(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を純水により洗浄処理する基板洗浄装置であって、
そこに貯留した純水により基板を洗浄処理するための処理槽と、
前記処理槽の底部に配設され、前記処理槽に純水を供給するための純水供給手段と、
前記処理槽から純水を排出するための排出手段と、
前記処理槽の上部を覆う遮蔽部材と、
前記遮蔽部材に設けられ、前記処理槽内の基板に純水を供給するための純水ノズルと、
前記遮蔽部材に設けられ、前記処理槽内に不活性ガスを供給するための不活性ガスノズルと、を備え、
前記処理槽の外周に形成されたオーバーフロー部の上端部と前記遮蔽部材の下面に隙間を有することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板洗浄装置において、
前記遮蔽部材は、前記処理槽内に基板を搬入し、あるいは、前記処理槽内から基板を搬出するための開放位置と、前記処理槽の上部を覆う遮蔽位置との間を移動可能な処理槽の蓋部材から構成される基板洗浄装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板洗浄装置において、
前記純水ノズルより供給される純水と前記不活性ガスノズルより供給される不活性ガスとを混合する混合室と、
前記混合室において混合された純水と不活性ガスの混合体を基板に供給するための混合体供給口と、
をさらに備えた基板洗浄装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３いずれかに記載の基板洗浄装置において、
前記処理槽内に基板を薬液処理するための薬液を供給する薬液供給手段をさらに備えた基板洗浄装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３いずれかに記載の基板洗浄装置において、
前記処理槽の近傍には、そこに貯留した薬液により基板を薬液処理するための薬液槽が配設されており、前記薬液槽において薬液処理された基板に対し、前記処理槽において洗浄処理を行う基板洗浄装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板洗浄装置において、
前記薬液槽はエッチング液を貯留するものであり、前記薬液槽においてエッチング処理された基板に対し、前記処理槽において洗浄処理を行う基板洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板を純水により洗浄処理する基板洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
このような基板洗浄装置としては、従来より、ＱＤＲ（クイック・ダンプ・リンス）槽と呼称される急速排液リンス槽が使用されている。
【０００３】
この急速排液リンス槽は、そこに貯留した純水により基板を洗浄処理するための処理槽と、この処理槽に純水を供給するための純水供給路と、処理槽から純水を急速に排出するための比較的大径の排出口と、処理槽内の基板の乾燥を防止するため基板に純水等の乾燥防止液を供給するためのノズルとを備える。
【０００４】
この急速排液リンス槽を使用して例えばシリコン製の基板の洗浄処理を行う場合においては、純水供給路から処理槽に純水を供給し、純水を処理槽の上端部からオーバフローさせた状態で、基板をこの純水中に浸漬する。そして、一定時間経過後、処理槽内の純水を排出口から急速に排出する。このとき、基板の乾燥を防止するため、ノズルより、基板に対して純水等の乾燥防止液を供給する。そして、上述した純水の供給と急速な排出とを数回〜十回程度繰り返すことにより、基板を効率的に洗浄処理する。
【０００５】
このような急速排液リンス槽を使用した場合においては、より少量の純水を使用して、高速に基板を洗浄処理することが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような急速排液リンス槽を使用した洗浄処理においては、洗浄処理中において基板が大気と接触することから、基板が酸化し、これに起因してパーティクルが発生するという問題が生ずる。
【０００７】
すなわち、一般にＳＣ１と呼称されるアンモニアと過酸化水素を使用した薬液処理や、一般にＳＣ２と呼称される塩酸と過酸化水素を使用した薬液処理を行った後の基板は、親水性の酸化膜で覆われている。しかしながら、この基板が大気中の酸素と接触した場合においては、基板の表面に新たな酸化膜が生じ、この新たな酸化膜がパーティクル発生の原因となる。また、フッ酸を使用した薬液処理後の基板の表面はシリコンが露出していることから、フッ酸による薬液処理後の基板が大気と接触した場合においては、酸化膜が生じ、多量のパーティクルが発生する。
【０００８】
さらには、上述した酸化に起因するパーティクル発生の問題以外にも、大気中に含まれるパーティクルやガス等により、基板が汚染されるという問題も発生する。
【０００９】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、多量の純水を使用することなく、基板を清浄に洗浄処理することができる基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板を純水により洗浄処理する基板洗浄装置であって、そこに貯留した純水により基板を洗浄処理するための処理槽と、前記処理槽の底部に配設され、前記処理槽に純水を供給するための純水供給手段と、前記処理槽から純水を排出するための排出手段と、前記処理槽の上部を覆う遮蔽部材と、前記遮蔽部材に設けられ、前記処理槽内の基板に純水を供給するための純水ノズルと、前記遮蔽部材に設けられ、前記処理槽内に不活性ガスを供給するための不活性ガスノズルと、を備え、前記処理槽の外周に形成されたオーバーフロー部の上端部と前記遮蔽部材の下面に隙間を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板洗浄装置において、前記遮蔽部材は、前記処理槽内に基板を搬入し、あるいは、前記処理槽内から基板を搬出するための開放位置と、前記処理槽の上部を覆う遮蔽位置との間を移動可能な処理槽の蓋部材から構成される。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記純水ノズルより供給される純水と前記不活性ガスノズルより供給される不活性ガスとを混合する混合室と、前記混合室において混合された純水と不活性ガスの混合体を基板に供給するための混合体供給口とをさらに備えている。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３いずれかに記載の基板洗浄装置において、前記処理槽内に基板を薬液処理するための薬液を供給する薬液供給手段をさらに備える。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項３いずれかに記載の基板洗浄装置において、前記処理槽の近傍には、そこに貯留した薬液により基板を薬液処理するための薬液槽が配設されており、前記薬液槽において薬液処理された基板に対し、前記処理槽において洗浄処理を行う。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板洗浄装置において、前記薬液槽はエッチング液を貯留するものであり、前記薬液槽においてエッチング処理された基板に対し、前記処理槽において洗浄処理を行う。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態に係る基板洗浄装置１の概要図である。
【００１７】
この基板処理装置１は、その外周にオーバフロー部１８を有し、そこに貯留した純水により基板Ｗを洗浄処理するための処理槽１１と、処理槽１１内に供給ノズル１２を介して純水を供給するための純水供給路１３と、処理槽１１内に貯留された純水を急速に排出するための処理槽１１の底部に形成された比較的大径の排出口１４と、処理槽１１の上方に配設された一対の蓋部材１５を介して基板Ｗに乾燥防止液としての純水を供給するための純水供給路１６と、一対の蓋部材１５を介して処理槽内１１に不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための窒素ガス供給路１７とを備える。
【００１８】
純水供給路１３は、図示しない純水供給源と接続されている。この純水供給路１３を通過した純水は、処理槽１１の底部に配設された一対の供給ノズル１２における多数の噴出口から、基板Ｗに向けて噴出される。そして、この純水は、基板Ｗを洗浄した後、処理槽１１の上端部よりオーバフローする。基板Ｗは、この純水の上昇流によって均一に洗浄される。
【００１９】
基板Ｗの洗浄処理に供され、処理槽１１の上端部からオーバフローした純水は、処理槽１１の外周に形成されたオーバフロー部１８に一時的に貯留される。そして、オーバフロー部１８に一時的に貯留された純水は、比抵抗計２０を通過した後、ドレインに排出される。
【００２０】
なお、この比抵抗計２０は、基板Ｗの洗浄に供された純水の比抵抗値を測定することにより、純水の清浄度を測定し、この測定値に基づいて基板Ｗの洗浄度を判断する目的で使用される。
【００２１】
処理槽１１の底部に形成された排出口１４は、電磁弁１９と接続されている。処理槽１１に貯留された純水を急速に排出する際には、この電磁弁１９を開放する。これにより、処理槽１１内に貯留された純水は、比較的大径の排出口１４を通過して、ドレインに急速に排出される。
【００２２】
次に、上述した蓋部材１５の構成について説明する。
【００２３】
この蓋部材１５は、処理槽１１の上部を覆う遮蔽部材として機能するものであり、処理槽１１内に基板Ｗを搬入し、あるいは、処理槽１１内から基板Ｗを搬出するための図１において二点差線で示す開放位置と、処理槽１１の上部を覆う図１において実線で示す遮蔽位置との間を移動可能となっている。また、この蓋部材１５は、蓋部材１５の開閉のために要するクリアランスを縮小するため、例えば実開平７−７１４１号公報に記載されているように、蓋部材１５から下方に離れた位置を回動中心として蓋部材１５の端部を下方に沈めつつ回動させる図示しない回動機構と連結されている。
【００２４】
図２は、蓋部材１５付近の部分断面図である。
【００２５】
この蓋部材１５は、上述した純水供給路１６と連通する連通路２２に接続された純水ノズル２１と、上述した窒素ガス供給路１７と連通する複数の連通路２４に各々接続された複数の窒素ガスノズル２３とを有する。この純水ノズル２１は、後述する処理槽１１からの純水の急速排出時に、処理槽１１内に配置された基板Ｗに対して乾燥防止液としての純水を供給する純水供給口として機能する。また、窒素ガスノズル２３は、後述する処理槽１１からの純水の急速排出時に、処理槽１１内に不活性ガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給口として機能する。
【００２６】
このように、蓋部材１５に純水ノズル２１と窒素ガスノズル２３とを配設した構成を採用することにより、処理槽１１と蓋部材１５からなる上下方向のスペースを小さくすることができ、基板洗浄装置１全体が大型化することを防止することが可能となる。また、処理槽１１に貯留される純水の液面と蓋部材１５の下面との距離を小さくすることが可能となるので、処理槽１１内に供給する窒素ガスの量をより少なくすることが可能となる。
【００２７】
次に、この基板洗浄装置１による基板Ｗの洗浄動作について説明する。
【００２８】
先ず、基板Ｗを洗浄処理するに先立って、純水供給路１３から供給ノズル１２を介して処理槽１１内に純水を供給する。そして、純水が処理槽１１の上端部からオーバフロー部１８へオーバフローすれば、処理槽１１への純水の供給量を少量に切り替える。また、窒素ガス供給路１７から蓋部材１５に形成された窒素ガスノズル２３を介して処理槽１１内に窒素ガスを供給し、処理槽１１内における純水の上方の空間を窒素ガスでパージする。
【００２９】
この状態において、洗浄処理すべき基板Ｗが搬送されるまで待機する。なお、待機中においても、供給ノズル１２からの純水の供給を継続するのは、純水が汚染されることを防止するためである。
【００３０】
前段の薬液処理工程から基板Ｗが搬送されれば、蓋部材１５を図１において二点差線で示す開放位置に移動させる。また、供給ノズル１２からの処理槽１１内への純水の供給量を洗浄処理に必要な量まで増加させる。そして、基板Ｗを処理槽１１内に搬送する。
【００３１】
図３は、基板Ｗを処理槽１１内に搬送するための基板搬送機構としてのリフタ５１およびチャック５２を示す説明図である。
【００３２】
チャック５２は、複数枚の基板Ｗを一括して保持した状態で、前段の薬液処理工程から処理槽１１の上方まで搬送するものである。また、リフタ５１は、処理槽１１の上方においてチャック５２から複数枚の基板Ｗを受け取り、これらの複数枚の基板Ｗを一括して支持した状態で下降し、処理槽１１に貯留された純水中に浸漬するものである。
【００３３】
図３に示すリフタ５１およびチャック５２を利用して複数枚の基板Ｗを純水中に浸漬するかわりに、図４に示すチャック５５を利用して基板を純水中に浸漬してもよい。図４に示すチャック５５は、複数枚の基板Ｗを一括して挟持した状態で、前段の薬液処理工程から処理槽１１の上方まで搬送した後、処理槽１１に貯留された純水中に浸漬するものである。なお、図４における符号５４は、処理槽１１内において複数枚の基板Ｗを起立状態で支持するための支持部を示している。但し、基板Ｗをチャック５５で支持したままの状態でチャック５５を下降させて基板Ｗを純水中に浸漬して洗浄処理する場合においては、この支持部５４は不要である。
【００３４】
なお、上述したように、蓋部材１５に純水ノズル２１と窒素ガスノズル２３とを配設した構成を採用することにより、処理槽１１と蓋部材１５からなる上下方向のスペースを小さくすることができる。このため、図３に示すリフタ５１およびチャック５２を使用して基板Ｗを処理槽１１内に搬送する場合においては、リフタ５１の昇降距離を小さくすることができる。従って、リフタ５１の駆動源から伝わる振動によって、基板Ｗの端縁とリフタ５１の表面とが摺動してパーティクルが発生する現象を低減することが可能となる。同様に、図４に示すチャック５５を使用して基板Ｗを処理槽１１内に搬送する場合においては、チャック５５の長さを短くすることができ、基板搬送機構を軽量化することができる。また、チャック５５を短くできることから、基板Ｗの搬送時に発生するチャック５５の振動を低減して、基板Ｗの端縁とチャック５５の表面との摺動によるパーティクルの発生を低減することが可能となる。
【００３５】
再度図１を参照して、基板Ｗが処理槽１１内に搬送されれば、蓋部材１５を図１において実線で示す遮蔽位置に再度移動させる。
【００３６】
この状態で所定の時間が経過し、基板Ｗが純水による上昇流で洗浄されれば、供給ノズル１２よりの純水の供給を停止すると共に、電磁弁１９を開放する。これにより、処理槽１１内に貯留された純水は、比較的大径の排出口１４を通過して、ドレインに急速に排出される。また、これと並行して、純水供給路１６から純水ノズル２１を介して処理槽１１内の基板Ｗに純水を供給することにより、純水排出時の基板Ｗの乾燥を防止する。
【００３７】
この純水の排出時においては、基板Ｗは純水中に浸漬された状態から、純水の液面より上方に露出された状態となる。しかしながら、処理槽１１内は、窒素ガスノズル２３より供給された窒素ガスによりパージされているため、基板Ｗが酸素と接触することはない。従って、基板Ｗの表面に酸化膜が生ずることや、基板Ｗにパーティクルが付着することを有効に防止することが可能となる。
【００３８】
処理槽１１内の純水が全て排出されれば、再度、純水供給路１３から供給ノズル１２を介して処理槽１１内に純水を供給し、基板Ｗを純水の上昇流により洗浄する。このような動作を数回乃至十回程度繰り返す。また、基板Ｗを純水の上昇流で洗浄しているときに、処理槽１１よりオーバフロー部１８にオーバフローした純水の比抵抗値を比抵抗計２０で測定し、この比抵抗値が所定の値以上となれば、基板Ｗが十分に洗浄されたものと判断する。そして、蓋部材１５を開放位置に移動させると共に、図３に示すリフタ５１およびチャック５２、または、図４に示すチャック５５を使用して、基板Ｗを後段の基板乾燥装置に搬送する。
【００３９】
なお、上述した基板Ｗの洗浄処理時における窒素ガスノズル２３からの窒素ガスの供給量は、処理槽１１と蓋部材１５との間に形成される隙間の大きさ等に基づいて決定すればよい。例えば、図１に示す処理槽１１の場合においては、処理槽１１の外周に形成されたオーバフロー部１８の上端部と蓋部材１５の下面との隙間を１ｃｍとし、オーバフロー部１８の外周を１００ｃｍとした場合、窒素ガスノズル２３から処理槽１１内への窒素ガスの供給量は、毎分５０リットル以上とすることが好ましい。言い換えれば、処理槽１１と遮蔽部材としての蓋部材１５との間に形成される隙間の総面積１００平方ｃｍあたり毎分５０リットル以上とすることが好ましい。
【００４０】
また、この窒素ガスの単位時間当たりの供給量は、上述した純水の排出工程においては、排出口１４から排出される純水の単位時間当たりの排出量より大きな値とする必要がある。純水の排出工程において、窒素ガスの単位時間当たりの供給量が排出口１４からの純水の単位時間当たりの排出量より小さな値となった場合には、処理槽１１内に負圧が発生し、処理槽１１の外部に存在する気体が処理槽１１内に侵入してしまうためである。
【００４１】
上述した実施の形態においては、純水の排出工程において、処理槽１１内に純水と窒素ガスとを別々に供給しているが、これらを混合した状態で処理槽内に供給するようにしてもよい。図５はこのような実施形態に係る蓋部材１５付近の部分断面図であり、図６はその要部拡大図である。
【００４２】
この実施の形態においては、純水供給路１６と連通する連通路２２と窒素ガス供給路１７と連通する連通路２４とを、純水と窒素ガスとを混合して純水と窒素ガスの混合体を形成するための混合室２６に接続し、さらにこの混合室２６を混合体供給口としてのノズル２５に接続した構成を有する。
【００４３】
このような構成を採用した場合においては、混合室２６内において純水が窒素ガスにより細かい液滴にアトマイズされる。このため、基板Ｗに対して純水を均一に噴霧することが可能となる。
【００４４】
なお、このような構成を採用した場合において、基板Ｗに対して乾燥防止液としての純水を供給しない状態では、ノズル２５からは窒素ガスのみが噴出される。
【００４５】
このように、蓋部材１５にノズル２５を配設した構成を採用する場合においても、図２に示す実施形態の場合と同様、処理槽１１と蓋部材１５からなる上下方向のスペースを小さくすることができ、基板洗浄装置１全体が大型化することを防止することが可能となる。また、処理槽１１に貯留される純水の液面と蓋部材１５の下面との距離を小さくすることが可能となるので、図２に示す実施形態の場合と同様、処理槽１１内に供給する窒素ガスの量をより少なくすることが可能となる。
【００４６】
また、図２に示す実施形態の場合と同様、図３に示すリフタ５１およびチャック５２を使用して基板Ｗを処理槽１１内に搬送する場合においては、リフタ５１の昇降距離を小さくすることができる。このため、リフタ５１の駆動源から伝わる振動によって、基板Ｗの端縁とリフタ５１の表面とが摺動してパーティクルが発生する現象を低減することが可能となる。同様に、図４に示すチャック５５を使用して基板Ｗを処理槽１１内に搬送する場合においては、チャック５５の長さを短くすることができ、基板搬送機構を軽量化することができる。また、チャック５５短くできることから、基板Ｗの搬送時に発生するチャック５５の振動を低減して、基板Ｗの端縁とチャック５５の表面との摺動によるパーティクルの発生を低減することが可能となる。
【００４７】
図７は、この基板洗浄装置１を、他の薬液処理装置等と共に列設することにより、基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの平面概要図である。
【００４８】
この基板処理ユニットは、基板Ｗに対してＳＣ１と呼称されるアンモニアと過酸化水素を使用した薬液処理を行う薬液処理装置３と、フッ酸を使用した薬液処理を行う薬液処理装置４と、ＳＣ２と呼称される塩酸と過酸化水素を使用した薬液処理を行う薬液処理装置５と、基板乾燥装置７との間に、各々、上述した基板洗浄装置１を配設した構成を有する。
【００４９】
この基板処理ユニットにおいては、前段の処理工程から搬入された基板Ｗは、薬液処理装置３においてアンモニアと過酸化水素により薬液処理され、薬液処理装置３の右側に隣接する基板洗浄装置１において洗浄処理され、薬液処理装置４においてフッ酸により薬液処理され、薬液処理装置４の右側に隣接する基板洗浄装置１において洗浄処理され、薬液処理装置５において塩酸と過酸化水素により薬液処理され、薬液処理装置５の右側に隣接する基板洗浄装置１において洗浄処理され、さらに、基板乾燥装置７において乾燥処理されて搬出される。
【００５０】
このような基板処理ユニットにおいては、各薬液処理装置３、４、５の後に配設される基板洗浄装置１の構成を共通化することにより、基板処理ユニット全体の製造コストを削減することが可能となる。
【００５１】
図８は、上述した基板洗浄装置１を、他の薬液処理装置等と共に列設することにより、基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの他の実施形態を示す平面概要図である。
【００５２】
この基板処理ユニットにおいては、前段の処理工程から搬入された基板Ｗは、基板Ｗに対してＳＣ１と呼称されるアンモニアと過酸化水素を使用した薬液処理を行う薬液処理装置３により薬液処理され、基板洗浄装置１により洗浄処理され、フッ酸を使用した薬液処理を行う薬液処理装置４により薬液処理され、基板洗浄装置１により再度洗浄処理され、さらに、基板乾燥装置７により乾燥処理されて搬出される。
【００５３】
このような基板処理ユニットにおいては、各薬液処理装置３、４による薬液処理後の洗浄処理を単一の基板洗浄装置１により実行することで、基板処理ユニットの占有面積を最小化し、また、基板処理ユニット全体の製造コストを削減することが可能となる。
【００５４】
次に、この発明の他の実施の形態について説明する。図９はこの発明の第２実施形態に係る基板洗浄装置２の概要図である。なお、上述した第１実施形態と同一の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００５５】
この第２実施形態に係る基板洗浄装置２は、基板Ｗの洗浄処理のみならず、基板Ｗの薬液処理をも行うものである。すなわち、この基板洗浄装置２においては、処理槽１１内に純水を供給するための純水供給路１３中に、この純水供給路１３を通過する純水中に薬液を混合するための薬液混合部３１を配設した点が、上述した第１実施形態に係る基板洗浄装置１とは異なる。
【００５６】
この薬液混合部３１は、複数の薬液導入弁３２、３３、３４を介して、各々異なる薬液を貯留する図示しない薬液タンクと接続されている。このため、各薬液導入弁３２、３３、３４を選択的に開放することにより、純水供給路１３を通過する純水中に必要な薬液を混合し、この純水と薬液との混合物を供給ノズル１２を介して処理槽１１中に供給することが可能となる。従って、単一の処理槽１１中において、基板Ｗに対する複数種の薬液を使用した薬液処理を実行することが可能となる。
【００５７】
この基板洗浄装置２を利用して基板Ｗの薬液処理と洗浄処理を行う場合においては、薬液混合部３１により最初の薬液を純水中に混合して処理槽１１に供給し、基板Ｗを処理槽１１に貯留された薬液と純水との混合液中に浸漬することにより、基板Ｗに対する薬液処理を実行する。そして、基板Ｗに対する最初の薬液での薬液処理が終了すれば、純水中への薬液の混合を停止すると共に、上述した第１実施形態の場合と同様の動作により、基板Ｗの洗浄処理を実行する。
【００５８】
基板Ｗの洗浄処理が終了すれば、薬液混合部３１により次の薬液を純水中に混合して処理槽１１に供給し、基板Ｗを処理槽１１に貯留された薬液と純水との混合液中に浸漬することにより、基板Ｗに対する第２の薬液処理を実行する。そして、基板Ｗに対する次の薬液での薬液処理が終了すれば、純水中への薬液の混合を停止すると共に、再度、基板Ｗの洗浄処理を実行する。
【００５９】
このような動作を繰り返すことにより、基板Ｗに対する複数の薬液を利用しての薬液処理と洗浄処理とを、処理槽１１内で実行することができる。このため、基板Ｗに対して複数の薬液を使用した薬液処理と洗浄処理とを単一の処理槽１１内で実行することが可能となることから、これらの処理を実行するための基板処理装置２の占有面積を最小化し、また、その製造コストを削減することが可能となる。
【００６０】
図１０は、３個の基板洗浄装置２を単一の基板乾燥装置７と共に列設することにより、基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの平面概要図である。
【００６１】
この基板処理ユニットにおいては、前段の処理工程から搬入された基板Ｗは、３個の基板洗浄装置２のいずれかにより、複数の薬液を使用した薬液処理と洗浄処理とを施され、基板乾燥装置７により乾燥処理されて搬出される。
【００６２】
図１１は、２個の基板洗浄装置２を、２個の高温薬液処理装置６と共に列設することにより、基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの他の実施形態を示す平面概要図である。
【００６３】
この基板処理ユニットにおいては、前段の処理工程から搬入された基板Ｗは、ＣＨＢ（ケミカル・ホット・バス）と呼称される高温薬液処理装置６において高温薬液処理された後、基板洗浄装置２により複数の薬液を使用した薬液処理と洗浄処理とを施され、基板乾燥装置７により乾燥処理された後、搬出される。
【００６４】
上述の基板洗浄装置は、処理槽１１内の雰囲気を窒素ガスによってパージしているので基板Ｗ上に不要な酸化膜が生じない。このため、シリコン製の基板にＳＣ１やＳＣ２による薬液処理を施した後、当該シリコン製の基板を洗浄処理するためには好適である。
【００６５】
また、シリコン製の基板にフッ酸等によるエッチング処理を施した場合はシリコン単体が露出しており、その表面が活性化している。このため表面に不要な酸化膜が生じ易い状態になっている。よって、このような、エッチング処理後のシリコン製の基板に対して洗浄処理をするためには上述の基板洗浄装置は特に好適である。
【００６６】
上述した第１、第２実施形態においては、いずれも、処理槽１１からの純水の急速排出時に、処理槽１１内に配置された基板Ｗに乾燥防止液として純水を供給しているが、オゾン含有水や電解イオン水、あるいは、界面活性剤と純水との混合液等の他の乾燥防止液を使用するようにしてもよい。
【００６７】
また、上述した第１、第２実施形態においては、いずれも、処理槽１１内に基板Ｗを搬入し、あるいは、処理槽１１内から基板Ｗを搬出するための開放位置と、処理槽１１の上部を覆う遮蔽位置との間を移動可能な蓋部材１５を、処理槽１５の上部を覆う遮蔽部材と兼用し、装置構成の簡易化を図っている。しかしながら、上記遮蔽部材と蓋部材１５とを個別に配設するようにしてもよく、蓋部材１５を省略するようにしてもよい。
【００６８】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、処理槽に純水を供給するための純水供給手段と、処理槽から純水を排出するための排出手段と、処理槽内の基板に純水を供給するための純水ノズルと、処理槽内に不活性ガスを供給するための不活性ガスノズルとを備えたことから、純水の排出時において処理槽内に不活性ガスを供給することにより、多量の純水を使用することなく、基板を清浄に洗浄処理することが可能となる。
【００６９】
また、処理槽の上部を覆う遮蔽部材を有することから、不活性ガスの外部への拡散を防止して、処理槽内を不活性ガスで充満させることが可能となり、基板をより清浄に洗浄処理することが可能となる。
【００７０】
さらに、遮蔽部材に配設された純水ノズルを有すると共に、遮蔽部材に配設された不活性ガスノズルを有することから、処理槽と遮蔽部材からなる上下方向のスペースを小さくすることができ、基板洗浄装置全体が大型化することを防止することが可能となる。また、処理槽に貯留される純水の液面と遮蔽部材の下面との距離を小さくすることが可能となるので、処理槽内に供給する不活性ガスの量をより少なくすることが可能となる。
【００７１】
請求項２に記載の発明によれば、遮蔽部材が開放位置と遮蔽位置との間を移動可能な処理槽の蓋部材から構成されることから、蓋部材の他に遮蔽部材を配設する必要がなく、装置構成を簡易化することが可能となる。
【００７２】
請求項３に記載の発明によれば、純水ノズルより供給される純水と不活性ガス供給手段より供給される不活性ガスとを混合する混合室と、混合室において混合された純水と不活性ガスの混合体を基板に供給するための混合体供給口とをそなえることから、混合室内において純水を不活性ガスにより細かい液滴にアトマイズすることができ、基板に対して純水を均一に噴霧することが可能となる。
【００７３】
請求項４に記載の発明によれば、処理槽内に基板を薬液処理するための薬液を供給する薬液供給手段をさらに備えることから、基板に対する薬液処理と洗浄処理とを単一の処理槽内で実行することができ、これらの処理を実行するための装置の占有面積を最小化することが可能となる。
【００７４】
請求項５に記載の発明によれば、処理槽の近傍にそこに貯留した薬液により基板を薬液処理するための薬液槽が配設されており、薬液槽において薬液処理された基板に対し処理槽において洗浄処理を行うことから、薬液処理後の基板を清浄に洗浄処理することが可能となる。
【００７５】
請求項６に記載の発明によれば、薬液槽においてエッチング処理された基板に対し処理槽において洗浄処理を行うことから、エッチング処理によりその表面が活性化された基板を清浄に洗浄処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施形態に係る基板洗浄装置１の概要図である。
【図２】蓋部材１５付近の部分断面図である。
【図３】基板搬送機構としてのリフタ５１およびチャック５２を示す説明図である。
【図４】基板搬送機構としてのチャック５５を示す説明図である。
【図５】他の実施形態に係る蓋部材１５付近の部分断面図である。
【図６】図５の要部拡大図である。
【図７】基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの平面概要図である。
【図８】基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの平面概要図である。
【図９】この発明の第２実施形態に係る基板洗浄装置２の概要図である。
【図１０】基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの平面概要図である。
【図１１】基板Ｗに一連の処理を行う基板処理ユニットの平面概要図である。
【符号の説明】
１、２            基板洗浄装置
３、４、５、６    薬液処理装置
７                基板乾燥装置
１１              処理槽
１２              供給ノズル
１３              純水供給路
１４              排出口
１５              蓋部材
１６              純水供給路
１７              窒素ガス供給路
１８              オーバフロー部
１９              電磁弁
２０              比抵抗計
２１              純水ノズル
２３              窒素ガスノズル
２５              ノズル
２６              混合室
５１              リフタ
５２、５５        チャック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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