(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮｉＰをメッキしたＡｌ基板、又はガラス基板、又はＳｉ基板である非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地膜としてまず１〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金又は５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金から構成される第１下地膜を成膜し、その後Ｃｒのみ、又はＣｒ合金で構成される第２下地膜を成膜し、磁性膜としてＣｏを主成分とする合金で構成される膜、さらに保護膜を順次成膜し、第１下地膜上に第２下地膜及びＣｏを主成分とする合金で構成される膜をエピタキシャル成長させたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
第１下地膜が２５〜１０００Åの膜厚であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
磁性膜がＣｏＣｒＰｔＴａの４元合金よりなることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
磁性膜の残留磁化膜厚積（ＢｒＴ）が５０〜１３０Ｇμｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ドラム、磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体に関し、特に記録再生時の媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ディスク装置等の高記録密度化に伴い、再生感度の高い磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという）に適した磁気記録媒体が必要とされている。ＭＲヘッドは、従来の電磁誘導型ヘッドに比べてヘッドノイズが低いため、磁性媒体においても磁気ディスク装置全体の信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ）を改善するためには、媒体ノイズの低下が極めて重要な課題となっている。
【０００３】
また、ＭＲヘッド用の磁気記録媒体では記録密度の向上に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が要求されるため、従来に比べて基板には高い表面平滑性が要求され、基板の表面平均粗さＲａは小さくなっている。
現在、一般に用いられているＡｌ合金を基板とした磁気ディスク用記録媒体としては、前記非磁性基板上に、非磁性下地膜としてＣｒ又はＣｒ合金を成膜した上に、磁性膜としてＣｏを主成分とするＣｏＣｒＴａ合金などを成膜したものが各種提案され、実用化されている。
例えば特開平１−２３２５２２号公報には、非磁性下地膜としてＣｒ、又はＣｒ中にＣｕ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｗ，Ｔａのうち１種以上の金属を添加した合金を成膜することにより磁気特性、特に保磁力を向上させることが提案されている。
また、特公平８−３８９３号公報には、非磁性基板上にＣｒＴｉからなる下地層を形成することで、保磁力及びＳ／Ｎ等の特性を向上することが提案されている。
さらに、ガラス基板等にＣｒをプレコートし、該膜上にＣｒ又はＣｒ合金を形成し、さらにその上にＣｏからなる磁性層を形成させる手法も知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記特開平１−２３２５２２号公報では、非磁性下地膜としてＣｒ又はＣｒ合金を用いているが、基板の平滑化に伴い、テクスチャリング等によるディスクの円周方向の異方性制御の効果が弱まり、保磁力が低下し、再生時の出力が低下してしまうものであった。さらに、同程度の出力を得るために磁性層の膜厚を厚くすると、記録再生時のノイズが高くなるという問題があった。
また、前記特公平８−３８９３号公報に記載のＣｒＴｉを下地層に用いる方法では、ディスクを搬送するトレー部を大気中に出さなくても良いように工夫し、成膜時にトレー部からの脱ガスの影響を少なくするようにしたアネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」で成膜した場合、下地にＣｒを成膜したものの特性はより顕著に向上し、下地にＣｒＴｉを用いたものと比較して特性的に殆ど差が無くなりＣｒＴｉの効果は特に見られなかった。しかも、再生出力及びノイズ等の特性は共に十分満足できるものではなかった。ＳＩＭＳによる分析でＣｒ合金とＣｏ合金の界面の16ＯのＮｉＰメッキ層内部の31Ｐ強度で補正した値で比較すると、アネルバ社製「３１００スパッタ機」が０．２０、「３１００スパッタ機改良タイプ」の方が０．１１であり、界面の酸素量に違いが見られる。
さらに、前記Ｃｒをプレコートする手法では、ガラス基板からの脱ガスを防止でき、磁気特性を幾分かは向上させることが可能であるが、十分満足できるものではなかった。
こうした問題点に鑑み、本発明の目的は、記録再生時のノイズが十分に低く、再生出力が十分に高く出るようなＭＲヘッドと好適に組み合わされる磁気記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
記録再生時のノイズを高くすることなく、再生時の出力を高くするためには、非磁性下地膜のＣｒ又はＣｒ合金及び、その上のＣｏ合金をエピタキシャルに成長させることが望ましい。
即ち、前記の目的を達成するために、ＮｉＰをメッキしたＡｌ基板、又はガラス基板、又はＳｉ基板である非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地膜としてまず１〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金又は５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金から構成される第１下地膜を成膜し、その後Ｃｒのみ、又はＣｒ合金で構成される第２下地膜を成膜し、磁性膜としてＣｏを主成分とする合金で構成される膜、さらに保護膜を順次成膜し、第１下地膜上に第２下地膜及びＣｏを主成分とする合金で構成される膜をエピタキシャル成長させたたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提案する。
【０００６】
【発明の実施の形態】
前記本発明における非磁性基板としては、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるＮｉＰメッキ膜が形成されたＡｌ合金（以下、ＮｉＰメッキＡｌ基板という）に加え、表面平滑性に優れるガラス基板、シリコン基板を用いる。前述のようにＭＲヘッド用の磁気記録媒体では記録密度の向上に伴い、ヘッドの低フライングハイト化が要求されるため、従来に比べ基板に対して高い表面平滑性が必要とされる。即ち、本発明に用いられる基板は、表面平均粗さＲａが２０Å以下であることが望ましい。
【０００７】
また、前記本発明における非磁性下地膜は、Ｔａ又はＡｇで構成される第１下地膜の上に、Ｃｒのみ、又はＣｒ合金で構成される第２下地膜を積層してなる。
前記第１下地膜を形成した場合、その上に形成される第２下地膜及びＣｏ合金磁性膜が結晶性のよいエピタキシャル成長をすると考えられる。この第１下地膜の膜厚としては、２５〜１０００Åが望ましい。第１下地膜の膜厚が２５Åより薄いと、その上に積層させる第２下地膜及びＣｏ合金磁性膜において結晶性の良いエピタキシャル成長させる効果が不十分になる傾向があり、１０００Åより厚いと、第１下地膜を形成する時間が長くなり、プロセス全体の処理能力が低くなるので好ましくない。したがって、第１下地膜の膜厚は２５〜１０００Åであることが望ましい。尚、この第１下地膜としては、Ｔａ又はＡｇに、第１下地膜を成膜する効果を損なわない範囲で他の元素を１種以上添加したものでも良い。特に１〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含むＴａＭｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成すると、保磁力、再生時の出力、ノイズ等の特性がより一層優れたものが得られる（以下、第２発明という）。尚、スパッタリングして得られるＴａ膜やＴａＮ合金膜やＴａＭｏ合金膜には、α−Ｔａ、β−Ｔａ等があるが、成膜条件を変化させてβ−Ｔａのみが形成されるようにした場合、満足のいく特性は得られなかった。また、ＴａＮ合金膜の形成方法としては、ＴａをＡｒと窒素との混合ガス雰囲気中でスパッタリングする方法、ＴａＮ合金をＡｒガス雰囲気中でスパッタリングする方法などを挙げることができるが、その他どのような方法を採用しても良い。
前記第２下地膜の膜厚としては２５〜５００Åが望ましい。第２下地膜の膜厚が２５Åより薄いと、如何なるＣｒ合金膜を用いても保磁力Ｈｃの低下を抑えることが困難であり、５００Åより厚いと、その上に形成するＣｏ合金磁性膜の結晶粒子粗大化により媒体ノイズ低減化が困難になる。したがって、第２下地膜の膜厚は２５〜５００Åであることが望ましい。前記のように１〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含むＴａＭｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成した第２発明の場合には、前記と同様の理由により第２下地膜を２５〜１５００Åとすることが望ましい。尚、この第２下地膜は、Ｃｒに、例えばＴｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａ或いはその他の元素を、第２下地膜を成膜する効果を損なわない範囲で１種以上添加したものでも良い。
【０００８】
前記本発明における磁性膜は、Ｃｏを主成分とする合金で構成されるが、Ｐｔを含有するＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどが好適に用いられる。特に下地の効果が顕著に現れるのは、ＣｏＣｒＰｔＴａを用いた時である。
尚、この磁性膜の膜厚は、ＭＲヘッド用の磁性媒体であることを考慮すると、残留磁化膜厚積ＢｒＴが５０〜１３０Ｇμｍとなるように調整することが望ましい。残留磁化膜厚積ＢｒＴが５０Ｇμｍを下回ると、適切な出力が得られず、１３０Ｇμｍを越えると、ＭＲメディアに適した特性を得ることができない。
【０００９】
その他の構成或いは成膜方法等については特に限定するものではなく、例えば保護膜としては、カーボン等公知の構成のものを採用すれば良く、また成膜方法としては、通常スパッタ法が用いられるが、蒸着、イオンプレーティング、メッキ法等を用いることもできる。
また、前記非磁性下地膜と非磁性基板との間に、少なくとも本発明の効果を損なわない範囲で適宜構成の介在膜を形成しても良い。
【００１０】
こうして作製される本発明の磁気記録媒体は、非磁性下地膜として、Ｃｒ又はＣｒ合金からなる第２下地膜の成膜に先だって、Ｔａ又はＡｇで構成される第１下地膜をプレコートする構造であるため、保磁力、再生時の出力、ノイズ等の特性が優れている。また、１〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含むＴａＭｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成する第２発明では、保磁力、再生時の出力、ノイズ等の特性がより一層優れたものとなる。
【００１１】
【実施例】
以下、本発明の実施例を示す。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の構成を変更しない限りどのようにでも実施することができる。
【００１２】
［実施例１］
ＮｉＰメッキＡｌ基板に表面粗さＲａ１５Åのテクスチャリングを施した後、アネルバ社製「３１００スパッタ機」内にセットした。到達真空度２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、第１下地膜としてＴａ膜を４００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15合金膜を２００Å成膜した後、引き続きＣｏ78Ｃｒ13Ｐｔ6 Ｔａ3 合金磁性膜を成膜した。さらに、磁性膜の上には保護膜としてカーボンを１５０Å成膜した。成膜時のＡｒ圧力は各々３ｍＴｏｒｒとした。磁性膜の膜厚は残留磁化膜厚積（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであった。尚、得られた磁気記録媒体の構造を図１に模式的に示した。図中、１は非磁性基板，２は非磁性下地膜，２１は第１下地膜，２２は第２下地膜，３は磁性膜，４は保護膜である。
この実施例１により作製された磁気記録媒体の磁気特性は、振動式磁気特性装置（ＶＳＭ）を用いて測定し、保磁力（Ｈｃ）は２５６３Ｏｅ、保磁力角型比（Ｓ* ）は８１．８％であった。磁気記録媒体の記録再生特性は、再生部に磁気抵抗（ＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドを用い、線記録密度１４８．５ＫＦＣＩにて測定した。実施例１の磁気記録媒体の記録再生時の出力は、１９６μＶ、ノイズは２．４０μＶであった。
【００１３】
［実施例２］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、さらに第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例２により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２５３５Ｏｅ、Ｓ* は８０．３％、出力は１９４μＶ、ノイズは２．３３μＶであった。
【００１４】
［実施例３］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、さらに第２下地膜としてＣｒ膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例３により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２４９６Ｏｅ、Ｓ* は８０．１％、出力は１９０μＶ、ノイズは２．３５μＶであった。
【００１５】
［比較例１］
ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜を成膜せず、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例１により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２１５７Ｏｅ、Ｓ* は７０．８％、出力は１５５μＶ、ノイズは３．２３μＶであった。
【００１６】
［比較例２］
第１下地膜を成膜せず、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例２により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２３５７Ｏｅ、Ｓ* は８２．８％、出力は１８０μＶ、ノイズは３．２３μＶであった。
【００１７】
［比較例３］
第１下地膜を成膜せず、第２下地膜としてＣｒ膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例３により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２０９４Ｏｅ、Ｓ* は７１．０％、出力は１５０μＶ、ノイズは３．９６μＶであった。
【００１８】
［比較例４］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、第１下地膜を成膜せず、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例４により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２４０５Ｏｅ、Ｓ* は８３．０％、出力は１８２μＶ、ノイズは３．０２μＶであった。
【００１９】
［比較例５］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、第１下地膜を成膜せず、第２下地膜としてＣｒ膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例５により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２３６０Ｏｅ、Ｓ* は８１．２％、出力は１７８μＶ、ノイズは３．２０μＶであった。
【００２０】
［比較例６］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＣｒ膜を５００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例６により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２１１９Ｏｅ、Ｓ* は７２．８％、出力は１５８μＶ、ノイズは３．７３μＶであった。
【００２１】
［実施例４］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ膜を６００Å、第２下地膜としてＣｒ81Ｔｉ15Ｔａ4 合金膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例４により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２５６１Ｏｅ、Ｓ* は７９．５％、出力は１８８μＶ、ノイズは２．３９μＶであった。
【００２２】
［実施例５］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ膜を４００Å、第２下地膜としてＣｒ85Ｍｏ15合金膜を２００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例５により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２７９４Ｏｅ、Ｓ* は８２．３％、出力は２０１μＶ、ノイズは２．３５μＶであった。
【００２３】
［実施例６］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＡｇ膜を１００Å、第２下地膜としてＣｒ83Ｔｉ15Ａｇ2 を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例６により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２５３４Ｏｅ、Ｓ* は７８．９％、出力は１８３μＶ、ノイズは２．４５μＶであった。
【００２５】
［比較例７］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＴａを８００Å、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２０００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例７により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２５２０Ｏｅ、Ｓ* は７８．５％、出力は１８６μＶ、ノイズは３．９５μＶであった。
【００２６】
［実施例８］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を単結晶Ｓｉとし、テクスチャリングを施さず、さらに第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例８により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２４５０Ｏｅ、Ｓ* は７９．６％、出力は１９０μＶ、ノイズは２．３５μＶであった。
【００２７】
［実施例９］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を結晶化ガラス（ＯＨＡＲＡ製）とし、テクスチャリングを施さず、さらに第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例９により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２７８０Ｏｅ、Ｓ* は８０．３％、出力は２０２μＶ、ノイズは２．２６μＶであった。
【００２８】
［比較例８］
アネルバ社製「３１００スパッタ機改良タイプ」を用い、非磁性基板を結晶化ガラス（ＯＨＡＲＡ製）とし、テクスチャリングを施さず、さらに第１下地膜としてＣｒを５００Å、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例８により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１と同様に測定し、Ｈｃは２２３１Ｏｅ、Ｓ* は７２．８％、出力は１５８μＶ、ノイズは３．５３μＶであった。
【００２９】
以下の実施例１０〜１５及び比較例９〜１７については、前記第２発明に係るものであるため、１〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含むＴａＭｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成するもの以外は比較例とした。したがって、例えば第１下地膜としてＴａを成膜したものも比較例とした。
［実施例１０］
ＮｉＰメッキＡｌ基板に表面粗さＲａ１５Åのテクスチャリングを施した後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置内にセットした。到達真空度２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、第１下地膜としてＴａ90Ｎ10ターゲットをＡｒガス雰囲気中で成膜することによりＴａ90Ｎ10合金膜を４００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ膜を２００Å成膜した後、引き続きＣｏ78Ｃｒ13Ｐｔ6 Ｔａ3 合金磁性膜を成膜した。さらに、磁性膜の上には保護膜としてカーボンを１５０Å成膜した。成膜時のＡｒ圧力は各々３ｍＴｏｒｒとした。磁性膜の膜厚は残留磁化膜厚積（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであった。
この実施例１０により作製された磁気記録媒体の磁気特性は、振動式磁気特性装置（ＶＳＭ）を用いて測定し、保磁力（Ｈｃ）は２６９３Ｏｅ、保磁力角型比（Ｓ* ）は８５．８％であった。磁気記録媒体の記録再生特性は、再生部に磁気抵抗（ＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドを用い、線記録密度１４８．５ＫＦＣＩにて測定した。実施例１０の磁気記録媒体の記録再生時の出力は、２３０μＶ、ノイズは２．３３μＶであった。
尚、このようにして作製された実施例１０の磁気記録媒体のＸ線回折強度を測定したところ、図２に示すようにα−Ｔａ及びβ−Ｔａが形成されていた。
【００３０】
［実施例１１］
第１下地膜としてＴａターゲットをＡｒ＋３％Ｎ2 ガス混合雰囲気中で成膜することによりＴａＮ合金膜を４００Å形成した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例１１により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２８５０Ｏｅ、Ｓ* は８６．４％、出力は２３３μＶ、ノイズは２．２３μＶであった。尚、Ｔａ合金膜の組成はＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）で分析したところ、Ｔａ85Ｎ15が形成されていた。
【００３１】
［実施例１２］
ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ70Ｎ30合金膜を５０Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ15合金膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例１２により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２７４０Ｏｅ、Ｓ* は８４．３％、出力は２２９μＶ、ノイズは２．３３μＶであった。
【００３２】
［実施例１３］
ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ70Ｓｉ30合金膜を５０Å、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20合金膜を３００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例１３により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２８４４Ｏｅ、Ｓ* は８６．８％、出力は２４０μＶ、ノイズは２．０６μＶであった。
【００３３】
［比較例９］
ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜を成膜せず、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例９により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２１５７Ｏｅ、Ｓ* は７０．８％、出力は１５５μＶ、ノイズは３．２３μＶであった。
【００３４】
［比較例１０］
ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜を成膜せず、第２下地膜としてＣｒを３００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例１０により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２０９４Ｏｅ、Ｓ* は７１．０％、出力は１５０μＶ、ノイズは３．２０μＶであった。
【００３５】
［比較例１１］
ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＣｒを５００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例１１により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２１１９Ｏｅ、Ｓ* は７２．８％、出力は１５８μＶ、ノイズは３．５３μＶであった。
【００３６】
［比較例１２］
ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＴａを４００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例１２により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２５６３Ｏｅ、Ｓ* は８１．８％、出力は１９６μＶ、ノイズは２．４０μＶであった。
【００３７】
［比較例１３］
ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ45Ｎ55を４００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例１３により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２１４１Ｏｅ、Ｓ* は７８．３％、出力は１７７μＶ、ノイズは３．８２μＶであった。
【００３８】
［比較例１４］
ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ50Ｓｉ50を６００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例１４により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは１９６１Ｏｅ、Ｓ* は７５．４％、出力は１６６μＶ、ノイズは４．３０μＶであった。
【００３９】
［比較例１５］
ＮｉＰメッキ基板にテクスチャリングを施さず、第１下地膜としてＴａ30Ｍｏ70を４００Å、第２下地膜としてＣｒ85Ｔｉ15を２００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例１５により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは１５７７Ｏｅ、Ｓ* は７７．２％、出力は１６９μＶ、ノイズは２．９３μＶであった。
【００４０】
［実施例１４］
非磁性基板を単結晶Ｓｉとした以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例１４により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２６７２Ｏｅ、Ｓ* は８４．０％、出力は２１１μＶ、ノイズは２．３２μＶであった。
【００４１】
［実施例１５］
非磁性基板を結晶化ガラス（ＯＨＡＲＡ製）とした以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この実施例１５により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２６８０Ｏｅ、Ｓ* は８５．３％、出力は２１２μＶ、ノイズは２．１１μＶであった。
【００４２】
［比較例１６］
非磁性基板を結晶化ガラス（ＯＨＡＲＡ製）とし、さらに第１下地膜としてＣｒを５００Å成膜し、第２下地膜としてＣｒ80Ｔｉ20を３００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例１６により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２２３１Ｏｅ、Ｓ* は７２．８％、出力は１５８μＶ、ノイズは３．５３μＶであった。
【００４３】
［比較例１７］
ＮｉＰメッキ基板を２×１０-7Ｔｏｒｒまで排気した後、第１下地膜としてＴａターゲットをＡｒガス雰囲気中で成膜することによりＴａ膜を４００Å成膜した以外は前記実施例１０と同様にして磁気記録媒体を作製した。
この比較例１７により作製された磁気記録媒体の磁気特性及び記録再生特性についても前記実施例１０と同様に測定し、Ｈｃは２３５０Ｏｅ、Ｓ* は７３．４％、出力は１６５μＶ、ノイズは３．５３μＶであった。尚、このようにして作製された磁気記録媒体のＸ線回折強度を測定したところ、図３に示すようにβ−Ｔａのみが形成されていた。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、媒体ノイズを低減させ、高出力が得られるＭＲヘッド対応として利用できる磁気記録媒体を得ることができる。例えば前述した従来のＣｒ又はＣｒ合金を下地膜とする手法やＣｒをプレコートする手法と比較して、本発明の方が出力、ノイズ等の特性が著しく優れたものが得られる。
また、第２下地膜の膜厚を２５〜５００Åにした場合、特に低ノイズ媒体が得られるものになる。
さらに、Ｃｏ合金磁性膜の組成をＣｏＣｒＰｔＴａの４元合金にした場合、高保磁力化が図れる。
【００４５】
特に１〜５０ａｔ％のＮを含むＴａＮ合金、５〜４０ａｔ％のＳｉを含むＴａＳｉ合金、５〜５０ａｔ％のＭｏを含むＴａＭｏ合金から選ばれる合金で第１下地膜を構成した場合、保磁力、再生時の出力、ノイズ等の特性がより一層優れたものとなる。この場合、第２下地膜の膜厚を２５〜１５００Åにした場合、特に低ノイズ媒体がられるものになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の磁気記録媒体を模式的に示す断面図である。
【図２】実施例１０におけるＸ線回折チャートである。
【図３】比較例１７におけるＸ線回折チャートである。
【符号の説明】
１  非磁性基板
２  非磁性下地膜
２１  第１下地膜
２２  第２下地膜
３  磁性膜
４  保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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