(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性ポリマーよりなる外皮の中に、加熱によって気化する揮発性膨張剤を封入した熱膨張性マイクロカプセルを、熱硬化性樹脂よりなる液状の基材樹脂中に分散させて混入し、混合樹脂を得る第１の工程と、
上記混合樹脂を電子部品に塗布する第２の工程と、
上記基材樹脂の粘度が、マイクロカプセルが膨張した時にマイクロカプセルが浮上せず、かつマイクロカプセルの熱膨張を阻害しない粘度まで上昇し、マイクロカプセルが膨張を開始しない温度まで加熱する第３の工程と、
上記第３の工程の後、塗布した混合樹脂をさらに加熱し、混合樹脂中のマイクロカプセルを熱膨張させる第４の工程と、
上記マイクロカプセルの膨張後、上記基材樹脂を完全硬化させる第５の工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
上記第１の工程において、上記基材樹脂に対するマイクロカプセルの体積分率は１０〜５０％であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
上記第４の工程において、上記マイクロカプセルの膨張後の体積分率は硬化後の混合樹脂の全容積の７５〜９５％であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
上記第１の工程において、上記基材樹脂の比重と上記マイクロカプセルの比重とをほぼ同一としたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
上記第２の工程と第３の工程との間に、上記基材樹脂の粘度が低下し、かつマイクロカプセルが膨張を開始しない温度まで加熱する工程を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
上記マイクロカプセルが膨張する時間を基材樹脂の粘度がマイクロカプセルの熱膨張を阻害する粘度まで上昇する時間より短くしたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
上記マイクロカプセルの外皮の耐熱温度は、上記基材樹脂の硬化温度より高いことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
上記基材樹脂の硬化温度はマイクロカプセルの膨張開始温度より低いことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は回路モジュールや圧電部品、半導体装置などの電子部品の全周または一部にインナーコート材料やアウターコート材料として樹脂を塗布し、硬化させる電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、回路基板に半導体などの電子部品素子を実装し、この電子部品素子にディスペンサ等を用いて封止樹脂を塗布することにより、パッケージを構成したものがある。しかしながら、従来の封止樹脂は比誘電率が２以上と高く、ＧＨｚ帯のような高周波で使用される電子部品においては、消費電力が大きくなるという問題がある。
【０００３】
このような問題を解決するため、次のような方法が提案されている。
（１）比誘電率の小さい封止樹脂を用いる方法。
（２）中空構造を持つ無機バルーンや有機バルーンを封止樹脂に混入し、樹脂パッケージ内部の空隙を増加させ、比誘電率を低減する方法（特開平５−２０６３２５号公報，特開平１１−２８８６２１号公報参照）。
（３）封止樹脂を発泡させ、樹脂パッケージ内の空隙を増加させる方法（特開平９−１００３６３号公報参照）。
（４）金属ケースで封止する方法。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
（１）の比誘電率の小さい封止樹脂を用いる場合、市販材料で最も比誘電率が小さいものは２程度である。しかし、極性が小さく、基板や電子部品素子との密着力が劣るという問題がある。また、耐熱性がなく、リフロー半田槽に投入するだけで溶解してしまい、封止樹脂としての実用性がない。
（２）のバルーンを使用する方法では、パッケージの比誘電率を２以下にするためには体積分率で５０％以上、１．５以下にするためには体積分率で８０％以上の空隙を形成する必要がある。しかし、このような大きな体積分率でバルーンを添加すると、混合物である封止樹脂の粘度が増加し、流動性が失われる。そのため、封止樹脂としての取扱いができなくなることに加え、パッケージとしての成形性も悪化する。また、バルーンが無機材料である場合には、バルーンの比誘電率が封止樹脂の比誘電率に影響を与え、１．５以下の比誘電率を達成することは実際上困難である。
（３）のように化学・物理的に樹脂を発泡させる方法では、１０倍以上の膨張度が達成でき、計算上は１に近い比誘電率も可能である。しかし、発泡反応が常温下で進行することに加え、発泡材を混入した直後に反応を開始するため、膨張度の制御が難しく、２液混合ディスペンサ等の特別な装置が必要となり、コスト増加の原因となる。また、発泡後の硬化物はスポンジ状であり、機械的強度が小さく、高信頼性が要求される電子部品用パッケージには適していない。
（４）のように金属ケースを用いた場合には、絶縁体である空気を介して封止されているので、比誘電率は非常に小さく、ほぼ１である。しかし、金属ケースで封止する方法では、製造工程が複雑かつ高精度が要求され、コスト上昇が避けられない。しかも、封止性を確保するのが難しい。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、樹脂の粘度上昇を抑え、通常の液状樹脂と同様の流動性を持ち、封止性および成形性を確保するとともに、パッケージの比誘電率を２以下に低減できる電子部品の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、熱可塑性ポリマーよりなる外皮の中に、加熱によって気化する揮発性膨張剤を封入した熱膨張性マイクロカプセルを、熱硬化性樹脂よりなる液状の基材樹脂中に分散させて混合し、混合樹脂を得る第１の工程と、混合樹脂を電子部品に塗布する第２の工程と、上記基材樹脂の粘度が、マイクロカプセルが膨張した時にマイクロカプセルが浮上せず、かつマイクロカプセルの熱膨張を阻害しない粘度まで上昇し、マイクロカプセルが膨張を開始しない温度まで加熱する第３の工程と、上記第３の工程の後、塗布した混合樹脂をさらに加熱し、混合樹脂中のマイクロカプセルを熱膨張させる第４の工程と、上記マイクロカプセルの膨張後、上記基材樹脂を完全硬化させる第５の工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法を提供する。
【０００７】
混合樹脂の塗布時には、その中に含まれるマイクロカプセルが微細構造であるから、粘度上昇を抑え、流動性を通常の液状樹脂と同様とすることができる。そのため、封止性および成形性を確保することができる。混合樹脂を塗布した後、基材樹脂の硬化の前にマイクロカプセルを熱膨張させ、混合樹脂の中に多数の気泡を形成する。そして、マイクロカプセルが膨張した後に基材樹脂を完全硬化させることで、比誘電率が２以下の封止構造を得ることができる。また、膨張後の硬化物がスポンジ状とならないので、気泡の体積分率が高くても硬化後の樹脂の強度を確保することができる。
さらに本発明では、第２の工程と第４の工程との間に、基材樹脂の粘度が、マイクロカプセルが膨張した時にマイクロカプセルが浮上せずかつマイクロカプセルの熱膨張を阻害しない粘度まで上昇し、マイクロカプセルが膨張を開始しない温度まで加熱する第３の工程が設けられている。
混合樹脂を電子部品に塗布した後、マイクロカプセルを熱膨張させるのであるが、単純に加熱してマイクロカプセルを膨張させると、基材樹脂の粘度が所定値まで上昇する前にマイクロカプセルが膨張を開始してしまう。マイクロカプセルが膨張すると、その真比重は基材樹脂の比重より格段に小さくなるので、膨張したマイクロカプセルが基材樹脂の中を浮上してしまう。つまり、マイクロカプセルが基材樹脂中で偏りを生じ、均一な膨張構造を得ることができない。
そこで、混合樹脂を電子部品に塗布した後、マイクロカプセルを熱膨張させる前に、基材樹脂の粘度を上昇させる工程（増粘工程）を設ける。この粘度は、膨張したマイクロカプセルが浮上せず、かつマイクロカプセルの熱膨張を阻害しない粘度である。具体的には、例えばＢステージ程度の粘度がよい。但し、この温度は少なくともマイクロカプセルの膨張開始温度より低い温度であることが必要である。
これによって、基材樹脂内に混合されているマイクロカプセルを初期の分散状態のまま固定し、この状態で膨張させることで、均一な膨張構造を得ることができる。
なお、第５の工程における基材樹脂の硬化は、マイクロカプセルの膨張飽和後に行なうのが望ましい。膨張飽和とは、基材樹脂に混入したマイクロカプセルをほぼ最大限度まで膨張させることを言う。本発明における「膨張」とは膨張飽和に限らないが、膨張飽和させる方が構造の均一化および低比誘電率化の面で望ましい。
【０００８】
基材樹脂を構成する熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂，ウレタン樹脂，シリコーン樹脂，ポリイミド樹脂，不飽和ポリエステル樹脂などの比較的低誘電率の樹脂が望ましい。
熱膨張性マイクロカプセルとしては、外皮が熱可塑性ポリマー（アクリロニトリル，塩化ビニリデン，ポリエチレン，ポリプロピレン，ウレタン及びそれらの共重合体など）よりなり、その中に加熱によって気化する揮発性膨張剤（低沸点炭化水素，水，アルコールなど）を封入したものである。熱膨張性マイクロカプセルは、膨張前には平均粒径が１０μｍ〜３０μｍ程度の微細球体であり、揮発性膨張剤が気化することによって、体積比で例えば５倍〜１５倍まで膨張することができる。
【０００９】
請求項２のように、第１の工程において、基材樹脂に対するマイクロカプセルの体積分率を１０％〜５０％とするのがよい。
マイクロカプセルの体積分率を５０％以下とするのは、混合樹脂の流動性を確保し、封止性および成形性を維持するためである。なお、マイクロカプセルの体積分率を１０％以上とするのは、混合樹脂の膨張倍率を確保し、膨張後による比誘電率を２未満にするためである。
【００１０】
請求項３のように、第４の工程において、マイクロカプセルの膨張後の体積分率を硬化後の混合樹脂の全容積の７５％〜９５％とするのがよい。
マイクロカプセルの膨張後の体積分率を７５％以上とするのは、例えば基材樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、比誘電率を１．５以下にできるからである。なお、膨張後の体積分率が９５％を越えると、パッケージの機械的強度を確保できなくなるので、９５％以下としている。
【００１１】
請求項４のように、第１の工程において、基材樹脂の比重とマイクロカプセルの比重とをほぼ同一としたものである。
液状の基材樹脂の比重と、マイクロカプセルの比重とをほぼ同一とすれば、基材樹脂中にマイクロカプセルを均一に分散させることができ、しかも時間経過によってマイクロカプセルが集合する問題もない。
例えば、膨張前の真比重が約１．１のマイクロカプセルを使用した場合、これに応じて比重が約１．１の基材樹脂（例えばエポキシ樹脂）を使用すればよい。
【００１２】
請求項５のように、第２の工程と第３の工程との間に、基材樹脂の粘度が低下し、かつマイクロカプセルが膨張を開始しない温度まで加熱する工程を設けるのがよい。
基材樹脂に対して膨張前のマイクロカプセルを混合すれば、流動性のよい混合樹脂が得られるが、混合樹脂を加熱して基材樹脂の粘度を低下させると、充填性がさらに向上するとともに、容易にレベリングでき、均一な厚みの封止層を得ることができる。
【００１４】
請求項６のように、マイクロカプセルが膨張する時間を、基材樹脂の粘度がマイクロカプセルの熱膨張を阻害する粘度まで上昇する時間より短くするのがよい。
混合樹脂を加熱し、その中に含まれるマイクロカプセルを膨張させると、これと同時に基材樹脂の粘度も上昇し、硬化状態へと移行する。そこで、マイクロカプセルが十分に膨張した後で、基材樹脂の粘度がマイクロカプセルの熱膨張を阻害する粘度まで上昇するように設定することで、マイクロカプセルを最大限まで膨張させることができ、比誘電率を効果的に低減できる。
【００１５】
請求項７のように、マイクロカプセルの外皮の耐熱温度を、基材樹脂の硬化温度より高くするのがよい。
マイクロカプセルの外皮は、内部に封入した揮発性膨張剤が気化するのに伴い膨張するが、その耐熱温度が基材樹脂の硬化温度より低いと、基材樹脂を硬化させる時に外皮が破裂し、気泡を維持できない。そのため、混合樹脂が急速に萎んでしまう。
そこで、外皮の耐熱温度を基材樹脂の硬化温度より高くすることにより、外皮の破裂を防止したものである。
【００１６】
請求項８のように、基材樹脂の硬化温度をマイクロカプセルの膨張開始温度より低くするのがよい。
基材樹脂の硬化温度をマイクロカプセルの膨張開始温度より高くした場合には基材樹脂の硬化時にマイクロカプセルの膨張が依然として継続し、樹脂の表面に凹凸が発生したり、強度低下を招く結果となる。基材樹脂の硬化温度をマイクロカプセルの膨張開始温度より低くすることで、基材樹脂の硬化時にマイクロカプセルの膨張が既に終息しており、表面の凹凸や強度低下を招く恐れがなくなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１〜図８は、本発明にかかる電子部品の一例である回路モジュール１０の製造方法を示す。
図１は製造方法の流れを示す図であり、以下、この図の各プロセスＡ〜Ｇにしたがって説明する。
【００１９】
−プロセスＡ−
図２の（ａ）に示すように、液状のエポキシ系の基材樹脂２の中に、熱膨張性マイクロカプセル３を体積比で１０〜５０％で混入し、十分に分散させて混合樹脂１を得る。このマイクロカプセル３は、図３に示すような構造を持ち、球形の外皮３ａが熱可塑性ポリマー（アクリロニトリル，塩化ビニリデン，ポリエチレン，ポリプロピレン，ウレタン及びそれらの共重合体など）で構成され、その中に加熱によって気化する揮発性膨張剤（低沸点炭化水素など）３ｂが封入されている。熱膨張性マイクロカプセル３は、膨張前には平均粒径が１０〜３０μｍ程度の微細球体であり、揮発性膨張剤３ｂが気化することによって、体積比で例えば５〜１５倍まで膨張することができる。
本実施例では、基材樹脂２であるエポキシ樹脂の硬化温度が１００℃であるから、熱膨張性マイクロカプセル３として、膨張開始温度（気化開始温度）が１２０℃の松本油脂製薬株式会社製「マイクロスフィア」（商品名）を使用した。このマイクロカプセル３の真比重は約１．１であり、エポキシ樹脂２の比重を１．１とすることで、マイクロカプセル３が均一に分散した混合樹脂１を得た。
【００２０】
−プロセスＢ−
次に、図４のような集合基板４に上記混合樹脂１をディスペンサ８で塗布する。集合基板４は、表面に回路パターンが形成されたガラスエポキシ基板、アルミナ等のセラミック基板、ＢＴレジン基板などのマザー基板５上に、複数のチップ部品６やベアチップ７などを実装したものである。なお、塗布方法はディスペンスに限るものではなく、印刷や転写、その他の方法であってもよい。
混合樹脂１の流動性は、マイクロカプセル３の粒径が非常に小さいので、一般の液状エポキシ樹脂とほぼ同等であり、マザー基板５上の回路素子６，７の隙間に容易に充填される。
【００２１】
−プロセスＣ−
次に、図５のように、混合樹脂１が塗布された集合基板４に温度制御用の金型９を被せる。金型９の下面には、後述するパッケージを形成するための凹部９ａが設けられている。なお、樹脂硬化後の金型９の取外しを容易にするため、凹部９ａの内面に予め離型剤を塗布しておくのが望ましい。
【００２２】
−プロセスＤ−
次に、金型９を基材樹脂２の粘度が低下し、かつマイクロカプセル３が膨張を開始しない温度まで加熱する。具体的には、８０℃で５分〜１０分加熱する。この処理により、集合基板４上に塗布した混合樹脂１の充填性がさらに向上するとともに、レベリングされ、樹脂の厚みが均一になる。
【００２３】
−プロセスＥ−
次に、混合樹脂１を増粘させる。すなわち、金型９を、基材樹脂２の粘度が、マイクロカプセル３が膨張した時にマイクロカプセル３が浮上せずかつマイクロカプセル３の熱膨張を阻害しない粘度まで上昇する温度であって、マイクロカプセル３の膨張開始温度以下に加熱する。具体的には、１１０℃で１０分〜２０分加熱し、基材樹脂２のゲル化を開始させる。この処理は、基材樹脂２内に混合されているマイクロカプセル３を初期の分散状態のまま仮固定し、この後の膨張工程でマイクロカプセル３が膨張しても基材樹脂２中にマイクロカプセル３が偏るのを防止し、均一な構造のパッケージを形成できる効果がある。
【００２４】
−プロセスＦ−
次に、金型９を混合樹脂１内のマイクロカプセル３が早期に膨張する温度に加熱する。具体的には、１４０±５℃で１０〜２０分加熱する。１４０±５℃でマイクロカプセル３が膨張飽和する時間は、約１〜２分間であるのに対し、エポキシ樹脂２の硬度が完全硬化時とほぼ同一になるまでに５〜２０分間を要する。よって、上記の処理条件で加熱すれば、マイクロカプセル３が膨張した後、その周辺をエポキシ樹脂２で固めることができるため、パッケージの保形性や強度を損なうことがない。
膨張飽和により、図２の（ｂ）に示すようにマイクロカプセル３は体積比で膨張前の５〜１５倍まで膨張する。
【００２５】
−プロセスＧ−
次に、金型９をエポキシ樹脂２が完全硬化する温度，時間で加熱する。具体的には、１００℃で３時間加熱し、エポキシ樹脂２を完全硬化させる。
エポキシ樹脂２の完全硬化工程における処理温度はマイクロカプセル３の外皮３ａの耐熱温度以下とする必要がある。処理温度が耐熱温度以上であれば、樹脂の硬化処理中にマイクロカプセル３の外皮３ａが破裂し、内部のガスが発散してしまうからである。これでは、混合樹脂１を収縮させてしまう。
本実施例では、マイクロカプセル３の膨張開始温度が１２０℃であるから、硬化温度をそれより低い温度（１００℃）とすることで、エポキシ樹脂２の硬化時にマイクロカプセル３の膨張が起こらない状態とし、表面の凹凸や強度の低下を防止している。エポキシ樹脂２の硬化温度をマイクロカプセル３の膨張開始温度より高くした場合には、エポキシ樹脂２の硬化途中もマイクロカプセル３の膨張が継続し、硬化した樹脂の表面に凹凸が発生したり、強度低下を招くからである。
【００２６】
混合樹脂１が完全硬化した後、図６のように集合基板４から金型９を外す。集合基板４の上には硬化した混合樹脂１からなるパッケージが形成されている。
その後、図７のように集合基板４をダイシングソー１１により個別部品に分割し、図８に示す回路モジュール１０を完成する。回路モジュール１０は、小形の基板５上にチップ部品６やベアチップ７などが搭載され、その表面が樹脂１で封止されてパッケージとされたものである。樹脂１の内部にはマイクロカプセル３が膨張してできた多数の気泡１ａが含まれている。
必要があれば、パッケージ上に導電ペースト、蒸着、その他の方法でメタライズし、電磁シールド層を形成してもよい。
【００２７】
図９の（ａ）は本発明における粘度低下（レベリング）工程Ｄ、増粘工程Ｅ、膨張工程Ｆ、硬化工程Ｇにおける温度プロファイル、（ｂ）はその時の基材樹脂３の粘度変化を示す。
図９の（ａ）から明らかなように、粘度低下工程Ｄ〜膨張工程Ｆまで次第に温度を上昇させ、特に膨張工程Ｆは膨張開始温度Ｔ１以上で実施される。その後、硬化工程Ｇでは膨張開始温度Ｔ１以下とし、硬化途中にマイクロカプセルが膨張するのを防止している。
また、図９の（ｂ）において、粘度Ｖ１はマイクロカプセルの膨張を阻害しない上限の粘度であり、粘度Ｖ２は膨張したマイクロカプセルの浮上を防止できる下限の粘度である。膨張工程Ｆおよび硬化工程Ｇはマイクロカプセルの浮上を防止できる粘度で実施されるので、膨張したマイクロカプセルが浮上して偏りを生じるのを防止できる。
【００２８】
図１１の（Ａ）は図１０のように増粘工程を有しない温度プロファイルで硬化させた樹脂の電子顕微鏡による断面写真であり、（Ｂ）は図９のように増粘工程を有する温度プロファイルで硬化させた樹脂の電子顕微鏡による断面写真である。図１１から明らかなように、（Ａ）では増粘工程がないので、膨張したマイクロカプセルの大きさが不均一であり、十分に膨張していない様子がわかる。なお、裏層部に気泡が潰れたように見えている部分は、硬化樹脂の裏面である。
これに対し、（Ｂ）のような増粘工程を設けた場合には、膨張したマイクロカプセルの大きさがほぼ均一で、十分に膨張している様子がわかる。
（Ａ），（Ｂ）の膨張前の樹脂厚みは共に同一（約１００μｍ）であり、膨張後の厚みは（Ａ）では１．１５ｍｍであるのに対し、（Ｂ）では１．３５ｍｍとなった。つまり、増粘工程を設けることにより、膨張が均一に進み、樹脂層の厚みも大きくなったことがわかる。
【００２９】
【表１】
0003614129.tif 000002
【００３０】
表１は、膨張温度、マイクロカプセル３の混入量、膨張倍率の関係を示す。表１から明らかなように、混入量を体積比１０〜５０％とし、膨張温度を調整することで、膨張倍率を５倍〜１５倍まで任意に制御できる。
したがって、基材樹脂２に対するマイクロカプセル３の体積比が低くても、膨張，硬化後はパッケージ（硬化樹脂）全体に対する気泡の体積分率を８０〜９５％にする事ができる。これに伴い、比誘電率も図１２に示すように１．１〜１．３まで制御できる。
【００３１】
図１３は金属ケース品に対する、従来の樹脂封止品（気泡なし）、ガラス製バルーンを用いた封止品、本発明のマイクロカプセルを用いた封止品のそれぞれの電力ロスを示したものである。ここではパッケージの厚みを０．７ｍｍとした。
図１３から明らかなように、通常の樹脂封止品の電力ロスは金属ケース品に比べて−２ｄＢｍ、ガラス製バルーンを用いた封止品では−１．２５ｄＢｍとなるのに対し、本発明方法によるマイクロカプセルを用いた封止品では、金属ケース品に比べて−０．１ｄＢｍとなった。つまり、電力ロスを従来の樹脂封止品に比べて１／２２、ガラス製バルーンを用いた封止品に比べて１／１２に低減することが可能となり、金属ケース品と比べて電力消費の面で殆ど遜色のないパッケージを得ることができた。
【００３２】
なお、本発明ではマイクロカプセル３の外皮３ａが熱可塑性樹脂でできているため、ガラス等の無機バルーンと比較してマイクロカプセル自体の誘電率εを低減できる。例えば、ホウ酸ガラスでε≒５、シリカガラスでε≒４、今回の熱可塑性樹脂でε≒３である。これまでの試作において、ホウ酸ガラスのバルーンをエポキシ樹脂に体積分率で７５％混合した結果、計算上、比誘電率を１．５まで低減できるにも拘わらず、実際の比誘電率を測定すると、１．９程度までしか比誘電率を低減できなかった。
【００３３】
従来の金属ケース品の場合、部品と金属ケースとをワンバイワンでパッケージしているのに対し、本発明では図４〜図８に示すように、マザー基板５にディスペンサなどを用いて一括パッケージすることが可能である。このため、工数を削減でき、コストを抑制できる。また、金属ケース品では、モジュールの低背化を狙うと、ケースの加工精度も厳しくなり、１．０ｍｍ厚に対応するケース加工は実際上困難である。これに対し、本発明方法であれば、一体構造でパッケージするため、厚みを１．０ｍｍ以下にすることも可能となる。
また、ガラス製バルーンと比較し、熱膨張マイクロカプセルは価格が１／２〜１／３であり、封止樹脂中に混合しても単価には反映せず、コスト上昇を抑制できる。
また、樹脂硬化後は基板５とパッケージ部分とが一体構造となるため、従来以上の薄型基板５を使用することができる。よって、従来のモジュール以上の小型・低背化を可能にできる。また、硬化物がスポンジ状ではないので、従来のマウンタ等による実装も可能である。
さらに、パッケージ中に気体を含み、比重を０．２以下にできるため、部品の重量を１／５〜１／１５まで軽量化することが可能となる。
【００３４】
上記実施例では、集合基板に混合樹脂を塗布した後、その上に金型をセットし、この金型の温度を制御することにより、樹脂の粘度低下，増粘，膨張，硬化などの処理を行なうようにしたが、これに限るものではなく、集合基板を硬化炉に収容し、その炉内温度を制御してもよいし、集合基板を載置しているテーブルの温度を制御してもよい。ただし、金型を用いる方法では、混合樹脂を熱伝導により直接加熱できるので、高精度な温度制御ができるという利点がある。
【００３５】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、封止樹脂として基材樹脂の中に微細構造の熱膨張性マイクロカプセルを分散混合した混合樹脂を用いるので、混合樹脂の粘度上昇を抑え、流動性を通常の液状樹脂と同様とすることができる。そのため、混合樹脂を電子部品に塗布する際の良好な封止性および成形性を確保することができる。
また、混合樹脂を塗布した後、マイクロカプセルを熱膨張させ、混合樹脂の中に多数の気泡を形成し、マイクロカプセルが膨張した後に基材樹脂を完全硬化させるので、比誘電率が２以下の封止構造を容易に得ることができる。しかも、気泡の隙間を基材樹脂で埋めることができるので、気泡の体積分率が高くても硬化後の樹脂の強度を確保することができる。
さらに、第２の工程と第４の工程との間に、基材樹脂の粘度が、マイクロカプセルが膨張した時にマイクロカプセルが浮上せずかつマイクロカプセルの熱膨張を阻害しない粘度まで上昇し、マイクロカプセルが膨張を開始しない温度まで加熱する第３の工程を設けたので、基材樹脂内に混合されているマイクロカプセルを初期の分散状態のまま固定し、この状態で膨張させることで、均一な膨張構造を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法の一例の工程図である。
【図２】基材樹脂中にマイクロカプセルを分散混合した膨張前の混合樹脂、および膨張後の混合樹脂の図である。
【図３】マイクロカプセルの拡大図である。
【図４】集合基板に混合樹脂を塗布する工程を示す斜視図である。
【図５】混合樹脂を塗布した集合基板に金型を配置する工程を示す斜視図である。
【図６】混合樹脂を硬化させた状態の斜視図である。
【図７】集合基板をカットする工程を示す斜視図である。
【図８】回路モジュールの一部を破断した斜視図である。
【図９】本発明の製造方法の一例の温度プロファイル、およびその時の基材樹脂の粘度変化図である。
【図１０】増粘工程のない温度プロファイル図である。
【図１１】増粘工程がない場合と増粘工程がある場合との硬化樹脂の断面写真である。
【図１２】マイクロカプセルの膨張倍率と比誘電率との関係を示す図である。
【図１３】本発明による封止品、ガラスバルーンを用いた封止品、従来の樹脂封止品の金属ケース品に対する電力ロスの比較図である。
【符号の説明】
１          混合樹脂
２          基材樹脂
３          マイクロカプセル
３ａ        外皮
３ｂ        揮発性膨張剤
４          集合基板
５          マザー基板
６，７      回路素子
９          金型
１０        回路モジュール（電子部品）
【図１】
0003614129.tif 000003
【図２】
0003614129.tif 000004
【図３】
0003614129.tif 000005
【図４】
0003614129.tif 000006
【図５】
0003614129.tif 000007
【図６】
0003614129.tif 000008
【図７】
0003614129.tif 000009
【図８】
0003614129.tif 000010
【図９】
0003614129.tif 000011
【図１０】
0003614129.tif 000012
【図１１】
0003614129.tif 000013
【図１２】
0003614129.tif 000014
【図１３】
0003614129.tif 000015