(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温流体と低温流体とが逆方向に流れる通路に設置され、前記高温流体と前記低温流体とが交互に通過することによって前記高温流体と保有熱を前記低温流体に伝えるハニカム状蓄熱体の隔壁に付着する昇華性固形物を除去する方法において、一方に前記高温流体が他方に前記低温流体が存在する状態で前記低温側の前記蓄熱体の端面に局部的に噴流を吹き付けて前記ハニカム状蓄熱体を通過させて前記高温流体が存在する側へ供給することでハニカム状蓄熱体の両側に静圧差を生じさせ、前記ハニカム状蓄熱体を隔てて存在する高温ガスを前記ハニカム状蓄熱体内の通路を経て低温側に導くことによって前記隔壁へ付着した昇華性固形物を加熱して昇華させ、高温ガスと共に昇華物を前記低温側へ噴出させてから再び前記噴流により誘引して前記高温側に還流させることを特徴とするハニカム状蓄熱体の隔壁付着物の除去方法。
【請求項２】
前記噴流を形成するノズルを複数個設置し、噴出する噴流ノズルを切り換えることにより、前記ハニカム状蓄熱体に対する噴流・噴射位置を移動させ、高温ガスをハニカム状蓄熱体全域で循環させることを特徴とする請求項１記載のハニカム状蓄熱体の隔壁付着物の除去方法。
【請求項３】
前記噴流ノズルの先端は前記ハニカム状蓄熱体の通路内に挿入されることを特徴とする請求項２記載のハニカム状蓄熱体の隔壁付着物の除去方法。
【請求項４】
前記低温側に吸引装置を設け、前記低温側を吸引して前記高温側との静圧差を拡大することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のハニカム状蓄熱体の隔壁付着物の除去方法。
【請求項５】
前記吸引装置を用いて前記ハニカム状蓄熱体の低温側を負圧にして前記ハニカム状蓄熱体から離れた位置に存在する高温ガスを前記ハニカム状蓄熱体近傍まで移動させる工程と、複数本の噴射ノズルを切り換えて噴射位置を移動させながら前記蓄熱体を介して高温ガスを循環させる工程とを交互に行うことを特徴とする請求項４記載のハニカム状蓄熱体の隔壁付着物の除去方法。
【請求項６】
前記隔壁に付着した昇華性固形物を除去した後、低温側より大流量の空気を高温側へ短時間供給してハニカム通路内のガスをパージする行程を組み込むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のハニカム状蓄熱体の隔壁付着物の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高温流体と低温流体を交互に通過させることによって高温流体の保有熱を低温流体に伝えるハニカム状の蓄熱体（以下単にハニカムと呼ぶ）の隔壁を浄化する方法に関する。更に詳述すると、本発明は、ハニカムのセル孔を形成する隔壁に付着した昇華性金属等の固形物を除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハニカム構造の薄い肉厚から成るセラミック製の筒を蓄熱体として利用することが提案され、現在実用化されている。このセラミック製ハニカム構造体を蓄熱体として使用する場合には、主として、▲１▼単位容積当たりの熱交換面積が大きい、▲２▼軽量である、▲３▼流体ガスの圧力損失が小さいなどの特徴があるため、バーナに内装あるいは直接外付けする蓄熱式熱交換器用蓄熱体としては最適なものである。
【０００３】
そこで、薄い隔壁（セル壁）によって区画された通路（セル孔）を多数有するハニカム状の蓄熱体に排ガスを通して相当量の熱を回収し、その後に燃焼用空気を通して燃焼用空気を排ガス温度に近い高温にまで予熱して燃焼させる技術が提案されている。例えば、従来提案されている蓄熱型バーナシステムは、図示していないが、バーナのウィンドボックスに直接あるいは近接させて蓄熱体を接続し、蓄熱体を介して燃焼用空気の供給と燃焼ガスの排出とを交互に行うことによって、燃焼停止中のバーナから排ガスを取り出すときには熱回収を行って低温にしてから排気する一方、燃焼用空気を導入するときには蓄熱体の熱で高温に加熱するように構成されている。このような燃焼システムでは、通常、蓄熱体を通過した後の排ガスの温度は約２００℃程度以下となるように切替時間等が設定されている。
【０００４】
ところで、ハニカム状蓄熱体を通過する高温流体中には昇華性金属が含まれていることがある。例えば、合金の加熱や熱処理を行う金属加熱炉においては、炉中にモリブデンのような８００℃程度で気体となる昇華性金属が存在することがある。このような場合、排ガスが蓄熱体で冷却されることによって、昇華した金属がハニカム状蓄熱体内の通路（以下ハニカム通路と呼ぶ）内で凝固して隔壁に付着することがあることが判明した。この昇華性金属の付着物は炉の１〜２日の操業では何らの問題もなくハニカム通路を詰まらせることはないが、３日〜１週間でハニカム状蓄熱体を詰まらせ、蓄熱型バーナの運転を停止させてしまう問題を有している。
【０００５】
この昇華性金属の付着による影響を緩和する方法として、ハニカムの目を粗くすることが考えられるが、目を粗くすることは蓄熱体として伝熱面積や蓄熱容量の削減に繋がるので好ましくないし、目を粗くしても昇華性金属等の昇華性固形物の付着そのものを防止することはできない。また、蓄熱体を高温に暖めると、再び付着物が昇華して蓄熱体が浄化することからハニカム状蓄熱体の近傍にバーナを設置し、このバーナでハニカム状蓄熱体を加熱して昇華性金属の付着物を除去することも考えられる。しかし、設備コストを上げることとなるし、バーナで蓄熱体を局部的に加熱することは好ましくない。そこで、炉内ガスを利用してハニカム形状の蓄熱体を温め、再び昇華させることを考えた。
【０００６】
しかし、昇華した付着物を含む高温のガスをそのまま排気すると、切替装置やファンなどが高温のためダメージを受ける虞があるし、モリブデンなどの金属を大気中に放散することは好ましいことではない。また、昇華性固形物が公害とならない場合、蓄熱体の下流で空気を入れて排気を冷やしバルブやファンなどを破壊しない程度まで排ガス温度を下げることも考えられるが、その場合にもダクトやバルブに昇華性固形物が付着する問題を含んでいる。
【０００７】
そこで、従来は、バーナ装置からハニカム状蓄熱体を取り外し、加熱炉等での加熱あるいは機械的操作などによって付着物を除去するようにしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ハニカム状蓄熱体の再生を図る都度、ハニカム状蓄熱体の取り外しや交換、付着物除去作業等の多大の労力と時間とを必要とする。使用環境等によっても異なるが、３日から１週間に１回程度再生しなければならず、その都度多大な労力とコストを要する。
【０００９】
そこで、本発明は、ハニカム状蓄熱体を取り外すことなくしかも加熱のための熱源を別途供給する必要もなく付着物の除去が可能となるハニカム状蓄熱体の隔壁付着物の除去方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するため請求項１の発明は、高温流体と低温流体とが逆方向に流れる通路に設置され、高温流体と低温流体とが交互に通過することによって高温流体と保有熱を低温流体に伝えるハニカム状蓄熱体の隔壁に付着する昇華性固形物を除去する方法において、一方に高温流体が他方に低温流体が存在する状態で低温側の蓄熱体の端面に局部的に噴流を吹き付けてハニカム状蓄熱体を通過させて高温流体が存在する側へ供給することでハニカム状蓄熱体の両側に静圧差を生じさせ、ハニカム状蓄熱体を隔てて存在する高温ガスを前記ハニカム状蓄熱体内の通路を経て低温側に導くことによって隔壁へ付着した昇華性固形物を加熱して昇華させ、高温ガスと共に昇華物を低温側へ噴出させてから再び噴流により誘引して高温側に還流させるようにしている。この場合、１日の操業が終わって炉が温かいうちに実施すれば、別個にバーナのような熱源を必要とせずにハニカム状蓄熱体を炉内ガスで温めて隔壁に付着した昇華性固形物を再び昇華させてから炉内へ戻すことができる。したがって、ハニカムを取り外すことなくハニカム隔壁付着物を加熱し、除去することができる。
【００１１】
請求項２の発明は、噴流を形成するノズルを複数個設置し、噴出する噴流ノズルを切り換えることにより、ハニカム状蓄熱体に対する噴流・噴射位置を移動させ、高温ガスをハニカム状蓄熱体全域で循環させるようにしている。したがって、ハニカム全域において炉内ガスの誘引が起き、全体的に均一に蓄熱体が温められる。
【００１２】
請求項３の発明において、噴流ノズルの先端はハニカム状蓄熱体の通路内に挿入されている。この場合、ノズル噴流が確実にハニカム通路を通過することができ、ハニカム通路を通過するノズル噴流の流量が増える。
【００１３】
請求項４の発明は、低温側に吸引装置を設け、低温側を吸引して高温側との静圧差を拡大するようにしている。この場合、高温ガスがハニカム通路を経て低温側出口に移動する時間を短縮させる。したがって、一定時間中にハニカム通路を通過する高温ガスの流量が増大する。
【００１４】
請求項５の発明は、ハニカム状蓄熱体の低温側から吸引装置を用いてガスの吸引を行いハニカム状蓄熱体から離れた位置に存在する高温ガスをハニカム状蓄熱体近傍まで移動させる工程と、複数本の噴射ノズルを切り換えて噴射位置を移動させながら蓄熱体を介して高温ガスを循環させる工程とを交互に行うようにしている。この場合、ハニカム近傍の高温ガスがノズル噴流によって低温化するのを防ぐことができる。
【００１５】
請求項６の発明は、隔壁に付着した昇華性固形物を除去した後、低温側より大流量の空気を高温側へ短時間供給してハニカム通路内のガスをパージする行程を組み込むようにしている。この場合、気化した付着物が低温側に残留していても、高温側に排出することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の構成を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
図１に本発明のハニカム状蓄熱体の隔壁付着物の除去方法の実施形態の一例を示す。この実施形態はオープンフレームバーナに使用されるハニカム状蓄熱体に適用したものである。
【００１８】
まず、本実施形態が対象とするハニカム状蓄熱体について説明する。このハニカム状蓄熱体１は、ハニカム状の多数の通路を有する。本明細書においてハニカム状とは本来の六角形の穴を有する場合だけでなく、四角形、三角形の穴を無数に開けたものも含む。また、セルとは多数の隔壁（セル壁）によって区画された蓄熱体の長手方向に貫通する通路を意味する。そして、このハニカム状蓄熱体は、燃焼位置の高温空気発生システムにおいて例えば２０秒〜６０秒の短時間で蓄熱−放熱サイクルを繰り返す（以下高周期蓄熱という）のに用いて好適な条件を有している。即ち、単位容積当たりの熱交換面積が大きい割に比較的圧力損失が低く、熱容量もある程度有している。このハニカム状蓄熱体は、耐久性の高い材料例えばファインセラミックス、場合によっては金属で成形されている。このハニカム状蓄熱体１は、例えば蓄熱式バーナにおいてはバーナあるいはこれと別体のケーシングなどに収められて使用される。
【００１９】
また、本発明が問題とする昇華性固形物の一例としては昇華性金属を挙げることができる。さらに昇華性金属としては、例えばモリブデン、鉛等が挙げられる。これら昇華性金属が被加熱物あるいは炉材などに存在する場合、炉内で発生するガス中に昇華性金属が含有される。そして、そのガスがハニカム状蓄熱体を通過する際に約２００℃以下に冷却されるため、昇華していた金属が固化してハニカム状蓄熱体内のハニカム通路の隔壁に付着し、やがてハニカム通路を封鎖する。この隔壁付着物は、加熱されて昇華温度を越えると、再び昇華し気体となる。昇華性固形物がハニカムの隔壁１ａに付着しハニカムのハニカム通路を封鎖（封止）する。
【００２０】
そこで、炉操業停止直後の炉内に残っている熱を利用してハニカム状蓄熱体１の隔壁に付着した昇華性金属などの固形物（以下単に付着物と呼ぶ）２の除去を行う。これは、少量のガスをエゼクタ効果が得られる程度の流速でノズルからハニカム通路１ｂへ向けて噴射することにより、ハニカム状蓄熱体１を挟んで高温側と低温側とにそれぞれ存在するガスを入れ替える循環流を形成し、ハニカム状蓄熱体１を取り外すことなくしかも加熱のための熱源を別途供給することもなく行われる。即ち、ハニカム状蓄熱体１の一方の側に残留する高温ガス４の余熱を利用してハニカム隔壁１ａに付着している昇華性固形物及び蓄熱体を加熱し、隔壁に付着する昇華性固形物を気化させて高温ガスとともに低温側へ一旦排出させた後、ノズル噴流に誘引させて再び高温側へ還流させるものである。ここで、高温ガス４の余熱を利用して付着物２を加熱、気化させるものであるから、炉内に残る高温ガスの温度が昇華性固形物を気化するに足るものでなければならない。高温ガス４が高温であるほど、ハニカム付着物２の加熱、気化をより効果的に行うことができる。高温ガス４は炉等に残留した燃焼ガスを利用するものであるため、高温のガスを得るためには炉操業停止直後であるほど好ましい。
【００２１】
噴流ノズル３から噴射される高速のガス流は、ハニカム状蓄熱体を挟んで対向する高温側と低温側とに跨ってガスの強制循環流を発生させる。尚、本明細書では、ハニカム状蓄熱体１を挟んで、燃焼ガスのような高温ガス４が存在する側を高温側、高温ガスより低温であるガスが存在する側を低温側と呼ぶ。噴流ノズル３は低温側に設置され、その噴射口がハニカム状蓄熱体１のハニカム通路に向けられて噴流がハニカム通路１ｂを通過するように設けられている。このノズル噴流は多量である必要はなく、高速の噴流とすることが好ましい。ハニカム状蓄熱体１に向けて噴射されたノズル噴流はハニカム内を通って高温側に達し、ハニカム状蓄熱体１の両側で静圧差を生じさせる。すなわち、静圧が相対的に増した高温側の高温ガス４が、低温側へ流入しようとする。この際、高温ガス４はハニカム通路１ｂを通過するため、ハニカム隔壁１ａとの間で熱の授受を行う。よってハニカム隔壁１ａは通過する高温ガス４により温められ、ハニカム隔壁１ａに付着する昇華性固形物も加熱される。この加熱により昇華性固形物が昇華温度を越えれば再び気化し、高温ガスによって低温側へ搬出される。このとき、低温側に設置された噴流ノズル３は引き続きガス噴射を行っており、ガスは対流し続けている。そのため高温側から低温側へと流入してきたガスは、ハニカム通路１ｂを通過して低温側に到達したときにノズル噴流に誘引され、再びハニカム通路１ｂを通過して高温側へ流れ込む。高温側では広い空間へ解放されるため流速が急激に低下し、バーナスロート内等で滞留することとなる。一方、ハニカム状蓄熱体の近くの高温側に存在するガスは、静圧差によって、低温側へ吸入される。これによって、高温ガスが流れる通路の隔壁に付着した昇華性固形物は勿論のこと、ハニカム状蓄熱体も温められ、隔壁に付着した昇華性固形物を再び気化させる。そして、高温ガスともども低温側へ流出する。低温側へ流出するガスはノズル噴流に誘引されて高温側に還流される。気化した昇華性固形物を含むガスは、ハニカム状蓄熱体を通って高温側へ還流されると、高温側空間内へ拡がり滞留すると共に、ノズル噴流による冷却、若しくは循環に伴う高温ガス４の低温化により、徐々に固化して行く。高温側において再び固化した昇華性固形物はバーナスロートや炉の壁面等に付着し、低温側へ吸入されるガスに含まれることがない。すなわち、ハニカム隔壁１ａに付着していた昇華性固形物は炉内に残る熱を利用して昇華されることによって除去されて再び炉内やバーナスロート内などの高温側空間へ回収される。
【００２２】
図２に他の実施形態を示す。この実施形態は、噴流ノズル３を複数個設置することにより、ハニカム１全域において隔壁付着物２の除去を行うことを可能としたものである。図１の実施形態では、単一ノズルによってガス噴射を行っているため、噴流の噴射位置として適切な位置が設定されない場合あるいは適切な位置が設定できない何らかの条件が存在する場合などには、噴射位置が固定されるため、噴流が通過しようとするハニカム通路１ｂが炉壁付着物２によって塞がれたときにハニカム状蓄熱体を通過する循環流を形成することが困難となる虞がある。この場合、噴流ノズル３を間隔をあけて複数本設置し、ガスを噴射するノズルを順次切り換えることにより、ハニカム状蓄熱体１に対する噴流噴射位置を移動させ、ハニカム状蓄熱体のいずれかで高温ガスの循環流を形成させ尚かつ全域を均一に加熱することが好ましい。この場合、ハニカム状蓄熱体に対するガスの流れの態様も変化するため、さらに均一化した加熱を行い、ハニカム付着物２を偏りなく除去することが可能になる。ガス噴射の切り換え周期については特に制限はなく、ハニカム１全域を偏りなく加熱することができれば周期が短くても長くても、あるいは不規則な切り換えであっても構わない。
【００２３】
また、図３に更に他の実施形態を示す。この実施形態は、ハニカム状蓄熱体の低温側に吸引装置６を設置することにより、高温側に存在する高温ガス４を全体的に低温側へ移動させることを可能としたものである。即ち、高温側に存在する高温ガス４のうち、ハニカム状蓄熱体の近くに存在するガスが低温側へ移動し、ハニカム状蓄熱体から離れたところに存在するガスがハニカム状蓄熱体の近くに移動する。これにより、ノズル噴流によって高温ガス４が低温化しハニカム加熱の効果が低下するのを補う。これは、ハニカム通路１ｂを通して高温側へ噴射されるノズル噴流として常温の空気が採用される場合には、ハニカム状蓄熱体１の近傍に存在する高温ガス４が急速に冷却され昇華温度付近あるいはそれ以下に降下してしまう虞があるからである。吸引装置６は、低温側に設置され、低温側から吸気を行い、ハニカム状蓄熱体１から離れた区域に存在する高温ガス４をハニカム状蓄熱体１の近傍まで移動させる。ハニカム状蓄熱体１の近傍に移動した高温ガス４がハニカム状蓄熱体１の加熱を行い、付着物２の除去効率の向上を促す。上述の吸引装置６による高温ガス４の移動は噴流ノズル３の噴射と周期的に交互に行うことが好ましい。運転間隔や周期は特に制限を受けるものではないが、ハニカム近傍のガスの移動を適度に行い、ハニカム隔壁１ａの温度をできるだけ高温に維持することが可能な範囲で適宜設定される。また、上述の吸引装置６による高温ガスの移動と噴流の噴射とを交互に実施するばかりでなく、同時に実施しても良い。例えば、噴流ノズル３から少量のガスを高速で噴射する一方、吸引装置６で低温側の空間に存在するガスを吸引すれば静圧差が大きくなり、ハニカム通路１ｂを通過する高温ガス４の単位時間当たりの流量が増大しハニカム状蓄熱体及び付着物が早急に加熱されるという効果を得る。
【００２４】
更に図４に他の実施形態を示す。この実施形態は、噴流ノズル３の先端をハニカム状蓄熱体１のハニカム通路１ｂ内に挿入し、ハニカム状蓄熱体の隔壁との間でエゼクタを構成するようにしたものである。この場合、ノズル噴流が確実にハニカム通路１ｂを通過すると共に低温側に存在する周りのガスを効率的に誘引して高温側へ噴出させることができる。ノズル先端が離れている場合に比べてエゼクタ効果が上がるのでハニカム通路１ｂの両端での静圧差を大きくして高温側に存在するガスが低温側へ移動する流量を増大させることができる。これによって、ハニカム隔壁１ａを短時間でより高温に加熱することが可能となる。
【００２５】
更に、図３及び図４に示すように、ガス供給装置７を低温側に設け、隔壁付着物の除去が一定時間行われた後あるいは終了したときに、低温側空間へパージ用ガスを供給して高温側へ押し込み、ハニカム通路１ｂ内や低温側のガス５のパージを行うことも可能である。ハニカム隔壁１ａの付着物２が除去される際、気化した付着物の全てがノズル噴流に誘引されて高温側へ還流されることは困難であり、低温側空間に存在するガス５中には気化した付着物が残留することがあり得る。そこで除去作業の途中で適度に、低温側空間へガス供給装置７によりパージ用ガス例えば常温あるいは昇華性固形物の昇華温度以上の高温の空気あるいは蒸気や不活性ガスなどを供給してパージを行う。これにより、気化した付着物が低温側のガス中に残留している場合でも、高温側に排出することができる。ただしパージによりハニカム状蓄熱体１を冷却してしまう虞があるので、なかでも除去作業の途中に用いられるパージ用ガスとしてはできるだけ少量で尚かつ高温であることが好ましい。
【００２６】
なお、上述の実施例は本発明の好適な実施の一例ではあるがこれに限定されるものではなく本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。例えば、本実施例においてはノズルから噴射されるガスとして常温の空気を用いているが、これに特に限られず不活性ガスや蒸気等を用いても構わない。また、加熱を行ったガス、特に昇華性金属の昇華温度以上に加熱されたガスを噴射するようにすれば高温側のガスが冷却されるのを防止する効果が得られる。
【００２７】
【発明の効果】
以上の説明より明らかなように、請求項１記載のハニカム隔壁付着物の除去方法によると、ハニカム状蓄熱体を隔てて高温側に存在する高温ガスを低温側からハニカム状蓄熱体へ向けて噴射する噴流によって発生する静圧差で低温側へ導くことによって、隔壁に付着した昇華性固形物を加熱して昇華させて高温ガスと共に低温側へ搬出させてから再び噴流により誘引して高温側に還流させるようにしているので、ハニカムのハニカム通路に付着していた昇華性金属の付着物を昇華させて除去すると共に高温側で回収することができる。この作業は１日の操業が終わって炉が温かいうちにその熱を利用すれば、別個にバーナのような熱源を必要とせずに実施できる。しかも、ハニカムを取り外すことなくハニカム隔壁付着物を加熱し、除去することができる。したがって、ハニカムの再生に要する労力とコストとを削減することができ、さらにバーナ装置の操業の停止時間を従来より大きく短縮することが可能となる。
【００２８】
また、請求項２の発明によると、ハニカム状蓄熱体に対する噴流・噴射位置を移動させて高温ガスをハニカム状蓄熱体全域で循環させるようにしているので、ハニカム全域において炉内ガスの誘引が起き、全体的に均一に蓄熱体が温められる。したがって、ハニカム状蓄熱体に付着する昇華金属を偏りなく除去することができる。
【００２９】
また、請求項３の発明によると、噴流ノズルの先端をハニカム状蓄熱体のハニカム通路内に挿入し、ハニカム状蓄熱体の隔壁との間でエゼクタを構成するようにしているので、ノズル噴流が確実にハニカム通路を通過すると共に低温側に存在する周りのガスを効率的に誘引して高温側へ噴出させることができる。したがって、エゼクタ効果が上がりハニカム状蓄熱体の両端での静圧差を大きくして高温側に存在するガスが低温側へ移動する流量を増大させることができる。これによって、ハニカム隔壁を短時間でより高温に加熱することが可能となり、除去作業時間を短かくできる。
【００３０】
請求項４の発明によると、低温側と高温側との静圧差をより大きくできるので、高温ガスがハニカム通路を経て低温側出口に移動する時間を短縮させることができる。したがって、ハニカム状蓄熱体の隔壁付着物除去作業をより短時間で実施できる。
【００３１】
請求項５の発明は、ハニカム状蓄熱体から離れた位置に存在する高温ガスをハニカム状蓄熱体近傍まで移動させて常に高温のガスを循環させるようにしているので、循環する高温ガスのノズル噴流による低温化を防いで、より効率良く隔壁付着物の除去を行うことができる。
【００３２】
請求項６の発明は、隔壁に付着した昇華性固形物を除去した後、低温側より大流量の空気を高温側へ短時間供給してハニカム通路内のガスをパージする行程を組み込むようにしているので、気化した付着物が低温側に残留していても、高温側に排出することができる。したがって、加熱により気化したハニカム付着物をより多く確実に炉内へ回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のハニカム隔壁付着物の加熱除去方法をほ実施する形態の一例を示す説明図である。
【図２】複数の噴流ノズルを用いた実施形態を示す説明図である。
【図３】ガスの吸引装置及び供給装置を設置した実施形態を示す説明図である。
【図４】噴流ノズルの設置位置を変更した実施形態を示す説明図である。
【符号の説明】
１    ハニカム
１ａ  ハニカム隔壁
１ｂ  ハニカム通路
２    ハニカム付着物
３    噴流ノズル
４    高温ガス
５    低温ガス
【図１】
0003631579.tif 000002
【図２】
0003631579.tif 000003
【図３】
0003631579.tif 000004
【図４】
0003631579.tif 000005