(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に第１の半導体チップを搭載し，前記基板の裏面に第２の半導体チップを搭載する工程と，
前記基板の表面側あるいは裏面側のいずれか一方側から樹脂を供給して，前記基板における前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップの間に位置して設けられた貫通孔に樹脂を通過させることにより，前記基板の表面と前記第１の半導体チップとの間及び前記基板の裏面と前記第２の半導体チップとの間を樹脂で封止する工程と，を含むことを特徴とする，半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の半導体チップは，フリップチップ接続により前記基板の表面に搭載されることを特徴とする，請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の半導体チップは，フリップチップ接続により前記基板の裏面に搭載されることを特徴とする，請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板の表面側あるいは裏面側のうち，前記樹脂の供給を行う側とは異なる側に配置された半導体チップの周囲近傍を横漏れ防止治具にて閉塞した状態で，前記樹脂を供給することを特徴とする，請求項１，２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂を供給する工程において，前記基板の表面側あるいは裏面側のうち，前記樹脂の供給を行う側とは異なる側に配置された半導体チップの周囲近傍に温風を吹き付けることを特徴とする，請求項１，２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂を供給する工程は，半導体装置をマザーボード上に電気的に接続した後に行うことを特徴とする，請求項１，２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は，ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）やＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）などと呼ばれる半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図９に基づいて，例えばＢＧＡと呼ばれる半導体装置を説明すると，従来は，内部基板１００の表面（図９では上面）に半導体チップ１０１を載せ，半導体チップ１０１と内部基板１０２をワイヤ１０３で電気的に接続する。その後，内部基板１００の表面上で半導体チップ１０１を樹脂１０３で封止する。また，内部基板１００の裏面（図９では下面）にはんだバンプ（はんだボール）１０４を付けた構造を有している。
【０００３】
近年，このような半導体装置には，益々の高密度実装が要求されている。しかしながら，図９で説明したような従来の半導体装置では，マザーボードに実装する際，実装面積を十分に小さくさせるのが困難である。また，半導体装置は，マザーボードにはんだ付けした後の温度サイクル試験の信頼性に問題があるため，半導体装置とマザーボードとの間に樹脂を流し込むことにより樹脂で電気的な接続部分を押さえ込み，温度サイクル試験の信頼性を向上させている。しかし，このように半導体装置とマザーボードとの間に樹脂を流し込むためには，樹脂封止工程を増やすことが必要になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は，高密度実装が可能であり，また樹脂封止が容易な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的を達成するために，本発明によれば，基板の表面に第１の半導体チップを搭載し，前記基板の裏面に第２の半導体チップを搭載する工程と，前記基板の表面側あるいは裏面側のいずれか一方側から樹脂を供給して，前記基板における前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップの間に位置して設けられた貫通孔に樹脂を通過させることにより，前記基板の表面と前記第１の半導体チップとの間及び前記基板の裏面と前記第２の半導体チップとの間を樹脂で封止する工程と，を含むことを特徴とする，半導体装置の製造方法が提供される。
例えば，前記第１の半導体チップは，フリップチップ接続により前記基板の表面に搭載される。
また例えば，前記第２の半導体チップは，フリップチップ接続により前記基板の裏面に搭載される。
また例えば，前記基板の表面側あるいは裏面側のうち，前記樹脂の供給を行う側とは異なる側に配置された半導体チップの周囲近傍を横漏れ防止治具にて閉塞した状態で，前記樹脂を供給する。
また例えば，前記樹脂を供給する工程において，前記基板の表面側あるいは裏面側のうち，前記樹脂の供給を行う側とは異なる側に配置された半導体チップの周囲近傍に温風を吹き付ける。
また例えば，前記樹脂を供給する工程は，半導体装置をマザーボード上に電気的に接続した後に行う。
【０００６】
基板表面に第１の半導体チップが搭載され，基板裏面に複数のバンプが形成された半導体装置において，前記基板裏面の中央に形成されたバンプの無い領域に第２の半導体チップが搭載されていることを特徴としている。この半導体装置にあっては，基板表面に第１の半導体チップが搭載され，基板裏面に第２の半導体チップが搭載されているので，従来の半導体装置に比べて，同じ実装面積で２倍の高密度実装が可能になる。
この半導体装置において，前記基板の表裏面の間で封止樹脂を通過させる貫通孔が，前記基板に設けられていることが好ましい。そうすれば，基板の表裏面のいずれか一方側において樹脂を供給して，基板に設けられた貫通孔に該樹脂を通過させることにより，基板表面と第１の半導体チップの間及び基板裏面と第２の半導体チップの間を同時に樹脂で封止することができるようになる。
また，前記基板表面に対する前記第１の半導体チップの電気的な接続及び／又は前記基板裏面に対する前記第２の半導体チップの電気的な接続が，フリップチップ接続であることが好ましい。そうすれば，半導体装置全体の厚さを薄くできるようになる。
【０００７】
基板の表裏面に第１の半導体チップと第２の半導体チップを搭載する工程と，基板表面と第１の半導体チップの間と基板裏面と第２の半導体チップの間を樹脂で封止する工程とを含むことを特徴とする，半導体装置の製造方法である。この製造方法によって，半導体装置を製造することができる。
この製造方法において，前記基板表面に対する前記第１の半導体チップの電気的な接続や前記基板裏面に対する前記第２の半導体チップの電気的な接続を，フリップチップ接続で行うことが好ましい。そうすれば，半導体装置全体の厚さを薄くできるようになる。
また，前記基板の表裏面のいずれか一方側において樹脂を供給して，基板に設けられた貫通孔に該樹脂を通過させることにより，基板表面と第１の半導体チップの間及び基板裏面と第２の半導体チップの間を同時に樹脂で封止することが好ましい。そうすれば，製造時間短縮とコストダウンがはかれるようになる。この場合，前記樹脂の供給を行わない基板の表面又は裏面において第１の半導体チップの周囲近傍又は第２の半導体チップの周囲近傍を閉塞するための横漏れ防止治具を用いることにより，基板表面と第１の半導体チップの間からの樹脂の漏出又は基板裏面と第２の半導体チップの間からの樹脂の漏出を防ぐことが好ましい。また，前記横漏れ防止治具は，第１の半導体チップの周囲近傍又は第２の半導体チップの周囲近傍に温風を吹き付けることにより樹脂を硬化させるようにしても良い。
また，前記基板裏面と第２の半導体チップの間を樹脂で封止する工程を，半導体装置をマザーボード上に電気的に接続した後に行うようにしても良い。そうすれば，半導体装置の樹脂封止と，半導体装置とマザーボードとの間の樹脂により押さえ込みが同時にでき，封止工程を短縮できる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明で製造される半導体装置によれば，従来の半導体装置に比べて，同じ実装面積で２倍の高密度実装が可能になる。そして，基板の表裏面のいずれか一方側において樹脂を供給して，基板に設けられた貫通孔に該樹脂を通過させることにより，基板表面と第１の半導体チップの間及び基板裏面と第２の半導体チップの間を同時に樹脂で封止することができるようになる。また，半導体装置全体の厚さを薄くできる。
【０００９】
このような半導体装置は，本発明によって製造することができる。そして，半導体装置全体の厚さを薄くできるようになる。また，製造時間短縮とコストダウンがはかれるようになる。また，漏れ出た樹脂が不要な箇所に付着することが無く，また，必要以上に樹脂を使うことが無く，仕上がりも綺麗になる。また，半導体装置の樹脂封止と，半導体装置とマザーボードとの間の樹脂により押さえ込みが同時にでき，封止工程を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）と呼ばれる半導体装置を例にして説明する。図１において，（ａ）は，第１の半導体装置１の裏面図であり，（ｂ）は，図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
【００１１】
内部基板１０の表面（図示の例では上面）に第１の半導体チップ１１が搭載されている。図示の例では，第１の半導体チップ１１の上面に配置された端子にワイヤ１２をボンディングすることにより，内部基板１０に対して第１の半導体チップ１１が電気的に接続されている。また，内部基板１０の表面において第１の半導体チップ１１は例えばエポキシ樹脂などの樹脂１３で封止されている。
【００１２】
内部基板１０の裏面（図示の例では下面）には，複数のバンプ１５が形成されている。このバンプ１５は，例えばはんだバンプや金バンプなどである。また，内部基板１０の裏面中央には，バンプ１５の無い領域１６が形成されていて，この領域１６には第２の半導体チップ１７が搭載されている。図示の例では，第２の半導体チップ１７の上面に配置された内部接続端子１８を内部基板１０の裏面に接触させて，内部基板１０に対して第２の半導体チップ１７を電気的に接続することにより，内部基板１０の裏面に対して第２の半導体チップ１７をフリップチップ接続している。また，内部基板１０の裏面において第２の半導体チップ１７の上面と内部基板１０の裏面との間は例えばエポキシ樹脂などの樹脂１９で封止されている。
【００１３】
このように構成された半導体装置１にあっては，例えば先に図９で説明したような従来の半導体装置に比べて，同じ実装面積で２倍の高密度実装ができるようになる。また，この半導体装置１のように，第２の半導体チップ１７を内部基板１０の裏面にフリップチップ接続すれば，フリップチップ接続は厚さの増加が少なくて済むので，内部基板１０の裏面に第２の半導体チップ１７を搭載しても半導体装置１全体の厚さの増加はほとんどない。
【００１４】
次に図２は，第２の半導体装置２の断面図である。この半導体装置２では，第１の半導体チップ１１の下面に内部接続端子２１が配置されており，その内部接続端子２１を内部基板１０の表面（図示の例では上面）に電気的に接続することにより，内部基板１０の表面に対して第１の半導体チップ１１をフリップチップ接続した構成になっている。また，内部基板１０の表面において第１の半導体チップ１１の下面と内部基板１０の表面との間は例えばエポキシ樹脂などの樹脂２２で封止されている。その他の構成は，先に図１で説明した第１の半導体装置１と同様であるので，図２に示す半導体装置２において，図１で説明した半導体装置１と同じ構成要素については，図１と同じ符号を付することにより，重複した説明は省略する。
【００１５】
このように構成された第２の半導体装置２にあっては，先に図１で説明した半導体装置１と同様に，同じ実装面積で２倍の高密度実装ができることに加え，内部基板１０の表面に搭載した第１の半導体チップ１１もフリップチップ接続されているので，半導体装置２全体の厚さを更に薄くできる。このような半導体装置２は，特に全体厚さが制限されたような場合に有効である。
【００１６】
次に図３は，第３の半導体装置３の断面図である。この半導体装置３では，内部基板３０のほぼ中央に貫通孔３１が設けられている。また，先に説明した第２の半導体装置２と同様に，この半導体装置３においても，第１の半導体チップ１１の下面に配置された内部接続端子３２を内部基板３０の表面（図示の例では上面）にフリップチップ接続した構成になっている。この半導体装置３によれば，次に説明する半導体装置３の製造過程において，貫通孔３１に例えばエポキシ樹脂などの樹脂３３を通過させることにより，内部基板３０の表面と第１の半導体チップ１１の間及び内部基板３０の裏面と第２の半導体チップ１７の間を同時に樹脂３３で封止することができる。なお，その他の構成は，先に図１で説明した第１の半導体装置１と同様であるので，図３に示す半導体装置３において，図１で説明した半導体装置１と同じ構成要素については，図１と同じ符号を付することにより，重複した説明は省略する。
【００１７】
次に，この第３の半導体装置３を製造する場合を例にして，本発明の実施の形態にかかる製造方法について説明する。先ず，貫通孔３１が形成された内部基板３０の表面と裏面に第１の半導体チップ１１と第２の半導体チップ１８をそれぞれ搭載する。この場合，先に説明したように，第１の半導体チップ１１の下面に配置された内部接続端子３２を内部基板３０の表面にフリップチップ接続（フェイスダウン）し，また，第２の半導体チップ１７の上面に配置された内部接続端子１８を内部基板３０の裏面にフリップチップ接続（フェイスダウン）すると良い。これらフリップチップ接続は，例えばＡｕ−Ａｕ熱圧着，導電性接着剤による接続，半田接続などによって行うことができる。
【００１８】
次に，内部基板３０の表面と第１の半導体チップ１１の間と内部基板３０の裏面と第２の半導体チップ１７の間をそれぞれ樹脂３３で封止する。この場合，内部基板３０の表裏面のいずれか一方側において樹脂３３を供給すれば良い。即ち，図４に示す例では，内部基板３０の表面側において，第１の半導体チップ１１の周囲近傍にディスペンサ４０で上部から液状の例えばエポキシ樹脂などの樹脂３３を供給する。すると，毛細管現象により，樹脂３３は，先ず内部基板３０の表面と第１の半導体チップ１１の間に流れ込み，内部基板３０に設けられた貫通孔３１を通過した後，更に内部基板３０の裏面と第２の半導体チップ１７の間に流れ込むこととなる。このように，内部基板３０の表面と第１の半導体チップ１１の間及び内部基板３０の裏面と第２の半導体チップ１７の間に樹脂を流し込んだ後，１５０〜１６０゜Ｃ程度の温度で樹脂３３を硬化させ，半導体装置３を製造する。
【００１９】
なお，このように樹脂３３による封止を行った後，内部基板３０の裏面において第２の半導体チップ１７の周りにバンプ１５をはんだ接合などによって取り付けても良いが，第２の半導体チップ１７をフリップチップ接続する前に，予めバンプ１５を取り付けておいても良い。
【００２０】
このようにして半導体装置３を製造することにより，従来に比べて同じ実装面積で２倍の高密度実装ができ，しかも，全体の厚さが非常に薄い半導体装置３を得ることができる。また，この半導体装置３を製造する場合，内部基板３０に設けられた貫通孔３１に樹脂３３を通過させることにより，内部基板３０の表面と第１の半導体チップ１１の間及び内部基板３０の裏面と第２の半導体チップ１７の間を同時に樹脂３３で封止できるので，製造時間を短縮できコストダウンがはかれるようになる。
【００２１】
なお，このようにして半導体装置３を製造する場合，樹脂３３の供給を行わない内部基板３０の裏面側では，第２の半導体チップ１７の周囲から樹脂３３が漏れ出てしまう心配がある。そこで，樹脂３３の供給を行わない内部基板３０の裏面においては，図５に示すように，第２の半導体チップ１７の周囲近傍を閉塞するための横漏れ防止治具４１を用いると良い。このような横漏れ防止治具４１によって第２の半導体チップ１７の周囲近傍を閉塞した状態で，内部基板３０の表面側において上方からディスペンサ４０で樹脂３３を供給して，樹脂３３を硬化させれば，内部基板３０の裏面と第２の半導体チップ１７の間からの樹脂３３の漏出を防ぐことができる。これにより，漏れ出た樹脂３３が不要な箇所に付着することが無く，また，必要以上に樹脂３３を使うことが無く，仕上がりも綺麗になる。なお横漏れ防止治具４１は，樹脂３３と容易に付着しない剥離性の良い材料で構成すると良い。
【００２２】
また，図６に示すように，横漏れ防止治具４２にエア吹き出し口４３を設け，このエア吹き出し口４３から吹き出した例えば１５０〜１６０゜Ｃ程度の温風を，内部基板３０の裏面において第２の半導体チップ１７の周囲近傍に供給する構成としても良い。そうすれば，ディスペンサ４０から供給された樹脂３３を第２の半導体チップ１７の周囲近傍において仮硬化させることができ，図５で説明した場合と同様に，内部基板３０の裏面と第２の半導体チップ１７の間からの樹脂３３の漏出を防ぐことができる。
【００２３】
次に，第３の半導体装置３を例にして，本発明の他の実施の形態にかかる製造方法について説明する。先ず，先と同様に，貫通孔３１が形成された内部基板３０の表面と裏面に第１の半導体チップ１１と第２の半導体チップ１８をそれぞれ搭載する。この場合も，第１の半導体チップ１１と第２の半導体チップ１７をいずれも内部基板３０に対してフリップチップ接続（フェイスダウン）すると良い。
【００２４】
次に，内部基板３０の裏面において第２の半導体チップ１７の周りの所定位置にバンプ１５をはんだ接合などによって取り付ける。なお，第２の半導体チップ１７をフリップチップ接続する前に，予めバンプ１５を内部基板３０の裏面に取り付けておいても良い。
【００２５】
次に，第１の半導体チップ１１と第２の半導体チップ１８を破壊させないようにして，図７に示すように，マザーボード５０上に半導体装置３を載せ，局所エアブローや接着剤等で仮実装することにより，内部基板３０の裏面のバンプ１５をマザーボード５０上に電気的に接続する。
【００２６】
次に，内部基板３０の表面と第１の半導体チップ１１の間と内部基板３０の裏面と第２の半導体チップ１７の間をそれぞれ樹脂３３で封止する。この場合も先と同様に，内部基板３０の表面側において，第１の半導体チップ１１の周囲近傍にディスペンサ４０で上部から液状の例えばエポキシ樹脂などの樹脂３３を供給する。すると毛細管現象により，樹脂３３は内部基板３０の表面と第１の半導体チップ１１の間及び貫通孔３１を通過した後，更に内部基板３０の裏面と第２の半導体チップ１７の間に流れ込むこととなる。
【００２７】
そして，この実施の形態では，内部基板３０の裏面と第２の半導体チップ１７の間に樹脂３３を充填した後も，更にディスペンサ４０から液状の樹脂３３を供給し続ける。すると，内部基板３０の裏面側では，第２の半導体チップ１７の周囲から樹脂３３が流れ出て，図７に示すように，内部基板３０の裏面とマザーボード５０の上面の間や第２の半導体チップ１７の下面とマザーボード５０の上面の間にも樹脂３３が流れ込んで充填されることとなる。こうして，半導体装置３における内部基板３０の表裏面と第１の半導体チップ１１及び第２の半導体チップ１７の間と，半導体装置３とマザーボード５０との間にそれぞれ樹脂３３を充填した後，１５０〜１６０゜Ｃ程度の温度で樹脂３３を硬化させる。
【００２８】
これにより，半導体装置３の樹脂封止と，半導体装置３とマザーボード５０との間の樹脂封止が同時にでき，封止工程を短縮できるようになる。図８は，こうしてマザーボード５０上において製造された半導体装置３を示す断面図である。この実施の形態の製造方法によれば，半導体装置３の樹脂封止とマザーボード５０との間の樹脂封止を同時に行うことにより，半導体装置３を製造すると同時にマザーボード５０との間の樹脂３３による押さえ込みができ，温度サイクル試験の信頼性を向上させることができる。また，通常３回の封止工程を１回でできるので製造時間を約１／３程度に短縮できる。なお，このように半導体装置３の樹脂封止と半導体装置３とマザーボード５０との間の樹脂封止を同時に行う場合は，半導体装置３とマザーボード５０との間から樹脂３３が漏れ出ないように，先に図５，６で説明した場合と同様な横漏れ防止治具を使用しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
以上，本発明の好ましい実施の形態をＢＧＡと呼ばれる半導体装置に基づいて説明したが，本発明は，ＢＧＡ以外の他の形式の半導体装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（ａ）は，第１の半導体装置の裏面図であり，（ｂ）は，図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
【図２】第２の半導体装置の断面図である。
【図３】第３の半導体装置の断面図である。
【図４】第３の半導体装置の製造方法の説明図である。
【図５】第２の半導体チップの周囲近傍を閉塞するための横漏れ防止治具を用いた製造方法の説明図である。
【図６】エア吹き出し口を設けた横漏れ防止治具を用いた製造方法の説明図である。
【図７】本発明の他の実施の形態にかかる製造方法の説明図である。
【図８】他の実施の形態にかかる製造方法によって製造した半導体装置の断面図である。
【図９】従来の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１，２，３  半導体装置
１０  内部基板
１１  第１の半導体チップ
１３，１９  樹脂
１５  バンプ
１６  バンプの無い領域
１７  第２の半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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