(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子を搭載すると共に、配線用リードを絶縁体を介して支持する金属製のアイレットと、
上記半導体レーザ素子からの光を出射させる開口が設けられ、上記半導体レーザ素子を収容して上記アイレットに溶接によって固定されたキャップとを有する半導体レーザ装置において、
上記キャップは、周面の一部が延長されたスカート部を有し、このスカート部を上記半導体レーザ装置の取付け基準面となるアイレットの端面以外の側面に溶接によって固定していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記アイレットの側面に凹所を形成し、この凹所内に上記スカート部を挿入して、上記凹所内にさらに設けた凹部と凸部のうちの凸部に上記挿入したスカート部を溶接して、上記キャップをアイレットに固定していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記アイレットの側面に凹所を形成し、この凹所内に突起を設け、
絶縁性樹脂に配線用リードを埋設してなると共に貫通穴を有する樹脂リードブロックを備え、
上記アイレットの凹所中に上記樹脂リードブロックを配設して、上記凹所内の突起を上記貫通穴に貫通させ、
上記突起の端面に上記キャップのスカート部を溶接したことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の半導体レーザ装置において、
上記溶接は、抵抗溶接であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体レーザ装置において、
上記突起は、端部が尖っていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置において、
上記アイレットは、縦方向の長さと横方向の長さとが異なることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体レーザ装置において、
上記アイレットの長手方向の両端に、半導体レーザ装置の取付け基準面が配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体レーザ装置において、
上記溶接がされた部分は、上記アイレットの長手方向の軸に対称な位置に２箇所以上設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項９】
請求項４乃至７に記載の半導体レーザ装置を備える光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えばＣＤ−ＲＯＭ（読出し専用コンパクトディスク），ＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）等のデータを読み出す光ピックアップ装置の光源等として使用される半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の半導体レーザ装置として、図８（ａ）に示すようなものがある（特開平６−５９９０号公報）。この半導体レーザ装置は、ホログラムレーザ方式の半導体レーザ装置である。図８（ｂ）の分解斜視図に示すように、この半導体レーザ装置１００は、アイレット１０１にヒートシンク１０２を一体に形成していて、このヒートシンク１０２の側面に、放熱用のサブマウント１０４を介して半導体レーザ素子１０５を搭載している。上記ヒートシンク１０２の上面には信号検出用の受光素子１０７を搭載している。上記アイレット１０１には、複数のリード１０８が、夫々ハーメチックシール１０９によって電気的に絶縁されて固定されている。上記半導体レーザ素子１０５や上記受光素子１０７の図示しないパッドを、上記リード１０８のアイレット１０１よりもヒートシンク１０２側に突出した部分であるインナーリード１０８ａに、図示しないワイヤボンディングによって接続している。そして、上記アイレット１０１上のヒートシンク１０２および半導体レーザ素子１０５、受光素子１０７、インナーリード１０８ａを、キャップ１１０で覆い、このキャップ１１０の上記半導体レーザ素子１０５に対向する位置に開口した開口窓１１０ａにホログラム素子１１２を取り付けて、半導体レーザ装置１００を形成している。
【０００３】
図９（ａ）もまた、従来の半導体レーザ装置を示す斜視図であり（特開平６−５９９０号公報）、図９（ｂ）はこの半導体レーザ装置を分解して示した図である。図９（ａ），（ｂ）に示す半導体レーザ装置については、図８に示した半導体レーザ装置と同一の機能を有する部分には同一の参照番号を付して、詳細の説明を省略する。図９の半導体レーザ装置１２０は、アイレットおよびキャップの形状が異なる点のみが、図８に示した半導体レーザ装置１００と異なる。この半導体レーザ装置１２０は、アイレット１０１およびキャップ１１０の形状が、円から対向する２つの弓形部分が除去された略長円形であり、図８の半導体レーザ装置１００よりも小さい幅を有する。この半導体レーザ装置１２０を、幅方向を光ピックアップ装置の厚み方向に向けて搭載すると、厚みが薄い光ピックアップ装置にできる。
【０００４】
図１０（ａ），（ｂ）および図１１に示す半導体レーザ装置（特開平１０−２５６６４９号公報参照）は、アイレットに配線用リードを取りつける構造が、図８（ａ），（ｂ）に示した半導体レーザ装置１００と異なる。図１０（ａ），（ｂ）において、図８（ａ），（ｂ）の半導体レーザ装置と同一の機能を有する部分には同一の参照番号を付している。図１０（ｂ）に示すように、この半導体レーザ装置１２５は、リード１０８の１部分を樹脂で埋設してなる樹脂リードブロック１２７，１２７を有する。この樹脂リードブロック１２７，１２７の樹脂部分を、半導体レーザ素子１０５および受光素子１０７を搭載したアイレット１０１の両側面に、超音波溶接によって固定してステム１２８を形成している。そして、図１１に示すように、このステム１２８に、上記半導体レーザ素子１０５および受光素子１０７を覆うようにキャップ１１０を固定して、このキャップ１１０の上面に設けられた開口１１０ａにホログラム素子１１２を配設して、半導体レーザ装置１２５を形成している。
【０００５】
この半導体レーザ装置１２５は、図８に示した半導体レーザ装置１００におけるように、複数のリード１０８を夫々ハーメチックシール１０９を介してアイレット１０１に絶縁かつ固定する必要がないので、半導体レーザ装置１２５が簡単に組立てられる。
【０００６】
上記図８乃至１１に示した半導体レーザ装置１００，１２０，１２５はいずれも、上記キャップ１１０に鍔部１１０ｂを設け、この鍔部１１０ｂを上記アイレット１０１の端面に抵抗溶接して、キャップ１１０をアイレット１０１に固定している。上記鍔部１１０ｂが溶接されるアイレット１０１の端面は、鍔部１１０ｂが溶接された部分以外の面が、この半導体レーザ装置１００，１２０，１２５を光ピックアップ装置の取付け部に取付ける取付け基準面１０１ａになっている。
【０００７】
図１２は、図９に示した半導体レーザ装置１２０を用いた光ピックアップ装置を示す図である。なお、図８および図１０，１１に示した半導体レーザ装置１１０，１２５を用いた光ピックアップ装置もまた、図１２の光ピックアップ装置と同様の構成を有する。
【０００８】
この光ピックアップ装置は、取付け板１３２に取付けられた半導体レーザ装置１２０と、コリメートレンズ１３３と、ミラー１３４と、図示しないアクチュエータに取付けられた対物レンズ１３６とが組付け板１３１に組み付けられている。上記半導体レーザ装置１２０は、上記取付け基準面１０１ａを取付け板１３２の取付け面１３２ａに密着させて、取付け板１３２に取付けられている。
【０００９】
上記光ピックアップ装置は、以下のようにして動作する。上記半導体レーザ装置１２０から出射されたレーザ光は、ホログラム素子１１２に設けられた回折格子によって３つのビームに分けられ、これらの３つのビームはミラー１３４で反射され、対物レンズ１３６によって光ディスク１３８上に集光される。光ディスク１３８からの戻り光は、照射ビームと同一の経路を通って半導体レーザ装置１２０に戻る。半導体レーザ装置１２０に戻った戻り光は、ホログラム素子１１２のホログラムパターンによって回折され、半導体レーザ装置１２０の受光素子１０７の受光セグメントに入射される。
【００１０】
上記光ピックアップ装置の取付け部に半導体レーザ装置１２０を取付ける際、上記３つのビームが光ディスク１３８上の３つのピット１３８ａ列、すなわちトラックに適切に集光されるように、上記半導体レーザ装置１２０を回転させて取付け板１３２への取付け位置を調整した後、この取付け板１３２に固定している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体レーザ装置１１０，１２０，１２５は、取付け板１３２への取付け位置を調整するために回転させる際、ガタつきやすいという問題がある。より詳しくは、上記半導体レーザ装置１１０，１２０，１２５を回転させる際、取付け基準面１０１ａを、取付け板１３２の取付け面１３２ａに密着させながら回転する。しかし、上記取付け基準面１０１ａは、キャップ１１０の鍔１１０ｂが溶接されるアイレット１０１の端面の上記溶接部分以外の面であるから、面積が非常に小さい。したがって、この基準面１０１ａと取付け面１３２ａとが接する面積が非常に小さいので、半導体レーザ装置１１０，１２０，１２５を回転させると、半導体レーザ装置１１０，１２０，１２５の取付け板１３２に対する方向が安定しなくてガタついてしまう。その結果、半導体レーザ装置１１０，１２０，１２５の光ピックアップ装置への取付け精度が悪いという問題がある。
【００１２】
そこで、この発明の目的は、容易かつ精度良く光ピックアップ装置の取付け部に取付けることができる半導体レーザ装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、第１の発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、上記半導体レーザ素子を搭載すると共に、配線用リードを絶縁体を介して支持する金属製のアイレットと、上記半導体レーザ素子からの光を出射させる開口が設けられ、上記半導体レーザ素子を収容して上記アイレットに溶接によって固定されたキャップとを有する半導体レーザ装置において、
上記キャップは、周面の一部が延長されたスカート部を有し、このスカート部を上記半導体レーザ装置の取付け基準面となるアイレットの端面以外の側面に溶接によって固定していることを特徴としている。
【００１４】
上記構成によれば、上記キャップのスカート部を、アイレットの端面以外の面に溶接によって固定しているので、上記アイレットの取付け基準面となる端面には従来におけるようなキャップの鍔が溶接されないから、アイレットにキャップを固定した状態におけるアイレットの端面は、従来よりも面積が大きい。すなわち、この半導体レーザ装置を光ピックアップ装置の取付け部に取付ける取付け基準面の面積が、従来よりも大きい。したがって、上記取付け基準面と、この半導体レーザ装置を取付ける取付け部の面とが接する面積が、従来よりも大きくなる。その結果、この半導体レーザ装置の取付け位置を調整するために、上記光ピックアップ装置の取付け部の面に上記取付け基準面を当接させた状態で半導体レーザ装置を回転させても、半導体レーザ装置がガタつくことがない。これによって、半導体レーザ装置の取付け部への取付け精度が向上される。
【００１５】
１実施形態の半導体レーザ装置では、上記アイレットの側面に凹所を形成し、この凹所内に上記スカート部を挿入して、上記凹所内にさらに設けた凹部と凸部のうちの凸部に上記挿入したスカート部を溶接して、上記キャップをアイレットに固定している。
【００１６】
上記実施形態によれば、上記アイレットの側面に形成された凹所内に上記キャップのスカート部を挿入するので、アイレットの側面よりもキャップの部分が突出することがない。したがって、この半導体レーザ装置は、上記アイレットよりも突出する部分がないから、小型になる。
【００１７】
また、上記キャップは、キャップの周面の一部が延長されたスカート部を上記アイレットの側面の凹所に挿入して固定するので、このスカート部の上記凹所への挿入長さを微調整することによって、上記アイレットとキャップの天面との間の距離が正確に定められる。したがって、この半導体レーザ装置がキャップの天面にホログラム素子が設けられたホログラムレーザ方式である場合、上記アイレットの半導体レーザ素子と上記キャップのホログラム素子との間の距離が正確に定められて、上記ホログラム素子の取付け精度が向上される。また、上記キャップのスカート部が固定される凹所は、アイレットの側面に設けられているので、このスカート部と凹所とを固定する溶接の厚みがばらついても、上記アイレットとキャップの天面との間の距離がばらつくことがない。したがって、半導体レーザ素子とホログラム素子との間の距離が良好な精度で確実に定められる。
【００１８】
さらに、上記スカートは、上記凹所内に設けられた凸部に溶接されるので、上記凹所の全面に溶接されるよりも溶接部分が小さいから、アイレットおよびキャップへの溶接歪などの影響が小さくなる。
【００１９】
１実施形態の半導体レーザ装置では、上記アイレットの側面に凹所を形成し、この凹所内に突起を設け、
絶縁性樹脂に配線用リードを埋設してなると共に貫通穴を有する樹脂リードブロックを備え、
上記アイレットの凹所中に上記樹脂リードブロックを配設して、上記凹所内の突起を上記貫通穴に貫通させ、
上記突起の端面に上記キャップのスカート部を溶接している。
【００２０】
上記実施形態によれば、上記樹脂リードブロックの貫通穴に貫通させた上記アイレットの突起に、上記キャップのスカート部を溶接して、上記アイレットと樹脂リードブロックとキャップとを固定しているので、従来におけるようにキャップ部の鍔部をアイレットの端面に溶接する必要がない。したがって、上記アイレットの端面に形成される取付け基準面の面積が従来よりも大きくなって、半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置などに取付ける際に、半導体レーザ装置の取付け位置がガタつくことなく安定して調整される。しかも、上記樹脂リードブロックをアイレットの凹所中に配設するのみで複数の配線用リードがアイレットに取付けられるので、複数のリードを夫々別個に絶縁体を介してアイレットに取付けるよりも、簡単かつ安価に半導体レーザ装置が製造される。
【００２１】
１実施形態の半導体レーザ装置では、上記溶接は、抵抗溶接である。
【００２２】
上記実施形態によれば、上記アイレットとキャップとが、抵抗溶接によって簡単かつ強固に固定される。
【００２３】
1実施形態の半導体レーザ装置では、上記突起は、端部が尖っている。
【００２４】
上記実施形態によれば、上記キャップのスカート部が溶接される突起は、端部が尖っているので、溶接される前に上記突起とスカート部とが接触する位置が、ばらつき無く略一定になる。したがって、溶接される位置が略一定になる。また、上記突起の尖った先端とスカート部とが接触する面積も、ばらつき無く略一定になるので、例えば抵抗溶接の際の上記接触部分に流れる電流の密度も略一定になる。したがって、上記溶接によって溶接される部分の面積や、溶接される材料の溶融深さなどが略一定になって、キャップのスカート部とアイレットとが、ばらつきのない所定の品質で溶接される。その結果、所定の強度を確実に有する良好な溶接が安定して得られる。
【００２５】
1実施形態の半導体レーザ装置では、上記アイレットは、縦方向の長さと横方向の長さとが異なる。
【００２６】
上記実施形態によれば、長さが異なる上記アイレットの縦方向および横方向のうち、長手方向側の側面に上記キャップのスカート部を溶接することによって、上記アイレットとキャップとの溶接部分を適切な位置、かつ、適切な面積にできるから、上記アイレットとキャップとが容易に適切な強度で溶接される。
【００２７】
1実施形態の半導体レーザ装置では、上記アイレットの長手方向の両端に、半導体レーザ装置の取付け基準面が配置されている。
【００２８】
上記実施形態によれば、上記アイレットの長手方向の両端に配置された取付け基準面は、この両端の基準面の間の距離がアイレットの短手方向の両端に基準面を配置するよりも大きいので、大きいモーメントの力に対して安定になる。したがって、上記長手方向に配置された基準面を半導体レーザ装置の取付け面に当接した状態で、半導体レーザ装置の取付け位置を調節するために回転しても、半導体レーザ装置がガタつくことがない。その結果、半導体レーザ装置の取付け位置が容易かつ確実に定められる。
【００２９】
1実施形態の半導体レーザ装置では、上記溶接が施された部分は、上記アイレットの長手方向の軸に対称な位置に２箇所以上設けられている。
【００３０】
上記実施形態によれば、上記溶接が施された部分は、アイレットの長手方向の軸に対称な位置に2箇所以上設けられるので、上記キャップが所定の強度で確実にアイレットに固定される。
【００３１】
本発明による光ピックアップ装置は、上記半導体レーザ装置を備える。
【００３２】
上記構成によれば、上記光ピックアップ装置の取付け部に、上記半導体レーザ装置が所定の取付け精度で容易に取付けられるので、良好な性能を有して薄型の光ピックアップ装置が容易に製造される。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３４】
図１（ａ）は、本発明の第１実施例としての半導体レーザ装置を示した斜視図である。図１（ｂ）は、この半導体レーザ装置を分解して示した斜視図である。この半導体レーザ装置1は、アイレット２とアイレット２の両側に配設された２つの樹脂リードブロック３，３とからなるステム４と、このステム４の上側を覆うキャップ５と、このキャップ５の上面に設けられた開口５１に配設されたホログラム素子７とからなる。
【００３５】
図２は、上記ステム４を分解して示した斜視図である。図２に示すように、銅からなる上記アイレット２は、対向する２つの長辺の側面に各々凹所２１，２１を有し、この凹所２１内に短辺方向に延びる２つの突起２２，２２を備える。この突起２２の端面には、図３（ａ）に示すような略円錐形の凸部２２ａが設けられている。なお、上記凸部２２ａは、図３（ｂ）に示すような幅方向に延びる尖った縁部２２ｂであってもよく、要は突起２２の端部が尖っていればよい。
【００３６】
図２に示すように、上記樹脂リードブロック３は、４本の配線用リード３１，３１，３１，３１と、この配線用リード３１，３１，３１，３１が埋設された樹脂３２からなり、上記樹脂３２には２つの貫通穴３４，３４が設けられている。
【００３７】
そして、上記アイレット２の凹所２１，２１内に、上記樹脂リードブロック３，３を配設すると共に、アイレット２の突起２２，２２を樹脂リードブロック３の貫通穴３４，３４に貫通させて、ステム４を形成している。図１（ｂ）に示すように、このステム４には、樹脂リードブロック３，３を配設した側面に凹所４１，４１が形成されていて、この凹所４１内に上記突起２２，２２の先端部分が突出している。
【００３８】
上記アイレット２には、ヒートシンク２３が一体に形成されていて、このヒートシンク２３の側面に、サブマウント２４を介して半導体レーザ素子２５を搭載している。また、上記ヒートシンク２３の上面には信号検出用の受光素子２６を搭載している。そして、上記半導体レーザ素子２５および受光素子２６の図示しないパッドを、図示しないワイヤボンディングによって、上記樹脂リードブロック３，３の配線用リード３１に接続している。
【００３９】
上記キャップ５は、長辺側の側面の一部が延長されてなるスカート部５２，５２を有し、このスカート部５２，５２を上記ステム４の凹所４１，４１内に挿入して、この凹所４１内に突出する突起２２，２２の先端部分と、上記スカート部５２の内面とを抵抗溶接によって接続している。
【００４０】
図４は、上記アイレット２の突起２２，２２と、上記キャップ５のスカート部５２とを抵抗溶接する様子を示した概略断面図である。まず、上記アイレット２の短辺側の両側面を電極Ａ，Ａで固定する。その後、キャップ５の両側のスカート部５２，５２の外側面を、電極Ｂ，Ｂによって内側に向って所定の圧力で押圧する。このとき、上記突起２２，２２の端面に設けられた略円錐形の凸部２２ａ，２２ａがスカート部５２の内面で押圧されて、上記凸部２２ａ，２２ａとスカート部５２とが所定の面積の接触面をなす。次に、スイッチＳをオンして、電極Ａ，Ａおよび電極Ｂ，Ｂを電源Ｐに接続して、電極Ａ，Ａおよび電極Ｂ，Ｂの間に電流を流す。そうすると、上記突起２２の凸部２２ａとスカート部５２との接触部分が発熱して、この接触部分の金属が溶融して、上記アイレット２の突起２２とキャップ５のスカート部５２とが溶接される。
【００４１】
上記アイレット２の突起２２とキャップ５のスカート部５２とを抵抗溶接する際、上記突起２２の端面に略円錐形の凸部２２ａが設けられているので、この凸部２２ａとスカート部５２の内面との接触位置および面積が略一定になる。したがって、突起２２およびスカート部５２の所定の位置に所定の強度の抵抗溶接が確実に施されて、ばらつきのない安定した品質の抵抗溶接を施すことができる。
【００４２】
また、上記アイレット２とキャップ５とを抵抗溶接によって固定する部分はアイレット２の側面であり、図１０に示した従来の半導体レーザ装置におけるように、アイレットの端面にキャップの鍔を抵抗溶接しない。これによって、アイレット２の端面の略全てを、この半導体レーザ装置１を光ピックアップ装置の取付け部に取付ける際の取付け基準面２ａにすることができる。
【００４３】
また、上記抵抗溶接は、上記キャップ５およびアイレット２の側面にされるので、従来におけるようにキャップの鍔をアイレットの端面に溶接して、この溶接の厚みがばらつくことによってキャップの天面とアイレットの端面との距離がばらつくことが無い。したがって、上記キャップ５の天面に設けられたホログラム素子と上記アイレットに設けられた半導体レーザ素子との間の距離を、溶接によって影響を受けることなく、精度良く所定の距離にすることができる。
【００４４】
また、上記アイレット２の突起２２とキャップ５のスカート部５２とを抵抗溶接するので、例えばアイレットの側面の全面とキャップとを溶接するよりも、溶接面積を小さくできて、アイレットおよびキャップへの溶接歪などの影響を小さくできる。
【００４５】
上記半導体レーザ装置１を用いて、本発明による光ピックアップ装置を形成する。本発明による光ピックアップ装置もまた、図１１に示した光ピックアップ装置と同様に、半導体レーザ装置１を取付け板１３２を介して組付け板１３１に組み付ける。半導体レーザ装置１を取付け板１３２に取付ける際、半導体レーザ装置１のホログラム素子７から出射される３つのビームが光ディスク１３８上の３つのトラックに適切に集光されるように、上記半導体レーザ装置１を回転させて取付け板１３２への取付け位置を調整する。このとき、半導体レーザ装置１の取付け基準面２ａを、上記取付け板１３２の取付け面１３２ａに当接させた状態で半導体レーザ装置１を回転させる。上記半導体レーザ装置１の端面には、従来におけるようなキャップの鍔部が溶接されていないので、基準面２ａとしての端面の略全面を上記取付け面１３２ａに当接させることができる。つまり、従来よりも大きい面積の基準面２ａを、取付け面１３２ａに当接させて回転できるので、上記半導体レーザ装置１が、ガタつくことなく所定の位置に確実に定められる。その結果、薄型で良好な性能の光ピックアップ装置を容易に製造できる。
【００４６】
図５（ａ）は、本発明の第２実施例としての半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図５（ｂ）は、上記半導体レーザ装置を分解して示した斜視図である。図５（ａ），（ｂ）において、図１（ａ），（ｂ）に示した半導体レーザ装置１と同一の部分には同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。この半導体レーザ装置５０は、キャップ５が鍔部を有しないでスカート部５２を有し、アイレット２が凹所２１と凹所２１に形成された突起２２とを有する以外は、図８に示した従来の半導体レーザ装置１００と同一の構成を有する。
【００４７】
この半導体レーザ装置５０は、アイレット２およびキャップ５が略円形の形状をなしていて、上記アイレット２には、複数のリード３１，３１・・・がハーメチックシール３６，３６・・・を介して固定されている。さらに、上記アイレット２の側面には、アイレットの円形における点対称位置に、２つの凹所２１，２１を有する。この凹所２１内には、２つの突起２２，２２が設けられている。一方、上記キャップ５は、側面の一部が延長され、この延長された部分が折り曲げられてなる２つのスカート部５２，５２を有する。上記アイレット２側面の凹所２１，２１内に、上記スカート部５２，５２を挿入し、上記凹所２１の突起２２，２２とスカート部５２とを抵抗溶接して、キャップ５とアイレット２とを固定している。上記突起２２の端面には、略円錐形の凸部２２ａが設けられていて、図１（ａ），（ｂ）に示した半導体レーザ装置１と同様に、突起２２，２２とスカート部５２との抵抗溶接部分が、安定して所定の位置および強度になるようにしている。
【００４８】
この半導体レーザ装置５０もまた、アイレット２の端面に、図８の従来の半導体レーザ装置におけるようなキャップの鍔部が固定されていないので、従来よりも大きい面積の取付け基準面２ａを有する。その結果、半導体レーザ装置５０の取付け位置を安定して調整できて、良好な性能の光ピックアップ装置が容易に製造できる。
【００４９】
図６（ａ）は、本発明の第３実施例としての半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図６（ｂ）は、この半導体レーザ装置を分解して示した斜視図である。図６（ａ），（ｂ）において、図１（ａ），（ｂ）の半導体レーザ装置１と同一の部分には同一の参照番号を付している。この半導体レーザ装置５５は、キャップ５が鍔部を有しないでスカート部５２を有し、アイレット２が凹所２１と凹所２１に形成された突起２２とを有する以外は、図９に示した従来の半導体レーザ装置１２０と同一の構成を有する。
【００５０】
この半導体レーザ装置５５は、アイレット２およびキャップ５が長円形の形状をなしている。上記アイレット２の長辺側の側面には、２つの凹所２１，２１が対向して形成されている。この凹所２１内には、２つの突起２２，２２が設けられている。一方、上記キャップ５は、側面の一部が延長され、この延長された部分が折り曲げられてなる２つのスカート部５２，５２を有する。上記アイレット２の凹所２１，２１内に、上記スカート部５２，５２を挿入し、上記凹所２１の突起２２，２２とスカート部５２とを抵抗溶接して、キャップ５とアイレット２とを固定している。上記突起２２の端面には、略円錐形の凸部２２ａが設けられていて、図１（ａ），（ｂ）に示した半導体レーザ装置１と同様に、突起２２，２２とスカート部５２との抵抗溶接部分が、安定して所定の位置および強度になるようにしている。
【００５１】
この半導体レーザ装置５５もまた、アイレット２の端面に、図８の従来の半導体レーザ装置におけるようなキャップの鍔部が固定されていないので、従来よりも大きい面積の取付け基準面２ａを有する。その結果、半導体レーザ装置５０の取付け位置を安定して調整できて、良好な性能の光ピックアップ装置が容易に製造できる。
【００５２】
図７（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、本発明による半導体レーザ装置の取付け基準面２ａと、従来の半導体レーザ装置の取付け基準面１０１ａとを比較した図である。
【００５３】
図７（ａ）は、円形のアイレットを有する従来の半導体レーザ装置１００と本発明の半導体レーザ装置５０について、取付け基準面の形状を比較した図である。図７（ａ）から分かるように、従来の取付け基準面１０１ａは、アイレットの外周に沿う比較的小さい幅の環状帯である一方、本発明の第２実施例の取付け基準面２ａは、点対称位置に対向する比較的広い幅の２つの環状帯の部分からなる。この場合、従来および第２実施例の何れの基準面も、半導体レーザ装置を取付ける取付け面と接する面積が略同じであるので、半導体レーザ装置の取付け面に対する安定の度合いは略同じである。
【００５４】
図７（ｂ）は、長円形のアイレットを有する従来の半導体レーザ装置１２０と本発明の半導体レーザ装置５５について、取付け基準面の形状を比較した図である。図７（ｂ）から分かるように、従来の取付け基準面１０１ａは、アイレットの外周に沿う比較的小さい幅の長円形の帯である一方、本発明の第３実施例の取付け基準面２ａは、長手方向の両側端部に位置する比較的広い幅の２つの帯状部分からなる。この場合、従来の基準面１０１ａは、長円形の短手方向の両側に位置する弦の部分にも基準面を有するが、この弦の部分の基準面は幅が比較的小さく、また、長手方向の両側の基準面も幅が比較的小さい。半導体レーザ装置の基準面を取付け面に当接して半導体レーザ装置を回転させる際、短手方向の両端部分にある基準面よりも、長手方向の両端部分にある基準面のほうが、半導体レーザ装置を安定させる作用が大きい。なぜならば、長手方向の両端部分のほうが互いの距離が大きいので、抵抗できるモーメントの値も上記距離に比例して大きいからである。したがって、長手方向の両端部分の面積が大きい第３実施例の基準面２ａのほうが、従来の基準面１０１ａよりも、半導体レーザ装置の位置の調節時において、半導体レーザ装置を安定させることができる。
【００５５】
図７（ｃ）は、樹脂リードブロックを有する従来の半導体レーザ装置１２５と本発明の半導体レーザ装置１について、取付け基準面の形状を比較した図である。図７（ｃ）から分かるように、従来の取付け基準面１０１ａは、アイレットの長手方向の両側端部に小さい幅の２つの帯状部分を有する一方、本発明の第１実施例の取付け基準面２ａは、長手方向の両側端部に比較的広い幅の２つの帯状部分を有する。したがって、長手方向の両端部分の面積が大きい第１実施例の基準面２ａのほうが、従来の基準面１０１ａよりも、半導体レーザ装置の位置の調節時において、半導体レーザ装置を安定させることができる。
【００５６】
図７（ｄ）は、図７（ｃ）に示した半導体レーザ装置に関して、短手方向の幅をさらに小さくして、薄型の光ピックアップ装置に対応するようにした場合の半導体レーザ装置の取付け基準面の形状を比較した図である。図７（ｄ）から分かるように、本発明による基準面２ａは、従来におけるようにアイレットの端面にキャップの鍔部分１１０ｂを固定しないので、従来の基準面１０１ａよりも上記キャップの鍔部分１１０ｂだけ面積が大きい。さらに、短手方向の幅が狭くなると、従来の基準面１０１ａと本発明による基準面２ａとの面積の差が大きくなる。したがって、図７（ｄ）の形状を有する半導体レーザ装置においては、図７（ｃ）の形状を有する半導体レーザ装置におけるよりも、本発明による基準面２ａは従来の基準面１０１ａよりも、格段に半導体レーザ装置を安定させることができる。
【００５７】
すなわち、本発明による基準面は、特に、短辺の幅が小さい半導体レーザ装置において、半導体レーザ装置を効果的に安定させて光ピックアップ装置の取付け部に取付けることができる。
【００５８】
なお、上記実施例において、アイレット２とキャップ５とは抵抗溶接によって固定したが、例えばレーザ溶接などの他の溶接によってアイレット２とキャップとを固定してもよい。
【００５９】
【発明の効果】
以上より明らかなように、第１の発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、上記半導体レーザ素子を搭載すると共に、配線用リードを絶縁体を介して支持する金属製のアイレットと、上記半導体レーザ素子からの光を出射させる開口が設けられ、上記半導体レーザ素子を収容して上記アイレットに溶接によって固定されたキャップとを有する半導体レーザ装置において、上記キャップは、周面の一部が延長されたスカート部を有し、このスカート部を上記半導体レーザ装置の取付け基準面となるアイレットの端面以外の側面に溶接によって固定しているので、上記アイレットの端面は従来におけるようにキャップの鍔が溶接されないから、従来よりも大きい面積の取付け基準面が得られ、その結果、この半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置の取付け部に取付ける際に、安定して取付け位置を調整することができる。これによって、半導体レーザ装置を高い精度で光ピックアップ装置の取付け部に取付けることができる。
【００６０】
１実施形態の半導体レーザ装置は、上記アイレットの側面に凹所を形成し、この凹所内に上記スカート部を挿入して、上記凹所内にさらに設けた凹部と凸部のうちの凸部に上記挿入したスカート部を溶接して、上記キャップをアイレットに固定しているので、アイレットの側面よりもキャップの部分が突出することがないから、小型の半導体レーザ装置にできる。
【００６１】
また、上記キャップのスカート部をアイレットの側面に固定するので、上記キャップのスカート部の上記凹所への挿入長さを微調整することによって上記アイレットとキャップの天面との間の距離が正確に定められるから、上記アイレットの半導体レーザ素子と上記キャップの天面のホログラム素子との間の距離を従来よりも高い精度で確実に定めることができる。
【００６２】
さらに、上記スカートを、上記凹所内に設けられた凸部に溶接するので、キャップをアイレットに簡単かつ迅速に固定でき、また、キャップおよびアイレットへの溶接の影響を小さくできる。
【００６３】
１実施形態の半導体レーザ装置は、上記アイレットの側面に凹所を形成し、この凹所内に突起を設け、絶縁性樹脂に配線用リードを埋設してなると共に貫通穴を有する樹脂リードブロックを備え、上記アイレットの凹所中に上記樹脂リードブロックを配設して、上記凹所内の突起を上記貫通穴に貫通させ、上記突起の端面に上記キャップのスカート部を溶接しているので、従来におけるようにキャップ部の鍔部をアイレットの端面に溶接しないから、上記アイレットの端面に従来よりも大きい面積の取付け基準面を形成できて、半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置などに取付ける際に、半導体レーザ装置の取付け位置を安定して調整できる。しかも、上記樹脂リードブロックをアイレットの凹所中に配設するのみで複数の配線用リードをアイレットに取付けることができるので、半導体レーザ装置を簡単に製造できる。
【００６４】
１実施形態の半導体レーザ装置は、上記溶接は、抵抗溶接であるので、簡単かつ強固に上記キャップをアイレットに固定できる。
【００６５】
1実施形態の半導体レーザ装置は、上記突起は、端部が尖っているので、溶接される前に上記突起とスカート部とが接触する位置および面積を、ばらつき無く略一定にできるから、上記溶接される位置や溶接部分の面積、あるいは溶接される材料の溶融深さなどを略一定にできて、所定の品質の溶接を安定して得ることができる。
【００６６】
1実施形態の半導体レーザ装置は、上記アイレットは、縦方向の長さと横方向の長さとが異なるので、上記長さが異なる縦方向および横方向のアイレットのうち、長手方向側の側面に上記キャップのスカート部を溶接することによって、上記アイレットとキャップとの溶接部分を適切な位置、かつ、適切な面積に形成できるから、上記アイレットとキャップとを容易に適切な強度で溶接できる。
【００６７】
1実施形態の半導体レーザ装置は、上記アイレットの長手方向の両端に、半導体レーザ装置の取付け基準面が配置されているので、この両端の基準面の間の距離は、アイレットの短手方向の両端に基準面を配置するよりも大きいから、大きいモーメントの力に対して安定にできて、その結果、上記半導体レーザ装置の取付け位置を調節する際に半導体レーザ装置を安定させることができる。これによって、半導体レーザ装置を例えば光ピックアップ装置などに容易かつ確実に取付けることができる。
【００６８】
1実施形態の半導体レーザ装置は、上記溶接が施された部分は、上記アイレットの長手方向の軸に対称な位置に２箇所以上設けられているので、上記キャップを所定の強度で確実にアイレットに固定できる。
【００６９】
本発明による光ピックアップ装置は、上記半導体レーザ装置を備えるので、上記半導体レーザ装置を所定の取付け精度で容易かつ確実に取付け部分に取付けることができるから、良好な性能を有して薄型の光ピックアップ装置が、容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１（ａ）は、本発明の第１実施例の半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、この半導体レーザ装置の分解斜視図でる。
【図２】  図１（ａ），（ｂ）の半導体レーザ装置のステム４を示す分解斜視図である。
【図３】  アイレット２の突起部２２の端部を拡大して示した図である。
【図４】  アイレット２の突起２２，２２と、キャップ５のスカート部５２とを抵抗溶接する様子を示した概略断面図である。
【図５】  図５（ａ）は、本発明の第２実施例の半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図５（ｂ）は、この半導体レーザ装置の分解斜視図である。
【図６】  図６（ａ）は、本発明の第３実施例の半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図６（ｂ）は、この半導体レーザ装置の分解斜視図である。
【図７】  図７（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、本発明による半導体レーザ装置の取付け基準面２ａと、従来の半導体レーザ装置の取付け基準面１０１ａとを比較した図である。
【図８】  図８（ａ）は、従来の半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図８（ｂ）は、この半導体レーザ装置の分解斜視図である。
【図９】  図９（ａ）は、従来の半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図９（ｂ）は、この半導体レーザ装置の分解斜視図である。
【図１０】  図１０（ａ）は、従来の半導体レーザ装置を示す斜視図であり、図１０（ｂ）は、この半導体レーザ装置のアイレット１０１と樹脂リードブロック１２７とを分解して示した図である。
【図１１】  図１０（ａ）の半導体レーザ装置の分解斜視図である。
【図１２】  図９に示した半導体レーザ装置１２０を用いた光ピックアップ装置を示す図である。
【符号の説明】
１  半導体レーザ装置
２  アイレット
２ａ  取付け基準面
３  樹脂リードブロック
４  ステム
５  キャップ
７  ホログラム素子
２２  突起
２２ａ  凸部
２３  ヒートシンク
２４  サブマウント
２５  半導体レーザ素子
２６  受光素子
【図１】
0003682221.tif 000002
【図２】
0003682221.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003682221.tif 000008
【図８】
0003682221.tif 000009
【図９】
0003682221.tif 000010
【図１０】
0003682221.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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