(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ状態のままパッケージングを行い、その後ダイシングして分離された構造であるチップサイズパッケージ構造を持つ半導体装置であって、
研磨によって鏡面にされた裏面を有し、実装基板に搭載されるときに前記裏面が前記実装基板に対して反対側の面になる半導体基板と、
前記半導体基板の前記裏面とは反対側の面に備えられ、前記実装基板に搭載されるときに前記実装基板に対向する封止樹脂と、
前記封止樹脂の前記実装基板に対向する面上に備えられた電極端子と、
前記半導体基板の前記裏面上であって前記裏面の辺を含む領域に備えられ、前記実装基板の前記封止樹脂に対向する面の光反射率と異なる光反射率を持つ位置基準部と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記位置基準部の光反射率が、前記実装基板の前記封止樹脂に対向する面の光反射率及び前記半導体基板の前記裏面の光反射率のいずれよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記位置基準部が、インク塗布部であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
前記位置基準部が備えられた領域が、前記半導体基板の前記裏面の４辺の内の少なくとも１辺を含み、この１辺に沿う方向に延びる領域であることを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記位置基準部が備えられた領域が、前記半導体基板の前記裏面の４辺を全て含み、前記４辺のそれぞれに沿う方向に延びる領域であることを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記位置基準部が備えられた領域が、前記半導体基板の前記裏面の対向する２辺を含み、前記２辺のそれぞれに沿う方向に延びる領域であることを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記位置基準部が備えられた領域が、前記半導体基板の前記裏面の４つの角部の内の少なくとも１つの角部に備えられたことを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記位置基準部が備えられた領域が、前記半導体基板の前記裏面の４つの角部のそれぞれに備えられたことを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
実装基板に、前記請求項１から８までのいずれかに記載の半導体装置を搭載した電子機器における前記半導体装置の位置測定方法であって、
前記電子機器にレーザー光を照射して戻り光を検出する工程を前記電子機器の複数の箇所について実行し、
前記戻り光の強度変化が規定値以上である箇所を検出し、この検出箇所に基づいて前記半導体基板の位置基準部が備えられた端部位置を求める
ことを特徴とする半導体装置の位置測定方法。
【請求項１０】
半導体ウエハ状態のままパッケージングを行い、その後ダイシングして分離された構造であるチップサイズパッケージ構造を持つ半導体装置の個片であって、実装基板に搭載される半導体装置の個片を製造する半導体装置の製造方法において、
半導体ウエハに複数の回路パターンを形成する工程と、
前記半導体ウエハ上の前記回路パターンが形成された側に、封止樹脂を備える工程と、
前記半導体ウエハの前記回路パターンが形成された側とは反対側の面であって、前記半導体装置を前記実装基板に搭載するときに前記実装基板に対して反対側になる裏面を研磨して鏡面にする工程と、
前記封止樹脂上に電極端子を形成する工程と、
前記半導体ウエハを前記裏面からダイシングする工程と、
前記半導体ウエハの前記裏面上であって、前記ダイシングにより形成された溝に接し、前記溝に沿う方向に延びる領域に、前記実装基板の光反射率と異なる光反射率を持つ位置基準部を形成する工程と、
前記封止樹脂を備えた前記半導体ウエハから前記回路パターンが形成された半導体基板と前記封止樹脂とから構成される前記半導体装置の個片を分離する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体ウエハ状態のままパッケージングを行い、その後ダイシングして分離された構造であるチップサイズパッケージ構造を持つ半導体装置の個片であって、実装基板に搭載される半導体装置の個片を製造する半導体装置の製造方法において、
半導体ウエハに複数の回路パターンを形成する工程と、
前記半導体ウエハ上の前記回路パターンが形成された側に、封止樹脂を備える工程と、
前記半導体ウエハの前記回路パターンが形成された側とは反対側の面であって、前記半導体装置を前記実装基板に搭載するときに前記実装基板に対して反対側になる裏面を研磨して鏡面にする工程と、
前記封止樹脂上に電極端子を形成する工程と、
前記半導体ウエハを前記裏面からダイシングする工程と、
前記封止樹脂を備えた前記半導体ウエハから前記回路パターンが形成された半導体基板と前記封止樹脂とから構成される前記半導体装置の個片を分離する工程と、
前記半導体基板の前記裏面上であって、前記裏面の辺を含む領域に備えられ、前記実装基板の前記封止樹脂に対向する面の光反射率と異なる光反射率を持つ位置基準部を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記位置基準部の光反射率が、前記実装基板の前記封止樹脂に対向する面の光反射率及び前記半導体基板の前記裏面の光反射率のいずれよりも小さいことを特徴とする請求項１０又は１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記位置基準部を形成する工程が、インクを塗布することによって実行されることを特徴とする請求項１０から１２までのいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記インクの塗布が、インクジェット式ヘッドを用いて実行されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記インクの塗布が、インクを保持したスタンプを前記半導体基板の前記裏面に接触させる捺印によって実行されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記位置基準部を形成する工程が、前記半導体装置の個片の半導体基板の前記裏面の４辺のそれぞれに沿う方向に延びる領域に前記位置基準部を形成する工程であることを特徴とする請求項１０から１５までのいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記位置基準部を形成する工程が、前記半導体装置の個片の前記半導体基板の前記裏面の対向する２辺のそれぞれに沿う方向に延びる領域に前記位置基準部を形成する工程であることを特徴とする請求項１０から１５までのいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記位置基準部を形成する工程が、前記半導体装置の個片の前記半導体基板の前記裏面の少なくとも１つ以上の角部の領域に前記位置基準部を形成する工程であることを特徴とする請求項１０から１５までのいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パッケージ構造を持つ半導体装置、その製造方法、及び半導体装置の位置測定方法に関し、特に、半導体装置の封止樹脂（モールド）の表面を実装基板に対向させて搭載した後に実行する半導体装置の位置測定の精度を向上させることができる半導体装置、その製造方法、及び半導体装置の位置測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、特開２００１−１９６４０３公報には、半導体装置の封止樹脂上に電極端子を突出させたＷＣＳＰ（ウエハレベル・チップサイズパッケージ（Wafer Level Chip Size Package）又はウエハレベル・チップスケールパッケージ（Wafer Level Chip Scale Package）の略）構造を持つ半導体装置が開示されている。ＷＣＳＰ技術においては、回路パターンが形成された半導体ウエハ状態のままでパッケージングを行うので、ダイシングして分離された半導体チップ（個片）が半導体装置となる。このためチップサイズとほぼ同一のパッケージサイズを実現できる。
【０００３】
図１５に示されるように、ＷＣＳＰ構造を持つ半導体装置５００は、半導体基板５０１の裏面５０２を上にし、封止樹脂５０３の表面５０４及び電極端子５０５を実装基板６００に対向させて実装基板６００上に搭載される。その後、レーザー光Ｌ１を半導体装置１００又は実装基板２００に照射したときの戻り光Ｌ２又Ｌ３の強度を計測し、戻り光Ｌ２又はＬ３の強度変化が検出された位置を半導体装置５００の端部（外周位置又は輪郭）５０６とみなして、半導体装置５００の取付け位置を測定する。基準点からの距離（例えば、図１５の測定値Ｐ１）が規定範囲内であれば、図１５に示されるように、半導体装置５００の電極端子５０５は実装基板６００の電極端子６０１に適切に接続されていると判断できる。また、基準点からの距離（例えば、図１６の測定値Ｐ２）が規定範囲外であれば、例えば、図１６に示されるように、半導体装置５００の電極端子５０５は実装基板６００の電極端子６０１に適切に接続されていないと判断できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したような従来の半導体装置５００においては、シリコン基板５０１の厚さを薄くするために、シリコン基板５０１の裏面５０２は研磨処理により鏡面に仕上げられており、半導体装置５００の裏面５０２で反射される戻り光Ｌ３の強度と実装基板６００で反射される戻り光Ｌ２の強度との差が小さい。このため、半導体装置５００の端部５０６を検出できない、又は、端部５０６以外の箇所を端部であると誤判定する頻度が増加し、製造段階の取付け状態検査工程における位置測定の精度が低下するという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明は、上記したような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、実装基板に搭載された半導体装置の位置測定の精度を向上させることができる半導体装置、その製造方法、及び半導体装置の位置測定方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、
実装基板に搭載されるときに前記実装基板に対向する第１の面と、
前記第１の面の反対側の面である第２の面と、
前記第２の面上であって前記第２の面の辺を含む領域に備えられ、前記実装基板の光反射率と異なる光反射率を持つ位置基準部と
を有することを特徴としている。
【０００７】
また、他の発明に係る半導体装置の製造方法は、
複数の回路パターンが形成された半導体ウエハから、実装基板に装着される半導体装置の個片を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記実装基板に搭載されるときに前記実装基板に対向する第１の面をダイシングテープ上に載せる工程と、
前記半導体ウエハを前記第１の面とは反対側の第２の面からダイシングする工程と、
前記半導体ウエハの前記第２の面上であって、前記ダイシングにより形成された溝に接し、前記溝に沿う方向に延びる領域に、前記実装基板の光反射率と異なる光反射率を持つ位置基準部を形成する工程と、
前記半導体ウエハから前記半導体装置の個片を分離する工程と
を有することを特徴としている。
【０００８】
また、他の発明に係る半導体装置の製造方法は、
複数の回路パターンが形成された半導体ウエハから、実装基板に装着される半導体装置の個片を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウエハから、前記実装基板に搭載される半導体装置の個片を分離する工程と、
前記半導体装置を前記実装基板に搭載されるときに前記実装基板に対向する第１の面の反対側の面である第２の面上であって、前記第２の面の辺を含み、この辺に沿う方向に延びる領域に、前記実装基板の光反射率と異なる光反射率を持つ位置基準部を形成する工程と
を有することを特徴としている。
【０００９】
前記位置基準部の光反射率を、前記実装基板の光反射率及び前記第２の面の光反射率のいずれよりも小さくしてもよい。また、前記位置基準部を、インク塗布部とすることができる。
【００１０】
前記位置基準部が備えられた領域が、前記第２の面の４辺の内の少なくとも１辺を含み、この１辺に沿う方向に延びるように形成することができる。また、前記位置基準部が備えられた領域が、前記第２の面の４辺を全て含み、前記４辺のそれぞれに沿う方向に延びるようにしてもよい。また、前記位置基準部が備えられた領域が、前記第２の面の対向する２辺を含み、前記２辺のそれぞれに沿う方向に延びるようにしてもよい。
【００１１】
前記位置基準部が備えられた領域が、前記第２の面の４つの角部の内の少なくとも１つの角部に備えられるように形成することができる。また、前記位置基準部が備えられた領域が、前記第２の面の４つの角部のそれぞれに備えられるようにしてもよい。
【００１２】
前記第１の面を、前記半導体装置を構成する封止樹脂の表面とし、前記第２の面を、前記半導体装置を構成する半導体基板の裏面としてもよい。また、前記第１の面上から突出しており、前記実装基板の電極端子と電気的に接続される電極端子を備えてもよい。また、前記第２の面を鏡面としてもよい。
【００１３】
また、本発明に係る半導体装置の位置測定方法は、実装基板に、前記半導体装置を搭載した電子機器における位置測定方法であって、前記電子機器にレーザー光を照射して戻り光を検出する工程を前記電子機器の複数の箇所について実行し、前記戻り光の強度変化が規定値以上である箇所を検出し、この検出箇所に基づいて前記半導体基板の位置基準部が備えられた端部位置を求める工程を含むものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
［１］第１の実施形態
［１．１］半導体装置の構造
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００の裏面を概略的に示す平面図であり、図２は、図１をＳ２−Ｓ２線で切る面を概略的に示す断面図である。また、図３は、第１の実施形態に係る半導体装置１００の表面を概略的に示す平面図であり、図４は、図３をＳ４−Ｓ４線で切る面を概略的に示す断面図である。また、図５は、第１の実施形態に係る半導体装置１００が搭載される実装基板２００を概略的に示す平面図であり、図６は、実装基板２００に半導体装置１００を搭載した状態を概略的に示す側面図である。
【００１５】
第１の実施形態に係る半導体装置１００は、例えば、ＷＣＳＰ構造を持つ。ただし、本発明は、ＷＣＳＰ構造以外の半導体装置にも適用でき、半導体装置１００の半導体基板１０１が外側（即ち、実装基板２００の反対側）に向くように実装基板２００に搭載される全ての半導体装置に適用できる。また、第１の実施形態に係る半導体装置１００は、例えば、１辺が数ｍｍである四角形状である。ただし、半導体装置１００の寸法及び形状は、これらに限定されない。
【００１６】
図１から図４までに示されるように、第１の実施形態に係る半導体装置１００は、回路パターン（回路素子）が形成された半導体基板１０１と、半導体基板１０１上を覆う封止樹脂（モールド）１０２と、封止樹脂１０２の外に突出する複数の電極端子１０３とを有する。図４に示されるように、半導体基板１０１は、シリコン基板１１０と、絶縁層１１１と、パッシベーション膜１１２と、電極パッド１１３と、層間絶縁膜１１４と、金属薄膜層１１５と、金属配線層１１６と、ポスト１１７とを有する。封止樹脂１０２は、半導体基板１０１の回路パターンを外部環境から保護する機能を持つ。また、電極端子１０３は、封止樹脂１０１内部に形成された導電配線であるポスト１１７上に形成され、このポスト１１７、金属配線層１１６、金属薄膜層１１５、電極パッド１１３を介してシリコン基板１１０に形成された回路素子（図示せず）と電気的に接続されている。電極端子１０３は、半導体装置１０１の外部端子としての機能を持つ。封止樹脂１０２は、図５に示されるように実装基板２００に搭載されるときに実装基板２００に対向する表面（図２における下向きの面）１０４を有する。なお、本発明は、封止樹脂１０２の形状、厚さ、及び材質、並びに、電極端子１０３の数及び形状には限定されず、また、半導体基板１０１の構造にも限定されない。
【００１７】
また、図１及び図２に示されるように第１の実施形態に係る半導体装置１００は、封止樹脂１０２の表面１０４の反対側の面である半導体基板１０１の裏面１０５（図２における上向きの面）を有する。裏面１０５は、通常、シリコン基板に研磨処理が施された鏡面である。
【００１８】
さらにまた、図１に示されるように、第１の実施形態に係る半導体装置１００は、裏面１０５上であって裏面１０５の４つの辺１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄを全て含み、辺１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄのそれぞれに沿う方向に延びる位置基準部としての着色部１０６を有する。着色部１０６は、実装基板２００の表面２０１の光反射率と異なる光反射率を持つ。着色部１０６は、例えば、実装基板２００の表面２０１の光反射率よりも小さい光反射率を持つインク塗布部（例えば、黒色インク部）である。なお、着色部１０６の形状は、上記したもの又は図示されたものには限定されない。着色部１０６が備えられる領域は、裏面１０５の４つ辺１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄの内の少なくとも１辺（即ち、レーザー光による位置測定において測定対象となる半導体装置１００の端部位置）又はその一部を含むものであればよい。なお、位置基準部には、実装基板２００の表面２０１の光反射率と異なる光反射率を持つすべての物質及び構造が含まれる。従って、位置基準部には、上記着色部１０６のように実装基板２００上に備えられた物質だけではなく、実装基板２００の表面に形成された構造（例えば、粗面構造等のように実装基板２００の中央領域と異なる光反射率を持たせる表面構造）も含まれる。
【００１９】
実装基板２００は、図５及び図６に示されるように、その表面２０１に複数の電極端子２０２を備えている。実装基板２００に半導体装置１００を搭載するときには、図６に示されるように、実装基板２００の電極端子２０２と半導体装置１００の電極端子１０３とが適切に重なるように半導体装置１００を設置して固定する。なお、図５に破線で示される四角形は、半導体装置１００の取付け位置を示す。半導体装置１００が搭載された実装基板２００は、各種電子機器、特に、小型の携帯用機器に組み込まれる。
【００２０】
［１．２］半導体装置の位置測定
半導体装置１００を実装基板２００に取り付けた後に、半導体装置１００の位置測定を行う。位置測定には、レーザー光を照射し、反射光（戻り光）を検出するレーザー位置測定装置２５０を使用する。レーザー位置測定装置２５０は、半導体装置１００を備えた実装基板２００上を、図５に示すＸ軸及びＹ軸方向に移動する。図６に示されるように、レーザー位置測定装置２５０は、レーザー光Ｌ１を半導体装置１００又は実装基板２００に照射したときの戻り光Ｌ２又はＬ４の強度を計測し、戻り光Ｌ２又はＬ４の基準値以上の強度変化が検出された位置を半導体装置１００の端部（例えば、１０５ｄ）とみなして、半導体装置１００の取付け位置を測定する。実装基板２００の基準位置（例えば、端部）から半導体基板１００の端部までの距離基板測定値Ｐ０が規定範囲内であれば、図６に示されるように、半導体装置１００の電極端子１０３は実装基板２００の電極端子２０２に適切に接続されていると判断できる。また、測定値Ｐ０が規定範囲外であれば、半導体装置１００の電極端子１０３は実装基板２００の電極端子２０１に適切に接続されていないと判断できる。この場合には、半導体装置１００の電極端子１０３と実装基板２００の電極端子２０１との接触不良や、半導体装置１００の接続強度の低下、半導体装置１００が傾斜した姿勢で固定されている等の不具合が生じる。
【００２１】
第１の実施形態の半導体装置１００は、半導体基板１０１の裏面１０５の各辺１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄを含む領域に実装基板２００の表面２０１の光反射率とは異なる光反射率を持つ着色部１０６が備えられている。したがって、実装基板２００からの戻り光Ｌ２と着色部１０６からの戻り光Ｌ４との強度が明確に異なる。このため、着色部１０６を備えない従来の半導体装置の場合のように、半導体装置１００の端部を検出できない、又は、端部以外の箇所を端部であると誤判定する頻度を極めて低くすることができ、製造段階の取付け状態検査工程における位置測定の精度を向上させることができる。
【００２２】
［１．３］半導体装置の製造方法
図７は、第１の実施形態に係る半導体装置１００が分離される半導体ウエハ３００のダイシング工程を説明するための平面図であり、図８は、第１の実施形態に係る半導体装置１００が分離される半導体ウエハ３００のインク塗布工程を説明するための平面図である。
【００２３】
第１の実施形態に係る半導体装置１００の製造に際しては、先ず、半導体ウエハ（シリコン基板）３００に回路パターンを形成し、半導体ウエハ３００の表面を封止樹脂（図２の半導体装置１００の封止樹脂１０２になる部分）によりモールディングする。次に、封止樹脂の表面を研磨、洗浄する。次に、プローブテストにより半導体ウエハに形成される各半導体装置の回路の電気的性能を検査する。次に、半導体ウエハ３００の裏面３０３を研削して、半導体ウエハ３００（図２の半導体装置１００の半導体基板１０１になる部分）の厚さを薄くし、半導体ウエハ３００の裏面３０３（図２の半導体装置１００の半導体基板１０１の裏面１０５になる部分）を鏡面にする。
【００２４】
次に、実装基板２００に搭載されるときに実装基板２００に対向する表面（図２の半導体装置１００の表面１０４になる部分）を、図７に示されるように、ダイシングテープ４００上に載せることによって半導体ウエハ３００を固定する。次に、ダイシングテープ４００に固定された状態のまま、半導体ウエハ３００を、その裏面３０３からダイシングする。ダイシングは、縦方向及び横方向のそれぞれについて等間隔で行われる。ダイシングにより、図７に示されるように、縦方向及び横方向に延びる複数の溝３０１及び３０２が形成される。
【００２５】
次に、図８に示されるように、半導体ウエハ３００の裏面３０３上であって、溝３０１及び３０２を含む所定幅の領域に、溝３０１及び３０２のそれぞれに沿う方向に延びる領域に、実装基板２００の光反射率と異なる光反射率を持つ着色部１０６を形成する。着色部１０６は、インクジェット式ヘッドを用いてインクを塗布することによって形成される。なお、着色部１０６を形成する前又は後に、半導体ウエハ３００の裏面３０３に、図１に示されるような文字や数字等を印刷してもよい。文字や数字の印刷は、ゴム印の捺印により行うが、インクジェット式ヘッドを用いて行ってもよい。
【００２６】
次に、ダイシングテープ４００の粘着性を無くする処理を施し、半導体ウエハ３００から半導体装置１００の個片を分離する。
【００２７】
以上説明したように、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、着色部１０６を備えた半導体装置１００を、簡素化された工程数の少ない方法で製造できる。また、ダイシング工程の前ではなく、ダイシング工程の後にインク塗布をすることによって、分離される半導体装置のチッピングの発生頻度を低減できる。
【００２８】
［２］第２の実施形態
図９は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置１２０の裏面を概略的に示す平面図であり、図１０は、第２の実施形態に係る半導体装置１２０が分離される半導体ウエハ３００のインク塗布工程を説明するための平面図である。第２の実施形態は、位置基準部としての着色部１２２の形状が、上記第１の実施形態の着色部１０６の形状と相違する。
【００２９】
図９に示されるように、第２の実施形態に係る半導体装置１２０は、裏面１２１上であって裏面１２１の４つの辺１２１ａ，１２１ｂ，１２１ｃ，１２１ｄのうちの互いに向かい合う２つの辺１２１ａ，１２１ｃを含み、辺１２１ａ，１２１ｃのそれぞれに沿う方向に延びる着色部１２２を有する。着色部１２２は、実装基板２００の表面２０１の光反射率と異なる光反射率を持つ。
【００３０】
また、第２の実施形態に係る半導体装置１２０のインク塗布工程においては、図１０に示されるように、半導体ウエハ３００の裏面３０３（図９の裏面１２１）上であって、溝３０２を含む所定幅の領域に、溝３０２に沿う方向に延びる領域に、実装基板２００の光反射率と異なる光反射率を持つ着色部１２２を形成する。着色部１２２は、インクジェット式ヘッドを用いてインクを塗布することによって形成される。
【００３１】
なお、第２の実施形態において、上記以外の点は、上記第１の実施形態と同じである。
【００３２】
［３］第３の実施形態
図１１は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置１３０の裏面を概略的に示す平面図であり、図１２は、第３の実施形態に係る半導体装置１３０が分離される半導体ウエハ３００のインク塗布工程を説明するための平面図である。第３の実施形態は、位置基準部としての着色部１３２の形状が、上記第１の実施形態の着色部１０６及び第２の実施形態の着色部１２２の形状と相違する。
【００３３】
図１１に示されるように、第３の実施形態に係る半導体装置１３０は、裏面１３１上であって裏面１３１の４つの角１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄを含む領域に形成された着色部１３２を有する。着色部１３２は、実装基板２００の表面２０１の光反射率と異なる光反射率を持つ。
【００３４】
また、第３の実施形態に係る半導体装置１３０のインク塗布工程においては、図１２に示されるように、半導体ウエハ３００の裏面１３１上であって、溝３０１と３０２の交差部を含む所定幅の領域に、実装基板２００の光反射率と異なる光反射率を持つ着色部１３２を形成する。着色部１３２は、インクジェット式ヘッドを用いてインクを塗布することによって形成される。
【００３５】
なお、第３の実施形態において、上記以外の点は、上記第１又は２の実施形態と同じである。
【００３６】
［４］第４の実施形態
図１３は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の裏面に位置基準部としての着色部を形成するためのゴム印１４０の正面図であり、図１４は、図１３をＳ１４−Ｓ１４線で切る面を概略的に示す断面図である。第４の実施形態は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の異なる例である。したがって、第４の実施形態の説明においては、図１をも参照する。
【００３７】
第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、複数の回路パターンが形成された半導体ウエハ（図７）から、実装基板２００に装着される半導体装置１００の個片を分離し、その後に半導体装置１００の裏面に着色部１０６を形成する。着色部１０６の形成は、図１５及び図１６に示されるように、半導体ウエハから分離された半導体チップと同じサイズのインク保持面１４１を持つゴム印１４０による捺印により行われる。また、この方法によって、上記第２及び第３の実施形態に示される形状の着色部１２２及び１３２をも形成できる。
【００３８】
なお、第４の実施形態において、上記以外の点は、上記第１から第３までの実施形態と同じである。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、レーザー光を用いた位置測定において、実装基板からの戻り光と位置基準部からの戻り光との強度が明確に異なるので、半導体装置の端部を検出できない、又は、端部以外の箇所を端部であると誤判定する頻度を極めて低くすることができ、製造段階における半導体装置の取付け状態検査工程における位置測定の精度を向上させることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の裏面を概略的に示す平面図である。
【図２】  図１をＳ２−Ｓ２線で切る面を概略的に示す断面図である。
【図３】  第１の実施形態に係る半導体装置の表面を概略的に示す平面図である。
【図４】  図３をＳ４−Ｓ４線で切る面を概略的に示す断面図である。
【図５】  第１の実施形態に係る半導体装置が搭載される実装基板を概略的に示す平面図である。
【図６】  第１の実施形態に係る半導体装置を実装基板に搭載した状態を概略的に示す側面図である。
【図７】  第１の実施形態に係る半導体装置が分離される半導体ウエハのダイシング工程を説明するための平面図である。
【図８】  第１の実施形態に係る半導体装置が分離される半導体ウエハのインク塗布工程を説明するための平面図である。
【図９】  本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の裏面を概略的に示す平面図である。
【図１０】  第２の実施形態に係る半導体装置が分離される半導体ウエハのインク塗布工程を説明するための平面図である。
【図１１】  本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の裏面を概略的に示す平面図である。
【図１２】  第３の実施形態に係る半導体装置が分離される半導体ウエハのインク塗布工程を説明するための平面図である。
【図１３】  本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の裏面に着色部を形成するためのゴム印の正面図である。
【図１４】  図１３をＳ１４−Ｓ１４線で切る面を概略的に示す断面図である。
【図１５】  従来の半導体装置を実装基板の適切な位置に搭載した状態を概略的に示す側面図である。
【図１６】  従来の半導体装置を実装基板の適切でない位置に搭載した状態を概略的に示す側面図である。
【符号の説明】
１００  半導体装置
１０１  半導体基板
１０２  封止樹脂
１０３  電極端子
１０４  封止樹脂の表面
１０５  半導体基板の裏面
１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄ  半導体基板の裏面の辺
１０６  着色部
１１０  シリコン基板
１１１  絶縁層
１１２  パッシベーション膜
１１３  電極パッド
１１４  層間絶縁膜
１１５  金属薄膜層
１１６  金属配線層
１１７  ポスト
１２０  半導体装置
１２１  半導体基板の裏面
１２１ａ，１２１ｂ，１２１ｃ，１２１ｄ  半導体基板の裏面の辺
１２２  着色部
１３０  半導体装置
１３１  半導体基板の裏面
１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ  半導体基板の裏面の角
１３２  着色部
１４０  ゴム印
１４１  インク保持面
２００  実装基板
２０１  実装基板の表面
２０２  実装基板の電極端子
２５０  レーザー位置測定装置
３００  半導体ウエハ
３０１，３０２  溝
３０３  裏面
４００  ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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