(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層と、前記配線層の間に配置される絶縁樹脂からなる層間絶縁層とを交互に積層した多層配線を備え、
前記配線層のうち最外層に位置する配線層は複数の信号線を有する多層配線基板であって、
前記複数の信号線は、直線状の第一の信号線と、該第一の信号線に隣接して平行に配列された第一の直線部及び該第一の直線部から前記第一の信号線に対して離間する方向に延在する第二の直線部とを有する第二の信号線を含み、
前記第一の直線部と前記第二の直線部の境の箇所に前記第一の信号線側に凸状の曲線で輪郭が縁取られ前記第一の直線部から前記第二の直線部に至るにつれ前記第一の信号線と前記第二の信号線との間隔を次第に拡大する凸状部が形成されている、
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記曲線は、予め定められた曲率の円弧で形成されている、
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記配線層のうち最外層に位置する配線層は、前記信号線に接続すべき半導体を搭載する半導体搭載部をさらに有する、
ことを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板。
【請求項４】
請求項３に記載の多層配線基板を使用したことを特徴とする半導体搭載用インターポーザー。
【請求項５】
請求項３または４に記載の多層配線基板の半導体配置部に半導体を実装したことを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に半導体が実装される多層配線基板として好適であり、特に、優れた耐イオンマイグレーション性を有する多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの主流として、ＱＦＰ(Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ)型、ＢＧＡ(Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｌｌａｙ)型、ＬＧＡ(Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ)型等が使用されている。
【０００３】
特に、近年の半導体パッケージにおいて、半導体素子の高集積化、信号処理速度の高速化が求められ、上記のうちでもＢＧＡ型やＬＧＡ型の樹脂封止型半導体パッケージが使用されている。これらは、多層配線基板上に半導体チップの回路形成面を上にして搭載し、銅等による配線パターンを経由して、外部接続端子と導通する事により外部端子を多く配置出来る構造である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２２８４５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような配線パターンは、信号線に相当する部分が概ね縞模様状にパターニングされており、その中に半導体搭載部が配置されている。そして、前記多層配線基板に直流電圧を印加し、プラス極（アノード）とマイナス極（カソード）を導通すれば、直流信号が前記縞模様状の配線回路上で一定方向へ流れ、所定の出力が得られる。
【０００６】
したがって、前記電極部におけるプラス極とマイナス極間は勿論、前記縞模様状の配線パターンを形成する個々の信号線においても隣接する信号線間で電位の高低が常時存在する。換言すると、隣接する２本の信号線のうち、一方がアノードとなり、他方がカソードとなって対峙することになる。このような状況で、アノードの金属が電解して金属イオンになる。
【０００７】
このような状況で、更に高湿度の環境条件が加わると、イオンマイグレーション、即ち、その金属イオンが、吸湿による水分によって拡散され、カソードへ向かって泳動し、そして、アノードが電荷を失い、レジン状に成長していく。ついには、双方が短絡する現象、つまりイオンマイグレーションが起きる。このような事態になれば、前記多層配線基板の性能が損なわれ。諸種のトラブルの原因となる。
【０００８】
さらに、配線が高密度化になるにつれて、信号線の間隙が狭くなるので、前記イオンマイグレーションが発生しやすくなる。
【０００９】
そこで、本発明は配線パタ−ンに工夫を加え、隣接する信号線の間隙を広くさせて、耐イオンマイグレーション性を向上させることができる多層配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の目的を達成するため、本発明の請求項１に係わる発明は、複数の配線層と、前記配線層の間に配置される絶縁樹脂からなる層間絶縁層とを交互に積層した多層配線を備え、前記配線層のうち最外層に位置する配線層は複数の信号線を有する多層配線基板であって、前記複数の信号線は、直線状の第一の信号線と、該第一の信号線に隣接して平行に配列された第一の直線部及び該第一の直線部から前記第一の信号線に対して離間する方向に延在する第二の直線部とを有する第二の信号線を含み、前記第一の直線部と前記第二の直線部の境の箇所に前記第一の信号線側に凸状の曲線で輪郭が縁取られ前記第一の直線部から前記第二の直線部に至るにつれ前記第一の信号線と前記第二の信号線との間隔を次第に拡大する凸状部が形成されていることを特徴とする。
この発明によれば、電荷の集中しやすい凸状部の輪郭が曲線で縁取られているため、隣接する信号線との間隙が広くなり、耐イオンマイグレーション性を向上させることが可能となる。
本発明の請求項２に係わる発明は、前記曲線は、予め定められた曲率の円弧で形成されていることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板である。
本発明の請求項３に係わる発明は、前記配線層のうち最外層に位置する配線層は、前記信号線に接続すべき半導体を搭載する半導体搭載部をさらに有することを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板である。
本発明の請求項４に係わる発明は、請求項３に記載の多層配線基板を使用したことを特徴とする半導体搭載用インターポーザーである。
本発明の請求項５に係わる発明は、請求項３または４に記載の多層配線基板の半導体配置部に半導体を実装したことを特徴とする半導体パッケージである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の多層配線基板によれば、電荷の集中しやすい凸状部の輪郭を曲線で縁取るだけで、隣接する信号線との間隙が広くなるため、耐イオンマイグレーション性を向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の多層配線基板を示す最外層の配線パターン図である。
【図２】従来の多層配線基板を示す最外層の配線パターン図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、本発明の多層配線基板を示す最外層の配線パターンの一実施例を表す平面の模式図である。
本発明の多層配線基板は、当該基板の最外層表面の配線パターンにおいて、複数の信号線が互いに隣接しており、角部のパターンを含んでいる。配線パターンに電圧が印加されると、前述のように信号線がアノードとカソードになって対峙し、アノードの金属が電解され、金属イオンになる。さらに高湿度の条件が加わると、吸湿による水分で、金属イオンが拡散され、イオンマイグレーションが電荷の集中しやすい角部等で発生する。
【００１４】
そこで本発明の多層配線基板では、当該基板の最外層表面の配線パターンにおいて、電荷が集中しやすい角部のパターンに丸みを設けることで、隣接する信号線との間隙が広くなるため、耐イオンマイグレーション性を向上させることができる。
【００１５】
上記丸みの曲率は、隣接する信号線との間隙を広くさせるものであれば、特に制限はなく、半導体の形状、配置等に合わせて任意に設定することが可能である。
言い換えると、多層配線基板は、複数の配線層と、配線層の間に配置される絶縁樹脂からなる層間絶縁層とを交互に積層した多層配線を備える。
また、配線層のうち最外層に位置する配線層は、信号線に接続すべき半導体を搭載する半導体搭載部をさらに有している。
多層配線基板は、配線層のうち最外層に位置する配線層は複数の信号線を有し、複数の信号線は、隣接する他の信号線に近接する向きに凸状の凸状部が形成された信号線を含む。
凸状部の輪郭は、曲線で縁取られ、曲線は、予め定められた曲率の円弧で形成されている。
【００１６】
本発明の多層配線基板の製造方法には、公知の製造プロセスを使用することができる。具体的には、設計ソフトウェアを改良し、配線パターンの角部に丸みを有する露光マスクを使用してパターニングを行う方法や、角部の配線パターンに丸みを設けずにパターニングした後、エッチングなどの手法により丸みをもたせる方法等がある。
【００１７】
本発明における多層配線基板の用途としては、特に限定されるものではないが、電荷が集中しやすい角部に丸みをもたせることにより、微細な配線であっても、優れた耐イオンマイグレーション性を有することから、たとえば、半導体搭載用、または半導体搭載用インターポーザー用途に最適である。
以下、実施例に基づき、本発明をさらに具体的に説明するが、これに限定されるものではない。
【実施例１】
【００１８】
両面に銅箔が設けられたガラス・エポキシ基板の所定箇所に、両面の導通をはかるためのスルーホール用貫通孔をドリルにより開口した。次に得られたガラス・エポキシ基板に無電解めっき及び電解めっきにより導体層を形成した。ガラス・エポキシ基板の両面の銅層表面にドライフィルムレジストを貼り付け、露光、現像、エッチングにより配線を形成し、コア層を得た。
【００１９】
次に、得られた基板に絶縁樹脂を積層し、積層された基板に、層間導通をはかるため、レーザーを用いて表層と内層とを接続するビアを開け、絶縁樹脂上に無電解めっき層を形成した。その銅層表面にドライフィルムレジストを貼り付け、露光、現像、電解めっきにより導体層を形成した。更に、上記積層工程を同様に再度繰り返し、積層された最外層の絶縁樹脂上の無電解めっき層に、ドライフィルムレジストを貼り付けた。その後、配線パターンの信号線の角部に丸みを設けられた露光マスクを使用して露光し、現像、電解めっきにより配線を形成し、角部に丸みを設けられた図１のような配線パターンと、半導体チップ搭載のための開口パターンを形成した。
【００２０】
その後、実装に必要な開口パターンを除き、露出している配線パターン上にソルダーレジストを形成した。そして、その開口部に無電解めっきによりニッケルめっき層を形成し、次いで無電解めっきにより金めっき層を形成し、半導体チップを搭載可能な多層配線基板を得た。
すなわち、配線層のうち最外層に位置する配線層は複数の信号線１を有し、複数の信号線１は、隣接する他の信号線１Ｂに近接する向きに凸状の凸状部２が形成された信号線１Ａを含む。
凸状部２の輪郭は、曲線で縁取られ、曲線は、予め定められた曲率の円弧で形成されている。
これにより凸状部２が形成された信号線１Ａと隣接する信号線１Ｂとの間に間隙３が確保される。
（比較例１）
【００２１】
前記実施例１の製造方法において、最外層の露光において、配線パターンの凸状部２に対応する箇所に曲線を設けていない露光マスクを使用すること以外は、実施例１と同様の工程で、図２のような配線パターンを有している多層配線基板を得た。
すなわち、比較例では、配線層のうち最外層に位置する配線層は複数の信号線４を有し、複数の信号線４は、隣接する他の信号線４Ｂに近接する向きに凸状の角部５が形成された信号線４Ａを含む。
角部５が形成された信号線４Ａと隣接する信号線４Ｂとの間に間隙６は実施例１における間隙３に比較して狭いものとなる。
【００２２】
（耐イオンマイグレーション性）
以上説明した実施例１の多層配線基板は、比較例１と比較して、電荷の集中する凸状部２の輪郭が曲線で縁取られていることで、隣接する信号線との間隙が広くなるため、耐イオンマイグレーション性に優れ、配線の高密度化に対応した多層配線基板を提供することができる。
【符号の説明】
【００２３】
１（１Ａ，１Ｂ）…信号線
２…信号線の角部
３…隣接する信号線の間隙
４（４Ａ，４Ｂ）…信号線
５…信号線の角部
６…隣接する信号線の間隙
【図１】
0005640605.tif 000002
【図２】
0005640605.tif 000003