(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜光電変換装置の製造方法であって、
透光性基板上に、非晶質シリコン，非晶質シリコン合金，微結晶シリコン，および多結晶シリコンから選択された１つからなるレーザ光吸収層と背面金属電極層とを少なくとも含むようにこの順序で積層するステップと、
前記透光性基板を介してレーザビームを前記レーザ光吸収層に照射することによって、前記レーザ光吸収層のみならず前記背面金属電極層を同時に所定のパターンで切断するステップと、
その後に半導体接合を含む半導体光電変換層と透明電極層とを少なくとも含むようにこの順序で積層し、このときにこれらの層を所定の複数の光電変換セル領域に分割するとともにそれらの複数の光電変換セルを電気的に直列接続するステップを含むことを特徴とする薄膜光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
透光性基板上に順次積層されたレーザ光吸収層，背面金属電極層，半導体接合を含む半導体光電変換層，および前面透明電極層を少なくとも含み、前記レーザ光吸収層は、非晶質シリコン，非晶質シリコン合金，微結晶シリコン，および多結晶シリコンから選択された１つからなり、これらの層の各々はレーザビーム照射によって所定の複数の光電変換セル領域に分割されており、かつそれらの複数の光電変換セルが電気的に直列に接続されていることを特徴とする薄膜光電変換装置。
【請求項３】
前記透光性基板はソーダライムガラスであることを特徴とする請求項２に記載の薄膜光電変換装置。
【請求項４】
前記半導体光電変換層は積層された複数の部分的半導体層を含み、前記部分的半導体層の少なくとも１つは非晶質シリコン，非晶質シリコン合金，微結晶シリコン，および多結晶シリコンから選択された１つからなることを特徴とする請求項２または３に記載の薄膜光電変換装置。
【請求項５】
前記レーザ光吸収層は５〜５００ｎｍの範囲内の厚さを有していることを特徴とする請求項２から４のいずれかの項に記載の薄膜光電変換装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜光電変換装置に関し、特に、基板上に形成された半導体光電変換層が複数の光電変換セルに分割されていて、それらの複数のセルが電気的に直列に接続された集積型薄膜光電変換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１９から図２４は、従来の集積型薄膜光電変換装置の製造工程の一例を模式的な断面図で図解している。
【０００３】
まず図１９に示されているように、基板１上に絶縁層２および背面金属電極層３が順次積層される。基板１の材料としては、金属，耐熱性樹脂，またはガラスなどを用いることができる。図１９においては、基板１の材質が金属である場合が示されており、金属基板１と背面金属電極層３とを絶縁分離するために絶縁層２が必要とされる。
【０００４】
図２０において、背面金属電極層３は、レーザビームＬＢによって形成された複数の分割線溝Ｄ１によって複数の背面金属電極領域に分割される。これら複数の分割線溝Ｄ１は互いに平行であって、図面の紙面に直交する方向に延びている。
【０００５】
図２１において、分割された複数の背面金属電極領域３および複数の分割線溝Ｄ１を覆うように、半導体光電変換層４が堆積される。半導体光電変換層４は、その主面に平行な半導体接合（図示せず）を含んでいる。
【０００６】
図２２において、半導体光電変換層４は、レーザビームＬＢによって形成された複数の第２の分割線溝Ｄ２によって複数の半導体光電変換セル領域に分割される。これらの第２の分割線溝Ｄ２の各々は、第１分割線溝Ｄ１に対して近接しかつ平行に延びている。
【０００７】
図２３において、分割された複数の半導体光電変換セル領域４および複数の第２の分割線溝Ｄ２を覆うように、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）の前面透明電極層５が堆積される。
【０００８】
図２４において、前面透明電極層５は、レーザビームＬＢによって形成された第３の複数の分割線溝Ｄ３によって複数の前面透明電極領域に分割される。これらの第３の分割線溝Ｄ３の各々は、第２分割線溝Ｄ２に対して近接しかつ平行に延びている。
【０００９】
こうして、１つの基板１上に複数の細長い帯状の薄膜光電変換セルが形成され、１つのセルの前面透明電極５は、第２の分割線溝Ｄ２に沿って、隣接するセルの背面金属電極３に接続されている。すなわち、図２４の例では、４つの帯状のセルが電気的に互いに直列に接続されている。なお、図２４においては図面の明瞭化のために１つの基板上に４つの光電変換セルのみが示されているが、通常はさらに多くの光電変換セルが形成される。また、図面の明瞭化のために、各薄膜層の厚さは適宜拡大されて図示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
図１９から図２４を参照して説明された製造工程から理解されるであろうように、集積型薄膜光電変換装置においては、レーザビームによる加工技術が該光電変換装置の生産性や光電変換性能に重要な影響を及ぼす。このレーザビーム加工技術において、レーザ光を吸収しやすい半導体層を複数の領域に分離加工することは容易であるが、レーザ光を反射する金属層やレーザ光を透過するＴＣＯ層を単独で分離加工することは困難である。
【００１１】
図１９から図２４に示された工程に関連してさらに具体的に説明すれば、図２２に示されているように、レーザ光を吸収しやすい半導体光電変換層４をレーザビームＬＢによって複数の領域に分割することは容易である。また、図２４に示されているように、前面透明電極層５はそれ単独ではレーザ加工することは困難であるが、その下層にレーザ光を吸収しやすい半導体層４が存在する場合には、その半導体層４からの発熱をも利用して比較的容易に分離加工することができる。
【００１２】
しかし、図２０に示されているように背面金属電極層３をレーザビームＬＢで直接的に分離加工する場合、レーザビームＬＢの多くの部分がその金属層３で反射されるので、レーザビームＬＢが大きなエネルギを有する必要があり、その分離加工は容易ではない。また、そのような高エネルギのレーザビームＬＢは、金属層３の切断後に基板までダメージを与えることもある。さらに、金属層３の分離が局所的に不完全となって、隣接する光電変換セル間に電流リークが生じて光電変換性能の低下をきたすこともある。
【００１３】
このような金属層のレーザ加工の困難性に鑑みて、レーザパターニング以外の化学エッチングやリフトオフ法等が用いられる場合も多く、その場合には、工程の複雑化，分離精度の低下，さらには製造コストの上昇などを招くことになる。
【００１４】
以上のような先行技術における課題に鑑み、本発明は、構成薄膜層の必要な分離加工のすべてをレーザパターニングによって生産性よく行なうことができかつ光電変換特性の優れた積層型薄膜光電変換装置を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の１つの態様による薄膜光電変換装置の製造方法は、透光性基板上に、非晶質シリコン，非晶質シリコン合金，微結晶シリコン，および多結晶シリコンから選択された１つからなるレーザ光吸収層と背面金属電極層とを少なくとも含むようにこの順序で堆積するステップと、透光性基板を介してレーザビームをレーザ光吸収層に照射することによってそのレーザ光吸収層のみならず背面金属電極層を同時に所定のパターンで切断するステップと、その後に半導体接合を含む半導体光電変換層と透明電極層とを少なくとも含むようにこの順序で積層し、このときにこれらの層を所定の複数の光電変換セル領域に分割するとともにそれらの複数の光電変換セルを電気的に直列接続するステップを含むことを特徴としている。
【００１６】
本発明のもう１つの態様による薄膜光電変換装置は、透光性基板上に順次積層されたレーザ光吸収層，背面金属電極層，半導体接合を含む半導体光電変換層，および前面透明電極層を少なくとも含み、前記レーザ光吸収層は、非晶質シリコン，非晶質シリコン合金，微結晶シリコン，および多結晶シリコンから選択された１つからなり、これらの層の各々はレーザビーム照射によって所定の複数の光電変換セル領域に分割されており、かつそれらの複数の光電変換セルが電気的に直列に接続されていることを特徴としている。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１から図６において、本発明の実施の形態の一例による薄膜光電変換装置の製造工程が模式的な断面図で図解されている。
【００１８】
まず、図１において、ガラス等の透光性基板１１上にレーザ光吸収層１２と背面金属電極層１３が順次積層される。このレーザ光吸収層１２はたとえば非晶質シリコン、非晶質シリコン合金、微結晶シリコン、および多結晶シリコンのいずれかからなる半導体で形成することができ、背面金属電極層はたとえばＡｇを用いて形成することができる。
【００１９】
図２において、レーザ光吸収層１２と背面金属電極層３は、レーザビームＬＢによって形成された複数の分割線溝Ｄ１によって複数の領域に分割される。このとき、レーザビームＬＢは透明基板１１を介してレーザ光吸収層１２側から照射されるので、レーザビームＬＢは金属層１３によって反射されることなくレーザ光吸収層１２に吸収されて発熱を生じる。そして、レーザ光吸収層１２から生じた熱をも利用して、金属層１３が比較的容易に切断され得る。このように形成された複数の分割線溝Ｄ１は互いに平行であって、図面の紙面に直交する方向に延びている。
【００２０】
図３において、分割された複数の背面金属電極領域１３および複数の分割線溝Ｄ１を覆うように、半導体光電変換層１４が堆積される。この半導体光電変換層１４は、その主面に平行な半導体接合（図示せず）を含んでいる。
【００２１】
図４において、半導体光電変換層１４は、レーザビームＬＢによって直接パターニングされ、第２の複数の分割線溝Ｄ２によって複数の半導体光電変換セル領域に分割される。このとき、半導体光電変換層１４はレーザ光をよく吸収するので、レーザビームＬＢによって容易に切断加工され得る。これらの第２の分割線溝Ｄ２の各々は、第１分割線溝Ｄ１に対して近接しかつ平行に延びている。
【００２２】
図５において、分割された複数の半導体光電変換セル領域１４および第２の複数の分割線溝Ｄ２を覆うように、ＴＣＯの前面透明電極層１５が堆積される。
【００２３】
図６において、前面透明電極層１５は、レーザビームＬＢによって形成される第３の複数の分割線溝Ｄ３によって複数の前面透明電極領域に分割される。このとき、透明電極層５を透過したレーザビームＬＢは半導体光電変換層１４によって吸収されて発熱を生じるので、透明電極層１５は半導体層１４からの発熱をも利用して比較的容易に切断加工され得る。このように形成された第３の分割線溝Ｄ３の各々は、第２分割線溝Ｄ２に対して近接しかつ平行に延びている。
【００２４】
こうして、１つの基板上に複数の細長い帯状の薄膜光電変換セルが形成され、１つのセルの前面透明電極１５は、第２の分割線溝Ｄ２に沿って、隣接するセルの背面金属電極３に接続されている。すなわち、図６の例では、４つの帯状のセルが電気的に互いに直列に接続されている。なお、図６においては図面の明瞭化のために１つの基板上に４つの光電変換セルのみが示されているが、通常はさらに多くの光電変換セルが形成される。また、図面の明瞭化のために、各薄膜層の厚さは適宜拡大されて図示されている。
【００２５】
以上のように、本発明の実施の形態の一例による薄膜光電変換装置においては、背面金属電極層１３の下層にレーザ光吸収層１２を備えているので、透明基板１１を通してそのレーザ光吸収層１２と金属層１３をレーザビームＬＢで同時に加熱することによって、金属層１３を比較的容易に高精度でパターニングすることができる。したがって、本発明によれば生産性が高くかつ光電変換特性の優れた積層型薄膜光電変換装置を提供することができる。
【００２６】
以下において、本発明による薄膜光電変換装置のより具体的な実施例について説明する。
【００２７】
（実施例１）
図７から図１２において、本発明のさらに具体的な一実施例による薄膜光電変換装置の製造工程が模式的な断面図で図解されている。
【００２８】
まず、図７において、１２．７ｃｍ×１２．７ｃｍの面積を有する正方形のソーダライムガラス基板１１上に透明な酸化錫層１１ａ，レーザ光吸収層１２，背面金属電極層１３，およびＺｎＯ層１３ａが順次積層された。
【００２９】
酸化錫層１１ａは、熱ＣＶＤ法によって約８００ｎｍの厚さに堆積された。このような酸化錫層は、微細な凹凸を含む表面テクスチャー構造を有し、その表面テクスチャー構造を背面金属電極層１２の表面に伝えてその金属表面での光の乱反射によって半導体光電変換層内での光の吸収効率を高めるために好ましくは設けられるものであるが、本発明において必ずしも不可欠なものではない。
【００３０】
レーザ光吸収層１２としては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層がプラズマＣＶＤ法によって約１００ｎｍの厚さに堆積された。このときのプラズマＣＶＤ条件においては、基板温度が２５０℃；ＳｉＨ4 ガスの流量が５０ｓｃｃｍ；反応室の圧力が０．５Ｔｏｒｒ；そして、周波数が１３．５６ＭＨｚで２５Ｗの高周波電力が与えられた。なお、レーザ光吸収層１２の厚さは、一般には５〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０〜１００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３１】
背面金属電極層１３としては、マグネトロンスパッタリング装置を用いて、約２００ｎｍの厚さのＡｇ層が堆積された。このとき、Ａｇをターゲットとするスパッタリング条件としては、約２ｍＴｏｒｒの圧力のアルゴンガス中で２００Ｗの直流放電パワーが用いられた。そしてＺｎＯ層１３ａは、金属電極層１３の光反射率を高めるために、別のマグネトロンスパッタリング装置を用いて約１００ｎｍの厚さに堆積された。このＺｎＯ層１３ａの形成時のスパッタリング条件は、Ａｇ層１２の形成の場合と同様であった。ここでも、ＺｎＯ層１３ａは金属層１３の反射率を高めるために好ましくは設けられるが、本発明において不可欠なものではない。
【００３２】
図８において、スパッタリング反応室から取出された基板はＸ−Ｙテーブル上にセットされ、ＱスイッチＹＡＧレーザを用いて複数の分割線溝Ｄ１を形成することによって、酸化錫層１１ａ，レーザ光吸収層１２，背面金属電極層１３，およびＺｎＯ層１３ａの積層が複数の領域に分割された。レーザの運転条件としては、５３２ｎｍの波長の第２高調波を用い；パルス周波数は３ｋＨｚであり；パルス幅は１０ｎｓｅｃであり；そして平均出力は２００ｍＷであった。
【００３３】
レーザビームＬＢは透明ガラス基板１１および透明酸化錫層１１ａを通してレーザ光吸収層１２によって効率的に吸収されて発熱を生じるので、金属層１３やＺｎＯ層１３ａをも比較的容易に同時に分離加工することができる。形成された分割線溝Ｄ１の幅は約７０μｍであり、分割された帯状のストリングの幅は約５ｍｍであった。なお、図８において分割線溝Ｄ１は酸化錫層１１ａをも完全に分離するように示されているが、酸化錫層１１ａは必ずしも完全に分離加工される必要はない。
【００３４】
図９において、分割されたＺｎＯ層１３ａおよび分割線溝Ｄ１を覆うように、半導体光電変換層１４がプラズマＣＶＤ装置を用いて堆積された。その半導体光電変換層１４は、順次積層された約２０ｎｍ厚さのｎ型微結晶Ｓｉ層，約４５０ｎｍ厚さのｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ（Ｈを含むａ−Ｓｉ）層，および約１５ｎｍ厚さのｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ（Ｈを含むａ−ＳｉＣ）層を含んでいる（これらの部分的半導体層は個別的には図示されていない）。すなわち、半導体光電変換層１４は、その主面に平行なｎｉｐ接合を含んでいる。これらの部分的半導体層は、いずれも２５０℃の基板温度の下に堆積された。しかし、ｎ型微結晶Ｓｉ層のプラズマＣＶＤ条件においては、ＳｉＨ4 の流量が１０ｓｃｃｍであり；１０００ｐｐｍに水素希釈されたＰＨ3 を２００ｓｃｃｍだけ混入し；全ガス圧は１Ｔｏｒｒであり；そして１３．５６ＭＨｚの周波数で５００Ｗの高周波電力が投入された。ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層のプラズマＣＶＤ条件においては、ＳｉＨ4 の流量が５０ｓｃｃｍであり；ガス圧は０．５Ｔｏｒｒであり；そして投入された高周波電力は５０Ｗであった。ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ層のプラズマＣＶＤ条件においては、ＳｉＨ4 の流量が１０ｓｃｃｍであり；１０００ｐｐｍに水素希釈されたＢ2 Ｈ6 を２００ｓｃｃｍだけ混入し；ＣＨ3 をも３０ｓｃｃｍだけ混入し；全ガス圧は１Ｔｏｒｒであり；そして投入した高周波電力は３０Ｗであった。
【００３５】
図１０において、プラズマＣＶＤ反応室から取出された基板はＸ−Ｙテーブル上にセットされ、ＱスイッチＹＡＧレーザを用いて第２の複数の分割線溝Ｄ２を形成することによって、半導体光電変換層１４が複数の光電変換セル領域に分割された。このときのレーザの運転条件は、第１分割線溝Ｄ１の形成の場合と同じであった。形成された第２分割線溝Ｄ２の幅は約７０μｍであり、分割された帯状の光電変換セル領域のストリング幅は約５ｍｍであった。これらの第２分割線溝Ｄ２の各々は約１００μｍの距離を隔てて第１分割線溝Ｄ１に近接しかつそれに平行である。
【００３６】
図１１において、分割された複数の光電変換セル領域１４と第２分割線溝Ｄ２を覆うように、前面透明電極層１５が堆積された。この前面透明電極層１５は、電子ビーム蒸着装置内で２００℃の基板温度の下に堆積されたＩＴＯ（インジウム錫酸化物）層であり、約８０ｎｍの厚さを有していた。
【００３７】
最後に図１２において、電子ビーム蒸着装置から取出された基板はＸ−Ｙテーブル上にセットされ、ＱスイッチＹＡＧレーザを用いて第３の複数の分割線溝Ｄ３を形成することによって、前面透明電極層１５が複数の領域に分割された。これらの第３分割線溝Ｄ３の形成条件は、第２分割線溝Ｄ２の形成の場合と全く同様であった。この場合、前面電極層１５は透明であるけれども、下層にレーザ光を吸収しやすい半導体層１４が存在しているので、その半導体層１４からの発熱をも利用して、その前面透明電極層１５を比較的容易に分離加工することができる。こうして、集積型薄膜光電変換装置が完成した。
【００３８】
図１２の薄膜光電変換装置にリード線を接続した後に、１００ｍＷ／ｃｍ2 のＡＭ１．５ソーラシミュレータの下で光電変換特性を測定したところ、７５２ｍＡの短絡電流，１８．２Ｖの開放電圧，０．７１５の曲線因子，および９．４％の光電変換効率が得られた。
【００３９】
（実施例２）
実施例２による集積型薄膜光電変換装置は実施例１の場合とほぼ同様に形成されたが、図９の段階において、半導体光電変層１４として第１の組のｎ層，ｉ層およびｐ層を含む第１の光電変換層が堆積された後にさらに第２の組のｎ層，ｉ層およびｐ層を含む第２の光電変換層が積層された。すなわち、実施例２による集積型薄膜光電変換装置は、図１２における半導体層１４が第１と第２の組の光電変換層を含むいわゆるタンデム型である点のみにおいて、実施例１の場合と異なっている。ただし、第１と第２の組の光電変換層におけるｎ層とｐ層はそれぞれ実施例１の場合と同じ厚さを有していたが、第１の組の光電変換層におけるｉ層は４００ｎｍの厚さを有していたのに対して、第２の組の光電変換層のｉ層は７５ｎｍの厚さを有していた。
【００４０】
このような実施例２による集積型薄膜光電変換装置にリード線を接続した後に第１の実施例の場合と同じ条件で光電変換特性を測定したところ、３４４ｍＡの短絡電流，３６．０Ｖの開放電圧，０．７３０の曲線因子，および９．０％の光電変換効率が得られた。
【００４１】
図１３から図１８において、比較例による集積型薄膜光電変換装置の製造工程が模式的な断面図で図解されている。
【００４２】
まず図１３において、１２．７ｃｍ×１２．７ｃｍの面積を有し研磨加工された正方形のステンレス基板１上に絶縁物層２，背面Ａｇ電極層３，およびＺｎＯ層３ａが順次積層された。絶縁物層２としては、約２００ｎｍの厚さを有する酸化シリコン層が熱ＣＶＤ法によって堆積された。そして、背面Ａｇ電極層３とＺｎＯ層３ａは、実施例１中の対応する層１３および１３ａの場合と全く同じ条件でスパッタリングによって堆積された。
【００４３】
図１４において、スパッタリング反応室から取出された基板はＸ−Ｙテーブル上にセットされ、ＱスイッチＹＡＧレーザを用いて分割線溝Ｄ１を形成することによって、ＺｎＯ層３ａおよび背面Ａｇ電極層３の積層が複数の領域に分割された。この場合のレーザ運転条件としては、１０６４ｎｍの波長の基本波を用い；パルス周波数は３ｋＨｚであり；パルス幅は１０ｎｓｅｃであり；そしてレーザの平均出力は１Ｗであった。すなわち、この比較例においては、実施例１および２の場合のようにレーザ光吸収層を備えていないので、ＺｎＯ層３ａと背面Ａｇ電極層３をパターニングするのに大きなレーザ平均出力を必要とした。こうして形成された分割線溝Ｄ１の幅は約１００μｍであり、分割された帯状のストリングの幅は約５ｍｍであった。
【００４４】
その後、図１５から図１８に示されているように実施例１の図９から図１２の工程と全く同じ工程を経て、比較例による積層型薄膜光電変換装置が完成した。すなわち、図１８における半導体光電変換層４および前面透明電極層５は実施例１の図１２における光電変換層１４および透明電極層１５と同じ条件で形成されたものである。こうして完成した比較例による図１８の積層型薄膜光電変換装置にリード線を接続した後に実施例１の場合と同じ条件で光電変換特性を測定した結果、７４２ｍＡの短絡電流，１４．２Ｖの開放電圧，０．６１３の直線因子，および６．５％の変換効率が得られた。すなわち、この比較例による光電変換特性は、実施例１によるレーザ光吸収層１２を含む積層型薄膜光電変換装置の特性に比べて、いずれの評価項目においても劣っていることがわかる。
【００４５】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、積層型薄膜光電変換装置の製造過程における３つのパターニング工程のいずれにおいてもレーザスクライブ法によって高精度でかつ高い生産性でパターニングを行なうことができ、かつ優れた光電変換特性を有する積層型薄膜光電変換装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の一例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図３】本発明の実施の形態の一例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図４】本発明の実施の形態の一例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図５】本発明の実施の形態の一例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図６】本発明の実施の形態の一例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図７】本発明の一実施例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図８】本発明の一実施例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図９】本発明の一実施例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１０】本発明の一実施例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１１】本発明の一実施例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１２】本発明の一実施例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１３】比較例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１４】比較例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１５】比較例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１６】比較例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１７】比較例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１８】比較例による薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１９】従来の積層型薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図で
ある。
【図２０】従来の積層型薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図で
ある。
【図２１】従来の積層型薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図で
ある。
【図２２】従来の積層型薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図で
ある。
【図２３】従来の積層型薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図で
ある。
【図２４】従来の積層型薄膜光電変換装置の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【符号の説明】
１１  透明基板
１１ａ  透明酸化錫層
１２  レーザ光吸収層
１３  背面金属電極層
１３ａ  ＺｎＯ層
１４  半導体光電変換層
１５  前面透明電極層
Ｄ１  第１の分割線溝
Ｄ２  第２の分割線溝
Ｄ３  第３の分割線溝
ＬＢ  レーザビーム
【図１】
0003655025.tif 000002
【図２】
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【図３】
0003655025.tif 000004
【図４】
0003655025.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003655025.tif 000008
【図８】
0003655025.tif 000009
【図９】
0003655025.tif 000010
【図１０】
0003655025.tif 000011
【図１１】
0003655025.tif 000012
【図１２】
0003655025.tif 000013
【図１３】
0003655025.tif 000014
【図１４】
0003655025.tif 000015
【図１５】
0003655025.tif 000016
【図１６】
0003655025.tif 000017
【図１７】
0003655025.tif 000018
【図１８】
0003655025.tif 000019
【図１９】
0003655025.tif 000020
【図２０】
0003655025.tif 000021
【図２１】
0003655025.tif 000022
【図２２】
0003655025.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
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