(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非線形デバイスからの歪みを実質的に相殺または低減するために用いることのできる歪みを生成する、列をなす前置歪み発生器回路であって、非線形デバイスに入力されるＲＦ信号を搬送するＲＦ信号経路と、歪み生成経路を形成する該ＲＦ信号経路に沿って順次配置された列をなす複数の歪み出力回路要素と、からなり、ここに非線形デバイスからの該歪みを実質的に相殺または低減させるに十分な実数および虚数の歪みを、列をなす歪み出力回路要素の組み合わせからの歪み成果を加算的に結合することによって、合成する列をなす歪み発生器回路であり、さらに
前記列をなす歪み出力回路要素の少なくとも１つは、前記歪み生成経路に沿って抵抗に並列接続されたダイオードからなると共に該抵抗に直列接続の時間遅延を有し、ここに前記歪み出力回路要素は実数および虚数の双方の歪みを出力する前置歪み発生器回路。
【請求項２】
前記ダイオードはショットキーダイオードである請求項１に記載の前置歪み発生器回路。
【請求項３】
非線形デバイスからの歪みを実質的に相殺または低減するために用いることのできる歪みを生成する、列をなす前置歪み発生器回路であって、非線形デバイスに入力されるＲＦ信号を搬送するＲＦ信号経路と、該ＲＦ信号経路に沿って順次配置された列をなす複数の歪み出力回路要素と、からなり、ここに非線形デバイスからの該歪みを実質的に相殺または低減させるに十分な実数および虚数の歪みを、列をなす歪み出力回路要素の組み合わせからの歪み成果を加算的に結合することによって、合成する列をなす歪み発生器回路であり、さらに
前記列をなす歪み出力回路要素の少なくとも１つは、前記ＲＦ信号経路に沿って相互に並列接続された抵抗、一対の逆方向に並列接続されたダイオード、およびキャパシタからなり、ここに前記歪み出力回路要素は第３次歪みの実数および虚数の双方の成分を出力する前置歪み発生器回路。
【請求項４】
非線形デバイスからの歪みを実質的に相殺または低減するために用いることのできる歪みを生成する、列をなす前置歪み発生器回路であって、非線形デバイスに入力されるＲＦ信号を搬送するＲＦ信号経路と、該ＲＦ信号経路に沿って順次配置された列をなす複数の歪み出力回路要素と、からなり、ここに非線形デバイスからの該歪みを実質的に相殺または低減させるに十分な実数および虚数の歪みを、列をなす歪み出力回路要素の組み合わせからの歪み成果を加算的に結合することによって、合成する列をなす歪み発生器回路であり、さらに
前記列をなす歪み出力回路要素の少なくとも１つは、前記ＲＦ信号経路に沿って相互に並列接続された抵抗および一対の逆方向に並列接続されたダイオードからなると共に該抵抗に直列接続の時間遅延を有し、ここに前記歪み出力回路要素は第３次歪みの実数および虚数の双方の成分を出力する前置歪み発生器回路。
【請求項５】
各前記ダイオードはショットキーダイオードである請求項３または４に記載の前置歪み発生器回路。
【請求項６】
非線形デバイスからの歪みを実質的に相殺または低減するために用いることのできる歪みを生成する、列をなす前置歪み発生器回路であって、非線形デバイスに入力されるＲＦ信号を搬送するＲＦ信号経路と、該ＲＦ信号経路に沿って順次配置された列をなす複数の歪み出力回路要素と、からなり、ここに非線形デバイスからの該歪みを実質的に相殺または低減させるに十分な実数および虚数の歪みを、列をなす歪み出力回路要素の組み合わせからの歪み成果を加算的に結合することによって、合成する列をなす歪み発生器回路であり、さらに
前記列をなす歪み出力回路要素の少なくとも１つは、前記ＲＦ信号経路と接地との間に接続された一対の逆方向に並列接続されたバラクターダイオードからなり、ここに前記歪み出力回路要素は虚数の第３次歪みを出力する前置歪み発生器回路。
【請求項７】
前記ＲＦ信号経路と各前記バラクターダイオードとの間に接続された抵抗をさらにそなえ、ここに前記歪み出力回路要素は、前記ＲＦ信号経路上の信号に対して位相のずれた第３次歪みを出力する請求項６に記載の前置歪み発生器回路。
【請求項８】
非線形デバイスからの歪みを実質的に相殺または低減するために用いることのできる歪みを生成する、列をなす前置歪み発生器回路であって、非線形デバイスに入力されるＲＦ信号を搬送するＲＦ信号経路と、歪み生成経路を形成する該ＲＦ信号経路に沿って順次配置された列をなす複数の歪み出力回路要素と、からなり、ここに非線形デバイスからの該歪みを実質的に相殺または低減させるに十分な実数および虚数の歪みを、列をなす歪み出力回路要素の組み合わせからの歪み成果を加算的に結合することによって、合成する列をなす歪み発生器回路であり、さらに
前記列をなす歪み出力回路要素の少なくとも１つは、副線形ＣＳＯと圧縮力のあるＣＴＢとを出力する第１の区分および副線形ＣＳＯと拡張力のあるＣＴＢとを出力する第２の区分からなり、ここに前記歪み出力回路要素の各該区分によるＣＴＢの加算的な成果によってＣＴＢを実質的に低減する前置歪み発生器回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、固有の非線形性のためその入力に対し歪んだ出力を有する半導体レーザーのような振幅変調した伝達デバイスから、線形出力を提供する電子回路に関する。非線形デバイスの歪みは、非線形デバイスの入力に対し予め歪んだ信号を加えることにより補償される。前置歪みは、非線形デバイスの歪みが、歪んでいない信号を回復するように選ばれる。
【０００２】
（背景）
電気信号を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）または半導体レーザーのアナログ強度を直接変調することは、光ファイバーで音声及びビデオ信号のようなアナログ信号を伝送する技術において知られた最も簡単な方法の一つと考えられている。このような振幅変調技術は、ベースバンド・デイジタル変調または周波数変調より相当小さいバンド幅要件の利点を持っているが、振幅変調は光源から発生するノイズと非線形性を受ける。
【０００３】
特定のアナログ伝達装置に固有の歪みは、線形電気変調信号が光信号に線形に変換されるのを妨げ、そのかわり信号を歪ませる。これらの効果は、チャンネルが互いに干渉しないようにするため優れた線形性を要求するマルチ・チャンネルビデオ伝送にとって特に有害である。高度に線形化されたアナログ光システムは、例えばＣＡＴＶ、双方向ＴＶ、ビデオ電話伝送において広く適用されている。
【０００４】
光及び他の非線形伝達装置の線形化は幾度か研究されたが、提案された解決は有用性を高い価格のデバイスに限定する実用に際しての不都合または費用的な不利を有している。フィードフォワード技術は、例えば光パワー結合器及びマルチ光源のような複雑なシステム要素を要求する。
非線形デバイスに固有の歪みを減ずるため、過去に採用された１つの方法は前置歪み(predistortion)であった。この技術において、変調信号は、非線形デバイスに固有の歪みに大きさにおいて等しいが、しかし反対の符号である信号に結合される。非線形デバイスが結合された信号によって変調される時、そのデバイス固有の歪みは前置歪みにより発生した歪み信号によって相殺される。そして、信号源の線形部分のみが伝達される。前置歪み信号における相互変調生成物は、入力周波数の整数倍の和及び差の結合である周波数である。ケーブルＴＶのＡＭ信号の歪みにおいて、例えばしばしば特定のバンドにおいて８０周波数が存在し、そしてこれらの周波数の第２及び第３次相互変調積を生成するための多くの機会を有する。
【０００５】
現在の好ましい前置歪み技術は、一般に１つの入力信号を２つまたはそれ以上の電気経路に分割し、非線形伝達デバイスに固有の歪みに似た前置歪みを１つまたはそれ以上の経路上に生成する。発生した前置歪みは、非線形デバイスの固有の歪みと逆の関係にあり、非線形デバイスに加える前に入力信号と再結合される時、デバイスの固有の歪みの効果を相殺するのに役立つ。
【０００６】
進んだマルチ経路前置歪回路は、非線形デバイスの広い範囲の出力を線形化するためフレキシブルで非常に効果的である。このようなマルチ経路前置歪み回路は、Blauveltその他に対し発行された米国特許第４，９９２，７５４に開示されている。この回路は周波数依存(frequency-dependent）非線形性を補償するため周波数特定歪み生成物を発生することができ、また例えば、ＣＡＴＶへの適用のような例外的に高度な線形性を要求する用途に有用である。
【０００７】
マルチ経路前置歪み回路は広く様々な用途に用いられており、これら回路の設計は相対的に複雑である。この複雑さは、適度な線形化のみを必要とする用途のためにはしばしばあまりに高価すぎる回路それ自身が証明している。限られた用途のため、相対的に単純な設計の低価格回路を、特に、もしこのような回路が、信号伝達用に共通に用いられる現存の低価格構成要素から組み立てて製造できたなら、当業者は評価するであろう。
【０００８】
当業者は周波数依存第３次歪みを生成することができる回路を評価するであろう。理想的なダイオードにより生成されるような単純な第３次歪みは，歪みが実数（real）で周波数に独立である特性を持っている。多くの非線形伝達装置または増幅器は、しかしながら、インダクタンス、キャパシタンスまたは遅延のようなリアクタンス成分（reactive elements）を含み、それらはデバイスに入出力周波数及び歪み周波数に依存する歪みを生じさせる。Nazarathy 米国特許第５，１６１，０４４は、図１５において本質的に実数の、周波数独立(freguency-independent)の前置歪みを生成する特許の回路を開示している。Nazarathy のキャパシタとインダクタは、バイアス目的のため及びＤＣとＡＣ電流をブロックするために付加される。しかしながら、Nazarathy に開示された回路は、入力周波数の各セットのために正しい位相または周波数依存を有していないかも知れず、実質的に大きさにおいて同じであり、非線形デバイスにより生成された歪みに対し符号が逆である。
【０００９】
本発明は従って、非線形デバイスにより生成される第２次及びそれ以上の次数の歪み生成物を減ずる低価格の前置歪み回路、及び周波数依存の第３次歪みを発生する回路を扱うものである。
【００１０】
（発明の概要）
このように、一つの実施形態によるこの発明の実際において、列をなした（in line）前置歪み回路がアナログ信号の伝達において歪みを減ずるために提供される。このように発生した歪み、または前置歪みは、信号が加えられる非線形変調デバイスに固有の第２またはより高い次数の相互変調積歪みに対し、大きさで実質的に等しくまた符号が反対となるよう調整される。前置歪み信号の実数成分(real component)は増幅器のような最初の装置により生成され、歪みの振幅にマッチさせるため非線形デバイスにより振幅を調整される。前置歪み信号の虚数成分(imaginary component)は、列をなしている電気的経路上の前置歪信号の実数成分と位相を異にした歪み信号の導入を通して調整される。実数及び虚数成分は、非線形デバイスの適用のため相互変調積歪みを含むただ一つの変調信号を生成するために結合される。列をなす前置歪み回路は、非線形伝達装置に固有の歪みを相殺することによって変調信号の伝達をほとんど線形化し、共通に用いられる低価格の要素で構成される。
【００１１】
別の実施形態では、前置歪み信号の実数成分は電圧制御抵抗として構成されたＦＥＴにより生成され、ＲＦ信号経路から接地接続される。別の実施の形態では、前置歪みの実数成分は、ＲＦ信号経路と直列に接続されたダイオードと抵抗の並列結合により生成される。これらのデバイスにより生成された前置歪みの大きさは、デバイスに供給されるＤＣバイアス電流を変化させることにより調整できる。
【００１２】
別の実施形態では、分離した前置歪み回路は周波数依存第３次歪みを発生させるために提供される。周波数依存第３次歪みは、リアクタンス回路要素と遅延を有する一対の逆並列ダイオードの組み合わせによって発生する。この回路によって生成される前置歪みの大きさは、ダイオードに供給されるＤＣバイアスを変化させることによって調整できる。
【００１３】
本発明の、列をなす（in-line)前置歪み発生器においては、異なるいくつかの歪み発生器要素からの歪み成果（contribution) を加算することによって、望みの実数および虚数歪み項を合成しうる。最も簡単なケースでは、１つの歪み器が一定の実数歪みを生成し、他の歪み器が周波数ｆ等に比例した歪みを生成する。ただし、最も簡単な歪み発生器のセットを備えることは本質的なことではない。独立したそのようなセットが提供される限りは、もっと込み入った歪み特性を持った２以上の歪み発生器を使用することができる。したがって、望みの歪み特性を得るためのさらなる「積木」型回路がここに記述される。
【００１４】
一例として、理想的には、主ＲＦ信号経路内で抵抗要素に並列接続されたショットキーダイオードが、一般的にはその間の電圧と同相であるところの歪みを生成する。他の例として、理想的には、そのＲＦ信号経路と接地との間に接続されたバラクターが相補的な歪みを生成し、この歪みは、周波数の関数であって、かつ、それに印加される電圧に対して９０度位相がずれている。基本成分を含む異なる２以上の、列をなす回路を構成することによって、広帯域信号の伝送用の大部分のデバイスが有する非線形特性を補償するに十分な歪みを生成することが可能である。
【００１５】
（詳細な説明）
前置歪みの概念は図６に要約的に示されている。入力信号Ｙo は前置歪みネットワーク４０に入力される。前置歪みネットワークは、既知の伝達関数４１を持った非線形の伝達装置の偏差と反対かつ逆に線形性からそれている非線形伝達関数を持っている。前置歪みネットワークからの信号Ｙ1 は、入力源信号Ｙo と前置歪みネットワーク４０における非線形伝達関数から生ずる前置歪みとの結合である。信号Ｙ1 は非線形伝達装置に供給され、該伝達装置により変調された後、信号Ｙ1 の前置歪みに逆方向に関連し、そして相殺される伝達装置の固有の歪みによって、実質的に線形の信号Ｙ2 として現われる。
【００１６】
代表的な非線形デバイスにより発生する歪みは、図７にグラフ的に示されている。グラフは歪みベクトル７０を構成するため結合される歪みの実数成分５０と虚数成分６０の極表示を示す。
従来の表記法を用いて信号
【００１７】
【数１】
0003688995.tif 000002
【００１８】
により定義される第２次の歪みを生じさせる。
歪みの実数成分、即ち、実数軸（０°位相角）に沿った歪み信号のベクトル成分はＡcos θである。歪みの虚数成分、即ち、虚数軸（９０°位相角）に沿った歪み信号のベクトル要素はＡsin θである。非線形デバイスからの線形化された出力を提供するため、非線形デバイスにおける歪みの実数及び虚数成分の両者は相殺される。これは非線形デバイスにより生成されたものと逆で反対に変化する実数及び虚数の歪み成分を加えることによってなされる。
【００１９】
図１を参照すると、本発明による代表的な列をなしている前置歪み回路において、入力信号源１２は列をなす電気経路１４に供給される。列をなす電気経路により、入力源信号は並列に接続された２つまたはそれ以上の分離した経路の間で分割され対立したただ１つの歪み生成経路を介して通ることを意味する。列をなした電気経路は直列に、主として実数歪み成分を発生する実数歪み成分発生器１６、主として虚数歪み成分を発生する虚数歪み成分発生器１８を含む。理想的には、非線形デバイスに加えられるこれらの発生器からの結合した歪みは、予め歪んだ入力源信号２２が加えられる非線形デバイス２０により生成される歪みに等しく、且つ反対である。実数歪み発生器はいくらかの虚成分を含んでもよく、虚数歪み発生器はいくらかの実数成分を有してもよい。これらは非線形デバイスの歪みにマッチさせるため、実数と虚数成分のベクトル和を形成する時に含められる。
【００２０】
図２は、順次、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）増幅器３０、ＣＡＴＶハイブリッド増幅器３２、ＲＦインバーター３４、及びレーザーのような非線形デバイスの前に位置するバラクター３６を含む実際の列をなす前置歪み発生回路の代表的な実施形態を描いたものである。列をなす経路の信号は最初主として前置歪みの実数成分を発生するためシングル・エンデッド増幅器、例えばＭＭＩＣ増幅器に供給される。ＭＭＩＣ増幅器はＲＦ回路設計に共通に用いられる低価格の構成要素である。ＭＭＩＣは低価格という利点を持っているが、類似の動作はハイブリッド集積回路として組み立てられた、または個別の要素から組み立てられた増幅器から得られる。ＭＭＩＣ増幅器の出力は増幅された入力基本周波数及び入力信号周波数の相互変調歪みを含む。主として第２二次相互変調積はＭＭＩＣ増幅器により生成される。
【００２１】
ＭＭＩＣ増幅器からの歪んだ出力の実数成分の振幅は、なるべく非線形伝達デバイスで予測される固有の歪みの実数成分の振幅に大きさでマッチするようにされる。しかしながら、ＭＭＩＣ増幅器は非線形レーザーの歪みに比例する歪み特性を示すために見出されたものであり、調整を必要とするかもしれない。ＭＭＩＣ増幅器からの歪みは、一般に等しい入力信号レベルで非線形レーザーにより生成される歪みより大きい。歪みの振幅をマッチさせるため、ＭＭＩＣからの出力信号レベルはレーザーへの入力信号レベルより低くなければならない。このことはＭＭＩＣとレーザーとの間にゲインブロックを用いることを必要とする。現在の信号レベルで動作する各成分を持つため、ＭＭＩＣの前に減衰器３８を介して減衰をすることもまた必要とされるかもしれない。
【００２２】
その低価格、同軸配線ネットワークにおける広い利用、及び関係する入力周波数に対する線形出力により、ＣＡＴＶハイブリッド増幅器３２はＭＭＩＣ増幅器の出力信号を高めるために適している。ＣＡＴＶ増幅器は並の信号レベルに対して無視できる歪みを生成する。高信号レベルにおいて、ＣＡＴＶ増幅器は歪みを示す。しかしながら、歪みが生ずる信号レベルは一般に典型的な非線形レーザーデバイスの変調のために関係するそれらより高いので問題はない。
【００２３】
減衰の量とＣＡＴＶ増幅器のゲインは、入力変調信号の歪み生成物を生成するため必要なら変化させることができる。ＭＭＩＣにおける歪みの大きさは入力信号の強さにより決定される。歪みは高い信号強度においてより大きくなる。このように、より大きい歪みが望ましいなら、入力信号は減衰を少なくし、ＣＡＴＶハイブリッド増幅器のゲインを減じてよい。同様に、ＭＭＩＣ増幅器とＣＡＴＶ増幅器のバイアスは歪みの相対的振幅を変化させるために調整することができる。ＭＭＩＣ増幅器をより安定に動作させることにより、入力信号が小さい場合より大きい歪みが得られる（信号強度に関し）。
【００２４】
ＣＡＴＶ増幅器により適切なレベルに調整された予め歪められた信号は、非線形デバイスにおける歪みの実数成分を相殺するために用いることができる信号を提供するため、必要ならＲＦインバーター３４で反転される。
前置歪み信号の虚数成分は、抵抗６８とダイオード７２が接続され接地された典型的な実施形態で構成されたバラクター３６による代表的な実施形態において主として発生する。バラクター（これは電圧で変化するキャパシタンスを持っている）は入力信号の周波数の二乗で増加し、基本信号と９０°位相を異にする調波の歪み生成物を生成する。バラクターが抵抗なしで用いられる時、発生した歪みは純粋に虚数であり、歪み信号の周波数に比例して振幅は増加する。抵抗を含めることは、抵抗の値を変化させることにより変化できる小さな実数成分を導入する。
【００２５】
バラクターにより作られた前置歪み信号の虚数成分は、外部ソースからバラクター入力７４への電圧を変化させることにより制御される。電圧が増加するに伴い、より高い逆バイアスの電圧でのキャパシタンスのより小さい変化のため、より低い歪みが生成される。低い電圧において、ダイオードはより大きい歪みを示す。振幅調整のように、バラクターでの調整は手動または自動ですることができる。バラクターを介した列をなす経路上の単純な正弦波を考えると、正弦波のピークはやがて前方にシフトし、谷は後方にシフトする。
【００２６】
それは主として実数歪み成分を発生するために用いられるが、ＭＭＩＣ増幅器は歪みのための種々のメカニズムを持つことができ、そのいくつかは周波数依存とすることができ、そしてそのいくつかは歪みの位相をシフトする。異なったメカニズムは異なったバイアス電圧で優れているかもしれない。バイアス入力７６、７８を通した増幅器へのバイアス電圧と入力７４でのバラクターへの入力電圧を変化させることにより、殆どの場合非線形デバイスを補償するため歪みは必要なだけ調整できる。
【００２７】
振幅、周波数及び位相の手動調整は通常数分以内で完了することがわかった。なすべきことは、非線形デバイスの出力における歪みを観察している間に適切な調整をすることである。調整は非線形デバイスの最終の歪みを最小にするために探ることである。最適の調整は前置歪み信号が非線形デバイスに固有の歪みと同じ大きさであり、前置歪みが正確にその歪みと１８０°位相が異なっている時である。この様な調節は、例えばフィードバック制御回路の使用によって自動的にすることができる。特定のデバイスの非線形特性が前もって知られているか測定できる場合、ＭＭＩＣ増幅器、ＣＡＴＶ増幅器及びバラクターのバイアス電圧は電気的により速く変えることが出来る。
【００２８】
列をなす電気経路上の前置歪み信号の実数及び虚数成分が一度設定されると、信号は信号の変調のため非線形伝達デバイスに出力される。
記載された代表的実施形態は非線形デバイスの適用の変形に役に立つが、いくつかの場合、より大きな線形性を必要とし、異なった又は追加の構成要素が列をなす経路に必要かもしれない。例えば、いくつかの場合、図２に示された回路は、帯域を横切る非線形デバイスの歪みに正確にマッチする位相を持った歪み生成物を生成しないかもしれない。図２に描かれたような回路の構成要素のバイアスを単に変化させることは、望まれる線形化を達成するためには十分でないかもしれない。図３に描かれたようなリアクタンス回路は、このような位相差を訂正するために用いることができる。図３の回路は、抵抗８２、インダクタ８４、及びキャパシタ８６を含むＬＲＣの組み合わせ８０により生ずる相対的にフラットな振幅応答と非線形位相応答を持っている。実質的により非線形位相応答を持った他のオールパス・フィルタ回路を用いることもできるが、いくぶん価格が高めになる。
【００２９】
列をなす前置歪みに対する単純なアプローチにおいて、前置歪み発生器(predistorter)は望む線形化信号を与えるために結合される信号を持った個々の構成ブロックを含んでいる。基本的構成ブロックは直列で、順方向へバイアスされたダイオード、トランジスタ、シングルエンデッド増幅器、ＣＡＴＶ増幅器、及びバラクターダイオードを分路する。これらのブロックは単なる歪み発生器要素として、または抵抗、キャパシタ、及びインダクタのようなパッシブ要素と組み合わせて用いられる。しかしながら、多くの場合、個々のブロックから正しい前置歪み信号を合成することは可能ではない。例えば、代表的な伝達デバイスは、半導体レーザーまたは出力信号により変調されるＬＥＤかもしれない。このようなデバイスの固有の歪みはしばしば周波数と独立してはいない。一般的に言って、歪みは高周波において本来より大きい。この様な場合、種々の要素の組み合わせまたは要素の基本的グループ、各々は段を形成している、は必要かもしれない。
【００３０】
１つまたはそれ以上のフィルタが、特定の適用のために列をなす前置歪み発生器の動作を適合させるため、ただ一つの段または段の間において用いることができる。例えば、非線形伝達デバイスの周波数依存歪みを調整するため、振幅調整ブロックの出力は周波数調整または図４に描かれているような「傾斜」(tilt)調整段内フィルタ１００に供給される。傾斜調整は、フィードバックループの可変抵抗器１０２とキャパシタ１０４のような可変フィルタ、または上昇傾斜(up-tilt) のための高周波での歪みの振幅を増大させる他の類似の手段である。同様にフィードバックは下降傾斜(down-tilt）のためのより高い周波数での歪みを減らすため段内フィルタにおいて用いることができる。振幅調整のように、この調整は手動または自動のどちらかですることができる。
【００３１】
前置歪み成分からの信号の周波数依存は、図５に描かれている段間(interstage)フィルタ１１０を介して補償することができる。この実施形態において、より高い周波数歪みが抵抗１１４とキャパシタ１１２を通り、それにより前置歪みの上昇傾斜を提供する。低周波歪み生成物より多くまたは少なく高周波歪生成物を通すことにより、傾斜調整は前置歪み信号が非線形デバイスの固有の歪み特性により正確に適合することを可能にする。
【００３２】
一般的に、振幅調整は帯域の低周波数端で生ずる歪みを補償するためになされる。周波数調整は帯域の高周波数端における歪みを補償するために上昇傾斜としてなされる。この同じ効果は、高周波端における振幅調整、及び信号の適切な減衰または増幅として低周波端の上昇傾斜または下降傾斜により達成される。
以上記載した実施形態のすべては、歪み発生器の各々が効果的に非線形デバイスまたは他の前置歪み成分と直列となって厳密に列をなしている。他の言葉で言えば、全部の基本的信号は前置歪み成分または複数の前置歪み成分により作動される。図において並列に構成要素を有している図４の実施形態でも、単に図５に描かれているように並列信号経路または直列信号経路に含めることができるフィルタに接続された歪み発生器を持っている。
【００３３】
いくつかの実施形態において、少なくとも部分的に並列の高価でない列をなす歪み成分を採用することは有利かもしれない。並列経路または並列の複数の経路で生成される歪みは付加的でありより大きな調節可能性を提供するかもしれない。複数の歪み発生器の代表的配列は図８に示されている。
この実施形態において、入力信号１２は多くの前置歪み構成要素Ａ、Ｂ、Ｃを回路に直列に有した列をなす電気経路に供給される。これらの歪み発生器は列をなす経路に含めることができるたくさんのこのような前置歪み構成要素を象徴しており、各々は選択された周波数範囲における歪みの実数と虚数成分を与えており、例えば、描かれている前置歪み回路から下方の非線形デバイスの歪みを相殺するために採用できる予め歪んだ出力信号を累積的に生成する。
【００３４】
いくつかの適用において、信号の一部分を取り出し、並列経路の追加の歪み発生器Ｄにそれを加えるため、信号経路にスプリッター４１を含めることは望ましいことかもしれない。並列経路には上記のようにフィルタ４３を含めることができる。遅延４４も２つの経路から結合された歪みが伝達デバイスの歪み特性に最もよくマッチさせるため並列経路（または、適当な主要経路）に含められる。
【００３５】
描かれた実施形態において、スプリッター４１とカプラー４６は列をなす経路のいくつかの歪み構成要素の間に配置される。これは単なる象徴であり、並列経路は他の歪み発生器と本質的にどの様な順序にも配置できる。
この様な実施形態において、歪み発生器Ｄを含む並列歪み経路は粗い補償調整として採用することが出来る。一般的に、傾斜調整することは同様に全く可能であるが、並列歪み経路における振幅調整のみがある。一般的に、フィルタと遅延は前置歪み回路に役立つことを期待される出力デバイスのほとんどにふさわしいように決めることができる。列をなす歪み構成要素Ａ、Ｂ、Ｃ、その他は優れた整列要素(alignment elements)として用いられる。
【００３６】
描かれているように、３つのこのような前置歪みデバイスは列をなしているが、しかしより多くまたはより少なくてもよく、それらは主要信号経路のどこに配置してもよい。適切な増幅器または減衰器を、列をなす歪み発生器の各々に最適のＲＦレベルを提供するため、信号経路に沿って間隔を置いて配置することもできる。並列経路は１より多い歪み構成要素を含めることができる。例えば、ＭＭＩＣ増幅器とバラクタの両者は歪みの実数及び虚数成分の両者を表すことができる。このような追加の歪み発生器の両者は１つの並列経路に、または１つより多い並列経路に設けることが出来る。
【００３７】
実数と虚数成分及び粗い前置歪みのための並列経路を有した列をなす歪みを持ったハイブリッド設計の利点は、バラクタとＭＭＩＣ増幅器が選択された出力デバイスのために最適の前置歪みを提供するため全く容易に自動的に調整されることである。このように、粗い前置歪みのための並列経路を有した列をなす前置歪み発生器は、第２及び第３次の前置歪み成分を発生するための並列経路を持ったより複雑な前置歪み発生器より、より経済的かつより容易に自動的な調整が可能であろう。
【００３８】
このような配列の別の利点は、歪み調整は基本的な信号に実質的に影響を与えずに並列経路においてなされるということである。不利な点は並列経路または複数の経路のために必要とされるスプリッターとカプラーである。追加の増幅器が並列経路における信号損失を補償するため必要とされるかもしれない。このような配列は価格、複雑さ、サイズ、及びパワーの消費を増やしたかもしれない。それゆえ、特殊な用途以外には望ましくないかもしれない。
【００３９】
純粋に列をなす前置歪み発生器の利点は、並列経路の信号が、信号が再結合したとき主回路の信号と同位相であることを保証する必要がないことである。さらに増幅器は通常、回路において用いられ、ＭＭＩＣ増幅器または同様のものは望みの前置歪みを生成するための必要な増幅器及び手段の両者として用いることができる。
【００４０】
本発明の精神と範囲から離れることなく多くの変形と修正が当業者にとって明らかであろう。例えばトランジスタまたはダイオードを含む多くの構成要素を歪み発生段を形成するために用いることができる。歪み段のどのグループも、非線形デバイスに望まれる前置歪みを提供するためフィルタ段で巧く処理することができる。
【００４１】
また、多くの異なったデバイスが列をなす前置歪みを発生させるために用いることができる。図９Ａ、９Ｂを参照すると、本発明の別の実施形態において、前置歪みの実数成分はＲＦ信号経路に接続されそして接地されている電圧制御抵抗として構成されたＦＥＴ１２０により生成される。同じ参照数字が図９Ａと９Ｂの同じ構成要素を示すために用いられている。図９Ａにおいて、ドレイン１２８で電圧が増加すると、ドレイン電流は増加する。ドレイン電流はドレイン電圧に線形的に比例していないが、ＦＥＴの非線形変化のため、そしてまたソース抵抗１３０を通して流れる変化するソース電流のため、ゲート−ソース電圧を変化させる。ドレイン電流はドレイン電圧の非線形関数であるので、ＲＦ挿入損失はＲＦ信号により変調され、前置歪みを引き起こす。前置歪みの量はＦＥＴを通してＤＣバイアス電流を変えることにより調整できる。一般に、差分抵抗（differential resistance)はバイアス電流の増加で増加する。結果として、ＲＦ信号の正の電圧の変動（positive voltage swing) は直ちに挿入損失を減少させる。
【００４２】
図９Ｂによると、この前置歪み回路はまた非線形抵抗として構成されたＦＥＴを含んでいるが、しかし、この構成においてＲＦ信号は非線形抵抗の反対端に加えられ、そのためＲＦ信号における正の電圧変動は直ちに挿入損失を増加させる。従って、図９Ｂの回路は図９Ａの回路により生成される歪みに対して符号が反対の歪みを生成する。
【００４３】
図９Ａまたは９Ｂにおいて、主として第２次歪みを発生させるために、ＲＦ信号レベルは十分低くなければならない。というのは、高次歪みは、ＲＦレベルの増大と共に、第２次歪みの場合よりも一層急速に増大するからである。回路要素に関して見ると、ＧａＡｓマイクロ波ＦＥＴが十分な結果を生み出すことがすでに分かっている。ゲートおよびソース抵抗の典型的な値はそれぞれ５０オームおよび１０〜３０オームであるが、その抵抗は、非線形デバイスにより生成される歪みを補償するのに適した前置歪みの実数成分を生み出すような値に選ばれる。そのバイアス電圧レンジで好ましいのは、約１Ｖ（高歪み）から５Ｖ（低歪み）である。図９Ａおよび９Ｂに示す各インダクタはバイアス用であって、これらはＲＦをブロックするのに十分な値（例えば２μＨ）を持たなければならない。これらの回路への一般的なＲＦ入力レベルは、ＣＡＴＶシステム用であると、２８ｄＢｍ／ｃｈである。
【００４４】
図１０Ａと１０Ｂの別の実施形態において、前置歪み信号の実数成分はＲＦ信号経路と直列に接続されたダイオード１４０（Ｄ１）と抵抗１４２（Ｒ１）の並列接続により生成される。同じ参照数字が同じ構成要素を示すために図１０Ａと１０Ｂにおいて用いられている。前置歪みの大きさはデバイスに供給されるＤＣバイアス電流を変えることにより調整できる。
【００４５】
図１０Ａと１０Ｂの抵抗Ｒ１は一般に回路の特性インピーダンスの一部分である。動作において、抵抗Ｒ１を流れるＲＦ電流によりダイオードにＲＦ電圧を生じさせる。
ダイオードの差分抵抗は、ダイオードのフォワード電圧が増加するとき減少する。このように、図１０Ａにおいて、ＲＦ信号の正の電圧変動は直ちに回路の挿入損失を減少させる。抵抗１４４（Ｒ２）と１５０（Ｒ３）はダイオードにバイアスを提供するために用いられる。キャパシタ１４６（Ｃ１）はＤＣブロッキングキャパシタである。図１０Ｂは第２次の歪みが反対の極性であることにおいてのみ図１０Ａと異なっており、図１０ＢにおいてＲＦ信号における正の電圧変動は直ちに回路の挿入損失を増加させる。
【００４６】
マイクロ波ショットキーダイオードは、図１０Ａおよび１０Ｂの回路において満足な結果を生み出すことが知られている。Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＣ１として典型的な値は、レーザー送信機を駆動する７５オームＣＡＴＶシステムにおいて、それぞれ、２０オーム、１００キロオーム、１００キロオームおよび０．０１μＦである。ただし、これらの値は、非線形デバイスの歪みの実数成分を補償するような値に選ばれなければならない。回路の入力への典型的なＲＦ信号レベルは３３ｄＢｍ／ｃｈａｎｎｅｌである。
【００４７】
図１１Ａと１１Ｂで、本発明による追加の回路が周波数依存前置歪みを発生させるため開示されている。図１１Ａと１１Ｂの実施形態は周波数依存第３次歪みを発生させるたものものである。これらの回路により発生される前置歪みは入力周波数と歪み周波数の関数として変化する。同じ参照数字が図１１Ａと１１Ｂの同じ部分を示すために用いられている。各回路は抵抗１６４（Ｒ１）と並列に、かつ信号経路１６５と直列に接続された一対のダイオード１６０と１６２の逆並列を含む。回路は回路に接続され挿入された１つまたはそれ以上のインダクタ１６６（Ｌ１）、キャパシタ１６８（Ｃ１）、または遅延線１７０の要素を含めてもよい。リアクタンス要素は周波数依存の回路により発生される前置歪みを引き起こす。これはいくつかの伝達装置及び増幅器を線形化するため回路の能力を改善するために見出された。
【００４８】
動作において、電流は各ダイオードにかかる電圧の非線形関数としてダイオードの各々を流れる。図１１Ａの回路において、インダクタ１６６（Ｌ１）の存在は、ダイオードにかかる電圧の位相を前置歪み発生器の出力１７４での信号の位相より進ませる。それはまた、出力での信号の位相を入力１７６での信号より遅らせる。そしてさらに、出力での前置歪み電圧を、ダイオードにおいて生成される非線形電流より進ませる。最終結果は、出力において前置歪みが信号より進む。この効果は高周波においてより大きくなり、そこではインダクタのインピーダンスはより大きい。同じ理由で、インダクタ（ダイオードにかかるトータル電圧降下を与える）にかかる電圧降下はより大きいので、前置歪みの大きさは高入力周波数でより大きい。
【００４９】
図１１Ｂにおいて、遅延線１７０は、一対のダイオードの他端に到達する入力信号を、一対のダイオードの一端に到達する信号に位相遅れさせる。そして他端の信号は直列抵抗１６４により減衰される。各ダイオードにかかる電圧は一対のダイオードの２つの端における信号間の差に等しいため、入力電圧に関しダイオードにかかる電圧の位相遅れは遅延線により生成される時間遅れを相当越える。加えて、そのほんの一部分が遅延線を介して戻るため、一対のダイオードにより生成される前置歪みは出力に到達するに際し更に遅れる。この回路において、遅延線を導入した最終の結果は、信号に係る前置歪みの位相を遅らせることである。遅延線により導入された遅延はこれらの周波数で周期のより大きい部分に対応するので、関連位相の遅れは高周波数でより大きい。加えて、これらの周波数において一対のダイオードの２つの端部における信号（増大する位相差を持っている）はより大きなベクトル差を持っており、一対のダイオードにより大きな電圧を引き起こすため、前置歪みの大きさはより高い周波数でより大きくなる。
【００５０】
図１１Ａおよび１１Ｂの回路において、マイクロ波ショットキーダイオードは、十分な性能を発揮することが知られている。レーザーを含むＣＡＴＶシステムにとって、一般的なバイアス電流の値は２０μＡのオーダである。抵抗Ｒ１、インダクタＬ１および遅延線１７０の一般的な値は、それぞれ、２０オーム、３ｎＨおよび０．１ｎｓｅｃである。抵抗Ｒ２およびＲ３は、ダイオードをバイアスするために用いられが、回路の特性インピーダンスに比べて大でなければならない。
【００５１】
記載された発明は特定の適用に限定されるものではない。例えば、レーザーまたは発光ダイオードを変調するＴＶ信号との関連で記載され、描かれているが、増幅器のような他の非線形デバイスは固有の歪みをこの技術によってほとんど相殺される。また、列をなす歪み相殺の同じ原理は、例えば受信機に用いることができる。この場合、歪みデバイスは非線形デバイスの下側に設けることが出来る。このような変形のため、本発明は明記されたもの以外も実行できる。
【００５２】
一般に、非線形デバイスの歪みは次式により特徴付けられる。
第２次歪み
実数ＣＳＯ＝Ａ0＋Ａ1ｆ＋Ａ2ｆ2＋Ａ3ｆ3 ...  Ａnｆn   （４）
虚数ＣＳＯ＝Ｂ0＋Ｂ1ｆ＋Ｂ2ｆ2＋Ｂ3ｆ3 ...  Ｂnｆn   （５）
第３次歪み
実数ＣＴＢ＝Ｃ0＋Ｃ1ｆ＋Ｃ2ｆ2＋Ｃ3ｆ3 ...  Ｃnｆn   （６）
虚数ＣＴＢ＝Ｄ0＋Ｄ1ｆ＋Ｄ2ｆ2＋Ｄ3ｆ3 ...  Ｄnｆn   （７）
ここに、ＣＳＯは、Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  Ｓｅｃｏｎｄ  Ｏｒｄｅｒを略したものであり、ＣＴＢは、Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  Ｔｒｉｐｌｅ  Ｂｅａｔを略したものである。
【００５３】
マルチチャネルビデオのような広帯域信号の転送に用いる多くのデバイスにおいては、非線形特性は、例えばＡ0，Ａ1，Ｂ1，Ｃ0およびＤ1のようなシリーズにおける少しの歪み項にのみにマッチングすることで、十分に補償される。
本発明の、列をなす（in-line）前置歪み発生器においては、異なるいくつかの歪み発生器要素からの歪み成果（contribution） を加算することによって、所望の実数および虚数歪み項を合成しうる。最も簡単なケースでは、１つの歪み発生器が一定の実数歪みを生成し、他の歪み発生器が周波数ｆ等に比例した歪みを生成する。ただし、最も簡単な歪み発生器のセットを備えることは本質的なことではない。独立したそのようなセットが提供される限りは、もっと込み入った歪み特性を持った２以上の歪み発生器を使用することができる。
【００５４】
一例によれば、適切な歪み補償のために係数Ａ0，Ａ1およびＢ1のみが必要とされる場合、必要な歪みは３つの歪み発生器要素をもって生成できる。これらは下記の特性を持つ。
歪み１：
実数第２次歪み＝ｋ1（Ａ01＋Ａ11ｆ）      （８）
虚数第２次歪み＝ｋ1Ｂ11ｆ                （９）
歪み２：
実数第２次歪み＝ｋ2（Ａ02＋Ａ12ｆ）      （１０）
虚数第２次歪み＝ｋ2Ｂ12ｆ                （１１）
歪み３：
実数第２次歪み＝ｋ3（Ａ03＋Ａ13ｆ）      （１２）
虚数第２次歪み＝ｋ3Ｂ13ｆ                （１３）
各歪み発生器は、調整可能なスケール係数（scaling factor） を有しており、係数（Ａ0i，Ａ1j，Ｂ1j）のセットにより特徴付けられる。これらの係数ベクトルは線形的に独立であって、該歪み発生器は独立のセットを形成し、この独立のセットはこれら３つの係数で規定される任意の歪み特性を合成するために用いることができる。
【００５５】
同様の理由付けは、もっと複雑な歪み特性にまで拡張可能である。ｎ個の非ゼロ係数を持った任意の歪み特性を合成するために、独立の歪み特性を有するｎ個の歪み発生器を用いるのが好ましい。
図１２〜２１は列をなす前置歪み発生器回路を例示する。これらの回路は、列をなす要素の組み合わせを用いて所望の前置歪みを生成するための「積木」として用いることができる。図１２〜１６の回路は主として第２次歪みの生成のためのものであり、図１７〜２１の回路は主として第３次歪みの生成のためのものである。これらの回路は２つの別々のクラスに入る。１つは、基本歪み生成部としてのショットキーダイオードを含み、他は基本歪み生成部としてのバラクターダイオードを含む。
【００５６】
理想的には、主ＲＦ信号経路内の抵抗要素に並列接続するショットキーダイオードは、歪みを出力し、この歪みは一般的にその両端間の電圧と同相である。また理想的には、ＲＦ信号経路と接地間に接続されるバラクターは、相補歪み（complementary distortion) 生成し、この相補歪みは、周波数の関数として変化すると共に、それに印加される電圧と９０度位相がずれている。基本部分を含む異なる列をなす回路を構成することによって、広帯域信号の伝送に用いる多くのデバイスの非線形特性を補償するのに十分な歪みを生成することができる。
【００５７】
図１２を参照すると、列をなす回路２００は、前記式（４）での係数Ａ0が非ゼロであるようなケースにおいて、主として一定（周波数に対し独立の）の実数の第２次歪みを生成する。回路は、ショットキーダイオード２０２と、ＲＦ信号経路２０６を通して並列接続される抵抗２０４とを含む。動作において、抵抗およびダイオードの両端間の電圧は、ＲＦ信号が変化するのにともなって変化する。電圧が増大すると、ダイオードは導通し始め、抵抗およびダイオードの合成抵抗は低下する。対応の損失は低減し、実数の第２次歪みがＲＦ信号と同相で生成される。
【００５８】
図１２Ａの回路は図１２の回路の変形で、これらの間の主たる相違は、図１２Ａではショットキーダイオード２０２に第２のショットキーダイオードが組み入れられていることである。実際には、所望の歪みは、ダイオードでの信号レベルに依存することが知られている。７５オームの負荷を想定したとき、次のことが知られている。すなわち、望ましい歪みは、約０ボルト（これより低いとダイオードはオープン回路となる）と１ボルト（これより高いとダイオードは短絡回路となる）の間で達成される。特に、約０．２〜０．３ボルト近傍でダイオードはターンオンし始める。ダイオードの両端間の信号レベルを調整するために、抵抗２０４を変更可能である。ただしその抵抗２０４がある値を下回ると、増大する直列インダクタンスにより、回路の性能に不利な影響を与える。２つの直列ダイオードを用いれば、抵抗の値は２倍にできる。なぜなら、信号は２つのダイオードを通して分岐されるからである。当業者には、回路での信号レベルと所望の歪みに応じて、下記の回路のいずれかにおいて複数のダイオードを含む追加の構成を使用する事が可能であることが理解されよう。
【００５９】
前記式（４）および（５）でそれぞれＡ0およびＢ1が非ゼロであるような状況において（すなわち実数の一定の成分と、周波数で変化する虚数成分がある）、図１３または１４の列をなす回路が使用できる。図１３において、回路２１０は、ＲＦ信号経路に沿って並列接続されたショットキーダイオード２１２、抵抗２１４およびキャパシタ２１６を含む。該キャパシタは、並列経路上の信号を遅延させ、これにより、ショットキーダイオードの両端間の電圧は、主ＲＦ信号に対して遅延する。ショットキーダイオードは、その両端間の電圧に対して同相の歪みを出力するので、該回路は、該主ＲＦ信号に対して位相のずれた歪みを出力する。従って、その結果としての歪みは、実数および虚数部分を含み、実数部分はＡ  ｃｏｓｉｎｅ  ωＴに等しく、虚数部分はＡ  ｓｉｎｅ  ωＴに等しい。実数および虚数部分の量は、周波数に依存し、虚数の歪みは周波数の増加と共に増大する。
【００６０】
図１４の列をなす回路２２０は、該ＲＦ信号経路に沿って並列接続のショットキーダイオード２２２および抵抗２２４を含み、該抵抗と直列の時間遅延２２８を備える。該時間遅延は、例えば接続点２３０を抵抗から離れて信号経路がより長くなるような位置に設けることにより、実現可能である。該回路は、図１３の回路と同様の実数および虚数の歪みを生成する。
【００６１】
前記式（５）のＢ1が非ゼロであるようなケースにおいて、主として虚数の第２次歪みを出力するために、図１５の列をなす回路２３８は、信号経路と接地間に接続されるバラクター２４０を含む。このバラクターは、ＲＦ信号に対して理想的には９０度位相のずれた歪みを出力する。
Ａ0およびＢ1が非ゼロであるようなケースにおいて、主として実数および虚数の歪みを生成するために、図１６の回路２４８は、主信号経路２５４と接地２５６間に、バラクター２５２と直列接続の抵抗２５０を有する。該抵抗を導入することにより、該バラクターの両端間に印加される信号は、ＲＦ信号に対して位相ずれを起こさせる。従って、該回路は純粋に虚数の歪みからはずれた歪みを出力し、該歪みは虚数と実数の双方の部分を含む。
【００６２】
第３次歪みを生成するための列をなす回路が、図１７〜２１に例示される。各該回路は、好ましくは、ショットキー形もしくはバラクター形の、少なくとも一対の逆並列ダイオードを含む。動作において、単一のショットキーまたはバラクターダイオードが主として第２次歪みと第３次歪みのより低いレベルを生成する。ダイオードの２つの逆極性により、同一の第３次歪みと相互に符号が反対の第２次歪みを生成する。従って、２以上のダイオードを逆並列構成にすることで、第２次歪みは相殺し、単一のダイオードで２倍の量の第３次歪みが生成される。第２次歪みを生成する単一のダイオードのケースと同様に、ショットキーダイオード対は理想的に実数（同相）の第３次歪みを生成し、バラクター対は、それに印加される電圧に対し理想的に９０度位相のずれた虚数の第３次歪みを出力する。
【００６３】
図１７の回路２６０は、前記式（６）におけるＣ0が非ゼロであるようなケースにおいて、主として実数の一定の第３次歪みを出力する。該回路は、ＲＦ信号経路２７６に沿って並列接続の抵抗２７０と一対の逆並列ショットキーダイオード２７２および２７４を含む。該逆並列ショットキーダイオードは第３次歪みを生成し、該第３次歪みはこれら両端間の電圧に対して同相であり、またこの場合、実質的にＲＦ信号と同相である。
【００６４】
図１８の回路２７８は、前記式（６）および（７）のそれぞれにおける係数Ｃ0およびＤ1が非ゼロであるようなケースにおいて、第３次歪みの実数および虚数の両成分を出力する。該回路は、ＲＦ信号経路に沿って並列接続の抵抗２８０、逆並列ショットキーダイオード２８２、２８４およびキャパシタ２８６を含む。図１３の第２次歪み回路と同様に、キャパシタはダイオードを通過する信号に遅延を与えようとする。従って、該回路は第３次歪みを生成し、この第３次歪みはＲＦ信号に対して位相がずれる。
【００６５】
図１９の回路２９０もまた、前記式（６）および（７）のそれぞれにおける係数Ｃ0およびＤ1が非ゼロであるようなケースにおいて、第３次歪みの実数および虚数の両成分を出力する。該回路は、ＲＦ信号経路２９８に沿って並列接続の抵抗２９２、逆並列接続のダイオード２９４、２９６を含み、かつ、該抵抗に直列接続の時間遅延３００を有する。図１７の回路と同様、時間遅延はショットキー対によって生成される歪みがＲＦ信号に対して位相がずれるように作用し、かくして第３次歪みの実数および虚数の両成分を生成する。
【００６６】
図２０の回路３０２は、前記式（７）におけるＤ1が非ゼロであるようなケースにおいて、理想的に虚数の歪みを生成する。この列をなす回路は、ＲＦ信号経路３０８と接地３１０の間に接続される一対の逆方向バラクターダイオード３０４、３０６を含む。また、逆並列バラクターダイオードは、第３次歪みを生成し、この第３次歪みはＲＦ信号に対して約９０度位相がずれる。これにより、主として虚数の歪みを生成する。
【００６７】
図２１の回路３１２は、前記式（６）および（７）のそれぞれにおける係数Ｃ1およびＤ1が非ゼロであるようなケースにおいて、第３次歪みの実数および虚数の両成分を生成する。該回路は、主信号経路３１６に接続された抵抗３１４と、接地３２２に接続された２つの相互に逆方向のバラクターダイオード３１８、３２０を含む。図１１の回路と同様、抵抗は、バラクターを通過する信号の位相を変更し、主信号経路上のＲＦ信号に対して位相をずらす。従って、該回路は第３次歪みを出力し、該第３次歪みは主信号経路上の信号に対して位相がずれる。
【００６８】
図１２〜２１の列をなす回路は、それ単独で使用することも、特定の非線形デバイスについて所望の歪みを生成すべく直列に組み合わせる使用することもできる。理想的には、最も単純に所望の実数および虚数の歪みを得る方法は、基本的な図１２および１５のショットキーおよびバラクターダイオード回路を用いることである。ただし実際には図１２のショットキーダイオードは純粋に実数の歪みは出力せず、その代わり、主信号に対して進みのまたは遅れの歪みを出力する、すなわちいくらかの虚数成分を含む。従って、実際上は、図１３および１４の回路が現状では好ましい。なぜなら、キャパシタ２１６（図１３）および／または時間遅延２２８（図１４）を、いかなる非所望の虚数成分も本質的に調整するために、使用できるからである。
【００６９】
図２２を参照すると、第２次歪み発生回路により生成される非所望の第３次歪みを相殺するための回路が示される。該回路は、副線形（sublinear）ＣＳＯおよび圧縮力のある（compressive）ＣＴＢを出力するための第１の区分３２４と、副線形（sublinear）ＣＳＯおよび拡張力のある（expansive）ＣＴＢを出力するための第２の区分３２５とを含む。該第１の区分は、ＲＦ信号経路３３１と接地との間に接続される抵抗（Ｒ１）３２６と一対のショットキーダイオード３２８、３３０とを含む。ＲＦ信号が低下するとき、ダイオードはターンオフし、該区分はハイインピーダンスに見える。ＲＦ信号が増大するとき、ダイオードはターンオンし、ＲＦ減衰が増大し、この結果、大部分のＣＳＯといくらかのＣＴＢとなる。第２の区分３２５は図１２Ａの回路と類似であり、抵抗（Ｒ２）３３６と並列接続をなす、第１および第２の直列接続のショットキーダイオード３３２、３３４を含む。これら区分内での各部を適切に選択することで、ある固定の量のＣＴＢまで低減させる。この量は、上記区分のいずれかで独立的に出力されるであろうＣＴＢよりも少ない。ＣＳＯの符号は、該回路内のダイオードの方向を逆にすることで変え得ることは知られている。
【００７０】
当業者であれば、本発明の範囲を逸脱することなく、上記の回路に種々変更が可能である。例えば、上記の回路のいくつかを組み合わせて効果的な列をなす回路の「積木」を提供できる。またいくつかの公知のバイアス要素も適切な動作のために含ませることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による列をなした前置歪み回路の一般的な特徴を示すブロックダイアグラムである。
【図２】  列をなした前置歪み回路の実施形態を示すブロックダイアグラムである。
【図３】  図２の列をなした前置歪み回路の別の実施形態のブロックダイアグラムである。
【図４】  前置歪み回路に採用された段内(intrastage)フィルタの概略図である。
【図５】  前置歪み回路に採用された段内フィルタの概略図である。
【図６】  変調された信号の波形上の前置歪み効果の図である。
【図７】  歪みの実数及び虚数ベクトル成分の図である。
【図８】  ハイブリッド前置歪み回路の概略図である。
【図９Ａ】  前置歪みの実数成分を主に生成するため電圧制御抵抗として構成されたＦＥＴを含む回路の概略図である。
【図９Ｂ】  図９Ａの回路の別の実施形態である。
【図１０Ａ】  前置歪みの実数成分を主に生成するためのダイオードと抵抗の並列結合を含む回路の概略図である。
【図１０Ｂ】  図１０Ａの回路の別の実施形態である。
【図１１Ａ】  周波数依存第３次歪みを発生させるための回路の概略図である。
【図１１Ｂ】  図１１Ａの第３次歪み回路の別の実施形態である。
【図１２】  主として第２次歪みを生成する回路を示す図である。
【図１２Ａ】  主として第２次歪みを生成する回路を示す図である。
【図１３】  主として第２次歪みを生成する回路を示す図である。
【図１４】  主として第２次歪みを生成する回路を示す図である。
【図１５】  主として第２次歪みを生成する回路を示す図である。
【図１６】  主として第２次歪みを生成する回路を示す図である。
【図１７】  主として第３次歪みを生成する回路を示す図である。
【図１８】  主として第３次歪みを生成する回路を示す図である。
【図１９】  主として第３次歪みを生成する回路を示す図である。
【図２０】  主として第３次歪みを生成する回路を示す図である。
【図２１】  主として第３次歪みを生成する回路を示す図である。
【図２２】  第２次歪み発生回路により生成された非所望の第３次歪みを実質的に相殺する回路を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１２Ａ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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