(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に処理液を供給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、
上記処理液が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなる処理液の供給手段を用意し、
上記被処理基板の被処理面下方に上記供給手段を対峙させた状態で、供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって処理液を供給すると共に、処理に供された処理液を、上記多孔質部を介して排出する、ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
被処理基板に処理液を供給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、
上記処理液及び洗浄液が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなる処理液の供給手段を用意し、
上記被処理基板の被処理面下方に上記供給手段を対峙させた状態で、供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって処理液を供給すると共に、処理に供された処理液を、上記多孔質部を介して排出し、
その後、上記供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって洗浄液を供給すると共に、洗浄に供された洗浄液を、上記多孔質部を介して排出する、ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
被処理基板に処理液を供給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、
上記処理液、洗浄液及び乾燥用気体が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなる処理液の供給手段を用意し、
上記被処理基板の被処理面下方に上記供給手段を対峙させた状態で、供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって処理液を供給すると共に、処理に供された処理液を、上記多孔質部を介して排出し、
その後、上記供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって洗浄液を供給すると共に、洗浄に供された洗浄液を、上記多孔質部を介して排出し、
その後、上記供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって乾燥用気体を供給すると共に、乾燥に供された乾燥用気体を上記多孔質部を介して排出する、ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
被処理基板に処理液を供給して、被処理基板を処理する基板処理装置であって、
上記被処理基板の被処理面下方に対峙する処理液の供給手段と、
上記供給手段に供給される処理液の供給源と、
上記供給手段から処理液を排出する排出手段とを具備し、
上記供給手段は、上記処理液が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなり、上記供給孔に上記処理液供給源を接続し、上記多孔質部に上記排出手段を接続してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４記載の基板処理装置において、
上記処理液の供給量と排出量の流量を制御可能な制御手段を具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４又は５記載の基板処理装置において、
上記処理液の温度を制御可能な温度制御手段を具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
被処理基板に処理液を供給して、被処理基板を処理する基板処理装置であって、
上記被処理基板の被処理面下方に対峙する処理液の供給手段と、
上記供給手段に供給される処理液の供給源と、
上記供給手段に供給される洗浄液の供給源と、
上記供給手段から処理液及び洗浄液を排出する排出手段とを具備し、
上記供給手段は、上記処理液及び洗浄液が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなり、上記供給孔に上記処理液供給源及び洗浄液供給源を切換可能に接続し、上記多孔質部に上記排出手段を接続してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７記載の基板処理装置において、
上記処理液及び洗浄液の供給量と排出量の流量の制御及び、供給手段に対する処理液供給源又は洗浄液供給源の切換制御可能な制御手段を具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項７又は８記載の基板処理装置において、
上記処理液及び洗浄液の温度を制御可能な温度制御手段を具備してなる、基板処理装置。
【請求項１０】
被処理基板に処理液を供給して、被処理基板を処理する基板処理装置であって、
上記被処理基板の被処理面下方に対峙する処理液の供給手段と、
上記供給手段に供給される処理液の供給源と、
上記供給手段に供給される洗浄液の供給源と、
上記供給手段に供給される乾燥用気体の供給源と、
上記供給手段から処理液、洗浄液及び乾燥用気体を排出する排出手段とを具備し、
上記供給手段は、上記処理液、洗浄液及び乾燥用気体が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなり、上記供給孔に上記処理液供給源、洗浄液供給源及び乾燥用気体供給源を切換可能に接続し、上記多孔質部に上記排出手段を接続してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の基板処理装置において、
上記処理液、洗浄液及び乾燥用気体の供給量と排出量の流量の制御及び、供給手段に対する処理液供給源、洗浄液供給源又は乾燥用気体供給源の切換制御可能な制御手段を具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１記載の基板処理装置において、
上記処理液、洗浄液及び乾燥用気体の温度を制御可能な温度制御手段を具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項４ないし１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記供給手段を構成する多孔質体の高さ寸法を、供給手段の中心部側から周辺部側に向かって漸次大きくなるように形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
請求項４ないし１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記供給手段の供給孔と処理液供給源とを、処理液を貯留する空間を介して接続してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
請求項４ないし１４のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記供給手段の周辺部に、多孔質部に連通する環状排出通路を周設すると共に、この環状排出通路に少なくとも１つの排出口を開設し、かつ、環状排出通路における排出口が開設された部位に、バッファ部を形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えばレジスト膜が形成された半導体ウエハやＬＣＤ基板等の基板の処理方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体ウエハの製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ基板等の基板表面に、レジストのパターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォトリソグラフィ技術は、基板の表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布工程と、形成されたレジスト膜に回路パターンを露光する露光処理工程と、露光処理後の基板に現像液を供給する現像処理工程とを有している。
【０００３】
従来の現像処理方法として、レジスト膜が形成された基板表面に現像液を液盛りし、静止した状態で数十秒間現像を行う静止現像方法が知られている。この静止現像方法においては、上述したように静止状態で現像を行った後、基板を回転させながら基板表面に洗浄液（リンス液）例えば純水を供給して洗浄処理を行い、その後、基板表面に乾燥用気体例えば窒素（Ｎ2）ガスを吹き付けて乾燥処理を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の現像処理方法においては、現像液を静止させた状態で現像処理を行うため、現像液の置換作用によって溶解された生成物が溜まって堆積する。この溶解生成物は、洗浄処理時には、基板が回転するため、大半は基板の外方に移動して除去されるが、基板の中心部側に溜まった溶解生成物は除去されずに、基板上に残存してしまい、パターン線幅の基板面内均一性｛線幅（ＣＤ）均一性｝に悪影響を与えるという問題があった。
【０００５】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、現像処理時に生成された溶解生成物の残存をなくして基板面内均一性の向上を図れるようにした基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の基板処理方法は、被処理基板に処理液を供給して、被処理基板を処理する基板処理方法を前提とし、この発明の第１の基板処理方法は、上記処理液が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなる処理液の供給手段を用意し、  上記被処理基板の被処理面下方に上記供給手段を対峙させた状態で、供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって処理液を供給すると共に、処理に供された処理液を、上記多孔質部を介して排出する、ことを特徴とする（請求項１）。
【０００７】
この発明の第２の基板処理方法は、上記処理液及び洗浄液が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなる処理液の供給手段を用意し、  上記被処理基板の被処理面下方に上記供給手段を対峙させた状態で、供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって処理液を供給すると共に、処理に供された処理液を、上記多孔質部を介して排出し、  その後、上記供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって洗浄液を供給すると共に、洗浄に供された洗浄液を、上記多孔質部を介して排出する、ことを特徴とする（請求項２）。
【０００８】
この発明の第３の基板処理方法は、上記処理液、洗浄液及び乾燥用気体が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなる処理液の供給手段を用意し、  上記被処理基板の被処理面下方に上記供給手段を対峙させた状態で、供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって処理液を供給すると共に、処理に供された処理液を、上記多孔質部を介して排出し、  その後、上記供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって洗浄液を供給すると共に、洗浄に供された洗浄液を、上記多孔質部を介して排出し、  その後、上記供給手段の供給孔から上記被処理基板に向かって乾燥用気体を供給すると共に、乾燥に供された乾燥用気体を上記多孔質部を介して排出する、ことを特徴とする（請求項３）。
【０００９】
この発明の基板処理装置は、この発明の基板処理方法を具現化するもので、被処理基板に処理液を供給して、被処理基板を処理する基板処理装置を前提とする。この発明の第１の基板処理装置は、上記第１の基板処理方法を具現化するもので、上記被処理基板の被処理面下方に対峙する処理液の供給手段と、  上記供給手段に供給される処理液の供給源と、  上記供給手段から処理液を排出する排出手段とを具備し、  上記供給手段は、上記処理液が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなり、上記供給孔に上記処理液供給源を接続し、上記多孔質部に上記排出手段を接続してなる、ことを特徴とする（請求項４）。この場合、上記処理液の供給量と排出量の流量を制御可能な制御手段を具備する方が好ましい（請求項５）。更に好ましくは、上記処理液の温度を制御可能な温度制御手段を具備する方がよい（請求項６）。
【００１０】
この発明の第２の基板処理装置は、上記第２の基板処理方法を具現化するもので、上記被処理基板の被処理面下方に対峙する処理液の供給手段と、  上記供給手段に供給される処理液の供給源と、  上記供給手段に供給される洗浄液の供給源と、  上記供給手段から処理液及び洗浄液を排出する排出手段とを具備し、  上記供給手段は、上記処理液及び洗浄液が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなり、上記供給孔に上記処理液供給源及び洗浄液供給源を切換可能に接続し、上記多孔質部に上記排出手段を接続してなる、ことを特徴とする（請求項７）。この場合、上記処理液及び洗浄液の供給量と排出量の流量の制御及び、供給手段に対する処理液供給源又は洗浄液供給源の切換制御可能な制御手段を具備する方が好ましい（請求項８）。更に好ましくは上記処理液及び洗浄液の温度を制御可能な温度制御手段を具備する方がよい（請求項９）。
【００１１】
この発明の第３の基板処理装置は、上記第３の基板処理方法を具現化するもので、上記被処理基板の被処理面下方に対峙する処理液の供給手段と、  上記供給手段に供給される処理液の供給源と、  上記供給手段に供給される洗浄液の供給源と、  上記供給手段に供給される乾燥用気体の供給源と、  上記供給手段から処理液、洗浄液及び乾燥用気体を排出する排出手段とを具備し、  上記供給手段は、上記処理液、洗浄液及び乾燥用気体が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなり、上記供給孔に上記処理液供給源、洗浄液供給源及び乾燥用気体供給源を切換可能に接続し、上記多孔質部に上記排出手段を接続してなる、ことを特徴とする（請求項１０）。この場合、上記処理液、洗浄液及び乾燥用気体の供給量と排出量の流量の制御及び、供給手段に対する処理液供給源、洗浄液供給源又は乾燥用気体供給源の切換制御可能な制御手段を具備する方が好ましい（請求項１１）。更に好ましくは、上記処理液、洗浄液及び乾燥用気体の温度を制御可能な温度制御手段を具備する方がよい（請求項１２）。
【００１２】
この発明の基板処理装置において、上記供給手段を構成する上記多孔質体の高さ寸法を、供給手段の中心部側から周辺部側に向かって漸次大きくなるように形成する方が好ましい（請求項１３）。また、供給手段の供給孔と処理液供給源とは直接接続しても差し支えないが、好ましくは供給手段の供給孔と処理液供給源とを、処理液を貯留する空間を介して接続する方がよい（請求項１４）。
【００１３】
加えて、上記供給手段の周辺部に、多孔質部に連通する環状排出通路を周設すると共に、この環状排出通路に少なくとも１つの排出口を開設し、かつ、環状排出通路における排出口が開設された部位に、バッファ部を形成する方が好ましい（請求項１５）。
【００１４】
請求項１，４記載の発明によれば、処理液が透過可能な多孔質部を有する多孔質体に、多孔質部と気水密に区画されると共に、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される複数の供給孔を穿設してなる処理液の供給手段を用意し、この供給手段を被処理基板の被処理面下方に対峙させた状態で、供給手段の供給孔から被処理基板に向かって処理液を供給すると共に、処理に供された処理液を、多孔質部を介して排出することにより、処理液を被処理基板に均一に供給して処理を施すことができる。また、常時、処理液を被処理基板に供給し、処理に供された処理液を多孔質部から排出することにより、処理液によって生成された溶解生成物を滞留させることなく速やかに排出することができる。したがって、被処理基板の処理の面内均一性の向上が図れると共に、歩留まりの向上が図れる。この場合、処理液の供給量と排出量の流量を制御することにより、被処理基板の表面に形成される処理液の液膜厚の調整を可能にすることができる（請求項５）。また、処理液の温度を制御可能にすることにより、処理液の温度を一定にして処理の均一化を図ることができる（請求項６）。
【００１５】
請求項２，７記載の発明によれば、請求項１，４記載の発明に加えて、処理液の供給、排出後に、供給手段の供給孔から被処理基板に向かって洗浄液を供給すると共に、洗浄に供された洗浄液を、多孔質部を介して排出することにより、被処理基板を回転することなく、処理液と同様に、洗浄液を被処理基板の面内に均一に供給することができると共に、常時供給し排出することができる。したがって、被処理基板の洗浄精度の向上及び洗浄効率の向上を図ることができる。また、洗浄液を多孔質体の多孔質部を介して排出することにより、多孔質部に付着する処理済みの処理液や溶解生成物を除去することができる。この場合、処理液及び洗浄液の供給量と排出量の流量を制御することにより、被処理基板の表面に形成される処理液の液膜厚の調整を可能にすることができると共に、洗浄精度の調整を可能にすることができる（請求項８）。また、処理液及び洗浄液の温度を制御可能にすることにより、処理液及び洗浄液の温度を一定にして処理の均一化を図ることができる（請求項９）。
【００１６】
請求項３，１０記載の発明によれば、請求項２，７記載の発明に加えて、被処理基板に洗浄液を供給し排出した後、供給手段の供給孔から被処理基板に向かって乾燥用気体を供給すると共に、乾燥に供された乾燥用気体を多孔質部を介して排出することにより、被処理基板を回転することなく、被処理基板の処理、洗浄処理及び乾燥処理を連続して行うことができる。したがって、更に、処理効率の向上を図ることができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。この場合、処理液、洗浄液及び乾燥用気体の供給量と排出量の流量を制御することにより、被処理基板の表面に形成される処理液の液膜厚の調整を可能にすることができると共に、洗浄精度及び乾燥精度の調整を可能にすることができる（請求項１１）。また、処理液、洗浄液及び乾燥用気体の温度を制御可能にすることにより、処理液、洗浄液及び乾燥用気体の温度を一定にして処理の均一化を図ることができる（請求項１２）。
【００１７】
また、請求項１〜３，４，７，１０記載の発明によれば、供給手段に穿設される複数の供給孔を、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列することにより、処理液例えば現像液は供給孔から被処理基板の表面に向かって供給された後、供給孔の周辺部の領域の多孔質部に流れて排出されるため、微小領域置換による現像を行うことができ、現像によって生じた溶解生成物を他の領域に拡散することなく速やかに排出することができる。
【００１８】
請求項１３記載の発明によれば、供給手段を構成する多孔質体の高さ寸法を、この供給手段の中心部側から周辺部側に向かって漸次大きくなるように形成することにより、処理に供された処理液が多孔質体の中心部側に堆積するのを防止することができる。したがって、処理液の排出を均一かつ円滑にすることができ、処理効率の向上を図ることができる。
【００１９】
請求項１４記載の発明によれば、供給手段の供給孔と処理液供給源とを、処理液を貯留する空間を介して接続することにより、供給される処理液を一旦空間内に貯留した後に、供給孔を介して被処理基板全体に均一に供給することができる。したがって、更に被処理基板の処理の面内均一性の向上を図ることができる。
【００２０】
請求項１５記載の発明によれば、供給手段の周辺部に、多孔質部に連通する環状排出通路を周設すると共に、この環状排出通路に少なくとも１つの排出口を開設し、かつ、環状排出通路における排出口が開設された部位に、バッファ部を形成することにより、排出口付近と周辺部の処理液等の排出差を緩和することができると共に、被処理基板の外周全面で均一な排出を行うことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハのレジスト液塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。
【００２２】
図１は、上記レジスト液塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図、図２は、図１の正面図、図３は、図１の背面図である。
【００２３】
上記レジスト液塗布・現像処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理装置を具備する処理ステーション２０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのインター・フェース部３０とで主要部が構成されている。
【００２４】
上記カセットステーション１０は、図１に示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット４は、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送できるようになっている。
【００２５】
上記処理ステーション２０は、図１に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構（基板搬送機構、基板搬送装置）２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２１を収容する室２２の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面（図８において手前）側に並列され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェース部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。
【００２６】
この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップ２３内でウエハＷと現像液供給手段（図示せず）とを対峙させてレジストパターンを現像するこの発明に係る基板処理装置にて構成される現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置して所定の処理を行うレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが垂直方向の下から順に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２も同様に、２台のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）が垂直方向の下から順に２段に重ねられている。このようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に配置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配置することも可能である。
【００２７】
図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷをウエハ載置台２４に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークする４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。第４の組Ｇ４も同様に、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及び２つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。
【００２８】
上記のように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００２９】
なお、図１に示すように、処理ステーション２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニット）の側壁の中には、それぞれダクト６５，６６が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト６５，６６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。
【００３０】
また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール６７に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００３１】
上記インター・フェース部３０は、奥行き方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインター・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカセット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、背面部には周辺露光装置３３が配設され、中央部には、ウエハの搬送アーム３４が配設されている。この搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように構成されている。また、搬送アーム３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送できるように構成されている。
【００３２】
上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム４０内に設置されるが、更にシステム内でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。
【００３３】
次に、上記レジスト液塗布・現像処理システムの動作について説明する。まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置台２４からウエハＷを受け取る。
【００３４】
処理ステーション２０において、主ウエハ搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハＷは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ1又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。
【００３５】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送する。このユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷは次工程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３０の搬送アーム３４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、搬送アーム３４はウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置３３へ搬入する。ここで、ウエハＷはエッジ部に露光を受ける。
【００３６】
周辺露光が終了すると、搬送アーム３４は、ウエハＷを周辺露光装置３３から搬出し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、バッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００３７】
露光装置で全面露光が済んで、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻されると、インター・フェース部３０の搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。この場合にも、ウエハＷは、処理ステーション２０側へ渡される前にインター・フェース部３０内のバッファカセット３２に一時的に収納されることもある。
【００３８】
ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージャーベーク処理が施される。
【００３９】
その後、ウエハＷは、第１の組Ｇ１又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なく供給されて現像処理が施される。現像が終了すると、ウエハＷ表面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。
【００４０】
現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００４１】
ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカセット載置台上の処理済みウエハ収容用のカセット１の所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。
【００４２】
次に、この発明に係る基板処理装置について、図４ないし図１０を参照して詳細に説明する。
【００４３】
この発明に係る基板処理装置（ＤＥＶ）は、図４に示すように、主ウエハ搬送機構２１のメインアーム２１ａからウエハＷを受け取って保持する保持手段例えば保持アーム７０と、この保持アーム７０によって水平状態に保持されるウエハＷの下方に対峙する供給手段５０と、供給手段５０に供給される処理液例えば現像液の供給源８０（処理液供給源）と、供給手段５０に供給される洗浄液例えば純水の供給源８１と、供給手段に供給される乾燥用気体例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給源８２と、供給手段５０から現像液（処理液）、純水（洗浄液）及びＮ2ガス（乾燥用気体）を排出する排出手段９０とを具備している。
【００４４】
上記供給手段５０は、図４ないし図６に示すように、上記現像液、純水及びＮ2ガスが透過可能な多孔質部５２を有する例えばシリコンカーバイド（ＳｉＣ）製の円柱状の多孔質体５１と、この多孔質体５１を内方に保持すべく多孔質体５１の外周を囲繞する例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の合成樹脂製の有底円筒状のフレーム５３とを具備してなり、多孔質部５２と気水密に区画された複数の供給孔５４を穿設した構造となっている。この場合、多孔質体５１とフレーム５３の内部底面との間に約１０〜２０ｍｍ程度の空間５５が設けられており、この空間５５を介して現像液供給源８０、純水供給源８１等が接続されている。このように、多孔質体５１とフレーム５３の内部底面との間に空間５５を設けることにより、供給手段５０に供給される現像液や純水が一旦空間５５内に貯留されるので、供給手段５０に供給される現像液（処理液）や純水（洗浄液）の液面が面内均一に上昇する。
【００４５】
また、フレーム５３の上端は、多孔質体５１の上面より約５ｍｍ程度高く形成されて、供給された現像液の外部への流出を防止し得るように構成されている。
【００４６】
また、多孔質体５１は、空孔率が約３０〜４０％で孔径が０．５μｍ程度の孔を有するウエハＷの外周より約１０〜１５ｍｍ程度大きい円柱状に形成されており、供給孔５４は、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列される直径約２〜３ｍｍの孔にて形成されている（図５参照）。この供給孔５４は、図６に示すように、多孔質体５１に孔明け加工された内周面と、供給孔５４以外の多孔質部５２の下面にそれぞれ例えばフッ素樹脂製のコーティング５６が施されて、多孔質部５２と気水密に区画されている。この場合、コーティング５６の膜厚は、例えば０．５ｍｍ程度である。なお、供給孔５４の内周面と、供給孔５４以外の多孔質部５２の下面にコーティング５６を施す代わりに、孔明け加工された供給孔５４内に気水密製の合成樹脂製チューブを挿入し、このチューブと多孔質体５１の下面とを接着するようにしてもよい。
【００４７】
上記のように、複数の供給孔５４を等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列することにより、供給手段５０に供給された現像液は、供給孔５４から被処理面のウエハ表面に向かって供給された後、供給孔５４の周辺部の領域の多孔質部５２に流れて排出される（図６参照）。したがって、微小領域置換による現像を行うことができ、現像によって生じた溶解生成物が他の供給孔５４の領域に拡散することなく速やかに排出される。
【００４８】
なお、上記説明では、供給手段５０の多孔質体５１の中心部と外周部との高さ寸法（厚さ寸法）が同じである場合について説明したが、図１０（ａ）に示すように、供給手段５０の多孔質体５１の高さ寸法を、この供給手段５０の中心部側から周辺部側に向かって漸次大きくなるように形成してもよい。このように、多孔質体５１の高さ寸法を、この供給手段５０の中心部側から周辺部側に向かって漸次大きくなるように形成することにより、供給手段５０の中心部側に穿設された供給孔５４からウエハＷに向かって供給され、処理に供された後に、中心部付近の多孔質部５２に流れる処理済みの現像液が中心部に堆積するのを防止することができる。
【００４９】
なお、上記説明では、供給孔５４の断面が円形である場合について説明したが、供給孔５４の断面は必ずしも円形である必要はなく、その他の形状例えば三角、四角、或いは六角形等の多角形状であってもよい。
【００５０】
一方、供給手段５０の供給孔５４には、主供給管路８３を介して現像液供給源である現像液タンク８０（処理液供給源）が接続されると共に、主供給管路８３に介設される切換手段である切換弁８４を介して純水供給源８１（洗浄液供給源）とＮ2ガス供給源８２（乾燥用気体供給源）が切換可能に接続されている（図４参照）。この場合、主供給管路８３における切換弁８４の一次側には、現像液の流量を調整可能な第１のマスフローコントローラＭＦ１が介設されている。また、主供給管路８３と純水供給源８１とを接続する純水供給管路８５には、純水供給源８１から切換弁８４側に向かって順に、ポンプＰ１と純水の流量を調整可能な第２のマスフローコントローラＭＦ２が介設されている。また、主供給管路８３とＮ2ガス供給源８２とを接続するＮ2ガス供給管路８６には、Ｎ2ガス供給源８２から切換弁８４側に向かって順に、ポンプＰ２とＮ2ガスの流量を調整可能な第３のマスフローコントローラＭＦ３が介設されている。
【００５１】
また、主供給管路８３における切換弁８４の二次側すなわち供給手段５０側は、図４（ｂ）に示すように、現像液、純水あるいはＮ2ガス等が流れる内装管体８３ａと、この内装管体８３ａの外周側に温度調整用媒体の流路８３ｄを形成する中間管体８３ｂと、この中間管体８３の外周面に断熱材８７を介在して被着される外装管体８３ｃとの三重管にて形成されている。このように三重管にて形成される主供給管路８３の流路８３ｄには、循環管路８８を介して温度制御手段例えば温度調整器８９が接続されている。そして、温度調整器８９によって温度調整用媒体を所定の温度例えば２３℃〜２５℃に温度調整することで、主供給管路８３の内装管体８３ａ内を流れる現像液や純水の温度を２３℃〜２５℃に維持することができる。このように、現像液や純水の温度を一定に維持することによって現像処理及び洗浄処理等を均一に行うことができる。
【００５２】
一方、上記フレーム５３の下部周辺部には、多孔質部５２に連通する環状排出通路５７が周設されている。この環状排出通路５７に少なくとも１つ（図面では、４つの場合を示す）の排出口５８が開設されており、環状排出通路５７における排出口５８が開設された部位に、バッファ部５９が形成されている（図１０（ｂ）参照）。このように、環状排出通路５７における排出口５８が開設された部位に、バッファ部５９を形成することにより、供給手段５０における排出口５８付近と周辺部の現像液や純水等の供給媒体の排出差を緩和することができると共に、ウエハＷの外周全面で均一な排出を行うことができる。
【００５３】
また、フレーム５３の下部周辺部に設けられた排出口５８には、排出管路９１を介して排出手段９０が接続されている。この場合、排出手段９０には、排出される現像液、純水及びＮ2ガスの流量を調整する流量調整器（図示せず）及び排水／排気機器（図示せず）が具備されている。
【００５４】
一方、上記のように構成される切換弁８４、第１〜第３のマスフローコントローラＭＦ１，ＭＦ２，ＭＦ３及び排出手段９０の流量調整器（図示せず）は、それぞれ制御手段例えば中央演算処理装置１００（以下にＣＰＵ１００という）に電気的に接続されており、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて切換弁８４の切換動作、第１〜第３のマスフローコントローラＭＦ１，ＭＦ２，ＭＦ３及び排出手段９０の現像液、純水及びＮ2ガスの流量の制御が行われるように構成されている。
【００５５】
なお、供給手段５０のフレーム５３の外方側には、供給手段５０から外部に流出する現像液や純水等の液洩れを検知するリークセンサＲＳが配設されている。このリークセンサＲＳは、ＣＰＵ１００と電気的に接続されており、リークセンサＲＳにて検知された信号がＣＰＵ１００に伝達されることによって、例えばアラーム警報が発せられ、即座に現像液や純水等の供給を停止できるようになっている。
【００５６】
なお、保持アーム７０は、図８に示すように、放射方向に延在する３本の保持アーム片７１と、各アーム片７１の先端側部に穿設されたガイド溝７２内に摺動可能に装着される保持ピン７３と、各保持ピン７３を半径方向に接離移動するエアーシリンダ７４とで主に構成されており、エアーシリンダ７４の駆動により保持ピン７３を中心側に移動することによってウエハＷの３点を挟持保持し、保持ピン７３を外周側に移動することによってウエハＷの挟持保持を解除し得るように構成されている。また、保持アーム７０は、垂直方向に反転可能に形成されており、図示しない反転機構によってウエハＷを反転し得るようになっている。この場合、保持ピン７３の先端には、図８（ｃ）に示すように、ウエハＷの落下防止用の膨隆部７５が形成されており、この膨隆部７５によって挟持保持されたウエハＷが不用意に落下するのを防止することができる。また、保持ピン７３には、先端に向かって縮径するテーパ部７６が形成されており（図８（ｂ）参照）、この縮径テーパ部７６によってウエハＷを挟持保持する際の位置ずれを防止できるようになっている。
【００５７】
上記のように構成される基板処理装置における供給手段５０をウエハＷの下方に対峙（セット）させる手順について、図９を参照して説明する。まず、主搬送機構２１のメインアーム２１ａによって保持されたウエハＷが、基板処理装置（ＤＥＶ）内に搬入され、受け渡し位置に立設する３本の支持ピン７７の上方に位置する（図９（ａ）参照）。次に、メインアーム２１ａが下降してウエハＷを支持ピン７７に受け渡した後、後退する（図９（ｂ）参照）。次に、保持アーム７０が上昇し、保持ピン７３がウエハＷを保持可能な高さ位置で停止した後（図９（ｃ）参照）、エアーシリンダ（図示せず）が駆動して保持ピン７３を中心部側に移動してウエハＷを挟持保持する（図９（ｄ）参照）。次に、ウエハＷを挟持保持した状態で保持アーム７０が上昇して、ウエハＷを支持ピン７７の上方に移動した後（図９（ｅ）参照）、図示しない反転機構を駆動して保持アーム７０及びウエハＷを垂直方向に１８０度反転する（図９（ｆ）参照）。
【００５８】
上記のようにして、ウエハＷの表面を下方に向けた状態で、ウエハＷの下方に供給手段５０を対向配置させた後（図９（ｇ）参照）、保持アーム７０を下降して、ウエハＷの下方に供給手段５０を対峙させる（図９（ｈ）参照）。この際、ウエハＷ表面と供給手段５０の多孔質体５１表面との隙間は、約２〜３ｍｍに設定される。
【００５９】
上記のようにしてウエハＷの下方に供給手段５０を対峙させた状態で、まず、現像処理が行われる。現像処理を行うには、まず、現像液が収容された現像液タンク８０内にＮ2ガスを供給して現像液タンク８０から主供給管路８３を介して現像液を供給手段５０に供給する。現像液の供給は、ウエハＷと供給手段５０とを対峙した後に行ってもよいが、ウエハＷと供給手段５０とを対峙する直前に行う方がよい（図７参照）。この際、現像液の流量は、第１のマスフローコントローラＭＦ１によって調整され、現像液の温度は、温度調整器８９によって所定温度例えば２３℃〜２５℃に温度調整される。また、現像液の排出量は排出手段９０を制御することによって制御される（図７参照）。
【００６０】
供給手段５０に供給された現像液は、フレーム５３の下部側から供給孔５４を通って多孔質体５１の表面に流れ、ウエハＷ表面に向かって供給される。この際、現像液の液面が面内均一に上昇してウエハＷ表面との間に、ウエハ表面と多孔質体５１表面との隙間例えば２〜３ｍｍ程度の厚みの現像液層が形成されるので、ウエハ全面に現像液を均一に供給して現像処理を行うことができる。また、常時供給される現像液は供給孔５４からウエハ表面に向かって供給された後、供給孔５４の周辺部の多孔質部５２に流れて排出されるため、微小領域置換による現像を行うことができ、現像によって生じた溶解生成物が他の領域に拡散することなく速やかに排出される。
【００６１】
現像処理を所定時間行った後、現像液の供給が停止されると共に、切換弁８４が純水供給源８１側に切り換えられ、ポンプＰ１が駆動すると、純水供給源８１から純水が供給手段５０に供給される。この際、純水の流量は、第２のマスフローコントローラＭＦ２によって調整され、純水の温度は、温度調整器８９によって所定温度例えば２３℃〜２５℃に温度調整される。また、純水の排出量は排出手段９０を制御することによって制御される（図７参照）。
【００６２】
供給手段５０に供給された純水は、現像液と同様に、フレーム５３の下部側から供給孔５４を通って多孔質体５１の表面に流れ、ウエハＷ表面に向かって供給される。また、常時供給される純水は供給孔５４からウエハ表面に向かって供給された後、供給孔５４の周辺部の多孔質部５２に流れて排出されるため、微小領域置換による洗浄を行うことができ、残存する現像液を他の領域に拡散することなく速やかに排出する。更に、多孔質部５２内を流れる純水によって多孔質部５２内に残存する現像液や溶解生成物が排出される。
【００６３】
上記のようにして、洗浄処理を行った後、洗浄液の供給が停止されると共に、切換弁８４がＮ2ガス供給源８２側に切り換えられ、Ｎ2ガス供給源８２からＮ2ガスが供給手段５０に供給され、各供給孔５４からウエハ表面に供給（噴射）されるＮ2ガスによってウエハＷに付着する純水が除去されて乾燥処理が施される。この際、排出手段９０を制御することによってＮ2ガスの流量が調整される。また、Ｎ2ガスの温度は、温度調整器８９によって所定温度例えば２３℃〜２５℃に温度調整される。また、Ｎ2ガスの排出（排気）量は排出手段９０を制御することによって制御される（図７参照）。
【００６４】
上記のようにして、現像→洗浄→乾燥を連続して行ってウエハＷの現像処理を完了する。現像処理が完了されたウエハＷは、図９（ａ）〜（ｈ）に示した手順の逆の手順すなわち図９（ｈ）〜（ａ）を経て主搬送機構２１に受け渡される。
【００６５】
なお、上記実施形態では、乾燥用気体としてＮ2ガスを使用する場合について説明したが、Ｎ2ガスに代えてＮ2ガス以外の不活性ガスあるいは清浄化空気を用いてもよい。
【００６６】
また、上記実施形態では、被処理基板が半導体ウエハＷである場合について説明したが、この発明の基板処理方法及び基板処理装置は、ウエハＷ以外の例えばＬＣＤ基板においても同様に適用できるものである。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したようにこの発明の基板処理方法及び基板処理装置によれば、以下のような効果が得られる。
【００６８】
１）請求項１，４記載の発明によれば、供給手段を被処理基板の被処理面下方に対峙させた状態で、供給手段の供給孔から被処理基板に向かって処理液を供給すると共に、処理に供された処理液を、多孔質部を介して排出することにより、処理液を被処理基板に均一に供給して処理を施すことができる。また、常時、処理液を被処理基板に供給し、処理に供された処理液を多孔質部から排出することにより、処理液によって生成された溶解生成物を滞留させることなく速やかに排出することができるので、被処理基板の処理の面内均一性の向上が図れると共に、歩留まりの向上が図れる。この場合、処理液の供給量と排出量の流量を制御することにより、被処理基板の表面に形成される処理液の液膜厚の調整を可能にすることができる（請求項５）。また、処理液の温度を制御可能にすることにより、処理液の温度を一定にして処理の均一化を図ることができる（請求項６）。
【００６９】
２）請求項２，７記載の発明によれば、上記１）に加えて、被処理基板を回転することなく、処理液と同様に、洗浄液を被処理基板の面内に均一に供給することができると共に、常時供給し排出することができる。したがって、被処理基板の洗浄精度の向上及び洗浄効率の向上を図ることができる。また、洗浄液を多孔質体の多孔質部を介して排出することにより、多孔質部に付着する処理済みの処理液や溶解生成物を除去することができる。この場合、処理液及び洗浄液の供給量と排出量の流量を制御することにより、被処理基板の表面に形成される処理液の液膜厚の調整を可能にすることができると共に、洗浄精度の調整を可能にすることができる（請求項８）。また、処理液及び洗浄液の温度を制御可能にすることにより、処理液及び洗浄液の温度を一定にして処理の均一化を図ることができる（請求項９）。
【００７０】
３）請求項３，１０記載の発明によれば、上記１）及び２）に加えて、被処理基板を回転することなく、被処理基板の処理、洗浄処理及び乾燥処理を連続して行うことができるので、更に、処理効率の向上を図ることができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。この場合、処理液、洗浄液及び乾燥用気体の供給量と排出量の流量を制御することにより、被処理基板の表面に形成される処理液の液膜厚の調整を可能にすることができると共に、洗浄精度及び乾燥精度の調整を可能にすることができる（請求項１１）。また、処理液、洗浄液及び乾燥用気体の温度を制御可能にすることにより、処理液、洗浄液及び乾燥用気体の温度を一定にして処理の均一化を図ることができる（請求項１２）。
【００７１】
４）請求項１〜３，４，７，１０記載の発明によれば、供給手段に穿設される複数の供給孔を、等間隔の同心円上にそれぞれ等間隔に配列することにより、処理液例えば現像液は供給孔から被処理基板の表面に向かって供給された後、供給孔の周辺部の領域の多孔質部に流れて排出されるため、微小領域置換による現像を行うことができ、現像によって生じた溶解生成物を他の領域に拡散することなく速やかに排出することができる。したがって、上記１）〜３）に加えて更に被処理基板の処理の面内均一性の向上を図ることができる。
【００７２】
５）請求項１３記載の発明によれば、処理に供された処理液が多孔質体の中心部側に堆積するのを防止することができるので、上記１）〜３）に加えて更に処理液の排出を均一かつ円滑にすることができ、処理効率の向上を図ることができる。
【００７３】
６）請求項１４記載の発明によれば、供給手段の供給孔と処理液供給源とを、処理液を貯留する空間を介して接続することにより、供給される処理液を一旦空間内に貯留した後に、供給孔を介して被処理基板全体に均一に供給することができるので、上記１）〜５）に加えて更に被処理基板の処理の面内均一性の向上を図ることができる。
【００７４】
７）請求項１５記載の発明によれば、供給手段の周辺部に、多孔質部に連通する環状排出通路を周設すると共に、この環状排出通路に少なくとも１つの排出口を開設し、かつ、環状排出通路における排出口が開設された部位に、バッファ部を形成するので、上記１）〜６）に加えて更に排出口付近と周辺部の処理液等の排出差を緩和することができると共に、被処理基板の外周全面で均一な排出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】  上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略正面図である。
【図３】  上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略背面図である。
【図４】  この発明に係る基板処理装置の概略断面図（ａ）及び（ａ）のＩ部を拡大して示す概略断面図（ｂ）である。
【図５】  この発明における供給手段の平面図（ａ）及び縦断面図（ｂ）である。
【図６】  上記供給手段の要部を示す拡大断面図である。
【図７】  この発明における現像、洗浄及び乾燥処理における現像液、洗浄液、乾燥用気体の流量及び排気量の関係を示すタイムチャートである。
【図８】  この発明における保持アームのウエハ保持状態を示す概略平面図（ａ）、概略側面図（ｂ）及び（ｂ）のII部の拡大側面図（ｃ）である。
【図９】  この発明におけるウエハと供給手段とを対峙（セット）させる手順を示す説明図である。
【図１０】  この発明における供給手段の別の形態を示す断面図（ａ）及び（ａ）のIII部を示す拡大断面図（ｂ）である。
【符号の説明】
Ｗ  半導体ウエハ（基板）
５０  供給手段
５１  多孔質体
５２  多孔質部
５４  供給孔
５５  空間
５７  環状排出通路
５８  排出口
５９  バッファ部
８０  現像液タンク（処理液供給源）
８１  純水供給源（洗浄液供給源）
８２  Ｎ2ガス供給源（乾燥用気体供給源）
８３  主供給管路
８４  切換弁（切換手段）
８９  温度調整器（温度制御手段）
９０  排出手段
１００  ＣＰＵ（制御手段）
ＭＦ１，ＭＦ２，ＭＦ３  マスフローコントローラ（流量制御手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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