(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同軸ケーブルの先端に装着されるＬ型の同軸プラグあって、
一端が開口されている円筒状の下部導体と、該下部導体に連通する挿通孔が形成されている中央導体と、該中央導体の挿通孔に連通しているＵ字状溝が上面に形成されている上部導体とを備えるプラグ外部導体と、
該プラグ外部導体における前記下部導体内の上部に配置される絶縁リング部と、
前記プラグ外部導体における前記下部導体の内周面に接すると共に、前記絶縁リング部の下に配置される内部バネとを備え、
編組線が露出されている同軸ケーブルが前記Ｕ字状溝内に載置されていると共に、前記編組線の内側に配置されているシース部が露出された状態でＬ型に屈曲されて、その先端が前記Ｕ字状溝から前記連通孔に挿入されていることにより、前記シース部の内側に位置する内部絶縁体が前記連通孔内に挿入されて前記同軸ケーブルの芯線を前記プラグ外部導体のほぼ中心軸上に配置させると共に、前記中央導体から前記下部導体内に延伸した前記芯線の先端に装着されているプラグピンが、前記下部導体のほぼ中心軸上に配置され、前記編組線が前記Ｕ字状溝から引き出されて前記プラグ外部導体の外周面に接続されていることを特徴とする同軸プラグ。
【請求項２】
前記プラグ外部導体に前記同軸ケーブルが固着された状態において、前記下部導体の前部を残して前記同軸ケーブルの端部と前記外部導体とがモールドされていることを特徴とする請求項１記載の同軸プラグ。
【請求項３】
前記Ｕ字状溝部の縁部から一対の挟持片が対向するよう延伸されて形成されており、前記Ｕ字状溝部内に載置されている編組線が露出された同軸ケーブルが、前記一対の挟持片が折曲されることにより挟持されて固着されていることを特徴とする請求項１記載の同軸プラグ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、同軸ケーブルの先端に装着されるＬ型の同軸プラグに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
テレビジョンや衛星放送チューナ等の受信機器においては、周波数の高い信号の入力端子や出力端子として同軸コネクタが装備されており、この同軸コネクタに同軸ケーブルの先端に装着されてる同軸プラグを取り付けることにより、受信信号を入出力するようにしている。この場合、衛星放送チューナには衛星アンテナにおいて中間周波数に変換された信号（ＩＦ信号）が入力されるようになる。このＩＦ信号は、一般に壁部等に設けられた直列ユニットに設けられている同軸コネクタから出力され、この直列ユニットと衛星放送チューナとの間が両端に同軸プラグが装着されている同軸ケーブルにより接続されるようになる。
このような同軸ケーブルの先端に装着される従来の同軸プラグの構成例を図１５ないし図１８に示す。ただし、図１５は従来の同軸プラグの分解組立図であり、図１６はその組立工程の一工程を示す図であり、図１７は組み立てられた従来の同軸プラグの外観を示す図であり、図１８は組み立てられた従来の同軸プラグの断面図である。
【０００３】
図１７および図１８に示す従来の同軸プラグ１００は、モールド部１１１とプラグ外部導体１１２から構成されている。この同軸プラグ１００において、プラグ外部導体１１２内にはプラグピン１１５がほぼ中心軸上に配置され、プラグ外部導体１１２の内周面に沿って内部バネ１１６が配置されている。さらに、プラグ外部導体１１２の上部には絶縁リング部１１４が配置されている。このように構成されている同軸プラグ１００におけるプラグ外部導体１１２を同軸コネクタに挿着することにより、同軸プラグ１００を同軸コネクタに固着することができる。この際に、プラグピン１１５が同軸コネクタにおける中心コンタクト内に挿入されて電気的に接続されると共に、プラグ外部導体１１２が同軸コネクタのコネクタ本体に電気的に接続されるようになる。
【０００４】
ここで、プラグ外部導体１１２は、同軸コネクタに挿着される円筒状部１１２ａと、円筒状部１１２ａの上端からほぼ直交して延伸されているケーブルカシメ部１１２ｂとから構成されている。このケーブルカシメ部１１２ｂは、同軸ケーブル１１３をカシメられるように、一対のカシメ片を備えている。また、同軸プラグ１００が装着されている同軸ケーブル１１３は、芯線１１３ａと、芯線１１３ａをほぼ中心軸に沿って配置している内部絶縁体１１３ｂと、内部絶縁体１１３ｂ上にアルミテープを巻回して構成されているシース部１１３ｃと、シース部１１３ｃを覆うように配置された編組線１１３ｄと、編組線１１３ｄ上にモールドされている外被とから構成されている。このように、同軸ケーブル１１３はシース部１１３ｃと編組線１１３ｄからなる二重シース構造とされて、高周波特性が良好になるようにされている。
【０００５】
次に、図１５を参照しながら同軸プラグ１００の組立工程を説明する。
まず、図１５に示すように同軸ケーブル１１３の先端部における外被を除去し、露出された編組線１１３ｄを外被上に折り返す。次いで、先端の内部絶縁体１１３ｂを除去して所定の長さの芯線１１３ａを露出させる。この露出された芯線１１３ａの先端に同軸プラグ１００の中心導体となるプラグピン１１５を装着して、芯線１１３ａをＬ字状に折曲する。一方、プラグ外部導体１１２における円筒状部１１２ａ内に、円筒状となるよう屈曲されている内部バネ１１６と、内部バネ１１６の上にリング本体１１４ａからなる絶縁リング部１１４を収納する。この内部バネ１１６は、リン青銅等の弾性を有する帯状の薄板を加工して形成されており、複数の切欠１１６ａを形成することにより複数のバネ片１１６ｂが形成されている。また、絶縁リング部１１４におけるリング本体１１４ａには貫通孔１１４ｂが形成されている。
【０００６】
この状態のプラグ外部導体１１２の上から、同軸ケーブル１１３におけるプラグピン１１５が装着されている芯線１１３ａを挿入する。この際に、貫通孔１１４ｂ内にプラグピン１１５が装着されている芯線１１３ａが挿通されると共に、編組線１１３ｄが折り返されている同軸ケーブル１１３がケーブルカシメ部１１２ｂ上に載置されるようになる。この状態が図１６に示す状態であり、このケーブルカシメ部１１２ｂは対向する一対のカシメ片を備えている。そこで、図１６に示すように一対のカシメ片を図示する方向にカシメることにより、編組線１１３ｄが外被上に折り返されている同軸ケーブル１１３をプラグ外部導体１１２に固着する。この際に、プラグピン１１５は絶縁リング部１１４における貫通孔１１４ｂにより位置規制されて、プラグ外部導体１１２における円筒状部１１２ａのほぼ中心軸上に位置するようになる。次いで、円筒状部１１２ａの約半分を残して同軸ケーブル１１３の端部ごとモールドする。これにより、図１７に示すようにモールド部１１１でモールドされた同軸プラグ１００が組み立てられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の同軸プラグ１００は、衛星放送チューナと壁面等に設けられている直列ユニットにおける同軸コネクタとを接続する同軸ケーブルの先端に装着されるようになる。ところで、最近のＢＳ（Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ  Ｓａｔｅｌｌｉｔｅ）放送、ＣＳ（Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓａｔｅｌｌｉｔｅ）放送はアナログ放送からディジタル放送に移行しつつあり、次第にディジタル放送が主流になりつつある。ところで、ＣＳ−ＩＦ信号やＢＳ−ＩＦ信号の周波数帯域はアナログ放送では１０００〜１８９５ＭＨｚ帯が使用されているが、ディジタル放送ではより高い２１５０ＭＨｚ帯が標準とされている。将来は、さらに高い２６００ＭＨｚ帯での使用が要求されるものと考えられている。このように、高い周波数のＩＦ信号を衛星放送チューナに導く必要があることから、同軸プラグもその要求を満足する必要がある。そこで、従来の同軸プラグ１００を装着した同軸ケーブル１１３の挿入損失の周波数特性を図１９に示し、反射損失の周波数特性を図２０に示す。
【０００８】
図１９を参照すると、マーク１で示す１０００ＭＨｚあたりから挿入損失が増加しており１５００ＭＨｚ以上においては１ｄＢを超える挿入損失となっていることがわかる。また、反射損失はマーク１で示す１０００ＭＨｚあたりから反射損失が減少しており１５００ＭＨｚ以上においては１０ｄＢ以下の反射損失しか得られていないことがわかる。このような周波数特性とされていることから従来の同軸プラグ１００は、２１５０ＭＨｚ帯や２６００ＭＨｚ帯では使用することができない。その原因は、次のようなものと考えられる。図１８を参照すると、芯線１１３ａの周囲には破線で囲った部分Ａにおいてシース部１１３ｃ、編組線１１３ｄ、プラグ外部導体１１２からなるアース導体が存在しておらず、この部分Ａにおけるインピーダンスは同軸ケーブル１１３の特性インピーダンスとは異なったインピーダンスとなっている。すると、インピーダンスが異なることから、この部分においてインピーダンス不整合が生じて挿入損失及び反射損失の特性が劣化しているものと考えられる。
【０００９】
そこで、これを解決するために従来図２２に示す同軸プラグ２００が提案された。図２２に示す同軸プラグ２００は、図１８に示す部分Ａを金属製のシールド箱１１７で覆うようにしたものである。すなわち、図２１に示すように矩形の箱状の本体部１１７ａと本体部１１７ａから突出する小さな箱状の突出部１１７ｂからなるシールド箱１１７により、ケーブルカシメ部１１２ｂからプラグ外部導体１１２までを覆うようにしている。このシールド箱１１７の下端はプラグ外部導体１１２に接続されている。
このように構成されている従来の同軸プラグ２００の挿入損失の周波数特性を図２３に示し、反射損失の周波数特性を図２４に示す。図２３を参照すると、マーク１で示す１０００ＭＨｚあたりから挿入損失が増加しており１５００ＭＨｚ以上においては１ｄＢを超える挿入損失となって、挿入損失特性は改善されていないことがわかる。また、反射損失はマーク１で示す１０００ＭＨｚ近傍において反射損失が１０ｄＢまで減少しており１５００ＭＨｚ以上においては１０ｄＢ以下の反射損失しか得られておらず、反射損失も改善されていないことがわかる。
【００１０】
このような周波数特性とされていることから従来の同軸プラグ２００も、２１５０ＭＨｚ帯や２６００ＭＨｚ帯では使用することができない。その原因は、シールド箱１１７で覆うようにしても、図２２に矢印で示すようにシールド箱１１７と芯線１１３ａとの間隔が一様とならないことから、シールド箱１１７で覆った部分におけるインピーダンスが、同軸ケーブル１１３の特性インピーダンスとは異なったインピーダンスとなっているからと考えられる。
【００１１】
そこで、本発明は、良好な周波数特性を示す同軸プラグを提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の同軸プラグは、同軸ケーブルの先端に装着されるＬ型の同軸プラグあって、一端が開口されている円筒状の下部導体と、該下部導体に連通する挿通孔が形成されている中央導体と、該中央導体の挿通孔に連通しているＵ字状溝が上面に形成されている上部導体とを備えるプラグ外部導体と、該プラグ外部導体における前記下部導体内の上部に配置される絶縁リング部と、前記プラグ外部導体における前記下部導体の内周面に接すると共に、前記絶縁リング部の下に配置される内部バネとを備え、編組線が露出されている同軸ケーブルが前記Ｕ字状溝内に載置されていると共に、前記編組線の内側に配置されているシース部が露出された状態でＬ型に屈曲されて、その先端が前記Ｕ字状溝から前記連通孔に挿入されていることにより、前記シース部の内側に位置する内部絶縁体が前記連通孔内に挿入されて前記同軸ケーブルの芯線を前記プラグ外部導体のほぼ中心軸上に配置させると共に、前記中央導体から前記下部導体内に延伸した前記芯線の先端に装着されているプラグピンが、前記下部導体のほぼ中心軸上に配置され、前記編組線が前記Ｕ字状溝から引き出されて前記プラグ外部導体の外周面に接続されている。
【００１３】
また、上記本発明の同軸プラグにおいて、前記プラグ外部導体に前記同軸ケーブルが固着された状態において、前記下部導体の前部を残して前記同軸ケーブルの端部と前記外部導体とがモールドされるようにしてもよい。
さらに、上記本発明の同軸プラグにおいて、前記Ｕ字状溝部の縁部から一対の挟持片が対向するよう延伸されて形成されており、前記Ｕ字状溝部内に載置されている編組線が露出された同軸ケーブルが、前記一対の挟持片が折曲されることにより挟持されて固着されるようにしてもよい。
【００１４】
このような本発明によれば、編組線が露出されている同軸ケーブルがプラグ外部導体の上部に形成されているＵ字状溝内に載置されて、シース部を露出した状態でＬ型に屈曲されてプラグ外部導体のＵ字状溝から挿通孔に挿入されているようにしたので、同軸ケーブルにおいて編組線あるいはシース部で覆われている部分を長くすることができると共に、覆われていない部分はプラグ外部導体と同軸構成とされるため、同軸プラグ内のインピーダンスと同軸ケーブルとのインピーダンスがあまり異ならないようになる。これにより、同軸プラグを先端に装着した同軸ケーブルにおける挿入損失の周波数特性を改善することができると共に、反射損失も十分な損失量を得ることができるようになる。
また、Ｕ字状溝部の縁部から一対の挟持片が対向するよう延伸して形成すると、挟持片により同軸ケーブルを確実にプラグ外部導体に固着することができるようになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の同軸プラグの実施の形態の第１の構成例の外観を図１に示し、その構成を示す断面図を図２に示す。
図１および図２に示す本発明にかかる同軸プラグ１は、樹脂からなるモールド部１１と金属製のプラグ外部導体１２から構成されており、モールド部１１から同軸ケーブル１３が引き出されている。この同軸プラグ１において、プラグ外部導体１２内にはプラグピン１５がほぼ中心軸上に配置されて同軸構成とされ、プラグ外部導体１２の内周面に沿って内部バネ１６が配置されている。この内部バネ１６はプラグ外部導体１２が同軸コネクタに挿着された際に、プラグ外部導体１２を同軸コネクタに弾性的に保持できるようにするためのバネである。さらに、プラグ外部導体１２の内側の上部には絶縁リング部１４が配置されている。
【００１６】
ここで、プラグ外部導体１２の詳細構成を図３に示すが、図３（ａ）は本発明にかかるプラグ外部導体の正面図、図３（ｂ）はその平面図であり、図３（ｃ）はその下面図であり、図３（ｄ）はその上面図であり、図３（ｅ）はその断面図である。
これらの図に示すように、金属製のプラグ外部導体１２は上面にＵ字状溝部１２ｄが形成されている上部導体と１２ａと、上部導体１２ａの下部に位置してそのほぼ中心軸上に挿通孔１２ｅが形成されている中央導体１２ｂと、中央導体１２ｂの下部に位置して内部に挿入空間１２ｆが形成されていると共に下端面が開口部１２ｈとされている円筒状の下部導体とから構成されている。また、開口部１２ｈの周縁には内部バネ１６が抜け落ちないようにするためのリング状の係止部１２ｇが内側に突出するように形成されている。また、挿通孔１２ｅによりＵ字状溝部１２ｄと挿入空間１２ｆとが連通されている。
【００１７】
図１および図２に戻り、同軸プラグ１が一端に装着されている同軸ケーブル１３は、芯線１３ａと、芯線１３ａを同軸ケーブル１３のほぼ中心軸に沿って保持している内部絶縁体１３ｂと、内部絶縁体１３ｂ上にアルミテープを巻回して構成されているシース部１３ｃと、シース部１３ｃを覆うようにその上に配置された編組線１３ｄと、編組線１３ｄ上にモールドされている外被とから構成されている。このように、同軸ケーブル１３はシース部１３ｃと編組線１３ｄからなる二重シース構造とされて、高周波特性が良好になるようにされている。この同軸ケーブル１３の先端部における外被は除去されており、この部分がＵ字状溝部１２ｄ内に載置されている。そして、露出された編組線１３ｄはＵ字状溝部１２ｄを通って反対側から引き出されてプラグ外部導体１２の外周面にハンダ付けされている。
【００１８】
編組線１３ｄの内側に位置しているシース部１３ｃが設けられている内部絶縁体１３ｂは、Ｌ字状に折曲されてその先端がＵ字状溝部１２ｄから挿通孔１２ｅ内に挿入されている。そして、同軸ケーブル１３の先端においては内部絶縁体１３ｂが除去されて芯線１３ａが露出しており、この芯線１３ａの先端にプラグピン１５が固着されている。この場合、内部絶縁体１３ｂが挿通孔１２ｅ内に挿入されて位置規制されていることから、芯線１３ａの先端に固着されているプラグピン１５は、プラグ外部導体１２のほぼ中心軸上に配置されるようになる。そして、プラグ外部導体１２における下部導体１２ｃの前部を除いてモールドすることによりモールド部１１が構成されている。
【００１９】
このように構成されている同軸プラグ１におけるプラグ外部導体１２を同軸コネクタに開口部１２ｈから挿着することにより、同軸プラグ１を同軸コネクタに固着することができる。この際に、プラグピン１５が同軸コネクタにおける中心コンタクト内に挿入されて電気的に接続されると共に、プラグ外部導体１２が内部バネ１６を介して同軸コネクタのコネクタ本体に電気的に接続されるようになる。この同軸プラグ１においては、Ｌ字状に折曲された内部絶縁体１３ｂが挿通孔１２ｅ内に挿入されており、同軸ケーブル１３における芯線１３ａはシース部１３ｃにより内部絶縁体１３ｂを介して取り囲まれているか、あるいは金属製のプラグ外部導体１２の下部導体１２ｃの内周面により取り囲まれているようになる。さらに、図１４に示すようにＬ字状に折曲された同軸ケーブル１３の部分においては、シース部１３ｃと芯線１３ａとの間隔がほぼ一様となる。これにより、同軸プラグ１を同軸ケーブル１３の先端に装着しても同軸プラグ１内におけるインピーダンスが同軸ケーブル１３のインピーダンスとほぼ同様のインピーダンスとなる。さらに、同軸ケーブル１３の芯線１３ａがむき出しの部分Ｌ（図１４参照）を短くすることにより、インピーダンス不整合が極力抑制されるようになる。
【００２０】
そこで、本発明にかかる同軸プラグ１の挿入損失の周波数特性を図４に示し、反射損失の周波数特性を図５に示す。図４を参照すると、マーク１で示す１０００ＭＨｚにおける挿入損失とマーク４で示す２１５０ＭＨｚにおける挿入損失とはほぼ同じわずかな量の挿入損失となっているおり、３０００ＭＨｚまでの周波数帯域において最大の挿入損失は約０．３ｄＢにすぎないことがわかる。また、反射損失はマーク１で示す１０００ＭＨｚにおける反射損失が約１８ｄＢ得られいると共に、マーク４で示す２１５０ＭＨｚにおける反射損失も約１８ｄＢ得られている。そして、３０００ＭＨｚまでの周波数帯域において最小の挿入損失として約１７ｄＢの十分な量の反射損失が得られていることがわかる。本発明にかかる同軸プラグ１は、このように挿入損失および反射損失が良好な周波数特性とされていることから、２１５０ＭＨｚ帯や２６００ＭＨｚ帯での使用を可能とすることができるようになる。
【００２１】
次に、本発明にかかる同軸プラグ１の組立工程を図６ないし図１０を参照しながら説明する。ただし、図６は本発明にかかる同軸プラグ１における同軸ケーブル１３の加工工程を示す図であり、図７は本発明にかかる同軸プラグ１の分解斜視図であり、図８ないし図１０は本発明にかかる同軸プラグ１におけるプラグ外部導体１２と同軸ケーブル１３との組付けを示す図である。
本発明にかかる同軸プラグ１を組み立てるには、まず、図６（ａ）に示すように同軸ケーブル１３の先端部における外被を除去し、露出された編組線１３ｄを内部絶縁体１３ｂからはずしてまとめておく。次いで、内部絶縁体１３ｂの先端を除去して所定の長さの芯線１３ａを露出させる。そして、図６（ｂ）に示すように、この露出された芯線１３ａの先端に同軸プラグ１の中心導体となるプラグピン１５を装着して、図６（ｃ）に示す状態とする。
【００２２】
一方、プラグ外部導体１２における下部導体１２ｃの挿入空間１２ｆ内に、リング本体１４ａからなる絶縁リング部１４を収納すると共に、絶縁リング部１４の下に円筒状となるよう屈曲されている内部バネ１６を収納する。この内部バネ１６は、リン青銅等の弾性を有する帯状の薄板を加工して形成されており、複数の切欠１６ａを形成することにより複数のバネ片１６ｂが形成されている。また、絶縁リング部１４におけるリング本体１４ａには貫通孔１４ｂが形成されている。このように絶縁リング部１４および内部バネ１６が収納されているプラグ外部導体１２の上面に形成されているＵ字状溝部１２ｄに連通している挿通孔１２ｅ内に、同軸ケーブル１３における芯線１３ａに装着されているプラグピン１５から挿入していく。
【００２３】
この場合、挿通孔１２ｅ内に同軸ケーブル１３におけるシース部１３ｃが設けられている内部絶縁体１３ｂが挿入されるようにする。これにより、絶縁リング部１４における貫通孔１４ｂ内に芯線１３ａが挿通されて、その先端に装着されているプラグピン１５が貫通孔１４ｂにより位置規制される。この結果、プラグピン１５が下部導体１２ｃのほぼ中心軸上に配置されるようになる。この状態が図８の上部に示す状態であり、図８に示す矢印の方向であるＵ字状溝部１２ｄの延伸方向に同軸ケーブル１３を折曲して、下部に示すようにＵ字状溝部１２ｄ内に同軸ケーブル１３の先端部が収納された状態とする。これにより、まとめられていた編組線１３ｄの先端部が図９に示すようにＵ字状溝部１２ｄから突出するようになる。
【００２４】
次いで、突出している編組線１３ｄの先端を下側に折曲してプラグ外部導体１２の外周面にハンダ付けする。これにより、図１０（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すようにハンダ付け部１３ｅにより編組線１３ｄがプラグ外部導体１２の外周面に接続されるようになる。次いで、プラグ外部導体１２における下部導体１２ｃの前部を残して同軸ケーブル１３の端部ごとモールドする。これにより、図１および図２に示すようにモールド部１１でモールドされた同軸プラグ１を組み立てることができるようになる。
【００２５】
次に、本発明の同軸プラグの実施の形態の第２の構成例を説明する。本発明にかかる第２の同軸プラグの構成においては、プラグ外部導体の構成が異なるようになるので、プラグ外部導体について主に説明するものとする。
本発明にかかる第２の同軸プラグにおけるプラグ外部導体２２の構成を示す斜視図を図１１に示す。図１１に示すように、プラグ外部導体２２は上面にＵ字状溝部２２ｄが形成されている上部導体と２２ａと、上部導体２２ａの下部に位置してそのほぼ中心軸上に図示しない挿通孔が形成されている中央導体２２ｂと、中央導体２２ｂの下部に位置して内部に図示しない挿入空間が形成されていると共に下端面が開口部とされている円筒状の下部導体とから構成されている。また、開口部の周縁には収納されている内部バネ１６が抜け落ちないようにするためのリング状の係止部を内側に突出するよう形成してもよい。また、挿通孔によりＵ字状溝部２２ｄと挿入空間とが連通されている。プラグ外部導体２２において特徴的な構成は、Ｕ字状溝部２２ｄの上縁から一対の対向する挟持片２２ｅが形成されている構成とされている。
【００２６】
本発明にかかる第２の同軸プラグにおいて、第１の同軸プラグと同様にして、図６（ｃ）に示すように加工された同軸ケーブル１３をプラグ外部導体２２における挿通孔内に挿通して、同軸ケーブル１３をＵ字状溝部２２ｄの延伸方向に約９０度折り曲げた状態を図１２に示す。この場合、まとめられていた編組線１３ｄの先端部がＵ字状溝部２２ｄから突出するようになる。この状態において、図１３（ａ）に示す矢印の方向に一対の挟持片２２ｅを折曲してカシメ加工を施す。これにより、カシメられた一対の挟持片２２ｅにより、まとめられた編組線１３ｄが上部に位置する同軸ケーブル１３を、Ｕ字状溝部２２ｄ内に固着することができる。そして、図示していないが突出している編組線１３ｄの先端を下側に折曲してプラグ外部導体２２の外周面にハンダ付けすることにより、編組線１３ｄをプラグ外部導体２２に接続する。次いで、プラグ外部導体２２における下部導体２２ｃの前部を残して同軸ケーブル１３の端部ごとモールドする。これにより、モールド部でモールドされた本発明にかかる第２の構成の同軸プラグを組み立てることができるようになる。なお、本発明にかかる第２の構成の同軸プラグの外観は図１に示すようになる。
【００２７】
なお、本発明にかかる第２の構成の同軸プラグにおいても、Ｌ字状に折曲された内部絶縁体１３ｂが挿通孔内に挿入されており、同軸ケーブル１３における芯線１３ａはシース部１３ｃにより内部絶縁体１３ｂを介して取り囲まれているか、あるいは金属製のプラグ外部導体２２の下部導体２２ｃの内周面により取り囲まれているようになる。さらに、図１４に示すようにＬ字状に折曲された同軸ケーブル１３の部分においては、シース部１３ｃと芯線１３ａとの間隔がほぼ一様となる。これにより、第２の構成の同軸プラグを同軸ケーブル１３の先端に装着しても同軸プラグ内におけるインピーダンスが同軸ケーブル１３のインピーダンスとほぼ同様のインピーダンスとなる。さらに、同軸ケーブル１３の芯線１３ａがむき出しの部分Ｌを短くすることにより、インピーダンス不整合が極力抑制されるようになる。したがって、本発明にかかる第２の構成の同軸プラグの挿入損失の周波数特性は図４に示す特性と同様となり、反射損失の周波数特性も図５に示す特性と同様の特性となる。したがって、本発明にかかる第２の構成の同軸プラグは、２１５０ＭＨｚ帯や２６００ＭＨｚ帯での使用を可能とすることができるようになる。
【００２８】
【発明の効果】
本発明は以上のように、編組線が露出されている同軸ケーブルがプラグ外部導体の上部に形成されているＵ字状溝内に載置されて、シース部を露出した状態でＬ型に屈曲されてプラグ外部導体のＵ字状溝から挿通孔に挿入されているようにしたので、同軸ケーブルにおいて編組線あるいはシース部で覆われている部分を長くすることができると共に、覆われていない部分はプラグ外部導体と同軸構成とされるため、同軸プラグ内のインピーダンスと同軸ケーブルとのインピーダンスがあまり異ならないようになる。さらに、同軸ケーブルにおける芯線がむき出しの部分を短くすることにより、インピーダンス不整合が極力抑制されるようになる。これにより、同軸プラグを先端に装着した同軸ケーブルにおける挿入損失の周波数特性を改善することができると共に、反射損失も十分な損失量を得ることができるようになる。
また、Ｕ字状溝部の縁部から一対の挟持片が対向するよう延伸して形成すると、挟持片により同軸ケーブルを確実にプラグ外部導体に固着することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の同軸プラグの実施の形態の第１の構成例の外観を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の同軸プラグの断面を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の同軸プラグにおけるプラグ外部導体の詳細構成を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の同軸プラグにおける挿入損失の周波数特性を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の同軸プラグにおける反射損失の周波数特性を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の同軸プラグにおける同軸ケーブルの加工工程を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の同軸プラグにおける分解斜視図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の同軸プラグにおける同軸ケーブルとプラグ外部導体との組み付けを示す図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態の同軸プラグにおける同軸ケーブルとプラグ外部導体との組み付けを示す上面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態の同軸プラグにおける同軸ケーブルとプラグ外部導体との組み付けを示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態の同軸プラグにおけるプラグ外部導体の構成を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態の同軸プラグにおける同軸ケーブルとプラグ外部導体との組み付けを示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態の同軸プラグにおける同軸ケーブルとプラグ外部導体との組み付けを示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態の同軸プラグにおける同軸ケーブルの折曲状態を示す図である。
【図１５】従来の同軸プラグの分解斜視図である。
【図１６】従来の同軸プラグの組み立て工程の一部を示す図である。
【図１７】従来の同軸プラグの外観を示す図である。
【図１８】従来の同軸プラグの断面を示す図である。
【図１９】従来の同軸プラグの挿入損失の周波数特性を示す図である。
【図２０】従来の同軸プラグの反射損失の周波数特性を示す図である。
【図２１】従来の他の同軸プラグの構成を示す図である。
【図２２】従来の他の同軸プラグの断面を示す図である。
【図２３】従来の他の同軸プラグの挿入損失の周波数特性を示す図である。
【図２４】従来の他の同軸プラグの反射損失の周波数特性を示す図である。
【符号の説明】
１  同軸プラグ、１１  モールド部、１２  プラグ外部導体、１２ａ  上部導体、１２ｂ  中央導体、１２ｃ  下部導体、１２ｄ  Ｕ字状溝部、１２ｅ  挿通孔、１２ｆ  挿入空間、１２ｇ  係止部、１２ｈ  開口部、１３  同軸ケーブル、１３ａ  芯線、１３ｂ  内部絶縁体、１３ｃ  シース部、１３ｄ  編組線、１３ｅ  ハンダ付け部、１４  絶縁リング部、１４ａ  リング本体、１４ｂ  貫通孔、１５  プラグピン、１６  内部バネ、１６ａ  切欠、１６ｂ  バネ片、２２  プラグ外部導体、２２ａ  上部導体、２２ｂ  中央導体、２２ｃ  下部導体、２２ｄ  Ｕ字状溝部、２２ｅ  挟持片、１００  同軸プラグ、１１１  モールド部、１１２  プラグ外部導体、１１２ａ  円筒状部、１１２ｂ  ケーブルカシメ部、１１３  同軸ケーブル、１１３ａ  芯線、１１３ｂ  内部絶縁体、１１３ｃ  シース部、１１３ｄ  編組線、１１４  絶縁リング部、１１４ａ  リング本体、１１４ｂ  貫通孔、１１５  プラグピン、１１６  内部バネ、１１６ａ  切欠、１１６ｂ  バネ片、１１７  シールド箱、１１７ａ  本体部、１１７ｂ  突出部、２００  同軸プラグ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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