(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて前記屈曲部の内側に達する第１の溝を含むプローブ針と、
前記プローブ針を支持する基板と、
を有し、
前記第１の溝は、前記針先部から前記屈曲部に向けて深さが増す
試験用プローブカード。
【請求項２】
前記針先部の前記先端の前記外周部から前記針先部の長さ方向に延びて形成され、前記第１の溝に間隔をおいて隣接する少なくとも１つの第２の溝を有する請求項１に記載の試験用プローブカード。
【請求項３】
本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて屈曲部の内側に達し、前記針先部から前記屈曲部に向けて深さが増す溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板とを有するプローブカードと、
前記プローブカードに対して試験信号を送受信する制御部と、
を含む試験装置。
【請求項４】
試験装置のプローブカードに取り付けられ、本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後ろ側から前記屈曲部の内側に達する溝を含むプローブ針の前記先端を半導体装置の電極パッドに当てる工程と、
前記針先部の前記先端を前記電極パッドの表面に滑らせる工程と、
前記プローブ針を通して前記電極パッドに試験信号を送受信して試験する工程と、
を有し、
前記溝は、前記針先部から前記屈曲部に向けて深さが増す半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記針先部の前記先端を前記電極パッドに当てる前に、前記先端を研磨によりクリーニングする工程を有する請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試験用プローブカード、試験装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体ウエーハ上に隣接して複数形成され、その後にチップ状に分割され、さらにモールド等のパッケージに覆われて使用される。半導体装置のコンタクト試験、リーク試験等の各種の試験は、チップに分割された後だけでなく、分割前のウエーハ状態でも行われる。
【０００３】
ウエーハ状態にある各半導体装置における半導体素子、半導体集積回路の電気特性は、例えば、プローブカードを備えた試験装置により試験される。プローブカードは、半導体装置表面の複数の電極パッドに先端を接続するプローブ針と、プローブ針を支持するプローブ針支持部と、プローブ針に接続される配線を有する基板等を有している。プローブ針は、テスターヘッド等を介してテスターに電気的に接続される。
【０００４】
電子機器の高機能化、高性能化が進むにつれてその中に取り付けられる半導体装置はさらなる高集積度化、高速化及び大容量化が要求される。そのような要求の実現に伴って半導体装置では外部接続端子である電極パッドの数が増加し、さらに電極パッド相互の間隔がより狭くなってきている。
【０００５】
電極パッド数の多い半導体装置を試験する試験装置では、半導体装置の外部端子に合わせた数のプローブ針を有し、その数は外部接続端子の増加に伴い多くなるのでプローブ針相互間隔も狭くなる。
【０００６】
半導体装置の試験の際には、プローブ針を半導体装置の電極パッドに押圧しつつ接触させるので、プローブ針の先端は、自身の弾性により電極パッド上を移動し、電極パッド表面の構成金属を掻き取る。掻き取られた金属屑は、プローブ針に付着し、プローブ針と電極パッドの電気的接触不良を引き起こす原因になる。また、プローブ針の針先の滑りによりその針先に付着した金属屑も移動するので、電極パッドの外周には金属屑の移動による傷が形成されて外観不良を起こすこともある。
【０００７】
そのような不良を解決するために、針先部の先端側から斜め後方に伸びて針先部の後側に達する１以上の凹所を有するプローブ針が知られている。そのようなプローブ針によれば、針先部に付着する掻き取り屑は、針先部の凹所に受け入れられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−３８０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
試験装置においては使用回数が増えるほどプローブ針の先端が徐々に摩耗する。このような針先の先端の摩耗が進むと、略円錐状の針先部の先端の面積が広くなる一方、上記のように斜め後方に延びるプローブ針の凹所、即ち溝の先端領域が狭くなり、消滅するおそれがあるので、凹所の所期の機能を維持できなくなる。さらに、針先部を折り曲げる際に、凹所を針先部の後ろに位置させることが難しい。
【００１０】
本発明の目的は、針先部に形成する溝を最適化するプローブ針を含む試験用プローブカードと、試験対象物の損傷を長期に抑制する試験装置と、試験用プローブ針の使用による損傷を防止する半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
実施形態の１つの観点によれば、本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて前記屈曲部の内側に達する第１の溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板と、を有し、前記第１の溝は、前記針先部から前記屈曲部に向けて深さが増す試験用プローブカードが提供される。
実施形態の別の観点によれば、本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて屈曲部の内側に達し、前記針先部から前記屈曲部に向けて深さが増す溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板とを有するプローブカードと、前記プローブカードに対して試験信号を送受信する制御部と、を含む試験装置が提供される。
実施形態のさらに別の観点によれば、試験装置のプローブカードに取り付けられ、本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後ろ側から前記屈曲部の内側に達する溝を含むプローブ針の前記先端を半導体装置の電極パッドに当てる工程と、前記針先部の前記先端を前記電極パッドの表面に滑らせる工程と、前記プローブ針を通して前記電極パッドに試験信号を送受信して試験する工程と、を有し、前記溝は、前記針先部から前記屈曲部に向けて深さが増す半導体装置の製造方法が提供される。
実施形態の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。さらに、前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解される。
【発明の効果】
【００１２】
本実施形態によれば、プローブ針の屈曲した針先部の先端の裏側には屈曲部の内側に達する長さの溝を形成している。これにより、針先部の先端が摩耗して針先部が短くなっても、針先部の先端における溝が消滅することはない。また、溝の一部を支点としてプローブ針を折り曲げると、溝が屈曲部の内側に位置することになるので、針先部の先端の後側に溝を位置決めすることが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施形態に係る試験装置の側面図である。
【図２】図２Ａは、実施形態に係る試験装置に装着されるプローブカードの一例を示す底面図、図２Ｂは、実施形態に係る試験装置に装着されるプローブカードの中央部と周辺部を示す側面図である。
【図３】図３Ａは、半導体ウエーハを示す平面図、図３Ｂは、半導体ウエーハに形成される半導体装置を示す平面図である。
【図４】図４は、実施形態に係る試験装置に使用されるプローブ針の一部を底面側から示す斜視図である。
【図５】図５Ａ〜図５Ｃは、実施形態に係る試験装置に使用されるプローブ針の形成工程を示す側面図である。
【図６】図６Ａは、実施形態に係る試験装置に使用されるプローブ針の先端がパッド表面を滑った後の状態を示す底面図、図６Ｂは、プローブ針の先端がパッド表面を滑る状態を示す斜視図である。
【図７】図７は、実施形態に係る試験装置に使用されるプローブ針の先端のクリーニング後の状態を底面側から示す斜視図である。
【図８】図８は、実施形態に係る試験装置に使用されるプローブ針の針先部及び屈曲部の別の例を底面側から示す斜視図である。
【図９】図９は、実施形態に係る試験装置に使用されるプローブ針の針先部及び屈曲部のさらに別の例を底面側から示す斜視図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置の試験方法を実行する試験装置の概要を示す側面図、図２Ａ、図２Ｂは、図１に示す試験装置に使用されるプローブカードを示す底面図及びその一部を示す側面図である。
【００１６】
図１に示す装置は、図３Ａに示す半導体ウエーハ１、例えばシリコンウエーハの面に縦横に隣接して形成される複数の半導体装置２の電気的特性を試験する試験装置であって、制御部１０とウエーハプローバ１１を有している。なお、半導体装置２には、トランジスタのような能動素子（不図示）や、配線のような受動素子（不図示）、その他の半導体回路が形成され、その上面からは図３Ｂに示すような外部接続端子、例えば電極パッド２ａが露出している。
【００１７】
ウエーハプローバ１１の筐体１２内にはウエーハステージ１３が配置され、ウエーハステージ１３上にはウエーハチャック１４が取り付けられている。ウエーハステージ１３は、ウエーハチャック１４を上下方向、前後方向、左右方向のそれぞれに移動し、さらに、水平方向に回動することができる構造を有している。なお、ウエーハステージ１３内には、半導体ウエーハ１の温度を調整する加熱器が内蔵されている。
【００１８】
筐体１２のうちウエーハステージ１３の上方には開口部１２ａが設けられ、その開口部１２ａにはヘッドプレート１５が開閉可能に取り付けられている。また、ヘッドプレート１５の中央の開口部１５ａにはフロックリング１６が嵌め込まれている。
【００１９】
ヘッドプレート１５の下面には、クランプ２０が取り付けられている。クランプ２０の中央には、フロックリング１６の下方でカードフォルダー１９を嵌め込む開口部が形成されている。
【００２０】
カードフォルダー１９の上には、半導体ウエーハ１に形成された半導体装置２の電極パッド２ａに接触されるプローブ針４を有するプローブカード３が取り付けられている。プローブ針４は、カードフォルダー１９の中央の開口部１９ａを通してウエーハステージ１３に向けて突出される。
【００２１】
フロックリング１６の上には、フロッグリング１６の導電ピン１６ａに電気的に接続されるパフォーマンスボード２１を有するテスターヘッド２３が取り付けられる。テスターヘッド２３は、その内部に複数のドライバ、コンパレータ、コンタクトピン等（不図示）を有し、コンタクトピンはパフォーマンスボード２１のコンタクトピン（不図示）に電気的に接続されている。
【００２２】
テスターヘッド２３は、信号線を有するケーブル２４を介して制御部１０に接続されている。制御部１０は、例えば、ＣＰＵ、記憶装置、操作部等を備え、一連の試験用処理を組みこんだプログラムにより動作するコンピュータを有しており、電気的特性試験に利用される信号の生成、解析に関係するテストシステムが構築されている。即ち、試験システムとして電気的特性試験に関する各種の試験項目が記述されプログラムに従って、信号伝達系を介して半導体装置２の電気的特性試験を実行する。
【００２３】
これにより、制御部１０は、テスターヘッド２３、パフォーマンスボード２１、フロッ
グリング１６及びプローブカード３、プローブ針４等を介して半導体装置２の電極パッド２ａに電気的に接続される状態になっている。テスターヘッド２３は、試験電圧、試験信号などを半導体装置２に送信する一方、半導体装置２から測定信号、試験を受信する。測定結果は、制御部１０内の記憶装置に記録される。
【００２４】
プローブカード３は、図２Ａ、図２Ｂに示すように、プローブ接続パッド３ｅ、電極パッド３ｆ、内部配線（不図示）等が形成されたプリント基板３ａを有している。また、プリント基板３ａの上面中央領域には、機械的強度を高めるために補強板３ｇが取り付けられている。プリント基板３ａの下面にはセラミックリング３ｂが取り付けられ、さらに、セラミックリング３ｂの下面にはプローブ支持部３ｃが取り付けられている。
【００２５】
プローブ支持部３ｃは、例えば、エポキシレジン等の樹脂から環状に形成され、その中央には開口部３ｄが形成されている。プローブ支持部３ｃは、開口部３ｄの周囲に沿って間隔をおいて導電性のプローブ針４を複数並べて支持する。なお、プローブ支持部３ｃの平面形状は四角に限られるものではない。
【００２６】
プローブ針４は、金属から形成され、図４に例示するように、針本体部４ｄに対して針先部４ａを屈曲させる略Ｌ字形状の屈曲部４ｃを有している。また、プローブ針４の長手方向には、針先部４ａの先端の周囲の後側から屈曲部４ｃの内側部（後側部）に達する直線状の溝４ｂが形成されている。
【００２７】
プローブ針４は、プローブカード３のプローブ支持部３ｃに支持される。この場合、複数の針先部４ａはプローブ支持部３ｃの開口部３ｄから内向きに突出され、また、後端部はプローブ支持部３ｃの外周から外側に突出される。複数のプローブ針４の針先部４ａの先端は、半導体装置２の電極パッド２ａに同時に接触できる状態に位置調整される。
【００２８】
プローブ針４の後端部は、プリント基板３ａの下面に形成される配線パッド３ｅに例えばはんだにより接続され、固定されている。これにより、プローブ針４の後端部は、プリント基板３ａに形成された配線、ビア等（不図示）を介してプリント基板３ａの上面の電極パッド３ｆに電気的に接続される。また、プローブカード３上面の電極パッド３ｆは、フロッグリング１６の下面から突出した導電ピン１６ａを介してテスターヘッド２３に電気的に接続される。
【００２９】
次に、プローブ針４の形成方法を図５Ａ〜図５Ｃに基づいて説明する。
まず、図５Ａに示すように、タングステン、白金族金属合金、ベリリウム銅等の金属から形成された先細り円錐状の先端部４ａを有する線材４０を形成する。針状導体４０は、例えば、５０ｍｍ〜１００ｍｍの長さを有するとともに、太い部分で数十μｍ〜数百μｍの直径を有している。針先部４ａは例えば研磨により加工され、これにより針先部４ａの先端に向けて先細りの円錐状に形成される。針先部４ａの先端は、例えば、１０μｍ〜７０μｍの直径を有している。
【００３０】
次に、図５Ｂに示すように、針先部４ａの先端から屈曲部４ｃの形成箇所に達する領域に向けて略直線状の溝４ｂを形成する。溝４ｂの形成方法として、例えば、レーザを針状導体４０に照射する方法、或いは、溝状の開口部を有するレジストマスクを針状導体４０に形成した後にその開口部を通して針状導体４０をエッチングする方法がある。
【００３１】
針状導体４０に形成する溝４ｂの幅は、特に限定されるものではないが、例えば、先細りの先端で約数μｍに形成され、さらに先端から後端に向けた長手方向に同じ太さ、又は後端に向かって連続的、又は段階的に広がる太さを有している。溝４ｂの深さは、図５Ｂの破線で囲んで示すように、針状導体４０の先端から後端に向かって、連続的又は段階的
に増す大きさを有することが好ましいが、一定であってもよい。
【００３２】
次に、図５Ｃに示すように、例えば針状導体４０の先細りの先端から２００μｍ〜１６００μｍに位置する屈曲部形成箇所で溝４ｂを内側にして折り曲げる。これにより、針状導体４０の先端から折り曲げ箇所までの部分が針先部４ａとなり、さらに折り曲げ箇所が屈曲部４ｃとなり、プローブ針４が形成される。その折り曲げ角、即ち屈曲部４ｃの屈曲角θは例えば９０°〜１１０°に設定される。なお、プローブ針４の折り曲げ箇所は、針先部４ａを決める以外の部分に設けられてもよい。
【００３３】
針状導体４０の折り曲げ時には、折り曲げ方向に圧縮歪みが加わるが、その歪みは溝４ｂにより吸収される。従って、溝４ｂを屈曲部４ｃの内側に位置させることにより針状導体４０の折り曲げ部の断面二次モーメントが下がり、折り曲げ加工が容易になる。これにより、プローブ針４の長さ、屈曲角θ、針先部４ａのテーパー角度等を自由に制御することができ、設計値に近い高精度な加工が可能になる。この場合、溝４ｂは、針先部４ａの先端周囲の後側に位置する。
【００３４】
プローブ針４は、針先部４ａが半導体ウエーハ１の上面の垂直方向に対して例えば２°〜６°程度の角度でプローブ針４の後方に傾くように、プローブカード３のプローブ支持部３ｃに支持される。
【００３５】
プローブ針４が取り付けられるプローブカード３では、セラミックリング３ｂの中央領域とその上のプリント基板３ａ、補強板３ｇに開口部３ｈが形成されている。これにより、プローブカード３の上面から開口部３ｈを通してプローブ針４の針先部４ａとその下に配置される半導体装置２の上面を観察することができる状態になる。
【００３６】
試験装置１１を使用して半導体ウエーハ１の半導体装置２を試験する際には、カードフォルダー１９の上にプローブカード３を取り付け、プローブカード３をフロックリング１６及びテスターヘッド２３に電気的に接続した状態に設定する。そして、カードフォルダー１９を取り付けたヘッドプレート１５により筐体１２の開口部１２ａを閉じる。
【００３７】
ウエーハステージ１３上に自動で半導体ウエーハ１を搬送してウエーハチャック１４に載置した後に、ウエーハステージ１３により半導体ウエーハ１の位置を調整し、さらにウエーハステージ１３を上昇させる。これにより、半導体ウエーハ１の半導体装置２の電極パッド２ａのそれぞれにプローブ針４の針先部４ａの先端を当てる。その後、制御部１０からの試験電圧信号印加により半導体装置２の電気的動作確認を行ってダイの良否判定を行う等、半導体装置２の特性を試験する。そのような操作を繰り返すことにより、複数の半導体装置２を試験する。
【００３８】
プローブ針４を電極パッド２ａに電気的に接続するために、まず、プローブ針４を電極パッド２ａに近づけて接触させる。続いて、プローブ針４が円弧運動して僅かに変位するまでプローブ針４を電極パッド２ａに押圧する。これにより、プローブ針４の針先部４ａの先端は前方に滑る。この場合、溝４ｂは、針先部４ａの滑り方向と反対側に形成された状態となっている。
【００３９】
針先部４ａの上側への変位量は滑り量と称され、また、針先部４ａの上下方向への変位量はオーバードライブ量と称される。滑りの際に針先部４ａの先端と電極パッド２ａに擦りが生じ、針先部４ａの先端が電極パッド２ａの金属めっきの表面層を掻き取って新しい面を露出させる。これにより、電極パッド２ａとプローブ針４の先端の接触を良好にし、安定した電気的接触を図る。
【００４０】
制御部１０による制御信号により半導体装置２の電気的な試験が終わると、ウエーハステージ１３を移動させてプローブ針４を半導体装置２から離れさせる。この場合、プローブ針４は自身の弾性により円弧運動して元の状態に戻る。
【００４１】
プローブ針４の針先部４ａの先端は、電極パッド２ａを滑る際に電極パッド２ａの表面の金属めっき層を掻き取る。さらに、図６Ａの底面図と図６Ｂの斜視図に示すように、針先部３ａの先端により掻き取られた金属めっき材料の屑Ｓは、プローブ針４の滑りにより後側の溝４ｂに押し込まれる。これにより、針先部４ａ表面からの屑Ｓの突出が抑制されるので、電極パッド２ａ周辺への屑Ｓのはみ出しにより生じる損傷が防止され、さらに、屑Ｓを介した電気的接触不良が防止される。
【００４２】
以上のように半導体装置２の試験を終えた後に、必要に応じて、ウエーハステージ１３上に取り付けたクリーナー（不図示）にプローブ針４の針先４ａを当て、針先部４ａをクリーニングする。
【００４３】
クリーナーとして例えば、基材の上に研磨材を塗布した紙鑢状の研磨シートを使用する。プローブ針４の針先部４ａをクリーニングする場合には、研磨シートに針先部４ａの先端を当てた状態でウエーハステージ１３を水平方向に移動する。これにより、針先部４ａの先端の屑Ｓが除去されると同時に、針先部４ａの先端が摩耗して新しい面が現れると同時に、図７に示すようにプローブ針４が擦り減って長さＴで短くなる。
【００４４】
プローブ針４の針先部４ａは、クリーニングあるいは電極パッド２ａ上の滑りを繰り返すことにより摩耗して徐々に短くなるが、溝４ｂは屈曲部４ｃまで長く伸びているので、摩耗する針先部４ａの先端は溝４ｂを有する形状を維持する。これによりプローブ針４の寿命がくるまで溝４ｂによる掻き取り屑Ｓの捕捉機能は維持される。
【００４５】
プローブ針４の針先部４ａは、ほぼ円錐形状を有しているので、針先部４ａの先端が摩耗するにつれて、その先端面の面積が広くなる。これにより、針先部４ａによる電極パッド２ａの表面層の掻き取り屑の量が増えるおそれがある。
【００４６】
その対策として、図５Ｂの破線で囲んで示す拡大図のように、溝４ｂの深さを針先部４ａの先端から屈曲部４ｃに向けて深さを増す形状を採用することにより、掻き取り量の増加に伴って針先部４ａの先端面の溝４ｂの面積も増す。これにより、溝４ｂによる掻き取り屑Ｓの収容量が増加するので、針先部４ａに付着する掻き取り屑Ｓの針先部４ａからの突出量の増加が抑制される。
【００４７】
ところで、プローブ針４に形成される溝４ａは、針先部４ａの先端外周の後側から屈曲部４ｃの内側に達する部分に形成されるだけでなく、図８、図９に例示するように、その他の部分に沿って形成してもよい。
【００４８】
図８に示す別の溝４ｅは、屈曲部４ｃの外側から針先部４ａの先端外周の前側に形成されている。また、図９に示す別の溝４ｆは、針先部４ａの針先の周囲の複数箇所に長手方向に沿って形成されている。図８、図９に示すように、針先部４ａの周囲の後部以外の部分に形成される溝４ｅ、４ｆは、針先部４ａの先端から屈曲部４ｃに達する長さであってもよいし、達しない長さであってもよい。 
【００４９】
針先部４ａの先端では、半導体装置２の電極パッド２ａ表面の掻き取り屑が多くなるが、掻き取り屑を受け入れる溝４ｂ、４ｅ、４ｆの総収容量が増えることにより、掻き取り屑の回収能力が向上する。
【００５０】
プローブ針４に長手方向に沿う溝４ｂ、４ｅ、４ｆを設けることにより、掻き取り屑Ｓを取り込める他に、プローブ針４の表面積が増えるので、プローブ針４が半導体ウエーハ１に接触する際にプローブ針４とその周囲との熱交換効率が高まる。
【００５１】
これにより、ウエーハステージ１３内のヒータ等により温度調整された半導体ウエーハ１とプローブ針４の温度差は、従来よりも短時間で縮小する。プローブ針４の測定温度に達する時間が短縮されことにより、試験開始直後とそれ以降でのプローブ針４の位置の温度調整用の変動を最小にすることができる。
【００５２】
以上のような試験を終えて問題がない半導体装置２は、半導体ウエーハ１の分割により図３Ｂに例示するようなチップ状に形成され、さらにパッケージングされる。
【００５３】
ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈すべきであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解される。
【００５４】
次に、本発明の実施形態について特徴を付記する。
（付記１）本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて前記屈曲部の内側に達する第１の溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板と、を有する試験用プローブカード。
（付記２）前記針先部の前記先端の前記外周部から前記針先部の長さ方向に延びて形成され、前記第１の溝に間隔をおいて隣接する少なくとも１つの第２の溝を有する付記１に記載の試験用プローブカード。
（付記３）本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後側から前記針先部の長さ方向に延びて屈曲部の内側に達する溝を含むプローブ針と、前記プローブ針を支持する基板とを有するプローブカードと、前記プローブカードに対して試験信号を送受信する制御部と、を含む試験装置。
（付記４）前記針先部の前記先端の前記外周部から前記針先部の長さ方向に延びて形成され、前記第１の溝に間隔をおいて隣接する少なくとも１つの第２の溝を有する付記３に記載の試験装置。
（付記５）前記第１の溝は、前記針先部の前記端部から前記屈曲部の内側にかけて同じ深さを有する付記３又は付記４に記載の試験装置。
（付記６）前記第１の溝は、前記針先部の前記端部から前記屈曲部の内側にかけて深さを増している付記３又は付記４に記載の試験装置。
（付記７）
試験装置のプローブカードに取り付けられ、本体部と屈曲部と針先部とを有し、前記針先部の先端の外周部の後ろ側から前記屈曲部の内側に達する溝を含むプローブ針の前記先端を半導体装置の電極パッドに当てる工程と、前記針先部の前記先端を前記電極パッドの表面に滑らせる工程と、前記プローブ針を通して前記電極パッドに試験信号を送受信して試験する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
（付記８）前記針先部の前記先端を前記電極パッドに当てる前に、前記先端を研磨によりクリーニングする工程を有する付記７に記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）前記電極パッドから前記針先部を離した後に、前記半導体装置をチップ状に形成する工程を有する付記７に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００５５】
１  半導体ウエーハ
２  半導体装置
２ａ  電極パッド
３  プローブカード
３ａ  プリント基板
４  プローブ針
４ａ  針先部
４ｂ、４ｅ、４ｆ  溝
４ｃ  屈曲部
４ｄ  針本体部
１０  制御部
１１  ウエーハプローバ
１３  ウエーハステージ
【図１】
0005640760.tif 000002
【図２】
0005640760.tif 000003
【図３】
0005640760.tif 000004
【図４】
0005640760.tif 000005
【図５】
0005640760.tif 000006
【図６】
0005640760.tif 000007
【図７】
0005640760.tif 000008
【図８】
0005640760.tif 000009
【図９】
0005640760.tif 000010