(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記式（２）又は（３）
【化２０】
0003672009.tif 000028
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2は水素原子であり、ｎ、ｍはそれぞれ０〜５の整数、Ｇは
【化２１】
0003672009.tif 000029
である。）
で示され、２核体が１０重量％以下、３〜５核体の合計量が６０重量％以上で、３〜５核体の合計量に占める３核体の割合が６０重量％以上であり、かつ重量平均分子量／数平均分子量が１．７以下であるエポキシ樹脂、
（Ｂ）無機質充填材
（Ｃ）硬化触媒
（Ｄ）熱可塑性樹脂
を必須成分として含有し、未硬化物のガラス転移温度が１５℃未満であり、未硬化物中の揮発成分が０．１重量％以下であり、厚み２０〜１５０μｍのフィルム状に形成されたことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
（Ｄ）成分の熱可塑性樹脂の数平均分子量が５，０００〜２００，０００であり、かつその分子構造が直鎖状である請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｃ）成分の硬化触媒がイミダゾール類である請求項１又は２記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｅ）成分としてフェノール樹脂を含有する請求項１又は２記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｅ）成分のフェノール樹脂のガラス転移温度が１５℃未満であり、かつ単量体を含有しないものである請求項４記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
芳香族重合体と下記組成式（１）で示されるオルガノポリシロキサンとを反応させることにより得られる共重合体を含有する請求項１乃至５のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成物。
ＲaＲ′bＳｉＯ(4-a-b)/2            …（１）
（但し、式中Ｒは水素原子、アミノ基，エポキシ基，ヒドロキシ基もしくはカルボキシ基を含有する１価炭化水素基又はアルコキシ基を示し、Ｒ′は置換もしくは非置換の１価炭化水素基を示し、ａ、ｂは０．００１≦ａ≦１、１≦ｂ≦２、１．００１≦ａ＋ｂ≦３を満足する正数である。また、１分子中のケイ素原子の数は２〜１，０００であり、１分子中のケイ素原子に直結した官能基Ｒの数は１以上である。）
【請求項７】
熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂又はポリエーテルサルホンである請求項１乃至６のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
少なくとも１層が請求項１乃至７のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成物により形成された厚みが２０〜１５０μｍである、２層以上の層からなる積層フィルム。
【請求項９】
請求項８記載の積層フィルムの硬化物により半導体素子の表面が封止された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自己重合型或いはフェノール硬化型のエポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体封止に有効な積層フィルム及びこのフィルムによって封止された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
近年、電子機器は著しい速度で小型化、軽量化の傾向にある。この流れの中で、電子機器の頭脳である半導体装置も小型化、軽量化の傾向にあり、究極的にはその実装面積をチップ寸法にまで縮小するＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）実装が提唱されている。
【０００３】
エポキシ樹脂はその優れた接着性、耐熱性、耐湿性のために、半導体パッケージ組み立て用の材料として広く用いられている。近年では上記の様なパッケージ方式の多様化に伴い、従来の様な封止用の材料としてのみならずコーティング材やダイボンド材、或いはアンダーフィル材等として使用されている。これら材料は溶剤で希釈されたもの或いはペースト状のものがほとんどである。
【０００４】
このうち溶剤で希釈されたものは、作業者の健康管理や安全上の問題から、使用時に揮散する溶剤の除去に相当の配慮をしなければならず、コストアップ要因となっている。
【０００５】
また、コーティング材の使用法としては、半導体素子の表面をエポキシ樹脂組成物の薄膜のみで覆い、封止する方法、或いはペースト状のエポキシ樹脂組成物でスクリーン印刷する方法などが提案されている。これらの材料には従来から知られている酸無水物硬化型エポキシ樹脂組成物やアミン硬化型エポキシ樹脂組成物などのペースト状のもの、或いはこれらのペースト状のエポキシ樹脂組成物をフィルム上でＢステージ化し、フィルム化したものなどが使用されている。
【０００６】
一方、ダイボンド材或いはアンダーフィル材も従来はペースト状のものがほとんどであったが、最近ではペースト状のダイボンド材をフィルム化したものが広く使用されるようになってきた。使用方法としてはフィルムをリードフレーム、或いは基盤上に圧着し、その上に半導体素子を接着させ硬化させるものである。これらの材料としては、従来からよく知られている酸無水物硬化型エポキシ樹脂組成物やアミン硬化型エポキシ樹脂組成物がほとんどである。
【０００７】
これらのＢステージ化フィルムは、ペースト状の材料よりも取り扱いが容易であり、半導体装置の組み立て工程の簡略化に貢献する方式として大変有望なものであるが、酸無水物硬化型エポキシ樹脂組成物やアミン硬化型エポキシ樹脂組成物は、未硬化物の保存性、硬化物の耐湿特性や高温特性が不十分なため、直接半導体素子表面に薄膜で被覆する材料としては不十分なものである。
【０００８】
一方、自己重合型エポキシ樹脂組成物、特にイミダゾール類を硬化触媒として用いる場合、或いはフェノール硬化型エポキシ樹脂組成物では、酸無水物硬化型のものやアミン硬化型のものに比べ、未硬化物の保存性、及び硬化物の耐湿性や高温特性は良好であるが、反応の進行を制御し、Ｂステージ化フィルムを得ることが困難であり、従って柔軟で、作業性が良好なフィルムを得るには、原料であるエポキシ樹脂や、フェノール樹脂硬化剤の軟化点を低下させる必要があり、この場合、硬化物の耐熱性が不十分であるといったジレンマが生じる。
【０００９】
この点を解決するため、本発明者は、
（Ａ）２核体が１０重量％以下、３〜５核体の合計量が５０重量％以上であり、かつ重量平均分子量／数平均分子量が１．７以下であるエポキシ樹脂
（Ｂ）無機質充填材
（Ｃ）硬化触媒
を必須成分として含有し、未硬化物のガラス転移温度が１５℃未満であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物を提案した（特開２０００−２３０１１３号公報）。
【００１０】
このように自己重合型或いはフェノール硬化型エポキシ樹脂組成物であっても、エポキシ樹脂の分子量分布を制御すれば、未硬化物の柔軟性と硬化物の耐熱性の両立が可能である。
【００１１】
ところが、これらの自己重合型或いはフェノール硬化型エポキシ樹脂組成物のフイルム材料は、原料であるエポキシ樹脂やフェノール樹脂がいずれも低分子量のものであるため、加熱時において材料の溶融粘度が極めて小さくなる。このことにより、基盤などへフィルムを仮圧着する際、或いはフィルムをキュアする際に、デバイスやパッケージの形態、或いはフィルムの仮圧着、キュアの条件の如何によっては、フィルムの原型が失われたり、デバイスの凹凸部で巻き込みボイドを生じるなどの問題が発生するおそれがある。
【００１２】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、（１）特定の分子量を有し、かつ分子構造が直鎖状である熱可塑性樹脂を添加することにより、フィルム状に加工した未硬化物によって半導体素子と基盤との隙間、或いは半導体素子の表面などを封止する際、フィルムの原型が失われる、或いは巻き込みボイドを生じるなどの問題を回避し得、しかも硬化物の耐熱性、耐湿性、低応力性を低下させることなく、未硬化物のガラス転移温度を低下させた自己重合型及びフェノール硬化型エポキシ樹脂組成物、（２）（１）のエポキシ樹脂組成物を用いた柔軟で作業性が良好な薄膜フィルムを少なくとも１層とした２層以上の積層フィルム、及び（３）（２）のフィルム状エポキシ樹脂組成物で半導体素子と基板との隙間、及び半導体素子の表面を封止した半導体装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は上記目的を達成するために鋭意検討した結果、後述する式（２）又は（３）で示され、２核体が１０重量％以下、３〜５核体の合計量が６０重量％以上で、３〜５核体の合計量に占める３核体の割合が６０重量％以上であり、かつ重量平均分子量／数平均分子量が１．７以下であるエポキシ樹脂、無機質充填材、硬化触媒、更に必要に応じフェノール樹脂を含有し、未硬化物の軟化温度が１５℃未満であるエポキシ樹脂組成物、好ましくは自己重合型の場合硬化触媒としてイミダゾール類を用いること、またフェノール硬化型の場合フェノール樹脂のガラス転移温度が１５℃未満であり、かつ、単量体を含まないものを使用すること、更に好ましくはこれに芳香族重合体と下記組成式〔Ｉ〕で示されるオルガノポリシロキサンとを反応させることにより得られる共重合体を配合し、更に揮発成分が０．１重量％以下であるエポキシ樹脂組成物に対し、熱可塑性樹脂、特に数平均分子量が５，０００〜２００，０００であり、分子構造が直鎖状である熱可塑性樹脂を配合することにより、室温下においても良好な弾性と柔軟性を有することから非常に作業性が良好なフィルムが得られること、かつこのフィルムにより半導体素子を被覆することで耐熱性、耐湿性、低応力性が良好であり、ボイド量が少ない半導体装置が得られること、この場合、上記熱可塑性樹脂の配合により、樹脂流れ或いは樹脂の未充填などの問題を回避し得ることを見出し、本発明を完成させたものである。
【００１４】
ＲaＲ′bＳｉＯ(4-a-b)/2            …（１）
（但し、式中Ｒは水素原子、アミノ基，エポキシ基，ヒドロキシ基もしくはカルボキシ基を含有する１価炭化水素基又はアルコキシ基を示し、Ｒ′は置換又は非置換の１価炭化水素基を示し、ａ、ｂは０．００１≦ａ≦１、１≦ｂ≦２、１．００１≦ａ＋ｂ≦３を満足する正数である。また１分子中のケイ素原子の数は２〜１，０００であり、１分子中のケイ素原子に直結した官能基Ｒの数は１以上である。）
【００１５】
従って、本発明は、第一に、
（Ａ）後述する式（２）又は（３）で示され、２核体が１０重量％以下、３〜５核体の合計量が６０重量％以上で、３〜５核体の合計量に占める３核体の割合が６０重量％以上であり、かつ重量平均分子量／数平均分子量が１．７以下であるエポキシ樹脂、
（Ｂ）無機質充填材、
（Ｃ）硬化触媒、
（Ｄ）熱可塑性樹脂、好ましくは数平均分子量が５，０００〜２００，０００であり、かつ分子構造が直鎖状である熱可塑性樹脂、
（Ｅ）必要に応じフェノール樹脂
を含有し、未硬化物のガラス転移温度が１５℃未満であり、未硬化物中の揮発成分が０．１重量％以下であり、厚み２０〜１５０μｍのフィルム状に形成されたことを特徴とする、自己重合型或いはフェノール硬化型のエポキシ樹脂組成物、
第二に、（Ｅ）成分のフェノール樹脂を含有しない場合、（Ｃ）成分の硬化触媒がイミダゾール類である、上記の自己重合型エポキシ樹脂組成物、又は（Ｅ）成分のフェノール樹脂を含有する場合、これのガラス転移温度が１５℃未満であり、かつ、単量体を含有しない、上記のフェノール硬化型エポキシ樹脂組成物、
第三に、芳香族重合体と下記組成式（１）で示されるオルガノポリシロキサンとを反応させることにより得られる共重合体を含有する上記のエポキシ樹脂組成物
ＲaＲ′bＳｉＯ(4-a-b)/2            …（１）
（但し、式中Ｒは水素原子、アミノ基，エポキシ基，ヒドロキシ基もしくはカルボキシ基を含有する１価炭化水素基又はアルコキシ基を示し、Ｒ′は置換もしくは非置換の１価炭化水素基を示し、ａ、ｂは０．００１≦ａ≦１、１≦ｂ≦２、１．００１≦ａ＋ｂ≦３を満足する正数である。また、１分子中のケイ素原子の数は２〜１，０００であり、１分子中のケイ素原子に直結した官能基Ｒの数は１以上である。）
を提供する。
【００１６】
また、本発明は、少なくとも１層が上記エポキシ樹脂組成物により形成された厚みが２０〜１５０μｍである、２層以上の層からなる積層フィルム、及びこの積層フィルムの硬化物により半導体素子の表面が封止された半導体装置を提供する。
【００１７】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明で使用可能なエポキシ樹脂としては、下記式（２）又は（３）で示され、２核体が１０重量％以下（即ち、０〜１０重量％）、３〜５核体の合計量が６０重量％以上（即ち、６０〜１００重量％）で、３〜５核体の合計量に占める３核体の割合が６０重量％以上であり、かつ重量平均分子量／数平均分子量が１．７以下（即ち１．０〜１．７）であるエポキシ樹脂であればいかなるものでも使用することができる。ここで、本発明で使用されるエポキシ樹脂は各核毎に１個のエポキシ基を有するものであり、従ってｎ核体は１分子中にｎ個のエポキシ基を有するものである。
【００１８】
この種のエポキシ樹脂としては、下記式（２）で示されるフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、或いはフェノールとクレゾールの共縮合ノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、下記式（３）で示されるトリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂やトリスヒドロキシフェニルプロパン型エポキシ樹脂などのトリスヒドロキシフェニルアルカン型エポキシ樹脂が用いられ、この中でも特に、３〜５核体の合計量が６０重量％以上（６０〜１００重量％）であり、３〜５核体の合計量に占める３核体の割合が６０重量％以上（６０〜１００重量％）であり、重量平均分子量／数平均分子量が１．５以下（１．０〜１．５）であり、かつ軟化温度が１０℃未満であるもの、とりわけクレゾールノボラック型エポキシ樹脂が望ましい。エポキシ樹脂全体に対し、２核体の含有量が多すぎると、硬化物のガラス転移温度が低くなってしまい、耐熱性の低下を招いてしまう。また、２核体の含有量が適正でも、３〜５核体の合計量が少なすぎると、６核体以上の割合が多くなり、未硬化物のガラス転移温度が高くなり、室温においてフィルムの柔軟性が損なわれ、フィルムが破損してしまうといった問題が発生する。
【００１９】
【化１】
0003672009.tif 000002
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2は水素原子であり、ｎは０〜５の整数、特に好ましくは１、２又は３であり、Ｇは下記の通りである。）
【００２０】
【化２】
0003672009.tif 000003
【００２１】
【化３】
0003672009.tif 000004
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2は水素原子であり、ｍは０〜５の整数、特に好ましくは０又は１であり、Ｇは上記の通りである。）
【００２２】
上記エポキシ樹脂のほかにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂など従来公知のエポキシ樹脂を併用しても良く、この場合これらのエポキシ樹脂の配合量はエポキシ樹脂組成物のガラス転移温度が１５℃以上にならない範囲である。
【００２３】
これらエポキシ樹脂中の全塩素含有量は好ましくは１５００ｐｐｍ以下、特に１０００ｐｐｍ以下である。また、１２０℃で５０％エポキシ樹脂濃度における２０時間での抽出水塩素が５ｐｐｍ以下であることが好ましい。全塩素含有量、抽出水塩素が多いと半導体の耐湿信頼性が低下するおそれがある。
【００２４】
本発明で使用可能な無機質充填材は、その種類は特に限定されるものではなく、用途に応じて任意に選択される。例えば結晶性シリカ、非結晶性シリカ等の天然シリカ、合成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、マイカ、窒化ケイ素、ボロンナイトライド、アルミナ等、或いはＡｇ粉のような電導性粒子等から１種類又は２種類以上を用いることができる。無機質充填材の形状としては、球状、破砕状、無定形など特に制限されないが、球状のものが好ましい。無機質充填材の配合量は、樹脂分総量（即ち、エポキシ樹脂量と、後述するフェノール樹脂や芳香族重合体とオルガノポリシロキサンとの共重合体を配合する場合には、これらフェノール樹脂及び該共重合体量とを加えた合計）１００重量部に対し、好ましくは５０〜１０００重量部、より好ましくは１００〜４００重量部である。また、無機質充填材の粒径は積層フィルムの厚みにより制限され、望ましくは最大粒径はフィルムの厚み未満、平均粒径は１／２未満である。
【００２５】
通常は、最大粒径が１５０μｍ未満、好ましくは７５μｍ未満であり、平均粒径が０．１〜７０μｍ、好ましくは１〜３０μｍ程度のものが使用される。
【００２６】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、フェノール樹脂等の硬化剤を配合しない自己重合型、又はフェノール樹脂を硬化剤として用いたフェノール硬化型のいずれにも調製し得るが、いずれの場合も硬化触媒を必須成分として配合する。
【００２７】
この場合、自己重合型エポキシ樹脂組成物で使用可能な硬化触媒は、エポキシ樹脂を単独重合させるものであればその種類は特に限定されるものではなく、例えば、イミダゾール類、３級アミン類等から１種又は２種以上を用いることができるが、この中でも未硬化物の保存性を考慮すると特にイミダゾール類を用いることが望ましい。イミダゾール類としては、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジ（ヒドロキシメチル）−イミダゾール等を挙げることができ、また３級アミン類としては、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミンや１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７などのシクロアミジン化合物等を挙げることができる。
【００２８】
フェノール硬化型エポキシ樹脂組成物の場合は、上記イミダゾール類、３級アミン類に加え、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−トルイル）ホスフィン、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリ（ｐ−エトキシフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボランなどの有機ホスフィン化合物及びその塩、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートなどの４級ホスホニウム化合物及びその塩等の有機リン化合物類を用いることができる。
【００２９】
硬化触媒の配合量は、エポキシ樹脂（フェノール樹脂を配合する場合は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との総量）１００重量部に対し好ましくは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．１〜５重量部である。硬化触媒の配合量が少なすぎると加熱成型時に硬化不良を起こし、また多すぎると、保存安定性が低下する等といった問題が発生するおそれがある。
【００３０】
フェノール硬化型エポキシ樹脂組成物においては、フェノール樹脂を硬化剤として配合する。
【００３１】
本発明で使用されるフェノール樹脂は、分子中に少くとも１個、好ましくは２個以上のフェノール性水酸基を有するものであればいかなるものでもよく、その分子量分布はエポキシ樹脂のように特に限定されるものではないが、エポキシ樹脂組成物（未硬化物）のガラス転移温度が１５℃未満であることを達成するために、フェノール樹脂のガラス転移温度は１５℃未満であることが望ましく、特に好ましくは１０℃未満であることが望ましい。また硬化物の耐熱性が低下することを避けるために、単量体を含有しないことが望ましい。この様な条件を考慮した場合、単量体を含有せず、２〜４核体の合計量が８０重量％以上（即ち、８０〜１００重量％）であり、２〜４核体の合計量に占める２核体の割合が４０重量％以上、７０重量％未満であり、かつガラス転移温度が１０℃未満であるもの、特にクレゾールノボラック樹脂（下記構造式（４））が望ましい。ここで、本発明で使用されるフェノール樹脂は、各核毎に１個のフェノール性水酸基を有するものであり、従ってｎ核体は、１分子中にｎ個のフェノール性水酸基を有するものである。２〜４核体の合計量に占める２核体の割合が７０重量％以上では硬化物のガラス転移温度が低くなってしまい、耐熱性の低下を招くおそれがある。また２〜４核体の合計量に占める２核体の割合が４０重量％未満、２〜４核体の合計量が８０重量％未満では、３核体以上の割合が多くなり、未硬化物のガラス転移温度が高くなり、室温においてフィルムの柔軟性が損なわれ、フィルムが破損してしまうといった問題が発生するおそれがある。
【００３２】
【化４】
0003672009.tif 000005
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2は水素原子又は臭素原子であり、ｎは０又は自然数、好ましくは０〜５の整数、特に好ましくは０、１又は２である。）
【００３３】
上記フェノール樹脂のほかに、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂などのビスフェノール型フェノール樹脂、フェノールとクレゾールの共縮合ノボラック樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂、トリスヒドロキシフェニルプロパン型樹脂などのトリスヒドロキシフェニルアルカン型樹脂、ナフタレン型フェノール樹脂、シクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂など従来公知のフェノール樹脂を併用しても良く、この場合これらのエポキシ樹脂の配合量はエポキシ樹脂組成物のガラス転移温度が１５℃以上にならない範囲である。
【００３４】
フェノール樹脂の配合量は、エポキシ樹脂の配合量に対して当量比（即ち、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対するフェノール樹脂中のフェノール性水酸基のモル比）で０．５以上、２．０以下であることが望ましく、より好ましくは０．８以上、１．２以下である。フェノール樹脂の配合量が、エポキシ樹脂の配合量に対して当量比で０．５未満、又は２．０より大きい場合は、樹脂組成物が十分に硬化せず耐熱性が低下するといった問題が発生するおそれがある。
【００３５】
本発明のエポキシ樹脂組成物には、熱可塑性樹脂を配合する。本発明のエポキシ樹脂組成物において使用可能な熱可塑性樹脂は、数平均分子量が５，０００〜２００，０００であり、かつ分子構造が直鎖状であるものが好ましく、このようなものであれば如何なるものでも使用できる。これらの熱可塑性樹脂の中でも、特に、数平均分子量が１０，０００〜１００，０００であるものが望ましい。熱可塑性樹脂の分子量が５，０００未満であれば、加熱成形時の溶融粘度が小さくなり、デバイスやパッケージの形態、或いはフィルムの仮圧着、キュアの条件の如何によっては、フィルムの原型が失われたり、デバイスの凹凸部で巻き込みボイドを生じるなどの問題が発生するおそれがある。また、数平均分子量が２００，０００より大きければ、逆に加熱成形時の溶融粘度が大きくなり、特にデバイスの凹凸部で材料の未充填が起こるといった問題が発生するおそれがある。更に、熱可塑性樹脂の分子構造が直鎖状でなく、分岐を有するものであれば、同じ分子量であっても、エポキシ樹脂組成物に配合した場合、加熱時における溶融粘度が低くなり、従って室温におけるフィルムの柔軟性と加熱時における適度の溶融粘度との両立が困難になるといった問題が生じるおそれがある。
【００３６】
ここで、熱可塑性樹脂の具体例としては、ＡＡＳ樹脂、ＡＥＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、メタクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ブタジエン樹脂、各種のフッ素樹脂、ポリアセタール、各種のポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレン、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等が挙げられる。
【００３７】
また、熱可塑性樹脂の配合量は、未硬化物のガラス転移温度が１５℃未満となる範囲であり、例えば実施例のフェノキシ樹脂の場合、樹脂（エポキシ樹脂、フェノール樹脂）分の総量１００重量部に対し、望ましくは０．１〜２０重量部、より好ましくは１〜１０重量部、ポリエーテルサルホンの場合、樹脂分の総量１００重量部に対し、望ましくは０．１〜１０重量部、より好ましくは１〜５重量部である。
【００３８】
本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途に応じてカーボンブラック等の顔料、染料、難燃化剤、カップリング剤、熱可塑性樹脂その他の添加剤を配合することが可能である。
【００３９】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、未硬化状態で室温付近（２５℃程度）において柔軟なゴム状であり、従って未硬化物のガラス転移温度が１５℃未満、より好ましくは１０℃未満であることが望ましい。未硬化物のガラス転移温度が１５℃以上である場合、室温においてフィルムの柔軟性が損なわれ、フィルムが破損してしまうといった問題が発生するおそれがある。
【００４０】
本発明のエポキシ樹脂組成物には、特に低応力性を向上させるために芳香族重合体と特定のオルガノポリシロキサンとを反応させることにより得られる共重合体を必要に応じて配合することが望ましい。
【００４１】
ここで芳香族重合体としては、種々の化合物を使用し得、例えば下記式（５），（６）の構造のエポキシ樹脂やフェノール樹脂などが挙げられる。
【００４２】
【化５】
0003672009.tif 000006
【００４３】
【化６】
0003672009.tif 000007
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2は水素原子又は臭素原子であり、Ｒ3は水素原子又は下記式で示されるグリシジル基であり、ｎは０又は自然数、好ましくは０〜５０の整数、特に好ましくは１〜２０の整数、ｍは０又は自然数、好ましくは０〜５の整数、特に好ましくは０又は１である。）
【００４４】
【化７】
0003672009.tif 000008
【００４５】
また、芳香族重合体として、下記式（７）〜（９）の構造のアルケニル基含有化合物（エポキシ樹脂又はフェノール樹脂）を用いることもできる。
【化８】
0003672009.tif 000009
【００４６】
【化９】
0003672009.tif 000010
【００４７】
【化１０】
0003672009.tif 000011
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2は水素原子又は臭素原子であり、Ｒ3は水素原子又は下記式で示されるグリシジル基であり、ｎ，ｍは自然数で、好ましくはｎ＋ｍが２〜５０、より好ましくは２〜２０の整数である。）
【００４８】
【化１１】
0003672009.tif 000012
【００４９】
一方、オルガノボリシロキサンは下記組成式（１）で示されるものである。
ＲaＲ′bＳｉＯ(4-a-b)/2            …（１）
（但し、式中Ｒは水素原子、アミノ基，エポキシ基，ヒドロキシ基もしくはカルボキシ基を含有する１価炭化水素基又はアルコキシ基を示し、Ｒ′は置換もしくは非置換の１価炭化水素を示し、ａ、ｂは０．００１≦ａ≦１、１≦ｂ≦２、１．００１≦ａ＋ｂ≦３を満足する正数である。ここでＲは、前記した芳香族重合体中のエポキシ基、フェノール性水酸基又はアルケニル基と反応して、共重合体を形成し得る官能性基であり、また、１分子中のケイ素原子の数は２〜１，０００であり、１分子中のケイ素原子に直結した官能基Ｒの数は１以上である。）
この場合、Ｒのアミノ基含有１価炭化水素基としては、下記のものが挙げられる。
【００５０】
【化１２】
0003672009.tif 000013
（ｎ；１〜３の整数）
【００５１】
エポキシ基含有１価炭化水素基としては、下記のものが挙げられる。
【００５２】
【化１３】
0003672009.tif 000014
（ｎ；１〜３の整数）
【００５３】
ヒドロキシ基含有１価炭化水素基としては、下記のものが挙げられる。
【００５４】
【化１４】
0003672009.tif 000015
（ｍ；０〜３の整数、ｎ；１〜３の整数）
【００５５】
カルボキシ基含有１価炭化水素基としては、−ＣX Ｈ2XＣＯＯＨ（Ｘ＝０〜１０の整数）が挙げられ、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基等の炭素数１〜４のものが挙げられる。
【００５６】
また、Ｒ′の置換又は非置換の１価炭化水素基としては、炭素数１〜１０のものが好ましく、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基などや、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子などで置換したハロゲン置換１価炭化水素基を挙げることができる。
【００５７】
更に、ａ、ｂは上述した値であるが、好ましくは０．０１≦ａ≦０．１、１．８≦ｂ≦２、１．８５≦ａ＋ｂ≦２．１、ケイ素原子数は好ましくは１０〜４００、より好ましくは２０〜２１０である。
【００５８】
このようなオルガノポリシロキサンとしては、例えば下記構造の化合物を挙げることができる。
【００５９】
【化１５】
0003672009.tif 000016
【００６０】
【化１６】
0003672009.tif 000017
【００６１】
式（１０）、（１１）において、Ｒ′は式（１）と同じ非置換又は置換１価炭化水素基、好ましくはメチル基又はフェニル基を示し、Ｘは、アミノ基、エポキシ基、ヒドロキシ基、もしくはカルボキシ基含有１価炭化水素基を示し、ｐは０〜１０００、好ましくは８〜４００の整数、ｑは０〜２０、好ましくは０〜５の整数を示す。
具体的には下記のジオルガノポリシロキサンを挙げることができる。
【００６２】
【化１７】
0003672009.tif 000018
【００６３】
上記のオルガノポリシロキサンの分子量は、特に限定されるものではないが、１００〜７００００が望ましい。これはオルガノポリシロキサンの分子量が１００〜７００００である場合、得られた共重合体をエポキシ樹脂組成物に配合すると、マトリクス中に共重合体が相溶せず、かつ微細な海島構造を形成するためである。分子量が１００未満であると、マトリクス中に共重合体が相溶し、海島構造が消滅し、分子量が７００００より大きければ、海島が大きくなってしまい、いずれの場合も硬化物の低応力性が低下するおそれがある。
【００６４】
上記芳香族重合体とオルガノポリシロキサンとを反応させて共重合体を得る方法としては公知の方法が採用される。
【００６５】
また、この共重合体の配合量は、エポキシ樹脂（フェノール樹脂を配合する場合はエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計）１００重量部に対して０〜１００重量部程度が好ましく、より好ましくは１〜５０重量部程度である。特にフェノール硬化型エポキシ樹脂組成物の場合は、前記したエポキシ樹脂、フェノール樹脂及び該共重合体の全体において、エポキシ基の総量に対してフェノール性ヒドロキシル基の総量が０．５以上、２．０以下であることが望ましく、より好ましくは０．８以上、１．２以下であることが望ましい。エポキシ基の総量に対してフェノール性ヒドロキシル基の総量が上記範囲外の場合、樹脂組成物が十分に硬化せず、耐熱性が低下するといった問題が発生する場合がある。
【００６６】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記した成分の所定量を均一に攪拌、混合し、予め７０〜９０℃に加熱されているロール、ニーダー、連続混練装置などで混合した後、ガラス転移温度以下に冷却し、破砕する等の方法で得ることができる。なお、成分の配合順序は特に制限されるものではないが、熱可塑性樹脂は予めエポキシ樹脂、或いはフェノール樹脂との混合物の状態にしておくことが望ましい。即ち、熱可塑性樹脂とエポキシ樹脂、或いはフェノール樹脂が共に溶解する溶剤中で均一になるまで混合し、溶剤を除去する、或いは所定量の熱可塑性樹脂とエポキシ樹脂、フェノール樹脂を予め熱可塑性樹脂のガラス転移温度以上に加熱してあるニーダーなどで均一になるまで混合する等の方法によりこの混合物を得る。この後に他の成分と、予め７０〜９０℃に加熱してあるロール、ニーダー、連続混合機等で混合した後、ガラス転移温度以下に冷却し、破砕する等の方法を採用することが好ましい。
【００６７】
なお、本発明のエポキシ樹脂組成物はフィルム状で使用することが好適であるが、この場合の加熱成形時の条件は、従来の固形樹脂のトランスファー成形と比べると材料が受ける圧力は極めて小さく、また液状材料のポッティングやアンダーフィルと比べると材料は急激に高温にさらされる場合が多い。従って未硬化物に含まれる揮発成分がボイドとして硬化後に残留しやすくなる傾向があるため、揮発成分が極めて少ないことが望まれる。具体的には揮発成分の含有量が０．１重量％以下、好ましくは０．０１重量％以下であることが望ましい。
【００６８】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体封止用として有効に用いられるが、この際フィルム状に加工して使用することが好ましく、特に２層以上の積層フィルムの少なくとも１層として用いることが好ましい。この場合、本発明のエポキシ樹脂組成物からなるフィルムの厚さは２０〜１５０μｍであることが好ましい。なお、他の層の材質や厚み等は積層フィルムの用途に応じて選択される。
【００６９】
具体的には、本発明のエポキシ樹脂組成物で形成される層の保護を目的とした、シリコーンシート、テフロンシート、或いは離型用のシリコーン又はテフロン等を表面に塗布したＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シート等を片面又は両面に貼り付けた積層フィルム、基材や半導体素子との室温での仮接着を目的とした粘着剤の層をエポキシ樹脂組成物の層と上記保護層の間の片方又は両方に挟み込んだ積層フィルム等である。
【００７０】
なお、本発明の積層フィルムは通常のゴムシートの製造等に用いるコーター・ラミネーター等を用いて製造される。この際、本発明のエポキシ樹脂組成物を必要に応じて加熱、加圧して引き延ばし、積層フィルムの用途に応じて板状に切断、或いはテープ状に切断、巻き取ることにより製造することができる。これは、用途に応じて更に切断され、先述した保護層を除去した後用いられる。
【００７１】
本発明の積層フィルムが使用される半導体装置は特に限定されるものではないが、ＣＳＰのような小型、薄型の半導体装置に好適であり、とりわけチップ〜基盤間の狭ギャップの接着剤用用途に有効であり、従来の酸無水物硬化型、或いはアミン硬化型の材料よりも信頼性に優れた接着が得られる。また、本発明の積層フィルムの使用方法も特に限定されるものではないが、フィルムを適当なサイズに切断し、基盤上に仮圧着し、フィルム上にチップを搭載した後、全体を熱圧着する等の方法により半導体装置を得ることができる。ここでチップの搭載前にフィルムにプレヒートを施しても差し支えない。
【００７２】
【発明の効果】
本発明のエポキシ樹脂組成物においては、エポキシ樹脂（及び好ましくはフェノール樹脂硬化剤）の分子量分布を制御したことにより、硬化物の耐熱性、耐湿性を低下させることなく、未硬化物のガラス転移温度を低下させることが可能であると共に、熱可塑性樹脂を添加したことにより、フィルム状に加工した未硬化物によって半導体素子と基盤との隙間、或いは半導体素子の表面などを封止する際、フィルムの原型が失われる、或いは巻き込みボイドが生じるなどの問題を回避し得る。
また、このエポキシ樹脂組成物を用いることにより、柔軟で、作業性が良好なフィルムが得られ、更にこのエポキシ樹脂組成物の層を１層とし、用途に応じて他の層を貼り付けた２層以上の積層フィルムを得ることができ、また、このフィルムにより半導体素子を被覆することで、耐熱性、耐湿性、低応力性の良好な半導体装置が得られる。
【００７３】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００７４】
［実施例、比較例］
表１に示す分子量分布、エポキシ当量、及びガラス転移温度を持つエポキシ樹脂Ａ〜Ｄ、表２に示す分子量分布、フェノール性水酸基当量、及びガラス転移温度を持つフェノール樹脂Ａ〜Ｄ、無機質充填材（最大粒径２４μｍ未満、平均粒径４μｍの球状シリカ）、硬化触媒（２−フェニルイミダゾール  ２ＰＺ又はトリフェニルホスフィン  ＴＰＰ）、フェノキシ樹脂（数平均分子量５０，０００）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ、数平均分子量２０，０００）、シランカップリング剤（γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ＫＢＭ４０３：信越化学製）、及び下記式で示される化合物（芳香族重合体とオルガノポリシロキサンの共重合体、エポキシ当量２９１、シロキサン含有量３１．２重量％）を表３〜７に示すように配合し、得られる配合物を熱２本ロールで均一に溶融混合し、エポキシ樹脂組成物（実施例１〜１５、比較例１〜９）を製造した。なお、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及び上記共重合体の配合比は、エポキシ基／フェノール性ヒドロキシ基＝１／１（モル比）、樹脂成分の全体に対する共重合体中のポリシロキサン含有量が８重量％になるよう調整した。また、フェノキシ樹脂は予めＴＨＦ中でエポキシ樹脂と均一になるまで混合し、ＴＨＦを除去した後に用い、ポリエーテルサルホンは予めジクロロメチレン中でエポキシ樹脂を均一になるまで混合し、ジクロロメチレンを除去した後に用いた。
【００７５】
【化１８】
0003672009.tif 000019
（ｎはそれぞれ上記の平均分子量を与える数）
【００７６】
【化１９】
0003672009.tif 000020
【００７７】
0003672009.tif 000021
【表１】
Ａ〜Ｃ：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
Ｄ：トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂
単位：２〜５核体、６核体以上＜重量％＞
Ｍｗ：重量平均分子量、Ｍｎ：数平均分子量
【００７８】
【表２】
0003672009.tif 000022
Ａ〜Ｃ：クレゾールノボラック樹脂
Ｄ：フェノールノボラック樹脂
単位：２〜４核体、５核体以上  重量％
Ｍｗ：重量平均分子量、Ｍｎ：数平均分子量
【００７９】
これらのエポキシ樹脂組成物について、以下の（ａ）〜（ｈ）の諸試験を行った。結果を表３〜７に示す。
（ａ）未硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）
１０ｍｇの未硬化物を用いて、ＤＣＳで毎分５℃で昇温した時の比熱の極大点を測定した。
（ｂ）フィルムのハンドリング性
１０ｍｍ×５０ｍｍ×０．１ｍｍの短冊状の未硬化物のフィルムを、２５℃において短冊の短辺（１０ｍｍ）が重なり合うよう２つ折りにし、破損するフィルム数／全フィルム数を測定した。
（ｃ）硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）
１５０℃、５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、３分の条件で５ｍｍ×５ｍｍ×１５ｍｍの試験片を成形し、これを１５０℃、４時間の条件でポストキュアーした後、ＴＭＡで毎分５℃で昇温した時の値を測定した。
（ｄ）耐湿性
下記組立方式Ａ，Ｃによる半導体装置を１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ雰囲気中に２４時間及び４８時間放置し、断線により異常値を示すパッケージ数／総パッケージ数を測定した。
（ｅ）吸水率
１５０℃、５０ｋｇｆ／ｃｍ2 、３分の条件で５０ｍｍφ×３ｍｍの試験片を成形し、これを１５０℃、４時間の条件でポストキュアーした後、１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ雰囲気中に２４時間放置し、重量変化を測定した。
（ｆ）吸湿後の耐半田クラック性
下記組立方式Ａ，Ｃによる半導体装置を１２１℃／１００％／２ａｔｍＲＨ雰囲気中に２４時間放置する。これを２４０℃の半田浴に１０秒間浸漬し、クラック発生パッケージ数／総パッケージ数を測定した。
（ｇ）未硬化物の揮発成分
５ｇの未硬化物を１８０℃、１時間の条件で加熱し重量変化を測定した。
（ｈ）半導体装置中のボイド量
半導体装置（組立方式Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄによる）について超音波探傷装置を用いて、ボイド占有面積／パッケージ総面積を測定した。ここで樹脂流れにより、フィルムの原型が失われたものについては流と表示した。
【００８０】
（組立方式Ａ）
図２に示すように、ＢＴ基盤１上に、エポキシ樹脂組成物のフィルム２（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．１ｍｍ）をのせ、８０℃，０．１ｋｇｆ／ｃｍ2，５秒の条件で仮圧着する。これを１２０℃，１０秒の条件でプレヒートした後、Ａｌ配線と半田バンプ３を施したＳｉチップ４（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍ）をのせ、１８０℃，１０ｋｇｆ／ｃｍ2，１０秒の条件で加熱成形し、これを１５０℃，１時間の条件でポストキュアすることにより、図１に示す半導体装置を作成した。
（組立方式Ｂ）
図２に示すように、ＢＴ基盤１上に、エポキシ樹脂組成物のフィルム２（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．１ｍｍ）をのせ、８０℃，０．１ｋｇｆ／ｃｍ2，５秒の条件で仮圧着する。これを１２０℃，１０秒の条件でプレヒートした後、Ａｌ配線と半田バンプ３を施したＳｉチップ４（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍ）をのせ、１８０℃，３０ｋｇｆ／ｃｍ2，１０秒の条件で加熱成形し、これを１５０℃，１時間の条件でポストキュアすることにより、図１に示す半導体装置を作成した。
（組立方式Ｃ）
図３に示すように、半田バンプ３を施したＢＴ基盤１上に、エポキシ樹脂組成物のフィルム２（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．１ｍｍ）をのせ、８０℃，１ｋｇｆ／ｃｍ2，５秒の条件で仮圧着する。これを１２０℃，１０秒の条件でプレヒートした後、Ａｌ配線を施したＳｉチップ４（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍ）をのせ、１８０℃，１０ｋｇｆ／ｃｍ2，１０秒の条件で加熱成形し、これを１５０℃，１時間の条件でポストキュアすることにより、図１に示す半導体装置を作成した。
（組立方式Ｄ）
図３に示すように、半田バンプ３を施したＢＴ基盤１上に、エポキシ樹脂組成物のフィルム２（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．１ｍｍ）をのせ、８０℃，１ｋｇｆ／ｃｍ2，５秒の条件で仮圧着する。これを１２０℃，１０秒の条件でプレヒートした後、Ａｌ配線を施したＳｉチップ４（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍ）をのせ、１８０℃，３０ｋｇｆ／ｃｍ2，１０秒の条件で加熱成形し、これを１５０℃，１時間の条件でポストキュアすることにより、図１に示す半導体装置を作成した。
なお、図中５はＡｕ端子、６はＣｕ配線である。
【００８１】
【表３】
0003672009.tif 000023
【００８２】
【表４】
0003672009.tif 000024
【００８３】
【表５】
0003672009.tif 000025
【００８４】
【表６】
0003672009.tif 000026
【００８５】
【表７】
0003672009.tif 000027
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例、比較例で用いた半導体装置の説明図である。
【図２】同装置の組立て方法の一例を示す説明図である。
【図３】同装置の組立て方法の他の例を示す説明図である。
【符号の説明】
１  ＢＴ基盤
２  エポキシ樹脂組成物フィルム
３  半田バンプ
４  Ｓｉチップ
５  Ａｕ端子
６  Ｃｕ配線
【図１】
0003672009.tif 000030
【図２】
0003672009.tif 000031
【図３】
0003672009.tif 000032