(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入出力信号用の導体パターンが形成された基体上に、圧電基板の下面に励振電極を形成した弾性表面波素子を配設して成る弾性表面波装置であって、前記圧電基板の下面と前記基体との間に、誘電体中に５０体積％以下のＡｕ−ＳｎまたはＡｇ−Ｓｎを成分とする高温はんだから成る導電性粒子が分散された枠状の接着材を介在させ、前記励振電極と前記導体パターンとを導通させており、前記入出力信号の帯域が９００ＭＨｚであるとともに前記導電性粒子の直径が３０〜８０μｍであることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記基体の表面と前記励振電極の表面との間が前記弾性表面波の波長以上の距離に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば自動車電話及び携帯電話等の移動体無線機器などに内蔵される共振器及び周波数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電波を利用し通信を行なう電子機器用の帯域通過フィルタ等の周波数フィルタ（以下、フィルタという），遅延線，発信器等の電子部品として、多くのＳＡＷ共振子やＳＡＷフィルタが用いられている。特に、移動体通信分野において、携帯電話等の携帯端末装置のRF（Radio Frequency ：無線周波数あるいは高周波）ブロック及びIF（Intermediate Frequency：中間周波数）ブロックのフィルタとして多用されている。そして今後、自動車電話及び携帯電話等の移動体無線機器を使用した通信システム上、部品の軽量化や薄肉化または小型化が望まれている。
【０００３】
従来の弾性表面波（Surface Acoustic Wave で、以下、ＳＡＷと略す）装置の基本構成は、圧電基板上に一対の櫛歯状電極（Inter Digital Transducerで、以下、ＩＤＴ電極と略す）を複数載置し、ＩＤＴ電極から励起されるのＳＡＷの伝搬路上に、ＳＡＷを効率良く共振させるための反射器が配置される構造となっている。
【０００４】
図１６に従来のＳＡＷ装置Ｊの一例を示す。ＩＤＴ電極１２は、例えば３６°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶等からなる圧電基板１上に、蒸着法，スパッタ法等によりアルミニウムやアルミニウム−銅合金等の導電物がフォトリソグラフィ法で微細な電極となるようパターン形成されたものである。
【０００５】
また、このように構成された弾性表面波素子Ｍをセラミックで作製した筐体（パッケージ基体２０とその上に設けた封止材２２，筐体キャップ２１から成る）内に収容し、入出力電極３，４または接地電極５をそれぞれの引き出し電極１８，１９にワイヤー２５で接続するか、はんだバンプを用いたフリップチップ法により接続するなどしていた。
【０００６】
また、保護膜２が無い状態では、耐候性を高めるため気密性保持可能な構造を成す素子保持基板とキャップがシーム溶接されるか、半田及び樹脂で封止される筐体中に収容させる必要があった。
【０００７】
移動体通信用の弾性表面波フィルタは、激化する携帯電話端末を小型化するために、極限にまで低実装面積，低重量且つ低背位であることが要求されている。従来より、主に低実装面積及び低背位を実現させる方法としてフリップチップ実装法が知られている。
【０００８】
しかしながら、フリップチップ実装法を行った弾性表面波素子は、圧電基板に形成した励振電極の振動表面の自由度、及び素子表面部における気密性を維持する必要性があるので、素子を収納するパッケージは素子に対するダイアタッチ部のクリアランスとシール部の気密性を両立しなければならない。
【０００９】
例えば、セラミックパッケージの場合、上記機能を満足させるためにパッケージが大型化し、パッケージ寸法は素子寸法よりも１辺当たり約１．５〜１．８ｍｍ程度大型化し、底面積では約５倍以上にもなり低面積化の妨げとなっていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の弾性表面波装置は、外部回路基板上に実装する際、上述の如く筐体に収容し、ワイヤボンドやバンプを形成するか保護膜を取り除いて電気接続する必要があり、製造工程が非常に煩雑となるといった問題がある。
【００１１】
また、上記弾性表面波装置では実装状態で大型となる上に、保護膜が無い状態では耐候性に乏しく、載置収容の簡便な筐体や外部回路基板への直接接続が困難であった。
【００１２】
そこで本発明は、電気接続方法を簡略化し、筐体内への載置や収容を簡便にし、また、直接に外部回路基板上に実装することができる弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の弾性表面波装置は、入出力信号用の導体パターンが形成された基体上に、圧電基板の下面に励振電極を形成した弾性表面波素子を配設して成る弾性表面波装置であって、前記圧電基板の下面と前記基体との間に、誘電体中に５０体積％以下のＡｕ−ＳｎまたはＡｇ−Ｓｎを成分とする高温はんだから成る導電性粒子が分散された枠状の接着材を介在させ、前記励振電極と前記導体パターンとを導通させており、前記入出力信号の帯域が９００ＭＨｚであるとともに前記導電性粒子の直径が３０〜８０μｍであることを特徴とする。
【００１５】
また、基体の表面と前記励振電極の表面との間が前記弾性表面波の波長以上の距離に設定されていることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る弾性表面波装置の実施形態について図面に基づき詳細に説明する。
【００１７】
外部回路基板Ｋまたはパッケージ基体上に載置された参考例の弾性表面波装置Ｓ１の様子を模式的に示す平面図を図１に、そのＡ−Ａ線端面図を図２に示す。
【００１８】
圧電基板１の下面には、ＳＡＷを励振する励振電極である櫛歯状のＩＤＴ電極１２と、入出力導体パターンである引き出し電極３，４，接地電極５がフォトリソ工程で形成されている。また、電極３，４，５，１２の下方には、例えばＳｉＯ2 からなる誘電体層である保護膜２が形成され、ごみや湿気などに対して耐候性を持たせている。また、この下方には外部回路基板Ｋの引き出し配線の形成領域にマスク蒸着で形成したＡｕから成る電極層６，７，８が形成されており、電極層６，７，８と外部回路基板Ｋの引き出し配線部９，１０，１１と導電性樹脂層１３により導電接着されている。なお、接続部材として図３に示す弾性表面波装置Ｓ２のごとくにバンプ１４，１４等を使用しても構わない。
【００１９】
このように、弾性表面波装置Ｓ１，Ｓ２は、入出力信号用の導体パターンである引き出し配線部９，１０，１１が形成された基体（パッケージ基体や外部回路基板）上に、圧電基板１の下面に励振電極１２を形成した弾性表面波素子Ｆ１を配設して成るものであり、導体パターンと励振電極１２とが誘電体層を介して容量結合しており、電気信号の入出力を行っている。なお、上記誘電体層は励振電極１２を被覆しているが、この誘電体層が枠状に形成され、気密性が確保できる場合には励振電極１２を保護しなくともよい。なお、上記誘電体とは、比抵抗値で１×１０5 Ωcm以上の物質をさすものとする。
【００２０】
また、外部回路基板Ｋもしくは基体の表面と励振電極１２の表面との間、すなわち、励振電極１２の振動空間１６における距離ｈが、伝搬させる弾性表面波の波長以上の距離に設定されているものとする。
【００２１】
また、外部回路基板Ｋには入力信号線９と接地信号線１１との間、または出力信号線１０と接地信号線１１との間に、チップインダクタが載置できるようにしているか、またはジグザク状あるいは蛇行状の配線パターンが形成されている。すなわち、図４に示す外部基板回路Ｋ上に又はその内部に蛇行状の配線３０を形成するようにしてもよい。また、図５に示すように、パッケージ基体２０の上又はその内部に蛇行状の配線３１を形成して、このようなインダクタでもって不要な容量性をキャンセルすることも可能である。なお、図５における１７，１８，１９はそれぞれ、引出し入力電極，引出し出力電極，接地電極である。
【００２２】
次に、弾性表面波装置Ｓ１における等価回路を図６に示す。この図に示すように、弾性表面波素子Ｆ１の接続部に直列に接続されたキャパシタンスＣ１〜Ｃ３と外部回路基板Ｋに並列に接続されたインダクタンスＤ１，Ｄ２が共振状態になり、上記回路における伝送量は、図７に示すように、共振周波数を弾性表面波素子Ｆ１の通過帯域とほぼ一致させることで、良好な弾性表面波装置Ｓ１の電気特性が得られる。勿論、図８や図９に示すようにパッケージ基体２０に弾性表面波素子Ｆ１を載置する構造としても構わない。すなわち、図８に示す弾性表面波装置Ｓ３のように、入出力導体パターンである配線１８，１９等が施された基体２０に、蓋体２１が接合されたパッケージ内に弾性表面波素子Ｆ１を収容したり、図９に示す弾性表面波装置Ｓ４のように、入出力導体パターンである配線１８，１９等が施された基体２０上に、弾性表面波素子Ｆ１を載置することにより、導体パターンと励振電極１２とを誘電体層である保護膜２を介して容量結合させてもよい。
【００２３】
なお、圧電基板１はタンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、水晶、四ホウ酸リチウム単結晶、ランガサイト型構造を有する単結晶、ニオブ酸カリウム単結晶、ガリウム砒素単結晶が主に適用可能である。
【００２４】
また、ＩＤＴ電極１２の材料はアルミニウム，アルミニウム・銅合金，アルミニウム・チタン合金，アルミニウム・珪素合金，金，銀，銀・パラジウム合金が主に適用可能である。また、引き出し電極の材料には、アルミニウム，アルミニウム・銅合金、アルミニウム・チタン合金、アルミニウム・珪素合金，金，銀，銀・パラジウム合金が主に適用でき、電極の密着度向上や電気抵抗の削減のため下地材が必要な場合には、クロム，チタン，銅が主に適用可能である。
【００２５】
また、保護膜２の材料としては、酸化珪素，窒化珪素，珪素，ＤＬＣ（Diamond Like Carbon ），酸化亜鉛，ポリイミド樹脂，フッ素系樹脂，オレフィン系樹脂，またウエハプロセスに使用されるポジ型レジストのような感光性硬化樹脂等が主に適用可能である。
【００２６】
また、図１０に示すように、ＩＤＴ電極１２，入出力電極３，４、接地電極５の部材をアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金を用い、陽極酸化法により電極表面を酸化させ、アルミナを誘電体層の保護膜１５とした弾性表面波素子Ｆ２を外部回路基板Ｋ上に載置した弾性表面波装置Ｓ５とすることもできる。
【００２７】
また、図１１，１２に示すように、励振電極１２に保護膜を被覆しない弾性表面波素子Ｆ３とし、その周囲に耐候性向上等のために枠状のガラス材２４を外部回路基板やパッケージ基体２０上に配設し気密封止した弾性表面波装置Ｓ６とすることもできる。この場合においても、励振電極１２の振動空間１６を確保するために、基体２０の表面と励振電極１２の表面との間ｈが弾性表面波の波長以上の距離に設定されている。ここで、ガラス材２４は弾性表面波素子の入出力及び接地電極４，５等を含むように弾性表面波素子の下面またはその外周部に枠状に塗布し、素子を筐体接続基板に載置する。そして、例えば空隙部１６を調整しながら加圧し、３２０℃に加熱しガラス硬化を行い封止する。
【００２８】
なお、図１では弾性表面波素子を共振器梯子型フィルタとして示したが、共振器格子型フィルタや２重モード共振器型フィルタ，マルチＩＤＴ電極型フィルタまたはこれらの複合された構成で行っても構わない。また、上記の実施形態に限定されるものでなく、ＳＡＷフィルタだけでなく、ＳＡＷデュプレクサにも本発明が適用でき、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更は何等差し支えない。
【００２９】
〔実施形態〕図１３に弾性表面波装置Ｓ７を上からみた模式的な平面図を示す。また、図１４にそのＢ−Ｂ線端面図を示す。なお、図において図１の参考例と同様な部材には同一符号を付し説明を省略する。
【００３０】
図１３に示すように、弾性表面波装置Ｓ７は、入出力信号用の導体パターンである電極１８，１９が形成された基体２０上に、圧電基板１の下面に励振電極１２を形成した弾性表面波素子Ｆ４を配設して成るものであって、圧電基板１の下面と基体２０との間に、誘電体中に５０体積％以下（より好適には、１０〜３０体積％）の導電性粒子４２が分散された枠状の接着材４１を介在させ、励振電極１２と電極１８，１９とを導通させたものである。なお、４４はパッケージ蓋体４４であり、この下面と圧電基板１との間に外部の電磁波の影響を防止する導電性接着材４３が介在している。
【００３１】
具体的には、圧電基板１の下面に少なくとも一対の櫛歯状電極指を連接して成る励振電極を複数個配置した弾性表面波素子Ｆ４を、セラミック等を用いて作製したパッケージ基体２０上にフェイスダウンにて実装したものである。
【００３２】
また、セラミック基体２０と弾性表面波素子Ｆ４を接合する誘電体（比抵抗値で１×１０5Ωｃｍ以上の物質で、例えば、ガラス、エポキシ樹脂，シリコーン樹脂，ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂や、感光性硬化樹脂等）に、大きさをほぼ均一にコントロールした導電性粒子（例えば、比抵抗値が１．０×１０-5Ωｃｍ以下のもので、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｓｎ合金のはんだボールのフィラー）６を一定量混合し、このようにして得た接着材を弾性表面波素子Ｆ４の電極形成面にＩＤＴ電極部に触れないように印刷し、フェイスダウンでパッケージに実装することにより、弾性表面波の励振に必要な空間１６の確保と弾性表面波素子電極とパッケージ基体の電極の電気的接合を効果的に同時に行うことが可能である。なお、フェイスダウン実装時の雰囲気は不活性なＡｒガスまたはＮ2 ガスが望ましい。
【００３３】
これにより、究極まで低面積，低背位の弾性表面波装置構造を得ることができる。この際、絶縁性樹脂に混合する導電性粒子の直径は、弾性表面波の励振を妨げない範囲で、且つ弾性表面波素子電極とグランド間が持つ大地容量の影響を考慮し、しかもはんだの電気的機械的な性能により決定される。通常、容量性結合により電極の接続を省略する場合を除けば、容量成分は可能な限り低減することが望ましい。以上の理由を鑑み、帯域が９００ＭＨｚでは、導電性粒子の直径は３０〜８０μｍ程度の範囲とする。３０μｍ以下では大地容量の過増大になり、８０μｍ以上でははんだの機械強度上に問題が発生する。また、導電性粒子は基板実装時の加熱温度を考慮して高温はんだを使用する。
【００３４】
導電性粒子は素子電極とそれ以外の場所に均一に存在するため、素子電極２やパッケージ電極を設計する際には、電極間の短絡を防止する。好ましくはパッケージ側でグランド電極を配置し、側面部からの外部雑音を遮断できる。また、導電性粒子の混合率は体積率で５０％以下であれば隣接する導電性粒子は接触しないが、製造上の安定性を考慮すると１０％〜３０％が好適な範囲といえる。
【００３５】
次に、パッケージ蓋体４４の下面に導電性接着材４３を印刷塗布し、パッケージ底部上に搭載した弾性表面波素子Ｆ４上に実装する。
【００３６】
次に、絶縁性接着材４１を加熱硬化させる。この際、導電性粒子６が弾性表面波素子電極２ｂとパッケージ電極７の両方に接触するように、素子上面から分銅などの荷重を負荷しておく。更に、導電性粒子がはんだボールであり、これを溶融し、素子共通電極２ｂとパッケージ電極７を電気的に接合することができる。このとき、はんだボールははんだくわれの少ないＡｕ−ＳｎまたはＡｇ−Ｓｎを成分とする高温はんだとしている。はんだボールの接合には加熱炉を用いる。なお、例えば高温はんだのピーク温度を考慮して加熱炉の温度は２６０℃〜２８０℃をピーク温度として溶接するのが好ましい。
【００３７】
【実施例】
〔参考例〕図１に示す弾性表面波装置を作製した参考例について説明する。まず、４２°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶から成る圧電基板上に、ＩＤＴ電極１２の周期長が１．９９μｍ、対数が１１０対、交差幅が３９．８μｍの梯子型直列腕共振子を３個、周期長が２．１μｍ、対数が７５対、交差幅が４２．０μｍの梯子型並列腕共振子を２個、また、各々の共振子の両端に反射器（本数が２０本）を設けた。また、各々の電極はＡｌ−Ｃｕ合金をスパッタ法にて膜厚２０００Åで膜付けを行い、ウエハプロセスで通常行われているフォトリソ工程によりパターニングした。保護膜２は素子全面に材料ＳｉＯ2 をスパッタ法にて膜厚５００Åで膜付けを行った。この後、５００μｍ×５００μｍの面積の各接続電極６，７，８を形成するため金属マスクを用いて材料Ａｕを蒸着法で２μｍ膜付けした。
【００３８】
一方、外部回路基板上には引き出し線９，１０，１１を本発明に係る装置形状に合わせ、銅泊のガラスエポキシ樹脂基板０．５ｍｍ厚みをパターニングして、かつ、入出力線と接地線間に１ｎＦのチップインダクタを半田付けし載置した。
【００３９】
次に、上記弾性表面波装置の接続電極６，７，８に主材料Ａｇと接着材がエポキシ系樹脂の導電性樹脂を１０μｍの厚みで転写法により塗布し外部回路基板上に載置した。
【００４０】
図１５に本発明に係る弾性表面波装置の電気特性評価を示す。評価方法は、上述の如く組み立てた外部回路基板の入出力端子に３．５ｍｍ径のＳＭＡコネクタを接続し、ネットワークアナライザで測定した。図１５の結果より、伝送量が最小挿入損失が２ｄＢ、通過帯域内の最大定在波比（ＶＳＷＲ）が１．７と良好な値であることが判った。
【００４１】
〔実施例〕次に、図１３，１４に示した弾性表面波装置の実施例について説明する。４２°ＹカットＸ伝搬のリチウム・タンタレート単結晶からなる圧電基板上に、リフトオフ工程を用いて励振電極であるＩＤＴ電極を作製してラダー型回路を成す弾性表面波フィルタを作製した。この弾性表面波フィルタは、９００ＭＨｚ帯で比帯域幅２．６％の送信用とし、櫛歯状を成すＩＤＴ電極の電極幅および電極スペースはそれぞれ約１μｍとした。
【００４２】
フィルタの構成は、弾性表面波共振子を５個使用したπ型のラダー型回路とし、それぞれの弾性表面波共振子の電極は、低損失と高帯域外減衰量を得るため直列側と並列側の容量比を最大限大きくとってある。
【００４３】
弾性表面波共振子の構成は、ＩＤＴ電極の電極指の対数が約６０対から１３０対、交差幅１５λから３０λ（但し、λ：弾性表面波の波長）、電極の材質はEB蒸着によって成膜した厚み４１００Åのアルミニウムを使用した。
【００４４】
また、弾性表面波素子とパッケージ基体との間の接合は高温はんだにて行うため、アルミニウムの単層膜では腐食が発生する。このため、接合部分には下地にニッケルメッキ膜（厚さ約０．５μｍ）をスパッタにて成膜し、はんだ濡れ性を確保するためこの上に金メッキ膜（厚さ約０．１μｍ）を同じくＤＣスパッタにて成膜した。
【００４５】
弾性表面波素子を作製したリチウム・タンタレート圧電基板は０．３５ｍｍ厚のものを使用した。これは、圧電基板の厚みがこれ以上厚くなると、装置の総厚みに影響を与え低背位化の妨げになり、これ以下の厚みになると電極加工時にウエハが破損しやすくなり、歩留まりが著しく低下するためである。また、総厚みを１ｍｍ以下とするため、パッケージ底部のセラミックス厚みを単板の０．３５ｍｍ、蓋体の厚みを０．１５ｍｍとして作製した。
【００４６】
ウエハの分割はダイシングソーを用い、ダイヤモンド砥粒＃６００を用いて約１ｍｍ角のピッチで切断した。
【００４７】
ダイボンディング用パターンの形成は、ダイシング後のウエハを平坦な基板上に吸着し厚膜印刷用のスクリーンマスクを作製し印刷加工した。この際使用した接着材は絶縁性の一液性エポキシ接着材で、低チキソ性且つ低溶剤の熱硬化型のものを選択した。
【００４８】
電気的接合を得るためのはんだボールは、直径約５０μｍのものを使用し、前述の接着材に対して体積比２０％で混合した。
【００４９】
また、接着材硬化時は脱溶剤時の接着材の膨張により、はんだボールと弾性表面波素子電極およびパッケージ電極が分離することがないように、若干はんだボールが変形する領域を狙って荷重を付加した。加熱温度は約１５０℃、時間は１時間で所望の硬化を得た。この後、荷重付加状態でピーク温度が約３２０℃度まで加熱し、はんだボールにより弾性表面波素子電極とパッケージ電極を接合した。蓋体については、下面に導電性エポキシ接着材を塗布し、弾性表面波素子上に載置した。
【００５０】
特性の測定にはネットワークアナライザを使用し、９００ＭＨｚにおいて良好な特性を確認できた。
【００５１】
本発明では、ラダー型弾性表面波装置をあげたが、トランスバーサルおよび共振器型等の弾性表面波装置にも適用可能なことは言うまでもない。また、電気的な接合を得るために使用したはんだボールの他に、はんだボールに対して若干直径を小さくした金属製のボールをはんだボールに混合することで弾性表面波素子とパッケージの間のマイクロギャップをコントロールする方法や、はんだボールの代替えとしてはんだめっきを施した銅ボールを使用する方法等があげられる。
【００５４】
【発明の効果】
誘電体中に適当量の導電性粒子を分散させた接着材を用いる事により、弾性表面波素子とパッケージの電気的且つ機械的接合を同時に得ることができるため、従来のワイヤボンダやバンプボンダなどの高額の設備および材料が不要とすることができ、高スループットな加熱炉による処理が行え、製造を簡便迅速化することができる。
【００５５】
また、弾性表面波素子とパッケージ電極の間に必要な、弾性表面波用の自由振動空間（マイクロギャップ）を、例えばはんだボールの粒径で容易にコントロールできるため、弾性表面波フィルタとグランド電極間に発生する大地容量を精度よく制御可能になり、設計時の特性の再現性が向上する上に、弾性表面波装置の低背位化を可能にすることができる。
【００５６】
また、従来のようにパッケージにより気密性を得る必要性がないため、パッケージにキャビティ構造を持たせる必要がなくなり、弾性表面波装置大幅な低面積化（従来比約１／４以下）が可能になり、ひいては携帯電話の小型化、軽量化、低コスト化に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  参考例に係る弾性表面波素子の実装構造（弾性表面波装置）を模式的に説明する図であり、弾性表面波装置を基体上に実装する様子を模式的に示す一部破断平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線端面図である。
【図３】  参考例の弾性表面波装置を模式的に説明する断面図である。
【図４】外部回路基板に形成した補正回路を説明する平面的な模式図である。
【図５】パッケージ基体に形成した補正回路を説明する平面的な模式図である。
【図６】  参考例の弾性表面波装置の等価回路図である。
【図７】  参考例の弾性表面波装置の伝送量を示す線図である。
【図８】  参考例の弾性表面波装置を模式的に説明する断面図である。
【図９】  参考例の弾性表面波装置を模式的に説明する断面図である。
【図１０】  参考例の弾性表面波装置を模式的に説明する断面図である。
【図１１】  参考例の弾性表面波装置を模式的に説明する断面図である。
【図１２】図１１の弾性表面波装置を模式的に示す平面図である。
【図１３】  本発明に係る弾性表面波素子の実装構造（弾性表面波装置）を模式的に説明する図であり、弾性表面波素子を基体上に実装する様子を模式的に示す平面図である。
【図１４】図１３におけるＢ−Ｂ線端面図である。
【図１５】本発明に係る弾性表面波装置の電気特性評価の結果である。
【図１６】従来の弾性表面波装置を模式的に説明する断面図である。
【符号の説明】
１：圧電基板
２：保護膜
３：圧電基板上の入力電極
４：圧電基板上の出力電極
５：圧電基板上の接地電極
６：引出し入力電極
７：引出し出力電極
８：接地電極
７' ：下地電極
８' ：下地電極
９：外部回路基板の入力電極
１０：外部回路基板の出力電極
１１：外部回路基板の接地電極
１２：ＩＤＴ電極
１３：導電性樹脂
１４：バンプ
１５：陽極酸化膜
１６：間隙
１７：筐体側引出し入力電極
１８：筐体側引出し出力電極
１９：筐体側接地電極
２０：筐体接続基板
２１：筐体キャップ
２２：封止材
３０，３１：蛇行状インダクタ配線
２４：ガラス封止材
２５：ワイヤー
Ｆ１〜Ｆ４：弾性表面波素子
Ｓ１〜Ｓ７：弾性表面波装置
Ｋ：外部回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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