(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、複数のデータ線と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線とによりマトリクス状に形成された複数の画素とを含んでなり、
前記複数の画素の各々は、前記複数の走査線のうち対応する走査線にゲート電極が接続されたトランジスタを含む導通制御回路と、画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に配置された有機半導体膜を含む薄膜発光素子とを備え、
前記有機半導体膜は、前記データ線と前記対向電極の間に設けられた無機材料からなる第１の絶縁膜と前記第１の絶縁膜上に形成されてなり有機材料又は無機材料からなる第２の絶縁膜により区画され、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の総膜厚が、前記有機半導体膜より厚く、かつ前記第２の絶縁膜が有機材料からなるときは、前記第１の絶縁膜の膜厚は前記有機半導体膜より厚く、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜より狭い幅で前記第１の絶縁膜の内側に積層され、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜がずれて２段構造を有しており、
前記第１の絶縁膜と前記画素電極の一部とが重なってなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜のずれが、片側１μｍ〜５μｍであることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜と前記画素電極の重なり部分の幅が１μｍ〜３μｍであることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記有機半導体膜が、前記第１及び第２の絶縁膜により区画された領域に前記有機半導体膜を構成するための液状の前駆体を吐出或いは塗布することにより形成したものであることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記第２の絶縁膜が有機材料からなることを特徴とする請求項１又は３記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子など薄膜発光素子を薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）で駆動制御する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ素子またはＬＥＤ素子などの電流制御型発光素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置が提案されている。このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、液晶表示装置と違ってバックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点もある。
【０００３】
図２２は、このような電荷注入型の有機薄膜ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。この図に示すアクティブマトリクス型表示装置１Ａでは、透明基板１０上に、複数の走査線ｇａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと、該データ線ｓｉｇに並列する複数の共通給電線ｃｏｍと、データ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによってマトリクス状に形成された複数の画素７とが構成されている。データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに対してはデータ側駆動回路３および走査側駆動回路４が構成されている。各々の画素７には、走査線ｇａｔｅを介して走査信号が供給される導通制御回路５０と、この導通制御回路５０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号に基づいて発光する薄膜発光素子４０とが構成されている。ここに示す例において、導通制御回路５０は、走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ２０と、この第１のＴＦＴ２０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３０とから構成されている。第２のＴＦＴ３０と薄膜発光素子４０とは、後述する対向電極ｏｐと共通給電線ｃｏｍとの間に直列に接続している。この薄膜発光素子４０は、第２のＴＦＴ３０がオン状態になったときには共通給電線ｃｏｍから駆動電流が流れ込んで発光するとともに、この発光状態は保持容量ｃａｐによって所定の期間、保持される。
【０００４】
このような構成のアクティブマトリクス型表示装置１Ａでは、図２３および図２４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、いずれの画素７においても、島状の半導体膜を利用して第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０が形成されている。第１のＴＦＴ２０は、ゲート電極２１が走査線ｇａｔｅの一部として構成されている。第１のＴＦＴ２０は、ソース・ドレイン領域の一方に第１層間絶縁膜５１のコンタクホールを介してデータ線ｓｉｇが電気的に接続し、他方にはドレイン電極２２が電気的に接続している。ドレイン電極２２は、第２のＴＦＴ３０の形成領域に向けて延設されており、この延設部分には第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１が第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して電気的に接続している。第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域の一方には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して中継電極３５が電気的に接続し、この中継電極３５には第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して薄膜発光素子４０の画素電極４１が電気的に接続している。
【０００５】
画素電極４１は、図２３および図２４（Ｂ）、（Ｃ）からわかるように各画素７毎に独立して形成されている。画素電極４１の上層側には、有機半導体膜４３および対向電極ｏｐがこの順に積層されている。有機半導体膜４３は画素７毎に形成されているが、複数の画素７に跨がってストライプ状に形成される場合もある。対向電極ｏｐは、画素７が構成されている表示部１１だけでなく、透明基板１０の略全面に形成されている。
【０００６】
再び、図２３および図２４（Ａ）において、第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域のもう一方には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して共通給電線ｃｏｍが電気的に接続している。共通給電線ｃｏｍの延設部分３９は、第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１の延設部分３６に対して、第１の層間絶縁膜５１を誘電体膜として挟んで対向し、保持容量ｃａｐを構成している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記のアクティブマトリクス型表示装置１Ａにおいて、画素電極４１に対向する対向電極ｏｐは、液晶アクティブマトリクス型表示装置と相違して、同じ透明基板１０上においてデータ線ｓｉｇとの間に第２の層間絶縁膜５２しか介在していないので、データ線ｓｉｇには大きな容量が寄生し、データ側駆動回路３の負荷が大きい。
【０００８】
そこで、本願発明者は、図２２、図２３、および図２５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、対向電極ｏｐとデータ線ｓｉｇなどとの間に厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの斜線を広いピッチで付した領域）を設け、データ線ｓｉｇに寄生する容量を低減することを提案する。併せて、この絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ）で有機半導体膜４３の形成領域を囲むことによって、インクジェットヘッドから吐出した液状の材料（吐出液）から有機半導体膜４３を形成する際に吐出液をバンク層ｂａｎｋでせき止め、吐出液が側方にはみ出すことを防止することを提案する。
【０００９】
しかし、かかる構造を採用するにあたって、バンク層ｂａｎｋ全体を厚い無機材料から構成すると、成膜時間が長いという問題点がある。また、無機材料からなる厚い膜をパターニングする際には、オーバーエッチング気味になって画素電極４１を損傷してしまうおそれがある。一方、バンク層ｂａｎｋをレジストなどの有機材料から構成すると、有機半導体膜４３のバンク層ｂａｎｋと接する部分で、バンク層ｂａｎｋを構成する有機材料に含まれる溶剤成分などの影響で有機半導体膜４３が劣化するおそれがある。
【００１０】
また、厚いバンク層ｂａｎｋを形成すると、バンク層ｂａｎｋの存在に起因して大きな段差ｂｂが形成されるので、このバンク層ｂａｎｋの上層に形成される対向電極ｏｐが前記の段差ｂｂの部分で断線しやすいという問題点がある。このような段差ｂｂで対向電極ｏｐに断線が生じると、この部分の対向電極ｏｐは周囲の対向電極ｏｐから絶縁状態になって表示の点欠陥あるいは線欠陥を発生させる。また、データ側駆動回路３や走査側駆動回路４の表面を覆うバンク層ｂａｎｋの外周縁に沿って対向電極ｏｐに断線が起こると、表示部１１の対向電極ｏｐと端子１２との間が完全に絶縁状態になって表示が全くできなくなる。
【００１１】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、薄膜発光素子を損傷することなく、当該薄膜発光素子の有機半導体膜の周りに厚い絶縁膜を好適に形成することのできるアクティブマトリクス型表示装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の課題は、有機半導体膜の周りに厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑えても、この厚い絶縁膜の上層に形成する対向電極に断線などが発生しないアクティブマトリクス型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線とによりマトリクス状に形成された複数の画素とを含んでなり、前記複数の画素の各々は、前記複数の走査線のうち対応する走査線にゲート電極が接続されたトランジスタを含む導通制御回路と、画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に配置された有機半導体膜を含む薄膜発光素子とを備え、前記有機半導体膜は、前記データ線と前記対向電極の間に設けられた無機材料からなる第１の絶縁膜と前記第１の絶縁膜上に形成されてなり有機材料又は無機材料からなる第２の絶縁膜により区画され、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の総膜厚が、前記有機半導体膜より厚く、かつ前記第２の絶縁膜が有機材料からなるときは、前記第１の絶縁膜の膜厚は前記有機半導体膜より厚く、前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜より狭い幅で前記第１の絶縁膜の内側に積層され、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜がずれて２段構造を有しており、前記第１の絶縁膜と前記画素電極の一部とが重なってなることを特徴とする。
また、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜のずれが、片側１μｍ〜５μｍであることが好ましい。
更に、前記第１の絶縁膜と前記画素電極の重なり部分の幅が１μｍ〜３μｍであることが好ましい。
更にまた、前記有機半導体膜が、前記第１及び第２の絶縁膜により区画された領域に前記有機半導体膜を構成するための液状の前駆体を吐出或いは塗布することにより形成したものであることが好ましい。
更にまた、前記第２の絶縁膜が有機材料からなることが好ましい。
【００１４】
本発明のアクティブマトリックス基板は、複数の画素電極を備えたアクティブマトリクス基板において、前記複数の画素電極の各々の周囲には絶縁膜が設けられており、前記絶縁膜は、無機材料からなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されてなり有機材料又は無機材料からなる第２の絶縁膜と、を含み、前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜より狭い幅で前記第１の絶縁膜の内側領域に積層されていることを特徴とする。
また、前記絶縁膜の前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜が重なる部分の膜厚が１μｍ以上であることを特徴とする。
また、前記絶縁膜の前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜が重なる部分の膜厚が１μｍ以上であることを特徴とする。
【００１５】
また、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線とによりマトリクス状に形成された複数の画素と、を含んでなり、前記複数の画素の各々は、前記複数の走査線のうち対応する走査線にゲート電極が接続されたトランジスタを含む導通制御回路と、画素電極、前記画素電極に対向する対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた有機半導体膜を含む薄膜発光素子と、を備えてなる表示装置において、前記有機半導体膜は、前記データ線及び前記対向電極との間に設けられた絶縁膜により区画され、前記絶縁膜は、無機材料からなる前記第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されてなり有機材料又は無機材料からなる第２の絶縁膜とを含むとともに、前記絶縁膜と前記画素電極の一部とが重なってなることを特徴とする。
【００１６】
また、前記画素電極の前記導通制御回路の形成領域と重なる領域は前記絶縁膜で覆われていることを特徴とする。
【００１７】
また、前記絶縁膜で区画されている領域は、隅部分が丸みを帯びていること、を特徴とする。
【００１８】
また、前記第１の絶縁膜は、前記複数のデータ線、前記複数の走査線を覆うように形成されていることを特徴とする。
【００１９】
また、前記有機半導体膜は、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に駆動電流が流れることによって発光することを特徴とする。
【００２０】
本発明では、基板上に、複数の走査線と、該走査線の延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線と、該データ線と前記走査線とによってマトリクス状に形成された複数の画素からなる表示部とを有し、該画素の各々は、前記走査線を介して走査信号がゲート電極に供給される薄膜トランジスタを含む導通制御回路と、画素毎に形成された画素電極、該画素電極の上層側に積層された有機半導体膜、および該有機半導体膜の上層側に積層された対向電極を具備する薄膜発光素子とを備え、前記データ線から前記導通制御回路を介して供給される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光するアクティブマトリクス型表示装置において、前記有機半導体膜の形成領域は当該有機半導体膜よりも厚く形成された絶縁膜によって区画され、該絶縁膜は、当該有機半導体膜よりも厚く形成された無機材料からなる下層側絶縁膜と、該下層側絶縁膜上に積層された有機材料からなる上層側絶縁膜とを備えていることを特徴とする。
【００２１】
本発明において、対向電極は少なくとも表示部の全面に形成され、データ線と対向する状態にあるため、このままではデータ線に対して大きな容量が寄生することになる。しかるに本発明では、データ線と対向電極との間に厚い絶縁膜を介在させたので、データ線に容量が寄生することを防止できる。その結果、データ側駆動回路の負荷を低減できるので、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。また、厚い絶縁膜を形成するにあたって、それ全体を無機材料からなる膜で構成すると、長い成膜時間を必要とするので、生産性が低下する。しかるに本発明では、薄膜発光素子の有機半導体膜と接する下層側絶縁膜のみを無機材料から構成し、その上層側にはレジストなどの有機材料から構成した上層側絶縁膜を積層する。かかる有機材料から構成した上層側絶縁膜であれば、厚い膜を容易に形成できるので、生産性が向上する。しかも、この上層側絶縁膜は有機半導体膜と接しておらず、有機半導体膜と接するのは無機材料から構成した下層側絶縁膜なので、有機半導体膜は上層側絶縁膜の影響を受けて劣化することがない。それ故、薄膜発光素子は、発光効率の低下や信頼性の低下などを起こさない。
【００２２】
本発明において、前記上層側絶縁膜は、前記下層側絶縁膜より狭い幅をもって当該下層側絶縁膜の内側領域に積層されていることが好ましい。このような２段構造とすると、有機材料から構成された上層側絶縁膜は、有機半導体膜により接しにくくなるので、有機半導体膜の劣化をより確実に防止できる。
【００２３】
このような２段構造であれば、下層側絶縁膜および上層側絶縁膜の双方を無機材料から構成してもよい。すなわち、本発明の別の形態では、基板上に、複数の走査線と、該走査線の延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線と、該データ線と前記走査線とによってマトリクス状に形成された複数の画素からなる表示部とを有し、該画素の各々は、前記走査線を介して走査信号がゲート電極に供給される薄膜トランジスタを含む導通制御回路と、画素毎に形成された画素電極、該画素電極の上層側に積層された有機半導体膜、および該有機半導体膜の上層側に積層された対向電極を具備する薄膜発光素子とを備え、前記データ線から前記導通制御回路を介して供給される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光するアクティブマトリクス型表示装置において、前記有機半導体膜の形成領域は当該有機半導体膜よりも厚く形成された絶縁膜によって区画され、該絶縁膜は、無機材料からなる下層側絶縁膜と、該下層側絶縁膜より狭い幅をもって当該下層側絶縁膜の内側領域に積層された無機材料からなる上層側絶縁膜とを備えていることを特徴とする。
【００２４】
このように構成すると、下層側絶縁膜および上層側絶縁膜を構成すべき無機材料からなる膜を形成した後、まず、上層側絶縁膜をパターニングする。この際には、下層側絶縁膜がエッチングストッパーとして機能するので、多少のオーバーエッチングがあっても、画素電極を損傷することはない。かかるパターニングを終えた後には下層側絶縁膜をパターニング形成する。この際には、下層側絶縁膜の１層分をエッチングするだけなので、エッチング制御が容易で、画素電極を損傷するほどのオーバーエッチングが起きない。
【００２５】
本発明では、前記導通制御回路は、前記走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ、および該第１のＴＦＴを介してゲート電極が前記データ線に接続する第２のＴＦＴを備え、該第２のＴＦＴと前記薄膜発光素子は、前記データ線および走査線とは別に構成された駆動電流供給用の共通給電線と前記対向電極との間に直列に接続していることが好ましい。すなわち、導通制御回路を１つのＴＦＴと保持容量で構成することも可能ではあるが、表示品位を高くするという観点からすれば各画素の導通制御回路を２つのＴＦＴと保持容量で構成することが好ましい。
【００２６】
本発明において、前記絶縁膜は、当該絶縁膜で区画された領域内に前記有機半導体膜をインクジェット法により形成する際に吐出液のはみ出しを防止するバンク層として利用することが好ましい。それには、前記絶縁膜は、膜厚が１μｍ以上であることが好ましい。
【００２７】
本発明において、前記画素電極の形成領域のうち、前記導通制御回路の形成領域と重なる領域は前記絶縁膜で覆われていることが好ましい。すなわち、前記画素電極の形成領域のうち、前記導通制御回路の形成されていない平坦部分のみについて前記の厚い絶縁膜を開口し、その内側のみに有機半導体膜を形成することが好ましい。このように構成すると、有機半導体膜の膜厚ばらつきに起因する表示むらを防止できる。また、有機半導体膜に膜厚の薄い部分があると、そこに薄膜発光素子の駆動電流が集中し、薄膜発光素子の信頼性が低下することになるが、そのような問題を防止することができる。さらに、画素電極が形成されていても導通制御回路と重なる領域では、たとえ対向電極との間に駆動電流が流れて有機半導体膜が発光しても、この光は導通制御回路に遮られ、表示には寄与しない。かかる表示に寄与しない部分で有機半導体膜に流れる駆動電流は、表示という面からみて無効電流といえる。そこで、本発明では、従来ならこのような無効電流が流れるはずの部分に前記の厚い絶縁膜を形成し、そこに駆動電流が流れることを防止する。その結果、共通給電線に流れる電流が小さくすることができるので、その分、共通給電線の幅を狭くすれば、その結果として、発光面積を増すことができ、輝度、コントラスト比などの表示性能を向上させることができる。
【００２８】
本発明において、前記絶縁膜で区画されている領域に対してその隅部分に丸みをもたせれば、有機半導体膜を角のない丸みをもった平面形状に形成できる。このような形状の有機半導体膜であれば、角部分の駆動電流が集中することがないので、この部分での耐圧不足などの不具合の発生を防止できる。
【００２９】
本発明において、前記有機半導体膜をストライプ状に形成する場合には、前記絶縁膜のうち、前記下層側絶縁膜は、前記画素電極の形成領域のうち前記導通制御回路の形成領域と重なる領域、前記データ線、前記共通給電線、および前記走査線を覆うように形成する一方、前記上層側絶縁膜は前記データ線に沿ってストライプ状に形成し、この上層側絶縁膜でストライプ状に区画された領域内に前記有機半導体膜を、たとえばインクジェット法により形成する。
【００３０】
このように構成した場合には、導通制御回路が下層側絶縁膜で覆われているので、各画素のうち、画素電極の平坦部分のみに形成された有機半導体膜のみが発光に寄与する。すなわち、画素電極の平坦部分のみに薄膜発光素子が形成されていることになる。それ故、有機半導体膜は一定の膜厚で形成され、表示むらを起こさない。また、表示に寄与しない部分に駆動電流が流れるのを下層側絶縁膜で防止するので、共通給電線に無駄な電流が流れることを防止できるという効果もある。さらに、このように構成すると、前記絶縁膜のうち、前記下層側絶縁膜と前記上層側絶縁膜が重なる部分は、前記有機半導体膜をインクジェット法により形成する際に吐出液のはみ出しを防止するバンク層として利用できる。このようなバンク層として利用するにあたっては、前記下層側絶縁膜と前記上層側絶縁膜が重なる部分は、膜厚を１μｍ以上にすることが好ましい。
【００３１】
また、本発明では、前記絶縁膜は、各画素毎の対向電極部分同士を当該絶縁膜に起因する段差のない平坦部分を介して接続させる第１の途切れ部分を備えていることが好ましい。本発明において、前記絶縁膜を厚く形成すると、この絶縁膜は大きな段差を形成し、その上層側に形成される対向電極に断線が発生させるおそれがある。しかるに本発明では、厚い絶縁膜の所定の位置に第１の途切れ部分を構成し、この部分を平坦にしてある。従って、各領域毎の対向電極は平坦部分に形成された部分を介して電気的に接続するので、たとえ、絶縁膜に起因する段差によってこの部分で断線しても、絶縁膜の第１の途切れ部分に相当する平坦部分を介して確実に電気的に接続しているので、対向基板の断線という不具合が発生しない。それ故、アクティブマトリクス型表示装置において、有機半導体膜の周りに厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑えたとしても、絶縁膜の上層に形成する対向電極に断線が発生しないので、アクティブマトリクス型表示装置の表示品質および信頼性を向上することができる。
【００３２】
本発明においては、前記絶縁膜は、前記データ線および前記走査線に沿って形成されていることにより前記有機半導体膜の形成領域の周りを囲んでいる場合には、前記データ線の延設方向で隣り合う画素の間、前記走査線の延設方向で隣り合う画素の間、またはそれら双方の方向で隣り合う画素の間に相当する部分に前記第１の途切れ部分を構成することが好ましい。
【００３３】
また、前記絶縁膜は前記データ線に沿ってストライプ状に延設される場合があり、この場合には、該延設方向の少なくとも一方の端部に前記第１の途切れ部分を構成してもよい。
【００３４】
本発明では、前記表示部の周囲には、前記データ線を介してデータ信号を供給するデータ側駆動回路、および前記走査線を介して走査信号を供給する走査側駆動回路を有し、該走査側駆動回路および前記データ側駆動回路の上層側にも前記絶縁膜が形成されているとともに、当該絶縁膜は、前記走査側駆動回路の形成領域と前記データ側駆動回路の形成領域との間に相当する位置には前記対向電極を前記表示部側と基板外周側とを当該絶縁膜に起因する段差のない平坦部分を介して接続させる第２の途切れ部分を備えていることが好ましい。このように構成すると、データ側駆動回路や走査側駆動回路の表面を覆う絶縁膜の外周縁に沿って対向電極に断線が起きても、表示部側の対向電極と基板外周側の対向電極とは該絶縁膜に起因する段差のない平坦部分を介して接続し、表示部側の対向電極と基板外周側の対向電極との間の電気的接続を確保できる。
【００３５】
本発明において、前記途切れ部分では、前記絶縁膜を構成する前記下層側絶縁膜および前記上層側絶縁膜の双方が途切れている構成、あるいは前記絶縁膜を構成する前記下層側絶縁膜および前記上層側絶縁膜のうち、上層側絶縁膜のみが途切れている構成のいずれであってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明において、図２２ないし図２５を参照して説明した構成要素と共通する部分には同一の符号を付してある。
【実施の形態１】
【００３７】
（全体構成）
図１は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図２は、それに構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図２のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。
【００３８】
図１に示すアクティブマトリクス型表示装置１では、その基体たる透明基板１０の中央部分が表示部１１とされている。透明基板１０の外周部分のうち、データ線ｓｉｇの端部には画像信号を出力するデータ側駆動回路３が構成され、走査線ｇａｔｅの端部には走査信号を出力する走査側駆動回路４が構成されている。これらの駆動回路３、４では、Ｎ型のＴＦＴとＰ型のＴＦＴとによって相補型ＴＦＴが構成され、この相補型ＴＦＴは、シフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログスイツチ回路などを構成している。表示部１１では、液晶アクティブマトリクス型表示装置のアクティブマトリクス基板と同様、透明基板１０上に、複数の走査線ｇａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅによってマトリクス状に形成された複数の画素７とが構成されている。
【００３９】
各々の画素７には、走査線ｇａｔｅを介して走査信号が供給される導通制御回路５０と、この導通制御回路５０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号に基づいて発光する薄膜発光素子４０とが構成されている。ここに示す例においては、導通制御回路５０は、走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ２０と、この第１のＴＦＴ２０を介してデータ線ｓｉｇから供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ３０とから構成されている。第２のＴＦＴ３０と薄膜発光素子４０とは、後述する対向電極ｏｐと共通給電線ｃｏｍとの間に直列に接続している。なお、保持容量ｃａｐについては共通給電線ｃｏｍとの間に形成した構造の他、走査線ｇａｔｅと並列に形成した容量線との間に形成してもよい。
【００４０】
このような構成のアクティブマトリクス型表示装置１では、図２および図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、いずれの画素７においても、島状の半導体膜（シリコン膜）を利用して第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０が形成されている。
【００４１】
第１のＴＦＴ２０は、ゲート電極２１が走査線ｇａｔｅの一部として構成されている。第１のＴＦＴ２０は、ソース・ドレイン領域の一方に第１層間絶縁膜５１のコンタクホールを介してデータ線ｓｉｇが電気的に接続し、他方にはドレイン電極２２が電気的に接続している。ドレイン電極２２は、第２のＴＦＴ３０の形成領域に向けて延設されており、この延設部分には第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１が第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して電気的に接続している。
【００４２】
第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域の一方には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して、データ線ｓｉｇと同時形成された中継電極３５が電気的に接続し、この中継電極３５には第２の層間絶縁膜５２のコンタクトホールを介して薄膜発光素子４０のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜からなる透明な画素電極４１が電気的に接続している。
【００４３】
図２および図３（Ｂ）、（Ｃ）からわかるように、画素電極４１は各画素７毎に独立して形成されている。画素電極４１の上層側には、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）などの有機半導体膜４３、およびリチウム含有アルミニウムやカルシウムなどの金属膜からなる対向電極ｏｐがこの順に積層され、薄膜発光素子４０が構成されている。ここに示す例では、有機半導体膜４３は各画素７に形成されているが、後述するように、複数の画素７に跨がってストライプ状に形成される場合もある。対向電極ｏｐは、表示部１１全体と、少なくとも端子１２が形成されている部分の周囲を除いた領域とに形成されている。この端子１２は、対向電極ｏｐと同時形成された配線（図示せず。）を利用して形成された対向電極ｏｐに電気的に接続する端子を含んでいる。
【００４４】
薄膜発光素子４０としては、正孔注入層を設けて発光効率（正孔注入率）を高めた構造、電子注入層を設けて発光効率（電子注入率）を高めた構造、正孔注入層および電子注入層の双方を形成した構造を採用することもできる。
【００４５】
再び図２および図３（Ａ）において、第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域のもう一方には、第１の層間絶縁膜５１のコンタクトホールを介して共通給電線ｃｏｍが電気的に接続している。共通給電線ｃｏｍの延設部分３９は、第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１の延設部分３６に対して、第１の層間絶縁膜５１を誘電体膜として挟んで対向し、保持容量ｃａｐを構成している。保持容量ｃａｐについては共通給電線ｃｏｍとの間に形成した構造の他、走査線ｇａｔｅと並列に形成した容量線との間に形成してもよく、また、第１のＴＦＴ２０のドレイン領域と第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１とを利用して保持容量ｃａｐを構成してもよい。
【００４６】
このように構成したアクティブマトリクス型表示装置１において、走査信号によって選択されて第１のＴＦＴ２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇからの画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して第２のＴＦＴ３０のゲート電極３１に印加されるとともに、画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに書き込まれる。その結果、第２のＴＦＴ３０がオン状態になると、対向電極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ負極および正極として電圧が印加され、印加電圧がしきい値電圧を越えた領域で有機半導体膜４３に流れる電流（駆動電流）が急激に増大する。従って、発光素子４０は、エレクトロルミネッセンス素子あるいはＬＥＤ素子として発光し、発光素子４０の光は、対向電極ｏｐに反射されて透明な画素電極４１および透明基板１０を透過して出射される。このような発光を行うための駆動電流は、対向電極ｏｐ、有機半導体膜４３、画素電極４１、第２のＴＦＴ３０、および共通給電線ｃｏｍから構成される電流経路を流れるため、第２のＴＦＴ３０がオフ状態になると、流れなくなる。但し、第２のＴＦＴ３０のゲート電極は、第１のＴＦＴ２０がオフ状態になっても、保持容量ｃａｐによって画像信号に相当する電位に保持されるので、第２のＴＦＴ３０はオン状態のままである。それ故、発光素子４０には駆動電流が流れ続け、この画素は点灯状態のままである。この状態は、新たな画像データが保持容量ｃａｐに書き込まれて、第２のＴＦＴ３０がオフ状態になるまで維持される。
【００４７】
（バンク層の構造）
このように構成したアクティブマトリクス型表示装置１において、本形態では、データ線ｓｉｇには大きな容量が寄生することを防止するため、図１、図２、および図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿って、有機半導体膜４１よりも厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの１本の斜線、または２本で一組の斜線を広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。すなわち、データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間に第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂａｎｋとが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【００４８】
ここで、バンク層ｂａｎｋは、有機半導体膜４１よりも厚く形成されたシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの無機材料からなる下層側絶縁膜６１と、この下層側絶縁膜６１上に積層されたレジストあるいはポリイミド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜６２とから構成されている。たとえば、有機半導体膜４１、下層側絶縁膜６１、および上層側絶縁膜６２の膜厚は、それぞれ０．０５μｍ〜０．２μｍ、０．２μｍ〜１．０μｍ、および１μｍ〜２μｍである。
【００４９】
このような２層構造であれば、上層側絶縁膜６２は、厚い膜を形成するのが容易なレジストやポリイミド膜から構成されているため、下層側絶縁膜６１のみを無機材料から構成すればよい。従って、バンク層ｂａｎｋ全体を無機材料で構成する場合と違って、長い時間をかけて無機材料からなる膜をＰＥＣＶＤ法などで成膜する必要がない。それ故、アクティブマトリクス型表示装置１の生産性を高めることができる。
【００５０】
また、かかる２層構造であれば、有機半導体膜４１は無機材料からなる下層側絶縁膜６１とは接しているが、有機材料からなる上層側絶縁膜６２とは接していない。それ故、有機半導体膜４１は、有機材料から構成されている上層側絶縁膜６２の影響を受けて劣化することがないので、薄膜発光素子４０では、発光効率の低下や信頼性の低下が起きない。
【００５１】
また、図１からわかるように、透明基板１０の周辺領域（表示部１１の外側領域）にもバンク層ｂａｎｋが形成されているので、データ側駆動回路３および走査側駆動回路４もバンク層ｂａｎｋによって覆われている。対向電極ｏｐは少なくとも表示部１１に形成される必要があり、駆動回路領域に形成される必要がない。しかし、対向電極ｏｐは、通常、マスクスパッタ法で形成されるので、合わせ精度が悪く、対向電極ｏｐと駆動回路とが重なることがある。しかるに本形態では、これらの駆動回路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク層ｂａｎｋが介在している。それ故、駆動回路３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【００５２】
さらに、本形態では、画素電極４１の形成領域のうち、導通制御回路５０の中継電極３５と重なる領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されている。このため、中継電極３５と重なる領域には有機半導体膜４３が形成されない。すなわち、画素電極４１の形成領域のうち、平坦な部分のみに有機半導体膜４３が形成されるので、有機半導体膜４３は一定の膜厚で形成され、表示むらを起こさない。また、有機半導体膜４３に膜厚の薄い部分があると、そこに薄膜発光素子４０の駆動電流が集中し、薄膜発光素子４０の信頼性が低下することになるが、そのような問題を防止することができる。さらに、中継電極３５と重なる領域にバンク層ｂａｎｋがないと、この部分でも対向電極ｏｐとの間に駆動電流が流れて有機半導体膜４３が発光する。しかし、この光は中継電極３５と対向電極ｏｐとの間に挟まれて外に出射されず、表示に寄与しない。かかる表示に寄与しない部分で流れる駆動電流は、表示という面からみて無効電流といえる。しかるに本形態では、従来ならこのような無効電流が流れるはずの部分にバンク層ｂａｎｋを形成し、そこに駆動電流が流れることを防止するので、共通給電線ｃｏｍに無駄な電流が流れることが防止できる。それ故、共通給電線ｃｏｍの幅はその分、狭くてよい。その結果として、発光面積を増すことができ、輝度、コントラスト比などの表示性能を向上させることができる。
【００５３】
なお、バンク層ｂａｎｋを黒色のレジストによって形成すると、バンク層ｂａｎｋはブラックマトリクスとして機能し、コントラスト比などの表示の品位が向上する。すなわち、本形態に係るアクティブマトリクス型表示装置１では、対向電極ｏｐが透明基板１０の表面側において画素７の全面に形成されるため、対向電極ｏｐでの反射光がコントラスト比を低下させる。しかるに寄生容量を防止する機能を担うバンク層ｂａｎｋを黒色のレジストで構成すると、バンク層ｂａｎｋはブラックマトリクスとしても機能し、対向電極ｏｐからの反射光を遮るので、コントラスト比が向上する。
【００５４】
（アクティブマトリクス型表示装置の製造方法）
このように形成したバンク層ｂａｎｋは、有機半導体膜４３の形成領域を囲むように構成されているので、アクティブマトリクス型表示装置の製造工程では、インクジェットヘッドから吐出した液状の材料（吐出液）から有機半導体膜４３を形成する際に吐出液をせき止め、吐出液が側方にはみ出すことを防止する。なお、以下に説明するアクティブマトリクス型表示装置１の製造方法において、透明基板１０上に第１のＴＦＴ２０および第２のＴＦＴ３０を製造するまでの工程は、アクティブマトリクス型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を製造する工程と略同様であるため、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照してその概略のみを簡単に説明する。
【００５５】
まず、透明基板１０に対して、必要に応じて、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により厚さが約２０００〜５０００オングストロームのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず。）を形成した後、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さが約３００〜７００オングストロームのアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜を形成する。次にアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜をポリシリコン膜に結晶化する。
【００５６】
次に、半導体膜をパターニングして島状の半導体膜とし、その表面に対して、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により厚さが約６００〜１５００オングストロームのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜５７を形成する。
【００５７】
次に、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、パターニングし、ゲート電極２１、３１、およびゲート電極３１の延設部分３６を形成する（ゲート電極形成工程）。この工程では走査線ｇａｔｅも形成する。
【００５８】
この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２１、３１に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
【００５９】
次に、第１の層間絶縁膜５１を形成した後、各コンタクトホールを形成し、次に、データ線ｓｉｇ、ドレイン電極２２、共通給電線ｃｏｍ、共通給電線ｃｏｍの延設部分３９、および中継電極３５を形成する。その結果、第１のＴＦＴ２０、第２のＴＦＴ３０、および保持容量ｃａｐが形成される。
【００６０】
次に、第２の層間絶縁膜５２を形成し、この層間絶縁膜には、中継電極３５に相当する部分にコンタクトホール形成する。次に、第２の層間絶縁膜５２の表面全体にＩＴＯ膜を形成した後、パターニングし、コンタクトホールを介して第２のＴＦＴ３０のソース・ドレイン領域に電気的に接続する画素電極４１を画素７毎に形成する。
【００６１】
次に、第２の層間絶縁膜５２の表面側にＰＥＣＶＤ法などで無機材料からなる膜（下層側絶縁膜６１を形成するための無機膜）を形成した後、走査線ｇａｔｅおよびデータ線ｓｉｇに沿ってレジスト（上層側絶縁膜６２）を形成する。しかる後に、このレジストをマスクとして無機材料から成る膜にパターニングを施し、下層側絶縁膜６１を形成する。このようにして下層側絶縁膜６１をパターニングにより形成する際でも、下層側絶縁膜６１が薄いので、オーバーエッチングが起こらない。従って、画素電極４１が損傷することはない。
【００６２】
このようなエッチング工程を行うと、無機材料からなる膜は走査線ｇａｔｅおよびデータ線ｓｉｇに沿って残り、下層側絶縁膜６１が形成される。このようにして下層側絶縁膜６１と上層側絶縁膜６２とからなる２層構造のバンク層ｂａｎｋが形成される。このときには、データ線ｓｉｇに沿って残すレジスト部分は共通給電線ｃｏｍを覆うように幅広とする。その結果、発光素子４０の有機半導体膜４３を形成すべき領域はバンク層ｂａｎｋに囲まれる。
【００６３】
次に、バンク層ｂａｎｋでマトリクス状に区画された領域内にインクジェット法を利用してＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していく。それには、バンク層ｂａｎｋの内側領域に対してインクジェットヘッドから、有機半導体膜４３を構成するための液状の材料（前駆体／吐出液）を吐出し、それをバンク層ｂａｎｋの内側領域で定着させて有機半導体膜４３を形成する。ここで、バンク層ｂａｎｋの上層側絶縁膜６２は、レジストやポリイミド膜から構成されているため、撥水性である。これに対して、有機半導体膜４３の前駆体は親水性の溶媒を用いているため、有機半導体膜４３の塗布領域はバンク層ｂａｎｋによって確実に規定され、隣接する画素７にはみ出ることがない。それ故、有機半導体膜４３などを所定領域内だけに形成できる。
【００６４】
この工程において、インクジェットヘッドから吐出した前駆体は表面張力の影響で約２μｍないし約４μｍの厚さに盛り上がるため、バンク層ｂａｎｋは約１μｍないし約３μｍの厚さが必要である。この状態では、インクジェットヘッドから吐出した前駆体は上層側絶縁膜６２に接する状態にあるが、１００℃〜１５０℃の熱処理を施した後は、前駆体から溶媒成分が除去されるので、バンク層ｂａｎｋの内側に定着した後の有機半導体膜４３の厚さは約０．０５μｍから約０．２μｍである。それ故、この状態では有機半導体膜４３は上層側絶縁膜６２には接していない。
【００６５】
なお、予めバンク層ｂａｎｋからなる隔壁が１μｍ以上の高さであれば、バンク層ｂａｎｋが撥水性でなくても、バンク層ｂａｎｋは隔壁として十分に機能する。かかる厚いバンク層ｂａｎｋを形成しておけば、インクジェット法に代えて、塗布法で有機半導体膜４３を形成する場合でもその形成領域を規定できる。
【００６６】
しかる後には、透明基板１０の略全面に対向電極ｏｐを形成する。
【００６７】
このような製造方法によれば、インクジェット法を利用して所定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製造できる。
【００６８】
なお、図１に示すデータ側駆動回路３や走査側駆動回路４にもＴＦＴが形成されるが、これらのＴＦＴは前記の画素７にＴＦＴを形成していく工程の全部あるいは一部を援用して行われる。それ故、駆動回路を構成するＴＦＴも、画素７のＴＦＴと同一の層間に形成されることになる。また、前記第１のＴＦＴ２０、および第２のＴＦＴ３０については、双方がＮ型、双方がＰ型、一方がＮ型で他方がＰ型のいずれでもよいが、このようないずれの組合せであっても周知の方法でＴＦＴを形成していけるので、その説明を省略する。
【実施の形態２】
【００６９】
図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本形態のアクティブマトリクス型表示装置における図２のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線に相当する位置での断面図である。なお、本形態と実施の形態１とは基本的な構成が同一なので、共通する部分には同一の符号を図４に付してそれらの詳細な説明を省略する。また、本形態のアクティブマトリクス型表示装置におけるバンク層ｂａｎｋの形成領域は、実施の形態１と同様であるため、同じく図１および図２を参照して説明する。
【００７０】
本形態でも、データ線ｓｉｇには大きな容量が寄生することを防止するため、図１、図２、図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿って、有機半導体膜４１よりも厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの１本の斜線、または２本で一組の斜線を広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。
【００７１】
ここで、バンク層ｂａｎｋは、有機半導体膜４１よりも厚く形成されたシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの無機材料からなる下層側絶縁膜６１と、この下層側絶縁膜６１上に積層されたレジストあるいはポリイミド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜６２とから構成されている点では、実施の形態１と同様である。
【００７２】
本形態では、図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）からわかるように、有機材料からなる上層側絶縁膜６２については、無機材料からなる下層側絶縁膜６１より狭い幅をもってこの下層側絶縁膜６１の内側領域に積層されている。たとえば、下層側絶縁膜６１と画素電極４１との重なり部分の幅は１μｍ〜３μｍであり、下層側絶縁膜６１と上層側絶縁膜６２との間には片側１μｍ〜５μｍのずれがある。このため、バンク層ｂａｎｋは、幅の異なる下層側絶縁膜６１と上層側絶縁膜６２が積層された２段構造になっている。このような２段構造であれば、上層側絶縁膜６２は、厚い膜を形成するのが容易なレジストやポリイミド膜から構成されているので、下層側絶縁膜６１のみを無機材料から構成すればよい。従って、厚いバンク層ｂａｎｋ全体を無機材料で構成する場合と違って、長い時間をかけて無機材料からなる膜をＰＥＣＶＤ法などで成膜する必要がない。それ故、アクティブマトリクス型表示装置１を生産性を高めることができる。また、かかる２段構造であれば、有機半導体膜４１は無機材料からなる下層側絶縁膜６１とは接しているが、上層側絶縁膜６２とは接していない。しかも、上層側絶縁膜６２は下層側絶縁膜６１より内側に形成されているので、その分、有機半導体膜４３と上層側絶縁膜６２とは接しにくい。それ故、有機材料から構成されている上層側絶縁膜６２の影響を受けて有機半導体膜４１が劣化するのを確実に防止でき、薄膜発光素子４０では発光効率の低下や信頼性の低下が起きない。
【００７３】
その他の構成は実施の形態１と同様である。ここで、いずれの画素７もバンク層ｂａｎｋで囲まれている。このため、インクジェット法を利用して所定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製造できるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７４】
このような構造のバンク層ｂａｎｋを形成するにあたっては、第２の層間絶縁膜５２の表面側にＰＥＣＶ法などで無機材料からなる膜（下層側絶縁膜６１を形成するための無機膜）を形成した後、それを走査線ｇａｔｅおよびデータ線ｓｉｇに沿って残し、下層側絶縁膜６１を形成した後、このパターニングに用いたレジストを除去し、しかる後に、下層側絶縁膜６１の上層にそれより幅の狭いレジストやポリイミドを上層側絶縁膜６２として形成すればよい。このようにして、下層側絶縁膜６１をパターニングにより形成する際でも、下層側絶縁膜６１が薄いので、オーバーエッチングが起こらない。従って、画素電極４１が損傷することはない。
【実施の形態３】
【００７５】
本形態のアクティブマトリクス型表示装置１は、バンク層ｂａｎｋを構成する材料が実施の形態２と相違するだけで、その構造は実施の形態２で同様である。従って、共通する部分については同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。また、実施の形態２と同様、図１、図２、および図４を参照して説明する。
【００７６】
本形態でも、データ線ｓｉｇには大きな容量が寄生することを防止するため、図１、図２、図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿って、有機半導体膜４１よりも厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの１本、または２本で一組の斜線を広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。
【００７７】
ここで、バンク層ｂａｎｋは、有機半導体膜４１よりも厚く形成されたシリコン窒化膜などの無機材料からなる下層側絶縁膜６１と、この下層側絶縁膜６１上に積層されたシリコン酸化膜などの無機材料からなる上層側絶縁膜６２とから構成されている。このような２層構造であれば、有機半導体膜４３は有機材料と接していないので、有機材料の影響を受けて劣化することがない。それ故、薄膜発光素子４０では、発光効率の低下や信頼性の低下が起きない。
【００７８】
ここで、上層側絶縁膜６１については下層側絶縁膜６１より狭い幅をもってこの下層側絶縁膜６１の内側領域に積層されている。このため、バンク層ｂａｎｋは、幅の異なる下層側絶縁膜６１と上層側絶縁膜６１が積層された２段構造になっている。
【００７９】
かかる２段構造のバンク層ｂａｎｋを形成するにあたっては、下層側絶縁膜６１および上層側絶縁膜６２を構成すべき無機材料（シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜）を順次形成した後、まず、上層側絶縁膜６２をパターニングする。この際には、下層側絶縁膜６１がエッチングストッパーとして機能するので、多少のオーバーエッチングがあっても画素電極４１を損傷することはない。かかるパターニングを終えた後には下層側絶縁膜６１をパターニング形成する。この際には、下層側絶縁膜６１の１層分をエッチングするだけなので、エッチング制御が容易で、画素電極４１を損傷するほどのオーバーエッチングが起きない。
【００８０】
その他の構成は実施の形態１、２と同様である。従って、いずれの画素７もバンク層ｂａｎｋで囲まれている。このため、インクジェット法を利用して所定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製造できるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
［実施の形態１、２、３の変形例］
なお、上記形態では、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成してあるため、バンク層ｂａｎｋで各画素７をマトリクス状に区画した構成であったが、データ線ｓｉｇに沿ってのみバンク層ｂａｎｋを形成してもよい。この場合にも、バンク層ｂａｎｋでストライプ状に区画された領域内にインクジェット法を利用してＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３をストライプ状に形成できるので、フルカラーのアクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製造できる。
【００８１】
また、上記形態では、バンク層ｂａｎｋが区画した領域の隅部分はいずれも角形になっていたが、そこに丸みをもたせれば、有機半導体膜４３を角のない丸みをもった平面形状に形成できる。このような形状の有機半導体膜４３であれば、角部分の駆動電流が集中することがないので、この部分での耐圧不足などの不具合の発生を防止できる。
【実施の形態４】
【００８２】
本形態のアクティブマトリクス型表示装置１は、基本的な構造が実施の形態１ないし３と同様であるため、同じく図１を参照して説明するとともに、共通する部分には同じ符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８３】
図５は、本形態のアクティブマトリクス型表示装置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図、図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図５のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。
【００８４】
本形態では、以下に説明するように、下層側絶縁膜６１と上層側絶縁膜６２とを部分的に重ね、それぞれを異なる機能を発揮させている。すなわち、本形態でも、図１に示すように、複数の走査線ｇａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇと、該データ線ｓｉｇに並列する複数の共通給電線ｃｏｍと、データ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによってマトリクス状に形成された複数の画素７とが構成されている。
【００８５】
本形態においては、図５および図６に示すように、下層側絶縁膜６１（左下がりの２本で一組の斜線を付した領域）は、画素電極４１の形成領域のうち導通制御回路５０の形成領域と重なる領域、データ線ｓｉｇ、共通給電線ｃｏｍ、および走査線ｇａｔｅを覆うように形成されている。これに対して、上層側絶縁膜６２（左下がりの斜線を広いピッチで付した領域）は、下層側絶縁膜６１の形成領域のうち、データ線ｓｉｇに沿う部分のみにストライプ状に形成されている。また、この上層側絶縁膜６２でストライプ状に区画された領域内に有機半導体膜４３が形成されている。
【００８６】
このように構成した場合も、有機半導体膜４３をインクジェット法により形成する際には、下層側絶縁膜６１と上層側絶縁膜６２が重なる部分を吐出液のはみ出しを防止するバンク層ｂａｎｋとして利用しながら、有機半導体膜４３をストライプ状に形成できる。そこで、本形態では、下層側絶縁膜６１と上層側絶縁膜６２が重なる部分は、膜厚が１μｍ以上になるように構成してある。
【００８７】
このように構成した場合も、データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間に第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂａｎｋ（下層側絶縁膜６１と上層側絶縁膜６２）とが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【００８８】
また、ストライプ状に有機半導体膜４３を形成したが、画素電極４１の形成領域のうち導通制御回路５０の形成領域と重なる領域、および走査線ｇａｔｅは、下層側絶縁膜６２で覆われているので、各画素７のうち、画素電極４１の平坦部分のみに形成された有機半導体膜４３が発光に寄与する。すなわち、画素電極４１の平坦部分のみに薄膜発光素子４０が形成されていることになる。それ故、有機半導体膜４３は一定の膜厚で形成され、表示むらや駆動電流の集中を起こさない。また、表示に寄与しない部分に駆動電流が流れるのを下層側絶縁膜６１で防止するので、共通給電線ｃｏｍに無駄な電流が流れることを防止できるという効果もある。
【００８９】
ここで、下層側絶縁膜６１については有機半導体膜４１よりも厚く形成されたシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの無機材料から構成し、上層側絶縁膜６２についてはレジストあるいはポリイミド膜などの有機材料から構成すれば、下層側絶縁膜６１のみを無機材料から構成すればよいことになる。従って、厚いバンク層ｂａｎｋ全体を無機材料で構成する場合と違って、長い時間をかけて無機材料からなる膜をＰＥＣＶＤ法などで成膜する必要がない。それ故、アクティブマトリクス型表示装置１を生産性を高めることができる。また、かかる２層構造であれば、有機半導体膜４１は無機材料からなる下層側絶縁膜６１とは接しているが、有機材料からなる上層側絶縁膜６２とは接していない。それ故、有機半導体膜４１は、有機材料から構成されている上層側絶縁膜６２の影響を受けて劣化することがないので、薄膜発光素子４０では、発光効率の低下や信頼性の低下が起きないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００９０】
これに対して、下層側絶縁膜６１については有機半導体膜４１よりも厚く形成されたシリコン窒化膜などの無機材料から構成し、上層側絶縁膜６２については、この下層側絶縁膜６１上に積層されたシリコン酸化膜などの無機材料から構成した場合には、有機半導体膜４３は有機材料と接していないので、有機材料の影響を受けて劣化することがない。それ故、薄膜発光素子４０では、発光効率の低下や信頼性の低下が起きない。また、上層側絶縁膜６１については狭い幅で下層側絶縁膜６１の内側領域に積層してあるので、上層側絶縁膜６２をパターニングする際には、下層側絶縁膜６１がエッチングストッパーとして機能するなど、実施の形態３と同様な効果を奏する。
【実施の形態５】
【００９１】
図７は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図８は、それに構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図、図９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、図８のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と共通するので、共通する部分については同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００９２】
本形態でも、本形態のアクティブマトリクス型表示装置１でも、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿って、有機半導体膜４１よりも厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの１本の斜線、または２本で一組の斜線を広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。すなわち、データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間に第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂａｎｋとが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【００９３】
ここで、バンク層ｂａｎｋは、有機半導体膜４１よりも厚く形成されたシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの無機材料からなる下層側絶縁膜６１と、この下層側絶縁膜６１上に積層されたレジストあるいはポリイミド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜６２とから構成されている。たとえば、有機半導体膜４１、下層側絶縁膜６１、および上層側絶縁膜６２の膜厚は、それぞれ０．０５μｍ〜０．２μｍ、０．２μｍ〜１．０μｍ、および１μｍ〜２μｍである。従って、有機半導体膜４１は無機材料からなる下層側絶縁膜６１とは接しているが、有機材料からなる上層側絶縁膜６２とは接していない。それ故、有機半導体膜４１は、有機材料から構成されている上層側絶縁膜６２の影響を受けて劣化することがないので、薄膜発光素子４０では、発光効率の低下や信頼性の低下が起きないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００９４】
このように構成したアクティブマトリクス型表示装置１において、有機半導体膜４１は、バンク層ｂａｎｋで周囲が囲まれている。このため、このままでは、各画素７の対向電極ｏｐはバンク層ｂａｎｋを乗り越えて隣接する画素７の対向電極ｏｐと接続することになる。しかるに本形態では、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分に下層側絶縁膜６１および上層側絶縁膜６２の双方が途切れた途切れ部分ｏｆｆ（第１の途切れ部分）が形成されている。また、バンク層ｂａｎｋには、走査線ｇａｔｅの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分にも下層側絶縁膜６１および上層側絶縁膜６２の双方が途切れた途切れ部分ｏｆｆ（第１の途切れ部分）が形成されている。さらに、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅの各延設方向の端部のそれぞれに下層側絶縁膜６１および上層側絶縁膜６２の双方が途切れた途切れ部分ｏｆｆ（第１の途切れ部分）が形成されている。
【００９５】
このような途切れ部分ｏｆｆでは厚いバンク層ｂａｎｋがないので、バンク層ｂａｎｋに起因する大きな段差のない平坦部分であり、この部分に形成されている対向電極ｏｐは断線することがない。従って、各画素７の対向電極７は、バンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分を介して確実に接続していることになる。それ故、画素７の周りに厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ）を形成して寄生容量などを抑えても、この厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ）の上層に形成する対向電極ｏｐに断線が発生しない。
【００９６】
また、透明基板１０の周辺領域（表示部１１の外側領域）において、データ側駆動回路３および走査側駆動回路４はいずれも、バンク層ｂａｎｋ（形成領域に斜線を付してある。）によって覆われている。このため、これらの駆動回路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【００９７】
しかも、走査側駆動回路４およびデータ側駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋは、走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３の形成領域との間に相当する位置に下層側絶縁膜６１および上層側絶縁膜６２の双方が途切れた途切れ部分ｏｆｆ（第２の途切れ部分）が形成されている。このため、表示部１１の側の対向電極ｏｐと基板外周側の対向電極ｏｐとは、バンク層ｂａｎｋの途切れ部分ｏｆｆを介して接続し、この途切れ部分ｏｆｆもバンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分である。従って、この途切れ部分ｏｆｆに形成されている対向電極ｏｐは断線することがないので、表示部１１の側の対向電極ｏｐと基板外周側の対向電極ｏｐとは、バンク層ｂａｎｋの途切れ部分ｏｆｆを介して確実に接続し、基板外周側の対向電極ｏｐに配線接続されている端子１２と表示部１１の対向電極ｏｐとは確実に接続している。
【００９８】
さらに、本形態では、画素電極４１の形成領域のうち、導通制御回路５０の中継電極３５と重なる領域にもバンク層ｂａｎｋが形成されているため、無駄な無効電流が流れることを防止できる。それ故、共通給電線ｃｏｍの幅はその分、狭くてよい。
【００９９】
このような構成のアクティブマトリクス型表示装置１を製造する際にも、実施の形態１と同様、第２の層間絶縁膜５２の表面側に、走査線ｇａｔｅおよびデータ線ｓｉｇに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成する。このとき、バンク層ｂａｎｋの所定部分には途切れ部分ｏｆｆを形成しておく。また、データ線ｓｉｇに沿って形成するバンク層ｂａｎｋは共通給電線ｃｏｍを覆うように幅広とする。その結果、薄膜発光素子４０の有機半導体膜４３を形成すべき領域はバンク層ｂａｎｋに囲まれる。
【０１００】
次に、バンク層ｂａｎｋでマトリクス状に区画された領域内にインクジェット法を利用してＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していく。それには、バンク層ｂａｎｋの内側領域に対してインクジェットヘッドから、有機半導体膜４３を構成するための液状の材料（前駆体）を吐出し、それをバンク層ｂａｎｋの内側領域で定着させて有機半導体膜４３を形成する。ここで、バンク層ｂａｎｋの上層側絶縁膜６２は、レジストやポリイミド膜から構成されているため、撥水性である。これに対して、有機半導体膜４３の前駆体は親水性の溶媒を用いているため、有機半導体膜４３の塗布領域はバンク層ｂａｎｋによって確実に規定され、隣接する画素７にはみ出ることがない。また、有機半導体膜４３の形成領域を区画するバンク層ｂａｎｋに途切れ部分ｏｆｆがあったとしても、かかる途切れ部分ｏｆｆは狭いので、有機半導体膜４３の塗布領域はバンク層ｂａｎｋによって確実に規定され、隣接する画素７にはみ出ることがない。それ故、有機半導体膜４３などを所定領域内だけに形成できる。
【０１０１】
なお、インクジェットヘッドから吐出した前駆体は表面張力の影響で約２μｍないし約４μｍの厚さに盛り上がるため、バンク層ｂａｎｋは約１μｍないし約３μｍの厚さが必要である。この状態では、インクジェットヘッドから吐出した前駆体は上層側絶縁膜６２に接する状態にあるが、１００℃〜１５０℃の熱処理を施した後は、前駆体から溶媒成分が除去されるので、バンク層ｂａｎｋの内側に定着した後の有機半導体膜４３の厚さは約０．０５μｍから約０．２μｍである。それ故、この状態では有機半導体膜４３は上層側絶縁膜６２には接していない。
【０１０２】
なお、予めバンク層ｂａｎｋからなる隔壁が１μｍ以上の高さであれば、バンク層ｂａｎｋが撥水性でなくても、バンク層ｂａｎｋは隔壁として十分に機能する。従って、かかる厚いバンク層ｂａｎｋを形成しておけば、インクジェット法に代えて、塗布法で有機半体膜４３を形成する場合でもその形成領域を規定できる。
【実施の形態５の変形例１】
【０１０３】
図１０は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図１１は、それに構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図、図１２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図１１のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本形態と実施の形態１とは基本的な構成が同一なので、共通する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な説明を省略する。
【０１０４】
図１０、図１１、および図１２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、本形態のアクティブマトリクス型表示装置１でも、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿って、有機半導体膜４１よりも厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの１本の斜線、または２本で一組の斜線を広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。すなわち、データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間に第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂａｎｋとが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【０１０５】
ここで、バンク層ｂａｎｋは、有機半導体膜４１よりも厚く形成されたシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの無機材料からなる下層側絶縁膜６１と、この下層側絶縁膜６１上に積層されたレジストあるいはポリイミド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜６２とから構成されている。従って、有機半導体膜４１は無機材料からなる下層側絶縁膜６１とは接しているが、有機材料からなる上層側絶縁膜６２とは接していない。それ故、有機半導体膜４１は、有機材料から構成されている上層側絶縁膜６２の影響を受けて劣化することがないので、薄膜発光素子４０では、発光効率の低下や信頼性の低下が起きないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【０１０６】
また、本形態では、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成してあるため、いずれの画素７もバンク層ｂａｎｋで囲まれている。このため、インクジェット法を利用して所定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製造できる。
【０１０７】
しかも、バンク層ｂａｎｋには、走査線ｇａｔｅの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分に途切れ部分ｏｆｆ（第１の途切れ部分）が形成されている。また、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅの各延設方向の端部のそれぞれにも途切れ部分ｏｆｆ（第１の途切れ部分）が形成されている。さらに、走査側駆動回路４およびデータ側駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋは、走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆ（第２の途切れ部分）が形成されている。従って、対向電極ｏｐは、バンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分（途切れ部分ｏｆｆ）を介して確実に接続し、断線することがない。
【実施の形態５の変形例２】
【０１０８】
図１３は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図１４は、それに構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図、図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図１４のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本形態と実施の形態１とは基本的な構成が同一なので、共通する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な説明を省略する。
【０１０９】
図１３、図１４、および図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、本形態のアクティブマトリクス型表示装置１でも、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿って、有機半導体膜４１よりも厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの１本の斜線、または２本で一組の斜線を広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。すなわち、データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間に第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂａｎｋとが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【０１１０】
ここで、バンク層ｂａｎｋは、有機半導体膜４１よりも厚く形成されたシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの無機材料からなる下層側絶縁膜６１と、この下層側絶縁膜６１上に積層されたレジストあるいはポリイミド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜６２とから構成されている。従って、有機半導体膜４１は無機材料からなる下層側絶縁膜６１とは接しているが、有機材料からなる上層側絶縁膜６２とは接していない。それ故、有機半導体膜４１は、有機材料から構成されている上層側絶縁膜６２の影響を受けて劣化することがないので、薄膜発光素子４０では、発光効率の低下や信頼性の低下が起きないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【０１１１】
また、本形態では、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成してあるため、いずれの画素７もバンク層ｂａｎｋで囲まれている。このため、インクジェット法を利用して所定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製造できる。
【０１１２】
しかも、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分に途切れ部分ｏｆｆ（第１の途切れ部分）が形成されている。また、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅの各延設方向の端部のそれぞれにも途切れ部分ｏｆｆ（第１の途切れ部分）が形成されている。さらに、走査側駆動回路４およびデータ側駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋは、走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆ（第２の途切れ部分）が形成されている。従って、対向電極ｏｐは、バンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分（途切れ部分ｏｆｆ）を介して確実に接続し、断線することがない。
【実施の形態５の変形例３】
【０１１３】
図１６は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図１７は、それに構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図、図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図１７のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本形態と実施の形態１、５とは基本的な構成が同一なので、共通する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な説明を省略する。
【０１１４】
図１６、図１７、および図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、本形態のアクティブマトリクス型表示装置１でも、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿って、有機半導体膜４１よりも厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの１本の斜線、または２本で一組の斜線を広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。すなわち、データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間に第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂａｎｋとが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【０１１５】
ここで、バンク層ｂａｎｋは、有機半導体膜４１よりも厚く形成されたシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの無機材料からなる下層側絶縁膜６１と、この下層側絶縁膜６１上に積層されたレジストあるいはポリイミド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜６２とから構成されている。
【０１１６】
また、本形態では、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成してあるため、いずれの画素７もバンク層ｂａｎｋで囲まれている。このため、インクジェット法を利用して所定の領域にＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３を形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製造できる。
【０１１７】
しかも、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇの延設方向で隣り合う画素７の間に相当する部分に途切れ部分ｏｆｆ（第１の途切れ部分）が形成されている。また、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇおよび走査線ｇａｔｅの各延設方向の端部のそれぞれにも途切れ部分ｏｆｆ（第１の途切れ部分）が形成されている。さらに、走査側駆動回路４およびデータ側駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋは、走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆ（第２の途切れ部分）が形成されている。
【０１１８】
但し、本形態において、途切れ部分ｏｆｆでは、バンク層ｂａｎｋを形成するのに用いた下層側絶縁膜６１（２本で一組の斜線を付した領域）および上層側絶縁膜６２（左下がりの１本の斜線を付した領域）のうち、上層側絶縁膜６２のみが途切れており、途切れ部分ｏｆｆであってもそこには下層側絶縁膜６１は形成されている。
【０１１９】
このように構成した場合も、途切れ部分ｏｆｆには薄い下層側絶縁膜６１があるだけで、厚い上層側絶縁膜６２がないので、対向電極ｏｐは、途切れ部分ｏｆｆを介して確実に接続し、断線することがない。
【０１２０】
なお、上記形態では、第１の途切れ部分および第２の途切れ部分の双方において下層側絶縁膜６１が形成されている構成であったが、本発明はこれに限定されるものではなく、第１の途切れ部分および第２の途切れ部分のいずれか一方のみに下層側絶縁膜６１が形成されている構成であってもよい。また、本形態のように途切れ部分に下層側絶縁膜６１が形成されている構成は、その他の実施の形態で説明したパターンのバンク層ｂａｎｋに適用してもよい。
【実施の形態６】
【０１２１】
図１９は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図２０は、それに構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図、図２１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ図２０のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。なお、本形態と実施の形態１とは基本的な構成が同一なので、共通する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な説明を省略する。
【０１２２】
図１９、図２０、および図２１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、本形態のアクティブマトリクス型表示装置１では、データ線ｓｉｇに沿って、有機半導体膜４１よりも厚い絶縁膜（バンク層ｂａｎｋ／左下がりの１本の斜線、または２本で一組の斜線を広いピッチで付した領域）を設け、このバンク層ｂａｎｋの上層側に対向電極ｏｐを形成してある。すなわち、データ線ｓｉｇと対向電極ｏｐとの間に第２の層間絶縁膜５２と厚いバンク層ｂａｎｋとが介在しているので、データ線ｓｉｇに寄生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【０１２３】
ここで、バンク層ｂａｎｋは、有機半導体膜４１よりも厚く形成されたシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの無機材料からなる下層側絶縁膜６１と、この下層側絶縁膜６１上に積層されたレジストあるいはポリイミド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜６２とから構成されている。従って、有機半導体膜４１は無機材料からなる下層側絶縁膜６１とは接しているが、有機材料からなる上層側絶縁膜６２とは接していない。それ故、有機半導体膜４１は、有機材料から構成されている上層側絶縁膜６２の影響を受けて劣化することがないので、薄膜発光素子４０では、発光効率の低下や信頼性の低下が起きないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【０１２４】
また、本形態では、データ線ｓｉｇに沿ってバンク層ｂａｎｋを形成してあるため、バンク層ｂａｎｋでストライプ状に区画された領域内にインクジェット法を利用してＲ、Ｇ、Ｂに対応する各有機半導体膜４３をストライプ状に形成していけるので、フルカラーのアクティブマトリクス型表示装置１を高い生産性で製造できる。
【０１２５】
しかも、バンク層ｂａｎｋには、データ線ｓｉｇの延設方向の端部に、下層側絶縁膜６１および上層側絶縁膜６２の双方が途切れた途切れ部分ｏｆｆ（第１の途切れ部分）が形成されている。従って、各画素７の対向電極ｏｐは、走査線ｇａｔｅの延設方向では、隣接する画素７の対向電極ｏｐに対して厚いバンク層ｂａｎｋを乗り越えて接続している。それでも、データ線ｓｉｇの延設方向を辿っていくと、各画素７の対向電極ｏｐは、データ線ｓｉｇの端部で途切れ部分ｏｆｆ（バンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分）を介して、走査線ｇａｔｅの延設方向で隣接する画素７の列と接続している。それ故、各画素７の対向電極ｏｐは、バンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分を介して他の画素７の対向電極ｏｐに接続しているといえ、いずれの画素７の対向電極ｏｐも断線状態になることはない。
【０１２６】
また、透明基板１０の周辺領域（表示部１１の外側領域）において、データ側駆動回路３および走査側駆動回路４はいずれも、バンク層ｂａｎｋによって覆われている。このため、これらの駆動回路の形成領域に対して対向電極ｏｐが重なる状態にあっても、駆動回路の配線層と対向電極ｏｐとの間にバンク層ｂａｎｋが介在することになる。それ故、駆動回路３、４に容量が寄生することを防止できるため、駆動回路３、４の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
【０１２７】
さらに、走査側駆動回路４およびデータ側駆動回路３の上層側に形成されたバンク層ｂａｎｋは、走査側駆動回路４の形成領域とデータ側駆動回路３の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分ｏｆｆ（第２の途切れ部分）が形成されている。従って、対向電極ｏｐは、バンク層ｂａｎｋに起因する段差のない平坦部分（途切れ部分ｏｆｆ）を介して確実に接続し、断線することがない。
【その他の実施の形態】
【０１２８】
なお、実施の形態５の変形例３で説明したように、バンク層ｂａｎｋの途切れ部分ｏｆｆでは上層側絶縁膜６２のみが途切れているという構成は、実施の形態６に適用してもよい。
【０１２９】
また、実施の形態５、６で説明したように、バンク層ｂａｎｋに対して途切れ部分ｏｆｆを形成することにより対向電極ｏｐの断線を防ぐという発明は、実施の形態３で説明した無機材料からなるバンク層ｂａｎｋを用いた場合に適用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
以上説明したように、本発明に係るアクティブマトリクス型表示装置では、有機半導体膜の形成領域を囲むように絶縁膜を形成するのに、この絶縁膜を有機半導体膜よりも厚い無機材料からなる下層側絶縁膜と、その上に積層された有機材料からなる上層側絶縁膜とから構成する。従って、本発明によれば、データ線と対向電極との間に厚い絶縁膜を介在させたので、データ線に容量が寄生することを防止できる。このため、データ側駆動回路の負荷を低減できるので、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。また、本発明では、薄膜発光素子の有機半導体膜と接する下層側絶縁膜のみを無機材料から構成し、その上層側には、厚い膜を容易に形成できるレジストなどの有機材料から構成した上層側絶縁膜を積層しているので、生産性が高い。しかも、上層側絶縁膜は有機半導体膜と接しておらず、有機半導体膜と接するのは無機材料から構成した下層側絶縁膜なので、有機半導体膜は上層側絶縁膜の影響を受けて劣化することがない。それ故、薄膜発光素子は発光効率の低下や信頼性の低下などを起こさない。
【０１３１】
ここで、上層側絶縁膜を下層側絶縁膜より狭い幅をもってこの下層側絶縁膜の内側領域に積層した場合には、有機材料から構成された上層側絶縁膜は、有機半導体膜により接しにくくなるので、有機半導体膜の劣化をより確実に防止できる。
【０１３２】
本発明の別の形態では、有機半導体膜の形成領域を囲むように絶縁膜を形成するのに、無機材料からなる下層側絶縁膜と、この下層側絶縁膜より狭い幅をもってこの下層側絶縁膜の内側領域に積層された無機材料からなる上層側絶縁膜とから構成する。従って、本発明でも、データ線と対向電極との間に厚い絶縁膜を介在させたので、データ線に容量が寄生することを防止できる。このため、データ側駆動回路の負荷を低減できるので、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。また、下層側絶縁膜および上層側絶縁膜を構成すべき無機材料からなる膜を形成した後、上層側絶縁膜をパターニングする際には、下層側絶縁膜がエッチングストッパーとして機能するので、多少のオーバーエッチングがあっても画素電極を損傷することはない。かかるパターニングを終えた後に下層側絶縁膜をパターニング形成する際には、下層側絶縁膜の１層分をエッチングするだけなので、エッチング制御が容易で、画素電極を損傷するほどのオーバーエッチングが起きない。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
【図２】図２は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、図２のＡ−Ａ′断面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明の実施の形態２、３に係るアクティブマトリクス型表示装置の図２のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線に相当する位置での断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態４に係るアクティブマトリクス型表示装置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図である。
【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、図５のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線に相当する位置での断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態５に係るアクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
【図８】図８は、図７に示すアクティブマトリクス型表示装置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図である。
【図９】図９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、図８のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線に相当する位置での断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態５の変形例１に係るアクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
【図１１】図１１は、図１０に示すアクティブマトリクス型表示装置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図である。
【図１２】図１２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、図１１のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線に相当する位置での断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態５の変形例２に係るアクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
【図１４】図１４は、図１３に示すアクティブマトリクス型表示装置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図である。
【図１５】図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、図１４のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線に相当する位置での断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態５の変形例３に係るアクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
【図１７】図１７は、図１６に示すアクティブマトリクス型表示装置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図である。
【図１８】図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、図１７のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線に相当する位置での断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の実施の形態６に係るアクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
【図２０】図２０は、図１９に示すアクティブマトリクス型表示装置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図である。
【図２１】図２１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、図２０のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線に相当する位置での断面図である。
【図２２】図２２は、従来および本発明の比較例に係るアクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。
【図２３】図２３は、図２２に示すアクティブマトリクス型表示装置に構成されている画素の１つを抜き出して示す平面図である。
【図２４】図２４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、図２３のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線に相当する位置での断面図である。
【図２５】図２５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、比較例に係るアクティブマトリクス型表示装置における図２３のＡ−Ａ′線、Ｂ−Ｂ′線、およびＣ−Ｃ′線に相当する位置での断面図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１                 アクティブマトリクス型表示装置
２                 表示部
３                 データ側駆動回路
４                 走査側駆動回路
７                 画素
１０               透明基板
１２               端子
２０               第１のＴＦＴ
２１               第１のＴＦＴのゲート電極
３０               第２のＴＦＴ
３１               第２のＴＦＴのゲート電極
４０               発光素子
４１               画素電極
４３               有機半導体
６１               下層側絶縁膜
６２               上層側絶縁膜
ｂａｎｋ           バンク層（絶縁膜）
ｃａｐ             保持容量
ｃｏｍ             共通給電線
ｇａｔｅ             走査線
ｏｐ               対向電極
ｏｆｆ               パンク層の途切れ部分
ｓｉｇ               データ線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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