(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒素雰囲気の光路を介してマスクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の光学調整方法において、
調整すべき光学部材を含む空間区画内の窒素を空気で置換する置換工程と、
前記置換工程により空気雰囲気となった前記空間区画内の前記光学部材を調整する調整工程と、
前記調整工程中または前記調整工程後に、前記空間区画内が空気雰囲気である状態において露光光の強度を実質的に低下させて検査露光を行う検査工程とを備えていることを特徴とする露光装置の光学調整方法。
【請求項２】
前記露光光の波長は、１８４ｎｍ乃至２５５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の露光装置の光学調整方法。
【請求項３】
前記置換工程は、前記空間区画内の窒素を強制排出するとともに前記空間区画を大気に開放することによって行われることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置の光学調整方法。
【請求項４】
マスクを照明する照明光学系と、マスクのパターンを感光性基板上に投影露光する投影光学系とを備えた露光装置において、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の方法に従って光学調整されたことを特徴とする露光装置。
【請求項５】
窒素雰囲気の光路を介してマスクのパターン像を形成する投影光学系の光学調整方法において、
調整すべき光学部材を含む空間区画内の窒素を空気で置換する置換工程と、
前記置換工程により空気雰囲気となった前記空間区画内の前記光学部材を調整する調整工程と、
前記調整工程中または前記調整工程後に、前記空間区画内が空気雰囲気である状態において露光光の強度を実質的に低下させて検査露光を行う検査工程とを備えていることを特徴とする投影光学系の光学調整方法。
【請求項６】
前記露光光の波長は、１８４ｎｍ乃至２５５ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の投影光学系の光学調整方法。
【請求項７】
前記置換工程は、前記空間区画内の窒素を強制排出するとともに前記空間区画を大気に開放することによって行われることを特徴とする請求項５または６に記載の投影光学系の光学調整方法。
【請求項８】
窒素雰囲気の光路を介してマスクのパターン像を形成する投影光学系において、
請求項５乃至７の何れか一項に記載の方法に従って光学調整されたことを特徴とする投影光学系。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はたとえば半導体デバイスを製造する露光装置の光学調整方法に関し、特に窒素雰囲気中で露光を行う露光装置における投影光学系の調整および検査に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の大集積化に伴って、要求される回路パターンの線幅が小さくなりつつある。回路パターンの線幅を小さくするには露光光の波長を短くする必要があり、最近ではＡｒＦを媒体としたエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を使用した露光装置が提案されている。ＡｒＦエキシマレーザ光は、酸素に対して吸収特性を有する波長域（スペクトル成分）を含んでおり、大気中の酸素による吸収が大きい。露光光が酸素に吸収されることによって、露光光の光量が低下するとともに、露光光の吸収の際に酸素から有害ガスであるオゾンが発生してしまう。
【０００３】
そこで、特開平６−２６０３８５号公報に開示された露光装置では、ＡｒＦエキシマレーザ光源のレーザ射出口から投影光学系のウエハ側端部までの光路を幾つかの空間区画に分割し、各空間区画内の空気を窒素のような不活性ガスで置換している。したがって、この露光装置では、たとえば照明光学系または投影光学系を構成する１つまたは複数の光学部材について調整（修理を含む）が必要な場合、その光学部材を含む空間区画内の窒素を空気で置換した後に、空気雰囲気中において光学調整を行う必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、窒素雰囲気中で露光を行う従来の露光装置では、調整すべき光学部材を含む空間区画内の窒素を空気で置換した後に、空気雰囲気中において光学部材の調整を行う必要がある。そして、その空間区画内の空気を窒素で再び置換した後に検査露光を行うことにより、光学調整後の光学系の性能検査を行うことになる。これは、光路の一部が空気雰囲気である状態で検査露光を行うとオゾンの発生により光学部材が破損する可能性があるという理由、および窒素雰囲気中での使用を前提として設計されている光学系の性能検査を光路の一部が空気雰囲気である状態では正確に行うことができないであろうという予断に基づいている。
【０００５】
したがって、第１回目の検査露光により光学系の性能調整が十分でないことが判明した場合、空間区画内の窒素を空気で置換して光学部材の調整を行う工程と、空間区画内の空気を窒素で置換して検査露光を行う工程とを必要に応じて繰り返さなければならない。その結果、窒素雰囲気中で露光を行う従来の露光装置では、光学系の調整および検査の作業効率が非常に悪い。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、窒素雰囲気の光路を介して露光を行う露光装置において光学系の調整および検査を効率良く行うことのできる露光装置の光学調整方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明においては、窒素雰囲気の光路を介してマスクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の光学調整方法において、
調整すべき光学部材を含む空間区画内の窒素を空気で置換する置換工程と、
前記置換工程により空気雰囲気となった前記空間区画内の前記光学部材を調整する調整工程と、
前記調整工程中または前記調整工程後に、前記空間区画内が空気雰囲気である状態において露光光の強度を実質的に低下させて検査露光を行う検査工程とを備えていることを特徴とする露光装置の光学調整方法を提供する。
【０００７】
本発明の好ましい態様によれば、前記露光光の波長は、１８４ｎｍ乃至２５５ｎｍである。また、前記置換工程は、前記空間区画内の窒素を強制排出するとともに前記空間区画を大気に開放することによって行われることが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図６は、気温が２３°Ｃで１気圧における窒素の絶対屈折率および空気の絶対屈折率の波長特性を示す図である。図６において、縦軸は絶対屈折率を、横軸は光の波長をそれぞれ示している。
図６に示すように、１８４ｎｍ〜２５５ｎｍの波長を有する光に対する窒素の絶対屈折率と空気の絶対屈折率との差は、最大で±５×１０-6程度である。したがって、露光光の波長がたとえば１８４ｎｍ〜２５５ｎｍの範囲内であれば、光路の一部が窒素雰囲気から空気雰囲気へ変化しても、光学系の性能はほとんど変化しない。換言すれば、窒素雰囲気中での使用を前提として設計された光学系の性能を、光路の一部が空気雰囲気である状態においても十分な精度で検査することができる。
なお、空気雰囲気中と窒素雰囲気中との光学特性の差をより小さく抑えるためには、露光光の波長は、１８９ｎｍ〜２２５ｎｍの範囲とすることがより好ましい。これにより、窒素の絶対屈折率と空気の絶対屈折率との差を最大でも±３×１０-6に抑えることができ、空気雰囲気中と窒素雰囲気中との光学特性の変動をより十分に抑えることができる。
【０００９】
そこで、本発明では、調整すべき光学部材を含む空間区画内の窒素を空気で置換し、光学部材を空気雰囲気中において調整する。そして、光学調整中または光学調整後に、その空間区画内が空気雰囲気である状態のままで露光光の強度を実質的に低下させて検査露光を行う。
このように、本発明では、空気雰囲気中において光学部材を調整した状態のままで、空間区画内の空気を窒素で置換することなく検査露光を行うことができる。換言すれば、本発明では、空気雰囲気中において光学調整を行いながら、検査露光を必要に応じて随時繰り返すことができる。したがって、本発明の光学調整方法によれば、光学系の調整および検査を効率良く且つ迅速に行うことができる。
【００１０】
なお、前述したように、光路の一部が空気雰囲気である状態で通常の強度を有する露光光を用いて検査露光を行うと、オゾンの発生により光学部材が損傷を受ける可能性がある。そこで、本発明では、光路の一部が空気雰囲気である状態において、露光光の強度を十分低下させて検査露光を行う。この場合、露光光の強度を低下させることにより検査露光のスループットはある程度低下するが、検査精度は低下することなく、オゾンの発生も十分小さく抑えることができる。また、光学系の調整および検査の作業効率の著しい向上に鑑みて、検査露光のスループットの低下は実務上ほとんど問題とならない。
【００１１】
本発明の実施例を、添付図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施例にかかる光学調整方法が適用される露光装置の構成を概略的に示す図である。また、図２は、図１の投影光学系ＰＬのレンズ構成を示す図である。
図１において、投影光学系ＰＬの物体面には、所定の回路パターンが形成されたマスクとしてのレチクルＲが配置されている。また、投影光学系ＰＬの像面には、感光性基板としてのウエハＷが配置されている。そして、レチクルＲはレチクルステージＲＳ上に保持されており、ウエハＷは投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な面に沿って二次元的に移動可能に構成されたウエハステージＷＳ上に保持されている。
【００１２】
また、レチクルＲの上方には、レチクルＲを均一に照明するための照明光学系ＩＳが配置されている。照明光学系ＩＳの内部には、たとえばＡｒＦエキシマレーザ光（１９３．４ｎｍ) を供給する光源（不図示）が配置されている。照明光学系ＩＳから供給された露光光は、レチクルＲを照明し、投影光学系ＰＬの瞳位置（開口絞りＡＳの位置）には照明光学系ＩＳ中の光源の像が形成される。すなわち、照明光学系ＩＳはレチクルＲをケーラー照明し、照明されたレチクルＲのパターン像が投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に形成される。
【００１３】
図２を参照すると、投影光学系ＰＬは、レチクル側から順に、両凹レンズＬ１、両凸レンズＬ２、両凸レンズＬ３、両凸レンズＬ４、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ５、両凸レンズＬ６、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ７、両凹レンズＬ８、レチクル側に凹面を向けた平凹レンズＬ９、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ10、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ11、レチクル側に平面を向けた平凸レンズＬ12、両凸レンズＬ13、両凸レンズＬ14、両凸レンズＬ15、レチクル側に平面を向けた平凹レンズＬ16、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ17、両凹レンズＬ18、開口絞りＡＳ、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ19、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ20、レチクル側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ21、両凸レンズＬ22、レチクル側に凹面を向けた負メニスカスレンズＬ23、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ24、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ25、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ26、レチクル側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ27、レチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ28、およびレチクル側に凸面を向けた正メニスカスレンズＬ29から構成されている。
【００１４】
次の表（１）に、本実施例における投影光学系ＰＬの諸元の値を掲げる。表（１）において、左端の数字はレチクル側からの各レンズ面の順序を、ｒは各レンズ面の曲率半径を、ｄは各レンズ面間隔を、ｎは露光波長λ＝１９３．４ｎｍに対する各レンズの屈折率を示している。また、ｄ0 はレチクルＲから最もレチクル側のレンズ面までの軸上距離を、βは投影光学系ＰＬの投影倍率を、ＮＡは投影光学系ＰＬのウエハ側における開口数をそれぞれ表している。なお、露光波長λ＝１９３．４ｎｍに対する窒素の屈折率は０．９９９９９８６であり、空気の屈折率は１．０である。
【００１５】
【表１】
ｄ0 ＝１０３．３９１β  ＝−０．２５ＮＡ＝０．５６ｒ            ｄ            ｎ 1    -453.18731     17.00000     1.5601940  2     370.52697     13.61309  3     710.84358     26.00000     1.5601940  4    -350.78200      1.00000      5     367.53957     28.00000     1.5601940  6    -567.47540      1.00000  7     289.50734     29.00000     1.5601940  8    -899.09021      1.00000  9     199.45895     23.00000     1.5601940 10     103.61200     15.76415 11     188.56105     25.80000     1.5601940 12    -574.20881      4.24245 13    3000.00000     16.61684     1.5601940 14     118.18165     21.76285 15    -336.11504     15.00000     1.5601940 16     161.39927     25.87166 17    -120.57109     15.00000     1.5601940 18        ∞         33.99581 19   -2985.44300     36.97923     1.5601940 20    -150.10550     11.68359 21    -122.25791     28.00000     1.5601940 22    -204.99200      1.00000 23        ∞         29.24000     1.5601940 24    -312.57215      1.00000 25     965.45342     27.00000     1.5601940 26    -643.40298      1.00000 27     258.67450     39.00000     1.5013750 28   -2967.14700      1.00000 29     246.35328     35.60000     1.5013750 30   -2970.04500      1.00000 31        ∞         24.00000     1.5601940 32     157.63171     10.66701 33     234.15227     17.00000     1.5601940 34     157.66180     32.59249 35    -200.72428     15.00000     1.5601940 36     432.89447     37.93920 37        ∞         24.40000           （開口絞りＡＳ）38    -175.71116     17.00000     1.5601940 39   -2985.98400      1.00000 40   -2985.99700     35.50000     1.5013750 41    -189.63629      1.00000 42   -3000.00000     24.40000     1.5601940 43    -350.29744      1.00000 44     362.38815     46.50000     1.5013750 45    -361.31567     10.87000 46    -251.97148     23.00000     1.5601940 47    -662.28158      1.00000 48     238.98700     38.10000     1.5013750 49    1994.63265      1.00000 50     211.51173     33.40000     1.5013750 51     720.00000      1.00000 52     129.92966     46.00000     1.5013750 53     669.85166      2.78330 54     970.74182     19.98622     1.5601940 55      78.20244      6.27314 56      86.12755     32.52274     1.5601940 57     230.00000      2.86248 58     232.22064     44.18344     1.5601940 59     350.03691     19.46622
【００１６】
なお、照明光学系ＩＳは容器１によって包囲され、バルブＶ１を介して容器１への窒素ガスの供給が行われ、且つバルブＶ２を介して容器１からの排気が行われるように構成されている。したがって、たとえば真空ポンプによりバルブＶ２を介して容器１から空気を強制排出した後にバルブＶ１を介して容器１へ窒素ガスを供給することにより、容器１内の空気を窒素で置換して照明光学系ＩＳの光路をほぼ窒素雰囲気にすることができる。
また、照明光学系ＩＳとレチクルステージＲＳとの間の光路は容器２によって包囲され、バルブＶ３を介して容器２への窒素ガスの供給が行われ、且つバルブＶ４を介して容器２からの排気が行われるように構成されている。したがって、バルブＶ４を介して容器２から空気を強制排出した後にバルブＶ３を介して容器２へ窒素ガスを供給することにより、容器２内の空気を窒素で置換して照明光学系ＩＳとレチクルステージＲＳとの間の光路をほぼ窒素雰囲気にすることができる。
【００１７】
さらに、投影光学系ＰＬは容器３によって包囲され、バルブＶ５を介して容器３への窒素ガスの供給が行われ、且つバルブＶ６を介して容器３からの排気が行われるように構成されている。したがって、バルブＶ６を介して容器３から空気を強制排出した後にバルブＶ５を介して容器３へ窒素ガスを供給することにより、容器３内の空気を窒素で置換して投影光学系ＰＬの光路をほぼ窒素雰囲気にすることができる。
こうして、照明光学系ＩＳから投影光学系ＰＬまでの光路をほぼ窒素雰囲気にした状態で、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間の光路に窒素ガスを不図示のノズルを介して一定流速で吹き付けながら露光を行うことにより、ウエハＷの露光領域にレチクルＲのパターンを転写することができる。
【００１８】
本実施例では、投影光学系ＰＬを構成するレンズ部材について調整が必要となった場合、たとえばバルブＶ６を介して容器３から窒素を強制排出しながら容器３を大気に開放することにより容器３の窒素を空気で置換し、空気雰囲気中においてレンズ部材の調整を行う。
レンズ１〜レンズ１２はそれぞれ投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに沿った方向および投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと直交する面内に沿って移動可能に設けられていると共に、さらに投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して傾斜可能となるように、レンズ保持部材によりそれぞれ保持されている。そして、レンズ１〜レンズ１２は、各レンズに対応するレンズ保持部材にそれぞれ設けられている第１のビスを介して、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに沿った方向へそれぞれ移動するように構成されている。また、レンズ１〜レンズ１２は、各レンズに対応するレンズ保持部材にそれぞれ設けられている第２のビスを介して、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと直交する面内に沿ってそれぞれ移動するように構成されている。また、レンズ１〜レンズ１２は、各レンズに対応するレンズ保持部材にそれぞれ設けられている第３のビスを介して、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して傾斜するように構成されている。
【００１９】
このため、レンズ保持部材に設けられた複数の第１のビスの少なくとも１つを介して、レンズ１〜レンズ１２の内の少なくとも１つのレンズを投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに沿った方向へ移動させることにより、投影光学系ＰＬの倍率調整、あるいは投影光学系ＰＬの非点収差を調整（又は補正）でき、レンズ保持部材に設けられた複数の第２のビスを介して、レンズ１〜レンズ１２の内の１つのレンズを投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと直交する面内に沿って移動させることにより、投影光学系ＰＬの偏心コマ収差や偏心非点収差等を調整（又は補正）することができる。また、レンズ保持部材に設けられた複数の第３のビスを介して、レンズ１〜レンズ１２の内の１つのレンズを投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して傾斜させることにより、例えば投影光学系ＰＬのディストーション（偏心ディストーション等）を調整（又は補正）することができる。
【００２０】
そして、光学調整中または光学調整後に、テストパターンが形成されたテストレチクルをレチクルステージＲＳ上に設定して、容器３を大気に開放した状態でエキシマレーザ光源の出力を低下させてテストレチクルによる検査露光を行う。第１回目の検査露光により投影光学系ＰＬの性能調整が良好であることが判明すれば、投影光学系ＰＬの調整および検査が終了する。すなわち、第１回目の検査露光により投影光学系ＰＬを介してテストレチクルのパターンが焼き付けられたウエハＷを電子顕微鏡等を用いて検査した結果、投影光学系ＰＬの光学性能が良好であれば、投影光学系の調整および検査が終了する。
一方、第１回目の検査露光により投影光学系ＰＬの性能調整が良好でないことが判明すれば、容器３を大気に開放した状態でレンズ部材の調整および検査露光を必要に応じて繰り返すことになる。投影光学系ＰＬ中のレンズの調整は、レンズ１〜レンズ１２に限ることなく、他のレンズ（レンズ１３〜レンズ２９）を移動あるいは傾斜させて調整しても良い。
【００２１】
図３は、投影光学系ＰＬを包囲する容器３の内部が窒素雰囲気である通常露光状態における諸収差図である。また、図４は、本実施例において投影光学系ＰＬを包囲する容器３の内部を空気雰囲気に置換した調整検査状態における諸収差図である。各収差図において、ＮＡは開口数を、Ｙは像高をそれぞれ示している。また、非点収差を示す収差図において、実線はサジタル像面を示し、破線はメリディオナル像面を示している。
図３と図４とを参照すると、本実施例では、投影光学系ＰＬの光路の全体が窒素雰囲気から空気雰囲気へ変化しても、投影光学系ＰＬの諸収差がほとんど変化しないことがわかる。したがって、本実施例の光学調整方法によれば、高い検査精度を確保しながら、有害なオゾンを実質的に発生させることなく、投影光学系ＰＬの調整および検査を効率良く且つ迅速に行うことができる。
【００２２】
以上の調整および検査の各工程が終了した後、バルブ５を介して窒素ガスを供給して、容器３内に窒素ガスを充填する。その窒素ガス供給工程が完了した後、実際の露光工程に移行する。つまり、露光工程では、露光用バターンが形成されたレチクルＲをレチクルステージＲＳ上に設定し、照明光学系ＩＳからの光でレチクルＲを照明して、レチクルＲ上のパターンを投影光学系ＰＬを介して感光性基板としてのウエハＷに投影露光する。
図１に示した露光装置による露光の工程（フォトリソグラフィ工程）を経たウエハＷは、現像する工程を経てから現像したレジスト以外の部分を除去するエッチングの工程、エッチングの工程後の不要なレジストを除去するレジスト除去の工程等を経てウエハプロセスが終了する。そして、ウエハプロセスが終了すると、実際の組立工程にて、焼き付けられた回路毎にウエハを切断してチップ化するダイシング、各チップに配線等を付与するボンディング、各チップ毎にパッケージングするパッケージング等の各工程を経て、最終的に半導体装置としての半導体デバイス（ＬＳＩ等）が製造される。
【００２３】
このように、本発明による調整方法を用いて半導体デバイスを製造すれば、従来よりもさらに微細なパターンを感光性基板としてのウエハＷ上に露光することができるため、より高い集積度の半導体デバイスを製造することができる。
なお、以上の説明では、投影露光装置を用いたウエハプロセスでのフォトリソグラフィ工程により半導体デバイスを製造する例を示したが、露光装置を用いたフォトリソグラフィ工程によって、半導体デバイスとして、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）を製造することができる。
【００２４】
なお、変形例として、投影光学系ＰＬの光路を包囲する容器３を、レンズＬ１からレンズＬ12までを包囲する第１容器とレンズＬ13からレンズＬ29までを包囲する第２容器とで構成することができる。この変形例では、調整頻度が比較的大きい第１容器内のレンズ部材（レンズＬ１からレンズＬ12）について調整が必要となった場合、第２容器内を窒素雰囲気に維持したまま第１容器だけを大気に開放し、第１容器内のレンズ部材を空気雰囲気中において前述の実施例と同様の手法により調整することができる。また、第２容器内のレンズ部材（レンズＬ13からレンズＬ29）について調整が必要となった場合、第１容器内を窒素雰囲気に維持したまま第２容器だけを大気に開放し、第２容器内のレンズ部材を空気雰囲気中において調整することができる。このように、変形例では、光学調整に際して置換すべき空間区画の容積が小さいので、上述の実施例よりも迅速に光学調整を開始することができる。
【００２５】
図５は、変形例において投影光学系ＰＬの光路の一部を包囲する第１容器の内部を空気雰囲気に置換した調整検査状態における諸収差図である。図５においても、ＮＡは開口数を、Ｙは像高をそれぞれ示している。また、非点収差を示す収差図において、実線はサジタル像面を示し、破線はメリディオナル像面を示している。
図３と図５とを参照すると、変形例においても、投影光学系ＰＬの光路の一部（レチクルＲからレンズＬ12までの光路）が窒素雰囲気から空気雰囲気へ変化しても、投影光学系ＰＬの諸収差がほとんど変化しないことがわかる。したがって、変形例の光学調整方法によれば、高い検査精度を確保しながら、有害なオゾンを実質的に発生させることなく、投影光学系ＰＬの調整および検査を効率良く且つ上述の実施例よりも迅速に行うことができる。
【００２６】
なお、上述の実施例および変形例では、投影光学系の調整および検査について本発明を説明したが、照明光学系の調整および検査についても同様に本発明を適用することができる。
また、上述の実施例および変形例では、エキシマレーザ光源を用いた露光装置における光学系の調整および検査について本発明を説明したが、酸素による吸収が比較的大きい他の特定波長の光を使用する露光装置における光学系の調整および検査についても本発明を適用することができる。
さらに、上述の実施例および変形例では、屈折型の投影光学系を有する露光装置における光学系の調整および検査について本発明を説明したが、反射型および反射屈折型の投影光学系を有する露光装置における光学系の調整および検査についても本発明を適用することができる。
【００２７】
【効果】
以上説明したように、本発明では、空気雰囲気中において光学調整を行いながら検査露光を行うことができるので、光学系の調整および検査の作業効率および作業速度が著しく向上する。また、露光光の強度を低下させて検査露光を行うので、検査精度を低下させることなく、オゾンの発生を十分小さく抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例にかかる光学調整方法が適用される露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図１の投影光学系ＰＬのレンズ構成を示す図である。
【図３】投影光学系ＰＬを包囲する容器３の内部が窒素雰囲気である通常露光状態における諸収差図である。
【図４】本実施例において投影光学系ＰＬを包囲する容器３の内部を空気雰囲気に置換した調整検査状態における諸収差図である。
【図５】変形例において投影光学系ＰＬの光路の一部を包囲する第１容器の内部を空気雰囲気に置換した調整検査状態における諸収差図である。
【図６】気温が２３°Ｃで１気圧における窒素の絶対屈折率および空気の絶対屈折率の波長特性を示す図である。
【符号の説明】
１〜３  容器
Ｖ１〜Ｖ６  バルブ
ＩＳ  照明光学系
ＰＬ  投影光学系
Ｒ  レチクル
ＲＳ  レチクルステージ
Ｗ  ウエハ
ＷＳ  ウエハステージ
ＡＸ  光軸
ＡＳ  開口絞り
Ｌｉ  各レンズ部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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