(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気負荷と電源との間に接続され、上記電気負荷に流れる電流を制御するパワーMOSFETと、
上記パワーMOSFETと並列に接続され、上記パワーMOSFETに流れる電流の一部が流れるミラーMOSFETと、
上記パワーMOSFETのソース電極と上記ミラーMOSFETのソース電極間に接続された電流検出抵抗と、
この電流検出抵抗の両端に発生する正方向及び負方向の両方の電圧を正または負の一方向の電圧に変換して出力する変換手段を備えたことを特徴とする電流検出装置。
【請求項２】
請求項１記載の電流検出装置において、
上記変換手段は、上記電流検出抵抗で電圧に変換した電圧信号を反転増幅して出力する反転増幅回路であることを特徴とする電流検出装置。
【請求項３】
請求項１記載の電流検出装置において、
上記変換手段は、上記電流検出抵抗で電圧に変換した電圧信号のレベルをアップ若しくはダウンするレベル変換回路であることを特徴とする電流検出装置。
【請求項４】
請求項１記載の電流検出装置において、
上記電流検出抵抗の抵抗値は、上記パワーMOSFET或いは上記パワーMOSFETの寄生ダイオードに流れている電流Ｉmainを上記パワーMOSFETと上記ミラーMOSFETのミラー比Ｘで除した値に上記電流検知抵抗の抵抗値Ｒrcを乗じた値が、上記電流が流れているときの上記パワーMOSFET或いは上記パワーMOSFETの寄生ダイオードの電圧降下値ＶD以下としたことを特徴とする電流検出装置。
【請求項５】
パワーMOSFETと、
上記パワーMOSFETのドレイン端子とグランドとの間に接続された電源と、
上記パワーMOSFETのソース端子と上記グランドとの間に接続された負荷と、
上記パワーMOSFETと並列接続されたミラーMOSFETと、
上記パワーMOSFETのソース端子と上記ミラーMOSFETのソース端子との間に接続され、上記ミラーMOSFETに流れる正方向または負方向の電流をそれぞれ正または負の電圧に変換する電流検出抵抗と、
所定の基準電圧と上記電流検出抵抗で変換された正または負の電圧とを比較し、これらの差分を反転して増幅することにより、上記電流検出抵抗で変換された電圧が正または負のいずれの場合でも、正または負のいずれか一方の電流検出信号を出力する演算増幅回路と、
上記電流検出信号に基づき、上記パワーMOSFET及び上記ミラーMOSFETのゲート端子に電圧を印加することにより、上記負荷に流れる電流を制御する駆動回路とを備えたことを特徴とする電流検出装置。
【請求項６】
電気負荷と電源との間に接続され、上記電気負荷に流れる電流を制御するパワーMOSFETと、
上記パワーMOSFETと並列に接続され、上記パワーMOSFETに流れる電流の一部が流れるミラーMOSFETと、
上記パワーMOSFETのソース電極と上記ミラーMOSFETのソース電極間に接続された電流検出抵抗と、
この電流検出抵抗の両端に発生する正方向及び負方向の両方の電圧を、それぞれディジタル信号に電圧に変換して出力する変換手段を備えたことを特徴とする電流検出装置。
【請求項７】
それぞれ対に動作する上側アーム及び下側アームから構成される１相を、直流電源に並列に３相分備えて交流電流を制御するとともに、上記３相分の全ての上側アーム或いは全ての下側アームに配置された電流検出装置を有するＰＷＭインバータにおいて、
上記電流検出装置は、
電気負荷と電源との間に接続され、上記電気負荷に流れる電流を制御するパワーMOSFETと、
上記パワーMOSFETと並列に接続され、上記パワーMOSFETに流れる電流の一部が流れるミラーMOSFETと、
上記パワーMOSFETのソース電極と上記ミラーMOSFETのソース電極間に接続された電流検出抵抗と、
この電流検出抵抗の両端に発生する正方向及び負方向の両方の電圧を正または負の一方向の電圧に変換して出力する変換手段とから構成され、
さらに、ＰＷＭスイッチング周期内、上記電流検出装置を設けたアームと反対側の全てのアームがＯＦＦのとき、その期間の各相の上記電流検出装置の電流検出信号から、各相の電流を検出して交流電流を制御する駆動装置とを備えたことを特徴とするＰＷＭインバータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流検出装置及びそれを用いたＰＷＭインバータに係り、特に、正負両方向に流れる電流を検出するに好適な電流検出装置及びそれを用いたＰＷＭインバータに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、自動車においては、自動車用電装品を制御するためのスイッチング素子であるパワーMOSFETが、電装品の電流制御等に使用されている。パワーMOSFETは、電流が長時間流れたり過大な電流により、自ら発熱し熱破壊を生じる。また、パワーMOSFETを用いた三相交流を制御するＰＷＭインバータにおいて、パワーMOSFETに流れる電流の向きはパワーMOSFETのドレイン電極からソース電極方向とその逆方向とが存在する。そこで、例えば、特開平６−３５１２８０号公報に記載のように、ホール素子などによる絶縁された電流検出装置等を用いて電流を検出したり、シャント抵抗とサンプルホールド回路を用いて電流を検出することが知られている。
【０００３】
しかしながら、絶縁された電流検出装置や、シャント抵抗とサンプルホールド回路を用いた電流検出手段では、別の装置又は回路を必要とするため、電流検出装置の高コスト化し、ＰＷＭインバータが大形化するという問題があった。
【０００４】
一方、例えば、特開２０００−１９３６９２号公報に記載のように、パワーMOSFETに並列に、ミラーMOSFETと電流検出抵抗の直列回路を接続し、この電流検出抵抗の両端電圧を比較器によって基準電圧と比較し、基準電圧以上の電圧が電流検出抵抗に印加されたとき、パワーMOSFETに過電流が流れたものとして、電流を遮断して、パワーMOSFETの破壊防止をすることが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開２０００−１９３６９２号公報に記載された電流検出方法では、正方向と負方向の両方向の電流検出は行えないため、ＰＷＭインバータの電流検出には用いることができないという問題があった。すなわち、パワーMOSFETに、並列に接続されたミラーMOSFETと電流検出抵抗と、さらに、比較器を用いた電流検出装置は、パワーMOSFETに流れている電流の方向がパワーMOSFETのドレイン電極からソース電極方向に流れているときの過電流の検出手段である。故に、逆方向の電流、即ち、パワーMOSFETの寄生ダイオード順電流方向の電流を検出することは困難である。例えば、パワーMOSFETの寄生ダイオード順電流方向に電流が流れているときの電流検出抵抗の電圧信号は負となり、パワーMOSFETのドレイン電極からソース電極方向に流れているときは正となる。この両電位の信号を比較器で検出することは困難であり、ＰＷＭインバータの電流検出には用いることができないという問題があった。
【０００６】
また、パワーMOSFETとミラーMOSFETの寄生ダイオードに電流が流れているとき、その電流値とそれぞれの寄生ダイオードの電圧降下値との関係は非線形であり、電流検出抵抗は線形である。故に、それぞれの寄生ダイオードに電流が流れているときのパワーMOSFETとミラーMOSFETの電流の比率は流れている電流によって変化し、電流検出抵抗とパワーMOSFETの電圧降下値がほぼ同じ値となる領域が生じる可能性がある。この領域においてはパワーMOSFETの電流が増減したとしてもミラーMOSFETの電流はほとんど変化しないため、この領域においてパワーMOSFETに流れる電流を正確に検出できないことになる。
【０００７】
本発明の目的は、電流検出のための別の装置や回路を不要とし、また、正負の両方向の電流を検出可能な電流検出装置を提供することにある。また、その電流検出装置を用いて、小形化及び低コストなＰＷＭインバータを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、電気負荷と電源との間に接続され、上記電気負荷に流れる電流を制御するパワーMOSFETと、上記パワーMOSFETと並列に接続され、上記パワーMOSFETに流れる電流の一部が流れるミラーMOSFETと、上記パワーMOSFETのソース電極と上記ミラーMOSFETのソース電極間に接続された電流検出抵抗と、この電流検出抵抗の両端に発生する正方向及び負方向の両方の電圧を正または負の一方向の電圧に変換して出力する変換手段を備えるようにしたものである。
かかる構成により、電流検出のための別の装置や回路を不要とし、また、正負の両方向の電流を検出可能とし得るものである。
【０００９】
（２）上記（１）において、好ましくは、上記変換手段は、上記電流検出抵抗で電圧に変換した電圧信号を反転増幅して出力する反転増幅回路としたものである。
【００１０】
（３）上記（１）において、好ましくは、上記変換手段は、上記電流検出抵抗で電圧に変換した電圧信号のレベルをアップ若しくはダウンするレベル変換回路としたものである。
【００１１】
（４）上記（１）において、好ましくは、上記電流検出抵抗の抵抗値は、上記パワーMOSFET或いは上記パワーMOSFETの寄生ダイオードに流れている電流Ｉmainを上記パワーMOSFETと上記ミラーMOSFETのミラー比Ｘで除した値に上記電流検知抵抗の抵抗値Ｒrcを乗じた値が、上記電流が流れているときの上記パワーMOSFET或いは上記パワーMOSFETの寄生ダイオードの電圧降下値ＶD以下としたものである。
【００１２】
（５）上記目的を達成するために、本発明は、パワーMOSFETと、上記パワーMOSFETのドレイン端子とグランドとの間に接続された電源と、上記パワーMOSFETのソース端子と上記グランドとの間に接続された負荷と、上記パワーMOSFETと並列接続されたミラーMOSFETと、上記パワーMOSFETのソース端子と上記ミラーMOSFETのソース端子との間に接続され、上記ミラーMOSFETに流れる正方向または負方向の電流をそれぞれ正または負の電圧に変換する電流検出抵抗と、所定の基準電圧と上記電流検出抵抗で変換された正または負の電圧とを比較し、これらの差分を反転して増幅することにより、上記電流検出抵抗で変換された電圧が正または負のいずれの場合でも、正または負のいずれか一方の電流検出信号を出力する演算増幅回路と、上記電流検出信号に基づき、上記パワーMOSFET及び上記ミラーMOSFETのゲート端子に電圧を印加することにより、上記負荷に流れる電流を制御する駆動回路とを備えるようにしたものである。
かかる構成により、電流検出のための別の装置や回路を不要とし、また、正負の両方向の電流を検出可能とし得るものである。
（６）上記目的を達成するために、本発明は、電気負荷と電源との間に接続され、上記電気負荷に流れる電流を制御するパワーMOSFETと、上記パワーMOSFETと並列に接続され、上記パワーMOSFETに流れる電流の一部が流れるミラーMOSFETと、上記パワーMOSFETのソース電極と上記ミラーMOSFETのソース電極間に接続された電流検出抵抗と、この電流検出抵抗の両端に発生する正方向及び負方向の両方の電圧を、それぞれディジタル信号に電圧に変換して出力する変換手段を備えるようにしたものである。
かかる構成により、電流検出のための別の装置や回路を不要とし、また、正負の両方向の電流を検出可能とし得るものである。
【００１３】
（７）上記目的を達成するために、本発明は、それぞれ対に動作する上側アーム及び下側アームから構成される１相を、直流電源に並列に３相分備えて交流電流を制御するとともに、上記３相分の全ての上側アーム或いは全ての下側アームに配置された電流検出装置を有するＰＷＭインバータにおいて、上記電流検出装置は、電気負荷と電源との間に接続され、上記電気負荷に流れる電流を制御するパワーMOSFETと、上記パワーMOSFETと並列に接続され、上記パワーMOSFETに流れる電流の一部が流れるミラーMOSFETと、上記パワーMOSFETのソース電極と上記ミラーMOSFETのソース電極間に接続された電流検出抵抗と、この電流検出抵抗の両端に発生する正方向及び負方向の両方の電圧を正または負の一方向の電圧に変換して出力する変換手段とから構成され、さらに、ＰＷＭスイッチング周期内、上記電流検出装置を設けたアームと反対側の全てのアームがＯＦＦのとき、その期間の各相の上記電流検出装置の電流検出信号から、各相の電流を検出して交流電流を制御する駆動装置とを備えるようにしたものである。
かかる構成により、小形化及び低コストなＰＷＭインバータを得られるものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図３を用いて、本発明の第１の実施形態による電流検出装置の構成について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態による電流検出装置の構成を示す回路図である。図２は、本発明の第１の実施形態による電流検出装置に用いる反転増幅回路の特性の説明図である。図３は、本発明の第１の実施形態による電流検出装置の動作説明図である。
【００１５】
図１に示されるパワーMOSFETＱ１とミラーMOSFETＱ２は、同一チップ上に作成されている。また、パワーMOSFETＱ１とミラーMOSFETＱ２には、寄生ダイオードＤ１，Ｄ２がMOSFETの構造上存在する。パワーMOSFETＱ１とミラーMOSFETＱ２のドレイン電極はともに直流電源１に接続され、ゲート電極はともに駆動装置（ＤＲＶ）７に接続されている。電流検出装置３は、ミラーMOSFETＱ２のソース電極とパワーMOSFETＱ１のソース電極の間に接続されている。電流検出装置３の電流検出信号ＣＳは、駆動装置７に入力される。電気負荷Ｌは、パワーMOSFETＱ１のソース電極に接続されている。駆動装置７は、電流検出信号ＣＳを用いてパワーMOSFETＱ１とミラーMOSFETＱ２をＯＮ，ＯＦＦすることで、電気負荷Ｌに流れる電流Ｉmainを制御している。
【００１６】
電流検出装置３は、演算増幅器ＣＰと、電流検出抵抗ＲＣと、帰還抵抗ＲＦで構成される。電流検出抵抗ＲＣは、パワーMOSFETＱ１とミラーMOSFETＱ２のソース電極の間に接続される。演算増幅器ＣＰは、入力端子の一方（負入力端子）にミラーMOSFETＱ２のソース電極が接続され、他方の入力端子（正入力端子）に基準電圧Ｖrefが入力される。また、演算増幅器ＣＰの出力端子は、駆動装置７に接続される。帰還抵抗ＲＦは、演算増幅器ＣＰの出力端子と、ミラーMOSFETＱ２のソース電極が接続される入力端子との間に接続される。これによって、ミラーMOSFETＱ２に流れる電流Ｉmは、電流検出抵抗ＲＣによって電圧信号ＶＲに変換され、その電圧信号ＶＲは演算増幅器ＣＰによって反転増幅され、電流検出信号ＣＳとして出力される。演算増幅器ＣＰの増幅率は、帰還抵抗ＲＦの抵抗値Ｒrfと、入力抵抗である電流検出抵抗ＲＣの抵抗値Ｒrcの比（Ｒrf／Ｒrc）によって定まる。
【００１７】
ここで、図２を用いて、演算増幅器ＣＰの入出力特性について説明する。
演算増幅器ＣＰは、一方の入力電圧（基準電圧Ｖref）と、他方の入力電圧（電圧信号ＶＲ）の差分（Ｖref−ＶＲ）を反転して増幅する反転増幅回路である。例えば、演算増幅器ＣＰの増幅率（Ｒrf／Ｒrc）を「１」とし、ミラー電流Ｉmが正の電流から負の電流まで変化し、電圧信号ＶＲが「−５Ｖ」〜「＋５Ｖ」まで変化し、基準電圧Ｖrefを「＋５Ｖ」とする。電圧信号ＶＲが「＋５Ｖ」の場合、差分（Ｖref−ＶＲ）を反転して増幅するため、（５Ｖ−５Ｖ）×１＝０Ｖとなる。また、電圧信号ＶＲが「−５Ｖ」の場合、差分（Ｖref−ＶＲ）を反転して増幅するため、（５Ｖ＋５Ｖ）×１＝１０Ｖとなる。すなわち、図２に示したように、演算増幅器ＣＰは、入力電圧（電圧信号ＶＲ）が負の電圧の場合でも正の電圧の場合でも、共に、その出力電圧ＣＳを正の電圧信号に変換する手段である。なお、出力電圧を負の電圧に変換するようにすることも可能である。即ち、本実施形態では、電流検出装置３は、電流検出抵抗ＲＣに流れる電流が正負いずれの場合でも、そのいずれか一方の方向の電圧信号に変換できる手段である。
【００１８】
また、本実施形態では、電流検出抵抗ＲＣの抵抗値Ｒrcは、以下の式（１）に示すように、パワーMOSFETＱ１の寄生ダイオードＤ１に電流Ｉmainが流れているとき、その電流をパワーMOSFETＱ１とミラーMOSFETＱ２のミラー比Ｘ（パワーMOSFETのセル数をミラーMOSFETのセル数で除した値）で除した値に電流検出抵抗ＲＣの抵抗値Ｒrcを乗じた値が、電流を流しているときのパワーMOSFETＱ１或いは寄生ダイオードＤ１の電圧降下値ＶD1以下となるように設定している。
【００１９】
Ｒrc×（Ｉmain／Ｘ）  ＜  ＶD1  …（１）
ここで、式（１）において、（Ｉmain／Ｘ）は、電流検出抵抗ＲＣの抵抗値Ｒrcを０Ωとしたときに、ミラーMOSFETＱ２に流れる電流Imoである。従って、式（１）の左辺の（Ｒrc×（Ｉmain／Ｘ））は、理想状態におけるＲrc・Ｉmoである。この値を電流を流しているときのパワーMOSFETＱ１或いは寄生ダイオードＤ１の電圧降下値ＶD1以下とすることによって、パワーMOSFETＱ１の寄生ダイオードＤ１に電流が流れているときにおいても、ミラーMOSFETＱ２或いは寄生ダイオードＤ２に流れる電流は、パワーMOSFETＱ１或いは寄生ダイオードＤ１の電流変化に応じて変化する。
【００２０】
パワーMOSFETとミラーMOSFETの寄生ダイオードに電流が流れているとき、その電流値とそれぞれの寄生ダイオードの電圧降下値との関係は非線形であり、電流検出抵抗は線形である。したがって、式（１）の条件を満たさない場合には、それぞれの寄生ダイオードに電流が流れているときのパワーMOSFETとミラーMOSFETの電流の比率は流れている電流によって変化し、電流検出抵抗とパワーMOSFETの電圧降下値がほぼ同じ値となる領域が生じる。この領域においてはパワーMOSFETの電流が増減したとしてもミラーMOSFETの電流はほとんど変化しないため、この領域においてパワーMOSFETに流れる電流を正確に検出できないことになる。
【００２１】
ここで、図３を用いて、説明する。図３において、実線Ａは、本実施形態のように式（１）を満たすように、電流検出抵抗ＲＣの抵抗値Ｒrcを設定した場合のパワーMOSFETＱ１に流れる電流Ｉmainと、ミラーMOSFETに流れる電流Ｉmの関係を示している。電流Ｉmainと電流Ｉmは、線形に変化する。
【００２２】
一方、破線Ｂは、式（１）を満たさない場合の電流Ｉmainと電流Ｉmの関係を示している。電流検出抵抗とパワーMOSFETの電圧降下値がほぼ同じ値となる領域では、図示するように、電流Ｉmainが変化しても、電流Ｉmが変化しないことになる。したがって、電流Ｉmainと電流Ｉmは、非線形に変化することになる。
【００２３】
例えば、負荷Ｌがハイブリット自動車に用いられる交流電動機の場合、パワーMOSFETＱ１に流れる電流Ｉmainが最大１０００Ａとし、パワーMOSFETＱ１とミラーMOSFETＱ２のミラー比Ｘ（パワーMOSFETのセル数をミラーMOSFETのセル数で除した値）を１０００とすると、ミラーMOSFETに流れる電流Ｉmは１Ａとなる。パワーMOSFETＱ１或いは寄生ダイオードＤ１の電圧降下値ＶD1を０．７Ｖとすると、電流検出抵抗ＲＣの抵抗値Ｒrcを、「０．７Ω」とすればよいものである。
【００２４】
従来、負荷である電動機に直列にシャント抵抗を入れて電流を検出する場合、シャント抵抗の抵抗値ができるだけ小さくして、数Ωとしている。一方、電動機に流れる電流は、上述したように１０００Ａと大電流である。従って、シャント抵抗はかなり大型の抵抗を用いていた。一方、本実施形態では、電流検出抵抗ＲＣの抵抗値は上述の例では０．７Ωであるとともに、流れる電流は例えば最大１Ａであるので、電流検出抵抗ＲＣとしては、小型なチップ抵抗を用いることができる。チップ抵抗は温度変化がないため、雰囲気温度が変化しても正確に電流Ｉmを検出することができる。また、チップ抵抗を用いることにより、演算増幅器ＣＰの回路基板上に設置することができる。なお、帰還抵抗ＲＦもチップ抵抗を用いる。
【００２５】
電流検出装置３は、パワーMOSFETＱ１に流れる両方向の電流を精度良く検出可能としている。即ち、パワーMOSFETＱ１或いは寄生ダイオードＤ１にメイン電流Ｉmainが流れているとき、ミラーMOSFETＱ２或いは寄生ダイオードＤ２に流れるミラー電流Ｉmは、パワーMOSFETＱ１或いは寄生ダイオードＤ１のインピーダンスをそれぞれＺ１とし、ミラーMOSFETＱ２或いは寄生ダイオードＤ２のインピーダンスをＺ２とし、電流検出抵抗ＲＣの抵抗値をＲrcとし、パワーMOSFETＱ１とミラーMOSFETＱ２のミラー比をＸとすれば、以下の式（２）で表される。
Ｉmain・Ｚ１＝Ｉm・（Ｚ２＋Ｒrc）≧  （Ｉmain／Ｘ）・Ｒrc  …（２）
この式（２）を展開すると、
Ｉｍ／Ｉｍａｉｎ  ≧  Ｚ１／（Ｚ２＋Ｚ１・Ｘ）    …（３）
となる。
【００２６】
式（３）から、電流検出装置３のミラー電流Ｉmとメイン電流Ｉmainの比率は、式（３）の右辺で示される値以上を常に保ち、その値はパワーMOSFETＱ１とミラーMOSFETＱ２或いは寄生ダイオードＤ１，Ｄ２のインピーダンスＺ１とＺ２、ミラー比Ｘで決定されることから、パワーMOSFETＱ１に流れる電流に寄らずほぼ一定の値になる。これより、電流検出抵抗ＲＣによって変換される電圧信号ＶＲは、パワーMOSFETＱ１或いは寄生ダイオードＤ１に流れる電流に応じて変化する。また、この電圧信号ＶＲを演算増幅器ＣＰで反転増幅することにより、演算増幅器ＣＰから出力される電流検出信号ＣＳは、パワーMOSFETＱ１或いは寄生ダイオードＤ１に流れる電流の微小変化に対しても、その変化幅を増幅して出力する。これより、電流検出装置３はパワーMOSFETＱ１或いは寄生ダイオードＤ１に流れる電流を精度良く検出することが可能である。
【００２７】
電流検出抵抗ＲＣの抵抗値Ｒrcを０．７Ωとして、電流検出抵抗ＲＣに流れる最大電流が１Ａの場合、最大入力電圧ＶＲは０．７Ｖとなる。ミラー電流Ｉmが１Ａよりも小さくなると、それに従って、入力電圧ＶＲも小さくなる。ミラー電流Ｉmが小さい場合にも、精度良く電流を検出可能とするために、演算増幅器ＣＰの増幅率（ＲＦ／ＲＣ）を、例えば、２０倍程度と大きくする。
【００２８】
さらに、電流検出抵抗ＲＣの電圧信号ＶＲは、パワーMOSFETＱ１に流れる電流の方向によって正及び負の電位となるが、演算増幅器ＣＰによって反転増幅されので、演算増幅器ＣＰの電流検出信号ＣＳはパワーMOSFETＱ１の電流方向によらず常に正或いは負の電位となる。これにより、駆動装置７は電流検出信号ＣＳを容易に取込むことが可能である。例えば、マイコン等によって構成される駆動装置においては、電流検出信号ＣＳをマイコンのＡ／Ｄポートで容易に取込むことが可能である。また、同図において、電流検出装置３は抵抗と演算増幅器のみで構成し低コスト化することができる。
【００２９】
以上説明したように、本実施形態によれば、パワーMOSFETの寄生ダイオード順電流方向とその逆方向の両方向の電流を精度良く検出することが可能である。これより、パワーMOSFETに流れる両方向の電流を検出する電流検出装置において、電流検出のための別の装置や回路（ホール素子や、シャント抵抗及びホールド回路）を不要とし、装置を簡素にでき高信頼性化と低コスト化が図れる。また、その電流検出信号は容易に駆動装置に取込むことができ、駆動装置の機能追加等を必要とせず高コスト化を招かないものである。例えば、マイコン等によって構成される駆動装置においては、マイコンのＡ／Ｄポートで容易に取込むことが可能である。
【００３０】
次に、図４及び図５を用いて、本発明の第２の実施形態による電流検出装置の構成について説明する。
図４は、本発明の第２の実施形態による電流検出装置の構成を示す回路図である。図５は、本発明の第２の実施形態による電流検出装置に用いるレベルシフト回路の特性の説明図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００３１】
図４に示すように、本実施形態では、電流検出回路３Ａは、レベルシフト回路９と、電流検出抵抗ＲＣから構成されている。ここで、電流検出抵抗ＲＣの抵抗値は、図１の電流検出装置３と同様に設定されている。
【００３２】
図５に示すように、電流検出抵抗ＲＣの電圧信号ＶＲが、例えば、「−５Ｖ」から「＋５Ｖ」まで変化する場合、レベルシフト回路９は、電圧信号ＶＲに対して＋５Ｖだけ電圧レベルを変換することにより、電流検出信号ＣＳが「０Ｖ」から「＋１０Ｖ」まで変化する信号に変換することができる。したがって、駆動装置７は電流検出信号ＣＳを容易に取込むことが可能となる。また、電流検出装置３Ａは、抵抗とレベル変換回路のみで構成でき、低コスト化できる。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態によっても、電流検出のための別の装置や回路（ホール素子や、シャント抵抗及びホールド回路）を不要とし、また、正負の両方向の電流を検出することができる。
【００３４】
次に、図６を用いて、本発明の第３の実施形態による電流検出装置の構成について説明する。
図６は、本発明の第３の実施形態による電流検出装置の構成を示す回路図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００３５】
本実施形態において、電流検出装置３Ｂは、電流検出抵抗ＲＣのみで構成している。ここで、電流検出抵抗ＲＣの抵抗値は、図１の電流検出装置３と同様に設定されている。電流検出抵抗ＲＣの電圧信号ＶＲは、直接駆動装置７Ａに入力される。
【００３６】
一方、駆動装置７Ａは、正電源ＶＢ＋と負電源ＶＢ−にて駆動されている。これより、駆動装置７は正及び負の電圧信号ＶＲを取込むことが可能になり、パワーMOSFETＱ１に流れる両方向の電流を精度良く検出することが可能である。
【００３７】
以上説明したように、本実施形態によっても、電流検出のための別の装置や回路（ホール素子や、シャント抵抗及びホールド回路）を不要とし、また、正負の両方向の電流を検出することができる。
【００３８】
次に、図７〜図９を用いて、本発明の第１の実施形態による電流検出装置を用いたＰＷＭインバータの構成について説明する。ここでは、ＰＷＭインバータは、電流検出装置を用いて三相交流電流を制御している。
図７は、本発明の第１の実施形態による電流検出装置を用いたＰＷＭインバータの構成を示す回路図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００３９】
図７において、ＰＷＭインバータは、インバータ主回路２と、電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗと、駆動装置７と、電解コンデンサ８で構成される。ＰＷＭコンバータは、直流電源１の直流出力電圧を３相交流電流に変換し、その３相出力電流を負荷である交流電動機６に供給する。なお、直流電源１と並列に、電解コンデンサ８が接続されている。
【００４０】
インバータ主回路２は、Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相の３相分のアームから成り、各アームには、上下対に動作するスイッチング素子が備えられている。下側のアームにおけるスイッチング素子は、そのゲート電極とドレイン電極が共通に接続されたパワーMOSFETＱ１ｕ，Ｑ１ｖ，Ｑ１ｗと、ミラーMOSFETＱ２ｕ，Ｑ２ｖ，Ｑ２ｗからなる。そのゲート電極Ｇｕｎ，Ｇｖｎ，Ｇｗｎは、駆動装置７に接続される。各々のパワーMOSFETＱ１とミラーMOSFETＱ２のソース電極間には、電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗが接続される。また、各々のパワーMOSFETＱ１ｕ，Ｑ１ｖ，Ｑ１ｗと、ミラーMOSFETＱ２ｕ，Ｑ２ｖ，Ｑ２ｗには、寄生ダイオードＤ１ｕ，Ｄ１ｖ，Ｄ１ｗ，Ｄ２ｕ，Ｄ２ｖ，Ｄ２ｗが、MOSFETの構造上存在する。上側のアームにおけるスイッチング素子は、パワーMOSFETＱ３ｕ，Ｑ３ｖ，Ｑ３ｗからなる。そのゲート電極Ｇｕｐ，Ｇｖｐ，Ｇｗｐは、同様に駆動装置７に接続される。また、同様に、パワーMOSFETＱ３ｕ，Ｑ３ｖ，Ｑ３ｗには、寄生ダイオードＤ３ｕ，Ｄ３ｖ，Ｄ３ｗが存在する。駆動装置７は、ＰＷＭ（Pluse Width Modulation）信号によって各々のスイッチング素子をＯＮ，ＯＦＦすることで、交流電動機６に流れる電流を制御する。
【００４１】
なお、上側アームのスイッチング素子としては、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）とフライホイールダイオードとを並列に接続したものや、下側アームと同様にミラーMOSFETとパワーMOSFETを用いても使用できる。電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗは、それぞれ、図１と同様の電流検出装置３で構成される。各々の電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗから出力される電流検出信号ＣＳｕ，ＣＳｖ，ＣＳｗは、駆動装置７に入力される。
【００４２】
ＰＷＭインバータにおいて、駆動装置７のＰＷＭ信号が、そのスイッチング周期内に上側アームの全てのパワーMOSFETＱ３ｕ，Ｑ３ｖ，Ｑ３ｗがＯＦＦする期間において、駆動装置７は、電流検出回路３Ｕ，３Ｖ，３Ｗの各々の電流検出信号ＣＳｕ，ＣＳｖ，ＣＳｗを取込む。
【００４３】
ここで、図８を用いて、駆動装置７が、パワーMOSFETＱ１ｕ，Ｑ１ｖ，Ｑ１ｗとミラーMOSFETＱ２ｕ，Ｑ２ｖ，Ｑ２のゲート電極Ｇｕｎ，Ｇｖｎ，Ｇｗｎ及びパワーMOSFETＱ３ｕ，Ｑ３ｖ，Ｑ３ｗのゲート電極Ｇｕｐ，Ｇｖｐ，Ｇｗｐに供給するＰＷＭ信号について説明する。
図８は、ＰＷＭ信号の要部拡大図である。
【００４４】
図８（Ａ）は、上アーム用の搬送波Ｃｐと、下アーム用の搬送波Ｃｄと、Ｕ相駆動電圧信号Ｓｕと、Ｖ相駆動電圧信号Ｓｖと、Ｗ相駆動電圧信号Ｓｗとを示している。搬送波Ｃｐ，Ｃｄとしては、ここでは、三角波信号を用いている。周期Ｔ１を例えば１００μｓとすると、搬送波は１０ｋＨｚの信号である。
【００４５】
図８（Ｂ）は、駆動装置７が、パワーMOSFETＱ１ｕとミラーMOSFETＱ２ｕのゲート電極Ｇｕｎに供給するＰＷＭ信号Ｐｕｄを示している。下アーム用の搬送波Ｃｄのレベルが、Ｕ相駆動電圧信号Ｓｕのレベルより大きい時、例えば、時刻ｔ１〜ｔ２の間、及び時刻ｔ３〜ｔ４の間、ＰＷＭ信号はＯＮとなる。逆の場合、すなわち、時刻ｔ２〜ｔ３は、ＯＦＦになる。
【００４６】
図８（Ｃ）は、駆動装置７が、パワーMOSFETＱ３ｕのゲート電極Ｇｕｐに供給するＰＷＭ信号Ｐｕｐを示している。上アーム用の搬送波Ｃｐのレベルが、Ｕ相駆動電圧信号Ｓｕのレベルより小さい時、例えば、時刻ｔ５〜ｔ６の間、ＰＷＭ信号はＯＮとなる。逆の場合は、ＯＦＦになる。
【００４７】
同様にして、図８（Ｄ）は、駆動装置７が、パワーMOSFETＱ１ｖとミラーMOSFETＱ２ｖのゲート電極Ｇｖｎに供給するＰＷＭ信号Ｐｖｄを示している。図８（Ｅ）は、駆動装置７が、パワーMOSFETＱ３ｖのゲート電極Ｇｖｐに供給するＰＷＭ信号Ｐｖｐを示している。図８（Ｆ）は、駆動装置７が、パワーMOSFETＱ１ｗとミラーMOSFETＱ２ｗのゲート電極Ｇｗｎに供給するＰＷＭ信号Ｐｗｄを示している。図８（Ｇ）は、駆動装置７が、パワーMOSFETＱ３ｗのゲート電極Ｇｗｐに供給するＰＷＭ信号Ｐｗｐを示している。
【００４８】
図８（Ｂ）〜図８（Ｇ）の全体を見ると、図８（Ｈ）に示すように、時刻ｔ８〜ｔ９の間は、上アームを構成するパワーMOSFETＱ３ｕ，Ｑ３ｖ，Ｑ３ｗのゲート電極Ｇｕｐ，Ｇｖｐ，Ｇｗｐに供給するＰＷＭ信号Ｐｕｐ，Ｐｖｐ，Ｐｗｐは、全てＯＦＦとなっている。一方、下アームを構成するパワーMOSFETＱ１ｕ，Ｑ１ｖ，Ｑ１ｗとミラーMOSFETＱ２ｕ，Ｑ２ｖ，Ｑ２のゲート電極Ｇｕｎ，Ｇｖｎ，Ｇｗｎに供給するＰＷＭ信号Ｐｕｄ，Ｐｖｄ，Ｐｗｄは全てＯＮとなっている。
【００４９】
このとき、図７に示すように、Ｕ相電流ＩｕとＶ相電流Ｉｖが下アームからモータ６に流れ込み、また、モータ６からは、Ｗ相電流Ｉｗが下アームを通って流れ出している。従って、Ｕ相電流Ｉｕ，Ｖ相電流Ｉｖ，Ｗ相電流Ｉｗは、下アームに設けた電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗによってそれぞれ検出することができる。
【００５０】
図８（Ｈ）に示した時刻ｔ８〜ｔ９の間には、図８（Ａ）から明らかなように、上アーム用の搬送波Ｃｐと、下アーム用の搬送波Ｃｄの最小値のタイミングが含まれている。したがって、搬送波Ｃｐ，Ｃｄが最小値となるタイミングで電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗに検出された電流を取り込めば、正確な電流を検出することができる。
【００５１】
ここで、図９を用いて、ＰＷＭ信号と電流検出タイミングの関係について説明する。
図９は、ＰＷＭ信号と電流検出タイミングの説明図である。
【００５２】
図９（Ａ）は、上アーム用の搬送波Ｃｐと、Ｕ相駆動電圧信号Ｓｕと、Ｖ相駆動電圧信号Ｓｖと、Ｗ相駆動電圧信号Ｓｗとを示している。搬送波Ｃｐの周期Ｔ１は、図８（Ａ）の周期Ｔ１と等しく、例えば１００μｓである。
【００５３】
図９（Ｂ）は、図８（Ｂ）と同じく、駆動装置７が、パワーMOSFETＱ１ｕとミラーMOSFETＱ２ｕのゲート電極Ｇｕｎに供給するＰＷＭ信号Ｐｕｄを示している。
【００５４】
図９（Ｃ）は、電流検出タイミングＴｉｎを示している。図示するように、搬送波Ｃｐが最小値となるタイミングで電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗに検出された電流を取むようにする。駆動装置７は、Ａ／Ｄ変換器を内蔵しており、電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗから出力される電流検出信号ＣＳｕ，ＣＳｖ，ＣＳｗは、Ａ／Ｄ変換器の入力ポートに入力する。したがって、駆動装置７は、内部で作成している搬送波Ｃｐが最小値となるタイミングで、電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗに検出された電流のＡ／Ｄ変換を開始することにより、これらの電流を正確に検出することができる。取込タイミングＴｉｎの周期Ｔ１は、図示の例では、１００μｓであり、この程度の時間間隔で電流を検出すれば正確な電流検出が可能となる。
【００５５】
電流取込動作は、各スイッチング周期Ｔ１毎に行われ、これにより、駆動装置７は交流電動機６に流れる電流を検出している。即ち、上側アームのパワーMOSFETＱ３ｕ，Ｑ３ｖ，Ｑ３ｗがＯＦＦすることにより各相に流れている電流はパワーMOSFETＱ１ｕ，Ｑ１ｖ，Ｑ１ｗとその一部がミラーMOSFETＱ１ｕ，Ｑ１ｖ，Ｑ１ｗ或いは寄生ダイオードＤ１ｕ，Ｄ１ｖ，Ｄ１ｗ，Ｄ２ｕ，Ｄ２ｖ，Ｄ２ｗに流れる。電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗは、パワーMOSFETＱ１ｕ，Ｑ１ｖ，Ｑ１ｗ或いは寄生ダイオードＤ１ｕ，Ｄ１ｖ，Ｄ１ｗの両方向に流れる電流を検出可能であるから、この期間において電流検出信号ＣＳｕ，ＣＳｖ，ＣＳｗを駆動装置７で取込むことにより、各相の電流が検出される。駆動装置７は、検出された電流が所定の電流値となるように、ＰＷＭ信号を制御して、交流電流を制御する。
【００５６】
また、駆動装置７は、検出した各相の電流値の総和から電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗの故障或いはインバータ主回路２と交流電動機６との結線部分の電気的短絡の発生を判断している。これは、等価的にＹ接続された回路において、各々に流れる電流の総和はキルヒホッフの法則により０となる。即ち、検出した電流値の総和が電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗの電流検出測定誤差の総和より大きな値となった場合は、電流検出装置３Ｕ，３Ｖ，３Ｗの故障或いはインバータ主回路２と交流電動機６との結線部分の電気的短絡が発生したと判断される。これより、駆動装置７は、全てのパワーMOSFETＱ１ｕ，Ｑ１ｖ，Ｑ１ｗ，Ｑ３ｕ，Ｑ３ｖ，Ｑ３ｗとミラーMOSFETＱ２ｕ，Ｑ２ｖ，Ｑ２ｗのＯＦＦなどによって過電流や短絡電流の発生を防ぎ発煙或いは発火などの重大事故の発生を防止できる。さらに、図７に示したＰＷＭインバータは、ホール素子のような絶縁された電流検出装置や、シャント抵抗とサンプルホールド回路を用いた電流検出手段を用いておらず、ＰＷＭインバータの小形化及び低コスト化を可能としている。
【００５７】
なお、ＰＷＭインバータに用いる電流検出装置としては、図１に示したものに限らず、図４の電流検出装置３Ａや、図６の電流検出抵抗３Ｂと駆動装置７Ａを用いることもできる。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態によるＰＷＭインバータの各相に流れる電流を、電流検出装置で検出可能である。これより、絶縁された電流検出装置や、シャント抵抗とサンプルホールド回路を用いた電流検出手段を必要とせず製品の小型化と低コスト化が図れる。また、その電流検出装置の故障或いはインバータ主回路と交流電動機間の電気的短絡の発生を検知可能である。これによって、過電流や短絡電流の発生を防ぎ発煙或いは発火などの重大事故の発生を防止できる。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、電流検出のための別の装置や回路を不要とし、また、正負の両方向の電流を検出可能となる。また、その電流検出装置を用いて、ＰＷＭインバータを小形化，低コスト化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による電流検出装置の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による電流検出装置に用いる反転増幅回路の特性の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施形態による電流検出装置の動作説明図である。
【図４】本発明の第２の実施形態による電流検出装置の構成を示す回路図である。
【図５】本発明の第２の実施形態による電流検出装置に用いるレベルシフト回路の特性の説明図である。
【図６】本発明の第３の実施形態による電流検出装置の構成を示す回路図である。
【図７】本発明の第１の実施形態による電流検出装置を用いたＰＷＭインバータの構成を示す回路図である。
【図８】ＰＷＭ信号の要部拡大図である。
【図９】ＰＷＭ信号と電流検出タイミングの説明図である。
【符号の説明】
１…直流電源
２…インバータ主回路
３…電流検出装置
６…交流電動機
７…駆動装置
８…電解コンデンサー
９…レベル変換回路
ＲＣ…電流検出抵抗
ＣＳ…演算増幅器
ＲＦ…帰還抵抗
ＶＲ…電圧信号
ＣＳ…電流検出信号
Ｖｒｅｆ…基準電圧
Ｌ…電気負荷
ＶＢ＋…正電源
ＶＢ−…負電源
Ｑ１，Ｑ３，Ｑ１１…パワーMOSFET
Ｑ２，Ｑ２１…ミラーMOSFET
Ｄ１，Ｄ３，Ｄ１１，Ｄ２，Ｄ２１…寄生ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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