(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に第１の絶縁膜を形成し、この第１の絶縁膜に前記シリコン基板表面に達する開口部を形成する工程と、
前記シリコン基板表面に達する開口部から前記開口部と断面形状が等しいシリコン部分をシリコン基板上に形成する工程と、
前記シリコン部分を覆うように第２の絶縁膜を形成し、この第２の絶縁膜の表面を平坦化することにより前記シリコン部分を露出する工程と、
前記第２の絶縁膜をエッチングマスクとして前記シリコン部分をエッチング除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン部分は、前記シリコン基板上に選択エピタキシャル成長させて形成されるシリコンからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記選択エピタキシャル成長は、シリコン基板上に選択的に金属膜を形成し、この金属膜に熱処理を施して溶融させ、この溶融した金属膜を介して前記シリコン部分を前記シリコン基板上に形成することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
シリコン基板上に第１の絶縁膜を形成し、この第１の絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に前記開口部を埋め込むようにポリシリコン膜を堆積し、前記ポリシリコン膜の表面を平坦化する工程と、
この平坦化されたポリシリコン膜上に前記開口部の位置に合わせてエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて前記平坦化されたポリシリコン膜を異方性エッチングする工程と、
この異方性エッチングにより形成された前記ポリシリコン膜の一部からなるシリコン部分を覆うように第２の絶縁膜を形成し、前記第２絶縁膜の表面を平坦化することにより前記シリコン部分を露出する工程と、
前記第２の絶縁膜をエッチングマスクとして前記シリコン部分をエッチング除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記シリコン部分がエッチング除去された前記第１及び第２の絶縁膜は、前記シリコン基板に凹部を設けるためのエッチングマスクとされることを特徴とする請求項１、４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン基板に設けられた凹部は、半導体装置のキャパシタ形成のために用いられることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の絶縁膜又は前記ポリシリコン膜の平坦化は、ＣＭＰ法により行うことを特徴とする請求項１、４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体基板又は半導体基板上の絶縁膜に開口部の寸法に比べて深さの値が大きい凹部を形成するためのドライエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、開口部の寸法に比べて深さの値が大きい凹部（以下高アスペクト比のトレンチと呼ぶ）を半導体基板に形成する際、まず半導体基板上の絶縁膜に、半導体基板表面に達する深いトレンチを形成し、この深いトレンチをエッチングマスクとして、さらに半導体基板に高アスペクト比のトレンチを形成する方法が取られてきた。
【０００３】
絶縁膜への深いトレンチの形成は、通常レジストをマスクとして行われるが、このとき、解像度の高い薄膜化レジストによる厚い絶縁膜の高アスペクト比のエッチングが要求される。この厚い絶縁膜のエッチングは、通常フッ素系のガスを用いたドライエッチング方法により行われるが、高アスペクト比でエッチングするためには、大電力の高周波印加の条件で長時間のエッチングを行うことが必要とされる。
【０００４】
このためエッチング中に被処理物の温度が上昇し、レジスト上部に付着するフッ化物からなるエッチング生成物が、熱によりトレンチ開口部の回りで移動する現象を生じ、開口部の周辺に通常スキャロップ（帆立て貝の凹凸を意味する）と呼ぶ凹凸形状が発生するようになる。
【０００５】
この開口部の凹凸は、トレンチ加工においてトレンチの内部にまで転写され、またスキャロップが生じた層間絶縁膜をエッチングマスクとしてシリコン基板にトレンチを形成すれば、シリコン基板に形成された高アスペクト比のトレンチの内部にもスキャロップがさらに転写されるので、このトレンチ内部にも凹凸形状が発生し、トレンチ内部に形成されるトレンチキャパシタ部分においてリーク電流を生じる原因となる。
【０００６】
微細加工技術の進展に伴い、従来シリコン基板に高アスペクト比のトレンチを形成するための層間絶縁膜マスクもまた、高アスペクト比のエッチングマスクとすることが求められてきたが、解像度を高める必要上、このとき用いるレジストマスクが薄膜化されるので、いわゆる膜減りの問題に関連してレジストマスクにより層間絶縁膜に深いトレンチを形成することはいちじるしく困難な状況になっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来シリコン基板への深いトレンチの形成に用いる、例えば層間絶縁膜等からなる高アスペクト比のエッチングマスク形成において、レジストマスクの薄膜化のため、高アスペクト比のエッチングがいちじるしく困難になるという問題があった。
【０００８】
本発明は上記の問題点を解決すべくなされたもので、エッチングマスク形成において微細加工が容易で、かつレジストマスクによる高アスペクト比のエッチングに代わる、新たな高アスペクト比のドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁膜からなる高アスペクト比のエッチングマスク形成において、シリコン基板上にシリコン単結晶またはシリコン多結晶（以下ポリシリコンと呼ぶ）からなる柱を形成し、この柱を埋め込むように絶縁膜を形成し、この絶縁膜を平坦化することにより絶縁膜の上面に柱の頂上部を露出させ、異方性ドライエッチングを用いて前記柱を頂上部からエッチング除去することにより、層間絶縁膜に高アスペクト比のトレンチを形成することを特徴とする。
【００１０】
具体的には本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板上に第１の絶縁膜を形成し、この第１の絶縁膜にシリコン基板表面に達する開口部を形成する工程と、シリコン基板表面に達する開口部から、この開口部と断面形状が等しいシリコン部分をシリコン基板上に形成する工程と、前記シリコン部分を覆うように第２の絶縁膜を形成し、この第２の絶縁膜の表面を平坦化することにより前記シリコン部分を露出する工程と、前記第２の絶縁膜の表面をエッチングマスクとして前記シリコン部分をエッチング除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
好ましくは前記シリコン部分は、シリコン基板上に選択エピタキシャル成長させて形成されるシリコンからなることを特徴とする。
【００１２】
さらに好ましくは前記選択エピタキシャル成長は、シリコン基板上に選択的に金属膜を形成しこの金属膜に熱処理を施して溶融させ、この溶融した金属膜を介して前記シリコン部分を前記シリコン基板上に形成することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板上に第１の絶縁膜を形成し、この第１の絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に前記開口部を埋め込むようにポリシリコン膜を堆積し、ポリシリコン膜の表面を平坦化する工程と、この平坦化されたポリシリコン膜上に開口部の位置に合わせてエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて前記平坦化されたポリシリコン膜を異方性エッチングする工程と、
この異方性エッチングにより形成された前記ポリシリコン膜の一部からなるシリコン部分を覆うように第２の絶縁膜を形成し、前記第２絶縁膜の表面を平坦化することによりシリコン部分を露出する工程と、第２の絶縁膜をエッチングマスクとして前記シリコン部分をエッチング除去する工程とを含むこと特徴とする。
【００１３】
好ましくは、前記シリコン部分がエッチング除去された前記第１、第２の絶縁膜は、前記シリコン基板に凹部を設けるためのエッチングマスクとされることを特徴とする。
【００１４】
また、好ましくは、前記シリコン基板に設けられた凹部は、半導体装置のキャパシタ形成のために用いられることを特徴とする。
【００１５】
また、好ましくは、第２の絶縁膜又はポリシリコン膜の平坦化は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）法により行うことを特徴とする。
【００１６】
このように、層間絶縁膜等からなるにエッチングマスクを形成する際、レジストマスクによる高アスペクト比のトレンチ加工に代えて、単結晶またはポリシリコンからなる柱を異方性エッチングする本発明のドライエッチング方法を用いることにより、シリコン基板に形成される深いトレンチ内部におけるスキャロップ形状の発生を防止し、制御性よく深いシリコントレンチの加工を行うことが可能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１８】
図１乃至図４は、本発明の第１の実施の形態に係るシリコン基板への深いトレンチ形成のための製造工程を示す断面図である。図１（ａ）に示すように、シリコン基板１の表面を熱酸化することにより、ＳｉＯ２  からなるシリコン熱酸化膜２を形成し、引き続き通常のＣＶＤ  （Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、この熱酸化膜に積層してＳｉ３  Ｎ４  からなる窒化膜３を形成する。ここで、熱酸化膜２は、シリコン基板１と窒化膜３との密着性を向上するためのバッファ層である。
【００１９】
次に、シリコン窒化膜３の上に、例えばポリシランからなる反射防止膜４とレジスト５とを塗布し、露光後レジスト開口部５ａを形成する。ここで、反射防止膜４は、シリコン基板表面からの露光に用いる光の反射を防止し、高い解像度で開口部５ａを形成するのに役立つ。
【００２０】
次に、図５（ｂ）に示すように、開口部５ａを有するレジスト５をエッチングマスクとして、通常の反応性イオンエッチング法（以下ＲＩＥ；  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇと略称する）を用いて、反射防止膜４と窒化膜３と熱酸化膜２とをそれぞれ開口し、シリコン基板１の表面６を開口部の底面に露出させる。このようにシリコン基板１の表面に達する開口部を形成した後、図１（ｃ）に示すようにレジスト５と反射防止膜４とを剥離する。
【００２１】
次に図２（ｄ）に示すように全面にＡｕ膜を蒸着し、引き続き図２（ｅ）に示すように、窒化膜３をストッパーとして通常のＣＭＰを用いて窒化膜３の上部に堆積したＡｕ膜７を除去する。
【００２２】
このように開口部のみにＡｕ膜７が残留したシリコン基板１を、図１０に示す通常のエピタキシャル成長装置に挿入し、Ａｕ膜７を介してシリコンの柱をシリコン基板表面からエピタキシャル成長する。
【００２３】
図１０に示すエピタキシャル成長装置はガス導入管１３と、設置台１５の上に設置された被処理物１４と、ヒーター１６と、温度調節機構１７と、排気口１８とから構成される。図１０は通常のＣＶＤエピタキシャル装置の基本構成を模式的に示したものである。本発明のシリコン柱の成長は何等新規な成長装置を必要とせず、通常のＣＶＤエピタキシャル装置をそのまま用いて行うことができる。
【００２４】
図２（ｅ）までの工程を終了したシリコン基板１（シリコンウエハー）は、被処理物１４としてヒータ１６と温度調節機構１７を備えた設置台１５の上に設置され、図１０に示すチャンバーを排気し真空状態にする。
【００２５】
次に、設置台の温度を９５０℃に設定し、図２（ｆ）に示すようにＡｕ膜７とシリコン基板１の表面とを反応させてＡｕ膜７を一旦Ａｕ−Ｓｉ液相合金とし、開口部内においてシリコン基板１の表面を覆うように溶融することによりＳｉを含むＡｕ８を形成する。
【００２６】
Ａｕ−Ｓｉ液相合金層を形成した後、Ｈ２  をキャリアガスとして圧力１気圧、全ガス流量１（ｌ／ｍｉｎ）のＳｉＣｌ４  ／Ｈ２  ：１／５０（モル比）程度の混合ガスをガス導入管１３と排気管１８とを用いてチャンバー内に流すことにより、図３（ｇ）に示すようにＳｉを含むＡｕ８を介して、柱状のシリコン単結晶９を成長させる。
【００２７】
このときシリコン単結晶９の縦方向の成長速度は約５ｍｇ／ｃｍ２  であり、図１の開口部５ａの底面に露出したシリコン基板表面６を断面形状として、柱状シリコン単結晶９を容易に形成することができる。すなわち開口部５ａが円形であれば柱の断面も円形となり、矩形であれば矩形断面の柱が得られる。
【００２８】
このようにして、シリコン基板１の上に任意の断面形状を有する柱状シリコン単結晶９を形成することができる。例えば上記の方法で直径が約３０μｍ、長さが約６００μｍの円形断面のシリコン単結晶９が容易に得られ、このとき長さ方向に亘って柱の直径はほとんど一定の値であった。
【００２９】
なお前記５ｍｇ／ｃｍ２  の成長速度は直径の値が変化しても一定であり、この方法を用いれば、種々の断面形状と断面積とを有する柱状シリコン単結晶９が高い制御性で形成されることが確認された。
【００３０】
シリコン単結晶９の成長はその頂上部にあるＳｉを含むＡｕ８を介して行われるが、シリコン単結晶９の成長中において、このＳｉを含むＡｕ８は必ずしも液相状態にはなくＳｉの含有量が増加するにしたがって固相状態に近づく。柱状シリコン単結晶の高速成長は、Ｓｉを多量に含む固相状のＡｕからＳｉの高速拡散と析出が行われることにより進行するものと思われる。
【００３１】
このようにして、シリコン基板１の上に柱状シリコン単結晶９を成長した後、周知のＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）  を用いたプラズマＳｉＯ２  （通常Ｐ−ＴＥＯＳ膜と呼ぶ）からなる厚いシリコン酸化膜１０（通常層間絶縁膜の形成に用いられる）を図３（ｈ）に示すように形成する。このときシリコン酸化膜１０の厚さは、シリコン単結晶９とＳｉを含むＡｕ８とが完全に埋め込まれるように設定する。
【００３２】
次に通常のＣＭＰによりシリコン酸化膜１０の表面を平坦化する。この平坦化工程をさらに進めて、図４（ｉ）に示すように、シリコン単結晶９の上のＳｉを含むＡｕ８を除去する。
【００３３】
引き続き、シリコン酸化膜に対するエッチング選択比の高いシリコン基板エッチング用のＲＩＥ条件で、シリコン単結晶９を異方性エッチングすれば、シリコン酸化膜１０、シリコン窒化膜３、熱酸化膜２からなる高アスペクト比のエッチングマスクを形成することができる。
【００３４】
また、ＲＩＥによるシリコン基板１の異方性エッチングをさらに進めれば、図４（ｊ）に示すように、シリコン基板１に高アスペクト比の深いトレンチを容易に形成することができる。
【００３５】
第１の実施の形態のエッチングマスクの形成方法によれば、厚い絶縁膜からなる高アスペクト比のエッチングマスクがレジストを用いることなく形成されるので、エッチング生成物としてレジスト上部に付着するフッ化物によりスキャロップ形状の発生を完全に回避することができる。
【００３６】
従って、前記エッチングマスクを用いてシリコン基板に高アスペクト比の深いトレンチを形成すれば、トレンチ内部にスキャロップ状の凹凸を生じないので、リーク電流が小さく信頼性の高いトレンチキャパシタを得ることができる。
【００３７】
また、高アスペクト比のエッチングマスクの形成に際して、絶縁膜からなるエッチングマスクの厚さが制御性の高い柱状シリコン単結晶９の高さにより制御されるので、エッチングマスクのアスペクト比等の微細加工上特に重要な部分の寸法精度をいちじるしく高めることができる特徴がある。
【００３８】
上記第１の実施の形態において、Ａｕ膜７のパターン形成は窒化膜３の開口部の形成と、Ａｕ膜の全面蒸着と、前記開口部の外部に堆積したＡｕ膜のＣＭＰによる除去により行ったが、必ずしもこの方法に限定されるものではない。
【００３９】
例えば、シリコン基板１の表面に膜厚２０ｎｍのＡｕ膜を直接全面蒸着し、膜厚１０μｍのポジレジスト（ＬＰ−１４Ａ）を全面に塗布した後、開口部を設けて開口部の底面にＡｕ蒸着膜の一部を露出し、ＫＡｕ（ＣＮ）２  溶液を用いて４２℃、０．５ｍＡ／ｃｍ２  の条件で開口部の底面に露出したＡｕ蒸着膜上にさらにＡｕめっきを行い、レジスト剥離後前記開口部以外のＡｕ蒸着膜をＨＣｌ、ＨＮＯ３  混合液を用いて室温でエッチング除去する方法により図２に相当するＡｕ膜７のパターン形成を行ってもよい。
【００４０】
このとき熱酸化膜２と窒化膜３は存在しないが、図３（ｇ）に示すシリコン単結晶９の成長と、それ以降の製造工程をそのまま実施することができる。なお、第１の実施の形態において、シリコン基板はＳｉ（１１１）±０．５度オフのウエハを使用し、Ａｕの蒸着条件は１０−５Ｔｏｒｒ、基板加熱２００℃の条件で行った。
【００４１】
また、高アスペクト比のエッチングマスクを形成する際、シリコン酸化膜１０の形成にＰ−ＴＥＯＳを使用したが、その他のプラズマ、減圧、常圧ＣＶＤ及びＨＤＰ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ  ）等の方法を用いることができる。塗布型装置により形成した有機及び無機酸化膜も使用することができ、この場合は特に塗布型であるため平坦化が容易になる特徴がある。
【００４２】
次に図５乃至図９に基づき本発明の第２の実施の形態について説明する。図５（ａ）に示すように、シリコン基板１の上に熱酸化膜２を形成し、これに積層してシリコン窒化膜３を形成する。ここで熱酸化膜２は前記第１の実施の形態と同様、シリコン基板１とシリコン窒化膜１０との間の密着性を高めるバッファ層となる。
【００４３】
次にＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膜の上にシリコン酸化膜１０を形成する。このシリコン酸化膜１０は、次の工程で形成するポリシリコン膜との密着性の向上と、後の工程に示すドライエッチングのストッパーとするために設けられる。引き続き反射防止膜４とレジスト５とを塗布し、このレジストに開口部５ａをパターン形成する。
【００４４】
次に図５（ｂ）に示すように、通常のＲＩＥの異方性エッチングを用いレジストの開口部５ａをマスクとして反射防止膜４と、シリコン酸化膜１０と、シリコン窒化膜３と、熱酸化膜２とをエッチング除去し、開口部５の底面にシリコン基板１の表面６を露出させ、レジスト５と反射防止膜４とを剥離することにより図５（ｃ）に示すような多層絶縁膜からなる開口部を形成する。
【００４５】
次に、図６（ｄ）に示すように、前記開口部を埋め込むように厚いポリシリコン膜１２を形成する。ここで、ポリシリコン膜１２の厚さは、目的とする高アスペクト比のエッチングマスクの厚さ以上となるように設定される。引き続き、図６（ｅ）に示すように、ＣＭＰによりポリシリコン膜１２の表面を平坦化し、その厚さが前記エッチングマスクの厚さに等しくなるようにする。
【００４６】
このように平坦化されたポリシリコン膜１２の上に、さらに反射防止膜４とレジスト５とを塗布した後、図７（ｆ）に示すように、前記開口部に合わせて反射防止膜４とレジスト５とをパターン形成する。
【００４７】
次に前記レジスト５をマスクとして、通常のＲＩＥによる異方性エッチングを用いて、図７（ｇ）に示すようにポリシリコン膜１２からなる柱状のシリコン部分を形成する。このとき、前記シリコン酸化膜１０は異方性エッチングのストッパーとして用いられる。
【００４８】
図８（ｈ）に示すように、柱の頂上部のレジスト５と反射防止膜４とを剥離した後、図８（ｉ）に示すように、ポリシリコン膜１２からなる柱状のシリコン部分を埋め込むようにシリコン酸化膜１０を形成し、図９（ｊ）に示すように、柱の頂上部のシリコンが露出するようにＣＭＰを用いてシリコン酸化膜１０の表面を平坦化する。
【００４９】
次に図９（ｋ）に示すように、シリコン酸化膜１０、シリコン窒化膜３、熱酸化膜２からなる高アスペクト比のエッチングマスクを用いてＲＩＥの異方性エッチングを行い、シリコン基板１に深いトレンチを形成する工程は第１の実施の形態と全く同様である。なお、窒化膜３の上に形成したシリコン酸化膜１０は、シリコン窒化膜３と共にエッチングマスクとなるシリコン酸化膜１０の一部として用いられる。
【００５０】
第２の実施の形態は、第１の実施の形態におけるシリコン単結晶９がポリシリコン１２に置き換えられたものであるから、シリコン基板１に形成されるスキャロップ形状が回避される等の効果を同様に具備することはいうまでもない。
【００５１】
なお本発明は上記の実施の形態に限定されることはない。例えば第１の実施の形態において、Ｓｉを含むＡｕを介してシリコン基板上にシリコン単結晶を選択エピタキシャル成長することを説明したが、必ずしもＡｕを用いる必要はない。
シリコンへの直接の気相成長温度に比べて低温でＳｉを多量に含むことができる材料を用いれば、同様に柱状のシリコン単結晶を選択エピタキシャル成長することができる。また、必ずしも金属を媒介にしなくても、シリコン基板上に所望のトレンチ形状に相当するシリコンウイスカーの成長が可能な方法を用いれば同様な加工技術上の利点を得ることができる。その他本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００５２】
【発明の効果】
上述したように本発明の半導体装置の製造方法によれば、シリコン基板への深いトレンチ形成用の高アスペクト比のエッチングマスク形成に際して、単結晶又は多結晶からなる柱状のシリコン部分を半導体基板上に形成した後シリコン部分を絶縁膜で埋め込み、絶縁膜表面を平坦化すると同時にシリコン部分の頂上部を露出し、このシリコン部分を選択的に異方性エッチングすることにより高い寸法精度を有し、制御性に優れ、かつ微細加工に適した所望のエッチングマスクを容易に提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す工程断面図であって、
（ａ）はレジストの開口部を示す図。
（ｂ）はシリコン基板表面に達する開口部を示す図。
（ｃ）はレジストと反射防止膜剥離後の開口部を示す図。
【図２】本発明の第１の実施の形態の続きを示す工程断面図であって、
（ｄ）はＡｕ膜を蒸着後の状態を示す図。
（ｅ）はＣＭＰ後の状態を示す図。
（ｆ）は熱処理後の状態を示す図。
【図３】本発明の第１の実施の形態の続きを示す工程断面図であって、
（ｇ）は柱状のシリコン単結晶形成を示す図。
（ｈ）は酸化膜によるシリコン単結晶埋め込み状態を示す図、
【図４】本発明の第１の実施の形態の続きを示す工程断面図であって、
（ｉ）はＣＭＰ後の状態を示す図。
（ｊ）はシリコン基板のトレンチ形成を示す図。
【図５】本発明の第２の実施の形態を示す工程断面図であって、
（ａ）はレジストの開口部を示す図。
（ｂ）はシリコン基板表面に達する開口部を示す図。
（ｃ）はレジストと反射防止膜剥離後の開口部を示す図。
【図６】本発明の第２の実施の形態の続きを示す工程断面図であって、
（ｄ）はポリシリコン成膜後の状態を示す図。
（ｅ）はポリシリコン膜のＣＭＰ後の状態を示す図。
【図７】本発明の第２の実施の形態の続きを示す工程断面図であって、
（ｆ）はレジストパターン形成後の状態を示す図。
（ｇ）は柱状ポリシリコンの形成を示す図。
【図８】本発明の第２の実施の形態の続きを示す工程断面図であって、
（ｈ）はレジスト剥離後の状態を示す図。
（ｉ）は酸化膜による柱状ポリシリコンの埋め込み状態を示す図。
【図９】本発明の第２の実施の形態の続きを示す工程断面図であって、
（ｊ）はＣＭＰ後の状態を示す図。
（ｋ）はシリコン基板のトレンチ形成を示す図。
【図１０】シリコン単結晶のエピタキシャル成長装置の模式図。
【符号の説明】
１…シリコン基板
２…熱酸化膜
３…シリコン窒化膜
４…反射防止膜
５…レジスト
５ａ…レジスト開口部
６…シリコン基板表面
７…Ａｕ膜
８…Ｓｉを含むＡｕ
９…シリコン単結晶
１０…シリコン酸化膜
１１…深いシリコントレンチ
１２…ポリシリコン
１３…ガス導入管
１４…被処理物
１５…設置台
１６…ヒータ
１７…温度調節機構
１８…排気管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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