(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に電極が配置された一対の電極基板間に液晶層が保持されて成る液晶表示装置の製造方法において、
前記絶縁基板を支持台上に配置して処理し、
前記支持台は、ステンレス板よりなり、その主表面にメッキ層が施され、
前記メッキ層は、ＰドープのＮｉの無電解メッキにより形成され、
前記主表面の表面粗さ（Ra）が１．６μｍ以上，５０μｍ以下である
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の前記絶縁基板が前記支持台に吸引されて固定されている
ことを特徴とした液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一対の電極基板間に液晶が挟持されて成る液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置は、軽量，薄型，低消費電力の特徴を生かして、各分野で広く使用されるようになってきた。
【０００３】
液晶表示装置として、例えば単純マトリクス型を例にとると、複数本のストライプ状の透明電極がガラス等の透明な絶縁基板上に形成された電極基板の一主表面上に配向膜を形成し、この配向膜にラビング処理を施した後、このような一対の電極基板間に液晶層を挟持させ周辺部をシール材によってシールし、更に電極基板の外表面側にそれぞれ偏光板を配置して構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような一連の製造工程のほとんどは、支持台上に透明な絶縁基板を固定することにより成されるが、一般に、液晶表示装置を構成する絶縁基板や偏光板は不導体であるため、絶縁基板を支持台上から剥離する際には必ず剥離帯電を生じる。
【０００５】
そして、このような電荷が帯電した絶縁基板は、製造途中にその電荷を放電するが、この放電に際して配向膜の膜質を悪化させたり、電極や絶縁膜に欠陥を生じさせるといった不具合を引き起こし、表示品位を著しく損なう結果を招いてしまう。
【０００６】
この発明は、上記した技術課題に対処して成されたものであって、製造途中に発生する絶縁基板の帯電を防ぎ、これにより表示品位に優れた液晶表示装置を得るための製造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載される発明は、絶縁基板上に電極が配置された一対の電極基板間に液晶層が保持されて成る液晶表示装置の製造方法において、前記絶縁基板を支持台上に配置して処理し、前記支持台は、ステンレス板よりなり、その主表面にメッキ層が施され、前記メッキ層は、ＰドープのＮｉの無電解メッキにより形成され、前記主表面の表面粗さ（Ra）が１．６μｍ以上，５０μｍ以下であることを特徴としている。
【０００８】
請求項２に記載される発明は、請求項１に記載される前記絶縁基板が前記支持台に吸引されて固定されていることを特徴としている。
【０００９】
この発明によれば、上述した如く、主表面の表面粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以上，５０μｍ以下の支持台に絶縁基板を配置して処理するので、支持台からの剥離に伴う絶縁基板の帯電を低減させ、これにより配向膜劣化や電極あるいは絶縁膜の破壊などの製造不良を低減させることができる。
【００１０】
この発明において、支持台の主面の表面粗さ（Ｒａ）を１．６μｍ以上としたのは、１．６μｍより小さいと、支持台から絶縁基板を脱離させる際に生じる静電気が大きくなるためである。また、逆に表面粗さ（Ｒａ）が５０μｍよりも大きいと、支持台に精度の良い固定が困難となるためである。
【００１１】
そして、電極基板が絶縁基板上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する。）等のスイッチング素子が形成されている場合では、表面粗さ（Ｒａ）を６．３μｍ以上、５０μｍ以下とすることにより、ゲート絶縁膜や層間絶縁膜に生じる絶縁不良を効果的に防止できる。
【００１２】
また、この発明は、特に絶縁基板の固定方法として吸引固定と組み合わせることにより、他の固定方法と比べて静電気の発生を一層低減できるため、特に好ましい。
【００１５】
Ｐ（リン）ドープのＮｉ（ニッケル）の無電解メッキはカニゼン・メッキと呼ばれ、このカニゼン・メッキであると、ニッケルを主成分としているため、表面が低抵抗になり、かつ、適度な硬度が得られる。そのため、絶縁基板との接触による金属粉などの発生がない。さらに、無電解メッキであるため、絶縁基板のコーナ部にメッキ層が集中的に付くことがない。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に基づく具体例および比較例を参照して詳細に説明する。
【００１７】
（具体例１）
ガラスからなる透明な絶縁基板の一主面側にＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）からなる複数本のストライプ状の透明電極が形成された電極基板上に配される配向膜形成工程を次のようにして行った。
【００１８】
まず、図１（ｂ）に示す如く、表面が所望形状に成形されたＳＵＳ板（ステンレス板）の表面にカニゼン・メッキによるメッキ層（１０７）  が施されて成る主面の粗さ（Ｒａ）が６．３μｍであって、吸引固定用の孔（１０５）  が形成された印刷支持台（１０３）  を用い、この上に電極基板（１１）を吸引固定し、図１（ａ）に示す如く配向膜を凸版印刷版（１０１）  によって印刷塗布する。なお、吸引固定用の孔（１０５）  の周縁部はテーパ状に形成し、メッキ層（１０７）  は接地を行っておく。
【００１９】
しかる後に、図示しないが、同様に主面の表面粗さ（Ｒａ）が６．３μｍのホットプレートに電極基板（１１）を吸引固定して、約７０℃の温度で加熱し乾燥させた。
【００２０】
このようにして絶縁基板（１０），（２０）  上に透明電極（１５），（２５）  を有する電極基板（１１），（２１）  上に配置された配向膜（１７），（２７）  （図２参照）に対してラビング処理を施し、得られた一対の電極基板（１１），（２１）  をスペーサ（３１）を介して対向配置させ、シール材（３５）を介して貼り合わせた後、液晶（３３）を注入し、封止し、更に外表面に偏光板（４１），（５１）  をそれぞれ配置して液晶表表示装置（１）  を得た。
【００２１】
主面の粗さ（Ｒａ）が６．３μｍの印刷支持台およびホットプレートで処理した場合、印刷支持台およびホットプレートの主面の粗さ（Ｒａ）を１．０μｍとした以外は同様にして作成された液晶表示装置に比べて点欠陥、線欠陥及び表示むらが十分に軽減された。
【００２２】
ここで、カニゼン・メッキについて、図６に基づいて説明する。
【００２３】
カニゼン・メッキとは、Ｐ（リン）ドープのＮｉ（ニッケル）の無電解メッキを意味する。このカニゼン・メッキは、ニッケルを主成分としているため、表面が低抵抗になり、かつ、適度な硬度が得られる。そのため、電極基板（１１）との接触による金属粉などの発生がない。さらに、無電解メッキであるため、吸引固定用の孔（１０５）  の縁部や電極基板（１１）のコーナ部にメッキ層が集中的に付くことがない。
【００２４】
このカニゼン・メッキの処理方法は、ＳＵＳ板の表面に傷をつけて研磨し、表面コートを行う。メッキ層（１０７）  の厚さとしては５μｍ以下が好ましく，特に、３μｍ以上であれば、充分な抵抗の低減ができる。また、メッキ層（１０７）  の厚さを５μｍ以下としたのは、２０μｍ以下、特に１０μｍ以下であればメッキによる応力集中が起こらないからである。
【００２５】
上記ではニッケルを用いたが、その他に銀を用いてもよい。ただし、金は材質がやわらかく銅は液晶層に影響を及ぼすため好適でない。
【００２６】
（具体例２）
具体例１におけるラビング処理工程を、図３に示すように主面表面粗さ（Ｒａ）が１０μｍであり、吸引固定用の孔（２０５）  を有するＳＵＳ板の表面がカニゼン・メッキされて成る支持台（２０１）  を用い、この上に吸引固定された電極基板（１１）を、レーヨンから成るラビング布（２０１）  が巻き付けられた回転ローラ（２０２）  によってラビングした以外は同様にして液晶表示装置（１）  を得た。
【００２７】
このようにして作成される液晶表示装置は、上述した具体例１の液晶表示装置よりも更に点欠陥、線欠陥及び表示むらが軽減された。
【００２８】
（具体例３）
具体例１におけるシール材（３５）の設置工程を、図４に示すように配向膜が形成されている電極基板（１１）を主面の表面粗さ（Ｒａ）が６．３μｍであり、吸引固定用の孔（３０５）  を有する印刷支持台（３０３）  上に吸引固定し、一液性エポキシ接着剤をシール用接着剤（３１１）  としてスクリーンメッシュマスク（３０１）  上をスキージ（３０２）  によって印刷した以外は同様にして液晶表示装置（１）  を得た。
【００２９】
このようにして作成される液晶表示装置は、上述した具体例２の液晶表示装置よりも更に点欠陥、線欠陥及び表示むらが軽減された。
【００３０】
（具体例４）
具体例１における偏光板を貼り付け工程を、図５に示すように主面の表面粗さ（Ｒａ）が１０μｍであり、吸引固定用の孔（４０５）  を有する支持台（４０３）  上に一対の電極基板（１１），（２１）  を吸引固定し、貼付けローラ（４０２）  によって偏光板（５１）を貼付けた以外は同様にして液晶表示装置（１）  を得た。
【００３１】
このようにして作成される液晶表示装置は、上述した具体例３の液晶表示装置よりも更に点欠陥、線欠陥及び表示むらが軽減された。
【００３２】
以上のように、本発明の製造方法によれば、その製造工程において、従来の支持台に比べ基板に生じる静電気量を低減させることができ、これにより均一で良好な表示品位を持つ液晶表示装置を歩留り良く生産できるようになった。
【００３３】
上述した実施例では、単純マトリクス型の液晶表示素子の製造方法について説明したが、この発明は単純マトリクス型に限定されるものではなく、特にＴＦＴなどのスイッチ素子が各表示画素毎に設けられて成るアクティブマトリクス型の液晶表示素子においても良好な適用される。
【００３４】
【発明の効果】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、従来の支持台に比べ、処理に際して基板に生じる静電気量を十分に低減させることができ、これにより表示欠陥あるいは表示むらが軽減され、均一で良好な表示品位を持つ液晶表示装置を歩留り良く生産できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、この発明の一実施例の製造方法である配向膜の印刷工程を示す図である。
【図２】図２は、この発明の一実施例の製造方法によって製造される液晶表示装置の概略断面図である。
【図３】図３は、この発明の他の実施例の製造方法であるラビング工程を示す図である。
【図４】図４は、この発明の他の実施例の製造方法であるシール材の印刷工程を示す図である。
【図５】図５は、この発明の他の実施例の製造方法である偏光板の貼付け工程を示す図である。
【図６】図６は、カニゼン・メッキによるメッキ層の拡大縦断面斜視図である。
【符号の説明】
（１）  …液晶表示装置
（１１），（２１）  …電極基板
（４１），（５１）  …偏光板
（１０３）  …印刷支持台
（１０７）  …メッキ層
【図１】
0003618913.tif 000002
【図２】
0003618913.tif 000003
【図３】
0003618913.tif 000004
【図４】
0003618913.tif 000005
【図５】
0003618913.tif 000006
【図６】
0003618913.tif 000007