(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上のフィールド酸化膜に段差からなる識別パターンを設け、その上を層間絶縁膜で覆った半導体装置において、
前記フィールド酸化膜と前記層間絶縁膜の間に、該フィールド酸化膜と屈折率が異なる被膜を、前記識別パターンを十分に覆うように設けてあり、該フィールド酸化膜と該被膜の屈折率の違いは、該フィールド酸化膜が酸化シリコンであり該被膜がリン、ボロンを含む酸化シリコンである場合の屈折率の違いを超え、該フィールド酸化膜が酸化シリコンであり該被膜が多結晶シリコンまたはシリコン窒化膜である場合の屈折率の違いに相当する程度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記識別パターンは、リードオンリーメモリーの識別パターンであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記フィールド酸化膜と屈折率が異なる被膜は、多結晶シリコン又はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、
ホトリソグラフィー処理により、前記半導体基板のチャネル層形成領域と、前記フィールド酸化膜の識別パターン形成領域とを開口した感光性樹脂を形成する工程と、
前記感光性樹脂の前記開口内の前記半導体基板に該前記半導体基板と逆導電型の不純物をイオン注入して前記チャネル層領域を形成し、エッチング処理により前記感光性樹脂開口内の前記フィールド酸化膜に前記識別パターンを形成し、前記感光性樹脂を除去する工程と、
前記半導体基板上にゲート酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板の全面に多結晶シリコンを形成する工程と、
前記多結晶シリコンのホトエッチング処理によりゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極と前記フィールド酸化膜との整合する前記半導体基板に高濃度拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板の全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
ホトエッチング処理により前記層間絶縁膜に接続穴を形成する工程と、
配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記多結晶シリコンのホトエッチング処理によりゲート電極を形成する工程で、前記識別パターン上にも前記多結晶シリコンを残存させバッファ多結晶シリコンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板上の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、
ホトリソグラフィー処理により、前記半導体基板のチャネル層形成領域と、前記フィールド酸化膜の識別パターン形成領域とを開口した感光性樹脂を形成する工程と、
前記感光性樹脂の前記開口内の前記半導体基板に該前記半導体基板と逆導電型の不純物をイオン注入して前記チャネル層領域を形成し、エッチング処理により前記感光性樹脂開口内の前記フィールド酸化膜に前記識別パターンを形成し、前記感光性樹脂を除去する工程と、
前記半導体基板上にゲート酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板の全面に多結晶シリコンを形成する工程と、
前記多結晶シリコンのホトエッチング処理によりゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極と前記フィールド酸化膜との整合する前記半導体基板に高濃度拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板の全面に層間絶縁膜を形成する工程と、
ホトエッチング処理により前記層間絶縁膜に接続穴を形成する工程と、
配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記感光性樹脂の前記開口内の前記半導体基板に該前記半導体基板と逆導電型の不純物をイオン注入して前記チャネル層領域を形成し、エッチング処理により前記感光性樹脂開口内の前記フィールド酸化膜に前記識別パターンを形成し、前記感光性樹脂を除去する工程と、前記半導体基板上にゲート酸化膜を形成する工程との間に、前記半導体基板に犠牲酸化膜を形成し、前記半導体基板の全面にシリコン窒化膜を形成し、ホトエッチング処理により前記識別パターン上に前記シリコン窒化膜を残存させバッファシリコン窒化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、とくにＲＯＭいわゆるリードオンリーメモリーの識別パターンを備える半導体装置の構造および半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
リードオンリーメモリーの識別パターンを備える従来技術における半導体装置の製造方法を、図１９から図２５の断面図と、図２６の半導体装置の平面図を用いて説明する。
【０００３】
まずはじめに図１９に示すように、半導体基板１１上の素子分離領域に膜厚が５５０ｎｍのフィールド酸化膜１２を形成する。
【０００４】
つぎに図２０に示すように、ホトリソグラフィー処理により、Ｎ型チャネル層形成領域３１とフィールド酸化膜１２上の識別パターン形成領域３２とを開口するように、第１の感光性樹脂２１を形成する。
【０００５】
つぎに図２１に示すように、第１の感光性樹脂２１とフィールド酸化膜１２との整合する半導体基板１１に、リンをイオン注入し、デプレッションＭＯＳトランジスタのチャネル部分となる領域にＮ型チャネル層２７を形成する。
【０００６】
つぎに図２２に示すように、第１の感光性樹脂２１をエッチングマスクに用いて、エッチング液としてフッ酸を使用し、フィールド酸化膜１２をエッチングして識別パターン２３を形成する。この識別パターン２３は、半導体装置形成後、ＲＯＭの内容を識別するために形成するため、最終工程までこのパターンが識別できるように、フィールド酸化膜１２を５０ｎｍ以上はエッチングしておく。
【０００７】
しかし、Ｎ型チャネル層形成領域３１は、フィールド酸化膜１２の整合する半導体基板１１を開口するだけでなく、部分的にフィールド酸化膜１２上にもフィールド開口部２９ができる。このため、フィールド開口部２９部分のフィールド酸化膜１２もエッチングされてしまう。
【０００８】
つぎに図２３に示すように、第１の感光性樹脂２１を除去する。その後、熱酸化処理により、フィールド酸化膜１２の整合する半導体基板１１に酸化シリコンからなるゲート酸化膜１３を形成する。その後、化学気相成長法（以下ＣＶＤ法と記す）により、多結晶シリコンからなるゲート電極１４を形成する。その後、ホトエッチング処理によって、ゲート電極１４とゲート酸化膜１３とをパターニングする。
【０００９】
つぎに図２４に示すように、ゲート電極１４とフィールド酸化膜１２との整合する半導体基板１１にイオン注入法により、不純物を導入し、トランジスタのソースドレインとなる高濃度拡散領域１５を形成する。
【００１０】
つぎに図２５に示すように、ＣＶＤ法によりリンとボロンを含む酸化シリコンからなる層間絶縁膜１６を形成する。その後、窒素雰囲気中で、熱処理を行い、層間絶縁膜１６を流動化させる、いわゆるリフローを行い層間絶縁膜１６の表面を平坦化させると同時に、イオン注入により形成した高濃度拡散領域１５の不純物を活性化する。
【００１１】
その後、ホトエッチング処理によって、層間絶縁膜１６に接続穴１７を形成する。その後、アルミニウムからなる配線１８を全面に形成し、ホトエッチング処理によって、アルミニウムをパターニングする。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
図２５と図２６を用いて、従来技術の課題について説明する。図２６は従来技術の半導体装置を示す平面図であり、一点鎖線部分の断面が、図２５の断面図である。フィールド酸化膜１２上に形成した識別パターン２３は、記号や、文字、数字からなり、これらのパターンでＲＯＭの内容を識別するように形成する。
【００１３】
フィールド酸化膜１２上に形成した識別パターン２３は、半導体基板１１上のシリコン酸化膜の膜厚がフィールド酸化膜１２領域と異なる。このために、この膜厚差による光３４の干渉色の違いから、識別パターン２３を識別することができる。
【００１４】
この識別を明瞭にするため識別パターン２３を形成するエッチング工程では、フィールド酸化膜１２を充分エッチングしておく必要がある。この識別できる理由は、前述のように光３４の干渉色の差である。フィールド酸化膜１２と層間絶縁膜１６が同じシリコン酸化膜で屈折率が同じであるので、光３４の干渉色の差は、識別パターン２３と層間絶縁膜１６、およびフィールド酸化膜１２と層間絶縁膜１６との膜厚差で決定する。
【００１５】
また図２６に示すように、ＲＯＭはフィールド酸化膜１２の間の素子領域３０に対して垂直にゲート電極１４がならび、素子領域３０とゲート電極１４とで格子状の構造となっている。デプレッションＭＯＳトランジスタのＮ型チャネル層２７は、ゲート電極１４と素子領域３０との交差する領域に形成するが、これらのゲート電極１４と素子領域３０との交差する領域にＮ型チャネル層２７を形成するかしないかで、様々なＲＯＭを形成するすることができる。
【００１６】
しかし、Ｎ型チャネル層２７を形成するための第１の感光性樹脂開口領域３３は、ゲート電極１４と素子領域３０との交差する領域だけでなく、ホトリソグラフィー工程の合わせズレを考慮し、その周囲も開口する必要があるため、フィールド酸化膜１２領域も開口する。
【００１７】
よって識別パターン２３の識別を確実にするため、フィールド酸化膜１２を充分にエッチングすると、Ｎ型チャネル層２７の周囲のフィールド酸化膜１２がうすくなる。この結果、フィールド開口部２９部分の寄生的ＭＯＳトランジスタの閾値電圧が下がり、電気的にリークを生じ、ＲＯＭの読み出し動作時に誤動作してしまう。
【００１８】
つまり識別パターン２３の識別を確実にするため、フィールド酸化膜１２を充分にエッチングすると、フィールド酸化膜１２の分離性が悪化する。逆に、フィールド酸化膜１２のエッチングが充分で無いと、識別パターン２３の識別が困難になるという問題点が発生する。
【００１９】
本発明の目的は、上記課題を解決して、識別パターン２３の識別を明瞭にし、また、フィールド酸化膜１２の分離性を向上することが可能な半導体装置の構造および半導体装置の製造方法に関する。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置の形成方法は、下記記載の工程を採用する。
【００２１】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、ホトリソグラフィー工程により、Ｎ型チャネル層形成領域と、識別パターン形成領域とを開口した感光性樹脂を形成する工程と、フィールド酸化膜と感光性樹脂との整合する半導体基板に、デプレッションＭＯＳトランジスタのチャネル領域となるＮ型チャネル層を形成する工程と、エッチング工程により、感光性樹脂の整合するフィールド酸化膜を薄くし、フィールド酸化膜上に識別パターンを形成し、感光性樹脂を除去する工程と、フィールド酸化膜の整合する半導体基板上にゲート酸化膜を形成する工程と、全面に多結晶シリコンを形成する工程と、ホトエッチング処理によりゲート電極を形成し、ゲート電極の形成と同時に識別パターン形成領域上部を大きく覆うようにバッファ多結晶シリコンを形成する工程と、ゲート電極とフィールド酸化膜との整合する半導体基板に高濃度拡散領域を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、加熱処理を行い、高濃度拡散領域との不純物を活性化する工程と、ホトエッチング処理により層間絶縁膜に接続穴を形成する工程と、配線を形成する工程とを有する。
【００２２】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、ホトリソグラフィー工程により、Ｎ型チャネル層形成領域と、識別パターン形成領域とを開口した感光性樹脂を形成する工程と、フィールド酸化膜と感光性樹脂との整合する半導体基板に、デプレッションＭＯＳトランジスタのチャネル領域となるＮ型チャネル層を形成する工程と、エッチング工程により、感光性樹脂の整合するフィールド酸化膜を薄くし、フィールド酸化膜上に識別パターンを形成し、感光性樹脂を除去する工程と、フィールド酸化膜の整合する半導体基板上に犠牲酸化膜を形成する工程と、全面にバッファシリコン窒化膜を形成する工程と、ホトエッチング処理により、識別パターン形成領域上部を大きく覆うようにバッファシリコン窒化膜を形成し、犠牲酸化膜を除去する工程と、フィールド酸化膜の整合する半導体基板上にゲート酸化膜を形成する工程と、全面に多結晶シリコンを形成する工程と、ホトエッチング処理によりゲート電極を形成する工程と、ゲート電極とフィールド酸化膜との整合する半導体基板に高濃度拡散領域を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、加熱処理を行い、高濃度拡散領域との不純物を活性化する工程と、ホトエッチング処理により層間絶縁膜に接続穴を形成する工程と、配線を形成する工程とを有する。
【００２３】
本発明の半導体装置の製造方法は、フィールド酸化膜に形成した識別パターンをシリコン酸化膜と屈折率の違う多結晶シリコン、またはシリコン窒化膜で大きく覆う。このため、識別パターンとフィールド酸化膜との干渉色の差は、識別パターンの膜厚と、フィールド酸化膜の膜厚との差だけで決まる。
【００２４】
この結果、従来技術のように層間絶縁膜も含めた膜厚で干渉色が決まるのではなくなるので、従来技術と本発明を比較した場合、干渉色に差を生じる原因である相対的な膜厚差が従来技術より大きくなり、干渉色の差がはっきりする。
【００２５】
また従来技術のように、層間絶縁膜も含めた膜厚の場合、膜厚が厚くなると、干渉色が出にくく、見えにくい。本発明では識別パターンのフィールド酸化膜のエッチングを少なくしても、従来技術より干渉色の差が生ずる相対的なシリコン酸化膜の膜厚差に余裕ができるので、本発明での干渉色の差は従来より明瞭である。よって、識別パターンを形成するためのフィールド酸化膜のエッチングは、従来より少なくて済み、フィールド酸化膜の分離性も向上する。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体装置の製造方法における最良の実施形態を説明する。はじめに図１から図９を用いて、本発明を実施するための最良の第１の実施形態における半導体装置の製造方法を説明する。図１から図９は本発明の第１の実施形態における半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図であり、図１０は本発明の第１の実施形態における半導体装置を示す平面図である。
【００２７】
まずはじめに図１に示すように、Ｐ型の半導体基板１１上に、ＣＶＤ法により膜厚１５０ｎｍの窒化シリコン（図示せず）を全面に形成する。その後、感光性樹脂（図示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現像処理を行い、素子領域上に感光性樹脂を形成するようにパターニングする。
【００２８】
その後、この感光性樹脂をエッチングマスクに用いて、エッチングガスとして四フッ炭素を使用し、反応性イオンエッチング法（以下ＲＩＥと記す）により窒化シリコンを素子領域にパターニングし、酸化防止膜（図示せず）を形成する。その後、感光性樹脂を除去する。
【００２９】
その後、酸化防止膜の整合する半導体基板１１を、水蒸気を添加した酸素雰囲気中で温度１０００℃の熱処理を１０５分行い、酸化シリコンを形成する、いわゆる選択酸化により、膜厚５５０ｎｍの酸化シリコンのフィールド酸化膜１２を素子分離領域に形成する。その後、酸化防止膜を温度１８０℃に加熱したリン酸で除去する。
【００３０】
つぎに図２に示すように、第１の感光性樹脂２１を回転塗布法により全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現像処理を行い、Ｎ型チャネル層形成領域３１と、識別パターン形成領域３２を開口するように第１の感光性樹脂２１をパターニングする。
【００３１】
つぎに図３に示すように、第１の感光性樹脂２１とフィールド酸化膜１２との整合する半導体基板１１に、リンを加速エネルギー５０ｋｅＶ、注入量３．０×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２  でイオン注入し、デプレッションＭＯＳトランジスタのＮ型チャネル層２７を形成する。
【００３２】
つぎに図４に示すように、第１の感光性樹脂２１をエッチングマスクにして、エッチング液としてフッ酸を用いて、フィールド酸化膜１２をエッチングする。このエッチングは、時間制御により１０ｎｍ〜３０ｎｍの厚さエッチングして、フィールド酸化膜１２に段差を形成し、識別パターン２３を形成する。
【００３３】
つぎに図５に示すように、第１の感光性樹脂２１を除去する。その後、酸素雰囲気中で温度１０００℃の熱処理を１２分間行い、フィールド酸化膜１２との整合する半導体基板１１に酸化シリコンからなる膜厚２０ｎｍのゲート酸化膜１３を形成する。
【００３４】
その後、反応性ガスとしてモノシランを使用して、ＣＶＤ法により膜厚３５０ｎｍの多結晶シリコン２４を全面に形成する。
【００３５】
つぎに図６に示すように、第２の感光性樹脂２２を回転塗布法によって全面に形成し、ホトマスクを用いて露光し、現像処理を行い、ゲート電極形成領域上と識別パターン２３上とに第２の感光性樹脂２２を形成するようにパターニングする。ここで識別パターン２３上の第２の感光性樹脂２２は、識別パターン２３を充分に覆うよう、回りのフィールド酸化膜１２上にもパターニングする。
【００３６】
その後、第２の感光性樹脂２２をエッチングマスクに、エッチングガスとして六フッ化イオウを使用してＲＩＥにより、多結晶シリコン２４をエッチングし、ゲート電極１４と、バッファ多結晶シリコン２５とを形成し、フッ酸によりゲート酸化膜１３をパターニングする。
【００３７】
つぎに図７に示すように、第２の感光性樹脂２２を除去する。その後、ゲート電極１４とフィールド酸化膜１２との整合する半導体基板１１に砒素を加速エネルギー６０ｋｅＶ、注入量３．０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２  でイオン注入し、トランジスタのソースドレインとなる高濃度拡散領域１５を形成する。
【００３８】
つぎに図８に示すように、反応性ガスとしてモノシランとホスフィンとジボランと酸素と窒素とを使用するＣＶＤ法により、膜厚７００ｎｍのリンとボロンとを含んだ酸化シリコンの層間絶縁膜１６を形成する。
【００３９】
その後、窒素雰囲気中で温度９００℃の熱処理を３０分行い層間絶縁膜１６を流動化させる、いわゆるリフローを行い、層間絶縁膜１６の表面を平坦化させると同時に、イオン注入により形成した、高濃度拡散領域１５の不純物を活性化する。
【００４０】
その後、膜厚１．１μｍの感光性樹脂（図示せず）を全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し現像し感光性樹脂を接続穴形成領域のみを開口するようにパターニングする。その後、感光性樹脂をエッチングマスクとして、エッチングガスとして三フッ化メタンを使用してＲＩＥにより、層間絶縁膜１６をエッチングし、感光性樹脂を除去し、開口径０．８μｍの接続穴１７を形成する。
【００４１】
つぎに図９に示すように、スパッタリング法により膜厚１μｍのアルミニウムからなる配線１８を全面に形成し、膜厚１．６μｍの感光性樹脂（図示せず）を回転塗布法により全面に形成し、所定のホトマスクを用いて露光し、現像処理を行い、感光性樹脂を配線１８の形成領域に形成するようにパターニングする。
【００４２】
その後、感光性樹脂をエッチングマスクとして、エッチングガスとして三塩化ボロンと三塩化メタンとを用いて、ＲＩＥにより配線１８をパターニングし、配線１８と高濃度拡散領域１５、および配線１８とゲート電極１４とを接続する。その後、感光性樹脂を除去する。
【００４３】
ＲＯＭと識別パターン２３を図１０の平面図に示す。図９に示した断面図は、図１０の一点鎖線部分の断面を示している。図１０に示すように、フィールド酸化膜１２に形成した識別パターン２３をシリコン酸化膜と屈折率の違うバッファ多結晶シリコン２５で大きく覆うため、図９に示すように、光３４の干渉色が識別パターン２３の膜厚と、フィールド酸化膜１２の膜厚との差だけで決まる。
【００４４】
このため、従来技術のように層間絶縁膜１６も含めた膜厚の干渉色より、干渉色の差が生ずる相対的な膜厚差は大きくなり、干渉色の差がはっきりする。また干渉色の差が出る識別パターン２３、またはフィールド酸化膜１２の膜厚は、従来技術のように層間絶縁膜１６を含めた膜厚にまで厚くならず、干渉色の出にくい膜厚まで厚くならない。
【００４５】
このため、干渉色もでやすくなるので、従来技術より識別パターン２３の識別がしやすくなる。また、識別パターン２３の形成のためのフィールド酸化膜１２のエッチングも１０ｎｍ〜３０ｎｍと少しのエッチングで済み、フィールド酸化膜１２の分離性も従来より向上する。
【００４６】
つぎに第１の実施形態と同等な効果が得られる他の実施形態を説明する。以下図１１から図１７を用いて、本発明を実施するための最良の第２の実施形態における半導体装置の製造方法を説明する。図１１から図１７は、本発明の第２の実施形態における半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、図１８は、本発明の第２の実施形態における半導体装置を示す平面図である。
【００４７】
まず図１１に示すように、第１の実施形態と同様にＰ型の半導体基板１１上の素子分離領域にフィールド酸化膜１２を形成し、半導体基板１１上にＮ型チャネル層２７と、フィールド酸化膜１２上に識別パターン２３とを形成する。
【００４８】
つぎに図１２に示すように、酸素雰囲気中で温度１０００℃の熱処理を１２分間行い、フィールド酸化膜１２との整合する半導体基板１１に酸化シリコンからなる膜厚２０ｎｍの犠牲酸化膜２６を形成する。この犠牲酸化膜２６は、その後に形成するバッファシリコン窒化膜２８のエッチング時に半導体基板１１表面に結晶欠陥などのダメージを与えないように形成しておく。
【００４９】
その後、反応性ガスとしてジクロルシランとアンモニアとを使用するＣＶＤ法により膜厚１５０ｎｍのバッファシリコン窒化膜２８を全面に形成する。
【００５０】
次に、感光性樹脂（図示せず）を回転塗布法により全面に形成し、ホトマスクを用いて露光し、現像処理を行い、識別パターン２３上に感光性樹脂を形成するようにパターニングする。このとき識別パターン２３上の感光性樹脂は、識別パターン２３を充分に覆うよう、回りのフィールド酸化膜１２上にもパターニングする。
【００５１】
その後、感光性樹脂をエッチングマスクに用いて、エッチングガスとしてフッ化炭素を使用してＲＩＥにより、バッファシリコン窒化膜２８をパターニングする。その後、感光性樹脂を除去する。その状態を図１３に示す。
【００５２】
ここで半導体基板１１は、フィールド酸化膜１２、または犠牲酸化膜２６で覆われているので、エッチング時のダメージは、半導体基板１１には発生しない。
【００５３】
つぎに図１４に示すように、エッチング液としてフッ酸を使用して犠牲酸化膜２６を除去する。
【００５４】
つぎに図１５に示すように、酸素雰囲気中で温度１０００℃の熱処理を１２分間行い、フィールド酸化膜１２との整合する半導体基板１１に酸化シリコンからなる膜厚２０ｎｍのゲート酸化膜１３を形成する。
【００５５】
その後、反応性ガスとしてモノシランを使用するＣＶＤ法により膜厚が３５０ｎｍの多結晶シリコン２４を全面に形成する。
【００５６】
つぎに図１６に示すように、第２の感光性樹脂２２を回転塗布法により全面に形成し、ホトマスクを用いて露光し、現像処理を行い、ゲート電極形成領域上に第２の感光性樹脂２２を形成するようにパターニングする。
【００５７】
その後、第２の感光性樹脂２２をエッチングマスクに、エッチングガスとして六フッ化イオウを使用してＲＩＥにより、多結晶シリコン２４をエッチングし、ゲート電極１４を形成する。その後、エッチング液としてフッ酸を用いてゲート酸化膜１３をパターニングする。
【００５８】
つぎに図１７に示すように、第１の実施形態と同様に第２の感光性樹脂２２を除去し、高濃度拡散領域１５と、層間絶縁膜１６とを形成し、層間絶縁膜１６をエッチングし、接続穴１７を形成し、配線１８を形成して、配線１８と高濃度拡散領域１５、および配線１８とゲート電極１４とを接続する。
【００５９】
ＲＯＭと識別パターン２３部分の平面図を図１８に示す。図１７に示した断面図は図１８の一点鎖線部分の断面を示している。先の第１の実施形態と同様に図１８に示すように、フィールド酸化膜１２に形成した識別パターン２３をシリコン酸化膜と屈折率の違うバッファシリコン窒化膜２８で大きく覆うため、図１７に示すように、光３４の干渉色が識別パターン２３の膜厚と、フィールド酸化膜１２の膜厚との差だけで決まる。
【００６０】
このため、従来技術のように層間絶縁膜１６も含めた膜厚で干渉色より、干渉色の差が生ずる相対的な膜厚差は大きくなり干渉色の差がはっきりする。また干渉色の差が出る識別パターン２３、またはフィールド酸化膜１２の膜厚は、従来技術のように層間絶縁膜１６を含めた膜厚にまで厚くならず、干渉色の出にくい膜厚まで厚くならない。
【００６１】
このため干渉色もでやすくなるので、従来技術より識別パターン２３の識別がしやすくなる。さらに識別パターン２３の形成のためのフィールド酸化膜１２のエッチングも１０ｎｍ〜３０ｎｍと少しのエッチングで済み、フィールド酸化膜１２の分離性も従来より向上する。
【００６２】
さらにまた本発明の第１と第２の実施形態では、Ｎ型チャネルのＭＯＳトランジスタについて説明したが、Ｐ型チャネルのＭＯＳトランジスタでＲＯＭを形成する場合も、以上で説明した実施形態と同等の効果が得られる。
【００６３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の半導体装置の構造と半導体装置の製造方法では、識別パターンの認識が従来より向上し、フィールド酸化膜の素子分離性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施形態における半導体装置の平面図である。
【図１１】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施形態における半導体装置の平面図である。
【図１９】従来技術における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２０】従来技術における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２１】従来技術における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２２】従来技術における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２３】従来技術における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２４】従来技術における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２５】従来技術における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２６】従来技術における半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
１２  フィールド酸化膜
１４  ゲート電極
２３  識別パターン
２４  多結晶シリコン
２６  犠牲酸化膜
３２  識別パターン形成領域
【図１】
0003621482.tif 000002
【図２】
0003621482.tif 000003
【図３】
0003621482.tif 000004
【図４】
0003621482.tif 000005
【図５】
0003621482.tif 000006
【図６】
0003621482.tif 000007
【図７】
0003621482.tif 000008
【図８】
0003621482.tif 000009
【図９】
0003621482.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
0003621482.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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