(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板（１１０）からなる半導体チップ（１１）の素子形成面である一面（１ａ）側に、前記半導体チップ（１１）の放熱を行うための放熱部材（２０）が接合されてなる半導体装置において、
前記一面（１ａ）に形成された電極（１１２、１１３）が不純物を含まない純Ａｌであり、
前記電極（１１２、１１３）と前記半導体チップ（１１）の基板（１１０）との間に、ＳｉがＡｌ中に溶解することを防止するバリアメタル（１１１）が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップ（１１）における前記一面（１ａ）とは反対側の他面（１ｂ）に形成された電極（１１５）が、不純物を含まない純Ａｌであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記放熱部材（２０）からの放熱方向が、前記半導体チップ（１１）における前記一面（１ａ）から、前記一面（１ａ）とは反対側の他面（１ｂ）へ向かう方向となっていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップ（１１）における前記一面（１ａ）とは反対側の他面（１ｂ）側に放熱部材（２４）が接合され、
前記他面（１ｂ）側に接合された放熱部材（２４）が、外部の冷却部材と接合される部分である放熱面（９）を有しており、
前記一面（１ａ）側に接合された放熱部材（２０）と、前記他面（１ｂ）側に接合された放熱部材（２４）とが接合されて、前記一面（１ａ）側からの放熱が前記放熱面（９）で行われることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記一面（１ａ）側に接合された放熱部材（２０）と、前記他面（１ｂ）側に接合された放熱部材（２４）とが、高熱伝導絶縁基板（４）を介して接合されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップおよびその実装構造に関し、特にパワー素子が形成された半導体チップを用いる場合に好適である。
【０００２】
【従来の技術】
従来、パワーデバイスが形成された半導体チップ（以下、単にチップという）は、半田等の接合部材を介して、Ｃｕ等からなる放熱部材に接合して放熱を行っている。近年、その放熱効率を向上させるために、チップの表裏両面から放熱を行うべく、チップにおけるトランジスタやコンデンサ等のデバイスが形成されている素子形成領域にも放熱部材を設けるようになっている。
【０００３】
図４は、チップの一例としてのＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の概略断面図である。図４に示すように、チップＪ１にはＳｉ（珪素）からなる基板Ｊ２においてデバイスＪ３が形成されている。また、デバイスＪ３の表面には、Ａｌ（アルミニウム）に１％程度のＳｉを含んだ金属からなるエミッタ電極（配線）Ｊ４が形成されている。
【０００４】
ところで、この電極Ｊ４として不純物を含まないＡｌ（以下、純Ａｌという）を用いると、基板と電極とが直接接触する部分であるコンタクト部Ｊ５において、ＳｉがＡｌ中に溶解することで生じるアロイスパイクが生じる。そして、このアロイスパイクが、例えばＰＮ接合を破壊するなどしてデバイスの特性に大きな影響を与える。従って、ＡｌにＳｉを含有させることにより、このアロイスパイクの発生を抑制している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、Ａｌに過剰のＳｉが含有されていると、デバイス表面のゲート電極部Ｊ６の絶縁膜などにおいてＳｉ微粒子が析出（以下、Ｓｉノジュール析出という）する。そして、チップにワイヤを超音波接合する場合は、上記電極上にワイヤボンドするが、この際、上記Ｓｉノジュール析出による析出粒付近にワイヤボンドすると、析出粒がボンディング時の振動エネルギーを受け、析出粒を起点としてデバイスＪ３及びゲート電極部Ｊ６にクラックが生じる。
【０００６】
ところで、近年、パワー素子を小型化する要望があり、これに伴い、セルピッチ（図４においてＬで示している）が細かくなっている。また、オン抵抗を下げるためゲートをトレンチ構造とすること等にもよりセルピッチＬがさらに細かくなり、例えば４μｍ以下のものも現れてきている。
【０００７】
そして、セルピッチＬが細かくなるほど、上述のように、析出粒に機械的な応力が集中することにより、デバイスＪ３にクラックが発生するという問題が深刻になる。
【０００８】
一方、図４のエミッタ電極Ｊ４およびコレクタ電極Ｊ７の外側に放熱部材を接合させる等して、チップＪ１を一対の放熱部材で挟んだ構成に着目する。この場合、ＳｉからなるチップＪ１の熱膨張係数と、Ｃｕ等からなる放熱部材の熱膨張係数の差が大きいため、冷熱サイクルにおいて大きな熱応力が発生する。ここで、Ｓｉを含むＡｌは、純Ａｌよりも弾性率が大きいため、電極Ｊ４、Ｊ７における熱応力の緩和が不十分となる。その結果、特に素子形成面側では、例えばチップのエミッタセルＪ８及びゲート電極部Ｊ６に熱応力が集中し、ゲート電圧の閾値（以下、Ｖｔとする）等の電気特性が変動することが懸念される。
【０００９】
また、放熱部材を素子形成領域（例えば、図４ではエミッタセルＪ８の形成領域）にも設け、さらに、冷却部材としての外部放熱フィン等に圧接する場合は、チップにおける放熱部材の端部と接触する部分において、上記圧接による応力が集中することが考えられる。そのため、チップＪ１やチップＪ１に形成されたデバイスＪ３及びゲート電極部Ｊ６が割れたり、デバイスＪ３の電気特性が変動したりする可能性がある。
【００１０】
特に、大電流を流すパワーデバイスにおいては、上述のような、機械的応力および熱応力の集中により、特定セルに電流集中してデバイスが熱破壊することが懸念される。
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑み、外部から加えられる応力を緩和することができる半導体チップを提供することを１つの目的とし、組み込まれた半導体チップに加わる応力を緩和することができる半導体装置を提供することを他の目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、Ｓｉ基板（１１０）からなる半導体チップ（１１）の素子形成面である一面（１ａ）側に、放熱部材（２１）を接合した半導体装置において、一面（１ａ）に形成した電極（１１２、１１３）が不純物を含まない純Ａｌであり、電極（１１２、１１３）と半導体チップ（１１）の基板（１１０）との間にバリアメタル（１１１）を形成していることを特徴としている。
【００１３】
半導体チップ（１１）を放熱部材（２０）と接合させた場合に、不純物を含まないＡｌは弾性率が小さいため、半導体チップ（１１）と放熱部材（２０）との熱膨張係数の違いにより発生する熱応力を緩和することができる。
【００１４】
また、電極（１１２、１１３）と基板（１１０）との間にバリアメタル（１１１）を形成しているため、ＳｉがＡｌ中に溶解することを防止し、アロイスパイクの発生を防止することができる。その結果、電極（１１２、１１３）としてＳｉが含まれていない純Ａｌを用いることができるため、素子形成面である一面（１ａ）付近におけるＳｉのノジュール析出を防止することができ、電極（１１２、１１３）にワイヤボンドした際にＳｉの析出粒に機械的な応力が集中することを防止することができる。従って、組み込まれた半導体チップ（１１）に加わる応力を緩和することができる半導体装置を提供することができる。
【００１５】
この場合、請求項２に記載の発明のように、半導体チップ（１１）の素子形成面である一面（１ａ）とは反対側の面（１ｂ）に形成した電極（１１５）を、不純物を含まない純Ａｌにすることができる。これにより、半導体チップ（１１）の素子形成面である一面（１ａ）とは反対側の面（１ｂ）に放熱部材を接合する場合も、半導体チップ（１１）と放熱部材との熱膨張係数の違いにより発生する熱応力を緩和することができる。
【００１９】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１または２の発明において、放熱部材（２０）からの放熱方向が、半導体チップ（１１）における一面（１ａ）から、一面（１ａ）とは反対側の他面（１ｂ）へ向かう方向となっていることを特徴としている。
【００２０】
本発明によれば、例えば、半導体チップ（１１）の他面（１ｂ）側において冷却部材を設けた場合、放熱を行うために冷却部材を放熱部材に圧接する際に、半導体チップ（１１）の一面（１ａ）側に圧接による応力が集中することを防止できる。従って、特に、組み込まれた半導体チップ（１１）の、素子形成面（１ａ）に加わる応力を緩和することができる半導体装置を提供することができる。
【００２１】
また、請求項４に記載の発明では、請求項１または２の発明において、半導体チップ（１１）における一面（１ａ）とは反対側の他面（１ｂ）に放熱部材（２４）を接合し、他面（１ｂ）側に接合した放熱部材（２４）が、外部の冷却部材と接合する部分である放熱面（９）を有しており、一面（１ａ）側に接合した放熱部材（２０）と、他面（１ｂ）側に接合した放熱部材（２４）とを接合して、一面（１ａ）側からの放熱を放熱面（９）で行うことを特徴としている。
【００２２】
これにより、各々の放熱部材（２０、２４）からの放熱方向を、請求項３の発明と同様に、半導体チップ（１１）における一面（１ａ）から他面（１ｂ）へ向かう方向とすることができ、請求項３の発明と同様の効果を発揮することができる。
【００２３】
また、この場合、請求項５に記載の発明のように、一面（１ａ）側に接合した放熱部材（２０）と、他面（１ｂ）側に接合した放熱部材（２４）とを、高熱伝導絶縁基板（４）を介して接合すると、一面（１ａ）側に接合した放熱部材（２０）と他面（１ｂ）側に接合した放熱部材（２４）との電気的な絶縁を行い、さらに熱伝導も確保することができる。
【００２４】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
（本実施形態）
本実施形態は、半導体チップとしてＩＧＢＴを用いた例について示す。図１は、本実施形態の半導体装置の概略断面図である。図１に示すように、例えば、Ｓｉ基板からなる半導体チップとしてのＩＧＢＴ１１およびＦＷＤ（フリーホイールダイオード）１２を用いる。このＩＧＢＴ１１およびＦＷＤ１２の各々の素子形成面である一面１ａ側には、各々のチップ１１、１２の放熱を行うための第１および第２の放熱部材２１、２２が、半田３１を介して接合されている。
【００２６】
また、この第１および第２の放熱部材２１、２２における、各々のチップ１１、１２と接合された面とは反対側の面に対して、半田３２を介して第３の放熱部材２３が接合されている。そして、これらの第１〜第３の放熱部材２１〜２３により一面側の放熱部材２０を形成している。
【００２７】
この第３の放熱部材２３は、突出部２３ｂを有する板状のもので、その厚み方向の断面形状が突出部２３ｂを短辺とする略Ｌ字型になっており、Ｌ字の長辺部において第１および第２の放熱部材２１、２２が接合している。また、各々のチップ１１、１２の断面方向から見ると、突出部２３ｂの先端部２３ａが、各々のチップ１１、１２の他面１ｂとほぼ同じ高さになっている。ここで、第１〜第３の放熱部材２１〜２３は例えばＣｕからなるものを用いることができる。
【００２８】
また、各々のチップ１１、１２の他面１ｂ側には、高熱伝導絶縁基板としてのＤＢＣ（ダイレクトボンディングカッパ）基板４が配置されている。このＤＢＣ基板４は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）基板５の両面５ａ、５ｂに銅箔５１〜５４がパターニングされてなる。
【００２９】
そして、各々のチップ１１、１２の他面１ｂ側が、ＤＢＣ基板４における一面５ａ側の第１の銅箔５１に対して半田３３を介して接合されている。また、第３の放熱部材２３における突出部２３ｂの先端部２３ａが、ＤＢＣ基板４における一面５ａ側の第２の銅箔５２に対して、半田３４を介して接合されている。
【００３０】
次に、ＩＧＢＴ１１の電極（配線）部分の構成について述べる。図２は、図１における破線で囲んだＡ部の拡大図であり、その構成を概略的に示す図である。図２に示すように、ＩＧＢＴ１１の基板１１０における一面１ａ側にはバリアメタル１１１が形成されている。
【００３１】
また、その上に一面側の電極としてのエミッタ電極１１２およびワイヤボンド用ランド１１３が、純Ａｌで形成されている。ここで、バリアメタル１１１は基板１１０側から、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイドライド）の順に積層されて形成されてなり、その厚さは、例えば０．１μｍ程度である。また、この一面側の電極１１２、１１３の厚さは、例えば５μｍ程度にすると良い。
【００３２】
また、エミッタ電極１１２には半田と良好に接続するための金属膜１１４が形成されている。この金属膜１１４は、エミッタ電極１１２側から、Ｔｉ、Ｎｉ（ニッケル）およびＡｕ（金）の順に積層されて形成されており、合わせて例えば、０．６μｍ程度の厚さとなっている。そして、この金属膜１１４に対して、上述のように半田３１を介して第１の放熱部材２１が接合されている。ここで、半田３１および第１の放熱部材２１の厚さは、例えば、各々０．１ｍｍ、１．５ｍｍ程度にすることができる。
【００３３】
一方、基板１１０の他面１ｂ側には、バリアメタルを形成せずに、純Ａｌからなる他面側の電極としてのコレクタ電極１１５が形成されている。このコレクタ電極１１５は、例えば０．２μｍ程度の厚さにすることができる。また、コレクタ電極１１５に対しては、上記エミッタ電極１１２と同様にして、金属膜１１６が形成されており、この金属膜１１６が半田３３を介してＤＢＣ基板４の一面５ａ側の第１の銅箔５１と接合されている。
【００３４】
なお、ＦＷＤ１２も電極部分の構成はＩＧＢＴ１１と同様にしてある。
【００３５】
次に、図１および図２に示すように、エミッタ電極１１２と外部端子であるリード（エミッタ端子）６１との通電を行うために、第３の放熱部材２３とリード６１とが接続端子６ａで電気的に接続されている。また、ＤＢＣ基板４にはランド５３が形成されており、このランド５３とＩＧＢＴ１１の一面１ａにおけるワイヤボンド用ランド１１３とが、ワイヤ７によりワイヤボンドされ、ＤＢＣ基板４のランド５３とゲート端子８とがワイヤ７によりワイヤボンドされている。
【００３６】
ここで、ワイヤ７としては、ＡｕやＡｌ等、一般的にワイヤボンドに使われるものを用いることができる。このＤＢＣ基板４のランド５３は、ワイヤボンド用ランド１１３とゲート端子８との中継のために設けられたものである。
【００３７】
また、ＤＢＣ基板４の裏面５ｂ側に形成された銅箔５４には、半田３５を介して第４の放熱部材（他面側の放熱部材）２４が接合されている。つまり、一面側の放熱部材２０と他面側の放熱部材２４とが、ＤＢＣ基板４を介して接合され、各々の放熱部材２０、２４の電気的な絶縁、および熱伝導が確保されている。
【００３８】
そして、上述の各々の部材が樹脂１００により封止されている。この際、他面側の放熱部材２４における、ＤＢＣ基板４と接合した面とは反対側の面が露出して放熱面９となっている。ここで、樹脂１００としては、例えばエポキシ系のモールド樹脂を用いることができる。
【００３９】
次に、本実施形態の半導体装置における各部の電気的な接続のより詳細な構成について、図３を参照して述べる。図３は、図１の白抜き矢印方向から見た場合の半導体装置を模式的に示す上面図である。なお、図１は図３におけるＢ−Ｂ断面に相当する。図３に示すように、本実施形態の半導体装置はＩＧＢＴ１１とＦＷＤ１２が２組、組み込まれている。
【００４０】
一面側の放熱部材２０（２１〜２３）は、図中、一点鎖線で示され、上述のように、接続端子６ａを介してエミッタ端子６１と電気的に接続されている。また、ＤＢＣ基板４の第１の銅箔５１は、２組のＩＧＢＴ１１とＦＷＤ１２における他面１ｂ側の電極の全てと接合され、ＤＢＣ基板４の第２の銅箔５２と接触しないようにして、突出している。また、この突出した部分５１ａとリードであるコレクタ端子６２とが、接続端子６ｂを介して電気的に接続されている。
【００４１】
そして、この様な構成の半導体装置は、放熱面９を外部の冷却部材（外部放熱器）としての放熱フィン（図示せず）にネジ止め等により圧接して固定する。これにより、各々のチップ１１、１２の一面１ａ側からは、一面側の放熱部材２０、ＤＢＣ基板４、および他面側の放熱部材２４を介して、放熱面９から放熱される。つまり、各々のチップ１１、１２の一面１ａ側からの放熱方向が、各々のチップ１１、１２における一面１ａから他面１ｂへ向かう方向（図１における上から下へ向かう方向）となっている。
【００４２】
一方、各々のチップ１１、１２の他面１ｂ側からは、ＤＢＣ基板４、および他面側の放熱部材２４を介して、放熱面９から放熱される。従って、チップが組み込まれた半導体装置において、各々のチップ１１、１２における一面１ａおよび他面１ｂ、そして放熱面９の位置関係がこの順になっており、放熱面９を外部の冷却部材と接合するなどして、各々のチップ１１、１２の両面１ａ、１ｂからの放熱を、主として放熱面９において行っている。
【００４３】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について述べる。まず、上述のようなバリアメタル１１１、エミッタ電極１１２、コレクタ電極１１５、および金属膜１１４、１１６等を有するＩＧＢＴ１１、およびＦＷＤ１２を用意する。これらの電極１１２、１１５やバリアメタル１１１、金属膜１１４、１１６等は、例えばスパッタ等により形成することができる。そして、各々のチップ１１、１２の一面１ａに対して、第１および第２の放熱部材２１、２２を半田付けする。
【００４４】
次に、一面５ａおよび他面５ｂに銅箔５１〜５４がパターニングされたＤＢＣ基板４を用意し、所定の位置にＩＧＢＴ１１およびＦＷＤ１２を半田付けする。その後、第３の放熱部材２３を、第１および第２の放熱部材２１、２２、およびＤＢＣ基板４に対して半田付けする。この第３の放熱部材２３の半田付けにおいては、第１および第２の放熱部材２１、２２との接合部分よりも、ＤＢＣ基板４との接合部分において半田を少し厚くしておき、半田付けの際の高さのバラツキを吸収するようにしておく。
【００４５】
この各々半田付けは、リフロー等により行うと良く、また半田付けの順に、用いる半田の融点を徐々に下げるようにすると、初めに接合された半田に影響を及ぼすこと無く、好適に半田付けすることができる。
【００４６】
そして、エミッタ端子６１およびコレクタ端子６２と第３の放熱部材２３との接続、およびＩＧＢＴ１１とゲート端子８とのワイヤボンドを行う。続いて、ＤＢＣ基板４に第４の放熱部材２４を半田付けし、最後に、樹脂封止して完成する。
【００４７】
ところで、本実施形態によれば、純Ａｌは弾性率が小さいため、各々のチップ１１、１２と各放熱部材２１〜２４との熱膨張係数の違いにより発生する熱応力を緩和することができる。具体的には、純Ａｌの弾性率は７２ＧＰａであり、１％のＳｉを含有するＡｌの弾性率は約７５ＧＰａである。そして、Ｓｉを含有するＡｌを用い、製造過程において、上記従来技術で用いた図４に示すコンタクト部Ｊ５やゲート電極部Ｊ６の表面にＳｉが偏析した場合、Ｓｉの弾性率は１３０ＧＰａであるため、局所的には熱応力を緩和する能力が非常に小さくなる。
【００４８】
特に、ＩＧＢＴ１１のエミッタ電極１１２を純Ａｌとすることにより、例えばエミッタセルに応力が集中し、Ｖｔ等の電気特性が変動することを抑制することができる。従って、電気的な信頼性の高いチップおよび半導体装置を提供することができる。また、各々のチップ１１、１２の他面１ｂ側の電極を純Ａｌとすることにより、熱応力に起因する各々のチップ１１、１２の反りを低減することができる。
【００４９】
また、電極１１２、１１３、１１５にＳｉが含まれていないため、Ｓｉノジュール析出を防止することができる。これは、ワイヤボンド用ランド１１３において特に効果を発揮する。上記課題で述べたように、ワイヤボンド用ランド１１３付近のＳｉ基板１１０における絶縁膜（図示せず）等にＳｉの析出粒が形成され、この析出粒にワイヤボンドの際の機械的な振動（応力）が集中することにより、絶縁膜およびＳｉ基板１１０におけるデバイスにクラックが生じるという問題を解消することができる。
【００５０】
この様に、電極１１２、１１３、１１５を純Ａｌとすることにより、外部から加えられる応力を緩和する、つまり純Ａｌがクッションの様な働きをする半導体チップ、および、組み込まれた半導体チップに加わる応力を緩和することができる半導体装置を提供することができる。
【００５１】
ただし、純Ａｌを基板１１０であるＳｉに直接接触させると、アロイスパイクが生じるため、電極１１２、１１３と基板１１０との間にバリアメタル１１１を形成し、このアロイスパイクの発生を防止している。なお、ＩＧＢＴ１１の他面１ｂ側にはバリアメタルを形成していないが、他面１ｂ側においてアロイスパイクが発生しても、一面１ａ側に形成されたデバイスまで到達しないと思われるため、バリアメタルを形成しなくても良い。
【００５２】
また、例えば、チップを一対の放熱部材で挟んでなり、その各々の放熱部材に放熱面を有するような半導体装置では、外部の冷却部材により半導体装置を挟んで圧接して、放熱面と冷却部材とを接触させる。しかし、この様な構成では、挟んだ際の圧接応力がチップに集中してしまう。
【００５３】
それに対し、本実施形態では、主として半導体装置の外部に対して放熱を行う放熱面９が、各々のチップ１１、１２における他面１ｂ側に形成されている。この様な構成では、放熱を行うために、冷却部材で半導体装置を挟む構成にする必要が無いため、放熱面９を外部の冷却部材に強固に接続しても、各々のチップ１１、１２に大きな応力は加わらない。
【００５４】
さらに、各々のチップ１１、１２に対しては、一面１ａ側にも他面１ｂ側にも放熱部材２１、２２、２４が接合されているため、各々のチップ１１、１２の両面１ａ、１ｂからの放熱が行われる。
【００５５】
従って、各々のチップ１１、１２の両面１ａ、１ｂからの放熱効果を確保した状態で、各々のチップ１１、１２やチップに形成されたデバイスが割れることを防止することができる構成となっている。特に、各々のチップ１１、１２の他面１ｂ側に放熱面９が形成されているため、各々のチップの一面１ａ側に応力が集中することを防止でき、一面１ａ側に形成されたデバイスの電気特性の変動を抑えることができる。
【００５６】
また、半導体装置の内部で用いた絶縁基板であるＤＢＣ基板４により、この放熱面９は各々のチップ１１、１２との電気的な絶縁が確保されている。このため、外部の冷却部材との接合において、電気的な絶縁を考慮する必要が無い。また、１枚の絶縁基板４によって、各々のチップの一面１ａ側および他面１ｂ側の両方との絶縁を確保することができる。
【００５７】
なお、本実施形態では、主として放熱を行う放熱面９が、各々のチップ１１、１２における他面１ｂ側に形成されているが、例えば、第３の放熱部材２３を樹脂１００の外に露出させる等して、他の部分で放熱を補うようにしても良い。ただし、この場合、第３の放熱部材２３における露出した部分を、外部の冷却部材に強固に接触させる等して、チップ１１、１２の素子形成面１ａに圧接応力が加わらないようにする。また、チップ１１、１２の素子形成面１ａに圧接応力が加わらなければ半導体装置を挟んで固定してもいい。
【００５８】
また、各々のチップ１１、１２のデバイスの保護に着目する場合は、各々のチップの他面１ｂ側の電極１１５は、純Ａｌでなくても良い。また、第１〜第３の放熱部材２１〜２３は別体で形成して半田付けする例について示したが、一体で形成しても良い。
【００５９】
また、ＦＷＤ１２の電極は、熱応力等の問題が無ければ、特に純Ａｌにしなくても良い。また、一面側の放熱部材２０と他面側の放熱部材２４との絶縁が必要無ければ、ＡｌＮからなるＤＢＣ基板４を用いなくても良い。また、ＤＢＣ基板４のランド５３は、ＩＧＢＴ１１のワイヤボンド用ランド１１３とゲート端子８とを直接ワイヤボンドできれば設けなくても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態における半導体装置の概略断面図である。
【図２】本実施形態におけるＩＧＢＴの構成を示す断面図である。
【図３】本実施形態における半導体装置の上面図である。
【図４】従来のＩＧＢＴを部分的に示す概略断面図である。
【符号の説明】
１ａ…素子形成面、４…高熱伝導絶縁基板、９…放熱面、
１１、１２…半導体チップ、２０〜２４…放熱部材、１１０…基板、
１１１…バリアメタル、１１２、１１３…一面側の電極、
１１５…他面側の電極。
【図１】
0003630070.tif 000002
【図２】
0003630070.tif 000003
【図３】
0003630070.tif 000004
【図４】
0003630070.tif 000005