(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、前記第１のカウンタのデータもしくは前記第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する１個もしくは複数個のＤ／Ａコンバータとを含み、このＤ／Ａコンバータの出力信号に応じたバイアス電流を前記半導体レーザに流して前記半導体レーザの出力を検出し、この検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
【請求項２】
半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、前記第１のカウンタもしくは前記第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力するＤ／Ａコンバータと、このＤ／Ａコンバータの出力にしたがってバイアス電流を発生して前記半導体レーザに流す電流源とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
【請求項３】
半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、この第１のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、この第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータと、前記第１のＤ／Ａコンバータ及び前記第２のＤ／Ａコンバータのいずれかの信号にしたがってバイアス電流を発生して前記半導体レーザに流す電流源とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
【請求項４】
半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、この第１のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータと、この第１のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第１の電流源と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、この第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータと、この第２のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第２の電流源と、前記第１の電流源及び前記第２の電流源のいずれかの電流をバイアス電流として前記半導体レーザに流す信号切り換え器とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザ駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４は半導体レーザの電流−光変換特性（以後Ｉ−Ｌ特性という）を示す。半導体レーザのスイッチング駆動において、そのスイッチング特性をよくするために一般に発振開始電流Ｉｔｈ程度のバイアス電流を半導体レーザに与え、半導体レーザ発光領域（ＬＤ発光領域）での光スイッチングが行われるようにしている。この半導体レーザに与えるバイアス電流は、多くの場合、実施の容易性から固定バイアス電流となっている。
また、ＣＰＵによって半導体レーザのＩ−Ｌ特性を測定して半導体レーザのバイアス電流を決定する装置が特開平３−１３２７７４号公報に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
半導体レーザのＩ−Ｌ特性は、図５に示すように個々の半導体レーザでＩｔｈ、微分効率ηが異なるＩ−Ｌ特性Ａ、Ｂ・・・となるので、個々の半導体レーザに対して固定バイアス電流値を調整する必要が有り、その調整は煩雑であり、かつ、調整結果は必ずしも個々の半導体レーザに対して最適なものとは言い難い状態であった。
【０００４】
また、半導体レーザのＩ−Ｌ特性は、環境温度、経年変化によって電流−光変換効率が悪くなるように例えば図６に示すＩ−Ｌ特性ＣからＩ−Ｌ特性Ｄへ変化する。半導体レーザを点灯させるときにその発光光量を一定にすることが必要である場合には、半導体レーザの発光光量が一定になるように半導体レーザの発光光量を見ながら半導体レーザに流す電流を増減させるオートパワーコントロール（ＡＰＣ）が行われる。
【０００５】
半導体レーザに与えるバイアス電流を固定バイアス電流とする固定バイアス方式では、半導体レーザのスイッチング電流を図７に示すような半導体レーザのＩ−Ｌ特性Ｅでの値から図８に示すような半導体レーザのＩ−Ｌ特性Ｆでの値に増加させることになり、半導体レーザにバイアス電流を与えている効果が半導体レーザのＩ−Ｌ特性の変化により徐々に小さくなってしまう。
【０００６】
また、上記特開平３−１３２７７４号公報記載の装置では、ＣＰＵによって半導体レーザのＩ−Ｌ特性を測定して半導体レーザのバイアス電流を決定するので、大きなシステムとなり、高価な装置となる。
【０００７】
本発明は、上記問題点を改善し、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる半導体レーザ駆動装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、前記第１のカウンタのデータもしくは前記第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する１個もしくは複数個のＤ／Ａコンバータとを含み、このＤ／Ａコンバータの出力信号に応じたバイアス電流を前記半導体レーザに流して前記半導体レーザの出力を検出し、この検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するものである。
【０００９】
請求項２記載の発明は、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、前記第１のカウンタもしくは前記第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力するＤ／Ａコンバータと、このＤ／Ａコンバータの出力にしたがってバイアス電流を発生して前記半導体レーザに流す電流源とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するものである。
【００１０】
請求項３記載の発明は、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、この第１のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、この第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータと、前記第１のＤ／Ａコンバータ及び前記第２のＤ／Ａコンバータのいずれかの信号にしたがってバイアス電流を発生して前記半導体レーザに流す電流源とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するものである。
【００１１】
請求項４記載の発明は、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、この第１のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータと、この第１のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第１の電流源と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、この第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータと、この第２のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第２の電流源と、前記第１の電流源及び前記第２の電流源のいずれかの電流をバイアス電流として前記半導体レーザに流す信号切り換え器とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１実施形態例を示す。
この第１実施形態例の半導体レーザ駆動装置は、請求項１、４記載の発明の実施形態例であり、半導体レーザ１１にバイアス電流を供給するバイアス電流回路と、半導体レーザ１１にスイッチング電流を供給するスイッチング電流回路を有する。バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタ１２と、この第１のカウンタ１２のカウントデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータ１３と、この第１のＤ／Ａコンバータ１３が出力する信号にしたがった電流を発生する第１の電流源１４と、アップカウントモードとダウンカウントモードが切り換えられる第２のカウンタ１５と、この第２のカウンタ１５のカウントデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータ１６と、この第２のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第２の電流源１７と、第１の電流源１４及び第２の電流源１７のいずれかの電流をバイアス電流Ｉｂとする信号切り換え器１８によって構成される。
【００１３】
また、スイッチング電流回路は、半導体レーザ１１にスイッチング電流Ｉｓｗを供給する電流源１９と、半導体レーザ点灯指示信号によって電流源１９からのスイッチング電流Ｉｓｗを半導体レーザ１１に流すスイッチング回路２０によって構成される。スイッチング回路２０が開いているときには電流源１９から供給されるスイッチング電流Ｉｓｗがスイッチング回路２０により阻止されて半導体レーザ１１には流れない。スイッチング回路２０が半導体レーザ点灯指示信号によって閉じると、電流源１９から供給されるスイッチング電流Ｉｓｗがスイッチング回路２０を通して半導体レーザ１１に流れる。半導体レーザ１１のスイッチング駆動時には、信号切り換え器１８が制御手段としてのコントロール回路２１により電流源１７側に切り換えられることで、半導体レーザ１１に電流源１７からバイアス電流が与えられる。
【００１４】
図９はバイアス電流Ｉｂと半導体レーザ１１の発光光量の変化の様子を示し、図１０はコントロール回路２１の処理フローを示す。バイアス電流Ｉｂの設定を行う場合には、コントロール回路２１は、スイッチング回路２０を開いた状態とすることで、半導体レーザ１１にスイッチング電流Ｉｓｗを供給しない状態とし、バイアス電流設定指示信号が入力されることにより、図１０に示すような処理フローを実行する。
【００１５】
すなわち、コントロール回路２１は、バイアス電流設定指示信号が入力されることにより、第１のカウンタ１２および第２のカウンタ１５をリセット状態とし、信号切り換え器１８を第１の電流源１４側に切り換えることで第１の電流源１４を半導体レーザ１１に接続した状態にする。したがって、第１のカウンタ１２のカウントデータが第１のＤ／Ａコンバータ１３によりアナログ信号に変換されて第１の電流源１４に印加され、第１の電流源１４の供給電流が０Ａに設定された状態となる。また、第２のカウンタ１５のカウントデータが第２のＤ／Ａコンバータ１６によりアナログ信号に変換されて第２の電流源１７に印加され、第２の電流源１７の供給電流が０Ａに設定された状態となる。
【００１６】
そして、コントロール回路２１は第１のカウンタ１２および第２のカウンタ１５を同時にイネーブル状態とし、第１のカウンタ１２および第２のカウンタ１５が同時に図示しない回路からのクロックのカウントを開始して第１の電流源１４および第２の電流源１７の設定電流が同じ勾配で増加を始める。このとき、第１のカウンタ１２はクロックを例えばアップカウントし、第２のカウンタ１５は例えばアップカウントモードでクロックをアップカウントする。第１の電流源１４が発生した電流は信号切り換え器１８を通して半導体レーザ１１に流れ、半導体レーザ１１はそのＩ−Ｌ特性にしたがって発光を始める。
【００１７】
半導体レーザ１１の発する光は光検出器２２に入射してその光量が光検出器２２により検出され、光検出器２２の出力信号が増幅器２３を経て第１のコンパレータ２４と第２のコンパレータ２５に伝えられる。第１のコンパレータ２４は、増幅器２３の出力電圧を基準電圧Ｖｒｅｆ１と比較することで、半導体レーザ１１の発光光量が第１の所定の光量Ｐａに達したことを検出する。また、第２のコンパレータ２５は、増幅器２３の出力電圧を基準電圧Ｖｒｅｆ２と比較することで、半導体レーザ１１の発光光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したことを検出する。
【００１８】
コントロール回路２１は、第１のコンパレータ２４の出力信号と第２のコンパレータ２５の出力信号が入力され、第１のコンパレータ２４の出力信号により半導体レーザ１１の発する光量が第１の所定の光量Ｐａに達したときに第２のカウンタ１５をアップカウントモードからダウンカウントモードに反転させる。したがって、第２のカウンタ１５はクロックをダウンカウントし、第２の電流源１７の供給電流が第２のカウンタ１５のカウントデータに応じて増加したときと同じ勾配で減少を始める。
【００１９】
その後、コントロール回路２１は、第２のコンパレータ２５の出力信号により半導体レーザ１１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに第２のカウンタ１５のカウントを停止させ、信号切り換え器１８を第２の電流源１７側に切り換えることで第２の電流源１７を半導体レーザ１１に接続し、バイアス電流Ｉｂの設定を終了してバイアス電流設定終了信号を外部へ出力する。
【００２０】
ここに、所定の第１の光量Ｐａと所定の第２の光量Ｐｂを（Ｐｂ≒２Ｐａ）とすることにより、Ｉｂ≒Ｉｔｈとすることができる。このため、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００２１】
このように、第１実施形態例は、請求項１記載の発明の実施形態例であって、半導体レーザ１１のスイッチング駆動時に該半導体レーザ１１にバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、半導体レーザ１１にスイッチング電流を与える電流源１９及びスイッチング回路２０からなるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタ１２と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタ１５と、第１のカウンタ１２のカウントデータもしくは第２のカウンタ１５のカウントデータにしたがった信号を出力する１個もしくは複数個のＤ／Ａコンバータ１３、１６とを含み、このＤ／Ａコンバータ１３、１６の出力信号に応じたバイアス電流を半導体レーザ１１に流して半導体レーザ１１の出力を光検出器２２で検出し、この検出結果を用いてコントロール回路２１により第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５を制御してバイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００２２】
また、第１実施形態例は、請求項４記載の発明の実施形態例であって、半導体レーザ１１のスイッチング駆動時に該半導体レーザ１１にバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、半導体レーザ１１にスイッチング電流を与える電流源１９及びスイッチング回路２０からなるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタ１２と、この第１のカウンタ１２のカウントデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータ１３と、この第１のＤ／Ａコンバータ１３が出力する信号にしたがった電流を発生する第１の電流源１４と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタ１５と、この第２のカウンタ１５のカウントデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータ１６と、この第２のＤ／Ａコンバータ１６が出力する信号にしたがった電流を発生する第２の電流源１７と、第１の電流源１４及び第２の電流源１７のいずれかの電流をバイアス電流として半導体レーザ１１に流す信号切り換え器１８とを含み、半導体レーザ１１の出力を光検出器２２で検出してこの検出結果を用いてコントロール回路２１により第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５を制御してバイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００２３】
図２は本発明の第２実施形態例を示す。
この第２実施形態例の半導体レーザ駆動装置は、請求項３記載の発明の実施形態例であり、上記第１実施形態例において、第１の電流源１４と第２の電流源１７を１つの電流源１４に統合したものである。電流源１４から供給される電流は半導体レーザ１１へ直接流れる。信号切り換え器１８は第１のＤ／Ａコンバータ１３及び第２のＤ／Ａコンバータ１６と電流源１４との間に設けられて第１のＤ／Ａコンバータ１３及び第２のＤ／Ａコンバータ１６のいずれかの出力信号を電流源１４に印加し、電流源１４が第１のＤ／Ａコンバータ１３及び第２のＤ／Ａコンバータ１６のいずれかの出力信号にしたがってバイアス電流を発生する。
【００２４】
コントロール回路２１は、バイアス電流Ｉｂの設定を行う場合には最初は信号切り換え器１８を第１のＤ／Ａコンバータ１３側に切り換えることで第１のＤ／Ａコンバータ１３の出力信号を電流源１４に印加し、その後第２のコンパレータ２５の出力信号により半導体レーザ１１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに信号切り換え器１８を第２のＤ／Ａコンバータ１６側に切り換えることで第２のＤ／Ａコンバータ１６の出力信号を電流源１４に印加する。
【００２５】
この第２実施形態例は、請求項３記載の発明の実施形態例であって、半導体レーザ１１のスイッチング駆動時に該半導体レーザ１１にバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、半導体レーザ１１にスイッチング電流を与える電流源１９及びスイッチング回路２０からなるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタ１２と、この第１のカウンタ１２のカウントデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータ１３と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタ１５と、この第２のカウンタ１５のカウントデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータ１６と、第１のＤ／Ａコンバータ１３及び第２のＤ／Ａコンバータ１６のいずれかの信号にしたがってバイアス電流を発生して半導体レーザ１１に流す電流源１４とを含み、半導体レーザ１１の出力を光検出器２２で検出してこの検出結果を用いてコントロール回路２１により第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５を制御してバイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００２６】
図３は本発明の第３実施形態例を示す。
この第３実施形態例の半導体レーザ駆動装置は、請求項２記載の発明の実施形態例であり、上記第２実施形態例において、第１のＤ／Ａコンバータ１３と第２のＤ／Ａコンバータ１６を１つのＤ／Ａコンバータ１３に統合したものである。Ｄ／Ａコンバータ１３からのアナログ信号は電流源１４へ直接印加される。信号切り換え器１８は第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５とＤ／Ａコンバータ１３との間に設けられて第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５のいずれかのカウントデータをＤ／Ａコンバータ１３に与え、Ｄ／Ａコンバータ１３が第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５のいずれかのカウントデータをアナログ信号に変換する。
【００２７】
コントロール回路２１は、バイアス電流Ｉｂの設定を行う場合には最初は信号切り換え器１８を第１のカウンタ１２側に切り換えることで第１のカウンタ１２からのカウントデータをＤ／Ａコンバータ１３に与え、その後第２のコンパレータ２５の出力信号により半導体レーザ１１の発する光量が第２の所定の光量Ｐｂに達したときに信号切り換え器１８を第２のカウンタ１５側に切り換えることで第２のカウンタ１５からのカウントデータをＤ／Ａコンバータ１３に与える。
【００２８】
この第３実施形態例は、請求項２記載の発明の実施形態例であって、半導体レーザ１１のスイッチング駆動時に該半導体レーザ１１にバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、半導体レーザ１１にスイッチング電流を与える電流源１９及びスイッチング回路２０からなるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタ１２と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタ１５と、第１のカウンタ１２もしくは第２のカウンタ１５のデータにしたがった信号を出力するＤ／Ａコンバータ１３と、このＤ／Ａコンバータ１３の出力にしたがってバイアス電流を発生して半導体レーザ１１に流す電流源１４とを含み、半導体レーザ１１の出力を光検出器２２で検出してこの検出結果を用いてコントロール回路２１により第１のカウンタ１２及び第２のカウンタ１５を制御してバイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００２９】
【発明の効果】
以上のように請求項１記載の発明によれば、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、前記第１のカウンタのデータもしくは前記第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する１個もしくは複数個のＤ／Ａコンバータとを含み、このＤ／Ａコンバータの出力信号に応じたバイアス電流を前記半導体レーザに流して前記半導体レーザの出力を検出し、この検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００３０】
請求項２記載の発明によれば、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、前記第１のカウンタもしくは前記第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力するＤ／Ａコンバータと、このＤ／Ａコンバータの出力にしたがってバイアス電流を発生して前記半導体レーザに流す電流源とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００３１】
請求項３記載の発明によれば、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、この第１のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータと、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、この第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータと、前記第１のＤ／Ａコンバータ及び前記第２のＤ／Ａコンバータのいずれかの信号にしたがってバイアス電流を発生して前記半導体レーザに流す電流源とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【００３２】
請求項４記載の発明によれば、半導体レーザのスイッチング駆動時に該半導体レーザにバイアス電流を与えるバイアス電流回路と、前記半導体レーザにスイッチング電流を与えるスイッチング電流回路とを備えた半導体レーザ駆動装置において、前記バイアス電流回路は、アップカウントもしくはダウンカウントをする第１のカウンタと、この第１のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第１のＤ／Ａコンバータと、この第１のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第１の電流源と、アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられる第２のカウンタと、この第２のカウンタのデータにしたがった信号を出力する第２のＤ／Ａコンバータと、この第２のＤ／Ａコンバータが出力する信号にしたがった電流を発生する第２の電流源と、前記第１の電流源及び前記第２の電流源のいずれかの電流をバイアス電流として前記半導体レーザに流す信号切り換え器とを含み、前記半導体レーザの出力を検出してこの検出結果を用いて前記第１のカウンタ及び前記第２のカウンタを制御して前記バイアス電流を設定するので、半導体レーザのＩ−Ｌ特性の環境温度、経年変化や個々の半導体レーザに対して適正なバイアス電流を調整工程を設けることなく自動的に設定できて安価に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態例を示すブロック図である。
【図２】本発明の第２実施形態例を示すブロック図である。
【図３】本発明の第３実施形態例を示すブロック図である。
【図４】半導体レーザのＩ−Ｌ特性を説明するための図である。
【図５】半導体レーザのＩ−Ｌ特性のバラツキを説明するための図である。
【図６】半導体レーザのＩ−Ｌ特性の温度変化、経時変化を説明するための図である。
【図７】固定バイアス方式における半導体レーザのＩ−Ｌ特性と、バイアス電流、スイッチング電流および光出力の例を示す図である。
【図８】固定バイアス方式における半導体レーザのＩ−Ｌ特性と、バイアス電流、スイッチング電流および光出力の他の例を示す図である。
【図９】上記実施例におけるバイアス電流設定時のバイアス電流の変化、光出力の変化を説明するための図である。
【図１０】上記実施例におけるコントロール回路の処理フローを示すフローチャートである。
【符号の説明】
１１      半導体レーザ
１２      アップカウントもしくはダウンカウントをするカウンタ
１３、１６      Ｄ／Ａコンバータ
１４、１７、１９      電流源
１５      アップカウントモードとダウンカウントモードに切り換えられるカウンタ
１８      信号切り換え器
２０      スイッチング回路
２１      コントロール回路
２２      光検出器
２３      増幅器
２４、２５      コンパレータ
【図１】
0003648302.tif 000002
【図２】
0003648302.tif 000003
【図３】
0003648302.tif 000004
【図４】
0003648302.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003648302.tif 000007
【図７】
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【図８】
0003648302.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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