(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に分岐点を介して接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断した状態で、
前記入力端子側から測定した入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲を、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定するとともに、
前記出力端子側から測定した出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲を、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定して、
前記入力端子側交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１ における値ＲＡ０  、ＲＡ１ の差ΔＲＡの絶対値を求めるとともに、
前記出力端子側交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ０ とその後の時刻ｔr における値ＲＢ０ 、ＲＢ１ の差ΔＲＢの絶対値をそれぞれ求め、
前記ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍より小さい範囲、前記ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍より小さい範囲の値である場合に、性能を維持していると判断し、前記ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍以上の値、前記ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍以上の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項２】
前記高周波電源と前記入力端子とが高周波電力給電体を介して接続され、
前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置への接続を切断し、前記測定位置から接地電位部分まで測定した範囲に設定されてなることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項３】
前記電極と前記出力端子とが高周波電力配電体を介して接続され、
前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲が、前記入力端子への接続を切断し、前記高周波電力配電体の前記電極側端部である測定位置への接続を切断し、前記測定位置から接地電位部分まで測定した範囲に設定されてなることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項４】
前記交流抵抗が、前記高周波電源の高周波電力の周波数における値に設定されてなることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項５】
前記入出力端子の間で前記接地電位部分に接続される接続点が複数ある場合には、前記接続点のうち１の接続点のみが前記接地電位部分に接続するよう他の接続点を切断して、前記交流抵抗を測定することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項６】
前記入出力端子の間で前記接地電位部分に接続される接続点が複数ある場合には、各々接続する接続点を切り替えて、それぞれ前記交流抵抗を測定することを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項７】
時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１  との間に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項８】
時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１  との間に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項９】
時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１  との間に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載された評価方法の結果、ΔＲＡ、△ＲＢの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍以上、前記ＲＢ０ の０．５倍以上の場合に、交流抵抗ＲＡ、ＲＢの是正作業を行うことを特徴とするプラズマ処理装置の保守方法。
【請求項１１】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に分岐点を介して接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断した状態で、
前記入力端子側から測定した入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲を、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定するとともに、
前記出力端子側から測定した出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲を、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定して、
前記入力端子側交流抵抗ＲＡの時刻ｔ０  における値ＲＡ０  と、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの時刻ｔ０  における値ＲＢ０  とを記憶するサーバーと、
このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置と、を備え、
前記サーバーは、前記ＲＡ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＡ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＡ０  とこのＲＡ１  との差であるΔＲＡの絶対値を演算するとともに、前記ＲＢ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＢ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＢ０  とこのＲＢ１  との差であるΔＲＢの絶対値を演算し、
前記ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍より小さい値、前記ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍より小さい値である場合には、性能を維持している旨の信号を、前記ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍以上の値、前記ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍以上の値である場合には、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１２】
前記サーバーが、プラズマ処理室ユニットの固有番号毎に前記ＲＡ０  およびＲＢ０  を記憶し、納入先入出力装置から納入したプラズマ処理室の固有番号を受信して、当該固有番号に対応するＲＡ０  およびＲＢ０  を用いて演算をすることを特徴とする請求項１１記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１３】
前記納入先入出力装置に、プラズマ処理装置に接続された高周波特性測定器を接続して、この高周波特性測定器から前記サーバーに、前記ＲＡ１  およびＲＢ１  が直接送信されることを特徴とする請求項１１記載のプラズマ処理装置の性能管理システム
【請求項１４】
前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、前記ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍、前記ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍を超える場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを特徴とする請求項１１載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１５】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に分岐点を介して接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断した状態で、
前記入力端子側から測定した入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲を、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定するとともに、
前記出力端子側から測定した出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲を、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定して、
前記入力端子側交流抵抗ＲＡの時刻ｔ０  における値ＲＡ０  と、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの時刻ｔ０  における値ＲＢ０  と、を記憶するサーバーと、
このサーバーの搬送元における出力装置と、
このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置と、を備え、
前記サーバーは、前記ＲＡ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＡ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＡ０  とこのＲＡ１  との差であるΔＲＡの絶対値を演算するとともに、前記ＲＢ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＢ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＢ０  とこのＲＢ１  との差であるΔＲＢの絶対値を演算し、
前記ΔＲＡの絶対値と前記ＲＡ０  の値、前記ΔＲＢの絶対値と前記ＲＢ０  の値の範囲によって決められた１以上の故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報を記憶しており、
前記ΔＲＡの絶対値と前記ΔＲＢの絶対値との値が、前記の何れかの故障レベルの範囲である場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１６】
前記納入先入出力装置に、プラズマ処理装置に接続された高周波特性測定器を接続して、この高周波特性測定器から前記サーバーに、前記ＲＡ１  およびＲＢ１  が直接送信されることを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理装置の性能管理システム
【請求項１７】
前記サーバーが、前記当該故障レベルを、前記納入先入出力装置にも発信することを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１８】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に分岐点を介して接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断した状態で、
前記入力端子側から測定した入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲を、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定するとともに、
前記出力端子側から測定した出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲を、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定して、
前記入力端子側交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１ における値ＲＡ０  、ＲＡ１ の差ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍より小さい値に維持されるとともに、
前記出力端子側交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ０ とその後の時刻ｔ１  における値ＲＢ０  、ＲＢ１  の差ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍より小さい値に維持されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置に係り、特に、プラズマ処理装置が継続的に所望の性能を維持し続けることに用いて好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＶＤ（ chemical vapor deposition）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなうプラズマ処理装置の一例としては、従来から、図４０に示すような、いわゆる２周波励起タイプのものが知られている。
図４０に示すプラズマ処理装置は、高周波電源１とプラズマ励起電極４との間に整合回路２Ａが介在されている。整合回路２Ａはこれら高周波電源１とプラズマ励起電極４との間のインピーダンスの整合を得るための回路として設けられている。
【０００３】
高周波電源１からの高周波電力は整合回路２Ａを通して給電板３によりプラズマ励起電極４へ供給される。この整合回路２Ａは導電体からなるハウジングにより形成されるマッチングボックス２内に収納されており、プラズマ励起電極４および給電板３は、導体からなるシャーシ２１によって覆われている。
プラズマ励起電極（カソード電極）４の下側には環状の凸部４ａが設けられるとともに、このプラズマ励起電極（カソード電極）４の下には、多数の孔７が形成されているシャワープレート５が凸部４ａに接して設けられている。これらプラズマ励起電極４とシャワープレート５との間には空間６が形成されている。この空間６にはガス導入管１７が接続されており、導体からなるガス導入管１７の途中には絶縁体１７ａが挿入されてプラズマ励起電極１４側とガス供給源側とが絶縁されている。
【０００４】
ガス導入管１７から導入されたガスは、シャワープレート５の孔７を介してチャンバ壁１０により形成されたチャンバ室６０内に供給される。なお、符号９はチャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とを絶縁する絶縁体である。また、排気系の図示は省略してある。
一方、チャンバ室６０内には基板１６を載置しプラズマ励起電極ともなるウエハサセプタ（サセプタ電極）８が設けられておりその周囲にはサセプタシールド１２が設けられている。
【０００５】
サセプタシールド１２はサセプタ電極８を受けるシールド支持板１２Ａと、このシールド支持板１２Ａの中央部に垂下形成された筒型の支持筒１２Ｂとからなり、支持筒１２Ｂはチャンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、この支持筒１２Ｂの下端部とチャンバ底部１０Ａとがベローズ１１により密閉接続されている。ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、これらの隙間がシャフト１３の周囲の設けられた電気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによって真空絶縁されるとともに電気的にも絶縁されている。また、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、ベローズ１１により上下動可能となっており、プラズマ励起電極４，８間の距離の調整ができる。
ウエハサセプタ８には、シャフト１３およびマッチングボックス１４内に収納された整合回路を介して第２の高周波電源１５が接続されている。なお、チャンバ壁１０とサセプタシールド１２とは直流的に同電位となっている。
【０００６】
図４１に従来のプラズマ処理装置の他の例を示す。図４０に示すプラズマ処理装置とは異なり、図４１に示すプラズマ処理装置は１周波励起タイプのプラズマ処理装置である。すなわち、カソード電極４にのみ高周波電力を供給しており、サセプタ電極８は接地されている。図４０で示される高周波電源１５とマッチングボックス１４が省略されている。また、サセプタ電極８とチャンバ壁１０とは直流的に同電位となっている。
【０００７】
上記のプラズマ処理装置においては、一般的に１３．５６ＭＨｚ程度の周波数の電力を投入して、両電極４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマにより、ＣＶＤ（chemical vapor deposition ）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなうものである。
しかし、上記のプラズマ処理装置においては、電力消費効率（高周波電源１からプラズマ励起電極４に投入した電力に対してプラズマ中で消費された電力の割合）は必ずしも良好ではない。特に、高周波電源から供給される周波数が高くなるほど、プラズマ処理装置における電力消費効率の低下が顕著である。同時にまた、基板サイズが大きくなるほどその低下が顕著である。
その結果、電力消費効率が低いことにより、プラズマ空間で消費される実効的な電力が上がらないため、成膜速度が遅くなる、また、たとえば絶縁膜の成膜の場合にあってはより絶縁耐圧の高い絶縁膜の形成が困難である、という問題点を有している。
【０００８】
そして、このようなプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価方法としては、例えば、以下のように実際に成膜等の処理をおこない、この被成膜特性を評価するというような方法でおこなっていた。
（１）堆積速度と膜面内均一性
▲１▼基板上にプラズマＣＶＤにより所望の膜を成膜する。
▲２▼レジストのパターニングをおこなう。
▲３▼膜をドライエッチングする。
▲４▼アッシングによりレジストを剥離する。
▲５▼膜の膜厚段差を触針式段差計により計測する。
▲６▼成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。
▲７▼膜面内均一性は、６インチ基板面内において１６ポイントで測定する。
（２）ＢＨＦエッチングレート
上記（１）▲１▼〜▲２▼と同様にレジストマスクをパターニングする。
▲３▼ＢＨＦ液に１分間基板を浸漬する。
▲４▼純水洗浄後乾燥し、レジストを硫酸過水（Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2）で剥離する。
▲５▼上記（１）▲５▼と同様段差を計測する。
▲６▼浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。
（３）絶縁耐圧
▲１▼ガラス基板上にスパッタリングにより導電性膜を成膜し、下部電極としてパターニングする。
▲２▼プラズマＣＶＤにより絶縁膜を成膜する。
▲３▼▲１▼と同様の方法で上部電極を形成する。
▲４▼下部電極用にコンタクト孔を形成する。
▲５▼上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特性）を測定する。このとき最大電圧として２００Ｖ程度まで印加する。
▲６▼電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎるところが、１μＡ／ｃｍ2 に相当するので、この時のＶを絶縁耐圧として定義する。
【０００９】
さらに、上記のようなプラズマ処理装置に対しては、従来から、半導体および液晶製造に用いられる場合において、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度や、加工速度）が早く生産性が高いこと、そして、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性（膜厚の膜面内方向分布、加工処理ばらつきの膜面内方向分布）に優れていることが、近年、被処理基板（被処理基体）の大型化に伴って、一段と強まっている。また、被処理基板の大型化に伴い、投入電力量もｋＷオーダーが投入されるまで増大し、電力消費量が増す傾向にある。このため、電源の高容量化に伴い、電源の開発コストが増大するとともに、装置稼働時には電力使用が増すことからランニングコストを削減することが望まれている。
また、電力消費量が増大することは、環境負荷となる二酸化炭素の排出量が増大する。これは、被処理基板の大型化に伴ってさらに放出量が増大するとともに電力消費効率をさらに下げてしまうため電力消費量が増大するので、この二酸化炭素の放出量削減への要求も高くなっている。
一方、プラズマ励起周波数として、従来一般的であった１３．５６ＭＨｚに対して、これを越える３０ＭＨｚ以上のＶＨＦ帯の周波数を用いるなど、高周波数化を図ることで、生成するプラズマ密度を向上させることができる。その結果として、プラズマＣＶＤなどの堆積装置においては、成膜時の堆積速度を向上させることができる可能性が示されていた。
【００１０】
さらに、上記のようなプラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズマチャンバに対して、特に、プラズマ処理室のみならず、整合回路をも含めたプラズマチャンバに対して、プラズマ処理の機差をなくし、異なるプラズマチャンバにおいて処理をおこなった被処理基板においても、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度や、加工速度）や生産性、そして、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性（膜厚の膜面内方向分布等の、処理のばらつきをなくしたいという要求がある。
同時に、プラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズマチャンバに対して、供給するガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラメータが等しい同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果が得られることが望まれている。
そして、プラズマ処理装置の新規設置時や調整・保守点検時において、複数のプラズマチャンバごとの機差をなくして処理のばらつきをなくし同一のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間の短縮が求められるとともに、このような調整に必要なコストの削減が要求されていた。
【００１１】
さらに、上記のようなプラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対しても、同様に、各プラズマ処理装置における個々のプラズマチャンバに対して、プラズマ処理の機差をなくしたいという要求が存在していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のプラズマ処理装置においては、１３．５６ＭＨｚ程度の周波数の電力を投入するように設計されており、これ以上の周波数の電力を投入することに対応していない。より具体的には、高周波電力を投入する部分、つまり、プラズマ処理をおこなうプラズマ処理室のみならず整合回路をも含むプラズマチャンバ全体としては、インピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性が考慮されておらず、１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力を投入した場合、電力消費効率があがらず、成膜時に堆積速度を向上することができないばかりか、むしろ、堆積速度が遅くなる場合があったという不具合が生じていた。さらに投入する電力をより高周波数化すると、周波数の上昇に伴って、生成されるプラズマ密度は上昇してピークを迎え、その後、減少に転じて、ついにはグロー放電できなくなってしまい高周波数化の意味がなくなってしまうという不具合が生じていた。
【００１３】
プラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置やプラズマ処理システムにおいては、各プラズマチャンバ、つまり、各プラズマ処理室および整合回路の電気的高周波的な特性は、それぞれの機械的な寸法等、その形状によって規定されている。しかし、それぞれのプラズマチャンバを構成する各部品は、製造時における加工上、必ず機械的公差により寸法等のばらつきを有している。そして、これらの各部品を組み立ててプラズマチャンバを製造する段階で、各プラズマチャンバにおける機械的寸法等の形状に、組み立て公差によるばらつきが加わる。さらに、各部品の組み立て後には採寸をすることができない箇所も存在し、プラズマチャンバ全体として当初の設計どおりの電気的高周波的な特性を有するように組み立てが終了したか否か定量的に知りうる手段がなく、各プラズマチャンバの電気的高周波的な特性の機差を知りうる手段がないという問題があった。
【００１４】
さらに、機差に対する配慮が充分になされたプラズマ処理装置であっても、プラズマ処理を繰り返すうちに、所望の性能レベルが維持できなくなる可能性や、複数のプラズマチャンバ間の機差が生じる可能性がある。
特に問題なのは、プラズマ処理を繰り返すうちにこのプラズマチャンバの電気的高周波的特性が初期設定状態とずれてしまい、所望のプラズマ処理がおこなえなくなる可能性があることであり、さらに、この電気的高周波的特性が初期設定状態とずれること、つまり、時間経過に伴った機差（時間的な差）がさらに増大するという可能性が存在することである。また、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業をを行った場合には、調整の不備等により調整作業前の性能が維持されておらず、電気的高周波的特性が初期設定状態とずれてしまう可能性があった。さらに、プラズマ処理装置を搬送する際には、一般に、一端分解してから搬送し、搬送先で再組み立てすることが行われている。この場合にも、搬送中の振動や再組み立て作業の不備等により搬送前の性能が維持されておらず、電気的高周波的特性が初期設定状態とずれてしまう可能性があった。
【００１５】
そして、このようなプラズマ処理装置の動作確認、および、動作の評価方法として、上記の（１）〜（３）のような動作評価方法を採用した場合には、プラズマ処理装置を作動させることが必要である上に、プラズマ処理装置の設置場所とは別の検査場所などにおいて被処理基板を複数のステップにより処理測定する必要がある。このため、評価結果がでるまでには数日、あるいは数週間がかかり、その期間製造ラインを停止しなかった場合、プラズマ処理をおこなった被処理基板の特性は未知であり、もし、プラズマ処理装置の状態がよくなかった際には、製品としての基準に達しないおそれがあるため、より簡便な方法でプラズマ処理装置の動作を適正な状態に維持したいという要求があった。
【００１６】
さらに、プラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置（プラズマ処理システム）に対しては、複数のプラズマチャンバに対して交流抵抗、容量、インピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性の機差をなくすという設計がなされていないため、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な電力や、発生するプラズマ密度等がそれぞれ均一になっていない可能性がある。このため、複数のプラズマチャンバに対して同一のプロセスレシピを適用しているにも関わらず、同一のプラズマ処理結果が得られない可能性がある。
したがって、同じプラズマ処理結果を得るためには、個々のプラズマチャンバごとに、それぞれ供給するガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラメータと上記の（１）〜（３）のような評価方法による処理結果とを比較して、これらの相関関係を把握する必要があるが、そのデータ量は膨大なものになり、すべてをおこなうことが困難である。
【００１７】
さらに、複数のプラズマチャンバを有するプラズマ処理装置やプラズマ処理システムに対して上記の（１）〜（３）のような検査方法を採用した場合には、新規設置時や調整・保守点検時において、複数のプラズマチャンバごとの機差をなくして処理のばらつきをなくし、同一のプロセスレシピにより同一処理結果を得るために必要な調整時間が、月単位で必要となってしまう。このため、調整期間の短縮が求められるとともに、このような調整に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作業員の人件費等、コストが膨大なものになるという問題があった。
【００１８】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．プラズマ処理装置の性能が適正に発揮維持されているかどうかを確認するための迅速かつ簡便な評価方法を提供すること。
２．プラズマ処理装置の性能が適正に維持されていない場合に、簡便で迅速な是正可能な保守方法を提供すること。
３．納入先において、プラズマ処理装置の性能が適正に発揮維持されるように管理するための、あるいは、性能が適正に発揮されていない場合には、保守作業を直ちに行えるよう管理するための性能管理システムを提供すること。
４．適正な動作状態に簡便に維持可能なプラズマ処理装置を提供すること。
５．複数のプラズマチャンバに対して整合回路の交流抵抗の電気的高周波的な特性の均一化を図ること。
６．複数のプラズマチャンバに対して同一のプロセスレシピを適用した際に、プラズマ処理結果の均一化を図ること。
７．ランニングコストおよび調整にかかる費用の削減を図るとともに、生産性の向上を図ること。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理装置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に分岐点を介して接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断した状態で、
前記入力端子側から測定した入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲を、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定するとともに、
前記出力端子側から測定した出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲を、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定して、
前記入力端子側交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１ における値ＲＡ０  、ＲＡ１ の差ΔＲＡの絶対値を求めるとともに、
前記出力端子側交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ０ とその後の時刻ｔr における値ＲＢ０ 、ＲＢ１ の差ΔＲＢの絶対値をそれぞれ求め、
前記ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍より小さい範囲、前記ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍より小さい範囲の値である場合に、性能を維持していると判断し、前記ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍以上の値、前記ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍以上の値である場合に、性能を維持していないと判断することにより上記課題を解決した。
本発明のプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に分岐点を介して接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断した状態で、
前記入力端子側から測定した入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲を、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定するとともに、
前記出力端子側から測定した出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲を、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定して、
前記入力端子側交流抵抗ＲＡの時刻ｔ０  における値ＲＡ０  と、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの時刻ｔ０  における値ＲＢ０  とを記憶するサーバーと、
このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置と、を備え、
前記サーバーは、前記ＲＡ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＡ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＡ０  とこのＲＡ１  との差であるΔＲＡの絶対値を演算するとともに、前記ＲＢ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＢ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＢ０  とこのＲＢ１  との差であるΔＲＢの絶対値を演算し、
前記ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍より小さい値、前記ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍より小さい値である場合には、性能を維持している旨の信号を、前記ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍以上の値、前記ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍以上の値である場合には、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。ことにより上記課題を解決した。
本発明のプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に分岐点を介して接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断した状態で、
前記入力端子側から測定した入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲を、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定するとともに、
前記出力端子側から測定した出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲を、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定して、
前記入力端子側交流抵抗ＲＡの時刻ｔ０  における値ＲＡ０  と、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの時刻ｔ０  における値ＲＢ０  と、を記憶するサーバーと、
このサーバーの搬送元における出力装置と、
このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置と、を備え、
前記サーバーは、前記ＲＡ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＡ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＡ０  とこのＲＡ１  との差であるΔＲＡの絶対値を演算するとともに、前記ＲＢ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＢ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＢ０  とこのＲＢ１  との差であるΔＲＢの絶対値を演算し、
前記ΔＲＡの絶対値と前記ＲＡ０  の値、前記ΔＲＢの絶対値と前記ＲＢ０  の値の範囲によって決められた１以上の故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報を記憶しており、
前記ΔＲＡの絶対値と前記ΔＲＢの絶対値との値が、前記の何れかの故障レベルの範囲である場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力することにより上記課題を解決した。
本発明のプラズマ処理装置は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に分岐点を介して接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断し 、
前記入力端子側から測定した入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲を、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定するとともに、
前記出力端子側から測定した出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲を、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子である測定位置から前記分岐点を介して前記接地電位部分まで測定した範囲に設定して、
前記入力端子側交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１ における値ＲＡ０  、ＲＡ１ の差ΔＲＡの絶対値が前記ＲＡ０ の０．５倍より小さい値に維持されるとともに、
前記出力端子側交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ０ とその後の時刻ｔ１  における値ＲＢ０  、ＲＢ１  の差ΔＲＢの絶対値が前記ＲＢ０ の０．５倍より小さい値に維持されることにより上記課題を解決した。
本発明のプラズマ処理装置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断し、前記入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１ における値ＲＡ０  、ＲＡ１ の差ΔＲＡの絶対値を求め、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断し、前記出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ０ とその後の時刻ｔr における値ＲＢ０ 、ＲＢ１ の差ΔＲＢの絶対値をそれぞれ求め、
その値が所定の値より小さい値である場合に、所定の性能を維持していると判断し、その値が所定の値以上の値である場合に、所定の性能を維持していないと判断することにより上記課題を解決した。
本発明において、前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子である測定位置への接続を切断し、前記測定位置から測定した範囲に設定されてなることが望ましい。
また、本発明において、前記高周波電源と前記入力端子とが高周波電力給電体を介して接続され、
前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置への接続を切断し、前記測定位置から測定した範囲に設定されてなる手段を採用することもできる。
また、本発明は、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲が、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子である測定位置への接続を切断し、前記測定位置から測定した範囲に設定されてなるができる。
本発明は、前記電極と前記出力端子とが高周波電力配電体を介して接続され、
前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲が、前記入力端子への接続を切断し、前記高周波電力配電体の前記電極側端部である測定位置への接続を切断し、前記測定位置から測定した範囲に設定されてなることが可能である。
また、本発明においては、前記交流抵抗が、前記委高周波電源の高周波電力の周波数における値に設定されてなることがある。
また、本発明においては、前記ΔＲＡに対する前記所定の値が前記ＲＡ０ の０．５倍より小さい範囲の値に設定されるとともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ０ の０．５倍より小さい範囲の値に設定されてなることが好ましく、より好ましくは、前記ΔＲＡに対する前記所定の値が前記ＲＡ０ の０．４倍より小さい範囲の値に設定されるとともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ０ の０．４倍より小さい範囲の値に設定されてなることができる。
本発明は、前記入出力端子の間で前記接地電位部分に接続される接続点が複数ある場合には、前記接続点のうち１の接続点のみが前記接地電位部分に接続するよう他の接続点を切断した状態で測定することができる。さらに、各々接続する接続点を切り替えて、それぞれ前記交流抵抗を測定することが可能である。
また、本発明においては、時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１  との間に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われることか、または、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることか、あるいは、分解、搬送、及び再組み立てが施されることができる。
本発明におけるプラズマ処理装置およびその保守方法においては、上記のプラズマ処理装置の評価方法の結果、ΔＲＡ、△ＲＢの絶対値が所定の値以上の場合に、交流抵抗ＲＡ、ＲＢの是正作業を行うことにより上記課題を解決した。
本発明のプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断し、前記入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの時刻ｔ０  における値ＲＡ０  と、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断し、前記出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの時刻ｔ０  における値ＲＢ０  とを記憶するサーバーと、
このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置と、を備え、
前記サーバーは、前記ＲＡ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＡ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＡ０  とこのＲＡ１  との差であるΔＲＡの絶対値を演算するとともに、前記ＲＢ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＢ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＢ０  とこのＲＢ１  との差であるΔＲＢの絶対値を演算し、
これらの値が所定の値より小さい値である場合には、所定の性能を維持している旨の信号を、所定の値以上の値である場合には、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することにより上記課題を解決した。
本発明において、前記サーバーが、プラズマ処理室ユニットの固有番号毎に前記ＲＡ０  およびＲＢ０  を記憶し、納入先入出力装置から納入したプラズマ処理室の固有番号を受信して、当該固有番号に対応するＲＡ０  およびＲＢ０  を用いて演算をすることが望ましい。
また、本発明において、前記納入先入出力装置に、プラズマ処理装置に接続された高周波特性測定器を接続して、この高周波特性測定器から前記サーバーに、前記ＲＡ１  およびＲＢ１  が直接送信される手段を採用することもできる。
また、本発明は、前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、ΔＲＡの絶対値およびΔＲＢの絶対値がそれぞれ所定の値を超える場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することができる。
本発明のプラズマ処理装置の性能管理システムにおいては、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断し、前記入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの時刻ｔ０  における値ＲＡ０  と、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において前記入力端子への前記高周波電源の接続を切断するとともに前記出力端子への前記電極の接続を切断し、前記出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの時刻ｔ０  における値ＲＢ０  と、各々所定の値の範囲によって決められた故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶するサーバーと、
このサーバーの搬送元における出力装置と、
このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置と、を備え、
前記サーバーは、前記ＲＡ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＡ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＡ０  とこのＲＡ１  との差であるΔＲＡの絶対値を演算するとともに、前記ＲＢ０  のその後の時刻ｔ１  における値ＲＢ１  を前記納入先入出力装置から受信し、前記ＲＢ０  とこのＲＢ１  との差であるΔＲＢの絶対値を演算し、
これらの値が、何れかの故障レベルの所定の値の範囲である場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力することにより上記課題を解決した。
本発明において、上記所定の値の範囲は、表１に示すように、｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜がそれぞれ所定の値に対してどのレベルにあるかを、それぞれ、式（２０Ａ）（２０Ｂ）
｜ΔＲＡ｜  ；  Ｃ×ＲＡ０                  （２０Ａ）
｜ΔＲＢ｜  ；  Ｃ×ＲＢ０                  （２０Ｂ）
における係数Ｃの値で示すことができる。
本発明は、前記サーバーが、前記当該故障レベルを、前記納入先入出力装置にも発信することが可能である。
本発明のプラズマ処理装置は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを有するプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１ における値ＲＡ０  、ＲＡ１ の差ΔＲＡの絶対値が所定の値より小さい値に維持されるとともに、
前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ０ とその後の時刻ｔ１  における値ＲＢ０  、ＲＢ１  の差ΔＲＢの絶対値が所定の値より小さい値に維持されることにより上記課題を解決した。
本発明において、購入発注者が販売保守者から購入した上記記載のプラズマ処理装置の時刻ｔ０  とその後の時刻ｔ１  において計測可能な動作性能状況を示す性能状況情報の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側情報端末と、
販売保守者が前記性能状況情報をアップロードする販売保守者側情報端末と、
前記購入発注者側情報端末の要求に応答して、販売保守者側情報端末からアップロードされた性能状況情報を購入発注者側情報端末に提供する性能状況情報提供手段と、を具備する手段を採用することもできる。
また、本発明は、ができる。
本発明は、性能状況情報が、前記交流抵抗ＲＡ，ＲＢを含むことが可能であり、また、性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力されることができる。
【００２０】
以下、上記各発明をさらに詳細に説明する。
本発明においては、それぞれのプラズマ処理室に対応するプラズマチャンバ（プラズマ処理室ユニット）において、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡの、時刻ｔ0 とその後の時刻ｔ1 における値ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値を求めるとともに、前記プラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢの、時刻ｔ0 とその後の時刻ｔr における値ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値をそれぞれ求め、その値がそれぞれ所定の値より小さい値である場合に、所定の性能を維持していると判断し、その値が各々所定の値以上の値である場合に、所定の性能を維持していないと判断することにより、この値を比較することにより、プラズマ処理装置の性能評価を可能とした。
さらに、時刻ｔ0 にはプラズマチャンバの調整をおこなっておき、時刻ｔ1 においてさらにプラズマチャンバの動作状態を確認してこの確認結果に基づいて交流抵抗の値を調整することができ、その結果、時間経過によってプラズマチャンバの状態が変化した場合でも交流抵抗の変化に伴う、プラズマ空間で消費される実効的な電力以外の電力損失が増大することの防止を図ることができる。
すなわち、分解搬送後の新規設置時やその後の使用によるプラズマ処理の繰り返し、あるいは調整・保守点検等の際に、プラズマチャンバの性能が所定の性能レベルを維持しているか、また、プラズマチャンバが複数ある場合には、性能の機差が充分抑えられているか等の評価、つまり、プラズマチャンバにおいて例えば成膜をおこなった際に、同一の成膜条件において、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、所望の膜特性の膜を得ることができるかどうかを評価することが可能となる。
【００２１】
この交流抵抗ＲＡ，ＲＢの測定は瞬時に行うことができるので、基板への実際の成膜等による従来の検査方法を採用した場合に比べて、大幅に評価時間を短縮することができる。また、性能評価に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の検査処理費用、および、評価作業に従事する作業員の人件費等の、コストを削減することが可能となる。
そのため、本発明に係るプラズマ処理装置の評価方法によれば、プラズマ処理装置の性能評価を瞬時にしかも低コストに行うことができる。また、プラズマ処理装置が、複数のプラズマ処理室を有している場合には、それぞれ求めた交流抵抗ＲＡ，ＲＢを指標とし、時刻ｔ0 にプラズマチャンバの調整をおこなって機差を無くしておくことにより、時刻ｔ1 において各プラズマ処理室に対して、常に同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、プラズマ処理室において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とするものである。
また、本発明に係る保守方法によれば、性能評価結果を瞬時に、かつコストをかけずに行うことができるので、所望の頻度で性能評価を行い、その結果を直ちに反映して是正作業を行うことができる。
【００２２】
また、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムによれば、メーカー等が管理するサーバーを利用することにより、納入先の使用者等が簡便に性能評価結果を知ることができる。また、本発明に係るプラズマ処理システムの性能管理システムによれば、メーカー等が管理するサーバーを利用することにより、納入先の使用者等が簡便に性能評価結果や機差に関する情報を知ることができる。また、本発明に係るプラズマ処理装置によれば、交流抵抗ＲＡ，ＲＢという、常時確認可能な指標により性能を維持されるので、良好なプラズマ処理を行うことが可能となる。
さらに、本発明に係るプラズマ処理装置の性能確認システムによれば、販売保守者が管理するサーバーを利用することにより、購入発注者が、プラズマ処理装置の動作性能状況を簡便に知ることができる。
【００２３】
従って、何れの発明も、問題のあるプラズマ処理作業を行ってしまうことを事前に回避し、良好な状態にプラズマ処理装置を保つことに寄与するものである。また、複数回おこなう同一のプラズマ処理に対して、時間的に常に同一のプロセスレシピを適用して略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、プラズマチャンバにおいて例えば成膜をおこなった際に、所望の膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とするものである。
なお、プラズマ処理装置が、複数のプラズマ処理室を有していたり、複数のプラズマ処理装置が結合してプラズマ処理システムを構成している場合には、各プラズマ処理室毎にこの交流抵抗ＲＡ，ＲＢを求めて指標とすることができる。
【００２４】
ここで、交流抵抗の定義について説明する。
整合回路は、プラズマ処理室内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダンスを調整するために、その多くは複数の受動素子を具備する構成とされている。
図３は整合回路２Ａを示す模式図である。
具体的には、整合回路２Ａの構成例として、図３に示すように、高周波電源１とプラズマ放電用の電極４との間に、インダクタンスコイル２３とチューニングコンデンサ２４とが直列に設けられ、さらに、入力端子とされる測定位置ＰＲ３とインダクタンスコイル２３との間である分岐点Ｂ１には、他のロードコンデンサ２２が高周波電源１からチューニングコンデンサ２４に対して並列に接続されその一端が接地電位部分（マッチングボックス）２に接続されてアースされている構成が挙げられる。
そして、これ以外にも、整合回路２Ａの電気的高周波的な要因として、前記の各受動素子を接続する導体や同軸ケーブルのような要因も存在している。これらの導体や同軸ケーブルは、交流的に、レジスタンスやインダクタンスを有しており、交流電流を流した際に、寄生的に抵抗が存在している。そして、受動素子としてレジスタンスを考慮していないインダクタンスコイル２３等においても同様にレジスタンスは寄生的に存在している。
【００２５】
図４は整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
これらの寄生抵抗としては、具体的には図４に示すように、入力端子とされる測定位置ＰＲ３とインダクタンスコイル２３とを接続する導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1と、ロードコンデンサ２２と接地電位部分（マッチングボックス）２とを接続する導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2と、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLTと、を考慮することができる。
このような整合回路２Ａの受動素子および回路を構成する導体等までも考慮して、入力端子側から、および出力端子側から、整合回路２Ａの交流適応を測定する。このとき、後述するように整合回路２Ａのインピーダンス測定範囲を規定し、このインピーダンス測定範囲に対して、供給する電力周波数ｆe を含む範囲に測定周波数を設定してインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定することにより、整合回路２Ａのインピーダンスを計測する。ここで、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の値に設定される電力周波数ｆe に対応して、測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の範囲に設定することができる。
整合回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡとしては、図４にＩRAで示すように、入力端子とされる測定位置ＰＲ３から分岐点Ｂ１を経て接地電位部分まで、つまり、導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1と、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2とを測定することになる。また、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢとしては、図４にＩRBで示すように、出力端子とされる測定位置ＰＲから分岐点Ｂ１を経て接地電位部分まで、つまり、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLTと、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2とを測定することになる。
これにより、高周波電源から電極へ至る部分である整合回路２Ａの入力端子から出力端子に至るまでの寄生抵抗を考慮することが可能となる。
ここで、寄生抵抗ＲR1およびＲLTにおいては、分岐点Ｂ１からチューニングコンデンサ２４までの導体の抵抗値をも含むものとみなすことができる。
【００２６】
次に、プラズマチャンバにおける整合回路の交流抵抗測定範囲（高周波数特性測定範囲）について説明する。
プラズマチャンバの整合回路には、その入力端子に高周波電力給電体（給電線）を介して高周波電源が接続され、出力端子に高周波電力配電体（給電板）を介して電極が接続されるとともに、これら入出力端子の間に接地電位部分が接続される。この整合回路において、出力端子における接続を切り離した状態で、入力端子側交流抵抗ＲＡとして、入力端子側から接地電位部分に至る整合回路２Ａの部分を前記測定範囲と定義することができる。さらに、入力端子における接続を切り離した状態で、出力端子側交流抵抗ＲＢとして、出力端子側から接地電位部分に至る整合回路２Ａの部分を前記測定範囲と定義することができる。
このとき、入力端子側、出力端子側それぞれの測定位置としては、例えば、図４にＰＲ３で示すように、入力端子側交流抵抗ＲＡでは前記入力端子が、また、図４にＰＲで示すように、出力端子側交流抵抗ＲＢでは前記出力端子が適用される。
これにより、整合回路２Ａの入力端子から出力端子に至るまでの交流抵抗を測定することが可能となる。
【００２７】
このように、本発明において、前記それぞれのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の整合回路において、前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲が、前記出力端子への接続を切断し、前記入力端子とされる図４にＰＲ３で示す測定位置からへの接続を切断し、その測定位置測定した範囲に設定されてなることにより、整合回路も含めたプラズマチャンバに対し、時刻ｔ0 にはプラズマチャンバの調整をおこなっておき、時刻ｔ1 においてさらにプラズマチャンバの動作状態を確認してこの確認結果に基づいて交流抵抗の値を調整することができ、その結果、時間経過によってプラズマチャンバの状態が変化した場合でも交流抵抗の変化に伴う、プラズマ空間で消費される実効的な電力以外による電力損失増大の防止を図ることができる。これにより、電気的高周波的な特性の時間変化をなくすことが可能となり、プラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費される実効的な電力の時間的な略均一性を高めることができ、例えばプラズマ処理をおこなう際に、時間的に同一のプロセスレシピを適用して、測定範囲に整合回路を含めない場合に比べて、時間的に略同一性の高いつまり時間変化のないプラズマ処理結果を得ることができる。また、プラズマチャンバが複数ある場合には、整合回路も含めた複数のプラズマチャンバに対し、電気的高周波的な特性の時間経過に伴う機差をなくすことが可能となり、個々のプラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費される実効的な電力の略均一性を高めることができ、これに同一のプロセスレシピを適用して、略同一性の高いプラズマ処理結果を得ることができる。
【００２８】
また、本発明においては、上記の前記入力端子側交流抵抗ＲＡの測定位置に変えて、前記それぞれのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）において、前記出力端子への接続を切断し、前記高周波電力給電体（給電線）の前記高周波電源側端部とされる図３にＰＲ２で示す測定位置への接続を切断し、その測定位置から測定した範囲に設定されてなることにより、測定範囲に高周波電力給電体（給電線）を含めない場合に比べて、整合回路だけでなく給電線も含めて、発生することが考えられる電気的高周波的な特性の時間変化をなくすことが可能となり、プラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費される実効的な電力の時間的な略均一性をさらに高めることができ、例えばプラズマ処理をおこなう際に、時間的に同一のプロセスレシピを適用して、測定範囲に給電線を含めない場合に比べて、さらに時間的に略同一性の高いつまり時間変化のないプラズマ処理結果を得ることができる。また、プラズマチャンバが複数ある場合には、給電線も含めた複数のプラズマチャンバに対し、電気的高周波的な特性の時間経過に伴う機差をなくすことが可能となり、個々のプラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費される実効的な電力の略均一性を高めることができ、これに同一のプロセスレシピを適用して、給電線を含めない場合に比べて、さらに略同一性の高いプラズマ処理結果を得ることができる。
【００２９】
さらに、本発明においては、前記それぞれのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の整合回路において、前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲が、前記入力端子への接続を切断し、前記出力端子とされる図４にＰＲで示す測定位置への接続を切断し、その測定位置から測定した範囲に設定されてなることにより、整合回路も含めたプラズマチャンバに対し、時刻ｔ0 にはプラズマチャンバの調整をおこなっておき、時刻ｔ1 においてさらにプラズマチャンバの動作状態を確認してこの確認結果に基づいて交流抵抗の値を調整することができ、その結果、時間経過によってプラズマチャンバの状態が変化した場合でも交流抵抗の変化に伴う、プラズマ空間で消費される実効的な電力以外による電力損失増大の防止を図ることができる。これにより、電気的高周波的な特性の時間変化をなくすことが可能となり、プラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費される実効的な電力の時間的略均一性を高めることができ、時間経過があった場合にも各動作時においてそれぞれ同一のプロセスレシピを適用して、略同一性の高いプラズマ処理結果を得ることができる。また、プラズマチャンバが複数ある場合には、整合回路も含めた複数のプラズマチャンバに対し、電気的高周波的な特性の時間経過に伴う機差をなくすことが可能となり、個々のプラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費される実効的な電力の略均一性を高めることができ、これに同一のプロセスレシピを適用して、略同一性の高いプラズマ処理結果を得ることができる。
【００３０】
また、本発明においては、上記の前記出力端子側交流抵抗ＲＢの測定位置に変えて、前記それぞれのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）において、前記出力端子への接続を切断し、前記高周波電力配電体（給電板）の前記電極側端部とされる図３にＰＲ４で示す測定位置への接続を切断し、その測定位置から測定した範囲ことにより、測定範囲に高周波電力配電体（給電板）を含めない場合に比べて、整合回路だけでなく給電板も含めて、発生することが考えられる電気的高周波的な特性の時間変化をなくすことが可能となり、プラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費される実効的な電力の時間的な略均一性をさらに高めることができ、例えばプラズマ処理をおこなう際に、時間的に同一のプロセスレシピを適用して、測定範囲に給電板を含めない場合に比べて、さらに時間的に略同一性の高いつまり時間変化のないプラズマ処理結果を得ることができる。また、プラズマチャンバが複数ある場合には、給電板も含めた複数のプラズマチャンバに対し、電気的高周波的な特性の時間経過に伴う機差をなくすことが可能となり、個々のプラズマチャンバにおいてプラズマ空間で消費される実効的な電力の略均一性を高めることができ、これに同一のプロセスレシピを適用して、給電板を含めない場合に比べて、さらに略同一性の高いプラズマ処理結果を得ることができる。
【００３１】
また、本発明においては、上記のような一つの評価基準（以下「評価基準１」という。）として、前記ΔＲＡ，ΔＲＢと比較する前記所定の値に特に制限は設けないことができる。
しかし、例えば、前記ＲＡ0 の０．５倍より小さい範囲の値に設定されるとともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ0 の０．５倍より小さい範囲の値に設定されてなることが好ましい。この場合、プラズマＣＶＤ装置において、例えばプラズマ処理をおこなう際に、複数の処理回数における各回の堆積速度の変動を±７％以内に抑えることができる。
さらに、より好ましくは、前記ΔＲＡに対する前記所定の値が前記ＲＡ0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定されるとともに、前記ΔＲＢに対する前記所定の値が前記ＲＢ0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定されてなることができる。この場合、たとえばプラズマＣＶＤ装置において、堆積速度の変動を±３％以内に抑えることができる。
【００３２】
また、本発明においては、前記交流抵抗が、前記委高周波電源の高周波電力の周波数における値に設定されてなる手段を採用することにより、プラズマチャンバの動作時である時間的に隔たった実際のプラズマ発生時における、プラズマチャンバの電気的高周波的な特性の差をなくすことが可能となり、これにより、交流抵抗、インピーダンス等の高周波特性などを指標とする一定の管理幅内にプラズマチャンバの状態を設定することが可能となるので、時間が経過した状態のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすることができる。
ここで、プラズマチャンバの電気的高周波的な特性として、レジスタンスＲを採用することにより、これらレジスタンスＲとリアクタンスＸとのベクトル量であるインピーダンスＺを見ることに比べて、より直接的にプラズマチャンバのプラズマ励起する周波数における電気的高周波数的特性を捉えることができる。
【００３３】
本発明においては、他の評価基準（以下「評価基準２」という。）として、プラズマ処理装置またはこのプラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムが、複数のプラズマチャンバを有する場合にそれぞれの整合回路およびプラズマ処理室に対応するプラズマチャンバ（プラズマ処理室ユニット）において、少なくとも前記時刻ｔ0 および前記時刻ｔ1 に整合回路等の前記入力端子側交流抵抗ＲＡおよび前記出力端子側交流抵抗ＲＢの最大値と最小値のばらつきを、それぞれ以下の式（１４Ａ）（１４Ｂ）
<ＲＡ>  ＝  （ＲＡmax −ＲＡmin ）／（ＲＡmax ＋ＲＡmin ）  （１４Ａ）
<ＲＢ>  ＝  （ＲＢmax −ＲＢmin ）／（ＲＢmax ＋ＲＢmin ）  （１４Ｂ）
として定義し、この値<ＲＡ>，<ＲＢ>を所定の範囲の値に設定することで、複数のプラズマチャンバ（プラズマ処理室ユニット）に対してインピーダンスに寄与する交流抵抗の値、つまり、電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これにより、インピーダンス特性などを指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバを設定することが可能となるので、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすることができる。
その結果、複数のプラズマチャンバに対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマチャンバにおいて例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。
【００３４】
この交流抵抗は、機械的な構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、各実機（プラズマチャンバ）ごとに異なっていると考えられる。上記の範囲に、この交流抵抗を設定することにより、各実機に対しても、従来考慮されていなかったその全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性が高く、各プラズマチャンバで均一な動作が期待できるプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを提供することが可能となる。
さらに、上記の所定の値を０．４より小さい範囲に設定することで、複数のプラズマチャンバに対して、インピーダンス、インピーダンスの実部である交流抵抗、共振周波数特性、容量等の電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これにより、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバを設定することが可能となるので、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすることができる。
その結果、複数のプラズマチャンバに対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマチャンバにおいて例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を０．４より小さい範囲に設定することにより、略同一の条件で積層をおこなっプラズマチャンバにおいて、膜厚のばらつきの値を±３％の範囲におさめることができる。
【００３５】
また、本発明においては、上記評価基準１と評価基準２とを組み合わせて用いることができる。この場合、動作安定性の高いプラズマ処理装置を維持する上で、適切な性能評価方法を提供することが可能となると共に、複数のプラズマ処理室に対して交流抵抗ＲＡ，ＲＢ等の電気的高周波的な特性の機差が小さい状況を維持する上で、適切な性能評価方法を提供することが可能となる。
【００３６】
本発明において、前記入出力端子の間で前記接地電位部分に接続される接続点が複数ある場合には、これらの接続点のうち１箇所の接続点のみを前記接地電位部分に接続するよう他の接続点を切断した状態とし、かつ、各々接続する接続点を切り替えて、異なる接続点に対してそれぞれ前記入力端子側交流抵抗および前記出力端子側交流抵抗を測定することにより、整合回路に複数の接続点が存在する場合であっても、各接続点ごとに接続状態を設定して測定範囲を設定し、この測定範囲ごとに異なる状態とされる整合回路の受動素子に対して測定したそれぞれの交流抵抗を、各時刻におけるプラズマチャンバに対して設定することで、時間経過を伴った状態のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすることができる。
ここで、各接続状態に対応する測定範囲のうち、交流抵抗の各時刻における差の値が最も大きいものが上記の所定の範囲の値に設定されることが好ましい。
【００３７】
上記本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、たとえば、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムのメーカー、流通業者、メンテナンス業者等からユーザー等にプラズマ処理装置又はプラズマ処理システムを納入するに際して、搬送元で分解後、納入先に搬送して、納入先にて再組み立てをするという一連の処理工程を経た後、あるいは、その後の使用期間中のように、時刻ｔ0 からある時間が経過した後の時刻ｔ1 において、プラズマ処理装置の性能が維持されているかどうかを評価しその性能を管理するシステムである。
本管理システムにおけるサーバーは、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムのメーカー、流通業者、メンテナンス業者等の搬送元が管理するものであるが、その設置場所は搬送元に特に限定されない。このサーバーは交流抵抗ＲＡ，ＲＢの分解前の値ＲＡ0 ，ＲＢ0 を記憶している。そして、この記憶したＲＡ0 ，ＲＢ0 を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装置の性能を評価するものである。
【００３８】
このＲＡ0 ，ＲＢ0 等の値は、メーカー等で管理している標準的な容量ＲＡ0 ，ＲＢ0 等の値としても良いが、プラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室の固有番号毎にＲＡ0 ，ＲＢ0 等の値を記憶することにより、納入先の個別のプラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室に対応して、より的確な評価ができる。従って、より精度の高い管理システムとすることができる。
なお、プラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室の固有番号とは、プラズマ処理装置あるいは整合回路およびプラズマ処理室を含むプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）を個別に特定できる番号であれば特に限定はなく、その形式は数字だけでなく文字等を含むものであってもよい。例えば、プラズマチャンバを一つ備えたプラズマ処理装置の場合、当該プラズマ処理装置の製造番号を、当該プラズマ処理室の固有番号として扱うこともできる。また、複数のプラズマチャンバを有するプラズマ処理装置、あるいは、複数のプラズマ処理装置を備えたプラズマ処理システムにおいては、個々のプラズマチャンバにおける識別するために固有番号が付されることになる。
【００３９】
サーバーには、納入先に設置された入出力装置が通信回線で接続されている。この通信回線の媒体や形式に特に限定はなく、離間した地点におかれたサーバーと入出力装置との間で信号の授受ができるものであればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々の通信形式を活用できる。また、納入先の入出力装置、入力装置にも特に限定はなく、パーソナルコンピュータ、専用端末機、電話機等を利用する通信回線の種類等に適応できる範囲で適宜選択できる。なお、評価基準２を用いる性能管理システムにおける納入先入力装置では、少なくとも入力機能が必要で、出力機能は必須ではないが、出力機能を備えていても差し支えないのはもちろんである。
【００４０】
サーバーは、係る納入先入出力装置から納入後（あるいは再組み立て後）における交流抵抗ＲＡ0 ，ＲＢ0 を受信する。また、必要に応じてプラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室の固有番号を受信する。ここで、納入後とは、再組み立て直後だけでなく、その後の使用期間中を含むものである。すなわち、サーバーは、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能を反映する値として交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を、適宜継続して受信できるものである。また、評価基準１を用いる性能管理システムの場合、このサーバーは上記交流抵抗ＲＡ0 ，ＲＢ0 を記憶している。そして、この記憶した交流抵抗ＲＡ0 ，ＲＢ0 を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装置の性能を評価するものである。また、上記サーバーは、納入先入出力装置から、交流抵抗ＲＡ0 ，ＲＢ0 の納入後における交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を必要に応じて、その値を与えるプラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室の固有番号と共に受信するようにしてもよい。
納入先入出力装置からサーバーに対して、交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 の値やプラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室の固有番号を送信するためには、納入先入出力装置に納入先のユーザーや、納入先を訪問したサービスマン等がこれらの値を手で入力することができるが、この入力作業は適宜自動化や省力化が可能である。例えば、納入先入出力装置に、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムに接続された交流抵抗を測定する測定器を接続して、この測定器から上記サーバーに、交流抵抗値ＲＡ1 ，ＲＢ1 等を直接送信することができる。また、単独のプラズマ処理室を備えたプラズマ処理装置を単独で使用する納入先においては、プラズマ処理装置の固有番号を一度納入先入出力装置に登録し、その後は入力作業を省略することができる。
【００４１】
サーバーは、上記交流抵抗ＲＡ0 ，ＲＢ0 ，ＲＡ1 ，ＲＢ1 の値から、内部の演算処理装置を用いてＲＡ0 とＲＡ1 との差であるΔＲＡの絶対値、および、ＲＢ0 とＲＢ1 との差であるΔＲＢの絶対値を演算する。そして、その値ΔＲＡ，ΔＲＢの絶対値いずれも所定の値より小さい値であった場合には、所定の性能を維持している旨の信号を、また、少なくとも値ΔＲＡ，ΔＲＢの絶対値のいずれかが所定の値以上の値である場合には、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々評価情報として納入先入出力装置に発信する。すなわち、納入先入出力装置は評価情報を受信することができ、これにより、納入先においてプラズマ処理装置あるいはプラズマ処理室の性能評価結果を把握することが可能となる。なお、納入先入出力装置は、評価情報を表示器に表示したり、プリントアウトしたり、あるいは警報信号を発する等、適宜の方法で評価情報をユーザー等に伝達することができる。なお、
【００４２】
この場合のサーバーは、また、搬送元において出力装置を備え、値ΔＲＡの絶対値、または、ΔＲＢの絶対値が所定の値を超える場合に、上記出力装置から、評価情報として保守作業命令を出力することができる。この場合、対応するプラズマ処理室の固有番号も併せて出力することが望ましい。これにより、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの不具合を搬送元においていち早く把握し、直ちに保守サービスを提供することができる。
なお、サーバーが搬送元におかれていない場合には、サーバーと出力装置との間には任意の通信回線が使用される。
【００４３】
サーバーが、納入先入出力装置と搬送元の出力装置との双方に評価情報を提供する場合、両評価情報の基礎となる所定の値は必ずしも同一の値でなくともよい。例えば、納入先入出力装置に発信する評価情報については、前記所定の値をＲＡ0 の０．５倍より小さい範囲の値に設定し、この値を越えたときに所定の性能を維持していない旨の信号を発信するとともに、一方、搬送元の出力装置には、所定の値をＲＡ0 の０．４倍より小さい範囲の値に設定して、この値を越える場合に保守作業命令を出力するようにしても良い。このように、搬送元の出力装置に対して、納入先入出力装置に対するよりも厳しい評価基準に基づき保守作業命令が出される場合には、納入先のプラズマ処理装置の性能が大きく変動する以前に搬送元（納入者）による保守サービスを行うことができる。すなわち、より先手を打った保守体制を確立することができる。
【００４４】
また、本発明における他のプラズマ処理装置の性能管理システムも、たとえば、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムのメーカー、流通業者、メンテナンス業者等からユーザー等にプラズマ処理装置を納入するに際して、搬送元で分解後、納入先に搬送して、納入先にて再組み立てをするという一連の処理工程を経た後、あるいは、その後の使用期間中のように、時刻ｔ0からある時間が経過した後の時刻ｔ1において、プラズマ処理装置の性能が維持されているかどうかを評価しその性能を管理するシステムである。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの特徴が、先のプラズマ処理装置の性能管理システムの特徴と異なる点は、サーバーが、各々所定の値の範囲によって決められた故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶するとともに、搬送元における出力装置を備える点である。そして、サーバーが、ΔＲＡ，ΔＲＢの絶対値を演算した後、その値が、何れかの故障レベルの所定の値の範囲である場合には、上記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力するという処理をおこなう点にある。
【００４５】
この性能管理システムの場合、搬送元では、保守作業命令が出力されるとともに、どの程度の故障レベルであるかの情報や、その故障レベルに応じてランク分けされた対応するサービスエンジニアの情報も出力される。
そのため、この本発明に係る他のプラズマ処理装置の性能管理システムによれば、遠隔地に納入したプラズマ処理装置であっても、搬送元において、その故障レベルを把握することができる。そして、その故障レベルに応じて、教育訓練度合の異なるサービスエンジニアを派遣することができる。したがって、人材活用が合理化できると共に、迅速、かつ、的確なサポートを常におこなうことが可能となる。すなわち、装置納入後のフィールドサポート体制の合理化が可能となるものである。
【００４６】
評価基準２を用いる性能管理システムの場合、サーバーは出力装置を備えている。この出力装置の設置場所に特に限定はないが、搬送元、メーカー、サービスセンター等、納入先に対する保守サービスを提供する場所におかれていることが望ましい。サーバーと出力装置とが遠隔地におかれている場合には、両者の間には任意の通信回線が使用される。
そして、このサーバーは、評価基準２を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装置の性能を評価すると共に、望ましくない評価結果を得た場合には、出力装置から保守作業命令を、その評価結果に用いられた値として、時刻ｔ0 および／または時刻ｔ1 における交流抵抗ＲＡの最大値ＲＡmax と最小値ＲＡmin とそのばらつき<ＲＡ>、および、交流抵抗ＲＢの最大値ＲＢmax と最小値Ｂmin とそのばらつき<ＲＢ>を、この値を与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力するものである。
【００４７】
このように、複数のプラズマチャンバがある場合、サーバーは評価基準２による評価を行うために、納入先入力装置から各プラズマチャンバにおける高周波特性としての交流抵抗ＲＡ，ＲＢの納入後における交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を受信する。ここで、納入後とは、再組み立て直後だけでなく、その後の使用期間中を含むものである。すなわち、サーバーは、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能を反映する交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を適宜継続して受信できるものである。
また、上記サーバーは、納入先入力装置から、高周波特性としての交流抵抗ＲＡ，ＲＢの納入後における交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 とともに、その値を与える個々のプラズマ処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番号も受信する。
【００４８】
サーバーは、プラズマ処理装置全体またはプラズマ処理システム全体におけるプラズマ処理室のＲＡ1 を総て受信すると、それらの値の中から、最大値ＲＡ1maxと最小値ＲＡ1minと、これらに対応する固有番号を特定する。そして、式（１４Ａ）に従ってばらつきの値<ＲＡ1> を求め、その値が所定の値以上の場合に、上記出力装置から、保守作業命令を当該最大値および最小値を与えたプラズマ処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番号とともに出力する。同時に、サーバーは、プラズマ処理装置全体またはプラズマ処理システム全体におけるプラズマ処理室のＲＢ1 を総て受信すると、それらの値の中から、最大値ＲＢ1maxと最小値ＲＢ1minと、これらに対応する固有番号を特定する。そして、式（１４Ｂ）に従ってばらつきの値<ＲＢ1> を求め、その値が所定の値以上の場合に、上記出力装置から、保守作業命令を当該最大値および最小値を与えたプラズマ処理室あるいはプラズマ処理装置の固有番号とともに出力する。
これにより、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの不具合を搬送元等のサービス提供者側でいち早く把握し、直ちに保守サービスを提供することができる。
【００４９】
本発明のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムにおいて、販売保守者がアップロードした各プラズマ処理室ユニットの動作性能状況を示す性能状況情報に対して、購入発注者が情報端末から公衆回線を介して閲覧を可能とすることにより、購入発注者に対して、購入時に判断基準となる情報を伝達することが可能となり、かつ、使用時における、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの動作性能・保守情報を容易に提供することが可能となる。また、前記性能状況情報が、上述したようにプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムに対する性能パラメータとしての時刻ｔ0 および／または時刻ｔ1 における前記交流抵抗ＲＡ，ＲＢおよびそのばらつきの値等の高周波特性を含むことにより、購入発注者のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムに対する性能判断材料を提供できるとともに、購入時における適切な判断をすることが可能となる。さらに、前記性能状況情報を、カタログまたは仕様書として出力することができる。
【００５０】
また、本発明において、交流抵抗測定時における各プラズマチャンバと高周波特性測定器との間の高周波特性Ａがそれぞれ等しく設定されてなることができる、これにより、複数のプラズマチャンバに対して、高周波特性測定器からの交流抵抗、インピーダンス等の測定値を、いずれも、設定された測定位置に対して、それぞれの測定位置から高周波特性測定器までの高周波特性測定値に対して補正をおこなった値と同等と見なすことができるため、交流抵抗、インピーダンス等の高周波特性の算出の補正が事実上不要となり、実測値の換算が不要となるので、作業効率を向上することができる。
具体的に上記を実現する手段としては、各プラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）における、前記測定位置から高周波特性測定器までの同軸ケーブルの長さを等しくする等の手段を適応することができる。
【００５１】
本発明において、プラズマ処理システムは、少なくとも１のプラズマ処理装置を含むものとされる。
なお、本発明において、個々のプラズマ処理装置に設けられたプラズマチャンバの数、および、プラズマ処理システムにおけるプラズマ処理装置の数およびプラズマチャンバの数は任意に設定することができる。
そして、プラズマ処理装置ごとに、用途が異なりプロセスレシピを一致させる必要がない場合などには上述した交流抵抗ＲＡ，ＲＢ等の高周波特性の設定条件を、例えばプラズマ処理システム中のプラズマ処理装置ごとに異なった設定とすることも可能である。
【００５２】
さらに、本発明では、第１の高周波電源と、該第１の高周波電源と接続される高周波電極と、前記第１の高周波電源と前記高周波電極との間のインピーダンスの整合を得る整合回路を備えた高周波電極側マッチングボックスと、第２の高周波電源と、前記高周波電極と対向配置され前記第２の高周波電源と接続されるとともに被処理基板を支持するサセプタ電極と、前記第２の高周波電源と前記サセプタ電極との間のインピーダンスの整合を得る整合回路を備えたサセプタ電極側マッチングボックスとを有する、いわゆる２周波数励起型プラズマＣＶＤ処理ユニットにおいても、サセプタ側の整合回路に対して交流流抵等の高周波特性を、前述のカソード電極側と同様にして設定することができる。
【００５３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第１実施形態］
図１は本実施の形態のプラズマ処理装置７１の概略構成を示す図である。本実施の形態のプラズマ処理装置７１は、例えば、トップゲート型ＴＦＴの半導体能動膜をなす多結晶シリコンの成膜からゲート絶縁膜の成膜までの一貫処理が可能なものとされ、複数の処理室ユニットを有する装置とされる。
【００５４】
本実施の形態のプラズマ処理装置７１は、図１に示すように、略七角形状の搬送室７２の周囲に、５つの処理室ユニットと１つのローダ室７３と１つのアンローダ室７４とが連設されている。また、５つの処理室ユニットの内訳としては、アモルファスシリコン膜を成膜する第１成膜室、シリコン酸化膜を成膜する第２成膜室、およびシリコン窒化膜を成膜する第３成膜室からなるプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）７５，７６，７７、成膜後の被処理基板のアニーリング処理を行うレーザアニール室７８、成膜後の被処理基板の熱処理を行う熱処理室７９、である。
【００５５】
プラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）である、第１成膜室７５、第２成膜室７６、第３成膜室７７はそれぞれ異なる種類の膜を成膜するような異なる処理をおこなうことも可能であり、また、同一のプロセスレシピにより同一の処理をおこなうこともできるものであるが、略同一の構成とされている。そして、これらの複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７においては、後述するように、整合回路２Ａにおいて、その入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡ0 と出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢ0 とが、分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後の使用期間の時刻ｔ1 においても、その時の交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されている。そして、入力端子側交流抵抗ＲＡ0 の最大値ＲＡ0maxと最小値ＲＡ0minとのばらつきを前述の式（１４Ａ）として定義するとともに、出力端子側交流抵抗ＲＢ0 の最大値ＲＢ0max と最小値ＲＢ0min とのばらつきを前述の式（１４Ｂ）として定義し、これらの値が所定の範囲の値に設定されて設計、製造されている。
ここでは第１成膜室７５を例に挙げてその構成を説明する。
【００５６】
図２は本実施形態のプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の概略構成を示す断面図、図３は図２におけるプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の整合回路を示す模式図である。
【００５７】
さらに詳細に説明すると、プラズマチャンバ７５は、図２，図３に示すように、チャンバ室（プラズマ処理室）６０の上部位置に高周波電源１に接続されたプラズマ励起電極（電極）４およびシャワープレート５が設けられ、チャンバ室６０の下部にはシャワープレート５に対向して被処理基板１６を載置するサセプタ電極（対向電極）８が設けられている。プラズマ励起電極４は、給電板３および整合回路２Ａを介して第１の高周波電源１と接続されている。これらプラズマ励起電極４および給電板３は、シャーシ２１に覆われるとともに、整合回路２Ａは導電体からなるマッチングボックス２の内部に収納されている。
給電板３としては、例えば、幅５０〜１００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、長さ１００〜３００ｍｍの形状を有する銅の表面に銀めっきを施したものが用いられており、この給電板３は、後述する整合回路２Ａのチューニングコンデンサ２４の出力端子およびプラズマ励起電極４にそれぞれネジ止めなどの結合手段により着脱可能に取り付けられている。
【００５８】
また、プラズマ励起電極（カソード電極）４の下側には環状の凸部４ａが設けられるとともに、このプラズマ励起電極（カソード電極）４の下には、多数の孔７が形成されているシャワープレート５が凸部４ａに接して設けられている。これらプラズマ励起電極４とシャワープレート５との間には空間６が形成されている。この空間６にはシャーシ２１の側壁を貫通するとともにプラズマ励起電極（カソード電極）４を貫通してガス導入管１７が接続されている。
【００５９】
このガス導入管１７は、導体からなるとともに、ガス導入管１７の途中には絶縁体１７ａがシャーシ２１内側位置に介挿されてプラズマ励起電極１４側とガス供給源側とが絶縁される。
ガス導入管１７から導入されたガスは、シャワープレート５の多数の孔７，７からチャンバ壁１０により形成されたチャンバ室６０内に供給される。チャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とは絶縁体９により互いに絶縁されている。また、図２において、チャンバ室６０に接続されるべき排気系の図示は省略してある。
一方、チャンバ室６０内には基板１６を載置しプラズマ励起電極ともなる盤状のウエハサセプタ（サセプタ電極）８が設けられている。
【００６０】
サセプタ電極（対向電極）８の下部中央には、シャフト１３が接続され、このシャフト１３がチャンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、シャフト１３の下端部とチャンバ底部１０Ａ中心部とがベローズ１１により密閉接続されている。これら、ウエハサセプタ８およびシャフト１３はベローズ１１により上下動可能となっており、プラズマ励起電極４，８間の距離の調整ができる。
これらサセプタ電極８とシャフト１３とが接続されているため、サセプタ電極８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０は直流的に同電位となっている。さらに、チャンバ壁１０とシャーシ２１は接続されているため、チャンバ壁１０，シャーシ２１，マッチングボックス２はいずれも直流的に同電位となっている。
【００６１】
ここで、整合回路２Ａは、チャンバ室６０内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダンスを調整するために、その多くは複数の受動素子を具備する構成とされている。
整合回路２Ａは、図２，図３に示すように、複数の受動素子として、高周波電源１と給電板３との間に設けられ、インダクタンスコイル２３と、エアバリコンからなるチューニングコンデンサ２４と、真空バリコンからなるロードコンデンサ２２と、これらの受動素子を接続するための銅板とされる導体Ｒ１，Ｒ２とから構成されている。
これらのうち、導体Ｒ１，インダクタンスコイル２３，チューニングコンデンサ２４は、整合回路２Ａの入力端子側から出力端子側へ直列に接続されるとともに、導体Ｒ１，インダクタンスコイル２３の間の分岐点Ｂ１からこれらと並列にロードコンデンサ２２が接続されている。このインダクタンスコイル２３，チューニングコンデンサ２４は、導体を介さずに直接接続されており、また、ロードコンデンサ２２の一端は、接続点ＢＰ１において導体Ｒ２を介してマッチングボックス２（接地電位部分）に接続されている。
ここで、チューニングコンデンサ２４は整合回路２Ａの受動素子のうち最終端とされ、このチューニングコンデンサ２４の出力端子は整合回路２Ａの出力端子とされており、チューニングコンデンサ２４は給電板３を介してプラズマ励起電極４に接続されている。
マッチングボックス２は、同軸ケーブルとされる給電線（高周波電力給電体）１Ａのシールド線に接続されており、このシールド線が直流的にアースされている。これにより、サセプタ電極８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０，シャーシ２１，マッチングボックス２は接地電位に設定されることになり、同時に、ロードコンデンサ２２の一端も直流的にアースされた状態となる。
【００６２】
本実施形態のプラズマチャンバ７５においては、１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入して、両電極４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマにより、サセプタ電極８に載置した基板１６にＣＶＤ（ chemical vapor deposition）、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなうことができる。
このとき、高周波電力は、高周波電源１から給電線１Ａの同軸ケーブル，整合回路２Ａ，給電板３，プラズマ励起電極（カソード電極）４に供給される。一方、高周波電流の経路を考えた場合、電流はこれらを介してプラズマ空間（チャンバ室６０）を経由した後、さらにもう一方の電極（サセプタ電極）８，シャフト１３，サセプタシールド１２，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０を通る。その後、シャーシ２１，マッチングボックス２，給電線１Ａのシールド線を通り、高周波電源１のアースに戻る。
【００６３】
ここで、本実施形態のプラズマチャンバ７５における高周波特性としての整合回路２Ａの交流抵抗ＲＡ，ＲＢについて説明する。
【００６４】
整合回路２Ａの交流抵抗としては、この整合回路２Ａの入力端子側から、入力端子側交流抵抗ＲＡを測定するとともに、整合回路２Ａの出力端子側から、出力端子側交流抵抗ＲＢを測定する。このとき、測定周波数を高周波電源１の電力周波数を含むように１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の範囲から選択する。より好ましくは、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の値に設定される電力周波数ｆe に対応した周波数に設定した状態により測定する。
この交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、整合回路２Ａの構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、具体的には図４に示すように測定される。
【００６５】
図４、図５は図３の整合回路における寄生抵抗を示す模式回路図である。
本実施形態の整合回路２Ａにおける測定範囲としては、整合回路２Ａの受動素子のうち入力最初段の受動素子の入力端子位置ＰＲ３および、受動素子のうち出力最終段の受動素子の出力端子位置ＰＲで切り離した状態をその対象とする。つまり、図４に示すように、整合回路２Ａに接続される給電線１Ａを切り離すとともに、給電板３に接続されるチューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲで、給電板３と整合回路２Ａの端子との接合部つまりネジ止めを外して切り離した状態の整合回路２Ａを測定範囲とする。
【００６６】
この測定範囲のうち入力端子側交流抵抗ＲＡを測定するには、図４に破線で示すように、インピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１０５を、切り離した入力端子位置ＰＲ３および整合回路２Ａの接続されたマッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲から所定の周波数、例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを交流抵抗として定義する。
このプローブ１０５は、図４に示すように、導線１１０上に絶縁被覆１１２を設け、この絶縁被覆１１２上に外周導体１１１を被覆してなるものである。このプローブ１０５は同軸ケーブルを通してインピーダンス測定器ＡＮに接続されている。ここで、プローブ１０５は、導線１１０を入力端子位置ＰＲに、また、外周導体１１１をマッチングボックス２の上面中央とされるアース位置に接続される。
【００６７】
本実施形態における整合回路２Ａにおける交流抵抗は、整合回路２Ａの前述の各構成要素、インダクタンスコイル２３、チューニングコンデンサ２４、ロードコンデンサ２２、導体Ｒ１，Ｒ２は、交流的に、レジスタンスやインダクタンスを有しており、交流電流を流した際に、寄生的に存在している抵抗を含めて定義されるものである。
このとき、整合回路２Ａの入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図４にＩRAで示すように、入力端子とされる測定位置ＰＲ３から、分岐点Ｂ１を経て、接続点ＢＰ１（接地電位部分）まで、つまり、以下のものが考えられる。
導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1
導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1
ロードコンデンサ２２の容量ＣL
導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2
導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
【００６８】
これらの電気的高周波的要因のち、整合回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡとしては、図４に示すように、導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定することになる。
ここで、寄生抵抗Ｒ１は、入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時において、分岐点Ｂ１からロードコンデンサ２２までの抵抗値等、上記のＩRAの回路における図示しない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【００６９】
同様にして、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢを測定するには、図５に示すように、インピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１０５を、切り離した出力端子位置ＰＲおよび整合回路２Ａの接続されたマッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲に変化させて、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを交流抵抗として定義する。
このプローブ１０５は、図５に示すように、導線１１０を出力端子位置ＰＲに、また、外周導体１１１をマッチングボックス２の上面中央とされるアース位置に接続される。
【００７０】
このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流抵抗ＲＢの測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図５にＩRBで示すように、出力端子とされる測定位置ＰＲから、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部分まで、つまり、以下のものが考えられる。
チューニングコンデンサ２４の容量ＣT
インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT
インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT 
ロードコンデンサ２２の容量ＣL
導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2
導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR2
【００７１】
これらの電気的高周波的要因のち、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢとしては、図５に示すように、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定することになる。
ここで、寄生抵抗ＲLTは、出力端子側交流抵抗ＲＢの測定時において、分岐点Ｂ１からロードコンデンサ２２までの抵抗値等、上記のＩRBの回路における図示しない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【００７２】
本実施形態のプラズマチャンバ７５の整合回路２Ａにおいては、このように測定された高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢが、プラズマチャンバ７５のの作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定する。そして、本プラズマ処理装置が分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後それが使用され被処理物のプラズマ処理が行われても、さらには、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されても、その時点（時刻ｔ1 ）において、その時の交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されている。そのために、もし、少なくともΔＲＡおよびΔＲＢのどちらか上記の所定の値以上となった場合は是正作業が行われる。
ここで、交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定する方法としては、例えば、
▲１▼銅板（導体Ｒ１，Ｒ２）の形状（長さ，幅）を調整する。
▲２▼銅板（導体Ｒ１，Ｒ２）の組み立て状態（取り付け状態）を調整する。
▲３▼銅板（導体Ｒ１，Ｒ２）に銀をメッキする。
等の手法を適用することができる。
【００７３】
本実施形態のプラズマ処理装置７１においては、分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ処理）、あるいは調整作業が施された後においても、交流抵抗ＲＡ，ＲＢが、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されている。そのため、ある時間が経過する間に、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後で、電気的高周波的な特性の差をなくすことが可能となり、これにより、交流抵抗、容量、インピーダンス等の高周波数特性を指標とする一定の管理幅内に本装置のプラズマチャンバ７５の状態を維持することが可能となるので、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ時間的に略均一になるように維持することができる。
【００７４】
そして、本実施形態のプラズマ処理装置７１においては、プラズマチャンバ（第２成膜室）７６およびプラズマチャンバ（第３成膜室）７７は、プラズマチャンバ７５と略同等の構造とされている。そして、このプラズマチャンバ７６およびプラズマチャンバ７７に対しても、高周波特性としての交流抵抗ＲＡ，ＲＢをプラズマチャンバ７５と同様にして設定する。
具体的には、これらプラズマチャンバ７５，７６，７７において、いずれも、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設定して、交流抵抗ＲＡ，ＲＢを測定する。
ところが、この交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、機械的な構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、各実機ごとにそれぞれ異なっていると考えられる。
【００７５】
プラズマチャンバ７５の回路においては、上述のように交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定することにより、プラズマ励起電極４，サセプタ８間のプラズマ発生空間に投入される実効的な消費電力に影響する、いわゆる、抵抗による電力損失を設定することになる。これは、虚数単位をｊ（ｊ2 ＝−１）、角振動数をω（ω＝２πｆe ；ｆe は電力周波数）とすると、インピーダンスＺ（Ω）およびインダクタンスＸが以下の式（１１Ａ）、
Ｚ ＝ Ｒ＋ｊＸ            （１１Ａ）
Ｘ ＝ ｆ（ω，Ｌ，Ｃ）
で示される関係を満たしている。ここで、 ｆ（ω，Ｌ，Ｃ）は、インピーダンスＸがω，Ｌ，Ｃの関数で表現されることを示すものである。さらに式（１１Ｂ）
Ｒ ＝ Ｒｅ（Ｚ）          （１１Ｂ）
で示されるように、インピーダンスＺの実部が交流抵抗Ｒであるため、整合回路２Ａにおける交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定することにより、電極４，８よりも高周波電源１側に位置する整合回路２Ａにおける電力損失を設定することが可能となる。その結果、電圧降下に対するもっとも寄与の大きい抵抗（レジスタンス）Ｒを設定することになるために、つまり、プラズマ発生のエネルギーの減少に対してもっとも寄与の大きい抵抗を設定するために、実効的なエネルギーロスが増加することを抑制することができる。これにより、時間的にプラズマチャンバ７５の状態を変化しないように維持することが可能となる。
【００７６】
さらに、計測したプラズマチャンバ（第１成膜室）７５に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ75、プラズマチャンバ（第２成膜室）７６に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ76、プラズマチャンバ（第３成膜室）７７に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ77のうち、その最大値ＲＡmax と最小値ＲＡmin に対して、
<ＲＡ>  ＝  （ＲＡmax −ＲＡmin ）／（ＲＡmax ＋ＲＡmin ）    （１４Ａ）
のように複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７の入力端子側交流抵抗ＲＡのばらつき<ＲＡ>として定義し、この（１４Ａ）式で表されるばらつきの値を０．５より小さい範囲の値に設定する。この際、入力端子側交流抵抗ＲＡのばらつき<ＲＡ>を設定する方法としては、上述の▲１▼〜▲３▼等のような手法を適用することができる。
【００７７】
同時に、計測したプラズマチャンバ（第１成膜室）７５に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ75、プラズマチャンバ（第２成膜室）７６に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ76、プラズマチャンバ（第３成膜室）７７に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ77のうち、その最大値ＲＢmax と最小値ＲＢmin に対して、
<ＲＢ>  ＝  （ＲＢmax −ＲＢmin ）／（ＲＢmax ＋ＲＢmin ）    （１４Ｂ）
のように複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７の出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>として定義し、この（１４Ｂ）式で表されるばらつきの値を０．５より小さい範囲の値に設定する。この際、入力端子側交流抵抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>を設定する方法としても、上述の▲１▼〜▲３▼等のような手法を適用することができる。
【００７８】
上記構成の処理室７５，７６，７７のいずれかにおいてアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の成膜をおこなう際には、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、高周波電源１から高周波電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６上にアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を成膜する。
【００７９】
レーザアニール室７８は、図６に示すように、チャンバ８０の上部にレーザ光源８１が設けられる一方、チャンバ８０内の下部には被処理基板１６を載置するためのステージ８２が直交するＸ方向、Ｙ方向の２方向に水平移動可能に設けられている。そして、レーザ光源８１の出射部８１ａからスポット状のレーザ光８３（１点鎖線で示す）が出射されると同時に、被処理基板１６を支持したステージ８２がＸ方向、Ｙ方向に水平移動することにより、レーザ光８３が被処理基板１６の全面を走査できるようになっている。レーザ光源８１には例えばＸｅＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロゲンガスを用いたガスレーザを用いることができる。
また、レーザアニール室７８の構成は、レーザ光を出射するレーザ光源を備え、レーザ光源から出射されるスポット状のレーザ光が被処理基板の表面をくまなく走査できる構成のものであれば、種々の構成の装置を用いることができる。この場合、レーザ光源は例えばＸｅＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロゲンガスを用いたガスレーザを用いることができる。膜の種類によってはＹＡＧレーザ等の他のレーザ光源を用いることもでき、レーザ光の照射の形態としては、パルスレーザアニール、連続発振レーザアニールを用いることができる。また、熱処理室の構成は、例えば多段式電気炉型の装置を用いることができる。
【００８０】
熱処理室７９は、図７に示すように、多段式電気炉型のものであり、チャンバー８４内に多段に設けられたヒータ８５の各々に被処理基板１８が載置される構成になっている。そして、ヒータ８５の通電により複数枚の被処理基板１６が加熱されるようになっている。なお、熱処理室８９と搬送室７２との間にはゲートバルブ８６が設けられている。
【００８１】
図１に示すローダ室７３、アンローダ室７４には、ローダカセット、アンローダカセットが着脱可能に設けられている。これら２つのカセットは、複数枚の被処理基板１６が収容可能なものであり、ローダカセットに成膜前の被処理基板１６が収容され、アンローダカセットには成膜済の被処理基板１６が収容される。そして、これら処理室ユニットとローダ室７３、アンローダ室７４の中央に位置する搬送室７２に基板搬送ロボット（搬送手段）８７が設置されている。基板搬送ロボット８７はその上部に伸縮自在なリンク機構を有するアーム８８を有し、アーム８８は回転可能かつ昇降可能となっており、アーム８８の先端部で被処理基板１６を支持、搬送するようになっている。
【００８２】
上記構成のプラズマ処理装置７１は、例えば各処理室ユニットにおける成膜条件、アニール条件、熱処理条件等、種々の処理条件や処理シーケンスをオペレータが設定する他は、各部の動作が制御部により制御されており、自動運転する構成になっている。したがって、このプラズマ処理装置７１を使用する際には、処理前の被処理基板１６をローダカセットにセットし、オペレータがスタートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボット８７によりローダカセットから各処理室内に被処理基板１６が搬送され、各処理室で一連の処理が順次自動的に行われた後、基板搬送ロボット８７によりアンローダカセットに収容される。
【００８３】
本実施形態のプラズマ処理装置７１の個々のプラズマチャンバ７５，７６，７７においては、分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ処理）、あるいは調整作業が施された後においても、交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されている。そのため、ある時刻ｔ0 ，から時刻ｔ1 における時間が経過する間に、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後で、電気的高周波的な特性の差をなくすことが可能となり、これにより、交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、容量、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内にそれぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７の状態を時間的に維持することが可能となるので、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持することができる。
【００８４】
その結果、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後で同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、それぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７において例えばある時間を隔てて成膜をおこなった際に、経過した時間の前後で、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略同等な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記の差ΔＲＡの絶対値をＲＡ0 の０．５倍より小さい値に維持するとともに、差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍より小さい値に維持することにより、時間の経過にかかわらず、すなわち、分解、搬送、再組み立てや使用回数、調整作業等の存在にかかわらず、略同一の条件で積層をおこなったそれぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７において、膜厚のばらつきの値を±７％の範囲におさめることができる。
そのため、従来考慮されていなかった整合回路２Ａまでも含んだそれぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７の全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性が高く、それぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７で時間的に均一な動作が期待できるプラズマ処理装置を提供することが可能となる。
さらに、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７間においても、同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果が得られる状態を時間経過的的に維持することが可能となる。
これにより、膨大なデータから外部パラメータと実際の基板を処理するような評価方法による処理結果との相関関係によるプロセス条件の把握を不必要とすることができる。
【００８５】
さらに、それぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７において、各前記整合回路２Ａの入力端子位置ＰＲ３および出力端子ＰＲから測定したそれぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７の高周波特性として入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢのうち、それぞれの最大値と最小値のばらつきを、上記（１０Ａ）（１０Ｂ）式に示すように定義し、この値を０．５より小さい範囲の値に設定することで、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７に対して電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これにより、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７の状態を設定することが可能となるので、個々のプラズマチャンバ７５，７６，７７において、プラズマ空間で消費される実効的な電力を時間的にそれぞれ略均一にすることができる。
【００８６】
その結果、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７に対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値<ＲＡ><ＲＢ>をそれぞれ０．５より小さい範囲に設定することにより、略同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバ７５，７６，７７において、膜厚のばらつきの値を±７％の範囲におさめることができる。
したがって、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７において、機差により被処理基体１６に対する膜面内方向におけるプラズマ処理の均一性がプラズマチャンバ７５，７６，７７ごとにばらつきを生じてしまうことを低減することができ、成膜処理においては、機差により膜厚の膜面内方向分布の均一性がプラズマチャンバ７５，７６，７７ごとにばらつきを生じてしまうことを低減することが可能となる。
【００８７】
同時に、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状態の向上、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、エッチング液に対する耐エッチング性、そして、いわゆる膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性がプラズマチャンバ７５，７６，７７ごとにばらつきを生じてしまうことを低減することが可能となる。
ここで、膜の緻密さは例えば、ＢＨＦ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エッチング性によって表現可能である。
そのため、従来考慮されていなかったプラズマ処理装置７１の全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性が高く、各プラズマチャンバ７５，７６，７７で均一な動作が期待できるプラズマ処理装置７１を提供することが可能となる。
これにより、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７に対する膨大なデータから外部パラメータと実際の基板を処理するような評価方法による処理結果との相関関係によるプロセス条件の把握を不必要とすることができる。
【００８８】
したがって、処理のばらつきをなくし同一のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合に比べて、整合回路２Ａにおける交流抵抗ＲＡ，ＲＢを測定することにより、大幅に短縮することができる。しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマチャンバ７５，７６，７７の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマチャンバ７５，７６，７７の評価を、しかも、プラズマ処理装置７１のプラズマチャンバ７５，７６，７７が設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７についても、結果をほぼ同時に得ることができる。
【００８９】
同時に、新規設置時や調整・保守点検時において、各プラズマチャンバ７５，７６，７７ごとの機差をなくして処理のばらつきをなくし同一のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合に比べて、プラズマチャンバ７５，７６，７７に電力を直接供給する部分である整合回路２Ａにおける交流抵抗ＲＡ，ＲＢを測定することにより、大幅に短縮することができる。しかも、本実施形態の検査方法によれば、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理装置７１の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の検査方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置７１の評価をおこなうことが可能で、しかも、プラズマ処理装置７１の実機が設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々におこなうしかなかった複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７に対する結果をほぼ同時に実現することができる。
このため、製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理装置７１の動作確認および、動作の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上することができる。また、このような調整に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【００９０】
さらに、本実施形態の各プラズマチャンバ７５，７６，７７においては、その整合回路２Ａにおける交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定することにより、従来は、考慮されていなかったプラズマチャンバ７５，７６，７７の全体的な電気的高周波的な特性をそれぞれ適正な範囲に収めることができる。これにより、各プラズマチャンバ７５，７６，７７において動作安定性を向上して、従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ程度以上の高い周波数の電力を投入した場合であっても、高周波電源１からの電力を、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ発生空間に効率よく導入することが可能となる。同時に、同一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置７１と比べてプラズマ空間で消費される実効的な電力の上昇を図ることができる。
さらに、プラズマ空間に効率よく電力が供給されることにより、プラズマの不要な広がりも抑制でき、被処理基体１６における膜面内方向におけるプラズマ処理の均一性の向上を図ることができ、成膜処理においては膜厚の膜面内方向分布の均一性の向上を図ることが可能となる。
同時に、プラズマ空間で消費される実効的な電力の増加により、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状態の向上、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、エッチング液に対する耐エッチング性、そして、いわゆる膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性の向上を図ることが可能となる。
ここで、膜の緻密さは例えば、ＢＨＦ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エッチング性によって表現可能である。
その結果、プラズマ励起周波数の高周波化による処理速度の向上を図ること、つまり、プラズマＣＶＤ等により膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図ることができる。
【００９１】
なお、各プラズマチャンバ７５，７６，７７において、図８に示すように、それぞれのインピーダンスが一致する複数本の導線１０１ａ〜１０１ｈの一端をプローブ取付具１０４に接続してなる測定具（フィクスチャ）を使用してプラズマチャンバ７５，７６，７７のインピーダンス特性を測定することも可能である。プローブ取付具１０４は、例えば５０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍの銅板を、締め付け部１０６とリング部とができるように成形されている。リング部はプローブ１０５の外側にはめ込み可能な径とされる。このプローブ取付部１０４に導線１０１ａ〜１０１ｈの一端をハンダ付けなどにより電気的に接続する。
導線１０１ａ〜１０１ｈの他端には、測定対象（プラズマチャンバ７５，７６，７７）との着脱用の端子（圧着端子）１０２ａ〜１０２ｈが取り付けられている。
このフィクスチャを使用するに際してはプローブ取付具１０４のリング状部１０４をプローブ１０５にはめ込み、締め付け部１０６で締め付けを行う。一方各導線１０１ａ〜１０１ｈは略点対称となるように圧着端子１０２ａ〜１０２ｈにおいて測定対象に、図９に示すように、ねじ１１４により着脱自在にネジ止めする。
導体１０１ａ〜１０１ｈは、例えばアルミニウム、銅、銀、金により構成すればよく、または、銀、金を５０μｍ以上メッキして構成してもよい。
【００９２】
このような測定具（フィクスチャ）を使用してインピーダンスを測定する方法を図９を用いて説明する。
まず測定するプラズマチャンバ７５，７６，７７の入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時において、高周波電源１と給電板３を整合回路２Ａから取り外す。インピーダンス測定具のプローブ１０５の導線１１０を入力端子位置ＰＲ３に接続する。次いでインピーダンス測定具（フィクスチャ）の導線１０１ａ〜１０１ｈに接続する圧着端子１０２ａ〜１０２ｈをマッチングボックス２に入力端子位置ＰＲ３を中心とする略点対称となるようにネジ１１４によってネジ止めする。インピーダンス測定具をこのように配置した後、測定信号をインピーダンス測定具の導線１１０に供給し、プラズマチャンバ７５，７６，７７の整合回路２Ａにおける経路のインピーダンスを測定する。
これにより、測定対象の大きさ、あるいは、測定する２点間の距離に制約を与えることなく、かつ、測定対象に均一に電流を流すことができ、測定対象のインピーダンスを測定するのに影響を及ぼさない残留インピーダンス値を設定し、より正確にインピーダンス測定をおこなうことができる。
整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢを測定する際には、同様にして、インピーダンス測定具のプローブ１０５の導線１１０を出力端子位置ＰＲに接続する。次いでインピーダンス測定具（フィクスチャ）の導線１０１ａ〜１０１ｈに接続する圧着端子１０２ａ〜１０２ｈをマッチングボックス２に出力端子位置ＰＲを中心とする略点対称となるようにネジ１１４によってネジ止めする。
【００９３】
なお、本実施形態においては、複数のプラズマチャンバ７５，７６，７７を有するタイプとしたが、単一のプラズマチャンバ７５をを有する構成とすることもできる。また、プラズマチャンバ７５，７６，７７において、サセプタ電極側８に基板１６を載置してプラズマ励起電極４に対する整合回路２Ａの入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢを設定したが、ＲＩＥ（reactive ion etching）反応性スパッタエッチングに対応するようにカソード電極４側に基板１６を取り付けるよう対応することも可能である。
【００９４】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第２実施形態］
図１０は本実施形態のプラズマ処理装置９１の概略構成を示す模式断面図である。
本実施形態のプラズマ処理装置９１は、図１０に示すように、略四角形の搬送室９２の周囲にロードロック室９３と熱処理室９９と処理室９４，９５とが設けられた構成とされている。この装置は基板移載用の搬送ロボットが設置されている搬送室９２を中央にして、各室の間が、ゲートｇ１，ｇ２，ｇ３，ｇ４で区切られている。搬送室（待機室）９２と加熱室９９とその他の処理室ユニット９４，９５はそれぞれ個別の高真空ポンプによって高真空度に排気されている。ロードロック室９１は低真空ポンプによって低真空度に排気されている。
【００９５】
本実施形態のプラズマ処理装置９１においては、その構成要素が図１〜図７に示した第１実施形態のプラズマ処理装置７１に対応しており、それぞれ、搬送室７２に搬送室９２が、熱処理室７９に熱処理室９９が、ロードロック室９３がローダ室７３およびアンローダ室７４に対応しており、略同一の構成の部分に関しては説明を省略する。
【００９６】
プラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）９５，９６は、図１〜図５に示した第１実施形態のプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）７５，７６に対応して、それぞれ異なる種類の膜を成膜するような異なる処理をおこなうことも可能であり、また、同一のプロセスレシピにより同一の処理をおこなうこともできるものであるが、略同一の構成とされている。
そして、これらの複数のプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）９５，９６は、図１０に示すように、後述するスイッチＳＷ２等を介してインピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮに接続されている。
ここではプラズマ処理室ユニット９５を例に挙げてその構成を説明する。
【００９７】
図１１は本実施形態のプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の概略構成を示す断面図、図１２は図１１の整合回路のを示す断面図、図１３は図１２の整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
【００９８】
本実施形態のプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）９５は、２周波数励起タイプのプラズマ処理室とされ、図２〜図５に示した第１実施形態のプラズマ処理室７５と異なるのはサセプタ電極８側に電力を供給する点と、整合回路２Ａの受動素子の構成および、交流抵抗ＲＡ，ＲＢの設定に関する点である。それ以外の対応する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態のプラズマチャンバ９５，９６は、整合回路２Ａにおいて、その入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡ0 と出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢ0 とが、分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後の使用期間の時刻ｔ1 においても、その時の交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持されている。そして、入力端子側交流抵抗ＲＡ0 の最大値ＲＡ0maxと最小値ＲＡ0minとのばらつきを前述の式（１４Ａ）として定義するとともに、出力端子側交流抵抗ＲＢ0 の最大値ＲＢ0max と最小値ＲＢ0min とのばらつきを前述の式（１４Ｂ）として定義し、これらの値が所定の範囲の値に設定されて設計、製造されている。
【００９９】
本実施形態のプラズマチャンバ９５は、図１１，図１２に示すように、サセプタ電極８の周囲にサセプタシールド１２が設けられ、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、これらの隙間がシャフト１３の周囲の設けられた電気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによって真空絶縁されるとともに電気的にも絶縁されている。また、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、ベローズ１１により上下動可能に構成されている。この構成により、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間の距離が調整可能となっている。また、サセプタ電極８は、シャフト１３下端に接続された給電板２８、および、導電体からなるサセプタ電極側マッチングボックス２６内部に収納された整合回路２５を介して第２の高周波電源２７と接続されている。
これら給電板２８は、サセプタシールド１２の支持筒１２Ｂ下端に接続されたシャーシ２９に覆われるとともに、シャーシ２９は、同軸ケーブルとされる給電線２７Ａのシールド線によって接続されマッチングボックス２６とともにアースされている。これにより、サセプタシールド１２，シャーシ２９，マッチングボックス２９は直流的に同電位となっている。
【０１００】
ここで、整合回路２５は、第２の高周波電源２７とサセプタ電極８との間のインピーダンスの整合を図るものとされ、この整合回路２５としては、図１１，図１２に示すように、複数の受動素子として、第２の高周波電源２７と給電板２８との間に、チューニングコイル３０とチューニングコンデンサ３１とが直列に設けられ、これらと並列にロードコンデンサ３２が接続され、このロードコンデンサ３２の一端はマッチングボックス２６に接続されており、整合回路２Ａと略同様の構成とされている。マッチングボックス２６は給電線２７Ａのシールド線を介して接地電位に設定されており、同時に、ロードコンデンサ３２の一端がアースされている。なお、チューニングコイル３０と直列にチューニングコイルを接続することや、ロードコンデンサ３２と並列にロードコンデンサを設けることも可能である。
給電板２８としては給電板３と同様なものが適用され、この給電板２８は整合回路２５からの端子およびシャフト１３にそれぞれネジ止めされている。
【０１０１】
整合回路２Ａは、図１１，図１２，図１３に示すように、高周波電源１と給電板３との間に設けられ、複数の受動素子として、インダクタンスコイル２３と、エアバリコンからなるチューニングコンデンサ２４と、真空バリコンからなるロードコンデンサ２２と、これらの受動素子を接続するための銅板とされる導体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４、および、同軸ケーブルＫ１とを有する構成とされている。
これらのうち、導体Ｒ１，同軸ケーブルＫ１，導体Ｒ３，インダクタンスコイル２３，導体Ｒ４，チューニングコンデンサ２４は、整合回路２Ａの入力端子側から出力端子側へ直列に接続されるとともに、導体Ｒ３，インダクタンスコイル２３の間の分岐点Ｂ１からこれらと並列にロードコンデンサ２２が接続されている。このロードコンデンサ２２の一端は、接続点ＢＰ１において導体Ｒ２を介してマッチングボックス２（接地電位部分）に接続されており、また、同軸ケーブルＫ１のシールド線は分岐点Ｂ２から接続点ＢＰ２においてマッチングボックス２（接地電位部分）に接続されている。
ここで、チューニングコンデンサ２４は整合回路２Ａの受動素子のうち最終端とされ、このチューニングコンデンサ２４の出力端子は整合回路２Ａの出力端子とされており、チューニングコンデンサ２４は給電板３を介してプラズマ励起電極４に接続されている。
【０１０２】
本実施形態のプラズマチャンバ９５においては、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、第１、第２の高周波電源１，２７からプラズマ励起電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６に対して成膜等のプラズマ処理をおこなう。このとき、第１の高周波電源１から１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入する。そして、第２の高周波電源２７からも第１の高周波電源１からと同等か、異なる周波数の電力、例えば１．６ＭＨｚ程度の電力を投入することもできる。
【０１０３】
ここで、本実施形態のプラズマチャンバ９５における高周波特性としての整合回路２Ａの交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、第１実施形態と同様にして測定・定義する。本実施形態の交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、具体的には図１１〜図１４に示すように測定・定義される。
【０１０４】
本実施形態の整合回路２Ａにおける測定範囲としては、第１実施形態と同様に整合回路２Ａの受動素子のうち入力最初段の受動素子の入力端子位置ＰＲ３および、受動素子のうち出力最終段の受動素子の出力端子位置ＰＲで切り離した状態をその対象とする。つまり、図１２，図１３，図１４に示すように、整合回路２Ａに接続される給電線１Ａを切り離すとともに、給電板３に接続されるチューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲで、給電板３と整合回路２Ａの端子との接合部つまりネジ止めを外して切り離した状態の整合回路２Ａを測定範囲とする。
【０１０５】
この測定範囲のうち入力端子側交流抵抗ＲＡを測定するには、先ず、図１３に示すように、接続点ＢＰ２をマッチングボックス２から切り離すとともに、第１実施形態と同様に図１３に破線で示すように、インピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１０５を、入力端子位置ＰＲ３およびマッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）として定義する。
【０１０６】
このとき、整合回路２Ａの入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図１３にＩRAで示すように、入力端子とされる測定位置ＰＲ３から、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ１まで、つまり、以下のものが考えられる。
導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1
導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1
同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1
同軸ケーブルＫ１におけるインダクタンスＬK1
導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3
導体Ｒ３におけるインダクタンスＬR3
ロードコンデンサ２２の容量ＣL
導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2
導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR2
【０１０７】
これらの電気的高周波的要因のうち、整合回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）としては、図１３に示すように、導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1、同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1、導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定することになる。
ここで、入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）の測定時において、寄生抵抗Ｒ１は、分岐点Ｂ２までの同軸ケーブルＫ１の抵抗値を含み、および、寄生抵抗Ｒ３は、分岐点Ｂ１からロードコンデンサ２２までの抵抗値を含み、これらによって、上記のＩRAの回路における図示しない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【０１０８】
次に、入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）として、図１４に示すように、接続点ＢＰ１をマッチングボックス２から切り離すとともに接続点ＢＰ２をマッチングボックス２に接続する。この状態で、同様にインピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１０５を、出力端子位置ＰＲおよびマッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に接続するとともに、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）として定義する。
【０１０９】
このとき、整合回路２Ａの入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）の測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図１４にＩRAで示すように、入力端子とされる測定位置ＰＲ３から、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ２まで、つまり、以下のものが考えられる。
導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1
導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1
同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1
同軸ケーブルＫ１におけるインダクタンスＬK1
同軸ケーブルＫ１における容量ＣK1
ここで、同軸ケーブルＫ１における容量ＣK1とは、シールド線との間に発生する容量を意味するものである。
【０１１０】
これらの電気的高周波的要因のうち、整合回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）としては、図１４に示すように、導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1、同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1、を測定することになる。
ここで、入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）の測定時において、図１４に示すように、同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1は分岐点Ｂ２よりも測定位置ＰＲ側に位置しているが、これは模式図であり、実際には入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）の測定時において、同軸ケーブルＫ１の抵抗値および、接続点ＢＰ２側の抵抗値を含み、上記のＩRAの回路における図示しない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【０１１１】
同様にして、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢを測定するには、先ず、図１３に示すように、接続点ＢＰ２をマッチングボックス２から切り離すとともに、インピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１０５を、第１実施形態と同様にして、入力端子位置ＰＲ３およびマッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを入力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）として定義する。
【０１１２】
このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）の測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図１３にＩRBで示すように、出力端子とされる測定位置ＰＲから、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ１まで、つまり、以下のものが考えられる。
チューニングコンデンサ２４の容量ＣT
導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4
導体Ｒ４におけるインダクタンスＬR4
インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT
インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT 
ロードコンデンサ２２の容量ＣL
導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2
導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
【０１１３】
これらの電気的高周波的要因のうち、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）としては、図１３に示すように、導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定することになる。
ここで、寄生抵抗ＲＲLTは、出力端子側交流抵抗ＲＢの測定時において、分岐点Ｂ１からロードコンデンサ２２までの抵抗値等、上記のＩRBの回路における図示しない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【０１１４】
次に、出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）として、図１４に示すように、接続点ＢＰ１をマッチングボックス２から切り離すとともに接続点ＢＰ２をマッチングボックス２に接続する。この状態で、同様にインピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１０５を、出力端子位置ＰＲおよびマッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に接続するとともに、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）として定義する。
【０１１５】
このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）の測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図１４にＩRBで示すように、出力端子とされる測定位置ＰＲから、分岐点Ｂ２を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ２まで、つまり、以下のものが考えられる。
チューニングコンデンサ２４の容量ＣT
導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4
導体Ｒ４におけるインダクタンスＬR4
インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT
インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT 
導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3
導体Ｒ３におけるインダクタンスＬR3
同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1
同軸ケーブルＫ１におけるインダクタンスＬK1
同軸ケーブルＫ１における容量ＣK1
【０１１６】
これらの電気的高周波的要因のうち、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）としては、図１４に示すように、導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT、導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3、同軸ケーブルＫ１における寄生抵抗ＲK1、を測定することになる。
【０１１７】
本実施形態のプラズマチャンバ７５の整合回路２Ａにおいては、このように測定された高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢが、プラズマチャンバ７５の作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定する。具体的には、それぞれの入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２），出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１），および出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）を、各々後述する所定の範囲の値になるように設定する。
ここで、交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定する方法としては、例えば、
▲１▼銅板（導体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４）の形状（長さ，幅）を調整する。
▲２▼銅板（導体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４）の組み立て状態（取り付け状態）を調整する。
▲３▼同軸ケーブルＫ１の形状（長さ，幅）を調整する。
▲４▼銅板（導体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４）に銀をメッキする。
等の手法を適用することができる。
【０１１８】
そして、本実施形態のプラズマ処理装置９１においては、プラズマチャンバ９６は、プラズマチャンバ９５と略同等の構造とされている。そして、このプラズマチャンバ９６に対しても、高周波特性としての交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、具体的には、交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）をそれぞれプラズマチャンバ９５と同様にして設定する。
ここで、これらプラズマチャンバ９５，９６において、いずれも、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設定して、交流抵抗ＲＡ，ＲＢを測定する。
ところが、この交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、機械的な構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、各実機ごとにそれぞれ異なっていると考えられる。
【０１１９】
入力端子側交流抵抗ＲＡとしては、まず、計測したプラズマチャンバ９５に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）95、プラズマチャンバ９６に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）96のうち、その最大値ＲＡ（ＢＰ１）max と最小値ＲＡ（ＢＰ１）min に対して、
【数１】
0003670209.tif 000002
この式（１４Ａ’）のように複数のプラズマチャンバ９５，９６の入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）のばらつき<ＲＡ（ＢＰ１）>として定義する。
【０１２０】
同様にして、計測したプラズマチャンバ９５に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）95、プラズマチャンバ９６に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）96のうち、その最大値ＲＡ（ＢＰ２）max と最小値ＲＡ（ＢＰ２）min に対して、
【数２】
0003670209.tif 000003
この式（１４Ａ”）のように複数のプラズマチャンバ９５，９６の入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）のばらつき<ＲＡ（ＢＰ２）>として定義する。
【０１２１】
そして、これら入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）のばらつき<ＲＡ（ＢＰ１）>および入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）のばらつき<ＲＡ（ＢＰ２）>のうち、その値の大きいものを入力端子側交流抵抗ＲＡのばらつき<ＲＡ>とし、この（１４Ａ’）（１４Ａ”）式で表されるばらつきの値を０．４より小さい範囲の値に設定する。つまり、接続点ＢＰ１，ＢＰ２に対応する入力端子側交流抵抗ＲＡのばらつきの値<ＲＡ（ＢＰ１）>および<ＲＡ（ＢＰ２）>をすべて、０．４とされる所定の範囲の値となるように設定する。
この際、入力端子側交流抵抗ＲＡのばらつき<ＲＡ>を設定する方法としては、上述の▲１▼〜▲４▼等のような手法を適用することができる。
【０１２２】
同時に、出力端子側交流抵抗ＲＢとしては、計測したプラズマチャンバ９５に対する出力端子側交流抵抗（ＢＰ１）ＲＢ95、プラズマチャンバ９６に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）96のうち、その最大値ＲＢ（ＢＰ１）max と最小値ＲＢ（ＢＰ１）min に対して、
【数３】
0003670209.tif 000004
式（１４Ｂ’）のように複数のプラズマチャンバ９５，９６の出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）のばらつき<ＲＢ（ＢＰ１）>として定義する。
【０１２３】
同様にして、計測したプラズマチャンバ９５に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）95、プラズマチャンバ９６に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）96のうち、その最大値ＲＢ（ＢＰ２）max と最小値ＲＢ（ＢＰ２）min に対して、
【数４】
0003670209.tif 000005
この式（１４Ｂ”）のように複数のプラズマチャンバ９５，９６の入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）のばらつき<ＲＡ（ＢＰ２）>として定義する。
【０１２４】
そして、これら出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）のばらつき<ＲＢ（ＢＰ１）>および出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）のばらつき<ＲＢ（ＢＰ２）>のうち、その値の大きいものを出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>とし、この（１４Ｂ’）（１４Ｂ”）式で表されるばらつきの値を０．４より小さい範囲の値に設定する。つまり、接続点ＢＰ１，ＢＰ２に対応する入力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきの値<ＲＢ（ＢＰ１）>および<ＲＢ（ＢＰ２）>をすべて、０．４とされる所定の範囲の値となるように設定する。
この際、出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>を設定する方法としては、上述の▲１▼〜▲４▼等のような手法を適用することができる。
【０１２５】
本実施形態のプラズマチャンバ９５，９６の整合回路２Ａにおいては、上記のように（このときを時刻ｔ0 とする）測定された高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２）および出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）が、時間的にプラズマチャンバ９５，９６の作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定する。つまり、プラズマチャンバ９５，９６が分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後それが使用され被処理物のプラズマ処理が行われても、さらには、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されても、その時点（時刻ｔ1 ）において、その時の入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）1 ，ＲＡ（ＢＰ２）1 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）1 ，ＲＢ（ＢＰ２）1 が、それぞれ、ＲＡ（ＢＰ１）0 、ＲＡ（ＢＰ１）1 の差ΔＲＡ（ＢＰ１）の絶対値がＲＡ（ＢＰ１）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持され、ＲＡ（ＢＰ２）0 、ＲＡ（ＢＰ２）1 の差ΔＲＡ（ＢＰ２）の絶対値がＲＡ（ＢＰ２）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ（ＢＰ１）0 、ＲＢ（ＢＰ１）1 の差ΔＲＢ（ＢＰ１）の絶対値がＲＢ（ＢＰ１）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持され、ＲＢ（ＢＰ２）0 、ＲＢ（ＢＰ２）1 の差ΔＲＢ（ＢＰ２）の絶対値がＲＢ（ＢＰ２）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持されている。そのために、もし、少なくともΔＲＡ（ＢＰ１），ΔＲＡ（ＢＰ２），ΔＲＢ（ＢＰ１），ΔＲＢ（ＢＰ２）の少なくとも一つが上記の所定の値以上となった場合は是正作業が行われる。
ここで、交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）を設定する方法としては、例えば、上述の▲１▼〜▲４▼等のような手法を適用することができる。
【０１２６】
上記構成のプラズマ処理装置９１は、ゲートｇ０を開放して被処理基板１６をロードロック室９３に搬入し、ゲートｇ０を閉塞してロードロック室９３を低真空ポンプによって排気する。ゲートｇ１，ｇ２を開放してロードロック室９３に搬入された基板１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによって熱処理室９９に移動し、ゲートｇ１，ｇ２を閉塞して搬送室９２と熱処理室９９を高真空ポンプによって排気する。ついで基板１６を加熱処理し、終了後、ゲートｇ２，ｇ４を開放して熱処理された基板１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによってプラズマチャンバ９５に移動する。プラズマチャンバ９５の基板１６を反応処理し、終了後ゲートｇ４，ｇ３を開放して処理された基板１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによってプラズマチャンバ９６に移動する。プラズマチャンバ９６の基板１６を反応処理し、終了後ゲートｇ３，ｇ１を開放して基板１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによってロードロック室９３に移動する。
【０１２７】
このとき、例えば各処理室における成膜条件等の処理条件や処理シーケンスをオペレータが設定する他は、各部の動作が制御部により制御されており、自動運転する構成になっている。したがって、このプラズマ処理装置９１を使用する際には、処理前の被処理基板１６をロードロック室９３のローダカセットにセットし、オペレータがスタートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボットによりローダカセットから各処理室内に被処理基板１６が搬送され、各処理室で一連の処理が順次自動的に行われた後、基板搬送ロボットによりアンローダカセット（ローダカセット）に収容される。
【０１２８】
上記構成のプラズマチャンバ９５，９６においては、第１実施形態と同様に、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、高周波電源１から高周波電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６上にアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を成膜する。
【０１２９】
本実施形態のプラズマ処理装置９１においては、第１実施形態と同等の効果を奏するとともに、各プラズマチャンバ９５，９６の整合回路２Ａにおいて、分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ処理）、あるいは調整作業が施された後でも、交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）がいずれも、ΔＲＡ（ＢＰ１），ΔＲＡ（ＢＰ２），ΔＲＢ（ＢＰ１），ΔＲＢ（ＢＰ２）の絶対値が、それぞれＲＡ（ＢＰ１）0 ，ＲＡ（ＢＰ２）0 ，ＲＢ（ＢＰ１）0 ，ＲＢ（ＢＰ２）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持されている。そのため、ある時間が経過する間に、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後で、電気的高周波的な特性の差をなくすことが可能となり、さらに、時刻ｔ0 において複数のプラズマチャンバ９５，９６におけるそれぞれの電気的高周波的な機差をなくすように設定していることにより、交流抵抗、容量、インピーダンス等の高周波数特性を指標とする一定の管理幅内に本装置のプラズマチャンバ９５，９６の状態を維持することが可能となるので、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ時間的に略均一になるように維持することができる。具体的には、時間の経過にかかわらず、すなわち、分解、搬送、再組み立てや使用回数、調整作業等の存在にかかわらず、略同一の条件で積層をおこなったそれぞれのプラズマチャンバ９５，９６において、膜厚のばらつきの値を±３％の範囲におさめることができる。
【０１３０】
さらに、本実施形態のプラズマ処理装置９１においては、各プラズマチャンバ９５，９６の整合回路２Ａにおける入力端子側交流抵抗ＲＡ，出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきが、それぞれ０．４より小さい範囲の値に設定されてなることで、複数のプラズマチャンバ９５，９６に対して電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これにより、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバ９５，９６の状態を時間的に設定しておくことが可能となるので、個々のプラズマチャンバ９５，９６において、プラズマ空間で消費される実効的な電力を時間的にそれぞれ略均一にすることができる。
その結果、複数のプラズマチャンバ９５，９６に対して同一のプロセスレシピを適用して、時間的に略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマチャンバにおいて例えば複数回の成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を毎回得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を０．４より小さい範囲に設定することにより、略同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバにおいて、膜厚のばらつきの値を±３％の範囲におさめることができる。
【０１３１】
本実施形態のように、複数の接続点ＢＰ１，ＢＰ２がある場合には、これらの接続点ＢＰ１，ＢＰ２のうち１箇所の接続点ＢＰ１のみをマッチングボックス（接地電位部分）２に接続するよう他の接続点ＢＰ２を切断した状態として入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）および出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）を測定し、かつ、接続する点を切り替えて、接続点ＢＰ２のみをマッチングボックス（接地電位部分）２に接続するよう他の接続点ＢＰ１を切断した状態として入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）および出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）を測定することにより、各接続点ＢＰ１，ＢＰ２ごとに接続状態を設定して測定範囲を設定し、この測定範囲ごとに異なる状態とされる整合回路２Ａの受動素子に対して測定したそれぞれの交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）を、各プラズマチャンバ９５，９６に対して式（１４Ａ’）（１４Ａ”）（１４Ｂ’）（１４Ｂ”）に示すようなばらつきの値を定義して、各測定範囲毎の交流抵抗のばらつきの値<ＲＡ><ＲＢ>を設定することで、個々のプラズマチャンバ９５，９６において、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすることができる。
【０１３２】
さらに、本実施形態のプラズマ処理装置９１およびその検査方法においては、複数のプラズマチャンバ９５，９６の前記整合回路２Ａにおいて、時刻ｔ0 および時刻ｔ1 に、それぞれ入力端子側交流抵抗ＲＡ，出力端子側交流抵抗ＲＢを同時に設定することにより、複数の分岐点Ｂ１，Ｂ２を有する整合回路２Ａにおいても、これらの寄生抵抗を設定してその機差および時間経過に従って生じる差をなくすことができる。このため、前記プラズマチャンバ９５，９６のインピーダンス特性を測定する際における作業効率を向上することができる。
【０１３３】
さらに、本実施形態においては、プラズマ励起電極４に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ，出力端子側交流抵抗ＲＢを設定したが、サセプタ電極側８側の整合回路２５に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ，出力端子側交流抵抗ＲＢを設定するよう対応することも可能である。この場合、それぞれの測定位置を、図１１，図１２に示すように、整合回路２５の出力端子側交流抵抗ＲＢの測定範囲を規定する測定位置ＰＲ’として設定し、整合回路２５の入力端子側交流抵抗ＲＡの測定範囲を規定する測定位置ＰＲ３’として設定することができる。
【０１３４】
さらに、平行平板型の電極４，８を有するタイプに変えて、ＩＣＰ（inductive coupled plasma）誘導結合プラズマ励起型、ＲＬＳＡ（radial line slot antenna）ラジアルラインスロットアンテナ型などのプラズマ処理装置や、ＲＩＥ（Riactive Ion Etching）反応性スパッタエッチング用の処理装置に適用することもできる。
なお、電極４，８に替えて、ターゲット材を取り付けることにより、プラズマ処理としてスパッタリングをおこなうことも可能である。
【０１３５】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の第３実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第３実施形態］
図１５は本実施形態のプラズマチャンバの概略構成を示す模式図である。
【０１３６】
本実施形態のプラズマ処理装置は、図１〜図１４に示した第１，第２実施形態と略同等の構成とされ、図１〜図１４に示した第１，第２実施形態と異なる点は、プラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の部分で、整合回路、および、スイッチに関する点のみであり、プラズマ処理装置としての構成に関しては第１ないし第２実施形態に準ずるものとされる。また、これ以外の第１ないし第２実施形態と略同等の構成要素に関しては同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１３７】
本実施形態においては、プラズマチャンバの構成として第２実施形態と同様の２周波数励起タイプとされるとともに、図１５にＰＲ２で示すように、高周波数特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡを測定する測定範囲を規定する測定位置が、各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７において、整合回路２Ａの高周波電源１に接続される高周波電力供給電体（給電線）１Ａの入力端子位置に設定される。
【０１３８】
図１６は、図１５の整合回路の概略構成を示す模式図、図１７は、図１６の整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
整合回路２Ａは、図１５〜図１７に示すように、高周波電源１と給電板３との間に設けられ、複数の受動素子として、エアバリコンからなるチューニングコンデンサ２４と、真空バリコンからなるロードコンデンサ２２と、これらの受動素子を接続するための銅板とされる導体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４、Ｒ５とを有する構成とされている。
これらのうち、導体Ｒ１，導体Ｒ５，導体Ｒ３，導体Ｒ４，チューニングコンデンサ２４は、整合回路２Ａの入力端子側から出力端子側へ直列に接続されるとともに、導体Ｒ３，導体Ｒ４の間の分岐点Ｂ１からこれらと並列にロードコンデンサ２２が接続されている。ロードコンデンサ２２の一端は、接続点ＢＰ１において導体Ｒ２を介してマッチングボックス２（接地電位部分）に接続されている。
ここで、チューニングコンデンサ２４は整合回路２Ａの受動素子のうち最終端とされ、このチューニングコンデンサ２４の出力端子は整合回路２Ａの出力端子とされており、チューニングコンデンサ２４は給電板３を介してプラズマ励起電極４に接続されている。
【０１３９】
本実施形態の整合回路２Ａの入力端子位置ＰＲ３には、図１５〜図１７に示すように、入力端子側交流抵抗ＲＡを測定するための測定用端子６１と、この測定用端子６１と高周波数特性測定器ＡＮとを接続する同軸ケーブルとされる接続線６１Ａと、高周波数特性測定時および、プラズマ発生時に、プラズマチャンバに対する接続を給電線１Ａと高周波特性測定器（インピーダンス測定器）ＡＮとの間で切り替えるスイッチＳＷ５とが接続される。スイッチＳＷ５には、測定用端子６１を介した整合回路２Ａの入力端子位置ＰＲ３と、給電線１Ａと、接続線６１Ａとが接続されている。また、スイッチＳＷ５、給電線１Ａ、接続線６１Ａは、プラズマ発生時と高周波特性測定時とのいずれの場合にも、マッチングボックス２が接地電位になるよう構成されている。
ここで、スイッチＳＷ５で切り替えられる入力端子位置ＰＲ３から給電線１Ａの高周波電源１側端部（高周波電源１の出力端子位置）とされる測定位置ＰＲ２までのインピーダンスと、入力端子位置ＰＲ３から接続線６１Ａを介して高周波特性測定器ＡＮまでのインピーダンスとがそれぞれ等しく設定されている。具体的には、給電線１Ａと接続線６１Ａとの長さが等しく設定されている。さらに、各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７と高周波特性測定器ＡＮまでのインピーダンスとが等しくなるようにそれぞれ設定されている。これにより、整合回路２Ａと高周波特性測定器ＡＮとの接続を着脱することなく、スイッチＳＷ５切り替えのみにより、インピーダンスなどの測定による高周波特性、特に入力端子側交流抵抗ＲＡの測定を容易におこなうことが可能となる。
【０１４０】
本実施形態の整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ近傍には、図１５〜図１７に示すように、出力端子側交流抵抗ＲＢを測定するための測定用端子６１’と、この測定用端子６１’と高周波特性測定器ＡＮとを接続する同軸ケーブルとされる接続線６１Ｂと、高周波特性測定時および、プラズマ発生時に、整合回路２Ａに対する接続を給電板３側と高周波特性測定器（インピーダンス測定器）ＡＮとの間で切り替えるスイッチＳＷ１およびＳＷ１’とが接続される。スイッチＳＷ１には整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲと測定用端子６１’および給電板３側への出力線とが接続され、スイッチＳＷ１’はマッチングボックス２と接続線６１Ｂのシールド線を介した高周波特性測定器行きのアース電位部分に接続されている。また、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’、接続線６１Ｂは、プラズマ発生時と高周波特性測定時とのいずれの場合にも、マッチングボックス２が接地電位になるよう構成されている。
ここで、各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７から高周波特性測定器ＡＮまでのインピーダンスとが等しくなるようにそれぞ接続線６１Ｂの長さが等しくれ設定されている。これにより、整合回路２Ａと高周波特性測定器ＡＮとの接続を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’の切り替えのみにより、インピーダンスなどの測定による高周波特性、特に出力端子側交流抵抗ＲＢの測定を容易におこなうことが可能となる。
【０１４１】
ここで、本実施形態のプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７における高周波特性としての整合回路２Ａの交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、第１，第２実施形態と同様にして測定・定義する。
【０１４２】
入力端子側交流抵抗ＲＡを測定するには、図１７に示すように、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’を切り替えて整合回路２Ａを出力端子位置ＰＲでプラズマチャンバから切り離した状態とするとともに、スイッチＳＷ５をインピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮ側に切り替えた状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを交流抵抗として定義する。
【０１４３】
このとき、整合回路２Ａの入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図１７にＩRAで示すように、高周波電源１側の測定位置ＰＲ２とインピーダンス特性の等しい高周波特性測定器ＡＮ側の測定位置ＰＲ２から、分岐点Ｂ３、Ｂ１を経て、マッチングボックス２等の接地電位部分まで、つまり、以下のものが考えられる。
接続線６１Ａにおける寄生抵抗Ｒ61A 
接続線６１ＡにおけるインダクタンスＬ61A 
接続線６１Ａにおける容量Ｃ61A 
スイッチＳＷ５における寄生抵抗ＲSW5 
スイッチＳＷ５におけるインダクタンスＬSW5
測定用端子６１における寄生抵抗Ｒ61
測定用端子６１におけるインダクタンスＬ61
導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1
導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1
導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5
導体Ｒ５におけるインダクタンスＬR5
導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3
導体Ｒ３におけるインダクタンスＬR3
ロードコンデンサ２２の容量ＣL
導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2
導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
ここで、接続線６１Ａにおける容量Ｃ61A とは、シールド線との間に発生する容量を意味するものである。
【０１４４】
これらの電気的高周波的要因のうち、整合回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡとしては、図１７に示すように、接続線６１Ａにおける寄生抵抗Ｒ61A 、スイッチＳＷ５における寄生抵抗ＲSW5 、測定用端子６１における寄生抵抗Ｒ61、導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1、導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5、導体Ｒ３における寄生抵抗ＲR3、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定することになる。
ここで、入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時において、寄生抵抗Ｒ３は、分岐点Ｂ１からロードコンデンサ２２までの抵抗値を含み、これによって、上記のＩRAの回路における図示しない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【０１４５】
同様にして、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢを測定するには、スイッチＳＷ５を切り替えて整合回路２Ａを入力端子位置ＰＲ３で高周波電源１から切り離した状態とするとともに、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’をインピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮ側に切り替えた状態で、出力端子位置ＰＲをインピーダンス測定器ＡＮに接続し、かつ、マッチングボックス２をインピーダンス測定器ＡＮのアース部分に接続してインピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを交流抵抗として定義する。
【０１４６】
このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流抵抗ＲＢの測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図１７にＩRBで示すように、出力端子とされる測定位置ＰＲから、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部分である接続点Ｂ１まで、つまり、以下のものが考えられる。
スイッチＳＷ１における寄生抵抗ＲSW1 
スイッチＳＷ１におけるインダクタンスＬSW1
チューニングコンデンサ２４の容量ＣT
導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4
導体Ｒ４におけるインダクタンスＬR4
ロードコンデンサ２２の容量ＣL
導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2
導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
【０１４７】
これらの電気的高周波的要因のうち、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢとしては、図１７に示すように、導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定することになる。
ここで、寄生抵抗ＲR4は、出力端子側交流抵抗ＲＢの測定時において、分岐点Ｂ１からロードコンデンサ２２までの抵抗値等、上記のＩRBの回路における図示しない寄生抵抗をも含んでいるものとする。
【０１４８】
なお、整合回路２Ａの出力端子側交流抵抗ＲＢの測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図１７に示すように、以下の要因が存在しているが、これらは、高周波電源１からプラズマチャンバへの高周波電力供給時にはその寄与が無視し得るため、これらは出力端子側交流抵抗ＲＢの測定後にその影響を排除するように操作をおこなっておく。
接続線６１Ｂにおける寄生抵抗Ｒ61B 
接続線６１ＢにおけるインダクタンスＬ61B 
接続線６１Ｂにおける容量Ｃ61B
測定用端子６１’における寄生抵抗Ｒ61'
測定用端子６１’におけるインダクタンスＬ61'
【０１４９】
本実施形態のプラズマチャンバの整合回路２Ａにおいては、第１，第２実施形態と同様に、測定された高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢが、プラズマチャンバのの作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定するとともに、複数のプラズマチャンバにおいて、前記式（１４Ａ）（１４Ｂ）に示すように、そのばらつきの値をそれぞれ設定する。
【０１５０】
本実施形態のプラズマ処理装置においては、第１，第２実施形態と同等の効果を奏するとともに、整合回路２Ａの測定範囲に給電線１Ａが含まれていることにより、実際に電力を供給する部分の寄生抵抗までも含めて設定することが可能となるため、プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６が分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ処理）、あるいは調整作業が施された後においても、測定範囲に高周波電力給電体（給電線）１Ａを含めない場合に比べて、整合回路２Ａだけでなく、給電線１Ａも含めて複数のプラズマチャンバに対して、交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）を、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持することができるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値をＲＢ0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持することができる。そのため、ある時刻ｔ0 ，から時刻ｔ1 における時間が経過する間でも、電気的高周波的な特性の機差をさらになくすことが可能となり、個々のプラズマチャンバにおいて上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後で、電気的高周波的な特性の差をさらになくすことが可能となり、これにより、交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、容量、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内にそれぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６の状態をさらに時間的に維持することが可能となるので、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持することができ、これに同一のプロセスレシピを適用して、給電線１Ａを含めない場合に比べて、さらに略同一性の高いプラズマ処理結果を得ることができる。
【０１５１】
さらに、本実施形態のプラズマ処理装置においては、測定用端子６１，６１’，スイッチＳＷ５，ＳＷ１，ＳＷ１’を設けるとともに、入力端子位置ＰＲ３から測定位置ＰＲ２までのインピーダンスと、入力端子位置ＰＲ３から接続線６１Ａを介して高周波特性測定器ＡＮまでのインピーダンスとがそれぞれ等しく設定されていることにより、個々のプラズマチャンバにおいて、整合回路２Ａと高周波電源１、および、整合回路２Ａと給電板３側と、をそれぞれ着脱することなく、かつ、インピーダンス測定用プローブ１０５を着脱することなく、スイッチＳＷ５，ＳＷ１，ＳＷ１’の切り替えのみにより高周波特性、特に入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの測定と、プラズマ処理装置の動作状態つまりプラズマ発生状態と、の切り替えを容易におこなうことが可能となる。
【０１５２】
さらに、各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７と高周波特性測定器ＡＮまでのインピーダンスとが等しくなるようにそれぞれ接続線６１Ａの長さ等が設定されていることにより、高周波特性の測定、特に入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時において、スイッチＳＷ５の切り替えのみにより複数のプラズマチャンバ９５，９６を順に切り替えることができ、入力端子側交流抵抗ＲＡの測定時における作業効率を向上することができる。
また、各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７と高周波特性測定器ＡＮまでのインピーダンスとが等しくなるようにそれぞれ接続線６１Ｂの長さ等が設定されていることにより、高周波特性の測定、特に出力端子側交流抵抗ＲＢの測定時において、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’の切り替えのみにより複数のプラズマチャンバ９５，９６を順に切り替えることができ、出力端子側交流抵抗ＲＢの測定時における作業効率を向上することができる。
【０１５３】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置，プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム，検査方法の第４実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第４実施形態］
図１８は本実施形態のプラズマチャンバにおける整合回路の概略構成を示す模式図である。
【０１５４】
本実施形態のプラズマ処理装置は、図１〜図１７に示した第１〜第３実施形態と略同等の構成とされ、図１〜図１７に示した第１〜第３実施形態と異なる点は、プラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）の整合回路とその測定範囲に関する点のみであり、プラズマ処理装置としての構成に関しては第１ないし第３実施形態に準ずるものとされる。また、これ以外の第１ないし第３実施形態と略同等の構成要素に関しては同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１５５】
本実施形態においては、入力端子側交流抵抗ＲＡを規定する測定位置が、第３実施形態と同様にして、図１８に示すように、ＰＲ２とされるとともに、図１８にＰＲ４で示すように、高周波数特性としての出力端子側交流抵抗ＲＢを測定する測定範囲を規定する測定位置が、各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７において、整合回路２Ａに接続される高周波電力供配電体（給電板）３の電極４側の出力端子位置に設定される。
また、第１，第２実施形態と同様に、整合回路２Ａの入力端子は、スイッチＳＷ５を介さずに給電線１Ａに接続されている。
【０１５６】
図１９，図２０は、図１８の整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
整合回路２Ａは、図１８，図１９，図２０に示すように、高周波電源１と給電板３との間に設けられ、複数の受動素子として、インダクタンスコイル２３と、エアバリコンからなるチューニングコンデンサ２４と、真空バリコンからなるロードコンデンサ２２Ａ，２２Ｂと、これらの受動素子を接続するための銅板とされる導体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ５，Ｒ６とを有する構成とされている。
これらのうち、導体Ｒ１，導体Ｒ５，インダクタンスコイル２３，チューニングコンデンサ２４は、整合回路２Ａの入力端子側から出力端子側へ直列に接続されるとともに、導体Ｒ１，導体Ｒ５の間の分岐点Ｂ４からこれらと並列にロードコンデンサ２２Ａが接続され、導体Ｒ５，インダクタンスコイル２３の間の分岐点Ｂ１からこれらと並列にロードコンデンサ２２Ｂが接続されている。ロードコンデンサ２２Ａの一端は、接続点ＢＰ４において導体Ｒ６を介してマッチングボックス２（接地電位部分）に接続されているとともに、ロードコンデンサ２２Ｂの一端は、接続点ＢＰ１において導体Ｒ２を介してマッチングボックス２（接地電位部分）に接続されている。
ここで、チューニングコンデンサ２４は整合回路２Ａの受動素子のうち最終端とされ、このチューニングコンデンサ２４の出力端子は整合回路２Ａの出力端子とされており、チューニングコンデンサ２４は給電板３を介してプラズマ励起電極４に接続されている。
【０１５７】
ここで、本実施形態のプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７における高周波特性としての整合回路２Ａの交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、第１ないし第３実施形態と同様にして測定・定義する。本実施形態の交流抵抗ＲＡ，ＲＢは、具体的には図１８，図１９，図２０に示すように測定・定義される。
【０１５８】
本実施形態の整合回路２Ａにおける測定範囲としては、図１８にＰＲ４で示すように、高周波電力配電体（給電板）の出力端子位置とされる測定位置ＰＲ４で整合回路２Ａをプラズマチャンバから切り離す、つまり、整合回路２Ａの出力端子位置に高周波電力配電体（給電板）３が接続した状態でプラズマチャンバから切り離すとともに、高周波電力給電体（給電線）１Ａが整合回路２Ａの入力端子に接続した状態で高周波電源１から切り離した状態を測定範囲とする。
【０１５９】
入力端子側交流抵抗ＲＡを測定するには、図１８にＰＲ４で示すように、高周波電力配電体（給電板）の出力端子位置ＰＲ４で整合回路２Ａをプラズマチャンバから切り離す、つまり、整合回路２Ａの出力端子位置に高周波電力配電体（給電板）３が接続した状態でプラズマチャンバから切り離すとともに、高周波電力給電体（給電線）１Ａが整合回路２Ａの入力端子に接続した状態で高周波電源１から切り離し、この状態で、測定位置ＰＲ２から入力端子側交流抵抗ＲＡを、測定する。
【０１６０】
このとき、先ず、図１９に示すように、接続点ＢＰ４をマッチングボックス２から切り離すとともに、給電線１Ａのシールド線をアース状態としてインピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１０５を、第１，第２実施形態と同様にして、測定位置ＰＲ２およびマッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）として定義する。
【０１６１】
本実施形態において、整合回路２Ａの入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）の測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図１９にＩRAで示すように、高周波電源１側の測定位置ＰＲ２から、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ１まで、つまり、以下のものが考えられる。
給電線１Ａにおける寄生抵抗Ｒ1A 
給電線１ＡにおけるインダクタンスＬ1A 
給電線１Ａにおける容量Ｃ1A 
導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1
導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1
導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5
導体Ｒ５におけるインダクタンスＬR5
ロードコンデンサ２２Ｂの容量ＣLB
導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2
導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR2
ここで、給電線１Ａにおける容量Ｃ1Aとは、シールド線との間に発生する容量を意味するものである。
【０１６２】
これらの電気的高周波的要因のうち、整合回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）としては、図１９に示すように、給電線１Ａにおける寄生抵抗Ｒ1A 、導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1、導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定することになる。
【０１６３】
次に、入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）として、図２０に示すように、接続点ＢＰ１をマッチングボックス２から切り離すとともに接続点ＢＰ４をマッチングボックス２に接続する。この状態で、同様にインピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１０５を、測定位置ＰＲ２およびマッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に接続するとともに、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）として定義する。
【０１６４】
このとき、整合回路２Ａの入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）の測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図２０にＩRAで示すように、入力端子とされる測定位置ＰＲ３から、分岐点Ｂ４を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ４まで、つまり、以下のものが考えられる。
給電線１Ａにおける寄生抵抗Ｒ1A 
給電線１ＡにおけるインダクタンスＬ1A 
給電線１Ａにおける容量Ｃ1A 
導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1
導体Ｒ１におけるインダクタンスＬR1
ロードコンデンサ２２Ａの容量ＣLA
導体Ｒ６における寄生抵抗ＲR6
導体Ｒ６におけるインダクタンスＬR6
【０１６５】
これらの電気的高周波的要因のうち、整合回路２Ａの前記入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ２）としては、図２０に示すように、給電線１Ａにおける寄生抵抗Ｒ1A 、導体Ｒ１における寄生抵抗ＲR1、導体Ｒ６における寄生抵抗ＲR6、を測定することになる。
【０１６６】
同様にして、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢを測定するには、先ず、図１９に示すように、接続点ＢＰ４をマッチングボックス２から切り離すとともに、また、測定位置ＰＲ４から入力端子側交流抵抗ＲＢを測定する。ここで、プローブ１０５を、第１，第２実施形態と同様にして、測定位置ＰＲ４およびマッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを入力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）として定義する。
【０１６７】
このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）の測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図１９にＩRBで示すように、給電板３の出力端子とされる測定位置ＰＲ４から、分岐点Ｂ１を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ１まで、つまり、以下のものが考えられる。
給電板３における寄生抵抗Ｒ3 
給電板３におけるインダクタンスＬ3 
チューニングコンデンサ２４の容量ＣT
インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT
インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT 
ロードコンデンサ２２Ｂの容量ＣLB
導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2
導体Ｒ２におけるインダクタンスＬR1
【０１６８】
これらの電気的高周波的要因のうち、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）としては、図１９に示すように、導体Ｒ４における寄生抵抗ＲR4、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT、導体Ｒ２における寄生抵抗ＲR2、を測定することになる。
【０１６９】
次に、出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）として、図２０に示すように、接続点ＢＰ１をマッチングボックス２から切り離すとともに接続点ＢＰ４をマッチングボックス２に接続する。この状態で、同様にインピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮのプローブ１０５を、測定位置ＰＲ４およびマッチングボックス２のアース位置（接地電位部分）に接続するとともに、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば電力周波数ｆe と等しい４０．６８ＭＨｚ程度に設定して、整合回路２Ａの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定し、インピーダンスの復素表現における実部を算出して、これを出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）として定義する。
【０１７０】
このとき、整合回路２Ａの出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）の測定時に考慮されている電気的高周波的要因としては、図２０にＩRBで示すように、出力端子とされる測定位置ＰＲ４から、分岐点Ｂ４を経て、接地電位部分であるマッチングボックス２への接続点ＢＰ４まで、つまり、以下のものが考えられる。
給電板３における寄生抵抗Ｒ3 
給電板３におけるインダクタンスＬ3 
チューニングコンデンサ２４の容量ＣT
インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT
インダクタンスコイル２３におけるインダクタンスＬT 
導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5
導体Ｒ５におけるインダクタンスＬR5
ロードコンデンサ２２Ａの容量ＣLA
導体Ｒ６における寄生抵抗ＲR6
導体Ｒ６におけるインダクタンスＬR6
【０１７１】
これらの電気的高周波的要因のうち、整合回路２Ａの前記出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ２）としては、図２０に示すように、給電板３における寄生抵抗Ｒ3 、インダクタンスコイル２３における寄生抵抗ＲLT、導体Ｒ５における寄生抵抗ＲR5、導体Ｒ６における寄生抵抗ＲR6、を測定することになる。
【０１７２】
本実施形態のプラズマチャンバの整合回路２Ａにおいては、第２実施形態と同様に、測定された高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢが、プラズマチャンバの作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定する。具体的には、交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）が、それぞれプラズマチャンバの作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定するとともに、複数のプラズマチャンバにおいて、式（１４Ａ’）（１４Ａ”）（１４Ｂ’）（１４Ｂ”）に示すように、そのばらつきの値<ＲＡ><ＲＢ>を設定することで、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすることができる。
【０１７３】
さらに、本実施形態のプラズマチャンバの整合回路２Ａにおいては、上記のように（このときを時刻ｔ0 とする）測定された高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２）および出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）が、時間的にプラズマチャンバの作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定する。つまり、プラズマチャンバが分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後それが使用され被処理物のプラズマ処理が行われても、さらには、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されても、その時点（時刻ｔ1 ）において、その時の入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）1 ，ＲＡ（ＢＰ２）1 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）1 ，ＲＢ（ＢＰ２）1 が、それぞれ、ＲＡ（ＢＰ１）0 、ＲＡ（ＢＰ１）1 の差ΔＲＡ（ＢＰ１）の絶対値がＲＡ（ＢＰ１）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持され、ＲＡ（ＢＰ２）0 、ＲＡ（ＢＰ２）1 の差ΔＲＡ（ＢＰ２）の絶対値がＲＡ（ＢＰ２）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ（ＢＰ１）0 、ＲＢ（ＢＰ１）1 の差ΔＲＢ（ＢＰ１）の絶対値がＲＢ（ＢＰ１）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持され、ＲＢ（ＢＰ２）0 、ＲＢ（ＢＰ２）1 の差ΔＲＢ（ＢＰ２）の絶対値がＲＢ（ＢＰ２）0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持されている。そのために、もし、少なくともΔＲＡ（ＢＰ１），ΔＲＡ（ＢＰ２），ΔＲＢ（ＢＰ１），ΔＲＢ（ＢＰ２）の少なくとも一つが上記の所定の値以上となった場合は是正作業が行われる。
ここで、交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）を設定する方法としては、例えば、前述した▲１▼〜▲４▼等のような手法を適用することができる。
【０１７４】
本実施形態のプラズマ処理装置およびその検査方法においては、第１ないし第３実施形態と同等の効果を奏するとともに、整合回路２Ａの測定範囲に給電板３が含まれていることにより、実際に電力を供給する部分の寄生抵抗までも含めて設定することが可能となるため、プラズマチャンバが分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ処理）、あるいは調整作業が施された後においても、測定範囲に高周波電力配電体（給電板）３を含めない場合に比べて、整合回路２Ａだけでなく、高周波電力配電体（給電板）３も含めて複数のプラズマチャンバに対して、交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）を、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持することができるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値をＲＢ0 の０．４倍とされる所定の値より小さい値に維持することができる。そのため、ある時刻ｔ0 ，から時刻ｔ1 における時間が経過する間でも、電気的高周波的な特性の機差をさらになくすことが可能となり、個々のプラズマチャンバにおいて上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後で、電気的高周波的な特性の差をさらになくすことが可能となり、これにより、交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、容量、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内にそれぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６の状態をさらに時間的に維持することが可能となるので、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持することができ、これに同一のプロセスレシピを適用して、高周波電力配電体（給電板）３を含めない場合に比べて、さらに略同一性の高いプラズマ処理結果を得ることができる。
【０１７５】
なお、上記の各実施形態において、所定の値を時刻ｔ0 における値の０．５または０．４のいずれかを選択すること、および、測定範囲を設定するための測定位置を、それぞれ測定位置ＰＲ、ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４から選択することが可能である。
また、それぞれの、測定位置ＰＲにおいて、高周波特性測定器と、の切り替えをおこなうスイッチおよび測定用端子を、スイッチＳＷ１，ＳＷ１’ＳＷ５，測定用端子６１，６１’のように設けることも可能である。
また、これら、測定位置およびスイッチ測定用端子を、整合回路２５に対して設定することも可能である。
【０１７６】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムを第５実施形態として、図面に基づいて説明する。
［第５実施形態］
図２１は本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成図、図２２は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【０１７７】
図２１に示す性能管理システムは、サーバー２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサーバー２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２３０と、サーバー２１０に接続された搬送元の出力装置２４０とから構成されている。
【０１７８】
サーバー２１０は、プラズマ処理装置のメーカー、流通業者、メンテナンス業者等の搬送元が管理するもので、その設置場所も搬送元とすることが望ましい。また、このサーバー２１０は、同時に複数の納入先の入出力装置２２０に対してサービスを提供するための高速な処理能力を持った計算機と、多様なサービスと納入先のプラズマ処理装置に関する情報を格納するための大容量記憶装置を備えたものであることが望ましい、具体的には、大型計算機、高性能ワークステーション等がよい。
サーバー２１０は、計算機２１１およびこれに接続され後述する高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ0 （時刻ｔ0 における値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 （時刻ｔ0 における値）が記憶されている記憶装置２１２と、通信回線２３０と接続するための送受信手段２１３とから構成されている。また、このサーバー２１０に、搬送元に設置された出力装置２４０が接続されている。
【０１７９】
また、納入先の入出力装置２２０は、納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等が利用するもので、納入先に設置されるか、又は納入先に携帯されて利用される。この入出力装置は通信回線２３０を利用してサーバー２１０と信号の授受を行えるものであれば特に限定はなく、具体的にはパーソナルコンピュータ、専用端末機、電話機等が利用できる。
納入先入出力装置２２０は、本体２２１、および通信回線２３０と接続するための送受信手段２２３とから構成されている。
【０１８０】
通信回線２３０は、その媒体や形式に特に限定はなく、離間した地点におかれたサーバー２１０と入出力装置２２０との間で信号の授受ができるものであればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々の通信形式を活用できる。
【０１８１】
以下、図２１に基づきながら、図２２のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。
納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、納入先に納入された、あるいは使用中であるものとして、図１〜図２０に示した各実施形態と同様のプラズマ処理装置について、高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における値）を測定し、この値を入出力装置２２０から入力する（ステップ３０１）。
これらの入力された入力端子側交流抵抗ＲＡ1 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に送信される。
【０１８２】
これに対しサーバ２１０は、記憶装置２１２に格納された基準となる高周波特性として、図１〜図２０に示した各実施形態と同様のプラズマ処理装置に対応する入力端子側交流抵抗ＲＡ0 （時刻ｔ0 における値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ0 （時刻ｔ0 における値）の情報５００を呼び出し、これら値に基づき、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差の絶対値｜ΔＲＡ｜およびＲＢ0 、ＲＢ1 の差の絶対値｜ΔＲＢ｜を計算する（ステップ３０２）。
なお、基準となる高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ0 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ0 は、プラズマ処理装置を納入先に搬送するに先立ち分解をする前に、搬送元で設定した高周波特性値であって、図１〜図２０に示した各実施形態と同様に、例えば複数のプラズマチャンバの整合回路２Ａにおいてプラズマチャンバの作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定する。具体的には、交流抵抗ＲＡ，ＲＢが、それぞれプラズマチャンバの作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定するとともに、複数のプラズマチャンバにおいて、式（１４Ａ）（１４Ｂ）に示すように、そのばらつきの値<ＲＡ><ＲＢ>を設定することで、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にするような関係を満たす値である。
【０１８３】
次にサーバ２１０は、ステップ３０２で算出した｜ΔＲＡ｜と情報５００として呼び出したＲＡ0 とを比較するとともに、ステップ３０２で呼び出した｜ΔＲＢ｜と情報５００として呼び出したＲＢ0 とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、｜ΔＲＡ｜がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値であり、同時に、｜ΔＲＢ｜がＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値である場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する。また、｜ΔＲＡ｜か｜ΔＲＢ｜のいずれか一方がそれぞれの基準となる所定の値より大きい値である場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していないと判断する（ステップ３０３）。
【０１８４】
次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ３０４）。
この内、入出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したりする。具体的には、所定の性能を維持していると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのままご使用ください。」といったメッセージを、所定の信号を維持していないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサービスマン等に伝えられるようにする。
また、出力装置２４０に対しても、所定の信号を維持していないと判断した場合に、プリントアウトや画面表示、信号出力等の指令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信したりする。そして、出力装置２４０から、プリントアウト、画面表示、信号出力、あるいは警報音等の保守作業命令を出力する。なお、搬送元において、いずれの納入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するために、入出力装置２２０からプラズマチャンバの固有番号を受信し、これを出力装置２４０から出力することが望ましいが、単一のプラズマチャンバを有するプラズマ処理装置の場合には入出力装置２２０の固有番号、例えばアドレス番号や電話番号等から判断して、その判断結果を出力装置２４０から出力してもよい。
【０１８５】
この結果、納入先の顧客や納入先を訪問したサービスマン等は、プラズマ処理装置を実際に動作させて成膜された基板を検査するという作業を行うことなく、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価することができる。
しかも、処理をおこなった基板の評価によりそれぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにそれぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６の評価を、しかも、それぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６が設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数のプラズマ処理装置あるいはそれぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６を有するプラズマ処理装置７１，９１の場合についても、結果をほぼ同時に得ることができる。
このため、製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上することができる。また、このような調整に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０１８６】
また、搬送元のメーカー等においては、納入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、顧客に対するアフタサービス体制を充実させることができる。
【０１８７】
なお、本実施形態のように、サーバー２１０が、納入先の入出力装置２２０と搬送元の出力装置２４０との双方に評価情報を提供する場合、両評価情報の基礎となる所定の値は必ずしも同一の値でなくともよい。例えば、納入先入出力装置に発信する評価情報については、所定の値を｜ΔＲＡ｜にはＲＡ0 の０．５倍で、｜ΔＲＢ｜にはＲＢ0 の０．５倍とし、｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜とのどちらか一方がこの値を越えたときに所定の性能を維持していない旨の信号を発信し、一方、搬送元の出力装置には、所定の値を｜ΔＲＡ｜にはＲＡ0 の０．４倍で、｜ΔＲＢ｜にはＲＢ0 の０．４倍として、｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜とのどちらか一方がこの値を越える場合に保守作業命令を出力するようにしても良い。このように、搬送元の出力装置に対して、納入先入出力装置に対するよりも厳しい評価基準に基づき保守作業命令が出される場合には、納入先のプラズマ処理装置の性能が大きく変動する以前に搬送元による保守サービスを行うことができる。すなわち、より先手を打った保守体制を確立することができる。
【０１８８】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムを第６実施形態として、図面に基づいて説明する。
［第６実施形態］
図２３は本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。なお、図において、図２２と同一の構成要素には、同一の符号を附してその説明を省略する。
【０１８９】
本実施形態における性能管理システムが、図２２に示す第５実施形態における性能管理システムと異なる点は、対象となるプラズマ処理装置が図１１ないし図１４に示す第２実施形態および図１８ないし図２０に示す第４実施形態のように、整合回路２Ａに複数の接続点を有するタイプとされる点と、これに付随して、演算し評価する高周波特性に関する点のみであり、これ以外の略同一の点に関しては説明を省略する。
【０１９０】
サーバー２１０は、計算機２１１およびこれに接続され後述する高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）0 ，ＲＡ（ＢＰ２）0 （時刻ｔ0 における値），出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）0 ，ＲＢ（ＢＰ２）0 （時刻ｔ0 における値）が記憶されている記憶装置２１２と、通信回線２３０と接続するための送受信手段２１３とから構成されている。また、このサーバー２１０に、搬送元に設置された出力装置２４０が接続されている。
【０１９１】
以下、図２１に基づきながら、図２３のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。
納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、納入先に納入された、あるいは使用中であるものとして、図１１ないし図１４に示す第２実施形態および図１８ないし図２０に示す第４実施形態と同様のプラズマ処理装置について、高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）1 ，ＲＡ（ＢＰ２）1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）1 ，ＲＢ（ＢＰ２）1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における値）を測定し、この値を入出力装置２２０から入力する（ステップ３０１）。
これらの入力された入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）1 ，ＲＡ（ＢＰ２）1 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）1 ，ＲＢ（ＢＰ２）1 の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に送信される。
【０１９２】
これに対しサーバ２１０は、記憶装置２１２に格納された基準となる高周波特性として、上記のプラズマ処理装置に対応する入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）0 ，ＲＡ（ＢＰ２）0 （時刻ｔ0 における値），出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）0 ，ＲＢ（ＢＰ２）0 （時刻ｔ0 における値）の情報５００を呼び出し、これら値に基づき、ＲＡ（ＢＰ１）0 、ＲＡ（ＢＰ１）1 の差の絶対値｜ΔＲＡ（ＢＰ１）｜，ＲＡ（ＢＰ２）0 、ＲＡ（ＢＰ２）1 の差の絶対値｜ΔＲＡ（ＢＰ２）｜およびＲＢ（ＢＰ１）0 、ＲＢ（ＢＰ１）1 の差の絶対値｜ΔＲＢ（ＢＰ１）｜，ＲＢ（ＢＰ２）0 、ＲＢ（ＢＰ２）1 の差の絶対値｜ΔＲＢ（ＢＰ２）｜を計算する（ステップ３０２）。
なお、基準となる高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１）0 ，ＲＡ（ＢＰ２）0 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ（ＢＰ１）0 ，ＲＢ（ＢＰ２）0 は、プラズマ処理装置を納入先に搬送するに先立ち分解をする前に、搬送元で設定した高周波特性値であって、図１１ないし図１４に示す第２実施形態および図１８ないし図２０に示す第４実施形態と同様に、例えば複数のプラズマチャンバの整合回路２Ａにおいてプラズマチャンバの作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定する。具体的には、交流抵抗ＲＡ（ＢＰ１），ＲＡ（ＢＰ２），ＲＢ（ＢＰ１），ＲＢ（ＢＰ２）が、それぞれプラズマチャンバの作動状態に適した所定の範囲の値になるように設定するとともに、複数のプラズマチャンバにおいて、式（１４Ａ’）（１４Ａ”）（１４Ｂ’）（１４Ｂ”）に示すように、そのばらつきの値<ＲＡ><ＲＢ>を設定することで、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にするような関係を満たす値である。
【０１９３】
次にサーバ２１０は、ステップ３０２で算出した｜ΔＲＡ（ＢＰ１）｜と情報５００として呼び出したＲＡ（ＢＰ１）0 とを比較し、ステップ３０２で算出した｜ΔＲＡ（ＢＰ２）｜と情報５００として呼び出したＲＡ（ＢＰ２）0 とを比較し、ステップ３０２で呼び出した｜ΔＲＢ（ＢＰ１）｜と情報５００として呼び出したＲＢ（ＢＰ１）0 とを比較し、ステップ３０２で呼び出した｜ΔＲＢ（ＢＰ２）｜と情報５００として呼び出したＲＢ（ＢＰ２）0 とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、｜ΔＲＡ（ＢＰ１）｜がＲＡ（ＢＰ１）0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値であり、｜ΔＲＡ（ＢＰ２）｜がＲＡ（ＢＰ２）0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値であり、同時に、｜ΔＲＢ（ＢＰ１）｜がＲＢ（ＢＰ１）0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値であり、｜ΔＲＢ（ＢＰ２）｜がＲＢ（ＢＰ２）0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値である場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する。また、｜ΔＲＡ（ＢＰ１）｜，｜ΔＲＡ（ＢＰ２）｜，｜ΔＲＢ（ＢＰ１）｜，｜ΔＲＢ（ＢＰ２）｜のいずれか１つの値がそれぞれの基準となる所定の値より大きい値である場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していないと判断する（ステップ３０３）。
【０１９４】
次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ３０４）。これ以後のステップは、第２実施形態と同様におこなわれる。
【０１９５】
本実施形態の性能管理システムにおいては、整合回路２Ａに複数の接続点を有するタイプとされるプラズマ処理装置の性能管理をおこなえるとともに、整合回路２Ａに単一の接続点を有する場合には｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜との２つの基準により所定の性能を満たすか否かを判断するのに比べて、｜ΔＲＡ（ＢＰ１）｜，｜ΔＲＡ（ＢＰ２）｜，｜ΔＲＢ（ＢＰ１）｜，｜ΔＲＢ（ＢＰ２）｜という４つの基準から所定の性能を満たすか否かを判断することができるために、より一層細かくプラズマチャンバの性能評価をおこなうことが可能となる。
【０１９６】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムを第７実施形態として、図面に基づいて説明する。
［第７実施形態］
図２４は本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成図、図２５は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。なお、両図において、図２１及び図２２と同一の構成要素には、同一の符号を附してその説明を省略する。
【０１９７】
図２４に示す性能管理システムは、サーバー２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサーバー２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２３０と、サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とに加えて、図１５ないし図１７に示す第３実施形態と同様の構成とされるプラズマ処理装置２５０と、このプラズマ処理装置２５０に接続された高周波特性を測定するインピーダンス測定器（高周波特性測定器）２６０とから構成されている。
【０１９８】
本実施形態では、高周波特性測定器２６０の出力端子が入出力装置２２０に接続され、高周波特性測定器２６０で測定されたプラズマ処理装置２５０の高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ、出力端子側交流抵抗ＲＢが、入出力装置２２０及び通信回線２３０を介して、人手による入力作業を経ることなく、直接サーバー２１０に送信されるようになっている。また、入出力装置２２０は、プラズマチャンバの固有番号Ｓの入力を受けると、高周波特性測定器２６０の測定結果を読みとるようにプログラムされている。
【０１９９】
以下、図２４を参照しながら、図２５のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。
納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、予め容量測定器２６０を入出力装置２２０に接続した上で、納入先に納入された、あるいは使用中のプラズマ処理装置について、プラズマチャンバの固有番号Ｓを入出力装置２２０から入力する。このとき、プラズマチャンバの高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における値）の測定値が、入出力装置２２０のプログラムに従い、自動的に高周波特性測定器２６０から入出力装置２２０に入力される。（ステップ４０１）。
この入力された固有番号Ｓ，入力端子側交流抵抗ＲＡ1 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の値は、通信回線２３０を通じてサーバー２１０に送信される。
【０２００】
これに対しサーバー２１０は、記憶装置２１２に格納された高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ0 （時刻ｔ0 における値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ0 （時刻ｔ0 における値）の情報の中から、固有番号Ｓに対応する固有入力端子側交流抵抗ＲＡ0 や固有出力端子側交流抵抗ＲＢ0 の情報６００を呼び出し、この値に基づき、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差の絶対値｜ΔＲＡ｜およびＲＢ0 、ＲＢ1 の差の絶対値｜ΔＲＢ｜を計算する（ステップ４０２）。
ここで、固有ＲＡ0 、ＲＢ0 は、固有番号Ｓと１対１の関係で記憶装置２１２に格納されたもの、すなわち、各々のプラズマチャンバ毎に設定した、あるいは、製造時等に実際に測定したプラズマチャンバ個別の高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ0 、出力端子側交流抵抗ＲＢ0 （時刻ｔ0 における値）値である。
【０２０１】
次にサーバ２１０は、ステップ４０２で算出した｜ΔＲＡ｜と情報６００として呼び出したＲＡ0 とを比較するとともに、ステップ４０２で呼び出した｜ΔＲＢ｜と情報６００として呼び出したＲＢ0 とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、｜ΔＲＡ｜が固有入力端子側交流抵抗ＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値であり、同時に、｜ΔＲＢ｜が固有出力端子側交流抵抗ＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値である場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する。また、｜ΔＲＡ｜か｜ΔＲＢ｜のいずれか一方がそれぞれの基準となる所定の値より大きい値である場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していないと判断する（ステップ４０３）。
【０２０２】
次にサーバー２１０は、上記性能評価の結果を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ４０４）。
この内、入出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したりする。具体的には、所定の性能を維持していると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのままご使用ください。」といったメッセージを、所定の信号を維持していないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサービスマン等に伝えられるようにする。
また、サーバー２１０は、出力装置２４０に対しても、プリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信したりする。具体的には、所定の信号を維持していないと判断した場合に、保守作業命令を送信する。なお、搬送元において、いずれの納入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するために、サーバー２１０から出力装置２４０に対してプラズマ処理室の固有番号も同時に提供される。
【０２０３】
本実施形態のプラズマ処理装置の管理システムにおいては、第５実施形態と同等の効果を奏するとともに、固有番号Ｓ毎に実際の値を記憶することで、より精密な管理が可能となる。また、出力装置２４０に保守作業命令と共に固有番号２４０の情報が提供されるので、搬送元において、何れのプロセス処理装置に問題が生じたか、あるいは何れのプロセス処理装置のいずれのプロセス処理室に問題が生じたか等を直ちに把握できる。
【０２０４】
さらに、本実施形態では、高周波特性測定器２６０の出力端子が入出力装置２２０に接続され、高周波特性測定器２６０で測定されたプラズマ処理装置２５０の高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ、出力端子側交流抵抗ＲＢが、入出力装置２２０及び通信回線２３０を介して、直接サーバー２１０に送信されるようになっており、入出力装置２２０がプラズマチャンバの固有番号Ｓの入力を受けると、高周波特性測定器２６０の測定結果を読みとるようにプログラムされているため、プラズマチャンバの高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ1 、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の測定値が、入出力装置２２０のプログラムに従い、自動的に高周波特性測定器２６０から入出力装置２２０に入力されその後の性能評価を自動的に行うことができる。これにより、あらかじめ設定した所定の時間が経過した時点において、入力端子側交流抵抗ＲＡ1 、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の測定を自動的におこなうことや、所定の回数のプラズマ処理がおこなわれた時点で、入力端子側交流抵抗ＲＡ1 、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の測定を自動的におこなうことができる。従って、プラズマ処理装置の操作者は、装置のメンテナンスに対するメッセージに注意するだけで、自ら高周波特性を測定することなく一定の管理幅内にプラズマ処理装置の性能を維持するしているか否かを判断することができる。
【０２０５】
なお、複数のプラズマ処理室を備えたプラズマ処理装置やプラズマ処理装置を複数備えたプラズマ処理システムにおいては、各々のプラズマ処理室の動作条件を揃え、同一のプロセスレシピで同等の成膜特性を得るために、同等の高周波特性を設定することが望ましい。そのため、固有入力端子側交流抵抗ＲＡ0 や固有出力端子側交流抵抗ＲＢ0 は、プロセス処理室間でバラツキなく設定することが望ましいが、納入先の事情等種々の要因により他のプロセス処理装置と大きく異なる値を設定しても差し支えない。
【０２０６】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムを第８実施形態として、図面に基づいて説明する。
［第８実施形態］
本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成もまた、第７実施形態の図２４で示される。
本実施形態と第７実施形態との構成上の相違は、サーバー２１０が、エンジニア情報６０１として、各々所定の値の範囲によって決められた故障レベルを含む状態レベルと、故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報を記憶しているものである点である。表１は、エンジニア情報６０１の一例を示すものである。
【０２０７】
【表１】
0003670209.tif 000006
【０２０８】
以下、図２４を参照しながら、図２６のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。
図２６は本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。図２６のフローチャートにおけるステップ５０１及びステップ５０２は、各々図２５のステップ４０１、４０２と同一なのでその説明を省略する。
【０２０９】
ステップ５０２で｜ΔＲＡ｜，｜ΔＲＢ｜を求めた後、サーバー２１０は、｜ΔＲＡ｜および｜ΔＲＢ｜をそれぞれエンジニア情報６０１に照らして、どの状態レベルにあるかを評価する。そして、｜ΔＲＡ｜，｜ΔＲＢ｜のレベルが、いずれかの故障レベルであると評価した際は、当該故障レベルに対応してエンジニア情報６０１に登録されているサービスエンジニアの情報を呼び出す。（ステップ５０３）。
なお、表１において、｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜がそれぞれ所定の値に対してどのレベルにあるかは、それぞれ、式（２０Ａ）（２０Ｂ）
｜ΔＲＡ｜  ；  Ｃ×ＲＡ0                 （２０Ａ）
｜ΔＲＢ｜  ；  Ｃ×ＲＢ0                 （２０Ｂ）
における係数Ｃの値を示している。
【０２１０】
次にサーバー２１０は、上記性能評価の結果として、状態レベルを納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ５０４）。
この内、入出力装置２２０に対しては、状態レベル（故障レベル）をプリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したりすることにより発信する。
具体的には、状態レベルは「最良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのままご使用ください。」といったメッセージを、状態レベルは「良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますが、そろそろ点検が必要です。」といったメッセージを、状態レベルが何れかの故障レベルであると判断した場合には、例えば「ご照会の装置は、故障レベル２に該当します。性能が適切に維持されていない恐れがありますので、サービスエンジニアに調整を依頼してください。」といったメッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサービスマン等に伝えられるようにする。
【０２１１】
また、サーバー２１０は、出力装置２４０に対しては、状態レベルがいずれかの故障レベルに該当する場合、状態レベルだけでなく、当該故障レベルに対応したサービスエンジニアの情報と共に保守作業命令を出力する。
この場合、たとえば、故障レベル１の場合には○○○，×××といった特定された技術を有するエンジニアを指定するとともに、故障レベルに対応して、派遣指示するエンジニアを指定できるようになっている。このエンジニアの指定情報に関しては、搬送元の出力装置２４０のみに出力することが好ましい。
【０２１２】
本実施形態のプラズマ処理装置の管理システムによれば、搬送元において、保守作業命令が出力されると共に、どの程度の故障レベルかや、その故障レベルに応じてランク分けされたサービスエンジニアの情報も出力される。
そのため、このシステムによれば、遠隔地に納入したプラズマ処理装置であっても、搬送元において、その故障レベルを把握することができる。そして、その故障レベルに応じて、教育訓練度合の異なるサービスエンジニアを派遣することができる。従って、人材活用が合理化できると共に、迅速、かつ、的確なサポートが可能となる。すなわち、装置納入後のフィールドサポート体制の合理化が可能となるものである。
本管理システムの対象となるプラズマ処理装置に特に限定はなく、上記の各実施形態において示したプラズマ処理装置、および、後述する実施形態において示したプラズマ処理装置、又は後述するプラズマ処理システムにおける各プラズマ処理装置等も対象となる。
【０２１３】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能確認システムの他の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明では、購入発注者を単に発注者、また販売保守者を単に保守者という。
図２７は本実施形態のプラズマ処理装置の性能確認システムのシステム構成図である。
【０２１４】
この図において、参照符号Ｃ1 ，Ｃ2 ，……はクライアント・コンピュータ（以下、単にクライアントという）、Ｓはサーバ・コンピュータ（性能状況情報提供手段，以下単にサーバという）、Ｄはデータベース・コンピュータ（基準情報記憶手段，以下単にデータベースという）、またＮは公衆回線である。クライアントＣ1 ，Ｃ2 ，……とサーバＳとデータベースＤとは、この図に示すように公衆回線Ｎを介して相互に接続されている。
【０２１５】
クライアントＣ1 ，Ｃ2 ，……は、一般に広く普及しているインターネットの通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ等）を用いてサーバＳと通信する機能（通信機能）を備えたものである。このうち、クライアントＣ1 （発注者側情報端末）は、発注者が保守者に発注したプラズマ処理装置またはプラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムのプラズマチャンバの性能状況を公衆回線Ｎを介して確認するためのコンピュータであり、サーバＳが保持する「プラズマチャンバの性能情報提供ページ」を情報提供ページ（Ｗｅｂページ）として閲覧する機能（プラズマチャンバの性能状況情報閲覧機能）を備えたものである。また、クライアントＣ2 （保守者側情報端末）は、保守者が上記「性能状況情報」の一部である「第１直列共振周波数ｆ0 情報」をサーバＳにアップロードするとともに、クライアントＣ1 を介して発注者から発せられた電子メールを受信するためのものである。
ここで、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムは、上記の各実施形態に準じる構成とされ、これらと同様のプラズマ処理ユニット（プラズマチャンバ）を有する構成とされるとともに、チャンバ数等の構成条件は、任意に設定可能なものとされる。
【０２１６】
上記サーバＳの通信機能は、公衆回線Ｎがアナログ回線の場合にはモデムによって実現され、公衆回線ＮがＩＳＤＮ（Integrated Services Digital Network）等のデジタル回線の場合には専用ターミナルアダプタ等によって実現される。サーバＳは、性能状況情報提供用のコンピュータであり、上記クライアントＣ1 から受信される閲覧要求に応じて、性能状況情報をインターネットの通信プロトコルを用いてクライアントＣ1 に送信する。ここで、上述した発注者が保守者からプラズマ処理装置を納入された時点では、性能状況情報を閲覧するための個別の「閲覧専用パスワード」が保守者から個々の発注者に提供されるようになっている。このサーバＳは、正規な閲覧専用パスワードが提供された場合のみ、性能状況情報のうち動作保守状況情報をクライアントＣ1 に送信するように構成されている。
【０２１７】
ここで、具体的詳細については後述するが、上記「性能状況情報」は、保守者の販売するプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズマチャンバの機種に関する情報、各機種における仕様書としての品質性能情報、納入された各実機における品質性能を示すパラメータの情報、および、このパラメータ、メンテナンスの履歴情報等から構成されている。
このうち、各実機における品質性能、パラメータ、メンテナンスの履歴情報については、「閲覧専用パスワード」が提供された発注者のみに閲覧可能となっている。
【０２１８】
また、これら「性能状況情報」は、保守者または発注者からサーバＳに提供されるとともに実際の動作・保守状況を示す「動作保守状況情報」と、データベースＤに蓄積されると共にカタログとして未購入のクライアントが閲覧可能な「性能基準情報」とから構成されるものである。「性能基準情報」は、保守者が各プラズマチャンバによっておこなうプラズマ処理に対して客観的に性能を記述するためのものであり、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状態を予測可能とするものである。
【０２１９】
本実施形態では、これら「性能基準情報」は、データベースＤに蓄積されるようになっている。
サーバＳは、クライアントＣ1 から受信される「性能状況情報」の閲覧要求に対して、データベースＤを検索することにより必要な「性能基準情報」を取得して、「性能状況情報提供ページ」として発注者のクライアントＣ1 に送信するように構成されている。また、サーバＳは、「閲覧専用パスワード」が提供された発注者から受信される「性能状況情報」の閲覧要求に対しては、同様に、データベースＤを検索することにより必要な「性能基準情報」を取得するとともに、当該「性能基準情報」にクライアントＣ2 を介して保守者から提供された「動作保守状況情報」を組み合わせて「性能状況情報」を構成し、「性能状況情報提供ページ」として発注者のクライアントＣ1 に送信するように構成されている。
【０２２０】
データベースＤは、このような「性能状況情報」を構成する「性能基準情報」をプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムのプラズマチャンバの機種毎に記憶蓄積するものであり、サーバＳから受信される検索要求に応じてこれら「性能基準情報」を読み出してサーバＳに転送する。図２７では１つのサーバＳのみを示しているが、本実施形態では、汎用性のある「性能基準情報」を保守者が複数箇所から管理する複数のサーバ間で共通利用することが可能なように、これらサーバとは個別のデータベースＤに「性能基準情報」を蓄積するようにしている。
【０２２１】
次に、このように構成されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムの動作について、図２８に示すフローチャートに沿って詳しく説明する。なお、このフローチャートは、上記サーバＳにおける「性能状況情報」の提供処理を示すものである。
【０２２２】
通常、保守者は、不特定の発注者に対して販売するプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバの「性能状況情報」、特に「性能基準情報」を購入時の指標として提示することになる。一方、発注者は、この「性能基準情報」によってプラズマチャンバＣＮにどのような性能、つまりどのようなプラズマ処理が可能なのかを把握することができる。
【０２２３】
また、保守者は、特定の発注者に対して納入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズマチャンバの「性能状況情報」のうち、「性能基準情報」を使用時の指標として提示するとともに、「動作保守状況情報」を動作状態のパラメータとして提示することになる。一方、ユーザーとしての発注者は、「性能基準情報」と「動作保守状況情報」とを比較することによってプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバの動作確認をおこなうとともにメンテナンスの必要性を認識し、かつ、プラズマ処理状態の状態を把握することができる。
【０２２４】
例えば、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保守者から購入しようとする発注者は、サーバＳにアクセスすることにより、以下のようにして自らが購入しようとするプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの「性能状況情報」の実体を容易に確認することができる。
【０２２５】
まず、発注者がアクセスしようとした場合には、予め設定されたサーバＳのＩＰアドレスに基づいてクライアントＣ1 からサーバＳに表示要求が送信される。一方、サーバＳは、上記表示要求の受信を受信すると（ステップＳ１）、カタログページＣＰをクライアントＣ1 に送信する（ステップＳ２）。
図２９は、このようにしてサーバＳからクライアントＣ1 に送信されたメインページＣＰの一例である。このカタログページＣＰには、保守者が販売する多数の機種毎にその「性能状況情報」のうち「性能基準情報」を表示するための機種選択ボタンＫ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４…、と、後述するように、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保守者から納入された発注者の使用するカスタマーユーザ画面の表示要求をするためのカスタマーユーザボタンＫ４から構成されている。
【０２２６】
例えば、発注者がクライアントＣ1 に備えられたポインティングデバイス（例えばマウス）等を用いることによって上記プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの機種を選択指定した後、機種選択ボタンＫ１〜Ｋ４…のいずれかを選択指定すると、この指示は、「性能状況情報」のうち「性能基準情報」の表示要求としてサーバＳに送信される。
【０２２７】
この表示要求を受信すると（ステップＳ３）、サーバＳは、選択された機種のうち、表示要求された情報に該当するサブページをクライアントＣ1 に送信する。すなわち、サーバＳは、「性能基準情報」の表示が要求された場合（Ａ）、図３０に示すような選択された機種を指定することによってデータベースＤから「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータ、およびこれらのデータにおけるプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム毎の、各パラメータのばらつきの値のデータを取得し、これらの掲載された仕様書ページＣＰ１をクライアントＣ1 に送信する（ステップＳ４）。
【０２２８】
仕様書ページＣＰ１には、図３０に示すように、選択された機種を示す機種種別Ｋ６、真空性能表示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０から構成されている。これらは、選択された機種のプラズマチャンバにおける「性能基準情報」に対応するものであり、それぞれ、
真空性能表示欄Ｋ７には、
到達真空度  １×１０-4Ｐａ以下
操作圧力    ３０〜３００Ｐａ
給排気性能表示欄Ｋ８には、
0003670209.tif 000007
排気特性  ５００ＳＣＣＭ流して２０Ｐａ以下
温度性能表示欄Ｋ９には、
ヒータ設定温度    ２００〜３５０±１０℃
チャンバ設定温度  ６０〜８０±２．０℃
の項目が記載されている。
ここで、ＳＣＣＭ(standard cubic centimeters per minute) は、標準状態（０℃、１０１３ｈＰａ）に換算した際におけるガス流量を表しており、ｃｍ3／ｍｉｎ に等しい単位を表している。
【０２２９】
そしてこれらのパラメータＰに対して、それぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれのパラメータＰのうちその最大値Ｐmax と最小値Ｐmin のばらつきを、以下の式（１０Ｂ）
（Ｐmax −Ｐmin ）／（Ｐmax ＋Ｐmin ）            （１０Ｂ）
として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそれぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０２３０】
また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０には、前述した第１〜第５実施形態で説明した入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの値、および、このばらつきの設定範囲が記載される。また、これ以外にも、電力周波数ｆe におけるプラズマチャンバのレジスタンスＲおよびリアクタンスＸ、そして、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８間のプラズマ容量Ｃ0 、プラズマ励起電極４と、プラズマチャンバの接地電位とされる各部との間のロス容量ＣX 、そして、後述する第１直列共振周波数ｆ0 等の値が記載される。また、仕様書ページＣＰ１には、「プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの納入時においては各パラメータ値がこのページに記載された設定範囲内にあることを保証します」という性能保証の文言が記載される。
【０２３１】
これにより、従来は、考慮されていなかったプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの全体的な電気的高周波的な特性およびプラズマチャンバの電気的特性のばらつきを購入時の新たなる指標として提示することができる。また、クライアントＣ1 またはクライアントＣ2 において、これら性能状況情報をプリンタ等に出力しハードコピーを作ることにより、上記の性能状況情報内容の記載されたカタログまたは仕様書として出力することが可能である。さらに、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢ、第１直列共振周波数ｆ0 、レジスタンスＲ、アクタンスＸ、容量Ｃ0 ，ＣX 等の値および上記性能保証の文言をクライアントＣ1 …の端末、カタログまたは仕様書等に提示することにより、発注者が、電機部品を吟味するようにプラズマチャンバＣＮの性能を判断して保守者から購入することが可能となる。
【０２３２】
なお、サーバＳは、このようなサブページのクライアントＣ1 への送信が完了した後に、クライアントＣ1 から接続解除要求が受信されない場合は（ステップＳ５）、次のサブページの表示要求を待って待機し（ステップＳ３）、一方、クライアントＣ1 から接続解除要求が受信された場合には（ステップＳ５）、当該クライアントＣ1 との交信を終了する。
【０２３３】
ここで、第１直列共振周波数ｆ0 の定義について説明する。
まず、プラズマチャンバのインピーダンスの周波数依存性を計測する。このとき、前述したようにプラズマチャンバのインピーダンス測定範囲を規定し、このインピーダンス測定範囲に対して、供給する電力周波数ｆe を含む範囲で測定周波数を変化させてインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定することにより、プラズマチャンバのインピーダンスの周波数依存性を計測する。ここで、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の値に設定される電力周波数ｆe に対応して、測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の範囲に設定する。
ついで、測定周波数に対してインピーダンスＺと位相θをプロットしてインピーダンス特性曲線および位相曲線を描画し、インピーダンスＺの極小値のうち周波数の最小のもの、つまり、測定周波数の低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波数ｆ0 として定義したものである。
【０２３４】
一方、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保守者から納入した発注者は、サーバＳにアクセスすることにより、以下のようにして自らが購入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズマチャンバの「性能状況情報」の実体を容易に確認することができる。
この発注者は保守者と売買契約を締結した時点で、発注者個別に対応するとともに、購入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの機種番号、およびそれぞれのプラズマチャンバの機種番号にも対応可能なカスタマーユーザＩＤと、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの「動作保守状況情報」を閲覧するための個別の「ユーザー専用パスワード（閲覧専用パスワード）」が保守者から個々の発注者に提供されるようになっている。このサーバＳは、正規な閲覧専用パスワードが提供された場合のみ、「動作保守状況情報」をクライアントＣ1 に送信するように構成されている。
【０２３５】
まず、発注者がアクセスしようとした場合には、前述のカタログページＣＰにおいて、カスタマーユーザボタンＫ５を指定操作することにより、発注者はカスタマーユーザ画面の表示要求をサーバＳに送信する。
一方、サーバＳは、上記表示要求の受信を受信すると（ステップＳ３−Ｂ）、当該発注者に対して、「閲覧専用パスワード」の入力を促す入力要求としてのサブページをクライアントＣ1 に送信する（ステップＳ６）。図３１はカスタマーユーザページＣＰ２を示すものであり、このカスタマーユーザページＣＰ２はカスタマーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１、およびパスワード入力欄Ｋ１２から構成される。
【０２３６】
この入力要求としてのカスタマーユーザページＣＰ２はクライアントＣ1 に表示されるので、発注者は、当該入力要求に応答してプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの識別を可能とするために、保守者から供与された「閲覧専用パスワード」を「カスタマーユーザＩＤ」とともにクライアントＣ1 に入力することになる。
ここで、発注者は、図３１に示すカスタマーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１およびパスワード入力欄Ｋ１２に、それぞれ、カスタマーコードＩＤとパスワードを入力する。サーバＳは、クライアントＣ1から正規の「カスタマーユーザＩＤ」および「閲覧専用パスワード」が受信された場合のみ（ステップＳ７）、当該「閲覧専用パスワード」に予め関連付けられた「動作保守状況情報」のサブページをクライアントＣ1 に送信する（ステップＳ９）。
【０２３７】
すなわち、「動作保守状況情報」の閲覧は、上記プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの購入契約を締結した特定の発注者のみ、つまり正規の「閲覧専用パスワード」を知り得るもののみに許可されるようになっており、当該発注者以外の第３者がサーバＳにアクセスしても「動作保守状況情報」を閲覧することができない。通常、保守者は同時に多数の発注者との間で納入契約を締結するとともに、各々の発注者へ複数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの納入を同時に並行して行う場合があるが、上記「閲覧専用パスワード」は、個々の発注者毎および各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバ毎に相違するものが提供されるので、個々の発注者は、各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバに対して、それぞれ自らに提供された「閲覧専用パスワード」に関連付けられた「動作保守状況情報」を個別に閲覧することができる。
【０２３８】
したがって、納入に係わる秘密情報が発注者相互間で漏洩することを確実に防止することができるとともに、複数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムが納入された場合にでもそれぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバを個別に識別可能とすることができる。なお、サーバＳは、正規の「閲覧専用パスワード」が受信されない場合には（ステップＳ７）、接続不許可メッセージをクライアントＣ1 に送信して（ステップＳ８）、発注者に「閲覧専用パスワード」を再度入力するように促す。発注者が「閲覧専用パスワード」を誤入力した場合には、この機会に正規の入力を行うことにより「動作保守状況情報」を閲覧することができる。
【０２３９】
このＩＤ、パスワードが確認されると（ステップＳ７）、サーバＳは、表示要求された情報に該当するサブページをデータベースＤから読み出してクライアントＣ1 に送信する。すなわち、サーバＳは、ユーザＩＤによって識別された個別のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバに対する「性能基準情報」「動作保守状況情報」の表示が要求された場合、機種を指定することによってデータベースＤから「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これらの掲載された仕様書ページＣＰ３をクライアントＣ1 に送信する（ステップＳ９）。
【０２４０】
図３２は、このようにしてサーバＳからクライアントＣ1 に送信された「動作保守状況情報」のサブページＣＰ３である。このメンテナンス履歴ページＣＰ３には、図３２に示すように、納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの機械番号を示すロット番号表示Ｋ１３、真空性能表示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０、そして、真空性能メンテナンス欄Ｋ１４、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１５、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６、プラズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７から構成されている。これらは、納入された実機の「動性能基準情報」および「動作保守状況情報」に対応するものであり、それぞれ、
真空性能表示欄Ｋ７、真空性能メンテナンス欄Ｋ１４には、
到達真空度  １．３×１０-5Ｐａ以下
操作圧力    ２００Ｐａ
給排気性能表示欄Ｋ８、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１５には、
0003670209.tif 000008
排気特性  ６．８×１０-7Ｐａ・ｍ3／ｓｅｃ
温度性能表示欄Ｋ９、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６には、
ヒータ設定温度    ３０２．３±４．９℃
チャンバ設定温度  ８０．１±２．１℃
の項目が記載されている。
【０２４１】
そしてこれらのパラメータＰに対して、それぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれのパラメータＰのうちその最大値Ｐmax と最小値Ｐmin のばらつきを、以下の式（１０Ｂ）
（Ｐmax −Ｐmin ）／（Ｐmax ＋Ｐmin ）            （１０Ｂ）
として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそれぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０２４２】
またこのパラメータＰとしての高周波特性Ｐにおける、時刻ｔ0 （販売前の初期時）とその後の時刻ｔ1 （納入販売後の接地完了時または各処理動作終了時）における値Ｐ0 、Ｐ1 の差ΔＰの絶対値は、プラズマ処理装置の性能変動幅と密接な関連を有すること、及びこの値が所定の値よりも小さければ、性能変動幅も所定の範囲内であると見なせることを見いだし、このΔＰの絶対値と所定の値を比較することにより、プラズマ処理装置の性能評価を可能とした。
【０２４３】
さらに、このサブページＣＰ３には、各プラズマチャンバ毎のメンテナンス欄を表示するための「詳細」ボタンＫ１８が各メンテナンス履歴欄Ｋ１４，Ｋ１５，Ｋ１６，Ｋ１７ごとに設けられ、発注者が、当該情報を閲覧可能となっている。
【０２４４】
発注者が、当該詳細欄により表示要求をおこなった場合には、メンテナンス履歴の詳細情報の記載されたメンテナンス詳細ページＣＰ４がデータベースＤからクライアントＣ1 に送信する。
【０２４５】
図３３は、このようにしてサーバＳからクライアントＣ1 に送信された「詳細メンテナンス情報」のサブページＣＰ４である。
図には電気性能メンテナンスのページを示している。
このメンテナンス履歴ページＣＰ４には、図３３に示すように、納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの機械番号を示すロット番号表示Ｋ１３、選択された各メンテナンス欄が表示される。ここで、各メンテナンス欄としては、各プラズマチャンバに対応するパラメータＰのメンテナンス時の値と、これらのパラメータＰのばらつきの値とが、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システム、および、各プラズマチャンバ毎のロット番号毎に表示される。
【０２４６】
また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０およびプラズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７には、前述した第１〜第５実施形態で説明したように、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの値、および、このばらつきの設定範囲が記載される。また、これ以外にも、電力周波数ｆe におけるプラズマチャンバの交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、およびアクタンスＸ、そして、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８間のプラズマ容量Ｃ0 、プラズマ励起電極４と、プラズマチャンバの接地電位とされる各部との間のロス容量ＣX 等の値が記載される。
【０２４７】
同時に、データベースＤから「性能基準情報」としての「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これらを図３２，図３３に示すように、「動作保守状況情報」とセットでメンテナンス履歴ページＣＰ３、メンテナンス詳細ページＣＰ４に表示することにより、「性能基準情報」を参照して「動作保守状況情報」を閲覧することができ、これにより、発注者は、納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびプラズマチャンバの「性能状況情報」のうち、「性能基準情報」を使用時の指標として確認するとともに、「動作保守状況情報」を動作状態を示すパラメータとして検討することができる。同時に、「性能基準情報」と「動作保守状況情報」とを比較することによってプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびプラズマチャンバの動作確認をおこなうとともにメンテナンスの必要性を認識し、かつ、プラズマ処理状態の状態を把握することができる。
【０２４８】
なお、サーバＳは、このようなサブページＣＰ３、ＣＰ４のクライアントＣ1 への送信が完了した後に、クライアントＣ1 から接続解除要求が受信されない場合は（ステップＳ５）、接続不許可メッセージをクライアントＣ1 に送信して（ステップＳ８）、発注者に「閲覧専用パスワード」を再度入力するか、次のサブページの表示要求を待って待機し（ステップＳ３）、一方、クライアントＣ1 から接続解除要求が受信された場合には（ステップＳ５）、当該クライアントＣ1 との交信を終了する。
【０２４９】
本実施形態のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムにおいて、購入発注者が販売保守者に発注したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの動作性能状況を示す性能状況情報の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側情報端末と、販売保守者が前記性能状況情報をアップロードする販売保守者側情報端末と、前記購入発注者側情報端末の要求に応答して、販売保守者側情報端末からアップロードされた性能状況情報を購入発注者側情報端末に提供する性能状況情報提供手段と、を具備することができ、さらに、前記性能状況情報が、時刻ｔ0 と時刻ｔ1 における前記入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢおよびこのパラメータに対して、時間経過後の性能評価をおこなうための｜ΔＲＡ｜｜ΔＲＢ｜の値、および、それぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバ毎のばらつきの値を含むとともに、前記性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力されることにより、販売保守者がアップロードしたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびそのプラズマチャンバの性能基準情報および動作保守状況情報からなる性能状況情報に対して、購入発注者が情報端末から公衆回線を介して閲覧を可能とすることにより、発注者に対して、購入時に判断基準となる情報を伝達することが可能となり、かつ、使用時における、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびそのプラズマチャンバごとの動作性能・保守情報を容易に提供することが可能となる。
また、前記性能状況情報が、上述したようにプラズマチャンバに対する性能パラメータとしての時刻ｔ0 と時刻ｔ1 における前記入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢおよびこのパラメータに対して、経過後の性能評価をおこなうための｜ΔＲＡ｜｜ΔＲＢ｜の値およびそのばらつきの値を含むことにより、発注者のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムその各プラズマチャンバに対する性能判断材料を提供できるとともに、購入時における適切な判断をすることが可能となる。さらに、前記性能状況情報を、カタログまたは仕様書として出力することができる。
【０２５０】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置，プラズマ処理システムの第９実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第９実施形態］
図３４は本実施形態のプラズマ処理システムの概略構成を示す模式図である。
【０２５１】
本実施形態のプラズマ処理システムは、図１に示した第１実施形態と略同等のプラズマ処理装置７１，７１’と、図１０〜図２０に示した第２〜第４実施形態と略同等のプラズマ処理装置９１と、を組み合わせて概略構成されている。先に説明した第１ないし第４実施形態の構成要素に対応するものには同一の符号を付してその説明を省略する。
【０２５２】
本実施形態のプラズマ処理システムは、図３４に示すように、３つのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）９５，９６，９７を有するプラズマ処理装置７１、２つのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）９５，９６を有するプラズマ処理装置９１、および、３つのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）９５，９６，９７を有するプラズマ処理装置７１’が製造ラインの一部を構成するものとされている。
ここで、図１に示したような第１実施形態のプラズマ処理装置７１，７１’の部分において、プラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）７５，７６，７７に替えて、図１０〜図２０に示した第２〜第４実施形態における２周波数励起タイプのプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）９５と略同等のプラズマ処理室ユニットを３つ有する構成とされており、これらプラズマ処理室ユニット（プラズマチャンバ）９５，９６，９７は略同一の構造とされている。
【０２５３】
本実施形態のプラズマ処理システムは、図３４に示すように、各プラズマチャンバ９５，９６，９７における前述のインピーダンス測定用端子６１，スイッチＳＷ５がスイッチＳＷ３を介してインピーダンス測定器ＡＮに接続されている。スイッチＳＷ３は各プラズマチャンバ９５，９６，９７の測定時に測定対象のプラズマチャンバ９５，９６，９７とインピーダンス測定器ＡＮとのみを接続して、それ以外のプラズマチャンバ９５，９６，９７を切断するよう切り替えるスイッチとして設けられている。そして、この測定用端子６１から、スイッチＳＷ３までのインピーダンスが、各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対して等しくなるように、測定用の同軸ケーブルの長さが等しく設定されている。インピーダンス測定用端子６１には、図１５，図１７に示す第３実施形態と同様にして、インピーダンス測定器ＡＮのプローブが着脱自在に接続されている。
【０２５４】
本実施形態においては、計測したプラズマチャンバ９５に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ95、プラズマチャンバ９６に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ96、プラズマチャンバ９７に対する入力端子側交流抵抗ＲＡ97のうち、その最大値ＲＡmax と最小値ＲＡmin に対して、式（１４Ａ）のように複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７の入力端子側交流抵抗ＲＡのばらつき<ＲＡ>として定義し、この（１４Ａ）式で表されるばらつきの値を０．５より小さい範囲の値に設定する。この際、入力端子側交流抵抗ＲＡのばらつき<ＲＡ>を設定する方法としては、前述した▲１▼〜▲４▼等のような手法を適用することができる。同時に、計測したプラズマチャンバ９５に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ95、プラズマチャンバ９６に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ96、プラズマチャンバ９７に対する出力端子側交流抵抗ＲＢ97のうち、その最大値ＲＢmax と最小値ＲＢmin に対して、式（１４Ｂ）のように複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７の出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>として定義し、この（１４Ｂ）式で表されるばらつきの値を０．５より小さい範囲の値に設定する。この際、入力端子側交流抵抗ＲＢのばらつき<ＲＢ>を設定する方法としても、前述した▲１▼〜▲４▼等のような手法を適用することができる。
【０２５５】
そして、これらの複数のプラズマチャンバにおいては、前述したように、整合回路２Ａにおいて、その入力端子側から測定した交流抵抗ＲＡ0 と出力端子側から測定した交流抵抗ＲＢ0 とが、分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後の使用期間の時刻ｔ1 においても、その時の交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されて設計、製造されている。
【０２５６】
本実施形態のプラズマ処理システムにおいては、例えば、プラズマ処理前処理をおこなった被処理基板１６に、プラズマ処理装置７１のプラズマチャンバ９５，９６，９７において成膜処理をおこない、ついで、熱処理室７９において加熱処理をおこない、その後、レーザーアニール室７８においてアニール処理をおこなう。次いで、この被処理基板１６をプラズマ処理装置７１から搬出し、図示しないプラズマ処理装置７１と同等の装置におけるプラズマ処理室において、被処理基板１６に順次第２，第３の成膜処理をおこなう。
次いで、このプラズマ処理装置から搬出した被処理基板１６に、図示しない別の処理装置において、フォトリソグラフィー工程によりフォトレジストの形成をおこなう。
そして、被処理基板１６をプラズマ処理装置９１に搬入し、プラズマチャンバ９５，９６においてプラズマエッチングをおこない、次いで、この被処理基板１６をプラズマ処理装置９１から搬出し、図示しないプラズマ処理装置９１と同等の装置におけるプラズマチャンバにおいて、被処理基板１６に成膜処理をおこなう。
次いで、図示しないプラズマ処理装置から搬出された被処理基板１６に、図示しない他の処理装置において、レジストを剥離し、新たにフォトリソグラフィー工程によりパターニングする。
最後に、プラズマ処理装置７１’のプラズマチャンバ９５、９６，９７において被処理基板１６に順次第１，第２，第３の成膜処理がおこなわれ、被処理基板１６をプラズマ処理後処理へと送り、製造ラインにおける本実施形態のプラズマ処理システムにおける工程は終了する。
【０２５７】
本実施形態のプラズマ処理システムにおいては、第１，第２実施形態と同等の効果を奏するとともに、プラズマチャンバ９５，９６，９７の整合回路２Ａの入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢのうち、それぞれの最大値と最小値のばらつきを、０．５より小さい範囲の値に設定することで、プラズマ処理システム全体において、複数のプラズマ処理装置７１，９１，７１’において、それぞれ、各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対する電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これにより、プラズマ処理システム全体においてインピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７の状態を設定することが可能となるので、個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７において、発生するプラズマ密度等をそれぞれ略均一にすることができる。
【０２５８】
また、本実施形態のプラズマ処理システムの個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７においては、分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ処理）、あるいは調整作業が施された後においても、交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 （高周波特性）が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差ΔＲＡの絶対値がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されている。そのため、ある時刻ｔ0 ，から時刻ｔ1 における時間が経過する間に、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後で、電気的高周波的な特性の差をなくすことが可能となり、これにより、交流抵抗ＲＡ，ＲＢ、容量、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内にそれぞれのプラズマチャンバ９５，９６，９７の状態を時間的に維持することが可能となるので、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持することができる。
【０２５９】
その結果、プラズマ処理システム全体において複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７に対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を０．５より小さい範囲に設定することにより、略同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバ９５，９６，９７において、膜厚のばらつきの値を±７％の範囲におさめることができる。そのため、プラズマ処理システムの全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７におけるプラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性が高く、各プラズマチャンバ９５，９６，９７で均一な動作が期待できるプラズマ処理システムを提供することが可能となる。
これにより、単一のプラズマ処理装置よりも多数のプラズマチャンバ９５，９６，９７に対する膨大なデータから外部パラメータと実際の基板を処理するような評価方法による処理結果との相関関係によるプロセス条件の把握を不必要とすることができる。
【０２６０】
同時に、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後で同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、それぞれのプラズマチャンバ９５，９６，９７において例えばある時間を隔てて成膜をおこなった際に、経過した時間の前後で、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略同等な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記の差ΔＲＡの絶対値をＲＡ0 の０．５倍より小さい値に維持するとともに、差ΔＲＢの絶対値がＲＢ0 の０．５倍より小さい値に維持することにより、時間の経過にかかわらず、すなわち、分解、搬送、再組み立てや使用回数、調整作業等の存在にかかわらず、略同一の条件で積層をおこなったそれぞれのプラズマチャンバ９５，９６，９７において、膜厚のばらつきの値を±７％の範囲におさめることができる。
そのため、従来考慮されていなかった整合回路２Ａまでも含んだそれぞれのプラズマチャンバ９５，９６，９７の全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性が高く、それぞれのプラズマチャンバ９５，９６，９７で時間的に均一な動作が期待できるプラズマ処理装置を提供することが可能となる。
さらに、複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７間においても、同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果が得られる状態を時間経過的的に維持することが可能となる。
【０２６１】
したがって、本実施形態のプラズマ処理システムおよびその検査方法によれば、新規設置時や調整・保守点検時において、各プラズマチャンバ９５，９６，９７ごとの機差をなくして処理のばらつきをなくし、各プラズマチャンバ９５，９６，９７において同一のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合に比べて、第１直列共振周波数ｆ0 を測定することにより、大幅に短縮することができる。しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理システムの動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理システムの評価を、しかも、プラズマ処理システムの実機が設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々におこなうしかなかった複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７に対する結果をほぼ同時に実現することができる。
このため、製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理システムの動作確認および、動作の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上することができる。また、このような調整に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０２６２】
さらに、本実施形態におけるプラズマ処理システムにおいては、各プラズマチャンバ９５，９６，９７の入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢを設定することにより、従来は、考慮されていなかった複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７の電気的高周波的な特性を一括して適正な範囲に収めることができる。これにより、動作安定性を向上して、従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ程度以上の高い周波数の電力を投入した場合であっても、すべてのプラズマチャンバ９５，９６，９７において、高周波電源１からの電力のうち整合回路２Ａおよびその近傍における電力損失を低減してプラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ発生空間に効率よく導入することが可能となる。同時に、同一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理システムと比べてプラズマ空間で消費される実効的な電力の向上をすべてのプラズマチャンバ９５，９６，９７において図ることができる。
その結果、プラズマ処理システム全体としてのプラズマ励起周波数の高周波化による処理速度の向上を図ること、つまり、すべてのプラズマチャンバ９５，９６，９７において、プラズマＣＶＤ等により膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図ることができる。同時に、すべてのプラズマチャンバ９５，９６，９７において、プラズマ発生の安定性を期待することができる結果、個々のプラズマ処理装置７１，９１，７１’としての動作安定性が高く、同時に全体として動作安定性の高いプラズマ処理システムを提供することが可能となる。しかも、これらを、複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７において同時に実現することができる。
【０２６３】
したがって、複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７において、プラズマ空間で消費される実効的な電力の向上によりそれぞれ被処理基体１６における膜面内方向におけるプラズマ処理の均一性の向上を図ることができ、成膜処理においては膜厚の膜面内方向分布の均一性の向上を図ることが可能となる。同時に、プラズマ密度の上昇により、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状態の向上、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、エッチングに対する耐エッチング性、そして、いわゆる膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性の向上を図ることが可能となる。
【０２６４】
また、同一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理システムと比べてプラズマ空間で消費される実効的な電力の向上を図ることができるため、プラズマ処理システム全体として電力の消費効率を向上し、同等の処理速度もしくは膜特性を得るために、従来より少ない投入電力ですむようにできる。しかも、これらを、複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７において実現することができる。したがって、プラズマ処理システム全体の電力損失の低減を図ること、ランニングコストの削減を図ること、生産性の向上を図ることがより一層可能になる。同時に、処理時間をより短縮することが可能となるため、プラズマ処理に要する電力消費を減らせることから環境負荷となる二酸化炭素の総量をより削減することが可能となる。
【０２６５】
本実施形態のプラズマ処理システムにおいては、各プラズマチャンバ９５，９６，９７の前記整合回路２Ａの測定位置ＰＲ３にインピーダンス測定用端子６１とスイッチＳＷ５とを設け、これを単一のインピーダンス測定器ＡＮをスイッチＳＷ３によって切り替え自在に接続することで、プラズマ処理システムの個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７のインピーダンス特性測定時において、第１，第２実施形態のように整合回路２Ａと高周波電源１とを切り離すために、電力供給線１Ａと整合回路２Ａとを着脱する必要がない。また、単一のインピーダンス測定器ＡＮによって複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７のインピーダンス特性および交流抵抗ＲＡ，ＲＢの測定をおこなうことができる。
このため、前記プラズマチャンバ９５，９６，９７のインピーダンス特性を測定する際のプロービングを容易におこなうことが可能となり、交流抵抗ＲＡ，ＲＢの測定時における作業効率を向上することができる。
【０２６６】
さらに、スイッチＳＷ３，ＳＷ５を設けて、測定用端子６１からスイッチＳＷ３までのインピーダンスを複数のプラズマ処理装置７１，７１’、９１における各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対して等しくなるように設定することで、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３を切り替えるだけで、インピーダンス測定端子６１に接続されたインピーダンス測定器ＡＮからのインピーダンス測定値を、高周波電源１出力側最終段の出力位置ＰＲ２から測定した値と同等と見なすことができる。
同時に、各プラズマチャンバ９５，９６，９７のインピーダンス特性に対する測定用端子６１からスイッチＳＷ３までのインピーダンス特性の差異を考慮する必要がなくなるため、複数のプラズマ処理装置７１，７１’、９１におけるプラズマチャンバ９５，９６，９７に対する交流抵抗ＲＡ，ＲＢの算出の補正が不要となり、実測値の換算が不要となり、プラズマ処理システムの電気的高周波的特性の設定における作業効率を向上し、交流抵抗ＲＡ，ＲＢの測定をより正確におこなうことができる。
【０２６７】
なお、本実施形態において、スイッチＳＷ３，ＳＷ５を測定しようとする各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対する切り替え動作を連動させることが可能であり、また、２つのスイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２の構成を、分岐点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点からプローブまでのインピーダンスが等しく設定される１つのスイッチとすることもできる。
【０２６８】
さらに、本発明における各実施形態においては、各プラズマチャンバ９５，９６，９７のプラズマ励起電極４に対する交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定したが、サセプタ電極側８に対する交流抵抗ＲＡ，ＲＢを設定するよう対応することも可能である。この場合、図１１，図１５にＰＲ’，ＰＲ３’，ＰＲ４’で示すように、インピーダンス測定範囲を規定する整合回路２５の測定位置を設定することができる。
【０２６９】
さらに、平行平板型の電極４，８を有するタイプに変えて、ＩＣＰ（inductive coupled plasma）誘導結合プラズマ励起型、ＲＬＳＡ（radial line slot antenna）ラジアルラインスロットアンテナ型などのプラズマ処理装置や、ＲＩＥ（Riactive Ion Etching）反応性スパッタエッチング用の処理装置に適用することもできる。
【０２７０】
なお、本発明の各実施形態においては、図３５に示すように、プラズマチャンバ（プラズマ処理室ユニット）９５，９６，９７に対応して、整合回路２Ａと、高周波電源１とが、それぞれ設けられて、プラズマチャンバ９５，９６，９７における整合回路２Ａの接続位置に、ＳＷ４を介してインピーダンス測定器ＡＮを接続したが、図３６に示すように、個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７に対する整合回路２Ａ，２Ａ，２Ａが、スイッチ切り替えによって同一の高周波電源１に接続される構成や、図３７に示すように、個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７が、スイッチ切り替えによって同一の整合回路２Ａに接続される構成も可能である。この場合、図３６に示すように、プラズマチャンバ９５，９６，９７の整合回路２Ａと高周波電源１との接続位置に、ＳＷ４を介して入力端子側交流抵抗ＲＡ測定用のインピーダンス測定器ＡＮが接続される構成や、図３７に示すように、プラズマチャンバ９５，９６，９７のチャンバ室と整合回路２Ａとの接続位置に、ＳＷ４を介して出力端子側交流抵抗ＲＢ測定用のインピーダンス測定器ＡＮが接続される構成が可能である。
また、入力端子側交流抵抗ＲＡ測定用のインピーダンス測定器ＡＮと、出力端子側交流抵抗ＲＢ測定用のインピーダンス測定器ＡＮとを、同一のプラズマチャンバに接続することも可能であり、この場合には、スイッチ切り替えによって同一のインピーダンス測定器により、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの測定を切り替え可能とすることができる。
【０２７１】
また、本発明の各実施形態においては、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの測定をおこなう測定周波数として、高周波電源におけるプラズマ発生時に供給する電源周波数を適用した。これにより、それぞれの特性を指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバ９５，９６，９７を設定することが可能となるので、電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７において、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすることができる。
【０２７２】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法を第１０実施形態として、図面に基づいて説明する。
［第１０実施形態］
本実施形態の性能評価方法の対象となるプラズマ処理装置としては図１ないし図９を用いて説明した第１実施形態のプラズマ処理装置が用いられる。
上記第１実施形態で説明した方法と同様にして測定・定義した交流抵抗ＲＡ，ＲＢ（高周波特性）の納入後における値ＲＡ1 ，ＲＢ1 が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差の絶対値｜ΔＲＡ｜がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差の絶対値｜ΔＲＢ｜がＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されているかどうかにより、所望の性能を維持しているか否かが判断される。すなわち、交流抵抗ＲＡ，ＲＢの納入後における値ＲＡ1 ，ＲＢ1 かさら算出される｜ΔＲＡ｜か｜ΔＲＢ｜のいずれかが、前記所定の値以上である場合には、所望の性能が維持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持できていないと判断した場合には、｜ΔＲＡ｜および｜ΔＲＢ｜のいずれの値も前記所定の値より小さい値の範囲になるように、交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を是正する措置をとることができる。
【０２７３】
ここで、上記ＲＡ1 ，ＲＢ1 を是正する方法としては、例えば、第１実施形態で説明した▲１▼〜▲７▼等の手法を適用することができる。
本実施形態の性能評価方法においては、プラズマチャンバの交流抵抗の納入後における値ＲＡ1 ，ＲＢ1 かさら算出される｜ΔＲＡ｜および｜ΔＲＢ｜が、それぞれ、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差の絶対値｜ΔＲＡ｜がＲＡ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持されるとともに、ＲＢ0 、ＲＢ1 の差の絶対値｜ΔＲＢ｜がＲＢ0 の０．５倍とされる所定の値より小さい値に維持する是正作業が可能となることにより、従来は、考慮されていなかった整合回路２Ａまでも含めたプラズマチャンバの全体的な電気的高周波的な特性を適正な範囲に収めることができる。
これにより、動作安定性を向上して、従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ程度以上の高い周波数の電力を投入した場合であっても、高周波電源１からの電力を、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ発生空間に効率よく導入することが可能となる。同時に、同一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と比べて、プラズマ空間で消費される実効的な電力を大きくし、生成するプラズマ密度の上昇を図ることができる。その結果、プラズマ励起周波数の高周波化による処理速度の向上を図ること、つまり、プラズマＣＶＤ等により膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図ることができる。
【０２７４】
さらに、本実施形態の性能評価の結果、適切な是正作業が施されれば、分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ処理）、あるいは調整作業が施された後においても、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持することができるので、その時間の前後で同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、それぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７において例えばある時間を隔てて成膜をおこなった際に、経過した時間の前後で、成膜状態の時間的な均一性、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、エッチング液に対する耐エッチング性、そして、いわゆる膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性を時間的な維持の向上を図ることが可能となる。
ここで、膜の緻密さは例えば、ＢＨＦ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エッチング性によって表現可能である。
【０２７５】
そして、本実施形態の性能評価方法によれば、それぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７の実機が設置してある場所で、高周波特性測定器ＡＮにより交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 を測定するだけで、短時間にプラズマ処理装置の性能確認および、性能の評価が可能となる。このため、成膜された基板を検査するために、製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理装置の性能確認および、性能の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上することができる。
この交流抵抗ＲＡ1 ，ＲＢ1 は、機械的な構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、それぞれのプラズマチャンバ７５，７６，７７ごとに異なっていると考えられる。上記の範囲に、このＲＡ1 ，ＲＢ1 を指標とすることにより、各プラズマ処理室に対しても、従来考慮されていなかったその全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性の高いプラズマ処理装置を提供することが可能となる。
しかも、これらの性能評価を、装置を搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後に実施するために、搬送中の振動や搬入後の再組み立て作業の不備で精度に狂いが生じる等、性能に悪影響を及ぼす事象が発生した後に、簡便かつ短時間で性能を確認できるので、問題発見から改善までのサイクルを早めることができるので、納入後の装置の立ち上げ期間を短縮することが可能となる。
【０２７６】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの他の実施形態を第１１実施形態として、図面に基づいて説明する。
［第１１実施形態］
図３８は本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成図である。図３９は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。なお、両図において、図２１〜図２６と同一の構成要素には、同一の符号を附してその説明を省略する。
【０２７７】
図３８に示す性能管理システムは、サーバ２１０と、納入先の入力装置２７０と、これらサーバ２１０と入力装置２７０とを接続する通信回線２３０と、サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とから構成されている。本管理システムの対象となるのは、前記の各実施形態において示したプラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置又はプラズマ処理システムが対象となる。
【０２７８】
以下、図３８を参照しながら、図３９のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。
納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等、本性能管理システムの納入先側における利用者は、同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、入力装置２７０から、納入先に納入されたプラズマ処理装置について、プラズマチャンバ（プラズマ処理室）の固有番号Ｓ及び各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７の高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における値）、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 （時刻ｔ0 の後の時刻ｔ1 における値）を測定し、この値を入出力装置２２０から入力する。
これらの入力された入力端子側交流抵抗ＲＡ1 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に送信される。（ステップ４０１）なお、プラズマ処理装置に接続された高周波特性測定器を入力装置２７０に接続しておいて、サーバー２１０からの指令により自動的にプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７の固有番号Ｓ及び各プラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７の高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ1 ，出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の測定値が入力されるようにしてもよい。
【０２７９】
これに対しサーバ２１０は、高周波特性としての入力端子側交流抵抗ＲＡ1 ，の情報の中から、最大値ＲＡ1max及び最小値ＲＡ1minを検索しこの値が測定されたプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７に対応する固有番号Ｓとともに特定するとともに、出力端子側交流抵抗ＲＢ1 の情報の中から、最大値ＲＢ1max及び最小値ＲＢ1minを検索してこの値が測定されたプラズマチャンバ７５，７６，７７，９５，９６，９７に対応する固有番号Ｓとともに特定する（ステップ４０２）。
次いで、下記式に従い交流抵抗のばらつきの値<ＲＡ><ＲＢ>を計算する（ステップ４０３）。
<ＲＡ>  ＝ （ＲＡ1max −ＲＡ1min ）／（ＲＡ1max ＋ＲＡ1min ）（１４Ａ）
<ＲＢ>  ＝ （ＲＢ1max −ＲＢ1min ）／（ＲＢ1max ＋ＲＢ1min ）（１４Ｂ）
【０２８０】
次にサーバ２１０は、<ＲＡ><ＲＢ>と所定の値、例えば０．５とをそれぞれ比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、<ＲＡ><ＲＢ>がいずれも所定の値より小さい値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する。また、<ＲＡ>か<ＲＢ>の少なくとも片方が所定の値以上の値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していないと判断する。また、上記サーバ２１０は、<ＲＡ><ＲＢ>と所定の価、例えば０．５とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、<ＲＡ><ＲＢ>がそれぞれ所定の値より小さい値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する。また、<ＲＡ>か<ＲＢ>の少なくともいずれか片方が所定の値以上の値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していないと判断する（ステップ４０４）。
【０２８１】
次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果所定の性能を維持していないと判断した場合に、搬送元の出力装置２４０に評価情報として、保守作業命令を当該最大値ＲＡ1max及び最小値ＲＡ1min又は最大値ＲＢ1max及び最小値ＲＢ1minを与えたプラズマチャンバの固有番号Ｓとともに提供する（ステップ４０５）。
具体的には、サーバ２１０は、出力装置２４０に対して、プリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信したりする。そして、搬送元において、保守作業命令と共に、いずれの納入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するために必要な情報として、該当するプラズマチャンバの固有番号が出力される。
【０２８２】
本実施形態のプラズマ処理装置の管理システムにおいては、搬送元において、何れのプロセス処理装置に問題が生じたか、あるいは何れのプロセス処理装置のいずれのプロセス処理室に問題が生じたか等を直ちに把握できる。
【０２８３】
すなわち、メーカーサービス会社等の搬送元においては、納入したプラズマ処理装置やプラズマ処理システムを実際に動作させて成膜された基板を検査するという作業を行うことなく、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価基準２に基づき評価することができる。
しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理装置等の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置の評価を、しかも、プラズマ処理装置のプラズマチャンバＣＮが設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数のプラズマチャンバを有するプラズマ処理装置の場合についても、結果をほぼ同時に得ることができる。
このため、納入後の装置性能について、簡便かつ短時間で確認でき、問題がある場合には、問題発見から改善までのサイクルを早めることができるので、装置の立ち上げ期間を短縮することができる。また、このような確認に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、確認作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０２８４】
また、搬送元のメーカー等において、納入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、顧客に対するアフタサービス体制を充実させることができる。
【０２８５】
［実施例］
本発明では、プラズマチャンバにおいて、時間的に入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの値を一定以内となるように設定することにより成膜時における膜特性の変化を測定するとともに、複数のプラズマチャンバにおいて、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきの値を一定以内の値に設定することにより成膜時における膜特性の変化を測定した。
【０２８６】
ここで、実際に使用したプラズマ処理装置としては、プラズマ処理室が２周波数励起タイプのものとされる。この際、１つのプラズマ処理室に３つの異なる整合回路を交互に接続して成膜をおこなった。これは、チャンバ室における機差の影響を排除するためである。
使用したプラズマ処理装置としては、平行平板型の電極４，８のサイズが２５ｃｍ角とされ、これらの電極間隔が１５ｍｍに設定され、その電力が６００Ｗ、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設定した。
【０２８７】
まず、３つの異なる整合回路で入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢを測定する。ここで、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの測定においては、上記第２実施形態と同様にして、それぞれの整合回路２Ａを給電線１Ａ給電板３から切り離し、それぞれ測定位置ＰＲ、ＰＲ３からおこなうものとする。
この状態で接続した高周波特性測定装置における測定周波数を１〜１００ＭＨｚに変化させインピーダンスのベクトル量を測定し、電源周波数４０．６８ＭＨｚでのＺとθからＲＡ，ＲＢを算出する。
【０２８８】
ここで、整合回路１として、図３に示す第１実施形態の整合回路２Ａと同様の構造を有し、表面に銀メッキを施した銅パイプからなるチューニングコイル２３のインダクタンス３７２ｎＨ、寄生抵抗成分となる電力周波数ｆe における出力端子側交流抵抗ＲＢの値が５．５２Ω、入力端子側交流抵抗ＲＡの値が０．５４Ωのものを用意した。
整合回路２として、上記整合回路１と同等のチューニングコイル２３を２本並列に接続しトータルのインダクタンスを３７０ｎＨとなるように設定し、寄生抵抗成分となる電力周波数ｆe における出力端子側交流抵抗ＲＢの値が３．１７Ω、入力端子側交流抵抗ＲＡの値が０．５５Ω、のものを用意した。
整合回路３として、上記整合回路１と同等のチューニングコイル２３を４本並列に接続して、トータルのインダクタンスを３７０ｎＨとなるように設定し、寄生抵抗成分となる電力周波数ｆe における出力端子側交流抵抗ＲＢの値が１．６２Ω、入力端子側交流抵抗ＲＡの値が０．５２Ω、のものを用意した。
整合回路４として、上記整合回路１よりも径の太い銅パイプからなるチューニングコイル２３を有し、トータルのインダクタンスを３７０ｎＨとなるように設定し、寄生抵抗成分となる電力周波数ｆe における出力端子側交流抵抗ＲＢの値が４．１３Ω、入力端子側交流抵抗ＲＡの値が０．５４Ω、のものを用意した。
【０２８９】
上記の各整合回路を同一のプラズマ処理室に接続し、これらに対する評価として同一のプロセスレシピを適用し、窒化珪素膜を堆積し、以下のように各プラズマ処理室における被成膜基板に対する膜厚ばらつきを計測した。
▲１▼ガラス基板上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成膜する。
▲２▼フォトリソによりレジストのパターニングをおこなう。
▲３▼ＳＦ6 とＯ2 を用いてＳｉＮx 膜をドライエッチングする。
▲４▼Ｏ2 アッシングによりレジストを剥離する。
▲５▼ＳｉＮx 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測する。
▲６▼成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。
▲７▼膜面内均一性は、６インチガラス基板面内において１６ポイントで測定する。
【０２９０】
ここで、成膜時における条件は、
基板温度  ３００℃
ガス圧  １００Ｐａ
ＳｉＨ4   ４０ｓｃｃｍ
ＮＨ3   １６０ｓｃｃｍ
Ｎ2   ６００ｓｃｃｍ
である。
これらの結果を表２に示す。
【０２９１】
【表２】
0003670209.tif 000009
【０２９２】
（実施例１）
上記の整合回路のうち、実施例１として、整合回路２，３を選択する。
すると、成膜速度が速く良好で、成膜結果のばらつきは２．８％と、３％以下の値になっている。これに対応して、出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきは、式（１４Ｂ）に従うと、０．３２であり、０．４以下の値となっている。
（実施例２）
上記の整合回路のうち、実施例２として、整合回路１，２，３を選択する。
すると、実施例１に次いで成膜速度が早いが、成膜結果のばらつきは１２．６％と１０％を越えている。これに対応して、出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきは、式（１４Ｂ）に従うと、０．５５であり０．５以上の値となっている。
（実施例３）
上記の整合回路のうち、実施例３として、整合回路２，３，４を選択する。
すると、成膜速度のばらつきは６．８％と７％以下の値となっており、これに対応して、出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきは、式（１４Ｂ）に従うと、０．４４であり、０．５以下の値となっている。
これらの結果を表３に示す。
【０２９３】
【表３】
0003670209.tif 000010
【０２９４】
ＳｉＮ膜はＴＦＴ−ＬＣＤ（液晶装置）の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜や、液晶に印加する電圧の保持を良好にするために負荷する蓄積容量の絶縁膜などに用いられている。このＳｉＮ膜は最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤにおける白黒の輝度の比にあたるコントラストに影響するパラメータであり、ＳｉＮ膜の膜厚が１０％ばらついた場合、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤにおいては前記コントラストが約５０のばらつきを生じてしまうことになる。すなわち、複数の製品のコントラストが、２００〜２５０でばらつく結果となる。
つまり、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきを０．５以下の範囲に設定することにより、成膜特性のばらつきが１０％以下になり、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤにおける前記コントラストのばらつきが約５０以下に設定できる。
そして、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきを０．４５以下の範囲に設定することにより、成膜特性のばらつきが７％以下になり、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤにおける前記コントラストのばらつきが約３０以下に設定できる。
さらに、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきを０．４以下の範囲に設定することにより、成膜特性のばらつきが３％以下になり、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤにおける前記コントラストのばらつきが約１０以下に設定できる。
【０２９５】
つまり、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢのばらつきを設定することにより、複数のプラズマチャンバにおける機差が低減していることがわかる。
【０２９６】
さらに、実施例４，５，６として上記の整合回路１と同等の構造のものを用意した。
【０２９７】
次いで、各整合回路で入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢを測定する。ここで、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの測定においては、上記第２実施形態と同様にして、それぞれの整合回路２Ａを給電線１Ａ給電板３から切り離し、それぞれ測定位置ＰＲ、ＰＲ３からおこなうものとする。この状態で接続した高周波特性測定装置における測定周波数を１〜１００ＭＨｚに変化させインピーダンスのベクトル量を測定し、電源周波数４０．６８ＭＨｚでのＺとθからＲＡ，ＲＢを算出し、この値を時刻ｔ0 の交流抵抗ＲＡ0 、ＲＢ0 とする。
【０２９８】
次に、上記のプラズマチャンバにおいて、時刻ｔ0 と時刻ｔ1 との間の処理として、プラズマ処理装置を分解し、その後再組み立てをおこない、その後、各整合回路で入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢを測定する。
ここで、入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの測定においては、同様にして、それぞれの整合回路２Ａを給電線１Ａ給電板３から切り離し、それぞれ測定位置ＰＲ、ＰＲ３からおこなうものとする。この状態で接続した高周波特性測定装置における測定周波数を１〜１００ＭＨｚに変化させインピーダンスのベクトル量を測定し、電源周波数４０．６８ＭＨｚでのＺとθからＲＡ，ＲＢを算出し、この値を時刻ｔ1 の交流抵抗ＲＡ1 、ＲＢ1 とする。
【０２９９】
次いで、上記の値から、ＲＡ0 、ＲＡ1 の差の絶対値｜ΔＲＡ｜およびＲＢ0 、ＲＢ1 の差の絶対値｜ΔＲＢ｜を計算し、｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜がそれぞれ所定の値に対してどのレベルにあるかを、それぞれ、式（２０Ａ）（２０Ｂ）
｜ΔＲＡ｜  ；  Ｃ×ＲＡ0                 （２０Ａ）
｜ΔＲＢ｜  ；  Ｃ×ＲＢ0                 （２０Ｂ）
における係数Ｃの値を算出する。
この値のうち、各実施例に対して大きい方の値を表４に示す。
【０３００】
さらに、上記の各整合回路を同一のプラズマ処理室に接続し、これらに対する評価として実施例１，２，３と同様の条件でに同一のプロセスレシピを適用し、窒化珪素膜を堆積し、以下のように各プラズマ処理室における被成膜基板に対する膜厚ばらつきを計測した。
これらの結果を表４に示す。
【０３０１】
【表４】
0003670209.tif 000011
【０３０２】
（実施例４）
上記の実施例４は、Ｃの値が０．３２であり、０．４以下の値となっている。これに対応して、成膜速度のばらつきは２．８％と３％を下回っている。
（実施例５）
上記の実施例５はＣの値が０．４４であり、０．５以下となっている。これに対応して成膜速度のばらつきは６．８％と３％を越えているが７％未満となっている。
（実施例６）
上記の実施例６は、Ｃの値が０．５５であり０．５を越えている。これに対応して、成膜速度のばらつきは１２．６％と７％以上、１０％を越えている。
【０３０３】
ＳｉＮ膜はＴＦＴ−ＬＣＤ（液晶装置）の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜や、液晶に印加する電圧の保持を良好にするために負荷する蓄積容量の絶縁膜などに用いられている。このＳｉＮ膜は最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤにおける白黒の輝度の比にあたるコントラストに影響するパラメータであり、ＳｉＮ膜の膜厚が１０％ばらついた場合、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤにおいては前記コントラストが約５０のばらつきを生じてしまうことになる。すなわち、複数の製品のコントラストが、２００〜２５０でばらつく結果となる。
つまり、時刻ｔ1 における入力端子側交流抵抗ＲＡ1 および出力端子側交流抵抗ＲＢ1 から算出される｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜の値をそれぞれ固有ＲＡ0 、ＲＢ0 の０．５倍以下の範囲に設定することにより、成膜特性のばらつきが７％以下になり、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤにおける前記コントラストのばらつきが約３０以下に設定できる。
そして、時刻ｔ1 における入力端子側交流抵抗ＲＡ1 および出力端子側交流抵抗ＲＢ1 から算出される｜ΔＲＡ｜と｜ΔＲＢ｜の値をそれぞれ固有ＲＡ0 、ＲＢ0 の０．４倍以下の範囲に設定することにより、成膜特性のばらつきが３％以下になり、最終製品であるＴＦＴ−ＬＣＤにおける前記コントラストのばらつきが約１０以下に設定できる。
【０３０４】
つまり、時間的に入力端子側交流抵抗ＲＡおよび出力端子側交流抵抗ＲＢの値が均一になるように設定することにより、複数のプラズマチャンバにおける時間的な処理の差が低減していることがわかる。
【０３０５】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法によれば、プラズマ処理装置を分解、搬送後再組み立てが施された後、すなわち納入後に、被処理物が導入されてプラズマ処理が行われたり、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されたりした際に、プラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能が適正に維持されているかどうかを迅速かつ簡便に確認できる。また、本発明のプラズマ処理装置の保守方法によれば、プラズマ処理装置の性能が適正に維持されていない場合に、迅速に是正が可能となる。
また、本発明のプラズマ処理装置の性能管理システム又はプラズマ処理システムの性能管理システムによれば、納入先において、プラズマ処理装置の性能が適正に維持されるために、納入先におけるプラズマ処理装置の性能評価をメーカー等の搬送元で支援できると共に、メーカー等の搬送元で充実した保守サービス体制を整えることが可能となる。
さらに、本発明のプラズマ処理装置によれば、適正な動作状態に簡便に維持することが可能であり、良好なプラズマ処理を継続して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、 本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施形態を示す概略構成図である。
【図２】  図２は、 図１におけるプラズマチャンバを示す断面図である。
【図３】  図３は、 図２におけるプラズマチャンバの整合回路を示す模式図である。
【図４】  図４は、 図３の整合回路におけるにおける寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図５】  図５は、 図３の整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図６】  図６は、 図１におけるレーザアニール室を示す縦断面図である。
【図７】  図７は、 図１における熱処理室を示す縦断面図である。
【図８】  図８は、 インピーダンス測定器のプローブを示す斜視図である。
【図９】  図９は、 図８のインピーダンス測定器のプローブの接続状態を示す模式図である。
【図１０】  図１０は、 本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施形態を示す概略構成図である。
【図１１】  図１１は、 図１０におけるプラズマチャンバを示す断面図である。
【図１２】  図１２は、 図１１におけるプラズマチャンバの整合回路を示す模式図である。
【図１３】  図１３は、 図１２の整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図１４】  図１４は、 図１２の整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図１５】  図１５は、 本発明に係るプラズマ処理装置の第３実施形態におけるプラズマチャンバの概略構成を示す模式図である。
【図１６】  図１６は、 図１５におけるプラズマチャンバの整合回路を示す模式図である。
【図１７】  図１７は、 図１６の整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図１８】  図１８は、 本発明に係るプラズマ処理装置の第４実施形態におけるプラズマチャンバの整合回路を示す模式図である。
【図１９】  図１９は、 図１８の整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図２０】  図２０は、 図１８の整合回路における寄生抵抗を説明するための模式回路図である。
【図２１】  図２１は、 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第５実施形態におけるシステム構成図である。
【図２２】  図２２は、 同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２３】  図２３は、 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第６実施形態で実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２４】  図２４は、 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第７実施形態におけるシステム構成図である。
【図２５】  図２５は、 同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２６】  図２６は、 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第８実施形態で実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２７】  図２７は、 本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムを示すシステム構成図である。
【図２８】  図２８は、 本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサーバＳの性能状況情報の提供処理を示すフローチャートである。
【図２９】  図２９は、 本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるメインページＣＰの構成を示す平面図である。
【図３０】  図３０は、 本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサブページＣＰ１の構成を示す平面図である。
【図３１】  図３１は、 本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるメインページＣＰ２の構成を示す平面図である。
【図３２】  図３２は、 本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサブページＣＰ３の構成を示す平面図である。
【図３３】  図３３は、 本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサブページＣＰ４の構成を示す平面図である。
【図３４】  図３４は、 本発明に係るプラズマ処理装置の第９実施形態を示す概略構成図である。
【図３５】  図３５は、 本発明に係るプラズマ処理装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図３６】  図３６は、 本発明に係るプラズマ処理装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図３７】  図３７は、 本発明に係るプラズマ処理装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図３８】  図３８は、 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第１１実施形態におけるシステム構成図である。
【図３９】  図３９は、 同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図４０】  図４０は、 従来のプラズマ処理装置の一例を示す模式図である。
【図４１】  図４１は、 従来のプラズマ処理装置の他の例を示す模式図である。
【符号の説明】
１…高周波電源
１Ａ，２７Ａ…給電線（高周波電力給電体）
２，２６…マッチングボックス
２Ａ，２５…整合回路
３，２８…給電板（高周波電力配電体）
４…プラズマ励起電極（カソード電極）
５…シャワープレート
６…空間
７…孔
８…ウエハサセプタ（サセプタ電極）
９…絶縁体
１０…チャンバ壁
１０Ａ…チャンバ底部
１１…ベローズ
１２…サセプタシールド
１２Ａ…シールド支持板
１２Ｂ…支持筒
１３…シャフト
１６…基板（被処理基板）
１７…ガス導入管
１７ａ，１７ｂ…絶縁体
２１，２９…シャーシ
２２，３２…ロードコンデンサ
２３，３０…チューニングコイル
２４，３１…チューニングコンデンサ
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５…導体
２７…第２の高周波電源
６０…チャンバ室（プラズマ処理室）
６１…インピーダンス測定用端子（測定用端子）
６１Ａ…接続線
７１，９１…プラズマ処理装置
７２，９２…搬送室
７３…ローダ室
７４…アンローダ室
７５、７６，７７，９５，９６，９７…プラズマチャンバ（プラズマ処理室ユニット）
７８…レーザアニール室
７９，９９…熱処理室
８０，８４…チャンバ
８１…レーザ光源
８２…ステージ
８３…レーザ光
８５…ヒータ
８６…ゲートバルブ
８７…基板搬送ロボット（搬送手段）
８８…アーム
９３…ロードロック室
１０５…プローブ
ＡＮ…インピーダンス測定器（高周波特性測定器）
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４…分岐点
ＰＲ，ＰＲ２，ＰＲ３，ＰＲ４…測定位置
ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ４…接続点
ＰＲ’，ＰＲ２’，ＰＲ３’，ＰＲ４’…測定位置
ＳＷ３，ＳＷ５…スイッチ
ｇ０，ｇ１，ｇ２，ｇ３，ｇ４…ゲート
２１０…サーバ
２２０…入出力装置
２３０…通信回線
２４０…出力装置
２５０…プラズマ処理装置
２６０…インピーダンス測定器（高周波特性測定器）
２７０…入力装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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