(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属錯体触媒の存在下、γ−ブチロラクトンを超高圧下で４０〜１６０℃に加熱して開環重合させることを特徴とする数平均分子量が５０００以上のポリγ−ブチロラクトンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は包装材料、園芸、農業、酪農、漁業、土木材料、及び医療材料等として有用なポリγ−ブチロラクトンの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ポリγ−ブチロラクトンを製造する方法として、微生物法と化学合成法が知られている。化学合成によるポリγ−ブチロラクトンの製造方法としては、無触媒の条件で２万気圧、１６０度、４時間の反応により２０％の収率で重量平均分子量３３５０のポリマーが得られた例（Ｐｏｌｙｍ．Ｌｅｔｔ．，４，６８５−６８９頁（１９６６年））が知られており、一方、微生物法としては、酵素としてリパーゼを用いて大気圧下、６０度、４３０時間の反応により４２〜２５％の収率で重量平均分子量９３２のポリマーが得られた例（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２９，４８２９頁（１９９６年））が知られているが、どちらも分子量の小さいものしか得られなかった。
【０００３】
本発明者らは、特許第３０２６２１６号においてルイス酸触媒存在下、γ−ブチロラクトンを超高圧下でポリγ―ブチロラクトンを製造する方法を開発したが、強酸条件下等でのみ重合が進行し、他の中性条件でも使えるような触媒はこれまで見いだせなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、非酸性条件下において、工業的に大量に生産される安価なγ−ブチロラクトンから開環重合により分子量の高められたポリγ−ブチロラクトンを製造し得る方法を提供することをその課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明によれば、金属錯体触媒の存在下、γ−ブチロラクトンを超高圧下で開環重合することを特徴とする数平均分子量が５０００以上のポリγ−ブチロラクトンの製造方法が提供される。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明で用いる金属錯体触媒としては、従来公知の各種のものを用いることができる。このようなものには、錫の有機錯体や、ゲルマニウムの有機錯体、鉛の有機錯体等が包含される。これらの有機金属錯体は、必要に応じ、有機溶媒と混合して用いられる。
【０００７】
金属の有機錯体において、その有機基には、脂肪族化合物由来のものや、芳香族化合物由来のものが包含される。脂肪族化合物由来の脂肪族基には、鎖状のもの（アルキル基）及び環状のもの（シクロアルキル基）が包含される。鎖状の脂肪族基の場合、その炭素数は１〜２０、好ましくは１〜１２、より好ましくは１〜６である。環状の脂肪族基の場合、その炭素数は３〜１２、好ましくは４〜８である。芳香族基には、アリール基及びアリールアルキル基が包含される。この芳香族基の炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１２である。
金属の有機錯体には、前記以外の錯体、例えば、ジアルキルアミノ錯体等も用いられる。
【０００８】
金属の有機錯体における有機基の具体例としては、例えば、テトラメチル、テトラエチル、テトラブチル、テトラキス（ジメチルアミノ）（［N（CH3）2］4、テトラフェニル、テトラ（ｐ−トリル）等が挙げられる。金属錯体触媒の使用割合は、γ−ブチロラクトンに対して、０．０１〜５モル％、好ましくは０．０１〜１モル％である。
【０００９】
本発明によりγ−ブチロラクトンを開環重合させるには、γ−ブチロラクトンを、金属錯体触媒の存在下、超高圧下で、４０〜１６０℃、好ましくは１００〜１３０℃に加熱すればよい。
【００１０】
本発明においては、反応圧力としては超高圧が採用されるが、この場合の超高圧は１万気圧以上、好ましくは１．２万気圧以上であり、その上限値は特に制約されないが、２万気圧程度である。本発明では、特に、１〜１．５万気圧の範囲の超高圧の使用が好ましい。
反応時間は、通常、５〜３００時間、好ましくは２０〜２００時間程度である。
【００１１】
本発明により、γ−ブチロラクトンが開環重合したポリγ−ブチロラクトンが得られるが、本発明の場合、そのポリマーの分子量は高められたもので、数平均分子量で、５０００以上、好ましくは２万以上であり、その上限値は、通常、１０万程度である。
【００１２】
【実施例】
次に本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明する。なお、例中の分子量はＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラム）装置を用いて標準ポリスチレンで校正して分子量を得た。
【００１３】
実施例１
γ−ブチロラクトン０．８６７ｇとテトラフェニル錫０．０４３ｇをテフロンチューブに充填し、１．２ＧＰａ（１．２万気圧）、１００℃に９５時間保持した。得られたポリエステルを少量のクロロホルムに溶解しメターノールにてポリマーを再沈殿させ、濾過後減圧下で乾燥して０．１７３ｇのポリマー（γ−ブチロラクトンに基づく収率２０％）を得た。
【００１４】
得られたポリエステルは、数平均分子量（Ｍｎ）３４，２００、重量平均分子量（Ｍｗ）６８，４００であり、分子量分布の指標（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．００であった。
【００１５】
実施例２
γ−ブチロラクトン０．８６７ｇとテトラフェニル錫０．０４３ｇをテフロンチューブに充填し、１．２５ＧＰａ、１００℃に９５時間保持した。得られたポリエステルを少量のクロロホルムに溶解しメターノールにてポリマーを再沈殿させ、濾過後減圧下で乾燥して０．１８９ｇのポリマー（γ−ブチロラクトンに基づく収率２２％）を得た。
【００１６】
得られたポリエステルは、数平均分子量（Ｍｎ）３３，４００、重量平均分子量（Ｍｗ）６３，５００であり、分子量分布の指標（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．９０であった。
【００１７】
実施例３
γ−ブチロラクトン０．８６０ｇとテトラフェニル錫０．０２１ｇをテフロンチューブに充填し、１．２ＧＰａ、１００℃に２０時間保持した。得られたポリエステルを少量のクロロホルムに溶解しメターノールにてポリマーを再沈殿させ、濾過後減圧下で乾燥して０．０６８ｇのポリマー（γ−ブチロラクトンに基づく収率８％）を得た。
【００１８】
得られたポリエステルは、数平均分子量（Ｍｎ）６，９００、重量平均分子量（Ｍｗ）１０，０００であり、分子量分布の指標（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．４４であった。
【００１９】
実施例４
γ−ブチロラクトン０．４３ｇとテトラフェニル鉛０．０１３ｇをテフロンチューブに充填し、１．３ＧＰａ、１００℃に１９０時間保持した。得られたポリエステルを少量のクロロホルムに溶解しメターノールにてポリマーを再沈殿させ、濾過後減圧下で乾燥して０．０２９ｇのポリマー（γ−ブチロラクトンに基づく収率７％）を得た。
【００２０】
得られたポリエステルは、数平均分子量（Ｍｎ）５，２００、重量平均分子量（Ｍｗ）７，５００であり、分子量分布の指標（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．４５であった。
【００２１】
実施例５
γ−ブチロラクトン０．４３ｇとテトラフェニルゲルマニウム０．０１０ｇをテフロンチューブに充填し、１．３ＧＰａ、１００℃に１９０時間保持した。得られたポリエステルを少量のクロロホルムに溶解しメターノールにてポリマーを再沈殿させ、濾過後減圧下で乾燥して０．０２８ｇのポリマー（γ−ブチロラクトンに基づく収率６％）を得た。
【００２２】
得られたポリエステルは、数平均分子量（Ｍｎ）６，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）１０，０００であり、分子量分布の指標（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．６３であった。
【００２３】
実施例６
γ−ブチロラクトン０．４３ｇとテトラメチル錫０．００５ｇをテフロンチューブに充填し、１．３ＧＰａ、１００℃に１９０時間保持した。得られたポリエステルを少量のクロロホルムに溶解しメターノールにてポリマーを再沈殿させ、濾過後減圧下で乾燥して０．０３５ｇのポリマー（γ−ブチロラクトンに基づく収率８％）を得た。
【００２４】
得られたポリエステルは、数平均分子量（Ｍｎ）５，９００、重量平均分子量（Ｍｗ）８，９００であり、分子量分布の指標（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．５０であった。
【００２５】
実施例７
γ−ブチロラクトン０．４３ｇとテトラキスヂメチルアミノ錫０．０１６ｇをテフロンチューブに充填し、１．３ＧＰａ、１００℃に１９０時間保持した。得られたポリエステルを少量のクロロホルムに溶解しメターノールにてポリマーを再沈殿させ、濾過後減圧下で乾燥して０．０９９ｇのポリマー（γ−ブチロラクトンに基づく収率２３％）を得た。
【００２６】
得られたポリエステルは、数平均分子量（Ｍｎ）５，１００、重量平均分子量（Ｍｗ）６，４００であり、分子量分布の指標（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．２５であった。
【００２７】
実施例８
γ−ブチロラクトン０．８５９ｇとテトラキス（ジメチルアミノ）錫０．０１４ｇをテフロンチューブに充填し、１．２ＧＰａ、１００℃に２０時間保持した。得られたポリエステルを少量のクロロホルムに溶解しメターノールにてポリマーを再沈殿させ、濾過後減圧下で乾燥して０．０４ｇのポリマー（γ−ブチロラクトンに基づく収率５％）を得た。
【００２８】
得られたポリエステルは、融点６５度、数平均分子量（Ｍｎ）３，８００、重量平均分子量（Ｍｗ）４，３００であり、分子量分布の指標（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．１４であった。
【００２９】
【発明の効果】
本発明によれば、工業的に大量に生産され且つ安価なγ−ブチロラクトンを原料として用い、これから高分子量のポリγ−ブチロラクトンを容易に得ることができる。