(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置された一対の基板の周囲がシール材によって一定距離隔て互いに貼り合わせられ、前記シール材の一部に液晶注入口が形成されていると共に、内部空間に液晶が封入されている液晶表示パネルにおいて、
前記一対の基板の一方の前記内部空間側には樹脂膜が形成されていると共に、前記樹脂膜の表面側には無機絶縁膜が形成されており、
前記液晶表示パネルには、前記液晶注入口に対応する端部に、前記無機絶縁膜が存在しないが、前記樹脂膜が存在する領域が形成されている液晶表示パネル。
【請求項２】
前記無機絶縁膜が存在しない領域は、前記液晶注入口の端部より予め定めた一定の幅にわたって形成されている請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記液晶表示パネルの前記液晶注入口側の辺には、前記樹脂膜が形成されていない請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記樹脂膜が形成されていない部分の幅は、前記液晶注入口側の端部より、前記無機絶縁膜が存在しない領域の幅よりも広い請求項３に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記液晶表示パネルは、前記樹脂膜上に下電極、前記無機絶縁膜及び上電極がこの順に形成された請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶注入口を有する液晶表示パネルに関し、特に樹脂膜の形成後に低温絶縁
膜が形成される液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルはＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴が
あるため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示パネルは、所定方向
に整列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を
表示させるものである。このような液晶表示パネルには、外光が液晶層に入射し、反射板
で反射されて再び液晶層を透過して出射する反射型のものと、バックライト装置からの入
射光が液晶層を透過する透過型のものと、その両方を備えた半透過型のものとが知られて
いる。
【０００３】
液晶表示パネルの液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電界方式
のものとがある。縦電界方式の液晶表示パネルは、液晶層を挟んで配置される一対の電極
により、概ね縦方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界方式の液晶表示
パネルとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード
、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知られている。横電界
方式の液晶表示パネルは、液晶層を挟んで配設される一対の基板のうちの一方の内面側に
一対の電極を互いに絶縁して設け、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加するもので
ある。この横電界方式の液晶表示パネルとしては、一対の電極が平面視で重ならないＩＰ
Ｓ（In-Plane Switching）モードのものと、重なるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モ
ードのものとが知られている。
【０００４】
このうち、ＩＰＳモードの液晶表示パネルは、画素電極と共通電極とからなる一対の電
極をそれぞれ互いに電気的に絶縁された状態で噛み合うようにくし歯状に形成し、画素電
極と共通電極との間に横方向の電界を液晶に印加するものである。このＩＰＳモードの液
晶表示パネルは、縦電界方式の液晶表示パネルよりも視野角が広いという利点を有してい
る。
【０００５】
ＦＦＳモードの液晶表示パネルは、絶縁膜を介して共通電極と画素電極とからなる一対
の電極をそれぞれ異なる層に配置し、液晶層側の共通電極又は画素電極にスリット状の開
口を設け、このスリット状開口を通る概ね横方向の電界を液晶層に印加するものである。
このＦＦＳモードの液晶表示パネルは、広い視野角を得ることができると共に画像コント
ラストを改善できるという効果があるので、近年、多く用いられるようになってきている
。
【０００６】
このＦＦＳモードの液晶表示パネルには、下記特許文献１の図２に開示されているよう
に、画素電極がスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）と略同じ平面
に形成されたものと、下記特許文献２の図２に開示されているように、共通電極及び画素
電極が共にＴＦＴの上方に配置されたものとが知られている。
【０００７】
このうち、共通電極及び画素電極が共にＴＦＴの上方に配置されたＦＦＳモードの液晶
表示パネルは、ＴＦＴ等の表面がアクリル樹脂などから形成される層間膜で被覆され、こ
の層間膜の表面に透明導電性材料からなる下電極が形成され、さらに無機絶縁膜を挟んで
上電極が形成されている。この下電極は画素電極及び共通電極の何れとしても作動させる
ことが可能である。この層間膜はＴＦＴのなどの凹凸を平坦化するために、また、ＴＦＴ
の上方に両電極を形成することができるために、開口率が大きくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−０３６８００号公報
【特許文献２】特開２００９−０４７８３９号公報
【特許文献３】特開２００８−０６８６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、共通電極及び画素電極が共にＴＦＴの上方に配置されたＦＦＳモードの
液晶表示パネルにおいては、表示領域内に微小な輝点不良が生じることがあった。この原
因を調査した結果、この微小輝点不良は表示領域内の異物によるものであることが判明し
た。図１０に示すように、表示領域１２を縦３×横３の９つの領域（ａ）〜（ｉ）に分割
してその異物の分布を調べると、最も多いのは液晶注入口１４に最も近い領域（ｂ）であ
り、それに次ぐのは領域（ａ）、（ｃ）及び（ｅ）であり、領域（ａ）〜（ｃ）及び（ｅ
）の４つの領域の合計は８０％以上となる。このことから、異物の多くは液晶注入口から
侵入するものと推測された。また、異物の試料をＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分光）分
析した結果、多くの異物が無機絶縁膜の材料である窒化ケイ素であることが判明した。
【００１０】
液晶注入口部分は、上記特許文献３に開示されているように、スクライブ方式によって
分断することによって形成されている。また、アクリル樹脂などからなる層間膜は熱に弱
いため、層間膜上の窒化ケイ素、又は酸化ケイ素からなる無機絶縁膜は、通常の形成温度
よりも低温で形成される。そのためこの無機絶縁膜は低温絶縁膜とも称されている。上述
の微小輝点不良の原因は、無機絶縁膜が低温で形成されたために層間膜との間の接着強度
が低下し、そして、液晶注入口部分のスクライブ方式による分断時に無機絶縁膜が剥がれ
、その破片が液晶注入口から液晶とともに表示領域内に侵入するために生じたものと考え
られる。
【００１１】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、層間膜
上に形成された無機絶縁膜の破片が生じ難くすることによって、微小輝点不良の生成を低
減した液晶表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示パネルは、互いに対向配置された一対の基
板の周囲がシール材によって一定距離隔て互いに貼り合わせられ、前記シール材の一部に
液晶注入口が形成されていると共に、内部空間に液晶が封入されている液晶表示パネルに
おいて、前記一対の基板の一方の前記内部空間側には樹脂膜が形成されていると共に、前
記樹脂膜の表面側に無機絶縁膜が形成されており、前記液晶表示パネルには、前記無機絶
縁膜が存在しない領域が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
樹脂膜の表面側に無機絶縁膜が形成されていると、この無機絶縁膜は、樹脂膜の熱劣化
や特性変化が発生しないようにするため、通常の無機絶縁膜の形成条件よりも低温で形成
される。そのため、樹脂膜の表面側に形成された無機絶縁膜は、樹脂膜や他の絶縁膜との
間の密着性が劣る。したがって、液晶注入口側にこの樹脂膜の表面側に形成される無機絶
縁膜と同じ無機絶縁膜が存在していると、マザー基板から各液晶表示パネル領域を分断し
た後に液晶を注入する際、この無機絶縁膜の破片が液晶と共に表示領域内に侵入して、微
小輝点不良を生じる可能性が大きくなる。
【００１４】
本発明の液晶表示パネルによれば、樹脂膜の表面側に形成される無機絶縁膜と同じ無機絶縁膜が存在しない領域が形成されている。これにより、液晶注入時に樹脂膜の表面側に形成される無機絶縁膜と同じ無機絶縁膜の破片が表示領域側に侵入し難くなるので、微小輝点不良が生じ難くなる。
【００１５】
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記無機絶縁膜が存在しない領域は、前記
液晶注入口に対応する端部であることが好ましい。
【００１６】
本発明の液晶表示パネルでは、無機絶縁膜が存在しない領域は、液晶表示パネルの液晶
注入口に対応する端部に形成されている。そのため、無機絶縁膜の破片が最も侵入しやす
い領域である液晶注入口に最も近い領域について、無機絶縁膜の破片が侵入し難くなるの
で、この領域について微小輝点不良が生じ難くなる。
【００１７】
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記無機絶縁膜が存在しない領域は、前記
予め定めた一定の幅にわたって形成されていることが好ましい。
【００１８】
マザー基板から各液晶表示パネル領域を分断するための溝を刻むホイールカッターの位
置ずれは、例えば最大１２０μｍになるように制御されている。本発明の液晶表示パネル
では、樹脂膜の表面側に形成される無機絶縁膜と同じ無機絶縁膜が形成されていない領域
の幅が液晶注入口側の辺から予め定めた一定の幅、例えば、ホイールカッターの位置ずれ
許容値の最大値である１２０μｍよりも大きくなるように形成されている。これにより、
マザー基板から各液晶表示パネル領域を分断する際に、ホイールカッターの位置ズレが最
大１２０μｍとなっても、ホイールカッターが無機絶縁膜に触れることがないので、無機
絶縁膜の破片が生じないようにすることができる。
【００１９】
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記液晶表示パネルの前記液晶注入口側の
辺には、前記樹脂膜が形成されていないことが好ましい。
【００２０】
液晶表示パネルの液晶注入口に対応する辺に樹脂膜が形成されていないと、この部分に
樹脂膜の表面側に形成される無機絶縁膜と同じ無機絶縁膜が形成されても、この部分の無
機絶縁膜は樹脂膜に対するよりも密着性が良好となっている。そのため、本発明の液晶表
示パネルによれば、特に上記効果が良好に奏されるようになる。
【００２１】
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記樹脂膜が形成されていない部分の幅は
、前記液晶注入口側の辺より、前記無機絶縁膜が存在しない領域の幅よりも広いことが好
ましい。
【００２２】
液晶注入口側の辺より、樹脂膜が形成されていない部分の幅を無機絶縁膜が存在しない
領域の幅よりも広くすると、この部分に樹脂膜の表面側に形成される無機絶縁膜と同じ無
機絶縁膜が形成されると、この無機絶縁膜は樹脂膜以外の部分と接触するようになる。こ
の無機絶縁膜は樹脂膜以外とは密着性が良好であるため、樹脂膜が形成されていない部分
の幅を無機絶縁膜が存在しない領域の幅よりも、例えば８０μｍ以上広くすれば、ホイー
ルカッターの位置ズレが最大１２０μｍずれても、ホイールカッターが樹脂膜上の無機絶
縁膜に接触し難くなるので、無機絶縁膜の破片が生じ難くなる。なお、本発明の液晶表示
パネルにおいては、樹脂膜が形成されていない部分の幅を広くすればするほど、無機絶縁
膜の破片が形成し難くなるが、広すぎると樹脂膜の形成領域が狭くなるので、実験的に適
度な値にすればよい。
【００２３】
また、本発明の液晶表示パネルにおいては、前記液晶表示パネルは、前記樹脂膜上に下
電極、前記無機絶縁膜及び上電極がこの順に形成されたＦＦＳモードで作動するものであ
ることが好ましい。
【００２４】
これにより、樹脂膜を有して開口率が大きいＦＦＳモードの液晶表示パネルに対して本
発明を適用することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１実施形態の液晶表示パネルが分断される前のマザー基板のアレイ基板の概要を示す平面図である。
【図２】第１実施形態の液晶表示パネルの１サブ画素を示す平面図である。
【図３】図２のIII−III線の断面図である。
【図４】図１のIV−IV線の断面図である。
【図５】図５Ａは第１実施形態のアレイ基板の第１変形例を示す断面図であり、図５Ｂは同じく第２変形例を示す断面図であり、図５Ｃは同じく第３変形例を示す断面図である。
【図６】第２実施形態の１サブ画素を示す平面図である。
【図７】図６のVII−VII線の断面図である。
【図８】図１のIV−IV線部分の第２実施形態の断面図である。
【図９】図９Ａは第２実施形態のアレイ基板の第１変形例を示す断面図であり、図９Ｂは同じく第２変形例を示す断面図である。
【図１０】従来の液晶表示パネルにおける異物の分布を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、実施形態及び図面を参照にして本発明を実施するための最良の形態を説明する。
しかしながら、以下に示す実施形態は、本発明をここに記載したものに限定することを意
図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々
の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。なお、ここで述べるアレイ基板及
びカラーフィルター基板の「表面」とは各種配線が形成された面ないしは液晶と対向する
側の面を示すものとする。また、この明細書における説明のために用いられた各図面にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものでは
ない。
【００２７】
［第１実施形態］
第１実施形態の液晶表示パネルの要部の構成を図１〜図４を用いて説明する。第１実施
形態の液晶表示パネルは、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low Temperature Poly Silicon
）ＴＦＴを用いたＦＦＳモードで作動するものである。図１に示すように、マザー基板１
０には、縦２個×横２個の４個分の液晶表示パネル形成領域１１が形成されている。実際
にはより多数の液晶表示パネル形成領域１１が同時に形成されるが、ここでは理解しやす
いように４個取りとしている。
【００２８】
マザー基板１０のそれぞれの液晶表示パネル形成領域１１は、表示領域１２を囲むよう
に塗布されたシール材１３によって、液晶注入口１４が形成され、アレイ基板ＡＲとカラ
ーフィルター基板ＣＦ（図３参照）とが接着されて、内部には空部が形成される。マザー
基板１０の分断は、図１に示したスクライブラインＳＣに沿って、上記特許文献３に示さ
れているようなカッターホイールを移動させることにより、溝を形成し、応力を加えるこ
とによって行われる。
【００２９】
図３、図４に示すように、液晶表示パネル１１Ａは液晶層ＬＣがアレイ基板ＡＲとカラ
ーフィルター基板ＣＦで挟持される構成となっている。マザー基板１０から分断された液
晶表示パネル１１Ａは、液晶注入口１４から空部に液晶ＬＣが注入され、液晶注入口１４
が封止材によって封止される。なお、図示省略したが、液晶層ＣＬを所定の厚みに保持す
るための柱状スペーサがカラーフィルター基板ＣＦ又はアレイ基板ＡＲに形成されている
。
【００３０】
また、液晶表示パネル１１Ａは表示領域１２に行方向及び列方向に複数個整列した画素
を有しており、１画素は例えばＲ（赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）の３色表示のサブ画素で構
成され、これらの色の光の混色によって各画素の色が定められる。図２に示すように、ア
レイ基板ＡＲのサブ画素１６には、Ｘ軸方向に延在する例えばアルミニウムやモリブデン
等の不透明な金属からなる走査線１７と、Ｙ軸方向に延在する例えばアルミニウムやモリ
ブデン等の不透明な金属からなる信号線１８と、走査線１７と信号線１８の交差部近傍に
配設される薄膜トランジスターＴＦＴとを備えている。
【００３１】
アレイ基板ＡＲは、透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からなる第１
透明基板１９を基体としている。第１透明基板１９の表面には、バッファー膜２０が積層
されている。バッファー膜２０の表面には平面視でＵ字状に低温ポリシリコンからなる半
導体層２１が形成されている。半導体層２１とバッファー膜２０を覆うようにして、例え
ば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なゲート絶縁膜２２が積層されている。ゲート
絶縁膜２２の表面には、平面視で半導体層２１のＵ字状の２本の腕と直交するように、走
査線１７が形成されている。走査線１７の半導体層２１と重なる２箇所がゲート電極Ｇと
なる。
【００３２】
走査線１７とゲート絶縁膜２２を覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなる
層間絶縁膜２３が形成されている。層間絶縁膜２３の表面には、例えばアルミニウムやモ
リブデン等の金属からなる信号線１８が、図２のＹ軸方向（列方向）に形成されている。
この信号線１８からはソース電極Ｓが延設され、このソース電極Ｓは層間絶縁膜２３とゲ
ート絶縁膜２２を貫通するソース電極用のコンタクトホール２４を介して半導体層２１の
Ｕ字状の一方の腕と電気的に接続されている。
【００３３】
また、層間絶縁膜２３の表面には、例えばアルミニウムやモリブデン等の金属からなるドレイン電極Ｄが形成されている。このドレイン電極Ｄは、層間絶縁膜２３とゲート絶縁膜２２を貫通するドレイン電極用のコンタクトホール２５を介して、半導体層２１のＵ字状の他方の腕と電気的に接続されている。信号線１８、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、層間絶縁膜２３を覆うようにして例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるパッシベーション膜２６が形成されている。ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜２２、半導体層２１、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチング素子となる薄膜トランジスターＴＦＴが構成され、それぞれのサブ画素１１にこのＴＦＴが形成されている。
【００３４】
これらの走査線１７及び信号線１８によって区画された領域のそれぞれがサブ画素領域
となる。Ｒ（赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）の３つのサブ画素１１で略正方形の１画素（図示
せず）を構成するので、これを３等分するサブ画素１１は走査線１２側が短辺で信号線１
３側が長辺の長方形となる。
【００３５】
そして、パッシベーション膜２６を覆うようにして、例えばアクリル樹脂やフォトレジ
スト等の透明樹脂材料からなる層間樹脂膜２７が積層されている。そして、層間樹脂膜２
７を覆うようにしてＩＴＯ（Indium Thin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等
の透明導電性材料からなる下電極２８が形成されている。層間樹脂膜２７とパッシベーシ
ョン膜２６を貫通してドレイン電極Ｄに達する画素電極用のコンタクトホール２９が形成
されており、このコンタクトホール２９を介して下電極２８とドレイン電極Ｄとが電気的
に接続されている。そのため、下電極２８は画素電極として作動する。
【００３６】
下電極２８を覆うようにして例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明な無機絶縁
膜３０が積層されている。この無機絶縁膜３０は、層間樹脂膜２７が熱に弱いために、ゲ
ート絶縁膜２２や層間絶縁膜２３よりも低温で成膜される。そこで、以下においてはこの
無機絶縁膜３０を、ゲート絶縁膜２２や層間絶縁膜２３と区別するため、「低温無機絶縁
膜」と称する。
【００３７】
そして、低温無機絶縁膜３０を覆うようにしてＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料
からなる上電極３１が形成されている。この上電極３１は、表示領域１２の周辺部でコモ
ン配線（図示せず）に接続されており、共通電極として作動する。
【００３８】
上電極３１には、図２に示すように、複数のスリット状開口３２が形成されている。スリット状開口３２はフォトリソグラフィー法によって上電極３１の表面に塗布されたフォトレジスト材料を露光及び現像した後、エッチングすることによって形成される。図示省略したが、上電極３１及びスリット状開口３２の内部を覆うように、例えばポリイミドからなる第１配向膜が積層されている。第１配向膜には図２のＹ軸方向（信号線１８の延在方向と略平行な方向）に液晶方向配向処理すなわちラビング処理が施されている。
【００３９】
上電極３１には、信号線１８の延在方向に延在する「く」字状のスリット状開口３１が
等間隔で複数本形成されている。サブ画素１６は縦長であるため、スリット状開口３２を
横方向に延在させるとスリット状開口３２の両端の数が多くなる。このスリット状開口３
２の端部は液晶分子の異常配向領域となる。そこで、本実施形態の液晶表示パネルでは、
図２に示すように、スリット状開口３２の延在方向をＹ軸方向にすることにより、スリッ
ト状開口３２の端部の数を少なくし、開口率の低下を低減している。
【００４０】
「く」字状のスリット状開口３２の延在方向はラビング方向に対して約＋５度及び約−
５度傾斜している。全てのスリット状開口３２をラビング方向に対して時計方向あるいは
反時計方向に傾くようにすると、液晶分子が一方向にねじれるため視角方向によって色が
変化する現象が現れる。これは、液晶分子を見る方向によって見かけのリタデ−ションが
変化するためである。これを低減するために、第１の実施形態の液晶表示パネル１１Ａで
はスリット状開口３２の延在方向が時計方向に対して約＋５度傾くドメインと約−５度傾
くドメインを設けている。
【００４１】
カラーフィルター基板ＣＦは、透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等か
らなる第２透明基板３３を基体としている。第２透明基板３３の最下層（ここでは、カラ
ーフィルター基板やアレイ基板の製造工程で最初に透明基板に形成される層を意味する。
）には、走査線１７、信号線１８および薄膜トランジスターＴＦＴに対向する位置に遮光
性を有する樹脂からなる遮光層３４が形成され、また、サブ画素１６毎に異なる色の光（
たとえば、Ｒ、Ｇ、Ｂあるいは無色）を透過するカラーフィルター層３５が形成されてい
る。
【００４２】
そして、遮光層３４およびカラーフィルター層３５を覆うようにして例えばフォトレジ
スト等の透明樹脂材料からなるオーバーコート層３６が積層されている。サブ画素１６の
オーバーコート層３６は異なる色のカラーフィルター層３５による段差を平坦にし、また
、遮光層３４やカラーフィルター層３５から流出する不純物が液晶層ＬＣに入らないよう
に遮断するために形成されている。そして、図示省略したが、オーバーコート層３６を覆
うようにして、例えばポリイミドからなる第２配向膜が形成されている。第２配向膜には
第１配向膜とは逆方向のラビング処理が施されている。
【００４３】
上述の構成により、サブ画素１６では、薄膜トランジスターＴＦＴがＯＮ状態になると
、下電極２８と上電極３１との間に電界が発生し、液晶層ＬＣの液晶分子の配向が変化す
る。これにより、液晶層ＬＣの光透過率が変化してＦＦＳモードで画像を表示することと
なる。また、下電極２８と上電極３１が低温無機絶縁膜３０を挟んで対向する領域は、補
助容量を形成し、薄膜トランジスターＴＦＴがＯＦＦ状態になったときに下電極２８と上
電極３１との間の電界を所定時間保持する。
【００４４】
次に、低温無機絶縁膜が存在しない領域３７について説明する。前述したとおり、層間樹脂膜２７の積層後に積層される低温無機絶縁膜３０があると、この低温無機絶縁膜３０は密着性が弱く、分断時に破片が生じ、この破片が液晶注入口１４から液晶ＬＣと共に表示領域１２内に侵入する可能性が高くなる。そこで、本実施形態の液晶表示パネル１１Ａでは、図１に示すように、液晶注入口１４のスクライブラインＳＣの部分に、低温無機絶縁膜が存在しない領域３７を設けている。この液晶注入口１４のスクライブラインＳＣは、本発明の液晶注入口側の辺に対応する。これにより、密着性が弱い低温無機絶縁膜３０が液晶注入口１４部分に形成されないから、スクライブ時に低温無機絶縁膜３０の破片が液晶注入口１４から表示領域１２側に侵入することがなくなる。以上の構成により、微小輝点不良を低減することができるようになる。
【００４５】
なお、液晶注入口１４部分のアレイ基板ＡＲは、図４に示すように、第１透明基板１９
の表面に、前述のサブ画素１６の絶縁性を有する膜、すなわち、バッファー膜２０、ゲー
ト絶縁膜２２、層間絶縁膜２３、パッシベーション膜２６、層間樹脂膜２７、低温無機絶
縁膜３０が順次積層されている。この低温無機絶縁膜が存在しない領域３７は、図１のＹ
軸方向では液晶注入口１４の幅Ｗを含み、図１のＸ軸方向では、図４にも示すように、ス
クライブラインＳＣからＬ１である。
【００４６】
ここではＬ１は約１２０μｍ以上を示す。分断用の溝を刻むホイールカッターの位置ず
れは最大１２０μｍである。そこで、除去領域３７をスクライブラインＳＣから１２０μ
ｍ以上にすることで、ホイールカッターが最大１２０μｍずれても、低温無機絶縁膜３０
の破片が生じないようにすることができる。また、低温無機絶縁膜３０はその下層の層間
樹脂膜２７から不純物が流出することを防止できるので、必要以上に低温無機絶縁膜３０
を除去することは好ましくない。このために、液晶表示パネル１１Ａの液晶注入口１４が
ある辺の両端のスクライブラインＳＣや、他の３辺のスクライブラインＳＣの低温無機絶
縁膜３０は除去されない。
【００４７】
なお、液晶注入口１４部のカラーフィルター基板ＣＦは、図４に示すように、第２透明
基板３３の表面に、遮光層３４及びオーバーコート層３６が形成されており、低温無機絶
縁膜は積層されていないため、カラーフィルター基板ＣＦには低温無機絶縁膜の除去領域
はない。
【００４８】
［第１実施形態の変形例］
図５Ａは第１実施形態の第１変形例を示す断面図であり、第１実施形態のアレイ基板Ａ
Ｒよりパッシベーション膜２６を除去したものである。上述の第１実施形態の液晶表示パ
ネル１１Ａでは、薄膜トランジスターＴＦＴの上部には、層間樹脂膜２７及び低温無機絶
縁膜３０が形成されているから、パッシベーション膜２６を除去しても薄膜トランジスタ
ーＴＦＴに悪影響を与えることがない。このように、第１実施形態の液晶表示パネル１１
Ａではパッシベーション膜２６を削除することが可能であり、本発明はこのような短工程
の液晶表示パネルの場合にも適用することができる。
【００４９】
図５Ｂは第１実施形態の第２変形例を示す断面図であり、第１実施形態のアレイ基板Ａ
Ｒより層間樹脂膜２７をスクライブラインＳＣからＬ２だけ除去したものである。低温無
機絶縁膜３０は層間樹脂膜２７に対して密着性が弱いので、層間樹脂膜２７をスクライブ
ラインＳＣに形成しないことにより、樹脂膜に分断時の応力が掛かって低温絶縁膜３０が
剥がれることを防止することができる。また、低温無機絶縁膜３０は層間樹脂膜２７に対
しては密着性が弱いが、パッシベーション膜２６に対しては、同組成の材料であるため、
密着性は強い。そのため、低温無機絶縁膜３０の端部をパッシベーション膜２６と接着さ
せることで、低温無機絶縁膜３０の端部を剥がれ難くすることができる。
【００５０】
ここで、Ｌ２>Ｌ１であり、Ｌ２−Ｌ１は約８０μｍ以上が好ましい。Ｌ２−Ｌ１が広いほど、分断時にカッターホイールの位置ズレがあってもカッターホイールと層間樹脂膜２７上の低温無機絶縁膜３０とが接触し難くなり、しかも、層間樹脂膜２７と接着する低温無機絶縁膜３０の端部が剥がれ難くなる。しかし、Ｌ２が広すぎると層間樹脂膜２７の形成領域が狭くなる。なお、図５Ｃは第１実施形態の第３変形例を示す断面図であり、第１実施形態の第２変形例を第１実施形態の第１変形例に適用したものである。
【００５１】
［第２実施形態］
第１実施形態の液晶表示パネル１１Ａにおける薄膜トランジスターＴＦＴは低温ポリシ
リコン（ＬＴＰＳ）型のものであったが、第２実施形態の液晶表示パネル１１Ｂでは、薄
膜トランジスターＴＦＴがアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）型のものに適用した。第２
実施形態の液晶表示パネル１１Ｂのアレイ基板ＡＲを図６〜図８を用いて説明する。なお
、図６〜図８においては、図２〜図４に示した第１実施形態の液晶表パネル１１Ａのアレ
イ基板ＡＲと構成が同一の部分には同一の参照符号を付与して説明する。
【００５２】
第２実施形態の液晶表示パネル１１Ｂでは、アレイ基板ＡＲの第１透明基板１９の表面
に、走査線１７が形成されている。走査線１７からはゲート電極Ｇが延設されている。走
査線１７とゲート電極Ｇを覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なゲー
ト絶縁膜２２が積層されている。そして、平面視でゲート電極Ｇと重なるゲート絶縁膜２
２の表面にはａ−Ｓｉからなる半導体層２１が形成されている。また、ゲート絶縁膜２２
の表面にはアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の信号線１８が形成されてい
る。この信号線１８からはソース電極Ｓが延設され、このソース電極Ｓは半導体層２１の
表面と部分的に接触している。
【００５３】
さらに、信号線１８及びソース電極Ｓと同一の材料で同時に形成されたドレイン電極Ｄ
がゲート絶縁膜２２の表面に設けられており、このドレイン電極Ｄはソース電極Ｓと近接
配置されて半導体層２１の表面と部分的に接触している。ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜２
２、半導体層２１、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチング素子となる薄膜
トランジスターＴＦＴが構成され、それぞれのサブ画素１６にこのＴＦＴが形成されてい
る。
【００５４】
さらに、信号線１８、薄膜トランジスターＴＦＴ及びゲート絶縁膜２２の露出部分を覆
うようにして例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜２６が
積層されている。そして、パッシベーション膜２６を覆うようにして、例えばフォトレジ
スト等の透明樹脂材料からなる層間樹脂膜２７が積層されている。そして、層間樹脂膜２
７を覆うようにしてＩＴＯ（Indium Thin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等
の透明導電性材料からなる下電極１９が形成されている。層間絶縁膜２７とパッシベーシ
ョン膜２６を貫通してドレイン電極Ｄに達する画素電極用のコンタクトホール２９が形成
されており、このコンタクトホール２９を介して下電極２９とドレイン電極Ｄとが電気的
に接続されている。そのため、下電極２９は画素電極として作動する。
【００５５】
下電極２９を覆うようにして例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明な低温無機絶縁膜３０が積層されている。そして、低温無機絶縁膜３０を覆うようにしてＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる上電極３１が形成されている。この上電極３１は、表示領域の周辺部でコモン配線（図示せず）に接続されており、共通電極として作動する。上電極３１には、図７に示すように、複数のスリット状開口３２が形成されている。図示しないが、上電極３１を覆ってポリイミドからなる第１配向膜が積層されている。第１配向膜には図６のＹ軸方向（信号線１８の延在方向と略平行な方向）に液晶方向配向処理すなわちラビング処理が施されている。
【００５６】
次に、低温無機絶縁膜が存在しない領域３７について説明する。第２実施形態の液晶表示パネル１１Ｂにおいても、第１実施形態の液晶表示パネル１１Ａと同様に、層間樹脂膜２７の積層後に積層される低温無機絶縁膜３０が存在しているために、第１実施形態の液晶表示パネル１１Ａと同様の低温無機絶縁膜が存在しない領域３７を有する。液晶注入口１４部のアレイ基板ＡＲは、図８に示すように、第１透明基板１９の表面に、前述のサブ画素１６の絶縁性を有する膜、すなわち、ゲート絶縁膜２２、パッシベーション膜２６、層間樹脂膜２７、低温無機絶縁膜３０が順次積層されている。そして、第１実施形態の第２変形例のように、低温無機絶縁膜３０がスクライブラインＳＣからＬ１まで除去され、層間樹脂膜２７が、スクライブラインＳＣからＬ２まで除去されている。これにより、第２実施形態の液晶表示パネル１１Ｂにおいても、第１実施形態の液晶表示パネル１１Ａと同様に、微小輝点不良を低減することができる。
【００５７】
［第２実施形態の変形例］
図９Ａは第２実施形態の第１変形例を示す断面図であり、第２実施形態の図８のアレイ
基板ＡＲよりパッシベーション膜２６を除去したものである。上述の第２実施形態の液晶
表示パネル１１Ｂでは、薄膜トランジスターＴＦＴの上部には、層間樹脂膜２７及び低温
無機絶縁膜３０が形成されているから、パッシベーション膜２６を除去しても薄膜トラン
ジスターＴＦＴに悪影響を与えることがない。このように、第２実施形態の液晶表示パネ
ル１１Ｂではパッシベーション膜２６を削除することが可能であり、本発明はこのような
短工程の液晶表示パネルの場合にも適用することができる。
【００５８】
図９Ｂは第２実施形態の第２変形例を示す断面図であり、第２実施形態の図８のアレイ
基板ＡＲより層間樹脂膜２７を除去したものである。このように、サブ画素１６に積層さ
れる層間樹脂膜２７が液晶注入口には積層されていなくても、低温無機絶縁膜３０のゲー
ト絶縁膜２２への密着性は層間樹脂膜２７と比較すれば強いため、微小輝点不良を低減す
ることができる。
【００５９】
なお、上述の実施形態の液晶表示パネルでは、上電極が共通電極として作動し、下電極
が画素電極として作動するものについて説明した。しかしながら、本発明は、上電極が画
素電極として作動し、下電極が共通電極として作動するものについても適用することがで
きる。また、上述の実施形態の樹脂膜はＴＦＴなどの凹凸を平坦化し、低温絶縁膜は下電
極と上電極間の絶縁膜であったが、本発明はこれらの用途の樹脂膜や低温絶縁膜に限定す
るものではなく、樹脂膜後に低温で形成される低温樹脂膜を有する液晶表示パネルに、本
発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１０…マザー基板  １１Ａ、１１Ｂ…液晶表示パネル  １２…表示領域  １３…シール
材  １４…液晶注入口  １５…封止材  １６…サブ画素  １７…走査線  １８…信号線  
１９…第１透明基板  ２０…バッファー膜  ２１…半導体層  ２２…ゲート絶縁膜  ２３
…層間絶縁膜  ２４…ソース電極用のコンタクトホール  ２５…ドレイン電極用のコンタ
クトホール  ２６…パッシベーション膜  ２７…層間樹脂膜  ２８…下電極  ２９…画素
電極用のコンタクトホール  ３０…低温無機絶縁膜  ３１…上電極  ３２…スリット状開
口  ３３…第２透明基板  ３４…遮光層  ３５…カラーフィルター層  ３６…オーバーコ
ート層  ３７…無機絶縁膜が存在しない領域  ＡＲ…アレイ基板  ＣＦ…カラーフィルタ
ー基板  Ｄ…ドレイン電極  Ｇ…ゲート電極  ＬＣ…液晶層  Ｓ…ソース電極  ＳＣ…ス
クライブライン  ＴＦＴ…薄膜トランジスター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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