(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ベースと、該絶縁ベースの上に接合され、枠形状に構成された絶縁素材からなる絶縁枠と、該絶縁枠の上面部を閉鎖する蓋板とが積層された箱状のケース体を備え、
前記絶縁枠には上下に貫通する開口部が形成され、該開口部内に充填された導通材を介して前記絶縁枠の上面側と下面側とを導通させた上下導電構造を備え、
前記導通材の露出した前記絶縁枠の上面部と前記蓋板の下面部との間に前記導通材に導電接続される導電層を介在させ、前記絶縁枠の周回方向に前記導電層を前記絶縁枠と前記蓋板とに固着させ、内部を封止してなり、
前記絶縁枠と前記蓋板との間の前記導電層を介する固着領域は、前記導通材の上方位置において他部分よりも広幅に形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
絶縁ベースと、該絶縁ベースの上に接合され、枠形状に構成された絶縁素材からなる絶縁枠と、該絶縁枠の上面部を閉鎖する蓋板とが積層された箱状のケース体を備え、
前記絶縁枠には上下に貫通する開口部が形成され、該開口部内に充填された導通材を介して前記絶縁枠の上面側と下面側とを導通させた上下導電構造を備え、
前記導通材の露出した前記絶縁枠の上面部と前記蓋板の下面部との間に前記導通材に導電接続される導電層を介在させ、前記絶縁枠の周回方向に前記導電層を前記絶縁枠と前記蓋板とに固着させ、内部を封止してなり、
前記絶縁枠と前記蓋板との間の前記導電層を介する固着領域は、前記導通材の上方位置を回避していることを特徴とする電子部品。
【請求項３】
絶縁ベースと、該絶縁ベースの上に接合され、枠形状に構成された絶縁素材からなる絶縁枠と、該絶縁枠の上面部を閉鎖する蓋板とが積層された箱状のケース体を備え、
前記絶縁枠には上下に貫通する開口部が形成され、該開口部内に充填された導通材を介して前記絶縁枠の上面側と下面側とを導通させた上下導電構造を備え、
前記導通材の露出した前記絶縁枠の上面部と前記蓋板の下面部との間に前記導通材に導電接続される導電層を介在させ、前記絶縁枠の周回方向に前記導電層を前記絶縁枠と前記蓋板とに固着させ、内部を封止してなり、
前記絶縁枠と前記蓋板との間に介在する前記導電層が他部分に形成された導電層よりも厚く形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項４】
絶縁ベースと、該絶縁ベースの上に接合され、枠形状に構成された絶縁素材からなる絶縁枠と、該絶縁枠の上面部を閉鎖する蓋板とが積層された箱状のケース体とを備え、前記絶縁枠には上下に貫通する開口部が形成され、該開口部内に充填された導通材を介して前記絶縁枠の上面側と下面側とを導通させた上下導通構造を備えた電子部品の製造方法であって、
前記導通材の露出した前記絶縁枠の上面部と前記蓋板の下面との間に前記導通材に導電接続される導電層を介在させ、前記絶縁枠の周回方向に伸びる閉じた経路に沿って前記導電層を溶着させることによって前記絶縁枠と前記蓋板とを固着させ、内部を封止し、前記導電層を前記導通材の上方位置において他の部分よりも広い幅若しくは高い温度で加熱することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記導電層を前記絶縁枠の前記上面部に被着させ、前記導電層と前記蓋板の下面との間に銀ロウ、導電性ペーストまたは高温半田を介在させ、前記導電層と前記銀ロウ、前記導電性ペーストまたは前記高温半田とを加熱によって固着させることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項４において、前記蓋板の上からの電子ビーム照射により前記絶縁枠の周回方向に沿ってその照射領域を走査して前記導電層を連続的に加熱し、前記導通材の上方位置において他の部分よりも照射時間を長くし、若しくは照射強度を高くすることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記導通材の上方位置において前記照射領域の走査経路を回転させることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項４において、前記蓋板に電子ビームを照射して前記蓋板に表示または端子識別用マークを付けることを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品及びその製造方法に係り、特に、水晶振動子、水晶発振器などのように電子素子をケース体内に封止する構造を備えた電子部品に好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、水晶振動子や水晶発振器などの電子部品を小型化する工夫が種々なされている。そして、近年、電子部品の底面などに電極を形成し、この電極を直接回路基板上の端子部に接合させることによって高さを低くした状態で実装可能な表面実装型の電子部品が多く市販されるようになってきた。
【０００３】
図９には、従来の表面実装型の水晶振動子又は水晶発振器のケース体１０の構造を示す。このケース体１０は、セラミックスからなる平面矩形のベース板１１と、このベース板１１の上に積層された、セラミックスからなる矩形枠状の下側絶縁枠１２及び上側絶縁枠１３と、上側絶縁枠１３の上面部を閉鎖するコバルト合金などの磁性材料からなる平面矩形の蓋板１４とから構成されている。
【０００４】
ベース板１１、下側絶縁枠１２及び上側絶縁枠１３は、それぞれ、アルミナなどの粉体に溶媒その他の添加物を混入した焼成前の未硬化シート（グリーンシート）を入手し、製造工程に合わせて複数のケース体１０を形成できる大判形状に適宜にカットした後、下側絶縁枠１２においてはスルーホール１２ｂの穿設を行い、スルーホール１２ｂの内部に金属ペーストなどの導通材５を充填する。さらに、それぞれの表面若しくは裏面上に、タングステンペーストなどの導電材料を用いたパターン印刷によって導電性印刷層６を形成する。
【０００５】
次に、上述のようにして形成したベース板１１を複数含むシート、下面絶縁枠１２を複数含むシート及び上面絶縁枠１３を複数含むシートを３層に積層し、適宜に切断し、さらに、後工程において個々に切断するためのハーフカット線を入れておく。そして、乾燥させた後に炉内において焼成することにより、３層を一体化する。次に、このように一体化したものの表面のうち、予め上述の導電性印刷層６が形成されている表面部に選択的にＮｉ、Ａｕのメッキ処理を順次に施してメッキ層７を形成する。このメッキ層７の形成によって、ベース板１１の底面上に４つの電極部を備え、上側絶縁枠１３の上面全体にメッキ層が形成される。このように一体化されたケース本体は、蓋板１４の裏面に図示しない銀ロウを形成し、ケース本体の上部開口（上絶縁枠１３の上面部）を閉鎖するように蓋板１４をケース本体に載せて真空チャンバー内に導入される。そして、蓋板１４の外周部表面上に上方から細く絞った電子ビームを照射し、蓋板１４の表面から加熱することにより、上記銀ロウを溶融させ、蓋板１４と３層構造のケース本体とを固着させ、減圧された内部空間を外部に対して封止する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の電子部品のケース体においては、３層構造のケース本体１１，１２，１３に対してさらにリッドと呼ばれる蓋板１４を溶着させているので、内部空間は広くとれる反面、電子部品全体が厚くなり、薄型化可能な表面実装型の特徴を充分に発揮できないという問題点があった。
【０００７】
特に、セラミックパッケージを構成するためのベース板１１、下絶縁枠１２及び上絶縁枠１３はそれぞれ未硬化シートによって形成するが、電子部品を薄型化するために上記の未硬化シートの厚さを薄くすると、自身の強度不足によって取り扱い可能な未硬化シートのシート面積が小さくなってしまうため、小さくカットして製造せざるを得なくなり、生産効率が低下して製造コストが上昇するという問題点がある。
【０００８】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、生産効率の低下や製造コストの上昇を引き起こすことなく、従前よりも薄型化を図ることができる新規の電子部品の構造、特に電子部品のケース構造を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明が講じた手段は、絶縁ベースと、該絶縁ベースの上に接合され、枠形状に構成された絶縁素材からなる絶縁枠と、該絶縁枠の上面部を閉鎖する蓋板とが積層された箱状のケース体を備え、前記絶縁枠には上下に貫通する開口部が形成され、該開口部内に充填された導通材を介して前記絶縁枠の上面側と下面側とを導通させた上下導電構造を備え、前記導通材の露出した前記絶縁枠の上面部と前記蓋板の下面部との間に前記導通材に導電接続される導電層を介在させ、前記絶縁枠の周回方向に前記導電層を前記絶縁枠と前記蓋板とに固着させ、内部を封止してなり、前記絶縁枠と前記蓋板との間の前記導電層を介する固着領域は、前記導通材の上方位置において他部分よりも広幅に形成されている。
【００１０】
この手段によれば、絶縁ベース上に接合された絶縁枠の開口部内に充填された導通材の露出する絶縁枠の上面部と蓋板との間に、導電層を介して固着、封止してなることにより、従来よりも１階層少なく構成することができるので、各階層の厚さを薄くしなくても電子部品の厚さを低減できるとともに、製造工程も省略することができるため、製造コストも低減することができる。
【００１１】
そして、導通材の上部では導通材の収縮によって窪みが発生する可能性があるが、導通材の上方位置において固着領域を広幅に形成しているため、導通材の収縮に起因する窪みによる封止不良を防止することができる。
【００１２】
また、本発明が講じた手段は、絶縁ベースと、該絶縁ベースの上に接合され、枠形状に構成された絶縁素材からなる絶縁枠と、該絶縁枠の上面部を閉鎖する蓋板とが積層された箱状のケース体を備え、前記絶縁枠には上下に貫通する開口部が形成され、該開口部内に充填された導通材を介して前記絶縁枠の上面側と下面側とを導通させた上下導電構造を備え、前記導通材の露出した前記絶縁枠の上面部と前記蓋板の下面部との間に前記導通材に導電接続される導電層を介在させ、前記絶縁枠の周回方向に前記導電層を前記絶縁枠と前記蓋板とに固着させ、内部を封止してなり、前記絶縁枠と前記蓋板との間の前記導電層を介する固着領域は、前記導通材の上方位置を回避している。
この手段によれば、上述したように従来よりも１階層少なく構成することができるので、各階層の厚さを薄くしなくても電子部品の厚さを低減できるとともに、製造工程も省略することができるため、製造コストも低減することができ、しかも、固着領域が導通材の上方位置を回避していることにより、導通材の収縮に起因して発生する窪みによる封止不良を防止することができる。
【００１３】
さらに、本発明が講じた手段は、絶縁ベースと、該絶縁ベースの上に接合され、枠形状に構成された絶縁素材からなる絶縁枠と、該絶縁枠の上面部を閉鎖する蓋板とが積層された箱状のケース体を備え、前記絶縁枠には上下に貫通する開口部が形成され、該開口部内に充填された導通材を介して前記絶縁枠の上面側と下面側とを導通させた上下導電構造を備え、前記導通材の露出した前記絶縁枠の上面部と前記蓋板の下面部との間に前記導通材に導電接続される導電層を介在させ、前記絶縁枠の周回方向に前記導電層を前記絶縁枠と前記蓋板とに固着させ、内部を封止してなり、前記絶縁枠と前記蓋板との間に介在する前記導電層が他部分に形成された導電層よりも厚く形成されている。
この手段によれば、上述したように、従来よりも１階層少なく構成することができるので、各階層の厚さを薄くしなくても電子部品の厚さを低減できるとともに、製造工程も省略することができるため、製造コストも低減することができ、しかも、絶縁ベース、絶縁枠の外面などに他に形成される導電層よりも絶縁枠と蓋板との間に介在する導電層が厚くなっていることにより、前記導通材の収縮に起因して発生する窪みを導電層の厚さによって緩和することができるので、封止不良を防止することができる。
【００１４】
次に、絶縁ベースと、該絶縁ベースの上に接合され、枠形状に構成れた絶縁素材からなる絶縁枠と、該絶縁枠の上面部を閉鎖する蓋板とが積層された箱状のケース体とを備え、前記絶縁枠には上下に貫通する開口部が形成され、該開口部内に充填された導通材を介して前記絶縁枠の上面側と下面側とを導通させた上下導通構造を備えた電子部品の製造方法としては、前記導通材の露出した前記絶縁枠の上面部と前記蓋板の下面との間に前記導通材に導電接続される導電層を介在させ、前記絶縁枠の周回方向に伸びる閉じた経路に沿って前記導電層を溶着させることによって前記絶縁枠と前記蓋板とを固着させ、内部を封止し、前記導電層を前記導通材の上方位置において他の部分よりも広い幅若しくは高い温度で加熱する。
この手段によれば、導電層を導通材の上方位置において広い幅若しくは高い温度で加熱することにより、より広い領域で接合させることができるので、導通材の露出部の窪みが発生していても、封止不良を防止することができる。
【００１５】
ここで、前記導電層を前記絶縁枠の前記上面部に被着させ、前記導電層と前記蓋板の下面との間に銀ロウ、導電性ペースト又は高温半田を介在させ、前記導電層と前記銀ロウ、前記導電性ペーストまたは前記高温半田とを加熱によって固着させることが好ましい。この手段によれば、導電層を絶縁枠の上面部に被着させることにより、導通材の露出部に窪みが発生しても、当該窪みを導電層が緩和することができるとともに、さらに銀ロウ、導電性ペーストまたは高温半田を介在させることによって、導通材の表面凹凸に起因する封止不良を防止することができる。
【００１７】
この場合にはまた、前記蓋板の上からの電子ビーム照射により前記絶縁枠の周回方向に沿ってその照射領域を走査して前記導電層を連続的に加熱し、前記導通材の上方位置において他の部分よりも照射時間を長くし、若しくは照射強度を高くすることが望ましい。この手段によれば、電子ビーム照射により蓋板の上から容易に加熱接合を行うことができるとともに、他の部分に余分な熱を加えずに済み、さらに、導通材の上方位置において照射時間又は照射強度を増大させることによって導通材の収縮に起因する窪みが発生しても封止不良を防止することができる。
【００１８】
この場合にはさらに、前記導通材の上方位置において前記照射領域の走査経路を回転させることが望ましい。この手段によれば、導通材の上方位置において照射領域の走査経路を回転させることにより、導通材の上方位置において照射時間が必然的に長くなるとともに、走査経路の回転により導通材の周囲を閉じたループ状に封止することができるので、導通材の収縮に起因する露出部の窪みが発生しても確実に封止を行うことができる。
【００１９】
なお、走査経路の回転部分は、導通材と同軸的に形成されることが好ましく、特に、走査経路の回転部分の径を導通材の外径よりも大きくし、電子ビームの中心が導通材の外縁部の直上位置よりも外側を通過するようにすることが封止の完全性を図るためには好ましい。
【００２０】
上述の封止不良は、特に、ケース体の内部を減圧して封止するタイプの電子部品の場合に発生し易く、ガスの吹き抜けなどによる蓋板の位置ずれ、浮き上がり、ブローホールの発生などにより製品不良の原因となる。
【００２１】
さらに、請求項４において、前記蓋板に電子ビームを照射して前記蓋板に表示または端子識別用マークを付ける場合がある。この場合には、表示用マークまたは端子識別用マークを電子ビームを照射して付けるようにしているので、蓋板の溶着とマーク付けとを同工程で行うことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る実施形態について説明する。以下に説明する実施形態は、いずれも本発明を水晶振動子又は水晶発振器に適用させた例を示すものである。ケース体の内部には、図示しないが、水晶振動板（水晶振動子の場合）や水晶振動板に加えて集積回路（水晶発振器の場合）が収容される。しかし、本発明はこのようなものに限定されることなく、ＳＡＷデバイスや圧電体を用いた共振器やフィルタ、変換器、温度センサ、加速度センサ、さらには、より一般的な各種回路を備えた半導体ＩＣなどの各種の電子素子にも適用させることができるものである。
【００２３】
図１は本実施形態のケース体２０の構造を示す斜視図、図２（ａ）及び（ｂ）はケース体２０の平面図及び底面図である。この実施形態においては、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミックスを形成するためのセラミックス粉と添加物とを混練してなる未硬化シートを積層し、焼成して一体化した、矩形のベース板２１及び矩形枠状の絶縁枠２２からなる２層構造のケース本体部を設けている。このケース本体部の上面部には磁性体であるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）からなる蓋板２４が銀ロウなどを介して固着される。
【００２４】
ベース板２１においては、矩形状の４つの角部に表面が円筒凹面に形成されたカット部２１ａが形成されている。これらのカット部２１ａは、予めセラミックスの未硬化シートにカット部形成孔を穿設し、このカット部形成孔の間を結ぶようにハーフカット線を切り込んだ後に焼成し、最後にハーフカット線に沿って破断させて個々のケース本体部に分割することによって形成されている。カット部形成孔の内面には、未硬化シートの状態においてタングステンペーストなどの導電性ペーストが印刷される。具体的には、未硬化シートの裏面側から真空引きを行いながら印刷を行うことによって、導電性ペーストをカット部形成孔の内面にまんべんなく付着させる。また、未硬化シートにおける各ベース板領域の表面の対角位置や、未硬化シートにおける各ベース板領域の裏面に後述する電極部となるべき部分にも、タングステンペーストなどの導電性ペーストを用いてパターン印刷が施され、導電性印刷層２６が形成される。
【００２５】
絶縁枠２２もまた、ベース板２１と同様に、未硬化シートに複数のカット部形成孔を穿設することによって形成されたカット部２２ａが４つの角部に設けられている。ただし、この場合にはカット部形成孔の内面には導電性印刷層は被着されない。絶縁枠２２を形成するための未硬化シートには、カット部形成孔の他に内径が０．１５〜０．２ｍｍのスルーホール２２ｂが形成され、このスルーホール２２ｂ内には上記と同様の導電性ペーストが充填され、導通材２５となる。スルーホール２２ｂの裏面側の開口縁部と、表面側の全面にはそれぞれ導電性ペーストが印刷され、上記と同じ導電性印刷層２６が形成される。これらの各場所の導電性印刷層２６の厚さは、通常５〜２０μｍ程度である。ただし、ベース板２１の内面上において水晶振動片の両面に形成された電極に接合される端子部となるべき部分には印刷を２回繰り返して３０μｍ以上になるように厚くする。同様に、絶縁枠２２の上面部にも厚く印刷を行い、好ましくは３０〜８０μｍ、例えば５０μｍ程度に厚く形成する。
【００２６】
このようにして形成したベース板２１を構成するための未硬化シートと、絶縁枠２２を構成するための未硬化シートとを重ね合わせ、この積層体の表裏面に個々のケース本体部に分割するためのハーフカット線を付けて乾燥させ、真空下若しくは不活性雰囲気下において１６００度程度で焼成を行う。焼成が終了した積層体には、所定のパターンにて、上記の導電性印刷層２６のうち、表面上に露出した部分の上に電解メッキによってＮｉ／Ａｕのメッキ層２７を形成する。このメッキ層２７の厚さは全体で１〜１０μｍ程度でよい。このメッキ層２７の形成によって、上述の導電性印刷層２６を厚く形成した部分には、図３に示すように、ベース板２１の内面上に２つの端子部２７ａ，２７ｂが形成され、また、絶縁枠２２の上面上に接合部２７ｃが形成される。端子部２７ａ，２７ｂの下地となる導電性印刷層を厚肉にしたのは、これらの端子部２７ａ，２７ｂが水晶振動子の電極に接合されるために形成されており、水晶振動片１の電極に対する接合を確実に行うためである。また、接合部２７ｃの下地を厚肉にしたのは、特に、導通材２５の上端部において乾燥、焼成時にひけが発生し、くぼみが生ずることにより、蓋板２４の接合時に接合不良が発生することを防止するためである。特に、接合部２７ｃにおいては、同様の理由により、下地層となる導電性印刷層２６を焼成前に厚肉に形成するだけでなく焼成後に再度印刷層をかさね塗りしてもよく、また、メッキ層２７を厚肉に形成してもよい。
【００２７】
以上のように処理した後、上記積層体を上記のハーフカット線に沿って分割することによって、図１に示す個々のケース本体部が形成される。
【００２８】
このケース本体部において、ベース板２１の底面上に形成されたメッキ層２７により構成される、対角位置の２つの電極部２１ｂ、２１ｂは、カット部２１ａ上に形成されたメッキ層２７によって絶縁枠２２の内部に配置される水晶振動片の電極に接続される。また、同様のもう一組の対角位置に形成された２つの電極部２１ｃ，２１ｃは、カット部２１ａ上に形成されたメッキ層２７によって絶縁枠２２の導通材２５に接続され、さらに絶縁枠２２の上面部上に形成された接合部２７ｃに導通している。ここで、電極部２１ｃと導通材２５は二組形成されているが、一組のみでもよい。
【００２９】
ケース本体部の内部に電極が形成された水晶振動片のみを収容する水晶振動子を構成する場合には上記のような構成でよいが、ケース本体部の内部に水晶振動片の他に半導体ＩＣなどの回路を収容して水晶発振器を構成する場合には、電極部２１ｃ，２１ｃもまた、ケース内部の回路に接続される。このとき、導通材２５を通じて絶縁枠２２の上面上のメッキ層２７ｃに接続されるのは、対角位置の２つの電極部２１ｃ，２１ｃのうち一方のみとなる。
【００３０】
本実施形態では、上記のように形成したケース本体部に対して、上方から蓋板２４を固着している。図３及び図４に示すように、蓋板２４の裏面上は銀ロウ層２８が圧延処理により１０〜２０μｍの厚さに形成されている。そしてケース本体部の開口を閉鎖するように蓋板２４を載せ、内部の空気を抜いた状態で、蓋板２４における銀ロウ層２８の形成された裏面と、上記ケース本体部の接合部２７ｃとを溶着させることにより、ケース本体部と蓋板２４とを相互に固着させ、ケース体内部を真空状態で封止する。銀ロウ層の代わりに銀ペーストや比較的低温で溶融可能な導電物質（例えば鉛錫合金などの高温半田など）を用いることができる。ここで、蓋板２４は磁性材で形成されていることにより磁気シールドとなっており、さらに、接地電位などの定電位に接続された電極部２１ｃに導電接続されていることにより、電磁シールドとしても機能するようになっている。基本的には蓋板２４は金属製であり、ＥＭＩ対策としての電気シールドとして機能し、上記材料の他にステンレス鋼などの金属類を用いることができる。
【００３１】
上記のケース本体部への蓋板２４の固着方法は、蓋板２４への通電による加熱や炉による加熱あるいはコテによる加熱によっても行うことができるが、本実施形態では、電子ビームを蓋板２４の上面に照射することによって加熱している。電子ビームは、蓋板２４における絶縁枠２２の接合部２７ｃに接触する枠状の表面領域に沿って走査され、図４に示すように、蓋板２４が加熱されることにより、相互に接触する銀ロウ層２８と接合部２７ｃとが溶融し、相互に固着する。電子ビームの走査速度や照射強度は適宜に調整されるが、たとえば、絶縁枠２２の枠形状に沿った閉ループ上を複数回走査するようにしてもよい。電子ビームの強度及びスポット径も、ケース体の他の部分、特に、内部の水晶振動子に熱が加わらないように、適宜に調整される。たとえば、電子ビームの３周の走査により幅が５０μｍ程度の加熱領域が形成されるようにする。
【００３２】
本実施形態では、図５に示すように、蓋板２４の表面上を接合部２７ｃとの接触面を周回するように連続的に走査し、走査軌跡２９によってケース体２０を完全に封止するように溶着作業が行われる。走査軌跡２９は、絶縁枠２２に形成されたスルーホール２２ｂ内の導通材２５の上方部分において、導通材２５とほぼ同軸的に回転する回転部２９ａが設定されている。これは、導通材２５の上方にある接合部２７ｃの表面部分が導通材２５の焼成時に発生するひけによってやや窪んだ状態になることが多いため、当該表面部分における接合不良を防止するためである。その表面部分では、走査軌跡２９に回転部２９ａを設けることにより蓋板２４を内外に二重の封止軌跡によって確実に接合できるとともに、その表面部分において電子ビームが長時間照射されることにより加熱量が増大し、銀ロウ層２８と接合部２７ｃの溶融領域が拡大することによっても確実に接合を行うことができる。特に、導通材２５の周囲をぐるりと取り囲むように走査軌跡２９を形成することにより、走査軌跡２９が導通体２５の上方における接合部２７ｃの窪み部分を通過することがないため、確実に封止することができる。
【００３３】
なお、上記実施形態では、絶縁枠２２と蓋板２４との間に銀ロウ２８を介在させているが、上記メッキ層のような導電層のみを介在させて溶融させることによって接合してもよい。ただし、導電層としては加熱温度が低くないと内部素子に影響を与えてしまうため、材質を選定する必要がある。また、上記の銀ロウ２８の代わりのものとしては、ＡｕＳｎや半田などがある。
【００３４】
図６は、上記電子ビームの走査軌跡の他の例を示すものである。図６（ａ）には、導通材２５の上方の蓋板２４の表面において１回完全に回転することなく、導通材２５の直上部分を回避するように外側に迂回した走査軌跡２９’を示す。この方法によっても、導通材２５の直上部分に形成される可能性の高い接合部２７ｃの表面の窪みを迂回部２９’において回避して、確実に接合することができる。この場合には走査軌跡２９’が導通材２５の直上部分を外側に迂回しているが、逆に、導通材２５の直上部分を内側に迂回する走査軌跡を設けてもよく、また、特に迂回せずに導通材の内側又は外側を単に通過してもよい。
【００３５】
図６（ｂ）には、導通材２５の直上部分を通過する走査軌跡２９”を示す。この走査軌跡２９”は導通材２５の直上部分を単に通過しているだけであるが、その代わりに、導通材２５の直上部分の近傍で走査速度を低下させるか、或いは、当該直上部分において走査を停止させることによってこの部分における電子ビームの照射時間を長くし、図示一点鎖線で示すように、加熱領域を当該直上部分において広くかつ深くして確実に接合するように構成している。この場合、走査速度の低下や停止ではなく、電子ビームの強度を一時的に高めることによっても同様に直上部分の接合を確実に行うことができる。
【００３６】
図７は、上記実施形態の変形例を示す斜視図である。この例においては、絶縁枠２２には１ヶ所のみスルーホールが形成され、この内部に導通材２５’が充填されている。前述したように、ベース板２１の底面上の電極部２１ｃに接続された導通材２５は最低一ヶ所あればよいため、導通材２５’を一方の電極部２１ｂの形成部に近い角部の近傍に偏らせて形成し、この導通材２５’の直上部分において走査軌跡２９に回転部２９ａを設けたのである。この種の電子部品では、通常、電極部２１ｂの一方が１番電極として選定され、この近傍の蓋板２４の表面上にドットなどのマークが印刷されるが、この例においては、走査軌跡２９の回転部２９ａを１番電極に近い部分に形成して、この回転部２９ａの加熱の痕跡をマークの代用として用いている。このため、マークを別途印刷などの方法により表示する工程を省くことができる。
【００３７】
図８は、上記実施形態のさらに異なる変形例を示すものであり、この場合には上記と同様に電子ビームにより蓋板２４の封止を行うと同時に、この電子ビームにより蓋板２４の表面上に製品の型番や名称、製造者などの表示２４ｃと、１番電極の位置を示すマーク２４ｄとを付けてしまうものである。この場合、必要であれば、表示２４ｃやマーク２４ｄを形成する場合には電子ビームの出力を低下させたり、照射スポット径を細く絞ったりしてもよい。
【００３８】
なお、上記のように、電子ビームの走査軌跡の一部に回転部や迂回部、照射時間や照射強度を増大させた部分を設ける代わりに、単に導通材２５の上方の接合部２７ｃの表面の窪みを低減したり無くしたりする方法もある。この方法のうちの一つは、前述のように絶縁枠２２の上面部の導電性印刷層２６の厚さを厚くする方法があり、この場合、特に導通材２５の直上部分においてのみ局部的に導電性印刷層２６の厚さを厚くすることも可能である。もう一つの方法は、焼成が終了して、導通材２５の直上部分に窪みが形成されてから、その表面上に形成されるメッキ層２７の厚さを厚く形成する方法である。この方法では、メッキ層２７の厚さを厚くすることによって、導通材２５の直上部分の窪みをならし、低減する。本実施形態の場合、メッキ層２７の厚さを接合部２７ｃの部分のみ約１００μｍとし、他の部分の３倍以上の厚さとすることによって、導通材２５の直上の窪みによる接合不良をほぼ完全に消失させることができるようになった。この部分のメッキ層の厚さとしては、５０〜１５０μｍ程度、好ましくは７５μｍ以上にすることが好ましい。メッキ層を厚く形成するには、メッキ時間を長くすればよく、例えば２回以上に分けてメッキ処理を行う。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、絶縁ベース上に接合された絶縁枠の開口部内に充填された導通材の露出する絶縁枠の上面部と蓋板との間に、導電層を介して固着、封止してなることにより、従来よりも１階層少なく構成することができるので、各階層の厚さを薄くしなくても電子部品の厚さを低減できるとともに、製造工程も省略することができるため、製造コストも低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子部品の実施形態としてケース体の構造を示す概略分解斜視図である。
【図２】同実施形態のケース体の平面図（ａ）及び底面図（ｂ）である。
【図３】図２（ａ）のIII−III線に沿って切断した断面を示す同実施形態のケース体の縦断面図である。
【図４】同実施形態のケース本体部と蓋板との接合部を拡大して示す拡大縦端面図である。
【図５】同実施形態の製造過程における蓋板の溶着作業を示す概略斜視図である。
【図６】溶着作業における電子ビームの走査軌跡の他の例を示す平面図（ａ）及び（ｂ）である。
【図７】他の実施形態における蓋板の溶着作業を示す概略斜視図である。
【図８】さらに別の実施形態における蓋板の溶着作業を示す概略斜視図である。
【図９】従来の電子部品のケース体の構造を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１  水晶振動片
２０  ケース体
２１  ベース板
２１ａ  カット部
２１ｂ，２１ｃ  電極部
２２  絶縁枠
２２ａ  カット部
２２ｂ  スルーホール
２４  蓋板
２５  導通材
２６  導電性印刷層
２７  メッキ層
２７ａ，２７ｂ  端子部
２７ｃ  接合部
２８  銀ロウ層
２９  走査軌跡
２９ａ  回転部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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