(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第１基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されており前記薄膜トランジスタの上側に配置されると共に前記薄膜トランジスタのチャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域に一の窓が開けられた配線と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、
前記第２基板上に、前記一の窓を上側から覆う第１遮光膜を備えており、
前記第１遮光膜及び前記配線のうち少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を上側から覆うことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第１基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された配線と、
前記薄膜トランジスタの上側に配置されており各画素の非開口領域を少なくとも部分的に規定すると共に前記薄膜トランジスタのＬＤＤ（Lightly Doped Structure）領域又はオフセット領域であるチャネル隣接領域に対向する領域に一の窓が開けられた内蔵遮光膜と、
前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、
前記第２基板上に、前記一の窓を上側から覆う第１遮光膜を備えており、
前記第１遮光膜及び前記内蔵遮光膜のうち少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を上側から覆うことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第１基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された配線と、
前記薄膜トランジスタの上側に配置されており各画素の非開口領域を少なくとも部分的に規定すると共に前記薄膜トランジスタのチャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域に一の窓が開けられた内蔵遮光膜と、
前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、
前記第２基板上に、前記一の窓を上側から覆う第１遮光膜を備えており、
前記第１遮光膜及び前記内蔵遮光膜のうち少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を上側から覆い、
前記配線は、前記薄膜トランジスタの上側に配置されており、前記配線には、平面的に見て前記窓に重なる領域に他の窓が開けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記一及び他の窓のうち上側に位置する方が下側に位置する方より大きいことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記内蔵遮光膜及び前記第１遮光膜は夫々、複数の帯状部分を含んでなり、
前記第１遮光膜を構成する帯状部分の幅は、前記内蔵遮光膜を構成する帯状部分の幅よりも狭いことを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記内蔵遮光膜は、前記画素電極に付加される蓄積容量を構成する容量電極又は容量線としても機能することを特徴とする請求項２から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記内蔵遮光膜は、前記第１基板上で前記窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含むことを特徴とする請求項２から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１遮光膜は、前記配線に沿って伸びる複数の帯状部分を含んでなり、
前記第１遮光膜における前記帯状部分の幅は、前記配線の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記配線は、前記第１基板上で前記窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記チャネル隣接領域は、ＬＤＤ（Lightly Doped Structure）領域又はオフセット領域であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記ドレイン領域の一部は、コンタクトホール開孔領域とされており、
前記窓は、該コンタクトホール開孔領域にも開けられていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記ソース領域の一部は、コンタクトホール開孔領域とされており、
前記窓は、該コンタクトホール開孔領域にも開けられていることを特徴とする請求項２から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記窓は、前記チャネル領域に対向する領域にも開けられていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記窓は、前記チャネル領域に対向する領域には開けられておらず、
前記チャネル領域の上側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置されていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
前記第１遮光膜は、前記第１基板に対面する側に配置された光吸収層を含む多層膜からなることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一項に記載の電気光学装置をライトバルブとして用いることを特徴とするプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:以下適宜、ＴＦＴと称す）を、基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。そこで従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜により、或いはＴＦＴアレイ基板上においてＴＦＴの上を通過すると共にＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線により、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成されている。更に、ＴＦＴアレイ基板上のＴＦＴの下側に対向する位置にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けることがある。このようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光などの戻り光が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。
【０００４】
即ち、先ず対向基板上やＴＦＴアレイ基板上に遮光膜を形成する技術によれば、遮光膜とチャネル領域との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜めに入射する光に対する遮光が十分ではない。特にプロジェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞った光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程に（例えば、基板に垂直な方向から１０度から１５度程度傾いた成分を１０％程度）含んでいるので、このような斜めの入射光に対する遮光が十分でないことは実践上問題となる。
【０００５】
加えて、遮光膜のない領域から電気光学装置内に侵入した光が、基板の上面或いは基板の上面に形成された遮光膜の上面やデータ線の下面（即ち、チャネル領域に面する側の内面）で反射された後に、係る反射光或いはこれが更に基板の上面或いは遮光膜やデータ線の内面で反射された多重反射光が最終的にＴＦＴのチャネル領域に到達してしまう場合もある。
【０００６】
特に近年の表示画像の高品位化という一般的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピッチの微細化を図るに連れて、更に明るい画像を表示すべく入射光の光強度を高めるに連れて、上述した従来の各種遮光技術によれば、十分な遮光を施すのがより困難となり、ＴＦＴのトランジスタ特性の変化により、フリッカ等が生じて、表示画像の品位が低下してしまうという問題点がある。
【０００７】
尚、このような耐光性を高めるためには、遮光膜の形成領域を広げればよいようにも考えられるが、遮光膜の形成領域を広げてしまったのでは、表示画像の明るさを向上させるべく各画素の開口率を高めることが根本的に困難になるという問題点が生じる。更に上述の如く遮光膜（即ち、ＴＦＴの下側の遮光膜やデータ線等からなるＴＦＴの上側の遮光膜等）の存在により、斜め光に起因した内面反射や多重反射光が発生することに鑑みればむやみに遮光膜の形成領域を広げたのでは、このような内面反射光や多重反射光の増大を招くという解決困難な問題点もある。
【０００８】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、耐光性に優れており、明るく高品位の画像表示が可能な電気光学装置を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されており前記薄膜トランジスタの上側に配置されると共に前記薄膜トランジスタのチャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域に一の窓が開けられた配線と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、前記第２基板上に、前記一の窓を上側から覆う第１遮光膜を備えており、前記第１遮光膜及び前記配線のうち少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を上側から覆う。
【００１０】
本発明の第１電気光学装置によれば、画素電極をこれに接続された薄膜トランジスタによりスイッチング制御することにより、アクティブマトリクス駆動方式による駆動を行なえる。そして、第２基板を介して入射される第１基板の上方からの入射光に対し、薄膜トランジスタのチャネル領域については、第１遮光膜や、例えばＡｌ等の金属からなる配線により遮光を行なう。同じく第１基板の上方からの入射光に対し、チャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち窓に対向するものについては、窓を覆う第１遮光膜により遮光を行ない、窓に対向しないものについては、配線若しくは配線及び第１遮光膜により遮光を行なう。これらの結果、配線に窓が開けられていても、上方から入射光が薄膜トランジスタのチャネル領域に入射し、光電効果により薄膜トランジスタで光リーク電流が生じて、そのトランジスタ特性が変化してしまう事態を基本的に防止できる。他方、第１基板の裏面反射光等の戻り光に対し、薄膜トランジスタのチャネル領域については、下側遮光膜により遮光を行なう。ここで一般には、基板面に対して斜めに進行する入射光及び戻り光、並びにこれらに基づく内面反射光及び多重反射光などの斜めの光の一部は、チャネル領域に面する側の配線の表面（即ち、第１基板上における配線の下側表面）で反射して最終的にチャネル領域に到達しようとする。しかるに本発明では特に、配線には窓が開口されているので、係る光は、少なくとも部分的にこの窓を介してチャネル領域側から第２基板側に抜けて行く分だけ減衰される。通常は遮光膜として利用される配線の形成面積を広げて遮光性能を向上させるのではなく、該配線に窓を開口することで、斜めの戻り光、内面反射光、多重反射光等に対する遮光性能を高める点で本発明は画期的である。このように、遮光膜を広げることによる有害な内面反射光の増加を回避でき、更に遮光膜を広げることによる各画素の開口領域の減少を回避できるので、本発明は大変有利である。
【００１１】
以上の結果、本発明の第１電気光学装置によれば、耐光性を高めることが可能となり、強力な入射光や戻り光が入射するような過酷な条件下にあっても光リーク電流の低減された薄膜トランジスタにより画素電極を良好にスイッチング制御でき、最終的には本発明により、明るく高コントラストの画像を表示可能となる。
【００１２】
尚、本発明の第１電気光学装置においては、上述の如く窓が開口されているため、配線は、例えばＡｌ等の金属膜から形成され高反射率であってもよい。
【００１３】
本発明の第２電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された配線と、前記薄膜トランジスタの上側に配置されており各画素の非開口領域を少なくとも部分的に規定すると共に前記薄膜トランジスタのチャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域に一の窓が開けられた内蔵遮光膜と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光膜とを備えており、前記第２基板上に、前記一の窓を上側から覆う第１遮光膜を備えており、前記第１遮光膜及び前記内蔵遮光膜のうち少なくとも一方は、前記薄膜トランジスタの少なくとも前記チャネル領域を上側から覆う。
【００１４】
本発明の第２電気光学装置によれば、画素電極をこれに接続された薄膜トランジスタによりスイッチング制御することにより、アクティブマトリクス駆動方式による駆動を行なえる。そして、第２基板を介して入射される第１基板の上方からの入射光に対し、薄膜トランジスタのチャネル領域については、第１遮光膜や内蔵遮光膜により遮光を行なう。同じく第１基板の上方からの入射光に対し、チャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち窓に対向するものについては、窓を覆う第１遮光膜により遮光を行ない、窓に対向しないものについては、内蔵遮光膜若しくは内蔵遮光膜及び第１遮光膜により遮光を行なう。これらの結果、内蔵遮光膜に窓が開けられていても、上方から入射光が薄膜トランジスタのチャネル領域に入射し、光電効果により薄膜トランジスタで光リーク電流が生じて、そのトランジスタ特性が変化してしまう事態を基本的に防止できる。他方、戻り光に対し、薄膜トランジスタのチャネル領域については、下側遮光膜により遮光を行なう。ここで一般には、基板面に対して斜めに進行する入射光及び戻り光、並びにこれらに基づく内面反射光及び多重反射光などの斜めの光の一部は、チャネル領域に面する側の内蔵遮光膜の表面（即ち、第１基板上における内蔵遮光膜の下側表面）で反射して最終的にチャネル領域に到達しようとする。しかるに本発明では特に、内蔵遮光膜には窓が開口されているので、係る光は、少なくとも部分的にこの窓を介してチャネル領域側から第２基板側に抜けて行く分だけ減衰される。内蔵遮光膜の形成面積を広げて遮光性能を向上させるのではなく、内蔵遮光膜に窓を開口することで、斜めの戻り光、内面反射光、多重反射光等に対する遮光性能を高める点で本発明は画期的である。このように、内蔵遮光膜を広げることによる有害な内面反射光の増加を回避でき、更に内蔵遮光膜を広げることによる各画素の開口領域の減少を回避できるので、本発明は大変有利である。
【００１５】
以上の結果、本発明の第２電気光学装置によれば、耐光性を高めることが可能となり、強力な入射光や戻り光が入射するような過酷な条件下にあっても光リーク電流の低減された薄膜トランジスタにより画素電極を良好にスイッチング制御でき、最終的には本発明により、明るく高コントラストの画像を表示可能となる。
【００１６】
本発明の第２電気光学装置の一態様では、前記配線は、前記薄膜トランジスタの上側に配置されており、前記配線には、平面的に見て前記窓に重なる領域に他の窓が開けられている。
【００１７】
この態様によれば、基板面に対して斜めに進行する入射光及び戻り光、並びにこれらに基づく内面反射光及び多重反射光などの斜めの光の一部は、内蔵遮光膜の窓及び配線の窓を介してチャネル領域側から第２基板側に抜けて行く。従って、その分だけ、最終的にチャネル領域に到達する内面反射光等の光を低減できる。
【００１８】
この態様では、前記一及び他の窓のうち上側に位置する方が下側に位置する方より大きいように構成してもよい。
【００１９】
このように構成すれば、下側の窓を介してチャネル領域側から第２基板側に抜けた光の殆ど全部は、更に上側の窓を介してチャネル領域側から第２基板側に抜けて行く。従って、その分だけ、最終的にチャネル領域に到達する内面反射光等の光を低減できる。
【００２０】
本発明の第２電気光学装置の他の態様では、前記内蔵遮光膜及び前記第１遮光膜は夫々、複数の帯状部分を含んでなり、前記第１遮光膜を構成する帯状部分の幅は、前記内蔵遮光膜を構成する帯状部分の幅よりも狭い。
【００２１】
この態様によれば、第２基板上に設けられた第１遮光膜の帯状部分は、第１基板上に設けられた内蔵遮光膜の帯状部分より幅狭であるので、各画素の開口領域は、薄膜トランジスタと同じく第１基板上に設けられた内蔵遮光膜により規定される。従って、第１基板と第２基板との貼り合わせ精度が低くても幅狭の第１遮光膜により各画素の開口領域を狭めないで済む構成が容易に得られる。即ち、第１遮光膜は、最低限で窓を覆える大きさだけ形成すれば足りる。逆に、薄膜トランジスタや配線等に対する内蔵遮光膜の配置精度は、同一基板上なので容易に高めることができる。これらの結果、最終的には各画素の開口率を高めることが可能となる。
【００２２】
尚、内蔵遮光膜及び第１遮光膜は夫々、複数の帯状部分が交差してなる格子状に形成されてもよいし、連続して伸びる帯状に形成されてもよい。或いは、島状に分断されて伸びる帯状に形成されてもよい。
【００２３】
本発明の第２電気光学装置の他の態様では、前記内蔵遮光膜は、前記画素電極に付加される蓄積容量を構成する容量電極又は容量線としても機能する。
【００２４】
この態様によれば、第１基板上に、内蔵遮光膜からなる容量電極又は容量線を備えた蓄積容量を構築できる。従って、このような容量電極又は容量線を、専用の導電膜から形成する場合と比較して、第１基板上の積層構造及び製造プロセスの単純化を図れると共に、限られた基板上領域に、より大きな蓄積容量を構築可能となる。
【００２５】
本発明の第２電気光学装置の他の態様では、前記内蔵遮光膜は、前記第１基板上で前記窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む。
【００２６】
この態様によれば、内蔵遮光膜における窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分によって、上方から入射した光は、窓を中央として拡散される傾向で反射される。他方、下方から入射した光は、窓内に導かれる傾向で反射される。従って、斜めの戻り光、内面反射光、多重反射光等が、内蔵遮光膜の上面や下面での反射を経て最終的にチャネル領域に到達する割合を低減できる。即ち、遮光性能を一層高めることが可能となる。
【００２７】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記第１遮光膜は、前記配線に沿って伸びる複数の帯状部分を含んでなり、前記帯状部分の幅は、前記配線の幅よりも狭い。
【００２８】
この態様によれば、第２基板上に設けられた第１遮光膜の帯状部分は、第１基板上に設けられた配線より幅狭であるので、各画素の開口領域は、薄膜トランジスタと同じく第１基板上に設けられており、例えばＡｌ等の金属からなる配線により規定可能となる。従って、第１基板と第２基板との貼り合わせ精度が低くても幅狭の第１遮光膜により各画素の開口領域を狭めないで済む構成が容易に得られる。即ち、第１遮光膜は、最低限で窓を覆える大きさだけ形成すれば足りる。逆に、薄膜トランジスタ等に対する配線の配置精度は、同一基板上なので容易に高めることができる。これらの結果、最終的には各画素の開口率を高めることが可能となる。
【００２９】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記配線は、前記第１基板上で前記窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む。
【００３０】
この態様によれば、例えばＡｌ等の金属からなる配線における窓から遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分によって、上方から入射した光は、窓を中央として拡散される傾向で反射される。他方、下方から入射した光は、窓内に導かれる傾向で反射される。従って、斜めの戻り光、内面反射光、多重反射光等が、配線の上面や下面での反射を経て最終的にチャネル領域に到達する割合を低減できる。即ち、遮光性能を一層高めることが可能となる。
【００３１】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記チャネル隣接領域は、ＬＤＤ領域又はオフセット領域である。
【００３２】
この態様によれば、ＬＤＤ型やオフセット型の薄膜トランジスタに対して、そのチャネル隣接領域等に対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることにより、遮光性能を高めることができる。
【００３３】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記ソース領域の一部及び前記ドレイン領域の一部は夫々、コンタクトホール開孔領域とされており、前記窓は、該コンタクトホール開孔領域にも開けられている。
【００３４】
この態様によれば、一般にコンタクトホールの存在により遮光性能が低下しやすいにも拘わらず、コンタクトホール開孔領域に対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることにより、即ち、光がコンタクトホール開孔領域付近で窓を介してチャネル領域側から第２基板側に抜けて行く構成を採ることにより、薄膜トランジスタに対する遮光性能を高めることができる。
【００３５】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記窓は、前記チャネル領域に対向する領域にも開けられている。
【００３６】
この態様によれば、チャネル領域に対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることにより、即ち、光がチャネル領域付近で窓を介してチャネル領域側から第２基板側に抜けて行く構成を採ることにより、薄膜トランジスタに対する遮光性能を高めることができる。
【００３７】
或いは本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記窓は、前記チャネル領域に対向する領域には開けられておらず、前記チャネル領域の上側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置されている。
【００３８】
この態様によれば、チャネル領域に対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることなく、チャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域のうち少なくとも一つに対向する領域における配線や内蔵遮光膜に窓を開けることにより、薄膜トランジスタに対する遮光性能を高めることができる。そして、チャネル領域の上側にはゲート電極が配置されているので、最終的に上方からチャネル領域に入射しようとする光をゲート電極により低減できるので、或いはチャネル領域の上方を斜めに通過する光を低減できるので、遮光性能を一層高めることができる。
【００３９】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記第１遮光膜は、前記第１基板に対面する側に配置された光吸収層を含む多層膜からなる。
【００４０】
この態様によれば、窓を介してチャネル領域側から第２基板側に抜けて行く光の少なくとも一部は、第１遮光膜に至るが、係る光は、光吸収層により吸収される。従って、この光が第１遮光膜で反射して再びチャネル領域に到達したとしても、その光量を顕著に減衰できる。この結果、薄膜トランジスタにおける遮光性能を一層高めることができる。
【００４１】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４３】
（第１実施形態）
先ず本発明の第１実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図３を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。尚、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４４】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。
【００４５】
図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００４６】
また、半導体層１ａのうち図中右上がりの細かい斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。本実施形態では、走査線３ａは、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成されている。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００４７】
図２及び図３に示すように、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００４８】
本実施形態では特に、中継層７１、誘電体膜７５及び容量線３００からなる蓄積容量７０には、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域に対向する位置に、図２中粗い右下りの斜線領域で示した窓４０１ａがＴＦＴ３０毎に開けられている。そして、データ線６ａには、この窓４０１ａよりも一回り大きい窓４０１ｂが開けられている。これらの窓４０１ａ及び４０１ｂによる遮光機能については、後に詳述する。
【００４９】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電性の遮光膜からなり内蔵遮光膜の一例を構成すると共に固定電位側容量電極としても機能する。容量線３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。但し、容量線３００は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持ってもよい。
【００５０】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、内蔵遮光膜としての容量線３００とＴＦＴ３０との間に配置される光吸収層としての機能を持ち、更に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を持つ。但し、中継層７１も、容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜若しくは多層膜から構成してもよい。
【００５１】
容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図２中上下に突出している。そして、図２中縦方向に夫々伸びるデータ線６ａと図２中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相交差して形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の上側に、平面的に見て格子状の内蔵遮光膜が構成されており、各画素の開口領域を規定している。
【００５２】
図２及び図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。
【００５３】
下側遮光膜１１ａは、前述の如く内蔵遮光膜の一例を構成する容量線３００と同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００５４】
また図３において、容量電極としての中継層７１と容量線３００との間に配置される誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄い程良い。
【００５５】
また容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための後述の走査線駆動回路や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御する後述のデータ線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００５６】
画素電極９ａは、中継層７１を中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。即ち、本実施形態では、中継層７１は、蓄積容量７０の画素電位側容量電極としての機能及び光吸収層としての機能に加えて、画素電極９ａをＴＦＴ３０へ中継接続する機能を果たす。このように中継層７１を利用すれば、層間距離が例えば２０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めること可能となり、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。
【００５７】
図２及び図３において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００５８】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００５９】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００６０】
本実施形態では特に、図２では省略しているが、対向基板２０上には、第１遮光膜２３がデータ線６ａ及び走査線３ａに沿って格子状に形成されている。但し、窓４０１ａ及び４０１ｂを覆う限りにおいて、第１遮光膜２３は、ストライプ状や島状でもよい。
【００６１】
このような構成を採ることで、前述の如く内蔵遮光膜を構成する容量線３００及びデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の第１遮光膜２３により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、阻止できる。
【００６２】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００６３】
更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６４】
図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００６５】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００６６】
第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃度ソース領域１ｄ及び中継層７１へ夫々通じるコンタクトホール８１及びコンタクトホール８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００６７】
尚、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【００６８】
第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【００６９】
尚、図３に示したように多数の所定パターンの導電層を積層することにより、画素電極９ａの下地面、即ち第３層間絶縁膜４３の表面におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化処理することで緩和してもよい。例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧ(Spin On Glass)を用いて平らに形成してもよい。このように配線、素子等が存在する領域と存在しない領域との間における段差を緩和することにより、最終的には段差に起因した液晶の配向不良等の画像不良を低減できる。但し、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すのに代えて又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよい。
【００７０】
次に、図４から図６を参照して、上述した電気光学装置の実施形態における、蓄積容量７０に開けられた窓４０１ａ及びデータ線６ａに開けられた窓４０１ｂの構成及び作用効果について詳述する。ここに図４は、図２のうち窓４０１ａ及び４０１ｂ付近における走査線３ａ、データ線６ａ、容量線３００及び中継層７１を抜粋して示す平面図である。図５は、図４のＣ−Ｃ’断面図であり、図６は、図４のＤ−Ｄ’断面図である。尚、図５及び図６においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００７１】
図４から図６に示すように、第１実施形態では、内蔵遮光膜の一例たる容量線３００を含めて蓄積容量７０には、ＴＦＴ３０のチャネル隣接領域たる低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅに対向する領域に窓４０１ａが開けられており、データ線６ａには、この窓４０１ａより一回り大きい窓４０１ｂが開けられている。更に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’を下側から覆う下側遮光膜１１ａを備えており、対向基板２０上に、窓４０１ａ及び４０１ｂ並びにＴＦＴ３０を上側から覆う第１遮光膜２３を備えている。
【００７２】
従って、本実施形態によれば、図５及び図６に示すように、対向基板２０を介して上方から垂直入射されるの入射光Ｌ０に対しては、第１遮光膜２３によりＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその隣接領域の遮光を行なう。他方、下方から垂直入射されるの戻り光Ｌｒに対しては、下側遮光膜１１ａによりＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその隣接領域の遮光を行なう。そして特に、対向基板２０を介して、斜め上方からの入射光、若しくは入射光又は戻り光が内面反射してなる内面反射光或いは多重反射光等の斜めの光Ｌ１及びＬ２に対しては、第１遮光膜２３、データ線６ａ及び容量線３００により遮光を行なう。
【００７３】
これらの結果、窓４０１ａ及び４０１ｂが開けられていても、第１遮光膜２３により、上方から入射光Ｌ０でＴＦＴ３０のトランジスタ特性が変化してしまう事態を防止できる。そして特に、窓４０１ａ及び４０１ｂが開けられているので、斜めの光Ｌ１及びＬ２は、少なくとも部分的に窓４０１ａ及び４０１ｂを介して、光Ｌ３として対向基板２０側に抜けて行く分だけ、容量線３００の下面やデータ線６ａの下面で反射された後に、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域に至る分の光量を低減できる。
【００７４】
実際には、入射光Ｌ０は、基板１０に対して斜め方向から入射する斜め光を含んでいる。例えば入射角が垂直から１０度〜１５度位までずれる成分を１０％程度含んでいる。更に、戻り光Ｌｒは、一般に、より角度の付いた斜め光を含んでいる。このため、このような斜め光が、基板１０の上面や下側遮光膜１１ａの上面等で反射されて、或いは内蔵遮光膜の下面等で反射されて、更にこれらが当該電気光学装置内の他の界面で反射されて、内面反射光・多重反射光たる斜めの光Ｌ１及びＬ２が生成される。従って、ＴＦＴ３０の上下に各種遮光膜を備えていても、両者間の隙間を介して進入する斜めの光Ｌ１及びＬ２（図５及び図６参照）は存在し得る。このため、本実施形態の如く、窓４０１ａ及び４０１ｂにより、半導体層１ａに至る前に、このような斜めの光Ｌ１及びＬ２を対向基板２０側に開放することによる効果は大きいといえる。
【００７５】
仮に図５及び図６に示した構成において、窓４０１ａ及び４０１ｂが存在しなかったとすれば、斜めの光Ｌ２は、蓄積容量７０の内面やデータ線６ａの内面で反射されて半導体層１ａに到達するので、光リーク電流の発生が顕著になってしまうのである。
【００７６】
以上図４から図６を参照して説明したように、本実施形態の電気光学装置によれば、耐光性を高めることが可能となり、強力な入射光や戻り光が入射するような過酷な条件下にあっても光リーク電流の低減された薄膜トランジスタにより画素電極を良好にスイッチング制御でき、最終的には、明るく高コントラストの画像を表示できる。
【００７７】
本実施形態では特に、上側に位置する窓４０１ｂが下側に位置する窓４０１ａより一回り大きいので、下側の窓４０１ａを介してチャネル領域１ａ’側から対向基板２０側に抜けた光の殆ど全部は、更に上側の窓４０１ｂを介して対向基板２０側に抜けて行く。即ち、下側の窓４０１ａを通過した光が上側の窓４０１ｂの縁で反射してチャネル領域に戻ることは殆ど無いので有利である。
【００７８】
本実施形態では、内蔵遮光膜の一例たる容量線３００は、ＴＦＴアレイ基板１０上で窓４０１ａから遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む。他方、データ線６ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で窓４０１ｂから遠ざかるに連れて低くなるように傾斜する部分を含む。従って、上方から入射した光は、窓４０１ｂを中央として拡散される傾向で反射される。他方、下方から入射した光は、窓４０１ａ内に導かれる傾向で反射される。従って、斜めの光Ｌ１及びＬ２が、容量線３００やデータ線６ａの上面や下面での反射を経て最終的にチャネル領域１ａ’に到達する割合を低減できる。
【００７９】
更に以上説明した本実施形態では、窓４０１ａ及び４０１ｂは、各チャネル領域１ａ’に対しソース側及びドレイン側の両方に形成しているが、片方のみに形成しても、ある程度の類似効果が得られる。例えば、半導体層１ａの周囲における配線や素子等の配置に鑑み、ソース側及びドレイン側の両方に窓４０１ａ及び４０１ｂを開けることが困難である場合などには、レイアウトに無理を加えることなく、片方にのみ窓４０１ａ及び４０１ｂを開ければよい。
【００８０】
加えて以上説明した実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。本実施形態によれば、ＬＤＤ領域、オフセット領域等に対向する領域におけるデータ線６ａや容量線３００に窓を開けることにより、遮光性能を高めることができる。
【００８１】
また本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
【００８２】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態の電気光学装置について図７を参照して説明する。ここに、図７は、窓付近における走査線３ａ、データ線６ａ、容量線３００及び中継層７１を抜粋して示す平面図である。
【００８３】
上述の第１実施形態では、窓４０１ａ及び４０１ｂは、チャネル領域１ａ’に対向する領域にも開けられているが、第２実施形態では、図７に示すように、窓４０１ａ’及び４０１ｂ’は、チャネル領域１ａ’に対向する領域には一部開けられていない。その他の構成については上述した第１実施形態の場合と同様である。
【００８４】
従って第２実施形態によれば、チャネル領域１ａ’に対向する領域における容量線３００やデータ線６ａに一部窓を開けることなく、チャネル隣接領域、ソース領域及びドレイン領域に対向する領域における容量線３００やデータ線６ａに窓４０１ａ’及び４０１ｂ’を開けることにより、ＴＦＴ３０に対する遮光性能を高めることができる。そして、チャネル領域１ａ’の上側にはゲート電極たる走査線３ａが配置されているので、最終的に上方からチャネル領域１ａ’に入射しようとする光を走査線３ａにより、ある程度低減できる。或いは、チャネル領域１ａ’の上方を斜めに通過する光を走査線３ａにより、ある程度低減できる。（変形形態）
本発明の電気光学装置の一変形形態として、高濃度ソース領域１ｄの一部をなすコンタクトホール８１が開孔されたコンタクトホール開孔領域にまで至る比較的大きな窓をデータ線及び容量線に開けてもよい。これに代えて又は加えて、高濃度ドレイン領域１ｅの一部をなすコンタクトホール８３が開孔されたコンタクトホール開孔領域にまで至る比較的大きな窓をデータ線及び容量線に開けてもよい。このように構成すれば、一般に光が漏れやすいコンタクトホール８１及び８３付近における遮光性能を向上させ得る。
【００８５】
本発明の電気光学装置の他の変形形態として、第１遮光膜２３は、ＴＦＴアレイ基板１０に対面する側に配置された光吸収層を含む多層膜からなってもよい。このように構成すれば、窓４０１ａ又は４０１ａ’並びに４０１ｂ又は４０１ｂ’を介して対向基板２０側に抜けて行く光の一部が、第１遮光膜２３に至っても、係る光を、第１遮光膜２３の光吸収層により吸収除去できる。即ち、このような光が第１遮光膜２３で反射して再びチャネル領域に向かう斜めの光となることを防止できる。
【００８６】
更に、このような対向基板２０上の遮光膜２３は、少なくとも入射光Ｌ０が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、第１遮光膜２３は好ましくは、平面的に見て容量線３００とデータ線６ａとからなる遮光層の内側に位置するように形成する。これにより、対向基板２０上の遮光膜により、各画素の開口率を低めることなく、このような遮光及び温度上昇防止の効果が得られる。
【００８７】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図８及び図９を参照して説明する。尚、図８は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図９は、図８のＨ−Ｈ’断面図である。
【００８８】
図８において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図９に示すように、図８に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００８９】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００９０】
以上図１から図９を参照して説明した実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００９１】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【００９２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】図２のうち窓付近を抜粋して示す平面図である。
【図５】図４のＣ−Ｃ’断面図である。
【図６】図４のＤ−Ｄ’断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態の電気光学装置における窓付近を抜粋して示す平面図である。
【図８】実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図９】図８のＨ−Ｈ’断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
２…絶縁膜
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…下側遮光膜
１２…下地絶縁膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
２３…第１遮光膜
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
７０…蓄積容量
７１…中継層
７５…誘電体膜
８１、８３、８５…コンタクトホール
３００…容量線
４０１ａ、４０１ｂ…窓
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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