(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨材で覆われた２つの回転する上側の研磨皿と下側の研磨皿との間で、アルカリ性の研磨材をコロイド状の固形物質成分と共に供給して両面の研磨により半導体プレートを製造する方法であって、環状の歯列を有し、研磨機の対応する外側及び内側の歯列で回転させられる回転ディスクによって半導体プレートが案内される形式のものにおいて、
（イ）研磨機の両方の歯列の少なくとも一方に、主として水から成る液体を少なくとも一時的にスプレーすること、
（ロ）アルカリ性の研磨材を、閉鎖された供給装置のカバーされた研磨材リング通路から半導体プレートに連続的に供給すること、
以上（イ）、（ロ）の方法段階を同時に半導体プレートの研磨の間充たすことを特徴とする掻傷等の低減させられた両面研磨方法。
【請求項２】
研磨材が主として０．５から１０重量％のＳｉＯ２のコロイド溶液から成りかつ９〜１２のｐＨ値を有している、請求項１記載の方法。
【請求項３】
半導体プレートから２〜５０μｍの総研磨量が研磨される、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
下側及び上側の研磨皿の研磨布が６０〜９０のショアＡ硬度を有しかつ少なくとも上側の研磨皿の研磨布が通路により中断された表面を有している、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
研磨機の歯列がピン歯列である、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記回転ディスクがステンレスであるクローム鋼から成りかつ半導体プレートを受容するための切欠きにプラスチック内張りを有している、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
半導体プレートが取付けられた少なくとも３つの回転ディスクが研磨の間研磨機にある、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
外側と内側の歯列に超純水をスプレーし、該スプレーを外側の歯列の少なくとも２個所と内側の歯列の少なくとも１個所とにおいて行なう、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
上側の研磨皿に固定されかつカバーされた、回転する研磨材リング通路を介して研磨材が無圧で半導体プレートに導かれる、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
研磨材リング通路のカバーが一緒に回転せず、研磨材リング通路を主として水で充たされた液体シールにより外気に対してシールしている、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
研磨しようとする半導体プレートが主としてシリコンから成り１５０ｍｍから４５０ｍｍの直径を有している、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
半導体プレートがシリコン単結晶体を鋸断し、次いでエッヂを丸面取りし、研削及びラッピングしかつ／又は湿式で化学エッチングすることで形成される、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
半導体プレートを両面研磨する研磨機であって、研磨布で覆われた上側と下側の研磨皿、半導体プレートを受容する回転ディスク、回転ディスクを回転させるために外側の歯列と内側の歯列とを有する駆動装置を有する形式のものにおいて、前記歯列の少なくとも１つに液体をスプレーする手段と半導体プレートに研磨材を供給する閉じたシステムとを有しており、該システムがカバーされたリング通路を有していることを特徴とする研磨機。
【請求項１４】
歯列に液体をスプレーする手段がノズルとして構成されている、請求項１３記載の研磨機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体プレート、特にマイクロエレクトロニック構成部材を製造する工業にて使用される半導体プレートの両面研磨方法に関する。又、前記方法を実施するのに適した装置も本発明の対象である。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロエレクトロニック構成部分、例えばプロセッサとメモリ構成部分の製造のテクノロジ的な進歩は、常に厳しくなる特殊性を充たさなければならないプラットフォームとして単結晶の半導体を準備することを要求する。このような特殊性はこのようなプレートの結晶質、表面、特に構成部材の製造に予定される前面並びにジオメトリ及びナノトポグラフィに関する。
【０００３】
厳しくなったジオメトリ及びナノトポグラフィに関する要求に足る半導体ディスクを製造するためには従来の片面研磨法では不十分である。さらに最近の構成部材プロセスの利用者は次第に構成部材が配置される研磨された前面だけではなく、研磨された裏面を次第に要求する。この研磨された裏面は例えばエッチングされた裏面よりも少ない粒子しか結合せず、ひいてはクロスコンタミネーションの結果としての電気的な短絡による構成部材の欠落を減少させる。この理由から半導体円板の前面及び裏面を同時に研磨する装置と方法がいわゆる両面研磨法によって準備されかつ開発された。この装置と方法は今日では特に直径２００ｍｍと３００ｍｍの半導体ディスクの技術的な製作に次第に広がりを見せている。この場合、半導体ディスクは、適当な寸法の切欠きを有する金属又はプラスチックから成る回転ディスク（英語ではキャリヤ）にて、機械及びプロセスパラメータによってあらかじめ規定された軌道の上で、２つの回転する、研磨布で被覆された研磨皿の間で、研磨材が存在するもとで動かされ、高い平行性の発生下で研磨される。
【０００４】
両面研磨のための研磨材としては片面研磨法の場合のように水におけるアルカリ性の成分と関連した侵蝕性の物質、例えばＳｉＯ２コロイドが適している。このような研磨材とその製造並びに適当な供給システムは例えば、ＤＥ１９７１５９７４Ａ１、ＤＥ１９８１７０８７Ａ１、ＥＰ９５９１１６Ａ２及びＵＳ６，０２７，６６９号明細書で特許を申請している。
【０００５】
改善された平面性を達成するための両面研磨方法はＤＥ１９９０５７３７Ａ１号に記載されている。このためには例えばクローム鋼から成る回転ディスクが適している。この回転ディスクは出願番号ＤＥ１００２３００２．４であるドイツ国の特許出願の対象である。研磨の間のエッヂ損傷を回避するためには、回転ディスクに半導体ディスクを受容するために設けられた切欠きをプラスチックで、例えばＥＰ２０８３１５Ｂ１に開示されているように被覆することが有利であることが証明された。しかしながら種々の影響値、例えば凝固に基づきかつ開放した供給における周辺空気の作用下での結晶子への晶出又は研磨材堆積物の摩耗粉及び駆動歯列における微細な金属粉に基づき依然として研磨された半導体ディスクに掻傷が生じる。この掻傷は費用のかかる後研磨によってしか除けず、不良品の量を増大させる。
【０００６】
専門家にとっては２つの研磨運転の間に粒子を掃除するために研磨布をブラシプレートで処理することが公知である。しかし両面研磨の場合にはこの方法の適用は連続的な粒子供給が研磨材リング通路及び／又は歯列から行なわれると限られた成果しか挙げない。これらの構成部分の人による掃除は通常は短い時間のためにしか役立たない。
【０００７】
ＥＰ７８７５６２Ｂ１号明細書には、回転ディスクフレーム及びピン又は歯車駆動装置の少なくとも部分が硬質樹脂材料から製作されている両面研磨法が記載されている。この方法は金属微粒子による掻傷形成の危険を減じはするが、はげ落ちた又は擦り取られた研磨材クラストによる掻傷形成に対しては効果を発揮しない。ＷＯ  ００／３９８４１号明細書によれば、両面研磨のための回転ディスクを研磨運転の間、水中に貯蔵し、研磨材が乾燥し、ひいてはクラストが形成されることを阻止することが特許申請されている。この場合にも先きに述べたような限界が見られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
これまで公知技術では、変わらずに低い掻傷率を保証する半導体ディスクの両面研磨法は開示されていない。したがって本発明の課題はこの欠陥を除く方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の課題は、研磨布で覆われた２つの回転する上側の研磨皿と下側の研磨皿との間で、アルカリ性の研磨材をコロイド状の固形物質成分と共に供給して両面の研磨により半導体プレートを製造する方法であって、環状の歯列を有し、研磨機の対応する外側及び内側の歯列で回転させられる回転ディスクによって半導体プレートが案内される方式のものにおいて、
（イ）研磨機の両方の歯列の少なくとも一方に、主として水から成る液体を少なくとも一時的にスプレーすること、
（ロ）アルカリ性の研磨材を閉鎖された供給装置にて半導体プレートに連続的に供給すること、
以上（イ）、（ロ）の方法段階を同時に半導体プレートの研磨の間充たすことによって解決された。
【００１０】
さらに半導体ディスクを両側研磨するための研磨機であって、研磨布で覆われた上側と下側の研磨皿、半導体プレートを受容する回転ディスク、回転ディスクを回転させるために外側の歯列と内側の歯列とを有する駆動装置を有する形式のものにおいて、前記歯列の少なくとも１つに液体をスプレーする手段と研磨材を半導体プレートに供給する閉じたシステムとを有していることを特徴とする研磨機も本発明の対象である。
【００１１】
本発明の重要な特徴は供給した研磨材の乾燥を阻止することによりコロイドが晶出し、その結果として半導体ディスクの表面に掻傷が形成されることを阻止することである。
【００１２】
（イ）閉じた研磨材供給を使用すること及び
（ロ）研磨機の外側及び／又は内側の歯列を湿すことの組合せだけが半導体ディスクの上の掻傷率を著しく低減させることは驚くべきことでありかつ予測できるものではない。
【００１３】
この方法の出発製品は半導体結晶からの切出しによって製作された、丸面取りされたエッヂを備えた、単数又は複数のプロセスステップ、ラッピング、研削、エッチング及び研磨が施される半導体ディスクである。この方法の最終製品は両面研磨された半導体ディスクであって、この半導体ディスクは掻傷率がはっきりと低減させられていることに基づき大形技術的な寸法で大量に入手可能で、ひいては公知技術にしたがって製作された半導体ディスクに製造費に関し優位にたつ。
【００１４】
本発明による方法は原理的には使用された化学機械式の両面研磨法で加工し得る材料から成る円板状の部体を製作するために使用することができる。このような材料は例えばシリコン、シリコン／ゲルマニウム、シリコンダイオキシド、シリコンニトリド及びガリウムアルセニドである。単結晶のシリコンディスクの使用は特に有利でありかつ以後の記述の対象である。
【００１５】
シリコン単結晶の切出し及びエッジの丸面取りとによって生ぜしめられたシリコンディスクには、本発明による両面研磨法を実施する前に、目的がディスクジオメトリの改善と破壊した表面層と汚染物の除去である種々の切削プロセスステップを施すことができる。適した方法はラッピング、研削及びエッチングである。さらに研磨された表面を有するディスクも本発明の方法で加工することもできる。研磨されたシリコンディスクの有利な直径は１５０から４５０ｍｍである。
【００１６】
本発明による研磨ステップを実施するためには適当な大きさの市販の両面研磨機を使用することができる。この研磨機は主として自由に水平に回転可能な１つの下側の研磨皿と自由に水平に回転可能な１つの上側の研磨皿とを有し、両方の研磨皿にそれぞれ研磨布が接着されておりかつアルカリ性の研磨材の連続的な供給のもとで、シリコンディスクの両面の研磨除去を可能にする。この場合、シリコンディスクはシリコンディスクを受容するために十分な寸法の与えられた切欠きを有しかつシリコンディスクよりもいくらか小さな厚さを有する回転ディスクによって研磨の間、機械及びプロセスパラメータによって決められたジオメトリックな軌道に保持される。
【００１７】
有利であることは少なくとも３つの回転ディスクを同時に用いることである。特に有利であるのは、出願番号ＤＥ１００２３００２．４を有するドイツ国の特許出願によるステンレスクローム鋼から成る平らな回転ディスクを同時に４つから６つ使用することである。この回転ディスクには少なくとも３つのシリコンディスクが取付けられ、シリコンディスクの縁は切欠きにおけるポリマ被覆で保護されている。例えば本発明の枠内で直径２００ｍｍの３０のシリコンディスクを同時に（５つの回転ディスクにそれぞれ６つのシリコンディスクを分配して）研磨するか又は直径３００ｍｍの１５のシリコンディスクを同時に（５つの回転ディスクにそれぞれ３つのシリコンディスクを分配して）研磨することが可能である。
【００１８】
回転ディスクは例えばクランタンピン歯列又はインボルート歯列で研磨機に、回転する内側の駆動ピン又は歯環及び通常は逆向きに回転する外側の駆動ピン又は歯環を介して接触させられ、これにより両方の研磨皿の間で回転させられる。回転ディスク側面の恒常的な作用により摩滅したピンの比較的に簡単な交換の可能性に基づき、本発明による枠内では掻傷を減少させるためにはピン歯列の方が有利である。別の理由は、鋸歯状のインボルート歯列に対し最適化された回転ディスク歯列の半円形の切欠きと駆動ピンとの間の力の伝達によって振動の少ない運転が可能であり、ひいては迅速な回転運動と高い押圧力によって研磨の間に、例えば０．８から１．５μｍ／ｍｉｎの有利な研磨率を得ることができることである。特に有利である駆動ピンは不動に取付けられたピンと交換可能に係止されてはいるが自由に回転可能な被せ嵌められたスリーブから成っていて、焼入れされたＶＡ鋼から製作された駆動ピンである。
【００１９】
本発明の枠内では、協働する回転ディスクの歯列に係合する研磨機の外側及び／又は内側の駆動歯環をスプレーで湿った状態に保ち、乾燥した研磨材の堆積が阻止されるようになっている。これは、回転ディスクフレームの幾何的な作用によって、相応の研磨材が使用されていると例えばＳｉＯ２から成る結晶子が遊離し、上側と下側の研磨皿の間に搬送され、これによりシリコンディスクの上の掻傷の原因となることを阻止する。スプレーは有利には連続的にスーパクリーンウォータで実施することができるが、しかし研磨の間、短い時間中断されることができる。供給された水量は回転ディスクを介した研磨機への搬入によって、供給された研磨材が著しく薄められないように行なわれる。歯列又はピン列に上から又は傾斜した角で向けられたスプレーノズルの装備は研磨機の大きさに応じて行なわれる。この場合には全部で少なくとも１つのノズルが設けられる。例えば皿直径が約２ｍの両面研磨機のためには内に１から３まで、外に２から３５までのノズルが有利である。
【００２０】
研磨材の供給は本発明の枠では、閉じられた供給システムを介して行なわれる。このようなシステムは公知技術の開放した研磨材通路に較べて、晶出した研磨材でそれほど顕著なクラスト化をもたらさず、クラストが研磨皿の間で搬送されかつ半導体ディスクに掻傷を惹起すことを軽減するという利点を有している。上方の研磨皿に固定され、したがって一緒に回転し、例えばホース又は管によって上方の研磨皿を通して研磨材を研磨個所へ強制的に導くことを可能にする、閉じられた、圧力負荷された研磨材リング通路を使用する可能性が生じる。このような構成は面倒である。何故ならば研磨材は移動しない研磨機の中央部分における供給導管から、複雑な構造形式の回転導通路を通さなければリング通路へ導くことができないからである。
【００２１】
より簡単で、したがって有利である構成は、閉じられてはいるが無圧に保たれたリング通路によって得られる。この場合、研磨材は機械側の供給装置から圧力負荷によってリング通路へかつ重力と遠心力とによりリング通路から、研磨皿の間へ流れる。この場合、上側の研磨皿と一緒に回転するリング通路は同様にリング形のカバーによってカバーされる。このカバーはリング通路とは異なって回転せず、特に有利には、水で充たされていると特に有利である液体シールを介して接触する。リング通路の内部に、例えば回転しないカバーの下面に固定された少なくとも１つのノズルを用いて、連続的に又は非連続的に液体、有利には水を吹込むことができる。しかしながらこれは必ずしも必要ではない。
【００２２】
本実施例の枠内では、両面研磨ステップは専門家にとって公知の形式で実施される。有利には硬さが６０と９０ショアＡ硬さの間である市販のポリウレタン研磨布で研磨される。このポリウレタン研磨布には有利にはポリエステル繊維が加工されている。上側と下側の研磨皿の間に研磨材を最適に分配するためには、少なくとも上側の研磨布に通路のネットワークを設けておくと特に有利である。この通路は将棋盤状に５ｍｍ×５ｍｍから５０ｍｍ×５０ｍｍのセグメント寸法でかつ０．５から２ｍｍの通路幅と深さで配置されていることができる。シリコンディスクの研磨の場合にはアルカリ添加によって調整された９から１２のｐＨ値を有する研磨材を連続的に供給するのが良い。このコロイドは特に有利にはＳｉＯ２の０．５から１０重量％の水溶液から成り、かつ例えば水ガラスから沈降させられたかつ／又はＳｉ(ＯＨ)４から熱分解で製作された珪酸を含むことができる。所定数の研磨走行のあとで、例えば１から６の研磨走行のあとで上側と下側の研磨布を回転ディスクの代りに挿入したブラシプレートで例えば２から１０ｍｉｎの時間、スーパクリーンウォータを供給してブラッシングし、表面のガラス化を予防しかつ汚染粒子を除くことが望ましい。
【００２３】
シリコンディスクからは研磨が終了したあとで場合によっては付着する研磨剤が掃除されかつシリコンディスクが乾燥され、次いで強く結束された光で表面掻傷が探査される。その結果に関連してディスク前面側を公知技術にしたがって表面研磨すること、例えばやわらかい研磨布を用いてＳｉＯ２をベースとしたアルカリ性の研磨材の助けを借りて表面研磨することが必要になることがある。同様に半導体材料、例えば同様にシリコンから成るエピタクシー被覆を施すことが望まれることもある。この被覆は本発明によって行なわれた両面研磨の直後に又は間挿された表面研磨の後で問題なく可能である。
【００２４】
本発明による両面研磨プロセスは、最新の半導体構成部分の製造に対する要求を充たすシリコンから成る半導体ディスクの製造を可能にする。この場合、外側及び／又は内側の駆動環のスプレーと閉じられた研磨材の供給とを伴って研磨されると、生産されたディスク量が多い場合には掻傷に基づく不良品率は０．５から２％しか認められなかった。これは公知技術による方法に較べてコストの低下をもたらす。本発明の特徴のない公知技術による方法は本発明の方法に比較して掻傷に基づく不良品率は５％から２０％であった。これは例えばディスクの廃棄又は費用のかかる後研磨による高い製造コストの原因となる。それにも拘わらず後研磨は成果の保証はなく、他の品質パラメータに対する負の影響のリスクを伴う。
【００２５】
以下、図面に基づき実施例と比較例について説明する。
【００２６】
【実施例と比較例】
実施例と比較例のためにはエッヂが丸面取りされた、研削（シリコン研削量９０μｍ）された、濃縮された硝酸と硫酸との混合物にて酸エッチング（エッチング量２０μｍ）された、生産寸法直径３００ｍｍと厚さ８０５μｍのシリコンディスクが提供された。さらに５つの回転ディスクが図１にしたがって存在している。回転ディスクＬは平均厚さ７７０μｍの、ステンレスなクロム鋼から成る研磨された金属体１から成り、金属体１は半円形の切欠きから成る環状の歯環２を有している。この歯環２が図２に示されているように両面研磨機の外側と内側の駆動ピン環に係合して回転ディスクは回転させられる。それぞれ３つの、円形の、等間隔をおいて１つの円軌道に配置された切欠き３の内側はポリビニリデンディフルオリドから成るフレーム４をライニングとして有している。フレーム４は３０１ｍｍの内径と回転ディスク体１と同じ厚さを有し、回転ディスク体とピンを介して結合されておりかつ半導体円板Ｈ、この場合にはシリコンディスクを受容するために役立つ。さらに回転ディスク体は研磨の間、研磨材の分布を改善する別の切欠き５を有している。
【００２７】
シリコンディスクの研磨のためには市販の両面研磨機を使用した。この両面研磨機の寸法は図１に示した５つの回転ディスクＬを同時に使用し、ひいては１５のシリコンディスクを同時に研磨できるように設計されていた。図３には下側の、研磨布で覆われた皿７が、シリコンディスクＨの装着された回転ディスクＬと共に平面図で示されている。研磨機は外側の駆動ピン環９と内側のピン環１０、いわゆる太陽歯車（サンギヤ）８を有している。外側の駆動ピン環９と内側のピン環１０は逆向きに回転しかつ回転ディスクＬを回転させる。これによりシリコンディスクＨは研磨の間、遊星軌道上を移動させられる。ピン６は駆動装置９と１０の対応するドリル孔内にねじ込まれかつ被せ嵌められたＶＡ鋼から成るスリーブで覆われている。このスリーブは回転ディスクＬの駆動中に自由に回転可能でかつ嵌合するカバーキャップですべり動くことが防止されている。研磨の間の回転ディスクＬの側面との交番作用による摩滅は約１年の完全連続的な生産後にピン６のスリーブの簡単に実施できる交換を必要とする。
【００２８】
図３と図４は実施例の記述に関するものである。本発明にとって特徴的なスプレーノズル１１（図３においては見やすくするために拡大されかつ正しい投影で示されていない）は回転可能ではない機械体に固定されかつ垂線から約２０°変位させられてそれぞれ３０ｍｌ／ｍｉｎのスーパクリーンウォータが歯列にスプレーされるように配置されている。外側の駆動環９には４つのノズルが向けられかつ内側の歯環１０には２つのノズルが向けられている。
【００２９】
図４には図３のＡ−Ａ線に沿った断面で本発明を実施するために使用された両面研磨機が示されている。図面においてハッチングされたすべての機械部分は研磨の間、回転する。この場合、ハッチングの方向は回転方向を示している。研磨布７ａの貼着された下側の研磨皿７は研磨布１２ａの貼着された上側の研磨皿１２とは反対方向に運動する。内側のピン環１０のピン６を有する太陽歯車８はピン６を有する外側の駆動環９とは反対方向に移動する（明確にするために図４においてはシリコンディスクＨ、回転ディスクＬ、研磨布７ａ，１２ａとピン６は高低誇張して示してある）。
【００３０】
本発明にとって特徴的である第２の特徴、閉じられた研磨材の供給の構成は、構成部分１３から１８までに認めることができる。公知技術による閉じられた研磨材添加ステーションにより準備された研磨材は例えば圧縮空気負荷を介し、研磨機の中心軸を通って導かれた回転しない供給装置を経て、側方の分岐部１３で研磨材リング通路１４へ導かれる。研磨材リング通路１４は上側の研磨皿に固定され、研磨皿と一緒に研磨の間、回転する。研磨材リング通路１４はそれぞれ１つの、環状の外側と内側の凹所１６を有している。これらの凹所１６は水並びに同様にリング状で、研磨機の中心部に固定された、回転しないカバー１５を受容するために適している。
【００３１】
図示されていない供給及び排出装置によって必要な場合に交換され得る、両方の凹所１６内にある水は、研磨材供給装置１３とカバー１５とが回転せずかつ研磨材が回転する研磨材リング通路１４内を移動する研磨の間、研磨材リング通路１４内にある研磨材に対する周辺空気の干渉及びこれに伴う乾燥、その結果としての有害なＳｉＯ２結晶の形成を阻止する液体シールとして役立つ。研磨材は重力と回転に基づく遠心力との組合せにより多数の供給部、この実施例ではポリエチレンから成るホースへ達し、そこからポリエチレンで被覆された上側の研磨皿１２に設けられた孔１８を通ってシリコンディスクＨに達する。この場合、供給部１７と孔１８は、研磨布７ａ，１２ａとの間に均等な研磨分布が達成されるように上側の研磨皿１２に亘って分配されている。この場合には、数は研磨機の大きさに合わせられる。
【００３２】
図５は比較例の構成に関するものであり、スプレーノズル１１と液体シール１６を有する研磨材リング通路カバー１５とを特徴としていない公知技術の方法のための、それ以外構造的に同じである両面研削機を示している。
【００３３】
両面研磨ステップはポリエステル繊維で補強された７４ショアＡ硬さのポリウレタン布７ａ，１２ａで実施される。このポリウレタン布７ａ，１２ａは鋳鉄製の研磨皿７，１２をクリーニングしたあとで押圧付着性の接着システムを用いて気泡が残らないように固定される。この場合、下側の研磨布７は平滑な表面を有し、上側の研磨布１２の表面は幅１．５ｍｍで深さ０．５ｍｍである、円弧プロフィールを有する、３０ｍｍの等間隔で配置された、研削された通路から成る将棋盤のようなパターンを有している。１５の３００ｍｍシリコンディスクの研磨はＫ２ＣＯ３及びＫＯＨ添加により１１．２のｐＨ値に調整された研磨材を使用して行なった。この研磨材はＳｉＯ２固形物の含有量が３重量％である沈降された珪酸から成るコロイドから成っている。この場合には５ ｌ／ｍｉｎの研磨材が供給される。研磨のためには０．２０ｂａｒの研磨圧、２０もしくは−２０ｕｐｍの研磨皿回転並びに１５ｕｐｍの回転ディスク回転及び１ｕｐｍの回転ディスク並進が調節される。これによりそれぞれ４０℃の皿温度で１．０μｍの、シリコン研磨率が分あたり得られた。
【００３４】
各研磨運転のシリコンディスクはシリコン３０μｍの研磨のあとで掃除されかつ乾燥させられる。３００ｍｍシリコンディスクの完全連続的な生産にて図４に示された本発明による構成を有する両面研磨機と公知技術にしたがった構成を有する図５に示された機械とを３カ月の時間帯に亘って運転した。この場合には両機械のそれぞれにて約２５,０００のディスクが研磨された。その際、研磨布は４回の研削運転ごとに６ｍｉｎの時間帯に亘って超純粋でブラッシングされた。すなわちこのためには回転ディスクＬと同じ歯列２と同じ直径を有するが、ポリビニルクロリド（ポリ塩化ビニル）から成る厚さ１５ｍｍの基体から成り、直径それぞれ５ｍｍを有する多数のナイロン剛毛束が植設された３つのブラシプレートが使用された。平均して４００の研磨運転のあとで研磨布７ａ，１２ａは更新された。基準としては研磨率が０．９μｍ／ｍｉｎより小さな値に低下することを設定した。
【００３５】
すべてのこのようにして研磨されたシリコンディスクは強く結束された光のもとで掻傷に対する視覚検査を行なった。このためには暗室を用いた。図４の研磨機で本発明にしたがって研磨された３００ｍｍシリコンディスクには１．４％の割合で掻傷が認められたのに対し、公知技術による図５に示された研磨機で研磨されたディスクには１２．９％掻傷が認められた。
【図面の簡単な説明】
【図１】３００ｍｍシリコンディスクの両面研磨のための回転ディスクの概略的な平面図。
【図２】両面研磨機の外側のピン環における回転ディスクの係合を概略的に示した平面図。
【図３】実施例で使用されたような構成の１５の３００ｍｍシリコンディスクを同時に研磨するための開放された両面研磨機の概略的な平面図。
【図４】図３に示した断面線Ａ−Ａに沿って実施例において使用されたような構造の両面研磨機を断面して示した図。
【図５】比較例で使用したような公知技術の両面研磨機の図４に相当する断面図。
【符号の説明】
１  金属体、  ２  歯環、  ３  切欠き、  ４  フレーム、  ５  切欠き、  ６  ピン、  ７  皿、  ８  太陽歯車、  ９  駆動ピン環、  １０  ピン環、  １１  スプレーノズル、  １２  研磨皿、  １３  分岐部、  １４  研磨材リング通路、  １５  カバー、  １６  凹所、  １７  供給部、  １８  孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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