(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射するエネルギー線を２次電子放出により増倍して出力する電子増倍管であって、
入射するエネルギー線を複数段のダイノードによってカスケード増倍する電子増倍部と、
前記電子増倍部を支持する基台と、
前記電子増倍部を構成する各段のダイノードに所定の電位差を与えるべく、入力される電圧を分割する抵抗器とを備えており、
前記抵抗器は、
複数の挿入孔が形成された平板状の絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方の面上に形成された抵抗パターンと、
前記絶縁基板の前記一方の面上に形成され、一端が前記抵抗パターンに接続され、他端が前記挿入孔に至る複数の導体パターンと、
一端が前記挿入孔内に挿入されかつ前記導体パターンと電気的に接続され、他端側が所定部位に接続すべき接続端となる導電線材とを備え、
前記抵抗パターンは、隣り合う前記導体パターンの間に形成され、この間に所定の抵抗値を与えており、
前記導電線材の前記他端側は、それぞれ対応する前記ダイノードに対して電気的に接続されてなる
ことを特徴とする電子増倍管。
【請求項２】
前記複数段のダイノードが積層されていることを特徴とする請求項１記載の電子増倍管。
【請求項３】
前記電子増倍部におけるエネルギー線の入射部には、このエネルギー線の入射方向に沿って配列された２枚のメッシュ電極を備えることを特徴とする請求項２記載の電子増倍管。
【請求項４】
前記電子増倍管は、前記電子増倍部の周囲に配置され前記ダイノードの積層方向に沿って延びる導電性を有する複数の接続ピンを更に備えており、
前記各接続ピンの一端部は、対応する前記ダイノードに接続され、前記各接続ピンの他端部は、前記抵抗器の前記導電線材のうちの対応するものに接続されている、
ことを特徴とする請求項２記載の電子増倍管。
【請求項５】
前記抵抗器は、前記ダイノードに対して前記基台の裏面側に配設されており、
前記接続ピンは、その他端部が前記基台を貫通して前記基台の裏面側に突出している、
ことを特徴とする請求項４記載の電子増倍管。
【請求項６】
エネルギー線を入射する開口を有する面に垂直な側面部に前記抵抗器が設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子増倍管。
【請求項７】
前記ダイノードは、前記抵抗器の前記導電線材のうちの対応するものに電気的に接続される突起片を有していることを特徴とする請求項６記載の電子増倍管。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、主に電子増倍管に使用される抵抗器、及びその抵抗器を備えた電子増倍管に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、電子、イオン、荷電粒子、真空紫外線、軟Ｘ線等のエネルギー線を検出する装置として電子増倍管が知られている。
【０００３】
図１５（ａ）、（ｂ）に電子増倍管の一例を示す。電子増倍管は、電子等のエネルギー線を、積層したダイノードＤＹに衝突させ、そこで２次電子を増倍しつつ放出させ、その２次電子を最終的に収集電極（陽極）で捕らえられて検出するものであり、エネルギー線検出の際には、真空雰囲気中に配設される。
【０００４】
この電子増倍管ではダイノードＤＹがボックスタイプで構成されており、抵抗Ｒの両端から延びるリード線ＬをダイノードＤＹの支持枠１００に合うよう切断した後曲げられ、支持枠１００の適所に各リード線Ｌが溶接されている。この抵抗Ｒはダイノードの段数分だけ備えられており、与えられる電圧を分割し、各ダイノードＤＹに所定の電位差を与えている。
【０００５】
図１６に、ボックス３段とライン１３段のダイノードが用いられた電子増倍管を示す。この場合、セラミック基板（セラミックインシュレーター）１０１がダイノードＤＹを両側から支えている。このセラミック基板１０１の縁部には、一定の間隔で複数本の切り込み１０２を形成しており、各抵抗Ｒのリード線Ｌを対応する切り込み１０２に挿入することで、所定の位置に配設している。挿入されたリード線Ｌは折り曲げて、その先端を対応する各ダイノードＤＹの突起片ＤＹｃの先端に溶接している。このようにして、各抵抗Ｒを対応するダイノードＤＹに接続するとともに、その保持・固定を行なっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の電子増倍管では、抵抗Ｒを積層された各ダイノードＤＹに沿って配設する構造が採用されており、電子増倍管を小型化する上で支障となっていた。また、抵抗Ｒを各々のダイノードＤＹに電気溶接していたが、この作業に時間が掛かり作業性が悪かった。さらに、電子増倍管は超高真空下でも使用できることが望ましく、かつ測定雰囲気に対する影響を考慮すると、電圧分割用の抵抗は、超高真空下でガス放出が少なく、しかも４００度のベーキングにも安定でなくてはならない。このため、抵抗ＲとダイノードＤＹとの接続に、ハンダを用いることはできない。
【０００７】
また、薄く形成したダイノードを多段に積層させた、いわゆる積層ダイノードには、上述した各段のダイノードに沿って抵抗Ｒを配置する構造は採用できないなど、実用性に欠ける欠点があった。
【０００８】
本発明は、このような課題を解決すべくなされたものであり、その目的は、設置スペースを極力抑え、かつ、取り扱いが容易であり、取り付け時にも作業性の良い抵抗器、及びその抵抗器を備えた電子増倍管を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる電子増倍管は、入射するエネルギー線を２次電子放出により増倍して出力する電子増倍管であって、(1) 入射するエネルギー線を複数段のダイノードによってカスケード増倍する電子増倍部と、(2) 電子増倍部を支持する基台と、(3) 電子増倍部を構成する各段のダイノードに所定の電位差を与えるべく、入力される電圧を分割する抵抗器とを備えている。また、この抵抗器は、(a) 複数の挿入孔が形成された平板状の絶縁基板と、(b) 絶縁基板の一方の面上に形成された抵抗パターンと、(c) 絶縁基板の一方の面上に形成され、一端が抵抗パターンに接続され、他端が挿入孔に至る複数の導体パターンと、(d) 一端が挿入孔内に挿入されかつ導体パターンと電気的に接続され、他端側が所定部位に接続すべき接続端となる導電線材とを備えている。そして、抵抗パターンは、隣り合う導体パターンの間に形成され、この間に所定の抵抗値を与えており、導電線材の他端側は、それぞれ対応するダイノードに対して電気的に接続されてなる。
【００１０】
なお、導電線材は、リード線、ワイヤーなどの線状の導電材の他、板状或いはリボン状の導電材なども含む。
【００１１】
本発明に係る電子増倍管において、複数段のダイノードが積層されているのが好適である。また、電子増倍部におけるエネルギー線の入射部には、このエネルギー線の入射方向に沿って配列された２枚のメッシュ電極を備えるのも好適である。電子増倍管は、電子増倍部の周囲に配置されダイノードの積層方向に沿って延びる導電性を有する複数の接続ピンを更に備えており、各接続ピンの一端部は、対応するダイノードに接続され、各接続ピンの他端部は、抵抗器の導電線材のうちの対応するものに接続されているのも好適である。さらに、抵抗器は、ダイノードに対して基台の裏面側に配設されており、接続ピンは、その他端部が基台を貫通して基台の裏面側に突出しているのも好適である。
【００１２】
また、本発明に係る電子増倍管において、エネルギー線を入射する開口を有する面に垂直な側面部に抵抗器が設けられているのが好適である。さらに、ダイノードは、抵抗器の導電線材のうちの対応するものに電気的に接続される突起片を有しているのも好適である。
【００１６】
【作用】
本発明の抵抗器及び電子増倍管では、絶縁基板の表面において、抵抗パターンを介在させて、複数の導体パターンが接続されるため、一連の抵抗パターンと導体パターンとによって、電子増倍部を構成する各ダイノードに対する電圧分割回路を形成することができる。
【００１７】
【実施例】
以下、本発明の実施例を添付図面を参照して説明する。
【００１８】
図１〜３に本実施例にかかる抵抗器を示す。この抵抗器１０は、後述する電子増倍管（図５）用に作られたものであり、入力された電圧を分割して、２０段のダイノードＤｙ１〜Ｄｙ２０に所定の電位差を与える電圧分割回路を構成している。
【００１９】
抵抗器１０は、厚さ０．５ｍｍのセラミック基板１１の両面に、与えられる電圧を分割するための抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１を備えている。なお、以下、説明の便宜上、図１で示す面をセラミック基板１１のおもて面１１ａと称し、図２で示す面をうら面１１ｂと称す。
【００２０】
セラミック基板１１のおもて面１１ａやうら面１１ｂの抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１には、金属導体Ｕの一端部が接続されており、各抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１は、図示するように、隣設する金属導体Ｕの一端部間に形成された状態となっている。
【００２１】
また、各金属導体Ｕの他端は、セラミック基板１１の外縁部に一定の間隔で形成した挿入孔１２に到達している。この挿入孔１２は、セラミック基板１１のおもて面１１ａから裏面１１ｂに亘って貫通しており、この内部にリード線Ｌの端部が挿入されている。そして、この挿入孔１２内に充填された導電性の充填材  （導電ペースト）１３によって、金属導体Ｕとリード線Ｌとは電気的に接続されている。このようにして、セラミック基板１１のおもて面１１ａ、うら面１１ｂに形成した抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１を、各金属導体Ｕで接続することで、図４に示す電圧分割回路を形成している。
【００２２】
この抵抗器１０では、抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１の幅や長さを規定することで、各金属導体Ｕの間に所定の抵抗値を与えている。それぞれの抵抗値としては、Ｒ１が０．５Ｍオーム、Ｒ２〜Ｒ２０が１Ｍオーム、Ｒ２１が０．５Ｍオームとなっている。各抵抗膜体の抵抗値は、電子増倍管における各ダイノードの２次電子収集効率及び電子増倍管の出力直線性が最適の電圧配分となるように規定されている。
【００２３】
なお、リード線Ｌは、セラミック基板１１のおもて面１１ａ側のみに設けられており、これによって、このリード線をダイノード等に溶接する際の溶接作業を容易に行なうことができる。
【００２４】
また、これら抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１、金属導体Ｕを覆うように、セラミック基板１１のおもて面１１ａ及裏面１１ｂに、カバーガラス１４が設けられ、この部位を保護している。このカバーガラス１４は、挿入孔１２を残し、その内側に位置する抵抗パターン等を覆うように設けている。その外側に位置する挿入孔１２の形成部位には、この中に挿入されたリード線Ｌの端部を覆うように、低融点ガラス材料よりなるカバーガラス１５が形成されており、この部位を保護している。
【００２５】
ここで、このように構成される抵抗器の製造方法について説明する。
【００２６】
まず、セラミック基板１１の所定位置に挿入孔１２となる貫通穴を形成する。次いで、セラミック基板１１のおもて面１１ａ、うら面１１ｂに対して、金属導体Ｕの材料をスクリーン印刷して、所定の位置に配線パターンを形成する。この際、配線パターンの端部が、形成した貫通孔（挿入孔１２）の内面に至るまで形成しておく。そして、このパターンを乾燥させた後に焼成し、金属導体Ｕを形成する。
【００２７】
次に、抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１の材料をスクリーン印刷して、形成した金属導体Ｕに一部が接するような状態で、所定の位置に抵抗膜体のパターンを形成する。次いで、このパターンを乾燥させた後に焼成し、抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１を形成する。
【００２８】
次に、先に形成した挿入孔１２の付近を残して、形成した金属導体Ｕ及び抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１を覆うように、低融点ガラスとしてのペースト状のガラス材料をスクリーン印刷によりパターン形成する。その後、焼成することでカバーガラス１４を形成する。
【００２９】
この段階で、各リード線Ｌ間の抵抗値をモニターしつつ、先に形成した抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１の抵抗値をレーザートリミングを行なって調整する。
抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１の抵抗値を調整した後、セラミック基板１１に形成した挿入孔１２内に、リード線Ｌを挿入する。この際、リード線Ｌの挿入端部に導電ペーストを塗付した状態で、直径０．１８ｍｍの金属性のリード線Ｌを挿入孔１２内に挿入する。次いで、挿入したリード線Ｌと挿入孔１２との隙間に、この導電ペーストを再び充填した後、この導電ペースト１３を焼成する。この工程により、導電ペースト１３を介してリード線Ｌが金属導体Ｕと電気的に接続され、かつ、挿入孔１２内にリード線Ｌが固定された状態となる。この結果、４００℃のベーキングにおいてもリード線Ｌは金属導体Ｕと良好なコンタクトを保つようにしっかりと固定される。
【００３０】
次に、露出された状態となっている、リード線Ｌの挿入端部が覆われるように、低融点ガラスとしてのペースト状のガラス材料を帯状に塗付する（図１の参照番号１５）。この後、焼成することで、カバーガラス１５を形成する。
【００３１】
以上のような工程で抵抗器が製造される。なお、説明した工程順に限定されるものではなく、例えば、抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１の形成工程を実施した後に、金属導体Ｕを形成することも可能である。また、抵抗膜体Ｒ１〜Ｒ２１の抵抗値を調整する工程は、カバーガラス１４を形成した後であれば、いつでも実施することができる。
【００３２】
このようにして製造された抵抗器１０は、この抵抗器１０から延びるリード線Ｌをダイノードに対して電気溶接することで結線できるため、非常に容易である。また、この抵抗器を電子増倍管に備えた場合、電子増倍管は１０Ｅ（−５）Ｐａ（パスカル）より低い超高真空下や数百度の高温下で使われることがあるが、電子増倍管にマウントされた抵抗器１０は、ガス放出が非常に低く超高真空下や高温下の使用に十分耐え得る。
【００３３】
次に、このような抵抗器１０を備えた電子増倍管を示す（図５、図６（ａ）、（ｂ））。
【００３４】
この電子増倍管は、円筒型の金属ケース２１内に、一次イオンを捕らえて増倍する２０段の積層型のダイノードＤＹ１〜ＤＹ２０（図７参照）、最終段のダイノードＤＹ２０から放出された電子を捕らえる収集電極（陽極）Ａなどを備えている。また、第１段のダイノードＤＹ１のエネルギー線入射方向には、２枚のメッシュ電極Ｇ１、Ｇ２（図８（ａ）、（ｂ））が配置されている。入射イオンはこのメッシュ電極Ｇ１、Ｇ２が作る電界により第１段のダイノードＤＹ１の最適位置に導かれる。
【００３５】
また、これらダイノードＤＹ１〜ＤＹ２０、メッシュ電極Ｇ１、Ｇ２にはその外縁部に突起片２４が設けられている。これに対し、ダイノードＤＹ１〜ＤＹ２０、メッシュ電極Ｇ１、Ｇ２等を囲むように、ステム２２を貫通する導電性の多数のステムピン２３が配置されており、各突起片２４は、対応するステムピン２３と接続されている。
【００３６】
ステム２２と最終段のダイノードＤＹ２０と間には、セラミック板２５が挟まれダイノードＤＹ及びメッシュＧ１・Ｇ２が接触しないように平行度を出している。
【００３７】
一方、ステム２２の裏面側には、この裏面に沿って前述した抵抗器１０が配設されており、抵抗器１０から延びるリード線Ｌは、対応するステムピン２３に溶接して接続されている。このようにして、抵抗器１０で分割された電圧は、ステムピン２３を介して、所定のダイノードＤＹに印加される。
【００３８】
ステムピン２３のうち、陽極Ａ、第１段のダイノードＤＹ１、第２段のダイノードＤＹ２及び最終段のダイノードＤＹ２０には、それぞれ、ハーメチック端子（２６、２７、２８、２９）に接続されている。ハーメチック端子は高圧用（参照番号２６、２７）、低圧用（参照番号２８、２９）の２種類が用いられている。そのうち高圧用のハーメチック端子は、第１段のダイノードＤＹ１及び第２段のダイノードＤＹ２に接続されており、低圧用のハーメチック端子２９の１つは最終段ダイノードＤＹ２０に接続され、それぞれ抵抗器１０の所定のリード線Ｌに接続されている。もう１本の低圧用のハーメチック端子２８は、陽極Ａから延びるステムピン２３に接続している。
【００３９】
これらハーメチック端子（２６、２７、２８、２９）は、長方形状の金属性の台座３０に取り付けられている。この台座３０のコーナー部には、穴３０ａが形成されており、電子増倍管を、真空雰囲気を形成するための真空装置等（図示しない）に取り付けるためのものである。
【００４０】
前述した金属ケース２１は、この台座３０に溶接され、又この金属ケース２１には、上端を閉じる上面部分３１が付けられている。
【００４１】
また、この上面部分３１とメッシュ電極Ｇ１の間には、セラミック板から形成されたインシュレーター３２が配置されている。
【００４２】
電子増倍管をコンパクトにするためには積層ダイノードの使用が最適であるが、入射イオンを検出する場合、イオンが第１段のダイノードＤＹ１の最適な場所に入射するとは限らず、ダイノードの枠の部分に当たり増倍に寄与しない入射イオンも存在する。そこで、イオン入射部にメッシュ電極Ｇ１を設け、このメッシュ電極Ｇ１に適当なプラス高圧電位（この場合ＤＹ１０に接続されＤＹ１０と同電位になっている。）を与えることにより、イオンを最適位置に集束することができ、ＳＮ比が改善される。
【００４３】
プラスイオン検出の場合、メッシュ電極Ｇ１はダイノードＤＹ１０と内部で接続され、ダイノードＤＹ１０と同電位とする。マイナスイオンまたは電子を検出する場合には、このメッシュ電極Ｇ１は、ダイノードＤＹ１よりマイナスの電位に保つ。また、その下段に位置するもう一方のメッシュ電極Ｇ２は、これは第１段のダイノードＤＹ１で発生した２次電子を効率よく第２段のダイノードＤＹ２へ導くためのものである。
【００４４】
このような電子増倍管は、リード線Ｌが付された抵抗器１０を用いているため、従来のように抵抗素子を個々に取り付ける場合に比べ、コンパクトな構造となり、さらに他の電極とのコンタクトが容易なため作業時間の短縮・部品点数の削減が可能となる。
【００４５】
ここで、他の実施例について説明する。
図９（ａ）〜（ｃ）に抵抗器を備えた電子増倍管の他の実施例を示す。この電子増倍管は、ラインフォーカス型のダイノードを備えており、上部の入射開口５７から入射するエネルギー線を増倍して出力する。なお、底面部からは、ハーメッチック端子５８が突出している。この電子増倍管も前述したものと同様な抵抗器５０を備えているが、この例では、ダイノードを収容するハウジングの一つの側面を構成するように抵抗器５０を配設しており、他の３つの側面には、セラミック基板５１’が設けられている。
【００４６】
図１０に抵抗器５０のみを取り出して示す。この抵抗器５０も、前述の実施例と同じ方法で製造されるものであり、セラミック基板５１上に抵抗膜体Ｒを備えており、この各抵抗膜体Ｒを挟んだ両側には、この抵抗膜体Ｒと接続された金属導体Ｕが形成されている。金属導体Ｕの他端側は、挿入孔５２まで延びており、この挿入孔５２内にはリード線Ｌの一端が挿入され、導電ペースト（図示せず）によって接続されている。このリード線Ｌの他端は、セラミック基板５１のスリットから突出した突起片２４に対して、電気溶接によって接続されている。なお、突起片２４は、メッシュ電極、各段のダイノード、陽極などの部材から突出したもので、このスリットも抵抗器５０とその対向側に位置するセラミック基板５１’とに形成されており、各突起片２４を対応するスリットに挿入することで、ダイノード等は抵抗器５０及びセラミック基板５１’によって両側から支持された状態となる。
【００４７】
また、抵抗膜体Ｒと金属導体Ｕとを覆うように低融点ガラスとしてのカバーガラス５４を形成しており、この部位を保護している。また、挿入孔５２を含む領域には、同じく低融点ガラスとしてのカバーガラス５５が形成されている。
【００４８】
なお、図中、参照番号５６は、抵抗膜体Ｒの抵抗値を測定する際に使用される電極部であり、金属導体Ｕ上に形成されている。
【００４９】
さらに、抵抗器の他の実施例を図１１に示す。この抵抗器６０も、前述した実施例と同様に、セラミック基板６１上に、抵抗膜体Ｒ、金属導体Ｕ等を形成し、この上をカバーガラス６４、６５で覆っている。この例では、セラミック基板６１の長手方向両側に抵抗膜体Ｒを配列しており、左右に位置する抵抗膜体Ｒを、金属導体Ｕによって順に接続して構成している。また、向かって左側に配列した抵抗膜体Ｒの近傍には挿入孔６２が形成されており、図１３に示すように、導電ペースト６３によって、この挿入孔６２に対してリード線Ｌの一端が固定されている。
【００５０】
また、セラミック基板６１の中央部には、長手方向に沿ってスリット６９が形成されており、ダイノード等の突起片２４を各スリット６９に挿入することで、これらダイノード等を支持する構造となっている。
【００５１】
ダイノード等を支持した際には、各スリット６９からは、図１１の紙面に対して垂直方向に突起片２４が突出する状態となり、各リード線Ｌの先端部を、対応する突起片２４に対して電気溶接等によって接続する。
【００５２】
さらに、図１２、図１４に示すように、左右に位置する抵抗膜体Ｒを、曲折したリードピンＬ’によって接続することも可能である。この場合には、左右に位置する抵抗膜体Ｒの近傍に挿入孔６２を形成し、リードピンＬ’の両端を挿入孔６２内に挿入することで、両側の抵抗膜体同士を接続する。従って、この場合には、両側の抵抗膜体同士を接続する金属導体Ｕは不要となる。また、抵抗膜体Ｒと、この抵抗膜体Ｒから挿入孔６２まで延びる金属導体Ｕとをカバーガラス６４で覆うと共に、リードピンＬ’の挿入部位をカバーガラス６５で覆っている。
【００５３】
なお、リードピンＬ’とダイノード等の突起片２４との接続は、前述した図１１及び図１３の場合と同様であり、各スリット６９から突出した突起片２４とリードピンＬ’の突出した部位とを電気溶接等で接続する。
【００５４】
以上説明した各実施例では、例示したセラミック基板の他に、ステアタイト、ガラス、ポリイミド樹脂の絶縁物で形成した基板を用いることが可能である。
【００５５】
また、カバーガラスとしても２種類の低融点ガラスを使用する例を示したが、各保護部位に対して同一の低融点ガラスを用いることも可能である。なお、低融点ガラス材料としては、ＰｂＯ−ＺｎＯ−ＳｉＯ２、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２などのガラスペースト、或いは、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の非結晶ガラス等を使用することが可能である。
【００５６】
さらに、各抵抗器では、ダイノード等の突起片２４と接続する部材としてリード線Ｌ、リードピンＬ’を例示したが、これらの部材に限定されるものではなく、ワイヤーなどの線状の導電材の他、板状或いはリボン状の導電材などを用いることも可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明にかかる抵抗器は、絶縁基板上に抵抗膜体、導電パターンなどを形成して全体として平板状としたので、取り付けに際して必要となる設置スペースを極力抑えることができる。また、この抵抗器を構成する絶縁基板に対して接続用の導電線材を一体的に固定しており、抵抗器を電子増倍管等に取り付ける際にも、取り扱いが容易であり、取り付け作業を効率的に行なうことができる。さらに、部品点数も削減されるため、製造コストの低減にも寄与し得る。
【００５８】
一方、本発明にかかる電子増倍管は、このような抵抗器を備えたので、わずかなスペースに抵抗器を設置することができるため、電子増倍管の小型化を一層進めることができ、コンパクトな電子増倍管を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例にかかる抵抗器のおもて面を示す平面図である。
【図２】図１の抵抗器のうら面を示す平面図である。
【図３】図１、２に示した抵抗器の挿入孔付近のみを拡大して示す断面図である。
【図４】抵抗器に形成した各抵抗膜体で構成される電圧分割回路を示す回路図である。
【図５】図１に示した抵抗器を備える電子増倍管であって、外側の金属ケース等を破断してその内部の構造を示す図である。
【図６】（ａ）は図５の電子増倍管の上面図、（ｂ）は図５の電子増倍管の底面図である。
【図７】図５の電子増倍管に備えられたダイノードのうち、第１段のダイノードを代表として示す図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、図５の電子増倍管に備えられたメッシュ電極を示す平面図である。
【図９】図９は抵抗器を備えた電子増倍管の他の実施例を示し、（ａ）はその上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は低面図である。
【図１０】図９の電子増倍管に備えられた抵抗器を示す平面図である。
【図１１】抵抗器の他の実施例を示す平面図である。
【図１２】抵抗器の他の実施例を示す平面図である。
【図１３】図１１における  ｌ１    −ｌ  １  線に沿った断面の一部を示す断面図である。
【図１４】図１２における  ｌ２    −ｌ  ２  線に沿った断面を概略的に示す断面図である。
【図１５】（ａ）は従来の電子増倍管を示す分解斜視図、（ｂ）は完成した従来の電子増倍管の概略側面図である。
【図１６】ボックス型とラインフォーカス型のダイノードが用いられた従来の電子増倍管を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０…抵抗器、１１…セラミック基板、１２…挿入孔、１３…導電ペースト、
１４、１５…カバーガラス、
Ｒ、Ｒ１〜Ｒ２１…抵抗膜体（抵抗パターン）、
Ｕ…金属導体（導体パターン）、Ｌ…リード線（導電線材）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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