(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、
２次元のマトリクス状に配置されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードで発生した信号電荷を垂直方向に転送するための垂直電荷結合素子と、前記垂直電荷結合素子からの前記信号電荷を水平方向に転送する水平電荷結合素子と、電荷検出器と、
を有し、
前記フォトダイオード、前記垂直電荷結合素子、前記水平電荷結合素子、及び前記電荷検出器の各素子の活性層を構成する半導体は、前記基板上に設けられた結晶性珪素膜を利用して形成されており、
前記結晶性珪素膜は、棒状あるいは柱状の結晶を有し、
前記結晶性珪素膜の結晶粒界が延在した方向と、前記垂直電荷結合素子および前記水平電荷結合素子における信号電荷を転送する方向とが一致するように前記垂直電荷結合素子および前記水平電荷結合素子が配列されていることを特徴とする電荷転送半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、フォトダイオードに対する入射光は前記基板の側から行われることを特徴とする電荷転送半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記垂直電荷結合素子および前記水平電荷結合素子とアクティブマトリクス型表示装置のアクティブマトリクス回路とが同一基板上に集積化されていることを特徴とする電荷転送半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記絶縁表面を有する基板は石英であることを特徴とする電荷転送半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項の電荷転送半導体装置を有することを特徴とするイメージセンサ。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成し、
非晶質珪素膜の所定の領域に珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
加熱処理を施し棒状あるいは柱状の結晶を有する結晶性珪素膜を形成し、
ハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中において加熱処理を施し前記結晶性珪素膜の表面に熱酸化膜を形成し、
前記熱酸化膜を除去し、
前記結晶性珪素膜を利用して、二次元のマトリクス状にフォトダイオード、前記フォトダイオードからの信号電荷を転送する機能を有する垂直電荷結合素子および水平電荷結合素子、及び電荷検出器の各素子の活性層を形成し、
前記垂直電荷結合素子および前記水平電荷結合素子における電荷を転送する方向と、前記結晶性珪素膜の結晶粒界が延在した方向とが一致するように、前記垂直電荷結合素子および前記水平電荷結合素子を形成することを特徴とする電荷転送半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、絶縁表面を有する基板は、石英基板であることを特徴とする電荷転送半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または７において、珪素の結晶化を助長する金属元素として、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種または複数種類のものが利用されることを特徴とする電荷転送半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、ハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中における加熱処理を８００℃〜１１００℃の温度で行うことを特徴とする電荷転送半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、電荷結合素子（ＣＣＤ：Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）の構成に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
電荷結合素子（ＣＣＤ：Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）と呼ばれる半導体装置が知られている。これは、半導体中に形成された多数の電位の井戸でなる列において、電位の井戸に蓄積された電荷を隣合う電位の井戸から井戸へと次々に転送する機能を有した装置である。
【０００３】
この装置を利用すると、例えば、光の入射強度の空間分布（１次元分布）に対応した電荷の空間分布をアレイ状の光電変換素子によって形成し、それをＣＣＤシフトレジスタにおいて電荷転送を繰り返すことにより、時系列信号（時間的に変化する電気信号）に変換したものとして取り出すことができる。
【０００４】
ＣＤＤは、イメージセンサ、遅延線、フィルタ、メモリ、演算装置等に利用することができる。
【０００５】
ＣＣＤの基本的な構造を図１に示す。図１において、８がＰ型の単結晶シリコン基板である。このＰ型単結晶基板の表面には酸化珪素膜等の絶縁膜７が形成されている。そしてこの絶縁膜７上に電極１〜７が所定の間隔でもって配置されており、多数のＭＯＳキャパシタが配列された状態となっている。
【０００６】
この電極の間隔は、隣合うＭＯＳキャパシタが電荷結合する条件を満たしたものとなっている。
【０００７】
１〜６で示される各電極には３相の配線が接続されている。図１には、φ１の配線から所定の電圧が加わり、１と４の電極部分（ＭＯＳキャパシタ部分）に電位の井戸９及び１０が形成された状態が示されている。この状態では、９及び１０の電位の井戸に所定ぼ電荷が蓄積されている。
【０００８】
φ１に加わえていた電圧をφ２に移すと、１及び４の電極下に存在していた電位の井戸は消滅し、２及び５の電極下に電位の井戸が形成される。この際、１及び４の電極下に存在していた電位の井戸に蓄積されていた電荷は、２及び５の電極下に電位の井戸に移動する。こうして隣合う電位の井戸間において、電荷の移送が行われる。
【０００９】
φ１〜φ３の配線に加える信号電圧を適当に制御することにより、上記の原理による電荷の移送が次々に行われ、最終的に電気信号として外部に出力される。
【００１０】
この出力は、ＭＯＳキャパシタアレイに蓄積された電荷の１次元的な空間分布を反映したものとなる。
【００１１】
【発明を解決しようとする課題】
図１に示すようなＣＣＤ素子は、単結晶シリコンウエハーを利用して作製される。周知のように、単結晶シリコンウエハーは、その形状及び大きさに制限がある。
【００１２】
またシリコンウエハーを利用した構成では、基板を介しての容量の問題から、その動作速度が制限される。この点を改善するものとして、ＳＯＩ構造があるが、コストや大面積化の点で問題がある。
【００１３】
また近年、単一機能を有する素子や素子、例えばＣＣＤ、メモリー、アンプといった素子や回路を１チップ内に集積下することによる構成が求められている。これは、ますます強くなる小型化、低電源電圧化、低消費電力化、多機能化、低コスト化といった要求を満たすために必要とされている。
【００１４】
しかし、上記のような異なる機能を有する素子や回路を１チップ化するには、従来のＩＣプロセスをそのまま利用するには、基板面積の問題が基板を介した容量の存在といった前述した事項が問題がある。
【００１５】
本明細書で開示する発明は、従来のシリコンウエハーを利用したＣＣＤ素子において問題となる基板の面積の問題や基板を介しての容量の問題を解決した構成を提供することを課題とする。また、ＣＣＤ素子以外に他の機能を有する素子や回路を同一基板上に集積化する技術を提供することを課題とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明の一つは、
特定の方向あるいは概略特定の方向に延在した棒状あるいは柱状の結晶構造を有した結晶性珪素膜を用いた電荷転送半導体装置であって、
入射光に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子が配列された電荷蓄積手段と、
前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷を転送ずる手段と、
を有し、
前記電荷を転送する方向と前記特定の方向とが、一致または概略一致していることを特徴とする。
【００１７】
上記構成は、図３（Ｃ）の２７で示されるような基板に平行な方向への結晶構造の異方性を利用したものである。
【００１８】
２７で示されるような結晶成長を行わすと、図５や図６に例示するような特定の方向に棒状あるいは柱状に延在した結晶体が得られる。この延在した方向に電荷の転送方向を合わせて、電荷結合素子を形成する。こうすることで、電荷の転送効率を高めることができる。
【００１９】
上記の結晶構造は、棒状あるいは柱状に結晶体が延在した方向に向かって、結晶粒界が延在している。この結晶粒界によって、移動するキャリアは、その移動方向が規制される。結晶体が延在した方向は、結晶構造が連続したものとなっており、この方向は移動するキャリアによっては、単結晶と見なすことができる。従って、結晶体が延在した方向（結晶粒界が延在した方向）に電荷の転送方向を合わせることにより、高い転送効率を有した電荷結合素子を得ることができる。
【００２０】
他の発明の構成は、
特定の方向あるいは概略特定の方向に延在した棒状あるいは柱状の結晶構造を有した結晶性珪素膜を用いた電荷転送半導体装置であって、
前記特定の方向と前記電荷を転送する方向とを一致あるいは概略一致させて電荷結合素子が配列されていることを特徴とする。
【００２１】
上記構成も棒状あるいは柱状の結晶構造体が延在した方向に合わせて、電荷の転送方向を設定することにより、高い転送効率を有した電荷結合素子を得ることができる。
【００２２】
多の発明の構成は、
特定の方向あるいは概略特定の方向に延在した棒状あるいは柱状の結晶構造を有した結晶性珪素膜を用いた電荷転送半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、
非晶質珪素膜の所定の領域に珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入する工程と、
加熱処理を施し前記金属元素が導入された領域から基板に平行な方向に結晶成長させた珪素膜を得る工程と、
ハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中において加熱処理を施し前記珪素膜の表面に熱酸化膜を形成する工程と、
前記熱酸化膜を除去する工程と、
前記結晶成長した方向に合わせて電荷を転送する機能を有する電荷結合素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
【００２３】
上記構成において、珪素の結晶化を助長する金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類のものを利用することができる。特にＮｉ（ニッケル）が再現性や効果の点で優れている。
【００２４】
図５や図６に示すような特定の方向に結晶成長した構造を得るには、以下の工程が必要である。即ち、
（１）部分的に金属元素を導入することによる、特定の方向への結晶成長。
（２）ハロゲン元素を含有した酸化性雰囲気中での加熱処理による熱酸化膜の形成。（この熱酸化膜の形成により、結晶性の向上と金属元素の除去が行われる。
（３）金属元素を比較的高濃度に含んだ上記熱酸化膜の除去。
【００２５】
上記の工程を最低限行うことにより、特定に方向におけるキャリアの移動が容易な図５や図６に示すような結晶構造を得ることができる。
【００２６】
また、上記の（２）の熱酸化膜を形成する工程は、その加熱温度を８００℃〜１１００℃程度、好ましくは、９００℃〜１１００℃程度とすることが重要である。この加熱温度が８００℃以下であると、膜中に欠陥が多く含まれ、所定の電気的な特性を得ることができない。換言すれば、普通のポリシリコン膜と比較して特に変わらない珪素膜となってしまう。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図２に示すような結晶性珪素膜を用いた電荷結合素子において、その電荷が転送される方向に合わせて、図３の２２で示される結晶性珪素膜の結晶成長方向を合わせる。こうすることで、電荷の転送効率を高めた電荷結合素子を得ることができる。
【００２８】
【実施例】
〔実施例１〕
〔素子の構成〕
図２に本実施例のＣＣＤ素子の原理的な構成を示す。図２に示す構成において図１の従来の構造と異なるのは、基板として石英基板２１を利用し、素子の活性層を構成する半導体として、石英基板２１上に配置された結晶性珪素膜を用いている点である。
【００２９】
図１と同じ符号は、図１に示す箇所と同じである。また、その動作原理も図１に示すものと同じである。
【００３０】
また、本実施例で特徴とするのは、電荷の転送方向に棒状あるいは柱状に結晶成長した結晶性珪素膜を用いている点である。図５、図６にこの特異な結晶構造を有する結晶性珪素膜を写したＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真を示す。
【００３１】
図５及び図６に示す結晶性珪素膜は、後述する方法により得られるもので、図から明らかなように概略特定の方向（棒状あるいは延長状の構造が延在した方向）に結晶構造の連続性が延在した構造を有している。
【００３２】
この結晶の連続性が延在した方向は、キャリアにとっては単結晶構造と見なすことができる。
【００３３】
従って、この結晶構造が連続した方向へのキャリアの移動は、結晶粒界による規制を受けない。また、この結晶構造が連続した方向へは結晶粒界が延在しているので、この結晶粒界が有するポテンシャルバリアにより、前方向へのキャリアの移動がある程度強制される。
【００３４】
本実施例に示す構成においては、この結晶構造が連続した方向に沿って、９及び１０で示される電位の井戸を配列させる。即ち、１〜６で示される電極アレイの配列方向を上記の結晶構造が連続した方向に沿ったものとする。
【００３５】
こうすることで、電荷の転送効率を高くすることができ、高い性能を有したＣＣＤ素子を得ることができる。
【００３６】
〔結晶性珪素膜の作製方法〕
図５や図６に示すような特異な結晶構造を有した結晶性珪素膜の作製工程を図３及び図４に示す。
【００３７】
まず石英基板２１を用意し、その表面を洗浄する。石英基板２１の表面は十分に平滑なものであることが必要である。
【００３８】
そして石英基板２１上に減圧ＣＶＤ法により、非晶質珪素膜２３を５００Åの厚さに成膜する。（図３（Ａ））
【００３９】
次にプラズマＣＶＤ法で酸化珪素膜を７００Åの厚さに成膜し、それをパターニングすることにより、マスク２４を形成する。
【００４０】
このマスク２４は、２６で示される部分で開口が形成されており、この部分で非晶質珪素膜２３が露呈する構造となっている。（図３（Ｂ））
【００４１】
マスク２４を形成したら、１０ｐｐｍ（重量換算）の濃度に調整したニッケル酢酸塩溶液をスピナーを用いて塗布する。この状態で２５で示されるようにニッケル元素が露呈した表面に接して保持された状態となる。（図３（Ｂ））
【００４２】
図３（Ｂ）に示す状態を得たら、窒素雰囲気中において、６００℃、８時間の加熱処理を行う。この工程において、図３（Ｃ）の矢印２７で示されるように基板に平行な方向に結晶成長が進行する。
【００４３】
この結晶成長は、２６で示される開口部において、非晶質珪素膜の表面にニッケル元素が接して保持された部分を出発点として行われる。
【００４４】
２７で示される結晶成長方向は、図５や図６に示す結晶構造の連続した特定の方向あるいは概略特定の方向に一致あるいは概略一致する。
【００４５】
なお、この状態においては、図５や図６に示すような結晶構造は完全に得られていない。この状態においては、図５や図６に示すような特定の方向に延在した棒状あるいは円柱状の結晶構造体の内部に多くの欠陥が存在している。また、図５や図６に示すような特異な結晶構造が明確に現れていないものとなっている。
【００４６】
図３（Ｃ）に示す結晶成長工程が終了したら、酸化珪素膜でなるマスク２４を除去し、図４（Ａ）に示す状態を得る。
【００４７】
そして、ＨＣｌを３体積％含有させた酸素雰囲気中において、９５０℃の加熱処理を２０分間行うことにより、熱酸化膜を２００Åの厚さに成長させる。
【００４８】
この工程は重要であり、この工程において、結晶性珪素膜２２の結晶性の改善（図５、図６に示すような状態の結晶構造への変成）が行われる。また同時に結晶性珪素膜２２中のニッケル元素の除去が行われる。
【００４９】
このニッケル元素の除去は、熱酸化膜２８中にニッケル元素が取り込まれること、雰囲気中にニッケル元素が気化することにより行われる。
【００５０】
このニッケル元素の除去には、塩素が重要な役割を果たしているものと考えられる。
【００５１】
熱酸化膜２８を形成したら、この熱酸化膜２８を除去する。（図４（Ｃ））
【００５２】
ニッケル元素を比較的高濃度に含んだ熱酸化膜２８を除去することで、最終的に得られる装置においてニッケル元素の存在による悪影響を排除することができる。
【００５３】
一般に半導体装置内（特に活性層内や活性層に接する領域）に不安定な状態における重金属元素が存在することは、当該半導体装置の動作を阻害するものであり、好ましくない。この意味で上述する技術を用いて、ニッケル元素の存在を排除することは非常に有効である。
【００５４】
図４（Ｂ）で形成した熱酸化膜２８を除去することにより、図５や図６に示すような特異な結晶構造を有した結晶性珪素膜を得ることができる。
【００５５】
この後、再度の図示しない熱酸化膜を再度形成する。この熱酸化膜を利用して図２の７で示されるＭＯＳキャパシタの絶縁膜を作製する。
【００５６】
そして、電極を所定のパターンで形成し、ＣＣＤ素子を形成する。この際、電荷の転送方向と前述した結晶成長方向とを合わせることが重要である。
【００５７】
〔実施例２〕
本実施例では、２次元のＣＣＤイメージセンサの例を示す。ここで示すのは、インターライン転送（Ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ：ＩＴ）方式の２次元ＣＣＤイメージセンサの例である。
【００５８】
図７に上面からブロック図を示す。また図８に図７のＡ−Ａ’で切った断面部分の概略の構成を示す断面図を示す。
【００５９】
図７に示す装置は、光照射によってフォトダイオードで信号電荷を発生させ、そこに蓄積された電荷をＣＣＤで転送し、時系列信号として出力する機能を有している。
【００６０】
ここでは、装置に所定の空間強度分布を有した光（例えば何らかの画像に対応した２次元的に強度に強弱のある光）が照射された場合を考える。
【００６１】
この場合、垂直方向に配列したフォトダイオード群では、この列に対応する空間分布（１次元に空間分布）を有した電荷蓄積状態が得られる。この垂直方向に配列したフォトダイオード群１列の電荷蓄積状態は、垂直ＣＣＤにより次々に転送され、水平ＣＣＤに送られる。
【００６２】
ここで、垂直ＣＣＤでの転送タイミングと水平ＣＣＤでの転送タイミングとをを適当に設定することにより、各列のフォトダイオードアレイで蓄積された信号電荷を順次水平ＣＣＤに送り、それを電荷検出器により読み出すことができる。
【００６３】
即ち、２次元のマトリクス状に配列されたフォトダイオードのそれぞれに蓄積された２次元分布を有した信号電荷を時系列信号として、電荷検出器より出力することができる。
【００６４】
図８に図７のＡ−Ａ’で切った単位画素部の断面の概略を示す。本実施例では、石英基板上に実施例１に示すような方法で作製された結晶性珪素膜を利用してフォトダイオードとＣＣＤアレイが形成されている。
【００６５】
フォトダイオードでは、入射光の強度や入射光量に対応した信号電荷が発生する。フォトダイオードで発生した信号電荷は、フィールドシフトゲイトにより垂直ＣＣＤ（ＶＣＣＤ）を構成するＮ−  領域に取り込まれる。そして、その信号電荷は、垂直ＣＣＤにおいて、水平ＣＣＤ（図７参照）へと転送される。
【００６６】
本実施例においては、ＣＣＤにおける電荷の転送方向に結晶成長の方向を合わせたものとする。こうすることで、電荷転送効率を高めることができる。
【００６７】
また、本実施例に示す構成は、石英基板上に必要とする素子や回路を形成するころができる点も有用である。例えば、図７に示す電荷検出器を同一石英基板上に集積化することができる。
【００６８】
また、図示されていないが、画像情報を処理したり、補正したり、また記憶する回路をＣＣＤ素子を形成するのに利用した結晶性珪素膜を利用してさらに集積化することもできる。
【００６９】
またこの２次元ＣＣＤイメージセンサは、基板として石英を利用しているので、基板側から光入射が行われるような構成とすることもできる。
【００７０】
〔実施例３〕
本実施例では、アクティブマトリクス型の液晶表示とＣＣＤラインセンサとを集積化した構成に関する。
【００７１】
図１０に本実施例の概略の構成を示す。図１０には、同一石英基板上に１ラインＣＣＤラインＣＣＤイメージセンサとアクティブマトリクス回路とが集積化された構成が示されている。
【００７２】
本実施例に示す構成においては、水平走査シフトレジスタと垂直走査シフトレジスタ、さらにアクティブマモリクス回路に配置された薄膜トランジスタ、さらにＣＣＤイメージセンサを実施例１に示すような結晶性珪素膜を利用して構成する。
【００７３】
ここで、その成長方向を薄膜トランジスタにおいては、動作時におけるキャリアの移動方向に合わせた（または概略合わせた）ものとする。また、ＣＣＤイメージセンサにおいては、その電荷の転送方向を結晶成長方向に合わせた（または概略合わせた）ものとする。
【００７４】
こうすることで、薄膜トランジスタには高速動作をさせることができ、ＣＣＤイメージセンサにおいては、電荷転送効率を高めたものとすることができる。
【００７５】
本実施例に示す構成は、携帯型の情報処理端末において、画像情報の表示機能画像情報の取込み機能とを集積化したものを得る場合に利用することができる。
【００７６】
本実施例を利用したアクティブマトリクス型の液晶表示装置を構成する基板（回路が配置された側の基板）の概略の構成を図１０に示す。
【００７７】
図１０に示す構成は、画像信号発生装置からの信号を水平走査シフトレジスタと垂直走査シフトレジスタに送り、これらシフトレジスタによって、アクティブマトリクス回路を駆動し、画像を表示する機能を有している。
【００７８】
画像信号発生装置、水平走査シフトレジスタ、垂直装置シフトレジスタ、アクティブマトリクス回路の各回路は、石英基板上に実施例１に示した方法で得られる結晶性珪素膜を利用した薄膜トランジスタでもって構成される。
【００７９】
また図１０に示す構成においては、ライン型のＣＣＤイメージセンサが同一石英基板上に集積化されている。このＣＣＤラインセンサは、上記各回路が形成された石英基板上にやはり薄膜トンジスタでもって集積化されている。
【００８０】
ＣＣＤイメージセンサから取り込まれたイメージ情報（画像情報）は、イメージ信号合成装置によって合成される。イメージ信号合成装置によって合成された画像に関する信号は、液晶パネル外部の記憶装置に記憶される。またインターフェイス回路から外部に信号として送り出される。
【００８１】
また、イメージ信号合成装置で合成された画像に関する信号を画像信号発生装置に送り込むことにより、ＣＣＤイメージセンサで読み込んだ画像をアクティブマトリクス回路で見ることができる。
【００８２】
【発明の効果】
本明細書で開示する発明では、基板として石英基板に代表される絶縁基板を利用することができるので、面積の大きなＣＣＤアレイを形成することができる。
【００８３】
また、シリコン基板を利用する場合と異なり、基板を介しての容量の影響を低減することができるので、高速動作を行わすことが有利となる。
【００８４】
特に、結晶構造を特異性を利用して、電荷の転送を行うことは、電荷の転送効率を高める上で有用なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＣＤ素子の概略を示す図。
【図２】発明を利用したＣＣＤ素子の概略を示す図。
【図３】結晶性珪素膜を得る工程を示す図。
【図４】結晶性珪素膜を得る工程を示す図。
【図５】結晶性珪素膜の結晶状態を示す透過型電子顕微鏡の写真。
【図６】結晶性珪素膜の結晶状態を示す透過型電子顕微鏡の写真
【図７】ＣＣＤを利用した２次元イメージセンサの概略を示す図。
【図８】ＣＣＤを利用した２次元イメージセンサの１画素領域の断面を示す図。
【図９】ＣＣＤとアクティブマトリクス回路とを集積化した構成の概略を示す図。
【図１０】ＣＣＤとアクティブマトリクス回路とを集積化した構成の概略を示す図。
【符号の説明】
１〜６    電極
７        絶縁膜
８        単結晶シリコン基板
９        電位井戸
１０      電位井戸
２１      石英基板
２２      結晶性珪素膜
２３      非晶質珪素膜
２４      酸化珪素膜でなるマスク
２５      接して保持されたニッケル元素
２６      マスクに形成された開口
２７      結晶成長方向
２８      熱酸化膜
【図１】
0003630894.tif 000002
【図２】
0003630894.tif 000003
【図３】
0003630894.tif 000004
【図４】
0003630894.tif 000005
【図５】
0003630894.tif 000006
【図６】
0003630894.tif 000007
【図７】
0003630894.tif 000008
【図８】
0003630894.tif 000009
【図９】
0003630894.tif 000010
【図１０】
0003630894.tif 000011