(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転する基板回転保持手段と、
前記基板回転保持手段を囲むチャンバと、
前記チャンバ内を排気するチャンバ排気部とを備え、
前記チャンバが、基板を出し入れする開閉可能な基板出入口と、基板出入口を閉じた状態でも内部と外部が連通して外気を吸い込む吸気口とを有する基板回転乾燥装置であって、
時間をカウントするタイマー部を内部に有する制御部を備え、
チャンバの基板出入口を閉じてからチャンバ内部が気密化されるまでに要する所定時間が経過したと前記制御部が判断した後に、前記チャンバ排気部による排気を開始するようにしたことを特徴とする基板回転乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板回転乾燥装置であって、
チャンバ排気部による排気を開始させてからチャンバ外部への排気気流を基板の周囲に形成するまでに要する所定時間が経過したと前記制御部が判断した後に、前記基板回転保持手段の回転を開始するようにしたことを特徴とする基板回転乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、排気装置、特に、濡れた基板を回転させて乾燥させる基板回転乾燥装置の排気装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハや液晶用ガラス基板等の薄板状の被処理基板（以下、単に基板と記す）に対し、洗浄処理等の表面処理を行う場合には、基板を処理槽内に浸漬して処理する浸漬型の基板処理装置が用いられる。この浸漬型の基板処理装置には、基板を処理するための基板処理槽と、処理された基板を乾燥させるための基板回転乾燥装置とが配置されている。この種の基板回転乾燥装置として、横軸回転型の基板回転乾燥装置が知られている（実開平４−４８６２２号）。
【０００３】
この基板回転乾燥装置は、基板を保持する回転体と、この回転体を覆い、軸受により回転軸を回転自在に支持するチャンバとを備えている。このチャンバには、上部に基板出入口と吸気口とが設けられており、下部にチャンバ排気口が設けられている。チャンバ排気口は排気ダクトが接続されており、排気ダクトは、設備排気ダクトに接続されている。
【０００４】
かかる基板回転乾燥装置では、基板をチャンバ内から出す際には、基板出入口が開きチャンバ内が外気に開放される。しかし、チャンバ排気口から常時換気を行なうと、基板を出し入れする間、外気がチャンバ内に侵入しつづけ、外気に含まれるパーティクルがチャンバ内に侵入し、基板に付着する不具合が生じる。
【０００５】
そのような不具合を解消すべく、基板出入口を開ける際には、チャンバ排気口からの排気を停止させ、チャンバ内へ外気が流入しにくくして、外気に含まれるパーティクルがチャンバ内に侵入しにくくするように対処することが知られている（特開平７−２２３７８号）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来では、基板をチャンバ内へ出し入れする出す際に、チャンバ排気口からの排気を停止させるので、基板出入口が開いている間終始、排気し続けていたのより基板の汚染はかなり低減したが、それでもまだ、乾燥した基板にパーティクルの付着が認められる。
【０００７】
そこで本願発明者らは、基板へパーティクルが付着する原因を鋭意探求した結果、これまで知られていなかった次のようなことが原因で、基板にパーティクルが付着することを、新たに見出した。
【０００８】
つまり、基板出入口を閉じるのとチャンバ排気口からの排気開始とが同時であるので、基板出入口を閉じた直後に、チャンバの基板出入口に付設された開閉蓋が気密に閉じるように開閉蓋と基板出入口との間に介装されている弾性パッキン等の気密保持部材が、気密に閉じる姿勢へ弾性変形する途中の気密性が不安定な期間にチャンバ排気口からの排気が開始され、吸気口とは別に、チャンバ出入口の弾性パッキンにおける微少な隙間からも外気を吸い込んでしまうことが判明した。
【０００９】
そして、基板出入口を閉じた直後に、基板出入口の僅かな隙間からチャンバ内へ流れ込む気流は、特段パーティクルが多いことが判明した。これは、基板回転乾燥装置はダウンフロー流が形成されたクリーンルームに設置され、ダウンフロー流は基板回転乾燥装置まで流下してくると、下方へ流れることが阻止され、横向き、上向き、渦を巻いたりして、複雑に向きを変えるので、ダウンフロー流に乗って流下してきたパーティクルは方向を変えるダウンフロー流からから振り落とされるようにして、基板回転乾燥装置における外装上面近くは、パーティクルが比較的高濃度に分布した雰囲気状態にある。このため、開き始めた基板出入口の僅かな隙間からチャンバ内へ流れ込む気流は、基板出入口側方の前記したパーティクルが高濃度に分布する雰囲気を引き込むこととなる。したがって、基板出入口を閉じた直後に、基板出入口の僅かな隙間からチャンバ内へ気流が流れ込むと、その流量は僅かでもも、多くのパーティクルがチャンバ内へ入り込み、基板に付着する。
【００１０】
本発明は、前記したような基板回転乾燥装置における基板へのパーティクル付着原因の探求に基づくもので、本発明の目的は、基板を清浄度高く乾燥することができる基板回転乾燥装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明はこのような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【００１２】
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板を保持して回転する基板回転保持手段と、前記基板回転保持手段を囲むチャンバと、前記チャンバ内を排気するチャンバ排気部とを備え、前記チャンバが、基板を出し入れする開閉可能な基板出入口と、基板出入口を閉じた状態でも内部と外部が連通して外気を吸い込む吸気口とを有する基板回転乾燥装置であって、時間をカウントするタイマー部を内部に有する制御部を備え、チャンバの基板出入口を閉じてからチャンバ内部が気密化されるまでに要する所定時間が経過したと前記制御部が判断した後に、前記チャンバ排気部による排気を開始するようにしたことを特徴とする基板回転乾燥装置である。
【００１３】
以上のように構成することにより、請求項１に記載の発明は次のような作用を有する。
【００１４】
チャンバの基板出入口を閉じてからチャンバ内部が気密化されるまでに要する所定時間が経過したと制御部が判断した後に、チャンバ排気部による排気を開始する。このため、チャンバの基板出入口を閉じた直後は、チャンバの基板出入口がまだ完全に気密に閉じていなくても、まだ、チャンバ排気部による排気は開始していない。したがって、チャンバ内部と外部とで気圧差は生じておらず、チャンバ内部への気流の流入は起こらない。これにより、パーティクルが比較的高濃度に分布した状況にある基板出入口側方の雰囲気が、閉じた直後の基板出入口の僅かな隙間からチャンバ内へ気流に引かれて流れ込むことは避けられ、パーティクルの基板への付着は解消される。
【００１５】
チャンバ排気部による排気が開始するのは、チャンバの基板出入口を閉じてから所定時間経過してからであり、かかる所定時間経過の間に、チャンバの基板出入口は完全に気密に閉じ、僅かな隙間から外気を吸い込むことなく、チャンバ排気部による排気が始まる。
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板回転乾燥装置であって、チャンバ排気部による排気を開始させてからチャンバ外部への排気気流を基板の周囲に形成するまでに要する所定時間が経過したと前記制御部が判断した後に、前記基板回転保持手段の回転を開始するようにしたことを特徴とする基板回転乾燥装置である。
以上のように構成することにより、請求項２に記載の発明は次のような作用を有する。
チャンバ排気部による排気を開始させてからチャンバ外部への排気気流を基板の周囲に形成するまでに要する所定時間が経過したと制御部が判断した後に、基板回転保持手段の回転を開始するようにしたことにより、吸気口からチャンバ内へ取り入れられ、チャンバ排気部によりチャンバ外へ排気される気流を、先にチャンバ内に形成しておいてから、基板を回転させることとなる。
ところで、基板に付着している液滴やパーティクルが基板から振り切られて生ずるチャンバ内のミスト状の浮遊物は、回転の初期の段階に最も多く集中的に発生ずるが、前記したように、回転前にチャンバ内にチャンバ排気部によりチャンバ外へ向かう気流を先に形成しているので、かかる気流に乗って、浮遊物は回転当初より速やかに確実にチャンバ外へ排出される。これにより、清浄度高く基板を乾燥することができ、しかも、回転の初期の段階に基板から振り切られた液がチャンバ内壁面を濡らすことがなく、回転乾燥に要する時間を短くできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１において、本発明の好適な実施の形態が採用された浸漬型基板処理装置１は、搬入・搬出部２と、基板移載装置３と、基板洗浄装置４と、横軸回転型の基板回転乾燥装置と、基板搬送ロボット６とを備えている。
【００１７】
搬入・搬出部２は、基板を収納するためのキャリアＣを搬入・搬出するためのものであり、キャリアＣを搬送する基板移載ロボット１０が設けられている。基板移載ロボット１０は、昇降及び回転が可能であり、また図１の矢印Ａで示す方向に移動可能である。基板移載装置３、基板洗浄装置４及び基板回転乾燥装置は、左右方向に並設されている。基板搬送ロボット６は、基板を把持するための１対のアーム１１を有している。また基板搬送ロボット６は、矢印Ｂで示す方向に移動可能であり、かつ昇降可能である。この基板搬送ロボット６により基板を各装置３〜５間で搬送可能である。基板洗浄装置４には、たとえば石英ガラス製の基板洗浄槽１３が設けられており、この洗浄槽１３内には、昇降可能な基板保持部１２が設けられている。また、基板洗浄槽１３に、複数の薬液貯溜容器７ａ〜７ｅから処理に応じた薬液が供給される構成となっている。
【００１８】
基板回転乾燥装置は、図２及び図３に示すように、略円筒状のチャンバ１５と、チャンバ１５内に回転可能に設けられた横軸型のロータ１６と、ロータ１６に着脱自在に架設された基板保持部１９と、基板保持部１９を昇降するためにチャンバ１５の下部に昇降自在に設けられた保持具昇降部２０とを備えている。
【００１９】
チャンバ１５の周壁上部には基板出入口２３が、また周壁下部にはチャンバ排気口２４がそれぞれ形成されている。基板出入口２３は開閉自在のチャンバ開閉蓋１８で閉止されている。チャンバ開閉蓋１８の上部には、外気を取り入れるための吸気口２６が設けられており、吸気口２６にはフィルタ２５が装着されている。フィルタ２５の下方には、１対の放電針からなる静電気除去装置２７が配置されている。この静電気除去装置２７は、放電針に高電圧を印加して放電させ、チャンバ内の空気をイオン化し、回転中に空気との摩擦により基板Ｗに生じた静電気を除去するものである。チャンバ排気口２４には、ダクト接続部１５ａが形成されており、このダクト接続部１５ａに槽排気ダクト２８（図５）が接続されている。
【００２０】
チャンバ１５に付設された開閉蓋１８は、基板出入口２３を閉じた状態では、チャンバ１５の内部が外部と連通するのは専ら吸気口２６だけとなるように、チャンバ１５と開閉蓋１８との間を気密に閉じることができるように、開閉蓋１８とチャンバ１５との間には、フッ素系の樹脂やシリコン系の樹脂等からなる弾性パッキン１４が介装されている。
【００２１】
ロータ１６は、図３に示すように、間隔を隔てて対向するように配置された左右１対の回転フランジ３１ａ，３１ｂと、回転フランジ３１ａ，３１ｂを一体的に連結する複数の連結棒３２とを有している。１対の回転フランジ３１ａ，３１ｂ間には、基板保持具１９で保持した複数の基板Ｗと基板保持具１９とをそれぞれロータ１６に固定する基板クランプ装置２１及び保持具クランプ装置２２が設けられている。
【００２２】
回転フランジ３１ａ，３１ｂには、左右外方に突出する回転軸３３ａ，３３ｂがそれぞれ固定されている。回転軸３３ａは、軸受３４ａにより支持されている。軸受３４ａは、チャンバ１５の左側面に固定された軸受ホルダ３５ａに保持されている。
【００２３】
回転軸３３ａの先端には、ロータ１６を基準位置（保持した基板Ｗのオリエンテーションフラット面が下向きに水平となる位置）に位置決めするための位置決めリング３８が固定されている。位置決めリング３８の外周面には位置決め穴３８ａが形成されている。この位置決め穴３８ａには、位置決め部材３９ａが対向配置されており、位置決め部材３９ａの先端が係合可能である。位置決め部材３９ａは、エアシリンダ３９により進退可能である。
【００２４】
軸受３４ａと位置決めリング３８との間には、検出ドッグ４０が固定されている。検出ドッグ４０はフォトインタラプタ４１により検出される。フォトインタラプタ４１は、ロータ１６が基準位置にあるとき、検出ドッグ４０を検出する位置に配置されている。
【００２５】
右側の回転軸３３ｂは１対の軸受３４ｂ，３４ｂに回転自在に支持されている。軸受３４ｂ，３４ｂは、チャンバ１５の右側面に固定された軸受ホルダ３５ｂに保持されている。回転軸３３ｂの先端には、プーリ４２が固定されている。プーリ４２はベルト４３を介してモータ１７に連結されている。
【００２６】
またチャンバ１５において、回転軸３３ａ，３３ｂの貫通部分それぞれには、軸排気チャンバ３６が形成されている。軸排気チャンバ３６は回転軸を外周側から覆うように形成されている。また、軸排気チャンバ３６は、軸排気ダクト３７に接続されている。
【００２７】
図４に示すように、軸受ホルダ３５ａの軸受３４ａより内側には、回転軸３３ａの外周をシールするための断面視凸状のラビリンスシール４４が配置されている。ラビリンスシール４４の凸部外方には、円環状の加圧空間４５が形成されている。加圧空間４５には、軸受ホルダ３５ａの外周面に開口するガス供給口４６の内周端が開口している。加圧空間４５とラビリンスシール４４の凸部との間には、複数の連絡孔４８が形成されている。
【００２８】
ラビリンスシール４４の外周部と軸受ホルダ３５ａとの間には僅かな隙間が形成されている。また、軸受３４ａとラビリンスシール４４との間には、円環状の排気空間４９が形成されている。この排気空間４９には、軸受ホルダ３５ａの外周面に開口するガス排出口５０の内周端が開口している。ガス排出口５０は、ガス排出ダクト５１に連結されている。
【００２９】
なお、軸受ホルダ３５ｂも同様の構成となっており、左右のガス供給口４６は、図５に示すように、ガス供給配管４７及びガス供給弁５５を介して窒素ガス源に接続されている。また、左右のガス排出ダクト５１は、槽排気ダクト２８に合流している。槽排気ダクト２８の合流部分より下流側の途中には、槽排気ダンパー５２が配置されている。
【００３０】
両側の２本の軸排気ダクト３７は途中で合流しており、合流部分より下流側の途中には、軸排気ダンパー５３及びブロア５４が配置されている。ダンパー５２，５３は、それぞれ槽排気ダクト２８及び軸排気ダクト３７を開閉するためのものである。ブロア５４は、軸排気チャンバ３６を排気するものである。このブロア５４を設けることにより、軸排気チャンバ３６をチャンバ１５内より高い負圧にできる。なおこれらのダクト２８，３７は、独立して設備排気ダクトに接続されている。
【００３１】
基板処理装置１は、図６に示すマイクロコンピュータからなる制御部６０を有している。制御部６０には、その内部に時間をカウントするタイマー部を備えており、そいて、エアシリンダ３９、モータ１７、槽排気ダンパー５２、軸排気ダンパー５３、静電気除去装置２７、ガス供給弁５５及び他の入出力部が接続されている。
【００３２】
次に、上述の実施例の動作を、図７に示す制御フローチャート及び図８に示すタイミングチャートに従って説明する。
【００３３】
基板を収容したキャリアＣが基板搬入排出部２に載置されると、基板移載ロボット１０によりキャリアＣを基板移載装置３に搬入する。基板移載装置３では、キャリアＣから複数の基板を一括して受け取り、これを基板移載ロボット６のアーム１１により保持する。そして、受け取った複数の基板を基板洗浄槽１３の基板保持具１２に渡す。ここで基板に対する洗浄処理が施される。洗浄が終了すると、基板搬送ロボット６が基板保持具１２から基板を受け取り、基板回転乾燥装置に基板を運ぶ。
【００３４】
基板回転乾燥装置では、運ばれてきた基板を検出する（ステップＳ１）と、チャンバ開閉蓋１８を開く（ステップＳ２）。そして、保持具昇降部２０により基板保持具１９を上昇させ、基板搬送ロボット６のアーム１１から基板を一括して受け取る。基板保持具１９で基板を受け取ると、保持具昇降部２０を下降させることにより保持具１９を下降させ、基板を所定の位置に配置する（ステップＳ３）。そして基板及び保持具１９を各クランプ装置２１，２２によりクランプする。クランプが完了すると、エアシリンダ３９を退入させ、位置決めリング３８と位置決め部材３９ａとの係合を解除し、ロータ１６をロック状態からアンロック状態にして（ステップＳ４）、チャンバ開閉蓋１８を閉じる（ステップＳ５）。なおこのとき、ダンパー５２，５３はともに閉じている。
【００３５】
次に、チャンバ開閉蓋１８を閉じてから、所定時間Ｔａが経過してから（ステップＳ６）、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３を共に開く（ステップＳ７）。また、静電気除去装置２７をＯＮにし（ステップＳ８）、ガス供給弁５５を開き、ラビリンスシール４４の周囲に窒素ガスを供給する（ステップＳ９）。
【００３６】
ここでは、ガス供給弁５５が開くことで、ガス供給口４６を介して加圧空間４５に加圧された窒素ガスが充満し、さらに連絡孔４８からラビリンスシール４４側へ侵入する。侵入した窒素ガスは、ラビリンスシール４４の外周に沿って、一部が排気空間４９にまた他の一部が軸排気チャンバ３６に流れる。排気空間４９に流れた窒素ガスは、ガス排出口５０を介してガス排気ダクト５１に排出される。そして槽排気ダクト２８に合流し、槽排気ダンパー５２を介して設備排気ダクトに排出される。また軸排気チャンバ３６に流れた窒素ガスは、チャンバ内部の空気とともに、軸排気ダクト３７に排出される。そして軸排気ダンパー５３及びブロア５４を介して設備排気ダクトに排出される。
【００３７】
次に、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３を共に開いてから所定時間Ｔｂが経過してから（ステップＳ１０）、モータ１７に所定の電流を流し、ロータ１６を１速（たとえば１０００ｒｐｍ）で回転させる（ステップＳ１１）。引き続き、２速（たとえば１２００ｒｐｍ）でロータ１６を回転させ（ステップＳ１２）、さらに所定時間後に３速（たとえば１５００ｒｐｍ）で回転させる（ステップＳ１３）。
【００３８】
所要の乾燥時間が経過すると、ロータ１６を位置決め速度（たとえば１０ｒｐｍ）に減速する（ステップＳ１４）。そして、フォトインタラプタ４１が検出ドッグ４０を検出すると（ステップＳ１５）、モータ１７を停止してロータ１６の回転を停止する（ステップＳ１６）。
【００３９】
次に、停止してロータ１６の回転を停止してから所定時間Ｔｃが経過してから（ステップＳ１７）、静電気除去装置２７をＯＦＦする（ステップＳ１８）し、ガス供給弁５５を閉じて窒素ガスの供給を停止し（ステップＳ１９）、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３を共に閉じる（ステップＳ２０）。
【００４０】
ここでは、ダンパー５２を閉じることにより槽排気ダクト２８は閉じられ、チャンバ１５内の気圧が大気圧と同圧へ戻るようになり、ダンパー５３を閉じることにより軸排気ダクト３７は閉じられ、軸排気チャンバ３６内の気圧も大気圧と同圧へ戻るようになる。
【００４１】
引き続き、そしてエアシリンダ３９を進出し、位置決めリング３８に位置決め部材３９ａを係合させる。これによりロータ１６が基準位置でロック状態となる（ステップＳ２１）。
【００４２】
次に、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３を共に閉じてから所定時間Ｔｄが経過してから（ステップＳ２２）、チャンバ開閉蓋１８を開き（ステップＳ２３）、各クランプ装置２１，２２によりクランプされた基板及び保持具１９の保持を解除する。そして保持具昇降部２０を上昇させることにより、保持具１９を所定の受渡し位置まで上昇させる（ステップＳ２４）、基板搬送ロボット６のアーム１１に基板を一括して渡す。
【００４３】
乾燥が終了した基板は、基板搬送ロボット６によりさらに基板移載装置３に搬送され、この基板移載装置３において基板がキャリアＣ内に収納される。キャリアＣは、基板移載ロボット１０によって基板移載装置３から搬入・搬出部２に搬送される。ここでは、ラビリンスシール４４の外周側から加圧された窒素ガスを供給しているので、軸受３４ａ，３４ｂで発生したパーティクルは、チャンバ１５側へは流れない。さらに、フィルタ２５の下方に静電気除去装置２７を設け、内部の気体をイオン化しているので、回転中において空気との接触により基板に生じる静電気を確実に除去できる。
【００４４】
上記実施の形態では、槽排気ダンパー５２を開くに際しては、チャンバ開閉蓋１８を閉じてから、所定時間Ｔａが経過してから（ステップＳ６）、開く（ステップＳ７）ようにしている。したがって、チャンバ開閉蓋１８を閉じた直後に、チャンバ１５に付設されているチャンバ開閉蓋１８とチャンバ１５との間を気密に閉じるために、チャンバ開閉蓋１８とチャンバ１５との間に介装されている弾性パッキン１４が、気密に閉じる姿勢へ変形する途中の気密性が不安定な期間を過ぎてから、槽排気ダンパー５２を開くこととなる。
【００４５】
このため、チャンバ開閉蓋１８が閉じた直後に、チャンバ開閉蓋１８とチャンバ１５との間の弾性パッキン１４における微少な隙間からの外気吸い込みは解消され、パーティクルが多く存在する基板回転乾燥装置５の上面あたりに位置する基板出入口２３周囲からのパーティクルを多く浮遊する外気がチャンバ１５内へ侵入することは解消される。
【００４６】
また、上記実施の形態では、基板を回転するに際しては、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３を共に開いてから所定時間Ｔｂが経過してから（ステップＳ１０）、回転を始めるようにしている。したがって、吸気口２６からチャンバ１５内へ取り入れられ、チャンバ排気口２４を経て槽排気ダクト２８よりチャンバ１５外へ排気される気流を、先にチャンバ１５内の基板の周囲に形成しておいてから、基板を回転させることとなる。また、軸排気チャンバ３６内から軸排気ダクト３７へ排出される気流を形成しておいてから、基板を回転させることとなる。
【００４７】
ところで、基板に付着している液滴やパーティクルが基板から振り切られて生ずるチャンバ１５内のミスト状の浮遊物は、回転の初期の段階に最も多く集中的に発生するが、前記したように、回転前にチャンバ１５内の基板の周囲にチャンバ排気口２４へ向かう気流を形成しているので、かかる気流に乗って、回転当初より速やかに確実にチャンバ１５外へ排出される。さらに、回転初期段階に基板から振り切られた液がチャンバ１５の内壁面を濡らすことがなく、回転乾燥に要する時間を短くできる。
【００４８】
また、回転軸３３ａ、３３ｂのチャンバ１５との貫通部や、軸受け３４ａ、３４ｂで生ずるパーティクルも、回転の初期の段階に最も多く発生するが、前記したように、回転前に軸排気チャンバ３６内から軸排気ダクト３７へ排出される気流を形成しているので、かかる気流に乗って回転当初より速やかに確実に排出され、基板を清浄度高く乾燥できる。
【００４９】
また、上記実施の形態では、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３を閉じるに際しては、基板が回転停止してから所定時間Ｔｃが経過してから（ステップＳ１７）、閉じるようにしている。したがって、基板の回転が停止してから所定時間Ｔｃの間、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３は開いており、槽排気ダクト２８は開いたままで、軸排気ダクト３７も開いたままである。
【００５０】
このため、回転停止した時点で、チャンバ１５内に浮遊していたミスト状の浮遊物やパーティクルは、回転停止した後も流れる槽排気ダクト２８から排気される気流に乗って、速やかに確実にチャンバ１５内より排出され、基板を清浄度高く乾燥できる。また、回転停止した時点で、軸排気チャンバ３６内を浮遊していたパーティクルは、回転停止した後も流れる軸排気ダクト３７から排気される気流に乗って、速やかに確実に軸排気チャンバ３６より排出され、チャンバ１５へ流れ込むことはなく、基板を清浄度高く乾燥できる。
【００５１】
また、上記実施の形態では、チャンバ開閉蓋１８を開けるに際しては、槽排気ダンパー５２を閉じてから所定時間Ｔｄが経過してから（ステップＳ２２）、開けるようにしている。したがって、槽排気ダクト２８からのチャンバ１５の排気を停止させた時点では、チャンバ１５内部が外部より気圧が低い状態にあっても、槽排気ダンパー５２を閉じてからチャンバ開閉蓋１８が開くまでの所定時間Ｔｄの間に、チャンバ１５内部へ吸気口２６からチャンバ外より外気が流入し、チャンバ内部は外部と気圧差がなくなり、基板出入口２３を開け際には、開ける当初からチャンバ１５内部への気流の流入は起こらない。これにより、パーティクルが比較的高濃度に分布した状況にある基板回転乾燥装置５の上面近の雰囲気、すなわち基板出入口２３側方の雰囲気を引き込む気流に由来するパーティクルの基板への付着は解消される。
【００５２】
また、チャンバ開閉蓋１８を開ける前に、乾燥前の濡れた基板が基板回転乾燥装置５の近くに在っても、開けるより所定時間Ｔｄ前に、、槽排気ダンパー５２を閉じるので、槽排気ダクト２８からの排気に伴って吸気口２６からチャンバ内へ流れ込む気流が生じることによる基板回転乾燥装置５の周囲でのダウンフロー流の乱れは、チャンバ開閉蓋１８を開ける前に解消し、ダウンフロー流の乱れによる乾燥前の濡れた基板が部分的に蒸発乾燥することは低減される。これにより、乾燥前の基板を濡らしている液に含まれていた不純物や、その液と基板との反応生成物等に由来するパーティクルの基板への付着は解消され、基板を清浄度高く乾燥できる。
【００５３】
なお、前記実施の形態では、ガス排出口５０に連結されたガス排出ダクト５１は、槽排気ダクト２８に合流しているが、より負圧が高い軸排気ダクト３７に合流してもよい。また単独で設備排気ダクトに接続されてもよい。
【００５４】
なお、前記実施の形態における各所定時間Ｔａ、Ｔｂ，Ｔｃ，Ｔｄは、チャンバ１５の容積や、槽排気ダクト２８の吸引風量等のように、基板回転乾燥装置に関わる各種機械要素の程度加減により、個々の装置ごとに最適値は決定される。また、前記実施の形態における各所定時間Ｔａ、Ｔｂ，Ｔｃ，Ｔｄ相互の関係は、同じ時間に統一することは要さず、違えさせる必要もない。
【００５５】
また、前記実施の形態では、チャンバ排気口２４に接続されている槽排気ダクト２８に配置されている槽排気ダンパー５２に対して、軸排気チャンバ３６に接続する軸排気ダクト３７に配置されている軸排気ダンパー５３を、同時に開閉するが、必ずしも槽排気ダンパー５２と同時に開閉することを要するものではない。
【００５６】
例えば、チャンバ開閉蓋１８を閉じてから所定時間Ｔａ経過後の槽排気ダンパ５２を開ける時点より、前に軸排気ダンパー５３を開けたり、後に軸排気ダンパー５３を開けてもかまわない。また、例えば、回転停止してから所定時間Ｔｃ経過後の槽排気ダンパ５２を閉じる時点より、前に軸排気ダンパー５３を閉じたり、後に軸排気ダンパー５３を閉じてもかまわない。
【００５７】
また、前記実施の形態では、基板を回転開始するのは、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３の双方を開けた時点より所定時間Ｔｂ経過後とするものでり、このように槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３の双方を開けた時点を始点に所定時間Ｔｂ経過してから回転を始める方が、回転軸３３ａ、３３ｂのチャンバ１５との貫通部や、軸受け３４ａ、３４ｂで生ずるパーティクルも回転当初より速やかに確実に排出され、基板を清浄度高く乾燥できて特段望ましいが、しかし、必ずしも、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３の双方を開けた時点であることを要するものではない。この所定時間Ｔｂの始点は、少なくとも槽排気ダンパ５２を開けた時点であればよい。
【００５８】
また、前記実施の形態では、チャンバ開閉蓋１８を開けるのは、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３の双方を閉じた時点より、所定時間Ｔｄ経過後であるが、この所定時間Ｔｄの始点は、少なくとも槽排気ダンパ５２を閉じた時点であればよく、必ずしも、槽排気ダンパー５２と軸排気ダンパー５３の双方を閉じた時点であることを要しない。
【００５９】
軸排気チャンバ３６は、前記実施の形態における槽排気ダンパー５２を開けるときより、先に開けてもよく、後に開けても良いが、少なくと回転開始時までには開けておくことが望ましい。また、軸排気チャンバ３６は、前記実施の形態における槽排気ダンパー５２を閉じるときより、先に閉じてもよく、後に閉じても良いが、少なくとも、回転を停止してから閉じることが望ましい。
【００６０】
また、前記実施の形態では、水平方向に横たえた回転軸３３ａ、３３ｂを中心に基板を回転させ横軸回転型であるが、本発明にかかる基板回転乾燥装置は、鉛直に立てた回転軸を中心に基板が回転する縦軸回転型でもよい。
【００６１】
【発明の効果】
本発明では、チャンバの基板出入口を閉じてからチャンバ内部が気密化されるまでに要する所定時間が経過したと制御部が判断した後に、チャンバ排気部による排気を開始するから、チャンバの基板出入口を閉じた直後は、チャンバの基板出入口がまだ完全に気密に閉じていなくても、まだ、チャンバ排気部による排気は開始せず、チャンバ内部と外部とで気圧差は生じておらず、チャンバ内部への気流の流入は起こらず、これにより、パーティクルが比較的高濃度に分布した状況にある基板出入口側方の雰囲気が、閉じた直後の基板出入口の僅かな隙間からチャンバ内へ気流に引かれて流れ込むことは避けられ、パーティクルの基板への付着は解消され，清浄度高く基板を乾燥することができる。
また、請求項２に係る発明では、チャンバ排気部による排気を開始させてからチャンバ外部への排気気流を基板の周囲に形成するまでに要する所定時間が経過したと制御部が判断した後に、基板回転保持手段の回転を開始するようにしたことにより、吸気口からチャンバ内へ取り入れられ、チャンバ排気部によりチャンバ外へ排気される気流を、先にチャンバ内に形成しておいてから、基板を回転させることとなり、回転の初期段階にて最も多く集中的に発生する基板に付着している液滴やパーティクルが振り切られて生ずるチャンバ内のミスト状の浮遊物は、回転前にチャンバ内に先に形成している気流に乗って、回転当初より速やかに確実にチャンバ外へ排出される。これにより、清浄度高く基板を乾燥することができる。
また、回転の初期の段階に基板から振り切られた液がチャンバ内壁面を濡らすことがなく、回転乾燥に要する時間を短くできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一つの実施の形態を採用した基板処理装置の斜視概略図。
【図２】基板回転乾燥装置の横断面図。
【図３】その縦断面図。
【図４】軸受ホルダの断面部分図。
【図５】排気ダクトを示す斜視概略図。
【図６】基板処理装置の制御ブロック図。
【図７】その制御フローの一部を示すフローチャート。
【図８】その動作タイミングを示すタイミングチャート。
【符号の説明】
１  基板処理装置
５  基板回転乾燥装置
１５  チャンバ
１８  チャンバ開閉蓋
２３  基板出入口
２８  槽排気ダクト
３６  軸排気チャンバ
３７  軸排気ダクト
５２  槽排気ダンパー
５３  軸排気ダンパー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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