６及び４７に並行にして、リードアウト領域４２及び４３を画定している。リードアウト領域４２及び４３は、図２に示すのと同様のピットが異方的にエッチングされた後センサ１２を支持するのに充分な広さを有する。
２つのＵ字形表面領域４４及び４５は、それぞれ２つの凸状内側コーナーを有することに注目されたい。表面領域４４は内側凸状コーナー５５及び５６を有し、一方Ｕ字形表面領域４５は、２つの内側凸状コーナー５７及び５８を有する。２つの表面領域の内側凸状コーナーの配置によって、センサ領域の下にほゞ対角状に配置されたセンサ領域１２’の下のシリコン表面のエッチングが可能になる。ウィンドウすなわちカットとして使用した２つの離れた表面領域に関して生成されたピットは最終的に図２に示したように重なる。一点鎖線６０によってセンサ手段１２’の下にエッチングされるピットの境界が識別される。
図３に示す個々のセンサ素子は、リードアウト手段４０が別の導体６２によって結合される導体６１を設けることによって完成する。導体６１は、図３に示すセンサ素子の境界が破線６４で定義される１つのセンサ素子から他のセンサ素子へ結合する。破線６４は、一点鎖線６０で示されるピットよりわずかに大きな領域を囲んでいることが分かるであろう。これによって個々のセンサ素子をアレイに結合する接続導体の必要なグリッドワークが可能になる。センサ素子は、リードアウト手段４１を導体６１と直角に設けた別の導体６６に結合することによって完成する。導体６６は、多くのセンサ素子をアレイに接続するのに用いられる。これは図５と関連して体系的に示される。
一旦センサ領域１２の下のピットがエッチングされると、曲がりくねった抵抗素子３９でできているセンサ素子は従来の集積回路技術を使って完成できる。図１に示すデバイスと関連して述べたように、センサ領域１２’は表面領域４４及び４５によって囲まれるどんなタイプの領域でも良い。センサ領域１２’は、放射の変動に応答し、電気的にアレイ結合ができるどんなタイプの材料でも良い。センサ領域１２’の特徴は、放射に応答することであり、線６０で定義されたピット上で熱的に分離されていることであり、２つのリードアウト領域４２及び４３で完全に支持されていることであり、従ってセンサ手段をシリコンすなわち単結晶半導体手段から熱的に分離していることである。
図５において、図３に示すタイプのセンサのアレイが示されている。一番上の行には３つのセンサがあり、それぞれ導体６６に結合し、一方一番左のセンサ１２’は導体６１に接続されている。別の導体６１’及び６１”は導体６１と並行に示されており、一方更に別の２つの導体６６’及び６６”は導体６６に並行に示されている。図示のように、図５に示す９つの全てのセンサ素子は、適当な組み合わせで導体を選択することによって従来のやり方で都合良く多重伝送できるように結合されている。
図４において、ピットをエッチングするのに用いられる表面領域の別の構成が示されている。図４において、センサ領域は１２”で示され、リードアウト領域１４’及び１５’がセンサ領域１２”に結合している。この特定の構成では、４つの離れた表面領域が７０，７１，７２及び７３で示されている。４つの全ての領域７０−７３はセンサ領域１２”の個々の辺と並行であり、対角コーナーをカットしている。リードアウト領域１６’及び１７’は［１１０］面に対して４５°に向いており、それぞれは、工程中迅速にセンサ領域１２”の下で異方性エッチングによりエッチングされる。コーナー支持すなわちリードアウト領域１６’及び１７’の下がエッチングされたとき、頂点のコーナー７４，７５，７６及び７７が生成される。この特定のセンサ素子の境界は破線７８で定義されている。頂点のコーナー７４，７５，７６及び７７がエッチングされた後、図４に示す設計は急速にエッチングが完了する。図１の構成と図４の構成の違いは、図４においては、コーナー支持部の長さが幅を越えるようにして支持領域の頂点コーナーを形成して、エッチングを完了するのに対して、図１の設計においては、四角形の重なりすなわち向き合い構造が維持されている限り支持部領域の長さと幅は全く任意であるということである。
センサ手段を装填するために、センサ領域の下にピットを四角くエッチングするのに使用できる２つの離れた表面領域の多くの構成について開示した。開示した全ての場合において、エッチングされたセンサ素子は、四角形でぴったりセンサ領域に構成されるピット領域を保持する。従って多くのセンサ領域が経済的に且つ密集して単結晶半導体手段すなわちシリコン・ウェハー上に製造され、放射センサの経済的効率的アレイを提供する。多くの構成とテクニックを開示したので、出願人は請求の範囲だけによって本発明の範囲内に限定されることを望む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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