(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（イ）放射線の作用により塩基を発生する、ベンジルカルバメイト化合物、ベンゾインカルバメイト化合物、Ｏ−カルバモイルヒドロキシアミン類、Ｏ−カルバモイルオキシム類、芳香族スルホンアミド類、α−ラクタム類、Ｎ−（２−アリールエテニル）アミド類、アリールアジド化合物類、Ｎ−アリールホルムアミド類、およびＮ−置換４−（ｏ−ニトロフェニル）ジヒドロピリジン類から選ばれた塩基発生物質を全重量に対し０．０１〜２０wt％と、
（ロ）下記の一般式で示されるケイ素結合水素原子を有する重合体分子と、
（Ｒ2 ＳｉＯ2/2)a （ＲＳｉＯ3/2)b （１）
（式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子及び炭素数１〜８の炭化水素基である。ただしＲ2 ＳｉＯ2/2 における２つのＲのうち少なくとも一つが水素原子であるものと、ＲＳｉＯ3/2 のうちＲが水素原子であるものとの和が少なくともａ＋ｂの５％以上で、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１である。）
（ハ）カルボン酸、フェノール類、リン酸類、酸無水物類から選ばれる酸物質を（イ）の塩基発生物質に対して９０モル％以下
の３成分からなることを特徴とする硬化性組成物。
【請求項２】
水酸基を有する架橋剤（ニ）をさらに含み、（ニ）の水酸基を有する架橋剤が、シラン化合物で１分子当たりシラノール基（ＳｉＯＨ）を少なくとも平均２個持つもの、シリコーン重合体分子で重合体分子当たりシラノール基（ＳｉＯＨ）を少なくとも平均２個持つもの及び水からなる群から選ばれる架橋剤である請求項１の硬化性組成物。
【請求項３】
相対湿度１０％以上の雰囲気中において、請求項１に記載の硬化性組成物を基板に被覆し、０℃から１００℃の間の温度において、遮蔽パターン（フォトマスク）を介して、２８０〜４００nmの波長の紫外線を含む光で照射し、その後、０℃から２００℃の温度で後処理（加熱下又は常温での放置）をしたのち、これを無機あるいは有機の溶剤と接触させることにより未硬化の硬化性組成物を溶解除去し、さらに５０℃から１４００℃の間の温度で加熱硬化を行なう、フォトマスクのネガテイブに対応する硬化物パターンの製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の硬化性組成物を基板に被覆し、０℃から１００℃の間の温度において、遮蔽パターン（フォトマスク）を介して、２８０〜４００nmの波長の紫外線を含む光で照射し、その後、０℃から２００℃の温度で後処理（加熱下又は常温での放置）をしたのち、これを無機あるいは有機の溶剤に接触させることにより未硬化の硬化性組成物を溶解除去し、さらに５０℃から１４００℃の間の温度で加熱硬化を行なう、フォトマスクのネガテイブに対応する硬化物パターンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば半導体装置の絶縁膜などの製造に使用される放射線硬化性ケイ素含有樹脂組成物と、これを利用したシリコーン硬化物および無機ケイ素酸化物のパターンの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ケイ素に直接結合した水素原子と水、アルコール、シラノール等の水酸基が反応し、水素分子とケイ素酸素結合即ち、Ｓｉ−Ｏ、を生成することは、ケイ素化学並びにシリコーン工業においては周知の事実である。（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ，  ２ｎｄ  ｅｄｉｔｉｏｎ，  Ｐ．９０．Ｗａｌｔｅｒ  Ｎｏｌｌ  Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｒｅｓｓ，  Ｉｎｃ．（Ｌｏｎｄｏｎ）Ｌｔｄ．  １９６８；  Ｏｒｇａｎｏｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，  Ｐ．２００．Ｃ．Ｅａｂｏｒｎ  Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈｓ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ（Ｌｏｎｄｏｎ）１９６０）  この反応は高温に於ては無触媒でも進行するが、白金、パラジウム等の遷移金属触媒、アルカリ金属の水酸化物、アミン等の塩基性触媒、および錫化合物等のルイス酸触媒の存在下でより容易に進行することが広く知られている。また、この反応を利用したＳｉ−Ｈ及びＳｉＯＨの関与する架橋反応をシリコーンの室温硬化反応に用いることが提案されている。（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ，  Ｐ．２０５，  Ｐ．３９７）
【０００３】
放射線の作用を用いる樹脂の硬化反応およびこれに関連した技術に関してはすでに成書に詳しい。（例えば、山岡亜夫、森田浩著  感光性樹脂、共立出版、１９８８年参照；Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，  Ｖｏｌｕｍｅ  ９，  ＰＰ．９７−１３８，  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｒｅｓｉｓｔｓ、Ｗｉｌｅｙ−Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ（Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ）１９８５；野々垣三郎著  微細加工とレジスト、共立出版、１９８７年等を参照）
放射線の作用を用いる樹脂の硬化の例としては、橋かけ反応および重合反応によるものがある。具体的には、前者の例としてはケイ皮酸化合物の光二量化反応を利用するもの、メルカプト基とオレフィンとの反応を利用するもの、ジアゾ基あるいはアジド基を感光基とするものがあり、後者としては、アクリロイル基、メタクリロイル基等の官能基と放射線によりラジカルを発生する重合開始剤の組み合わせの方法、放射線照射によりカチオン重合開始剤を発生させこれによりエポキシ基、ラクトン、活性ビニル基等のカチオン重合を行なう方法等がある。
【０００４】
放射線の照射により酸を発生する酸発生物質を用い、このようにして生成した酸の触媒作用により架橋形成反応あるいは重合反応を引き起こす硬化方法がある。この方法には酸発生物質としてアリールジアゾニウム塩を用いるもの、ジアリールヨウドニウム塩、あるいはトリアリールスルホニウム塩、あるいはトリアリールセレノニウム塩を用いるもの、ジアルキルフェナシルスルホニウム塩、ジアルキル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム塩を用いるもの、スルホン酸エステルを用いるもの、鉄−アレーン化合物を用いるもの、シラノール−アルミニウム錯体を用いるもの等があり、具体的には、放射線の作用によりフッ化ホウ素等のルイス酸を発生させ、エポキシ樹脂を硬化するもの（Ｓ．Ｉ．Ｓｃｈｌｅｓｉｎｇｅｒ，  Ｐｏｌｙｍ．Ｅｎｇ．Ｓｃｉ．，  １４，５１３（１９７４）；  Ｇ．Ｓｍｅｔｓ，  Ａ．Ａｅｒｔｓ，  Ｊ．Ｖａｎ  Ｅｒｕｍ；  Ｐｏｌｙｍ．Ｊ．，１２，５３９（１９８０）、放射線の作用により酸を発生する物質と特定のシロキサンの組み合わせによるケイ酸ガラス薄膜の製造方法（特開平６−８０８７９、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３）ＰＰ．６０５２−６０５８）  、アルミニウム化合物とｏ−ニトロベンゾイロキシケイ素化合物を用いるエポキシ樹脂の光硬化技術（Ｓ．Ｈａｙａｓｅ，  Ｔ．Ｉｔｏ，  Ｓ．Ｓｕｚｕｋｉ，  Ｍ．Ｗａｄａ；  Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，  ２０，３１５５（１９８２）；  ｉｂｉｄ，  １９，２１８５（１９８１）；  Ｓ．Ｈａｙａｓｅ，  Ｙ．Ｏｎｉｓｈｉ，  Ｓ．Ｓｕｚｕｋｉ，  Ｍ．  Ｗａｄａ；  Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，  １８，１７９９（１９８５），特開昭５８−１７４４１８）等を例示することができる。
【０００５】
さらに、最近、活発に研究されている技術に、放射線の照射により塩基を発生する塩基発生物質を用いて硬化反応を図ろうとする研究がある。この方法で使用される塩基発生物質としてはｏ−ニトロベンジルカルバメート化合物（Ｍ．Ｒ．Ｗｉｎｋｌｅ，  Ｋ．Ａ．Ｇｒａｚｉａｎｏ，  Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１９９０，  ３，４１９；Ｊ．Ｆ．Ｃａｍｅｒｏｎ，  Ｊ．Ｍ．Ｊ．Ｆｒｅｃｈｅｔ，  Ｊ．Ａｍ．  Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９１，  １１３，  ４３０３；Ｊ．Ｍ．Ｆｒｅｃｈｅｔ，  Ｊ．Ｆ．Ｃａｍｅｒｏｎ，  Ｐｏｌｙｍ．Ｍａｔｅｒ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．６４，５５（１９９１））、金属アンミン錯体（例えば、Ｓ．Ｋ．Ｗｅｉｔ，  Ｃ．Ｋｕｔａｌ，  Ｒ．Ｄ．Ａｌｌｅｎ，  Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．４，４５３−４５７（１９９２））  および４−（ｏ−ニトロフェニル）ジヒドロピリジン類（独国特許ＤＥ−ＰＳ  １９  ２３  ９９０）等の有機、無機含窒素化合物があり、放射線照射により、有機アミン、アンモニアあるいは四級アンモニウム水酸化物を放射する。放射線の作用により塩基を発生する物質を利用して硬化を図る具体例としては、発生する塩基性触媒によりフェノール樹脂−エポキシ架橋剤−メラミン硬化剤等からなる組成物を硬化させるもの（ＥＰ  ０５５５７４９  Ａｌ；Ｊ．Ｍ．Ｆｒｅｃｈｅｔ，  Ｊ．Ｆ．Ｃａｍｅｒｏｎ，  Ｐｏｌｙｍ．Ｍａｔｅｒ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．６４，５５（１９９１）  ；およびＣ．Ｋｕｔａｌ，  Ｃ．Ｇ．Ｗｉｌｌｓｏｎ，  Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１３４，  ２２８０−２２８５（１９８７））  とポリ（シルセスキオキサン）のみ、及びこれとテトラフェノキシシランよりなる組成物を硬化させるもの（特開平６−１４８８８７号公報）、また、シロキサンポリマーと塩基発生剤を用いる感光性樹脂組成物およびこれを使用したパターン形成方法（特開平６−２７３９３６号公報）が報告されている。
【０００６】
これらの方法により架橋が生じた硬化部分は、未硬化の部分と比較し、一般に、溶媒への溶解性が大幅に減少するので、この性質を利用し、描画を行なうことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
放射線の照射により塩基を発生する物質を用いる硬化方法では、１）発生した塩基が架橋反応の触媒として作用するため、放射線の強度が低くとも架橋反応での増幅効果がある、２）ラジカル反応の場合と異なり酸素阻害がない、等の利点があり、又、酸を用いる方法と比較して、基板に対する腐食性の問題が少ないという利点がある。しかしながら、これを実際にケイ素官能性樹脂に応用したものとしては、ポリ（シルセスキオキサン）あるいはポリ（シルセスキオキサン）とテトラフェノキシシランよりなる組成物を硬化させる例（特開平６−１４８８８７号公報）及びシロキサンポリマーと塩基発生物質よりなる硬化性組成物の例（特開平６−２７３９３６号公報）があるのみで、その応用は、非常に限られている。これらのうち、第一の例の技術に於ては、光により発生するアミン化合物によるポリ（シルセスキオキサン）の硬化反応では感度（Ｄ５０：現像残膜率５０％照射量）は、２５ｍＪ／ｃｍ２  であり、四官能性シランモノマーを加えた系においても６０ｍＪ／ｃｍ２  （いずれも２４８ｎｍに於ける値）  と、はなはだ低い。また、この技術に関する記述によれば、硬化は水、アルコール、あるいはフェノールを副生する縮合反応に由来すると考えられ、硬化に伴う重量減少が大きい。第二の報告に示された例では、感度（Ｄ５０）の報告はないが、照射量は１００ｍＪ／ｃｍ２  から３００ｍＪ／ｃｍ２  （３６５ｎｍ）であり、感度が低い。この場合に於ても、硬化は水、あるいはアルコールを副生する縮合反応によるものと考えられ、硬化に伴う重量減少および収縮は少なくない。上記の二例のいずれにおいても感度がはなはだ低い理由は上記の縮合反応自体の特性によるものと推測される。
【０００８】
本発明は、感度が高く、硬化に伴う重量減少や収縮のない、そして保存安定性が良く、パターニイグ性のよいケイ素含有樹脂組成物、及びこれを用いたパターンの形成方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明の目的を達成するため、本発明に係わる発明者は鋭意検討を重ね以下の発明に達した。即ち、本発明の第１の態様は、
（イ）放射線の作用により塩基を発生する、ベンジルカルバメイト化合物、ベンゾインカルバメイト化合物、Ｏ−カルバモイルヒドロキシアミン類、Ｏ−カルバモイルオキシム類、芳香族スルホンアミド類、α−ラクタム類、Ｎ−（２−アリールエテニル）アミド類、アリールアジド化合物類、Ｎ−アリールホルムアミド類、およびＮ−置換４−（ｏ−ニトロフェニル）ジヒドロピリジン類から選ばれた塩基発生物質を全重量に対し０．０１〜２０wt％と、
（ロ）下記の一般式で示されるケイ素結合水素原子を有する重合体分子と、
（Ｒ2 ＳｉＯ2/2)a （ＲＳｉＯ3/2)b （１）
（式中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子及び炭素数１〜８の炭化水素基である。ただしＲ2 ＳｉＯ2/2 における２つのＲのうち少なくとも一つが水素原子であるものと、ＲＳｉＯ3/2 のうちＲが水素原子であるものとの和が少なくともａ＋ｂの５％以上で、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１である。）
（ハ）カルボン酸、フェノール類、リン酸類、酸無水物類から選ばれる酸物質を（イ）の塩基発生物質に対して９０モル％以下
の３成分からなることを特徴とする硬化性組成物である。
この組成物に特定の波長の放射線成分を含む光を照射することにより、照射部位に塩基性化合物を発生させ、もし、ケイ素−酸素結合を形成する反応が十分速い場合にはこのままで、そうでない場合には、塩基触媒による架橋反応を促進させるため、適当な温度で加熱し、こうして、この組成物の初期硬化を達成することができる。この場合、上記の操作を相対湿度１０％以上の雰囲気下で行なうことにより、雰囲気中の水が組成物に侵入し上記の架橋反応に関与する。
【００１０】
本発明の第１の態様の硬化性組成物は、前記放射線の作用により塩基を発生する塩基発生物質をベンジルカルバメイト化合物、ベンゾインカルバメイト化合物、Ｏ−カルバモイルヒドロキシアミン類、Ｏ−カルバモイルオキシム類、芳香族スルホンアミド類、α−ラクタム類、Ｎ−（２−アリールエテニル）アミド類、アリールアジド化合物類、Ｎ−アリールホルムアミド類、およびＮ−置換４−（ｏ−ニトロフェニル）ジヒドロピリジン類から選ばれた少なくとも１種とし、該塩基発生物質を硬化性組成物の全重量に対し、０．０１〜２０wt％の範囲で含む。この組成物に放射線を照射することにより発生する塩基は、水酸基（ＯＨ）とケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）よりケイ素酸素結合（Ｓｉ−Ｏ）と水素分子（Ｈ2)とを形成する反応に関して触媒的に作用するため、該塩基発生物質は該組成物中の上記ケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）に対して触媒量添加されていればよい。しかしながら、添加量が少な過ぎると、硬化反応が遅くなり、一方、添加量が多すぎると硬化前の組成物の物性が脆弱になったり、硬化後の組成物の物性が損なわれたりする。故に、硬化性組成物および硬化物の物性ならびに硬化速度を考慮すると前記塩基発生物質を硬化性組成物の全重量に対し、好ましくは０．０５〜１０wt％の範囲で、さらに好ましくは０．１〜５wt％の範囲で含むものがよい
【００１１】
前記放射線の作用により塩基を発生する塩基発生物質を具体的に例示すると、ベンジルカルバメイト化合物としてはＡｒＣＨＲ２  ＯＣ（＝Ｏ）ＮＲ３  Ｒ４  で示されるもので、Ｒ２  は水素原子（Ｈ）、アルキル基又はアリール基を、Ｒ３  はＨ、アリール基又はアルキル基を、Ｒ４  はアリール基又はアルキル基を、Ａｒはアリール基をそれぞれ表わす。
ベンゾインカルバメイト化合物としてはＡｒＣ（＝Ｏ）ＣＨＡｒＯＣ（＝Ｏ）ＮＲ５  Ｒ６  で示されるもので、Ｒ５  は水素原子（Ｈ）又はアルキル基を、Ｒ６  はアリール基又はアルキル基を、Ａｒはアリール基をそれぞれ表わす。
Ｏ−カルバモイルヒドロキシアミン類としてはＲ７  Ｒ８  ＮＯＣ（＝Ｏ）ＮＲ９  Ｒ１０で示されるもので、Ｒ９  は水素原子（Ｈ）又はアルキル基を、Ｒ１０はアリール基又はアルキル基を、Ｒ７  およびＲ８  はＨ、アルキル基、アリール基、またはアシル基をそれぞれ表わす。
Ｏ−カルバモイルオキシム類としてはＲ１１Ｒ１２Ｃ＝ＮＯＣ（＝Ｏ）ＮＲ１３Ｒ１４で示されるもので、Ｒ１３は水素原子（Ｈ）又はアルキル基、Ｒ１４はアリール基又はアルキル基、Ｒ１１およびＲ１２はＨ、アルキル基、アリール基のいずれかである。
【００１２】
芳香族スルホンアミド類としてはＡｒＳ（＝Ｏ）２ＮＲ15Ｒ16で示されるもので、Ｒ15は水素原子（Ｈ）又はアルキル基、Ｒ16はアリール基又はアルキル基、Ａｒはアリール基である。
α−ラクタム類としてはＲ17ＣＨＣ（＝Ｏ）ＮＲ18で示されるもので、Ｒ18はアリール基又はアルキル基、Ｒ17はアリール基又はアルキル基である。Ｎ−（２−アリールエテニル）アミド類としてはＲ19Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ20ＣＨ＝ＣＨＡｒで示されるもので、Ｒ19はアリール基又はアルキル基、Ｒ20はアルキル基、Ａｒはアリール基である。アリールアジド化合物類はＡｒＮ3 で示されるもので、Ａｒはアリール基あるいは置換アリール基である。Ｎ−アリールホルムアミド類はＡｒＮＨＣ（＝Ｏ）Ｈで示されるもので、Ａｒはアリール基あるいは置換アリール基である。そして、Ｎ−置換４−（ｏ−ニトロフェニル）ジヒドロピリジン類としてはジヒドロピリジンの１位にアルキル置換基が結合しているものがあげられる。
【００１３】
これらの塩基発生物質のうち、製造、取り扱いの容易さ、および光分解性のよさを考慮すると、ＢｚＯＣ（＝Ｏ）ＮＲ3 Ｒ4 で示されるベンジルカルバメイト化合物でベンジル基（Ｂｚ）の２位、又は２位と６位にニトロ基を有し、４位、５位にメトキシ基を有していてもよく、Ｒ3 がＨ、炭素原子数１〜１０のアルキル基、アラルキル基又はアリール基であり、Ｒ4 が炭素原子数１〜１０のアルキル基、アラルキル基又はアリール基であるもの、ＡｒＣ（＝Ｏ）ＣＨＡｒＯＣ（＝Ｏ）ＮＲ5 Ｒ6 で示されるベンゾインカルバメイト化合物のうちＡｒがフェニル基であり、Ｒ5 が水素原子、Ｒ6 が炭素原子数５〜１０のアルキル基であるもの、Ｒ7 Ｒ8 ＮＯＣ（＝Ｏ）ＮＲ9 Ｒ10で示されるＯ−カルバモイルヒドロキシアミン類のうちＲ7 とＲ8 が互いに結合していてフタロイル基であり、Ｒ9 が水素原子、Ｒ10が炭素原子数５〜１０のアルキル基であるもの、及びＮ−置換４−（ｏ−ニトロフェニル）ジヒドロピリジン類のうちジヒドロピリジンの１位にメチル基又はエチル基が、３位と５位にメトキシカルボニル基が結合しているものから選ばれるものが好適であり、これが組成物の０．１〜２０wt％含まれるものがよい。
【００１４】
尚、これらの塩基発生物質のうち、製造、取り扱いの容易さ、および光分解性の良さおよび生成塩基の触媒活性の高さより考慮すると、４−（ｏ−ニトロフェニル）ジヒドロピリジン類のうちジヒドロピリジンの１位にアルキル、アルケニル、アリール、アラルキルから選ばれた置換基が、２位と６位に炭素数１〜３の炭化水素基が、３位と５位に炭素数１〜４のアルコキシ基から選ばれたアルコキシカルボニル基が結合しているものから選ばれるものがより好適であり、これが好ましくは組成物の０．０５から１０ｗｔ％含まれるものがよく、さらに好ましくは０．１から５ｗｔ％含まれるものがよい。
これらのうち好ましいものとして、Ｎ−置換４−（ｏ−ニトロフェニル）ジヒドロピリジン類のうちジヒドロピリジンの１位にメチル基、エチル基あるいはベンジル基が、２位と６位にメチル基又はエチル基が、３位と５位に炭素数１〜４のアルコキシ基から選ばれたアルコキシカルボニル基が結合しているものがある。さらに好ましいものとしてＮ−置換４−（ｏ−ニトロフェニル）ジヒドロピリジン類のうちジヒドロピリジンの１位にメチル基、エチル基あるいはベンジル基が、２位と６位にメチル基が、３位と５位にメトキシカルボニル基が結合しているＮ−置換ニフェジピン化合物を挙げることができる。
Ｎ−置換ニフェジピン化合物及びその誘導体は、従来、光分解性塩基発生物質としてよく知られているｏ−ニトロベンジルカーバメイト化合物と比較して光分解を起こす放射線の波長が長く、２８０と４００ｎｍの間にあり、また、光分解速度が非常に速く、かつ、生成する塩基が４級アンモニウム水酸化物であり、カーバメイト化合物から生じるアミン化合物と比較し前記ケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）と水酸基の反応に対する触媒活性が高い。
【００１５】
本発明の第１の態様の硬化性組成物において、前記ケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）を有する重合体分子はその骨格構成が下記一般式（１）で示されるシリコーン重合体分子である。
【００１６】
（Ｒ２  ＳｉＯ２／２）ａ  （ＲＳｉＯ３／２）ｂ        （１）
【００１７】
式中、Ｒ２  ＳｉＯ２／２  、およびＲＳｉＯ３／２  中のＲはそれぞれ独立に水素原子及び炭素数１〜８の炭化水素基およびその誘導体から選ばれるモノラジカルである。ただしＲＳｉＯ３／２  のうちＲが水素原子であるもの及びＲ２  ＳｉＯ２／２  のうちＲの一方または両方が水素原子であるものの和が少なくともａ＋ｂの５％以上である。Ｒ２  ＳｉＯ２／２  、およびＲＳｉＯ３／２  のケイ素原子に結合している２価の酸素原子のうちそれぞれ少なくとも１つは、他のケイ素に結合してシロキサン結合を形成しているが、残りの酸素原子は他のケイ素に結合してシロキサン結合を形成していても、メチル基あるいはエチル基に結合してアルコキシ素を形成しても、あるいは水素に結合してシラノール素を形成してもよい。一般式（１）で表されるシリコーン重合体分子において、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１である。
【００１８】
具体的には、Ｒ２  ＳｉＯ２／２  のＲ２  Ｓｉとしてはジメチルシリレン、メチルハイドロジェンシリレン、メチルフェニルシリレン、メチルビニルシリレン、メチル（１，１，１−トリフルオロプロピル）シリレン、メチルエチルシリレン、ジフェニルシリレン、フェニルハイドロジェンシリレン、フェニルビニルシリレンを挙げることができる。
ＲＳｉＯ３／２  のＲとしては水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、トリフルオロプロピル、トリメチルシリルメチル、フェニル、パラートリル、メタートリル、フェネチル、４−ビニルフェニル等がある。
【００１９】
前記ケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）を有する重合体分子で、ＨＳｉＯ３／２  を有するものを例示すると、ジメチルジクロロシラン、メチルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、ジメチルジクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、ジメチルジクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、ジフェニルジクロロシラン、メチルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、ジフェニルジクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、ジフェニルジクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、ジフェニルシランジオール、メチルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、縮合反応と加水分解によって製造されるレジン、ジフェニルシランジオール、フェニルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、縮合反応と加水分解によって製造されるレジン、ジフェニルシランジオール、トリクロロシランを主な原料として、縮合反応と加水分解によって製造されるレジン、ジフェニルシランジオール、メチルトリメトキシシラン、トリメトキシシランを主な原料として、縮合反応によって製造されるレジンに代表される、所謂、Ｄ−Ｔレジン、フェニルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、メチルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、シクロヘキシルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、ｎ−ヘキシルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、４−ビニルフェニルトリクロロシラン、トリクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、トリクロロシランを主な原料として、加水分解によって製造されるレジン、トリメトキシシランを主な原料として、加水分解によって製造されるレジン、トリエトキシシランを主な原料として、加水分解によって製造されるレジンに代表されるポリ（ハイドロジェンシルセスキオキサン）型のレジンがある。
【００２０】
前記ケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）を有する重合体分子で、ＨＲＳｉＯ２／２  （ここで、Ｒは水素、炭素数１〜８の炭化水素基から選ばれたもの）を有するものを例示すると、主鎖がメチルハイドロジェンシロキサン（ＣＨ３  （Ｈ）ＳｉＯ）とジフェニルシロキサン（Ｐｈ２  ＳｉＯ）よりなるジフェニルシロキサンメチルハイドロジェンシロキサンコポリマーに代表される直鎖構造を主な構成成分とするシリコーン重合物、メチルハイドロジェンシロキサンの環状オリゴマー、フェニルハイドロジェンシロキサンの環状オリゴマーに代表される環状シロキサン化合物、メチルトリクロロシラン、ジクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、フェニルトリクロロシラン、ジクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、メチルトリクロロシラン、メチルジクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、フェニルトリクロロシラン、メチルジクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、メチルトリクロロシラン、フェニルジクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン、フェニルトリクロロシラン、フェニルジクロロシランを主な原料として、共加水分解によって製造されるレジン等のＤＴレジンを挙げることが出来る。
【００２１】
レジン合成反応を行なうに当たって、上記のシラン類とともに少量のトリメチルクロロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、ジメチルクロロシラン、４−ビニルフェニル）ジメチルクロロシラン等の、加水分解により一般式Ｒ３  ＳｉＯ１／２  で表されるいわゆるＭ成分を与えうるシラン化合物を用いるレジンの分子量の調節を図ることができるとともに、ビニル基、４−ビニルフェニル基等、反応性の官能基の導入も可能となる。また、四塩化ケイ素、オルトケイ酸メチルのような加水分解によりＳｉＯ４／２  のいわゆるＱ成分を与えうるシラン化合物を用いるとレジンの分子量および硬さの調節を図ることができる。
【００２２】
本発明の第１の態様の硬化性組成物の（ハ）の酸物質はカルボン酸、フェノール類、酸無水物類、リン酸類から選ばれるものが好ましい。この酸は、本態様の組成物に混入した微量の塩基性物質、あるいは迷光による光分解、熱による熱分解等により成分（イ）から生成する微量の塩基性物質を中和する作用をもち、よって、本態様の組成物およびその溶液の保存安定性を高め、また、光パターニングによって生じるパターンのコントラストを改善する効果がある。この成分（ハ）を（イ）の塩基発生物質に対して、９０モル％以下含むのが好ましい。カルボン酸としてはギ酸、シュウ酸、酢酸、プロピオン酸、ヘキサン酸、シクロヘキサン酸、オクタン酸、アジピン酸、安息香酸、テレフタル酸、フタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、クロロ酢酸、トリクロロ酢酸、クロロ安息香酸等に代表される飽和、不飽和、ヘテロ原子置換カルボン酸を、フェノール類としてはフェノール、クレゾール、ナフトール、ニトロフェノール、クロロフェノール等を、酸無水物類としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸等を挙げることができ、リン酸類としては、正リン酸、亜リン酸、ピロリン酸、メタリン酸及びこれらの酸のモノエステルを挙げることができる。また、上記の酸物質を直接添加せず、代わりに、ケイ素結合アセトキシ基を有するシリコンレジンを添加し、この官能基と雰囲気中の水の反応によって生じる酢酸を酸物質として用いることもできる。
【００２３】
本発明の第２の態様は、第１の態様の硬化性組成物にさらに水酸基を有する架橋剤（ニ）を含むことを特徴とする硬化性組成物である。
ここで用いられる水酸基を有する架橋剤は、前記ケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）と反応してシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）又はＳｉ−Ｏ−Ｃ結合を形成し前記シリコーン重合体分子間を架橋しうるもので、シラン化合物で、分子当たりシラノール基（ＳｉＯＨ）を少なくとも２個持つもの、シリコーン重合体分子で重合体分子当たりシラノール基（ＳｉＯＨ）を少なくとも平均２個持つもの、シリコーン重合体分子で分子当たりシラノール基を少なくとも平均２個持つもの、及び水、からなる群からえらばれるものが好ましい。
【００２４】
前記シラン化合物で分子あたり少なくとも２個のシラノールを持つものとしては、ジフェニルシランジオール、ジ（メタートリル）シランジオール、ジ（パラートリル）シランジオール等のジ（アリール）シランジオール、及びジ（シクロヘキシル）シランジオールに代表される嵩高いアルキル基のジ（アルキル）シランジオールを挙げることができる。シリコーン重合体分子で重合体分子当たり少なくとも平均２個のシラノール基（ＳｉＯＨ）を持つものとしては、ジメチルシロキサンのオリゴマー及びポリマーで両末端がシラノールで停止されたもの、ジフェニルシロキサンのオリゴマーで両末端がシラノールで停止されたもの、末端シラノール停止のポリ（フェニルシルセスキオキサン）、末端シラノール停止のポリ（メチルシルセスキオキサン）に代表されるシラノール官能性のポリ（シルセスキオキサン）、ジメチルシロキサン−メチルシルセスキオキサン共重合レジンでシラノールを有するもの、ＳｉＯ４／２  で表される所謂ＱユニットとＲ３  ＳｉＯ１／２  で表されるＭユニットよりなる、ＭＱレジンで、Ｒ３  ＳｉＯ１／２  の一部あるいは全部が（ＨＯ）Ｒ２  ＳｉＯ１／２  で表されるシラノールを有する置換基であるもの、ジフェニルシロキサン−メチルシルセスキオキサン共重合レジンでシラノールを有するもの、ジメチルシロキサン−フェニルシルセスキオキサン共重合レジンでシラノールを有するもの、ジフェニルシロキサン−フェニルシルセスキオキサン共重合レジンでシラノールを有するものに代表される、いわゆる、Ｄ−Ｔレジンでシラノールを有するものがある。又、本発明の第１の態様の（ロ）のケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）を有するシリコーン重合体分子が重合体分子当たり少なくとも平均２個のシラノール基（ＳｉＯＨ）を持つものである場合、このレジン自体がシリコーン重合体分子で重合体分子当たり少なくとも平均２個のシラノール基（ＳｉＯＨ）を持つものとして作用する。
【００２５】
本発明の第３の態様は第１の態様の硬化性組成物を相対湿度１０％以上の雰囲気下で０℃から１００℃の間の温度において、前記硬化性組成物のコーテイングと放射線源との間に遮蔽パターン（マスク）を置き、放射線照射を行ない、その後、必要に応じて、０℃から２００℃の温度で１時間以内の時間処理（加熱下、または常温での放置）し、放射線照射部位に生成した塩基性化合物の触媒作用により、前記硬化性組成物中の水酸基（ＯＨ）又は雰囲気中から前記硬化性組成物に侵入した水分子とケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）からケイ素酸素結合（Ｓｉ−Ｏ）と水素分子（Ｈ２）とを形成する反応の進行を図り、これによって、架橋を形成し、この硬化性組成物コーテイング上への潜像を形成する。これを無機あるいは有機の溶剤に接触させることにより未硬化の硬化性組成物を溶解除去し（現像）硬化物のネガテイブパターンを形成したのち、さらに加熱しシリコーンレジンの硬化反応を促進し、これによりフォトマスクのネガテイブに対応するシリコーン硬化物パターンを形成する方法である。本発明における放射線とは光（放射線を含む、電子ビーム、Ｘ線、又はイオンビーム等をいう。ここで特に放射線を用いる場合は、Ｎ−置換ニフェジピン化合物及びその誘導体の光分解挙動を考慮し、２８０〜４００ｎｍの波長の紫外線成分を含むものを用いることが望ましい。なお、放射線の照射量は特に限定しないが、前記塩基発生物質を有効に利用するためには、照射時間はこの塩基発生物質のかなりの部分、すなわち、５％から１００％を分解し塩基性化合物触媒とするのに十分であることが好ましい。また、本発明の第１の態様の硬化性組成物に含まれる酸物質に対し当量以上の塩基を生成するに十分な照射量が必要とされる。また、ネガテイブパターンを形成したのちの加熱硬化の条件は個々のレジンの性質に依存するが、有機レジンの場合は５０℃から４００℃の範囲での加熱硬化が、また、ポリ（ハイドロジェンシルセスキオキサン）に代表される無機レジンにおいては２００℃から１４００℃での加熱硬化が適当である。
【００２６】
本発明の第４の態様は本発明の第２の態様の硬化性組成物を用いたパターニングおよびそのパターンの硬化である。この場合は該硬化性組成物中に水酸基（ＯＨ）がすでに含まれており、雰囲気中に水（水蒸気）が存在しなくともよい。潜像形成、現像、硬化は第３の態様に準拠した方法で行なうことができる。
【００２７】
本発明の第３および第４の態様を実行するにあたっては、通常、この硬化性組成物の溶液をスピンコート法、キャスト法、塗布法等の方法で基板上にぬり、溶剤を一部又は全部を除去した後、前記組成物コーテイングと放射線源の間に前記放射線を部分的に遮蔽するいわゆるフォトマスクを置き、照射後、ただちに、又は硬化反応を促進するための後処理ののち、無機又は有機の溶剤で基板を洗い未硬化部分を除去し、硬化物のパターンを得、該溶剤の乾燥後再び加熱処理して、硬化物のパターンをさらに硬化することができる。
【００２８】
硬化性組成物を塗布するための溶媒としては、硬化性組成物と反応せずにこれを溶かし、かつ、適度な揮発性を有し、常温あるいは２００℃以下の加熱により除去可能なものならば特に限定しないが、溶媒の毒性、引火性等を考慮するとヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカヒドロナフタレン等の飽和炭化水素、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、テトラヒドロナフタレン等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、テトラヒドロフラン、プロピルエーテル、ブチルエーテル、ペンチルエーテル、フェニルエーテル、アニソール、ｔ−ブチルフェニルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル（ｔ−ブチル）ケトン、メチルペンチルケトン、ジイソプロピルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸ｔ−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ｔ−ブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピチル、酪酸ｔ−ブチル等のエステル類、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブチルアルコール、ｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノール、メトキシエタノール、ｔ−ブトキシエタノール等のアルコール類を挙げることが出来る。
【００２９】
また、本発明の第３，４の態様に用いられる放射線照射前の前加熱（プリベーク）は残存溶媒の除去、コーテイング膜の緻密化等に有効であるが、これを必要とするかどうかは、溶媒の揮発性、基質の溶解性、コーテイングの膜厚等によって異なる。また、プリベークにより塩基発生物質が熱分解すると光パターン形成性が損なわれる原因となるため塩基発生物質の熱分解温度付近あるいはこれ以上の温度での長時間のプリベークは避けなければならない。これらの点を考慮すると、一般には１５０℃以下でのプリベークが適している。
【００３０】
放射線照射後の後加熱（ポストベーク）は、放射線照射によって生じた塩基性物質による触媒反応を加速し、これにより、放射線の作用を化学増幅するための重要なステップであるが、必要以上の高温あるいは長時間にわたる加熱は未照射部分での非触媒的架橋反応の進行を促進する危険があり、また、塩基発生物質の熱分解による塩基の発生、発生塩基性物質の拡散等の理由による放射線未照射部位での架橋反応をおこす場合があり、避けなければならない。以上の点を考慮すると放射線照射後の後加熱（ポストベーク）は、一般には１５０℃以下での加熱が適している。
【００３１】
現像液として適した溶媒としては、硬化性組成物の放射線照射部位（場合によってはこれに後加熱処理を施したもの）と未照射部位とが十分な溶解性の差をしめすことが第一の要件であるが、これ以外に放射線照射部位（場合によってはこれに後加熱処理を施したもの）が膨潤しにくい溶媒であることも重要である。この目的で用いられる溶媒としては、上記の硬化性組成物溶液に用いた溶媒類、即ち、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカヒドロナフタレン等の飽和炭化水素、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、テトラヒドロナフタレン等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、プロピルエーテル、ブチルエーテル、ペンチルエーテル、フェニルエーテル、アニソール、ｔ−ブチルフェニルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチル（ｔ−ブチル）ケトン、メチルペンチルケトン、ジイソプロピルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸ｔ−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ｔ−ブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピチル、酪酸ｔ−ブチル等のエステル類、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブチルアルコール、ｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノール、メトキシエタノール、ｔ−ブトキシエタノール等のアルコール類の他、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、炭酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性溶媒を挙げることが出来る。
【００３２】
本発明に於て用いることのできる樹脂の分子量、分子量分布、軟化点、Ｓｉ−Ｈ官能基の種類、放射線照射により塩基性化合物を生成する塩基発生物質の種類、添加量、放射線照射時間、放射線の強度、放射線照射時の温度、照射時の湿度、照射後の架橋反応（後反応）条件すなわち反応温度、後反応時の湿度、後反応時間等は互いに相関し、故に、好適な条件を画一的に述べることはできない。しかし、前加熱（プリベーク）温度、放射線照射時の温度、および後加熱時の温度は塩基発生物質の熱分解温度より低くなければならない。
【００３３】
本発明の組成物には必要に応じて増感剤を添加してもよい。具体的にはＮ−フェニルグリシン、Ｎ−フェニルジエタノールアミン、アジドアントラキノン、３，３′−カルボニル（ジエチルアミノクマリン）等が用いられる。添加量は０．１〜５ｗｔ％が適当である。
【００３４】
なお、本発明の基本的構成の障害にならないかぎり、本発明の硬化性組成物に第三成分として塩基発生物質、ケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）含有高分子化合物、酸物質、架橋剤、増感剤以外のものを添加してもよく、とくに、高温での加熱条件においてレジンの架橋反応の触媒として作用する成分を添加し、現像によるパターン形成後、残存ネガテイブ部分の熱硬化反応をより促進することも可能である。このような例としては、ラジカル反応による硬化を促進する過酸化物、アゾ化合物等のラジカル開始剤、高温でシラノールの関与する縮合反応を促進するチタン化合物および錫化合物、高温でヒドロシリル化反応の触媒活性を発現する遷移金属触媒等を例示することができる。また、これ以外にも特定の機能あるいは物性を有する有機あるいは無機成分を硬化性組成物に溶解あるいは分散添加し、よって、目的とする機能あるいは物性を付与された硬化物あるいは硬化物パターンを形成することもできる。
【００３５】
本発明の組成物は高い感度の放射線硬化性を有する。その理由は次のようであると考えられる。
第一に、この硬化物が光化学増幅を利用した硬化機構に基づくことによる。即ち、一つのフォトンにより塩基発生物質より生じた塩基が本組成物の硬化反応に関して触媒的に作用するため、微量の放射線により多数の架橋を形成することが出来る。また、一旦生じた塩基を触媒とする架橋反応は後処理条件、即ち、後反応温度、後反応時間により自由にコントロールすることが出来、高温、長時間の後処理により高い感度を実現することができる。
第二に、本発明の組成物の重合体分子が有する硬化に関与する官能基の反応性に由来する。即ち、ケイ素に直接結合した水素原子が塩基性触媒の存在下水酸基と反応し、水素分子とケイ素−酸素結合を生じることはよく知られている事実であるが、ことにケイ素に直接結合した水素原子のうち、このケイ素原子に２個もしくは３個の酸素原子が結合したものはこの反応性が高く、本組成物の硬化が迅速に進行する所以である。
第三に、光反応により生成する触媒成分の触媒活性の高さに由来する。即ち、本発明に使用される塩基発生物質より生じる塩基物質は１級、２級のアミンあるいは４級アンモニウム水酸化物であり、これらは塩基性の高い物質である。これらのうち、殊に、４級アンモニウム水酸化物は強塩基であり、上記のケイ素に直接結合した水素原子と水酸基との反応の触媒として高い活性を有し、本組成物の迅速な硬化に寄与している。
【００３６】
本発明の組成物は硬化に伴う重量減少が少なく、また硬化収縮が小さい。その理由は以下のようであると考えられる。
本発明の組成物の硬化はケイ素に直接結合した水素原子と水酸基の反応による水素原子とケイ素−酸素結合の形成によるものであり、この反応に於ける重量減少（増加）特性が硬化に伴う重量減少が小さい理由である。即ち、本発明の組成物の硬化はケイ素に直接結合した水素原子とシラノール基の反応による水素分子とケイ素−酸素結合の形成あるいはケイ素に直接結合した水素原子とこの組成物中あるいは雰囲気中の水との反応による水素分子とケイ素−酸素結合の形成によっているが、前者に於ては、架橋形成一つにつき水素分子１個の重量減、後者の場合は架橋形成一つにつき酸素原子１個の重量増加と水素分子２個の重量減となり、脱水縮合、脱アルコール縮合、脱酢酸縮合、脱オキシム縮合等の一般に広く用いられるケイ素ポリマーの架橋反応と比較して、重量減少は非常に小さく、場合によっては、やや重量増加がみられる。このように、本発明の組成物は硬化に伴う重量減少が少なく、硬化収縮も小さいので、一般に硬化収縮によって引き起こされる、クラックの発生、表面からの剥離、コーティング物の反り等の問題を最少におさえることが出来る。
【００３７】
【実施例】
以下に実施例および参考例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下に示す例中の生成物の特性化の記述における２９Ｓｉ｛１Ｈ｝−ＮＭＲはケイ素２９核磁気共鳴スペクトル（プロトンデカップル）を表わす。ＣＤＣｌ３  は重クロロホルムを表す。核磁気共鳴スペクトルデータの（  ）中にはこのスペクトルの起因する官能基を示した。ケイ素２９−ＮＭＲスペクトルのケミカルシフトは、外部標準のテトラメチルシラン（ＣＤＣｌ３  溶液）のケ素のケミカルシフトを０ｐｐｍ  とした値である。紫外線照射実験はウシオ電気株式会社のＵＩＳ−５００Ｃランプハウス（５００ワット水銀−キセノンランプ）及び山下電装株式会社製の紫外線均一照射光源「均一くん」（２００ワット水銀−キセノンランプ）を用いて行なった。ＧＰＣはゲルパーミエーションクロマトグラフを表わす。使用した試料のうちポリ（ハイドロジェンシルセスキオキサン）はダウコーニングコーポレーション（Ｍｉｄｌａｎｄ，  Ｍｉｃｈｉｇａｎ，  Ｕ．Ｓ．Ａ．）より入手した。
【００３８】
（参考例１）（放射線の作用により塩基を発生する塩基発生物質の合成）
１００ｍｌの三口フラスコに１２ｇのニフェジピンを入れ、窒素下で５０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解した。これに１．６６ｇの水素化ナトリウム／オイルデイスパージョン（６０％ＮａＨ）を攪拌しながら添加した。しばらく攪拌したのち、１０ｍｌのヨウ化メチルを加え、３８℃で１時間攪拌した。これに２００ｍｌの酢酸エチルを加え、この有機層を数回水洗した後硫酸ナトリウムで脱水した。硫酸ナトリウムを濾別し、ロータリーエバポレーターにて濾液から溶媒を除去した。得られた固体を２００ｍｌのＭＩＢＫに溶解し、これにヘキサンを加え８．９ｇのＮ−メチルニフェジピンを黄色の結晶として得た。融点：１８４〜１８７℃、赤外吸収スペクトル：（１６９０ｃｍ−１：Ｃ＝Ｏ、１５２４ｃｍ−１：Ｎ−Ｏ）プロトン−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣ１３）  ２．５（６Ｈ、メチル）、３．３（３Ｈ、Ｎ−メチル）、３．６（６Ｈ、Ｏ−メチル）、５．７（１Ｈ、Ｃ−Ｈ）、７．２−７．６（４Ｈ、芳香核Ｃ−Ｈ）、により同定した。
【００３９】
（参考例２）（放射線の作用により塩基を発生する塩基発生物質の合成）
２００ｍｌの丸底フラスコに１００ｍｌのトルエン、１０ｇの２−ニトロベンジルアルコール、１１．４ｍｌのオクチルイソシアネートを入れ、窒素下で２時間加熱還流した。冷却後、反応液を数回水洗し、このようにして得られたトルエン溶液を硫酸ナトリウムで脱水した。硫酸ナトリウムを濾別し、ロータリーエバポレーターにて濾液から溶媒を除去した。得られた固体をヘキサンから２度再結晶し、１２．５ｇのｏ−ニトロベンジン−ｎ−オクチルカルバメートを淡黄色の針状結晶として得た。融点７０〜７１℃、赤外吸収３３３１ｃｍ−１、１６９１ｃｍ−１。
【００４０】
（参考例３）（ポリハイドロジェンシルセスキオキサン）
ポリ（ハイドロジェンシルセスキオキサン）はダウコーニングコーポレーション（Ｍｉｄｌａｎｄ，  Ｍｉｃｈｉｇａｎ，  Ｕ．Ｓ．Ａ．）より入手した。分子量：Ｍｎ＝１６０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝約２．５、赤外吸収；２２６４ｃｍ−１（Ｓｉ−Ｈ）、Ｓｉ−ＯＨに起因する吸収は認められなかった。
【００４１】
（参考例４）（フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサンレジンの合成）
窒素を充填した３００ミリリットル三口フラスコに１７０ｍｌのジオキサン、１５．４ｇのフェニルトリクロロシランと９．７５ｇのトリクロロシランとを入れた。これを、はじめに、水浴中で冷やし、８．２ｇの水を６０ｍｌのジオキサンに溶かしたものを３０分間かけて添加した。３０分間室温で攪拌の後、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去した。残さを１００ｍｌのトルエンに溶かし、有機層を数回水洗した。有機層を硫酸ナトリウムで脱水したのち溶媒および揮発成分を６０℃で真空溜去し、白色固体を得た。分子量（Ｍｗ、ポリスチレン換算）：６３０、赤外吸収：２２５３ｃｍ−１（Ｓｉ−Ｈ）、３３５８ｃｍ−１（ＳｉＯＨ）、１１６３〜１０６１ｃｍ−１（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）。
得られたレジンのケイ素水素結合は全ケイ素のうち約５０％であった。
【００４２】
（参考例５）（フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサンレジンの合成）
窒素を充填した３００ミリリットル三口フラスコに２５ｇのジオキサン、２２．１ｇのフェニルトリクロロシランと２．５ｇのトリクロロシランとを入れた。これを、はじめに、水浴中で冷やし、６ｇの水を２０ｍｌのジオキサンに溶かしたものを１０分間かけて添加した。３０分間室温で攪拌の後、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去した。残さを１５０ｍｌのトルエンに溶かし、有機層を数回水洗した。有機層を硫酸ナトリウムで脱水したのち溶媒および揮発成分を真空溜去し、白色固体を得た。分子量（Ｍｗ、ポリスチレン換算）；４４００、赤外吸収：２２３８ｃｍ−１（Ｓｉ−Ｈ）、３３５８ｃｍ−１（ＳｉＯＨ）、１１２６ｃｍ−１（Ｓｉ−Ｐｈ）。
得られたレジンのケイ素水素結合は全ケイ素のうち１５％であった。
【００４３】
〔保存安定性の改良〕
（実施例１）（ハイドロジェンシルセスキオキサンレジンの保存安定性（酸物質を添加した場合））
ハイドロジェンシルセスキオキサンレジン１部（参考例３）を３部のＭＩＢＫに溶解させ、さらにハイドロジェンシルセスキオキサンレジンに対し１重量％のＮ−メチルニフェジピン（参考例１）を添加した。これに、Ｎ−メチルニフェジピンに対して１，５，１０重量％の安息香酸またはトリフルオロ酢酸またはピロメリット酸無水物を添加して溶液を調整した。それぞれの溶液１ｇをポリプロピレン製の容器にいれ、白色蛍光燈下、室温で放置し、溶液がゲル化するまでの時間（ゲル化時間）を測定した。その結果を表１に示す。
【００４４】
（比較例１）（ハイドロジェンシルセスキオキサンレジンの保存安定性（酸物質を添加しない場合））
ハイドロジェンシルセスキオキサンレジン１部（参考例３）を３部のＭＩＢＫに溶解させ、さらにハイドロジェンシルセスキオキサンレジンに対し１重量％のＮ−メチルニフェジピン（参考例１）を添加した。この溶液１ｇをポリプロピレン製の容器にいれ、白色蛍光燈下かつ室温で放置し、溶液がゲル化するまでの時間（ゲル化時間）を測定した。その結果を表１に示す。
【００４５】
0003628098.tif 000002
【００４６】
（実施例２）（フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサン溶液のゲル化時間（酸物質の添加））
フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサン（参考例４）１部を３部のメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）３部に溶解したものに、レジンに対し５重量％のＮ−メチルニフェジピンを添加し、さらに安息香酸を塩基発生物質に対して１，５，１０重量％加えた。この溶液を用いて実施例１と同様の評価を行った。その結果を表２に示す。
【００４７】
（比較例２）（フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサン溶液のゲル化時間（酸物質無添加））
ハイドロジェンシルセスキオキサンレジンの代わりにフェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサン（参考例４）を用いた以外は、比較例１と同様の評価を行った。その結果を表２に示す。
【００４８】
0003628098.tif 000003
【００４９】
上記実施例１，２及び比較例１，２の結果から本発明組成物は保存安定性に優れていることが明らかである。
【００５０】
〔解像度の評価〕
（実施例３）（ハイドロジェンシルセスキオキサンレジンの解像度）
実施例１で調製した溶液をシリコンウェハー上にスピンコート（毎分５００回転で３秒同じく毎分１５００回転で１０秒間）し、試料を作った。これを８０℃で１分間プリベークしたのちそれぞれの試料に所定の紫外線（３．７５、７．５、１５（又は２２．５）ｍＪ／ｃｍ２  、２５４ｎｍで測定）を照射し、このように得られたコーテイングを空気中１５０℃で１分間ポストベークしたのちこのシリコンエーハーをＭＩＢＫで現像した。その結果を表３〜５に示す。
【００５１】
（比較例３）
比較例１で調製した試料を用い（実施例３）と同じ方法で評価を行なった。その結果を表３〜５に示す。
【００５２】
0003628098.tif 000004
【００５３】
0003628098.tif 000005
【００５４】
0003628098.tif 000006
【００５５】
（実施例４）（ハイドロジェンシルセスキオキサンレジンの解像度（２−ニトロベンジル  ｎ−オクチルカルバメートを添加した場合））
ハイドロジェンシルセスキオキサンレジン１部（参考例３）を３部のＭＩＢＫに溶解させ、さらにハイドロジェンシルセスキオキサンレジンに対し５重量％の２−ニトロベンジル  ｎ−オクチルカルバメート（参考例２）を添加した。これに、２−ニトロベンジル−ｎ−オクチルカルバメートに対して５，１０重量％のトリフルオロ酢酸を添加して溶液を調整した。この溶液をシリコンウェハー上にスピンコート（毎分５００回転で３秒、及び同じく毎分１５００回転で１０秒間）し、試料を作った。これを８０℃で１分間プリベークしたのちそれぞれの試料に所定の紫外線（７．５、１１．２５、１５ｍＪ／ｃｍ２  、２５４ｎｍで測定）を照射し、ＭＩＢＫで現像した。その結果を表６に示す。
【００５６】
（比較例４）
ハイドロジェンシルセスキオキサンレジン１部（参考例３）を３部のＭＩＢＫに溶解させ、さらにハイドロジェンシルセスキオキサンレジンに対し５重量％の２−ニトロベンジル  ｎ−オクチルカルバメート（参考例２）を添加した。（実施例４）と同じ方法で評価した。その結果を表６に示す。
【００５７】
〔表６〕
0003628098.tif 000007
【００５８】
（実施例５）（フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサンの解像度）
フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサン（参考例４）１部を３部のメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）３部に溶解したものに、レジンに対し１重量％のＮ−メチルニフェジピンを添加し、さらに安息香酸を塩基発生物質に対して１，５重量％加えた。この溶液を用いて（実施例４）と同様の評価を行なった。その結果を表７に示す。
【００５９】
（比較例５）
フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサン（参考例４）１部を３部のメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）３部に溶解したものに、レジンに対し１重量％のＮ−メチルニフェジピンを添加した。この溶液を用いて実施例４同様の評価を行った。比較例２で調製した試料を用い、（実施例４）と同じ方法で評価した。その結果を表７に示す。
【００６０】
0003628098.tif 000008
【００６１】
（実施例６）（フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサンの解像度）
フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサン（参考例５）１部を３部のメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）３部に溶解したものに、レジンに対し２重量％のＮ−メチルニフェジピンを添加し、さらに安息香酸を塩基発生物質に対して１，５重量％加えた。この溶液を用いて（実施例４）と同様の評価を行った。その結果を表８に示す。
【００６２】
（比較例６）
フェニルシルセスキオキサン−ハイドロジェンシルセスキオキサン（参考例５）１部を３部のメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）３部に溶解したものに、レジンに対し２重量％のＮ−メチルニフェジピンを添加した。この溶液を用いて実施例４と同様の評価を行った。その結果を表８に示す。
【００６３】
0003628098.tif 000009
【００６４】
上記実施例３〜実施例６から明らかなように、本発明の組成物は３．７５ｍＪ／ｃｍ２  という低い照射量で良好な解像度を示しており、先行の特開平６−１４８８８号公報及び同６−２７３９３６号公報に開示された方法よりも感度がよい。
【００６５】
【発明の効果】
上述の説明からも明らかなように、本発明によって、紫外線の作用により塩基を発生する特定の塩基発生物質と、この塩基の作用で水酸基（ＯＨ）と反応しケイ素酸素結合（Ｓｉ−Ｏ）と水素分子（Ｈ２）を形成することが可能なケイ素水素結合（Ｓｉ−Ｈ）を有する高分子化合物、及び酸物質とからなる組成物は、酸物質を含まない組成物と比較し、溶液安定性が向上し、また、光パターニングにおいても、同一解像度を与える照射量の許容範囲が大幅に広がるという特徴がある。この技術を用いれば、基盤上に塗布したこの発明の組成物に紫外線を描画手段として、マスクの微細パターンを形成する工程を通常の白色光下に行なうことが可能になり、また、描画の際の紫外線の最適照射量の範囲が大幅に広がり、工程の許容度を広げることができる。このようにして形成されたパターンは後硬化反応により、絶縁性、耐熱性および耐酸素プラズマ性に優れたシリコーン硬化膜を形成する。
また、本発明組成物は、公知技術に対して感度が良く、硬化に伴なう重量減少が小さく、収縮が少ない。