(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に半導体素子を載置するための載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔または切欠き部から成る同軸コネクタの保持部材の取付部が設けられた枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成るとともに前記取付部に取り付けられた前記保持部材に保持された同軸コネクタとを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記保持部材は、前記枠体外側より前記同軸コネクタが挿着されるように前記枠体内側にかけて貫通孔が形成され、前記枠体内側の前記貫通孔の下方の部位に前記半導体素子と前記中心導体とを電気的に接続する線路導体が上面に形成された回路基板を上面に設置した棚部が設けられており、前記中心導体が前記絶縁体より突出し、かつ前記中心導体の前記枠体内面から前記枠体内部側に０．０３〜０．１５ｍｍの位置にある部位から前記回路基板に接続される先端までの部位の厚さがその残部の１０〜５０％とされた薄肉部となっており、該薄肉部とその残部との間になだらかな形状の段差が形成されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記線路導体は、前記中心導体との接続部が前記中心導体の幅の０．７〜０．９倍の幅狭部とされ、残部が前記中心導体と略同じ幅とされていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記同軸コネクタに前記線路導体を介して電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、信号入出力部に同軸コネクタを用いた半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信分野で用いられる半導体素子や、マイクロ波帯，ミリ波帯等の高周波信号で駆動される各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージという）には、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に接続するための入出力端子として同軸コネクタが用いられている。この同軸コネクタを具備した半導体パッケージを図６に断面図で示す。同図において、２１は基体、２２は枠体、２３は同軸コネクタ、２４は蓋体、２６は回路基板である。
【０００３】
基体２１は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）等の金属から成る略四角形の板状体であり、その上側主面の略中央部には、ＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子２５を搭載して成る回路基板２６を載置する載置部２１ａが形成されている。載置部２１ａには、半導体素子２５が、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）質セラミックス等から成る回路基板２６に搭載された状態で載置固定される。
【０００４】
なお、回路基板２６に搭載された半導体素子２５は、その電極が、回路基板２６に被着形成されている線路導体２６ａにボンディングワイヤ２７等を介して電気的に接続されている。
【０００５】
基体２１の上側主面の外周部には載置部２１ａを囲繞するようにして枠体２２が立設されており、枠体２２は基体２１とともにその内側に半導体素子２５を収容する空所を形成する。この枠体２２は基体２１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体２１と一体成形される、または基体２１に銀ろう等のろう材を介してろう付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって基体２１の上側主面の外周部に立設される。
【０００６】
枠体２２の側部には同軸コネクタ２３が嵌着される貫通孔２２ａが形成されており、貫通孔２２ａ内に同軸コネクタ２３を嵌め込むとともに半田等の封着材２８を貫通孔２２ａ内の隙間に挿入し、しかる後、加熱して封着材２８を溶融させ、溶融した封着材２８を毛細管現象により同軸コネクタ２３と貫通孔２２ａの内面との隙間に充填させることによって、同軸コネクタ２３が貫通孔２２ａ内に封着材２８を介して嵌着接合される。
【０００７】
同軸コネクタ２３は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体２３ａの中心軸部分に、信号線路としてＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る棒状の中心導体２３ｂが絶縁体２３ｃを介して固定されて成る。そして、接地導体としての外周導体２３ａが封着材２８を介して枠体２２に電気的に接続されており、特性インピーダンスに整合された同軸線路モードの信号線路を形成している。また、中心導体２３ｂが半田等から成る導電性接着材２６ｂを介して回路基板２６の線路導体２６ａに電気的に接続される。線路導体２６ａは、所定の特性インピーダンスに整合されたマイクロストリップ線路となっている。
【０００８】
そして、枠体２２の上面に蓋体２４をろう付け法やシームウエルド法等の溶接法によって接合し、基体２１、枠体２２および蓋体２４から成る容器内部に半導体素子２５を収容し気密に封止することによって製品としての半導体装置となる。
【０００９】
なお、図６において、２１ｂは基体２１を外部電気回路基板等にネジ止めするための貫通孔、２２ｂは同軸コネクタプラグ２９を嵌め込むための貫通孔、２９は同軸コネクタプラグ、３０は外部電気回路に接続された同軸ケーブルである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体パッケージでは、枠体２２内側に突出した同軸コネクタ２３の中心導体２３ｂが同軸構造となっていない。そのため、伝送される高周波信号の周波数が高くなると、同軸構造になっていない部分に発生するインピーダンスが非常に大きくなり、かつ信号の伝播モードにずれを生じていた。従って、中心導体２３ｂの枠体２２内側に突出していない部分と回路基板２６の線路導体２６ａとの間のインピーダンスのギャップおよび信号の伝播モードのずれが非常に大きくなっていた。その結果、高周波信号の入出力時における反射損失が大きくなり、半導体素子２５の作動性が劣化するという問題点を有していた。
【００１１】
即ち、上記従来の構成では、外周導体２３ａの内周面に覆われた中心導体２３ｂの部位、およびマイクロストリップ線路構造である線路導体２６ａでの高周波信号の伝播モードはＴＥＭ（Transverse Electro Magnetic）モードである。それに対して、枠体２２の内側に露出した中心導体２３ｂであって、線路導体２６ａとの接続部以外の部位の伝播モードはＴＥ（Transverse Electric）モードである。従って、高周波信号は、ＴＥＭモード、ＴＥモード、ＴＥＭモードと伝播モードが変化するため、伝播モードの変化部でインピーダンスがステップ状に変化し、高周波信号の反射損失が大きくなる。
【００１２】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、高周波信号の伝送効率に優れた半導体パッケージを提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子を載置するための載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するように接合され、側部に貫通孔または切欠き部から成る同軸コネクタの保持部材の取付部が設けられた枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成るとともに前記取付部に取り付けられた前記保持部材に保持された同軸コネクタとを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記保持部材は、前記枠体外側より前記同軸コネクタが挿着されるように前記枠体内側にかけて貫通孔が形成され、前記枠体内側の前記貫通孔の下方の部位に前記半導体素子と前記中心導体とを電気的に接続する線路導体が上面に形成された回路基板を上面に設置した棚部が設けられており、前記中心導体が前記絶縁体より突出し、かつ前記中心導体の前記枠体内面から前記枠体内部側に０．０３〜０．１５ｍｍの位置にある部位から前記回路基板に接続される先端までの部位の厚さがその残部の１０〜５０％とされた薄肉部となっており、該薄肉部とその残部との間になだらかな形状の段差が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体パッケージによれば、中心導体が絶縁体より突出し、かつ中心導体の枠体内面から枠体内部側に０．０３〜０．１５ｍｍの位置にある部位から回路基板に接続される先端までの部位の厚さがその残部の１０〜５０％とされていることから、中心導体の枠体内側に突出していない部分と、回路基板の線路導体との間のインピーダンスのギャップを小さくすることができ、高周波信号の入出力時における反射損失を極めて小さなものとすることができる。
【００１６】
即ち、高周波信号の伝送時に回路基板の線路導体で発生する電界の大きさは、同軸コネクタの中心導体が枠体内側にそのまま突出した場合にその部分に発生する電界の大きさよりも、中心導体の厚さが残部の厚さの１０〜５０％とした薄肉部に発生する電界の大きさに近いものとなる。そのため、中心導体の薄肉部を線路導体と接続することにより、線路導体と中心導体との間の電界の変化を緩やかなものにできる。その結果、中心導体と線路導体との接続部で、インピーダンスの急激な変化を抑えることができ、インピーダンスの変化により発生する反射損失を極めて小さくできる。
【００１７】
また、中心導体が枠体内面から突出する部位の近傍において、中心導体の厚さを枠体内面から枠体内部側に０．０３〜０．１５ｍｍの位置にある部位まで、その厚さを残部の１０〜５０％とした薄肉部としたため、その部位におけるインピーダンスは、中心導体の厚さがそのままの部分（薄肉部でない部分）と比較してインピーダンスが増加し、中心導体が枠体内側に突出する部位でさらにインピーダンスが増加する。その結果、従来中心導体が枠体内側に突出する部位において、急激にインピーダンスが増加していたのに対し、枠体内面から枠体内部側に０．０３〜０．１５ｍｍの位置にある薄肉部、中心導体が枠体内側に突出する部位の２箇所で段階的にインピーダンスを変化させて、急激なインピーダンスの変化を防止することとなり、中心導体で伝送される高周波信号の反射損失を抑制することができる。
【００１８】
さらに、線路導体との接続部において、中心導体は薄肉部であることから、特性インピーダンスに整合された線路導体の表面に中心導体が載置固定されても、接続部の容量成分の増加が最小限に抑えられ、接続部における信号線路のインピーダンスの低下を最小限に抑えることができる。その結果、接続部を特性インピーダンスに略整合させることができる。
【００１９】
以上の作用により、信号線路の全体においてインピーダンスの急激な変化を抑えることができ、高周波信号の入出力時の反射損失を小さくすることができ、伝送特性が良好となる。
【００２０】
また、本発明において、同軸コネクタの挿着部と回路基板設置用の棚部を同軸コネクタの保持部材に設けて保持部材を枠体に嵌着した場合、保持部材の厚みを枠体に比べ厚くするなどして保持部材の体積を大きくすることによって、半導体パッケージをネジ止め等により外部回路基板等に装着する際に枠体に加わる歪みが、保持部材で分散および吸収される。その結果、同軸コネクタと回路基板に不要な応力および歪みが伝わることを防止できる。
【００２１】
本発明において、好ましくは、前記線路導体は前記中心導体との接続部が前記中心導体の幅の０．７〜０．９倍の幅狭部とされ、残部が前記中心導体と略同じ幅とされていることを特徴とする。
【００２２】
本発明は、上記の構成により、接続部のインピーダンスを特性インピーダンスに略整合させ、半導体パッケージ内の信号線路の接続部で高周波信号の反射損失をより低減させ、高周波信号を効率よく伝送することができる。
【００２３】
また、本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記同軸コネクタに前記線路導体を介して電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００２４】
本発明は、上記の構成により、上記本発明の半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置を提供できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体パッケージを以下に詳細に説明する。図１は本発明の半導体パッケージについて実施の形態の一例を示す断面図であり、１は基体、２は枠体、３は同軸コネクタ、４は蓋体、６は回路基板である。
【００２６】
本発明の基体１はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法、または射出成形と切削加工等を施すことによって、所定の形状に製作される。基体１の上側主面の略中央部には、ＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子５を載置するための載置部１ａが設けられており、載置部１ａには半導体素子５が載置固定される。半導体素子５は、その電極が、回路基板６の上面に被着形成されている線路導体６ａにボンディングワイヤ７等を介して電気的に接続されている。つまり、線路導体６ａは、その一端側が中心導体３ｂに他端側が半導体素子５にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２７】
また、基体１の上側主面の外周部には載置部１ａを囲繞するようにして枠体２が立設されており、枠体２は基体１とともにその内側に半導体素子５を収容する空所を形成する。この枠体２は、基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体１と一体成形される、または基体１に銀ろう等のろう材を介してろう付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって基体１の上側主面の外周部に立設される。
【００２８】
枠体２の側部には同軸コネクタ３が嵌着される貫通孔２ｂが形成されている。貫通孔２ｂ内に同軸コネクタ３を嵌め込むとともに半田等の封着材８を貫通孔２ｂとの隙間に挿入する。しかる後、加熱して封着材８を溶融させ、溶融した封着材８は毛細管現象により同軸コネクタ３と貫通孔２ｂの内面との隙間に充填されることによって、同軸コネクタ３が貫通孔２ｂ内に封着材８を介して嵌着接合される。
【００２９】
枠体２の内面の貫通孔２ｂの下方の部位に棚部２ａが設けられ、棚部２ａ上面に回路基板６が設置される。回路基板６は半導体素子５と中心導体３ｂとを電気的に接続する線路導体６ａがその上面に形成されており、下面には接地導体層６ｃが形成されている。棚部２ａには半田等の接合材６ｅを載置し、接合材６ｅの上に回路基板６を接地導体層６ｃ側の面（下面）が接合材６ｅ側になるようにして載置する。しかる後、加熱して接合材６ｅを溶融させ、棚部２ａ上面に回路基板６が固定される。
【００３０】
同軸コネクタ３は、内部に収容する半導体素子５を外部の同軸ケーブル１０に電気的に接続するものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体３ａの中心軸に同じくＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る中心導体３ｂが絶縁体３ｃを介して固定された構造をしている。中心導体３ｂにより伝送される高周波信号は、貫通孔２ｂ，２ｃ部において貫通孔２ｂ，２ｃの中心軸を同軸線路のモードで伝送し、特性インピーダンス値に整合されている。中心導体３ｂが枠体２の内面から突出して線路導体６ａと半田等の導電性接着材６ｂにより接続された部分以降では、高周波信号は回路基板６の上面に被着形成された線路導体６ａ上で伝送される。
【００３１】
図２（ｂ）〜（ｅ）は、本発明の中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続部における線路方向に平行な面での部分断面図であり、中心導体３ｂの枠体２内面から枠体２内部側の薄肉部３ｄの長さをＬ１とする。本発明では、図２（ｂ）〜（ｅ）に示すように、中心導体３ｂが絶縁体３ｃより突出し、かつ中心導体３ｂの枠体２内面から枠体２内部側にＬ１＝０．０３〜０．１５ｍｍの位置にある部位から回路基板６に接続される先端までの部位の厚さがその残部の１０〜５０％とされた薄肉部３ｄとなっていることから、中心導体３ｂの枠体２内側に突出していない部分と、回路基板６の線路導体６ａとの間のインピーダンスのギャップを小さくすることができ、高周波信号の入出力時における反射損失を極めて小さなものとすることができる。
【００３２】
即ち、高周波信号の伝送時に線路導体６ａで発生する電界の大きさは、中心導体３ｂが枠体２内側にそのまま突出した場合（薄肉部３ｄがない場合）にその部分に発生する電界の大きさよりも、中心導体３ｂの厚さが残部の厚さの１０〜５０％とした薄肉部３ｄに発生する電界の大きさに近いものとなる。そのため、薄肉部３ｄを線路導体６ａと接続することにより、線路導体６ａと中心導体３ｂとの間の電界の変化を緩やかなものにできる。その結果、中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続部でインピーダンスの急激な変化を抑えることができ、インピーダンスの変化により発生する反射損失を極めて小さくできる。
【００３３】
また、中心導体３ｂが枠体２内面から突出する部位の近傍において、中心導体３ｂの厚さを枠体２内面から枠体２内部側にＬ１＝０．０３〜０．１５ｍｍの位置にある部位まで、その厚さを残部の１０〜５０％とした薄肉部３ｄとしたため、その部位におけるインピーダンスは、中心導体３ｂの厚さがそのままの部分（薄肉部３ｄでない部分）と比較してインピーダンスが増加し、中心導体３ｂが枠体２内側に突出する部位でさらにインピーダンスが増加する。その結果、従来、図６の中心導体２３ｂが枠体２２内側に突出する部位において、急激にインピーダンスが増加していたのに対し、枠体２内面から枠体２内部側にＬ１＝０．０３〜０．１５ｍｍの位置にある薄肉部３ｄ、中心導体３ｂが枠体２内側に突出する部位の２箇所で段階的にインピーダンスを変化させ、急激なインピーダンスの変化を防止することとなり、中心導体３ｂで伝送される高周波信号の反射損失を抑制することができる。
【００３４】
また、Ｌ１＜０．０３ｍｍの場合、枠体２内面から枠体２内部側での薄肉部３ｄの長さが短かすぎて、中心導体３ｂが枠体２内面から突出する部位の近傍での信号線路のインピーダンスの変化が急激となるため、中心導体３ｂが枠体２内面から突出する部位の近傍での高周波信号の反射損失を抑制できない。Ｌ１＞０．１５ｍｍの場合、枠体２内面から枠体２内部側で中心導体３ｂの特性インピーダンスに整合されていない薄肉部３ｄが長くなるため、薄肉部３ｄでの透過損失が大きくなり、信号線路の全体における高周波信号の損失を小さくすることができない。
【００３５】
薄肉部３ｄはその残部との間に段差を形成しており、その段差は、図２（ｂ）のように円弧状のなだらかなくぼんだ曲面である構成、図２（ｃ）のように傾斜面である構成等の種々の構成とすることができる。図２（ｂ），図２（ｃ）のように、段差をなだらかな形状とすることにより、表皮効果によって信号線路の表面近くを伝送する高周波信号の反射損失を抑えることができる。図２（ｃ）において、段差である傾斜面の傾斜角が３０〜６０°であるのが好ましく、信号線路の表面近くを伝送する高周波信号の反射損失を最小限に抑え、高周波信号を効率よく伝送させることが可能となる。
【００３６】
薄肉部３ｄと線路導体６ａとの接続部の構成は、図２（ｂ）〜（ｃ）に示すような中心導体３ｂの先端部の上側を切り欠いて形成した薄肉部３ｄが線路導体６ａに接続される構成、中心導体３ｂの先端部の下側を切り欠いて形成した薄肉部３ｄが線路導体６ａに接続される構成、図２（ｅ）に示すような中心導体３ｂの先端部の上側と下側とを切り欠いて形成した薄肉部３ｄが線路導体６ａに接続される構成とし得る。
【００３７】
さらに、中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続部（以下、単に「接続部」といえば線路導体６ａと中心導体３ｂとの接続部をいう）では、図３の線路方向に対し垂直な面での部分断面図に示すように、中心導体３ｂの厚みがその残部の１０〜５０％とされた薄肉部３ｄとなっている。この接続部においては、ＴＥＭモードとＴＥモードが混在したものとなるが、中心導体３ｂの薄肉部３ｄでの伝播モードはＴＥＭモードとなる。そのため、伝播モードの変化は非常に小さなものとなり、その結果、インピーダンスの変化が極めて緩やかになり、高周波信号の反射損失を非常に小さなものとすることができる。薄肉部３ｄが載置固定されることにより、線路導体６ａの表面に中心導体３ｂが載置固定されても、接続部の容量成分の増加が最小限に抑えられ、接続部における信号線路のインピーダンスの低下を最小限に抑えることができる。その結果、接続部でのインピーダンスが特性インピーダンスに近い値となり、半導体パッケージ内の信号線路の接続部で高周波信号の反射損失を低減させ、高周波信号を効率よく伝送させることができる。
【００３８】
即ち、線路導体６ａの容量成分は線路導体６ａと回路基板６下面の接地導体との間で発生しており、接続部ではほぼ中心導体３ｂの表面積の分だけ容量成分を発生させる対向電極の面積が増大することになるが、本発明のように接続部で中心導体３ｂを薄肉化することにより中心導体３ｂの表面積が小さくなり、容量成分を発生させる対向電極の面積が減少して容量成分が小さくなる。
【００３９】
また、中心導体３ｂの薄肉部３ｄの厚みがその残部の厚みの１０％未満では、薄肉部３ｄが薄すぎて折れ等の破損が生じ、中心導体３ｂで高周波信号を伝送できなくなる可能性がある。５０％を超える場合、薄肉部３ｄの接続部での容量成分の増加が大きくなり、接続部における信号線路のインピーダンスが大きく低下して、接続部における信号線路のインピーダンスが特性インピーダンスに比べ大幅に小さい値となり反射損失が大きくなる。
【００４０】
また、薄肉部３ｄの線路方向に垂直な面における断面形状は、図３のような半円形状のみならず、四角形等様々の形状とし得る。さらに、薄肉部３ｄの上面は回路基板６の下面に略平行な平坦面であることが好ましい。この場合、薄肉部３ｄの上面から出た電気力線は上方に延びるのみで回路基板６下面の接地導体に結合することがないため、薄肉部３ｄ上面が容量成分を生じる対向電極とはならない。即ち、薄肉部３ｄ上面は容量成分の増加に全く寄与することがなくなるため、容量成分の低減に有効な構成となる。
【００４１】
枠体２の貫通孔２ｃ内に挿入固定される同軸コネクタプラグ９は、外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０と枠体２に嵌着された同軸コネクタ３とを接続するためのプラグである。
【００４２】
そして、本発明の半導体パッケージは、半導体素子５の電極と回路基板６の上面に形成された線路導体６ａとを電気的に接続し、線路導体６ａと中心導体３ｂとを半田等の導電性接着材６ｂを介して電気的に接続し、しかる後、枠体２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体４を半田付け法やシームウエルド法により接合することにより製品としての半導体装置となる。この半導体装置は、基体１の対向する端部に設けられた貫通孔１ｂにネジを通してネジ止めすることで外部電気回路基板に実装される。また、同軸コネクタプラグ９と外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０とを接続することにより、内部に収容する半導体素子５が外部電気回路に電気的に接続され、半導体素子５が高周波信号で作動することとなる。
【００４３】
そして、図４は本発明の半導体パッケージについて実施の形態の他の例を示す断面図であり、１１は保持部材である。図４のように、保持部材１１に設けられた、枠体２内外を貫通する貫通孔１１ｂに、同軸コネクタ３を外側より挿着保持し、保持部材１１を枠体２に嵌着させる。なお、図４において図１と同じ部位には同じ符号を付している。
【００４４】
枠体２の側部には保持部材１１が嵌着される取付部２ｄが形成されている。取付部２ｄは、枠体２内外を貫通する貫通孔であったり、枠体２の基体１との接合面側から逆Ｕ字型に切り欠いて枠体２内外を貫通する切欠き部であったり、枠体２の蓋体４との接合面側からＵ字型に切り欠いて枠体２内外を貫通する切欠き部であれば良い。
【００４５】
保持部材１１には、回路基板６を上面に設置するための棚部１１ａと、同軸コネクタ３を挿着するための貫通孔１１ｂが設けられている。棚部１１ａには半田等の接合材６ｅを載置し、接合材６ｅ上に線路導体６ａと接地導体層６ｃとを具備した回路基板６を、接地導体層６ｃ側の面（下面）が接合材６ｅ側になるようにして設置する。貫通孔１１ｂは枠体２外側より同軸コネクタ３が挿着されるように枠体２内側にかけて形成され、貫通孔１１ｂ内には同軸コネクタ３を嵌め込むとともに半田等の封着材８を貫通孔１１ｂとの隙間に挿入する。中心導体３ｂの先端部は、回路基板６の上面に突出させ、中心導体３ｂの先端部と線路導体６ａ上面の端部との間に半田等の導電性接着材６ｂを載置する。
【００４６】
しかる後、加熱して接合材６ｅと封着材８および導電性接着材６ｂを溶融させ、接合材６ｅにより回路基板６が棚部１１ａに強固に固定され、溶融した封着材８は毛細管現象により外周導体３ａと貫通孔１１ｂの内面との隙間に充填されることによって、外周導体３ａが貫通孔１１ｂ内に半田等の封着材８を介して挿着され、導電性接着材６ｂにより中心導体３ｂと線路導体６ａとが接続される。
【００４７】
中心導体３ｂで伝送される高周波信号は、貫通孔１１ｂ，１１ｃ部において貫通孔１１ｂ，１１ｃの中心軸によって伝送されることにより同軸線路を伝送され、保持部材１１の枠体２内側の面から出て線路導体６ａおよび導電性接着材６ｂに達した後は、マイクロストリップ線路となっている線路導体６ａ上を伝送される。この同軸線路とマイクロストリップ線路は所定の特性インピーダンス値に整合されている。導電性接着材６ｂによる接続部において、中心導体３ｂの先端部の位置、線路導体６ａの位置、および導電性接着材６ｂの量により、信号線路のインピーダンスが所定値に設定されている。このようにして、半導体パッケージ内において、反射損失や透過損失等の伝送損失のない良好な信号線路が形成される。
【００４８】
保持部材１１の貫通孔１１ｃ内に挿入固定される同軸コネクタプラグ９は、外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０と保持部材１１に挿着された同軸コネクタ３とを接続するためのプラグであり、その外周面はネジ状となっており、内周面にネジ切りを有する貫通孔１１ｃにネジ止めされる。
【００４９】
そして、本発明の半導体パッケージは、半導体素子５の電極と回路基板６の上面に被着された線路導体６ａとをボンディングワイヤ７により電気的に接続し、しかる後、枠体２上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体４を半田付け法やシームウエルド法により接合することにより、製品としての半導体装置となる。この半導体装置は、基体１の対向する端部に設けられた貫通孔１ｂをネジ止めすることで外部電気回路基板に実装され、同軸コネクタプラグ９と外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０とを接続することにより、内部に収容する半導体素子５が外部電気回路に電気的に接続され、半導体素子５が高周波信号で作動することとなる。
【００５０】
この構成において、同軸コネクタ３および回路基板６が保持部材１１に保持され、保持部材１１が枠体２に嵌着されて取り付けられる。基体１の端部を貫通孔１ｂにネジを通してネジ止め等して半導体パッケージを外部回路基板等に装着する際、枠体２に歪みが発生した場合においても、枠体２から同軸コネクタ３および回路基板６に伝わろうとする歪みは、保持部材１１で分散および吸収される。従って、同軸コネクタ３および回路基板６に加わる応力や歪みを小さくすることができ、絶縁体３ｃと回路基板６にクラックが発生するのを防止できる。保持部材１１で歪みを有効に分散させるためには、つまり単位体積当たりの変形を小さくさせかつ歪みを吸収させるためには、保持部材１１の体積が大きいのがよく、保持部材１１の厚みを枠体２より肉厚にするなどして体積を大きくする。
【００５１】
図５は回路基板６の平面図であるが、好ましくは同図に示すように、線路導体６ａは中心導体３ｂとの接続部が中心導体３ｂの幅の０．７〜０．９倍の幅狭部６ｆとされ、残部が中心導体３ｂと略同じ幅とされているのがよい。即ち、幅狭部６ｆを除く線路導体６ａの幅をＷ１、幅狭部６ｆの幅をＷ２、中心導体３ｂの幅をｄとしたとき、０．７ｄ≦Ｗ２≦０．９ｄ，Ｗ１＞Ｗ２となっている。なお、Ｗ１とｄについては、０．９ｄ≦Ｗ１≦１．１ｄといった程度の範囲内で略同じ幅であればよい。
【００５２】
この構成により、幅狭部６ｆを除く部分の線路導体６ａを特性インピーダンス値に整合させ、幅狭部６ｆ部においては特性インピーダンス値よりも高いインピーダンス値とすることができる。幅狭部６ｆと線路導体６ａの残部との間で線路幅に段差が生じるが、この段差部については、幅狭部６ｆから幅の広い線路導体６ａへ変化している傾斜部の線路導体６ａに対する傾斜角度θは３０〜６０°として連続的に線路幅を変化させるのがよく、この場合反射損失による高周波信号の減衰を抑制することができる。
【００５３】
また、図３に示すように、線路導体６ａと中心導体３ｂとを接続することにより、接続部では信号線路が中心導体３ｂ，線路導体６ａおよび導電性接着材６ｂとなっている。線路導体６ａのみが信号線路である場合と比して、信号線路の容量成分が増加し、接続部のインピーダンスが低下することとなる。従って、接続部における線路導体６ａを幅狭部６ｆとして、幅狭部６ｆ単体のインピーダンス値は特性インピーダンスより高い値とし、接続部における中心導体３ｂの厚みを接続部以外の残部における厚みの１０〜５０％とした薄肉部３ｄとし、接続部における信号線路の容量成分の増加を最小限に抑える。これにより、中心導体３ｂを接続して接続部のインピーダンスが低下しても、接続部を特性インピーダンスに略整合させることができる。また接続部は、導電性接着材６ｂの量を適宜調整して、信号線路のインピーダンスを整合している。このようにして、半導体パッケージ内において、反射損失や透過損失等の伝送損失の小さい良好な伝送特性の信号線路が形成される。
【００５４】
本発明における高周波信号の好ましい周波数は５〜１００ＧＨｚ程度であり、この場合に高周波信号の伝送特性を良好なものとすることができる。
【００５５】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【００５６】
【発明の効果】
本発明は、枠体内面の貫通孔の下方の部位に半導体素子と中心導体とを電気的に接続する線路導体が上面に形成された回路基板を上面に設置した棚部が設けられており、中心導体が絶縁体より突出し、かつ中心導体の枠体内面から枠体内部側に０．０３〜０．１５ｍｍの位置にある部位から回路基板に接続される先端までの部位の厚さがその残部の１０〜５０％とされていることから、中心導体の枠体内側に突出していない部分と、回路基板の線路導体との間のインピーダンスのギャップを小さくすることができ、高周波信号の入出力時における反射損失を極めて小さなものとすることができる。また、回路基板は枠体の内面の棚部に設置されるため、半導体パッケージが大幅に小型化されるという効果も有する。
【００５７】
また本発明は、同軸コネクタの保持部材は、枠体外側より同軸コネクタが挿着されるように枠体内側にかけて貫通孔が形成され、枠体内側の貫通孔の下方の部位に半導体素子と中心導体とを電気的に接続する線路導体が上面に形成された回路基板を上面に設置した棚部が設けられており、中心導体が絶縁体より突出し、かつ中心導体の枠体内面から枠体内部側に０．０３〜０．１５ｍｍの位置にある部位から回路基板に接続される先端までの部位の厚さがその残部の１０〜５０％とされていることから、基体をネジ止め等によって外部回路基板等に固定する際、枠体に歪みが発生した場合においても、枠体から同軸コネクタおよび回路基板に伝わろうとする歪みは保持部材で分散および吸収され、同軸コネクタの絶縁体と回路基板にクラックが発生するのを防止できる。その結果、同軸コネクタの絶縁体にクラックが発生するのを防止して半導体パッケージの気密の信頼性が向上するとともに、同軸コネクタの中心導体で伝送される高周波信号の伝送特性を向上させることができ、回路基板にクラックが発生するのを防止して線路導体の断線を防止し高周波信号の伝送特性を向上させ得る。また、回路基板は保持部材の枠体内側の棚部に設置されるため、半導体パッケージが大幅に小型化されるという効果も有する。
【００５８】
本発明は、好ましくは、線路導体は中心導体との接続部が中心導体の幅の０．７〜０．９倍の幅狭部とされ、残部が中心導体と略同じ幅とされることにより、接続部のインピーダンスを特性インピーダンスに略整合させ、半導体パッケージ内の信号線路の接続部で高周波信号の反射損失をより低減させ、高周波信号を効率よく伝送することができる。
【００５９】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定されるとともに同軸コネクタに線路導体を介して電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことにより、上記本発明の作用効果を有する半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の例を示す断面図である。
【図２】（ｂ）〜（ｅ）は本発明の半導体パッケージについて実施の形態の各種例を示し、半導体パッケージ内に収容された回路基板の接続部の線路方向に平行な面における部分断面図である。
【図３】本発明の半導体パッケージ内に収容された回路基板の接続部の線路方向に垂直な面における部分断面図である。
【図４】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図５】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の他の例を示し、半導体パッケージ内に収容された回路基板の平面図である。
【図６】従来の半導体パッケージの断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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