(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
槽に収容された液を前記槽からオーバーフローさせながら被洗浄体を洗浄する洗浄方法において、前記液が前記槽からオーバーフローしている状態で、前記液は前記槽と前記槽外とを循環しており、前記被洗浄体を前記液中に浸漬させている場合の前記液の循環流量をＱ１とし、前記被洗浄体を前記槽内に収容されている前記液から引き上げることで洗浄する場合の前記液の循環流量をＱ２として、該Ｑ１と該Ｑ２とが以下の式を満足するように、前記被洗浄体を前記槽に収容された前記液から引き上げることで前記被洗浄体を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
０．１≦Ｑ１／Ｑ２≦０．８
【請求項２】
該洗浄方法は、該被洗浄体に付着した油分を脱脂する為の脱脂工程乃至該脱脂工程の後に該被洗浄体をリンスする為のリンス工程乃至該リンス工程の後該被洗浄体を乾燥させる乾燥工程のうち少なくとも１つの工程において行われることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
【請求項３】
シャワーリング手段により該液の外へ引き上げられた該被洗浄体にシャワー水を吹き付けることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
【請求項４】
該液は、界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
【請求項５】
該液は、該被洗浄体の表面を保護するためのインヒビターを含むことを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
【請求項６】
該インヒビターは、珪酸塩であることを特徴とする請求項５記載の洗浄方法。
【請求項７】
該珪酸塩は珪酸カリウムであることを特徴とする請求項６記載の洗浄方法。
【請求項８】
該珪酸カリウムは該液に０．０５ｗｔ％以上２ｗｔ％以下の範囲で含まれていることを特徴とする請求項７記載の洗浄方法。
【請求項９】
該液は、二酸化炭素を含むことを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
【請求項１０】
該液は、純水であることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
【請求項１１】
超音波発生手段により該液中の該被洗浄体に超音波を照射して洗浄することを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
【請求項１２】
該被洗浄体は電子写真感光体用の基体であることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
【請求項１３】
オーバーフローした該液が該被洗浄体の表面に再付着することを防ぎながら該被洗浄体を該液から引き上げることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
【請求項１４】
前記被洗浄体は導電性を示す材料である事を特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項１５】
前記導電性を示す材料はアルミニウムである事を特徴とする請求項１４に記載の洗浄方法。
【請求項１６】
前記アルミニウムが、鉄を１０ｐｐｍ以上、１ｗｔ％以下含有することを特徴とする請求項１５に記載の洗浄方法。
【請求項１７】
前記アルミニウムが、ケイ素を１０ｐｐｍ以上、１ｗｔ％以下含有することを特徴とする請求項１５に記載の洗浄方法。
【請求項１８】
前記アルミニウムが、銅を１０ｐｐｍ以上、１ｗｔ％以下含有することを特徴とする請求項１５に記載の洗浄方法。
【請求項１９】
前記アルミニウムに含まれる鉄とケイ素と銅の総含有量は、０．０１ｗｔ％を越え１ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１５に記載の洗浄方法。
【請求項２０】
請求項１の洗浄方法で洗浄された前記被洗浄体を加工して電子写真感光体を製造することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２１】
請求項１の洗浄方法で洗浄された前記被洗浄体を加工して得られる電子写真感光体。
【請求項２２】
液を収容する槽と、前記液を前記槽からオーバーフローさせる液量調節手段と、オーバーフローした前記液を再び前記槽へ供給する液循環手段と、前記槽と前記液循環手段との間に設けられた容器とを有しており、前記液循環手段が、被洗浄体を前記液中に浸漬させている場合の前記液の循環流量をＱ１とし、前記被洗浄体を前記槽内に収容されている前記液から引き上げることで洗浄する場合の前記液の循環流量をＱ２として、該Ｑ１と該Ｑ２とが以下の式を満足するように調整することを特徴とする被洗浄体の洗浄装置。
０．１≦Ｑ１／Ｑ２≦０．８
【請求項２３】
前記液循環手段は、回収した前記液を前記槽の下部から前記槽へ供給することを特徴とする請求項２２記載の被洗浄体の洗浄装置。
【請求項２４】
被洗浄体を槽に収容された液を用いて洗浄する洗浄方法において、前記被洗浄体を前記液中に浸漬させた状態で前記液を前記槽からオーバーフローさせる第１のオーバーフロー工程と、前記被洗浄体を前記液中から引き上げる時に前記液を前記槽からオーバーフローさせる第２のオーバーフロー工程とを有し、前記第２のオーバーフロー工程においてオーバーフローする前記液の循環流量をＱ２、前記第１のオーバーフロー工程においてオーバーフローする前記液の循環流量をＱ１としたとき、該Ｑ１と該Ｑ２とが以下の式を満足することを特徴とする洗浄方法。
０．１≦Ｑ１／Ｑ２≦０．８
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は被洗浄体の洗浄方法、洗浄装置、電子写真感光体の製造方法及び電子写真感光体に関し、特に光学部品、電子部品、機械部品又は精密部品等の洗浄方法該洗浄方法を実施可能な洗浄装置及び洗浄工程を有する電子写真感光体の製造方法及び電子写真感光体に関し、塩素系溶剤を用いることなく、これらの表面に付着している油脂、脂肪酸、樹脂等を確実に除去することができる洗浄方法、洗浄装置、電子写真感光体用の製造方法及び電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真感光体用の基体を例に挙げて述べると、電子写真感光体製造方法は以下のように実施される。
【０００３】
必要に応じ旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンドバイト切削により電子写真感光体の基体部分を所定範囲内の平面度に表面加工する。その後、表面加工を施した前記基体を、二酸化炭素を溶解した水溶液にて洗浄し、ついで基体表面上にグロー放電分解法によって光導電部材の堆積膜となる、アモルファスシリコンを主体とした堆積膜を形成する。また、電子写真感光体用の基体の材料として、ガラス、耐熱性合成樹脂、ステンレス、アルミニウムなどが提案されている。実用的には帯電、露光、現像、転写、クリーニングといった電子写真プロセスに耐え、また画質を落とさないために常に位置精度を高く保つため、基体の材料としては金属が好ましく用いられる場合が多い。中でもアルミニウムは加工性が良好で、コストが低く、重量が軽い点から電子写真感光体の基体として最適な材料の１つである。
【０００４】
また電子写真感光体の基体の材質に関する技術が、特開昭５９−１９３４６３号公報、特開昭６０−２６２９３６号公報に記載されている。特開昭５９−１９３４６３号公報には、支持体を支持体の鉄（Ｆｅ）含有率が２０００ｐｐｍ以下のアルミニウム合金とすることにより、良好な画質のアモルファスシリコン電子写真感光体を得る技術が開示されている。更に、該公報中では円筒状（シリンダー状）基体を旋盤により切削を行い鏡面加工した後、グロー放電によりアモルファスシリコンを形成するまでの手順が開示されている。特開昭６０−２６２９３６号公報には、マグネシウム（Ｍｇ）を３．０〜６．０ｗｔ％を含有し、不純物として、マンガン（Ｍｎ）を０．３ｗｔ％以下、クロム（Ｃｒ）を０．０１ｗｔ％未満、Ｆｅを０．１５ｗｔ％以下、珪素（Ｓｉ）を０．１２ｗｔ％以下に抑制し、残部Ａｌからなるアモルファスシリコンの蒸着性に優れた押し出しアルミニウム合金が開示されている。
【０００５】
また電子写真感光体の用途に応じ、基体の表面加工を施し、その表面に光受容部層を形成することに関する技術が特開昭６１−２３１５６１号公報、特開昭６２−９５５４５号公報に記載されている。またアルミニウム合金を基体として用いた場合の、水洗浄工程での腐食防止技術として、特開平６−２７３９５５号公報には二酸化炭素を溶解した水により基体を洗浄する技術についての提案がなされているが、洗浄に使用された水を循環して再利用することについて述べられていないし、従って水の循環流量について述べられていない。
【０００６】
また特開平５−６１２１５号公報には、各洗浄槽中の液をそれぞれ循環をさせることと、ある槽へフレッシュな洗浄液常に供給し、そしてその槽内に収容された洗浄液をその槽からオーバーフローさせて別の槽内に収容し、各槽において、基体を洗浄することが述べられているが、同一槽内で水の循環量を変化させオーバーフローさせることについては述べられていない。
【０００７】
また特開昭６３−３１１２６１号公報、特開平１−１５６７５８号公報、及び特公平７−３４１２３号公報にはそれぞれＡｌ基体上に酸化膜を形成する技術について述べられているが洗浄水を循環させて、基体を再び洗浄するために用いる事については述べられていない。
【０００８】
ところで、電子写真感光体に用いる素子部材の技術としては、セレン、硫化カドミニウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン、フタロシアニン等の有機物など各種の材料が提案されている。中でも、アモルファスシリコンに代表される珪素原子を主成分として含む非単結晶堆積膜、例えば水素及び（または）ハロゲン（例えば弗素、塩素等）で補償されたアモルファスシリコン等のアモルファス堆積膜は高性能、高耐久性、無公害の感光体として提案され、その幾つかは実用に付されている。また例えば特開昭５４−８６３４１号公報には、光導電層を主としてアモルファスシリコンで形成した電子写真感光体の技術が開示されている。
【０００９】
こうした珪素（シリコン）原子を主成分として含む非単結晶堆積膜の形成方法として従来、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）等、多数の方法が知られている。
【００１０】
プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流、高周波またはマイクロ波グロー放電等によって発生するプラズマを用いて分解し、基体上に薄膜状の堆積膜を形成する方法は、電子写真感光体用アモルファスシリコン堆積膜の形成方法に最適であり、現在実用化が非常に進んでいる。中でも、近年堆積膜形成方法としてマイクロ波グロー放電分解を用いたプラズマＣＶＤ法すなわちマイクロ波プラズマＣＶＤ法が工業的にも注目されている。
【００１１】
マイクロ波プラズマＣＶＤ法は、他の方法に比べ高いデポジション速度と高い原料ガス利用効率という利点を有している。こうした利点を生かしたマイクロ波プラズマＣＶＤ技術の１つの例が、米国特許４，５０４，５１８号に記載されている。該特許に記載の技術は、０．１Ｔｏｒｒ（１３．３Ｐａ）以下の低圧によりマイクロ波プラズマＣＶＤ法により高速の堆積速度で良質の堆積膜を得るというものである。
【００１２】
更に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により原料ガスの利用効率を改善するための技術が特開昭６０−１８６８４９号公報に記載されている。該公報に記載の技術は、マイクロ波エネルギーの導入手段を取り囲むように基体を配置して内部チャンバー（すなわち放電空間）を形成するようにして、原料ガス利用効率を非常に高めるようにしたものである。
【００１３】
また、特開昭６１−２８３１１６号公報には、半導体部材製造用の改良形マイクロ波技術が開示されている。すなわち、当該公報は、放電空間中にプラズマ電位制御として電極（バイアス電極）を設け、このバイアス電極に所望の電圧（バイアス電圧）を印加して堆積膜へのイオン衝撃を制御しながら膜堆積を行なうようにして堆積膜の特性を向上させる技術を開示している。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した電子写真感光体の製造方法で作成された電子写真感光体には、解決すべき課題がある。１つめの課題は堆積膜中の異常成長部分の発生を防ぐことである。
【００１５】
基体上に得られる堆積膜には異常成長の部分が発生することがあるが、その部分とは、微小な面積で且つ表面電荷が十分に乗らない部分のことである。またこの異常成長部分は特にプラズマＣＶＤ法によって形成されたアモルファスシリコンにおいて顕著に発生する。また、従来は基体の表面加工条件、洗浄条件及び堆積条件の最適化を行うことでこの表面電位の乗らない部分が発生することを防いでいた。
【００１６】
そして、近年のように
１）電子写真装置の高画質化が要求されそれに伴い現像の解像力が向上し、また２）複写機の高速化が進み帯電条件が過酷になるに従い、表面で電位の乗らない部分が実質上周辺の電位に対して大きな影響を与えることがままにあり、その結果該異常成長部分における画像の質の向上が要望されるようになってきた。
【００１７】
なお、従来の電子写真装置は文字を複写する事を主たる用途としていた為、活字だけの原稿（いわゆるラインコピー）が中心であったので、異常成長が画像へ及ぼす影響は実用上大きな問題とならなかった。しかし、近来複写機の画質が上がるにつれて、写真などのハーフトーンを含む原稿が多くコピーされるようになりそのようなニーズに応えるべく現在は異常成長部分の少ない電子写真感光体が必要とされている。特に、近来普及しているカラー複写機に於いては、異常成長部分が画質に与える影響が画像からより視覚的に明らかになるため、異常成長部分の少ない電子写真感光体が必要となる。
【００１８】
また異常成長部分は微小なので、電極を用いて導電率の測定を行なってその存在を特定しようとしてもその存在を検知する事がむづかしい。そして異常成長部分を有する堆積膜を有した基体を電子写真感光体として電子写真プロセスに組み入れて帯電、露光、現像を行なったとき、特に均一なハーフトーンの画像を形成した時、異常成長部分に因る電子写真感光体表面上の僅かな電位の差が画像となって視覚的に顕著なものとして現れてくることがある。
【００１９】
また、異常成長部分による画像への影響は、真空蒸着により作成したＳｅ電子写真感光体、ブレード塗布法またはディッピング法等により作成したＯＰＣ電子写真感光体に比べ、プラズマＣＶＤ法で作成した電子写真感光体において特に顕著に現れるのである。またプラズマＣＶＤ法による電子写真の製造方法は生産性が高く、また再現性もたかい。更に堆積膜の膜厚を正確に調整して成膜することが出来る等、応用性にすぐれている。そのため、プラズマＣＶＤ法による成膜方法を更に改良すれば高品質の基体を高い生産性で得ることができる。
【００２０】
ところで、同じくプラズマＣＶＤ法で作成するデバイスとして電子写真感光体の他に太陽電池を挙げることができるが、太陽電池の場合は、異常成長部分が基板上の特定位置に微小に点在していてそこの電位が他の位置と微妙に特性の差を生じていても太陽電池全体の性能、つまり全体の光電変換効率等が実用上影響をうけるということはほとんどない。また太陽電池等は異常成長部分がわずかに存在していても後処理をすれば発電量等実用上課題を解決し、求められるスペックを達成できる。一方電子写真感光体においては上述のようにわずかの異常成長の存在が画質に大きく影響を与えてしまう。そのため成膜時に異常成長部分が発生することを特に防ぐ必要がある。
【００２１】
また、２つめの課題は、有効な水系洗浄方法を提供することである。近年、環境保全という見地から洗浄液に塩素系溶剤の使用を控えることが好ましく、水系洗浄に変わってきている。しかし水系の洗浄方法では主に被洗浄体を洗浄槽中で洗浄した後、洗浄槽から引き上げる際に洗浄液表面に浮遊した油やダスト等が被洗浄体表面に再付着し洗浄後の被洗浄体を汚し易く、従って有効な水系洗浄法が求められている。そのため、光学部品、電子部品、機械部品又は精密部品等を洗浄する際の洗浄能力を高め、一度洗浄されて除去された油、ダスト等が被洗浄体に再付着することを防止することで被洗浄体を効率よく洗浄することが必要である。
【００２２】
また３つめの課題は水系洗浄による基体の腐食を防ぐことである。特に被洗浄体の一例に電子写真感光体用の基体としてアルミニウムを水で洗浄する場合、アルミニウム表面に部分的に露出した不純物（Ｓｉ等）が多い部分において不純物が周囲の不純物の存在しないアルミニウムの部分と局部的な電池を形成して、基体表面に腐食を促進するという現象がおこりうる。従来は二酸化炭素水溶液を洗浄液として用いて腐食の発生を防いでいたが、洗浄用液に二酸化炭素を溶解させるための手段が必要で装置が複雑になり、コスト高になるため、装置構成をより簡素化し、低コストとすることが必要である。
【００２３】
また４つめの課題は電子写真感光体の基体の様に基体が長手方向に長い部材の場合、液中から長手方向に引き上げる際には長手方向の洗浄むらが発生するのを防ぐことである。
【００２４】
本発明の目的は、被洗浄体を効果的に洗浄する方法を提供し、特に被洗浄体としてアルミニウムを電子写真感光体の基体に使用する場合、アルミニウムの腐食防止を図りつつ、基体洗浄時の洗浄むらを抑えることを課題とし、加えてそのように洗浄された基体を用いて安価に安定して歩留良く高速形成された、異常成長部分少ない高性能の電子写真感光体およびその製造方法を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
前記の目的は以下の手段によって達成される。本発明は被洗浄体を洗浄する際に効率的に洗浄を行い、その洗浄能力を高める洗浄方法および洗浄装置およびこれらによって得られる電子写真感光体およびその製造方法を提案するものである。
【００２６】
本発明は、槽に収容された液を前記槽からオーバーフローさせながら被洗浄体を洗浄する洗浄方法において、前記液が前記槽からオーバーフローしている状態で、前記液は前記槽と前記槽外とを循環しており、前記被洗浄体を前記液中に浸漬させている場合の前記液の循環流量をＱ１とし、前記被洗浄体を前記槽内に収容されている前記液から引き上げることで洗浄する場合の前記液の循環流量をＱ２として、該Ｑ１と該Ｑ２とが以下の式を満足するように、前記被洗浄体を前記槽に収容された前記液から引き上げることで前記被洗浄体を洗浄することを特徴とする洗浄方法を提供する。
０．１≦Ｑ１／Ｑ２≦０．８
【００２７】
また本発明は、液を収容する槽と、前記液を前記槽からオーバーフローさせる液量調節手段と、オーバーフローした前記液を再び前記槽へ供給する液循環手段と、前記槽と前記液循環手段との間に設けられた容器とを有しており、前記液循環手段が、被洗浄体を前記液中に浸漬させている場合の前記液の循環流量をＱ１とし、前記被洗浄体を前記槽内に収容されている前記液から引き上げることで洗浄する場合の前記液の循環流量をＱ２として、該Ｑ１と該Ｑ２とが以下の式を満足するように調整することを特徴とする被洗浄体の洗浄装置を提供する。
０．１≦Ｑ１／Ｑ２≦０．８
【００２８】
また本発明は、被洗浄体を槽に収容された液を用いて洗浄する洗浄方法において、前記被洗浄体を前記液中に浸漬させた状態で前記液を前記槽からオーバーフローさせる第１のオーバーフロー工程と、前記被洗浄体を前記液中から引き上げる時に前記液を前記槽からオーバーフローさせる第２のオーバーフロー工程とを有し、前記第２のオーバーフロー工程においてオーバーフローする前記液の循環流量をＱ２、前記第１のオーバーフロー工程においてオーバーフローする前記液の循環流量をＱ１としたとき、該Ｑ１と該Ｑ２とが以下の式を満足することを特徴とする洗浄方法を提供する。
０．１≦Ｑ１／Ｑ２≦０．８
【００２９】
【発明の実施の形態】
被洗浄物を洗浄する方法に於いて、特に電子写真感光体用の基体の洗浄方法について説明するが、本発明の実施の形態では、被洗浄体としてアルミニウム基体を例に挙げて説明する。
【００３０】
アルミニウム基体の異常成長部分が発生する原因を、
（Ａ）基体上の粉塵を洗浄する工程や、基体の乾燥工程で用いられる洗浄水の溶質等が付着してそれが核となるため、あるいは、
（Ｂ）基体の表面欠陥が核となるため
とに大別する。
【００３１】
（Ａ）で説明した塵や溶質等の付着は切削、洗浄など基体を取り扱う場所のクリーン化を図る炉内の清掃を厳密に行うことと供に堆積膜形成の直前に基体表面を洗浄することによりある程度防止することが可能になった。従来はトリクロルエタン等の塩素系溶剤で基体を洗浄することによりこの原因を解消していた。しかし、近年オゾン層の破壊等の理由でこうした塩素系の溶剤の使用が制限されるようになってきたため、水による洗浄方法を塩素系溶剤を用いた洗浄方法に代わる方法として検討をする必要が有る。
【００３２】
一方、（Ｂ）で説明した表面欠陥を減少させる方法として、特定の成分含有のアルミニウムを特定の洗浄方法によって洗浄する方法を検討する必要が有る。
【００３３】
本発明では導電性基体として特にシリコンを含有するアルミニウムを用いることが好ましい。通常アルミニウムに含有される不純物は導電特性上少ない方が好ましいが、非常に高純度のアルミニウムを基体の形状に加工する際熔融加工すると酸化物が成長しやすくなり異常成長部分が多く発生する。そのような熔融加工されるアルミニウムには、Ｓｉ原子が含有されていると酸化物の発生を制御する事が出来る。
【００３４】
また本発明は基体を洗浄する液として珪酸塩等を腐食防止剤（インヒビター）として水に溶解させた水系洗浄剤を用いることが好ましい。特に珪素（Ｓｉ）原子を含むアルミニウムは、Ｓｉ原子が局所的に多い部分を中心に水によって腐食される事が有り、その腐食を防ぐ目的でインヒビターを含む水系洗浄剤を用いる。又Ｓｉ原子だけでなく、その他Ｆｅ原子、あるいはＣｕ原子が局所的に多い部分にも同様の腐食が発生する事があるが、珪酸塩等によるインヒビターを用いる事で本発明はこれらの元素を含むアルミニウム基体が洗浄中に腐食することを効果的に防ぐことが出来る。また腐食は洗浄水の温度が高い場合や或いは、アルミニウム中にＳｉ、Ｆｅ、Ｃｕ原子と共に切削性を向上する目的でマグネシウムが含まれている場合、顕著に生じるので腐食防止剤を含む水洗浄剤を用いて基体を洗浄する事が好ましい。
【００３５】
この、インヒビターによりアルミニウム表面にＡｌ−Ｓｉ−Ｏ皮膜が形成され、その結果アルミニウム基体の腐食を防ぐことが出来ると考える。そしてＡｌ−Ｓｉ−Ｏ皮膜が形成されると基体表面には欠陥がなくなり、その結果、機能性膜である堆積膜の形成時に形成される膜の異常成長の発生を防止することが出来る。
【００３６】
つまり、インヒビターとして珪酸塩を含む水洗浄剤を用いてアルミニウムを洗浄する事で異常成長の発生が防止される。その結果作製される電子写真の特性が向上する。
【００３７】
また、本発明では基体表面を洗浄する工程が脱脂洗浄、リンス、乾燥の３つの工程から構成されることが好ましく、その中ですくなくともいずれか１つの工程において、基体が浸漬されている際の液の循環量に対して引き上げ時、つまり基体が槽内に収容された液体中を上方へ移動する時の液の循環量を増やし、オーバーフローさせることで、浸漬時に基体表面から脱脂されて液表面あるいは液中に浮遊している油分等の付着物が槽外へ出るので、引き上げ時にこの付着物が基体表面に再付着するのを防止する事が出来る。また必要に応じ各工程のうちすくなくともいずれか１工程で引き上げ時に液外に引き上げられた基体の表面に洗浄液をシャワーリングする事により再付着防止効果を一層、高める事が出来る。
【００３８】
また本発明はプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン堆積膜を基体上に形成することが好ましい。プラズマＣＶＤ法は一般に、気相に於ける原料ガスの分解過程、放電空間から基体表面までの活性種の輸送過程、基体表面での表面反応過程の３つに分けて考えることができる。中でも、表面反応過程は完成した堆積膜の構造の決定に非常に大きな役割を果たしている。そして、前記表面反応において堆積膜の形成は、基体表面の温度、材質、形状、吸着物質などから影響を受けるが、その中でも特に吸着物質の影響を大きく受ける。
【００３９】
ところで特に純度の高いアルミニウム基体は、基体表面に水が吸着しやすい。例えば従来技術として、基体上にプラズマＣＶＤ法により珪素からなるアモルファスシリコン堆積膜を、或いは水素及び弗素とを含んだ珪素からなるアモルファスシリコン堆積膜を形成する場合、基体表面に吸着する水によって堆積膜の基体−堆積膜界面の組成及び構造の変化した部分が存在することがある。そのような表面に異常成長部分を有する堆積膜が形成された基体を電子写真感光体として電子写真プロセスに用いると前記部分は基体表面のその他の部分と電荷の注入性、あるいは表面電位に差が現れ、その結果、前記電子写真プロセスによって得られる画像の画質にむらが生じてしまうことがある。本発明では、プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコンからなる機能性膜の形成前に基体表面にインヒビターである珪酸塩にてＡｌ−Ｓｉ−Ｏ皮膜を形成する事で、堆積膜を形成する際基体と良好な電荷のやりとりができる界面を形成し、良質の堆積膜を形成することができる。このため、得られる基体は帯電性が向上し、光感度等電子写真特性の向上を果たすことが可能となる。
【００４０】
次に本発明の実施の形態を図１、図２、図３、図４、図５を用いてより詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態による基体洗浄装置である。なお本発明において７６０Ｔｏｒｒとは、１ａｔｍのことであり、且つ１０１．３２５ｋＰａのことである。
【００４１】
本実施の形態は、基体に堆積膜を成膜する成膜工程の前に基体、基体表面を脱脂洗浄する脱脂洗浄工程と、基体表面をリンスするリンス工程と、そして基体表面を乾燥する乾燥工程の順で処理する。また更に本発明の形態は、リンス工程を２工程に分け、つまり、脱脂洗浄工程を終えた基体に珪酸塩が溶解した洗浄液を用いて皮膜を形成させ、且つリンスするリンス１工程と、前記リンス１工程を終えた基体を更にリンスするリンス２工程とに分け、リンス効果を高める工程である。また本実施の形態は、少なくとも脱脂洗浄工程を含む各工程に於いて基体が浸漬されている時の液の循環流量よりも基体を引き上げる時の循環量を増やす事により基体上の油脂及びハロゲン化物等の残留物を効果的に除去する。また本発明に用いる液としての水に珪酸塩を溶解させる事でアルミニウム基体表面に腐食防止効果を有する皮膜を形成させることが出来る。その結果、高品質のアモルファス堆積膜を有したアルミニウム基体を得ることができる。
【００４２】
図１は本発明の基体表面を洗浄する洗浄装置を側方から模式的にあらわした図である。洗浄装置は、処理部１０２と基体搬送機構１０３より構成されている。処理部１０２は、基体投入台１１１、脱脂槽１２１、リンス１槽１３１、リンス２槽１４１、乾燥槽１５１、基体搬出台１７１よりなっている。各槽の深さは、長尺型の基体を立たせて槽に収容しても液面が基体より上になる深さである。各槽は互いに離間して設置されている。また各槽の液はそれぞれの槽毎に用いられ、他の槽において用いられない。脱脂槽１２１、リンス１槽１３１、リンス２槽１４１、乾燥槽１５１とも液の温度をそれぞれ一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付いている。各槽に収容される液を、各槽の目的毎にその成分あるいは温度を異ならせた状態で使用できる。また脱脂槽１２１、リンス層１３１には脱脂効果及び付着物の再付着を防止し皮膜形成効果を上げる為の超音波振動子（図示せず）が取り付けられている。また脱脂槽１２１、リンス１槽１３１、リンス２槽１４１にはそれぞれ基体を引き上げる際に基体表面にシャワーする為のノズル１８１，１８２，１８３が取り付けられている。搬送機構１０３は、搬送レール１６５と搬送アーム１６１よりなり、搬送アーム１６１は、レール１６５上を移動する移動機構１６２、基体１０１を保持するチャッキング機構１６３及びチャッキング機構１６３を上下させるためのエアーシリンダー１６４が設けられている。
【００４３】
また脱脂槽１２１、リンス１槽１３１、リンス２槽１４１、および乾燥槽１５１はそれぞれ液を収容するための液収容空間１９７となる容器と、オーバーフローした液を回収するための液回収空間１９６となる容器とから構成されている。また各槽は液を液収容空間へ供給し且つその液収容空間から回収するための循環経路を設けている。循環経路は、オーバーフローライン１９１、貯槽１９２、循環ポンプ１９３から構成されている。例えば液を槽に供給する際の流量を増量する場合に液収容空間からオーバーフローした液は各槽１２１、１３１、１４１、１５１上部の前記液回収空間からオーバーフローライン１９１を介して貯槽１９２に貯えられる。オーバーフローライン１９１は液回収空間１９６となる容器の下方において接続している。貯槽１９２に貯えられた液は循環ポンプ１９３によって再び各槽１２１、１３１、１４１、１５１下部から供給される。このとき液の供給量を流量調節手段であるバルブ付きのバイパスライン１９５を用いて調節して、液を槽に再び供給する前にフィルター１９４を用いて屑等の粒子を各槽毎に回収する。例えば液の循環量を増やす場合は、バイパスライン１９５をとじる。そして反対に液の循環量を減らす場合はバイパスライン１９５をひらく。そして循環量を一定にする場合はバイパスライン１９５のラインの開放量を一定に設定する。またこのとき不図示の成分調整手段を設けることで回収されて再び槽に供給される液体の成分を調整することも出来る。また、オーバーフローした液が液回収空間１９６に回収されている間、油やハロゲン化合物等が基体１０１に再付着することなく基体１０１を液収容空間１９７から引き上ることができる。これは、液回収空間１９６に回収されたオーバーフローした液の液面の位置が、液収容空間１９７の開口部１９８の位置よりも常に下となるように液回収空間が設けられているからである。液回収空間１９６の形態は、図１に示すように液収容空間１９７の開口部１９８を下からつつむ形態である。液収容空間１９７からオーバフローした液と共に液回収空間１９６へ回収された油やハロゲン化合物等の不要物を液回収空間において気−液界面に集めることが出来る。この不要物は気−液界面から容易に回収でき、除去できる。またオーバフローライン１９１は、液回収空間の下方に設けられているので循環経路に入りにくく、従ってオーバーフローした液を有効に再利用できる。
【００４４】
なお、本実施の形態で用いられる基体は、例えばアルミニウム合金製シリンダー等があるが、これは、基体洗浄装置で処理される前に例えば表面を鏡面切削されることがある。鏡面切削の具体的な方法を以下にまとめて述べると、精密切削用のエアダンパー付旋盤に、ダイヤモンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモンド製）を、シリンダー中心角に対して５°の角すくい角を得るようにセットし、ついで、この旋盤の回転フランジに、基体を真空チャックし固定し、付設したノズルから白燈油噴霧、同じく付設した真空ノズルから切り粉の吸引を併用しつつ、周速１０００ｍ／ｍｉｎ、送り速度０．０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が１０８ｍｍとなるように鏡面切削を施す。
【００４５】
このように切削が終了した基体は洗浄装置に搬送される。なお、本発明で使用される基体は必ずしも上述の鏡面切削処理が予めなされている必要はない。
【００４６】
また以下の様な手順で洗浄が行われる。
【００４７】
投入台上１１１に置かれた基体１０１は、搬送機構１０３により脱脂槽１２１に搬送され、脱脂洗浄工程が行われる。脱脂槽１２１中には界面活性剤を純水中に溶解させた水１２２が入っており、その中で基体１０１を超音波洗浄して表面に付着している塵、油脂等を基体１０１から分離させて洗浄する。その後基体１０１をチャッキング機構１６３にチャッキングし、上下動機構であるエアーシリンダー１６４により引き上げられる。基体１０１が引き上げられる前後の液の循環液量は異なる。その際にシャワーノズル１８１より基体１０１に向かって油等の基体に付着し得る付着物が分離された水洗浄剤１２２がシャワーされる。
【００４８】
脱脂洗浄工程を終了した基体１０１は、次にリンス工程に至るため搬送機構１０３によりリンス１槽１３１へ運ばれる。リンス１槽１３１には２５℃の温度に保たれた珪酸塩を純水中に溶解させた水１２３が入っておりそこで基体の皮膜形成を行う。また必要に応じて超音波を併用し、付着物が基体に付着することを防ぐ。その後必要に応じ基体１０１を上下動機構により引き上げられた時にシャワーノズル１８２より基体１０１に向かって水１２３がシャワーされる。
【００４９】
リンス１洗浄を終了した基体１０１は、搬送機構１０３により次のリンス工程であるリンス２槽１４１へ運ばれる。リンス２槽１４１中には２５℃の温度に保たれた純水１２４が入っており、そこで基体１０１をすすぎ洗浄する。純水１２４は工業用導電率計（商品名：α９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）により一定にその純度が制御されている。その後必要に応じ基体１０１を上下動機構（図示せず）により引き上げ、その際にシャワーノズル１８３から基体１０１に向かって純水１２４をシャワーする。
【００５０】
リンス工程を終了した基体１０１は次に乾燥工程に至る、基体１０１は搬送機構１０３により乾燥槽１５１へ運ばれる。乾燥槽１５１には６０℃の温度に保たれた温純水１２５が入っており、基体１０１を温純水１２５に浸漬した後上下動機構（図示せず）により温純水から引き上げ、引き上げ乾燥を行う。温純水１２５は工業用導電率計（商品名：α９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）により純度が一定に制御される。
【００５１】
乾燥工程の終了した基体１０１は、次に搬送機構１０３により搬出台１７１に運ばれ洗浄装置から搬出される。
【００５２】
次に図１から搬出した基体表面に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置について説明する。図２は、プラズマＣＶＤ法による光導電部材の堆積膜形成装置を側面からあらわした模式図である。本実施の形態は該堆積膜形成装置を用いてアモルファスシリコンを主体とした堆積膜を基体表面に形成する。
【００５３】
図２に於て反応容器２０１は、ベースプレート２０４とカソード電極を兼ねる壁２０２とトッププレート２０３から構成され、この反応容器２０１内には、アモルファスシリコン堆積膜が形成される基体２０６はカソード電極２０２の中央部に設置され、アノード電極も兼ねている。
【００５４】
この堆積膜形成装置を使用してアモルファスシリコン堆積膜を基体２０６上に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ２１１を閉じ、排気バルブ２１４を開け、反応容器２０１を排気する。真空計（図示せず）の読みが約５×１０-6 ｔｏｒｒになった時点で原料ガス流入バルブ２１１を開く。ガスは原料ガス導入管２０９内を移動し、反応容器内に流入される。原料ガス導入管２０９は開口部を複数有している。図２ではこの開口部を側面からあらわしているので点線で示されているが、この開口部から原料ガスが流出される。ガス流量は、マスフローコントローラに２１２内で所定の流量に調整される。例えばＳｉＨ4 ガス等の原料ガスを反応容器２０１内に流入させる。そして基体２０６の表面温度が加熱ヒーター２０８により所定の温度に設定されている事を確認した後、高周波電源（周波数：１３．５６ＭＨｚ）２１６を所望の電力に設定して反応容器２０１内にグロー放電を生起させる。
【００５５】
また、堆積膜形成を行っている間は、堆積膜形成の均一化を図るために基体２０６をモーター（図示せず）により長尺方向を軸に一定速度で回転させる。この様にして基体２０６上に、アモルファスシリコン堆積膜を形成する。
【００５６】
図３（Ａ）、（Ｂ）は本実施形態において用いるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置（μｗプラズマＣＶＤ装置）３００をあらわした図で、（Ａ）は側方からの摸式図であり、（Ｂ）はＸ−Ｘ面において上方からあらわした摸式図である。マイクロ波プラズマＣＶＤ装置３００は、真空気密化構造を成した減圧にし得る反応容器３０１、および反応容器内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成されている。反応容器３０１内にはマイクロ波電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ、真空気密を保持し得るような材料（例えば石英ガラス、アルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波導入窓３１０、スタブチューナー（図示せず）およびアイソレーター（図示せず）を介してマイクロ波電源（図示せず）に接続されているマイクロ波の導波管３１１、堆積膜を形成すべき円筒状基体３０６、前記円筒状基体３０６を回転する為の回転機構３０２、基体加熱用ヒーター３０３、原料ガス導入と、プラズマ電位を制御するための外部電気バイアスを与えるための電極を兼ねた原料ガス導入管３０８により構成されている。また前記原料ガス導入管３０８はバイアス電源３０９に接続されており、反応容器３０１内は排気管３０４を通じて不図示の例えば拡散ポンプに接続されている。原料ガスは原料ガス導入管３０８を介して円筒状基体３０６によって取り囲まれた空間４０７内に導入され放電空間を形成している。
【００５７】
マイクロ波プラズマＣＶＤ法（μＷ−ＰＣＶＤ法）によるこの装置での堆積膜の形成は、以下のように行なうことができる。
【００５８】
まず、反応容器３０１内に円筒状基体３０６を設置し回転装置３０２によって該円筒状基体３０６を回転し、不図示の排気装置（例えば拡散ポンプ）により反応容器３０１内を排気管３０４を介して排気し、反応容器３０１内の圧力を１×１０-6 Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、原料ガス導入管３０８を介して加熱用の原料ガスを反応容器３０１内に導入し所望の内圧に設定し円筒状基体３０６を加熱する。以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状基体３１１５上に電荷注入阻止層、感光層、表面層の各層の形成を行う。
【００５９】
放電空間３０１内の圧力が１３３Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計（図示せず）を見ながらメインバルブ（図示せず）の開口を調整する。圧力が安定した後、マイクロ波電源（図示せず）により周波数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、マイクロ波電源（図示せず）を所望の電力に設定し、導波管３１１、マイクロ波導入窓３１０を介して放電空間４０７にマイクロ波（μＷ）エネルギーを導入して、μＷグロー放電を生起させる。それと同時併行的に、電源３０９から電極兼ガス導入管３０８に例えば直流等の電気バイアスを印加する。かくして基体３０６により取り囲まれた放電空間４０７において、導入された原料ガスは、マイクロ波のエネルギーにより励起されて解離し、円筒状基体３０６上に所定の堆積膜が形成される。この時、層形成の均一化を図るため円筒状基体３０６を回転機構３０２によって、所望の回転速度で回転させる。
【００６０】
所望の膜厚の形成が行われた後、μＷ供給電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００６１】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される所となる。
【００６２】
次に図４に示すＶＨＦ帯の周波数を用いた高周波プラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」を略記する）法によって形成される電子写真用光受容部材の製造方法について説明する。図４に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤは減圧に出来る反応容器４２１、および反応容器内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成されている。反応容器４２１内には堆積膜を形成すべき円筒状基体４２６、支持体加熱用ヒーター４２３、原料ガス導入管（図示せず）、電極４２５が設置され、電極には更に高周波マッチングボックス４２８が接続されている。また、反応容器４２１内は排気管４２４を通じて不図示の拡散ポンプに接続されている。また、円筒状支持体４２６によって取り囲まれた空間４２７が放電空間を形成している。
【００６３】
ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆積膜の形成は、以下のように行なうことができる。
【００６４】
まず、反応容器４２１内に円筒状基体４２６を設置し、駆動装置４２２によって円筒状基体４２６を回転し、不図示の排気装置（例えば拡散ポンプ）により反応容器４２１内を排気管４２４を介して排気し、反応容器４２１内の圧力を１×１０-7 Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター４２３により円筒状基体４２６の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温度に加熱保持する。
【００６５】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下のようにして円筒状支持体４２６上に各層の形成を行う。円筒状支持体４２６が所定の温度になったところで原料ガス導入管（図示せず）を介して放電空間４２７内に導入する。反応容器４２１内の圧力が１３３Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計（図示せず）を見ながらメインバルブ（図示せず）の開口を調整する。
【００６６】
圧力が安定したところで、例えば周波数１０５ＭＨｚのＶＨＦ電源（図示せず）を所望の電力に設定して、マッチングボックス４２８を通じて放電空間４２７にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。かくして円筒状支持体４２６により取り囲まれた放電空間４２７において、導入された原料ガスは、放電エネルギーにより励起されて解離し、円筒状支持体４２６上に所定の堆積膜が形成される。この時、層形成の均一化を図るため支持体回転用モーター４２２によって、所望の回転速度で回転させる。
【００６７】
所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００６８】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００６９】
なお、本発明は、上述の実施形態に限られるものでないことは言うまでもない。例えば本発明において基体の引き上げ時とは、前述したように水１２２、１２３、ないし純水１２４、温水１２５に完全に基体が浸漬している状態から上方に運ばれはじまる時をさす他に、例えば上記水１２２、１２３、ないし純水１２４、温水１２５中に浸漬する基体の一部が液面から外に出たときを以って引き上げ時としてもよい。
【００７０】
また本発明において水１２２、１２３、ないし純水１２４、温水１２５等の液をオーバーフローさせるタイミングとは、例えば油等の液面に比較的集まり易い物質が液面に集まった時であり、油等が液面にあつまった後に液をオーバーフローさせて除去し、その後にオーバーフローを停止し、再び必要に応じてオーバーフローを再開してもよく、あるいは常にオーバーフローさせてもよい。なお、常にオーバーフローさせる場合でも循環流量を変化させることは言うまでもない。更にいえば、オーバーフローライン１９１が液収容空間１９７となる容器の下方と接続しているので液を循環させ、且つオーバーフローさせることで例えば液中で沈殿しやすい不溶物質が槽内にたまることを防ぐことが出来る。
【００７１】
また不図示の成分調整手段を設けることで例えば乾燥工程乃至リンス２工程で使用した純水を回収し不要物質を除去し、脱脂洗浄工程乃至リンス１工程で使用する液と実質的に同様の成分に調整して脱脂洗浄工程で使用してもよい。
【００７２】
また、本発明は、液収容空間から液がオーバーフローする場合、必ずしも液が循環経路を通過する必要はない。
【００７３】
つまり油やハロゲン化合物等の不要物が効果的に液収容空間外へ出ればよく、そのために例えば不図示の液供給手段から液収容空間へ直接液を供給することでオーバーフローを可能にしてもよい。
【００７４】
いいかえればこの不図示の液供給手段から液収容空間へ供給する液の供給量を増やすことで液収容空間からオーバーフローされる液の流量を増やしてもよい。
【００７５】
また循環経路が液を循環している時にこの不図示の液体供給手段から液収容空間へ液を供給することで、液収容空間からオーバーフローされる液の流量、即ちみかけの循環流量を大きくすることが出来る。
【００７６】
またこの不図示の液供給手段から液収容空間へ供給される液は未使用の液であってよく、その結果、不要物を含まない液が液収容空間へ供給されるので液収容空間に収容される液中の不要物の存在比が減り、従って不要物が基体に再付着し難くなる。
【００７７】
また本発明は、オーバーフローしている状態で基体を液から引き上げることで洗浄してもよい。というのも、基体が液から液外へ移動する際に、槽へ液が供給され続けているとしても液面が下がることがありうるからである。そのような場合、液が槽からオーバーフローせず、その結果不要物が槽外へ出て行くことができない。従って本発明においてオーバーフローしている状態で基体を液から引き上げることで基体を洗浄すれば、不要物が基体へ際付着することを防ぐことが出来る。
【００７８】
また本発明においてシャワーノズルは脱脂洗浄工程、乃至リンス工程のいずれにおいても使用することが出来るが、本発明は各工程の少なくともいずれか一つの工程でシャワーノズルを用いてもよい。このとき洗浄効果が高く求められる脱脂洗浄工程において前記シャワーノズルによる基体へのシャワーリングを行い除去することが好ましい。
【００７９】
また本発明においてシャワーノズルは各槽の内側に設けられており、基体に吹き付けられる液体が各工程の各槽から外部へ飛びちることを防ぐことが出来るので各槽を隣り合わせて配置する等互いの槽を近づけて配置することが出来、その結果洗浄装置全体を小型化することが出来る。なお本発明は基体に液体を実質上吹き付けることが出来るならばシャワーノズルを各槽の外側に設けてもよい。
【００８０】
またシャワーノズル１８１、１８２、１８３はそれぞれ角度を自在に変える形態でもよい。例えばシャワー供給方向を下向きとすることで各シャワーノズルから供給される液を各工程の槽に収容し易くなり且つ供給される水が他の槽に飛び散ることを防ぐことが出来る。
【００８１】
本発明において、基体は上述したように基体表面凸凹を平坦に処理された鏡面切削されたもの、乃至は干渉縞防止等の目的で非鏡面とされたもの、或は所望形状の凹凸が付与されたものでも良い。
【００８２】
また、アルミニウム表面に部分的に露出したＳｉ，Ｆｅ，Ｃｕ原子が多い部分では腐食が促進される事から、本発明はリンス１洗浄において異常成長の発生を防ぐためのインヒビターとして珪酸塩を添加し皮膜形成を行うことが好ましい。
【００８３】
なお、本発明では、基体に純水がさらされる前に皮膜を形成する処理が行われるなら、脱脂洗浄工程で使用する液にもインヒビターを溶解させてもよい。
【００８４】
また、本発明のインヒビターとして燐酸塩、珪酸塩、ほう酸塩等を挙げる事が出来るが、珪酸塩が本発明には特に好ましい。
【００８５】
また、珪酸塩の中でも、珪酸カリウム、珪酸ナトリウム等が挙げられいずれを使用しても良いが珪酸カリウムが本発明には特に好ましい。
【００８６】
また本発明において用いられる界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、またはそれらの混合したもの等いずれのものでも可能である。中でも、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、燐酸エステル塩等の陰イオン性界面活性剤または、脂肪酸エステル等の非イオン性界面活性剤を使用することが本発明では好ましい。
【００８７】
本発明の脱脂洗浄工程、リンス工程、あるいは乾燥工程において界面活性剤やインヒビター等の溶液を溶解させたりあるいはそのまま使用する純水のグレードは、溶質の溶解前において、あるいは、槽内にはじめて収容される時において半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃の時の抵抗率として、下限値１ＭΩ・ｃｍ以上、好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・ｃｍ以上が本発明には適している。上限値は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までの何れの値でも可能であるが、コスト、生産性の面から１７ＭΩ・ｃｍ以下、好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下が本発明には適している。微粒子量としては、０．２μｍ以上が１ミリリットル中に１００００個以下、好ましくは１０００個以下、最適には１００個以下が本発明には適している。微生物量としては、総生菌数が１ミリリットル中に１００個以下、好ましくは１０個以下、最適には１個以下が本発明には適している。有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に１０ｍｇ以下、好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下が本発明には適している。そしてもちろん溶質が溶解された水溶液やあるいは、槽内に収容されて洗浄に用いられた純水は、上記のようなグレードの純度を維持しているものではない。
【００８８】
上記の水質の水を得る方法としては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ましい。
【００８９】
本発明に於いて、脱脂洗浄工程で用いられる界面活性剤を含む水の温度は、高すぎると基体表面に液跡によるシミが発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、低すぎると脱脂効果、皮膜効果が小さく、充分な皮膜を得ることが出来ない。この為、温度の範囲としては、１０℃以上、６０℃以下、好ましくは１５℃以上、５０℃以下、最適には２０℃以上、４０℃以下の範囲が本発明には適している。
【００９０】
本発明の脱脂洗浄工程で、超音波を用いる場合、使用する超音波の周波数の範囲は、好ましくは１００Ｈｚ以上、１０ＭＨｚ以下、更に好ましくは１ｋＨｚ以上、５ＭＨｚ以下、最適には１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下が効果的である。使用する超音波の出力の範囲は、好ましくは０．１Ｗ／リットル以上、１ｋＷ／リットル以下、更に好ましくは１Ｗ／リットル以上、１００Ｗ／リットル以下の範囲が効果的である。
【００９１】
本発明に於て、脱脂洗浄工程で用いられる界面活性剤を含む水系洗浄剤の濃度は、濃すぎると引き上げた後に基体にのこった液体の液跡によるシミが発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。
【００９２】
この為、単位体積あたりの前記水に含まれる界面活性剤の濃度の範囲は、０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下、好ましくは１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下、最適には２ｗｔ％以上、８ｗｔ％以下の範囲が本発明には適している。
【００９３】
本発明に於て、界面活性剤を含む水のｐＨは、高すぎると液跡にシミが発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。
【００９４】
この為、界面活性剤を含む水のｐＨは、８以上、１２．５以下、好ましくは９以上、１２以下、最適には１０以上、１１．５以下の範囲が本発明には適している。
【００９５】
本発明に於いて、基体を浸漬洗浄している時の液循環量（第１の循環流量）Ｑ1と、該基体を洗浄液から引き上げる際の洗浄液循環量（第２の循環流量）Ｑ2とを変化させるが本発明は、液循環量を変化させることをどの工程に於いても実施してよい。特に脱脂洗浄工程にて実施するのが最適であるが、その場合のＱ1とＱ2の関係は、０．１≦Ｑ1／Ｑ2≦０．８，であり、好ましくは０．２≦Ｑ1／Ｑ2≦０．７，であり、より好ましくは０．３≦Ｑ1／Ｑ2≦０．６の範囲にある関係である。
【００９６】
本発明の、珪酸塩の単位体積あたりの水に含まれる濃度は、濃すぎると液跡によるシミが発生していまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、薄すぎると皮膜効果が小さく本発明の効果が十分に得られない。この為、濃度は、０．０５ｗｔ％以上、２ｗｔ％以下、好ましくは０．１ｗｔ％以上、１．５ｗｔ％以下、最適には０．２ｗｔ％以上、１ｗｔ％以下が本発明には適している。
【００９７】
本発明の、珪酸塩の含まれる水のｐＨは、高すぎると液跡によるシミが発生してしまい、堆積膜の剥れ等の原因となる。また、低すぎると皮膜効果が小さく、本発明の効果が充分得られない。この為、珪酸塩を含有した水のｐＨは、８以上、１２．５以下、好ましくは９以上、１２以下、最適には１０以上、１１．５以下が本発明には適している。
【００９８】
本発明においてアルミニウム基体上に形成される皮膜の膜厚は薄くては効果が現れず厚すぎるとアルミニウム基体との導電性が下がって弊害が出てしまう。この為、皮膜の膜厚としては５Å以上１５０Å以下、好ましくは１０Å以上１３０Å以下、最適には１５Å以上１２０Å以下が適している。
【００９９】
本発明においてアルミニウム基体上に形成されるＡｌ−Ｓｉ−Ｏ（珪酸塩による皮膜）皮膜の組成比としてはＳｉやＯが少なくてはＡｌの成分が多く皮膜として不十分であり、多くても導電性が下がってしまう為適さない。Ａｌを１とした時にＳｉは０．１以上０．５以下、好ましくは０．１５以上０．４以下、最適には０．２以上０．３５以下が適している。またＡｌを１とした時に０は１以上５以下、好ましくは１．５以上４以下、最適には２以上３．５以下が適している。
【０１００】
皮膜形成後基体表面をシャワーする事は本発明に於いて、効果をあげる上でも有効である。
【０１０１】
本発明で、超音波を用いることは本発明の効果を出す上で有効である。超音波の周波数は、好ましくは１００Ｈｚ以上、１０ＭＨｚ以下、更に好ましくは１ｋＨｚ以上、５ＭＨｚ以下、最適には１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下が効果的である。超音波の出力は、好ましくは０．１Ｗ／リットル以上、１ｋＷ／リットル以下、更に好ましくは１Ｗ／リットル以上、１００Ｗ／リットル以下が効果的である。
【０１０２】
また、本発明はリンス工程、あるいは乾燥工程に於て使用される液に、二酸化炭素を溶解させてリンス効果、あるいは乾燥効果を向上させても良い。この液の水質は、非常に重要であり二酸化炭素溶解前の状態は半導体グレードの純水、特に超ＬＳＩグレードの超純水が望ましい。具体的には、水温２５℃の時の抵抗率として、下限値は１０ＭΩ・ｃｍ以上、好ましくは３ＭΩ・ｃｍ以上、最適には５ＭΩ・ｃｍ以上が本発明には適している。抵抗値の上限は理論抵抗値（１８．２５ＭΩ・ｃｍ）までの何れの値でも可能であるが、コスト、生産性の面から１７ＭΩ・ｃｍ以下、好ましくは１５ＭΩ・ｃｍ以下、最適には１３ＭΩ・ｃｍ以下が本発明には適している。微粒子量としては、０．２μｍ以上が１ミリリットル中に１００００個以下、好ましくは１０００個以下、最適には１００個以下が本発明には適している。微生物量としては、総生菌数が１ミリリットル中に１００個以下、好ましくは１０個以下、最適には１個以下が本発明には適している。有機物量（ＴＯＣ）は、１リットル中に１０ｍｇ以下、好ましくは１ｍｇ以下、最適には０．２ｍｇ以下が本発明には適している。そしてもちろんこの二酸化炭素が溶解された水溶液は、上記数値の満たす水質である必要は必ずしもない。即ち、基体をリンスする場合、あるいは乾燥させる場合に用いられる液の水質は上記の数値を満たす必要は無い。
【０１０３】
上記の水質の液を得る方法としては、活性炭法、蒸留法、イオン交換法、フィルター濾過法、逆浸透法、紫外線殺菌法等があるが、これらの方法を複数組み合わせて用い、要求される水質まで高めることが望ましい。
【０１０４】
これらの液に溶解する二酸化炭素の溶存量は飽和溶解度までのいずれの量でも本発明は可能だが、多すぎると水温が変動したときに泡が発生し易く基体表面に付着することによりスポット上のシミが発生する場合がある。更に、溶解した二酸化炭素の量が多いとｐＨが小さくなるために基体にダメージを与える場合がある。一方、溶解した二酸化炭素の量が少なすぎると本発明の効果を得ることができない。
【０１０５】
基体に要求される品質等を考慮しながら、二酸化炭素の溶解量を最適化する必要がある。
【０１０６】
一般的に本発明による好ましい二酸化炭素の溶解量は飽和溶解度の６０％以下、更に好ましくは４０％の条件である。
【０１０７】
本発明のリンス工程において二酸化炭素の溶解量は水の導電率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導電率で管理した場合、好ましい範囲は２μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは４μＳ／ｃｍ以上、３０μＳ／ｃｍ以下、６μＳ／ｃｍ以上、２５μＳ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は３．８以上、６．０以下、更に好ましくは４．０以上、５．０以下で本発明は効果が顕著である。導電率の測定は導電率計等により行い、値としては温度補正により２５℃に換算した値を用いる。
【０１０８】
水の温度は、５℃以上、９０℃以下、好ましくは１０℃以上、５５℃以下、最適には１５℃以上、４０℃以下が本発明には適している。
【０１０９】
二酸化炭素を水に溶解する方法はバブリングによる方法、隔膜を用いる法等いずれでも良い。また本発明においては、二酸化炭素を溶解した水を用いることで炭酸イオンを得るために炭酸ナトリウム等の炭酸塩を用いた場合におこりうる、ナトリウムイオン等の陽イオンによる基体への影響を防ぐことが出来る。
【０１１０】
このようにして得られた二酸化炭素を溶解した水により基体表面を洗浄するときは、二酸化炭素を溶解した水を導入した水槽に基体を浸漬する事が基本であるが、その際に、水流を与える、空気等を導入することによりバブリングを行う等を併用すると本発明は更に効果的なものとなる。
【０１１１】
二酸化炭素を溶解した水による洗浄処理の処理時間は、１０秒以上、３０分以下、好ましくは２０秒以上、２０分以下、最適には３０秒以上、１０分以下が本発明には適している。
【０１１２】
本発明の乾燥工程において二酸化炭素の溶解量は水の導電率またはｐＨで管理することが実用的であるが、導電率で管理した場合、好ましい範囲は５μＳ／ｃｍ以上、４０μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは６μＳ／ｃｍ以上、３５μＳ／ｃｍ以下、８μＳ／ｃｍ以上、３０μＳ／ｃｍ以下、ｐＨで管理した場合、好ましい範囲は３．８以上、６．０以下、更に好ましくは４．０以上、５．０以下の範囲で本発明は効果が顕著である。導電率の測定は導電率計等により行い、温度補正により２５℃に換算した値を用いる。なお二酸化炭素を溶解させる水の純度、二酸化炭素を溶解させる溶解方法はリンス工程における方法と同じでよい。
【０１１３】
温水の温度は、３０℃以上、９０℃以下、好ましくは３５℃以上、８０℃以下、最適には４０℃以上、７０℃以下が本発明には適している。
【０１１４】
引き上げ乾燥する際の引き上げ速度は非常に重要であり、好ましい範囲は１００ｍｍ／ｍｉｎ以上、２０００ｍｍ／ｍｉｎ、更に好ましくは２００ｍｍ／ｍｉｎ、最適には３００ｍｍ／ｍｉｎ以上、１０００ｍｍ／ｍｉｎが本発明には適している。
【０１１５】
二酸化炭素又は純水による洗浄処理から堆積膜形成装置へ投入までの時間は、長すぎると本発明の効果が小さくなってしまい、短すぎると工程が安定しないため、１分以上、８時間以下、好ましくは２分以上、４時間以下、最適には３分以上、２時間以下が本発明には適している。
【０１１６】
本発明において、基体の材質は、アルミニウムを母体とすることが加工性、コスト、得られる膜の特性等が良いという点で好ましいが、
アルミニウム基体が、鉄（Ｆｅ）を１０ｐｐｍ以上含有
アルミニウム基体が、珪素（Ｓｉ）を１０ｐｐｍ以上含有
アルミニウム基体が、銅（Ｃｕ）を１０ｐｐｍ以上含有
でＦｅ＋Ｓｉ＋Ｃｕの総含有量が、アルミニウムに対して０．０１ｗｔ％を越え１ｗｔ％以下含有したものが本発明には適している。
【０１１７】
本発明において基体の加工性を向上させるためにマグネシウムを含有させる事は有効である。好ましいマグネシウムの含有量としては、０．１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下、更に好ましくは０．２ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下の範囲である。
【０１１８】
更に本発明では、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕの他に、以下の元素記号で示す。Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等の元素がアルミニウム中に含有されてもよい。
【０１１９】
本発明において基体の形状は、所望によって決定されるが、例えば電子写真用として使用するのであれば、連続高速複写機の場合には、無端ベルト状又は前述した様に円筒形のものが本発明に最適である。円筒状の場合基体の大きさには特に制限はないが、実用的には外径２０ｍｍ以上、５００ｍｍ以下、長さ１０ｍｍ以上、１０００ｍｍ以下が好ましい。支持体の厚みは、所望通りの光導電部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として可能性が要求される場合には、支持体としての機能が十分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら、この様な場合にも、支持体の製造上及び取り扱い上更には機械的強度等の点から、通常は１０μｍ以上とされる。
【０１２０】
本発明で用いられる感光体は、アモルファスシリコン感光体、セレン感光体、硫化カドミニウム感光体、有機物感光体等何れでも可能であるが、特にアモルファスシリコン感光体等の珪素含む非単結晶感光体の場合その効果が顕著である。
【０１２１】
珪素を含む非単結晶感光体を作成する場合、堆積膜形成時に使用される原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ4 ）、ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）、四弗化珪素（ＳｉＦ4 ）、六弗化二珪素（Ｓｉ2 Ｆ6 ）等のアモルファスシリコン形成原料ガス又はそれらの混合ガスが挙げられる。
【０１２２】
希釈ガスとしては水素（Ｈ2 ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。
【０１２３】
又、堆積膜のバンドギャップ幅を任意に調節するため等に用いる等の特性改善ガスとして、窒素（Ｎ2 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）等の窒素原子を含む元素、酸素（Ｏ2 ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）、酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2 ）等酸素原子を含む元素、メタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）等の炭化水素、四弗化ゲルマニウム（ＧｅＦ4 ）、弗化窒素（ＮＦ3 ）等の弗素化合物またはこれらの混合ガスが挙げられる。
【０１２４】
また、本発明に於ては、ドーピングを目的としてジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）、フッ化ほう素（ＢＦ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等のドーパントガスを同時に放電空間に導入しても本発明は同様に有効である。
【０１２５】
本発明の電子写真感光体では、基体上に堆積した堆積膜の総膜厚はいずれでも良いが、５μｍ以上、１００μｍ以下、更に好ましくは１０μｍ以上、７０μｍ以下、最適には１５μｍ以上、５０μｍ以下に於いて、電子写真感光体として特に良好な画像を得る事ができた。
【０１２６】
本発明では、堆積膜の堆積中の放電空間の圧力がいずれの領域でも効果が認められたが、特に６６．５×１０-3Ｐａ以上、１３．３Ｐａ以下、好ましくは１３．３×１０- 1 Ｐａ以上、６．６５Ｐａ以下に於いて、放電の安定性及び堆積膜の均一性の面で特に良好な結果が再現性良く得られた。
【０１２７】
本発明において、堆積膜の堆積時の基体温度は、１００℃以上、５００℃以下の範囲で有効であるが、特に１５０℃以上、４５０℃以下、好ましくは２００℃以上、４００℃以下、最適には２５０℃以上、３５０℃以下に於て著しい効果が確認された。
【０１２８】
本発明において、基体の加熱手段としては、真空仕様の発熱体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックスヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。また、それ以外にも、反応容器とは別に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で基体を搬送する等の方法も使用することができる。以上の手段を単独にまたは併用して用いることが本発明では可能である。
【０１２９】
本発明において、プラズマを発生させるエネルギーは、ＤＣ、ＲＦ、マイクロ波あるいはＶＨＦ帯域の波等いずれでも可能であるが、特に、プラズマの発生のエネルギーにマイクロ波を用いた場合、基体の表面欠陥による異常成長が顕著に現れ且つ、吸着した水分にマイクロ波が吸収され、界面の変化がより顕著なものとなるため、本発明の効果がより顕著なものとなる。
【０１３０】
本発明において、プラズマ発生のためにマイクロ波を用いる場合、マイクロ波電力は、放電を発生させることができればいずれでも良いが、１００Ｗ以上、１０ｋＷ以下、好ましくは５００Ｗ以上、４ｋＷ以下が本発明を実施するに当たり適当である。
【０１３１】
本発明において、堆積膜形成中に放電空間に電圧（バイアス電圧）を印加することは有効であり、少なくとも基体に陽イオンが衝突する方向に電界が掛かることが好ましい。なおＤＣ成分の電圧が１Ｖ以上、５００Ｖ以下、好ましくは５Ｖ以上、１００Ｖ以下であるバイアス電圧を堆積膜形成中に印加することが望ましい。
【０１３２】
本発明において、反応容器内に誘電体窓を用いてマイクロ波導入する場合、誘電体窓の材質としてはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸価ベリリウム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の損失の少ない材料が通常使用される。
【０１３３】
複数の基体で放電空間を取り囲む構成の堆積膜形成方法に於いては基体の間隔は１ｍｍ以上、５０ｍｍ以下が好ましい。基体の数は生産性を考慮し、放電空間を形成できるならばいずれでも良いが３本以上、より好ましくは４本以上が適当である。
【０１３４】
本発明は、いずれの電子写真感光体製造方法にも適用が可能であるが、特に、放電空間を囲むように基体を設け、少なくとも基体の一端側から導波管によりマイクロ波を導入する構成により堆積膜を形成する場合大きな効果がある。
【０１３５】
本発明の方法で製造された電子写真感光体は、電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、レーザー製版機などの電子写真応用分野にも広く用いることができる。
【０１３６】
以下、本発明の効果を、電子写真感光体用の基体を洗浄する方法の実験例を用いて具体的に説明するが、洗浄液に浸漬させ洗浄するものであれば何れの場合でも効果があり、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
【０１３７】
（実施例１）
導電性基体としてＳｉが０．０５ｗｔ％、Ｆｅが０．０３ｗｔ％、Ｃｕが０．０１ｗｔ％のアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３８５ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行った。なお本発明で示す基体上に存在するすべての原子の存在比はマグネシウム（Ｍｇ）からなるＸ線アノードを使用し、１５Ｋｖ、４００ｗの出力条件でまたエネルギー分解能を０．９８ｅｖ（Ａｇ３ｄ５／２）で、真空度を１×１０-9ｔｏｒｒ以下の条件として測定された値である。
【０１３８】
基体を切削工程終了１５分後に図１に示す本発明の洗浄装置に搬送し、表１に示す条件にて洗剤（非イオン性界面活性剤）による脱脂洗浄工程およびリンス１工程、リンス２工程、そして乾燥工程の各工程において処理を行った。その際、表３に示す様に脱脂洗浄の工程における水１２２の循環量を基体の引き上げ時と引き上げ時以外の時とで変更させた。そして洗浄装置による処理が終了した後、基体表面の外観シミについて後述する評価基準にもとづいて目視検査をした。その結果同じく表３に示す。尚本実施例において、脱脂洗浄工程に用いられる界面活性剤の単位体積あたりの水に含まれる界面活性剤の濃度は３ｗｔ％としている。又、本実施例のリンス１工程においてインヒビターとして用いる珪酸塩は珪酸カリウムであり、単位体積あたりの水に含まれる濃度を０．３ｗｔ％としている。
【０１３９】
次に、これらの表面処理を施した基体上に図２に示す堆積膜形成装置を用いた表２の条件で、基体上に、アモルファスシリコン堆積膜の形成を行い、図５に示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。図５（Ａ）に於て５０１、５０２、５０３及び５０４は順に、アルミニウム基体、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を示している。
【０１４０】
次に、作成した電子写真感光体の電子写真的特性の評価は、以下の通りに行なった。つまり、作成した電子写真感光体を実験用に予めプロセススピードを２００〜８００ｍｍｓｅｃの範囲で任意に変更し、帯電器に６〜７ｋＶの電圧を印加してコロナ帯電を行ない、７８８ｎｍのレーザー像露光にて電子写真感光体表面に潜像を形成した後通常の複写プロセスにより転写紙上に画像を作製できるように改造を行ったキヤノン社製複写機、ＮＰ６６５０にいれ、黒ポチ、画像欠陥、電子写真特性（感度）の総合的な評価と環境性の評価を後述する評価基準にもとづいておこなった。その結果を同じく表３に示す。
【０１４１】
〔外観（シミ）〕
洗浄後の基体表面に強露光の光を反射させ肉眼で確認出来る基体上のシミを確認した。評価結果をあらわす記号は以下の通りである。
【０１４２】
◎…非常に良好
○…全く無く良好
△…大変薄く全く問題ない
×…はっきりと認められる
【０１４３】
〔黒ポチ、画像欠陥の評価〕
プロセススピードを変え全面ハーフトーン原稿及び文字原稿を原稿台に置いてコピーした時に得られた画像サンプル中で一番画像欠陥の多く現れる画像サンプルを選び評価を行った。評価の方法としては画像サンプル上を拡大鏡で観察し同一面積内にある白点の状態により評価を行った。評価結果を以下の４つの記号を用いて表にあらわす。
【０１４４】
◎…非常に良好
○…一部極微少な欠陥があるが全く問題無く良好
△…全面に極微少な欠陥が有るが全く問題無し
×…全面に大きな欠陥があり問題あり
【０１４５】
〔比較例１〕
脱脂洗浄工程の循環量を変更しなかった以外は実施例１と同様の方法にて洗浄を行ない、その後同様の方法にて阻止型電子写真感光体を作成し同様の評価を行なった。その結果を比較例１として表３、表４、表６に示す。
【０１４６】
【表１】
0003658257.tif 000002
【０１４７】
【表２】
0003658257.tif 000003
【０１４８】
【表３】
0003658257.tif 000004
【０１４９】
（実施例２）
実施例１と同様に基体を用い、脱脂工程から基体を引き上げる時、脱脂洗浄工程にて使用する液と同じ成分の液を基体にシャワーしながら引き上げ洗浄を行った以外は、実施例１と同様の方法にて阻止型電子写真感光体を作製し同様の方法にて評価を行なった。その結果を表４に示す。尚シャワーする液は脱脂洗浄槽中に収容され使用されていた液を回収し、油水分離機構（図示せず）により油水分離された後の液を使用した。また実施例１と同様に比較例１として表４に同じく記す。
【０１５０】
【表４】
0003658257.tif 000005
【０１５１】
表４より明らかな様に脱脂洗浄工程終了後、引き上げる際に液を基体へシャワーする事により実施例２と比べて循環量比を小さくしてもあるいは大きくしても外観シミおよび画像の評価が上がる事が確認された。
【０１５２】
（実施例３）
表５に示す様に脱脂槽以外の洗浄量にも同様の方法にて洗浄液の循環量を変化させた以外は実施例２と同様の方法にて基体の洗浄を行い、その後実施例１に示す阻止型電子写真感光体を作製し、同様の方法にて評価を行なった。
【０１５３】
【表５】
0003658257.tif 000006
【０１５４】
【表６】
0003658257.tif 000007
【０１５５】
表６より明らかな様に明らかに脱脂洗浄工程以外の槽に於いて液の循環量を変えても有効である。特に高い循環量比、例えば循環量比が０．８の場合、特に画像評価結果として非常に良好な結果を得ることができた。
【０１５６】
（実施例４）
実施例１と同様の基体を用い、表７に示す条件にて洗浄を行なった。その時表８に示す様に導入する珪酸塩の種類を変更させた。その後、実施例１と同様の方法にて阻止型電子写真感光体を作製し実施例１と同様の方法にて評価を行なった。その結果を同じく表８に示す。
【０１５７】
【表７】
0003658257.tif 000008
【０１５８】
【表８】
0003658257.tif 000009
【０１５９】
表８より明らかな様にいずれの珪酸塩を用いても良好な結果が得られたが特に珪酸カリウムが一番良好な結果を得る事が出来た。
【０１６０】
（実施例５）
実施例１と同様の基体を用い、実施例４と同じく表７に示す条件にて洗浄を行なった。その時に導入する珪酸カリウムの単位堆積あたりの水に含まれる重量百分率濃度（％）を表９に示す様に変化させ、洗浄後の基体表面を肉眼でシミの状態を観察した。その後、実施例１と同様の方法にて阻止型電子写真感光体を作製し実施例１と同様の方法にて評価を行なった。その結果を同じく表９に以下に示す実施例６とあわせて示す。
【０１６１】
【表９】
0003658257.tif 000010
【０１６２】
表９の結果より珪酸カリウムの単位堆積あたりの水に含まれる濃度が０．０５ｗｔ％以上、２．０ｗｔ％以下の範囲において良好な結果が得られた。
【０１６３】
（実施例６）
インヒビターを添加したリンス１工程に超音波を用いた以外は、実施例５に示す条件にて基体の洗浄を行い、実施例５と同様に珪酸カリウムの濃度を変化させ、その後実施例１と同様の方法にて電子写真感光体を作成し評価した結果を同じく表９に示す。
【０１６４】
表９より超音波を皮膜形成時に併用する事で効果が上がる事が確認出来た。
【０１６５】
（実施例７）
Ｓｉの含有量を表１０に示す様に変化させたアルミニウムを用い、珪酸塩に珪酸カリを用いた以外は実施例４と同様の方法にて脱脂洗浄及びリンス及び乾燥を行なった。その後、実施例１と同等の阻止型電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行なった、その結果を同様に表１０に示す。
【０１６６】
【表１０】
0003658257.tif 000011
【０１６７】
表１０より明らかな様に基体中に含まれるＳｉが０．００１ｗｔ％≦Ｓｉ≦１ｗｔ％の範囲で変化しても画像評価の良好な基体を得ることができる。
【０１６８】
（実施例８）
表１１に示す様にＦｅの含有量を変化させた以外は、実施例７と同様の方法にて阻止型電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。その結果を同様に表１１に示す。
【０１６９】
【表１１】
0003658257.tif 000012
【０１７０】
表１１より明らかな様に基体中に含まれるＦｅが０．００１ｗｔ％≦Ｆｅ≦１ｗｔ％の範囲で変化しても画像評価の良好な基体を得ることができる。
【０１７１】
（実施例９）
Ｃｕの含有量を変化させた以外は実施例７と同様の方法にて阻止型電子写真感光体を作製し、同様の評価を行なった。その結果を表１２に示す。
【０１７２】
【表１２】
0003658257.tif 000013
【０１７３】
表１２より明らかな様に基体中に含まれるＣｕが０．００１ｗｔ％≦Ｃｕ≦１．０ｗｔ％の範囲で変化しても画像評価の良好な基体を得ることができる。
【０１７４】
（実施例１０）
Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕの含有量を表１３に示す様に変化させたアルミニウムを用い、実施例７と同様の方法にて洗浄を行なった。その後、実施例１と同等の阻止型電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行なった。その結果を同様に表１３に示す。
【０１７５】
【表１３】
0003658257.tif 000014
【０１７６】
表１３より明らかな様に基体中に含まれるＳｉ、Ｆｅ、Ｃｕの総量が０．０１ｗｔ％＜Ｓｉ＋Ｆｅ＋Ｃｕ≦１ｗｔ％の範囲で変化しても画像評価結果の良好な基体を得ることができる。
【０１７７】
（実施例１１）
Ｓｉが０．０３ｗｔ％、Ｆｅが０．０３ｗｔ％、Ｃｕが０．０４ｗｔ％含有したアルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状基体を、前述の本発明による電子写真感光体の製造方法の手順の一例と同様の手順で表面の切削を行い、切削工程終了１５分後に表１４に示す条件により基体表面の洗浄を行った。その後、図３に示すマイクロ波を発生させて堆積膜を形成する堆積膜形成装置を用い、表１５の条件で、基体上に、図５−Ａに示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製した。尚珪酸カリの単位体積あたりの水に含まれる濃度は０．３％とした。この様にして作成した電子写真感光体の電子写真的特性の評価、即ち後述する画像欠陥の評価、黒しみの評価、写真特性１および２の評価を行った。なお、各評価は同一成膜条件で作製した感光体を各１０本づつ評価した結果である。
【０１７８】
【表１４】
0003658257.tif 000015
【０１７９】
【表１５】
0003658257.tif 000016
【０１８０】
作成した電子写真感光体の外観を目視により膜はがれを観察し評価した後、実験用に予めプロセススピードを２００〜８００ｍｍ／ｓｅｃの範囲で任意に変更し、帯電器に６〜７ｋＶの電圧を印加してコロナ帯電を行ない、７８８ｎｍのレーザー像露光にて電子写真感光体表面に潜像を形成した後通常の複写プロセスにより転写紙上に画像を作製できるように改造を行ったキヤノン社製複写機、ＮＰ６６５０にいれ、画像性の評価を行った。これらの評価結果を（比較例１）と共に表１６に示した。画像評価は以下の方法にて行なった。
【０１８１】
〔画像欠陥の評価〕
プロセススピードを変え全面ハーフトーン原稿及び文字原稿を原稿台に置いてコピーした時に得られた画像サンプル中で一番画像欠陥の多く現れる画像サンプルを選び評価を行なった。評価の方法としては画像サンプル上を拡大鏡で観察し同一面積内にある白点の状態により評価を行った。評価結果を以下の４つの記号によって表にあらわす。
【０１８２】
◎…非常に良好
○…ほんの一部に微少な白点が有るが良好
△…全面に微少な白点があるが文字の認識には支障無し
×…白点が多い為一部文字が読みにくい部分が有る
【０１８３】
〔黒しみの評価〕
プロセススピードを変え全面ハーフトーン原稿を原稿台に置いて得られた画像の平均濃度が０．４±０．１になるように画像を出力した。このようにして得られた画像サンプル中で一番しみの目立つものを選び評価を行った。評価の方法としてはこれらの画像を目より４０ｃｍ離れたところで観察して、黒しみが認められるか調べ、以下の基準で評価を行った。評価結果は以下の４つの記号を用いて表に表す。
【０１８４】
◎…いずれのコピー上にも黒しみは認められず非常に良好
○…ほんのわずか黒しみが認められるが、非常に軽微であり全く問題無く良好
△…いずれのコピー上にも黒しみが認められるが、非常に軽微であり実用上支障ない
×…全数のコピー上に大きな黒しみが認められる
【０１８５】
〔電子写真特性１の評価〕
通常のプロセススピードで同一の帯電電圧を与えたときに現像位置で得られる感光体の表面電位を帯電能として相対値により評価する。但し、比較例１で得られた電子写真感光体の帯電能を１００％としている。
【０１８６】
〔電子写真特性２の評価〕
通常のプロセススピードで同一の帯電電圧を与えた後、光を照射し一定の電位に下がった時に得られる光量を感度として相対値により評価する。但し、比較例１で得られた電子写真感光体の帯電能を１００％としている。
【０１８７】
【表１６】
0003658257.tif 000017
【０１８８】
表１６より明らかな様に非常に良好な結果を示し、電子写真特性を向上させることが出来た。
【０１８９】
（実施例１２）
実施例１１と同様の基体を用い、実施例１１と同様の方法にて作製された阻止型電子写真感光体を下記に示す方法にて評価した結果を比較例１と共に表１８に示す。
【０１９０】
すべり性の評価
ブレートに任意の荷重をかけてピエゾ素子を用い、ドラムの回転開始前後でのブレードがドラムに引っ張られる力＝摩擦力を検出する。荷重と回転開始直前の“最大静止摩擦力”から「最大静止摩擦係数」を、同様に定常回転中の“動摩擦力”から「動摩擦係数」を算出した時に比較例１を１００％とした時の相対値で比較した（値が低いほどすべり性が良好で有る事を示す）。
【０１９１】
画像むらの評価
Ａ３方眼紙（コクヨ社製）を複写機の原稿台に置き、複写機の絞りを変える事により原稿の露光量を、グラフの線が辛うじて認められる程度から白地の部分がかぶり始める程度迄の範囲の画像が得られるように変え、濃度の異なる１０枚のコピーを出力した。
【０１９２】
これらの画像を目より４０ｃｍ離れたところで観察して、濃度の違いが認められるか調べ、以下の基準で評価を行った。評価結果は以下の４つの記号をもって表に示す。
【０１９３】
◎…いずれのコピー上にも画像のむらは認められず非常に良好
○…画像むらが認められるコピーと認められないコピーがある。が非常に軽微であり良好でまったく問題無い
△…いずれのコピー上にも画像むらが認められる。がコピー上では画像むらが軽微であり実用上支障ない
×…全数のコピー上に大きな画像むらが認められる
【０１９４】
白地かぶりの評価
白地に全面文字よりなる通常の原稿を原稿台に置いてコピーした時に得られた画像サンプルを観察し、白地の部分のかぶりを評価した。評価結果は以下の４つの記号をもって表に示す。
【０１９５】
◎…非常に良好
○…ほんの一部僅かにかぶりがあるが良好
△…全面に渡りかぶりがあるが文字の認識には全く支障無し
×…かぶりのため文字が読みにくい部分がある
【０１９６】
【表１７】
0003658257.tif 000018
【０１９７】
表１７より明らかな様に良好な結果を示した。
【０１９８】
（実施例１３）
実施例１１と同様の基体を用い、実施例１１と同様の方法にて表面処理を行なった後、図３−（Ａ）、図３−（Ｂ）に示すマイクロ波を発生して堆積膜を形成する堆積膜形成装置であるμｗＰＣＶＤ装置を用い表１８に示す条件にて図５−Ｂに示す阻止型電子写真感光体を作製し実施例１１と同様の方法にて評価した結果を表１９に示す。さらに比較例１で示した脱脂、洗浄、リンス、乾燥の処理を行い、表１８に示す条件にて図５−Ｂに示す阻止型電子写真感光体を作成し、評価した結果をあわせて表１９に示す。尚、図５−Ｂに於て５０１、５０２、５０３−１、５０３−２及び５０５はそれぞれ、アルミニウム基体、電荷注入阻止層、電荷輸送層、電荷発生層、及び表面層を示している。また、本実施例によって作成された電子写真の特性は、比較例１で得られた電子写真感光体の特性を１００％として相対評価した結果である。
【０１９９】
なお図３はマイクロ波ＣＶＤ装置を説明する側面図であり、
３０１は基体３０６を収容するチャンバ、
３０２は基体３０６の表面に膜を形成する際に基体３０６を回転させるモーター、
３０３は、膜を形成する際に基体３０６を加熱するヒーター、
３０４はチャンバ３０１内を排気する排気路、
また放電空間４０７は基体３０６と電極３０８との間の空間である。
【０２００】
電極３０８へは電力供給手段３０９によって直流電力が供給される。
【０２０１】
また電極３０８は、ガスをチャンバ３０１内へ導入する導入管の機能を兼ねる。
【０２０２】
３１０は、導入路３１１を伝わるマイクロ波をチャンバ３０１へ導入するマイクロ波導入窓、
また図３Ｂは、図３Ａのマイクロ波ＣＶＤ装置のＸ−Ｘ断面図である
【０２０３】
【表１８】
0003658257.tif 000019
【０２０４】
【表１９】
0003658257.tif 000020
【０２０５】
表１９より明らかな様に装置及び層構成が異なっても本発明は有効で有る。
【０２０６】
（実施例１４）
実施例１１と同様の基体を用い、実施例１１と同等の表面処理を行なった後図４に示すＶＨＦ帯域波を用いて堆積膜を形成するための堆積膜形成装置であるＶＨＦ  ＰＣＶＤ装置４２１を用い表２０に示す条件にて図５−Ｂに示す層構成の阻止型電子写真感光体を作製し同様の方法にて評価した。その結果実施例１１と同様の良好な結果が得られた。
【０２０７】
また図４において
４２２は基体４２６の表面に膜を形成する際に基体４２６を回転させるモーター、
４２３は、膜を形成する際に基体４２６を加熱するヒーター、
４２４は空間内を排気する排気路、
また放電空間４２７は基体４２６と電極４２５との間の空間である。
【０２０８】
４２８は高周波マッチングボックスである。
【０２０９】
原料ガス導入管（不図示）、電極４２５が設置され、電極４２５には更に高周波マッチングボックス４２８が接続されている。また放電空間４２７内は排気管４２４を通じて不図示の拡散ポンプに接続されている。
【０２１０】
該装置では、真空引きして圧力が安定したところで、例えば周波数５００ＭＨｚのＶＨＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス４２８を通じて放電空間４２７にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。かくして基体４２６により取り囲まれた放電空間４２７において、導入された原料ガスは、放電エネルギーにより励起されて解離し、基体４２６上に所定の堆積膜が形成される。
【０２１１】
また該４図が示す装置は、図３で示す装置と同様一度の製造により複数個の感光体を得ることができるので、量産に適している。
【０２１２】
【表２０】
0003658257.tif 000021
【０２１３】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、被洗浄体表面を洗浄にする方法に於いて、被洗浄体が液中に浸漬されている時の液の循環流量よりも、引き上げる時の液の循環流量を多くする事により洗浄中に基体からのぞかれた汚れが被洗浄体に再付着する事を防止し洗浄効果を上げる事が出来る。また特にアルミニウム基体上に機能性堆積膜をプラズマＣＶＤ法により形成する電子写真感光体の製造方法に於いて前記堆積膜を形成する前に、基体表面を洗浄する際において汚れの再付着防止効果が顕著にあらわれる。またインヒビターを含んだ液を用い、基体表面にＡｌ−Ｓｉ−Ｏ皮膜を形成する事により、高品質の堆積膜を基体表面上に形成し、均一な高品位の画像を与える電子写真感光体を安価に安定して製造することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体を実施するために使用される洗浄装置の一例を示す該略図である。
【図２】ＲＦプラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の概略縦断面図。
【図３】図３（Ａ）はマイクロ波プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の概略縦断面図であり、図３（Ｂ）は図（Ａ）のＸ−Ｘ横断面図である。
【図４】ＶＨＦプラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置の概略縦断面図である。
【図５】電子写真感光体の層構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１、２０６、３０６、４２６  基体
１０２  処理部
１０３  基体搬送機構
１１１  基体投入台
１２１  脱脂槽
１３１  リンス１槽
１２２、１２３  水
１２４  純水
１２５  温純水
１４１  リンス２槽
１５１  乾燥槽
１６１、２６１  搬送アーム
１６２、２６２  移動機構
１６３、２６３  チャッキング機構
１６４、２６４  エアーシリンダー
１６５、２６５  搬送レール
１７１  基体搬出台
１８１、１８２、１８３  シャワーノズル
１９１  オーバーフローライン
１９２  貯槽
１９３  循環ポンプ
１９４  フィルター
１９５  バイパスライン
１９６  液回収空間
１９７  液収容空間
１９８  開口部
２０１  反応容器
２０２  カソード電極
２０３  トッププレート
２０４  ベースプレート
２０５  絶縁碍子
２０７  基体ホルダー
２０８、３０３、４２３  加熱ヒーター
２０９、２１０  原料ガス導入管
２１１  原料ガス流入バルブ
２１２  マスクローコントローラー
２１３、３０４、４２４  排気配管
２１４  排気バルブ
２１５  真空排気装置
２１６  高周波電源
３０１、３０２、４２２、４２９  回転用モーター
３０７  放電空間
３０８  原料ガス導入管及び直流印加電極
３０９  直流電源
３１０  マイクロ波導入窓
３１１  導波管
５０１  アルミニウム基体
５０２  電荷注入阻止層
５０３  光導電層
５０３−１  電荷輸送層
５０３−２  電荷発生層
５０４  表面層
【図１】
0003658257.tif 000022
【図２】
0003658257.tif 000023
【図３】
0003658257.tif 000024
【図４】
0003658257.tif 000025
【図５】
0003658257.tif 000026