(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式〔Ｉ〕
【化１】
0003653855.tif 000016
（式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立して炭素数１〜６の直鎖または分岐アルキル基を表わす。Ｒ5〜Ｒ24はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の直鎖または分
岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルキルチオ基、ニトロ基、シアノ基、ＮＸ2（Ｘは水素原子、または炭素数１〜６の直鎖
または分岐のアルキル基）、Ｙ3Ｓｉ（Ｙは水素原子、または炭素数１〜６の直鎖または
分岐のアルキル基）を表わす。Ｚ1〜Ｚ4はそれぞれ独立して水素原子またはハロゲン原子を表わす。Ｍは２価の金属原子、３価または４価の置換金属原子、酸化金属または２個の水素原子を表わす。）で示されるフタロシアニン化合物。
【請求項２】
前記一般式〔Ｉ〕において、分岐置換ベンジルオキシ基のフタロシアニン環における置換位置がそれぞれ１又は４、５又は８、９又は１２、１３又は１６位である請求項１に記載のフタロシアニン化合物。
【請求項３】
基板上にレーザーによる情報の書き込み及び／または読み取りが可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が請求項１または２に記載のフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体。
【請求項４】
記録層上に金属の反射層及び保護層を設けることを特徴とする請求項３に記載の光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規フタロシアニン化合物及びそれを用いた光学記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザーを用いる光学記録は、高密度の情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特に開発が取り進められている。
光学記録媒体の一例としては光ディスクを挙げることができる。
一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録を行うものである。その光ディスクの中でも最近注目を集めているものに書き込み型コンパクトディスク（ＣＤライトワンスディスク）がある。ＣＤライトワンスディスクは通常、案内溝を有するプラスチック基板上に色素を主成分とする記録層、金属反射膜、保護膜を順次積層することにより構成される。情報の記録は、照射されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成することにより行われる、また、記録された情報の再生は、レーザー光により変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行われる。したがって、光学記録媒体としてはレーザー光のエネルギーを効率よく吸収する必要があり、レーザー吸収色素が用いられる。
【０００３】
このようなＣＤライトワンスディスクの記録層に使用する色素としては、特開昭５８−１１２７９０号、同５８−１１４９８９号、同５９−８５７９１号、同６０−８３２３６号各公報にシアニン系色素を用いたものが開示されている。しかし、シアニン系色素は溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能であるという利点の反面、耐光性に劣るという問題点を有している。この点に関して記録層用の色素としてフタロシアニン系色素を用いたものが提案されている。フタロシアニン系色素は一般に耐候性に優れていて好ましいが、有機溶媒に対する溶解性が低く、塗布によるコーティングに使用することができないという問題点を有していた。この点を改良するために、特開昭６２−３９２８６号公報にフタロシアニンにアルコキシ基、置換フェノキシ基等の置換基を導入することが提案されているが、感度、記録特性において十分な性能を有しているとは言えなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点を解決する記録層用色素およびこれを用いた光学記録媒体として、有機溶媒に対する溶解性に優れ、塗布によるコーティングに適したフタロシアニン化合物および該化合物を用いた光学記録媒体を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らはこの目的を達成するべく鋭意検討した結果、下記一般式〔Ｉ〕で示されるフタロシアニン化合物を見い出した。
すなわち本発明は下記一般式〔Ｉ〕で示されるフタロシアニン化合物、及び基板と記録層からなり、該記録層が前示一般式〔Ｉ〕で示されるフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体をその要旨とする。
【０００６】
【化２】
0003653855.tif 000002
【０００７】
（式中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立して炭素数１〜６の直鎖または分岐アルキル基を表わす。Ｒ5〜Ｒ24はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の直鎖または分
岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルキルチオ基、ニトロ基、シアノ基、ＮＸ2（Ｘは水素原子、または炭素数１〜６の直鎖
または分岐のアルキル基）、Ｙ3Ｓｉ（Ｙは水素原子、または炭素数１〜６の直鎖または
分岐のアルキル基）を表わす。Ｚ1〜Ｚ4はそれぞれ独立して水素原子またはハロゲン原子を表わす。Ｍは２価の金属原子、３価または４価の置換金属原子、酸化金属または２個の水素原子を表わす。）
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明につき詳細に説明する。
本発明のフタロシアニン化合物は、いずれも６００〜８００ｎｍ付近の近赤外領域に吸収を有し、耐光性、耐熱性が良好で、後述するように光学記録媒体の記録材料として有用である。
【０００９】
上記一般式〔Ｉ〕で示されるフタロシアニン化合物において、分岐置換ベンジルオキシ基のフタロシアニン環における置換位置が１又は４位、５又は８位、９又は１２位、１３又は１６位であるフタロシアニン化合物がより好ましい。上記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ1〜Ｒ4で表わされる、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖のアルキル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基などの炭素数１〜６の分岐のアルキル基等が挙げられ、分岐のアルキル基が特に好ましい。
【００１０】
Ｒ5〜Ｒ24で表わされる、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基としては、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖のアルキル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基などの炭素数１〜６の分岐のアルキル基等が挙げられる。
【００１１】
炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の直鎖のアルコキシ基；ｉｓｏ−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎｅｏ−ペンチルオキシ基等の分岐のアルコキシ基等が挙げられる。
【００１２】
炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６の直鎖のアルキルチオ基；ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎｅｏ−ペンチルチオ基、１，２−ジメチルプロピルチオ基、１，３−ジメチルブチルチオ基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピルチオ基、１，２−ジメチルブチルチオ基等の炭素数１〜６の分岐アルキルチオ基等が挙げられる。
【００１３】
炭素数１〜６の直鎖または分岐のフッ化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２−フルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２Ｈ−テトラフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロピル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブチル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロ
−ｎ−ヘキシル基、２−（パーフルオロブチル）エチル基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルキル基；１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエチル基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチル基、１−（トリフルオロメチル）エチル基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジフルオロエチル基、１−（フルオロメチル）−２−フルオロエチル基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエチル基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エチル基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエチル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロピル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブチル基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロピル基、２−メチル−４，４，４−トリフルオロブチル基、パーフルオロ−３−メチルブチル基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチル）エチル基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチル）プロピル基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アルキル基等が挙げられる。
【００１４】
炭素数１〜６の直鎖、分岐のフッ化アルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、２−フルオロエトキシ基、２，２−ジフルオロエトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、２Ｈ−テトラフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ基、３，３，３−トリフルオロプロポキシ基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロポキシ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブトキシ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブトキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基、２−（パーフルオロブチル）エトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルキル基；１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエトキシ基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエトキシ基、１−（トリフルオロメチル）エトキシ基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジフルオロエトキシ基、１−（フルオロメチル）−２−フルオロエトキシ基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエトキシ基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エトキシ基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエトキシ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロポキシ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブトキシ基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロポキシ基、２−メチル−４，４，４−トリフルオロブトキシ基、パーフルオロ−３−メチルブトキシ基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチル）エトキシ基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチル）プロポキシ基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アルキル基等が挙げられる。
【００１５】
炭素数１〜６の直鎖又は分岐のフッ化アルキルチオ基としては、トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、２−フルオロエチルチオ基、２，２−ジフルオロエチルチオ基、２，２，２−トリフルオロエチルチオ基、２Ｈ−テトラフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、３，３，３−トリフルオロプロピルチオ基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロピルチオ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブチルチオ基
、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基、２−（パーフルオロブチル）エチルチオ基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルキルチオ基、１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエチルチオ基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチルチオ基、１−（トリフルオロメチル）エチルチオ基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジフルオロエチルチオ基、１−（フルオロメチル）−２−フルオロエチルチオ基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエチルチオ基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エチルチオ基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエチルチオ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロピルチオ基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブチルチオ基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）プロピルチオ基、２−メチル−４，４，４−トリフルオロブチルチオ基、パーフルオロ−３−メチルブチルチオ基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチル）エチルチオ基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチル）プロピルチオ基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アルキルチオ基等が挙げられる。
【００１６】
ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。ＸおよびＹで表わされる炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基としては、それぞれメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。
【００１７】
Ｍで表わされる２価金属原子の例としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃｒ等が挙げられる。１置換３価金属原子の例としては、ＡｌＦ、ＡｌＣｌ、ＡｌＢｒ、ＡｌＩ、ＧａＦ、ＣａＣｌ、ＧａＢｒ、ＧａＩ、ＩｎＦ、ＩｎＣｌ、ＩｎＢｒ、ＩｎＩ、ＴｌＦ、ＴｌＣｌ、ＴｌＢｒ、ＴｌＩ等が挙げられる。２置換４価金属の例としては、ＳｉＦ2 、ＳｉＣｌ2 、ＳｉＢｒ2 、ＳｉＩ2 、ＧｅＦ2 、ＧｅＣｌ2 、ＧｅＢｒ2 、ＧｅＩ2 、ＳｎＦ2 、ＳｎＣｌ2 、ＳｎＢｒ2 、ＳｎＩ2 、ＴｉＦ2 、ＴｉＣｌ2 、ＴｉＢｒ2 、ＴｉＩ2 、ＺｒＣｌ2 、ＨｆＣｌ2 、Ｓｉ（ＯＨ）2 、Ｇｅ（ＯＨ）2 、Ｓｎ（ＯＨ）2 、Ｚｒ（ＯＨ）2 、Ｈｆ（ＯＨ）2 、ＳｉＲ2 、ＧｅＲ2 、ＳｎＲ2 、ＴｉＲ2 （Ｒは置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基を表わす。）、Ｓｉ（ＯＲ′）2 、Ｇｅ（ＯＲ′）2 、Ｓｎ（ＯＲ′）2 、Ｔｉ（ＯＲ′）2 （Ｒ′は置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、アシル基、トリアルキルシリルオキシ基を表わす。）等が挙げられる。酸化金属の例としてはＶＯ、ＴｉＯ、ＰｂＯ等が挙げられる。特に好ましい金属原子の例としてはＣｕ、Ｐｄである。
前記一般式〔Ｉ〕で示されるフタロシアニン化合物は下記一般式〔II〕
【００１８】
【化３】
0003653855.tif 000003
【００１９】
（式中、Ｒ25、Ｒ26〜Ｒ30はそれぞれ前述のＲ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 〜Ｒ24の定義と同じ。Ｚは前述の定義と同じ。）
で示されるフタロニトリル化合物を１〜４種を混合して、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）等の有機塩基の存在下、金属誘導体とアルコール等の溶媒中で加熱反応する方法、あるいは金属誘導体、必要に応じて尿素の存在下、１−クロロナフタレン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の溶媒中で加熱する方法により合成することができる。また下記一般式〔III 〕
【００２０】
【化４】
0003653855.tif 000004
【００２１】
（式中、Ｒ25、Ｒ26〜Ｒ30はそれぞれ前述のＲ1 〜Ｒ4 、Ｒ5 〜Ｒ24の定義と同じ。Ｚは前述の定義と同じ。）
で示されるフタル酸誘導体と、金属誘導体とを尿素の存在下、１−クロロナフタレン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の溶媒中で加熱する方法によっても合成することができる。
【００２２】
前記一般式〔Ｉ〕において、Ｚがハロゲン原子である化合物は上述のようにして得られたフタロシアニン化合物をハロゲン化剤を用いてハロゲン化することによっても得られる。
本発明の光学記録媒体は、基本的には基板と前記フタロシアニン化合物または混合物を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き層を設けることができる。また、好ましい層構成の一例としては、記録層上に金、銀、アルミニウムの様な金属反射層および保護層を設けて高反射率の媒体とし、追記型のＣＤメディアとすることができる。
【００２３】
この場合に用いる基板としては、使用するレーザー光に対して透明なものがよく、ガラス、プラスチックス等が挙げられ、特にプラスチックスが種々の点から好ましい。プラスチックスとしては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
【００２４】
本発明の光学記録媒体におけるフタロシアニン化合物または混合物を含有する記録層は、膜厚１００Å〜５μｍ、好ましくは７００Å〜３μｍで用いられる。記録膜の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一般に行われている薄膜形成法で成膜することができるが、量産性、コスト面からスピナー法が好ましい。
【００２５】
また、必要に応じてバインダーを使用することもできる。バインダーとしてはポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート等既知のものが用いられる。この場合、本発明のフタロシアニン化合物は、樹脂中に１０重量％以上含有されることが好ましい。
【００２６】
スピナー法による成膜の場合、回転数は５００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行ってもよい。
また、記録層の安定や耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）を含有していてもよい。
さらに、必要に応じて他の色素を併用することもできる。他の色素としては別の種類の同系統の化合物でもよいし、トリアリールメタン系色素、アゾ色素、シアニン系色素、スクワリリウム系色素、含金属インドアニリン、含金属アゾ色素等他系統の色素でもよい。
【００２７】
ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−オクタン、エチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のフッ化アルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が挙げられる。
【００２８】
本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。上記のようにして得られた光学記録媒体への記録は、基板の両面または片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてることにより行う。レーザー光の照射された部分は、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。
【００２９】
記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行う。
本発明の光学記録媒体について使用されるレーザー光はＮ2 、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ルビー、半導体、色素レーザー等が挙げられるが、特に軽量性、取扱の容易さ、コンパクト性等の点から半導体レーザーが好適である。また、本発明の色素はこのほかに着色剤として一般に用いられる用途に用いることができ、たとえば光学フィルター等にも使用することができる。
【００３０】
【実施例】
以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かかる実施例はその要旨を越えない限り本発明を限定するものではない。
実施例１
（ａ）製造例
乾燥したジメチルホルムアミド４０ｍｌ中に分散した６０％水素化ナトリウム３．００ｇ（７５ｍｍｏｌ）を窒素気流下、撹拌し、１０℃で４−ｔ−ブチル−α−ｉｓｏ−プロピルベンジルアルコール１８．６ｇ（９０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。滴下終了後、下記構造式〔IV〕
【００３１】
【化５】
0003653855.tif 000005
【００３２】
で示される３−ニトロフタロニトリル１３．０ｇ（７５ｍｍｏｌ）のジメチルホルムアミド６０ｍｌ溶液をゆっくり滴下した。３時間撹拌した後、氷水中に放出し、塩酸で中和し、析出した結晶を濾過、水洗、乾燥すると下記構造式〔Ｖ〕で示される３−〔４−ｔ−ブチル−α−ｉｓｏ−プロピルベンジルオキシ〕フタロニトリル２５．７５ｇ（収率≧１００％）を得た。
【００３３】
【化６】
0003653855.tif 000006
【００３４】
上述の３−〔４−ｔ−ブチル−α−ｉｓｏ−プロピルベンジルオキシ〕フタロニトリル３．３２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ１．５２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）のｎ−アミルアルコール１０ｍｌ溶液を撹拌しながら９０−９５℃に加熱し、同温度で塩化銅（II）０．４０ｇ（３．０ｍｍｏｌ）を添加した。９０−１００℃で３．５時間加熱、撹拌し、放冷後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲルカラム（トルエン）で精製し、乾燥すると下記構造式〔VI〕で示されるフタロシアニン化合物０．３０ｇ（収率３７．２％）を得た。（得られた化合物は４−ｔ−ブチル−α−ｉｓｏ−プロピルベンジルオキシ基が１、５、９、１３位に置換した化合物、１、８、９、１６位に置換した化合物、１、５、９、１６位に置換した化合物、１、５、１２、１６位に置換した化合物の異性体を含むが代表的構造を〔VI〕で示す。）この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘは７１１ｎｍであり、分子吸光係数は１．８９×１０5 であった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを図１に示す。また、赤外吸収スペクトルを図２に示す。
【００３５】
【化７】
0003653855.tif 000007
【００３６】
（ｂ）記録媒体例
前記製造例で得たフタロシアニン化合物のエチルシクロヘキサン１．５ｗｔ％溶液を調整し、０．２２μｍのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７２４ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００３７】
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録パワー６．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生信号を得た。
【００３８】
実施例２
（ａ）製造例
乾燥したジメチルホルムアミド３０ｍｌ中に分散した６０％水素化ナトリウム２．００ｇ（５０ｍｍｏｌ）を窒素気流下、撹拌し、１０℃で２，４−ジイソプロピル−α−イソプロピルベンジルアルコール１４．０６ｇ（６０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。滴下終了後、３−ニトロフタロニトリル８．６６ｇ（５０ｍｍｏｌ）のジメチルホルムアミド４０ｍｌ溶液をゆっくり滴下した。１時間半撹拌した後、氷水中に放出し、塩酸で中和し、析出した結晶を濾過、水洗、乾燥すると下記構造式〔VII 〕で示される３−〔２，４−ジ（イソプロピル）−α−イソプロピルベンジルオキシ〕フタロニトリル１６．９０ｇ（収率９３．９％）を得た。
【００３９】
【化８】
0003653855.tif 000008
【００４０】
上述の３−〔２，４−ジ（イソプロピル）−α−イソプロピルベンジルオキシ〕フタロニトリル３．６１ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ１．５２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）のｎ−アミルアルコール１０ｍｌ溶液を撹拌しながら９０−９５℃に加熱し、同温度で塩化銅（II）０．４０ｇ（３．０ｍｍｏｌ）を添加した。９０−１００℃で１．５時間加熱、撹拌し、放冷後、溶媒を減圧下除去し、シリカゲルカラム（トルエン）で精製し、乾燥すると下記構造式〔VIII〕で示されるフタロシアニン化合物１．４７ｇ（収率３９．１％）を得た。（得られた化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的な構造を〔VIII〕で示す。）この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘは７１０ｎｍであり、分子吸光係数は１．７６×１０5 であった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを図３に示す。また、赤外吸収スペクトルを図４に示す。
【００４１】
【化９】
0003653855.tif 000009
【００４２】
（ｂ）記録媒体例
前記製造例で得たフタロシアニン化合物のブチルシクロヘキサン１．５ｗｔ％溶液を調整し、０．２２μｍのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７２２ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００４３】
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録パワー７．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生信号を得た。
【００４４】
実施例３
（ａ）製造例
乾燥したジメチルホルムアミド２３ｍｌ中に分散した６０％水素化ナトリウム２．６４ｇ（６６ｍｍｏｌ）を窒素気流下、撹拌し、１０℃で２−メトキシ−α−メチルベンジルアルコール１０．０ｇ（６６ｍｍｏｌ）のジメチルホルムアミド５ｍｌ溶液をゆっくり滴下した。滴下終了後、３−ニトロフタロニトリル９．５２ｇ（５５ｍｍｏｌ）のジメチルホルムアミド３５ｍｌ溶液をゆっくり滴下した。２時間撹拌した後、氷水中に放出し、塩酸で中和し、析出した結晶を濾過、水洗、乾燥すると下記構造式〔IX〕で示される３−（２−メトキシ−α−メチルベンジルオキシ）フタロニトリル２３．２０ｇ（粗収率≧１００％）を得た。
【００４５】
【化１０】
0003653855.tif 000010
【００４６】
前述の３−（２−メトキシ−α−メチルベンジルオキシ）フタロニトリル２．７８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ１．５２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）のｎ−アミルアルコール１０ｍｌ溶液を撹拌しながら９０−９５℃に加熱し、同温度で塩化銅（II）０．４０ｇ（３．０ｍｍｏｌ）を添加した。９０−１００℃で６時間加熱、撹拌し、放冷後、メタノール２００ｍｌを加えて撹拌した。析出した結晶を濾別、乾燥させ、シリカゲルカラム（トルエン）で精製し、乾燥すると下記構造式〔Ｘ〕（得られた化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的構造を〔Ｘ〕で示す。）で示されるフタロシアニン化合物０．２０１ｇ（収率６．８％）を得た。この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘは７１１ｎｍであり、分子吸光係数は１．８５×１０5 であった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを図５に示す。また、赤外吸収スペクトルを図６に示す。
【００４７】
【化１１】
0003653855.tif 000011
【００４８】
（ｂ）記録媒体例
前記製造例で得たフタロシアニン化合物の２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブタノール１．５ｗｔ％溶液を調整し、０．２２μｍのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７２７ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００４９】
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録パワー６．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生信号を得た。
【００５０】
実施例４
（ａ）製造例
乾燥したジメチルホルムアミド２５ｍｌ中に分散した６０％水素化ナトリウム２．００ｇ（５０ｍｍｏｌ）を窒素気流下、撹拌し、１０℃でｍ−（ジメチルアミノ）フェニルメチルカルビノール９．９１ｇ（６０ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。滴下終了後、３−ニトロフタロニトリル８．６６ｇ（５０ｍｍｏｌ）のジメチルホルムアミド３０ｍｌ溶液をゆっくり滴下し、７時間撹拌した後一晩放置した。氷水中に放出し、塩酸で中和し、析出した結晶を濾過、水洗、乾燥すると下記構造式〔XI〕で示される３−〔ｍ−（ジメチルアミノ）フェニルメチルカルビノキシ〕フタロニトリル１３．２６ｇ（収率９０．８％）を得た。
【００５１】
【化１２】
0003653855.tif 000012
【００５２】
前述の３−〔ｍ−（ジメチルアミノ）フェニルメチルカルビノキシ〕フタロニトリル２．９１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ＤＢＵ１．５２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）のｎ−アミルアルコール１０ｍｌ溶液を撹拌しながら９０−９５℃に加熱し、同温度で塩化銅（II）０．５３ｇ（４．０ｍｍｏｌ）を添加した。９０−１００℃で６時間加熱撹拌した後、溶媒を留去し、シリカゲルカラム（クロロホルム）で精製し、乾燥すると下記構造式〔XII 〕で示されるフタロシアニン化合物０．７５１ｇ（収率２４．５％）を得た。（得られた化合物は実施例１と同様に異性体を含むが代表的な構造を〔XII 〕で示す。）この化合物のクロロホルム中でのλｍａｘは７１１ｎｍであり、分子吸光係数は１．７３×１０5 であった。この化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを図７に示す。また、赤外吸収スペクトルを図８に示す。
【００５３】
【化１３】
0003653855.tif 000013
【００５４】
（ｂ）記録媒体例
前記製造例で得たフタロシアニン化合物の２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブタノール１．５ｗｔ％溶液を調整し、０．２２μｍのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７２９ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００５５】
（ｃ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、記録パワー７．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再生信号を得た。
【００５６】
実施例５−１２
実施例１において用いた化合物の代わりに表−１に示した化合物を合成した。最大吸収波長、分子吸光係数を示す。
また、それらのフタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様に基板上に塗布して、表−１に示す塗布膜の最大吸収波長を持つ光学記録媒体を製造した。
得られた光学記録媒体に、光源として半導体レーザーを用いて記録を行ったところ、記録感度が良好であり、耐光性、保存安定性に優れていた。
【００５７】
【表１】
0003653855.tif 000014
【００５８】
比較例
（ａ）記録媒体例
下記構造式〔XIII〕で示されるフタロシアニン化合物（この化合物は実施例１と同様に異性体を含むが、代表的構造を〔XIII〕で示す。）のエチルシクロヘキサン１．７ｗｔ％溶液を調整し、０．２２μｍのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７１４ｎｍであった。
次に、この塗布膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの金膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。
【００５９】
【化１４】
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【００６０】
（ｂ）光記録法
上記記録媒体を１．４ｍ／ｓで回転させながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で記録したところ、ＥＦＭ信号を記録するために記録パワーとして１０．５ｍＷが必要であり、この場合でも実施例１に示した本発明の光記録媒体と比べ記録感度、反射率ともに劣るものであった。
【００６１】
【発明の効果】
本発明のフタロシアニン化合物は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能であり、しかも感度が良好で耐光性、保存安定性に優れているもので、該フタロシアニン化合物を用いた光学記録媒体は工業的に極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１で得られたフタロシアニン化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを表わす図。
【図２】本発明の実施例１で得られたフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルを表わす図。
【図３】本発明の実施例２で得られたフタロシアニン化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを表わす図。
【図４】本発明の実施例２で得られたフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルを表わす図。
【図５】本発明の実施例３で得られたフタロシアニン化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを表わす図。
【図６】本発明の実施例３で得られたフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルを表わす図。
【図７】本発明の実施例４で得られたフタロシアニン化合物のクロロホルム溶液中の可視部吸収スペクトルを表わす図。
【図８】本発明の実施例４で得られたフタロシアニン化合物の赤外吸収スペクトルを表わす図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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