(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、この絶縁基体内に形成された複数の回路機能とを具備してなる高周波複合回路ブロックであって、前記回路機能間に、相互の干渉を防止するための面状のシールド壁を前記絶縁層の積層方向に形成してなり、該シールド壁に、短辺の長さが高周波信号の波長λの１／４０以下の長方形状の開口部を１又は２個形成してなるとともに、該開口部を介して前記シールド壁の両側の絶縁層同士の接合を行うことを特徴とする高周波複合回路ブロック。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の回路機能を有する高周波複合回路ブロックに係わり、例えば、電圧制御発振器（ＶＣＯ）、ミキサ部、フィルター素子、発振子、コイル、コンデンサ等の回路機能が内部に複数形成された高周波複合回路ブロックに関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、電子機器は小型軽量化、携帯化が進んでおり、それに用いられる回路基板もその動向に呼応する形で、小型軽量薄型化、表面実装化、複合化が押し進められている。
【０００３】
特に携帯通信等の高周波を利用した通信機器においては、セラミックスの優れた誘電特性等と多層化技術からセラミック回路基板が従来より多用されており、近年では、回路基板を単一機能のものから複合化することが求められてきている。例えば、電圧制御発振器（ＶＣＯ）はセラミック基板内部にストリップラインを設けて形成しているが、更にセラミック基板の集積度をあげる目的で、同一基板内にミキサ部を取り込んで１ブロック化しようとする動向がある。即ち、高周波複合回路基板内に、電圧制御発振器とミキサ部の２つの回路機能を形成しようとするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電圧制御発振器のような高周波領域において用いられる発信回路は、他の回路機能であるミキサ部からのノイズの影響を受け易いという問題があった。即ち、電圧制御発振器とミキサ部が同一基板内に形成される場合には、電圧制御発振器がミキサ部の影響を受け、発振器としての性能が劣化するという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決するために、電圧制御発振器からミキサ部を離して形成することが考えられるが、この方法では、近年における小型化の要求に対して逆行するという問題があった。
【０００６】
そこで、本出願人は、同一基板内に内蔵した電圧制御発振器とミキサ部との間に、シールド壁を基板の厚み方向に形成した高周波複合回路ブロックについて出願した（特願平７−２８３８２９号）。
【０００７】
この高周波複合回路ブロックでは、電圧制御発振器とミキサ部との干渉を有効に防止することができる。しかしながら、シールド壁を基板の厚み方向に形成したため、そのシールド壁の存在によりシールド壁両側のセラミック同士の接合力が弱くなり、高周波複合回路ブロックの強度が低下するという問題があった。
【０００８】
本発明は上記問題を解決するものであり、その目的は、複数の回路機能を１ブロック内に内蔵するにあたって問題となる回路干渉を防ぎ、さらに基板強度を向上できる高周波複合回路ブロックを提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波複合回路ブロックは、絶縁層を複数積層してなる絶縁基体と、この絶縁基体内に形成された複数の回路機能とを具備してなる高周波複合回路ブロックであって、前記回路機能間に、相互の干渉を防止するための面状のシールド壁を前記絶縁層の積層方向に形成してなり、該シールド壁に、短辺の長さが高周波信号の波長λの１／４０以下の長方形状の開口部を１又は２個形成してなるとともに、該開口部を介して前記シールド壁の両側の絶縁層同士の接合を行うものである。
【００１０】
【作用】
本発明によれば、複数の回路機能を同一基板内に一体化形成するにあたって、回路機能間にシールド壁を形成することにより、小型化を阻害せずに回路機能間の干渉を防止することができる。また、シールド壁の形成位置により、外部からのノイズやブロック表面に搭載された電子部品からのノイズも阻止することが可能となる。
【００１１】
そして、本発明では、シールド壁に開口部を形成したので、シールド壁の両側に存在する絶縁層、例えばセラミック同士の接合を開口部を介して行うことができ、シールド機能を維持したまま、基板等のブロックの強度を向上することができる。特に、高周波複合回路ブロックを、複数の領域に分割するようにシールド壁を形成した場合に、強度を向上することができるので有効である。
【００１２】
さらに、長方形状の開口部の短辺の長さＬを高周波信号の波長λの１／４０以下とすることにより、シールド効果を高く維持した状態で、基板強度を大きく向上できる。
【００１３】
従来のセラミック多層回路基板の製造方法は、ガラスセラミックスやセラミックス等の原料を含有するグリーンシートを作成し、次に、グリーンシートにビアーホール導体となる位置にＮＣパンチや金型などでビアホール用貫通孔を形成し、次に内部配線のパターン及びビアーホール導体に応じてグリーンシート上に導電性ペーストを印刷・充填し、次に、これらのシートを複数積層し、この積層体を一括同時焼成する、いわゆるグリーンシート積層方式によるものであった。
【００１４】
しかしながら、このグリーンシート積層方式による製造方法にて積層方向にシールドを形成しようとすると、絶縁層となるグリーンシートを作製したのちに、ＮＣパンチや金型などでシールド用貫通溝を形成しなくてはならず、グリーンシートを次工程以降で取り扱うことが困難であった。更に、理想的にはシールドは面方向に閉ループ状態にしたいが、それに対応するためにＮＣパンチや金型などでシールド用貫通溝を形成することは不可能であった。
【００１５】
そこで、本発明の高周波複合回路ブロックは、光硬化可能なモノマーを含有するスリップ材で絶縁層成形体を作成し、露光・現像処理を施した絶縁層成形体を焼成することにより、シールド壁を絶縁層の積層方向に形成し、しかも、シールド壁に開口部を容易に形成することができ、回路機能間の干渉や外部からのノイズを遮断できるとともに、基板強度を向上できるのである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の高周波複合回路基板を図面を用いて詳細に説明する。
図１および図２は本発明の高周波複合回路ブロックを示すもので、これらの図では、電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙの２つの回路機能を有するブロックが複合化されている。図において、符号１は絶縁基体を示している。この絶縁基体１は誘電体としての機能を有するものである。
【００１７】
この絶縁基体１には、入出力端子、電源端子、グランド端子等の端面電極２が形成されている。この端面電極２はリード端子として形成しても良い。この絶縁基体１の表面には表面電極３が形成されており、この表面電極３には厚膜抵抗体４、抵抗器、コンデンサ等のチップ部品６が接続されている。さらに、絶縁基体１にはキャビティ部が形成され、このキャビティ部には半導体ベアチップ７が配置され、この半導体ベアチップ７はワイヤを介して表面電極３に接続されている。
【００１８】
絶縁基体１は、図２に示すように、絶縁層１０ａ〜１０ｈを複数積層して構成され、また、内部配線１１やビアホール導体１３、チップ部品６、半導体ベアチップ７等により２つの回路機能Ｘ、Ｙが形成されている。本発明の複数の回路機能とは、一つの回路機能が他方の回路機能に影響を及ぼす虞があるものであれば、どのようなものであっても良く、回路機能としては、例えば、フィルター素子、発振子、コイル、コンデンサ等それぞれが単独の場合もあるが、これらの複数の組み合わせからなる場合もある。図２においては、電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙを図示した。
【００１９】
絶縁層１０ａ〜１０ｈはガラスセラミックスまたはセラミックスからなるものである。絶縁層１０ａ〜１０ｈの厚みは４０〜１５０μｍとされている。このような複数の絶縁層１０ａ〜１０ｈ間に形成されている内部配線１１は、金系、銀系、銅系の金属材料からなるものである。
【００２０】
また、絶縁層１０ａ〜１０ｈ間の内部配線１１は、絶縁層１０ａ〜１０ｈの厚み方向に形成されたビアホール導体１３によって接続されているものもあれば、容量結合等で分布定数的に接続されるものもある。このビアホール導体１３も内部配線１１と同様に金系、銀系、銅系の金属材料からなるものである。
【００２１】
そして、絶縁基体１には、電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙの二つの回路機能の間に、絶縁層１０ａ〜１０ｈの積層方向にシールド壁１７が形成されている。このシールド壁１７は、ビアホール導体１３と同様に金系、銀系、銅系の金属材料からなるもので、本実施例では銀系導体を用いた。
【００２２】
このシールド壁は１７は、図２に示すように電圧制御発振器Ｘとミキサ部Ｙとの間を遮断して形成されている。回路機能Ｘのシールドを、図３（ａ）に示すように、シールド壁１７と端面電極２ａにより行っている。即ち、シールド壁１７により電圧制御発振器Ｙとのシールドを、端面電極２ａにより外部とのシールドを行っている。
【００２３】
このシールド壁１７には開口部１９が形成されている。この開口部１９は、図３（ｂ）に示すような長方形状とされ、その短辺Ｌは、高周波信号（使用周波数）の波長λの１／４０以下とされている。
【００２４】
尚、この実施例では、回路機能Ｘを挟持するように、シールド壁１７と端面電極２ａを対向して形成した例について説明したが、図４に示すように、端面電極２ａの代わりに絶縁基体１内にシールド壁１７を形成し、シールド壁１７により回路機能Ｘを挟持するようにしても良い。
【００２５】
また、図５に示すように回路機能を取り囲むように閉ループ状のシールド壁１７を形成しても良い。このような面方向に閉ループ状のシールド壁１７を形成することにより、電磁波等の侵入、放出をより確実に遮断することができる。
【００２６】
さらに、図４および図５において、上下に図３の内部配線１１ａ、１１ｂに相当するような内部配線を接続し、シールド壁１７と内部配線により絶縁層の面方向に閉ループ状のシールド壁１７を形成しても良いことは勿論である。この場合には、さらに電磁波等の侵入、放出を確実に遮断することができる。
【００２７】
さらに、シールド壁１７には、図６（ａ）に示すように横方向に長い長方形状の開口部、（ｂ）に示すように上下に形成された長方形状のスリットからなる開口部、（ｃ）に示すようにシールド壁１７を左右に分割する溝状の開口部、（ｄ）に示すようにシールド壁１７を上下に分割する溝状の開口部であっても良いが、この場合でも、長方形状の開口部の短辺の長さＬが高周波信号の波長λの１／４０以下とすることが必要である。シールド壁１７には複数の開口部１９を設けても良いことは勿論である。
【００２８】
本発明は、図７に示すように、高周波複合回路ブロックを完全に分割するように、シールド壁を形成した場合に、特に強度向上の効果が顕著である。
【００２９】
次に、本発明の高周波複合回路ブロックの製造方法について説明する。先ず、絶縁層１０ａ〜１０ｈとなるスリップ材を作成する。
【００３０】
スリップ材は、例えば、セラミック原料粉末と、光硬化可能なモノマー、例えばポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレートと、有機バインダ、例えばアルキルメタクリレートと、可塑剤とを、有機溶剤、例えばエチルカルビトールアセテートに混合し、ボールミルで約４８時間混練して作製される。
【００３１】
セラミック原料粉末としては、金属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｃａを含有する複合酸化物であって、その金属元素酸化物による組成式を（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中ｘは重量比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１５）で表される主成分１００重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜３０重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜２５重量部添加含有してなるものが用いられる。
【００３２】
尚、上述の実施例では溶剤系スリップ材を作成しているが、上述のように親水性の官能基を付加した光硬化可能なモノマー、例えば多官能基メタクリレートモノマー、有機バインダ、例えばカルボキシル変性アルキルメタクリレートを用いて、イオン交換水で混練した水系スリップ材を作成しても構わない。
【００３３】
セラミック原料粉末としては、ガラス材料であるＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 を主成分とする結晶化ガラス粉末７０重量％とセラミック材料であるアルミナ粉末３０重量％とからなるもの用いられる。
【００３４】
また、ビアホール導体１３、内部配線１１およびシールド壁１７となる導電性ペーストを作成する。導電性ペーストは、低融点で且つ低抵抗の金属材料である例えば銀粉末と、硼珪酸系低融点ガラス、例えばＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＢａＯガラス、ＣａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラス、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラスと、有機バインダ、例えばエチルセルロースとを、有機溶剤、例えば２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオ−ルモノイソブチレ−トに混合し、３本ローラーにより均質混練して作成される。
【００３５】
次に、図８（ａ）に示すように、まず、絶縁層用スリップ材を、支持基板３３上に、上述のスリップをドクターブレード法によって塗布し、乾燥して、絶縁層１０ｈとなる絶縁層成形体３５ｈを形成する。支持基板３３としてマイラーフイルムを用い、この支持基板３３は焼成工程前に取り外される。塗布後の乾燥条件は６０〜８０℃で２０分乾燥であり、薄層化・乾燥された絶縁層成形体３５ｈの厚みは４０μｍである。
【００３６】
この絶縁成形体３５ｈにはビアーホル導体が形成されないため、直ちに、図２中の内部配線１１ａとなる内部配線パターンの印刷・乾燥を行う。具体的には、図８（ｂ）に示すように上述の導電性ペーストを所定配線パターンの形成可能なスクリーン（図示せず）を介して、印刷・乾燥することにより、内部配線パターン３６ａが形成される。
【００３７】
次に、下から２層目となる絶縁層１０ｇを形成する。
具体的には、図８（ｃ）に示すように、絶縁層１０ｇとなる絶縁層成形体３５ｇを、絶縁層成形体３５ｈ上の内部配線パターン３６ａを全て被覆するように、絶縁層成形体３５ｈと同様に塗布・乾燥により形成する。
【００３８】
この後、絶縁層成形体３５ｇにシールド用貫通溝及びビアホール用貫通孔の形成を行う。シールド用貫通溝及びビアホール用貫通孔は、露光処理、現像処理、洗浄・乾燥処理により形成される。尚、シールド壁及びビアホール導体の形成の不要な絶縁層については、この貫通溝、孔の形成、そして次に続く導電性ペーストの充填工程は省略される。
【００３９】
露光処理は、具体的には、図８（ｄ）に示すように、絶縁層成形体３５ｇ上にシールド用貫通溝及びビアホール用貫通孔が形成される領域が遮光されるようなフォトターゲット３７を載置して、超高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を光源として用いて露光を行なう。
【００４０】
露光処理は、例えば、フォトターゲット３７を絶縁基板上に近接または載置して、貫通溝、孔以外の領域に、低圧、高圧、超高圧の水銀灯系の露光光を照射する。これにより、貫通溝、孔以外の領域では、光硬化可能なモノマーが光重合反応を起こす。従って、貫通溝、孔部分のみが現像処理によって除去可能な溶化部となる。尚、実際には、フォトターゲット３７を絶縁層成形体に接触させて露光した方が露光精度は向上する。また、最適露光時間は絶縁層成形体の厚み、シールド用貫通溝の幅、ビアホール用貫通孔の直径などで決まる。露光装置は所謂写真製版技術に用いられる一般的なものでよい。
【００４１】
これにより、シールド用貫通溝及びビアホール用貫通孔が形成される領域の絶縁層成形体３５ｇにおいては、光硬化可能なモノマの光重合反応がおこらず、貫通溝、孔が形成される領域以外の絶縁層成形体３５ｇにおいては、光重合反応が起こる。ここで光重合反応が起こった部位を不溶化部といい、光重合反応が起こらない部位を溶化部という。尚、４０μｍ程度の絶縁層成形体３５ｇは、超高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を５〜１０秒程度照射すれば露光を行うことができる。
【００４２】
現像処理は、フォトターゲット３７を除去した後、絶縁層成形体３５ｇの溶化部をスプレー現像法やパドル現像法によって、現像液で除去するもので、具体的には１，１，１−トリクロロエタンを用いてスプレー法で現像を行う。その後、必要に応じて洗浄及び乾燥を行ない、図８（ｅ）に示すように、シールド用貫通溝３８およびビアホール用貫通孔３９を形成する。
【００４３】
次に、シールド壁及びビアホール導体となる導体部材を、絶縁層成形体に形成されたシールド用貫通溝３８およびビアホール用貫通孔３９に導電性ペーストを充填し、乾燥することにより形成する。充填方法は、例えばスクリーン印刷方法で行なう。具体的には、上述の工程で形成したシールド用貫通溝３８およびビアホール用貫通孔３９内に上述の導電性ペーストを充填し、乾燥する。シールド用貫通溝３８およびビアホール用貫通孔３９に相当する部位のみに印刷可能なスクリーンを用いて、印刷によってビアホール導体１３及びシールド壁１７となる導体部材を形成し、その後、５０℃において１０分乾燥する。
【００４４】
次に、絶縁層成形体３５ｇの表面に内部配線１１となるパターンを導電性ペーストを用いて印刷・乾燥して形成する。印刷方法は、例えばスクリーン印刷方法で行なう。具体的には、図８（ｆ）に示すように、絶縁層１０ｇと絶縁層１０ｆとの間に配置される内部配線１１を、絶縁層成形体３５ｈ上に形成した内部配線パターン３６ａと同様のスクリーン印刷法にて形成し、乾燥し、内部配線パターン３６を形成する。
【００４５】
そして、図９に示すように、絶縁層用スリップ材の塗布・乾燥工程を繰り返し、下から３層目の絶縁層成形体を形成する。即ち、絶縁層１０ｆとなる絶縁層成形体３５ｆを塗布・印刷して形成し、さらに露光・現像処理によりシールド用貫通溝３８を形成し、シールド壁１７となる導電性ペーストを印刷充填し、内部配線１１となる内部配線パターン３６の形成を繰り返す。このような工程を繰り返して最上層の絶縁層成形体３５ａを形成し、露光・現像処理により貫通溝、孔を形成し、導電性ペーストを印刷充填して、図８に示すような８層の絶縁層を有する積層成形体４１を形成する。
【００４６】
尚、シールド壁１７の開口部１９は、開口部１９の形成部分の絶縁層成形体を光重合反応させ、除去しないようにすることにより容易に作製できる。
【００４７】
この後、表面電極３となる導体膜を最上層の絶縁層成形体３５ａの表面に印刷・乾燥により形成する。これは、各絶縁層成形体３５ａ〜３５ｈ、内部配線１１となる配線パターン３６、ビアホール導体１３およびシールド壁１７となる導体部材の一括焼成時に、表面電極３となる導体膜をも一括的に焼成しようとするものである。
【００４８】
次に、必要に応じて、積層成形体４１の形状をプレスで整えたり、分割溝を形成したり、また、支持基板３３を取り外す。
【００４９】
次に、焼成を行う。焼成は、脱バインダー工程と、本焼成工程からなる。脱バインダー工程は、概ね６００℃以下の温度領域であり、絶縁層成形体３５ａ〜３５ｈ及び内部配線パターン３６、導体部材に含まれている有機バインダ、光硬化可能なモノマを消失する過程であり、本焼成工程は、ピーク温度８５０〜１０５０℃、例えば、ピーク温度９００℃で３０分焼成する。
【００５０】
これにより、図２に示したように、８層の絶縁層１０ａ〜１０ｈからなる絶縁基体１内に、シールド壁１７、内部配線１１、ビアホール導体１３が形成され、さらに、表面電極３が形成された高周波複合回路ブロックが得られる。
【００５１】
その後、表面処理として、さらに、厚膜抵抗体４や厚膜保護膜の印刷・焼きつけ、メッキ処理、さらに半導体ベアチップ７やチップ部品６の接合を行う。
【００５２】
尚、図１においては、絶縁基体１の上面側のみに表面電極３、厚膜抵抗体４、チップ部品６が形成されているが、絶縁基体１の下面側にも形成してもよい。この時に、高周波複合回路ブロックの製造方法としては、絶縁体成形体３５ｈを塗布・乾燥後、下面側に延びるビアホール導体を形成するために、露光・現像処理を行う必要がある。
【００５３】
また、表面電極３は、絶縁層１０ａ〜１０ｈの焼成された積層体の表面に、印刷・乾燥し、所定雰囲気で焼きつけを行っても構わない。例えば、内部配線１１にＡｇ系導体を用い、表面電極３としてＣｕ系導体を用いる場合、絶縁層成形体３５ａ〜３５ｈと内部配線１１の配線パターンからなる積層成形体を、酸化性雰囲気又は中性雰囲気で焼成し、焼成された積層体の表面に、Ｃｕ系導体の印刷・乾燥を行い、中性雰囲気又は還元性雰囲気において７８０℃（ＡｇとＣｕの共晶点）以下の温度で焼成する。
【００５４】
また、支持基板３３がアルミナセラミック基板を用いた場合には、焼成前に取り外すことなく、多層セラミック回路基板の下部層としてそのまま残存させても構わない。この場合、支持基板３３であるアルミナセラミック基板にビアホール導体や内部配線パターンを予め形成しても良い。
【００５５】
このような製造方法によれば、ビアホール導体１３となる貫通孔が、フォトターゲット３７を用いて、露光・現像処理によって作成されるために、フォトターゲット３７のパターンによっては、複数種類の径の貫通穴を任意に形成するとことができる。これは、例えば、多層セラミック回路基板中にアース導体の内部配線を用いる場合、導電率を考慮して、孔径を任意に設定できるため極めて有益である。
【００５６】
また、従来の製造方法、即ち、金型やＮＣパンチの打ち抜きや、スリップ材の印刷パターンによる接続では得ることができない径、例えば８０μｍで、さらに相対位置精度の高い貫通穴の形成が可能であるため、高密度の内部配線パターンを有する多層セラミック回路基板を容易に製造できる。
【００５７】
また、絶縁層となるスリップ材の塗布により絶縁層成形体が形成されるため、絶縁層成形体の表面が、内部配線の配線パターンの積層状態にかかわらず、常に平面状態が維持でき、絶縁層成形体上に配線パターンを形成するにあたって、非常に精度が高くなる。
【００５８】
上述の実施例では、内部配線１１として、Ａｕ系、Ａｇ系、Ｃｕ系の低融点金属材料を用いた低温焼成複合回路ブロックで説明したが、内部配線１１として、タングステン、モリブデンなどの高融点金属材料が用いた、１３００℃前後で焼成される複合回路ブロックであっても構わない。
【００５９】
【実施例】
本発明の高周波複合回路ブロックの開口部を有するシールド壁のシールド効果を電磁場解析を用いて確認した。先ず、図１０（ａ）に示すように、厚み１ｍｍ、長さ９ｍｍの基板上下面にグランド層５０を形成し、基板内に幅ａが０．１ｍｍの２条のストリップライン５１を設け、それらの間に、厚みｂが０．２ｍｍのシールド壁５３を設け、シールド壁５３とストリップライン５１との間の距離ｃを０．２ｍｍに設定した。この基板の誘電率は１９、誘電体のＱｆを１６０００とした。
【００６０】
そして、図１０（ｂ）に示すように、シールド壁５３の開口部５５の短辺の長さＬを、表１に示すように、高周波信号（周波数１．９ＧＨｚ）の波長λの１／２０である１．８ｍｍ、１／４０である０．９ｍｍ、１／８０である０．４５ｍｍに設定し、この場合の２条のストリップライン５１間のアイソレーションＳ２１を求め、表１に記載した。またシールド壁が形成されない場合についても解析し、表１に記載した。
【００６１】
【表１】
0003667948.tif 000002
【００６２】
この表１より、シールド壁に、開口部の短辺の長さＬが、高周波信号の波長λの１／４０以下である場合には、０〜３ＧＨｚまでの範囲においてシールド効果として充分である３０ｄＢ以上を有しており、優れたシールド効果を有することが判る。
【００６３】
【発明の効果】
本発明によれば、複数の回路機能間の干渉を、小型化を阻害せずに防止することができる。また、シールド壁に開口部を設けることにより回路機能間の干渉を防止できるとともに、基板強度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波複合回路ブロックの斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】図２におけるシールド構造を示す説明図である。
【図４】シールド構造の他の例を示す説明図である。
【図５】シールド構造のさらに他の例を示す説明図である。
【図６】シールド壁に形成された開口部を示す説明図である。
【図７】高周波複合回路ブロックを２分割するシールド壁を形成した図である。
【図８】本発明の高周波複合回路ブロックの製造方法を説明する工程図である。
【図９】本発明の高周波複合回路ブロックの積層成形体を示す断面図である。
【図１０】解析のために用いた高周波複合回路ブロックを説明するための図面である。
【符号の説明】
１・・・絶縁基体
２・・・端面電極
３・・・表面電極
４・・・厚膜抵抗体
６・・・チップ部品
７・・・半導体ベアチップ
１０ａ〜１０ｈ・・・絶縁層
１１・・・内部配線
１３・・・ビアホール導体
１７、５３・・・シールド壁
１９、５５・・・開口部
３５ａ〜３５ｈ・・・絶縁層成形体
３６・・・内部配線パターン
３７・・・フォトターゲット
４１・・・積層成形体
Ｘ、Ｙ・・・回路機能
【図１】
0003667948.tif 000003
【図２】
0003667948.tif 000004
【図３】
0003667948.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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