(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、この絶縁層の一方面に積層された導体層をパターニングした配線パターンを具備するＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法であって、前記パターニングを行うフォトリソグラフィー工程の後に前記絶縁層に離型剤層を形成する工程を具備することを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記離型剤層がシリコーン系離型剤からなることを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記シリコーン系離型剤が、シロキサン化合物、シラン化合物、及びシラザン化合物から選択される少なくとも一種を含有することを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかにおいて、前記離型剤層の形成の工程が、前記離型剤溶液の塗布工程及び加熱処理工程を含むことを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかにおいて、前記離型剤層の形成の工程を、前記配線パターンを形成したレジストマスクを除去した後の任意のときに行うことを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかにおいて、前記絶縁層が、前記導体層にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布した後、乾燥・硬化することにより形成されたものであることを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５の何れかにおいて、前記絶縁層が、前記導体層に熱圧着された熱可塑性樹脂層及び絶縁フィルムにより形成されたものであることを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜５の何れかにおいて、前記絶縁層が、前記導体層に熱圧着された熱硬化性樹脂層及び絶縁フィルムにより形成されたものであることを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れかにおいて、前記導体層が、前記絶縁層にスパッタされた密着強化層及びこの上に設けられた銅メッキ層からなることを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れかにおいて、前記離型剤層を製品検査工程の前までに形成することを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣあるいはＬＳＩなどの電子部品を実装するＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロニクス産業の発達に伴い、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加しているが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望され、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢテープ、Ｔ−ＢＧＡテープ、ＡＳＩＣテープ等の電子部品実装用フィルムキャリアテープを用いた実装方式が採用されている。特に、パーソナルコンピュータ、携帯電話等のように、高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積の狭小化が要望されている液晶表示素子（ＬＣＤ）を使用する電子産業において、その重要性が高まっている。
【０００３】
また、より小さいスペースで、より高密度の実装を行う実装方法として、裸のＩＣチップをフィルムキャリアテープ上に直接搭載するＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）が実用化されている。
【０００４】
このＣＯＦに用いられるフィルムキャリアテープはデバイスホールを具備しないので、導体層と絶縁層とが予め積層された積層フィルムが用いられ、位置決めパターンは導体層のみに形成されるため、ＩＣチップの配線パターン上への直接搭載の際には、絶縁層を透過して視認される位置決めパターンを介して位置決めが行われ、その状態で加熱ツールによりＩＣチップと、配線パターン、すなわちインナーリードとの接合が行われる（例えば、特許文献１等参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１６８１４９号公報（図１３、図１４、段落［００１９］等）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このようなＩＣチップの実装は、絶縁層が加熱ツール又はステージに直接接触した状態で行われるが、この状態で加熱ツールによりかなり高温に加熱されるので、絶縁層がステージ又は加熱ツールに融着する現象が生じ、インナーリードの剥がれやテープの変形が生じるという問題がある。また、加熱ツールと融着した場合には、加熱ツールに汚れが発生して、製造装置の停止の原因となり、信頼性、生産性を阻害するという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑み、絶縁体層が加熱ツールやステージに熱融着することがなく、ＩＣチップ実装ラインの信頼性及び生産性を向上させるＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明の第１の態様は、絶縁層と、この絶縁層の一方面に積層された導体層をパターニングした配線パターンを具備するＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法であって、前記パターニングを行うフォトリソグラフィー工程の後に前記絶縁層に離型剤層を形成する工程を具備することを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法にある。
【０００９】
かかる第１の態様では、ＩＣチップ実装時に、加熱ツール又はステージが離型剤層と接触するので、両者が密着することがなく、絶縁体層と熱融着が生じて加熱ツール等が汚れるという問題が生じない。
【００１０】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記離型剤層がシリコーン系離型剤からなることを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法にある。
【００１１】
かかる第２の態様では、加熱ツール又はステージと接触する離型剤がシリコーン系離型剤なので、熱融着等が確実に防止される。
【００１２】
本発明の第３の態様は、第２の態様において、前記シリコーン系離型剤が、シロキサン化合物、シラン化合物、及びシラザン化合物から選択される少なくとも一種を含有することを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法にある。
【００１３】
かかる第３の態様では、加熱ツール又はステージと接触する離型剤としてのシリコーン系離型剤に含有されるシロキサン化合物、シラン化合物、又はシラザン化合物の作用により、熱融着等が確実に防止される。
【００１４】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記離型剤層の形成の工程が、前記離型剤溶液の塗布工程及び加熱処理工程を含むことを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法にある。
【００１５】
かかる第４の態様では、離型剤層はシリコーン系離型剤を塗布し、必要により熱処理することより形成される。
【００１６】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様において、前記離型剤層の形成の工程を、前記配線パターンを形成したレジストマスクを除去した後の任意のときに行うことを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法にある。
【００１７】
かかる第５の態様では、フォトリソグラフィー工程後に離型剤層を設けるので、フォトレジストの剥離液等により離型剤層が溶解されることがなく、有効な離型効果が発揮される。
【００１８】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れかの態様において、前記絶縁層が、前記導体層にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布した後、乾燥・硬化することにより形成されたものであることを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法にある。
【００１９】
かかる第６の態様では、ポリイミドからなる絶縁層を有するＣＯＦフィルムキャリアテープとなる。
【００２０】
本発明の第７の態様は、第１〜５の何れかの態様において、前記絶縁層が、前記導体層に熱圧着された熱可塑性樹脂層及び絶縁フィルムにより形成されたものであることを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法にある。
【００２１】
かかる第７の態様では、熱可塑性樹脂層及び絶縁フィルムにより絶縁層が導体層上に形成される。
【００２２】
本発明の第８の態様は、第１〜５の何れかの態様において、前記絶縁層が、前記導体層に熱圧着された熱硬化性樹脂層及び絶縁フィルムにより形成されたものであることを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法にある。
【００２３】
かかる第８の態様では、熱硬化性樹脂層及び絶縁フィルムにより絶縁層が導体層上に形成される。
【００２４】
本発明の第９の態様は、第１〜８の何れかの態様において、前記導体層が、前記絶縁層にスパッタされた密着強化層及びこの上に設けられた銅メッキ層からなることを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法にある。
【００２５】
かかる第９の態様では、絶縁層上にニッケルなどの密着強化層及び銅メッキ層からなる導体層が形成される。
本発明の第１０の態様は、第１〜９の何れかの態様において、前記離型剤層を製品検査工程の前までに形成することを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法にある。
かかる第１０の態様では、ソルダーレジスト層を設けた後のフォトレジスト製造工程最後に離型剤層を形成することで、離型効果が高いという利点がある。
【００２６】
本発明のＣＯＦフィルムキャリアテープに用いられる導体層と絶縁層との積層フィルムとしては、ポリイミドフィルムなどの絶縁フィルムにニッケルなどの密着強化層をスパッタした後、銅メッキを施した積層フィルムを挙げることができる。また、積層フィルムとしては、銅箔にポリイミドフィルムを塗布法により積層したキャスティングタイプや、銅箔に熱可塑性樹脂・熱硬化性樹脂などを介し絶縁フィルムを熱圧着した熱圧着タイプの積層フィルムを挙げることができる。本発明では、何れを用いてもよい。
【００２７】
本発明のＣＯＦフィルムキャリアテープは、このような積層フィルムの導体層とは反対側の絶縁体層に離型剤層を設けたものである。かかる離型剤層は、ＩＣチップの実装時に加熱ツールやステージと密着しないような離型性を有しており且つこのような加熱により熱融着しない材料で形成されていればよく、有機材料でも無機材料でもよい。例えば、シリコーン系離型剤、エポキシ系離型剤、フッ素系離型剤などを用いるのが好ましい。
【００２８】
ここで、離型剤としては、シリコーン系離型剤が特に好ましく、具体的には、ジシロキサン、トリシロキサンなどのシロキサン化合物、モノシラン、ジシラン、トリシランなどのシラン化合物、及びヘキサメチルジシラザン、ペルヒドロポリシラザンなどのシラザン化合物から選択される少なくとも一種を含有するものである。このようなシリコーン系離型剤は、一般的には溶剤として有機溶剤を含有しているが、水溶液タイプのもの又はエマルジョンタイプのものを用いてもよい。
【００２９】
一例としては、ジメチルシロキサンを主成分とするシリコーン系オイル、メチルトリ（メチルエチルケトオキシム）シラン、トルエン、リグロインを成分とするシリコーン系レジンＳＲ２４１１（商品名：東レ・ダウコーニング・シリコーン社製）、シラザン、合成イソパラフィン、酢酸エチルを成分とするシリコーン系レジンＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）などを挙げることができる。
【００３０】
かかる離型剤層の形成方法は特に限定されず、離型剤又はその溶液をスプレー、ディッピング、又はローラー塗布などにより塗布してもよい。また、何れの場合にも、絶縁体層と離型剤層との間の剥離を防止するために、加熱処理等により両者の間の接合力を高めるようにしてもよい。
【００３１】
また、離型剤層は、フォトリソグラフィー後、ＩＣ実装時までに設けられていればよい。これは、フォトレジスト層の剥離液等により離型剤層が溶解する虞があるためであり、導体層をエッチング後、配線パターン用レジストマスクを除去後設けるようにするのが好ましい。すなわち、レジストマスクを除去後、スズメッキを施した後の工程、または、レジストマスクを除去後、ソルダーレジスト層を設け、リード電極にメッキを施した後の工程等に設けるのが好ましい。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを実施例に基づいて説明する。
【００３３】
図１には、一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を示す。
【００３４】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態のＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、銅箔からなる導体層１１とポリイミドフィルムからなる絶縁層１２とからなるＣＯＦ用積層フィルム１０を用いて製造されたものであり、導体層１１をパターニングした配線パターン２１と、配線パターン２１の幅方向両側に設けられたスプロケットホール２２とを有する。また、配線パターン２１は、それぞれ、実装される電子部品の大きさにほぼ対応した大きさで、絶縁層１２の表面に連続的に設けられている。さらに、配線パターン２１上には、ソルダーレジスト材料塗布溶液をスクリーン印刷法にて塗布して形成したソルダーレジスト層２３を有する。
【００３５】
ここで、導体層１１としては、銅の他、金、銀などを使用することもできるが、銅箔が一般的である。また、銅箔としては、電解銅箔、圧延銅箔など何れも使用することができる。導体層１１の厚さは、一般的には、１〜７０μｍであり、好ましくは、５〜３５μｍである。
【００３６】
一方、絶縁層１２としては、ポリイミドの他、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホン、液晶ポリマーなどを用いることができるが、ピロメット酸２無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの重合によって得られる全芳香族ポリイミドを用いるのが好ましい。なお、絶縁層１２の厚さは、一般的には、１２．５〜７５μｍであり、好ましくは、１２．５〜５０μｍである。
【００３７】
ここで、ＣＯＦ用積層フィルム１０は、例えば、銅箔からなる導体層１１上に、ポリイミド前駆体やワニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布して塗布層１２ａを形成し、溶剤を乾燥させて巻き取り、次いで、酸素をパージしたキュア炉内で熱処理し、イミド化して絶縁層１２とすることにより形成されるが、勿論、これに限定されるものではない。
【００３８】
一方、離型剤層１３は、シリコーン系離型剤の他、エポキシ系離型剤、フッ素系離型剤を挙げることができる。離型剤層１３は、離型剤を塗布等により設けた後、加熱処理して絶縁層１２と強固に接合するのが好ましい。なお、離型剤層１３の厚さは、例えば、０．１〜１μｍである。
【００３９】
このような本発明のＣＯＦフィルムキャリアテープは、例えば、搬送されながらＩＣチップやプリント基板などの電子部品の実装工程に用いられ、ＣＯＦ実装されるが、この際、絶縁層１２の光透過性が５０％以上あるので、絶縁層１２側から配線パターン２１をＣＣＤ等で画像認識することができ、さらに、実装するＩＣチップやプリント基板の配線パターンを認識することができ、画像処理により相互の位置合わせを良好に行うことができ、高精度に電子部品を実装することができる。
【００４０】
次に、上述したＣＯＦフィルムキャリアテープの一製造方法を図２を参照しながら説明する。
【００４１】
図２（ａ）に示すように、ＣＯＦ用積層フィルム１０を用意し、図２（ｂ）に示すように、パンチング等によって、導体層１１及び絶縁層１２を貫通してスプロケットホール２２を形成する。このスプロケットホール２２は、絶縁層１２の表面上から形成してもよく、また、絶縁層１２の裏面から形成してもよい。次に、図２（ｃ）に示すように、一般的なフォトリソグラフィー法を用いて、導体層１１上の配線パターン２１が形成される領域に亘って、例えば、ネガ型フォトレジスト材料塗布溶液を塗布してフォトレジスト材料塗布層３０を形成する。勿論、ポジ型フォトレジスト材料を用いてもよい。さらに、スプロケットホール２２内に位置決めピンを挿入して絶縁層１２の位置決めを行った後、フォトマスク３１を介して露光・現像することで、フォトレジスト材料塗布層３０をパターニングして、図２（ｄ）に示すような配線パターン用レジストパターン３２を形成する。次に、配線パターン用レジストパターン３２をマスクパターンとして導体層１１をエッチング液で溶解して除去し、さらに配線パターン用レジストパターン３２をアルカリ溶液等にて溶解除去することにより、図２（ｅ）に示すように配線パターン２１を形成する。続いて、必要に応じて配線パターン２１全体にスズメッキなどのメッキ処理を行った後、図２（ｆ）に示すように、塗布法により離型剤層１３を絶縁層１２の表面に形成する。この離型剤層１３は、塗布して乾燥するだけでもよいが、加熱ツールと熱融着しないという離型効果を向上させるためには、加熱処理を行うのが好ましい。加熱処理は、例えば、１００〜２００℃で、３０分〜２時間程度行えばよい。次に、図２（ｇ）に示すように、例えば、スクリーン印刷法を用いて、ソルダーレジスト層２３を形成する。そして、ソルダーレジスト層２３で覆われていないインナーリード及びアウターリードに必要に応じて金属メッキ層を施す。金属メッキ層は特に限定されず、用途に応じて適宜設ければよく、スズメッキ、スズ合金メッキ、金メッキ、金合金メッキなどを施す。
【００４２】
以上説明した実施形態では、離型剤層１３の形成を配線パターン用レジストパターン３２をアルカリ溶液等にて溶解除去した後、ソルダーレジスト層２３を設ける前に行ったが、ソルダーレジスト層２３を設けた後のフォトレジスト製造工程最後に離型剤層１３を形成するようにしてもよい。このように離型剤層１３を形成すると、離型剤層１３がエッチング液やフォトレジストの剥離液等に曝されないので、離型効果が高いという利点がある。なお、ここで製造工程最後とは、製品検査工程の前を意味する。
【００４３】
このように、本発明の離型剤層は、配線パターン２１を形成するフォトリソグラフィー工程後に形成するのが好ましい。これはフォトレジスト層の剥離工程で離型剤層が溶解する可能性があるからである。したがって、フォトレジスト工程終了直後、又はメッキ処理後、さらには、ソルダーレジスト層２３形成後等に離型剤層１３を設けるのが好ましい。
【００４４】
（実施例１ａ〜１ｄ）
種々の市販のポリイミド製のベースフィルム、エスパーフレックス（商品名：住友金属鉱山社製；実施例１ａ）、エスパネックス（商品名：新日鐵化学社製；実施例１ｂ）、ネオフレックス（商品名：三井化学社製；実施例１ｃ）およびユピセル（商品名：宇部興産社製；実施例１ｄ）を用いたＣＯＦ用積層フィルムの導体層をフォトレジスト法によりパターニングし、配線パターン全体にスズメッキを施した後、ベースフィルムにシリコーン系レジン（シラン系化合物を含有する）であるＳＲ２４１１（商品名：東レ・ダウコーニング・シリコーン社製）を塗布し、１２５℃で１時間加熱して離型剤層を形成したＣＯＦフィルムキャリアテープを製造した。
【００４５】
（実施例２ａ〜２ｄ）
実施例１ａ〜１ｄと同様な種々の市販のポリイミド製のベースフィルム、エスパーフレックス（商品名：住友金属鉱山社製；実施例２ａ）、エスパネックス（商品名：新日鐵化学社製；実施例２ｂ）、ネオフレックス（商品名：三井化学社製；実施例２ｃ）およびユピセル（商品名：宇部興産社製；実施例２ｄ）を用いたＣＯＦ用積層フィルムの導体層をフォトレジスト法によりパターニングし、配線パターン全体にスズメッキを施した後、ベースフィルムにシリコーン系レジン（シラザンを含有する）であるＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）を塗布し、１２５℃で１時間加熱して離型剤層を形成したＣＯＦフィルムキャリアテープを製造した。
【００４６】
（比較例１ａ〜１ｄ、２ａ〜２ｄ）
実施例１ａ〜１ｄ、２ａ〜２ｄで離型剤層を設けない以外は同様なＣＯＦフィルムキャリアテープを比較例１ａ〜１ｄ、２ａ〜２ｄとした。
【００４７】
（試験例１）
実施例１ａ〜１ｄ、２ａ〜２ｄおよび比較例１ａ〜１ｄ、２ａ〜２ｄのＣＯＦフィルムキャリアテープを用い、加熱ツール温度を２６０℃〜４２０℃の範囲で変化させながら離型剤層１３側へ押し当ててＩＣチップを実装し、加熱ツールとの付着性を観察した。この結果を表１に示す。
【００４８】
この結果、実施例１ａ〜１ｄ及び実施例２ａ〜２ｄでは、離型剤層１３を有さない比較例１ａ〜１ｄ、２ａ〜２ｄと比較して顕著な付着防止効果を示した。
【００４９】
【表１】
0003726964.tif 000002
【００５０】
（実施例３ａ〜３ｄ）
実施例１ａ〜１ｄと同様な種々の市販のポリイミド製のベースフィルム、エスパーフレックス（商品名：住友金属鉱山社製；実施例３ａ）、エスパネックス（商品名：新日鐵化学社製；実施例３ｂ）、ネオフレックス（商品名：三井化学社製；実施例３ｃ）およびユピセル（商品名：宇部興産社製；実施例３ｄ）を用いたＣＯＦ用積層フィルムの導体層をフォトレジスト法によりパターニングし、配線パターン全体にスズメッキを施した後、ベースフィルムにシリコーン系オイルであるＳＲＸ３１０（商品名：東レ・ダウコーニング・シリコーン社製）を塗布し、１２５℃で１時間加熱して離型剤層を形成したＣＯＦフィルムキャリアテープを製造した。
【００５１】
（比較例３ａ〜３ｄ）
実施例３ａ〜３ｄで離型剤層を設けない以外は同様なＣＯＦフィルムキャリアテープを比較例３ａ〜３ｄとした。
【００５２】
（試験例２）
実施例３ａ〜３ｄおよび比較例３ａ〜３ｄのＣＯＦフィルムキャリアテープを用い、加熱ツール温度を２６０℃〜４２０℃の範囲で変化させながら離型剤層１３側へ押し当ててＩＣチップを実装し、加熱ツールとの付着性を観察し、付着した温度を測定した。この結果を表２に示す。
【００５３】
この結果、実施例３ａ〜３ｃは、比較例３ａ〜３ｃと比較して顕著な効果が認められた。なお、実施例３ｄは、比較例３ｄと差はあるものの、効果は顕著ではなかった。しかしながら、加熱融着温度は、加熱ツール、実装するＩＣチップの種類、実装品の用途等により異なり、一般的には２００〜３５０℃程度の場合もあるので、付着温度が上昇する点では有効である。
【００５４】
【表２】
0003726964.tif 000003
【００５５】
（実施例４ａ〜４ｂ）
ＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）の塗布時期を、導体層パターニング後、フォトレジストを剥離し、スズメッキを施した後に塗布し３時間以上乾燥して離型剤層を形成した（実施例４ａ）、乾燥の代わりに１２５℃で１時間熱処理して離型剤層を形成した（実施例４ｂ）とした以外は、実施例２ａと同様にＣＯＦフィルムキャリアテープを製造した。
【００５６】
（比較例４ａ〜４ｆ）
ＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）の塗布時期を、ＣＯＦ用積層フィルムの原料に塗布し３時間以上乾燥して離型剤層を形成した（比較例４ａ）、乾燥の代わりに１２５℃で１時間熱処理して離型剤層を形成した（比較例４ｂ）、導体層のパターニング前クリーニング工程で塗布し３時間以上乾燥して離型剤層を形成した（比較例４ｃ）、乾燥の代わりに１２５℃で１時間熱処理して離型剤層を形成した（比較例４ｄ）、導体層パターニング用のフォトレジスト現像をした後に塗布し３時間以上乾燥して離型剤層を形成した（比較例４ｅ）、乾燥の代わりに１２５℃で１時間熱処理して離型剤層を形成した（比較例４ｆ）とした以外は、実施例２ａと同様にＣＯＦフィルムキャリアテープを製造した。
【００５７】
（試験例３）
実施例４ａ〜４ｂ及び比較例４ａ〜４ｆのＣＯＦフィルムキャリアテープを用い、加熱ツール温度を２６０℃〜４２０℃の範囲で変化させながら離型剤層１３側へ押し当ててＩＣチップを実装し、加熱ツールとの付着性を観察し、付着した温度を測定した。この結果を表３に示す。
【００５８】
この結果、フォトリソグラフィー工程のフォトレジストの剥離の際に離型剤層が溶解されるためか、その後に離型剤層を形成した実施例４ａ〜４ｂが付着防止効果が高かった。また、離型剤層を塗布法で設ける場合には、自然乾燥よりも加熱処理した方が付着防止効果が向上することも認められた。
【００５９】
【表３】
0003726964.tif 000004
【００６０】
（実施例５ａ〜５ｅ）
ＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）の希釈倍率を変化させて実施例４ａ及び４ｂと同様に導体層パターニング後、フォトレジストを剥離し、スズメッキを施した後に塗布し３時間以上乾燥して離型剤層を形成したものと、乾燥の代わりに１２５℃で１時間熱処理して離型剤層を形成したものとをそれぞれ製造した。この場合、希釈倍率を原液のままから２倍、３倍、５倍、１０倍と酢酸エチルで希釈したシリコーン系レジンを用いたが、この場合の離型剤層の厚さ（計算値）を算出した。
【００６１】
（試験例４）
実施例５ａ〜５ｅのＣＯＦフィルムキャリアテープを用い、加熱ツール温度を２６０℃〜４２０℃の範囲で変化させながら離型剤層１３側へ押し当ててＩＣチップを実装し、加熱ツールとの付着性を観察し、付着した温度を測定した。この結果を表４に示す。
【００６２】
この結果、離型剤層が０．１μｍを越える実施例５ａ〜５ｃで付着防止効果が特に顕著であった。
【００６３】
【表４】
0003726964.tif 000005
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法は、離型剤層を設けることにより、ＩＣチップ実装時に加熱ツールやステージと絶縁体層とが熱融着するのを防止することができ、ＩＣチップ実装ラインの信頼性及び生産性を向上させるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを示す概略構成図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０  ＣＯＦ用積層フィルム
１１  導体層
１２  絶縁層
１３  離型剤層
２０  ＣＯＦフィルムキャリアテープ
２１  配線パターン
２２  スプロケットホール
２３  ソルダーレジスト層
【図１】
0003726964.tif 000006
【図２】
0003726964.tif 000007