(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック積層タイプの配線基板であって、裏面に連なるキャスタレーション用凹部を側面に有するとともに該キャスタレーション用凹部に配線層が形成され、この配線層と前記裏面に形成された配線層との導通がとられているものにおいて、
前記キャスタレーション用凹部の前記側面からの深さのうち、前記裏面を形成する一のセラミック層における深さが、この一のセラミック層以外の複数のセラミック層における深さより深く形成され、
前記裏面に、前記キャスタレーション用凹部に配線層が形成された後で、物理蒸着法によって配線層が形成されることによって、前記キャスタレーション用凹部の配線層と前記裏面に形成された配線層との導通がとられていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
セラミック積層タイプの配線基板であって、裏面に連なるキャスタレーション用凹部を側面に有するとともに該キャスタレーション用凹部に配線層が形成され、この配線層と前記裏面に形成された配線層との導通がとられているものにおいて、
前記キャスタレーション用凹部の前記側面からの深さのうち、前記裏面を形成する一のセラミック層を含む裏面寄りの複数のセラミック層における深さが、該裏面寄りの複数のセラミック層以外の複数のセラミック層における深さより深く形成され、
前記裏面に、前記キャスタレーション用凹部に配線層が形成された後で、物理蒸着法によって配線層が形成されることによって、前記キャスタレーション用凹部の配線層と前記裏面に形成された配線層との導通がとられていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣパッケージ等に用いられる配線基板に関し、詳しくはセラミック積層タイプの配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の配線基板（以下、単に基板ともいう）のうち高周波用のものでは、その内部配線と基板の裏面の配線層（導電層）との導通をとるため、従来は基板の厚さ方向に設けたビアによるのが一般であった。しかし、こうしたビアは、タングステンやモリブデン等の高融点金属からなるため、高抵抗となり電気的特性が悪い。そこで、近時は図１１に示したように基板１０１の裏面（図示上）１０２に同時焼成により配線層（同拡大図中のダブルハッチング部）１０２ａを形成すると共に、側面１０３に対して裏面１０２に連なるキャスタレーション用凹部１０４を設けてその内面にも裏面１０２の配線層１０２ａと同様に同時焼成により配線層（同拡大図中のダブルハッチング部）１０４ａを形成している。そして、これらの配線層の上にＮｉ（ニッケル）鍍金及びＡｕ（金）鍍金を施して、低抵抗のキャスタレーションとし、基板１０１の図示しない内部配線と裏面１０２の配線層１０２ａとの導通を確保するようにしている。
【０００３】
このようなキャスタレーションを備えた配線基板１０１は、従来、次のようにして製造されていた。すなわち、セラミックの各グリーンシートに、必要なビアと共にキャスタレーション用凹部（以下、単に凹部ともいう）をなすスルーホールを穿孔、形成する。次いで、そのシートの主面にタングステン等の高融点金属を成分とするメタライズ（導体）ペーストを印刷（塗布）すると共にスルーホール等に充填し、真空引きすることによりその内面に同ペーストを塗布する。そして、各グリーンシートを積層、熱圧着し、キャスタレーション用凹部をなすスルーホールの中心を通る基板区画用の境界線で切断して多数の基板とし、これらを同時焼成する。その後、裏面１０２の配線層１０２ａやキャスタレーション用凹部１０４などの各配線層１０４ａにＮｉ鍍金やＡｕ鍍金をすることで、配線基板完成品とするというものである。
【０００４】
ところが、このような製法では焼成により基板１０１に大きな反りが発生するため、裏面１０２に例えば５０μｍといった高度のコーポラナリティ（平滑性ないし平面度）が要請される基板を作ることはできない。こうした高度のコーポラナリティの要請がある場合には、基板裏面の配線層については同時焼成によることなく、基板の焼成後、その裏面を研磨した後でその研磨面にメタライズペーストを印刷して二次焼成することで形成することが考えられる。しかし、この手法でも結局、二次焼成による反りの発生は避けられず、満足のいくコーポラナリティは得られない。
【０００５】
このような問題に対しては、基板裏面の配線層については同時焼成で形成することなく基板を焼成、形成した後、基板裏面を研磨し、その後でスパッタリングなどの物理蒸着法でその配線層を形成する技術を提案できる。すなわち、前記製法において基板裏面をなすグリーンシートのその面については配線層用のメタライズペーストを印刷せずにおき、このグリーンシートを含む各グリーンシートを積層、熱圧着し、キャスタレーション用凹部をなすスルーホールの中心を通る基板区画用の境界線で切断して基板単位とし、同時焼成するというものである。
【０００６】
こうして、裏面には配線層がないがキャスタレーション用凹部には配線層（厚膜）を備えた配線基板（仕掛品）を製造し、その後、基板裏面を研磨して反りを解消する。こうすることで、基板裏面のコーポラナリティが確保されると共に、側面のキャスタレーション用凹部に配線層が形成されている配線基板（仕掛品）が得られる。次いで、その裏面にスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法によりＴｉ−Ｍｏなどの配線層（金属膜）を被着、形成し、その際の金属膜の基板の側面（以下、基板側面ともいう）への回り込み（たれ込み）を利用して、キャスタレーション用凹部の配線層（厚膜）との導通を確保する、というものである。
【０００７】
ところが、図１２に示したように、スパッタリングなどの物理蒸着法（以下、単にスパッタリングともいう）により基板裏面１０２の全面に配線層（金属膜）を形成する場合には、その金属膜１５１の基板側面１０３への回り込みは、キャスタレーション用凹部１０４のみならず基板の外周縁に沿う側面１０３の全体に及ぶことになる。このような回り込みは基板裏面（配線層）１０２と凹部１０４の配線層１０４ａの導通確保に必要である一方、外観不良を招き、また側面１０３に露出する異電位の内部配線（図示せず）にショートする危険がある。したがって、金属膜１５１のこのような被着は、これを事後的に研磨（ないし研削）などで除去する必要があり、製造工程を複雑化させ、コストの上昇を招いてしまう。
【０００８】
そこで、凹部１０４の配線層１０４ａとの導通確保を図り、しかもこのようなキャスタレーション用凹部１０４以外の基板側面１０３への金属膜１５１の被着を防止する必要がある。このため、基板裏面１０２へのスパッタリングにおいては、図１３に示したように、基板裏面１０２でキャスタレーション用凹部１０４をある程度開口させつつその裏面１０２における外周縁を所定の幅Ｍａで被覆するように形成されたマスク（カバー）２０１を被せ、金属膜が凹部１０４以外の側面１０３に回り込まないようにした下でスパッタリングすることを提案できる。この際、図示のような矩形の基板１０１に用いるマスク２０１は、基板裏面１０２の輪郭よりやや小さめで、マスキング時においてその全ての凹部１０４がある程度開口されるように方形に開口、形成されたものを用いることになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、キャスタレーション用凹部１０４の基板側面１０３からの深さ（以下、単に深さともいう）Ｄは、通常０．２〜０．３ｍｍ程度と極めて小さい。したがって、マスキング（押え代）の幅Ｍａは、これ以下に設定しないといけないが、このような寸法範囲では、配線基板１０１自体及びマスク２０１自体の精度（誤差）やマスキング時の位置ずれ（誤差）により所望とするマスキングをすることは困難であり、マスキング不良を招いてしまう。すなわち、マスク２０１がずれて基板の一方側のマスキングの幅が大きくなり、その一方側にあるキャスタレーション用凹部が閉塞されると、その凹部中への金属膜の回り込みが不能となって導通が確保されない。また反対側では確実なマスキングがされず、金属膜がその凹部以外の基板側面に被着してしまい、外観不良や短絡などの問題を発生させる。
【００１０】
なお、このような問題に対してはキャスタレーション用凹部１０４の深さＤを十分大きくすることで対処できるようにも考えられるが、単に深さＤを大きくすると、基板中の内部配線用の有効エリアの減少を招いてしまうなど基板自体の性能を低下させる。また、側面１０４にあらかじめ研磨代を設けておくことで、スパッタリング時のキャスタレーション用凹部１０４の深さＤを大きく確保し、後で研磨することも考えられるが、これまた工程の複雑化やコスト上から実現が困難である。
【００１１】
本発明は、こうした問題点に鑑みて案出したものであって、その目的とするところは次のようである。すなわち基板の裏面に物理蒸着法により配線層を形成する手法でもってキャスタレーション用凹部に形成された配線層との導通をとる際において、キャスタレーション用凹部の基板側面からの深さを格別大きくすることなく、基板裏面の周縁に必要なマスキングを容易に行うことのできる配線基板の構造を得ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は、セラミック積層タイプの配線基板であって、裏面に連なるキャスタレーション用凹部を側面に有するとともに該キャスタレーション用凹部に配線層が形成され、この配線層と前記裏面に形成された配線層との導通がとられているものにおいて、
前記キャスタレーション用凹部の前記側面からの深さのうち、前記裏面を形成する一のセラミック層における深さが、この一のセラミック層以外の複数のセラミック層における深さより深く形成され、
前記裏面に、前記キャスタレーション用凹部に配線層が形成された後で、物理蒸着法によって配線層が形成されることによって、前記キャスタレーション用凹部の配線層と前記裏面に形成された配線層との導通がとられていることを特徴とする。
【００１３】
このような基板は、基板裏面をなすグリーンシートについてはその裏面の全面に配線層用のメタライズペーストを印刷することなく形成する。次いで、このグリーンシートも含め、各グリーンシートともにキャスタレーション用凹部をなすスルーホールにメタライズペーストを塗布して真空引きし、各シートを積層、熱圧着する。そして、キャスタレーション用凹部をなすスルーホールの中心を通る基板区画用の境界線で切断して基板単位とする。その後、各基板単位で同時焼成した後、要すれば所望とするコーポラナリティ（平滑性）となるように裏面を研磨する。
【００１４】
こうして製造された配線基板（仕掛品）は、その裏面に例えばスパッタリングで金属膜（スパッタ膜）を形成することで、キャスタレーション用凹部に形成された配線層との導通が確保される。この際の裏面周縁のマスキングにおいては凹部をある程度開口させて凹部内の配線層への金属膜の付着を確保するとともに、それ以外の基板側面に金属膜が被着しないように必要な幅をマスキングしないといけないが、本発明によればこれを容易に行うことができる。本発明に係る基板においてはその裏面の外周縁に沿って所定の幅でマスキングをする場合、基板裏面でキャスタレーション用凹部の深さが深くなっていることから、その深い範囲で必要なマスキングの幅を設定できるからである。
【００１５】
しかして、このようにマスキングした下でスパッタリングにより基板の裏面に配線層（金属膜）を形成する際には、その金属膜はマスクの内側にて露出する基板裏面の部位とともにこの裏面に連なるキャスタレーション用凹部の開口中にも入り込み、その内面の配線層に被着する。すなわち、スパッタリングなどの物理蒸着法によって金属膜を基板裏面に形成するにあたり、このようにマスキングすることで、平面視、凹部以外の基板側面に金属膜を回り込ませることなく、基板裏面とキャスタレーション用凹部に形成された配線層に金属膜を被着させることができる。したがって以後は、これらの配線層の表面にＮｉ鍍金及びＡｕ鍍金をすることで、その裏面の配線層と内部配線とに低抵抗の導通を効率的に確保することができる。
【００１６】
前記凹部の前記側面からの深さのうち、前記裏面を形成する一のセラミック層における深さが大きいほど、マスキングにかかわる基板やマスク自体の精度、さらにはマスクの位置決め精度を低くでき、したがって必要なマスキングを容易に行うことができるが、これが大きいほど、そのセラミック層における配線領域の低減を招く。凹部の基板側面からの深さは、これらの精度を考慮した上で、凹部の平面（裏面から見た）形状や幅、さらには凹部に形成された配線層の拡がり状態などを考慮して設定すればよい。
【００１７】
また前記手段では、キャスタレーション用凹部の側面からの深さのうち、前記裏面を形成する一のセラミック層における深さを、この一のセラミック層以外の複数のセラミック層における深さより深く形成したため、内部配線の有効活用領域を損なうことが極めて少なくなる。もっとも、本発明は、前記手段に比較すれば、内部配線の有効活用領域を損なうことになるが次のようにしてもよい。すなわち、セラミック積層タイプの配線基板であって、裏面に連なるキャスタレーション用凹部を側面に有するとともに該キャスタレーション用凹部に配線層が形成され、この配線層と前記裏面に形成された配線層との導通がとられているものにおいて、前記キャスタレーション用凹部の前記側面からの深さのうち、前記裏面を形成する一のセラミック層を含む裏面寄りの複数のセラミック層における深さが、該裏面寄りの複数のセラミック層以外の複数のセラミック層における深さより深く形成され、前記裏面に、前記キャスタレーション用凹部に配線層が形成された後で、物理蒸着法によって配線層が形成されることによって、前記キャスタレーション用凹部の配線層と前記裏面に形成された配線層との導通がとられていることとしてもよい。
【００１８】
このように本発明においては、キャスタレーション用凹部の基板側面からの深さのうち、裏面を形成する一のセラミック層における深さが、この一のセラミック層以外の複数のセラミック層における深さより深く形成されているか、裏面を形成する一のセラミック層を含む裏面寄りの複数のセラミック層における深さが、該裏面寄りの複数のセラミック層以外の複数のセラミック層における深さより深く形成されていればよい。したがって、これには裏面を形成する一のセラミック層におけるキャスタレーション用凹部の深さが一番深くなるように、その他のセラミック層における深さが断面視、階段状に或いは傾斜状になっているものも含まれる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態例を図１〜５を参照しながら詳細に説明する。図１は、基板１を裏面２から見た斜視図である。この基板１は複数の所定のグリーンシートを積層、熱圧着した後、焼成することにより略矩形の薄板状に形成されたセラミック積層タイプの配線基板であり、この基板１の各辺の側面３にはキャスタレーションをなす凹部４が適所に複数形成されている。そして、このいずれの凹部４についてもその略全内面にはタングステンなどの厚膜メタライズからなる配線層（図１中ダブルハッチング部）４ａが同時焼成により形成されており、図示しない内部配線に接続されている。本例では、凹部４は基板１の裏面２から反対側の表面５に向けてその厚さ方向の全体に及んでいるものと、その厚さの中間までのものがあるが、この相違点を除けば両者とも同じであり、以下、主としてその厚さ方向の全体に及んでいるものにおいてその構造を説明する。なお、図示はしないが裏面２と反対側の表面５には、平面視、略正方形をなすＩＣ搭載用キャビティを備えるとともにボンディングパッドをなすパッド用配線層などが同時焼成により形成されている。
【００２０】
さて、本例基板におけるキャスタレーション用凹部４は、所定の深さ、幅をもつ平面視矩形をなしている。ただし、その深さのうち、基板裏面２を形成する一（層）のセラミック層（図示最上面）３１における深さＤｕは、それ以外のセラミック層３２〜３６における深さＤｈより深くされている。本例ではＤｕが０．８ｍｍ、Ｄｈが０．３ｍｍとされ、これらは全ての凹部についてそれぞれ一定深さとされている。また、幅Ｗは１〜２ｍｍ程度に設定されている。なお、基板裏面２を形成する一セラミック層３１の厚さは、焼成時において０．４ｍｍとなるように設定されており、その研磨後において０．２ｍｍとなるように設定されている。そして、その他のセラミック層３２〜３６の厚さは、０．３〜０．５ｍｍに設定されている。
【００２１】
このような配線基板は次のようにして製造される。すなわち裏面２を形成するグリーンシートについては、キャスタレーション用凹部をなすスルーホールが切断後においてＤｕの深さを有する大きさとされ、その裏面には配線層用の高融点金属ペーストは印刷しないが、キャスタレーション用凹部をなすスルーホールにはタングステン等の高融点金属ペーストを真空引き等により印刷（塗布）する。そして、その他のグリーンシートには、切断後において従来と同様の浅い深さＤｈとなるキャスタレーション用凹部をなすスルーホールを穿設し、その主面にタングステン等の高融点金属ペーストを印刷し、同スルーホール内面に真空引き等により印刷（塗布）する。そして、これらのシートを積層、熱圧着し、その後、シート主面のキャスタレーション用凹部のスルーホールの中心を通る境界線に沿って配線基板の単位に切断し、各基板を同時焼成する。なお、キャスタレーション用凹部をなすスルーホール内面への高融点金属ペーストの印刷（塗布）は、各シートを積層、熱圧着した後、基板単位の切断前におこなうこともできる。
【００２２】
次に、このように同時焼成された配線基板は、要すれば焼成による反りを解消するため、基板裏面を例えば０．２ｍｍ研磨して所望とするコーポラナリティに仕上げられる。こうして、図１〜３に示したように、凹部４に配線層４ａを備えた配線基板１が作られる。なお、図示はしないが銅タングステンなどからなる放熱部材をキャビティに設けるものでは、それをキャビィティ部位（基板の貫通孔）にロー付けした後、その裏面を含め基板裏面の全体を面一に研磨すればよい。
【００２３】
さて、こうして形成された本例の配線基板（仕掛品）１は、その裏面２にスパッタリングなどにより配線層（金属膜）を形成すると同時に、キャスタレーション用凹部４の配線層４ａとの導通を確保することになるが、この際は図４、５に示したように、基板裏面２の外周縁を所定の幅Ｍａ（例えば０．５ｍｍ）でカバーするように形成されたマスク２０１をその裏面２に同芯状に被せる。すなわち、本例では、基板１の縦横外寸より各１ｍｍ小さく矩形に開口された開口部２０２を備えたマスク２０１を、その内周縁２０３がキャスタレーション用凹部４をその深さ方向に０．３ｍｍ開口させるようにして基板１の裏面２に同芯状に被せる。
【００２４】
しかして、この下で例えばＴｉ−Ｍｏをスパッタリングする。すると、金属膜５１は、裏面２の外周縁（側面）から０．５ｍｍの幅Ｍａ部分を除き、基板裏面２の露出部の全体に被着、形成される。と同時に開口するキャスタレーション用凹部４内に入り込み、その凹部４に形成された配線層４ａの上にも被着、形成される。かくして、キャスタレーション用凹部４を除く基板側面３には不要の金属膜５１は形成されない一方、凹部４内の配線層４ａとの導通が確保される。そして、このマスキングにおいては、裏面２を形成するセラミック層３１における凹部４の深さＤｕが他のセラミック層３２〜３６における凹部４の深さＤｈより著しく深く形成されているため、その分、基板やマスク自体の精度、さらにはマスクの位置決め精度を低くできるので、所望とするマスキング作業を容易かつ効率的に行うことができる。
【００２５】
すなわち、適切なマスキングのため、その幅Ｍａに０．５ｍｍを要する場合には、従来のキャスタレーション用凹部のように、その深さが厚さ方向にわたって一律に例えば０．３ｍｍと浅いものでは、方形の開口を備えたマスクによって全キャスタレーション用凹部を開口させることは不可能である。これに対し、本実施形態では、必要な幅Ｍａの大きさ０．５ｍｍに対し、基板裏面２を形成するセラミック層３１の部位における深さＤｕを０．８ｍｍと大きくされているから、これが容易に実現できる。かくして、凹部４内の配線層への金属膜５１の被着を確保しつつ、その他の側面３に金属膜５１が被着形成されるのが防止される。
【００２６】
また、こうして形成される本例基板にあっては、その裏面２のコーポラナリティは研磨後のままである。そしてこのような配線基板１は、以後、金属膜５１を含め露出する配線層４ａなどにＮｉ鍍金及びＡｕ鍍金することで、裏面の配線層をなす金属膜５１と内部配線とに低抵抗の導通を確保した配線基板の完成品となる。なお、本例では凹部４の深さについて、裏面２を形成する一層分のセラミック層３１のみその深さＤｕを深くしただけであるから、内部配線エリアの減少を最低限にとめることができる。
【００２７】
なお、前記形態例においては裏面２を形成する一層分のセラミック層３１の凹部４深さＤｕが大きいほど、マスク自体や基板自体の寸法誤差或いはマスクの設置位置ずれを大きく許容できることは明らかである。この深さＤｕは、マスクを被せてスパッタリングした際に凹部４内にそれが被着すると共に、裏面２における周縁のその他側面の部位を確実にカバーできる範囲で、基板１やマスク２０１の精度に応じて適宜に設定すればよい。なお、深さＤｕは、１基板において一定とするのが好ましいが、必ずしも同一である必要はない。
【００２８】
また、凹部に形成される配線層は、上記実施形態例のようになるべくその内面の全体に形成するのが好ましいが、図６に示したように、マスク２０１を被せてスパッタリングした際において金属膜５１が配線層４ａに被着して導通が確保されるかぎり、必ずしもその全体に形成されていなくともよい。すなわち、配線層４ａが裏面２を形成するセラミック層３１の側面３１ｂになく、裏面２から二層目のセラミック層３２の主面（棚部）３２ａ上の中間まで形成されているだけでも、それに金属膜が被着して導通が確保されればよい。
【００２９】
また、図７に示したように、凹部４において裏面２から二層目のセラミック層３２の側面３２ｂよりも表面５側にしか配線層４ａがない場合でも同様である。すなわち、この配線層４ａは、マスク２０１を被せてスパッタリングした際において金属膜５１が開口から凹部４内に入り込み、結果として凹部４の配線層４ａと導通が確保されるものであればよく、その形成面の拡がり状態は必ずしも凹部４の内面の全面になくともよい。ただし、マスキングの幅Ｍａなどにもよるが、導通の信頼性の向上のためには、図２に示したようになるべくその全面に配線層４ａが存在するのが好ましい。
【００３０】
さらに、図８に示したように、凹部４の基板側面３からの深さは、基板１の表面５側から裏面２に向かうに従い深くなるように傾斜状若しくは階段状になっていてもよい。図９は、基板１の側面３からの凹部４の深さのうち、裏面２を形成する一のセラミック層３１を含む裏面寄りの例えば２層分のセラミック層３１，３２における深さＤｕが、それら以外の複数のセラミック層３３〜３６における深さＤｈより深く形成されている形態例を示す。なお裏面２への金属膜の形成に際してのマスキングにおける作用効果は前例と同じであるからその説明は省略する。
【００３１】
なお、キャスタレーション用凹部は、前記においては基板の裏面から表面まですなわち基板の厚さ全体に及ぶもので説明したが、図１０に示したように、その凹部４が基板１の裏面２から表面５に向かう中間部位までのものであっても、本発明によれば同様の効果があることは明らかである。キャスタレーション用凹部の平面形状（裏面２から見た形状）は、矩形でなくとも円弧状であってもよいなど、その形状にかかわらず本発明は同様の効果があることはいうまでもない。なお、凹部の平面形状（基板裏面から見た形状）が円弧状などの場合には、その基板側面からの深さは最深部を基準に設定すればよい。
【００３２】
本発明は、セラミック積層タイプの配線基板であって、裏面に連なるキャスタレーション用凹部を側面に有するとともに該凹部に配線層が形成されているものにおいて、その配線層と基板裏面との導通をその裏面に物理蒸着法によって配線層を形成する際において、その基板周縁をマスキングする場合において効果があるものであり、上記した基板に限定されるものではない。
【００３３】
【発明の効果】
本発明の配線基板の構造によれば、以上の説明から明らかなように次のような効果がある。すなわち、基板の裏面にスパッタリングなどの物理蒸着法により配線層を形成する手法でもってキャスタレーション用凹部に形成された配線層との導通をとる際において、キャスタレーション用凹部の深さを格別大きくすることなく、すなわち内部配線の有効活用領域を損なうことなく、基板裏面の周縁に必要なマスキングを容易に行うことができる。かくして、本発明によれば、基板裏面のコーポラナリティを損なうことなく、露出する配線層にＮｉ鍍金及びＡｕ鍍金を施すことで、その裏面の配線層と内部配線とに低抵抗の導通を効率的に確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る配線基板の実施形態を裏面側からみた斜視図及びキャスタレーション用凹部の拡大図。
【図２】図１中Ａ−Ａ線で示すキャスタレーション用凹部の拡大縦断面図。
【図３】キャスタレーション用凹部を裏面側から見た拡大図。
【図４】図１の配線基板にマスクを被せた状態の説明図。
【図５】図４中のＢ−Ｂ線拡大断面図。
【図６】図２において凹部に形成された配線層の別例を示す断面図。
【図７】図２において凹部に形成された配線層の別例を示す断面図。
【図８】キャスタレーション用凹部の別例を示す断面図。
【図９】キャスタレーション用凹部の別例を示す断面図。
【図１０】キャスタレーション用凹部の別例を示す断面図。
【図１１】従来の配線基板を裏面側から見た斜視図及びそのキャスタレーション用凹部の拡大図。
【図１２】裏面に金属膜を形成することでキャスタレーションとの導通を確保する際の問題点を説明する部分拡大斜視図。
【図１３】裏面に金属膜を形成することでキャスタレーションとの導通を確保する際の問題点を解消するため、基板の裏面にマスクを被せた状態の説明図。
【符号の説明】
１  セラミック積層タイプの配線基板
２  裏面
３  側面
４  キャスタレーション用凹部
４ａ  キャスタレーション用凹部の配線層
５  表面
３１  裏面を形成するセラミック層
５１  金属膜
２０１  マスク
Ｄｕ，Ｄｈ  キャスタレーション用凹部の基板側面からの深さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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