(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
(１００)面から［０１１］方向に所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板上に、単層あるいは複数層からなる発光層を形成し、この発光層の上に第１導電型の電流阻止層を形成する電流阻止層形成工程と、
上記電流阻止層の一部を除去する電流阻止層除去工程と、
上記電流阻止層および発光層の上に、第２導電型のＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)電流拡散層を所定の層厚ｄで形成する電流拡散層形成工程と、
表面電極を、上記電流拡散層のうち上記発光層上の上記電流阻止層の形状を反映した表面形状部の位置から、上記半導体基板に垂直な面内で、基板表面の法線ベクトルが［１００］方向から傾斜した方向から上記半導体基板表面に平行になる方向に所定角度θだけ回転させた方向と逆の方向に、０．５×(ｄ/ｔａｎθ)乃至１．５×(ｄ/ｔａｎθ)だけ位置ずれさせて、上記電流拡散層上に形成する表面電極形成工程とを備えたことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記電流阻止層除去工程は、上記電流阻止層を除去する除去パターンが阻止層用パターンと第１アライメント用パターンを有し、上記発光層上に第１アライメント部を残す工程を有し、
上記表面電極形成工程は、
上記除去パターンにおける電流阻止層形成パターンに対応した位置に形成されている電極用パターンと、この電極用パターンに対する位置が、上記阻止層用パターンに対する上記第１アライメント用パターンの位置から、上記半導体基板に垂直な面内で、基板表面の法線ベクトルが［１００］方向から傾斜した方向から上記半導体基板表面に平行になる方向に所定角度θだけ回転させた方向に、０．５×(ｄ/ｔａｎθ)乃至１．５×(ｄ/ｔａｎθ)だけずらした位置になっている第２アライメント用パターンとを有する表面電極形成パターンを用い、この第２アライメント用パターンを上記第１アライメントパターンの形状を反映したアライメント用表面形状部に合わせて、上記表面電極を形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
(１００)面から［０１１］方向に所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板上に、単層あるいは複数層からなる発光層を形成し、この発光層の上に第１導電型の電流阻止層を形成する電流阻止層形成工程と、
表面電極形成工程で形成する表面電極に比べて、０．５×(ｄ/ｔａｎθ)乃至１．５×(ｄ/ｔａｎθ)だけ、上記半導体基板表面に垂直かつ［１００］ベクトルを含む面内で(１００)面を経由して上記半導体基板表面に平行になるまで回転させた上記半導体基板表面の法線ベクトルの方向と逆方向に寸法を拡大した拡大部分を有するように、上記電流阻止層の一部を除去する電流阻止層除去工程と、
上記電流阻止層および発光層の上に、第２導電型のＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)電流拡散層を所定の層厚ｄで形成する電流拡散層形成工程と、
表面電極を、上記電流阻止層の形状を反映した上記電流拡散層の表面形状部のうち上記拡大方向の端に、上記表面電極のうち上記拡大方向の端を合わせるように形成する上記表面電極形成工程とを備えたことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
(１００)面から［０１１］方向に所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板上に、単層あるいは複数層からなる発光層を形成し、この発光層の上に第１導電型の電流阻止層を形成する電流阻止層形成工程と、
上記半導体基板に垂直かつ［１００］ベクトルを含む面内で上記半導体基板表面に平行になるまで回転させた上記半導体基板表面の法線ベクトルの方向に、所定ピッチＡで上記電流阻止層を部分的に除去する電流阻止層除去工程と、
ｎを自然数として、０．５×ｄ／ｔａｎθ＜Ａ(ｎ−１／２)＜１．５×ｄ／ｔａｎθを満たすような層厚ｄで、第２導電型のＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)電流拡散層を形成する電流拡散層形成工程と、
表面電極を、上記電流阻止層の上記除去痕を反映した上記電流拡散層の除去痕反映部上に形成する表面電極形成工程とを備えたことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、
第１導電型の半導体基板がＧａＡｓ基板であることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、
(１００)面から所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板上に形成する単層あるいは複数層からなる発光層が、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)によって構成されていることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記第１導電型の半導体基板が上記(１００)面から［０１１］方向に傾斜している角度が５゜〜２５゜であることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記第２導電型のＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)電流拡散層がＧａＰであることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は表示用または伝送用等に用いられる発光ダイオードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光通信や発光ダイオード情報表示パネル等に発光ダイオードが広く用いられている。これらの発光ダイオードは高輝度であることが重要であるが、発光ダイオードの輝度、すなわち効率は内部量子効率と外部出射効率によって決まる。このうち外部出射効率は素子構造に大きく影響される。そこで、外部出射効率を向上させる方法として、ボンディングパッド直下に電流阻止層を形成し、ボンディングパッドに遮られて外部に取り出すことのできない無効発光を抑制したり、発光ダイオードの表面で全反射される発光光を減少させることが行なわれている。
【０００３】
従来、上記の無効発光を抑制する発光ダイオードとしては、図１５に示すような構造のものがある。この発光ダイオードは、ｎ型ＧａＡｓ半導体基板６１上にｎ型層６２、発光層６３、ｐ型層６４、ｐ型電流拡散層６５、６６、裏面電極６７、表面電極６８が積層されて形成されている。そして、表面電極６８直下のｐ型電流拡散層６６中にｎ型電流阻止層６９が形成されている。このｎ型電流阻止層６９により、表面電極６８直下に電流が流れにくくして、表面電極６８に遮られて外部に取り出せない無効発光を抑制している。
【０００４】
また、全反射される発光光を減少させる方法としては、発光ダイオードの表面を粗面化したり、あるいはメサ形状を形成して、その直下でのみ発光させるという手法がある。そのメサ形状が形成された発光ダイオードの例として、図１６や図１７に示すものがある。図１６に示した発光ダイオードは、ｎ型ＧａＡｓ半導体基板７０上にｎ型層７１、発光層７２、ｐ型層７３、ｐ型電流拡散層７４、ｎ型電流阻止層７５、メサ形状のｐ型クラッド層７６、ｐ型コンタクト層７７、表面電極７８、裏面電極７９で構成されて  いる。そして、ｎ型電流阻止層７５により、発光をメサ形状のｐ型クラッド層７６の直下のみに限定することによって外部出射効率を向上している。
【０００５】
また、図１７の発光ダイオードは、上記図１６の発光ダイオードと同一部分には同一符号を付し説明を省略する。この発光ダイオードも上記図１６の発光ダイオードと同様に、電流阻止層７５により発光をメサ形状のｐ型クラッド層７６の直下に限定し、さらに、メサ形状のｐ型クラッド層７６の存在しない電流阻止層７５上に表面電極７８を形成することで、表面電極７８直下の無効発光を抑制している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記図１５の発光ダイオードでは、表面での発光光の全反射が抑制されない問題がある。さらに、半導体基板６１として傾斜基板を用いる場合は、電流拡散層６６をＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)とすると、(１００)面上の結晶成長速度が遅いため、電流阻止層６９を反映した形状が表面には位置ずれして現われる。そして、そのずれの量は、半導体基板６１の傾斜角度をθとし、電流拡散層６６の厚さをｄとすると、ｄ／ｔａｎθとなる。したがって、再成長させる電流拡散層６６が厚くなると、電流阻止層６９と表面電極６８との位置ずれが無視できなくなり、外部出射効率が低下する。例えば、(１００)面から［０１１］方向に１５°傾斜した半導体基板６１を使用し、電流拡散層６６の厚さを７μｍとした場合、電流阻止層６９と表面電極６８との位置ずれ量は２６μｍとなる。したがって、通常、表面電極６８のサイズが１００μｍφ〜１２０μｍφ程度であることを考えると、電流阻止層６９と表面電極６８との間に表面電極６８のサイズの約四分の一の位置ずれが生じることになる。
【０００７】
また、図１６に示した発光ダイオードはｐ型クラッド層(電流拡散層)７６がメサ形状になっているため、表面での発光光の全反射は抑制されているが、表面電極７８直下の無効発光の抑制はできていない。さらに、電流阻止層７５のエッチングと、メサ形状形成のためのｐ型クラッド層７６のエッチングとを別々に行なう必要があり、製造工程が繁雑になるという問題がある。
【０００８】
また、図１７に示した発光ダイオードでは、表面での発光光の全反射の抑制、表面電極７８直下の無効発光の抑制はできている。しかし、電流阻止層７５のエッチングと、メサ形状形成のためのｐ型クラッド層７６のエッチングとを別々に行なう必要があり、製造工程が繁雑になるという問題があった。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、上記の問題点を解決するために、表面での全反射、表面電極直下の無効発光の抑制がともにでき、かつ製造工程を簡略化できる高効率の発光ダイオードの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１の発明の発光ダイオードの製造方法は、(１００)面から［０１１］方向に所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板上に、単層あるいは複数層からなる発光層を形成し、この発光層の上に第１導電型の電流阻止層を形成する電流阻止層形成工程と、
上記電流阻止層の一部を除去する電流阻止層除去工程と、
上記電流阻止層および発光層の上に、第２導電型のＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)電流拡散層を所定の層厚ｄで形成する電流拡散層形成工程と、
表面電極を、上記電流拡散層のうち上記発光層上の上記電流阻止層の形状を反映した表面形状部の位置から、上記半導体基板に垂直な面内で、基板表面の法線ベクトルが［１００］方向から傾斜した方向から上記半導体基板表面に平行になる方向に所定角度θだけ回転させた方向と逆の方向に、０．５×(ｄ/ｔａｎθ)乃至１．５×(ｄ/ｔａｎθ)だけ位置ずれさせて、上記電流拡散層上に形成する表面電極形成工程とを備えたことを特徴としている。
【００１１】
この請求項１の発明の発光ダイオードの製造方法では、上記半導体基板が(１００)面から所定角度θだけ傾斜している場合に、表面電極を、層厚ｄで形成した電流拡散層を反映した表面形状部の位置から、上記表面形状部が上記電流阻止層から位置ずれしている方向と逆の方向に、０．５×(ｄ/ｔａｎθ)乃至１．５×(ｄ/ｔａｎθ)だけ位置ずれさせて形成する。
【００１２】
このことによって、半導体基板が(１００)面から傾斜していても、電流阻止層の直上に正確に表面電極を形成することができ、表面電極直下での無効発光を抑制するという電流阻止層の効果を安定して得ることができる。
【００１３】
また、請求項２の発明の発光ダイオードの製造方法は、請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記電流阻止層除去工程は、上記電流阻止層を除去する除去パターンが阻止層用パターンと第１アライメント用パターンを有し、上記発光層上に第１アライメント部を残す工程を有し、
上記表面電極形成工程は、
上記除去パターンにおける電流阻止層形成パターンに対応した位置に形成されている電極用パターンと、この電極用パターンに対する位置が、上記阻止層用パターンに対する上記第１アライメント用パターンの位置から、上記半導体基板に垂直な面内で、基板表面の法線ベクトルが［１００］方向から傾斜した方向から上記半導体基板表面に平行になる方向に所定角度θだけ回転させた方向に、０．５×(ｄ/ｔａｎθ)乃至１．５×(ｄ/ｔａｎθ)だけずらした位置になっている第２アライメント用パターンとを有する表面電極形成パターンを用い、この第２アライメント用パターンを上記第１アライメントパターンの形状を反映したアライメント用表面形状部に合わせて、上記表面電極を形成することを特徴としている。
【００１４】
この請求項２の発明の発光ダイオードの製造方法では、電流阻止層除去工程で、発光層上に電流阻止層だけでなく第１アライメント部を残す。そして、表面電極形成工程で、上記第１アライメント部を反映したアライメント用表面形状部に、表面電極形成パターンの第２アライメント用パターンを合わせて、表面電極を形成する。
【００１５】
この第２アライメント用パターンは、表面電極形成パターンにおいて、上記除去パターンの第１アライメント用パターンに対応する位置から、上記アライメント用表面形状が上記第１アライメント部から位置ずれしている分だけ位置ずれした位置に形成されている。
【００１６】
したがって、上記第２アライメント用パターンを上記アライメント用表面形状部に位置合わせすることによって、上記表面電極形成パターンの電極用パターンを上記電流阻止層の直上に位置させることができる。
【００１７】
このことによって、半導体基板が(１００)面から傾斜していても、電流阻止層の直上に正確に表面電極を形成することができ、表面電極直下での無効発光を抑制するという電流阻止層の効果を安定して得ることができる。
【００１８】
また、請求項３の発明の発光ダイオードの製造方法は、(１００)面から［０１１］方向に所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板上に、単層あるいは複数層からなる発光層を形成し、この発光層の上に第１導電型の電流阻止層を形成する電流阻止層形成工程と、
表面電極形成工程で形成する表面電極に比べて、０．５×(ｄ/ｔａｎθ)乃至１．５×(ｄ/ｔａｎθ)だけ、上記半導体基板表面に垂直かつ［１００］ベクトルを含む面内で(１００)面を経由して上記半導体基板表面に平行になるまで回転させた上記半導体基板表面の法線ベクトルの方向と逆方向に寸法を拡大した拡大部分を有するように、上記電流阻止層の一部を除去する電流阻止層除去工程と、
上記電流阻止層および発光層の上に、第２導電型のＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)電流拡散層を所定の層厚ｄで形成する電流拡散層形成工程と、
表面電極を、上記電流阻止層の形状を反映した上記電流拡散層の表面形状部のうち上記拡大方向の端に、上記表面電極のうち上記拡大方向の端を合わせるように形成する上記表面電極形成工程とを備えたことを特徴としている。
【００１９】
この請求項３の発明の発光ダイオードの製造方法では、上記表面電極の内、上記位置ずれ方向と逆の方向の端を上記表面形状部の上記逆方向の端に合わせるように形成する。さらに、上記電流阻止層を、上記表面電極に比べて上記電流阻止層に対して表面形状部が位置ずれする方向と逆方向に向かって、電流阻止層に対する表面形状部の位置ずれ量(ｄ/ｔａｎθ)だけ拡大させている。
【００２０】
これにより、アライメント用のパターンがなくても、上記表面電極の端を上記電流阻止層の端に合わせるだけで、電流阻止層への表面電極の投影像が電流阻止層からはみ出ないようにすることができる。したがって、この発明によれば、容易に、かつ精度よく電流阻止層の直上に表面電極を形成することができる上に、アライメント用パターンを別途設ける必要がなくなるので、歩留りの向上を実現できる。
【００２１】
また、請求項４の発明の発光ダイオードの製造方法は、(１００)面から［０１１］方向に所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板上に、単層あるいは複数層からなる発光層を形成し、この発光層の上に第１導電型の電流阻止層を形成する電流阻止層形成工程と、
上記半導体基板に垂直かつ［１００］ベクトルを含む面内で上記半導体基板表面に平行になるまで回転させた上記半導体基板表面の法線ベクトルの方向に、所定ピッチＡで上記電流阻止層を部分的に除去する電流阻止層除去工程と、
ｎを自然数として、０．５×ｄ／ｔａｎθ＜Ａ(ｎ−１／２)＜１．５×ｄ／ｔａｎθを満たすような層厚ｄで、第２導電型のＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)電流拡散層を形成する電流拡散層形成工程と、
表面電極を、上記電流阻止層の上記除去痕を反映した上記電流拡散層の除去痕反映部上に形成する表面電極形成工程とを備えたことを特徴としている。
【００２２】
この請求項４の発明の発光ダイオードの製造方法では、(１００)面から所定角度だけ傾斜した半導体基板上に形成した電流阻止層を所定ピッチで部分的に除去し、この電流阻止層上に層厚ｄで電流拡散層を形成する。この電流拡散層には、上記電流阻止層の除去痕を反映する除去痕反映部が形成され、この除去痕反映部は上記除去痕からｄ／ｔａｎθだけ位置ずれしている。この発明では、上記位置ずれ量ｄ／ｔａｎθが上記ピッチＡのほぼ（自然数−１／２）倍になるように設定することで、上記除去痕反映部を上記電流阻止層の略直上に位置させ、この除去痕反映部上に表面電極を形成する。これにより、この発明によれば、アライメント用のパターンがなくても、除去痕反映部上に表面電極を形成するだけで、電流阻止層への表面電極の投影像が電流阻止層からはみ出ないようにすることができる。したがって、容易に、かつ精度よく電流阻止層の直上に表面電極を形成することができて表面電極直下での無効発光を抑制できる上に、アライメント用パターンを別途設ける必要がなくなるので、歩留りの向上を実現できる。
【００２３】
さらに、この発明によれば、電流阻止層のエッチング以外に別途エッチングすることなく、上記電流阻止層の除去痕つまり発光部上に、除去痕反映部に挟まれた電流拡散層のメサ形状部を形成できる。したがって、製造工程を繁雑にすることなく、電流拡散層の表面で全反射される発光光を減少させることができる。
【００２４】
また、請求項５の発明の発光ダイオードの製造方法は、請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、
第１導電型の半導体基板がＧａＡｓ基板であることを特徴としている。
【００２５】
この請求項５の発明の発光ダイオードの製造方法では、(１００)面から所定角度θだけ傾斜した上記第１導電型の半導体基板がＧａＡｓ基板であるため、ＧａＡｓ基板に格子整合する材料を容易に発光層として採用することができる。
【００２６】
また、請求項６の発明の発光ダイオードの製造方法は、請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、
(１００)面から所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板上に形成する単層あるいは複数層からなる発光層が、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)によって構成されていることを特徴としている。
【００２７】
この請求項６の発明の発光ダイオードの製造方法では、(１００)面から所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板上に単層あるいは複数層からなる発光層がＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)によって構成されていることにより、赤色から緑色までの高効率の発光ダイオードを実現できる。
【００２８】
また、一例の発光ダイオードの製造方法では、上記第１導電型の半導体基板が上記(１００)面から傾斜している方向が［０１１］あるいは［０ /1 /1］である。
【００２９】
この一例の発明の発光ダイオードの製造方法では、第１導電型の半導体基板の(１００)面から傾斜した方向が［０１１］あるいは［０ /1 /1］であることにより、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)系の発光ダイオードでは高い発光効率が得られる。
【００３０】
また、請求項７の発明の発光ダイオードの製造方法は、請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記第１導電型の半導体基板が上記(１００)面から［０１１］方向に傾斜している角度が５゜〜２５゜であることを特徴としている。
【００３１】
この請求項７の発明の発光ダイオードの製造方法では、第１導電型の半導体基板の(１００)面から傾斜した方向が［０１１］であることにより、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)系の発光ダイオードでは高い発光効率が得られる。
【００３２】
また、請求項８の発明の発光ダイオードの製造方法は、請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、
上記第２導電型のＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)電流拡散層がＧａＰであることを特徴としている。
【００３３】
この請求項８の発明の発光ダイオードの製造方法では、第２導電型のＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)電流拡散層がＧａＰであることにより、耐湿性の高い、かつ低抵抗の発光ダイオードを実現できる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３５】
〔第１の実施の形態〕
図１(ａ)は、この発明の第１の実施の形態の発光ダイオードの製造方法で作成したＡｓＧａＩｎＰ系の発光ダイオードの表面図であり、図１(ｂ)は図１(ａ)のＸ−Ｙラインでの断面図である。
【００３６】
まず、この実施の形態の発光ダイオードの製造工程を説明する。図２(ｂ)に示すように、(１００)面から［０１１］方向に１５°だけ傾斜したｎ型のＧａＡｓ基板１上に、ＭＯＣＶＤ(メタル・オーガナイズド・ケミカル・ベイパー・ディポジション)法で１μｍ厚のｎ型のＧａＡｓバッファー層２を積層する。次いで、ｎ型のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐとｎ型の(Ａｌ0.4Ｇａ0.6)0.5Ｉｎ0.5Ｐの１０ペアのＤＢＲ(分布反射型)層３と、１μｍ厚のｎ型のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１クラッド層４と、０．５μｍ厚のｐ型の(Ａｌ0.3Ｇａ0.7)0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層５と、１μｍ厚のＰ型のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層６と、０．１５μｍ厚のｐ型のＡｌＧａＩｎＰ中間層７と、１μｍ厚のｐ型のＧａＰ第１電流拡散層８と、０．３μｍ厚のｎ型のＧａＰ電流阻止層９をＭＯＣＶＤ法により順次積層する。
【００３７】
その後、フォトリソグラフィー、および硫酸／過酸化水素系エッチャントにより、ｎ型のＧａＰ電流阻止層９を直径１４０μｍの電流阻止層部９Ａを残して、ｐ型のＧａＰ第１電流拡散層８に達するまでエッチングして除去する。なお、このエッチング時に、電流阻止層部９Ａだけでなく、図３(ｃ)に示す十字形状の第１アライメント部９１も形成しておく。
【００３８】
図６(ａ)に、上記電流阻止層９を除去する除去パターン１０１を示す。この除去パターン１０１は、上記十字形状の第１アライメント用パターン１０２と、この第１アライメント用パターン１０２を囲むように配列された円形パターン１０３とを有している。この円形パターン１０３が上記電流阻止層部９Ａに対応し、上記十字形状のパターン１０２が第１アライメント部９１に対応している。
【００３９】
次いで、図４に示すように、７μｍ厚のｐ型ＧａＰ第２電流拡散層１０を、ｎ型のＧａＰ電流阻止層９、およびｐ型のＧａＰ第１電流拡散層８上に再成長させる。上記拡散層１０は、上記電流阻止層部９Ａの形状を反映して突出した表面形状部１０Ａを有している。
【００４０】
その後、図５に示すように、ｐ型ＧａＰ第２電流拡散層１０上にＡｕＢｅ／Ａｕを蒸着し、フォトリソグラフィー、およびＡｕエッチャントによるエッチングにより直径１１０μｍの表面電極１１ａを形成する。
【００４１】
図６(ｂ)に、このエッチング時に用いる表面電極形成フォトマスクパターン２０１を示す。この表面電極形成フォトマスクパターン２０１は、図６(ａ)の上記除去パターン１０１における８つの円形パターン１０３に対応した位置に形成されている電極用パターン２０２と、第２アライメント用パターン２０３を有している。この第２アライメント用パターン２０３は、第１アライメントパターン１０２と同様に十字形状であり、上記円形パターン１０３に対する第１アライメント用パターン１０２の位置から、２６μｍ≒(７μｍ/tan１５゜)だけ位置ずれしている。また、この位置ずれ方向は、［０１１］方向からＧａＡｓ基板１に平行になるように所定角度θ＝１５゜だけ回転させた方向(図５（ｂ）においてＤ１の方向)に設定している。
【００４２】
そして、この第２アライメント用パターン２０３を、上記第１アライメント部９１の形状を反映した拡散層１０のアライメント用表面形状部１０Ｂに位置合わせして、上述のエッチングを行うことによって、電流阻止層部９Ａの直上に表面電極１１ａを形成できる。
【００４３】
その後、熱処理することによりｐ型オーミックコンタクト電極１１が得られる。そして、ＧａＡｓ基板１を約２８０μｍまで研磨し、この研磨した面にＡｕＧｅ／Ａｕを蒸着し、熱処理することによりｎ型オーミックコンタクト電極１２を形成する。
【００４４】
この実施形態の製造方法によれば、図５(ｂ)に示すように、表面電極である電極１１を、電流拡散層１０のうち電流阻止層９の形状を反映した表面形状部１０ａが上記電流阻止層９から位置ずれしている方向Ｅ１と逆の方向Ｆ１に位置ずれさせて形成できる。また、上記逆方向Ｆ１への位置ずれ寸法は、上記表面形状部１０ａが方向Ｅ１に位置ずれした寸法Ｈ１と略同じである。
【００４５】
したがって、この実施形態によれば、表面電極１１ａを電流阻止層９の直上に精度よく形成できる。したがって、表面電極１１ａ直下での無効発光を抑制するという電流阻止層９の役目を確実に果たさせることができる。
【００４６】
この実施形態の製造方法で作製した発光ダイオードは、１０ロットの抜き取り検査を行った結果、合計１００チップ(各ロット１０チップ)の輝度の平均値が、従来の製造方法のものの輝度が８０ｍｃｄであったのに対し、９０ｍｃｄに向上した。
【００４７】
〔第２の実施の形態〕
図７(ａ)は、この発明の第２の実施の形態の発光ダイオードの製造方法で作製したＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオードの表面図であり、図７(ｂ)は、図７(ａ)のＸ−Ｙラインでの断面図である。
【００４８】
まず、この第２の実施の形態の発光ダイオードの製造工程を説明する。図８(ｂ)に示すように、(１００)面から［０１１］方向にθ＝１５°だけ傾斜したｎ型のＧａＡｓ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法で１μｍ厚のｎ型のＧａＡｓバッファー層２２を積層する。次いで、ｎ型のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐとｎ型の(Ａｌ0.4Ｇａ0.6)0.5Ｉｎ0.5Ｐの１０ペアのＤＢＲ層２３と、１μｍ厚のｎ型のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１ク ラッド層２４と、０．５μｍ厚のｐ型の(Ａｌ0.3Ｇａ0.7)0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層２５と、１μｍ厚のＰ型のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層２６と、０．１５μｍ厚のｐ型のＡｌＧａＩｎＰ中間層２７と、１μｍ厚のｐ型のＧａＰ第１電流拡散層２８と、０．３μｍ厚のｎ型のＧａＰ電流阻止層２９をＭＯＣＶＤ法により順次積層する。その後、フォトリソグラフィー、および硫酸／過酸化水素系エッチャントにより、ｎ型のＧａＰ電流阻止層２９を１４０μｍ×１４０μｍの正方形の部分２９Ａを残して、ｐ型のＧａＰ第１電流拡散層２８に達するまでエッチングして除去する。
【００４９】
次いで、図９に示すように、４μｍ厚のｐ型ＧａＰ第２電流拡散層３０を、ｎ型のＧａＰ電流阻止層２９Ａ、およびｐ型のＧａＰ第１電流拡散層２８上に再成長させる。この第２電流拡散層３０は電流阻止層２９の形状を反映した表面形状部３０Ａを有している。この表面形状部３０Ａは、ＧａＡｓ基板２１が(１００)面からθ＝１５゜だけ傾斜していることに起因して、上記電流阻止層２９から方向Ｅ２に寸法Ｈ２だけ位置ずれしている。この寸法Ｈ２は、電流拡散層３の厚さｄが４μｍであるから、１４．９μｍ(＝４μｍ÷tan１５゜)になる。
【００５０】
その後、図１０に示すように、ｐ型ＧａＰ第２電流拡散層３０上にＡｕＢｅ／Ａｕを蒸着し、フォトリソグラフィー、およびＡｕエッチャントによるエッチングにより１１０μｍ×１１０μｍの正方形の表面電極３１ａを形成する。この表面電極３１ａを形成するときに、図１０(ａ)に示すように、表面形状部３０ａの位置ずれ方向Ｅ２と逆方向Ｆ２の端にある表面電極３１Ａの１辺３１Ａ−１の中心を、表面形状部３０Ａの逆方向Ｆ２の端にある１辺３０Ａ−１の中心に略一致させる。
【００５１】
言い換えれば、電流阻止層２９Ａの中心から見て［０１１］方向を、基板に垂直な面内で基板に平行になるように１５゜回転した方向と逆方向Ｆ２にある辺３０Ａ−１と、電極形成用パターンにおいて上記逆方向Ｆ２の端にある辺とをそれぞれの中心が一致するように重ね合わせてアライメントする。
【００５２】
図７(ｂ)に示すように、その後、熱処理することによりｐ型オーミックコンタクト電極３１が得られる。そして、ＧａＡｓ基板２１を約２８０μｍまで研磨し、この研磨した面にＡｕＧｅ／Ａｕを蒸着し、熱処理することによりｎ型オーミックコンタクト電極３２を形成する。
【００５３】
この第２の実施の形態によれば、電流阻止層２９の１辺の寸法(＝１４０μｍ)を、表面電極３１ａの１辺の寸法(＝１１０μｍ)よりもＬ＝３０μｍだけ長くした。この寸法Ｌ(＝３０μｍ)は、上記表面形状部３０ａの位置ずれ寸法Ｈ２(＝１４．９μｍ)の略２倍である。
【００５４】
したがって、上記表面形状部３０Ａの逆方向Ｆ２の端の辺３０Ａ−１に表面電極３１ａの１辺３１ａ−１を合わせることによって、上記表面電極３１ａの両端の辺３１ａ−１および３１ａ−２を両方とも、電流阻止層２９の両辺２９Ａ−１，２９Ａ−２の内側に位置させることができる。
【００５５】
したがって、この実施形態によれば、上記表面形状部３０ａの１辺３０ａ−１自体にアライメント用パターンの役割をさせることができ、アライメント用のパターンがなくても、表面電極３１ａを電流阻止層２９の直上に位置合わせできる。したがって、表面電極３１ａ直下での無効発光を抑制するという電流阻止層２９の役目を確実に果たさせることができる。
【００５６】
さらに、アライメント用パターンが不要となることによって、歩留り向上を達成できる。具体的には、第１の実施形態の製造方法では、チップの１００分の１の部分をアライメント用パターンにしたが、このアライメント用パターンが不要となるので、歩留りを１％向上できる。
【００５７】
〔第３の実施の形態〕
図１１(ａ)は、この発明の第３の実施の形態の発光ダイオードの製造方法で作製したＡｓＧａＩｎＰ系の発光ダイオードの表面図であり、図１１(ｂ)は図１１(ａ)のＸ−Ｙラインでの断面図である。
【００５８】
まず、この実施の形態の発光ダイオードの製造工程を説明する。図１２(ｂ)に示すように、(１００)面から［０１１］方向に１５°だけ傾斜したｎ型のＧａＡｓ基板４１上に、ＭＯＣＶＤ法で１μｍ厚のｎ型のＧａＡｓバッファー層４２を積層する。次いで、ｎ型のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐとｎ型の(Ａｌ0.4Ｇａ0.6)0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる１０ペアのＤＢＲ層４３と、１μｍ厚のｎ型のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第１クラッド層４４と、０．５μｍ厚のｐ型の(Ａｌ0.3Ｇａ0.7)0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる活性層４５と、１μｍ厚のＰ型のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第２クラッド層４６と、０．１５μｍ厚のｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなる中間層４７と、１μｍ厚のｐ型のＧａＰからなる第１電流拡散層４８と、０．５μｍ厚のｎ型のＧａＰからなる電流阻止層４９と、４μｍ厚のｐ型のＧａＰからなる第２電流拡散層５３をＭＯＣＶＤ法により順次積層する。
【００５９】
その後、フォトリソグラフィー、および硫酸／過酸化水素系エッチャントにより、ｐ型のＧａＰからなる第２電流拡散層５３とｎ型のＧａＰからなる電流阻止層４９をｐ型のＧａＰからなる第１電流拡散層４８に達するまでエッチングして除去する。
【００６０】
このエッチング時に、図１２(ａ)に示すように、Ｍ２×Ｌ２(１０μｍ×７０μｍ)の長方形をその短手方向にＰ１＝４０μｍピッチ、かつ長手方向にＰ２＝２５０μｍピッチでエッチングパターンを形成する。このエッチングの深さは約５μｍにしたから、第２電流拡散層５３の天面におけるエッチング形状は上記長方形から縦横１０μｍずつ拡大してＭ１×Ｌ１(２０μｍ×８０μｍ)となる。
【００６１】
次いで、図１３(ｂ)に示すように、５．５μｍ厚のｐ型ＧａＰからなる第２電流拡散層５０を、ｎ型のＧａＰ電流阻止層４９およびｐ型のＧａＰ第１電流拡散層４８、ｐ型のＧａＰ第２電流拡散層５３上に再成長させる。その後、図１４(ｂ)に示すように、ｐ型ＧａＰ第２電流拡散層５０上にＡｕＢｅ／Ａｕを蒸着し、フォトリソグラフィー、およびＡｕエッチャントによるエッチングにより表面電極５１ａを形成する。
【００６２】
このエッチング時に用いる表面電極用マスクパターンは、直径１２０μｍのボンディングパッド５４と、４０μｍ幅の第１枝電極５５と、１０μｍ幅の第２枝電極５６とを形成するようなパターンになっている。
【００６３】
また、このエッチング時に、第２枝電極５６が電流阻止層４９間のチャネル３０２に起因して形成されたチャンネル形成痕３０３上に位置するようにアライメントする。また、ボンディングパッド５４が電流阻止層４９のチャンネル形成痕列３０６と３０７の間に位置するようにアライメントする。
【００６４】
その後、熱処理することにより、図１１(ｂ)に示すｐ型オーミックコンタクト電極５１が得られる。そして、ＧａＡｓ基板４１を約２８０μｍまで研磨し、この研磨した面にＡｕＧｅ／Ａｕを蒸着し、熱処理することによって図１１(ｂ)に示すｎ型オーミックコンタクト電極５２を形成する。
【００６５】
このようにして得られた発光ダイオードは、図１４(ｂ)に示すように、電流阻止層４９にＡ＝４０μｍピッチでチャンネル３０２が形成され、その上に５．５μｍの第２電流拡散層５０を再成長させている。したがって、上記チャンネル形成痕３０３のチャネル３０２からチャネル列方向３０５への位置ずれの寸法Ｈ３＝約２０μｍとなる。なぜならば、Ｈ３＝５．５μｍ÷tan１５゜≒２０μｍだからである。したがって、チャネル形成痕３０３がちょうど電流阻止層４９の直上に位置するようになる。したがって、この幅２０μｍのチャンネル形成痕３０３の中心に幅１０μｍの第２枝電極５６の中心をアライメントすればよい。したがって、表面電極５１ａ形成のためのアライメントが容易になり、アライメント専用のパターンを用意しなくても、電流阻止層４９上に確実に表面電極５１ａを形成でき、表面電極５１ａ直下での無効発光を抑制するという電流阻止層４９の役目を確実に果たさせることができる。
【００６６】
その上、チャンネル３０２上の第２電流拡散層５０の形状が凸状のメサ形状となるから、チップ表面で全反射される発光光が減少する。
【００６７】
したがって、第１の実施の形態で作成した発光ダイオードのチップ光度が約９０ｍｃｄであったのに対し、この第３実施形態によって作製した発光ダイオードのチップ光度は１１０ｍｃｄに向上した。
【００６８】
さらに、この第３の実施の形態によって作製した発光ダイオードは、電流阻止層４９へのエッチングで形成したチャネル形状を、第２電流拡散層５０に反映させることで、第２電流拡散層５０のメサ形状部３０８を形成できる。したがって、図１６や図１７に示すような、従来の発光ダイオードに比べて製造工程を簡略化することができる。
【００６９】
なお、上述の第１〜第３実施形態では、半導体基板として結晶面が(１００)面から［０１１］方向に１５°だけ傾斜したｎ型のＧａＡｓ基板を使用し、発光層がｎ型のＡｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐとｎ型の(Ａｌ0.4Ｇａ0.6)0.5Ｉｎ0.5Ｐの１０ペアのＤＢＲ層、電流拡散層がｐ型のＧａＰとした発光ダイオードの製造方法の実施の形態について説明した。
【００７０】
しかし、この発明の発光ダイオードの製造方法は、(１００)面から所定の角度θだけ傾斜した半導体基板上にＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)を電流拡散層として層厚ｄで形成した場合に、表面電極を、０．５×ｄ／ｔａｎθ〜１．５×ｄ／ｔａｎθだけずらせて、電流阻止層の上に形成するものであれば適用できる。また、構成材料も上記実施の形態の材質に限定されず、種々の材料が選択できるのは言うまでもない。
【００７１】
【発明の効果】
以上より明らかなように、請求項１の発明の発光ダイオードの製造方法では、上記半導体基板が(１００)面から所定角度θだけ傾斜している場合に、表面電極を、層厚ｄで形成した電流拡散層を反映した表面形状部の位置から、上記表面形状部が上記電流阻止層から位置ずれしている方向と逆の方向に、０．５×(ｄ/ｔａｎθ)乃至１．５×(ｄ/ｔａｎθ)だけ位置ずれさせて形成する。
【００７２】
このことによって、半導体基板が(１００)面から傾斜していても、電流阻止層の直上に正確に表面電極を形成することができ、表面電極直下での無効発光を抑制するという電流阻止層の効果を安定して得ることができる。
【００７３】
また、請求項２の発明の発光ダイオードの製造方法は、電流阻止層除去工程で、発光層上に電流阻止層だけでなく第１アライメント部を残す。そして、表面電極形成工程で、上記第１アライメント部を反映したアライメント用表面形状部に、表面電極形成パターンの第２アライメント用パターンを合わせて、表面電極を形成する。
【００７４】
この第２アライメント用パターンは、表面電極形成パターンにおいて、上記除去パターンの第１アライメント用パターンに対応する位置から、上記アライメント用表面形状が上記第１アライメント部から位置ずれしている分だけ位置ずれした位置に形成されている。
【００７５】
したがって、上記第２アライメント用パターンを上記アライメント用表面形状部に位置合わせすることによって、上記表面電極形成パターンの電極用パターンを上記電流阻止層の直上に位置させることができる。
【００７６】
このことによって、半導体基板が(１００)面から傾斜していても、電流阻止層の直上に正確に表面電極を形成することができ、表面電極直下での無効発光を抑制するという電流阻止層の効果を安定して得ることができる。
【００７７】
また、請求項３の発明の発光ダイオードの製造方法は、表面電極の内、位置ずれ方向と逆の方向の端を表面形状部の逆方向の端に合わせるように形成する。さらに、電流阻止層を、表面電極に比べて電流阻止層に対して表面形状部が位置ずれする方向に向かって、電流阻止層に対する表面形状部の位置ずれ量(ｄ/ｔａｎθ)だけ拡大させている。
【００７８】
これにより、アライメント用のパターンがなくても、表面電極の端を電流阻止層の端に合わせるだけで、電流阻止層への表面電極の投影像が電流阻止層からはみ出ないようにすることができる。したがって、この発明によれば、容易に、かつ精度よく電流阻止層の直上に表面電極を形成することができる上に、アライメント用パターンを別途設ける必要がなくなるので、歩留りの向上を実現できる。
【００７９】
また、請求項４の発明の発光ダイオードの製造方法は、(１００)面から所定角度だけ傾斜した半導体基板上に形成した電流阻止層を所定ピッチで部分的に除去し、この電流阻止層上に層厚ｄで電流拡散層を形成する。この電流拡散層には、電流阻止層の除去痕を反映する除去痕反映部が形成され、この除去痕反映部は上記除去痕からｄ／ｔａｎθだけ位置ずれしている。この発明では、上記位置ずれ量ｄ／ｔａｎθが上記ピッチＡのほぼ（自然数−１／２）倍になるように設定することで、上記除去痕反映部を上記電流阻止層の略直上に位置させ、この除去痕反映部上に表面電極を形成する。これにより、この発明によれば、アライメント用のパターンがなくても、除去痕反映部上に表面電極を形成するだけで、電流阻止層への表面電極の投影像が電流阻止層からはみ出ないようにすることができる。したがって、容易に、かつ精度よく電流阻止層の直上に表面電極を形成することができて表面電極直下での無効発光を抑制できる上に、アライメント用パターンを別途設ける必要がなくなるので、歩留りの向上を実現できる。さらに、この発明によれば、電流阻止層のエッチング以外に別途エッチングすることなく、上記電流阻止層の除去痕つまり発光部上に、除去痕反映部に挟まれた電流拡散層のメサ形状部を形成できる。したがって、製造工程を繁雑にすることなく、電流拡散層の表面で全反射される発光光を減少させることができる。
【００８０】
また、請求項５の発明の発光ダイオードの製造方法は、請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、第１導電型の半導体基板がＧａＡｓ基板である。
【００８１】
この請求項５の発明の発光ダイオードの製造方法では、(１００)面から所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板がＧａＡｓ基板であるので、ＧａＡｓ基板に格子整合する材料を容易に発光層として採用できる。
【００８２】
また、請求項６の発明の発光ダイオードの製造方法は、請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、 (１００)面から所定角度θだけ傾斜した第１導電型の半導体基板上に単層あるいは複数層からなる発光層がＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)によって構成されていることにより、赤色から緑色までの高効率の発光ダイオードを実現できる。
【００８３】
また、一例の発明の発光ダイオードの製造方法は、第１導電型の半導体基板の(１００)面から傾斜した方向が［０１１］あるいは［０ /1 /1］である。このことにより、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)系の発光ダイオードでは高い発光効率が得られる。
【００８４】
また、請求項７の発明の発光ダイオードの製造方法は、請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、第１導電型の半導体基板が(１００)面から［０１１］方向に傾斜している角度が５゜〜２５゜である。
【００８５】
この請求項７の発明の発光ダイオードの製造方法では、第１導電型の半導体基板の(１００)面から傾斜した方向が［０１１］であることにより、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)系の発光ダイオードでは高い発光効率が得られる。
【００８６】
また、請求項８の発明の発光ダイオードの製造方法は、請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発光ダイオードの製造方法において、第２導電型のＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＰ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)電流拡散層がＧａＰであることにより、耐湿性の高い、かつ低抵抗の発光ダイオードを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１(ａ)はこの発明の発光ダイオードの製造方法の第１の実施の形態で作製した発光ダイオードの表面図であり、図１(ｂ)は図１(ａ)のＸ−Ｙライン断面図である。
【図２】  図２(ａ)は上記第１実施形態の製造工程の前半の作製過程の発光ダイオードの表面図であり、図２(ｂ)は図２(ａ)のＸ−Ｙ断面図である。
【図３】  図３は上記第１実施形態で用いられる第１アライメントパターンを示す表面図である。
【図４】  図４(ａ)は上記第１実施形態の製造工程の後半の作製過程の発光ダイオードの表面図であり、図４(ｂ)は図４(ａ)のＸ−Ｙ断面図である。
【図５】  図５(ａ)は上記第１実施形態の製造工程の最終作製過程の発光ダイオードの表面図であり、図５(ｂ)は図５(ａ)のＸ−Ｙ断面図である。
【図６】  図６(ａ)は上記第１実施形態で使用する電流阻止層除去パターンの形状を示す平面図であり、図６(ｂ)は上記第１実施形態で使用する表面電極形成パターンの形状を示す平面図である。
【図７】  図７(ａ)はこの発明の発光ダイオードの製造方法の第２の実施の形態で作製した発光ダイオードの表面図であり、図７(ｂ)は図７(ａ)のＸ−Ｙライン断面図である。
【図８】  図８(ａ)は上記第２実施形態の製造工程の前半の作製過程の発光ダイオードの表面図であり、図８(ｂ)は図８(ａ)のＸ−Ｙ断面図である。
【図９】  図９(ａ)は上記第２実施形態の製造工程の後半の作製過程の発光ダイオードの表面図であり、図９(ｂ)は図９(ａ)のＸ−Ｙ断面図である。
【図１０】  図１０(ａ)は上記第２実施形態の製造工程の最終作製過程の発光ダイオードの表面図であり、図１０(ｂ)は図１０(ａ)のＸ−Ｙ断面図である。
【図１１】  図１１(ａ)はこの発明の発光ダイオードの製造方法の第３の実施の形態で作製した発光ダイオードの表面図であり、図１１(ｂ)は図１１(ａ)のＸ−Ｙライン断面図である。
【図１２】  図１２(ａ)は上記第３実施形態の製造工程の前半の作製過程の発光ダイオードの表面図であり、図１２(ｂ)は図１２(ａ)のＸ−Ｙ断面図である。
【図１３】  図１３(ａ)は上記第３実施形態の製造工程の後半の作製過程の発光ダイオードの表面図であり、図１３(ｂ)は図１３(ａ)のＸ−Ｙ断面図である。
【図１４】  図１４(ａ)は上記第３実施形態の製造工程の最終作製過程の発光ダイオードの表面図であり、図１４(ｂ)は図１４(ａ)のＸ−Ｙ断面図である。
【図１５】  従来の発光ダイオードの断面図である。
【図１６】  従来の別の発光ダイオードの断面図である。
【図１７】  従来のさらに別の発光ダイオードの断面図である。
【符号の説明】
１，２１，４１…ｎ型ＧａＡｓ基板、
２，２２，４２…ｎ型ＧａＡｓバッファー層、
３，２３，４３…ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ／ｎ型(Ａｌ0.4Ｇａ0.6)0.5Ｉｎ0.5  ＰからなるＤＢＲ層、
４，２４，４４…ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、
５，２５ ，４５…ｐ型(Ａｌ0.3Ｇａ0.7)0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層、
６，２６，４６…ｐ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、
７，２７，４７…ｐ型ＡｌＩｎＰ中間層、
８，２８，４８…ｐ型ＧａＰ第１電流拡散層、
９，２９，４９…ｎ型ＧａＰ電流阻止層、
１０，３０，５３…ｐ型ＧａＰ第２電流拡散層、
１１，３１，５１…ｐ型オーミックコンタクト電極、
１２，３２，５２…ｎ型オーミックコンタクト電極、
５０…ｐ型ＧａＰ第３電流拡散層、５４…ボンディングパッド、
５５…第１枝電極、５６…第２枝電極、
９１…第１アライメント用パターン、Ｅ１，Ｅ２…位置ずれ方向、
Ｆ１，Ｆ２…逆方向、Ｈ１，Ｈ２…位置ずれ寸法、
３０２…チャネル、３０３…チャネル形成痕、
３０６，３０７…チャネル形成痕列、３０８…メサ形状部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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