(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理システムのガス供給系に配設され、フッ素ガスを発生及び供給する装置であって、
フッ化水素を含む溶融塩からなる電解浴中でフッ化水素を電解することによりフッ素ガスを生成する電解槽と、
フッ化窒素、フッ化イオウ、フッ化塩素からなる群から選択された代替ガスを貯蔵するボンベと、
前記電解槽及び前記ボンベに接続され、前記電解槽からの前記フッ素ガスと、前記ボンベからの前記代替ガスとを、ガス使用部に選択的に供給するガス切替え部と、
前記電解槽の状態を検出する電解槽検出器と、
前記電解槽検出器により前記電解槽の異常状態が検出された時、前記ボンベからの前記代替ガスを前記ガス使用部に供給するように、前記ガス切替え部を制御するコントローラと、
を具備することを特徴とするフッ素ガス生成及び供給装置。
【請求項２】
前記電解槽検出器は前記電解浴の組成を代表する状態を検出することを特徴とする請求項１に記載のフッ素ガス生成及び供給装置。
【請求項３】
前記電解槽検出器は前記電解浴の電流特性、液面レベル、温度からなる群から選択された状態を検出することを特徴とする請求項２に記載のフッ素ガス生成及び供給装置。
【請求項４】
前記電解槽から前記ガス使用部に前記フッ素ガスを供給するガス供給ルートの異常状態を検出するルート検出器を更に具備し、前記コントローラは、前記電解槽検出器により前記電解槽の異常状態が検出された時だけでなく、前記ルート検出器により前記ガス供給ルートの異常状態が検出された時、前記ボンベからの前記代替ガスを前記ガス使用部に供給するように、前記ガス切替え部を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフッ素ガス生成及び供給装置。
【請求項５】
半導体処理システムのガス供給系に配設され、フッ素ガスを発生及び供給する装置であって、
フッ化水素を含む溶融塩からなる電解浴中でフッ化水素を電解することによりフッ素ガスを生成する電解槽と、
フッ化窒素、フッ化イオウ、フッ化塩素からなる群から選択された代替ガスを貯蔵するボンベと、
前記電解槽及び前記ボンベに接続され、前記電解槽からの前記フッ素ガスと、前記ボンベからの前記代替ガスとを、ガス使用部に選択的に供給するガス切替え部と、
前記電解槽から前記ガス使用部に前記フッ素ガスを供給するガス供給ルートの異常状態を検出するルート検出器と、
前記ルート検出器により前記ガス供給ルートの異常状態が検出された時、前記ボンベからの前記代替ガスを前記ガス使用部に供給するように、前記ガス切替え部を制御するコントローラと、
を具備することを特徴とするフッ素ガス生成及び供給装置。
【請求項６】
前記ガス供給ルートは前記電解槽から前記ガス切替え部に供給される前記フッ素ガスの圧力及び流量を制御するバッファ部を具備し、前記ルート検出器は前記バッファ部の状態を検出するバッファ検出器を具備することを特徴とする請求項４または５に記載のフッ素ガス生成及び供給装置。
【請求項７】
前記バッファ部は、前記電解槽からの前記フッ素ガスを加圧するコンプレッサを具備し、前記バッファ検出器は、前記コンプレッサの運転状態を検出することを特徴とする請求項６に記載のフッ素ガス生成及び供給装置。
【請求項８】
前記バッファ部は、前記電解槽からの前記フッ素ガスを一時的に溜めるバッファタンクを具備し、前記バッファ検出器は、前記バッファタンク内の圧力を検出することを特徴とする請求項６に記載のフッ素ガス生成及び供給装置。
【請求項９】
前記バッファ部は、前記電解槽からの前記フッ素ガスを所定流量で前記ガス切替え部に供給するフローコントローラを具備し、前記バッファ検出器は、前記フローコントローラにおける前記フッ素ガスの流量を検出することを特徴とする請求項６に記載のフッ素ガス生成及び供給装置。
【請求項１０】
前記代替ガスはフッ化窒素からなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のフッ素ガス生成及び供給装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体処理システムのガス供給系に配設される、フッ素ガス生成及び供給装置に関する。なお、ここで、半導体処理とは、半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基板上に半導体層、絶縁層、導電層等を所定のパターンで形成することにより、該被処理基板上に半導体デバイスや、半導体デバイスに接続される配線、電極等を含む構造物を製造するために実施される種々の処理を意味する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造においては、被処理基板、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板に、成膜、エッチング、拡散等の各種の半導体処理が施される。このような処理を行う半導体処理システムでは、例えば、シリコン膜やシリコン酸化膜をエッチングする場合や、処理室内をクリーニングする場合等、半導体処理に限らず、種々の用途の処理ガスとしてフッ素系のガスが利用される。
【０００３】
フッ素系の処理ガスは、既にフッ素化合物として製造され、ボンベに充填された状態で半導体処理システムのガス供給系に配備されるのが一般的であり、現場でフッ素等の必要な原料を使用して生成されることは一般的でない。その理由は、ガス組成の信頼性の問題だけでなく、フッ素のような酸化力の高い物質を高圧（通常５ｋｇ／ｃｍ2 以上）に充填したボンベを半導体処理システムのガス供給系に配備することが非常に危険だからである。
【０００４】
一方、米国特許第５，６８８，３８４等の公報には、フッ素ガスの発生のオンとオフとを使用量に応じて自動的に制御する装置が開示される。この装置では、フッ素ガスの発生部として、フッ化水素を電解することによりフッ素ガスを生成する電解槽が使用される。このような電解タイプの装置によれば、大気圧に近い圧力でフッ素ガスを必要に応じて生成することができるため、フッ素ボンベを配備する際の安全性の問題を回避することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような、フッ素ガス生成及び供給装置を半導体処理システムのガス供給系に配設する場合、この装置に異常が生じた場合にも主処理装置側の運転に支障を来さないように、バックアップ手段を用意する必要がある。典型的には、２台のフッ素ガス生成及び供給装置をガス供給系に配設し、これ等を交代で稼動部及びバックアップ手段として使用する。しかし、このようなバックアップ方法は、ガス供給系のイニシャルコスト及び運転コストを高くする原因となる。また、フッ素ボンベをバックアップ手段として使用することもできるが、高圧のフッ素ボンベを半導体処理システムのガス供給系に配備しておくことは、安全性の点で問題がある。
【０００６】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、半導体処理システムのガス供給系に配設され、安価で且つ安全な構成で装置の異常をバックアップすることが可能な、フッ素ガス生成及び供給装置を提供することを目的とする。
【０００７】
特に、本発明は、オンサイトで且つオンデマンドでフッ素ガスを生成及び供給する装置を提供することを目的とする。ここで、オンサイトとは、フッ素ガスを生成及び供給する機構が、所定の主処理装置、例えば、半導体処理システムの主処理装置と組合わされることを意味する。また、オンデマンドとは、主処理装置側からの要求に応じたタイミングで且つ必要とされる成分調整を伴ってガスが供給可能となることを意味する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の視点は、半導体処理システムのガス供給系に配設され、フッ素ガスを発生及び供給する装置であって、
フッ化水素を含む溶融塩からなる電解浴中でフッ化水素を電解することによりフッ素ガスを生成する電解槽と、
フッ化窒素、フッ化イオウ、フッ化塩素からなる群から選択された代替ガスを貯蔵するボンベと、
前記電解槽及び前記ボンベに接続され、前記電解槽からの前記フッ素ガスと、前記ボンベからの前記代替ガスとを、ガス使用部に選択的に供給するガス切替え部と、
前記電解槽の状態を検出する電解槽検出器と、
前記電解槽検出器により前記電解槽の異常状態が検出された時、前記ボンベからの前記代替ガスを前記ガス使用部に供給するように、前記ガス切替え部を制御するコントローラと、
を具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の視点は、第１の視点の装置において、前記電解槽検出器は前記電解浴の組成を代表する状態を検出することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３の視点は、第２の視点の装置において、前記電解槽検出器は前記電解浴の電流特性、液面レベル、温度からなる群から選択された状態を検出することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第４の視点は、第１乃至第３の視点のいずれかの装置において、前記電解槽から前記ガス使用部に前記フッ素ガスを供給するガス供給ルートの異常状態を検出するルート検出器を更に具備し、前記コントローラは、前記電解槽検出器により前記電解槽の異常状態が検出された時だけでなく、前記ルート検出器により前記ガス供給ルートの異常状態が検出された時、前記ボンベからの前記代替ガスを前記ガス使用部に供給するように、前記ガス切替え部を制御することを特徴とする。
【００１２】
本発明の第５の視点は、半導体処理システムのガス供給系に配設され、フッ素ガスを発生及び供給する装置であって、
フッ化水素を含む溶融塩からなる電解浴中でフッ化水素を電解することによりフッ素ガスを生成する電解槽と、
フッ化窒素、フッ化イオウ、フッ化塩素からなる群から選択された代替ガスを貯蔵するボンベと、
前記電解槽及び前記ボンベに接続され、前記電解槽からの前記フッ素ガスと、前記ボンベからの前記代替ガスとを、ガス使用部に選択的に供給するガス切替え部と、
前記電解槽から前記ガス使用部に前記フッ素ガスを供給するガス供給ルートの異常状態を検出するルート検出器と、
前記ルート検出器により前記ガス供給ルートの異常状態が検出された時、前記ボンベからの前記代替ガスを前記ガス使用部に供給するように、前記ガス切替え部を制御するコントローラと、
を具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第６の視点は、第４または第５の視点の装置において、前記ガス供給ルートは前記電解槽から前記ガス切替え部に供給される前記フッ素ガスの圧力及び流量を制御するバッファ部を具備し、前記ルート検出器は前記バッファ部の状態を検出するバッファ検出器を具備することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第７の視点は、第６の視点の装置において、前記バッファ部は、前記電解槽からの前記フッ素ガスを加圧するコンプレッサを具備し、前記バッファ検出器は、前記コンプレッサの運転状態を検出することを特徴とする。
【００１５】
本発明の第８の視点は、第６の視点の装置において、前記バッファ部は、前記電解槽からの前記フッ素ガスを一時的に溜めるバッファタンクを具備し、前記バッファ検出器は、前記バッファタンク内の圧力を検出することを特徴とする。
【００１６】
本発明の第９の視点は、第６の視点の装置において、前記バッファ部は、前記電解槽からの前記フッ素ガスを所定流量で前記ガス切替え部に供給するフローコントローラを具備し、前記バッファ検出器は、前記フローコントローラにおける前記フッ素ガスの流量を検出することを特徴とする。
【００１７】
本発明の第１０の視点は、第１乃至第９の視点のいずれかの装置において、前記代替ガスはフッ化窒素からなることを特徴とする。
【００１８】
更に、本発明の実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が省略されることで発明が抽出された場合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が周知慣用技術で適宜補われるものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
【００２０】
図１は本発明の実施の形態に係る、フッ素ガス生成及び供給装置を組込んだ半導体処理システムを示す概略図である。この半導体処理システムは、半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基板に、成膜、エッチング、或いは拡散等の処理を施す半導体処理装置１０を有する。
【００２１】
半導体処理装置１０は、被処理基板を収納すると共に半導体処理を施すための処理室１２を具備する。処理室１２内には、被処理基板を載置するための下部電極兼載置台（支持部材）１４が配設される。処理室１２内にはまた、載置台１４に対向して上部電極１６が配設される。両電極１４、１６間にＲＦ（高周波）電源１５からＲＦパワーが印加されることにより、処理ガスをプラズマに転化するためのＲＦ電界が処理室１２内に形成される。処理室１２の下部には、内部を排気すると共に真空に設定するための排気系１８が接続される。また、処理室１２の上部には、処理ガスを供給するためのガス供給系２０が接続される。
【００２２】
図２は図１図示のガス供給系２０と組み合わせて使用される半導体処理装置の変更例１０ｘを示す概略図である。半導体処理装置１０ｘは、被処理基板を収納すると共に半導体処理を施すための処理室１２を具備する。処理室１２内には、被処理基板を載置するための載置台（支持部材）１４が配設される。処理室１２の下部には、内部を排気すると共に真空に設定するための排気系１８が接続される。処理室１２の上部には、プラズマを生成するためのリモートプラズマ室１３が接続される。リモートプラズマ室１３の周囲には、コイルアンテナ１７が巻回される。コイルアンテナ１７にＲＦ（高周波）電源１５からＲＦパワーが印加されることにより、処理ガスをプラズマに転化するための誘導電界がリモートプラズマ室１３内に形成される。また、リモートプラズマ室１３の上部には、処理ガスを供給するためのガス供給系２０が接続される。
【００２３】
図１に戻り、ガス供給系２０には、処理室１２内に任意のガス、例えば半導体処理を行うための処理ガスや処理室１２内をクリーニングするための処理ガスを、選択的に切替え且つ所定の流量で供給するための流れ管理部２２が配設される。流れ管理部２２には、種々な活性ガスや不活性ガスを貯蔵する複数のガス源を有するガス貯蔵部２４が接続される。流れ管理部２２にはまた、フッ素ガス系の処理ガスを反応処理により生成するガス生成部２６が接続される。
【００２４】
流れ管理部２２及びガス生成部２６には、本発明の実施の形態に係るフッ素ガス生成及び供給装置３０が接続される。即ち、生成及び供給装置３０は、流れ管理部２２にフッ素ガスを直接供給するか、或いはガス生成部２６にフッ素ガス原料を供給するために使用される（切替え用のバルブは図示せず）。ガス生成部２６では、例えば、フッ素ガス原料と、Ｃｌ等の他のハロゲンガスとを反応させることにより、ハロゲン間フッ素化合物ガスが生成される。
【００２５】
生成及び供給装置３０は、フッ化水素を含む溶融塩からなる電解浴中でフッ化水素を電解することによりフッ素ガス（Ｆ2 ）を生成する電解槽３４を有する。溶融塩は、フッ化カリウム（ＫＦ）とフッ化水素（ＨＦ）との混合物（ＫＦ／２ＨＦ）或いはフレミー塩（Fremy's salt）とフッ化水素との混合物からなる。電解槽３４には、消費原料であるフッ化水素を供給するためのフッ化水素源３２が接続される。電解槽３４内には、電解浴の組成の変化を代表する状態として、電解浴の電流特性、液面レベル、温度等を検出するための検出器３６が配設され、検出器３６で得られた検出結果はコントローラ４０に供給される。消費原料であるフッ化水素は、コントローラ４０の制御下で、検出器３６による検出結果に基づいて、量的なしきい値を目安として、フッ化水素源３２から電解槽３４に補充される。
【００２６】
電解槽３４で生成されたフッ素ガスは、供給配管３８に配設されたフッ素ガスの圧力及び流量を制御するためのバッファ部４２を介してガス切替え部５６に供給される。バッファ部４２は、概ね大気圧で生成される電解槽３４からのフッ素ガスを加圧するためのコンプレッサ４４と、フッ素ガスを一時的に溜めるバッファタンク４６と、フッ素ガスをバッファタンク４６からガス切替え部５６に所定流量で供給するためのフローコントローラ４８とを有する。コンプレッサ４４には、その運転状態を検出するための運転検出器５０が配設される。バッファタンク４６には、その内部の圧力を検出するための圧力検出器５２が配設される。フローコントローラ４８には、その内部のフッ素ガスの流量を検出する流量検出器５４が配設される。これ等の検出器５０、５２、５４で得られた検出結果はコントローラ４０に供給される。
【００２７】
一方、フッ素ガスの発生源である電解槽３４及び同電解槽３４からガス使用部に至る供給配管、バッファ部４２等を含むフッ素ガスの供給ルートに異常が発生した場合を想定し、バックアップ部６０が配設される。バックアップ部６０は、フッ素ガスを代替する代替ガスを貯蔵するボンベ（またはボンベ群）６２を有する。ボンベ６２のバルブ６４を出た代替ガスは、フローコントローラ６６によって所定流量に制御された状態でガス切替え部５６に供給される。
【００２８】
なお、代替ガスは、フッ化窒素、フッ化イオウ、フッ化塩素からなる群から選択される。この中で、フッ化窒素は、室温で反応性が低く、比較的安全なガスであるという理由から、代替ガスとして使用することが望ましい。なお、代替ガスとしてフッ化窒素（ＮＦ3 ）を使用する場合、フッ素ガスからフッ化窒素に切り替わる際に、フッ化窒素の流量が自動的にフッ素の流量の約２／３倍となるようにフローコントローラを設定することが望ましい。このように設定することにより、代替ガスを使用する側の処理能力を一定に維持することできる。また、半導体処理装置や処理のタイプによっても、望ましい代替ガスは異なる。例えば、プラズマクリーニングの場合はフッ化窒素（ＮＦ3 ）を代替ガスとして使用し、サーマルクリーニングの場合はフッ化塩素を代替ガスとして使用することが望ましい。
【００２９】
コントローラ４０は、電解槽３４及び／またはバッファ部４２の異常状態が検出された時、ボンベ６２からの代替ガスをガス使用部（主処理部側）に供給するように、ガス切替え部５６を制御する。また、コントローラ４０は、ガス切替え部５６におけるガスの切替えに伴って、バッファ部４２の作動（例えばコンプレッサ４４の運転）のオン／オフ及びボンベ６２のバルブ６４の開閉も制御する。
【００３０】
電解槽３４の異常状態は、電解槽検出器３６を介して感知される。具体的には、検出器３６は、電解浴の組成の変化を代表する状態として、電解浴の電流特性、液面レベル、温度等を検出し、コントローラ４０に伝達する。コントローラ４０は、これ等の検出値と予め設定されたしきい値とを比較し、電解槽３４が正常状態にあるか、或いは異常状態に陥ったかを認識する。
【００３１】
また、バッファ部４２の異常状態は、バッファ検出器である３つの検出器、即ち、運転検出器５０、圧力検出器５２及び流量検出器５４を介して感知される。具体的には、これ等の検出器５０、５２、５４は、夫々、コンプレッサ４４の運転状態、バッファタンク４６の内部の圧力、フローコントローラ４８におけるフッ素ガスの流量を検出し、コントローラ４０に伝達する。コントローラ４０は、これ等の検出値と予め設定されたしきい値とを比較し、バッファ部４２が正常状態にあるか、或いは異常状態に陥ったかを認識する。
【００３２】
このように、フッ素ガスの発生及び供給側の各主要部分には検出器３６、５０、５２、５４が配備され、同発生及び供給側における異常状態の発生箇所、種類等がコントローラ４０によって識別される。従って、コントローラ４０は、異常状態の発生箇所、種類等に応じて、ガス切替え部５６の制御に関連する種々の情報処理を行うことができる。それ等は、例えば、ガス切替えのタイミングの決定、ガス切替えに先立って各主要部分の状態をチェックするプログラムの実行、異常状態の発生箇所等をオペレータに知らせるためのアラーム信号の送信または手動運転の指示等である。
【００３３】
図１図示の生成及び供給装置３０によれば、バックアップ部として、電解槽３４からバッファ部４２に至るフッ素ガスの発生及び供給側と同じ構成を追加配設するのではなく、代替ガスのボンベを使用するため、ガス供給系のイニシャルコスト及び運転コストが安価となる。また、フッ化窒素、フッ化イオウ、フッ化塩素からなる群から選択された代替ガスは、ボンベに充填して配備する上で、高圧のフッ素ボンベのような問題を発生せず、安全性の上で好ましい。
【００３４】
図３は本発明の別の実施の形態に係る、フッ素ガス生成及び供給装置を示す概略図である。この実施の形態においては、コントローラ４０は、電解槽３４からガス使用部にフッ素ガスを供給するガス供給ルートの異常状態を検出する検出器、具体的には検出器５０、５２、５４によるバッファ部４２の状態の検出結果のみを参照してガス切替え部５６を制御する。一方、検出器３６による電解浴の液面レベルの検出結果は、コントローラ４０に伝達されず、代わりにコントローラ７０によって、フッ化水素をフッ化水素源３２から電解槽３４に補充するために使用される。
【００３５】
通常、電解槽３４の異常状態は、発生したフッ素ガスの状態にも異常をもたらす。従って、電解槽３４からガス使用部にフッ素ガスを供給するガス供給ルートの異常状態、例えば、下流側のバッファ部４２におけるフッ素ガスの異常状態を感知できれば、ガス切替え部５６を制御するのに必要な基本的な情報を得ることができる。但し、この場合、電解槽３４の異常状態は、ガス切替え部５６の制御とは関係なく、別途検知できるようにしておくことが望ましい。
【００３６】
図４は本発明の更に別の実施の形態に係る、フッ素ガス生成及び供給装置を示す概略図である。この実施の形態においては、バッファ部４２のコンプレッサ４４、バッファタンク４６、及びフローコントローラ４８には異常状態を検出するための検出器が配備されない。代わりに、電解槽３４からガス使用部にフッ素ガスを供給するガス供給ルートの異常状態を検出する検出器として、ガス供給配管内の圧力及び流量を検出する検出器７２が配設される。コントローラ４０は、検出器３６による電解槽３４の状態の検出結果に加え、検出器７２によるフッ素ガス供給配管内の圧力及び流量の検出結果を参照してガス切替え部５６を制御する。なお、検出器７２は、図４に一点鎖線で示すように、ガス切替え部５６よりも下流側に配置することもできる。
【００３７】
通常、バッファ部４２の異常状態は、フッ素ガス供給配管内の圧力及び流量にも異常をもたらす。従って、バッファ部４２よりも下流でフッ素ガス供給配管内の圧力及び流量の異常状態を感知できれば、ガス切替え部５６を制御するのに必要な基本的な情報を得ることができる。
【００３８】
なお、上記各実施の形態において、ガス切替え部５６は電解槽３４とバッファ部４２との間に配設することもできる。この場合、コントローラ４０は、検出器３６による電解槽３４の状態の検出結果のみを参照してガス切替え部５６を制御することとなる。また、上記実施の形態において、フッ素ガスは、流れ管理部２２或いはガス生成部２６に択一的に供給されるが、このガスは、他の処理ガスとは別に直接処理室１２に供給するようにしてもよい。また、ガス生成部２６は、ハロゲン間フッ素化合物ガスではなく、他のフッ素系の処理ガスを生成するように構成することもできる。更に、上記各実施の形態において、安全上の問題に対応できるのであれば、上述の代替ガスのボンベに代えて、フッ素ガスのボンベを使用することができる。
【００３９】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体処理システムのガス供給系に配設され、安価で且つ安全な構成で装置の異常をバックアップすることが可能な、フッ素ガス生成及び供給装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るフッ素ガス生成及び供給装置を組込んだ半導体処理システムを示す概略図。
【図２】図１図示のガス供給系と組み合わせて使用される半導体処理装置の変更例を示す概略図。
【図３】本発明の別の実施の形態に係るフッ素ガス生成及び供給装置を示す概略図。
【図４】本発明の更に別の実施の形態に係るフッ素ガス生成及び供給装置を示す概略図。
【符号の説明】
１０…半導体処理装置
１２…処理室
１３…リモートプラズマ室
１４…載置台
１５…ＲＦ電源
１６…上部電極
１７…コイルアンテナ
１８…排気系
２０…ガス供給系
２２…流れ管理部
２４…ガス貯蔵部
２６…ガス生成部
２８…コンプレッサ
３０…ガス生成及び供給装置
３２…フッ化水素源
３４…電解槽
３６…検出器
４０…コントローラ
４２…バッファ部
４４…コンプレッサ
４６…バッファタンク
４８…フローコントローラ
５０、５２、５４…検出器
５６…ガス切替え部
６０…バックアップ部
６２…ボンベ
６４…バルブ
６６…フローコントローラ
７０…コントローラ
７２…検出器
【図１】
0003725822.tif 000002
【図２】
0003725822.tif 000003
【図３】
0003725822.tif 000004
【図４】
0003725822.tif 000005