(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶引き上げ装置内のルツボを加熱するヒータと、このヒータからの熱が外部へ移動しないようにするための断熱材との間に配置されて、当該シリコン単結晶引き上げ装置内の保温を行なう保温筒であって、
この保温筒を、室温から１０００℃における平均熱膨張係数が４．０〜６．０×１０-6／℃であり、水銀圧入法により測定した細孔半径７５オングストローム〜７５０００オングストロームの範囲での平均細孔半径が１００００オングストローム以上である黒鉛基材により構成するとともに、
この保温筒の少なくとも内側上部の前記黒鉛基材の表面に熱分解炭素からなる被膜を形成して、前記黒鉛基材の内側表面を部分的に露出させるようにしたことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ装置用の保温筒。
【請求項２】
前記保温筒の、前記熱分解炭素被膜から露出している黒鉛基材部分を、前記ヒータの発熱中心より下方に位置させたことを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶引き上げ装置用の保温筒。
【請求項３】
前記黒鉛基材は、熱膨張係数の異方比が１．２５以下のものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のシリコン単結晶引き上げ装置用の保温筒。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン単結晶引き上げ装置を構成するための部材に関し、特に、シリコン単結晶引き上げ装置のヒータと断熱材との間に配置されて、黒鉛材料を基材とする保温筒に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン単結晶引き上げ装置は、所謂チョクラルスキー法と称される方法により、雰囲気ガスの存在下で、ルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるもので、例えば、特公昭５７−１５０７９号公報にて示されているような「単結晶製造装置」として知られている。この公報に示された装置は、図３に示すように、
「炉体容器１内にその下方より回転軸２が導入され、その回転軸２の端面上に載置台３を介してルツボ４が配される。又該ルツボ４の周りに発熱体５と保温筒６が配され、而してルツボ４内で例えばシリコンが溶融され融液７を得る。一方炉体容器１の上方には上下に滑動する回転軸９が設けられている。該回転軸９の遊端に例えばシリコンの種結晶８を取付け、回転軸９を種結晶８がルツボ４内の融液７に触れている状態より上方に移動させて、種結晶８の下に続く例えばシリコンの単結晶１０を得る。
単結晶を育成する際、不必要な反応生成ガスが、単結晶１０及び融液７の液面で反応しないように、これを排除する必要がある。このためにアルゴン等の不活性ガスを雰囲気ガスとして、炉体容器１の上方より単結晶及び液面に送給し、炉体容器下部より排出する」
というものである（上記公報の第２欄）。なお、図３中の符号５を付した部材はヒータであり、保温筒６と炉体容器１との間には、図１に示すように断熱材が配置されるものである。
【０００３】
ところで、この種のシリコン単結晶引き上げ装置において使用されているルツボは、図１にも示すように、通常はＳｉすなわちシリコンと直接接触する部分をＳｉＯ2を主成分とした所謂石英ガラスによって形成するものであるため、シリコンを高温下で溶融させると、このＳｉＯ2は勿論、ルツボ内にて溶融しているＳｉ（シリコン）そのものもシリコン単結晶引き上げ装置内にて気化して飛散することになる。一方、保温筒は、耐熱衝激性が大きく、しかも種々の金属と反応しにくいという特性を有する黒鉛によって形成することが一般的である。そして、この保温筒も、その直近にあるヒータによって加熱されるものであり、特に上述したＳｉＯ2ガスやＳｉＯガスが飛散してくる上部では他よりも高温になっているものである。
【０００４】
以上のことから、黒鉛製保温筒の上部では、シリコン単結晶の引き上げ作業時に、次のような化学反応が生ずると考えられる。
（１）  ＳｉＯ＋２Ｃ→ＳｉＣ＋ＣＯ
【０００５】
つまり、高温に加熱されている黒鉛製の保温筒の特に上部においては、その黒鉛基材が珪化されることになり、この珪化層は黒鉛とは物性の異なったものであるから、シリコン単結晶引き上げ装置を停止して冷却したときに、保温筒内に亀裂を生じさせる原因となり、亀裂が生じれば珪化層及び黒鉛が細片となって剥離するだけでなく、保温筒の耐久性を低下させる原因ともなる。この珪化層及び黒鉛を含む細片は、シリコン単結晶引き上げ装置内を汚すだけでなく、高純度を維持しなければならない引き上げられたシリコン単結晶の不純物かつ結晶欠陥の原因ともなり、絶対に発生を防止しなければならないものである。
【０００６】
また、シリコン単結晶引き上げ装置内を飛散することになるＳｉ蒸気は、比較的温度の低い保温筒の下部に接触すると冷却されて液化し、保温筒の表面に滴となって大量に付着（蒸着）し、この液化したＳｉが、例えば保温筒とこれを支持している支持台との隙間内に浸み込むことになる。このＳｉが、シリコン単結晶引き上げ装置を停止して保温筒等を冷却すると、保温筒と支持台との接着剤の役割りをなして、保温筒の交換を不能にしてしまう。勿論、このことは、保温筒に亀裂を生じさせる原因ともなり、保温筒の耐久性を低下させることにもなる。
【０００７】
そこで、本発明者は、この種のシリコン単結晶引き上げ装置用の保温筒について、これを黒鉛を基材とすることの長所を生かしながら、前述した問題を解決するにはどうしたらよいかについて種々検討を重ねてきた結果、要するにＳｉ蒸気を、むしろ黒鉛基材中に吸着・吸収させてしまうことがよい結果を得ることを新規に知見し、本発明を完成したのである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上のような経緯に基づいてなされたもので、その解決しようとする課題は、この種のシリコン単結晶引き上げ装置における保温筒をより長寿命なものとすることにある。
【０００９】
すなわち、まず、請求項１に係る発明の目的とするところは、黒鉛材料とＳｉＯガスとの反応による珪化を防止して珪化層脱落が生じないようにし、さらにはＳｉガスの蒸着を生じないようにすることができて、耐久性が高く安価な保温筒を提供することにある。
【００１０】
また、請求項２に係る発明の目的とするところは、上記請求項１の発明の目的を達成することができる他、Ｓｉ蒸気の吸着をより確実に行うことのできる保温筒を提供することにある。
【００１１】
そして、請求項３に係る発明の目的とするところは、上記請求項１または２の目的を達成することができる他、吸着・吸収されたＳｉとの熱膨張率の差をできるだけ小さくすることができて、耐久性をより一層増大することのできる保温筒を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために、まず、請求項１に係る発明の採った手段は、以下の実施形態の説明中において使用する符号を付して説明すると、
「シリコン単結晶引き上げ装置１００内のルツボ１０を加熱するヒータ２０とこのヒータ２０からの熱が外部へ移動しないようにするための断熱材４０との間に配置されて、当該シリコン単結晶引き上げ装置１００内の保温を行なう保温筒３０であって、
この保温筒３０を、室温から１０００℃における平均熱膨張係数が４．０〜  ６．０×１０-6／℃であり、水銀圧入法により測定した細孔半径７５オングストローム〜７５０００オングストロームの範囲での平均細孔半径が１００００オングストローム以上である黒鉛基材３１により構成するとともに、
この保温筒３０の少なくとも内側上部の黒鉛基材３１の内側表面に熱分解炭素からなる被膜３２を形成して、黒鉛基材３１の表面を部分的に露出させるようにしたことを特徴とするシリコン単結晶引き上げ装置１００用の保温筒３０」
である。
【００１３】
すなわち、本発明に係る保温筒３０は、図１に示すように、密閉本体５０内のルツボ１０を加熱するためのヒータ２０と、密閉本体５０からの熱の外方への移動を規制する断熱材４０との間に介装されるものであり、その基材全体を黒鉛によって形成したものである。
【００１４】
この保温筒３０の黒鉛基材３１は、まず、その室温から１０００℃における平均熱膨張係数が４．０〜６．０×１０-6／℃である必要がある。その理由は、この種の保温筒３０は、ヒータ２０による加熱と、シリコン単結晶引き上げ装置１００自体の停止を行う場合の冷却とにより熱応力を受けるものであり、もし、この黒鉛基材３１の平均熱膨張係数が上記範囲外のものであると、その加熱・冷却の繰り返しによって、Ｓｉ及びＳｉＣの熱膨張係数とのミスマッチの結果、破損してしまうからである。そして、この黒鉛基材３１の平均熱膨張係数を上記のようにすることによって、その表面に形成してある後述の熱分解炭素被膜３２の平均熱膨張係数を略一致させ、この熱分解炭素被膜３２の黒鉛基材３１表面からの剥離を防止して、保温筒３０の耐久性を高める必要があるからである。
【００１５】
また、この保温筒３０を構成する黒鉛基材３１は、多数の細孔を有した所謂ポーラスなものであるが、その細孔の水銀圧入法により測定した細孔半径７５オングストローム〜７５０００オングストロームの範囲での平均細孔半径が１００００オングストローム以上である必要がある。その理由は、この黒鉛基材３１の表面にある細孔を部分的に開口させて、前述したＳｉ蒸気の吸着を積極的に行えるようにするためである。
【００１６】
そして、本発明にかかる保温筒３０は、その少なくとも内側上部の黒鉛基材３１の表面に熱分解炭素被膜３２を形成するとともに、これ以外の黒鉛基材３１の部分を密閉本体５０内にて露出させる必要がある。その理由は、この熱分解炭素被膜３２によって、黒鉛基材３１とＳｉＯガスとの接触を阻止して、前述した式（１）に示した反応が生じないようにする必要があるからである。特に、この熱分解炭素被膜３２を、保温筒３０の少なくとも内側上部に形成しなければならないが、その理由は、この保温筒３０の内側上部は、ヒータ２０によって最も加熱されている部分であり、また高温のＳｉＯガスが最初に接触する部分であり、前述した（１）の反応が最も起き易い部分だからである。
【００１７】
これに対して熱分解炭素被膜３２を形成した以外の部分の黒鉛基材３１は、むしろ積極的に露出させなければならない。その理由は、この黒鉛基材３１の多孔質性を有効に利用して、その細孔内にＳｉ蒸気を吸着させて、これによりＳｉの保温筒３０表面に対する凝集・蒸着による液状Ｓｉのたれさがりを防止する必要があるからである。
【００１８】
以上のように構成した本発明に係る保温筒３０によれば、次のような作用を発揮することになる。すなわち、この保温筒３０を収納したシリコン単結晶引き上げ装置１００を起動させると、ヒータ２０によってルツボ１０内のシリコンが溶融され、このシリコンが単結晶化されて引き上げられることになる。この間、ヒータ２０の直近に位置する保温筒３０も加熱されるとともに、ルツボ１０を構成している石英ガラスルツボ１１からのＳｉＯガスや、ルツボ１０内のシリコン自体が気化した蒸気が、図２に示すように、保温筒３０の近傍を飛散することになる。
【００１９】
ところが、本発明に係る保温筒３０では、少なくともその内側上面に図２に示したような緻密質の熱分解炭素被膜３２が形成してあるため、ここに飛散してきたＳｉＯガスやＳｉガスはこの熱分解炭素被膜３２によって、黒鉛基材３１に接触することはなく、従って黒鉛基材３１中のＣ（炭素）と反応することはない。特に、この熱分解炭素被膜３２は、ＳｉＯガスと黒鉛基材３１中のＣとの反応を起こす温度に加熱されている保温筒３０の内側上面を覆うものであるから、黒鉛基材３１中のＣが反応することはない。
【００２０】
また、Ｓｉ蒸気についてみてみると、これが保温筒３０の内面上部に蒸着することは、この部分が高温になっていることと熱分解炭素被膜３２が存在していることによって、殆ど生じない。このため、このＳｉ蒸気は、黒鉛基材３１が露出したままとなっている内面下部側へ流れることになり、ここで黒鉛基材３１の細孔内に吸着されるか、あるいは仮りに熱分解炭素被膜３２または黒鉛基材３１の表面に凝集したとしても、これも細孔内に吸収されることになる。いずれにしても、このＳｉ蒸気が、保温筒３０の表面に水滴のように付着蒸着することはないのであり、保温筒３０の黒鉛基材３１に亀裂を生じたり、Ｓｉの液滴が流れ落ちて保温筒３０と支持台を接着させるような原因は消失することになる。
【００２１】
そして、この保温筒３０は、あくまでも黒鉛基材３１をその基本材料とするものであり、しかもこの黒鉛基材３１のある部分にだけ熱分解炭素被膜３２を形成すればよいのであるから、全体としてみれば、非常にコストの低いものとなっているのである。
【００２２】
従って、この請求項１に係る保温筒３０は、安価でしかも耐久性の非常に高いものとなっているのである。
【００２３】
前述した課題を解決するために、請求項２に係る発明の採った手段は、上記請求項１に係る保温筒３０について、
「保温筒３０の、熱分解炭素被膜３２から露出している黒鉛基材３１部分を、ヒータ２０の発熱中心６０より下方に位置させたこと」
である。
【００２４】
すなわち、この請求項２に係る保温筒３０では、図２にも示したように、その黒鉛基材３１の熱分解炭素被膜３２から露出している表面を、ヒータ２０の発熱中心６０より下方に位置させたものであり、そのようにしなければならない理由は、黒鉛基材３１に吸着されたＳｉ蒸気やＳｉＯガスと、黒鉛基材３１を構成しているＣとが反応しないようにするためである。そのために、黒鉛基材３１の表面温度が低くなる位置で、上述したようにすることにより、Ｓｉ蒸気等の吸着または凝集のみを行うようにしたのである。
【００２５】
そして、上記課題を解決するために、請求項３に係る発明の採った手段は、上記請求項１または請求項２に係る保温筒３０について、
「黒鉛基材３１は、熱膨張係数の異方比が１．２５以下のもの」
としたことである。
【００２６】
この場合の異方比は、黒鉛基材３１の図１に示した方向に配置したときに、黒鉛基材３１の垂直方向の熱膨張係数の値、例えば６．０×１０-6／℃を、水平方向の値、例えば４．８×１０-6／℃で割ったものであり、これより小さくなるようにしなければならないものである。この黒鉛基材３１の異方比を１．２５以下とする必要があるのは、この種の保温筒３０は前述したような熱衝撃を受けるものであるし、図１にも示したような筒状のものに形成しなければならないものであり、またその黒鉛基材３１の細孔内にＳｉを吸着するものであるから、この黒鉛基材３１を構成しているＣとＳｉとの熱膨張係数に大きな差異が生じないようにして、亀裂を生じさせないようにするためである。特に、筒状という形状のものであり、かつ上部と下部とでは温度差が生ずるものであれば、黒鉛基材３１の縦方向と横方向との間に大きな熱膨張係数の差があってはならないから、黒鉛基材３１の異方比を１．２５以下としたのである。
【００２７】
【発明の実施の形態】
次に本発明を、図面に示した実施の形態について説明すると、図１には、本発明に係る保温筒３０が適用されるシリコン単結晶引き上げ装置１００の縦断面図が示してある。このシリコン単結晶引き上げ装置１００は、その密閉本体５０内に、シリコンを溶融させるためのルツボ１０を回転軸５５にて回転可能に収納したものであり、このルツボ１０の周囲にはこれを加熱するためのヒータ２０が配置してある。このヒータ２０の外側には、本発明に係る保温筒３０が配置してあり、この保温筒３０と密閉本体５０との間には断熱材４０が収納してある。
【００２８】
ルツボ１０は、溶融したシリコンと直接接触する部分を、石英ガラスルツボ１１とした二重構造のものであり、ヒータ２０は、一般的には、所謂カーボンヒータが採用されるものであり、その発熱中心６０は、図１及び図２中に示したような最高温度を示す位置にある。換言すれば、ルツボ１０内の溶融シリコンの表面は、その温度を高くして、シリコンの溶融を完全かつ十分なものとしなければならないし、この溶融シリコンの表面は引き上げによって下がっていくものであるから、ヒータ２０の発熱中心６０は動き得るものである。しかしながら、この発熱中心６０とルツボ１０内の溶融シリコン表面との関係は略一定のもの、つまり発熱中心６０がシリコン表面より僅かに下方となるものであり、図１または図２に示したような位置関係で略一定となるものである。
【００２９】
保温筒３０は、その大部分を黒鉛を材料として形成したものであり、この黒鉛基材３１の少なくとも内側上面には、図２に示したように、熱分解炭素被膜３２が形成してある。これらの熱分解炭素被膜３２及び黒鉛基材３１は、以下の実施例にて示すように製造または形成されるものであるが、特に黒鉛基材３１は、その室温から１０００℃における平均熱膨張係数が４．０〜６．０×１０-6／℃のものであり、かつ、水銀圧入法により測定した細孔半径７５オングストローム〜７５０００オングストロームの範囲での平均細孔半径が１００００オングストローム以上のポーラスなものである。従って、測定範囲が最大７５０００オングストロームであるから、平均細孔半径の上限は７５０００オングストロームになるけれども、それ以上の値になっても、本願発明の範囲内である。
【００３０】
この保温筒３０や前述したヒータ２０は、回転することになるルツボ１０に対して一定の位置に配置しなければならないし、ルツボ１０の周囲にはアルゴンガス等の不活性ガスを流さなければならないから、図１に示したような各種部材が採用される。すなわち、まず、ヒータ２０は、密閉本体５０の底面に設けた電極５４上に固定した電導軸５８、及びその上の端子５７によって、外部からの電力提供を可能にしながら支持されている。そして、このヒータ２０の上端と保温筒３０との間に、図１の矢印にて示したような不活性ガス通路を形成しなければならないため、保温筒３０の上端に上部リング５１が取付けてある。勿論、密閉本体５０内の熱は外部へ逃がしてしまうと、効率の悪いシリコン単結晶引き上げ装置１００となってしまうから、保温筒３０と密閉本体５０との間は当然のこととして、他の部分の密閉本体５０の内側にもできるだけ多くの断熱材４０が配置してある。
【００３１】
また、この密閉本体５０の底部上には、断熱材４０を介して底部遮熱板５３が載置してあり、これらの底部遮熱板５３及び断熱材４０に形成した排気口を介して、当該シリコン単結晶引き上げ装置１００の作動中において、その内部のガスの排出がなされているのである。この密閉本体５０内への不活性ガスの供給は、密閉本体５０の上部に取付けたガス整流部材５６を介して行われている。なお、保温筒３０そのものは、ヒータ２０の周囲を覆えば十分であるから、図１に示したように、下部リング５２によって区画してあり、このこの下部リング５２の下方は別部材としてある。
【００３２】
以上のシリコン単結晶引き上げ装置１００を構成している各部材の内、Ｓｉ蒸気やＳｉＯガスに直接さらされるものについては、本発明に係る保温筒３０のように構成して実施するとよい。例えば、上部リング５１について言えば、これもヒータ２０の近傍に配置されて加熱されるものであるし、高温のＳｉＯガスにもさらされるものであり、従来の技術の項で説明した保温筒と略同じ問題を抱えているものである。従って、この上部リング５１の基材を、保温筒３０の黒鉛基材３１と同様な黒鉛によって形成するとともに、この黒鉛基材の、例えば内側下面に熱分解炭素被膜３２を形成するとよいのである。以上のことは、下部リング５２や底部遮熱板５３、あるいは端子５７や電導軸５８についても同様である。
【００３３】
さて、本発明に係る保温筒３０を、その製造方法を含んだ実施例とともにさらに詳述すると、次の通りである。
【００３４】
（実施例１）
平均粒径２０μｍに粉砕した骨材コークス７０重量部と、結合材となるコールタールピッチ３０重量部とを加熱混練した後、この混練物を３０〜２００μｍに粉砕し、炭素材原料を形成した。
【００３５】
この炭素材原料を用いてラバープレス法により所望成形体を形成し、この成形体を焼成・黒鉛化して黒鉛材を形成した。得られた黒鉛材は、水銀圧入法による平均細孔半径が、１２０００オングストロームで、熱膨張係数の異方比が１．０５であった。また、この黒鉛材の平均熱膨張係数は、４．８×１０-6／℃であった。
【００３６】
この種の保温筒は、特開昭６２−２５２３９４号公報の、第２頁左下欄、第７行目以下に、「断熱筒３（直径１５０ｍｍ、高さ２００ｍｍ）」と記載されている程度の大きさのものであるから、上記のようにして得られた黒鉛材に加工を施し、内径６３０ｍｍ、外径６５０ｍｍ、高さ７００ｍｍの黒鉛基材３１を得た。
【００３７】
得られた黒鉛基材３１をＣＶＤ炉に入れて１４００℃に加熱するとともに、水素ガスをキャリアとしてメタンガスを炉内に連続的に供給した。これにより、黒鉛基材３１の表面全体に厚さ５０μｍの熱分解炭素被膜３２が生成されたので、図２に示した熱分解炭素被膜３２以外の熱分解炭素被膜３２を除去した。なお、黒鉛基材３１の熱分解炭素被膜３２を形成しなくてよい表面に、熱分解炭素被膜３２の生成を阻止する遮幣物を配置しておいて、黒鉛基材３１の所定箇所にのみ熱分解炭素被膜３２を形成するように実施してもよい。
【００３８】
（実施例２）
平均粒径２０μｍに粉砕した骨材コークス７０重量部と、結合材となるコールタールピッチ３０重量部とを加熱混練した後、この混練物を３００〜５００μｍに粉砕し、炭素材原料を形成した。
【００３９】
この炭素材原料を用いて実施例１と同様の方法で黒鉛材を形成した。得られた黒鉛材は、水銀圧入法による平均細孔半径が水銀圧入法で測定できる最大範囲の７５０００オングストローム以上で熱膨張係数の異方比が１．２５であった。また、この黒鉛材の平均熱膨張係数は４．１×１０-6／℃であった。
【００４０】
この黒鉛材に加工を施し、実施例１と同形状の黒鉛基材３１を得て、これに実施例１と同様な方法によって熱分解炭素被膜３２を形成した。
【００４１】
（比較例１）
実施例１の黒鉛材に加工を施し、実施例１と同形状の黒鉛基材３１を得て、保温筒３０とした。
【００４２】
（比較例２）
平均粒径１０μｍに粉砕した骨材コークス７０重量部と、結合材となるコールタールピッチ３０重量部とを加熱し混練した後、この混練物を３０〜１５０μｍに粉砕し炭素材原料を形成した。
【００４３】
この炭素材原料を用いてラバープレス法にて所望成形体を形成し、この成形体を焼成、黒鉛化して黒鉛材を形成した。得られた黒鉛材は、水銀圧入法による平均細孔半径が９０００オングストロームで熱膨張係数の異方比が１．１０であった。またこの黒鉛材の平均熱膨張係数は、４．５×１０-G／℃であった。
【００４４】
この黒鉛材に加工を施し、実施例１と同形状の黒鉛基材３１を得て、これに実施例１と同様な方法によって熱分解炭素被膜３２を形成した。
【００４５】
（比較例３）
平均粒径２０μｍに粉砕した骨材コークス７０重量部と結合材となるコールタールピッチ３０重量部とを加熱し混練した後、この混練物を１００〜３００μｍに粉砕し炭素材原料を形成した。
【００４６】
この炭素材原料を用いてラバープレス法にて所望成形体を形成し、この成形体を焼成・黒鉛化して黒鉛材を形成した。得られた黒鉛材は、水銀圧入法による平均細孔半径が水銀圧入法で測定できる最大範囲の７５０００オングストローム以上で熱膨張係数の異方比が１．１５であった。またこの黒鉛材の平均熱膨張係数は、３．５×１０-6／℃であった。
【００４７】
この黒鉛材に加工を施し、実施例１と同形状の黒鉛基材３１を得て、これに実施例１と同様な方法によって熱分解炭素被膜３２を形成した。
【００４８】
この様にして得られた保温筒３０をシリコン単結晶引き上げ装置１００に設置しライフの比較を実施したところ、次の表に示す結果が得られた。
0003653647.tif 000002
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述した通り、まず請求項１に係る発明においては、上記実施形態において例示した如く、
「保温筒３０を、室温から１０００℃における平均熱膨張係数が４．０〜  ６．０×１０-6／℃であり、水銀圧入法により測定した細孔半径７５オングストローム〜７５０００オングストロームの範囲での平均細孔半径が１００００オングストローム以上である黒鉛基材３１により構成するとともに、
この保温筒３０の少なくとも内側上部の黒鉛基材３１の内側表面に熱分解炭素からなる被膜３２を形成して、黒鉛基材３１の表面を部分的に露出させるようにしたこと」
にその構成上の特徴があり、これにより、比較的安価である黒鉛材料を基材とすることにより全体のコスト低減を図り、黒鉛材料とＳｉＯガスとの反応による珪化を防止して珪化層脱落が生じないようにし、さらにはＳｉ蒸気の蒸着を生じないようにすることができて、耐久性が高く安価な保温筒を提供することができるのである。
【００５０】
また、請求項２に係る発明においては、上記請求項１に係る保温筒３０について、その熱分解炭素被膜３２から露出している黒鉛基材３１部分を、ヒータ２０の発熱中心６０より下方に位置させたことにその特徴があり、これにより、上記請求項１の発明の目的を達成することができる他、Ｓｉ蒸気の吸着をより確実に行うことのできる保温筒を提供することができるのである。
【００５１】
さらに、請求項３に係る発明によれば、上記請求項１または２に係る保温筒３０について、その黒鉛基材３１の異方比を１．２５以下のものを採用したことにその構成上の特徴があり、これにより、上記請求項１または２の目的を達成することができる他、吸着・吸収されたＳｉとの熱膨張率の差をできるだけ小さくすることができて、耐久性をより一層増大することのできる保温筒を提供することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る保温筒を採用したシリコン単結晶引き上げ装置の概略縦断面図である。
【図２】同保温筒の熱分解炭素被膜を中心にしてみた部分拡大断面図である。
【図３】従来のシリコン単結晶引き上げ装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１００    シリコン単結晶引き上げ装置
１０      ルツボ
１１      石英ガラスルツボ
２０      ヒータ
３０      保温筒
３１      黒鉛基材
３２      熱分解炭素被膜
４０      断熱材
５０      密閉本体
６０      発熱中心
【図１】
0003653647.tif 000003
【図２】
0003653647.tif 000004
【図３】
0003653647.tif 000005