(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理水から不純物を除去して超純水を製造する超純水製造装置において、常圧脱気装置と、逆浸透装置と、１８５ｎｍ付近の波長を含む紫外線を照射可能な低圧または中圧の水銀ランプを備えた第１の紫外線照射装置と、第１のイオン交換装置と、真空脱気装置と、１８５ｎｍ付近の波長を含む紫外線を照射可能な低圧または中圧の水銀ランプを備えた第２の紫外線照射装置と、第２のイオン交換装置とを前記被処理水の流路に沿って順に設けてなることを特微とする超純水製造装置。
【請求項２】
前記常圧脱気装置へ供給される前記被処理水のｐＨは、２〜６．５であることを特徴とする請求項１に記載の超純水製造装置。
【請求項３】
前記被処理水は、酸の添加またはカチオン交換装置を通過した後に前記常圧脱気装置へ供給されることを特微とする請求項１または２に記載の超純水製造装置。
【請求項４】
前記常圧脱気装置へ供給される前記被処理水の温度は、３０℃〜６０℃であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の超純水製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶や半導体素子を製造する電子工業、原子力発電所、医薬製造工場等で広く利用される超純水の製造装置に係り、特に、被処理中に微量存在する揮発性物質を含む有機物を、効率的に除去するようにした超純水製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、液晶や半導体素子（ＬＳＩ）等の製造工程において多量の超純水が用いられているが、近年、半導体素子の洗浄に使用した洗浄廃水をリサイクルして再利用する超純水製造装置のクローズドシステムが用いられるようになってきている。
【０００３】
こうしたクローズドシステムにおいては、半導体製造工程からの洗浄廃水のみならず、超純水の原水として導入する市水、工業用水あるいは井水等を同時に処理することが要求される。
【０００４】
半導体プロセスにおける洗浄工程では、イソプロピルアルコールのような有機系溶剤が洗浄廃水に混入するため、大量に発生する洗浄廃水を再利用する場合には、こうした廃水中の有機物を除去する必要がある。また、市水、工業用水あるいは井水等の中には、フミン酸類や化学的に安定なトリハロメタン類等が混入している。さらに、純水または超純水の原水としてー般に使用される市水または井水中には腐敗した動植物や微生物に起因する有機物が含まれていることが多いため、純水または超純水の製造プロセスにおいて、これらの有機物を除去する必要がある。
【０００５】
従来から、市水、井水あるいは洗浄廃水から超純水を製造する方法として、凝集ろ過、逆浸透膜処理、イオン交換処理、限外ろ過膜処理などを組み合わせた処理が行われているが、これらの方法では上述した有機物の完全な除去は困難である。この問題を解決する方法として、被処理水中にオゾンを添加し、オゾン添加後の被処理水に紫外線照射を行い、被処理水中の有機物を効率よく酸化分解させる方法が提案されている。この方法によれば、オゾンと水の光反応が行われて酸化力の強い・ＯΗラジカルが生成され、効果的に有機物の酸化分解が行われる。しかしながら、この方法では、オゾンと水との反応により過酸化水素が発生し後段に設置されているイオン交換樹脂を酸化劣化させたり、配管を腐食させるといった新たな問題が生じている。
【０００６】
また、通常、過酸化水素を除去するために後段に活性炭塔を設置して過酸化水素を接触分解する方法がとられているが、この方法においては活性炭塔内で微生物が増殖し、微生物から生成した有機物のー部が活性炭に吸着されて再溶出し、水質に大きな影響を与えるという問題があった。
【０００７】
さらに、活性炭塔内で微生物が増殖すると、後段のイオン交換樹脂塔もその影響を受けて通水性が低下するようになるが、このような状態になるとイオン交換塔は分解洗浄などのメンテナンスが必要となって運用コストが上昇し、管理上も繁雑になるという問題もあった。
【０００８】
また、市水、井水あるいは洗浄廃水から超純水を製造する別の方法として、被処理水に過酸化水素を添加し、これに高圧紫外線ランプにより過酸化水素を反応させる２５４ｎｍより長波長の波長を有する紫外線を照射して有機物を酸化分解し、被処理水中の有機物を除去する方法も行われている。
【０００９】
しかしながら、この方法に使用する高圧紫外線ランプは１本当たりの価格が非常に高価な上、消費電力量が非常に大きく、かつ被処理水の滞留時聞を長くとらなければならないため大きな貯槽が必要であり、広いスペースが要求されるという問題があった。
【００１０】
すなわち、超純水製造装置のクローズドシステムを設置するにあたり、初期投資および運用コストを上昇させるという問題があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来の問題を解消すべくなされたもので、イオン交換樹脂の酸化劣化がなく、微生物の増殖や有機物の再溶出の問題が解消され、多量の電力を必要とせず、運用コストが安く、省スペース性を有し、装置管理が容易で安定した運転が可能な超純水製造装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明による超純水製造装置は、被処理水から不純物を除去して超純水を製造する超純水製造装置において、常圧脱気装置と、逆浸透装置と、第１の紫外線有機物分解装置と、第１のイオン交換装置と、真空脱気装置と、第２の紫外線有機物分解装置と、第２のイオン交換装置とを前記被処理水の流路に沿って順に設けてなることを特徴としている。
【００１３】
したがって、本発明においては、被処理水は常圧脱気装置に導入されて、被処理水中に存在する溶存気体および揮発性有機物が除去される。次いで、溶存気体および揮発性有機物が除去された被処理水は逆浸透装置に導入され、被処理水中の塩類、有機物、微粒子および生菌が除去される。通常、常圧脱気装置と逆浸透装置により、ΤＯＣ濃度がｐｐｍオーダーである被処理水はΤＯＣ濃度８０〜２００ｐｐｂ程度にまで処理される。そして、塩類、有機物、微粒子および生菌を除去された被処理水に紫外線が照射され、被処理水中の有機物はほぼ完全に酸化分解されて有機酸あるいは二酸化炭素にまで分解する。この紫外線による反応は以下に示す通りであり、（１）水より生成したヒドロキシラジカルにより、（２）被処理水中の有機物がカルボン酸等の有機酸の段階まで酸化分解され、（３）さらに一部は炭酸ガスにまで酸化分解されるというものである。
【００１４】
（１）Ｈ2 Ｏ＋ｈν→・ＯΗ
（２）Ｒ−Ｃ＋・ＯΗ→ＲＣＯＯΗ
（３）ＲＣＯＯΗ→ＣＯ2 ＋Ｈ2 Ｏ
次に、紫外線が照射された被処理水は第１のイオン交換装置に導入され、被処理水のイオン成分が除去される。
【００１５】
次に、イオン成分が除去された被処理水は真空脱気装置に導入され、被処理水中に僅かに存在する溶存気体および揮発性有機物が再び除去される。そして、再び被処理水に紫外線が照射され、被処理水中の僅かな有機物は上述した反応により二酸化炭素に分解される。この後、紫外線が再び照射された被処理水は第２のイオン交換装置に導入され、被処理水のイオン成分が除去されるのである。
【００１６】
これら一連の処理により、通常、被処理水のΤＯＣ濃度は１ｐｐｂ前後にまで低減される。処理された超純水は高純度であり、再度半導体製造設備で使用可能となる。
【００１７】
本発明の常圧脱気装置としては、テラレットやラシヒリング等の充填材を充填した充填層の上部より被処理水を供給し、底部より大気を導入する常圧脱気装置を用いることができるが、特に限定されるものではない。
【００１８】
本発明においては、常圧脱気装置へ供給する被処理水のｐΗを６．５〜２、より好ましくは３〜２．５とすることにより、被処理水中に存在する例えば二酸化炭素等の溶存気体およびトリクロロエチレン等のトリハロメタン類が効率よく除去される。化学的に安定であるトリハロメタン類を除去することにより、後段に設置された紫外線有機物分解装置において被処理水中に存在する有機物の分解効率を高めることができる。
【００１９】
常圧脱気装置へ供給する被処理水のｐＨを６．５〜２に調整するには、カチオン交換装置に予め被処理水を通水する方法、塩酸あるいは硫酸等の酸を添加する方法、あるいはこれらの方法を併用する方法があるが、特にこれらに限定はされない。
【００２０】
また、常圧脱気装置への供給水の温度を３０℃〜６０℃、望ましくは３５℃〜６０℃に調整すると、トリハロメタン類だけでなく、低分子アルコール等の揮発性有機物も除去でき、後段に設置された紫外線有機物分解装置における有機物の分解効率をさらに高めることができるのでより好ましい。常圧脱気装置の構成部材がＰＶＣ等の低融点の素材である場合には、常圧脱気装置への供給水の温度を３５℃〜４０℃とすることが望ましい。また、常圧脱気装置の構成部材が耐熱性樹脂、例えば、耐熱ＰＶＣ、フッ素系樹脂のＰＶＤＦ等あるいはステンレス鋼等である場合には、常圧脱気装置への供給水の温度を６０℃程度にまで高めることができるのでより好ましい。
【００２１】
本発明において、真空脱気装置は、真空度３５トール以下において不活性ガスを被処理水の体積基準にして０．００１〜１．０、好ましくは０．０１〜０．０５の体積流量比で送入しながら真空脱気する不活性ガス添加式真空脱気装置の使用が望ましいが、特に限定されるものではない。
【００２２】
不活性ガスとしては、アルゴンガス等の使用も可能であるが、窒素ガスの使用がより好ましい。
【００２３】
また、逆浸透装置は、逆浸透膜として例えば酢酸セルロース、脂肪族ポリアミド系あるいは芳香族ポリアミド系またはこれらの複合系からなる各種有機高分子膜あるいはセラミック膜等が使用でき、低圧または中圧逆浸透膜のいずれも適用可能であるが、特にこれらに限定はされない。また、膜モジュールの形式としては、中空糸型モジュール、管状型モジュール、スパイラル型モジュールあるいは平膜型モジュールが適用できるが、特にこれらに限定はされない。
【００２４】
本発明においては、逆浸透装置内での沈殿物の析出を確実に防止し、長期にわたる処理能力の維持を可能とするために、逆浸透装置へ供給する被処理水のｐΗを６〜９、好ましくは６．５〜８．０にするとよい。
【００２５】
逆浸透装置へ供給する被処理水のｐＨを６〜９に調整するには、アニオン交換装置に予め被処理水を通水する方法、水酸化ナトリウムあるいはアンモニア水等のアルカリを添加する方法、あるいはこれらの方法を併用する方法があるが、特にこれらに限定はされない。
【００２６】
逆浸透装置は、被処理水のＴＯＣ濃度に応じて２段以上とされる。例えば、ＴＯＣ濃度が０．５ｐｐｍ〜３ｐｐｍの場合には、逆浸透装置を２段に設けることが好ましい。
【００２７】
本発明のイオン交換装置としては、被処理水中の二酸化炭素、有機酸あるいは他のイオン成分を除去するための強塩基性アニオン交換樹脂を充填した再生型または非再生型の単床式イオン交換装置あるいは強塩基性アニオン交換樹脂およびカチオン交換樹脂を充填した再生型または非再生型の混床式イオン交換装置のいずれでもよく、これに用いるイオン交換樹脂としては、新品もしくはそれに類する破砕が無く、イオン交換性能が高く、また溶出のないものが望ましい。
【００２８】
本発明の紫外線有機物分解装置としては、主ピークがほぼ１８５ｎｍにある紫外線を照射可能な低圧あるいは中圧水銀ランプのような紫外線照射装置が用いられる。
【００２９】
この紫外線の有機物に対する反応は、有機物の紫外線による直接分解と、ほぼ１８５ｎｍの紫外線により水から発生したヒドロキシラジカルが酸化剤として有機物に作用し有機物が酸化分解される間接分解とからなっている。
【００３０】
紫外線有機物分解装置に使用する、例えば低圧紫外線ランプの消費電力は、高圧紫外線ランプの消費電力の１／４〜１／１２であり、非常に消費電力量が少ない。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照しながら本発明の実施例について詳細に説明する。なお、本発明は、その要旨を逸脱しないならば、本実施例に限定されるものではない。
図１は、本発明の超純水製造装置の一実施例を示した図である。
【００３２】
図１において、符号１および５はプレート式熱交換装置（（株）日坂製作所、ＵＸ−０１６−ΗＪ−８）、２はここを通過した被処理水に塩酸を添加するための酸添加装置、３は充填材としてテラレットＳタイプ（日鉄化工機（株）、充填径４５０ｍｍ、充填層高１８００ｍｍ）を充填した常圧脱気装置である。符号４はここを通過した被処理水に水酸化ナトリウムを添加するためのアルカリ添加装置、符号６は逆浸透装置（日東電工（株）、ＮＴＲ−７５９・ＵＰ）である。符号７および１１は、低圧紫外線ランプ酸化装置（千代田工販（株）、ΤＤＦＬ−４、照射量０．２５ｋＷｈ／ｍ3 ）であり、１８５ｎｍ付近の波長をピークとする紫外線が照射される。符号８および１２は混床式イオン交換装置であって、アニオン交換樹脂として強塩基性アニオン交換樹脂デュオライトＡ−１１３ｐｌｕｓ（ローム＆ハース社）を３３リットル、カチオン交換樹脂として強酸性カチオン交換樹脂デュオライトＣ−２０（ローム＆ハース社）を２３リットル使用し、これらを予め再生してＨ型とＯＨ型に変換した後に混合充填したものである。この混床式イオン交換装置のイオン交換容量は０．９当量／リットル−Resin である。符号９は、充填材としてテラレットＳタイプ（日鉄化工機（株）、充填径２５０ｍｍ、充填層高２０００ｍｍ）を充填し、窒素ガスと被処理水との体積比率を０．０３：１とした窒素ガス添加方式の真空脱気装置である。
【００３３】
符号１４は、被処理水をプレート式熱交換装置１に導入するライン、経路Ａは比較のために酸添加装置２においてｐＨが調整された被処理水を常圧脱気装置３をバイパスしてプレート式熱交換装置５に供給するためのライン、１５は常圧脱気装置３において溶存気体および揮発性有機物が除去された被処理水あるいは常圧脱気装置３をバイパスした被処理水にアルカリ添加装置４から水酸化ナトリウムを添加しプレート式熱交換装置５に被処理水を供給するライン、１６は逆浸透装置において塩類、有機物、微粒子および生菌が除去された被処理水を低圧紫外線ランプ酸化装置７に供給するライン、１７は混床式イオン交換装置８においてイオン成分が除去された被処理水を真空脱気装置９に供給するライン、１８は真空脱気装置９において溶存気体および揮発性有機物が除去された被処理水を低圧紫外線ランプ酸化装置１１に供給するライン、１９はイオン交換装置１２においてイオン成分が除去され、最終的に超純水にまで処理された被処理水を不図示のユースポイントに供給するラインである。
【００３４】
そして、被処理水は所定の位置に設けられたポンプ１３の駆動力により各ラインを通水するように構成されている。
【００３５】
本実施例および本比較例は、このように構成された超純水製造装置を用いて実施された。
【００３６】
（実施例１）
被処理水として、ΤＯＣ濃度が約３００ｐｐｂとなるよう超純水にイソプロピルアルコールを添加し、さらに、体積流量比１：１の割合で厚木市水と混合することにより、プレート式熱交換装置１の入口でΤＯＣ濃度が約４８０ｐｐｂである模擬有機廃水を作成した。
【００３７】
模擬有機廃水は、ライン１４により流量３．０ｍ3 ／ｈでプレート式熱交換装置１に導入された。プレート式熱交換装置１において、導入された模擬有機廃水は３５℃まで加温され、常圧脱気装置３に供給される過程で酸添加装置２からの塩酸の添加によりｐＨ２．７に調整された後、常圧脱気装置３に供給された。
【００３８】
常圧脱気装置３では、模擬有機廃水は流速（ＬＶ）＝１９ｍ／ｈで脱気処理されて、模擬有機廃水中に存在する溶存気体および揮発性有機物が除去された。常圧脱気装置３の出口における模擬有機廃水中のΤＯＣ濃度を測定したところ、約４５０ｐｐｂに減少していた。
【００３９】
次いで、常圧脱気装置３で脱気処理された模擬有機廃水はライン１５でアルカリ添加装置４からの水酸化ナトリウムの添加によりｐＨ７．５に調整された後、流量３．０ｍ3 ／ｈでプレート式熱交換装置５に導入された。プレート式熱交換装置５において、模擬有機廃水は２５℃にまで冷却され、逆浸透装置６に導入されて、塩類、有機物、微粒子および生菌が除去された。逆浸透装置６の出口における模擬有機廃水中のΤＯＣ濃度を測定したところ、約１２０ｐｐｂに減少していた。
【００４０】
逆浸透装置６において塩類、有機物、微粒子および生菌が除去された模擬有機廃水は、ライン１６により流量１．５ｍ3 ／ｈで低圧紫外線ランプ酸化装置７に導入された。そして、低圧紫外線ランプ酸化装置７に導入された模擬有機廃水に約１８５ｎｍの波長の紫外線が照射され、模擬有機廃水中の有機物はほぼ完全に酸化分解された。
【００４１】
次に、紫外線が照射された模擬有機廃水は、ライン１６により流速（ＬＶ）＝３１ｍ／ｈでイオン交換装置８に導入され、模擬有機廃水中のイオン成分は除去された。イオン交換装置８の出口における模擬有機廃水中のΤＯＣ濃度を測定したところ、２０ｐｐｂに減少していた。
【００４２】
次いで、イオン成分が除去された模擬有機廃水は、ライン１７により流速（ＬＶ）＝３１ｍ／ｈで真空脱気装置９に導入され、模擬有機廃水中に僅かに存在する溶存気体および揮発性有機物が再び除去された。真空脱気装置９は、窒素ガスと模擬有機廃水の体積比率を０．０３：１とした窒素ガス添加方式の真空脱気装置であり、真空ポンプ１０により真空脱気装置９内の真空度は２７．５トールに維持されていた。真空脱気装置９の出口における模擬有機廃水中のΤＯＣ濃度を測定したところ、１２ｐｐｂに減少していた。
【００４３】
そして、模擬有機廃水は、ライン１８により流量１．５ｍ3 ／ｈで低圧紫外線ランプ酸化装置１１に導入され、再び模擬有機廃水に約１８５ｎｍの波長の紫外線が照射されて、模擬有機廃水中の僅かな有機物は酸化分解された。  最後に、模擬有機廃水は、低圧紫外線ランプ酸化装置１１からイオン交換装置１９に導入され、流速（ＬＶ）＝３１ｍ／ｈで模擬有機廃水中のイオン成分が除去されて、ライン１９より取り出された。
【００４４】
ライン１９から取り出された模擬有機廃水の最終的なΤＯＣ濃度は０．５〜０．７ｐｐｂであり、例えば半導体製造工程で用いられる洗浄水として十分な水質を達成することができた。
【００４５】
各実施例における模擬有機廃水の処理条件は表１に、また各装置出口における模擬有機廃水のΤＯＣ濃度は表２に示されている。
【００４６】
【表１】
0003645007.tif 000002
【００４７】
表２から明らかなように、実施例２では常圧脱気装置３の出口における模擬有機廃水中のΤＯＣ濃度はほとんど低下せず、ライン１９から取り出された模擬有機廃水の最終的なΤＯＣ濃度は１．４〜１．６ｐｐｂであった。
【００４８】
これは、常圧脱気装置３に供給される模擬有機廃水のｐΗが実施例１と比べて高いために、特にトリクロロエチレン等のトリハロメタン類の除去が不十分になったためと考えられる。
【００４９】
（実施例３）
表１に示すように、模擬有機廃水へのプレート式熱交換装置１での加温を中止し、模擬有機廃水の温度を２５℃として常圧脱気装置３に模擬有機廃水を供給したこと以外は実施例１と全くの同一条件として、超純水製造装置に模擬有機廃水を通水して処理を行った。
【００５０】
表２から明らかなように、実施例３では常圧脱気装置３の出口における模擬有機廃水中のΤＯＣ濃度は実施例１と比べると低下せず、ライン１９から取り出された模擬有機廃水の最終的なΤＯＣ濃度は１．１〜１．３ｐｐｂであった。
【００５１】
これは、模擬有機廃水の温度が実施例１と比べて低いために、特に、低分子アルコールであるイソプロピルアルコールの除去が不十分になったためと考えられる。
【００５２】
（実施例４）
表１に示すように、アルカリ添加装置４からの模擬有機廃水への水酸化ナトリウムの添加を中止し、模擬有機廃水のｐΗを２．８としたまま逆浸透装置６に模擬有機廃水を供給したこと以外は実施例１と全くの同一条件として、超純水製造装置に模擬有機廃水を通水して処理を行った。
【００５３】
表２から明らかなように、実施例４では逆浸透装置６の出口における模擬有機廃水中のΤＯＣ濃度は実施例１と比べると低下せず、ライン１９から取り出された模擬有機廃水の最終的なΤＯＣ濃度は１．６〜１．８ｐｐｂであった。
【００５４】
これは逆浸透装置６に供給される模擬有機廃水のｐΗが実施例１と比べて低いために、逆浸透装置６内でシリカ成分等が析出して逆浸透膜を詰まらせ、塩類、有機物、微粒子および生菌の除去が不十分になったためと考えられる。
【００５５】
（実施例５）
表１に示すように、真空脱気装置９への窒素ガスの添加を中止して模擬有機廃水を脱気処理したこと以外は実施例１と全くの同一条件として、超純水製造装置に模擬有機廃水を通水して処理を行った。このとき、真空脱気装置９内における真空度は２６．５トールであった。
【００５６】
表２から明らかなように、実施例５では真空脱気装置９の出口における模擬有機廃水中のΤＯＣ濃度は実施例１と比べると低下せず、ライン１９から取り出された模擬有機廃水の最終的なΤＯＣ濃度は１．２〜１．４ｐｐｂであった。
【００５７】
これは、窒素ガスの添加を中止したために、真空脱気装置９での模擬有機廃水に対する脱気効率が低下し、二酸化炭素等の溶存気体あるいは低分子アルコールであるイソプロピルアルコールの除去が不十分になったためと考えられる。
【００５８】
（比較例１）酸添加装置２で塩酸が添加された模擬有機廃水が経路Ａにより常圧脱気装置３をバイパスされてプレート式熱交換装置５に導入されたこと以外は実施例１と全くの同一条件として、超純水製造装置に模擬有機廃水を通水して処理を行った。表２から明らかなように、比較例１では逆浸透装置６の出口における模擬有機廃水中のΤＯＣ濃度は実施例１と比べると低下せず、ライン１９から取り出された模擬有機廃水の最終的なΤＯＣ濃度は１０〜１１ｐｐｂであり、非常に高いものとなった。
なお、表１中の「常圧脱気装置３へ供給される模擬有機排水のｐＨ」、「常圧脱気装置３へ供給される模擬有機排水の温度」は、それぞれ「常圧脱気装置３のバイパス経路Ａに通水された模擬有機排水のｐＨ」、「常圧脱気装置３のバイパス経路Ａに通水された模擬有機排水の温度」である。
【００５９】
これは、常圧脱気装置３をバイパスしたために、トリハロメタン類および低分子アルコールであるイソプロピルアルコールの除去が不可能となり、後段に設置された紫外線有機物分解装置への負荷が増大したためと考えられる。
【００６０】
以上から、本発明の超純水製造装置においては、被処理水に存在する１００ｐｐｂオーダーのΤＯＣを１／１００〜１／１０００にまで減少させることが可能である。このとき、実施例１〜実施例５の結果から明らかなように、（Ａ）ｐΗが酸性側に傾いた被処理水を常圧脱気装置３に供給すること、（Ｂ）水温が３０℃以上の被処理水を常圧脱気装置３に供給すること、（Ｃ）ｐΗがアルカリ性側に傾いた被処理水を逆浸透装置６に供給すること、（Ｄ）真空脱気装置９へ例えば窒素ガスを添加して被処理水を脱気処理することによりΤＯＣ濃度をより減少させることができる。
【００６１】
また、比較例１においてみられるように、本発明の超純水製造装置から脱気処理工程を除外した場合にはΤＯＣ濃度の顕著な減少がみられず、したがって本発明による効果は得ることができなかった。
【００６２】
なお、本実施例および比較例では、各ラインの素材がＰＶＣであること、逆浸透装置６の最高供給液温度が４０℃であることから、逆浸透装置６の入口において水温を２５℃にまで冷却したが、耐熱性逆浸透装置を使用した場合はこの限りでなく、プレート式熱交換装置５は任意のポイントに設置して何ら問題はない。
【００６３】
【発明の効果】
本発明によれば、被処理水に対して脱気処理を行うことにより、効率的に溶存気体および揮発性有機物を除去することが可能となり、例えば半導体製造工程に使用可能な水準にまで被処理水のＴＯＣ濃度を低減できる。また、オゾン等を使用しないためにイオン交換樹脂の酸化劣化がなく、活性炭等による微生物の増殖や有機物の再溶出の問題が解消される。さらに、多量の電力を必要とせず、省スペース性を有しているために運用コストが安くなる。そして、装置管理が容易で安定した運転も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による超純水製造装置の構成を示した図。
【符号の説明】
１………プレート式熱交換装置
２………酸添加装置
３………常圧脱気装置
４………アルカリ添加装置
５………プレート式熱交換装置
６………逆浸透装置
７………低圧紫外線ランプ酸化装置
８………イオン交換装置
９………真空脱気装置
１０………真空ポンプ
１１………低圧紫外線ランプ酸化装置
１２………イオン交換装置
１３………ポンプ
【図１】
0003645007.tif 000003