(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料からなる金属電極パッドの一部を露出する第１の開口部を有した第１の絶縁層を形成し、
前記第１の開口部から露出する前記金属電極パッドと接続され、チップ表面に延在するＣｕより成る配線層を形成し、
前記配線層上にＣｕから成るメタルポストを形成し、
前記第１の絶縁層、前記配線層および前記メタルポストを含むチップ表面を、熱硬化により熱収縮が生じるアミック酸よりなる樹脂層を該樹脂層と材料を異にするシートに設けたフィルムで被覆し、
前記樹脂層を熱処理して収縮させて絶縁層を形成し、前記メタルポスト周囲の主表面を前記メタルポストの頭部より下降させ、
前記シートを剥がす事により前記メタルポストを露呈させ、
前記メタルポスト上に半田ボールを形成する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特にチップサイズパッケージとその製造方法に関する。チップサイズパッケージ（Chip Size Package）は、ＣＳＰとも呼ばれ、チップサイズと同等か、わずかに大きいパッケージの総称であり、高密度実装を目的としたパッケージである。本発明は、ＣＳＰに採用されるメタルポスト頭部の露出に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この分野では、一般にＢＧＡ（Ball Grid Array）と呼ばれ、面状に配列された複数のハンダボールを持つ構造、ファインピッチＢＧＡと呼ばれ、ＢＧＡのボールピッチをさらに狭ピッチにして外形がチップサイズに近くなった構造等が知られている。
【０００３】
また、最近では、「日経マイクロデバイス」１９９８年８月号  ４４頁〜７１頁に記載されたウエハーＣＳＰがある。このウエハーＣＳＰは、基本的には、チップのダイシング前に配線やアレイ状のパッドをウエハープロセス（前工程）で作り込むＣＳＰである。この技術によって、ウエハープロセスとパッケージ・プロセス（後工程）が一体化され、パッケージ・コストが大幅に低減できるようになることが期待されている。
【０００４】
ウエーハＣＳＰの種類には、封止樹脂型と再配線型がある。封止樹脂型は、従来のパッケージと同様に表面を封止樹脂で覆った構造であり、チップ表面の配線層上にメタルポストを形成し、その周囲を封止樹脂で固める構造である。
【０００５】
一般にパッケージをプリント基板に搭載すると、プリント基板との熱膨張差によって発生した応力がメタルポストに集中すると言われているが、樹脂封止型では、メタルポストが長くなるため、応力が分散されると考えられている。
【０００６】
一方、再配線型は、図１０に示すように、封止樹脂を使わず、再配線を形成した構造である。つまりチップ５１の表面にＡｌ電極５２、配線層５３、絶縁層５４が積層され、配線層５３上にはメタルポスト５５が形成され、その上に半田ボール５６が形成されている。配線層５３は、半田ボール５６をチップ上に所定のアレイ状に配置するための再配線として用いられる。
【０００７】
封止樹脂型は、メタルポストを１００μｍ程度と長くし、これを封止樹脂で補強することにより、高い信頼性が得られる。しかしながら、封止樹脂を形成するプロセスは、後工程において金型を用いて実施する必要があり、プロセスが複雑になる。
【０００８】
一方、再配線型では、プロセスは比較的単純であり、しかも殆どの工程をウエーハプロセスで実施できる利点がある。しかし、なんらかの方法で応力を緩和し信頼性を高めることが必要とされている。
【０００９】
また図１１は、図１０の配線層５３を省略したものであり、Ａｌ電極５２が露出した開口部を形成し、この開口部には、メタルポスト５５とアルミ電極５２との間にバリアメタル５８を少なくとも一層形成し、このメタルポスト５５の上に半田ボール５６が形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし図１０では、メタルポスト５５を完全に覆うようにポリイミド樹脂を塗布し、硬化後にその上面を研磨して、前記メタルポストの頭部を露出させていた。しかしこの研磨工程は、その制御が非常に難しく、半田ボール５６の半田付け性、半田ボールの高さの均一性が悪化する問題もあった。
【００１１】
本発明は、前記問題点を解決するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題に鑑みてなされ、第１に、配線層を含むチップ表面を被覆し、前記メタルポストの周囲の主表面が熱硬化により発生する熱収縮により前記メタルポストの頭部より下端に位置する熱硬化型の樹脂から成る絶縁層を有することで解決するものである。
【００１３】
一般に熱硬化型の樹脂は、硬化することにより収縮するが、本発明で採用する樹脂は、その収縮率が大幅に大きく、その膜厚が減少する。従って硬化のためのベークをすることで、図８に示すように、その表面をメタルポストの下端に位置させることができる。従って全てのメタルポストの露出が可能となり、全ての半田ボールを固着させることができる。
【００１４】
第２に、その収縮率の大きい材料として、アミック酸を主材料とする樹脂を塗布、収縮させることで解決するものである。
【００１５】
第３に、第１の絶縁層、前記配線層および前記メタルポストを含むチップ表面に熱硬化により熱収縮が生じる樹脂から成る絶縁層を被覆し、
前記絶縁層を熱処理して収縮させ、前記メタルポスト周囲の主表面を前記メタルポストの頭部より下降させ、
前記メタルポスト上に半田ボールを形成する事で解決するものである。
【００１６】
第４に、塗布型またはフィルム型で、アミック酸より成る樹脂を採用することで解決するものである。
【００１７】
第５に、フィルムの表面には、前記絶縁層と材料を異にするシートが設けられ、前記シートを剥がす事により前記メタルポストを露呈させることで解決するものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について説明する。
【００１９】
図９に於いて、図番１は、通常のワイヤボンディングタイプのＩＣチップに於いて、最上層のメタル（ボンディングパッドとしても機能する部分）の部分であり、このＡｌ電極１のコンタクトホールＣが形成される層間絶縁膜を図番２で示す。
【００２０】
またこのコンタクトホールＣの下層には、メタルが複数層で形成され、例えばトランジスタ（ＭＯＳ型のトランジスタまたはＢＩＰ型のトランジスタ）、拡散領域、ポリＳｉゲートまたはポリＳｉ等とコンタクトしている。
【００２１】
ここで、本実施例は、ＭＯＳ型で説明しているが、ＢＩＰでも実施できる事は言うまでもない。
【００２２】
また本構造は、一般には一層メタル、２層メタル…と呼ばれるＩＣである。
【００２３】
更には、パッシベーション膜を図番３で示す。ここでパッシベーション膜３は、Ｓｉ窒化膜、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等でなり、更にこの上には、絶縁樹脂層ｒが被覆されている。この絶縁樹脂層ｒは、後述するようにフラット性を実現し、半田ボールの高さを一定にしている。特にシート付きの収縮樹脂を採用する場合、硬化前のフィルムを板状の加圧装置で加圧した際、メタルポスト８の頭部が全てこの加圧部に当接できるため、精度の高いメタル露出が可能となる。詳細はプロセスにて説明する。
またＡｌ電極１上には、窒化Ｔｉ膜５が形成されている。
【００２４】
パッシベーション膜３と絶縁樹脂層ｒは、窒化Ｔｉ膜５を露出する開口部Ｋが形成され、ここには、配線層のメッキ電極（シード層）としてＣｕの薄膜層６が形成される。そしてこの上には、Ｃｕメッキにより形成される配線層７が形成される。
【００２５】
そして、配線層７を含むチップ全面には、樹脂から成る樹脂層Ｒが形成される。ただし、図面上では省略しているが、樹脂層Ｒと配線層７、樹脂層Ｒとメタルポスト８の界面にはＳｉ3Ｎ4膜が設けられても良い。
【００２６】
樹脂層Ｒは、熱硬化性、熱可塑性樹脂であれば実施可能であり、特に熱硬化性樹脂として、アミック酸フィルム、ポリイミド、エポキシ系の樹脂が好ましい。また熱可塑性樹脂であれば、熱可塑性ポリマー（日立化成：ハイマル）等が好ましい。またアミック酸フィルムは３０〜５０％の収縮率である。
ここで、  樹脂Ｒは、液状のアミック酸を主材料として用意され、ウェハ全面にスピンオンされ、厚さ２０〜６０μｍ程度で形成される。その後、この樹脂Ｒは、熱硬化反応により重合される。温度は、３００°Ｃ以上である。しかし熱硬化前のアミック酸より成る樹脂は、前記温度の基で非常に活性に成り、Ｃｕと反応し、その界面を悪化させる問題がある。しかし、配線層の表面にＳｉ3Ｎ4膜を被覆する事により、このＣｕとの反応を防止することができる。ここでＳｉ3Ｎ4膜の膜厚は、１０００〜３０００Å程度である。
【００２７】
またＳｉ3Ｎ4膜は、バリア性が優れた絶縁膜で良いが、ＳｉＯ２膜は、バリア性に劣る。しかしＳｉＯ２膜を採用する場合は、Ｓｉ3Ｎ4膜よりもその膜厚を厚くする必要がある。またＳｉ3Ｎ4膜は、プラズマＣＶＤ法で形成できるので、そのステップカバレージも優れ、好ましい。更に、メタルポスト８を形成した後、樹脂層Ｒを被覆するので、前記Ｓｉ3Ｎ4膜を形成するとＣｕから成る配線層７とアミック酸を主材料とする樹脂層の反応を防止するばかりでなく、Ｃｕから成るメタルポスト８とアミック酸を主材料とする樹脂層Ｒの反応も防止できる。
【００２８】
前記樹脂層Ｒは、本発明の特徴となる膜である。この樹脂Ｒは、図７の状態の樹脂層Ｒを硬化すると、硬化の際中に収縮し、図８の様に大幅にその膜厚が減少するものである。従って樹脂層Ｒの表面は、メタルポスト８の頭部よりも下端に位置し、メタルポスト８が露出されることになる。従って、樹脂層Ｒを削り、頭部を露出させる必要がない。またこの研磨工程で頭部を均一に露出させることは、非常に難しい制御を必要とするが、樹脂の収縮により簡単に露出させることができる。
【００２９】
従って、配線層７の端部にメタルポスト８の頭部が顔を出し、メタルポスト８の頭部のＮｉ１０、Ａｕ１１が露出されている。
【００３０】
Ｃｕから成るメタルポスト８の上に直接半田ボールが形成されると、酸化されたＣｕが原因で半田ボールとの接続強度が劣化する。また酸化防止のためにＡｕを直接形成すると、Ａｕが拡散されるため、間にＮｉが挿入されている。ＮｉはＣｕの酸化防止をし、またＡｕはＮｉの酸化防止をしている。従って半田ボールの劣化および強度の劣化は抑制される。
【００３１】
ここでＮｉ、Ａｕは、電解メッキで形成されるが無電解メッキでも良い。
【００３２】
最後には、メタルポスト８の頭部に、半田ボール１２が形成される。
【００３３】
ここで半田ボールと半田バンプの違いについて説明する。半田ボールは、予めボール状の半田が別途用意され、メタルポスト８に固着されるものであり、半田バンプは、配線層７、メタルポスト８を介して電解メッキで形成されるものである。半田バンプは、最初は厚みを有した膜として形成され、後熱処理により球状に形成されるものである。
【００３４】
ここでは、図７でシード層が取り除かれるので、電解メッキでは形成できず、実際は半田ボールが用意される。
【００３５】
続いて図９の構造について図１より簡単にその製造方法について説明する。
【００３６】
まず、Ａｌ電極１を有するＬＳＩが形成された半導体基板（ウエーハ）を準備する。ここでは、前述したように１層メタル、２層メタル・・のＩＣで、例えばトランジスタのソース電極、ドレイン電極が一層目のメタルとして形成され、ドレイン電極とコンタクトしたＡｌ電極１が２層目のメタルとして形成されている。
【００３７】
ここではドレイン電極が露出する層間絶縁膜２の開口部Ｃを形成した後、ウェハ全面にＡｌを主材料とする電極材料、窒化Ｔｉ膜５を形成し、ホトレジストをマスクとして、Ａｌ電極１と窒化Ｔｉ膜５を所定の形状にドライエッチングしている。
【００３８】
ここでは、パシベーション膜３を形成し、この後開口した開口部Ｃにバリアメタルを形成するのと違い、バリアメタルとしての窒化Ｔｉ膜も含めてホトレジストで一度に形成でき、工程数の簡略が可能となる。
【００３９】
また窒化Ｔｉ膜５は、後に形成するＣｕの薄膜層６のバリアメタルとして機能している。しかも窒化Ｔｉ膜は、反射防止膜として有効であることにも着目している。つまりパターニングの際に使用されるレジストのハレーション防止としても有効である。ハレーション防止として最低１２００Å〜１３００Å程度必要であり、またこれにバリアメタルの機能を兼ね備えるためには、２０００Å〜３０００Å程度が好ましい。これ以上厚く形成されると、今度は窒化Ｔｉ膜が原因で発生するストレスが発生する。
【００４０】
またＡｌ電極１と窒化Ｔｉ膜５がパターニングされた後、全面にパッシベーション膜３が被覆される。パッシベーション膜として、ここではＳｉ3Ｎ4膜が採用されているが、ポリイミド樹脂等も可能である。（以上図１参照）
続いて、パッシベーション膜３の表面に絶縁樹脂層ｒが被覆される。この絶縁樹脂層は、ここでは、ポジ型の感光性ポリイミド膜が採用され、約３〜５μｍ程度が被覆されている。そして開口部Ｋが形成される。
この感光性ポリイミド膜を採用することで、図２の開口部Ｋのパターニングに於いて、別途ホトレジストを形成して開口部Ｋを形成する必要が無くなり、メタルマスクの採用により工程の簡略化が実現できる。もちろんホトレジストでも可能である。しかもこのポリイミド膜は、平坦化の目的でも採用されている。つまり半田ボール１２の高さが全ての領域において均一である為には、メタルポスト８の高さが全て於いて均一である必要があり、配線層７もフラットに精度良く形成される必要がある。その為にポリイミド樹脂を塗布し、ある粘度を有した流動性を有する樹脂である故、その表面をフラットにできる。
【００４１】
ここでＡｌ電極１はＬＳＩの外部接続用のパッドも兼ね、半田ボール（半田バンプ）から成るチップサイズパッケージとして形成しない時は、ワイヤボンディングパッドとして機能する部分である。（以上図２参照）
続いて全面にＣｕの薄膜層６を形成する。このＣｕの薄膜層６は、後に配線層７のメッキ電極となり、例えばスパッタリングにより約１０００〜２０００Å程度の膜厚で形成される。
【００４２】
続いて、全面に例えばホトレジスト層ＰＲ１を塗布し、配線層７に対応するホトレジストＰＲ１を取り除く。（以上図３参照）
続いて、このホトレジストＰＲ１の開口部に露出するＣｕの薄膜層６をメッキ電極とし、配線層７を形成する。この配線層７は機械的強度を確保するために２〜５μｍ程度に厚く形成する必要がある。ここでは、メッキ法を用いて形成したが、蒸着やスパッタリング等で形成しても良い。
【００４３】
この後、ホトレジスト層ＰＲ２を除去する。（以上図４参照）
続いて、メタルポスト８が形成される領域を露出したホトレジストＰＲ２が形成され、この露出部に電解メッキでＣｕのメタルポスト８が形成される。これもＣｕの薄膜層６がメッキ電極として活用される。
【００４４】
このメタルポストは、３０〜１００μｍ程度の高さに形成され、更にＮｉ１０が電解メッキで約１μｍ、Ａｕ１１が電解メッキで約５０００Åで形成される。
【００４５】
Ｃｕ８、Ｎｉ１０、Ａｕ１１が連続されて形成されるため、長時間放置されないため、Ｃｕの酸化防止、Ｎｉの酸化防止が実現できる。ここでＡｕの代わりにＰｔ，Ｐｄが用いられても良い。（以上図５参照）
続いて、ホトレジストＰＲ２を除去し、配線層７をマスクとしてＣｕの薄膜層６を除去する。
【００４６】
次に示す工程は、図面では省略したが、配線層７、メタルポスト８も含めて全表面にプラズマＣＶＤ法でＳｉ3Ｎ4膜ＳＮを被着しても良い。
【００４７】
これは、後の工程で形成される硬化前の樹脂ＲとＣｕが熱により反応する。そのためこの界面が劣化する問題を有している。従って配線層７、メタルポスト８は、全てこのＳｉ3Ｎ4膜ＳＮでカバーする必要がある。このＳｉ3Ｎ4膜は、界面の劣化が発生しない場合は、もちろん省略が可能である。
【００４８】
また、Ｎｉ１０、Ａｕ１１も含めたメタルポスト８を形成した後に、Ｓｉ3Ｎ4膜を形成すれば、配線層７、メタルポスト８も含めてカバーすることができる。またパターニングされて露出している側面Ｍも一緒に保護する必要があるが、ここでは、両者をパターニングした後にＳｉ3Ｎ4膜を被覆するので、側面Ｍも一緒に保護される。
【００４９】
続いて樹脂層Ｒを全面に塗布する。（以上図７参照）
この樹脂も感光性樹脂で、熱硬化反応で硬化される。
【００５０】
この感光性樹脂は、流動性があるためフラット性が実現し、また感光性であるため、別途ホトレジストを採用することなくメタルマスクで開口が実現でき、工程の簡略化が実現できる。
【００５１】
また絶縁樹脂層Ｒ、ｒは、次のメリットもある。
一般に粘性のある樹脂をディスペンサで塗布すると、脱泡してあっても中に気泡を取り込んでしまう問題がある。気泡を取り込んだまま焼結すると、これからの工程やユーザー側での高温雰囲気使用で気泡が破裂する問題がある。
【００５２】
本工程では、スピンオンで塗布し、一回のスピンで２０〜３０μｍ程度の膜厚に形成できるように調整してある。この結果、この膜厚よりも大きな気泡は、膜の厚みが薄い故に弾けて消える。またこの膜厚よりも小さい気泡は、スピンオンの遠心力で外部へ飛ばされる樹脂と一緒に外に飛ばされ、気泡無しの膜が形成できる。
【００５３】
また絶縁樹脂層Ｒは、膜厚として１００μｍ程度を必要とし、この場合、前述した原理を採用し、スピンオンで複数回に分けて塗布し、気泡を取り除きながら形成することができる。
【００５４】
もちろんスピンオンを採用せずに、ディスペンサで塗布しても良い。
【００５５】
更に、本絶縁樹脂層Ｒは、本発明の特徴とすべき点がある。それは、硬化の際に収縮することである。一般に樹脂は、硬化後に於いて、ある程度の収縮をしている。しかし本絶縁樹脂層Ｒは、矢印で示したように、ベークした後に大幅に収縮し、絶縁樹脂層Ｒのの表面がメタルポスト８の頭部よりも下端に位置される。従ってメタルポスト８の頭部が露出されるので、半田ボールの固着が可能となる。
【００５６】
また半田ボールの強度を高めるためには、メタルポスト８の側面も含めて露出率を大きくする必要があるが、これも絶縁樹脂層Ｒの塗布量をコントロールすることで露出率をコントロールすることができる。
【００５７】
また硬化した後、メタルポスト８の頭部に極薄い膜が残存する場合もあるが、この場合は、簡単にその表面を研磨すればよい。特に前述したようにメタルポストの高さが均一になっているので、フラット性のある研磨板を採用すれば、全ての頭部をクリーンにできる。
【００５８】
また絶縁樹脂層Ｒを被覆した後、研磨できる程度に半硬化し、メタルポスト８の頭部近傍まで研磨してから、完全に硬化しても良い。この場合、メタルポスト８の頭部には極薄い膜しか残存しないので、絶縁樹脂層Ｒの収縮率が小さくても、絶縁樹脂層の収縮でメタルポストを露出させることができる。つまり樹脂の収縮率により、メタルポスト８の上に配置できる膜厚が決まるため、それに応じて研磨するか、しなくてすむか、またどの程度研磨するかを決定してメタルポストを露出させればよい。（以上図７参照）
また前記Ｓｉ3Ｎ4膜が形成される場合は、メタルポストの頭部にＳｉ3Ｎ4膜が形成されているので、この場合は、ウエットエッチング、ドライエッチングまたは研磨で取り除かれる。
【００５９】
最後に、用意した半田ボール１２を位置合わせして搭載し、リフローする。そして、半導体基板をダイシング工程により、スクライブラインに沿ってチップに分割し、チップサイズ・パッケージとして完成する。
【００６０】
ここで半田を溶融するタイミングは、ダイシングの前である。
【００６１】
絶縁樹脂層Ｒを硬化した後、ウェハ全面に保護シートを貼り付け、表面を保護しながらバックグラインドをする。
【００６２】
半田ボールを形成した後に保護シートを貼ると、半田ボールと保護シートとで形成される隙間にバックグラインド時に流れる水が入り保護シールが剥がれてしまう問題があるからである。また高温度雰囲気にさらされると、バックグラインド時の熱歪みが原因で、傷を介して割れる恐れがある。そのため、できる限り後の工程、ここでは、硬化処理の熱処理が終わった後で、保護シートを貼り合わせてバックグラインドする。従って、水の侵入もなく、更には熱歪みによるクラック等の防止も実現できる。
【００６３】
以上、本発明は、再配線型で説明してきたが、樹脂封止型でも実施できることは言うまでもない。
【００６４】
また本願では、絶縁樹脂層Ｒとしてシート３０付きのフィルムＦを採用しても良い。
【００６５】
以下簡単にその説明をする。図１２は、メタルポスト８がウェハ全体にある様子を示し、図６の構成を模式的に示している。上層には、例えばテフロンシート３０にアミック酸から成る絶縁樹脂層３１が塗布されてフィルムＦとなっている。図１２に於いて太線がシート３０である。
前記フィルムＦをウェハ全面に配置し、上から平坦なプレス板を当接して押圧すると、絶縁樹脂層３１は、硬化前なので柔らかいため、前記メタルポスト全てを前記絶縁樹脂層３１で覆うことができる。（以上図１３参照）
更に前記フィルムＦを前記プレス板で押圧し、シート３０がメタルポスト８に当接したら、その押圧をやめる。この状態では、メタルポストの頭部とシート３０との間は、前記絶縁樹脂層３１が押しのけられている。
【００６６】
そして前実施例と同様に、熱を加えて硬化させる。この硬化により絶縁樹脂層３１は収縮し、その表面がメタルポスト８の頭部よりも下端に位置することになる。ちょうど図８の状態にシート３０が付いている状態である。（以上図１４参照）
そして図１５の様に、シート３０を剥がせば、図８の構造が実現できる。
【００６７】
ここでのポイントは、二つある。一つは、図１２の状態の時、真空排気することである。つまりフィルムを貼り合わせるので、気泡が混入するからである。  二つ目は、前記プレス板で押圧するため、シート３０とメタルポスト８の間の絶縁樹脂層３１を排除できることである。従って硬化後シート３０を剥がせば、メタルポスト８の頭部が露出できる。
【００６８】
この場合でも、メタルポスト８の頭部に薄く絶縁樹脂層３１が残存する可能性があるが、その量は微量であるため、簡単に研磨すれば完全に除去できる。しかも絶縁樹脂層ｒ、Ｒを採用し、ウェハ全体がフラットでありメタルポスト８頭部の高さも均一であるため、前記研磨でウェハ全域に在るメタルポスト８の頭部を清浄にできる。
【００６９】
【発明の効果】
本発明によれば、膜厚が大きく減少する絶縁樹脂を採用すると、
前記メタルポストの周囲の主表面が前記メタルポストの頭部より下端に位置できる。従ってメタルポストの頭部を露出でき、実質的に絶縁樹脂層の研磨をすることでの頭出しは不要となる。
【００７０】
一般に熱硬化型の樹脂は、硬化することにより収縮するが、本発明で採用する樹脂は、その収縮率が大幅に大きく、その膜厚が大きく減少する。従って硬化のためのベークをすることで、図８、図１４に示すように、その表面をメタルポストの下端に位置させることができる。従って全てのメタルポストの露出が可能となる。
【００７１】
またフィルムの表面には、前記絶縁層と材料を異にするシートが設けられ、硬化の後にシートを剥がせば、やはりメタルポストの頭部を露出でき、精度の高い研磨作業が不要となる。
【００７２】
また配線層とポリイミド樹脂層Ｒとの界面に、Ｓｉ3Ｎ4膜が設けられてあるので、硬化前のイミド樹脂とＣｕとの反応を防止することができる。またメタルポスト、Ｃｕの薄膜層の側面もＳｉ3Ｎ4膜でカバーされ、前記反応を防止することができる。
【００７３】
従って、Ｃｕの配線層、Ｃｕの薄膜層とポリイミド樹脂との界面は、反応もなく安定した状態で形成されるため、耐湿性、膨れ等を防止することができ、歩留まりの向上を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】  本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図３】  本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】  本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】  本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】  本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】  本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図８】  本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図９】  本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１０】  従来のチップサイズパッケージを説明する図である。
【図１１】  従来のチップサイズパッケージを説明する図である。
【図１２】  シート付きの絶縁樹脂層フィルムを採用した製造方法を説明する図である。
【図１３】  シート付きの絶縁樹脂層フィルムを採用した製造方法を説明する図である。
【図１４】  シート付きの絶縁樹脂層フィルムを採用した製造方法を説明する図である。
【図１５】  シート付きの絶縁樹脂層フィルムを採用した製造方法を説明する図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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