(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴｉＣｌ４ ガスとＨ２ ガスを原料ガスとしてプラズマＣＶＤにより被処理体の表面上にＴｉ膜の成膜を行なう成膜方法において、前記原料ガスにＮ２ ガスを添加して前記被処理体のシリコン面上にはチタンシリコンナイトライド膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記チタンシリコンナイトライド膜を形成した後に、Ｎ２ ガスの添加を停止して前記チタンシリコンナイトライド膜上にはチタンシリサイド膜の成膜を行なうようにしたことを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記成膜は、前記被処理体に形成された半導体素子のコンタクトメタルの成膜であることを特徴とする請求項１または２記載の成膜方法。
【請求項４】
前記Ｎ２ ガスの添加量は、前記成膜のコンタクト抵抗が所定の値よりも大きくならないような値であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項５】
被処理体のシリコン面上に、このシリコン面の侵食を抑制するためのチタンシリコンナイトライド膜を形成し、前記チタンシリコンナイトライド膜上にチタンシリサイド膜を形成したことを特徴とする膜積層構造。
【請求項６】
前記膜は、前記被処理体に形成された半導体素子のコンタクトメタルであることを特徴とする請求項５記載の膜積層構造。
【請求項７】
高融点金属含有ガスと還元ガスを原料ガスとしてＣＶＤにより被処理体の表面上に高融点金属膜の成膜を行なう成膜方法において、前記原料ガスにＮ２ ガスを添加して前記被処理体のシリコン面上には高融点金属シリコンナイトライド膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
被処理体のシリコン面上に、このシリコン面の侵食を抑制するための高融点金属シリコンナイトライド膜を形成し、前記高融点金属シリコンナイトライド膜上に高融点金属シリサイド膜を形成したことを特徴とする膜積層構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばコンタクトメタル等を成膜する時の成膜方法及び膜積層構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路を製造するためには、半導体ウエハ等の基板に対して、成膜とパターンエッチング等を繰り返し行なって、多数の所望の素子を形成するようになっている。
ところで、各素子間を接続する配線、各素子に対する電気的コンタクトを図るコンタクトメタル、或いは基板のＳｉと配線材料との相互拡散を抑制する目的で用いられるバリヤメタルとしては、電気抵抗が低いことは勿論のこと、耐腐食性に優れた材料を用いなければならない。
このような要請に対応できる材料として、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）などの高融点金属材料が使用される傾向にあり、中でも電気的及び耐腐食性などの特性等が良好であることから、特に、Ｔｉ膜が多用される傾向にある。
【０００３】
Ｔｉ膜は、一般的には、原料ガスとしてＴｉＣｌ4 （四塩化チタン）ガスと水素ガスを用いてプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により成膜される。
ここで、半導体ウエハ表面の素子にコンタクトを図る時の従来の成膜方法について説明する。
図１０は半導体ウエハ表面のトランジスタのソース或いはドレインへのコンタクト部分を示す拡大断面図である。図中、Ｗは例えばシリコン基板よりなる半導体ウエハであり、このシリコン面の表面に部分的に拡散層３が形成されており、トランジスタのドレインやソースなどが多数形成されている。図示例においては、代表的に１つのみ記す。
ウエハＷの表面には、例えばＳｉＯ2 よりなる層間絶縁膜５が形成されており、この層間絶縁膜５の、上記拡散層３に対応する部分にコンタクトホール７を形成し、このホール７を介して拡散層３との電気的接続を図るようになっている。
【０００４】
具体的には、まず、このコンタクトホール７内を含めてウエハ表面全面に、コンタクトメタルとして非常に薄いＴｉ（チタン）膜９を形成し、その上にバリヤメタルとして例えばＴｉＮ（チタンナイトライド）膜１１を成膜し、最終的にタングステンやアルミニウムよりなる配線金属１３を成膜してコンタクトホール７内を埋め込み、拡散層３との電気的接続を図るようになっている。上記コンタクトメタルであるＴｉ膜９は、拡散層３とのコンタクト抵抗を抑制することを目的としており、また、バリヤメタルであるＴｉＮ膜１１は、基板側Ｓｉ（シリコン）と配線金属との相互拡散を抑制することを目的としている。
【０００５】
上記Ｔｉ膜９を成膜する場合には、原料ガスとしてＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを供給し、また、プラズマガスとしてＡｒガスを供給し、プラズマの存在下でＴｉＣｌ4 ガスを還元させることによってＴｉ膜９を形成するのが一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のようにＴｉ膜９を形成した場合、図１１に示すようにこのＴｉ膜９が化学的に安定した層間絶縁膜５と接する部分では、何ら反応が生じないでＴｉの元素状態を維持しているが、このＴｉ膜９が拡散層３のシリコン原子と接するホール底部では、チタンとシリコンが直ちに反応してチタンシリサイド膜（ＴｉＳｉ2 ）１５が形成されてしまう。このチタンシリサイド膜１５は、Ｔｉ膜９よりも膜厚が２．５倍程度大きく、拡散層３の方向に膜厚が拡大することになる。しかも、Ｔｉ膜９がある程度、拡散層３側のシリコンを侵食してこれを吸い上げることは避けられず、従って、このシリコンの吸い上げによりチタンシリサイド膜１５が部分的に下方向に延びてスパイク状に凹凸１７を形成していた。
【０００７】
そして、このスパイク状の凹凸１７が、拡散層３を突き抜けて下方の基板側に達すると、両者が導通してしまい、コンタクトリークを引き起こすという問題があった。
特に、高集積化及び高微細化が進んだ今日においては、線幅や膜厚の縮小化がより求められており、これに連れて拡散層３の厚みも小さくなされていることから、上記したコンタクトリークの発生頻度もより高くなり、早期の解決が求められている。
【０００８】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、下地のシリコンの侵食及び吸い上げを抑制することができる成膜方法及び膜積層構造を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題を解決するために、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスを原料ガスとしてプラズマＣＶＤにより被処理体の表面上にＴｉ膜の成膜を行なう成膜方法において、前記被処理体のシリコン面の侵食を抑制するために前記原料ガスにＮ2 ガスを添加して前記シリコン面上にはチタンシリコンナイトライド膜を形成するようにしたものである。
【００１０】
これにより、シリコン面と接する部分に堆積するＴｉ膜は、窒素分子を取り込んで直ちに下地のシリコンと反応し、チタンシリコンナイトライド膜（Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ）を形成することになる。このチタンシリコンナイトライド膜はシリコンに対する侵食作用及び吸い上げ作用が、Ｔｉ程には大きくなく、従って、シリコン面とこのチタンシリコンナイトライド膜の界面がスパイク状に凹凸なることを阻止でき、コンタクトリークの発生を抑制することが可能となる。
この場合、ある程度の非常に薄い膜厚のチタンシリコンナイトライド膜を形成したならば、Ｎ2 ガスの供給を停止し、通常のＴｉ膜の成膜を行なうようにしてもよい。ここで、チタンシリコンナイトライド膜と接する部分には、Ｔｉ膜が下地側のシリコンと直ちに反応してチタンシリサイド膜が成膜されることになる。
【００１１】
この場合、Ｎ２ ガスの添加量は、成膜のコンタクト抵抗が所定の値よりも大きくならないような値とし、過度に供給しないようにする。
このような膜は、例えば半導体素子のコンタクトメタルとして用いられ、上記したチタンシリコンナイトライド膜上やチタンシリサイド膜上に例えばバリヤメタルのＴｉＮ膜を形成し、更に、配線金属の成膜によりコンタクトホールの穴埋め等が行なわれることになる。
請求項７に係る発明は、高融点金属含有ガスと還元ガスを原料ガスとしてＣＶＤにより被処理体の表面上に高融点金属膜の成膜を行なう成膜方法において、前記原料ガスにＮ２ ガスを添加して前記被処理体のシリコン面上には高融点金属シリコンナイトライド膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法である。  請求項８に係る発明は、被処理体のシリコン面上に、このシリコン面の侵食を抑制するための高融点金属シリコンナイトライド膜を形成し、前記高融点金属シリコンナイトライド膜上に高融点金属シリサイド膜を形成したことを特徴とする膜積層構造である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る成膜方法及び膜積層構造の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明方法を実施するプラズマ成膜装置を示す構成図である。
本実施例では、プラズマ成膜装置により金属膜としてＴｉ（チタン）膜を形成する場合を例にとって説明する。
図示するように、このプラズマ成膜装置２は、例えばステンレススチール等により円筒体状に成形された処理容器４を有しており、この処理容器４は接地されている。
【００１３】
この処理容器４の底部６には、容器内の雰囲気を排出するための排気口８が設けられており、この排気口８には真空引きポンプ１０を介設した排気系１２が接続されて、処理容器４内を底部周辺部から均一に真空引きできるようになっている。
この処理容器４内には、導電性材料よりなる支柱１４を介して円板状の載置台１６が設けられており、この上に被処理体として例えば半導体ウエハＷを載置し得るようになっている。具体的には、この載置台１６は、下部電極を兼用するものであり、支柱１４に直接支持される下台１６Ａと、この上面に接合される上台１６Ｂとよりなり、これらの接合面に抵抗加熱ヒータ１８が挟み込まれている。この下台１６Ａと上台１６Ｂは、その接合面にて例えば溶着により接合される。
【００１４】
処理容器４の天井部には、上部電極と兼用されるシャワーヘッド２０が一体的に設けられた天井板２２が容器側壁に対して絶縁材２４を介して気密に取り付けられている。このシャワーヘッド２０は、上記載置台１６の上面の略全面を覆うように対向させて設けられており、載置台１６との間に処理空間Ｓを形成している。このシャワーヘッド２０は、処理空間Ｓに各種のガスをシャワー状に導入するものであり、シャワーヘッド２０の下面の噴射面２６にはガスを噴射するための多数の噴射孔２８が形成される。また、このシャワーヘッド２０の内部には、多数の拡散孔３０を有する拡散板３２が設けられてガスを拡散できるようになっている。
【００１５】
そして、このシャワーヘッド２０の上部には、ヘッド内にガスを導入するガス導入ポート３４が設けられており、このガス導入ポート３４にはガスを流す供給通路３６が接続されている。
この供給通路３６には、複数の分岐管３８が接続され、各分岐管３８には、成膜用のガスとして、例えばＴｉＣｌ4 ガスを貯留するＴｉＣｌ4 ガス源４０、Ｈ2 ガスを貯留するＨ2 ガス源４２、プラズマガスとして例えばＡｒガスを貯留するＡｒガス源４４、シリコン侵食を抑制する添加ガスとしてＮ2 ガスを貯留するＮ2 ガス源４６がそれぞれ接続されている。そして、各ガスの流量は、それぞれの分岐管に介設した流量制御器、例えばマスフローコントローラ４８により制御される。尚、ここでは、成膜時の各ガスを１つの供給通路３６内を混合状態で供給する場合を示しているが、これに限定されず、一部のガス或いは全てのガスを個別に異なる通路内に供給し、シャワーヘッド２０内、或いは処理空間Ｓにて混合させる、いわゆるポストミックスのガス搬送形態を用いるようにしてもよい。
【００１６】
また、天井板２２には、Ｔｉ成膜時のプラズマを形成するために、リード線５０を介してマッチング回路５２及び例えば１３．５６ＭＨｚのプラズマ用の高周波電源５４が接続されている。
また、処理容器４の側壁には、この壁面の温度調節を行なうために、必要に応じて例えば冷却された、或いは加熱された熱媒体を選択的に流すための容器用温調ジャケット５５が設けられ、このジャケット５５は第１温調器５６に接続される。この容器側壁には、ウエハの搬入・搬出時に気密に開閉可能になされたゲートバルブ５８が設けられる。
【００１７】
更に、上記シャワーヘッド２０にも、この表面の温度調節を行なうために、必要に応じて例えば冷却された、或いは加熱された熱媒体を選択的に流すためのヘッド用温調ジャケット６０が設けられる。
また、図示されていないが、ウエハ搬入・搬出時にこれを持ち上げたり、持ち下げたりするウエハリフタピンが載置台に設けられるのは勿論である。
【００１８】
次に、以上のように構成された装置を用いて行なわれる本発明の成膜方法及び膜積層構造について図２乃至図３も参照して説明する。
図２は本発明方法の第１実施例の工程図を示し、図３は図２（Ｃ）中のＡ部の拡大図である。
処理容器４内へ、開放されたゲートバルブ５８を介して半導体ウエハＷを導入し、これを載置台１６上に載置して処理容器４内を密閉する。この半導体ウエハＷの表面には、例えば前工程において、ウエハ上のトランジスタとのコンタクトをとるためのコンタクトホール等がすでに形成されている。
処理容器４内を密閉したならば、成膜用ガスとしてＴｉＣｌ4 ガスと、Ｈ2 ガスを、プラズマ用ガスとしてＡｒガスを、更に、シリコンの侵食を抑制するためにＮ2 ガスを、それぞれシャワーヘッド２０から所定の流量で処理容器４内に導入し、且つ真空引きポンプ１０により処理容器４内を真空引きし、所定の圧力に維持する。
【００１９】
これと同時に、高周波電源５４より、１３．５６ＭＨｚの高周波を上部電極であるシャワーヘッド２０に印加して、シャワーヘッド２０と下部電極としての載置台１６との間に高周波電界を加える。これにより、Ａｒガスがプラズマ化されて、ＴｉＣｌ4 ガスとＨ2 ガスとの還元反応を推進し、ウエハ表面にＴｉ膜が成膜されることになる。
ウエハＷの温度は、載置台１６に埋め込んだ抵抗加熱ヒータ１８により所定の温度により加熱維持される。
【００２０】
また、プラズマより加熱される傾向にある処理容器４の側壁及びシャワーヘッド２０は、それぞれに設けた容器用温調ジャケット５６及びヘッド用温調ジャケット６０にそれぞれ冷媒を流し、これを所定の温度まで冷却する。
この時のプロセス条件は、ウエハ温度（載置台温度）が、例えば６００℃程度、プロセス圧力は１Ｔｏｒｒ程度、高周波電力が５００Ｗ程度である。また、ＴｉＣｌ4 ガスは１０ｓｃｃｍ、Ｈ2 ガスは１０００ｓｃｃｍ、Ａｒガスは１０００ｓｃｃｍ、Ｎ2 ガスは５０ｓｃｃｍ程度である。また、成膜時間は、３０秒程度である。
図２（Ａ）は成膜前の半導体ウエハＷの表面の１つのコンタクトホール７を示す拡大図であり、このホール７は、ＳｉＯ2 の層間絶縁膜５に開口されており、その底部には、拡散層３のシリコン面が露出している。
【００２１】
さて、このようなウエハ表面に、成膜が施されると、当初は図２（Ｂ）に示すように、ウエハＷの上面は勿論のこと、コンタクトホール７の側壁、及び底部にもＴｉ膜９が形成されるが、拡散層３のシリコン面と接するコンタクトホール７の底部に堆積したＴｉ膜は、成膜と同時に下地のシリコンとガス中の窒素とを取り込んで直ちに反応し、図２（Ｃ）に示すようにチタンシリコンナイトライド（Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ）層６２を形成する。
【００２２】
そして、このコンタクトホール７内に、更に従来構造と同様に図２（Ｄ）に示すように、バリヤメタルのＴｉＮ膜１１や配線金属１３により埋め込んで行き、埋め込みを完成することになる。
ここで、上記したチタンシリコンナイトライド膜６２は、下地のシリコンに対する侵食作用は先に説明したチタンシリサイド（ＴｉＳｉ2 ）よりも小さく、従って、シリコンに対する吸い上げ作用を抑制することができる。このため、図１１において説明したようなスパイク状の凹凸１７が発生することも抑制することができるので、コンタクトリークの発生も阻止することが可能となる。
【００２３】
この場合、コンタクトメタルとなるチタンシリコンナイトライド膜６２の厚みＬ１はかなり薄く、例えば通常行われるスパッタリングでも１００〜２００Å程度である。また、ここではコンタクトメタル全体にコンタクト抵抗を低下させる原因となる窒素原子を含有させるようにしたので、この含有量、すなわちＮ2 ガス供給量を前述のようにかなり低く設定しており、この時のチタンシリコンナイトライド膜６２のコンタクト抵抗が所定の値、例えば１００オーム以下となるように設定している。
上記した第１実施例においては、コンタクトメタルを全てチタンシリコンナイトライドで形成して単層構造としたが、これに限定されず、以下の第２実施例に示すようにチタンシリコンナイトライド膜とチタンシリサイド膜の２層構造としてもよい。
【００２４】
図４は本発明方法の第２実施例を示す工程図、図５は図４（Ｃ）中のＢ部を示す拡大図である。
まず、図４（Ａ）に示すように、第１実施例の場合と同様に成膜用ガスとしてＴｉＣｌ4 ガスと、Ｈ2 ガスを、プラズマ用ガスとしてＡｒガスを、更にシリコンの侵食を抑制するためのＮ2 ガスを、それぞれシャワーヘッド２０から所定の流量で供給し、第１実施例の場合と同じ条件でＴｉ膜９の成膜を行なう。ただし、この場合、第１実施例と異なる点は、Ｎ2 ガスの供給量を多くし、且つプロセス時間を短くする。例えば、第１実施例ではＮ2 ガスを５０ｓｃｃｍの流量で供給して３０秒間の成膜プロセスを行なったが、この第２実施例ではＮ2 ガスを２００ｓｃｃｍの流量で供給して６秒間の成膜プロセスを行なう。この時の高周波電力は５００Ｗ程度である。
【００２５】
このように、Ｔｉ膜９の成膜を行なうと、図４（Ｂ）に示すように拡散層３のシリコン面が露出しているコンタクトホール７の底部に堆積したＴｉ膜は、前述した第１実施例の場合と同様に直ちにシリコンや窒素と反応して厚みの大きくなったチタンシリコンナイトライド膜６４が形成されることになる。この場合、Ｎ2 ガス量の供給を多くした分、チタンシリコンナイトライド膜６４に含まれる窒素原子の量が多くなってコンタクト抵抗を上昇させるので、上述のように成膜時間を短くしてその成膜量を抑える。
【００２６】
このようにしてＮ2 ガスの添加を伴なった６秒間の成膜を行なったならば、Ｎ2 ガスの供給を停止してこのガスの供給量を直ちにゼロにすると共に他のＴｉＣｌ4 ガス、Ａｒガス、Ｈ2 ガスの各供給量を変化させることなく同じに維持したまま、Ｔｉ膜の成膜操作を継続し、更に２０秒間程度の成膜処理を行なう。この場合、高周波電力のみ２００Ｗ程度まで低下させる。
これにより、図４（Ｃ）に示すように先のＴｉ膜９上に更に同じＴｉ膜６６が積層されるが、コンタクトホール７の底部のチタンシリコンナイトライド膜６４に堆積したＴｉ膜は、下地のシリコンと直ちに反応してチタンシリサイド（ＴｉＳｉ2 ）膜１５を形成することになる。この場合、チタンシリコンナイトライド膜６４と上層のチタンシリサイド膜１５の厚みの総和Ｌ２は、８０Å程度であり、非常に薄くなされている。
【００２７】
以降は、図４（Ｄ）に示すようにバリヤメタルのＴｉＮ膜１１及び配線金属１３を順次成膜してホールの埋め込みを行なう点は、第１実施例と同じである。
この場合にも、上述のようにシリコン面と直接接触する部分には、チタンシリコンナイトライド膜６４を形成するようにしたので、この膜によりシリコンの侵食が抑制されて吸い上げ効果が弱まり、この界面に発生する凹凸が抑制されることになる。従って、第１実施例の場合と同様にコンタクトリークの発生を抑制することができる。
【００２８】
図６は上記第２実施例における半導体ウエハのコンタクトホールの底部の成膜の断面方向における元素の含有率を示すグラフである。グラフ中、横軸において右側に行くに従って、ウエハの深さ方向に進むことになる。グラフから明らかなように右側の領域はＳｉ非常に多い拡散層３の領域となっており、その左側の領域はＴｉとＳｉとＮが適度に存在してチタンシリコンナイトライド膜６４となっており、更に、その左側の領域はＴｉとＳｉとが多く存在してチタンシリサイド膜１５となっていることが判明する。
【００２９】
図７乃至図９は、本発明方法と従来方法の成膜における界面の状態を示す拡大写真である。
図７は従来方法による成膜の界面の状態を示す拡大写真、図８は本発明方法による第１実施例の成膜の界面の状態を示す拡大写真、図９は本発明方法による第２実施例の成膜の界面の状態を示す拡大位写真である。尚、各写真は、チタン膜或いはチタンシリコンナイトライド膜を成膜した後に、この成膜をフッ酸で除去して、下地との界面、すなわち拡散層のシリコン面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により撮影したものを示す。また、各写真の横に、主な成膜条件を並記してある。
【００３０】
図７に示すように、従来方法で成膜した場合には、シリコン表面に口径の大きな、しかも深い凹部が形成されているのに対し、図８及び図９に示す本発明方法による成膜の場合には、口径が非常に小さく、しかも浅い凹部となっており、シリコンの吸い上げ作用が大幅に抑制されていることが判明する。
特に、図９に示す第２実施例の場合には、凹部の口径が非常に小さくなって更に、浅くなっており、特に良好な状態であることが判明する。
尚、上記実施例におけるガス流量等のプロセス条件は、単に一例を示したに過ぎず、上述したものに限定されない。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、本発明方法をガラス基板、ＬＣＤ基板等にも適用できるのは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の成膜方法及び膜積層構造によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
高融点金属含有ガス、例えばＴｉＣｌ4 ガスと還元ガス、例えばＨ2 ガスを原料ガスとして被処理体の表面上に高融点金属膜、例えばＴｉ膜を成膜するに際して、原料ガスにＮ2 ガスを添加してシリコン面上に例えばチタンシリコンナイトライド膜を形成するようにしたので、下地のシリコンの侵食と吸い上げを抑制することができる。
従って、例えばコンタクトホールのコンタクトメタルの成膜に際して、トランジスタのソースやドレインの拡散層を突き抜けるようなシリコンの吸い上げを阻止することができ、このためコンタクトリークの発生を大幅に抑制することができる。
特に、コンタクトメタルをチタンシリコンナイトライド膜とチタンシリサイド膜の２層構造とすることにより、上記したシリコンの侵食や吸い上げを一層抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を実施するプラズマ成膜装置を示す構成図である。
【図２】本発明方法の第１実施例の工程図を示す図である。
【図３】図２（Ｃ）中のＡ部の拡大図である。
【図４】本発明方法の第２実施例を示す工程図である。
【図５】図４（Ｃ）中のＢ部を示す拡大図である。
【図６】第２実施例における半導体ウエハのコンタクトホールの底部の成膜の断面方向における元素の含有率を示すグラフである。
【図７】従来方法による成膜の界面の状態を示す拡大写真である。
【図８】本発明方法による第１実施例の成膜の界面の状態を示す拡大写真である。
【図９】本発明方法による第２実施例の成膜の界面の状態を示す拡大位写真である。
【図１０】従来の成膜方法を説明するための図である。
【図１１】従来の成膜方法による欠点を説明するための図である。
【符号の説明】
３  拡散層
５  層間絶縁膜
７  コンタクトホール
９  チタン膜（コンタクトメタル）
１１  チタンナイトライド膜（バリヤメタル）
１３  配線金属
１４  チタンシリサイド膜
６２  チタンシリコンナイトライド膜（Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ）
６４  チタンシリコンナイトライド膜（Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ）
６６  チタン膜
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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