(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚のシリコンウェーハの少なくとも一方のシリコンウェーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方のシリコンウェーハを室温で貼り合わせ、これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えた後、ボンドウェーハの外周端から室温貼り合わせによる結合端と熱処理結合端との間の領域までボンドウェーハの外周部を除去し、更にボンドウェーハを所望厚さまで薄膜化してＳＯＩ層を形成することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記ＳＯＩ層を形成後、更に気相エッチングを行い薄膜ＳＯＩ層を形成することを特徴とする請求項１記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記ＳＯＩ層または薄膜ＳＯＩ層を形成後、前記室温貼り合わせによる結合端の内側まで前記ＳＯＩ層または薄膜ＳＯＩ層の外周部を除去することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記ＳＯＩ層又は前記薄膜ＳＯＩ層の厚さが、１．５μｍ以下であることを特徴とする請求項３記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項５】
２枚のシリコンウェーハの少なくとも一方のシリコンウェーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方のシリコンウェーハを室温で積層貼り合わせ、これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えた後、ボンドウェーハの外周端から室温貼り合わせによる結合端より内側の第一領域までボンドウェーハの外周部を除去し、該ボンドウェーハを所望厚さまで減厚してＳＯＩ層を形成した後、前記第一領域の内側まで該ＳＯＩ層の外周部を除去することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記ＳＯＩ層の厚さが、１．５μｍ以下であることを特徴とする請求項５記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２枚のシリコンウェーハをシリコン酸化膜を介して貼り合わせて作製する貼り合わせＳＯＩ（silicon  on  insulator）ウェーハの製造方法及びそれによって製造される貼り合わせＳＯＩウェーハに係り、特にＳＯＩウェーハの外周部の除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
貼り合わせＳＯＩウェーハの作製方法として、２枚のシリコンウェーハをシリコン酸化膜を介して貼り合わせる技術、例えば特公平５−４６０８６号公報に示されているように、少なくとも一方のウェーハに酸化膜を形成し、結合面に異物を介在させることなく相互に密着させた後、２００〜１２００℃の温度で熱処理して結合強度を高める方法が、従来より知られている。
熱処理を行うことにより結合強度が高められた貼り合わせウェーハは、その後の研削研磨工程が可能となるため、素子作製側ウェーハを研削及び研磨により所望の厚さに減厚加工することにより、素子形成を行うＳＯＩ層を形成することができる。
【０００３】
しかし、貼り合わせ前の両ウェーハ表面は、所謂メカノケミカル研磨によって鏡面仕上げされているので、その外周部には研磨ダレと呼ばれる領域が存在する。従って、両者が貼り合わされて作製された貼り合わせウェーハの外周部には、例えば１〜３ｍｍ程度の未結合部分が発生してしまう。
この未結合部分があるまま、一方のウェーハを研削・研磨すると、その工程中に未結合部分に剥離が発生し、素子形成領域に傷やパーティクル付着等の悪影響を及ぼすので、この未結合部分は予め除去しておく必要がある。
【０００４】
そこで、例えば特開平６−１７６９９３号公報では、２枚のシリコンウェーハを酸化膜を介して密着させた後、酸化性雰囲気で熱処理を行うことにより結合強度が高められた貼り合わせウェーハの外周の未結合部分を含む領域を、ボンドウェーハ（素子領域となる第一のシリコンウェーハ）の厚さ方向からベースウェーハ（支持体となる第二のシリコンウェーハ）との結合界面の直前まで研削し、その後、結合界面までエッチングして未結合部分を完全に除去し、しかる後にそのボンドウェーハを研削・研磨して、所望の厚さまで減厚加工することによって貼り合わせウェーハを作製する方法が提案されている。
この方法によれば、ベースウェーハの形状を変更することなく、未結合部分の除去が可能となるが、未結合部分を完全に除去するための外周除去幅としては、安全をみてボンドウェーハの外周端から少なくとも３ｍｍを除去するのが一般的である。
【０００５】
一方、近年の半導体デバイスの高集積化、高速度化に伴ない、ＳＯＩ層の厚さは更なる薄膜化と膜厚均一性の向上が要求されており、具体的には０．１±０．０１μｍ程度の膜厚及び膜厚均一性が必要とされている。
このような膜厚及び膜厚均一性をもつ薄膜ＳＯＩウェーハを貼り合わせ基板で実現するためには従来の研削・研磨での減厚加工では不可能であるため、新たな薄膜化技術として、特開平５−１６００７４号公報に開示されている所謂ＰＡＣＥ（plasma  assisted  chemical  etching）法と呼ばれる方法が開発された。
このＰＡＣＥ法は、気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化する方法であり、予め均一化しようとするＳＯＩ層の厚さ分布を測定して、厚さ分布のマップを作成し、そのマップに従って数値制御により厚い部分を局部的に気相エッチングにより除去することによって、薄膜で且つ膜厚が極めて均一な薄膜ＳＯＩ層を作製することができるものである。
【０００６】
また、このＰＡＣＥ法により薄膜ＳＯＩウェーハを作製するための原料ウェーハとしては、例えば前記した特開平６−１７６９９３号の方法を用いて、外周部の未結合部分を除去し、且つＳＯＩ層を数μｍ程度にまで研削・研磨して減厚したＳＯＩウェーハを用いるのが通常である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記ＰＡＣＥ法用の原料ウェーハとしてのＳＯＩウェーハも、減厚加工の最終段階で前記メカノケミカル研磨工程が施されているので、その外周部には研磨ダレが発生し、図３（ａ）に示すように最外周に近づく程ＳＯＩ層が薄くなる。そして、特に所望のＳＯＩ層膜厚を１．５μｍ以下で作製した場合、ＳＯＩ層と埋め込み酸化膜となす角度θは１度以下の極めてなだらかな形状になってしまう。
更に、このＳＯＩウェーハにＰＡＣＥ加工を施すと、ＰＡＣＥ加工はウェーハの外周部の方が中心部に比べてエッチング速度が速くなる傾向があるので、そのなだらかな形状は助長され、ＰＡＣＥ加工後に薄膜ＳＯＩ層の最外周部には下地の埋め込み酸化膜が露出してしまう。従って、元々ボンドウェーハの外周端から３ｍｍ程度を除去した後でＰＡＣＥ加工を行っているため、ＰＡＣＥ加工後にはＳＯＩ層のない領域がさらに広がってしまう。
このように、ＳＯＩ層の外周部にＳＯＩ層が除去され下地の埋め込み酸化膜が露出した領域があると、デバイス作製工程においてＳＯＩ層にエピタキシャル層を堆積する際に、露出した酸化膜上にはポリシリコンが堆積されるため、パーティクル等の汚染源となってしまう。
【０００８】
又、エピタキシャル層を堆積する直前に酸化膜が露出していない場合でも、エピタキシャル層を堆積するための昇温時に高温で水素雰囲気中にさらされるため、図３（ｂ）に示すようにＳＯＩ層と酸化膜の界面での反応や、水素によるＳＯＩ層のエッチングが発生し、ＳＯＩ層が特に薄い外周部分で酸化膜が露出してしまい、エピタキシャル層堆積後には前記と同様の結果となる。
一方、従来からの方法で作製されたＳＯＩウェーハは、前述した様に、安全をみて外周の未結合部を３ｍｍ程度除去するため、ＳＯＩ層の口径はベースウェーハの口径より６ｍｍ程小さくなっている。ＳＯＩウェーハ上にデバイスを作製するためにその有効面積は大きいほど良いのは当然であるが、もともと６ｍｍ程度小さい上、前記のようにＳＯＩ層が薄い外周部がさらに薄くなったり、除去されたりするとますますデバイス作製が可能な領域が狭くなる。特に最外周領域での現象であるので、たとえ１ｍｍ程度有効領域が減少しただけでもその影響は大きい。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題に鑑み、本発明者らは貼り合わせウェーハの熱処理前後の結合外周端の位置に関して調査を行い、下記の知見を得た。
図４は、ボンドウェーハに酸化膜を形成し、酸化膜の無いベースウェーハとを室温で結合した後、酸化性雰囲気で熱処理した貼り合わせウェーハの外周部付近の断面模式図である。
図４（ａ）は室温で結合した直後の断面図であり、ボンドウェーハとベースウェーハの結合部の最外周部分を室温結合端Ｂとして示してある。このウェーハに酸化性雰囲気で熱処理を加えると、ベースウェーハには図４（ｂ）に示す領域に酸化膜が成長する。一方、ボンドウェーハの酸化膜も厚くはなるが、その厚みはベースウェーハに比べて小さいのでここでの記載は省略してある。
ベースウェーハに酸化膜が成長すると、図４（ｂ）のようにボンドウェーハとベースウェーハの隙間が酸化膜で埋められるため、ボンドウェーハとベースウェーハの結合部の最外周部分は熱処理結合端Ｃに移動する。
【００１０】
従来は、ボンドウェーハの減厚加工工程中における未結合部分の剥離を避けるため、室温結合端Ｂより内側であり、ボンドウェーハの外周端から例えば３ｍｍ程度の位置である図４（ｂ）のＳＯＩ外周端Ａまで、研削及びエッチングを用いて完全に除去を行った後、ボンドウェーハの減厚加工を行っていた。
【００１１】
ところが、発明者らの調査によると、ＳＯＩ外周端Ａの位置を熱処理結合端Ｃより内側になるようにボンドウェーハの外周部を除去してあれば、従来のように室温結合端Ｂより内側でなくとも、ボンドウェーハの減厚加工工程での剥離は全く発生せず、デバイス作製に耐え得る結合強度を有することが分かった。
しかしながら、室温結合端Ｂと熱処理結合端Ｃの間は、酸化膜が埋まることにより結合した領域であるので、デバイス作製工程中での剥離等の問題の発生がないことをより確実に保証するためには、ＳＯＩ外周端Ａの位置としては、最終的には室温結合端Ｂより内側に設定した方が好ましい。
【００１２】
本発明は上記知見に基づいてなされたものであり、請求項１に記載した発明は、２枚のシリコンウェーハの少なくとも一方のシリコンウェーハの外周面に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方のシリコンウェーハを室温で貼り合わせ、これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えた後、ボンドウェーハの外周端から室温貼り合わせによる結合端と熱処理結合端との間の領域までボンドウェーハの外周部を除去し、更にボンドウェーハを所望厚さまで減厚してＳＯＩ層を形成することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法である。
このように、ボンドウェーハの外周除去幅を室温結合端と熱処理結合端との間の領域に設定することで、ＳＯＩ層のデバイス作製領域を従来より広げることができ、請求項７のように、ベースウェーハの外周端からＳＯＩ層の外周端までの幅である外周除去幅が１ｍｍ以下のＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハを得ることが可能となる。
【００１３】
また、前記ＳＯＩ層を形成後、更に気相エッチングを行い、薄膜ＳＯＩ層を形成することもできる（請求項２）。この場合、ボンドウェーハの外周除去幅が室温結合端と熱処理結合端との間の領域であるため、外周除去により露出している酸化膜厚は埋め込み酸化膜よりも厚いので、ＰＡＣＥ法のように、シリコンと酸化膜とのエッチングレートに極端な差がないような気相エッチングであっても、ベースウェーハ表面までエッチングが達することによる余計な溝や段差の発生を防ぐことができる。又、気相エッチング前の外周除去幅を室温結合端と熱処理結合端との間までに留めてあるので、気相エッチングを行った後においても、ＳＯＩ層の膜厚が１．５μｍ以下であり、且つ外周除去幅が３ｍｍ以下である薄膜ＳＯＩウェーハを確実に得ることが出来る（請求項９）。
【００１４】
更に、前記ＳＯＩ層または前記薄膜ＳＯＩ層を形成後、前記室温結合端の内側まで前記ＳＯＩ層または薄膜ＳＯＩ層の外周部を除去することにより（請求項３）、デバイス作製工程中での剥離等の問題の発生がないことを確実に保証することができ、しかも研磨や気相エッチングで生じた外周のダレ部分を除去することができ、エピタキシャル成長中の埋め込み酸化膜の露出を確実に防ぐことが出来る。これらの外周ダレはＳＯＩ層の厚さが１．５μｍ以下の場合に顕著であるので、請求項４のように厚さが１．５μｍ以下のＳＯＩウェーハに適応すると効果が大きい。
【００１５】
又、２枚のシリコンウェーハの少なくとも一方のシリコンウェーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方のシリコンウェーハを室温で貼り合わせ、これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えた後、ボンドウェーハの外周端から室温貼り合わせによる結合端より内側の第一領域までボンドウェーハの外周部を除去し、且つ該ボンドウェーハを所望厚さまで減厚してＳＯＩ層を形成した後、前記第一領域の内側まで該ＳＯＩ層の外周部を除去することを特徴とする。
この方法でも、同様にエピタキシャル成長中の埋め込み酸化膜の露出を確実に防ぐことが出来る。そして、この方法はＳＯＩ層の膜厚が１．５μｍ以下のＳＯＩウェーハに適応するとより効果が大きい（請求項６）。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、図１は本発明によるＳＯＩウェーハの製造工程の一例を示すフロー図であり、図２は、図１の（ｆ）から（ｊ）までの工程におけるＳＯＩウェーハの主要部を詳細に示す部分断面図である。
以下、本発明を２枚のシリコンウェーハとして表面に酸化膜を形成したボンドウェーハと酸化膜を形成しないベースウェーハを用いた場合を中心に説明する。
【００１７】
図１（ａ）において、双方のウェーハは、少なくとも結合すべき面が鏡面研磨されており、ボンドウェーハ１には酸化膜３が形成されている。この酸化膜３はＳＯＩウェーハの埋め込み酸化膜５となるので、その厚さは用途に応じて設定されるが、通常０．１〜２．０μｍ程度が用いられる。これを図１（ｂ）のようにベースウェーハ２とを清浄な雰囲気下の室温で密着させる。この時の両ウェーハの結合位置の外周端は、図４の室温結合端Ｂの位置である。
【００１８】
次に、この密着させたウェーハを酸化性雰囲気で熱処理を行ない結合強度を高める。これによりベースウェーハ２表面に酸化膜４が形成されるため、ボンドウェーハ１との隙間の一部が埋められ、両ウェーハ１，２の結合位置の外周端は図４の熱処理結合端Ｃの位置となり、室温貼り付け時の結合位置である室温結合端Ｂよりウェーハ外周側に移動する。
この室温結合端Ｂの位置から熱処理結合端Ｃの位置への移動幅は、両ウェーハ１，２の外周ダレの程度や酸化膜３、４の厚さにより異なるものであるが、熱処理時に形成される酸化膜４を厚くすることにより移動幅を大きくすることができる。この酸化膜４の厚さとしては少なくとも１μｍ、好ましくは１．５μｍ以上形成するのが良い。これにより、移動幅を１ｍｍ以上とすることができる。又、熱処理時の酸化性雰囲気としては、酸化速度の速い水蒸気を含む雰囲気が好適である。
【００１９】
尚、本実施の形態においてはボンドウェーハ１に酸化膜を形成しているが、ベースウェーハ２のみに酸化膜を形成した場合の移動幅も本実施の形態と同様である。一方、両ウェーハに予め酸化膜を形成した場合は、ある程度の移動幅は得られるがその移動幅は前者に比べて小さい。この場合、できるだけ大きい移動幅を得るためには、予め形成しておく酸化膜厚を薄くしておく方がよい。
【００２０】
次に図１（ｄ）のように、ボンドウェーハ１の外周部を、ベースウェーハ２上にボンドウェーハ１の一部が残る様に研削する。研削する幅は、ボンドウェーハ１の外周端から熱処理結合端Ｃと室温結合端Ｂの間の領域に設定する。この領域は図４（ｂ）に示す様に、熱処理により形成された酸化膜４により両ウェーハ１，２が結合された部分であり、前記の外周部の研削や、その後のエッチング工程に充分に耐え得る強度を有している。尚、外周部の研削は、ボンドウェーハ１の厚さ方向に行なうよりも外周から中心方向に向けて行なう方が、結合面やベースウェーハ２にダメージが伝わりにくいので好ましい。
【００２１】
次に図１（ｅ）では、外周部に残ったボンドウェーハ１の残部をエッチングにより完全に除去する。これにより、外周部には下地の酸化膜４が露出する。このエッチングには、例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ水溶液や、フッ酸と硝酸の混合液等の酸化膜に比べてシリコンのエッチング速度が格段に大きい選択性のあるエッチングが用いられるが、より選択性の大きい所謂アルカリエッチングが好ましい。
【００２２】
図１（ｆ）は、ボンドウェーハ１の減厚加工工程であり、従来と同様に研削及び研磨により所定のＳＯＩ層１’厚さに仕上げる。仕上げるＳＯＩ層厚さとしては、この後に気相エッチング（ＰＡＣＥ法）による薄膜化工程を伴う場合は、数μｍ程度が好適であるがそれ以外の場合は特に限定されない。
【００２３】
図１（ｇ）はＰＡＣＥ法による薄膜化工程である。ＰＡＣＥ法は、前記アルカリエッチングと比較すると選択性はあまり高くないので、外周部に露出した酸化膜４もかなりエッチングされるが、図２（ａ）の様に、この部分の酸化膜厚さは埋め込み酸化膜５よりもかなり厚いので、ＰＡＣＥ法によるエッチングがベースウェーハ２まで達することはない。尚、このＰＡＣＥ加工直後に、タッチポリッシュと呼ばれる研磨代の極めて少ない研磨（研磨代５〜１５ｎｍ程度）や、熱処理を加えて表面に残る欠陥を除去してもよい。
【００２４】
図１（ｈ）は、ＰＡＣＥ加工後のＳＯＩ層１”表面にマスキングテープ６を貼着する工程である。ＰＡＣＥ加工後のＳＯＩ層表面の外周部は、図２（ｂ）のようにダレた形状を示しており、ＳＯＩ外周端近傍の表面と、埋め込み酸化膜とＳＯＩ層界面とのなす角度が１度以下になっている。そこで、この外周のダレた部分を除去するため、耐エッチング性のマスキングテープ６を貼着する。マスキングテープ６の外周端は、ＳＯＩウェーハの室温結合端Ｂよりも内側に設定する。この状態で前記工程（ｅ）と同様の選択性のエッチングを行なえば、図１（ｉ）及び図２（ｃ）に示すように、ＳＯＩ層の外周端が室温結合端Ｂより内側にあり、かつＳＯＩ外周端近傍の表面と、埋め込み酸化膜５とＳＯＩ層１”界面とのなす角度を確実に２度以上にすることができる。
【００２５】
ＳＯＩ層１”の外周端が室温結合端Ｂより内側にあれば、熱処理により酸化膜が埋まることにより結合した領域のＳＯＩ層は完全に除去されているので、デバイス作製工程中でのＳＯＩ層１”の剥離等の問題は発生しない。また、酸化膜とＳＯＩ層界面とのなす角度が略２度以上であれば、エピタキシャル成長を行なう際の昇温中に水素雰囲気に曝されることに起因した、埋め込み酸化膜５の露出を確実に防ぐことができる。
尚、図１（ｉ）で除去された外周のＳＯＩ層直下の酸化膜は、室温結合端Ｂよりも外側の部分を含んでいるため、この段階で除去しておくことが好ましいが、図１（ｊ）及び図２（ｄ）のように、ＳＯＩウェーハの用途により、ベースウェーハ１の裏面の酸化膜４を除去する必要がある場合には、この工程で同時に除去されるので、特別な工程を設ける必要はない。
【００２６】
【実施例】
（実施例１）
先ず、直径１５０ｍｍ、厚さ６２５μｍ、導電型ｐ型、抵抗率１０〜２０Ω・ｃｍの鏡面研磨されたＣＺウェーハ２枚を用意し、一方のウェーハをボンドウェーハ用として、表面に０．５μｍの酸化膜を熱酸化により形成した。次に、ボンドウェーハとベースウェーハを室温で密着させたのち、水蒸気を含む雰囲気中で１１００℃、２時間の熱処理を行なった。この結果、ベースウェーハには、約１．５μｍの酸化膜が形成された。
次に、図１（ｄ）のようにボンドウェーハの外周端から０．８ｍｍの位置までの領域を、ウェーハ全周にわたり研削代約５５５μｍの研削を行った。そして、外周部の残り約７０μｍは、５０％ＮａＯＨ水溶液によりエッチング除去した。
その後、ボンドウェーハに通常行なわれている研削・研磨を行い、図２（ａ）の様な厚さ１．５±０．３μｍのＳＯＩ層を作製した。すなわち、この段階で、外周除去幅が０．８ｍｍのＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハが完成した。
本実施例では、更にこのウェーハにＰＡＣＥ加工を施し、図２（ｂ）の様な、０．３±０．０１μｍで、且つＳＯＩ層の外周除去幅が２．５ｍｍの薄膜ＳＯＩウェーハを作製した。
次に図２（ｃ）のようにボンドウェーハの外周端から約３．４ｍｍまでの領域を除く薄膜ＳＯＩ層表面に耐酸性のマスキングテープを貼り付け、フッ酸と硝酸の混合液からなるエッチング液に浸漬して、露出している薄膜ＳＯＩ層表面を除去した。
以上により作製された薄膜ＳＯＩ層の外周端近傍の表面と、埋め込み酸化膜とＳＯＩ層界面とのなす角度は約２．５度であった。この角度測定は、ＳＯＩウェーハの断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察することにより測定することもできるが、本実施例では、ＳＯＩ層の外周端を表面上から光学顕微鏡で観察し、ＳＯＩ層の膜厚の変化を示す干渉縞の本数とＳＯＩ層外周端からの距離との関係により算出する非破壊測定法を用いて実施した。（干渉縞一本が約０．０６μｍの厚さの差を示す。）
尚、本実施例で作製したＳＯＩウェーハの室温結合端はボンドウェーハの外周端から約１．５ｍｍの位置に形成されており、熱処理後の結合端（熱処理結合端）は、約０．４ｍｍの位置であった。これらは、図２（ｃ）の状態で埋め込み酸化膜が露出している部分の酸化膜厚の変化が干渉縞となって観察できるので容易に測定することができる。
【００２７】
（実施例２）
図１（ｄ）の外周除去幅を約１．５ｍｍとした以外は、実施例１と同様に（ａ）から（ｆ）までの工程を行ない、厚さ１．５±０．３μｍのＳＯＩウェーハを作製した。その後、（ｇ）のＰＡＣＥ加工を行なわずに、（ｈ）及び（ｉ）工程で外周端から約３．０ｍｍの領域を除去した。そして、実施例１と同様の測定法により、薄膜ＳＯＩ層の外周端近傍の表面と、埋め込み酸化膜とＳＯＩ層界面とのなす角度を測定したところ、約２．８度であった。
【００２８】
（比較例）
図１（ｄ）の外周除去幅を約３．４ｍｍとした以外は、実施例１と同様に（ａ）から（ｇ）までの工程を行ない、０．３±０．０１μｍの薄膜ＳＯＩウェーハを作製した。そして、実施例１と同様の測定法により、薄膜ＳＯＩ層の外周端近傍の表面と、埋め込み酸化膜とＳＯＩ層界面とのなす角度を測定したところ、約０．８度であった。
次に、実施例１，２及び比較例で作製したＳＯＩウェーハをフッ酸水溶液（濃度５wt％）中に浸漬し、図１（ｊ）のように埋め込み酸化膜５以外の酸化膜を除去した。そして、これらのＳＯＩウェーハと同一のエピタキシャル成長装置に投入し、1150℃で厚さ３μｍのエピタキシャル層を形成した。その結果、比較例のＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の外周端約１ｍｍの領域にはポリシリコン層が成長していたが、実施例１，２のＳＯＩウェーハにはポリシリコン層の成長は発生していなかった。
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものでも本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、本発明の実施形態として、図１（ｈ）の外周除去の際にマスキングテープを用いてウェットエッチングする場合につき説明したが、本発明はこれには限定されず、フォトレジストや酸化膜によりマスキングしたり、ドライエッチングを用いるようにしてもよい。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、従来のＳＯＩウェーハよりバイス作製領域を広げることができる。また、研磨や気相エッチングで生じた外周ダレ部分を除去することでエピタキシャル成長中の埋め込み酸化膜の露出によるポリシリコンの堆積を防ぐことができると同時に、デバイス作製工程中での剥離等の問題の発生がないことを確実に保証することができる。
さらに、ＰＡＣＥ法のようにシリコンと酸化膜とのエッチングレートに極端な差がないような気相エッチングを用いて薄膜ＳＯＩ層を形成する場合に、外周が除去された部分において、ベースウェーハ表面までエッチングが達することにより発生する余計な溝や段差の発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明によるＳＯＩウェーハの製造工程の一例を示すフロー図である。
【図２】  図１の（ｆ）から（ｊ）までの工程におけるＳＯＩウェーハの主要部を示す部分断面図である。
【図３】  ＰＡＣＥ法に使用するＳＯＩウェーハの外周部を示す断面図である。
【図４】  貼り合わせウェーハの外周部付近の断面模式図である。
【符号の説明】
１…ボンドウェーハ          ２…ベースウェーハ
３…酸化膜                  ４…酸化膜
５…埋め込み酸化膜          ６…マスキングテープ
１”…ＳＯＩ層                Ｂ…室温結合端
Ｃ…熱処理結合端
【図１】
0003635200.tif 000002
【図２】
0003635200.tif 000003
【図３】
0003635200.tif 000004
【図４】
0003635200.tif 000005