(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配置された第１基板と、
前記第１基板に対向して配置され、各前記画素に対応してマトリクス状に配置されるとともに入射光を集光する第１マイクロレンズが前記第１基板側に設けられた第２基板と、
前記第２基板の前記第１基板側と反対側に設けられ、各前記画素に対応してマトリクス状に配置されるとともに前記入射光を集光する第２マイクロレンズが前記第１基板側に設けられた第３基板と、
前記第２基板の前記第１マイクロレンズの表面に接着剤を介して前記第１基板側に設けられる第１カバーガラスと、
前記第３基板の前記第２マイクロレンズの表面に接着剤を介して前記第１基板側に設けられる第２カバーガラスと、
前記第１基板と前記第１カバーガラスの間に挟持された電気光学物質とを備え、
前記第２カバーガラスと前記第２基板は応力を弾性で吸収させることができるゲル状の接着剤で接着されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第３基板の厚さは前記第２基板の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１カバーガラスの前記第１マイクロレンズ間の境界に夫々対向する位置には第１遮光膜を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとは対向配置されてなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
複数の画素がマトリクス状に配置された第１基板と、
前記第１基板に対向して配置され、各前記画素に対応してマトリクス状に配置されるとともに入射光を集光する第１マイクロレンズが一方の面に設けられ、第２マイクロレンズが他方の面に設けられた第２基板と、
前記第２基板の両面に前記第１マイクロレンズおよび前記第２マイクロレンズの表面に夫々接着剤を介して設けられる一対のカバーガラスと、
前記第１基板と前記一対のカバーガラスの一方との間に挟持された電気光学物質とを備え、
前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとは対向配置されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
前記一対のカバーガラスの一方の前記第１マイクロレンズ間の境界に夫々対向する位置には第１遮光膜を有することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１基板上には複数の走査線と、前記走査線に交差する複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有し、前記第１基板上において前記画素電極の周辺の画素開口領域を相互に区切る遮光領域を少なくとも部分的に規定する第２遮光膜を有し、前記第１遮光膜は、平面的にみて前記遮光領域に覆われていることを特徴とする請求項３又は請求項６に記載に電気光学装置。
【請求項８】
前記第２遮光膜は、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記第１基板の側からみて覆う位置に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１遮光膜は、前記複数の第１マイクロレンズの境界に沿って網目状に形成されていることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１遮光膜は、前記複数の第１マイクロレンズの境界に沿って縞状に形成されていることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第１遮光膜は、前記複数の第１マイクロレンズの境界のうち前記走査線に沿った方向の境界に夫々沿って島状に形成されていることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとは同じ平面構造を有することを特徴とする請求項７乃至請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記画素電極上において前記第１マイクロレンズの集光領域にはみださないように前記第１マイクロレンズの集光角度に応じて前記遮光領域が規定されていることを特徴とする請求項７乃至請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記第２マイクロレンズは入射光を平行光にするように構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、光源と、前記光源から出射された光を集光しながら前記電気光学装置に導く集光光学系と、当該電気光学装置で光変調された光を投射面に拡大投影する拡大投影光学系とを有することを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称する）駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置及び投射型表示装置の技術分野に属し、特に入射光の利用効率を向上するためのマイクロレンズを有する電気光学装置の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶装置等の電気光学装置がプロジェクタ等のライトバルブとして用いられる場合には一般に、液晶層を挟んでＴＦＴアレイ基板に対向配置される対向基板の側から投射光が入射される。ここで、投射光がＴＦＴのａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜やｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜から構成されたチャネル領域に入射すると、この領域において光電変換効果により光電流が発生してしまい、ＴＦＴのトランジスタ特性が劣化する。このため、対向基板には、各ＴＦＴに夫々対向する位置に、Ｃｒ（クロム）などの金属材料や樹脂ブラックなどからブラックマトリクス或いはブラックマスクと呼ばれる遮光膜が形成されるのが一般的である。この遮光膜は、各画素の開口領域（即ち、投射光が透過する領域）を規定することにより、ＴＦＴのｐ−Ｓｉ膜に対する遮光の他に、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を果たしている。
【０００３】
他方、この種の液晶装置では、画面を明るくするために、液晶装置の画像表示領域全体に対する画素の開口領域の比率である画素開口率を高めることが重要であるが、Ａｌ（アルミニウム）等からなるデータ線、ポリシリコン等からなる走査線や容量線、半導体層や絶縁層を含むＴＦＴなどが画像表示領域内に非開口領域をなすため、画素開口率を高めるのには一定の限界がある。特に、画素密度を上げて高精細な画像を表示可能とするため及び液晶装置の大きさを小型化するために画素ピッチを小さくすると、このような非開口領域をなす各種配線やＴＦＴ等を小さくすることに一定の限界があるが故に、画素開口率を高めることも困難となる。
【０００４】
そこで、例えば特開昭６０−１６５６２１号〜１６５６２４号公報、特開平５−１９６９２６号公報等に開示されているように、入射光の利用効率を向上するためのマイクロレンズが対向基板上に設けられた形式の液晶装置が開発されている。この場合、画素開口率が同じであれば、液晶装置に対向基板の側から入射した光は、開口領域に入るように集光されるので、開口率が同じであっても、各開口を通過する光の強度が増加するため、即ち各画素における実効開口率が高くなり、液晶装置により表示される画像を明るく出来る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液晶装置の技術分野における表示画像の高品位化や省エネルギ化という一般的要請の下では、上述した従来のマイクロレンズを用いた液晶装置においても、入射光の利用効率は十分とは言えない。
【０００６】
特に、前述した従来の技術のように、対向基板側に遮光膜が形成されているため、この遮光膜の存在により、必然的に入射光における光損失が発生してしまうという問題点がある。
【０００７】
また、ＴＦＴ基板には、画素電極周辺の走査線やデータ線といった各種配線、ＴＦＴ等により非開口領域を規定する遮光領域となる。従って、対向基板とＴＦＴアレイ基板とを機械的に貼り合わせる際に発生する組ずれの度合いに応じて、対向基板の遮光膜とＴＦＴ基板の遮光領域の一方が他方から平面的にみてはみ出すことにより開口領域は狭くなり、入射光の利用効率が更に低下してしまうという問題がある。
【０００８】
そこで入射光の利用効率を高めるために、対向基板側の遮光膜を無くして光損失を抑えると共に遮光領域のみで画素の開口領域を規定することも考えられるが、このように構成すると、対向基板における機械的強度が低下して、接着材により周辺のみでＴＦＴアレイ基板に接着される対向基板には反りや歪みが、より顕著に生じてしまう。また、このように構成すると、入射光と共に対向基板側から入射する熱を対向基板において遮断する能力が極度に低下するため、液晶における温度上昇を招き、延いては、液晶の寿命を短くしてしまう。更に、マイクロレンズの境界を突き抜ける光が液晶に入射するため、多重反射等による迷光が液晶装置内に発生して画像劣化の原因となってしまう。マイクロレンズを対向基板に設ける限りは、上述した種々の理由により、この対向基板上に遮光膜が必要となり、この結果、光の損失が無視し得ない程度に生じてしまうという問題点がある。
【０００９】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、比較的簡単な構成を用いて入射光の利用効率を改善し得ると共に高品位の画像を表示可能な液晶装置等の電気光学装置を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、複数の画素がマトリクス状に配置された第１基板と、前記第１基板に対向して配置され、各前記画素に対応してマトリクス状に配置されるとともに入射光を集光する第１マイクロレンズが前記第１基板側に設けられた第２基板と、前記第２基板の前記第１基板側と反対側に設けられ、各前記画素に対応してマトリクス状に配置されるとともに前記入射光を集光する第２マイクロレンズが前記第１基板側に設けられた第３基板と、前記第２基板の前記第１マイクロレンズの表面に接着剤を介して前記第１基板側に設けられる第１カバーガラスと、前記第３基板の前記第２マイクロレンズの表面に接着剤を介して前記第１基板側に設けられる第２カバーガラスと、前記第１基板と前記第１カバーガラスの間に挟持された電気光学物質とを備え、前記第２カバーガラスと前記第２基板は応力を弾性で吸収させることができるゲル状の接着剤で接着されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、入射光を集光するために、各画素毎に第１マイクロレンズと第２マイクロレンズとを備えている。そして、まず入射光は第２マイクロレンズにより集光され、さらに第２基板に入射された光は第１マイクロレンズにより集光される。即ち、第1マイクロレンズは、第２マイクロレンズにより集光された光が入射されるため、第２基板の集光領域から第２基板の第１遮光膜を外して配置することができる。従って、第1遮光膜による入射光の光損失の発生を未然に防ぐことができ、光の利用効率を高めることができる。同時に、第１遮光膜の存在により、第２基板における機械的強度及び熱遮断性能は各々、当該第１遮光膜がなかった場合と比較して顕著に高められる。
【００１２】
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとは対向配置されてなることを特徴とする。
【００１３】
この態様によれば、投射光を最も効率よく各画素に集光させることができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の一態様は、前記第２マイクロレンズが、前記第２基板の前記第1基板と反対側に配置された第３基板上に設けられていることを特徴とする。
【００１５】
この態様によれば、第３基板を設けない場合には第２基板の外側に塵埃、傷等が付着しやすくなるが、第３基板を設ける場合は、第３基板の外面に塵埃、傷等が付着するため、第２基板の外面を保護することが可能となる。具体的には例えば、本発明の電気光学装置をプロジェクタ等に用いた場合、対向基板の外面は、集光光学系によりフォーカスされる電気光学装置の電気光学物質層に対して１ｍｍ程度しか離れていないため、対向基板の外面もフォーカス状態にある。このため、１０μｍ〜２０μｍ程度の塵埃や傷が存在しても拡大投影されて投射画像の画質を著しく低下させる可能性がある。しかるに、本発明のこの態様によれば、第２基板の外側に第３基板を有するため、塵埃や傷は第２基板の代わりに第３基板に付着しやすくなる。しかし、第３基板に付着した塵埃や傷は第２基板の外面よりも電気光学物質層から離れるため、これらの塵埃や傷はデフォーカスされることになり表示品位の低下を防ぐことができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記第３基板の厚さは前記第２基板の厚さよりも厚いことを特徴とする。
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記第１カバーガラス上の前記第１マイクロレンズ間の境界に夫々対向する位置には第１遮光膜を有することを特徴とする。
また本発明に係る電気光学装置、複数の画素がマトリクス状に配置された第１基板と、前記第１基板に対向して配置され、各前記画素に対応してマトリクス状に配置されるとともに入射光を集光する第１マイクロレンズが一方の面に設けられ、第２マイクロレンズが他方の面に設けられた第２基板と、前記第２基板の両面に前記第１マイクロレンズおよび前記第２マイクロレンズの表面に夫々接着剤を介して設けられる一対のカバーガラスと、  前記第１基板と前記一対のカバーガラスの一方との間に挟持された電気光学物質とを備え、前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとは対向配置されてなることを特徴とする。
【００１７】
この態様によれば、第２基板を厚くすると、第３基板に形成されている第２マイクロレンズの曲率半径を大きくすることが必要であるため、第２基板の厚さを極度に厚くすることはできない。しかし、前記第２マイクロレンズを前記第３基板の前記第２基板側に配置し、且つ第３基板をできるだけ厚くすることにより、第２マイクロレンズの曲率半径を小さくすることができるとともに、塵埃や傷がつきやすい第３基板の外面は電気光学物質層からさらに離れるので、上述のデフォーカス効果を高めることができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記第1マイクロレンズは前記第２基板の前記第1基板側に配置されてなり、前記第２マイクロレンズは前記第２基板の前記第1基板と反対側に配置されてなることを特徴とする。
【００１９】
この態様によれば、前記第２基板の両面に第１マイクロレンズと第２マイクロレンズがそれぞれ配置されているため、前記第２マイクロレンズを電気光学物質層に近い位置に配置することができる。従って、第２マイクロレンズの曲率半径の大きさを抑えることができ、さらに電気光学装置を小型化することができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置に他の態様は、前記第１遮光膜はアルミニウムからなることを特徴とする。
【００２１】
この態様によれば、第１遮光膜はアルミニウムにより形成されているので、その反射率を例えば９０数パーセントといったように従来のＣｒに比べて非常に高くすることができる。従って、電気光学装置内部へ入射しようとする入射光に対する第１遮光膜の反射機能を向上でき、これに応じて電気光学装置における温度上昇を抑制できる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記第１基板上には複数の走査線と、前記走査線に交差する複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに接続された画素電極とを有し、前記第１基板上において前記画素電極の周辺の画素開口領域を相互に区切る遮光領域を少なくとも部分的に規定する第２遮光膜を有し、前記第１遮光膜は、平面的にみて前記遮光領域に覆われていることを特徴とする。
【００２３】
この態様によれば、第１遮光膜は、第１基板上において複数の画素電極に夫々対応する複数の画素開口領域を相互に区切る遮光領域に覆われている。即ち、第１基板の側から見て、遮光領域の輪郭の内側に第１遮光膜の輪郭が位置している。従って、第１基板及び第２基板を機械的に貼り合わせる際の組みずれにより、遮光領域に対して第１遮光膜が平面的にずれてたとしても、両輪郭間の距離に応じて、第１遮光膜の遮光領域からの平面的なはみ出しは、全部或いは部分的に吸収することができる。
【００２４】
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記第２遮光膜は、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記第１基板の側からみて覆う位置に形成されていることを特徴とする。
【００２５】
この態様によれば、チャネル領域を覆うように第２遮光膜が形成されているため、第１基板側からの戻り光等が薄膜トランジスタのチャネル領域に入射して薄膜トランジスタの特性が劣化する事態を未然に防ぐことができる。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記第１遮光膜は、前記複数の第１マイクロレンズの境界に沿って網目状に形成されていることを特徴とする。
【００２７】
この態様によれば、第１遮光膜は網目状であり、遮光領域の輪郭と相似あるいは略相似する。従って、遮光領域に覆われる範囲で第１遮光膜の形成領域を大きくすれば、電気光学装置内部へ入射しようとする入射光に対する第１遮光膜の遮光や反射の機能が向上でき、これに応じて電気光学装置における温度上昇を抑制できる。さらに、遮光領域の機能を第１遮光膜に冗長的に持たせることができる。
【００２８】
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記第１遮光膜は、前記複数の第１マイクロレンズの境界のうち前記走査線に沿った方向の境界に夫々沿って縞状に形成されている。
【００２９】
この態様によれば、形成が比較的容易な縞状の輪郭を持つ第１遮光膜により、電気光学装置内部へ入射しようとする入射光を遮光や反射できるので、電気光学装置における温度上昇を抑制することができる。
【００３０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１遮光膜は、前記複数の第１マイクロレンズの境界のうち前記走査線に沿った方向の境界に夫々沿って島状に形成されている。
【００３１】
この態様によれば、形成が比較的容易な島状の輪郭を持つ第１遮光膜により、電気光学装置内部へ入射しようとする投射光を遮光や反射できるので、電気光学装置における温度上昇を抑制できる。特に第１遮光膜は遮光領域を規定する機能をもたなくても、第２基板における強度を出すために必要最低限の領域にのみ、島状に第１遮光膜を形成することにより、第１基板と第２基板の貼り合わせ精度にマージンを持たせることができる。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとは同じ平面構造を有することを特徴とする。
【００３３】
この態様によれば、第２マイクロレンズで集光されなかった投射光を第１マイクロレンズで集光させることができるため、投射光の利用効率を高めることができる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記画素電極上において前記第１マイクロレンズの集光領域にはみださないように前記第１マイクロレンズの集光角度に応じて前記遮光領域が規定されていることを特徴とする。
【００３５】
第１マイクロレンズ及び第２マイクロレンズの集光角度あるいは集光能力が大きいほど、画素電極上における集光領域は小さくなるので、このように集光領域にはみ出さない範囲で、遮光領域を大きく設定すれば、第１マイクロレンズの集光角度によらず、第１及び第２遮光膜における遮光による光損失を低く抑えることができる。
【００３６】
本発明の電気光学装置の他の態様は、前記第２マイクロレンズは入射光を平行光にするように構成されていることを特徴とする。
【００３７】
この態様によれば、第１マイクロレンズで集光された光をさらに第２マイクロレンズで集光することにより、画素領域の局部的に集光するのを緩和し、入射光による液晶あるいは配向膜等の劣化を防ぐことができる。
【００３８】
本発明の電気光学装置を用いた投射型表示装置では、光源と、該光源から出射された光を集光しながら前記電気光学装置に導く集光光学系と、当該電気光学装置で光変調した光を投射面に拡大投影する拡大投影光学系とを有することを特徴とする。
【００３９】
本発明の投射型表示装置によれば、高画質の画像表示が可能な投射型表示装置を実現できる。
【００４０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにする。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００４２】
（電気光学装置の画素）
本発明による電気光学装置の一例として液晶装置を用いて説明する。まず、液晶装置の画素について、図１から図４を参照して説明する。図１は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極、第1遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群並びに対向基板に形成された第１遮光膜及びマイクロレンズの平面図である。図３は、対向基板に形成されたマイクロレンズにより入射光が集光される様子を擬似断面にて示す模式図であり、図４は、図３に示したＴＦＴ１個に係るＴＦＴアレイ基板部分を拡大して示す拡大断面図である。尚、図３及び図４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあり、更に、図３では、集光の様子を理解し易く描くために、マイクロレンズ及びＴＦＴの配置関係を、実際の配置関係とは異ならしめてある。即ち、実際には、図２に示すように、マイクロレンズは、そのレンズ中心が各画素中心に一致するように配置されており、ＴＦＴは、遮光領域の交点にほぼ対応するように配置されている。
【００４３】
図１において、本実施形態による液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０を形成するために容量線３ｂを設けても良いし、前段の走査線３ａとの間で蓄積容量７０を形成しても良い。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。
【００４４】
図２において、液晶装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。また、これらの配線の各交点にほぼ対応してＴＦＴ３０が設けられている。図中、１点鎖線で示されており上下方向に伸びる各データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等からなる半導体層１ａのうちＴＦＴ３０のソース領域に電気接続されている。画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうちＴＦＴ３０のドレイン領域に電気接続されている。また、図中左右方向に伸びる各走査線３ａは、半導体層１ａのうちチャネル領域１ａ’（図中右下りの斜線の領域）に対向するように配置されており、走査線３ａはＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００４５】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って図中上向きに突出した突出部とを有する。そして、半導体層１ａは、ＴＦＴ３０から容量線３ｂに沿って蓄積容量電極１ｆとして延設されており、この蓄積容量電極１ｆと容量線３ｂとが誘電体としての後述の絶縁薄膜を介して対向配置されることにより、蓄積容量が形成されている。
【００４６】
図中、１点鎖線で示されており走査線３ａ及び容量線３ｂに沿って左右方向に伸びる領域に、複数の縞状部分からなる下地遮光膜１１ａが設けられていてもよい。より具体的には、下地遮光膜１１ａは、走査線３ａ及び容量線３ｂの本線部に沿って伸びる複数の縞状部分に分断されており、更に各縞状部分は、データ線６ａと交差する個所からデータ線６ａに沿って図中下方向に夫々突出しており、この突出部により、半導体層１ａの少なくともチャネル領域１ａ’を含む領域を夫々覆うように構成されている。
【００４７】
図２には更に、対向基板に、各画素電極１１ａに夫々対向して形成される複数のマイクロレンズのマイクロレンズ端５００ａと、対向基板上において複数のマイクロレンズ端５００ａに夫々対向配置された網目状の第１遮光膜２３（図中、右上がりの斜線領域）とが示されている。
【００４８】
まず、図３の模式図の断面構造の上半分の断面部分について説明する。尚、図３の下半分の断面図部分は図４を用いて詳しく説明する。図３に示されるように、ガラス基板や石英基板からなる対向基板２０の外側に設けられた透明基板２５には入射光を第1マイクロレンズ５００に夫々集光するために各画素に対応してマトリクス状に複数の第２マイクロレンズ５０３が配置されている。第２マイクロレンズ５０３の表面全体には第２接着剤５０４により第２カバーガラス５０５が貼り付けられている。対向基板２０には第２マイクロレンズ５０３により集光された光を複数の画素電極９ａに夫々集光するために各画素に対応して、マトリクス状に複数の第１マイクロレンズ５００が配置されている。さらに、複数の第1マイクロレンズ５００の相互の境界に夫々対向する位置には第１遮光膜２３が形成されている。第1マイクロレンズ５００の表面全体には、第1接着剤５０１により第１カバーガラス５０２が貼り付けられており、この上に（図中下側に）更に第１遮光膜２３及び対向電極２１及び配向膜２２が順次積層するように形成されている。さらに、第２カバーガラス５０５はゲル状の接着剤２６により対向基板２０に接着されている。このように、第２カバーガラス５０５の面と対向基板２０の面とを接着剤２６により固着させてもよいし、第２カバーガラス５０５の周辺と対向基板２０の周辺とを接着剤２６で固着し、中央部を空気層としてもよい。ゲル状の接着剤２６としては、硬化後もゲル状を呈するシリコン系接着剤（弾性を有する接着剤）が用いられ、これにより当該接着剤２６を硬化させる際の応力を接着剤２６そのものの弾性で吸収させることができる。従って、液晶装置において透明基板２５に歪み等が発生することを防止することができる。尚、対向基板２０に設けらた第1マイクロレンズ５００と透明基板２５に設けられた第２マイクロレンズ５０３とは対応するように、好ましくは互いの光軸が一致し、さらに画素の中央の垂線に一致するように設けると、光の利用効率をさらに向上させることができる。
【００４９】
第1マイクロレンズ５００は、後述のように、感光性樹脂からなり、第1接着剤５０１は、空気に近い屈折率を有するアクリル系の接着剤からなり、両者間の屈折率の違いにより、第1マイクロレンズ５００は、集光レンズとしての機能を果たす。さらに、第1接着剤５０１の屈折率と第1マイクロレンズ５００の屈折率との関係が
第１接着剤５０１の屈折率＜第1マイクロレンズ５００の屈折率
となるように、当該第1接着剤５０１及び第1マイクロレンズ５００の材質が設定されているとよい。
【００５０】
尚、第２接着剤５０４の屈折率と第２マイクロレンズ５０３の屈折率の関係が、
第２接着剤５０４の屈折率＜第２マイクロレンズ５０３の屈折率
となるように、当該第２接着剤５０４及び第２マイクロレンズ５０３の材質が設定されているとよい。
【００５１】
ここで、透明基板２５としては例えば石英基板を用いる場合には、その屈折率は１．４６なので、対向基板２０、第１カバーガラス５０２、第２カバーガラス５０５、第１接着剤５０１、第２接着剤５０４並びに接着剤２６としても当該屈折率に近い屈折率を有する材質を使用することが好ましい。
【００５２】
尚、第１接着剤５０１及び第２接着剤５０４は、例えばアクリル接着剤を用いる。
【００５３】
上述の構成によれば、対向基板２０上に備えられた第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３により、対向基板２０側からの入射光は、複数の画素電極９ａ上に夫々集光される。従って、第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３が無い場合と比較して、各画素における実効開口率が高められている。また、上述のように透明基板２５に入射された光は第２マイクロレンズ５０３により集光されて対向基板２０に入射し、さらに対向基板２０に入射される光は第１マイクロレンズ５００により集光されて画素電極９ａに集光される。即ち、対向基板２０には透明基板２５に配置された第２マイクロレンズ５０３により集光された光が入射されるため、対向基板２０の集光領域から第１遮光膜２３を外して配置でき、入射光が第１遮光膜２３によりさまたげられるのを防ぎ、光損失を防ぐことができる。しかも入射光が第1マイクロレンズ５００の境界を通過して、ＴＦＴ３０のチャネル領域に直接入射したり、多重反射等により迷光となった後に入射する事態を未然に防げる。さらにまた、第１遮光膜２３の存在により、対向基板２０における機械的強度及び熱遮断性能は各々、当該第１遮光膜２３がなかった場合と比較して顕著に高められる。さらに、本実施形態は、基板外面に付着する塵埃、傷等をデフォーカスさせる効果がある。即ち、透明基板２５を有さない構成を例えば投射型表示装置に用いた場合、対向基板２０の外面は、集光光学系によりフォーカスされている液晶装置の液晶層に対して１ｍｍ程度しか離れていないため対向基板２０の外面もフォーカス状態にあり、このため、１０〜２０μｍ程度の塵埃や傷が存在しても拡大投射されて投射画像の画質を著しく低下させるという問題点がある。しかし、本実施形態の如く対向基板２０の外側に透明基板２５を有する場合、塵埃や傷は対向基板２０ではなく透明基板２５のほうに付着されやすくなる。そのため、透明基板２５を対向基板２０に面接着すれば、たとえ透明基板２５の外面に塵埃や傷ががついても、これらの塵埃や傷は液晶層５０から離れデフォーカスされるので表示品位の低下を防止することができる。この場合、透明基板２５は対向基板２０と同等の厚さもしくはそれ以上の厚さを有すれば、塵埃等をデフォーカスするために効果的である。
【００５４】
上記の構成に加えて、本実施形態の特徴となる構成について図２及び図４を用いて説明する。
【００５５】
図４は、図３の下半分の断面構造に関し、特に図３に示したＴＦＴ３０の１個に係わるＴＦＴアレイ基板１０部分を拡大して示す拡大断面図である。図４に示されるように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【００５６】
図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。
【００５７】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材（図１３及び図１４参照）により囲まれた空間に電気光学物質である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び図３に示した配向膜２２により所定の配向状態を採る。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００５８】
図４に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０と各画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、下地遮光膜１１ａが設けられている。下地遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ（チタン）、Ｃｒ、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）及びＰｂ（鉛）のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される場合がある。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の下地遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、下地遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。
【００５９】
また、下地遮光膜１１ａと複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを下地遮光膜１１ａから電気的絶縁するために設けられるものである。更に、第１層間絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のための下地膜としての機能をも有する。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。第１層間絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。第１層間絶縁膜１２により、下地遮光膜１１ａが画素スイッチング用ＴＦＴ３０等を汚染する事態を未然に防ぐこともできる。
【００６０】
図４において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁する絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接続されている。本実施形態では特にデータ線６ａは、Ａｌ等の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の薄膜から構成されている。また、走査線３ａ、絶縁薄膜２及び第１層間絶縁膜１２の上には、第２層間絶縁膜４が形成されている。第２層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５を介して、データ線６ａは高濃度ソース領域１ｄに電気接続されている。更に、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には、第３層間絶縁膜７が形成されている。第３層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール８を介して、画素電極９ａは高濃度ドレイン領域１ｅに電気接続されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。尚、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとは、データ線６ａと同一のＡｌ膜や走査線３ｂと同一のポリシリコン膜を中継しての電気接続するようにしてもよい。
【００６１】
本実施形態では、絶縁薄膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。より詳細には、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅが、データ線６ａ及び走査線３ａの下に延設されて、同じくデータ線６ａ及び走査線３ａに沿って伸びる容量線３ｂ部分に絶縁薄膜２を介して対向配置されて、第１蓄積容量電極１ｆとされている。特に蓄積容量７０の誘電体としての絶縁薄膜２は、高温酸化によりポリシリコン膜上に形成されるＴＦＴ３０のゲート絶縁膜としても機能するので、薄く且つ高耐圧の絶縁膜とすることができ、蓄積容量７０は比較的小面積で大容量の蓄積容量として構成できる。
【００６２】
この結果、データ線６ａ下の領域及び走査線３ａに沿って液晶のディスクリネーションが発生する領域（即ち、容量線３ｂが形成された領域）という開口領域を外れたスペースを有効に利用して、画素電極９ａの蓄積容量を増やすことが出来る。
【００６３】
このような構成において、本実施形態では特に、図２に示されるように、ＴＦＴアレイ基板の網目状の遮光領域は、下地遮光膜１１ａと遮光性の金属膜の一例としてのＡｌ（アルミニウム）膜からなるデータ線６ａとから、網目状の第１遮光膜２３は平面的に、この遮光領域により覆われている。即ち、平面的に見て第１遮光膜２３の輪郭は、遮光領域の輪郭内に含まれている。そして、遮光領域に囲まれた各画素電極９ａにより、入射光が透過する領域である画素開口領域が規定されている。第1マイクロレンズ５００により集光された入射光は、図中、破線で示される円形の集光領域５００ｂに集光される。即ち、入射光は下地遮光膜１１ａ及びデータ線６ａにより規定される遮光領域（図２参照）内に、即ち第１マイクロレンズ５００による画素電極９ａ上の集光領域５００ｂから外れて位置する。このため、対向基板２０側からの入射光が第１マイクロレンズ５００を介してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'に入射することは実用上殆ど又は全くない。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０を機械的に貼り合わせる際の組みずれにより、遮光領域（或いは、下地遮光膜１１ａ）に対して第１遮光膜２３が平面的にずれてたとしても、両輪郭間の距離に応じて、第１遮光膜２３の下地遮光膜１１ａ或いはデータ線６ａからの平面的なはみ出しは、全部或いは部分的に吸収される。言い換えれば、第１遮光膜２３は、遮光領域或いは画素開口領域を規定する機能を持たず、上述のように第１マイクロレンズ５００の境界にだけ最低限設けておけば足りるので、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを接着する際の組みずれを見込んで、第１遮光膜２３の形成領域を小さめに設定しておくことにより、この組みずれが画素開口率には何等影響しないようにできる。このため、所定許容範囲内にある多少の組みずれによっては、画素開口領域は全く狭くならないか或いは少ししか狭くならないで済む。
【００６４】
以上のように、仮にＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’における対向基板２０側の遮光を金属薄膜からなるデータ線６ａにより施さなくても、対向基板２０側からの入射光に対するＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’における遮光は、マイクロレンズ５００及び第１遮光膜２３により十分に施される。他方、前述のように下地遮光膜１１ａにより、各ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’は、ＴＦＴアレイ基板１０側から見て夫々覆われる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０側からの戻り光等がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に入射してＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化する事態を未然に防ぐことが出来る。以上の結果、入射光や戻り光等のＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’への入射により、ＴＦＴ３０の特性が劣化することは実践上殆ど又は全く無く、本実施形態の液晶装置では、ＴＦＴ３０による精度の高い液晶駆動が可能とされる。
【００６５】
これらに加えて、下地遮光膜１１ａとデータ線６ａとにより規定される遮光領域は、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能をも有する。
【００６６】
更にまた、第１遮光膜２３は、上述のように画素開口率にほぼ又は全く影響しないので、従来のＣｒ等と比べて寸法精度が出ない材料を第１遮光膜２３の材料として使用することも可能となる。従って、従来のＣｒ等と比べて反射率が高いが精度を出し難い、例えばＡｌ等の材料を第１遮光膜２３として使用することも可能となる。Ａｌ膜は反射率が例えば９０数パーセントといったように従来のＣｒに比べて非常に高くできる。これにより仮に対向基板２０側から入射する入射光が第１遮光膜２３にあたったとしても、高反射率で反射することが出来るので、第１遮光膜２３の形成面積に応じて当該液晶装置の温度上昇をより効率的に抑えることも可能となる。
【００６７】
本実施形態では特に、図２乃至図４に示したように、画素電極９ａ上において第１マイクロレンズ５００の集光領域５００ｂにはみ出さないように第１マイクロレンズ５００の集光角度に応じて、下地遮光膜１１ａ及びデータ線６ａからなる遮光領域が規定されている。ここで、第１マイクロレンズ５００の集光角度或いは集光能力が大きい程、画素電極９ａ上における集光領域５００ｂの面積は小さくなるので、このように集光領域５００ｂにはみ出さない範囲で、遮光領域を大きく設定すれば、第１マイクロレンズ５００の集光角度によらず、下地遮光膜１１ａ及び第１遮光膜２３における遮光による光損失を低く抑えられる。従って、各種の曲率や形状を持つ第１マイクロレンズ５００を用いて本実施形態の液晶装置を構成することが可能となる。
【００６８】
更にまた、コンタクトホール５は、対向基板２０の側から見てデータ線６ａの下に開孔されている。このため、コンタクトホール５は、画素の開口領域から外れており、しかも画素スイッチング用ＴＦＴ３０や第１蓄積容量電極１ｆが形成されていない第１層間絶縁膜１２の部分に設けられているので、画素領域の有効利用を図りつつ、コンタクトホール５の形成によるＴＦＴ３０や他の配線等の不良化を防ぐことができる。
【００６９】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置により、比較的簡単な構成を用いて、各画素における実効開口率を高めつつ、高精細な画像を表示できる。
【００７０】
（マイクロレンズの製造方法）
次に、本実施形態に用いられる第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３の製造方法について、第１マイクロレンズ５００を例として図５を参照して説明する。
【００７１】
先ず図５（ａ）に示すように、ネオセラム等のガラス基板や石英基板からなる対向基板２０上に、感光性樹脂５１０を塗布する。
【００７２】
次に図５（ｂ）に示すように、各第１マイクロレンズ５００となる部分に対応する凸部が残るように所定パターンを有するマスク５２０を介して、感光性樹脂５１０をマスク露光し、その後、図５（ｃ）に示すように、ウェット又はドライエッチングにより現像する。
【００７３】
次に図５（ｄ）に示すように、熱フローを印加し、感光性樹脂５１０の熱変形及び表面張力により、滑らかな各マイクロレンズの凸面を持つ感光性樹脂５１０からなる、図２及び図３に示したような複数のマイクロレンズ５００を形成する。この際特に、熱フローを基板面上で制御することにより、所定の集光能力を有し且つ隙間が殆ど空かないように複数の第１マイクロレンズ５００を形成する。
【００７４】
次に図５（ｅ）に示すように、第１マイクロレンズ５００の表面にアクリル系接着剤５０１を塗布してネオセラム等からなるカバーガラス５０２ｇを接着する。
【００７５】
次に図５（ｆ）に示すように、カバーガラス５０２ｇを研磨して、図３に示した如き、所定の厚みを有するカバーガラス５０２とする。
【００７６】
最後に図５（ｇ）に示すように、第１遮光膜２３及び対向電極２１をスパッタリング、コーティング等によりこの順に成膜して、図３に示した如き第1マイクロレンズ５００及び第１遮光膜２３を備えた対向基板２０を完成させる。上記の製造方法によれば、凸型のマイクロレンズが形成されるが、凹型のマイクロレンズとしては次の製造方法について図６を用いて説明する。
【００７７】
先ず図６（ａ）に示すように、ネオセラム等のガラス基板や石英基板からなる対向基板２０上に、マスク層６１１を形成する。
【００７８】
次に図６（ｂ）に示すように、マスク層６１１に所定の平面配列で開口部６１１ａをフォトリソグラフィ法のパターニング処理により形成する。この時、開口部６１１ａの開口径は実際に形成しようとする凹曲面部の径よりも小さいことが望ましい。
【００７９】
次に、図６（ｃ）に示すように、マスク層６１１の開口部６１１ａから対向基板２０の表面を等方的にエッチング処理し、凹曲面部６００を形成する。このエッチング処理は、フッ酸を主体とするエッチング液を用いた湿式エッチングで行う。
【００８０】
次に、図６（ｄ）に示すようにマスク層６１１をエッチング処理によって除去する。図６（ｄ）以降の工程は、上述の凹型マイクロレンズの製造方法の図５（ｅ）以降と同様な工程を有するため、その説明及び図示を省略する。
【００８１】
尚、第１マイクロレンズ５００は、例えば、特開平６−１９４５０２号公報に開示されている公知の製造方法や伝統的な所謂「熱変形法」により形成してもよい。このように形成された第１マイクロレンズ５００を有する対向基板２０をシール材を介してＴＦＴアレイ基板１０と貼りあわせる。第２マイクロレンズ５０３を有する透明基板２５は、第１マイクロレンズ５００と図５（ｇ）までは同様の工程で形成し、第１遮光膜２３及び対向電極２１は形成しないようにする。その後、第１マイクロレンズを有する対向基板２０と第２マイクロレンズ５０３を有する透明基板２５とをゲル状の接着剤２６により貼りあわせる。この接着剤２６を対向基板２０と透明基板２５の面接着させてもよいが、対向基板２０と透明基板２５のそれぞれの対向する面の周辺で接着剤により固着させて、中央部を空気層としても良い。また、第１マイクロレンズと第２マイクロレンズとを同一平面構造を有するようにすれば、同一工程で夫々のマイクロレンズを作成することができ、歩留まりを向上させることができる。また、同一平面構造を有すれば第２マイクロレンズ５０３で集光されなかった投射光を第１マイクロレンズ５００で集光することができ、投射光の利用効率を高めることができる。
【００８２】
〔第２実施形態〕
次に、本発明に係る液晶装置の第２実施形態について、図７を用いて説明する。
【００８３】
なお、図７は第２実施形態に係る液晶装置の構造を示す断面模式図である。
【００８４】
また、第２実施形態の液晶装置の全体構成及び平面形状は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【００８５】
上述の第１実施形態においては、対向基板２０上に第１マイクロレンズ５００を形成すると共に、透明基板２５上に第２マイクロレンズ５０３を形成する構成としたが、第２実施形態では、対向基板２０の両面に第１マイクロレンズ５００と第２マイクロレンズ５０３を形成している。
【００８６】
その他のＴＦＴアレイ基板１０の構成等は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【００８７】
このとき、投射光を画素電極９ａへ集光させるためには、第２マイクロレンズ５０３の屈折率と第２接着剤５０４の屈折率との関係について、
第２マイクロレンズ５０３の屈折率＜第２接着剤５０４の屈折率
となる関係にあり、一方、第１マイクロレンズ５００の屈折率と第１接着剤５０１の屈折率との関係については、
第１マイクロレンズ５００の屈折率＞第１接着剤５０１の屈折率
となる関係になる。
【００８８】
なお、対向基板２０の両面に第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３を形成するための製造方法としては、上述した図５における第１工程乃至第４工程（図５（ａ）乃至図５（ｄ）に示す。）を対向基板２０の両面について同様に形成し、第１マイクロレンズ５００側に第1遮光膜２３、対向電極２１、配向膜２２を形成すればよい。
【００８９】
以上説明したように、第２実施形態の液晶装置の構成によっても、第１マイクロレンズに第１遮光膜２３を形成した場合でも投射光の利用効率を向上させることができる。
【００９０】
更に、この効果に加えて、第２マイクロレンズ５０３を画素電極９ａに対してより近い位置に配置することができるので、必要な投射光の集光を得るために必要な第２マイクロレンズ５０３の平面形状をより小さくできる。
【００９１】
更に、第２マイクロレンズ５０３自体を薄くして液晶装置全体を薄くできるので、第２実施形態の構成は液晶装置の小型化に好適である。
【００９２】
〔第３実施形態〕
次に、本発明に係る液晶装置の第３実施形態について、図８を用いて説明する。
【００９３】
なお、図８は第３実施形態に係る液晶装置の構造を示す断面模式図である。
【００９４】
また、第３実施形態の液晶装置の全体構成及び平面形状は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【００９５】
上述の第１実施形態においては、対向基板２０上に第１マイクロレンズ５００を形成すると共に、透明基板２５上に第２マイクロレンズ５０３を形成し、当該第２マイクロレンズ５０３を接着剤２６及び第２カバーガラス５０４を介して対向基板２０に接着する構成としたが、第３実施形態では、当該第２マイクロレンズ５０３が形成された透明基板２５を第２接着剤５０４により直接対向基板２０に接着する構成としている。
【００９６】
その他のＴＦＴアレイ基板１０の構成等は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【００９７】
このとき、投射光を画素電極９ａへ集光させるためには、第２マイクロレンズ５０３の屈折率と第２接着剤５０４の屈折率との関係について、
第２マイクロレンズ５０３の屈折率＞第２接着剤５０４の屈折率
なる関係があり、一方、第１マイクロレンズ５００の屈折率と第１接着剤５０１の屈折率との関係については、
第１マイクロレンズ５００の屈折率＞第１接着剤５０１の屈折率
なる関係が必要となる。
【００９８】
また、対向基板２０に第１マイクロレンズ５００を形成する製造方法及び透明基板２５に第２マイクロレンズ５０３を形成する製造方法は、それぞれ図５における製造方法を用いて形成することができる。
【００９９】
以上説明したように、第３実施形態の液晶装置の構成によれば、第２実施形態の液晶装置の構成の効果と同様の効果を奏することができる。
【０１００】
〔第４実施形態〕
次に、本発明に係る液晶装置の第４実施形態について、図９を用いて説明する。
【０１０１】
なお、図９は第４実施形態に係る液晶装置の構造を示す断面模式図である。
【０１０２】
また、第４実施形態の液晶装置の全体構成及び平面形状は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【０１０３】
上述の第１乃至第３実施形態においては、第１マイクロレンズ５００又は第２マイクロレンズ５０３を凸レンズとして形成したが、第４実施形態では、対向基板２０に形成される第１マイクロレンズ５００及び透明基板２５に形成される第２マイクロレンズ５０３を夫々凹レンズとして形成している。
【０１０４】
その他のＴＦＴアレイ基板１０の構成等は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【０１０５】
このとき、投射光を画素電極９ａへ集光させるためには、第２マイクロレンズ５０３の屈折率と第２接着剤５０４の屈折率との関係について、
第２マイクロレンズ５０３の屈折率＜第２接着剤５０４の屈折率
なる関係があり、一方、第１マイクロレンズ５００の屈折率と第１接着剤５０１の屈折率との関係については、
第１マイクロレンズ５００の屈折率＜第１接着剤５０１の屈折率
なる関係がある。
【０１０６】
以上説明したように、第４実施形態の液晶装置の構成によれば、第２実施形態の液晶装置又は第３実施形態の液晶装置と同様の効果を奏することができる。
【０１０７】
また、対向基板２０に第１マイクロレンズ５００を形成する製造方法及び透明基板２５に第２マイクロレンズ５０３を形成する製造方法は、それぞれ図６における製造方法を用いて形成することができる。
【０１０８】
〔第５実施形態〕
次に、本発明に係る液晶装置の第５実施形態について、図１０を用いて説明する。
【０１０９】
なお、図１０は第５実施形態に係る液晶装置の構造を示す断面模式図である。
【０１１０】
また、第５実施形態の液晶装置の全体構成及び平面形状は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【０１１１】
上述の第４実施形態においては、凹レンズ型の第１マイクロレンズ５００を対向基板２０上に形成し、他方凹レンズ型の第２マイクロレンズ５０３を透明基板２５上に形成したが、第５実施形態では、対向基板２０の両面に夫々凹レンズ型の第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３を形成している。
【０１１２】
その他のＴＦＴアレイ基板１０の構成等は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【０１１３】
このとき、投射光を画素電極９ａへ集光させるためには、第２マイクロレンズ５０３の屈折率と第２接着剤５０４の屈折率との関係について、
第２マイクロレンズ５０３の屈折率＞第２接着剤５０４の屈折率
なる関係があり、一方、第１マイクロレンズ５００の屈折率と第１接着剤５０１の屈折率との関係については、
第１マイクロレンズ５００の屈折率＜第１接着剤５０１の屈折率
なる関係が必要となる。
【０１１４】
以上説明したように、第５実施形態の液晶装置の構成によれば、第２実施形態の液晶装置から第４実施形態の液晶装置うちのいずれか一の液晶装置と同様の効果を奏することができる。
【０１１５】
また、対向基板２０に第１マイクロレンズ５００及びマイクロレンズ５０３を形成する製造方法は、それぞれ図６における製造方法を用いて形成することができる。
【０１１６】
〔第６実施形態〕
次に、本発明に係る液晶装置の第６実施形態について、図１１を用いて説明する。
【０１１７】
なお、図１１は第６実施形態に係る液晶装置の構造を示す断面模式図である。
【０１１８】
また、第６実施形態の液晶装置の全体構成及び平面形状は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【０１１９】
上述の第４実施形態又は第５実施形態においては、第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３を双方とも凹レンズ形状としたが、第６実施形態では、第１マイクロレンズ５００を凹レンズ型とし、一方で第２マイクロレンズ５０３を凸レンズ型とし、更に、第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３の双方を対向基板２０の両面に形成している。
【０１２０】
その他のＴＦＴアレイ基板１０の構成等は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【０１２１】
このとき、投射光を画素電極９ａへ集光させるためには、第２マイクロレンズ５０３の屈折率と第２接着剤５０４の屈折率との関係について、
第２マイクロレンズ５０３の屈折率＞第２接着剤５０４の屈折率
なる関係があり、一方、第１マイクロレンズ５００の屈折率と第１接着剤５０１の屈折率との関係については、
第１マイクロレンズ５００の屈折率＜第１接着剤５０１の屈折率
なる関係が必要となる。
【０１２２】
なお、対向基板２０の片面に凸レンズ型の第２マイクロレンズ５０３を形成するためには、上述した図５における第１工程乃至第４工程（図５（ａ）乃至図５（ｄ）に示す。）を対向基板２０の当該片面について行えばよい。
【０１２３】
以上説明したように、第６実施形態の液晶装置の構成によれば、第２実施形態の液晶装置から第５実施形態の液晶装置うちのいずれか一の液晶装置と同様の効果を奏することができる。
【０１２４】
また、対向基板２０に第１マイクロレンズ５００を形成する製造方法は図６のおける製造方法を用いて、第２マイクロレンズ５０３を形成する製造方法は、図５における製造方法を用いて形成することができる。
【０１２５】
〔第７実施形態〕
次に、本発明に係る液晶装置の第７実施形態について、図１２を用いて説明する。
【０１２６】
なお、図１２は第７実施形態に係る液晶装置の構造を示す断面模式図である。
【０１２７】
また、第７実施形態の液晶装置の全体構成及び平面形状は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【０１２８】
上述の第６実施形態においては、第１マイクロレンズ５００を凹レンズ型とし、第２マイクロレンズ５０３を凸レンズ型としたが、第７実施形態では、第１マイクロレンズ５００を凸レンズ型とし、一方で第２マイクロレンズ５０３を凹レンズ型とし、更に、第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３の双方を対向基板２０の両面に形成している。
【０１２９】
その他のＴＦＴアレイ基板１０の構成等は第１実施形態の液晶装置と同一であるので、細部の説明は省略する。
【０１３０】
このとき、投射光を画素電極９ａへ集光させるためには、第２マイクロレンズ５０３の屈折率と第２接着剤５０４の屈折率との関係について、
第２マイクロレンズ５０３の屈折率＜第２接着剤５０４の屈折率
なる関係があり、一方、第１マイクロレンズ５００の屈折率と第１接着剤５０１の屈折率との関係については、
第１マイクロレンズ５００の屈折率＞第１接着剤５０１の屈折率
なる関係が必要となる。
【０１３１】
なお、対向基板２０の片面に凸レンズ型の第１マイクロレンズ５００を形成するためには、上述した図５における第１工程乃至第４工程（図５（ａ）乃至図５（ｄ）に示す。）を対向基板２０の当該片面について行えばよい。
【０１３２】
以上説明したように、第７実施形態の液晶装置の構成によれば、第２実施形態の液晶装置から第６実施形態の液晶装置うちのいずれか一の液晶装置と同様の効果を奏することができる。
【０１３３】
また、対向基板２０に第１マイクロレンズ５００を形成する製造方法は図５における製造方法を用いることができ、また対向基板２０に第２マイクロレンズ５０３を形成する製造方法は、それぞれ図６における製造方法を用いて形成することができる。
【０１３４】
なお、上述の各実施形態においては、各画素電極９ａに設けられているＴＦＴ３０としては、正スタガ型又はコプラナー型等のポリシリコン薄膜ＴＦＴであるとして説明したが、これ以外に、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他形式のトランジスタに対しても、各実施形態は有効である。
【０１３５】
また、各実施形態では、ＴＦＴを用いて画素電極９ａに駆動電圧を印加するように構成したが、ＴＦＴ以外の、例えぱ、ＴＦＤ（Thin  Film  Diode：薄膜ダイオード）等のアクティブマトリクス素子を用いることも可能であり、更に、液晶装置をパッシブマトリクス型の液晶装置として構成することも可能である。
【０１３６】
このような場合であっても、マイクロレンズで画素電極上に投射光を集光する構成を採る限り、投射光の利用効率を向上させる上で本実施形態の場合と同様に有効である。
【０１３７】
更に、第２マイクロレンズ５０３の配置については、これを透明基板２５の更に外側に設けてもよい。
【０１３８】
更にまた、透明基板２５０の液晶層５０に対向している面と反対の面（投射光の出射面）に、第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３で集光した投射光を平行光に戻すためのマイクロレンズを更に設ける構成としてもよい。
【０１３９】
次に、対向基板２０上における第１遮光膜２３の形状については、図１３（Ａ）から図１３（Ｃ）に示すように各種の形状とすることが可能である。
【０１４０】
先ず、図２に示したと同様に、図１３（Ａ）に示すように、右下がりの斜線はＴＦＴアレイ基板１０上の走査線３ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ３０等により規定される遮光領域を示し、この遮光領域は右上がりの斜線で示される前記第１遮光膜２３により平面的に覆われるように、第１遮光膜２３を網目状に形成してもよい。このように遮光領域に覆われる範囲で第１遮光膜２３の形成領域を大きくすれば、電気光学装置内部へ入射しようとする入射光に対する第１遮光膜２３の遮光や反射の機能を向上でき、これに応じて電気光学装置における温度上昇を抑制できる。さらに、遮光領域の機能を第１遮光膜に冗長的に持たせることができる。
【０１４１】
或いは、図１３（Ｂ）に示すように、右下がりの斜線で示す遮光領域により平面的に覆われる右上がりの斜線で示した領域に、走査線３ａに沿って（図中、左右方向に）伸びる縞状の第１遮光膜２３’を形成してもよい。形成が比較的容易な縞状の輪郭を持つ第１遮光膜２３’により、電気光学装置内部へ入射しようとする入射光を遮光や反射できるので、電気光学装置における温度上昇を抑制することができる。
【０１４２】
或いは、図１３（Ｃ）に示すように、右下がりの斜線で示す遮光領域により平面的に覆われる右上がりの斜線で示した領域に、走査線に沿って画素毎に分断された島状の第１遮光膜２３”を形成してもよい。
【０１４３】
この態様によれば、形成が比較的容易な島状の輪郭を持つ第１遮光膜２３”により、電気光学装置内部へ入射しようとする投射光を遮光や反射できるので、電気光学装置における温度上昇を抑制できる。特に第１遮光膜２３”は遮光領域を規定する機能をもたなくても、対向基板における強度を出すために必要最低限の領域にのみ、島状に第１遮光膜２３”を形成することにより、ＴＦＴアレイ基板と対向基板２０の貼り合わせ精度にマージンを持たせることができる。
【０１４４】
これら図１３（Ａ）から図１３（Ｃ）に示したいずれの形態によっても、対向基板２０の強度を高めることが出来ると共に、液晶層への熱入射を低減することが出来る。上記３つの形状は、第１実施形態１乃至第７実施形態のいずれにも適用可能である。
【０１４５】
また、上述の実施形態では、第１マイクロレンズ５００で集光された光をさらに第２マイクロレンズ５０３により集光するようにしたが、入射光を第２マイクロレンズ５０３により平行光にすることも可能である。このように第１マイクロレンズで集光された光をさらに第２マイクロレンズにより平行光になるように集光すれば、入射光が画素領域に局部的に集光するのを緩和し、入射光による液晶あるいは配向膜等の劣化を防ぐことができる。
【０１４６】
（液晶装置の全体構成）
以上のように構成された液晶装置の各実施形態の全体構成を図１４から図１５を参照して説明する。図１４は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１５は、対向基板２０を含めて示す図１４のＨ−Ｈ’断面図である。
【０１４７】
図１４において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第１遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る額縁としての第２遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線６ａは画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路１０１から画像信号を供給し、偶数列のデータ線６ａは前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路１０１から画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路１０１の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１５に示すように、図１４に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【０１４８】
以上説明した各実施形態における液晶装置は、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、３枚の液晶装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各液晶装置には各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第１遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に各実施形態における液晶装置を適用できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。
【０１４９】
また従来は、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面側での反射を防止するために、反射防止用のＡＲ(Anti Reflection)被膜された偏光板を別途配置したり、ＡＲフィルムを貼り付ける必要があった。しかし、各実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面と半導体層１ａの少なくともチャネル領域１ａ’に下地遮光膜１１ａが形成されているため、このようなＡＲ被膜された偏光板やＡＲフィルムを用いたり、ＴＦＴアレイ基板１０そのものをＡＲ処理した基板を使用する必要が無くなる。従って、各実施形態によれば、材料コストを削減でき、また偏光板貼り付け時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがなく大変有利である。また、耐光性が優れているため、明るい光源を使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏光変換して、光利用効率を向上させても、光によるクロストーク等の画質劣化を生じない。
【０１５０】
更にまた、第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３の集光能力としては、集光領域５００ｂ（図２参照）が開口領域に丁度収まる程度に集光できれば十分であり、必要以上に集光領域５００ｂを小さくする必要はない。更に、第１マイクロレンズ５００及び第２マイクロレンズ５０３により、各画素における実効開口率が高められているので、画素開口領域を広げるために、走査線３ａ、容量線３ｂ及びデータ線６ａの線幅やＴＦＴ３０の平面的なサイズを必要以上に小さくする必要はない。従って、本実施形態は、画素ピッチを小さくして、各画素の微細化を行う場合に非常に適している。
【０１５１】
また、液晶装置に限らず、各種の電気光学装置、例えばエレクトロルミネッセンス、プラズマディスレプレイ等の電気光学装置に本実施形態は有効である。
【０１５２】
図１６に本実施形態を用いた応用例として液晶プロジェクタの構成について説明する。液晶プロジェクタ１１００は、上述の電気光学装置としての液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、各々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに各々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１５３】
本実施形態では特に、下地遮光膜１１ａがＴＦＴ３０の下側にも設けられているため、当該液晶装置からの投射光に基づく液晶プロジェクタ内の投射光学系による反射光、投射光が通過する際の液晶装置用基板の表面からの反射光、他の液晶装置から出射した後にダイクロイックプリズム１１１２を突き抜けてくる投射光の一部等が、戻り光として液晶装置用基板の側から入射しても、画素電極９ａのスイッチング用のＴＦＴ等３０のチャネル領域１ａに対する遮光を十分に行うことができる。このため、小型化に適したプリズムを投射光学系に用いても、各液晶装置の液晶装置用基板とプリズムとの間において、戻り光防止用のＡＲフィルムを貼り付けたり、偏光板にＡＲ被膜処理を施したりすることが不要となるので、構成を小型且つ簡易化する上で大変有利である。
【０１５４】
さらに、本実施形態は、下地遮光膜によりチャネル領域への戻り光を防ぐことができるため、液晶装置に戻り光防止処理を施した偏光板を直接貼りつけず、偏光板を液晶装置から離して形成するようにしてもよい。より具体的には、一方の偏光板（図示せず）をダイクロイックプリズム１１１２に貼り付けることが可能である。このように、偏光板をプリズムユニットに貼り付けることにより、偏光板の熱は、プリズムユニットあるいはレンズで吸収されるため、液晶装置の温度上昇を防ぐことができる。また、このような構成の場合、液晶装置と偏光板との間を離して形成することができるため、液晶装置と偏光板との間には空気層ができる。そこでプリズムユニットの上側あるいは下側の一方に冷却手段（図示せず）を設け、冷却手段から液晶装置と偏光手段との間に冷風等の送風を送り込むことにより、液晶装置の温度上昇をさらに防ぐことができ、液晶装置の温度上昇による誤動作を防ぐことができる。また、本実施形態は、対向基板側に形成された第１マイクロレンズと第２マイクロレンズを利用して画素電極に入射光を集光させる際に、第１遮光膜による光損失を防ぎ、光の利用効率を向上させることができ、明るい表示を提供することができる。
【０１５５】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明の電気光学装置によれば、比較的簡単な構成を用いて、各画素における実効開口率を高めつつ、高精細な画像を表示できる。また、対向基板における強度を高めることも可能となり、更に、入射光に伴う電気光学物質への熱入射を抑制することにより、電気光学物質の寿命を長めることも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶装置の実施形態における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】液晶装置の実施形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図３】対向基板に設けられたマイクロレンズにより入射光を集光する様子を示す模式図である。
【図４】図３のＴＦＴ１個に係るＴＦＴアレイ基板部分の拡大断面図である。
【図５】図３に示したマイクロレンズの製造方法を順を追って示す工程図である。
【図６】別のマイクロレンズの製造方法を順を追って示す工程図である。
【図７】本実施形態におけるマイクロレンズの第２実施形態がの画素における対向基板の拡大断面図である。
【図８】本実施形態におけるマイクロレンズの第３実施形態がの画素における対向基板の拡大断面図である。
【図９】本実施形態におけるマイクロレンズの第４実施形態がの画素における対向基板の拡大断面図である。
【図１０】本実施形態におけるマイクロレンズの第５実施形態がの画素における対向基板の拡大断面図である。
【図１１】本実施形態におけるマイクロレンズの第６実施形態がの画素における対向基板の拡大断面図である。
【図１２】本実施形態におけるマイクロレンズの第７実施形態がの画素における対向基板の拡大断面図である。
【図１３】本実施形態における第１遮光膜についての各種の形態を夫々示す平面図である。
【図１４】液晶装置の各実施形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１５】図１３のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１６】本実施形態の液晶装置を用いた電子機器の一例である液晶プロジェクタの構成図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
１ｆ…第１蓄積容量電極
２…絶縁薄膜
３ａ…走査線
３ｂ…容量線
４…第２層間絶縁膜
５…コンタクトホール
６ａ…データ線
７…第３層間絶縁膜
８…コンタクトホール
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…下地遮光膜
１２…第１層間絶縁膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
２３…第１遮光膜
２５…透明基板
２６…ゲル状の接着剤
３０…画素スイッチング用ＴＦＴ
５０…液晶層
５２…シール材
５３…第２遮光膜
７０…蓄積容量
１０１…データ線駆動回路
１０４…走査線駆動回路
５００…第1マイクロレンズ
５０１…第1接着剤
５０２…第1カバーガラス
５０３…第２マイクロレンズ
５０４…第２接着剤
５０５…第２カバーガラス
【図１】
0003697937.tif 000002
【図２】
0003697937.tif 000003
【図３】
0003697937.tif 000004
【図４】
0003697937.tif 000005
【図５】
0003697937.tif 000006
【図６】
0003697937.tif 000007
【図７】
0003697937.tif 000008
【図８】
0003697937.tif 000009
【図９】
0003697937.tif 000010
【図１０】
0003697937.tif 000011
【図１１】
0003697937.tif 000012
【図１２】
0003697937.tif 000013
【図１３】
0003697937.tif 000014
【図１４】
0003697937.tif 000015
【図１５】
0003697937.tif 000016
【図１６】
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