(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上に接して設けられたＡｌＮ層と、
前記ＡｌＮ層上に接して設けられたＡｌの組成比が０．３以上かつ０．６以下のＡｌ組成一定からなる単層のＡｌＧａＮ層と、
前記ＡｌＧａＮ層上に接して設けられたＧａＮ層と、を具備することを特徴とする半導体基板。
【請求項２】
前記ＡｌＮ層は１０００℃以上で形成されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体基板。
【請求項３】
Ｓｉ基板上に接して設けられたＡｌＮ層と、
前記ＡｌＮ層上に接して設けられたＡｌの組成比が０．３以上かつ０．６以下のＡｌ組成一定からなる単層のＡｌＧａＮ層と、
前記ＡｌＧａＮ層上に接して設けられたＧａＮ層と、
前記ＧａＮ層上に設けられた動作層と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記ＡｌＮ層は１０００℃以上で形成されてなることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ＡｌＮ層、前記ＡｌＧａＮ層および前記ＧａＮ層は、ＭＯＣＶＤ法で成長されてなることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体装置は、ＨＥＭＴ、ＬＤ、ＬＥＤおよびＶＣＳＥＬのいずれかであることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板およびその半導体装置に関し、特にＳｉ基板上に形成されたＧａＮ層を有する半導体基板および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いた半導体装置は、高周波かつ高出力で動作するパワー素子、短波長で発光する発光ダイオードやレーザダイオードとして用いられている。これらの半導体装置のうち、マイクロ波、準ミリ波、ミリ波等の高周波帯域において増幅を行うのに適した半導体装置として、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）等のＦＥＴ、発光装置として、レーザダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）および垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）などの開発が進められている。
【０００３】
ＧａＮ層を成長する基板として一般にサファイア基板やＳｉＣ（炭化シリコン）基板等が用いられている。サファイア基板やＳｉＣ基板は高価なため、Ｓｉ（シリコン）基板上にＧａＮ層を成長する技術が開発されている。ＳｉとＧａとは反応し易いため、Ｓｉ基板とＧａＮ層との間にバリア層としてＡｌＮ（窒化アルミニウム）層が設けられる。しかしながら、ＡｌＮ層上にＧａＮ層を直接成長すると結晶性の良好なＧａＮ層が得られない。そこで、特許文献１には、Ｓｉ基板上のＡｌＮ層とＧａＮ層との間に、組成が連続的に変化するＡｌＧａＮ層を設ける技術が開示されている。特許文献２には、Ｓｉ基板上のＡｌＮ層とＧａＮ層との間に、組成が段階的に変化するＡｌＧａＮ層を設ける技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特表２００４−５２４２５０号公報
【特許文献２】特開２０００−２７７４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１および特許文献２の技術でＳｉ基板上に成長したＧａＮ層は結晶性が十分ではない。例えば、従来の技術を用いＳｉ基板上に形成されたＧａＮ層について、Ｘ線回折法を用い測定面（００２）や（１０２）のロッキングカーブの半値幅を測定すると６００秒から８００秒である。また、Ｓｉ基板上にＧａＮ層を成長すると熱膨張係数の差に起因し、表面のクラックや基板の反りが発生する。本発明は、上記課題を解決し結晶性の良好なＧａＮ層を有し、かつ反りの小さな半導体基板および半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体基板は、Ｓｉ基板上に接して設けられたＡｌＮ層と、前記ＡｌＮ層上に接して設けられたＡｌの組成比が０．３以上かつ０．６以下のＡｌ組成一定からなる単層のＡｌＧａＮ層と、前記ＡｌＧａＮ層上に接して設けられたＧａＮ層と、を具備している。本発明によれば、結晶性の良好なＧａＮ層を有し、かつ反りの小さな半導体基板を提供することができる。
【０００７】
上記構成において、前記ＡｌＮ層は１０００℃以上で形成されてなる構成とすることができる。この構成によれば、ＡｌＮ層が格子緩和し、ＡｌＮ層にクラックが入ることを抑制することができる。
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、Ｓｉ基板上に接して設けられたＡｌＮ層と、前記ＡｌＮ層上に接して設けられたＡｌの組成比が０．３以上かつ０．６以下のＡｌ組成一定からなる単層のＡｌＧａＮ層と、前記ＡｌＧａＮ層上に接して設けられたＧａＮ層と、前記ＧａＮ層上に設けられた動作層と、を具備している。本発明によれば、結晶性の良好なＧａＮ層を有し、かつ反りの小さな半導体基板を提供することができる。
【０００９】
上記構成において、前記ＡｌＮ層は１０００℃以上で形成されてなる構成とすることができる。この構成によれば、ＡｌＮ層が格子緩和し、ＡｌＮ層にクラックが入ることを抑制することができる。
【００１０】
上記構成において、前記ＡｌＮ層、前記ＡｌＧａＮ層および前記ＧａＮ層は、ＭＯＣＶＤ法で成長されてなる構成とすることができる。また、上記構成において、前記半導体装置は、ＨＥＭＴ、ＬＤ、ＬＥＤおよびＶＣＳＥＬのいずれかである構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、結晶性の良好なＧａＮ層を有し、かつ反りの小さな半導体基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１（ａ）および図１（ｂ）を用い実施例１について説明する。図１（ａ）を参照に、Ｓｉ基板１０の表面酸化膜をフッ化水素酸（ＨＦ）を用い除去する。Ｓｉ基板１０をＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置のリアクタ内に導入する。Ｈ２（水素）をキャリアガスとし、基板温度を１０５０℃に昇温する。これにより、基板１０表面をサーマルクリーニングする。ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）およびＮＨ３（アンモニア）を供給し、基板１０上に膜厚が約２５０ｎｍのＡｌＮ（窒化アルミニウム）層１２を成長する。ＡｌＮ層１２は基板温度を１０５０℃とすることによりほとんど格子緩和した層となる。基板温度を１１００℃に昇温しＴＭＡ、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）およびＮＨ３を供給し、ＡｌＮ層１２上に膜厚が約２５０ｎｍのＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）層１４を成長する。ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比については後述する。基板温度を１１５０℃に昇温しＴＭＧおよびＮＨ３を供給し、ＡｌＧａＮ層１４上に膜厚が１μｍのＧａＮ層１６を成長する。
【００１４】
図１（ｂ）を参照に、基板温度を１０５０℃に降温しＴＭＡ、ＴＭＧおよびＮＨ３を供給し、ＧａＮ層１６上に膜厚が約３０ｎｍ、Ａｌ組成比が０．２５のＡｌＧａＮ電子供給層１８を成長する。以上により、ＭＯＣＶＤ法を用い形成された実施例１に係る半導体基板が完成する。
【００１５】
図１（ａ）の状態で、ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比が０．４０のとき、Ｘ線回折法を用いＧａＮ層１６の結晶性を調べた。ＧａＮ層１６の測定面（００２）のロッキングカーブの半値幅は４５０秒であり、測定面（１０２）のロッキングカーブの半値幅６００から８００秒に比べ非常に良好である。また、ＧａＮ層１６の表面にはクラックやピットは観察されなかった。さらに、基板の反りも小さかった。
【００１６】
図２はＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成を変えてＧａＮ層１６を成長したときの測定面（１０２）のロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ  ＧａＮ（１０２））を示した図である。Ａｌ組成比が０．３より小さい場合、半値幅が急激に大きくなる。よって、ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比は０．３以上が好ましい。また、製造余裕を確保するためには０．４以上がより好ましい。
【００１７】
図３はＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成を変えたときの基板の反り量を示した図である。Ａｌ組成比が０．６を越えると反り量は急激に大きくなる。よって、ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比は０．６以下が好ましい。
【００１８】
以上より、ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比は０．３以上かつ０．６以下が好ましい。前述した実施例１の検討により、従来知られていなかった図２および図３のデータを取得することができた。その結果、結晶性が改善しウエハの反りの小さい半導体基板および半導体装置を初めて提供することができた。
【００１９】
ＡｌＧａＮ層はＡｌ組成比を高くすると急激に成長速度が低下することが知られている。このため、従来はＡｌＮ層１２とＧａＮ層１６との間に形成するＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比は０．２前後としていた。しかしながら、図２によれば、Ａｌ組成比が０．２前後ではＧａＮ層１６のロッキングカーブの半値幅は７００秒程度となってしまう。さらに、特許文献１および特許文献２のようにＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比を連続的または段階的に変化させたとしてもロッキングカーブの半値幅が６００秒以下となるという報告はない。本発明者は単層からなるＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比を０．３以上とすることによりＧａＮ層１６の結晶性が改善することを見出した。
【００２０】
このように、ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比を０．６以下とすることによりウエハの反りが小さくなり、０．３以上とすることにより結晶性が改善する。その理由は明確ではないが、例えば以下のように考えられる。
【００２１】
表１は、Ｓｉ，ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ（Ａｌ組成比が０．５）、ＧａＮの線熱膨張係数と格子定数を示した表である。各層の成長温度は１１００℃程度のため、線熱膨張係数に起因した圧縮応力により基板は反ってしまう。一方、各層には格子定数の差に起因した応力が加わる。ＡｌＮ層１２は前述のようにほとんど格子緩和している。よって、ＡｌＧａＮ層１４およびＧａＮ層１６に加わる伸張応力により熱膨張係数に起因した圧縮応力を補償することができる。ＡｌＧａＮ層のＡｌ組成比が小さい場合、ＡｌＮ層１２とＡｌＧａＮ層１４との間の格子定数の差に起因した応力が大きく、熱膨張係数に起因した圧縮応力を十分補償することができる。一方、ＡｌＧａＮ層のＡｌ組成比が小さい場合、ＡｌＮ層１２とＡｌＧａＮ層１４との間の格子定数の差に起因した応力は小さく、熱膨張係数に起因した圧縮応力を十分補償することができない。以上により、ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比が大きいと基板が反ってしまうと考えられる。以上のような理由により、ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比は０．３以上０．６以下が好ましい。
【表１】
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【００２２】
成長中の応力が小さい（つまり格子緩和した）方が結晶性は向上する。よって、格子定数の差に起因した応力は小さい方がよい。前述のように、ＡｌＮ層１２の格子歪はほとんど緩和している。よって、ＡｌＮ層１２の上面の格子定数はほぼＡｌＮの格子定数である。これにより、ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比が小さい場合、成長中にＡｌＧａＮ層１４に加わる格子定数の差に起因した応力が大きく結晶性が向上しない。一方、ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比が大きい場合、成長中にＡｌＧａＮ層１４に加わる格子定数の差に起因した応力が小さく結晶性が向上する。以上のように考えられる。
【００２３】
なお、ＡｌＮ層１２およびＡｌＧａＮ層１４は結晶性の観点からは厚いほうが好ましいが、厚すぎると内部応力によりクラックが入ってしまう。よって、ＡｌＮ層１２およびＡｌＧａＮ層１４の膜厚は各々２５０ｎｍ±１２５ｎｍの範囲が好ましい。また、ＡｌＮ層１２およびＡｌＧａＮ層１４は組成比１％程度の他の原子を含んでいてもよい。例えば１％以下のＩｎが含まれていてもよい。
【００２４】
ＡｌＮ層１２は格子歪が緩和した層であることが好ましい。ＡｌＮ層１２とＳｉとの格子定数は表１のように大きく異なる。このため、ＡｌＮ層１２の格子歪が緩和していないと、内部応力によりＡｌＮ層１２にクラックが入ってしまう。ＡｌＮ層１２の格子歪を緩和する方法としては、実施例１のように、ＡｌＮ層１２を１０００℃以上で形成する方法がある。この方法以外にも、ＡｌＮ層１２の成長温度を低くするまたは高くする方法、ＡｌＮ層１２とＳｉ基板１０との間に緩和層を設ける方法等がある。これらのいずれの方法を用いてもよい。
【実施例２】
【００２５】
実施例２は実施例１に係る半導体基板を用いたＨＥＭＴの例である。図４のように、実施例１に係る半導体基板の電子供給層１８上にオーミック電極としてＴｉ（チタン）／Ａｕ（金）のソース電極２２およびドレイン電極２４を蒸着法を用い形成する。電子供給層１８上にＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）のゲート電極２６を蒸着法を用い形成する。以上により、実施例２に係るＨＥＭＴが完成する。実施例２においては、ＧａＮ層１６の電子供給層１８界面に生成される２次元電子ガスおよび電子供給層１８がキャリアが伝導する動作層として機能する。
【００２６】
実施例２に係る半導体装置は、結晶性の良好でウエハの反りの小さなＧａＮ層１６を有するため、良好な特性を有する。半導体装置はＨＥＭＴ等のＦＥＴ以外にもＬＤ、ＬＥＤおよびＶＣＳＥＬ等の光半導体素子であってもよい。この場合もＧａＮ層の結晶性が向上するため良好な特性を得ることができる。ＬＤ、ＬＥＤおよびＶＣＳＥＬの場合は、活性層およびクラッド層がキャリアが伝導する動作層として機能する。
【００２７】
以上、発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は実施例１に係る半導体基板の製造工程を示す断面図である。
【図２】図２はＡｌＧａＮ層のＡｌ組成比に対するロッキングカーブの半値幅を示す面図である。
【図３】図３はＡｌＧａＮ層のＡｌ組成比に対する基板の反り量を示す面図である。
【図４】図４は実施例２に係るＨＥＭＴの断面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１０          基板
１２          ＡｌＮ層
１４          ＡｌＧａＮ層
１６          ＧａＮ層
１８          電子供給層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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