(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号が通常状態であるか異常状態であるかを検出して、通常状態および異常状態のどちらか一方を示す検出信号を出力する異常検出手段と、
電源端子に接続されて第１の定電流を流す第１の定電流源と、
該第１の定電流源と前記異常検出手段とに接続され、前記検出信号が通常状態を示しているときに、比較入力端子へ充電電流を流す充電回路と、
前記比較入力端子と接地端子との間に接続されたコンデンサと、
前記比較入力端子に接続され、前記コンデンサの充電電圧と所定の基準電圧とを比較し、比較結果を示す出力信号を出力する出力比較器と、
前記電源端子に接続されて第２の定電流を流す第２の定電流源と、
該第２の定電流源と前記比較入力端子とに接続されると共に前記所定の基準電圧よりも高いバイアス電圧が供給され、前記コンデンサの充電電圧を、前記バイアス電圧よりも高いクランプ電圧にクランプするクランプ回路と、
前記第２の定電流源と前記比較入力端子とに接続され、前記検出信号が異常状態を示しているときに、前記コンデンサに蓄積された電荷を放電する放電回路と、
前記充電回路と前記比較入力端子とに接続され、前記検出信号が異常状態から通常状態に復帰したとき、前記コンデンサの充電電圧が前記バイアス電圧になるまでの期間の間だけ、急速充電電流を前記比較入力端子へ流す急速充電回路とを有することを特徴とする不感応回路。
【請求項２】
前記異常検出手段は、前記入力信号のレベルと検出レベルとを比較し、前記入力信号のレベルが前記検出レベルより低いときは論理ロウレベルの信号を出力し、前記入力信号のレベルが前記検出レベルより高いときは論理ハイレベルの信号を出力する入力比較器と；前記第１の定電流源と前記接地端子との間に接続され、前記入力比較器の出力信号が論理ロウレベルのときにオフ状態となって前記検出信号として通常状態を示す信号を出力し、前記入力比較器の出力信号が論理ハイレベルのときにオン状態となって前記検出信号として異常状態を示す信号を出力する第１のトランジスタと；から構成される請求項１に記載の不感応回路。
【請求項３】
前記充電回路は、前記第１のトランジスタと前記第１の定電流源と前記接地端子とに接続され、前記第１のトランジスタがオフ状態ときに、第１のカレントミラー電流を流す第１のカレントミラー回路と；該第１のカレントミラー回路と前記電源端子と前記比較入力端子とに接続され、前記第１のカレントミラー電流に応答して第２のカレントミラー電流を流す第２のカレントミラー回路と；を有し、前記第２のカレントミラー電流を前記充電電流として流すことを特徴とする請求項２に記載の不感応回路。
【請求項４】
前記第１のカレントミラー回路は、前記第１のトランジスタと前記第１の定電流源と前記接地端子に接続された第２のトランジスタと、該第２のトランジスタと前記接地端子に接続された第３のトランジスタとから構成され、前記第２のカレントミラー回路は、前記第３のトランジスタと前記電源端子とに接続された第４のトランジスタと、該第４のトランジスタと前記電源端子と前記比較入力端子とに接続された第５のトランジスタとから構成されることを特徴とする請求項３に記載の不感応回路。
【請求項５】
前記クランプ回路は、前記比較入力端子に接続されると共に前記バイアス電圧が供給される第６のトランジスタと、該第６のトランジスタに一端が接続された抵抗器と、該抵抗器の他端と前記接地端子との間に接続された第７のトランジスタと、前記第６のトランジスタと前記第２の定電流源と前記接地端子とに接続された第８のトランジスタとから構成されることを特徴とする請求項４に記載の不感応回路。
【請求項６】
前記放電回路は、前記比較入力端子と前記第２の定電流源と前記接地端子とに接続された第３のカレントミラー回路から構成されることを特徴とする請求項５に記載の不感応回路。
【請求項７】
前記第３のカレントミラー回路は、前記第２の定電流源と前記接地端子との間に接続された第９のトランジスタと、該第９のトランジスタと前記比較入力端子と前記接地端子とに接続された第１０のトランジスタとから構成されることを特徴とする請求項６に記載の不感応回路。
【請求項８】
前記急速充電回路は、前記第２のカレントミラー回路と前記電源端子とに接続された第１１のトランジスタと、該第１１のトランジスタと前記接地端子との間に接続されると共に前記バイアス電圧が供給される第１２のトランジスタと、前記第１１のトランジスタと前記電源端子と前記比較入力端子とに接続された第１３のトランジスタとから構成されることを特徴とする請求項７に記載の不感応回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不感応回路に関し、特に、リチウムイオン電池のような充電可能な電池（二次電池）用の保護回路において、検出不感応時間を設定するための不感応回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
充電可能な電池（二次電池）のうち、特にリチウムイオン電池は、過放電、過充電に弱いため、過放電状態、過充電状態を検出してリチウムイオン電池を保護するための保護回路が不可欠である。また、この保護回路は、二次電池の放電中における過電流状態をも検出している。すなわち、保護回路は、過放電検出回路と過充電検出回路と過電流検出回路とを備えている。このような保護回路は、検出不感応時間を設定するための不感応回路を備えている。
【０００３】
図３を参照して、従来の不感応回路の構成について詳細に説明する。図示の不感応回路は、入力電圧を示す入力信号が供給される入力端子ＴＰ１と、出力信号を出力するための出力端子ＴＰ２と、比較入力端子ＴＰ３と、電源電圧Ｖccが供給される電源端子１と、接地端子２とをもつ。
【０００４】
不感応回路は、異常検出回路３と、第１の定電流源ＩＯ1 と、充電回路４と、コンデンサＣ１と、出力比較器ＣＯＭＰ2 と、第２の定電流源ＩＯ2 と、クランプ回路５と、放電回路６とを有する。異常検出回路３は、入力信号が通常状態であるか異常状態であるかを検出して、通常状態および異常状態のどちらか一方を示す検出信号を出力する。第１の定電流源ＩＯ1 は電源端子１に接続されて第１の定電流Ｉ1 を流す。充電回路４は第１の定電流源ＩＯ1 と異常検出回路３とに接続され、検出信号が通常状態を示しているときに、比較入力端子ＴＰ３へ充電電流Ｉ1aを流す。コンデンサＣ１は比較入力端子ＴＰ３と接地端子２との間に接続されている。出力比較器ＣＯＭＰ2 は、比較入力端子ＴＰ３に接続され、コンデンサＣ１の充電電圧Ｖc1と所定の基準電圧ＶReg2とを比較し、比較結果を示す出力信号を出力する。第２の定電流源ＩＯ2 は電源端子１に接続されて第２の定電流Ｉ2 を流す。クランプ回路５は、第２の定電流源ＩＯ2 と比較入力端子ＴＰ３とに接続されると共に所定の基準電圧ＶReg2よりも高いバイアス電圧ＶReg3が供給される。クランプ回路５はコンデンサＣ１の充電電圧Ｖc1を、バイアス電圧ＶReg3よりも高いクランプ電圧にクランプする。放電回路６は、第２の定電流源ＩＯ2 と比較入力端子ＴＰ３とに接続され、検出信号が異常状態を示しているときに、コンデンサＣ１に蓄積された電荷を放電する。
【０００５】
詳細に説明すると、異常検出回路３は入力比較器ＣＯＭＰ1 とｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 とから構成される。入力比較器ＣＯＭＰ1 は入力信号のレベルと検出レベルＶReg1とを比較し、入力信号のレベルが検出レベルＶReg1より低いときは論理ロウレベルの信号を出力し、入力信号のレベルが検出レベルＶReg1より高いときは論理ハイレベルの信号を出力する。ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 は、そのべースが入力比較器ＣＯＭＰ1 の出力端子に接続され、コレクタが第１の定電流源ＩＯ1 に接続され、エミッタが接地端子２に接続されている。ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 は入力比較器ＣＯＭＰ1 の出力信号が論理ロウレベルのときにオフ状態となって検出信号として通常状態を示す信号を出力する。一方、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 は、入力比較器ＣＯＭＰ1 の出力信号が論理ハイレベルのときにオン状態となって検出信号として異常状態を示す信号を出力する。
【０００６】
充電回路４は、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ2 およびＱ3 からなる第１のカレントミラー回路と、ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ4 およびＱ5 からなる第２のカレントミラー回路とから構成される。第１のカレントミラー回路は、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 と第１の定電流源ＩＯ1 と接地端子２とに接続される。第１のカレントミラー回路は、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 がオフ状態ときに、第１のカレントミラー電流を流す。第２のカレントミラー回路は、第１のカレントミラー回路と電源端子１と比較入力端子ＴＰ３とに接続される。第２のカレントミラー回路は、第１のカレントミラー電流に応答して第２のカレントミラー電流を流す。この第２のカレントミラー電流は充電電流Ｉ1aとして流される。
【０００７】
第１のカレントミラー回路において、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ2 は、そのベースおよびコレクタがｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 のコレクタおよび第１の定電流源ＩＯ1 に接続され、エミッタが接地端子２に接続されている。ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ3 は、そのベースがｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ2 のベースに接続され、エミッタが接地端子２に接続されている。第２のカレントミラー回路において、ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ4 は、そのコレクタおよびベースがｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ3 のコレクタに接続され、エミッタが電源端子１に接続されている。ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ5 は、そのベースがｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ4 のべースに接続され、エミッタが電源端子１に接続され、コレクタが比較入力端子ＴＰ３に接続されている。
【０００８】
クランプ回路５は、ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ6 と抵抗器Ｒ1 とｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ7 およびＱ8 とから構成されている。ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ6 は、そのベースにバイアス電圧ＶReg3が供給され、エミッタが比較入力端子ＴＰ３に接続され、コレクタが抵抗器Ｒ1 の一端に接続されている。抵抗器Ｒ1 の他端はｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ7 のベースとコレクタに接続されている。ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ7 のエミッタは接地端子２に接続されている。ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ8 は、そのべースがｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ6 のコレクタに接続され、コレクタが第２の定電流源ＩＯ2 に接続され、エミッタが接地端子２に接続されている。
【０００９】
放電回路６は、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ9 およびＱ10から成る第３のカレントミラー回路から構成される。ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ9 は、そのベースおよびコレクタが第２の定電流源ＩＯ2 に接続され、エミッタが接地端子２に接続されている。ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ10は、そのベースがｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ9 のベースに接続され、コレクタが比較入力端子ＴＰ３に接続され、エミッタが接地端子２に接続されている。
【００１０】
次に、図４を参照して図３に示した従来の不感応回路の動作について説明する。図４において、横軸は時間（ｔ）を表し、縦軸は電圧（Ｖ）を表している。また、ＴＰ１は図３の入力端子ＴＰ１に供給される入力信号のレベルを示し、ＴＰ２は図３の出力端子ＴＰ２から出力される出力信号の出力電圧を示し、ＴＰ３は図３の比較入力端子ＴＰ３の電圧、すなわち、コンデンサＣ1 の充電電圧Ｖc1を示す。
【００１１】
まず、入力信号が通常状態である場合の動作について説明する。この場合、入力信号のレベルが検出レベルＶReg1より低いので、異常検出回路３の入力比較器ＣＯＭＰ1 は論理ロウレベルの信号を出力する。したがって、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 はオフ状態となっている。
【００１２】
それにより、第１の定電流源ＩＯ1 からの第１の定電流Ｉ1 が充電回路４側へ流れる。すなわち、充電回路４を構成する第１のカレントミラー回路のｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ2 およびＱ3 と第２のカレントミラー回路のｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ4 およびＱ5 がすべてオン状態となる。したがって、充電回路４は充電電流Ｉ1aを比較入力端子ＴＰ３に供給してコンデンサＣ1 を充電する。コンデンサＣ1 の充電電圧Ｖc1はクランプ回路５によりクランプ電圧にクランプされる。このクランプ電圧は、バイアス電圧ＶReg3にｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ6 のベース−エミッタ間電圧ＶBE(Q6)を加えたレベル（ＶReg3＋ＶBE(Q6)）に等しい。その後、第２の定電流源ＩＯ2 からの第２の定電流Ｉ2 は、クランプ回路５のｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ8 がオン状態となるため、このｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ8 を通って接地端子２へ流れる。放電回路６を構成するｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ9 およびＱ10はオフ状態である。
【００１３】
このとき、コンデンサＣ1 の充電電圧Ｖc1は所定の基準電圧ＶReg2よりも高いので、出力比較器ＣＯＭＰ2 は論理ハイレベルの信号を出力し、出力端子ＴＰ２からは論理ハイレベルの出力信号が出力される。
【００１４】
次に、時刻ｔ1 で、二次電池に異常が発生し、入力端子ＴＰ１に供給される入力信号のレベルが検出レベルＶReg1より高くなったとする。この場合、異常検出回路３の入力比較器ＣＯＭＰ1 は論理ハイレベルの信号を出力する。したがって、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 はオン状態となり、第１の定電流源ＩＯ1 からの第１の定電流Ｉ1 がｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 を流れる。その結果、充電回路４、クランプ回路５を構成するすべてのバイポーラトランジスタＱ2 〜Ｑ8 がオフ状態となる。これにより、放電回路６を構成するｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ9 およびＱ10がオン状態となり、第２の定電流源ＩＯ2 からの第２の定電流Ｉ2 はｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ9 を流れ、第３のカレントミラー電流がｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ10を通って流れる。すなわち、コンデンサＣ1 に蓄積されている電荷がｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ10を介して放電される。
【００１５】
このときの検出不感応時間は、コンデンサＣ1 の容量値と第２の定電流源ＩＯ2 の第２の定電流Ｉ2 と比較入力端子ＴＰ３のクランプ電圧と所定の基準電圧ＶReg2とによって設定される。
【００１６】
時刻ｔ2 で、比較入力端子ＴＰ３のレベル、すなわち、コンデンサＣ1 の充電電圧Ｖc1が所定の基準電圧ＶReg2より低くなったとする。このとき、出力比較器ＣＯＭＰ2 の出力は論理ハイレベルから論理ロウレベルに切り替わり、出力端子ＴＰ２からは論理ロウレベルの出力信号が出力される。すなわち、これ以降、保護モードに入る。コンデンサＣ1 はその後も放電し続け、その充電電圧Ｖc1は最終的にはｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ10の飽和レベルＶSAT(Q10)となる。この充電電圧Ｖc1は、入力信号が異常状態である間、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ10の飽和レベルＶSAT(Q10)を維持する。
【００１７】
次に、時刻ｔ3 で、入力信号が異常状態より通常状態に復帰して、入力信号のレベルが検出レベルＶReg1より低くなったとする。これにより、異常検出回路３の入力比較器ＣＯＭＰ1 の出力は再び論理ロウレベルとなり、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 がオフ状態となる。それにより、第１の定電流源ＩＯ1 からの第１の定電流Ｉ1 が充電回路４側へ流れ、充電回路４は充電電流Ｉ1aを比較入力端子ＴＰ３に供給してコンデンサＣ1 の充電を開始する。
【００１８】
このときの不感応時間Ｔは、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ10の飽和レベルＶSAT(Q10)、所定の基準電圧ＶReg2、充電電流Ｉ1a、およびコンデンサＣ1 の容量値Ｃ1 によって、下記の数式１で与えられる。
【００１９】
【数１】
0003642137.tif 000002
【００２０】
時刻ｔ3 からこの不感応時間Ｔ経過して時刻ｔ4 で、比較入力端子ＴＰ３の電圧、すなわち、コンデンサＣ1 の充電電圧Ｖc1が所定の基準電圧ＶReg2より高くなる。これにより、出力比較器ＣＯＭＰ2 の出力は論理ロウレベルから論理ハイレベルに切り替わり、出力端子ＴＰ２からは論理ハイレベルの出力信号が出力される。すなわち、保護モードが解除される。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の不感応回路では、異常状態より通常状態に復帰する場合の不感応時間Ｔを極力小さくしたい場合、充電回路４からの充電電流Ｉ1aの値を大きくする必要がある。しかしながら、単純に充電電流Ｉ1aを増やしたのでは、消費電流が増加することになるので、得策ではない。
【００２２】
したがって、本発明の課題は、消費電流を大幅に増加させずに、異常状態より通常状態に復帰する場合の不感応時間を極力に短くすることができる不感応回路を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る不感応回路は、入力信号が通常状態であるか異常状態であるかを検出して、通常状態および異常状態のどちらか一方を示す検出信号を出力する異常検出手段と；電源端子に接続されて第１の定電流を流す第１の定電流源と、この第１の定電流源と異常検出手段とに接続され、検出信号が通常状態を示しているときに、比較入力端子へ充電電流を流す充電回路と；比較入力端子と接地端子との間に接続されたコンデンサと；比較入力端子に接続され、コンデンサの充電電圧と所定の基準電圧とを比較し、比較結果を示す出力信号を出力する出力比較器と；電源端子に接続されて第２の定電流を流す第２の定電流源と；この第２の定電流源と比較入力端子とに接続されると共に所定の基準電圧よりも高いバイアス電圧が供給され、コンデンサの充電電圧を、バイアス電圧よりも高いクランプ電圧にクランプするクランプ回路と；第２の定電流源と比較入力端子とに接続され、検出信号が異常状態を示しているときに、コンデンサに蓄積された電荷を放電する放電回路と；を有する。
【００２４】
本発明によれば、上記不感応回路は、充電回路と比較入力端子とに接続され、検出信号が異常状態から通常状態に復帰したとき、コンデンサの充電電圧がバイアス電圧になるまでの期間の間だけ、急速充電電流を比較入力端子へ流す急速充電回路をさらに含むことを特徴とする。
【００２５】
【作用】
検出信号が異常状態から通常状態に復帰したとき、コンデンサには充電回路からの充電電流ばかりでなく、急速充電回路からの急速充電電流も供給されるので。コンデンサは急速に充電される。この急速充電期間のみ、急速充電回路から急速充電電流がコンデンサへ供給されるので、消費電流が大幅に増加することはない。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態による不感応回路について説明する。なお、以下においては、本発明に係る不感応回路を二次電池の保護回路に適用した場合について説明するが、これに限定しないのは勿論である。
【００２７】
図１を参照すると、本実施形態による不感応回路は、急速充電回路７を備えている点を除いて、図３に示したものと同様の構成を有する。以下では、図３のものと同様の機能のものには同一の参照符号を付して、説明の簡単化のためにそれらの説明を省略する。
【００２８】
急速充電回路７は、充電回路４と比較入力端子ＴＰ３とに接続され、検出信号が異常状態から通常状態に復帰したとき、コンデンサＣ1 の充電電圧Ｖc1がバイアス電圧ＶReg3になるまでの期間の間だけ、急速充電電流Ｉ1cを比較入力端子ＴＰ３へ流す。
【００２９】
急速充電回路７は、ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ11およびＱ12とｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ13とから構成されている。ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ11は、そのベースが充電回路４の第２のカレントミラー回路を構成するｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ4 と接続され、エミッタが電源端子１に接続されている。すなわち、ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ11はｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ4 と協働して第４のカレントミラー回路を構成している。ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ12は、そのベースにはバイアス電圧ＶReg3が供給され、エミッタはｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ11のコレクタに接続され、コレクタは接地端子２に接続されている。ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ13は、そのベースがｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ11のコレクタに接続され、コレクタが電源端子１に接続され、エミッタが比較入力端子ＴＰ3 に接続されている。すなわち、ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ11とｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ13とによってダーリントン接続回路が構成されている。
【００３０】
次に、図２を参照して、図１に示した従来の不感応回路の動作について説明する。図２において、横軸は時間（ｔ）を表し、縦軸は電圧（Ｖ）を表している。また、ＴＰ１は図１の入力端子ＴＰ１に供給される入力信号のレベルを示し、ＴＰ２は図１の出力端子ＴＰ２から出力される出力信号の出力電圧を示し、ＴＰ３は図１の比較入力端子ＴＰ３の電圧、すなわち、コンデンサＣ1 の充電電圧Ｖc1を示す。
【００３１】
入力信号が通常状態のときの動作および入力信号が通常状態から異常状態に変わるときの動作は、図４に示したものと同様なので、それらの説明を省略する。以下では、時刻ｔ3 で、入力信号が異常状態より通常状態に復帰して、入力信号のレベルが検出レベルＶReg1より低くなったときの復帰動作について説明する。
【００３２】
復帰時、入力信号のレベルが検出レベルＶReg1より低くなるので、異常検出回路３の入力比較器ＣＯＭＰ1 の出力は論理ロウレベルとなり、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ1 がオフ状態となる。それにより、第１の定電流源ＩＯ1 からの第１の定電流Ｉ1 が充電回路４側へ流れ、充電回路４は充電電流Ｉ1aを比較入力端子ＴＰ３に供給してコンデンサＣ1 の充電を開始する。
【００３３】
と同時に、急速充電回路７を構成するすべのバイポーラトランジスタＱ11〜Ｑ13がオン状態となるので、ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ11は電流Ｉ1bを流し、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ13はこの電流Ｉ1bをその増幅率ｈFE(Q13) で増幅した急速充電電流Ｉ1cを比較入力端子ＴＰ３へ流す。この急速充電電流Ｉ1cによって、コンデンサＣ1 は急速に充電される。したがって、瞬時に、比較入力端子ＴＰ３の電圧、すなわち、コンデンサＣ１の充電電圧Ｖc1が所定の基準電圧ＶReg2より高くなり、出力比較器ＣＯＭＰ2 の出力は論理ロウイレベルから論理ハイレベルに切り替わって、出力端子ＴＰ２からは論理ハイレベルの出力信号が出力される。
【００３４】
コンデンサＣ１の充電電圧Ｖc1がバイアス電圧ＶReg3以上になると、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ13はレベルの上昇にしたがってオフ状態に移行する。その後は、充電回路４から供給される充電電流Ｉ1aによってコンデンサＣ1 が充電され、最終的に、クランプ回路５によってクランプ電圧（ＶReg3＋ＶBE(Q6)）にクランプされる。
【００３５】
以上述べたように、復帰時には、コンデンサＣ1 は急速充電回路７によってバイアス電圧ＶReg3のレベルまで急速に充電されるので、比較入力端子ＴＰ３の電圧（コンデンサＣ1 の充電電圧Ｖc1）が所定の基準電圧ＶReg2より高くなるまでの時間は、従来の不感応回路（図３）の復帰時の不感応時間のほぼ（１／ｈFE(Q13) ）倍に短縮される。
【００３６】
急速充電回路７では、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ13がオン状態の間だけ、電流Ｉ1bのｈFE(Q13) 倍の急速充電電流Ｉ1cを流してコンデンサＣ1 の充電を行う。比較入力端子ＴＰ３のレベルがバイアス電圧ＶReg3以上では、ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＱ13がオフ状態となる。したがって、消費電流の増加分は、ｐｎｐ形バイポーラトランジスタＱ11から流れる電流Ｉ1b分のみの増加で済む。これは、コンデンサＣ1 の容量を変更したり、単純な充電電流Ｉ1aを増加させる対策よりも、はるかに有利である。
【００３７】
本発明は上述した実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可能であるのは勿論である。
【００３８】
【発明の効果】
本発明による不感応回路は、検出信号が異常状態から通常状態に復帰したとき、コンデンサの充電電圧がバイアス電圧になるまでの期間の間だけ、急速充電電流を比較入力端子へ流す急速充電回路を設けたので、異常状態から通常状態に復帰するときの不感応時間を極力に短くすることができる。また、この急速充電期間のみ、急速充電回路から急速充電電流がコンデンサへ供給されるので、消費電流が大幅に増加するのを抑えることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による不感応回路の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示された不感応回路の動作を説明するためのタイムチャートである。
【図３】従来の不感応回路の構成を示すブロック図である。
【図４】図３に示された不感応回路の動作を説明するためのタイムチャートである。
【符号の説明】
１    電源端子
２    接地端子
３    異常検出回路
４    充電回路
５    クランプ回路
６    放電回路
７    急速充電回路
Ｃ1     コンデンサ
ＩＯ1 ，ＩＯ2     定電流源
ＣＯＭＰ2   出力比較器
ＴＰ１    入力端子
ＴＰ２    出力端子
ＴＰ３    比較入力端子
【図１】
0003642137.tif 000003
【図２】
0003642137.tif 000004
【図３】
0003642137.tif 000005
【図４】
0003642137.tif 000006