(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小開口を有する突起の製造方法であって、
（ａ）第１基板の表面に凹部を形成する工程であって、該凹部の最深部に相当する先端部の形状を、先鋭化された形状に形成する工程と、
（ｂ）真空装置を用いて前記第１基板表面に遮光材料を堆積し、微小開口を有する遮光層を形成するに当たり、該第１基板表面に形成された凹部の斜め上方に前記遮光材料のソースがある位置関係を保持しながら、該第１基板表面に形成された凹部の先端部を除くように該第１基板上に遮光材料を堆積して、該第１基板表面に形成された凹部の先端部に微小開口を有する遮光層を形成する工程と、
（ｃ）第２基板上に前記第１基板の遮光層を接合し、前記第１基板を除去することにより、該第２基板上に微小開口を有する該遮光層よりなる突起を転写する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする微小開口を有する突起の製造方法。
【請求項２】
微小開口を有する突起の製造方法であって、
（ａ）第１基板の表面に略角錐型の凹部を形成する工程であって、該凹部の内壁と該第１基板表面とのなす角θ１が、先端部において局所的にθ２まで（θ２＞θ１）先鋭化された該凹部を形成する工程と、
（ｂ）真空装置を用いて前記第１基板表面に遮光材料を堆積し、微小開口を有する遮光層を形成するに当たり、該第１基板の回転軸が第１基板の表面と交わる点と遮光材料よりなるソースとを結ぶ線分が、該第１基板の表面に対してθ１〜θ２の範囲の一定角度を保持した状態で、該第１基板を回転させながら、該遮光材料を該第１基板上に堆積することにより、前記凹部先端部に微小開口を有する遮光層を形成する工程と、
（ｃ）第２基板上に前記第１基板の遮光層を接合し、前記第１基板を除去することにより、該第２基板上に微小開口を有する該遮光層よりなる突起を転写する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする微小開口を有する突起の製造方法。
【請求項３】
前記表面に凹部が形成される基板は、シリコン基板からなり、該凹部の表面が該基板を熱酸化した二酸化シリコン層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の微小開口を有する突起の製造方法。
【請求項４】
前記二酸化シリコン層は、その膜厚が２００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の微小開口を有する突起の製造方法。
【請求項５】
前記第２基板上への微小開口を有する遮光層よりなる突起の転写は、第１基板と遮光層との間に形成された剥離層を介して該第１基板と該剥離層との界面で剥離することにより該第１基板を除去して、前記第２基板の接合層上に該遮光層よりなる微小開口を有する突起を転写して行われることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の微小開口を有する突起の製造方法。
【請求項６】
前記遮光材料の堆積は、真空蒸着法またはスパッタリング法で行われることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の微小開口を有する突起の製造方法。
【請求項７】
微小開口を有する突起を具備した微小光検出または微小光照射用のプローブであって、該プローブが、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の微小開口を有する突起の製造方法によって形成された微小開口を有する突起で構成されていることを特徴とする微小光検出または微小光照射用のプローブ。
【請求項８】
請求項７に記載のプローブを、基板上に複数個形成したことを特徴とする微小光検出または微小光照射用のマルチプローブ。
【請求項９】
請求項７に記載のプローブを、光ファイバーの先端に接合したことを特徴とする微小光検出または微小光照射用のプローブ。
【請求項１０】
請求項７に記載のプローブを、弾性体の自由端部に搭載したことを特徴とする微小光検出または微小光照射用のプローブ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプローブを、複数個形成したことを特徴とする微小光検出または微小光照射用のマルチプローブ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微小開口を有する突起の製造方法、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブに関し、特に、近視野光学顕微鏡等に用いられるエバネッセント光検出または照射用の微小開口を有する突起、及び該突起を有するプローブ、及びこれらの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、導体の表面原子の電子構造を直接観察できる走査型トンネル顕微鏡（以下、「ＳＴＭ」という）が開発されて（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ  ｅｔ  ａｌ．，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ，４９，５７（１９８２））、単結晶、非晶質を問わず実空間像を高い分解能で測定ができるようになって以来、走査型プローブ顕微鏡（以下、「ＳＰＭ」という）が材料の微細構造評価の分野でさかんに研究されるようになってきた。
ＳＰＭとしては、微小探針を有するプローブを評価する試料に近接させることにより得られるトンネル電流、原子間力、磁気力、光等を用いて表面の構造を検出する走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）等がある。
また、ＳＴＭを発展させたものとして、尖鋭なプローブ先端の微小開口からしみ出すエバネッセント光を試料表面から光プローブで検出して試料表面を調べる走査型近接場光顕微鏡（以下ＳＮＯＭと略す）［Ｄｕｒｉｇ他，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．５９，３３１８（１９８６）］が開発された。
さらに、試料裏面からプリズムを介して全反射の条件で光を入射させ、試料表面へしみ出すエバネッセント光を試料表面から光プローブで検出して試料表面を調べるＳＮＯＭの一種であるフォトンＳＴＭ（以下ＰＳＴＭと略す）［Ｒｅｄｄｉｃｋ他，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ３９，７６７（１９８９）］も開発された。
【０００３】
さて、上記のＳＮＯＭにおいては、光プローブの先端径が分解能を決定するため、プローブ表面を遮光し、先端に微小な開口を形成することにより光の出口を小さくする方法が取られている。
このような微小開口の形成方法としては、透明結晶の劈開面の交点を金属でコーティングし、これを固い面に押しつけ交点部分の金属を除去して交点を露出させ微小開口をする方法（図１０（ａ）参照）が提案されている（欧州特許ＥＰＯ１１２４０２号）。また、光ファイバープローブを回転させながらある方向からのみメタルを蒸着することにより、メタルの堆積しない部分を作って微小開口を形成する方法がある（図１０（ｂ）参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例においては、ファイバープローブ１本に対する微小開口形成プロセスが不可欠であり、生産性が低く、かつ、微小開口の集積化が困難であるという問題点があった。
また、微小開口の径を厳密に制御するのが困難で再現性が得にくいという問題点があった。
そこで、本発明は、上記従来技術の課題を解決し、微小な開口を再現性良く形成することができ、また、基板上に集積化が容易で、複数の微小開口を形成したときに開口径のばらつきが小さく、バッチプロセスでの形成により生産性の高い、微小開口を有する突起の製造方法、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブを提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、微小開口を有する突起の製造方法、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブを、つぎのように構成したことを特徴とするものである。
すなわち、本発明の微小開口を有する突起の製造方法は、
（ａ）第１基板の表面に凹部を形成する工程であって、該凹部の最深部に相当する先端部の形状を、先鋭化された形状に形成する工程と、
（ｂ）真空装置を用いて前記第１基板表面に遮光材料を堆積し、微小開口を有する遮光層を形成するに当たり、該第１基板表面に形成された凹部の斜め上方に前記遮光材料のソースがある位置関係を保持しながら、該第１基板表面に形成された凹部の先端部を除くように該第１基板上に遮光材料を堆積して、該第１基板表面に形成された凹部の先端部に微小開口を有する遮光層を形成する工程と、
（ｃ）第２基板上に前記第１基板の遮光層を接合し、前記第１基板を除去することにより、該第２基板上に微小開口を有する該遮光層よりなる突起を転写する工程と、
を少なくとも有することを特徴としている。
また、本発明の微小開口を有する突起の製造方法は、
（ａ）第１基板の表面に略角錐型の凹部を形成する工程であって、該凹部の内壁と該第１基板表面とのなす角θ１が、先端部において局所的にθ２まで（θ２＞θ１）先鋭化された該凹部を形成する工程と、
（ｂ）真空装置を用いて前記第１基板表面に遮光材料を堆積し、微小開口を有する遮光層を形成するに当たり、該第１基板の回転軸が第１基板の表面と交わる点と遮光材料よりなるソースとを結ぶ線分が、該第１基板の表面に対してθ１〜θ２の範囲の一定角度を保持した状態で、該第１基板を回転させながら、該遮光材料を該第１基板上に堆積することにより、前記凹部先端部に微小開口を有する遮光層を形成する工程と、
（ｃ）第２基板上に前記第１基板の遮光層を接合し、前記第１基板を除去することにより、該第２基板上に微小開口を有する該遮光層よりなる突起を転写する工程と、
を少なくとも有することを特徴としている。
また、本発明のこれらの製造方法において、前記表面に凹部が形成される基板は、シリコン基板からなり、該凹部の表面が該基板を熱酸化した二酸化シリコン層であることを特徴としている。
また、本発明のこれらの製造方法において、前記二酸化シリコン層は、その膜厚が２００ｎｍ以上であることを特徴としている。
また、本発明のこれらの製造方法において、前記第２基板上への微小開口を有する遮光層よりなる突起の転写は、第１基板と遮光層との間に形成された剥離層を介して該第１基板と該剥離層との界面で剥離することにより該第１基板を除去して、前記第２基板の接合層上に該遮光層よりなる微小開口を有する突起を転写して行われることを特徴としている。
また、本発明のこれらの製造方法において、前記遮光材料の堆積は、真空蒸着法またはスパッタリング法で行われることを特徴としている。
また、本発明の微小開口を有する突起を具備した微小光検出または微小光照射用のプローブは、該プローブが、上記した本発明のいずれかの微小開口を有する突起の製造方法によって形成された微小開口を有する突起で構成されていることを特徴としている。
また、本発明の微小光検出または微小光照射用のマルチプローブは、上記した本発明のプローブを、基板上に複数個形成したことを特徴としている。
また、本発明の微小光検出または微小光照射用のプローブは、上記した本発明のプローブを、光ファイバーの先端に接合したことを特徴としている。
また、本発明の微小光検出または微小光照射用のプローブは、上記した本発明のプローブを、弾性体の自由端部に搭載したことを特徴としている。
また、本発明の微小光検出または微小光照射用のマルチプローブは、上記した弾性体の自由端部に搭載した本発明のプローブを、複数個形成したことを特徴としている。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の上記した微小開口を有する突起は、特に、エバネッセント光を検知または照射するために構成したものである。
つぎに、本発明の微小開口を有する突起の製造方法について、図１に基づいて説明する。
第一に、第１基板表面に、凹部の内壁と基板表面とのなす角θ１が先端部（最深部）においてθ２（θ２＞θ１）にまで先鋭化されるような凹部を形成する。
そのような凹部の作製方法としては以下の方法がある。
まず、（１００）方位のシリコン単結晶よりなる第１基板１の表面に保護層２を形成し、次に、保護層２の所望の箇所を、フォトリソグラフィとエッチングによりパターニングしてシリコンの一部を露出させ、次に、結晶軸異方性エッチング等を用いてシリコンをエッチングして凹部３を形成する。保護層２としては二酸化シリコンや窒化シリコンを用いることができる。シリコンのエッチングにはティップ先端部を鋭利に形成できる結晶軸異方性エッチングを用いることが好ましい。
エッチング液に水酸化カリウム水溶液等を用いることにより（１１１）面と等価な４つの面で囲まれた逆ピラミッド状の凹部３を形成することができる（図１（ａ）参照）。
この場合、４つの凹部の内壁と第１基板表面とのなす角はほぼ５５°である。次に、第１基板１のシリコン表面を熱酸化することにより二酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりなる剥離層４を形成する（図１（ｂ）参照）。この方法により凹部３の先端部を先鋭化することができる。これは、シリコンの形状により、熱酸化した時の二酸化シリコンの厚みに差が生じることを利用している。先鋭化の形状は全体の熱酸化膜の厚さを変えることにより制御することが可能であり、２００ｎｍ以上の二酸化シリコン膜厚により先鋭化される。また、剥離層４として二酸化シリコンを用いることにより、後の工程で述べる遮光層５との剥離が容易となる。先鋭化した凹部を形成する他の方法としては、ＦＩＢ（集束イオンビーム）をもちいて基板に凹部を形成する方法がある。すなわち、ＦＩＢにより基板に凹部を形成する際、先端部のビーム密度を大きくして先端部を先鋭化することが可能である。
【０００７】
第二に、第１基板１の表面に真空装置を用いて遮光層５を堆積する。遮光層５としては例えばＡｕ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属が好ましいが、目的に応じて半導体や誘電体が選択されても良い。特にＡｕ，Ｐｔは、表面の反応性が低いために後工程で述べる剥離プロセスに有利である。この際、基板面の斜め上方に遮光材料のソースを配置し、基板を自転させながら堆積させることにより、凹部内壁の影となって先端部に遮光層が堆積しない微小開口領域が形成される。
この様子を図９を用いて説明する。すなわち凹部の内壁が先端部においてθ１からθ２に変化する場合、蒸着粒子が基板に入射角θ（θ１＜θ＜θ２）で入射するようソースを配置し、この状態で基板を自転させることにより、図のように先端部に蒸着粒子の堆積しない微小開口部が形成される。ソースとは真空蒸着法の場合の蒸着源であり、また、スパッタリング法の場合のターゲットである。この後、遮光層にて囲まれた領域の内側に光透過性の材料を形成しても良い。
【０００８】
第三に、堆積した遮光層５または光透過層をフォトリソグラフィーとエッチングの手法を用いて所望の形状にパターニングする（図１（ｃ）参照）。
第四に、上記遮光層５または光透過層を転写する対象となる第２基板あるいは被転写物を用意し、必要に応じて第２基板あるいは被転写物上に遮光層５または光透過層と第２基板との接合を容易にするための接合層を形成する（図１（ｄ）参照）。
例えば光ファイバーを被転写物とすることにより微小開口プローブを有する光ファイバーとすることができる。
また、カンチレバー等の弾性体を被転写物とすることによりＡＦＭ／ＳＮＯＭ複合プローブとすることができる。
【０００９】
第五に、剥離層４上の遮光層５または光透過層を第２基板８または第２基板８上の接合層７に接合する。
これには、それぞれの基板を真空チャック等により保持できるアライメント装置を用い、第１基板１と第２基板８とを位置合わせして対向・接触させ、更に荷重を加えることにより遮光層５または光透過層と、第２基板８または第２基板８上の接合層７との接合（圧着）を行う（図１（ｅ）参照）。
第六に、剥離層４と遮光層５の界面で剥離を行い第２基板８または第２基板８上の接合層７上に遮光層５を転写する。
すなわち、第１基板１と第２基板８を引き離すことにより、剥離層４と遮光層５との界面で剥離させる（図１（ｆ）参照）。
本発明による微小開口を有する突起の形成方法は、微小開口の大きさが、シリコンの熱酸化の条件と蒸着時の入射角という２つのプロセス条件により決定されるため、従来の方法と比較して小さい微小開口を再現性良く作製することができる。
また、基板上に複数の微小開口を形成した際もそれぞれの開口径ばらつきを非常に小さく形成することができる。
【００１０】
本発明には上記製造方法にて作製した微小開口を有する突起よりなるプローブまたはマルチプローブ及び、これらを用いた表面観察装置、露光装置、情報処理装置も含む。本発明によるプローブを試料に接近させて、ｘｙアクチュエータにより試料面内方向に２次元の相対走査を行い、試料表面からしみだすエバネッセント光を検知することにより試料の表面状態を観察することが可能である。
また、本発明によるプローブを用いてレジストに露光することにより光の波長よりも微細なパターンを形成できる露光装置を作製することが可能である。
また、このプローブを用いて記録媒体の微小領域における表面状態を変化させ、また、これを観察することにより記録再生装置とすることが可能である。この際、試料または記録媒体との間隔制御・接触力制御はＳＮＯＭ信号自体を使うことが可能である。また、ＳＴＭの手法やシェアフォースによる手法も用いることができ、これらの手段は本発明を限定するものではない。
また、本発明によるマルチプローブを用いて情報を並列処理することにより転送レートの大きい表面観察装置または露光装置または記録再生装置を提供することが可能である。この場合の記録媒体としては、電圧印加により光学特性が変化する記録媒体の例として、特開平４−９０１５２号公報に記載されているような電圧印加により、局所的に流れる電流によるジュール熱によりジアセチレン誘導体重合体に構造変化が起こり、光の吸収帯のピーク波長がシフトするような１０，１２−ペンタコサジイン酸が挙げられる。
また、光照射下の電圧印加により光学特性が変化する記録媒体の例として、特開平２−９８８４９号公報に記載されているような光を照射した場合のみシス型⇔トランス型の光異性反応を起こしてレドックス・ペアを形成し、電界印加によりこのレドックス・ペア間でプロトン移動を起こすようなキノン基およびヒドロキノン基を有するアゾ化合物が挙げられる。
【００１１】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１は、微小開口を有する突起をシリコン基板上にマトリックス状に配置した微小光照射用マルチプローブ（図２参照）及びその形成方法である。本実施例によるマルチプローブの使用方法は、例えば図３に示すように、微小開口を有する面と反対側から光を照射し、微小開口から出るエバネッセント光が及ぶ距離までフォトレジストを接近させることにより、微細なパターンの露光を行うために用いる。
図１は本実施例による微小光照射用マルチプローブの製造工程を示す断面図であり、以下これをもちいて製造方法を説明する。
まず、第１基板１として面方位（１００）の単結晶シリコンウエハを用意し、保護層２としてシリコン熱酸化膜を１００ｎｍ形成した。次に、表面の保護層２の所望の箇所を、フォトリソグラフィとフッ化水素とフッ化アンモニウムの水溶液によるエッチングによりパターニングし、一辺が１０μｍの正方形のシリコンを露出した。次に、水酸化カリウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチングによりパターニング部のシリコンを濃度３０％、液温９０℃の水酸化カリウム水溶液を用いてエッチングした。この工程により（１１１）面と等価な４つの面で囲まれた深さ約７μｍの逆ピラミッド状の凹部３が形成された（図１（ａ）参照）。この際、凹部３の４つの面それぞれと基板１表面とのなす角度θ１は結晶方位により決まり、ほぼ５５°であった。
次に、保護層２をフッ化水素とフッ化アンモニウムの水溶液により除去した後、水素と酸素の混合ガスを用いて１０００℃にて熱酸化し、剥離層４として二酸化シリコンを４００ｎｍ堆積した（図１（ｂ）参照）。この方法により凹部３は先端領域において先鋭化され、先端部の内壁と基板１表面とのなす角度θ２はほぼ７５°となった。
【００１２】
次に、第１基板１上に金Ａｕを真空蒸着法により１００ｎｍ堆積し、遮光層５とした。この際、第１基板１の回転軸が第１基板１の表面と交わる点とＡｕの蒸着源とを結ぶ線分が、第１基板１の表面に対して６５゜の角度を持つように構成し、第１基板１を面内方向に自転させながらＡｕを蒸着することにより、凹部３の先端部分にＡｕの堆積しない部分（微小開口）を形成することができた。次に、遮光層５をフォトリソグラフィーとエッチングによりパターニングした（図１（ｃ）参照）。
次に、第２基板８として面方位（１００）の単結晶シリコンウエハを用意し、マスク層１０として低圧化学気相成長法により窒化シリコンを１００ｎｍ堆積した。次に、裏面マスク層１０の所望の箇所を、フォトリソグラフィと四フッ化炭素によるドライエッチングによりパターニングし、一部のシリコンを露出した。次に、接合層として真空蒸着法によりクロムＣｒを１０ｎｍ、金Ａｕを１００ｎｍ堆積した。次に、水酸化カリウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチングによりパターニング部のシリコンを濃度３０％、液温１１０℃の水酸化カリウム水溶液を用いて表面マスク層１０までエッチングした。次に、表面マスク層を裏面からエッチング除去した（図１（ｄ）参照）。
【００１３】
次に、第１基板１の遮光層５と第２基板８の接合層７とを、荷重を加えることにより接合した（図１（ｅ）参照）。次に、第１基板１と第２基板とを引き離すことにより、遮光層５と剥離層４との界面で剥離し、遮光層５を第２基板８に転写した（図１（ｆ）参照）。
こうして作製した複数の微小突起を電子顕微鏡で観察したところ、各微小開口は長方形に近い形をしておりその短径は２０ｎｍ±５ｎｍである。すなわち本実施例に示したプロセスにより従来形成方法と比較して開口径が小さく、かつ、開口径の再現性の高い微小開口を有する突起を形成することができた。また、本実施例によるマルチプローブを露光装置に用いてレジストの露光を行ったところ、近接場露光による微細なパターンを形成でき、かつ、露光の速度を大きくすることが可能となった。
【００１４】
［実施例２］
実施例２は、微小開口を有する突起よりなる光プローブを基板上にマトリックス状に配置した微小光検出用マルチプローブ及びその形成方法であり、それぞれの光プローブはフォトダィオードよりなる受光素子を有している。
本実施例によるマルチプローブの使用方法は、例えば図５に示すように、プリズムに入射した光が試料２１の接面で全反射する時に試料２１の表面に発生するエバネッセント光の状態を観察する走査型近接場光顕微鏡（ＳＮＯＭ）として用いられる。この観察を、各プローブを面内方向に走査しながら行うことにより、プローブが１つの場合と比べて観察速度を向上させることができる。
また、本実施例においては、微小開口プローブを受光素子と組み合わせたが、レーザーダイオード等の発光素子と組み合わせてマルチ発光素子とすることも可能である。
【００１５】
図４は本実施例による微小光検出用マルチプローブの製造工程を示す断面図であり、以下これを用いて製造方法を説明する。
まず、実施例１と同様の手法を用いて第１基板１の表面に、４つの面それぞれと基板１表面とのなす角度θ１がほぼ５５°で、先端部の内壁と基板１表面とのなす角度θ２はほぼ７５°となる凹部３を形成した（図４（ａ）（ｂ）参照）。
次に、第１基板１上に白金Ｐｔをスパッタリング法により１００ｎｍ堆積し、遮光層５とした。この際、第１基板１の回転軸が第１基板１の表面と交わる点とＰｔターゲットとを結ぶ線分が、第１基板１の表面に対して６５゜の角度を持つように構成し、第１基板１を面内方向に自転させながらＰｔをスパッタリングすることにより、凹部３の先端部分にＰｔの堆積しない部分（微小開口）を形成することができた。次にポリイミド１５を凹部３を含む第１基板上に塗布した。次に、遮光層５及びポリイミド１５をフォトリソグラフィーとエッチングによりパターニングした（図４（ｃ）参照）。
【００１６】
次に、ダイオードよりなる受光素子１１を搭載した第２基板８を作製した（図４（ｄ）参照）。次に、第１基板１と第２基板８を２００℃に加熱することにより接合した（図４（ｅ）参照）。次に、第１基板１と第２基板８を引き離すことにより、剥離層４と遮光層５との界面で剥離し、第２基板上に微小開口を有する遮光層５及びポリイミド１５よりなる微小突起を転写した（図４（ｆ）参照）。こうして作製した複数の微小突起を電子顕微鏡で観察したところ、各微小開口は長方形に近い形をしておりその短径は２０ｎｍ±５ｎｍである。すなわち本実施例に示したプロセスにより従来形成方法と比較して開口径が小さく、かつ、開口径の再現性の高い微小開口を有する突起を形成することができた。また、本実施例によるマルチプローブを用いた表面観察装置において、高分解能のＳＮＯＭ像を得ることができ、かつ、観察の速度を大きくすることが可能となった。
【００１７】
［実施例３］
実施例３は、本発明による微小開口を有する突起を光ファイバーの先端に搭載した微小光検出または微小光照射用のプローブであり、その製造方法を図６に示す。
まず、実施例２と同様の方法により、第１基板１上に凹部３を形成し、先端に微小開口を有する遮光層５とポリイミド１５よりなる突起を形成した（図６（ａ）（ｂ）（ｃ）参照）。
次に、前記突起を転写する第２基板として端面を有する光ファイバーを用意し、コア１７の延長線上に微小開口が来るように図６（ｄ）のように載置し、２００℃に加熱することにより接合を行った。
【００１８】
次に、第１基板１とファイバー１６とを引き離すことにより、剥離層４と遮光層５との界面で剥離し、ファイバー１６の先端に微小開口を有する遮光層５及びポリイミド１５よりなる微小突起を転写した（図６（ｅ）参照）。
こうして作製した光プローブを電子顕微鏡で観察したところ、微小開口は長方形に近い形をしておりその短径は２０ｎｍ±５ｎｍである。すなわち本実施例に示したプロセスにより従来形成方法と比較して開口径が小さく、かつ、開口径の再現性の高い微小開口を有する突起を形成することができた。また、本実施例によるプローブを用いた表面観察装置において、高分解能のＳＮＯＭ像を得ることができた。
【００１９】
［実施例４］
実施例４は、本発明による微小開口を有する突起をカンチレバー上に搭載した微小光検出または微小光照射及び微小力検出用のプローブである。
本実施例によるプローブの製造方法を図７に示す。
まず、実施例２と同様の方法により、第１基板１上に剥離層４よりなる凹部３を形成し、先端に微小開口を有する遮光層５よりなる突起を形成した（図７（ａ）参照）。
次に第２基板８として単結晶シリコン基板を用意し、第２基板８両面に二酸化シリコン１３を０．３μｍ、窒化シリコン１４を０．５μｍ成膜した。次に表面の窒化シリコン１４をフォトリソグラフィとエッチングによりカンチレバー９（片持ち梁）の形状にパターニングした。このとき、カンチレバーの寸法は幅５０μｍ、長さ３００μｍとした。次に、裏面の窒化シリコン１４及び二酸化シリコン１３を同様にエッチングマスク形状にパターニングした。次に、チタンＴｉを３ｎｍ、金Ａｕを５０ｎｍ成膜し、フォトリソグラフィとエッチングによりパターン形成を行い、カンチレバー上に接合層７を形成した。
【００２０】
次に、第１基板１上の遮光層５と第２基板８上の接合層７とを位置合わせして対向・接触させ、更に荷重を加えることにより遮光層５と接合層７の接合（圧着）を行った（図７（ｂ）参照）。次に、第１基板１と第２基板８を引き離すことに、剥離層４と探針５との界面で剥離させた（図７（ｃ）参照）。
次に、表面保護層としてポリイミド層をスピンコートにより塗布した後、２００℃にて熱処理を行った。次に、裏面の窒化シリコン１４をエッチングマスクにして、９０℃に加熱した３０％水酸化カリウム水溶液により裏面からシリコン基板８のエッチングを行った。次に、フッ酸とフッ化アンモニウム混合水溶液により二酸化シリコン層１３を除去した。最後に、酸素プラズマを用いて表面保護層を除去してカンチレバー型プローブを形成した。
【００２１】
本実施例のプローブを用いたＡＦＭ／ＳＮＯＭ複合装置のブロック図を図８に示す。
本装置はカンチレバー９と接合層７と接合層７に接合した遮光層５からなるプローブと、カンチレバー自由端の裏面に照射するレーザー光源６１とカンチレバーのたわみ変位による光の反射角の変化を検出するポジションセンサー６３と、ポジションセンサーからの信号により変位検出を行う変位検出回路６６と、ＸＹＺ軸駆動ピエゾ素子６５と、ＸＹＺ軸駆動ピエゾ素子をＸＹＺ方向に駆動するためのＸＹＺ駆動用ドライバー６７と、微小開口から染み出したエバネッセント光が試料６４表面で散乱されて出た伝播光を検出する微小光検出器６８からなる。
本実施例においてはＳＮＯＭプローブをカンチレバーに搭載することにより、試料表面の光学的な情報と形状の情報を同時に測定することが可能となった。
また、硬いプローブの場合は試料との接触によりダメージを受け易かったが、カンチレバー上に搭載することによりプローブのダメージを押さえることが可能となった。また、接触状態で光学的な情報を観察することによりＺ方向（高さ方向）のフィードバック制御が不要なＳＮＯＭ装置を提供することができた。
【００２２】
【発明の効果】
本発明は、以上のように半導体プロセス技術、特に、シリコン基板の熱酸化と、真空装置を用いた斜入射による薄膜形成という半導体プロセス技術を用いることにより、所望の径の微小開口を再現性良く形成でき、基板上の複数の微小開口径のばらつきが小さく、バッチプロセスで形成できるため生産性が高く、かつ、集積化が容易な微小開口を有する突起の製造方法を実現することができる。
また、本発明の微小開口を有する突起で構成したプローブによって、表面観察の分解能が向上した表面観察装置や、あるいは記録の際の記録ビット径を小さくすることの可能な情報処理装置を実現することができる。
また、本発明の微小開口を有する突起で構成したプローブを用いることによって、微細なパターンを高速で形成できる露光装置を提供することが可能となり、また、このプローブでマルチプローブを構成することにより、小型化・大容量の光メモリーを実現することができる。
また、本発明のプローブでＡＦＭ／ＳＮＯＭプローブを構成することにより、試料表面の光学的な情報と形状の情報を同時に測定することができ、また、プローブのダメージを押さえることが可能となる。また、これによって接触状態で光学的な情報を観察することが可能となり、Ｚ方向（高さ方向）のフィードバック制御が不要なＳＮＯＭ装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１によるプローブの製造工程を示す断面図である。
【図２】実施例１によるプローブを示す斜視図である。
【図３】実施例１によるプローブの使用方法を示す図である。
【図４】実施例２によるプローブの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施例２によるプローブの使用方法を示す図である。
【図６】実施例３によるプローブの製造工程を示す断面図である。
【図７】実施例４によるプローブの製造工程を示す断面図である。
【図８】実施例４によるプローブを用いたＡＦＭ／ＳＮＯＭ装置を示すブロック図である。
【図９】本発明のプローブ製造方法における一製造工程の説明図である。
【図１０】従来例によるプローブの製造方法を示す図である。
【符号の説明】
１：第１基板
２：保護層
３：凹部
４：剥離層
５：遮光層
６：微小開口
７：接合層
８：第２基板
９：カンチレバー
１０：マスク層
１１：受光素子
１３：二酸化シリコン
１４：窒化シリコン
１５：ポリイミド
１６：光ファイバー
１７：コア
２０：フォトレジスト
２１：試料
２２：エバネッセント光
６１：レーザー光源
６２：レンズ
６３：ポジションセンサ
６４：試料
６５：ＸＹＺ軸駆動ピエゾ素子
６６：変位検出回路
６７：ＸＹＺ駆動用ドライバー
６８：微小光検出器
【図１】
0003697034.tif 000002
【図２】
0003697034.tif 000003
【図３】
0003697034.tif 000004
【図４】
0003697034.tif 000005
【図５】
0003697034.tif 000006
【図６】
0003697034.tif 000007
【図７】
0003697034.tif 000008
【図８】
0003697034.tif 000009
【図９】
0003697034.tif 000010
【図１０】
0003697034.tif 000011