(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＤコンバータが内蔵されたデバイスに対し、所定の測定分解能を有するランプ波電圧を印加し、印加されたランプ波電圧を用いてＡＤコンバータの非直線性誤差及び微分直線性誤差を測定し、それにより、前記デバイスの良否判定を行うデバイスの良否判定方法であって、
前記デバイスに印加する電圧のステップ幅を前記測定分解能のＭ倍（Ｍは自然数）に設定して測定を行い、その後、前記ステップ幅を徐々に狭く設定して順次測定を行い、前記デバイスが不良と判断された場合は測定を終了することを特徴とするデバイスの良否判定方法。
【請求項２】
ＡＤコンバータが内蔵されたデバイスに対し、所定の測定分解能を有する正弦波電圧を印加し、印加された正弦波電圧を用いてＡＤコンバータの非直線性誤差及び微分直線性誤差を測定し、それにより、前記デバイスの良否判定を行うデバイスの良否判定方法であって、
前記デバイスに印加する電圧のステップ幅を前記測定分解能のＭ倍（Ｍは自然数）に設定して測定を行い、その後、前記ステップ幅を徐々に狭く設定して順次測定を行い、前記デバイスが不良と判断された場合は測定を終了することを特徴とするデバイスの良否判定方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のデバイスの良否判定方法において、
前記ステップ幅を、１回目の測定において前記測定分解能のＭ倍、２回目の測定において前記測定分解能のＭ／２倍、３回目の測定において前記測定分解能のＭ／３倍というように、Ｎ回目の測定において前記測定分解能のＭ／Ｎ倍とし、測定をＭ回繰り返し行うことを特徴とするデバイスの良否判定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＡＤコンバータが内蔵されたデバイスの良否判定を行う方法に関し、特に、ＡＤコンバータの非直線性誤差及び微分直線性誤差を測定することにより、被測定デバイスの良否判定を行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＡＤコンバータが内蔵されたデバイスに対し、ＡＤコンバータの非直線性誤差及び微分直線性誤差を測定することにより良否判定を行う場合、被測定デバイスにランプ波電圧を印加し、印加されたランプ波電圧を用いてＡＤコンバータの非直線性誤差及び微分直線性誤差を測定し、それにより、良否判定が行われている。
【０００３】
図３は、従来の、良否判定を行うために被測定デバイスに印加されるランプ波電圧の一例を示す図である。
【０００４】
被測定デバイスに印加されるランプ波電圧は図３に示すように、良否判定に必要な測定分解能のステップ幅（ΔＶ）を有している。したがって、ｎｂｉｔのＡＤコンバータを（１／Ｎ）ＬＳＢの測定分解能で測定するためには、２ｎ×Ｎステップのランプ波電圧が用られている。
【０００５】
図３に示したランプ波電圧を用いて被測定デバイスの良否判定を行う場合は、まず、被測定デバイスに図３に示したランプ波電圧を順次印加する。
【０００６】
すると、被測定デバイス内のＡＤコンバータにおいて、印加されたランプ波電圧がデジタル値に変換され、キャプチャメモリに格納される。
【０００７】
次に、キャプチャメモリに格納されたデジタル値がＤＳＰに転送され、演算が行われて非直線性誤差及び微分直線性誤差が求められる。
【０００８】
その後、求められた非直線性誤差及び微分直線性誤差に基づいて、被測定デバイスの良否判定が行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような従来のものにおいては、被測定デバイスの良否判定に必要となる時間のほとんどが、ランプ波電圧を入力し、ＡＤ変換されたデジタル値を取り込むために費やされている。
【００１０】
そこで、測定分解能のステップ幅を広くすれば、被測定デバイスの良否判定に必要となる時間を短縮することができるが、その場合、良否判定の精度が低下してしまう。
【００１１】
しかし、良否判定に必要な測定分解能よりも広いステップ幅を用いた測定において不良と判断することができるものにおいては、不良と判断するのに十分なレベルまでステップ幅を広くすれば、その不良品を不良と判断するために費やされる時間を短縮することができる。
【００１２】
本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、ＡＤコンバータが内蔵されたデバイスの良否判定試験を高速に行うことによりデバイス試験にかかるコストを低減させることができるデバイスの良否判定方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、
ＡＤコンバータが内蔵されたデバイスに対し、所定の測定分解能を有するランプ波電圧を印加し、印加されたランプ波電圧を用いてＡＤコンバータの非直線性誤差及び微分直線性誤差を測定し、それにより、前記デバイスの良否判定を行うデバイスの良否判定方法であって、
前記デバイスに印加する電圧のステップ幅を前記測定分解能のＭ倍（Ｍは自然数）に設定して測定を行い、その後、前記ステップ幅を徐々に狭く設定して順次測定を行い、前記デバイスが不良と判断された場合は測定を終了することを特徴とする。
【００１４】
また、ＡＤコンバータが内蔵されたデバイスに対し、所定の測定分解能を有する正弦波電圧を印加し、印加された正弦波電圧を用いてＡＤコンバータの非直線性誤差及び微分直線性誤差を測定し、それにより、前記デバイスの良否判定を行うデバイスの良否判定方法であって、
前記デバイスに印加する電圧のステップ幅を前記測定分解能のＭ倍（Ｍは自然数）に設定して測定を行い、その後、前記ステップ幅を徐々に狭く設定して順次測定を行い、前記デバイスが不良と判断された場合は測定を終了することを特徴とする。
【００１５】
また、前記ステップ幅を、１回目の測定において前記測定分解能のＭ倍、２回目の測定において前記測定分解能のＭ／２倍、３回目の測定において前記測定分解能のＭ／３倍というように、Ｎ回目の測定において前記測定分解能のＭ／Ｎ倍とし、測定をＭ回繰り返し行うことを特徴とする。
【００１６】
（作用）
上記のように構成された本発明においては、デバイスに印加する電圧のステップ幅を測定分解能のＭ倍に設定して測定を行い、その後、ステップ幅を徐々に狭く設定して順次測定を行い、デバイスが不良と判断された場合はその時点で測定を終了する。
【００１７】
これにより、不良品においては、不良と判断するのに十分な広さのステップ幅において不良品と判断されるので、測定時間が短縮される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
図１は、本発明のデバイスの良否判定方法における、被測定デバイスに印加されるランプ波電圧の一例を示す図である。
【００２０】
図１に示すように本形態においては、ランプ波電圧の電圧ステップ幅を良否判定に必要な測定分解能のステップ幅（ΔＶ：（１／Ｎ）ＬＳＢ）のＭ倍にする。ランプ波電圧は、２ｎ×Ｎ／Ｍのステップとなる。
【００２１】
被測定デバイスに（Ｎ／Ｍ）個になったランプ波電圧を印加し、従来の方法と同様にＡＤ変換されたデータをキャプチャメモリに取り込み、非直線性誤差及び微分直線性誤差を求める。
【００２２】
このときの測定分解能は、（Ｍ／Ｎ）ＬＳＢとなり、測定分解能は十分ではない。しかし、良否判定値＋（Ｍ／Ｎ）ＬＳＢより悪い非直線性誤差及び微分直線性誤差を持つ被測定デバイスはここで不良とし、測定を終了する。
【００２３】
ここまでに取り込まれたデータは、測定分解能のステップ幅がΔＶである場合の（１／Ｍ）倍であるため、測定に費やされる時間も（１／Ｍ）倍となる。ここで、不良品となるデバイスにおいては、必ずしも（１／Ｎ）ＬＳＢの測定分解能は必要ではない。
【００２４】
次に、上記測定で良品と判断されたデバイスに対して、（Ｍ／（Ｎ×２））ＬＳＢ相当のオフセット電圧を加えたランプ波電圧を印加し、同様にＡＤ変換されたデータをキャプチャメモリに取り込み、これ以前に取り込まれたデータとあわせて非直線性誤差及び微分直線性誤差を求める。
【００２５】
このときの測定分解能は、（Ｍ／（Ｎ×２））ＬＳＢとなる。良否判定値＋（Ｍ／（Ｎ×２））ＬＳＢより悪い非直線性誤差及び微分直線性誤差を持つ被測定デバイスはここで不良と判断し、測定を終了する。
【００２６】
同様に、良品と判断されたデバイスに対して、ランプ波電圧に適切なオフセット電圧を加え、上記測定を繰り返す。ｍ回目の測定における測定分解能が（Ｍ／（Ｎ×ｍ））ＬＳＢとなるようにすれば、全部でＭ回の測定を繰り返したときに、デバイスを良品と判断するのに必要な測定分解能で測定したことになる。
【００２７】
測定時間のほとんどは、ランプ波電圧を入力し、ＡＤ変換されたデータを取り込む時間である。データ転送、演算処理及び判定を行うための時間は、これを処理するシステムに依存するが、データ処理を並列に行うことができる試験装置では処理時間を必要としない。
【００２８】
したがって、上記手法を用いれば、良品においては従来と同じ分解能、測定時間だが、不良品においては測定時間を短縮することができる。
【００２９】
それにより、デバイスの良否判定を行う検査ラインにおいて、検査時間の短縮を行い、試験にかかるコストの低減を図ることができる。
【００３０】
なお、上述した繰り返し処理におけるランプ波電圧は図１に示すように、単調増加と単調減少を交互に行えば、波形切替え時におけるセットリング時間が短縮される。
【００３１】
以下に、上述した処理についてフローを参照して詳細に説明する。
【００３２】
図２は、本発明のデバイスの良否判定方法における処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【００３３】
まず、良否判定値が本来の良否判定値に対してΔＶだけ緩い値となるように、ｍ＝１に設定する（ステップＳ１）。
【００３４】
次に、オフセット電圧ΔＶ”（ｍ）を決定する（ステップＳ２）。
【００３５】
次に、ＡＤコンバータに印加する初期電圧を設定する（ステップＳ３）。
【００３６】
次に、ＡＤコンバータに電圧Ｖ＋ΔＶ”（ｍ）を印加する（ステップＳ４）。
【００３７】
次に、ＡＤコンバータにおいてデジタル値に変換されたデータをキャプチャメモリに取り込む（ステップＳ５）。
【００３８】
次に、ＡＤコンバータに印加する電圧の置き換えを行い（ステップＳ６）、その後、同一の測定分解能における測定回数が所定の回数に達したかどうかを判断し、所定の回数に達していなければステップＳ４に戻る（ステップＳ７）。
【００３９】
ステップＳ７において、所定の回数に達していると判断されると、キャプチャメモリに取り込まれたデータをＤＳＰに転送し、非直線性誤差及び微分直線性誤差の演算を行う（ステップＳ８）。
【００４０】
その後、測定分解能を変更し（ステップＳ９）、良否判定値を決定する（ステップＳ１０）。
【００４１】
ステップＳ１０において決定した良否判定値に基づいて良否判定を行うとともに、測定回数が所定の回数に達したかどうかの判断を行い、不良品または所定の回数に達していれば処理を終了し、そうでなければステップＳ２に戻る（ステップＳ１１）。
【００４２】
（他の実施の形態）
上述した実施の形態は、ＡＤコンバータにランプ波電圧を印加することにより、デバイスの良否判定を行うものであるが、ＡＤコンバータに正弦波信号を印加し、デバイスのＡＣ特性を測定するものもある。
【００４３】
デバイスに正弦波信号を印加し、ＡＤ変換されたデータをキャプチャメモリに取り込み、データ処理から各種の測定結果を得る。
【００４４】
測定時間が長い程、周波数分解能が向上し、測定ダイナミックレンジも広がる。
【００４５】
従来、キャプチャするデータ数は良品と判断するのに必要な周波数分解能と測定ダイナミックレンジから決定していた。
【００４６】
しかし、上述した実施の形態と同様に、１／Ｍのデータ数を取り込んだ時点で演算処理を行い、粗な周波数分解能と測定ダイナミックレンジで暫定的良否判断を行う。不良と判断されなければさらにデータ取り込みを継続する。
【００４７】
上述した処理を繰り返し行えば、測定毎に周波数分解能と測定ダイナミックレンジは向上する。
【００４８】
それぞれの時点で暫定的良否判断を行うことにより、早期に不良デバイスを見つけ出すことができ、不良デバイスの測定における無駄なデータ取り込み時間を削除することができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明においては、デバイスに印加する電圧のステップ幅を測定分解能のＭ倍に設定して測定を行い、その後、ステップ幅を徐々に狭く設定して順次測定を行い、デバイスが不良と判断された場合はその時点で測定を終了するため、不良品においては、不良と判断するのに十分な広さのステップ幅において不良品と判断することができ、測定時間を短縮することができる。
【００５０】
それにより、デバイスの良否判定試験を高速に行うことができ、デバイス試験にかかるコストを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のデバイスの良否判定方法における、被測定デバイスに印加されるランプ波電圧の一例を示す図である。
【図２】本発明のデバイスの良否判定方法における処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図３】従来の、良否判定を行うために被測定デバイスに印加されるランプ波電圧の一例を示す図である。
【図１】
0003621519.tif 000002
【図２】
0003621519.tif 000003
【図３】
0003621519.tif 000004