(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層基板および上層基板を含む多層基板と、前記多層基板の上面を覆う金属キャップとを備え、前記多層基板の側面に切り欠き部が形成され、前記切り欠き部に前記金属キャップの一部がはめ込まれた高周波集積回路搭載装置であって、
前記切り欠き部が、前記上層基板の側面の切り欠き領域から非切り欠き領域にかけて前記下層基板の側面を切り欠くことにより形成された段差部を有し、
前記金属キャップが、前記段差部に嵌合する爪部を有し、
前記段差部と前記爪部とが嵌合して前記多層基板と前記金属キャップとが一体化していることを特徴とする高周波集積回路搭載装置。
【請求項２】
平面視で略矩形の外形を有し、対向する一対の側面に、段差部を有する切り欠き部が形成されている請求項１に記載の高周波集積回路部品搭載装置。
【請求項３】
平面視で略矩形の外形を有し、側面から側面間の隅角部にかけて、段差部を有する切り欠き部が形成されている請求項１または２に記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項４】
段差部が形成された第１の側面に隣接する第２の側面から前記第１の側面を経て前記段差部へと爪部が伸長している請求項３に記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項５】
爪部の下辺に、隅角部から離れるにつれて上方へ切り上がるテーパーが形成されている請求項３または４に記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項６】
平面視で略矩形の外形を有し、側面間の隅角部と接しないように段差を有する切り欠き部が形成されている請求項１または２に記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項７】
爪部が、側面側から観察して略Ｌ字状および略逆Ｔ字状から選ばれる少なくとも一方である請求項１〜６のいずれかに記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項８】
段差部と爪部とが嵌合する部分の長さが０．２ｍｍ以上である請求項１〜７のいずれかに記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項９】
段差部との嵌合部分を支持する爪部の最短幅が０．３ｍｍ以上である請求項１〜８のいずれかに記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項１０】
爪部の下端が多層基板の下面よりも上方に位置し、前記下端と前記下面との間隔が０．２ｍｍ以下である請求項１〜９のいずれかに記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項１１】
多層基板が高周波用半導体素子を搭載している請求項１〜１０のいずれかに記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項１２】
爪部が、下層基板の切り欠きに形成された端面電極を介して多層基板に設けられたグランド配線と接続している請求項１〜１１のいずれかに記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項１３】
下層基板の切り欠きの深さが、上層基板の切り欠きの深さ以下である請求項１〜１２のいずれかに記載の高周波集積回路搭載装置。
【請求項１４】
下層基板と上層基板とを含む多層基板と、前記多層基板の上面を覆う金属キャップとを備え、前記多層基板の側面に切り欠き部が形成され、前記切り欠き部に前記金属キャップの一部がはめ込まれた高周波集積回路搭載装置を、機器基板上に搭載した電子回路装置であって、
前記高周波集積回路装置において、前記切り欠き部が、前記上層基板の側面の切り欠き領域から非切り欠き領域にかけて前記下層基板の側面を切り欠くことにより形成された段差部を有し、前記金属キャップが、前記段差部に嵌合する爪部を有し、前記段差部と前記爪部とが嵌合して前記多層基板と前記金属キャップとが一体化しており、
前記多層基板に設けられたグランド配線に接続する端面電極が前記切り欠き部に形成され、前記端面電極と前記爪部とが、前記機器基板上に形成されたグランド配線とはんだにより接続していることを特徴とする電子回路装置。
【請求項１５】
多層基板が高周波半導体素子を搭載している請求項１４に記載の電子回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波集積回路搭載装置およびこれを用いた電子回路装置に関し、特に移動体通信などの無線システムに適用される高周波集積回路搭載装置、およびこれを機器基板に搭載した電子回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
主として携帯電話などの移動体通信機器に用いられる高周波集積回路搭載装置では、放熱性、高周波帯域における誘電体損失、配線パターンの印刷精度などを配慮してセラミック基板が用いられることが多い。セラミック基板は、小型化のため、通常、積層されて使用される。セラミック基板の積層体の表面および内部には、高周波用の半導体素子、抵抗、コンデンサ、コイルなどの電子部品が搭載され、これら電子部品を電気的に接続する配線パターンおよび高周波伝送線路（ストリップライン）も形成されている。また、外部への不要な輻射や外部からの雑音による不安定動作を実現するために、一般に、金属製キャップがシールドケースとして用いられる。
【０００３】
従来の高周波集積搭載回路装置の一例を図９〜図１１を参照して説明する。図９に示した高周波集積回路搭載装置では、多層基板１０２を上方から金属キャップ１０１が覆っている。多層基板１０２は、この例では４層のセラミック基板１２３，１２４，１２５，１２６が積層されて構成されており、相対する一対の側面には端面電極を設けるための切り欠き部１３１が形成されている。多層基板１０２のもう一対の側面には、金属キャップ１０１の爪部１１６を収容するための切り欠き部１３６が形成されている。図９のＡ−Ａ’断面図である図１０に示すように、爪部１１６は多層基板１０２の端面グランド電極１２８と接触した状態で多層基板１０２を挟み込んでいる。なお、図１０には、図９のＢ−Ｂ断面における主要部も破線で示す（以下、同様の表示方法を採用する）。この高周波集積回路搭載装置は、機器基板１０３に実装される際は、図１１に示すように、端面グランド電極１２８が、電子回路装置の機器基板１０３のグランド配線（グランドパターン）１２９に接続するようにはんだ付けされる。このはんだ付けにより、金属キャップ１０１もはんだ１０４を介してグランドパターン１２９に接続される。端面グランド電極１２８は、多層基板に設けられた、図示を省略する回路配線パターンのグランド配線に接続している。
【０００４】
この高周波集積回路搭載装置では、多層基板１０２を保持する力が爪部１１６を構成する金属板の復元力（ばね力）のみに依存している。この力は、製造工程における搬送中や出荷後の輸送中における振動や衝撃を考慮すると十分ではない。そこで、金属キャップ１０１の側面の一部を後退させて形成した凹部１１５をはんだしろとして、基板上のパターンとのはんだ付けが行われている。このように、上記従来の高周波集積回路搭載装置では、金属キャップ１０１と多層基板１０２とを固定するためのはんだ付けの工程を必要としていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、多層基板の表面にはんだ付けのためのランドを準備することは、高周波集積回路搭載装置の高集積化の妨げとなっていた。また、微小部分に正確にはんだ付けを行うためには、ヒータの位置および温度などを厳密に制御する必要があり、この制御の精度が十分でない場合には、溢れたはんだにより他のパターンとの短絡が生じる可能性があった。さらに、機器基板への実装時に、はんだが溶融するという問題もあった。
【０００６】
このはんだ付けの工程を省略するために、金属キャップの爪部による保持力を補強した高周波集積回路搭載装置が提案されている。この高周波集積回路搭載装置では、図１２〜図１４に示すように、金属キャップ１０１の爪部１１７にノッチ１１８を設け、このノッチ１１８が多層基板１０２に設けた段差１２０に引っ掛けられている。段差１２０を形成するために、多層基板１０２の切り欠き部１３７では、下方の基板１２５，１２６の端部が上方の基板１２３，１２４の端部よりも後退している。
【０００７】
しかし、金属キャップの爪部１１７にノッチ１１８を設けても、段差１２０に引っ掛かっているのはノッチ１２８のみであるため、製品落下時の衝撃などを考慮すると、金属キャップ１０１と多層基板１０２との保持力の改善は十分でない。また、図１４に示すように、機器基板１０３への実装時に、金属キャップの爪部１１７と多層基板１０２との間の空隙にはんだ１０４が吸い上げられるため、高周波集積回路搭載装置の外周部に十分なはんだフィレットが形成されないという新たな問題が生じる。この状態では、固着に寄与するはんだを確保して接続の信頼性を維持することが困難であり、外観によるはんだ付け良否の検査も容易ではない。
【０００８】
そこで、本発明は、金属キャップと多層基板とを固定するはんだ付け工程を必要とせず、しかも装置実装時のはんだ付けの際にも、はんだの不要な吸い上げを抑制できる高周波集積回路搭載装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の高周波集積回路搭載装置は、下層基板と上層基板とを含む多層基板と、この多層基板の上面を覆う金属キャップとを備え、上記多層基板の側面に切り欠き部が形成され、この切り欠き部に上記金属キャップの一部がはめ込まれており、さらに、上記切り欠き部が、上記上層基板の側面の切り欠き領域から非切り欠き領域にかけて上記下層基板の側面を切り欠くことにより形成された段差部を有し、上記金属キャップが、上記段差部に嵌合する爪部を有し、上記段差部と上記爪部とが嵌合して上記多層基板と上記金属キャップとが一体化していることを特徴とする。
【００１０】
本発明の高周波集積回路搭載装置では、多層基板の段差部と金属キャップの爪部とが上記段差部で嵌合しているため、多層基板と金属キャップとをはんだ付けする必要がない。また、多層基板の段差部が、基板側面に沿った方向における下層基板と上層基板の切り欠き端部の位置の相違により形成されているため、各基板の切り欠き深さの相違により段差部を設けた場合に形成されるような、はんだ吸い込みの原因となる不要な空隙も生じない。
【００１１】
本発明の高周波集積回路搭載装置は、平面視で略矩形の外形を有し、対向する一対の側面に、段差部を有する切り欠き部が形成されていることが好ましい。多層基板と金属キャップとを確実に固定するためである。また、対向する一対の側面に嵌合部を設ければ、段差部におけるはめ込み動作もバランス良く行うことができる。
【００１２】
本発明の高周波集積回路搭載装置は、平面視で略矩形の外形を有し、側面から側面間の隅角部にかけて、段差部を有する切り欠き部が形成されている形態とすることが好ましい。段差部と爪部とのはめ込みが容易となるからである。この場合は、爪部のはめ込みをさらに容易とするために、段差部が形成された第１の側面に隣接する第２の側面から第１の側面を経て上記段差部へと爪部が伸長していることが好ましい。
【００１３】
また、上記形態とする場合には、爪部の下辺に、隅角部から離れるにつれて上方へ切り上がるテーパーが形成されていることが好ましい。この好ましい例によれば、金属キャップを上方から多層基板に押圧するにつれて爪部が広がるように調整して、補助治具を用いずに金属キャップを多層基板にはめ込むことができる。
【００１４】
一方、本発明の高周波集積回路搭載装置は、平面視で略矩形の外形を有し、側面間の隅角部と接しないように段差を有する切り欠き部が形成されている形態としてもよい。この形態では、外部との接続に用いる多層基板の端面電極を側面の隅角部の間に形成できるため、機器への実装時の高集積化の観点からは有利である。
【００１５】
本発明の高周波集積回路搭載装置では、爪部が、側面側から観察して略Ｌ字状および略逆Ｔ字状から選ばれる少なくとも一方であることが好ましい。また、金属キャップと多層基板との接合強度を保つためには、段差部と爪部とが嵌合する部分の長さが０．２ｍｍ以上であることが好ましい。さらに、爪部の強度を確保するためには、段差部との嵌合部分を支持する爪部の最短幅が０．３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００１６】
本発明の高周波集積回路搭載装置では、爪部の下端が多層基板の下面よりも上方に位置し、爪部の下端と多層基板の下面との間隔が０．２ｍｍ以下であることが好ましい。このように間隔を調整すれば、はんだの吸い上げをさらに効果的に抑制できる。
【００１７】
本発明の高周波集積回路搭載装置では、多層基板が高周波用半導体素子を搭載していることが好ましい。また、爪部が、下層基板の切り欠きに形成された端面電極を介して多層基板に設けられたグランド配線と接続していることが好ましい。また、下層基板の切り欠きの深さが、上層基板の切り欠きの深さ以下であることが好ましい。
【００１８】
本発明の電子回路装置は、下層基板と上層基板とを含む多層基板と、この多層基板の上面を覆う金属キャップとを備え、上記多層基板の側面に切り欠き部が形成され、この切り欠き部に上記金属キャップの一部がはめ込まれた高周波集積回路搭載装置を、機器基板上に搭載しており、さらに、上記高周波集積回路装置において、上記切り欠き部が、上記上層基板の側面の切り欠き領域から非切り欠き領域にかけて上記下層基板の側面を切り欠くことにより形成された段差部を有し、上記金属キャップが、上記段差部に嵌合する爪部を有し、上記段差部と上記爪部とが嵌合して上記多層基板と上記金属キャップとが一体化していることを特徴とする。また、上記多層基板に設けられたグランド配線に接続する端面電極が上記切り欠き部に形成され、上記端面電極と上記爪部とが、上記機器基板上に形成されたグランド配線とはんだにより接続していることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の高周波集積回路搭載装置および電子回路装置の好ましい形態を図面を参照しつつ説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は、本発明の高周波集積回路搭載装置の一形態の斜視図である。上面側から見て（平面視で）略矩形の金属キャップ１は、上面１１の四辺から下方へと折り込まれた側面１２，１３を有し、相対する一対の側面１３からは、多層基板２との固定に用いられる爪１６，１７が下方へと伸長している。多層基板２は、２層のセラミック基板２１，２２が積層されてなるセラミック多層基板である。多層基板２の一対の側面には、金属キャップの爪１６，１７が上方から挿入される切り欠き３６，３７が形成されており、もう一対の側面には、端面電極を形成するための切り欠き３１が形成されている。
【００２１】
セラミック多層基板の表面および内部には、従来例と同様に、高周波用の半導体素子、抵抗、コンデンサ、コイルなどの電子部品が搭載され、これら電子部品を電気的に接続するための配線パターンおよび高周波伝送線路（ストリップライン）が形成されている。このように、セラミック多層基板には、高周波集積回路が搭載されている。
【００２２】
切り欠き３７には段差２０が形成されている。この段差２０は、上層基板２１と下層基板２２との切り欠きの端部の位置の相違により側面に沿って形成されている。この段差を有する切り欠き３７には、先端が略Ｌ字状に折り曲げられた爪１７が嵌合している。この鉤形爪１７は、落下などによる衝撃が加わっても、段差２０との嵌合により、金属キャップの上方への脱落を防止する。
【００２３】
段差２０に嵌合する部分の鉤形爪の長さ（側面に沿っての長さ）は、接合強度を確保するために、０．２ｍｍ以上とすることが好ましく、０．２５ｍｍ以上とすることがさらに好ましい。この長さの上限は、特に制限されないが、装置の小型化などを考慮すると、０．３ｍｍが適当である。
【００２４】
また、上層基板２１の切り欠き幅４１は、０．４ｍｍ以上が好ましく、同様に、鉤形爪１７の幅も、最小幅となるこの部分では０．３ｍｍ以上とすることが好ましい。嵌合爪の強度を確保するためである。なお、切り欠き幅４１とこの部分に嵌合する鉤形爪１７の幅との差は、０．０５ｍｍ以上であって鉤形爪の幅の半分以下であることが好ましい。はめ込み工程での位置ずれを吸収しつつ、嵌合強度を確保するためである。一方、下層基板２２の切り欠き幅４２は、上層基板２１の切り欠き幅４１よりも大きいことが好ましく、具体的には、この部分にはめ込まれる鉤形爪１７の幅とともに、０．５ｍｍ以上が好ましい。下層基板２２においても、切り欠き幅は、位置ずれや寸法ずれを考慮して、鉤形爪１７の幅よりも０．０５ｍｍ以上広いことが好ましい。
【００２５】
金属キャップのはめ合わせの際に、爪は、多層基板との間に下方から補助治具を挿入してやや上方へと跳ね上げられた状態で下方へと押し込まれ、補助治具を抜き取って基板側面の切り欠きへとはめ込まれる。このような装着工程を考慮すると、各爪の剛性は過大とならないことが好ましい。特に制限されないが、装置の小型化も併せて考慮すると、各爪の最小幅の上限値は１．０ｍｍが好ましい。その一方、爪による基板の保持力とはんだ付け面積とを確保し、金属キャップと多層基板との接合強度の信頼性を確保するためには、図示したように一側面において２個以上の爪を用いることが好ましい。２個以上の爪を用いることにより、金属キャップをより良好に機器基板のグランド配線に接続してアース電位に保持し、シールド効果の信頼性を高めることもできる。
【００２６】
一側面について２個以上の爪を用いる場合は、鉤形爪とともに棒状爪１６を用いてもよい。棒状爪１６の先端には屈曲部が設けられていない。この爪は、両側面１３から多層基板２を挟み込みながら、はんだ付けの面積を確保して接続の信頼性を維持するために形成される。棒状爪１６の幅は、特に制限されないが、０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましい。
【００２７】
図２に示すように、鉤形爪１７は、金属キャップ１の側面１３から下方へ進むにつれて、一旦側面外方へと折り曲げられてから内方へと屈曲し、切り欠き３７において下層基板２２の端面に形成された金属膜である端面電極２８と接触している。多層基板２の下面１５と鉤形爪１７の下端との間隔４５は０．２ｍｍ以下が好ましい。間隔４５を０．２ｍｍ以下とすることにより、切り欠き３７をはい上がってくるはんだと鉤形爪１７とを確実に接続して、金属キャップをアース電位に安定して保持できる。一方、多層基板２の下面１５よりも下方に爪が突き出ていると、多層基板２と機器基板３との密着が阻害され、半導体素子などからの機器基板への放熱が妨げられる場合がある。
【００２８】
切り欠き３７における基板２１，２２の後退幅４３，４４は、同一でもあってよいが、多層基板を作製する際の基板２１，２２の位置ずれを考慮すると、図示したように、上層基板２１の切り欠き深さ４３を下層基板２２の切り欠き深さ４４よりも深くすることが好ましい。特に制限されないが、上層基板２１の切り欠き深さ４３は、下層基板２２の切り欠き深さ４４よりも０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下の範囲で深いことが好ましい。
【００２９】
また、鉤形爪１７との嵌合部を確保するために、段差２０における切り欠き深さ４４は、鉤形爪を構成する金属板の厚さの０．５倍以上が好ましく、金属板の厚さと同厚以上がさらに好ましい。段差２０における切り欠き深さの上限は、はめ込み工程を容易にするために、鉤形爪となる金属板の厚さの２倍以下が好ましい。本実施形態の高周波集積回路搭載装置では、段差２０における切り欠き深さは、下層基板の切り欠き深さ４４に相当する。
【００３０】
図３に示すように、高周波集積回路搭載装置は、機器基板３にはんだ付けされ、電子回路装置として用いられる。こうして、金属キャップの爪１７と、多層基板の端面に形成された金属膜（端面グランド電極）２８と、機器基板上のグランドパターン２９とがはんだ４により一体として接続される。金属キャップがアース電位に保持されることにより、金属キャップ１のシールド性能は良好に保たれる。なお、端面グランド電極２８およびグランドパターン２９は、従来と同様にして形成すればよい。
【００３１】
図１４と比較すれば明らかなように、本実施形態では、金属キャップと多層基板との機械的接合のための段差が基板側面に沿って形成されるために、段差の面積を確保しやすい。しかも、はんだの吸い上げが防止されているために、はんだフィレットが良好に形成され、接合強度の確保やフィレット形状の外観検査も容易となる。
【００３２】
（実施の形態２）
図１および図２にそれぞれ対応する図４および図５により、本発明の高周波集積回路搭載装置の別の一形態について説明する。本実施形態では、４層のセラミック基板２３，２４，２５，２６が積層された多層基板２が用いられている。このように、多層基板に用いる基板の数は、２層以上であれば特に制限はない。
【００３３】
図５に示すように、本実施形態では、切り込み３７における各セラミック基板の後退幅４６は同一である。上層基板２３，２４と下層基板２５，２６との後退幅を同一とすると、多層基板上面の回路形成面積が広がるという利点がある。一方、実施の形態１のように上層基板の後退幅を下層基板の後退幅よりも大きくすると、多層基板の製造工程中に積層ずれが生じても、上層基板が下層基板よりも後退して嵌合爪と下層基板との間に隙間ができることを防止できる。なお、後者の場合は、下層基板のみに端面電極を形成することが好ましい。本実施形態における後退幅４６は、実施の形態１における下層基板２２の後退幅４４と同様の範囲に制御することが好ましい。
【００３４】
本実施形態の高周波集積回路搭載装置は、その他の点では、実施の形態１の装置と同様である。機器基板へも実施の形態１と同様に接合される。本実施形態の高周波集積回路搭載装置によっても、金属キャップと多層基板との接合強度を保持しながら、はんだの吸い上げを防止できる。また、本実施形態で示したように、上層基板、下層基板は、複数の基板を積層して構成してもよい。
【００３５】
（実施の形態３）
図１に対応する図６により、本発明の高周波集積回路搭載装置の別の一形態について説明する。本実施形態では、略逆Ｔ字型の外観を有する鉤形爪１８が用いられている。この高周波集積回路搭載装置においても、鉤形爪１８が多層基板６の切り欠き３８の段差２０に嵌合して金属キャップ５と多層基板６との接合強度を保持している。段差２０は、下層基板２９，３０を上方基板２７，２８よりも幅広に切り欠いて、切り欠き３８の両端に形成されている。本実施形態でも、多層基板６を構成するセラミック基板２７，２８，２９，３０の数は、特に制限されない。
【００３６】
本実施形態の高周波集積回路搭載装置は、断面形状も含め、その他の点では、実施の形態１の装置と同様である。機器基板へも実施の形態１と同様に接合される。本実施形態の高周波集積回路搭載装置によっても、金属キャップと多層基板との接合強度を保持しながら、はんだの吸い上げを防止できる。
【００３７】
（実施の形態４）
本実施形態では、側面間の隅角部に爪を形成した高周波集積回路搭載装置の一形態について説明する。図７に示すように、本実施形態の高周波集積回路搭載装置では、鉤形爪７７が金属キャップ７の隣接する側面７２に接続している。鉤形爪７７は、上面７１を折り曲げて形成した側面７２から、これに隣り合う側面７３へと回り込むように折り曲げられ、さらにこの側面７３を下方へと伸長している。このように、本実施形態の鉤形爪７７は、爪先端が存在する側面７３から、側面間の隅角部７９を横断し、さらに側面７２を経由して金属キャップ７の上面７１に接続している。すなわち、爪７７は、爪先端が存在する側面７３の部材と切り離して設けられており、側面７２側へと跳ね上げられやすいように形成されている。鉤形爪７７が嵌合する段差２０を有する切り欠き９７は、側面間の隅角部７９から形成されている。ここでも、下層基板８３，８４の切り欠き幅を上層基板８１，８２の切り欠き幅よりも大きくして、切り欠き端部の位置をずらすことにより、段差２０が形成されている。
【００３８】
なお、この高周波集積回路搭載装置でも、相対する一対の側面７２に端面電極となる切り欠き９１が形成され、隣接する側面７３の中央部には金属キャップの側面７３から棒状爪７６が下方へと伸長し、切り欠き９６に挿入されている。
【００３９】
鉤形爪７７の屈曲部の下辺には、テーパー７８が設けられている。このテーパー７８は、隅角部７８から側面中央に進むにつれて上面側へと切りあがるように形成されている。このテーパーを利用すれば、本実施形態では、補助治具を用いずに金属キャップ７を多層基板８にはめ込むことができる。すなわち、図８に示すように、金属キャップの爪７７は、基板８１に当接した状態（図８（ａ））から押し込まれるにつれて徐々に外方へと開き、上層基板８１，８２の側端面に沿って滑りながらさらに下降して（図８（ｂ））、上層基板の切り欠き端部を含むように下層基板８３，８４を切り欠いて形成した段差２０にはめ込まれる（図８（ｃ））。爪７７が外方へと変形する際には（図８（ｂ））、爪部とともに金属キャップの側面７２がやや上方へと跳ね上がる。
【００４０】
本実施形態によっても、金属キャップと多層基板との接合強度を保持しながら、はんだの吸い上げを防止できる。
【００４１】
なお、上記各実施形態では説明を省略したが、多層基板の上方および／または内部には、適宜、各種の半導体デバイスやチップ部品が装着される。また、これらデバイスやチップ部品を封止するためには、常法に従い、樹脂などの封止剤によって封止されていてもよい。上記で説明した高周波集積回路搭載装置は、特に制限されないが、１００ＭＨｚ以上、例えば８００ＭＨｚ域やＧＨｚ帯域といった、高周波帯域における使用に特に適している。
【００４２】
装置の大きさについても特に制限されないが、上記で説明した態様は、例えば上面側から見て（平面視で）一辺が３ｍｍ〜１２ｍｍ程度とした高周波集積回路搭載装置に好適である。一側面に設ける爪の数や種類も、装置の形状、大きさ、使用形態などに応じて適宜選択すればよい。また、上記では、相対する一対の側面に爪を形成した形態について説明したが、すべての側面において金属キャップに爪を形成しても構わない。
【００４３】
上記高周波集積回路搭載装置を構成する各部材には、従来から用いられてきた材料を特に制限されることなく使用できる。ただし、金属キャップの材料としては、はめ込み工程を考慮してばね性に富む材料が好ましく、さらに、はんだ付け性に優れた洋白（銅−ニッケル−亜鉛合金）やはんだメッキした燐青銅が好適である。特に制限されないが、金属キャップは厚さ０．１〜０．３ｍｍ程度の金属板を用いて形成することが好ましい。
【００４４】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、金属キャップと多層基板とを固定するためのはんだ付けを必要とせず、しかも装置実装時のはんだ付けの際にも、はんだの不要な吸い上げを抑制できる高周波集積回路搭載装置および電子回路装置を提供することができる。特に本発明によれば、金属キャップと多層基板との接合強度、および装置実装や金属キャップによるシールド効果の信頼性を、ともに高く維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波集積回路搭載装置の一形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示した高周波集積回路搭載装置のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】図１に示した高周波集積回路搭載装置を用いた電子回路装置を示す断面図である。
【図４】本発明の高周波集積回路搭載装置の別の一形態を示す斜視図である。
【図５】図５に示した高周波集積回路搭載装置のＡ−Ａ’断面図である。
【図６】本発明の高周波集積回路搭載装置のまた別の一形態を示す斜視図である。
【図７】本発明の高周波集積回路搭載装置のさらに別の一形態を示す斜視図である。
【図８】図７に示した高周波集積回路搭載装置における金属キャップのはめ合わせ工程を説明するための工程図である。
【図９】従来の高周波集積回路搭載装置の一例を示す斜視図である。
【図１０】図９に示した高周波集積回路搭載装置のＡ−Ａ’断面図である。
【図１１】図９に示した高周波集積回路搭載装置を用いた電子回路装置を示す断面図である。
【図１２】従来の高周波集積回路搭載装置のまた別の一例を示す斜視図である。
【図１３】図１２に示した高周波集積回路搭載装置のＡ−Ａ’断面図である。
【図１４】図１２に示した高周波集積回路搭載装置を用いた電子回路装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１，５，７  金属キャップ
２，６，８  多層基板
３          機器基板
４          はんだ
１１        （金属キャップの）上面
１２，１３  （金属キャップの）側面
１５        （金属キャップの）下面
１６〜１８，７６，７７  爪
２０        段差
２１〜３０，８１〜８４  セラミック基板
２８        端面グランド電極
２９        グランド配線（グランドパターン）
３６〜３８，９６，９７  切り欠き
【図１】
0003630361.tif 000002
【図２】
0003630361.tif 000003
【図３】
0003630361.tif 000004
【図４】
0003630361.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003630361.tif 000007
【図７】
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【図８】
0003630361.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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