(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、前記被制御ＲＦ信号が出力される第１のＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第１の制御信号が入力される第１の制御信号入力ノードにゲートが接続された第１の電界効果型トランジスタと、
前記ＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、前記被制御ＲＦ信号が出力される第２のＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第２の制御信号が入力される第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第２の電界効果型トランジスタと、
前記第１の電界効果型トランジスタのソース、前記第１及び第２の電界効果型トランジスタのドレイン、前記第２の電界効果型トランジスタのソースに一方側電極が接続されたキャパシタと、
前記キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、前記第１の制御信号入力ノードにカソードが接続された第１のダイオードと、
前記キャパシタの前記他方側電極にアノードが接続され、前記第２の制御信号入力ノードにカソードが接続された第２のダイオードと、
を備えたことを特徴とするＲＦ信号スイッチ回路。
【請求項２】
前記第１の電界効果型トランジスタのソース、前記第１及び第２の電界効果型トランジスタのドレイン、若しくは、前記第２の電界効果型トランジスタのソースと前記キャパシタの前記一方側電極との間、又は、前記第１の電界効果型トランジスタのゲートと前記第１の制御信号入力ノードとの間、若しくは、前記第２の電界効果型トランジスタのゲートと前記第２の制御信号入力ノードとの間のいずれかに抵抗が挿入接続されたことを特徴とする請求項１に記載のＲＦ信号スイッチ回路。
【請求項３】
被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、前記被制御ＲＦ信号が出力されるＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第１の制御信号が入力される第１の制御信号入力ノードにゲートが接続された第１の電界効果型トランジスタと、
前記ＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、第２の制御信号が入力される第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第２の電界効果型トランジスタと、
前記ＲＦ信号出力ノードにドレインが接続され、前記第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第３の電界効果型トランジスタと、
前記第２の電界効果型トランジスタのソース、前記第３の電界効果型トランジスタのソース、前記第１の電界効果型トランジスタのソース及び前記第３の電界効果型トランジスタのドレインに一方側電極が接続されたキャパシタと、
前記キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、前記第１の制御信号入力ノードにカソードが接続された第１のダイオードと、
前記キャパシタの前記他方側電極にアノードが接続され、前記第２の制御信号入力ノードにカソードが接続された第２のダイオードと、
を備えたことを特徴とするＲＦ信号スイッチ回路。
【請求項４】
前記第２の電界効果型トランジスタのソース、前記第３の電界効果型トランジスタのソース、若しくは、前記第１の電界効果型トランジスタのソース及び前記第３の電界効果型トランジスタのドレインと前記キャパシタの前記一方側電極との間、又は、前記第１の電界効果型トランジスタのゲートと前記第１の制御信号入力ノードとの間、前記第２の電界効果型トランジスタのゲートと前記第２の制御信号入力ノードとの間、若しくは、前記第３の電界効果型トランジスタのゲートと前記第２の制御信号入力ノードとの間のいずれかに抵抗が挿入接続されたことを特徴とする請求項３に記載のＲＦ信号スイッチ回路。
【請求項５】
被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、前記被制御ＲＦ信号が出力されるＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第１の制御信号が入力される第１の制御信号入力ノードにゲートが接続された第１の電界効果型トランジスタと、
前記ＲＦ信号出力ノードにドレインが接続され、第２の制御信号が入力される第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第２の電界効果型トランジスタと、
前記第１の電界効果型トランジスタのドレイン、前記第１の電界効果型トランジスタのソース及び前記第２の電界効果型トランジスタのドレイン、前記第２の電界効果型トランジスタのソースに一方側電極が接続されたキャパシタと、
前記キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、前記第１の制御信号入力ノードにカソードが接続された第１のダイオードと、
前記キャパシタの前記他方側電極にアノードが接続され、前記第２の制御信号入力ノードにカソードが接続された第２のダイオードと、
を備えたことを特徴とするＲＦ信号スイッチ回路。
【請求項６】
前記第１の電界効果型トランジスタのドレイン、前記第１の電界効果型トランジスタのソース及び前記第２の電界効果型トランジスタのドレイン、若しくは、前記第２の電界効果型トランジスタのソースと前記キャパシタの前記一方側電極との間、又は、前記第１の電界効果型トランジスタのゲートと前記第１の制御信号入力ノードとの間、若しくは、前記第２の電界効果型トランジスタのゲートと前記第２の制御信号入力ノードとの間のいずれかに抵抗が挿入接続されたことを特徴とする請求項５に記載のＲＦ信号スイッチ回路。
【請求項７】
被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、前記被制御ＲＦ信号が出力される第１のＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第１の制御信号が入力される第１の制御信号入力ノードにゲートが接続された第１の電界効果型トランジスタと、
前記ＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、前記被制御ＲＦ信号が出力される第２のＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第２の制御信号が入力される第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第２の電界効果型トランジスタと、
前記第１のＲＦ信号出力ノードにドレインが接続され、前記第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第３の電界効果型トランジスタと、
前記第２のＲＦ信号出力ノードにドレインが接続され、前記第１の制御信号入力ノードにゲートが接続された第４の電界効果型トランジスタと、
前記第３の電界効果型トランジスタのソース、前記第４の電界効果型トランジスタのソース、前記第１及び第２の電界効果型トランジスタのドレインに一方側電極が接続されたキャパシタと、
前記キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、前記第１の制御信号入力ノードにカソードが接続された第１のダイオードと、
前記キャパシタの前記他方側電極にアノードが接続され、前記第２の制御信号入力ノードにカソードが接続された第２のダイオードと、
を備えたことを特徴とするＲＦ信号スイッチ回路。
【請求項８】
前記第３の電界効果型トランジスタのソース、前記第４の電界効果型トランジスタのソース、若しくは、前記第１及び第２の電界効果型トランジスタのドレインと前記キャパシタの前記一方側電極との間、又は、前記第１の電界効果型トランジスタのゲートと前記第１の制御信号入力ノードとの間、前記第２の電界効果型トランジスタのゲートと前記第２の制御信号入力ノードとの間、前記第３の電界効果型トランジスタのゲートと前記第２の制御信号入力ノードとの間、若しくは、前記第４の電界効果型トランジスタのゲートと前記第１の制御信号入力ノードとの間のいずれかに抵抗が挿入接続されたことを特徴とする請求項７に記載のＲＦ信号スイッチ回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ）信号スイッチ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ：Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  ）においては、特に、ＵＨＦ帯域以上の周波数の信号の伝達量の変更又は伝達経路の切替等のために、ＲＦ信号スイッチ回路が使用される。ＲＦ信号スイッチ回路のうち電界効果型トランジスタを用いたものは、電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を基準としてゲート電位を制御することによって生ずるソース・ドレイン間のインピーダンスの変化を利用したものである。
【０００３】
図５は、従来の第１の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図である。
図５に示した従来の第１の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路は、入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、第１の出力ノードＲＦｏｕｔ１にソースが接続された第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１と、入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、第２の出力ノードＲＦｏｕｔ２にソースが接続された第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のゲートに一端が接続され、第１の制御信号入力ノードＧ１に他端が接続された第１の抵抗Ｒ１と、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のゲートに一端が接続され、第２の制御信号入力ノードＧ２に他端が接続された第２の抵抗Ｒ２と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のソース、第１及び第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ１及びＦＥＴ２のドレイン、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のソースにそれぞれ一端が接続され、電源電位ノードＶＤＤに他端が接続された第３，第４，第５の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５とから構成されている。
【０００４】
第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２は、スイッチとして動作する。第１，第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２は、第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のゲート電位の制御のためのものであり、第３，第４，第５の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５は、第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のソース及びドレインの電位を所定の電位に制御すると共に、被制御ＲＦ信号のリークを抑制するためのものである。
【０００５】
従来の第１の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路はＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ−Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ−Ｔｈｒｏｗ：単極双投）スイッチ回路であり、その動作は、第１又は第２のトランジスタＦＥＴ１又はＦＥＴ２のいずれか一方がオン、他方がオフとなるような第１，第２の制御信号Ｇ１，Ｇ２を与えることにより、入力ノードＲＦｉｎに入力された被制御ＲＦ信号が第１の出力ノードＲＦｏｕｔ１に出力されるか、第２の出力ノードＲＦｏｕｔ２に出力されるかを制御し、被制御ＲＦ信号伝達経路の切替を行うものである。
【０００６】
図６は、従来の第２の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図である。
図６に示した従来の第２の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路は、入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、出力ノードＲＦｏｕｔ  にソースが接続された第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１と、入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、接地電位ノードＧＮＤにソースが接続された第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２と、出力ノードＲＦｏｕｔ  にドレインが接続され、接地電位ノードＧＮＤにソースが接続された第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ３と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のゲートに一端が接続され、第１の制御信号入力ノードＧ１に他端が接続された第１の抵抗Ｒ１と、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のゲートに一端が接続され、第２の制御信号入力ノードＧ２に他端が接続された第２の抵抗Ｒ２と、第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ３のゲートに一端が接続され、第２の制御信号入力ノードＧ２に他端が接続された第３の抵抗Ｒ３と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のソース及び第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ３のドレイン、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のソース、第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ３のソースにそれぞれ一端が接続され、電源電位ＶＤＤに他端が接続された第４，第５，第６の抵抗Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６とから構成されている。
【０００７】
第１，第２，第３のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３は、スイッチとして動作する。第１，第２，第３の抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、第１，第２，第３のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３のゲート電位の制御のためのものであり、第４，第５，第６の抵抗Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は、第１のトランジスタＦＥＴ１のソース及び第３のトランジスタＦＥＴ３のドレイン、第２のトランジスタＦＥＴ２のソース、第３のトランジスタＦＥＴ３のソースの電位を所定の電位に制御すると共に、被制御ＲＦ信号のリークを抑制するためのものである。
【０００８】
従来の第２の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路はＳＰＳＴ（Ｓｉｎｇｌｅ−Ｐｏｌｅ  Ｓｉｎｇｌｅ−Ｔｈｒｏｗ：単極単投）スイッチ回路であり、その動作は、第１のトランジスタＦＥＴ１と、第２及び第３のトランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３との前者又は後者のいずれか一方がオン、他方がオフとなるような第１，第２の制御信号Ｇ１，Ｇ２を与えることにより、入力ノードＲＦｉｎに入力された被制御ＲＦ信号が出力ノードＲＦｏｕｔ  に確実に出力されるか、出力ノードＲＦｏｕｔ  に出力されずに確実に遮断されるかを制御し、被制御ＲＦ信号の通過量の制御、即ち、被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替を行うものである。
【０００９】
図７は、従来の第３の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図である。
図７に示した従来の第３の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路は、入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、出力ノードＲＦｏｕｔ  にソースが接続された第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１と、出力ノードＲＦｏｕｔ  にドレインが接続され、電源電位ノードＶＤＤにソースが接続された第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のゲートに一端が接続され、第１の制御信号入力ノードＧ１に他端が接続された第１の抵抗Ｒ１と、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のゲートに一端が接続され、第２の制御信号入力ノードＧ２に他端が接続された第２の抵抗Ｒ２と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のドレイン、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のソース及び第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のドレインにそれぞれ一端が接続され、電源電位ノードＶＤＤに他端が接続された第３，第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４とから構成されている。
【００１０】
第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２は、スイッチとして動作する。第１，第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２は、第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のゲート電位の制御のためのものであり、第３，第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４は、第１のトランジスタＦＥＴ１のドレイン、第１のトランジスタＦＥＴ１のソース及び第２のトランジスタＦＥＴ２のドレインの電位を所定の電位に制御すると共に、被制御ＲＦ信号のリークを抑制するためのものである。
【００１１】
従来の第３の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路はＳＰＳＴスイッチ回路であり、その動作は、第１又は第２のトランジスタＦＥＴ１又はＦＥＴ２のいずれか一方がオン、他方がオフとなるような第１，第２の制御信号Ｇ１，Ｇ２を与えることにより、入力ノードＲＦｉｎに入力された被制御ＲＦ信号が出力ノードＲＦｏｕｔ  に確実に出力されるか、出力ノードＲＦｏｕｔ  に出力されずに確実に遮断されるかを制御し、被制御ＲＦ信号の通過量の制御、即ち、被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替を行うものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の各構成に係るＲＦ信号スイッチ回路においては、所定のノードを所定の電位に制御するために、電源電位を与える端子を確保することが必要であり、従来の第２の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路においては、さらに、被制御ＲＦ信号伝達経路を接地する端子を確保することが必要であった。
【００１３】
従って、従来の各構成に係るＲＦ信号スイッチ回路が搭載された集積回路の外囲器の端子数の削減、外囲器の小型化、アプリケーション回路の規模縮小化が妨げられるという問題があった。
【００１４】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、必要な端子数を削減することが可能な構成のＲＦ信号スイッチ回路を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路によれば、
被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力される第１のＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第１の制御信号が入力される第１の制御信号入力ノードにゲートが接続された第１の電界効果型トランジスタと、
ＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力される第２のＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第２の制御信号が入力される第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第２の電界効果型トランジスタと、
第１の電界効果型トランジスタのソース、第１及び第２の電界効果型トランジスタのドレイン、第２の電界効果型トランジスタのソースに一方側電極が接続されたキャパシタと、
キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、第１の制御信号入力ノードにカソードが接続された第１のダイオードと、
キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、第２の制御信号入力ノードにカソードが接続された第２のダイオードと、
を備えたことを特徴とし、
キャパシタ及びダイオードを用い、各電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御する制御信号を利用して各電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を設定し、かつ、制御信号が入力される制御端子を、被制御ＲＦ信号伝達経路を接地する接地端子として兼用することにより、被制御ＲＦ信号伝達経路の選択が行われるようにしたので、回路内の所定のノードに電源電位ＶＤＤを供給するための電源端子を不要とすることができる。
【００１６】
本発明の第２の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路によれば、
被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力されるＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第１の制御信号が入力される第１の制御信号入力ノードにゲートが接続された第１の電界効果型トランジスタと、
ＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、第２の制御信号が入力される第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第２の電界効果型トランジスタと、
ＲＦ信号出力ノードにドレインが接続され、第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第３の電界効果型トランジスタと、
第２の電界効果型トランジスタのソース、第３の電界効果型トランジスタのソース、第１の電界効果型トランジスタのソース及び第３の電界効果型トランジスタのドレインに一方側電極が接続されたキャパシタと、
キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、第１の制御信号入力ノードにカソードが接続された第１のダイオードと、
キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、第２の制御信号入力ノードにカソードが接続された第２のダイオードと、
を備えたことを特徴とし、
キャパシタ及びダイオードを用い、各電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御する制御信号を利用して各電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を設定し、かつ、制御信号が入力される制御端子を、被制御ＲＦ信号伝達経路を接地する接地端子として兼用することにより、被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替が行われるようにしたので、回路内の所定のノードに電源電位ＶＤＤ，接地電位ＧＮＤを供給するための電源端子、接地端子を不要とすることができる。
【００１７】
本発明の第３の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路によれば、
被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力されるＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第１の制御信号が入力される第１の制御信号入力ノードにゲートが接続された第１の電界効果型トランジスタと、
ＲＦ信号出力ノードにドレインが接続され、第２の制御信号が入力される第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第２の電界効果型トランジスタと、
第１の電界効果型トランジスタのドレイン、第１の電界効果型トランジスタのソース及び第２の電界効果型トランジスタのドレイン、第２の電界効果型トランジスタのソースに一方側電極が接続されたキャパシタと、
キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、第１の制御信号入力ノードにカソードが接続された第１のダイオードと、
キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、第２の制御信号入力ノードにカソードが接続された第２のダイオードと、
を備えたことを特徴とし、
キャパシタ及びダイオードを用い、各電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御する制御信号を利用して各電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を設定し、かつ、制御信号が入力される制御端子を、被制御ＲＦ信号伝達経路を接地する接地端子として兼用することにより、被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替が行われるようにしたので、回路内の所定のノードに電源電位ＶＤＤを供給するための電源端子を不要とすることができる。
【００１８】
本発明の第４の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路によれば、
被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力される第１のＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第１の制御信号が入力される第１の制御信号入力ノードにゲートが接続された第１の電界効果型トランジスタと、
ＲＦ信号入力ノードにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力される第２のＲＦ信号出力ノードにソースが接続され、第２の制御信号が入力される第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第２の電界効果型トランジスタと、
第１のＲＦ信号出力ノードにドレインが接続され、第２の制御信号入力ノードにゲートが接続された第３の電界効果型トランジスタと、
第２のＲＦ信号出力ノードにドレインが接続され、第１の制御信号入力ノードにゲートが接続された第４の電界効果型トランジスタと、
第３の電界効果型トランジスタのソース、第４の電界効果型トランジスタのソース、第１及び第２の電界効果型トランジスタのドレインに一方側電極が接続されたキャパシタと、
キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、第１の制御信号入力ノードにカソードが接続された第１のダイオードと、
キャパシタの他方側電極にアノードが接続され、第２の制御信号入力ノードにカソードが接続された第２のダイオードと、
を備えたことを特徴とし、
キャパシタ及びダイオードを用い、各電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御する制御信号を利用して各電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を設定し、かつ、制御信号が入力される制御端子を、被制御ＲＦ信号伝達経路を接地する接地端子として兼用することにより、被制御ＲＦ信号伝達経路の選択が行われるようにしたので、回路内の所定のノードに電源電位ＶＤＤ，接地電位ＧＮＤを供給するための電源端子、接地端子を不要とすることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るＲＦ信号スイッチ回路の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図である。
【００２１】
図１に示した本発明の第１の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路は、被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力される第１のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ１にソースが接続された第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１と、ＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力される第２のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ２にソースが接続された第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のゲートに一端が接続され、第１の制御信号Ｇ１が入力される第１の制御信号入力ノードＧ１に他端が接続された第１の抵抗Ｒ１と、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のゲートに一端が接続され、第２の制御信号Ｇ２が入力される第２の制御信号入力ノードＧ２に他端が接続された第２の抵抗Ｒ２と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のソース、第１及び第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ１及びＦＥＴ２のドレイン、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のソースにそれぞれ一端が接続された第３，第４，第５の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５と、第３，第４及び第５の抵抗Ｒ３，Ｒ４及びＲ５の他端に一方側電極が接続されたキャパシタＣと、キャパシタＣの他方側電極にアノードが接続され、第１の制御信号入力ノードＧ１にカソードが接続された第１のダイオードＤ１と、キャパシタＣの他方側電極にアノードが接続され、第２の制御信号入力ノードＧ２にカソードが接続された第２のダイオードＤ２とから構成されている。
【００２２】
第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２は、スイッチとして動作する。第１，第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２は、第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のゲート電位の制御のためのものであり、第３，第４，第５の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，キャパシタＣ，第１，第２のダイオードＤ１，Ｄ２は、第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のソース及びドレインの電位を所定の電位に制御すると共に、被制御ＲＦ信号のリークを抑制するためのものである。
【００２３】
本発明の第１の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路はＳＰＤＴスイッチ回路であり、その動作は、第１又は第２のトランジスタＦＥＴ１又はＦＥＴ２のいずれか一方がオン、他方がオフとなるような第１，第２の制御信号Ｇ１，Ｇ２を与えることにより、ＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎに入力された被制御ＲＦ信号が第１のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ１に出力されるか、第２のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ２に出力されるかを制御し、被制御ＲＦ信号伝達経路の切替を行うものである。
【００２４】
本発明の第１の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路における第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のゲート、ソース及びドレインの電位を所定の電位に制御することによるスイッチング動作は、以下のように行われる。
【００２５】
先ず、第１又は第２の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２のいずれか一方にＨ（High）レベル電圧（トランジスタＦＥＴの順方向電圧ＶFQ＋ダイオードＤの順方向電圧ＶFD以上の電圧）を印加し、他方を接地（Ｌ（Low）レベル電圧を印加）することにより、Ｈレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２、当該制御信号入力ノードＧ１又はＧ２に接続されている抵抗Ｒ１又はＲ２、当該抵抗Ｒ１又はＲ２に接続されている電界効果型トランジスタＦＥＴ１又はＦＥＴ２のゲート、ドレイン及びソース、抵抗Ｒ４及び抵抗Ｒ３又はＲ５（第１の制御信号入力ノードＧ１にＨレベル電圧を印加した場合は第３の抵抗Ｒ３、第２の制御信号入力ノードＧ２にＨレベル電圧を印加した場合は第５の抵抗Ｒ５）、キャパシタＣ、Ｌレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２に接続されているダイオードＤ１又はＤ２、Ｌレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２までの電流経路が形成される。従って、Ｈレベル電圧からショットキー接合電圧分だけ降下した電圧まで、キャパシタＣと第３，第４，第５の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５との接続ノードの電位が上昇し、第３，第４，第５の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５を介して接続された第１，第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のソース及びドレインの電位が確定する。これにより、Ｈレベル電圧を印加した側のトランジスタＦＥＴ１又はＦＥＴ２のソース・ドレイン間のインピーダンスが低下し、被制御ＲＦ信号伝達経路が選択されることになる。
【００２６】
本発明の第１の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路においては、上述のようにキャパシタ及びダイオードを用い、かつ、各電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御する制御信号を利用して各電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を設定し、被制御ＲＦ信号伝達経路の選択が行われるようにしたので、本回路に対応する従来の第１の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路における電源電位ＶＤＤを供給するための電源端子を不要とすることができる。
【００２７】
尚、第３，第４，第５の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５の他端には、１個のキャパシタＣが共用されるように接続されているが、第３，第４，第５の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５の他端にそれぞれ別個のキャパシタの一方側電極を接続し、各キャパシタの他方側電極をそれぞれ第１及び第２のダイオードのアノードに接続した構成としてもよい。また、第３，第４，第５の抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５は、それぞれ、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のソース、第１及び第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ１及びＦＥＴ２のドレイン、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のソースに所定の電位を与えるためのバイアス抵抗であるが、キャパシタＣのみで各ノードの電位を所定の電位に設定することができる場合は、これらの抵抗は適宜除去し短絡してよい。第１、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のゲートと第１，第２の制御信号入力ノードＧ１，Ｇ２との間にそれぞれ挿入接続された第１，第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２も適宜除去し短絡してよい。
【００２８】
図２は、本発明の第２の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図である。
【００２９】
図２に示した本発明の第２の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路は、被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力されるＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ  にソースが接続された第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１と、ＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続された第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２と、ＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ  にドレインが接続された第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ３と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のゲートに一端が接続され、第１の制御信号Ｇ１が入力される第１の制御信号入力ノードＧ１に他端が接続された第１の抵抗Ｒ１と、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のゲートに一端が接続され、第２の制御信号Ｇ２が入力される第２の制御信号入力ノードＧ２に他端が接続された第２の抵抗Ｒ２と、第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ３のゲートに一端が接続され、第２の制御信号入力ノードＧ２に他端が接続された第３の抵抗Ｒ３と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のソース及び第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ３のドレインに一端が接続された第４の抵抗Ｒ４と、第２、第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ２，ＦＥＴ３のソース、第４の抵抗Ｒ４の他端に一方側電極が接続されたキャパシタＣと、キャパシタＣの他方側電極にアノードが接続され、第１の制御信号入力ノードＧ１にカソードが接続された第１のダイオードＤ１と、キャパシタＣの他方側電極にアノードが接続され、第２の制御信号入力ノードＧ２にカソードが接続された第２のダイオードＤ２とから構成されている。
【００３０】
第１，第２，第３のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３は、スイッチとして動作する。第１，第２，第３の抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、第１，第２，第３のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３のゲート電位の制御のためのものであり、第４の抵抗Ｒ４，キャパシタＣ，第１，第２のダイオードＤ１，Ｄ２は、第１のトランジスタＦＥＴ１のソース及び第３のトランジスタＦＥＴ３のドレイン、第２のトランジスタＦＥＴ２のソース、第３のトランジスタＦＥＴ３のソースの電位を所定の電位に制御すると共に、被制御ＲＦ信号のリークを抑制するためのものである。
【００３１】
本発明の第２の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路は、ＳＰＳＴスイッチ回路であり、その動作は、第１のトランジスタＦＥＴ１と、第２及び第３のトランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３との前者又は後者のいずれか一方がオン、他方がオフとなるような第１，第２の制御信号Ｇ１，Ｇ２を与えることにより、ＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎに入力された被制御ＲＦ信号がＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ  に確実に出力されるか、ＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ  に出力されずに確実に遮断されるかを制御し、被制御ＲＦ信号の通過量の制御、即ち、被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替を行うものである。
【００３２】
本発明の第２の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路における第１，第２，第３のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３のゲート、ソース及びドレインの電位を所定の電位に制御することによるスイッチング動作は、以下のように行われる。
【００３３】
先ず、第１又は第２の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２のいずれか一方にＨレベル電圧（トランジスタＦＥＴの順方向電圧ＶFQ＋ダイオードＤの順方向電圧ＶFD以上の電圧）を印加し、他方を接地（Ｌレベル電圧を印加）することにより、Ｈレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２、当該制御信号入力ノードＧ１又はＧ２に接続されている抵抗Ｒ１又は抵抗Ｒ２及びＲ３、当該抵抗Ｒ１又は抵抗Ｒ２及びＲ３に接続されている電界効果型トランジスタＦＥＴ１又は電界効果型トランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３のゲート、トランジスタＦＥＴ１のソース及び抵抗Ｒ４、又は、トランジスタＦＥＴ２のソース並びにトランジスタＦＥＴ２のドレイン及び抵抗Ｒ４（第１の制御信号入力ノードＧ１にＨレベル電圧を印加した場合はトランジスタＦＥＴ１のソース及び抵抗Ｒ４、第２の制御信号入力ノードＧ２にＨレベル電圧を印加した場合はトランジスタＦＥＴ２のソース並びにトランジスタＦＥＴ２のドレイン及び抵抗Ｒ４）、キャパシタＣ、Ｌレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２に接続されているダイオードＤ１又はＤ２、Ｌレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２までの電流経路が形成される。従って、Ｈレベル電圧からショットキー接合電圧分だけ降下した電圧まで、キャパシタＣと第４の抵抗Ｒ４との接続ノードの電位が上昇し、第４の抵抗Ｒ４を介して接続された第１，第２，第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３のソース及びドレインの電位が確定する。これにより、Ｈレベル電圧を印加した側のトランジスタＦＥＴ１又はトランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３のソース・ドレイン間のインピーダンスが低下し、ＲＦ信号入力ノードＲＦinに入力された被制御ＲＦ信号がＲＦ信号出力ノードＲＦout に出力されるか、又は、ＲＦ信号出力ノードＲＦout に出力されずに遮断され、被制御ＲＦ信号の通過量の制御、即ち、被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替が行われることになる。
【００３４】
本発明の第２の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路においては、上述のようにキャパシタ及びダイオードを用い、かつ、各電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御する制御信号を利用して各電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を設定し、被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替が行われるようにしたので、本回路に対応する従来の第２の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路における電源電位ＶＤＤを供給するための電源端子、及び、第２及び第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３のソースを接地するための接地端子を不要とすることができる。
【００３５】
尚、第４の抵抗Ｒ４の他端、第２及び第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３のソースには、１個のキャパシタＣが共用されるように接続されているが、第４の抵抗Ｒ４の他端、第２及び第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３のソースにそれぞれ別個のキャパシタの一方側電極を接続し、各キャパシタの他方側電極をそれぞれ第１及び第２のダイオードのアノードに接続した構成としてもよい。また、第４の抵抗Ｒ４は、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のソース及び第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ３のドレインに所定の電位を与えるためのバイアス抵抗であるが、キャパシタＣのみで当該ノードの電位を所定の電位に設定することができる場合は、第４の抵抗Ｒ４は適宜除去し短絡してよい。同様に、第２及び第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３のソースとキャパシタＣの一方側電極との間には、抵抗を適宜挿入接続してもよい。第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のゲート、第２及び第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３のゲートと第１，第２の制御信号入力ノードＧ１，Ｇ２との間にそれぞれ挿入接続された第１の抵抗Ｒ１第２及び第３の抵抗Ｒ２及びＲ３も適宜除去し短絡してよい。
【００３６】
図３は、本発明の第３の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図である。
【００３７】
図３に示した本発明の第３の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路は、被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力されるＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ  にソースが接続された第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１と、ＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ  にドレインが接続された第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のゲートに一端が接続され、第１の制御信号Ｇ１が入力される第１の制御信号入力ノードＧ１に他端が接続された第１の抵抗Ｒ１と、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のゲートに一端が接続され、第２の制御信号Ｇ２が入力される第２の制御信号入力ノードＧ２に他端が接続された第２の抵抗Ｒ２と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のドレイン、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のソース及び第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のドレインにそれぞれ一端が接続された第３，第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４と、第３、第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４の他端、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のソースに一方側電極が接続されたキャパシタＣと、キャパシタＣの他方側電極にアノードが接続され、第１の制御信号入力ノードＧ１にカソードが接続された第１のダイオードＤ１と、キャパシタＣの他方側電極にアノードが接続され、第２の制御信号入力ノードＧ２にカソードが接続された第２のダイオードＤ２とから構成されている。
【００３８】
第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２は、スイッチとして動作する。第１，第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２は、第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のゲート電位の制御のためのものであり、第３，第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４，キャパシタＣ，第１，第２のダイオードＤ１，Ｄ２は、第１のトランジスタＦＥＴ１のドレイン、第１のトランジスタＦＥＴ１のソース及び第２のトランジスタＦＥＴ２のドレインの電位を所定の電位に制御すると共に、被制御ＲＦ信号のリークを抑制するためのものである。
【００３９】
本発明の第３の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路はＳＰＳＴスイッチ回路であり、その動作は、第１又は第２のトランジスタＦＥＴ１又はＦＥＴ２のいずれか一方がオン、他方がオフとなるような第１，第２の制御信号Ｇ１，Ｇ２を与えることにより、ＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎに入力された被制御ＲＦ信号がＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ  に確実に出力されるか、ＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ  に出力されずに確実に遮断されるかを制御し、被制御ＲＦ信号の通過量の制御、即ち、被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替を行うものである。
【００４０】
本発明の第３の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路における第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のゲート、ソース及びドレインの電位を所定の電位に制御することによるスイッチング動作は、以下のように行われる。
【００４１】
先ず、第１又は第２の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２のいずれか一方にＨレベル電圧（トランジスタＦＥＴの順方向電圧ＶFQ＋ダイオードＤの順方向電圧ＶFD以上の電圧）を印加し、他方を接地（Ｌレベル電圧を印加）することにより、Ｈレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２、当該制御信号入力ノードＧ１又はＧ２に接続されている抵抗Ｒ１又はＲ２、当該抵抗Ｒ１又はＲ２に接続されている電界効果型トランジスタＦＥＴ１又はＦＥＴ２のゲート、ドレイン及びソース、抵抗Ｒ４及び／又は抵抗Ｒ３（第１の制御信号入力ノードＧ１にＨレベル電圧を印加した場合は抵抗Ｒ４及びＲ３、第２の制御信号入力ノードＧ２にＨレベル電圧を印加した場合は抵抗Ｒ４）、キャパシタＣ、Ｌレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２に接続されているダイオードＤ１又はＤ２、Ｌレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２までの電流経路が形成される。従って、Ｈレベル電圧からショットキー接合電圧分だけ降下した電圧まで、キャパシタＣと第３，第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４との接続ノードの電位が上昇し、第３，第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４を介して接続された第１，第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のソース及びドレインの電位が確定する。これにより、Ｈレベル電圧を印加した側のトランジスタＦＥＴ１又はＦＥＴ２のソース・ドレイン間のインピーダンスが低下し、ＲＦ信号入力ノードＲＦinに入力された被制御ＲＦ信号がＲＦ信号出力ノードＲＦout に出力されるか、又は、ＲＦ信号出力ノードＲＦout に出力されずに遮断され、被制御ＲＦ信号の通過量の制御、即ち、被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替が行われることになる。
【００４２】
本発明の第３の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路においては、上述のようにキャパシタ及びダイオードを用い、かつ、各電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御する制御信号を利用して各電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を設定し、被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替が行われるようにしたので、本回路に対応する従来の第３の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路における電源電位ＶＤＤを供給するための電源端子を不要とすることができる。
【００４３】
尚、第３，第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４の他端、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のソースには、１個のキャパシタＣが共用されるように接続されているが、第３，第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４の他端、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のソースにそれぞれ別個のキャパシタの一方側電極を接続し、各キャパシタの他方側電極をそれぞれ第１及び第２のダイオードのアノードに接続した構成としてもよい。また、第３，第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４は、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のドレイン、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のソース及び第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のドレインに所定の電位を与えるためのバイアス抵抗であるが、キャパシタＣのみで各ノードの電位を所定の電位に設定することができる場合は、これらの抵抗は適宜除去し短絡してよい。同様に、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のソースとキャパシタＣの一方側電極との間には、抵抗を適宜挿入接続してもよい。第１、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２のゲートと第１，第２の制御信号入力ノードＧ１，Ｇ２との間にそれぞれ挿入接続された第１，第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２も適宜除去し短絡してよい。
【００４４】
図４は、本発明の第４の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図である。
図４に示した本発明の第４の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路は、被制御ＲＦ信号が入力されるＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力される第１のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ１にソースが接続された第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１と、ＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎにドレインが接続され、被制御ＲＦ信号が出力される第２のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ２にソースが接続された第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２と、第１の電界効果型トランジスタＦＥＴ１のゲートに一端が接続され、第１の制御信号Ｇ１が入力される第１の制御信号入力ノードＧ１に他端が接続された第１の抵抗Ｒ１と、第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のゲートに一端が接続され、第２の制御信号Ｇ２が入力される第２の制御信号入力ノードＧ２に他端が接続された第２の抵抗Ｒ２と、第１のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ１にドレインが接続された第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ３と、第２のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ２にドレインが接続された第４の電界効果型トランジスタＦＥＴ４と、第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ３のゲートに一端が接続され、第２の制御信号入力ノードＧ２に他端が接続された第３の抵抗Ｒ３と、第４の電界効果型トランジスタＦＥＴ４のゲートに一端が接続され、第１の制御信号入力ノードＧ１に他端が接続された第４の抵抗Ｒ４と、第１及び第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ１及びＦＥＴ２のドレインに一端が接続された第５の抵抗Ｒ５と、第３，第４の電界効果型トランジスタＦＥＴ３，ＦＥＴ４のソース、第５の抵抗Ｒ５の他端に一方側電極が接続されたキャパシタＣと、キャパシタＣの他方側電極にアノードが接続され、第１の制御信号入力ノードＧ１にカソードが接続された第１のダイオードＤ１と、キャパシタＣの他方側電極にアノードが接続され、第２の制御信号入力ノードＧ２にカソードが接続された第２のダイオードＤ２とから構成されている。
【００４５】
第１，第２，第３，第４のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３，ＦＥＴ４は、スイッチとして動作する。第１，第２，第３，第４の抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、第１，第２，第３，第４のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３，ＦＥＴ４のゲート電位の制御のためのものであり、第５の抵抗Ｒ５，キャパシタＣ，第１，第２のダイオードＤ１，Ｄ２は、第１，第２，第３，第４のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３，ＦＥＴ４のソース及びドレインの電位を所定の電位に制御すると共に、被制御ＲＦ信号のリークを抑制するためのものである。
【００４６】
本発明の第４の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路はＳＰＤＴスイッチ回路であり、その動作は、第１及び第４のトランジスタＦＥＴ１及びＦＥＴ４と、第２及び第３のトランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３との前者又は後者のいずれか一方がオン、他方がオフとなるような第１，第２の制御信号Ｇ１，Ｇ２を与えることにより、ＲＦ信号入力ノードＲＦｉｎに入力された被制御ＲＦ信号が第１のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ１に出力されるか、第２のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ２に出力されるかを制御し、被制御ＲＦ信号伝達経路の切替を行うものである。
【００４７】
上述した本発明の第１の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路においては、高周波数のＲＦ信号を取り扱う場合に、ゲートを接地した方の電界効果型トランジスタＦＥＴ１又はＦＥＴ２のソース・ドレイン間の寄生容量の影響で、選択されていない側の信号伝達経路のインピーダンスが低下し、選択されていない側のＲＦ信号出力ノードＲＦｏｕｔ１又はＲＦｏｕｔ２にも被制御ＲＦ信号が出力されてしまうという問題点がある。
【００４８】
そこで、本発明の第４の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路においては、第１の実施の形態におけるバイアス抵抗Ｒ３，Ｒ５の代わりに、第３，第４のトランジスタＦＥＴ３，ＦＥＴ４を配設し、これらのトランジスタをそれぞれ信号伝達経路選択用の第１，第２のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２に対して反転動作させることにより、第３，第４のトランジスタＦＥＴ３，ＦＥＴ４のソース・ドレイン、キャパシタＣ、ダイオードＤ１，Ｄ２を介して漏出した被制御ＲＦ信号を接地するようにしたものである。
【００４９】
本発明の第４の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路における第１，第２，第３，第４のトランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３，ＦＥＴ４のゲート、ソース及びドレインの電位を所定の電位に制御することによるスイッチング動作は、以下のように行われる。
【００５０】
先ず、第１又は第２の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２のいずれか一方にＨレベル電圧（トランジスタＦＥＴの順方向電圧ＶFQ＋ダイオードＤの順方向電圧ＶFD以上の電圧）を印加し、他方を接地（Ｌレベル電圧を印加）することにより、Ｈレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２、当該制御信号入力ノードＧ１又はＧ２に接続されている抵抗Ｒ１及びＲ４又は抵抗Ｒ２及びＲ３、当該抵抗Ｒ１及びＲ４又は抵抗Ｒ２及びＲ３に接続されている電界効果型トランジスタＦＥＴ１及びＦＥＴ４又は電界効果型トランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３のゲート、トランジスタＦＥＴ１のソース及び抵抗Ｒ５並びにトランジスタＦＥＴ４のソース、又は、トランジスタＦＥＴ２のドレイン及び抵抗Ｒ５並びにトランジスタＦＥＴ３のソース（第１の制御信号入力ノードＧ１にＨレベル電圧を印加した場合はトランジスタＦＥＴ１のソース及び抵抗Ｒ５並びにトランジスタＦＥＴ４のソース、第２の制御信号入力ノードＧ２にＨレベル電圧を印加した場合はトランジスタＦＥＴ２のドレイン及び抵抗Ｒ５並びにトランジスタＦＥＴ３のソース）、キャパシタＣ、Ｌレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２に接続されているダイオードＤ１又はＤ２、Ｌレベル電圧を印加した方の制御信号入力ノードＧ１又はＧ２までの電流経路が形成される。従って、Ｈレベル電圧からショットキー接合電圧分だけ降下した電圧まで、キャパシタＣと第５の抵抗Ｒ５との接続ノードの電位が上昇し、第５の抵抗Ｒ５を介して接続された第１，第２，第３，第４の電界効果型トランジスタＦＥＴ１，ＦＥＴ２，ＦＥＴ３，ＦＥＴ４のソース及びドレインの電位が確定する。これにより、Ｈレベル電圧を印加した側の２個のトランジスタＦＥＴ１及びＦＥＴ４又はトランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３のソース・ドレイン間のインピーダンスが低下し、被制御ＲＦ信号伝達経路が選択されることになる。
【００５１】
本発明の第４の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路においては、上述のようにキャパシタ及びダイオードを用い、かつ、各電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御する制御信号を利用して各電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を設定し、被制御ＲＦ信号伝達経路の選択が行われるようにしたので、回路内の所定のノードに電源電位ＶＤＤ，接地電位ＧＮＤを供給するための電源端子、接地端子を不要とすることができる。
【００５２】
尚、第３及び第４の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のソース、第５の抵抗Ｒ５の他端には、１個のキャパシタＣが共用されるように接続されているが、第３及び第４の電界効果型トランジスタＦＥＴ２のソース、第５の抵抗Ｒ５の他端にそれぞれ別個のキャパシタの一方側電極を接続し、各キャパシタの他方側電極をそれぞれ第１及び第２のダイオードのアノードに接続した構成としてもよい。また、第５の抵抗Ｒ５は、第１及び第２の電界効果型トランジスタＦＥＴ１及びＦＥＴ２のドレインに所定の電位を与えるためのバイアス抵抗であるが、キャパシタＣのみで当該ノードの電位を所定の電位に設定することができる場合は、第５の抵抗Ｒ５は適宜除去し短絡してよい。同様に、第３及び第４の電界効果型トランジスタＦＥＴ３及びＦＥＴ４のソースとキャパシタＣの一方側電極との間には、抵抗を適宜挿入接続してもよい。第１及び第４の電界効果型トランジスタＦＥＴ１及びＦＥＴ４のゲート、第２及び第３の電界効果型トランジスタＦＥＴ２及びＦＥＴ３のゲートと第１，第２の制御信号入力ノードＧ１，Ｇ２との間にそれぞれ挿入接続された第１，第４の抵抗Ｒ１，Ｒ４，第２，第３の抵抗Ｒ２，Ｒ３も適宜除去し短絡してよい。
【００５３】
【発明の効果】
本発明に係るＲＦ信号スイッチ回路によれば、キャパシタ及びダイオードを用い、各電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御する制御信号を利用して各電界効果型トランジスタのソース及びドレインの電位を設定し、かつ、制御信号が入力される制御端子を、被制御ＲＦ信号伝達経路を接地する接地端子として兼用することにより、被制御ＲＦ信号伝達経路の選択又は被制御ＲＦ信号伝達の有無の切替が行われるようにしたので、回路内の所定のノードに電源電位ＶＤＤ，接地電位ＧＮＤを供給するための電源端子、接地端子を不要とすることができる。その結果、本発明に係るＲＦ信号スイッチ回路が搭載された集積回路の外囲器の端子数の削減、外囲器の小型化、アプリケーション回路の規模縮小化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図。
【図４】本発明の第４の実施の形態に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図。
【図５】従来の第１の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図。
【図６】従来の第２の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図。
【図７】従来の第３の構成に係るＲＦ信号スイッチ回路の回路図。
【符号の説明】
ＦＥＴ  電界効果型トランジスタ
Ｒ  抵抗
Ｃ  キャパシタ
Ｄ  ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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