(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性層が少なくとも１層以上の希土類−遷移金属アモルファスからなる層を有し、光変調による記録がなされ磁気光学効果を利用して記録情報の読み出しがなされる光磁気記録媒体において、
マーク長とマーク間隔がほぼ等しくなる特定の記録磁区径が形成される２次高調波が最小となる記録パワーをＰｓｈｍとしたとき、
０＜Ｈｒｅｃｓ＜６００［Ｏｅ］を満たすある大きさの磁界Ｈｒｅｃｓに対して、
記録磁界の大きさＨｒｅｃがＨｒｅｃｓより小さいときには繰り返し記録消去あるいは熱によるアニールによりＰｓｈｍが増加し、
ＨｒｅｃがＨｒｅｃｓより大きいときには繰り返し記録消去あるいは熱によるアニールによりＰｓｈｍが減少する特性を有し、
上記磁性層が、
少なくとも１層以上の室温において遷移金属の副格子磁化が優勢な磁性層と、
希土類元素のみからなる層とを有してなり、
上記希土類元素のみからなる層が上記遷移金属の副格子磁化が優勢な磁性層に隣接して配置されたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
上記希土類元素のみからなる層の膜厚が、１ｎｍより大きく７ｎｍより小さくされたことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
上記希土類元素のみからなる層が、上記希土類−遷移金属アモルファスからなる層を構成する希土類元素のうちの１つ以上の希土類元素からなることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
上記希土類元素のみからなる層が、上記磁性層において記録再生用のレーザが入射する側に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、記録する情報に応じて照射する光の単位面積当たりのエネルギーを変調することによって情報の記録を行う、いわゆる光変調方式により記録を行い、偏光されたレーザビームによって磁気光学効果を利用して情報の読み出しを行う光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えば従来のＩＳＯフォーマット光磁気記録再生装置の分野においては、光源に波長が６８０ｎｍの赤色のレーザダイオードを用い、記録容量を従来の４倍とするシステムの規格化が進むと共に、さらに高転送レート化や高記録密度化の要望が高まっている。
【０００３】
上述の高転送レート化や高記録密度化のためには、微小な磁区を正確に記録することが必要になるが、記録密度が高くなるほど微小磁区を形成するのに最適な記録条件の範囲が減少すると同時に、記録媒体の僅かな特性変化が最適な記録条件に影響を及ぼすようになる。特に繰り返し記録消去による感度の変化は、実際に記録を行わない限り検出が不可能であり、この変化に応じて、記録条件を補正して最適化することは非常に困難である。従って記録媒体の特性変化をできるだけ抑制する必要がある。
【０００４】
この記録媒体の特性変化を抑制する手段として、従来は積層構造の記録媒体の採用（特開平４−２３２４６号公報参照）やスパッタ室内の雰囲気ガスの制御（特開平４−１３７２３７号公報参照）等の手段が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの特性変化の抑制手段によっては、変化量を小とすることはできても、特性変化をなくすのは不可能なため、ますます記録密度が向上するに従って、特性変化の抑制効果が薄れていくことになる。
【０００６】
ところで、例えば光変調マークエッジ記録方式を用いたシステムにおいては、記録パワーあるいはパルス幅を制御することによって磁区の大きさを制御し、磁区のエッジ部分の位置の違いによってデータの記録を行うことから、記録パワーあるいは記録パルス幅の変化量と記録磁区の大きさの関係は常に一定であることが好ましい。
【０００７】
しかしながら、繰り返し記録消去によって特性が変化した記録媒体においては、一般に上述の記録パワーの変化量と記録磁区の大きさとの関係が変化するだけでなく、記録媒体の特性が記録磁界の大小によって変化しやすくなるために、記録磁界の大きさによっては、実効的な感度変化量が本質的な感度変化よりも大きくなる場合があった。
【０００８】
本発明はこのような点を考慮してなされたもので、繰り返し記録消去による感度変化を抑制するだけでなく、繰り返し記録消去による特性の変化の態様を制御することにより、実効的な感度変化を小さくするものであり、従来提案された各種の方法と併用することによって、さらに繰り返し記録消去に対する信頼性の向上を図り、充分なパワーマージンを有する高記録密度光磁気記録再生システムを提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、磁性層が少なくとも１層以上の希土類−遷移金属アモルファスからなる層を有し、光変調による記録がなされ磁気光学効果を利用して記録情報の読み出しがなされる光磁気記録媒体において、その磁性層が、マーク長とマーク間隔がほぼ等しくなる特定の記録磁区径が形成される２次高調波が最小となる記録パワーをＰｓｈｍとしたとき、０＜Ｈｒｅｃｓ＜６００［Ｏｅ］を満たすある大きさの磁界Ｈｒｅｃｓに対して、記録磁界の大きさＨｒｅｃがＨｒｅｃｓより小さいときには繰り返し記録消去あるいは熱によるアニールによりＰｓｈｍが増加し、ＨｒｅｃがＨｒｅｃｓより大きいときには繰り返し記録消去あるいは熱によるアニールによりＰｓｈｍが減少する、すなわち、次の数１〜３の３式（１）〜（３）式を同時に満足し、磁性層が、少なくとも１層以上の室温において遷移金属の副格子磁化が優勢な磁性層と、希土類元素のみからなる層とを有してなり、希土類元素のみからなる層が遷移金属の副格子磁化が優勢な磁性層に隣接して配置された構成とする。
【００１０】
【数１】
Ｐｓｈｍ（Ｈｒｅｃ１）＜Ｐｓｈｍ’（Ｈｒｅｃ１）    （１）
【００１１】
【数２】
Ｐｓｈｍ（Ｈｒｅｃ２）＞Ｐｓｈｍ’（Ｈｒｅｃ２）    （２）
【００１２】
【数３】
０＜Ｈｒｅｃ１＜Ｈｒｅｃｓ＜Ｈｒｅｃ２              （３）
【００１３】
ただし、Ｐｓｈｍ（Ｈｒｅｃ１），Ｐｓｈｍ（Ｈｒｅｃ２）は、それぞれ繰り返し記録消去あるいはアニール前の記録磁界Ｈｒｅｃ１およびＨｒｅｃ２の下での特定の記録磁区径となる記録パワーＰｓｈｍを、またＰｓｈｍ’（Ｈｒｅｃ１），Ｐｓｈｍ’（Ｈｒｅｃ２）は、それぞれ繰り返し記録消去あるいはアニール後の、記録磁界Ｈｒｅｃ１およびＨｒｅｃ２の下での特定の記録磁区径となる記録パワーＰｓｈｍを表す。
【００１４】
【作用】
上述の本発明の構成によれば、繰り返し記録消去あるいは熱によるアニール前後におけるＰｓｈｍの変化が記録磁界の大小によって反転するようにしたことにより、光磁気記録媒体において実効的な感度変化を小さくすることができる。
【００１５】
【実施例】
本発明の光磁気記録媒体は、前記（１）式〜（３）式を満たし、かつその磁性層が少なくとも１層以上の室温において遷移金属の副格子磁化が優勢な磁性層と、これに隣接した希土類元素のみからなる層とを有する光磁気記録媒体であり、これによって、記録再生特性を損なわずに繰り返し記録消去による実効的な感度の変化を小さくするものである。
【００１６】
以下に、図面を参照して本発明の光磁気記録媒体の一例について説明する。
【００１７】
図１に本発明の光磁気記録媒体の一例の断面図を示すように、透明性の基板１１に誘電体層１２、第１の磁性層１、第２の磁性層２、誘電体層１２、高熱伝導率層１３が順次積層された構造の光磁気記録媒体１５を用いる。第１の磁性層１は遷移金属の副格子磁化が優勢な、例えばＴｂＦｅＣｏＣｒ層等からなり、第２の磁性層２は希土類金属例えばＧｄよりなる層とする。
【００１８】
因みに図１に示したような構造の光磁気記録媒体は、例えば特開昭６０−２１９６５５号公報や特開昭６４−５７４４２号公報において開示されているが、本発明においてはさらにこの構造の光磁気記録媒体が、上述の各式（１）（２）（３）の関係を満たし、また記録再生特性が悪化しない特性を有するものであり、上述の特開昭６０−２１９６５５号公報や特開昭６４−５７４４２号公報において開示されているように、化学的に活性な希土類元素からなる層を磁性層の両面あるいは基板と反対側に設けて酸素が磁性層に到達するのを阻止するというものとは本質的に異なるものである。
【００１９】
次に、上述の構成の光磁気記録媒体のさらに具体的な例を示す。
またこれらについて繰り返し記録・消去特性を調べた。
【００２０】
（実施例１）
この例では、上述の図１に示した構成の光磁気記録媒体１５において、ポリカーボネート樹脂からなる透明基板１１上に、Ｓｉ3 Ｎ4 からなる誘電体層１２を厚さ８５ｎｍで形成した後、第１の磁性層１として組成式がＴｂ0.19Ｆｅ0.67Ｃｏ0.08Ｃｒ0.06で表される希土類−遷移金属アモルファス層を厚さ２０ｎｍで、第２の磁性層２としてＧｄ層からなる希土類層を厚さ４ｎｍで、順次ＤＣマグネトロンスパッタにより成膜形成した。
さらに真空中に保持したままＳｉ3 Ｎ4 からなる誘電体層１２を厚さ３５ｎｍで、ＡｌＴｉからなる高熱伝導率層１３を厚さ６０ｎｍでそれぞれ積層形成し、光磁気記録媒体１５を構成した。
【００２１】
（実施例２、３）
この例では、実施例１と磁性層の膜厚を変えて光磁気記録媒体を構成した。
実施例２においては、第２の磁性層２の膜厚を２ｎｍとする他は、実施例１と同様にして光磁気記録媒体１５を構成した。
実施例３においては、同様に第２の磁性層２の膜厚を６ｎｍとする構成とした。
【００２２】
（実施例４）
この例では、磁性層を２層の希土類−遷移金属アモルファス層の間に希土類層をはさんだ３層の構成とした例である。
図２に本発明の光磁気記録媒体の他の例の断面図を示すように、ポリカーボネート樹脂から成る透明な基板１１上に、Ｓｉ3 Ｎ4 からなる誘電体層１２を厚さ８５ｎｍで形成した後、第１の磁性層１として組成式がＧｄ0.19Ｆｅ0.71Ｃｏ0.06Ｃｒ0.04で表される希土類−遷移金属アモルファス層を厚さ４ｎｍで、第２の磁性層２としてＧｄ層からなる希土類層を厚さ４ｎｍで、第３の磁性層３として組成式がＴｂ0.19Ｆｅ0.67Ｃｏ0.08Ｃｒ0.06で表される希土類−遷移金属アモルファス層を厚さ２０ｎｍで、順次ＤＣマグネトロンスパッタにより成膜形成した。
さらに真空中に保持したままＳｉ3 Ｎ4 からなる誘電体層１２を厚さ３５ｎｍで、ＡｌＴｉからなる高熱伝導率層１３を厚さ６０ｎｍでそれぞれ積層形成し、光磁気記録媒体１６を構成した。
【００２３】
（実施例５〜７）
この例では、実施例１および２と同じ構成とするものの、希土類層をＴｂ層とした。
実施例５、実施例６、実施例７は、それぞれ実施例１、２における希土類層からなる第２の磁性層２を、Ｔｂ層で構成し、Ｔｂ層の厚さをそれぞれ２ｎｍ，４ｎｍ，６ｎｍとした。
【００２４】
（実施例８）
この例では、希土類層をレーザ光の入射する基板側に配置した例である。
図３に本発明の光磁気記録媒体の別の例の断面図を示すように、ポリカーボネート樹脂から成る透明な基板１１上に、Ｓｉ3 Ｎ4 からなる誘電体層１２を厚さ８５ｎｍで形成した後、第１の磁性層１としてＧｄ層からなる希土類層を厚さ４ｎｍで、第２の磁性層２として組成式がＴｂ0.19Ｆｅ0.67Ｃｏ0.08Ｃｒ0.06で表される希土類−遷移金属アモルファス層を厚さ２０ｎｍで、順次ＤＣマグネトロンスパッタにより成膜形成した。
さらに真空中に保持したままＳｉ3 Ｎ4 からなる誘電体層１２を厚さ３５ｎｍで、ＡｌＴｉからなる高熱伝導率層１３を厚さ６０ｎｍでそれぞれ積層形成し、光磁気記録媒体１７を構成した。
【００２５】
次に本発明の光磁気記録媒体と記録特性の比較を行うための記録媒体の例を示す。
（比較例１）
この例では、磁性層を希土類−遷移金属アモルファス層単層による構成とした。
図１６に本発明の光磁気記録媒体との比較に用いる光磁気記録媒体の一例の断面図を示すように、ポリカーボネート樹脂から成る透明な基板１１上に、Ｓｉ3 Ｎ4 からなる誘電体層１２を厚さ８５ｎｍで形成した後、磁性層１４として組成式がＴｂ0.19Ｆｅ0.67Ｃｏ0.08Ｃｒ0.06で表される希土類−遷移金属アモルファス層を厚さ２４ｎｍでＤＣマグネトロンスパッタにより成膜形成した。
さらに真空中に保持したままＳｉ3 Ｎ4 からなる誘電体層１２を厚さ３５ｎｍで、ＡｌＴｉからなる高熱伝導率層１３を厚さ６０ｎｍでそれぞれ積層形成し、光磁気記録媒体２０を構成した。
【００２６】
（比較例２）
この例では、各層の膜厚は実施例１と同じ構成とするものの、第１の磁性層１を構成する希土類−遷移金属アモルファス層を、希土類元素の副格子磁化が優勢な組成とした。
第１の磁性層１を組成式がＴｂ0.24Ｆｅ0.62Ｃｏ0.08Ｃｒ0.06で表される希土類−遷移金属アモルファス層として、その他は実施例１と同様にして光磁気記録媒体を構成した。
【００２７】
（比較例３）
この例では、実施例２では第２の磁性層２の形成後直ちに（３分以内）Ｓｉ3 Ｎ4 からなる誘電体層１２を形成していたのを、第２の磁性層２の形成の後時間をおいて誘電体層１２の形成を行う構成とした。
第２の磁性層２を形成した後に、真空チャンバー内に３０分間放置した後、誘電体層１２の成膜形成を行った他は、実施例２と同じ条件で光磁気記録媒体を構成した。
【００２８】
上述の各実施例および比較例による光磁気記録媒体について、次のようにして繰り返し記録・消去特性の評価を行った。
光源レーザの波長が７８０ｎｍ、開口数Ｎ．Ａ．＝０．５５の光学系を有する光磁気記録再生装置を用いて、線速３．８ｍ／ｓにおいて一定の出力でレーザを光磁気記録媒体上に照射することにより繰り返し記録・消去を行った。
繰り返しの回数は１０万（１０5 ）回で、消去する側に３００［Ｏｅ］の記録磁界を印加しながらレーザ光の照射を行った。
レーザパワーは、各記録媒体に対して、次のような方法によってそれぞれ決定した。マーク長およびマーク間隔が共に１．１μｍとなるように記録された磁区を、消去磁界３００［Ｏｅ］の下で完全に消去できるパワーＰｅｃｍｐを求め、このパワーの１．５倍のパワーを、繰り返し記録時に照射するパワーＰｒｅｐとした。
【００２９】
この条件下でレーザ光を連続照射しながら記録・消去を繰り返し行い、繰り返し試験の前後において、２次高調波が最小となるパワーの記録磁界依存性を求めた。
単一周波数の信号を記録する場合には、２次高調波が最小となるパワーでマーク長とマーク間隔がほぼ等しくなっていると考えられるので、記録周波数と線速から記録された磁区の大きさを見積もることができる。このような測定を行うことによって、記録磁区径が特定の大きさになる記録パワーを算定することが出来る。そこで、この２次高調波が最小となるパワーを、前記特定の記録磁区径となる記録パワーＰｓｈｍとする。
ここで、光変調マークエッジ記録においては、記録媒体の記録特性変化が原因で記録磁区径と記録レーザパワーの関係が変化してしまうと、記録媒体の特性に応じた記録パワーの補正などを行わず同一パワーで記録した場合には、記録磁区径が異なってしまうためにエッジ位置が変化してしまい、正確な情報を記録できなくなってしまう。このため、繰り返し消去の前後で記録磁区径と記録レーザパワーの関係は変化しないことが望ましい。
【００３０】
各例の光磁気記録媒体に対して、上述の繰り返し記録・消去試験を行った結果、図４〜図１０に示すようなグラフが得られた。それぞれ図４は実施例２に、図５は実施例１に、図６は実施例３に、図７は実施例４に、図８は比較例１に、図９は比較例２に、図１０は比較例３による光磁気記録媒体における繰り返し記録前後の記録磁界と２次高調波が最小となるパワーとの関係のグラフである。
【００３１】
ここで示したグラフにおいては、繰り返し消去の前後の記録開始パワーＰｔｈの変化が０．２ｍＷ以下と小さいため、２次高調波が最小となるパワーＰｓｈｍの変化によって記録磁区径と記録レーザパワーとの関係を調べた。
どの場合においても繰り返し記録・消去の前後で記録磁界に対するＰｓｈｍの変化の傾きがより急になる傾向があるが、図４〜図６に示した各実施例と図８に示した比較例１とを比較すると、各実施例は繰り返し記録・消去の前後で前述の（１）（２）（３）の各式を満たすが、比較例１は一部満たさないという点で明らかに異なっている。つまり、図８に示された比較例１の場合は（３）の条件下で（２）が満たされるが、全体が低パワー側にシフトしているため、（１）は成り立たない。
【００３２】
一方、図９に示された比較例２では、上述の（１）（２）（３）の各式を満たしている。
しかしながら、ここで比較例２の場合の記録磁界とＣ／Ｎ比との関係は図１３に示すグラフとなり、一般に実用的なエラーレートを得るために必要な４５ｄＢ以上のＣ／Ｎを得るためには５００［Ｏｅ］以上の記録磁界が必要であることがわかる。
これに対して実施例１のように遷移金属の副格子磁化が優勢な組成においては、記録磁界の大きさが５００［Ｏｅ］で５３ｄＢ程度のＣ／Ｎが得られ、比較例２はこれより８ｄＢもＣ／Ｎが低いことがわかる。
【００３３】
このことから、本発明の目的、すなわち記録再生特性を劣化させずに繰り返し記録・消去に対する感度の変化を抑制するためには、希土類−遷移金属アモルファス磁性層の組成が、遷移金属の副格子磁化が優勢な組成であることが必要であることがわかる。
【００３４】
また、実施例１〜３の光磁気記録媒体に対して、希土類元素のみからなる磁性層（希土類層）の膜厚と、繰り返し記録・消去の前後でＨｒｅｃ−Ｐｓｈｍ曲線が交差する記録磁界の値との関係は、図１１にグラフを示すように、膜厚の増加に伴い前述の記録磁界の値がほぼ直線的に増加することがわかる。これから、希土類層の膜厚を適当に選定することにより所望の記録磁界の下で、Ｐｓｈｍの変化がない光磁気記録媒体を作製可能であることがわかる。
【００３５】
尚、希土類層の膜厚を１ｎｍ以下とすると、記録媒体上のばらつきが大きく、Ｐｓｈｍの正確な測定が困難となる。これは、希土類元素が非常に酸化されやすいために、通常の成膜方法で膜厚１ｎｍに形成しても、殆ど酸化されてしまうため、磁性層としての実効的な膜厚が非常に薄くなってしまうことと、また酸化の程度が場所によってばらつきがあり記録媒体の全面にわたって、均一な層を形成することが困難になる。
従って実用的には希土類層の膜厚は１ｎｍより大きいことが好ましい。
【００３６】
また、希土類−遷移金属アモルファス層の膜厚を一定にし、希土類層の膜厚を厚くすると、図１４にＧｄ層からなる希土類層の膜厚とキャリアレベルとの関係のグラフを示すように、膜厚の増加に伴ってキャリアレベルが減少していく。このため希土類層の膜厚は無制限に厚くすることはできない。
キャリアレベルの減少量をどの程度抑制するかは、記録媒体が有する初期のキャリアレベルと、光磁気記録再生システムが必要とするＳ／Ｎによるが、希土類層の膜厚は１０ｎｍ以下、より好ましくは記録磁界を４００［Ｏｅ］程度にするために７ｎｍ以下とするのがよい。
【００３７】
さらに実施例４のように希土類層を２層の希土類−遷移金属アモルファス層で挟んだ３層とした構造の光磁気記録媒体でも、図７にＰｓｈｍの記録磁界依存性のグラフを示すように、実施例１〜３と同様な効果が得られる。
また実施例８のように基板側に希土類層を配置した構造でも、図１２に希土類層（Ｇｄ）の膜厚と繰り返し記録の前後でＨｒｅｃ−Ｐｓｈｍ曲線が交差する磁界の大きさとの関係のグラフを示すように、膜厚の増加に対してこの磁界の大きさが直線的に増加し、この場合も実施例１〜３と同様の結果が得られる。
【００３８】
従って、希土類層の位置には関係なく、ただ希土類−遷移金属アモルファス層に隣接して希土類層を設置すれば、同様の効果が得られることがわかる。
【００３９】
ただし、実施例４のように希土類層を２層の希土類−遷移金属アモルファス層で挟んだ場合には、磁性層が合計３層となり成膜プロセスが複雑になることから、実施例１や実施例８のように磁性層のどちらか一方の面に希土類層を配置する構成が望ましい。
【００４０】
さらに、実施例１〜３のように希土類層が基板から見て遠い側に配置される場合には、希土類元素が化学的に非常に活性で、酸化などの影響を受けやすいため図１０にそのＰｓｈｍの記録磁界依存性のグラフを示す比較例３、すなわち実施例２と同じ構成で希土類層の成膜終了から誘電体層の成膜までの時間（通常は３分）を３０分に延ばした場合のように、媒体構造や組成が同一であっても同様な効果が得られなくなる。誘電体層は窒化物や酸化物で構成されることが多く、これらの物質の成膜を行う際には、成膜室内のガスの種類を替える操作が必要となることから、ここで希土類層の成膜終了から誘電体膜の成膜開始までの時間やその時の環境に変化が起こり、図４と図１０との間に見られるような特性の違いが生じ、作製した記録媒体の特性のばらつきが生ずることがある。
【００４１】
これに対して、実施例８のように基板側に希土類層を配置した構成とすると、希土類層と他の磁性層とを連続成膜できることになり、上述のような不安定な要素を排除することができ、より安定な光磁気記録媒体を構成できる。
従って、より好ましくは希土類層を磁性層の基板側に配置する構成とするのが望ましい。
【００４２】
図１５に実施例５〜７について、Ｔｂからなる希土類層の膜厚と、繰り返し記録・消去の前後においてＨｒｅｃ−Ｐｓｈｍ曲線が交差する記録磁界の値とのＨｒｅｃとの関係のグラフを示す。図１１のＧｄからなる希土類層の場合と同様の結果が得られ、希土類元素の種類によらずこのような傾向が現れることがわかる。従って、希土類層は希土類元素のみからなる層であれば、その種類にはかかわらず、本発明の効果を得ることができることがわかる。
【００４３】
希土類元素のターゲットと遷移金属からなる合金ターゲットを用いた同時スパッタにより、希土類−遷移金属アモルファス薄膜を形成する場合には、実施例５〜７のように希土類元素が同一であれば、希土類層は同じ希土類元素ターゲットを使用できるため、ターゲットに投入する電力やターゲットと基板の間に設けられたシャッタの開閉などによって容易に作製でき、このタイプの光磁気記録媒体は実用的である。
【００４４】
このように、本発明によれば、繰り返し記録・消去による特性変化のしかたを制御し、実効的な感度の変化を小さくすることができる。
【００４５】
希土類−遷移金属アモルファス層には、上述の実施例で用いたＴｂＦｅＣｏＣｒの他に、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等から材料選択することができ、また希土類層にはＴｂ，Ｄｙ，Ｎｄあるいはこれらの混合物を材料として用いてもよい。
また耐食性等の向上のために、希土類−遷移金属アモルファス層にＣｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｃ等の添加元素を少量添加してもよい。
【００４６】
また上述の実施例では透明な基板としてポリカーボネート樹脂を用いたが、レーザの短波長化に伴って、基板に要求される光学特性（複屈折や吸収等）や機械特性（環境変化や経時変化による変形や硬さ等）はより厳しくなる傾向にあるため、ポリオレフィン樹脂やガラス上に、２Ｐ（photopolymerization ；光重合）による層が形成された基板、ガラスエッチング基板等を用いることもできる。
【００４７】
尚、上述の実施例は本発明の一例であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、繰り返し記録・消去による特性変化のしかたを制御し、実効的な感度の変化を特定範囲の記録磁界の下で小さくすることができる。
また本発明により、繰り返し記録・消去によるパワーマージンの減少を抑制し、充分なパワーマージンを有する高記録密度の光磁気記録再生システムを構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体の一実施例の断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の他の例の断面図である。
【図３】本発明の光磁気記録媒体の別の例の断面図である。
【図４】実施例２の光磁気記録媒体における繰り返し記録前後の記録磁界と２次高調波が最小となるパワーとの関係のグラフである。
【図５】実施例１の光磁気記録媒体における繰り返し記録前後の記録磁界と２次高調波が最小となるパワーとの関係のグラフである。
【図６】実施例３の光磁気記録媒体における繰り返し記録前後の記録磁界と２次高調波が最小となるパワーとの関係のグラフである。
【図７】実施例４の光磁気記録媒体における繰り返し記録前後の記録磁界と２次高調波が最小となるパワーとの関係のグラフである。
【図８】比較例１の光磁気記録媒体における繰り返し記録前後の記録磁界と２次高調波が最小となるパワーとの関係のグラフである。
【図９】比較例２の光磁気記録媒体における繰り返し記録前後の記録磁界と２次高調波が最小となるパワーとの関係のグラフである。
【図１０】比較例３の光磁気記録媒体における繰り返し記録前後の記録磁界と２次高調波が最小となるパワーとの関係のグラフである。
【図１１】実施例１〜３の光磁気記録媒体における、希土類元素のみからなる磁性層（Ｇｄ）の膜厚と繰り返し記録・消去の前後でＨｒｅｃ−Ｐｓｈｍ曲線が交差する記録磁界の値との関係のグラフである。
【図１２】実施例８の光磁気記録媒体における、希土類元素のみからなる磁性層（Ｇｄ）の膜厚と繰り返し記録・消去の前後でＨｒｅｃ−Ｐｓｈｍ曲線が交差する記録磁界の値との関係のグラフである。
【図１３】比較例２の光磁気記録媒体における記録磁界とＣ／Ｎ比の関係のグラフである。
【図１４】Ｇｄからなる希土類層の膜厚とキャリアレベルとの関係のグラフである。
【図１５】実施例５〜７の光磁気記録媒体における、希土類元素のみからなる磁性層（Ｔｂ）の膜厚と繰り返し記録・消去の前後でＨｒｅｃ−Ｐｓｈｍ曲線が交差する記録磁界の値との関係のグラフである。
【図１６】本発明の光磁気記録媒体との比較に用いる光磁気記録媒体の一例の断面図である。
【符号の説明】
１      第１の磁性層
２      第２の磁性層
３      第３の磁性層
１１    基板
１２    誘電体層
１３    高熱電導率層
１４    磁性層
１５、１６、１７、２０  光磁気記録媒体
【図１】
0003642828.tif 000002
【図２】
0003642828.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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