(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一のセラミック基板と、該単一のセラミック基板の両主面に対向配置された２本のパワーラインと、前記単一のセラミック基板の一方主面に配置された３本の出力ラインと、前記一方主面に形成されている前記パワーラインおよび前記各出力ラインに搭載されている複数個のスイッチング素子と、前記一方主面に前記スイッチング素子のそれぞれに対応させて配置された複数本の制御ラインと、前記パワーライン上の前記スイッチング素子を前記各出力ラインに接続する第１の接続手段および前記各出力ライン上に搭載されている前記スイッチング素子を前記単一のセラミック基板の他方主面に形成されている前記パワーラインに接続する第２の接続手段ならびに前記スイッチング素子を前記制御ラインに接続する第３の接続手段とから成り、前記パワーライン上のスイッチング素子、前記出力ライン上のスイッチング素子および前記第１乃至第３の接続手段の対応するもの同士が各々群をなして三列状に配置されていることを特徴とするインバータ制御モジュール。
【請求項２】
前記２本のパワーライン流れる電流の方向が逆であることを特徴とする請求項１に記載のインバータ制御モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、３相モータ等を制御するためのインバータ制御モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、３相モータ等を制御するためのインバータ制御モジュールは、一般に、図３に平面図で、および図４に断面図で示すように、セラミック基板３２の一主面に直流電源が供給される２本のパワーライン３３ａ，３３ｂおよび３相交流電源を出力する３本の出力ライン３４ａ，３４ｂ，３４ｃならびにパワーライン３３ａおよび各出力ライン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを被着形成したセラミック回路基板３１と、一方のパワーライン３３ａおよび各出力ライン３４ａ，３４ｂ，３４ｃ上に搭載されている複数のスイッチング素子３５と、一方のパワーライン３３ａ上に搭載された各スイッチング素子３５と各出力ライン３４ａ，３４ｂ，３４ｃとを電気的接続する金属細線より成る第１の接続手段３６と、各出力ライン３４ａ，３４ｂ，３４ｃ上に搭載された各スイッチング素子３５と他方のパワーライン３３ｂとを電気的接続する金属細線より成る第２の接続手段３７と、各スイッチング素子３５と外部のコントロール基板とを電気的接続する金属細線より成る第３の接続手段３８とにより構成されている。
【０００３】
かかるインバータ制御モジュールは、２本のパワーライン３３ａ，３３ｂを外部電源に、出力ライン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを３相モータ等に、外部電源より２本のパワーライン３３ａ，３３ｂ間に２０Ａ以上の直流電源を供給するとともに各スイッチング素子３５のオン・オフを少しずつずらせながら繰り返し行なわせることによって、出力ライン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを介し３相モータ等に３相交流電源が供給されることとなる。
【０００４】
なお、スイッチング素子３５としてはＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が一般に用いられている。
【０００５】
また、インバータ制御モジュールに使用されるセラミック回路基板３１は、一般に酸化アルミニウム質焼結体から成るセラミック基板３２の表面にメタライズ金属層を所定パターンに被着させるとともに、このメタライズ金属層にパワーライン３３ａ，３３ｂや出力ライン３４ａ，３４ｂ，３４ｃとなる銅等の金属回路板を銀ロウ等のロウ材を介しロウ付けすることによって形成されている。
【０００６】
具体的には、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ・可塑剤・溶剤等を添加混合して泥漿状と成すとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術を採用して複数のセラミックグリーンシートを得て、次にこのセラミックグリーンシート上にタングステンやモリブデン等の高融点金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤を添加混合して得た金属ペーストをスクリーン印刷法等の印刷技術を採用することによって所定パターンに印刷塗布し、次にこれら金属ペーストが所定パターンに印刷塗布されたセラミックグリーンシートを必要に応じて上下に積層するとともに還元雰囲気中にて約１６００℃の温度で焼成し、セラミックグリーンシートと金属ペーストとを焼結一体化させて表面にメタライズ金属層を有する酸化アルミニウム質焼結体から成るセラミック基板３２を形成し、最後にこのセラミック基板３２に被着されているメタライズ金属層上にパワーライン３３ａ，３３ｂや出力ライン３４ａ，３４ｂ，３４ｃや制御ライン３９となる銅等の金属回路板を間に銀ロウ等のロウ材を挟んで載置させるとともに、これを還元雰囲気中にて約９００℃の温度に加熱してロウ材を溶融させ、この溶融したロウ材でメタライズ金属層と金属回路板とを接合することによって製作されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来のインバータ制御モジュールにおいては、２本のパワーライン３３ａ，３３ｂがインダクタンスを有しており、２本のパワーライン３３ａ，３３ｂ間に２０Ａ以上の直流電源を供給するとともに各スイッチング素子３５のオン・オフを少しずつずらせて出力ライン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを介して３相モータ等に３相交流電源を供給する際に、パワーライン３３ａ，３３ｂのインダクタンスによってスイッチング素子３５のオン・オフ時に定格電圧より高いサージ電圧が発生してしまい、その結果、このサージ電圧によってスイッチング素子３５に過電圧がかかり、スイッチング素子３５を破壊してインバータ制御モジュールを安定して信頼性よく作動させることができないという欠点を有していた。
【０００８】
そこで、上記欠点を解消するために２本のパワーライン３３ａ，３３ｂを近接配置させるとともに各々のパワーライン３３ａ，３３ｂに流れる電流の方向を逆とし、２本のパワーライン３３ａ，３３ｂ間に相互インダクタンスを発生させるとともにこの相互インダクタンスによって２本のパワーライン３３ａ，３３ｂが有するインダクタンスを低減することが考えられる。
【０００９】
しかしながら、２本のパワーライン３３ａ，３３ｂを近接配置させた場合には、パワーライン３３ａ，３３ｂには２０Ａ以上という非常に大きな電流が流れるとともに６００Ｖ以上の電圧がかかることから、パワーライン３３ａ，３３ｂ間に放電が発生し、セラミック回路基板３１にショートが発生してインバータ制御モジュールの作動信頼性を損なうという欠点が誘発されてしまう。
【００１０】
さらに、第３の接続手段３８が非常に長くなり、他のラインに交差することにより、他の各ラインパターン等へ接触する危険があり、信頼性が損なわれるという欠点も誘発されてしまう。
【００１１】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、サージ電圧印加によるスイッチング素子の破壊および２本のパワーライン間での放電を有効に防止し、小型で安定して直流電源を３相交流電源に確実、かつ長期間にわたって変換することができるインバータ制御モジュールを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のインバータ制御モジュールは、単一のセラミック基板と、該単一のセラミック基板の両主面に対向配置された２本のパワーラインと、前記単一のセラミック基板の一方主面に配置された３本の出力ラインと、前記一方主面に形成されている前記パワーラインおよび前記各出力ラインに搭載されている複数個のスイッチング素子と、前記一方主面に前記スイッチング素子のそれぞれに対応させて配置された複数本の制御ラインと、前記パワーライン上の前記スイッチング素子を前記各出力ラインに接続する第１の接続手段および前記各出力ライン上に搭載されている前記スイッチング素子を前記単一のセラミック基板の他方主面に形成されている前記パワーラインに接続する第２の接続手段ならびに前記スイッチング素子を前記制御ラインに接続する第３の接続手段とから成り、前記パワーライン上のスイッチング素子、前記出力ライン上のスイッチング素子及び前記第１乃至第３の接続手段の対応するもの同士が各々群をなして三列状に配置されていることを特徴とするものである。
また本発明のインバータ制御モジュールは、前記２本のパワーライン流れる電流の方向が逆であることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明のインバータ制御モジュールによれば、２本のパワーラインを間にセラミック基板を挟んで対向配置させるとともに各々のパワーラインに流れる電流の方向を逆としたことから、２本のパワーライン間に相互インダクタンスを効率良く発生させるとともにこの相互インダクタンスによって２本のパワーラインが有するインダクタンスを大きく低減させることができ、これによって２本のパワーライン間に２０Ａ以上の直流電源を供給するとともに各スイッチング素子のオン・オフを少しずつずらせて出力ラインより３相モータ等に３相交流電源を供給する際に、スイッチング素子のオン・オフ時に２本のパワーラインが有するインダクタンスに起因して定格電流より高いサージ電圧が発生することはなく、その結果、スイッチング素子に過電圧がかかり、スイッチング素子が破壊することを有効に防止してインバータ制御モジュールを安定、かつ信頼性よく作動させることが可能となる。
【００１４】
また同時に、２本のパワーラインはその間に絶縁性に優れたセラミック基板が介在していることから、パワーラインに２０Ａ以上という非常に大きな電流を流し６００Ｖ以上の電圧がかかったとしても、パワーライン間に放電が発生してセラミック回路基板にショートを発生させることはなく、これによってインバータ制御モジュールの作動を高信頼性となすことが可能となる。
【００１５】
さらに、第３の接続手段が他のラインと交差しないように制御ラインをそれぞれ対応するスイッチング素子の近傍に配置することにより、第３の接続手段としてのワイヤボンディング長さを最短にすることができ、他の各ラインパターン等への接触を防ぐことができ、モジュールの信頼性をより高めることが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に示す実施の形態の例に基づき詳細に説明する。
【００１７】
図１および図２は、本発明のインバータ制御モジュールの実施の形態の一例を示す平面図および断面図である。本発明のインバータ制御モジュールは、セラミック基板２の両主面に２本のパワーライン３ａ，３ｂを対向配置させるとともに一方主面に３本の出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃおよびパワーライン３ａ、ならびにパワーライン３ａおよび各出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃに搭載されている複数個のスイッチング素子５にそれぞれ対応させて配置された複数本の制御ライン９を配置したセラミック回路基板１と、スイッチング素子５とから構成されており、セラミック基板２の一方主面に形成されているパワーライン３ａおよび各出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃ上にスイッチング素子５を搭載し、パワーライン３ａ上のスイッチング素子５を各出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃに第１の接続手段６を介して接続するとともに各出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃ上に搭載されているスイッチング素子５をセラミック基板２の他方主面に形成されているパワーライン３ｂに第２の接続手段７を介して接続し、さらにスイッチング素子５をそれぞれ対応する制御ライン９に第３の接続手段８を介して接続することによって形成されている。
【００１８】
セラミック回路基板１のセラミック基板２は、パワーライン３ａ，３ｂおよび出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃ、ならびにパワーライン３ａおよび出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃ上に搭載されるスイッチング素子５を支持する支持部材であり、窒化珪素質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック絶縁体で形成されている。
【００１９】
セラミック基板２は、例えば、窒化珪素質焼結体から成る場合であれば、窒化珪素，酸化アルミニウム，酸化マグネシウム，酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダ，可塑剤，溶剤を添加混合して泥漿状となすとともにこの泥漿物から従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、次にこれらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して所定形状となすとともに必要に応じて複数枚を積層して成形体とし、しかる後、これを窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気中にて１６００乃至２０００℃の高温で焼成することによって製作される。
【００２０】
セラミック基板２は、その一方主面に１本のパワーライン３ａと３本の出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃと複数本の制御ライン９とが、他方主面に１本のパワーライン３ｂが活性金属ロウ材等の接着材を介してロウ付け取着されている。
【００２１】
パワーライン３ａは外部電源から供給される直流電源をスイッチング素子５に供給するためのものであり、また出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃはスイッチング素子５のオン・オフにより変換された３相交流電源を外部の３相モータ等に供給するためのものである。
【００２２】
２本のパワーライン３ａ，３ｂおよび３本の出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃならびに複数本の制御ライン９は、銅やアルミニウム等の金属材料から成り、銅やアルミニウム等のインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって、例えば、厚さが５００μｍで、所定パターン形状に製作される。
【００２３】
さらに、２本のパワーライン３ａ，３ｂおよび３本の出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃならびに複数本の制御ライン９のセラミック基板２への接着は、例えば、銀ロウ材（銀：７２重量％，銅：２８重量％）やアルミニウムロウ材（アルミニウム：８８重量％，シリコン：１２重量％）等にチタンやタングステン，ハフニウムおよび／またはその水素化物の少なくとも１種を２乃至５重量％添加した活性ロウ材を使用することによって行なわれ、具体的にはセラミック基板２の表面に間に活性金属ロウ材を挟んでパワーライン３ａ，３ｂおよび出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃならびに複数本の制御ライン９を載置し、次にこれを真空中または中性もしくは還元雰囲気中にて所定温度（銀ロウ材の場合は約９００℃、アルミニウムロウ材の場合は約６００℃）で加熱処理し、活性金属ロウ材を溶融せしめるとともにセラミック基板２の表面とパワーライン３ａ，３ｂおよび出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃならびに複数本の制御ライン９の下面とを接合させることによって行なわれる。
【００２４】
なお、セラミック回路基板１は、セラミック基板２を窒化珪素質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体等の熱伝達率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミック絶縁体で形成しておくと、スイッチング素子５が作動時に多量の熱を発生した際に、その熱をセラミック基板２が効率良く吸収するとともに大気中に良好に放出してスイッチング素子５を常に適温となし、スイッチング素子５を常に安定、かつ正常に作動させることが可能となる。従って、セラミック基板２は窒化珪素質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体等の熱伝達率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミック絶縁体で形成しておくことが好ましい。
【００２５】
また、パワーライン３ａ，３ｂおよび出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃならびに複数本の制御ライン９は、これを無酸素銅で形成しておくと、無酸素銅はロウ付けの際に銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなく活性金属ロウ材との濡れ性が良好となり、セラミック基板２への活性金属ロウ材を介しての接合が強固となる。従って、パワーライン３ａ，３ｂおよび出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃならびに複数本の制御ライン９は、これを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。
【００２６】
さらに、パワーライン３ａ，３ｂおよび出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃならびに複数本の制御ライン９は、その表面にニッケルから成る良導電性で、かつ耐蝕性およびロウ材に対する濡れ性が良好な金属をメッキ法により被着させておくと、パワーライン３ａ，３ｂおよび出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃならびに複数本の制御ライン９の酸化腐蝕を有効に防止しつつパワーライン３ａ，３ｂおよび出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃにスイッチング素子５や外部電源，外部の３相モータ等を半田等のロウ材を介して極めて強固に接続させることができる。従って、パワーライン３ａ，３ｂおよび出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃならびに複数本の制御ライン９は、その表面にニッケルから成る良導電性で、かつ耐蝕性およびロウ材に対する濡れ性が良好な金属をメッキ法により被着させておくことが好ましい。
【００２７】
セラミック回路基板１にはまた、セラミック基板２の一方主面に配置されたパワーライン３ａおよび各出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃ上に複数のスイッチング素子５が搭載されており、かつパワーライン３ａ上に搭載されたスイッチング素子５はワイヤ等から成る第１の接続手段６を介して各出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃに、また出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃ上に搭載されたスイッチング素子５はワイヤ等から成る第２の接続手段７を介してセラミック基板２の他方主面に配置されたパワーライン３ｂに、また、すべてのスイッチング素子５はワイヤ等から成る第３の接続手段により制御ライン９に、それぞれ電気的に接続されている。
【００２８】
スイッチング素子５は、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の素子が用いられており、電流のオン・オフを制御し各スイッチング素子５のオン・オフを少しずつずらせることによって、パワーライン３ａ，３ｂより供給された直流電源を３相の交流電源に変換して出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃに供給する機能を有する。
【００２９】
また、第１の接続手段６，第２の接続手段７および第３の接合手段８は、アルミニウムやアルミニウム−珪素合金からなる、例えば直径が３００μｍの金属細線（ワイヤ）からなり、従来周知の超音波接続法等の接続法を用いることによって、パワーライン３ａ上に搭載されたスイッチング素子５と各出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃに、また出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃ上に搭載されたスイッチング素子５とセラミック基板２の他方主面に形成されたパワーライン３ｂに、さらに、すべてのスイッチング素子５が制御ライン９に接合される。
【００３０】
本発明のインバータ制御モジュールにおいては、２本のパワーライン３ａ，３ｂを間にセラミック基板２を挟んで対向配置させるとともにパワーライン３ａ，３ｂに流れる電流の方向を逆としておくことが重要である。
【００３１】
このように２本のパワーライン３ａ，３ｂを間にセラミック基板２を挟んで対向配置させるとともにパワーライン３ａ，３ｂに流れる電流の方向を逆としておくと、２本のパワーライン３ａ，３ｂ間に相互インダクタンスが効率良く発生し、この発生した相互インダクタンスによって２本のパワーライン３ａ，３ｂの各々が有するインダクタンスを大きく低減させることができ、その結果、２本のパワーライン３ａ，３ｂ間に２０Ａ以上の直流電源を供給するとともに各スイッチング素子５のオン・オフを少しずつずらせて出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃより３相モータ等に３相交流電源を供給する際に、スイッチング素子５のオン・オフ時に２本のパワーライン３ａ，３ｂが有するインダクタンスに起因して定格電圧より高いサージ電圧が発生することはなく、これによってスイッチング素子５に過電圧がかかり、スイッチング素子５が破壊するのを有効に防止してインバータ制御モジュールを安定、かつ信頼性よく作動させることが可能となる。
【００３２】
また同時に、２本のパワーライン３ａ，３ｂはその間に絶縁性に優れたセラミック基板２が介在していることから、パワーライン３ａ，３ｂに２０Ａ以上という非常に大きな電流を流し６００Ｖ以上の電圧がかかったとしても、パワーライン３ａ，３ｂ間に放電が発生してセラミック回路基板１にショートを発生させることはなく、これによってインバータ制御モジュールの作動を高信頼性となすことが可能となる。
【００３３】
なお、セラミック基板２はその厚みが２ｍｍを超えると２本のパワーライン３ａ，３ｂ間に相互インダクタンスを効率良く発生させるのが困難となり、また０．２ｍｍ未満となるとセラミック基板２の機械的強度が劣化してインバータ制御モジュールとしての信頼性が低下してしまう危険性がある。従って、セラミック基板２はその厚みを０．２ｍｍ乃至２ｍｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３４】
また、セラミック基板２はその絶縁耐圧が１０ｋＶ／ｍｍ未満となると、セラミック基板２の厚みが、例えば、０．２ｍｍといった薄いものとなったときにパワーライン３ａ，３ｂ間に放電が生じ、セラミック回路基板１にショートが発生してしまう危険性がある。従って、セラミック基板２はその耐電圧を１０ｋＶ／ｍｍ以上としておくことが好ましい。
【００３５】
また、制御ライン９については、それぞれ対応するスイッチング素子５からの距離をなるべく小さくすることにより、第３の接続手段８が他の配線部に接触することがなくなり、高信頼性となすことが可能である。さらに、制御ライン９は、スイッチング素子５が搭載される他のラインから０．５ｍｍ以上離して設置し、放電による誤作動を防ぐことが望ましい。
【００３６】
加えて、スイッチング素子５から制御ライン９に接続される第３の接続手段８は、他の接続手段６・７と交差しないように配置することが好ましい。
【００３７】
かくして上述のインバータ制御モジュールによれば、２本のパワーライン３ａ，３ｂを外部電源に、出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃを３相モータ等に接続し、外部電源より２本のパワーライン３ａ，３ｂ間に２０Ａ以上の直流電源を供給するとともに各スイッチング素子５のオン・オフを少しずつずらせながら繰り返し行なわせることによって出力ライン４ａ，４ｂ，４ｃから３相の交流電源が導出され、これによってインバータ制御モジュールとして機能する。
【００３８】
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００３９】
【発明の効果】
本発明のインバータ制御モジュールによれば、２本のパワーラインを間にセラミック基板を挟んで対向配置させるとともに各々のパワーラインに流れる電流の方向を逆としたことから、２本のパワーライン間に相互インダクタンスを効率良く発生させるとともにこの相互インダクタンスによって２本のパワーラインが有するインダクタンスを大きく低減させることができ、これによって２本のパワーライン間に２０Ａ以上の電流を供給するとともに各スイッチング素子のオン・オフ時に２本のパワーラインが有するインダクタンスに起因して定格電流より高いサージ電圧が発生することはなく、その結果、スイッチング素子に過電圧がかかり、スイッチング素子が破壊するのを有効に防止してインバータ制御モジュールを安定、かつ信頼性よく作動させることが可能となる。
【００４０】
また同時に、２本のパワーラインはその間に絶縁性に優れたセラミック基板が介在していることから、パワーラインに２０Ａ以上という非常に大きな電流を流し６００Ｖ以上の電圧がかかったとしても、パワーライン間に放電が発生し、セラミック回路基板にショートを発生させることはなく、これによってインバータ制御モジュールの作動を高信頼性となすことが可能となる。
【００４１】
また、制御ラインについてはそれぞれ対応するスイッチング素子からの距離をなるべく小さくすることにより、第３の接続手段が他の配線部に接触することがなくなり、高信頼性となすことが可能である。
【００４２】
以上より、本発明によれば、サージ電圧印加によるスイッチング素子の破壊および２本のパワーライン間での放電を有効に防止し、小型で安定して直流電源を３相交流電源に確実、かつ長期間にわたって変換することができるインバータ制御モジュールを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のインバータ制御モジュールの実施の形態の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示すインバータ制御モジュールの断面図である。
【図３】従来のインバータ制御モジュールの平面図である。
【図４】図３に示すインバータ制御モジュールの断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・・・セラミック回路基板
２・・・・・・・・・セラミック基板
３ａ，３ｂ・・・・・パワーライン
４ａ，４ｂ，４ｃ・・出力ライン
５・・・・・・・・・スイッチング素子
６・・・・・・・・・第１の接続手段
７・・・・・・・・・第２の接続手段
８・・・・・・・・・第３の接続手段
９・・・・・・・・・制御ライン
【図１】
0003635053.tif 000002
【図２】
0003635053.tif 000003
【図３】
0003635053.tif 000004
【図４】
0003635053.tif 000005