(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、誘電体層、垂直磁化膜であるＰｔ／Ｃｏ多層膜からなる再生磁性層、非磁性層及び再生磁性層より高い保磁力を有する垂直磁化膜であるＴｂＦｅＣｏ系材料から成る記録磁性層が、この順で積層された光磁気記録媒体において、再生磁性層の飽和磁場Ｈｓが、室温において、１６０≦Ｈｓ≦５００［Oe］を満足し、前記再生磁性層の層厚が１５〜３０nmの範囲で、前記非磁性層の層厚が２〜１０nmで、前記記録磁性層の層厚が５０〜２５０nmの範囲であり、かつ該再生磁性層と該記録磁性層が静磁結合していることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の光磁気記録媒体において、誘電体層の表面粗度Ｒａは、５nm以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は光磁気記録媒体に係り、特に、磁気超解像（以下、ＭＳＲという）により、高密度化を図った光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来より、大容量の情報記録媒体としては、情報を凹凸ピットで記録する再生専用光記録媒体（再生専用光ディスク）や磁化方向で記録する光磁気記録媒体（光磁気ディスク）などが知られている。近年、これらの記録媒体の高密度化に伴い、記録された情報を再生する際に使用されるレーザ光の短波長化が進んでいる。
【０００３】
例えば、上記再生専用光記録媒体の場合、再生出力がレ−ザ光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡに依存し、λ／（２ＮＡ）を越えた高密度の記録信号は再生できないため、レ−ザ光源の短波長化やＮＡを大きくする試みがなされている。
【０００４】
一方、光磁気記録媒体に於いては、高密度化された記録媒体の再生時の解像度の向上をは図るものとして、磁気超解像光磁気記録媒体（以下、ＭＳＲ光磁気記録媒体という）が知られている。この方法は記録磁性層と再生磁性層の積層による多層磁性膜構造の光磁気記録媒体を用い、これに記録された情報の再生時に、記録媒体に照射されたレーザ光の光スポット内に生じる温度分布を利用して、スポット内の特定部分に於ける記録マークの有無を検出している。
【０００５】
上記ＭＳＲ光磁気記録媒体の１つとしては、例えば、特開平３−８８１５６号公報やProceedings  of  the  First  Magneto-Electronics  Internationa Symposium,p139(1994)、J.Magn.Soc.jpn.,Vol.19,Supplement No.S1,p421(1995)に示された静磁結合タイプのＭＳＲ光磁気記録媒体が知られている。
【０００６】
この方式は、最初に再生磁性層の磁化状態を初期化外部磁界で一方向に磁化（初期化）し、再生時にレーザ光により加熱された再生磁性層に、記録磁性層の記録磁化情報を記録磁性層からの静磁気的磁界によって転写し、この再生磁性層に転写された記録磁化情報をカ−効果により読み出すものであり、最初に提案された交換結合タイプのＭＳＲ光磁気記録媒体（例えば、前方開口検出（ＦＡＤ）、後方開口検出（ＲＡＤ）のＭＳＲ光磁気記録媒体）に比べ初期化外部磁界を小さくすることができ、又、クロスト−クが少ないため記録密度を向上させることができる。
【０００７】
特開平３−８８１５６に示された静磁結合タイプのＭＳＲ光磁気記録媒体では、記録磁性層の磁化に基づく浮遊磁界を利用して、記録磁性層の記録磁化情報を再生磁性層に転写するものである。ここで、記録磁性層からの浮遊磁界は弱いため、再生磁性層の保磁力Ｈｃは小さい方が良い。また、良好なＣ／Ｎを得るためには、再生磁性層の材料は、キュリ−点Ｔｃが高く、かつカ−回転角が大きい材料であることが望ましい。上記条件を満たす再生磁性層の材料としては、Ｔｃが２５０℃以上で、Ｈｃが５００［Oe］以下であるＧｄＦｅＣｏが挙げられている。
【０００８】
又、記録磁性層の記録磁化情報が再生磁性層に転写される条件として、再生磁性層に与えられる記録磁性層からの磁化にもとずく浮遊磁界Ｈｌ、再生磁性層の反磁界Ｈｄ、再生時の転写補助磁界Ｈｒ、再生磁性層の保磁力Ｈｃが、再生光照射時の温度に於いて、
Ｈｌ＋Ｈｒ＋Ｈｄ＝Ｈｃ・・・・（１）
なる関係を満足する必要があると報告されている。しかしながら、上記（１）式を満たしていても、飽和磁場Ｈｓが再生磁性層の保磁力Ｈｃに比べ大きいと、記録磁性層の記録磁化情報が再生磁性層に完全に転写されない。
【０００９】
又、文献Proceedings  of  the  First  Magneto-Electronics  Internationa Symposium,p139(1994)やJ.Magn.Soc.jpn.,Vol.19,Supplement No.S1,p421(1995）に於いても、再生磁性層の材料としてＧｄＦｅＣｏが用いられ、波長７８０nmのレ−ザ光源で記録ピット０．５μmで約４５dBという高いＣ／Ｎが得られると報告されている。しかしながら、記録ピット０．３μm以下では、Ｃ／Ｎは４０dBより低くなり十分なＣ／Ｎが得られない。
【００１０】
つまり、ＧｄＦｅＣｏは短波長になるほど、特に波長５５０nm以下ではカ−回転角が著しく小さくなるため、波長５５０nm以下の短波長レ−ザ光源を用いて再生を行うと再生信号出力が低下し、十分なＣ／Ｎが得られない。従って、波長４００〜５５０nm帯の青〜緑色レ−ザ光源を用いてＭＳＲ再生を行う場合、短い記録マーク長、例えば記録マーク長０．４５μm以下の信号で十分なＣ／Ｎを得るためには、波長４００〜５５０nm帯で大きなカ−回転角の得られる材料を再生磁性層に用いる必要がある。
【００１１】
ところで、波長４００〜５５０nmで高いカ−回転角が得られる材料としてＰｔ／Ｃｏ多層膜が知られている。このＰｔ／Ｃｏ多層膜では、成膜方法によりＨｃを５００［Oe］以下にすることは可能であり、特開平３−８８１５６号に記載されている再生磁性層としての要求特性、及び（１）式の関係を満足させることはできる。しかしながら、従来知られている膜特性を有するＰｔ／Ｃｏ多層膜を再生磁性層として用いた静磁結合タイプのＭＳＲ光磁気記録媒体では、上記式１を満たしていても高いＣ／Ｎが得られなかった。ここで、高いＣ／Ｎが得られないのは、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜は異方性分散が大きいため、記録磁性層の記録磁化情報が再生磁性層に完全に転写されないことに起因している。
【００１２】
次に、上記式１を満たすＭＳＲ光磁気記録媒体で、高いＣ／Ｎが得られる場合と得られない場合について、図５を参照して説明する。図５は、典型的な垂直磁化膜のカーループを示し、同図に示したカーループ上の各ポイントに於ける印加磁場の大きさを、それぞれ核生成磁場Ｈｎ、保磁力Ｈｃ、飽和磁場Ｈｓとしたとき、再生磁性層にＧｄＦｅＣｏを用いた場合には、非常に角形性の良いカ−ル−プが得られるため、Ｈｎ≒Ｈｃ≒Ｈｓ＜２００［Oe］となり、（１）式を満たせば高いＣ／Ｎを得ることができる。しかしながら、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜はＧｄＦｅＣｏ膜にくらべ異方性分散が大きいため、Ｈｃが５００［Oe］以下でであってもＨｓが１［kOe］以上と高くなり、（１）式を満足しても録磁性層の記録磁化情報が再生磁性層に完全に転写されず、その結果、Ｃ／Ｎが低下する。
【００１３】
従って、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜を再生磁性層として用いた場合のようにＨｃ≒Ｈｓを満たさない場合には、再生光照射温度において、
Ｈｌ＋Ｈｒ＋Ｈｄ＝Ｈｓ・・・・（２）
なる関係を満たす必要がある。又、Ｈｓが非常に大きいと、（２）式を満たすのは困難なため、再生磁性層としてＰｔ／Ｃｏ多層膜を用いた場合には、再生磁性層のＨｓを小さくすると共に、そのカ−ル−プの角形性を向上させなければならない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、再生磁性層にＧｄＦｅＣｏを用いたＭＳＲ光磁気記録媒体では、再生光として４００〜５５０nmのレ−ザ光源を用いたときにカー回転角が低下し、再生磁性層にＰｔ／Ｃｏ多層膜をＭＳＲ光磁気記録媒体では、記録磁性層の記録磁化情報が再生磁性層に完全に転写させることができず、いずれの場合にも、高いＣ／Ｎを得ることができない。
【００１５】
そこで、本発明は、再生磁性層としてＰｔ／Ｃｏ多層膜を用いたＭＳＲ光磁気記録媒体に於いて、再生磁性層のＨｓを小さくすると共に、そのカ−ル−プの角形性を向上させたことにより、４００〜５５０nmのレ−ザ光を再生光として用いた場合に、高Ｃ／Ｎが得られる光磁気記録媒体を提供することを目的とするものであり、その結果、０．４５μm以下の短い記録マークも再生可能な高密度の光磁気記録媒体を提供することができる。
【００１６】
尚、特開平７−１４１７０９号にＰｔ／Ｃｏ多層膜を再生磁性層に用いたことを特徴とする光磁気記録媒体について開示されているが、この発明は再生磁性層と記録磁性層の間に、室温で面内磁化状態であり、温度が上昇すると垂直磁化状態になる中間磁性層が設けられた構造を有するものであり、再生光照射時に、中間磁性層を介して、交換結合力により記録磁性層の磁化情報を再生磁性層に転写している。従って、本発明にかかる光磁気記録媒体のように再生磁性層と記録磁性層の間に非磁性層を設けた静磁結合タイプのＭＳＲ光磁気記録媒体とは全く異なるものである。
【００１７】
また、文献Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．,Ｖｏｌ．１７,Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ Ｓ１（１９９３）,ｐｐ．１７１−１７４にはＰｔ／Ｃｏ多層膜を用い、静磁結合を利用した光変調ダイレクトオ−バ−ライトについて報告されているが、本文献に報告されている光磁気記録媒体はＰｔ／Ｃｏ多層膜を記録層として用いたものであり、本発明にかかるＰｔ／Ｃｏ多層膜を再生磁性層として用いた光磁気記録媒体とは全く異なるものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段及び作用】請求項１記載の光磁気記録媒体は、透明基板上に、誘電体層、垂直磁化膜であるＰｔ／Ｃｏ多層膜からなる再生磁性層、非磁性層、非磁性層及び再生磁性層より高い保磁力を有する垂直磁化膜であるＴｂＦｅＣｏ系材料から成る記録磁性層が、この順で積層された光磁気記録媒体において、再生磁性層の飽和磁場Ｈｓが、室温において、１６０≦Ｈｓ≦５００［Oe］を満足し、前記再生磁性層の層厚が１５〜３０nmの範囲で、前記非磁性層の層厚が２〜１０nmで、前記記録磁性層の層厚が５０〜２５０nmの範囲であり、かつ該再生磁性層と該記録磁性層が静磁結合していることを特徴とするものである。
【００１９】
請求項２記載の光磁気記録媒体は、請求項１記載の光磁気記録媒体において、誘電体層の表面粗度Ｒａが、５nm以下であること特徴とするものである。
【００２０】
本発明にかかる光磁気記録媒体は、以上のような構成により、波長５５０nm以下の短波長の再生光を用いたときに、大きなカー回転角が得られる。又、従来のＰｔ／Ｃｏ多層膜からなる再生磁性層よりも飽和磁場Ｈｓを小さくしたことにより、再生時に、記録磁性層の磁化を再生磁性層に良好に転写することができる。従って、再生光として、短波長のレーザ光を用いたときに、高いＣ／Ｎが得られる。
【００２１】
【実施例】
［本発明にかかる光磁気記録媒体の構成と再生方法について］
以下、本発明にかかる光磁気記録媒体の構成について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明にかかる光磁気記録媒体の構成を示し、同図に於いては、基板１の上に、第１誘電体層２を介して再生磁性層３、非磁性層４、記録磁性層５が積層され、ここで再生磁性層３と記録磁性層５は、非磁性層４を介して静磁結合するよう設けられる。又、記録磁性層５の上層に、保護層として誘電体層６が設けてもよい。
【００２２】
この光磁気記録媒体に対する情報の記録は通常の方法で行われる。すなわち、所定の外部磁界を与えた状態で半導体レ−ザ光を照射して、局部的に記録マークを形成し、情報の記録を行う。尚、以下の説明に於いては、光変調タイプの場合について説明するが、磁界変調タイプの場合にも同様の効果が得られる。
【００２３】
次に、上述のようにして情報が記録された光磁気記録媒体の再生方法、つまり記録マークの検出方法について図２を用いて説明する。同図に於いて、（ａ）は再生光が照射された部分の平面図を、（ｂ）はその断面図を示す。
【００２４】
図２の（ａ）に於いて、１１は再生光が照射された部分である光スポットを、１２は転写が行われる高温部を、２１〜２６は記録磁性層に形成された記録マークを示す。ここで、光スポット１１は、Ｄ１方向に移動していくため、高温部１２は光スポット１１の後方（進行方向の後ろ側）にずれる。又、（ｂ）は、再生磁性層３４と記録磁性層５の磁化方向を示す。ここで、再生磁性層３から記録磁性層５に向かう場合を下向きといい、記録磁性層５から再生磁性層３に向かう場合を上向きとすれば、記録磁性層５に於いて記録マークが形成された部分は上向きに磁化している。
【００２５】
本発明にかかる光磁気記録媒体に記録されている情報を再生する場合には、再生磁性層３に初期化磁界７を印加し、再生磁性層３の磁化を一方向に揃えている。例えば、図２（ｂ）に於いては、初期化の際に再生磁性層３の磁化が下向きに揃えている。
【００２６】
上述のようにして再生磁性層３の磁化が下向きに初期化された部分に、再生光が照射されるとその部分の温度上昇し、その温度が一定の温度（以下、この温度をＴ１という）以上になると、記録磁性層５の磁化が再生磁性層３に転写される。ここで、Ｔ１は１００〜１３０℃であり、再生光を照射したときに温度が、Ｔ１より高くなった部分が、上記高温部１２に対応する。尚、この際に、再生光が照射された部分には、記録マーク上向きに転写補助磁界８（Ｈｒ）が印加されている。
【００２７】
そして、記録磁性層５の磁化が再生磁性層３に転写されると、その転写された磁化の向き応じて、照射された再生光の反射光の偏光面が回転する。従って、この偏光面の回転量であるカ−回転角を検出することにより、記録磁性層５に記録された記録マークの有無を検出することができる。
【００２８】
ここで、光スポット１１内であっても、温度がＴ１より低い部分は記録磁性層５の磁化が再生磁性層３に転写されず、その部分はマスクとして作用するため、光スポット１１と温度がＴ１より高い高温部１２の重なった部分に於ける記録マークの有無だけを検出することができる。つまり、光スポット１１内に記録マーク２４と記録マーク２５があっても、記録マーク２５だけが検出される。
【００２９】
尚、再生磁性層の磁化を初期化する初期化磁界によって、記録磁性層５に記録された情報が破壊されないようにするためには、再生磁性層３の保磁力をＨｃ１、記録磁性層５の保磁力をＨｃ２、初期化磁界Ｈｉｎｉは、室温に於いて、
Ｈｃ１＜Ｈini＜Ｈｃ２・・・・（３）
の条件を満たす必要がある。
【００３０】
又、再生光照射時に、温度がＴ１以上になった部分で記録磁性層５の磁化が再生磁性層３に転写されるためには、再生磁性層３に与えられる記録磁性層５の磁化に基づく漏洩磁界Ｈl、再生磁性層３の反磁界Ｈｄ、転写補助磁界Ｈｒ、再生磁性層３の飽和磁場Ｈｓは、温度Ｔ１に於いて、
Ｈｒ＋Ｈｌ＋Ｈｄ＝Ｈｓ・・・・（４）
の条件を満たし、Ｔ＞Ｔ１に於いて、
Ｈｒ＋Ｈｌ＋Ｈｄ＞Ｈｓ・・・・（５）
の条件を満たす必要がある。
【００３１】
ここで、記録磁性層５からの漏洩磁界Ｈｌは、４００［Oe］程度で、再生磁性層３の反磁界Ｈｄは５０〜１５０［Oe］程度である。又、転写補助磁界Ｈｒは小さい方がドライブの小型化の面から好ましいため、通常、１００［Oe］程度に設定される。従って、再生磁性層３の飽和磁場Ｈｓは、温度Ｔ１に於いて、５００Oe以下にすることが望ましい。
【００３２】
次に、本発明に係る光磁気記録媒体を構成する各層について説明する。
【００３３】
本発明に係る光磁気記録媒体に於いては、基板１として、通常、ポリカ−ボネ−ト等の高分子樹脂基板やガラス基板が用いられ、この基板１上に第１誘電体層２、再生磁性層３、非磁性層４、及び記録磁性層５が設けられている。
【００３４】
第１誘電体層２は、カ−効果のエンハンス層として働くものであり、ＳｉＮ、ＬａＳｉＯＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ等の材料を用いることができる。又、第１誘電体層２の表面性は特に限定されるものではないが、表面性が悪いと誘電体層上に設けたＰｔ／Ｃｏ多層膜の異方性分散が大きくなり飽和磁場Ｈｓが１［kOe］以上と大きくなり、その結果、記録磁性層５の磁化情報を再生磁性層３に良好に転写できなくなる。従って、第１誘電体層２の表面粗度Ｒａは５nm以下であることが好ましく、２nm以下であればより好ましい。
【００３５】
尚、表面粗度Ｒａが小さい誘電体層２は、基板１が平坦であれば容易に作製できるが、基板１の表面性が悪くても、作製した誘電体層の表面を逆スパッタしたり、また、イオンビ−ムスパッタ法やヘリコンスパッタ法で窒素イオンビ−ムをアシストしながらＳｉまたは窒化シリコンをスパッタして成膜することにより得ることができる。
【００３６】
再生磁性層３は、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜からなり、その膜厚は１５〜３０nmの範囲に設定することが好ましい。ここで、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜の膜厚が１５nmより薄くなると、核生成磁場Ｈｎ、保磁力Ｈｃ、飽和磁場Ｈｓは、Ｈｎ≒Ｈｃ≒Ｈｓ＜５００［Oe］となり、カ−ル−プの角形性は良くなるが、再生時の再生磁性層によるカ−効果に、記録磁性層５が影響を及ぼし、再生ノイズが大きくなる。又、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜の膜厚が３０nmより厚くなると、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜自身のＨｓが５００［Oe］より大きくなるため、記録磁性層５からの漏洩磁界では再生磁性層３に磁化情報を転写できなくなる。
【００３７】
又、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜を構成するＰｔ膜とＣｏ膜については、Ｐｔ膜の膜厚は０．５〜２．５nm、Ｃｏ膜の膜厚は０．３〜０．６nmの範囲に設定することが好ましい。ここで、Ｐｔ膜の膜厚が０．５nmより薄いとカ−ル−プの角形性が良好な垂直磁化膜が得られず、２．５nmより厚くなるとカ−回転角が低下する。又、Ｃｏ膜の膜厚が０．３nmより薄くなるとカ−回転角が低下し、０．６nmより大きいとカ−ル−プの角形性が良好な垂直磁化膜が得られない。
【００３８】
従って、高いＣ／Ｎを得るためには、再生磁性層３になるＰｔ／Ｃｏ多層膜の膜厚は、１５〜３０nmの範囲で設定し、更に、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜を構成するＰｔ膜の膜厚は０．５〜２．５nmの範囲で、Ｃｏ膜の膜厚は０．３〜０．６nmの範囲で設定する必要がある。
【００３９】
再生磁性層３上に設ける非磁性層４には、ＳｉＮ、ＡｌＮ等の材料を用いることができ、その層厚は２〜１０nmの範囲に設定することが好ましい。ここで、非磁性層４の層厚が２nmより薄いと記録磁性層５と再生磁性層３の交換結合力が完全に断ち切れなくなるため、再生磁性層３のＨｃが大きくなり、記録磁性層５からの漏洩磁界Ｈｌでは再生磁性層３に記録磁性層５の記録磁化情報を転写できなくなる。又、非磁性層４の層厚が１０nmより厚くなると、記録磁性層５からの漏洩磁界Ｈｌが小さくなるため、記録磁性層５の磁化情報を再生磁性層３に完全に転写できなくなる。従って、記録磁性層５の磁化情報を再生磁性層３に良好に転写するためには、非磁性層４の層厚は２〜１０nmの範囲で設定する必要がある。
【００４０】
非磁性層４上に設ける記録磁性層５は、記録磁性層５は記録された磁化が外部磁界で変化することがないように、室温において保磁力が高く、再生光照射し温度が上昇したときに磁化が変化しないようにキュリ−温度が比較的高い材料、例えば、キュリー温度が２５０℃以上のＴｂＦｅＣｏ等を用いることが好ましい。又、記録磁性層５は、再生磁性層３に磁化情報を転写するのに十分な大きさの漏洩磁界Ｈｌを生じさせる必要があるため、再生光照射時の温度において磁化が大きいことが望ましい。
【００４１】
従って、記録磁性層５には、室温で遷移金属副格子磁化優勢な材料を用い、その層厚は５０〜２５０nmの範囲に設定することが好ましい。ここで、記録磁性層５の層厚が５０nmより薄いと漏洩磁界Ｈｌが小さくなるため、良好な転写が行えず、２５０nmより厚いと、記録時に照射するレーザ光のパワ−を大きくする必要があり好ましくない。
【００４２】
次に、本発明にかかる光磁化記録媒体の製造方法について説明する。
【００４３】
本発明に係る再生磁性層３の用いるＰｔ／Ｃｏ多層膜は、異方性分散が少なく、Ｈｓ≦５００［Oe］、１≦（Ｈｓ／Ｈｃ）≦２を満足する膜である必要があり、Ｈｓが５００［Oe］より大きいと良好な転写が行えず、Ｈｓ／Ｈｃが２より大きいとノイズが高くなり、良好なＣ／Ｎが得られない。
【００４４】
この条件を満足するためには、Ｐｔ膜とＣｏ膜を交互に積層してＰｔ／Ｃｏ多層膜を形成する際に、Ｐｔ膜とＣｏ膜の界面が平坦な膜にし、異方性分散を少なくする必要がある。
【００４５】
例えば、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜をスパッタ法や蒸着法などで作製する場合、基板に被着する時の飛来粒子が比較的高いエネルギ−であれば界面が平坦な膜が得られる。すなわち、粒子のエネルギ−が高いと基板に被着したときマイグレ−ション効果により、平坦な界面が形成される。
【００４６】
従って、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜は粒子エネルギ−の高いスパッタ法で作製することが望ましく、スパッタ圧力が１０−４Torr台以下であれば、より望ましい。ここで、成膜時のスパッタ圧力が１０−３Torrより高いと、スパッタ粒子がスパッタガス粒子と衝突することにより粒子エネルギ−が低下し、基板表面では数eV程度のエネルギ−になってしまうが、スパッタ圧力を１０−４Torr台以下であれば、マイグレ−ション効果をおこすのに十分なエネルギ−を有する粒子が基板に被着するため、平坦な界面を有する多層膜を形成することができる。尚、１０−４Torr台以下でスパッタ可能な方法としては、イオンビ−ムスパッタ法やヘリコンスパッタ法等があるが、１０−４Torr台以下のスパッタ圧力で成膜を行うことができれば他の方法であってもよい。
【００４７】
このようにして得られるＰｔ／Ｃｏ多層膜を再生磁性層３として用いることにより、波長５５０nm以下の短波長レ−ザを使用して再生した場合、大きな再生出力が得られる。
【００４８】
（実施例１）
本発明にかかる光磁気記録媒体として、図３に示したような断面構造を有する光磁気ディスクを作製する場合について説明する。尚、本実施例の光磁気ディスクは、多元イオンビ−ムスパッタ装置とＤＣおよびＲＦスパッタ装置を用いて作製した。
【００４９】
まず、イオンビ−ムスパッタ装置内に、ポリカ−ボネ−ト基板９をセットし、基板を回転させながら第１誘電体層２、再生磁性層３及び非磁性層４を連続して形成する工程について説明する。
【００５０】
ここで、ポリカ−ボネ−ト基板９の表面には、光ヘッド案内溝やアドレスなどを示すピット等が予め設けられている。尚、本実施例では、トラックピッチ０．８μm、グル−ブ幅が０．２６μm、グル−ブ深さが４８nmのポリカ−ボネ−ト基板９を用いた.
第１誘電体層：Ａｒイオンビ−ムにより、下記成膜条件でＳｉターゲットをスパッタし、同時に、ポリカ−ボネ−ト基板９の表面にアシストイオンガンにより窒素イオンビ−ムをアシストし窒化シリコンからなる層厚６０nmの第１誘電体層２を形成した。
【００５１】
0003657667.tif 000002
再生磁性層：Ｋｒイオンビ−ムを用い下記成膜条件で、Ｐｔタ−ゲットとＣｏタ−ゲットを交互にスパッタすることにより、膜厚２nmのＰｔ膜と膜厚０．５nmのＣｏ膜を交互に積層し、層厚２０nmのＰｔ／Ｃｏ多層膜である再生磁性層３を形成した。
【００５２】
0003657667.tif 000003
非磁性層：第１誘電体層２の場合と同様な条件（第１誘電体層２の窒化シリコン膜と同じ成膜条件）で、窒化シリコンからなる層厚１０nmの非磁性層４を形成した。
【００５３】
次に、上述のようにして第１誘電体層２、再生磁性層３及び非磁性層４を形成したポリカーボネイト基板９を、別のスパッタ装置にセットして、記録磁性層５、第３誘電体層６を連続して成膜する工程について説明する。
【００５４】
記録磁性層：記録磁性層５を形成する前に非磁性層４の層厚が５nmになるよう逆スパッタを行い、その後、ＤＣスパッタにより、下記成膜条件でＴｂＦｅＣｏＣｒからなる層厚１００nmの記録磁性層５を形成した。尚、本実施例の場合、記録磁性層５の耐食性を向上させるためにＣｒが添加されたＴｂＦｅＣｏＣｒ膜を用いている。
【００５５】
タ−ゲット      ：  Ｔｂ１９Ｆｅ６１Ｃｏ１７．５Ｃｒ２．５
スパッタガス    ：  Ａｒ  １００  SCCM
スパッタガス圧  ：  １．５ｘ１０−３Torr
投入パワ−      ：  １０００W
成膜速度        ：   ２０nm/min
第２誘電体層：ＲＦスパッタ法により、下記成膜条件で窒化シリコンからなる層厚４０nmの第２誘電体層６を形成した。
【００５６】
タ−ゲット      ：  Ｓｉ
スパッタガス    ：  Ａｒ  ３０SCCM  ＋  窒素  ２０SCCM
スパッタガス圧  ：  １ｘ１０−３Torr
投入パワ−      ：  １０００W
成膜速度        ：  ８nm/min
以上のようにして成膜したポリカーボネイト基板９を、チャンバ−から取り出し、保護膜９として紫外線硬化樹脂膜を約１０μm形成し、光磁気ディスクとした。
【００５７】
作製した光磁気ディスクの膜特性を調べるため、再生磁性層３と記録磁性層５の波長６８０nmにおけるカ−ル−プ（再生磁性層３の保磁力Ｈｃ、飽和磁場Ｈｓ、Ｈｓ／Ｈｃ、カー回転角及び記録磁性層の保磁力Ｈｃ）を調べ、その結果を表１に示した。尚、本測定には、保護膜９を形成しないこと以外は同じ条件で膜を形成したディスクを用い、再生磁性層３のカ−ル−プを測定するときには、基板側からレーザ光を照射し、記録磁性層５のカ−ル−プを測定するときには、記録磁性層５の膜面側からレーザ光を照射した。
【００５８】
表１に示したように、再生磁性層３については、Ｈｓ＝１６０［Oe］、Ｈｃ＝１５０［Oe］、θk＝０．４［ｄｅｇ］、Ｈｓ／Ｈｃ＝１．０７となり、図４に示したような角形性の良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層５については、Ｈｃ＝１１［kOe］の角形比１のカ−ル−プが得られた。尚、ここでは、室温（２０℃程度）で、Ｈｓ及びＨｃを測定したが、室温に於いてＨｓ≦５００［Oe］であれば、再生光照射時の温度、つまりＴ１に於いてもＨｓ≦５００［Oe］となり、良好な転写を行うことができる。
【００５９】
又、作製した光磁気ディスクについて、以下のようにして記録再生特性を調べた。
【００６０】
まず、波長６８０nmの半導体レ−ザを用いて、線速７．４m/sec、記録磁界２４kA/m、記録光パワ−９mW、記録周波数８．２２MHzおよび１２．３３MHzで長さ０．４５μm及び０．３μmの記録マークを形成した。
【００６１】
次に、再生する前に、４０kA/mの初期化磁界で再生磁性層３の磁化を一定方向に初期化した後、波長６８０nmの半導体レ−ザを用いて、再生光パワ−４mW、転写補助磁界８kA/mで再生を行い、そのときのＣ／Ｎを測定した。その結果を表１に示したように、マーク長０．４５μmの場合には、Ｃ／Ｎ＝４１dBとなり、マーク長０．３μmの場合にはＣ／Ｎ＝３５dBとなった。
【００６２】
又、同様に記録した信号を波長５２４nmのＡｒレ−ザを用いて、再生光パワ−３mW、転写補助磁界８kA/mで再生を行い、そのときのＣ／Ｎを測定した。その結果、表１に示したように、マーク長０．４５μmの場合にはＣ／Ｎ＝４５dBとなり、マーク長０．３μmの場合にはＣ／Ｎ＝４２dBとなった。
【００６３】
上記Ｃ／Ｎの測定結果からもわかるように、波長６８０nmの再生光で再生したときに比べ、波長５２４nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長０．４５μmで＋４dB、マーク長０．３μmで＋７dB、Ｃ／Ｎが高くなる。
【００６４】
（実施例２）
多元ヘリコンスパッタ装置とＤＣおよびＲＦスパッタ装置を用いて、本発明にかかる光磁気ディスクを作製する場合について説明する。
【００６５】
まず、ヘリコンビ−ムスパッタ装置内に、実施例１と同様に、ポリカ−ボネ−ト基板９をセットし、基板を回転させながら第１誘電体層２、再生磁性層３及び非磁性層４を連続して形成する工程について説明する。
【００６６】
第１誘電体層：下記成膜条件で、Ｓｉタ−ゲットをＡｒ−３０%窒素混合ガスを用いてスパッタし、窒化シリコンからなる層厚６０nmの第１誘電体層２を形成した。
【００６７】
タ−ゲット      ：  Ｓｉ
スパッタガス    ：  Ａｒ−３０%窒素混合ガス
スパッタ圧力    ：１ｘ１０−２Torr
ＲＦ投入パワ−  ：  １００Ｗ
ＤＣ電圧        ：  ５００Ｖ
成膜速度        ：  ０．３nm/sec
再生磁性層：下記成膜条件でＰｔタ−ゲットとＣｏタ−ゲットを交互にスパッタすることにより、膜厚０．９nmのＰｔと膜厚０．４nmのＣｏ膜を交互に積層し、層厚２０nmのＰｔ／Ｃｏ多層膜である再生磁性層３を形成した。
【００６８】
0003657667.tif 000004
非磁性層：第１誘電体層２の場合と同様な条件（第１誘電体層２の窒化シリコン膜と同じ成膜条件）で、窒化シリコンからなる層厚１０nmの非磁性層４を形成した。
【００６９】
次に、上述のようにして第１誘電体層２、再生磁性層３及び非磁性層４を形成したポリカーボネイト基板９を、別のスパッタ装置にセットして、記録磁性層５、第３誘電体層６を連続して成膜する工程について説明する。
【００７０】
記録磁性層：実施例１の場合と同じ条件で、非磁性層４を逆スパッタし、続いてＤＣスパッタすることにより、ＴｂＦｅＣｏＣｒからなる層厚は２００nmの記録磁性層５を形成した。
【００７１】
第２誘電体層：実施例１の場合と同じ条件で、ＲＦスパッタすることにより、窒化シリコンからなる層厚４０nmの第２誘電体層６を形成した。
【００７２】
以上のようにして成膜したポリカーボネイト基板９をチャンバ−から取り出し、最後に、保護膜７として紫外線硬化樹脂膜を約１０μm形成し、光磁気ディスクとした。
【００７３】
作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再生特性を実施例１と同様の方法で調べ、その結果を、表１に示した。
【００７４】
表１に示したように、再生磁性層３については、Ｈｓ＝５００［Oe］、Ｈｃ＝２５０［Oe］、θk＝０．４５［ｄｅｇ］、Ｈｓ／Ｈｎ＝２の角形性の良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層５については、Ｈｃ＝１５［kOe］であった。
【００７５】
又、記録再生特性については、波長６８０nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４２dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝３６dBとなった。同様に記録した信号を波長５２４nmのＡｒレ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４６dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝４３dBとなった。
【００７６】
上記Ｃ／Ｎの測定結果からもわかるように、波長６８０nmの再生光で再生したときに比べ、波長５２４nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長０．４５μmで＋４dB、マーク長０．３μmで＋７dB、Ｃ／Ｎが高くなる。
【００７７】
（実施例３）
再生磁性層３を、膜厚１nmのＰｔ膜と膜厚０．４nmのＣｏ膜を交互に積層した層厚３０nmのＰｔ／Ｃｏ多層膜で、記録磁性層５を、層厚１００nmのＴｂＦｅＣｏＣｒ膜で構成し、それ以外は、実施例２と同様の構成とした光磁気ディスクを、実施例２の場合と同様な工程で作製した（多元ヘリコンスパッタ装置とＤＣおよびＲＦスパッタ装置を用いて作製した）。
【００７８】
作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再生特性を実施例１と同様の方法で調べ、その結果を、表１に示した。
【００７９】
表１に示したように、再生磁性層３については、Ｈｓ＝２００［Oe］、Ｈｃ＝１５０［Oe］、θk＝０．４４［ｄｅｇ］、Ｈｓ／Ｈｎ＝１．３３の角形性の良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層５については、Ｈｃ＝１１［kOe］であった。
【００８０】
又、記録再生特性については、波長６８０nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４３dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝３８dBとなった。同様に記録した信号を波長５２４nmのＡｒレ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４８dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝４５dBとなった。
【００８１】
上記Ｃ／Ｎの測定結果からもわかるように、波長６８０nmの再生光で再生したときに比べ、波長５２４nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長０．４５μmで＋５dB、マーク長０．３μmで＋７dB、Ｃ／Ｎが高くなる。
【００８２】
（実施例４）
非磁性層４を、層厚２nmの窒素シリコン膜で、記録磁性層５を、層厚５０nmのＴｂＦｅＣｏＣｒ膜で構成し、それ以外は、実施例１と同様の構成とした光磁気ディスクを、実施例１の場合と同様な工程で作製した（多元イオンビームスパッタ装置とＤＣおよびＲＦスパッタ装置を用いて作製した）。
【００８３】
作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再生特性を実施例１と同様の方法で調べ、その結果を、表１に示した。
【００８４】
表１に示したように、再生磁性層３については、Ｈｓ＝１６０［Oe］、Ｈｃ＝１５０［Oe］、θk＝０．４［ｄｅｇ］、Ｈｓ／Ｈｎ＝１．０７の角形性の良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層５については、Ｈｃ＝１０［kOe］であった。
【００８５】
又、記録再生特性については、波長６８０nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４１dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝３５dBとなった。同様に記録した信号を波長５２４nmのＡｒレ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４５dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝４２dBとなった。
【００８６】
上記Ｃ／Ｎの測定結果からもわかるように、波長６８０nmの再生光で再生したときに比べ、波長５２４nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長０．４５μmで＋４dB、マーク長０．３μmで＋７dB、Ｃ／Ｎが高くなる。
【００８７】
（実施例５）
非磁性層４を、層厚１０nmの窒素シリコン膜で、記録磁性層５を、層厚２５０nmのＴｂＦｅＣｏＣｒ膜で構成し、それ以外は、実施例１と同様の構成とした光磁気ディスクを、実施例１の場合と同様な工程で作製した（多元イオンビームスパッタ装置とＤＣおよびＲＦスパッタ装置を用いて作製した）。
【００８８】
作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再生特性を実施例１と同様の方法で調べ、その結果を、表１に示した。
【００８９】
表１に示したように、再生磁性層３については、Ｈｓ＝１６０［Oe］、Ｈｃ＝１５０［Oe］、θk＝０．４［ｄｅｇ］、Ｈｓ／Ｈｎ＝１．０７の角形性の良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層５については、Ｈｃ＝１５［kOe］であった。
【００９０】
又、記録再生特性については、波長６８０nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４１dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝３５dBとなった。同様に記録した信号を波長５２４nmのＡｒレ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４５dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝４２dBとなった。
【００９１】
上記Ｃ／Ｎの測定結果からもわかるように、波長６８０nmの再生光で再生したときに比べ、波長５２４nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長０．４５μmで＋４dB、マーク長０．３μmで＋７dB、Ｃ／Ｎが高くなる。
【００９２】
（比較例１）
再生磁性層３を、膜厚１nmのＰｔ膜と膜厚０．５nmのＣｏ膜を交互に積層した層厚２０nmのＰｔ／Ｃｏ多層膜で、記録磁性層５を、層厚１００nmのＴｂＦｅＣｏＣｒ膜で構成し、それ以外は、実施例２と同様の構成とした光磁気ディスクを、実施例２の場合と同様な工程で作製した（多元ヘリコンスパッタ装置とＤＣおよびＲＦスパッタ装置を用いて作製した）。
【００９３】
作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再生特性を実施例１と同様の方法で調べ、その結果を、表１に示した。
【００９４】
表１に示したように、再生磁性層３については、Ｈｓ＝６００［Oe］、Ｈｃ＝４００［Oe］、θk＝０．４６［ｄｅｇ］、Ｈｓ／Ｈｎ＝１．５となり、Ｈｓが大きい膜特性であった。又、記録磁性層５については、Ｈｃ＝１１［kOe］であった。
【００９５】
又、記録再生特性については、波長６８０nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝３４dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝２８dBとなった。同様に記録した信号を波長５２４nmのＡｒレ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝３６dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝２８dBとなった。
【００９６】
上記Ｃ／Ｎの測定結果からもわかるように、波長６８０nmの再生光で再生したときも、波長５２４nmの再生光で再生したときも、高いＣ／Ｎが得られなかった。これは、Ｈｓが６００Oeと大きいために、良好な転写が行われなかったことによると考えられる。
【００９７】
（比較例２）
再生磁性層３を、膜厚１nmのＰｔ膜と膜厚０．４nmのＣｏ膜を交互に積層した層厚２０nmのＰｔ／Ｃｏ多層膜で、記録磁性層５を、層厚４０nmのＴｂＦｅＣｏＣｒ膜で構成し、それ以外は、実施例２と同様の構成とした光磁気ディスクを、実施例２の場合と同様な工程で作製した（多元ヘリコンスパッタ装置とＤＣおよびＲＦスパッタ装置を用いて作製した）。
【００９８】
作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再生特性を実施例１と同様の方法で調べ、その結果を、表１に示した。
【００９９】
表１に示したように、再生磁性層３については、Ｈｓ＝２００［Oe］、Ｈｃ＝１５０［Oe］、θk＝０．４４［ｄｅｇ］、Ｈｓ／Ｈｎ＝１．３３の角形性の良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層５については、Ｈｃ＝８［kOe］であった。
【０１００】
又、記録再生特性については、波長６８０nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４０dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝３５dBとなった。同様に記録した信号を波長５２４nmのＡｒレ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４１dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝３７dBとなった。
【０１０１】
上記Ｃ／Ｎの測定結果からもわかるように、波長６８０nmの再生光で再生したときも、波長５２４nmの再生光で再生したときも、高いＣ／Ｎが得られなかった。これは、記録磁性層５の層厚が４０nmと薄いために、漏洩磁界が小さくなり良好な転写が行われなかったことによると考えられる。
【０１０２】
（比較例３）
ＤＣおよびＲＦスパッタ装置だけを用いて、光磁気ディスクを作製した。
【０１０３】
ここで、再生磁性層３は、Ｐｔタ−ゲットとＣｏタ−ゲットを用いてＤＣスパッタ法により、下記成膜条件で形成した。尚、再生磁性層３となるＰｔ／Ｃｏ多層膜の層厚は２０nm（膜厚１nmのＰｔ膜と膜厚０．４nmのＣｏ膜を交互に積層した層厚）とした。
【０１０４】
0003657667.tif 000005
又、記録磁性層５は、ＤＣスパッタ法により、実施例１と同じ成膜条件で形成した。尚、記録磁性層となるＴｂＦｅＣｏＣｒ膜の層厚は１００nmとした。
【０１０５】
又、第１誘電体層２、非磁性層４及び第２誘電体層６は、ＲＦスパッタ法により、実施例１の第２誘電体層６と同じ成膜条件で形成した。尚、第１誘電体層２、非磁性層４及び第２誘電体層６となる窒化シリコン膜の膜厚は各々６０nm、５nm、４０nmとした。
【０１０６】
作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再生特性を実施例１と同様の方法で調べ、その結果を、表１に示した。
【０１０７】
表１に示したように、再生磁性層３については、異方性分散が大きため、Ｈｓ＝１１００［Oe］、Ｈｃ＝４０００［Oe］、θk＝０．４４［ｄｅｇ］、Ｈｓ／Ｈｎ＝２．７５となり、Ｈｓが大きい膜特性であった。又、記録磁性層５については、Ｈｃ＝１１［kOe］であった。
【０１０８】
又、記録再生特性については、波長６８０nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝３２dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝２５dBとなった。同様に記録した信号を波長５２４nmのＡｒレ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝３４dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝２５dBとなった。
【０１０９】
上記Ｃ／Ｎの測定結果からもわかるように、波長６８０nmの再生光で再生したときも、波長５２４nmの再生光で再生したときも、高いＣ／Ｎが得られなかった。これは、再生磁性層３のＨｓ及びＨｓ／Ｈｃが大きいために、良好な転写が行われなかったことによると考えられる。
【０１１０】
（比較例４）
再生磁性層３を、層厚２０nmのＧｄＦｅＣｏ膜で構成し、それ以外は、比較例３と同様の構成とした光磁気ディスクを、比較例３の場合と同様な方法（ＲＦおよびＤＣスパッタ法）で作製した。尚、再生磁性層３については、ＤＣスパッタ法により、下記成膜条件で形成した。
【０１１１】
タ−ゲット      ：  Ｇｄ１９Ｆｅ６１Ｃｏ１７．５
スパッタガス    ：  Ａｒ  １００  SCCM
スパッタガス圧  ：  １．５ｘ１０−３Torr
投入パワ−      ：  １０００W
成膜速度        ：  ２０nm/min
作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再生特性を実施例１と同様の方法で調べ、その結果を、表１に示した。
【０１１２】
表１に示したように、再生磁性層３については、Ｈｓ＝１１０［Oe］、Ｈｃ＝１０５［Oe］、θk＝０．４８［ｄｅｇ］、Ｈｓ／Ｈｎ＝１．０７の角形性の良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層５については、Ｈｃ＝１１［kOe］であった。
【０１１３】
又、記録再生特性については、波長６８０nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４５dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝４０dBとなった。同様に記録した信号を波長５２４nmのＡｒレ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長０．４５μmでＣ／Ｎ＝４２dBとなり、マーク長０．３μmでＣ／Ｎ＝３７dBとなった。
【０１１４】
上記Ｃ／Ｎの測定結果からもわかるように、波長６８０nmの再生光で再生したときに比べ、波長５２４nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長０．４５μmとマーク長０．３μmで共に−３dB、Ｃ／Ｎが低くなる。
【０１１５】
尚、実施例１と比較例４のＣ／Ｎレベルを比較した場合、波長６８０nmの再生光では、実施例１の方が、マーク長０．４５μmで４dB、マーク長０．３μmで５dB、Ｃ／Ｎが低くなるが、波長５２４nmの再生光では、実施例１の方が、ピット長０．４５μmで３dB、ピット長０．３μmで５dB、Ｃ／Ｎが高くなる。
【０１１６】
尚、表１には、参考データとして、各実施例の光磁気ディスクと同様の工法でガラス基板上にＰｔ／Ｃｏ多層膜のみを作製し、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜の界面状態を測定した結果が示されている。ここで、多層膜の界面状態は低角Ｘ線回折法で調べることができる（低角側に現れる周期的な全反射回折ピ−クの状態と、表１に示した１次の超格子ピ−クの強度Ｉｐを調べればよい）。この参考データからもわかるように、ＤＣスパッタ法のような粒子エネルギ−の低いスパッタ法で再生磁性層を形成した場合（比較例３）には、１次の超格子ピ−クの強度Ｉｐが低く、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜の界面の平坦性が悪化していることがわかる。そのため、異方性分散が大きくなり、Ｈｓが大きくなる。
【０１１７】
従って、異方性分散の小さいＰｔ／Ｃｏ多層膜を再生磁性層として用いることにより、短波長で高いＣ／Ｎが得られることがわかる。また、実施例２〜実施例５についても、ほぼ同様の効果が得られる。
【０１１８】
【表１】
0003657667.tif 000006
【０１１９】
【効果】
以上説明したように、本発明によれば、波長５５０nm以下の短波長の再生光を用いたときに、大きなカー回転角が得られる。又、従来のＰｔ／Ｃｏ多層膜からなる再生磁性層よりも飽和磁場Ｈｓを小さくしたことにより、再生時に、記録磁性層の磁化を再生磁性層に良好に転写することができる。従って、再生光として、短波長のレーザ光を用いたときに、高いＣ／Ｎが得られる。
【０１２０】
又、上記のように波長５５０nm以下の短波長の再生光を用いたときに、大きなカー回転角が得られるので、短波長の再生光を用いて０．４５μm以下の短い記録マークを再生することが可能となり、高密度かつ高いＣ／Ｎが得られる光磁気記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の構成の光磁気記録媒体を示す断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の再生方法を説明する模式図である。
【図３】実施例１の構成の光磁気ディスクを示す断面図である。
【図４】実施例１の再生磁性層３のカ−ル−プ（λ＝６８０ｎｍ）を示す図である。
【図５】垂直磁化膜のカーループを示す図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・第１誘電体層
３・・・再生磁性層
４・・・非磁性層
５・・・記録磁性層
６・・・第２誘電体層
７・・・初期化磁界
８・・・転写補助磁界
９・・・ポリカ−ボネ−ト基板
１０・・・保護膜
【図１】
0003657667.tif 000007
【図２】
0003657667.tif 000008
【図３】
0003657667.tif 000009
【図４】
0003657667.tif 000010
【図５】
0003657667.tif 000011