(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の母材の表面上に薄膜が形成される対象物につき、前記薄膜の膜厚変化を伴う加工の終点を検出する終点検出装置であって、
複数の特定の波長の光で前記対象物を照明する照明手段と、
前記対象物からの反射光を受光して前記対象物の撮像画像を得る撮像手段と、前記撮像画像内の所定の画素における前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれが、あらかじめ求めた終点到達時の前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれと全て一致した際に、前記所定の画素に対応する前記対象物上での位置における加工が終点に到達したことを示す終点信号を出力する終点判定手段と、
を備えることを特徴とする終点検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の終点検出装置において、
前記終点判定手段は、前記所定の画素における前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれを各要素とする第１信号強度ベクトルと、あらかじめ求めた終点到達時の前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれを各要素とする第２信号強度ベクトルとの差分ベクトルの大きさが所定の許容誤差範囲内に収まったときに、前記終点信号を出力することを特徴とする終点検出装置。
【請求項３】
請求項１に記載の終点検出装置において、
前記照明手段は、前記対象物についてあらかじめ求めた加工開始前における分光反射率および加工終了時における分光反射率に基づいて、当該両反射率の差が所定の基準を満足する前記複数の特定の波長の光で照明することを特徴とする終点検出装置。
【請求項４】
請求項１に記載の終点検出装置において、
前記撮像画像の所定の領域内における終点信号の発生状況の分布を表示する終点信号分布表示手段、
をさらに備えることを特徴とする終点検出装置。
【請求項５】
請求項１に記載の終点検出装置において、
前記撮像画像の所定の領域内に含まれる全ての画素に関して終点信号が出力された時点で加工を終了することを特徴とする終点検出装置。
【請求項６】
所定の母材の表面上に薄膜が形成される対象物につき、前記薄膜の膜厚変化を伴う加工の終点を検出する終点検出方法であって、
複数の特定の波長の光で前記対象物を照明し、前記対象物からの反射光を受光して前記対象物の撮像画像を得る撮像工程と、
前記撮像画像内の所定の画素における前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれが、あらかじめ求めた終点到達時の前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれと全て一致した際に、前記所定の画素に対応する前記対象物上での位置における加工が終点に到達したことを示す終点信号を出力する終点判定工程と、
を含むことを特徴とする終点検出方法。
【請求項７】
請求項６に記載の終点検出方法において、
前記終点判定工程において、前記所定の画素における前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれを各要素とする第１信号強度ベクトルと、あらかじめ求めた終点到達時の前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれを各要素とする第２信号強度ベクトルとの差分ベクトルの大きさが所定の許容誤差範囲内に収まったときに、両信号強度ベクトルの各要素の全てが一致したとみなして前記終点信号を出力することを特徴とする終点検出方法。
【請求項８】
請求項６に記載の終点検出方法において、
前記対象物についてあらかじめ求めた加工開始前における分光反射率および加工終了時における分光反射率に基づいて、当該両反射率の差が所定の基準を満足する波長の組を前記複数の特定の波長として選択する波長選択工程、
をさらに含むことを特徴とする終点検出方法。
【請求項９】
請求項６に記載の終点検出方法において、
前記撮像画像の所定の領域内における終点信号の発生状況の分布を表示する終点信号分布表示工程、
をさらに含むことを特徴とする終点検出方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の終点検出方法において、
前記撮像画像の所定の領域内に含まれる全ての画素に関して終点信号が出力された時点で加工を終了することを特徴とする終点検出方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板（以下「基板」という）上の薄膜の膜厚を変化させる加工を行うにあたり、その終点を検出する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス製造において、高集積化・微細化を達成するためには、完全平坦化プロセスが必要とされている。現在、実用レベルとして開発、運用されているものには、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）によるダマシン配線形成技術がある。これは、酸化膜に溝を形成した後に金属膜を成膜し、金属膜に選択的に作用する研磨剤を用いて研磨するものである。この技術を用いると、配線形成と平坦化が同時に達成できる。
【０００３】
しかし、このＣＭＰ技術も数々の問題点を有しており、その１つには、酸化膜表面に本来削られるべきメタルが削り残されている状態となっている「メタル残膜」による欠陥に関する問題点がある。
【０００４】
このようなメタル残膜による欠陥を防止するため、オペレータが顕微鏡で基板表面を観察してその合否を判定していたが、自動化の要請からＣＣＤ撮像素子を用いて残膜欠陥を検出する検査装置も出現するようになってきている。このような検査装置においては、残膜欠陥が存在しないこと、言い換えれば、薄膜加工が確実にその終点に到達するまで進んだことを検出することが求められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＣＣＤ撮像素子を用いて残膜欠陥を検出する従来の検査装置を用いた場合、基板表面の画像のコントラストは悪く、欠陥の検出精度は必ずしも良いものではなかった。また、場合によっては、メタル残膜による欠陥が存在している状態、すなわち、薄膜加工が終点に到達していない状態であるにもかかわらず、終点に到達したとする誤判定などの問題が存在する。
【０００６】
そこで、本発明は前記問題点に鑑み、薄膜加工時の終点を確実に検出することが可能な終点検出装置および終点検出方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の終点検出装置は、所定の母材の表面上に薄膜が形成される対象物につき、前記薄膜の膜厚変化を伴う加工の終点を検出する終点検出装置であって、複数の特定の波長の光で前記対象物を照明する照明手段と、前記対象物からの反射光を受光して前記対象物の撮像画像を得る撮像手段と、前記撮像画像内の所定の画素における前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれが、あらかじめ求めた終点到達時の前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれと全て一致した際に、前記所定の画素に対応する前記対象物上での位置における加工が終点に到達したことを示す終点信号を出力する終点判定手段と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の終点検出装置は、請求項１に記載の終点検出装置において、前記終点判定手段は、前記所定の画素における前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれを各要素とする第１信号強度ベクトルと、あらかじめ求めた終点到達時の前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれを各要素とする第２信号強度ベクトルとの差分ベクトルの大きさが所定の許容誤差範囲内に収まったときに、前記終点信号を出力することを特徴とする。
【０００９】
請求項３に記載の終点検出装置は、請求項１に記載の終点検出装置において、前記照明手段は、前記対象物についてあらかじめ求めた加工開始前における分光反射率および加工終了時における分光反射率に基づいて、当該両反射率の差が所定の基準を満足する前記複数の特定の波長の光で照明することを特徴とする。
【００１０】
請求項４に記載の終点検出装置は、請求項１に記載の終点検出装置において、前記撮像画像の所定の領域内における終点信号の発生状況の分布を表示する終点信号分布表示手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に記載の終点検出装置は、請求項１に記載の終点検出装置において、前記撮像画像の所定の領域内に含まれる全ての画素に関して終点信号が出力された時点で加工を終了することを特徴とする。
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項６に記載の終点検出方法は、所定の母材の表面上に薄膜が形成される対象物につき、前記薄膜の膜厚変化を伴う加工の終点を検出する終点検出方法であって、複数の特定の波長の光で前記対象物を照明し、前記対象物からの反射光を受光して前記対象物の撮像画像を得る撮像工程と、前記撮像画像内の所定の画素における前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれが、あらかじめ求めた終点到達時の前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれと全て一致した際に、前記所定の画素に対応する前記対象物上での位置における加工が終点に到達したことを示す終点信号を出力する終点判定工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項７に記載の終点検出方法は、請求項６に記載の終点検出方法において、前記終点判定工程において、前記所定の画素における前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれを各要素とする第１信号強度ベクトルと、あらかじめ求めた終点到達時の前記複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれを各要素とする第２信号強度ベクトルとの差分ベクトルの大きさが所定の許容誤差範囲内に収まったときに、両信号強度ベクトルの各要素の全てが一致したとみなして前記終点信号を出力することを特徴とする。
【００１４】
請求項８に記載の終点検出方法は、請求項６に記載の終点検出方法において、前記対象物についてあらかじめ求めた加工開始前における分光反射率および加工終了時における分光反射率に基づいて、当該両反射率の差が所定の基準を満足する波長の組を前記複数の特定の波長として選択する波長選択工程、をさらに含むことを特徴とする。
【００１５】
請求項９に記載の終点検出方法は、請求項６に記載の終点検出方法において、前記撮像画像の所定の領域内における終点信号の発生状況の分布を表示する終点信号分布表示工程、をさらに含むことを特徴とする。
【００１６】
請求項１０に記載の終点検出方法は、請求項６に記載の終点検出方法において、前記撮像画像の所定の領域内に含まれる全ての画素に関して終点信号が出力された時点で加工を終了することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
＜Ａ．装置の概要＞
図１は、本発明の実施形態に係る終点検出装置１の構成を示す模式図である。終点検出装置１は、所定の母材表面に薄膜が形成された対象物である試料９の薄膜に対して膜厚変化を伴う加工を行うにあたり、その加工の終点を検出する終点検出装置である。
【００１８】
この終点検出装置１は、試料９へ照射される照明光１１Ｌを出射する光源部１１、光源部１１からの照明光１１Ｌを試料９へと導く照明光学系２０ａ、試料９からの反射光３１Ｌを所定の受光位置へと導く結像光学系２０ｂ、反射光３１Ｌを受光して試料９の画像信号を生成する画像取得部３１を備えている。
【００１９】
照明光学系２０ａは、レンズ２１、波長選択機構２２、ハーフミラー２３および対物レンズ２４を有しており、光源部１１から出射された照明光１１Ｌがレンズ２１および波長選択機構２２を介してハーフミラー２３に入射し、ハーフミラー２３にて反射した照明光１１Ｌが対物レンズ２４を介して試料９上に照射されるようになっている。また、波長選択機構２２は、複数のバンドパスフィルタ２２ｂを有する回転円盤２２ａと、その回転円盤２２ａを回転駆動する駆動モータＭとを有している。図２は、回転円盤２２ａの平面図である。図２に示すように、回転円盤２２ａは、複数（図では４つ）のバンドパスフィルタ２２ｂを有しており、これらの各フィルタ２２ｂはそれぞれ異なる特定の波長の光のみを通過させるものである。そして、駆動モータＭによって回転円盤２２ａの回転角度を変更して所望のフィルタ２２ｂを光路中に移動し、その位置フィルタ２２ｂにより特定の波長の光のみを選択的に通過させて対象物を照明することが可能である。したがって、時分割により、順次あるいは交互に、異なる複数の特定の波長の光で対象物を照明することが可能である。
【００２０】
結像光学系２０ｂは、対物レンズ２４、ハーフミラー２３、およびレンズ２５を有しており、その光軸Ｌｂと照明光学系２０ａの光軸Ｌａとはハーフミラー２３において交わっている。すなわち、終点検出装置１では試料９上にて照明光学系２０ａと結像光学系２０ｂとが光軸Ｌｂを共有する同軸落射照明の形態が採用されている。試料９からの反射光３１Ｌは対物レンズ２４、ハーフミラー２３、およびレンズ２５を順に介して画像取得部３１へと導かれる。
【００２１】
画像取得部３１は、２次元に配列された受光素子を有するＣＣＤカメラ３２を有し、反射光３１Ｌを受光して試料９の画像信号を生成するようになっている。生成された画像信号は、画像記憶部３３に転送されて撮像画像として記憶される。
【００２２】
終点検出装置１は、さらに制御部４０を備えている。制御部４０は、画像取得部３１によって得られた撮像画像に基づいて加工の終点を検出する。
【００２３】
図３は、制御部４０の概略構成を示す図である。制御部４０は、画素毎終点判定部４２、終点分布出力部４４、および加工終了判定部４６を有している。
【００２４】
画素毎終点判定部４２は、画像取得部３１で得られた複数の撮像画像（たとえば画像Ａ１，Ａ２）に含まれる画素毎に加工の終点を判定する。そして、判定の結果、終点に到達した画素毎に終点信号を出力する。また、終点分布出力部４４は、撮像画像内での終点信号の発生状況の分布を入出力部５０（後述）のディスプレイ上に表示する。さらに、加工終了判定部４６は、撮像画像内に含まれる全ての画素に関して終点信号が出力された時点で加工を終了するべきであると判定する。
【００２５】
また、終点検出装置１は、諸条件のキー入力を行うキーボード、および画像の表示出力を行うディスプレイなどのヒューマンインターフェイスを担当する入出力部５０をも備えている。
【００２６】
なお、上記の制御部４０は、この実施の形態ではコンピュータ・システム（以下、「コンピュータ」という。）を利用して構成されており、画素毎終点判定部４２、終点分布出力部４４、加工終了判定部４６は、プログラムを実行することにより動作する形態となっている。また、画像取得部３１、はコンピュータに設けられた電気的回路として構築されている。これらの構成は全てソフトウェア的に構築されていてもよく、全てハードウェア的に構築されていてもよい。さらには、部分的にのみソフトウェア的に構築されていてもよい。
【００２７】
＜Ｂ．動作の概要＞
つぎに、終点検出装置１において、所定の対象物である試料９の表面上に形成される薄膜に対して膜厚変化を伴う加工を行うにあたり、その加工の終点を検出する動作について説明する。以下では、具体的に、ダマシン配線形成にあたり、ＣＭＰ技術による研磨加工工程における終点を検出する場合について説明する。
【００２８】
図４は、ダマシン配線形成の手順の一例を示す図である。図４（ａ）に示すような下部層構造Ｆ０上に生成された酸化膜Ｆ１に対して、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ）などを行うことによって酸化膜Ｆ１の表面に溝部Ｇが形成され、図４（ｂ）に示すようなパターンが生成される。そして、その溝部Ｇに埋め込むようにしてメタル配線層Ｆ２が形成される（図４（ｃ））。そして、ＣＭＰ技術によって余分な堆積部分Ｈが研磨されて、図４（ｄ）に示す状態になる。このようにして、メタル配線Ｆ２（Ｇ）が形成される。
【００２９】
以下では、母材（層構造Ｆ０＋酸化膜Ｆ１）の表面上に薄膜（メタル配線層Ｆ２）が形成される対象物（試料９）につき、薄膜（メタル配線層Ｆ２）の膜厚減少を伴う研磨加工を行って、図４（ｃ）の状態から図４（ｄ）の状態へと移行するにあたって、その研磨加工の終点を検出する場合を想定する。なお、以下の終点検出動作は、終点検出装置１の近辺に配置される別設の研磨装置において研磨加工を行い、その研磨加工が所定程度進行する毎に、一旦加工を中断して試料９を終点検出装置１に移動して行われる。そして、メタル残膜Ｆ２（Ｉ）が存在する状態（図５参照）、すなわち、研磨加工が終点に到達していない場合には、再度、試料９を研磨装置に戻して研磨加工が続行される。また、余分な堆積部分Ｈが完全に除去された状態（図４（ｄ））、すなわち、研磨加工が終点に達した状態であることを確認すると研磨加工は終了される。
【００３０】
＜終点検出の原理＞
実際の動作説明に先立って、本発明における終点検出の原理について説明する。
【００３１】
図５は、下部の層構造Ｆ０が、シリコン基板Ｆ０ａ上に下層酸化膜Ｆ０ｂおよび下層メタル配線層Ｆ０ｃが形成される構成である場合の、研磨加工の中間状態を示す図である。そして、この層構造Ｆ０の上に、ＳｉＯ２の酸化膜Ｆ１とアルミニウムのメタル配線層Ｆ２が形成される。
【００３２】
図６は、膜厚Ｄ２（図４参照）が十分に大きい場合のアルミニウムの分光反射率を計算で求めたグラフであり、横軸に波長を、縦軸にシリコン基板に対する相対反射率をプロットしたものである。そして、これは、研磨加工を開始した時（図４（ｃ））の分光反射率を表している。また図７は、ＳｉＯ２酸化膜Ｆ１の厚さＤ１（図４参照）が７００ｎｍである場合の分光反射率を計算で求めたグラフであり、横軸に波長を、縦軸にシリコン基板に対する相対反射率をプロットしたものである。この図７は、図４（ｄ）に示すように、位置ＰＡにおけるメタル配線層Ｆ２の膜厚Ｄ２＝０となり、研磨加工が終点に到達した時の分光反射率を表す。このように、研磨の進行に伴って、分光反射率は、図６の状態から図７の状態へと変化していく。
【００３３】
図８は、研磨加工の各中間状態における分光反射率を表すグラフであり、アルミニウムのメタル配線層Ｆ２の膜厚Ｄ２が、１００、２０、５、０ｎｍと順次変化する場合を示す図である。図中においては、各膜厚Ｄ２に対応する分光反射率を、各曲線（区別のために順に白丸、白三角、×印、黒丸を付している）で表している。
【００３４】
また、図９は、図８の相対反射率の研磨加工中における経時変化を、４７５ｎｍ、６００ｎｍの各波長について表したグラフである。なお、横軸には加工時間ｔを、縦軸には研磨終了時の相対反射率との差、すなわち、実加工時間ｔにおける相対反射率から研磨終了時（膜厚Ｄ２＝０）の相対反射率を差し引いた値をプロットしている。また、各波長に対応する２つの曲線には、互いを区別するために白丸（４７５ｎｍ）、黒丸（６００ｎｍ）を付している。
【００３５】
この相対反射率の差は、時間の経過とともに変化し、研磨終了時（ｔ＝１００）においてゼロとなる。しかしながら、この本来の研磨終了時（ｔ＝１００）の以前においても相対反射率の差がゼロとなる時点が存在する。たとえば、６００ｎｍの波長の光に対して、相対反射率の差は、時間の経過とともに減少し、時間ｔ＝８０において、一旦ゼロとなる。しかしながら、これは、図８に示すように、波長６００ｎｍに対して、Ｄ２が２０ｎｍの場合の相対反射率とＤ２が０ｎｍの場合の相対反射率とが一致していることに対応し、この時点（ｔ＝８０）での実際の膜厚は、０ｎｍではなく、２０ｎｍである。そして、さらに（研磨加工が進んで）時間が経過すると、相対反射率の差は、マイナスの値となった後に増加して、再びゼロとなる。この再びゼロになった点が、本来の終点である。なお、４７５ｎｍの波長の光に対しても、同様に、本来の終点ではないにもかかわらず、相対反射率の差がゼロとなる点が存在する。
【００３６】
したがって、このような場合、単一の波長に対する相対反射率のみで終点を判定すると、終点には未だ到達していないにもかかわらず、終点として判定してしまうことが起こり得る。
【００３７】
そこで、本実施形態においては、複数（２つ）の特定の波長を選択して、図９に示すように、それらの波長に対する相対反射率が同時にゼロになった時点を終点として判断する。これにより、終点を確実に検出することが可能になる。そのため、次の数１を「残差エラーＥｒ」として定義する。
【００３８】
【数１】
0003607083.tif 000002
【００３９】
ここで、λ１およびλ２は、上記の特定の波長を表し、Ｒｍ（＊）は現在の相対反射率の値、Ｒｅ（＊）は研磨終了時の相対反射率の値である。
【００４０】
図１０は、横軸に時間ｔを、縦軸に残差エラーＥｒの値をプロットしたグラフである。なお、図１０の横軸の時間は、図９の横軸の時間に対応している。図１０に示すように、時間の経過とともに値は減少し、ｔ＝８０付近において極小値をとるが、ゼロとはならず、その後一旦増加した後に減少して、ｔ＝１００においてゼロとなる。この残差エラーＥｒがゼロになった時点を終点として検出することにより、確実に判定することができる。
【００４１】
ただし、この残差エラーＥｒは、実際上は、サンプリング間隔などに起因する誤差および計算誤差などのために完全にゼロとはならないことが多い。そのため、許容誤差範囲としての閾値εを設けて、その閾値ε以下に収まった時点を終点として検出することも可能である。次の数２は、その場合の終点検出の条件を示す。
【００４２】
【数２】
0003607083.tif 000003
【００４３】
なお、この閾値εとしては、誤検出を起こさない程度に十分小さな値を定めることが可能である。
【００４４】
このように、本実施形態では、複数の特定の波長として４７５ｎｍおよび６００ｎｍの２つの波長の光を用いて終点を検出する。この特定の波長としては、互いに離れた波長を用いることが好ましい。これは、本原理が、波長によって膜の屈折率および吸収係数などが異なることを利用するものであることに基づく。
【００４５】
また、特定の波長としては、加工の進行に伴う相対反射率の差が大きくなるものを用いることが好ましい。これについて、図１１を参照して説明する。図１１は、研磨加工の開始時点（図６）と終了時点（図７）とにおける相対反射率の差（変化量）を各波長について表すグラフである。図１１に示すように、４７５ｎｍと６００ｎｍ付近において、ピークを有するグラフとなっており、これら２つの波長において最も大きな変化量を有している。このような波長を用いることにより、後述する撮像画像において大きなコントラストを得ることができる。このため、４７５ｎｍおよび６００ｎｍを特定の波長として選択することが非常に好ましい。
【００４６】
また、上記においては、２つの波長を用いた場合について説明したが、一般にＮ個（Ｎは２以上の自然数）の波長を用いた場合についても、拡張することができる。その場合には、数１の代わりに次の数３により残差エラーＥｒを表現すればよい。
【００４７】
一般的にＮ個の波長を選択する基準としては、たとえば、図１１のような相対反射率の差の分布において各ピーク近傍の波長を選択することや、ピークの半値巾に収まる範囲内で複数の波長を選択することなどを採用できる。
【００４８】
【数３】
0003607083.tif 000004
【００４９】
ここで、ベクトルＲｍは、複数の特定の波長に対応する相対反射率のそれぞれを各要素とするベクトルであり、ベクトルＲｅは、あらかじめ求めた終点到達時の複数の特定の波長に対応する相対反射率のそれぞれを各要素とするベクトルである。この両ベクトルの差分ベクトルの大きさが所定の許容誤差である閾値ε以内に収まったときに、両ベクトルの各要素の全てが一致したとみなして終点に到達したと判断することができる。
【００５０】
＜動作＞
図１２は、終点検出の処理手順を示すフローチャートである。図１２を参照しながら、終点検出装置１における実際の終点検出動作について説明する。
【００５１】
まず、ステップＳＰ１０において、複数の特定の波長を決定する。この複数のの特定の波長としては、上述のような条件を満たす波長を用いることが好ましい。本実施形態においては、４７５ｎｍ（＝λ１）および６００ｎｍ（＝λ２）の２つの波長を用いる。
【００５２】
そして、所定の程度にまで研磨加工が進んだ試料９を終点検出装置１に載置して、上記の２つの特定の波長（λ１，λ２）に対する撮像画像を得る（ステップＳＰ２０）。具体的には、まず、４７５ｎｍの波長の光のみを通過させるバンドパスフィルタ２２ｂを選択して、そのバンドパスフィルタ２２ｂを通過する波長の光で試料９を照明し、試料９の画像Ａ１を撮像する。つぎに、波長選択機構２２により６００ｎｍの波長の光のみを通過させるバンドパスフィルタ２２ｂを選択して、そのバンドパスフィルタ２２ｂを通過する波長の光で試料９を照明して、試料９の画像Ａ２を撮像する。このように撮像動作を時間的に前後して行うことにより複数（２枚）の画像Ａ１，Ａ２（図３参照）を撮像する。なお、２つの画像Ａ１，Ａ２の撮像は、試料９の位置を固定したまま行い、試料９上の同一領域を撮像する。これによって、各画像Ａ１，Ａ２の相互間の画素間の対応付けが容易になる。
【００５３】
以下では、この撮像画像Ａ１，Ａ２に基づいて、加工が終点に到達したかどうかについて考えるが、まず、試料９上の所定の位置における加工が終点に到達したことかどうかを判定する（ステップＳＰ３０）。そのため、所定の位置、たとえば位置ＰＡ（図３，図４参照）に対応する画素を撮像画像Ａ１，Ａ２のそれぞれから選択する。これらの対応画素をそれぞれＰＥ１、ＰＥ２（図示せず）とする。これらの対応画素ＰＥ１，ＰＥ２の画素は、各波長に対する試料９上の位置ＰＡの相対反射率を反映した信号を有している。したがって、これらの信号の強度に基づいて、位置ＰＡ（図４参照）における加工終点を判定することができる。
【００５４】
具体的には、上述の数２を用いて、画素毎終点判定部４２（図３）が、対応する試料９上の位置ＰＡの加工が終点に到達したかどうかの判定を行い、図１０に示すように、残差エラーＥｒが所定の許容誤差範囲内に収まっている場合（ｔ＝１００）に、Ｒｍ（λ１）とＲｅ（λ１）とが一致し、かつ、Ｒｍ（λ２）とＲｅ（λ２）とが一致したとみなして、終点信号を出力する。なお、この終点信号の出力に応答して、後述の終点検出フラグが「１」にセットされる。
【００５５】
以上のようにして、位置ＰＡにおいて加工が終点に到達したかどうかを判定することができる。そして同様の動作を、画像Ａ１（Ａ２）内の全画素について繰り返すことによって、終点分布マップを作成することができる。終点分布マップは、画像Ａ１（Ａ２）内の各画素において終点信号が出力されているかどうかを終点検出フラグに基づいて示すものである。そして、終点分布出力部４４は、この終点分布マップを入出力部５０のディスプレイ上に表示する（ステップＳＰ４０）。ただし、位置ＰＢ（図４参照）については、位置ＰＡにおける層構造と異なるため、上記と異なる基準により、所定の膜厚にまで加工が進んだこと、すなわち終点を検出することが可能である。たとえば、数２におけるＲｅ（λ１），Ｒｅ（λ２）として、位置ＰＢにおける終点到達時の波長λ１，λ２に対する信号強度の値を準備することによって対応できる。
【００５６】
図１３は、終点分布マップを説明するための図である。図１３（ａ）は、画像Ａ１（Ａ２）を示し、図１３（ｂ）は、終点分布マップを示す図である。終点分布マップは、図１３（ａ）の原画像Ａ１（Ａ２）と合成して表示される。たとえば、白黒の階調値で表現される原画像Ａ１（Ａ２）において、終点信号が出力されている画素（たとえば、図中の白地画素）を青色で表現することが可能である。これにより、終点に到達した部分の分布を容易に視覚的に確認することができる。また、それとは逆に、終点に到達していない部分に対応する画素（図中の斜線画素）を別の色（たとえば赤色）で表現することなどにより、より一層視認性を高めることも可能である。
【００５７】
図１４は、終点分布マップの一部（図１３の領域Ｒ１）を拡大して示す図である。終点分布マップは、加工が所定の程度にまで進んだ毎に上記のようにして得られる撮像画像に基づいて作成される。図１４（ａ）は、加工開始時における状態を表している。加工開始時においては、終点信号はいずれの画素についても出力されていないので、終点検出フラグは全てリセットされている。この状態を図においては、白地の状態で示している。
【００５８】
さらに加工を進めた後に撮像した画像の全画素に対して上記検出動作を行うと、一部の画素に対応する位置では、終点信号が出力される。この状態を図１４（ｂ）に示す。なお、図１４においては、終点信号が出力された画素ＰＥ１（ｘ，ｙ），ＰＥ１’（ｘ＋２，ｙ＋２）上において終点検出フラグ「１」を表示している。上述したように、この終点検出フラグ「１」に対応する部分を着色表示することが可能であり、さらには、終点検出フラグ「１」が立っていない部分を別色で表示することなども可能である。
【００５９】
しかしながら、図１４（ｂ）の状態においては、未だ終点検出フラグ「１」が立っていない画素が存在する。すなわち、未だ終点に到達していない試料９上の加工点が存在し、メタル残膜が存在する状態である。したがって、研磨加工は終了するべきではないと判断して、研磨加工を続行する（ステップＳＰ５０）。
【００６０】
その後、さらに加工を進めた後にステップＳＰ２０からステップＳＰ４０までの動作を繰り返す。この時点において撮像した画像に対して、同様に、終点分布マップを求める。この状態を図１４（ｃ）で表す。図１４（ｃ）においては、終点検出フラグ「１」が立っている画素がさらに増加している。これは、図１４（ｂ）において終点に到達していた画素ＰＥ１，ＰＥ１’に加えて、さらに別の画素においても終点に到達した状態となるからである。
【００６１】
しかしながら、図１４（ｃ）のような状態においても、未だ終点に到達していない試料９上の加工点が存在するので、さらに研磨加工を続行する。再び所定程度の研磨加工を行った後、ステップＳＰ２０からステップＳＰ４０までの動作を繰り返す。
【００６２】
そして、一定程度にまで加工が進んだ後においては、撮像画像Ａ１（Ａ２）の全画素について、終点検出信号が出力される状態となる。この時点で、加工を終了する（ステップＳＰ５０）。これにより、画像Ａ１に対応する試料９の領域内ではメタル残膜による欠陥が確実に存在しないように、図４（ｄ）に対応する状態に加工することが可能になる。
【００６３】
＜Ｃ．その他＞
上記実施形態においては、複数の特定の波長を選択するにあたって、加工開始前の分光反射率（図６）と加工終了時の分光反射率（図７）とを計算によって求めていたが、実測によっても求めることができる。たとえば、全くメタル残膜が存在しない理想的な基準試料をあらかじめ準備し、その理想的な基準試料に対して、図７に対応する分光反射率を実測により求めて、適当な複数の波長を選択することが可能である。その後、上記実施形態と同様、測定対象である試料９に対して終点検出動作を行うことが可能である。計算および実測のいずれの場合も、実際の試料９の構造に対応するモデルについての分光反射率から複数の波長を定めていることになる。
【００６４】
上記実施形態においては、波長選択機構２２の特定のバンドパスフィルタ２２ｂを選択してそれを通過する特定の波長の光で対象物を照明して、対象物の画像を撮像するという撮像動作を時間的に分割して行うことにより複数の画像を撮像し、複数の画像の同一位置の画素に基づいて各波長に対応する信号強度のそれぞれを求めていた。しかしながら、本発明は、これに限定されず、たとえば、撮像素子側に波長選択機構を設けても良いし、あるいは、複数の撮像素子を並べておきダイクロイックミラーなどで同時に複数の波長の画像を得ることなどによって、複数の画像の同一位置の画素に基づいて各波長に対応する信号強度のそれぞれを求めても良い。
【００６５】
上記実施形態においては、撮像画像Ａ１，Ａ２の全画素に対して、終点分布マップを求めていたが、画像Ａ１，Ａ２の所定の領域内の画素に対してのみ終点分布マップを求めることもできる。また、加工終了時点を判断するに当たっても同様であり、画像Ａ１，Ａ２の所定の領域内に含まれる全画素が、終点に到達していた時点で加工を終了することも可能である。
【００６６】
上記実施形態においては、試料９上の所定の領域に対する撮像画像の全画素について終点に到達した時点を加工終了時点としていたが、これに限定されず、試料９上の複数の所定の領域のそれぞれに対して、本発明を適用し、全ての領域の全ての画素において終点に到達した時点を加工終了時点とすることもできる。
【００６７】
上記実施形態では、研磨工程を例示して説明したが、これに限定されず、エッチング工程などの他の加工工程における終点検出にも本発明を適用することができる。また、研磨工程およびエッチング工程などの膜厚が単純に減少する加工工程に限定されるものでもなく、成膜工程などの膜厚が単純に増加する工程においても、本発明を適用してその加工終点を検出することが可能である。なお、その場合には、膜厚が所定の値にまで増加したことを終点として検出する。このように、膜厚を単純に増加および単純に減少、すなわち単純変化させる場合に本発明を適用することが可能である。
【００６８】
上記実施形態においては、終点検出装置１はその他の研磨装置などとは別に設けられていたが、同一の装置として両機能を有する装置として構成しても良い。
【００６９】
【発明の効果】
以上のように、請求項１，２に記載の終点検出装置および請求項６，７に記載の終点検出方法によれば、複数の特定の波長の光で照明して撮像された対象物の撮像画像内の所定の画素における複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれが、あらかじめ求めた終点到達時の複数の特定の波長に対応する信号強度のそれぞれと全て一致した際に、所定の画素位置に対応する対象物上での位置における加工が終点に到達したことを示す終点信号が出力される。したがって、複数の波長に対応する信号強度のそれぞれを用いて終了検出を行うので、単一の波長のみに対応する信号強度に対して終点検出を行うことによる誤検出を防止して確実に終点検出を行うことが可能である。
【００７０】
請求項３に記載の終点検出装置および請求項８に記載の終点検出方法によれば、対象物についてあらかじめ求めた加工開始前における分光反射率および加工終了時における分光反射率に基づいて、当該両反射率の差が所定の基準を満足する波長の組を複数の特定の波長として選択する。したがって、コントラストの高い画像を得ることができるので、終点検出を高い精度で行うことができる。
【００７１】
請求項４に記載の終点検出装置および請求項９に記載の終点検出方法によれば、撮像画像の所定の領域内における終点信号の発生状況の分布が表示される。したがって、各画素位置において終点に到達したか否かを視覚的に容易に認識することができる。
【００７２】
請求項５に記載の終点検出装置および請求項１０に記載の終点検出方法によれば、撮像画像の所定の領域内に含まれる全ての画素に関して終点信号が出力された時点で加工を終了するので、終点を確実に検出して薄膜加工の欠陥を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る終点検出装置１の概略構成を表す図である。
【図２】回転円盤２２ａの平面図である。
【図３】制御部４０の概略構成を示す図である。
【図４】ダマシン配線形成の手順の一例を示す図である。
【図５】図４の下部の層構造Ｆ０を詳細に表示した層構造を表す図である。
【図６】研磨加工開始時の分光反射率を表すグラフである。
【図７】研磨加工終了時の分光反射率を表すグラフである。
【図８】研磨加工の各中間状態における分光反射率を表す図である。
【図９】相対反射率の研磨加工中における経時変化を、特定の波長について表したグラフである。
【図１０】残差エラーＥｒの経時変化を表すグラフである。
【図１１】研磨加工の開始時点と終了時点とにおける相対反射率の差（変化量）を表すグラフである。
【図１２】終点検出の処理手順を示すフローチャートである。
【図１３】終点分布マップを説明するための図である。
【図１４】終点分布マップにおける領域Ｒ１の拡大図である。
【符号の説明】
１  終点検出装置
９  試料
１１  光源部
２２  波長選択機構
３１  画像取得部
４０  制御部
Ａ１，Ａ２  撮像画像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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