(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの面に、マークを有し、
前記マークが、フォトリソグラフィ技術と、不活性ガスと酸素原子を含むガスとからなる混合ガスを用いるプラズマエッチング法と、を用いて形成されたマークであることを特徴とするマーク付きダイヤモンド。
【請求項２】
板状の形状を有し、その表面または裏面の少なくとも一方の面の中央部または端部に、前記マークを有する請求項１記載のマーク付きダイヤモンド。
【請求項３】
多面体の形状を有し、その少なくとも１つの面の中央部または端部に前記マークを有する請求項１記載のマーク付きダイヤモンド。
【請求項４】
前記マークの大きさが０．１ｍｍより小さい請求項１記載のマーク付きダイヤモンド。
【請求項５】
前記マークが文字、記号、目盛および／又は図形の形状を含む請求項１〜４のいずれかに記載のマーク付きダイヤモンド。
【請求項６】
前記マークが規則性を有する形状を含む請求項５記載のマーク付きダイヤモンド。
【請求項７】
前記マークの規則性が、等間隔あるいは対数的間隔である請求項６記載のマーク付きダイヤモンド。
【請求項８】
少なくとも１つの面に、マークを有し、
前記マークが、イオン注入を用いてダイヤモンド中へ不純物を選択的に導入することにより形成されたマークである、マーク付きダイヤモンド。
【請求項９】
少なくとも１つの面に、マークを有し、
前記マークが、前記面に形成された凹部内に埋め込まれ不純物が導入されたダイヤモンドからなるマークであり、
前記面が平坦化されている、マーク付きダイヤモンド。
【請求項１０】
少なくとも１つの面にマークを有するマーク付きダイヤモンドの形成方法であって、
フォトリソグラフィ技術と、不活性ガスと酸素原子を含むガスとからなる混合ガスを用いるプラズマエッチング法と、を用いて、前記マークを形成することを特徴とするマーク付きダイヤモンドの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はマーク（ないし目印）付きダイヤモンドに関し、より具体的には、個別認識、種別認識、尺度の認識等のためのマークを有するダイヤモンドに関する。本発明は、マークの付与が好ましいとされるダイヤモンド自体ないしダイヤモンドを利用した製品（例えば、ダイヤモンドのナイフ、カッター、装飾品、物差し等）に対して、特に制限なく適用することが可能である。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ダイヤモンドは、その非常に硬いという性質を利用して、種々の工業製品、装飾品等を製造するための切削や研磨、カット等の操作ないし処理に利用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来ダイヤモンドが利用されてきた分野においては、該ダイヤモンドは、通常は消耗品扱いとされてきたため、個別認識を可能とするような刻印ないしマークをダイヤモンド自体に付することは行われていなかった。
【０００４】
加えて、ダイヤモンドは非常に硬いため、このようなマークをダイヤモンド自体に付すること、ないしは自在に加工することは非常に困難であった。
【０００５】
本発明の目的は、従来技術における上記した問題点を解消したダイヤモンドを提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、マーク付きダイヤモンドを容易に形成可能なマーク付きダイヤモンド形成方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のマーク付きダイヤモンドは、少なくとも１つの面に、マークを有し、マークが、フォトリソグラフィ技術と、不活性ガスと酸素原子を含むガスとからなる混合ガスを用いるプラズマエッチング法と、を用いて形成されたマークであることを特徴とする。
また、上記マーク付きダイヤモンドは、板状の形状を有し、その表面または裏面の少なくとも一方の面の中央部または端部に、マークを有することが好ましい。
また、上記マーク付きダイヤモンドは、多面体の形状を有し、その少なくとも１つの面の中央部または端部に前記マークを有することが好ましい。
また、マークの大きさが０．１ｍｍより小さいことが好ましい。
また、マークが文字、記号、目盛および／又は図形の形状を含むことが好ましい。
また、マークが規則性を有する形状を含むことが好ましい。
また、マークの規則性が、等間隔あるいは対数的間隔であることが好ましい。
また、本発明のマーク付きダイヤモンドは、少なくとも１つの面に、マークを有し、マークが、イオン注入を用いてダイヤモンド中へ不純物を選択的に導入することにより形成されたマークである。
また、本発明のマーク付きダイヤモンドは、少なくとも１つの面に、マークを有し、マークが、面に形成された凹部内に埋め込まれ不純物が導入されたダイヤモンドからなるマークであり、面が平坦化されている。
また、本発明のマーク付きダイヤモンドの形成方法は、少なくとも１つの面にマークを有するマーク付きダイヤモンドの形成方法であって、フォトリソグラフィ技術と、不活性ガスと酸素原子を含むガスとからなる混合ガスを用いるプラズマエッチング法と、を用いて、マークを形成することを特徴とする。
【０００８】
上記「マーク」は、ダイヤモンドの表面凹凸を有する部分（例えば、刻印）、または外部から検出可能な特性の差異を有するダイヤモンド表面（もしくは表面近傍）の部分からなる。
【０００９】
【作用】
本発明のマーク付きダイヤモンドは、ダイヤモンドを少なくとも一部として含む製品に広く使用可能であり、例えば、試験・研究用製品、工業用製品、日常的製品等に特に制限なく適用することができる。日常的な製品の例としては、ダイヤモンドのネームプレート、ダイヤモンドの印鑑、ダイヤモンドの物差し、ダイヤモンドの鍵等が挙げられる。
【００１０】
このようなダイヤモンドのネームプレートや印鑑においては、これに一旦名前、住所等の文字・記号を刻印しておけば、ダイヤモンド自体の特性に基づき、摩耗による該文字等の判読不能化を避けることが可能となる。また、上記ダイヤモンドの物差しは、熱によって溶けることもなく、高温による歪も少なく、また上記目盛りが消えることもない。
【００１１】
さらに、ダイヤモンドにバーコードやその他の信号を刻み込み等によって付与した場合には、該バーコード等を読みとる装置と組み合わせることで、ダイヤモンドの鍵を提供することができる。このようなダイヤモンド鍵は、その表面が如何なる物質ないし環境に晒されたとしても摩擦が実質的にないため、非常に信頼性のある鍵となる。
【００１２】
近年におけるダイヤモンド製造法（ＣＶＤ法等）の急速な進歩により、上記したような日常的な製品へのダイヤモンドの適用が拡大されるものと予想されるが、このような用途に対しても、本発明のマーク付きダイヤモンドは好適に使用可能となる。
【００１３】
本発明のマーク付きダイヤモンドは、板状の形状を有し、その表面または裏面の少なくとも一方の面の中央部または端部に、前記マークを有していてもよい。このようなマークを有する板状ダイヤモンドは、ダイヤモンド製ネームプレート（個人用識別カード、ペットあるいは所持品用のネームプレート等）として好適に利用可能である。上記マークを目盛状とした場合には、耐酸性、耐久性に優れた「モノサシ」として好適に利用可能である。
【００１４】
また、本発明のマーク付きダイヤモンドは、多面体の形状を有し、その少なくとも１つの面の中央部または端部に前記マークを有していてもよい。このようなマーク付きダイヤモンドは、装飾用等のダイヤモンドとして好適に利用可能である。更に、くさび状としたダイヤモンド（ダイヤモンド・ナイフ）の先（ナイフ先）に、目盛等を刻印すれば、該くさび状ダイヤモンドによって切断、スライス等された対象物に、該目盛等の刻印を残すことが可能となる。
【００１５】
本発明のマーク付きダイヤモンドにおいては、前記マークの大きさが０．１ｍｍより小さくしてもよい。このように比較的小さいマークを有するダイヤモンドは、顕微鏡用の物差し（耐酸性、耐久性に優れている）等として好適に利用可能である。更に、上記マークないし刻印のサイズを小さくする（例えば、肉眼で識別することが困難なサイズのマークとする）ことにより、見掛けを変えることなく装飾品等にマークを付与することが可能となり、特殊な装置（電子顕微鏡等）によってのみ該マークを識別することが可能となるため、個体の識別による盗難防止等の手段として利用可能となる。ダイヤモンドは耐酸性、耐久性に優れているので、このマークは容易に消されることはない。
【００１６】
上記したマークの大きさに関しては、装飾品については「マーク全体の大きさ」がより重要である。一方、物差しにおける目盛等のマークにおいては、該目盛として「実質的に機能する部分の大きさ」が重要となる。すなわち、物差し等においては、図１の模式平面図に示すような「マーク（目盛）自体の大きさ」、あるいは図２の模式平面図（マーク自体は比較的大きい）に示すようなマーク中の
「実質的に機能する部分の大きさ」が重要となる。
【００１７】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。
【００１８】
（マーク）
本発明において、ダイヤモンドの「マーク」（ｍａｒｋないしｓｉｇｎ）は、ダイヤモンドの表面凹部および／又は凸部を有する部分（例えば、刻印）、または外部から検出可能な特性（ないし物性）の差異を有するダイヤモンド表面（もしくは表面近傍）の部分からなる。本発明においては、このマークは、該マークを外部から検出可能である限り、表面凹凸ないし特性の差異を有する部分自体から構成されていてもよく、また該部分の２以上の集合（例えば、凹凸を有するピット（ｐｉｔ）の集合）から構成されていてもよい。
【００１９】
本発明において上記した「特性の差異」を与えるべき特性は、この差異を外部から検出可能である限り特に制限されず、例えば、電気的特性、磁気的特性、光学的特性、力学的特性等の物理的特性が利用可能である。より具体的には例えば、色調（可視光、赤外光、ないし紫外光の、吸収または反射特性）を始めとする電磁波の吸収または反射特性、屈折率、濡れ性（wettability ）、摩擦係数、表面粗さ等が挙げられる。
【００２０】
上記したマークの大きさ（dimension 、平面的な寸法）は、外部から検出可能である限り特に制限されないが、形成容易性と検出容易性とのバランスの点からは、該マークは、光学顕微鏡で観察できる程度の大きさを有することが好ましい。より具体的には例えば、マーク（表面凹凸ないし特性の差異を有する部分の一つ）の大きさは、０．１ｍｍ以下程度（更には１μｍ〜１０μｍ程度）であることが好ましい。上記マークが「刻印」（表面凹凸からなるマーク）である場合、該刻印の深さ（上下方向の寸法）は、０．１μｍ〜１０μｍ程度であることが好ましい。
【００２１】
上記マークの形状（平面的形状、立体的形状）は、他のダイヤモンド部分および／又は該マーク相互間で区別して外部から検出可能である限り特に制限されないが、例えば、文字、記号、目盛および／又は図形の形状が好適に使用可能である。このマークは、必要に応じて、所定の規則性を有していてもよい。このような規則性の例としては、等間隔あるいは対数的間隔が挙げられる。
【００２２】
（ダイヤモンドの形状）
本発明においては、上記したマークを有するダイヤモンド全体の形状は、特に制限されない。より具体的には例えば、該ダイヤモンドの形状は、板状ないし層状であってもよく、全部または一部に曲面を有していてもよく（球状、半球状等）、また多面体状であってもよい。
【００２３】
本発明においては、上記したマークは、ダイヤモンドの面の少なくとも１つの面にあればよい。このマークのダイヤモンド面上の位置は特に制限されない。例えば、該マークはダイヤモンド面の中央部にあってもよく、また端部にあってもよい。
【００２４】
（マークの形成方法）
上記マークの形成方法は、他のダイヤモンド部分および／又は該マーク相互間で区別して外部から検出可能なマークを形成できる限り特に制限されない。上記マークが外部から検出可能な特性（ないし物性）の差異を有する部分である場合、該マークは、例えば、上記特性ないし物性の差異を与えるべき不純物ないしドーパントを、ダイヤモンド表面またはダイヤモンド中へ選択的に導入することにより形成することが可能である。
【００２５】
一方、上記マークが「刻印」である場合、該刻印は、ダイヤモンドの選択的エッチングおよび／又はダイヤモンドの選択的成長により形成可能である。
【００２６】
ダイヤモンドの選択的エッチングにより上記マークを形成する場合、アルゴン等の不活性ガスと酸素原子を含むガスとからなる混合ガスを用いるプラズマエッチング法（特願平４−２７８５４８号）が好適に使用可能である。このようなダイヤモンドのエッチング技術を利用することにより、ダイヤモンドに文字、記号、図形等からなるマークを自在に付与することが可能となる。
【００２７】
上記したダイヤモンドの選択的プラズマエッチングにおいては、不活性ガス  （アルゴン等）と酸素原子を含むガスとからなる混合ガスを用いるプラズマエッチングが好適に使用可能である。良好な選択比が容易に得られる点からは、該混合ガス中の酸素原子の下記混合比ＭR は、０．０１％以上で２０％以下であることが好ましい。
【００２８】
ＭR ２×［Ｏ］／［不活性ガス＋酸素原子を含むガス］
このようなプラズマエッチングにおいては、以下の条件が好適に利用可能である。
【００２９】
＜プラズマエッチング条件＞
ＲＦ出力：５０〜２００Ｗ
全圧力：２０〜１００ｍＴｏｒｒ
エッチング時間：１〜５時間
上記したような選択的プラズマエッチングを利用した場合、ダイヤモンドにリソグラフィーの技術が適用できる程度の小さい範囲に亙って、良好な選択比で、しかも容易にダイヤモンド加工を行うことができる。
【００３０】
（ダイヤモンドの形成方法）
本発明が適用可能なダイヤモンドは、特に制限されない。該ダイヤモンドは、例えば、人工（高圧合成）のバルク単結晶であっても、気相合成法による薄膜多結晶あるいは薄膜単結晶（エピタキシャル膜）であってもよい。融通性ないしダイヤモンド形成上の自由度の点からは、ダイヤモンドをＣＶＤ法（化学的気相成長法）等の気相合成法で形成することが好ましい。
【００３１】
ダイヤモンド（膜）を気相合成により形成する場合、その形成方法としては、例えば以下のような各種の方法を用いることが可能である。
【００３２】
（１）直流または交流電界により放電を起こし、原料ガスを活性化する方法、
（２）熱電子放射材を加熱し、原料ガスを活性化する方法、
（３）ダイヤモンドを成長させる表面を、イオンで衝撃する方法、
（４）レーザー、紫外線等の光で原料ガスを励起する方法、及び
（５）原料ガスを燃焼させる方法
上記いずれの方法も本発明に用いることが可能であり、いずれの方法を用いた場合にも、同様の効果を得ることができる。
【００３３】
上記ＣＶＤ法において用いられる反応ガス（ないし原料ガス）は、所定の基板上へのダイヤモンドの析出・成長が可能である限り特に制限されない。より具体的には例えば、この反応ガスとしては、ＣＨ4 をＨ2 で希釈した混合ガス、エチルアルコール又はアセトンをＨ2 で希釈した混合ガス、あるいはＣＯをＨ2 で希釈した混合ガス等が好適に使用可能である。
【００３４】
上記ＣＶＤ法としては、例えば、マイクロ波プラズマＣＶＤ法が好適に利用可能である。このマイクロ波プラズマＣＶＤにおいては、以下の条件が好ましく用いられる。
【００３５】
Ｈ2 流量：１００〜２００ＳＣＣＭ
ＣＨ4 流量：０．５〜８ＳＣＣＭ
パワー：３００〜４００Ｗ
基板温度：８５０〜９３０℃
膜厚：２〜１０μｍ
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
【００３６】
【実施例】
実施例１
面方位（１００）の人工の単結晶ダイヤモンド基板（タイプＩｂ）を研磨して、２ｍｍ×１．５ｍｍ×２００μｍの大きさを有する透明な板状のダイヤモンドを形成した。
【００３７】
上記で得たダイヤモンド板に、フォトリソグラフィ技術およびプラズマエッチングを用いて、「ＳＥＩ」の文字からなるマークを刻印した。このエッチング処理においては、図３に模式断面図を示すようなプラズマエッチング装置を用い、下記条件によりプラズマエッチングを行った。
【００３８】
＜プラズマエッチング条件＞
ＲＦ出力：１００Ｗ
全圧力：２０ｍＴｏｒｒ
エッチング時間：６０分間
ガス比  Ｏ2 ／（Ａｒ＋Ｏ2 ）：１％
上記文字の一つのサイズは、それぞれ１００μｍ×１００μｍ角、２０μｍ×２０μｍ角、および５μｍ×５μｍ角に入る大きさとした。本実施例においては、マーク部分が凸の部分からなるものと、凹の部分からなるものとの両者を形成した。該マークの深さ（高さ）として、０．１μｍ〜１００μｍの凹部または凸部が形成できた。
【００３９】
上記によりマークを付与したダイヤモンド試料を、１日中（２４時間）、砂または土の中で摩耗テスト装置（丸底フラスコ形状を有する容器中に、砂を入れ、砂の中に上記ダイヤモンド試料を入れて容器を回転させる；または、上記ダイヤモンド試料を摺動器に装着し、土の表面に擦りつける）を用いて捏ねて摩耗実験を行った後、その溝（凹部）または凸部の平均深さ（高さ）を表面粗さ計を用いて観察し、捏ねる前後の平均深さ（高さ）を比較した。
【００４０】
上記マークを付与したダイヤモンド板に代えて、シリコン（Ｓｉ）基板、他の金属（Ｆｅ、Ｃｕ）、あるいはプラスチック（ポリプロピレン）からなる板を用いた以外は、上記と同様にして摩耗実験を行った。得られた結果を下記表１に示す。
【００４１】
【表１】
0003651025.tif 000002
【００４２】
上記表１に示したように、上記マークを付与したダイヤモンド板においては、該マークの摩擦は全く観察されなかった。
【００４３】
別に、Ｓｉからなる基板上に、下記条件により形成したＣＶＤダイヤモンド  （多結晶膜）を形成した。上記ダイヤモンド板に代えて、このようにして形成したＣＶＤダイヤモンド多結晶膜を用いた以外は、上記と同様にしてプラズマエッチングおよび摩耗実験を行った。このようにＣＶＤダイヤモンド多結晶膜を用いた場合にも、上記ダイヤモンド板を用いた場合と同様に、良好な耐摩耗性が得られた。
【００４４】
＜ダイヤモンド層形成条件＞
マイクロ波プラズマＣＶＤ法
Ｈ2 流量：２００ＳＣＣＭ
ＣＨ4 流量：２ＳＣＣＭ
圧力：４０Ｔｏｒｒ
パワー：４００Ｗ
基板温度：９００℃
膜厚：６μｍ
実施例２
人工の単結晶（１００）基板（ｔｙｐｅ−Ｉｂ）を研磨して、実施例１と同様のサイズを有する透明なダイヤモンド板を作製した。
【００４５】
上記ダイヤモンド板の表面に、フォトリソグラフィ技術（マスク材：ＳｉＯ２、Ａｌ）およびプラズマエッチングを用いて、長さ１０μｍ、幅１μｍ、１０μｍ間隔のライン状の凹部（深さ：３μｍ）、および長さ１００μｍ、幅１０μｍ、１００μｍ間隔のライン状の凹部（深さ：３μｍ）を形成し、図４の模式断面図に示すような「タイプＡ」ダイヤモンド物差しを得た。
【００４６】
このエッチング処理においては、図３に模式断面図を示すようなプラズマエッチング装置を用い、下記条件によりプラズマエッチングを行った。
【００４７】
＜プラズマエッチング条件＞ＲＦ出力：２００Ｗ全圧力：２０ｍＴｏｒｒエッチング時間：１８０分間ガス比  Ｏ２  ／（Ａｒ＋Ｏ２  ）：１％上記で得た「タイプＡ」物差し上に、更に、ボロンドープ・ダイヤモンド膜（黒色、厚さ３μｍ）を、下記表２に示した条件下で図４に示すような工程で形成し、平坦化して、もう一つのタイプのダイヤモンド物差し（タイプＢ）を得た。
【００４８】
【表２】
0003651025.tif 000003
【００４９】
上記で形成した「タイプＡ」物差し、および「タイプＢ」物差しを光学顕微鏡で観察し、これらの物差しの目盛のサイズを確認した。次いで、微生物（アメー バ等）を含有する溶液中にこれらのダイヤモンド物差しを入れ、光学顕微鏡を用いて該ダイヤモンド物差し上の微生物の大きさを測定した。
【００５０】
上記ダイヤモンド物差しを用いずに、光学顕微鏡のみを用いて微生物の大きさを測定した場合には、上記溶液の屈折率の関係で、該微生物は、その本来の大きさと異なった大きさに観察された。これに対して、光学顕微鏡と上記ダイヤモンド物差しとを用いた場合には、（ダイヤモンド物差しは溶液中に存在するため）微生物の大きさを正確に測定できた。タイプＢの物差し（黒色目盛）を用いた場合、タイプＡの物差し（凹部目盛）に比べて、より容易に目盛りを観察することが可能であった。
【００５１】
これらのダイヤモンド物差しを用いた場合にも、上記微生物に対する有害な作用は観察されなかった。更に、これらのダイヤモンド物差しは、あらゆる酸（無機酸、有機酸）に対して非常に良好な耐久性を示し、酸やアルカリ中の微小物体のサイズを評価することが可能であった。
【００５２】
実施例３
人工の単結晶（１００）基板（Ｉｂ型）を研磨して、実施例２と同様の方法で「タイプＡ」物差しと「タイプＢ」物差しとを作製した。このようにして作製した物差しについて、高温状態（５００℃）で、物質（ＳＵＳ、またはＣｕ製、長さ１００μｍ）のサイズ測定を行った。
【００５３】
このような高温下では、プラスチック製（ポリプロピレン）の物差しでは測定不能であった。Ｆｅ系金属またはＣｕ系金属からなる物差し、ガラス（ＳｉＯ2 ）からなる物差し、およびＳｉからなる物差しを用いた場合の測定結果（０℃における長さに対する５００℃における誤差）と、上記ダイヤモンド物差しを用いた場合の測定結果との比較を下記表３に示す。
【００５４】
【表３】
0003651025.tif 000004
【００５５】
上記表３に示したように、Ｆｅ系金属またはＣｕ系金属からなる物差し、ガラス（ＳｉＯ2 ）からなる物差しを用いた場合には、正確性に欠ける測定結果しか得られなかった。
【００５６】
上記したように、本発明のマーク付きダイヤモンドは、該マークの特徴を損なうことなく、良好な耐磨耗性、耐腐食性、耐熱膨張性を発揮できることが判明した。
【００５７】
実施例４
実施例１と同様の方法により、単結晶ダイヤモンドおよび多結晶ダイヤモンドに、１ｍｍ角、０．１ｍｍ角、１０μｍ角、および１μｍ角のマーク（イニシャル）をそれぞれ形成した。
【００５８】
上記により作製されたマーク付きダイヤモンドのうち、１ｍｍ角のマークを付与したダイヤモンドにおいては、該マークはダイヤモンド自体の光沢を阻害する要因となった。他方、０．１ｍｍ以下のマークを付与したダイヤモンドにおいては、該マークの存在はダイヤモンド自体の光沢、美感等を実質的に阻害することはなく（すなわち、該マークの存在が邪魔なものとは感じられず）、ダイヤモンドの装飾品等としての価値を低下させることはなかった。
【００５９】
実施例５
実施例２と同様の方法により、単結晶ダイヤモンドおよび多結晶ダイヤモンドに、タイプＡおよびタイプＢの目盛をそれぞれ形成した。
【００６０】
このタイプＢの目盛形成に際しては、上記によるタイプＡおよびタイプＢの目盛形成に加え、実施例２のボロンドープ・ダイヤモンド膜形成を利用する方法に代えて、図５の模式断面図に示すようなイオン注入を利用する目盛形成をも行った。このようなイオン注入を利用する目盛形成においても、ボロンドープ・ダイヤモンド膜形成を利用した場合と同様の結果が得られた。
【００６１】
上記したタイプＡの目盛（溝タイプ）を有する物差しは、複数回の使用により溝の部分に異物（ゴミ等）が溜まり、清浄化した試料等の観察を阻害する場合があった。すなわち、清浄化した試料等の観察（異物の存在により阻害される可能性あり）においては、タイプＢ（ボロンドープによる黒色目盛）の物差しの使用が、より好ましかった。
【００６２】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、少なくとも１つの面に、マークを有することを特徴とするマーク付きダイヤモンドが提供される。
【００６３】
本発明によれば、更に、少なくとも１つの面にマークを有するマーク付きダイヤモンドの形成方法であって；フォトリソグラフィ技術を用いる直接ダイヤモンド加工により、前記マークを形成することを特徴とするマーク付きダイヤモンドの形成方法が提供される。
【００６４】
本発明のマーク付きダイヤモンドは、ダイヤモンドを少なくとも一部として含む製品（例えば、試験・研究用製品、工業用製品、日常的な製品等）に広く利用可能であり、特に、ダイヤモンドの耐磨耗性、耐腐食性、耐熱膨張性等を利用する製品に好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマーク付きダイヤモンドに形成すべき目盛状のマークの一態様を示す模式平面図である。
【図２】本発明のマーク付きダイヤモンドに形成すべき目盛状のマークの他の態様を示す模式平面図である。
【図３】本発明のマーク付きダイヤモンドの形成に使用可能なエッチング装置の一例を示す模式断面図である。
【図４】本発明のマーク付きダイヤモンドの形成方法の一態様を示す模式断面図である。
【図５】本発明のマーク付きダイヤモンドの形成方法の他の態様を示す模式断面図である。
【図１】
0003651025.tif 000005
【図２】
0003651025.tif 000006
【図３】
0003651025.tif 000007
【図４】
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【図５】
0003651025.tif 000009