(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
排ガスを吸収液と接触させて浄化する方法において、
（i）第１隔板とその上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する第３室とに区画された密閉槽におけるその第２室に排ガスを供給すること、
（ii）第２室に供給された排ガスを第１隔板に形成された透孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容されている吸収液中に吹込むこと、
（iii）第１室の上部空間に存在する排ガスを排ガス上昇管を通して第３室に導入すること、
（iv）第３室に導入された排ガスを吸収液と接触させること、
（v）第３室の床面を形成する第２隔板の上面に存在する吸収液をその先端がガス分散管のガス噴出孔より下方に位置する吸収液流下管を通して第１の吸収液中に導入させること、
（vi）第１室に収容されている吸収液の一部を前記第３室に循環させること、
（vii）第３室で吸収液接触した後の浄化排ガスを第３室から排出させること、を特徴とする排ガスの処理方法。
【請求項２】
第３室の空間部に充填層を存在させ、吸収液をこの充填層内を流下させるとともに、第１室からの排ガスをこの充填層を通して上昇させて吸収液と接触させることを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
第１隔板とその上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する第３室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成された排ガス入口と、第３室の天板又は側壁に配設された浄化排ガス出口と、第１隔板に形成された透孔と、その透孔に垂設されたガス分散管と、第１室と第３室とを連絡する排ガス上昇管と、第３室の上部に配設された吸収液分散手段と、第２隔板に形成された透孔と、その透孔に垂設され、その先端が前記ガス分散管のガス噴出孔より下方に位置する吸収液流下管と、第１室に収容されている吸収液を第３室の吸収液分散手段に循環させる配管を備えたことを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項４】
第３室の空間部に充填層を配設したことを特徴とする請求項３の装置。
【請求項５】
排ガスを吸収液と接触させて浄化する方法において、
（i）隔板によってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室とに区画された密閉槽におけるその第２室に排ガスを供給すること、
（ii）第２室に供給された排ガスを隔板に形成された透孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容されている吸収液中に吹込むこと、
（iii）第１室の上部空間に存在する排ガスを、第２室を貫通する排ガス上昇筒内に導入し、上昇させること、
（iv）排ガス上昇筒内に導入した排ガスを該筒内において吸収液と接触させた後筒外へ排出させること、
（v）第１室に収容されている吸収液の一部を前記排ガス上昇筒内の排ガスとの接触のために排ガス上昇筒に循環させること、
を特徴とする排ガスの処理方法。
【請求項６】
排ガス上昇筒に充填層を存在させ、吸収液をこの充填層内を流下させるとともに、第１室からの排ガスをこの充填層を通して上昇させて吸収液と接触させることを特徴とする請求項５の方法。
【請求項７】
隔板によってその内部が第１室の上方に隣接する第２室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成された排ガス入口と、隔板に形成された透孔と、その透孔に垂設されたガス分散管と、第２室を貫通し、その下端が第１室内に開口する排ガス上昇筒と、排ガス上昇筒内に配設された吸収液分散手段と、第１室に収容されている吸収液を排ガス上昇筒内に配設されている吸収液分散手段に循環させる配管を備えたことを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項８】
排ガス上昇筒内に充填層を配設したことを特徴とする請求項７の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、排ガス中に含まれている汚染物質を高除去率でかつ経済的に除去し得る排ガスの処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、水平隔板によってその内部が２つ又は３つの室に区画された密閉容器と、その水平隔板に配設された多数の透孔に垂設された多数のガス分散管を備えた多管式排ガス処理装置は知られている（特公平３−７０５３２号、特開平３−７２９１３号、特開平３−２６２５１０号等）。
【０００３】
このような多管式排ガス処理装置は、排煙脱硫装置として広く利用されており、その脱硫率も９０〜９５％と比較的高いものであるが、近年においては、地球環境保全の点等から、さらに高い脱硫率で排ガスを処理することが要望されている。このような要望に対しては、ガス分散管の先端を吸収液中に沈める深度を増加させたり、吸収液のｐＨを高めて吸収液の性能を高めること等により対応されているが、しかし、前者の方法では排ガスの圧力損失が増大するために動力費用が増大し、一方、後者の方法では、排ガス処理の副生物として得られる石こう中への未反応吸収剤の混入量が増大するという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、排ガスの処理において、汚染物質除去率の高められた方法及び装置を提供することをその課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明によれば、排ガスを吸収液と接触させて浄化する方法において、
（i）第１隔板とその上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する第３室とに区画された密閉槽におけるその第２室に排ガスを供給すること、
（ii）第２室に供給された排ガスを第１隔板に形成された透孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容されている吸収液中に吹込むこと、
（iii）第１室の上部空間に存在する排ガスを排ガス上昇管を通して第３室に導入すること、
（iv）第３室に導入された排ガスを吸収液と接触させること、
（v）第３室の床面を形成する第２隔板の上面に存在する吸収液をその先端がガス分散管のガス噴出孔より下方に位置する吸収液流下管を通して第１室の吸収液中に導入させること、
（vi）第１室に収容されている吸収液の一部を前記第３室に循環させること、
（vii）第３室で吸収液粒子と接触した後の浄化排ガスを第３室から排出させること、
を特徴とする排ガスの処理方法が提供される。
【０００６】
また、本発明によれば、第１隔板とその上方に位置する第２隔板とによってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室と第２室の上方に隣接する第３室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成された排ガス入口と、第３室の天板又は側壁に配設された浄化排ガス出口と、第１隔板に形成された透孔と、その透孔に垂設されたガス分散管と、第１室と第３室とを連絡する排ガス上昇管と、第３室の上部に配設された吸収液分散手段と、第２隔板に形成された透孔と、その透孔に垂設され、その先端が前記ガス分散管のガス噴出孔より下方に位置する吸収液流下管と、第１室に収容されている吸収液を第３室の吸収液分散手段に循環させる配管を備えたことを特徴とする排ガス処理装置が提供される。
さらに、本発明によれば、排ガスを吸収液と接触させて浄化する方法において、
（i）隔板によってその内部が第１室と第１室の上方に隣接する第２室とに区画された密閉槽におけるその第２室に排ガスを供給すること、
（ii）第２室に供給された排ガスを隔板に形成された透孔に垂設されたガス分散管を通して第１室に収容されている吸収液中に吹込むこと、
（iii）第１室の上部空間に存在する排ガスを、第２室を貫通する排ガス上昇筒内に導入し、上昇させること、
（iv）排ガス上昇筒内に導入した排ガスを該筒内において吸収液と接触させた後筒外へ排出させること、
（v）第１室に収容されている吸収液の一部を前記排ガス上昇筒内の排ガスとの接触のために排ガス上昇筒に循環させること、
を特徴とする排ガスの処理方法が提供される。
さらにまた、本発明によれば、隔板によってその内部が第１室の上方に隣接する第２室とに区画された密閉槽と、第２室の周壁に形成された排ガス入口と、隔板に形成された透孔と、その透孔に垂設されたガス分散管と、第２室を貫通し、その下端が第１室内に開口する排ガス上昇筒と、排ガス上昇筒内に配設された吸収液分散手段と、第１室に収容されている吸収液を排ガス上昇筒内に配設されている吸収液分散手段に循環させる配管を備えたことを特徴とする排ガス処理装置が提供される。
【０００７】
次に、本発明を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の排ガス処理装置の模式図を示す。この図において、１は密閉槽、２は第１隔板、３は第２隔板、４は天板、５は第１室、６は第２室、７は第３室、８は排ガス導入ダクト、９はガス分散管、１０は排ガス上昇管、１１は吸収液流下管、１２は排ガス導出ダクト、１３はミストエリミネータ、１４は吸収液抜出し管、１５は吸収剤混入管、１６はポンプ、１７は吸収液導管、１８は吸収液分散手段、１９は吸収剤導入管、２０は酸素含有ガス供給管、２１は酸素含有ガス噴出ノズル、２２は排液管、２３は吸収液の静止液面、２４は撹拌機、Ａはフロス層（気液混合層）、Ｌは吸収液を各示す。
【０００８】
図１に示す装置全体は、大型の密閉槽１から構成され、その槽の内部は、第１隔板２及びその上方に位置する第２隔板３によって第１室５と第１室の上方に隣接する第２室６と第２室の上方に隣接する第３室７とに区画されている。第３室の上部空間は天板４によって密閉されている。第１隔板２には多数の透孔が配設され、これらの各透孔にはガス分散管９が垂設されている。第１隔板２は水平又はやや傾斜したものであることができる。第２隔板３は水平又はやや傾斜したものであることができ、その傾斜角は特に制約されない。
第１室５の内部には、吸収液Ｌが収容されている。また、第１室には、撹拌機２４と、吸収液Ｌ中に酸素を供給する必要がある場合に用いられる酸素含有ガス噴出ノズル２１が配設されている。図１において、撹拌機２４としては水平方向に回転するものが示されているが、この撹拌機は垂直方向に回転するものを配設することができる。この場合、回転軸は側壁を介して配設される。
第２室６の周壁には排ガス入口が配設され、この入口には排ガス導入ダクト８が連結されている。第２室の空間には特別の装置は配設されていないが、必要に応じ、吸収液をスプレーするためのスプレーノズルを配設することもできる。
第３室７の上部には、吸収液分散手段としてのスプレーノズル１８が配設されている。図１において、スプレーノズル１８は１段に配列されているが、必要に応じ、２段以上の複数段に配列することもできる。吸収液分散手段は、酢ぷれーノズルの他、パイプに細孔を多数穿設したもの等であってもよい。
第３室７の上方に配設された天板４には、浄化排ガス出口が配設され、この出口には浄化排ガス導出ダクト１２が連結されている。浄化排ガス出口の配設位置は天板に限られるものではなく、側壁であってもよい。
第１室５と第３室７との間には、第１室の吸収液を第３室のスプレーノズル１８に循環させるための循環ラインが配設されている。この循環ラインは、吸収液抜出し管１４、循環ポンプ１６及び吸収液導管１７からなる。この循環ラインには、必要に応じ、吸収剤をその循環吸収液に混入させるための吸収剤混入管１５が連結されている。
【０００９】
第１隔板２には、第１室５と第２室６との間を連絡する透孔が多数配設され、各透孔にはその先端が吸収液中に延びるガス分散管９が垂設されている。また、第１隔板２及び第２隔板３には、排ガス上昇管１０を配設するための開口が配設され、これらの開口には、第１室５の上部空間に存在する排ガスを第３室７に導入させるための排ガス上昇管１０が連結されている。この場合、排ガス上昇管１０の開口端は第２隔板の上面より上方に突出し、第２隔板上の吸収液がこの排ガス上昇管内を流下しないようになっている。
また、第２隔板３には、複数の透孔が配設され、この透孔には、その先端が第１室５に収容されている吸収液中に延びる吸収液流下管１１が垂設されている。この場合、吸収液流下管１１の先端は、ガス分散管９のガス噴出孔よりも下方に位置する。
【００１０】
図１に示した装置を用いて排ガスの浄化処理を行うには、排ガスを排ガス導入ダクト８から第２室６内に導入し、ここからガス分散管９を介して第１室５内の吸収液Ｌ中に吹込む。吸収液中に吹込まれた排ガスは気泡となって上昇し、その分散管のガス噴出孔より上方には気泡と吸収液との混合相からなるフロス層Ａが形成される。排ガスが吸収液中を気泡として上昇する間に排ガス中に含まれている汚染物質は吸収液と反応し、排ガス中から除去される。
このようにして浄化された排ガスは、フロス層Ａから上部空間に放散され、ここから排ガス上昇管１０を通って第３室７に導入される。この第３室内には、吸収液抜出し管１４、ポンプ１６、吸収液導管１７を通って循環される吸収液がスプレーノズル１８からスプレーされている。第３室に導入された排ガスはこの吸収液粒子（平均粒子径：２００〜４０００μｍ）と接触し、排ガス中に残存する汚染物質がその吸収液粒子と反応し、排ガス中から除去される。
第３室内における吸収液粒子との接触により浄化された浄化排ガスは第３室の上方に配設された天板４の開口部に連結された浄化排ガス導出ダクト１２を通って槽外へ抜出され、ミストセパレーター１３に導入され、ここでそのガス中に含まれていた吸収液粒子が除去された後、大気へ放出される。
【００１１】
スプレーノズル１８から粒子状でスプレーされた吸収液の一部は第２隔板３の上面に落下滞留し、ここから吸収液流下管１１を通って吸収液中へ返還される。吸収液流下管１１の先端は、ガス分散管９のガス噴出孔より下方に位置させる。吸収液流下管１１の先端がガス分散管９のガス噴出孔より上方に位置するときには、ガス噴出孔より吸収液中に噴出された排ガスの気泡の一部がこの吸収液流下管１１内を上昇するようになるので好ましくない。この吸収液流下管の先端位置は、ガス分散管９のガス噴出孔の位置よりも、３０ｃｍ以上、好ましくは５０〜１５０ｃｍ下方に設定するのがよい。
【００１２】
ガス分散管９としては、下端部の周壁面にガス噴出孔を有するものや、下端がノズル構造に形成されたもの等の各種のものを用いることができる。図４に下端部の周壁面にガス噴出孔を有するガス分散管の斜視図を示す。図４において、９はガス分散管を示し、３５はその下端部周壁面に形成されたガス噴出孔を示す。
【００１３】
第１室５に収容された吸収液の一部をノズル１８に循環させる場合、第１室から抜出した吸収液は、これをそのままスプレーノズル１８に循環させることができる他、その吸収液に新しい吸収剤を添加して吸収液の性能を向上させた後、スプレーノズルに循環させることができる。吸収剤導入管１４から導入される新しい吸収剤は、吸収剤導入管１９から第１室５の吸収液に導入されるものと同一でも、異っていてもよい。また、吸収液が吸収剤や副生物（石こう等）を含むスラリーで、その固形分濃度が高いときには、濾過や遠心分離等によりその固形分をあらかじめ除去した後、スプレーノズルに循環することもできる。
スプレーノズル１８からスプレーさせる吸収液の量は、標準状態に換算された排ガス量１ｍ3／ｈｒ当り、通常、０．１〜１０ｋｇ/ｈｒ、好ましくは０．２〜２ｋｇ/ｈｒで、出口排ガス中の汚染物質が所望濃度になるように設定される。このような吸収液量をスプレーさせることにより、排ガス中に残存する極く少量の汚染物質を効果的に除去することができる。
【００１４】
本発明においては、第２室６内にも、第３室７の場合と同様にして、スプレーノズルを配設し、第１室５内の吸収液をこのスプレーノズルに循環し、このスプレーノズルから吸収液を粒子状でスプレーさせることができる。このようにして第２室内に配設されたスプレーノズルからのスプレーにより形成された吸収液粒子は、第２室６内に導入された排ガスと接触し、排ガス中の汚染物質及び固体状微粒子（粉塵）を捕捉し、排ガス中から除去させる。また、この吸収液粒子は排ガスを冷却させるとともに増湿させる効果も示す。このスプレーノズルから第２室にスプレーさせる吸収液の量は、標準状態に換算された排ガス供給量１ｍ3／ｈｒ当り、通常、０．２〜５ｋｇ／ｈｒ、好ましくは０．５〜２ｋｇ／ｈｒである。
【００１５】
本発明装置の第３室７内には、その第２隔板３とスプレーノズル１８との間に、充填層を配設することができる。この場合の装置の模式図を図２に示す。図２において、３０は充填層を示す。図２に示した符号において、図１に示したものと同じ符号は同じ意味を示す。
第３室７内に充填層３０を配設するときには、排ガス上昇管１０を通って第１室５から第３室７に上昇してきた排ガスは、スプレーノズル１８からスプレーされた吸収液が流下する充填層３０を通過し、その間に吸収液と接触し、次いでスプレーノズルからスプレーされている吸収液粒子と接触した後、浄化排ガス導出ダクト１２から排出される。排ガスが充填層を通過する際には、排ガスは充填層内の充填材表面を流下する吸収液と効率よく接触することから、充填層を配設しない場合に比べて、より高い汚染物除去率が得られる。
充填層３０に用いる充填材としては、従来公知の各種のもの、例えば、ラシッヒリング、テラレット、ポールリング、サドル、レッシングリング、木格子等を挙げることができる。充填層３０の厚さは特に制約されず、適宜決められるが、通常は０．５〜５ｍである。充填層は、多孔板上に充填して形成されることができるし、内面に金網を積層した多孔板上に充填して形成させることもできる。
【００１６】
図２においては、吸収液分散手段としてスプレーノズル１８が示されているが、この場合の吸収液分散手段はスプレーノズルに限られるものではなく、液を充填層３０へ供給し得るものであればどのようなものでもよい。吸収液分散手段としては、スプレーノズルの他、パイプの周壁に複数の穴を穿設したもの等であることができる。
【００１７】
図３は、本発明の他の排ガス処理装置の模式図を示す。この図において、図１及び図２に示したのと同じ符号は同一の意味を示す。
図３に示した装置は２室構造のもので、その中央部には、第２室６を貫通し、その下端が第１室５内に開口する排ガス上昇筒３１が立設されている。この排ガス上昇筒の横断面形状は四角形や八角形等の方形状や円形状等であることができる。排ガス上昇筒３１の配設数は１個又は複数個であることができ、装置規模によって適宜選定する。
排ガス排出口は排ガス上昇筒の上端に配設された密閉板に配設してもよいし、排ガス上昇筒の側壁に配設してもよい。図３の場合、排ガス排出口は側壁に配設されている。
排ガス上昇筒３１の上部内部には充填層３０が配設され、その上方には吸収液分散手段としてのスプレーノズル１８が配設されている。充填層３０は、必要に応じ、省略することができる。
図３における３２は隆起部を示し、この隆起部は排ガスの流れを排ガス上昇筒３１の開口方向へ案内させるとともに、この隆起部の配設により、第１室内への吸収液の必要以上の充填が回避される。もちろん、この隆起部の配設は省略することができる。
【００１８】
図３に示した装置を用いて排ガスの浄化処理を行うには、排ガスを排ガス導入ダクト８から第２室６内に導入し、ここからガス分散管９を介して第１室５内の吸収液Ｌ中に吹込む。吸収液中に吹込まれた排ガスは気泡となって上昇し、その分散管のガス噴出孔より上方には気泡と吸収液との混合相からなるフロス層Ａが形成される。排ガスが吸収液中を気泡として上昇する間に排ガス中に含まれている汚染物質は吸収液と反応し、排ガス中から除去される。
このようにして浄化された排ガスは、フロス層Ａから上部空間に放散され、排ガス上昇筒３１開口内に集められ、ここからその筒内を上昇する。排ガス上昇筒内には、吸収液抜出管１４、ポンプ１６、吸収液導管１７を通って循環される吸収液がスプレーノズル１８からスプレーされ、充填層３０内を流下している。排ガス上昇筒３１内を上昇する排ガスは、この充填層３０内において流下する吸収液と接触した後、浄化排ガスダクト１２を通って排出される。吸収剤は、吸収剤導入管１５から吸収液抜出管１４に導入される。また、この吸収剤は、吸収液導管１７に導入することもできる。
【００１９】
排ガス上昇筒３１の横断面積Ｓ1と第１室５の横断面積Ｓ2との比Ｓ1／Ｓ2は、０．１〜０．９、好ましくは０．３〜０．７の範囲に規定するのがよい。Ｓ1／Ｓ2が前記範囲より大きくなると、ガス分散管９の必要本数を配設するための隔板２の表面を広くする必要が生じ、装置全体が大きくなる上、少量の吸収液を排ガス上昇筒３１内に分散させるときに、その吸収液を安定的に均一に分散させるのが困難になる。
一方、前記範囲より小さくなると、排ガス上昇管３１内を上昇するガス上昇線速度が高速になりすぎて、排ガスの圧力損失が大きくなったり、第１室５の上部空間での排ガスの偏流が大きくなる等の問題が生じるので好ましくない。排ガス上昇筒３１の高さは特に制約されないが、隔板２からスプレーノズル１８までの距離は２ｍ以上、好ましくは４〜７ｍの範囲に規定するのがよい。
また、排ガス上昇筒３１を上昇する排ガスの上昇線速度は、１．０ｍ／秒以上、好ましくは１．５〜３ｍ／秒の範囲に規定するのがよい。排ガスの上昇線速度が前期範囲より小さいと、充分な気液接触効率が確保できない等の不都合を生じるので好ましくない。排ガスの上昇線速度を前記範囲に規定することにより、排ガス上昇筒３１内における排ガスからの汚染物質の除去を少ない吸収液の使用量で効率よく除去することができる。
さらに、スプレーノズル１８から酢プレーさせる吸収液の量は、標準状態に換算された排ガス量１ｍ3／ｈｒ当り、通常、０．１〜１０ｋｇ／ｈｒ、好ましくは０．２〜２ｋｇ／ｈｒである。このような吸収液量をスプレーさせることにより、排ガス中に残存する極く少量の汚染物質を効果的に除去することができる。
【００２０】
図３に示した装置は２室構造のもので、しかも排ガス上昇筒の数も少なく、通常は１個で十分であることから、構造簡単で装置コストが低いという利点が得られる。その上、排ガス上昇筒を上昇する排ガス流速は、その排ガス上昇筒の横断面積により自由に制御することができ、その断面積を小さくすることにより速くすることができるので、排ガス上昇筒内での排ガスと吸収液との接触を緊密に行うことができ、排ガス上昇筒内での排ガス中からの汚染物の除去率を高くすることができる。さらに、図３に示す装置の場合には、装置の高さが低くなるので、水平方向に回転する撹拌機を採用した場合には、撹拌機のシャフト長さが短かくなり、取り付けが容易となる上、図１に示す３室構造の装置に見られる第３室の底板（第２隔板３）上への石膏堆積がなくなる等の利点も得られる。
【００２１】
本発明で用いる吸収液は、排ガスの種類に応じて適当に選定され、従来公知の各種のものが用いられる。このようなものとしては、例えば、排ガス中の汚染物質がＳＯ2、ＳＯ3、ＮＯ、Ｎ2Ｏ3、ＮＯ2、Ｎ2Ｏ4、Ｎ2Ｏ5、ＣＯ2、ＨＣｌ、ＨＦ等の酸性物質である場合には、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物等のアルカリ性物質を含む溶液やスラリーが用いられ、特に水酸化カルシウムスラリーや、炭酸カルシウムスラリーが用いられる。また、吸収液として炭酸カルシウムスラリーや水酸化カルシウムスラリーを用いる場合、これらのカルシウム化合物は亜硫酸ガスと反応して亜硫酸カルシウムを形成するが、この場合、吸収液中に空気や酸素を導入することにより、硫酸カルシウム（石コウ）を得ることができる。また、排ガス中の汚染物質がアンモニア等のアルカリ性物質である場合には、酸性水溶液を吸収液として用いればよい。
【００２２】
【実施例】
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例１
図１に示した構造の装置を用いて、ＳＯ2：７８０ｖｏｌｐｐｍ、Ｏ2：５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。
この場合の装置条件を示すと次の通りである。
（１）密閉槽１の直径：３．２ｍ
（２）第１室５の高さ：４ｍ
（３）第２室６の高さ：２ｍ
（４）第３室７の高さ：４ｍ
（５）ガス分散管９の直径：４インチ及び本数：１１０本
（６）吸収液流下管１１の直径：４インチ及び本数：４本
（７）排ガス上昇管１０の直径：４１０ｍｍ及び本数：６本
（８）第１室５における吸収液の静止液面２３の高さ：２ｍ
また、ガス分散管９としては、図４に示す構造のものを用い、その下端部周壁面に設けたガス噴出孔３５の位置は、吸収液面下２００ｍｍの位置に設定し、吸収液流下管１１の先端の位置は、ガス分散管９の噴出孔３５の位置よりも５００ｍｍ下方に設定した。
【００２３】
図１に示す構造の装置の第１室５内に、あらかじめ、石こう濃度：１５重量％の水スラリー液を高さ２ｍになるように収容させた。
次に、この装置の排ガス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ3／ｈの供給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止液面下１８００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス噴出ノズル２１から空気を３７０Ｎｍ3／ｈの流速で噴出させるとともに、撹拌機２４を回転させて吸収液の撹拌を行った。また、第１室５内から石こう濃度：約１０重量％、炭酸カルシウム濃度：約０．１重量％の吸収液を６０ｍ3／ｈの流速でポンプ１６により抜出し、これに炭酸カルシウムを５０ｋｇ/ｈで添加混合し、第３室７内に配設したスプレーノズル１８からスプレーさせた。さらに、第１室５内の吸収液に対しては、排液管２２を通して石こう濃度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈの速度で抜出し、石こうを分離した液に炭酸カルシウムを８６ｋｇ／ｈで添加混合して吸収剤導入管１９から供給した。
前記のようにして排煙を脱硫処理した結果、９８％の高脱硫率を得ることができた。
次に、比較のために、スプレーノズル１８からの吸収液のスプレーを停止したところ、同じ脱硫率を得るためには、ガス分散管のガス噴出孔３５の位置を液面下３００ｍｍの深さにする必要があることがわかった。
以上の結果から、本発明の場合には、高められた脱硫率で排煙を処理することができることがわかる。また、本発明では、従来の場合と同一脱硫率で排煙を処理する場合には、排ガス供給圧を１００ｍｍ（水柱）削減することが可能となり、循環ポンプ１６の動力の増加を考慮しても、大幅な動力費の節約が可能になることが明らかとなった。
【００２４】
実施例２
図２に示した構造の装置を用いて、ＳＯ2：７８０ｖｏｌｐｐｍ、Ｏ2：５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。
この場合の装置条件を示すと次の通りである。
（１）密閉槽１の直径：３．２ｍ
（２）第１室５の高さ：４ｍ
（３）第２室６の高さ：２ｍ
（４）第３室７の高さ：４ｍ
（５）ガス分散管９の直径：４インチ及び本数：１１０本
（６）吸収液流下管１１の直径：４インチ及び本数：４本
（７）排ガス上昇管１０の直径：４１０ｍｍ及び本数：６本
（８）第３室７における充填層３０層厚：２ｍ
（９）第１室５における吸収液の静止液面２３の高さ：２ｍ
なお、前記充填層３０を構成する充填材としては、テラレットを用いた。
また、ガス分散管９としては、図４に示す構造のものを用い、その下端部周壁面に設けたガス噴出孔３５の位置は、吸収液面下２００ｍｍの位置に設定し、吸収液流下管１１の先端の位置は、ガス分散管９の噴出孔３５の位置よりも５００ｍｍ下方に設定した。
【００２５】
図２に示す構造の装置の第１室５内に、あらかじめ、石こう濃度：１５重量％の水スラリー液を高さ２ｍになるように収容させた。
次に、この装置の排ガス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ3／ｈの供給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止液面下１８００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス噴出ノズル２１から空気を３７０Ｎｍ3／ｈの流速で噴出させるとともに、撹拌機２４を回転させて吸収液を撹拌した。また、第１室５内から石こう濃度：約１０重量％、炭酸カルシウム濃度：約０．１重量％の吸収液をポンプ１６により抜出し、シックナーで石こうを分離した後、４０ｍ3／ｈの流速で吸収液をシックナーから抜出し、これに炭酸カルシウムを４０ｋｇ/ｈで添加混合し、第３室７内に配設したスプレーノズル１８からスプレーさせた。さらに、上記したシックナーの下部より石こう濃度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈの速度で抜出し、石こうを分離した液に炭酸カルシウムを１０ｋｇ／ｈの速度で添加混合して第１室５内の吸収液に対して吸収剤導入管１９から供給した。
前記のようにして排煙を脱硫処理した結果、９９．５％の高脱硫率を得ることができた。また、このときの充填層３０での圧力損失は約３０ｍｍ（水柱）であった。
次に、比較のために、第３室７内から充填層３０を除去し、スプレーノズル１８からの吸収液のスプレーを停止し、ガス分散管９のガス噴出孔３５の位置を液面下４００ｍｍまで深くして脱硫処理を行ったが、約９９％の脱硫率しか得られなかった。
以上の結果から、従来法ではほとんど達成困難な高脱硫率を、本発明の場合には、わずかな動力費の増加により容易に達成することができることがわかる。
【００２６】
実施例３
図３に示した構造の装置を用いて、ＳＯ2：７８０ｖｏｌｐｐｍ、Ｏ2：５ｖｏｌ％を含む排煙を処理した。
この場合の装置条件を示すと次の通りである。
（１）密閉槽１の直径：３．５ｍ
（２）第１室５の高さ：４ｍ
（３）排ガス上昇筒３１：直径：２．２ｍ、高さ：２．５ｍ
（４）排ガス上昇筒内の充填層３０層厚：３ｍ
（５）第１室５における吸収液の静止液面２３の高さ：２ｍ
（６）隔板２から充填層３１までの距離：１．５ｍ
（７）隔板２からスプレーノズル１８までの距離：５ｍ
なお、前記充填層３０を構成する充填材としては、テラレットを用いた。
また、ガス分散管９としては、図４に示す構造のものを用い、その下端部周壁面に設けたガス噴出孔３５の位置は、吸収液面下２００ｍｍの位置に設定した。
【００２７】
図３に示す構造の装置の第１室５内に、あらかじめ、石こう濃度：１５重量％の水スラリー液を高さ２ｍになるように収容させた。
次に、この装置の排ガス導入ダクト８から排煙を４０，０００Ｎｍ3／ｈの供給量で第２室６内に供給した。この場合、吸収液の静止液面下１８００ｍｍの位置に配設した酸素含有ガス噴出ノズル２１から空気を３７０Ｎｍ3／ｈの流速で噴出させるとともに、撹拌機２４を回転させて吸収液を撹拌した。また、第１室５内から石こう濃度：約１０重量％、炭酸カルシウム濃度：約０．１重量％の吸収液をポンプ１６により抜出し、シックナーで石こうを分離した後、４０ｍ3／ｈの流速で吸収液をシックナーから抜出し、これに炭酸カルシウムを４０ｋｇ/ｈで添加混合し、排ガス上昇筒３１内に配設したスプレーノズル１８からスプレーさせた。さらに、上記したシックナーの下部より石こう濃度の高い吸収液を約１，２００ｋｇ／ｈの速度で抜出し、石こうを分離した液に炭酸カルシウムを１０ｋｇ／ｈの速度で添加混合して第１室５内の吸収液に対して吸収剤導入管１９から供給した。
前記のようにして排煙を脱硫処理した結果、９９．８％の高脱硫率を得ることができた。また、このときの充填層３０での圧力損失は約３０ｍｍ（水柱）であった。
次に、比較のために、排ガス上昇筒３１内から充填層３０を除去し、スプレーノズル１８からの吸収液のスプレーを停止し、ガス分散管９のガス噴出孔３５の位置を液面下４００ｍｍまで深くして脱硫処理を行ったが、約９９％の脱硫率しか得られなかった。
以上の結果から、従来法ではほとんど達成困難な高脱硫率を、本発明の場合には、わずかな動力費の増加により容易に達成することができることがわかる。
【００２８】
【発明の効果】
本発明によれば、従来法では達成困難な高脱硫率を格別の処理コストの増加を必要とせず、容易に得ることができ、その産業的意義は多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の排ガス処理装置の１例についての模式図を示す。
【図２】本発明の排ガス処理装置の他の例についての模式図を示す。
【図３】本発明の排ガス処理装置のさらに他の例についての模式図を示す。
【図４】ガス分散管の１例についての斜視図を示す。
【符号の説明】
１  密閉槽
２  第１隔板
３  第２隔板
４  天板
５  第１室
６  第２室
７  第３室
８  排ガス導入ダクト
９  ガス分散管
１０  排ガス上昇管
１１  吸収液流下管
１２  排ガス導出ダクト
１３  ミストエリミネータ
１４  吸収液抜出し管
１５  吸収剤混入管
１６  ポンプ
１７  吸収液導管
１８  吸収液スプレーノズル
１９  吸収剤導入管
３０  充填層
３１  排ガス上昇筒
３５  ガス噴出孔
Ｌ  吸収液
【図１】
0003667823.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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