(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層材が、凹部を有する被積層部材と、該被積層部材に対して加圧されると共に加熱されることにより貼着される積層部材とからなり、
積層材が収容される密閉チャンバと、
該密閉チャンバ内の少なくとも一面を構成し、被積層部材に対して積層部材を押圧する膜体と、
密閉チャンバ内を真空引きする減圧手段と、
真空引きされた密閉チャンバ内の積層材が加圧されないように膜体の膨出を阻止することと、膜体を膨出させてその表面により積層材を加圧させることと、を切り替え可能に操作する膜体操作手段と、
積層材を加熱する加熱手段と、
を備えた真空積層装置であって、
被積層部材と膜体との間に介装され、膜体により積層部材を被積層部材に加圧したときに積層部材を介して被積層部材の凹部内に流入する流動性部材を設けたことを特徴とする真空積層装置。
【請求項２】
積層材が、凹部を有する被積層部材と、該被積層部材に対して加圧されると共に加熱されることにより貼着される積層部材とからなり、
積層材を少なくとも一面が膜体によって形成されたチャンバに収容して密閉する工程と、
積層材が加圧されないように膜体の膨出を阻止した状態で密閉されたチャンバ内を減圧する工程と、
この減圧を維持しつつ膜体を膨出させてその表面により積層部材を被積層部材に対して加圧すると共に加熱手段により積層材を加熱する工程と、
を含む真空積層方法であって、
積層材をチャンバに収容する工程において、積層部材を介して被積層部材の凹部内に流入可能な流動性部材を、被積層部材と膜体との間に配置し、
膜体の表面により積層部材を被積層部材に加圧する工程において、積層部材を介して被積層部材の凹部内に流動性部材を流入させることを特徴とする真空積層方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空積層装置および真空積層方法に関し、さらに詳しくは、凹部を有する被積層部材と、該被積層部材に対して加圧されると共に加熱されることにより貼着される積層部材と、からなる積層材を、真空雰囲気下において加圧・加熱することにより積層するための真空積層装置および真空積層方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、磁気ヘッドやＩＣチップなどの電子部品を製造する場合に、ウエハ（被積層部材）の表面にフィルム状のホトレジスト形成層（積層部材）を積層することが行われる。また、ディスプレイを製造する場合に、ガラス基板（被積層部材）に誘電体層あるいは保護層（積層部材）を積層することが行われる。
【０００３】
これらの被積層部材に積層部材を積層するための従来の技術としては、特開昭６３−２９５２１８号公報に開示されているように、内外に開口する２つの搬送口を有する加熱容器と、この加熱容器の内部に収容されかつ前記両搬送口の開口周縁に設けられその内部で２種のステージ材料を一体化する筒状のラバーとを備え、このラバーに管体を介して真空源を接続した成形プレスが知られている。そして、このものにおいては、筒状のラバーが積層材を直接加圧するよう構成されている。
【０００４】
また、別の従来の技術としては、特開昭６３−２９９８９５号公報に開示されているように、被成形物を移送する移送手段と、この移送手段の中間部に開閉駆動可能に配置され、上記被成形物をその移送過程で加熱・加圧して一体成形する真空チャンバーと、この真空チャンバーを開閉駆動するチャンバー開閉手段と、上記真空チャンバーを加熱する加熱機構とを備えた真空プレス装置が知られている。そして、このものにおいては、真空チャンバーを構成する可動側チャンバーと固定側チャンバーとの内部にそれぞれ耐熱性のラバーシートが張設されており、両ラバーシートの間で密閉された真空室が形成され、この真空室には真空ポンプで負圧が作用し、かつ、可動側チャンバーと固定側チャンバーが加熱機構で加熱されていることにより、ステージ材料が加熱・加圧され一体成形されるなどと記載されている。また、このものにおいても、上述した従来の技術と同様に、ラバーシートが積層材を直接加圧するよう構成されている。
【０００５】
上述した従来の技術に用いられている筒状のラバーあるいはラバーシートなど（膜体）は、一般に、その硬度や厚さが積層材を加圧するための所定の強度を確保することができるように設定されている。
【０００６】
ところで、積層材の被積層部材のなかには、例えば、上述した磁気ヘッドやＩＣチップなど、後にダイシングされる各電子部品の大きさにウエハを区分するように、凹部が形成されたものがある。図５は、トレーＴ上に形成された磁気ヘッドを製造するためのウエハＨ１を示したものであり、図６は、このウエハＨ１を拡大して示したものである。後にダイシングされて磁気ヘッドとなるウエハの一の区分は、例えば、一辺Ｗ１が１．００（ｍｍ）で他辺Ｗ２が１．２０（ｍｍ）の大きさに設定され、各区分の間には、幅が０．１８（ｍｍ）で深さ０．３０（ｍｍ）の溝状の凹部Ｈ１ａが形成されている。そして、このような被積層部材としてのウエハＨ１には、その凹部Ｈ１ａの側面および底面に沿って密着するように積層部材としてのホトレジスト形成層Ｈ２を埋め込み積層する必要がある（図８を参照）。
【０００７】
また、積層材のなかには、被積層部材として絶縁層の表面に回路パターンが形成された回路基板に、積層部材としてさらに絶縁層を介して導電層が積層される多層回路基板がある。この場合の被積層部材の表面は、回路基板に回路パターンが形成されていることにより凹凸となっている。そして、このような被積層部材としての回路基板も、ボイドを発生させないように、絶縁層を介して導電層を回路基板の表面に形成された回路パターンの凹凸に対して密着させるように埋め込み積層する必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術にあっては、いずれのものも、図６に示したような幅が０．１８（ｍｍ）と比較的狭い凹部Ｈ１ａに対してホトレジスト形成層Ｈ２を筒状のラバーまたはラバーシート（膜体４）によって直接加圧しようとすると、この膜体４が所定の強度を確保することができるように硬度や厚さが設定されているために、例えば図７に示すように、凹部Ｈ１ａの側面および底面に沿ってホトレジスト形成層Ｈ２を埋め込み積層するように弾性変形することができないという問題があった。このような問題は、凹部Ｈ１ａが比較的深い場合にも発生する。なお、図６に示されたウエハＨ１を上述したような寸法に形成した場合において、このウエハＨ１にホトレジスト形成層Ｈ２を膜体４によって実際に直接加圧して積層したところ、図７に示した例では、膜体４が凹部Ｈ１ａ内に突出するように弾性変形することによりホトレジスト形成層Ｈ２を埋め込むことができたのは、ウエハＨ１の表面からの深さが０．０５（ｍｍ）にすぎなかった。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、簡単な構成で、被積層部材の凹部の幅が比較的狭いあるいは深さが深い場合であっても、かかる凹部に対しても積層部材を確実に埋め込み性よく積層することができる真空積層装置および真空積層方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１の真空積層装置に係る発明は、上記目的を達成するため、積層材が、凹部を有する被積層部材と、該被積層部材に対して加圧されると共に加熱されることにより貼着される積層部材とからなり、積層材が収容される密閉チャンバと、該密閉チャンバ内の少なくとも一面を構成し、被積層部材に対して積層部材を押圧する膜体と、密閉チャンバ内を真空引きする減圧手段と、真空引きされた密閉チャンバ内の積層材が加圧されないように膜体の膨出を阻止することと、膜体を膨出させてその表面により積層材を加圧させることと、を切り替え可能に操作する膜体操作手段と、積層材を加熱する加熱手段と、を備えた真空積層装置であって、被積層部材と膜体との間に介装され、膜体により積層部材を被積層部材に加圧したときに積層部材を介して被積層部材の凹部内に流入する流動性部材を設けたことを特徴とするものである。
【００１１】
請求項２の真空積層方法に係る発明は、上記目的を達成するため、積層材が、凹部を有する被積層部材と、該被積層部材に対して加圧されると共に加熱されることにより貼着される積層部材とからなり、積層材を少なくとも一面が膜体によって形成されたチャンバに収容して密閉する工程と、積層材が加圧されないように膜体の膨出を阻止した状態で密閉されたチャンバ内を減圧する工程と、この減圧を維持しつつ膜体を膨出させてその表面により積層部材を被積層部材に対して加圧すると共に加熱手段により積層材を加熱する工程と、を含む真空積層方法であって、積層材をチャンバに収容する工程において、積層部材を介して被積層部材の凹部内に流入可能な流動性部材を、被積層部材と膜体との間に配置し、膜体の表面により積層部材を被積層部材に加圧する工程において、積層部材を介して被積層部材の凹部内に流動性部材を流入させることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の請求項１に係る真空積層装置では、積層材の被積層部材と膜体との間に流動性部材を介装した状態で、積層材を収容して密閉チャンバを形成し、膜体が膨出して積層材を不用意に加圧しないように、膜体操作手段により膜体をその設けられた対向面に密着させ、密閉チャンバ内を減圧する。その後、膜体操作手段により膜体をその設けられた対向面から離間させるようにして膨出させて、積層材を加圧する。このとき、流動性部材が膜体によって加圧される。その結果、積層部材が被積層部材に対して加圧され、加熱手段に加熱されて積層される。そして、被積層部材の凹部には、流動性部材が積層部材を介して流入することにより、積層部材が埋め込み積層されることとなる。
【００１３】
また、本発明の請求項２に係る真空積層方法では、積層材の被積層部材と膜体との間に流動性部材を介装配置し、この積層材を、少なくとも一面が膜体によって形成されたチャンバに収容して密閉し、積層材が加圧されないように膜体の膨出を阻止した状態で密閉されたチャンバ内を減圧し、この減圧を維持しつつ膜体を膨出させてその表面で積層材を加圧すると共に加熱手段により積層材を加熱する。膜体は、流動性部材を介して積層部材を被積層部材に対して加圧する。流動性部材が積層部材を介して被積層部材の凹部に流入して加圧するため、積層部材が被積層部材の凹部に埋め込み積層されることとなる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
最初に、本発明の真空積層装置の実施の一形態を図１および図２に基づいて詳細に説明する。なお、図において同一符号は同一部分または相当部分とする。
【００１５】
この実施の形態において、本発明の真空積層装置により積層される積層材Ｈは、図５および図６に示したように、被積層部材Ｈ１としての、溝状の凹部Ｈ１ａにより後にダイシングされる各電子部品の大きさに区分されたウエハＨ１と、積層部材Ｈ２としての、ウエハＨ１の凹部Ｈ１ａの側面および底面に沿って密着するように埋め込み積層されるホトレジスト形成層Ｈ２とにより構成され、ホトレジスト形成層Ｈ２は、加熱されることにより粘着性を有するようになり、この状態で加圧されることにより、ウエハＨ１に対して貼着され積層されるものである。
【００１６】
この実施の形態における本発明の真空積層装置は、図１および図２に示すように、概略、相対向して相対的に近接遠退可能に設けられた上板１および下板２と、上板１と下板２とが相対的に近接移動されたときに互いの対向面の間で挟持されることによって積層材Ｈが収容された密閉されえたチャンバＣを形成する枠体３と、上板１または下板２の少なくとも一方の対向面に配設されて密閉されたチャンバＣの一面を構成し、その設けられた対向面から膨出することにより積層材Ｈを加圧する膜体４と、密閉されたチャンバ内を真空引きする減圧手段（後述する）と、真空引きされた密閉チャンバＣ内に収容された積層材Ｈが加圧されないように膜体４の膨出を阻止することと、膜体４を膨出させてその表面により積層材Ｈを加圧させることと、を切り替え可能に操作する膜体操作手段（後述する）と、積層材Ｈを加熱する加熱手段６と、を備え、さらに、被積層部材Ｈ１と膜体４との間に介装され、膜体４により積層部材Ｈ２を被積層部材Ｈ１に加圧したときに積層部材Ｈ２を介して被積層部材Ｈ１の凹部Ｈ１ａ内に流入することができるような流動性を有する流動性部材７を設けたものである。
【００１７】
上板１は、略矩形の平板状体からなるもので、この実施の形態の場合、支持台（図示を省略した）などにより所定の高さに固定保持されている。上板１の下面には収容部１０が形成されており、この収容部１０内には断熱材１１と、積層材Ｈを加熱する加熱手段としてのヒータ６と、上板１の対向面（すなわち、チャンバＣの一面）を構成する定盤１２と、が順次積重され収容されている。ヒータ６は、この実施の形態では、電流を供給することにより所定の温度に発熱する板状の電気ヒータが採用されているが、本発明ではこれに限定されることはない。断熱材１１、ヒータ６、および定盤１２の周側面と収容部１０の側壁面との間には、チャンバＣ内に開口するような間隙１３が形成されている。上板１のほぼ中央には、後述する減圧手段に接続されるポートを有する脱気通路１４が収容部１０に貫通するように穿設されている。断熱材１１の上板１と接する面には、間隙１３と脱気通路１４とを連通する溝１１ａが格子状に複数形成されている。なお、この溝１１ａに代えて、上板１の断熱材１１と接する面に溝を形成することもできる。また、図示は省略するが、上板１内に冷却水を循環供給するための流通路をなどの冷却手段を設けてもよい。
【００１８】
下板２は、上板１と略同じ大きさの矩形の平板状体からなるもので、この実施の形態の場合、所定の高さに固定保持された上板１に対して近接遠退可能に支持され、昇降駆動手段（図示を省略した）が接続されている。昇降駆動手段により下板２を上板１に対して近接させるよう上昇させると、枠体３が上板１と下板２との互いの対向面の間に挟持されて密閉されたチャンバＣが形成され、下板２を上板１から離間させるよう下降させると、チャンバＣが開放されることとなる。
【００１９】
下板２は、枠体３の内周開口と略同じ大きさの収容部２０が形成されている。そして、この実施の形態では、収容部２０内に断熱材２１が収容され、断熱材２１の上面にヒータ６と通気性部材２２が順次積重されている。また、下板２の略中央には、後述する膜体操作手段が接続される通路２４が収容部２０内に貫通するように穿設されている。さらにまた、断熱材２１とヒータ６には通路２４と整合するように孔２１ｂ，６ａがそれぞれ形成されている。通気性部材２２は、例えばパンチングメタルのように平板状の多孔板からなるもので、膜体４とヒータ６との間に配置され、下板２の対向面を構成する。さらに、少なくとも、断熱材２１およびヒータ６の周側面と収容部２０の側壁面との間には間隙２３が形成されており、断熱材２１の下板２と接する面には、間隙２３と通路２４とを連通する溝２１ａが格子状に複数形成されている。なお、溝２１ａに代えて下板２の断熱材２１と接する面に溝を形成することもでき、また、下板２内に冷却手段を設けることもできることは上板と同様である。また、ヒータ６は、上板１と同様に、電流を供給することにより所定の温度に発熱する板状の電気ヒータが採用されているが、本発明ではこれに限定されることはない。
【００２０】
枠体３は上板１の収容部１０とほぼ同じ大きさの開口を有するもので、チャンバＣの周囲を構成する。枠体３の一方の面には、その開口を全面にわたって気密に塞ぐように、チャンバＣの一面を構成する膜体４の外周縁が焼き付け加工等により固着されている。枠体３は、この実施の形態の場合、固着された膜体４の外周縁が下板２の上面に接すると共に中央部が下板２の収容部２０を気密に覆うように、下板２の上面に対してボルトなど（図示は省略する）により取付けられている。さらに、図示は省略するが、枠体３の上面にはＯリングなどのシール部材が設けられており、上板１と下板２とを相対的に近接移動させたときに、形成されたチャンバＣの気密性を確保することができるよう構成されている。枠体３の高さ（厚さ）を変更することにより、積層材Ｈの厚さに応じてチャンバＣの高さを変更することができる。
【００２１】
膜体４は、伸縮性、可撓性、弾性、耐熱性等を有する、例えばシリコンゴムやフッ素ゴム等の素材が用いられている。膜体４の厚さや硬度などの諸条件は、積層材Ｈを加圧するために必要な強度などに応じて設定することができる。
【００２２】
減圧手段は、この実施の形態の場合、上板１に形成された脱気通路１４と接続される真空ポンプ（図示は省略する）を備えている。上板１と下板２を相対的に近接移動させて互いの対向面の間で枠体３を挟持し、密閉されたチャンバＣを形成した状態で減圧手段を駆動すると、積層材Ｈを収容したチャンバＣ内の空気が断熱材１１、ヒータ６、および定盤１２の周側面と収容部１０の側壁面との間の間隙１３および断熱材１１の溝１１ａを通って、脱気通路１４から吸引されて、チャンバＣ内が確実に真空引きされることとなる。
【００２３】
膜体操作手段は、この実施の形態では作動流体として空気が用いられ、上述したように減圧手段を駆動して積層材Ｈを収容したチャンバＣ内を真空引きしたときであって、積層材Ｈを加圧しないときに、膜体４が不用意にチャンバＣ内に膨出しないように、膜体４と下板２の収容部２０との間の空間の空気を吸引して膜体４を通気性部材２２に密着させ、また、真空引きされたチャンバＣ内の積層材Ｈを加圧するときに、膜体４と下板２の収容部２０との間の空間を大気に連通させてチャンバＣ内の真空引きにより膜体４をチャンバＣ内に膨出させ、または必要に応じて膜体４と下板２の収容部との間の空間に圧縮空気を供給するもので、下板２に形成された通路２４と切り替え可能に接続される真空ポンプおよび必要に応じてエアコンプレッサ（図示は省略する）を備えている。積層材Ｈを加圧しないときには、真空ポンプを駆動することにより、膜体４と下板２の収容部２０との間の空間の空気は、膜体４に接するように設けられた通気性部材２２から断熱材２１およびヒータ６の周側面と収容部２０の側壁面との間の間隙２３と断熱材２１の溝２１ａとを通って、また、通気性部材２２から断熱材２１およびヒータ６に形成された孔６ａ，２１ｂを通って、通路２４から吸引されるため、膜体４は確実に通気性部材２２の全面にわたって密着されることとなる。一方、積層材Ｈを加圧するときには、大気または圧縮空気は、通路２４から断熱材２１の溝２１ａと断熱材２１およびヒータ６の周側面と収容部２０の側壁面との間の間隙とを通って、また、断熱材２１およびヒータ６に形成された孔６ａ，２１ｂを通って通気性部材２２から膜体４の裏面全面にわたって確実に供給されて、膜体４をチャンバＣ内に膨出させることとなる。
【００２４】
流動性部材７は、この実施の形態においては、例えば、ＪＩＳ−Ａ硬度１程度のゲル状のもので、後述するように膜体４によって積層材Ｈを加圧したときにホトレジスト形成層Ｈ２を介してウエハＨ１の凹部Ｈ１ａに流入し得るような流動性を有する材質からなるものである。この実施の形態の場合、膜体４上に流動性部材７が載置され、この流動性部材７上にホトレジスト形成層Ｈ２が接するような配置で積層材Ｈが載置され、積層材Ｈと共にチャンバＣ内に収容される。そして、後述するように、膜体４を通気性部材２２に密着させた状態で密閉されたチャンバＣ内を真空引きし、次いで、膜体４をチャンバＣ内に膨出させると共にヒータ６，６を発熱させて加熱して、膜体４が流動性部材７を介して積層材Ｈを定盤１２（この実施の形態の場合）に対して押圧する。このとき、ゲル状の流動性部材７は積層材Ｈと共に加熱されており、図２および図８に示すように、ウエハＨ１の凹部Ｈ１ａ内にホトレジスト形成層Ｈ２を埋め込むようにして流入し加圧する。そして、ホトレジスト形成層Ｈ２は、流動性部材７と共に膜体４によって定盤１２との間で包まれるように周囲が密閉された状態で加圧されるため、ホトレジスト形成層Ｈ２がウエハＨ１からはみ出るように流動することがない。
【００２５】
次に、本発明の真空積層装置の第２の実施の形態を図３に基づいて説明する。なお、上述した実施の形態と同様または相当する部分については、同じ符号を付してその説明を省略する。
【００２６】
この実施の形態においては、膜体４および枠体３や、膜体操作手段の通路２４が上板１に設けられている。また、定盤１２や減圧手段の脱気通路１４が下板２に設けられている。そして、定盤１２上にウエハＨ１が接するように積層材Ｈを載置し、積層材Ｈ上にゲル状の流動性部材７を載置するものである。なお、この実施の形態においては、図８に参照されるように、トレーＴ上にウエハＨ１を形成し支持した状態で定盤１２上に載置することもできる。
【００２７】
ここで、上述した第１および第２の実施の形態では、ウエハＨ１の一方の面に凹部Ｈ１ａが形成され、その凹部Ｈ１ａが形成された一方の面のみにホトレジスト形成層Ｈ２を積層する場合を説明した。しかしながら、本発明の真空積層装置は上述した実施の形態に限定されることなく、ウエハＨ１の両方の面に凹部Ｈ１ａが形成され、その凹部Ｈ１ａが形成された両方の面にホトレジスト形成層Ｈ２を積層する場合にも適用することができる。以下に、かかる場合を第３の実施の形態として、図４に基づいて説明する。なお、上述した実施の形態と同様または相当する部分については、同じ符号を付してその説明を省略する。
【００２８】
この実施の形態においては、上板１および下板２の双方に膜体４および枠体３や、膜体操作手段の通路２４が設けられている。また、減圧手段の脱気通路１４は、枠体３の内外に連通するように形成されている。そして、積層材Ｈは、ウエハの凹部Ｈ１ａが形成された両方の面にホトレジスト形成層Ｈ２が接するように配置され、さらに、ホトレジスト形成層Ｈ２は流動性部材７，７によって挟まれるように配置された状態でチャンバＣ内に収容される。
【００２９】
次に、本発明の真空積層方法の実施の一形態を、主に、図７に示したように従来の膜体により積層材を直接加圧した場合と、図８に示したように本発明の膜体４と積層材Ｈとに間に流動性部材７を介在させて加圧した場合とで比較しながら、上述した真空積層装置を使用した場合により説明する。なお、この実施の形態においては、図３に示したように、第２の実施の形態における真空積層装置を用いて、ウエハＨ１の凹部Ｈ１ａが形成された一方の面にホトレジスト形成層Ｈ２を積層する場合で説明する。
【００３０】
本発明の真空積層方法は、概略、流動性部材７を積層部材Ｈ２と膜体４との間に配置する工程と、この流動性部材７が配置された状態の積層材ＨをチャンバＣ内に配置して上板１と下板２とを相対的に近接移動させることにより、積層材Ｈが収容された密閉されたチャンバＣを形成する工程と、積層材Ｈが加圧されないように膜体４の膨出を阻止した状態で密閉されたチャンバＣ内を減圧する工程と、この減圧を維持しつつ膜体４を膨出させてその表面により積層部材Ｈ２を被積層部材Ｈ１に対して加圧して、積層部材Ｈ２を介して被積層部材Ｈ１の凹部Ｈ１ａ内に流動性部材７を流入させると共に加熱手段６により積層材Ｈを加熱する工程と、を含むものである。
【００３１】
積層材Ｈを積層するにあたっては、最初に、流動性部材７が積層部材としてのホトレジスト形成層Ｈ２と膜体４との間に位置するようにして、積層材Ｈを流動性部材７と共にチャンバＣの一面を構成する定盤１２上に配置させる。このとき、先にホトレジスト形成層Ｈ２を上にして被積層部材としてのウエハＨ１を下にした状態の積層材Ｈを定盤１２上に載置してから、この積層材Ｈ上に流動性部材７を載置してもよく、また、ホトレジスト形成層Ｈ２に接するように流動性部材７を載置した状態で、積層材Ｈを定盤１２上に載置することもできる。
【００３２】
次いで、上板１と下板２とを相対的に近接移動させると、上板１と下板２との互いの対向面の間に枠体３が挟持されて定盤１２および膜体４と枠体３により囲まれ、被積層材Ｈが収容された、密閉されたチャンバＣが形成される。
【００３３】
続いて、膜体操作手段により膜体４を上板１の通気性部材２２に密着させ、この状態で、減圧手段を駆動して密閉されたチャンバＣ内の空気を脱気して真空引きを行う。したがって、チャンバＣ内の真空引きにより、膜体４がチャンバＣ内に膨出することが阻止された状態となるため、この時点で積層材Ｈが膜体４によって加圧されることがない。
【００３４】
密閉されたチャンバＣ内が充分減圧されると、膜体４の通気性部材２２に対する密着を解除して、膜体４と下板２の収容部２０との間の空間を大気に連通させ、あるいは、必要に応じて膜体４と下板２の収容部２０との間の空間に圧縮空気を供給して、膜体４を膨出させてチャンバＣの容積を収縮させるように膜体操作手段を切り替え、流動性部材７を介して積層材Ｈが全面にわたって定盤１２に対して均等に押圧されるように加圧する。また、このときにはヒータ６，６にそれぞれ電流が供給されて発熱している。そのため、ホトレジスト形成層Ｈ２が粘着性を有するようになり、流動性部材７を介して膜体４によって加圧されることにより、ホトレジスト形成層Ｈ２がウエハＨ１に積層されることとなる。
【００３５】
ホトレジスト形成層Ｈ２がウエハＨ１に積層されるときには、図８に示すように、流動性部材７を介して膜体４が加圧することにより、ウエハＨ１の凹部Ｈ１ａ内にホトレジスト形成層Ｈ２を介して流動性部材７が流入するため、ホトレジスト形成層Ｈ２はウエハＨ１の凹部Ｈ１ａの底面および側面に密着するように押圧されて埋め込まれることとなる。
【００３６】
一方、図７に示すように、膜体４によって積層材Ｈを直接加圧した場合には、上述したように、膜体４が所定の強度を確保することができるように硬度や厚さが設定されているために、ウエハＨ１の凹部Ｈ１ａの側面および底面に沿ってホトレジスト形成層を埋め込み積層するように弾性変形することができない。
【００３７】
また、既述したように、積層部材Ｈ１として表面に所定のパターンで導電層が形成された回路基板に対して、積層部材Ｈ２としての絶縁層を介して導電層をさらに積層するような場合にも、表面に形成された回路パターンによる凹凸（凹部Ｈ１ａ）に絶縁層および導電層Ｈ２を介して流動性部材７が流入するため、回路基板Ｈ１の回路パターンＨ１ａに絶縁層および導電層Ｈ２が密着するように押圧されて埋め込まれることとなる。
【００３８】
さらに、本発明は、上述した実施の形態に限定されることなく、ディスプレーを構成するガラス基板Ｈ１に誘電体層あるいは保護層Ｈ２を積層する場合など、他の目的に使用される積層品を積層する場合にも適用することができる。
【００３９】
被積層材Ｈの積層成形が完了したら、膜体４と下板２の収容部２０との間の空間に圧縮空気を供給している場合にはその供給を停止し、必要に応じて膜体４と下板２の収容部２０との間の空間の空気を吸引して膜体４を通気性部材２２に密着させ、減圧手段の駆動を停止して密閉されたチャンバＣ内に大気を導入し、上板１と下板２とを相対的に離間移動させてチャンバＣを解放し積層品を取り出す。
【００４０】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、被積層部材と膜体との間に介装され、膜体により積層部材を被積層部材に加圧したときに積層部材を介して被積層部材の凹部内に流入する流動性部材を設けたという簡単な構成で、被積層部材の凹部の幅が比較的狭いあるいは深さが深い場合であっても、かかる凹部に対しても積層部材を確実に埋め込み性よく積層することができる真空積層装置を提供することができる。
【００４１】
請求項２の発明によれば、積層部材を介して被積層部材の凹部内に流入可能な流動性部材を被積層部材と膜体との間に配置し、膜体の表面により積層部材を被積層部材に加圧する工程において、積層部材を介して被積層部材の凹部内に流動性部材を流入させるという簡単な構成で、被積層部材の凹部の幅が比較的狭いあるいは深さが深い場合であっても、かかる凹部に対しても積層部材を確実に埋め込み性よく積層することができる真空積層方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空積層装置の実施の一形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示した真空積層装置において、チャンバ内に収容された被積層材を加熱・加圧する状態を示す縦断面図である。
【図３】本発明の真空積層装置の第２の実施の形態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の真空積層装置の第３の実施の形態を示す縦断面図である。
【図５】本発明が適用される積層材としてトレー上に支持され形成されたウエハを示す平面図である。
【図６】後にダイシングされる各電子部品の大きさに区分するように、凹部が形成されたウエハの、部分拡大平面図である。
【図７】従来の技術により、膜体が直接積層材を加圧する様子を説明するための部分拡大縦断面図である。
【図８】本発明により、流動性部材を介して膜体が積層材を加圧する様子を説明するための部分拡大縦断面図である。
【符号の説明】
Ｈ      積層材
Ｈ１    ウエハ（被積層部材）
Ｈ１ａ  凹部
Ｈ２    ホトレジスト形成層（積層部材）
Ｃ      チャンバ
１      上板
２      下板
３      枠体
４      膜体
６      ヒータ（加熱手段）
７      流動性部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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