(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面的に複数の配線基板形成部を有し、
前記配線基板形成部の境界で分断される混成集積回路装置製造用の基板シートであって、前記配線基板形成部の領域内または境界部分には、混成集積回路装置を構成するキャップを、前記キャップに設けられたフック部を用いて、前記配線基板形成部に取り付けるために使用される窪み部が設けられ、
前記配線基板形成部の主面には能動部品および受動部品を搭載する配線が設けられ、
前記配線基板形成部の裏面には外部電極となる電極端子が設けられていることを特徴とする基板シート。
【請求項２】
混成集積回路装置の製造方法であって、
（ａ）複数の配線基板形成部を有する基板シートを準備する工程と、
（ｂ）前記複数の配線基板形成部に能動部品および受動部品を搭載する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記複数の配線基板形成部に導電性キャップを取り付ける工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数の配線基板形成部の境界で前記基板シートを分割し、独立した複数の配線基板を形成する工程を含み、
前記複数の配線基板の裏面には外部接続用の複数の電極端子が形成され、
前記導電性キャップは、前記配線基板形成部への取り付け用のフック部を有し、
前記フック部はフック爪部を有し、
前記配線基板形成部の境界には、前記フック部を取り付けるための孔部が形成されていることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の混成集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程において、前記導電性キャップと前記配線基板形成部の取り付けには半田を用いないことを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の混成集積回路装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程の後、前記導電性キャップの外周縁は前記配線基板の外周縁に一致または前記配線基板の外周縁よりも内側に位置していることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置は高周波増幅回路を含み、
前記混成集積回路装置は移動通信機器に搭載されることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項２に記載の混成集積回路装置の製造方法であって、
前記混成集積回路装置の製造方法は、前記（ｄ）工程の後、さらに、
（ｅ）主面に複数のランドが形成された実装基板を準備する工程と、
（ｆ）前記配線基板を前記実装基板の主面上に実装する工程を含み、
前記（ｆ）工程において、前記配線基板の裏面に形成された電極と前記ランドが半田を介し電気的に接続されることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の混成集積回路装置の製造方法であって、
前記実装基板の主面にはグランド用のランドが形成され、
前記導電性キャップと前記グランド用のランドが半田を介し電気的に接続されていることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は低温焼成の配線基板を用いた表面実装型の混成集積回路装置およびその製造に用いる基板シートならびにその混成集積回路装置を組み込んだ電子装置に関し、特にセルラー電話機等の送信部に用いる小型の高周波電力増幅装置（高周波パワーモジュール：ＲＦパワーモジュール）に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車電話，携帯電話等の移動通信機器無線部に使用されるＲＦパワーモジュールは、金属製のフランジとキャップとによってパッケージが形成されている。また、前記パッケージの一側面から信号端子等の電極端子を突出させるとともに、パッケージの両端下部からグランド電極を兼ねた取付用フィンを突出させる構造となっている。
【０００３】
また、前記パッケージ内において、前記フランジ上には両面に導体を有する配線基板が固定されている。この配線基板は、誘電体基板の表面に回路パターンを設け、裏面にグランド（ＧＮＤ）パターンを設けた所謂マイクロストリップライン構造となっている。また、前記配線基板は、部分的に穴が設けられている。そして、前記穴底のフランジ部分には熱伝導性の良好なヒートシンクが固定されている。前記ヒートシンクには電界効果トランジスタからなる半導体チップが固定されている。
【０００４】
高周波パワーモジュール（高周波電力増幅用ＭＯＳ・パワーモジュール）については、日立評論社発行「日立評論」1993年第４号、同年４月25日発行、Ｐ12〜Ｐ26に記載されている。同文献には、幅２２ｍｍ，奥行き１２ｍｍ，高さ３．７ｍｍのＥ型の高周波パワーモジュールが開示されている。
【０００５】
また、ＶＣＯ，ＤＣ／ＤＣコンバータ等の高周波混成集積回路装置では、キャップは半田を介して基板に取り付けられている。ＶＣＯ，ＤＣ／ＤＣコンバータについては、株式会社「村田製作所」発行、カタログ、カタログ番号Ｋ１０−２、1996年４月２日発行、P487およびP710に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高周波パワーモジュールは、大別すると、金属製のフランジ（ヘッダ）と、このフランジ上に固定される配線基板と、前記配線基板に設けた穴を利用しかつ前記フランジに固定したヒートシンク上に固定される半導体チップと、前記フランジに固定され前記配線基板を覆うキャップと、前記配線基板に固定され先端を前記キャップの外に突出させる電極端子（リード）とからなっている。また、前記フランジの両端は部分的にキャップの外側に突出してグランド電極を兼ねた取付用フィンを構成している。
【０００７】
なお、前記配線基板の表面にはコンデンサ，抵抗，ツェナーダイオード等の電子部品が搭載されている。また、配線基板の表面の配線と前記半導体チップの電極とは導電性のワイヤで接続されている。
【０００８】
従来の高周波パワーモジュールの小型化，高性能化，低コスト化等を検討した結果、以下の事項が小型化，高機能化，低コスト化等を妨げるということが判明した。
【０００９】
（１）配線基板は、誘電体基板の表面に信号配線や電源配線等の回路パターンを設け、裏面にグランド（ＧＮＤ）パターンを設けたマイクロストリップライン構造となっている。これは、配線基板の作製後、抵抗をトリミングしたり、線路幅の調整を行って特性の調整を行うためである。しかし、誘電体基板の一面に信号配線を形成するマイクロストリップライン構造では、所望の電気特性を得るために、信号配線の引き回し長さが長いことから、配線基板が大型化し、この配線基板を内蔵するパッケージが大きくなり、高周波パワーモジュールの小型化が妨げられている。
【００１０】
（２）フランジ上に配線基板を固定し、さらにキャップで覆う構造となるため、パッケージの高さが大きくなり、高周波パワーモジュールの小型化が妨げられている。
【００１１】
（３）フランジの両端の一部は、キャップの外側に突出してグランド電極を兼ねた取付用フィンを構成することから高周波パワーモジュールが大型化する。したがって、実装面積も大きくなる。
【００１２】
（４）パッケージ（キャップ）の一側面から長くリードを突出させることから高周波パワーモジュールが大型化する。したがって、実装面積も大きくなる。
【００１３】
（５）半導体チップの表面と、配線基板の配線面の高さが異なるため、半導体チップの電極と配線を接続するワイヤが長くなる。また、半導体チップは、配線基板に設けた穴の底部分のフランジに固定されたヒートシンク上に固定されるため、半導体チップの電極と配線との間隔が長くなり、ワイヤが長くなる。ワイヤが長くなると抵抗が増大し高周波特性が低くなる。例えば出力ゲインが小さくなる。
【００１４】
（６）配線基板は誘電体基板で形成されているため、発熱量の大きい半導体チップを直接配線基板に搭載することができないため、配線基板に穴を設け、この穴底の金属製のフランジ部分に熱伝導性の良好なヒートシンクを固定し、このヒートシンクに半導体チップを固定する構造となるため、部品点数の増大と、組立工数の増大から高周波パワーモジュールのコストの高騰を招いている。
【００１５】
（７）支持部材，放熱部材，グランド電極を兼ねるフランジを配線基板に固定する構造となっていることから、部品点数が増大する。
【００１６】
（８）高周波パワーモジュールの実装のため、フランジの一部を成形して取付用フィンを形成しているが、成形のため各取付用フィンの実装面高さがばらつきやすくなり、実装の信頼性を損なうこともある。
【００１７】
そこで、本出願人はこれらの問題を解消するために、既に混成集積回路装置を提案（特願平7-268354号公報、平成７年10月17日出願）している。
【００１８】
本発明は前記出願の混成集積回路装置の更なる改良に関するものである。
【００１９】
一方、ＶＣＯ，ＤＣ／ＤＣコンバータ等の高周波混成集積回路装置では、配線基板に直にキャップを取り付ける場合、半田による取り付けを行っているため、工数の増大から混成集積回路装置のコストの高騰を招いている。
【００２０】
本発明の目的は、実装状態でキャップが安定したシールド体として作用する小型の混成集積回路装置およびその製造方法を提供することにある。
【００２１】
本発明の他の目的は、製造コストの低減が達成できる混成集積回路装置を提供することにある。
【００２２】
本発明の他の目的は、組立加工効率の良い混成集積回路装置製造用の基板シートを提供することにある。
【００２３】
本発明の他の目的は、特性が安定する電子装置を提供することにある。
【００２４】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００２６】
（１）混成集積回路装置は以下の構成になっている。
【００２７】
（ａ）配線基板と、前記配線基板の主面に組み込まれる少なくとも一つ以上の能動部品および受動部品と、前記配線基板の主面を覆うように配線基板に固定されるキャップと、前記配線基板の裏面に設けられた複数の電極端子とを有する混成集積回路装置であって、前記キャップはキャップに設けられた係止部を介して前記配線基板に設けられた係止部に取り付けられており、かつ導電性の接合材で接続されていない構成になっている。
【００２８】
（ｂ）前記配線基板の係止部は配線基板の側面に設けられた窪み部分や配線基板主面に設けられた孔部分で形成された引っ掛かり部で構成され、前記キャップの係止部はキャップの下面から突出し前記引っ掛かり部に引っ掛けられるフックで構成されている。
【００２９】
（ｃ）前記キャップおよび前記キャップに設けられるフックはシールド体を形成するように全体が導電体（金属体）で形成されているとともに、前記フックは混成集積回路装置の電極端子を実装基板のランドに導電性の接合材の溶融によって固定する際、グランド用ランド部分に付着する接合材に接続されるように構成されている。
【００３０】
（ｄ）前記キャップの外周縁は前記配線基板の外周縁に一致または前記配線基板の外周縁よりも内側に位置している。
【００３１】
（ｅ）前記配線基板において、所定箇所の配線部分に配線基板の厚さ方向に他の配線に接続されない導体によるインピーダンス素子が設けられている。
【００３２】
（ｆ）前記能動部品として半導体チップが搭載されているとともに、前記半導体チップはその裏面にグランド電極が設けられ、このグランド電極を介して前記配線基板のグランド配線に接続されている。
【００３３】
（ｇ）前記配線基板には電界効果トランジスタを構成する半導体チップが回路的に多段に接続されて高周波パワーモジュールを構成している。
【００３４】
（２）混成集積回路装置の製造に用いる基板シートは以下の構成になっている。
【００３５】
（ａ）平面的に複数の配線基板形成部を有し、前記配線基板形成部の境界で分断される混成集積回路装置製造用の基板シートであって、前記配線基板形成部の領域内または境界部分には、混成集積回路装置を構成するキャップを前記配線基板形成部に取り付けるために使用される係止部が設けられ、かつ前記配線基板形成部の主面には能動部品および受動部品を搭載する配線が設けられ、裏面には外部電極となる電極端子が設けられている。
【００３６】
（ｂ）前記各配線基板形成部の回路は隣接する配線基板形成部との間で抵抗ループを構成しない回路構成になっている。
【００３７】
（ｃ）前記配線基板形成部において、所定箇所の配線部分に配線基板の厚さ方向に他の配線に接続されない導体によるインピーダンス素子が設けられている。
【００３８】
（３）混成集積回路装置を組み込んだ電子装置は以下の構成になっている。
【００３９】
（ａ）主面に混成集積回路装置を固定するためのランドを有する実装基板と、前記ランドに裏面の電極端子を介して重なる混成集積回路装置とを有し、前記ランドと電極端子は導電性の接合材で固定されてなる電子装置であって、前記混成集積回路装置は能動部品や受動部品を搭載した配線基板と、前記能動部品や受動部品等を被うように配線基板の主面に固定されるキャップと、前記配線基板の裏面に設けられた電極端子とを有し、前記混成集積回路装置のキャップはキャップに設けられた係止部を介して前記配線基板に設けられた係止部に取り付けられ、かつ前記キャップおよび前記キャップに設けられる係止部はシールド体を形成すべく導電体で形成されているとともに、前記キャップの係止部は前記実装基板のグランド用のランド部分の接合材に接続されている。
【００４０】
（ｂ）前記配線基板の係止部は配線基板の側面に設けられた窪み部分で形成された引っ掛かり部で構成され、前記キャップの係止部はキャップの下面から突出し前記引っ掛かり部に引っ掛けられるフックで構成されている。
【００４１】
（ｃ）前記混成集積回路装置の配線基板において、所定箇所の配線部分に配線基板の厚さ方向に他の配線に接続されない導体によるインピーダンス素子が設けられている。
【００４２】
（ｄ）前記配線基板には電界効果トランジスタを構成する半導体チップが回路的に多段に接続されて高周波パワーモジュールを構成している。
【００４３】
前記（１）の手段によれば、
（ａ）高周波パワーモジュール（混成集積回路装置）は、電界効果トランジスタ等の能動部品や受動部品を主面に組み込んだ配線基板と、この配線基板の主面側に固定されたキャップとによって形成された矩形体構造となっていることから、従来のようにパッケージからリードを突出させたり、取付用フィンを突出させないため小型になる。
【００４４】
（ｂ）前記キャップは、接合材を用いることなくキャップに設けられた係止部を介して前記配線基板に設けられた係止部に取り付けられる構造となるため、その製造において組み立てが容易になる。特に、前記配線基板の係止部は引っ掛かり部で構成され、前記キャップの係止部はキャップの下面から突出し前記引っ掛かり部に引っ掛けられるフックで構成されているので、キャップの取り付けが容易になる。これにより、その製造において、接合材による固定作業が不要になることから、製造コストの低減が達成できる。
【００４５】
（ｃ）前記キャップおよびフックは金属体で形成されているとともに、前記フックは混成集積回路装置の電極端子を実装基板のランドに導電性の接合材の溶融によって固定する際、グランド用ランド部分に付着する接合材に接続されるように構成されていることから、実装基板に実装した場合、キャップのシールド効果が安定する。
【００４６】
（ｄ）前記キャップの外周縁は前記配線基板の外周縁に一致または前記配線基板の外周縁よりも内側に位置していることから、混成集積回路装置の小型化が図れる。
【００４７】
（ｅ）前記配線基板の所定箇所には導体によるインピーダンス素子が設けられていることから、配線基板に特性インピーダンス整合用の電子部品を搭載することなく特性インピーダンスの整合がとれる。
【００４８】
（ｆ）前記半導体チップの裏面はグランド電極となり、このグランド電極を介して配線基板のグランド配線に接続されていることから、半導体チップのグランド電極となる電極部分のインダクタンスが小さくなり、高周波性能が向上する。たとえば、半導体チップの裏面がソース電極の場合、ソースインダクタンスが小さくなり、高周波性能が向上する。
【００４９】
前記（２）の手段によれば、
（ａ）基板シートの各配線基板形成部にキャップを取り付けることができるので、基板シートに能動部品や受動部品を組み込みかつキャップを取り付けた後基板シートを分断することができ、組立のライン化が可能となる。
【００５０】
（ｂ）前記各配線基板形成部の回路は隣接する配線基板形成部との間で抵抗ループを構成しない回路構成になっていることから、能動部品や受動部品を組み込んだ後、基板シートの状態で抵抗のトリミングを行うことができる。
【００５１】
（ｃ）前記配線基板形成部において、所定箇所の配線部分に配線基板の厚さ方向に他の配線に接続されない導体によるインピーダンス素子が設けられていることから、配線基板形成部に特性インピーダンス整合用の電子部品を搭載することなく特性インピーダンスの整合がとれる。
【００５２】
前記（３）の手段によれば、
（ａ）実装基板に実装された高周波パワーモジュール（混成集積回路装置）のキャップはシールド体となるとともに、フックを介して実装基板のグランド用ランド部分に導電性の接合材を介して接続されるため、混成集積回路装置部分のシールド効果は安定し、高周波特性に優れた電子装置になる。
【００５３】
（ｂ）前記高周波パワーモジュールの配線基板には、導体によるインピーダンス素子が設けられていることから、実装基板に実装された状態において接続される他の配線との間の特性インピーダンスの整合がとれ、高周波特性に優れた電子装置になる。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００５５】
なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００５６】
図１乃至図７は本発明の実施形態１である高周波パワーモジュールに係わる図であって、図１は高周波パワーモジュールの外観を示す斜視図、図２は一部を切り欠いた状態の斜視図、図３は断面図、図４は一部の断面図、図５は配線基板とキャップの取付部分を示す一部の分解斜視図である。また、図６はキャップを取り外した高周波パワーモジュールを示す平面図、図７は高周波パワーモジュールの等価回路図である。
【００５７】
本実施形態の１混成集積回路装置（高周波パワーモジュール）１は、図１乃至図３に示すように、板状の配線基板２の主面（上面）にキャップ４が重ねられ、外観的には偏平な矩形体構造になっている。
【００５８】
本実施形態１の高周波パワーモジュール１は、能動部品として、電界効果トランジスタを構成する半導体チップを回路的に多段に接続して、移動電話用の高周波パワーモジュールを構成している。この例では、半導体チップを回路的に２段に接続した高周波パワーモジュールとなっている。
【００５９】
本実施形態１の高周波パワーモジュール１は、キャップ４の外周縁が配線基板２の外周縁に一致するか、それよりも内側に位置するようになっている。
【００６０】
キャップ４は金属板を矩形箱状に絞り成形して、下面周縁に沿って突出した周壁３を有する構造となっている。また、図１乃至図５に示すように、キャップ４の両側中央の周壁３部分からはさらに突出するフック支持アーム１７が設けられている。このフック支持アーム１７の先端側の内側には、これも成形によって形成された突出するフック爪１８が設けられている。前記フック爪１８とフック支持アーム１７によって弾力的となるフック（係止部）１９が形成される。
【００６１】
なお、前記周壁３において、所定部分の突出長さが短くなり、この短辺部３４の先端は配線基板２の主面から所定の間隔を隔てて離れている。キャップ４は厚さ０．１ｍｍとなり、例えばメッキレスの洋白、あるいはニッケルメッキを施したリン青銅で形成され、半田に濡れ易くなっている。
【００６２】
前記配線基板２の両側中央部分には、前記フック支持アーム１７が入る窪み２８が設けられている。この窪み２８の底はさらに一部が窪み、その段差部分は前記フック爪１８が引っ掛けられる引っ掛かり部（係止部）２９を構成している。前記窪み２８により、フック爪１８が前記引っ掛かり部２９に引っ掛かった状態では、フック支持アーム１７は窪み２８の外に突出しない。
【００６３】
前記フック１９は前記フック支持アーム１７が金属体（金属板）で形成されていることから、フック１９に弾力的に作用する。また、前記キャップ４の周壁３の先端が配線基板２の主面に接触し、かつ配線基板２の裏面にフック爪１８が弾力的に引っ掛かることから、キャップ４を配線基板２にフック１９を介して取り付けると、キャップ４は配線基板２に確実に固定されることになる。また、フック１９は配線基板２に弾力的に作用していることから、キャップ４を容易に外すこともできる。
【００６４】
前記配線基板２およびキャップ４の係止部は他の構造でもよい。
【００６５】
また、後述するが、前記フック１９は高周波パワーモジュール１の裏面の電極端子を実装基板のランドに導電性の接合材（半田）の溶融によって固定する際、グランド用ランド部分に付着する接合材（半田）に濡れて接続されるように配置構成されている。また、この際、配線基板２の係止部、すなわち引っ掛かり部２９にはグランド配線が設けられており、このグランド配線部分も半田に濡れるようになっている。
【００６６】
高周波パワーモジュール１は、例えば、幅８ｍｍ，長さ１２．３ｍｍ，高さ２．５ｍｍとなり、従来のＥ型の高周波パワーモジュールの幅２２ｍｍ，奥行き１２ｍｍ，高さ３．７ｍｍに比較して大幅に小型となる。
【００６７】
一方、図１１に示すように、前記配線基板２の裏面には、複数の電極端子（外部端子）５が設けられている。電極端子５は配線基板２の両側にそれぞれ設けられ、配線基板２の長手方向に沿って一定ピッチで並び、一側（図中上側）では左から右に向かって入力端子（Ｐin）６，グランド端子（ＧＮＤ）７，グランド端子（ＧＮＤ）８，ゲートバイアス端子（Ｖg）９となる。また、他側（図中下側）では左から右に向かって出力端子（Ｐout）１０，グランド端子（ＧＮＤ）１１，グランド端子（ＧＮＤ）１２，電源端子（Ｖdd）１３となる。
【００６８】
前記入力端子６，ゲートバイアス端子９，出力端子１０，電源端子１３に対応する配線基板２の側面には、配線基板２の表面から裏面に至る部分に端面スルーホールが設けられている。これは、高周波パワーモジュール１を実装基板に実装する際、各電極端子が配線基板２の裏面の電極部分と側面の端面スルーホール２０部分で接続されて実装されることになり、確実な実装が行える。
【００６９】
以上のことから、本実施形態の高周波パワーモジュール１は、混成集積回路装置ではあるが、単体の半導体チップをパッケージ内に組み込んだＬＣＣ構造となり、製品の小型化が達成できる。
【００７０】
一方、図１１において４つのグランド端子（ＧＮＤ）７，８，１１，１２を区画するように延在するハッチング部分は、高周波パワーモジュール１を実装基板に実装する際使用される実装用接合材に濡れない材料で形成されたレジスト膜１４である。例えば、高周波パワーモジュール１は半田によって実装基板に実装されることから、前記レジスト膜１４は厚さ２０μｍ前後のソルダーレジスト膜となる。
【００７１】
前記レジスト膜１４はグランド配線を覆うように設けられている。したがって、配線基板２の裏面には、前記４つのグランド端子（ＧＮＤ）７，８，１１，１２が延在する領域と、レジスト膜１４とによって覆われる領域に亘って一体となるグランド（ＧＮＤ）配線１５（図３参照、図３ではレジスト膜１４は省略してある。）が延在することになる。これは、後述するが、信号配線および電源配線等を上下で誘電体層を介してグランド配線で挟む所謂ストリップライン構造とし、静電シールドを行うためである。
【００７２】
また、前記一体のグランド配線１５をレジスト膜１４で部分的に覆い、独立した複数のグランド端子７，８，１１，１２とすることは、各電極端子の面積差を余り大きくしないことにある。すなわち、高周波パワーモジュール１を半田実装した場合、各電極端子の面積差が極端に大きいと、半田の表面張力によって広い面積部分での高周波パワーモジュール１の浮き上がり高さが大きくなり、四方に設けられた小面積部分では、一部で接合不良が発生するおそれがある。そこで、本実施形態では、各電極端子の面積比率は最大でも２倍程度としてある。
【００７３】
また、一列に並ぶ電極端子において各電極端子を等しいピッチで配列することによって、セルフアライメントを促進する。また、半田ブリッジ等の実装不良も防止できる。
【００７４】
また、図１１において示す小丸は、高周波パワーモジュール１内で発生した熱を外部に伝達するサーマルビィア１６であり、同図では一部のみを示してある。サーマルビィア１６は、サーマルビィアホールに熱伝導性の良好な金属を充填した構造となっている。サーマルビィア１６は、例えば発熱量の大きい能動部品である半導体チップの下部に設けられている。
【００７５】
本実施形態１では、半導体チップ４４，４５はパワーＭＯＳＦＥＴを形成していて、裏面はグランドに接地されるソース電極（グランド電極）が設けられている。このグランド電極は配線基板２のグランド配線に半田からなる接合材４７によって固定される。パワーＭＯＳＦＥＴで発生した熱は前記サーマルビィア１６によって配線基板２の裏面に速やかに伝達され、配線基板２の外部端子５から実装基板に放散される。
【００７６】
配線基板２は、図２および図３に示すように、上段誘電体層（上段誘電体板）２５，中段誘電体層（中段誘電体板）２６，下段誘電体層（下段誘電体板）２７と誘電体層（誘電体板）を３段に重ねた構造となっている。
【００７７】
また、上段誘電体層２５の上面（露出面）には、図８に示すような配線パターン（第１層配線３０）が設けられている。また、前記上段誘電体層２５と中段誘電体層２６との間には図９に示すような配線パターン（第２層配線３１）が設けられ、前記中段誘電体層２６と下段誘電体層２７との間には図１０に示すような配線パターン（第３層配線３２）が設けられ、下段誘電体層２７の裏面（露出面）には図１１に示すような配線パターン（第４層配線３３）が設けられている。
【００７８】
配線基板２は、例えば、ガラスセラミックスを積層させた低温焼成の配線基板からなり、配線は高導電性金属、例えば銀系金属を使用している。すなわち、外層配線はＡｇ−Ｐｔを使用し、内装配線はＡｇを使用している。低温焼成は６００℃程度となり、融点の低いＡｇの使用が可能となる。Ａｇは抵抗値が低い高導電性金属となるため、高周波特性の向上が達成できる。
【００７９】
図８乃至図１１において、３５は信号配線、３６は電源配線、１５はグランド配線である。これにより、中段誘電体層２６と下段誘電体層２７との間の第３層配線３２は、中段誘電体層２６上の第２層配線３１と下段誘電体層２７の下の第４層配線３３がいずれもグランド配線１５となることから、ストリップライン構造となる。また、上段誘電体層２５上の第１層配線３０は上段誘電体層２５の下面にグランド配線１５となる第２層配線３１が設けられていることから、マイクロストリップライン構造となる。
【００８０】
内層の信号配線は上下を誘電体層を介して挟まれることから、静電シールドが可能となり、高周波特性が安定する。
【００８１】
また、上段誘電体層２５と中段誘電体層２６との間のグランド配線１５は、図１２に示すように、編み目（メッシュ）構造となっている。このため、編み目部分５５には、上段誘電体層２５と中段誘電体層２６の誘電体層が入り込み、グランド配線の上下の誘電体層の接合強度が高くなり、剥がれ難い配線基板２となる。
【００８２】
前記第１層配線３０，第２層配線３１，第３層配線３２，第４層配線３３の各配線は１０〜２０μｍ程度の厚さとなっている。そして、配線基板２全体の厚さは、例えば０．９ｍｍとなる。
【００８３】
一方、第１層配線３０，第２層配線３１，第３層配線３２，第４層配線３３の各配線は、図３に示すように、所望の誘電体層から所望の深さの誘電体層まで貫通延在するブラインド型ビィア４０や最上段の誘電体層から最下段の誘電体層まで貫通延在する貫通型ビィア４１、所望の誘電体層から最下段の誘電体層まで貫通延在するサーマルビィア１６によって電気的に接続されている。
【００８４】
また、本実施形態１では、導体によるインピーダンス素子２１が設けられている。このインピーダンス素子２１は、所定箇所の配線部分に配線基板２の厚さ方向に他の配線に接続されないビィアによって形成されている。これは平面的に設けられるスタブと同様にインダクタンスや容量として作用し、特性インピーダンスの整合の調整体となる。特に、周波数が１ＧＨｚ以上となる移動電話用の高周波モジュールにおいては、前記インピーダンス素子２１は高周波特性を安定化するのに効果がある。
【００８５】
前記インピーダンス素子形成用のビィア，ブラインド型ビィア４０，貫通型ビィア４１およびサーマルビィア１６はビィアホールにＡｇを充填させた構造となっている。
【００８６】
また、３枚の重なる上段誘電体層２５，中段誘電体層２６，下段誘電体層２７の両側面にも、半円弧断面の端面スルーホール２０が設けられ、下段誘電体層２７の第４層配線３３で形成される各外部端子５（入力端子６、グランド端子７，８，１１，１２、ゲートバイアス端子９、出力端子１０、電源端子１３）に接続されている。
【００８７】
前記上段誘電体層２５には、図３および図６に示すように、矩形の窪み４２，４３が設けられ、これら窪み４２，４３の底には半導体チップ４４，４５が固定されている。窪み４２，４３によって、半導体チップ４４，４５の図示しない上面の電極面と、配線面の高さは略同じ高さとなる。このため、半導体チップ４４，４５の電極と配線とを接続する導電性のワイヤ４６はその張り高さ（ループ）を低く形成できるため、短い長さで配線と半導体チップの電極を接続できることになり、抵抗の低減から高周波特性の向上が達成できる。例えば出力ゲインの向上を達成することができる。
【００８８】
他方、前記半導体チップ４５は、図３に示すように、グランド配線１５となる第２層配線３１に銀ペースト等の接合材４７を使用して固定される。また、半導体チップ４４，４５が固定される部分には、多数のサーマルビィア１６が設けられ、半導体チップ４４，４５から発生する熱を速やかに外部に伝達するようになっている。熱は、配線基板２の裏面のグランド配線１５およびレジスト膜１４を介して実装基板に放熱される。したがって、半導体チップ４４，４５は安定した動作する。
【００８９】
配線基板２の主面には、図６に示すように、能動部品としてパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｔ1，Ｔ2）を構成する半導体チップ４４，４５が組み込まれている。また、受動部品としてはチップ型の抵抗（Ｒ1〜Ｒ5）５１、チップ型のコンデンサ（Ｃ1〜Ｃ11）５２，バイパスコンデンサ（ＣＢ）５３が搭載されている。本実施形態１の高周波パワーモジュール１の等価回路は図７に示すようになっている。
【００９０】
また、図３に示すように、半導体チップ４４，４５、ワイヤ４６、一部の抵抗５１，コンデンサ５２，バイパスコンデンサ５３等は、レジン５４によって被覆されている。
【００９１】
なお、本実施形態１では、抵抗Ｒ1と抵抗Ｒ5がトリミングされて修正される。なお、トリミングは薄膜抵抗をトリミングするように構成してもよい。
【００９２】
本実施形態１では、電界効果トランジスタを２段に組み込んで、８００〜１０００ＭＨｚ、さらには１．４〜１．７ＧＨｚの携帯電話用の高周波パワーモジュールとすることができる。
【００９３】
つぎに、高周波パワーモジュール１の製造方法について説明する。
【００９４】
図１３乃至図１５は本実施形態１の高周波パワーモジュールの製造に係わる図であって、図１３は基板シートと組み込み部品の一部を示す分解斜視図、図１４は基板シートの配線基板形成部にキャップを取り付ける状態を示す一部の分解斜視図、図１５は基板シートの配線基板形成部にキャップを取り付けた状態を示す一部の斜視図である。
【００９５】
最初に、図１３に示すように、基板シート６０が用意される。この基板シート６０は、前記配線基板２を形成する配線基板形成部６１を平面的に複数配列したような構造になっている。本実施形態１では、前記配線基板形成部６１は３列４行に配列されている。各行および列の境界には、分割を容易にするために、たとえばＶ字溝６２が設けられている。
【００９６】
前記配線基板形成部６１は、基板シート６０をＶ字溝６２に沿って分断した場合、１２個の配線基板２が形成される。したがって、配線基板形成部６１の構造は、図３に示すような配線基板２の構造となる。また、材質も図３に示すものと同様に多層のセラミックス構造となっている。
【００９７】
配線基板形成部６１の両側（図１３乃至図１５における両側）の中央部分は、引っ掛かり部（係止部）２９が形成される。このため、基板シート６０の状態では行方向に隣接する配線基板形成部６１の境界部分には、前記引っ掛かり部２９を構成する長穴６３が設けられている。この長穴６３は、基板シート６０をＶ字溝６２に沿って分断されると、図５に示すように側面の窪み２８となる。
【００９８】
前記長穴６３の状態でも、キャップ４のフック１９のフック支持アーム１７を挿入してフック爪１８を長穴６３の引っ掛かり部２９に引っ掛けることができるようになっている。この場合、隣接するキャップ４は相互に干渉しないように構成されている。
【００９９】
また、配線基板２において、端面スルーホール２０を形成する部分では、基板シート６０の両側の配線基板形成部６１の露出端では端面スルーホール２０となっているが、行方向に隣接する配線基板形成部６１の境界部分では丸孔６５となり、分断されて端面スルーホール２０となる。
【０１００】
前記配線基板形成部６１の抵抗部分は独立し、図７に示される等価回路で示されるように、隣接する配線基板形成部６１との間に抵抗ループを形成しないようになっている。これは、後に抵抗のトリミングを行うためである。
【０１０１】
また、各配線基板形成部６１の内部には、図３に示すようなインピーダンス素子２１が複数設けられている。一部のインピーダンス素子２１は、回路内部における特性インピーダンスの整合をとるものであり、一部のインピーダンス素子２１は入力側あるいは出力側での特性インピーダンスの整合をとるものである。
【０１０２】
つぎに、前記基板シート６０の主面に能動部品や受動部品を組み込む。すなわち、半導体チップ４４，４５、抵抗５１、コンデンサ５２、バイパスコンデンサ５３が半田６６等によって固定される。また、半導体チップ４４，４５の電極と配線の所定部分は導電性のワイヤ４６で接続される。これによって、基板シート６０の主面への部品の組み込みが終了する。図１４では、図が微細となることから、ワイヤは符号を省略してある。
【０１０３】
つぎに、所定部分の抵抗のトリミングを行う。この際、基板シート６０の状態でも各配線基板形成部６１の抵抗部分は独立し、隣接する配線基板形成部６１との間で抵抗ループを形成しないことから、所定の抵抗のトリミングを行うことができる。本実施形態１の場合はＲ1およびＲ5の抵抗５１のトリミングが行われる。本実施形態１では、チップ抵抗５１のトリミングを行うが、セラミック基板に直接形成した薄膜からなる抵抗部分をトリミングするようにしてもよい。
【０１０４】
つぎに、図１４に示すように、基板シート６０の上方からキャップ４を押し下げ、図１５に示すように、基板シート６０の各配線基板形成部６１にキャップ４をフック１９を介して取り付ける。キャップ４の押し付けによって極めて容易にかつ確実にキャップ４が基板シート６０に取り付けられる。したがって、組立の作業性が良くなる。
【０１０５】
前記キャップ４は金属体で形成されていることから、シールド体として作用し、かつ配線基板形成部６１のグランド配線に電気的に接触接続されることになる。
【０１０６】
つぎに、前記基板シート６０をＶ字溝６２に沿って分断し、図１に示すような高周波パワーモジュール１を複数製造する。
【０１０７】
なお、基板シート６０をＶ字溝６２に沿って分断して配線基板２を形成した後、組み立てを行って高周波パワーモジュール１を製造するようにしてもよい。
【０１０８】
つぎに、本実施形態１による高周波パワーモジュール１の実装と、実装によって製造される電子装置について説明する。
【０１０９】
図１６乃至図１８は本実施形態１の電子装置に係わる図であって、図１６は電子装置の製造において高周波パワーモジュールを実装基板に実装する状態を示す一部の分解斜視図、図１７は高周波パワーモジュールを実装基板に実装してなる電子装置の一部を示す模式的斜視図、図１８は電子装置の一部を示す断面図である。
【０１１０】
図１６は電子装置を構成するマザーボード等の実装基板７０と、本実施形態１による高周波パワーモジュール１を示す。実際の実装基板７０には、その他に多数の電子部品が搭載されているが、ここでは高周波パワーモジュール１を実装する部分のみを模式的な図を用いて説明する。
【０１１１】
実装基板７０の主面には、高周波パワーモジュール１を固定するため、また実装基板７０の図示しない配線との電気的接続をとるためにランド７１が形成されている。ランド７１は、前記高周波パワーモジュール１の電極端子５が接続できるように、入力端子用ランド７２，グランド端子用ランド７３，ゲートバイアス端子用ランド７４，出力端子用ランド７５，グランド端子用ランド７６，電源端子用ランド７７となっている。また、これらのランド７１の表面には所定の厚さの半田層（図１６では図示せず）が設けられている。
【０１１２】
そこで、前記高周波パワーモジュール１をその裏面の電極端子５が、前記ランド７１上に重なるようにして半田をリフローし、図１７および図１８に示すように、電極端子５とランド７１を半田８０で接続する。
【０１１３】
この際、前記配線基板２の裏面の電極端子５において、グランド配線１５はその表面が実装用接合材に濡れないレジスト膜１４で部分的に覆われて相互に独立した複数のグランド端子７，８，１１，１２となっている。したがって、各電極端子５に均一に実装用接合材が濡れるため、各電極端子５は確実に実装用接合材を介して実装基板７０のランド７１に固定される。
【０１１４】
また、前記配線基板２の裏面の電極端子５の配列間隔は同一ピッチとなっている。したがって、各電極端子５は実装用接合材の片寄りもなく実装用接合材のブリッジ等の不良も発生しなくなる。また、実装のセルフアライン化も可能となる。
【０１１５】
また、本実施形態１の高周波パワーモジュール１は、実装基板７０のランド７１にフック支持アーム１７の先端を臨ませる構造になっていることから、半田リフロー時、前記フック支持アーム１７の先端部分にも半田８０が付き、フック支持アーム１７は実装基板７０のグランド端子用ランド７３，７６に機械的かつ電気的に確実に接続される。また、前記フック支持アーム１７のフック爪１８が引っ掛かる引っ掛かり部２９にはグランド配線１５が延在していることから、フック爪１８に付着した半田８０は前記グランド配線１５にも接触する。これによって、キャップ４は常時確実なシールド体として作用することになり、高周波パワーモジュールの高周波特性が安定する。
【０１１６】
本実施形態１の高周波パワーモジュール（混成集積回路装置）は以下の効果を奏する。
【０１１７】
（１）高周波パワーモジュール１は、電界効果トランジスタ等の能動部品や受動部品を主面に組み込んだ配線基板２と、この配線基板２の主面側に固定されたキャップ４とによって形成された矩形体構造となっていることから、従来のようにパッケージからリードを突出させたり、取付用フィンを突出させないため小型になる。特に長くリードを突出させないため、実装面積の大幅な縮小が達成できる。
【０１１８】
（２）キャップ４は接合材を用いることなく、キャップ４に設けられた係止部を介して配線基板２に設けられた係止部に取り付けられる構造となるため、組み立てが容易になる。特に、前記配線基板２の係止部は引っ掛かり部２９で構成され、前記キャップ４の係止部はキャップ４の下面から突出し前記引っ掛かり部２９に引っ掛けられるフック１９で構成されているので、配線基板２に対するキャップ４の取り付けが容易になり、生産性の向上を図ることができ、製造コストを低減できる。
【０１１９】
（３）配線基板２はストリップライン構造にマイクロストリップライン構造を積み重ねた構造となるため、伝送線路（信号配線等）の長さを長くとっても、伝送線路は多段に設けられるため、配線基板の大きさは小さくでき、高周波パワーモジュールの小型化が達成できる。
【０１２０】
（４）キャップ４およびフック１９は金属体で形成されているとともに、前記フック１９は高周波パワーモジュール１の電極端子５を実装基板７０のランド７１に半田８０の溶融によって固定する際、グランド用ランド部分（グランド端子用ランド７３，７６）に付着する半田８０に接続されるように構成されていることから、実装基板７０に実装した場合、キャップ４のシールド効果が安定する。すなわち、配線基板２の引っ掛かり部２９にフック１９を引っ掛けるだけの構造では、実装基板７０に振動が加わったりした場合、シールド効果が不安定になるおそれもあるが、本実施形態１のように、実装時の半田で固定する構造ではシールド効果が安定して得られる。
【０１２１】
（５）配線基板２の引っ掛かり部２９にキャップ４のフック１９を接合材を介して固定（固着）する方法は、実装時の半田リフローによるため、高周波パワーモジュール１の製造時、配線基板２とキャップ４の固着作業（工程）が不要となり、高周波パワーモジュール１の製造コストの低減が達成できる。
【０１２２】
（６）キャップ４の外周縁は配線基板２の外周縁に一致または前記配線基板の外周縁よりも内側に位置していることから、高周波パワーモジュール１の小型化が図れる。
【０１２３】
（７）配線基板２の所定箇所には導体によるインピーダンス素子２１が設けられていることから、配線基板２に特性インピーダンス整合用の電子部品を搭載することなく特性インピーダンスの整合がとれる。これにより、部品点数の削減から高周波パワーモジュール１の製造コストの低減が達成できる。
【０１２４】
（８）半導体チップ４４，４５の裏面はグランド電極となり、このグランド電極を介して配線基板２のグランド配線に接続されていることから、半導体チップのグランド電極となる電極部分のインダクタンスが小さくなり、高周波性能が向上する。たとえば、半導体チップの裏面がソース電極の場合、ソースインダクタンスが小さくなり、高周波性能が向上する。
【０１２５】
（９）配線基板２の裏面に電極端子５を設けるとともに、配線基板２をキャップ４で覆うことによって高周波パワーモジュール１を形成していることから、部品点数が少なくなり、組立工数の低減，材料費の低減から製造コストの低減が達成できる。
【０１２６】
本実施形態１の高周波パワーモジュールの製造で用いる基板シート６０は以下の効果を奏する。
【０１２７】
（１）基板シート６０の状態で各配線基板形成部６１にキャップ４を取り付けることができるので、基板シート６０に能動部品や受動部品を組み込みかつキャップ４を取り付けた後基板シート６０を分断することができ、組立のライン化が可能となる。
【０１２８】
（２）配線基板形成部６１の回路は隣接する配線基板形成部６１との間で抵抗ループを構成しない回路構成になっていることから、能動部品や受動部品を組み込んだ後、基板シート６０の状態で抵抗のトリミングを行うことができる。
【０１２９】
（３）配線基板形成部６１において、所定箇所の配線部分に配線基板２の厚さ方向に他の配線に接続されない導体によるインピーダンス素子２１が設けられていることから、配線基板形成部６１に特性インピーダンス整合用の電子部品を搭載することなく特性インピーダンスの整合をとることができる。また、この基板シート６０の使用によって、特性インピーダンスの整合のために特別の部品を必要としなくなる。この結果、本基板シート６０の使用によって高周波パワーモジュール１の製造コストの低減が達成できる。
【０１３０】
本実施形態１の高周波パワーモジュールを組み込んだ電子装置は以下の効果を奏する。
【０１３１】
（１）実装基板７０に実装された高周波パワーモジュール１のキャップ４はシールド体となるとともに、フック１９を介して実装基板７０のグランド用ランド部分（グランド端子用ランド７３，７６）に半田８０を介して接続されるため、高周波パワーモジュール１部分のシールド効果は安定し、高周波特性に優れた電子装置になる。
【０１３２】
（２）高周波パワーモジュール１の配線基板２には、導体によるインピーダンス素子２１が設けられていることから、実装基板７０に実装された状態において接続される他の配線との間の特性インピーダンスの整合がとれ、高周波特性に優れた電子装置になる。
【０１３３】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。たとえば、前記実施形態では、配線基板は３枚のセラミック板を重ねた構造となっているが、さらに多くの枚数を多層としてもよい。
【０１３４】
また、前記配線基板は多層配線構造となっていることから、誘電体層の厚さをさらに薄くでき、容量の増大を図ることができる。また、多層配線基板となることから、信号配線の長さもさらに長くできるため、特性インピーダンスの増大を図ることも可能である。この場合、酸化チタンやチタン酸バリウム等誘電率の高い材料を誘電体層（誘電体板）として使用すれば、容量の増大はさらに高くなる。
【０１３５】
また、前記配線基板は、ガラスセラミック以外の配線基板材料を用いて形成できる。
【０１３６】
また、低温焼成の配線基板の場合、高導電性金属による配線としては、金や銅を使用できる。
【０１３７】
また、前記キャップは全体を絶縁性のもので形成してもよい。この場合、表面全体に導電性のメッキ膜を形成しておけばシールド体として使用できる。また、キャップを金属体で構成する場合、その材質を半田に濡れ易いものとするか、あるいは表面に半田に濡れ易い被膜を形成しておくとよい。
【０１３８】
また、配線基板とキャップのそれぞれの係止部は他の構造でもよい。たとえば、配線基板の係止部を配線基板の主面に孔を設け、この孔の内壁部分に引っ掛かり部を形成するようにしてもよい。この場合、基板シートでは、配線基板形成部の境界よりも内側に前記孔が形成される。
【０１３９】
なお、高周波パワーモジュール１において、ゲインコントロールを行うタイプでは、前記ゲートバイアス端子９はゲインコントロール端子（Ｖapc）となる。
【０１４０】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である高周波パワーモジュールに適用した場合について説明したが、それに限定されるものではない。本発明は少なくとも混成集積回路装置には適用できる。
【０１４１】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【０１４２】
（１）配線基板にキャップが重なるとともに、前記配線基板の裏面に外部端子となる電極端子が設けられる構造となることから、高周波パワーモジュールの小型化が達成できる。
【０１４３】
（２）キャップは配線基板に対してワンタッチで着脱できる構造となっていることから、組立作業性が高くなり、高周波パワーモジュールの製造コストの低減が達成できる。
【０１４４】
（３）キャップはシールド体となるとともに、キャップの係止部は高周波パワーモジュールの実装時、実装基板のグランド用ランド部分の導電性接合材に接触するため、キャップのシールド効果は安定する。
【０１４５】
（４）キャップはシールド体となるとともに、キャップの係止部は高周波パワーモジュールの実装時、実装基板のグランド用ランド部分の導電性接合材に接続するようになっていることから、高周波パワーモジュールの製造時、配線基板とキャップの固着作業は不要になり、高周波パワーモジュールの製造コストの低減を達成することができる。
【０１４６】
（５）配線基板には導体によるインピーダンス素子が設けられていることから、特性インピーダンスの整合用に部品を用意する必要もない。したがって、配線基板の主面に特性インピーダンスの整合用の部品の実装スペースが不要となる。また、部品数低減によって高周波パワーモジュールの製造コストの低減を達成することができる。
【０１４７】
（６）高周波パワーモジュールの製造においては、基板シートの各配線基板形成部に部品の組み込み、抵抗のトリミング，キャップの取り付けを行った後、基板シートを分断することによって高周波パワーモジュールを製造することができるため、生産性が向上し、品質の安定化、製造コストの低減化が達成できる。
【０１４８】
（７）高周波パワーモジュールのキャップはシールド体となるとともに、キャップの係止部は高周波パワーモジュールの実装時、実装基板のグランド用ランド部分の導電性接合材に接続することから、高周波パワーモジュールを組み込んだ電子装置の高周波特性が安定する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１である高周波パワーモジュールの外観を示す斜視図である。
【図２】本実施形態１の高周波パワーモジュールの一部を切り欠いた状態の斜視図である。
【図３】本実施形態１の高周波パワーモジュールの断面図である。
【図４】本実施形態１の高周波パワーモジュールの一部の断面図である。
【図５】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおける配線基板とキャップの取付部分を示す一部の分解斜視図である。
【図６】本実施形態１のキャップを取り外した高周波パワーモジュールを示す平面図である。
【図７】本実施形態１の高周波パワーモジュールの等価回路図である。
【図８】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおける配線基板の表面、すなわち上段誘電体層の露出面に形成される配線パターン（第１層配線）を示す平面図である。
【図９】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおける配線基板の上段誘電体層と中段誘電体層との間に形成される配線パターン（第２層配線）を示す平面図である。
【図１０】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおける配線基板の中段誘電体層と下段誘電体層との間に形成される配線パターン（第３層配線）を示す平面図である。
【図１１】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおける配線基板の裏面、すなわち下段誘電体層の露出面に形成される配線パターン（第４層配線）を示す底面図である。
【図１２】本実施形態１の高周波パワーモジュールにおけるグランド配線となる第２層配線および第４層配線の一部を示す平面図である。
【図１３】本実施形態１の高周波パワーモジュールの製造における基板シートと組み込み部品の一部を示す分解斜視図である。
【図１４】本実施形態１の高周波パワーモジュールの製造において、基板シートの配線基板形成部にキャップを取り付ける状態を示す一部の分解斜視図である。
【図１５】本実施形態１の高周波パワーモジュールの製造において、基板シートの配線基板形成部にキャップを取り付けた状態を示す一部の斜視図である。
【図１６】本実施形態１の高周波パワーモジュールを実装基板に実装する状態を示す一部の分解斜視図である。
【図１７】本実施形態１の高周波パワーモジュールを実装基板に実装してなる電子装置の一部を示す模式的斜視図である。
【図１８】本実施形態１の電子装置の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
１…混成集積回路装置（高周波パワーモジュール）、２…配線基板、３…周壁、４…キャップ、５…電極端子（外部端子）、６…入力端子（Ｐin）、７…グランド端子（ＧＮＤ）、８…グランド端子（ＧＮＤ）、９…ゲートバイアス端子（Ｖg）、１０…出力端子（Ｐout）、１１，１２…グランド端子（ＧＮＤ）、１３…電源端子（Ｖdd）、１４…レジスト膜、１５…グランド配線、１６…サーマルビィア、１７…フック支持アーム、１８…フック爪、１９…フック、２０…端面スルーホール、２１…インピーダンス素子、２５…上段誘電体層、２６…中段誘電体層、２７…下段誘電体層、２８…窪み、２９…引っ掛かり部、３０…第１層配線、３１…第２層配線、３２…第３層配線、３３…第４層配線、３４…短辺部、３５…信号配線、３６…電源配線、４０…ブラインド型ビィア、４１…貫通型ビィア、４２，４３…窪み、４４，４５…半導体チップ、４６…ワイヤ、４７…接合材、５１…抵抗、５２…コンデンサ、５３…バイパスコンデンサ、５４…樹脂（レジン）、５５…編み目部分、６０…基板シート、６１…配線基板形成部、６２…Ｖ字溝、６３…長穴、６５…丸孔、６６…半田、７０…実装基板、７１…ランド、７２…力端子用ランド、７３…グランド端子用ランド、７４…ゲートバイアス端子用ランド、７５…出力端子用ランド、７６…グランド端子用ランド、７７…電源端子用ランド、８０…半田。
【図１】
0003710557.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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