(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性領域及びブラッグ回折格子を挟んで対向する光反射面と光出射面とを備える半導体レーザであって、
ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲に含まれる所定温度において、該ＦＰモードの利得ピーク波長で光反射率が最低となるように誘電体多層膜が形成された前記光出射面の光反射率が調整されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
活性領域を挟んで対向する光反射面と光出射面とを有する半導体光増幅素子と、
前記半導体光増幅素子の前記光出射面と光結合されると共に、光導波領域にブラッグ回折格子が形成された光学部品と、
を備える半導体レーザであって、
ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲に含まれる所定温度において、該ＦＰモードの利得ピーク波長で光反射率が最低となるように誘電体多層膜が形成された前記光出射面の光反射率が調整されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項３】
前記光出射面の前記光反射率が最低となるときの光反射率が０．３％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
室温において、前記ＢＧモードの利得ピーク波長が前記ＦＰモードの利得ピーク波長よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
長距離・高速光ファイバー通信では、単一モード発振を得るために、ブラッグ回折格子を有する半導体レーザ（分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ、分布反射型（ＤＢＲ）レーザ、外部共振器型レーザ）が使用される。
【０００３】
かかる半導体レーザとして、例えば特許文献１には、ＤＦＢレーザが開示されている。この半導体レーザは、光反射率の高い反射膜を含む光反射面と、光反射率を低減するための反射防止膜を含む光出射面とを備え、これら光反射面及び光出射面は活性領域及びブラッグ回折格子を挟むように対向配置されている。なお、反射膜及び反射防止膜については、例えば特許文献２及び特許文献３にも開示がなされている。
【０００４】
かかる従来の半導体レーザは、一般にペルチェ素子を備え、温度一定に保たれた条件で使用される。これにより環境温度が大きく変動しても、光出射面からブラッグ回折格子により選択された波長の光が単一モードで出射される。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−５１０７２号公報
【特許文献２】
特開平１０−１９０１３９号公報
【特許文献３】
特開平９−３２６５３１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体レーザにペルチェ素子を設けると、部品点数及び組立コストが増大し、また消費電力も増大してしまうという問題がある。そこで、ペルチェ素子を設けることなく無温調の半導体レーザを構成することが考えられる。しかしながら、上記した従来の半導体レーザを無温調で使用すると、環境温度がマイナス４０℃程度の低温領域において、ＦＰモード（ファブリーペローモード）の利得ピーク値がブラッグ回折格子（ＢＧ）により規定されるＢＧモード（ＤＦＢモード）の利得ピーク値よりも大きくなり、その結果、ＦＰモードで発振してしまうという問題があることを発明者は見出した。
【０００７】
本発明は、上記した課題を解決するために為されたものであり、ブラッグ回折格子により規定される単一モード発振を、広い温度範囲で無温調で得ることが可能な半導体レーザを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体レーザは、活性領域及びブラッグ回折格子を挟んで対向する光反射面と光出射面とを備える半導体レーザであって、ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲に含まれる所定温度において、ＦＰモードの利得ピーク波長で光反射率が最低となるように誘電体多層膜が形成された光出射面の光反射率が調整されていることを特徴とする。
【０００９】
また本発明に係る半導体レーザは、活性領域を挟んで対向する光反射面と光出射面とを有する半導体光増幅素子と、半導体光増幅素子の光出射面と光結合されると共に、光導波領域にブラッグ回折格子が形成された光学部品と、を備える半導体レーザであって、ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲に含まれる所定温度において、ＦＰモードの利得ピーク波長で光反射率が最低となるように誘電体多層膜が形成された光出射面の光反射率が調整されていることを特徴とする。
【００１０】
このように、本発明に係る半導体レーザでは、ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲に含まれる所定温度において、ＦＰモードの利得ピーク波長で光反射率が最低となるように光出射面の光反射率が調整されている。したがって、このような温度においては、ＦＰモードの光出射面からのロスが大きくなり、ＦＰモードが低減される。その結果、ブラッグ回折格子により規定されるＢＧモードでの単一モード発振を得ることができる。このように、この半導体レーザによれば、ブラッグ回折格子により規定される単一モード発振を、広い温度範囲で無温調で得ることが可能となる。
【００１１】
本発明に係る半導体レーザでは、光出射面の光反射率が最低となるときの光反射率が０．３％以下であることを特徴としてもよい。このようにすれば、ＦＰモードの光出射面からのロスが大きくなり、ＦＰモードが低減される。その結果、ブラッグ回折格子により規定されるＢＧモードでの単一モード発振を得ることができる。
【００１２】
本発明に係る半導体レーザでは、室温において、ＢＧモードの利得ピーク波長がＦＰモードの利得ピーク波長よりも大きいことを特徴としてもよい。このようにすれば、室温よりも高温側のより広い温度範囲で、ブラッグ回折格子により規定される単一モード発振を無温調で得ることができる。
【００１３】
本発明に係る半導体レーザでは、光出射面は誘電体多層膜を含む。かかる誘電体多層膜は、ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲において、ＦＰモードの利得ピーク波長における光出射面の光反射率を０．３％以下とするのに好適である。
【００１４】
本発明に係る半導体レーザの製造方法は、活性領域及びブラッグ回折格子を挟んで対向する光反射面と光出射面とを備える半導体レーザを製造する方法であって、ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲に含まれる所定温度において、ＦＰモードの利得ピーク波長で光反射率が最低となるように光出射面の光反射率を調整する工程を有することを特徴とする。
【００１５】
また本発明に係る半導体レーザの製造方法は、活性領域を挟んで対向する光反射面と光出射面とを有する半導体光増幅素子と、半導体光増幅素子の光出射面と光結合されると共に、光導波領域にブラッグ回折格子が形成された光学部品と、を備える半導体レーザを製造する方法であって、ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲に含まれる所定温度において、ＦＰモードの利得ピーク波長で光反射率が最低となるように光出射面の光反射率を調整する工程を有することを特徴とする。
【００１６】
このように、上記した半導体レーザの製造方法は、ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲に含まれる所定温度において、ＦＰモードの利得ピーク波長で光反射率が最低となるように光出射面の光反射率を調整する工程を有する。したがって、このようにして製造された半導体レーザでは、かかる温度においてＦＰモードの光出射面からのロスが大きくなり、ＦＰモードが低減される。その結果、ブラッグ回折格子により規定されるＢＧモードでの単一モード発振を得ることができる。このように、この半導体レーザの製造方法によれば、ブラッグ回折格子により規定される単一モード発振を、広い温度範囲で無温調で得ることが可能な半導体レーザを得ることが可能となる。なお、本発明はＦＰモードの利得ピーク波長に基づいて光出射面の光反射率を調整している点で、ＤＦＢレーザの単一モード発振を実現するために、ＤＦＢレーザの発振波長に合わせて光出射面の光反射率を調整していた従来の方法とは思想的に全く異なるものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る半導体レーザの構成を模式的に示す断面図である。図１に示すように、半導体レーザ１０は分布帰還型（ＤＦＢ）レーザと呼ばれるものであり、１２００ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯域において使用される。この半導体レーザ１０は、活性領域１２、ブラッグ回折格子１４、光反射面１６、光出射面１８、及び電極２４を備えている。
【００１９】
活性領域１２の構成は周知なものでよく、例えばＧａＩｎＡｓＰの多重量子井戸構造を有している。
【００２０】
ブラッグ回折格子１４は、活性領域１２に隣接して設けられている。このブラッグ回折格子１４のピッチをΛとし、実効屈折率をｎｅｆｆとすると、
λＢＧ＝２ｎｅｆｆ・Λ  ・・・  （１）
で表されるブラッグ波長λＢＧの光が選択され、光出射面１８から出射される。
【００２１】
光反射面１６は、半導体レーザ１０の後端側に設けられている。この光反射面１６は、光反射率の高い反射膜２０を含んでいる。反射膜２０の構成としては周知のものを用いることができ、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）とシリコンナイトライド（ＳｉＮ）との誘電体多層膜から形成されている。かかる反射膜２０を含むことにより、光反射面１６は８０％〜９５％程度の光反射率を有する。
【００２２】
光出射面１８は、光反射面１６とは反対側の半導体レーザ１０の前端側に設けられている。この光出射面１８は、光反射率を低減するための反射防止膜２２を含んでいる。この反射防止膜２２を含む光出射面１８の光反射率は、ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲において、ＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰで光反射率が最低となるように調整されている。そして、光出射面１８の光反射率が最低となるときの光反射率は０．３％以下、好ましくは０％〜０．１％とされている。
【００２３】
ここで、ＦＰモードとは、半導体レーザ１０の光反射面１６と光出射面１８とで形成される共振器により発振するモードのことをいう。ＦＰモードの利得は、活性領域１２の利得として与えられ、ＦＰモードは、活性領域１２の利得ピーク波長で発振する。
【００２４】
また、ＢＧモードとは、ブラッグ回折格子１４により規定されるモードで発振するモードのことをいう。そして、ＢＧモードは、ブラッグ回折格子１４のピッチΛにより決定される波長λＢＧで発振する。特に、ＤＦＢレーザについては、ＢＧモードのことをＤＦＢモードと呼ぶ。
【００２５】
このような反射防止膜２２は、誘電体多層膜により構成することができる。このような誘電体多層膜としては、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＯ２、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３／Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５、α−Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３が挙げられる。これらの誘電体多層膜は、イオン照射蒸着あるいはＥＣＲ−ＣＶＤ（Electron Cyclotron Resonance Plasma CVD）により形成することができる。
【００２６】
また本実施形態に係る半導体レーザ１０では、室温において、ＢＧモードの利得ピーク波長λＢＧがＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰよりも大きいと好ましい。ここで本明細書において「室温」とは２５℃のことをいう。このようにすれば、室温よりも高温側のより広い温度範囲で、ブラッグ回折格子１４により規定されるＢＧモードでの単一モード発振を無温調で得ることができる。
【００２７】
ここで、以上の構成について、図を参照して説明する。図２は、室温ＲＴ（２５℃）、低温ＬＴ（例えば、−４０℃）、及び高温ＨＴ（例えば、８５℃）における、ＢＧモードの利得とＦＰモードの利得（活性領域１２の利得）との関係を示すグラフである。図２のグラフにおいて、真中、左下、及び右上のグラフは、それぞれ室温ＲＴ、低温ＬＴ、及び高温ＨＴにおけるＢＧモードの利得ｇＢＧとＦＰモードの利得ｇＦＰ（太線で示す）との関係を示している。図２に示すように、ＦＰモード及びＢＧモードの利得は温度依存性を示し、ＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰ及びＢＧモードの利得ピーク波長λＢＧは、温度に応じてシフトする。なお、ＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰの単位温度当たりのシフト量は０．４ｎｍ／℃程度であり、０．１ｎｍ／℃程度であるＢＧモードの利得ピーク波長λＢＧの単位温度当たりのシフト量よりも大きい。
【００２８】
図２に示すように、室温ＲＴにおいては、ＢＧモードの利得ｇＢＧ−ＲＴのピーク値は、ＦＰモードの利得ｇＦＰ−ＲＴのピーク値よりも大きく、ＢＧモードでの単一モード発振がなされる。ここで、使用する全温度範囲においてＤＦＢモードで単一モード発振させるためには、全温度範囲でＢＧモードの利得ｇＢＧ−ＲＴのピーク値が、ＦＰモードの利得ｇＦＰ−ＲＴのピーク値よりも大きくなければならない。
【００２９】
しかしながら、低温ＬＴにおいては、図２の左下のグラフに示すように、ＦＰモードの利得ｇＦＰ−ＬＴが大きくなり、そのピーク値はＢＧモードの利得ｇＢＧ−ＬＴのピーク値よりも大きくなる。このとき、本実施形態に係る半導体レーザ１０では、ＦＰモードの利得ピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きい温度範囲において、ＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰで光反射率が最低となるように反射防止膜２２が形成され、光出射面１８の光反射率が調整されている。そして、光出射面１８の光反射率が最低となるときの光反射率は０．３％以下とされている。したがって、ＦＰモードの光出射面１８からのロスが大きくなり、図２の左下のグラフにおいて破線で示すように、ＦＰモードが低減されて、ＢＧモードでの単一モード発振を得ることができる。
【００３０】
また、本実施形態に係る半導体レーザ１０では、図２の真中のグラフに示すように、室温ＲＴにおいて、ＢＧモードの利得ピーク波長λＢＧがＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰよりも大きいと好ましい。ここで、ディチューニング量ΔＤＥＴを以下の（２）式で定義する。
【００３１】
ΔＤＥＴ＝λＢＧ−λＦＰ  ・・・  （２）
このディチューニング量ΔＤＥＴは、使用する温度範囲における両端ＬＴ，ＨＴにおいて、ＢＧモードの利得ピーク波長λＢＧとＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰとの差の絶対値|λＦＰ−λＦＰ|が、発振限界を示す最大離調幅ΔλＬＴ、ΔλＨＴを越えない範囲で規定される。これは、ＢＧモードの利得ピーク波長λＢＧとＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰとが離れすぎていると、レーザ発振が困難になるからである。
【００３２】
このことを、図３を参照して説明する。図３において、ラインＬ０はＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰが温度に依存してシフトする様子を示し、ラインＬ１、Ｌ２、及びＬ３はＢＧモードの利得ピーク波長λＢＧが温度に依存してシフトする様子を示す。特に、ラインＬ１は室温ＲＴでのディチューニング量ΔＤＥＴが０のときを示し、ラインＬ３は室温ＲＴでのディチューニング量ΔＤＥＴが正の値αのときを示し、ラインＬ２は室温ＲＴでのディチューニング量ΔＤＥＴが負の値βのときを示している。図３に示すように、室温ＲＴにおけるディチューニング量ΔＤＥＴがβからαの範囲に規定されることで、使用する温度範囲における両端ＬＴ，ＨＴにおいてもＢＧモードでの単一モード発振を得ることができる。一般に、使用温度範囲が−４０℃から８５℃のとき、最大離調幅ΔλＬＴ、ΔλＨＴは２２ｎｍ程度であるため、ディチューニング量ΔＤＥＴは−１０ｎｍ〜＋８ｎｍの範囲に規定されると好ましい。ただし、ディチューニング量ΔＤＥＴが−１０ｎｍ〜−７ｎｍの範囲では、高温領域での閾値電流が増加したり発光効率が低下したりしてＩ（電流）−Ｌ（光出力）特性が劣化するおそれがあるため、高温領域でのＩ−Ｌ特性の観点からは、ディチューニング量ΔＤＥＴは−７ｎｍ〜＋８ｎｍであるとより好ましい。
【００３３】
ＣＷＤＭ光ファイバ通信で長波長（波長λ＞１５８０ｎｍ）のチャネルの信号光を発生するＤＦＢレーザでは、室温ＲＴにおけるディチューニング量ΔＤＥＴをプラス側へ可能な限り大きくすることで、高温特性の向上を図ることができる。なお、室温ＲＴにおけるディチューニング量ΔＤＥＴをプラス側へ大きくすると、低温ＬＴでＦＰモードの増大によりサイドモード抑圧比ＳＭＳＲが大きく劣化するが、本実施形態に係る半導体レーザ１０は、前述した光出射面１８を備えるため、低温領域でもＢＧモードでの単一モード発振を得ることができる。
【００３４】
このように、本実施形態に係る半導体レーザ１０によれば、ブラッグ回折格子１４により規定されるＢＧモードでの単一モード発振を、広い温度範囲で無温調で得ることが可能となる。
【００３５】
次に、上記した本実施形態に係る半導体レーザ１０の一実施例について説明する。この実施例では、使用温度範囲が−４０℃〜＋８５℃であり、室温ＲＴにおけるＢＧモードの発振波長λＢＧが１５９０ｎｍである仕様について考える。
【００３６】
活性領域１２は、ＧａＩｎＡｓＰの多重量子井戸構造を有する。ブラッグ回折格子１４のピッチΛは、室温ＲＴにおけるＢＧモードの発振波長λＢＧが１５９０ｎｍとなるように設定されている。ディチューニング量ΔＤＥＴは、＋２ｎｍに設定されている。したがって、室温ＲＴにおけるＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰは、（２）式より１５８８ｎｍに設定されている。このとき、光出射面１８が含む反射防止膜２２は、図４に示すように、室温ＲＴにおけるＦＰモードの利得ピーク波長λＰＬよりも４５ｎｍ小さい１５４３ｎｍで、最低反射率が０．０５％となっている。このような反射防止膜２２として、内側からＡｌ２Ｏ３（１８０ｎｍ）とＴｉＯ２（５０ｎｍ）との２層からなる誘電体多層膜が、イオン照射蒸着により形成されている。なお、図４において破線は、−４０℃でのＦＰモードの利得を示している。ここで、反射防止膜２２を含む光出射面１８の光反射率は、例えば、半導体レーザ１０をレーザ発振させ、ＦＰモードを含む発振スペクトルを測定してＦＰモードの光ピーク強度から求めたり、あるいはレーザの光出射面１８及び光反射面１６から出射される光の強度比から求めたりすることができる。
【００３７】
図５（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ温度が−４０℃、２５℃、及び８５℃のときの半導体レーザ１０の発振スペクトルを示している。図５に示すように、この実施例に係る半導体レーザ１０では、−４０℃〜８５℃のいずれの温度においてもＢＧモードでの単一モード発振を得ることができることが分かる。
【００３８】
これに対し、図６（ａ）〜（ｃ）は、比較例として波長１５９０ｎｍで最低反射率が０．５％である反射防止膜を備える従来の半導体レーザ（反射防止膜以外は上記した実施例と同一の構成を有する）について、それぞれ温度が−４０℃、２５℃、及び８５℃のときの発振スペクトルを示している。比較例に係る半導体レーザでは、−４０℃の低温でＳＭＳＲが大幅に劣化してＦＰモードの利得が大きくなり、そのピーク値がＢＧモードの利得ピーク値より大きくなって、ＦＰモードでの発振が生じることが分かる。
【００３９】
このように、図５及び図６を参照すると、実施例に係る半導体レーザ１０では、光出射面１８に上記した特徴的な反射防止膜２２を含むため、低温領域でのＦＰモードの低減が図られ、全ての温度範囲でＢＧモードでの単一モード発振を得ることが可能となることが確かめられた。
【００４０】
図７は、低温領域（−４０℃）で実施例に係る半導体レーザ（白棒で示す）と比較例にかかる半導体レーザ（斜線棒で示す）とのＳＭＳＲを評価し、良品と不良品とに分けた結果を示している。比較例に係る半導体レーザでは、ＳＭＳＲの劣化により不良品とされるものが多いのに対し、実施例に係る半導体レーザではＳＭＳＲは良好で良品が多く得られることが確かめられた。
【００４１】
なお、上記した実施形態では半導体レーザ１０としてＤＦＢレーザについて説明したが、図８に示すように、半導体レーザ１０は分布反射型半導体レーザ（ＤＢＲレーザ）であってもよい。
【００４２】
また、半導体レーザは、図９及び図１０に示すように、外部共振器型の半導体レーザ３０であってもよい。図９及び図１０に示す半導体レーザ３０は、半導体光増幅素子３２と、光学部品３４とを備えている。
【００４３】
半導体光増幅素子３２は、活性領域１２、光反射面１６、光出射面１８、及び電極２４を有している。光反射面１６は、反射膜２０を含んでいる。光出射面１８は、前述したような特徴的な構成の反射防止膜２２を含んでいる。光反射面１６及び光出射面１８は、活性領域１２を挟んで対向配置されている。
【００４４】
光学部品３４は、半導体光増幅素子３２と光結合されている。図９に示す半導体レーザ３０では、この光学部品３４としてファイバグレーティングを含んでいる。ファイバグレーティングは、コア３６とこのコア３６を覆うクラッド３８とを含む光ファイバから構成されており、コア３６の所定領域にブラッグ回折格子１４が形成されている。一方、図１０に示す半導体レーザ３０では、この光学部品３４として平面光導波路（ＰＬＣ）グレーティングを含んでいる。ＰＬＣグレーティングは、平面基板上に設けられた光導波領域としてのコア３６の所定領域に、ブラッグ回折格子１４が形成されたものである。
【００４５】
このような外部共振器型の半導体レーザ３０においても、前述した特徴的な構成の反射防止膜２２を含む光出射面１８を備えることで、前述した半導体レーザ１０と同様の作用効果を奏することができる。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、ブラッグ回折格子により規定される単一モード発振を、広い温度範囲で無温調で得ることが可能な半導体レーザが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係る半導体レーザ（ＤＦＢレーザ）の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】室温ＲＴ（２５℃）、低温ＬＴ（例えば、−４０℃）、及び高温ＨＴ（例えば、８５℃）における、ＢＧモードの利得とＦＰモードの利得（活性領域の利得）との関係を示すグラフである。
【図３】ＦＰモードの利得ピーク波長λＦＰ、及びＢＧモードの利得ピーク波長λＢＧが温度に依存してシフトする様子を示すグラフである。
【図４】実施例に係る半導体レーザが備える反射防止膜の反射スペクトルを示す図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ温度が−４０℃、２５℃、及び８５℃のときの実施例に係る半導体レーザの発振スペクトルを示している。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ温度が−４０℃、２５℃、及び８５℃のときの比較例に係る半導体レーザの発振スペクトルを示している。
【図７】低温領域（−４０℃）で実施例に係る半導体レーザ（白棒で示す）と比較例にかかる半導体レーザ（斜線棒で示す）とのＳＭＳＲを評価し、良品と不良品とに分けた結果を示すグラフである。
【図８】実施形態に係る半導体レーザ（ＤＢＲレーザ）の構成を模式的に示す断面図である。
【図９】実施形態に係る半導体レーザ（外部共振器型レーザ）の構成を模式的に示す断面図である。
【図１０】実施形態に係る半導体レーザ（外部共振器型レーザ）の構成を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１０，３０…半導体レーザ、１２…活性領域、１４…ブラッグ回折格子、１６…光反射面、１８…光出射面、２０…反射膜、２２…反射防止膜、３２…半導体光増幅素子、３４…光学部品、３６…コア、３８…クラッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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