(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状の記憶媒体に対するデータの書き込み及び当該記録媒体からのデータの読み出しがヘッドにより行われるディスク記憶装置において、
ライトデータに応じて前記ヘッドに記録電流を供給するライトドライバであって、前記記録電流を生成する電流源と、前記電流源により生成された記録電流を、ライトデータに対応する第１の制御信号に応じて第１の向きで前記ヘッドに供給する１対の第１のトランジスタ、及び前記電流源により生成された記録電流を、ライトデータに対応する第２の制御信号に応じて前記第１の向きとは逆の第２の向きで前記ヘッドに供給する１対の第２のトランジスタから構成されるブリッジ回路とを含むライトドライバと、
前記ディスク記憶装置の環境温度を検知する温度センサと、
前記第１の制御信号が第１の論理状態から第２の論理状態に状態遷移する都度、設定されたディレイ時間経過後に第１のパルスを生成する、ディレイ時間が可変可能な第１のパルス生成回路と、
前記第２の制御信号が第１の論理状態から第２の論理状態に状態遷移する都度、設定されたディレイ時間経過後に第２のパルスを生成する、ディレイ時間が可変可能な第２のパルス生成回路と
前記ライトドライバから前記ヘッドに供給される記録電流のうちのオーバーシュート電流を制御するオーバーシュート制御回路であって、前記第１のパルス生成回路から出力される前記第１のパルスに応じて、前記ブリッジ回路内の前記１対の第１のトランジスタのうち前記記録電流の流出側のトランジスタのベース電位を制御し、前記第２のパルス生成回路から出力される前記第２のパルスに応じて、前記ブリッジ回路内の前記１対の第２のトランジスタのうち前記記録電流の流出側のトランジスタのベース電位を制御するオーバーシュート制御回路と、
前記温度センサにより検知された温度に対応するパラメータ値で決まるディレイ時間を前記第１及び第２のパルス生成回路に設定することにより前記オーバーシュート制御回路を制御する主制御回路と
を具備することを特徴とするディスク記憶装置。
【請求項２】
円盤状の記憶媒体に対するデータの書き込み及び当該記録媒体からのデータの読み出しがヘッドにより行われるディスク記憶装置において、
ライトデータに応じて前記ヘッドに記録電流を供給するライトドライバであって、前記記録電流を生成する電流源と、前記電流源により生成された記録電流を、ライトデータに対応する第１の制御信号に応じて第１の向きで前記ヘッドに供給する１対の第１のトランジスタ、及び前記電流源により生成された記録電流を、ライトデータに対応する第２の制御信号に応じて前記第１の向きとは逆の第２の向きで前記ヘッドに供給する１対の第２のトランジスタから構成されるブリッジ回路とを含むライトドライバと、
前記ディスク記憶装置の環境温度を検知する温度センサと、
前記第１の制御信号が第１の論理状態から第２の論理状態に状態遷移する都度、前記温度センサの出力電圧で決まるディレイ時間経過後に第１のパルスを生成出力する、ディレイ時間が可変可能な第１のパルス生成回路と、
前記第２の制御信号が第１の論理状態から第２の論理状態に状態遷移する都度、前記温度センサの出力電圧で決まるディレイ時間経過後に第２のパルスを生成する、ディレイ時間が可変可能な第２のパルス生成回路と、
前記ライトドライバから前記ヘッドに供給される記録電流のうちのオーバーシュート電流を制御するオーバーシュート制御回路であって、前記第１のパルス生成回路から出力される前記第１のパルスに応じて、前記ブリッジ回路内の前記１対の第１のトランジスタのうち前記記録電流の流出側のトランジスタのベース電位を制御し、前記第２のパルス生成回路から出力される前記第２のパルスに応じて、前記ブリッジ回路内の前記１対の第２のトランジスタのうち前記記録電流の流出側のトランジスタのベース電位を制御するオーバーシュート制御回路と
を具備することを特徴とするディスク記憶装置。
【請求項３】
円盤状の記憶媒体に対するデータの書き込み及び当該記録媒体からのデータの読み出しがヘッドにより行われるディスク記憶装置において、電流源により生成された記録電流を、ライトデータに対応する第１の制御信号に応じて第１の向きで前記ヘッドに供給する１対の第１のトランジスタ、及び前記電流源により生成された記録電流を、ライトデータに対応する第２の制御信号に応じて前記第１の向きとは逆の第２の向きで前記ヘッドに供給する１対の第２のトランジスタから構成されるブリッジ回路を含むライトドライバから前記ヘッドに供給される記録電流を制御する記録電流制御方法であって、
前記ディスク記憶装置の環境温度を計測するステップと、
前記第１の制御信号が第１の論理状態から第２の論理状態に状態遷移する都度、前記計測された環境温度で決まるディレイ時間経過後に第１のパルスを生成するステップと、
前記第２の制御信号が第１の論理状態から第２の論理状態に状態遷移する都度、前記計測された環境温度で決まるディレイ時間経過後に第２のパルスを生成するステップと、
前記ライトドライバから前記ヘッドに供給される記録電流のうちのオーバーシュート電流を制御するステップであって、前記第１のパルスに応じて、前記ブリッジ回路内の前記１対の第１のトランジスタのうち前記記録電流の流出側のトランジスタのベース電位を制御し、前記第２のパルスに応じて、前記ブリッジ回路内の前記１対の第２のトランジスタのうち前記記録電流の流出側のトランジスタのベース電位を制御することにより、オーバーシュート電流を制御するステップと
を具備することを特徴とする記録電流制御方法。
【請求項４】
予め定められた温度毎に最適なオーバーシュート電流を示すパラメータ値が登録されたテーブルと、前記計測された環境温度とをもとに、前記計測された環境温度に対応するパラメータ値を取得するステップを更に具備し、
前記ディレイ時間が前記取得されたパラメータ値によって決定されることを特徴とする請求項３記載の記録電流制御方法。
【請求項５】
予め定められた温度毎で且つ前記記録媒体の記録面を半径方向に分割することで区分されるブロック毎に、最適なオーバーシュート電流を示すパラメータ値が登録されたテーブルと、前記計測された環境温度と、前記ヘッドが位置するブロックとをもとに、前記計測された環境温度及び前記ヘッドが位置するブロックに対応するパラメータ値を取得するステップを更に具備し、
前記ディレイ時間が前記取得されたパラメータ値によって決定されることを特徴とする請求項３記載の記録電流制御方法。
【請求項６】
前記ディスク記憶装置の出荷段階で当該装置の環境温度を複数段階順次切り替え設定するステップと、
前記切り替え設定された各温度で、前記ブロック毎に、オーバーシュート電流を切り替えながらエラーレートを測定するステップと、
前記エラーレート測定結果に応じて、前記温度毎で且つブロック毎の最適オーバーシュート電流を決定するステップと、
前記温度毎で且つブロック毎の最適オーバーシュート電流に対応するパラメータ値を前記テーブルに登録するステップと
を更に具備することを特徴とする請求項５記載の記録電流制御方法。
【請求項７】
前記オーバーシュート電流を切り替えながら、前記記録媒体上に確保された、ユーザからアクセスできないダミーライト領域を利用してエラーレートを測定するステップと、
前記エラーレート測定結果に応じて、その時点における前記ディスク記憶装置の環境温度での最適オーバーシュート電流を決定するステップと、
前記決定された最適オーバーシュート電流に対応するパラメータ値を、その時点における前記ディスク記憶装置の環境温度に対応付けて前記テーブルに登録するステップと
を更に具備することを特徴とする請求項４記載の記録電流制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、円盤状の記憶媒体に対するデータの書き込み及び当該記録媒体からのデータの読み出しがヘッドにより行われるディスク記憶装置に係り、特にライトデータに応じてヘッドに供給される記録電流を制御するディスク記憶装置及び同装置における記録電流制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置は、記録媒体にディスク（ディスク媒体）を用いたディスク記憶装置の代表として知られている。この磁気ディスク装置の記録特性は、記録密度、例えばトラック密度ＴＰＩと装置が使用される環境での温度等に依存する。そこで、特開平１０−３１２５０４号公報には、磁気ディスク装置における記録密度マージン（ＴＰＩマージン）と温度マージンとを確保するための技術が記載されている。この技術においては、温度マージンに対する記録電流の下限値と、ＴＰＩマージンに対する記録電流の上限値を求めることで、双方の特性を低下させることなく最適な記録電流が設定できるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記公報に記載されている先行技術の特徴は、ＴＰＩマージンと温度マージンの双方に焦点を合わせて、記録電流の最適化を行うことにある。
【０００４】
しかしながら、高記録密度化が進むと、ヘッドからの漏洩磁束による隣接トラックへの影響が大きくなる。このため、ＴＰＩマージンに対する記録電流の上限値が、温度マージンに対する記録電流の下限値を下回ることが予測される。この場合、上記先行技術では、双方のマージンを確保することが困難となる。また、低温環境下での記録品質低下を招く。
【０００５】
本発明は上記事情を考慮してなされたものでその目的は、記録電流のオーバーシュート部の電流を調整することにより、高記録密度化が進んでも温度マージンと記録密度マージンの双方が確保できるディスク記憶装置及び同装置における記録電流制御方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、円盤状の記憶媒体（ディスク媒体）に対するデータの書き込み及び当該記録媒体からのデータの読み出しがヘッドにより行われるディスク記憶装置が提供される。このディスク記憶装置は、ライトデータに応じて上記ヘッドに記録電流を供給するライトドライバと、上記ディスク記憶装置の環境温度を検知する温度センサと、上記ライトドライバから上記ヘッドに供給される記録電流のうちのオーバーシュート電流を制御するオーバーシュート制御回路と、上記温度センサにより検知された温度に応じて上記オーバーシュート制御回路を制御する主制御回路とから構成される。
【０００７】
このような構成のディスク記憶装置においては、当該装置の環境温度に応じて記録電流のオーバーシュート部の電流（オーバーシュート電流）を変化させることにより、各温度での記録特性劣化を防止し、特に低温環境下での記録品質を向上させることができる。これにより、高記録密度化が進んでも温度マージンと記録密度マージンの双方を確保することが可能となる。
【０００８】
ここで、予め定められた温度毎に、その温度に最適なオーバーシュート電流を設定するためのパラメータ値が登録された記憶手段を備え、この登録内容と、温度センサにより検知された温度とをもとに、当該検知された温度に対応するパラメータ値を取得して、当該パラメータ値によりオーバーシュート制御回路を制御する構成とするならば、低温環境下での記録品質の劣化を防止しつつ、各温度環境でのパフォーマンスを安定させることが可能となる。
【０００９】
また、温度センサの出力に応じてオーバーシュート電流を制御するオーバーシュート制御回路を用いるならば、主制御回路による制御と温度毎に最適なオーバーシュート電流を設定するためのパラメータ値のリストが不要となるだけでなく、微妙な温度変化に対しても記録特性の劣化を防止することができる。
【００１０】
次に、本発明の第２の観点によれば、ディスク記憶装置において記録電流を制御する方法が提供される。この方法は、ディスク記憶装置の環境温度を計測するステップと、記録電流のうちのオーバーシュート電流を、計測された環境温度に応じて制御するステップとから構成される。
【００１１】
このような構成においては、ディスク記憶装置の環境温度に応じて記録電流のオーバーシュート部の電流（オーバーシュート電流）を変化させることにより、特に低温環境下での記録品質を向上させることができる。
【００１２】
ここで、計測された環境温度と、予め定められた温度毎に最適なオーバーシュート電流を示すパラメータ値が登録されたテーブルとをもとに、上記計測された環境温度に対応するパラメータ値を取得して、そのパラメータ値に応じてオーバーシュート電流を制御する構成とするならば、低温環境下での記録品質の劣化を防止しつつ、各温度環境でのパフォーマンスを安定させることが可能となる。このパラメータ値をテーブルに登録するには、ディスク記憶装置の出荷段階で当該装置の環境温度を複数段階順次切り替え設定し、この切り替え設定された各温度で、オーバーシュート電流を切り替えながらエラーレートを測定し、このエラーレート測定の結果に応じて、温度毎の最適オーバーシュート電流を決定して、その温度毎の最適オーバーシュート電流に対応するパラメータ値を取得すればよい。このエラーレートの測定は、例えば記録媒体の所定の領域にデータを書き込んで、そのデータをセクタ単位で読み出した際にエラー（リードエラー）となる割合を求めることにより実現される。
【００１３】
また、記録媒体上にユーザからアクセスできないダミーライト領域を確保し、オーバーシュート電流を切り替えながら、当該ダミーライト領域を利用してエラーレートを測定し、このエラーレート測定結果に応じて、その時点におけるディスク記憶装置の環境温度での最適オーバーシュート電流を決定し、この決定された最適オーバーシュート電流に対応するパラメータ値を、その時点におけるディスク記憶装置の環境温度に対応付けてテーブルに登録する構成とするならば、ディスク記憶装置の出荷後でも、テーブルへのパラメータ値の登録が可能となる。
【００１４】
また、上記テーブルに、予め定められた温度毎で且つ記録媒体の記録面を半径方向に分割することで区分されるブロック毎に、最適なオーバーシュート電流を示すパラメータ値を登録し、計測された環境温度と、ヘッドが位置するブロックと、上記テーブルとをもとに、計測された環境温度及びヘッドが位置するブロックに対応するパラメータ値を取得する構成とするならば、各温度環境でのパフォーマンスを一層安定させることが可能となる。
【００１５】
また、２つの記録面を有する少なくとも１つの円盤状の記憶媒体の当該各記録面に対応してそれぞれ配置されたヘッドにより、対応する記録面に対するデータの書き込み及び当該記録面からのデータの読み出しが行われるディスク記憶装置、即ち少なくとも２つのヘッドを備えたディスク記憶装置において、選択されたヘッドに供給される記録電流の値を、計測された環境温度及び当該選択されたヘッドに応じて設定すると共に、記録電流のうちのオーバーシュート電流を、当該環境温度及び選択されたヘッドに応じて制御する構成とするならば、ヘッドの特性または記録媒体の特性にばらつきがあるディスク記憶装置であっても、隣接トラックへ影響を与えずに、記録特性の悪化を防止できる。
【００１６】
ここで、予め定められた温度毎で且つヘッド毎に最適な記録電流及びオーバーシュート電流を示すパラメータ値が登録されたテーブルを用意し、計測された環境温度と選択されたヘッドと上記テーブルとをもとに、計測された環境温度及び選択されたヘッドに対応する最適な記録電流及びオーバーシュート電流を示すパラメータ値を取得するとよい。このパラメータ値をテーブルに登録するには、ディスク記憶装置の出荷段階で当該装置の環境温度を複数段階順次切り替え設定し、この切り替え設定された各温度で、ヘッド毎に、記録電流を切り替えながら第１のエラーレートを測定し、この第１のエラーレートの測定結果に応じて、温度毎で且つヘッド毎の最適記録電流を決定する一方、切り替え設定された各温度で、ヘッド毎に、その温度及びヘッドに対応して決定された最適記録電流が設定された状態で、オーバーシュート電流を切り替えながら第２のエラーレートを測定し、この第２のエレートの測定結果に応じて、温度毎で且つヘッド毎の最適オーバーシュート電流を決定して、その決定した最適記録電流及び最適オーバーシュート電流に対応するパラメータ値を取得すればよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を磁気ディスク装置に適用した実施の形態につき図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。
図１の磁気ディスク装置（以下、ＨＤＤと称する）において、円盤状の記録媒体（磁気ディスク）１は上側と下側の２つのディスク面を有している。記録媒体１の２つのディスク面の少なくとも一方のディスク面、例えば両方のディスク面は、データが磁気記録される記録面をなしている。記録媒体１の各記録面に対応してそれぞれヘッド（磁気ヘッド）２が配置されている。ヘッド２は、記録媒体１へのデータ書き込み（データ記録）及び記録媒体１からのデータ読み出し（データ再生）に用いられる。このヘッド２は、リードヘッドとライトヘッド（インダクティブヘッド）とから構成される複合ヘッドである。リードヘッドは、ＭＲ（Magneto Resistive：磁気抵抗効果）素子から構成され、ライトヘッドは誘導型の記録用薄膜素子（記録素子）から構成される。なお、図１の構成では、単一枚の記録媒体１を備えたＨＤＤを想定しているが、記録媒体１が複数枚積層配置されたＨＤＤであっても構わない。
【００１９】
記録媒体１はスピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）３により高速に回転する。ヘッド２はヘッド移動機構としてのアクチュエータ（キャリッジ）４の先端に取り付けられている。ヘッド１２は、アクチュエータ４の回動に従って記録媒体１の半径方向に移動する。これにより、ヘッド２は、目標トラック上に位置決めされるようになっている。アクチュエータ４は、当該アクチュエータ４の駆動源となるボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）５を有しており、当該ＶＣＭ５により駆動される。
【００２０】
ＳＰＭ３及びＶＣＭ５は、モータドライバＩＣ（Integrated Circuit）６からそれぞれ供給される駆動電流により駆動される。モータドライバＩＣ６は１チップ化されたモータドライバであり、ＳＰＭドライバ及びＶＣＭドライバを構成する。モータドライバＩＣ６からＳＰＭ３及びＶＣＭ５にそれぞれ供給される駆動電流を決定するための値（制御量）は、コントロールＩＣ９（内のＣＰＵ９１）により決定される。
【００２１】
ヘッド２はヘッドアンプＩＣ７と接続されている。ヘッドアンプＩＣ７はライトデータを記録電流（ライト電流）に変換するライトドライバ７１、及びヘッド２により読み出されたリード信号を増幅するリードアンプ（図示せず）を含む。ヘッドＩＣ２３は、リードライトＩＣ（リードライトチャネル）８と接続されている。リードライトＩＣ８は、リード信号に対するＡ／Ｄ（アナログ／ディジタル）変換処理、ライトデータを符号化する処理及びリードデータを復号する処理等の各種の信号処理を実行する。
【００２２】
コントロールＩＣ９はＨＤＤの主コントローラをなし、ＨＤＤ内のモータドライバＩＣ６、ヘッドアンプＩＣ７及びリードライトＩＣ８等を制御する。コントロールＩＣ９には、ＨＤＤの温度を検知するための温度センサ１０が接続されている。
【００２３】
コントロールＩＣ９は、ＣＰＵ９１と、ＦＲＯＭ（Flash Read Only Memory）９２と、ＲＡＭ（Random Access Memory）９３とを含む。ＦＲＯＭ９２は、書き換え可能な不揮発性メモリである。このＦＲＯＭ９２には、モータドライバＩＣ６、ヘッドアンプＩＣ７及びリードライトＩＣ８等を制御するための制御プログラムが格納されている。また、ＦＲＯＭ９２には、後述するディレイテーブル９２１（図５参照）が格納される。ＲＡＭ９３の領域は、ＣＰＵ１７が使用するワーク領域等に割り当てられる。ＣＰＵ９１は、ＦＲＯＭ９２に格納されている制御プログラムを実行する。特にＣＰＵ９１は、温度センサ１０により検知された温度に最適な記録電流駆動のための設定を、ライトドライバ７１に対して実行する。
【００２４】
ここで、記録電流とオーバーライト特性、及び記録電流とＡＴＥ（Adjacent Track Erase）特性との、それぞれの関係について説明する。
一般に、ＨＤＤにおける記録媒体（磁気ディスク）へのデータ書き込みは、以前に書き込まれたデータに対して新たなデータを上書きすることにより、行われる。このため、ＨＤＤでは、上書きされる元のデータが完全に消されずに残されている状態を表す特性、つまりオーバーライト特性が重要となる。
【００２５】
オーバーライト特性を取得するには、まず記録媒体に、ある低周波数ｆ１で信号を書き込む。この記録媒体に書き込まれた信号をヘッドにより再生すると、当該ヘッドからは、周波数ｆ１のみにピークを持つ再生信号が出力される。次に、低周波数ｆ１で信号が書き込まれた記録媒体の領域に、高周波数ｆ２の信号を上書きする。この高周波数ｆ２の信号をヘッドにより再生すると、その再生信号は周波数ｆ２のピークを持つだけでなく、レベルは低いものの周波数ｆ１のピークをも持つ。つまり記録媒体には、周波数ｆ２の信号を上書きしたにも拘わらず、元の周波数ｆ１の信号が残留する。この周波数ｆ１の信号の残留成分の信号レベルＳ１に対する、周波数ｆ２の信号の信号レベルＳ２の比率Ｓ２／Ｓ１が、オーバーライト特性と呼ばれる。この比率Ｓ２／Ｓ１が小さいほど、オーバーライト特性が悪いことを示す。オーバーライト特性が悪いＨＤＤでは、元の書き込み信号の残留成分が多い。このようなＨＤＤでは、ヘッドにより再生される信号中に予期しない信号成分が含まれることから、誤情報の読み出しを招く。このため、オーバーライト特性は、ＨＤＤでの読み出し時のエラーレートと強い相関性を持っている。
【００２６】
図２に、後述する記録電流に対するオーバーシュート制御を適用しないＨＤＤで、記録電流を変化させたときのオーバーライト特性及びＡＴＥ特性を示す。図２において、黒三角を結ぶ曲線が記録電流に対するオーバーライト特性２０１を示し、黒丸を結ぶ曲線が記録電流に対するＡＴＥ特性２０２を示す。ここでは、温度ＴはＴ１であり、記録媒体の記録密度（トラック密度）ＴＰＩはＴＰＩ１であるものとする。
【００２７】
図２から明らかなように、記録電流を増加させるとオーバーライト特性が向上する。しかし、オーバーライト特性は、大方ある記録電流値で飽和する。したがって、それ以上記録電流を増加させてもオーバーライト特性が向上しないことが分かる。
【００２８】
さて、ＨＤＤでは一般に、記録電流を増加させると、記録素子からの洩れ磁束が生じる。この漏れ磁束は、本来記録すべきトラックに隣接する別のトラック上の磁性体を磁化させる可能性がある。ＡＴＥ特性は、上記記録素子からの洩れ磁束を表す指標の１つである。以下に、ＡＴＥ特性の定義を説明する。
【００２９】
ＡＴＥ特性を取得するには、まず、記録媒体上の、ある特定のトラックに隣接する１対のトラックに低周波数ｆ１で信号を書き込む。次に、上記隣接トラックに書き込まれた信号をヘッドにより再生し、その再生された信号の信号レベルＶ１を計測する。その後、上記特定トラックに、周波数ｆ１より数ＭＨｚ高い周波数ｆ２の信号を１００回程度書き込む。次に、上記特定トラックの隣接トラックから信号を読み出してその信号レベルＶ２を計測する。そして、Ｖ１に対するＶ２の比率を算出することにより、記録電流による隣接トラックへの影響を表すＡＴＥ特性を取得する。記録素子の特性上、当該記録素子からの洩れ磁束は、記録電流の増加に伴って大きくなる。したがって、ＡＴＥ特性は、記録電流を増加させるほど悪化する。このことは、図２のＡＴＥ特性２０２からも明らかである。つまり、図２のＡＴＥ特性２０２からは、記録電流を上げることによる、隣接トラックへの影響が伺える。
【００３０】
図２に示す２つの特性は共に十分なマージンをもって両立することが望ましい。図２の例では、記録電流を３６ｍＡ程度に設定することで、この条件を満たすことができる。
【００３１】
ところが、記録媒体は低温になるほど記録特性が悪化する。そこで図３に、低温条件下で記録電流を変化させたときのオーバーライト特性及３０１及びＡＴＥ特性３０２を示す。ここで、温度以外の条件は、図２の特性の場合と同様である。なお、温度ＴはＴ２であり、図２の例におけるＴ１より低い。
【００３２】
図３の例では、オーバーライト特性が飽和する記録電流値が、図２の例と比べて増加している。逆に、ＡＴＥ特性については、ＡＴＥ特性が悪化する記録電流が増加している。その理由は、低温条件下のために隣接トラックへの記録電流の影響が低下するためである。
【００３３】
しかし、今後の記録媒体の高記録密度化に伴うトラック密度ＴＰＩ（Track Per Inch）の増加を考えた場合、次の問題が生じることが予想される。つまり、オーバーライト特性とＡＴＥ特性を十分なマージンをもって両立させることが、非常に困難になることである。図４に、高トラック密度下で記録電流を変化させたときのオーバーライト特性４０１及びＡＴＥ特性４０２を示す。ここで、トラック密度以外の条件は、温度を含めて図３の特性の場合と同様である。なお、トラック密度ＴＰＩはＴＰＩ２であり、図３の例におけるＴＰＩ１より高い。図４から明らかなように、高トラック密度下では、低温で記録電流を増加させると、ＡＴＥ特性が悪化する。
【００３４】
このため、従来技術の欄で挙げた公報記載の技術では、記録媒体の記録密度の増加に伴って隣接トラックへの影響が問題となり、特に低温環境下での記録品質低下を防止できない。
【００３５】
そこで本実施形態では、記録電流のオーバーシュート部の電流（オーバーシュート電流）を調整することにより、この問題を解決するようにしている。
図５は、図１中のヘッドアンプＩＣ７における、オーバーシュート電流を制御する回路が付加されたライトドライバ周辺の構成を示す。
【００３６】
ライトドライバ７１は、電流源７１１と、ブリッジ回路７１２とを含む。電流源７１１は、図１中のヘッド２が有する記録素子２１に供給する記録電流Ｉｗを生成する。この電流源７１１が生成する記録電流Ｉｗの量は可変設定可能である。ライトドライバ７１は、電流源７１１から出力される記録電流Ｉｗを、ブリッジ回路７１２により制御信号ＷＸまたはＷＹに応じて記録素子２１に供給する。この記録素子２１を流れる記録電流Ｉｗの方向は、信号ＷＸ及びＷＹの状態で決まる。信号ＷＸ及びＷＹの状態は、リードライトＩＣ８から送られるライトデータの論理値によって決まる。このライトデータは、例えばＮＲＺＩ（Non-Return
ｔｏ  Ｚｅｒｏ  Ｉｎｖｅｒｓｅ）データである。
【００３７】
ブリッジ回路７１２は、ブリッジ接続された４つのトランジスタ７１２ａ，７１２ｂ，７１２ｃ及び７１２ｄから構成される。トランジスタ７１２ａ，７１２ｂ，７１２ｃ及び７１２ｄはスイッチング素子として用いられる。トランジスタ７１２ａ及び７１２ｂのスイッチングは、そのベースに供給される信号ＷＸに応じて制御される。また、トランジスタ７１２ｃ及び７１２ｄのスイッチングは、そのベースに供給される信号ＷＹに応じて制御される。ここで、信号ＷＸ及びＷＹが共に高レベル（論理“１”）となることはない。つまり、トランジスタ７１２ａ及び７１２ｂの対と、トランジスタ７１２ｃ及び７１２ｄの対が同時にＯＮすることはない。
【００３８】
ライトドライバ７１には、オーバーシュート制御回路７２と、ワンショット回路７３Ｘ及び７３Ｙとが接続されている。
オーバーシュート制御回路７２は、トランジスタ７２１及び７２２の対と、トランジスタ７２３及び７２４の対とから構成される。トランジスタ７２１及び７２２の対と、トランジスタ７２３及び７２４の対とは、それぞれトランジスタ７１２ｂとトランジスタ７１２ｄのベース電位を制御するベース電位制御回路を構成する。このベース電位制御により、記録素子２１を流れる記録電流Ｉｗのオーバーシュート部のピークが制御される。
【００３９】
ワンショット回路７３Ｘ及び７３Ｙは、それぞれ、信号ＷＸ及びＷＹが低レベル（第１の論理状態）から高レベル（第２の論理状態）に状態遷移する都度、時間Ｄ１及びＤ２後に一定時間だけ出現するパルスの列からなる信号ＤＸ及ＤＹを出力するパルス生成回路である。ここで、Ｄ１＝ＤＹ＝ｄiである。この時間（ディレイ時間）は、温度センサ１０により検知される温度Ｔをもとに、コントロールＩＣ９により可変設定される。コントロールＩＣ９内のＦＲＯＭ９２には、ディレイテーブル９２１が格納されている。このディレイテーブル９２１には、後述するように、予め定められた温度Ｔ毎に、その温度での最適なオーバーシュート電流を設定するためのディレイ時間（ディレイ量）ｄの情報が登録されている。
【００４０】
次に、本実施形態における記録電流のオーバーシュート電流の制御について、図６のタイミングチャートを参照して説明する。
まず、信号ＷＸ及びＷＹが、それぞれ、図６（ｂ）及び（ｃ）に示す状態にあるものとする。この状態で、オーバーシュート電流の制御を行わない場合、記録電流Ｉｗのオーバーシュート部の波形は、図６（ａ）で破線で示すようになる。これに対し、オーバーシュート電流を制御すると、記録電流Ｉｗのオーバーシュート部の波形は、図６（ａ）で実線で示すようになる。
【００４１】
さて、記録電流Ｉｗのオーバーシュート電流は次のように制御される。まず、ワンショット回路７３Ｘ及び７３Ｙは、それぞれ、信号ＷＸ及びＷＹが低レベルから高レベルに状態遷移する毎に、その時点から時間Ｄ１及びＤ２（Ｄ２＝Ｄ１＝ｄi）後に、図６（ｄ）及び（ｅ）に示すように、１つだけパルス６０１及び６０２を生成する。このパルス６０１及び６０２を含む信号ＤＸ及びＤＹは、オーバーシュート制御回路７２に入力される。
【００４２】
オーバーシュート制御回路７２内のトランジスタ７２１及び７２２の対は、信号ＤＸ中のパルス６０１に応じて、信号ＷＸの高レベルへの遷移時点からＤ１のディレイをもって、ブリッジ回路７１２内のトランジスタ７１２ｂのベース電位を下げる。また、オーバーシュート制御回路７２内のトランジスタ７２３及び７２４の対は、信号ＤＹ中のパルス６０２に応じて、信号ＷＹの高レベルへの遷移時点からＤ２のディレイをもって、ブリッジ回路７１２内のトランジスタ７１２ｄのベース電位を下げる。これにより、記録素子２１を流れる記録電流Ｉｗのオーバーシュート電流が減少する。つまり、オーバーシュート制御回路７２によりオーバーシュート電流のピーク値を制御することが可能となる。図６（ａ）から明らかなように、オーバーシュート電流を制御するここで、制御前の状態に比較して、オーバーシュート部の期間を短くすることができる。
【００４３】
図７及び図８は、図５に示すオーバーシュート制御回路７２が付加されたライトドライバ７１において、ディレイ時間Ｄ１，Ｄ２（Ｄ２＝Ｄ１＝ｄi）を可変して記録電流を計測した結果をまとめて示す。図７（ａ）及び（ｂ）は、それぞれディレイ時間がｄA及びｄBの場合の記録電流波形を示す。図８（ａ）及び（ｂ）は、それぞれディレイ時間がｄC及びｄDの場合の記録電流波形を示す。ここで、ｄA＜ｄB＜ｄC＜ｄDである。図から明らかなように、ｄAからｄDまで、ディレイ時間を増加させることにより、記録電流のオーバーシュートが順次増加する。つまり、ディレイ時間ｄA，ｄB，ｄC及びｄDに対応するオーバーシュート電流Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤのピーク値は、Ａ＜Ｂ＜Ｃ＜Ｄとなる。ここで、記録電流における、オーバーシュート後の安定した電流量自体は、ディレイ時間ｄA，ｄB，ｄC及びｄDに影響されない。つまり、記録電流の安定部は、ディレイ時間に無関係に同一電流量となる。
【００４４】
図９及び図１０は、図４の例と温度及びトラック密度が同一条件のもとで、図１のＨＤＤにおいてオーバーシュート制御を適用した場合のオーバーライト特性とＡＴＥ特性とを示す。ここで、図９（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図７（ａ）及び（ｂ）に示したオーバーシュート電流Ａ及びＢを適用した場合の、オーバーライト特性９０１とＡＴＥ特性９０２及びオーバーライト特性９０３とＡＴＥ特性９０４を示す。また、図１０（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図８（ａ）及び（ｂ）に示したオーバーシュート電流Ｃ及びＤを適用した場合の、オーバーライト特性１０１とＡＴＥ特性１０２及びオーバーライト特性１０３とＡＴＥ特性１０４を示す。
【００４５】
図７乃至図１０から明らかなように、オーバーライト特性はオーバーシュート電流を増加させるほど向上する。つまり、オーバーシュート電流の増加によって記録特性が向上する。これに対し、ＡＴＥ特性については、オーバーシュート電流を増加させても影響は殆どない。つまり本実施形態によれば、記録電流のオーバーシュート電流を制御することで、ＡＴＥ特性を犠牲にすることなく、オーバーライト特性を改善することができる。この改善により、高ＴＰＩ条件及び低温環境下での記録品質を改善することが可能となる。
【００４６】
ここで、オーバーシュート電流を、温度センサ１０により検知される温度に応じて制御することにより、種々の環境温度における最適なパフォーマンスを確保することができる。そのためには、予め定められた温度毎に、その温度に最適なオーバーシュート電流量を決定するディレイ時間ｄを登録したディレイテーブル９２１を用いるとよい。本実施形態では、このディレイテーブル９２１はＦＲＯＭ９２に格納されている。このディレイテーブル９２１のデータ構造例を図１２に示す。
【００４７】
コントロールＩＣ９（内のＣＰＵ９１）は、温度センサ１０の出力電圧の示す温度、つまり温度センサ１０により検知された温度に対応するディレイ時間ｄの情報をディレイテーブル９２１から読み取る。ここでは、ディレイテーブル９２１に登録されている温度のうち、検知された温度に最も近い温度に対応するディレイ時間ｄの情報が読み取られる。
【００４８】
この他、ディレイテーブル９２１に登録されている温度で示される温度範囲のうち、検知された温度が属する温度範囲の下限温度（または上限温度）に対応するディレイ時間ｄの情報が読み取られる構成であってもよい。この構成は、予め定められた温度範囲毎に、その温度範囲に対応するディレイ時間が登録されたディレイテーブルを用いる構成と等価である。
【００４９】
また、検知された温度が属する温度範囲の下限温度及び上限温度におけるディレイ時間を用いて、次式
ｄ＝｛（ｄ２−ｄ１）Ｔ＋（ｄ１Ｔ２−ｄ２Ｔ１）｝／（Ｔ２−Ｔ１）
に従い、線形補間によりディレイ時間ｄを決定してもよい。ここで、Ｔは検知された温度、Ｔ１及びＴ２は、検知された温度Ｔが属する温度範囲の、それぞれ下限温度及び上限温度である。また、ｄ１及びｄ２は、下限温度Ｔ１及び上限温度Ｔ２において、最適オーバーシュート電流を与えるディレイ時間である。
【００５０】
コントロールＩＣ９は、ディレイテーブル９２１から読み取ったディレイ時間ｄの情報からディレイ時間を決定し、それぞれＤ１及びＤ２として、ヘッドアンプＩＣ７内のワンショット回路７３Ｘ及び７３Ｙに設定する。
【００５１】
次に、最適なオーバーシュート電流を求めてディレイテーブル９２１に登録する処理について、図１１のフローチャートを参照して説明する。
まず、図１のＨＤＤの出荷時に、作業者は、当該ＨＤＤの環境温度Ｔを複数段階順次切り替え設定する。作業者は、環境温度Ｔを設定する毎に、図示せぬホスト装置から図１のＨＤＤのコントロールＩＣ９に対し、設定温度Ｔに対するディレイ時間ｄの最適化と登録とを指示するコマンドを入力させる。この一連の操作を自動化することも可能である。
【００５２】
コントロールＩＣ９は、上記コマンドに応じて、図１１のフローチャートに従う処理を開始する。まずコントロールＩＣ９は、予め定められている最低オーバーシュート電流に対応するディレイ時間を、Ｄ１及びＤ２として、ヘッドアンプＩＣ７内のワンショット回路７３Ｘ及び７３Ｙに設定する（ステップＳ１）。コントロールＩＣ９は、この状態で、テストデータをヘッド２により記録媒体１の対応する記録面の全トラック、または予め定められた複数トラックに記録する（ステップＳ２ａ）。そしてコントロールＩＣ９は、ＨＤＤにおけるエラーレートを測定する（ステップＳ２ｂ）。このエラーレート測定は、ステップＳ２ａで記録媒体１に記録されたデータをセクタ単位で読み込み、リードエラーとなったセクタの割合を求めることで実現される。
【００５３】
コントロールＩＣ９は、エーレート測定結果が予め定められた基準のエラーレート（しきい値）より大きいか否かを判定する（ステップＳ３）。もし、エラーレート測定結果が基準のエラーレートより大きいならば、コントロールＩＣ９はオーバーライト特性が不十分であると判断し、オーバーシュート電流を一定量（１段階）増加させるために、それに対応する時間だけ、ディレイ時間を増やす（ステップＳ４）。この状態で、コントロールＩＣ９は、再びエラーレートを測定する（ステップＳ３）。
【００５４】
これに対し、エラーレート測定結果が基準のエラーレートを超えていないならば、コントロールＩＣ９は、そのときのディレイ時間を現在設定されている温度Ｔにおける最適オーバーシュート電流値を与える最適ディレイ時間ｄであると判断する。この場合、コントロールＩＣ９は、温度Ｔとディレイ時間ｄとの対を含むエントリ情報を、図１２に示すデータ構造のディレイテーブル９２１に登録する（ステップＳ５）。コントロールＩＣ９は、以上の処理を、予め定められた温度毎に繰り返し実行することで、ディレイテーブル９２１を完成する。
【００５５】
［第１の変形例］
次に、本発明の実施の形態の第１の変形例について説明する。
図４に示したようなオーバーライト特性及びＡＴＥ特性は、記録媒体１及びヘッド２の特性に起因して、ばらつきを持った特性になることが予測される。例えば、本実施形態のように、記録媒体１の各記録面毎にヘッド２が配置されている場合、記録媒体１の保磁力のばらつきによりオーバーライト特性の飽和電流が各ヘッド２によって異なる可能性がある。また、各ヘッド２のトラック幅のばらつきによっては低い記録電流でもＡＴＥ特性が悪化することが予想される。このことから、記録電流そのものも最適化することにより、記録媒体１及び各ヘッド２の特性のばらつきが大きいＨＤＤにも対応することが可能となる。この場合、ディレイテーブル９２１を図１４に示すようにするとよい。即ち、各ヘッド２（ヘッドＨ）について、温度Ｔ毎に、最適なディレイ時間ｄと記録電流Ｉｗとを決定して、ディレイテーブル９２１に登録するとよい。
【００５６】
以下、各ヘッドについて、各温度毎に最適なディレイ時間と記録電流とを求めてディレイテーブル９２１に登録する処理について、図１３のフローチャートを参照して説明する。
【００５７】
まず、図１のＨＤＤの出荷時に、作業者は、当該ＨＤＤの環境温度Ｔを複数段階順次切り替え設定する。作業者は、環境温度Ｔを設定する毎に、ホスト装置から図１のＨＤＤのコントロールＩＣ９に対し、設定温度Ｔに対するヘッド別のディレイ時間ｄ及び記録電流Ｉｗの最適化と登録とを指示するコマンドを入力させる。コントロールＩＣ９は、このコマンドに応じて、各ヘッド別に、図１３のフローチャートに従う処理を開始する。ここでは、記録媒体１の各記録面に配置されているヘッドのうち、ヘッド２（Ｈ０）について、図１１のフローチャートに従う処理が行われるものとする。
【００５８】
まずコントロールＩＣ９は、ヘッドアンプＩＣ７に設けられたライトドライバ７１内の電流源７１１から出力される記録電流Ｉｗを、予め定められている電流量（ここでは２０ｍＡ）に設定する（ステップＳ１１）。次にコントロールＩＣ９は、第１のテストデータをヘッド２により記録媒体１の対応する記録面の全トラック、または予め定められた連続する複数トラックに記録する（ステップＳ１２）。次にコントロールＩＣ９は、エラーレートを測定する（ステップＳ１３）。このステップＳ１３でのエラーレート測定は、ステップＳ１２で記録媒体１に記録されたデータをセクタ単位で読み込み、エラーとなったセクタの割合を求めることで実現される。コントロールＩＣ９は、測定したエラーレートをＲＡＭ９３のアドレスＩに保存する（ステップＳ１４）。
【００５９】
さて、ステップＳ１３でデータが書き込まれた記録媒体１上の領域は、３つの連続するトラックからなるトラック組を単位に当該記録媒体１の半径方向に分割して管理される。コントロールＩＣ９は、このトラック組毎に、センターのトラックを除く２つのトラック、即ち当該センタートラックに隣接する２つのトラックに第２のテストデータを書き込む（ステップＳ１５）。コントロールＩＣ９は、この書き込みを、複数のトラック組の各々について、それぞれセンタートラックに隣接するトラックに対して行う。
【００６０】
次にコントロールＩＣ９は、上記複数のトラック組の各々について、それぞれセンタートラックからデータをセクタ単位で読み込み、エラーレートを求める（ステップＳ１６）。各トラック組のそれぞれセンタートラックには、ステップＳ１２で第１のテストデータが書き込まれている。もし、センタートラックに隣接するトラックへの第２のテストデータ書き込みで、当該センタートラックへの漏れ磁束による悪影響があるならば、ステップＳ１６で求められたエラーレートは、ステップＳ１３で求められたエラーレートより大きくなる。
【００６１】
そこでコントロールＩＣ９は、ステップＳ１６で求められたエラーレート（以下、第１のエラーレートと称する）が、ＲＡＭ９３のアドレスＩに保存されているエラーレート（以下、第２のエラーレートと称する）より大きいか否かを判定する（ステップＳ１７）。もし、第１のエラーレートが第２のエラーレートを超えていないならば、コントロールＩＣ９は漏れ磁束による悪影響がないものと判断し、記録電流Ｉｗを１段階（例えば２ｍＡ）だけ高い値に設定する（ステップＳ１８）。この状態で、コントロールＩＣ９はステップＳ１２乃至Ｓ１７を再度実行する。
【００６２】
これに対し、もし、第１のエラーレートが第２のエラーレートを超えているならば、コントロールＩＣ９は漏れ磁束による悪影響があるものと判断し、記録電流Ｉｗを１段階（２ｍＡ）だけ低い値に設定する（ステップＳ１９）。このステップＳ１９で設定された記録電流Ｉｗの値が、現在設定されている温度Ｔ及び現在選択されているヘッド２（Ｈ０）における最適記録電流量となる。
【００６３】
コントロールＩＣ９はステップＳ１９を実行すると、図１１のフローチャートのステップＳ１乃至Ｓ４に相当する処理（ステップＳ２０乃至Ｓ２３）を実行して、最適オーバーシュート電流に対応する最適ディレイ時間ｄを決定する。そしてコントロールＩＣ９は、ヘッド２のヘッド番号と温度Ｔとディレイ時間ｄと記録電流Ｉｗとの対を含むエントリ情報を図１４に示すデータ構造のディレイテーブル９２１に登録する（ステップＳ２４）。
【００６４】
［第２の変形例］
次に、本発明の実施の形態の第２の変形例について説明する。
図１５は記録媒体１の外周位置でのオーバーライト特性１５１及びＡＴＥ特性１５２を示す。図１６（ａ）は記録媒体１の中周位置でのオーバーライト特性１６１及びＡＴＥ特性１６２を、図１６（ｂ）は内周位置でのオーバーライト特性１６３及びＡＴＥ特性１６４を、それぞれ示す。図１５及び図１６から明らかなように、ＡＴＥ特性は、記録媒体１の半径位置によって異なる。つまり、記録媒体１の半径位置によって、隣接トラックへの洩れ磁束の影響度に違いが生じる。このため、記録媒体１の半径位置毎に最適記録電流及び最適オーバーシュート電流（ディレイ時間）も異なることが考えられる。そこで、記録電流及びオーバーシュート電流（ディレイ時間）について、記録媒体１の半径位置毎の最適化を行うならば、更に安定したパフォーマンスを確保することができる。具体的には、図１７に示すように、記録媒体１の記録面の領域１００を半径方向に複数ブロック、例えば３つのブロックＢ１，Ｂ２及びＢ３に分割し、そのブロック毎に記録電流及びオーバーシュート電流（ディレイ時間）を最適化するとよい。最適化には、図１３のフローチャートの示す手順が利用可能である。この場合のディレイテーブル９２１のデータ構造例を図１８に示す。なお、ヘッド別に半径位置毎の最適化を行うならば、安定したパフォーマンスを確保することができる。
【００６５】
上記実施形態及び当該実施形態の第１及び第２の変形例では、いずれも、ＨＤＤの出荷時に温度別に最適オーバーシュート電流（ディレイ時間）を設定している。しかし、出荷後の状態でも最適オーバーシュート電流（ディレイ時間）の設定を行うことは可能である。そのためには、例えば記録媒体１の記録面にユーザからアクセスできないダミーライト領域を確保するとよい。この場合、例えば図１１のフローチャートに従って、ダミーライト領域を対象にエラーレートの測定を行うことにより、最適なオーバーシュート電流（ディレイ時間）を設定することが可能となる。また、図１３のフローチャートに従って、ダミーライト領域を対象にエラーレートの測定を行うことにより、出荷後の状態でも、最適な記録電流及び最適なオーバーシュート電流（ディレイ時間）を設定することが可能となる。この設定処理は、例えば温度センサ１０により検知された温度がディレイテーブル９２１に登録されている温度の範囲から外れている場合に、コントロールＩＣ９により自動的に実行されるようにするとよい。そのためには、コントロールＩＣ９は、温度センサ１０により検知された温度を例えば定期的に監視するとよい。
【００６６】
［第３の変形例］
次に、本発明の実施の形態の第３の変形例について説明する。
図１９は、ＨＤＤの動作保証温度範囲温度（例えば０℃〜６０℃）における、温度センサ１０の出力電圧特性を示す。同図に示すように、本実施形態で適用される温度センサ１０の出力電圧は、少なくともＨＤＤの動作保証温度範囲では、温度に対して直線的に変化する。
【００６７】
図２０は、ＨＤＤの動作保証温度範囲における、温度（ＨＤＤの環境温度）と当該温度に対する最適ディレイ時間（最適オーバーシュート電流）との関係を示す。同図に示すように、最適ディレイ時間（最適オーバーシュート電流）は、ＨＤＤの動作保証温度範囲では、ＨＤＤの環境温度に対して直線的に変化する。
【００６８】
図１９に示す特性の温度センサ１０を用いた場合、最適ディレイ時間（オーバーシュート電流）は、図２０から明らかなように、温度センサ１０の出力電圧に対して直線的に変化する。したがって、最適オーバーシュート電流を与える最適ディレイ時間を温度センサ１０の出力電圧に応じて線形的に変化させるならば、図１のＨＤＤの使用状態において、その時点の環境温度に応じて最適オーバーシュート電流を動的に設定することが可能となる。
【００６９】
第３の変形例の特徴は、図１のＨＤＤの使用状態において、その時点の環境温度に応じて最適オーバーシュート電流（ディレイ時間）が動的に設定される構成としたことにある。図２１は、第３の変形例で適用される、ヘッドアンプＩＣ７における、オーバーシュート制御回路が付加されたライトドライバ周辺の構成を示す。なお、図５と同一部分には同一符号を付してある。
【００７０】
図２１の構成が図５の構成と相違する点は、ワンショット回路７３Ｘ及び７３Ｙに代えて、ワンショット回路７３０Ｘ及び７３０Ｙが用いられていることにある。ワンショット回路７３０Ｘ及び７３０Ｙは、それぞれ、信号ＷＸ及びＷＹが低レベルから高レベルに状態遷移する都度、温度センサ１０の出力電圧（の示す温度Ｔ）に比例した時間Ｄ１及びＤ２（Ｄ２＝Ｄ１）後に一定時間だけ高レベルとなるパルスの列からなる信号ＤＸ及ＤＹを出力する。これにより、ＨＤＤの環境温度に応じて最適なディレイ時間が動的に設定される。よって、第３の変形例においては、コントロールＩＣ９の制御なしに、且つディレイテーブル９２１を用意することなく、最適なオーバーシュート電流を自動設定することができる。
【００７１】
上記実施形態においては、本発明を磁気ディスク装置（ＨＤＤ）に適用した場合について説明した。しかし本発明は、光ディスク装置、光磁気ディスク装置などのディスク記憶装置全般に適用することができる。
【００７２】
なお、本発明は、上記実施形態及びその変形例に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態及びその変形例には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、上記実施形態またはその変形例に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００７３】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、ディスク記憶装置の環境温度に応じて記録電流のうちのオーバーシュート電流を変化させることにより、ＡＴＥ特性に影響を及ぼすことなく、オーバーライト特性を向上させ、特に低温環境下での記録品質を向上させることができる。これにより、高記録密度化が進んでも温度マージンと記録密度マージンの双方を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図２】記録電流に対するオーバーシュート制御を適用しない状態で、記録電流を変化させたときのオーバーライト特性及びＡＴＥ特性を示す図。
【図３】記録電流に対するオーバーシュート制御を適用しない状態で且つ低温条件下で記録電流を変化させたときのオーバーライト特性及びＡＴＥ特性を示す図。
【図４】記録電流に対するオーバーシュート制御を適用しない状態で且つ低温条件下、高トラック密度下で記録電流を変化させたときのオーバーライト特性及びＡＴＥ特性を示す図。
【図５】図１中のヘッドアンプＩＣ７における、オーバーシュート電流を制御する回路が付加されたライトドライバ周辺の構成を示す図。
【図６】同実施形態におけるオーバーシュート電流の制御を説明するためのタイミングチャート。
【図７】図５に示すオーバーシュート制御回路７２が付加されたライトドライバ７１において、ディレイ時間を可変して記録電流を計測した結果を示す図。
【図８】図５に示すオーバーシュート制御回路７２が付加されたライトドライバ７１において、ディレイ時間を可変して記録電流を計測した結果を示す図。
【図９】図４の例と温度及びトラック密度が同一条件のもとで、図１のＨＤＤにおいてオーバーシュート制御を適用した場合のオーバーライト特性とＡＴＥ特性とを示す図。
【図１０】図４の例と温度及びトラック密度が同一条件のもとで、図１のＨＤＤにおいてオーバーシュート制御を適用した場合のオーバーライト特性とＡＴＥ特性とを示す図。
【図１１】同実施形態において最適なオーバーシュート電流を求めてディレイテーブル９２１に登録する処理を説明するためのフローチャート。
【図１２】同実施形態で適用されるディレイテーブル９２１のデータ構造例を示す図。
【図１３】同実施形態の第１の変形例において、各ヘッドについて、温度毎に最適なディレイ時間と記録電流とを求めてディレイテーブル９２１に登録する処理を説明するためのフローチャート。
【図１４】同第１の変形例で適用されるディレイテーブル９２１のデータ構造例を示す図。
【図１５】記録媒体１の外周位置でのオーバーライト特性及びＡＴＥ特性を示す図。
【図１６】記録媒体１の中周位置と内周位置のそれぞれの位置でのオーバーライト特性及びＡＴＥ特性を示す図。
【図１７】同実施形態の第２の変形例において、記録電流及びオーバーシュート電流（ディレイ時間）の最適化の単位となる、記録媒体１上のブロックを説明するための図。
【図１８】同第２の変形例で適用されるディレイテーブル９２１のデータ構造例を示す図。
【図１９】温度センサ１０の温度に対する出力電圧特性を示す図。
【図２０】温度と当該温度に対する最適ディレイ時間（最適オーバーシュート電流）との関係を示す図。
【図２１】同実施形態の第３の変形例で適用される、オーバーシュート電流を制御する回路が付加されたライトドライバ周辺の構成を示す図。
【符号の説明】
１…記録媒体
２…ヘッド
７…ヘッドアンプＩＣ
８…リードライトＩＣ
９…コントロールＩＣ（主制御回路）
１０…温度センサ
２１…記録素子
７１…ライトドライバ
７２…オーバーシュート制御回路
７３Ｘ，７３Ｙ，７３０Ｘ，７３０Ｙ…ワンショット回路
９１…ＣＰＵ
９２…ＦＲＯＭ
９３…ＲＡＭ
７１１…電流源
７１２…ブリッジ回路
９２１…ディレイテーブル
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３…ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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