(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの回路形成表面に粘着フィルムを貼付して、半導体ウエハの裏面を研削し、次いで、粘着フィルムを剥離する半導体ウエハの裏面研削方法であって、該半導体ウエハの回路形成表面が電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも１種の高さ（Ａ）１０〜１００μｍの突起状物を有し、該粘着フィルムがショアーＤ型硬度４０以下、厚み（Ｂ）１５０〜５００μｍ（但し、４Ａ≦Ｂ）である基材フィルムの片表面に、（イ）架橋剤と反応し得る官能基を有するアクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマー１００重量部、（ロ）１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．５〜１５重量部、及び、（ハ）アルキレン基の炭素数が３〜４のアルキレングリコール重合体、及び、エチレンオキサイドの共重合率が３０重量％以下であるオキシエチレン−アルキレン基の炭素数が３〜４のオキシアルキレン共重合体から選ばれた少なくとも１種のアルキレングリコール系重合体を（イ）と（ロ）の和１００重量部当たり１〜３０重量部を含む、厚み（Ｃ）３０〜１００μｍ（但し、０．６Ａ≦Ｃ）の粘着剤層が形成され、且つ、該粘着フィルムのＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力が８０〜４００ｇ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項２】
突起状物の高さ（Ａ）が２５〜１００μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項３】
アルキレングリコール系重合体が、ポリプロピレングリコール、及びエチレンオキサイドの共重合率が３０重量％以下であるオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体から選ばれた少なくとも一種の重合体であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項４】
オキシエチレン−アルキレン基の炭素数が３〜４のオキシアルキレン共重合体のエチレンオキサイドの共重合率が２０重量％以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項５】
アルキレングリコール系重合体の含有量が５〜２０重量部であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項６】
アルキレングリコール系重合体の分子量が２０００〜２００００（水酸基価および官能基数より換算）であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項７】
アルキレングリコール系重合体の分子量が６０００〜２００００（水酸基価および官能基数より換算）であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項８】
半導体ウエハの裏面を研削する際にその回路形成表面に貼付される半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムであって、該半導体ウエハの回路形成表面が電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも１種の高さ（Ａ）１０〜１００μｍの突起状物を有し、該粘着フィルムがショアーＤ型硬度４０以下、厚み（Ｂ）１５０〜５００μｍ（但し、４Ａ≦Ｂ）である基材フィルムの片表面に、（イ）架橋剤と反応し得る官能基を有するアクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマー１００重量部、（ロ）１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．５〜１５重量部、及び、（ハ）アルキレン基の炭素数が３〜４のアルキレングリコール重合体、及び、エチレンオキサイドの共重合率が３０重量％以下であるオキシエチレン−アルキレン基の炭素数が３〜４のオキシアルキレン共重合体から選ばれた少なくとも１種のアルキレングリコール系重合体を（イ）と（ロ）の和１００重量部当たり１〜３０重量部を含む、厚み（Ｃ）３０〜１００μｍ（但し、０．６Ａ≦Ｃ）の粘着剤層が形成され、且つ、該粘着フィルムのＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力が８０〜４００ｇ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。
【請求項９】
突起状物の高さ（Ａ）が２５〜１００μｍであることを特徴とする請求項８記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。
【請求項１０】
アルキレングリコール系重合体が、ポリプロピレングリコール、及びエチレンオキサイドの共重合率が３０重量％以下であるオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体から選ばれた少なくとも一種の重合体であることを特徴とする請求項８記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。
【請求項１１】
オキシエチレン−アルキレン基の炭素数が３〜４のオキシアルキレン共重合体のエチレンオキサイドの共重合率が２０重量％以下であることを特徴とする請求項８記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。
【請求項１２】
アルキレングリコール系重合体の含有量が５〜２０重量部であることを特徴とする請求項８記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。
【請求項１３】
アルキレングリコール系重合体の分子量が２０００〜２００００（水酸基価および官能基数より換算）であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１項に記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。
【請求項１４】
アルキレングリコール系重合体の分子量が６０００〜２００００（水酸基価および官能基数より換算）であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１項に記載の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハの裏面研削方法及びその方法に用いる半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムに関する。詳しくは、集積回路が組み込まれた側の面（以下、ウエハ表面という）に、特定の高さの電極（以下、ハイバンプ電極という）及び不良回路識別マーク（以下、インクドットという）から選ばれた少なくとも１種の突起状物を有する、破損、汚染等が起こり易い半導体ウエハの裏面を研削する方法、及びその方法に用いる半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムに関する。さらに詳しくは、該突起状物を有する半導体ウエハの表面に、粘着フィルムを粘着剤層を介して直接貼着して、該ウエハの他の面（以下、ウエハ裏面という）を研削加工する方法および、該方法に用いる半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、半導体集積回路は高純度シリコン単結晶等をスライスしてウエハとした後、イオン注入、エッチング等により集積回路を組み込み、更にウエハの裏面をグラインディング、ポリッシング、ラッピング等により研削し、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くしてから、ダイシングしてチップ化する方法で製造されている。これらの工程の中で、ウエハ裏面の研削時に半導体ウエハの破損を防止したり、研削加工を容易にするため、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムをその粘着剤層を介してウエハ表面に貼着して保護する方法が用いられている。
【０００３】
具体的には、先ず、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムをウエハ表面に貼着してウエハ裏面を研削する。研削が完了した後、該フィルムを剥離し、ダイシング工程等の次工程に移行する。
この様な方法で、半導体ウエハの裏面を研削しようとした場合、表面凹凸の大きい半導体ウエハの裏面を研削しようとすると、研削時の応力でウエハが破損する問題があった。実際、半導体ウエハには、ポリイミド等のコーティング層や、酸化珪素膜や窒化珪素膜等の蒸着膜、スクライブライン等があり時には、段差が５０μｍ以上になることがある。
この様な問題を解決する手段として、特開昭６１−１０２４２号公報には、ショアーＤ型硬度が４０以下である基材シートの表面に粘着剤を設けてなることを特徴とするウエハ加工用フィルムが開示されている。この発明の実施例で、実際に表面凹凸差が５０μｍのシリコンウエハの裏面研磨が特に問題なく（破損無く）行われている。
【０００４】
また、特開昭６１−１４１１４２号公報には、半導体ウエハの表面にゴム系の材質でできた粘着材付テープを粘着し、前記テープをカットし、前記テープをチャックに固定し、前記半導体ウエハの裏面を砥石で研削することを特徴とする半導体ウエハの研削方法が開示されている。この発明において、特に、ポリイミド等によるコーティング層によって生じた１０〜８０μｍ程度の段差を表面に有するウエハの裏面研削が特に問題なく（破損なく）行われている。
【０００５】
さらに、ＷＯ８５／０５７３４号公報には、ショアーＤ型硬度が４０以下である基材フィルムの片表面上に粘着剤層が配設されてなるウエハ加工用フィルムが開示され、その第三発明として、粘着剤層中に、ノニオン系界面活性剤およびエチレングリコール誘導体からなる群より選ばれた１種以上が含有されてなるウエハ加工用フィルムが開示されている。この発明の実施例においても、実際に表面凹凸差が５０μｍのシリコンウエハの裏面研磨が特に問題なく（破損無く）行われている。また、該ウエハ加工用フィルムを剥がした後の洗浄等の後処理が簡易に実施できると記載されている。
【０００６】
上記の発明に開示されている半導体ウエハは、その回路上に、ポリイミド等のコーティング層や、酸化珪素膜や窒化珪素膜等の蒸着膜、スクライブライン等により生じた５０μｍ程度の凹凸差があるものである。しかし、半導体ウエハ表面の約１０％程度が凹んでいるだけであり、凸部の頂点は比較的平滑である。通常、比較的平滑な凸部の面積がウエハ表面の約９０％を占めている。上記発明に記載された粘着フィルムは、このような半導体ウエハの裏面研削に適用されたものである。
【０００７】
近年、半導体ウエハの表面は多様化しつつあり、ウエハ自体は破損しなくても、チップレベルでの破損（以下、マイクロクラックという）が生じたり、粘着剤の一部が残り易い表面形状を有するウエハが多くなってきている。
例えば、パッケージングの薄層化、チップ実装面積の少面積化等に伴い、フリップチップ実装と呼ばれるワイヤレスボンディング法等が採用されつつあり、この様な、ワイヤレスボンディング法等に適したチップを有するウエハとして、高さが１０〜１００μｍの突起状のハイバンプ電極を有する半導体ウエハが生産される様になってきている。また、半導体チップの生産工程の多様化に伴い、半導体ウエハの裏面を研削する前に、半導体ウエハ表面のチップを検査し、不良チップに高さが１０〜１００μｍの突起状のインクドットを付けてから半導体ウエハの裏面研削を行うという工程が採用されつつある。
【０００８】
上記のハイバンプ電極やインクドットの様な、高さが１０〜１００μｍの突起状物を表面に有する半導体ウエハの裏面を研削する場合には、前述の様な従来の粘着フィルムでは、十分に対応できないことがあり、ウエハの大きさ、研削後の厚み、研削条件等の諸条件によっては、該ウエハの一部にマイクロクラックが生じたり、該ウエハが完全に破損してしまうことがあった。
【０００９】
また、たとえ破損が生じなくても前記突起状物の影響で、表面の突起状物に対応する裏面の部位が凹む（以下、ディンプルという）等して、研削後、ウエハの厚み精度が悪くなりダイシング等の次工程に影響を与えたり、製品不良の原因になることがあった。さらに、研削後のウエハから粘着フィルムを剥離する際に、ウエハの表面に粘着剤の一部が残り（以下、糊残りと称する）ウエハ表面を汚染することもあった〔この汚染は、突起状物の周辺に生じる事が多く、後述するハイバンプ電極周辺に生じた場合、特に問題となる。インクドットの周辺（不良チップ上）に付着する場合には事実上問題はないが、この場合でも、ウエハ表面洗浄時等に他の正常部位に移行して２次汚染を生じる原因となることがあるため、汚染はない方が好ましい〕。この汚染は程度にもよるが、上記、ＷＯ８５／０５７３４号公報の第三発明で開示された粘着剤でも、除去が不十分となることがあった。
さらにまた、半導体ウエハの裏面研削中にウエハ表面と粘着剤層との間に水が浸入し、それに起因してウエハが破損したり、水と共に研削屑が浸入してウエハ表面を汚染することもあった。
【００１０】
上述の様な問題があるにもかかわらず、チップの高性能化やパッケージングの多様化、低コスト化等に伴い、研削方法の技術レベルには、単にウエハを破損しないことだけでなく、チップレベルでのマイクロクラックが生じないことや、ウエハ表面の更なる低汚染性、研削後の厚み精度の向上等が要求される様になってきている。
【００１１】
現状では、半導体ウエハの表面に一定の厚みのレジストを塗布し、突起状物の高さを小さくしてから（もしくは完全に凸部をなくしてから）粘着フィルムを貼付して裏面研削を行ったり、レジスト塗布のみで裏面研削を行ったりしており、レジスト塗布の作業性の悪さ、レジスト塗布時および除去時に多量の溶剤を使用するなど、決して合理的な方法が行われているわけではない。また、インクドットを有するウエハの裏面研削にはレジスト法が適用出来ないこともある。
この様な状況の中で、ハイバンプ電極やインクドットの様な、表面に高さが１０〜１００μｍの突起状物を有する半導体ウエハに対して、特に適した合理的な裏面研削方法が望まれている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題に鑑み、ハイバンプ電極、インクドット等の如き高さが１０〜１００μｍの突起状物を表面に有する半導体ウエハの裏面を研削するに際し、半導体ウエハの破損防止、マイクロクラック及びディンプルの発生防止、半導体ウエハ表面の汚染防止等を図ることができる半導体ウエハの裏面研削方法、及びその方法に用いる裏面研削用粘着フィルムを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、表面に特定の突起状物を有する半導体ウエハの裏面を研削する有効な方法を鋭意検討した結果、半導体ウエハの表面回路にハイバンプ電極、インクドット等の如き高さが１０〜１００μｍの突起状物が形成されていても、基材フィルムの硬度と厚み、粘着剤層の組成と厚み、粘着フィルムの粘着力をそれぞれ特定の範囲に限定し、且つ、前記突起状物の高さ（Ａ）、基材フィルムの厚み（Ｂ）及び粘着剤層の厚み（Ｃ）の３者を特定の関係に限定した粘着フィルムを採用して、それを半導体ウエハの回路形成表面に貼付することにより上記目的が達成し得ることを見出し、本発明に到った。
【００１４】
すなわち、本発明は、半導体ウエハの回路形成表面に粘着フィルムを貼付して、半導体ウエハの裏面を研削し、次いで、粘着フィルムを剥離する半導体ウエハの裏面研削方法であって、該半導体ウエハの回路形成表面が電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも１種の高さ（Ａ）１０〜１００μｍの突起状物を有し、該粘着フィルムがショアーＤ型硬度４０以下、厚み（Ｂ）１５０〜５００μｍ（但し、４Ａ≦Ｂ）である基材フィルムの片表面に、（イ）架橋剤と反応し得る官能基を有するアクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマー１００重量部、（ロ）１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．５〜１５重量部、及び、（ハ）アルキレン基の炭素数が３〜４のアルキレングリコール重合体、及び、エチレンオキサイドの共重合率が３０重量％以下であるオキシエチレン−アルキレン基の炭素数が３〜４のオキシアルキレン共重合体から選ばれた少なくとも１種のアルキレングリコール系重合体を（イ）と（ロ）の和１００重量部当たり１〜３０重量部を含む、厚み（Ｃ）３０〜１００μｍ（但し、０．６Ａ≦Ｃ）の粘着剤層が形成され、且つ、該粘着フィルムのＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力が８０〜４００ｇ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法である。また、本発明の他の発明は、前記発明に用いる半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムである。
【００１５】
本発明の特徴は、基材フィルムの硬度と厚み、粘着剤層の組成と厚み、粘着フィルムの粘着力をそれぞれ特定の範囲に限定した粘着フィルムを用いること、及び、半導体ウエハの回路形成表面に形成された突起状物の高さ（Ａ）、基材フィルムの厚み（Ｂ）及び粘着剤層の厚み（Ｃ）の３者を特定の関係に限定した粘着フィルムを用いることにある。
【００１６】
本発明によれば、半導体ウエハの裏面を研削するに際し、該半導体ウエハの表面にハイバンプ電極、不良回路識別マーク等の高さが１０〜１００μｍもある突起状物が形成されていても、裏面の研削応力に起因してウエハが破損することがないばかりでなく、チップレベルでの破損（マイクロクラック）を生じることがない。また、粘着フィルムを剥離した後に糊残りがないので、半導体ウエハの表面を汚染することがない上に、突起状物に起因するディンプルの発生もない。さらに、半導体ウエハの表面と粘着剤層の間に水が侵入することに起因するウエハの破損及びウエハ表面の汚染もない。当然のことながら、レジストを用いる必要がなく工程が簡略できるという効果をも奏するものである。
【００１７】
尚、本発明でいうハイバンプ電極は、フリップチップ実装等のワイヤレスボンディング法により半導体チップを実装する際に適した電極として、半導体ウエハの表面に回路と共に形成されたものである。通常、ハイバンプ電極を有する半導体チップは、この電極によりプリント配線基盤上にハンダ等を用いて直接接続されるため、該電極は１０〜１００μｍ程度の高さを有する。この様なハイバンプ電極を有する半導体ウエハは、従来のものに比べて回路の電極部分のみが突出した状態（突起状物）を呈している。この形状は、円柱状、角柱状、キノコ状等とバンプの形成方法や、チップに要求される性能等により様々な形状がある。
【００１８】
また、本発明でいうインクドットは、半導体ウエハの表面に形成された回路（チップ）を検査、選別し、不良回路を識別する為に不良回路上に付けられたマークである。通常、直径０．１〜２ｍｍ、高さ１０〜１００μｍ程度の赤色等の色素で着色された円柱状のものである。インクドットの部分が突出した状態（突起状物）となっている。ハイバンプ電極やインクドット等の突起状物は、半導体ウエハ表面の全面積の１０％未満程度の部分が前記高さに突出した状態になっている。本発明は、かかる表面形状を有する半導体ウエハに対して適用するものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明は、基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムを、ハイバンプ電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも１種の高さ（Ａ）が１０〜１００μｍの突起状物を有する半導体ウエハの表面に、直接貼付して裏面研削を行う方法、および該方法に使用する粘着フィルムである。
【００２０】
本発明の半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムは、基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面に、アクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマー、架橋剤、アルキレングリコール系重合体、その他必要に応じて他の添加剤を含む溶液またはエマルジョン液（以下、これらを総称して粘着剤塗布液という）を塗布、乾燥して粘着剤層を形成することにより製造される。
【００２１】
基材フィルムの片表面に粘着剤層を形成する場合は、環境に起因する汚染等から保護するために粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼着することが好ましい。また、剥離フィルムの片表面に粘着剤層を形成する場合は、粘着剤層を基材フィルムへ転写する方法がとられる。基材フィルム及び剥離フィルムのいずれの片表面に粘着剤塗布液を塗布するかは、基材フィルム及び剥離フィルムの耐熱性、半導体ウエハ表面の汚染性を考慮して決める。例えば、剥離フィルムの耐熱性が基材フィルムのそれより優れている場合は、剥離フィルムの表面に粘着剤層を設けた後、基材フィルムへ転写する。耐熱性が同等または基材フィルムが優れている場合は、基材フィルムの表面に粘着剤層を設け、その表面に剥離フィルムを貼着する。
【００２２】
しかし、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムは、剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層の表面を介して半導体ウエハ表面に貼着されることを考慮し、粘着剤層による半導体ウエハ表面の汚染防止を図るためには、耐熱性の良好な剥離フィルムを使用し、その表面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成する方法が好ましい。
【００２３】
本発明で用いる基材フィルムとしては、ショアーＤ型硬度が４０以下である基材フィルムを用いる。本発明のショアーＤ型硬度が４０以下である基材フィルムとは、ＡＳＴＭ−Ｄ−２２４０に規定されるショアーＤ型硬度が４０以下である原料樹脂をフィルム状に成形加工したフィルム、または、それと同等の性能を有するフィルムである。ショア−Ｄ型硬度が大きくなると、裏面研削中にウエハがチップレベルで局所的に破損したり（マイクロクラック）、完全に破損する事がある。また、突起状物に対応する裏面が局所的に薄くなる等の厚みバラツキ（以下、ディンプルと称する）を生じたりする事がある。ウエハの破損やマイクロクラックは直接、チップの歩留りに影響を与え、ディンプルの発生は、程度によっては、得られるチップの電気特性に悪影響を与えたり、次工程のダイシング工程等におけるチップの破損をまねくことがある。
【００２４】
ショアーＤ型硬度が４０以下である原料樹脂として、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−エチルアクリレート共重合体樹脂およびそれらの誘導体、軟質塩化ビニル樹脂、各種合成ゴム等があげられる。これらの、樹脂は、必要に応じて、安定剤、滑剤、酸化防止剤、顔料、ブロッキング防止剤、可塑剤、等を含有していても良い。
【００２５】
また、ショアーＤ型硬度が４０以下である原料樹脂をフィルム状に成形加工したフィルムと同等の性能を有するフィルムとしては、単に、ショアーＤ型硬度が４０以下である原料樹脂をフィルム状に成形加工するのではなく、他の樹脂（ショア−Ｄ型硬度が本発明の範囲外でも良い）をブレンドしたフィルムや、ショア−Ｄ型硬度が本発明の範囲外の樹脂に、可塑剤等の各種添加剤や、他の樹脂等を混合して、成形加工することにより得られたフィルムで、ＡＳＴＭ−Ｄ−２２４０に規定されるショアーＤ型硬度が４０以下である原料樹脂をフィルム状に成形加工したフィルムに準じた物性を有しているものである。ショアーＤ型硬度が４０以下である原料樹脂をフィルム状に成形加工したフィルム、に準じた物性を有しているかどうかは、基材フィルムの弾性率や、基材フィルムを熱プレス等を用いて空気を挟み込まずに積層溶融させて得たサンプルのショアーＤ型硬度の測定結果、等により判断される。
【００２６】
基材フィルムに可塑剤等の各種添加剤を添加する場合（特に、軟質塩化ビニル樹脂の場合）、添加剤が粘着剤層に移行して、粘着剤層の特性を変化させたり、ウエハ表面を汚染する事がある。この様な場合には、基材フィルムと粘着剤層の間にバリヤー層を設けることが好ましい。
【００２７】
基材フィルムは単層体であっても、また、積層体であってもよい。基材フィルムの厚み（Ｂ）は１５０〜５００μｍである。このましくは２５０〜５００μｍである。但し、前述の半導体ウエハ表面の突起状物の高さ（Ａ）を１０〜１００μｍとした場合に、基材フィルムの厚み（Ｂ）と（Ａ）とは、４Ａ≦Ｂなる関係にある必要がある。基材フィルムが薄くなると、裏面研削中にマイクロクラックを生じたり、完全に破損する事がある。また、ディンプルを生じることもある。厚くなると、基材フィルムの生産性に影響をあたえ、製造コストの増加につながる。
【００２８】
基材フィルムの厚みバラツキは、裏面研削後のウエハの局所的な厚みバラツキ（ディンプル）にはあまり影響を与えないが、全体的な厚みバラツキには影響を与える。かかる観点から、基材フィルムはその平均厚みの±５％程度の範囲内の厚みバラツキで製造されたものであることが好ましい。さらに好ましくは、±３％以内であり、より好ましくは、±２％以内である。ここで言う厚みバラツキとは、無作為に採取した約１０ｃｍ四方の大きさのサンプルを縦横約１ｃｍ毎に測定した際の平均厚みに対するバラツキのことである。
【００２９】
また、基材フィルムの粘着剤層が設けられる面の反対側の面に、これより硬いフィルム、具体的にはショアーＤ型硬度が４０を超えるフィルムを積層しても良い。そのことにより、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの剛性が増し、貼着作業性及び剥離作業性が改善される。
【００３０】
また、半導体ウエハの裏面を研削した後に施されるエッチング液によるエッチング処理の際にも引続き、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを用いて半導体ウエハの表面を保護する場合には、耐薬品性に優れた基材フィルムを使用することが好ましい。耐薬品性フィルムを基材フィルムの粘着剤層と反対側に積層してもよい。例えば、耐薬品性に優れたポリプロピレンフィルムを積層する等である。
【００３１】
基材フィルムと粘着剤層との接着力を向上させるため、基材フィルムの粘着剤層を設ける面にはコロナ放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。また、基材フィルムと粘着剤層の間に下塗り剤を用いてもよい。
【００３２】
本発明の基材フィルムは、カレンダー法、Ｔダイ押出法、インフレーション法等、公知の技術により製造することが出来る。これらの中で、生産性、得られるフィルムの厚み精度等を考慮すれば、Ｔダイ押出法により製造することが好ましい。
【００３３】
本発明に使用する剥離フィルムとして、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムが挙げられる。必要に応じてその表面にシリコーン処理等が施されたものが好ましい。剥離フィルムの厚みは、通常１０〜２０００μｍである。好ましくは３０〜１００μｍである。
【００３４】
本発明に用いる粘着剤塗布液は、その基本成分であるアクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマー、凝集力を上げたり粘着力を調整するための架橋性官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤、特定のアルキレングリコール系重合体を含む溶液またはエマルジョン液である。
【００３５】
本発明に用いるアクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマーは、アクリル酸アルキルエステル及び／またはメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとして、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー含むモノマー混合物を共重合して得られる。
【００３６】
アクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマーを含む液体（以下、粘着剤主剤）は溶液、エマルジョン液等の何れでもよい。
【００３７】
主モノマーとしては、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、また、２種以上を混合して使用してもよい。主モノマーの使用量は粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、通常、６０〜９９重量％の範囲で含まれていることが好ましい。
【００３８】
上記主モノマーと共重合させる、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーとして、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。これらの一種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、また２種以上を共重合させてもよい。上記の架橋剤と反応しうる官能基を有するコモノマーの使用量は、粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、通常、１〜４０重量％の範囲で含まれていることが好ましい。
【００３９】
本発明においては、上記粘着剤ポリマーを構成する主モノマー及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの他に、界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有すると共に乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。重合性界面活性剤を用いて乳化重合した粘着剤ポリマーを用いた場合には、通常、界面活性剤によるウエハ表面に対する汚染が生じない。また、粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じた場合においても、ウエハ表面を水洗することにより容易に除去することが可能となる。
【００４０】
この様な重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０等〕、及び分子内に重合性２結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系のもの〔花王（株）製；ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。
【００４１】
さらに必要に応じて、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、イソシアネートエチルアクリレート、イソシアネートエチルメタクリレート、２−（１−アジリジニル）エチルアクリレート、２−（１−アジリジニル）エチルメタクリレート等の自己架橋性の官能基を持ったモノマー、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性２重結合を持ったモノマー、ジビニルベンゼン、アクリル酸ビニル、メタクリル酸ビニル、アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル等の多官能性のモノマー等を共重合してもよい。
【００４２】
粘着剤ポリマーを重合する方法としては、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、等既知の様々な方法が採用できるが、得られる粘着剤ポリマーの分子量およびそれにともなう粘着剤の凝集力への影響を考慮する必要がある。これらの重合方法の内、高分子量のポリマーが得られること、塗布、乾燥工程における環境汚染、塗布性等を勘案すると乳化重合法が好ましい。
【００４３】
粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられるが、粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響および半導体ウエハ表面へのイオンの影響、等を等慮すればラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物、等が挙げられる。
【００４４】
乳化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物がさらに好ましい。４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が特に好ましい。
【００４５】
本発明に用いる架橋性の官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤は、粘着剤ポリマーが有する官能基と反応させ、粘着力および凝集力を調整するために用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、
【００４６】
トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系化合物、及びヘキサメトキシメチロールメラミン等のメラミン系化合物等が挙げられる。
【００４７】
これらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。上記架橋剤の中で、エポキシ系架橋剤は架橋反応の速度が遅く、反応が十分に進行しない場合には粘着剤層の凝集力が低くなり、半導体ウエハ表面の突起状物の形状によっては粘着剤層に起因する汚染が生じることがある。したがって、適宜、アミン等の触媒を含有するか、もしくは触媒作用のあるアミン系官能基をもつモノマーを粘着剤ポリマーに共重合するか、架橋剤を使用する際にアミンとしての性質を有するアジリジン系架橋剤を併用することが好ましい。
【００４８】
架橋剤の含有量は、通常、架橋剤中の官能基数が粘着剤ポリマー中の官能基数よりも多くならない程度の範囲で含有する。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合など、必要に応じて過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、粘着剤ポリマー１００重量部に対し架橋剤０．５〜１５重量部である。少ないと、粘着剤層の凝集力が不十分となり、ウエハ表面（特に突起周辺）で糊残りが生じ易くなったり、粘着力が本発明の範囲を外れて、高くなることがある。多過ぎると、粘着剤層とウエハ表面との密着力が弱くなり、後述するＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力が本願範囲内であっても、研削中に水や研削屑が浸入し、該粘着フィルムの剥離によるウエハの破損が生じたり、研削屑によるウエハ表面の汚染が生じたりすることがある。
【００４９】
本発明の粘着フィルムの粘着剤層は、上記、アクリル酸アルキルエステル系粘着剤ポリマー、架橋剤の他に、特定のアルキレングリコール系重合体を必須成分として含有する。アルキレングリコール系重合体の含有により、突起状物を有するウエハ裏面を研削する際のウエハ表面と粘着剤層の間への水浸入を防止する（以下、耐水性と称する）効果がある。本発明においては、粘着フィルムの粘着力を後述する特定の範囲に限定している。詳細な理由は明確ではないが、この粘着力の範囲内において、高さが１０〜１００μｍの突起状物を有するウエハ表面の裏面研削中における耐水性を向上させる効果がある。
【００５０】
本発明でいうアルキレングリコール系重合体とは、ポリ（オキシアルキレン）グリコール、ポリオキシアルキレンエーテル、ポリアルキレンオキサイドと称されるものを含み、ポリマーの主鎖がポリエーテルの構造を持つものをいう。アルキレングリコール系重合体は、水、アルコール類、エチレングリコール、グリセリン、ペンタエスリトール等の多価アルコール類等を開始剤として金属アルコキシド、有機金属化合物、無機金属塩、アルカリ金属水酸化物、第３アミン化合物、酸等の触媒存在下で、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド等の環状エーテルを開環付加させて重合する方法等により合成される。さらに、ポリマーの末端にある水酸基の水素原子が、アルキル基によって置換された構造のポリエーテルも含む［この場合、得られたポリマーの分子量は、アルキル基置換前のポリマーの分子量（水酸基および官能基数より換算）より推定］。
【００５１】
本発明において粘着剤層中に含有するアルキレングリコール系重合体は、上記で定義したアルキレングリコール系重合体の中で、アルキレン基の炭素数が３〜４のアルキレングリコール重合体、及び、エチレンオキサイドの共重合率が３０重量％以下であるオキシエチレン−アルキレン基の炭素数が３〜４のオキシアルキレン共重合体なる群から選ばれた１種以上のアルキレングリコール系重合体である。より好ましくは、アルキレン基の炭素数が３〜４のアルキレングリコール重合体、及び、エチレンオキサイドの共重合率が２０重量％以下であるオキシエチレン−アルキレン基の炭素数が３〜４のオキシアルキレン共重合体なる群から選ばれた１種以上のアルキレングリコール系重合体である。
【００５２】
具体的には、ポリプロピレングリコール、ポリトリメチレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のホモポリマー、エチレンオキサイドの共重合率が３０重量％以下のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体等のコポリマー等のポリエーテル類が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。さらに、これらの中で、製造コスト等を考慮すれば、ポリプロピレングリコール、エチレンオキサイドの共重合率が３０重量％以下のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体が好ましい。ポリプロピレングリコール、エチレンオキサイドの共重合率が２０重量％以下のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体が特に好ましい。
【００５３】
アルキレン基の炭素数が２以下であるアルキレングリコール重合体、エチレンオキサイドの共重合率が３０重量％を超えるオキシエチレン−オキシアルキレン共重合体の場合、耐水性が低下し、ウエハの裏面研削中に半導体ウエハの表面と粘着剤層の間に水が浸入することがある。半導体ウエハと粘着剤層の間に水が浸入した場合、ウエハが破損したり、ウエハ表面が研削屑等で汚染されることがある。また、アルキレン基の炭素数が５以上のアルキレングリコール系重合体は入手が困難となる。
【００５４】
粘着剤層が含有するアルキレングリコール系重合体の平均分子量は、ウエハ表面への汚染を考慮すれば高いほど好ましい。好ましい分子量の上限には特に制限はないが、分子量が高くなればアルキレングリコール系重合体の製造自体が難しくなる傾向がある。これらの事柄を考慮すれば、平均分子量は、２０００〜２００００程度が好ましい（水酸基価および官能基数より換算）。さらに好ましくは、６０００〜２００００である。
【００５５】
アルキレングリコール系重合体の含有量は、前記粘着剤ポリマーおよび架橋剤の和１００重量部に対して１〜３０重量部である。より好ましくは、５〜２０重量部である。含有量が少ないと、耐水性が劣り、裏面研削中にウエハ表面と粘着剤層との間に水が浸入してウエハの破損、表面の研削屑等による汚染が生じる傾向にある。また、多いとウエハ表面を汚染する事がある。
【００５６】
本発明に用いる粘着剤塗布液には、上記の粘着剤ポリマー、架橋剤、アルキレングリコール系重合体の他に、粘着特性を調整するためにロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を本願発明の目的に影響しない程度に適宜含有してもよい。また、粘着剤ポリマーがエマルジョン液である場合はジエチレングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を本願発明の目的に影響しない程度に適宜添加してもよい。造膜助剤として使用されるジエチレングリコールモノアルキルエーテル類およびその誘導体は、粘着剤層に起因するウエハ表面の汚染を除去し易くする効果があるが、本発明においては粘着剤層により汚染され易い、表面に突起状物を有する半導体ウエハを被着体とする為、粘着剤層中に多量に含有した場合、洗浄不可能となる程度の多量のウエハ表面の汚染を招くことがある。従って、これらの事柄を考慮すれば、塗工後の乾燥時の温度で揮発するものを使用し、粘着剤層中への残存量を低くすることが好ましい。
【００５７】
粘着剤層の厚み（Ｃ）は３０〜１００μｍである。但し、粘着剤層の厚み（Ｃ）と、半導体ウエハの表面回路に形成された突起状物の高さ（Ａ）との間に、０．６Ａ≦Ｃなる関係が成立する必要がある。粘着剤層の厚みが薄くなると、耐水性が劣り裏面研削中にウエハ表面と粘着剤層との間に水が浸入してウエハの破損、表面の研削屑等による汚染が生じる傾向にある。厚みが厚くなると粘着フィルムの作製が困難となったり、生産性に影響をあたえ製造コストの増加につながることがある。
【００５８】
本発明のウエハ裏面研削用粘着フィルムの粘着力は、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力に換算すると８０〜４００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは、１００〜３５０ｇ／２５ｍｍである。
【００５９】
ウエハ裏面の研削条件、ウエハの口径、研削後のウエハの厚み等を勘案して上記範囲に調整する。粘着力が低いと裏面研削中にウエハ表面と粘着剤層との間に、水が浸入しウエハの破損、表面の研削屑等による汚染が生じる傾向にある。また、高いと裏面研削後の剥離時に自動テープ剥がし機で剥離トラブルが発生する等、剥離作業性が低下したり、ウエハを破損することがある。
【００６０】
基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えばロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。さらに好ましくは８０〜１７０℃において１５秒〜５分間乾燥する。
【００６１】
本発明においては、粘着剤層の厚みを３０μｍ〜１００μｍに塗工するため、必要に応じて、多層に複数回塗工してもよい。
架橋剤と粘着剤ポリマーとの架橋反応を十分に促進させるために、被粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱しても良い。
【００６２】
本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウエハ表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィルム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。
【００６３】
次に、半導体ウエハの裏面研削方法について説明する。本発明の半導体ウエハの裏面研削方法は、表面に高さ（Ａ）が１０〜１００μｍのハイバンプ電極及び不良回路識別マークから選ばれた少なくとも１種の突起状物を有する半導体ウエハの裏面を研削する際に、上記方法により製造された半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを用いることに特徴がある。
【００６４】
その詳細は、先ず、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム（以下、粘着フィルムという）の粘着剤層から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、その粘着剤層を介して、高さ（Ａ）が１０〜１００μｍの突起状物を有する集積回路が組み込まれた側の半導体ウエハの表面に貼着する。次いで、研削機のチャックテーブル等に粘着フィルムの基材フィルム層を介して半導体ウエハを固定し、半導体ウエハの裏面を研削する。研削が終了した後、粘着フィルムは剥離される。裏面の研削が完了した後、粘着フィルムを剥離する前にケミカルエッチング工程を経ることもある。また、必要に応じて、粘着フィルム剥離後に、半導体ウエハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の洗浄処理が施される。
【００６５】
この様な裏面研削操作において、半導体ウエハは、研削前の厚みが、通常、５００μｍ〜１０００μｍであるのに対して、半導体チップの種類等に応じ、通常、１００μｍ〜６００μｍ程度まで研削される。研削する前の半導体ウエハの厚みは、半導体ウエハの口径、種類等により適宜決められ、研削後の厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類、等により適宜決められる。
【００６６】
粘着フィルムを半導体ウエハに貼着する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、ロール状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によって行われる。この様な自動貼り機として、例えば、タカトリ（株）製ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、帝国精機（株）製ＳＴＬシリーズ等がある。
裏面研削方式としては、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用される。それぞれ、研削は水を半導体ウエハと砥石にかけて冷却しながら行われる。
【００６７】
裏面研削終了後、必要に応じてケミカルエッチングが行われる。ケミカルエッチングは、弗化水素酸や硝酸、硫酸、酢酸等の単独もしくは混合液からなる酸性水溶液や、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液、なる群から選ばれたエッチング液に、粘着フィルムを貼着した状態で半導体ウエハを浸漬する等の方法により行われる。該エッチングは、半導体ウエハ裏面に生じた歪の除去、ウエハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理、等を目的として行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択される。
【００６８】
裏面研削、ケミカルエッチング終了後、粘着フィルムはウエハ表面から剥離される。この一連の操作は、人手により行われる場合もあるが、一般には、自動剥がし機と称される装置により行われる。この様な、自動剥がし機としては、タカトリ（株）製ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、同ＡＴＲＭ−２１００、帝国精機（株）製ＳＴＰシリーズ等がある。
【００６９】
粘着フィルムを剥離した後のウエハ表面は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄や、プラズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、ウエハ表面の汚染状況により適宜選択される。
【００７０】
本発明によれば、これまで裏面研削が困難であった、表面に高さが１０〜１００μｍのハイバンプ電極、インクドット等の如き突起状物を有する半導体ウエハを、そのような突起状物がない従来型ウエハの裏面を研削する際と同様に、簡便に研削することができる。また、該突起上物を表面に有する半導体ウエハの裏面を研削する際に、単にウエハを破損しないだけではなく、マイクロクラックを生じずに研削することができる。また、レジスト等を使用しないため、工程が簡略できる。さらに、半導体ウエハの表面から粘着フィルムを剥離した後、半導体ウエハ表面には粘着剤層に起因する汚染や、研削屑の浸入による汚染が殆どない。ディンプル等の突起上凹凸が原因で生じる、裏面の厚みバラツキも殆ど生じないか、生じても実用上問題のない範囲に抑えることができる。
【００７１】
本発明は、高さ（Ａ）が１０〜１００μｍの突起状物を有する半導体ウエハの裏面研削に適用されるが、該突起状物の高さ（Ａ）が２５μｍ以上になるとその効果がさらに顕著になる。
【００７２】
本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの裏面研削方法が適用できる半導体ウエハとして、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム等のウエハが挙げられる。
【００７３】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例において、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持された環境において粘着剤塗布液の調製および塗布、並びに、半導体シリコンウエハの裏面研削等を実施した。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方法で測定した。
【００７４】
（１）粘着力（ｇ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ  Ｚ−０２３７に準じて測定した。２３℃の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、５×２０ｃｍのＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ  Ｇ−４３０５規定）の表面に貼着し、１時間放置した。試料の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離する際の応力を測定し、ｇ／２５ｍｍの粘着力に換算した。
【００７５】
（２）実用評価
実施例または比較例の半導体シリコンウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ）の表面に、実施例または比較例の粘着フィルムを貼着し、研削機を用いて、水をかけて冷却しながら半導体シリコンウエハの裏面を研削して、厚みを約２５０μｍとした。各粘着フィルム毎に１０枚の半導体シリコンウエハについて評価した。
研削終了後、半導体シリコンウエハの破損状況を破損した枚数で評価し、さらに破損しなかった半導体シリコンウエハについて、表面と粘着フィルムとの間に周辺から水が浸入したか否かを目視で観察した。水の浸入が観察された場合、浸入の程度を、浸入がウエハの周辺から２ｍｍ未満の場合（ウエハから得られるチップの歩留りに影響を与えない程度）、周辺から２ｍｍ以上場合（ウエハから得られるチップの歩留りに影響を与える）の２通りにわけて、それぞれ生じた枚数で評価した。
水浸入の観察終了後、表面保護テープ剥がし機｛タカトリ（株）製、ＭＯＤＥＬ：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ；使用剥がしテープ：ハイランド印フィラメントテープＮｏ．８９７〔住友スリーエム（株）製〕｝で該粘着フィルムを剥離した。
該粘着フィルム剥離時の破損状況を破損した枚数で評価した。
さらに、該粘着フィルム剥離時に破損しなかったウエハの表面を、洗浄機〔大日本スクリーン製造（株）製：Ｄ−ＳＰＩＮ  ６２９〕を用いて水洗した後、光学顕微鏡〔（株）ニコン製：ＯＰＴＩＰＨＯＴ２〕を用いて５０〜１０００倍の範囲に拡大して観察し、マイクロクラック発生状況およびチップ毎の汚染の観察を行ない、下記の基準で評価した。
・マイロクラック発生率（％）
〔（マイロクラックが発生したチップ数）／（観察したチップ数）〕×１００
・汚染発生率（％）：
〔（汚染チップ数）／（観察したチップ数）〕×１００
【００７６】
（３）ウエハ裏面のディンプルの発生
裏面の研削が終了したウエハの裏面を目視によって、深さ約５μｍ以上のディンプルの有無を観察した。ディンプルが観察された場合、凹みの深さを測定した。
【００７７】
実施例１
（基材フィルムの作製）
ショアーＤ型硬度が３５のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂をＴ−ダイ押出機を用いて、厚さ２５０μｍのフィルムに形成した。この際、粘着剤層側にコロナ処理を施した。得られたフィルムの厚みバラツキは±１．５％以内であった。
【００７８】
（粘着剤主剤の重合）
重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．５重量部、アクリル酸ブチル７３．２５重量部、メタクリル酸メチル１４重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル９重量部、メタクリル酸２重量部、アクリルアミド１重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノニルフェニルエ−テル（エチレンオキサイドの付加モル数の平均＝約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製：アクアロンＨＳ−２０〕０．７５重量部を用い、攪拌下で７０℃において９時間乳化重合を実施し、アクリル樹脂系水エマルジョンを得た。これを１４重量％アンモニア水で中和し、固形分４０重量％の粘着剤ポリマーエマルジョン（粘着剤主剤）を得た。
【００７９】
（粘着剤塗布液の調整）
得られた粘着剤主剤エマルジョン１００重量部（粘着剤ポリマー濃度４０重量％）を採取し、さらに１４重量％アンモニア水を加えてｐＨ９．３に調整した。次いで、アジリジン系架橋剤〔日本触媒化学工業（株）製、ケミタイトＰＺ−３３〕２重量部、アルキレングリコール系重合体としてエチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体〔ペンタエリスリトール系、分子量８０００（水酸基価および官能基数より換算）〕５重量部、およびジエチレングリコールモノブチルエーテル５重量部を添加して粘着剤塗布液を得た。
【００８０】
（粘着フィルムの作製）
この粘着剤塗布液をロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥し厚さ４０μｍの粘着剤層を設けた。前述のエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム（ショアーＤ型硬度：３５）のコロナ処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１８０ｇ／２５ｍｍであった。
【００８１】
（粘着フィルムの評価）
得られた粘着フィルムを、高さ５５μｍのハイバンプ電極を有する５０ｍｍ2の集積回路が周辺まで組み込まれた半導体シリコンウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ、）の表面（集積回路側）に貼着し、研削機を用いて、水をかけて冷却しながら半導体シリコンウエハの裏面を研削し、厚みを約２５０μｍとした。同様のウエハ１０枚に対して同様の操作を行った。研削中に破損したウエハは皆無であった。
研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に水浸入は観察されなかった。これら１０枚のウエハから、表面保護テープ剥がし機｛タカトリ（株）製、ＭＯＤＥＬ：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ；使用剥がしテープ：ハイランド印フィラメントテープＮｏ．８９７〔住友スリーエム（株）製｝〕を用いて粘着フィルムを剥離した。粘着フィルム剥離中に破損したウエハは皆無であった。
得られた半導体ウエハの表面を、洗浄機〔大日本スクリーン製造（株）製：Ｄ−ＳＰＩＮ  ６２９〕を用いて水洗した後、半導体シリコンウエハの厚みバラツキの評価および、顕微鏡によるウエハ表面の汚染状況を観察した。ウエハ表面には、粘着剤等による汚染等は観察されなかった。裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００８２】
実施例２
実施例１の基材フィルムの作製において、厚みを４５０μｍとした以外は、全て実施例１と同様の方法で厚みバラツキが１．５％以内の基材フィルムを作製し、粘着剤塗布液の調整において、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の代わりに、エチレンオキサイドの共重合率が１４重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体〔ペンタエリスリトール系、分子量１００００（水酸基価および官能基数より換算）〕を使用し、添加量を８．０重量部とし、粘着フィルムの作製において、乾燥後の粘着剤層の厚みを６０μｍとした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は２１０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１の半導体シリコンウエハの代わりに、５０ｍｍ2の集積回路が周辺まで組み込まれた半導体シリコンウエハ（表面凹凸約５μｍ）の全チップの１０％の表面に対し、高さ９０μｍのインクドットが無作為に着けられたウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ）を用いて実施例１と同様の方法で評価した。
研削中に破損したウエハは皆無であり、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であった。表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面には、粘着剤等による汚染等は観察されなかった。裏面研削状況を目視で観察した際に、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００８３】
実施例３
実施例１の粘着剤塗布液の調整において、アジリジン系架橋剤の代わりにエポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）製、デナコールＥＸ−６１１〕を使用し、添加量を４．８重量部とし、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の代わりに、ポリプロピレングリコール〔グリセリン系、分子量６５００（水酸基価および官能基数より換算）〕を使用し、添加量を３．０重量部とした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は２４０ｇ／２５ｍｍであった。実施例１の半導体シリコンウエハの代わりに、高さ３０μｍのハイバンプ電極を有する５０ｍｍ2の集積回路が周辺まで組み込まれた半導体シリコンウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ、）を用いて実施例１と同様の方法で評価した。
研削中に破損したウエハは皆無であり、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であった。表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面には、粘着剤等による汚染等は観察されなかった。裏面研削状況を目視で観察した際に、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００８４】
実施例４
実施例１の基材フィルムの作製において、ショアーＤ型硬度が３５のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂の代わりにショアーＤ型硬度が３８のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を使用し、厚みを３５０μｍとした以外は、全て実施例１と同様の方法で厚みバラツキが１．５％以内の基材フィルムを作製し、粘着剤塗布液の調整において、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の代わりに、エチレンオキサイドの共重合率が１４重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体〔ペンタエリスリトール系、分子量１００００（水酸基価および官能基数より換算）〕を使用し、添加量を７．５重量部とし、粘着フィルムの作製において、乾燥後の粘着剤層の厚みを５０μｍとした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１８０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１の半導体シリコンウエハの代わりに、５０ｍｍ2の集積回路が周辺まで組み込まれた半導体シリコンウエハ（表面凹凸約５μｍ）の全チップの１０％の表面に対し、高さ７５μｍのインクドットが無作為に着けられたウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ、）を用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に破損したウエハは皆無であり、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であった。表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面には、粘着剤等による汚染等は観察されなかった。裏面研削状況を目視で観察した際に、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００８５】
実施例５
実施例１の基材フィルムの作製において、厚みを３５０μｍとした以外は、全て実施例１と同様の方法で厚みバラツキが１．５％以内の基材フィルムを作製し、粘着剤塗布液の調整時において、アジリジン系架橋剤の添加量を０．４重量部とし、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の代わりに、エチレンオキサイドの重合率が１４重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体〔ペンタエリスリトール系、分子量１００００（水酸基価および官能基数より換算）〕を使用し、添加量を７．５重量部とし、粘着フィルムの作製において、乾燥後の粘着剤層の厚みを５５μｍとした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は３５０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１の半導体シリコンウエハの代わりに、高さ８０μｍのハイバンプ電極を有する５０ｍｍ2の集積回路が周辺まで組み込まれた半導体シリコンウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ、）を用いて実施例１と同様の方法で評価した。
研削中に破損したウエハは皆無であり、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であった。
表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面には、粘着剤等による汚染等は観察されなかった。裏面研削状況を目視で観察した際に、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００８６】
実施例６
実施例１の基材フィルムの作製において、厚みを１６０μｍとした以外は、全て実施例１と同様の方法で厚みバラツキが１．５％以内の基材フィルムを作製し、粘着剤塗布液の調整において、アジリジン系架橋剤の添加量を１．６重量部とし、さらにエチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の代わりに、エチレンオキサイドの共重合率が１４重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体〔ペンタエリスリトール系、分子量１００００（水酸基価および官能基数より換算）〕を使用し、添加量を８．０重量部とした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１６０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１の半導体シリコンウエハの代わりに、５０ｍｍ2の集積回路が周辺まで組み込まれた半導体シリコンウエハ（表面凹凸約５μｍ）の全チップの１０％の表面に対し、高さ３０μｍのインクドットが無作為に着けられたウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ）を用いて実施例１と同様の方法で評価した。
研削中に破損したウエハは皆無であり、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であった。表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面には、粘着剤等による汚染等は観察されなかった。しかし、裏面研削状況を目視で観察した際に、インクドットに対応する裏面側に、若干のディンプル（局所的に薄い部分）が観察された。ディンプルの深さは４μｍ程度であった。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００８７】
【表１】
0003729584.tif 000002
【００８８】
実施例７
実施例１の粘着剤塗布液の調整において、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の添加量を０．８重量部とした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は２８０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に破損したウエハは皆無であったが、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入の生じたウエハが１枚観察された。しかし、水浸入の程度は周辺から２ｍｍ未満であり、実用上、殆ど問題にならない程度であった。また、粘着フィルム剥離中に破損したウエハは皆無であった。しかし、表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面の全チップ数に対して０．４％のチップ（ウエハ周辺付近のチップ）に研削水の浸入に伴うシリコン屑等による若干の汚染が観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表２〕に示す。
【００８９】
実施例８
実施例１の粘着剤塗布液の調整において、アジリジン系架橋剤の代わりにエポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）製、デナコールＥＸ−６１１〕を使用し、添加量を４．８重量部とし、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の添加量を１１．２重量部とした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１１０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に破損したウエハは皆無であり、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であった。しかし、表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面の全チップ数に対して０．５％のチップのハイバンプ電極周辺に若干の糊残りが観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表２〕に示す。
【００９０】
実施例９
実施例１の粘着剤塗布液の調整時において、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の代わりに、エチレンオキサイドの共重合率が２５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体〔グリセリン系、分子量８０００（水酸基価および官能基数より換算）〕を用いた以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１８０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に破損したウエハは皆無であったが、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入の生じたウエハが１枚観察された。しかし、水浸入の程度は周辺から２ｍｍ未満であり、実用上、殆ど問題にならない程度であった。また、粘着フィルム剥離中に破損したウエハは皆無であった。しかし、表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面の全チップ数に対して０．４％のチップ（ウエハ周辺付近のチップ）に研削水の浸入に伴うシリコン屑等による若干の汚染が観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表２〕に示す。
【００９１】
実施例１０
実施例１の粘着剤塗布液の調整において、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の代わりに、ポリプロピレングリコール〔グリセリン系、分子量３０００（水酸基価および官能基数より換算）〕を使用した以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１８０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に破損したウエハは皆無であり、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であった。しかし、表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面の全チップ数に対して０．５％のチップのハイバンプ電極周辺に若干の糊残りが観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表２〕に示す。
【００９２】
実施例１１
実施例１０のポリプロピレングリコールの代わりに、別タイプのポリプロピレングリコール〔グリセリン系、分子量１０００（水酸基価および官能基数より換算）〕を用いた以外は全て実施例１０と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１８０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に破損したウエハは皆無であり、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であた。しかし、表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面に、全チップ数に対して３．０％のチップのハイバンプ電極周辺に若干の糊残りが観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表２〕に示す。
【００９３】
【表２】
0003729584.tif 000003
【００９４】
比較例１
実施例１の基材フィルムの作製において、ショアーＤ型硬度が３５のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂の代わりにショアーＤ型硬度が４４のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を用い、厚みを３５０μｍとした以外は、全て実施例１と同様の方法で厚みバラツキが１．５％以内の基材フィルムを作製し、粘着剤塗布液の調整において、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の代わりに、エチレンオキサイドの共重合率が１４重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体〔ペンタエリスリトール系、分子量１００００（水酸基価および官能基数より換算）〕を使用し、添加量を７．５重量部とし、粘着フィルムの作製において、乾燥後の粘着剤層の厚みを５０μｍとした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は２３０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１の半導体シリコンウエハの代わりに、５０ｍｍ2の集積回路が周辺まで組み込まれた半導体シリコンウエハ（表面凹凸約５μｍ）の全チップの１０％の表面に対し、高さ７５μｍのインクドットが無作為に着けられたウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ）を用いて実施例１と同様の方法で評価した。
研削中に１枚のウエハが破損した。しかし、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であった。しかし、表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面を顕微鏡で観察した結果、１０％のチップにマイクロクラックが発生していた。また、粘着剤等による汚染は皆無であった。さらに、裏面研削状況を目視で観察した際に、インクドットに対応する裏面側に、ディンプルが観察された。ディンプルの深さは１５μｍ程度であった。得られた結果を〔表３〕に示す。
【００９５】
比較例２
実施例１の基材フィルムの作製において、厚みを１８０μｍとした以外は、全て実施例１と同様の方法で厚みバラツキが１．５％以内の基材フィルムを作製した以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１８０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に２枚のウエハが破損した。しかし、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であった。しかし、表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面を顕微鏡で観察した結果、１５％のチップにマイクロクラックが発生していた。また、粘着剤等による汚染は皆無であった。さらに、裏面研削状況を目視で観察した際に、インクドットに対応する裏面側に、ディンプルが観察された。ディンプルの深さは１５μｍ程度であった。得られた結果を〔表３〕に示す。
【００９６】
比較例３
実施例１の粘着フィルムの作製において、乾燥後の粘着剤層の厚みを２０μｍとした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１２０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１の半導体シリコンウエハの代わりに、高さ４０μｍのハイバンプ電極を有する５０ｍｍ2の集積回路が周辺まで組み込まれた半導体シリコンウエハ（直径：６インチ、厚み：６００μｍ、）を用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に水侵入が原因で、３枚のウエハが破損した。研削終了後、破損しなかった７枚のウエハに周辺から１．２ｃｍ程度の水浸入が観察された。粘着フィルム剥離中に破損したウエハは皆無であった。表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面に、全チップ数に対して２５％のチップ（ウエハ周辺付近のチップ）に研削水の浸入に伴うシリコン屑等による汚染が観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表３〕に示す。
【００９７】
比較例４
実施例１の粘着剤塗布液の調整において、アジリジン系架橋剤の添加量を０．０４重量部とした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は４５０ｇ／２５ｍｍであった。実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に破損したウエハは皆無であり、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に３枚のウエハが破損した。表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面に、全チップ数に対して２１％のチップのハイバンプ電極周辺に糊残りが観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表３〕に示す。
【００９８】
比較例５
実施例１の基材フィルムの作製において、厚みを３００μｍとした以外は、全て実施例１と同様の方法で厚みバラツキが１．５％以内の基材フィルムを作製し、粘着剤塗布液の調整において、アジリジン系架橋剤の代わりにエポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）製、デナコールＥＸ−６１１〕を使用し、添加量を７．２重量部とし、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の添加量を９．０重量部とした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１１０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に水侵入が原因で２枚のウエハが破損した。研削終了後、破損しなかった８枚のウエハ中、３枚のウエハが、周辺から１ｃｍ程度の水浸入が観察され、５枚のウエハに２ｍｍ未満の水浸入が観察された。粘着フィルム剥離中に破損したウエハは皆無であった。表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面に、全チップ数に対して１２％のチップ（ウエハ周辺付近のチップ）に研削水の浸入に伴うシリコン屑等による汚染が観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表３〕に示す。
【００９９】
【表３】
0003729584.tif 000004
【０１００】
比較例６
実施例１の基材フィルムの作製において、厚みを３００μｍとした以外は、全て実施例１と同様の方法で厚みバラツキが１．５％以内の基材フィルムを作製し、粘着剤塗布液の調整において、アジリジン系架橋剤の添加量を４．８重量部とし、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の添加量を８．０重量部とし、粘着フィルムの作製において、乾燥後の粘着剤層の厚みを３０μｍとした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は７０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１の半導体シリコンウエハの代わりに、実施例３と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に水侵入が原因で１枚のウエハが破損した。研削終了後、破損しなかった９枚のウエハ中、３枚のウエハが、周辺から１ｃｍ程度の水浸入が観察され、６枚のウエハに２ｍｍ未満の水浸入が観察された。粘着フィルム剥離中に破損したウエハは皆無であった。表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面に、全チップ数に対して１２％のチップ（ウエハ周辺付近のチップ）に研削水の浸入に伴うシリコン屑等による若干の汚染が観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表４〕に示す。
【０１０１】
比較例７
実施例１の基材フィルムの作製において、厚みを３００μｍとした以外は、全て実施例１と同様の方法で厚みバラツキが１．５％以内の基材フィルムを作製し、粘着剤塗布液の調整において、アジリジン系架橋剤の添加量を４重量部とし、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の添加量を０．２２重量部とした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は２５０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に水侵入が原因で３枚のウエハが破損した。研削終了後、破損しなかった７枚のウエハに周辺から１．２ｃｍ程度の水浸入が観察された。粘着フィルム剥離中に破損したウエハは皆無であった。表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面に、全チップ数に対して２３％のチップ（ウエハ周辺付近のチップ）に研削水の浸入に伴うシリコン屑等による汚染が観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表４〕に示す。
【０１０２】
比較例８
実施例１の基材フィルムの作製において、厚みを３００μｍとした以外は、全て実施例１と同様の方法で厚みバラツキが１．５％以内の基材フィルムを作製し、粘着剤塗布液の調整において、アジリジン系架橋剤の代わりにエポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）製、デナコールＥＸ−６１１〕を使用し、添加量を３．６重量部とし、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の添加量を１５重量部とした以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィルムの粘着力は１２０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に破損したウエハは皆無であり、研削終了後、ウエハと粘着フィルムの間に、水浸入は観察されなかった。粘着フィルム剥離中に破損したウエハも皆無であった。しかし、表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面に、全チップ数に対して２１％のチップのハイバンプ電極周辺に糊残りが観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表４〕に示す。
【０１０３】
比較例９
粘着剤塗布液の調整において、エチレンオキサイドの共重合率が１５重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体の代わりに、エチレンオキサイドの共重合率が４０重量％のオキシエチレン−オキシプロピレン共重合体〔グリセリン系、分子量６２００（水酸基価および官能基数より換算）〕を使用した以外は全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。得られた粘着フィルムの粘着力は１８０ｇ／２５ｍｍであった。
実施例１と同様の半導体シリコンウエハを用いて実施例１と同様の方法で評価した。研削中に水侵入が原因で１枚のウエハが破損した。研削終了後、破損しなかった９枚のウエハ中、２枚のウエハが、周辺から１ｃｍ程度の水浸入が観察され、７枚のウエハに２ｍｍ未満の水浸入が観察された。粘着フィルム剥離中に破損したウエハは皆無であった。表面を水洗した後の半導体シリコンウエハの表面に、全チップ数に対して９％のチップ（ウエハ周辺付近のチップ）に研削水の浸入に伴うシリコン屑等によるの汚染が観察された。また、裏面研削状況を目視で観察したが、ディンプルは見られなかった。得られた結果を〔表４〕に示す。
【０１０４】
【表４】
0003729584.tif 000005
【０１０５】
＜実施例の考察＞
〔基材フィルムのショアーＤ型硬度（実施例４、比較例１）〕
基材フィルムのショアーＤ型硬度が４０を超えると、マイクロクラックが発生し、研削中にウエハが破損し、且つ、実用上問題となるレベル（５μｍ以上）のディンプルが発生する。
［基材厚み（実施例６、比較例２）］
基材フィルムの厚みが本発明で限定する下限値の１５０μｍ近くになれば、ディンプルが生じる傾向にある。尚、この場合に生じたディンプルは深さが４μｍ程度である為、通常、実用上は何ら問題ないといわれている。また、基材フィルムの厚み（Ｂ）が本発明で限定する範囲の１８０μｍであるが、ウエハ表面に存在する突起状物の高さ（Ａ）との関係が、４Ａ≦Ｂを満足しないため、ウエハの破損、マイクロクラックを生じる。
〔粘着剤層厚み（実施例１、比較例３）〕
粘着剤層の厚みが本発明で限定する下限値の３０μｍ未満であると、ウエハ表面と粘着剤層の間に水が侵入して、研削中のウエハが破損したり、研削屑によるチップの汚染が生じる。但し、マイクロクラック及びディンプルは発生していない。これに対して、ディンプル及びマイクロクラックの発生、研削時のウエハの破損防止には、基材フィルムの厚み及び硬度が重要な要因となることは前述した通りである。
〔粘着力（比較例６）〕
粘着力が本発明で限定する下限値の８０ｇ／２５ｍｍ未満であると、ウエハ表面と粘着剤層の間に水が侵入して、裏面研削中にウエハが破損したり、研削屑によるチップの汚染が生じる。
［アルキレングリコール系重合体の含有量（実施例７、８、比較例７、８）］
実施例７は、アルキレングリコール系重合体の含有量を本発明で限定する下限値の１重量部近くにした例である。この結果から、アルキレングリコール系重合体の含有量が少ないと粘着力が本願で限定する範囲内であっても、ウエハ表面と粘着剤層の間に水が侵入し易くなる傾向があることがわかる。さらに、含有量が１重量部未満であると、水の侵入により研削中にウエハが破損したり、研削屑等によりチップが汚染される。
【０１０６】
実施例８は、アルキレングリコール系重合体の含有量を本発明で限定する上限の３０重量部近くにした例である。この結果から、実施例８より、アルキレングリコール系重合体の含有量が多いと、チップ上（特にバンプ周辺）に糊残りによる汚染が生じやすくなる傾向があることがわかる。含有量が３０重量部を超えると、チップの汚染が著しくなり、チップの歩留りが著しく低下し、実用上問題が生じる。
〔エチレンオキサイドの共重合率（実施例９、比較例９）〕
アルキレングリコール系重合体中のエチレンオキサイドの共重合率が本発明で限定する上限値の３０重量％近くであると、ウエハ表面と粘着剤層の間に水が侵入し易くなる。エチレンオキサイドの共重合率が３０重量％を超えた場合には、水の侵入により、裏面研削中にウエハが破損したり、研削屑等によりチップが汚染される。
〔アルキレングリコール系重合体の分子量（実施例１０、１１）〕
アルキレングリコール系重合体の分子量が低くなると、汚染が生じ易い傾向を示す。
〔架橋剤の含有量（実施例３、実施例５、比較例４乃至５）〕
架橋剤の含有量が本発明で限定する上限値の１５重量部を超えた場合には、粘着力が本発明で限定する範囲内であっても、ウエハの裏面研削中にウエハ表面と粘着剤層の間に水が侵入して、研削中にウエハが破損したり、研削屑等によりチップが汚染される。架橋剤の含有量が０．５重量部未満であると、チップ上（特にバンプ周辺）に糊残りによる汚染が生じる。さらに、比較例４では粘着力が４００ｇ／２５ｍｍを超えているため、粘着フィルムを剥離する際にウエハの破損が生じている。
【０１０７】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体ウエハの裏面を研削するに際し、該半導体ウエハの表面にハイバンプ電極、不良回路識別マーク等の高さが１０〜１００μｍもある突起状物が形成されていても、裏面の研削応力に起因してウエハが破損することがないばかりでなく、チップレベルでの破損（マイクロクラック）を生じることがない。また、粘着フィルムを剥離した後に糊残りがないので、半導体ウエハの表面を汚染することがない上に、突起状物に起因するディンプルの発生もない。さらに、半導体ウエハの表面と粘着剤層の間に水が侵入することに起因するウエハの破損及びウエハ表面の汚染もない。当然のことながら、レジストを用いる必要がなく工程が簡略できるという効果をも奏するものである。