(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
べースとその上に配置された絶縁パッケージとで構成された外囲器の中に半導体チップを収納し、前記絶縁パッケージ上に複数の主端子を配設したパワー半導体モジュールにおいて、
前記複数の主端子をそれぞれ前記べースに平行に配置した状態で前記パッケージの外部に突出させ、各主端子に形成した導体取付ボルト用の貫通穴をボルトの軸心方向から見て前記パッケージの外部に位置させるとともに、前記各主端子を相互に絶縁した上、積層構造にして導出したことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】
複数のスイッチングモジュールと複数のダイオードモジュールにより中性点クランプ方式３レベルインバータ回路を構成した電力変換装置において、
各スイッチングモジュール及び各ダイオードモジュールをそれぞれべースとその上に配置された絶縁パッケージとで構成した外囲器の中に個々に収納し、前記パッケージ上に配設した複数の主端子をそれぞれ前記べースに平行に配置した状態で前記パッケージの外部に突出させ、各端子に形成した導体取付ボルト用の貫通穴をボルトの軸心方向から見て前記パッケージの外部に位置させ、各スイッチングモジュール及び各ダイオードモジュールを共通の冷却器上に配置し、各モジュールの端子を、絶縁シートを介して積層した複数の導体を介して前記冷却器の側方に導出したことを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
複数のスイッチングモジュールによりインバータ回路を構成した電力変換装置において、
各スイッチングモジュールをそれぞれべースとその上に配置された絶縁パッケージとで構成した外囲器の中に個々に収納し、前記パッケージ上に配設した複数の主端子をそれぞれ前記べースに平行に配置した状態で前記パッケージの外部に突出させ、各主端子に形成した導体取付ボルト用の貫通穴をボルトの軸心方向から見て前記パッケージの外部に位置させ、複数のスイッチングモジュールを共通の冷却器上に配置し、各モジュールの端子を、絶縁シートを介して積層した複数の導体を介して前記冷却器の側方に導出したことを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電力変換装置において、
前記インバータ回路の１相分を構成するスイッチングモジュールごとに共通の冷却器上に配置したことを特徴とする電力変換装置。
【請求項５】
請求項２又は３に記載の電力変換装置において、
前記絶縁シートを、熱伝導性絶縁シートによって構成したことを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などのスイッチング素子やダイオード素子などを絶縁パッケージ内に収納したパワー半導体モジュールと、それらを用いて構成される電力変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高性能かつ高効率に電力を変換する電力変換装置には、高速スイッチングの可能なＩＧＢＴなどのスイッチング素子をパッケージ内に収納したパワー半導体モジュールが使用されている。これらの電力変換装置には、大容量化・高性能化と同時に、小形化・信頼性向上のニーズがある。そのため、様々なモジュール構成、回路構成及び変換装置構成が用いられている。従来のパワー半導体モジュールと変換装置の構成について、図１１ないし図１６を参照して説明する。
【０００３】
図１１は、中性点クランプ方式３レベルインバータ回路の１相分を示したものである。このインバータ回路は、主回路を構成する４個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄと、中性点クランプ用の２個のダイオードモジュール２ａ，２ｂを用いて構成されている。ＩＧＢＴモジュールは通常、複数のＩＧＢＴチップを内蔵し、それらのＩＧＢＴチップを内部で並列接続し、大電流化を図っている。同時に複数の還流用ダイオードチップを内蔵して、各ＩＧＢＴチップに対し逆並列に接続している。同様に、ダイオードモジュールも複数のダイオードチップからなり、内部で並列接統されている。
【０００４】
ＩＧＢＴチップ及びダイオードチップは、１チップあたりの電圧や電流の定格に制限があり、大容量の装置を構成するために、多数のチップを並列接続して電流定格の大きいモジュールを構成したり、チップを高耐圧化して電圧定格の大きいモジュールを構成したりしている。
【０００５】
図１２は、ＩＧＢＴモジュールの外観を示した図である。べ一ス７と絶縁パッケージ３によって外囲器を構成し、その中にＩＧＢＴチップ及びダイオードチップが収納される。このＩＧＢＴモジュールはベース７を取付穴８に通した取付ボルトにより図示していない絶縁基板に取り付けた状態で実装される。各チップの絶縁基板は熱伝導率の大きい材料を用いて製作され、ＩＧＢＴチップ及びダイオードチップから発生する熱をベース７に伝導する。パッケージ３には、コレクタ端子４、エミッタ端子５、及びゲート端子６が設けられており、回路構成上必要な配線部材を接続することができるようにしている。なお、ここではコレクタ端子４とエミッタ端子５を各々２個ずつ設けている。
【０００６】
なお、ダイオードモジュールは図示していないが、ＩＧＢＴモジュールとほぼ同等の構成を持っており、ＩＧＢＴチップのコレクタ端子４の部分をカソード端子とし、エミッタ端子５の部分をアノード端子としたものに相当する。ただし、ゲート端子６の部分は存在しない。
【０００７】
図１３は、図１２に示したＩＧＢＴモジュール及び図示していないダイオードモジュールを用いた３レベルインバータ回路一相分の構造例を示すものである。ＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ及びダイオードモジュール２ａ，２ｂが冷却器９上に搭載されている。ＩＧＢＴモジュール１ｄの部分に例示したように、ベース７に設けられた取付穴８に通したモジュール取付ボルト１１により各モジュールを冷却器９に固定している。なお、冷却器９には所定数のネジ穴を形成しているが、図示は省略している。
【０００８】
ＩＧＢＴモジュールのコレクタ端子及びエミッタ端子、並びにダイオードモジュールのカソード端子及びアノード端子には、３レベルインバータ回路を構成するのに必要な導体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ及び１０ｆが接続される。同様にＩＧＢＴモジュール１ｄの部分に例示したように、各導体は導体取付ボルト１２により各端子に機械的に固定され電気的に接続される。なお、各モジュールの端子部分にもネジ穴を形成している。ＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのゲート端子には、図示していないゲート回路基板が被覆電線などの配線材を介して接続され、それによりゲート駆動用の信号が供給される。
【０００９】
図１４は、６個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを用いて構成された三相インバータ回路を示したものである。図１５は、４個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅを用いて構成された単相インバータ回路を示したものである。また、図１６は、図１４に示した三相インバータ回路、又は図１５に示した単相インバータ回路の１相分を示したものである。ここに示したインバータ回路の１相分は、正側アーム及び負側アームにおいてそれぞれ各々３個のＩＧＢＴモジュール１ａ、１ｂ，１ｃないし１ｄ，１ｅ，１ｆをそれぞれ並列に接続したものである。いずれの場合も、最終的には図１１の中性点クランプ方式３レベルインバータ回路の場合と同様な回路構成にして用いられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来のパワー半導体モジュールと電力変換装置の構造を図１２及び図１３を参照して検討する。
【００１１】
（１）  図１３において、ＩＧＢＴモジュール１ａ〜１ｄ及びダイオードモジュール２ａ，２ｂを相互接続する導体は、パッケージ３（図１２）を部分的に覆うような形で配置される。そのため、故障などによりモジュールを交換する必要が生じた場合、まずモジュール上に覆い被さっている導体を取り外すことが必要になる。たとえば、ＩＧＢＴｌｄを交換する場合、導体１０ｄ，１０ｅを取り外す必要がある。モジュールの交換後は、逆に導体１０ｄ，１０ｅを取付ける作業を必要とする。そのため、モジュールの交換作業には相当の時間がかかり、短時間に保守作業を行うことは難しい。
【００１２】
（２）  一部の導体はモジュール取付ボルト１１を覆うような位置に配置されるので、導体接続後はモジュール取付ボルト１１の締め直しをすることが困難である。このため、モジュール取付ボルト１１の増し締めを行うような場合、一部の導体を取り外す必要が生じ、同様に短時間の保守作業が困難となる。
【００１３】
（３）  各導体はモジュールの端子部分で保持されるため、各導体の自重や外部から受ける振動により端子に外力が加わり、端子自体やモジュール内部の接合部に応力が加わる。これによりモジュールの信頼性上、好ましくない影響が生じる。
【００１４】
（４）  各導体から発生する熱により温度が上昇し、モジュールの絶縁パッケージ３や、モジュールの直近に配置されている図示していないスナバ回路用コンデンサなどの温度を上昇させる。その結果、各部材の長期信頼性上、好ましくない影響が生じる。
【００１５】
（５）  複数のモジュールを相互接続する関係上、各導体の長さが長くなり、それに応じて主回路の配線インダクタンスが大きくなる。その結果、インダクタンスに応じて発生するサージ電圧が大きくなり、サージ電圧分をディレーティングして通電する必要が生じる。逆に、所定容量の装置を構成する場合、モジュール定格を大きくする必要が生じるので、装置が大形化する。
【００１６】
（６）  各モジュールは導体がパッケージを部分的に覆うような位置に配置されるので、ゲート信号供給用の基板を各モジュールの直近に配置することができない。そのため、各モジュールから離れた位置にゲート回路基板を配置し、被覆電線などの配線材を介してゲート端子６（図１２）に接続することになる。その結果、ゲート回路の配線インピーダンスが大きくなり、高速のスイッチングが困難になる。
【００１７】
従って、本発明の目的は、モジュールの交換作業を容易にし、主回路のインダクタンスを低減し、導体の温度上昇を抑制し、ゲート配線のインピーダンスを小さくすることであり、それにより、装置の保守性向上、小形化、高性能化、及び信頼性の向上を実現することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成されている。
請求項１記載の発明は、べースとその上に配置された絶縁パッケージとで構成された外囲器の中に半導体チップを収納し、前記絶縁パッケージ上に複数の主端子を配設したパワー半導体モジュールにおいて、前記複数の主端子をそれぞれ前記べースに平行に配置した状態で前記パッケージの外部に突出させ、各主端子に形成した導体取付ボルト用の貫通穴をボルトの軸心方向から見て前記パッケージの外部に位置させるとともに、前記各主端子を相互に絶縁した上、積層構造にして導出したことを特徴とする。
【００２３】
請求項２に係る発明は、複数のスイッチングモジュールと複数のダイオードモジュールにより中性点クランプ方式３レベルインバータ回路を構成した電力変換装置において、各スイッチングモジュール及び各ダイオードモジュールをそれぞれべースとその上に配置された絶縁パッケージとで構成した外囲器の中に個々に収納し、パッケージ上に配設した複数の主端子をそれぞれべースに平行に配置した状態でパッケージの外部に突出させ、各端子に形成した導体取付ボルト用の貫通穴をボルトの軸心方向から見てパッケージの外部に位置させ、各スイッチングモジュール及び各ダイオードモジュールを共通の冷却器上に配置し、各モジュールの端子を、絶縁シートを介して積層した複数の導体を介して冷却器の側方に導出したことを特徴とする。
【００２４】
請求項３に係る発明は、複数のスイッチングモジュールによりインバータ回路を構成した電力変換装置において、各スイッチングモジュールをそれぞれべースとその上に配置された絶縁パッケージとで構成した外囲器の中に個々に収納し、パッケージ上に配設した複数の主端子をそれぞれべースに平行に配置した状態でパッケージの外部に突出させ、各主端子に形成した導体取付ボルト用の貫通穴をボルトの軸心方向から見てパッケージの外部に位置させ、複数のスイッチングモジュールを共通の冷却器上に配置し、各モジュールの端子を、絶縁シートを介して積層した複数の導体を介して冷却器の側方に導出したことを特徴とする。
【００２５】
請求項４に係る発明は、請求項３に記載の電力変換装置において、インバータ回路の１相分を構成するスイッチングモジュールごとに共通の冷却器上に配置したことを特徴とする。
【００２６】
請求項５に係る発明は、請求項２又は３に記載の電力変換装置において、絶縁シートを熱伝導性絶縁シートによって構成したことを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
＜実施の形態１＞
本発明の第１の実施の形態について図１を用いて説明する。図１に示すパワー半導体モジュールにおいては、べース７とその上に配置された絶縁パッケージ３とで構成された外囲器の中に半導体チップを収納し、パッケージ３上に複数の主端子、すなわちコレクタ端子４とエミッタ端子５を、それぞれベース７に対して平行にした状態でパッケージ３の外部に突出させ、各主端子４，５に形成した導体取付ボルト用の貫通穴４ｈ，５ｈをボルトの軸心方向から見てパッケージ３の外部に位置させている。各主端子４，５は、ベース７に設けた取付穴８と干渉しないように位置決めされている。パッケージ３上には、主端子４，５とは反対側に制御端子すなわちゲート端子６も配設されている。
【００２８】
この実施の形態によれば、このモジュールを用いて構成された電力変換装置のモジュールを交換する場合、後述のごとく導体を取り外すことなしに交換することができるので、作業に要する時間を短縮することができ、保守性を向上させることができる。
【００２９】
＜実施の形態２＞
次に本発明の第２の実施の形態について図２を参照して説明する。図２は、図１１に示した回路構成の中性点クランプ式３レベルインバータにおける１相分を構成する４個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ及び２個のダイオードモジュール２ａ，２ｂを共通の冷却器９上に配設した例を示すものである。各ＩＧＢＴモジュールは図１に示した構造のものを用いる。ダイオード２ａ，２ｂは、外形的には図１のＩＧＢＴと同様であるが、それから制御端子すなわちゲート端子を省略した形のものが用いられる。各ＩＧＢＴモジュール及びダイオードは、インバータの直流電源側から見て正側モジュール１ａ，１ｂ，２ａの主端子４，５と負側モジュール１ｃ，１ｄ，２ｂの主端子４，５とが対向するように配置される。冷却器９上には、各主端子が位置する正側モジュールと負側モジュールとの対向部に、外部端子用の６枚の端子導出導体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆをそれぞれ図示していない絶縁板を介して積層状態で固定し、各導体の端末部が露出するように最上層の導体は短く、最下層の導体は長く階段状に形成している。これらの導体を用いて各モジュール相互間の相互結線も行われる。図示の場合、最下層の導体１０ｃはモジュール１ｂ，１ｃの相互接続と交流端子ＡＣの導出用として用いられ、以下同様に、導体１０ｄはモジュール１ａ，１ｂ，２ａの相互接続と必要に応じて外部端子用として用いられ、導体１０ｂはモジュール１ｃ，１ｄ，２ｂの相互接続と必要に応じて外部端子用として用いられ、導体１０ｅはモジュール１ｄから導出された直流負端子Ｎ用として用いられ、導体１０ａはモジュール１ａから導出された直流正端子Ｐ用として用いられ、最後に導体１０ｆはモジュール２ａ，２ｂの相互接続と中性点端子Ｃ用として用いられる。
【００３０】
ダイオードモジュール２ｂの部分に例示したように、各モジュールはそれぞれのベース７に形成した取付穴８を通して取付ボルト１１により冷却器９に固定し、モジュールの各端子は導体取付ボルト１２により図示していないネジ穴を形成した各導体のネジ穴にねじ込むことにより機械的に固定すると共に電気的にも接続する。ここでは、導体取付ボルト１２はダイオードモジュール２ｂのアノード端子５と導体１０ｄとを接続する様子を示している。
【００３１】
このような構成によれば、各モジュールと各導体とは互いに干渉しないような位置関係となり、導体は冷却器９に固定されるので、各モジュールを交換する場合、導体を取り外すことなしに交換することができ、交換作業に要する時間を短縮し、保守性を向上させることができる。各導体はモジュール取付ボルト１１の位置と重ならないように設置しているので、導体取付後もモジュール取付ボルト１１の増し締めをすることが容易であり、同様に保守性が向上する。
【００３２】
また、各導体は冷却器９に固定されているので、導体の自重により各端子に外力が加わることがなく、また、振動による影響も小さくなるので端子自体やモジュール内の接合部への影響が小さくなり、装置の信頼性が向上する。
【００３３】
さらに、各導体の配線長を短くし、絶縁板を介して積層するため各導体を近接して配置することができるので、導体部分の配線インダクタンスを小さくすることができる。その結果、インダクタンスに比例して発生するサージ電圧が小さくなり、所定容量の装置を構成する場合、モジュール定格を低減し、装置を小形化することができる。
【００３４】
＜実施の形態３＞
次に本発明の第３の実施の形態について図３を参照して説明する。図３は、図１に示した形態の６個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを用いて図１４に示されている三相インバータ回路を冷却器９上に構成したものである。このインバータ回路では、図１４からも分かるように、計５個の端子導体、すなわち２個の直流端子Ｐ，Ｎ及び３個の交流端子Ｕ，Ｖ，Ｗがそれぞれ導体１０ａ〜１０ｅによって導出されている。モジュール１ａ，１ｂ，１ｃのコレクタを共通接続する導体１０ｃによって直流正端子Ｐが導出され、モジュール１ｄ，１ｅ，１ｆのエミッタを共通接続する導体１０ｅによって直流負端子Ｎが導出され、モジュール１ａ，１ｄを共通接続する導体１０ｂによって交流端子Ｕが導出され、モジュール１ｂ，１ｅを共通接続する導体１０ａによって交流端子Ｖが導出され、モジュール１ｃ，１ｆを共通接続する導体１０ｄによって交流端子Ｗが導出される。このような構成においても、図２に示した実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００３５】
＜実施の形態４＞
図４は本発明の第４の実施の形態を示すものである。この実施の形態は、図１に示した構成の４個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅを用いて図１５に示した単相インバータ回路を冷却器９上に構成したものである。このインバータ回路では、図１５からも分かるように、計４個の端子導体、すなわち２個の直流端子Ｐ，Ｎ及び２個の交流端子Ｕ，Ｖがそれぞれ導体１０ａ〜１０ｄによって導出される。モジュール１ａ，１ｂのコレクタを共通接続する導体１０ａによって直流正端子Ｐが導出され、モジュール１ｄ，１ｅのエミッタを共通接続する導体１０ｄによって直流負端子Ｎが導出され、モジュール１ａ，１ｄを共通接続する導体１０ｂによって交流端子Ｕが導出され、モジュール１ｂ，１ｅを共通接続する導体１０ｃによって交流端子Ｖが導出される。このような構成においても、図２に示した実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００３６】
＜実施の形態５＞
図５は本発明の第５の実施の形態を示すものである。この実施の形態は、図１に示した構成の６個のＩＧＢＴモジュール１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆを用いて図１６に示すような、三相インバータ回路の一相分又は単相インバータ回路の一相分を冷却器９の上に構成したものである。並列接続された３個のモジュール１ａ，１ｂ，１ｃが正側アームを、並列接続された３個のモジュール１ｄ，１ｅ，１ｆが負側アームを構成している。モジュール１ａ，１ｂ，１ｃのコレクタを共通接続する導体１０ａによって直流正端子Ｐが導出され、モジュール１ｄ，１ｅ，１ｆのエミッタを共通接続する導体１０ｃによって直流負端子Ｎが導出され、モジュール１ａ，１ｂの共通接続点、モジュール１ｂ，１ｅの共通接続点、及びモジュール１ｃ，１ｆの共通接続点を接続し、かつ、それらの共通接続点を相互に接続する導体１０ｂによって交流端子ＡＣが導出される。このような構成においても、図２に示した実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００３７】
＜実施の形態６＞
図６は本発明の第６の実施の形態を示すものである。図６は図２に示した冷却器９及び導体１０ａ〜１０ｆの部分側面図である。図６において、冷却器９及び導体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆの相互間にそれぞれ熱伝導性絶縁シート１３を介挿して相間を電気絶縁した様子を示している。この構成によれば、各導体から発生する熱が熱伝導性絶縁シート１３を介して冷却器９に効率的に伝導され各モジュールとともに冷却されるので、各導体の温度上昇を抑制することができる。その結果、モジュールの絶縁パッケージ３や、モジュールの直近に配置された図示していないスナバ回路用コンデンサなどの温度上昇も抑制することができるので、それらの部材の長期にわたる信頼性を向上させることができる。
【００３８】
＜実施の形態７＞
次に本発明の第７の実施の形態について図７を用いて説明する。本実施の形態は、図１に示したパワー半導体モジュールにおいて、パッケージ３上にゲート信号供給用のゲート回路基板１４を配置したものである。ゲート回路基板１４に設けた接続端子１５をモジュールのゲート端子６に被覆電線などの配線材を介さずに直接接続している。このような構成によれば、ゲート回路基板１４をパッケージ３の直近に設置することができ、配線材を介さずに接続するので、ゲート回路の配線インピーダンスを小さくし、高速スイッチングを可能にすることができる。
【００３９】
＜実施の形態８＞
図８は本発明の第８の実施の形態を示すものである。この実施の形態は、図１のパワー半導体モジュールにおいて、コレクタ端子４とエミッタ端子５を、相互に絶縁した上で積層配置したものである。導体取付ボルト１２が貫通する穴４ｈ，５ｈはベース７の取付穴８と互いに干渉しないように位置決めされる。このような構成によれば、コレクタ端子４とエミッタ端子５の部分の有するインダクタンスを小さくすることができ、装置構成時の回路インダクタンスをさらに小さくすることができる。
【００４０】
＜実施の形態９＞
次に本発明の第９の実施の形態について図９を用いて説明する。この実施の形態は、図１のパワー半導体モジュールにおいて、パッケージ３にモジュール取付ボルト１１を予め組込んだものである。この構成によれば、モジュール取付ボルト１１を緩めた状態ではモジュール取付ボルト１１がパッケージ３に付属しているので、モジュールとモジュール取付ボルト１１とを一つの部品として取り扱うことができる。そのため、モジュール交換の作業性が良くなり、保守に要する作業時間をさらに短縮することができる。
【００４１】
＜実施の形態１０＞
図１０は本発明の第１０の実施の形態を示すものである。この実施の形態は、図１のパワー半導体モジュールにおいて、コレクタ端子４とエミッタ端子５に、それぞれ導体取付ボルト１２を予め組込んだものである。この構成によれば、導体取付ボルト１２を緩めた状態でも、導体取付ボルト１２がコレクタ端子４及びエミッタ端子５から完全に外れることがなく、モジュールと導体取付ボルト１２を一つの部品として取り扱うことができる。そのため、モジュール交換の作業性が向上し、保守に要する作業時間をさらに短縮することができる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、モジュールの交換作業を容易にし、主回路のインダクタンスを低減し、導体の温度上昇を抑制することができ、それにより装置の保守性向上、小形化、高性能化、及び信頼性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるパワー半導体モジュールの斜視図。
【図２】本発明の第２の実施の形態における電力変換装置の分解斜視図。
【図３】本発明の第３の実施の形態における電力変換装置の分解斜視図。
【図４】本発明の第４の実施の形態における電力変換装置の分解斜視図。
【図５】本発明の第５の実施の形態における電力変換装置の分解斜視図。
【図６】本発明の第６の実施の形態における冷却器及び端子接続導体の断面図。
【図７】本発明の第７の実施の形態におけるパワー半導体モジュールの分解斜視図。
【図８】本発明の第８の実施の形態におけるパワー半導体モジュールの斜視図。
【図９】本発明の第９の実施の形態におけるパワー半導体モジュールの斜視図。
【図１０】本発明の第１０の実施の形態におけるパワー半導体モジュールの斜視図。
【図１１】公知の中性点クランプ方式３レベルインバータの回路結線図。
【図１２】従来のＩＧＢＴモジュールの斜視図。
【図１３】従来の３レベルインバータの端子接続導体の配置状態を説明するための分解斜視図。
【図１４】公知の三相インバータ回路の結線図。
【図１５】公知の単相インバータ回路の結線図。
【図１６】公知の三相インバータ回路の１相分を示す結線図。
【符号の説明】
１ａ〜１ｆ  ＩＧＢＴモジュール
２ａ，２ｂ  ダイオードモジュール
３  パッケージ
４  主端子（コレクタ端子又はカソード端子）
５  主端子（エミッタ端子又はアノード端子）
６  制御端子（ゲート端子）
７  べース
８  取付穴
９  冷却器
１０ａ〜１０ｆ  端子接続導体
１１  モジュール取付ボルト
１２  導体取付ボルト
１３  熱伝導性絶縁シート
１４  ゲート回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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