(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
（１）インゴットをスライスしてウェハを得るインゴット切断工程。
（２）スライスされたウェハの表面（おもて面）または表裏両面を平面研削する平面研削工程。
（３）平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチングするアルカリエッチング工程。
（４）アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取りし、アルカリエッチング工程で生じたウェハの周縁部のエッチピットを除去する面取り工程。
（５）面取りされたウェハの表面（おもて面）または表裏両面を研磨する研磨工程。
【請求項２】
次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
（１）インゴットをスライスしてウェハを得るインゴット切断工程。
（２）スライスされたウェハの周縁部を粗面取りする粗面取り工程。
（３）粗面取りされたウェハの表面（おもて面）または表裏両面を平面研削する平面研削工程。
（４）平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチングするアルカリエッチング工程。
（５）アルカリエッチングされたウェハの周縁部を仕上げ面取りし、アルカリエッチング工程で生じたウェハの周縁部のエッチピットを除去する仕上げ面取り工程。
（６）仕上げ面取りされたウェハの表面（おもて面）または表裏両面を研磨する研磨工程。
【請求項３】
次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
（１）インゴットをスライスしてウェハを得るインゴット切断工程。
（２）スライスされたウェハの表裏両面を平面研削する平面研削工程。
（３）平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチングするアルカリエッチング工程。
（４）アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取し、アルカリエッチング工程で生じたウェハの周縁部のエッチピットを除去する面取り工程。
（５）面取りされたウェハの表裏両面を同時に研磨する両面研磨工程
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、表面（おもて面）または表裏両面を平面研削した後に研磨して得られる半導体ウェハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、表面を平面研削した後に鏡面研磨して製造される半導体ウェハは、図４に示すように次のような工程で得られる。
（１）シリコン単結晶のインゴットを内周刃でスライスしてウェハ５を得る〔図５（ａ）参照〕。
（２）スライスされたウェハ５の周縁部５１の割れカケを防止するために、この周縁部５１を面取りする〔図５（ｂ）参照〕。
（３）面取りされたウェハの表面（おもて面）５２および裏面５３を平面研削して厚みを揃える〔図５（ｃ）参照〕。
（４）平面研削されたウェハ５の表面（おもて面）５２または表裏両面５２、５３を研磨して鏡面加工する〔図５（ｄ）参照〕。この際、平面研削により発生した加工歪５４を除去する。〔図５（ｃ）参照〕
（５）鏡面加工した後に薬液で洗浄し、重金属やパーティクルといった不純物等を取り除く。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の製造方法では、平面研削により発生した加工歪の深さは２〜１０μｍ程度であるため、平面研削されたウェハを１０μｍ以上は研磨する必要があり、研磨工程に時間がかかり過ぎるという問題点がある。
本発明は、上記問題に鑑みなされたもので、平面研削されたウェハの研磨時間を短くして、半導体ウェハを効率よく製造することができる半導体ウェハの製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
このため本発明では、半導体ウェハの製造方法を、インゴットをスライスしてウェハを得、スライスされたウェハの表面（おもて面）または表裏両面を平面研削し、平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチングし、アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取りし、アルカリエッチングで生じたウェハの周縁部のエッチピットを除去した後、面取りされたウェハの表面（おもて面）または表裏両面を研磨するようにしたものである。
【０００５】
また、半導体ウェハの製造方法を、インゴットをスライスしてウェハを得、スライスされたウェハの周縁部を粗面取りし、粗面取りされたウェハの表面（おもて面）または表裏両面を平面研削し、平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチングし、アルカリエッチングされたウェハの周縁部を仕上げ面取りし、アルカリエッチングで生じたウェハの周縁部のエッチピットを除去した後、仕上げ面取りされたウェハの表面（おもて面）または表裏両面を研磨するようにしたものである。
【０００６】
さらに、半導体ウェハの製造方法を、インゴットをスライスしてウェハを得、スライスされたウェハの表裏両面を平面研削し、平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチングし、アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取りし、アルカリエッチングで生じたウェハの周縁部のエッチピットを除去した後、面取りされたウェハの表裏両面を同時に研磨するようにしたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体ウェハの製造方法は、従来、平面研削されたウェハを研磨することにより、鏡面加工すると共に平面研削によって生じた加工歪みの除去をしていたものを、平面研削されたウェハを研磨する前にアルカリエッチングにより加工歪みの除去を行い、アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取りし、その後に研磨するものである。
したがって、本発明の半導体ウェハの製造方法によると、アルカリエッチングにおいて大量のウェハを一度に処理できる上、研磨工程における加工時間を短縮できることから、半導体ウェハの製造工程が大幅に短縮される。
【０００８】
上記のエッチングにおいてアルカリ溶液を使用する理由としては、混酸などを使用した酸エッチングはアルカリエッチングに比し平坦度を崩すことが知られており、平面研削で得られた平坦度を維持してエッチングした後に研磨することを目的としてアルカリエッチングされる。
【０００９】
本発明の製造方法においてアルカリエッチングに使用されるエッチング液としては、従来から半導体ウェハのエッチングに使用されているアルカリ溶液は全般的に適用できるが、特に平坦度を維持する見地から水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、アミン等が好適である。
【００１０】
また、アルカリエッチングにおいては、平坦度が崩れにくいものの、結晶軸方向の選択エッチングによりエッチング表面にエッチピットが生じる。ウェハの表面（おもて面）または表裏両面のエッチピットは研磨することにより除去されるが、周縁部のエッチピットは研磨では除去されない。このため、研磨する前に面取りを行い、ウェハ周縁部のエッチピットを除去する必要がある。
【００１１】
【実施例】
以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説明する。
実施例１
図１は実施例１の半導体ウェハの製造方法を示す工程図、図２は実施例１の製造方法により製造された半導体ウェハの側断面図である。
【００１２】
実施例１の半導体ウェハの製造方法は、図１に示すように次の各工程からなる。
（１）インゴットをスライスしてウェハ１を得る〔図２（ａ）参照〕。
（２）スライスされたウェハ１を、研削用のチャック（図示せず）により保持して両切断面を平面研削し、厚みを揃える。この平面研削されたウェハ１の表面（おもて面）１ａおよび裏面１ｂには加工歪み２が生じる〔図２（ｂ）参照〕。
（３）平面研削されたウェハ１をアルカリ溶液によりエッチングする。これにより、平面研削で生じた加工歪み２は除去されるが、アルカリエッチングによるエッチピット３がウェハ１の表面（ひょう面）全体に生じる〔図２（ｃ）参照〕。
（４）アルカリエッチングされたウェハ１の周縁部１ｃを面取りすることにより、周縁部１ｃのエッチピット３を除去する〔図２（ｄ）参照〕。
（５）面取りされたウェハ１を両面研磨して鏡面加工すると共に、ウェハ１の表面（おもて面）１ａおよび裏面１ｂのエッチピット３を除去する〔図２（ｅ）参照〕。
（６）両面研磨されたウェハ１を洗浄し、その表面（ひょう面）に付着したパーティクル等を除去する。
（７）洗浄されたウェハ１を乾燥し、半導体ウェハを得る。
【００１３】
従来技術の製造方法においては、その研磨における片面の取代は１０μｍ以上であり、本実施例１の製造方法における片面の取代は５μｍ程度でよい。したがって、その研磨工程に要する時間は従来の２分の１程度であるのに加え、エッチングにおいては数十枚単位で処理するので、従来技術の製造方法に比べ大幅な効率アップをはかれる。
【００１４】
尚、本実施例１の両面研磨の方法としては、片面ずつ研磨して表裏両面を研磨する方法、または両面研磨機により表裏両面を同時に研磨する方法、どちらの方法でも任意である。
【００１５】
また、表裏両面の研磨に限られるものではなく、製品の要求度により表面（おもて面）片面だけの研磨でもよい。
【００１６】
実施例２
図３は実施例２の半導体ウェハの製造方法を示す工程図である。
上記実施例１では、インゴットをスライスして得られたウェハを直接平面研削していたが、この場合平面研削によりウェハの周縁部に僅かなチッピングやカケなどが生じることがある。これらのチッピングやカケはエッチングの後の面取りによりその殆どを除去できるため、製品としての大きな問題はない。
【００１７】
しかしながら、デバイス工程からの要求等により、さらに高品質の半導体ウェハを製造するためには、図３に示すように平面研削をする前にウェハの周縁部を粗面取りし、その後に上記実施例と同様にアルカリエッチングを行い、エッチングにより生じたエッチピットを除去するための仕上げ面取りをする。
【００１８】
【発明の効果】
本発明では以上のように構成したので、研磨工程における加工時間を短縮し、効率よく半導体を製造することができるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の半導体ウェハの製造方法を示す工程図である。
【図２】実施例１の製造方法により製造された半導体ウェハの側断面図である。
【図３】実施例２の半導体ウェハの製造方法を示す工程図である。
【図４】従来技術の半導体ウェハの製造方法を示す工程図である。
【図５】従来技術の製造方法により製造された半導体ウェハの側断面図である。
【符号の説明】
１……ウェハ
１ａ……表面（おもて面）
１ｂ……裏面
２……加工歪み
３……エッチピット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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