(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板上に形成された第一の電極層、第一導電型のキャリアおよびこの第一導電型と異なる第二導電型のキャリアの通過を阻止する絶縁層、光電変換半導体層、第二の電極層、およびこの第二の電極層と前記光電変換半導体層との間にあって前記光電変換半導体層への第一導電型のキャリアの注入を阻止する注入阻止層を少なくとも有する光電変換素子を有する画像入力部と、
前記第二の電極を一方の電極とし該第二の電極と対向して配された対向電極を有する表示素子を有し、該対向電極は前記第一の基板に対向して設けられた第二の基板上に配されている画像出力部と、
を有する画像入出力装置であって、
画像表示中では、前記第二導電型のキャリアを前記光電変換半導体層内に充満させ、前記第一の電極層もしくは前記第二の電極層に表示電位を保持するようにして駆動する回路を有することを特徴とする画像入出力装置。
【請求項２】
前記第一の基板上には前記光電変換素子に対応してスイッチ素子を有する請求項１記載の画像入出力装置。
【請求項３】
前記第二の電極と前記対向電極との間には液晶層を有する請求項１又は２に記載の画像入出力装置。
【請求項４】
前記スイッチ素子は、薄膜トランジスタである請求項２記載の画像入出力装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極層、第二の絶縁層、半導体層、該半導体層に間隔をあけて設けられた一対の第一及び第二の主電極層、前記第一及び第二の主電極層と前記半導体層との間に設けられたオーミックコンタクト層を有する請求項４記載の画像入出力装置。
【請求項６】
前記光電変換素子と前記薄膜トランジスタにおいて、
前記第一の電極層と前記薄膜トランジスタのゲート電極層、
前記絶縁層と前記薄膜トランジスタの第二の絶縁層、
前記光電変換半導体層と前記薄膜トランジスタの半導体層、
前記第二の電極層と前記薄膜トランジスタの第一および第二の主電極層、
前記注入阻止層と前記オーミックコンタクト層が、それぞれ共通の膜で構成され、
前記第二の絶縁層は前記ゲート電極上に配され、
前記半導体層は前記第二の絶縁層上に配され、
前記主電極層は前記半導体層にオーミックコンタクト層を介して間隔をあけて配されている請求項５記載の画像入出力装置。
【請求項７】
前記回路は、撮像中では、前記光電変換半導体層に入射した光により発生した前記第一導電型のキャリアを前記光電変換半導体層内に留まらせ、前記第二導電型のキャリアを前記第二の電極層に導く方向に前記光電変換素子に電界を与え、前記光電変換半導体層に蓄積される前記第一導電型のキャリアもしくは前記第二の電極層に導かれた第二導電型のキャリアを光信号として検出するようにして駆動することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の画像入出力装置。
【請求項８】
前記光電変換素子および前記表示素子で画素を形成し、この画素を一次元または二次元的に複数個配置し、画素毎にスイッチ素子を接続すると共に、全画素を複数のブロックに分割し、各ブロック毎に前記スイッチ素子を動作させることにより画像表示および光信号検出をする回路を有する請求項１から７のいずれか１項に記載の画像入出力装置。
【請求項９】
前記画像入力部により入力した画像データを記憶する第１のメモリーと、前記画像入力部により入力した画像データに基づいて画像処理する画像処理回路と、前記画像処理回路により処理された画像データを記憶する第２のメモリーと、を更に有する請求項１から８のいずれか１項に記載の画像入出力装置。
【請求項１０】
前記画像入力部により画像を入力するための原稿を照射する照明装置を有する請求項１から９のいずれか１項に記載の画像入出力装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は撮像および表示の２つの機能を兼ね備えた画像入出力装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来よりＣＣＤカメラで代表される撮像装置またはＣＲＴディスプレイや液晶表示装置で代表される表示装置のように単独で撮像機能または表示機能を持つ装置は各種実用化されている。しかしながら、撮像機能と表示機能という２つの機能を兼ね備えた複合機能を持つ装置は実用化されていない。ビデオ・カムコーダのように１つの装置内で撮像している又は撮像した被写体を表示可能なものはあるが、これは単に撮像装置と表示装置を１つの箱の中に実装しただけで、複合機能とは言えずコストも各装置のコストを加算したものより安くは成り得ない。１つの装置でたとえば撮像と表示の２つの機能を複合的に兼ね備えると、形状は２つの装置を合せたものより小型化が可能になり、またコストも２つの装置のコストを加算したものより安価になるため実用化が期待され、近年各種の提案がされている。
【０００３】
例えば、特開昭５９−１５８５５３号公報では透明基板上に液晶素子部、撮像部およびスイッチ部を画素毎に設け、これを多数配列させることにより、１つのパネルで表示と撮像の機能を複合的に兼ね備えた装置が示されている。
【０００４】
図４（ａ）はこれら２つの機能を持つ固体装置の１画素の構成を説明するための等価回路図である。スイッチ素子１１のゲート１２はアドレス線１３に接続され、ソース１４はデータ線１５に接続されている。またドレイン１６は液晶表示素子１７の電極および、光電変換素子１８の電極と接続されている。液晶表示素子１７の一方の電極は一定電位に保たれており、電極間の電位差により「白」、「黒」等の表示が行われる。また、図４（ｂ）に光電変換素子１８の膜構成を示す。透明絶縁基板１上に透明電極２、高抵抗光導電膜、オーミック層５、および上部電極６の順に堆積している。この光電変換素子１８の高抵抗光導電膜４は光の入射の無い暗黒状態では単なる誘電体として働き光電変換素子１８はコンデンサとして動作する。これに対して透明絶縁基板１、透明電極２を通して高抵抗光導電膜４に光が入射すると、コンデンサとして動作すると同時に膜内で形成された照射光量に比例した電荷が透明電極２、上部電極６に移動し、各電極の電位を変化させる。
【０００５】
ここで、１画素の等価回路図である図４（ａ）を用いて、撮像および表示における動作を説明する。撮像を行なう場合には、アドレス線１３を選択しスイッチ素子１１をＯＮさせ、光電変換素子１８の端子Ｐに初期電位を与え、その後スイッチ素子１１を任意の期間ＯＦＦして端子Ｐを電気的にフローティング状態とする。この状態での光電変換素子１８への光の入射光量に応じて端子Ｐの電位が変化し、次回再びスイッチ素子１１がＯＮしたときにこの変化電位もしくは再初期化時の電荷の移動を検出する。また、表示を行なう場合には、光電変換素子１８には光が入射されない状態とし、アドレス線１３の選択によりスイッチ素子１１をＯＮさせ、データ線１５より液晶表示素子１７の端子Ｐに表示内容に対応した電位を与える。これにより液晶表示素子１７は表示を行なう。この時光電変換素子１８は保持コンデンサとして働き、スイッチ素子１１がＯＦＦした後においても端子Ｐの電位を保持する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記例では表示特性が良好で低コストの固体撮像表示装置を生産するのは大変困難であった。以下その理由について説明する。
【０００７】
第一の理由は画像表示中に光電変換素子１８に光が入射すると表示画像が乱れてしまうからである。表示された画像を観察するには液晶表示素子１７に光を入射させなければならない。この時、近傍に形成された光電変換素子１８にも光が入射してしまう。これは遮光層等を施しても、透明絶縁基板１や透明電極２の界面や表面での反射や拡散によりわずかながら光が入射してしまうからである。もし、表示中に光電変換素子１８に光が入射すれば、スイッチ素子１１がＯＦＦ中であっても端子Ｐの電位は変化してしまい、これにより表示が乱れてしまうのは明らかである。また、これを軽減するため素子構成を複雑にしたり、光学系を複雑にすると製造工程での歩留り低下やコスト・アップになる。また、入射光を完全に無くすことができても高抵抗光導電膜４には熱で発生する電荷があり、やはり端子Ｐの電位を変化させて表示画質が低下する場合がある。
【０００８】
第二の理由は図４（ａ）及び図４（ｂ）で示した光電変換素子１８とスイッチ素子１１を同一膜構成、同一プロセスで形成できないからである。図４（ｂ）で示した膜構成と同一構成の良好なスイッチ特性を持つスイッチ素子は報告されておらず、通常はゲートとなる電極と、チャネルとなる半導体層の間にゲート絶縁膜が必要である。図４（ｂ）の光電変換素子１８にはこの絶縁膜がないため、スイッチ素子と同一基板上に形成する場合、夫々素子毎に成膜やエッチングを必要とするため作製プロセスが複雑になりコスト・アップとなる。
【０００９】
上記とは別に携帯用画像入出力装置としては、１次元ハンディースキャナーや１次元イメージリーダー等の画像入力装置と液晶ディスプレイ等の画像出力装置を組み合わせたものが知られている。しかしながら、このような携帯用画像入出力装置においては画像入力装置であるスキャナーを操作する人が画像入力部（多くは光電変換部）を原稿に沿って移動させる、又は原稿と画像入力部を相対的にスキャンさせることが必要となり、その為走査速度が不適切になったりして読み取り不良を起こすなど使い勝手が悪いという問題や、スキャンさせる装置が大型化するという問題があった。又、ディスプレイ装置の他に別体のスキャナーが必要となるため構造が複雑であり小型軽量化が難しく、コストが上昇するという問題や携帯性の面で問題があった。
【００１０】
そこで、２次元の画像入力装置と２次元の液晶ディスプレイ等の画像出力装置を重ねることにより、同一面上での原稿読み取りと画像表示を行う方法が提案されている。
【００１１】
例えば、特開平４−２８２６０９号公報においては、透明基板に画像入力用のイメージセンサを備えたイメージセンサ基板の上に、透明基板に液晶駆動用のＴＦＴ及び液晶を備えた画像出力用の液晶ディスプレイ基板を重ねた例が示されている。
【００１２】
又、特開平５−２４４３４６号公報においては、液晶ディスプレイ基板の上にイメージセンサ基板を重ねた例が示されている。
【００１３】
しかしながら、上記２例とも画像入力装置であるイメージセンサと画像出力（表示）装置である液晶ディスプレイの夫々の機能を有する装置を夫々別装置として積層構成しており、より一層の画像入出力装置の小型化、軽量化をはかる余地が残されている。
【００１４】
画像入力を行なうという点では、手書き入力もその範ちゅうである。
【００１５】
このような手書き入力に対応するものとして、特開平４−８０７９１号公報に示されるような画像入力方法を利用したものがある。
【００１６】
特開平４−８０７９１号公報においては、図２に示すように画像入力用のイメージセンサのかわりに、入力ペン等の筆圧によって座標を検出する座標入力基板を備えた例が示されている。このような構成とすれば前述した例と同様に、画像出力面と独立した座標入力面などが必要でなくなり、装置全体を小型化且つ低コスト化することが可能になる。
【００１７】
しかしながら、図２に示すような入力ペン等の筆圧によって座標を検出する座標入力基板を備えた画像入出力装置では、一般に座標を検出する座標入力基板の読み取り分解能が、画像出力部の画素数に比べて低く、入力精度が悪いという課題があった。
【００１８】
又、図２に示すような入力ペン等の筆圧によって座標を検出する座標入力基板を備えた画像入出力装置では、既にある原稿を読み取ることができないという課題があった。
【００１９】
［発明の目的］
本発明は画像入力機能と画像出力機能の両方を有し、画像入力部の一部が画像出力部の一部（あるいは画像出力部の一部が画像入力部の一部）を構成している画像入出力装置を提供することを目的とする。
【００２０】
つまり、本発明は画像入力機能と画像出力機能を複合的に兼ね備えた画像入出力装置を提供することを目的とする。
【００２１】
また本発明は、小型化、軽量化に適し、低コスト化を達成し得る画像入出力装置を提供することを目的とする。
【００２２】
更に本発明は、表示特性（出力特性）に優れ、かつ、入力性能に優れた画像入出力装置を提供することを目的とする。
【００２３】
加えて本発明は画像入力部と画像出力部に形成される夫々の素子を各部ごとの素子ごとに独立した工程で素子を形成するのではなく、主要工程を共通としてプロセスの単純化、簡単化をはかり得、歩留りを向上させ、低コスト化し得る構成の画像入出力装置を提供することを目的とする。
【００２４】
又、本発明は光電変換素子に良好なコンデンサ特性を持たせることで、優れた入出力特性を有する画像入出力装置を提供することを目的とする。
【００２５】
更に本発明は画像出力中（表示中）に光が入射しても良好なコンデンサ特性を有する光電変換素子を有する画像入出力装置を提供することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、第一の基板上に形成された第一の電極層、第一導電型のキャリアおよびこの第一導電型と異なる第二導電型のキャリアの通過を阻止する絶縁層、光電変換半導体層、第二の電極層、およびこの第二の電極層と前記光電変換半導体層との間にあって前記光電変換半導体層への第一導電型のキャリアの注入を阻止する注入阻止層を少なくとも有する光電変換素子を有する画像入力部と、前記第二の電極を一方の電極とし該第二の電極と対向して配された対向電極を有する表示素子を有し、該対向電極は前記第一の基板に対向して設けられた第二の基板上に配されている画像出力部と、を有する画像入出力装置であって、画像表示中では、前記第二導電型のキャリアを前記光電変換半導体層内に充満させ、前記第一の電極層もしくは前記第二の電極層に表示電位を保持するようにして駆動する回路を有することを特徴とする。
【００２７】
加えて本発明は画像入力のための画像入力部と画像表示のための画像出力部とが一体に構成された入出力部と、該入出力部を覆う覆いを備え、該覆いの前記入出力部に対応して設けられた記録面を有する画像入出力装置を提供する。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２９】
図３は、本発明の好適な１つの実施例に係る画像入出力装置の概略的全体回路図、図１（ａ）は本実施例中の１画素に相当する構成素子の模式的平面図、図１（ｂ）はその模式的断面図である。図３において、Ｓ１１〜Ｓ３３は光電変換素子で下部電極側をＧ、上部電極側をＤで示している。Ｄ１１〜Ｄ３３は液晶表示素子、Ｔ１１〜Ｔ３３はスイッチ素子である。Ｖｓは読み出し用電源、Ｖｇはリフレッシュ用電源であり、それぞれスイッチＳＷｓ，ＳＷｇを介して全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極に接続されている。スイッチＳＷｓはインバータを介して、スイッチＳＷｇは直接にリフレッシュ制御回路ＲＦに接続されている。
【００３０】
１画素は１個の光電変換素子と液晶表示素子、およびスイッチ素子である薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと記す）を有し、その信号入出力線は信号配線ＳＩＧにより検出用集積回路ＩＣと液晶ドライブ回路ＤＲに接続されている。
【００３１】
図３に示される画像入出力装置は一例として計９個の画素を有する例を示しており、これら画素は３つのブロックに分けられ、１ブロックあたり３画素の入出力が同時に制御可能にされている。図３においては１ブロック内の３画素を横方向に配置し、かつ３つのブロックを順に縦に配置することにより各画素を二次元的に配置している。
【００３２】
撮像中（画像入力中）は１ブロック中の３画素の出力を同時に転送し、信号配線ＳＩＧを通して検出用集積回路ＩＣによって順次出力に変換されＶｏｕｔに出力される。これを１ブロックから３ブロックまで繰り返し、二次元画像信号を得る。
【００３３】
画像表示中（画像出力中）は液晶ドライブ回路ＤＲによって第１ブロック３画素に対応する表示情報を電圧に変換し信号配線ＳＩＧを通して各画素に転送し、その電位を光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ１３に保持する。この表示電位により液晶表示素子Ｄ１１〜Ｄ１３の光の反射が制御され表示される。これを第１ブロックから第３ブロックまで繰り返し二次元画像を表示する。
【００３４】
図３中、破線で囲んだ部分は大面積の同一絶縁基板上に形成されているが、このうち第１画素に相当する部分の模式的平面図を図１（ａ）、図１（ａ）中、破線Ａ−Ｂで示した部分の模式的断面図を図１（ｂ）に示す。Ｓ１１は光電変換素子、Ｄ１１は液晶表示素子、Ｔ１１はＴＦＴ，ＳＩＧは信号配線およびｇ１は制御配線である。ここで各素子の形成方法について順に説明する。
【００３５】
まず、絶縁材料であるガラス基板１上にスパッタ等により下部電極層２として透明導電材ＩＴＯを約５００オングストローム堆積させ、その後フォトリソグラフィによりパターニングし不必要なエリアをエッチングする。これにより光電変換素子Ｓ１１の下部電極、ＴＦＴ・Ｔ１１のゲート電極、および制御配線ｇ１が形成される。
【００３６】
次に、ＣＶＤにより同一真空内でＳｉＮ層（７）／ｉ層（４）／ｎ層（５）の各層をそれぞれ約２０００Å／５０００Å／５００Å堆積する。これら各層は夫々順に光電変換素子Ｓ１１の絶縁層／光電変換半導体層／ホール注入阻止層、および夫々順にＴＦＴ・Ｔ１１のゲート絶縁膜／半導体層／オーミックコンタクト層となる。又、信号配線ＳＩＧと制御配線ｇ１との交差部のような配線のクロス部においては、これら３層が積層されて中間層となり、上下配線間の絶縁をはかっている。各層の厚さは上記厚さに限られず光電変換装置として使用する電圧、電流、電荷、入射光量等により最適に設計するのが好ましいが、少なくともＳｉＮは電子とホールが通過できず、また、ＴＦＴのゲート絶縁膜として機能ができる５００オングスロトーム以上が必要である。
【００３７】
尚、上記ＳｉＮ層はＳｉ（シリコン）とＮ（窒素）を含む絶縁性材料であり、好ましくは非晶質又は微結晶あるいはそれら両方を含む材料である。また、それらは化学量論的な比率で含有されていなくともよい。ｉ層は真性又は実質的に真性の半導体層でｎ層はｎ型導電型の半導体層である。これら半導体層は光導電性を有し、光電変換が行なえ、かつ、薄膜トランジスタ用半導体として使用できるものであればその材料に制限はないが、大面積基板への成膜容易性、低コスト、半導体特性を鑑みれば、水素又はハロゲン原子を含有する非単結晶シリコン、より好ましくは水素又はハロゲン原子を含有する非晶質シリコン及び／又は微結晶シリコン、が好ましい材料として挙げられる。
【００３８】
ｉ層は導電型を制御する不純物を含有しないか実質的に含有しない半導体材料であってよく、また、ｐ型導電型にし得る不純物とｎ型導電型にし得る不純物を両方含有する半導体材料であってよい。
【００３９】
ｎ型導電型の半導体層中には例えばＰ（リン）、Ａｓ（ヒ素）などの周期律表第Ｖ族に属する原子が好適に含有され、Ｐ型導電型の半導体層中にはたとえばＢ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などの周期律表第III 族に属する原子が好適に含有される。
【００４０】
各層堆積後、図示はしていないがコンタクトホールになるエリアをエッチングし、その後、上部メタル層６としてＡｌをスパッタ等で約１００００オングストローム堆積させる。さらにフォトリソグラフィによりパターニングし不必要なエリアをエッチングし光電変換素子Ｓ１１の上部電極、ＴＦＴ・Ｔ１１の主電極であるソース電極並びにドレイン電極、および信号配線ＳＩＧが形成される。このとき同時にコンタクトホールでは、下部配線と上部配線が接続される。
【００４１】
またさらにＴＦＴ・Ｔ１１のチャネル部のみｎ層をＲＩＥでエッチングし、その後不必要なＳｉＮ（層）（７）／ｉ層（４）／ｎ層（５）の各層をエッチングし各素子が分離される。これで光電変換素子Ｓ１１、ＴＦＴ・Ｔ１１、信号配線ＳＩＧ、制御配線ｇ１などが完成する。以上のように光電変換素子とＴＦＴは同一プロセスで共通の膜として同時に形成される。
【００４２】
その後、絶縁体である配向層８１、透明共通電極（対向電極）８３、および上部ガラス８４が形成され液晶が注入されて液晶層８２が形成されて液晶表示素子Ｄ１１が完成する。液晶表示素子Ｄ１１の個別電極は光電変換素子Ｓ１１の上部電極と共用されている。つまり、入力部の一部が（又は出力部の一部が）出力部の一部（入力部の一部）を構成している。図１（ａ）においてＤ１１の各層又は部材８１〜８４は省略している。
【００４３】
図１（ｂ）において実線で示したＬ１は画像情報光であり、レンズ系により得たい情報を結像したものや、原稿と上部ガラス８４を直接密着させた場合の原稿からの反射光を示している。画像表示をする場合には液晶表示素子の電極間の電位により液晶層８２の光学特性を変化させて入射光Ｌ２を反射光Ｌ３として反射させたり吸収や拡散させたりして表示を行なう。
【００４４】
ここで本実施例で使用している光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３の撮像中（入力中）の動作について説明する。図５（ａ）及び図５（ｂ）はそれぞれ本実施例のリフレッシュモードおよび光電変換モードの動作を示す光電変換素子の模式的エネルギバンド図で図１（ｂ）の各層の厚さ方向の状態を表している。２はＩＴＯで形成された下部電極（以下Ｇ電極と記す）である。７は電子、ホール共に通過を阻止するＳｉＮで形成された絶縁層であり、その厚さは少なくともトンネル効果により電子、ホールが移動できない程度の厚さである５００オングストローム以上に設定される。４は水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の真性半導体ｉ層で形成された光電変換半導体層、５は光電変換半導体層４にホールの注入を素子するａ−Ｓｉのｎ層の注入阻止層、６はＡｌで形成される上部電極（以下Ｄ電極と記す）である。撮像中において本光電変換素子にはＤ電極、Ｇ電極の電圧の印加の仕方によりリフレッシュモードと光電変換モードという２種類の動作がある。
【００４５】
リフレッシュモードの図５（ａ）において、Ｄ電極はＧ電極に対して負の電位が与えられており、ｉ層４中の黒丸で示されたホールは電界によりＤ電極に導かれる。同時に白丸で示された電子はｉ層４に注入される。このとき一部のホールと電子はｎ層５、ｉ層４において再結合して消滅する。十分に長い時間この状態が続けばｉ層４内のホールはｉ層４から掃き出される。
【００４６】
この状態から光電変換モードの図５（ｂ）にするにはＤ電極はＧ電極に対して正の電位を与える。するとｉ層４中の電子は瞬時にＤ電極に導かれる。しかしホールはｎ層５が注入阻止層として働くためｉ層４に導かれることはない。この状態でｉ層４内に光が入射すると、光は吸収され電子・ホール対が発生する。この電子は電界によりＤ電極に導かれ、ホールはｉ層４内を移動しｉ層４と絶縁層７の界面に達する。しかし、絶縁層７内には移動できないため、ｉ層４内に留まることになる。このとき電子はＤ電極に移動し、ホールはｉ層４内の絶縁層７界面に移動するため、素子内の電気的中性を保つため電流がＧ電極から電流が流れる。この電流は光により発生した電子・ホール対に対応するため、入射した光に比例する。ある期間光電変換モードの図５（ｂ）を保った後、再びリフレッシュモードの図５（ａ）の状態になると、ｉ層４に留まっていたホールは前述のようにＤ電極に導かれ、同時にこのホールに対応した電流が流れる。このホールの量は光電変換モード期間に入射した光の総量に対応する。この時ｉ層４内に注入される電子の量に対応した電流も流れるが、この量はおよそ一定なため差し引いて検出すればよい。つまり、本実施例においての光電変換素子はリアルタイムに入射する光の量を出力すると同時に、ある期間に入射した光の総量も出力することができる。このことは本実施例の光電変換素子の大きな特徴といえる。
【００４７】
しかしながら、何らかの理由により光電変換モードの期間が長くなったり、入射する光の照度が強い場合、光の入射があるにもかかわらず電流が流れないことがある。これは図５（ｃ）のように、ｉ層４内にホールが多数留まり、このホールのためｉ層４内の電界が小さくなり、発生した電子がＤ電極に導かれなくなりｉ層４内のホールと再結合してしまうからである。この場合、再びリフレッシュモードにすればｉ層４内のホールは掃き出され次の光電変換モードでは再び光に比例した電流が得られる。
【００４８】
また、前述の説明において、リフレッシュモードでｉ層４内のホールを掃き出す場合、全てのホールを掃き出すのが理想であるが、一部のホールを掃き出すだけでも効果はあり、前述と等しい電流が得られ、問題はない。つまり、次の光電変換モードでの検出機会において図５の（ｃ）の状態になっていなければよく、リフレッシュモードでのＤ電極のＧ電極に対する電位、リフレッシュモードの期間およびｎ層５の注入阻止層の特性を決めればよい。また、さらにリフレッシュモードにおいてｉ層４への電子の注入は必要条件でなく、Ｄ電極のＧ電極に対する電位は負に限定されるものでもない。ホールが多数ｉ層４に留まっている場合には例えＤ電極のＧ電極に対する電位が正の電位であってもｉ層内の電界はホールをＤ電極に導く方向に加わるからである。ｎ層５の注入阻止層の特性も同様に電子をｉ層４に注入できることが必要条件ではない。
【００４９】
次に本実施例で使用されている光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３の画像表示中（出力中）の動作について説明する。画像表示中にはｉ層４に光が入射してもｉ層４内の電荷が移動してはならない。もし移動すると表示のために保持していた電位が変化してしまうからである。これを満たすには図６（ａ）及び図６（ｂ）で示した図６（ａ）の電子充満モードと図６（ｂ）のホール充満モードがある。
【００５０】
電子充満モードの図６（ａ）において、Ｄ電極はＧ電極に対して負の電位が与えられており、これは先に説明した図５（ａ）のリフレッシュモードと同様の動作の後、充分に電子がｉ層４に注入されると電界は絶縁層７のみ加わり、ｉ層４には電子が自由に移動できるため電界が加わらなくなる。この状態が電子充満モードの図６（ａ）である。電子充満モードの図６（ａ）においてｉ層４に光が入射し、電子およびホールが発生してもｉ層４に電界が加わっていないため、ホールはほとんど移動できず、ｉ層４には電子が多数存在しているため、ホールはすぐ再結合して消滅してしまう。また、熱によって電子もしくはホールが発生しても同様である。つまり、光の入射や熱によっても各層内の電界は変化せず、電界は絶縁層７のみに加わり、絶縁層７のみの誘電膜で形成されたコンデンサと同じ特性を示す。
【００５１】
ホール充満モードの図６（ｂ）においてはＤ電極はＧ電極に対して正の電位が与えられており、これは先に説明した図５（ｂ）の光電変換モードと同様であり、ある期間は光に対応した電荷が移動し、各層の電界は変化する。しかし、その後は図５（ｃ）のように、ｉ層４内に光や熱により発生したホールが多数留まり、このホールのため最終的には電界が加わらなくなる。この状態がホール充満モードの図６（ｂ）である。ホール充満モードの図６（ｂ）においてｉ層４に光が入射し、電子およびホールが発生してもｉ層４に電界が加っていないため電子はほとんど移動できず、ｉ層４には多数ホールが存在しているため、電子はすぐ再結合して消滅してしまう。また、熱によって電子もしくはホールが発生しても同様である。つまり、光の入射や熱によっても各層内の電界は変化せず、電界は絶縁層７のみに加わり、絶縁層７のみの誘電膜で形成されたコンデンサとほぼ同じ特性を示す。
【００５２】
つまり図６（ａ）及び図６（ｂ）で示したように、本実施例による光電変換素子はＤ電極、Ｇ電極の電位によらず、絶縁層７のみの誘電膜で形成されたコンデンサとほぼ同じ特性が得られる。絶縁層７は光の入射や熱によっても安定したリーク電流のない特性を持つＳｉＮで形成されているため、画像表示中において表示電位は変化せず、良好な表示が行なえる。また、電子充満モードの図６（ａ）とホール充満モードの図６（ｂ）で異なる点は、電子充満モードの図６（ａ）は積極的にＤ電極から電子を注入しているため、瞬時に電界が安定するのに対し、ホール充満モードの図６（ｂ）ではある程度の時間がかかる。低速で動作させる場合は図６（ａ）及び図６（ｂ）のどちらのモードでも問題はないが、高速で動作させる場合は電子充満モードの図６（ａ）が有利であり好ましい。この場合、いかなる表示電位の場合にもＧ電極の電位がＤ電極の電位より高くなるように片側の電極の電位を制御すればよい。
【００５３】
このように本実施例における光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３は定期的にリフレッシュすれば入射した光に比例した光電流を出力する光センサとして動作し、画像表示中には良好なコンデンサとして表示電位を保持するように動作する。また電子充満モード中の動作はリフレッシュとしても働いているため画像表示中にリフレッシュ効果があり必ずしも積極的にリフレッシュしなくともよい。
【００５４】
次に図３と図７によって本実施例の固体撮像表示装置の撮像動作について説明する。図７は本実施例の動作の一例を示すタイミングチャートである。撮像中においては液晶ドライバＤＲ内のスイッチＳＷｄはＯＦＦしておく。
【００５５】
はじめにシフトレジスタＳＲ１およびＳＲ２により制御配線ｇ１〜ｇ３、ｓ１〜ｓ３にＨｉが印加される。すると転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３とスイッチＭ１〜Ｍ３がＯＮし導通し、全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＤ電極はＧＮＤ電位になる（積分検出器Ａｍｐの入力端子はＧＮＤ電位に設計されているため）。同時にリフレッシュ制御回路ＲＦがＨｉを出力しスイッチＳＷｇがＯＮし全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極はリフレッシュ用電源Ｖｇにより正電位になる。すると全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３はリフレッシュモードになりリフレッシュされる。つぎにリフレッシュ制御回路ＲＦがＬｏを出力しスイッチＳＷｓがＯＮし全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極は読み取り用電源Ｖｓにより負電位になる。すると全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３は光電変換モードになり初期化される。この状態でシフトレジスタＳＲ１およびＳＲ２により制御配線ｇ１〜ｇ３、ｓ１〜ｓ３にＬｏが印加される。すると転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ３３とスイッチＭ１〜Ｍ３がＯＦＦし、全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＤ電極はＤＣ的にはオープンになるがコンデンサ特性によって電位は保持される。この状態で一定読取り期間ｔの間、画像情報光が全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に入射される。すると光の入射があった光電変換素子は発生した電荷のため素子の電位は変化する。
【００５６】
つぎにシフトレジスタＳＲ１により制御配線ｇ１にＨｉの制御パルスが印加され、シフトレジスタＳＲ２の制御配線ｓ１〜ｓ３への制御パルス印加によって転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ１３、スイッチＭ１〜Ｍ３を通してｖ１〜ｖ３が順次出力される。同様にシフトレジスタＳＲ１，ＳＲ２の制御により他の光信号も順次出力される。これにより二次元の画像情報がｖ１〜ｖ９として得られる。静止画像の場合はここまでの動作であるが、動画情報を得る場合にはここまでの動作を繰り返す。
【００５７】
画像表示動作させる場合は、シフトレジスタＳＲ２の制御でスイッチＭ１〜Ｍ３をＯＦＦさせ、液晶ドライバＤＲ内のスイッチＳＷｄをＯＮする。またリフレッシュ制御回路ＲＦの出力をＨｉにし、スイッチＳＷｇをＯＮさせ、全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極に正の電位を与え、光電変換素子が電子充満モードで良好なコンデンサとして動作するよう制御する。その後、データ制御回路ＣＯＮＴにより各信号配線ＳＩＧに表示電位を出力させながら制御配線ｇ１〜ｇ３の制御パルスにより各画素の光電変換素子に表示電位を転送する。光電変換素子はこの電位を保持し、その間液晶表示素子が表示し続ける。この時液晶表示素子の共通電極はデータ制御回路ＣＯＮＴにより良好な表示特性が得られるよう制御する。
【００５８】
本実施例では９個の画素を３×３に二次元配置し、３画素ずつ同時に、３回に分割して撮像・表示を行ったが、これに限らず、例えば縦横１ｍｍあたり５×５の画素を２０００×２０００個の画素として二次元配置すれば４０ｃｍ×４０ｃｍの画像入出力装置ができる。例えばこれをコンピュータと組み合せ、ライトペンの出力を光学的に光電変換素子内に導く構成にすれば、画像を見ながらライトペンで動作を指示するＣＡＤシステムに応用できる。この場合ＣＲＴやデジタイザを用いたＣＡＤシステムよりはるかに小型軽量の使い勝手の良いシステムになる。
【００５９】
本実施例において光電変換素子と液晶表示素子を上下の位置関係に配置し、電極を共用し、製造プロセスを簡略化し、コストダウンを図っている。しかし、本発明はこの構成に限定するものではない。例えば光電変換素子と液晶表示素子とを左右の位置関係に配置してもよい。この場合においても電極の片側もしくは両側の層を同時に形成し、プロセスを簡略化することもできる。
【００６０】
また表示のための光出力を上側に、撮像のための光入射を下側からとしたが、これに限らず「表示・撮像共に上側もしくは下側」、「表示を下側・撮像を上側」に構成してもよい。この場合、構成に応じて透明電極材料、反射電極材料、拡散電極材料を使い分けて各電極を構成すればよい。
【００６１】
また表示素子として液晶を使用したものに限定するものではない。電極の電位により表示を行なう素子であれば本発明に適用可能である。また表示装置は反射型のみならず、透過型でもよい。
【００６２】
本発明の光電変換素子を利用したコンデンサは画像表示中（画像出力中）において光が入射しても良好なコンデンサ特性を得られるため、上記のような各種自由度が得られているのである。
【００６３】
また本実施例において撮像と表示を別々に説明したが、例えば交互に撮像、表示を繰り返せば、事実上、同時に動作させているのと同等であり、撮像・表示を同時に行なえる装置として汎用的に応用することができる。
【００６４】
図８（ａ）乃至図８（ｃ）は夫々本発明の別の実施例に係る、画像読み取り方法を説明するための画像入出力装置の全体の斜視図である。
【００６５】
図８（ａ）の本実施例の画像入出力装置１５０は、ディスプレイ部１０１を保護するカバー（以後、単に蓋ともいう）１０４のディスプレイ面に対向する面上に、白色の記録板１０２が配置されており、図にはその白色の記録板１０２の上に文字入力用ペン１０３を用いて文字を書いた状態が示されている。なお、記録板１０２は白色の記録板１０２に限らず、文字等の所望の情報が表示可能でイメージセンサ部で文字等の情報が読取り可能なものであればよい。
【００６６】
ここで本体１０５側に設けられたディスプレイ部１０１は、ディスプレイ機能とイメージセンサ機能を有する。
【００６７】
即ち、ディスプレイ部である画像出力部とイメージセンサ部である画像入力部の一部が共通化して構成されている。ここで、ディスプレイ部とイメージセンサ部の位置的な関係は特に限定されないが、たとえば上述した図１（ａ）及び図１（ｂ）に示されるような構成のものが好適に使用可能である。
【００６８】
本実施例では、ディスプレイ部は液晶ディスプレイを用いており、又イメージセンサはアモルファスシリコンを利用した光電変換素子を用いている。
【００６９】
ディスプレイ部１０１（イメージセンサ部でもある）の背面には原稿面を照射するＬＥＤなどの原稿読み取り用光源（不図示）が配置されている。
【００７０】
また、図中１０６は操作部であり、電源スイッチやキーボードなど必要に応じた操作系が配置される。加えて本体内には画像入出力装置で取扱う情報や該装置を動作させる情報を処理する情報処理部、各種情報などを記憶するメモリー、画像入出力装置を駆動するための電源などが内蔵されている。但し、電源は外部から電力を供給しても良く、装置の操作も装置外部からのコマンドによっても良く、これらは適宜変更・変形可能である。
【００７１】
本例においてはたとえばイメージセンサから読み取られる画像情報はメモリに格納され、その後情報処理部の画像処理部により画像処理が行われる。画像処理が行われた情報は、ディスプレイ部１０１に必要に応じて表示される、もしくはメモリ１０に格納された後液晶ディスプレイに表示される。
【００７２】
又、画像入出力装置の操作部１０６の操作によって、電源のＯＮ・ＯＦＦや画像読み取り、画像表示動作の実行あるいは画像表示の拡大を行う場合の倍率の設定を必要に応じて行なえる。
【００７３】
図８（ｂ）は、図８（ａ）の状態の後にディスプレイ部カバー１０４を、本体１０５上へ載せた状態即ち蓋をした状態である。
【００７４】
図８（ｂ）の状態の前に、たとえば操作部１０６にある［読み取り］キーが押されていると、図８（ｂ）の状態において記録板１０２に書かれている文字が、本体１０５側の光電変換素子に読み取られる。
【００７５】
図８（ｃ）は、図８（ｂ）の状態の後にディスプレイ部カバー１０４を、本体１０５側から離した状態、即ち蓋を開けた状態である。図８（ｃ）は、図８（ｂ）の状態において記録板１０２に書かれている文字を本体１０５側の光電変換素子によって読み取り、情報処理部により画像処理を行なって、該画像処理が行われた情報を本体１０５側内の液晶ディスプレイに表示された状態である。
【００７６】
次に本実施例の動作について図９のフローチャート及び図８の模式的斜視図を用いて更に説明を行う。
【００７７】
まず第一に、電源スイッチをＯＮさせ、記録板１０２の上に画像入力用ペン１０３を用いて読み取りを行いたい画像（文字）を書く。そして、操作部１０６にある［読み取り］キーを押す。そしてディスプレイ部カバー１０４を閉じることによって記録板１０２上の情報を読み取る（ステップ（ａ））。
【００７８】
読み取られた画像はメモリに記憶され（ステップ（ｂ））、同時に入力されたデータを左右反転する画像処理が行われる（ステップ（ｃ））。そしてディスプレイ部カバー４を開け、操作部１０６にある［表示］キーを押す。そこで、画像が液晶ディスプレイ（ディスプレイ部１０１）に表示される（ステップ（ｅ））。
【００７９】
その状態でたとえば操作部１０６にある［拡大］キーを一度押すと、再度ステップ（ｃ）及びステップ（ｅ）を行ない、液晶ディスプレイに表示されていた文字は例えば２倍の大きさになる。更に［拡大］キーをもう一度押すと再度ステップ（ｃ）及びステップ（ｅ）段階となり、表示されていた文字は元の文字の４倍の大きさになる。この画像処理は倍率の変化にとどまらず、画線強調、色変換、画像の部分置きかえ、画像の移動などでもよい。
【００８０】
その状態で操作部１０６にある［メモリ］キーを押すとステップ（ｄ）を行ない、元の４倍の大きさの文字がメモリに記憶され、必要に応じて液晶ディスプレイにメモリされた情報を表示することができる。メモリーは半導体を利用したＩＣが好ましいが、フロッピーディスクのような磁気記録媒体や光を利用した光ディスク、その他の記憶素子が適用できるのは云うまでもない。
【００８１】
このように本実施例においては、ディスプレイ部カバー１０４上の記録板１０２に手書きをした文字、絵又は図面のような画像を、ディスプレイ部カバー１０４の開け閉めにより、イメージセンサへ容易に入力することができる。
【００８２】
又、記録板１０２への画像入力は、ホワイトボード等を使用すれば一般に用いられるサインペンが使用できるため、簡単に書き換えができる。更にイメージセンサをカラー対応にすることにより、多色のサインペンを用いて、画像をカラーで入力することが可能となる。もちろん記録板１０２上に写真などの原稿を貼付すれば写真などの情報も入力可能である。
【００８３】
本発明の画像入出力装置は、本実施例に示したものに限定するものではない。つまり、同一面に２次元の画像入力部の画像入力用読み取り手段と２次元の画像出力部の画像出力用表示手段を配置し、前記読み取り手段により入力した画像の処理を行う画像処理手段を有し、前記２次元の画像入力用読み取り手段と２次元の画像出力用表示手段が配置される同一面を保護する為の蓋を有する画像入出力装置であって、前記２次元の画像入力用読み取り手段と２次元の画像出力用表示手段が配置される同一面に対向している前記保護用の蓋の片面に、白色の記録板等の表示記録板が配置されていてもよい。
【００８４】
又、蓋を有していなくとも図１５に示されるように、ディスプレイ部１０１を原稿１２０上に向けて対向させるようにしても良いことは明らかである。
【００８５】
２次元の画像入力用読み取り手段は、安価で大画面のものが作製できるアモルファスシリコンのイメージセンサのみならず、高速読み取りが可能となる微結晶シリコン及び多結晶シリコンイメージセンサや、光源に赤外線や紫外線を用いることにより検知可能となる赤外線センサや紫外線センサでもよい。
【００８６】
同様に２次元の画像出力用表示手段は、比較的安価で大画面のものが作製でき、光センサと同様な構成で必要な素子を形成できるので液晶ディスプレイとすることは好適であるが、液晶ディスプレイに限るものでなく、より高精細な表示が可能な平面ＣＲＴやより明るい表示が可能なプラズマディスプレイをも適用することはできる。
【００８７】
又、本実施例はプリンター等の記録手段を構成してはいないが、本発明の画像入出力装置にプリンター等の記録手段を構成することが容易に考えられることは言うまでもない。
【００８８】
図１０は本発明の更に別の実施例を示す画像入出力装置における画像入力部の概略的全体回路図、図１１（ａ）は本実施例中の１画素に相当する各構成素子の模式的平面図、および図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡＢ線での模式的断面図である。図１０においてＳ１１１〜Ｓ１３３は光電変換素子で下部電極側をＧ、上部電極側をＤで示している。Ｃ１１１〜Ｃ１３３は蓄積用コンデンサ、Ｔ１１１〜Ｔ１３３は転送用ＴＦＴである。Ｖｓは読み出し用電源、Ｖｇはリフレッシュ用電源であり、それぞれスイッチＳＷｓ，ＳＷｇを介して全光電変換素子Ｓ１１１〜Ｓ１３３のＧ電極に接続されている。スイッチＳＷｓはインバータを介して、スイッチＳＷｇは直接にリフレッシュ制御回路ＲＦに接続されており、リフレッシュ期間はスイッチＳＷｇがＯＮ、その他の期間はスイッチＳＷｓがＯＮするよう制御されている。１画素は１個の光電変換素子、コンデンサ、およびＴＦＴで構成され、その信号出力は信号配線ＳＩＧにより検出用集積回路ＩＣに接続されている。本実施例の光電変換装置は計９個の画素を３つのブロックに分け１ブロックあたり３画素の出力を同時に転送しこの信号配線を通して検出用集積回路によって順次出力に変換され出力される。また１ブロック内の３画素を横方向に配置し、３ブロックを順に縦に配置することにより各画素を２次元的に配置している。
【００８９】
図中破線で囲んだ部分は大面積の同一絶縁基板上に形成されているが、このうち第１画素に相当する部分の平面図を図１１（ａ）に示す。Ｓ１１１は光電変換素子、Ｔ１１１はＴＦＴ、Ｃ１１１はコンデンサ、ＳＩＧは信号配線である。本実施例においてはコンデンサＣ１１１と光電変換素子Ｓ１１１とは特別に素子を分離しておらず光電変換素子Ｓ１１１の電極の面積を大きくすることによりコンデンサＣ１１１を形成している。これは本実施例の光電変換素子とコンデンサが同じ層構成であるから可能で本実施例の特徴でもある。また図中破線Ａ−Ｂで示した部分の断面図を図１１（ｂ）に示す。また、画素上部にはパッシベーション用窒化シリコン膜ＳｉＮが形成されている。光電変換素子部の裏面側より原稿照射用光が原稿に照射され、その反射光が光電変換素子に入射される。図１１（ｂ）において、２はＣｒ等の下部電極、７はＳｉＯ，ＳｉＮ等の絶縁層、４はｉ型の光電変換半導体層、５はｎ型のホール注入阻止層、６は上部電極である。なお、本実施例で用いられる光電変換素子は図５（ａ）乃至図５（ｃ）で説明した光電変換素子と同じ動作原理によるものである。
【００９０】
次に図１０と図１２によって本実施例の光電変換装置の動作について説明する。図１２は本実施例の動作の一例を示すタイミングチャートである。
【００９１】
はじめにシフトレジスタＳＲ１およびＳＲ２により制御配線ｇ１１〜ｇ１３，ｓ１１〜ｓ１３にＨｉが印加される。すると転送用ＴＦＴ・Ｔ１１１〜Ｔ１３３とスイッチＭ１１〜Ｍ１３がＯＮし導通し、全光電変換素子Ｓ１１１〜Ｓ１３３のＤ電極はＧＮＤ電位になる（積分検出器Ａｍｐの入力端子はＧＮＤ電位に設計されているため）。同時にリフレッシュ制御回路ＲＦ1 がＨｉを出力しスイッチＳＷｇがＯＮし全光電変換素子Ｓ１１１〜Ｓ１３３のＧ電極はリフレッシュ用電源Ｖｇにより正電位になる。すると全光電変換素子Ｓ１１１〜Ｓ１３３はリフレッシュ動作になりリフレッシュされる。つぎにリフレッシュ制御回路ＲＦ1 がＬｏを出力しスイッチＳＷｓがＯＮし全光電変換素子Ｓ１１１〜Ｓ１３３のＧ電極は読み取り用電源Ｖｓにより負電位になる。すると全光電変換素子Ｓ１１１〜Ｓ１３３は光電変換動作になり同時にコンデンサＣ１１１〜Ｃ１３３は初期化される。この状態でシフトレジスタＳＲ１１およびＳＲ１２により制御配線ｇ１１〜ｇ１３，ｓ１１〜ｓ１３にＬｏが印加される。すると転送用ＴＦＴ・Ｔ１１１〜Ｔ１３３とスイッチＭ１１〜Ｍ１３がＯＦＦし、全光電変換素子Ｓ１１１〜Ｓ１３３のＤ電極はＤＣ的にはオープンになるがコンデンサＣ１１１〜Ｃ１３３によって電位は保持される。しかしこの時点では照射光は入射されていないため全光電変換素子Ｓ１１１〜Ｓ１３３には光を入射されず光電流は流れない。この状態で照射光がパルス的又は連続的に出射され原稿に照射されると、その反射光がそれぞれの光電変換素子Ｓ１１１〜Ｓ１３３に入射する。この光は原稿の画像の情報が含まれている。この光により流れた光電流は電荷としてそれぞれのコンデンサＣ１１１〜Ｃ１３３に蓄積され、入射光の照射終了後も保持される。つぎにシフトレジスタＳＲ１１により制御配線ｇ１１にＨｉの制御パルスが印加され、シフトレジスタＳＲ１２の制御配線ｓ１１〜ｓ１３への制御パルス印加によって転送用ＴＦＴ・Ｔ１１１〜Ｔ１１３、スイッチＭ１１〜Ｍ１３を通してｖ１１〜ｖ１３が順次出力される。同様にシフトレジスタＳＲ１１，ＳＲ１２の制御により他の光信号も出力される。これにより原稿上の２次元情報がｖ１１〜ｖ１９として得られる。静止画像を得る場合はここまでの動作であるが動画像を得る場合はここまでの動作を繰り返す。
【００９２】
本実施例では光電変換素子のＧ電極が共通に接続され、この共通の配線を、スイッチＳＷｓとスイッチＳＷｇを介してリフレッシュ用電源Ｖｇと読み取り用電源Ｖｓの電位に制御しているため、全光電変換素子を同時にリフレッシュ動作と光電変換動作に切り換えることができる。このため、複雑な制御をすることがなく、１画素あたり１個のＴＦＴで光出力を得ることができる。
【００９３】
本実施例では９個の画素を３×３に２次元配置し３画素ずつ同時に、３回に分割して転送・出力したがこれに限らず、例えば縦横１ｍｍあたり５×５個の画素を２０００×２０００個の画素を２次元的に配置すれば４０ｃｍ×４０ｃｍの画像入力部が得られる。
【００９４】
図１３、図１４に２０００×２０００個の画素を持つ画像入出力装置の実装の一例を示す概念図を示す。たとえば２０００×２０００個の画素を有する画像入出力装置を構成する場合、図１０に示した破線内の素子を縦横に数を増やせばよいが、この場合、制御配線もｇ１１〜ｇ１２０００と２０００本になり、信号配線ＳＩＧもｓｉｇ１１〜ｓｉｇ１２０００と２０００本になる。又、シフトレジスタＳＲ１１や検出用集積回路ＩＣも２０００本の制御及び処理をしなければならず大規模となる。これをそれぞれ１チップの素子で行うことは、１チップの規模が非常に大きくなり製造時の歩留りやコストで不利になる。そこで、シフトレジスタＳＲ１１は、例えば１００段毎に１個のチップに形成し、２０個（ＳＲ１１−１〜ＳＲ１１−２０）を使用すればよい。又、検出用集積回路も１００個の処理回路毎に１個のチップに形成し、２０個（ＩＣ１〜ＩＣ２０）を使用する。
【００９５】
図１３では、左側（Ｌ）に２０チップ（ＳＲ１１−１〜ＳＲ１１−２０）と下側（Ｄ）に２０チップ実装し、１チップあたり１００本の制御配線と信号配線を各々ワイヤーボンディングでチップと接続している。図１３中破線部は図１０の破線部に相当する。又、外部への接続は省略している。又、ＳＷｇ，ＳＷｓ，Ｖｇ，Ｖｓ，ＲＦ等も省略している。検出集積回路ＩＣ１〜ＩＣ２０からは２０本の出力（Ｖｏｕｔ）があるが、これらはスイッチ等を介して１本にまとめたり、２０本をそのまま出力して並列処理すればよい。
【００９６】
図１４では更に別の実施例を示す。ここでは左側（Ｌ）に１０チップ（ＳＲ１１−１〜ＳＲ１１−１０）、右側（Ｒ）に１０チップ（ＳＲ１１−１１〜ＳＲ１１−２０）、上側（Ｕ）に１０チップ（ＩＣ１〜１０）、下側（Ｄ）に１０チップ（ＩＣ１１〜２０）を実装している。この構成は上下左右側（Ｕ，Ｄ，Ｌ，Ｒ）にそれぞれ各配線を１０００本ずつに振り分けているため、更に各辺の配線の密度が小さくなり、又、各辺におけるワイヤーボンディングの密度も小さくなり歩留りが一層向上する。配線の振り分けは、左側（Ｌ）にｇ１１，ｇ１３，ｇ１５，…，ｇ１１９９９、右側（Ｒ）にｇ１２，ｇ１４，ｇ１６，…，ｇ１２０００とする。つまり、奇数番目の制御線を左側（Ｌ）に、偶数番目の制御線を右側（Ｒ）に振り分ける。こうすることにより、各配線は等間隔に引き出され配線されるので、密度の集中がなく歩留りが向上する。又、上側（Ｕ）及び下側（Ｄ）への配線も同様に奇数番目と偶数番目で振り分ければよい。又、図示してはいないが更に他の実施例として、配線の振り分けは左側（Ｌ）にｇ１１〜ｇ１１００，ｇ１２０１〜ｇ１３００，…，ｇ１１８０１〜ｇ１１９００、右側（Ｒ）にｇ１１０１〜ｇ１２００、ｇ１３０１〜Ｇ１４００，…，１１９０１〜ｇ１２０００とする方法がある。つまり、１チップ毎に連続な制御線を振り分け、これを左右側（Ｌ，Ｒ）交互に振り分ける。こうすることにより、１チップ内は連続的に制御可能となり、装置の駆動タイミングが更に容易にとれるようになり、回路を複雑にする必要がないのでより安価なＩＣチップが使用可能になる。又、上側（Ｕ）及び下側（Ｄ）への配線も同様に１チップ毎に連続に振り分ければよく、連続な処理が可能となり安価な回路を使用することができる。
【００９７】
又、図１３、図１４ともに、１枚の基板上に破線部の回路を形成した後、その基板上にチップを実装してもよいし、別の大きな基板上に破線部の回路基板とチップを実装してもよい。又、チップをフレキシブル基板上に実装して、破線部の回路基板に張り付け接線してもよい。
【００９８】
またこのような非常に多くの画素をもつ大面積の画像入力部を複雑な工程を経て形成される光センサを利用して作製することは難しかったが、本発明の画像入力部の作製工程は各素子を共通な膜を利用しているので、各素子に同時に形成することができるため工程数が少なく、簡易的な工程で済み、よって高歩留まりが可能で低コストで大面積・高性能の画像入力部の生産を可能としている。また、コンデンサと光電変換素子とを同じ素子内で構成でき、実質上素子を半減することが可能でさらに歩留まりを向上できる。
【００９９】
以上の説明から明らかなように、本発明の光電変換素子は実施例で示したものに限定するものではない。つまり第一の電極層、ホールおよび電子の移動を阻止する絶縁層、光電変換半導体層、第二の電極層があり、第二の電極層と光電変換半導体層との間に光電変換半導体層へのホールの注入を阻止する注入阻止層があればよく、たとえば半導体と電極の仕事関数の差からできるショットキー・バリア層でもよい。また、以上説明において、ホールと電子とを逆にし構成してもよい。たとえば注入阻止層はｐ層でもよい。この場合、電圧や電界の印加を逆にし、他の構成部を構成すれば同様の動作となる。さらに光電変換半導体層は光が入射して電子、ホール対を発生する光電変換機能をもっていればよい。層構成も一層でなく多層で構成していてもよく、また連続的に特性が変化していてもよい。
【０１００】
同様にＴＦＴにおいてもゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル形成が可能な半導体層、オーミックコンタクト層、主電極があればよい。たとえばオーミックコンタクト層はｐ層でもよく、この場合ゲート電極の制御の電圧を逆にしてホールをキャリアとして使用すればよい。
【０１０１】
またさらに絶縁基板も全て絶縁物である必要はなく、導体もしくは半導体上に絶縁物が堆積されたものでもよい。堆積順も逆でもよい。
【０１０２】
また同様にコンデンサにおいても下部電極、絶縁層を含んだ中間層、および上部電極があればよく、たとえば光電変換素子やＴＦＴと特別分離しなくとも各素子の電極部と兼用した構成でも良い。
【０１０３】
また光電変換素子そのものに電荷を蓄える機能もあるため特別なコンデンサ無しでもある一定期間の光情報の積分値を得ることもできる。
【０１０４】
もちろん、本発明は上記説明に限定されるものではなく、本発明の主旨の範囲内で適宜変形等可能であることはいうまでもない。
【０１０５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、画像表示中に光電変換素子に光が入射しても良好なコンデンサ特性を保ち、保持電位が変化せず、表示画像が乱れないため、遮光のための複雑な構造にする必要もなく、設計の自由度が高く、良好な表示特性と良好な撮像特性を持つ、低コストで生産の安易な固体撮像表示装置を提供することができる効果がある。
【０１０６】
また本発明の固体撮像表示装置内の光電変換素子は注入阻止層が１カ所のみで光の入射量を検出することができ、プロセスの最適化が容易かつ、歩留まりの向上かつ、製造コストの低減が可能で、ＳＮ比の高い低コストの光電変換装置を作成することができる。また、第一の電極層／絶縁層／光電変換半導体層においてトンネル効果や、ショットキーバリアを利用していないため、電極材料は自由に選択でき、絶縁層の厚さやその他の制御も自由度が高い。また同時に形成する薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチ素子及び／又は容量素子とはマッチングが良く、同一膜構成のため共通な膜として同時に形成可能でかつ光電変換素子、ＴＦＴ共に重量な膜構成は同一真空内で同時に形成可能でありさらに光電変換装置を高ＳＮ化、低コスト化することができる。
【０１０７】
また、本発明の画像入出力装置を、同一面に２次元の画像入力部と２次元の画像出力部の機能を有する装置を配置し、前記画像入力部から入力した画像信号の処理を行う画像処理部を有し、前記２次元の画像入力部と２次元の画像出力部が配置される同一面を保護する為の蓋を備え、前記２次元の画像入力部と２次元の画像出力部が配置される面に対向している前記保護用の蓋の片面に、白色等の記録板等の表示板を配置することで、装置全体をより一層小型化且つ低コスト化できる。
【０１０８】
また、画像入力面の蓋の片面に、記録板等を配置することで、画像入力面に蓋をする動作を行うことにより、記録板等に記載された文字等が自動的に読み取られ、読み取った画像情報をリアルタイムで画像出力面に表示することが可能となり使い勝手が向上する。
【０１０９】
又、２次元の画像入力部と２次元の画像出力部を、カラー画像対応にすることにより、記録板等に書かれたカラー画像を、そのまま画像出力面に表示することが可能となり、高性能な画像入出力装置を実現することができる。
【０１１０】
又、以上の説明から明らかなように光電変換素子とＴＦＴを同一の工程において同時に作製することが可能であるので、画像表示用の液晶ディスプレイを駆動するＴＦＴを光電変換素子と同一の基板上に構成することが可能となる。その為、画像入出力装置全体を更に低コスト化することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の画像入出力装置の画像入力部及び画像出力部の一部を説明するための好適な一つの模式的平面図、（ｂ）は本発明の画像入出力装置の好適な一つの模式的断面図である。
【図２】座標入力式画像入出力装置の一例を説明するための概略的斜視図である。
【図３】本発明の画像入出力装置の好適な一つの概略的回路図である。
【図４】（ａ）は画像入出力装置の一例を説明するための概略的等価回路図、（ｂ）は（ａ）の光電変換素子を説明するための模式的断面図である。
【図５】（ａ）乃至（ｃ）は本発明の画像入力部の素子の模式的エネルギーバンド図である。
【図６】（ａ）乃至（ｂ）は本発明の画像入力部の素子の模式的エネルギーバンド図である。
【図７】本発明の画像入出力装置の駆動を説明するための好適な一つのタイミングチャートである。
【図８】（ａ）乃至（ｃ）は本発明の好適な一つの画像入出力装置を説明するための模式的斜視図である。
【図９】本発明の画像入出力装置の動作の一例を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の画像入出力装置の好適な一つの概略的回路図である。
【図１１】（ａ）は本発明の画像入出力装置の画像入力部及び画像出力部の一部を説明するための好適な一つの模式的平面図、（ｂ）は本発明の画像入出力装置の好適な一つの模式的断面図である。
【図１２】本発明の画像入出力装置の駆動を説明するための好適な一つのタイミングチャートである。
【図１３】本発明の画像入出力装置の全体構成の好適な一例を説明するための模式的平面図である。
【図１４】本発明の画像入出力装置の全体構成の好適な一例を説明するための模式的平面図である。
【図１５】本発明の画像入出力装置を説明するための模式的斜視図である。
【符号の説明】
Ｓ１１  光電変換素子
Ｄ１１  液晶表示素子
Ｔ１１  ＴＦＴ
ＳＩＧ  信号配線
ｇ１  制御配線
１  ガラス基板
２  下部電極層
４  ｉ層
５  ｎ層
６  上部メタル層
７  ＳｉＮ層
８１  配向層
８２  液晶層
８３  透明共通電極（対向電極）
８４  上部ガラス
Ｌ２  入射光
Ｌ３  反射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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