(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造を用意する第１の工程と、
エッチング液がなみなみと入った容器を用意する第２の工程と、
前記容器の上方に前記構造を配置する第３の工程と、を有し、
前記構造は、第１の基板を有し、
前記構造は、前記第１の基板の上方に光電変換素子を有し、
前記構造は、前記光電変換素子の上方に第２の基板を有し、
前記第１の基板は、透光性を有し、
前記第３の工程において、前記第１の基板が前記容器の縁に支えられ、
前記第３の工程において、前記第１の基板がエッチングされることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の工程において、前記第１の基板に凹部が形成され、
前記凹部に、樹脂を充填する第４の工程が行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、光電変換素子を備えた半導体装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光電変換素子（光センサ）を備えた密着型イメージセンサが開示されている。
【０００３】
特許文献２には、表示素子と光電変換素子（光センサ）を有しイメージセンサ機能を備えた表示装置が開示されている。
【０００４】
なお、密着型イメージセンサ、表示装置等は半導体を用いているので半導体装置である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３２０５４７号公報
【特許文献２】特開平１０−３３３６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
複数の光電変換素子が配置された半導体装置において、読み取り対象物の所定の位置で反射した反射光は、所定のアドレスに配置された光電変換素子に入射させることが好ましい。
【０００７】
つまり、所定の位置で反射した反射光が、所定のアドレスに配置された光電変換素子と、所定のアドレスに配置された光電変換素子の隣のアドレスに配置された光電変換素子との双方に入射されてしまうとイメージセンサの解像度（分解能）が下がってしまう。
【０００８】
このように、所定のアドレスに配置された光電変換素子の周辺に配置された光電変換素子に反射光が入射してしまうことによって生ずる解像度（分解能）の低下を周辺ボケと呼ぶ。
【０００９】
以上に鑑み、周辺ボケを防止する構成を以下に開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
透光性基板上に光電変換素子を設けた場合、光は透光性基板を介して光電変換素子に入射される。
【００１１】
ここで、透光性基板の厚さが厚い場合、基板表面と水平な方向に対して斜め方向のベクトルを持つ反射光は、基板表面と水平な方向に大きくずれるため、所定のアドレスの周辺の光電変換素子に到達しやすくなってしまう。
【００１２】
よって、透光性基板の厚さは薄ければ薄いほど周辺ボケを防止することができる。
【００１３】
しかしながら、透光性基板の厚さは薄くしすぎると、透光性基板上に光電変換素子を作製する工程で透光性基板が割れてしまう可能性が高くなる。
【００１４】
そこで、透光性基板上に光電変換素子を形成した後に透光性基板の厚さを薄くすることによって、透光性基板上に光電変換素子を作製する工程で透光性基板が割れてしまうことを防止することができる。また、一対の透光性基板のうち一方のみをエッチングするため、エッチング後も装置全体としての機械的強度を保つことができる。
【００１５】
より好ましくは、第１の透光性基板上に光電変換素子を形成し、第２の透光性基板を光電変換素子上に対向させて光電変換素子を封止した後、第１の透光性基板をエッチングすることが好ましい。
【００１６】
エッチングの方法は、機械研磨、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、ウェットエッチング等を用いることができる。
【００１７】
但し、機械研磨、ＣＭＰ等の研磨方法を用いると研磨の最中に基板に機械的なダメージが加わってしまい基板が割れてしまったり、基板の強度が低下する場合がある。
【００１８】
よって、機械的なダメージの入らないウェットエッチングを用いると好ましい。
【００１９】
また、周辺ボケを減らす他の方法として平凸レンズを用いる方法がある。
【００２０】
平凸レンズは図１２に示すように、一方の面が凸状の面であり、他方の面が平らな面であるレンズをいう。
【００２１】
点光源から広がって発する光を平凸レンズの平らな面から光を入射させると、平行な光となって射出される。
【００２２】
よって、平凸レンズに入射させることにより、斜め方向に向かう光が屈折してまっすぐになるので周辺ボケを減らすことができる。
【００２３】
また、平凸レンズを読み取り対象物と透光性基板との間に設けておけば、透光性基板に光が入射される前に斜め方向の光の一部又は全部が屈折してまっすぐになる。
【００２４】
つまり、第１の透光性基板と、第１の透光性基板上に設けられた複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子に対向して設けられた第２の透光性基板と、前記第１の透光性基板と第２の透光性基板とを接着し前記複数の光電変換素子を囲って配置されたシール材と、を有する構造を形成し、前記第１の透光性基板をウェットエッチングすることにより、前記第１の透光性基板を薄くすることを特徴とする半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００２５】
また、第１の透光性基板と、第１の透光性基板上に設けられた複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子に対向して設けられた第２の透光性基板と、前記第１の透光性基板と第２の透光性基板とを接着し前記複数の光電変換素子を囲って配置されたシール材と、を有する構造を形成し、前記第１の透光性基板をウェットエッチングすることにより、前記第１の透光性基板を薄くするとともに前記第１の透光性基板の下に凹部を形成し、前記凹部に平凸レンズ設けることを特徴とする半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００２６】
また、前記平凸レンズは前記凹部に樹脂を充填することにより、前記凹部に前記平凸レンズを形成することが好ましい。
【００２７】
また、前記平凸レンズを前記凹部にはめ込むことにより、前記凹部に平凸レンズ設けることが好ましい。
【００２８】
また、第１の透光性基板と、第１の透光性基板上に設けられた複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子に対向して設けられた第２の透光性基板と、前記第１の透光性基板と第２の透光性基板とを接着し前記複数の光電変換素子を囲って配置されたシール材と、を有する構造を形成し、前記第１の透光性基板をウェットエッチングすることにより、前記第１の透光性基板を薄くするとともに前記第１の透光性基板の下に複数の凹部を形成し、前記複数の凹部に対応する複数の平凸レンズ設けることを特徴とする半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００２９】
また、前記複数の平凸レンズは前記複数の凹部に樹脂を充填することにより、前記複数の凹部に前記複数の平凸レンズを形成すると好ましい。
【００３０】
また、前記複数の平凸レンズを前記複数の凹部にはめ込むことにより、前記凹部に複数の平凸レンズ設けると好ましい。
【発明の効果】
【００３１】
封止後に透光性基板をエッチングする第１の手段によって、周辺ボケを防止するとともに、透光性基板上に光電変換素子を作製する工程で透光性基板が割れてしまうことを防止することができる。
【００３２】
また、一対の透光性基板のうち一方のみしかエッチングしないため、一対の透光性基板のうち他方は厚いままにできるので、エッチング後も装置全体としての機械的強度を保つことができる。
【００３３】
第１の手段において、エッチングをウェットエッチングで行うと機械的なダメージが加わらないので好ましい。
【００３４】
透光性基板に平凸レンズを設ける第２の手段によって、斜め方向の光を屈折させることができるので、周辺ボケを防止することができる。
【００３５】
なお、第１の手段と第２の手段とはそれぞれ単独で適用しても良いし、第１の手段と第２の手段とを併用しても良い。第１の手段と第２の手段とを併用すると周辺ボケを防止する効果が高い。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】半導体装置の作製方法の一例
【図２】半導体装置の作製方法の一例
【図３】半導体装置の作製方法の一例
【図４】半導体装置の一例
【図５】半導体装置の一例
【図６】半導体装置の一例
【図７】半導体装置の作製方法の一例
【図８】半導体装置の一例
【図９】半導体装置の作製方法の一例
【図１０】半導体装置の作製方法の一例
【図１１】半導体装置の作製方法の一例
【図１２】平凸レンズの一例
【図１３】反射光の例
【図１４】反射光の例
【図１５】反射光の例
【図１６】ライティングボードの一例
【発明を実施するための形態】
【００３７】
実施の形態について以下説明する。
【００３８】
但し、発明の趣旨から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。
【００３９】
従って、発明の範囲は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４０】
なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００４１】
また、以下の実施の形態は、いくつかを適宜組み合わせて実施することができる。
【００４２】
（実施の形態１）
図１を用いて、封止後に透光性基板のエッチングを行う方法の一例を説明する。
【００４３】
まず、透光性基板１０１上に少なくとも光電変換素子（光電変換素子２０１、光電変換素子２０２、光電変換素子２０３等）を形成する。
【００４４】
光電変換素子の他に、スイッチング素子、表示素子（液晶表示素子、エレクトロルミネッセンス表示素子）等を透光性基板上に形成しても良い。
【００４５】
なお、光電変換素子と透光性基板１０１との間に、下地絶縁膜、層間絶縁膜等が設けられていても良い。
【００４６】
次に、透光性基板１０２を光電変換素子に対向させ、シール材３００を用いて光電変換素子を封止する。
【００４７】
なお、スイッチング素子、表示素子等が設けられている場合は、スイッチング素子、表示素子等も封止される。
【００４８】
光電変換素子が封止された状態を図１に示す。
【００４９】
封止後、透光性基板１０１のエッチングを行い、透光性基板１０１を薄くする。
【００５０】
エッチングの方法は、機械研磨、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、ウェットエッチング等を用いることができる。
【００５１】
但し、機械研磨、ＣＭＰ等の研磨方法を用いると研磨の最中に基板に機械的なダメージが加わってしまい基板が割れてしまったり、基板の強度が低下する場合がある。
【００５２】
よって、機械的なダメージの入らないウェットエッチングを用いると好ましい。
【００５３】
ここで、ウェットエッチングを用いる方法の一例について図２を用いて説明する。
【００５４】
まず、容器４００にエッチング液５００をなみなみと入れる。（図２）
【００５５】
エッチング液５００は、容器４００いっぱいに入っているので表面張力により容器からはみ出している。容器の開口の大きさは、透光性基板の大きさよりも小さいので、容器の縁（周辺部）で透光性基板を支えることができる。容器の縁で透光性基板を支えているだけなので、透光性基板を支えるための治具（基板保持具）を別途用意せずに済み、処理が簡単になる。（図２）
【００５６】
そして、容器４００の縁（周辺部）に透光性基板１０１の縁（周辺部）が重なるように、透光性基板１０１を容器４００上に置けば、透光性基板１０１がエッチングされる。このように、表面張力によって容器４００からはみ出たエッチング液を用いたウェットエッチングにより、透光性基板１０２をエッチングすることなく、透光性基板１０１のみを選択的にエッチングすることができる。透光性基板１０１のみを選択的にエッチングすれば、透光性基板１０２はエッチングされないので、装置全体としての機械的強度が保てるので好ましい。なお、エッチング液５００に透光性基板１０１と透光性基板１０２を沈める方法を用いても良い。しかし、透光性基板１０２をエッチングしたくないときは、エッチング液に透光性基板１０１と透光性基板１０２を沈める方法は好ましくない。なお、容器４００の縁（周辺部）に透光性基板１０１の縁（周辺部）が重なるように、透光性基板１０１を容器４００上に置く方法は、封止材（シール材）がエッチング液によって侵されない点においても優れている。
【００５７】
なお、エッチング液５００は透光性基板１０１をエッチングできるものであればどのようなものでも良い。
【００５８】
例えば、透光性基板がガラス基板等の酸化珪素を主成分とする材料であれば、フッ化水素酸等を用いれば良い。なお、基板の厚さはエッチング前は５００μｍ以上（好ましくは７００μｍ以上）であると機械的強度が充分である。なお、エッチング後は４００μｍ以下（好ましくは２００μｍ以下）にすると好ましい。透光性基板１０１と透光性基板１０２とは同じものを用いても良いし、違うものを用いても良い。透光性基板としては、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等があるがこれらに限定されない。
【００５９】
なお、ガラス基板をエッチングする際、エッチング液としてフッ化水素酸のみを用いた場合、ガラス基板が若干くもる。そこで、硫酸とフッ化水素酸を混合した溶液を用いるとくもりを防止できるので好ましい。
【００６０】
また、容器４００はエッチング液５００により溶解、腐食等がされない材料であればどのようなものでも用いることができる。
【００６１】
図３にウェットエッチングを行った後の状態を示す。
【００６２】
図２のような方法を用いて、ウェットエッチングを行うと中央部がエッチングされやすくなるため、図３のように中央部が少しへこんだ形状にエッチングされるものの、機械的ダメージを与えずに基板を薄くできるので好ましい。
【００６３】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【００６４】
（実施の形態２）
透光性基板を薄くした場合の効果について図１３、図１４を用いて説明する。
【００６５】
図１３（Ａ）は図１に対応する図面である。
【００６６】
図１３（Ｂ）は図１において、透光性基板１０１を薄くした図面である。
【００６７】
図１３（Ａ）、（Ｂ）において、点線矢印、実線矢印、一点鎖線矢印はそれぞれ光である。
【００６８】
なお、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）において、透光性基板１０１と読み取り対象物８０００の距離は同じである。
【００６９】
読み取り対象物８０００にさまざまな角度から入射した光の反射光（点線矢印、実線矢印、一点鎖線矢印）について見ると、図１３（Ａ）では一点鎖線矢印の光は光電変換素子２０２のとなりの光電変換素子２０１に入射している。
【００７０】
一方、図１３（Ｂ）では一点鎖線矢印の光は光電変換素子２０１に入射していない。
【００７１】
このように、図１３（Ｂ）では基板を薄くすることにより、光電変換素子２０２と読み取り対象物８０００の距離を近づけることができるので、隣の光電変換素子２０１に入射してしまう反射光の量を低減できる。
【００７２】
なお、図１３では正反射（鏡面反射）する光を例に説明したが、紙、指等のざらざらした表面では図１４のように拡散反射が生ずる。
【００７３】
そして、図１４のように拡散反射が生じた場合でも、基板を薄くすることにより、光電変換素子２０２と読み取り対象物８０００の距離を近づけることによって、隣の光電変換素子２０１に入射してしまう反射光の量を低減できる。
【００７４】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【００７５】
（実施の形態３）
光電変換素子を有する半導体装置の一例について説明する。
【００７６】
図４において、透光性基板１１０１上に下地絶縁膜が設けられており、下地絶縁膜上に光電変換素子１２００及びスイッチング素子２０００が設けられており、光電変換素子１２００上及びスイッチング素子２０００上に層間絶縁膜３００１が設けられており、層間絶縁膜３００１上に光電変換素子１２００及びスイッチング素子２０００と電気的に接続される複数の配線が設けられており、複数の配線上に層間絶縁膜３００２が設けられており、層間絶縁膜３００２上に配線を介してスイッチング素子２０００に電気的に接続される画素電極３００３が設けられており、画素電極３００３上に液晶５０００が設けられており、液晶５０００上に対向電極４００４が設けられており、対向電極４００４上にオーバーコート膜４００３が設けられており、オーバーコート膜４００３上に遮光層４００１及び着色層４００２が設けられており、遮光層４００１上及び着色層４００２上に透光性基板１１０２が設けられている。
【００７７】
なお、遮光層４００１上、着色層４００２、オーバーコート膜４００３、対向電極４００４は、透光性基板１１０２上に順次形成されたものである。なお、本実施形態では液晶表示素子の例を示したが、液晶表示素子に替えてエレクトロルミネッセンス素子を用いても良い。
【００７８】
図４において、光電変換素子１２００は透光性基板表面と平行方向に配置されたＰＩＮ型のフォトダイオードであり、スイッチング素子２０００の半導体層と同一工程（同一材料）で形成されたものである。
【００７９】
なお、半導体層はどのようなものでも良いが、単結晶半導体を用いるとＰＩＮ型のフォトダイオードを小さくできるので、表示素子の開口率が向上するため好ましい。
【００８０】
図４のような構成とした場合、透光性基板１１０２上に設けられたバックライトの光がスイッチング素子の隙間から透過し、読み取り対象物８０００に反射して光電変換素子１２００に到達する。（図１５）
【００８１】
図４ではスイッチング素子とフォトダイオードとが同一の絶縁表面上に形成された例を示したが、図５のようにフォトダイオードがスイッチング素子の上側に配置されていても良い。または、フォトダイオードがスイッチング素子の下側に配置されていても良い。
【００８２】
なお、図５は、光電変換素子２２００を層間絶縁膜３００２上に配置し、且つ光電変換素子２２００上に層間絶縁膜３００５を追加したものである。
【００８３】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【００８４】
（実施の形態４）
図２及び図３を用いて説明したように、ウェットエッチングを用いて基板をエッチングした場合、中央部がへこんだ形状（凹部）にエッチングされる。
【００８５】
そこで、図６のように凹部に樹脂５１０を充填することによって、平凸レンズを形成することができる。
【００８６】
つまり、複数の光電変換素子が形成された透光性基板１０１と、透光性基板１０２とシール材と、を用いて前記複数の光電変換素子を封止した後、透光性基板１０１をウェットエッチングし、前記ウェットエッチングにより形成された凹部に樹脂５１０を充填する。
【００８７】
樹脂５１０としては、シロキサンポリマー、アクリル、エポキシ樹脂、ポリイミド等を用いることができる。
【００８８】
なお、樹脂５１０を充填することにかえて、平凸レンズを凹部にはめ込んでも良い。
【００８９】
つまり、複数の光電変換素子が形成された透光性基板１０１と、透光性基板１０２とシール材と、を用いて前記複数の複数の光電変換素子を封止した後、透光性基板１０１をウェットエッチングし、前記ウェットエッチングにより形成された凹部に平凸レンズをはめ込む。
【００９０】
なお、ウェットエッチングの直後に、透光性基板１０１に荒ずりを行い、荒ずり後に鏡面研磨を行うことによって、凹部の曲面形状を整えると好ましい。
【００９１】
荒ずりとは、凹部をおおよその曲率半径、寸法形状に研磨する加工をいう。荒ずり工程は人工ダイヤモンドの工具が取り付けられたカーブジェネレータ等を用いて行えば良い。
【００９２】
また、鏡面研磨は、凹部の表面を磨き滑らかにする仕上げの加工をいう。
【００９３】
予めウェットエッチングを行い曲面形状を形成しておくことにより、荒ずりの処理時間を短縮できる。荒ずりは機械的な研磨なので荒ずりの処理時間を短縮することによって基板への機械的なダメージを低減することができる。
【００９４】
ここで、図２のように表面張力によるエッチング液の盛り上がりを利用して曲面形状を形成する場合、曲率半径を大きくするためにはエッチング液に界面活性剤を添加することで調整が可能である。
【００９５】
界面活性剤を添加すれば表面張力が小さくなるので盛り上がりが小さくなる。界面活性剤はエッチング液の種類に応じて適宜公知のものを選択すれば良い。
【００９６】
一方、曲率半径を小さくするためには図７のように容器の中央部からエッチング液を供給する方法を用いると好ましい。
【００９７】
図７において、容器４００の底にエッチング液を供給するチューブ６００を取り付けてある。
【００９８】
そして、チューブ６００からエッチング液を供給していけば、中央部から周辺部に向かって液が流れるので、液面が盛り上がることになる。
【００９９】
チューブ６００から供給する液の流量を調整するだけで概ね所望の曲率半径を得られる。
【０１００】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１０１】
（実施の形態５）
図６において一つの大きな平凸レンズを設ける構成を示したが、複数の光電変換素子と重なる位置にそれぞれ複数の平凸レンズを設ける構成としても良い。
【０１０２】
図８において、光電変換素子２０１と重なる位置に樹脂５０１からなる平凸レンズが配置されており、光電変換素子２０２と重なる位置に樹脂５０２からなる平凸レンズが配置されており、光電変換素子２０３と重なる位置に樹脂５０３からなる平凸レンズが配置されている。なお、本実施の形態では１個のレンズに対して１個の光電変換素子が対応する例を示したが、１個のレンズに対して複数個の光電変換素子が対応するようにしても良い。例えば、レンズ１０個、光電変換素子１００個の場合、１個のレンズに対して１０個の光電変換素子が重なるように配置すれば良い。
【０１０３】
平凸レンズの形成方法は、封止後に透光性基板１０１を選択的にエッチングして、複数の凹部を形成し、複数の凹部に樹脂を充填すれば良い。
【０１０４】
若しくは、複数の凹部に複数の平凸レンズをそれぞれはめ込んでも良い。
【０１０５】
なお、ウェットエッチングの直後に、透光性基板１０１に荒ずりを行い、荒ずり後に鏡面研磨を行うことによって、凹部の曲面形状を整えると好ましい。
【０１０６】
荒ずりとは、凹部をおおよその曲率半径、寸法形状に研磨する加工をいう。荒ずり工程は人工ダイヤモンドの工具が取り付けられたカーブジェネレータ等を用いて行えば良い。
【０１０７】
また、鏡面研磨は、凹部の表面を磨き滑らかにする仕上げの加工をいう。
【０１０８】
予めウェットエッチングを行い曲面形状を形成しておくことにより、荒ずりの処理時間を短縮できる。荒ずりは機械的な研磨なので荒ずりの処理時間を短縮することによって基板への機械的なダメージを低減することができる。
【０１０９】
複数の凹部の形成方法について説明する。
【０１１０】
例えば、図９のように複数の光電変換素子と対応する位置に設けられた複数の開口部を有するマスク８００を形成し、マスク８００を用いて透光性基板１０１をウェットエッチングする。
【０１１１】
ウェットエッチングは等方性エッチングであるので、曲面形状を有する凹部を形成することができる。
【０１１２】
例えば、図１０のようなエッチング装置を用いても良い。
【０１１３】
図１０のエッチング装置は容器４００の底に複数のチューブ（チューブ６０１、チューブ６０２、チューブ６０３）が設けられた構造を有する。
【０１１４】
複数のチューブは複数の光電変換素子と対応する位置に設けられている。
【０１１５】
複数のチューブ（チューブ６０１、チューブ６０２、チューブ６０３）は図７のチューブ６００と同様にエッチング液を供給することができる。
【０１１６】
そして、図７よりもチューブから供給されるエッチング液の流量を多くすることにより、噴水の原理でエッチング液を液面から噴出させることができる（図１０）。つまり、図７では中央部から周辺部に向かって液が流れる程度に流量を少なくし、図１０では噴水の原理で液面が局部的に盛り上がる程度に流量を多くすれば良い。
【０１１７】
そして、噴出した箇所に透光性基板１０１を接触させることにより透光性基板１０１を選択的にエッチングすることができる。
【０１１８】
なお、エッチング液の液面に透光性基板１０１を接触させれば、チューブと重なる位置には凹部ができるとともに、チューブと重ならない位置も同時にエッチングされるので、基板を薄くしながら凹部を形成することができるので好ましい。
【０１１９】
ここで、図１０において凹部の面積を小さくするためには、チューブを小さくすれば良い。
【０１２０】
しかし、チューブを小さくするとチューブが詰まりやすくなる問題が生ずる。
【０１２１】
そこで、図１１のように、複数の開口部を有する蓋４０１を容器４００上に設けることによって、チューブを小さくすることなく凹部の面積を小さくすることができる。
【０１２２】
なお、図１１において、チューブの噴出口の面積よりも、蓋４０１の開口部の面積の方が小さくなっている。
【０１２３】
蓋は取り外し可能であるので洗浄が容易である。また、蓋は使い捨てをしても良い。さらに、蓋は薄くできる。したがって、蓋に設けられた開口部が詰まることを心配する必要はない。
【０１２４】
なお、噴出したエッチング液が蓋の上に落下して流れていく。（図１１）
【０１２５】
そこで、蓋の上側の表面を多孔質状に加工しておくことにより、落下してきたエッチング液の一部を吸収することができるので、蓋に落下してきたエッチング液がはねて透光性基板に付着して透光性基板を浸食してしまうことを防止することが可能である。
【０１２６】
なお、蓋の上側表面にスポンジを設けても同様の効果が得られる。
【０１２７】
ここで、図１１において、蓋の表面のエッチング液に透光性基板１０１を接触させれば、チューブと重なる位置には凹部ができるとともに、チューブと重ならない位置も同時にエッチングされるので、基板を薄くしながら凹部を形成することができるので好ましい。
【０１２８】
蓋の表面のエッチング液に透光性基板１０１を接触させる場合、蓋４０１の表面を親水性にしておくことにより、蓋表面に均一にエッチング液がゆきわたるので均一なエッチングが可能である。
【０１２９】
なお、蓋４０１の表面を親水性にするためには、蓋４０１の表面を親水性の材料で覆うか、又は、蓋４０１の材料を親水性の材料とすれば良い。
【０１３０】
本実施の形態は、他の全ての実施の形態と組み合わせて実施することが可能である。
【０１３１】
（実施の形態６）
光センサを有するパネルを用いたライティングボード（黒板、ホワイトボード等）の例を示す。
【０１３２】
例えば、図１６のパネル９６９６の位置に光センサを有するパネルを設ける。
【０１３３】
パネル９６９６は、光センサと表示素子とを有している。
【０１３４】
ここで、パネル９６９６の表面にはマーカー等を用いて自由に書き込みができる。
【０１３５】
なお、定着剤が含まれていないマーカー等を用いれば文字の消去が容易である。
【０１３６】
また、マーカーのインクを落としやすくするため、パネル９６９６の表面は十分な平滑性を有していると良い。
【０１３７】
例えば、パネル９６９６の表面がガラス基板等であれば平滑性は充分である。
【０１３８】
また、パネル９６９６の表面に透明な合成樹脂シート等を貼り付けても良い。
【０１３９】
合成樹脂としては例えばアクリル等を用いると好ましい。この場合、合成樹脂シートの表面を平滑にしておくと好ましい。
【０１４０】
そして、パネル９６９６は、表示素子を有しているので、特定の画像を表示するとともにパネル９６９６の表面にマーカーを記載することができる。
【０１４１】
また、パネル９６９６は、光センサを有しているので、プリンタ等と接続しておけばマーカーで記載した文字を読み取って印刷することも可能である。
【０１４２】
さらに、パネル９６９６は、光センサと表示素子を有しているので、画像を表示させた状態でパネル９６９６表面にマーカーで文字、図形等を書き込むことにより、光センサで読み取ったマーカーの軌跡を画像と合成して映し出すこともできる。
【０１４３】
なお、抵抗膜方式、静電容量方式等のセンシングを用いた場合、マーカー等での書き込みと同時にしかセンシングをすることができない。
【０１４４】
一方、光センサを用いた場合、マーカー等で書き込んだ後、時間が経った場合でもいつでもセンシングが可能な点で優れている。
【０１４５】
なお、本実施の形態ではライティングボードの一例を示したが、光センサを有するパネルは他の電子機器にも適用可能である。
【０１４６】
電子機器としては、例えば、テレビ、パーソナルコンピュータのディスプレイ、広告表示装置、ゲーム機、現金自動預け入れ払い機、チケット自動購入機等があるがこれらに限定されない。
【０１４７】
本実施の形態は他の全ての実施の形態と自由に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０１４８】
１０１  透光性基板
１０２  透光性基板
２０１  光電変換素子
２０２  光電変換素子
２０３  光電変換素子
３００  シール材
４００  容器
４０１  蓋
５００  エッチング液
５０１  樹脂
５０２  樹脂
５０３  樹脂
６００  チューブ
６０１  チューブ
６０２  チューブ
６０３  チューブ
１１０１  透光性基板
１１０２  透光性基板
１２００  光電変換素子
２０００  スイッチング素子
３００１  層間絶縁膜
３００２  層間絶縁膜
３００３  画素電極
３００５  層間絶縁膜
４００４  対向電極
４００３  オーバーコート膜
４００１  遮光層
４００２  着色層
５１０  樹脂
５０００  液晶
８０００  読み取り対象物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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