(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期律表ＩＩＩ族から選ばれた第１の元素と周期律表Ｖ族から選ばれた第２の元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、第１の面とその第１の面に対向する第２の面とを有する第１導電型の基板を準備する工程と、
その基板の第２の面に第１の電極層を形成する工程と、
前記第１の元素と、前記第２の元素と、前記ＩＩＩ族から選ばれた、前記第１の元素と異なる第３の元素とを含む第１導電型のクラッド層を前記基板の第１の面に形成する工程と、
その第１導電型のクラッド層の上に前記第１の元素と前記第２の元素と前記第３の元素とを含む活性層を形成する工程と、
その活性層の上に前記第１の元素と前記第２の元素と前記第３の元素とを含む第２導電型のクラッド層を形成する工程と、
その第２導電型のクラッド層の上に前記第１の元素と前記第２の元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２導電型のコンタクト層を形成する工程と、
そのコンタクト層の上に第２の電極層を形成する工程と、
前記活性層の端面からなる出射面に前記第３の元素からなる膜を形成する工程と、
前記第３の元素からなる膜を融解させることにより、前記第３の元素を前記活性層に混入させて前記活性層の禁制帯幅を大きくする工程とを備えた、半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
前記活性層の禁制帯幅を大きくする工程は、前記第３の元素からなる膜にレーザ光線を照射することにより、前記第３の元素からなる膜を融解させることを含む、請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
前記活性層の禁制帯幅を大きくする工程は、前記活性層に電流を流すことにより、前記活性層からレーザ光線を発生させ、そのレーザ光線を前記第３の元素からなる膜に照射することにより、前記第３の元素からなる膜を融解させることを含む、請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項４】
前記第１の元素はガリウムであり、前記第２の元素はヒ素であり、前記第３の元素はアルミニウムである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体レーザの製造方法に関し、特に、素子端部での光の吸収が少ない半導体レーザの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体レーザは、レーザプリンタをはじめ、レーザジャイロスコープ、レーザドップラー流速計などのさまざまな装置の中に組込まれている。また、レーザ光を利用してウランの濃縮を行なうレーザ同位体分離やレーザ光により分子を励起させて化学反応を起こさせるレーザ誘起化学反応などにも広く利用されている。
【０００３】
これらの装置の信頼性や出力を高めるためには、その光源である半導体レーザの出力、信頼性を高める必要がある。
【０００４】
一般に、半導体レーザは、ｐ型のクラッド層と、そのｐ型クラッド層の上に形成された活性層と、その活性層の上に形成されたｎ型クラッド層に電流を流すことにより、レーザ光線を発生させる。このような半導体レーザにおいては、一般に、活性層の端面、つまり光が出射する面では、禁制帯幅（バンドギャップ）が小さくなることが知られている。この原因としては、まず第１に、端面では、格子欠陥などが生じやすいため、表面再結合が発生しやすいことが挙げられる。第２に、端面に不純物が付着し、また、端面に空気中の酸素分子が入り込み、禁制帯幅を小さくする酸化ガリウム等を形成することが挙げられる。
【０００５】
ここで、端面の禁制帯幅が小さくなると、活性層内部で発生したレーザ光が端面で吸収されやすくなる。そのため、半導体レーザの出力が小さくなるという問題がある。また、活性層内部で発生した光が端面で吸収されると、端面の温度が上昇し、最悪の場合は、端面が溶解してしまうことになり、半導体レーザの信頼性を下げることになる。
【０００６】
したがって、半導体レーザの出力、信頼性を高めるためには、このような端面での光の吸収を防止する必要がある。
【０００７】
ここで、端面での光の吸収が少ない半導体レーザとしては、特開昭６４−８１３８７号公報に記載されたものが知られている。
【０００８】
図９は、上記公報に記載されるような従来の半導体レーザを示す模式的な斜視図である。図９を参照して、半導体レーザ１０１は、電極１０２、１０９と、ｎ型基板１０３と、ｎ型クラッド層１０４と、活性層１０５と、ｐ型クラッド層１０６と、ｎ型ブロック層１０７と、ｐ型コンタクト層１０８と、パッシベーション膜１１０、１１１とを備えている。
【０００９】
ｎ型基板１０３に接するように、電極１０２が形成されている。ｎ型基板１０３上にｎ型クラッド層１０４が接するように形成されている。ｎ型クラッド層１０４上に活性層１０５が接するように形成されている。活性層１０５上にｐ型クラッド層１０６が接するように形成されている。ｐ型クラッド層１０６上にｎ型ブロック層１０７が接するように形成されている。ｐ型コンタクト層１０８は、ｎ型ブロック層１０７と接するように形成されている。ｐ型コンタクト層１０８は、その中央部において、ｐ型クラッド層１０６と接するように形成されている。電極１０９はｐ型コンタクト層１０８と接するように形成されている。
【００１０】
ｎ型クラッド層１０４と、活性層１０５と、ｐ型クラッド層１０６との中央部に、光が発生するストライプ状発光領域１１４が形成されている。このストライプ状発光領域１１４は、ｐ型コンタクト層１０８とｐ型クラッド層１０６が接する面の下に位置し、図中の右上方向に延びるものである。
【００１１】
出射面１１２のうち、ストライプ状発光領域１１４の端面となる部分（図中の点線で囲んだ部分）から光が出射する。出射面１１２を覆うようにパッシベーション膜１１０が形成される。また、後部断面１１３を覆うようにパッシベーション膜１１１が形成される。活性層１０５において、禁制帯幅は、出射面１１２に近づくにつれて、大きくなっている。
【００１２】
次に、図９で示す従来の半導体レーザの製造方法について説明する。図１０は、図９で示す半導体レーザの製造方法を示す模式的な斜視図である。図１０を参照して、ｎ型基板１０３上に分子線エピタキシャル法などによりｎ型クラッド層１０４を形成する。次に、ｎ型クラッド層１０４上に活性層１０５を、活性層１０５の上にｐ型クラッド層１０６を、分子線エピタキシャル法などにより順次成長させる。
【００１３】
次に、ｎ型物質をｐ型クラッド層１０６上に形成し、ｎ型物質の中央部をストライプ状にエッチングすることにより、ｎ型ブロック層１０７を形成する。このとき、ｐ型クラッド層１０６がストライプ状に露出する。次に、ｐ型コンタクト層１０８を分子線エピタキシャル法などにより、ｐ型クラッド層１０６およびｎ型ブロック層１０７に接するように形成する。
【００１４】
次に、電極１０２および１０９を蒸着法により形成する。次に、劈開法により、ウェハより素子単位に切出し、劈開面を出射面１１２および後部端面１１３とする。また、ｐ型クラッド層１０６と、活性層１０５と、ｎ型クラッド層１０４との部分のうち、ｐ型コンタクト層１０８とｐ型クラッド層１０６とが接する面の下に位置する部分が、ストライプ状発光領域１１４となる。
【００１５】
次に、出射面１１２のうち、ストライプ状発光領域１１４とその周辺部にレーザ光を照射することにより、活性層１０５とｎ型クラッド層１０４とｐ型クラッド層１０６とを混合する。このようなレーザ光の照射によって、ｎ型クラッド層１０４およびｐ型クラッド層１０６中のアルミニウムが活性層１０５に入り込む。そのため、活性層１０５の端面付近、すなわちストライプ状発光領域１１４の端面付近では、禁制帯幅が広がる。
【００１６】
図９を参照して、後部端面１１３と、レーザ光が照射された出射面１１２にパッシベーション膜１１１、１１０を形成する。このようにして、半導体レーザ１０１が完成する。
【００１７】
以上のように製造された半導体レーザにおいては、図１０で示すように、ｎ型クラッド層１０４およびｐ型クラッド層１０６中のアルミニウム原子を活性層１０５に混入させることにより、活性層１０５の端面の禁制帯幅を大きくし、端面での光の吸収を防止することができる。そのため、半導体レーザの出力を向上させ、さらには、信頼性も向上させることができる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図９で示す従来の半導体レーザにおいては、以下のような問題がある。
【００１９】
まず、第１に、活性層の禁制帯幅を小さくするもう１つの原因、すなわち、端面に酸素原子が入り込むことまたは端面に不純物が付着することによる禁制帯幅の減少に対しては、何ら対策を講じていない。そのため、図１０で示す半導体レーザにおいては、端面での禁制帯幅を十分に広げることができないという問題があった。
【００２０】
さらに、従来の半導体レーザにおいては、図１０から明らかなように、活性層１０５に混入させるアルミニウム原子は、ｎ型クラッド層１０４およびｐ型クラッド層１０６中に含まれるものである。ここで、ｎ型クラッド層１０４およびｐ型クラッド層１０６中に含まれるアルミニウムは、微量であるため、活性層１０５に十分にアルミニウムを供給できず、そのため、活性層１０５の禁制帯幅を十分に広げられないという問題がある。
【００２１】
そこで、この発明は、上述のような問題を解決するためになされたものであり、半導体レーザの端面の酸素および不純物を除去し、活性層に十分なアルミニウムを供給することにより活性層の禁制帯幅を広げることができる半導体レーザの製造方法を提供することを目的とするものである。
【００４０】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った半導体レーザの製造方法は、以下の工程を備える。
【００４１】
▲１▼  周期律表ＩＩＩ族から選ばれた第１の元素と周期律表Ｖ族から選ばれた第２の元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、第１の面とその第１の面に対向する第２の面とを有する第１導電型の基板を準備する工程。
【００４２】
▲２▼  その基板の第２の面に第１の電極層を形成する工程。
▲３▼  第１の元素と、第２の元素と、ＩＩＩ族から選ばれた、第１の元素と異なる第３の元素とを含む第１導電型のクラッド層を基板の第１の面に形成する工程。
【００４３】
▲４▼  第１導電型のクラッド層の上に第１の元素と第２の元素と第３の元素とを含む活性層を形成する工程。
【００４４】
▲５▼  活性層の上に第１の元素と第２の元素と第３の元素とを含む第２導電型のクラッド層を形成する工程。
【００４５】
▲６▼  第２導電型のクラッド層の上に第１の元素と第２の元素とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２導電型のコンタクト層を形成する工程。
【００４６】
▲７▼  コンタクト層の上に第２の電極層を形成する工程。
▲８▼  活性層の端面からなる出射面に第３の元素からなる膜を形成する工程。
【００４７】
▲９▼  第３の元素からなる膜を融解させることにより、第３の元素を活性層に混入させて活性層の禁制帯幅を大きくする工程。
【００４８】
ここで、活性層の禁制帯幅を大きくする工程は、第３の元素からなる膜にレーザ光線を照射することにより、第３の元素からなる膜を融解させることが好ましい。
【００４９】
また、活性層の禁制帯幅を大きくする工程は、活性層に電流を流すことにより、活性層からレーザ光線を発生させ、そのレーザ光線を第３の元素からなる膜に照射することにより第３の元素からなる膜を融解させることを含むことが好ましい。
【００５０】
さらに、第１の元素はガリウムであり、第２の元素はヒ素であり、第３の元素はアルミニウムであることが好ましい。
【００５１】
このような工程を備えた半導体レーザの製造方法においては、▲９▼で示す工程において、第３の元素からなる膜を融解させて、第３の元素を活性層に混入させて活性層の端面の禁制帯幅を大きくする。そのため、第３の元素は、クラッド層よりも第３の元素からなる膜に多く含まれるため、クラッド層中の第３の元素を活性層に混入させる場合に比べて、多くの第３の元素を活性層に混入させることができる。そのため、活性層の端面の禁制帯幅を十分に大きくすることができる。したがって、活性層の端面において、光が吸収されない。その結果、半導体レーザの出力を大きくし、さらに、端面での発熱を防ぎ、信頼性を高めることができる。
【００５２】
また、第３の元素からなる膜にレーザ光線を照射することにより第３の元素からなる膜を融解させて、第３の元素を活性層中に混入すれば、第３の元素を確実に活性層中に混入することができる。
【００５３】
また、活性層に電流を流すことにより活性層からレーザ光線を発生させそのレーザ光線を第３の元素からなる膜に照射して第３の元素からなる膜を融解すれば、第３の元素を確実に活性層に混入することかできる。
【００５４】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１に従った半導体レーザを示す模式的な斜視図である。図１を参照して、半導体レーザ１は、ｎ型基板３と、ｎ型クラッド層４と、活性層５と、ｐ型クラッド層６と、ｎ型ブロック層７と、ｐ型コンタクト層８と、電極２、９と、パッシベーション膜１０、１１とを備えている。
【００５５】
ｎ型基板３の上面１８にｎ型クラッド層４が形成されている。基板３の下面１９に電極２が接している。ｎ型基板３の材質はＧａＡｓ化合物半導体である。電極２の材質はＡｕＧｅ／Ｎｉである。ｎ型クラッド層４の材質はＡｌＧａＡｓ化合物である。ｎ型クラッド層４上に活性層５が接するように形成されている。活性層５の材質はＡｌＧａＡｓ化合物である。活性層５上にｐ型クラッド層６が接するように形成されている。ｐ型クラッド層６の材質はＡｌＧａＡｓ化合物である。ｐ型クラッド層６上にｎ型ブロック層７が接するように形成されている。ｎ型ブロック層７の材質はＧａＡｓ化合物である。ｎ型ブロック層７の中央部には溝が形成されている。ｎ型ブロック層７とｐ型クラッド層６の双方にｐ型コンタクト層８が接するように形成されている。ｐ型コンタクト層８の材質はＧａＡｓ化合物半導体である。
【００５６】
ｐ型コンタクト層８上に電極９が接するように形成されている。電極９の材質はＡｕ／ＡｕＺｎである。活性層５中のＡｌの割合は、ｎ型クラッド層４およびｐ型クラッド層６中のＡｌの割合よりも小さい。また、図中点線で囲んだストライプ状発光領域１４からレーザ光が発生する。ストライプ状発光領域１４は、ｎ型クラッド層４と、活性層５と、ｐ型クラッド層６により構成され、ｐ型クラッド層６とｐ型コンタクト層８が接する面の下に形成される。
【００５７】
出射面１２にパッシベーション膜１０が形成されている。パッシベーション膜１０は、Ｓｉ膜と、ＳｉＯ2 膜からなる多層膜となっている。パッシベーション膜１０は、ほぼ透明である。後部端面１３にパッシベーション膜１１が接している。パッシベーション膜１１も、ＳｉＯ2 膜と、Ｓｉ膜の多層構造となっているが、パッシベーション膜１０よりも膜厚が厚い。
【００５８】
次に、図１で示す半導体レーザの製造方法について説明する。
図２は、図１で示す半導体レーザの製造方法の第１工程を示す模式的な斜視図である。図２を参照して、ＧａＡｓ化合物半導体からなるｎ型基板３の上面１８にＡｌＧａＡｓ化合物からなる厚さ約０．７μｍのｎ型クラッド層４をＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）法により成長させる。
【００５９】
次に、ｎ型クラッド層４の上にＡｌＧａＡｓ化合物からなる厚さ約０．７μｍの活性層５をＭＯＣＶＤ法により形成する。活性層５上にＡｌＧａＡｓ化合物からなる厚さ約０．７μｍのｐ型クラッド層６をＭＯＣＶＤ法により形成する。ここで、活性層５中のＡｌの割合は、ｎ型クラッド層４およびｐ型クラッド層６中のＡｌの割合よりも小さい。
【００６０】
ｐ型クラッド層６上にＧａＡｓ化合物を約０．６μｍの厚さで形成し、このＧａＡｓ化合物を選択的にエッチングして、ｐ型クラッド層６の表面を選択的に露出させる。これにより、ｎ型ブロック層７を形成する。溝の深さは約０．７μｍである。ｐ型クラッド層６とｎ型ブロック層７に接するようにＧａＡｓ化合物半導体からなるｐ型コンタクト層８をＭＯＣＶＤ法により形成する。基板３の下面１９を研磨する。
【００６１】
次に、蒸着法により、基板３の下面１９に、ＡｕＧｅ／Ｎｉからなる電極２を形成する。また、ｐ型コンタクト層８上に蒸着法によりＡｕ／ＡｕＺｎからなる電極９を形成する。
【００６２】
次に、劈開により、出射面１２と後部端面１３を形成する。出射面１２と後部端面１３との距離は約３００μｍである。
【００６３】
図３を参照して、出射面１２および後部端面１３に、真空中または水素雰囲気中で、矢印１５で示すＡｒレーザをあて、出射面１２および後部端面１３の温度を２００〜３００℃とする。これにより、出射面１２および後部端面１３に付着した不純物や酸化物を揮発させる。
【００６４】
図１を参照して、レーザ光が照射された出射面１２にＣＶＤ法により、Ｓｉ膜とＳｉＯ2 膜を積層し、パッシベーション膜１０を形成する。次に、後部端面１３にＳｉ膜とＳｉＯ2 膜を積層し、パッシベーション膜１１を形成する。パッシベーション膜１０の厚さは約０．４μｍであり、反射率は３％である。また、パッシベーション膜１１の厚さは０．８μｍであり、反射率は９０％である。
【００６５】
このように構成されたこの発明の半導体レーザの製造方法においては、図３で示す工程において、出射面１２および後部端面１３に矢印１５で示すＡｒレーザを照射するため、出射面１２および後部端面１３に付着した不純物、酸化物が揮発する。そのため、従来技術では考慮されていなかった、不純物や酸化物による禁制帯幅の減少がなく、半導体レーザの端面で禁制帯幅が小さくなることがない。したがって、活性層の端面において、光が吸収されない。その結果、半導体レーザの出力を大きくし、さらに端面での発熱を防ぎ、信頼性を高めることができる。
【００６６】
（実施の形態２）
図４は、この発明の実施の形態２に従った半導体レーザを示す模式的な斜視図である。図４を参照して、半導体レーザ２１は、電極２２、２９と、ｎ型基板２３と、ｎ型クラッド層２４と、活性層２５と、ｐ型クラッド層２６と、ｎ型ブロック層２７と、ｐ型コンタクト層２８と、パッシベーション膜３０、３１と、アルミニウム膜３６とを備えている。
【００６７】
図４で示す半導体レーザ２１は、図１で示す半導体レーザ１とほぼ同様の構造である。そのため、図４中の電極２２、ｎ型基板２３、ｎ型クラッド層２４、活性層２５、ｐ型クラッド層２６、ｎ型ブロック層２７、ｐ型コンタクト層２８、電極２９、パッシベーション膜３０、３１、出射面３２、後部端面３３、ストライプ状発光領域３４、上面３８、下面３９は、図１中の同一名称のものと同一物である。
【００６８】
図４で示す半導体レーザ２１と、図１で示す半導体レーザ１の唯一の違いは、図４で示す半導体レーザ２１においては、出射面３２とパッシベーション膜３０との間および後部端面３３とパッシベーション膜３１との間にアルミニウム膜３６が形成されている点である。
【００６９】
次に、図４で示す半導体レーザの製造方法について説明する。図５は、図４で示す半導体レーザの製造方法を示す模式的な斜視図である。図５を参照して、実施の形態１中の図２と同様に、ｎ型基板２３、ｎ型クラッド層２４、活性層２５、ｐ型クラッド層２６、ｎ型ブロック層２７、ｐ型コンタクト層２８、電極９および２を形成する。次に、出射面３２および後部端面３３に、スパッタリング法によりアルミニウム膜３６を約７ｎｍの厚さで形成する。このアルミニウム膜３６により、出射面３２および後部端面３３上で酸化ガリウム等を形成している酸素原子がアルミニウム膜３６中に取込まれ、アルミナとなる。
【００７０】
図４を参照して、アルミニウム膜３６が形成された出射面３２および後部端面３３にパッシベーション膜３０および３１を形成する。以上のようにして、半導体レーザ２１が完成する。
【００７１】
このように構成された半導体レーザの製造方法においては、図５で示す工程において、出射面３２および後部端面３３にアルミニウム膜３６を形成するため、出射面３２および後部端面３３上で酸化ガリウム等を形成している酸素原子をアルミナとしてアルミニウム膜３６中に取込むことができる。アルミナは安定な物質であるため、アルミナ中の酸素原子はガリウム等とは結合しない。そのため、従来は考慮されていなかった酸化物による禁制帯幅の減少を抑えることができる。よって、活性層の端面で、禁制帯幅が小さくならず、端面での光の吸収を防ぐことができる。したがって、レーザ出力を大きくし、さらに、端面での発熱を防ぐことができ、半導体レーザの信頼性を向上させることができる。
【００７２】
（実施の形態３）
図６は、この発明の実施の形態３に従った半導体レーザを示す模式的な斜視図である。図６を参照して、半導体レーザ４１は、電極４２、４９と、ｎ型基板４３と、ｎ型クラッド層４４と、活性層４５と、ｐ型クラッド層４６と、ｎ型ブロック層４７と、ｐ型コンタクト層４８と、パッシベーション膜５０、５１とを備えている。
【００７３】
図６で示す半導体レーザ４１は、図４で示す半導体レーザ２１とほぼ同一の構成である。そのため、図６中の電極４２、ｎ型基板４３、ｎ型クラッド層４４、活性層４５、ｐ型クラッド層４６、ｎ型ブロック層４７、ｐ型コンタクト層４８、電極４９、パッシベーション膜５０、５１、出射面５２、後部端面５３、ストライプ状発光領域５４、アルミニウム膜５６、上面５８、下面５９は、図４中の同一名称のものと同一物である。
【００７４】
図６で示す半導体レーザ４１と、図４で示す半導体レーザ２１の唯一の違う点は、図６で示す半導体レーザ４１においては、活性層４５の出射面５２および後部端面５３での禁制帯幅が、図４で示す活性層２５の禁制帯幅に比べて大きくなっている点である。
【００７５】
次に、図６で示す半導体レーザの製造方法について説明する。図７および図８は、図６で示す半導体レーザの製造方法を示す模式的な斜視図である。図７および図８を参照して、実施の形態１の図２で示すように、ｎ型基板４３、ｎ型クラッド層４４、活性層４５、ｐ型クラッド層４６、ｎ型ブロック層４７、ｐ型コンタクト層４８、電極４２および４９、出射面５２、後部端面５３を形成する。次に、出射面５２および後部端面５３に厚さ約７ｎｍのアルミニウム膜５６をスパッタリング法により形成する。次に、出射面５２および後部端面５３に矢印５５で示すＡｒレーザ光を照射することにより、アルミニウム膜５６および出射面５２および後部端面５３を１０００℃以上として、アルミニウム膜中のアルミニウムを活性層４５に混入させる（図７）。また、電極４２、４９間に通常のレーザ発振時の１０倍以上の電圧を加え、高出力のレーザ光７５を発生させ、このレーザ光７５をアルミニウム膜５６に照射することにより、アルミニウム膜５６と出射面５２と後部端面５３とを１０００℃以上の高温としてもよい（図８）。これにより、アルミニウム膜５６中のアルミニウムが活性層４５に混入する。そのため、活性層４５の禁制帯幅は、出射面５２および後部端面５３付近で大きくなる。
【００７６】
図６を参照して、実施の形態１中のパッシベーション膜１０と同様のパッシベーション膜５０、５１を、ＣＶＤ法により形成する。このようにして、半導体レーザ４１が完成する。
【００７７】
このように構成された半導体レーザの製造方法においては、図７および図８で示す工程において、アルミニウム膜５６を融解させて、アルミニウム膜５６中のアルミニウムを活性層４５に混入させる。そのため、ｎ型クラッド層４４およびｐ型クラッド層４６中のアルミニウムを活性層４５に混入させる場合に比べて、多くのアルミニウムを活性層に混入させることができ、出射面５２および後部端面５３での禁制帯幅を一層大きくすることができる。
【００７８】
また、出射面５２および後部端面５３にアルミニウム膜５６を形成するため、出射面５２および後部端面５３上の酸化ガリウム等を形成する酸素原子をアルミニウム膜５６中にアルミナとして取込むことができ、出射面５２および後部端面５３での禁制帯幅を一層大きくすることができる。
【００７９】
したがって、活性層の端面において、光が吸収されない。その結果、半導体レーザの出力を大きくし、さらに端面での発熱を防ぎ、信頼性を高めることができる。
【００８０】
以上、この発明について説明したが、ここで示した実施の形態さまざまに変形可能である。すなわち、半導体レーザの出射面および後部端面に照射するレーザは、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、炭酸ガスレーザなどいずれのレーザでもよい。また、ｐ型クラッド層などを成長させる方法は、ＭＯＣＶＤ法のみならず、分子線エピタキシャル法、液相エピタキシャル法などでもよい。また、ｎ型基板として、ＧａＡｓ化合物半導体を示したが、これ以外にも、ＩｎＧａＡｓＰなどの周知の材料に置換えることも可能である。
【００８１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００８２】
【発明の効果】
この発明によれば、半導体レーザの出射面に付着した酸化物や不純物を除去し、半導体レーザの出力信頼性を高めることができる。
【００８３】
さらに、この発明によれば、半導体レーザの活性層の端面での禁制帯幅を大きくし、半導体レーザの出力、信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１に従った半導体レーザを示す模式的な斜視図である。
【図２】  図１で示す半導体レーザの製造方法の第１工程を示す模式的な斜視図である。
【図３】  図１で示す半導体レーザの製造方法の第２工程を示す模式的な斜視図である。
【図４】  この発明の実施の形態２に従った半導体レーザを示す模式的な斜視図である。
【図５】  図４で示す半導体レーザの製造方法を示す模式的な斜視図である。
【図６】  この発明の実施の形態３に従った半導体レーザを示す模式的な斜視図である。
【図７】  図６で示す半導体レーザの製造方法を示す模式的な斜視図である。
【図８】  図６で示す半導体レーザの別の製造方法を示す模式的な斜視図である。
【図９】  従来の半導体レーザを示す模式的な斜視図である。
【図１０】  図９で示す半導体レーザの製造方法を示す模式的な斜視図である。
【符号の説明】
１、２１、４１  半導体レーザ、２、９、２２、２９、４２、４９  電極、３、２３、４３  ｎ型基板、４、２４、４４  ｎ型クラッド層、５、２５、４５活性層、６、２６、４６  ｐ型クラッド層、８、２８、４８  ｐ型コンタクト層、１０、３０、５０  パッシベーション膜、１２、３２、５２  出射面、１５、５５、７５  レーザ光、１８、３８、５８  上面、１９、３９、５９  下面、３６、５６  アルミニウム膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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