(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理面を下方に向けて基板を保持する基板保持手段と、前記基板の処理面に対して開口した吐出部から処理液を吐出する塗布手段と、前記塗布手段に連通接続された供給配管を介して処理液を前記塗布手段へ供給する処理液供給手段とを備え、前記基板の処理面と前記塗布手段の吐出部とを近接させて、前記基板保持手段と前記塗布手段とを相対移動させることにより前記基板の処理面に処理液を塗布する基板処理装置において、
前記供給配管に連通接続され、前記塗布手段の吐出部の高さよりも高い位置に開口を有する細管と、
前記細管中の処理液の液面レベルを検出する液面レベルセンサと、
前記基板保持手段と前記塗布手段とを相対移動させる際に、前記液面レベルセンサにより検出された液面レベルに基づいて、前記処理液供給手段から前記塗布手段への処理液の供給を制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板等の基板にフォトレジスト液、ポリイミド樹脂、SOG(Spin On Glass,シリカ系被膜形成材とも呼ばれる）液等の処理液を塗布する基板処理装置に係り、特に、基板の処理面を下方に向けた状態で基板に処理液を塗布する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置として、例えば、基板の処理面を下方に向けて基板を保持する基板保持部と、この基板の処理面に対して開口した吐出部からフォトレジスト液を吐出する塗布ヘッドと、この塗布ヘッドに連通接続された供給配管を介してフォトレジスト液を供給する処理液供給部とを備えているものが挙げられる。このように構成されている従来装置では、上記基板の処理面と上記塗布ヘッドの吐出部とを近接させた状態で、例えば、上記基板保持部を上記塗布ヘッドに対して水平方向に移動することにより上記基板の処理面にフォトレジスト液を塗布するようになっている。
【０００３】
なお、処理液供給部から塗布ヘッドへは常に一定の速度（一定の流量）でフォトレジスト液が供給されるようになっており、その流量は基板保持部の水平方向の移動速度および所望膜厚に応じて設定されるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、同一の基板における処理面内には、大部分がそうであるように複雑なパターンを有する製品素子パターンの領域と、製品素子の評価を行うために処理面内の特定部位にそれらと同時に形成される、上記の製品素子パターンとは異なる〔一般的には製品素子パターンに比較して単純な〕パターンからなるテスト素子パターンの領域とがある。このような基板に対して上記のようにフォトレジスト液を常に一定の流量で供給しつつ塗布すると、多くのフォトレジスト液を要する凹部が多く存在している領域ではフォトレジスト液が不足する一方で、少ないフォトレジスト液でよい平坦部が多く存在している領域ではフォトレジスト液が供給過剰となる不都合が生じる。つまり、同一基板の処理面内において表面状態が異なることに起因して消費するフォトレジスト液の量が異なるので、処理面内のある領域ではフォトレジスト液が過度の供給不足となってかすれるなどの極端な場合も生じ、同一基板の処理面内でフォトレジスト液を均一に塗布することができないという問題がある。
【０００５】
また、個々の基板の処理面の状態は、例えば、酸化処理を終えただけの平坦な状態や、数々のマスク形成処理およびエッチング処理などを経て凹凸を有する種々の状態があることに起因して、個々の基板によって塗布時に消費するフォトレジスト液の量が異なるので、上記のように基板保持部の移動速度および所望膜厚に応じてフォトレジスト液の流量を設定すると、上述したように基板によっては処理液の過不足が生じて均一にフォトレジスト液を塗布することができないという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理液の吐出量を常に一定量に保つことによって、基板の処理面の状態にかかわらず均一に処理液を塗布することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の基板処理装置は、基板の処理面を下方に向けて基板を保持する基板保持手段と、前記基板の処理面に対して開口した吐出部から処理液を吐出する塗布手段と、前記塗布手段に連通接続された供給配管を介して処理液を前記塗布手段へ供給する処理液供給手段とを備え、前記基板の処理面と前記塗布手段の吐出部とを近接させて、前記基板保持手段と前記塗布手段とを相対移動させることにより前記基板の処理面に処理液を塗布する基板処理装置において、前記供給配管に連通接続され、前記塗布手段の吐出部の高さよりも高い位置に開口を有する細管と、前記細管中の処理液の液面レベルを検出する液面レベルセンサと、前記基板保持手段と前記塗布手段とを相対移動させる際に、前記液面レベルセンサにより検出された液面レベルに基づいて、前記処理液供給手段から前記塗布手段への処理液の供給を制御する制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は、次のとおりである。
基板の処理面を下方に向けて基板を保持する基板保持手段と、処理液供給手段から供給配管を介して処理液を供給される塗布手段とを近接させた状態で相対移動させつつ基板の処理面に処理液を塗布する。このとき、塗布手段の吐出部と基板の処理面とは近接された状態にあるので、塗布手段の吐出部から表面張力により盛り上がるように吐出する処理液は、基板の処理面に付着する。例えば、基板の処理面に凹部が多く形成されている場合には、吐出した処理液が急激に減少するとともに、液面レベルセンサが検出する処理液の吐出量に関連する液面レベルもその消費量に応じて急激に減少する。この急激な消費に応じてその液面レベルを一定に保持するように制御手段が処理液供給手段を制御するので、処理液供給手段からは処理液が多めに供給されることになる。その一方で、基板の処理面に平坦部が多く形成されている場合には、吐出した処理液が急激に減少することなく緩慢な減少を呈するとともに、液面レベルセンサが検出する液面レベルもその消費量に応じて緩やかに減少する。この緩やかな減少に応じてその液面レベルを一定に保持するように制御手段が処理液供給手段を制御するので、処理液供給手段からは処理液が少なめに供給されることになる。したがって、塗布手段の吐出部における処理液の吐出量を常に一定量に保つことができる。
【０００９】
また、塗布手段へは処理液供給手段から供給配管を介して処理液が供給されるので、その供給配管に連通接続された、塗布手段の吐出部の高さよりも高い位置に開口を有する細管の処理液の液面レベルは、吐出部から吐出している処理液の吐出量に応じて昇降変位することになる。つまり、吐出している処理液が急激に消費される場合には、液面レベルも急激に下降する一方、緩慢な消費を呈する場合には、液面レベルも緩やかに下降する。したがって、この液面レベルの変位を液面レベルセンサにより検出し、液面レベルを一定に保持するように制御手段が処理液供給手段を介して処理液の供給量を制御することにより、塗布手段の吐出部における処理液の吐出量を常に一定量に保持することができる。ところで処理液の吐出量は、基板の処理面と塗布手段の吐出部との間隔に存在する処理液の量であるが、その間隔が微小間隔であることおよび基板と塗布手段とが相対移動していることに起因してその吐出量を直接的に検出することは困難である。そこで、上述したようにしてその量に関連する液面レベルを検出することにより吐出量を間接的に検出して制御することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の要部を示す一部破断縦断面図およびブロック図である。なお、処理の対象である基板として半導体ウエハを例に採って説明するが、以下、この半導体ウエハを単に基板と称することにする。また、処理液としてはフォトレジスト液を例に採って説明する。
【００１１】
図中、符号１は、基板Ｗの処理面を下方に向けて水平姿勢で吸着保持する吸引チャックである。この吸引チャック１は、その上面中心部に立設された支持部材３を介して昇降ブロック５により懸垂支持されている。この昇降ブロック５は、水平移動部材７の一側面に鉛直方向に沿って配設されたリニアガイド９に昇降自在に嵌め込まれているとともに、リニアガイド９に並設された昇降モータ１１の回転軸に連動連結されたボールネジ１３に螺合されている。基板Ｗは、昇降モータ１１を駆動することにより、吸引チャック１と、支持部材３と、昇降ブロック５とともに一体的に昇降され、図１に示す下降した処理高さと、この処理高さよりも上昇した〔基板受け渡し時の〕搬送高さとにわたって昇降移動されるようになっている。なお、吸引チャック１は、本発明の基板保持手段に相当するものである。
【００１２】
水平移動部材７は、装置容器１０内の基板搬送開口１２よりも上方であって、その奥側から手前側にわたって配設されているリニアガイド１４に、その上部を嵌め込まれている。さらに水平移動部材７は、リニアガイド１４の下方に沿って並設されているボールネジ１６に螺合されている。ボールネジ１６は、その奥側部分が水平移動モータ１８の回転軸に連動連結されている。水平移動部材７は、水平移動モータ１８を駆動することにより水平移動し、この移動によって、図１中に実線で示すような基板搬送開口１２付近の待機位置と、図１中に二点鎖線で示すようなフォトレジスト液の塗布処理を開始する処理開始位置と、フォトレジスト液の塗布処理を終える処理終了位置とにわたって基板Ｗを移動するようになっている。
【００１３】
装置容器１０の中央部付近の底部には、基板Ｗに対してフォトレジスト液を吐出して供給する塗布ヘッド２０が立設されている。その上面には、基板Ｗの処理面に向けて開口し、供給されたフォトレジスト液が表面張力により盛り上がるように吐出する吐出部２１が形成されており、塗布ヘッド２０は、その吐出部２１の高さが装置容器１０の底部に配設されているベース２０ａによって高さＨ１となるように配設されている。塗布ヘッド２０は、図２の斜視図に示すような外観形状を呈する。すなわち、その上面に形成されている吐出部２１は、少なくとも基板Ｗの直径（基板サイズ）に相当する長さＡを基板Ｗの水平移動方向と直交する方向（図１中の紙面に向かう方向）に有し、その幅Ｂは長さＡに比較して極めて短く形成されている。つまり、吐出部２１はスリット状に形成されている。この吐出部２１の具体的な寸法の一例としては、処理対象の基板Ｗのサイズが８インチである場合には、長さＡは約２００ｍｍであり、幅Ｂは約０．１ｍｍである。なお、上記の吐出ヘッド２０は、本発明における塗布手段に相当するものである。また、吐出部２１はスリット状の開口に代えて、複数個の細孔で細長形状に形成するようにしてもよい。
【００１４】
塗布ヘッド２０には、図１および図２に示すように、縦断面形状Ｌの字状の供給路２２が吐出部２１に連通するように形成されている。この供給路２２は、塗布ヘッド２０の側面に配設された供給配管２４を介して、フォトレジスト液を一時的に貯留するためのリザーバタンク２６に連通接続されている。フォトレジスト液は、後述する制御部によって制御されるポンプ３０によって供給タンク２８からリザーバタンク２６に対して供給されるようになっている。なお、このポンプ３０は、ダイアフラム式のポンプであってもよいが、後述する理由によりステッピングモータによりピストンを駆動してフォトレジスト液の供給量を微妙に調整可能な精密ポンプであることが好ましい。
【００１５】
供給配管２４のリザーバタンク２６付近には、塗布ヘッド２０の吐出部２１の高さ位置Ｈ１よりも上方に位置する高さ位置Ｈ２で開口した細管３２が連通接続されている。この細管３２は、その内部に滞留するフォトレジスト液の液面レベルが周囲から目視で確認できる程度の透明度を有するガラス管などから構成されており、例えば、１．５ｍｍ程度の内径を有するものである。細管３２の外周面の上方には、内部に滞留するフォトレジスト液の液面レベルを検出する液面レベルセンサ３４が配設されている。この液面レベルセンサ３４は、細管３２に滞留するフォトレジスト液の液面レベルを検出して信号を出力するものであり、その信号は制御部４０に与えられる。この液面レベルセンサ３４の細管３２への配設位置は、後述する吐出高さ（ｈ）に応じて予め設定されているものであり、フォトレジスト液の液面レベルが特定のレベル（これを設定液面レベルと称する）になった場合にのみ液面レベルセンサ３４が動作（オン）し、それ以外のレベルにある場合には非動作（オフ）となるものである。制御部４０は、図示しないＣＰＵやメモリなどにより構成されており、上述した昇降モータ１１と、水平移動モータ１８と、ポンプ３０の各部を後述するように統括制御する。なお、リザーバタンク２６と、供給タンク２８と、ポンプ３０とは、本発明における処理液供給手段に相当するものである。
【００１６】
制御部４０は、予め液面レベルセンサ３４の出力信号がオンとなるようにポンプ３０を制御することにより、図３に示すように塗布ヘッド２０の吐出部２１から表面張力により盛り上がるフォトレジスト液Ｒの吐出高さｈ（例えば、０．５〜１．５ｍｍ）を一定に維持する。この吐出高さｈは、吐出部２１から吐出しているフォトレジスト液Ｒの吐出量と密接な相関関係にあるので、この吐出高さｈを一定にすることにより、フォトレジスト液Ｒの吐出量を、予め設定した特定の吐出量ｑ0 （これを設定吐出量ｑ0 と称する）にすることができる。なお、このフォトレジスト液Ｒの設定吐出量ｑ0 は、塗布したフォトレジスト液の目標膜厚と、基板Ｗの水平移動速度などを勘案して予め設定されているものである。上述した細管３２中の液面レベルは、その吐出高さｈと相関関係があるので、液面レベルを検出することによりその吐出高さｈが判り、よってその吐出量が判ることになる。なお、細管３２と液面レベルセンサ３４とは、吐出部２１から吐出するフォトレジスト液Ｒの吐出量に関連する物理量を検出するものであるので、本発明における検出手段に相当する。
【００１７】
ところで、図４（ａ）に示すように、基板Ｗを水平移動させることにより基板Ｗの処理面にフォトレジスト液Ｒを塗布する際には、当然のことながら基板Ｗの処理面と吐出部２１との間が吐出高さｈよりも狭い間隔ｈ0 に設定されるので、吐出しているフォトレジスト液Ｒの上部が基板Ｗの処理面に押されてその吐出高さｈを確保することはできない。しかしながら、その吐出高さｈを保持するようにフォトレジスト液Ｒが供給されると、フォトレジスト液Ｒには吐出高さｈとなるように圧力が加わるので、図４（ｂ）に示すように、吐出部２１から吐出しているフォトレジスト液Ｒはその分横方向に拡がって設定吐出量ｑ0 となる。したがって、塗布処理中におけるフォトレジスト液Ｒの吐出高さは、処理前の吐出高さｈよりも低い吐出高さｈ0 （＝基板Ｗの処理面と吐出部２１との間隔）となるが、圧力は吐出高さｈとなっている場合と同じだけ加わるので、細管３２の液面レベルは吐出高さｈに相当する設定液面レベルになる。そこで細管３２中のフォトレジスト液Ｒの液面レベルが常に設定液面レベルとなるように制御することにより、吐出部２１の吐出量を常に設定吐出量ｑ0 にすることができる。上述したように、フォトレジスト液Ｒの吐出量は、基板Ｗの処理面と吐出部２１との狭い間隔内に存在しているフォトレジスト液の量であること、基板Ｗは吐出ヘッド２０に対して水平移動することに起因して、フォトレジスト液の吐出量を直接的に検出することは困難であるが、このように細管３２の液面レベルを検出することにより間接的に吐出量を検出することができる。また、フォトレジスト液Ｒの吐出量を微調整する必要があるので、上述したポンプ３０としてはダイアフラム式ポンプよりも精密ポンプが好ましい。
【００１８】
次に、上述したように構成された基板処理装置の動作について、図５および図６のフローチャートを参照して説明する。なお、図５は処理を示すフローチャートであり、図６はフォトレジスト液の吐出制御を示すフローチャートである。
【００１９】
ステップＳ１（基板搬入）
図示しない基板搬送機構が処理の対象である基板Ｗを、その処理面を下方に向けた状態で基板搬送開口１２から進入し、吸引チャック１にその基板Ｗを渡す。吸引チャック１は、その基板Ｗの上面を吸引して吸着保持する。そして、制御部４０は、昇降モータ１１を駆動して基板Ｗを下降し、その下面である処理面と、現在奥側に位置している塗布ヘッド２０の吐出部２１との上下方向の間隔を、微小な間隔ｈ0 に設定する（図４（ａ）参照）。
【００２０】
ステップＳ２（処理開始位置へ移動）
制御部４０は、水平移動モータ１８を駆動して水平移動部材７を奥側に水平移動し、基板Ｗの奥側周縁部分が塗布ヘッド２０の上方に位置する処理開始位置へ移動する。この処理開始位置は、図１の二点鎖線で示す基板Ｗの位置および図４（ａ）で示す基板Ｗの位置である。
【００２１】
ステップＳ３（吐出制御開始）
制御部４０は、液面レベルセンサ３４の出力信号に基づいてポンプ３０の動作を制御し、吐出部２１からの吐出量を制御し始める。具体的には、図６のフローチャートに示すように制御する。すなわち、ステップＴ１では、液面レベルセンサ３４が動作（オン）したか否か、つまり細管３２の液面レベルが設定液面レベルになっているかを判断し、その判断結果によりポンプ３０をオン（ステップＴ２）するかまたはオフ（ステップＴ３）する。このようにポンプ３０を制御して、細管３２の液面レベルを設定液面レベルに保持することにより吐出部２１から吐出するフォトレジスト液Ｒの吐出量を設定吐出量ｑ0 にする。この吐出制御は、これ以降のステップＳ６において停止されるまで常時実行され、常にフォトレジスト液Ｒの吐出量を設定吐出量ｑ0 に調整する。
【００２２】
ステップＳ４（基板の移動開始）
制御部４０は、水平移動モータ１８を駆動して基板Ｗを一定の速度で移動開始する。基板Ｗは、図１中に二点鎖線で示す処理開始位置（図４（ａ）も同様）から奥側に向けて一定の速度で移動される。したがって、基板Ｗが移動するにつれて、吐出部２１から吐出しているフォトレジスト液は、図４（ｂ）に示すように基板Ｗの処理面に付着してゆく。このとき、例えば多くの凹部が形成されている、処理面のある領域では多くのフォトレジスト液Ｒが消費されて吐出部２１から吐出するフォトレジスト液Ｒの吐出量が設定吐出量ｑ0 より低下することになるが、図６のフローチャートに示すように細管３２の液面レベルが設定液面レベルになるようにポンプ３０が制御されているので、フォトレジスト液Ｒの吐出量は設定吐出量ｑ0 に一定化される。したがって、基板Ｗの処理面の状態にかかわらず、フォトレジスト液Ｒの吐出量を設定吐出量ｑ0 に一定化することができるので、基板Ｗの処理面に均一にフォトレジスト液Ｒを塗布することができる。なお、基板Ｗの移動速度を一定速度としたが、フォトレジスト液Ｒの吐出量を常に設定吐出量ｑ0 にすることができるので、基板Ｗの移動速度を可変するようにしても同様の効果を得ることができる。
【００２３】
ステップＳ５（処理終了位置に移動した？）
図１中に点線で示す処理終了位置に基板Ｗが移動したか否かによって処理を分岐する。すなわち、基板Ｗが処理終了位置に到達していない場合には、ステップＳ４を繰り返し実行して基板Ｗの等速度移動を継続することにより基板Ｗの処理面全体にフォトレジスト液Ｒを塗布し、基板Ｗが処理終了位置に到達した場合にはステップＳ６に移行する。
【００２４】
ステップＳ６（吐出制御停止）
基板Ｗが処理終了位置に到達した場合には、フォトレジスト液Ｒを吐出量ｑ0 に保持する必要はないので、図６のフローチャートに示した吐出制御を停止する。具体的には、ポンプ３０のオン／オフ制御を停止する。
【００２５】
ステップＳ７（基板の移動停止）
制御部４０は、水平移動モータ１８の駆動を停止することにより基板Ｗの等速水平移動を停止する。その後、制御部４０が昇降モータ１１を駆動して基板Ｗの高さを現在の処理高さ（図１および図４（ａ）に示す基板Ｗの高さ）から搬送高さに上昇するとともに、水平移動モータ１８を駆動して、フォトレジスト液が塗布された基板Ｗを基板搬送開口１２側の待機位置に向けて水平移動する。
【００２６】
ステップＳ８（基板搬出）
図示しない基板搬送機構が基板搬送開口１２から進入して、処理面にフォトレジスト液が塗布された基板Ｗの上面周辺部分を吸着した後、吸引チャック１の吸引動作を解除することにより基板搬送機構がその基板Ｗを受け取って装置容器１０外に搬出する。
【００２７】
上述した一連の処理を経て１枚の基板Ｗに対するフォトレジスト液の塗布処理が完了し、新たな基板Ｗを基板搬送機構が装置容器１０内に搬入（ステップＳ１）して、上述した一連の処理を行うことにより順次に複数枚の基板に対して処理を施してゆく。上述したように基板Ｗにフォトレジスト液Ｒを塗布する際に、吐出部２１から吐出するフォトレジスト液Ｒの吐出量を設定吐出量ｑ0 に一定化しているので、基板Ｗの処理面の状態にかかわらずフォトレジスト液Ｒを均一に塗布することができる。
【００２８】
次に、図７の模式図を参照して従来例と本発明について比較を行う。
図７（ａ）に示すように基板Ｗの直径を長さｌとし、その左端を基準点０として右端を距離ｌとし、図７（ｂ）に示すように基板Ｗの左端から右端に向かって処理面の粗さが直線的に増大している基板Ｗを仮定する。つまり、基板Ｗの処理面の左端から右端に向かってフォトレジスト液の消費量が直線的に増大するようなものを仮定する。
【００２９】
図７（ｃ）に示すように、従来例では一定の流量でフォトレジスト液を供給している関係上、処理面の粗さが増大するにつれて吐出しているフォトレジスト液が多く消費されることになるので、図中に点線で示すようにフォトレジスト液の吐出量は直線的に低下してゆくことになる。一方、本発明では液面レベルを設定液面レベルに保持することによりフォトレジスト液Ｒの吐出量を図中に実線で示すように設定吐出量ｑ0 に一定化することができる。
【００３０】
その結果、基板Ｗの処理面に塗布されるフォトレジスト液の膜厚は、図７（ｄ）に示すようになる。つまり、従来例では右端に向かうにつれてフォトレジスト液の吐出量が低下して不足することに起因して、図中に点線で示すように膜厚も目標膜厚ｔ0 から次第に低下（薄く）なってゆくが、本発明では図中に実線で示すように基板Ｗの左端から右端まで均一に目標膜厚ｔ0 を得ることができる。すなわち、本発明によると処理面の状態にかかわらず均一にフォトレジスト液を塗布することができる。
【００３１】
なお、上記の説明では、１枚の基板Ｗの処理面内における塗布フォトレジスト液の均一性について説明したが、処理面の状態がそれぞれ異なる複数枚の基板を処理する場合であっても、各基板の処理面内に均一にフォトレジスト液を塗布することができるとともに、それぞれの基板においても均一にフォトレジスト液を塗布することができる。
【００３２】
なお、上記の実施例では、水平移動モータ１８を駆動することにより基板Ｗを水平方向に移動しつつフォトレジスト液を塗布する装置について説明したが、基板Ｗを位置固定として塗布ヘッド２０を水平方向に移動するように構成してもよい。また、上述した装置では、水平に配設されたリニアガイド１４に沿って水平姿勢で基板Ｗを移動するように構成したが、処理面に塗布されたフォトレジスト液Ｒが流動しない程度の傾斜をもってリニアガイド１４を配設し、傾斜姿勢で基板Ｗを移動するようにしてもよい。
【００３３】
また、上記の説明においては、フォトレジスト液の吐出量に関連する物理量を検出する検出手段として、細管３２と液面レベルセンサ３４を採用したが、本発明はこのような構成に限定されるものではなく種々の変形実施が可能である。例えば、供給配管２４に圧力センサを配設しておき、その内部圧力を一定に保持するようにしてもよい。これによっても吐出部２１から吐出するフォトレジスト液の吐出量を設定吐出量ｑ0 に一定化することができ、上述した構成と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、処理液の吐出量に関連する液面レベルを液面レベルセンサにより検出し、制御手段がその液面レベルを一定に保持するように処理液供給手段からの処理液の供給量を制御することにより、塗布手段の吐出部における処理液の吐出量を常に一定量に保つことができる。その結果、基板の処理面の状態にかかわらず均一に処理液を塗布することができる。
【００３５】
また、処理液の吐出量は基板の処理面と塗布手段の吐出部との微小間隔に存在する処理液の量であること、および基板と塗布手段とは相対移動していることに起因して、直接的にその吐出量を検出することは困難であるが、供給配管に連通した細管の液面レベルを検出することにより吐出量を間接的に検出することができる。したがって、制御手段がその液面レベルを一定に保持するように処理液供給手段からの処理液の供給量を制御することにより、塗布手段の吐出部における処理液の吐出量を基板の処理面の状態にかかわらず常に一定量に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板処理装置の要部を示す一部破断縦断面図およびブロック図である。
【図２】塗布ヘッドの外観を示す斜視図である。
【図３】フォトレジスト液の吐出高さおよび吐出量の説明に供する図である。
【図４】フォトレジスト液の吐出高さおよび吐出量の説明に供する図である。
【図５】処理のフローチャートである。
【図６】吐出制御のフローチャートである。
【図７】本発明と従来例との対比に供する模式図である。
【符号の説明】
Ｗ  …  基板
１  …  吸引チャック（基板保持手段）
５  …  昇降ブロック
７  …  水平移動部材
１４  …  リニアガイド
１６  …  ボールネジ
１８  …  水平移動モータ
２０  …  塗布ヘッド（塗布手段）
２１  …  吐出部
２４  …  供給配管
２６  …  リザーバタンク（処理液供給手段）
２８  …  供給タンク（処理液供給手段）
３０  …  ポンプ（処理液供給手段）
３２  …  細管（検出手段）
３４  …  液面レベルセンサ（検出手段）
４０  …  制御部（制御手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図５】
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【図７】
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