(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を減圧状態に保持でき、かつ、対向電極を備える真空容器と、１または２以上のガス吹出孔を有するガス吹出板及び該ガス吹出板を保持する保持部として機能する前記対向電極から構成されるガス導入機構とを具え、
前記対向電極に設けられているガス導入口を通して、前記ガス吹出板及び前記対向電極間に形成される前記ガス導入機構の内部空間にプロセスガスを導入した後、さらに前記ガス吹出孔を通して、前記真空容器の内部にプロセスガスを導入するプラズマ処理装置において、
前記ガス吹出孔の各々は、前記ガス吹出板の対向電極側表面から内部に向かって設けられている第１のガス吹出孔部分と、前記ガス吹出板の真空容器側表面から内部に向かって設けられている第２のガス吹出孔部分と、該第１のガス吹出孔部分及び該第２のガス吹出孔部分を連結する第３のガス吹出孔部分とから、連通する１つのガス吹出孔として構成され、及び、該ガス吹出孔の一方の開口端から他方の開口端を見通せない構造とし、
該構造により、前記真空容器の内部に生成したプラズマ中の荷電粒子が前記内部空間に入り込むのを防止して成ること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
内部を減圧状態に保持でき、かつ、基板支持電極及び対向電極を備える真空容器と、１または２以上のガス吹出孔を有するガス吹出板及び該ガス吹出板を保持する保持部として機能する前記対向電極から構成されるガス導入機構とを具え、
前記対向電極に設けられているガス導入口を通して、前記ガス吹出板及び前記対向電極間に形成される前記ガス導入機構の内部空間にプロセスガスを導入した後、さらに前記ガス吹出孔を通して、前記真空容器の内部にプロセスガスを導入するプラズマ処理装置において、
前記ガス吹出孔は、前記ガス吹出板の対向電極側表面から内部に向かって、該対向電極側表面に垂直に設けられている直径がＷ1である第１のガス吹出孔部分と、前記ガス吹出板の真空容器側表面から内部に向かって、該真空容器側表面に垂直に設けられている直径がＷ2である第２のガス吹出孔部分と、該第１のガス吹出孔部分及び該第２のガス吹出孔部分を連結する、該対向電極側表面に垂直に設けられている直径がＷ3である第３のガス吹出孔部分とから構成され、
第２のガス吹出孔部分の中心軸が第３のガス吹出孔部分の中心軸と一致し、かつ、第１のガス吹出孔部分の中心軸が第３のガス吹出孔部分の中心軸から偏心する構造とし、
該構造により、前記基板支持電極及び対向電極間に生成したプラズマ中の荷電粒子が前記内部空間に入り込むのを防止してなる
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記第２のガス吹出孔部分の直径Ｗ2が０．２ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、
前記第３のガス吹出孔部分の直径Ｗ3が０．５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であり、
前記第１のガス吹出孔部分の直径Ｗ1が前記第２のガス吹出孔部分の直径Ｗ2より大きく、前記第３のガス吹出孔部分の直径Ｗ3よりも小さい
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
内部を減圧状態に保持できる真空容器と、１または２以上のガス吹出孔を有するガス吹出板及び該ガス吹出板を保持する保持部から構成されるガス導入機構とを具え、
前記保持部に設けられているガス導入口を通して、前記ガス吹出板及び前記保持部間に形成される前記ガス導入機構の内部空間にプロセスガスを導入した後、さらに前記ガス吹出孔を通して、前記真空容器の内部にプロセスガスを導入するプラズマ処理装置において、
前記ガス吹出板を、該ガス吹出板の前記保持部側表面から該ガス吹出板の内部に向かって該ガス吹出板の厚さより短い深さに設けられたネジ孔に該ネジ孔の深さより短い長さのネジを具えるものとし、
前記ガス吹出孔を、前記ネジに設けられている第１のガス吹出孔部分と、前記ガス吹出板の真空容器側の表面から内部に向かって前記ネジ孔の底部まで設けられている第２のガス吹出孔部分と、前記ネジの長さが前記ネジ孔の深さより短いため前記ネジ孔に生じる空間部分としての第３のガス吹出孔部分とから構成して成るものとすることで、前記ガス吹出孔は、該ガス吹出孔の一方の開口端から他方の開口端を見通せない構造とすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はプラズマ処理装置、特にドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、表面改質装置などに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プラズマを用いて基板を処理する装置（以下、プラズマ処理装置と称する場合がある。）としてドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、表面改質装置などが知られている。例えば、ドライエッチング装置としてプラズマエッチング（ＰＥ）装置、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）装置などがある。
【０００３】
いずれの装置においても、基板を処理するために、プロセスガスを用いる。ここでプロセスガスとは、基板を処理する際に、装置内に導入するガスのことである。プロセスガスの導入方法は数多くあり、１つのガス吹出孔からガスを導入する方法や、シャワーヘッドと呼ばれる多数のガス吹出孔を有するガス吹出板からガスを導入する方法などがある。例えば、平行平板型のＲＩＥ装置では、基板に対向して設置されたガス吹出板からガスを導入する方法がしばしば採用されている。
【０００４】
以下、プラズマ処理装置の代表例である平行平板型のＲＩＥ装置の構成及びその動作について説明する。
【０００５】
図３は、従来のＲＩＥ装置２００を用いて、基板１０をエッチングする状態を概略的に示す断面図（ただし切り口の図）である。図３に示すように、従来のＲＩＥ装置２００は、真空容器１２、基板支持電極１４、ガス導入機構１６、高周波電源１８及びガス供給系２０から主として構成される。ガス導入機構１６は、ガス吹出板２２及びガス吹出板２２を保持する対向電極２４から構成される。ガス吹出板２２は対向電極２４から取り外すことが可能であり、ガス吹出板２２には、直径０．３ｍｍ〜３ｍｍのガス吹出孔が多数設けられている。高周波電源１８は基板支持電極１４と接続し、ガス供給系２０はガス導入路２６及びガス供給弁２８を介して対向電極２４と接続する。なお、真空容器１２の内部を減圧状態に保持するための排気装置、高周波電源１８の整合をとる整合器、真空容器１２、基板支持電極１４、及び対向電極２４の温度コントロールを行なう温度調節機構、基板１０を真空容器１２に搬送する基板搬送機構は図示していない。
【０００６】
図４は、図３中のＢ部分（破線で囲んだ部分）の拡大図である。図４に示すように、ガス吹出板２２の対向電極側表面２２ａ及び対向電極２４のガス吹出板側表面２４ａ間の間隔がｄとなるように、ガス吹出板２２は対向電極２４に保持されている。以後、対向電極側表面２２ａ及びガス吹出板側表面２４ａ間の間隔がｄとなるように、ガス吹出板２２を対向電極２４に保持することによりガス吹出板２２及び対向電極２４間に形成される空間を、ガス導入機構１６の内部空間１６ｘと称する。ガス吹出板２２に設けられている多数のガス吹出孔２２ｘ（図４中には、３つのガス吹出孔２２ｘ１〜２２ｘ３が示されている。）は、対向電極側表面２２ａからガス吹出板２２の内部に向かって対向電極側表面２２ａに垂直に設けられた直径Ｗ1 の大径部分、及び真空容器側表面２２ｂからガス吹出板２２の内部に向かって真空容器側表面２２ｂに垂直に設けられた直径Ｗ2 の小径部分から構成される。ただし、各ガス吹出孔２２ｘの大径部分の中心軸及び小径部分の中心軸は一致している。このため、ガス吹出孔２２ｘの一方の開口端から他方の開口端を見通すことができる。なお、このように、各ガス吹出孔２２ｘを直径Ｗ1 の大径部分及び直径Ｗ2 の小径部分から構成するのは、各ガス吹出孔を直径Ｗ2 が１ｍｍより小さい小径部分のみから構成した場合、通常５ｍｍ〜２０ｍｍの厚さのガス吹出板２２に、ガス吹出孔を形成することが困難となるからである。
【０００７】
このような従来のＲＩＥ装置２００を用いて、基板１０を処理する場合、先ず、基板１０を基板支持電極１４上に配置し、真空容器１２の内部を減圧にする。図３中には、排気装置に接続する２つの排気口３０からガスが排気される様子を矢印で示している。その後、ガス供給系２０から供給されるプロセスガスは、ガス導入路２６及びガス供給弁２８を介して、図４に示すように対向電極２４に設けられているガス導入口２４ｘから内部空間１６ｘに導入された後、ガス吹出板２２に設けられた各ガス吹出孔２２ｘから真空容器１２の内部に導入される。その場合、ガス供給弁２８によりプロセスガスの流量を調節することにより、真空容器１０は、通常１０-2Ｐａ〜１０-3Ｐａの所定の圧力に保持される。図３中には、ガス吹出板２２に設けられた多数のガス吹出孔からプロセスガスが真空容器１２の内部に導入される様子が矢印で示され、図４中には、ガス供給系２０から供給されたプロセスガスが、ガス導入口２４ｘ、内部空間１６ｘ、及びガス吹出孔２２ｘ１〜２２ｘ２を通って真空容器１２の内部に導入される様子が矢印で示されている。また、基板支持電極１４には高周波を印加する。この時、基板支持電極１４及び対向電極２４間にプラズマＺが生成する。このため、基板１０が処理される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のＲＩＥ装置２００では、基板支持電極１４及び対向電極２４間に生成したプラズマＺ中の中性粒子や荷電粒子、荷電粒子の中でも特に高速の電子の一部は、ガス吹出孔２２ｘを通ってガス導入機構１６の内部空間１６ｘに入り込む。そして、ガス導入機構１６の内部空間１６ｘで放電して、その結果として副生成物がガス導入機構１６の内部空間１６ｘに付着するという問題が生じた。特に、プロセスガスとして、塩素系ガスやフッ素系ガスに代表されるハロゲン系ガスを用いた場合、ガス導入機構１６の内部空間１６ｘでの放電によって、放電が生じた部分が局所的に腐食されたり、基板１０に悪影響を与えるパーティクルの発生を増加させるという問題が生じた。この問題は、さらにガス導入機構１６の寿命を短くし、部品のコストとメンテナンスサイクルの増加をもたらしていた。図４中には、基板支持電極１４及び対向電極２４間に生成したプラズマ中の中性粒子や荷電粒子が、ガス吹出孔２２ｘ３を通って内部空間１６ｘに入り込む様子が破線で示されている。
【０００９】
以下、プラズマＸ中の電子がガス吹出孔２２ｘを通ってガス導入機構１６の内部空間１６ｘに入り込む理由について説明する。
【００１０】
一般に、プラズマ中の電子はデバイ長よりも大きな径の孔に入り込むことができ、そしてデバイ長λ（ｃｍ）は電子密度Ｎｅ（ｃｍ-3）及び電子温度Ｔｅ（Ｋ）から下記の（１）式を用いて計算することができる。
【００１１】
【数１】
0003683332.tif 000002
【００１２】
通常、プラズマ処理装置では、プラズマ中の電子密度は１０9 ｃｍ-3〜１０12ｃｍ-3程度であり、電子温度は１０4 Ｋ〜１０5 Ｋ程度であることから、上記の（１）式にこれらの値を代入すると、デバイ長は６．９×１０-3ｍｍ〜６．９×１０-1ｍｍと見積もられる。特に、近年必要性が高まっている高密度プラズマを用いたプラズマ処理装置では、多くの場合、デバイ長は１×１０-1ｍｍより小さく見積もられる。従って、従来のＲＩＥ装置２００では、ガス吹出板２２に設けられているガス吹出孔２２ｘの径はデバイ長より大きい。
【００１３】
また、プラズマ中の電子やイオンの平均自由行程Ｌ（ｃｍ）は放電空間の圧力Ｐ（Ｔｏｒｒ）から下記の（２）式を用いて計算することができる。
【００１４】
Ｌ＝１０-2／Ｐ  ・・・・・・・・・・（２）
真空容器内の圧力は近年低圧化の傾向にあり、例えばＲＩＥ装置では、真空容器内の圧力が１００ｍＴｏｒｒ以下の場合が多く、他のプラズマ処理装置では真空容器内の圧力はさらに低くなる。通常、コンダクタンスの小さいガス導入機構内の圧力は真空容器内の圧力より高くなる。このことから、真空容器内の圧力が１０ｍＴｏｒｒであるとすると、プラズマ中の電子やイオンのガス導入機構内での平均自由行程は、数ｍｍ〜１０ｍｍ程度であると見積もられる。従って、従来のＲＩＥ装置２００では、ガス吹出板２２に設けられているガス吹出孔２２ｘの長さ、すなわちガス吹出板２２の厚さは、プラズマ中の電子やイオンのガス導入機構内での平均自由行程と同程度である。
【００１５】
以上のように、従来のＲＩＥ装置２００では、ガス吹出板２２に設けられているガス吹出孔２２ｘの径はデバイ長より大きく、かつガス吹出孔２２ｘの長さは、プラズマ中の電子やイオンのガス導入機構内での平均自由行程と同程度であることからプラズマ中の電子がガス吹出孔２２ｘを通ってガス導入機構１６の内部空間１６ｘに入り込むことができる。
【００１６】
従って、以上の問題点を解決したプラズマ処理装置の出現が望まれていた。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
このため、この発明のプラズマ処理装置によれば、内部を減圧状態に保持できる真空容器と、１または２以上のガス吹出孔を有するガス吹出板及び該ガス吹出板を保持する保持部から構成されるガス導入機構とを具え、保持部に設けられているガス導入口を通して、ガス吹出板及び保持部間に形成されるガス導入機構の内部空間にプロセスガスを導入した後、さらにガス吹出孔を通して、真空容器の内部にプロセスガスを導入するプラズマ処理装置において、ガス吹出孔の各々は、ガス吹出板の保持部側表面から内部に向かって設けられている第１のガス吹出孔部分と、ガス吹出板の真空容器側表面から内部に向かって設けられている第２のガス吹出孔部分と、第１のガス吹出孔部分及び第２のガス吹出孔部分を連結する第３のガス吹出孔部分とから、連通する１つのガス吹出孔として構成され、及び、ガス吹出孔の一方の開口端から他方の開口端を見通せない構造として成ることを特徴とする。
この発明のプラズマ処理装置の好適実施例によれば、内部を減圧状態に保持でき、かつ、基板支持電極及び対向電極を備える真空容器と、１または２以上のガス吹出孔を有するガス吹出板及び該ガス吹出板を保持する保持部から構成されるガス導入機構とを具え、保持部に設けられているガス導入口を通して、ガス吹出板及び保持部間に形成されるガス導入機構の内部空間にプロセスガスを導入した後、さらにガス吹出孔を通して、真空容器の内部にプロセスガスを導入するプラズマ処理装置において、ガス吹出孔は、ガス吹出板の保持部側表面から内部に向かって設けられている直径がＷ1である第１のガス吹出孔部分と、ガス吹出板の真空容器側表面から内部に向かって設けられている直径がＷ2である第２のガス吹出孔部分と、該第１のガス吹出孔部分及び該第２のガス吹出孔部分を連結する直径がＷ3である第３のガス吹出孔部分とから構成され、第２のガス吹出孔部分の中心軸が第３のガス吹出孔部分の中心軸と一致し、かつ、第１のガス吹出孔部分の中心軸が第３のガス吹出孔部分の中心軸から偏心する構造とし、構造により、基板支持電極及び対向電極間に生成したプラズマ中の荷電粒子が前記内部空間に入り込むのを防止してなるのが良い。
この発明のプラズマ処理装置の実施に当たり、第２のガス吹出孔部分の直径Ｗ2が０．２ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、第３のガス吹出孔部分の直径Ｗ3が０．５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であり、第１のガス吹出孔部分の直径Ｗ1が第２のガス吹出孔部分の直径Ｗ2より大きく、第３のガス吹出孔部分の直径Ｗ3よりも小さい構成とするのが好適である。
この発明のプラズマ処理装置の好適実施例によれば、ガス吹出板を、ガス吹出板の保持部側表面からガス吹出板の内部に向かってガス吹出板の厚さより短い深さに設けられたネジ孔にネジ孔の深さより短い長さのネジを具えるものとし、ガス吹出孔を、ネジに設けられている第１のガス吹出孔部分と、ガス吹出板の真空容器側の表面から内部に向かってネジ孔の底部まで設けられている第２のガス吹出孔部分と、ネジの長さがネジ孔の深さより短いためネジ孔に生じる空間部分としての第３のガス吹出孔部分とから構成とすることで、ガス吹出孔は、ガス吹出孔の一方の開口端から他方の開口端を見通せない構造とするのが良い。
【００１８】
このように、ガス吹出孔を該ガス吹出孔の一方の開口端から他方の開口端を見通せない構造とした場合、基板支持電極及び対向電極間に生成したプラズマ中の荷電粒子が、ガス吹出孔を通ってガス導入機構の内部空間に入り込むことは困難となる。従って、ガス導入機構の内部空間において、プロセスガスのイオン化を生じることがなくなり、ガス導入機構の内部空間での放電が抑制される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して、この出願の発明の実施の形態について説明する。以下の説明に用いる各図において、各構成成分は、この発明を理解できる程度に、その形状、大きさ、及び配置関係を概略的に示してあるにすぎない。また、説明に用いる各図において同様な構成成分については同一の番号を付し、その重複する説明を省略することもある。なお、以下の説明中で挙げる数値的条件は、これら発明の範囲内の好適例にすぎない。従って、この出願に係る発明は、これら条件にのみ限定されるものではないことは理解されたい。
【００２０】
図１は、この実施の形態のＲＩＥ装置１００を用いて、基板１０をエッチングする状態を概略的に示す断面図（ただし切り口の図）である。
【００２１】
図１に示すように、この実施の形態のＲＩＥ装置１００は、真空容器１２、基板支持電極１４、ガス導入機構１６、高周波電源１８及びガス供給系２０から主として構成される。ガス導入機構１６は、ガス吹出板２２及びガス吹出板２２を保持する保持部として機能する対向電極２４から構成される。ガス吹出板２２は対向電極２４から取り外すことが可能であり、ガス吹出板２２にはガス吹出孔が多数設けられている。高周波電源１８は基板支持電極１４と接続し、ガス供給系２０はガス導入路２６及びガス供給弁２８を介して対向電極２４と接続する。なお、真空容器１２の内部を減圧状態に保持するための排気装置、高周波電源１８の整合をとる整合器、真空容器１２、基板支持電極１４、及び対向電極２４の温度コントロールを行なう温度調節機構、基板１０を真空容器１２に搬送する基板搬送機構は図示していない。
【００２２】
このように、この実施の形態のＲＩＥ装置１００の基本構成は、従来のＲＩＥ装置２００の基本構成と実質的に同じである。ただし、この発明のポイントである、ガス吹出板２２の構成、ガス吹出板２２に設けられているガス吹出孔の構成は、以下に説明するような、従来のＲＩＥ装置との相違点を有する。
【００２３】
図２は、図１中のＡ部分の拡大図である。図２に示すように、ガス吹出板２２の対向電極側表面２２ａ及び対向電極２４のガス吹出板側表面２４ａ間の間隔がｄとなるように、ガス吹出板２２は対向電極２４に保持されている。この実施の形態のＲＩＥ装置１００に用いるガス吹出板２２は、ガス吹出板２２の対向電極側表面２２ａからガス吹出板２２の内部に向かって対向電極側表面２２ａに垂直にガス吹出板２２の厚さより短い深さＤ1 で設けられた直径Ｗ3 のネジ孔３２に、ネジ孔３２の深さより短い長さＤ2 のネジ３４を具えるものである。そして、ネジ３４には直径Ｗ1 の孔が、対向電極側表面２２ａに垂直となるように設けられ、さらに、ガス吹出板２２の真空容器側表面２２ｂから内部に向かってネジ孔３２の底部まで、直径Ｗ2 の孔が真空容器側表面２２ｂに垂直に設けられている。
【００２４】
このようにしてガス吹出板２２を構成した場合、ガス吹出孔２２ｘ（図２中には、３つのガス吹出孔２２ｘ１〜２２ｘ３が示されている。）は、直径Ｗ1 の第１のガス吹出孔部分２２ｘａと、直径Ｗ2 の第２のガス吹出孔部分２２ｘｂと、直径Ｗ3 の第３のガス吹出孔部分２２ｘｃとから構成される。第３のガス吹出孔部分２２ｘｃは、ネジ３４の長さがネジ孔３２の深さより短いためネジ孔３２に生じる空間部分であり、第１のガス吹出孔部分２２ｘａ及び第２のガス吹出孔部分２２ｘｂを連結する。
【００２５】
また、ガス吹出孔２２ｘの一方の開口端から他方の開口端を見通すことができないようにするために、この実施の形態では、直径Ｗ2 の第２のガス吹出孔部分２２ｘｂの中心軸及び直径Ｗ3 の第３のガス吹出孔部分２２ｘｃの中心軸が一致し、かつ直径Ｗ1 の第１のガス吹出孔部分２２ｘａの中心軸が第３のガス吹出孔部分２２ｘｃの中心軸から偏心するように、第１のガス吹出孔部分２２ｘａ及び第２のガス吹出孔部分２２ｘｂを設けている。具体的には、図２において、▲１▼の部分と▲２▼の部分とを結ぶ直線よりも、▲３▼の部分が左側となるように、第１のガス吹出孔部分２２ｘａ及び第２のガス吹出孔部分２２ｘｂを設けている。
【００２６】
このように、ガス吹出板２２及びガス吹出板２２に設けられているガス吹出孔２２ｘを構成するためには、０．２ｍｍ≦Ｗ2 ≦３ｍｍ、０．５ｍｍ≦Ｗ3 ≦３０ｍｍであり、かつＷ2 ＜Ｗ1 ＜Ｗ3 であることが好ましい。なお、通常、ガス吹出板２２の厚さは５ｍｍ〜２０ｍｍ程度である。
【００２７】
このようなこの実施の形態のＲＩＥ装置１００を用いて、基板１０を処理する場合、先ず、基板１０を基板支持電極１４上に配置し、真空容器１２の内部を減圧にする。図１中には、排気装置に接続する２つの排気口３０からガスが排気される様子を矢印で示している。その後、ガス供給系２０から供給されるプロセスガスは、ガス導入路２６及びガス供給弁２８を介して、図２に示すように対向電極２４に設けられているガス導入口２４ｘから内部空間１６ｘに導入された後、ガス吹出板２２に設けられた各ガス吹出孔２２ｘから真空容器１２の内部に導入される。その場合、ガス供給弁２８によりプロセスガスの流量を調節することにより、真空容器１０は、通常１０-2Ｐａ〜１０-3Ｐａの所定の圧力に保持される。
【００２８】
なお、図１中には、ガス吹出板２２に設けられた多数のガス吹出孔からプロセスガスが真空容器１２の内部に導入される様子が矢印で示され、図２中には、ガス供給系２０から供給されたプロセスガスが、ガス導入口２４ｘ、内部空間１６ｘ、及びガス吹出孔２２ｘ１〜２２ｘ２を通って真空容器１２の内部に導入される様子が矢印で示されている。
【００２９】
また、基板支持電極１４には高周波を印加する。この時、基板支持電極１４及び対向電極２４間にプラズマＺが生成する。このため、基板１０が処理される。
【００３０】
この場合、基板支持電極１４及び対向電極２４間に生成したプラズマＺ中の荷電粒子は、デバイ長と同程度か、それより大きな直径Ｗ2 の第２のガス吹出孔部分２２ｘｂに入り込む。荷電粒子の中でも特に高速の電子の一部は、第２のガス吹出孔部分２２ｘｂを通って第３のガス吹出孔部分２２ｘｃに入り込む。図２中には、基板支持電極１４及び対向電極２４間に生成したプラズマＺ中の荷電粒子がガス吹出孔２２ｘ３の第２のガス吹出孔部分２２ｘｂ３及び第３のガス吹出孔部分２２ｘｃ３に入り込む様子が破線で示されている。
【００３１】
上述したように、この実施の形態では、直径Ｗ2 の第２のガス吹出孔部分２２ｘｂの中心軸及び直径Ｗ3 の第３のガス吹出孔部分２２ｘｃの中心軸が一致し、かつ直径Ｗ1 の第１のガス吹出孔部分２２ｘａの中心軸が第３のガス吹出孔部分２２ｘｃの中心軸から偏心するように、第１のガス吹出孔部分２２ｘａ及び第２のガス吹出孔部分２２ｘｂが設けられているため、第３のガス吹出孔部分２２ｘｃに入り込んだ荷電粒子は、ネジ３４の底部や、ネジ孔３２の側壁に衝突する。このため、電荷を帯びたまま、さらに第１のガス吹出孔部分２２ｘａを通ってガス導入機構１６の内部空間１６ｘに入り込むことは困難となる。従って、ガス導入機構１６の内部空間１６ｘにおいて、プロセスガスのイオン化が生じることはなくなり、従来のＲＩＥ装置で生じていたガス導入機構１６の内部空間１６ｘでの放電を抑制でき、ガス導入機構１６の内部空間１６ｘに副生成物が付着することもなくなる。さらに、基板１０に悪影響を与えるパーティクルの発生を抑制し、かつガス導入機構１６の寿命を延ばすことが可能になる。
【００３２】
この発明は、上述した実施の形態に限定されるものではないことは明らかである。例えば、上述の実施の形態では、ガス吹出孔２２ｘの一方の開口端から他方の開口端を見通すことができないようにするために、直径Ｗ2 の第２のガス吹出孔部分２２ｘｂの中心軸及び直径Ｗ3 の第３のガス吹出孔部分２２ｘｃの中心軸が一致し、かつ直径Ｗ1 の第１のガス吹出孔部分２２ｘａの中心軸が第３のガス吹出孔部分２２ｘｃの中心軸から偏心するように、第１のガス吹出孔部分２２ｘａ及び第２のガス吹出孔部分２２ｘｂを設ける場合について説明したが、直径Ｗ1 の第１のガス吹出孔部分２２ｘａの中心軸及び直径Ｗ3 の第３のガス吹出孔部分２２ｘｃの中心軸が一致し、かつ直径Ｗ2 の第２のガス吹出孔部分２２ｘｂの中心軸が第３のガス吹出孔部分２２ｘｃの中心軸から偏心するように、第１のガス吹出孔部分２２ｘａ及び第２のガス吹出孔部分２２ｘｂを設けることによって、ガス吹出孔２２ｘの一方の開口端から他方の開口端を見通すことができないようにする場合であっても良い。
【００３３】
【発明の効果】
上述した説明から明らかなように、この発明のプラズマ処理装置によれば、ガス吹出孔は、該ガス吹出孔の一方の開口端から他方の開口端を見通せない構造として成ることを特徴とする。
【００３４】
このように、ガス吹出孔を該ガス吹出孔の一方の開口端から他方の開口端を見通せない構造としたため、基板支持電極及び対向電極間に生成したプラズマ中の荷電粒子が、ガス吹出孔を通ってガス導入機構の内部空間に入り込むことは困難となる。従って、ガス導入機構の内部空間において、プロセスガスのイオン化が生じることがなくなり、ガス導入機構の内部空間での放電が抑制され、ガス導入機構の内部空間に副生成物が付着することもなくなる。さらに、基板に悪影響を与えるパーティクルの発生を抑制し、かつガス導入機構の寿命を延ばすことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態のＲＩＥ装置を用いて基板をエッチングする状態を概略的に示す断面図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】従来のＲＩＥ装置を用いて基板をエッチングする状態を概略的に示す断面図である。
【図４】図３の部分拡大図である。
【符号の説明】
１０：基板
１２：真空容器
１４：基板支持電極
１６：ガス導入機構
１８：高周波電源
２０：ガス供給系
２２：ガス吹出板
２２ａ：対向電極側表面
２２ｂ：真空容器側表面
２２ｘ、２２ｘ１〜２２ｘ３：ガス吹出孔
２２ｘａ：第１のガス吹出孔部分
２２ｘｂ：第２のガス吹出孔部分
２２ｘｃ：第３のガス吹出孔部分
２４：対向電極
２４ａ：ガス吹出板側表面
２４ｘ：ガス導入口
２６：ガス導入路
２８：ガス供給弁
３０：排気口
３２：ネジ孔
３４：ネジ
１００：実施の形態のＲＩＥ装置
【図１】
0003683332.tif 000003
【図２】
0003683332.tif 000004
【図３】
0003683332.tif 000005
【図４】
0003683332.tif 000006