(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
差動増幅器の第１入力端子にフォトダイオードの一端が接続されるとともに該フォトダイオードの他端が接地され、前記差動増幅器の第１入力端子と出力端子間にフォトダイオードの光電流を電圧に変換するための第１抵抗が接続され、前記第１入力端子に流れる電流と前記第１抵抗とによって生じるオフセット電圧に対し同一の電圧を発生させるため第１抵抗と同値の第２抵抗を介して基準電圧が前記差動増幅器の第２入力端子に供給される受光増幅回路であって、
前記第２入力端子と第２抵抗の接続点にコンデンサの一端を接続し、該コンデンサの他端を接地電位点に接続したことを特徴とする受光増幅回路。
【請求項２】
前記コンデンサは前記フォトダイオードの接合容量より大きな容量値を持つことを特徴とする請求項１に記載の受光増幅回路。
【請求項３】
前記コンデンサは絶縁膜を金属と半導体で挟んで構成され、金属側が第２入力端子と接続され、半導体側が接地点と接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の受光増幅回路。
【請求項４】
第１差動増幅器と、
第１差動増幅器の第１入力端子と固定電位点間に接続されたフォトダイオードと、
第１差動増幅器の第１入力端子と出力端子間に接続され、前記フォトダイオードの光電流を電圧に変換するための第１抵抗と、
基準電圧入力点と第１差動増幅器の第２入力端子間に接続され第１抵抗によるオフセット電圧を補正するトランジスタ回路とから成り、
前記トランジスタ回路は、第１差動増幅器と同一の構成であるとともに、第１差動増幅器を構成するエミッタ共通接続のトランジスタ対をバイアスする電流を逓倍した定電流回路を備えた第２差動増幅器と、該第２差動増幅器の入力端子と前記基準電圧入力点との間に接続された第２抵抗とで構成されており、
第１差動増幅器はエミッタが第１定電流源を介して接地された第１、第２トランジスタと；入力側が第１トランジスタのコレクタに接続され出力側が第２トランジスタのコレクタに接続された第１カレントミラー回路と；第１カレントミラー回路の出力側と第２トランジスタのコレクタの接続点にベースが接続されエミッタが前記出力端子に接続されたエミッタフォロアトランジスタとから構成され、  一方、オフセット電圧補正用のトランジスタ回路は、エミッタが第１定電流源のｎ倍の定電流を出力する第２の定電流源を介して接地された第３、第４トランジスタと；入力側が第３トランジスタのコレクタに接続され出力側が第４トランジスタのコレクタに接続された第２カレントミラー回路と；ベースが第４トランジスタのコレクタと第２カレントミラー回路の出力側に接続されるとともにエミッタが第４トランジスタと第１トランジスタのベースに接続されたエミッタフォロアトランジスタと；基準電圧が印加される入力端子と第３トランジスタのベース間に接続され、その抵抗値が第１抵抗の１／ｎ倍の抵抗値をもつ第２抵抗とから構成されていることを特徴とする受光増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＣＤ−ＲＯＭ（コンパクトディスク読み取り装置）等に用いられる光ピックアップ用の受光増幅回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＣＤ−ＲＯＭの光ピックアップ用受光増幅器回路は図６（ａ）に示す様に差動増幅器Ａ５を用いてその負入力端子にフォトダイオードＰＤ５を接続し、反転入力端子（−）と出力端子１２間に電流／電圧変換用抵抗Ｒｆ５１を接続し、フォトダイオードＰＤ５が出力する光電流Ｉｓｃ５をＲｆ５１を用いて電流／電圧変換を行っている。
【０００３】
差動増幅器の非反転入力端子（＋）には差動増幅器のバイアス電流ＩＢ５１が電流／電圧変換用抵抗Ｒｆ５１を介して出力側から供給されるために生じるオフセット電圧Ｒｆ５１×ＩＢ５１を補正するための抵抗Ｒｆ５２を介して基準電圧Ｖｒｅｆの端子１１へ接続され、ＩＢ５１＝ＩＢ５２、Ｒｆ５１＝Ｒｆ５２のときで、出力電圧Ｖ５３はＶ５３＝Ｖｒｅｆ＋Ｉｓｃ５×Ｒｆ５１となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の方式では、図６（ａ）に示すように差動増幅器Ａ５の非反転入力端子（＋）にはオフセット電圧補正用抵抗Ｒｆ５２が接続され、該抵抗の発生する熱雑音｛４ｋ（Ｒｆ５２）Ｔ（△ｆ）｝1/2を生じていた。ここで、ｋ：ボルツマン定数、Ｒｆ５２：Ｒｆ５２の抵抗値、Ｔ：絶対温度、△ｆ：帯域幅である。
【０００５】
ノイズ解析において、図６（ａ）の回路は低周波領域ではフォトダイオードＰＤ５の接合容量は回路動作に影響を与えず、図６（ｂ）で示される回路と同等となり、出力に現れる抵抗Ｒｆ５２による出力ノイズは増幅器Ａ５によって増幅されることはなく｛４ｋ（Ｒｆ５２）Ｔ（△ｆ）｝1/2のままとなる。
【０００６】
現在、ＣＤ−ＲＯＭドライバーが必要としている２０ＭＨｚ以上の高周波領域においては図６（ａ）の回路は図６（ｃ）の回路と同等となり反転入力端子（−）とグランド（ＧＮＤ）間に接続されたフォトダイオードＰＤ５の接合容量Ｃ５によって抵抗Ｒｆ５２によるノイズは増幅され、
｛４ｋ（Ｒｆ５２）Ｔ（△ｆ）｝1/2×｛１＋（ｊωＣ５）×Ｒｆ５１｝
で表される出力ノイズを生じていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため請求項１の発明では、差動増幅器の第１入力端子にフォトダイオードの一端が接続されるとともに該フォトダイオードの他端が接地され、前記差動増幅器の第１入力端子と出力端子間にフォトダイオードの光電流を電圧に変換するための第１抵抗が接続され、前記第１入力端子に流れる電流と前記第１抵抗とによって生じるオフセット電圧に対し同一の電圧を発生させるための第２抵抗を介して基準電圧が前記差動増幅器の第２入力端子に供給される受光増幅回路であって、前記第２入力端子と第２抵抗の接続点にコンデンサの一端を接続し、該コンデンサの他端を接地電位点に接続したことを特徴とする。
【０００８】
この構成によると、差動増幅器の第２入力端子において生じている第２抵抗の熱雑音によるノイズを第２抵抗とコンデンサとにより積分することによって、出力端子に生じる出力ノイズが低減される。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記コンデンサは前記フォトダイオードの接合容量より大きな容量値を持つことを特徴とする。この構成によると、出力ノイズを数式的に表わしたとき、フォトダイオードの接合容量が分子側になり、コンデンサの容量が分母側になる項が存在するので、コンデンサの容量がダイオードの接合より大きければ、その項のノイズを低減できる。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、前記コンデンサは絶縁膜を金属と半導体で挟んで構成され、金属側が第２入力端子と接続され、半導体側が接地点と接続されていることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４の発明は、第１差動増幅器と、第１差動増幅器の第１入力端子と固定電位点間に接続されたフォトダイオードと、第１差動増幅器の第１入力端子と出力端子間に接続され、前記フォトダイオードの光電流を電圧に変換するための第１抵抗と、基準電圧入力点と第１差動増幅器の第２入力端子間に接続され第１抵抗によるオフセット電圧を補正するトランジスタ回路とから成り、前記トランジスタ回路は、第１差動増幅器と同一の構成であるとともに、第１差動増幅器を構成するエミッタ共通接続のトランジスタ対をバイアスする電流を逓倍した定電流回路を備えた第２差動増幅器と、該第２差動増幅器の入力端子と前記基準電圧入力点との間に接続された第２抵抗とで構成されており、第１差動増幅器はエミッタが第１定電流源を介して接地された第１、第２トランジスタと；入力側が第１トランジスタのコレクタに接続され出力側が第２トランジスタのコレクタに接続された第１カレントミラー回路と；第１カレントミラー回路の出力側と第２トランジスタのコレクタの接続点にベースが接続されエミッタが前記出力端子に接続されたエミッタフォロアトランジスタとから構成され、  一方、オフセット電圧補正用のトランジスタ回路は、エミッタが第１定電流源のｎ倍の定電流を出力する第２の定電流源を介して接地された第３、第４トランジスタと；入力側が第３トランジスタのコレクタに接続され出力側が第４トランジスタのコレクタに接続された第２カレントミラー回路と；ベースが第４トランジスタのコレクタと第２カレントミラー回路の出力側に接続されるとともにエミッタが第４トランジスタと第１トランジスタのベースに接続されたエミッタフォロアトランジスタと；基準電圧が印加される入力端子と第３トランジスタのベース間に接続され、その抵抗値が第１抵抗の１／ｎ倍の抵抗値をもつ第２抵抗とから構成されている。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の第１実施形態を図１に示す。同図において、Ａ１は差動増幅器であり、その反転入力端子（−）にはフォトダイオードＰＤ１及び、電流／電圧変換用抵抗Ｒｆ１１が接続され、非反転入力端子（＋）には電流／電圧変換用抵抗Ｒｆ１１と同一値のオフセット電圧補正用抵抗Ｒｆ１２及び、コンデンサＣ１が接続されている。
【００１４】
前記電流／電圧変換用抵抗Ｒｆ１１は増幅器Ａ１の反転入力端子（−）と出力端子間に接続されていて、フォトダイオードＰＤ１の光電流を電圧に変換する。オフセット電圧Ｖｒｅｆが与えられる補正用抵抗Ｒｆ１２は基準電圧端子１と増幅器Ａ１の非反転入力端子（＋）間に挿入されている。２は受光増幅回路の出力端子であり、フォトダイオードＰＤ１で検出されたコンパクトディスク上の記録情報が電圧の形で出力される。
【００１５】
ここで、増幅器Ａ１の反転入力端子（−）入力電流ＩＢ１１と非反転入力端子（＋）入力電流ＩＢ１２は差動増幅器の正側、負側の入力回路の整合がとれているとき等しいとおけるので、増幅器Ａ１の出力電圧Ｖ１３は、
Ｖ１３＝Ｖ１１＋Ｒｆ１１×ＩＢ１１
となり、ｂ点の電圧Ｖ１１は、
Ｖ１１＝Ｖ１２＝Ｖｒｅｆ-Ｒｆ１２×ＩＢ１２
となる。ここで、ＩＢ１２＝ＩＢ１１，Ｒｆ１１＝Ｒｆ２１であるとき
Ｖ１３＝（Ｖｒｅｆ-Ｒｆ１２×ＩＢ１２）＋Ｒｆ１１×ＩＢ１１＝Ｖｒｅｆとなる。
【００１６】
従って、Ｒｆ１２によってＲｆ１１×ＩＢ１１で表される出力電圧のＶｒｅｆとの差電圧（オフセット電圧と呼ぶ）を打ち消すことができる。図１においてフォトダイオードＰＤ１にＩｓｃ１なる光電流が流れたとき、増幅器Ａ１の出力電圧は、
Ｖ１３＝Ｖｒｅｆ＋Ｒｆ１１×Ｉｓｃ１
となる。上記に示す様に抵抗Ｒｆ１２の働きによって入力電流によって生じるオフセット電圧は補正可能となるが増幅器Ａ１の非反転入力端子（＋）には抵抗Ｒｆ１２によって｛４ｋ（Ｒｆ１２）Ｔ（△ｆ）｝1/2なる熱雑音電圧が入力されることになる。
【００１７】
前述したようにＣＤ−ＲＯＭドライバーが扱うような高周波信号帯域において、フォトダイオードＰＤ１の接合容量が差動増幅器Ａ１の反転入力端子（−）とグランドＧＮＤ間をバイパスする。該接合容量をＣｊ１とすると、増幅器Ａ１の出力端子には、
｛４ｋ（Ｒｆ１２）Ｔ（△ｆ）｝1/2×｛１＋（ｊωＣｊ１）×Ｒｆ１１｝
で表せる出力ノイズを生じる。
【００１８】
増幅器Ａ１の非反転入力端子（＋）とグランドＧＮＤ間にコンデンサＣ１を挿入することで抵抗Ｒｆ１２で生じる熱雑音はＲｆ１２，Ｃ１で構成される時定数（Ｒｆ１２×Ｃ１）の積分回路によって積分され、出力端子に生じる抵抗Ｒｆ１２の熱雑音による出力ノイズは、
｛４ｋ（Ｒｆ１２）Ｔ（△ｆ）｝1/2×｛１／（ｊωＣ１×Ｒｆ１２）｝×
｛１＋（ｊωＣｊ１）×Ｒｆ１１）｝
となる。
【００１９】
図１において、上記で示したようにフォトダイオードＰＤ１の接合容量がＣｊ１であるときコンデンサＣ１の付加によって抵抗Ｒｆ１２の熱雑音によって生じる出力ノイズは、
｛４ｋ（Ｒｆ１２）Ｔ（△ｆ）｝1/2×｛１／（ｊωＣ１×Ｒｆ１２）｝×
｛１＋（ｊωＣｊ１）×Ｒｆ１１）｝
となる。
【００２０】
ここで、Ｃ１＝Ｃｊ１，Ｒｆ１１＝Ｒｆ１２とするとき、
｛４ｋ（Ｒｆ１２）Ｔ（△ｆ）｝1/2×｛１＋１／（ｊωＣ１×Ｒｆ１２）｝
となる。ここで高周波信号において、１／（ｊωＣ１×Ｒｆ１２）は零とみなせるから、上記ノイズは｛４ｋ（Ｒｆ１２）Ｔ（△ｆ）｝1/2となり、Ｃｊ１のバイパス効果によって生じていた増幅効果を打ち消すことが可能となる。またＣ１＞Ｃｊ１とするとき｛４ｋ（Ｒｆ１２）Ｔ（△ｆ）｝1/2より出力ノイズを低減することも可能となる。
【００２１】
図２は図１の差動増幅器Ａ１を具体的に示している。図２において、差動増幅器は一対のＮＰＮ型のトランジスタＱ１、Ｑ２と、定電流源トランジスタＱ１２と、ＰＮＰ型トランジスタＱ３、Ｑ４と、ＮＰＮ型トランジスタＱ５、Ｑ１３とから成っている。トランジスタＱ３、Ｑ４のエミッタは電圧Ｖｃｃの電源ライン３に接続され、エミッタは共通接続されている。また、トランジスタＱ３のコレクタとベースはトランジスタＱ１のコレクタに接続されている。
【００２２】
一方、トランジスタＱ４のコレクタはトランジスタＱ２のコレクタとエミッタフォロワトランジスタＱ５のベースに接続している。尚、トランジスタＱ３、Ｑ４はカレントミラー回路を成している。トランジスタＱ１のベースは差動増幅器の非反転入力端子となっており、抵抗Ｒｆ１２を介して端子１に接続されている。一方、トランジスタＱ２のベースは差動増幅器の反転端子となっており、フォトダイオードＰＤ１と抵抗Ｒｆ１１が接続されている。出力端子２はトランジスタＱ５のエミッタとトランジスタＱ１３のコレクタに接続されている。
【００２３】
次に、図３はコンデンサＣ１の構成を示している。Ａ２１はコンデンサ外部の酸化膜等による厚い保護膜、Ａ２２はコンデンサの誘電体部（絶縁膜）を構成する窒化膜、酸化膜等の薄膜層、Ａ２３、Ａ２４は金属層、Ａ２５は不純物濃度の濃いＮ型半導体、Ａ２６はエピタキシャル層による濃度の薄いＮ型半導体層、Ａ２７はＰ型の半導体基板、Ａ２８，Ａ２９はコンデンサ部のエピタキシャル層を他のエピタキシャル層と分離するためのＰ型拡散層である。
【００２４】
金属層Ａ２３はコンデンサの電極の一方を構成し、Ａ２４はコンデンサの他方の電極となるＮ型半導体Ａ２５とオーミックコンタクトをとりコンデンサの他方の電極の取り出し口となる。Ａ２５とＡ２６は同じＮ型半導体で導通しており、そのＡ２６はＰ型半導体であるＡ２７とＰＮ接合を形成する。該ＰＮ接合は受光素子においてはフォトダイオードと同一動作を行うので、Ａ２６からＡ２７に向かって光電流を生じる。
【００２５】
Ａ２４が図１における差動増幅器Ａ１の非反転入力端子（＋）に接続されるとき前記光電流をＩｓｃ２とするとき、Ｒｆ１２×Ｉｓｃ２なる電圧降下を差動増幅器Ａ１の非反転入力端子（＋）に生じ、Ｉｓｃ２による出力変動を生じる。Ａ２４が接地されるときＡ２７も接地されているのでＩｓｃ２は、Ａ２６→Ａ２７→Ａ２４→Ａ２５→Ａ２６のループで消費され、増幅器回路に影響を与える事を防止できる。
【００２６】
図６（ａ）において、Ｒｆ５２をはずせば（Ｒｆ５２を０にする）、前記（１）で示した様に差動増幅器Ａ５の非反転入力端子（＋）と反転入力端子（−）の端子間オフセット電圧を無視するときＶ５３＝Ｖｒｅｆ＋Ｒｆ５１×ＩＢ５１となりＲｆ５１×ＩＢ５１の出力電圧誤差（オフセット電圧）を生じる。ここで、ＩＢ５１は差動増幅器Ａ５の反転入力端子（−）の入力電流である。しかし、Ｒｆ５２で生じる熱雑音を０とする事ができる。
【００２７】
図４は本発明の第２実施形態を示すものであり、増幅器Ａ３１の非反転入力端子（＋）と基準電圧Ｖｒｅｆとの間の上記出力電圧誤差を補正するトランジスタ回路Ａ３２を挿入した例である。トランジスタ回路Ａ３２で発生するノイズを極力小さくすることで出力ノイズの低減を図るものである。ここで、Ａ３１、Ｒｆ３１、ＰＤ３、Ｖ３１、Ｖ３２、Ｉｓｃ３はそれぞれ第１実施形態のＡ１、Ｒｆ１１、ＰＤ１、Ｖ１１、Ｖ１２、Ｉｓｃ１に対応する構成要素である。
【００２８】
図５は図４におけるオフセット電圧補正用のトランジスタ回路Ａ３２を具備した受光増幅器回路の具体例である。図５において、Ａ４１は受光増幅器回路の電流／電圧変換ブロック、Ａ４２はオフセット電圧補正ブロックである。このうち、電流／電圧ブロックＡ４１は図２において、コンデンサＣ１を除いた部分と実質的に同一の構成を成している。
【００２９】
従って、トランジスタＱ４０１，Ｑ４０２，Ｑ４１２，Ｑ４０３，Ｑ４０４，Ｑ４０５，Ｑ４１３は図４における差動増幅器Ａ３１を構成している。定電流回路Ｑ４１２，Ｑ４１３，Ｑ４１４，Ｑ４１５のベースはコレクタとベースを接続したトランジスタＱ４１１のベースと共通接続され、それらはカレントミラー回路を構成し、それらに流れるベース電流を無視するときＱ４１２，Ｑ４１３，Ｑ４１５に流れるコレクタ電流Ｉ４１は（Ｖｃｃ−ＶＢＥ）／Ｒ４３となる。ここで、ＶＢＥはＱ４１１のベースコレクタ間電圧である。
【００３０】
Ｑ４１４はＱ４１１のｎ個分のトランジスタあるいはＱ４１１のエミッタ面積のｎ倍の面積のトランジスタによって構成され、そのコレクタ電流はｎ×Ｉ４１となる。Ｑ４０６とＱ４０７はエミッタ共通接続され、その接続点はＱ４１４のコレクタに接続されている。Ｑ４０８とＱ４０９はベース共通接続され、いわゆるカレントミラー回路を構成し、Ｑ４０８はベースとコレクタが接続されるとともに、Ｑ４０６のコレクタと接続され、Ｑ４０９のコレクタはＱ４０７のコレクタと接続されている。
【００３１】
Ｑ４０７のコレクタとＱ４０９のコレクタの接続点はＱ４１０のベースに接続され、Ｑ４１０と定電流回路Ｑ４１５はエミッタホロア回路を構成している。Ｑ４０６，Ｑ４０７，Ｑ４１４，Ｑ４０８，Ｑ４０９，Ｑ４１０，Ｑ４１５は第２の差動増幅器を構成し、Ｑ４０６のベースが非反転入力端子（＋）、Ｑ４０７のベースが反転入力端子（−）、Ｑ４１０のエミッタが出力端子となっている。
【００３２】
図５中の第２差動増幅器Ａ４２において、差動増幅器の反転入力端子（−）と出力端子が接続されているので第２差動増幅器Ａ４２はボルテージホロア回路を構成している。図５中の第１差動増幅器Ａ４１において、Ｑ４０１，Ｑ４０２はモノリシック集積回路中に構成した場合、整合のとれたトランジスタ対を構成できるのでＱ４０１とＱ４０２のコレクタ電流は等しいと考えられる。従って、Ｉ４１／２なるコレクタ電流がＱ４０１，Ｑ４０２のトランジスタに流れるものと考えられる。このとき、Ｑ４０２のベース電流は（１／ｈＦＥ４０２）×（Ｉ４１／２）となる。
【００３３】
従って、該ベース電流によってＡ４１の出力電圧Ｖ４４＝Ｖ４２＋Ｒ４１×（Ｉ４１／２）×（１／ｈＦＥ４０２）となる。ここで、ｈＦＥ４０２はトランジスタＱ４０２の電流増幅率である。
【００３４】
同様に第２差動増幅器Ａ４２においてＱ４０６とＱ４０７の整合がとれているとき、Ｑ４０６とＱ４０７には（ｎ×Ｉ４１）／２なるコレクタ電流が流れるので、Ｑ４０６には（１／ｈＦＥ４０６）×（ｎ×Ｉ４１／２）なるベース電流が流れる。ここで、ｈＦＥ４０６はＱ４０６の電流増幅率である。Ｑ４０６のベース電圧Ｖ４１＝Ｖｆｅｆ-Ｒ４２×（１／ｈＦＥ４０６）×（ｎ×Ｉ４１／２）となる。Ｑ４０６とＱ４０７の整合がとれているときＶ４１＝Ｖ４２で、Ｖ４２＝Ｖｒｅｆ-Ｒ４２×（１／ｈＦＥ４０６）×（ｎ×Ｉ４１／２）となる。
【００３５】
従って、Ｖ４４＝Ｖｒｅｆ-Ｒ４２×（１／ｈＦＥ４０６）×（ｎ×Ｉ４１／２）＋Ｒ４１×（Ｉ４１／２）×（１／ｈＦＥ４０２）となる。ここで、Ｑ４０６とＱ４０２は同一チップ中にあるのでｈＦＥ４０６＝ｆＦＥ４０２と考えられｎＲ４２＝Ｒ４１とするときＶ４４＝Ｖｒｅｆとなり、Ｒ４１×（Ｑ４０２のベース電流）分の出力電圧誤差（オフセット電圧）を打ち消す事が可能となる。
【００３６】
Ｒ４２＝Ｒ４１／ｎなのでｎ＞１設定することでＲ４２を低減できる。Ｒ４２で発生する熱雑音は（Ｒ４２）1/2に比例するので、上記構成によってＲ４２で発生する熱雑音を１／ｎ1/2とすることが可能となる。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の請求項１〜３によれば、例えばＣＤ−ＲＯＭドライバーのピックアップに用いられる受光増幅器回路の高速化に伴って問題となっていたオフセット電圧補正抵抗に生じる熱雑音を低減することが可能となり、品質の良いピックアップ出力電圧を出力することができる。また、本発明の請求項４によれば、オフセット電圧補正抵抗の代わりにオフセット電圧補正トランジスタ回路を設けているので、請求項１〜３に対応する第２抵抗を小さくでき、第２抵抗による熱雑音そのものが無い又は微小とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態を示す図。
【図２】  図１中の増幅器の具体例を示す回路図。
【図３】  図１中のＣ１で示されるコンデンサの構造図。
【図４】  本発明の第２実施形態の回路図。
【図５】  第２実施形態の具体的な回路構成を示す回路図。
【図６】  従来例を示す図。
【符号の説明】
１        基準電圧入力端子
２        出力端子
Ａ１      差動増幅器
ＰＤ１    フォトダイオード
ＲＦ１１  電流／電圧変換用抵抗
Ｒｆ１２  オフセット補正用抵抗
Ｃ１      ノイズ低減用抵抗
Ａ３２    トランジスタ回路
【図１】
0003642675.tif 000002
【図２】
0003642675.tif 000003
【図３】
0003642675.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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