(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に複数の半導体領域を積層させて、少なくともｎ型の第二の半導体領域とｐ型の第一の半導体領域とがｐｎ接合を形成するように配設された複数個の半導体チップを形成する第一の工程と、
半導体チップの少なくともｐ型の領域に電極を形成する第二の工程と、
上記半導体チップの電極以外の上面及び側面領域を凹凸化すると共に、この凹凸化された表面に半導体チップ材料を含む化合物の薄膜を付着させる第三の工程とを含んでいる、発光ダイオードの製造方法において、
上記第三の工程にて、半導体チップの上面領域及び側面を、硝酸及び水溶性の有機溶媒から成る処理液で処理して凹凸化させると共に、この凹凸化された表面に半導体チップ材料を含む化合物の薄膜を付着させることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
ｐ型の第一の半導体領域とｎ型の第二の半導体領域とをｐｎ接合を形成するように配置した半導体チップと、半導体チップの少なくともｐ型の領域に配設された電極とを含んでおり、
該半導体チップ上面の電極以外の領域及び側面から光を取り出すように構成され、上記電極以外の半導体チップ上面及び／又は側面が、０．５乃至５μｍ程度の凹凸面を有すると共に、少なくともその凹凸面に上記半導体チップ材料を含む化合物の薄膜が付着しており、
上記半導体チップの上面が上記ｐ型の第一の半導体領域であり、上記半導体チップの側面が上記ｐ型の第一の半導体領域及びｎ型の第二の半導体領域である発光ダイオードの製造方法であって、
半導体基板上に複数の半導体領域を積層させて、少なくとも上記ｎ型の第二の半導体領域と上記ｐ型の第一の半導体領域とがｐｎ接合を形成するように配設された複数個の半導体チップを形成する第一の工程と、
上記半導体チップの少なくともｐ型の領域に電極を形成する第二の工程と、
上記半導体チップの電極以外の上面及び側面領域を凹凸化すると共に、この凹凸化された表面に半導体チップ材料を含む化合物の薄膜を付着させる第三の工程とを含み、
上記第三の工程にて、上記半導体チップの上面領域及び側面を硝酸及び水溶性の有機溶媒から成る処理液で処理して凹凸化させると共に、この凹凸化された表面に半導体チップ材料を含む化合物の薄膜を付着させることを特徴とする、発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記第二の工程と第三の工程との間に、前記半導体チップの裏面に粘着テープを貼着して、各半導体チップ毎に切断する分離工程と、この分離工程の後に、粘着テープを伸長して、各半導体チップの間の間隔を広げる伸長工程とを加え、
分離及び伸長されて上記粘着テープに貼着されている上記半導体チップを、粘着テープに貼着されたまま前記第三の工程を施すことを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記処理液が硝酸とメタノールの混合液から成ることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記第三の工程が処理液温度１０℃乃至５０℃で行なわれることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
前記第三の工程が処理時間１０秒乃至５分で行なわれることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項７】
前記処理液における硝酸とメタノールの混合比が、容積比で１０：０．１乃至５であることを特徴とする、請求項４に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
前記水溶性の有機溶媒は、メタノール、エタノール、アセトン、イソプロピルアルコールのいずれかであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、上面がｐ型領域から成るｐｎ接合構造の発光ダイオードの製造方法に関し、特に光出射面を凹凸化処理して光取出し効率を高めるようにした発光ダイオードの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような発光ダイオードは、半導体基板上に、例えばエピタキシャル成長によって複数の半導体領域を積層させて、ｐ型の第一の半導体領域と、ｎ型の第二の半導体領域を有する少なくとも一つのｐｎ接合を備え、ＧａＡｓ系又はＧａＡｌＡｓ系のｐ型領域が上面に配設された複数個の発光ダイオードチップを構成し、この半導体チップの上面及び裏面に電極を形成した後、半導体基板を切断して、各半導体チップ毎に分離することにより、製造されている。
【０００３】
このような構成の発光ダイオードによれば、電極間に駆動電圧を印加することによって、ｐ型の第一の半導体領域とｎ型の第二の半導体領域間に電圧が印加され、その間のｐｎ接合部から光が出射し、上方のｐ型領域を通って、外部に光が出射するようになっている。
【０００４】
ところで、このような構成の発光ダイオードにおいて、ｐ型領域を構成する半導体の屈折率はほぼ３であり、空気の屈折率１に対して大きな差がある。このため、このような屈折率の差によって、ｐｎ接合部から出射した光は、ｐ型領域の空気との界面にて、限定された入射角の光のみが外部に出射すると共に、残りの光はこの界面で反射され、ｐ型領域及びｎ型領域内部で吸収されてしまうため、光の取出し効率が低くなってしまうという問題があった。
従って、発光ダイオードの光取出し効率を高めるためには、半導体チップ表面を凹凸化して、ｐｎ接合部から出射した光が半導体チップ表面で外部に出射可能な入射角を有する確率を増やすこと、及び、半導体チップ表面に特定の屈折率の特定の厚さの薄膜を形成して反射率を下げることが効果的であることが知られている。
【０００５】
従来方法においては、ＧａＡｌＡｓ発光ダイオードの場合を例にとると、半導体チップの分離前に、ｐ型領域の電極をマスク等により保護して、例えば９５：５の硝酸：硫酸により凹凸化を行ない、その後、特定の屈折率を持つ半導体チップの半導体構成物以外の組成物、例えば窒化シリコン，酸化シリコン等を蒸着あるいはスパッタして特定の屈折率を有する薄膜を形成していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、凹凸化され、薄膜が形成された発光ダイオードを製造する従来の方法においては、凹凸化等の際にマスク等による電極保護が必要であり、凹凸化等の処理後には、電極保護のためのマスク等の除去が必要になるため工程が複雑になって、そのためにコストも高くなってしまう。
また、凹凸化と薄膜形成の工程が別工程であることから、工程数が多くなり、処理時間も長くなることによってもコスト高の要因になる。
さらに、凹凸化及び薄膜形成を行なった後に、半導体チップの分離作業が必要になることから、半導体チップ分離の際の切断箇所、即ち半導体チップの側面における凹凸化及び薄膜形成が不可能であり、光取出し効率の向上が十分ではなくなってしまう。
【０００７】
このため、半導体チップの分離後に凹凸化及び薄膜形成を行なう方法も考えられるが、この場合、電極保護のためのマスク等の電極保護材の取付け及び除去が必要となり、作業が煩雑になってしまう。
【０００８】
また、上方にｎ型領域が配置されたｐｎ接合から成る発光ダイオードにおいては、１５〜８０％の硝酸水溶液を用いることによって、電極を保護すること無しにｎ型領域の凹凸化ができることから、半導体チップの分離後に電極保護材無しに凹凸化及び薄膜形成を行ない、かつ、この際、硝酸水溶液に溶け込んだＡｓから生成する水酸化ヒ素を主成分とするヒ素化合物を凹凸表面に析出させて特定の屈折率を有する薄膜を形成するという簡略な工程で、十分な光取出し効率を有する発光ダイオードが得られている（本発明者らによる特願平１１−２０３３９７号明細書参照）。
しかしながら、光取り出し面がｐ型領域である発光ダイオードの場合には、同様の処理液を使用すると、ｐ型領域である半導体チップ表面が処理液によって溶解してしまうため、凹凸形状が形成されないばかりか、電極が剥離してしまうという問題があった。このように、ｐ型領域に対して、凹凸形状が形成でき、かつ、電極を傷めない処理液は無かった。
このため、上面がｐ型領域から成るｐｎ接合構造の発光ダイオードで、光出射面を凹凸化処理し、かつ、凹凸面に薄膜を形成して光取出し効率を高めるようにした発光ダイオードは、上記に説明した従来方法で製造していたため、コストが高いという課題があった。
【０００９】
本発明は、以上の課題にかんがみ、ｐ型領域が上方に配置された発光ダイオードにおいても、光取出し効率が高く、低コストで製造できる発光ダイオードの製造方法を提供することを目的としている。
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明は、半導体基板上に複数の半導体領域を積層させて、少なくともｎ型の第二の半導体領域とｐ型の第一の半導体領域とがｐｎ接合を形成するように配設された複数個の半導体チップを形成する第一の工程と、半導体チップの少なくともｐ型の領域に電極を形成する第二の工程と、上記半導体チップの電極以外の上面及び側面領域を凹凸化すると共に、この凹凸化された表面に半導体チップ材料を含む化合物の薄膜を付着させる第三の工程とを含んでいる発光ダイオードの製造方法において、上記第三の工程にて、半導体チップの上面領域及び側面を、硝酸及び水溶性の有機溶媒から成る処理液により処理して凹凸化させると共に、この凹凸化された表面に半導体チップ材料を含む化合物の薄膜を付着させるよう構成されている。
上記製造方法によれば、ｐ型の第一の半導体領域とｎ型の第二の半導体領域とをｐｎ接合を形成するように配置した半導体チップと、半導体チップの少なくともｐ型の領域に配設された電極とを含み、半導体チップ上面の電極以外の領域及び側面から光を取り出すように構成され、上記電極以外の半導体チップ上面及び／又は側面が、０．５乃至５μｍ程度の凹凸面を有すると共に、少なくともその凹凸面に上記半導体チップ材料を含む化合物の薄膜が付着しており、半導体チップの上面がｐ型の第一の半導体領域で、半導体チップの側面がｐ型の第一の半導体領域及びｎ型の第二の半導体領域である発光ダイオードを製造することができる。
これにより電極保護を行なうことなく、複数の半導体チップを一括して、凹凸化と薄膜形成を同時に行なうので、本発明にかかる発光ダイオードを低コストで製造することができる。したがって、光出射面に凹凸を有し、かつ、凹凸面に薄膜を有しており、光取出し効率が高い発光ダイオードの製造方法が提供される。
本発明の製造方法による発光ダイオードにおいては、半導体チップ上面及び側面が凹凸を有しているから、ｐｎ接合で発光した光を高効率で半導体チップの外に取り出すことができ、また、凹凸部には半導体チップ材料を含む化合物の薄膜が付着しているので、ｐｎ接合で発光した光を高効率で半導体チップの外に取り出すことができる。すなわち、半導体チップ上面がｐ型の第一の半導体領域であり、半導体チップの下面がｎ型の第二の半導体領域である発光効率の高い発光ダイオードが得られる。この発光ダイオードは、例えば、配線基板上の配線パターン上に発光ダイオードのｎ型半導体領域をフェースダウンボンディングしなければならない場合に有効に使用することができる。
【００１４】
本発明において、第二の工程と第三の工程との間に、半導体チップの裏面に粘着テープを貼着して、各半導体チップ毎に切断する分離工程と、分離工程の後に粘着テープを伸長して、各半導体チップの間の間隔を広げる伸長工程とを加え、分離及び伸長されて粘着テープに貼着されている半導体チップを、粘着テープに貼着されたまま第三の工程を施すことができる。
【００１５】
本発明において、好ましくは、処理液が硝酸とメタノールの混合液から成る。また、好ましくは、第三の工程が処理液温度１０℃乃至５０℃で行なわれる。
さらに好ましくは、第三の工程が、処理時間１０秒乃至５分で行なわれる。
さらに好ましくは、処理液における硝酸とメタノールの混合比が、容積比１０：０．１乃至５である。
【００１６】
上記構成によれば、上方にｐ型領域が配置されたｐｎ接合から成る発光ダイオードにおいて、第一の段階及び第二の段階では、従来と同様にして半導体チップが形成されると共に、第三の段階にて、硝酸及び水溶性の有機溶媒から成る処理液が使用され、この処理液は、電極と反応せず、しかもｐ型領域を溶解しない。これにより、第三の段階にて、光が出射する半導体チップの電極を除くｐ型領域の上面領域及び側面を、処理液を使用して凹凸化すると共に、同時に薄膜形成を行なうので、工程数が少なくて済み、処理時間が短くなるので生産効率が向上する。
この場合、電極と反応しない処理液が使用されることによって、電極の保護、即ち電極保護材の取付け及び除去が不要になる。したがって、工程数が少なくて済み、処理時間が短くなるので生産効率が向上する。
また、ｐ型領域を溶解しない処理液が使用されることによって、ｐ型領域の上面領域及び側面が確実に凹凸化されるので、光取出し効率を確実に向上させることができる。
【００１７】
さらに、上記第二の段階と第三の段階の間に、半導体チップの裏面に粘着テープを貼着して、各半導体チップ毎に切断する分離段階と、分離段階の後に、粘着テープを伸長して各半導体チップの間の間隔を広げる伸長段階とを含んでいる場合には、各半導体チップの間隔が切断代より大きくなるので、第三の段階における処理液による凹凸化及び薄膜形成の際に、処理液が半導体チップの間に容易に進入することによって、半導体チップ側面の凹凸化及び薄膜形成を確実に行なうことができる。
また、分離及び伸長されて上記粘着テープに貼着されている上記半導体チップを、粘着テープに貼着されたまま凹凸化及び薄膜形成するので、複数の半導体チップを一度に処理することができ、工程数が少なくて済み、処理時間が短くなるので生産効率が向上する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面に示した実施形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
図１はこの発明の製造方法による発光ダイオードの実施形態を示す図である。
図１において、発光ダイオード１０は、ｐｎ接合の発光ダイオードチップとして、ｎ型の半導体領域１２と、その上に配設されたｐ型の半導体領域１３とで形成された半導体チップ２０と、これらを挟むように半導体チップ２０の上面及び裏面に備えられた電極１４，１５と、を含んでいる。
【００１９】
ここで、ｎ型の半導体領域１２とｐ型の半導体領域１３との間に構成されるｐｎ接合１６は、半導体チップ２０の上面及び下面に対して平行に形成されており、ｐｎ接合１６の端部は半導体チップの側面に露出している。そして、このｐｎ接合１６を含む半導体チップ２０の側面は、ほぼ垂直に形成されている。
【００２０】
上記ｎ型の半導体領域１２は、例えばＧａＡｌＡｓの半導体材料に対して、不純物として例えばＴｅ等を添加したものである。
また、上記ｐ型の半導体領域１３は、例えばＧａＡｌＡｓ系の半導体材料に対して、不純物として例えばＺｎ等を添加したものである。
なお、上記ＧａＡｌＡｓ系の半導体材料は、何れもＡｌ混晶比が０乃至０．８程度のものである。
ここで、上記ｎ型の半導体領域１２及びｐ型の半導体領域１３は、その境界において互いにｐｎ接合１６を形成している。
なお、上記ｎ型の半導体領域１２及びｐ型の半導体領域１３は、図示しない半導体基板の例えば（１００）面上に順次に例えばエピタキシャル成長によって積層して形成されることにより、その（１００）面が表面の方位と一致するようになっている。
【００２１】
さらに、上記発光ダイオード１０の表面（上面）側において、電極１５を除く半導体チップ２０の上面及び側面が、凹凸化処理されて凹凸面１７が形成されており、その凹凸面１７に半導体材料の組成の一部を含む化合物、例えば水酸化ヒ素などを主組成とした薄膜１８が形成されている。
【００２２】
この凹凸面１７は、半導体チップ２０の上面及び側面に窪みを形成することにより凹凸構造が形成され、その窪みの深さは例えば０．５乃至５．０μｍ程度の表面粗さとなるように例えば処理液によるエッチングによって行なわれる。
また、少なくともその凹凸面１７に形成される水酸化ヒ素などを主組成とした薄膜１８は、０．０１μｍ以上の厚さ、最適値としては０．０１μｍ〜５μｍ程度の厚さを有している。
【００２３】
上述した発光ダイオード１０は、本発明による製造方法によれば以下のようにして製造される。
図２は本発明の製造方法を示す工程図である。即ち、図２に示す工程図に従って、先ずステップＳＴ１において、半導体基板上に、ｎ型の半導体領域１２と、その上にｐ型の半導体領域１３が順次に積層して形成される。
続いて、ステップＳＴ２にて、半導体基板を取り除いたｎ型の半導体領域１２の裏面とｐ型の半導体領域１３の上面に電極を形成する。
図３は、半導体チップ上に形成した電極の断面模式図である。
図３に示すように、半導体チップ領域に、それぞれ電極１４，１５をパターン形成する。
上述したステップＳＴ１乃至ステップＳＴ２は、従来の発光ダイオードの製造方法と同じである。
【００２４】
次に、ステップＳＴ３にて、積層した半導体領域１２，１３を半導体チップ領域毎に切断して各半導体チップ２０を分離する。この場合、切断作業の前に、裏面の電極１４側には粘着テープ２１を貼着しておく。これにより、切断後に各半導体チップ２０が切り離されずに、所定間隔で一体に保持されるようになっている。
【００２５】
その後、ステップＳＴ４にて、所謂エキスパンドを行う。
図４はエキスパンド後の半導体チップの配置状況を示す図である。
エキスパンドは、粘着テープ２１を縦横方向に伸長させることにより行なわれる。これにより、粘着テープ２１が縦横方向に延びて、各半導体チップ２０の間隔が拡げられる。ここで、各半導体チップ２０の間隔は、後の凹凸化処理にて各半導体チップ２０の側面の凹凸化が容易に行なわれ得るように、切断面長以上の間隔、例えば３０μｍ以上に設定される。
【００２６】
図４に示すように、半導体チップ２０を粘着した粘着テープ２１の周縁がリング２２で固定されており、粘着テープ２１及びリング２２は、後述する処理液により変質しない材料から構成されている。
【００２７】
そして、各半導体チップ２０がリング２２ごと、処理液に浸漬されることにより、各半導体チップ２０の上面及び側面の領域が処理液によって凹凸化処理される。
ここで、処理液は、硝酸（６１重量％）と水溶性の有機溶媒としてのメタノールの混合液が使用される。硝酸とメタノールの混合比は、容積比で１０：０．１乃至５、好ましくは１０：１である。なお、硝酸１０に対してメタノールが５以上の場合、処理液による反応が弱くなり、処理時間が長くなってしまうと共に、硝酸１０に対してメタノールが０．１以下の場合には、半導体チップ２０の表面特にｐ型の半導体領域１３の表面が溶解してしまうので、所望の凹凸化及び薄膜形成が得られなくなってしまう。
また、処理液の温度は、１０℃〜５０℃、好ましくは２５℃であり、処理時間は、１０秒乃至５分、好ましくは１分である。
なお、この処理時間は例示したものであり、これに限定されることなく所望の表面粗さの凹凸化が得られるように、例えば１０秒乃至５分の間で適宜に設定されればよい。ここで、処理時間が１０秒以下の場合には十分な凹凸化が行なわれず、また、５分以上の処理時間の場合には過度の凹凸化が行なわれてしまう。
【００２８】
これにより、各半導体チップ２０の上面及び側面の領域が処理液と反応することにより凹凸化処理されて凹凸面１７が生じると共に、同時進行的に、処理液中に溶解した半導体材料が処理液中で反応することにより、水酸化ヒ素を主成分としたヒ素化合物が生成され、この水酸化ヒ素等が各半導体チップ２０の上面及び側面の領域に付着して、薄膜１８を形成する。
その後、例えば３０秒乃至２分間の水洗を行ない、乾燥させることにより、各半導体チップ２０の凹凸化及び薄膜形成が完了し、図１に示した各半導体チップ２０が完成する。
【００２９】
図５、図６は、本発明の製造方法によって作成した発光ダイオードの断面電子顕微鏡写真である。
図５の（Ａ），（Ｂ）及び図６の（Ａ），（Ｂ）に示す電子顕微鏡写真（１０００倍及び５０００倍）によく表れているように、半導体チップ２０の電極１５を除く上面領域及び側面が凹凸化されており、この凹凸は約５μｍ〜１０μｍの間隔で高密度に形成されており、また、側壁は半導体チップ表面に対してほぼ垂直を成しており、このことから、ｐｎ接合で発光した光が、外部に出射可能な入射角を有する確率が極めて高くなることがわかる。また、凹凸の表面全体に亘って均一な厚さで薄膜１８が形成されており、薄膜１８によって反射光が押さえられ、有効に光が外部に取り出されることがわかる。
【００３０】
ここで、以下に実験例を示す。
上記第三の工程において、Ａｌ混晶比０乃至０．４５のＧａＡｌＡｓから成る発光ダイオード１０を、日東電工製の型式Ｖ８Ｓの粘着テープによりポリプロピレン製のリング２２により固定する。
そして、硝酸とメタノールの混合比（容積比）１０：１の処理液により、処理液温度２５℃，処理時間１分間で凹凸化及び薄膜形成の処理を行なった後、１分間水洗して、乾燥させた。
【００３１】
このようにして得られた発光ダイオード１０の発光量を測定した。
図７は本発明の発光ダイオードと従来技術で形成した発光ダイオードの発光量の比較図である。
発光量は全発光方位にわたって積分した発光量、すなわち、全外部取り出し光量である。横軸は処理液による処理時間であり、縦軸は凹凸処理を行わなかった発光ダイオードの発光量を基準として表した発光量比である。図７において、符号Ａで示す曲線は、本発明の発光ダイオードの光量−処理時間曲線であり、符号Ｂで示す曲線は、従来技術、すなわち、ｐ型領域上の電極を保護材で保護して凹凸処理を行い、その後チップに分離して作製した発光ダイオード（側面が凹凸処理されていない）の光量−処理時間曲線である。
図７から明らかなように、従来技術の発光ダイオードが約２０％の発光量の改善であるのに対し、本発明の発光ダイオードは約５０％の発光量の改善が見られる。
【００３２】
また、本発明の製造方法によれば、凹凸化処理及び薄膜形成は、粘着テープ上に粘着した全ての半導体チップを一度に、また、同一工程で、同じ処理液によって行なわれる。従って、コストが低減され得ると共に、処理時間が短縮される。さらに、凹凸化処理及び薄膜形成のための薬液が硝酸とメタノールとの混合液であることから、半導体チップ２０を構成する電極１４，１５と反応しない。したがって、電極保護のためのマスク等が不要になると共に、このマスク等の処理前の取付け及び処理後の除去も不要になり、作業が簡略化されてより一層コストが低減される。
【００３３】
なお、上述した実施形態においては、凹凸化及び薄膜形成のための処理液は、硝酸とメタノールの混合液が使用されているが、これに限らず、硝酸に対して、水溶性の有機溶媒、例えばエタノール，アセトン，イソプロピルアルコール等の水溶性の有機溶媒を混合したものでもよい。
また、上述した実施形態においては、発光ダイオード１０のｐ型の半導体領域１３及びｎ型の半導体領域１２の半導体材料及び不純物は、例示したものに限定されず、発光ダイオード１０の発光色等に応じて、他の任意の半導体材料及び不純物の種類，濃度等を選定することが可能であることは明らかである。
【００３４】
【発明の効果】
以上の説明から理解できるように、本発明の製造方法によれば、発光ダイオードは、光出射面に凹凸を有し、かつ、凹凸面に薄膜を有しているために光取出し効率の高い、ｐ型領域が上方に配置された発光ダイオードが実現する。
また、本発明の製造方法によれば、電極保護を行なうことなく、複数の半導体チップを一括して、凹凸化と薄膜形成を同時に行なうことができるので、発光ダイオードを低コストで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による発光ダイオードの実施形態を示す図である。
【図２】本発明の製造方法を示す工程図である。
【図３】半導体チップ上に形成した電極の断面模式図である。
【図４】エキスパンド後の半導体チップの配置状況を示す図である。
【図５】本発明の製造方法によって作製した発光ダイオードの断面電子顕微鏡写真である。
【図６】本発明の製造方法によって作成した発光ダイオードの断面電子顕微鏡写真である。
【図７】本発明の発光ダイオードと従来技術で形成した発光ダイオードの発光量の比較図である。
【符号の説明】
１０    発光ダイオード
１２    ｎ型の半導体領域
１３    ｐ型の半導体領域
１４，１５    電極
１６    ｐｎ接合
１７    凹凸面
１８    薄膜
２０    半導体チップ
２１    粘着テープ
２２    リング
【図１】
0003726882.tif 000002
【図２】
0003726882.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003726882.tif 000008