(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が形成されたダイヤモンド膜を構成要素とする赤外線光源において、前記ダイヤモンド膜がｐ型半導体膜であるとともに、前記ダイヤモンド膜の発光部に対応する部分には絶縁基板が形成されないよう構成されていることを特徴とする赤外線光源。
【請求項２】
電極が形成されたダイヤモンド膜を構成要素とする赤外線光源において、前記ダイヤモンド膜がｐ型半導体層とアンドープ層とが積層された構造を有するとともに、前記ダイヤモンド膜の発光部に対応する部分には絶縁基板が形成されないよう構成されていることを特徴とする赤外線光源。
【請求項３】
発光源がダイヤモンド膜と導電性薄膜とが密着した構造である赤外線光源であって、前記導電性薄膜は前記ダイヤモンド膜上に形成されているとともに、前記導電性薄膜を電極兼発光部とし、さらに、少なくとも前記発光部直下のダイヤモンド部分に対応する部分には絶縁基板が形成されないよう構成されていることを特徴とする赤外線光源。
【請求項４】
発光源が気相合成されているダイヤモンド膜である請求項１〜３のいずれかに記載の赤外線光源。
【請求項５】
ダイヤモンド膜が電気絶縁性のアンドープ膜である請求項３に記載の赤外線光源。
【請求項６】
電極材料が白金、金、モリブデン、ニッケル、タングステン、チタンから選ばれた少なくとも１つ以上の元素を含む請求項１〜５のいずれかに記載の赤外線光源。
【請求項７】
ダイヤモンド膜におけるボロンドーピング濃度が１０16／ｃｍ3 〜１０22／ｃｍ3 といった濃度である請求項１〜６のいずれかに記載の赤外線光源。
【請求項８】
電極直下のダイヤモンド膜におけるボロンドーピング濃度が１０20／ｃｍ3 〜１０23／ｃｍ3 といった高濃度である請求項１，２および４、５のいずれかに記載の赤外線光源。
【請求項９】
電気抵抗を測定することにより、発光部の温度を測定または推定し、発光部の制御を行う請求項１〜８のいずれかに記載の赤外線光源。
【請求項１０】
一つの絶縁基板上に複数の発光部が形成されている請求項１〜９のいずれかに記載の赤外線光源。
【請求項１１】
ダイヤモンド膜が（１００）または（１１１）に配向された高配向性膜である請求項１〜１０のいずれかに記載の赤外線光源。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば赤外線ガス分析計などに用いられる赤外線光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、赤外線ガス分析計に用いられる赤外線光源としては、発光のふらつきが小さく、経時的に劣化が小さく、かつ、安定発光までの時間が短いことが求められている。この赤外線光源では、波長２〜１０μｍの赤外線領域での赤外線放射を得るため、フィラメント温度が６００〜８００℃程度となるよう電圧が印加されている。
【０００３】
従来、この種の赤外線光源として、発光部のフィラメントがタングステン（Ｗ）や白金（Ｐｔ）線などの金属線をコイル状に巻いたものや、コイル表面をアルミナなどのセラミックで被覆することにより、赤外線領域での発光効率を高めたものなどがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の赤外線光源は、発光部のフィラメント部分の経時的な劣化や、温度上昇による各部の機械的歪みの発生などを考慮する必要があり、小型化、マイクロ化する上で障害となっていた。また、金属コイルの場合、抵抗の温度係数が負特性を示すため、温度分布が生じやすいという欠点があった。
【０００５】
これに対して、半導体ウエハプロセスを用いて、絶縁基板上に金属薄膜やシリコン（Ｓｉ）のフィラメントを形成することが試みられているが、前記したような高温領域での耐久性や安定性に欠けるとともに、昇・降温における応答性が赤外線光源としては不十分である。
【０００６】
この発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、耐久性や昇・降温における応答性に優れたコンパクトな赤外線光源を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の赤外線光源は、電極が形成されたダイヤモンド膜を構成要素とする赤外線光源において、前記ダイヤモンド膜がｐ型半導体膜であるとともに、前記ダイヤモンド膜の発光部に対応する部分には絶縁基板が形成されないよう構成されていることを特徴とする。この発明では、半導体ダイヤモンドまたは非ダイヤモンド材料の抵抗体を蒸着したダイヤモンドを用いている。
また、この発明は、電極が形成されたダイヤモンド膜を構成要素とする赤外線光源において、前記ダイヤモンド膜がｐ型半導体層とアンドープ層とが積層された構造を有するとともに、前記ダイヤモンド膜の発光部に対応する部分には絶縁基板が形成されないよう構成されていることを特徴としている。
さらに、この発明は、発光源がダイヤモンド膜と導電性薄膜とが密着した構造である赤外線光源であって、前記導電性薄膜は前記ダイヤモンド膜上に形成されているとともに、前記導電性薄膜を電極兼発光部とし、さらに、少なくとも前記発光部直下のダイヤモンド部分に対応する部分には絶縁基板が形成されないよう構成されていることを特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
この発明の赤外線光源は、ダイヤモンド膜を構成要素としている。
【０００９】
この場合、発光源を気相合成されているダイヤモンド膜で形成してもよい。
【００１０】
ダイヤモンド膜と導電性薄膜とが密着した構造にしてもよく、この場合、ダイヤモンド膜が電気絶縁性のアンドープ膜であってもよい。
【００１１】
【００１２】
また、ダイヤモンド膜の全部または一部がボロン（Ｂ）ドープされたｐ型半導体であってもよい。Ｂドープすることにより、ダイヤモンドの抵抗率が低下する。
【００１３】
さらに、ダイヤモンド膜がｐ型半導体層とアンドープ層とが積層された構造を有していてもよい。このようにした場合、ｐ型半導体層がホモエピタキシャル成長し、膜特性が均一になる。そして、ｐ型半導体層の上面にアンドープ層をさらに積層することにより、アンドープ層がｐ型半導体層のパッシベーションの働きをし、表面が大気中の酸素で多少エッチングされても、ｐ型半導体層に影響が及ぼされることがない。
【００１４】
電極材料としては、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）から選ばれた少なくとも１つ以上の元素を含むものであればよいが、単体ではＰｔを用いるのが最も好ましい。
【００１５】
ダイヤモンド膜におけるＢドーピング濃度は、１０16／ｃｍ3 〜１０22／ｃｍ3 といった濃度が好ましい。これは、前記濃度が１０16／ｃｍ3 より低いと高抵抗となり、１０22／ｃｍ3 を超えた場合、ダイヤモンド膜の結晶性が悪くなるからである。
【００１６】
また、電極直下のダイヤモンド膜におけるＢドーピング濃度は、１０20／ｃｍ3 〜１０23／ｃｍ3 といった高濃度が好ましい。これは、電極直下を高濃度にドープ（ヘビードープ）することにより接触抵抗が低下するからである。この場合、ヘビードープ層の厚さは１μｍ以下でよいので、結晶性が低下しても構わない。
【００１７】
【００１８】
電気抵抗を測定することにより、発光部の温度を測定または推定し、発光部の制御を行うようにしてもよい。
【００１９】
一つの絶縁基板上に複数の発光部を形成してあってもよい。
【００２０】
ダイヤモンド膜が（１００）または（１１１）に配向された高配向性膜としてもよい。
【００２１】
ダイヤモンドは、耐熱性に優れ、その単結晶は非酸化雰囲気中では１２００℃までの高温でも劣化せず、気相合成法により形成された多結晶膜でも、大気中で約７００〜８００℃に耐えることができる。また、室温付近での熱伝導率は、物質中最大であるといった特徴を有する。
【００２２】
ダイヤモンドは、バンドギャップが大きく（５．５ｅＶ）、通常は絶縁体であるが、不純物ドーピングにより半導体化できる。また、絶縁破壊電圧や飽和ドリフト速度が大きく、誘電率が小さいという優れた電気的特性を有する。このような特徴により、ダイヤモンドは、高温・高周波・高電界用の電子デバイス・センサ材料として期待されている。
【００２３】
また、バンドギャップが大きいことを利用した紫外線などの短波長領域に対応する光センサは発光素子への応用、熱伝導率が大きく、比熱が小さいことを利用した放熱基板材料、物質中で最も硬いという特性を生かした表面弾性波素子への応用、高い光透過性・屈折率を利用したＸ線窓や光学材料への応用などが進められている。さらに、ダイヤモンドは、工具の耐磨耗部にも使用されている。
【００２４】
ダイヤモンドの耐熱性および半導体特性の応用に温度センサがある。また、半導体ダイヤモンド薄膜でフィラメント構造を形成し、通電加熱によりヒータとして利用することも考えられている（例えば、特開平７−１６１４５５号公報参照）。
【００２５】
ダイヤモンドの気相合成法としては、マイクロ波化学気相蒸着（ＣＶＤ）法（例えば、特公昭５９−２７７５４号公報、特公昭６１−３３２０号公報参照）。高周波プラズマＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法、直流プラズマＣＶＤ法、プラズマジェット法、燃焼法、熱ＣＶＤ法などが知られている。これらの気相合成法では、膜状のダイヤモンドが低コスト・大面積で得られるという特徴がある。
【００２６】
Ｓｉなどの非ダイヤモンド基板に気相合成されたダイヤモンド膜は、一般に、ダイヤモンド粒子がランダムに凝集した多結晶である。しかし、ダイヤモンド結晶粒子がほぼ一定方向に揃った高配向性の合成も報告されており、多結晶膜を用いた場合よりも耐熱性に優れていることが報告されている。さらに、最近では、白金単結晶面に粒界の見られないダイヤモンド膜が気相合成により成長することも報告されており、このような膜の耐熱性は、バルクダイヤモンドに近いと考えられる。
【００２７】
【実施例】
実施例について、図面を参照しながら説明する。
図１および図２は、第１実施例の赤外線光源Ｌを示す。これらの図において、１は絶縁基板、２はこの絶縁基板１の上面に気相合成されたダイヤモンド膜で、この実施例においてはｐ型半導体ダイヤモンド膜（以下、ｐ型半導体ダイヤモンド膜を符号２Ｐで表す）である。３はこのｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐの上面に適宜の間隔をおいて形成される電極である。そして、ｐ型半導体ダイヤモンド膜２ｐの二つの電極３の間の部分２ａは、ｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐの他の部分２ｂと異なり、図２に示すように、平面形状が細長く、かつ蛇行した状態に形成され、赤外線の発光部となるものである。１ａは絶縁基板１の発光部２ａに対応する部分をエッチングによって削除されたエッチング部である。
【００２８】
前記絶縁基板１としては、例えば表面に窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 など）を形成したＳｉ基板を用いることができ、この窒化膜の上面にｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐが形成される。そして、電極３の材料としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１つ以上の元素を含むものを用いることができるが、単体ではＰｔを用いるのが最も好ましい。また、電極３をＴｉ（１０〜５００Å）にＰｔを積層して形成したり、あるいは、ＰｔにＴｉ（０．１〜５％）を混ぜ合わせた合金材料で形成してもよい。
【００２９】
図１１は、絶縁基板１の窒化膜表面にｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐを気相合成するためのマイクロ波ＣＶＤ装置４の一例を示し、この図において、５は石英からなる反応管、６は反応管５と直交するように設けられる導波管である。反応管５の一端側には原料ガスの導入口７が形成され、他端側には図示してない真空ポンプなどを備えた流路に連なる排気口８が形成されている。９は位置調節手段１０によってその位置が調節される基板ホルダである。導波管６の一端側にはマイクロ波電源１１が設けられ、他端側にはプランジャ１２を備えた反射板１３が設けられている。１４はアイソレータ、１５はチューナである。
【００３０】
上記マイクロ波ＣＶＤ装置４を用いて、絶縁基板１上にｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐを気相合成するには、まず、基板ホルダ９に絶縁基板１を保持する。そして、水素ガスで０．２〜５％に希釈した水素・メタン混合ガス１００ｓｃｃｍにジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）を０．０１〜１００ｐｐｍ添加したものを、反応管５内に原料ガスとして流し、反応管５内を３０〜６０Ｔｏｒｒに保持するとともに、絶縁基板１の温度を７５０〜８９０℃に保持し、その状態で３００〜５００Ｗのマイクロ波パワーを与える。前記原料ガスがマイクロ波によって励起された電子によりプラズマ１６となり、これが絶縁基板１上で気相反応してダイヤモンド構造が形成される。このようにして、気相合成を２０時間続けると、厚さ１０μｍのｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐが絶縁基板１上に形成される。
【００３１】
前記ｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐにおけるボロン（Ｂ）ドーピング濃度は、１０16／ｃｍ3 〜１０22／ｃｍ3 といった濃度が好ましい。これは、Ｂドーピングの濃度が１０16／ｃｍ3 より低いと高抵抗となり、１０22／ｃｍ3 を超えた場合、ｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐの結晶性が悪くなるからである。
【００３２】
前記ｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐが形成された絶縁基板１をマイクロ波ＣＶＤ装置４から取り出し、フォトリソグラフィ技術によりｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐの中央部２ａを、所定長さにわたって細長い帯状の蛇行した形状にする。この中央部２ａは発光部となる。
【００３３】
次いで、前記発光部２ａを形成した絶縁基板１を真空蒸着装置にセットし、前記発光部２ａの両側のｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐの上面にＰｔを蒸着して電極３を形成する。さらに、絶縁基板１の発光部２ａに対応する部分をエッチングして除去することにより、図１および図２に示す赤外線光源Ｌが得られる。
【００３４】
このように構成した赤外線光源Ｌは、前記電極３に電圧を印加することにより、発光部２ａが発熱・発光し、所望の赤外線が発せられる。
【００３５】
そして、前記赤外線光源Ｌにおいては、ダイヤモンド膜２の安定性のために耐久性に優れるとともに、熱容量が小さいことにより、高速で昇・降温することができる。また、全体の構成がコンパクトである。
【００３６】
また、前記赤外線光源Ｌにおいては、発光部２ａがＢドープされたｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐよりなるので、その抵抗値が負の温度係数を有し、サーミスタとして光源自体の温度を測定できる。そして、前記抵抗値が一定になるように電流を制御することにより、温度を一定に保つことができる。
【００３７】
図３および図４は、第２実施例の赤外線光源Ｌを示す。この実施例における赤外線光源Ｌは、絶縁基板１の上面に形成されるダイヤモンド膜２がｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐとアンドープのダイヤモンド膜２Ｕとからなり、絶縁基板１にアンドープダイヤモンド膜２Ｕを形成し、このアンドープダイヤモンド膜２Ｕの上面にｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐを積層している。他の構成は、上記第１実施例のそれと同じである。
【００３８】
前記アンドープダイヤモンド膜２Ｕは、図１１に示したマイクロ波ＣＶＤ装置４を用いて形成することができる。すなわち、基板ホルダ９に絶縁基板１を保持する。そして、水素ガスで０．２〜５％に希釈した水素・メタン混合ガス１００ｓｃｃｍを、反応管５内に原料ガスとして流し、反応管５内を３０〜６０Ｔｏｒｒに保持するとともに、絶縁基板１の温度を７５０〜８９０℃に保持し、その状態で３００〜５００Ｗのマイクロ波パワーを与える。前記原料ガスがマイクロ波によって励起された電子によりプラズマ１６となり、これが絶縁基板１上で気相反応してダイヤモンド構造が形成される。このようにして、気相合成を２０時間続けると、厚さ１０μｍのアンドープダイヤモンド膜２Ｕが絶縁基板１上に形成される。
【００３９】
その後、アンドープダイヤモンド膜２Ｕの上面に、上記第１実施例と同様の手順によってｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐおよび電極３を形成した後、同様に処理することにより、図３および図４に示すような赤外線光源Ｌを得ることができる。
【００４０】
この第２実施例の赤外線光源Ｌの動作は、上記第１実施例のものと同じである。そして、この第２実施例の赤外線光源Ｌは、上記第１実施例のものに加えて、次のような効果を奏する。すなわち、ダイヤモンド膜２がアンドープ層２Ｕ上にｐ型半導体層２Ｐを積層したものであるので、ホモエピタキシャル成長が可能となり、膜特性が均一になる。
【００４１】
なお、この第２実施例において、図示してないが、ｐ型半導体層２Ｐの上面にアンドープ層をさらに積層することにより、ｐ型半導体層２Ｐの上面のアンドープ層がｐ型半導体層２Ｐのパッシベーションの働きをし、表面が大気中の酸素で多少エッチングされても、ｐ型半導体層２Ｐに影響が及ぼされることがない。
【００４２】
図５は、第３実施例の赤外線光源Ｌを示す。この実施例における赤外線光源Ｌは、電極３直下のｐ型半導体ダイヤモンド膜２ＰにおけるＢドーピング濃度を１０20／ｃｍ3 〜１０23／ｃｍ3 といった高濃度にしたもので、図中の符号１７は、高濃度Ｂドーピング部を示している。このように、構成した赤外線光源Ｌの動作および効果は、前記第２実施例と同様であり、さらに、電極３直下を高濃度にドープ（ヘビードープ）することにより接触抵抗を低下させることができるといった効果を奏する。
【００４３】
なお、上記図５に示すように、電極３直下のｐ型半導体ダイヤモンド膜２ＰにおけるＢドーピング濃度を高濃度にすることは、前記第１実施例や第２実施例にも適用してもよいことはいうまでもない。
【００４４】
【００４５】
そして、上述の各実施例では、ダイヤモンド膜２それ自体を赤外線発光体としていたが、この発明はこれに限られるものではなく、以下のようにすることもできる。
【００４６】
図６および図７は、第４実施例の赤外線光源Ｌを示す。この実施例における赤外線光源Ｌは、ダイヤモンド膜２の上面に導電性薄膜１８を形成し、この導電性薄膜１８を電極兼発光部としている。すなわち、絶縁基板１の上面に例えばアンドープダイヤモンド膜２Ｕを形成し、このアンドープダイヤモンド膜２Ｕの上面に例えばＰｔなどの金属を蒸着して導電性薄膜１８を形成したものである。そして、導電性薄膜１８の中央部１８ａをフォトリソグラフィ技術により、所定長さにわたって細長い帯状の蛇行した形状にして赤外線発光部とし、その両端部１８ｂを電極としたものである。
【００４７】
このように構成した場合、ダイヤモンド膜２の熱容量が小さいことによって、昇・降温が速く、また、ダイヤモンド膜２の安定性のため、導電性薄膜１８の拡散などの変化が少ない、耐久性の高い赤外線光源Ｌを得ることができる。
【００４８】
そして、この第４実施例において、ダイヤモンド膜２をｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐで構成してもよい。このようにした場合、第１実施例と同様に、温度を一定に保持することができる。
【００４９】
図８は、第５実施例の赤外線光源Ｌを示す。この実施例における赤外線光源Ｌは、ダイヤモンド膜２をｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐとアンドープのダイヤモンド膜２Ｕとから構成したもので、絶縁基板１にアンドープダイヤモンド膜２Ｕを形成し、このアンドープダイヤモンド膜２Ｕの上面にｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐを積層している。他の構成は、上記第４実施例と同様である。
【００５０】
図９は、第６実施例の赤外線光源Ｌを示す。この実施例における赤外線光源Ｌは、ダイヤモンド膜２（ｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐであってもアンドープダイヤモンド膜２Ｕであってもよい）を、その中央部を絶縁基板１によって支持されていない部分２ｊとし、その両側を絶縁基板１によって支持されている部分２ｈとし、このダイヤモンド膜２上に形成される導電性薄膜１８の前記部分２ｊに対応する部分１８ａを所定の厚みの発光部とする一方、前記部分２ｈに対応する部分１８ｂの厚みを、前記発光部１８ａのそれよりも大きくしている。
【００５１】
図１０は、第７実施例の赤外線光源Ｌを示す。この実施例における赤外線光源Ｌは、絶縁基板１の上面に電気抵抗測定用の電極１９を形成し、次いで、電極１９の一部を残してｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐを形成し、その上面にアンドープダイヤモンド膜２Ｕを積層し、このアンドープダイヤモンド膜２Ｕの上面に、図９に示すものと同様の導電性薄膜１８を形成したものである。
【００５２】
このように構成した赤外線光源Ｌにおいては、発光部１８ａの温度を測定または推定できるので、発光部１８ａの温度制御をより精度よく行うことができる。
【００５３】
この発明は、上述の実施例に限られるものではなく、種々に変形して実施することができる。例えば、一つの絶縁基板１上に複数の発光部が形成してあってもよい。そして、発光部２ａ，１８ａの形状は、必ずしも蛇行させる必要はなく、この部分を連続した状態にしてあってもよく、種々のパターン形状にしてあってもよい。また、ダイヤモンド膜２を（１００）または（１１１）に配向された高配向性膜とすることにより、ダイヤモンド膜２の長期劣化を低減することができる。
【００５４】
【発明の効果】
この発明は、以上のような形態で実施され、以下のような効果を奏する。
【００５５】
請求項１に記載された発明においては、電極が形成されたダイヤモンド膜を構成要素とする赤外線光源において、前記ダイヤモンド膜がｐ型半導体膜であるとともに、前記ダイヤモンド膜の発光部に対応する部分には絶縁基板が形成されないよう構成されているので、耐熱性に優れるとともに、熱容量が小さくなり、高速で昇・降温することができ、応答性に優れるほか、全体構成がコンパクトになる。そして、発光部がｐ型半導体ダイヤモンド膜よりなるので、その抵抗値が負の温度係数を有するようになり、光源自体の温度を測定できるとともに、前記抵抗値が一定になるように電流を制御することにより、温度を一定に保つことができる。
【００５６】
また、請求項２に記載された発明においては、電極が形成されたダイヤモンド膜を構成要素とする赤外線光源において、前記ダイヤモンド膜がｐ型半導体層とアンドープ層とが積層された構造を有するとともに、前記ダイヤモンド膜の発光部に対応する部分には絶縁基板が形成されないよう構成されているので、前記請求項１に記載された発明の効果に加えて、ｐ型半導体層がホモエピタキシャル成長することができ、膜特性が均一にできるといった優れた効果が得られる。
【００５７】
さらに、請求項３に記載された発明においては、発光源がダイヤモンド膜と導電性薄膜とが密着した構造である赤外線光源であって、前記導電性薄膜は前記ダイヤモンド膜上に形成されているとともに、前記導電性薄膜を電極兼発光部とし、さらに、少なくとも前記発光部直下のダイヤモンド部分に対応する部分には絶縁基板が形成されないよう構成されているので、ダイヤモンド膜の熱容量が小さいことによって、昇・降温が速く、また、ダイヤモンド膜の安定性のため、導電性薄膜の拡散などの変化が少なく、かつ耐久性の高い赤外線光源を得ることができる。そして、発光部の温度を測定または推定することができるので、発光部の温度制御をより精度よく行うことができるといった効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１実施例の赤外線光源を示す縦断面図である。
【図２】  前記赤外線光源の全体形状を示す斜視図である。
【図３】  第２実施例の赤外線光源を示す縦断面図である。
【図４】  前記赤外線光源の全体形状を示す斜視図である。
【図５】  第３実施例の赤外線光源を示す縦断面図である。
【図６】  第４実施例の赤外線光源を示す縦断面図である。
【図７】  前記赤外線光源の全体形状を示す斜視図である。
【図８】  第５実施例の赤外線光源を示す縦断面図である。
【図９】  第６実施例の赤外線光源を示す縦断面図である。
【図１０】  第６実施例の赤外線光源を示す縦断面図である。
【図１１】  マイクロ波ＣＶＤ装置の一例を概略的に示す図である。
【符号の説明】
１…絶縁基板、２…ダイヤモンド膜、２Ｐ…ｐ型半導体ダイヤモンド膜、２Ｕ…アンドープダイヤモンド膜、２ａ…発光部、３…電極、１８…導電性薄膜、１８ａ…発光部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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