(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータに流れる電流を検出し、該電流に応じた電流検出信号を生成し、該電流検出信号と電流指示値とを比較して、該電流検出信号と該指示値との大小関係に応じた比較信号を生成し、該比較信号に応じて該モータに流れる電流を制御するモータ駆動装置の調整方法において、
前記指示値を変化させつつ、前記比較信号を検出し、前記比較信号の変化に基づいて前記指示値のオフセット量を検出し、内部メモリに設定することを特徴とするモータ駆動装置の調整方法。
【請求項２】
電流制御ループをオフした状態で、前記比較信号の反転を検出し、前記比較信号が反転したときの前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項１記載のモータ駆動装置の調整方法。
【請求項３】
電流制御ループをオンした状態で、前記比較信号の反転を検出し、前記比較信号が反転したときに前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項１記載のモータ駆動装置の調整方法。
【請求項４】
電流制御ループをオンした状態で、前記比較信号が反転した回数をカウントし、該カウント値が所定の値となったときに前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項１記載のモータ駆動装置の調整方法。
【請求項５】
電流制御ループをオンした状態で、前記比較信号のパルス幅を計測し、前記比較信号のパルス幅が所定の幅になったときに前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項１記載のモータ駆動装置の調整方法。
【請求項６】
モータに流れる電流を検出し、該電流に応じた電流検出信号を生成し、該電流検出信号と電流指示値とを比較して、該電流検出信号と該指示値との大小関係に応じた比較信号を生成し、該比較信号に応じて該モータに流れる電流を制御するモータ駆動装置の調整方法において、
前記電流検出信号のバイアス電圧を変化させつつ、前記比較信号を検出し、前記比較信号の変化に基づいて前記指示値のオフセット量を検出し、内部メモリに設定することを特徴とするモータ駆動装置の調整方法。
【請求項７】
前記モータ駆動装置の起動時又は所定の時間毎又は環境温度の変化のいずれかに応じて前記電流指示値のオフセット量の設定を行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項記載のモータ駆動装置の調整方法。
【請求項８】
モータに流れる電流を検出する電流検出手段と、前記電流検出手段で検出された電流と電流指示値とを比較する比較手段と、前記比較手段での比較結果に応じて該モータに流れる電流を制御する電流制御手段とを具備したモータ駆動装置において、
前記指示値を変化させつつ、前記比較信号を検出し、前記比較信号の変化に基づいて前記指示値のオフセット量を検出し、内部メモリに設定する零レベル調整手段を有することを特徴とするモータ駆動装置。
【請求項９】
前記零レベル調整手段は、電流制御ループをオフした状態で、前記比較信号の反転を検出し、前記比較信号が反転したときの前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項８記載のモータ駆動装置。
【請求項１０】
前記零レベル調整手段は、電流制御ループをオンした状態で、前記比較信号の反転を検出し、前記比較信号が反転したときに前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項８記載のモータ駆動装置。
【請求項１１】
前記零レベル調整手段は、電流制御ループをオンした状態で、前記比較信号が反転した回数をカウントし、該カウント値が所定の値となったときに前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項８記載のモータ駆動装置。
【請求項１２】
前記零レベル調整手段は、電流制御ループをオンした状態で、前記比較信号のパルス幅を計測し、前記比較信号のパルス幅が所定の幅になったときに前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項８記載のモータ駆動装置。
【請求項１３】
モータに流れる電流を検出し、該電流に応じた電流検出信号を生成し、該電流検出信号と電流指示値とを比較して、該電流検出信号と該指示値との大小関係に応じた比較信号を生成し、該比較信号に応じて該モータに流れる電流を制御するモータ駆動装置において、
前記電流検出信号のバイアス電圧を変化させつつ、前記比較信号を検出し、前記比較信号の変化に基づいて前記指示値のオフセット量を検出し、内部メモリに設定する零レベル調整手段を有することを特徴とするモータ駆動装置。
【請求項１４】
前記電流指示値に対する前記モータに流れる電流の特性に予め不感帯を設定する不感帯設定手段を有することを特徴とする請求項７乃至１３のいずれか一項記載のモータ駆動装置。
【請求項１５】
前記モータ駆動装置の起動時又は所定の時間毎又は環境温度の変化のいずれかに応じて前記零レベル調整手段を起動する零レベル調整制御手段を有することを特徴とする請求項８乃至１４のいずれか一項記載のモータ駆動装置。
【請求項１６】
情報を記憶する記録媒体に対応して配置され、該記録媒体に情報を記録するヘッドと、該ヘッドを該記録媒体に対して移動させるアクチュエータとを有する情報記憶装置において、
前記アクチュエータに流れる電流を検出し、検出された電流と電流指示値とを比較し、その比較結果に応じて前記アクチュエータモータに流れる電流を制御する駆動制御手段と、前記指示値を変化させつつ、前記比較信号を検出し、前記比較信号の変化に基づいて前記指示値のオフセット量を検出し、内部メモリに設定する零レベル調整手段とを有することを特徴とする情報記憶装置。
【請求項１７】
前記零レベル調整手段は、電流制御ループをオフした状態で、前記比較信号の反転を検出し、前記比較信号が反転したときの前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項１６記載の情報記憶装置。
【請求項１８】
前記零レベル調整手段は、電流制御ループをオンした状態で、前記比較信号の反転を検出し、前記比較信号が反転したときに前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項１６記載の情報記憶装置。
【請求項１９】
前記零レベル調整手段は、電流制御ループをオンした状態で、前記比較信号が反転した回数をカウントし、該カウント値が所定の値となったときに前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項１６記載の情報記憶装置。
【請求項２０】
前記零レベル調整手段は、電流制御ループをオンした状態で、前記比較信号のパルス幅を計測し、前記比較信号のパルス幅が所定の幅になったときに前記電流指示値に基づいて前記電流指示値のオフセット量を設定することを特徴とする請求項１６記載の情報記憶装置。
【請求項２１】
情報を記憶する記録媒体に対応して配置され、該記録媒体に情報を記録するヘッドと、該ヘッドを該記録媒体に対して移動させるアクチュエータとを有する情報記憶装置において、
前記アクチュエータに流れる電流を検出し、該電流に応じた電流検出信号を生成し、該電流検出信号と電流指示値とを比較して、該電流検出信号と該指示値との大小関係に応じた比較信号を生成し、該比較信号に応じて前記アクチュエータに流れる電流を制御する駆動制御手段と、前記電流検出信号のバイアス電圧を変化させつつ、前記比較信号を検出し、前記比較信号の変化に基づいて前記指示値のオフセット量を検出し、内部メモリに設定する零レベル調整手段を有することを特徴とする情報記憶装置。
【請求項２２】
前記電流指示値に対する前記モータに流れる電流の特性に予め不感帯を設定する不感帯設定手段を有することを特徴とする請求項１６乃至２１のいずれか一項記載の情報記憶装置。
【請求項２３】
前記情報記憶装置の起動時又は所定の時間毎又は環境温度の変化のいずれかに応じて前記零レベル調整手段を起動する零レベル調整制御手段を有することを特徴とする請求項１６乃至２２のいずれか一項記載の情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はモータ駆動回路の調整方法及びモータ駆動回路並びに情報記憶装置に係り、特に、電流帰還型のＰＷＭ駆動を行うモータ駆動回路の調整方法及びモータ駆動回路並びに情報記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスク装置などでは、記録媒体に対して情報の記録再生を行うヘッドを記録媒体の半径方向に移動させたり、フォーカシング、トラッキングを行うアクチュエータが多用されている。
このようなアクチュエータのサーボ制御には、設計上の容易さなどから電流制御が用いられている。また、消費電力の低減やインダクタンスの特徴を利用したＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御が行われている。
【０００３】
ＰＷＭ制御では、アクチュエータのコイルに流れる電流を検出して、その検出電流と電流指示値に応じてアクチュエータのコイルに流れる電流を制御していた。
図１は従来の一例のブロック構成図を示す。
ＰＷＭ制御装置１は、プロセッサ２、ドライバＩＣ３、アクチュエータ４、センス抵抗５、電流センス回路６、比較回路７から構成される。
【０００４】
プロセッサ２は、ドライバＩＣ３に駆動指示信号を供給する。プロセッサ２はロジック回路８及びディジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）９を有する。
ロジック回路８はプロセッサ２の内部で生成されるドライブ信号ＤＲＶＯＮと比較回路７の出力信号＊ＤＴＣＲとから第１の制御信号＊ＥＮを生成する。
また、ＤＡＣ９は、プロセッサ２の内部で算出された目標電流指示値をアナログの目標電流指示信号に変換して、比較回路７に供給する。
【０００５】
図２は従来の一例のロジック回路のブロック構成図を示す。
ロジック回路８はＮＡＮＤゲート８ａ、タイマ８ｂ、ＯＲゲート８ｃから構成される。ＮＡＮＤゲート８ａには、内部で生成されるドライブ信号ＤＲＶＯＮ及び比較回路７の出力信号＊ＤＴＣＲが供給され、ドライブ信号ＤＲＶＯＮと比較回路７の出力信号＊ＤＴＣＲとのＮＡＮＤ論理を出力する。タイマ８ｂには、比較回路７の出力信号＊ＤＴＣＲが供給され、比較回路７の出力信号＊ＤＴＣＲに応じて立ち上がり、所定の時間ハイレベルを出力する。
【０００６】
ＯＲゲート８ｃは、ＮＡＮＤゲート８ａの出力とタイマ８ｂの出力論理とのＯＲ論理を出力する。ＯＲゲート８ｃの出力信号が第１の制御信号＊ＥＮとなる。図３は従来の一例のロジック回路の動作説明図を示す。図３（Ａ）はドライブ信号ＤＲＶＯＮ、図３（Ｂ）は比較回路７の出力信号＊ＤＴＣＲ、図３（Ｃ）はＮＡＮＤゲート８ａの出力信号、図３（Ｄ）はタイマ８ｂの出力信号、図３（Ｅ）はＯＲゲート８ｃの出力信号である第１の制御信号＊ＥＮの動作を示す。
【０００７】
図３（Ａ）に示すように時刻ｔ１でドライブ信号ＤＲＶＯＮがハイレベルになると、ＮＡＮＤゲート８ａの出力はローレベルになる。
次に時刻ｔ２、ｔ３、ｔ４で、図３（Ｂ）に示すように比較回路７の出力信号＊ＤＴＣＲが立ち下がると、タイマ８ｂがこれを検出して、図３（Ｄ）に示すようにタイマ８ｂの出力信号が所定の時間Ｔ0 だけハイレベルとなる。第１の制御信号＊ＥＮは図３（Ｃ）に示すＮＡＮＤゲート８ａの出力信号と図３（Ｄ）に示すタイマ８ｂの出力信号とのＯＲ論理であるので、図３（Ｅ）に示すような波形となる。
【０００８】
図３（Ｅ）に示す第１の制御信号＊ＥＮは、反転イネーブル信号としてドライブＩＣ３に供給される。
さらに、プロセッサ２からドライブＩＣ３には駆動方向を示す第２の制御信号ＤＩＲが供給される。
ドライバＩＣ３は、プロセッサ２から供給された第１及び第２の制御信号＊ＥＮ，ＤＩＲに応じてアクチュエータ４の両端に電位差を供給し、アクチュエータ４に電流を流す。
【０００９】
図４は従来の一例のドライバＩＣのブロック構成図を示す。
ドライバＩＣ３は、コントロールロジック３ａ及び駆動回路３ｂから構成されている。
コントロールロジック３ａは、ドライバＩＣ３から端子Ｔ1 ，Ｔ2 に供給された第１及び第２の制御信号＊ＥＮ、ＤＩＲに応じて第１及び第２の駆動制御信号Ｐ、Ｎを生成する。第１及び第２の駆動制御信号Ｐ、Ｎは、駆動回路３ｂに供給される。駆動回路３ｂは、トランジスタＱ1 〜Ｑ4 及びダイオードＤ1 〜Ｄ4 から構成され、端子Ｔ3 は高電位側（電源側）、端子Ｔ4 は低電位側（接地側）、端子Ｔ5 −端子Ｔ6 間にはアクチュエータ４が接続される。
【００１０】
図５は従来の一例のコントロールロジックの動作説明図を示す。
コントロールロジック３ａは、図４に示すようにプロセッサ２から供給される第１の制御信号＊ＥＮがローレベル、第２の制御信号ＤＩＲがハイレベルのときには、第１の駆動制御信号Ｐをハイレベル、第２の駆動制御信号Ｎをローレベルにする。第１の駆動制御信号Ｐがハイレベルになると、トランジスタＱ1 、Ｑ2 がオン、トランジスタＱ3 、Ｑ4 はオフし、アクチュエータ４の端子Ｔ5 が高電位、端子Ｔ6 が低電位となり、よって、図４に実線（Ｔ3 →Ｑ1 →Ｔ5 →Ｍ→ＱＴ6 →Ｑ2 →Ｔ4 ）で示すように電流が流れる。
【００１１】
また、コントロールロジック３ａでは、プロセッサ２から供給される第１の制御信号＊ＥＮがローレベル、第２の制御信号ＤＩＲがローレベルのときには、第１の駆動制御信号Ｐをローレベル、第２の駆動制御信号Ｎをハイレベルにする。第１の駆動制御信号Ｐがハイレベルになると、トランジスタＱ3 、Ｑ4 がオン、トランジスタＱ1 、Ｑ2 はオフし、アクチュエータ４の端子Ｔ6 が高電位となり、端子Ｔ5 が低電位となり、よって、図４に破線（Ｔ3 →Ｑ3 →Ｍ→Ｔ5 →Ｑ4 →Ｔ4 ）で示すように電流が流れる。
【００１２】
また、コントロールロジック３ａは、プロセッサから供給される第２の制御信号＊ＥＮがハイレベルのときには、第１及び第２の駆動制御信号Ｐ、Ｎを共にローレベルとする。第１及び第２の駆動制御信号Ｐ、Ｎを共にローレベルとすることによりトランジスタＱ1 〜Ｑ4 がすべてオフし、アクチュエータ４の両端がハイインピーダンス状態となり、電圧が加わらなくなる。
【００１３】
さらに、コントロールロジック３ａは、トランジスタＱ1 〜Ｑ4 がともにオンし貫通しないように、第１及び第２の駆動制御信号Ｐ，Ｎが同時にハイレベルにならないように補償される。
このような、ドライバＩＣ３は、プロセッサ２からの第１の制御信号＊ＥＮに応じて、アクチュエータ４の両端に電圧を供給したり、中止したりすることで、ＰＷＭ駆動することができる。
【００１４】
ドライバＩＣ３の接地端子Ｔ4 にはセンス抵抗５が接続される。センス抵抗５の両端は電流センス回路６に接続される。
電流センス回路６は、抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 、オペアンプＯＰ１から構成され、非反転増幅回路を構成している。電流センス回路６はセンス抵抗５の両端の電圧に応じ、かつ、電圧Ｖref1、レベルシフトした電流センス信号を出力する。電流センス回路６の出力は比較回路７に供給される。比較回路７には、電流センス回路６から電流センス信号が供給されるとともに、プロセッサ２から目標電流指示信号が供給される。
【００１５】
電流センス回路６から供給された駆動電流値は、比較回路７の反転入力端子に供給される。また、プロセッサ２から供給される目標電流指示値は、比較回路７の非反転入力端子に供給される。
比較回路７は、プロセッサ２から供給される目標電流指示信号と電流センス回路６で検出された電流センス信号を比較し、ハイ又はローレベルの２値の信号を出力する。比較回路７は、電流センス回路６の出力がプロセッサ２から供給される目標電流指示信号より大きければ、ローレベル、電流センス回路６の出力がプロセッサ２から供給される目標電流指示信号より小さければ、ハイレベルの信号を出力する。
【００１６】
比較回路７の比較結果はプロセッサ２に供給される。プロセッサ２は、外部からの制御信号と比較回路７からの比較結果に応じてドライバＩＣ３に供給する前述の第２の制御信号ＤＩＲ、第１の制御信号＊ＥＮを供給する。
図６は従来の一例の動作説明図を示す。図６（Ａ）は目標電流指示信号及び電流センス信号、図６（Ｂ）は比較回路７の出力信号＊ＤＴＣＲ、図６（Ｃ）は第１の制御信号＊ＥＮの波形を示す。
【００１７】
図６（Ａ）に示すように電流センス回路６の出力である電流センス信号がプロセッサ２から供給される目標電流指示信号より大きくなると、図６（Ｂ）に示すように比較回路７の出力信号＊ＤＴＣＲはローレベルになる。比較回路７の出力信号＊ＤＴＣＲがローレベルになると図６（Ｃ）に示すようにプロセッサ２からドライバＩＣ３に供給される第１の制御信号＊ＥＮは、少なくとも所定の期間Ｔ0 、ハイレベルになる。
【００１８】
第１の制御信号＊ＥＮがハイレベルになることにより、アクチュエータ４への電圧供給が停止される。アクチュエータ４に端子Ｔ5 →端子Ｔ6 のように電流が流れていたならば、すぐにはゼロとならず、図４中、Ｔ4 →Ｄ4 →Ｔ5 →Ｍ→Ｔ6 →Ｄ3 →Ｔ3 を通り、電源に流れ込む。また、アクチュエータ４に端子Ｔ6 →Ｔ5 のように電流が流れていたならば、図４中、Ｔ4 →Ｄ2 →Ｔ6 →Ｍ→Ｔ5 →Ｄ1 →Ｔ3 を通り、電流が流れ込む。
【００１９】
第１の制御信号＊ＥＮがローレベルになると、アクチュエータ４への電圧供給が開始され、再び、コイルの過渡特性に従い、電流が増える。このように、アクチュエータ４に供給される電圧は、第１の制御信号＊ＥＮにより、オン・オフされる。
このとき、プロセッサ２から比較回路７に供給する目標電流指示値を大きくすることにより、アクチュエータ４に流れる電流の平均値が大きくなり、アクチュエータ４のトルクが大きくなる。
【００２０】
図７は目標電流指示値に対する平均電流の特性図を示す。
目標電流指示信号が上昇すると、駆動される期間が長くなり、平均駆動電流も増加するので、図７に実線で示すように目標電流指示信号に対してリニアに平均駆動電流は変化する特性を持つ。
比較回路７では、電流センス回路６の出力と目標電流指示信号とを比較しているので、目標電流指示信号に対する平均駆動電流の特性は電流センス回路６の特性に影響されることになる。
【００２１】
電流センス回路６及びＤＡＣ９のバラツキによって、図７に示す破線ａ及び一点鎖線ｂで示すように、クロスオーバ歪み（電流ゼロ付近の非線形性）を有するようになる。目標電流指示信号を増やしても、図７に破線ａで示すようになかなか電流が流れ始めない不感帯が大きすぎると、サーボ制御において発振が生じ、図７に一点鎖線ｂで示すように電流ゼロ設定ができない状態では、シークエラーが発生することがあった。
【００２２】
このため、電流センス回路６の抵抗Ｒ3 、Ｒ4 などを可変抵抗として電流ゼロ付近の線形性を調整していた。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、従来のモータ駆動回路で、ドライバＩＣ、電流センス回路等をＩＣ化しようとすると、電流センス回路６の構成素子のバラツキが増大し、図７に破線で示すような不感帯やゼロクロス歪みなどのクロスオーバ歪みが発生し易くなる等の問題点があった。
【００２４】
また、ディスクリートで構成した場合には、構成素子のバラツキは小さいが、抵抗などを調整するなどの作業が必要であり、調整作業が面倒であるとともに、正確な調整も行えないなどの問題点もあった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、自動的に不感帯を最小にするようにオフセットを調整できるモータ駆動回路の調整方法及びモータ駆動回路並びに情報記憶装置を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、モータに流れる電流を検出し、検出された電流と電流指示値とを比較し、その比較結果に応じてモータに流れる電流を制御するモータ駆動装置において、指示値を変化させつつ、比較信号を検出し、比較信号の変化に基づいて指示値のオフセット量を検出し、内部メモリに設定するようにしてなる。
【００２６】
本発明によれば、比較信号のレベルの変化量が所定のレベル以上のときの指示値を指示値のオフセット量を内部メモリに設定することにより、指示値が零レベルであるにも関わらず、モータに電流が流れたり、指示値に応じてモータに流れる電流が変動しない領域、すなわち、不感帯が設定されることがない。よって、情報記憶装置などのヘッドを移動させるアクチュエータなどを用いることにより、ヘッドを迅速に所望の位置に位置決めできる。
【００２７】
また、本発明は、電流制御ループをオフした状態で、比較信号の反転を検出し、比較信号が反転したときの電流指示値に基づいて電流指示値のオフセット量を内部メモリに設定する。
本発明によれば、電流制御ループをオフしているので、比較信号の反転を検出するだけで、電流指示値のオフセット量を検出できる。
【００２８】
さらに、本発明は、電流制御ループをオンした状態で、比較信号の反転を検出し、比較信号が反転したときに電流指示値に基づいて電流指示値のオフセット量を内部メモリに設定する。
本発明によれば、電流制御ループをオンした状態でも、電流指示値のオフセット量で比較信号は反転するので、電流指示値が零レベルとなるオフセット量を検出できる。
【００２９】
本発明は、電流制御ループをオンした状態で、比較信号が反転した回数をカウントし、カウント値が所定の値となったときに電流指示値に基づいて電流指示値の補正係数を設定するようにする。
本発明によれば、電流制御ループをオンした状態では、電流指示値が零レベル付近では比較信号が反転を繰り返すので、比較信号が反転した回数をカウントし、比較信号が安定してカウント値が所定の値となったときに電流指示値のオフセット量を設定するようにすることにより、確実にオフセット量の設定を行える。
【００３０】
また、本発明は、電流制御ループをオンした状態で、比較信号のパルス幅を計測し、比較信号のパルス幅が所定の幅になったときに電流指示値に基づいて電流指示値の補正係数を設定する。
本発明によれば、電流制御ループをオンした状態では、電流指示値が零レベル付近では比較信号が反転を繰り返すので、比較信号が安定し、所定のパルス幅に達したときに電流指示値を設定することにより正確にオフセット量の設定を行える。
【００３１】
さらに、本発明は、電流指示値に対するモータに流れる電流の特性に予め不感帯を設定する不感帯設定手段を設けてなる。
本発明によれば、電流指示値に対するモータに流れる電流の特性に予め不感帯が設定されているので、電流値が零レベルで、モータの電流が流れるような特性となることを防止できる。
【００３２】
また、本発明は、モータ駆動装置の起動時又は所定の時間毎又は環境温度の変化のいずれかに応じて零レベル調整を行うようにする。
本発明によれば、常に現在の状態に適合した零レベルに調整できる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明になる情報記憶装置の一実施例を説明する。図８は、情報記憶装置の一実施例の概略構成を示すブロック図であり、本実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。情報記憶装置の本実施例は、本発明になるトラッキング補正方法の各実施例を採用し得る。
【００３４】
図８に示すように、光ディスク装置は、大略コントロールユニット１０とエンクロージャ１１とからなる。コントロールユニット１０は、光ディスク装置の全体的な制御を行うＭＰＵ１２、ホスト装置（図示せず）との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１７、光ディスク（図示せず）に対するデータのリード／ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１６及びバッファメモリ１８を有する。バッファメモリ１８は、ＭＰＵ１２、ＯＤＣ１４及びインタフェース１７で共用され、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を含む。クロックを生成するのに用いる水晶振動子１０１は、ＭＰＵ１２と接続されている。
【００３５】
ＯＤＣ１４には、フォーマッタ１４−１と、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１４−２とが設けられている。ライトアクセス時には、フォーマッタ１４−１がＮＲＺライトデータを光ディスクのセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−２がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成して付加すると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部１４−２はＥＣＣの符号化が済んだセクタデータを例えば１−７ランレングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換する。
【００３６】
リードアクセス時には、セクタデータに対して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部１４−２でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及び誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ１４−１でセクタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのストリームとしてホスト装置に転送させる。
ＯＤＣ１４に対しては、ライト大規模集積回路（ＬＳＩ）２０が設けられ、ライトＬＳＩ２０は、ライト変調部２１とレーザダイオード制御回路２２とを有する。レーザダイオード制御回路２２の制御出力は、エンクロージャ１１側の光学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット３０に供給される。レーザダイオードユニット３０は、レーザダイオード３０−１とモニタ用ディテクタ３０−２とを一体的に有する。ライト変調部２１は、ライトデータをピットポジションモジュレーション（ＰＰＭ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）でのデータ形式に変換する。
【００３７】
レーザダイオードユニット３０を使用してデータの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施例では１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ，１．３ＧＢのいずれかを使用することができる。１２８ＭＢのＭＯカートリッジ媒体では、光ディスク上のマークの有無に対応してデータを記録するＰＰＭ記録が採用されている。又、光ディスクの記録フォーマットは、１２８ＭＢの光ディスクの場合はコンスタントアンギュラベロシティ（ＣＡＶ）が採用され、２３０ＭＢの光ディスクの場合はゾーンコンスタントアンギュラベロシティ（ＺＣＡＶ）でが採用され、ユーザ領域のゾーン数は１２８ＭＢの光ディスクで１ゾーン、２３０ＭＢの光ディスクで１０ゾーンである。
【００３８】
高密度記録を行う５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯカートリッジ媒体については、マークのエッジ、即ち、前縁及び後縁とをデータに対応させて記録するＰＷＭ記録が採用されている。ここで、５４０ＭＢの光ディスクと６４０ＭＢの光ディスクとの記憶容量の差は、セクタ容量の違いによるものであり、セクタ容量が２０４８バイトの場合は６４０ＭＢの光ディスクとなり、セクタ容量が５１２バイトの場合は５４０ＭＢの光ディスクとなる。又、光ディスクの記録フォーマットは、ゾーンＣＡＶであり、ユーザ領域のゾーン数は６４０ＭＢの光ディスクで１１ゾーン、５４０ＭＢの光ディスクで１８ゾーンである。
【００３９】
このように、本実施例では、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ，１．３ＧＢの光ディスク、更に、ダイレクトオーバライト対応の２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ，１．３ＧＢの光ディスクにも対応可能である。従って、光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先ず光ディスクの識別（ＩＤ）部をリードしてそのピット間隔からＭＰＵ１２で光ディスクの種別を認識し、種別の認識結果をＯＤＣ１４に通知する。
【００４０】
ＯＤＣ１４に対するリード系統としては、リードＬＳＩ２４が設けられ、リードＬＳＩ２４にはリード復調部２５と周波数シンセサイザ２６とが内蔵される。リードＬＳＩ２４に対しては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイオード３０−１からのレーザビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入力されている。
【００４１】
リードＬＳＩ２４のリード復調部２５には、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィルタ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部２５は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロック及びリードデータを生成してＰＰＭデータ又はＰＷＭデータを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡＶを採用しているため、ＭＰＵ１２からリードＬＳＩ２４に内蔵された周波数シンセサイザ２６に対してゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われる。
【００４２】
周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたフェーズロックドループ（ＰＬＬ）回路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数を有する基準クロックをリードクロックとして発生する。即ち、周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構成され、ＭＰＵ１２がゾーン番号に応じて設定した分周比ｍ／ｎに従った周波数ｆｏの基準クロックを、ｆｏ＝（ｍ／ｎ）・ｆｉに従って発生する。
【００４３】
ここで、分周比ｍ／ｎの分母の分周値ｎは、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ又は１．３ＧＢの光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分周比ｍ／ｎの分子の分周値ｍは、光ディスクのゾーン位置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備されている。更に、ｆｉは、周波数シンセサイザ２６の外部で発生した基準クロックの周波数を示す。
【００４４】
リードＬＳＩ２４で復調されたリードデータは、ＯＤＣ１４のリード系統に供給され、１−７ＲＬＬの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部１４−２の符号化機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施され、ＮＲＺセクタデータに復元される。次に、フォーマッタ１４−１でＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのストリームに変換し、バッファメモリ１８を経由してインタフェース１７からホスト装置に転送される。
【００４５】
ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検出信号が供給されている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３６で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路２２におけるリード、ライト及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制御する。本実施例では、光ディスクの記録フォーマットがゾーンＣＡＶであるため、スピンドルモータ４０は例えば３０００ｒｐｍの一定速度で回転される。
【００４６】
又、ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた電磁石４４を制御する。電磁石４４は、光ディスク装置内にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁界を供給する。
ＤＳＰ１６は、光ディスクに対してレーザダイオード３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部として機能する。このシーク制御及びオントラック制御は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
【００４７】
ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ１１側の光学ユニットに光ディスクからのビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）用ディテクタ４５を設けている。ＦＥＳ検出回路４６は、ＦＥＳ用ディテクタ４５の受光出力からＦＥＳを生成してＤＳＰ１６に入力する。
エンクロージャ１１側の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り光を受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用ディテクタ４７も設けられている。ＴＥＳ検出回路４８は、ＴＥＳ用ディテクタ４７の受光出力からＴＥＳを生成してＤＳＰ１６に入力する。ＴＥＳは、トラックゼロクロス（ＴＺＣ）検出回路５０にも入力され、ＴＺＣパルスが生成されてＤＳＰ１６に入力される。
【００４８】
エンクロージャ１１側には、光ディスクに対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出するレンズ位置センサ５４が設けられており、レンズ位置センサ５４からのレンズ位置検出信号（ＬＰＯＳ）はＤＳＰ１６に入力される。ＤＳＰ１６は、光ディスク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュエータ６４及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）６８を制御して駆動する。
【００４９】
図９は本発明の一実施例のエンクロージャの概略構成を示す断面図、図１０は本発明の一実施例の要部の平面図を示す。図９に示すように、ハウジング６７内にはスピンドルモータ４０が設けられ、インレットドア６９側からＭＯカートリッジ７０を挿入することで、ＭＯカートリッジ７０に収納された光ディスク（ＭＯディスク）７２がスピンドルモータ４０の回転軸のハブに装着されて光ディスク７２が光ディスク装置にロードされる。
【００５０】
ロードされたＭＯカートリッジ７０内の光ディスク７２の下側には、ＶＣＭ６４により光ディスク７２のトラックを横切る方向に、ガイドレール８４により案内されて移動自在なキャリッジ７６が設けられている。キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７８に設けられているレーザダイオード（３０−１）からのビームを立ち上げミラー８２を介して入射して光ディスク７２の記録面にビームスポットを結像する。
【００５１】
対物レンズ８０は、図８に示すエンクロージャ１１のフォーカスアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ６４により光ディスク７２のトラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッジ７６に搭載されている対物レンズ８０の位置が、図８のレンズ位置センサ５４により検出される。レンズ位置センサ５４は、対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク７２のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々異なる極性の移動量に応じたレンズ位置検出信号を出力する。
【００５２】
図１１は本発明の一実施例のドライバのブロック構成図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）６８は、ドライブ回路１０１、センス抵抗１０２、電流センス回路１０３、比較回路１０４、制御回路１０５により駆動される。なお、図１１に示す制御回路１０５は図１に示されるプロセッサ２及び図８に示されるＤＳＰ１６、ＭＰＵ１２に相当する。
【００５３】
また、ドライブ回路１０１は図１に示されるドライバＩＣ３と同一の回路構成であり、センス抵抗１０２は図１に示すセンス抵抗５に相当し、比較回路１０４は図１に示す比較回路７に相当する。
なお、本実施例では、ドライブ回路１０１、電流センス回路１０３、比較回路１０４を１チップのＩＣに搭載した構成とされている。
【００５４】
また、電流センス回路１０３では、帰還抵抗を（Ｒ4 ＋Ｒ5 ）＞Ｒ3 に設定することにより、図７に破線で示すように目標電流指示信号に対する平均駆動電流の特性に予め不感帯が生じるように設定されている。
なお、本実施例では、帰還抵抗を（Ｒ4 ＋Ｒ5 ）＞Ｒ3 とすることにより図７に破線示すような不感帯を有する特性を予め設定したが、これに限られるものではなく、電流センス回路のオペアンプＯＰ１の非反転入力端子に印加するバイアス電圧を図７に破線示すような不感帯を有する特性が得られるように設定してもよい。
【００５５】
図１２は本発明の一実施例の電流センス回路の変形例のブロック構成図を示す。
本変形例の電流センス回路２０３は、基準電圧Ｖref2（＞Ｖref1）を抵抗Ｒ11〜Ｒ12で分割して、オペアンプＯＰ２を介して抵抗Ｒ3 に供給することにより、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子のバイアス電圧を図７に破線示すような不感帯を有する特性が得られるように設定している。
【００５６】
比較回路１０４の出力信号＊ＤＴＣＲは、制御回路１０５に供給され、ＶＣＭ68をＰＷＭ駆動するために第１の制御信号＊ＥＮを生成するために使用される。また、制御回路１０５にはレベルを検出する回路が内蔵されており、出力信号＊ＤＴＣＲのレベルを検出した結果をＤＴＣＲレジスタ１０６ａに保持する。
次に調整動作について説明する。
【００５７】
図１３は、本発明の一実施例の調整時の処理フローチャートを示す。
制御回路１０５は、まず、内部の制御信号ＤＲＶＯＮをローレベルにすることによりドライブ回路１０１に供給する第１の制御信号＊ＥＮをハイレベルにし、ドライブ回路１０１をオフ状態にする（ステップＳ１−１）。
内部メモリに設定された補正係数pwm0を「０」にする（ステップＳ１−２）。
【００５８】
ボイスコイルモータ６８の駆動にかかわる他の補償成分も「０」にする（ステップＳ１−３）。
次に目標電流指示値を補正係数pwm0に設定する（ステップＳ１−４）。次に、比較回路１０４の出力信号のレベルを検出し、ＤＴＣＲレジスタ１０６ａを参照して、ＤＴＣＲレジスタ１０６ａの内容が「１」か否かを判定する（ステップＳ１−５）。
【００５９】
ステップＳ１−５での判定の結果、ＤＴＣＲレジスタ１０６ａが「０」、すなわち、電流センス回路１０３の出力信号が目標電流指示信号より大きく比較回路１０４の出力が「０」の状態であれば、次にpwm0＝（pwm0＋Ａ）に設定し（ステップＳ１−６）、ステップＳ１−４に戻る。
また、ステップＳ１−５で、ＤＴＣＲレジスタ１０６ａが「１」、すなわち、電流センス回路１０３の出力信号が目標電流指示信号より小さく比較回路１０４の出力が「１」の状態であれば、次にpwm0＝０か否かを判定する（ステップＳ１−７）。pwm0＝０の状態で既にＤＴＣＲレジスタ１０６ａが「１」、すなわち、電流センス回路１０３の出力信号が目標電流指示信号より小さく比較回路１０４の出力が「１」の状態であり、ドライブ信号ＤＲＶＯＮがハイレベルになると、第１の制御信号＊ＥＮがローレベルとなり、前述したように、ＰＷＭ駆動を始める。すなわち、図７の一点鎖線ｂで示す状態であり、このままの状態でボイスコイルモータ６８を駆動すると、ボイスコイルモータ６８の動作が不安定になるので、エラー処理を行う（ステップＳ１−８）。
【００６０】
ステップＳ１−７で、pwm0＝０でなければ、正常にオフセット量を検出できたと判断して、比較回路１０４の出力が「１」に立ち上がる直前の目標電流指示信号、すなわち、pwm0＝（pwm0−Ａ）を算出し（ステップＳ１−９）、算出されたpwm0をオフセット量としてメモリに記憶する（ステップＳ１−１０）。
なお、本実施例では、制御回路１０５によりドライブ回路１０１をオフにした状態でＤＴＣＲレジスタ１０６ａの値の反転を検出し、不感帯量を検出するようにしたが、オン状態で比較回路１０４の出力のパルス幅に応じて検出するようにしてもよい。
【００６１】
この場合、電流制御ループがオンした状態で、ドライブ信号ＤＲＶＯＮがハイレベルで、出力信号＊ＤＴＣＲがローレベルであれば、第１の制御信号＊ＥＮがハイレベルとなり、ＶＣＭ６８に電流が流れないが、一度、出力信号＊ＤＴＣＲがハイレベルになると、前述したように、ＰＷＭ駆動が開始され、出力信号＊ＤＴＣＲのレベルがバタバタし始める。制御回路１０５にはパルス幅を計測する回路が内蔵されており、出力信号＊ＤＴＣＲのパルス幅を計測した結果をＤＴＣＲＰＷレジスタ１０６ｂに保持する。
【００６２】
図１４は本発明の一実施例の調整処理の第１変形例のフローチャートを示す。同図中、図１３と同一処理手順には同一符号を付し、その説明は省略する。
本変形例では、調整開始時に内部の制御信号ＤＲＶＯＮをハイレベルとし、電流制御ループをオン状態とする（ステップＳ２−１）。
あとは、図１２と同様に、内部メモリに設定された補正係数pwm0を「０」にし（ステップＳ１−２）、ボイスコイルモータ６８の駆動にかかわる他の補償成分も「０」にし（ステップＳ１−３）、目標電流指示値を補正係数pwm0に設定する（ステップＳ１−４）。
【００６３】
次に、本変形例では、比較回路の出力信号のパルス幅を保持するＤＴＣＲＰＷレジスタ１０６ｂを参照し、保持されたパルス幅が所定の値ａ以上であるか否かを判定する（ステップＳ２−２）。すなわち、比較回路の出力信号がハイレベルに立ち上がると、比較回路の出力信号のハイレベルの期間がカウントされ、そのカウント値がＤＴＣＲＰＷレジスタ１０６ｂに保持される。よって、ＤＴＣＲＰＷレジスタ１０６ｂの値を参照することにより比較回路の出力信号がハイレベルに立ち上がったことを認識できる。なお、このとき、パルス幅が所定の値ａ以上であるか否かを判定することにより確実にＰＷＭ駆動が開始され、電流が流れ始めたことが判定できる。
【００６４】
また、本変形例では、比較回路の出力信号のパルス幅を記憶するＤＴＣＲＰＷレジスタ１０６ｂを参照し、パルス幅が所定の値ａ以上になったときの指示値から不感帯量を検出したが、比較回路１０４の出力信号をカウントし、カウント値が所定のカウント値になったときの指示値から不感帯量を検出するようにしてもよい。
【００６５】
この場合、制御回路１０５にはパルスカウンタ回路を内蔵し、出力信号＊ＤＴＣＲのパルスカウント値をＤＴＣＲＣＮＴレジスタ１０６ｃに保持する。
図１５は本発明の一実施例の調整処理の第２変形例のフローチャートを示す。同図中、図１４と同一手順には同一符号を付し、その説明は省略する。
本変形例では、比較回路の出力信号をカウントしたカウント値を保持するＤＴＣＲＣＮＴレジスタ１０６ｃを参照して、カウントレジスタのカウント値が「０」以上となったときの目標電流指示信号を補正係数pwm0とする。
【００６６】
本変形例では、調整開始時に内部の制御信号ＤＲＶＯＮをハイレベルとし、電流制御ループをオン状態とする（ステップＳ２−１）。
あとは、図１３、図１４と同様に、内部メモリに設定された補正係数pwm0を「０」にし（ステップＳ１−２）、ボイスコイルモータ６８の駆動にかかわる他の補償成分も「０」にし（ステップＳ１−３）、目標電流指示値を補正係数pwm0に設定する（ステップＳ１−４）。
【００６７】
次に、本変形例では、比較回路１０４の出力信号をカウントしたカウント値を保持するＤＴＣＲＣＮＴレジスタ１０６ｃを参照して、カウントレジスタのカウント値が「０」以上か否かを判定する（ステップＳ３−１）。すなわち、比較回路の出力信号がハイレベルに立ち上がると、比較回路の出力信号がカウントされ、そのカウント値がＤＴＣＲＣＮＴレジスタに保持される。よって、ＤＴＣＲＣＮＴレジスタの値を参照することによりＰＷＭ駆動が開始され、ＶＣＭ６８に電流が流れ始めたことを認識できる。
【００６８】
以上のようにして求められたpwm0を不感帯補償量として目標電流指示値に加算することにより、不感帯をなくして目標電流指示値に対してリニアに平均駆動電流を設定できる。
図７に破線ａで示す不感帯を有する特性において目標電流指示値に補正値pwm0を加算したすることにより電流制御ループのオフセットを除去できる。また、電流センス回路は予め不感帯が生じるように設定されるので、図７の一点鎖線ｂで示すような状態を生させることもなく、図７に実線で示すような理想の特性とすることができる。
【００６９】
また、本実施例では、電流センス回路１０３の設定に予め不感帯を設けるため、電流センス回路１０３に目標電流指示信号の最小電圧Ｖref1を固定的に与え、調整時には目標電流指示信号を順次に増加させ、比較回路１０４の出力を参照し、目標電流指示信号のゼロ点を検出したが、電流センス回路に与える基準電圧を順次変化させることにより目標電流指示信号のゼロ点を検出するようにしてもよい。
【００７０】
図１６は本発明の他の実施例のドライバのブロック構成図を示す。同図中、図１１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
本実施例のドライバ６６は、電流センス回路３０３の構成及び制御回路３０４による調整制御が上記実施例とは相違する。
本実施例では、電流センス回路３０３に第２のＤＡＣ３０５により基準電圧を供給し、制御回路３０４によりその基準電圧が調整可能とされている。なお、第２のＤＡＣ３０５は、基準電圧Ｖref1より大きな電圧も小さな電圧も出力できる構成とされている。
【００７１】
図１７は本発明の他の実施例の調整処理のフローチャートを示す。同図中、図１３と同一処理手順には同一符号を付し、その説明は省略する。
本実施例では、ステップＳ４−１で、比較回路１０４に入力される目標電流指示信号が零レベルに固定され、電流センス回路３０３でバイアス電圧を生成するＤＡＣ３０５で発生されるバイアス電圧をpwm0に設定し、pwm0を順次変化させつつ（ステップＳ４−３）、比較回路１０４の出力信号＊ＤＴＣＲを検出し（ステップＳ４−４）、図１３と同様に比較回路１０４の出力信号＊ＤＴＣＲが変化したときのpwm0をＤＡＣ３０５の出力電圧として記憶する（ステップＳ４−５）。
【００７２】
なお、図１４、図１５と同様にドライブ回路１０１をオンした状態で検出するようにしてもよい。
本実施例では、第２のＤＡＣ３０５が基準電圧Ｖref1より大きい電圧も小さい電圧も出力できるので、図７の破線ａ及び一点鎖線ｂに示すようないずれの状態も調整可能である。
【００７３】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、比較信号が所定レベルから反転したときの指示値から、指示値のオフセット量を設定することにより、指示値が増えても、モータに電流が流れない領域、すなわち、不感帯が指示値として設定されることがない等の特長を有する。
【００７４】
本発明によれば、予め不感帯が設けられているので、図７の一点鎖線ｂに示す状態が発生することがなく、よって、図７の一点鎖線ｂに示す状態による影響を防止できる等の特長を有する。本発明によれば、常に現在の状態に適合したオフセット量に調整できる等の特長を有する。
【００７５】
また、本発明によれば、情報記憶装置として用いた場合、指示値が増えても、モータに電流が流れない領域、すなわち、不感帯をなくすことができるので、ヘッドの位置決めを迅速、かつ、正確に行える等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一例のブロック図である。
【図２】従来の一例のロジック回路のブロック図である。
【図３】従来の一例のロジック回路の動作説明図である。
【図４】従来の一例のドライバのブロック構成図である。
【図５】従来の一例のコントロールロジックの動作説明図である。
【図６】従来の一例の動作説明図である。
【図７】目標電流指示信号に対するアクチュエータの平均駆動電流の特性図である。
【図８】本発明の一実施例の概略を示すブロック構成図である。
【図９】本発明の一実施例のエンクロージャの概略構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施例の要部の平面図である。
【図１１】本発明の一実施例のドライバのブロック構成図である。
【図１２】本発明の一実施例の電流センス回路の第１変形例のブロック構成図である。
【図１３】本発明の一実施例の調整処理のフローチャートである。
【図１４】本発明の一実施例の調整処理の第１変形例のフローチャートである。
【図１５】本発明の一実施例の調整処理の第２変形例のフローチャートである。
【図１６】本発明の他の実施例のブロック構成図である。
【図１７】本発明の他の実施例の調整処理のフローチャートである。
【符号の説明】
１０  コントロールユニット
１１  エンクロージャ
１２  ＭＰＵ
１４  ＯＤＣ
１６  ＤＳＰ
２０  ライトＬＳＩ
２４  リードＬＳＩ
２６  周波数シンセサイザ
７２  光ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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