(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方面に下電極層、圧電体層及び上電極層を順次積層してなる多層膜構造を有する薄膜デバイスの製造方法において、
前記下電極層を形成する工程と、
この下電極層上に当該下電極層の少なくとも一部が露出する露出部を有するように前記圧電体層を形成する工程と、
この圧電体層上に少なくとも前記露出部を介して前記下電極層と接続される前記上電極層を形成する工程と、を備え、
前記圧電体層及び前記上電極層をドライエッチングによりパターニングする際に少なくとも前記上電極層を接地することを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記下電極層をドライエッチングによりパターニングする際に少なくとも前記上電極層を接地することを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜デバイス及びその製造方法に関し、特に、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板の表面の圧電体層を形成して、圧電体層の変位によりインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
インクジェット式記録ヘッドには、圧力発生室を機械的に変形させてインクを加圧する圧電振動型と、圧力発生室の中に発熱素子を設け、発熱素子の熱で発生した気泡の圧力によりインクを加圧するバブルジェット型との２種類のものが存在する。そして圧電振動型の記録ヘッドは、さらに軸方向に変位する圧電振動子を使用した第１の記録ヘッドと、たわみ変位する圧電振動子を使用した第２の記録ヘッドとの２種類に分類される。第１の記録ヘッドは、高速駆動が可能でかつ高い密度での記録が可能である反面、圧電振動子の加工に切削作業が伴ったり、また圧電振動子を圧力発生室に固定する際に３次元的組立作業を必要として、製造の工程数が多くなるという問題がある。
【０００３】
これに対して、第２の記録ヘッドは、シリコン単結晶基板を基材に使用して、圧力発生室やリザーバ等の流路を異方性エッチングにより形成し、また圧電振動子を圧電材料のスパッタリング等の膜形成技術で形成する手法により、弾性膜を極めて薄く、また圧力発生室や圧電振動子を高い精度で形成できるため、圧力発生室の開口面積を可及的に小さくして記録密度の向上を図ることが可能となる。
【０００４】
一方、後者の記録ヘッドの不都合を解消すべく、特開平５−２８６１３１号公報に見られるように、振動板の表面全体に亙って薄膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生室毎に独立するように圧電振動子を形成したものが提案させている。
【０００５】
これによれば圧電振動子を振動板に貼付ける作業が不要となって、リソグラフィ法という精密で、かつ簡便な手法で圧電振動子を作り付けることができるばかりでなく、圧電振動子の厚みを薄くできて高速駆動が可能になるという利点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したリソグラフィ法では、通常、圧電体層及び上電極層をイオンミリングなどのドライエッチングによりパターニングするが、この際、圧電体層がダメージを受けて圧電特性が低下するという問題がある。これは、エッチングの際に、上電極層に電荷が溜まって上下電極間で電位差が生じるためと推察される。また、これを防止するために、エッチングの際にイオンガンと被エッチング基板との間にニュートライザを設置してイオンガンからのイオンを電子で中和しながらエッチングする方法があるが、この場合にも、上下電極間には電圧差が生じることになり、圧電体層の圧電特性の低下を完全に防止することはできない。
【０００７】
このような問題は、インクジェット式記録ヘッドだけではなく、圧電体層を用いる薄膜デバイスにおいて共通して生じる。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑み、圧電体層の圧電特性の低下を防止した薄膜デバイス及びその製造方法を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の態様は、基板の一方面に下電極層、圧電体層及び上電極層を順次積層してなる多層膜構造を有する薄膜デバイスの製造方法において、前記下電極層を形成する工程と、この下電極層上に当該下電極層の少なくとも一部が露出する露出部を有するように前記圧電体層を形成する工程と、この圧電体層上に少なくとも前記露出部を介して前記下電極層と接続される前記上電極層を形成する工程と、を備え、前記圧電体層及び前記上電極層をドライエッチングによりパターニングする際に少なくとも前記上電極層を接地することを特徴とする薄膜デバイスの製造方法にある。
【００１０】
かかる態様では、下電極層と上電極層とが露出部で接続され、両者間の電位差が無い状態でパターニングできる。
【００１１】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記接地用パターンは、前記基板の端部まで前記下電極層上に延設された前記圧電体層及び前記上電極層からなることを特徴とする薄膜デバイスにある。
【００１２】
かかる第２の態様では、基板の端部まで延設された上電極層が、接地された状態でパターニングできる。
【００１３】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記接地用パターンの痕跡は、前記基板の端部まで前記下電極層上に延設された前記圧電体層からなることを特徴とする薄膜デバイスにある。
【００１４】
かかる第３の態様では、基板の端部まで延設された圧電体層上の上電極層を接地した状態で圧電体層をパターニングした後、不要な上電極層のみを除去することにより、圧電特性を低下させることなくパターニングできる。
【００１５】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記基板は、インクジェット記録ヘッドの流路形成基板であり、当該基板は他方面にノズル開口に連通すると共に複数の隔壁で区画された圧力発生室の列を備え、前記一方面に形成された前記多層膜構造は、前記圧力発生室の一部を構成する振動板上の前記圧力発生室に対向する領域に形成された圧電体能動部を構成することを特徴とする薄膜デバイスにある。
【００１６】
かかる第４の態様では、圧電体層の圧電特性の低下させることなく圧電体能動部をパターニングすることができる。
【００１７】
本発明の第５の態様は、第４の態様において、前記接地用パターンの痕跡は、前記各圧力発生室に対向する領域に設けられた前記圧電体能動部同士を相互に連結する前記圧電体層からなる連結部を含むことを特徴とする薄膜デバイスにある。
【００１８】
かかる第５の態様では、連結部上の上電極層を介して、各圧電体能動部を接地した状態でパターニングし、各圧電体能動部を接続する上電極層を除去することにより、圧電特性を低下させることなくパターニングできる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドを示す組立斜視図であり、図２（ａ）及び（ｂ）は、その１つの圧力発生室の長手方向及びそれに交差する方向におけるそれぞれの断面構造を示す図である。
【００３１】
図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなる。流路形成基板１０としては、通常、１５０〜３００μｍ程度の厚さのものが用いられ、望ましくは１８０〜２８０μｍ程度、より望ましくは２２０μｍ程度の厚さのものが好適である。これは、隣接する圧力発生室間の隔壁の剛性を保ちつつ、配列密度を高くできるからである。
【００３２】
流路形成基板１０の一方の面は開口面となり、他方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ０．１〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００３３】
一方、流路形成基板１０の開口面には、シリコン単結晶基板を異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１により区画された圧力発生室１２の列１３が２列と、２列の圧力発生室１２の三方を囲むように略コ字状に配置されたリザーバ１４と、各圧力発生室１２とリザーバ１４とを一定の流体抵抗で連通するインク供給口１５がそれぞれ形成されている。なお、リザーバ１４の略中央部には、外部から当該リザーバ１４にインクを供給するためのインク導入孔１６が形成されている。
【００３４】
ここで、異方性エッチングは、シリコン単結晶基板をＫＯＨ等のアルカリ溶液に浸漬すると、徐々に侵食されて（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面と、この第１の（１１１）面と約７０度の角度をなし且つ上記（１１０）と約３５度の角度をなす第２の（１１１）面とが出現し、（１１０）面のエッチングレートと比較して（１１１）面のエッチングレートが約１／１８０であるという性質を利用して行われるものである。かかる異方性エッチングにより、二つの第１の（１１１）面と斜めの二つの第２の（１１１）面とで形成される平行四辺形状の深さ加工を基本として精密加工を行うことができ、圧力発生室１２を高密度に配列することができる。
【００３５】
本実施形態では、各圧力発生室１２の長辺を第１の（１１１）面で、短辺を第２の（１１１）面で形成している。この圧力発生室１２は、流路形成基板１０をほぼ貫通して弾性膜５０に達するまでエッチングすることにより形成されている。ここで、弾性膜５０は、シリコン単結晶基板をエッチングするアルカリ溶液に侵される量がきわめて小さい。また各圧力発生室１２の一端に連通する各インク供給口１５は、圧力発生室１２より浅く形成されている。すなわち、インク供給口１５は、シリコン単結晶基板を厚さ方向に途中までエッチング（ハーフエッチング）することにより形成されている。なお、ハーフエッチングは、エッチング時間の調整により行われる。
【００３６】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給口１５とは反対側で連通するノズル開口１７が穿設されたノズルプレート１８が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。なお、ノズルプレート１８は、厚さが例えば、０．１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、又は不錆鋼などからなる。ノズルプレート１８は、一方の面で流路形成基板１０の一面を全面的に覆い、シリコン単結晶基板を衝撃や外力から保護する補強板の役目も果たす。
【００３７】
ここで、インク滴吐出圧力をインクに与える圧力発生室１２の大きさと、インク滴を吐出するノズル開口１７の大きさとは、吐出するインク滴の量、吐出スピード、吐出周波数に応じて最適化される。例えば、１インチ当たり３６０個のインク滴を記録する場合、ノズル開口１７は数十μｍの径で精度よく形成する必要がある。
【００３８】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側の弾性膜５０の上には、厚さが例えば、約０．５μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１μｍの圧電体膜７０と、厚さが例えば、約０．１μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電振動子（圧電素子）を構成している。このように、弾性膜５０の各圧力発生室１２に対向する領域には、各圧力発生室１２毎に独立して圧電振動子が設けられている。本実施形態では、下電極膜６０を圧電振動子の共通電極とし、上電極膜８０を圧電振動子の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室１２毎に圧電体能動部が形成されていることになる。本実施形態では、詳細を後述するように、圧力発生室１２毎に圧電体膜７０及び上電極膜８０を形成している。
【００３９】
そして、このような流路形成基板１０及びノズルプレート１８は、これらを保持する凹部を有する固定部材２０に固定される。
【００４０】
ここで、シリコン単結晶基板からなる流路形成基板１０上に、圧電体膜７０等を形成するプロセスを図３及び図４を参照しながら説明する。
【００４１】
図３（ａ）に示すように、まず、流路形成基板１０となるシリコン単結晶基板のウェハを約１１００℃の拡散炉で熱酸化して二酸化シリコンからなる弾性膜５０を形成する。
【００４２】
次に、図３（ｂ）に示すように、スパッタリングで下電極膜６０を形成する。下電極膜６０の材料としては、Ｐｔ等が好適である。これは、スパッタリングやゾル−ゲル法で成膜する後述の圧電体膜７０は、成膜後に大気雰囲気下又は酸素雰囲気下で６００〜１０００℃程度の温度で焼成して結晶化させる必要があるからである。すなわち、下電極膜７０の材料は、このような高温、酸化雰囲気下で導電性を保持できなければならず、殊に、圧電体膜７０としてＰＺＴを用いた場合には、ＰｂＯの拡散による導電性の変化が少ないことが望ましく、これらの理由からＰｔが好適である。
【００４３】
次に、図３（ｃ）に示すように、圧電体膜７０を成膜する。この圧電体膜７０の成膜にはスパッタリングを用いることもできるが、本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体膜７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いている。圧電体膜７０の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）系の材料がインクジェット式記録ヘッドに使用する場合には好適である。
【００４４】
次に、図３（ｄ）に示すように、上電極膜８０を成膜する。上電極膜８０は、導電性の高い材料であればよく、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等の多くの金属や、導電性酸化物等を使用できる。本実施形態では、Ｐｔをスパッタリングにより成膜している。
【００４５】
次に、図３（ｅ）に示すように、各圧力発生室１２それぞれに対して圧電振動子を配設するように、上電極膜８０及び圧電体膜７０のパターニングを行う。図３（ｅ）では圧電体膜７０を上電極膜８０と同一のパターンでパターニングを行った場合を示しているが、上述したように、圧電体膜７０は必ずしもパターニングを行う必要はない。これは、上電極膜８０のパターンを個別電極として電圧を印加した場合、電界はそれぞれの上電極膜８０と、共通電極である下電極膜６０との間にかかるのみで、その他の部位には何ら影響を与えないためである。しかしながら、この場合には、同一の排除体積を得るためには大きな電圧印加が必要となるため、圧電体膜７０もパターニングするのが好ましい。また、この後、下電極膜６０をパターニングして不要な部分を除去する。
【００４６】
ここで、パターニングには、レジストパターンを形成した後、エッチング等を行うことにより実施する。
【００４７】
レジストパターンは、例えば、ネガレジストをスピンコートなどにより塗布し、所定形状のマスクを用いて露光・現像・ベークを行うことにより形成する。なお、勿論、ネガレジストの代わりにポジレジストを用いてもよい。
【００４８】
また、エッチングは、ドライエッチング装置、例えば、イオンミリング装置を用いて二酸化シリコン膜が露出するまで行う。なお、エッチング後には、レジストパターンをアッシング装置等を用いて除去する。
【００４９】
また、ドライエッチング法としては、イオンミリング法以外に、反応性エッチング法等を用いてもよい。また、ドライエッチングの代わりにウェットエッチングを用いることも可能であるが、ドライエッチング法と比較してパターニング精度が多少劣り、上電極膜８０の材料も制限されるので、ドライエッチングを用いるのが好ましい。
【００５０】
本実施形態では、上述したように圧電体膜７０及び上電極膜８０をパターニングして圧電体能動部３２０を形成する際に、上電極膜８０及び下電極膜６０を接地させるようにしている。すなわち、図４に示すように、各圧力発生室１２に対向する圧電体膜７０及び上電極膜８０を含む圧電体能動部３２０の一端部から延設される接地用延設部３３１及びこれらを連結し、流路形成基板１０の端部まで延設されている接地連結用パターン３３２を設け、これを後述するようにウェハの端部に設けた接地部まで接続して接地するようにしたものである。
【００５１】
図５は、このように接地した状態で圧電体能動部３２０をパターニングする際のウェハ全体を模式的に示したものであり、各流路形成基板１０の上述した接地連結用パターン３３２を連結し、ウェハ１の端部に設けた接地部３３０まで延設された接地連結用パターン３４０が設けられている。
【００５２】
ここで、接地部３３０は、下電極膜６０と上電極膜８０とを短絡させて接地したものである。例えば、図６に模式的に示すように、ウェハ１に形成された弾性膜５０上に下電極膜６０を形成し（図６（ａ）及び（ｂ））、この上に圧電体層６０を、例えば、ゾル−ゲル法で形成する際に、ウェハ１の外縁部のみをリンスすることにより、外縁部の下電極膜６０を露出する（図６（ｃ））。そして、この上に上電極膜８０を形成することにより、下電極膜６０と上電極膜８０との短絡部３３５が形成される。従って、この短絡部３３５を介して接地を行うことにより、下電極膜６０及び上電極膜８０の両者が接地される。
【００５３】
このように圧電体能動部３２０をパターニングする際に、各圧電体能動部３２０の上電極膜８０及び下電極膜６０を、接地用パターンを介して接地部３３０で接地するようにすると、上電極膜８０に電荷がたまることなくパターニングされる。したがって、上下電極間で電位差を生じることが無く、パターニングの際に圧電体膜７０が受けるダメージを低減することができる。
【００５４】
その後、接地用パターンとして流路形成基板１０内に設けた接地用延設部３３１及び接地連結用パターン３３２の少なくとも上電極膜８０を除去して各圧電体能動部３２０の接続を絶つ。なお、この場合、圧電体能動部３２０より幅狭に形成した接地用延設部３３１の上電極膜８０は除去しなくてもよい。また、接地用延設部３３１及び接地連結用パターン３３２は、圧電体膜７０まで除去してもよい。何れにしても、各圧電体能動部３２０の少なくとも圧電体膜７０、または圧電体層７０が圧電体能動部３２０のパターニングとは別に除去された痕跡が流路形成基板１０の端部まで延設されることになる。なお、各流路形成基板１０の外部のウェハ１上に形成された接地連結用パターン３４０は、各流路形成基板１０への切断の際に除去されるので、特に除去する必要はない。
【００５５】
なお、上述した例では、下電極膜６０と上電極膜８０とを短絡させた接地部３３０を設けて両者を接地するようにしたが、ウェハ１内に薄膜形成の際に必ずしも接地部を設ける必要はなく、薄膜形成後に接地部を設けるようにしてもよい。また、下電極膜６０は必ずしも接地する必要はなく、上電極膜８０のみを接地するようにしてもよい。
【００５６】
次に、このように形成された圧電体能動部３２０へのリード電極の接続等の手順を説明する。
【００５７】
まず、図７（ａ）に示すように、上電極膜８０の周縁部及び圧電体膜７０の側面を覆うように絶縁体層９０を形成する。この絶縁体層９０の好適な材料は上述した通りであるが、本実施形態ではネガ型の感光性ポリイミドを用いている。
【００５８】
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁体層９０をパターニングすることにより、各連通部１４に対向する部分にコンタクトホール９０ａを形成する。このコンタクトホール９０ａは、一端が接続端子部に延びるリード電極１００と上電極膜８０との接続をするためのものである。
【００５９】
次に、例えば、Ｃｒ−Ａｕなどの導電体を全面に成膜した後、パターニングすることにより、リード電極１００を形成する。
【００６０】
以上が膜形成プロセスである。このようにして膜形成を行った後、図７（ｃ）に示すように、前述したアルカリ溶液によるシリコン単結晶基板の異方性エッチングを行い、圧力発生室１２等を形成する。なお、以上説明した一連の膜形成及び異方性エッチングは、一枚のウェハ上に多数のチップを同時に形成し、プロセス終了後、図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０毎に分割する。
【００６１】
このように構成したインクジェットヘッドは、図示しない外部インク供給手段と接続したインク導入口１６からインクを取り込み、リザーバ１４からノズル開口１７に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない外部の駆動回路からの記録信号に従い、リード電極１００を介して下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０と圧電体膜７０とをたわみ変形させることにより、圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口１７からインク滴が吐出する。
【００６２】
（実施形態２）
図８は、実施形態２にかかる圧電体能動部のパターンを示す図である。
【００６３】
本実施形態は、図８に示すように、流路形成基板１０上に圧電体能動部３２０をパターニングする際、幅方向に隣接する圧電体能動部３２０の長手方向略中央部に、相互に連結する接地用連結部３３３を設け、流路形成基板１０の端部まで接地連結用パターン３３４を設けた以外は、基本的には実施形態１と同様である。したがって、上述したように、接地連結用パターン３３４を介して少なくとも上電極膜８０を接地しながら、圧電体能動部３２０のパターニングを行うことができ、圧電体膜７０の圧電特性の低下を防止することができる。
【００６４】
また、各接地用連結部３３３は、パターニング後、少なくとも上電極膜８０を除去するようにすればよい点も上述した実施形態と同様である。したがって、各圧電体能動部３２０間の接地用連結部３３３の上電極膜８０のみ、又は上電極膜８０及び圧電体膜７０を除去した接地用パターンの痕跡が残ることになる。
【００６５】
このような構成により、実施形態１と同様に、圧電体能動部をパターニングする際の圧電体膜のダメージを低減することができるという効果を奏する。
【００６６】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態を説明したが、インクジェット式記録ヘッドの基本的構成は上述したものに限定されるものではない。
【００６７】
例えば、上述したように各圧電体能動部３２０を連結するためのパターンを流路形成基板１０内に設ける必要はなく、各圧電体能動部３２０のからの上電極膜８０をそれぞれ流路形成基板１０の端部まで延設するようにしてもよい。この一例を図９に示す。この実施形態は、圧電体能動部３２０の圧電体膜７０及び上電極膜８０を圧力発生室１２に対向する領域外まで延設し、コンタクトホール及びリード電極を設けない例であるが、各圧電体能動部３２０毎に、流路形成基板１０の端部まで延設された接地用延設部３３５が設けられている。
【００６８】
したがって、上述したように、接地用延設部３３５を介して少なくとも上電極膜８０を接地しながら、圧電体能動部３２０のパターニングを行うことができ、圧電体膜７０の圧電特性の低下を防止することができる。なお、この場合、各圧電体能動部３２０の上電極膜８０は、互いに独立されているので、連結用パターンを除去する必要がないという利点がある。従って、この場合には、接地用パターンがそのまま残留することになる。勿論、接地用延設部３３５の上電極膜８０のみ、又は上電極膜８０及び圧電体膜７０を除去してもよく、この場合には、接地用パターンの痕跡が残留する。
【００６９】
また、例えば、図１０（ａ）に示すように、各圧電体能動部３２０毎に接地する場合には、圧電体能動部３２０と同幅のパターンを流路形成基板１０の端部まで延設した接地用延設部３３６を設けてもよい。この接地用延設部３３６は、そのまま残すこともできるが、図１０（ｂ）に示すように、上電極膜８０のみを除去して圧電体膜７０を残し、その上に、リード電極１００を設けるようにしてもよい（図１０（ｃ））。
【００７０】
また、例えば、図１１（ａ）に示すように、圧電体能動部３２０の延長部から幅方向にずれた位置に接地用延設部３３７を設けてもよい。この接地用延設部３３７は、そのまま残すこともできるが、図１１（ｂ）に示すように、上電極膜８０のみを除去して圧電体膜７０を残し、圧電体能動部３２０の延長部にはリード電極１００を設けるようにしてもよい。
【００７１】
何れにしても、このような構成により、実施形態１と同様に、圧電体能動部をパターニングする際の圧電体膜のダメージを低減することができるという効果を奏する。
【００７２】
また、上述した実施形態では、流路形成基板１０に圧力発生室１２と共にリザーバ１４を形成しているが、共通インク室を形成する部材を流路形成基板に重ねて設けてもよい。
【００７３】
さらに、上述した実施形態では、上電極膜とリード電極との接続部は、何れの場所に設けてもよく、圧力発生室の何れの端部でも又は中央部であってもよい。
【００７４】
また、圧電振動子とリード電極との間に絶縁体層を設けた例を説明したが、これに限定されず、例えば、絶縁体層を設けないで、各上電極に異方性導電膜を熱溶着し、この異方性導電膜をリード電極と接続したり、その他、ワイヤボンディング等の各種ボンディング技術を用いて接続したりする構成としてもよい。
【００７５】
このように、本発明は、その趣旨に反しない限り、種々の構造のインクジェット式記録ヘッドの他、他の薄膜デバイスにも応用することができる。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明においては、薄膜デバイスをパターニングの際、上電極膜を接地するための接地用パターンを設け、また、上電極膜と下電極膜とを接続するようにしたので、上下電極間に電位差が生じることが無く、圧電体層の圧電特性の低下を防止できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの断面図である。
【図３】本発明の実施形態１の薄膜製造工程を示す図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る圧電体能動部のパターンを示す図である。
【図５】圧電体能動部をパターニングするウェハを模式的に示した図である。
【図６】本発明の実施形態１の薄膜製造工程を示す図である。
【図７】本発明の実施形態１の薄膜製造工程を示す図である。
【図８】本発明の実施形態１に係る圧電体能動部のパターンを示す図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係る圧電体能動部のパターンを示す図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る接地用延設部を示す図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る接地用延設部を示す図である。
【符号の説明】
１  ウェハ
１０  流路形成基板
１２  圧力発生室
１４  リザーバ
１５  インク供給口
１６  インク導入口
１７  ノズル開口
１８  ノズルプレート
２０  固定部材
５０  弾性膜
６０  下電極膜
７０  圧電体膜
８０  上電極膜
９０  絶縁体層
９０ａ  コンタクトホール
１００  リード電極
３２０  圧電体能動部
３３０  接地部
３３１，３３５，３３６  接地用延設部
３３２，３３４，３４０  接地連結用パターン
３３３  接地用連結部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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