(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子部が形成された一方の基板と他方の基板とを対向配置し、前記一方の基板と前記他方の基板の間に液晶組成物が封入されてなる液晶パネルの製造方法において、
前記端子部上に形成された配向膜を大気圧下におけるプラズマ処理により除去する工程を有し、
前記一方の基板と前記他方の基板を貼り合せた後に前記液晶組成物を前記一方の基板と前記他方の基板の間に封入して液晶パネルを形成し、
しかる後に、前記液晶パネルの前記端子部上に形成された配向膜に対して前記プラズマ処理を行って当該配向膜を除去する
ことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
端子部が形成された一方の基板と他方の基板とを対向配置し、前記一方の基板と前記他方の基板の間に液晶組成物が封入されてなる液晶パネルの製造方法において、
前記端子部上に形成された絶縁膜を大気圧下におけるプラズマ処理により除去する工程を有し、
前記一方の基板と前記他方の基板を貼り合せた後に前記液晶組成物を前記一方の基板と前記他方の基板の間に封入して液晶パネルを形成し、
しかる後に、前記液晶パネルの前記端子部上に形成された絶縁膜に対して前記プラズマ処理を行って当該絶縁膜を除去する
ことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
端子部が形成された一方の基板と他方の基板とを対向配置し、前記一方の基板と前記他方の基板の間に液晶組成物が封入されてなる液晶パネルの製造方法において、
前記端子部上に形成された絶縁膜とその上に形成された配向膜を大気圧下におけるプラズマ処理により除去する工程を有し、
前記一方の基板と前記他方の基板を貼り合せた後に前記液晶組成物を前記一方の基板と前記他方の基板の間に封入して液晶パネルを形成し、
しかる後に、前記液晶パネルの前記端子部上に形成された絶縁膜及び配向膜に対して前記プラズマ処理を行って当該絶縁膜及び配向膜を除去する
ことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルの基板製造時に形成される各種薄膜のうち、導電性異物による基板間の電気的短絡を防止する酸化珪素からなる絶縁膜、及び、液晶組成物分子を一定方向に配列させるポリイミド系高分子からなる配向膜はいずれも絶縁性を有するため、外部回路と電気的に接続するためには接続部分を被わずに前記絶縁膜、前記配向膜を形成する必要がある。このため、従来は凸版印刷等によって膜形成時にすでに原材料を基板表面に選択塗布する方法が一般的であった。
【０００３】
以下図１２を用いて説明する。アニロックスローラー１とドクターローラー２からなる２本のローラーの間に配向膜または絶縁膜の原液と希釈溶液からなるコーティング液３を充填し、一定速度で前記両ローラーを回転させる。このとき、両方のローラー表面には均一厚さのコーティング液の層ができる。そこで、パネルサイズに合わせた樹脂製の凸版４を表面に装備したブラン胴５をアニロックスローラー１に接触させて、前記凸版４表面にコーティング液を均一の厚さに転写する。さらに、透明電極パターンを形成したガラス基板６上に前記凸版４を接触させて液晶パネルのシール内側となる部分に選択的にコーティング液を塗布する。この後前記基板を加熱することで希釈溶剤の蒸発及び原液の反応をさせることで、目標とする配向膜や絶縁膜を得ていた。
【０００４】
また、本発明と同じ観点の製造方法として、真空下でのプラズマ処理による方法がある。端子部分を含めた内面全面に配向膜を形成した液晶パネルを真空チャンバー内に入れる。該チャンバー内に２０〜１００ＳＣＣＭ程度の流量でＯ2を流し込みながら、１〜５Ｔｏｒｒの真空度に保つ。この状態でＲＦ電源をＯＮにして、プラズマを発生させて端子部分の配向膜のみ選択的に除去していた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術は液晶パネルの機種変更や装置点検等がある度に版を外して、印刷位置調整をしなければならないため、装置稼働率が上がらない、調整が難しく膜厚にバラツキが生じやすいという欠点を有していた。とりわけ構造が単純なため比較的簡単にパネル機種、パネルサイズの変更が行われるＳＴＮパネルでは印刷用凸版の変更だけで一日に数時間の工数をかけて実施されていることも多く、液晶パネルの製造工程にける生産性向上の上でも大きな問題となっていた。
【０００６】
また、真空下での前記酸素プラズマ処理では真空下で処理が行われること、プラズマ処理時の帯電によるパネル表示品位への悪影響があることから生産性からみると凸版による印刷方法と比べて必ずしも効率の良い方法とは言えず、大がかりな装置が必要になるためにかえって非効率になることもあった。
【０００７】
そこで本発明は上記欠点を解決するために前記絶縁膜や前記配向膜を前記基板全面に形成できる液晶パネルの製造方法を得ることであり、その目的とするところは液晶パネル製造工程の簡略化である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、端子部が形成された一方の基板と他方の基板とを対向配置し、前記一方の基板と前記他方の基板の間に液晶組成物が封入されてなる液晶パネルの製造方法において、前記端子部上に形成された配向膜を大気圧下におけるプラズマ処理により除去する工程を有し、前記一方の基板と前記他方の基板を貼り合せた後に前記液晶組成物を前記一方の基板と前記他方の基板の間に封入して液晶パネルを形成し、しかる後に、前記液晶パネルの前記端子部上に形成された配向膜に対して前記プラズマ処理を行って当該配向膜を除去することを特徴とする。
【０００９】
本発明は、端子部が形成された一方の基板と他方の基板とを対向配置し、前記一方の基板と前記他方の基板の間に液晶組成物が封入されてなる液晶パネルの製造方法において、前記端子部上に形成された絶縁膜を大気圧下におけるプラズマ処理により除去する工程を有し、前記一方の基板と前記他方の基板を貼り合せた後に前記液晶組成物を前記一方の基板と前記他方の基板の間に封入して液晶パネルを形成し、しかる後に、前記液晶パネルの前記端子部上に形成された絶縁膜に対して前記プラズマ処理を行って当該絶縁膜を除去することを特徴とする。
【００１０】
本発明は、端子部が形成された一方の基板と他方の基板とを対向配置し、前記一方の基板と前記他方の基板の間に液晶組成物が封入されてなる液晶パネルの製造方法において、前記端子部上に形成された絶縁膜とその上に形成された配向膜を大気圧下におけるプラズマ処理により除去する工程を有し、前記一方の基板と前記他方の基板を貼り合せた後に前記液晶組成物を前記一方の基板と前記他方の基板の間に封入して液晶パネルを形成し、しかる後に、前記液晶パネルの前記端子部上に形成された絶縁膜及び配向膜に対して前記プラズマ処理を行って当該絶縁膜及び配向膜を除去することを特徴とする。
【作用】
【００１１】
大気圧下のプラズマアッシング処理によって基板全面に塗布した配向膜のうち外部電気回路との接続部のみ選択除去することで、フレキソ印刷等による前記配向膜の選択形成の必要性が無くなる。また、パネルパターンによらず、同一条件で前記配向膜形成ができるので工程の簡略化ができる。
【００１２】
また、大気圧下のプラズマエッチング処理によって基板全面に塗布した絶縁膜のうち外部電気回路との接続部のみ選択除去することで、フレキソ印刷等による前記絶縁膜の選択形成の必要性が無くなる。また、パネルパターンによらず、同一条件で前記配向膜形成ができるので工程の簡略化ができる。
【００１３】
また、大気圧下のプラズマアッシング処理およびプラズマエッチング処理によって基板全面に塗布した配向膜および少なくとも一方の基板全面に塗布した絶縁膜のうち外部電気回路との接続部のみ選択除去することで、フレキソ印刷等による前記配向膜及び前記絶縁膜の選択形成の必要性が無くなる。また、パネルパターンによらず、同一条件で前記配向膜及び前記絶縁膜形成ができるので工程の簡略化ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下本発明を図面に基づいて説明する。
【００１５】
〔実施例１〕
図１は本発明に係る液晶表示装置の製造方法の第１実施例の要部を示す図である。まず構成を説明する。ステンレスからなる中空の電極１１内部にアルミナ１２を溶射して前記電極内部を気体が通過できる吹き出し型のラインガン１３とする。該ラインガンをＲＦ電源１４と電気的に接続して、図１のような装置構成とする。この状態で前記吹き出し型ラインガン１３内部にＨｅとＯ2の混合気体１５を導入後、前記ＲＦ電源１４をＯＮにしてプラズマ１６を発生させる。このとき、前記ラインガン１３の直下には電気的に接地されたステージ１７上に全面に配向膜を塗布された液晶パネル１８の端子部分１９にプラズマが当たるように設置した。前記ラインガン先端と前記液晶パネル端子部分との間隔は約５ｍｍで一定になるように、また端子エッジ部とをラインガンの先端が近付くと異常放電が起こるので、プラズマの発生中心が端子部の平坦部に来るように配置した。
【００１６】
このときのＨｅ流量は１５〜２０ＳＬＭ、Ｏ2流量は１００ＳＣＣＭ、ＲＦ出力は８０〜１００Ｗであった。以上の条件下で処理時間を５〜６０秒の各水準で処理した前記液晶パネル１８の端子部分１９を観察したところ、いずれも目視で見る限り配向膜は見られなかった。又、ガラス基板、透明電極パターンともに異常は見られなかった。また、駆動波形を印加した際にもプラズマ処理時のチャージによる不具合は見られなかった。さらに処理部分を表面分析したところ、検出されるＣ，Ｎ等の元素の量はガラス清浄面とほとんど変わらなかった。
【００１７】
こうした結果より明らかなように、通常は強アルカリで加熱する等の処理が必要な配向膜の除去が本発明によれば大気圧下のプラズマ処理で数秒の内に可能となる。
【００１８】
〔実施例２〕
図２は本発明に係る液晶表示装置の製造方法の第２実施例の要部を示す図である。まず構成を説明する。実施例１で説明した電極２１をステンレスからなる枠状の構造とする。該電極２１内部にアルミナ２２を溶射して前記電極内部を気体が通過できる吹き出し型プレートガン２３とする。該プレートガン２３とＲＦ電源２４と電気的に接続して、図２のような装置構成とする。この状態で前記吹き出し型プレートガン２３内部にＨｅとＯ2の混合気体１５を導入後、前記ＲＦ電源２４をＯＮにしてプラズマ２６を発生させる。このとき、前記プレートガン２３の直下には電気的に接地されたステージ２７上に液晶パネル２８を乗せた。該液晶パネル２８は端子部分２９を含めてパネル内面全面に配向膜が塗布されており、前記プレートガン２３の直下約５ｍｍの位置にパネル全面がプレートガンで隠れるように配置した。
【００１９】
このときのＨｅ流量は６０ＳＬＭ、Ｏ2流量は３００ＳＣＣＭ、ＲＦ出力は２５０Ｗであった。以上の条件下で処理時間を１０〜６０秒で処理した前記液晶パネル２６の端子部分２７を観察したところ、いずれも目視では配向膜は見られなかった。表面分析の結果でもＣ，Ｎ等はほとんど検出されなかった。又、同時にプラズマ処理を実施したガラス表面、端子エッジ部、液晶注入口の樹脂封止部にも異常は見られなかった。
【００２０】
こうした結果から明らかなように、大気圧下のプラズマ処理を液晶パネル全面に照射することでガラス表面、液晶注入口、端子エッジ部等に不具合を与えることなく不必要な部分の配向膜のみを除去することができる。
【００２１】
〔実施例３〕
図３は本発明に係る液晶表示装置の実施例の要部を示す図である。本発明のプラズマ処理を施す前の液晶パネルを図４に示す。ここでは対向する透明電３１極付ガラス基板３２の内面全面に配向膜３３が塗布されている。従って、前記液晶パネルの端子部分も配向膜で被われているため、このままでは外部駆動回路と電気的に接続できないが、本発明のプラズマ処理を施すことにより端子部分の配向膜が除去されて図３に示す液晶パネルになる。
【００２２】
こうした結果から明らかなように、パネルのサイズ・形状によらず、同一の方法で配向膜が形成でき、不必要な部分の前記配向膜のみを除去できるため、パネル製造上の工程を大幅に短縮できる。
【００２３】
〔実施例４〕
図５は本発明に係る液晶表示装置の製造方法の第１実施例の要部を示す図である。まず構成を説明する。ステンレスからなる中空の電極４１内部にアルミナ４２を溶射して前記電極内部を気体が通過できる吹き出し型のラインガン４３とする。該ラインガンをＲＦ電源４４と電気的に接続して、図５のような装置構成とする。この状態で前記吹き出し型ラインガン４３内部にＨｅとＯ2の混合気体４５を導入後、前記ＲＦ電源４４をＯＮにしてプラズマ４６を発生させる。このとき、前記ラインガン４３の直下には電気的に接地されたステージ４７上に全面に絶縁膜を塗布された液晶パネル４８の端子部分４９にプラズマが当たるように設置した。前記ラインガン先端と前記液晶パネル端子部分との間隔は約５ｍｍで一定になるように、また端子エッジ部とをラインガンの先端が近付くと異常放電が起こるので、プラズマの発生中心が端子部の平坦部に来るように配置した。
【００２４】
このときのＨｅ流量は１５〜２０ＳＬＭ、Ｏ2流量は１００ＳＣＣＭ、ＲＦ出力は２００Ｗであった。以上の条件下で処理時間を１〜１０分の各水準で処理した前記液晶パネル４８の端子部分４９を観察したところ、いずれも目視で見る限り絶縁膜は見られなかった。又、ガラス基板、透明電極パターンともに異常は見られなかった。また、駆動波形を印加した際にもプラズマ処理時のチャージによる不具合は見られなかった。さらに処理部分のうち透明電極部分を表面分析したところ、検出されるＳｉの量は清浄な透明電極清浄面と変わらず、ほとんど検出されなかった。
【００２５】
こうした結果より明らかなように、通常は強アルカリで加熱する等の処理が必要な絶縁膜の除去が本発明によれば大気圧下のプラズマ処理で数分の内に可能となる。
【００２６】
〔実施例５〕
図６は本発明に係る液晶表示装置の製造方法の第２実施例の要部を示す図である。まず構成を説明する。実施例４で説明した電極５１をステンレスからなる枠状の構造とする。該電極５１内部にアルミナ５２を溶射して前記電極内部を気体が通過できる吹き出し型プレートガン５３とする。該プレートガン５３とＲＦ電源５４と電気的に接続して、図６のような装置構成とする。この状態で前記吹き出し型プレートガン５３内部にＨｅとＯ2の混合気体５５を導入後、前記ＲＦ電源５４をＯＮにしてプラズマ５６を発生させる。このとき、前記プレートガン５３の直下には電気的に接地されたステージ５７上に液晶パネル５８を乗せた。該液晶パネル５８は端子部分５９を含めてパネル内面全面に絶縁膜が塗布されており、前記プレートガン５３の直下約５ｍｍの位置にパネル全面がプレートガンで隠れるように配置した。
【００２７】
このときのＨｅ流量は１００ＳＬＭ、Ｏ2流量は５００ＳＣＣＭ、ＲＦ出力は４００Ｗであった。以上の条件下で処理時間を１〜１０分で処理した前記液晶パネル２６の端子部分２７を観察したところ、いずれも目視では絶縁膜は見られなかった。表面分析の結果でも透明電極上ではＳｉはほとんど検出されなかった。又、同時にプラズマ処理を実施したガラス表面、端子エッジ部にも異常は見られず、液晶注入口の樹脂封止部には白濁が見られたものの、実用上の問題にはならなかった。
【００２８】
こうした結果から明らかなように、大気圧下のプラズマ処理を液晶パネル全面に照射することでガラス表面、液晶注入口、端子部エッジ部等に不具合を与えることなく不必要な部分の絶縁膜のみを除去することができる。
【００２９】
〔実施例６〕
図７は本発明に係る液晶表示装置の実施例の要部を示す図である。本発明のプラズマ処理を施す前の液晶パネルを図８に示す。ここでは対向する透明電極６１付ガラス基板６２の内面全面に絶縁膜６３が塗布されている。従って、前記液晶パネルの端子部分も絶縁膜で被われているため、このままでは外部駆動回路と電気的に接続できないが、本発明のプラズマ処理を施すことにより端子部分の絶縁膜が除去されて図７に示す液晶パネルになる。
【００３０】
こうした結果から明らかなように、パネルのサイズ・形状によらず、同一の方法で絶縁膜を形成でき、不要な部分の前記絶縁膜のみを除去できるため、パネル製造上の工程を大幅に短縮できる。
【００３１】
〔実施例７〕
図９は本発明に係る液晶表示装置の製造方法の第１実施例の要部を示す図である。まず構成を説明する。ステンレスからなる中空の電極７１内部にアルミナ７２を溶射して前記電極内部を気体が通過できる吹き出し型のラインガン７３とする。該ラインガンをＲＦ電源７４と電気的に接続して、図９のような装置構成とする。この状態で前記吹き出し型ラインガン７３内部にＨｅとＯ2の混合気体７５を導入後、前記ＲＦ電源７４をＯＮにしてプラズマ７６を発生させる。このとき、前記ラインガン７３の直下には電気的に接地されたステージ７７上に全面に配向膜と絶縁膜を塗布された液晶パネル７８の端子部分７９にプラズマが当たるように設置した。前記ラインガン先端と前記液晶パネル端子部分との間隔は約５ｍｍで一定になるように、また端子エッジ部とをラインガンの先端が近付くと異常放電が起こるので、プラズマの発生中心が端子部の平坦部に来るように配置した。
【００３２】
このときのＨｅ流量は１５〜２０ＳＬＭ、Ｏ2流量は１００ＳＣＣＭ、ＲＦ出力は２００Ｗであった。以上の条件下で処理時間を１〜１０分の各水準で処理した前記液晶パネル７８の端子部分７９を観察したところ、いずれも目視で見る限り配向膜と絶縁膜は見られなかった。又、ガラス基板、透明電極パターンともに異常は見られなかった。また、駆動波形を印加した際にもプラズマ処理時のチャージによる不具合は見られなかった。さらに処理部分のうち透明電極部分を表面分析したところ、検出されるＳｉ、Ｃ、Ｎの量は清浄な透明電極清浄面と変わらず、ほとんど検出されなかった。
【００３３】
こうした結果より明らかなように、通常は強アルカリで加熱する等の処理が必要な絶縁膜と絶縁膜の除去が本発明によれば大気圧下のプラズマ処理で数分の内に可能となる。
【００３４】
〔実施例８〕
図１０は本発明に係る液晶表示装置の製造方法の第２実施例の要部を示す図である。まず構成を説明する。実施例８で説明した電極８１をステンレスからなる枠状の構造とする。該電極８１内部にアルミナ８２を溶射して前記電極内部を気体が通過できる吹き出し型プレートガン８３とする。該プレートガン８３とＲＦ電源８４と電気的に接続して、図１０のような装置構成とする。この状態で前記吹き出し型プレートガン８３内部にＨｅとＯ2の混合気体８５を導入後、前記ＲＦ電源８４をＯＮにしてプラズマ８６を発生させる。このとき、前記プレートガン８３の直下には電気的に接地されたステージ８７上に液晶パネル８８を乗せた。該液晶パネル８８は端子部分８９を含めてパネル内面全面に配向膜と絶縁膜が塗布されており、前記プレートガン８３の直下約５ｍｍの位置にパネル全面がプレートガンで隠れるように配置した。
【００３５】
このときのＨｅ流量は１００ＳＬＭ、Ｏ2流量は５００ＳＣＣＭ、ＲＦ出力は４００Ｗであった。以上の条件下で処理時間を１〜１０分で処理した前記液晶パネル８６の端子部分８７を観察したところ、いずれも目視では配向膜と絶縁膜は見られなかった。表面分析の結果でも透明電極上ではＳｉ、Ｃ，Ｎはほとんど検出されなかった。又、同時にプラズマ処理を実施したガラス表面、端子エッジ部にも異常は見られず、液晶注入口の樹脂封止部には白濁が見られたものの、実用上の問題にはならなかった。
【００３６】
こうした結果から明らかなように、大気圧下のプラズマ処理を液晶パネル全面に照射することでガラス表面、液晶注入口、端子エッジ部等に不具合を与えることなく不必要な部分の配向膜と配向膜のみを除去することができる。
【００３７】
〔実施例９〕
図１１は本発明に係る液晶表示装置の実施例の要部を示す図である。本発明のプラズマ処理を施す前の液晶パネルを図１２に示す。ここでは対向する透明電極９１付ガラス基板９２の内面全面に配向膜と絶縁膜９３が塗布されている。従って、前記液晶パネルの端子部分も配向膜と絶縁膜で被われているため、このままでは外部駆動回路と電気的に接続できないが、本発明のプラズマ処理を施すことにより端子部分の配向膜と配向膜が除去されて図１１に示す液晶パネルになる。
【００３８】
こうした結果から明らかなように、パネルのサイズ・形状によらず、同一の方法で配向膜が形成でき、不必要な部分の前記配向膜のみを除去できるため、パネル製造上の工程を大幅に短縮できる。
【００３９】
以上のように、本発明によれば、不必要な部分の配向膜のみ不具合を与えることなく短時間に選択的に除去できるので、液晶パネルの配向膜をパネルサイズによるパターン変更することなく全面塗布によって形成することができる。従って、パネル製造工程が大幅に短縮される。
【００４０】
また、本発明によれば、不必要な部分の絶縁膜のみ不具合を与えることなく短時間に選択的に除去できるので、液晶パネルの絶縁膜をパネルサイズによるパターン変更することなく全面塗布によって形成することができる。従って、パネル製造工程が大幅に短縮される。
【００４１】
また、本発明によれば、不必要な部分の配向膜と絶縁膜のみ不具合を与えることなく短時間に選択的に除去できるので、液晶パネルの配向膜と絶縁膜をパネルサイズによるパターン変更することなく全面塗布によって形成することができる。従って、パネル製造工程が大幅に短縮される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施例を示す要部模式図。
【図２】本発明の一実施例を示す要部模式図。
【図３】本発明の一実施例を示す要部模式図。
【図４】本発明の効果を説明するための図。
【図５】本発明の一実施例を示す要部模式図。
【図６】本発明の一実施例を示す要部模式図。
【図７】本発明の一実施例を示す要部模式図。
【図８】本発明の効果を説明するための図。
【図９】本発明の一実施例を示す要部模式図。
【図１０】本発明の一実施例を示す要部模式図。
【図１１】本発明の一実施例を示す要部模式図。
【図１２】本発明の効果を説明するための図。
【図１３】従来の製膜方法を示す図。
【符号の説明】
【００４３】
１１、２１、４１、５１、７１、８１・・・電極
１２、２２、４２、５２、７２、８２ ・・・アルミナ
１３、４３、７３・・・ラインガン
２３、５３、８３・・・プレートガン
１４、２４、４４、５４、７１、８２・・・ＲＦ電源
１５、２５、４５、５５、７５、８５・・・ＨｅとＯ2の混合気体
１６、２６、４６、５６、７６、８６・・・プラズマ
１７、２７、４７、５７、７７、８７・・・ステージ
１８、２８、４８、５８、７８、８８・・・液晶パネル
１９、２９、４９、５９、７９、８９・・・端子部分
３１、６１、９１・・・透明電極
３２、６２、９２・・・ガラス基板
３３、９３・・・配向膜
６３、９４・・・絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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