(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記複数の荷電粒子線をブランキングするためのブランキング偏向器アレイと、
前記ブランキングのために前記ブランキング偏向器アレイにより偏向された荷電粒子線を遮断するアパーチャアレイと、
前記ブランキング偏向器アレイまたは前記アパーチャアレイの開口を、荷電粒子線を遮蔽する遮蔽物で封止する封止機構と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記基板を保持して可動の基板保持部と、
ブランキングできない荷電粒子線に対応した前記開口を前記遮蔽物で封止するように前記封止機構の動作を制御し、かつ、前記遮蔽物で遮蔽された荷電粒子線の替わりに、ブランキングできる荷電粒子線で描画を行うように、前記基板保持部の駆動を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記遮蔽物は、球状の物体である、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項４】
前記遮蔽物は、接着剤である、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項５】
前記封止機構は、マニピュレータを含む、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記マニピュレータは、摩擦力、静電気力、または毛管力の少なくとも１つにより前記遮蔽物を保持するエンドエフェクタを有する、ことを特徴とする請求項５に記載の描画装置。
【請求項７】
前記封止機構は、接着剤により前記遮蔽物を前記開口に接着する、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項８】
前記封止機構は、前記遮蔽物を溶融して前記開口を封止する、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項９】
前記開口は、鉛直下方に荷電粒子線を通過させ、その上方の内径は、その下方の内径より大きく、
前記封止機構は、前記開口の上方から前記遮蔽物を前記開口に載置する、ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画方法であって、
前記複数の荷電粒子線をブランキングするためのブランキング偏向器アレイ、または、前記ブランキングのために前記ブランキング偏向器アレイにより偏向された荷電粒子線を遮断するアパーチャアレイの、ブランキングできない荷電粒子線に対応した開口を、荷電粒子線を遮蔽する遮蔽物で封止し、
前記遮蔽物で遮蔽された荷電粒子線の替わりに、ブランキングできる荷電粒子線で描画を行うように、前記基板を移動させる、
ことを特徴とする描画方法。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の描画装置または請求項１０に記載の描画方法を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線描画装置および描画方法、ならびにそれを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームなどの荷電粒子線の偏向走査およびブランキングを制御することで基板に描画を行う描画装置が知られている。この描画装置は、線幅が０．１μｍ以下の４ＧＤＲＡＭ以降のメモリデバイスの生産などにおいて、光露光方式に代わるパターン形成技術の１つとして採用され得る。このような描画装置の中でも、複数の電子ビーム（荷電粒子線）で並行してパターンを描画するマルチ方式の描画装置が存在する。このマルチ式描画装置は、製造コストの上昇要因の１つであるマスク（原版）が不要であり、またプログラマブルに各電子ビームを制御できるため多品種少量デバイスの製造に向いているなど、実用上多くの利点を有する。
【０００３】
このマルチ式描画装置は、基板上に向かう複数の電子ビームの軌道を個別に制御するために、ブランキング偏向器アレイとアパーチャアレイ（ストッピングアパーチャアレイ）とを含む電子光学系を備える。この電子光学系では、ブランキング偏向器アレイは、電子ビームの進行方向に対して上流側に配置され、一方、アパーチャアレイは、下流側に配置されている。特に、ブランキング偏向器アレイは、各電子ビームを偏向することで描画のＯＦＦ（ブランキング）を制御し、一方、アパーチャアレイは、複数のアパーチャ（開口）を有する導電体であり、偏向された電子ビームの遮蔽を物理的に実施する。この従来のマルチ式描画装置では、装置の運用開始後に、描画のＯＮ／ＯＦＦに関わる上記のいずれかの構成要素にてビームの欠陥を生じるような制御不能な部分が生じると、正確にパターンを描画することができない。そこで、例えば、ブランキング偏向器アレイに起因するビーム欠陥が生じた場合に、ブランキング偏向器アレイの交換を行うことが考えられるが、多数の給電実装の分離が必要となり、また、交換を行う過程で新たな故障を誘発する可能性もある。さらに、使用するビーム数の増加に伴い、コストや時間の観点からも交換を実施するのに難しい面がある。
【０００４】
これに対して、ビーム欠陥に対する暫定的な（交換に依らない）対策を実施し得るものとして、特許文献１は、常時遮蔽状態となる電子ビームに対し、正常に制御可能な電子ビームを用いて補償を行う荷電粒子線露光装置を開示している。一方、特許文献２は、常時通過状態となる電子ビームをシャッタ機構により遮断する荷電粒子ビーム描画装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４６３４０７６号公報
【特許文献２】特許第４３１３１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、常時遮蔽状態となるビームに対する特許文献１の構成によれば、スループットへの影響はあるものの、装置の停止を回避することができる。他方、常時通過状態となる電子ビームに対する特許文献２にの構成は、シャッタ機構の追加により装置構成が複雑化するとともに、常時通過状態となる電子ビームの周囲に位置する正常な電子ビームも遮断されてしまうため、好ましくない。よって、近年の線幅の微細化に伴って高密度マルチビーム化が進行するほど、常時通過状態となる（ブランキングできない）電子ビームへの対策が特に要求される。
【０００７】
本発明は、例えば、ブランキングできない荷電粒子線の遮蔽に有利な描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、複数の荷電粒子線をブランキングするためのブランキング偏向器アレイと、ブランキングのためにブランキング偏向器アレイにより偏向された荷電粒子線を遮断するアパーチャアレイと、ブランキング偏向器アレイまたはアパーチャアレイの開口を、荷電粒子線を遮蔽する遮蔽物で封止する封止機構と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、ブランキングできない荷電粒子線の遮蔽に有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る荷電粒子線描画装置の構成を示す図である。
【図２】封止機構としてのマニピュレータ装置の構成を示す図である。
【図３】エンドエフェクタによる遮蔽物の保持方式の例を示す図である。
【図４】ビーム欠陥の修復の流れを説明図とともに示すフローチャートである。
【図５】遮蔽物のノミナル外形形状を示す図である。
【図６】アパーチャの封止領域の形状の形成例を示す図である。
【図７】液体である第２の遮蔽物とその滴下状態とを示す図である。
【図８】遮蔽物を固定させる接着剤の塗布状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１２】
まず、本発明の一実施形態に係る荷電粒子線描画装置（以下「描画装置」という）について説明する。特に、本実施形態の描画装置は、複数の電子ビーム（荷電粒子線）を偏向（走査）させ、かつ、各電子ビームのブランキング（照射のＯＦＦ）を個別に制御することで、所定の描画データを被処理基板の所定の位置に描画するマルチ方式を採用した描画装置である。ここで、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線（イオンビーム）などの他の荷電粒子線であってもよい。図１は、本実施形態に係る描画装置１の構成を示す概略図である。なお、以下の各図では、被処理基板（基板）に対する電子ビームの放射方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。この描画装置１は、電子源２と、電子光学系４と、基板３を保持する基板ステージ５と、封止機構６と、制御部７とを備える。なお、基板３は、例えば単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性のレジストが塗布される。
【００１３】
電子源（荷電粒子線源）２は、熱や電界の印加により電子ビーム８を放出する。なお、電子源２は、単一の荷電粒子線源として、後述する分割アパーチャアレイ９により複数の電子ビームに分割するものでもよいし、または複数の荷電粒子線源を含むものでもよい。電子光学系４は、電子源２から放出された電子ビーム８を適宜、偏向および結像させて基板３上に導く。この電子光学系４は、主構成として、分割アパーチャアレイ９と、ブランキング偏向器アレイ１０と、ストッピングアパーチャアレイ１１とを含む。分割アパーチャアレイ９は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有する開口部材であり、その上流側に設置されるコリメーターレンズ（不図示）を介してほぼ垂直に入射した電子ビームを複数の電子ビーム８に分割する。ブランキング偏向器アレイ１０は、マトリクス状に配置された複数のブランキング偏向器を含み、各電子ビーム８の照射のＯＮ（通過状態）／ＯＦＦ（遮蔽状態）動作を個別に実施する。ストッピングアパーチャアレイ（以下「アパーチャアレイ」という）１１は、ブランキング偏向器を通過して静電レンズ（不図示）により集束された電子ビーム８のうち、偏向されたもの（８ｂ）を遮断し、偏向されないもの（８ａ）を基板３に向かい通過させる。その他、電子光学系４は、電子ビーム８のビーム径を収束させる数種類の静電レンズアレイや、所望の電子ビーム８を走査させて位置を補正する偏向器アレイなども含み得る。なお、以下の説明では、「アパーチャ」を、上記のようなそれぞれ機能の異なるアレイ部に構成された、電子ビーム８が通過し得る開口（貫通孔）の総称として使用する。この場合、アパーチャは、複数の電子ビーム８を１つの単位としたビームレットに対して一括して作用するものであってもよい。基板ステージ（基板保持部）５は、基板３を例えば静電吸着により載置および保持しつつ、少なくともＸＹ軸の２軸方向に可動とする。さらに、電子ビーム８は、大気圧雰囲気ではすぐに減衰する。また、高電圧による放電の防止も必要である。そこで、制御部７を除く上記構成要素は、真空排気系により内部圧力（真空圧）が調整される２つの真空容器（第１真空容器１２または第２真空容器１３）の内部に収容される。
【００１４】
封止機構６は、電子光学系４が設置された第１真空容器１２に連設され、ＯＮビーム欠陥の対策として、例えばアパーチャアレイ１１の複数のアパーチャ１１ａのうちのいずれかに対して遮蔽物２０を供給（載置）する。ここで、「ビーム欠陥」とは、例えばブランキング偏向器アレイ１０またはアパーチャアレイ１１のいずれかの動作不良に起因して、電子ビーム８の制御が不能（ブランキングができない）となる部分が生じることをいう。特に、「ＯＮビーム欠陥」とは、各ブランキング偏向器への動作指令にかかわらず、ある電子ビーム８が常時通過状態となるビーム欠陥をいい、一方、「ＯＦＦビーム欠陥」とは、ある電子ビーム８が常時遮蔽状態となるビーム欠陥をいう。また、遮蔽物２０は、ＯＮビーム欠陥が発生している部分のアパーチャ１１ａを電子ビーム８が通過しないように封止する物体である。したがって、遮蔽物２０の材質や大きさなどは、アパーチャ１１ａの形状により決定されることになるが、この遮蔽物２０の詳細については、後述する。
【００１５】
図２は、封止機構６として採用し得るマニピュレータ装置３０の構成を示す概略図である。このマニピュレータ装置３０は、遮蔽物２０を保持するエンドエフェクタ３１と、このエンドエフェクタ３１をアパーチャアレイ１１の所望のアパーチャ１１ａの近傍に位置決め（搬送）可能な自由度を有するアーム３２とを有する。ここで、エンドエフェクタ３１の位置決め精度は、アパーチャアレイ１１に設置されている複数のアパーチャ１１ａの配置間隔（アレイピッチ）の１／１０以下とすることが望ましい。例えば、本実施形態では、アレイピッチを数百μｍ以下と想定しているので、位置決め精度は、数十μｍ以下とすることが望ましい。これは、エンコーダ、レーザ干渉計、レーザ変位計、または静電容量センサなど既存の位置計測センサによる計測値とそのフィードバック制御で十分対応可能な値である。なお、図２に示すマニピュレータ装置３０では、アーム３２は、一例としてアパーチャアレイ１１の側方からターゲットとなるアパーチャ１１ａに向けて延び、２つの回転アクチュエータ（２自由度関節）で駆動されるものとしている。ただし、アーム３２の構成は、これに限定されるものではなく、より冗長な自由度を有する構成としてもよいし、または直動アクチュエータにより自由度を生成する構成してもよい。この構成によれば、例えば、遮蔽物２０を載置するときに電子光学系４の真空度の変更および描画時間の停止に要する時間を最小化することができるため、装置稼働率の向上に有利となる。
【００１６】
図３は、エンドエフェクタ３１による遮蔽物２０の保持方式の例を示す概略図である。電子光学系４と封止機構６とは、上述のとおり真空中に設置されているため、エンドエフェクタ３１は、図３（ａ）から図３（ｃ）にそれぞれ示すような摩擦力、静電気力、毛管力の少なくとも１つにより遮蔽物２０を保持し得る。エンドエフェクタ３１が、図３（ａ）に示す摩擦力により遮蔽物２０を保持する場合には、アーム３２の駆動によりターゲットとなるアパーチャ１１ａの上部に十分近接した状態で摩擦力を解放させることで遮蔽物２０を載置できる。または、このときアパーチャ１１ａに遮蔽物２０を接触させた状態で摩擦力を解放してもよい。また、エンドエフェクタ３１が、図３（ｂ）に示す静電気力により遮蔽物２０を保持する場合には、電位の印加により遮蔽物２０を吸着しつつ搬送し、アパーチャ１１ａの上部に十分近接した状態で吸着を解除することで遮蔽物２０を載置できる。さらに、エンドエフェクタ３１が、図３（ｃ）に示す液体３３による毛管力により遮蔽物２０を保持する場合には、アパーチャ１１ａに遮蔽物２０が接触した状態で保持位置をずらし、液体３３との界面を分離させることで遮蔽物２０を載置できる。または、このとき液体３３を加熱して気化させることで遮蔽物２０を分離させてもよい。なお、上記の保持方式の説明では、保持する遮蔽物２０を１つとしているが、エンドエフェクタ３１は、複数の遮蔽物２０を同時に保持するような構成を有していてもよい。
【００１７】
さらに、制御部７は、例えばコンピュータなどで構成され、描画装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどに従って各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部７は、少なくともＯＮビーム欠陥の判定と、その補修に伴う封止機構６の動作とを制御する。なお、制御部７は、描画装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、描画装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００１８】
次に、ビーム欠陥が発生した場合の描画装置１の動作について説明する。正常動作であれば、電子源２から放出され、基板３に対して照射する電子ビーム８は、ブランキング偏向器アレイ１０のブランキング偏向器のＯＦＦによりその間を直進し、下流側のアパーチャアレイ１１のアパーチャ１１ａをそのまま通過して基板３上に到達する。一方、電子源２から放出され、基板３に対して照射しない電子ビーム８は、ブランキング偏向器のＯＮにより偏向され、アパーチャアレイ１１上のアパーチャ１１ａの周囲で遮蔽されるため、基板３上には到達しない。しかしながら、上記のとおり動作不良に起因して、ある電子ビーム８のＯＮ／ＯＦＦ制御が不能となるビーム欠陥が発生する場合があり、特に、常時通過状態となるＯＮビーム欠陥の対策が必要である。そこで、本実施形態の描画装置１は、以下のような工程を実施する。
【００１９】
図４は、描画装置１によるビーム欠陥の修復の流れを説明図とともに示すフローチャートである。まず、制御部７は、ＯＮビーム欠陥が発生している場合には、その発生場所がアパーチャアレイ１１におけるどのアパーチャ１１ａに対応している部分かを特定する（欠陥部特定工程：ステップＳ１００）。ここでの特定方法としては、まず、制御部７は、電子源２から電子ビーム８を放出させた状態で、ブランキング偏向器アレイ１０にある全てのブランキング偏向器に対して照射のＯＦＦ指令を送信する（ステップＳ１００ａ）。このとき、各ブランキング偏向器は、全てＯＦＦ指令を受信しているので、全ての電子ビーム８は、正常動作をしていれば描画面上（基板３上）に照射されない（図１中のＯＦＦビーム８ｂとなっている）。これに対して、ある電子ビーム８が描画面上にて検出されれば（ステップＳ１００ｂ）、制御部７は、それに対応した場所でＯＮビーム欠陥が発生していると特定できる（ステップＳ１００ｃ）。ここで、制御部７は、ＯＮビーム欠陥の発生場所を特定したら、次のステップＳ１０１に移行する。なお、制御部７によるＯＮビーム欠陥が発生しているかどうかの判断自体は、例えば、通常の描画処理とは別に上記工程を実施することで判断してもよいし、基板３に対する通常描画と合わせ、常時、ＯＮビーム欠陥が発生しているかどうかを判断してもよい。
【００２０】
次に、制御部７は、封止機構６により、ステップＳ１００にて特定したＯＮビーム欠陥が発生している場所に対応したアパーチャ１１ａに、遮蔽物２０を載置する（ステップＳ１０１）。ここで、遮蔽物２０は、電子（荷電粒子）を表面または内部で吸収することが望ましい。例えば、遮蔽物２０内に電子が蓄積すると、その電子により形成された電場が、隣設する電子ビーム８の光学特性に影響を及ぼす可能性がある。したがって、遮蔽物２０の材質は、電子を蓄積することなく外部へ放出しやすいように、導電性を有することが望ましい。この遮蔽物２０の材質としては、例えば、高融点金属であり、アパーチャアレイ１１の材質としても一般的なモリブデンが好適である。または、遮蔽物２０は、複数の材質から構成される物体や、絶縁性物質の表面に導電性物質をコーティングした物体でもよい。この遮蔽物２０が載置されるアパーチャ１１ａの形状は、電子光学設計により決定されるべきものである。しかしながら、アパーチャ１１ａの開口サイズが小さいほど、対応する遮蔽物２０のサイズも小さくなり、遮蔽物２０のノミナル形状に対する寸法交差が厳しくなる。そこで、アパーチャ１１ａの任意形状および遮蔽物２０の外形形状交差によることなく、載置の容易性や接触性を維持するために、遮蔽物２０のノミナル外形形状は、図５に示すように球状（略球状）が望ましい。さらに、電子光学設計上、アパーチャ１１ａの開口サイズに余裕がある場合には、鉛直下方に電子ビーム８を通過させるとすると、その上方の内径は、下方の内径よりも大きくなるように形成しておくことが望ましい。これにより、遮蔽物２０の載置の容易性や載置後の位置安定性を高めることができる。図６は、アパーチャアレイ１１におけるアパーチャ１１ａの封止領域（遮蔽物載置領域）の形状（アパーチャピット形状）の形成例を示す概略断面図である。図６（ａ）から図６（ｅ）までの各図に示すように、アパーチャ１１ａの側面形状としては、曲面状、テーパ状、段差状、あるいはそれらの組み合わせとすることができる。なお、アパーチャ１１ａをこのような形状に形成する方法としては、本発明では特に限定しないが、例えば単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の異方性エッチングで製作することができる。一方、アパーチャ１１ａの開口サイズは、上記のとおり限定しないものの、高密度マルチビーム化の実現のためには、必然的に数百μｍ以下の大きさとなり、より高解像力を得る上では、数μｍ以下の大きさを要する場合もある。そこで、このようにアパーチャ１１ａの開口サイズが小さい場合には、上記遮蔽物２０に換えて、液体からなる第２の遮蔽物２１を採用することもあり得る。図７は、第２の遮蔽物２１とその滴下状態とを示す概略図である。この図７に示すように、塗布機構（液滴吐出ノズル）３４からターゲットであるアパーチャ１１ａに対して、第２の遮蔽物２１である液体（例えば接着剤）の液滴を滴下し硬化させることで、遮蔽を実施してもよい。この液体の滴下は、既存のインクジェット装置などで実施可能である。
【００２１】
ここまで、遮蔽物２０の載置について説明したが、この遮蔽物２０は、アパーチャ１１ａに載置された後、アパーチャ１１ａとの電気的接触性、熱的接触性、または位置安定性のために、アパーチャ１１ａに対して固定することがより望ましい。この固定する方法としては、例えば、図８に示すように、遮蔽物２０の載置の前に、封止機構６を構成する塗布機構３５により予め遮蔽物２０の表面または載置したいアパーチャ１１ａの縁に接着剤３６を塗布しておき、載置後に硬化させる方法がある。このとき適用し得る接着剤３６としては、例えば、銀を含有するエポキシ系接着剤が好適である。一方、遮蔽物２０を固定するもう一つの方法として、封止機構６を構成する加熱機構により載置後の遮蔽物２０を加熱、溶融させる、すなわちリフローにより、ターゲットとなるアパーチャ１１ａを遮蔽してもよい。例えば、一般に電子デバイスの裏面にボールグリッドアレイを配置してフリップチップボンディングにより給電する方法が存在する。この方法に用いられる直径数百μｍ以下のはんだボールを遮蔽物２０として採用することは、十分に可能である。このとき、遮蔽物２０としてのはんだボールの加熱には、照射エネルギを増加させた電子ビーム８を用いたり、またはアパーチャ１１ａを直接加熱する機構を設置して実施したりすることができる。ただし、電子光学系４を構成する静電レンズアレイなどにおける、絶対値で数ｋＶ以上の高電圧を印加するアパーチャに対しては、はんだのような低融点の材料は、放電を誘発する可能性もあるため、その対策は必要となる。
【００２２】
ステップＳ１０１の終了後、封止機構６により補修されたアパーチャ１１ａは、常時遮蔽状態となる。そこで、制御部７は、このアパーチャ１１ａで本来描画すべき領域に対しては、基板ステージ５の移動と、別の正常に動作する電子ビーム８の制御とを連動させることで、替わりの描画（代替描画）を実施させる（ステップＳ１０２）。なお、このアパーチャ１１ａでの状態は、ＯＦＦビーム欠陥が発生している状態と同一である。すなわち、上記説明では、ＯＮビーム欠陥への対策としてきたが、当初からＯＦＦビーム欠陥が発生している場合には、制御部７は、このステップＳ１０２での処理を実行すればよい。
【００２３】
このように、描画装置１は、特にＯＮビーム欠陥が発生した場合に、そのビーム欠陥に対応する部分のみを、簡単な機構で、かつ短時間で修復させることができる。さらに、上記のような遮蔽物を用いる方法は、載置対象となるアパーチャ１１ａの形状やサイズを限定しないため、装置への適応性に優れている。なお、上記の説明では、遮蔽物２０による修復の対象をアパーチャアレイ１１としたが、これは、アパーチャを有し、電子光学系４を構成するアレイ部の中でも機能が簡素な機構であるため最も適しているためである。ただし、遮蔽物２０による修復の対象は、アパーチャアレイ１１におけるアパーチャ１１ａに限らず、他のアレイ部に存在するアパーチャとしてもよい。
【００２４】
以上のように、本実施形態によれば、例えば、ブランキングできない電子ビーム８の遮蔽に有利な描画装置１を提供することができる。
【００２５】
なお、上記描画装置１による修復は、修復時の装置の停止時間を最小化するなどの観点から好適であるが、例えば、修復の容易性の観点からすれば、以下のような方法もあり得る。まず、第１の方法としては、ＯＮビーム欠陥の修復の際に、上記のような特定のアパーチャ１１ａへの遮蔽物２０の載置を、一旦描画装置１の外部にアパーチャアレイ１１を搬出したのち、専用の装置により実施させる方法である。また、第２の方法としては、アパーチャアレイ１１と同等品で、特定のアパーチャ１１ａにすでに遮蔽物２０を載置したものを準備し、現状描画装置１内にあるアパーチャアレイ１１と交換する方法である。これらの方法によれば、描画装置１の内部から一旦アパーチャアレイ１１を取り出す時間を要するが、取り出した後の修復の容易性については、従来よりも向上する。
【００２６】
（物品の製造方法）
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２８】
１      荷電粒子線描画装置
３      基板
５      基板ステージ
６      封止機構
７      制御部
８      電子ビーム
１０    ブランキング偏向器アレイ
１１    ストッピングアパーチャアレイ
１１ａ  アパーチャ
２０    遮蔽物
【図１】
0005383786.tif 000002
【図２】
0005383786.tif 000003
【図３】
0005383786.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005383786.tif 000008
【図８】
0005383786.tif 000009