(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載面を有し、このチップ搭載面にレーザチップが搭載されたチップキャリアと、
前記チップキャリアに対向し、第１および第２の導体パターンを有する配線部材と、
前記チップキャリアおよび前記配線部材を収容する筐体と、
前記第１および第２の導体パターンにそれぞれ電気的に接続され、前記筐体の外側に延びる第１および第２の信号入力ピンと、
を備えるレーザモジュールであって、
前記チップキャリアのチップ搭載面は、前記配線部材の上面に対して傾斜しており、
前記レーザチップの上面および下面には、駆動電流を注入するための上部電極および下部電極がそれぞれ設けられており、
前記チップキャリアのチップ搭載面には、第３の導体パターンが設けられており、
前記第３導体パターンは、前記レーザチップの付近から前記チップキャリアの前記配線部材と対向するエッジ部まで延在しており、
前記レーザチップの下部電極は、前記第３導体パターンに電気的に接続されており、
前記配線部材の第１および第２導体パターンは、前記配線部材の前記チップキャリアに対向するエッジ部まで延在しており、
前記配線部材の第１導体パターンは、前記チップキャリアの第３導体パターンにワイヤボンディングされており、
前記配線部材の第２導体パターンは、前記レーザチップの上部電極に電気的に接続されており、
前記配線部材の前記チップキャリアに対向する前記エッジ部と、前記チップキャリアの前記配線部材に対向する前記エッジ部とは、ほぼ同じ高さを有している、
レーザモジュール。
【請求項２】
前記チップキャリアのチップ搭載面には、第４の導体パターンがさらに設けられており、
前記第３および第４導体パターンは、前記レーザチップの付近から前記チップキャリアの同じエッジ部まで延在しており、
前記レーザチップの上部電極は、前記第４導体パターンにワイヤボンディングされており、
前記第４導体パターンは、前記配線部材の第２導体パターンにワイヤボンディングされている
請求項１記載のレーザモジュール。
【請求項３】
前記レーザチップの上部電極の付近から前記チップ搭載面付近まで延在する導電性部材をさらに備える請求項１記載のレーザモジュールであって、
前記導電性部材は、前記チップ搭載面に対して傾斜した傾斜部を有しており、
前記レーザチップの上部電極は、前記導電性部材にワイヤボンディングされており、
前記導電性部材は、前記配線部材の第２導体パターンにワイヤボンディングされている
請求項１記載のレーザモジュール。
【請求項４】
前記導電性部材は、前記レーザチップの上部電極とほぼ等しい高さの部分を含んでおり、この部分と前記レーザチップの上部電極とがワイヤボンディングされている
請求項３記載のレーザモジュール。
【請求項５】
前記導電性部材は、導電性の多角形ブロックであり、
前記ブロックは、前記チップ搭載面に対して傾斜した斜面を有しており、
前記ブロックの前記斜面は、前記レーザチップの上部電極の付近から前記チップキャリアのチップ搭載面の付近まで延在している
請求項３記載のレーザモジュール。
【請求項６】
前記チップキャリアのチップ搭載面に設置された多角形基体をさらに備える請求項３記載のレーザモジュールであって、
前記導電性部材は、前記多角形基体の一側面上に設けられた導体パターンである
請求項３記載のレーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、レーザモジュール内でレーザチップを搭載するレーザチップキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザモジュールは、光通信用の光源として一般的に使用されている。レーザモジュールは、外部からの電気信号を光信号に変換して出力する。レーザモジュールは、半導体レーザチップを内蔵している。レーザモジュールは、外部から電気信号を受け取る。この電気信号に応じた駆動電流信号がレーザチップに注入され、これによりレーザチップが発光する。レーザチップから発する光は、駆動電流信号に応じたパワーを有する。駆動電流信号が変調されていれば、レーザモジュールは、駆動電流信号と同じように変調された光信号を出力する（特許文献１および２参照）。
【０００３】
図６は、従来のレーザモジュールの内部構造を示す概略斜視図である。レーザチップ１０は、直方体形状のチップキャリア５２の上面５２ａに搭載されている。上面５２ａには、導体パターン５２ｂおよび５２ｃも設けられている。レーザチップ１０の底面は、導体パターン１２ｂに接触している。レーザチップ１０の底面に設けられた電極は、導体パターン１２ｂに電気的に接続されている。一方、レーザチップ１０の上面に設けられた電極は、ワイヤ１４を介して導体パターン５２ｃにワイヤボンディングされている。
【０００４】
レーザモジュール内には、配線部材２０がチップキャリア１２に対向するようにして配置されている。配線部材２０の上面には、導体パターン２２ａおよび２２ｂが設けられている。これらの導体パターンは、レーザモジュールの外側へ延びる２本の信号入力ピン（図示せず）にそれぞれ電気的に接続されている。レーザモジュールは、これらの信号入力ピンを介して電気信号を受け取る。導体パターン２２ａは、ワイヤ２４ａによって導体パターン５２ｂにワイヤボンディングされている。同様に、導体パターン２２ｂは、ワイヤ２４ｂによって導体パターン５２ｃにワイヤボンディングされている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２４０８７４号公報
【特許文献２】
特開２０００−９１６９５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図６に示されるように、配線部材２０の上面２０ａとチップキャリア５２の上面５２ａとの間に段差が生じることがある。チップキャリア５２の高さと配線部材２０の高さは、別個の設計要求に応じて決められるからである。チップキャリア５２の高さは、レーザチップ１０の光軸５の高さに反映する。このため、チップキャリア５２の高さは、光軸５の高さの設計値に応じて決められる。一方、配線部材２０の高さは、信号入力ピンの高さとほぼ同じであることが好ましい。これらの高さが異なると、導体パターン２２ａおよび２２ｂが長く、複雑な形状となるからである。光軸５と信号入力ピンの高さは必ずしも一致しない。むしろ、光軸５を信号入力ピンよりも低い位置に配置すれば、レーザモジュールを小型化できる。
【０００７】
チップキャリア５２と配線部材２０との段差のために、チップキャリア５２の導体パターン５２ｂ、５２ｃと配線部材２０の導体パターン２２ａ、２２ｂとを結ぶボンディングワイヤ２４ａ、２４ｂは比較的長くなる。ボンディングワイヤ２４ａ、２４ｂが長いと、レーザチップ１０の駆動電流経路のインダクタンスが大きくなる。このため、レーザモジュールに入力された駆動電流信号が劣化しやすく、それに応じて出力光信号も劣化しやすい。駆動電流信号の劣化は、その駆動電流信号が高周波信号のときに特に顕著である。
【０００８】
そこで、この発明は、チップキャリアと配線部材とを接続するボンディングワイヤの短縮を課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明のチップキャリアは、底面およびチップ搭載面を有している。チップ搭載面には、レーザチップが搭載されている。チップ搭載面は、底面に対して傾斜している。レーザチップの上面および下面には、駆動電流を注入するための上部電極および下部電極がそれぞれ設けられている。チップ搭載面には、レーザチップの付近からチップキャリアの一つのエッジ部まで延在する導体パターンが設けられている。レーザチップの下部電極は、この導体パターンに電気的に接続されている。
【００１０】
チップ搭載面がチップキャリアの底面に対して傾斜しているので、チップキャリアのエッジ部とレーザチップの光軸とで底面からの高さが異なるようにレーザチップを配置できる。光軸と異なる高さのエッジ部に導体パターンが延在していれば、光軸と異なる高さでチップキャリアを他の部品にワイヤボンディングできる。このチップキャリアをレーザモジュール内に設置する場合、配線部材の上面の高さとチップキャリアのエッジ部の高さを揃えれば、そのエッジ部まで延在する導体パターンを短いワイヤによって配線部材にワイヤボンディングできる。
【００１１】
この発明のレーザモジュールは、（ａ）チップ搭載面を有し、このチップ搭載面にレーザチップが搭載されたチップキャリアと、（ｂ）チップキャリアに対向し、第１および第２の導体パターンを有する配線部材と、（ｃ）チップキャリアおよび配線部材を収容する筐体と、（ｄ）第１および第２の導体パターンにそれぞれ電気的に接続され、筐体の外側に延びる第１および第２の信号入力ピンと、を備えている。チップキャリアのチップ搭載面は、配線部材の上面に対して傾斜している。レーザチップの上面には、駆動電流を注入するための上部電極が設けられている。レーザチップの下面には、駆動電流を注入するための下部電極が設けられている。チップキャリアのチップ搭載面には、第３の導体パターンが設けられている。第３導体パターンは、レーザチップの付近からチップキャリアの配線部材と対向するエッジ部まで延在している。レーザチップの下部電極は、第３導体パターンに電気的に接続されている。配線部材の第１および第２導体パターンは、配線部材のチップキャリに対向するエッジ部まで延在している。配線部材の第１導体パターンは、チップキャリアの第３導体パターンにワイヤボンディングされている。配線部材の第２導体パターンは、レーザチップの上部電極に電気的に接続されている。
【００１２】
チップ搭載面が配線部材の上面に対して傾斜しているので、配線部材の上面とレーザチップの光軸とで筐体の底面からの高さが異なるようにレーザチップを配置できる。配線部材の上面の高さとチップキャリアのエッジ部の高さを揃えれば、そのエッジ部まで延在する導体パターンを短いワイヤによって配線部材にワイヤボンディングできる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。
【００１４】
（第１実施形態）
図１〜図３を参照しながら、第１の実施形態に係る半導体レーザモジュール１の構成を説明する。図１は、このレーザモジュール１の構成を示す部分破断斜視図である。図２は、レーザモジュール１の部分破断側面図である。図３は、レーザモジュール１の内部構造を示す斜視図である。図１および図２では、レーザモジュール１の筐体８の上壁は図示されていない。
【００１５】
レーザモジュール１は、バタフライ型のモジュールである。レーザモジュール１の筐体８内には、チップキャリア１２が収容されている。チップキャリア１２は、絶縁性または半絶縁性である。チップキャリア１２は、台形柱形状を有している。チップキャリア１２の上面１２ａは、実質的に平坦であり、筐体８の底面に対して傾斜している。チップキャリア１２の底面は、実質的に平坦であり、筐体８の底面と実質的に平行である。チップキャリア１２は、搭載部材１６上に搭載されている。チップキャリア１２の底面は、搭載部材１６の上面に接している。搭載部材１６は、ペルチェ素子１８の上に固定されている。ペルチェ素子１８は、筐体８の底面に固定されている。
【００１６】
チップキャリア１２の上面１２ａには、半導体レーザチップ１０が搭載されている。以下では、上面１２ａを「チップ搭載面」と呼ぶことにする。レーザチップ１０は、駆動電流を注入するための二つの電極、すなわち上部電極および下部電極（図示せず）を有している。上部電極は、レーザチップ１０の上面に設けられ、下部電極は、レーザチップ１０の底面に設けられている。チップ搭載面１２ａには、導体パターン１２ｂおよび１２ｃも設けられている。レーザチップ１０は、導体パターン１２ｂ上に設置されている。レーザチップ１０の下部電極は、導体パターン１２ｂに電気的に接続されている。レーザチップ１０の上部電極は、ワイヤ１４によって導体パターン１２ｃにワイヤボンディングされている。したがって、レーザチップ１０の上部電極は、導体パターン１２ｃに電気的に接続されている。導体パターン１２ｂおよび１２ｃは、レーザチップ１０の付近からチップキャリア１２の同じエッジ部１２ｄまで延在している。エッジ部１２ｄは、チップ搭載面１２ａの傾斜方向に沿ってレーザチップ１０の上方に配置されている。
【００１７】
筐体８内には、２個の配線部材２０、２１がさらに収容されている。これらの配線部材２０、２１は、筐体８の互いに対向する二つの側壁にそれぞれ取り付けられている。配線部材２０、２１は、チップキャリア１２の両側方に配置されている。配線部材２０、２１の各上面は、筐体８の底面と実質的に平行である。配線部材２０、２１は、それぞれ絶縁体であるセラミックから構成されている。配線部材２０、２１の上面には、それぞれ複数の導体パターン２２が設けられている。これらの導体パターン２２は、配線部材２０、２１のチップキャリア１２に対向するエッジ部まで延在している。各導体パターン２２には、信号入力ピン２６が接続されている。これらの信号入力ピン２６は、筐体８の側壁から外側にほぼ垂直に延びている。
【００１８】
チップキャリア１２のエッジ部１２ｄと対向する配線部材２０は、チップキャリア１２とワイヤボンディングされている。具体的には、チップキャリア１２上の導体パターン１２ｂと配線部材２０上の導体パターン２２ａが、ワイヤ２４ａによってワイヤボンディングされている。また、チップキャリア１２上の導体パターン１２ｃと配線部材２０上の導体パターン２２ｂが、ワイヤ２４ｂによってワイヤボンディングされている。
【００１９】
筐体８内には、レンズ４０も収容されている。レンズ４０は、レーザチップ１０の光出射面に対向させて配置されている。レンズ４０は、レーザチップ１０が発するレーザ光を集光する。筐体８の前壁には、フェルール４２が取り付けられている。フェルール４２は、光ファイバ（図示せず）を内蔵している。この光ファイバは、レンズ４０を介してレーザチップ１０に光学的に接続されている。レーザチップ１０からのレーザ光は、レンズ４０によって集光され、フェルール４２内の光ファイバに送られる。レーザ光は、この光ファイバによってレーザモジュール１の外部へ出力される。
【００２０】
この実施形態の特徴は、チップキャリア１２のチップ搭載面１２ａがチップキャリア１２の底面および配線部材２０の上面２０ａに対して一定の角度で傾斜していることにある。この結果、チップ搭載面１２ａは、その部位によって筐体８の底面から様々な高さを有する。チップキャリア１２の配線部材２０に対向するエッジ部１２ｄは最も高く、配線部材２１に対向するエッジ部１２ｅは最も低い。エッジ部１２ｄは、配線部材２０の上面２０ａと実質的に同じ高さを有している。レーザチップ１０は、チップ搭載面１２ａの中腹に位置している。このため、レーザチップ１０の光軸５は、エッジ部１２ｄよりも低い位置にある。このように、チップ搭載面１２ａを傾斜させることにより、エッジ部１２ｄと光軸５とを異なる高さに配置できる。
【００２１】
この実施形態では、導体パターン２２ａ、ワイヤ２４ａ、導体パターン１２ｂ、レーザチップ１０、ワイヤ１４、導体パターン１２ｃ、ワイヤ２４ｂおよび導体パターン２２ｂからなる電流経路が形成されている。導体パターン２２ａ、２２ｂには、それぞれ信号入力ピン２６ａ、２６ｂが接続されている。レーザモジュール１の動作時には、外部駆動回路が信号入力ピン２６ａおよび２６ｂに接続される。外部駆動回路は、レーザチップ１０の駆動電流を生成し、信号入力ピン２６ａおよび２６ｂの一方から他方に流す。この駆動電流は、上記の電流経路を流れて、レーザチップ１０に注入される 。これにより、レーザチップ１０はレーザ光を発する。
【００２２】
以下では、この実施形態の利点を説明する。図３と図６を比較すれば明らかなように、この実施形態のレーザモジュール１では、チップキャリア１２と配線部材２０を接続するボンディングワイヤ２２ａ、２２ｂが従来技術に比べて短い。これは、チップキャリア１２のエッジ１２ｄと配線部材２０の上面２０ａとの間に段差がないからである。ワイヤ２２ａ、２２ｂが短縮されるので、駆動電流経路のインダクタンスを抑え、出力光信号の劣化を防止できる。この効果は、高周波の光信号を出力する場合に特に顕著である。
【００２３】
チップ搭載面１２ａが配線部材２０の上面２０ａに対して傾斜しているため、レーザチップ１０の光軸５は、配線部材２０の上面２０ａおよび信号入力ピン２６と異なる高さを有する。光軸５の高さは、チップ搭載面１２ａの傾斜に応じて定まる。チップ搭載面１２ａに適切な傾斜を与えれば、光軸５の高さの設計要求と信号入力ピン２６の高さの設計要求を同時に満たすことができる。特に、光軸５を信号入力ピン２６よりも低く配置すれば、レーザモジュール１を小型化できる。
【００２４】
（第２実施形態）
以下では、図４を参照しながら、この発明の第２の実施形態を説明する。図４は、この実施形態のレーザモジュールの内部構造を示す斜視図である。第２実施形態では、配線部材２０の代わりに、集積回路（ＩＣ）基板３０および搭載部材３４が設置されている。他の構成は、第１実施形態と同様である。ＩＣ基板３０は、信号入力ピン２６ａ、２６ｂとレーザチップ１０とを電気的に接続するための導体パターンを有する点において配線部材の一種である。ただし、ＩＣ基板３０は、配線部材２０のように導体パターンを有するだけでなく、電気回路を有している。
【００２５】
図４に示されるように、ＩＣ基板３０は、搭載部材３４上に搭載されている。ＩＣ基板３０は、信号入力ピン２６に電気的に接続されている。ＩＣ基板３０は、その内部に回路パターンおよび複数の導体パターンを有している。ＩＣ基板３０の上面３０ａは、チップキャリア１２のエッジ部１２ｄと実質的に等しい高さを有している。ＩＣ基板３０のチップキャリア１２と対向するエッジ部３０ｂには、複数のボンディングパッド３２が設けられている。各ボンディングパッド３２は、ＩＣ基板３０内の導体パターンに電気的に接続されている。
【００２６】
ボンディングパッド３２ａは、ワイヤ２４ａによってチップキャリア１２の導体パターン１２ｂにワイヤボンディングされている。また、ボンディングパッド３２ｂは、ワイヤ２４ｂによってチップキャリア１２の導体パターン１２ｃにワイヤボンディングされている。ボンディングパッド３２ａ、３２ｂに接続された導体パターンは、信号入力ピン２６ａ、２６ｂにそれぞれ接続されている。したがって、ボンディングパッド３２ａ、３２ｂは、それぞれ信号入力ピン２６ａ、２６ｂに電気的に接続されている。
【００２７】
ＩＣ基板３０に設けられた回路パターンは、例えば、レーザチップ１０の駆動電流信号を生成する回路であってもよい。レーザモジュール１の動作時には、外部駆動回路が信号入力ピン２６ａおよび２６ｂに接続される。外部駆動回路は、電圧信号を生成し、信号入力ピン２６ａおよび２６ｂを介してＩＣ基板３０に送る。ＩＣ基板３０は、この電圧信号に応じて、レーザチップ１０の駆動電流信号を生成する。この駆動電流信号は、ワイヤ２４ａ、導体パターン１２ｂ、レーザチップ１０、ワイヤ１４、導体パターン１２ｃおよびワイヤ２４ｂからなる電流経路を流れ、レーザチップ１０に注入される 。これにより、レーザチップ１０はレーザ光を発する。
【００２８】
この実施形態のレーザモジュールは、第１実施形態のレーザモジュール１と同じ利点を有する。つまり、チップキャリア１２のエッジ１２ｄとＩＣ基板３０の上面３０ａとの間に段差がないので、ボンディングワイヤ２４ａ、２４ｂを短縮できる。これにより、出力光信号の劣化を抑えられる。また、チップ搭載面１２ａに適切な傾斜を与えれば、光軸５の高さの設計要求と信号入力ピン２６の高さの設計要求を同時に満たすことができる。
【００２９】
（第３実施形態）
以下では、図５を参照しながら、この発明の第３の実施形態を説明する。図５は、この実施形態のレーザモジュールの内部構造を示す斜視図である。第３実施形態は、チップキャリアの構造が第１実施形態と異なっている。他の構成は、第１実施形態と同様である。
【００３０】
この実施形態のチップキャリア１３は、チップ搭載面１３ａ上に配線用ブロック４５が設置されている点、およびチップ搭載面１３ａ上に一つの導体パターン１３ｂしか設けられていない点で、第１実施形態のチップキャリア１２と異なる。チップキャリア１３の他の構成は、チップキャリア１２と同じである。すなわち、チップキャリア１３は、絶縁性または半絶縁性で、台形柱形状を有している。チップキャリア１３のチップ搭載面１３ａは、実質的に平坦であり、筐体８の底面に対して傾斜している。チップキャリア１３の底面は、実質的に平坦であり、筐体８の底面と実質的に平行である。導体パターン１３ｂは、レーザチップ１０の付近からチップキャリア１３の一つのエッジ１３ｄまで延在している。レーザチップ１０は、導体パターン１３ｂ上に設置されている。レーザチップ１０の下部電極は、導体パターン１３ｂに電気的に接続されている。
【００３１】
配線用ブロック４５は、その全体が金属から構成されている。ブロック４５は、直角三角柱形状を有している。ブロック４５は、その斜面４５ａを上に向けて設置されている。斜面４５ａは、チップ搭載面１３ａに対して一定の角度で傾斜している。この結果、斜面４５ａは、筐体８の底面と実質的に平行である。斜面４５ａは、レーザチップ１０の上面の付近からチップ搭載面１３ａの付近まで延在している。ブロック４５は、互いに直交する二つの側面４５ｂおよび４５ｃを有している。側面４５ｂは、チップ搭載面１３ａに接している。側面４５ｃは、レーザチップ１０と対向している。斜面４５ａと側面４５ｂとが交差するエッジ部は、チップキャリア１３のエッジ部１３ｄに位置合わせされている。チップ搭載面１３ａに垂直な方向に沿ったブロック４５の高さは、同じ方向に沿ったレーザチップ１０の高さとほぼ同じである。
【００３２】
ブロック４５は、ワイヤ１４によってレーザチップ１０にワイヤボンディングされている。ボンディングワイヤ１４は、レーザチップ１０の上部電極とブロック４５の斜面４５ａとの間に接続されている。また、ブロック４５は、ワイヤ２４ｂによって配線部材２０にワイヤボンディングされている。ボンディングワイヤ２４ｂは、配線部材２０の導体パターン２２ｂとブロック４５の斜面４５ａとの間に接続されている。この結果、導体パターン２２ｂとレーザチップ１０の上部電極とが電気的に接続される。一方、レーザチップ１０の下部電極は、チップキャリア１２の導体パターン１２ｂに電気的に接続されており、導体パターン１２ｂは配線部材２０の導体パターン２２ａとワイヤボンディングされている。この結果、レーザチップ１０の下部電極は、導体パターン２２ａと電気的に接続されている。このようにして、導体パターン２２ａ、ワイヤ２４ａ、導体パターン１２ｂ、レーザチップ１０、ワイヤ１４、ブロック４５、ワイヤ２４ｂおよび導体パターン２２ｂからなる電流経路が形成される。なお、表皮効果により、大部分の電流は、メタルブロック４５のうち斜面４５ａを含む表層部を流れる。
【００３３】
この実施形態は、第１実施形態と同じ利点に加えて、以下の利点を有する。図５と図３を比較すれば明らかなように、この実施形態では、レーザチップ１０に接続されるボンディングワイヤ１４が第１実施形態に比べて短い。これは、レーザチップ１０の上面とチップキャリア１３のチップ搭載面１３ａとの段差が、ブロック４５によって埋められているからである。この結果、駆動電流経路のインダクタンスをいっそう抑え、出力光信号の劣化を防止できる。
【００３４】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【００３５】
第３実施形態のブロック４５は、その全体が金属製でなくてもよい。例えば、メタルブロックの代わりに、同じ三角柱形状のセラミック基体の斜面に導体パターンを設けたブロックを使用してもよい。この場合、ブロック上の導体パターンがレーザチップの上部電極および配線部材の導体パターンとワイヤボンディングされる。
【００３６】
【発明の効果】
この発明のチップキャリアは、その底面に対して傾斜したチップ搭載面を有している。このチップキャリアは、そのチップ搭載面が配線部材の上面に対して傾斜するようにレーザモジュール内に設置できる。このため、レーザモジュール内で配線部材とレーザチップの光軸を異なる高さに配置しなければならないときにも、配線部材とチップキャリアとを短いワイヤによってワイヤボンディングできる。したがって、この発明のチップキャリアを備えるレーザモジュールは、劣化の少ない光信号を出力でき、高周波性能にも優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態のレーザモジュールの構成を示す部分破断斜視図である。
【図２】第１実施形態のレーザモジュールの構成を示す部分破断側面図である。
【図３】第１実施形態のレーザモジュールの内部構造を示す斜視図である。
【図４】第２実施形態のチップモジュールの内部構造を示す斜視図である。
【図５】第３実施形態のチップモジュールの内部構造を示す斜視図である。
【図６】従来技術のチップキャリアの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１…レーザモジュール、８…筐体、１０…レーザチップ、１２…チップキャリア、１２ａ…チップ搭載面、１２ｂおよび１２ｃ…導体パターン、１４、２４ａおよび２４ｂ…ボンディングワイヤ、１６…搭載部材、１８…温度調節手段としてのペルチェ素子、２０および２１…配線部材、２２…導体パターン、２６…信号入力ピン、４５…配線用ブロック、４０…レンズ、４２…フェルール。
【図１】
0003729167.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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