(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の中央近傍を保持し、鉛直軸回りに回転自在な基板保持部と、
基板に処理液を供給するための処理液供給部と、
前記基板保持部を囲むように環状に形成され、前記基板保持部に保持された基板の周縁領域における被処理面の反対面の近傍に設けられた凸部と、
前記基板の周縁領域における被処理面の反対面と凸部との間に温調液を供給するための温調液供給部と、を備え、
処理液が供給された基板を前記基板保持部により所定時間回転させ、この回転により、前記温調液供給部からの温調液を被処理面の反対面と凸部と間において基板の全周に亘って液膜として形成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記温調液供給部は、基板の被処理面の反対面の周方向に等分した位置に温調液を供給することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記温調液供給部は、基板の周縁領域における被処理面の反対面に温調液を供給する第１の温調液供給部と、この第１の温調液供給部により温調液が供給される領域よりも内側の領域に温調液を供給する第２の温調液供給部と、を含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の温調液供給部が、前記第２の温調液供給部よりも先に温調液の供給を開始することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の温調液供給部より供給される温調液の温度が前記第２の温調液供給部より供給される温調液の温度よりも高いことを特徴とする
請求項３又は４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記凸部に設けられ、前記基板の周縁領域を加熱するための加熱部を備えたことを特徴とする請求項１ないし５の何れか一に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液供給部は、基板に沿って形成された供給孔を有し、前記基板保持部と相対的に回転自在に設けられていることを特徴とする請求項１ないし６の何れか一に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理液は現像液であることを特徴とする請求項１ないし７の何れか一に記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板に処理液を供給して処理を行う基板処理方法において、
基板の中央近傍を基板保持部に保持させて、当該基板に処理液を供給する工程と、
処理液が供給された基板を前記基板保持部により所定時間鉛直軸回りに回転させる工程と、
前記基板保持部を囲むように環状に形成され、前記基板保持部に保持された基板の周縁領域における被処理面の反対面の近傍に設けられた凸部と、前記被処理面の反対面と、の間に基板が回転しているときに温調液を供給し、基板の回転により前記温調液を被処理面の反対面と凸部と間において基板の全周に亘って液膜として形成する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記凸部に設けられた加熱部により、基板が回転しているときに前記基板の周縁領域を加熱する工程を更に備えたことを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば基板に対して現像処理等の基板処理を行う基板処理装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）や液晶ディスプレイのガラス基板（ＬＣＤ基板）の表面に所定のパタ−ンを形成するためのマスクは、ウエハ等の基板表面にレジストを塗布した後、光、電子線あるいはイオン線等をレジスト面に照射し、現像することによって得られる。
【０００３】
ここで現像処理は、露光工程にて光等が照射された部分あるいは照射されない部分をアルカリ水溶液等により溶解するものであり、従来は例えば次のようにして行っていた。つまり先ず図１２（ａ）に示すように、例えば真空吸着機能を備えたスピンチャック１０の上に基板例えばウエハＷを吸着保持して、多数の吐出孔を有する棒状の供給ノズル１１をウエハＷの中央部に配置し、次いで図１２  （ｂ）に示すように、供給ノズル１１からウエハ表面に現像液Ｄを供給しながら、ウエハＷを１８０度回転させることにより、レジスト膜上に現像液Ｄの液盛りを行い、続いて図１２（ｃ）に示すように、ウエハＷの回転を停止した状態で例えば６０秒間放置した後、ウエハ表面にリンス液を供給して現像液を洗い流すという手法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら例えばＩ線レジストを用いた場合、上述の現像方法では現像ムラが発生し、部位によって現像線幅が変わってしまい、例えばウエハ中心部近傍と周縁部との間では、約４ｎｍ程度線幅が狂ってしまうという問題がある。この原因について検討してみると、現像の進行の度合いは現像液Ｄの温度に依存することから、ウエハ面内において現像液Ｄに温度分布が発生していると考えられる。
つまり現像液Ｄは例えば２３℃程度の温度に調整されているが、ウエハＷに液盛りを行って放置している間に現像液Ｄに含まれる水分が蒸発し、これにより現像液Ｄの潜熱が奪われるので、図１３に示すように現像液Ｄの温度は時間と共に低下する。
【０００５】
一方ウエハＷの中心近傍を保持するスピンチャック１０は、ウエハＷを保持した状態で昇降や回転を行うため、ある程度の大きさがある。また当該スピンチャック１０を駆動するための図示しないモ−タからの温度影響を無くすように、例えば温調水により例えば２３℃程度の温度に保たれている。従ってスピンチャック１０は熱容量が大きく、ウエハＷのスピンチャック１０と接触している部分と接触していない部分とで、現像液Ｄの温度低下の度合いが異なり、ウエハ中心近傍の温度は周縁部に比べて低下しにくいと考えられる。
【０００６】
このためリンス開始時にはウエハ中心近傍と周縁部との間に例えば約１℃程度の現像液Ｄの温度差が生じ、これにより現像状態にムラが生じて、出来上がり寸法が変化するという悪影響が発生していると推察される。
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は処理液の温度を基板の面内でほぼ均一にすることにより、処理液の温度差による処理ムラの発生を抑えて、処理の均一性を高める基板処理装置及びその方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このため、本発明の基板処理装置は、基板の中央近傍を保持し、鉛直軸回りに回転自在な基板保持部と、
基板に処理液を供給するための処理液供給部と、
前記基板保持部を囲むように環状に形成され、前記基板保持部に保持された基板の周縁領域における被処理面の反対面の近傍に設けられた凸部と、
前記基板の周縁領域における被処理面の反対面と凸部との間に温調液を供給するための温調液供給部と、を備え、
処理液が供給された基板を前記基板保持部により所定時間回転させ、この回転により、前記温調液供給部からの温調液を被処理面の反対面と凸部と間において基板の全周に亘って液膜として形成することを特徴とする。
また上記基板処理装置において、前記凸部に設けられ、前記基板の周縁領域を加熱するための加熱部を備えた構成であってもよい。
【００１１】
ここで前記温調液供給部は、例えば基板の被処理面の反対面の例えば周方向に等分した位置に温調液を供給する温調液供給部とすることができる。
【００１３】
さらに前記処理液供給部は、基板に沿って形成された供給孔を有し、前記基板保持部と相対的に回転自在に設けるようにしてもよい。また基板処理の具体例としては、処理液として現像液を用いた現像処理を挙げることができる。
本発明方法は、基板に処理液を供給して処理を行う基板処理方法において、
基板の中央近傍を基板保持部に保持させて、当該基板に処理液を供給する工程と、
処理液が供給された基板を前記基板保持部により所定時間鉛直軸回りに回転させる工程と、
前記基板保持部を囲むように環状に形成され、前記基板保持部に保持された基板の周縁領域における被処理面の反対面の近傍に設けられた凸部と、前記被処理面の反対面と、の間に基板が回転しているときに温調液を供給し、基板の回転により前記温調液を被処理面の反対面と凸部と間において基板の全周に亘って液膜として形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
また上記基板処理方法において、前記凸部に設けられた加熱部により、基板が回転しているときに前記基板の周縁領域を加熱する工程を更に備えてもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明を適用した現像装置の縦断面図であり、図１中２は、基板であるウエハＷの中央近傍を、被処理面が上を向くようにほぼ水平な状態で保持すると共に、当該ウエハＷを鉛直軸まわりに回転させ、かつ昇降させるためのｊ、、例えば樹脂により構成されたウエハ保持部である。このウエハ保持部２は基板保持部をなすものであって例えば真空吸着機能を有し、昇降機構とモ−タとが組み合わされた駆動部２１により、回転軸２２を介して鉛直軸まわりに回転自在かつ昇降自在に構成されている。こうしてウエハＷは、ウエハ保持部２により、図２に示すウエハ保持部２に吸着保持された処理位置と、図中一点鎖線で示す、処理位置よりも上方側のウエハＷの受け渡し位置との間で昇降自在、回転自在に保持される。
【００１５】
このようなウエハ保持部２の周囲には、前記処理位置にあるウエハＷの周囲を囲み、ウエハ上に供給された処理液例えば現像液を振り切る際に、この液が周囲に飛散するのを防ぐための、円形筒状のカップ３が設けられている。カップ３は、外カップ３１と内カップ３２とからなり、外カップ３１は、処理液の飛散を防止するときには、前記ウエハＷの受け渡し位置よりも上方側に上端が位置し、ウエハＷの受け渡し時や処理液の塗布時には、前記ウエハＷの受け渡し位置よりも下方側に上端が位置するように、図示しない昇降機構により昇降自在に構成されている。
【００１６】
内カップ３２は外カップ３１の内側に、前記ウエハＷの受け渡し位置よりも下方側であって、ウエハＷが前記処理位置にあるときには、当該ウエハＷよりも上方側に上端が位置するように設けられている。この内カップ３２は、ウエハＷの側方側では上に向かって内側に傾斜し、ウエハＷの下方側には処理液のウエハＷの裏面側への回り込みを抑えるために、前記処理位置にあるウエハＷの裏面側周縁に接するか接しない程度に環状の凸部３３が設けられ、ウエハＷの外方から凸部３３に向かって上に傾斜するように形成されている。
【００１７】
また内カップ３２の例えば２か所には、ウエハＷの裏面側の周縁領域（ウエハ保持部２にてウエハＷを保持したときの当該保持領域の外側の領域）に温調液Ａ例えば温調水を供給するための温調液供給部をなす温調液Ａの流路４１が形成されており、この流路４１は、例えばウエハＷの裏面側の周縁領域を周方向に２等分する位置に温調液Ａを供給するために、約１８０゜間隔で設けられている。
【００１８】
ここで例えば前記内カップ３２の凸部３３の内側は、例えば図２に示すように、ウエハ中央部に向かってわずかに下に傾斜する傾斜面３４になっており、前記流路４１は、例えば当該凸部３３の内側の傾斜面に吐出口４１ａ（図７参照）が位置するように形成されている。また前記流路４１の吐出口４１ａの他端側は夫々温調液Ａの供給管４２，４３を介して、例えば２５℃〜２７℃の温度に調整された温調水が貯留されている共通の温調液タンク４４に接続されている。これにより所定の温度に調整された温調液Ａが前記流路４１を介して、ウエハＷの裏面側とウエハ保持部２の前記傾斜面３４との間に供給され、当該ウエハＷの裏面側と傾斜面３４とに挟まれた部分の近傍領域に温調液Ａの液膜が形成されるようになっている。
【００１９】
さらにカップ３には、処理液の排液路３４と、排気路と排液路とを兼ねた排出路３５とが接続されており、排出路３５は図示しない気液分離手段に接続されている。
【００２０】
ウエハ保持部２に真空吸着された処理位置にあるウエハＷの上方には、当該ウエハＷの表面に処理液である現像液Ｄを供給するための処理液供給部をなすノズル５が設けられている。このノズル５は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、例えば横に細長い棒状に形成されたノズル本体５１と、ノズル本体５１の下面に設けられ、ウエハ表面に径方向に沿って現像液を吐出するための供給孔５２を備えており、前記ノズル本体５１及び供給孔５２は、ウエハ表面の中心線（ウエハＷの中心を通り、径方向に伸びる線）近傍に、現像液Ｄを供給するように構成されている。
【００２１】
このノズル５は、例えば図４に示すように、ノズル保持部５３により保持されて、案内レ−ル５４に沿って水平移動自在に構成されると共に、図示しない昇降機構により昇降自在に構成されている。これによりノズル５は、ウエハＷの搬入出時に邪魔にならないように、ウエハ保持部２の外側の待機位置と、ウエハ保持部２のほぼ中央部の上方側の上方位置との間で移動できるようになっていると共に、前記上方位置と、その位置から下降した位置である現像液の供給位置との間で昇降できるようになっている。
【００２２】
このようなノズル５には、図示しない供給管を介して現像液貯留タンク（図示省略）と連通接続されている。また現像装置は、ウエハＷの表面に現像液Ｄを洗い流すためのリンス液Ｒを供給するためのリンス用ノズル５５を備えている。このリンス用ノズル５５は、例えば上述のノズル５とほぼ同様に構成され、ノズル保持部５３により保持されて、ウエハ保持部２の外側の待機位置と、ウエハ上にリンス液Ｒを供給する供給位置との間で移動できるようになっている。
【００２３】
続いて上述の装置を用いて行われる本発明方法の一実施の形態を現像処理に適用した場合を例にして、図５及び図６を用いて説明する。先ず図５（ａ）に示すように、ウエハ保持部２を前記受け渡し位置まで上昇させ、レジスト膜が形成され露光されたウエハＷを、図示しない搬送ア−ムによりウエハ保持部２上に受け渡し、当該ウエハ保持部２に真空吸着させる。なおウエハＷをウエハ保持部２に押し付ける手法は、例えばウエハＷの周縁を機械的に押し付けるメカチャックを用いてもよい。
【００２４】
そして図５（ｂ）に示すように、内カップ３２に形成された流路４１から温調液ＡをウエハＷの裏面側に吐出させながら、待機位置にあるノズル５をウエハ保持部２の上方位置を介して供給位置まで移動させて、ノズル５から現像液Ｄを吐出させ、ウエハＷの中心線近傍に現像液Ｄを供給すると共に、ウエハ保持部２を例えば３０ｒｐｍ程度の回転数で回転させて現像液Ｄの液盛りを行う。つまり処理位置ではノズル５の供給孔５２の先端がノズル５からウエハ表面に供給した現像液Ｄに接触するようになっており、この状態でウエハＷを１８０度回転させながら、供給孔５２からウエハ表面に現像液Ｄを供給すると、回転の遠心力による現像液Ｄの拡散と、ノズル５の供給孔５２による現像液Ｄの伸展によって、ウエハＷの表面全体に現像液Ｄが塗布され、液盛りが行われる。
【００２５】
またこの際ウエハＷの裏面側の周方向に２等分する２か所の位置に向けて、ウエハＷの裏面側とウエハ保持部２の傾斜面３４との間に供給された温調液は、ウエハＷの回転によりウエハＷのほぼ全周（３６０゜）に広がり、ウエハＷの裏面側の周縁領域には、例えば図７に示すような環状の温調液Ａの液膜が形成される。ここで流路４１の吐出口４１ａは前記ウエハ保持部２の傾斜面３４に形成され、当該傾斜面３４は処理位置にあるウエハＷの裏面側近傍に位置するので、温調液は既述のように当該傾斜面３４とウエハＷの裏面との間に挟まれた状態で広がり、ウエハＷを回転させることにより当該傾斜面３４のウエハＷの裏面との対応する位置が移動し、これによりウエハＷの裏面側の全周の所定の周縁領域に、前記傾斜面３４の幅と同じかわずかに大きい所定の幅の温調液Ａの液膜が形成されることとなる。
【００２６】
続いて図５（ｃ）に示すように、ノズル５を待機位置まで移動させる一方、前記流路４１から温調液ＡをウエハＷの裏面側に吐出させながら、例えば６０秒間ウエハ保持部２を例えば１０ｒｐｍ程度の回転数で低速回転させることにより現像を行う。従ってウエハＷの裏面側の全周の所定の周縁領域に、温調液Ａの液膜が形成された状態で現像時が行われる。
【００２７】
このようにして現像を行った後、図６（ａ）に示すように、待機位置にあるリンス用ノズル５５をウエハ保持部２の上方位置を介して供給位置まで移動させ、ウエハ保持部２を回転させながらリンス用ノズル５５からリンス液Ｒを吐出させて洗浄を行う。次いで図６（ｂ）に示すように、ウエハＷを高速で回転させることによりウエハ表面を乾燥させ、この後ウエハ保持部２をウエハＷの受け渡し位置まで上昇させてウエハＷを図示しない搬送ア−ムに受け渡す。
【００２８】
ここでウエハ保持部２へのウエハＷの受け渡しや、ノズル５やリンス用ノズル５５のウエハ上方部への移動の際には、外カップ３１の上端を前記ウエハＷの受け渡し位置よりも下方側に位置させ、ウエハＷへの現像液Ｄやリンス液Ｒの供給時や現像時、乾燥時には、外カップ３１の上端を前記ウエハＷの受け渡し位置よりも上方側に位置させて所定の処理を行う。
【００２９】
このような現像方法では、温調液をウエハＷの裏面側の周縁領域に供給しながら、現像液の液盛りと現像とを行っているので、ウエハ表面に現像液Ｄの温度分布が発生しにくく、均一性の高い現像処理を行うことができる。
【００３０】
つまりウエハＷのウエハ保持部２にて保持されている中央近傍領域は、当該ウエハ保持部２が約２３℃程度に温度調整されているので、このウエハ保持部２との接触により温められている。一方ウエハＷの裏面側の周縁領域には、既述のように全周に亘って約２５℃〜２７℃程度に調整された温調液の液膜が形成されているので、これにより当該周縁領域も温められている。ここでウエハ保持部２よりも温調液の方が温度が高くなっているが、これはウエハ保持部２の方が熱容量が大きいからであり、実際にウエハＷの中央近傍領域と周縁領域とはほぼ同じ温度に調整されることとなる。
【００３１】
このようにウエハＷの中央近傍領域と周縁領域とはほぼ同じ温度に調整されるので、ウエハＷのこれらの部位上の現像液Ｄの温度差は無くなり、さらにウエハＷを回転することによりウエハ上の現像液Ｄが回転の慣性力により攪拌されるので、ウエハＷの中央近傍領域や周縁領域の現像液Ｄと、これら中央近傍領域と周縁領域との間の境界領域の現像液Ｄとが混合し、結果としてウエハ上の現像液Ｄの温度がほぼ均一なものとなる。
【００３２】
このため現像液Ｄの温度がウエハ面内に亘ってほぼ均一な状態で現像が行われるので、温度差が原因となる現像ムラの発生が抑制され、これにより現像線幅の寸法の変化が抑えられて、現像処理の均一性が高められる。実際にＩ線レジストが塗布され、所定のパタ−ン形状に露光されたウエハＷに対して上述の現像装置にて現像処理を行ったところ、ウエハＷの中央近傍と周縁部との間で現像線幅の狂いはほとんどなく、均一な現像処理を行うことができることが認められた。
【００３３】
続いて本発明の他の例について図８に基づいて説明する。この例が上述の現像装置と異なる点は、内カップ３２に温調液の流路４１を形成する代わりに、温調部である加熱部をなすヒ−タ６を設けたことである。具体的には、ヒ−タ６は、例えば抵抗発熱線により構成され、前記内カップ３２の傾斜面３４近傍に内カップ３２の全周に亘って設けられており、ウエハＷの裏面側の前記周縁領域近傍が例えば２３℃程度の温度になるように加熱するようになっている。
【００３４】
このような現像装置においても、ヒ−タ６によりウエハＷの裏面側の前記周縁領域を加熱しながら、ウエハＷを回転させた状態で現像液Ｄの液盛り及び現像が行われる。このためウエハＷの裏面側の前記周縁領域が２３℃程度の温度に加熱されるので、上述の例と同様に、ウエハ表面における現像液の温度分布の発生を抑えて、均一性の高い現像処理を行うことができる。
【００３５】
次に本発明に係る現像方法の実施に使用される現像装置をユニットに組み込んだ塗布・現像装置の一例の概略について図９及び図１０を参照しながら説明する。図９及び図１０中、７はウエハカセットを搬入出するための搬入出ステ−ジであり、例えば２５枚収納されたカセットＣが例えば自動搬送ロボットにより載置される。搬入出ステ−ジ７に臨む領域にはウエハＷの受け渡しア−ム７０が、Ｘ，Ｙ方向及びθ回転（円鉛直軸回りの回転）自在に設けられている。更にこの受け渡しア−ム７０の奥側には、例えば搬入出ステ−ジ７から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニットＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニットと加熱・冷却系ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成されたウエハ搬送ア−ムＭＡが設けられている。但し図９では便宜上ユニットＵ２及びウエハ搬送ア−ムＭＡは描いていない。
【００３６】
塗布・現像系のユニットにおいては、例えば上段に２個の現像ユニット７１ａが、下段に２個の塗布ユニット７１ｂが設けられている。加熱・冷却系のユニットにおいては、加熱ユニットや冷却ユニットや疎水化処理ユニット等が上下にある。前記塗布・現像系ユニットや加熱・冷却系ユニットを含む上述の部分をクリ−ントラックと呼ぶことにすると、このクリ−ントラックの奥側にはインタ−フェイスユニット７２を介して露光装置７３が接続されている。インタ−フェイスユニット７２は、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成されたウエハ搬送ア−ム７４によりクリ−ントラックと露光装置７３との間でウエハＷの受け渡しを行うものである。
【００３７】
この装置のウエハの流れについて説明すると、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセットＣが前記搬入出ステ−ジ７に搬入され、ウエハ搬送ア−ム７０によりカセットＣ内からウエハＷが取り出され、既述の加熱・冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介してウエハ搬送ア−ムＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３内の一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユニット７１ｂにてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユニットで加熱された後インタ−フェイスユニット７２を介して露光装置７３に送られ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行われる。
【００３８】
その後ウエハＷは加熱ユニットで加熱された後、冷却ユニットで冷却され、続いて現像ユニット７１ａに送られて現像処理され、レジストマスクが形成される。しかる後ウエハＷは搬入出ステ−ジ７上のカセットＣ内に戻される。
【００３９】
以上において本発明では、基板としてはウエハに限らず、液晶ディスプレイ用のガラス基板であってもよいし、現像処理以外に塗布処理等に適用することができる。また温調液の流路４１は、ウエハＷの裏面側の周縁領域に温調液を供給するものであれば、数量や形状、取り付け位置等は上述の構成に限るものではなく、例えば環状に構成してもよい。さらに温調部として、ヒ−タ６による加熱と流路４１からの温調液の供給とを組み合わせて用いてもよい。さらにまた温調液に代えて温風を送風する温風送風部を設けてもよい。
【００４０】
さらにウエハＷの回転を停止して現像を行ってもよいし、現像液の液盛り時に温調部によるウエハＷの裏面側の加熱を停止してもよいし、現像液の液盛り時や現像時のいずれかに、これらの処理の間連続的に温調部による加熱を行うのではなく、前記処理の時間の一部に温調部による加熱を行うようにしてもよいが、ウエハＷを回転させて現像を行い、現像液の液盛り時や現像時に連続的に温調部による加熱を行った方が、温調効果は高くなり、均一な処理を行うことができる。
【００４１】
さらにまた図１１に示すように、流路４１の内側に更に別の流路１４１を設けてもよい。一般にウエハＷは外周に近くなるほど温度が低くなるので、流路４１よりまず温調液の供給を開始し、その所定時間後に流路１４１より温調液の供給を開始することで、ウエハＷの温度をより均一にすることができる。また、流路４１より供給される温調液の温度を流路１４１より供給される温調液の温度よりも高くすることで、同様の効果を得ることができる。更に、流路１４１については吸引用の流路として流路４１から供給された温調液をウエハＷの裏面内側に引き込むようにしても同様の効果を得ることができる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、処理液の基板の面内の温度変化の程度が揃えられ、基板面内の処理液の温度の均一性が高まるので、処理液の温度差が原因となる処理ムラの発生が抑えられ、均一性の高い処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を現像処理に適用した場合の現像装置の一例を示す断面図である。
【図２】前記現像装置で用いられる温調液の流路を示す断面図である。
【図３】前記現像装置で用いられるノズルを示す斜視図と底面図である。
【図４】前記現像装置を示す平面図である。
【図５】前記現像装置の作用を示す工程図である。
【図６】前記現像装置の作用を示す工程図である。
【図７】前記現像装置の作用を示す底面図と断面図である。
【図８】本発明を現像処理に適用した場合の現像装置の他の例を示す断面図である。
【図９】前記現像装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す斜視図である。
【図１０】前記現像装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す平面図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態に係る現像装置の一例を示す一部断面図である。
【図１２】従来の現像方法を示す工程図である。
【図１３】従来の現像液の温度変化を示す特性図である。
【符号の説明】
２              ウエハ保持部
３              カップ
３１            外カップ
３２            内カップ
４１、１４１    流路
４２，４３      温調液供給管
４４            温調液タンク
５              ノズル
６              ヒ−タ
Ｗ              半導体ウエハ
Ｄ              現像液
Ａ              温調液
【図１】
0003673704.tif 000002
【図２】
0003673704.tif 000003
【図３】
0003673704.tif 000004
【図４】
0003673704.tif 000005
【図５】
0003673704.tif 000006
【図６】
0003673704.tif 000007
【図７】
0003673704.tif 000008
【図８】
0003673704.tif 000009
【図９】
0003673704.tif 000010
【図１０】
0003673704.tif 000011
【図１１】
0003673704.tif 000012
【図１２】
0003673704.tif 000013
【図１３】
0003673704.tif 000014