(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置のダブルコンタクト形成方法において、ダブルコンタクト用に隣接した２つのコンタクトホールの間に、これらコンタクトホールをつなぐブリッジホールを開けるようにし、
コンタクトホールによる２つのラウンド部分と、ブリッジホールによる前記ラウンド部分間のブリッジ部分と、からなる亜鈴状ホールが形成され、
ダブルコンタクト形成用のマスクパターンが、コンタクトホールを開けるための２つのアングル部を、露光光線の回折で亜鈴状ホールのブリッジ部分が形成される間隔に近接させて有する
ことを特徴とするダブルコンタクト形成方法。
【請求項２】
２つのアングル部の間隔が０．３μｍ以下である請求項１記載のダブルコンタクトホール形成方法。
【請求項３】
ダブルコンタクト形成用のマスクパターンにより露光して感光膜マスクを形成した後、等方性食刻を実施してから異方性食刻を実施することにより、口部分のラウンディング食刻面及びその下の線形食刻面を有する亜鈴状ホールを形成する請求項１〜２のいずれか１項に記載のダブルコンタクト形成方法。
【請求項４】
導電層上に形成した絶縁層を食刻してダブルコンタクトホールを形成する半導体装置のダブルコンタクト形成方法において、
ダブルコンタクトホールとなる２つのコンタクトホール間をつなぐブリッジホールをもった亜鈴状に感光膜を露光する段階と、その露光後の感光膜を現像した後にこれをマスクとしてエッチングを行い、前記絶縁層を貫通してその下の導電層を露出させる亜鈴状ホールを形成する段階と、前記感光膜を取り除いた後、前記亜鈴状ホール内に導電物質を充填する段階と、を実施するようにしたことを特徴とするダブルコンタクト形成方法。
【請求項５】
亜鈴状ホールを形成するエッチングで、最初に等方性食刻を行ってから異方性食刻を行う請求項４記載のダブルコンタクト形成方法。
【請求項６】
感光膜露光用のマスクパターンは、コンタクトホールのための２つのアングル部と、これらアングル部間のブリッジ部と、を有する請求項４又は請求項５記載のダブルコンタクト形成方法。
【請求項７】
感光膜露光用のマスクパターンは、コンタクトホールのための２つのアングル部を、露光光線の回折でブリッジホール用のブリッジ部分が形成される間隔に近接させて有する請求項４又は請求項５記載のダブルコンタクト形成方法。
【請求項８】
２つのアングル部の間隔が０．３μｍ以下である請求項７記載のダブルコンタクト形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造工程におけるコンタクト形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一つのアクセストランジスタと一つのストレージキャパシタとからなるメモリセルを多数有するＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memory)のような半導体メモリでは、セルの高集積化によるチップ面積の増大を防止するために、トランジスタやキャパシタなどの素子サイズを小さくしなければならない。また、高密度化に伴って半導体装置がさらに小さくなるため、素子の動作を保障するためにより精度の高いコンタクト形成技術が必要になっている。さらに、半導体装置の縮小により動作電圧を下げる必要が生じ、例えば、２５６メガビットＤＲＡＭについては１．２Ｖ、１ギガビットＤＲＡＭについては１Ｖ以下の電源電圧が提案されている。
【０００３】
以上のような高密度化、低電圧化により高精度のコンタクト形成技術が求められるようになった。そのためにコンタクトホールを二つ以上形成することにより、コンタクト抵抗を低減する方法がある。しかし、高密度化によって隣接するコンタクトホールの間隔が狭まり、隣接するコンタクトホールがオーバーラップする場合、図１に示すような尖点Ｐが形成されてしまう。
【０００４】
図１では、基板１０上の下部導電層２０の上部には層間絶縁膜３０を貫通するコンタクトホールＣ１、Ｃ２が形成される。コンタクトホールＣ１、Ｃ２は、上側に等方性食刻によって形成された食刻面３１、３２と下側に異方性食刻によって形成された食刻面３３、３４とを有する。尖点Ｐは、食刻面３１、３２を形成するための等方性食刻時に絶縁膜３０が過度に食刻されて発生する。したがって、コンタクトホールＣ１、Ｃ２にコンタクトプラグを充填してダブルコンタクトを形成すると、コンタクト関連欠陥、例えば密着性問題やマイグレーションの問題などが生じてしまう。
【０００５】
図２は図１のダブルコンタクト構造により生じる問題を克服するための技術である。ダブルコンタクトホールの全体サイズに対応するサイズの一つのコンタクトホールを、コンタクトホールＣ１、Ｃ２の食刻面３３、３４を形成後に層間絶縁膜に形成する。その詳細は、クロムなどが塗布されたガラス基板５１に直方形のパターン部５２を持つマスク５０を、レジストなどの感光膜４０上にパターン形成するために用いる。直方形のパターン部５２のサイズは、ダブルコンタクトホールの総サイズを考慮したものである。露光工程においてレーザビームや紫外線などの光源は、マスク５０のパターン部５２を通過して感光膜４０上に照射され、パターン以外の部分に照射された光源は反射される。このように、露光された部分４１は露光されない部分４２と区別され、後続工程で露光部分４１のみが現像される。
【０００６】
露光部分４１を現像後にエッチングすると、絶縁膜３０にはコンタクトホールＣ１、Ｃ２の食刻面３３、３４上にコンタクトホールＣ１、Ｃ２を一つにするコンタクトホールが形成される。その後、感光膜４０の残り部分４２を取り除き、タングステンなどの金属物質をコンタクトホールに充填することによって、下部導電膜２０と絶縁膜３０上に形成される上部導電膜とを接続するコンタクトプラグが形成される。このコンタクトプラグの平面形状は楕円形であるため、接触面積が狭まる問題がある。即ち、形成されたコンタクトサイズは、ダブルコンタクトホールの総サイズより小さくなる。これは露光工程で、光の回折及び干渉現象によってコンタクトが楕円形に生成されるためである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように直方形のパターンによって接触面積が狭まり、よって低電圧で良好なオーミックコンタクトを提供し難い問題がある。したがって、接触面積を大きくし、且つコンタクト関連欠陥を低減し得る半導体装置のダブルコンタクト形成方法が求められている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
以上のような課題を解決する本発明の半導体装置のダブルコンタクト形成方法は、半導体装置のダブルコンタクト形成方法において、ダブルコンタクト用に隣接した２つのコンタクトホールの間に、これらコンタクトホールをつなぐブリッジホールを開けるようにしたことを特徴とする。つまり、コンタクトホールによる２つのラウンド部分と、ブリッジホールによる前記ラウンド部分間のブリッジ部分と、からなる亜鈴状ホールを形成される。そのためのダブルコンタクト形成用のマスクパターンが、コンタクトホールを開けるための２つのアングル部と、これらアングル部間のブリッジ部と、を有する。あるいはダブルコンタクト形成用のマスクパターンが、コンタクトホールを開けるための２つのアングル部を、露光光線の回折で亜鈴状ホールのブリッジ部分が形成される間隔に近接させてあり、その間隔が０．３μｍ以下である。そしてダブルコンタクト形成用のマスクパターンにより露光して感光膜マスクを形成した後、等方性食刻を実施してから異方性食刻を実施することにより、口部分のラウンディング食刻面及びその下の線形食刻面を有する亜鈴状ホールを形成する。
【０００９】
またその形成過程は、導電層上に形成した絶縁層を食刻してダブルコンタクトホールを形成する半導体装置のダブルコンタクト形成方法において、ダブルコンタクトホールとなる２つのコンタクトホール間をつなぐブリッジホールをもった亜鈴状に感光膜を露光する段階と、その露光後の感光膜を現像した後にこれをマスクとしてエッチングを行い、前記絶縁層を貫通してその下の導電層を露出させる亜鈴状ホールを形成する段階と、前記感光膜を取り除いた後、前記亜鈴状ホール内に導電物質を充填する段階と、を実施するようにしたことを特徴とする。亜鈴状ホールを形成するエッチングで、最初に等方性食刻を行ってから異方性食刻を行う。感光膜露光用のマスクパターンは、コンタクトホールのための２つのアングル部と、これらアングル部間のブリッジ部と、を有する。感光膜露光用のマスクパターンは、コンタクトホールのための２つのアングル部を、露光光線の回折でブリッジホール用のブリッジ部分が形成される間隔に近接させて有し、その間隔は０．３μｍ以下である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に従う好適な実施形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図３は、本発明のフォトマスクの形状を示す図である。図３においてフォトマスク５０は、層間絶縁膜の上部から下部導電層まで絶縁膜を貫通する亜鈴状のコンタクトホールを形成するために、離隔されたアングル部５３、５４と、両アングル部を接続するブリッジ部５５とがガラス板５１にパターン５６として形成される。図３はポジティブ形フォトレジスト工程のためのフォトマスク５０を示しているが、ネガティブ形フォトレジストプロセスでは、パターン５６にクロムを塗布し、塗布されない部分に紫外線、レーザ又は電子ビームを通過させても良い。
【００１２】
図６のように、導電層２０の上部に形成された絶縁膜３０にコンタクトホールを形成するために、まず、絶縁膜３０の上部に感光膜４０を塗布する。その後、感光膜４０は図３に示すフォトマスク５０によってパタニングされる。そして、露光された感光膜を現像した後エッチングすることによって、絶縁膜３０を導電層２０まで食刻してできる亜鈴状のコンタクトホール３６を形成する。次に、現像されなかった残り感光膜を取り除き、コンタクトホールに導電物質を充填してコンタクトプラグ３５を形成する。以下、さらに具体的なコンタクト製造工程を説明する。
【００１３】
図４を参照すると、図３のフォトマスク５０によって露光されたポジティブ形感光膜４０の潜像パターン４３が、非露光部４４と区別して形成される。亜鈴状の潜像パターン４３は、離隔されたラウンド部ａ、ｃと、ラウンド部ａ、ｃを接続するブリッジ部ｂとからなる。この時、露光はエキシマレーザ又は水銀ランプから提供される約２４８ｎｍ波長の光で行われる。
【００１４】
図６は、図４のパターンがエッチングされてできたコンタクト構造を示す。現像工程で、潜像パターン４３のみが現像されると、層間絶縁膜３０がこの部分のみ露出する。露出した層間絶縁膜３０の形状は、潜像パターン４３と同様に離隔されたラウンド部と、両ラウンド部を接続するブリッジ部とを有する亜鈴状をなす。露出した層間絶縁膜３０がエッチングされると、絶縁膜３０には一つのコンタクトホール３６が形成される。ここで、湿式食刻後に下部導電層２０が露出するまで乾式食刻を行う場合、等方性食刻と異方性食刻とが行われる。これにより、コンタクトホール３６は、図６のように、ラウンディング食刻面３１及び線形食刻面３３を有する。
【００１５】
その後、感光膜４０の非露光部４４を取り除き、タングステンなどの金属物質をコンタクトホールに充填することによって、下部導電膜２０と絶縁膜３０上に形成される上部導電膜とを接続するコンタクトプラグ３５が形成される。コンタクトプラグ３５の平面形状は、従来の楕円形に比べて面積が大きいため、接触面積が増大する。
【００１６】
図５は本発明の他の実施形態によるフォトマスクの形状を示す図である。図５を参照すると、フォトマスク５０は、離隔されたアングル部５３、５４をクロムなどのコーティングされたガラス板５１にパターンとして有する。ポジティブ形フォトレジストのためのフォトマスク５０の構造は変形されてもよく、例えばフォトマスク５０はクロムによりパタンを描き、ガラス板５１を紫外線、レーザ又は電子ビームが通過する構造でもよい。このようなパターンでは、両アングル部５３、５４間の距離Ｌが極めて重要なパラメータとなる。本例では離隔距離Ｌを約０．３μｍとして露光した場合、図４の潜像パターン４３に似たパターンが得られた。
【００１７】
図６の下部導電層２０は、例えば、ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜上に形成された多結晶シリコン層と高融点金属シリサイド層とからなるポリサイド層や、チャネルドープ領域の表面層、又は金属層よりなる。コンタクトホールに充填されるプラグ３５は、ドーピングされた多結晶シリコン又はタングステンのような材質よりなる。
【００１８】
【発明の効果】
本発明によってマスク一つで接触面積が増大し、低電源電圧で良好なオーミックコンタクトを提供できる。また既存のように絶縁膜に尖点が生じないため、コンタクト関連欠陥が減り、コンタクト抵抗を容易に低減し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置のダブルコンタクトの断面図。
【図２】従来のコンタクト形成のためのフォトマスク工程の説明図。
【図３】本発明のマスクパターンを示す図。
【図４】図３のマスクにより露光された感光膜の潜像パターンを示す図。
【図５】本発明の他の実施例によるマスクパターンを示す図。
【図６】図３のマスクによるコンタクト構造の断面図。
【符号の説明】
１０  基板
２０  導電層
３０  絶縁膜
３１、３２、３３、３４  食刻面
３５  コンタクトプラグ
３６  コンタクトホール
４０  感光膜
４３  潜像パターン
４４  非露光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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