(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同心状にＮ個の継ぎ目なし筒型超電導体を有し、該筒型超電導体のＮ個全てに、周方向の環状超電導電流路を遮断するために少なくとも一部を臨界温度以上に加熱する機構を有し、かつ外部より筒型超電導体を着磁する機構を有する筒型超電導マグネットを着磁する方法であって、前記加熱機構によりＮ個全ての筒型超電導体を常電導化した状態で、前記外部着磁機構により軸方向に励磁し、その後、最内側から１個以上Ｎ−１個までの任意個数の筒型超電導体を前記加熱機構により常電導化した状態を維持し、かつ残りの筒型超電導体を臨界温度未満に冷却して超電導化した状態で、前記外部着磁機構を減磁することで、軸方向磁界を着磁した後、前記加熱機構を全て停止して全ての筒型超電導体を超電導化させることを特徴とする筒型超電導マグネットの着磁方法。
【請求項２】
筒型超電導体及び該超電導体の軸方向に磁場を着磁する機構と、該軸方向に交流磁界を印加する機構を有する筒型超電導マグネットを着磁する方法であって、前記筒型超電導体の全体を臨界温度以上に加熱して常電導状態にし、外部から軸方向に直流磁界を印加し、その後、前記筒型超電導体の全体を臨界温度未満に冷却して超電導状態にし、さらに、外部直流磁界を減磁することで該筒型超電導体に軸方向磁界を着磁した後、振幅が着磁した直流磁界の１０〜６０％である交流磁界を印加し、その後停止することを特徴とする筒型超電導マグネットの着磁方法。
【請求項３】
前記交流磁界を印加する機構を前記筒型超電導体の内側に有するものとし、前記着磁磁界の１０〜６０％の振幅の交流磁界の印加後、始めは該交流磁界の振幅とし、徐々に振幅を減少させ、その後交流磁界の印加を停止することを特徴とする請求項２に記載の筒型超電導マグネットの着磁方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、筒型超電導体に着磁して、マグネット等の磁界発生源とする応用に対して、その発生磁界が時間によって減少することを防ぎ、安定した磁界を得る筒型超電導マグネットの着磁方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
超電導体に外部磁界を印加し、捕捉された磁場をマグネットとして利用する技術は従来の金属系超電導材料ではなかったが、近年発見された酸化物系超電導材料ではバルク（塊）状（円筒形状も含めて）の材料を作製できるため、その捕捉磁界を利用する応用が考えられている（例えば、磁気浮上搬送、「磁気浮上と磁気軸受け」電気学会磁気浮上応用技術調査専門委員会編コロナ社版１９９３年Ｐ．１４６）。こうしたバルク状超電導材料は自己インダクタンスが小さいため捕捉磁界の経時変化が大きいことが知られており、これを回避する手段がいくつか考案されている。酸化物超電導コイルを浸した液体窒素を減圧して通常の液体窒素温度（７７Ｋ）よりも冷却して使用することにより、超電導コイルの磁束クリープを防ぐ方法が考案されている（特開平４−３５０９０６号公報）。また、同じく酸化物超電導体の磁束クリープ防止法として、励磁及び減磁速度を速くして材料の温度を一旦上昇させておいて減磁後温度が低下した状態で捕捉した磁束を安定化させる方法が考案されている（特開平６−２０８３７号公報）。いずれも冷媒または材料の温度をコントロールして磁場の捕捉後の超電導電流を臨界電流以下に保つ方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、筒型超電導体に着磁して、マグネット等の磁界発生源とする応用に対して、その発生磁界が時間によって減少することを防ぎ、安定した磁界を得ることができる筒型超電導マグネットの着磁方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の特徴は、同心状にＮ個の継ぎ目なし筒型超電導体を有し、該筒型超電導体のＮ個全てに、周方向の環状超電導電流路を遮断するために少なくとも一部を臨界温度以上に加熱する機構を有し、かつ外部より筒型超電導体を着磁する機構を有する筒型超電導マグネットを着磁する方法であって、前記加熱機構によりＮ個全ての筒型超電導体を常電導化した状態で、前記外部着磁機構により軸方向に励磁し、その後、最内側から１個以上Ｎ−１個までの任意個数の筒型超電導体を前記加熱機構により常電導化した状態を維持し、かつ残りの筒型超電導体を臨界温度未満に冷却して超電導化した状態で、前記外部着磁機構を減磁することで、軸方向磁界を着磁した後、前記加熱機構を全て停止して全ての筒型超電導体を超電導化させることを特徴とする筒型超電導マグネットの着磁方法である。ここでＮは２以上の自然数である。
【０００５】
一部を臨界温度以上に加熱する機構は、例えば、図１（ａ）の１１のような部分加熱用のヒーターによる方法がある。また、全部を常電導状態にする場合は、例えば、図１（ｂ）の１２のような全体をヒーターで覆うような方法もある。また、該筒型超電導体同士は、熱的にできるだけ絶縁されているのが好ましい。一方の加熱装置による筒型超電導体への加熱で、他方の筒型超電導体をできるだけ加熱しないためである。例えば、ある程度の間隔をもって該筒型超電導体同士の隙間が液体ヘリウムで満たされている場合でもよい。この点から本発明では金属超電導体とＣｕ、Ｎｂなどによる多層複合構造体から作製された筒型超電導体においては、熱的にほとんど絶縁されていない多層複合構造体内部の超電導層を１つ１つを筒型超電導体とは見なさず、筒型超電導体そのものを１つと数える。
【０００６】
また、該加熱機構により該外部着磁機構を減磁時に常電導化する筒型超電導体の個数は、Ｎの半分程度にするのが望ましい。その理由は、これ以上増やすと、マグネットとして働く筒型超電導体の個数が減り、相対的に磁界発生源としてのマグネットとしての役割は薄れ、逆にこれ以上減らすと、磁界安定化として働く筒型超電導体の個数が減り、相対的に磁束クリープが起こりやすくなるからである。ただし、磁界の安定性を第一に考える場合はこの限りでなく、該加熱機構により該外部着磁機構を減磁時に常電導化する筒型超電導体の個数をＮの半分程度より増やすこともできる。
【０００７】
本発明の第２の特徴は、筒型超電導体及び該超電導体の軸方向に磁場を着磁する機構と、該軸方向に交流磁界を印加する機構２１を有する筒型超電導マグネットを着磁する方法であって、前記筒型超電導体の全体を臨界温度以上に加熱して常電導状態にし、外部から軸方向に直流磁界を印加し、その後、前記筒型超電導体の全体を臨界温度未満に冷却して超電導状態にし、さらに、外部直流磁界を減磁することで該筒型超電導体に軸方向磁界を着磁した後、振幅が着磁した直流磁界の１０〜６０％である交流磁界２２を印加し、その後停止することを特徴とする筒型超電導マグネットの着磁方法である。ここで、着磁機構と交流磁界印加機構は個別の装置でも良いし、同一コイルを有し電流を直交切り替え回路を有す装置でも良い。交流磁界２２は、例えば図２や図３のように該超電導体１の軸方向に向けることが望ましい。
【０００８】
また、交流磁界発生のための交流電圧が同じでも、高周波で振幅の小さいものより低周波で振幅の大きい方が好ましい。つまり、振幅の大きい方が好ましい。そこで、本発明では、交流磁界の振幅は着磁した磁界の１０％から６０％とするものであり、これより小さいと磁束クリープ抑制の効果は少なく、大きいと着磁した磁界がほとんど減少し、マグネットとして利用するには適当でなくなるからである。
【０００９】
本発明の第３の特徴は、前記交流磁界を印加する機構を前記筒型超電導体の内側に有するものとし、前記着磁磁界の１０〜６０％の振幅の交流磁界の印加後、始めは該交流磁界の振幅とし、徐々に振幅を減少させ、その後交流磁界の印加を停止することを特徴とする請求項２に記載の筒型超電導マグネットの着磁方法である。
【００１０】
また具体的な着磁方法の例を２つ挙げておく。１つは請求項１の場合である。同心状においた２つの筒型超電導体において、外部からの直流磁界を印加し、その励磁時に全ての該超電導体をヒーターで加熱しておく。その後、減磁開始時に内側の該超電導体１つのみヒーターで加熱したままにし、外側の該超電導体は加熱を止め、超電導状態にして外側の該超電導体に着磁する。最後に内側の該超電導体は加熱を止め、超電導状態にして、マグネットとして利用する方法である。
【００１１】
また、もう１つは請求項２を用いた方法である。該超電導体にあらかじめ請求項１のように加熱装置を設置しておき、外部からの直流磁界を印加し、その励磁時に全ての該超電導体をヒーターで加熱しておく。その後、減磁開始時に該超電導体の加熱を止め、超電導状態にして該超電導体に着磁する。減磁が終了し外部磁界を零にした後に、筒型超電導体へ交流磁界を印加し、その後停止し、筒型超電導体をマグネットとして利用する方法である。
【００１２】
【作用】
本発明は超電導体の捕捉磁界が着磁後時間とともに減る減少（以降磁束クリープと呼ぶ）を出来るだけ抑制した超電導マグネット及びその着磁方法である。磁束クリープは熱活性による量子化磁束の移動により起こる（参照；固体物理  Ｖｏｌ．２５  ｐ７５５  小林典男）。以下に発明の原理をＢｅａｎの臨界状態モデルを用いて説明する。
【００１３】
図４は臨界温度Ｔｃ以下の温度で、励磁してから間もない時間ｔ１における超電導体内の磁束密度の状態を示す。経過した時間ｔ２、ｔ３の磁束密度の様子を点線、破線で示している。このとき磁束密度の傾斜は、超電導体内に流し得る最大の超電導電流（Ｊｃ：臨界電流密度）に対応している。一般にこの超電導電流は時間の対数に比例して減衰することが知られており、従って捕捉磁界Ｂ（ｔ）も下式のように時間ｔの対数に比例して減衰する。αは時間に依存しない定数で超電導材料によって異なる。
Ｂ（ｔ）＝Ｂ０・（１−α・ｌｎ（ｔ））
【００１４】
この式から着磁してから時間をおけばおくほど、磁界の変動は小さくなることがわかる。そこで単に着磁後すぐに使用せず、ある時間放置した後使う方法が考えられる。例えば、ＭＲＩなどの精密な磁界安定性を要求する応用など１時間の磁界変動を１ｐｐｍ以下に抑える必要がある。１時間の磁界変動を１ｐｐｍ以下に抑えるには、α〜１／１００とした場合、計算上１００００時間以上待たなければならず、実用上からも経済上からもデメリットが大きい。このように本発明は磁界安定性を得るのに短時間の処理で可能となる点で大きな特色をもつ。
【００１５】
本発明では、大きく分けて２つの方法で磁束クリープを低減する提案を行っている。１つは超電導体内の磁界勾配をできるだけ緩やかにすることで、着磁初期の捕捉磁界の減少が円筒内部の空間にまで影響がないようにする方法である。これは請求項１に対応する。もう１つは、捕捉磁界を支えている臨界電流密度を着磁の際にだけ弱めておき、着磁後元に戻すという方法である。これは請求項２および３に対応する。
【００１６】
なお、本発明でいう筒型超電導体とは、筒の周方向に超電導層が連続したもので、図５（ａ）のように円筒、楕円筒および多角形筒はもちろん、円錐台形筒、楕円錐台形筒および多角錐台形筒（参照：図５（ｂ））も含み、円盤形、楕円盤や多角形板に穴が空けられた形状およびその組み合わせ（参照：図５（ｃ））も意味する。
【００１７】
次に、本発明について詳細に説明する。まず請求項１における加熱機構によりＮ個全ての筒型超電導体を常電導化した状態で、該外部着磁機構により軸方向に励磁し、その後最内側から１個以上Ｎ−１個までの任意個数の該筒型超電導体を常電導化した状態で該外部着磁機構を減磁し、軸方向磁界を着磁後、該加熱機構を全て停止し超電導化させることの理由について説明する。
【００１８】
はじめにＮ個全ての筒型超電導体を常電導化した状態で、該外部着磁機構により軸方向に励磁するのは、超電導体への着磁を容易にするためである。というのも全てを加熱していなければ、超電導体のシールド効果により超電導体内に磁界の勾配が生じて、励磁磁界よりもかなり低い磁界しか筒型超電導体の筒内には侵入できず、結果的に低い捕捉磁界しか得られない。しかし、加熱機構により周方向の環状超電導電流路をすべて遮断することで超電導体のシールド効果を低下、もしくはなくすことができ、これにより超電導体内に磁界の勾配が生じず、励磁磁界とほぼ同等の磁界が筒型超電導体の筒内に侵入することができ、結果的に高い捕捉磁界が得られる。このような点からＮ個全ての筒型超電導体を常電導化するのが好ましい。
【００１９】
つぎに、該超電導体を常電導状態にしないで着磁した場合の磁束密度の分布を図６（ａ）に示す。超電導状態のある場所で磁束密度の勾配がついていることが分かる。このような磁束密度の勾配は磁束クリープの原因になると前に述べた。ところが該超電導体をその一部または全部を常電導体にすると、着磁を終了した時点では、図６（ｂ）のように該筒型には軸方向の磁界に対して捕捉する能力を失うため、その内側に磁束が流れ込み、該筒型部では磁束密度の勾配が生まれない。この状態で常電導状態にしていた該筒型超電導体を超電導状態にすると、磁場中冷却した超電導体として振る舞うため、図６（ｃ）のように磁束密度の勾配がない状態を得ることができる。この状態から磁束クリープが起こっても、図６（ｄ）のようにある時間までは最高磁界は変化せず、しかも磁束クリープは時間の対数で起こるため、超電導体の厚みを適当にすることでほぼ実用上問題ない時間範囲で中心磁界の減少を回避することができる。また、加熱機構は幾つか考えられるが、例えばひずみ測定用のストレインゲージは薄くて高抵抗な素子であるため、これを超電導体に貼り付けることで弱い電流でも発熱量は大きく、上記の目的に適している。
【００２０】
請求項２における筒型超電導マグネットの着磁方法において、該超電導体の着磁後、交流磁界を発生し、その後停止することについて説明する。この交流磁界によって、交流磁界に応じた電流が超電導体内に誘起される。ところで、超電導体に流すことのできる最大の電流密度値は限られている。そのため、捕捉した磁束密度の維持のために流れていた電流が交流磁界によって減少せざるを得なくなり、結果として捕捉できる磁束密度は低下する。その後交流磁界を停止すると、超電導体のＪｃが回復し、図７のように超電導体内の磁束密度の勾配が緩やかになり、磁束クリープも磁束密度の勾配に応じて緩やかになる。交流磁界の大きさを変えることで磁束クリープをさらに緩やかにすることができる。これが外、もしくは内側に交流磁界発生源を設け、該超電導体の着磁後、交流磁界を発生し、その後停止する理由である。
【００２１】
請求項３における、着磁磁界の１０〜６０％の振幅の交流磁界の印加後、始めは該交流磁界の振幅とし、徐々に振幅を減少させ、その後交流磁界の印加を停止することについて説明する。交流磁界の発生磁界とＢｅａｎモデルによる超電導体内の磁束密度分布を図８に示す。このように振幅を次第に小さくすることで超電導体内部に磁束密度の起伏が生じる。交流の周期と振幅のダンピング時定数との比をできるだけ小さく取れば、より超電導体内部に磁束密度の起伏が細かくなり、ほぼ平らに近い磁束密度分布が得られ、請求項１の説明で述べたときと同じ効果が得られる。このように請求項２に述べた効果に加えて、上述の効果で更に磁束クリープ現象を低減できる。
【００２２】
さらに磁束クリープを抑えるには、請求項１、２及び３の任意の組み合わせが、より好ましい。例えば、高磁界を捕捉するため、同心状に幾つもの筒型の超電導体を配置する場合が考えられる。この場合、各円筒の隙間毎に交流磁界発生源を設けることがさらに好ましい。これによって、かなり高い磁界を得ながら、かつ磁束クリープを効率よく低減することが出来る。また交流磁界の印加時間は長い方が好ましい。ただし、効果としては、むしろ短時間でも振幅の大きい交流磁界の方が効果が大きい。
【００２３】
最後に請求項１、２及び３での超電導体は、Ｎｂ−Ｔｉ系やＮｂ３Ｓｎなどの金属系超電導体はもちろんのこと、該金属超電導体とＣｕ、Ｎｂなどによる多層複合構造体（例えば、特開平２−９４４９８号公報、特開平３−１３６４００号公報、特開平３−２７３７００号公報など。これらの多層複合構造体で作製された筒型超電導体は筒型超電導体そのものを１つと数え、多層複合構造体内部の超電導層を数えない。）を含み、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ系などの酸化物系超電導体も含む。酸化物系超電導体では特に臨界電流密度（Ｊｃ）の高い製法の１つであるｑｕｅｎｃｈ  ａｎｄ  ｍｅｌｔ  ｇｒｏｗｔｈ法で作製したＱＭＧ材はバルクマグネットとして応用が期待されており、実用上好ましくないＱＭＧ材料の磁束クリープ低減にも本発明は有効である。また請求項２の方法は、筒型に限らず、任意形状の超電導体に有効であるため、加工、成形が比較的難しいＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ系などの酸化物系超電導体には特に好ましい。
【００２４】
【実施例】
超電導体の着磁装置としては外径４４ｍｍ、内径４０ｍｍ、長さ９６ｍｍの超電導マグネットを使用した。試料である超電導体としては、円筒加工したＣｕ／Ｎｂ／Ｎｂ−Ｔｉの多層材（Ｎｂ−Ｔｉ積層数：３０）と円筒形状の前駆体から結晶成長させたＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘのバルク材の２種類を用いた。測定はＣｕ／Ｎｂ／Ｎｂ−Ｔｉの多層材では液体ヘリウム中で、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘのバルク材では液体窒素中で行った。試料の超電導体の着磁にはマグネット中心磁界が３テスラの状態まで励磁し、その後減磁し、零として行った。磁界の測定はホール素子を用いた。
【００２５】
（実施例１）
試料の超電導体として、内径２６、２４．５、２３ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍ、長さ９６ｍｍの円筒形状のＣｕ／Ｎｂ／Ｎｂ−Ｔｉ多層材３個を同心状に配置して実験を行った。超電導円筒にストレインゲージを張り付け、ヒーターとして用いた。励磁時に３個の該超電導円筒を加熱し、その後該超電導円筒の最内側の１つのみ減磁時に加熱しておき、その他の該超電導円筒は加熱を停止した。このように減磁時にヒーターに電流を流し加熱した場合と減磁時には全てのヒーターをオフにし、何も処理しないそのままの状態との中心磁界の時間依存性の比較結果を図９に示す。図から分かるように、着磁時にヒーターに電流を流し加熱した場合では中心磁界の時間依存性、即ち磁束クリープがほとんどないことが分かる。
【００２６】
（実施例２）
試料の超電導体として、内径３１、１８ｍｍ、厚さ約４．７ｍｍ、長さ５３ｍｍの円筒形状のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘのバルク材２個を同心状に配置して実験をおこなった。超電導円筒にストレインゲージを張り付け、ヒーターとして用いた。励磁時に２個の該超電導円筒を加熱し、その後該超電導円筒の最内側の１つのみ減磁時に加熱しておき、その他の該超電導円筒は加熱を停止した。このように減磁時にヒーターに電流を流し加熱した場合と減磁時には全てのヒーターをオフにし、何も処理しないそのままの状態との中心磁界の時間依存性の比較結果を図１０に示す。図から分かるように、着磁時にヒーターに電流を流し加熱した場合では中心磁界の時間依存性すなわち磁束クリープがほとんどないことが分かる。
【００２７】
（実施例３）
試料の超電導体として、内径２６ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍ、長さ９６ｍｍの円筒形状のＣｕ／Ｎｂ／Ｎｂ−Ｔｉ多層材で実験をおこなった。超電導円筒の外側には銅線コイルを設置した。着磁後に銅線コイルに交流電流を流し、１０分間交流磁界を印加してから測定した場合とそのままの状態で測定した場合との中心磁界の時間依存性の比較結果を図１１に示す。図から分かるように、着磁後に交流磁界を印加した場合では、中心磁界の時間依存性すなわち磁束クリープがほとんどないことが分かる。また、コイルへの交流電圧を一定にして、５０Ｈｚ（実効磁界８８０ガウス）および４００Ｈｚ（実効磁界１６０ガウス）の周波数依存性では、低周波数、つまり、振幅の大きい方が磁束クリープ防止により有効であることがわかる。
【００２８】
（実施例４）
試料の超電導体として、内径３１ｍｍ、厚さ約４．７ｍｍ、長さ５３ｍｍの円筒形状のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘのバルク材で実験をおこなった。超電導円筒の外側に銅線コイルを設置した。着磁後に銅線コイルに交流電流を流し、４分間交流磁界（実効磁界８８０ガウス）を印加してから測定した場合とそのままの状態で測定した場合との中心磁界の時間依存性の比較結果を図１２に示す。図から分かるように、着磁後に交流磁界を印加した場合では中心磁界の時間依存性すなわち磁束クリープがほとんどないことが分かる。
【００２９】
（実施例５）
試料の超電導体として、内径２６ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍ、長さ９６ｍｍの円筒形状のＣｕ／Ｎｂ／Ｎｂ−Ｔｉ多層材で実験をおこなった。超電導円筒の内側に銅線コイルを設置した。着磁後に銅線コイルに交流電流を流し、交流磁界を１２分間印加してから測定した場合とそのままの状態で測定した場合との中心磁界の時間依存性の比較結果を図１３に示す。図から分かるように、着磁後に交流磁界を印加した場合では中心磁界の時間依存性すなわち磁束クリープがほとんどないことが分かる。また、コイルへの交流電圧を一定にして、５０Ｈｚ（実効磁界８８０ガウス）および４００Ｈｚ（実効磁界１６０ガウス）の周波数依存性では、低周波数つまり、振幅の大きい方が磁束クリープ防止により有効であることがわかる。
【００３０】
（実施例６）
試料の超電導体として、内径３１および１８ｍｍ、厚さ約４．７ｍｍ、長さ５３ｍｍの円筒形状のＹＢａ２  Ｃｕ３  Ｏｘのバルク材２個で実験をおこなった。超電導円筒の最内側に銅線コイルを設置した。着磁後に銅線コイルに交流電流を流し、交流磁界（実効磁界８８０ガウス）を２分間印加してから測定した場合とそのままの状態で測定した場合との中心磁界の時間依存性の比較した。同様に、着磁後に交流磁界を印加した場合では中心磁界の時間依存性すなわち磁束クリープがほとんどないことが分かった。
【００３１】
（実施例７）
実施例５と同じ配置とし、着磁後に銅線コイルに交流電流を流し、５Ｈｚの交流磁界（実効磁界８８０ガウス）を５０秒間印加してから、その後１分間かけて振幅を零にした。交流印加した場合とそのままの状態で測定した場合との中心磁界の時間依存性の比較した。同様に、着磁後に交流磁界を印加した場合では中心磁界の時間依存性、すなわち磁束クリープが測定時間範囲内では全くみられなかった。
【００３２】
【発明の効果】
以上の実施例でもわかるように、筒型超電導体に着磁してマグネットとする本発明によれば、その発生磁界が時間によって減少することが抑制され、安定した磁界を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  複数個の筒型超電導体で最内側の超電導筒型体の一部を常電導にするための１例（ａ）及び最内側の超電導筒型体の全体を常電導にするための１例（ｂ）。
【図２】  筒型超電導体の筒外部に交流磁界発生源を設置する場合の配置の例。
【図３】  筒型超電導体の筒内部に交流磁界発生源を設置する場合の配置の例。
【図４】  筒型超電導体内の磁束密度分布の時間変化の模式図。
【図５】  本発明で指す筒型超電導体の幾つかの例（ａ、ｂおよびｃ）。
【図６】  筒型超電導体を３つ同心状に並べ、着磁した場合の超電導体内部の磁束密度分布図（ａ）、最内側の筒型超電導体を常電導状態にした場合の超電導体内部の磁束密度分布図（ｂ）、最内側の筒型超電導体を常電導状態に戻した場合の超電導体内部の磁束密度分布図（ｃ）および時間が経過し磁束クリープが起こっている状態での超電導体内部の磁束密度分布図（ｄ）。
【図７】  交流磁界による超電導体内部の磁束密度分布の変化の模式図。
【図８】  交流磁界の発生磁界とＢｅａｎモデルによる超電導体内の磁束密度分布の関係図。
【図９】  本発明における実施例１の測定結果のグラフ。
【図１０】  本発明における実施例２の測定結果のグラフ。
【図１１】  本発明における実施例３の測定結果のグラフ。
【図１２】  本発明における実施例４の測定結果のグラフ。
【図１３】  本発明における実施例５の測定結果のグラフ。
【符号の説明】
１  同心状に配置した継ぎ目なしの筒型超電導体。
２  同心状に配置した継ぎ目なしの筒型超電導体で、一部もしくは全体を常電導状態にする筒型超電導体。
１１  継ぎ目なしの筒型超電導体で、一部を常電導状態にするためのヒーター（例えばストレインゲージ）。
１２  継ぎ目なしの筒型超電導体で、全体を常電導状態にするためのヒーター（例えば高抵抗の燐青銅線などを筒に巻き付けたもの）。
２１  交流磁界発生源
２２  交流磁界方向
２３  交流磁界の振幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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