(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源から引き出されたイオンビームを質量分離マグネットによって質量分離し、さらに加速管によって所定のエネルギーまで加速した後、エネルギーフィルタを通過させて、ビーム中心軸線上に設置された第１の８重極偏向器によって空間電荷効果を維持するためある方向の電界は０にならないようにして二次元的にビームを走査し、第１の８重極偏向器のビーム中心軸線と平行であるがその中心軸線から軸線が離れるように設けられる第２の８重極偏向器によって第１の８重極偏向器と反対向きにビームを曲げるようにして空間電荷効果を維持するためある方向の電界は０にならないように二次元走査して試料表面には垂直にビームを入射させるように二次元的に走査するようにしたことを特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】
ふたつの８重極偏向器に電界を掛けない場合にイオンビームが通過するウェファ近傍の位置Ａにファラディカップを設けて注入前のイオンビーム電流を測定できるようにしたことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３】
ウェファの近傍位置Ｂにファラディカップを設けふたつの８重極偏向器に電圧を印加しビームを曲げてファラディカップに入射するようにしてイオン注入を実施している時のイオンビームの電流を測定できるようにしたことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体プロセスにおいて、ソース、ドレイン形成などのために、所定のイオンをウェファに注入するイオン注入装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のイオン注入装置は、二次元的な広がりを持つウェファにイオンビームを一様に注入するために、一次元走査、或いは二次元走査を行っていた。
ウェファ直径よりも細いビームをウェファにイオン注入する場合はビームを左右上下に相対的に振る二次元走査をする必要がある。一つの方法はビーム自体を二次元的に走査するものである。つまりＸ方向にビームを振動させながらビームをＹ方向に少しづつ移動させるような二次元走査をする。これにはビーム偏向器が必要である。本発明はビーム自体を二次元走査するこのカテゴリーの改良を提案する。
【０００３】
或いはビームは左右に（Ｘ方向）振るだけの一次元走査をし、ウェファの方をそれと直角の方向（Ｙ方向）に移動させるという方法もある。走査は電気的な手段或いは磁気的な手段が用いられる。従来のイオン注入装置の多くはこの様式を採用している。
【０００４】
或いは大面積のイオン源を用いてそのまま平行ビームをウェファに照射することもある。これは走査が不要である。しかしビームが広いので質量分離をする事ができない。不要なイオンもウェファに注入されウェファを過度に加熱するし所望の特性が得られないこともある。本発明はこのタイプのものを対象にしない。
【０００５】
本発明に最も近いいくつかの従来技術について述べる。
▲１▼N. Nagai, et al.,"The Nissin NH-20SP medium-current ion implanter", N. I. M. B55(1991) 393
イオンビームを質量分離した後、加速管によって所定のエネルギーまで加速し、二組の静電偏向器によってビームを一次元的に走査する。ウェファをこれと直角の方向に機械的手段によって走査することによってウェファの全面にイオンビーム注入することができる。これは交番電界を平行平板電極間に印加することによってビームを一次元走査するものである。
【０００６】
二組の偏向器が必要なのは、試料面に直角にビームを入射させるためである。第１の偏向器によってΘだけ曲げたものは第２の偏向器によって−Θだけ反対に曲げて試料には必ず直角に当たるようにしている。つまり入射角度は常に９０度になる。ビーム偏向の方向はｘ方向である。ウェファは機械的手段によってｙ方向に動かす。こうすることによって、全面にイオンビームを注入することができる。
【０００７】
▲２▼  T. Kawai et al.,"Nissin EXCEED-2000-A New High Peformance Medium Current Implanter", ION IMPLANTATION TECHNOLOGY-94, 470これはイオンを加速した後、エネルギーフィルタを通過させ、磁場によって水平方向にビームを走査し、セクターマグネットによって反対方向にビームを曲げビームがウェファに対して垂直に入射するように偏向することによって一次元走査をし、それと同時にウェファを垂直方向に機械的に走査するものである。
【０００８】
▲３▼ Y. Mihara et al.,"8-INCH PARALLEL ION IMPLANTER: IPZ-9000", ION IMPLANTATION TECHNOLOGY-92, 405(1993)
▲４▼ Y. Mihara et al.,"Parallel beam ion implanter: IPX-7000", N. I. M. B55(1991) 417
これも機械的にウェファを走査し、これと直角の方向にビームを一次元走査するというのである。走査の機構が前者とは異なる。これは同一軸線上に二つの８重極偏向器を設けて、第１の偏向器によってΘだけビームを曲げ、第２の８重極偏向器によって反対向きに−Θだけビームを曲げるものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
前節で述べた従来技術▲１▼の３組の静電偏向器による走査方式には次の難点がある。これは電界によってビームを曲げる場合、耐圧や電源容量の観点から高い電圧を印加することが難しいため、ビ−ムが通過する電界の領域を長くとらなければならなくなる、ということである。電界中をイオンビ−ムが通過すると、ビ−ムにトラップされていた電子が剥ぎ取られ、ク−ロン斥力が強く働いてビ−ムが広がってしまう空間電荷効果が顕著に現れる。このビ−ムの発散はエネルギ−が低いときに甚だしく、輸送中に真空チャンバ−に衝突しタ−ゲットまで到着できずに失われるイオンがある。
【００１０】
また電極には交番電圧を印加し電極間電圧は正負に変化する。つまり電界が０になる瞬間が１周期に２回ある。静電界が０になると空間電荷効果が抑制される。その瞬間ビーム径が小さくなる。ビーム径が一瞬でも小さくなると、試料（ウェファ）に注入されるイオンビームの密度が変動する。注入密度を均一にするという要求に反するものである。
【００１１】
ウェファにおけるビームサイズが大きくなるとビームの走査範囲を広げなければならなくなる。そうでなければ、ウェファの端の領域において、ビームがオーバースキャンしなくなる。常に端にビームの一部が掛かっているという状況になり、注入密度が不均一になる。これを避けるためにビームエネルギーに応じてオーバースキャンの範囲を変動させるというようなことは可能である。
【００１２】
しかしビームエネルギーだけでなく電流によっても空間電荷効果は異なりビーム広がりがエネルギーだけで決まるものではない。実際にビームの広がりを評価するのは難しく、ビームの大きさによってオーバースキャンの幅を変えることはできない。つまりエネルギーの低いときにイオン注入の密度が均一にならない、ということである。
【００１３】
このような難点を克服するためにKAWAIは▲２▼を提案している。これは空間電荷効果を抑制するために電界ではなく、磁場によるビーム走査方式を提案している。空間電荷密度が高いと電界は遮蔽されてしまうし荷電粒子どうしのクーロン斥力によってビームが広がってしまう。しかし磁場は荷電粒子によって遮蔽されない。磁場は密度の高い空間電荷の内部まで入って行くことができる。これによって低エネルギーでのビームの広がりを防ぐ事ができる。常にビームが磁場を感じるように、オフセットを掛けた状態でビームを走査するように設計されている。しかしこのような状態ではウェファへのビームの入射角度が大きくなりすぎる。直角に入るのではなく斜めに入る。しかもこの傾斜角が一定でない。斜め入射で角度が変わるから注入特性に悪影響を与える。
【００１４】
そこで、KAWAI 等はその問題を解決するために、偏向マグネットを追加し一旦曲げたビームを次は反対方向に曲げて、ビームが常にウェファに垂直に入射するようにする改良を提案した。偏向マグネットのポールピースの形状を最適化することにより、ウェファへのビームの入射角度を垂直にすることができる。
【００１５】
KAWAI の▲２▼のビーム走査は一次元的なものである。つまりビームを左右に振るだけである。上下には振れない。そこで上下方向の走査はウェファを維持するエンドステーション自身を上下方向に往復運動させることによってなされる。ビームはＸ方向に、ウェファはＹ方向にというふうに走査が混合型になる。
【００１６】
これは低エネルギーでのビーム広がりの問題を克服し、垂直入射という課題を満たしている。しかしこれにもなお問題がある。ウェファをＹ方向に走査するためウェファを支持するエンドステーションの構造を制御することが複雑になる。装置コストを押し上げるという欠点がある。エンドステーションはできるだけ簡単な構造のものがよい。ウェファを走査せずウェファは静止したままイオン注入できる、というのが好ましい。
【００１７】
MIHARAの▲３▼は２組の静電８重極偏向器を前後に軸が共通するように並べる。第１の静電８重極偏向器によってビームをθだけ曲げ、第２の静電８重極偏向器によって同じビームを−θだけ曲げる。ウェファには垂直入射する。θを正負に変化させ一次元走査をする。やはりエンドステーションをそれと直角の方向に走査する。やはり機械走査をしなければならない。さらにその他にもう一つ根本的な難点がある、と本発明者は考える。静電８重極偏向器を使うが電圧の方向を反対にすることによってビームを走査する。すると第２の静電８重極偏向器において電界が０になる領域を通過することになる。電界が０であると空間電荷効果が抑制されるのでビームサイズが小さくなる。このため注入均一性が悪化する。このような欠点もある。
【００１８】
ウェファを支持するエンドステーションを機械走査する必要のない走査方式をもつイオン注入装置を提供する事が本発明の第１の目的である。走査によるビームサイズの変動を抑え均一性の高いイオン注入を可能とするイオン注入装置を提供する事が本発明の第２の目的である。ビーム均一性を確保しつつ、ウェファ面に垂直にビームを入射できるようにしたイオン注入装置を提供する事が本発明の第３の目的である。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
このような難点を克服するために、２枚の平行平板電極による偏向器ではなく、静電８重極偏向器を用いる。ふたつの静電８重極偏向器を使ってビームを前後２回偏向させてウェファには垂直入射する。さらに機械走査を不要とするためにそれぞれの８重極偏向器においてビームを二次元走査する。つまりＸ方向の走査を行いつつＹ方向にビームを移動させて行く。これで二次元走査するからエンドステーションを動かす機械走査が不要になる。平行平板電極による走査では二次元走査は不可能であるが、８重極偏向器は８つの電極をもつから二次元的な走査を行うことができる。
【００２０】
８重極偏向器を一つ使うだけでも、ビームを二次元走査できる。しかしそうするとビームが対象物に対して斜め入射することになる。常に法線方向に、つまり試料に対して直角に入射するようにするために、ふたつの８重極偏向器を利用する。１番目の８重極偏向器で＋Θだけビームを偏向させると、２番目の８重極偏向器で−Θだけ逆偏向させる。すると試料面ではかならず垂直入射することになる。
【００２１】
ふたつの８重極偏向器を設置するに当たって一つの工夫がなされる。それは、第１の８重極偏向器と第２の８重極偏向器を同軸上に配置しないでずれた位置に第２の８重極偏向器を設けるということである。これによって、第１の８重極偏向器による偏向角Θが符号を変えないようにする。第２の８重極偏向器の偏向角−Θも符号を変えない。つまりふたつの８重極偏向器において電界が０になる瞬間がない。電界０にならないので空間電荷効果が減退する瞬間がなくなりビームサイズの過度の収縮という問題を解決できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１によって本発明の実施例にかかるイオン注入装置を説明する。イオン源１は原料ガスを放電などによって励起し、引出電極に掛けた引き出し電圧によってプラズマからイオンをビームとして引き出す。荷電粒子の持つエネルギーは電荷と引き出し電圧の積である。この引出電極は長方形の出口を持つ特殊な形状をしている。引出電極から出たビームは長方形の断面を持つ帯状のビームである。帯状といってもその広がりは３ｃｍ〜５ｃｍの程度であって、ウェファの直径より小さい。であるから、ビームは二次元的に走査する必要がある。本発明は後で述べるように８重極偏向器によって二次元走査をし、エンドステーションは走査をしない。
【００２３】
これが質量分離マグネット２に入り軌道が曲げられる。質量が大きいと軌道半径が大きく質量が小さいと軌道半径は小さい。所望の質量のイオンだけがスリットを通過することができる。これによって必要なイオンビームのみを取り出すことができる。イオン源から出るイオンビームをウェファを被うぐらいの広い帯状のビームにすると、偏向器による走査は一次元のものでよい。が、そうしないのは、質量分離マグネットによって質量分離を行う必要があるからである。
【００２４】
これが加速管３に入り適当な速度に加速される。ビームのエネルギーは引き出し電圧Ｖexと加速電圧Ｖacc の和Ｖex＋Ｖacc となる。加速管は円形の開口を有する電極をビーム走行方向に適数枚並べてそれぞれに適当な電圧を加えるようにしたものである。
【００２５】
加速された帯状イオンビームはエネルギーフィルタ４を通り、所望のエネルギー範囲にないものは除去される。ある所定の範囲のエネルギーを持つ荷電粒子のビームのみがフィルタ４を通過できる。
これが第１の８重極偏向器５を通る。８重極偏向器は図２に示すように８つの円弧状の電極Ｇ1 、Ｇ2 、…、Ｇ8 からなる装置である。８つの電極にさまざまの交番電圧を印加することによって多様な電界を発生させることができる。ここでは２次元走査をする。図２でＸ方向とＹ方向に走査をするのである。Ｘ方向には左右対称に振動させる。
【００２６】
つまりＸ方向にはｘ＝０の点を横切る走査をする。しかしＹ方向にはつねに正の領域のみで走査をする。ｙ＞０とするのである。つまり図２の８重極偏向器において上半分の領域のみをビームが通過するようになている。二次元的な走査であるがｙ＝０を通らないようにしている。ｙ＝０を通らないようにするということが重要である。つまりｙ方向の電界が０である瞬間がないという事である。電界が０であるとその瞬間空間電荷効果が小さくなりビームサイズが小さくなる。そのためにビーム密度が不均一になる。
【００２７】
本発明はそうではなくて、常に電界が存在するからビームサイズはほぼ一定でありうる。
この８重極偏向器は、偏向板の形を特別なものにすることによって、Ｘ方向とＹ方向の偏向を重ね合わせることが可能になる。さらにＸ方向（水平方向）とＹ方向（垂直方向）の偏向中心を同一にすることもできる。また８重極偏向器の電極に印加する電圧を適当に選択することによって、均一電界の領域を広くとることができる。
【００２８】
図２には垂直偏向（Ｙ方向）を起こさせる電位分布を示している。上ふたつの電極Ｇ1 、Ｇ8 には電圧Ｖがかかっている。それらの隣の電極Ｇ2 、Ｇ7 には電圧ｂＶが掛かっている。下半部の電極Ｇ3 、Ｇ6 には−Ｖの電圧が、最下端の電極Ｇ4 、Ｇ5 には−Ｖの電圧が印加されている。Ｇ2 、Ｇ7 のｂＶの係数をｂ＝０．４１４にすることによって電界分布を一様にすることができる。
【００２９】
この電位半分は垂直方向のものである。左右には対称であるので、ビームはＹ軸上でｙ＞０の一点にある。垂直偏向（Ｙ方向、ｙ＞０）と水平偏向を同時に行うのであるから実際には、左右の電極の電界を変える必要がある。これによってＸ方向（ｘ＝０を通る）とＹ方向（ｙ＞０に限る）の走査を同時に行うことができる。同時といっても対称ではない。Ｘ方向に速く端から端まで走査しＹ方向には少しづつビームを動かして行くのである。Ｘ方向に端から端までといってもウェファは丸いから、端から端までの距離は一定でなくＹ座標の値によって変化する。
【００３０】
第１の８重極偏向器５を通って自由空間を飛行したイオンビームが、第２の８重極偏向器６に入る。第２の８重極偏向器は、第１の８重極偏向器とは反対方向の偏向をする。つまり第１の８重極偏向器での偏向をＸ方向にΦ1 、Ｙ方向にΘ1 とすると、第２の８重極偏向器でのＸ方向偏向角はΦ2 ＝−Φ1 、Ｙ方向偏向角はΘ2 ＝−Θ1 とするのである。このような正反対の偏向をさせると、ビームは初めのビーム方向と平行になる。初めのビーム飛行方向は、試料ウェファ面の法線方向である。だから第２の８重極偏向器によって偏向されたあとビームはウェファに垂直になる。８重極偏向器の距離をＬとすると、第１の８重極偏向器でΘだけ振ると、ウェファ面ではその方向に概略Ｌtan Θだけ振れることになるからビーム走査ができるのである。ウェファ面に垂直入射するのは、イオンの注入深さを面内で一様にするためと、注入密度を一様にするためである。
【００３１】
もちろん第１の８重極偏向器から第２の８重極偏向器に至るまでに時間が掛かるから、第２の８重極偏向器電圧変化に一定の遅れ時間τを与える必要がある。図３は、ふたつの８重極偏向器によるビーム軌跡変化の例を示すグラフである。ｚ＝０の位置に電界有効長が５０ｃｍの第１の８重極偏向器を設置した。それから５０ｃｍ離れた位置に、やはり電界有効長が５０ｃｍの第２の８重極偏向器を設置した。ビームエネルギーは２００ｋｅＶである。４つの軌跡が示されているが、これは下から電界強度が５０ｋＶ／ｍ、１００ｋＶ／ｍ、１５０ｋＶ／ｍ、２００ｋＶ／ｍの場合のビームの中心部の軌跡を表している。横軸はビーム進行方向の距離である。ｚ＝０〜０．５ｍに第１の８重極偏向器、ｚ＝１〜１．５ｍに第２の８重極偏向器がある。電界強度と走査された距離ｚ（ｍ）が比例することが分かる。
【００３２】
ふたつの８重極偏向器によってウェファ直前ではウェファ法線に平行なビームにするが、そのために必要な条件は、それぞれの８重極偏向器の電界強度Ｅ1 、Ｅ2 と、電界有効長さＬ1 、Ｌ2 の間につぎのような関係が有れば良い。
【００３３】
Ｅ1 Ｌ1 ＝Ｅ2 Ｌ2       （１）
【００３４】
上に示したパラメータは一例である。電界強度、長さなどは目的によって自在に変更することができる。同じ軌跡、同じ走査距離を得るという目的であっても、いくつもの自由度がある。例えば有効長が２５ｃｍの８重極偏向器をふたつ使い中心間距離を１ｍとすると、先述の４つの場合と同じ走査距離を得るために必要な電界強度は１００ｋＶ／ｍ、２００ｋＶ／ｍ、３００ｋＶ／ｍ、４００ｋＶ／ｍである。これを図４に示す。８重極偏向器の長さが図３のものの半分になっているから電界強度は２倍必要である。またビームの湾曲領域が狭くなり小さい曲率半径で曲げられるようになる。
【００３５】
例えば１２インチウェファ（直径３０ｃｍ）を対象とする場合を想定する。ビームサイズが５ｃｍとすると、第２の８重極偏向器の内径は５０ｃｍ程度有れば良い。第１の８重極偏向器はさらにより小さい内径のものでよい。ビームはイオン源を出てマグネットや８重極偏向器を通過するからビームがＸ方向、Ｙ方向に伸縮する。
【００３６】
図５にビームのＸＹ方向の拡大収縮の例を示す。イオン源からＰ+ （燐イオン）が４０ｋｅＶの引き出し電圧で３ｍＡの電流量になるように引き出されたとする。それが１００ｋｅＶまで加速され８重極偏向器によって二度偏向されウェファに入射する。経路は図１に示す通りであるビーム経路は様々に曲がるが、これを直線路に置き直して図５にその広がりだけを示す。図５（ａ）はｘｚ面での広がりを示し、図５（ｂ）はｙｚ面での広がりを示す。図５（ａ）で横軸はｘ軸、縦軸はｚ軸である。図５（ｂ）で横軸はｙ軸、縦軸はｚ軸である。ｚ＝０はイオン源、ｚ＝１００ｃｍの近傍が質量分離マグネットである。ｚ＝２００ｃｍが加速管の大体の位置、ｚ＝２５０ｃｍがフィルタマグネットの大体の位置、ｚ＝３００ｃｍが第１の８重極偏向器の位置、ｚ＝４００ｃｍが第２の８重極偏向器の位置である。８重極偏向器の長さは５０ｃｍで端面間の距離が５０ｃｍであるから、８重極偏向器の中心間距離は１００ｃｍである。
【００３７】
図６にもビームのＸＹ方向の拡大収縮の例を示す。これもイオン源からＰ+ （燐イオン）を４０ｋｅＶ、３ｍＡ引きだしたビームを質量分離し、１００ｋｅＶに加速しふたつの８重極偏向器によって偏向したものである。８重極偏向器の長さが２５ｃｍになっている。図５の場合の半分の長さの８重極偏向器である。電界が掛かる領域が狭いと、ビームの広がりが少なくなるということが分かる。
【００３８】
注入前にビームのチューニングを行うために、第１と第２の偏向器の電場を０にして、第２の偏向器の出口側のビーム軸上（位置Ａ）に挿入されたファラディカップによりビーム電流を測定する。８重極偏向器の電場を０にするとビームは直進するので、直進位置にファラディカップ８を設置する。これによって電流を測定して全イオンビーム電流を求める。
【００３９】
さらに注入時と同じ条件でビーム特性を調べるために、Ｂ位置にもファラディカップ９を設ける。これはウェファを越えたビームの最大偏向位置にある。ふたつの８重極偏向器に最大電圧を掛けてビームを振りＢ位置のファラディカップにビームを入射させる。これによって注入時のビーム電流を求めることができる。
【００４０】
位置Ａに於けるビーム電流Ｉａと位置Ｂに於けるビーム電流Ｉｂの比によって静電界による空間電荷効果を評価することができる。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の装置は、８重極偏向器によってイオンビームのみを走査する。ウェファは静止した状態でイオン注入される。ウェファを走査する必要がないから、ウェファの駆動機構、制御機構（エンドステーション）の構造が単純になる。装置コストの削減が可能になる。
【００４２】
従来の平行平板電極による偏向器では、二組の偏向器を使っても一次元の走査しかできない。本発明はふたつの８重極偏向器を利用するのでより短い距離で二次元の偏向を行うことができる。
【００４３】
Nagai （▲１▼）等の３組の平行平板電極による偏向システムに比べて偏向電界の領域を短くできる。電界の存在する領域を短くできるから空間電荷効果によるビーム特性の変化を抑制することができる。例えば本発明の実施例において静電８重極偏向器の長さは５０ｃｍのものを使っているが、Nagai の平行平板電極による静電偏向器の長さは一つが１０６ｃｍもの長さを持つ。全部で３組あるからビーム輸送系の長さは偏向器部分だけで６００ｃｍにもなる。
【００４４】
８重極偏向器において電界が０になる瞬間がなく、常に有限の電界が存在している。ビーム軸とビーム入射方向、出射方向がある有限の角度を持つように偏向器が設置されているため、常に電場の存在する領域を通過する。電界が０の領域があればそこでビームが収縮するが、本発明の場合そのようなビーム収縮は起こらない。ビームサイズが安定するから、注入の均一生が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のイオン注入装置の全体概略図。
【図２】８重極偏向器の電極の配置と電位分布の一例を示す概略正面図。
【図３】ｚ＝０に有効長５０ｃｍの８重極偏向器を設けこれと５０ｃｍ離れた位置（中心間距離が１００ｃｍ）に有効長５０ｃｍの第２の８重極偏向器を設け２００ｋｅＶのイオンビームを通し、電界強度５０ｋＶ／ｍ、１００ｋＶ／ｍ、１５０ｋＶ／ｍ、２００ｋＶ／ｍで偏向させた場合のビーム軌跡を示す図。
【図４】ｚ＝０に有効長２５ｃｍの８重極偏向器を設けこれと７５ｃｍ離れた位置（中心間距離が１００ｃｍ）に有効長２５ｃｍの第２の８重極偏向器を設け２００ｋｅＶのイオンビームを通し、電界強度１００ｋＶ／ｍ、２００ｋＶ／ｍ、３００ｋＶ／ｍ、４００ｋＶ／ｍで偏向させた場合のビーム軌跡を示す図。
【図５】本発明の装置において、燐イオンを、有効長５０ｃｍの８重極偏向器ふたつを含むビーム経路に通した場合（Ｚ軸方向）における経路に沿ったビームの広がりを示す図。（ａ）はｘｚ面での広がりを示し、（ｂ）はｙｚ面での広がりを示す図である。
【図６】本発明の装置において、燐イオンを、有効長２５ｃｍの８重極偏向器ふたつを含むビーム経路に通した場合（Ｚ軸方向）における経路にそったビームの広がりを示す図。（ａ）はｘｚ面での広がりを示し、（ｂ）はｙｚ面での広がりを示す図である。
【符号の説明】
１  イオン源
２  質量分離マグネット
３  加速管
４  エネルギーフィルタ
５  第１の８重極偏向器
６  第２の８重極偏向器
７  ウェファ
８  ファラディカップ
９  ファラディカップ
【図１】
0003635818.tif 000002
【図２】
0003635818.tif 000003
【図３】
0003635818.tif 000004
【図４】
0003635818.tif 000005
【図５】
0003635818.tif 000006
【図６】
0003635818.tif 000007