(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される第１と第２の基板のうち第１の基板に走査信号線と第１信号線と第２信号線とを有し、
各画素に同一の走査信号線により制御される第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとを有し、前記第１の薄膜トランジスタにより前記第１信号線から信号が供給される第１電極と、前記第２の薄膜トランジスタにより前記第２信号線から信号が供給される第２電極とを有し、
前記第１信号線と前記第２信号線に供給される信号は互いに同一階調で極性が反転された信号であり、
前記第１電極と前記第２電極は蓄積容量を形成すると共に、前記第１電極と前記第２電極の間に光透過率を制御する電界を形成することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１電極と前記第２電極のハイレベル側が順次入れ替えるように駆動されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１信号線と前記第２信号線にドット反転された信号が供給されることを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタは略同一パターンであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタはチャネル幅およびチャネル長が略等しいことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１の電極の半導体層との重畳面積と前記第２の電極の半導体層との重畳面積が略等しいことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
横電界方式と称される液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面の各画素領域に、互いに離間されて配置される画素電極と対向電極との間に電界を発生せしめて、該各電極の間を通過する光の透過率を制御するように構成されている。
そして、各画素における対向電極は、互いに共通接続されて一定の電圧が印加されるようになっているとともに、各画素における画素電極はスイッチング素子を介し該対向電極に印加されている電圧を基準電圧とした階調に対応する信号電圧が印加されるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成の液晶表示装置は、その各画素において、画素電極と対向電極が複数形成され、互いに対向して配置される画素電極と対向電極とを複数ペア備えるようにして形成されている。
【０００４】
互いに対向して配置される画素電極と対向電極との間の距離をある値以下に狭める必要からこのような配置をせざる得なかったためである。
画素電極および対向電極にそれぞれ電圧信号を供給するドライバの最大出力電圧値が制約されているのにも拘らず、それらの電極の間に発生する電界の最大強度をある値に確保せんがためである。
【０００５】
このことから、各画素において画素電極および対向電極の占める面積が大きくなり、これら各電極の形成領域は光透過領域とならないことから、いわゆる開口率が大きく確保できないという不都合が指摘されていた。
【０００６】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、開口率の向上を図った液晶表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０００８】
すなわち、本発明による液晶表示装置は、基本的には、液晶の光透過領域を間にして配置される画素電極と対向電極とを備え、対向電極に変動する電圧を印加するとともに、この変動する電圧を基準電圧として画素電極に映像信号を供給することを特徴とするものである。
【０００９】
このように構成した場合、画素電極と対向電極との間に印加できる電圧の差は、該画素電極あるいは対向電圧に印加できる電圧の最大レベルとほぼ等しくでき、従来よりも大きくすることができる。
【００１０】
このことは、各画素に配置される画素電極と対向電極は、その離間距離を大きくとれ、各画素当たりの占有面積を小さくすることができる。
このため、開口率を向上させることができるようになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
〔実施例１〕
構成
図１は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構成図である。
同図は、横電界方式の液晶表示装置の液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板のうち一方の透明基板（いわゆるＴＦＴ基板と称される）の液晶側の一画素（図中点線で囲まれる部分）およびその近傍領域を示した平面図である。
【００１２】
同図において、透明基板１があり、その透明基板１の表面には図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設される走査信号線２が例えばクロム層で形成されている。
そして、該透明基板１の表面の全域には前記走査信号線２をも被って例えばＳｉＮ膜からなる絶縁膜３が形成されている。
【００１３】
この絶縁膜３は、後述の第１信号線５Ａおよび第２信号線５Ｂの走査信号線２に対する層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはゲート絶縁膜としての機能を、後述の蓄積容量素子Ｃｓｔｇの形成領域においては誘電体膜としての機能を有するようになっている。
【００１４】
一画素の領域内における前記絶縁膜３を介する走査信号線２上には２個の薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２が形成され、これら各薄膜トランジタＴＦＴ１、ＴＦＴ２は前記走査信号線２の一部をゲート電極とするとともに前記絶縁膜３をゲート絶縁膜としている。
【００１５】
各薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２は画素の左側および右側にそれぞれ位置づけられ、その個所における該絶縁膜３上に例えばａ−Ｓｉからなる半導体層４Ａ、４Ｂが形成され、さらに、その半導体層４Ａ、４Ｂの表面にそれぞれドレイン電極およびソース電極が形成されることによって、逆スタガ構造のＭＩＳ型トランジスタとして構成されている。
【００１６】
そして、それぞれの薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２の各電極は、その一部が第１信号線５Ａ（映像信号線）および第２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）とともに形成され、他の一部は第２電極６Ｂ（対向電極）とともに形成されるようになっている。
【００１７】
すなわち、画素の領域の図中左側にｙ方向に延在する第１信号線５Ａ（映像信号線）が例えばクロム層によって形成され、その一部が半導体層４Ａの表面まで延在されて薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレイン電極が形成されている。
【００１８】
なお、ソース、ドレインは本来そのバイアス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドイレンは動作中入れ替わる。しかし、以下の説明では便宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現する。
【００１９】
また、前記第１信号線５Ａ（映像信号線）の形成と同時に、前記半導体層面にソース電極６Ｓおよびこのソース電極６Ｓから延在される第１電極６Ａ（画素電極）とが形成されるようになっている。
【００２０】
この第１電極６Ａ（画素電極）は、後述する第２電極６Ｂ（対向電極）との間に透明基板１と平行に電界を発生せしめる電極で、第１信号線５Ａ（映像信号線）隣接されて平行に延在され、その後、その延在端は走査信号線２と隣接されて平行に延在するように屈曲されている。
【００２１】
第１電極６Ａ（画素電極）の屈曲された延在端は後述する蓄積容量素子Ｃｓｔｇの一方の電極を構成するようになっている。
【００２２】
また、第１信号線５Ａ（映像信号線）の形成と同時に、画素領域の図中右側にｙ方向に延在する第２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）が形成されている。この第２信号線５Ｂにおいてその線幅の値は制限されないが第１信号線５Ａの線幅と同一であることが好ましい。
【００２３】
そして、この第２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）は、その一部が薄膜トランジスタＴＦＴ２の半導体層４Ｂの表面にまで延在されて該薄膜トランジスタＴＦＴ２のドレイン電極が構成されている。
【００２４】
さらに、このドレイン電極の形成の際にソース電極６Ｓ’も形成されるようになっている。この場合のソース電極６Ｓ’は、後の説明で明らかになるように第２電極６Ｂ（対向電極）に接続されるようになっているが、該第２電極６Ｂ（対向電極）とは層が異なるため該第２電極６Ｂとのコンタクトを図るに充分な面積を有する電極として形成されるようになっている。
【００２５】
なお、薄膜トランジスタＴＦＴ１およびＴＦＴ２は走査信号線２に走査信号が供給される際に同時にオンされるトランジスタとなっており、この実施例では、そのいずれにおいてもｎチャネル型のＭＩＳ型トランジスタとなっている。
【００２６】
すなわち、各薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２の各半導体層４Ａ、４Ｂは、その表面にｎ型の不純物がドーピングされてｎ型不純物層が形成され、ドレイン電極およびソース電極を形成した後に、それらの電極から露出しているｎ型不純物層が前記各電極をマスクとしてエッチングされるようになっており、該ｎ型不純物層はオーミック層として各電極と半導体層の界面のみに形成された構造となっている。
【００２７】
そして、薄膜トランジスタＴＦＴ２においてそのパターンは制限されないが薄膜トランジスタＴＦＴ１のパターンと同一であることが好ましい。
すなわち、それぞれの薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のチャネル幅およびチャネル長、さらには各電極における半導体層との重畳面積等が等しい（寄生容量が等しくなることを意味する）ことが好ましい。
【００２８】
このようにする理由は、第１信号線５Ａから薄膜トランジスタＴＦＴ１を介して第１電極６Ａに印加する信号の経路の条件（抵抗、容量）と、第２信号線５Ｂから薄膜トランジスタＴＦＴ２を介して第２電極６Ｂに印加する信号の経路の条件とをほぼ等しくし、これによって、信号の波形歪等の影響をほぼ同じようにするためである。
【００２９】
さらに、このように加工された透明基板１の表面には、その全域（少なくとも各画素の集合体である表示領域内）にわたって、例えばＳｉＮ膜からなる保護膜７が形成されている。
【００３０】
この保護膜７は、上述した膜膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２の液晶との直接の接触を回避させて、その特性が液晶によって劣化されるのを防止する機能等を有するものである。
【００３１】
この場合、保護膜７は薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース電極６Ｓ’の形成部分においてコンタクト孔が形成されたものとなっている。
すなわち、ソース電極６Ｓ’は該コンタクト孔を通して保護膜７上に形成される第２電極６Ｂ（対向電極）に接続されるようになっている。
【００３２】
この第２電極６Ｂは例えばクロム層で形成され、第２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）に平行に隣接されて延在され、その後、その延在端は走査信号線２と隣接されて平行に延在するように屈曲されている。
【００３３】
なお、この第２電極はＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜で形成するようにしてもよいことはいうまでもない。横電界方式の液晶表示装置において、ＩＴＯ膜は、上述した走査信号線２あるいは他の信号線の信号供給端子においてその部分の電食等を回避するため、該端子に重ねて形成されているのが通常である。このため、このＩＴＯ膜の形成時において同時に第２電極６Ｂを形成することによって製造工程の増大を回避できる効果を奏する。
【００３４】
第２電極６Ｂ（対向電極）の屈曲された延在端は前記第１電極６Ａ（画素電極）の屈曲された延在端と保護膜７を介して重畳されて形成され、該保護膜７を誘電体膜とする蓄積容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極を構成するようになっている。
【００３５】
この蓄積容量素子Ｃｓｔｇは、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２の各オフ時においてそれまで蓄積された信号電圧を比較的長く保持するため等の機能を有するものである。
【００３６】
そして、このように加工された透明基板の表面の全域（少なくとも各画素の集合体である表示領域内）には配向膜（図示せず）が形成され、この配向膜に直接に当接する液晶の初期配向方向を決定できるようになっている。
このように形成されたＴＦＴ基板は液晶を介していわゆるフィルタ基板と対向配置されて組み立てられるようになっている。
【００３７】
フィルタ基板には、各画素領域を画するようにして形成されるブラックマトリックス、このブラックマトリックスの開口部に形成されるカラー（赤、緑、青）フィルタ、および液晶に当接して形成される配向膜等が形成されるようになっている。
【００３８】
そして、第１信号線５Ａ（映像信号線）から映像信号が薄膜トランジスタＴＦＴ１を介して第１電極６Ａ（画素電極）に供給されるとともに、第２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）から対向電圧信号が薄膜トランジスタＴＦＴ２を介して第２電極６Ｂ（対向電極）に供給されるようになっている。
【００３９】
これにより、第１電極６Ａ（画素電極）と第２電極６Ｂ（対向電極）との間に透明基板１と平行に電界が発生し、この電界の強度に応じて液晶の光透過率を制御するようになっている。
【００４０】
このような構成は、いわゆる横電界方式と称され、液晶の光透過領域を間にして第１電極および第２電極が配置され、また、換言すれば、液晶の光透過方向にほぼ直交する方向に電界を生じせしめる構成に特徴を有する。
【００４１】
なお、上述した実施例では、一画素において、第１電極６Ａ（画素電極）および第２電極６Ｂ（対向電極）はそれぞれ一つ設けられたものである。
しかし、これに限定されることはなく、それ以上の数であって、それらが例えば櫛歯状に配列されていてもよいことはもちろんである。
【００４２】
本発明による課題は各電極の占有面積を減少させて開口率を向上することにあるが、液晶表示装置に用いられるドライバの設定された最大出力電圧の関係で各電極の間の距離をいかに大きくできるかということに本来的な目的があるからである。
【００４３】
また、上述した実施例では、第１信号線５Ａを映像信号線、第１電極６Ａを画素電極とするとともに、第２信号線５Ｂを対向電圧信号線、第２電極６Ｂを対向電極としたものである。しかし、第２信号線５Ｂを映像信号線、第２電極６Ｂを画素電極とするとともに、第１信号線５Ａを対向電圧信号線、第１電極６Ａを対向電極とするようにしても同様であることはいうまでもない。
【００４４】
駆動形態
図２は、上述した液晶表示装置の画素電極に印加される電圧信号（実線Ｄ１）と対向電圧に印加される電圧信号（点線Ｄ２）との関係を示したグラフで、同図（ａ）は画素電極と対向電極との間の電圧がハイの場合、同図（ｂ）は画素電極と対向電極との間の電圧がロウの場合を示している。
【００４５】
なお、各図において、液晶分子の分極を防止するため、画素電極と対向電極とに印加される電圧のハイレベル側を順次入れ替えるいわゆる交流駆動を行っている。
【００４６】
すなわち、例えば、（ａ）に示す画素電極と対向電極との間の電圧がハイの場合、画素電極に印加される電圧信号は薄膜トランジスタＴＦＴ１を介してハイレベル（最大出力レベル）になった後にロウレベル（最小出力レベル）に切り替えられるようになっている。
【００４７】
また、この場合、対向電極に印加される電圧信号は薄膜トランジスタＴＦＴ２を介してロウレベル（最小出力レベル）になった後にハイレベル（最大出力レベル）に切り替えられるようになっている。
【００４８】
このことは、画素電極に電圧信号を供給する駆動回路（ドライバ）および対向電極に電圧信号を供給する駆動回路（ドライバ）のそれぞれの最大出力電圧の幅がＶ１、Ｖ２（Ｖ１＝Ｖ２）であり、ドライバの最大出力電圧と最小出力電圧の幅がＶ２である場合、画素電極と対向電極との間にはその最大値としてＶ（＝Ｖ１＝Ｖ２）の電圧を印加できることになる。
【００４９】
すなわち、画素電極と対向電圧との間にＶの電圧を印加した状態で液晶の光透過率を最大にできる程度に該画素電極と対向電圧との間の離間距離を大きくすることができることを意味する。
【００５０】
これに対して、従来における液晶表示装置の画素電極に印加される信号電圧（実線Ｄ）と対向電圧に印加される信号電圧（点線）との関係を図２に対応して描かれた図３に示す。
【００５１】
対向電極に印加される信号電圧は一定（コモン電位）となっており、この一定の信号電圧を基準電圧として画素電極に反転される信号電圧が印加されるようになっている。
【００５２】
このため、画素電極に電圧信号を供給するドライバの対向電極の電圧を基準とした正極性、負極性それぞれの出力電圧Ｖ１、Ｖ２（Ｖ１＝Ｖ２）に対し、ドライバの最大出力電圧と最小出力電圧の幅は、Ｖ１＋Ｖ２＝Ｖとなるため、画素電極と対向電極との間にはその最大値としてＶ／２の電圧しか印加できないことになる。
【００５３】
効果
上述の駆動形態から明らかになるように、画素電極と対向電極との間に印加できる電圧を従来よりも大きくすることができ、これにより画素電極と対向電極との間の距離を従来よりも大きくすることができるようになる。
【００５４】
このことは、一画素内に配置される画素電極と対向電極の数を減少させるできることを意味する。
このため、画素電極と対向電極の一画素内における占有面積を小さくすることができ、開口率の向上を図ることができるようになる。
【００５５】
図４（ａ）は、本発明による液晶表示装置の開口率の向上を従来の液晶表示装置と比較して示したグラフを示している。
このグラフによれば、その横軸に画素ピッチ（μｍ）を縦軸に開口率（％）が示され、該画素ピッチが２５８μｍ以上になることにより従来よりも開口率の向上が図れることが判る。
ここで、画素ピッチは、図４（ｂ）に示すように、カラー用の三原色を担当する３個の隣接する画素のピッチを示している。
【００５６】
また、上述したグラフを得るのに、映像信号線の幅を８μｍ、走査信号線および対向電圧信号線の各幅を３０μｍ、同層の信号線の離間距離ルールを６μｍ以上、異層の信号線の離間距離を２μｍ以上、とした。
また、画素電極と対向電極の幅をそれぞれ６μｍとして、それらの離間距離を本発明の場合には最大３０μｍに、従来の場合には最大１５μｍにした。
【００５７】
また、図５は、画素ピッチを２５８μｍ以上にすることによって、それに応じて開口率の向上が大きくなっていることを示すグラフである。
図中、丸点で示す特性は電極幅を一定とした場合であり、実線で示す特性は電極幅を可変とした場合を示している。
【００５８】
さらに、図６は表示部の対角サイズにおける画素ピッチ（開口率にほぼ対応している）を解像度がＶＧＡ、ＳＶＧＡ、ＸＧＡ、ＳＸＧＡ、ＵＸＧＡに応じて示したグラフである。
【００５９】
同グラフから、画素ピッチが２５８以上であって、解像度がＶＧＡの場合に対角サイズが８．２インチ以上、解像度がＳＶＧＡの場合に対角サイズが１０．２インチ以上、解像度がＸＧＡの場合に対角サイズが１３．０インチ以上、解像度がＳＸＧＡの場合に対角サイズが１４．１インチ以上、解像度がＵＸＧＡの場合に対角サイズが１６．８インチ以上とすることによって、従来よりも開口率が向上できることが判明する。
【００６０】
また、上述の駆動形態によれば、画素電極と対向電極との間の電圧に直流成分が含まれていないことから、映像信号線に接続されるドライバおよび対向電圧信号線に接続されるドライバを同一のものとすることによって、残像、あるいはフリッカ等が発生し難いようになっている。
【００６１】
このため、たとえ薄膜トランジスタのオフ時の該薄膜トランジスタのゲート．ソース間の寄生容量Ｃｇｓによる飛込み電圧の発生に対しても、その影響が少ないという効果を奏する。
【００６２】
これに対して、従来の液晶表示装置は、薄膜トランジスタのオフ時の該薄膜トランジスタの寄生容量Ｃｇｓによる飛込み電圧の発生に対して映像信号の中心がコモン電位に対してシフトし（図７にＶｘとして示す）、その際の直流成分によって残像、あるいはフリッカ等が発生し易い状態にあった。
【００６３】
〔実施例２〕
図８は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１と対応した図となっている。
図１の場合と異なる部分は、まず、第１電極６Ａ（画素電極）は予め走査信号線２の形成と同時（したがって同一の材料）に形成されるようになっている。
【００６４】
そして、絶縁膜３を形成した後に、薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース電極から延在される第２電極６Ｂ（対向電極）の形成と同時に、薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極と第１電極６Ａとの間に形成される導電層１０（対向電極と同一材料）によって接続が図れるようになっている。
【００６５】
この場合の導電層１０は、走査信号線２あるいは他の信号線の信号供給端子に電食防止等のために重ねて形成されるＩＴＯ膜と同時に形成されるＩＴＯ膜とすることにより製造工数の増大を回避できるようになる。
【００６６】
このため、前記絶縁膜３は、薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極の一部を露出させるコンタクト孔が形成されるようになっているとともに、第１電極６Ａと第２電極６Ｂとの間に形成される蓄積容量素子Ｃｓｔｇの誘電体膜となるようになっている。
【００６７】
〔実施例３〕
図９は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図８と対応した図となっている。
同図において、第１電極６Ａ（画素電極）が走査信号線２と同時に形成され絶縁膜３を介して薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極と接続を図っているのは図８の場合と同様である。
【００６８】
しかし、第２電極は、保護膜７上に形成されこの保護膜７に形成されたコンタクト孔を通して薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース電極６Ｓ’と接続されている点が図８と異なっている。
【００６９】
そして、ソース電極６Ｓ’は薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極６Ｓと同時に形成され、その材料は例えばＩＴＯ膜から構成されている。
この場合、蓄積容量素子Ｃｓｔｇの誘電体膜は絶縁膜３と保護膜７との積層体となっている。
【００７０】
〔実施例４〕
図１０は、上述した画素構成を有する液晶表示装置において、第１信号線５Ａ（映像信号線）および第２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）にそれぞれ電圧信号を供給する場合の実施例について示したものである。
【００７１】
同図において、各走査信号線２の一端側には走査信号駆動回路１１が接続され、各第１信号線５Ａおよび第２信号線５Ｂの一端側には映像信号駆動回路１２が接続されている。
【００７２】
また、これら各駆動回路１１、１２は、画像情報が入力されるコントローラ１３によって制御され、走査信号駆動回路１１からは各走査信号線２に順次走査信号が供給されるとともに、そのタイミングに合わせて映像信号駆動回路１２からは各第１信号線５Ａおよび第２信号線５Ｂにそれぞれ映像信号および対向電圧信号が供給されるようになっている。
【００７３】
各画素において、第２信号線５Ｂに供給される対向電圧信号は、第１信号線５Ａに供給される映像信号に対してドット反転された信号となっており、２ライン毎に同一の階調データがコントローラから供給されるようになっている。
【００７４】
〔実施例５〕
図１１は、上述した画素構成を有する液晶表示装置において映像信号線および対向電圧信号線にそれぞれ電圧信号を供給する場合の実施例について示したものであり、図１０と対応した図面となっている。
【００７５】
図１０と異なる部分は、第１信号線５Ａに映像信号を供給する映像信号駆動回路１２Ａは該各第１信号線５Ａの一端側に接続されているのに対して、第２信号線５Ｂに対向電圧信号を供給する映像信号駆動回路１２Ｂは該第２信号線５Ｂの他端側に接続されている。
【００７６】
このようにした場合、第１信号線５Ａおよび第２信号線５Ｂのそれぞれのピッチをそれらの駆動回路１２Ａ、１２Ｂから観て一定にすることができ、引き出し配線部での入力信号のアンバランスを防止できる効果を奏するようにできる。
【００７７】
〔実施例６〕
図１２は、上述した画素構成を有する液晶表示装置において映像信号線および対向電圧信号線にそれぞれ電圧信号を供給する場合の他の実施例について示したものであり、図１０と対応した図面となっている。
【００７８】
第２信号線５Ｂに供給される対向電圧信号は、第１信号線５Ａに供給される映像信号に対して、ドット反転された信号となっていることに関しては図１０の場合と同様であるが、それに隣接する画素側の第１信号線５Ａに供給される映像信号は前記対向電圧信号と同じ極性を有するよう駆動されるようになっている。
【００７９】
すなわち、第１信号線、この第１信号線と実質的な画素領域を間にして配置される第２信号線、この第２信号線に近接して配置される第１信号線、この第１信号線と実質的な画素領域を間にして配置される第２信号線……という配置関係にあって、近接して配置される第２信号線と第１信号線にそれぞれ供給される対向電圧信号と映像電圧信号とは互いにドット反転した関係を回避し互いに同極性となるように駆動されるようになっている。
このようにした場合、隣接する第２信号線５Ｂと第１信号線５Ａにおいて一方の信号による他の信号への悪影響を低減できる効果を奏するようになる。
【００８０】
〔実施例７〕
図１３は、上述した画素構成を有する液晶表示装置において映像信号線および対向電圧信号線にそれぞれ電圧信号を供給する場合の他の実施例について示したものであり、図１１と対応した図面となっている。
【００８１】
図１１の場合と異なるのは、上述した実施例と同様に、隣接された第１信号線５Ａと第２信号線５Ｂにおいてそれぞれ同極性の信号を供給することによって、一方の信号線の信号による他方の信号線の信号への悪影響を低減できるようにしている。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、開口率の向上を図ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す構成図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置の画素に印加される電圧信号を示す説明図である。
【図３】従来の液晶表示装置の画素に印加される電圧信号を示す説明図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の開口率の向上を示すグラフである。
【図５】本発明による液晶表示装置の従来の場合と比較した開口率の向上を示すグラフである。
【図６】本発明による液晶表示装置のその解像度に応じた開口率の向上を示すグラフである。
【図７】本発明による液晶表示装置の効果を従来の場合と比較するための説明図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の信号線とそれに接続される駆動回路の一実施例を示す構成図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の信号線とそれに接続される駆動回路の他の実施例を示す構成図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の信号線とそれに接続される駆動回路の他の実施例を示す構成図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の信号線とそれに接続される駆動回路の他の実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
１……透明基板、２……走査信号線、３……絶縁膜、４Ａ、４Ｂ……半導体層、５Ａ……第１信号線、５Ｂ……第２信号線、６Ａ……第１電極、６Ｂ……第２電極、７……保護膜、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、Ｃｓｔｇ……蓄積容量素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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