(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサ上面と、
コンデンサ下面と、
互いに絶縁された一対の電極または電極群と、
上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッドと、
上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッドと、
上記コンデンサ下面の周縁に形成され、コア基板本体のコンデンサ内蔵用貫通孔内において径方向内側に向けて突出するコンデンサ受け部と当接して嵌合可能な切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかと、
を備えるコンデンサ。
【請求項２】
壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基板本体下面とを有し、これらの間を貫通する壁部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体の上記壁部用コア基板本体下面と、
受け部用コア基板本体上面と受け部用コア基板本体下面とを有し、これらの間を貫通する受け部用貫通孔を備える受け部用コア基板本体の上記受け部用コア基板本体上面とを、
上記壁部用貫通孔内に上記受け部用コア基板のうち上記受け部用貫通孔の周縁の少なくとも一部を露出させて、
接着する接着工程を備えること
を特徴とするコア基板本体の製造方法。
【請求項３】
コア基板本体上面、
コア基板本体下面、
及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通するコンデンサ内蔵用貫通孔、
を備えるコア基板本体の、上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に、
コンデンサ上面、
コンデンサ下面、
互いに絶縁された一対の電極または電極群、
上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、
及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、
を備えるコンデンサを配置するコンデンサ配置工程と、
少なくとも上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に充填樹脂を注入し、上記充填樹脂を硬化させて、充填樹脂で上記コンデンサを上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に固定するコンデンサ固定工程と、
少なくとも上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通するコアスルーホール導体を形成するコアスルーホール形成工程と、
を備えるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のコンデンサ内蔵コア基板の製造方法であって、
前記コンデンサ固定工程は、前記コンデンサ内蔵用貫通孔内の他、前記コンデンサ上面、コンデンサ下面、コア基板本体上面、及び、コア基板本体下面のうち、少なくともコンデンサ上面及びコンデンサ下面にも充填樹脂を塗布し硬化させるコンデンサ固定−充填樹脂塗布硬化工程であり、
前記コアスルーホール形成工程に先だって、
上記コンデンサ上面上の、または、上記コンデンサ上面上及び前記コア基板本体上面上の、上記充填樹脂を研磨して上記複数の上面接続パッドを略面一に露出させるとともに、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と上記コア基板本体上面とを、または、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面し、
上記コンデンサ下面上の、または、上記コンデンサ下面上及び前記コア基板本体下面上の、上記充填樹脂を研磨して上記複数の下面接続パッドを略面一に露出させるとともに、上記コンデンサ下面上の充填樹脂層と上記コア基板本体下面とを、または、上記コンデンサ下面上の充填樹脂層とコア基板本体下面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面する研磨整面工程を備えること
を特徴とするコンデンサ内蔵コア基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンデンサ、及び、コンデンサ内蔵コア基板やコア基板本体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路技術の進歩によりますますＩＣチップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがある。そこでノイズ除去のため、例えば図１５に示すように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の上面２Ａあるいは下面２Ｂに、別途、チップコンデンサ３を搭載し、コンデンサ３の２つの電極とそれぞれ接続するコンデンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。これにより、コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド５を経由してチップコンデンサ３をＩＣチップ１に接続することが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の手法では、配線基板２の完成後に、別途チップコンデンサ３を搭載する必要があるため、工数がかかりコストアップとなる。また、チップコンデンサの接続の良否により配線基板全体の良否に影響が出るなどチップコンデンサ３の接続信頼性に依存して配線基板の信頼性が低下する場合がある。また、チップコンデンサ３を搭載する領域を予め確保しておく必要があり、他の電子部品の搭載や配線基板の補強のための補強部材の固着の自由度を低下させる。さらに、他の配線等に制限されて、ＩＣチップ１とチップコンデンサ３とを結ぶコンデンサ接続配線４の長さが長く、また細くなりやすいため、コンデンサ接続配線４自身の持つ抵抗やインダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低インダクタンスの要請に十分に応えられない。
【０００４】
そこで、配線基板のうち、コア基板の上下に形成する樹脂絶縁層及び配線層の一部を、樹脂絶縁層を誘電体層として対向する配線層（電極層）で挟んだコンデンサ構造に形成し、コンデンサを内蔵させることが考えられる。しかし、コンデンサがショートや絶縁抵抗不良などにより不具合となった場合に、付加価値の付いた配線基板全体を廃棄することになるため、損失金額が大きくなって、結局配線基板を安価に製造することが困難である。また、樹脂絶縁層の比誘電率は、高誘電率セラミック粉末等を混入したとしても、一般に高々４０〜５０程度と見込まれるので、内蔵させるコンデンサの静電容量を十分大きくすることも困難である。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、コンデンサを内蔵することにより、ノイズを確実に除去でき、しかも、コンデンサに接続される配線の抵抗やインダクタンスを低くできる配線基板、さらには、コンデンサに不具合を生じても損失金額が少なく、安価で、大きな静電容量のコンデンサを内蔵可能な配線基板を提供すべく、このようなコンデンサを内蔵した配線基板を製造するためのコンデンサ、及びコア基板本体やコンデンサ内蔵コア基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
そして、配線基板上面と配線基板下面とを有し、上記配線基板上面にＩＣチップと接続するための複数のＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の下面接続端子を備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通するコンデンサ内蔵用貫通孔、及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通して形成された複数のコアスルーホール導体、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用貫通孔内に内蔵、固定された上記コンデンサと、上記コア基板本体上面及び上記コンデンサ上面の上方に積層された１または複数の上部樹脂絶縁層と、上記コア基板本体下面及び上記コンデンサ下面の下方に積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コンデンサの複数の上面接続パッドとをそれぞれ接続する複数の上部コンデンサ接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コンデンサの複数の下面接続パッドとこれに対応する上記配線基板下面の複数の下面接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コンデンサ接続配線と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板本体上面の複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コア接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面のコアスルーホール導体とこれに対応する上記配線基板下面の複数の下面接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア接続配線と、を備えることを特徴とする配線基板とすると良い。
【０００７】
この配線基板は、コア基板本体にコンデンサ内蔵用貫通孔を形成し、その中にコンデンサを内蔵し、上部樹脂絶縁層及び下部樹脂絶縁層を形成し、フリップチップパッド等のＩＣ接続端子と上面接続パッドとを上部コンデンサ接続配線で、下面接続パッドと下面接続端子とを下部コンデンサ接続配線で結んでいる。さらに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにしている。また下面接続パッドも同様にされている。このため、コンデンサの両極をコンデンサの上方及び下方に取り出すことができる。したがって、上面接続パッドから上部コンデンサ接続配線を通じてＩＣ接続端子、さらにはＩＣチップに、コンデンサの両極を接続することができる。同様に、下面接続パッドから下部コンデンサ接続配線を通じて下面接続端子にコンデンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチップと接続するＩＣ接続端子、あるいはマザーボード等の他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させる下面接続端子等からごく近い距離にコンデンサを配置することができる。したがって、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線もごく短く形成することができる。
【０００８】
さらに、通常ＩＣチップにおいて、電源電位や接地電位は各所に必要となるので、ときにはＩＣチップに形成される接続端子（接続パッドや接続バンプ）群の半数近くの数とされるほど電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成される。これに対し、このコンデンサ上面及びコンデンサ下面には、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対応させて多数の上面接続パッドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように上部コンデンサ接続配線を多数並列に形成すれば、上部コンデンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができることになる。同様に、下面接続パッドに対応する下面接続パッドと配線基板下面の各接続端子とを並列に接続する下部コンデンサ接続配線に関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。つまり、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線も、その長さを短くできしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダクタンスを低くすることができ、コンデンサによってノイズを有効、確実に除去することができる。
【０００９】
しかも、配線基板内にコンデンサを内蔵しているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるため、安価な配線基板とすることができる。また、他の電子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。さらに、コア基板本体に形成したコンデンサ内蔵用貫通孔内にコンデンサを内蔵しているので、上部樹脂絶縁層や下部樹脂絶縁層あるいは上部コンデンサ接続配線、下部コンデンサ接続配線、上部コア接続配線、及び下部コア接続配線は、いずれも公知の樹脂絶縁層や配線層の製法を用いて形成することができる点でも安価にできる。また、内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
【００１０】
なお特に、前記複数のＩＣ接続端子のうち少なくとも一部が、前記コンデンサの上方に位置することを特徴とする配線基板とするのが好ましい。フリップチップパッド等のＩＣ接続端子がコンデンサの上方に位置すると、ＩＣ接続端子とコンデンサの上面接続パッドとを結ぶ上部コンデンサ接続配線の長さを特に短くすることができる。したがって、上部コンデンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗をさらに低く抑えることができるので、ノイズ除去能力をさらに向上させることができる。
【００１１】
さらに、上記の配線基板であって、前記コア基板本体は、前記コンデンサ内蔵用貫通孔のうち両端部のいずれかにおいて、径方向内側に向けて突出するコンデンサ受け部を備え、前記コンデンサは、上記コンデンサ受け部の内向き面に当接していることを特徴とする配線基板とすると良い。
【００１２】
この配線基板では、径方向（平面方向）内側に向けて突出するコンデンサ受け部を形成し、コア基板本体のコンデンサ受け部の内向き面に、つまりコンデンサ受け部をコンデンサ内蔵用貫通孔の上端部に形成したときにはその下面に、また、コンデンサ受け部をコンデンサ内蔵用貫通孔の下端部に形成したときにはその上面に、コンデンサを当接させる。これにより、コンデンサ内蔵用貫通孔内において、コンデンサの上下方向の位置決めが容易かつ確実にできる。したがって、コンデンサの上下方向の位置ズレ不良に起因して、上面接続パッドと上部コンデンサ接続配線との接続不良や下面接続パッドと下部コンデンサ接続配線との接続不良等を生じない信頼性の高い配線基板とすることができる。
【００１３】
さらに上記の配線基板であって、前記コンデンサは、前記コンデンサ上面及びコンデンサ下面のうち、前記コンデンサ受け部と当接する側の面の周縁に、切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかが形成され、上記切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかにより、上記コンデンサが前記コンデンサ受け部に嵌合していることを特徴とする配線基板とすると良い。
【００１４】
この配線基板では、コンデンサ上面及びコンデンサ下面のうち、コア基板本体のコンデンサ受け部と当接する側の面の周縁に切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかを有し、コンデンサが、コンデンサ受け部の内向き面に当接し、さらに切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかにより、コンデンサ受け部と嵌合する。したがって、コンデンサは、コンデンサ受け部と当接して上下方向の位置決めがされるほか、コンデンサ受け部と嵌合して上下方向に直交するコンデンサ内蔵用貫通孔の径方向（平面方向）にも位置決めされる。このため、コンデンサ内蔵用貫通孔内でのコンデンサの上下方向のみならず平面方向の位置決めも容易かつ確実にできる。従って、コンデンサの上下方向や平面方向の位置ズレ不良に起因して、上面接続パッドと上部コンデンサ接続配線との接続不良や下面接続パッドと下部コンデンサ接続配線との接続不良等を生じない、さらに信頼性の高い配線基板とすることができる。
【００１５】
また、コア基板本体上面、コア基板本体下面、及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通するコンデンサ内蔵用貫通孔、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用貫通孔内に内蔵、固定されたコンデンサと、を備えるコンデンサ内蔵コア基板とすると良い。
【００１６】
このコンデンサ内蔵コア基板では、コア基板本体にコンデンサ内蔵用貫通孔を形成し、その中にコンデンサを内蔵している。さらに、このコンデンサは、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにしている。また下面接続パッドも同様にされている。このため、コンデンサの両極を、コンデンサ上面の上面接続パッド及びコンデンサ下面の下面接続パッドを通じて、コア基板の上方及び下方に取り出すことができる。  したがって、このコンデンサ内蔵コア基板を用いれば、公知の樹脂絶縁層や配線層の形成手法を用いて、容易にコンデンサを内蔵した配線基板を形成することができる。また、このようにして配線基板を形成した場合には、配線基板の搭載するＩＣチップやマザーボード等の他の配線基板とごく近い距離にコンデンサを配置し、互いにごく短い配線で結ぶことができる。したがって、内蔵コンデンサの特性を十分発揮させて、ノイズを確実に除去することができるようになる。
【００１７】
さらに、上述したように、通常ＩＣチップにおいては、電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成される。これに対し、本発明のコンデンサ内蔵コア基板のコンデンサでは、コンデンサ上面及びコンデンサ下面に、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対応させて多数の上面接続パッド（あるいは上下反転させて使用する場合には下面接続パッド）を形成し、これらをそれぞれ結ぶように配線を多数並列に形成すれば、これらの配線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。同様に、下面接続パッド（あるいは上下反転させて使用する場合には上面接続パッド）と他の配線基板とを並列に接続する配線に関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。つまり、コンデンサ内蔵コア基板の上下に形成する配線の長さを短くでき、しかもその本数を多くできるため、抵抗やインダクタンスを低くすることができ、コンデンサによってノイズを有効、確実に除去することができる。また、内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
【００１８】
しかも、コア基板内にコンデンサを内蔵しているので、樹脂絶縁層や配線層を形成した後に別途コンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるため、配線基板を安価に製造することができる。
また、上面接続パッドあるいは下面接続パッドを通じて、内蔵したコンデンサの良否を判断できるので、ショート等の不具合を有するコンデンサが内蔵されたコア基板は、樹脂絶縁層等を形成する前に除去することができる。このため、工数が掛かる樹脂絶縁層や配線層が形成され、付加価値の高い配線基板を廃棄する危険性を少なくでき、全体としてコンデンサの不具合による損失金額も抑制して、安価な配線基板とすることができる。
【００１９】
さらに、上記のコンデンサ内蔵コア基板であって、前記コンデンサ内蔵用貫通孔内に充填した充填樹脂で前記コンデンサを上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に固定してなることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板とすると良い。
【００２０】
このコンデンサ内蔵コア基板では、充填樹脂でコンデンサをコンデンサ内蔵用貫通孔内に固定しているので、容易にかつ確実にコンデンサを固定することができる。また、コアスルーホール導体用の貫通孔穿孔時等に生じる振動などにより、内蔵したコンデンサが位置ズレを生じたり、脱落するなど等の不具合も抑制され、信頼性の高いコンデンサ内蔵コア基板とすることができる。
【００２１】
さらに上記いずれかに記載のコンデンサ内蔵コア基板であって、前記コンデンサ上面に、または前記コア基板本体上面及び前記コンデンサ上面に上部充填樹脂層を、前記コンデンサ下面に、または前記コア基板本体下面及び前記コンデンサ下面に下部充填樹脂層を備え、上記コンデンサ上面上の上部充填樹脂層と上記コア基板本体上面またはコア基板本体上面上の上部充填樹脂層とは、略面一に整面され、前記複数の上面接続パッドがそれぞれ略面一に露出しており、上記コンデンサ下面上の下部充填樹脂層と上記コア基板本体下面またはコア基板本体下面上の下部充填樹脂層とは、略面一に整面され、前記複数の下面接続パッドがそれぞれ略面一に露出していることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板とすると良い。
【００２２】
このコンデンサ内蔵コア基板では、コンデンサ上面の上部充填樹脂層と、コア基板本体上面またはコア基板本体上面の上部充填樹脂層とは、略面一に整面され、しかも、複数の上面接続パッドが略面一に露出している。また、コンデンサ下面の下部充填樹脂層と、コア基板本体下面またはコア基板本体下面の下部充填樹脂層とも、略面一に整面され、しかも、複数の下面接続パッドが略面一に露出している。
このため、このコア基板の上下に樹脂絶縁層や配線層を積層して配線基板を形成する際に、コンデンサ内蔵用貫通孔を形成したことによる段差、コア基板本体上面とコンデンサ上面との高さの違い、あるいは、コア基板本体下面とコンデンサ下面との高さの違いに起因して、これらの上方や下方に形成する樹脂絶縁層や配線層に段差が発生することが防止できる。したがって、樹脂絶縁層や配線層を容易に形成でき、しかも、配線層の断線やショート等の不具合も生じない。また、配線基板の上面や下面に形成するＩＣ接続端子や下面接続端子のコプラナリティを向上させ、ＩＣチップや他の配線基板との接続性を向上させることができる。
【００２３】
さらに、上記いずれかに記載のコンデンサ内蔵コア基板であって、前記コア基板本体は、前記コンデンサ内蔵用貫通孔のうち、前記コア基板本体下面側端部において径方向内側に向けて突出するコンデンサ受け部を備え、前記コンデンサは、上記コンデンサ受け部の上面に当接していることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板とすると良い。
【００２４】
この配線基板では、コア基板本体にコンデンサ受け部を形成し、この上面にコンデンサを当接させている。これにより、コンデンサ内蔵用貫通孔内において、コンデンサの上下方向の位置決めが容易かつ確実にできる。したがって、コンデンサの上下方向の位置ズレ不良に起因して、上面接続パッドの高さが変動したり、上面接続パッド上に充填樹脂の残渣が残り、これと接続するビア導体等を形成したときに、上面接続パッドとビア導体等との導通不良が生じるなどの不具合を生じることがない。また、下面接続パッドについても同様である。従って、上下に樹脂絶縁層、配線層やビア導体を形成する場合などにおいて、配線やビア導体との接続不良等を生じない信頼性の高いコンデンサ内蔵コア基板とすることができる。
【００２５】
さらに、上記コンデンサ内蔵コア基板であって、前記コンデンサは、前記コンデンサ下面の周縁に、切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかが形成され、上記切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかにより、上記コンデンサが前記コンデンサ受け部に嵌合していることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板とすると良い。
【００２６】
このコンデンサ内蔵コア基板では、コンデンサがコンデンサ受け部に当接し、しかも、コンデンサに形成した切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかにより、コンデンサがコンデンサ受け部に嵌合している。したがって、コンデンサは、コンデンサ受け部と当接して上下方向の位置決めがされるほか、コンデンサ受け部と嵌合して上下方向に直交するコンデンサ内蔵用貫通孔の径方向（平面方向）にも位置決めされる。このため、コンデンサ内蔵用貫通孔内でのコンデンサの上下方向のみならず平面方向の位置決めも容易かつ確実にできる。従って、上面接続パッドの高さや平面方向の位置が変動したり、上面接続パッド上に充填樹脂の残渣が残りこれと接続するビア導体等を形成したときに、上面接続パッドとビア導体等との導通不良が生じるなどの不具合を生じることがない。また、下面接続パッドについても同様である。従って、上下に樹脂絶縁層、配線層やビア導体を形成する場合などにおいて、配線やビア導体との接続不良等を生じない、さらに信頼性の高いコンデンサ内蔵コア基板とすることができる。
【００２７】
さらに、コア基板本体上面と、コア基板本体下面と、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通するコンデンサ内蔵用貫通孔と、を備え、上記コンデンサ内蔵用貫通孔は、そのコア基板本体下面側端部において径方向内側に向けて突出し、内蔵させるコンデンサの当接面と少なくともその上面で当接可能なコンデンサ受け部を備えることを特徴とするコア基板本体とすると良い。
【００２８】
このコア基板本体では、上下面間を貫通するコンデンサ内蔵用貫通孔を備えるので、この貫通孔内にコンデンサを内蔵させることで、コンデンサを内蔵した配線基板を容易に形成することができる。また、この貫通孔内に内蔵させたコンデンサと、コア基板本体上面及びコア基板本体下面のいずれからも容易かつ短距離で接続させることができる。
さらに、コンデンサ受け部を有するので、コンデンサを内蔵させたときに、このコンデンサ受け部の上面でコンデンサと当接する。このため、コンデンサ内蔵用貫通孔内におけるコンデンサの上下方向の位置決めを確実にすることができるようになる。
【００２９】
さらに、上記コア基板本体であって、前記コンデンサ受け部は、前記内蔵させるコンデンサの当接側の面に形成した切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかと嵌合可能な形状であることを特徴とするコア基板本体とすると良い。
【００３０】
このコア基板本体では、コンデンサを内蔵させた際に、コンデンサ受け部が、その上面で当接し、さらに、コンデンサの当接側の面に形成した切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかと嵌合するので、コンデンサを上下方向のみならずこれに直交する平面方向（コンデンサ内蔵用貫通孔の径方向）にも確実に位置決めできる。
【００３１】
そして、その解決手段は、コンデンサ上面と、コンデンサ下面と、互いに絶縁された一対の電極または電極群と、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッドと、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッドと、上記コンデンサ下面の周縁に形成され、コア基板本体のコンデンサ内蔵用貫通孔内において径方向内側に向けて突出するコンデンサ受け部と当接して嵌合可能な切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかと、を備えるコンデンサである。
【００３２】
本発明のコンデンサは、コンデンサ上面に複数の上面接続パッドを、コンデンサ下面に複数の下面接続パッドを備え、しかも、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通し、また、一対の電極または電極群のいずれも複数の下面接続パッドの少なくともいずれかと導通する。このため、コンデンサ上面から、コンデンサの両極を取り出すことができる。同様に、コンデンサ下面からも、コンデンサの両極を取り出すことができる。
したがって、コンデンサ上面及びコンデンサ下面のいずれにおいても、パッドやバンプを形成したＩＣチップや配線基板、その他の電子部品の接続面との間での接続が可能となる。
【００３３】
また、コンデンサ上面とコンデンサ下面の両面から、コンデンサの両極を取り出すことができる。このため、例えば、配線基板とＩＣチップとの間に介在させることにより、配線基板からＩＣチップへ電力を供給する電源配線及び接地配線の一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と接地配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線の重畳されるノイズを除去する役割をも果たさせることができる。
さらに、上記コンデンサ内蔵用貫通孔を備えたコア基板本体のコンデンサ内蔵用貫通孔に内蔵、固定することで、コンデンサ内蔵コア基板とし、さらに樹脂絶縁層や配線層を形成して、コンデンサを内蔵した配線基板とすることができる。特に、このコンデンサ内蔵用貫通孔内に径方向内側に向けて突出するコンデンサ受け部と当接させ、コンデンサの切り欠き部や凸部と嵌合させれば、コンデンサの貫通孔内での位置決めも容易にできる。
【００３４】
なお、上面接続パッドや下面接続パッドは、接続するＩＣチップ等の端子や配線層に対応した位置及び数で形成すればよいが、並列に接続する端子や配線層の数が多いほど、コンデンサとＩＣチップ等との間に生じる抵抗やインダクタンスを全体として抑制できるので、上面接続パッドや下面接続パッドは多数形成するのが好ましい。
【００３５】
さらに、コンデンサ下面の周縁に、切り欠き部及び凸部の少なくともいずれかを設けたので、コア基板本体のコンデンサ内蔵用貫通孔内にコンデンサを内蔵させた際、コンデンサ受け部と当接、及び嵌合させることができ、コンデンサ内蔵用貫通孔内で、コンデンサを上下方向にもこれに直交する平面方向にも確実に位置決めすることができる。
【００３６】
さらに他の解決手段は、壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基板本体下面とを有し、これらの間を貫通する壁部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体の上記壁部用コア基板本体下面と、受け部用コア基板本体上面と受け部用コア基板本体下面とを有し、これらの間を貫通する受け部用貫通孔を備える受け部用コア基板本体の上記受け部用コア基板本体上面とを、上記壁部用貫通孔内に上記受け部用コア基板のうち上記受け部用貫通孔の周縁の少なくとも一部を露出させて、接着する接着工程を備えることを特徴とするコア基板本体の製造方法である。
【００３７】
本発明のコア基板本体の製造方法では、壁部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体と受け部用貫通孔を備える受け部用コア基板本体とを、壁部用貫通孔内に受け部用コア基板のうち受け部用貫通孔の周縁の少なくとも一部を露出させて接着して、コア基板本体を製造する。このように壁部用コア基板本体と受け部用コア基板本体とに分けて製作し、その後両者を接着すると、容易に、壁部用貫通孔と受け部用貫通孔によってコンデンサ内蔵用貫通孔が構成でき、しかも、受け部用コア基板本体の一部をコンデンサ内蔵用貫通孔の端部において径方向内側に突出したコンデンサ受け部とすることができる。
【００３８】
また他の解決手段は、コア基板本体上面、コア基板本体下面、及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通するコンデンサ内蔵用貫通孔、を備えるコア基板本体の、上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備えるコンデンサを配置するコンデンサ配置工程と、少なくとも上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に充填樹脂を注入し、上記充填樹脂を硬化させて、充填樹脂で上記コンデンサを上記コンデンサ内蔵用貫通孔内に固定するコンデンサ固定工程と、少なくとも上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通するコアスルーホール導体を形成するコアスルーホール形成工程と、を備えるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法である。
【００３９】
本発明のコンデンサ内蔵コア基板の製造方法では、コンデンサ内蔵用貫通孔内にコンデンサを配置し、コンデンサ内蔵用貫通孔内に充填樹脂を注入し硬化させてコンデンサを固定する。このため、容易に固定できる上、コアスルーホール導体用の貫通孔穿孔時等に生じる振動などによりコンデンサの位置ズレを生じたり、脱落するなど等の不具合が抑制され、コンデンサ内蔵コア基板の信頼性を向上させることができる。
【００４０】
さらに、上記コンデンサ内蔵コア基板の製造方法であって、前記コンデンサ固定工程は、前記コンデンサ内蔵用貫通孔内の他、前記コンデンサ上面、コンデンサ下面、コア基板本体上面、及び、コア基板本体下面のうち、少なくともコンデンサ上面及びコンデンサ下面にも充填樹脂を塗布し硬化させるコンデンサ固定−充填樹脂塗布硬化工程であり、前記コアスルーホール形成工程に先だって、上記コンデンサ上面上の、または、上記コンデンサ上面上及び前記コア基板本体上面上の、上記充填樹脂を研磨して上記複数の上面接続パッドを略面一に露出させるとともに、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と上記コア基板本体上面とを、または、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面し、上記コンデンサ下面上の、または、上記コンデンサ下面上及び前記コア基板本体下面上の、上記充填樹脂を研磨して上記複数の下面接続パッドを略面一に露出させるとともに、上記コンデンサ下面上の充填樹脂層と上記コア基板本体下面とを、または、上記コンデンサ下面上の充填樹脂層とコア基板本体下面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面する研磨整面工程を備えることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板の製造方法とすると良い。
【００４１】
本発明のコンデンサ内蔵コア基板の製造方法では、コンデンサをコンデンサ内蔵用貫通孔内に内蔵し、さらに充填樹脂で固定するほか、少なくともコンデンサ上面及びコンデンサ下面にも充填樹脂を塗布し硬化させる。さらに、研磨により複数の上面接続パッドを略面一に露出させ、しかも、コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面とを、または、コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面する。また、研磨により複数の下面接続パッドを略面一に露出させ、しかも、コンデンサ下面上の充填樹脂層とコア基板本体上面とを、または、コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面する。その後にコアスルーホール導体を形成する。
【００４２】
このため、コア基板本体上面及びコンデンサ上面の上方に１または複数の樹脂絶縁層や配線層を形成する際に、コア基板本体上面の上方とコンデンサ上面の上方との間で段差を生じない。また同様に、コア基板本体下面及びコンデンサ下面の下方に１または複数の樹脂絶縁層や配線層を形成する際に、コア基板本体下面の下方とコンデンサ下面の下方との間で段差を生じない。このため、樹脂絶縁層や配線層などを容易に形成することができ、あるいは、各配線層の断線やショート等の不具合の発生を抑制することができる。さらに、ＩＣ接続端子や下面接続端子のコプラナリティを小さく抑えることができ、ＩＣチップや他の配線基板との接続性も良好にできる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本発明の配線基板等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に示す本発明のコンデンサを内蔵した配線基板１００は、略正方形板状で、その上面（配線基板上面）１００Ａに、破線で示すＩＣチップ１と接続するためのＩＣ接続端子であるフリップチップパッド１０１が多数形成され、各フリップチップパッド１０１には、高温ハンダからなる略半球状のフリップチップバンプ１０２が形成されている。一方、配線基板下面１００Ｂには、マザーボードなどの他の配線基板と接続するための下面接続端子であるＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらにこの配線基板１００は、コンデンサ２０を内蔵するコア基板本体１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３、さらに、これらの層間に及びこれらの樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６０，７０，８０，９０を備える。
【００４４】
このうち、コア基板本体１０は、略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その略中央にはコア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通する平面視略正方形状のコンデンサ内蔵用貫通孔（以下、単に貫通孔ともいう）１１を備える。このコンデンサ内蔵用貫通孔１１のうち、コア基板本体下面１０Ｂ側に端部には、貫通孔１１の軸方向（図中上下方向）に直交する貫通孔１１の径方向（平面方向、図中左右方向）に、貫通孔１１内に向けて突出するコンデンサ受け部（以下、単に受け部ともいう）１２が貫通孔１１の周囲にわたって形成されている。また、この貫通孔１１内には、コンデンサ２０が内蔵されている。さらに、このコア基板本体１０の周縁部には、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３が多数形成されている。
【００４５】
コンデンサ２０は、図２（ａ）の平面図、及び図２（ｂ）の下面側から見た斜視図に示すように、高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴｉＯ3 を主成分とする誘電体層２４とＰｄを主成分とする電極層２５とを交互に積層した略正方形板状の積層セラミックコンデンサである。ただし、図２（ｂ）から判るように、コンデンサ下面２０Ｂの周囲は、中央に正方形状の領域を残して、切り欠き部２０Ｐにより階段状に１段低位とされて、後述するようにコア基板本体１０のコンデンサ受け部１２との当接面２０Ｃが形成されている。つまり、コンデンサ２０は、その下面２０Ｂにおいて、略凸字状の形状とされている。また、このコンデンサ２０は、チップコンデンサなどに用いられ、積層された誘電体層及び電極層の側面からコンデンサの両極をなす２つの電極（共通電極）を取り出す通常の積層セラミックコンデンサとは、接続のための電極の取り出し方が異なる。即ち、図２（ｃ）に示すように、コンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面２０Ｂに、それぞれ多数の上面接続パッド２１（図２（ｃ）では、２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ）及び下面接続パッド２２（図２（ｃ）では、２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ）を備えており、これらのパッド２１，２２によって、コンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面２０Ｂ内で、図図２（ｃ）中上方あるいは下方に接続可能になっている。
【００４６】
コンデンサ２０の電極層２５は、図２（ｃ）にその内部構造の概要を示すように、ビア導体２６Ｅ、２６Ｆでそれぞれ１層おきに導通された１対の電極層の群２５Ｅ，２５Ｆに分けられている。しかも、電極層の群２５Ｅ，２５Ｆは互いに絶縁されている。したがって、各誘電体層２４を挟んで対向する２つの電極群２５Ｅ，２５Ｆは、コンデンサ２０の２つの電極をなす。また、上面接続パッド２１の一部（図中右及び左のパッド２１Ａ，２１Ｃ）は、この電極層２５のうち最も上方に位置し一方の電極群２５Ｅに属するトップ電極層２５ＥＴと、誘電体層２４のうち最も上方に位置するトップ誘電体層２４Ｔを貫通するビア導体２７Ｅによって接続している。また、上面接続パッド２１の他の一部（図中中央のパッド２１Ｂ）は、上記トップ電極層２５ＥＴより下層に位置し他方の電極群２５Ｆに属する電極層２５と、ビア導体２７Ｆ及び２６Ｆによって接続している。このように、多数の上面接続パッド２１は、コンデンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれも複数の上面接続パッド２１のうちの少なくとも１つと接続している。つまり、多数の上面接続パッド２１のうちある上面接続パッド２１（例えば、２１Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続している。またある上面接続パッド２１（例えば、２１Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コンデンサ２０の上方から、上面接続パッド２１を通じて、一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通することができる。
【００４７】
同様に、下面接続パッド２２の一部（図中右及び左のパッド２２Ａ，２２Ｃ）は、電極層２５のうち最も下方のボトム電極層２５ＦＤより上層に位置し、一方の電極群２５Ｅに属する電極層２５と、誘電体層２４のうち最も下方に位置するボトム誘電体層２４Ｄを貫通するビア導体２８Ｆ及び２６Ｆによって接続している。また、下面接続パッド２２の他の一部（図中中央のパッド２２Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆに属する上記ボトム電極層２５ＦＤと、ビア導体２８Ｆによって接続している。このように、多数の下面接続パッド２２は、コンデンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのどちらもが下面接続パッド２２の少なくともいずれかと接続している。つまり、多数の下面接続パッド２２のうちある下面接続パッド２２（例えば、２２Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続している。またある下面接続パッド２２（例えば、２２Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コンデンサ２０の下方から、下面接続パッド２２を通じて、一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通することができる。なお、図２（ｂ）に示して上述したように、下面接続パッド２２が形成されるボトム誘電体層２４Ｄは、他の誘電体層２４よりも平面方向（図中左右方向）の大きさが小さくされることにより、切り欠き部２０Ｐが構成され、これによってその周囲には、１層上方の誘電体層２４が露出して上述の当接面２０Ｃが形成される。また、ボトム電極層２５ＦＤもボトム誘電体層２４Ｄの形状に合わせ、電極群２５Ｆに属する他の電極層よりも平面方向に小さな寸法とされている。
【００４８】
そして、図１に示すように、コンデンサ２０の切り欠かれて凸字状となったコンデンサ下面２０Ｂ近傍が、コンデンサ受け部１２の内周縁１２Ｈに嵌合している。このため、当接面２０Ｃと受け部１２の内向き面１２Ｓ（図中上面）とが当接することで、コンデンサ２０の図中上下方向の位置決めが、また、受け部貫通孔１２Ｈが切り欠き部２０Ｐと嵌合することで、径方向（平面方向、図中左右方向）の位置決めが行われる。さらに、このコンデンサ２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂３２によってコンデンサ内蔵用貫通孔１１内に固定されて、コア基板本体１０と一体となっている。これにより、コア基板本体１０に内蔵されたコンデンサ２０は、図中上方には上面接続パッド２１で、図中下方には下面接続パッド２２ででそれぞれ接続可能になっている。
【００４９】
さらに、コア基板本体上面１０Ａ及びコンデンサ上面２０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とする３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一方、コア基板本体下面１０Ｂ及びコンデンサ下面２０Ｂの下方には、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形成されている。
【００５０】
このうち、上部樹脂絶縁層４１，４２，４３の層間、及び上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫通して、フリップチップパッド１０１とこれに対応するコンデンサ２０の上面接続パッド２１とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６０を構成する。また、上部樹脂絶縁層４１，４２，４３の層間、及上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫通して、フリップチップパッド１０１とこれに対応するコアスルーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コア接続配線８０を構成する。一方、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層間、及び上部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通して、下面接続パッド２２とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を構成する。また、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層間、及び下部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通して、コアスルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コア接続配線９０を構成する。
【００５１】
これにより、フリップチップバンプ１０２に接続されたＩＣチップ１は、フリップチップパッド１０１、上部コンデンサ接続配線６０、上面接続パッド２１を通じて、コンデンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆとそれぞれ接続することになる。
さらに、ＬＧＡパッド１０３は、下部コンデンサ接続配線７０、下面接続パッド２２を通じて、コンデンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆとそれぞれ接続している。
したがって、図２（ｄ）に示すように、フリップチップパッド１０１とＬＧＡパッド１０３との間を結び、一方の電極群２５Ｅと接続する上部コンデンサ接続配線６０及び下部コンデンサ接続配線７０と、同じく他方の電極群２５Ｆと接続する上部コンデンサ接続配線６０及び下部コンデンサ接続配線７０との間に、コンデンサ２０が挿入された状態となる。
【００５２】
このため、ＬＧＡパッド１０３に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデンサ接続配線７０、コンデンサ２０、上部コンデンサ接続配線６０、フリップチップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ１に供給することができるようになる。さらに、コンデンサ２０により電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去することができる。
しかも、コンデンサ２０は、コア基板本体１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近くに配置することができるため、上部コンデンサ接続配線６０の長さを短くできる。したがって、コンデンサ２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。特に、本実施形態では、コンデンサ２０を、ＩＣチップ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０１の直下に配置する構造としたので、上部コンデンサ接続配線６０の長さをごく短くすることができる。したがって、ＩＣチップ１とコンデンサ２０との距離をごく短くすることができるから、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００５３】
また、上部コンデンサ接続配線６０は多数形成され、多数のフリップチップパッド１０１と多数の上面接続パッド２１との間を並列に接続している。したがって、多数の上部コンデンサ接続配線６０が形成されることにより、全体として、ＩＣチップ１（フリップチップパッド１０１）とコンデンサ２０とを結ぶ上部コンデンサ接続配線６０の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。同様に、下部コンデンサ接続配線７０も多数形成され、多数のＬＧＡパッド１０３と多数の下面接続パッド２２との間を並列に接続している。したがって、多数の下部コンデンサ接続配線７０が形成されることにより、全体として、ＬＧＡパッド１０３とコンデンサ２０とを結ぶ下部コンデンサ接続配線７０の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。
【００５４】
一方、信号線などコンデンサ２０に接続しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線８０を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コア基板本体１０を貫通して、下部コア接続配線９０からＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同様である。
このように、本実施形態の配線基板１００では、ＩＣチップ１のごく近くにコンデンサ２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造にすることができる。
【００５５】
なお、上記では、コンデンサ２０として、ボトム誘電体層２４Ｄを１層のみの平面寸法を小さくしたことにより切り欠き部２０Ｐを設けたものを示したが、コンデンサ下面２０Ｂ側の複数層の誘電体層について平面寸法を小さくすることにより、切り欠き部２０Ｐの段差を大きくすることができる。また、ボトム誘電体層２４Ｄの厚さを他の誘電体層２４より厚くすることにより、あるいは複数の誘電体層について厚さを変えることによっても切り欠き部２０Ｐの段差を大きくすることができる。
【００５６】
次いで、上記配線基板１００の製造方法について、個別の部材であるコンデンサ２０、コア基板本体１０の製造方法を含めて説明する。まず、コンデンサ２０の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。まず、図３（ａ）に示すように、公知のグリーンシート製造技術により、ＢａＴｉＯ3 粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート（以下、単にシートともいう）１２４を多数製造する。次いで、図３（ｂ）に示すように、このシート１２４の所定位置に、その表裏面１２４Ａ，１２４Ｂ間を貫通するビア孔１２４Ｈをパンチングにより形成する。
【００５７】
さらに、図３（ｃ）に示すように、各シート１２４のビア孔１２４Ｈ内に、Ｐｄペーストを充填して未焼成ビア導体１２６，１２７，１２８を形成し、さらに、各シート１２４の上面１２４Ａ側に、Ｐｄペーストからなる所定形状の未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆを形成する。このうち、一方の未焼成電極層１２５Ｅは、図３（ｃ）において３つ形成した未焼成ビア導体１２６，１２７のうち、左右２つと接続し、中央の未焼成ビア導体１２６，１２７とは接続しないパターンに形成されている。他方の未焼成電極層１２５Ｆは、これとは逆に、３つ形成した未焼成ビア導体１２６のうち、中央の未焼成ビア導体１２６と接続し、左右のものとは接続しないパターンに形成されている。
【００５８】
なお、未焼成ビアパッド１２５Ｅあるいは１２５Ｆと接続しないビア１２６，１２７については、後述する積層時に確実に上下方向にビア導体同士を接触、導通させるため、各未焼成ビア導体１２６，１２７の上方に、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆと同時にカバーパッド１２９を形成しておくと良い。
また、次述する積層時に最も上に積層する未焼成誘電体層１２４Ｄは、他の未焼成誘電体層１２４よりもやや小さな寸法に形成しておき、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せず、各未焼成ビア導体１２８の上方に、カバーパッド１２２のみを形成するようにしている。
さらに、次述するようにこの未焼成誘電体層１２４Ｄと圧着される未焼成電極層についても、他の未焼成電極層１２５Ｆよりも外形をやや小さくした未焼成電極層１２５ＦＤとしておく。
【００５９】
次いで、図３（ｄ）に示すように、未焼成電極層１２５Ｅが積層されたシート１２４と、１２５Ｆ（１２５ＦＤ）が積層されたシート１２４とを、交互に積み重ねるようにして積層する。そして、最も上には、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せず、カバーパッド１２２のみを形成したシート１２４Ｄを積層し、これらを圧着して積層体１２０を形成する。これにより、未焼成誘電体層１２４と未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆとは、交互に積層され、しかも、未焼成電極層１２５Ｅと１２５Ｆとは互いに１層おきに配置された状態となる。また、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｅはそれぞれ未焼成ビア導体１２６，１２７を介して、互いに接続され、同様に、未焼成電極層１２５Ｆ，１２５Ｆもそれぞれ未焼成ビア導体１２６，１２７を介して、互いに接続される。その上、未焼成電極層１２５Ｅの群と１２５Ｆの群とは、接触することはなく、互いに絶縁された状態となる。
さらに、未焼成誘電体層１２４Ｄの平面寸法のみを他の未焼成誘電体層１２４より小さくしたことにより、この積層体１２０の図中上面周囲には、階段状の切り欠き部１２０Ｐが形成される。
【００６０】
その後、この積層体１２０を上下反転させて、未焼成ビア導体１２７が露出する積層体１２０の上面にカバーパッドを形成した上で、この積層体１２０を焼成（同時焼成）して、図２に示すコンデンサ２０を形成する。コンデンサ２０をこのようにして形成したので、例えば、焼成後に誘電体層２４の側面に電極層２５Ｅ、あるいは２５Ｆと接続するための共通電極を形成する必要はなく、焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ビア導体２６，２７，２８（未焼成ビア導体１２６，１２７，１２８）は、上層や下層のビア導体の位置や隣り合うビア導体２４との間隔等を考慮すれば、誘電体層２４の面内いずれの位置にも形成できる。
【００６１】
したがって、上部コンデンサ接続配線６０や下部コンデンサ接続配線７０の引き回しの容易さ、上部コンデンサ接続配線６０に接続するフリップチップパッド１０１の数や、下部コンデンサ接続配線７０に接続するＬＧＡパッド１０３の数などに応じて、上面接続パッド２１および下面接続パッド２２の位置や数も任意に選択して形成することができる。なお、Ｐｄからなる上面接続パッド２１あるいは下面接続パッド２２は、Ｃｕからなる配線層４５との接続性あるいはハンダ付け性等を考慮して、Ｎｉ−Ａｕメッキや、Ｃｕメッキ等を施しておくこともできる。また、上面接続パッド２１、及び／または、下面接続パッド２２の周囲には、公知の手法により、セラミックや樹脂などからなるソルダーレジスト層を形成しておくこともできる。
【００６２】
完成したコンデンサ２０は、ショートの有無、静電容量値、電極群２５Ｅと２５Ｆとの間の絶縁抵抗値、各上面接続パッド２１及び各下面接続パッド２２と、電極群２５Ｅ，２５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェック等、各種のチェックを行い、不具合のあるコンデンサ２０は廃棄する。これにより、後述する工程で不具合のあるコンデンサ２０を使用する危険性を減少させることができる。
【００６３】
次いで、コア基板本体１０およびその製造方法について説明する。コア基板本体１０は、まず、コンデンサ２０を内蔵する前に、図４に示す状態にする。即ち、図４（ａ）（ｂ）に示すコア基板本体１０は、平面視略正方形板状で、略中央に略正方形状の貫通孔１１を有する。この貫通孔１１は、その下端近傍でやや径小にされていることにより、コア基板上面１０Ａ側から平面視すると、貫通孔１１内には、これよりやや小さな略正方形状の貫通孔（内周縁）１２Ｈを持つコンデンサ受け部１２が露出している。このコア基板本体１０は、図４（ｂ）に示すように、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとを有し、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる受け部用コア基板本体１３と、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる壁部用コア基板本体１６とが、接着層１７で接着されて形成されている。コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間には、壁部用コア基板本体１６を貫通する貫通孔１６Ｈと、受け用コア基板本体１３を貫通し、上記貫通孔１６Ｈよりもやや径方向寸法の小さな貫通孔１３Ｈとで、コンデンサ内蔵用貫通孔１１が形成されている。
【００６４】
このため、貫通孔１１の図中下端側では、貫通孔１３Ｈの周縁近傍が貫通孔１６Ｈよりも平面方向（図中左右方向）内側に向けて突出して、内周縁１２Ｈ（貫通孔１３Ｈ）を有するコンデンサ受け部１２を構成している。コンデンサ受け部１２の内向き面（図中上面）１２Ｓは、上記したコンデンサ２０を内蔵させた際に、コンデンサ２０の当接面２０Ｃと当接することで、コンデンサ２０の貫通孔１１内での軸方向（上下方向）の位置決めをすることができる。また、コンデンサ受け部１２、さらにいえばその内周縁１２Ｈは、コンデンサ２０の切り欠き部２０Ｐと嵌合することで、コンデンサ２０の貫通孔１１内での平面方向（左右方向）の位置決めをすることができる。一方、コンデンサ受け部１２の外向き面（図中下面）１２Ｔは、コア基板本体下面１０Ｂと一致する。
【００６５】
なお、このコア基板本体１０には、そのコア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３は形成されていない。コアスルーホール導体３３は、コア基板本体１０の貫通孔１１内に、上述のコンデンサ２０を内蔵、固定してから形成するからである。
【００６６】
このコア基板本体１０は、以下のようにして製造する。即ち、まず図５（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その受け部用コア基板本体上面１３Ａと受け部用コア基板本体下面１３Ｂとを有し、中央に略正方形状の貫通孔１３Ｈを有する受け部用コア基板本体１３を用意する。なお、貫通孔１３Ｈは、次述する貫通孔１６Ｈよりやや小さな寸法にしておく。この貫通孔１３は、公知の手法によって形成すれば良く、例えば、ドリル、パンチング、レーザ等が挙げられる。
【００６７】
一方、図５（ｂ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記受け部用コア基板本体１３より厚さの厚い壁用コア基板本体１６を用意する。この壁部用コア基板本体１６にも、予め上記貫通孔１１に対応した中央の位置に、略正方形状の貫通孔１６Ｈをパンチング等により形成しておく。
【００６８】
次いで、図５（ｃ）に示すように、受け部用コア基板本体上面１３Ａと、壁部用コア基板本体下面１６Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、貫通孔１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート１７Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者１３，１６は、接着層１７を介して接着され、図４に示すコア基板本体１０が作成できる。
【００６９】
本実施形態のように、受け部１２を有する貫通孔１１を備えたコア基板本体１０を作成するのに、予め貫通孔１３Ｈの内周近傍が受け部１２となる受け部用コア基板本体１３と、受け部１２以外の径大部、つまり貫通孔１１の大半を構成する壁部用コア基板本体１６とに分けて製作し、その後貼り合わせるようにすると、受け部１２を有する貫通孔１１を公知の手法によって容易かつ正確な寸法で形成できる。したがって安価にコア基板本体１０を形成することができる。
【００７０】
次いで、このコア基板本体１０にコンデンサ２０を内蔵させ、コアスルーホール導体３３を形成する工程を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、コア基板本体１０の貫通孔１１内に、上述のコンデンサ２０をコンデンサ下面２０Ｂを下にして配置する。すると上記したように、コンデンサ２０の当接面２０Ｃが受け部１２の内向き面１２Ｓに当接し、さらに、受け部１２と、さらにいえばその内周縁１２Ｈと切り欠き部２０Ｐとが嵌合して、コンデンサ２０の貫通孔１１内での上下方向及び平面方向の位置決めができる。
【００７１】
その後、図６（ｂ）に示すように、貫通孔１１内の他、コア基板本体上面１０Ａ及びコンデンサ上面２０Ａ上、コア基板本体下面１０Ｂ及びコンデンサ下面２０Ｂ上（図中下方）に、エポキシ樹脂を主成分とする充填樹脂３２を注入及び塗布し硬化させる。これにより、コンデンサ２０が受け部１２に当接、嵌合しつつ、貫通孔１１内において充填樹脂３２（３２Ａ）で固定されて、コア基板本体１０に内蔵され、熱や振動等が掛かった場合にも、コア基板本体１０とコンデンサ２０との間の位置ズレが生じる等の不具合が防止される。
【００７２】
さらに、図６（ｃ）に示すように、コア基板本体上面１０Ａ上及びコンデンサ上面２０Ａ上の充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッド２１を露出させると共に、この上面接続パッド２１と、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０Ａ上に残した充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃとを略面一に整面する。同様に、コア基板本体下面１０Ｂ上及びコンデンサ下面２０Ｂ上の充填樹脂層３２Ｄ，３２Ｅを平面に研磨して、下面接続パッド２２を露出させると共に、この下面接続パッド２２と、コンデンサ下面２０Ｂ上及びコア基板本体下面１０Ｂ上に残した充填樹脂層３２Ｄ，３２Ｅとを略面一に整面する。このようにして製作したコンデンサ内蔵コア基板では、コア基板本体１０に貫通孔１１を形成し、その中にコンデンサ２０を内蔵させたことによる段差の発生は吸収され、以降に形成する樹脂絶縁層４１，５１等や配線層４５，５５等が段差によって歪み、断線やショート等の不具合を生じることはなくなる。また、フリップチップパッド１０１（あるいはフリップチップバンプ１０２）やＬＧＡパッド１０３への段差の影響もなくなるため、フリップチップパッド１０１やＬＧＡパッド１０３等のコプラナリティも良好にできる。
【００７３】
さらに、図７に示すように、このコア基板本体１０の貫通孔１１の周縁に、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間、さらには、充填樹脂層３２Ｃの上面３２ＣＵと充填樹脂層３２Ｅの下面３２ＥＤとの間を貫通するコアスルーホール孔３０Ｈをドリルによって形成する。なお、孔径や間隔を小さくしたい場合などでは、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
【００７４】
次いで、公知のスルーホール導体形成手法によって、このコアスルーホール孔３０Ｈ内及びその周縁にＣｕからなるコアスルーホール導体３３を形成する。なお、充填樹脂層上面３２ＣＵ及び充填樹脂層下面３２ＥＤには、コアスルーホール導体３３から延在して配線層４５，５５と接続するための接続配線３４，３５も形成する。また、充填樹脂層３２Ｂと面一にした上面接続パッド２１、及び充填樹脂層３２Ｄと面一にした下面接続パッド２２も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層３２Ｂより上方、または充填樹脂層３２Ｄより下方に突出した状態とする。このようにして、コンデンサ内蔵コア基板（以下、単にコア基板ともいう）３０を作成する。
【００７５】
このコア基板３０は、コア基板本体１０の他、コンデンサ２０をその貫通孔１１に内蔵している。しかし、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）やコア基板３０Ｂ（充填樹脂層下面３２ＥＤ）には、所定部位にこれらの間を貫通するコアスルーホール導体３３、あるいは、上面接続端子２１や下面接続端子２２、接続配線３４，３５が形成されており、コア基板上面３０Ａ及びコア基板下面３０Ｂは平坦にされている。したがって、コンデンサを内蔵しない通常の配線基板に用いるコア基板と同様に用いることができる。
【００７６】
コアスルーホール導体３３の具体的な製造方法は、例えば以下のようである。即ち、まずコア基板本体１０（図６（ｃ）参照）にスルーホール孔３０Ｈを穿孔後、その全面に無電解Ｃｕメッキを施して、スルーホール孔３０Ｈ内、充填樹脂層上面３２ＣＵ、及び充填樹脂層下面３２ＥＤに無電解Ｃｕメッキ層を形成する。その後、充填樹脂層上面３２ＣＵ上、及び充填樹脂層下面３２ＥＤ上（図中下方）に、ドライフィルムを貼り、露光現像してコアスルーホール孔の周縁など電解メッキ形成部分を開口させる。さらに、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として電流を流して電解Ｃｕメッキを施し、ドライフィルムを除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングで除去してコアスルーホール導体３３、接続配線３４，３５等を形成する。なお、上面接続パッド２１及び下面接続パッド２２にも無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施す。
【００７７】
その他、本実施形態では、コアスルーホール導体３３をコアスルーホール孔３０Ｈの内周及び周縁に形成された略円筒形状に形成したが、その内部に充填用樹脂を充填しその上下をメッキ層で閉塞するようにしても良い。このようにすれば、接続配線３４，３５を介さず、配線層４５，５５とコアスルーホール導体３３とを直接接続することができるので、コアスルーホール導体３３の間隔を高密度に形成することができる。
【００７８】
なお、この状態、即ち、後述するようにこのコンデンサ２０を内蔵したコア基板３０に樹脂絶縁層や配線層を形成する前に、内蔵したコンデンサ２０の特性検査を行うと良い。コア基板３０に内蔵された状態で、コンデンサ２０の、ショートの有無、静電容量値、一対の電極群２５Ｅと２５Ｆと間の絶縁抵抗値、各上面接続パッド２１及び各底面スルーホール導体１２と、各電極群２５Ｅ，２５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェック等、各種の検査を行い、不具合のあるコンデンサ２０が内蔵されたコア基板３０は廃棄する。これにより、後述するように工数の掛かる樹脂絶縁層や配線層を形成した後に、コンデンサ２０に不具合があることが判明することで、付加価値の高い配線基板１００全体を廃棄せざるを得なくなる危険性を減少させることができる。
【００７９】
その後は、このコア基板３０を用いて、公知の樹脂絶縁層形成技術、配線層形成技術を用いて樹脂絶縁層や配線層を形成し、配線基板１００を形成すればよい。
なお、本実施形態では、樹脂絶縁層を形成する前に、以下の処理を行う。即ち、図８（ａ）に示すように、コアスルーホール導体３３の内部の他、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃの上方や上面接続パッド２１、接続配線３４の上方、また、充填樹脂層３２Ｄ，３２Ｅの下方や下面接続パッド２２、接続配線３５の下方にエポキシ樹脂を主成分とする平坦化樹脂３６，３７，３８を、充填塗布し、硬化させる。あるいは、まずコアスルーホール導体３３の内部に平坦化樹脂３６を充填し硬化させた後に、平坦化樹脂３７，３８を塗布して硬化させても良い。
【００８０】
さらに、図８（ｂ）に示すように、平坦化樹脂３７，３８の上面あるいは下面を研磨して平坦にする。それと共に、上面接続パッド２１、コアスルーホール導体３３及び接続配線３４を平坦化樹脂層３７と略面一に露出させる。また、下面接続パッド２２、コアスルーホール導体３３及び接続配線３５を平坦化樹脂層３８と略面一に露出させる。これにより、上面接続パッド２１や下面接続パッド２２、コアスルーホール導体３３、接続配線３４，３５等が、コア基板上面３０Ａあるいはコア基板下面３０Ｂから突出して形成されているために、その上下に形成する樹脂絶縁層４１，５１等あるいは配線層４５，５５等が受ける影響を無くすことができる。したがって、配線層４５等の断線やショートの防止、あるいは、フリップチップパッド１０１やＬＧＡパッド１０３等のコプラナリティの向上を図ることができる。
【００８１】
以降は、平坦化樹脂層３７の上面３７Ｕ及び平坦化樹脂層３８の下面３８Ｄに、エポキシ樹脂を主成分とする感光性フィルムを貼り付ける。さらに、露光現像して、底面にそれぞれ上面接続パッド２１、下面接続パッド２２、接続配線３４，３５等が露出するビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを形成し、感光性フィルムを硬化させて、図９（ａ）に示すように、樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ形成する。なお、樹脂絶縁層４１，５１を感光性のない樹脂で形成した後に、レーザ（ＣＯ2 ，ＹＡＧ等）を用いてビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを穿孔するようにしても良い。
【００８２】
さらに、無電解Ｃｕメッキを施し、ドライフィルムを貼り付け露光現像して電解メッキ層形成部分のみ開口させ、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として開口内に電解Ｃｕメッキ層を形成し、ドライフィルムを除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、図９（ｂ）に示すように、ビアホール４１ＶＨ、５１ＶＨ内に樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ貫通し、上面接続パッド２１や下面接続パッド２２等とそれぞれ接続するビア部４５Ｖ，５５Ｖを有する配線層４５，５５が、互いに絶縁されて形成される。なお、この配線層４５，５５は、さらに上部に樹脂絶縁層４２，５２が形成されると樹脂絶縁層４１と４２、あるいは樹脂絶縁層５１と５２の層間に配置されることになる。
【００８３】
以降は、同様にして樹脂絶縁層４２，５２、配線層４６，５６及びフリップチップパッド１０１、樹脂絶縁層（ソルダレジスト層）４３，５３を順に形成し、さらに、樹脂絶縁層４３から露出するフリップチップパッド１０１にハンダペーストを塗布しリフローすることで、ハンダからなるフリップチップバンプ１０２を形成する。このようにして、図１に示す配線基板１００が完成する。なお、ＬＧＡパッド１０３の表面には、酸化防止のため、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成しても良い。
【００８４】
本実施形態においては、コア基板本体１０の貫通孔１１内にコンデンサ２０を内蔵させ充填樹脂３２で固定した後に、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅの上面または下面を研磨し整面した。さらに、コアスルーホール導体３３等を形成した後にも、平坦化樹脂層３７，３８の上面または下面を研磨して整面した。このため、コンデンサ２０を貫通孔１１内に内蔵させたことによって生じる段差を解消し、さらには、コアスルーホール導体３３や上面接続パッド２１等の突出による段差も解消したので、配線層４５，５５等の断線やショート、さらには、フリップチップパッド１０１やフリップチップバンプ１０２、ＬＧＡパッド１０３のコプラナリティも向上させることができる。
【００８５】
また本実施形態では、上述のように樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３を、感光性樹脂フィルムを用いたフォトリソグラフィ技術によって形成し、また、配線層４５，５５を、いわゆるセミアディティブ法によって形成した。しかし、樹脂絶縁層４１等を樹脂ペーストを塗布するなど他の手法で、また、配線層４５等も、サブトラクティブ法、フルアディティブ法、その他の手法で形成しても良い。即ち、公知のいずれの手法によって、樹脂絶縁層４１等及び配線層４５等を形成しても良い。
【００８６】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態にかかる配線基板２００ついて、図１０を参照しつつ説明する。前記実施形態１の配線基板１００では、コンデンサ２０を内蔵するコア基板本体１０の貫通孔１１に形成された受け部１２が、貫通孔１１の図中下方端部に形成されていた。これに対して、本実施形態の配線基板２００では、コンデンサ２２０を内蔵するコア基板本体２１０のコンデンサ内蔵用貫通孔２１１のうち、図中上方端部にコンデンサ受け部２１２が形成されている点で異なる。また、コンデンサ２２０の上面２２０Ａ側に当接面２２０Ｃ及び切り欠き部２２０Ｐが形成され、受け部２１２の内向き面（図中下面）２１２Ｓと当接面２２０Ｃとが当接し、受け部２１２に切り欠き部２２０Ｐが嵌合している点で異なる。さらに、コア基板本体上面２１０Ａのうち受け部２１２の外向き面（図中上面）２１２Ｔにまで接続配線２３４が延設されている点で異なるが、その他は同様であるので、異なる部分を中心に説明し、同様な部分については説明を省略あるいは簡略化する。
【００８７】
配線基板２００は、その配線基板上面２００Ａに、破線で示すＩＣチップ１との接続用のフリップチップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２が多数形成されている。一方、配線基板下面２００Ｂには、ＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらにこの配線基板２００は、コンデンサ２２０を内蔵するコア基板本体２１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６０，７０，８０，９０を備える。
【００８８】
このうち、コア基板本体２１０は、平面視略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その略中央にはその上下を貫通する平面視略正方形のコンデンサ内蔵用貫通孔２１１を備える。この貫通孔２１１の図中上方端部には、貫通孔２１１の径方向内側に向けて突出し、その内周縁２１２Ｈが略正方形状とされたコンデンサ受け部２１２が形成されている。また、この貫通孔２１１内には、コンデンサ２２０が内蔵されている。また、このコア基板本体２１０の周縁部には、コア基板本体上面２１０Ａとコア基板本体下面２１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体２３３が多数形成されている。また、コア基板本体上面２１０Ａには、コアスルーホール導体２３３から受け部２１２の上面２１２Ｔまで延びる接続配線２３４が形成されている。一方、コア基板本体赤面２１０Ｂには、コアスルーホール導体２３３から延びる接続配線２３５が形成されている。
【００８９】
コンデンサ２２０は、実施形態１で説明したコンデンサ２０と同様の材質、構造を有する、但し、コンデンサ２０とちょうど上下反転させた形状、即ち、当接面２２０Ｃおよび切り欠き部２２０Ｐがコンデンサ上面２２０Ａ側に形成された積層セラミックコンデンサである（図２（ａ）（ｂ）（ｃ）参照）。つまり、コンデンサ上面２２０Ａの周囲は、階段状の切り欠き部２２０Ｐとされ、一段低位にされて当接面２２０Ｃを構成する。なお、コンデンサ２０と同様に、コンデンサ上面２２０Ａ及びコンデンサ下面２２０Ｂには、それぞれ多数の上面接続パッド２２１及び下面接続パッド２２２を備えており、これらのパッド２２１，２２２によって、コンデンサ上面２２０Ａ及びコンデンサ下面２２０Ｂ内で、図中上方あるいは下方に接続可能になっている。
これにより、コア基板本体２１０に内蔵されたコンデンサ２２０は、図中上方には上面接続パッド２２１で、図中下方には下面接続パッド２２２で、それぞれ接続可能になっている。さらに、このコンデンサ２２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂２３２によって貫通孔２１１内に固定されて、コア基板本体２１０と一体となっている。
【００９０】
さらに、実施形態１と同様に、コア基板本体上面２１０Ａ及びコンデンサ上面２２０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とする３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一方、コア基板本体下面２１０Ｂ及びコンデンサ下面２２０Ｂの下方にも、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形成されている。
【００９１】
このうち、フリップチップパッド１０１とこれに対応する上面接続パッド２２１とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６０を構成し、フリップチップパッド１０１とこれに対応するコアスルーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コア接続配線８０を構成する。一方、コンデンサ２０の下面接続パッド２２２とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を構成し、コアスルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コア接続配線９０を構成する。
【００９２】
これにより、フリップチップバンプ１０２に接続されたＩＣチップ１は、コンデンサ２２０の一対の電極群とそれぞれ接続することになる。さらに、ＬＧＡパッド１０３は、コンデンサ２２０の一対の電極群とそれぞれ接続している。
このため、ＬＧＡパッド１０３に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデンサ接続配線７０、コンデンサ２２０、上部コンデンサ接続配線６０、フリップチップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ１に供給することができるようになる。さらに、コンデンサ２２０により電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去することができる。
【００９３】
しかも、コンデンサ２２０は、コア基板本体２１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近くに配置することができるため、上部コンデンサ接続配線６０の長さを短くできる。したがって、コンデンサ２２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。特に、本実施形態では、コンデンサ２２０を、ＩＣチップ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０１の直下に配置する構造としたので、上部コンデンサ接続配線６０の長さをごく短くすることができる。したがって、ＩＣチップ１とコンデンサ２２０との距離をごく短くすることができるから、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００９４】
また、上部コンデンサ接続配線６０は並列に多数形成されている。また同様に、下部コンデンサ接続配線７０も多数形成されている。このため、全体として、上部コンデンサ接続配線６０や下部コンデンサ接続配線７０の持つ抵抗やインダクタンスも小さくなり、この点からもノイズ除去に有利となる。
【００９５】
一方、信号線などコンデンサ２２０に接続しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線８０、接続配線２３４を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コア基板本体２１０を貫通して、下部コア接続配線９０からＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同様である。
このように、本実施形態の配線基板２００でも、ＩＣチップ１のごく近くにコンデンサ２２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造にすることができる。
しかも、本実施形態では、接続配線２３４が受け部２１２の外向き面（図中上面）２１２Ｔまで延在しているものもある。このような接続配線２３４を形成すると、上面接続パッド２２１の近傍でも上部コア接続配線８０と接続ができるようになり、配線の自由度をさらに向上させることができる。
【００９６】
なお、この配線基板２００は、実施形態１のコンデンサ２０や配線基板本体１０と同様のコンデンサ２２０やコア基板本体２１０を製作し、コア基板本体２１０にコンデンサ２２０を内蔵させ、上下反転させた上で実施形態１と同様に樹脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成すれば製作できるので、その詳細な説明を省略する。
【００９７】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、コア基板本体１０、さらにいえば、受け部用コア基板本体１３及び壁部用コア基板本体１６の材質として、ガラス−エポキシ樹脂複合材料を用いたが、コア基板本体としては、耐熱性、機械的強度、可撓性、加工の容易さ等を考慮して選択すればよい。したがって、例えば、ガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂とのガラス繊維−樹脂複合材料や、ポリアミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることができる。
【００９８】
また、樹脂絶縁層４１等として、エポキシ樹脂を主成分とするものを用いたが、耐熱性、パターン成形性等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられる。
同様に、配線層４５等を、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキによって形成したが、その他の材質、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良く、さらには、メッキによらず、導電性樹脂を塗布する等の手法によって配線層４５等を形成しても良い。
【００９９】
上記実施形態では、ＩＣチップ１との接続のために、配線基板上面１００Ａ，２００Ａにフリップチップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２を多数設けた。しかし、ＩＣ接続端子としては、接続するＩＣチップに形成され端子に応じて、適切な形態のものを選択すれば良く、フリップチップバンプを形成したものの他、フリップチップパッドのみのもの、あるいは、ワイヤボンディングパッドやＴＡＢ接続用のパッドを形成したものなどが挙げられる。
【０１００】
上記実施形態では、コア基板本体の略中央に貫通孔を１つ設けたものを示したが、略中央に形成する必要はなく、また、必要に応じて貫通孔を複数設けてコンデンサを内蔵するようにしても良い。また逆に、複数の電源電位に対応するなどのため、１つの貫通孔内に、複数のコンデンサを内蔵するようにしても良い。
また、コンデンサ２０として、コンデンサ上面２０Ａやコンデンサ下面２０Ｂに略平行に誘電体層２４及び電極層２５を積層した積層セラミックコンデンサを示した。しかし、内蔵させるコンデンサは、コンデンサ上面２０Ａやコンデンサ下面２０Ｂに上面接続パッド２１や下面接続パッド２２が形成されたもので有ればよく、例えば、誘電体層や電極層がコンデンサ上面と略直交する方向に積層されているなど、コンデンサの積層方向や内部構造は適宜変更することができる。また、上記実施形態１では、コンデンサ内に形成したビア導体２６，２７，２８は、いずれも他のビア導体と上下方向に重なった位置に形成されたものを示したが（図２（ｃ）参照）、他のビア導体が上方あるいは下方にある位置に限定する必要はなく、各ビア導体２６等の配置あるいはその数は、適宜選択することができる。
【０１０１】
さらに、上記実施形態では、誘電体層２４にＢａＴｉＯ3 を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、誘電体層の材質はこれに限定されず、例えば、ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＭｇＴｉＯ3，ＫＮｂＯ3，ＮａＴｉＯ3，ＫＴａＯ3，ＲｂＴａＯ3，（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3 ，Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3などが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他に応じて適宜選択すればよい。
また、電極層２５やビア導体２６等には、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等との適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙げられる。
さらに、高誘電体セラミックを主成分とする誘電体層やＡｇ−Ｐｄ等からなる電極層と、樹脂層やＣｕメッキ，Ｎｉメッキ等からなるビア導体や配線層とを複合させてコンデンサとしたものを用いることもできる。
【０１０２】
また、上記実施形態では、貫通孔１１内にコンデンサ２０を内蔵した後、貫通孔１１内に充填樹脂３２（３２Ａ）を充填したほか、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０Ａ上や、コンデンサ下面２０Ｂ上及びコア基板本体下面１０Ｂ上（図中下方）にも、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅを形成した（図６参照）。しかし、少なくとも充填樹脂３２（３２Ａ）でコンデンサ２０を貫通孔１１内に固定できれば良い。したがって、貫通孔１１内にのみ充填樹脂３２を注入しても良い。
【０１０３】
あるいは、充填樹脂３２（３２Ａ）の他にコンデンサ上面２０Ａ上やコンデンサ下面２０Ｂ上の充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｄのみ形成するようにすることもできる。即ち、貫通孔１１（受け部１２）やコンデンサ２０の寸法を調整しておき、コンデンサ２０を貫通孔１１内で位置決めした状態で、コンデンサ上面２０Ａがコア基板本体上面１０Ａよりも低位（図中下方）となり、かつ、上面接続パッド２１がコア基板本体上面１０Ａよりも上位（図中上方）となるようにする。また、コンデンサ下面２０Ｂがコア基板本体下面１０Ｂよりも上位（図中上方）となり、かつ、下面接続パッド２２がコア基板本体下面１０Ｂよりも低位（図中上方）となるようにする。次いで、貫通孔１１内に充填樹脂３２を注入するほか、コンデンサ上面２０Ａ、コンデンサ下面２０Ｂ上にもそれぞれ充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｄを形成する。その後、この充填樹脂層３２Ｂの上面に上面接続パッド２１が露出し、この上面がコア基板本体上面１０Ａと面一になるように、また、この充填樹脂層３２Ｄの上面に下面接続パッド２２が露出し、この下面がコア基板本体下面１０Ｂと面一になるように整面しても良い。このようにしても、貫通孔１１の存在やコンデンサ２０を内蔵したために生じる段差が解消でき、さらに上層に上部樹脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成する際に、配線層４５等の断線やショートを防止し、あるいはフリップチップパッド１０１等のコプラナリティ低下を防止できる。
【０１０４】
また、上記実施形態では、コンデンサ２０を内蔵させた後に、コア基板本体１０にコアスルーホール導体３３を形成したが、予めコア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体を形成しておき、その後コンデンサ２０を貫通孔１１内に内蔵させることもできる。即ち、受け部用コア基板本体１３と壁部用コア基板本体１６とを接着した後（図４，図５参照）、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を形成し、公知の手法によりコアスルーホール導体を形成する。その後、上記と同様にして、貫通孔１１内にコンデンサ２０を内蔵させる。このようにすると、コンデンサ２０を内蔵した後、コアスルーホール孔３０Ｈの形成の際に発生する振動や衝撃等で、コンデンサ２０や充填樹脂３２にクラック等の不具合を生じさせる危険を回避することができる。
【０１０５】
さらに、上記実施形態においては、コアスルーホール導体３３や接続導体３４，３５を形成した後に、平坦化樹脂３６，３７，３８を形成して、コア基板３０の上下を平坦にした。しかし、上記平坦化樹脂を用いないで、即ち、図７に示す状態から、コアスルーホール導体３３内を樹脂で埋めた上で、樹脂絶縁層４１，５１を形成するようにしても良い。このようにすれば、配線基板をより安価に形成することができる。
【０１０６】
さらに、上記実施形態では、貫通孔１１，２１１にコンデンサ受け部１２，２１２をそれぞれ形成し、当接部２０Ｃ，２２０Ｃ、及び切り欠き部２０Ｐ，２２０Ｐが形成されたコンデンサ２０，２２０が、この受け部１２等に当接し、かつ、嵌合するようにした。
しかし、受け部１２等に当接するのみでも、コンデンサ２０等の図中上下方向の位置決めをすることができる。例えば、図１１の変形例１に示す配線基板３００のようなものが挙げられる。この配線基板３００について説明すると、内蔵するコンデンサ３２０には、実施形態１のコンデンサ２０と異なり、切り欠き部が形成されておらず、その厚さがコンデンサ２０よりやや薄くされ、その代わりに、コンデンサ下面３２０Ｂに形成された下面接続パッド３２２の厚さが厚くされている。一方、コア基板本体１０その他については、実施形態１の配線基板１００とほぼ同様とされている。この配線基板３００では、受け部１２の内向き面１２Ｓとコンデンサ下面（当接面）３２０Ｂとが当接することで、コンデンサ３２０の図中上下方向の位置決めがなされている。これにより、容易にコンデンサ３２０の上下方向の位置ズレに起因する上方コンデンサ接続配線６０（配線層４５）や下方コンデンサ接続配線７０（配線層５５）との接続不良を防止でき、これらと確実に接続できる。また、配線基板３００では、切り欠き部を形成しない略直方体形状のコンデンサ３２０を用いることができ、コンデンサ３２０の製造が容易で安価になるため、配線基板３００も安価にできる。なお、コンデンサ３２０の平面方向（図中左右方向）の位置決めは、適宜治工具を用いて行い、充填樹脂３３２によってコンデンサ３２０を貫通孔１１内に固定すればよい。
【０１０７】
さらには、例えば、図１２の変形例２に示す配線基板４００のように、受け部１２等を形成しないものもとすることができる。この配線基板４００では、コア基板本体４１０の上面４１０Ａと下面４１０Ｂとの間に形成した平面視略正方形状の貫通孔４１１の径（平面方向寸法）は、上端から下端にわたって変わらず、受け部が形成されていない。また、この貫通孔４１１内に内蔵されたコンデンサ４２０は、その厚さはコア基板本体４１０のそれとほぼ同じであり、実施形態１のコンデンサ２０と異なり、切り欠き部が形成されていない略直方体形状とされている。本配線基板４００では、コア基板本体４１０に受け部を形成しないため、実施形態１で説明したように、受け部用コア基板本体１３と壁部用コア基板本体１６とを貼り合わせる必要が無く、コア基板本体４１０に公知の手法で貫通孔４１１を形成すれば足りる。また、コンデンサ４２０も、切り欠き部を形成しない略直方体形状のものを用いることができ、コンデンサ４２０の製造が容易で安価になる。従って、配線基板４００は、さらに安価にできる。なお、コンデンサ４２０の上下方向、及び平面方向（図中左右方向）の位置決めは、適宜治工具を用いて行い、充填樹脂４３２によってコンデンサ４２０を貫通孔４１１内に固定すればよい。
【０１０８】
さらに、実施形態１においてコア基板本体１０の受け部１２の形状は、図４（ａ）に示したように、コア基板本体上面１０Ａから平面視すると、貫通孔１１の全周にわたって、略一定の幅を持つ略ロ字形状とされているが、他の形状であっても良い。
例えば、図１３（ａ）に示すコア基板本体５１０のように、略正方形の貫通孔１１の４つの角部からそれぞれ略「く」の字状に突出するコンデンサ受け部５１２Ａ，５１２Ｂ，５１２Ｃ，５１２Ｄが形成されたもの、図１３（ｂ）に示すコア基板本体５２０のように、略正方形の貫通孔１１のうちの対向する２辺（本例では、左右の２辺）に沿って突出する２本の帯状のコンデンサ受け部５２２Ａ，５２２Ｂが形成されたものが挙げられる。また、図１３（ｃ）に示すコア基板本体５３０のように、略正方形の貫通孔１１の４つの辺にそれぞれ略台形状に突出するコンデンサ受け部５３２Ａ，５３２Ｂ，５３２Ｃ，５３２Ｄが形成されたものなども挙げられる。これらコンデンサ受け部５１２，５２２，５３２の内向き面５１２Ｓ，５２２Ｓ，５３２Ｓもコンデンサ２０を内蔵させた際に、コンデンサ２０の当接面２０Ｃと当接し、かつ、コンデンサ受け部５１２，５２２，５３２、つまりその内周縁５１２Ｈ，５２２Ｈ，５３２Ｈが切り欠き部２０Ｐと嵌合するので、コンデンサ２０の貫通孔１１内の上下方向及び平面方向の位置決めをすることができる。
【０１０９】
さらに、上記実施形態１では、切り欠き部２０Ｐをコンデンサ下面２０Ｂの周縁にロ字状に設けた（図２（ｂ）参照）が、切り欠き部はコンデンサ受け部（例えば実施形態１における受け部１２（図４参照））に嵌合する形状であれば、他の形状としても良い。
例えば、上記コア基板本体５２０（図１３（ｂ）参照）の受け部５２２に嵌合するコンデンサとして、例えば、図１４（ａ）に示すコンデンサ５４０が挙げられる。このコンデンサ５４０では、平面視正方形状のコンデンサ下面５４０Ｂの周縁のうち、対向する二辺に沿う部分のみ階段状に切り欠き部５４０Ｐが設けられ、当接面５４０Ｃが形成されている。これにより、上記コア基板本体５２０の貫通孔１１内で、コンデンサ５４０の当接面５４０Ｃと受け部５２２の内向き面５２２Ｓとが当接し、その内周縁５２２Ｈと切り欠き部５４０Ｐとが嵌合する。このようにしても、コンデンサ５４０の貫通孔１１内における軸方向及び径方向の位置決めを容易にすることができる。
【０１１０】
また、コンデンサには、切り欠き部ではなく、コンデンサ下面から突出する凸部を設けて、コンデンサ受け部と嵌合するようにしても良い。例えば、上記コア基板本体５１０（図１３（ａ）参照）の受け部５１２に嵌合するコンデンサとして、例えば、図１４（ｂ）に示すコンデンサ５５０が挙げられる。このコンデンサ５５０では、平面視正方形状のコンデンサ下面５５０Ｂの周縁のうち、各辺中央部近傍にそれぞれ略矩形状の凸部５５０ＴＡ，５５０ＴＢ，５５０ＴＣ，５５０ＴＤが設けられている。これにより、上記コア基板本体５１０の貫通孔１１内で、コンデンサ５５０のコンデンサ下面（当接面）５５０Ｂと受け部５１２の内向き面５１２Ｓとが当接し、その内周縁５１２Ｈと各凸部５５０ＴＡ等とが嵌合する。このようにしても、コンデンサ５５０の貫通孔１１内における軸方向及び径方向の位置決めを容易にすることができる。
【０１１１】
また同様に、上記コア基板本体５３０（図１３（ｃ）参照）の受け部５３２に嵌合するコンデンサとして、例えば、図１４（ｃ）に示すコンデンサ５６０が挙げられる。このコンデンサ５６０では、平面視正方形状のコンデンサ下面５６０Ｂの周縁のうち、各角部近傍にそれぞれ略家型状の凸部５６０ＴＡ，５６０ＴＢ，５６０ＴＣ，５６０ＴＤが設けられている。これにより、上記コア基板本体５３０の貫通孔１１内で、コンデンサ５６０のコンデンサ下面（当接面）５６０Ｂと受け部５３２のそれぞれの内向き面５３２Ｓとが当接し、その内周縁５１２Ｈと各凸部５６０ＴＡ等とが嵌合する。このようにしても、コンデンサ５６０の貫通孔１１内における軸方向及び径方向の位置決めを容易にすることができる。
また、コンデンサとコア基板本体の受け部の形状としては、上記各例に限定されるものではなく、切り欠き部と凸部のいずれも形成したものなど、互いに当接し嵌合する形状に形成すればよい。
【０１１２】
上記から説明から容易に理解できるように、コンデンサ受け部とコンデンサとは、受け部の内向き面とコンデンサの当接面とが互いに当接する形状にされていれば、貫通孔内におけるコンデンサの上下方向の位置決めをすることができる。またさらに、コンデンサ受け部とコンデンサとは、受け部（受け部の内周縁）とコンデンサの切り欠きとが互いに嵌合する形状とされていれば、貫通孔内におけるコンデンサの平面方向の位置決めをすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態１にかかり、コア基板本体に形成されたコンデンサ内蔵用貫通孔の下方端部にコンデンサ受け部が形成され、この貫通孔内にこの受け部に当接、嵌合するコンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。
【図２】  実施形態１にかかる配線基板に内蔵させるコンデンサの（ａ）は平面図、（ｂ）は下面側から見た斜視図、（ｃ）はコンデンサの内部構造説明するための断面説明図、（ｄ）はコンデンサとＬＧＡパッド及びフリップチップパッドとの関係を示す回路図である。
【図３】  図２のコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図４】  実施形態１にかかる配線基板において、コンデンサ内蔵するための貫通孔を有するコア基板本体の（ａ）平面図、及び（ｂ）部分拡大断面図である。
【図５】  図４のコア基板本体の製造方法を説明する説明図である。
【図６】  図２のコンデンサを図４のコア基板本体の貫通孔内に内蔵させるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法の説明図である。
【図７】  コンデンサ内蔵コア基板の部分拡大断面図である。
【図８】  図７のコンデンサ内蔵コア基板の上下面をさらに平坦化する工程を説明する説明図である。
【図９】  図８の平坦化されたコンデンサ内蔵コア基板の上下に樹脂絶縁層および各配線層を形成する工程を示す説明図である。
【図１０】  実施形態２にかかり、コア基板本体に形成されたコンデンサ内蔵用貫通孔の上方端部にコンデンサ受け部が形成され、この貫通孔内にこの受け部に当接、嵌合するコンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。
【図１１】  変形例１にかかり、コア基板本体に形成されたコンデンサ内蔵用貫通孔の下方端部にコンデンサ受け部が形成され、この貫通孔内にこの受け部に当接するコンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。
【図１２】  変形例２にかかり、コア基板本体に形成されたコンデンサ内蔵用貫通孔内にコンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。
【図１３】  コア基板本体のコンデンサ受け部の他の形態を示す平面図である。
【図１４】  コンデンサの切り欠き部及び凸部の他の形態を示す斜視図である。
【図１５】  コンデンサを上面や下面に搭載した従来の配線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説明図である。
【符号の説明】
１００，２００，３００，４００          （コンデンサ内蔵）配線基板
１００Ａ，２００Ａ，３００Ａ，４００Ａ  配線基板上面
１００Ｂ，２００Ｂ，３００Ｂ，４００Ｂ  配線基板下面
１０１                                  フリップチップパッド
１０２                                  フリップチップバンプ
１０３                                  ＬＧＡパッド（下面接続端子）
１０，２１０，４１０                    コア基板本体
１０Ａ，２１０Ａ，４１０Ａ              コア基板本体上面
１０Ｂ，２１０Ｂ，４１０Ｂ              コア基板本体下面
１１，２１１，４１１                    コンデンサ内蔵用貫通孔
１２，２１２                            コンデンサ受け部
２０，２２０，３２０，４２０            コンデンサ
２０Ａ，２２０Ａ，３２０Ａ，４２０Ａ    コンデンサ上面
２０Ｂ，２２０Ｂ，３２０Ｂ，４２０Ｂ    コンデンサ下面
２１，２２１，３２１，４２１            上面接続パッド
２２，２２２，３２２，４２２            下面接続パッド
２４                                    誘電体層
２５                                    電極層
２５Ｅ，２５Ｆ                          （一対の）電極群
３０                                    コア基板
３２，２３２，３３２，４３２            充填樹脂
３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅ          充填樹脂層
３３，２３３                            コアスルーホール導体
４１，４２，４３，５１，５２，５３      樹脂絶縁層
４５，４６，５５，５６                  配線層
６０                                    上部コンデンサ接続配線
７０                                    下部コンデンサ接続配線
８０                                    上部コア接続配線
９０                                    下部コア接続配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0003672169.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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