(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
深部帯塩水層である貯蔵層の深度別温度変化を測定して前記貯蔵層の第１熱伝導度を算出する第１段階と、
一定量の二酸化炭素を前記貯蔵層に注入し、前記貯蔵層に形成された孔隙に二酸化炭素を充填する第２段階と、
前記貯蔵層に二酸化炭素が充填された状態で前記貯蔵層の深度別温度変化を測定して前記貯蔵層の第２熱伝導度を算出する第３段階と、
前記貯蔵層に二酸化炭素が充填された状態で前記貯蔵層の孔隙内に水を注入して前記貯蔵層内に二酸化炭素を捕獲させる第４段階と、
前記貯蔵層内に二酸化炭素を捕獲した状態で前記貯蔵層の深度別温度変化を測定して前記貯蔵層の第３熱伝導度を算出する第５段階と、
前記第１熱伝導度乃至第３熱伝導度に基づいて、注入される水によって前記貯蔵層に捕獲される残留二酸化炭素の飽和率を算出する第６段階とを含んでなることを特徴とする、孔隙内残留二酸化炭素の測定方法。
【請求項２】
前記第１段階の前に、前記貯蔵層から採取した試料サンプルの有効孔隙率を算出する段階をさらに含み、
算出された前記有効孔隙率に対応する一定量で前記貯蔵層に前記二酸化炭素および水を注入することを特徴とする、請求項１に記載の孔隙内残留二酸化炭素の測定方法。
【請求項３】
前記貯蔵層に注入される二酸化炭素が超臨界状態であることを特徴とする、請求項１に記載の孔隙内残留二酸化炭素の測定方法。
【請求項４】
地上から深部帯塩水層である貯蔵層まで試錐されて形成された試錐孔に配置される注入坑井と、
前記注入坑井の他端に連結され、前記貯蔵層に二酸化炭素を注入する二酸化炭素供給部と、
前記注入坑井の他端に連結され、前記貯蔵層に水を注入する水供給部と、
前記二酸化炭素供給部および前記水供給部の動作を制御して前記注入坑井に選択的に二酸化炭素または水を注入するように制御する動作制御部と、
前記貯蔵層の壁面に長手方向に互いに離隔して配置され、前記貯蔵層の深度別温度を感知する多数の温度センサーと、
前記温度センサーに電気的に接続され、前記動作制御部による制御の段階に応じて、前記温度センサーで感知される温度から前記貯蔵層の熱伝導度を算出して前記貯蔵層の孔隙内残留二酸化炭素の飽和率を算出する二酸化炭素測定部とを含んでなることを特徴とする、孔隙内残留二酸化炭素の測定装置。
【請求項５】
前記貯蔵層に注入される二酸化炭素が超臨界状態であることを特徴とする、請求項４に記載の孔隙内残留二酸化炭素の測定装置。
【請求項６】
前記二酸化炭素測定部は、
前記多数の温度センサーで感知される前記貯蔵層の深度別温度変化を測定する温度測定モジュールと、
前記温度測定モジュールで測定された最初の深度別温度変化に基づいて前記貯蔵層の第１熱伝導度を算出する第１熱伝導度算出モジュールと、
前記貯蔵層に二酸化炭素が充填された状態で、前記温度測定モジュールで測定された前記貯蔵層の深度別温度変化に基づいて前記貯蔵層の第２熱伝導度を算出する第２熱伝導度算出モジュールと、
前記貯蔵層の孔隙に二酸化炭素が充填された後、前記貯蔵層の孔隙内に水を注入し、注入された水によって二酸化炭素が捕獲された状態で、前記温度測定モジュールで測定された前記貯蔵層の深度別温度変化に基づいて前記貯蔵層の第３熱伝導度を算出する第３熱伝導度算出モジュールと、
前記算出された第１熱伝導度乃至第３熱伝導度に基づいて孔隙内残留二酸化炭素の飽和率を算出する残留二酸化炭素飽和率算出モジュールとを含むことを特徴とする、請求項４に記載の孔隙内残留二酸化炭素の測定装置。
【請求項７】
前記動作制御部は、
前記第１熱伝導度算出モジュールで前記貯蔵層の第１熱伝導度が算出されると、前記貯蔵層に二酸化炭素が注入されるように前記二酸化炭素供給部の動作を制御し、
前記貯蔵層に二酸化炭素が充填された状態で、前記第２熱伝導度算出モジュールで前記貯蔵層の第２熱伝導度が算出されると、前記貯蔵層に水が注入されるように前記水供給部の動作を制御することを特徴とする、請求項６に記載の孔隙内残留二酸化炭素の測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、地層の孔隙内残留二酸化炭素の測定方法および測定装置に係り、より詳しくは、地中に二酸化炭素を貯蔵するために、変化する熱伝導度を測定することにより、地層の孔隙内に注入される二酸化炭素の量を測定することができる、二酸化炭素地中貯蔵のための孔隙内残留二酸化炭素の測定方法および測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
産業化の発電および化石燃料の使用などに伴って排出される温室効果ガスにより地球温暖化が深刻に問題視されている。
【０００３】
地球温暖化を誘発することが可能な温室効果ガスは、例えばメタン、フロンガス、二酸化炭素などその種類が様々であるが、中でも、二酸化炭素が、規制可能なガス（ｃｏｎｔｒｏｌｌａｂｌｅ  ｇａｓ）であって、全体に占める比重が８０％と最も大きい。よって、温室効果ガスの問題は主に二酸化炭素に焦点が合わせられている。
【０００４】
二酸化炭素減縮技術の一つとして、最近、二酸化炭素回収および貯蔵技術（ＣＣＳ：Ｃａｒｂｏｎｅ Ｄｉｏｘｉｄｅ Ｃａｐｔｕｒｅａｎｄ Ｓｔｏｒａｇｅ）が注目されている。
【０００５】
二酸化炭素回収および貯蔵技術とは、気候の変化および京都議定書上の温室効果ガス減縮要求に対応するために、 大規模の二酸化炭素発生源、例えば発電所および製鉄所などから回収した二酸化炭素をパイプラインや船舶などで輸送し、陸上または海洋の石油田、ガス田、深部帯塩水層、貯留層および石炭層などに数百年以上貯蔵および管理する技術のことをいう。
【０００６】
二酸化炭素の地中貯蔵は、注入される二酸化炭素が、地層の孔隙内に貯蔵されている孔隙水と混合せずに微細孔隙の表面に吸着されて固定された状態で貯蔵できる。
【０００７】
このような地層に二酸化炭素を貯蔵するためには、二酸化炭素の高圧注入のための効率的な地上設備の運営および注入された二酸化炭素の漏洩防止を実現することが可能な技術が必要である。
【０００８】
二酸化炭素地中貯蔵技術に関連し、韓国登録特許第１０−１１６６７８８号は、超臨界二酸化炭素の地層内注入効率向上のための注入坑井システムに関するもので、液体の密度と気体の粘性度を有する超臨界状態の二酸化炭素を地中の注入対象地層に注入するために、地表から注入対象地層まで形成される坑井孔と、坑井孔の底部に形成される底部グラウト部と、超臨界二酸化炭素が注入坑井から注入対象地層に流動することができるように通路の役割を果たす注入対象区間に設置されるスクリーン部と、地表から注入対象区間の上端まで設置されるケーシング部と、前記スクリーン部と孔壁との間に形成される注入部と、前記ケーシング部と孔壁との間に形成されるグラウト部と、前記注入部と前記グラウト部との間に設けられる外部パッキン部と、前記ケーシング部の上側を覆う蓋と、前記蓋に貫設される注入管と、前記注入管とケーシング部との間に設けられる内部パッキン部とを含んでなり、地層内への二酸化炭素の注入効率を向上させることができる技術が開示されている。
【０００９】
二酸化炭素の地中貯蔵の際に、地層内に貯蔵可能な二酸化炭素の容量を予測する必要がある。ところが、上述したような従来の技術には、二酸化炭素を地層の孔隙内に注入して貯蔵する技術について開示されているが、貯蔵能力を評価することが可能な技術的特徴は開示されていない。
【００１０】
また、従来の技術のように地層内に二酸化炭素を注入して孔隙内に直接貯蔵する場合、地震やその他の地質学的変化により、貯蔵された二酸化炭素が漏れるおそれがあり、この漏洩により、例えば地質または海水の酸性化などが引き起こされるという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上述したような問題点を解決するためになされたもので、その目的は、二酸化炭素の地中貯蔵のために、貯蔵層における変化する熱伝導度に基づいて、貯蔵可能な二酸化炭素の量を算出することにより、効率的な二酸化炭素地中貯蔵能力を向上させることができる、二酸化炭素地中貯蔵のための孔隙内残留二酸化炭素の測定方法および測定装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、孔隙内への二酸化炭素の充填後、水を注入し、注入される水に二酸化炭素が捕集されて孔隙内に貯蔵されることにより、地質額的変化によって地層に亀裂が発生しても二酸化炭素の漏洩を防止して安全に二酸化炭素を貯蔵することができるようにした残留二酸化炭素の飽和度を算出することができる、二酸化炭素地中貯蔵のための孔隙内残留二酸化炭素の測定方法および測定装置を提供することにある。
【００１３】
ところが、本発明の目的は上述した目的に制限されず、上述していない他の目的は以下の記載から当業者に明らかに理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の実施例に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定方法は、貯蔵層の深度別温度変化を測定して前記貯蔵層の第１熱伝導度を算出する第１段階と、一定量の二酸化炭素を前記貯蔵層に注入し、前記貯蔵層に形成された孔隙に二酸化炭素を充填する第２段階と、前記貯蔵層に二酸化炭素が充填された状態で前記貯蔵層の深度別温度変化を測定して前記貯蔵層の第２熱伝導度を算出する第３段階と、前記貯蔵層に二酸化炭素が充填された状態で前記貯蔵層の孔隙内に水を注入して前記貯蔵層内に二酸化炭素を捕獲させる第４段階と、前記貯蔵層内に二酸化炭素を捕獲した状態で前記貯蔵層の深度別温度変化を測定して前記貯蔵層の第３熱伝導度を算出する第５段階と、前記第１熱伝導度乃至第３熱伝導度に基づいて、注入される水によって前記貯蔵層に捕獲される残留二酸化炭素の飽和率を算出する第６段階とを含んでなることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定方法は、前記第１段階の前に、前記貯蔵層から採取した試料サンプルの有効孔隙率を算出する段階をさらに含み、算出された前記有効孔隙率に対応する一定量で前記貯蔵層に前記二酸化炭素および水を注入することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定方法は、前記貯蔵層に注入される二酸化炭素が超臨界状態であることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定方法は、前記貯蔵層が深部帯塩水層であることを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定装置は、地上から貯蔵層まで試錐されて形成された試錐孔に配置される注入坑井と、前記注入坑井の他端に連結され、前記貯蔵層に二酸化炭素を注入する二酸化炭素供給部と、前記注入坑井の他端に連結され、前記貯蔵層に水を注入する水供給部と、前記二酸化炭素供給部および水供給部の動作を制御して前記注入坑井に選択的に二酸化炭素または水を注入するように制御する動作制御部と、前記貯蔵層の壁面に長手方向に互いに離隔して配置され、前記貯蔵層の深度別温度を感知する多数の温度センサーと、前記温度センサーに電気的に接続され、前記温度センサーで感知される温度から前記貯蔵層の熱伝導度を算出して前記貯蔵層の孔隙内残留二酸化炭素の飽和率を算出する二酸化炭素測定部とを含んでなることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定装置は、前記二酸化炭素測定部が、前記多数の温度センサーで感知される前記貯蔵層の深度別温度変化を測定する温度測定モジュールと、前記温度測定モジュールで測定された最初の深度別温度変化に基づいて前記貯蔵層の第１熱伝導度を算出する第１熱伝導度算出モジュールと、前記貯蔵層に二酸化炭素が充填された状態で、前記温度測定モジュールで測定された前記貯蔵層の深度別温度変化に基づいて前記貯蔵層の第２熱伝導度を算出する第２熱伝導度算出モジュールと、前記貯蔵層の孔隙に二酸化炭素が充填された後、前記貯蔵層の孔隙内に水を注入し、注入された水によって二酸化炭素が捕獲された状態で、前記温度測定モジュールで測定された前記貯蔵層の深度別温度変化に基づいて前記貯蔵層の第３熱伝導度を算出する第３熱伝導度算出モジュールと、前記算出された第１熱伝導度乃至第３熱伝導度に基づいて孔隙内残留二酸化炭素の飽和率を算出する残留二酸化炭素飽和率算出モジュールとを含むことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定装置は、前記動作制御部が、前記第１熱伝導度算出モジュールで前記貯蔵層の第１熱伝導度が算出されると、前記貯蔵層に二酸化炭素が注入されるように前記二酸化炭素供給部の動作を制御し、前記貯蔵層に二酸化炭素が充填された状態で、前記第２熱伝導度算出モジュールで前記貯蔵層の第２熱伝導度が算出されると、前記貯蔵層に水が注入されるように前記水供給部の動作を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の孔隙内残留二酸化炭素の測定方法および測定装置によれば、二酸化炭素の地中貯蔵のために、貯蔵層における変化する熱伝導度に基づいて、貯蔵可能な二酸化炭素の量を算出することにより、効率的な二酸化炭素地中貯蔵能力を向上させることができるという利点がある。
【００２２】
また、本発明によれば、貯蔵層の孔隙内に二酸化炭素を充填した後、水を注入し、注入される水に二酸化炭素が捕集されて孔隙内に貯蔵されることにより、地質学的変化により地層に亀裂が発生しても、二酸化炭素の漏洩を防止して安全に二酸化炭素を貯蔵することができるようにした残留二酸化炭素の飽和度を算出することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定装置の構成を概略的に示す構成図である。
【図２】本発明の残留二酸化炭素の測定装置を成す二酸化炭素測定部の構成を概略的に示すブロック図である。
【図３】本発明に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明によって孔隙内に充填された二酸化炭素が、注入される水によって捕獲されて貯蔵される状態を示す例示図である。
【図５】本発明によって孔隙内に充填された二酸化炭素が、注入される水によって捕獲されて貯蔵される状態を示す例示図である。
【図６】本発明によって孔隙内に充填された二酸化炭素が、注入される水によって捕獲されて貯蔵される状態を示す例示図である。
【図７】本発明によって孔隙内に充填された二酸化炭素が、注入される水によって捕獲されて貯蔵される状態を示す例示図である。
【図８】本発明によって孔隙内に充填された二酸化炭素が、注入される水によって捕獲されて貯蔵される状態を示す例示図である。
【図９】本発明によって孔隙内に充填された二酸化炭素が、注入される水によって捕獲されて貯蔵される状態を示す例示図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施例について詳細に説明する。本発明を説明するにあたり、関連した公知の機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にするおそれがあると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。
【００２５】
本発明は、様々な変更を加えることができ、様々な実施例を有することができるもので、以下、本発明の特定の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。ただし、これらの実施例は本発明を限定するためのものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる変更、均等物及び代替物も全て本発明に含まれるものと理解されるべきである。
【００２６】
図１は本発明に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定装置の構成を概略的に示す構成図、図２は残留二酸化炭素の測定装置を成す二酸化炭素測定部の構成を概略的に示すブロック図である。
【００２７】
図面を参照すると、孔隙内残留二酸化炭素の測定装置１は、地上から貯蔵層２、例えば深部帯塩水層の一定の深さまで試錐されて形成された試錐孔３に一端が貯蔵層２に位置するように配置される注入坑井１０、この注入坑井１０の他端に連結される二酸化炭素供給部２０および水供給部３０、温度センサー４０、二酸化炭素測定部５０、並びに動作制御部６０を含んで構成できる。
【００２８】
二酸化炭素供給部２０および水供給部３０は、注入坑井１０の他端にそれぞれ連結され、貯蔵層２に二酸化炭素と水をそれぞれ注入することができる。この際、二酸化炭素供給部２０から貯蔵層２に供給される二酸化炭素は、超臨界（ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ）状態であって、例えば臨界温度３１．１℃、臨界圧力７３．８Ｂａｒ以上を維持することが好ましい。
【００２９】
また、温度センサー４０は、試錐孔３の一側面または両側面、すなわち貯蔵層２の壁面に長手方向に互いに離隔して多数配置され、貯蔵層２の深度別温度変化を感知することができる。
【００３０】
温度センサー４０に電気的に接続される二酸化炭素測定部５０は、温度センサーで感知される温度変化に基づいて貯蔵層２の熱伝導度を算出することにより、貯蔵層２に形成された孔隙４内の残留二酸化炭素の飽和率を算出することができる。
【００３１】
また、動作制御部６０では、二酸化炭素または水が貯蔵層２の孔隙内に充填できるように、二酸化炭素供給部２０および水供給部３０の動作を制御し、注入坑井１０に選択的に二酸化炭素または水を提供することができる。
【００３２】
図２に示すように、貯蔵層２の熱伝導度を算出して孔隙４内の残留二酸化炭素の飽和率を算出する二酸化炭素測定部５０は、温度測定モジュール１００、第１〜第３熱伝導度算出モジュール２１０、２２０、２３０からなる熱伝導度算出モジュール２００、および残留二酸化炭素飽和率算出モジュール３００を含むことができる。
【００３３】
温度測定モジュール１００では、多数の温度センサー４０から感知される貯蔵層２の深度別温度変化を測定することができ、第１熱伝導度算出モジュール２１０では、温度測定モジュール１００で測定される最初の深度別温度変化に基づいて貯蔵層２の第１熱伝導度を算出することができる。
【００３４】
第２熱伝導度算出モジュール２２０は、二酸化炭素供給部２０から供給される二酸化炭素が貯蔵層２の孔隙４に充填された状態で、温度測定モジュール１００で測定された貯蔵層２の深度別温度変化に基づいて貯蔵層２の第２熱伝導度を算出することができる。
【００３５】
また、第３熱伝導度算出モジュール２３０では、貯蔵層２の孔隙４に二酸化炭素が充填された後、貯蔵層２の孔隙４内に水を注入し、孔隙４に注入される水によって二酸化炭素が捕獲された状態で、温度測定モジュール１００で測定された貯蔵層２の深度別温度変化に基づいて貯蔵層２の第３熱伝導度を算出することができる。
【００３６】
残留二酸化炭素飽和率算出モジュール３００では、第１〜第３熱伝導度算出モジュール２１０、２２０、２３０で算出された第１熱伝導度〜第３熱伝導度に基づいて、孔隙内残留二酸化炭素の飽和率、すなわち注入された水に捕獲された残留二酸化炭素の飽和率を算出することができる。
【００３７】
図３は本発明に係る孔隙内残留二酸化炭素の測定方法を示すフローチャートであり、図４〜図９は本発明によって孔隙内に充填された二酸化炭素が、注入される水によって捕獲されて貯蔵される状態を例示的に示す例示図である。以下、図１〜図９を参照して、残留二酸化炭素の測定方法について詳細に説明する。
【００３８】
まず、地上から貯蔵層２、例えば深部帯塩水層の一定の深さを試錐して試料サンプルを採取した後、図４に示すように、この試料サンプルの有効孔隙率を算出し（Ｓ１０１）、第１熱伝導度算出モジュール２１０では貯蔵層２に深さ別に配置される温度センサー４０で感知された貯蔵層２の深度別温度変化から貯蔵層２の第１熱伝導度を算出する（Ｓ１０２）。
【００３９】
その後、動作制御部６０では、図５〜図７に示すように、二酸化炭素供給部２０の動作を制御することにより、試料サンプルから算出された有効孔隙率に対応する一定量の二酸化炭素を高圧で貯蔵層２に注入し、貯蔵層２に形成された孔隙４に二酸化炭素６を充填させる（Ｓ１０３）。
【００４０】
この際、注入される二酸化炭素６は、孔隙４に充填されている水５、例えば塩水を孔隙４から押し出した後に充填できる。また、この際、二酸化炭素６は、超臨界（ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ）状態であって、例えば臨界温度３１．１℃、臨界圧力７３．８Ｂａｒ以上を維持することができる。
【００４１】
次に、貯蔵層２の孔隙４に二酸化炭素６が充填された状態で、温度測定モジュール１００では貯蔵層２の深度別温度変化を測定し、第２熱伝導度算出モジュール２２０では測定された温度変化に基づいて、二酸化炭素が充填された貯蔵層２の第２熱伝導度を算出する（Ｓ１０４）。
【００４２】
その後、動作制御部６０は、図８および図９に示すように、水供給部３０の動作を制御することにより、貯蔵層２に二酸化炭素６が孔隙４に充填された状態で孔隙４内に水７を注入して貯蔵層２の孔隙４内から二酸化炭素６を一部押し出し、残余の二酸化炭素６を捕獲させる（Ｓ１０５）。
【００４３】
貯蔵層２の孔隙４から、注入された水７によって残余の二酸化炭素６が捕獲された状態で、温度測定モジュール１００で測定された貯蔵層２の深度別温度変化に基づいて、第３熱伝導度算出モジュール２３０では二酸化炭素６が水７に捕獲された貯蔵層２の第３熱伝導度を算出する（Ｓ１０６）。
【００４４】
その後、残留二酸化炭素飽和率算出モジュール３００では、熱伝導度算出モジュール２００で算出された第１熱伝導度〜第３熱伝導度に基づいて、貯蔵層２の孔隙から水７によって捕獲された残留二酸化炭素の飽和率を算出する（Ｓ１０７）。
【００４５】
前述したように、貯蔵層の孔隙内に二酸化炭素を充填した後、水を注入し、注入される水に二酸化炭素が捕集されて孔隙内に貯蔵されることにより、地質学的変化によって地層に亀裂が発生しても二酸化炭素の漏洩を防止して安全に貯蔵することができるようにした、孔隙内に残留する二酸化炭素の飽和率を算出することができるという特徴がある。
【００４６】
前記本発明の内容は図示された実施例を参照して説明されたが、これらの実施例は例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、これらから多様な変形および均等な他の実施例が可能であるという点を理解するであろう。よって、本発明の真正な技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められるべきである。
【符号の説明】
【００４７】
１      残留二酸化炭素の測定装置
１０    注入坑井
２０    二酸化炭素供給部
３０    水供給部
４０    温度センサー
５０    二酸化炭素測定部
６０    動作制御部
１００  温度測定モジュール
２００  熱伝導度算出モジュール
３００  残留二酸化炭素飽和率算出モジュール
【要約】
【課題】二酸化炭素地中貯蔵のための孔隙内残留二酸化炭素の測定方法と測定装置を提供する。
【解決手段】貯蔵層の深度別温度変化を測定して貯蔵層の第１熱伝導度を算出する第１段階（Ｓ１０２）と、一定量の二酸化炭素を貯蔵層に注入し、貯蔵層に形成された孔隙に二酸化炭素を充填する第２段階（Ｓ１０３）と、貯蔵層に二酸化炭素が充填された状態で貯蔵層の深度別温度変化を測定して貯蔵層の第２熱伝導度を算出する第３段階（Ｓ１０４）と、貯蔵層に二酸化炭素が充填された状態で貯蔵層の孔隙内に水を注入して貯蔵層内に二酸化炭素を捕獲させる第４段階（Ｓ１０５）と、貯蔵層内に二酸化炭素を捕獲した状態で貯蔵層の深度別温度変化を測定して貯蔵層の第３熱伝導度を算出する第５段階（Ｓ１０６）と、第１〜第３熱伝導度に基づいて、注入される水によって貯蔵層に捕獲される残留二酸化炭素の飽和率を算出する第６段階（Ｓ１０７）とを含む。
【選択図】図３【図１】
0005640168.tif 000002
【図２】
0005640168.tif 000003
【図３】
0005640168.tif 000004
【図４】
0005640168.tif 000005
【図５】
0005640168.tif 000006
【図６】
0005640168.tif 000007
【図７】
0005640168.tif 000008
【図８】
0005640168.tif 000009
【図９】
0005640168.tif 000010