(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレーザーによる情報の記録、再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層として下記一般式〔Ｉ〕
【化１】
0003648823.tif 000023
（式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して、置換されていてもよい、アルキル基、アルケニル基を示す。環Ａおよび環Ｂは置換基を有していてもよい。Ｘは水酸基、カルボン酸基、スルホン酸基またはこれらの塩を示す。）
で表わされるアゾ化合物と金属とのアゾ金属キレート化合物および下記一般式〔II〕
【化２】
0003648823.tif 000024
（式中、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立して、置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、アルケニル基又はシクロアルキル基を示し、Ｑ-は陰イオン残基を表す。また、環Ｃおよび環Ｄは置換基を有していてもよい。）
で表わされるインドレニン系シアニン色素との色素混合物を含有することを特徴とする光学記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の光学記録媒体において、アゾ金属キレート化合物の金属が遷移元素である光学記録媒体。
【請求項３】
請求項２に記載の光学記録媒体において、アゾ金属キレート化合物の金属がコバルト又はニッケルである光学記録媒体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学記録媒体において、記録層上に金属反射層および保護層を設けてなる光学記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学記録媒体に波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光を照射して記録部を形成させることを特徴とする情報記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はレーザー光により記録可能な光記録媒体及びそれを用いた情報記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高密度記録のためレーザー光の発振波長の短波長化が注目され、７８０ｎｍ、８３０ｎｍよりも短波長のレーザー光で記録再生可能な光記録媒体が求められている。かかる状況において提案されている光記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録媒体等がある。これらの中で、安価でプロセス上容易であるという点で、有機色素系光記録媒体は優位性を有するものと考えられる。
【０００３】
ところで、有機色素系光記録媒体には、記録可能なコンパクトディスクとして、反射率の高い金属層を薄い有機色素層の上に積層したタイプのものが広く知られているが、この層構成では、記録感度が悪く、高い線速度での記録には不利である。また、記録時に色素以外に基板も変形するため、ビット長再生方式においてはビットの長さのばらつきが多くなり、ジッターが大きくなるという問題がある。
【０００４】
それに対し、有機色素単層での記録方式に関しては、記録再生光の膜面入射方式を含め、非常に多くの研究がなされ、一部は、７８０ｎｍ用光記録媒体として実用化されている。しかしながら、短波長用途については、特開平４−７４６９０号公報、特開平４−２３８０３６号公報、特開平５−３８８７８号公報等の各種の提案がなされているものの、耐光性、耐環境性等は全く不十分であり、また短波長用途に固有の問題については何ら解決されていないのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来より有機色素系光記録媒体に対して、記録により生じるリムの形成が短波長用途、すなわち短ビット記録による高密度記録には不利であるという問題があった。また、１０ｍ／ｓ以上の高線速記録において、十分な記録密度と記録特性を得ることが困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、高密度記録を実現するためにリムを持たない良好な微小記録部を形成し、かつまた、高線速記録でも十分な特性を有する波長６２０〜６９０ｎｍの短波長記録に好適な媒体と条件を鋭意検討した結果、本発明に到達した。
本発明の要旨は、波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光で記録再生するための基板上に有機色素層を有する光記録媒体であって、該有機色素層が、下記一般式〔Ｉ〕
【０００７】
【化３】
0003648823.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立して、置換されていてもよい、アルキル基、アルケニル基を示す。環Ａおよび環Ｂは置換基を有していてもよい。Ｘは水酸基、カルボン酸基、スルホン酸基またはこれらの塩を示す。）
で表わされるアゾ化合物と金属とのアゾ金属キレート化合物および下記一般式〔II〕
【０００９】
【化４】
0003648823.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立して、置換されていてもよい、アルキル基、アリール基、アルケニル基又はシクロアルキル基を示し、Ｑ-は陰イオン残基を表す。環Ｃおよび環Ｄは置換されていてもよい。）で表わされるインドレニン系シアニン色素との色素混合物を含有する光学記録媒体に存する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光記録媒体は、基板上に記録層として有機色素層を設けた構成からなるが、目的に応じて、有機色素層の上に薄いセラミック層を成膜したり、紫外線硬化性樹脂を積層してもよい。また、基板上に有機色素層を設けた２枚の媒体をその有機色素層を対向させスペーサーを介して貼り合わせる、いわゆるエアーサンドイッチ方式の貼合わせをしてもよい。
【００１２】
基板としては、ポリカーボネート基板、非晶質ポリオレフィン基板、ガラス基板等、公知の透明で複屈折の小さいものが好ましく用いられる。
有機色素層は、通常、有機色素を溶媒に溶解したものを基板上に塗布乾燥するか、有機色素を基板上に真空蒸着することにより形成する。塗布法の場合の溶媒としては、例えば、ポリカーボネート基板の場合は、エタノール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン、ジアセトンアルコール、フッ素系アルコール等のポリカーボネート基板を侵さないものが好ましく使用され、ポリオレフィン基板の場合には、クロロホルム、メチルエチルケトン等の極性溶媒が好ましく使用される。
【００１３】
有機色素層は、その分光吸収極大が５１０ｎｍ〜７３０ｎｍの範囲にあることが好ましい。５１０ｎｍよりも短波長領域に吸収極大があると、本発明の層構成においては十分な感度が得られない。あるいは、良好な再生信号が得られない。また、７３０ｎｍより長波長側に吸収極大を有する有機色素層においても同様である。
また、有機色素層の膜厚は２０〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましい。有機色素層の膜厚が２０ｎｍ未満になると塗膜が溝にのみ形成され、溝間記録が困難となる。一方、１００ｎｍを超えると、リムが厚くなったり、記録部のレーザー光走査方向の非対称性が強調されるため、ビット長記録においてジッターが悪くなり易くなる。
【００１４】
本発明では、有機色素層に、前記一般式〔Ｉ〕で表わされるアゾ化合物と金属とのキレート化合物及び前記一般式〔II〕で表わされるインドレニン系シアニン色素を含有する。前記一般式〔Ｉ〕、〔II〕中の環Ａ、環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄは置換基を有していてもよく、かかる置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、チオアルキル基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、カルバモイル基、アシル基、アシルアミノ基、スルファモイル基、スルホンアミド基、アミノ基、水酸基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニル基等が挙げられ、これらの置換基は更に置換基を有していてもよい。環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤ上の置換基の中で好ましいものとしては、置換基を有していてもよい炭素数１〜２５のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２５のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２５のチオアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２５のアルキルスルファモイル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜３０のフェニルスルファモイル基、置換基を有していてもよいフェニルアゾ基、置換基を有していてもよいピリジノアゾ基、炭素数２〜２６のエステル基、炭素数２〜２６のカルバモイル基、炭素数２〜２６のアシル基、炭素数２〜２６のアシルアミノ基、炭素数１〜２５のスルホンアミド基、−ＮＲ5 Ｒ6 （Ｒ5 及びＲ6 はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２５のアルキル基または置換基を有していてもよいフェニル基を示し、Ｒ5 及びＲ6 は一緒になって５もしくは６員環を形成してもよい）、水酸基、
【００１５】
【化５】
0003648823.tif 000004
【００１６】
（Ｒ7は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ8はシアノ基又は炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基を示す。）等が挙げられる。
また、前記一般式〔Ｉ〕のアゾ化合物および前記一般式〔II〕のインドレニン系シアニン色素のＲ1及びＲ2はそれぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル基、アルケニル基を表わす。Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立して、水素原子又は置換されていてもよいアルキル基、アリール基、アルケニル基若しくはシクロアルキル基を表わす。さらに詳しくは、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立して、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、２−ペンテニル基等の炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。Ｒ3およびＲ4は、それぞれ独立して、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、２−ペンテニル基等の炭素数２〜１０のアルケニル基；またはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。
【００１７】
かかる炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メトキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；アリルオキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テトラヒドロフリル基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルアミノ基、ｎ−ペンチルスルホニルアミノ基、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等で置換されていてもよい。
ここで、前記一般式〔Ｉ〕で表わされるアゾ化合物について、好ましい具体例を下記に示す。
【００１８】
【化６】
0003648823.tif 000005
【００１９】
【化７】
0003648823.tif 000006
【００２０】
【化８】
0003648823.tif 000007
【００２１】
【化９】
0003648823.tif 000008
【００２２】
【化１０】
0003648823.tif 000009
【００２３】
【化１１】
0003648823.tif 000010
【００２４】
ここで、アゾ金属キレート化合物について、特に好ましいＲ1 、Ｒ2 、環Ａの置換基、環Ｂの置換基（−ＮＲ1 Ｒ2 基および−Ｘ基以外のもの）、Ｘおよび金属塩の金属の組み合わせを表−１に示す。
ここで組み合わせる金属は、所望の吸収波長等を考え、適宜選択できるが、好ましくは遷移元素、特に好ましくは、コバルト又はニッケルである。
【００２５】
【表１】
0003648823.tif 000011
【００２６】
次に、前記一般式〔II〕のインドレニン系シアニン色素について、好ましい具体例を下記に示す。
【００２７】
【化１２】
0003648823.tif 000012
【００２８】
【化１３】
0003648823.tif 000013
【００２９】
【化１４】
0003648823.tif 000014
【００３０】
【化１５】
0003648823.tif 000015
【００３１】
【化１６】
0003648823.tif 000016
【００３２】
かかるインドレニン系シアニン色素は、例えば特開昭５８−１１２７９０号、同５８−１１４９８９号、同５９−８５７９１号、同６０−８３２３６号各公報等に記載の方法にて、容易に合成することができる。
本発明の色素混合物はインドレニン系シアニン色素とアゾ金属キレート化合物とを重量比で５：９５〜９５：５、好ましくは３０：７０〜７０：３０の割合で配合してなるものである。
【００３３】
有機色素層中には、前述した有機色素混合物以外に、有機色素に対する劣化防止剤、バインダーなどを添加してもよい。
光反射層には金、銀またはこれらの合金等の公知の金属薄膜を用い、成膜にはスパッタリング法、真空蒸着法などの手法が用いられ、特にスパッタリング法が好ましく用いられる。光反射層の膜厚は５０〜２００ｎｍとするのが好ましい。金または銀の合金薄膜を光反射層に用いる場合、その合金組成は再生レーザー光に対して高反射率のものであれば特に限定されないが、耐食性向上のためにロジウム、パラジウム、白金、チタン、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、バナジウムなどの添加元素を５原子％以下の範囲で含有させてもよい。
【００３４】
光反射層上に形成する保護層の材質としては、紫外線硬化樹脂、特にアクリル系の紫外線硬化樹脂を用いるのが好適であり、スピンコート法やスクリーン印刷法により厚み２〜２０μｍで塗布した後、紫外線照射により硬化させて形成される。また、紫外線硬化樹脂には、光反射層の保護層側の表面に対する防食剤として、トリアジンチオール系化合物、トリアジンアミン系化合物、メルカプトベンゾイミダゾール系化合物、チオジプロピオン酸エステル系化合物、ジチオカルバミン酸塩から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有させて用いてもよい。また、保護層の上には必要に応じて第二の保護層やレーベル等の印刷層を設けてもよい。
【００３５】
本発明の光記録媒体を用いて記録、再生を行うには、通常、基板側から波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光を入射して行う。入射されたレーザー光を有機色素層が吸収し発熱し、主減量開始温度を超える温度に達した時に低分子量のフラグメントに分解し始め、その結果凹部が形成される。この凹部には色素が若干残っているか殆どないため、再生光を照射した時に反射率が低下し、記録部として検知される。
【００３６】
記録部の形状は使用する色素により大きく異なり、膜厚を薄くするとリムは薄くなるが、記録部の非対称性は改善されるとは限らない。その中で、特に前記一般式〔Ｉ〕で示されるアゾ化合物と金属とのアゾ金属キレート化合物および前記一般式〔II〕で示されるインドレニン系シアニン色素との色素混合物により構成された有機色素層を有する光記録媒体では、リムがほとんど形成されず、高線速記録においても良好なジッター特性を示すため好ましい。
【００３７】
【実施例】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
実施例１
透明基板として、記録可能コンパクトディスク用に周期的に蛇行したトラッキング溝を設けた直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を用いた。
有機色素層は、下記構造式（１）で示されるアゾ金属キレート化合物１．３重量％および下記構造式（２）で示されるインドレニン系シアニン色素１．３重量％の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して、濾過した後、前記基板上にスピンコート法により成膜した。色素塗布の後、色素層中の溶媒を完全に蒸発させるために８０℃のオーブン中で１０分間乾燥を行った。
【００３８】
【化１７】
0003648823.tif 000017
【００３９】
次いで、有機色素層の上に光反射層として、平均厚さ１００ｎｍの金層をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成した。
さらに、光反射層の上に紫外線硬化剤ＳＤ−３１８ (大日本インキ化学（株）製）をスピンコート法により３μｍの厚さで塗布し、紫外線照射装置で紫外線を照射して硬化させて、保護層を形成した。
得られた記録可能コンパクトディスクについて、６３５ｎｍの半導体レーザーでＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価を行ったところビット長ジッターは良好であり、良好なリム形状の記録部が得られた。温度８０℃、湿度９０％の条件で５００時間の高温高湿試験の後に、ブロックエラーレートの変化を測定したところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであった。
【００４０】
なお、本評価で使用したドライブは、基本的に現行のコンパクトディスク規格に基づいた評価可能なドライブの、光ヘッドのみを６３５ｎｍレーザーに変更したものである。ＥＦＭ信号変調方式等は現行コンパクトディスクと同様であり、ブロックエラーレートもこの変調方式にのっとって評価した。
さらに、本コンパクトディスクでは、クロック周波数及びトラックピッチをあげることにより、現行のコンパクトディスクの約半分のピッチ（０．８μｍ）、半分のマーク長でも良好な特性が得られた。
実施例２
【００４１】
【化１８】
0003648823.tif 000018
【００４２】
上記構造式（３）で示されるアゾ金属キレート化合物を１．３重量％および上記構造式（４）で示されるインドレニン系シアニン色素を１．３重量％の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。
得られたディスクについて、実施例１と同様に試験したところ、６５０ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであった。
実施例３
【００４３】
【化１９】
0003648823.tif 000019
【００４４】
上記構造式（５）で示されるアゾ金属キレート化合物を１．３重量％および上記一般式（６）で示されるインドレニン系シアニン色素１．３重量％の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。
得られたディスクについて、実施例１と同様に試験したところ、６５０ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであった。
実施例４
【００４５】
【化２０】
0003648823.tif 000020
【００４６】
上記構造式（７）で示されるアゾ金属キレート化合物を１．２重量％および上記一般式（８）で示されるインドレニン系シアニン色素１．４重量％の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。
得られたディスクについて、実施例１と同様に試験したところ、６３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであった。
実施例５
【００４７】
【化２１】
0003648823.tif 000021
【００４８】
上記構造式（９）で示されるアゾ金属キレート化合物を１．０重量％および上記構造式（１０）で示されるインドレニン系シアニン色素１．０重量％の濃度でテトラフルオロプロパノールに溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。
得られたディスクについて、実施例１と同様に試験したところ、６５０ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであった。
実施例６
【００４９】
【化２２】
0003648823.tif 000022
【００５０】
上記構造式（１１）で示されるアゾ金属キレート化合物を１．３重量％および上記一般式（１２）で示されるインドレニン系シアニン色素１．３重量％の濃度でオクタフルオロペンタノールに溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。
得られたディスクについて、実施例１と同様に試験したところ、６３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけであった。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の光記録媒体は、リムがほとんどない良好微小記録部が形成され、ビット長ジッターが小さく、高線速度短波長記録用光記録媒体として十分な記録感度と記録特性を達成することができるため、非常に有用である。