(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部を有する第１基板と、
前記支持部に支持される第２基板と、
前記第１基板の前記第２基板側全領域に設けられた第１接合膜と、
前記第２基板の前記第１基板側全領域に設けられた第２接合膜と、
前記第１基板の前記第１接合膜上に設けられ、反射特性と透過特性とを有する第１光学膜と、
前記第２基板の前記第２接合膜上に設けられ、前記第１光学膜と対向して配置され、反射特性と透過特性とを有する第２光学膜と、
前記第１基板の前記第１接合膜上に設けられた第１電極と、
前記第２基板の前記第２接合膜上に設けられ前記第１電極と対向して配置された第２電極と、を含み、
前記支持部における前記第１接合膜と前記第２接合膜との接合により、前記第１基板と前記第２基板とが固着されており、
前記第１光学膜、前記第２光学膜、前記第１電極及び前記第２電極が同一の材質で構成されていることを特徴とする光フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の光フィルターであって、
前記第１基板には前記第１光学膜と前記第１電極とを接続する第１配線と、を備えたことを特徴とする光フィルター。
【請求項３】
請求項２に記載の光フィルターであって、
前記第２基板には前記第２光学膜と前記第２電極とを接続する第２配線と、を備えたことを特徴とする光フィルター。
【請求項４】
請求項３に記載の光フィルターであって、
前記第１光学膜、前記第２光学膜、前記第１電極、前記第２電極、前記第１配線及び前記第２配線の材質は、
銀（Ag）合金、銀（Ag）、アルミ（Al）、クロム（Cr）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、
白金（Pt）、ロジウム（Rh）、
のいずれかであることを特徴とする光フィルター。
【請求項５】
請求項３に記載の光フィルターであって、
前記第１光学膜、前記第２光学膜、前記第１電極、前記第２電極、前記第１配線及び前記第２配線の材質は、
銀（Ag）合金、銀（Ag）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、白金（Pt）、ロジウム（Rh）、の材質から２種類以上を選択した合金であることを特徴とする光フィルター。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の光フィルターであって、
前記第１基板の前記第２基板側には凹部が設けられ、前記凹部には前記凹部の底面から突出した凸部を有し、前記凸部は、前記凹部に島状に配置されており、
前記凸部における前記第１基板の厚み方向を断面とする断面形状は、前記凹部の底面を下底とした台形をなしていることを特徴とする光フィルター。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の光フィルターを備えた光フィルターを含む光機器。
【請求項８】
支持部を有する第１基板と、前記支持部に支持される第２基板とを有し、前記支持部に形成された第１接合膜と前記第２基板に形成された第２接合膜とを接合し、前記第１基板と前記第２基板とを固着した光フィルターの製造方法であって、
前記第１基板の支持部を外周とした凹部を形成する工程と、
前記凹部に島状の凸部を形成する工程と、
前記第１基板における前記支持部、前記凹部、及び前記凸部を含む表面に前記第１接合膜を形成する工程と、
前記第１接合膜上に反射特性と透過特性とを有する第１光学膜と第１電極とを同一材質で形成する工程と、
前記第１接合膜を活性化する工程と、を含む第１基板製造工程と、
前記第２基板の表面に前記第２接合膜を形成する工程と、
前記第２接合膜上に反射特性と透過特性とを有する第２光学膜と第２電極とを同一材質で形成する工程と、
前記第２接合膜を活性化する工程と、を含む第２基板製造工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを、前記支持部の第１光学膜と前記第２光学膜とが対向し、前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方に荷重をかけて、活性化された前記第１接合膜と、活性化された前記第２接合膜とを接合し、これによって前記第１基板と前記第２基板とを固着する工程と、
を含むことを特徴とする光フィルターの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の光フィルターの製造方法であって、
前記第１接合膜上に前記第１光学膜と前記第１電極とを形成する工程において、前記第１光学膜と前記第１電極を接続する第１配線とを同じ工程で形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の光フィルターの製造方法であって、
前記第２接合膜上に前記第２光学膜と前記第２電極とを形成する工程において、前記第２光学膜と前記第２電極を接続する第２配線とを同じ工程で形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光フィルター、光フィルターの製造方法、及び光機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、特許文献１に記載されているように、所定ギャップを介して対向する一対の光学膜を有するファブリペローエタロンフィルター（以下、エタロンフィルター、あるいは単にエタロンという場合がある）により構成される光フィルターが知られている。
【０００３】
特許文献１に記載されるエタロンフィルターでは、互いに平行に保持された第１基板および第２基板と、第１基板上に形成された第１光学膜（第１反射膜）と、所定ギャップを有して第１光学膜と対向する、第２基板上に形成された第２光学膜（第２反射膜）と、を有する。第１光学膜および第２光学膜の各々はミラーを構成し、ミラー間で光を多重干渉させることによって、ギャップの長さ（ギャップ量）に応じた、所定の波長域の光のみを透過させることができる。また、ギャップ量を可変に制御することによって、透過させる光の波長域を切り換えることができる。
【０００４】
また、特許文献１に記載されるエタロンフィルターでは、第１基板と第２基板の接合には、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む接合膜が使用されている。エタロンフィルターにおける波長分離の精度は、ギャップ量の精度と深く関係がある。したがって、エタロンフィルターの性能及び品質向上のためには、第１光学膜と第２光学膜との間のギャップの長さを、安定して高精度に制御する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１３４０２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載のエタロンフィルターにおいて、接合膜を用いて各基板を接合するためには、例えば、各基板上に形成されている接合膜を、紫外線照射や酸素プラズマ処理等によって活性化し、各基板の位置合わせ（アライメント）を行い、そして、各基板に荷重をかけるといった処理が必要となり、これらの工程中において、基板に若干の傾きが生じ、光学膜の平行度が確保することが難しい場合があった。
【０００７】
基板に傾きを生じさせる原因としては、例えば、各基板に部分的に接合膜を形成する際のアライメントずれ（接合膜アライメントずれ）や、各基板同士を接合する工程における基板アライメントずれが挙げられる。また、接合膜のエッジ部には傾斜や丸み等が形成され易く、このことも、基板の傾きの原因となり得る。
【０００８】
このような基板の傾きに対し、出願人は接合膜を基板全面成膜することで基板の傾きを抑制して、各基板に設けられる光学膜間の平行度を確保することを試みており、一定の成果を挙げている。
【０００９】
しかしながら、ギャップ量を可変に制御する為の電極や光学膜を成膜、パターニングする後工程において接合膜へのダメージが発生し、光学膜間のギャップ安定性が確保できない場合があった。つまり、安定した品質を恒常的に確保することが困難であるという課題があった。この接合膜のダメージの原因は、接合膜を成膜後に電極と光学膜とを形成するためにそれぞれパターニングしていることに起因しているものと推測された。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例１］本適用例に係る光フィルターは、支持部を有する第１基板と、前記支持部に支持される第２基板と、前記第１基板の前記第２基板側全領域に設けられた第１接合膜と、前記第２基板の前記第１基板側全領域に設けられた第２接合膜と、前記第１基板の前記第１接合膜上に設けられた第１光学膜と、前記第２基板の前記第２接合膜上に設けられ前記第１光学膜と対向して配置された第２光学膜と、前記第１基板の前記第１接合膜上に設けられた第１電極と、前記第２基板の前記第２接合膜上に設けられ前記第１電極と対向して配置された第２電極と、を含み、前記支持部における前記第１接合膜と前記第２接合膜との接合により、前記第１基板と前記第２基板とが固着されており、前記第１光学膜、前記第２光学膜、前記第１電極及び前記第２電極が同一材質で構成されていることを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、第１接合膜が第１基板の第２基板側全領域に設けられており、第２接合膜が第２基板の第１基板側全領域に設けられているため、第１接合膜と第２接合膜のフラットな面同士の接触によって、第１基板の支持部が第２基板を安定的に支持し、基板の傾きを抑制できる。これによって、第１光学膜と第２光学膜との間の微小ギャップを、高精度に実現することができる。
【００１３】
また、第１光学膜、第２光学膜、第１電極、及び第２電極が同一材質であることから、１回のパターニングで済む為、レジストや膜のエッチングによる第１接合膜、第２接合膜の変質を抑制することができる。これによって、第１光学膜と第２光学膜との間の微小ギャップを、安定した品質で恒常的に確保することができる。
【００１４】
［適用例２］上記適用例に記載の光学フィルターは、前記第１基板には前記第１光学膜と前記第１電極とを接続する第１配線と、を備えることが好ましい。
【００１５】
［適用例３］上記適用例に記載の光学フィルターは、前記第２基板には前記第２光学膜と前記第２電極とを接続する第２配線と、を備えることが好ましい。
【００１６】
これらの適用例によれば、第１光学膜と第１電極が電気的に接続され、第２光学膜と第２電極が電気的に接続される為、第１光学膜、第２光学膜に電荷が蓄積（帯電）することを抑制できる。これによって、第１光学膜と第２光学膜との接触を防止することができる。
【００１７】
［適用例４］上記適用例に記載の光学フィルターは、前記第１光学膜、前記第２光学膜、前記第１電極、前記第２電極、前記第１配線及び前記第２配線材質は、銀（Ag）合金、銀（Ag）、アルミ（Al）、クロム（Cr）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、白金（Pt）、ロジウム（Rh）、のいずれかであることが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、光の反射と透過機能を有し、且つ低抵抗な材質である為、微小な光であっても、反射、透過ができ、且つ第１光学膜と第２光学膜との間のギャップを高精度、広範囲に制御できる。これによって、高い分解能、広波長範囲にて所定の波長域の光のみを透過させることができる。
【００１９】
［適用例５］上記適用例に記載の光学フィルターにおいて、前記第１光学膜、前記第２光学膜、前記第１電極、前記第２電極、前記第１配線及び前記第２配線の材質は、銀（Ag）合金、銀（Ag）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、白金（Pt）、ロジウム（Rh）、の材質から２種類以上を選択した合金であることが好ましい。
【００２０】
本適用例によれば、光の反射と透過機能を有し、且つ低抵抗な材質に高温耐性、プロセス耐性が優れた材質が添加される為、第１光学膜、第２光学膜、第１電極、第２電極、第１配線及び第２配線の変質を抑制することができる。これによって、高い分解能、広波長範囲にて所定の波長域の光のみを透過させる性能を安定した品質で恒常的に確保できる。なお、ここでのプロセス耐性とは、例えば、成膜後の光学膜、電極、配線を所望の形状にパターニングする際に行われるパターニングプロセス中の各工程条件に対する耐久性を指す。
【００２１】
［適用例６］上記適用例に記載の光学フィルターは、前記第１基板の前記第２基板側には凹部が設けられ、前記凹部には前記凹部の底面から突出した凸部を有し、前記凸部は、前記凹部に島状に配置されており、前記凸部における前記第１基板の厚み方向を断面とする断面形状は、前記凹部の底面を下底とした台形をなしていることが好ましい。
【００２２】
本適用例によれば、凸部の側面が傾斜され、第１配線が凹部の底面、凸部の傾斜面、凸部の表面に亘って均一な膜厚で形成される為、配線の断線を抑制できる。これによって、第１配線を安定した品質で形成できる。
【００２３】
［適用例７］本適用例に係る光機器は、上記いずれかに記載の光フィルターを備えた光フィルターであることが好ましい。
【００２４】
本適用例によれば、第１接合膜が第１基板の第２基板側全領域に設けられており、第２接合膜が第２基板の第１基板側全領域に設けられているため、第１接合膜と第２接合膜のフラットな面同士の接触によって、第１基板の支持部が第２基板を安定的に支持し、基板の傾きを抑制できる。これによって、第１光学膜と第２光学膜との間の微小ギャップを、高精度に実現することができる。
【００２５】
また、第１光学膜、第２光学膜、第１電極、及び第２電極が同一材質であることから、１回のパターニングで済む為、レジストや膜のエッチングによる第１接合膜、第２接合膜の変質を抑制することができる。これによって、第１光学膜と第２光学膜との間の微小ギャップを、安定した品質で恒常的に確保することができる。この光フィルターを搭載する光機器も、同様の効果を享受することができる。
【００２６】
［適用例８］本適用例に係る光フィルターの製造方法は、支持部を有する第１基板と、前記支持部に支持される第２基板とを有し、前記支持部に形成された第１接合膜と前記第２基板に形成された第２接合膜とを接合し、前記第１基板と前記第２基板とを固着した光フィルターの製造方法であって、前記第１基板の支持部を外周とした凹部を形成する工程と、前記凹部に島状の凸部を形成する工程と、前記第１基板における前記支持部、前記凹部、及び前記凸部を含む表面に前記第１接合膜を形成する工程と、前記第１接合膜上に第１光学膜と第１電極とを同一材質で形成する工程と、前記第１接合膜を活性化する工程とを、含む第１基板製造工程と、前記第２基板の表面に前記第２接合膜を形成する工程と、前記第２接合膜上に第２光学膜と第２電極とを同一材質で形成する工程と、前記第２接合膜を活性化する工程とを、含む第２基板製造工程と、前記第１基板と前記第２基板とを、前記支持部の第１光学膜と前記第２光学膜とが対向し、前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方に荷重をかけて、活性化された前記第１接合膜と、活性化された前記第２接合膜とを接合し、これによって前記第１基板と前記第２基板とを固着する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２７】
本適用例によれば、適用例１で説明した「前記第１接合膜が前記第１基板の前記第２基板側全領域に設けられており、前記第２接合膜が前記第２基板の前記第１基板側全領域に設けられているため、前記第１接合膜と前記第２接合膜のフラットな面同士の接触によって、前記第１基板の前記支持部が前記第２基板を安定的に支持し、基板の傾きを抑制できる」という構造が実現されていることになる。
【００２８】
また、適用例１で説明した「第１光学膜、第２光学膜、第１電極、及び第２電極が同一材質であることから、１回のパターニングで済む為、レジストや膜のエッチングによる第１接合膜、第２接合膜の変質を抑制することができる」という工程が実現されていることになる。
【００２９】
［適用例９］上記適用例に記載の光学フィルターの製造方法は、前記第１接合膜上に前記第１光学膜と前記第１電極とを形成する工程において、前記第１光学膜と前記第１電極を接続する第１配線とを同じ工程で形成することが好ましい。
【００３０】
本適用例によれば、第１光学膜、第１電極、及び第１配線が一括形成される為、パターニング回数が１回で済む。これによって、第１基板を製造する工程における第１接合膜に与える負荷を軽減することができる。また、適用例２で説明した、「第１光学膜と第１電極が電気的に接続される為、第１光学膜に電荷が蓄積（帯電）することを抑制できる」という構造が実現されていることになる。
【００３１】
［適用例１０］上記適用例に記載の光学フィルターの製造方法は、前記第２接合膜上に前記第２光学膜と前記第２電極とを形成する工程において、前記第２光学膜と前記第２電極を接続する第２配線とを同じ工程で形成することが好ましい。
【００３２】
本適用例によれば、第２光学膜、第２電極、及び第２配線が一括形成される為、パターニング回数が１回で済む。これによって、第２基板を製造する工程における第２接合膜に与える負荷を軽減することができる。また、適用例３で説明した、「第２光学膜と第２電極が電気的に接続される為、第２光学膜に電荷が蓄積（帯電）することを抑制できる」という構造が実現されていることになる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】実施形態１に係る光学膜間のギャップを可変に制御可能な可変ギャップエタロンフィルターの断面構造図。
【図２】実施形態１に係る光学膜間のギャップを可変に制御可能な可変ギャップエタロンフィルターの第２基板の厚み方向からみた平面視、断面構造図。
【図３】実施形態２に係る接合前における第２基板の製造工程の一例を示す図。
【図４】実施形態２に係る接合前における第１基板の製造工程の一例を示す図。
【図５】実施形態２に係る第１基板と第２基板との接合工程の一例を示す図。
【図６】実施形態３に係る可変ギャップエタロンフィルターを用いた光フィルターの構造の一例を示す図。
【図７】実施形態４に係る波長多重通信システムの送信機の概略構成を示すブロック図。
【図８】特許文献１の図２に示される従来のエタロンフィルターの構造を示す図。
【図９】比較例として可変ギャップエタロンフィルターにおける接合前における第２基板の製造工程の一例を示す図。
【図１０】比較例として可変ギャップエタロンフィルターにおける接合前における第１基板の製造工程の一例を示す図。
【図１１】比較例として可変ギャップエタロンフィルターにおける接合前における第１基板の製造工程の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００３５】
（実施形態１）
本実施形態では、第１基板と第２基板とを貼り合わせた構造をもつ光フィルターとしてのエタロンフィルターについて説明する。なお、以下の説明においては、図８に示される従来例の構成を適宜、参照し、本実施形態の例と対比する。なお、図８に示される従来例は、特許文献１の図２に記載されている従来例である。
【００３６】
図１は、第１基板と第２基板とを貼り合わせた構造をもつ光フィルターとしてのエタロンフィルターを説明するための図である。なお、以下の説明では、エタロンフィルターを、単にエタロンという場合がある。図１には、本実施形態にかかる、光学膜間のギャップを可変に制御可能な可変ギャップエタロンフィルターの断面構造が示されている。但し、この例は一例であり、ギャップが固定されたエタロンフィルターであってもよい。なお、以下の説明では、可変ギャップエタロンフィルターを、単に可変ギャップエタロンという場合がある。
【００３７】
図１に示されるように、光フィルター３００は、互いに平行に保持された第１基板２０および第２基板３０と、第１基板２０上に設けられた第１光学膜６３と、第２基板３０上に設けられた第２光学膜７３と、を有する。第１基板２０及び第２基板３０は、例えば、所望の波長帯域の光に対する透過性を有するガラス基板である。
また、第１光学膜６３と第２光学膜７３とは対向し、かつ、所定のギャップＧ１を有するように形成されている。第１光学膜６３と第２光学膜７３は、所望波長帯域の光に対する反射特性と透過特性とを兼ね備えており、各々は、光フィルター３００におけるミラーを構成する。
【００３８】
図１に示される光フィルターとしての可変ギャップエタロンフィルターは、支持部２２を有する第１基板２０と、支持部２２によって支持される第２基板３０とを貼り合わせた構造を有する。第１基板２０と第２基板３０との固着には、第１接合膜１０５と第２接合膜１０７が使用されている。第１接合膜１０５および第２接合膜１０７としては、例えば、シロキサン結合を有するＳｉ骨格およびＳｉ骨格に結合される脱離基とを含む膜を使用することができる。シロキサン結合を利用することによって、第１基板２０と第２基板３０を強固に貼り合わせることができる。
【００３９】
第１基板２０は、支持部２２と、第１基板２０の第１接合膜１０５上の中央に設けられた第１光学膜（第１反射膜）６３と、第１光学膜６３の周囲に設けられている第１電極６０と、第１光学膜６３と第１電極６０とを電気的に接続する第１配線６１と、を有する。支持部２２は、第１基板２０自体を加工することによって形成されたものでもよい。また、第１基板２０は、凹部２３と、凹部の底面から突出した凸部２１とを有している。
【００４０】
また、第２基板３０は、第２基板３０の第２接合膜１０７上の中央に設けられた第２光学膜（第２反射膜）７３と、第２光学膜７３の周囲に設けられている第２電極７０と、第２光学膜７３と第２電極７０と電気的に接続する第２配線７１と、を有する。第１電極６０と第２電極７０は、可動基板である第２基板３０に撓みを生じさせて、第１光学膜６３と第２光学膜７３との間のギャップを可変に制御するためのアクチュエーターを構成する。
【００４１】
本実施形態では、第２基板３０は、薄肉部（ダイヤフラム部）３４を備える可動部３５と、可動部３５を支持する、薄肉部３４よりも厚肉の可動部の支持部３６と、を有する。支持部２２によって、第２基板３０における可動部の支持部が支持される。支持部２２の上面が支持面となる。
【００４２】
図１に示される例では、支持部２２は、第１基板２０に設けられた凹部２３の底面を基準として、距離Ｌ２だけ、第１基板２０の厚み方向に突出する突起部によって構成されている。なお、第１基板２０の中央には、凹部２３の底面を基準として距離Ｌ１だけ突出した凸部２１が設けられており、この凸部２１上に、第１光学膜６３が形成されている。なお、距離Ｌ１は、距離Ｌ２よりも小さく設定されている。
【００４３】
図１の例では、第１基板２０における、支持部（突起部）２２の上面、エッジ部ならびに側面は、すべて第１接合膜１０５によって覆われている。支持部２２の上面を支持面とするとき、支持部２２の支持面の全領域（全面）上には、第１接合膜１０５が設けられていることになる。支持部２２の支持面上における第１接合膜１０５の表面（第２基板３０側の面）は、段差のないフラットな面、すなわち平坦面となっている。
【００４４】
また、第２基板３０における可動部の支持部３６の、第１基板２０側の表面（つまり裏面）が被支持面となる。被支持面は、例えば、実際に支持部２２によって支持されている領域の他、その近傍に設けられている、位置ずれマージン領域（後述）も含むことができる。被支持面は、支持部２２の支持面と同様のフラットな面を有する。第２基板３０の被支持面は、例えば、「設計上、支持部２２による支持が予定される面であって、実際に支持部２２によって支持されている面を含むフラットな面」ということができる。
【００４５】
図１に示される例では、第２基板３０における被支持面の全領域（全面）には第２接合膜１０７が設けられている。これによって、第２基板３０を、第１基板２０上に安定的に支持することができ、第２基板３０の傾きを抑制することができる。
【００４６】
第１基板２０の第１接合膜１０５上に設けられる第１光学膜６３と、第２基板３０の第２接合膜１０７上に設けられる第２光学膜７３との間のギャップＧ１は、例えば、１００ｎｍ程度に設定されており、したがって、極めて高精度なギャップ制御が必要である。このような高精度のギャップ制御を実現するためには、各光学膜６３，７３の互いに対向する面（対向面）同士の平行度を高精度に確保することが重要である。図１に示される例によれば、水平に保持された各基板２０，３０を、そのままの平行度を維持して貼り合わせることができ、よって、第１光学膜６３と第２光学膜７３との間の微小ギャップＧ１を、高精度に実現することができる。
【００４７】
ここで、比較例として、図８の例を参照する。図８は、特許文献１の図２に示される従来のエタロンフィルターの構造を示す図である。
【００４８】
図８に示される従来例では、上側の基板２と下側の基板３とが、接合膜４３ｂ１，４３ｂ２を介して接合されている。また、上側の基板２には、引き出し電極２８１が設けられている。
【００４９】
第１接合膜４３ｂ１および第２接合膜４３ｂ２の各々は、各基板３，２上において、部分的に成膜されている。上側の基板２を支持する支持構造に比べて、図１に示される本実施形態の支持構造の方が、上側の基板を、より安定的に支持できるのは明らかである。図１に示される本実施形態の支持構造では、支持部２２の支持面上全面を利用して、第２基板３０（可動部の支持部３６）を支持すると共に、各接合膜１０５，１０７のフラットな面同士の接触によって、第２基板３０を支持面上において安定的に支持していることから、第２基板３０の傾きが生じにくい。
【００５０】
図１に戻って、本実施形態についての説明を続ける。図１の例を用いて説明したように、支持部２２における支持面上全面を利用して第２基板３０を支持すると共に、各接合膜１０５，１０７のフラットな面同士の接触によって、第２基板３０を、支持面上に安定的に支持するのが好ましい。
【００５１】
実際の光フィルター３００の製造においては、例えば、接合膜１０５，１０７を形成するときのパターンアライメントずれや、基板２０，３０間のアライメントずれが生じる可能性がある。しかし、このようなアライメントずれが生じたとしても、図１に示したように、第２基板３０における被支持面の全領域（全面）には第２接合膜１０７が設けられているので、安定的な基板支持構造を確保することができる。
【００５２】
このように、図１に示されるような位置ずれマージンを考慮した光フィルター３００の採用によって、アライメントずれが生じた場合でも、第２基板３０を傾かせることなく、支持部２２上にて安定的に支持することが可能となる。
【００５３】
図２は、第１基板と第２基板とを貼り合わせた構造をもつ光フィルターとしての可変ギャップエタロンフィルターの光学膜、電極、配線の構成を説明するための図である。図２（Ａ）は、本実施形態にかかる、光学膜間のギャップを可変に制御可能な可変ギャップエタロンフィルターの第２基板の厚み方向からみた平面図、図２（Ｂ）は断面構造を示す断面図である。
【００５４】
図２において、第１基板２０は、支持部２２と、第１基板２０の第１接合膜１０５上の中央に設けられた第１光学膜（第１反射膜）６３と、第１光学膜６３の周囲に設けられている第１電極６０と、第１光学膜６３と第１電極６０とを電気的に接続する第１配線６１と、を有する。支持部２２は、第１基板２０自体を加工することによって形成されたものでもよい。また、第１基板２０は、凹部２３と、凹部の底面から突出した凸部２１とを有している。
【００５５】
また、第２基板３０は、第２基板３０の第２接合膜１０７上の中央に設けられた第２光学膜（第２反射膜）７３と、第２光学膜７３の周囲に設けられている第２電極７０と、第２光学膜７３と第２電極７０と電気的に接続する第２配線７１と、を有する。第１電極６０と第２電極７０は、可動基板である第２基板３０に撓みを生じさせて、第１光学膜６３と第２光学膜７３との間のギャップを可変に制御するためのアクチュエーターを構成する。
【００５６】
図２に示される例では、第１光学膜６３、第１電極６０、第１配線６１、第２光学膜７３、第２電極７０及び第２配線７１が同一材料で形成されている。
【００５７】
第１光学膜６３、第１電極６０、第１配線６１、第２光学膜７３、第２電極７０及び第２配線７１が、例えば銀（Ａｇ）合金で形成されている。
【００５８】
第１基板２０の第２基板３０側には凹部２３が設けられ、凹部２３には凹部２３の底面から突出した凸部２１を有し、凸部２１は、凹部２３に島状に配置されており、凸部２１の断面形状は、凹部２３の底面を下底とした台形をなしている。
【００５９】
第１光学膜６３、第１電極６０、第２光学膜７３、第２電極７０の材料が異なる場合、２回のパターニング工程が発生する。これにより、２回のパターニング工程でのレジストや膜のエッチングによって、第１接合膜１０５、第２接合膜１０７がダメージを受けて変質し、強固な接合強度を得ることが困難となる。
【００６０】
第１光学膜６３と第２光学膜７３の初期的な電荷の蓄積（帯電）や、可変ギャップエタロンフィルターの第１光学膜６３と第２光学膜７３との間のギャップを可変に制御させることによる電荷の蓄積（帯電）が発生すると、第１光学膜６３と第２光学膜７３の接触やギャップ制御精度低下に至る。
【００６１】
これに対して、図２に示される例では、第１光学膜６３と、第１電極６０と、第１配線６１と、第２光学膜７３と、第２電極７０と、第２配線７１とを有し、これらが同一材料で形成されている。よって、１回のパターニングで済む為、レジストや膜のエッチングによる第１接合膜１０５、第２接合膜１０７の変質を抑制することができる。
【００６２】
第１光学膜６３と第１電極６０が電気的に接続され、第２光学膜７３と第２電極７０が電気的に接続される為、第１光学膜６３、第２光学膜７３に電荷が蓄積（帯電）することを抑制できる。これによって、第１光学膜６３と第２光学膜７３との接触やギャップ制御精度低下を防止することができる。
【００６３】
しかしながら、第１光学膜６３、第２光学膜７３には光の反射と透過機能を備えた材質が求められ、第１電極６０、第２電極７０、第１配線６１及び第２配線７１には低抵抗な材質が求められる。よって、これらを兼ね備えた材質が必要とされる。
【００６４】
第１光学膜６３、第１電極６０及び第１配線６１が例えば５０ｎｍ以下の膜厚である場合、第１基板２０の凸部２１の側面が凹部２３の底面に対して垂直に形成されていると、凸部２１の側面上に第１配線６１を安定した品質で形成することが困難となり、第１配線６１の断線に至る。
【００６５】
これに対し、図２に示される例では、第１光学膜６３、第１電極６０、第１配線６１、第２光学膜７３、第２電極７０及び第２配線７１が、例えば銀（Ａｇ）合金で形成されている。よって、例えば５０ｎｍ程度の膜厚であれば反射と透過機能を有し、且つ低抵抗を実現することができる。
【００６６】
その他、銀（Ａｇ）合金以外で、銀（Ａｇ）、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）のいずれか、又はこれらの合金を適用してもよい。
【００６７】
第１基板２０の第２基板３０側には凹部２３が設けられ、凹部２３には凹部２３の底面から突出した凸部２１を有し、凸部２１は、凹部２３に島状に配置されており、凸部２１の断面形状は、凹部２３の底面を下底とした台形をなしている。よって、凸部２１の側面が傾斜され、第１配線６１が凹部２３の底面、凸部２１の傾斜面、凸部２１の表面に亘って均一な膜厚で形成される為、第１配線６１の断線を抑制できる。
【００６８】
以上述べたように、本実施形態に係る光フィルター３００によれば、以下の効果を得ることができる。
【００６９】
第１接合膜１０５が第１基板２０の第２基板３０側全領域に設けられており、第２接合膜１０７が第２基板３０の第１基板２０側全領域に設けられているため、第１接合膜１０５と第２接合膜１０７のフラットな面同士の接触によって、第１基板２０の支持部２２が第２基板３０を安定的に支持し、基板の傾きを抑制できる。これによって、第１光学膜６３と前記第２光学膜７３との間の微小ギャップを、高精度に実現することができる。
【００７０】
また、第１光学膜６３、第２光学膜７３、第１電極６０、及び第２電極７０が同一材質であることから、１回のパターニングで済む為、レジストや膜のエッチングによる第１接合膜１０５、第２接合膜１０７の変質を抑制することができる。これによって、第１光学膜６３と第２光学膜７３との間の微小ギャップを、安定した品質で恒常的に確保することができる。
【００７１】
（実施形態２）
本実施形態では、光フィルターとしての可変ギャップエタロンフィルターの製造方法について説明する。図２は、完成した可変ギャップエタロンフィルターの第２基板３０の厚み方向からみた平面視、断面構造が示されている。図２に示される可変ギャップエタロンフィルターの構造は、図１に示される可変ギャップエタロンフィルターの構造と同じである。
【００７２】
すなわち、図２に示される可変ギャップエタロンでは、第２接合膜１０７は、第２基板３０の、第１基板２０側の第２基板上全領域（全面）上に設けられている。また、第１接合膜１０５は、第１基板２０の、第２基板３０側の第１基板上全領域（全面）上に設けられている。なお、図２において、前掲の図面と共通する部分には同じ参照符号を付してある。以下、図３（Ａ）〜図３（Ｈ）を用いて、図２に示される可変ギャップエタロンフィルターの製造方法の一例について説明する。
【００７３】
図３は、接合前における第２基板の製造工程の一例を示す図である。まず、図３（Ａ）に示される工程において、例えば、合成石英ガラス基板の両面を鏡面研磨して、例えば２００μｍの厚みのガラス基板３１を作製する。図３（Ｂ）の工程では、ガラス基板３１の両面上に、厚み５０ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜を成膜し、Ｃｒ膜の上に厚み５００ｎｍの金（Ａｕ）膜を成膜する。図３（Ｃ）に示される工程では、ガラス基板３１の両面にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングしてレジストマスクを形成する。そして、レジストマスクを用いて、Ａｕ／Ｃｒ膜をパターニングする。すなわち、Ａｕ膜をヨウ素とヨウ化カリウムの混合液でエッチングし、次に、Ｃｒ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングする。
【００７４】
図３（Ｄ）に示す工程では、ガラス基板３１をフッ酸水溶液に浸し、薄肉部（ダイヤフラム部）３４および電極取り出し溝（不図示）の形成領域において、ガラス基板３１を、約１５０μｍエッチングする。これにより、薄肉部（ダイヤフラム部）３４および電極取り出し溝（不図示）の形成領域における、エッチング後のガラス基板３１の厚みは約５０μｍとなる。図３（Ｅ）に示される工程では、ガラス基板３１の両面に付いているレジスト（不図示）ならびにＡｕ／Ｃｒ膜をそれぞれ除去する。
【００７５】
図３（Ｆ）に示す工程では、ガラス基板３１の、第１基板と接合される側のガラス基板３１上全領域（全面）に、第２接合膜１０７としてのプラズマ重合膜（例えば、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜）を、プラズマＣＶＤ法により成膜する。第２接合膜１０７の厚みは、例えば、１００ｎｍである。
【００７６】
図３（Ｇ）に示す工程では、第２接合膜１０７上に、第２光学膜（第２反射膜）、第２電極及び第２配線用の材料膜として、例えば銀（Ａｇ）合金膜を５０ｎｍの厚さで、スパッタ法を用いて成膜する。図３（Ｈ）に示される工程では、その上にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングした後、例えばりん硝酢酸水溶液で、銀（Ａｇ）合金膜をエッチングする。この結果、第２光学膜７３（第２反射膜）、第２電極７０及び第２配線７１が一括形成される。そして、レジスト（不図示）を除去する。なお、光学膜、電極、配線用の材料膜として、銀（Ａｇ）、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）のいずれか、又はこれらの合金を適用してもよい。
【００７７】
ここで、比較例として、図９の例を参照する。図９は、出願人が第２接合膜を第２基板の、第１基板と接合される側の第２基板上全領域（全面）に設けてガラス基板の傾きを抑制し、各基板に設けられる光学膜間の平行度を確保して一定の成果を挙げた可変ギャップエタロンフィルターにおける接合前における第２基板の製造工程の一例を示す図である。
【００７８】
まず、図９（Ａ）に示される工程において、例えば、合成石英ガラス基板の両面を鏡面研磨して、例えば２００μｍの厚みのガラス基板３１を作製する。図９（Ｂ）の工程では、ガラス基板３１の両面上に、厚み５０ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜を成膜し、Ｃｒ膜の上に厚み５００ｎｍの金（Ａｕ）膜を成膜する。図９（Ｃ）に示される工程では、ガラス基板３１の両面にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングしてレジストマスクを形成する。そして、レジストマスクを用いて、Ａｕ／Ｃｒ膜をパターニングする。すなわち、Ａｕ膜をヨウ素とヨウ化カリウムの混合液でエッチングし、次に、Ｃｒ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングする。
【００７９】
図９（Ｄ）に示す工程では、ガラス基板３１をフッ酸水溶液に浸し、薄肉部（ダイヤフラム部）３４および電極取り出し溝（不図示）の形成領域において、ガラス基板３１を、約１５０μｍエッチングする。これにより、薄肉部（ダイヤフラム部）３４および電極取り出し溝（不図示）の形成領域における、エッチング後のガラス基板３１の厚みは約５０μｍとなる。図９（Ｅ）に示される工程では、ガラス基板３１の両面に付いているレジスト（不図示）ならびにＡｕ／Ｃｒ膜をそれぞれ除去する。
【００８０】
図９（Ｆ）に示す工程では、ガラス基板３１の、第１基板と接合される側のガラス基板３１上全領域（全面）に、第２接合膜１０７としてのプラズマ重合膜（例えば、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜）を、プラズマＣＶＤ法により成膜する。第２接合膜１０７の厚みは、例えば、１００ｎｍである。
【００８１】
図９（Ｇ）の工程では、第２接合膜１０７上に、第２電極用の材料膜として、例えばＩＴＯ膜を０．１μｍの厚さでスパッタ法を用いて成膜する。図９（Ｈ）に示される工程では、その上にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングした後、例えば硝酸と塩酸の混合液で、ＩＴＯ膜をエッチングする。この結果、第２電極７０が形成される。そして、レジスト（不図示）を除去する。
【００８２】
図９（Ｉ）の工程では、第２接合膜１０７、又は第２電極７０上に、第２光学膜（第２反射膜）の材料膜として、例えば銀（Ａｇ）合金膜を５０ｎｍの厚さで、スパッタ法を用いて成膜する。図９（Ｊ）に示される工程では、その上にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングした後、例えばりん硝酢酸水溶液で、銀（Ａｇ）合金膜をエッチングする。この結果、第２光学膜７３（第２反射膜）が形成される。そして、レジスト（不図示）を除去する。
【００８３】
図９に示される比較例では、第２電極と第２光学膜が別材料である為、材料の成膜、パターニングが２回行われていた。これに対し、図３に示される本実施形態の製造工程の一例は、第２電極と第２光学膜が同一材料である為、成膜、パターニングが１回で済む。よって、第２基板を製造する工程における負荷を軽減することができる。
【００８４】
また、「第２光学膜と前記第２電極が（第２配線によって）電気的に接続される為、前記第２光学膜に電荷が蓄積（帯電）することを抑制できる」という構造が実現されていることになる。
【００８５】
次に、接合前における第１基板の製造工程の一例について説明する。図４（Ａ）〜図４（Ｅ）は、接合前における第１基板の製造工程の一例を示す図である。
【００８６】
まず、図４（Ａ）に示される工程において、合成石英ガラス基板の両面を鏡面研磨し、５００μｍの厚みのガラス基板１７を作製する。次に、ガラス基板１７の両面にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングする。パターニングされたレジストをマスクとして、フッ酸水溶液で、ガラス基板１７を選択的にエッチングする。これによって、凹部１９が形成される。凹部の深さは、約０．５μｍである。その後、レジストマスクを除去する。
【００８７】
図４（Ｂ）の工程では、ガラス基板１７の両面にレジスト（不図示）を塗布し、上面に形成されているレジストをパターニングする。そのパターニングされたレジストをマスクとして、ガラス基板１７を、フッ酸水溶液で例えば１μｍエッチングする。これによって、第１電極形成用の凹部２３と、電極取り出し部用の凹部２３’と、凹部２３の底面から突出した凸部２１側面の傾斜とが形成される。その後、レジストマスクを除去する。
【００８８】
図４（Ｃ）の工程では、ガラス基板１７の、第２基板と接合される側のガラス基板１７上全領域（全面）に、第１接合膜１０５としてのプラズマ重合膜（例えば、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜）を、プラズマＣＶＤ法により成膜する。第１接合膜１０５の厚みは、例えば１００ｎｍである。
【００８９】
図４（Ｄ）の工程では、第１接合膜１０５上に、第１光学膜（第１反射膜）、第１電極及び第１配線用の材料膜として、例えば銀（Ａｇ）合金膜を５０ｎｍの厚さで、スパッタ法を用いて成膜する。図４（Ｅ）に示される工程では、その上にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングした後、例えばりん硝酢酸水溶液で、銀（Ａｇ）合金膜をエッチングする。この結果、第１光学膜６３（第１反射膜）、第１電極６０及び第１配線６１が一括形成される。そして、レジスト（不図示）を除去する。なお、光学膜、電極、配線用の材料膜として、銀（Ａｇ）、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）のいずれか、又はこれらの合金を適用してもよい。
【００９０】
ここで、比較例として、図１０、図１１の例を参照する。図１０、図１１は、出願人が第１接合膜を第１基板の、第２基板と接合される側の第１基板上全領域（全面）に設けてガラス基板の傾きを抑制し、各基板に設けられる光学膜間の平行度を確保して一定の成果を挙げた可変ギャップエタロンフィルターにおける接合前における第１基板の製造工程の一例を示す図である。
【００９１】
まず、図１０（Ａ）に示される工程において、合成石英ガラス基板の両面を鏡面研磨し、５００μｍの厚みのガラス基板１７を作製する。次に、ガラス基板１７の両面にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングする。パターニングされたレジストをマスクとして、フッ酸水溶液で、ガラス基板１７を選択的にエッチングする。これによって、凹部１９が形成される。凹部の深さは、約０．５μｍである。その後、レジストマスクを除去する。
【００９２】
図１０（Ｂ）の工程では、ガラス基板１７の両面にレジスト（不図示）を塗布し、上面に形成されているレジストをパターニングする。そのパターニングされたレジストをマスクとして、ガラス基板１７を、フッ酸水溶液で例えば１μｍエッチングする。これによって、第１電極形成用の凹部２３と、電極取り出し部用の凹部２３’とが形成される。その後、レジストマスクを除去する。
【００９３】
図１０（Ｃ）の工程では、ガラス基板１７の、第２基板と接合される側のガラス基板１７上全領域（全面）に、第１接合膜１０５としてのプラズマ重合膜（例えば、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜）を、プラズマＣＶＤ法により成膜する。第１接合膜１０５の厚みは、例えば１００ｎｍである。
【００９４】
図１０（Ｄ）の工程では、第１接合膜１０５上に、第１電極用の材料膜として、例えばＩＴＯ膜を０．１μｍの厚さでスパッタ法を用いて成膜する。図１０（Ｅ）に示される工程では、その上にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングした後、例えば硝酸と塩酸の混合液で、ＩＴＯ膜をエッチングする。この結果、第１電極６０が形成される。そして、レジスト（不図示）を除去する。
【００９５】
図１１（Ａ）の工程では、第１接合膜１０５、又は第１電極６０上に、第１光学膜（第１反射膜）の材料膜として、例えば銀（Ａｇ）合金膜を５０ｎｍの厚さで、スパッタ法を用いて成膜する。図１１（Ｂ）に示される工程では、その上にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングした後、例えばりん硝酢酸水溶液で、銀（Ａｇ）合金膜をエッチングする。この結果、第１光学膜６３（第１反射膜）が形成される。そして、レジスト（不図示）を除去する。
【００９６】
図１０、図１１に示される比較例では、第１電極と第１光学膜が別材料である為、材料の成膜、パターニングが２回行われていた。これに対し、図４に示される本実施形態の製造工程の一例は、第１電極と第１光学膜が同一材料である為、成膜、パターニングが１回で済む。よって、第１基板を製造する工程における負荷を軽減することができる。
【００９７】
また、「第１光学膜と前記第１電極が（第１配線によって）電気的に接続される為、前記第１光学膜に電荷が蓄積（帯電）することを抑制できる」という構造が実現されていることになる。
【００９８】
次に、第１基板と第２基板との接合工程について説明する。図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、第１基板と第２基板との接合工程の一例を示す図である。図５（Ａ）の工程では、第２基板３０上に形成されている第２接合膜１０７としてのプラズマ重合膜（ここでは、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜）に活性化エネルギーを与えるために、Ｏ2プラズマ処理またはＵＶ処理を実行する。Ｏ2プラズマ処理の場合、Ｏ2流量が３０ｃｃ／分、圧力が２７Ｐａ、ＲＦパワーが２００Ｗの条件で３０秒間処理する。またＵＶ処理の場合、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用い、例えば、３分間処理する。
【００９９】
図５（Ｂ）の工程では、第１基板２０上に形成されている第１接合膜１０５としてのプラズマ重合膜（ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜）に活性化エネルギーを与えるために、Ｏ2プラズマ処理またはＵＶ処理を実行する。処理条件は、上記条件と同じである。
【０１００】
図５（Ｃ）の工程では、活性化エネルギーを与えた後の第１基板２０および第２基板３０を対向させて配置し、各基板のアライメント（位置合わせ）を行い、各基板２０，３０を重ね合わせて、荷重をかける。図５（Ｃ）では、荷重は、黒塗りの矢印で示されている。このとき、活性化エネルギー付与後の第１接合膜１０５ならびに第２接合膜１０７の活性手（未結合手）同士が結合され、これによって、第１接合膜１０５と第２接合膜１０７が強固に接合される。このようにして、第１基板２０と第２基板３０との接合（貼り合わせ、または固着）が完了する。なお、この後に、各チップを分割する工程を設けることができる。
【０１０１】
図５に示される本実施形態の製造工程の一例は、「第１接合膜１０５と前記第２接合膜１０７のフラットな面同士の接触によって、第１基板２０の支持部２２が第２基板３０を安定的に支持し、基板の傾きを抑制できる」という構造が実現されていることになる。
【０１０２】
また、「第１光学膜６３、第２光学膜７３、第１電極６０、及び第２電極７０が同一材質であることから、１回のパターニングで済む為、レジストや膜のエッチングによる第１接合膜１０５、第２接合膜１０７の変質を抑制することができる」ことが実現されていることになる。
【０１０３】
以上述べたように、本実施形態に係る光フィルターとしての可変ギャップエタロンフィルターの製造方法によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
【０１０４】
図９，１０，１１に示される比較例では、電極と光学膜が別材料である為、材料の成膜、パターニングが２回行われていた。これに対し、図３，４に示される本実施形態の製造工程の一例は、電極と光学膜が同一材料である為、成膜、パターニングが１回で済む。よって、各基板を製造する工程における負荷を軽減することができる。
【０１０５】
（実施形態３）
図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、可変ギャップエタロンフィルターを用いた光フィルターの構造の一例を示す図である。図６（Ａ）に示すように、光フィルター３００は、互いに対向して配置される第１基板（例えば固定基板）２０と、第２基板（例えば可動基板）３０と、第１基板２０の第１接合膜１０５上に設けられる第１光学膜６３と、第２基板３０の第２接合膜１０７上に設けられる第２光学膜７３と、各基板によって挟持された、各基板間のギャップ（距離）を調整するためのアクチュエーター（例えば静電アクチュエーターや圧電素子等）８０ａ，８０ｂと、を有する。
【０１０６】
なお、第１基板２０および第２基板３０の少なくとも一方が可動基板であればよく、双方を可動基板とすることも可能である。アクチュエーター８０ａおよびアクチュエーター８０ｂは各々、駆動部（駆動回路）３０１ａおよび駆動部（駆動回路）３０１ｂの各々によって駆動される。また、各駆動部（駆動回路）３０１ａ，３０１ｂの動作は、制御部（制御回路）３０３によって制御される。
【０１０７】
所定角度θで外部から入射する光Ｌｉｎは、ほとんど散乱されることなく第１光学膜６３を通過する。第１基板２０に設けられた第１光学膜６３と第２基板３０に設けられた第２光学膜７３との間で、光の反射が繰り返され、これによって、光の干渉が生じ、特定の条件を満たす波長の光のみが強められ、その強められた波長の光の一部は、第２基板３０上の第２光学膜７３を通過して、受光部（受光素子）４００に到達する。干渉によってどの波長の光が強め合うかは、第１基板２０と第２基板３０との間のギャップＧ１に依存する。よって、ギャップＧ１を可変に制御することによって、通過する光の波長帯域を変化させることができる。
【０１０８】
この可変ギャップエタロンフィルターを使用すると、図６（Ｂ）に示すような分光測定器を構成することができる。なお、分光測定器の例としては、例えば、測色器、分光分析器、分光スペクトラムアナライザー等があげられる。図６（Ｂ）に示される分光測定器において、例えば、サンプル２００の測色を行う場合には光源１００が用いられ、また、サンプル２００の分光分析を行う場合には、光源１００’が用いられる。
【０１０９】
分光測定器は、光源１００（あるいは１００’）と、複数の波長可変バンドパスフィルター（可変ＢＰＦ（１）〜可変ＢＰＦ（４））を備える光フィルター（分光部）３００と、フォトダイオード等の受光素子ＰＤ（１）〜ＰＤ（４）を含む受光部４００と、受光部４００から得られる受光信号（光量データ）に基づいて、所与の信号処理を実行して分光光度分布等を求める信号処理部６００と、可変ＢＰＦ（１）〜可変ＢＰＦ（４）の各々を駆動する駆動部３０１と、可変ＢＰＦ（１）〜可変ＢＰＦ（４）の各々の分光帯域を可変に制御する制御部３０３と、を有する。信号処理部６００は、信号処理回路５０１を有し、必要に応じて、補正演算部５００を設けることも可能である。分光光度分布の測定によって、例えば、サンプル２００の測色や、サンプル２００の成分分析等を行うことができる。また、光源１００（１００’）としては、例えば、白熱電球、蛍光灯、放電管、ＬＥＤ等の固体発光素子を用いた光源（固体発光素子光源）等を使用することができる。
【０１１０】
なお、光フィルター３００および受光部４００によって、光機器としての光フィルターモジュール３５０が構成される。光フィルターモジュール３５０は、分光測定器に適用できる他、例えば、光通信装置の受信部（受光光学系と受光素子を含む）としても使用可能である。この例については、図７を用いて後述する。
【０１１１】
以上述べたように、本実施形態に係る光フィルターモジュール３５０によれば、実施形態１での効果に加えて、光学膜の特性劣化が抑制されて信頼性が高く、また、透過光の波長範囲を広くとることができ、小型軽量で、かつ使い勝手がよいという利点がある。
【０１１２】
（実施形態４）
図７は、波長多重通信システムの送信機の概略構成を示すブロック図である。波長多重（WDM：Wavelength Division Multiplexing）通信では、波長の異なる信号は干渉し合わないという特性を利用して、波長が異なる複数の光信号を一本の光ファイバー内で多重的に使用すれば、光ファイバー回線を増設せずにデータの伝送量を向上させることができるようになる。
【０１１３】
図７において、光機器としての波長多重送信機８００は、光源１００からの光が入射される光フィルター３００を有し、光フィルター３００（上記いずれかのミラー構造が採用されたエタロンフィルターを具備する）からは、複数の波長λ０，λ１，λ２，…の光が透過される。波長毎に送信器３１１，３１２，３１３が設けられる。送信器３１１，３１２，３１３からの複数チャンネル分の光パルス信号は、波長多重装置３２１にて１つに合わせられて一本の光ファイバー伝送路３３１に送出される。
【０１１４】
本発明は光符号分割多重（OCDM： Optical Code Division Multiplexing）送信機にも同様に適用できる。ＯＣＤＭは、符号化された光パルス信号のパターンマッチングによってチャンネルを識別するが、光パルス信号を構成する光パルスは、異なる波長の光成分を含んでいるからである。
【０１１５】
以上述べたように、本実施形態に係る波長多重送信機８００によれば、このように、本発明を光機器に適用することによって、光学膜の特性劣化が抑制された、信頼性の高い光機器（例えば、各種センサーや光通信応用機器）が実現される。
【符号の説明】
【０１１６】
２０…第１基板、２１…凸部、２２…支持部、２３…凹部、３０…第２基板、６０…第１電極、６１…第１配線、６３…第１光学膜、７０…第２電極、７１…第２配線、７３…第２光学膜、１０５…第１接合膜、１０７…第２接合膜、３００…光フィルター（エタロンフィルター）、８００…光機器（波長多重送信機）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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