(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置に用いられる薄膜配線基板であって、
前記半導体チップを搭載した際に前記接続端子を露出させる開口部と、
一端が前記開口部に配置されるリードに繋がりかつ他端がバンプランドと電気的に接続される配線が設けられた基板本体部と、
前記基板本体部および前記開口部の外方に突出して形成された基板突出部とを有し、
複数の前記リードを個々の前記リードに分離する際に、各々の前記リードを連結して前記開口部に配置された連結パターンと前記リードとを含む領域から成る配線打ち抜き部を型切断により打ち抜いて分離したことにより、基板突出部側に形成された残留パターンの切断面が平坦に形成されていることを特徴とする薄膜配線基板。
【請求項２】
主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置に用いる薄膜配線基板の製造方法であって、
前記薄膜配線基板の基材であるテープ基材を準備する工程と、
前記薄膜配線基板に前記半導体チップを搭載した際に前記接続端子を露出させる開口部を前記テープ基材に形成する工程と、
前記テープ基材に配線用の金属箔を形成する工程と、
前記金属箔を加工することにより、前記開口部において前記接続端子と電気的に接続する複数のリードをリード相互に連結パターンで連結させて形成するとともに、一端が前記リードに繋がりかつ他端がバンプランドと電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記連結パターンを介して個々の前記リードと前記配線とに給電を行った後、各々の前記リードを連結して前記開口部に配置された前記連結パターンと前記リードとを含む領域から成る配線打ち抜き部を型切断によって打ち抜くことにより、連結された前記リードを個々の前記リードに分離する工程とを有することを特徴とする薄膜配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の薄膜配線基板の製造方法であって、前記型切断によって前記配線打ち抜き部を打ち抜く際に、隣接する少なくとも２つの前記リードに対応した前記配線打ち抜き部を、打ち抜き後の前記配線打ち抜き部が一体に形成されるように打ち抜くことを特徴とする薄膜配線基板の製造方法。
【請求項４】
主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置に用いる薄膜配線基板の製造方法であって、
前記薄膜配線基板の基材であるテープ基材を準備する工程と、
前記薄膜配線基板に前記半導体チップを搭載した際に前記接続端子を露出させる開口部を前記テープ基材に形成する工程と、
前記テープ基材に配線用の金属箔を形成する工程と、
前記金属箔を加工することにより、前記開口部において前記接続端子と電気的に接続する複数のリードをリード相互に連結パターンで連結させて形成するとともに、一端が前記リードに繋がりかつ他端がバンプランドと電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記連結パターンを介して個々の前記リードと前記配線とに給電を行った後、前記開口部において、前記連結パターンと前記リードとを含む領域から成る配線打ち抜き部を型切断によって打ち抜くことにより、連結された前記リードを個々の前記リードに分離する工程とを有する薄膜配線基板の製造方法であって、前記型切断を行う際に、切断刃の幅が２００μｍ以下の切断型を用いることを特徴とする薄膜配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に用いられる薄膜配線基板に関し、特に、ＣＳＰ（Chip Size Package)で用いられる薄膜配線基板において、連結されたリードを効率良く個々のリードに分離する薄膜配線基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
薄形および小形化を図る半導体装置の一例として、チップサイズの半導体装置であるＣＳＰが知られており、このＣＳＰでは、主に、ポリイミドフィルムなどから成る薄膜配線基板が用いられている。
【０００４】
前記薄膜配線基板の製造工程において、薄膜配線基板のテープ基材上で連結して形成された銅箔（金属箔）の個々のリードを切断して分離する方法としては、例えば、以下の２つの方法がある。
【０００５】
まず、一方の切断・分離方法は、薄膜配線基板のリード側の領域を型切断によって切断するものである。
【０００６】
また、他方の切断・分離方法は、個々のリードの切断箇所にノッチ（切り欠き）を形成し、リードのボンディング時に、ボンディングツールを用い、かつこのボンディングツールによるボンディング動作時にリードを一本ごとに切断して分離するものである。
【０００７】
なお、半導体装置に用いるフレキシブルプリント板（薄膜配線基板）の製造方法については、例えば、特公昭５６−２７９５号公報に記載されており、そこには、個々のリードに分離して先端自由の状態に形成したリード（この状態のリードをビーム形状のリードともいう）の後工程における保護技術が記載されている。
【０００８】
つまり、特公昭５６−２７９５号公報に記載された技術は、前記ビーム形状のリードにフィンガー接続部を設けることにより、前記ビーム形状のリードの後工程における保護を可能にし、さらに、前記フィンガー接続部を電解メッキ用共通電極端子としても使用可能にするものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術のうち、薄膜配線基板のリードの領域を型切断によって切断・分離する方法においては、切断後の切断くずが細かく形成されるため、切断くずが切断刃に付着した際、その後、切断くずが切断刃によって切断型内に取り込まれ（この現象を、以降、切断くず上がり現象という）、その結果、切断くずが切断刃の摺動時に切断刃を摩耗させたり、あるいは、切断刃を損傷させるなどして切断刃の寿命を短くすることが問題とされる。
【００１０】
また、リードの切断箇所にノッチを形成し、ボンディングツールによるボンディング動作時にリード一本ごとに切断して分離する方法においては、リードを一本ごとに切断して分離するため、この切断に要する時間が長く掛かる。
【００１１】
その結果、薄膜配線基板の製造性の効率が悪いことが問題とされる。
【００１２】
さらに、特公昭５６−２７９５号公報に記載されたビーム形状のリードの後工程における保護技術については、フィンガー接続部を取り付ける工程の増加やフィンガー接続部を設けたことによる薄膜配線基板の製造コストの増加などの問題点が挙げられる。
【００１３】
本発明の目的は、薄膜配線基板のリードを切断する切断型の切断刃の長寿命化と薄膜配線基板の製造性の効率の向上とを図る薄膜配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
すなわち、本発明の薄膜配線基板は、主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置に用いられるものであり、前記半導体チップを搭載した際に前記接続端子を露出させる開口部と、一端が前記開口部に配置されるリードに繋がりかつ他端がバンプランドと電気的に接続される配線が設けられた基板本体部と、前記基板本体部および前記開口部の外方に突出して形成された基板突出部とを有し、複数の前記リードを個々の前記リードに分離する際に、各々の前記リードを連結して前記開口部に配置された連結パターンと前記リードとを含む領域から成る配線打ち抜き部を型切断により打ち抜いて分離したことにより、基板突出部側に形成された残留パターンの切断面が平坦に形成されているものである。
【００１７】
また、本発明の薄膜配線基板の製造方法は、主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置に用いるものであり、前記薄膜配線基板の基材であるテープ基材を準備する工程と、前記薄膜配線基板に前記半導体チップを搭載した際に前記接続端子を露出させる開口部を前記テープ基材に形成する工程と、前記テープ基材に配線用の金属箔を形成する工程と、前記金属箔を加工することにより、前記開口部において前記接続端子と電気的に接続する複数のリードをリード相互に連結パターンで連結させて形成するとともに、一端が前記リードに繋がりかつ他端がバンプランドと電気的に接続する配線を形成する工程と、前記連結パターンを介して個々の前記リードと前記配線とに給電を行った後、各々の前記リードを連結して前記開口部に配置された前記連結パターンと前記リードとを含む領域から成る配線打ち抜き部を型切断によって打ち抜くことにより、連結された前記リードを個々の前記リードに分離する工程とを有するものである。
【００１８】
これにより、前記配線打ち抜き部を型切断によって打ち抜くことにより、小形の切断刃を用いた際にも切断くずの大きさを比較的大きく形成できる。
【００１９】
その結果、切断くずが大きいため、この切断くずが切断刃に付着した際にも、切断刃によって切断くずが切断型内に取り込まれる切断くず上がり現象の発生を抑えることができる。
【００２０】
したがって、切断刃の摺動時の摩耗や損傷を低減でき、その結果、切断刃の長寿命化を図ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２２】
図１は本発明の実施の形態による薄膜配線基板の構造の一例を示す図であり、（ａ）は部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面を示す断面図、図２は図１に示す薄膜配線基板の仕様の一例を示す仕様説明図、図３〜図８は本発明の実施の形態による薄膜配線基板の製造プロセスの一例を示す図であり、それぞれの（ａ) は部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、図９は図６（ａ）のＢ部を示す図であり、（ａ) は切断前のリードの拡大部分平面図、（ｂ）は切断後のリードの拡大部分平面図、図１０は本発明の実施の形態の薄膜配線基板の製造プロセスにおけるリード切断前と切断後の薄膜配線基板の状態の一例を示す図であり、（ａ) は切断前の拡大部分断面図、（ｂ）は切断後の拡大部分断面図、図１１は本発明の実施の形態の薄膜配線基板の製造プロセスにおけるリード切断前と切断後のリードの構造の一例を示す図であり、（ａ) は切断前の拡大部分斜視図、（ｂ）は切断後の拡大部分斜視図、図１２は本発明の実施の形態の薄膜配線基板の製造プロセスにおいてリードを切断した際に形成される切断くずの形状の一例を示す拡大部分斜視図、図１３は本発明の実施の形態の薄膜配線基板を用いて製造された半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図１４は図１３に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１３のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１３のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１３のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【００２３】
図１に示す本実施の形態の薄膜配線基板４は、主面１ａの外周部に電極パッド１ｂ（接続端子）が設けられた半導体チップ１を有するチップサイズの半導体装置（図１３に示すＣＳＰ１１）に用いられるものであり、本実施の形態では、長方形の半導体チップ１（図１３参照）の主面１ａにおいて、この主面１ａの長手方向に直角な方向（以降、短辺方向と呼ぶ）の対向する２辺の外周部にのみそれぞれ複数個（図１３に示すＣＳＰ１１では片側６個であるが、図１から図１２に示す薄膜配線基板４およびその製造方法で説明する薄膜配線基板４は、片側に１５個の電極パッド１ｂを有する半導体チップ１に対応するものであり、半導体チップ１の主面１ａの外周部に設けられる電極パッド１ｂの数は特に限定されるものではない）の電極パッド１ｂが設けられている場合について説明する。
【００２４】
図１〜図９を用いて、本実施の形態の薄膜配線基板４の構造について説明すると、半導体チップ１を搭載した際に電極パッド１ｂを露出させる２つの開口部４ｅと、一端が開口部４ｅに配置されるリード４ｃに繋がりかつ他端がバンプランド４ｆと電気的に接続される配線４ｄが設けられた基板本体部４ａと、基板本体部４ａおよび開口部４ｅの外方周囲に突出して（張り出して）形成された基板突出部４ｂとからなり、１５本のリード４ｃを個々のリード４ｃに分離する際に、各々のリード４ｃを連結して開口部４ｅに配置された連結パターン４ｍ（図９参照）において、連結パターン４ｍとリード４ｃとを含む領域から成る配線打ち抜き部４ｎを型切断により打ち抜いて分離したことにより、基板突出部４ｂ側に形成された残留パターン４ｐの切断面４ｑが平坦に形成されているものである。
【００２５】
すなわち、図９（ａ）に示すように、連結パターン４ｍによって連結された１５本のリード４ｃを型切断する際に、連結パターン４ｍとそれぞれのリード４ｃとを含む領域（連結パターン４ｍとそれぞれのリード４ｃとに跨がった領域）からなる凸状（基板突出部４ｂ側を平坦とする）の配線打ち抜き部４ｎを型切断し、これによって、図９（ｂ）に示すように、基板突出部４ｂ側に形成された残留パターン４ｐの切断面４ｑが、リード４ｃとの連結箇所を残すことなく平坦に形成されている。
【００２６】
なお、本実施の形態では、１回の切断によって片側１５本のリード４ｃを全て同時に切断する場合を説明する。
【００２７】
ここで、図１、図２および図９を用いて、薄膜配線基板４における各部材の仕様について説明する。
【００２８】
薄膜配線基板４は、そのテープ基材４ｇが、ポリイミド樹脂によって形成された絶縁性フィルムとしてのポリイミドフィルムであり、その厚さは２５〜７５μｍ程度である。
【００２９】
また、このポリイミドフィルムは、その表裏面のうちの一方の面に軟質銅からなる図５に示す銅箔４ｈ（金属箔）の配線４ｄがエポキシ系の接着剤４ｔ（図３（ｂ）参照）によって接着されており、この配線４ｄ（リード４ｃおよびバンプランド４ｆを含む）は、厚さ１８〜３５μｍ程度のものである。
【００３０】
ただし、配線４ｄは、例えば、銅箔４ｈ以外の金属箔によって形成されていてもよい。
【００３１】
さらに、この配線４ｄの表面には、めっきが施されており、この際、被覆するめっきは、1.５μｍ厚の両面Ａｕめっきか、または、図１３に示す電極パッド１ｂ側とバンプ電極２側とでその厚さを変えたＡｕ／Ｎｉめっきなどであるが、Ａｕめっきの場合、Ｎｉ下地Ａｕめっきであってもよい。
【００３２】
また、銅箔４ｈからなる配線４ｄの硬さは、ボンディング時に、ビッカース硬さで１３０以下であることが望ましい。
【００３３】
これは、半導体装置用として一般に用いられる電解銅箔は、硬さが大きく、かつ熱処理によっても軟化しにくい特性を有することにより、不適当であるためである。
【００３４】
したがって、低温で軟化可能な圧延銅箔を用い、銅箔製造工程、薄膜配線基板４の製造工程中、または、完成された薄膜配線基板４の段階で半導体チップ１搭載前に熱処理することにより、１３０以下のビッカース硬さにすることが望ましい。
【００３５】
次に、本実施の形態による薄膜配線基板の製造方法について説明する。
【００３６】
まず、図３（ａ),（ｂ）に示すように、薄膜配線基板４（図１参照）の基材であるポリイミド樹脂からなり、かつ一方の面にエポキシ系の接着剤４ｔを有する厚さ約５０μｍのテープ基材４ｇ（ポリイミドフィルム）を準備する。
【００３７】
続いて、図４（ａ) に示すように、打ち抜き加工によって、テープ基材４ｇの両側部にテープ送り用の基準孔４ｉ（スプロケットホールともいう）をほぼ等間隔に形成する（パンチングする）。
【００３８】
さらに、図４（ａ),（ｂ）に示すように、同じく打ち抜き加工によって、テープ基材４ｇに３０個のバンプ用開口部４ｊとその両側に２つの配線接合用の開口部４ｅとを形成する（パンチングする）。
【００３９】
なお、開口部４ｅは、図１３に示す薄膜配線基板４に半導体チップ１を搭載した際に、半導体チップ１の電極パッド１ｂを露出させるものである。
【００４０】
その後、図５（ａ),（ｂ）に示すように、テープ基材４ｇに配線用の銅箔４ｈ（金属箔）を積層して張り付ける（ラミネートする）。
【００４１】
ここでは、例えば、厚さ約１８μｍの無酸素銅圧延箔を熱ロールによってラミネートし、さらに、約１７０℃の温度で４時間程度加熱してエポキシ系の接着剤４ｔを硬化させる。
【００４２】
その後、銅箔４ｈをフォトエッチング加工することにより、図６（ａ),（ｂ）に示すように、開口部４ｅにおいて電極パッド１ｂ（図１３参照）と電気的に接続する１５本のリード４ｃをリード相互に連結パターン４ｍにより連結させて形成するとともに、一端がリード４ｃに繋がりかつ他端がバンプランド４ｆと電気的に接続する配線４ｄを形成する。
【００４３】
すなわち、フォトエッチングによって、図５に示す銅箔４ｈの不要箇所を除去し、これにより、幅３０μｍの各々の配線４ｄとこれに繋がるリード４ｃ（片側１５本、合計３０本のリード４ｃ）とを形成する。
【００４４】
これにより、配線４ｄに繋がるリード４ｃ、さらに、バンプランド４ｆや給電ライン４ｋを含む配線パターンを形成する。
【００４５】
なお、この給電ライン４ｋは、銅箔４ｈから形成した前記配線パターンの表面に金めっき層４ｒ（図７参照）を形成した後、この金めっき層４ｒを電気反応させるために、隣接する給電ライン４ｋ同士が連結されていなければならない。
【００４６】
続いて、図７（ａ),（ｂ）に示すように、配線４ｄとこれに繋がるリード４ｃおよびバンプランド４ｆや給電ライン４ｋの表面に電解めっきによる金めっき加工を行って、表面に金めっき層４ｒを形成する。
【００４７】
この際の金めっきの仕様は、図２に示す配線めっきの仕様であり、厚さ1.５μｍの金めっき（図２に示す配線めっきの▲１▼のもの）であっても、金とニッケルとの差厚めっき（図２に示す配線めっきの▲２▼のもの）であってもよく、また、それ以外のめっき（例えば、厚さ１μｍの金めっきなど）であってもよい。
【００４８】
その後、給電ライン４ｋと連結パターン４ｍを介して個々のリード４ｃと配線４ｄとに給電を行い、給電後、図９（ａ）に示すように、開口部４ｅにおいて、連結パターン４ｍとリード４ｃとを含む領域から成る配線打ち抜き部４ｎを型切断によって打ち抜くことにより、連結されていたリード４ｃを図９（ｂ）に示すように個々のリード４ｃに分離する。
【００４９】
その際、図１０または図１１（ａ）に示すような切断型６を用いて、図９（ａ）に示す凸状の配線打ち抜き部４ｎを型切断によって切断する（打ち抜く）。
【００５０】
なお、本実施の形態では、１回の型切断によって、半導体チップ１（図１３参照、ただし、図１３に示す半導体チップ１においては片側に６個の電極パッド１ｂが形成されている）の主面１ａの電極パッド１ｂに対応した薄膜配線基板４（図１参照）の片側１５本のリード４ｃを全て同時に切断分離する。
【００５１】
その結果、連結パターン４ｍとそれぞれのリード４ｃとを含む領域（連結パターン４ｍとそれぞれのリード４ｃとに跨がった領域）からなる凸状（基板突出部４ｂ側を平坦とする）の配線打ち抜き部４ｎを型切断することにより、図９（ｂ）に示すように、基板突出部４ｂ側に形成された残留パターン４ｐの切断面４ｑが、リード４ｃとの連結箇所を残すことなく平坦に形成される。
【００５２】
さらに、図１０（ｂ）に示す切断後の切断くず４ｓが、図９（ａ）に示すリード４ｃごとにばらけることなく、図１２に示すように、切断くず４ｓの形状を、１５本のリード４ｃ分が一体となった大きいサイズの切断くず４ｓとすることができる。
【００５３】
ここで、切断型６は、図１０（ａ),（ｂ）に示すように、切断刃６ｄを有するパンチ６ｅが取り付けられた打ち抜き型６ａと、パンチ６ｅの下降を停止させるストリッパ６ｂと、薄膜配線基板４（図１参照）を搭載するとともに、切断くず４ｓを外部に案内するダイ６ｃとを備えている。
【００５４】
また、本実施の形態においては、型切断を行う際に、切断型６の切断刃６ｄの幅が２００μｍ以下（５０〜２００μｍ）、好ましくは、１００〜１５０μｍ程度の小形の切断刃６ｄを備えた切断型６を用いて切断する。
【００５５】
これにより、切断後のリード４ｃの形状を図１１（ｂ）に示すようなビーム形状４ｌに形成できる。
【００５６】
さらに、１２５μｍ程度の小形の切断刃６ｄを用いることにより、リード４ｃを切断加工した箇所の寸法を１２５μｍ程度に形成することができ、その結果、半導体チップ１（図１３参照）を搭載した際の半導体チップ１と基板突出部４ｂとの距離を短くすることができる。
【００５７】
これにより、図１３，図１４に示すようなＣＳＰ１１の組み立てにおいては、封止部５を形成する際の封止領域を狭くできるため、ＣＳＰ１１における封止性を向上できる。
【００５８】
また、半導体チップ１と基板突出部４ｂとの前記距離を短くすることができるため、ＣＳＰ１１の外形の小形化を図ることができる。
【００５９】
なお、図１０（ａ）と図１０（ｂ）に示す順序で型切断を行ったことにより、図８（ａ),（ｂ）に示すような薄膜配線基板４を製造できる。
【００６０】
次に、本実施の形態の薄膜配線基板４を用いて製造する図１３および図１４に示すＣＳＰ１１の概略構造を説明する。
【００６１】
ＣＳＰ１１は、パッケージサイズがチップサイズに近似した小形のものであり、複数の半導体素子が形成された主面１ａとその主面１ａの外周部に電極パッド１ｂが形成された半導体チップ１を有するとともに、半導体チップ１の内方に外部端子であるバンプ電極２が配置された周辺パッドタイプのファンインＣＳＰである。
【００６２】
したがって、ＣＳＰ１１は、外部端子がバンプ電極２であるため、ボール・グリッド・アレイでもある。
【００６３】
前記ＣＳＰ１１の構造について説明すると、電極パッド１ｂを露出させて半導体チップ１の主面１ａ上に配置されたエラストマ３と、リード４ｃを含む配線４ｄが設けられた基板本体部４ａを備えかつ電極パッド１ｂを露出させる開口部４ｅが設けられるとともに、開口部４ｅおよび半導体チップ１の外方に突出する基板突出部４ｂを備えた薄膜配線基板４と、半導体チップ１の電極パッド１ｂおよび薄膜配線基板４のリード４ｃを封止する封止部５とからなり、薄膜配線基板４における基板本体部４ａと基板突出部４ｂとが一体に形成されているものである。
【００６４】
なお、図１３および図１４に示すＣＳＰ１１は、その半導体チップ１の電極パッド１ｂの数が１２個の場合であり、したがって、外部端子であるバンプ電極２の数も１２個であるが、図１に示す薄膜配線基板４（バンプランド４ｆの数が３０個）を用いた場合、ＣＳＰ１１におけるバンプ電極２の数も３０個になることは言うまでもない。
【００６５】
本実施の形態の薄膜配線基板およびその製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００６６】
すなわち、連結パターン４ｍによって連結されたリード４ｃを個々のリード４ｃに分離する際に、連結パターン４ｍとリード４ｃとを含む領域から成る凸状の配線打ち抜き部４ｎを型切断によって打ち抜くことにより、小形の切断刃６ｄを有する切断型６を用いた際にも切断くず４ｓの大きさを比較的大きく形成できる。
【００６７】
したがって、切断くず４ｓが大きいため、この切断くず４ｓが切断刃６ｄに付着した際にも、切断刃６ｄによって切断くず４ｓが切断型６内に取り込まれる切断くず上がり現象の発生を抑えることができる。
【００６８】
これにより、切断刃６ｄの摺動時の摩耗や損傷を低減でき、その結果、切断刃６ｄの長寿命化を図ることができる。
【００６９】
さらに、前記切断くず上がり現象の発生を抑えることができるため、リード４ｃの切断異常を防止できる。
【００７０】
また、配線打ち抜き部４ｎを型切断によって打ち抜くことにより、一度の切断で複数のリード４ｃ（例えば、複数個の半導体装置分のリード４ｃ）を同時に切断することができる。
【００７１】
これにより、リード４ｃの切断効率を向上できる。
【００７２】
その結果、薄膜配線基板４の製造性の効率を向上させることができる。
【００７３】
また、配線打ち抜き部４ｎを型切断によって打ち抜くことにより、リード４ｃの切断箇所へのノッチの形成が不要となり、薄膜配線基板４の製造工程を簡略化できる。
【００７４】
さらに、切断くず４ｓが大きいため、切断くず４ｓの回収などの後処理を容易に行うことができ、その結果、前記同様、薄膜配線基板４の製造性の効率を向上させることができる。
【００７５】
なお、配線打ち抜き部４ｎを型切断により打ち抜く際に、隣接する複数のリード４ｃに対応した凸状の配線打ち抜き部４ｎの領域を打ち抜くことにより、この配線打ち抜き部４ｎが連結パターン４ｍの領域を含んでいるため、打ち抜き後の配線打ち抜き部４ｎ（切断くず４ｓ）をリード４ｃごとに分割することなく、複数のリード４ｃに対して切断くず４ｓを一体に形成できる。
【００７６】
したがって、打ち抜かれた配線打ち抜き部４ｎすなわち切断くず４ｓをリード４ｃごとに分離させることなくさらに大きく形成できる（図１２参照）ため、前記同様、切断くず４ｓの回収などの後処理を容易に行うことができ、その結果、薄膜配線基板４の製造性の効率を向上できるとともに、前記切断くず上がり現象の発生を抑えることができる。
【００７７】
また、型切断を行う際に、切断刃６ｄの幅が２００μｍ以下の切断型６を用いることにより、薄膜配線基板４に半導体チップ１を搭載した際の半導体チップ１と薄膜配線基板４の連結パターン４ｍとの距離、すなわち、半導体チップ１と基板突出部４ｂとの距離を短くできる。
【００７８】
これにより、ＣＳＰ１１（半導体装置）における封止部５の領域を狭くでき、その結果、封止部５における封止性を向上できるとともに、ＣＳＰ１１の小形化を図ることができる。
【００７９】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００８０】
例えば、前記実施の形態で説明した薄膜配線基板４の仕様（図２参照）は、最適なものの一例であり、必ずしも、図２に示したものに限定されるものではない。
【００８１】
また、前記実施の形態では、リード４ｃの型切断を行う際に、片側の１５本のリード４ｃに対応した配線打ち抜き部４ｎを一括して切断する場合を説明したが、リード４ｃの一本ごとの配線打ち抜き部４ｎを型切断によって切断してもよく、また、複数本のリード４ｃをまとめて切断する場合、１５本に限らず、少なくとも隣接する２本のリード４ｃに対応した配線打ち抜き部４ｎを切断すれば、その数は、何本であってもよい。
【００８２】
その際には、切断後（打ち抜き後）の切断くず４ｓ（配線打ち抜き部４ｎ）をリード４ｃの本数に係わらず一体に形成できる。
【００８３】
なお、前記実施の形態においては、半導体チップ１が長方形の場合について説明したが、半導体チップ１は正方形であってもよい。
【００８４】
さらに、半導体チップ１に設けられる電極パッド１ｂの設置箇所についても、半導体チップ１の主面１ａの外周部であれば、両端部に限らず、例えば、外周全体に設けられていてもよい。
【００８５】
すなわち、半導体チップ１の主面１ａの外周４辺に電極パッド１ｂが設けられている場合であっても、前記実施の形態の薄膜配線基板４およびその製造方法を適用することは可能である。
【００８６】
その際、電極パッド１ｂの数およびバンプ電極２の数についても、１２個もしくは３０個に限定されるものではなく、１２個以下であっても、あるいは、１３〜２９個、さらには、３０個以上であってもよい。
【００８７】
なお、電極パッド１ｂが、半導体チップ１の主面１ａの外周４辺に設けられている場合には、枠状の切断刃６ｄによって一括して切断することにより、切断くず４ｓの形状も一体形の枠状にできる。ただし、この場合には、リード４ｃの型切断後に、薄膜配線基板４における基板本体部４ａと基板突出部４ｂとの接続を図る必要がある。
【００８８】
また、薄膜配線基板４の開口部４ｅの形状についても、長方形に限定されるものではなく、半導体チップ１の電極パッド１ｂを露出可能な形状であれば、長方形以外の形状であってもよい。
【００８９】
さらに、前記実施の形態の薄膜配線基板４が用いられる半導体装置についても、前記実施の形態で説明したＣＳＰ１１に限定されるものではなく、主面１ａの外周部に電極パッド１ｂが設けられた半導体チップ１を有するチップサイズのものであれば、他の構造のものであってもよい。
【００９０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００９１】
（１）．薄膜配線基板の製造において、連結パターンにより連結されたリードを個々のリードに分離する際に、連結パターンとリードとを含む領域から凸状の成る配線打ち抜き部を型切断によって打ち抜くことにより、切断くずの大きさを比較的大きく形成できる。したがって、切断くずが切断型内に取り込まれる切断くず上がり現象の発生を抑えることができる。これにより、切断刃の摺動時の切断くずによる摩耗や損傷を低減でき、その結果、切断刃の長寿命化を図ることができる。
【００９２】
（２）．前記切断くず上がり現象の発生を抑えることができるため、リードの切断異常を防止できる。
【００９３】
（３）．凸状の配線打ち抜き部を型切断によって打ち抜くことにより、一度の切断で複数のリードを同時に切断することができる。これにより、リードの切断効率を向上できる。その結果、薄膜配線基板の製造性の効率を向上できる。
【００９４】
（４）．前記配線打ち抜き部を型切断によって打ち抜くことにより、リードの切断箇所へのノッチの形成が不要となり、薄膜配線基板の製造工程を簡略化できる。さらに、切断くずが大きいため、切断くずの回収などの後処理を容易に行うことができ、その結果、薄膜配線基板の製造性の効率を向上させることができる。
【００９５】
（５）．前記配線打ち抜き部を型切断により打ち抜く際に、複数のリードに対応した配線打ち抜き部の領域を打ち抜くことにより、打ち抜き後の配線打ち抜き部（切断くず）をリードごとに分割することなく、複数のリードに対して切断くずを一体に形成できる。これにより、切断くずの回収などの後処理を容易に行うことができ、その結果、薄膜配線基板の製造性の効率を向上できるとともに、前記切断くず上がり現象の発生を抑えることができる。
【００９６】
（６）．型切断を行う際に、切断刃の幅が２００μｍ以下の切断型を用いることにより、半導体装置における封止部の領域を狭くできる。その結果、封止部における封止性を向上できるとともに、半導体装置の小形化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態による薄膜配線基板の構造の一例を示す図であり、（ａ）は部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２】図１に示す薄膜配線基板の仕様の一例を示す仕様説明図である。
【図３】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態による薄膜配線基板の製造プロセスの一例を示す図であり、（ａ) は部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態による薄膜配線基板の製造プロセスの一例を示す図であり、（ａ) は部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図５】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態による薄膜配線基板の製造プロセスの一例を示す図であり、（ａ) は部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図６】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態による薄膜配線基板の製造プロセスの一例を示す図であり、（ａ) は部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図７】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態による薄膜配線基板の製造プロセスの一例を示す図であり、（ａ) は部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図８】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態による薄膜配線基板の製造プロセスの一例を示す図であり、（ａ) は部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図９】（ａ),（ｂ）は図６（ａ）のＢ部を示す図であり、（ａ) は切断前のリードの拡大部分平面図、（ｂ）は切断後のリードの拡大部分平面図である。
【図１０】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態の薄膜配線基板の製造プロセスにおけるリード切断前と切断後の薄膜配線基板の状態の一例を示す図であり、（ａ) は切断前の拡大部分断面図、（ｂ）は切断後の拡大部分断面図である。
【図１１】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態の薄膜配線基板の製造プロセスにおけるリード切断前と切断後のリードの構造の一例を示す図であり、（ａ) は切断前の拡大部分斜視図、（ｂ）は切断後の拡大部分斜視図である。
【図１２】本発明の実施の形態の薄膜配線基板の製造プロセスにおいてリードを切断した際に形成される切断くずの形状の一例を示す拡大部分斜視図である。
【図１３】本発明の実施の形態の薄膜配線基板を用いて製造された半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図１４】図１３に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１３のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１３のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１３のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体チップ
１ａ  主面
１ｂ  電極パッド（接続端子）
２  バンプ電極
３  エラストマ
４  薄膜配線基板
４ａ  基板本体部
４ｂ  基板突出部
４ｃ  リード
４ｄ  配線
４ｅ  開口部
４ｆ  バンプランド
４ｇ  テープ基材
４ｈ  銅箔（金属箔）
４ｉ  基準孔
４ｊ  バンプ用開口部
４ｋ  給電ライン
４ｌ  ビーム形状
４ｍ  連結パターン
４ｎ  配線打ち抜き部
４ｐ  残留パターン
４ｑ  切断面
４ｒ  金めっき層
４ｓ  切断くず
４ｔ  接着剤
５  封止部
６  切断型
６ａ  打ち抜き型
６ｂ  ストリッパ
６ｃ  ダイ
６ｄ  切断刃
６ｅ  パンチ
１１  ＣＳＰ（半導体装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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