(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム箔の厚さ方向に対して、表面から１．０μｍ深さまでの層を表層部とし、該表層部のうち表面から０．５μｍ深さまでの層を第１層、０．５μｍ深さから１．０μｍ深さまでの層を第２層とし、表層部を除く内層を第３層として、第１層の平均Ｚｎ含有量が第３層のＺｎ含有量の１．５〜５００倍であり、第１層から第３層までの平均Ｚｎ含有量が２００ｐｐｍ以下で且つ平均アルミニウム純度が９９．９０％（質量％、以下同じ）以上であることを特徴とする中高電圧電解コンデンサ用アルミニウム箔。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、中高電圧電解コンデンサ用アルミニウム箔、詳しくは、エッチングによりエッチピットがアルミニウム箔の内部まで深くトンネル状に進行することができる中高電圧電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品の小型化、高性能化に伴い、電子分品に使用されている電解コンデンサ用アルミニウム箔についても、エッチング処理後の表面積の拡大による静電容量の向上が要望されている。
【０００３】
通常、電解コンデンサ用アルミニウム箔については、塩素イオンを含む溶液中で電気化学的または化学的エッチング処理を施すことにより、エッチピットと呼ばれる多数の孔を形成してエッチング面の表面積を拡大させている。
【０００４】
エッチング処理されたアルミニウム箔は、例えばホウ酸やアジピン酸アンモニウム水溶液中で化成すなわち陽極酸化され、化成により、誘電体の酸化皮膜がコンデンサの使用電圧に応じて形成される。この場合、コンデンサの静電容量は、Ｃ＝εＳ／ｄ（Ｃ：静電容量、ε：化成皮膜の誘電率、Ｓ：表面積、ｄ：化成皮膜の厚さ）で与えられる。
【０００５】
従来、静電容量を高めるために、エッチング時のピット開始点の制御に関する多くの試みが行われており、添加成分との関係も種々検討されてきた。例えば、電解コンデンサ用アルミニウム箔の電気化学的特性を向上させるために、少量のＺｎを添加することが提案され、Ａｌマトリックス中に固溶したＺｎが箔の溶解性を増してエッチングピットの成長を促進し、静電容量を増大させることが開示されている。（特開平９−２１３５８５号公報）
【０００６】
しかしながら、発明者らの検討によれば、添加したＺｎがＡｌマトリックス中に固溶しているだけでは、エッチングの初期においては数多くのピットが形成されるものの、その後エッチングが進行すると、箔全体の化学溶解性が高くなり過ぎて箔厚が減少し、表面積の拡大効果が得られないという問題点があることが見出された。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の知見に基づいて、Ａｌマトリックス中におけるＺｎの分布とエッチング時における拡面率向上との関係についてさらに実験、検討を加えた結果としてなされたものであり、その目的は、エッチング時にエッチピットがアルミニウム箔の内部まで深くトンネル状に進行することができる陽極箔として適用される中高電圧電解コンデンサ用アルミニウム箔を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明による電解コンデンサ用アルミニウム箔は、アルミニウム箔の厚さ方向に対して、表面から１．０μｍ深さまでの層を表層部とし、該表層部のうち表面から０．５μｍ深さまでの層を第１層、０．５μｍ深さから１．０μｍ深さまでの層を第２層とし、表層部を除く内層を第３層として、第１層の平均Ｚｎ含有量が第３層の平均Ｚｎ含有量の１．５〜５００倍であり、第１層から第３層までの平均Ｚｎ含有量が２００ｐｐｍ以下で且つ平均アルミニウム純度が９９．９０％以上であることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の構成におけるＺｎ含有量、アルミニウム純度の限定の意義および限定理由について説明する。
安定して優れた静電容量を得るためには、第１層の平均Ｚｎ含有量は、第３層の平均Ｚｎ含有量の１．５〜５００倍であるのが好ましく、第１層の平均Ｚｎ含有量が第３層の平均Ｚｎ含有量の１．５倍未満では、エッチングによるエッチピットの形成量が不十分となり静電容量の向上が得られず、第１層の平均Ｚｎ含有量が第３層の平均Ｚｎ含有量の５００倍を越えると、ピット数が過剰となりピット同士が合体するため、表面積が減少し静電容量が低くなる。
【００１０】
第１層から第３層までの平均Ｚｎ含有量が２００ｐｐｍを越えると、エッチング時の溶解減量が多くなり過ぎ正常なエッチングができなくなる。平均アルミニウム純度が９９．９０％未満でも、同様に、エッチング時の溶解減量が多くなり過ぎ正常なエッチングができなくなる。従って、第１層から第３層までの平均Ｚｎ含有量は２００ｐｐｍ以下、平均アルミニウム純度は９９．９０％以上に規定するのが好ましい。
【００１１】
表層部の第１層および第３層における平均Ｚｎ含有量は、以下の方法により求める。まず、所定の面積を有するアルミニウム箔を苛性ソーダ溶液に浸漬し、浸漬時間と溶解量（質量減少量）との関係を求め、アルミニウム箔の表面から厚さ方向に０．５μｍ深さまでを溶解するのに要する時間を正確に測定する。
【００１２】
ついで、上記と同一温度および同一濃度の苛性ソーダ溶液に、上記と同一の所定の表面積を有するアルミニウム箔を、表面から０．５μｍ深さまで溶解するに要する時間だけ浸漬して、当該アルミニウム箔の表層部の第１層を溶解し、溶液中のＺｎ濃度を原子吸光法により測定する。
【００１３】
さらに、第１層を溶解したアルミニウム箔について、再度同じ操作を行い、さらに０．５μｍ深さまでの第２層を溶解した後、残りのアルミニウム箔（第３層）を、苛性ソーダ溶液、塩酸溶液または硝酸溶液などで溶解し、原子吸光法により第３層のＺｎ含有量を測定する。なお、第１層および第２層の溶解には、苛性ソーダ溶液に代えて硝酸溶液を使用してもよい。
【００１４】
本発明による特定の表層部分にＺｎが偏在したアルミニウム箔の製造は、通常のアルミニウム箔の製造において、Ｚｎが最終焼鈍時にアルミニウム箔の内部から表層部に拡散して表層部に濃縮されるという現象を利用して、焼鈍条件を調整することにより行うのが工業上最も簡単である。また、必要に応じ、Ａｌ−Ｚｎ合金をアルミニウム箔の表面にスパッタリングすることにより製造することも可能である。
【００１５】
【実施例】
以下、本発明の実施例を比較例と対比して説明するとともに、それに基づいてその効果を実証する。なお、これらの実施例は、本発明の好ましい一実施態様を説明するためのものであって、これにより本発明が制限されるものではない。
【００１６】
実施例１
通常のアルミニウム箔の製造工程に従って、表１に示す平均アルミニウム純度を有する厚さ１００μｍのアルミニウム箔（アルミ箔）を得た。その際、最終焼鈍条件を調整して、各層のＺｎの含有量を表１に示すように変化させた。
【００１７】
Ｚｎの含有量は、アルミニウム箔の片面当たり０．５μｍ厚さに相当する質量が溶解減少するまで、アルミニウム箔を５０℃、０．１％苛性ソーダ水溶液に浸漬し、溶解液中の成分分析を行って第１層のＺｎ含有量を求め、さらに、別の苛性ソーダ水溶液（５０℃、０．１％）に浸漬して、つぎの０．５μｍ厚さに相当する質量を溶解減少させた後、残りのアルミニウム箔（第３層）を硝酸溶液中に溶解して成分分析を行い、第３層のＺｎ含有量を測定した。
【００１８】
得られたアルミ箔について、９０℃、１．５ｍｏｌ／ｌの塩酸溶液中で、電流密度２５Ａ／ｄｍ2 の条件で８分間電解エッチングを行い、その後、ホウ酸アンモニウム溶液中で２００Ｖに化成し、これを試験材として静電容量を測定した。測定結果を表２に示す。表２にみられるように、本発明に従う試験材Ｎｏ．１〜１２はいずれも、８．５μＦ／１０ｃｍ2 を越える優れた静電容量をそなえていた。
【００１９】
【表１】
0003722466.tif 000002
【００２０】
【表２】
0003722466.tif 000003
【００２１】
比較例１
実施例１と同様、通常のアルミニウム箔の製造工程に従って、表３に示す平均アルミニウム純度を有する厚さ１００μｍのアルミニウム箔（アルミ箔）を得た。その際、最終焼鈍条件を調整して、各層のＺｎの含有量を表３に示すように変化させた。Ｚｎの含有量は実施例１と同じ方法により測定した。
【００２２】
得られたアルミ箔について、実施例１と同様、９０℃、１．５ｍｏｌ／ｌの塩酸溶液中で、電流密度２５Ａ／ｄｍ2 の条件で８分間電解エッチングを行い、その後、ホウ酸アンモニウム溶液中で２００Ｖに化成し、これを試験材として静電容量を測定した。測定結果を表４に示す。表４に示すように、試験材Ｎｏ．１３〜１６はいずれも、本発明の条件を外れたものであり、静電容量が劣っていた。なお、表１において、本発明の条件を外れたものには下線を付した。
【００２３】
【表３】
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【００２４】
【表４】
0003722466.tif 000005
【００２５】
【発明の効果】
本発明によれば、エッチング時におけるエッチピットの形成が内部までトンネル状に進行する電解コンデンサ用アルミニウム箔が提供される。