(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体プロセスガスを供給箇所に供給する大容量のバルク供給装置において、
２つの開口を有する半導体プロセスガスが充填されるガス容器をコンテナ内に固定し、このガス容器の２つの開口のうちの一方の開口には容器弁を連結してプロセスガス充填口とし、他方の開口には容器弁と減圧弁を備えたガス取り出しユニットを連結してプロセスガス供給口とし、
前記ガス容器の側方に並べて、両端にそれぞれ容器弁が取り付けられたパージ用ガス容器を固定し、このパージ用ガス容器の一方の容器弁を前記ガス取り出しユニットに連結してパージガス供給弁とし、他方の容器弁をパージガス充填弁とし、
コンテナの下部には、搬送のための持ち上げ口が形成されていることを特徴とする半導体プロセスガス用バルク供給装置。
【請求項２】
半導体プロセスガスを供給箇所に供給する大容量のバルク供給装置において、
２つの開口を有する半導体プロセスガスが充填されるガス容器をコンテナ内に固定し、このガス容器の２つの開口のうちの一方の開口には容器弁を連結してプロセスガス充填口とし、他方の開口には容器弁と減圧弁を備えたガス取り出しユニットを連結してプロセスガス供給口とし、
前記ガス容器の側方に並べて、両端にそれぞれ容器弁が取り付けられたパージ用ガス容器を固定し、このパージ用ガス容器の一方の容器弁を前記ガス取り出しユニットに連結してパージガス供給弁とし、他方の容器弁をパージガス充填弁とし、
コンテナ内部には、前記ガス容器を固定するための固定台が設けられ、この固定台には搬送のための吊り上げリングが設けられていることを特徴とする半導体プロセスガス用バルク供給装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、モノゲルマン、モノシラン、ジシラン、ジボラン、アルシン、ホスフィン、セレン化水素、塩化水素、臭化水素等の半導体製造用プロセスに使用する半導体プロセスガスを、大量にかつ安全に供給しその上コンパクトな設備よりなる半導体プロセスガス用バルク供給装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体産業に使用される半導体プロセスの消費量は、１工場当たりのウエハ処理枚数の増加とともに増大し、将来の３００ｍｍウエハ時代に入ると、更なる消費量の増大が予想されている。半導体プロセスガスの多くは一般に可燃性、毒性、及び腐食性を有している。特に、可燃性が高く、毒性の強いガスは、特殊高圧ガス（モノゲルマン、モノシラン、ジシラン、ジボラン、アルシン、ホスフィン、セレン化水素）として、高圧ガス保安法で技術的、かつ設備的に具備していなければならない要件が明確化されていて、それらのガスの使用量の増大に応じて安全性が厳しく規制され、更なる安全性の保持が必須の要件項目となっている。
【０００３】
一般に、半導体プロセスガスの充填容器は、毒性や可燃性のガス供給における安全を確保するために、容器を収納するシリンダーキャビネットに収められる。シリンダーキャビネットには、ガス漏洩のために警報器を備えたり、排気システムが設けられていることが必要であ。そして、ガスの漏洩時には、それらのシステムにより、瞬時に漏洩した毒性ガスや可燃性ガスを除害し、重大な事故の発生を未然に防げる構造にしなければならない。しかしながら、大量に半導体プロセスガスを供給するためには、通常一般に使用している４７リットル容器（ボンベ）を使用することは、容器１本、１本をシリンダーキャビネットに収納するか、何本かをまとめてシリンダーキャビネットに収納することとなる。このようなことは、可能ではあるが、設置スペースが広くなったり、供給系統配管が複雑になったり、あるいは消費後の容器の交換作業が煩雑となる等の問題や不都合があった。
【０００４】
大量のガスの使用にあたってのガスの供給方法には、上記した４７リットル容器を数十本単位で連結して枠組み集合した、いわゆるカードル方式による供給や、３５０〜４００ｍｍの外径で、長さ６〜８ｍの容器を１８〜２０本を組み込んで集合せしめたローダー方式による供給等が採用されている。
即ち、図３はカードル方式のガス供給装置５０を説明する概略図で、複数の容器５１、５１、…を、これらに装着されている容器弁５２、５２、…を介してマニホールド５３で連結され集合化して枠体６０に組み込まれてている。そして弁５４、配管５５を経てガス使用先に設備されている受け入れ設備５６の配管にジョイント５７で連結して、ガス供給される。なお、符号５８、５９は受け入れ設備５６に配された減圧弁と開閉弁である。
そして、このカードル方式のガス供給装置５０を２台配設して、切り替えて使用することにより連続供給をしている。
【０００５】
これらのカードル方式やローダー方式によるガスの供給方式は、容器１本、１本に容器弁５２を装着し、更に容器弁５２の口がね同士を連結するためのマニホールド５３が必要であるため、漏洩発生の恐れがある個所が多くなること、そして、いったん漏洩したガスを排気する設備が具備されていないのが現状であって、重大な事故に繋がる恐れがあること等安全性の点で問題がある。
その上、カードル方式のガス供給装置５０では、ガス供給時に容器５１から受け入れ設備５６の間のマニホルド５３や、配管５５等長い管路にわたって高圧なガスが流れることとなって、大変危険な要素を有している装置となっている。
【０００６】
又、カードル方式やローダー方式のガス供給装置では、カードルやローダーを交換する時に、危険なガスの取り扱い上細心の注意と確実性が要求される。これらの対策として、カードル自体及びマニホルドを筺体に入れ、半密封構造とした後、ガス漏洩警報器や排気システム等を具備せしめることとなり、筺体自体が極めて大きなものとなり、好ましくなかった。
【０００７】
更に、半導体プロセスガスには、製品の品質保持のため高純度のガスの供給が要求され、容器交換時には配管内に混入しがちな大気成分を除去するため、完全にパージする必要がある。即ち、半導体プロセスガスの多くは、大気成分、特に水分や酸素と容易に反応し、ガス自体が酸化物や酸化化合物となったり、又水分の存在により配管を腐食せしめたりして、半導体の製造プロセスに大きな障害を与える。具体的には、腐食により発生した金属不純物の半導体製造プロセスへの汚染により、デバイスの電気的特性を劣化せしめたり、発生した極微粒のパーテイクルによりデバイスの構造欠陥を惹起し、歩留まりの低下をもたらすこととなる。
【０００８】
なお更に、カードル方式は前記した通り、十数本の容器を同一の供給配管系に集合させるために、複雑なマニホールドが必要となって、高純度な半導体プロセスガスを供給するには、カードル自体のマニホールドと受け入れ設備との間の配管との両方を完全にパージすることが必要であり、このパージのために多大の時間を要することとなっていた。
又、半導体プロセスガスのカードルの各容器にガスを充填するときにおいても、配管のパージ不足をもたらす可能性も高かった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記した現状に鑑み、上記従来の不都合、問題点を解決し、半導体を製造するにあたって、大量に使用される高純度の半導体プロセスガスを、安全かつ容器内のガスの純度を低下せしめることなく供給することを可能とするとともに、配置スペースを縮減して大量使用に対応し得る半導体プロセスガスのバルク供給装置を提供することを本発明の課題としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、半導体プロセスガスを供給箇所に供給する大容量のバルク供給装置において、
２つの開口を有する半導体プロセスガスが充填されるガス容器をコンテナ内に固定し、このガス容器の２つの開口のうちの一方の開口には容器弁を連結してプロセスガス充填口とし、他方の開口には容器弁と減圧弁を備えたガス取り出しユニットを連結してプロセスガス供給口とし、
前記ガス容器の側方に並べて、両端にそれぞれ容器弁が取り付けられたパージ用ガス容器を固定し、このパージ用ガス容器の一方の容器弁を前記ガス取り出しユニットに連結してパージガス供給弁とし、他方の容器弁をパージガス充填弁とし、
コンテナの下部には、搬送のための持ち上げ口が形成されていることを特徴とする半導体プロセスガス用バルク供給装置である。
請求項２にかかる発明は、半導体プロセスガスを供給箇所に供給する大容量のバルク供給装置において、
２つの開口を有する半導体プロセスガスが充填されるガス容器をコンテナ内に固定し、このガス容器の２つの開口のうちの一方の開口には容器弁を連結してプロセスガス充填口とし、他方の開口には容器弁と減圧弁を備えたガス取り出しユニットを連結してプロセスガス供給口とし、
前記ガス容器の側方に並べて、両端にそれぞれ容器弁が取り付けられたパージ用ガス容器を固定し、このパージ用ガス容器の一方の容器弁を前記ガス取り出しユニットに連結してパージガス供給弁とし、他方の容器弁をパージガス充填弁とし、
コンテナ内部には、前記ガス容器を固定するための固定台が設けられ、この固定台には搬送のための吊り上げリングが設けられていることを特徴とする半導体プロセスガス用バルク供給装置である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明のバルク供給する対象ガスは、半導体プロセスガスであるＳiＨ4、ＡsＨ3、ＰＨ3、ＳＦ6、ＮＦ3、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＣＨ4、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢr、ＣｌＦ3、ＮＨ3、Ｎ2Ｏ、Ｈe、Ｈ2、Ｏ2、ＣＯ2、ＣＯ等である。
これらのガスを充填するバルク供給用の容器は、ＳＵＳ鋼、ＣrＭo鋼、炭素鋼、Ｍn鋼、Ａｌ合金、Ａｌライニング強化プラスチック等の材料からなり、その大きさは、例えば外径は３００ｍｍ以上で１２００ｍｍ以下、長さは１．５ｍ以上１２ｍ以下であり、半導体製造規模により適宜選択されて設計され、半導体工場に配置されるのに適した大きさよりなっている。
このガス容器には、容器の長手方向の両端に開口部を有し、一方の開口部には開閉機能を有する容器弁が配され、他方の開口部には開閉機能を有した容器弁と減圧機能を有した減圧弁が直列に連結して配されている。
【００１２】
容器弁と減圧弁とは近接して配設されることが、ガス置換特性を格段に向上せしめることと、配設される配管での高圧圧力に曝される部分が減少されるので、安全面の点でも好ましい。
又、容器弁と減圧弁は、これらを高集積一体化した、いわゆるブロック弁として付設することもできる。そしてブロック弁は、３連３方弁や４連４方弁を用いることができる。これらの容器弁は、真鍮、ステンレス鋼、ニッケル合金等から鍛造され、機械加工されて製造するものである。
【００１３】
容器及び容器弁、減圧弁更には配管類は、ガスが流通する接ガス部表面に水分やガス分子あるいはパーティクルが吸着する量を可及的に少なくし、金属表面の耐食性を向上せしめる目的から、接ガス表面部には機械研磨、砥粒研磨、電解研磨、複合電解研磨、化学研磨、及び複合化学研磨等の表面研磨を施したり、又Ｎiを無電解あるいは電解でメッキしたりしている。更には、Ｎiをコーティングした表面にフッ素によって不動態膜を形成しても良く、又ステンレス鋼においては、表面研磨後熱処理によって鉄やクロム等の不動態酸化膜を形成してもよい。
容器内の内壁表面粗度（Ｒ）は、最大Ｒmaxで２５μｍ以下が好適であり、好ましくは１２μｍ以下にすることが望ましい。又、容器弁、減圧弁更に配管類の内壁表面粗度は１μｍ以下にすると良く、更に好ましくは０．５μｍ以下にすることが望ましい。
【００１４】
容器に充填された半導体プロセスガスは、容器弁を通って、スプリング式あるいはダイヤフラム式の減圧弁を経て使用先の受け入れ設備に供給される。そして容器弁と減圧弁の間には容器内のガスの充填圧力を確認するために圧力計が付設されている。圧力計としてはブルドン管式、歪みゲージ式、ダイヤフラム式半導体ゲージ等の圧力計が適宜使用し得るが、ダイヤフラム式半導体ゲージが圧力計として特に好適である。又、供給ガス温度を測るためのシース型熱電対の如き温度計を付設してもよい。
【００１５】
上記した両端に開口部を有する２口の容器は、この容器が収容し得る容積の箱型又はかまぼこ型のコンテナに収納される。このコンテナには、マニホールド等の接続配管等を容器弁に接続する作業が可能なように、容器弁の口金部を外部から操作するためのドアを設けたり、又コンテナの一部にシャッター、ドア等を適宜必要に応じて設けてもよい。
【００１６】
容器が収納されたコンテナ内には、半導体プロセスガスの漏洩を知らせる警報器、通気をよくするための強制排気ファン、接続配管内をパージするためのパージシステム、及び除害筒等の除害手段を設けることが望ましい。特に警報器、排気ファンの設置は望ましい。
警報器を設けることにより、容器からの半導体プロセスガスの漏洩を監視することができる。そして、この警報器とガス取り出しユニットや排気ファン等と連動して操作するようにして、ガスの供給をストップしたり、排気ファンを駆動せしめたりするなどして、安全性の向上を図ることができる。又、排気ファンは外部に配して、コンテナ内の排気を確保することができる。
【００１７】
コンテナ内には、その空間部に漏洩したガスを除害するための除害材料を直接コンテナ内に埋め込んだり、パージ排ガス中の有害ガスを除害するための除害材料を充填した除害筒を配置したりする除害手段を設けることができる。除害材料は、珪藻土に塩化第二鉄と触媒成分を含浸させたもの、シリカ又はアルミナ系の担体に過マンガン酸カリ、苛性ソーダを含浸させたもの、あるいは活性炭にアルカリ又は金属酸化物等の触媒成分を添着させたもの、又単に金属酸化物を粒状に成形したもの等が使用される。除害材料は大気に常時曝すことを避けた方が除害効果が高く、長期にわたって除害効果を持続し得るので、強制排気ファンを警報器と連動せしめて警報器が作用した時のみ駆動して、除害筒等の除害手段を介して排気ファンの吸引力でコンテナ内のガスを大気に排気するようなシステムにすることが好ましい。
【００１８】
本発明のバルク供給装置は、半導体工場の使用先に半導体プロセスガスを連続的に供給することを可能にするため、２台以上配置して、１台が使用し終わる前に他方の装置に切り換えて使用し、その間に使用し終わった一方の装置の容器に新たに半導体プロセスガスを充填するようにして、以下これを順次繰り返して切り換え、連続的にガスを供給するように使用される。この切り替え使用に当たっては、供給ガスの純度保持のため配管、弁類を予めパージする必要がある。このパージには、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスあるいは水素ガスを充填したパージ用ガス容器をコンテナ内のガス容器の側方に並べて配置して、これを配管類又は弁類に接続することによりコンパクトな状態で設備して行うことができる。
【００１９】
なお又、本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置は、コンテナ内に酸素計や水分計を設置することにより、配管や弁類及び切り換えユニット等のパージ操作時にパージが完全になされたか否かの判断を、この酸素計や水分計を使用して行い、完全にパージが行われたのを確認することができるので、常に所望する高純度の半導体プロセスガスを供給することができる。これに使用する酸素計、水分計としては、数十ｐｐｂレベルで計測できるものが好ましく、酸素計では黄燐発光式、ガルバニックセル式等が好適に使用することができ、水分計では露点計、水晶発振式（高分子膜コート、Ｂaコート）等が好適に使用することができる。
【００２０】
【実施例】
本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置の詳細について、以下実施例にもとづいて説明する。
［実施例１］
この実施例１について図１を参照して説明する。図１は本発明の実施例１に係わる半導体プロセスガス用バルク供給装置の一部切開概略図である。この実施例１の半導体プロセスガス用バルク供給装置１０１は本発明の基本的な構成よりなる装置である。ガス容器２を収納する例えば箱状のコンテナ１内には、例えばＭｎ鋼製のガス容器２がバンド３、３により固定台４に固定されている。この固定台４には、フック掛けによって搬送可能なように吊る上げリング５が四角形を形成する角位置に位置して４個所に設けられている。このガス容器２の寸法は外径６００ｍｍ、長さ２２００ｍｍであり、内容積は約４７０Ｌである。ガス容器２の両端に配された２つの開口部の一方のガス供給側には、容器弁６ａとパージ用ガス弁２０と減圧弁８と圧力計１０が集積一体化された３連３方ブロック弁２３が取り付けられて取り出しユニットＵが形成されている。このユニットＵとしては、これ以外に容器弁と減圧弁を圧力計を介して連結したものでもよい。このユニットＵは使用先の受け入れ設備（図示せず）に連通しているガス供給配管２５に連結される。また、開口の他方には容器弁６ｂが連結されており、この容器弁６ｂはガス充填用として使用される。
【００２１】
ガス容器２の配置空間をこれに付設した弁類６、８、及び圧力計１０等と区画するため、仕切板７ａ、９ａにより弁類や計器類を囲繞して空間７及び空間９が形成されている。そしてこれら空間７、及び区間９にはそれぞれ警報器１１から延びるガスサンプル用シンフレックスチューブ１３、１３が挿入されていて、常時ガスの漏洩の有無を監視している。又、コンテナ１の天井部には排気ファン１２が設けられていて、コンテナ１内の空間を強制的に排気できるようになっている。
コンテナ１の下部には、該半導体プロセスガス用バルク供給装置１０１を持ち上げてリフターでの搬送を容易にするため持ち上げ口１４が設けられている。
【００２２】
また、前記取り出しユニットＵに使用先の受け入れ設備（図示せず）と連通するガス供給配管２５を接続する時に、取り付け継ぎ手部やガス供給配管２５内をパージすることが可能なように、例えば窒素ガス等の不活性ガスを充填したパージ用ガス容器１７が図示のようにガス容器２の側方に並らべてコンテナ１内に設置されている。このパージ用ガス容器１７は、その両端にはそれぞれ容器弁１８ａ、１８ｂが取り付けられた２口容器よりなっている。そして一方の容器弁１８ａは、ガス容器２に配設した３連３方ブロック弁２３（Ｕ）のパージ用ガス弁２０に連結され、他方の容器弁１８ｂはパージガスの充填用に使用される。なお、このパージ用ガス容器１７は一般的なガス容器でよく、例えば１０ＬのＭｎ鋼製の容器等が使用できる。
【００２３】
このパージ用ガス容器１７には、例えば水分５ｐｐｂ以下の高純度窒素ガスが１４．７Ｍｐａ充填されており、半導体プロセスガスを充填してあるガス容器２に連結された取り出しユニットＵに、弁１５を介して使用先の受け入れ設備に連通する配管２５を接続する時に、該配管２５や継ぎ手部をパージするため、パージ用ガス容器１７の容器弁１８ａを介して前記ガス容器２に配設した容器弁６ａと減圧弁８の間に配設したパージ用ガス弁２０にパージガスが供給されて、これらをパージする。
【００２４】
パージは、パージ後の排ガス中の水分濃度や酸素濃度を測定し、それらの濃度が１０ｐｐｂ以下に達したらパージガスの供給を停止し、続いて半導体プロセスガスをガス容器２より導出して、該プロセスガスで同様にパージを行う。なお、このプロセスガスのパージに先だって、前記配管２５や継ぎ手部更には取り出しユニットＵ等は、使用先の受け入れ設備側から配管２５を介して数Ｔorr以下の圧力まで真空排気することが好ましい。
このパージに使用されて排出される半導体プロセスガスは、コンテナ１内に配した除害筒１９に弁１６を介して導入して除害される。そして、半導体製造装置にこの半導体プロセスガスを供給するためには、この半導体プロセスガスによるパージと真空引きを５回以上繰り返すことが好ましい。
【００２５】
このバルク供給装置１０１のガス容器２には、例えばＳiＨ４（モノシラン）を１００ｋｇを充填し、この装置１０１を２台重ねて設置することによって、従来のカードル方式のガス供給装置の設置スペース５ｍ２の約半分の設置スペースとなった。
又、従来使用していたシリンダーキャビネットが不要となり、その上カードル方式に比べて本発明の上記バルク供給装置が単純な構造をしているため、ガス供給用のガス容器の投資金額がほぼ半分に節約できる。
【００２６】
また、この実施例１での半導体プロセスガス用バルク供給装置１０１では、コンテナ１内に半導体プロセス用のガス容器とともに、パージ用ガス容器１７を配設したことによって、大気に曝される配管の数が減少するため、パージ効率が向上し、水分濃度や酸素濃度を１０ｐｐｂ以下にするため、従来３時間要していたのに対して、本発明のこの装置では約半分の１．５時間で１０ｐｐｂ以下に到達した。
【００２７】
また、コンテナ内に除害筒１９を設けたので、この実施例１の半導体プロセスガス用バルク供給装置自体で、有害である当該プロセスガスの除害処理が可能となり、使用先のそれぞれの受け入れ設備に除害設備を設置する必要が無くなり、受け入れ設備の設備費が節減できる。
【００２８】
つぎに、実施例２として他の半導体プロセスガス用バルク供給装置１０１を図２により説明する。図２は、本発明の実施例２に係わる半導体プロセスガス用バルク供給装置の一部切開概略図である。なお、図２において図１で図示した構成部品と共通する構成部品は同一符号を付して、詳細な説明は省略する。
図２は、図１の半導体プロセスガス用バルク供給装置のコンテナ１内に水分や酸素等の不純物の存在を分析する水分計や酸素計及びパーティクルカウンタの如き分析計２１を配設したものであり、これにより本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置を、使用先の受け入れ設備（図示せず）に連結する際、上記した如きこれの配管２５や取り出しユニットＵのパージに当たって、パージの適切な終了時点を判断するために使用するものである。この分析計２１としては、水晶発振式Ｂａコート型水分計とか、ガルバニックセル式酸素計更にはパーティクルカウンタ等が適宜必要に応じて好適に使用し得る。
【００２９】
即ち、上記した如く、半導体プロセスガスのガス容器２に付設された取り出しユニットＵを弁１５を介して使用先の受け入れ設備に連通する配管２５を連結する際に、パージ用ガス容器１７より例えば窒素ガスの如き不活性ガスよりなるパージガスが弁１８ａより３連３方ブロック弁２３を介して弁１５を経て配管２５に供給されて、これら配管内をパージする。そして、このパージに使用された後のパージ排出ガスは受け入れ設備側（図示せず）から弁２２を介して分析計２１に導入され、そこでパージ排出ガスの水分濃度や酸素濃度が検出される。これらの含有濃度が１０ｐｐｂ以下になった時点で、パージガスによるパージは終了し、次いで真空排気と半導体プロセスガスによるパージの操作を５回以上繰り返し行った後に、半導体プロセスガスをガス容器２より取り出しユニットＵ、弁１５を介して配管２５によって受け入れ設備に供給するものである。
【００３０】
従って、実施例２の半導体プロセスガス用バルク供給装置１０１では、不活性ガスによるパージにおける、パージ排出ガスの水分濃度や酸素濃度を分析して評価することは、続いてのパージ処理でのパージガスとして流す半導体プロセスガスと水との反応で生ずる酸化物によって、半導体製造装置に付設されている設備配管類、減圧弁、圧力計、流量計、マスフローコントローラ等の機器類の目詰まりや、レギュレータの出流れ現象を確実に抑止することに大いに有効である。
例えば、半導体プロセスガスとしてＳiＨ４を使用する場合、配管類等の機器に水分が残留していると、この残留している水分や酸素とＳiＨ４が反応してＳiＯ２の粉末を生成して、前記した如く機器の目詰まりや、出流れ現象を生ずる。それ故、実施例２の半導体プロセスガス用バルク供給装置１０１では、装置自体に水分計や酸素計等の、分析計を設置せしめたことによって、当該バルク供給装置自体で、ほぼ充分に満足し得るほど完成された形で、高純度の半導体プロセスガスを使用先に供給することが可能となった。
【００３１】
次ぎに、この実施例２の半導体プロセスガス用バルク供給装置を以下の仕様諸元で製作した。
●半導体プロセスガス用のガス容器
容積：４７０Ｌ
寸法：外径６００ｍｍ、長さ２２００ｍｍ
●上記ガス容器、及び諸機器を収納するコンテナの寸法
２５００ｍｍ（長さ）×８００ｍｍ（幅）×８００ｍｍ（高さ）
【００３２】
［比較例］
本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置の性能評価のため、大容量のガスを供給するために従来使用されている、同容量のカードル方式のガス供給装置の仕様寸法は以下の通りである。
●カードルに使用したガス容器
容積：４７Ｌ／本
集積本数：１０本
総容量：４７０Ｌ
●１０本の上記ガス容器を集積化するに要する空間
２０００ｍｍ（長さ）×１２００ｍｍ（幅）×１８００ｍｍ（高さ）
●カードルとして集積化するに要する枠体の寸法
２５００ｍｍ（長さ）×２０００ｍｍ（幅）×１８００ｍｍ（高さ）
【００３３】
［比較検討］
上記した本発明の実施例２のバルク供給装置の寸法と、従来のカードル方式のガス供給装置の寸法を比較すると、
●設置面積
本発明＝［（２５００ｍｍ(長さ)×８００ｍｍ(幅)）／（２５００ｍｍ(長さ)×２０００ｍｍ(幅)）］×［カードル方式］＝０．４×［カードル方式］
本発明のバルク供給装置の設置面積は、従来のカードル方式装置の設置面積の約４０％ですむことになった。
●占有体積
本発明＝［（２５００ｍｍ(長さ)×８００ｍｍ(幅)×８００ｍｍ(高さ)）／（２５００ｍｍ(長さ)×２０００ｍｍ(幅)×１８００ｍｍ(高さ)）］×［カードル方式］＝０．１７×［カードル方式］
占有体積も、本発明のバルク供給装置は、従来のカードル方式装置の１７％ですむこととなった。
【００３４】
【発明の効果】
本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置にあっては、プロセスガスの漏洩が生じ易い高圧ガス部が縮減され、しかもコンテナ内に限定されることとなって、安全性の高い半導体プロセスガス用バルク供給装置として作動する。しかも、ガス供給に当たって、安全性を備えた半導体プロセスガスの大量供給装置であるとともに、このバルク供給装置を複数基重ねて配置することも可能であるので、使用先の半導体工場での、ガス供給装置の専有面積を極力押さえることが可能となる。
【００３５】
又、本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置では、コンテナ内にパージガス用の小型ガス容器を設置してあるので、使用先の受け入れ設備に連結するに当たって、配管類や弁類等の内部の大気成分を迅速にパージ可能とし、しかも簡便で小回りの効く配管構成でパージガスを所定個所に供給することができ、ガス容器内のガスの不純物レベルを損なうことなく高純度の半導体プロセスガスを供給することができる。
【００３６】
更に、水分計、酸素計等の大気成分をモニターするための分析計を備えたことにより、配管類や弁類のパージ処理で、これら配管類や弁類に残存する水分等の大気成分の有無あるいは一定レベル以下にあるか否かを常に監視、確認することを可能とした。これによって、供給する半導体プロセスガスが、水や酸素等と反応して酸化物や腐食生成物が生成するのを未然に防止して、これによって生ずる配管、弁類、及び計器類の目詰まりを防ぎ、常に半導体プロセスガスの供給をトラブル無く行うことを可能とし得る。
【００３７】
又更に、警報器、排気ファン、除害筒等の除害手段等を設備したことによって、半導体プロセスガスの漏洩を迅速に察知し得るとともに、有害なガスが多い半導体プロセスガスを除害材で除害して、危険なガスを大気に放出すること無く稼動運転することができる。
その上、本発明の半導体プロセスガス用バルク供給装置は、半導体プロセスガスを従来より安価で大量供給ができるばかりか、安全性の向上とともに常に高純度の半導体プロセスガスを安定して供給し得る効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施例１に係わる半導体プロセスガス用バルク供給装置の一部切開概略図である。
【図２】  本発明の実施例２に係わる半導体プロセスガス用バルク供給装置の一部切開概略図である。
【図３】  従来のカードル方式のガス供給装置を説明する概略図である。
【符号の説明】
１０１…半導体プロセスガス用バルク供給装置、１…コンテナ、２…ガス容器、６ａ、６ｂ…容器弁、８…減圧弁、１０…圧力計、１１…警報器、１２…排気ファン、１７…パージ用ガス容器、１９…除害筒、２０…パージガス用弁、２３…３連３方ブロック弁、Ｕ…取り出しユニット
【図１】
0003710296.tif 000002
【図２】
0003710296.tif 000003
【図３】
0003710296.tif 000004