(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄板状金属板からなる３本の中心導体を磁性体の一方主面上に絶縁シートを介在させて互いに所定の角度で交差するように折り曲げて配置した磁性組立体を備えてなる非可逆回路素子において、
少なくとも１本の中心導体は２つのラインで構成され、該中心導体のライン間隔を他の２本の中心導体の交差幅よりも大きく設定するとともに、２つのラインが他の２本の中心導体の交差部分に重ならないように配置したことを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
請求項１に記載の非可逆回路素子において、前記２つのラインで構成された中心導体を最上部に配置したこと特徴とする非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話等の通信機器に使用される非可逆回路素子、例えばアイソレータ、サーキュレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、集中定数型のアイソレータ、サーキュレータ等の非可逆回路素子は、減衰量が信号を伝送方向には極めて小さく、逆方向には極めて大きい特性を有している。
【０００３】
従来、この種の非可逆回路素子は、例えば、図４〜図６に示すような磁性組立体３を備えている。図４は磁性組立体の斜視図、図５は磁性組立体の上面を示す平面図、図６は図５のＸ−Ｘ線断面図である。この磁性組立体３は、図４〜図６に示すように、円板状の磁性体４の下面にアース部を当接し、磁性体４を包み込むように各中心導体５１〜５３を磁性体４の上面に絶縁シート６（図４及び図５では図示省略）を介在させて互いに所定の角度で交差するように折り曲げて配置し、各中心導体５１〜５３の先端部にあたる各ポート部Ｐ１〜Ｐ３は磁性体４の外周から外方に突出するように構成されている。
【０００４】
各中心導体５１〜５３は金属導体板からなり、挿入損失を低減するためにそれぞれ２つのラインで構成され、各中心導体５１〜５３の幅及びライン間隔はほぼ同じ寸法で形成されている。
【０００５】
そして、磁気閉回路を構成する磁性体ヨーク内に上記磁性組立体３、永久磁石等を収容し、各中心導体５１〜５３のポート部Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に整合用のコンデンサを接続し、他端部（アース部）をアースに接続し、各中心導体５１〜５３の交差部分に永久磁石により直流バイアス磁界を印加して、非可逆回路素子が構成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この種の非可逆回路素子が採用される携帯電話等の移動体通信機器は小型化、薄型化が急速に進展しており、非可逆回路素子のさらなる小型化、薄型化が強く要求されている。
【０００７】
しかしながら、上記従来の非可逆回路素子においては、各中心導体５１〜５３の幅及びライン間隔はほぼ同じ寸法で形成されているので、図６に示すように３本の中心導体５１〜５３が全て重なる部分が生じ、この交差部分での厚みＴを３本の中心導体５１〜５３と３枚の絶縁シート６の合計の寸法より小さくすることができず、磁性組立体３の薄型化、ひいては非可逆回路素子の薄型化を図るには限界が有った。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、中心導体の交差部分での厚みを低減して、全体を薄型化することができる非可逆回路素子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明は、薄板状金属板からなる３本の中心導体を磁性体の一方主面上に絶縁シートを介在させて互いに所定の角度で交差するように折り曲げて配置した磁性組立体を備えてなる非可逆回路素子において、少なくとも１本の中心導体は２つのラインで構成され、該中心導体のライン間隔を他の２本の中心導体の交差幅よりも大きく設定するとともに、２つのラインが他の２本の中心導体の交差部分に重ならないように配置したことを特徴とするものである。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の非可逆回路素子において、前記２つのラインで構成された中心導体を最上部に配置したこと特徴とするものである。
上記の構成によれば、少なくとも１本の中心導体は２つのラインで構成され、この中心導体のライン間隔は他の２本の中心導体の交差幅よりも大きく設定され、２つのラインが他の２本の中心導体の交差部分に重ならないように配置されており、3本の中心導体が全て重なり合う部分をなくすことができるので、3本の中心導体の交差部分での厚みを中心導体の厚み分の小さくすることが可能となる。したがって、磁性組立体を薄くすることができ、非可逆回路素子全体を薄型化することができる。
【００１１】
前記2つのラインで構成され他の2本の中心導体の交差幅よりも大きく設定された中心導体は最上部に配置するのが好ましい。つまり、この場合、構造上３本の中心導体の幅やライン間隔の差を他の構成よりも小さくすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施例に係る磁性組立体の平面図及びアイソレータの構成を説明するための図であり、図２は中心導体の展開図、図３は図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【００１３】
本実施例のアイソレータは、図１に示すように、磁性体４に３本の中心導体５１、５２、５３を互いに電気的絶縁状態で、かつ所定角度をなすように交差させて配置した磁性組立体３を有し、各中心導体５１〜５３の各ポート部Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に整合用回路素子としてコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３を接続するとともに他端部をアースに接続し、各中心導体５１〜５３の交差部分に永久磁石(図示せず）により直流バイアス磁界を印加し、1つのポート部Ｐ３に終端抵抗Ｒを接続して構成されている。
【００１４】
中心導体５１〜５３は銅等の金属導体板を打ち抜きして形成されたものであり、図２の展開図で示すように、各中心導体５１〜５３は互いに所定の角度（図においては１２０度）をなして放射状に形成され、アース部５５となる中央部で連接一体化され、挿入損失をより低減するために、その中央部を長方形状に打ち抜きして２つのラインとなるように形成されている。
【００１５】
磁性組立体３は、図１及び図３に示すように、フェライト等からなる円板状の磁性体４の下面にアース部５５を当接し、磁性体４を包み込むように各中心導体５１〜５３を磁性体４の上面に絶縁シート６（図１では図示省略）を介在させて互いに交差するように折り曲げて配置して構成されている。
【００１６】
そして、最上部に配置される中心導体５３のライン間隔ＷLは他の2本の中心導体５１，５２の交差幅Ｗkよりも大きく設定され、かつ中心導体５３は中心導体５１，５２の交差部分に重ならないように配置されている。
【００１７】
各絶縁シート６はポリイミド等の絶縁性樹脂材料からなり一方主面あるいは両主面に接着剤が貼着されており、各中心導体５１〜５３同士の電気的絶縁を図るために、かつ各中心導体５１〜５３を磁性体４に密着するように安定に固定するために用いられる。各中心導体５１〜５３の磁性体４への折り曲げ配置は各絶縁シート６で各中心導体５１〜５３を磁性体４に押えつけて安定に固定するように治工具を用いて行われる。
【００１８】
上記磁性組立体３、永久磁石は磁気閉回路を構成する磁性体ヨーク（図示せず）内に収容され、各中心導体５１〜５３の先端部にあたる各ポート部Ｐ１〜Ｐ３には整合用の単板コンデンサＣ１〜Ｃ３の一方の電極面が、１つのポート部Ｐ３には終端抵抗用のチップ抵抗Ｒの一方の電極が接続されてアイソレータが構成される。上記磁性組立体３は永久磁石あるいは押え部材等により押さえ付けられた状態で配置される。一般に、各中心導体の先端部であるポート部は、コンデンサ等の他の構成部材との安定な接続を得る形状に適宜加工されたものが用いられる。なお、最上部の中心導体を覆う絶縁シートを用いない場合もある。
【００１９】
本実施例のアイソレータの外形寸法は、略Ｗ７．０×Ｌ７．０×Ｈ２．５ｍｍであり、中心導体は厚み約５０μｍ、絶縁シートは厚み５０〜８０μｍ、磁性体４は厚み約５５０μｍのものが用いられている。
【００２０】
本実施例の構成においては、最上部に配置された中心導体５３の２つのラインが他の２本の中心導体５１，５２の交差部分に重ならないように配置されており、図３に示すように、中心導体５３を下部の配置された２枚の絶縁シート６上に配置することができ、３本の中心導体５１〜５３が互いに交差する部分での厚みＴを中心導体５１，５２及び３枚の絶縁シート６の厚みの合計値の寸法とすることができる。したがって、磁性組立体３の厚み（高さ）を中心導体の厚み分（本実施例では約５０μｍ）薄く形成することができ、この磁性組立体３を用いたアイソレータ全体を薄型化することができる。
【００２１】
なお、３本のライン間隔の差をより小さくするうえで、上記実施例のようにライン間隔の大きな中心導体を最上部に配置するのが好ましいが、これに限るものではなく、ライン間隔の大きな中心導体を最下部あるいは中間に配置するようにしてもよい。
【００２２】
また、３本の中心導体は全て２本のラインで構成される必要はなく、いずれか１本の中心導体を２つのラインで構成し、この中心導体のライン間隔を他の2本の中心導体の交差幅よりも大きく形成するようにすればよい。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る非可逆回路素子によれば、少なくとも１本の中心導体のライン間隔は他の２本の中心導体の交差幅よりも大きく設定され、２つのラインが他の２本の中心導体の交差部分に重ならないように配置されており、3本の中心導体が全て重なり合う部分をなくすことができるので、3本の中心導体の交差部分での厚みを中心導体の厚み分の小さくすることが可能となる。
【００２４】
３本の中心導体の幅やライン間隔の差をより小さくするために、2つのラインで構成され他の2本の中心導体の交差幅よりも大きく設定された中心導体は最上部に配置するのが好ましい。
【００２５】
したがって、本発明によれば、磁性組立体を薄くすることができ、非可逆回路素子全体を薄型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る磁性組立体及びアイソレータの構成を説明するための図である。
【図２】本発明の一実施例に係る中心導体の展開図である。
【図３】図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【図４】従来の非可逆回路素子の磁性組立体の斜視図である。
【図５】従来の非可逆回路素子の磁性組立体の平面図である。
【図６】図５のＸ−Ｘ線断面図である。
【符号の説明】
３                      磁性組立体
４                      磁性体
５１〜５３              中心導体
Ｐ１〜Ｐ３              ポート部
Ｃ１〜Ｃ３              整合用コンデンサ
Ｒ                      終端抵抗
【図１】
0003702595.tif 000002
【図２】
0003702595.tif 000003
【図３】
0003702595.tif 000004
【図４】
0003702595.tif 000005
【図５】
0003702595.tif 000006
【図６】
0003702595.tif 000007