(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの別個の光磁気層を有する記録媒体と、
波長λ＝６８０ｎｍの光ビームを発生する光源と、
前記光ビームを前記記録媒体の任意の１つの光磁気層に選択的にフォーカスするフォーカス手段と、
前記記録媒体からの戻り光ビームを受取り、該受取った戻り光ビームに応じたデータ信号を発生する光ビーム受取り手段とを備え、
前記記録媒体は、
屈折率ｎ＝１．５８のポリカーボネートの基板と、
前記基板上に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に設けられ、光ビームを透過させる厚さを有するＴｂＦｅＣｏの第１の光磁気層と、
前記第１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上に設けられた光ビーム透過層と、
前記光ビーム透過層上に設けられた第３の誘電体層と、
前記第３の誘電体層上に設けられたＴｂＦｅＣｏの第２の光磁気層と、
前記第２の光磁気層上に設けられた第４の誘電体層と、
を備え、
前記第１、第２、第３及び第４の誘電体層は屈折率ｎ＝２．０２５−ｊ０．０１の窒化シリコンであり、
前記第１の誘電体層は１６６（±λ／２ｎ）ナノメータ以下の厚さを有し、
前記第２の誘電体層は８０乃至１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第３の誘電体層は８０乃至２５０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第４の誘電体層は９０乃至２４０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部であることを特徴とする、光データ記憶装置。
【請求項２】
前記基板の側から前記光ビームが前記記録媒体に入射され、前記第１の光磁気層の厚さが４乃至１５ｎｍであることを特徴とする、請求項１記載の光データ記憶装置。
【請求項３】
前記光ビーム透過層は空気であることを特徴とする、請求項１記載の光データ記憶装置。
【請求項４】
２つの別個の光磁気層を有する記録媒体と、
波長λ＝６８０ｎｍの光ビームを発生する光源と、
前記光ビームを前記記録媒体の任意の１つの光磁気層に選択的にフォーカスするフォーカス手段と、
前記記録媒体からの戻り光ビームを受取り、該受取った戻り光ビームに応じたデータ信号を発生する光ビーム受取り手段とを備え、
前記記録媒体は、
屈折率ｎ＝１．５８のポリカーボネートの基板と、
前記基板上に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に設けられ、光ビームを透過させる厚さを有するＴｂＦｅＣｏの第１の光磁気層と、
前記第１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上に設けられた光ビーム透過層と、
前記光ビーム透過層上に設けられた第３の誘電体層と、
前記第３の誘電体層上に設けられたＴｂＦｅＣｏの第２の光磁気層と、
前記第２の光磁気層上に設けられた第４の誘電体層と、
を備え、
前記第１、第２、第３及び第４の誘電体層は屈折率ｎ＝２．０２５−ｊ０．０１の窒化シリコンであり、
前記第１の誘電体層は７８（±λ／２ｎ）ナノメータ以下の厚さを有し、
前記第２の誘電体層は２３乃至６４（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第３の誘電体層は８０乃至２５０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第４の誘電体層は９０乃至２４０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部であることを特徴とする、光データ記憶装置。
【請求項５】
前記基板の側から前記光ビームが前記記録媒体に入射され、前記第１の光磁気層の厚さが４乃至１５ｎｍであることを特徴とする、請求項４記載の光データ記憶装置。
【請求項６】
前記光ビーム透過層は空気であることを特徴とする、請求項４記載の光データ記憶装置。
【請求項７】
２つの別個の光磁気層を有する記録媒体と、
波長λ＝６８０ｎｍの光ビームを発生する光源と、
前記光ビームを前記記録媒体の任意の１つの光磁気層に選択的にフォーカスするフォーカス手段と、
前記記録媒体からの戻り光ビームを受取り、該受取った戻り光ビームに応じたデータ信号を発生する光ビーム受取り手段とを備え、
前記記録媒体は、
屈折率ｎ＝１．５８のポリカーボネートの基板と、
前記基板上に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に設けられ、光ビームを透過させる厚さを有するＴｂＦｅＣｏの第１の光磁気層と、
前記第１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上に設けられた光ビーム透過層と、
前記光ビーム透過層上に設けられた第３の誘電体層と、
前記第３の誘電体層上に設けられたＴｂＦｅＣｏの第２の光磁気層と、
前記第２の光磁気層上に設けられた第４の誘電体層と、
を備え、
前記第１、第２、第３及び第４の誘電体層は屈折率ｎ＝２．０２５−ｊ０．０１の窒化シリコンであり、
前記第１の誘電体層は９５乃至１７０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第２の誘電体層は８５乃至１５０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第３の誘電体層は８５乃至２５０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第４の誘電体層は１０５乃至２１５（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部であることを特徴とする、光データ記憶装置。
【請求項８】
前記基板の側から前記光ビームが前記記録媒体に入射され、前記第１の光磁気層の厚さが４乃至１５ｎｍであることを特徴とする、請求項７記載の光データ記憶装置。
【請求項９】
前記光ビーム透過層は光透過層であることを特徴とする、請求項７記載の光データ記憶装置。
【請求項１０】
２つの別個の光磁気層を有する記録媒体と、
波長λ＝６８０ｎｍの光ビームを発生する光源と、
前記光ビームを前記記録媒体の任意の１つの光磁気層に選択的にフォーカスするフォーカス手段と、
前記記録媒体からの戻り光ビームを受取り、該受取った戻り光ビームに応じたデータ信号を発生する光ビーム受取り手段とを備え、
前記記録媒体は、
屈折率ｎ＝１．５８のポリカーボネートの基板と、
前記基板上に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に設けられ、光ビームを透過させる厚さを有するＴｂＦｅＣｏの第１の光磁気層と、
前記第１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上に設けられた光ビーム透過層と、
前記光ビーム透過層上に設けられた第３の誘電体層と、
前記第３の誘電体層上に設けられたＴｂＦｅＣｏの第２の光磁気層と、
前記第２の光磁気層上に設けられた第４の誘電体層と、
を備え、
前記第１、第２、第３及び第４の誘電体層は屈折率ｎ＝２．０２５−ｊ０．０１の窒化シリコンであり、
前記第１の誘電体層は１６０（±λ／２ｎ）ナノメータ以下の厚さを有し、
前記第２の誘電体層は３５乃至１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第３の誘電体層は１１０乃至２１０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第４の誘電体層は２５乃至１２０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部であることを特徴とする、光データ記憶装置。
【請求項１１】
前記基板の側から前記光ビームが前記記録媒体に入射され、前記第１の光磁気層の厚さが４乃至１５ｎｍであることを特徴とする、請求項１０記載の光データ記憶装置。
【請求項１２】
前記光ビーム透過層は空気であることを特徴とする、請求項１０記載の光データ記憶装置。
【請求項１３】
前記光ビーム受取り手段は、前記２つの別個の光磁気層のそれぞれからの前記戻り光ビームに対して、その偏光成分の相対位相を調整する位相リターダを備えることを特徴とする、請求項１０に記載の光データ記憶装置。
【請求項１４】
前記位相リターダを調整し制御して、異なった種類の光磁気媒体に用いられる可変量の位相リターデイションを与えるコントローラを備えることを特徴とする、請求項１３記載の光データ記憶装置。
【請求項１５】
２つの別個の光磁気層を有する記録媒体と、
波長λ＝６８０ｎｍの光ビームを発生する光源と、
前記光ビームを前記記録媒体の任意の１つの光磁気層に選択的にフォーカスするフォーカス手段と、
前記記録媒体からの戻り光ビームを受取り、該受取った戻り光ビームに応じたデータ信号を発生する光ビーム受取り手段とを備え、
前記記録媒体は、
屈折率ｎ＝１．５８のポリカーボネートの基板と、
前記基板上に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に設けられ、光ビームを透過させる厚さを有するＴｂＦｅＣｏの第１の光磁気層と、
前記第１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上に設けられた光ビーム透過層と、
前記光ビーム透過層上に設けられた第３の誘電体層と、
前記第３の誘電体層上に設けられたＴｂＦｅＣｏの第２の光磁気層と、
前記第２の光磁気層上に設けられた第４の誘電体層と、
を備え、
前記第１、第２、第３及び第４の誘電体層は屈折率ｎ＝２．０２５−ｊ０．０１の窒化シリコンであり、
前記第１の誘電体層は１６０（±λ／２ｎ）ナノメータ以下の厚さを有し、
前記第２の誘電体層は３５乃至１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第３の誘電体層は８０乃至１３０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第４の誘電体層は１５０乃至１７０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である請求項１に記載の光データ記憶装置。
【請求項１６】
前記基板の側から前記光ビームが前記記録媒体に入射され、前記第１の光磁気層の厚さが４乃至１５ｎｍであることを特徴とする、請求項１５記載の光データ記憶装置。
【請求項１７】
前記光ビーム透過層は空気であることを特徴とする、請求項１５記載の光データ記憶装置。
【請求項１８】
前記光ビーム受取り手段は、前記２つの別個の光磁気層のそれぞれからの前記戻り光ビームに対して、その偏光成分の相対位相を調整する位相リターダを備えることを特徴とする、請求項１５に記載の光データ記憶装置。
【請求項１９】
前記位相リターダを調整し制御して、異なった種類の光磁気媒体に用いられる可変量の位相リターデイションを与えるコントローラを備えることを特徴とする、請求項１８記載の光データ記憶装置。
【請求項２０】
２つの別個の光磁気層を有する記録媒体と、
波長λ＝６８０ｎｍの光ビームを発生する光源と、
前記光ビームを前記記録媒体の任意の１つの光磁気層に選択的にフォーカスするフォーカス手段と、
前記記録媒体からの戻り光ビームを受取り、該受取った戻り光ビームに応じたデータ信号を発生する光ビーム受取り手段とを備え、
前記記録媒体は、
屈折率ｎ＝１．５８のポリカーボネートの基板と、
前記基板上に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に設けられ、光ビームを透過させる厚さを有するＴｂＦｅＣｏの第１の光磁気層と、
前記第１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上に設けられた光ビーム透過層と、
前記光ビーム透過層上に設けられた第３の誘電体層と、
前記第３の誘電体層上に設けられたＴｂＦｅＣｏの第２の光磁気層と、
前記第２の光磁気層上に設けられた第４の誘電体層と、
を備え、
前記第１、第２、第３及び第４の誘電体層は屈折率ｎ＝２．０２５−ｊ０．０１の窒化シリコンであり、
前記第１の誘電体層は１０乃至１４０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第２の誘電体層は２０乃至１３０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第３の誘電体層は１０５乃至２１０（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記第４の誘電体層は３０乃至１２５（±λ／２ｎ）ナノメータの範囲の厚さを有し、
前記ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部であることを特徴とする、光データ記憶装置。
【請求項２１】
前記基板の側から前記光ビームが前記記録媒体に入射され、前記第１の光磁気層の厚さが４乃至１５ｎｍであることを特徴とする、請求項２０記載の光データ記憶装置。
【請求項２２】
前記光ビーム透過層は光透過層であることを特徴とする、請求項２０記載の光データ記憶装置。
【請求項２３】
前記光ビーム受取り手段は、前記２つの別個の光磁気層のそれぞれからの前記戻り光ビームに対して、その偏光成分の相対位相を調整する位相リターダを備えることを特徴とする、請求項２０に記載の光データ記憶装置。
【請求項２４】
前記位相リターダを調整し制御して、異なった種類の光磁気媒体に用いられる可変量の位相リターデイションを与えるコントローラを備えることを特徴とする、請求項２３記載の光データ記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般には、光データ記憶装置に関し、特に複数のデータ面を有するデータ記憶装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光データ記憶装置は、ディスクに多量のデータを記憶する手段を与える。データは、レーザビームをディスクのデータ層にフォーカスし、反射光ビームを検出することによって、アクセスされる。種々の記憶装置が知られている。ＲＯＭ（読取り専用メモリ）装置においては、データは、ディスクの製造時にディスクにマークとして永久に埋込まれる。データは、データマーク上をレーザビームが通過するときの反射率の変化として検出される。ＷＯＲＭ（Ｗｒｉｔｅ  ＯｎｃｅＲｅａｄ  Ｍａｎｙ；１回書込み多数読取り）装置は、ユーザが、ピットのような永久マークを作製することによってデータを書込むことを可能にする。ディスクにデータが一旦記録されると、それを消去することはできない。ＷＯＲＭ装置のデータは、また、反射率の変化に応じて検出される。
【０００３】
消去可能な光装置も知られている。これらの装置は、レーザを用いてデータ層を限界温度以上に加熱して、データを書込みおよび消去する。光磁気記録装置は、データ層上のスポットの磁区を上向きまたは下向きに配向させることによって、データを記録し、記録されたマークを形成する。データは、低パワーのレーザをデータ層に照射することによって読取られる。データ層上の記録されたマークの磁区の磁化方向の差は、光ビームの偏光面を、一方向または他方向に、時計方向にまたは反時計方向に回転させる。次に、偏光方向のこの変化が検出される。
【０００４】
光ディスクの記憶容量を増大させるには、複数のデータ層装置が提案されている。２つ以上のデータ層を有する光ディスクは、レンズの焦点を変えることによって、異なる層において理論的にアクセスすることができる。この手法の例は、米国特許第５，２０２，８７５号明細書，米国特許第５，０９７，４６４号明細書、米国特許第４，４５０，５５３号明細書に開示されている。
【０００５】
複数データ面光磁気媒体を用いることの１つの問題は、光磁気材料の光吸収性が高いことである。複数データ面媒体は、上側データ層が光を下側データ層に通過させることを必要とする。光磁気材料は、高い割合で光を吸収する傾向があり、下側データ層が受けた少量の光は、弱いデータ信号を生じる。必要とされる装置は、下側データ層からも良好な信号を与え、すべてのデータ層に適切なレーザパワーで書込みおよび消去を可能とする光磁気複数データ面装置である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本願の目的は、光ディスク駆動機構と、複数データ面光磁気媒体とを備える光データ記憶装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明の好適な実施例においては、光データ記憶装置は、光ディスク駆動機構と、複数データ面光磁気媒体とを備えている。光磁気媒体は、基板と、基板上に設けられた第１の誘電体層と、第１の誘電体層上に設けられた第１の光磁気層と、第１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、第２の誘電体層上に設けられた透光層と、透光層上に設けられた第３の誘電体層と、第３の誘電体層上に設けられた第２の光磁気層と、第２の光磁気層上に設けられた第４の誘電体層と、第４の誘電体層上に設けられた反射層とから構成される。光磁気層および誘電体層の厚さは、光磁気層について信号対雑音比が高くなるように選ばれる。このことは、第１の光磁気層が、高い光透過性を有することを必要とする。というのは、第２の光磁気層は、第１の光磁気層に光を透過させることによって、読取られるからである。
【０００８】
この発明の特性および利点は、図面とともに以下の詳細な説明によって十分に理解されるであろう。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の光データ記憶装置の概略図であり、番号１０で示す。光データ記憶装置１０は、ディスク形状とするのが好適な光ディスク記録媒体１２を有している。記録媒体１２は、技術上周知のようにクランプ・スピンドル１４に取りはずし可能に設けられている。スピンドル１４はスピンドル・モータ１６に取付けられ、モータ１６は装置シャーシ２０に取付けられる。モータ１６は、スピンドル１４および記録媒体１２を回転する。
【００１０】
光ヘッド２２は、記録媒体１２の下側に配置される。光ヘッド２２は、アーム２４に取付けられ、アーム２４は、ボイスコイル・モータ２６のようなアクチュエータ装置に接続されている。ボイスコイル・モータ２６は、シャーシ２０に取付けられている。ボイスコイル・モータ２６は、アーム２４および光ヘッド２２を、記録媒体１２の下側で半径方向に移動させる。
【００１１】
図２（ａ）は、記録媒体１２の断面図である。記録媒体１２は、基板５０を有している。基板５０は、フェース・プレートまたはカバー・プレートとしても知られており、この基板からレーザ・ビームが記録媒体に入る。外径（ＯＤ）リム５２および内径（ＩＤ）リム５４は、基板５０と基板５６との間に取付けられている。基板５０は、ガラス，ポリカーボネート，または他のポリマ材料のような透光材料で作られる。基板５６は、基板５０に類似の材料で作ることができ、あるいは光が基板５６を通過しない実施例では光を透過しない材料で作ることができる。好適な実施例では、基板５０は、１．２ｍｍ厚さであり、基板５６は１．２ｍｍ厚さである。あるいはまた、基板５６は、０．２〜１．２ｍｍの厚さを有することができる。ＩＤリムおよびＯＤリムは、約５００μｍ厚さのプラスチック材料で作ることができる。あるいはまた、リムは２０〜１０００μｍの厚さを有することができる。
【００１２】
リムは、接着材，接合材，または他の接合方法によって、基板に取付けることができる。あるいはまた、リムを基板５０または５６に一体に形成することができる。正しい配置で、リムは基板間に環状スペース７８を形成する。スピンドル開口８０は、ＩＤリム５４の内側の記録媒体１２を通過する。複数の通路８２がＩＤリム５４内に設けられる。この通路は、開口８０とスペース７８とを接続し、スペース７８とディスク・ファイルの周囲環境（典型的には空気である）との間の圧力を等しくする。複数の低インピーダンス・フィルタ８４を、通路８２に取付けて、空気中の微粒子による汚染を防止する。フィルタ８４は、水晶またはガラスのファイバとすることができる。あるいはまた、通路８２およびフィルタ８４を、ＯＤリム上に設けることもできる。
【００１３】
基板５０はデータ面９０を有し、基板５６はデータ面９２を有している。データ面９０，９２は、それぞれ、以下に詳細に説明する光磁気データ層を有している。基板５０，５６は、光トラッキング溝またはマーク、および／またはフォト・ポリマ・プロセスまたはエンボス・プロセスによって、表面隣接データ面９０，９２にそれぞれ形成されたヘッダ情報を有している。あるいはまた、トラッキング・フィーチャを、基板またはデータ層内の記録マスクに形成されたピットとすることができる。
【００１４】
図２（ｂ）は、光記録媒体の他の実施例の断面図であり、１２０で示されている。光記録媒体１２の要素に類似の光記録媒体１２０の要素には、ダッシュを付した番号で示している。図２（ａ）の光記録媒体とは異なり、充実透明部材１２２がフェースプレート５０′と基板５６′とを分離している。好適な実施例では、透明部材１２２は光接合材で作られ、これはまた基板５０′と５６′とを一緒に保持するのに役立っている。透明部材１２２の厚さは、好適には約２０〜３００ミクロンである。光記録媒体１２０を、光データ記憶装置１０の記録媒体１２に置き換えることができる。データ面９０′，９２′は、光磁気データ層を有しており、後に詳細に説明する。
【００１５】
図２（ｃ）は、光記録媒体の他の実施例の断面図であり、１２４で示されている。光記録媒体１２または１２０の要素に類似の光記録媒体１２４の要素には、ツーダッシュを付した番号で示している。光記録媒体１２４は、前記２つの実施例におけるような、２つの別個の基板を用いずに、１つの基板５０″上に多層構造を形成している。データ面９０″，９２″は、充実層１２６で分離されている。充実層１２６は、データ面９０″上に積層あるいは堆積（フォト・ポリマまたはスピン・コーティングのような）によって形成される誘電透光層である。好適な実施例では、透光層１２６は、ポリカーボネイトのようなポリマ材料で作られる。透光層１２６の上面は、フォト・ポリマ・プロセスまたはエンボシングによって、その表面に形成された、トラッキング溝および／またはヘッダ情報を有している。次に、データ層９２″が、透光層１２６の上面に堆積される。次に、ポリマ材料の最終的な保護層が、データ面９２″上に堆積される。
【００１６】
図３は、光データ記録媒体１２の詳細な断面図である。記録媒体１２は、基板５０上に第１の誘電体層１３０を有している。誘電体層１３０は、窒化物，炭化物，酸化物のような、透明かつ化学的に安定な誘電体材料で作られる。好適な材料のいくつかは、ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯX である。誘電体層１３０上に第１の光磁気層１３２が、設けられている。光磁気層１３２は、光磁気材料で作られている。数種類の光磁気材料を用いることができる。１つの例は、少なくとも１つの希土類元素と少なくとも１つの遷移金属とを含有する混合物である。好適な例は、ＴｂＦｅＣｏのアモルファス合金である。あるいはまた、ＮｄまたはＰｒのような他の希土類元素が添加されたＴｂＦｅＣｏを用いることができる。他の種類の光磁気材料は、コバルト−貴金属系である。貴金属には、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕが含まれる。コバルト−貴金属系は、合金の形態、またはＣｏおよび貴金属の交互層よりなる多層系とすることができる。他の種類の光磁気材料は、ガーネット，ＭｎＢｉ，ホイスラ合金を含んでいる。第１の光磁気層１３２は、少なくとも３０％の光透過を許容する厚さとすることができる。希土類遷移金属を光磁気層１３２に用いる場合には、厚さは４ｎｍ〜１５ｎｍ（好適には１０ｎｍ）でなければならない。他の光磁気材料を、光磁気層１３２に用いることもでき、より大きい層厚を有することができるが、いずれにしても、少なくとも３０％の光透過を許容しなければならない。第２の誘電体層１３４は、光磁気層１３２上に設けられ、層１３０と同じ誘電体材料で作られるのが好適である。
【００１７】
誘電体１３４上はエアスペース７８であり、あるいは、記録媒体１２４の場合には、充実層１２６である。エアスペース７８上は、第３の誘電体層１４０である。誘電体層１４０は、層１３０と同じ材料で作るのが好適である。第２の光磁気層１４２が、誘電体層１４０上に設けられる。第２の光磁気層１４２は、層１３２と同じ材料で作られる。第２の光磁気層１４２の厚さは、１０ｎｍ〜１００ｎｍ（好適には２０ｎｍ）である。第４の誘電体層１４４が、第２の光磁気層１４２上に設けられる。誘電体層１４４は、層１３０と同じ材料で作るのが好適である。化学的に安定な反射層１４６が、誘電体層１４４上に設けられている。反射層１４６は、アルミニウム合金、または貴金属およびこれらの合金のような反射材料で作られ、基板５６が、反射層１４６上に設けられる。
【００１８】
好適な製造方法では、誘電体層１３０と光磁気層１３２と誘電体層１３４とは、基板５０上に連続的に堆積される。反射層１４６と誘電体層１４２と光磁気層１４０とは、基板５６上に連続的に堆積される。次に、基板５０と基板５６とが、図２（ａ）で示したように、リム５２，５４で組合される。図２（ｂ）の記録媒体１２０の場合、堆積された層を有する基板５０′，５６′は、光接合材によって互いに接着される。図２（ｃ）の記録媒体１２４の場合、すべての層が基板５０″上に連続的に堆積される。
【００１９】
データ面９０，９２について高い信号対雑音比を実現するためには、誘電体層１３０，１３４，１４０，１４４の厚さを、特定の値を有するように選ぶ必要がある。適切な厚さの範囲を、表１に示す。第１および第３のケースは、記録媒体１２に関するものである。第２および第４のケースは、共に、記録媒体１２０，１２４に関するものである。表１の第１および第２のケースの実施例は、位相リターダ（ｐｈａｓｅ  ｒｅｔａｒｄｅｒ）を有さない光ディスク駆動機構に用いられるように構成されている。表１の第３および第４のケースの実施例は、位相リターダを有する光ディスク駆動機構に用いることができる。光ディスク駆動機構を、以下に詳細に説明する。第１および第３のケースの各々は、２つの異なった実施例を有している。
【００２０】
高い信号対雑音構成は、また、表１に示される誘電体厚さ範囲に、λ／２ｎ（λはレーザの波長、ｎは誘電体層の屈折率である）に等しい距離を加算または減算することによって実現することができる。表１の計算において用いられているλ＝６８０ｎｍおよびｎ＝２．０（ＳｉＮの誘電体層について）に対して、λ／２ｎ＝１７０ｎｍである。この周期的干渉効果は、Ｔ．Ｗ．ＭｃＤａｎｉｅｌ，Ｋ．Ａ．Ｒｕｂｉｎ，Ｂ．Ｉ．Ｆｉｎｋｅｌｓｔｅｉｎによる文献“Ｏｐｔｉｍｕｍ  Ｄｅｓｉｇｎ  ｏｆ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｔｏｒａｇｅ  Ｍｅｄｉａ  Ｆｏｒ  Ｄｒｉｖｅ  Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ”，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．，Ｖｏｌ．３０，ｐ４４１３−４４１５，Ｎｏｖ．１９９４．に詳細に説明されている。
【００２１】
【表１】
0003671043.tif 000002
【００２２】
表１に示す最適な厚さは、ポリカーボネート基板（屈折率ｎ＝１．５８）、窒化シリコンの誘電体層（ｎ＝２．０２５−ｊ０．０１；ここにｊは−１の平方根に等しい）、ＴｂＦｅＣｏの光磁気層（ｎ+ ＝３．０６４−ｊ３．０７３，ｎ- ＝３．１９６−ｊ３．１８７；ここに、ｎ+ およびｎ- は、それぞれ１０ｎｍ厚の第１の光磁気層および２０ｎｍ厚の第２の光磁気層に対する、右まわりおよび左まわりの円偏光についての屈折率である）、アルミニウム反射層（ｎ＝１．７９−ｊ６．８１）を有する光記録媒体に対して選ばれた。光記録媒体は、波長６８０ｎｍのレーザを用いる光ディスク駆動機構に用いられた。最適な誘電体層の厚さは、光記録媒体からの最大戻り信号を得る誘電体層の厚さの値を計算することにより、決定された。標準的な光理論式を用いて、光記録媒体中の層の反射率，吸収率，透過率をそれぞれ決定し、および６８０ｎｍの正常入射光についての、光記録媒体から反射された光のカー回転角を決定する。光磁気層からの戻り光が、比較的大きいカー回転角および光強度を有する場合に、大きい信号が実現された。これらの標準的な光理論式の詳細は、Ｏ．Ｈｅａｖｅｎｓによる文献“Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  Ｏｆ  Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ”，Ａｃａｄｅｍｉｃ，Ｎ．Ｙ．，１９９５；Ｐ．Ｙｅｈによる文献“Ｏｐｔｉｃｓ  Ｏｆ  Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｌａｙｅｒｅｄ  Ｍｅｄｉａ：  ＡＮｅｗ  ４×４  Ｍａｔｒｉｘ  Ａｌｇｅｂｒａ”，Ｓｕｒｆ．Ｓｃｉ．，４１，１９８０；Ｍ．Ｍａｎｓｕｒｉｐｕｒによる文献“Ａｎａｌｙｓｉｓ  ＯｆＭｕｌｔｉｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ＣｏｎｔａｉｎｉｎｇＭａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃ  ａｎｄ  ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＭｅｄｉａ  Ａｔ  Ｏｂｌｉｑｕｅ  Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ  Ｕｓｉｎｇ  ２×２Ｍａｔｒｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓｉｃｓ，６４６６，１９９０；Ｋ．ＥｇａｓｈｉｒａおよびＴ．Ｙａｍａｄａによる文献“Ｋｅｒｒ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  Ａｎｄ  Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ  Ｏｆ  ＲｅａｄｏｕｔＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ  Ｉｎ  ＭｎＢ：  Ｆｉｌｍ  Ｍｅｍｏｒｙ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓｉｃ，３６４３，１９７４．に説明されている。
【００２３】
図４は、この発明の記録媒体の他の実施例の詳細な断面図であり、１５０で示されている。記録媒体１２の要素と類似の記録媒体１５０の要素には、ダッシュの付された番号によって示されている。記録媒体１５０は、どのようにしてこの発明の光磁気媒体を、２つの光磁気層よりもさらに多くの層に拡張できるかを示している。記録媒体１５０は、８つの光磁気層を示している。追加の中間基板１５２が加えられ、リム５２，５４に類似の追加のリムを用いて分離して、介在エアスペース７８′を形成する。
【００２４】
記録媒体１２０，１２４は、また、記録媒体１５０のように２つのデータ層よりもさらに多くの層に拡張することができる。このような場合、複数の層１２２または１２６を、基板１５２およびエアスペース７８′に代えて用いる。
【００２５】
図５は、光ヘッド２２および記録媒体１２の略図である。光ヘッド２２は、レーザダイオード２００を有している。レーザダイオード２００は、ガリウム・アルミニウム・インジウム・リン・ダイオードレーザとすることができ、これは約６８０ｎｍ波長の１次光ビーム２０２を発生する。光ビーム２０２は、レンズ２０３によりコリメートされ、サーキュラライズ・プリズムとすることのできるサーキュラライザ２０４によってサーキュライズされる。光ビーム２０２は、ビームスプリッタ２０５に達する。ビーム２０２の一部は、ビームスプリッタ２０５により、フォーカスレンズ２０６および光検出器２０７に反射される。光検出器２０７は、光ビーム２０２のパワーをモニタするために用いられる。残りの光ビームは、ミラー２０８に達し、反射される。次に、光ビーム２０２は、フォーカスレンズ２１０および複数データ面収差補償器２１２を通過して、記録媒体１２のデータ面の１つ（図示のような面９２）上にフォーカスされる。レンズ２１０は、ホルダ２１４に取付けられている。ホルダー２１４の位置は、ボイスコイル・モータとすることのできるフォーカス・アクチュエータ・モータ２１６によって記録媒体１２に対して調整される。
【００２６】
光ビーム２０２の一部は、データ面で反射され、反射ビーム２２０となる。反射ビーム２２０は、収差補償器２１２およびレンズ２１０を戻り、ミラー２０８で反射される。ビームスプリッタ２０５で、光ビーム２２０は、複数データ面フィルタ２２２に反射される。光ビーム２２０は、位相リターダ２２３に達する。好適な実施例では、位相リターダ２２３は、光記録媒体から反射された光のＳ偏光成分とＰ偏光成分との間に位相シフトを発生させる複屈折結晶である。位相シフトの相対量は、複屈折結晶を光に対して所望の角度に傾け、結晶に入射する楕円偏光が、結晶から出射する直線偏光に変換されるように、調整される。これは、戻り光ビームのカー効果を最適化し、記録データを読取るための最大信号の実現を助ける。位相リターダの詳細は、刊行物“Ｏｐｔｉｃｓ”，Ｅ．ＨｅｃｈｔおよびＡｌｆｒｅｄ  Ｚａｊａｃ著，Ａｄｄｉｓｏｎ−Ｗｅｓｌｅｙ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏｍｐａｎｙ，（１９７５），ｐ２４６．に説明されている。位相リターダ２２３は、戻り信号が最適になるように、戻り信号の位相を調整する。駆動機構が、この発明の複数データ面光磁気ディスクと、従来技術の光磁気単一層媒体との両方と、協働することのできるように、位相リターダ２２３を調整するのが望ましい。位相リターダは、また、複数データ層ディスクの信号を最大にするのに必要な一定のリターデイションを有することができ、位相リターデイションを必要としない標準単一データ層ディスクに対する光路から移動させることができる。
【００２７】
ビーム２２０は、位相リターダ２２３からビームスプリッタ２２４へ達する。ビームスプリッタ２２４では、ビーム２２０の第１部分２３０が、非点収差レンズ２３２および４分割光検出器２３４に送られる。ビームスプリッタ２２４では、ビーム２２０の第２部分２３６が、半波長板２３８を経て偏光ビームスプリッタ２４０に送られる。ビームスプリッタ２４０は、光ビーム２３６を、第１の直交偏光成分２４２と第２の直交偏光成分２４４とに分割される。レンズ２４６は、光２４２を光検出器２４８にフォーカスし、レンズ２５０は、光２４４を光検出器２５２にフォーカスする。
【００２８】
複数データ面収差補償器２１２、複数データ面フィルタ２２２、複数データ面光データ記憶装置の一般的な動作は、米国特許第５，３０２，８７５号明細書に詳細に説明されている。
【００２９】
図６は、４分割光検出器２３４の上面図である。検出器２３４は、４つの同じ部分２３４Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに分割されている。
【００３０】
図７は、チャンネル回路２６０の回路図を示している。回路２６０は、データ回２６２，フォーカスエラー回路２６４、トラッキングエラー回路２６６を備えている。データ回路２６２は、検出器２４８に接続された増幅器２７０と、検出器２５２に接続された増幅器２７２とを有している。増幅器２７０，２７２は、ダブルポール・ダブルスロー電子スイッチ２７４に接続されている。スイッチ２７４は、加算増幅器２７６および差動増幅器２７８に接続されている。
【００３１】
回路２６４は、検出器部分２３４Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄにそれぞれ接続された複数の増幅器２８０，２８２，２８４，２８６を有している。加算増幅器２８８は、増幅器２８０，２８４に接続され、加算増幅器２９０は、増幅器２８２，２８６に接続されている。差動増幅器２９２は、加算増幅器２８８，２９０に接続されている。
【００３２】
回路２６６は、１対の加算増幅器２９４，２９６と、差動増幅器２９８とを備えている。加算増幅器２９４は、増幅器２８０，２８２に接続され、加算増幅器２９６は、増幅器２８４，２８６に接続されている。差動増幅器２９８は、ダブルポール・ダブルスロー電子スイッチ２９７を経て加算増幅器２９４，２９６に接続されている。スイッチ２９７は、増幅器２９８への入力を反転させる働きをする。
【００３３】
図８は、この発明のコントローラ装置のブロック図であり、３００で示されている。フォーカスエラー信号（ＦＥＳ）ピーク検出器３１０は、フォーカスエラー信号回路２６４に接続されている。トラックエラー信号（ＴＥＳ）ピーク検出器３１２は、トラッキングエラー信号回路２６６に接続されている。コントローラ３１４は、検出器３１０、検出器３１２、検出器２０７、回路２６２，２６４，２６６に接続されている。コントローラ３１４は、マイクロプロセッサに基づいたディスク駆動コントローラである。コントローラ３１４は、また、レーザ２００、ヘッドモータ２６、スピンドルモータ１６、フォーカスモータ２１６、スイッチ２７４，２９７、収差補償器２１２、位相リターダ２２３に接続されている。
【００３４】
図９は、位相リターダ２２３の詳細な側面図である。位相リターダ２２３は、１対の複屈折結晶４００，４０２よりなる。２つの結晶４００，４０２は、透明な光接合材によって互いに接合されている。結晶４００は、その光学軸４１０（結晶の軸）を図示のように垂直に向くようにして、配列される。結晶４０２は、その光学軸４１２を図９の面に垂直にするように配列される。
【００３５】
リターダ２２３の中心は、回転軸４２０を有し、この軸は、フィルタ２２２からの光ビームの軸に垂直である。リターダ２２３は、軸４２０の周りに角度θ回転する。リターダは、θが０°のとき、フィルタ２２２からの光に垂直な外面４３０，４３２を有している。リターダ２２３の全厚さは、次のように選ばれる。すなわち、フィルタ２２２からの光が、θが０°の場合に、リターダ２２３を通過するときに、０°の位相シフトを受けるようにする。好適な実施例では、結晶４３０は１ｍｍ厚さであり、結晶４３２は１ｍｍ厚さであり、全体の厚さは２ｍｍである。
【００３６】
図１０は、リターダ２２３の正面図である。リターダ２２３は、軸４２０に沿って配列されたシャフト４４０に接続されている。回転モータ４４２は、シャフト４４０に連結され、リターダ２２３を軸４２０の周りに回転させる。モータ４４２は、コントローラ３１４に接続され、これにより制御される。
【００３７】
動作中、コントローラ３１４は、リターダ２２３を調整して、用いられる光磁気媒体の各種類に対して、適切な角度を有するようにする。角度θは、フィルタ２２２からの楕円偏光が、ビームスプリッタ２２４に達するときに直線偏光に変換されるように、調整される。例えば、表１に記載された記録媒体１２に対して、９０°の位相シフトは、θを１７°に設定することによって実現され、６５°の位相シフトは、θを１４°に設定することによって実現される。従来技術の単一の光磁気層媒体に対し、θは０°に設定される。
【００３８】
以上により、光データ記録装置１０の一般的な動作は、理解することができる。コントローラ３１４は、モータ１６にディスク１２を回転させ、モータ２６にヘッド２２をディスク１２の下側の適切な位置に移動させる。図５を参照すると、レーザ２００が付勢されて、ディスク１２からデータを読取る。光ビーム２０２は、レンズ２１０によってデータ面９２上にフォーカスされる。反射ビーム２２０が戻され、ビーム２３０，２４２，２４４に分割される。光ビーム２３０は、検出器２３４で検出され、フォーカスおよびトラッキング・エラー情報を与えるために用いられる。光ビーム２４２，２４４は、検出器２４８，２５２でそれぞれ検出され、データ信号を与えるために用いられる。コントローラ３１４は、前述したように、リターダ２２３をセットして、用いられる記録媒体の種類に対して、最適なデータ信号を実現する。
【００３９】
図６を参照すると、光ビーム２０２がデータ面９６に正確にフォーカスすると、光ビーム２３０は、検出器２３４上で円形断面３５０を有する。このことは、回路２６４に、零フォーカスエラー信号を出力させる。光ビーム２０２が、一方向あるいは他方向にわずかにフォーカスがずれると、光ビーム２３０は検出器２３４上で、長円形パターン３５２または３５４となる。このことは、回路２６４に、正または負のフォーカスエラー信号を出力させる。コントローラ３１４は、フォーカスエラー信号を用いて、モータ２１６を制御し、零フォーカス信号が得られるまで、レンズ２１０を移動させる。
【００４０】
光ビーム２０２が、データ面のトラック上に正確にフォーカスすると、光ビーム２３０が、検出器部分Ａ，Ｂと検出器部分Ｃ，Ｄとの間で等しい円断面３５０となる。記録媒体１２のデータ面９０，９２は、技術上知られているように、円形またはスパイラル状の溝を有している。光ビームがトラックからずれると、光ビームはこれらトラッキング溝の１つの境界上に照射される。その結果、光ビームが回折して、断面３５０が上または下に動く。検出器部分Ａ，Ｂが、より多くの光を受けると、部分Ｃ，Ｄの受ける光は少なく、逆に、検出器部分Ｃ，Ｄが、より多くの光を受けると、部分Ａ，Ｂの受ける光は少なくなる。
【００４１】
逆に、トラッキングエラー信号は、コントローラ３１４によって用いられる、ボイスコイル・モータ２６を使用してヘッド２２の位置を調整する。コントローラ３１４は、光ビームがトラック間のスペースとは対照のトラッキング溝を追跡するように、スイッチ２９７をセットすることができる。コントローラ３１４は、また、光ビーム２０２がデータ面９０にフォーカスするようにレンズ２１０を動かして、データをデータ面９０から読取らせる。複数データ層ディスク駆動機構の一般的な動作は、前記した米国特許明細書にさらに詳しく説明されている。
【００４２】
ディスク１２は、光データ面を有している。偏光方向を用いて、データを読取る。スイッチ２７４をセットして、増幅器２７８を接続する。検出器２４８，２５２で検出された直交偏光の差が、データ信号を与える。あるいはまた、ＲＯＭまたはＷＲＯＭタイプのデータ面を有する単一または複数のデータ面媒体を読取ることが必要なときに、反射率の変化によってデータが検出される場合に、コントローラ３１４がスイッチ２７４をセットして、増幅器２７６を接続することができる。
【００４３】
この発明の好適な実施例を詳細に説明したが、この発明の範囲から逸脱することなく、当業者であればこれら実施例に対し変更および適応を加えることができることは明らかである。
【００４４】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
（１）基板と、
前記基板上に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に設けられ、放射ビームを透過させる厚さを有する第１の光磁気層と、
前記第１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層上に設けられた放射線透過層と、
前記放射線透過層上に設けられた第３の誘電体層と、
前記第３の誘電体層上に設けられた第２の光磁気層と、
を備える光データ記憶装置。
（２）前記放射線透過層は、空気よりなる、上記（１）に記載の光データ記憶装置。
（３）前記放射線透過層は、充実透光材料よりなる、上記（１）に記載の光データ記憶装置。
（４）前記第２の光磁気層上に設けられた第４の誘電体層と、
前記第４の誘電体層上に設けられた反射層と、
をさらに備える、上記（１）に記載の光データ記憶装置。
（５）前記第１の誘電体層は、０〜１６６（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、８０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜２４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（４）に記載の光データ記憶装置。
（６）前記第１の誘電体層は、０〜７８（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、２３〜６４（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜２４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（４）に記載の光データ記憶装置。
（７）前記第１の誘電体層は、９５〜１７０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、８０〜１５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、１０５〜２１５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（４）に記載の光データ記憶装置。
（８）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、１１０〜２１０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、２５〜１２０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（４）に記載の光データ記憶装置。
（９）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、８０〜１３０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、１５０〜１７０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（４）に記載の光データ記憶装置。
（１０）前記第１の誘電体層は、１０〜１４０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、２０〜１３０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、１０５〜２１０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、３０〜１２５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（４）に記載の光データ記憶装置。
（１１）基板と、前記基板上に設けられた第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層上に設けられ、放射ビームを透過させる厚さを有する第１の光磁気層と、前記第１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、前記第２の誘電体層上に設けられた放射線透過層と、前記放射線透過層上に設けられた第３の誘電体層と、前記第３の誘電体層上に設けられた第２の光磁気層とを有する光データ記憶媒体と、
放射線ビームを発生する放射線源と、
前記放射線ビームを前記光データ記憶媒体に透過させる放射線透過デバイスと、
前記光データ記憶媒体からの戻り放射線ビームを受取り、受取った放射線に応じたデータ信号を発生する放射線受取りデバイスと、
を備える光データ記憶装置。
（１２）前記放射線受取りデバイスは、位相リターダを有する、上記（１１）に記載の光データ記憶装置。
（１３）前記放射線透過層は、空気よりなる、上記（１１）に記載の光データ記憶装置。
（１４）前記放射線透過層は、充実透光材料よりなる、上記（１１）に記載の光データ記憶装置。
（１５）前記光データ記憶媒体は、前記第１の光磁気層上に設けられた第４の誘電体層と、前記第４の誘電体層上に設けられた反射層とをさらに備える、上記（（１１）に記載の光データ記憶装置。
（１６）前記第１の誘電体層は、０〜１６６（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、８０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜２４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１５）に記載の光データ記憶装置。
（１７）前記第１の誘電体層は、０〜７８（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、２３〜６４（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜２４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１５）に記載の光データ記憶装置。
（１８）前記第１の誘電体層は、９５〜１７０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、８０〜１５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、１０５〜２１５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１５）に記載の光データ記憶装置。
（１９）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、１１０〜２１０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、２５〜１２０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１５）に記載の光データ記憶装置。
（２０）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、８０〜１３０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、１５０〜１７０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１５）に記載の光データ記憶装置。
（２１）前記第１の誘電体層は、１０〜１４０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、２０〜１３０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第３の誘電体層は、１０５〜２１０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、３０〜１２５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１５）に記載の光データ記憶装置。
（２２）少なくとも２つの別個の光磁気データ層を有する光データ記憶媒体を収容するデバイスと、
放射線ビームを発生する放射線源と、
前記放射線ビームを前記光データ記憶媒体に透過させる放射線透過デバイスと、
前記光データ記憶媒体からの戻り放射線ビームを受取り、受取った放射線に応じたデータ信号を発生する放射線受取りデバイスとを備え、
前記放射線受取りデバイスは、戻りビームの偏光成分の相対位相を調整する位相リターダを有する、
光データ記憶装置。
（２３）前記位相リターダは、回転可能に設けられた１対の複屈折結晶を有する上記（２２）に記載の光データ記憶装置。
（２４）前記位相リターダを調整し制御して、異なった種類の光磁気媒体に用いられる可変量の位相リターデイションを与える、上記（２２）に記載の光データ記憶装置。
（２５）前記光データ記憶媒体を、前記放射線ビームに対して動かす駆動装置をさらに備える、上記（２２）に記載の光データ記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の光データ記憶装置の概略図である。
【図２】この発明の光データ記憶装置の断面図であり、（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ異なった光記録媒体を示している。
【図３】図２（ａ）の記録媒体の詳細な断面図である。
【図４】この発明の他の記録媒体の詳細な断面図である。
【図５】この発明の光ヘッドおよび記録媒体の略図である。
【図６】図５の光検出器の上面図である。
【図７】この発明のチャンネル回路の回路図である。
【図８】この発明のコントローラ回路のブロック図である。
【図９】図５の位相リターダの側面図である。
【図１０】図５の位相リターダの正面図である。
【符号の説明】
１０  光データ記憶装置
１２，１２０，１２４，１５０  光記録媒体
１４  スピンドル
１６  スピンドル・モータ
２０  シャーシ
２２  光ヘッド
２４  アーム
２６  ボイスコイル・モータ
５０，５６  基板
５２，５４  リム
７８  環状スペース
９０，９２  データ面
１２２  充実透明部材
１２６  充実透光層
１３０  誘電体層
１３２  光データ層
２００  レーザダイオード
２０２  光ビーム
２０３  レンズ
２０４  サーキュラライザ
２０５，２２４  ビームスプリッタ
２０６  フォーカスレンズ
２０７  光検出器
２０８  ミラー
２１０  レンズ
２１２  複数データ面収差補償器
２２０  反射ビーム
２２２  複数データ面フィルタ
２２３  位相リターダ
２３２  非点収差レンズ
２３４，２４８，２５２  光検出器
２３８  半波長板
２４０  偏光ビームスプリッタ
２６０  チャンネル回路
２６２  データ回路
２６４  フォーカスエラー回路
２６６  トラッキングエラー回路
３００  コントローラ装置
３１０  ＦＥＳピーク検出器
３１２  ＴＥＳピーク検出器
３１４  コントローラ
４００，４０２  複屈折結晶
４４０  シャフト
４４２  回転モータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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