(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケース内に収納された回路基板と、前記ケースの内面に配設されて前記回路基板の短辺を保持する一対のガイド突起と、前記回路基板に固定され第１、第２抵抗器を含み前記回路基板に配設された回路と、前記ケース内に充填されたモールド樹脂部と、一端が前記回路基板に固定され他端が前記モールド樹脂部を貫通して外部に突出するリードとを備える電子回路装置において、
応力に起因する前記両抵抗器の抵抗値変化による前記回路の出力変化が互いに相殺し合う位置に、前記両抵抗器が配設され、
前記第１抵抗器としての抵抗器Ｒ１及び前記第２抵抗器としての抵抗器Ｒ２は、前記回路基板の短辺から前記回路基板の長手方向における等距離位置にて前記回路基板の表裏に個別に固定されるとともに、前記抵抗器Ｒ１と前記抵抗Ｒ２は同一の構成を有する抵抗器であり、
前記回路の出力は、前記抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１、前記抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２とした場合に、（ｒ１×ｒ２）又は（ｒ１＋ｒ２）を変数とする関数値とされることを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
ケース内に収納された回路基板と、前記ケースの内面に配設されて前記回路基板の短辺を保持する一対のガイド突起と、前記回路基板に固定され第１、第２抵抗器群を含み前記回路基板に配設された回路と、前記ケース内に充填されたモールド樹脂部と、一端が前記回路基板に固定され他端が前記モールド樹脂部を貫通して外部に突出するリードとを備える電子回路装置において、
応力に起因する前記両抵抗器群の抵抗値変化による前記回路の出力変化が互いに相殺し合う位置に、前記両抵抗器群が配設され、
前記回路は、オペアンプＯＰ及び前記第１の抵抗器群としての抵抗器Ｒ１、Ｒ３、前記第２の抵抗器群としての抵抗器Ｒ２、Ｒ４を有するオペアンプ電圧増幅回路からなるとともに、少なくとも前記抵抗器Ｒ１と前記抵抗Ｒ２及び前記抵抗器Ｒ３と前記抵抗器Ｒ４は同一の構成を有する抵抗器であり、
前記オペアンプ電圧増幅回路の第一の入力端とオペアンプＯＰの−入力端とを接続する抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１、その帰還抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２、その第二の入力端とオペアンプＯＰの＋入力端とを接続する抵抗器Ｒ３の抵抗値をｒ３、オペアンプＯＰの＋入力端と接地端との間のバイアス抵抗器Ｒ４の抵抗値をｒ４とする場合に、抵抗器Ｒ１、Ｒ２は、前記回路基板の短辺から前記回路基板の長手方向へ等距離に固定され、抵抗器Ｒ３、Ｒ４は、前記回路基板の短辺から前記回路基板の長手方向へ等距離に固定されることを特徴とする電子回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、電子回路装置に関し、詳しくは樹脂モールドハイブリッドＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のハイブリッドＩＣは、リード取り出し構造によりＳＩＰタイプ及びＤＩＰタイプに分類されるが、いずれも樹脂モールド（封止）の場合は、注型法、浸漬法、トランスファ法などにより金型又はケースに回路基板を予め挿入しておき、液状又は粉体状の熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂）をモールドしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記した従来のハイブリッドＩＣでは、主としてモールド樹脂部の加熱硬化やその後の冷却により樹脂が収縮する過程で応力が発生し、又、モールド樹脂部と回路基板との間の収縮率や熱膨張率の差によっても両者間に残留応力が発生する。としてこれらの応力が回路基板に固定された抵抗器に作用し、その結果、この抵抗器の抵抗値が受承する応力に応じて変化してしまう。
【０００４】
本発明者らの試験、解析によれば、モールド樹脂部の収縮により回路基板には圧縮応力及び面直方向の曲げ応力が作用し、この曲げ応力により上記抵抗器に圧縮あるいは引張応力が掛かることがわかった。上記曲げ応力は回路基板各部においてばらつくので、回路基板上の抵抗体形成位置によって抵抗器の抵抗値がばらつき、その結果、抵抗値を用いた回路の出力がばらつく。
【０００５】
また、ハイブリットＩＣ外部から加わる応力によっても抵抗器の抵抗値がばらついてしまうことも確認した。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、モールド樹脂部と回路基板との間に生じる硬化収縮応力、熱膨張率差に起因する応力、外部応力等による抵抗器の抵抗値変動によって、回路の出力がばらつくのを低減可能な電子回路装置を提供することを、その目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
各発明の電子回路装置は、ケース内に収納された回路基板と、前記ケースの内面に配設されて前記回路基板の短辺を保持する一対のガイド突起と、前記回路基板に固定されそれぞれ１個以上の抵抗器からなる第１、第２抵抗器（群）を含み前記回路基板に配設された回路と、前記ケース内に充填されたモールド樹脂部と、一端が前記回路基板に固定され他端が前記モールド樹脂部を貫通して外部に突出するリードとを備える電子回路装置において、
応力に起因する前記両抵抗器（群）の抵抗値変化による前記回路の出力変化が互いに相殺し合う位置に、前記両抵抗器（群）が配設されることを特徴としている。
【０００７】
本発明でいう抵抗器として、印刷、焼成で形成された厚膜抵抗体の他、各種ＰＶＤ法やＣＶＤ法で形成された薄膜抵抗体を採用することができる。これら抵抗器は、回路基板に導電ペーストや接着剤や半田などにより接着、固定されることができ、その他、回路基板上に直接形成される抵抗器も包含される。そして、これら抵抗器は、コンデンサなどの他の受動回路素子やＩＣ及びトランジスタなどの能動回路素子とともに回路基板に搭載される。
【０００８】
好適には、前記回路の出力は前記両抵抗値の積又は和の関数となり、かつ、前記両抵抗器はそれぞれ１個の抵抗器で構成され、前記両抵抗器が受承する応力による前記両抵抗値の変化率の絶対値は略等しく設定される。
【００１０】
好適には、前記両抵抗器は、回路基板の一短辺から等距離の位置に配設される。
好適には、前記両抵抗器は、前記回路基板の両短辺からそれぞれ等距離の位置に配設される。
好適には、前記両抵抗器は、前記基板の辺縁部に配置される。
【００１１】
第１の発明では特に、前記第１抵抗器としての抵抗器Ｒ１及び前記第２抵抗器としての抵抗器Ｒ２は、前記回路基板の短辺から前記回路基板の長手方向における等距離位置にて前記回路基板の表裏に個別に固定されるとともに、前記抵抗器Ｒ１と前記抵抗Ｒ２は同一の構成を有する抵抗器であり、前記回路の出力は、前記抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１、前記抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２とした場合に、（ｒ１×ｒ２）又は（ｒ１＋ｒ２）を変数とする関数値とされる。
第２の発明では特に、前記回路は、オペアンプＯＰ及び前記第１の抵抗器群としての抵抗器Ｒ１、Ｒ３、前記第２の抵抗器群としての抵抗器Ｒ２、Ｒ４を有するオペアンプ電圧増幅回路からなるとともに、少なくとも前記抵抗器Ｒ１と前記抵抗Ｒ２及び前記抵抗器Ｒ３と前記抵抗器Ｒ４は同一の構成を有する抵抗器であり、前記オペアンプ電圧増幅回路の第一の入力端とオペアンプＯＰの−入力端とを接続する抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１、その帰還抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２、その第二の入力端とオペアンプＯＰの＋入力端とを接続する抵抗器Ｒ３の抵抗値をｒ３、オペアンプＯＰの＋入力端と接地端との間のバイアス抵抗器Ｒ４の抵抗値をｒ４とする場合に、抵抗器Ｒ１、Ｒ２は、前記回路基板の短辺から前記回路基板の長手方向へ等距離に固定され、抵抗器Ｒ３、Ｒ４は、前記回路基板の短辺から前記回路基板の長手方向へ等距離に固定される。
【００１２】
【作用及び発明の効果】
モールド樹脂部の硬化収縮により回路基板に応力が発生する。あるいは、モールド樹脂と回路基板の熱膨張率差、外部要因により応力は発生する。この応力はモールド樹脂部と回路基板に固定された第１、第２抵抗器群に作用し、両抵抗器群の抵抗値が変化する。
【００１３】
この発明では、第１抵抗器群の上記抵抗値変化による回路の出力変化による回路出力の変化量と、第２抵抗器群の上記抵抗値変化による回路出力の変化量が等しく、かつ、変化方向（増減方向）が反対となる回路基板上の固定位置を選定し、これらの固定位置に両抵抗器群を固定している。
その結果、上記応力による両抵抗器群の抵抗値変化にかかわらず、回路出力の変動はほぼ相殺され、高精度の電子回路装置を実現することができる。
【００１４】
【実施例】
（参考例１）
本発明の電子回路装置の参考例１を図１〜図４に示す。
この電子回路装置はハイブリッドＩＣであって、ケ−ス１と、ケ−ス１内に収容された回路基板２と、ケ−ス１内に充填されたモールド樹脂部３と、一端が回路基板２に固定され他端がモールド樹脂部３を貫通して外部に突出するリード４とを備えている。なお、図１では回路基板２の主面上のモールド樹脂部３は剥離して図示している。
【００１５】
ケ−ス１は、縦、横、高さが５０ｍｍ×６ｍｍ×１８ｍｍの直方中空体形状を有し、底面が開口されている。ケ−ス１の壁厚は約１ｍｍで、ＰＢＴ樹脂の射出成形により形成されている。ケ−ス１の長手方向両端に位置する両内端面には、回路基板２の位置決め、案内用の一対のガイド突起１１が互いに平行に突設されている。
【００１６】
回路基板２はアルミナを素材とする多層基板であって、回路基板２の両短辺２１、２２はそれぞれガイド突起対１１の間にゆるやかに嵌入されて保持されている。回路基板２の寸法は、縦、横、厚さ１３ｍｍ×４７．５ｍｍ×０．８ｍｍであり、その線膨張率は約７．５×１０-6／℃である。回路基板２には多層の配線パタン（図示せず）が形成されている。回路基板２の一面には、各種回路部品が固定され、電気接続されている。特にこの実施例では、回路基板２の短辺２１に近接しかつ短辺２１から約２ｍｍの距離に抵抗器Ｒ１、Ｒ２が固定され、同様に、回路基板２の短辺２１に近接しかつ短辺２１からから約４．６ｍｍの距離に抵抗器Ｒ３、Ｒ４が固定されている。
【００１７】
抵抗器Ｒ１、Ｒ２は、縦、横、厚さが１．５ｍｍ×０．８５ｍｍ×１０μｍの直方体形状を有し、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の長手方向は短辺２１と平行となっている。抵抗器Ｒ１〜Ｒ４は、その一部を図４に拡大図示するようにＲｕＯ2 を素材とした厚膜抵抗体であって、回路基板２上に印刷、焼成により形成されている。５はＡｇ系からなる厚さ約１０μｍの配線層である。
【００１８】
モールド樹脂部３は、ケ−ス１内へ回路基板２を挿入後、溶融エポキシ樹脂（摂氏約４０度）を常温のケ−ス１内に注入し、熱硬化させ、冷却して形成される。このエポキシ樹脂の線膨張率は約５１×１０-6／℃、溶融状態から硬化後常温復帰状態した場合、体積収縮率は約９６％である。
上記した回路基板２上の回路は、モノリシックのオペアンプＯＰと、抵抗器Ｒ１、２からなる初段センスアンプ（図５参照）を有し、このオペアンプ増幅回路の電圧増幅率ｋは、（１＋Ｒ２／Ｒ１）となる。
【００１９】
上記したハイブリッドＩＣは、モールド樹脂部３の硬化冷却時の収縮により図６に略示するように回路素子搭載面Ａ側へ反る。これは、回路素子搭載面Ａ側のモールド樹脂量が、裏面側のモールド樹脂量よりも多いために、回路基板２の回路素子搭載面Ａに掛かる圧縮力（特にその長手方向における）が、裏面Ｂのそれに優り、そのために、回路基板２の中央部が回路基板２の両短辺２１、２２に対して回路素子搭載面Ａを窪ませる方向に反るためである。なお、この反り量すなわち残留応力は当然、温度変化に応じても変化する。また、回路基板２の中央部は回路基板２の両長辺２３、２４に対しても回路素子搭載面Ａを窪ませる方向に反るが、この反り量は比較的小さいので、この実施例では無視するものとする。
【００２０】
また、回路素子搭載面Ａ上に固定した各回路素子により回路基板２の各部は局部的に剛性強化され、各部の反り量及び応力分布はばらつくが、この実施例では無視する。
このような回路基板２の反り（すなわち回路基板２の面直方向の曲げ応力）により、その上に固定された抵抗器Ｒ１、Ｒ２に圧縮応力が加えられる。
【００２１】
回路基板２に加えられる応力と回路基板に固定された抵抗器の抵抗値変化との関係を調べた。試験用の回路基板２０は、図７に示すように、縦、横、厚さが１３ｍｍ×４７．５ｍｍ×０．８ｍｍの寸法を有し、台座９０で回路基板２０の長手方向の両端部を支持した。抵抗器Ｒは回路基板２０の短辺２１から０．１５３ｍｍの位置に固定され、回路基板２０の中央を回路基板２０に向けて押圧して、抵抗値の変化を調べた。その結果を図８に示す。
【００２２】
図８から、押圧力（曲げ応力）ΔＦと抵抗値の変化ΔＲとはほぼ直線関係にあり、この押圧力による回路基板２の湾曲により、抵抗器Ｒ１に圧縮応力が生じる場合には抵抗減少、抵抗器Ｒ１に引っ張り応力が生じる場合には抵抗増加が生じることがわかった。なお、この実施例では、抵抗器Ｒ１の長手方向すなわち通電方向は回路基板２の長手方向としたが、抵抗器Ｒ１の長手方向すなわち通電方向を回路基板２の長手方向との角度を変えても、抵抗器Ｒ１に圧縮応力が生じる場合には抵抗減少、抵抗器Ｒ１に引っ張り応力が生じる場合には抵抗増加が生じることがわかった。
【００２３】
次に、図７の回路基板２０における反り量（変位量）と抵抗値変化量との関係を調べた。その結果を図９に示す。ただし、反り量は基板中央部の最大変位量とした。
なお、回路基板２０の両短辺２１、２２を支持して中央部を押圧した場合、回路基板２０の弾性変形により回路基板２０の長手方向各部に作用する圧縮あるいは引張り応力は図１０に示すように、中央部が最大で両短辺２１、２２でほぼ０となり、連続的に（略直線的に）変化する。
【００２４】
次に、抵抗器Ｒが上記位置に固定された回路基板２０をケ−ス１に収容し、モールド樹脂部で全面モールドした場合の抵抗器Ｒの抵抗値変化を調べた。その結果、この抵抗器Ｒ１の抵抗値変化率の平均値は室温状態で約−０．７％であった。
以下、この参考例１の特徴点を説明する。
【００２５】
以上説明したようにこの参考例１では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２が短辺２１から回路基板２の長手方向に等距離位置に固定されている。その結果、上記した回路基板２を通じて抵抗器Ｒ１、Ｒ２に作用する圧縮応力は等しくなり、その結果、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値変化率が等しくなる。
抵抗器Ｒ１、Ｒ２を用いたオペアンプ電圧増幅回路の電圧増幅率ｋは（１＋Ｒ２／Ｒ１）であるので、このオペアンプ電圧増幅回路の出力特性（電圧増幅率ｋ）から回路基板２の反りの影響がキャンセルされる。
【００２６】
またこの参考例１では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２を短辺２１に近接して配置するため、回路基板２の曲げ応力に比例する抵抗器Ｒ１、Ｒ２に作用する圧縮応力も小さく、圧縮応力の差も小さくできる。その結果、このオペアンプ電圧増幅回路の出力特性（電圧増幅率ｋ）から回路基板２の反りの影響が低減される。
更にこの参考例１では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の長手方向が短辺２１と平行に配置されている。このようにすれば、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の各部に作用する圧縮応力のばらつきが小さく、両抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値のばらつきも小さくなる。
【００２７】
以上の結果として、このオペアンプ電圧増幅回路からなる初段センスアンプの電圧増幅率のばらつきを大幅に低減することができた。通常、微小な入力信号電圧又は信号電流を増幅する初段センスアンプの電圧増幅率はより大きな信号電圧を扱うその後の回路段に比べて格段に高い安定度が要求されるが、本参考例によれば電圧増幅率のばらつきを大幅に低減でき、このような初段センスアンプに好適である。
【００２８】
なお、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の各長手方向を回路基板２の長辺２３、２４と平行とすることも可能であり（図１１参照）、また抵抗器Ｒ１、Ｒ２の長手方向と回路基板２の長手方向との角度を所定値としてもよく（図１２参照）、更に抵抗器Ｒ１、Ｒ２が回路基板２の長手方向の基準線を中心として鏡像関係にあるように配設してもよい（図１３参照）。
【００２９】
特に、図１１、図１３では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２が回路基板２の長手方向に延びる中央線Ｃを基準として対称配置されており、中央線Ｃに対する回路基板２の長辺２３、２４の湾曲変形に対する両抵抗器Ｒ１、Ｒ２の増加率が等しくなるという効果も生じる。
（参考例２）
上記参考例１では回路基板２及びその上の回路素子と直接接触してエポキシ樹脂を素材とするモールド樹脂部３を形成したが、図１４に示すように抵抗器Ｒ１、Ｒ２を含む回路素子を軟質のゲル状シリコン樹脂層８で被覆した後、モールド樹脂部３を形成してもよい。このようにすれば、抵抗器Ｒ１、Ｒ２に作用する圧縮応力を減らすことができる。５は配線電極である。
【００３０】
すなわち、回路基板２が湾曲するのは、回路素子搭載面Ａ側のモールド樹脂量が裏面Ｂ側のモールド樹脂量より多い分、その回路素子搭載面Ａに作用する収縮力が優り、そのために回路基板２が回路素子搭載面Ａ側に湾曲することがわかった。したがって、ゲル状シリコン樹脂層８で回路素子搭載面Ａを被覆することにより回路素子搭載面Ａに作用するモールド樹脂部３の収縮力（曲げ応力）を緩和すれば、回路基板２の湾曲が減少あるいは解消され、参考例１の抵抗器Ｒ１、Ｒ２のペア配置効果と相まって、安定した電圧増幅率が得られる。
【００３１】
（参考例３）
他の参考例を図１５に示す。
この参考例では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２をレーザートリミングし、かつ、レーザートリミングによる溶断領域Ａｗの短辺２１からの距離をほぼ等しくしたものである。
【００３２】
このようにすれば、レーザートリミング後においても、短辺２１からの抵抗器Ｒ１、Ｒ２の実質距離は等しくなり、回路基板２の上記湾曲に伴う抵抗値増加率がほぼ等しくなり、両抵抗値のばらつきをキャンセルすることができる。
（参考例４）
他の参考例を図１６に示す。
【００３３】
この参考例では、短辺２１からの抵抗器Ｒ１の距離と、短辺２２からの抵抗器Ｒ２の距離とを等しく配置したものである。
このようにしても抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値変化率はほぼ等しくなり、上記抵抗値のばらつきをキャンセルが可能となる。
（実施例１）
実施例１を図１７に示す。
【００３４】
この実施例では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２を、短辺２１から回路基板２の長手方向へ等距離位置において、回路基板２の表裏に個別に固定している。
そして、この抵抗器Ｒ１、Ｒ２を用いた回路の出力（出力電圧又は出力電流又は出力周波数）は、抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１、抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２とした場合に、（ｒ１×ｒ２）又は（ｒ１＋ｒ２）を変数とする任意の関数値とする。
【００３５】
このようにすれば、抵抗器Ｒ１の抵抗値増加率と、抵抗器Ｒ２の抵抗値減少率とがそれらの積又は和によりキャンセルされる。
（参考例５）他の参考例を図１８に示す。
この参考例では、抵抗器Ｒ１、Ｒ２を、短辺２１から回路基板２の長手方向へ等距離位置において、厚さ方向に重ねて固定している。すなわち、回路基板２上に抵抗器Ｒ１を固定した後、回路基板２上に層間ガラス膜７をコートし、その上に抵抗器Ｒ２を固定している。層間ガラス膜７の厚さは約０．０５ｍｍとした。なお、回路基板２の厚さ０．８ｍｍに対して層間ガラス膜７は充分薄いので、両抵抗器Ｒ１、Ｒ２に掛かる圧縮応力はほぼ等しいと近似することができる。なお、内側の抵抗器Ｒ１に作用する圧縮応力は外側の抵抗器Ｒ２に作用する圧縮応力より僅かに小さいので、内側の抵抗器Ｒ１を外側の抵抗器Ｒ２より回路基板２の長手方向中央寄りに僅かに変位させてもよい。
【００３６】
この参考例によれば、回路基板２の長辺２３からの距離が等しくなるので、回路基板２の短辺２１、２２の湾曲方向への曲げ応力により抵抗器Ｒ１、Ｒ２に作用する短辺平行方向の圧縮応力もキャンセルすることができる。
（参考例６）
他の参考例を図１９に示す。
【００３７】
この参考例では、抵抗器Ｒ１を短辺２１から回路基板２の長手方向へ距離Ｌ１の位置に固定し、抵抗器Ｒ２を短辺２１（又は短辺２２）から回路基板２の長手方向へ距離Ｌ２の位置に固定している、そして、この抵抗器Ｒ１、Ｒ２を用いた回路の出力（出力電圧又は出力電流又は出力周波数）は、抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１、抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２とした場合に、（ｒ１−ａ×ｒ２）を変数とする任意の関数値とする。なお、ａは、抵抗器Ｒ１の抵抗値増加量Δｒ１／抵抗器Ｒ２の抵抗値増加量Δｒ２に等しい定数値としている。このようにすれば、上記変数（ｒ１−ａ×ｒ２）は（ｒ１＋Δｒ１−ａ×ｒ２−ａ×Δｒ２）となり、Δｒ１＝ａ×Δｒ２であるから、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値の変化は相殺される。
【００３８】
なおこの参考例では、短辺２１からの距離と抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値増加率とは直線比例する場合である。
（参考例７）
他の参考例を図２０に示す。この参考例は、参考例６において、抵抗器Ｒ２を回路基板２の裏面に固定したものであり、そして、この抵抗器Ｒ１、Ｒ２を用いた回路の出力（出力電圧又は出力電流又は出力周波数）は、抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１、抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２とした場合に、（ｒ１＋ａ×ｒ２）を変数とする任意の関数値とする。なお、ａは、抵抗器Ｒ１の抵抗値増加量Δｒ１／抵抗器Ｒ２の抵抗値減少率に等しい定数値としている。このようにすれば、上記変数（ｒ１＋ａ×ｒ２）は（ｒ１＋Δｒ１＋ａ×ｒ２−ａ×Δｒ２）となり、Δｒ１−ａ×Δｒ２＝０であるから、抵抗器Ｒ１、Ｒ２の抵抗値の変化は相殺される。
【００３９】
（実施例２）他の実施例を図２１、図２２に示す。
この実施例は、抵抗器Ｒ１〜Ｒ４を用いたオペアンプ電圧増幅回路からなる初段センスアンプであって、抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の配置は図１と同じく、抵抗器Ｒ１、Ｒ２は短辺２１から回路基板２の長手方向へ等距離、抵抗器Ｒ３、Ｒ４は短辺２１から回路基板２の長手方向へ等距離となっている。また、このセンスアンプの電圧増幅率Ｋは、抵抗器Ｒ１の抵抗値をｒ１、抵抗器Ｒ２の抵抗値をｒ２、抵抗器Ｒ３の抵抗値をｒ３、抵抗器Ｒ４の抵抗値をｒ４とした場合に、
0003685501.tif 000002
となる。
【００４０】
したがって、回路基板２の歪みによる各抵抗値ｒ１〜ｒ４のばらつきが電圧増幅率Ｋに与える影響は相殺される。
（参考例８）
他の参考例を図２３に示す。
この参考例は、実施例２において、抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の配置を変更したものである。すなわち、この参考例では、抵抗器Ｒ２は短辺２１からＬ１に距離に固定され、抵抗器Ｒ１、Ｒ４は短辺２１からＬ２に距離に固定され、抵抗器Ｒ３は短辺２１からＬ３に距離に固定されている。
【００４１】
そして、Ｌ１／Ｌ２＝Ｌ２／Ｌ３に設定されている。なお、回路基板２の湾曲変形により抵抗器Ｒ１〜Ｒ４に加わる圧縮応力は短辺２１で０、短辺２１から回路基板２の長手方向への距離に略比例して増大するものとする。この場合にも当然、増幅率Ｋは変化しないことがわかる。この参考例からわかることは、回路基板２の湾曲に伴う第１の抵抗器群（ここでは抵抗器Ｒ１、Ｒ２）の変化が回路の出力特性に与える影響により、回路基板２の湾曲に伴う第２の抵抗器群（ここでは抵抗器Ｒ３、Ｒ４）の変化が回路の出力特性に与える影響をキャンセルするように、回路基板２上における第１、第２の抵抗器群の配置パタンを設定することにより、多数の抵抗器からなる抵抗器群の抵抗値変化を相殺できることである。
【００４２】
また上記実施例ではオペアンプ電圧増幅回路への応用例を説明したが、本発明は電流増幅、波形処理、周波数処理、デジタル処理、コンパレータ、Ａ／Ｄ変換、Ｄ／Ａ変換などの諸回路に広く応用できることは当然であり、特に最も高精度を要求されるこれら回路の初段部分に好適である。上記実施例では圧縮応力が０となる短辺端を基準位置としてＬ1 −Ｌ3等を設定したが、逆に、最大となる位置を基準位置にして考えるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】参考例１を示す断面図、
【図２】参考例１を示す断面図、
【図３】参考例１を示す断面図、
【図４】参考例１の抵抗器の拡大断面図、
【図５】参考例１の一部回路図、
【図６】回路基板の反りを示す模式図、
【図７】回路基板への曲げ力と抵抗器の抵抗値変化率との関係を試験するための試験装置を示す模式図、
【図８】図６の試験装置による試験結果を示す特性図、
【図９】回路基板の変位量と抵抗器の抵抗値変化量との関係を示す特性図、
【図１０】回路基板の湾曲に伴い抵抗器に加わる応力の回路基板の長手方向への変化を示す特性図、
【図１１】参考例１の変形態様を示す平面図、
【図１２】参考例１の変形態様を示す平面図、
【図１３】参考例１の変形態様を示す平面図、
【図１４】参考例２を示す断面図、
【図１５】参考例３を示す平面図、
【図１６】参考例４を示す平面図、
【図１７】実施例１を示す正面図、
【図１８】参考例５を示す断面図、
【図１９】参考例６を示す正面図、
【図２０】参考例７を示す正面図、
【図２１】実施例２の回路図、
【図２２】実施例２を示す平面図、
【図２３】参考例８を示す平面図。
【符号の簡単な説明】
１はケース、２は回路基板、３はモールド樹脂部、４はリード、Ｒ１、Ｒ２は抵抗器、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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