(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される少なくとも１種の繰返し単位を含有してなり、対数粘度〔ηinh 〕（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒、３０℃、濃度０．５ｇ/dl ）が０．１〜４dl／ｇであるポリアミック酸。
【化１】
0003653888.tif 000013
〔一般式（１）において、Ａは
【化３】
0003653888.tif 000014
または
【化４】
0003653888.tif 000015
を示し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は相互に独立してハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２のハロゲン化シクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基または炭素数１〜６のハロゲン化アルコキシル基を示し、Ｘは単結合または−Ｏ−を示し、各ａは相互に独立して０〜３の整数、ｂは１〜３の整数、各ｃは相互に独立して０〜４の整数である。〕
【請求項２】
下記一般式（２）で表される少なくとも１種の繰返し単位を含有してなり、対数粘度〔ηinh 〕（ｍ−クレゾール溶媒、３０℃、濃度０．５ｇ/dl ）が０．１〜４dl／ｇであるポリイミド。
【化５】
0003653888.tif 000016
〔一般式（２）において、Ａは
【化３】
0003653888.tif 000017
または
【化４】
0003653888.tif 000018
を示し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は相互に独立してハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２のハロゲン化シクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基または炭素数１〜６のハロゲン化アルコキシル基を示し、Ｘは単結合または−Ｏ−を示し、各ａは相互に独立して０〜３の整数、ｂは１〜３の整数、各ｃは相互に独立して０〜４の整数である。〕
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低い誘電率を有し、特にＬＳＩの層間絶縁膜として有用なポリイミド、および該ポリイミドを形成しうるポリアミック酸に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ（大規模集積回路）は、微細加工技術の進歩によって、高集積化、多機能化、高性能化の一途を辿っている。その結果、回路抵抗や配線間のコンデンサー容量（以下、それぞれ「寄生抵抗」、「寄生容量」という。）が増大し、それに伴って消費電力が増すだけではなく、入力信号に対する遅延時間も増大し、デバイスの信号スピードが低下する大きな要因となっており、その解決が大きな課題となっている。
このような信号スピードの低下を抑える方策として、寄生抵抗や寄生容量を小さくすることが考えられ、その一つとして、配線周辺を低誘電率の層間絶縁膜で覆うことにより寄生容量を下げて、デバイスの高速化に対応しようとしている。
その具体例としては、従来の代表的な層間絶縁膜である酸化けい素膜を有機膜に替える試みがなされているが、この有機膜の材料には、低誘電性とともに、実装基板製造時の薄膜化工程のほか、チップ接続やピン付け等の後工程にも耐えられる耐熱性を有することが必要とされている。
代表的な低誘電性有機材料としてはポリテトラフルオロエチレンに代表されるふっ素樹脂が知られているが、ふっ素樹脂は耐熱性が不十分である。また、耐熱性の高い有機材料としてポリイミドが知られており、特にJ. Polymer Sci., Part A : Polymer Chemistry, Vol.31, 2153-2163(1993)には、９，９−ビス[ ４−（４−アミノフェノキシ）フェニル ]フルオレンと、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物または３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物とから得られるポリイミドが開示されているが、これら従来のポリイミドの比誘電率は２．９〜３．５程度であり、信号スピードの高速化を図ったＬＳＩの層間絶縁膜としては満足できない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記従来技術を背景になされたものであり、その課題は、誘電率が低く、かつ高度の耐熱性を有し、しかも各種溶媒に対する溶解性にも優れたポリイミド、および該ポリイミドを形成しうるポリアミック酸を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の要旨は、第１に、
下記一般式（１）で表される少なくとも１種の繰返し単位を含有してなり、対数粘度〔ηinh 〕（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒、３０℃、濃度０．５ｇ/dl ）が０．１〜４dl／ｇであるポリアミック酸、
からなる。
【０００５】
【化１】
0003653888.tif 000002
【０００６】
〔一般式（１）において、Ａは
【０００７】
【化３】
0003653888.tif 000003
【０００８】
または
【化４】
0003653888.tif 000004
【０００９】
を示し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は相互に独立してハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２のハロゲン化シクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基または炭素数１〜６のハロゲン化アルコキシル基を示し、Ｘは単結合または−Ｏ−を示し、各ａは相互に独立して０〜３の整数、ｂは１〜３の整数、各ｃは相互に独立して０〜４の整数である。〕
【００１０】
本発明の要旨は、第２に、
下記一般式（２）で表される少なくとも１種の繰返し単位を含有してなり、対数粘度〔ηinh 〕（ｍ−クレゾール溶媒、３０℃、濃度０．５ｇ/dl ）が０．１〜４dl／ｇであるポリイミド、からなる。
【００１１】
【化５】
0003653888.tif 000005
【００１２】
〔一般式（２）において、Ａは
【００１３】
【化３】
0003653888.tif 000006
【００１４】
または
【化４】
0003653888.tif 000007
【００１５】
を示し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は相互に独立してハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数５〜１２のハロゲン化シクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基または炭素数１〜６のハロゲン化アルコキシル基を示し、Ｘは単結合または−Ｏ−を示し、各ａは相互に独立して０〜３の整数、ｂは１〜３の整数、各ｃは相互に独立して０〜４の整数である。〕
【００１６】
以下、本発明を詳細に説明する。
ポリアミック酸
本発明のポリアミック酸は、前記一般式（１）で表される繰返し単位を含有するものである。本発明のポリアミック酸においては、前記一般式（１）のＡ、Ｒ1 、Ｒ2 あるいは各ａが異なる２種以上の繰返し単位が含有されていてもよく、この場合、２種以上の繰返し単位は、ポリアミック酸の分子鎖中にランダム状にもブロック状にも結合することができる。
【００１７】
一般式（１）において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 のハロゲン原子としては、例えば、ふっ素原子、塩素原子、臭素原子等を挙げることができ、アルキル基あるいはハロゲン化アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等や、これらのハロゲン化誘導体を挙げることができ、シクロアルキル基あるいはハロゲン化シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等や、これらのハロゲン化誘導体を挙げることができ、アルコキシル基あるいはハロゲン化アルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等や、これらのハロゲン化誘導体を挙げることができる。
本発明におけるポリアミック酸としては、特に、一般式（１）のＡが
【００１９】
【化６】
0003653888.tif 000008
【００２０】
または
【００２１】
【化７】
0003653888.tif 000009
【００２２】
であり、ａが０であるものが好ましい。
【００２３】
本発明のポリアミック酸は、例えば、下記式（３）で表される９，９−ビス[ ４−（４−アミノフェノキシ）フェニル ]フルオレンと、下記一般式（４）で表されるテトラカルボン酸二無水物の少なくとも１種とを、通常、適当な有機溶媒中で、重縮合することにより製造することができる。
【００２４】
【化８】
0003653888.tif 000010
【００２５】
【化９】
0003653888.tif 000011
【００２６】
〔一般式（４）におけるＡ、Ｒ1 、Ｒ2 およびａは、一般式（１）のそれぞれＡ、Ｒ1 、Ｒ2 およびａと同義である。〕
但し、本発明においては、所期の効果を損なわない限り、少なくとも１種の他のジアミンおよび／または少なくとも１種の他のテトラカルボン酸二無水物を併用することもできる。この場合の他のジアミンあるいは他のテトラカルボン酸二無水物の使用量は、それぞれ９，９−ビス[ ４−（４−アミノフェノキシ）フェニル ]フルオレンあるいは一般式（４）で表されるテトラカルボン酸二無水物に対して、通常、それぞれ５０モル％以下、好ましくは３０モル％以下であり、ポリアミック酸中における一般式（１）で表される繰返し単位の含有率は、好ましくは５０モル％以上である。
本発明のポリアミック酸を製造する際に使用される前記有機溶媒としては、使用されるジアミン成分およびテトラカルボン酸二無水物成分に対して不活性であり、かつこれらを溶解するものが使用され、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、ピリジン、ピコリン、ジチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチル尿素、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
本発明のポリアミック酸を製造する際の反応温度は、通常、６０℃以下、好ましくは常温〜５０℃であり、反応圧力は特に限定されず、通常、常圧で実施することができる。反応時間は、通常、０．５〜２４時間である。
また、反応時のジアミン成分およびテトラカルボン酸二無水物成分の濃度は、適宜調節することができるが、両者の合計重量が、全溶液重量に対して、通常、２〜５０重量％、好ましくは５〜３０重量％である。
本発明のポリアミック酸の対数粘度〔ηinh 〕（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒、３０℃、濃度０．５ｇ/dl ）は、０．１〜４dl／ｇであり、好ましくは０．３〜２dl／ｇである。
【００２７】
ポリイミド
本発明のポリイミドは、前記一般式（２）で表される繰返し単位を含有するものである。
本発明のポリイミドは、一般式（１）で表される繰返し単位を含有する前記ポリアミック酸を、脱水閉環してイミド化することにより製造することができる。前記イミド化に際しては、加熱イミド化法または化学イミド化法を採用することができる。
前記加熱イミド化法としては、例えば、
１）ポリアミック酸溶液をガラス、金属等の表面平滑な基材上に流延して加熱する方法、あるいは
２) ポリアミック酸溶液をそのまま加熱する方法
が適用される。
これらの方法におけるポリアミック酸溶液の溶媒としては、例えば、ポリアミック酸の製造に使用されるものと同様の有機溶媒を挙げることができる。
前記１）の加熱イミド化法では、ポリアミック酸溶液を基板上に流延して形成された薄膜を、常圧下または減圧下で加熱することにより、フィルム状のポリイミドを得ることができる。この場合の加熱温度は、通常、１００〜４５０℃、好ましくは１５０〜４００℃であり、反応中徐々に温度を上げることが好ましい。
また、前記２) の加熱イミド化法では、ポリアミック酸溶液を加熱することにより、ポリイミドが粉末ないし溶液として得られる。この場合の加熱温度は、通常、８０〜３００℃、好ましくは１００〜２５０℃である。
また、２) の加熱イミド化法に際しては、副生する水の除去を容易とするため、水と共沸し、特に反応系外で水と容易に分離しうる成分、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒を脱水剤として存在させることもできる。
さらに、２) の加熱イミド化法に際しては、脱水閉環を促進するため、第三級アミン、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン等の脂肪族第三級アミン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン等の芳香族第三級アミン類；ピリジン、キノリン、イソキノリン等の複素環式第三級アミン類等の触媒を、ポリアミック酸１００重量部当たり、例えば１０〜４００重量部用いることもできる。
【００２８】
次に、前記化学イミド化法としては、例えば、
３）ポリアミック酸を脱水環化させる閉環剤を用い、溶液状態でポリイミド化する方法
が採用され、ポリイミドが粉末あるいは溶液として得られる。この方法で使用される溶媒としても、例えば、ポリアミック酸の製造に使用されるものと同様の有機溶媒を挙げることができる。
３）の化学イミド化法に使用される閉環剤としては、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸の如き酸無水物を挙げることができる。これらの閉環剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができ、その使用量は、前記一般式（１）で表される繰返し単位１モル当たり、通常、２〜１００モル、好ましくは２〜５０モルである。
３）の化学イミド化法における反応温度は、通常、０〜２００℃である。なお化学イミド化法においても、前記加熱イミド化法の場合と同様に第三級アミンを触媒として使用することができる。
前記加熱イミド化法または化学イミド化法によりポリイミドが粉末として得られた場合は、ろ過、噴霧乾燥、水蒸気蒸留等の適宜の方法により、ポリイミド粉末を媒体から分離回収することができる。
【００２９】
本発明のポリイミドの対数粘度〔ηinh 〕（ｍ−クレゾール溶媒、３０℃、濃度０．５ｇ/dl ）は、０．１〜４dl／ｇであり、好ましくは０．３〜２dl／ｇである。
本発明のポリイミドは、低誘電率で、耐熱性が高く、その比誘電率（１ＭＨｚ）は、通常、３．０以下、好ましくは２．９以下であり、また５重量％重量減少温度（窒素雰囲気中）は、通常、４００℃以上、好ましくは５００℃以上である。しかも、本発明のポリイミドは、各種溶媒に対する溶解性も優れている。
したがって、本発明のポリイミドは、特にＬＳＩにおける層間絶縁膜として極めて好適に使用することができるほか、一般の絶縁材料、耐熱性材料等としても有用である。
本発明のポリイミドから層間絶縁膜を形成する際には、その前駆物質である前記ポリアミック酸のワニスあるいはペースト、該ポリイミドのフィルム等が使用される。
前記層間絶縁膜の形成法を例示すると、下記のとおりである。
（イ）ポリアミック酸のワニスをデバイスの層間に流延し、ワニス中の過剰の溶媒を加熱下および／または減圧下で除去して、該ポリアミック酸の薄膜を形成したのち、例えば、１００〜４５０℃、常圧下または加圧下で、該ポリアミック酸を脱水閉環してイミド化する方法、
（ロ）フィルム状のポリイミドをデバイスの層間に配置し、例えば、１００〜４５０℃、常圧下または加圧下で、圧着する方法。
また、ポリイミドをフィルム状で取得する方法としては、例えば、
（ハ）予め離型処理した基板、例えば、ガラス、テフロン、ポリエステル等の基板上に、ポリアミック酸のワニスを流延し、徐々に加熱して溶媒を除去しつつ脱水閉環し、イミド化する方法、
（ニ）ポリイミドの粉末を、プレス成形、射出成形等の適宜の方法によりフィルム状に成形する方法
等を採用することができるが、これらに限定されるものではない。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。
【実施例】
【００３２】
実施例１
ポリアミック酸の製造
攪拌機、還流冷却器および窒素ガス導入管を備えた容器に窒素ガスを流して、容器内を窒素ガスで十分置換し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２７６．８ｇを入れたのち、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）オクタフルオロビフェニル二無水物３１．１１７ｇ（５０ミリモル）を加えて、室温で十分溶解した。次いで、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物２２．２１３ｇ（５０ミリモル）を加え、室温で５時間攪拌して、ポリアミック酸の溶液を得た。
このポリアミック酸の対数粘度〔ηinh 〕（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒、３０℃、０．５ｇ/dl ）を下記のようにして測定したところ、０．５３dl／ｇであった。このポリアミック酸の赤外吸収スペクトル（ＩＲ）を、図３に示す。
〈対数粘度〔ηinh 〕の測定〉
ウベローデ粘度計を用い、式ln(t/t0)／c により算出した。但し、ｔはポリアミック酸溶液の標線間の通過時間、t0はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒の標線間の通過時間、ｃはポリアミック酸溶液の濃度（０．５ｇ／dl）である。
ポリイミドの製造
（ｉ）  前記ポリアミック酸の溶液を、ＳＵＳ３０４基板上にスピンコートにより塗布したのち、８０℃、１４０℃、２００℃、２５０℃、３００℃に順次昇温させつつ、各温度で２０分間加熱して、ポリイミドフィルムを形成した。その後、このポリイミドフィルム上にマスク蒸着により金電極を形成して、比誘電率測定用試料として、比誘電率（ε）を下記のようにして測定した。
〈比誘電率（ε）の測定〉
ポリイミドフィルムの１ＭＨｚにおける静電容量を、（株）横川ヒューレットパッカード社製のＬＣＲメーター4284Ａにより測定して、下記式により比誘電率（ε）を求めた。
0003653888.tif 000012
但し、Ｃは静電容量、  ｄはフィルムの膜厚、  ε0 は真空中の誘電率、Ｓは上部電極の面積である。
（ii)  また、前記ポリアミック酸の溶液を、ガラス基板上に流延したのち、８０℃、１４０℃、２００℃、２５０℃、３００℃に順次昇温させつつ、各温度で２０分間加熱して、ポリイミドフィルムを形成し、ガラス転移温度（Ｔg)と５％重量減少温度（Ｔd5）を下記のようにして測定した。
〈ガラス転移温度（Ｔg)の測定〉
示差走査熱量計（ＤＳＣ）により、窒素雰囲気中、昇温温度２０℃／分で測定した。
〈５％重量減少温度（Ｔd5）の測定〉
熱天秤を用い、窒素中、昇温速度１０℃／分で加熱して、５％の重量減少を示した温度を測定した。
その結果、ε＝２．８５、Ｔg ＝２８４℃、Ｔd5＝５４１℃であり、比誘電率が十分低く、かつ耐熱性も優れていることが確認された。このポリイミドの赤外吸収スペクトル（ＩＲ）を、図４に示す。
【００３３】
実施例２
ポリイミドの製造
攪拌機、還流冷却器および窒素ガス導入管を備えた容器に窒素ガスを流して、容器内を窒素ガスで十分置換し、ｍ−クレゾール２７６．８ｇを入れたのち、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）オクタフルオロビフェニル二無水物３１．１１７ｇ（５０ミリモル）を加え、１００℃で十分溶解した。次いで、９，９−ビス[ ４−（４−アミノフェノキシ）フェニル ]フルオレン２６．６３３ｇ（５０ミリモル）を加え、１６０℃で５時間攪拌して、ポリイミド粉末を得た。
このポリイミド粉末は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ｍ−クレゾール、ｏ−クロロフェノールに可溶であった。
【００３４】
実施例３
ポリアミック酸の製造
４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）オクタフルオロビフェニル二無水物３１．１１７ｇ（５０ミリモル）の代わりに、９，９−ビス[ ４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル ]フルオレン二無水物３２．１３１ｇ（５０ミリモル）を用いた以外は、実施例１と同様にして、ポリアミック酸の溶液を得た。
このポリアミック酸について、実施例１と同様にして、対数粘度〔ηinh 〕（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒、３０℃、０．５ｇ/dl ）を測定したところ、０．４７dl／ｇであった。このポリアミック酸の赤外吸収スペクトル（ＩＲ）を、図５に示す。
ポリイミドの製造
前記ポリアミック酸を用い、実施例１と同様にしてポリイミドフィルムを形成して、比誘電率（ε）、ガラス転移温度（Ｔg)および５％重量減少温度（Ｔd5）を測定した。
その結果、ε＝２．７７、Ｔg ＝２８４℃、Ｔd5＝５４３℃であり、比誘電率が十分低く、かつ耐熱性も優れていることが確認された。このポリイミドの赤外吸収スペクトル（ＩＲ）を、図６に示す。
【００３５】
実施例４
ポリイミドの製造
４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）オクタフルオロビフェニル二無水物３１．１１７ｇ（５０ミリモル）の代わりに、９，９−ビス[ ４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル ]フルオレン二無水物３２．１３１ｇ（５０ミリモル）を用いた以外は、実施例２と同様にして、ポリイミド粉末を得た。
このポリイミド粉末は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ｍ−クレゾール、ｏ−クロロフェノールに可溶であった。
【００３６】
比較例１
４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）オクタフルオロビフェニル二無水物３１．１１７ｇ（５０ミリモル）の代わりに、３．３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１４．７１１ｇ（５０ミリモル）を用いた以外は、実施例１と同様にして、ポリアミック酸の溶液を得た。
このポリアミック酸の溶液を用い、実施例１と同様にしてポリイミドフィルムを形成して、比誘電率（ε）、ガラス転移温度（Ｔg)および５％重量減少温度（Ｔd5）を測定した。
その結果、ε＝２．９５、Ｔg ＝３０２℃、Ｔd5＝５６７℃であり、耐熱性は良好であったが、比誘電率が高く、ＬＳＩの層間絶縁膜としては満足できないものであった。
【００３７】
【発明の効果】
本発明のポリイミドは、低い誘電率を有し、かつ耐熱性が高く、しかも各種溶媒に対する溶解性にも優れている。したがって、本発明のポリイミドは、各種電子・電気機器の絶縁材料、耐熱性材料等として極めて好適に使用することができ、特にＬＳＩの層間絶縁膜として、信頼性が高くかつ高速化に対応しうるデバイスをもたらすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例１により得られたポリアミック酸のＩＲを示す図である。
【図２】  実施例１により得られたポリイミドのＩＲを示す図である。
【図３】  実施例３により得られたポリアミック酸のＩＲを示す図である。
【図４】  実施例３により得られたポリイミドのＩＲを示す図である。
【図１】
0003653888.tif 000019
【図２】
0003653888.tif 000020
【図３】
0003653888.tif 000021
【図４】
0003653888.tif 000022