(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ（ＨＦＡ）とこれにアダクトする分子より構成される液体原料あるいはＣｕ（ＨＦＡ）とこれにアダクトする分子より構成される固体原料と溶媒の混合物を原料とし、Ｃｕを成膜するＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置において、
前記原料が存在する部分における部材の表面にＴｉＯ２，金属フッ素化物，あるいはＴｉが存在することを特徴とする、Ｃｕ成膜用ＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記Ｃｕ成膜用ＣＶＤ装置は、前記原料が存在する部分として、原料容器，前記原料が流れる配管，バルブ，マスフローコントローラ，気化器，シャワーヘッド，チャンバ，排気用配管およびポンプからなる群から選ばれる少なくとも１つの要素を含み、
前記各要素の内壁面を、ＴｉＯ２，金属フッ素化物，あるいはＴｉで被覆した、請求項１に記載のＣｕ成膜用ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記金属フッ素化物は、ＡｌあるいはＴｉのフッ素化物を含む、請求項１または２に記載のＣｕ成膜用ＣＶＤ装置。
【請求項４】
Ｃｕ（ＨＦＡ）とこれにアダクトする分子より構成される液体原料あるいはＣｕ（ＨＦＡ）とこれにアダクトする分子より構成される固体原料と溶媒の混合物を原料とし、Ｃｕを成膜するＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置であって、
前記原料との反応によりフッ素化物を生成するＴｉを含む部材により構成された、原料容器，前記原料が流れる配管，バルブ，マスフローコントローラ，気化器，シャワーヘッド，チャンバ，排気用配管およびポンプからなる群から選ばれる少なくとも１つの要素を含む、Ｃｕ成膜用ＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記Ｃｕ成膜用ＣＶＤ装置は、液体原料が存在する部分を含み、
前記液体原料が存在する部分の表面は、前記液体原料の分解反応に対し不活性な材質により構成される、請求項１に記載のＣｕ成膜用ＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、Ｃｕ成膜用ＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＳＩの配線材料にはＡｌにＣｕを添加した材料が使われてきた。純Ａｌ配線ではエレクトロマイグレーション寿命が短く、信頼性に問題が生じるため、ＡｌにＣｕを添加し、信頼性を向上させている。一般的なＣｕの濃度は０．５ｗｔ％程度である。この濃度ではエレクトロマイグレーション寿命は大幅に改善され、比抵抗の上昇が比較的小さく、Reactive Ion Etching（ＲＩＥ）による加工時にＣｕの残渣が発生しないことより、この値が設定されている。
【０００３】
エレクトロマイグレーション寿命は電流密度の二乗に反比例すると言われている。ＬＳＩの微細化に伴い配線の断面積は減少するため、電流密度は増加し、エレクトロマイグレーション耐性に対する要求はさらに厳しくなってきている。また、ＬＳＩの微細化に伴い配線の断面積は減少するため、配線抵抗は増加し、配線遅延も増加している。その結果、０．１５μｍ以降の世代では配線遅延がデバイスの動作速度に悪影響を及ぼすようになると言われている。これらの問題に対し、現状使われているＡｌＣｕ合金では対応できなくなりつつある。Ｃｕは比抵抗が純Ａｌの７０％程度と低く、ＡｌＣｕよりも３桁程度長いエレクトロマイグレーション寿命を有するので、０．１５μｍ以降の配線材料としてＣｕが有望である。
【０００４】
Ｃｕ配線プロセスでは、Ｃｕの加工が大きな問題であった。Ｃｕの塩素化物の蒸気圧は極めて低いため、従来から用いられていたＲＩＥによるエッチングが難しかったためである。そこで、ＲＩＥを用いたプロセスに代えてダマシン法と呼ばれるプロセスがＣｕ配線形成に使われている。このダマシン法については、たとえば、月刊 Semiconductor World 1995. 12 「ダマシン方式を用いた配線プロセス」等に記載されている。
【０００５】
上記のダマシン法では、絶縁膜に溝を形成し、この溝を金属（Ｃｕ）で埋込み、さらに溝以外の部分に形成された金属（Ｃｕ）を Chemical Mechanical Polishing（ＣＭＰ）などの方法により除去するものである。このとき、Ｃｕを溝に埋込む必要があるため、従来用いられているスパッタリング法では埋込が不十分となり、断線や信頼性の劣化を引き起こしていた。Ｃｕを溝に埋込むためには、埋込み特性の良好なＣＶＤ法を用いる必要があった。
【０００６】
ＣＶＤ原料に要求される特性としては、蒸気圧が高いこと、高純度の金属Ｃｕが析出すること、液体あるいは気体であることが挙げられる。このような条件を満たす材料は極めて少なく、Ｃｕ（ＨＦＡ）に有機分子をアダクトしたものが一般に使われている。この代表例としてＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）が挙げられる。このＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）は、Hexafluoroacetylacetonate Copper Trimethylvinyl Silane adduct のことであり、下記の化１のような分子式で表わされ、図６に示される分子構造を有する。
【０００７】
【化１】
0003645682.tif 000002
【０００８】
Ｃｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）は蒸気圧が比較的高く、常温で液体である有機材料である。そして、反応は下記の化２に示されるような不均化反応で進行するため、純度の高い膜が得られる。
【０００９】
【化２】
0003645682.tif 000003
【００１０】
上記のＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）は常温で液体であるため、原料供給にはバブリング方式あるいは液体供給方式という方法が採用される。バブリング方式では、原料容器を加熱することにより液体を気化させる。キャリアガスを原料容器に導入し、気化した原料をチャンバに導入する。このときの原料の供給量は原料容器の加熱温度およびキャリアガス流量で決まる。液体供給方式では、液体原料の流量は液体マスフローコントローラあるいはポンプで制御されて気化器に導かれる。原料は気化器（真空中で加熱する構成）内で気化されて、キャリアガスと混合されてチャンバに導入される。
【００１１】
以上のような方式を用いることにより、流量を正確に制御することができる。また、バブリング方式のように原料容器を加熱する必要はないので、加熱による原料の劣化を防止することができる。いずれの供給方法においても、気化した後の配管，バルブ，シャワーヘッド等気化した原料が通る部分は気化温度と同程度の温度に保たれており、原料の液化を防いでいる。また、チャンバ壁や排気用配管，排気用ポンプも、原料およびＣｕ（ＨＦＡ）2 やＴＭＶＳ等の生成物が析出するのを防ぐために加熱されている。一般に、原料容器，液体マスフローコントローラ，ポンプ，気化器，配管，バルブ，シャワーヘッドにはＳＵＳが用いられている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような原料を用いたＣｕ析出反応は進行しやすく、原料が存在するだけで反応が生じるという特徴がある。その結果、配管やチャンバの表面にＣｕ，Ｃｕ（ＨＦＡ）2 等の反応物が容易に析出するという問題があった。これらの反応物はパーティクルの原因となり、配線の歩留りを劣化させる、あるいはメンテナンス周期を短くするという問題が生じていた。
【００１３】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものである。この発明の目的は、Ｃｕ成膜用ＣＶＤ装置において、配管やチャンバ等の表面に反応物が析出することを効果的に抑制可能なＣＶＤ装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るＣＶＤ装置は、Ｃｕ（ＨＦＡ）とこれにアダクトする分子より構成される液体原料あるいはＣｕ（ＨＦＡ）とこれにアダクトする分子より構成される固体原料と溶媒との混合物を原料とし、Ｃｕを成膜するためのものであることを前提とする。そして、上記の原料が存在する部分における部材の表面にＴｉＯ２，金属フッ素化物，あるいはＴｉが存在することを特徴とする。
【００１５】
なお、上記のＣｕ成膜用ＣＶＤ装置は、好ましくは、原料が存在する部分として、原料容器，原料が流れる配管，バルブ，マスフローコントローラ，気化器，シャワーヘッド，チャンバ，排気用配管およびポンプからなる群から選ばれる少なくとも１つの要素を含む。そして、上記各要素の内壁面を、ＴｉＯ２，金属フッ素化物，あるいはＴｉで被覆することが好ましい。
【００１６】
また、上記の金属フッ素化物はＡｌあるいはＴｉのフッ素化物を含むことが好ましい。
【００１７】
また、上記のＣｕ成膜用ＣＶＤ装置は、上記の原料との反応によりフッ素化物を形成する金属を含む部材により構成された次のような要素を少なくとも１つ含むことが好ましい。要素としては、原料容器，原料が流れる配管，バルブ，マスフローコントローラ，気化器，シャワーヘッド，チャンバ，排気用配管，ポンプ等を挙げることができる。
【００１８】
また、上記のＣｕ成膜用ＣＶＤ装置が、液体原料が存在する部分を含む場合には、この液体原料が存在する部分の表面が液体原料の分解反応に対し不活性な材質により構成されることが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図５を用いて、この発明の実施の形態について説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１におけるＣｕ成膜用ＣＶＤ装置の概略構成を示す構成図である。この図１に示されるＣＶＤ装置は、液体供給方式のＣＶＤ装置である。
【００２１】
図１を参照して、本実施の形態１におけるＣＶＤ装置１は、成膜チャンバ２と、原料容器３と、液体マスフローコントローラ７と、気化器８と、排気用ポンプ１３とを備える。
【００２２】
原料容器３内には液相状態の原料（Ｃｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ））４が収容され、この原料容器３には配管５ａ，５ｂがそれぞれ接続される。この配管５ａ，５ｂにはバルブ６ａ，６ｂがそれぞれ取付けられる。また、配管５ａを通じてＨｅが原料容器３内に供給され、配管５ｂを通じて液相状態の原料４が液体マスフローコントローラ７に送り込まれる。
【００２３】
液体マスフローコントローラ７と気化器８との間には配管５ｃが設けられ、この配管５ｃにもバルブ６ｈが取付けられる。この配管５ｃを通じて液相状態の原料４が液体マスフローコントローラ７から気化器８内に送り込まれる。気化器８にはさらに配管５ｄが接続され、この配管５ｄを通じてキャリアガスが気化器８内に送り込まれる。この配管５ｄにはバルブ６ｃが取付けられる。
【００２４】
成膜チャンバ２内には基板加熱用ヒータ１１が設置され、この基板加熱用ヒータ１１上に半導体ウエハ１０が載置される。また、半導体ウエハ１０の上方にはシャワーヘッド９が設置される。このシャワーヘッド９は配管５ｅを介して気化器８と接続され、配管５ｅとシャワーヘッド９とを通じて気相状態の原料が成膜チャンバ２内に供給される。配管５ｅにもバルブ６ｄが取付けられる。また、この配管５ｅの外周には、配管５ｅを所定温度に加熱するためのヒータ１５ａが取付けられる。さらに、成膜チャンバ２の壁面にもヒータ１５ｃが取付けられ、シャワーヘッド９の表面にもヒータ１５ｂが取付けられる。成膜チャンバ２と排気用ポンプ１３との間には排気用配管１２が設けられ、この排気用配管１２の壁面にもヒータ１５ｃが取付けられる。
【００２５】
本発明では、上記の構成において原料が存在する部分、すなわち、原料容器３、配管５ｂ，５ｃ，５ｅ、バルブ６ｂ，６ｄ，６ｈ、液体マスフローコントローラ７、気化器８、成膜チャンバ２、シャワーヘッド９、排気用配管１２、排気用ポンプ１３等の内表面やシャワーヘッド９の表面等に、フッ素含有樹脂、金属フッ素化物、Ｔｉ、Ｔｉの化合物あるいは絶縁物が存在することを特徴としている。具体的には、図３に示されるように、配管５ｂの場合であれば、その内表面に上記各材質のいずれかにより構成される被覆層１６が形成される。
【００２６】
なお、上記のフッ素含有樹脂としてはポリテトラフルオロエチレン等を挙げることができ、金属フッ素化物としてはＡｌあるいはＴｉのフッ素化物等を挙げることができ、絶縁物としてはＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＮ等を挙げることができ、Ｔｉの化合物としてはＴｉＯ2 ，ＴｉＮ等を挙げることができる。
【００２７】
上記の原料容器３等の表面にフッ素含有樹脂等が存在することにより、各要素の表面にＣｕ等の反応物が析出することを効果的に抑制することが可能となる。以下、図４と図５とを用いて、その理由について説明する。図４は、基板上に形成されたＣｕやＴｉＮ等の下地膜上に図中記載の条件でＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）を用いてＣｕを成膜した場合の膜厚と成膜時間との関係を示す図である。図５は、Ｃｕの成膜速度と基板温度との関係を示す図である。
【００２８】
Ｃｕの成膜のための原料をＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）とした場合には、前述の化２に示される反応式に従った反応が進行する。ここで、Ｃｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）のＣｕは１価であり、析出したＣｕは０価であり、Ｃｕ（ＨＦＡ）2 のＣｕは２価である。つまり、化２に示される反応は、電子をやり取りする反応である。したがって、下地が導電体の場合は電子のやり取りに下地が介在できるため、下地が絶縁体の場合に比べて反応が進行しやすくなる。下地が絶縁体の場合でも、表面がＣｕで覆われると反応は導電体と同様に進行することになるので、下地表面が露出している際の初期反応が問題となる。このとき反応が進行するためには、下地に吸着された２個のＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）の距離が極めて短く、お互いに電子をやり取りできる場合に限られるため、反応が生じる確率は非常に低くなる。そのため下地が絶縁体の場合はほとんどＣｕ膜が付着しないと考えられる。
【００２９】
また、化２に示される反応は、表面がフッ素化された場合に特に進行しにくい。フッ素の電気陰性度は高いため、導電性の基板を介した２個のＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）間での電子のやり取りが妨害されるためと考えられる。また、フッ素化された表面では表面の結合手がフッ素で終端するため、Ｃｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）の吸着を抑制する効果もある。以上のような効果により、Ｃｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）の吸着やＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）間での電子のやり取りが抑制され、反応が抑制される。表面に対するこのような効果は、ポリテトラフルオロエチレン等のように内部にフッ素を含んでいる場合も同様に観察される。
【００３０】
上記のような原理により、上述の原料容器３等の表面にフッ素含有樹脂，金属フッ素化物あるいは絶縁物が存在することにより、各要素の表面にＣｕ等の反応物が析出することを効果的に抑制することが可能となると考えられる。本願の発明者は、上記の原理を確認すべく、各種の下地膜の表面上にＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）を用いたＣＶＤ法によりＣｕを成膜する実験を行なった。その結果が下記の表１に示されている。
【００３１】
【表１】
0003645682.tif 000004
【００３２】
表１に示されるように、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素含有樹脂や、ＴｉＮ等のＴｉの化合物やＳｉＯ2 等の絶縁物を下地とした場合には、表面にＣｕが成膜されていないことがわかる。なお、下地膜がＴｉの場合にもＣｕが成膜されていないが、このＴｉについては、Ｃｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）との間で安定なフッ素化物が形成されるため、その表面にＣｕ膜が成膜されなかったものと推察される。したがって、金属フッ素化物が表面に存在する場合にも、該金属フッ素化物上にＣｕ膜は成膜され難いものと考えられる。
【００３３】
なお、表１に示される結果のうち、下地膜としてＣｕ，ＴｉＮを選択した場合のＣｕの成膜時間とその膜厚との関係が図４に示されている。この図４に示されるように、下地膜がＣｕの場合には核生成時間を経た後徐々にＣｕが成膜されているのがわかる。それに対し、下地膜がＴｉＮの場合には全くＣｕが成膜されていないのがわかる。
【００３４】
図４には、基板温度が２００℃の場合のデータが示されているが、図５に示されるように、Ｃｕの成膜速度は、基板温度の上昇に伴って増大するが、２００℃でほぼ最大値となりその後は基板温度を高めても成膜速度はあまり変化しなくなるという傾向を示している。この結果より、基板温度が約３００℃程度以下においては、ほぼいずれの温度においても図４に示される結果が得られるものと考えられる。
【００３５】
以上の結果より、上記の原料容器３等の各要素の表面にフッ素含有樹脂、金属フッ素化物、Ｔｉ、Ｔｉの化合物あるいは絶縁物が存在することにより、各要素の表面におけるＣｕ等の反応物の析出を効果的に抑制することが可能となると考えられる。
【００３６】
なお、上記の原料容器３等の各要素を、Ｃｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）等のＣｕ成膜用原料との反応によりフッ素化物を形成する金属を含む部材により構成した場合にも、上記の場合と同様の原理で、各要素の表面における反応物の析出を効果的に抑制することが可能であると考えられる。
【００３７】
また、液体原料が存在する部分の表面が、液体原料の分解反応に対し不活性な材質により構成された場合にも、該部分の表面における反応物の析出を効果的に抑制することが可能となる。ここで、液体原料が存在する部分の部材としては、触媒的な作用を有さない材料が選択されることが好ましい。具体的には、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＮ等の絶縁物を挙げることができる。また、液体原料が存在する部分として使用できない材質としては、Ｎｉ，Ｗ，あるいはＰｔ等の貴金属などを挙げることができる。
【００３８】
また、上記の実施の形態１では、Ｃｕ成膜用の液体原料の一例としてＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）を使用する場合について説明したが、下記の表２に示される液体原料や固体原料を使用可能である。
【００３９】
【表２】
0003645682.tif 000005
【００４０】
（実施の形態２）
次に、図２を用いて、この発明の実施の形態２について説明する。図２は、この発明の実施の形態２におけるＣｕ成膜用ＣＶＤ装置の概略構成を示す構成図である。
【００４１】
図２を参照して、この図に示されるＣＶＤ装置１は、バブリング方式のＣＶＤ装置である。図２に示されるように、ＣＶＤ装置１は、原料容器３ａと、チャンバ２と、マスフローコントローラ１４と、排気用ポンプ１３とを備える。
【００４２】
原料容器３ａの壁面にはヒータ１５ｄが設置され、原料容器３ａ内には、この場合であれば、原料４として液相状態のＣｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）が溶媒とともに収容される。原料容器３ａには、配管５ｆと５ｇとが接続される。配管５ｆにはバルブ６ｅが取付けられ、この配管５ｆを通してキャリアガスが原料容器３ａ内に送り込まれる。
【００４３】
そして、配管５ｇ内を通して気相状態の原料４がマスフローコントローラ１４に送り込まれる。この配管５ｇにもバルブ６ｆが取付けられる。また、この配管５ｇの壁面にもヒータ１５ｅが取付けられる。
【００４４】
マスフローコントローラ１４とシャワーヘッド９との間には配管５ｈが設けられ、この配管５ｈの壁面にもヒータ１５ｆが設置される。また、この配管５ｈにもバルブ６ｇが取付けられる。なお、成膜チャンバ２内の構成あるいは排気用配管１２や排気用ポンプ１３等については上述の実施の形態１の場合と同様であるため説明は省略する。
【００４５】
上記のような構成を有するバブリング方式のＣＶＤ装置１においても、上記の実施の形態１の場合と同様に、原料が存在する部分の部材の表面に、フッ素含有樹脂、金属フッ素化物、Ｔｉ、Ｔｉの化合物あるいは絶縁物を存在させる。
【００４６】
具体的には、原料容器３ａの内表面、配管５ｇ，５ｈの内表面、マスフローコントローラ１４の内表面、バルブ６ｆ，６ｇの内表面、シャワーヘッド９の表面、成膜チャンバ２の内表面、排気用配管１２の内表面、排気用ポンプ１３の内表面等にフッ素含有樹脂等の物質を存在させる。それにより、上述の実施の形態１の場合と同様の原理で、各要素の表面におけるＣｕ等の反応物の析出を効果的に抑制することが可能となる。
【００４７】
以上のように、この発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００４８】
【発明の効果】
上述のように、この発明に係るＣＶＤ装置では、原料が存在する部分における部材の表面にＴｉＯ２，金属フッ素化物，あるいはＴｉを存在させている。この金属フッ素化物等の物質を下地とした場合には、前述の表１や図４等に示されるように、該物質からなる下地の上にＣｕ等の反応物が析出するのを効果的に抑制することが可能となる。それにより、パーティクルの発生を効果的に抑制でき、それに伴い、パーティクルの発生に起因する配線の歩留りの低下をも効果的に抑制することが可能となる。また、気化器や配管等のメンテナンス周期をも長くすることが可能となる。
【００４９】
なお、上記の原料が存在する部分としては、原料容器、原料が流れる配管、バルブ、マスフローコントローラ、気化器、シャワーヘッド、チャンバ（成膜チャンバ）、排気用配管、ポンプ等を挙げることができ、これらの要素の少なくとも１つの表面を、ＴｉＯ２，金属フッ素化物，あるいはＴｉで被覆することにより、これらの要素の表面での反応物の析出を効果的に抑制することが可能となる。
【００５０】
また、金属フッ素化物としてはＡｌあるいはＴｉのフッ素化物等を挙げることができ、かかる物質を使用することにより上述のような効果が得られる。
【００５１】
また、原料容器等の各要素が、原料との反応によりフッ素化物を生成するＴｉを含む部材により構成された場合には、Ｃｕの成膜中に、各要素の表面に金属フッ素化物が形成される。この金属フッ素化物の存在により、各要素の表面における上記の反応物の析出を効果的に抑制することが可能となる。
【００５２】
また、液体原料が存在する部分の表面が、該液体原料の分解反応に対し不活性な材質により構成されている場合には、該表面での液体原料の分解反応を効果的に抑制することが可能となる。それにより、液体原料が存在する部分における上記の反応物の析出を効果的に抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明が適用可能な液体供給方式のＣｕ成膜用ＣＶＤ装置の概略構成を示す構成図である。
【図２】  本発明が適用可能なバブリング方式のＣｕ成膜用ＣＶＤ装置の概略構成を示す構成図である。
【図３】  本発明に係る被覆層が形成された配管の部分断面図である。
【図４】  下地膜としてＣｕとＴｉＮとを選択した場合におけるＣｕの成膜時間とその膜厚との関係を示す図である。
【図５】  Ｃｕの成膜速度と基板温度との関係を示す図である。
【図６】  Ｃｕ（ＨＦＡ）（ＴＭＶＳ）の分子構造を示す図である。
【符号の説明】
１  Ｃｕ成膜用ＣＶＤ装置、２  成膜チャンバ、３，３ａ  原料容器、４  原料、５ａ〜５ｈ  配管、６ａ〜６ｈ  バルブ、７  液体マスフローコントローラ、８  気化器、９  シャワーヘッド、１０  半導体ウエハ、１１  基板加熱用ヒータ、１２  排気用配管、１３  排気用ポンプ、１４  マスフローコントローラ、１５ａ〜１５ｆ  ヒータ、１６  被覆層。
【図１】
0003645682.tif 000006
【図２】
0003645682.tif 000007
【図３】
0003645682.tif 000008
【図４】
0003645682.tif 000009
【図５】
0003645682.tif 000010
【図６】
0003645682.tif 000011