(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
面状に配置された加熱ヒータと、
前記加熱ヒータの配置面と略平行に前記加熱ヒータと並んで設けられた芯金板と、
前記加熱ヒータおよび前記芯金板が鋳込まれるとともに電圧が印加される母材金属と、
を備えたことを特徴とする電極。
【請求項２】
前記芯金板には、複数の母材金属連通孔が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の電極。
【請求項３】
前記母材金属の下面には、ガスを供給するためのシャワーヘッド部が設けられていることを特徴とする、請求項１または２に記載の電極。
【請求項４】
処理容器と、
前記処理用器内に配置された電極であって、面状に配置された加熱ヒータと、前記加熱ヒータの配置面に略平行に前記加熱ヒータと並んで設けられた芯金板と、前記加熱ヒータおよび前記芯金板が鋳込まれた母材金属と、を有する電極と、
前記電極の母材金属に高周波電圧を印加する高周波電源と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記芯金板には、複数の母材金属連通孔が形成されていることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記母材金属の下面には、ガスを供給するためのシャワーヘッド部が設けられていることを特徴とする、請求項４または５に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極および載置台、プラズマ処理装置、並びに電極および載置台の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体ウエハに対して、エッチング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）或いはスパッタリング等の所定の処理を施す枚葉式の処理装置としてプラズマ処理装置が知られている。
【０００３】
この種のプラズマ処理装置においては、半導体ウエハを真空引き可能になされた処理容器内の載置台上に載置して比較的高温下にて、各種の処理を施すが、処理を行なっている間、ウエハを位置ずれしないように保持することが必要であり、このために一般的に静電チャックが用いられている。
【０００４】
ここで従来の一般的なプラズマ処理装置について説明する。図１１は従来の一般的なプラズマ処理装置を示す概略構成図であり、真空引き可能になされた処理容器２内には、下部電極を兼ねる載置台４が設置されている。この載置台４は、例えばシースヒータのような加熱ヒータ６が絶縁状態で埋設されている。具体的には、上記加熱ヒータ６を例えばアルミニウム等により鋳込むことによりこれを埋設している。そして、このアルミニウム製の載置台４の上面に、静電チャッキング用のチャック電極をセラミックス材に埋設してなるセラミック製の静電チャック８を接着剤により接合して設けており、この上面に半導体ウエハＷを静電力により吸着保持するようになっている。
【０００５】
また、処理容器２の天井部には、上記載置台４と対向させて上部電極１０が設けられている。この上部電極１０内にも、例えばシースヒータのような加熱ヒータ１２が、アルミニウム等により鋳込むことにより埋設されている。そして、この上部電極１０に、プラズマ発生用の高周波電圧を印加するための高周波電源１４が接続されており、この上部電極１０と下部電極である載置台４との間にプラズマを発生させてウエハＷに対して所定の処理を施すようになっている。
【０００６】
ところで、半導体ウエハの処理温度が比較的低い場合、例えば処理温度が略２００℃以下の場合にはそれ程問題は生じなかったが、成膜速度等の処理速度を上げるためや膜質の改善のために、処理温度を、例えば３００〜４００℃程度まで上昇させることが要請されてきている。
【０００７】
このような高温域になると、例えば上記上部電極１０に関しては、処理時の昇降温による熱伸縮量、熱応力がかなり大きなものとなり、これに起因して電極自体に反りや撓みが発生してプラズマ発生用の高周波伝播が不均一になるなどの問題が発生する場合があった。また、この上部電極１０の下面にガス供給用のシャワーヘッド部を密接して取り付ける場合もあるが、上記した理由によりこのシャワーヘッド部に割れが発生する場合もあった。
【０００８】
また、載置台４に関しては、接着剤の耐熱限度を超えて静電チャック８が剥がれたり、或いは上記したような熱伸縮、熱応力の発生に伴って反りや撓みが発生する外に、載置台４を構成するアルミニウムと静電チャック８を構成するセラミックスとの線膨張係数の差に起因して、静電チャック８自体が割れてしまうなどの問題も発生する場合があった。
【０００９】
特に、ウエハサイズが６インチ、８インチから１２インチへと大型化するに従って、熱伸縮量もその分大きくなり、上記した問題点の早期解決が望まれている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものであり、本発明の目的は、電極の反りや撓みの発生を抑制することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明による電極は、面状に配置された加熱ヒータと、この加熱ヒータの配置面と略平行に加熱ヒータと並んで設けられた芯金板とを母材金属で鋳込んで形成される。このため、芯金板により電極が補強され、反りや撓みの発生を抑制することが可能となる。芯金板には、複数の母材金属連通孔を形成することが好適である。こうすれば母材金属連通孔を介して母材金属が結合されるので、電極全体の強度を一層向上させることが可能となる。
【００１２】
電極には、母材金属の下面に、ガスを供給するためのシャワーヘッド部が設けられていてもよい。この場合も、上述のように電極自体に反りや撓みが発生しにくいため、シャワーヘッド部の割れや剥がれを防止することができる。
【００１３】
電極には高周波電圧を印加することができ、この場合には、電極の歪みが抑制されているため高周波を均一に伝播させることが可能となる。
【００１４】
上述した特徴を有する電極を用いてプラズマ処理装置を構成することができる。この場合、電極の熱伸縮に伴う変形を抑制できるので、高温処理時にも安定して面内均一性の高い処理を行なうことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に、参考例および本発明の実施例に係る電極、参考例に係る載置台、参考例および本発明の実施例に係るプラズマ処理装置及びこれらの製造方法を添付図面に基づいて詳述する。
【００１６】
図１は一参考例に係る電極および載置台が組み込まれたプラズマ処理装置を示す構成図、図２は図１中の上部電極の製造方法を説明するための説明図、図３はアルミニウム中のＳｉＣの含有量と線膨張係数との関係を示すグラフである。
【００１７】
図１に示すように、このプラズマ処理装置２０は、例えばアルミニウムよりなる円筒体状の処理容器２２を有しており、この側部には被処理体である半導体ウエハＷを処理容器２２内へ搬入搬出する際に開閉されるゲートバルブ３４が設けられると共に、底部には、図示しない真空ポンプ等を介設した真空排気系に接続された排気口３６が設けられており、処理容器２２内を真空引き可能としている。この処理容器２２の内部には、被処理体である半導体ウエハＷを載置して保持するための載置台２４が設けられている。この載置台２４は、下部電極としても機能するものである。この載置台２４は、載置台本体２６とこの上面に接合される静電チャック２８とよりなり、この載置台本体２６の下部より下方に延びる支持部３０は、処理容器２２の底部に対して絶縁部材３２を介して貫通して設けられており、これにより、載置台２４の全体を支持している。
【００１８】
この載置台本体２６には、内部に直径が１０ｍｍ程度の例えばシースヒータ等を渦巻状に巻回してなる平面状の下側加熱ヒータ３８が埋め込まれて設置されている。この下側加熱ヒータ３８は、例えばニッケル・クロム合金よりなる中心部の発熱体３８Ａとこの周囲を被う例えばマグネシア（Ｍｇ２Ｏ３）よりなる絶縁体３８Ｂにより構成されている。
【００１９】
そして、この加熱ヒータ３８を上下より挟み込むように載置台用の上側セラミックス金属複合体４０Ａと下側セラミックス金属複合体４０Ｂが配置して設けられており、全体は純粋なアルミニウム金属により被われている。これらのセラミックス金属複合体４０Ａ、４０Ｂは、例えばアルミニウム等の金属と、セラミックス、例えばＳｉＣ（炭化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミ）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等との複合体である。この場合、アルミニウムとセラミックスとの混合比を適宜選択することにより、一定の範囲内で所望の線膨張係数のセラミックス金属複合体４０Ａ、４０Ｂに設定されている。
【００２０】
そして、この上側セラミックス金属複合体４０Ａの上面はアルミニウムに被われることなく露出されており、この表面に、半導体ウエハＷを吸着保持するためのセラミック製の上記静電チャック２８が耐熱性に優れる例えばアルミニウムろう剤４４により接合されている。この場合、板、箔状、ペースト状或いは粉末状のろう剤を用いればよい。この静電チャック２８は、チャック電極４６をセラミック材により埋設することにより形成されており、このセラミック材としてはＳｉＣ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。
【００２１】
ここで重要な点は、熱伸縮量の差を吸収するために上記静電チャック２８の線膨張係数と上記載置台用の上側セラミックス金属複合体４０Ａの線膨張係数とが略同一になるように設定されていることである。
【００２２】
例えば静電チャック２８のセラミック材としてＡｌＮを用い、セラミックス金属複合体４０ＡとしてＡｌ−ＳｉＣ複合体を用いた場合には、ＡｌＮの線膨張係数は略４．５×１０−６Ｋ−１程度であるので、上側セラミックス金属複合体４０Ａの線膨張係数を上記と同じ略４．５×１０−６Ｋ−１程度に設定する。
【００２３】
具体的には、Ａｌの線膨張係数は略２３．５×１０−６Ｋ−１程度であり、ＳｉＣの線膨張係数は略３．５×１０−６Ｋ−１程度であるので、両者の混合比に応じてＡｌ−ＳｉＣ複合体の線膨張係数は図３に示すように変化する。従って、複合体の線膨張係数が略４．５×１０−６Ｋ−１にするにはＳｉＣの含有率（体積百分率）を略８３％程度に設定する。このような複合体を用いることにより、ＡｌＮ製の静電チャック２８とＡｌ−ＳｉＣ上側セラミックス金属複合体４０Ａとの線膨張係数が略同一となるように設定する。尚、下側セラミックス金属複合体４０Ｂの線膨張係数も上記した数値と略同一になるように設定すればよい。
【００２４】
また、他の一例として静電チャック２８のセラミックス材として線膨張係数が略７．８×１０−６Ｋ−１程度のＡｌ２Ｏ３を用いた場合には、図３に示すグラフより、ＳｉＣの含有率（体積百分率）が略７５％のＡｌ−ＳｉＣ複合体を用いることにより、線膨張係数が同じ７．８×１０−６Ｋ−１の上側セラミックス金属複合体４０Ａとすることができる。
【００２５】
上述したような線膨張係数４．５×１０−６Ｋ−１のセラミックス金属複合体４０Ａ、４０Ｂは、以下のようにして作ることができる。例えば図２に示すように所定の内部形状を有する鋳型４８内に、巻回された下側加熱ヒータ３８と所定の気孔率、ここでは略１７％の気孔率の２つの多孔質ＳｉＣブロック（多孔質セラミックス）５０、５２を図示しない支持部材で固定し、この中に母材金属として溶融アルミニウムを流し込んで多孔質ＳｉＣブロック５０、５２中に溶融アルミニウムを含浸させる。尚、５４はガス抜き孔である。これにより、セラミックス複合体４０Ａ、４０Ｂを形成すると同時に、これらと下部加熱ヒータ３８とをアルミニウム中に鋳込んで一体化することができる。
【００２６】
また、線膨張係数７．８×１０−６Ｋ−１のセラミックス金属複合体を得るためには、気孔率が略２５％の２つの多孔質ブロックを用いればよい。更に、セラミックス材としてアルミナを用いる場合には、繊維状アルミナを用いて、これを上記した多孔質ブロック体５０、５２に代えて鋳型４８内に設置すればよい。
【００２７】
更には、上記したアルミニウムの含浸法として成形時に鋳型４８内を加圧してプリフォームたるセラミックスの中にＡｌを含浸しやすくし、一方、鋳型４８の中に残留している気泡を外部へ放出しやすくすることが可能な高圧鋳造法、溶湯鍛造法や鋳型４８内を減圧にしてＡｌをプリフォームたるセラミックスの中に含浸しやすくする減圧鋳造法も適用することができる。
【００２８】
図１に戻って、以上のように構成された載置台２４の下側加熱ヒータ３８にはリード線５６を介して電力が供給され、また、静電チャック２８のチャック電極４６には、リード線５８を介して直流電圧源６０が接続されており、ウエハ吸着のための吸着力を発生するようになっている。
【００２９】
更には、この載置台２４には、マッチング回路６２を介してバイアス用高周波電源６４が接続されており、プラズマ処理時に載置台２４の表面にイオンシースが発生することを抑制するようになっている。尚、このバイアス用高周波電源６４は必要に応じて設ければよい。
【００３０】
一方、上記載置台２４に対向する処理容器天井部には、上部電極７０が設けられている。具体的には、この上部電極７０は上述した下部電極である載置台２４と略同様な内部構造をしており、上部電極７０には、内部に直径が１０ｍｍ程度の例えばシースヒータ等の渦巻状に巻回してなる平面上の上側加熱ヒータ７２が埋め込まれている。この上側加熱ヒータ７２も例えばニッケル・クロム合金よりなる中心部の発熱体７２Ａとこの周囲を被うように例えばマグネシア(Ｍｇ２Ｏ３）よりなる絶縁体７２Ｂにより構成されている。
【００３１】
そして、この加熱ヒータ７２を上下より挟み込むように厚さが共に５〜１０ｍｍ程度の上部電極用の上側セラミックス金属複合体７４Ａと下側セラミックス金属複合体７４Ｂが配置して設けられており、全体は純粋なアルミニウム金属により被われている。
【００３２】
これらのセラミックス金属複合体７４Ａ、７４Ｂも、先の複合体４０Ａ、４０Ｂと同様に、アルミニウム等の金属とセラミックス、例えばＳｉＣ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等との複合体である。このセラミックス金属複合体７４Ａ、７４Ｂの製造方法も、先に図２で説明したような含浸法を用いることができる。そして、上記上側加熱ヒータ７２にはリード線８２を介して加熱用電力を投入できるようになっている。
【００３３】
この上部電極７０は、絶縁部材７６を介して容器天井部に取り付け支持されており、この上部電極７０には、マッチング回路７８を介して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を発生するプラズマ発生用高周波電源８０が接続されている。
【００３４】
また、この上部電極７０の下部には、例えばアルミニウム製のシャワーヘッド部８４が図示しないネジ等により接合されており、このシャワーヘッド部８４の下面は、多数のガス孔８６を有するシリコン製のガス噴射面８８として形成されて、このガス孔８６より処理空間に向けて所定のガスを供給し得るようになっている。
【００３５】
次に、以上のように構成された本参考例の動作について説明する。
まず、図示しない搬送アームに支持された未処理の半導体ウエハＷを、開放されているゲートバルブ３４を介して処理容器２２内へ搬入し、これを載置台２４上に載置し、直流電圧源６０をＯＮとすることにより発生する静電チャック２８の吸着力によりウエハＷを吸着保持させる。
【００３６】
次に、上部電極７０の上側加熱ヒータ７２及び載置台２４の下側加熱ヒータ３８によりウエハＷを所定のプロセス温度まで昇温し、そして、上部電極７０の下面に設けたシャワーヘッド部８４のガス孔８６から例えばＳｉＨ４、ＳｉＦ４、酸素等の成膜ガスを流量制御しつつ処理空間へ導入する。そして、処理容器２２内を所定のプロセス圧力に維持すると共に、１３．５６ＭＨｚのプラズマ発生用高周波電圧を上部電極７０に印加すると共に、載置台２４にはバイアス用高周波電圧を印加する。
【００３７】
上記プラズマ発生用の高周波電圧を上部電極７０に印加することにより、プラズマ化されて活性化された成膜ガスが反応し、ウエハ表面に例えばＳｉＯＦ等の成膜を施すことになる。
【００３８】
ここで、プロセス温度は、従来のプロセス温度よりも高い３００〜４００℃程度の高温域で行なわれるので、プロセスの繰り返しにより上部電極７０及び載置台２４には、大きな繰り返し熱応力が付加されることになる。
【００３９】
この場合、上部電極７０に関しては、上側加熱ヒータ７２を挟むようにして上部電極用の上下側セラミックス金属複合体７４Ａ、７４Ｂにより鋳込まれているので、この上部電極７０の全体の強度が増しており、この上部電極７０に反りや撓みが発生することを防止することができる。特に、加熱ヒータ７２を挟んで２枚の複合体７４Ａ、７４Ｂを埋め込んでいることから、それぞれが同等の寸法で熱伸縮するので上部電極７０の厚み方向に大きな熱応力がかかることもなく、この点より反りや撓みの発生を大幅に抑制することが可能となる。
【００４０】
従って、上部電極７０の歪みに起因して発生していた高周波伝播の不均一性もなくすことができ、均一なプラズマを生成することが可能となるばかりか、シャワーヘッド部８４の割れも防止することが可能となる。
【００４１】
一方、載置台２４に関しては、この場合にも、下側加熱ヒータ３８の上下側を載置台用の上下側セラミックス金属複合体４０Ａ、４０Ｂにより挟み込むようにしたので、載置台２４自体の強度を向上させることができ、その結果、熱伸縮に伴って熱応力が発生してもこの反りや変形等を防止することが可能となる。特に、セラミック製の静電チャック２８とこれが接合される上側セラミックス金属複合体４０Ａとの線膨張係数が略同じになるように設定されているので、昇降温に伴って両者が熱伸縮してもその熱伸縮量は略同じになるので、両者間に大きな熱応力が加わることを防止でき、従って、静電チャック２８が割れたり、剥がれたりすることを防止することができる。
【００４２】
また、この静電チャック２８は、耐熱性の高いろう剤により上側セラミックス金属複合体４０Ａの表面に接合されているので、３００〜４００℃程度の高温処理にも耐えることができ、この点よりも、静電チャック２８が剥がれることを防止することができる。
【００４３】
また、セラミックス金属複合体を内部に埋め込んだ載置台２４や上部電極７０は、図２を用いて説明したように、含浸法により加熱ヒータも含めて一気に作ることができるので、簡単に且つ容易に工程数も少なく製造することが可能である。
【００４４】
尚、上記参考例では、上部電極７０においては、上下側セラミックス金属複合体７４Ａ、７４Ｂ間を、上側加熱ヒータ７２の直径よりも僅かに大きな距離だけ離間させた状態で埋め込んだが、これに限定されず、図４に示すように両複合体７４Ａ、７４Ｂを接合したような状態とし、上側加熱ヒータ７２を複合体内に完全に埋め込むようにしてもよい。この場合には、両複合体７４Ａ、７４Ｂの間にＡｌが略単独では存在しない状態となるためこの部位での熱応力の発生はより抑制可能となるので、この部位の反りや撓みを一層抑制することができる。
【００４５】
本発明の実施例が図５及び図６に示されている。この実施例では、上部電極７０内に上記した複合体７４Ａ、７４Ｂを一切設けず、図５及び図６に示すように、厚さが１〜２ｍｍ程度の非常に薄い剛性の高い円板状の芯金板９０を上側加熱ヒータ７２と平行に並べて埋め込まれている。図６は芯金板９０の平面図であり、この芯金板９０は、母材金属であるアルミニウムより軟化点が高くて剛性も高い例えばステンレス等の金属板を用いる。そして、この芯金板９０には、直径が０．１〜１０ｍｍ程度の多数の母材金属連通孔９２が形成されており、従って、溶融アルミニウムで鋳込むと、この連通孔９２を介して上下のアルミニウムが結合することになる。
【００４６】
この実施例の場合にも、芯金板９０により上部電極７０が補強されるので、この反りや撓みの発生を抑制することが可能となる。
【００４７】
また、この場合、芯金板９０と母材金属のアルミニウムとの線膨張率係数が異なることから、両者の界面が剥離することも考えられるが、母材金属連通孔９２を介して上下のアルミニウムが結合しており、しかも芯金板９０は非常に薄くて与える熱伸縮の影響は非常に少ないので、芯金板９０と母材金属のアルミニウムの界面が剥離することもない。また、この芯金板９０は、熱伝導性も良好なので、上部電極７０を迅速に加熱することもできる。
【００４８】
また、この芯金板９０は、上側加熱ヒータ７２を挟み込むようにこの上下に２枚設けるようにしてもよい。これによれば、上部電極７０の上部側と下部側との熱伸縮差を小さくできるので、発生する熱応力をより抑制することができる。
【００４９】
また、上記参考例の載置台２４においては、上下側セラミックス金属複合体４０Ａ、４０Ｂ間を、下側加熱ヒータ３８の直径よりも僅かに大きな距離だけ離間させた状態で埋め込んだが、これに限定されず、図７に示すように両複合体４０Ａ、４０Ｂを接合したような状態として、下側加熱ヒータ３８を複合体内に完全に埋め込むようにしてもよい。
【００５０】
この場合には、両複合体４０Ａ、４０Ｂの間にＡｌが略単独では存在しない状態となるため、この部位での熱応力の発生はより抑制可能となるので、この部位の反りや変形を一層抑制することができる。また、上側セラミックス金属複合体７４Ａとセラミックス製の静電チャック２８とを接合するろう剤としては、Ａｌ系の他に、ＡｌＳｉ系、ＡｌＳｉＧｅ系、ＡｌＳｉＭｇ系及びＡｌＳｉＧｅＭｇ系等を用いることができ、特に、ＧｅやＭｇを含むものは、表面の濡れ性を改善できるので、両者の接合力を一層向上させることができる。
【００５１】
更には、ろう付けする際に、図８に示すように厚さ１〜２ｍｍ程度のクラッド層９４を用いてろう付けを行なうようにしてもよい。この場合には、厚さが１０〜１００μｍ程度の非常に薄いクラッド膜を多層に設けたクラッド層９４を用い、例えばアルミニウム金属を主体とするＡｌＳｉＧｅＭｇ系ろう剤を使用する場合には、クラッド層９４の中心にアルミニウム膜を介在させ、その両側に行くに従って、ＡｌとＳｉの混合比を同じような傾向で徐々に変えたクラッド膜を形成して線膨張率に傾斜を持たせ、上下の最外側を被うクラッド膜の線膨張率をセラミック製の静電チャック２８（上側セラミックス金属複合体４０Ａ）の線膨張率と略一致させるようにすればよい。これによれば、クラッド層９４の熱伸縮も吸収することができるので、この場合にも静電チャック２８と複合体４０Ａの接合強度を劣化させることがなく、両者を強固に結合することができる。
【００５２】
また、上記した両者の接合は、前述したようなろう付けに限定されず、鍛圧接合（接合を必要とする部材の外周部上から、部分加圧して局部的に圧縮を加えると共に、外周部にメタル流動を生じさせて接合させる技術）するようにしてもよい。この鍛圧接合では図９に示すように、例えば真空容器中で静電チャック２８の下面と載置台本体２６の上側セラミックス金属複合体４０Ａの上面に、スパッタにより活性アルミニウム層９６、９８を付着させ、この状態で両者を圧接して接合させる。
【００５３】
また、他の方法として大気中で溶射等により上記活性アルミニウム層９６、９８を付着させ、この場合は直ちにアルミニウム表面が酸化して活性が劣化するので、その後は、活性アルミニウム層９６、９８の表面に自然に形成された薄い酸化膜を真空容器中で除去して活性面を出し、この状態で両者を圧接すればよい。
【００５４】
このように、鍛圧接合を行なう場合には、種々の金属を含むろう剤とは異なり、アルミニウムのみを用いているので、ウエハに対して重金属汚染が発生することを防止することができる。
【００５５】
なお、プラズマ処理装置のプロセス温度に適合した耐熱温度を有するのであれば、静電チャック２８と上側セラミックス金属複合体４０Ａの接合を接着剤によって行ってもよい。接着剤としては、シリコン系接着剤およびエポキシ系接着剤等の樹脂系接着剤や、セラミック系接着剤を用いることができる。なお、接着剤は熱伝導性の高いものを用いることが好ましい。
【００５６】
なお、上記の参考例および実施例においては、加熱ヒータとして抵抗加熱を利用する電気ヒータが用いられているが、これには限定されない。例えば、熱媒を通すことが可能な管により加熱ヒータを構成してもよい。この場合も、管は鋳込みにより載置台または電極の内部に容易に埋め込むことができる。
【００５７】
更に、図１０に示すように、静電チャックとウエハとの間に伝熱ガスを供給できるように載置台を構成してもよい。この場合、まず、図１に示す載置台２４を製造する場合と同様にして、上側セラミックス金属複合体４０Ａ、下側セラミックス金属複合体４０Ｂおよび加熱ヒータ３８をアルミニウムで鋳込む。
【００５８】
次いで、上側セラミックス金属複合体４０Ａの上面に拡散室１００を機械加工により形成する。拡散室１００は、図１０の（ｂ）に示すように、同心円状に配置された複数の円周溝と、各円周溝間を連通する径方向溝とを組み合わせて形成する（なお、図１０の（ｂ）は図１０の（ａ）の矢印Ｂ方向から見た載置台の平面図である）。
【００５９】
次いで、拡散室１００の溝底を起点とし載置台本体２６を貫通して載置台本体２６の下面に開口する伝熱ガス通路１０２を、載置台本体２６を穿孔することにより形成する。なお、このとき、伝熱ガス通路１０２は、加熱ヒータ３８のある位置を避けて設けられる。
【００６０】
次に、静電チャック２８を載置台本体２６にろう付けする。その後、静電チャック２８の複数箇所に伝熱ガス供給孔１０４を穿孔する。なお、伝熱ガス供給孔１０４が予め形成された静電チャック２８を載置台本体２６にろう付けしてもよい。
【００６１】
図１０に示す載置台２４が適用されたプラズマ処理装置で成膜処理等の処理を行う場合には、伝熱ガス通路１０２の下端側に、ＡｒガスまたはＨｅガス等の伝熱ガスが、ガス供給源（図示せず）から供給される。伝熱ガス通路１０２を通過した伝熱ガスは、拡散室１００を経て、伝熱ガス供給孔１０４からウエハ裏面に向けて供給される。
【００６２】
図１０に示す参考例によれば、伝熱ガスがウエハの裏面に均一に供給されるため、載置台２４からウエハに均一かつ高効率で熱を伝達することができる。このため、プロセスの面内均一性を向上させることができる。
【００６３】
なお、上側セラミックス金属複合体４０Ａの上面に溝を形成することに代えて、静電チャック２８の下面に溝を形成することにより、拡散室１００を形成してもよい。
【００６４】
なお、これまで説明してきた参考例および実施例においては、プラズマ処理として成膜を行なうプラズマＣＶＤ処理を例にとって説明したが、これに限定されず、スパッタ処理、エッチング処理、アッシング処理等にも本発明装置を適用できるのは勿論である。
【００６５】
更には、プラズマ発生用の周波数も先に説明したものに限定されない。また、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板、ガラス基板等も用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】参考例に係る電極および載置台が組み込まれたプラズマ処理装置を示す構成図である。
【図２】図１中の上部電極の製造方法を説明するための説明図である。
【図３】Ａｌ−ＳｉＣ複合体中のＳｉＣ、Ａｌの含有率（体積百分率）と線膨張係数との関係を示すグラフである。
【図４】図１に示す電極の変形例（参考例）を示す概略断面図である。
【図５】本発明による電極の実施例を示す概略断面図である。
【図６】芯金板を示す平面図である。
【図７】載置台の変形例（参考例）を示す概略断面図である。
【図８】載置台の静電チャックの接合の変形例（参考例）を示す図である。
【図９】載置台の静電チャックの接合の他の変形例（参考例）を示す図である。
【図１０】載置台の他の変形例（参考例）を示す図である。
【図１１】従来の一般的なプラズマ処理装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
７０  電極（上部電極）
７２  加熱ヒータ
８０  高周波電源
８４  シャワーヘッド部
９０  芯金板
９２  母材金属連通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０（ａ）】
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【図１０（ｂ）】
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【図１１】
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