(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板の間に介在される液晶層と、
前記第１の基板と第２の基板のうちの一方の基板側に固定されたスペーサを有する液晶表示装置において、
前記第１の基板と第２の基板のうちの他方の基板に前記スペーサを嵌合させる凹陥部が形成され、該凹陥部はその側面が逆テーパになっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記凹陥部は、表面に対して底面側で面積が大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記他方の基板はＴＦＴ基板であり、該基板の保護膜に前記凹陥部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、液晶を介して互いに対向配置される透明基板の間に介在されるスペーサを備える液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶を介して互いに対向配置される透明基板の間にスペーサを介在させることによって、液晶の層厚を一定とすることができ、表示むらの発生を防止することができる。
【０００３】
このスペーサとしては、たとえばビーズ状のものがあり、一方の基板の液晶側の面に該スペーサを散在させた状態で他方の基板を対向配置させるようになっている。
【０００４】
しかし、このビーズ状のスペーサは、凹凸がある基板面に散在させることから、あるスペーサは凹部に他のスペーサは凸部に位置づけられてしまい、他方の基板を対向配置させても、それらの基板のギャップは所定どおりにならない場合がある。
【０００５】
これに対して、他のスペーサとして、一方の基板の液晶側の面に予め該基板の所定の個所に固定させて形成したものがある。
【０００６】
この場合、凹凸がある基板面のうちたとえば凹部に該スペーサを形成することによって、他方の基板を対向配置させた際に、それらの基板のギャップは所定どおりに設定できるようになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年における液晶表示パネルの大型化にともない、該スペーサによる基板のギャップ保持は充分でなくなってきていることが指摘されるに到った。
【０００８】
すなわち、基板の周辺から中央部までの長さが大きくなることにより、該中央部における基板の撓みも大きくなることから、その部分におけるスペーサの支持が充分でなくなり、均一なギャップを維持できなくなってしまうからである。
【０００９】
このようになった場合、上述したように、各基板の間に介在される液晶の層厚が一定とならず、表示むらを引き起こすことになる。
【００１０】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、液晶表示パネルの大型化にもかかわらず、基板のギャップを均一にできる液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１２】
すなわち、本発明による液晶表示装置は、第１の基板と第２の基板の間に介在される液晶層と、前記第１の基板と第２の基板のうちの一方の基板側に固定されたスペーサを有する液晶表示装置において、前記第１の基板と第２の基板のうちの他方の基板に前記スペーサを嵌合させる凹陥部が形成され、該凹陥部はその側面が逆テーパになっていることを特徴とするものである。
【００１３】
このように構成された液晶表示装置は、基板の中央部における撓みを第２のスペーサ群によって充分に支持する構成とすることができる。
【００１４】
このため、該基板の撓みによるギャップの不均一を解消でき、表示むらのない液晶表示装置を得ることができるようになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明する。
【００１６】
〔実施例１〕（参考例）
図１は、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置の各画素のうちの一つの画素を示す平面図である。
【００１７】
ここで、この実施例の液晶表示装置において、その液晶は正の誘電率異方性を有するものが用いられるようになっている。
【００１８】
各画素はマトリックス状に配置されて表示部を構成している。このため、図１に示す画素の構成はその左右および上下に隣接する画素の構成と同様となっている。
【００１９】
まず、液晶を介して対向配置される透明基板のうち、一方の透明基板１の液晶側の面において図中ｘ方向に延在する走査信号線（ゲート線）２がたとえばクロム層によって形成されている。このゲート線２は、図中に示すように、たとえば画素領域の下側に形成され、実質的に画素として機能する領域をできるだけ大きくとるようになっている。
【００２０】
そして、このゲート線２は表示部外からゲート信号が供給されるようになっており、後述の薄膜トランジスタＴＦＴを駆動させるようになっている。
【００２１】
また、画素領域のほぼ中央には図中ｘ方向に延在する対向電圧信号線４がたとえばゲート線２と同じ材料によって形成されている。
【００２２】
対向電圧信号線４には対向電極４Ａが一体的に形成され、この対向電極４Ａは画素領域内で該対向電圧信号線４とともにほぼ’Ｈ’字状のパターンで形成されている。
【００２３】
この対向電極４Ａは、後述する画素電極５に供給される映像信号に対して基準となる信号が該対向電圧信号線４を介して供給されるようになっており、該画素電極５との間に前記映像信号に対応した強度の電界を発生せしめるようになっている。
【００２４】
この電界は透明基板１面に対して平行な成分をもち、この成分からなる電界によって液晶の光透過率を制御するようになっている。この実施例で説明する液晶表示装置がいわゆる横電界方式と称される所以となっている。
【００２５】
なお、対向電圧信号線４には表示部外から基準信号が供給されるようになっている。
【００２６】
そして、このようにゲート線２および対向電圧信号線４が形成された透明基板１面には、該ゲート線２および対向電圧信号線４をも含んでたとえばシリコン窒化膜からなる絶縁膜（図示せず）が形成されている。
【００２７】
この絶縁膜は、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能、後述の映像信号線（ドレイン線）３の形成領域においてはゲート線２および対向電圧信号線４に対する層間絶縁膜としての機能、後述の容量素子Ｃａｄｄの形成領域においてはその誘電体膜としての機能を有するようになっている。
【００２８】
このような絶縁膜において、ゲート線２と重畳して薄膜トランジスタＴＦＴが形成され、その部分にはたとえばアモルファスＳｉからなる半導体層６が形成されている。
【００２９】
そして、半導体層６の上面にドレイン電極３Ａおよびソース電極５Ａが形成されることによって、前記ゲート線２の一部をゲート電極とするいわゆる逆スタガ構造の薄膜トランジスタが構成される。
【００３０】
ここで、半導体層６上のドレイン電極３Ａおよびソース電極５Ａは、たとえばドレイン線３の形成時に画素電極５ともに同時に形成されるようになっている。
【００３１】
すなわち、図中ｙ方向に延在するドレイン線３が形成され、このドレイン線３に一体的に形成されるドレイン電極３Ａが半導体層６上に形成されている。
【００３２】
ここで、ドレイン線３は、図中に示すように、たとえば画素領域の左側に形成され、実質的に画素として機能する領域をできるだけ大きくとるようになっている。
【００３３】
また、ソース電極５Ａは、ドレイン線３と同時に形成され、この際、画素電極５と一体的に形成されるようになっている。
【００３４】
この画素電極５は、前述した対向電極４Ａの間を走行するようにして図中ｙ方向に延在するようにして形成されている。換言すれば、画素電極５の両脇にほぼ等間隔に対向電極４Ａが配置されるようになっており、該画素電極５と対向電極４Ａとの間に電界を発生せしめるようになっている。
【００３５】
ここで、図中からも明らかとなるように、画素電極５は、対向電圧信号線４を境にして屈曲されたたとえば逆’く’字状のパターンに構成され、これにともない、該画素電極５と対向する各対向電極４Ａも画素電極５に対して平行に離間されるようにその幅が変化するように構成されている。
【００３６】
すなわち、屈曲された画素電極５がその長手方向において、同図に示すように均一な幅を有している場合、その両脇に位置づけられる対向電極４Ａは、そのドレイン線３側の辺においては該ドレイン線３と平行に、また、画素電極５側の辺においては該画素電極５と平行になって形成されている。
【００３７】
これにより、画素電極５と対向電極４Ａとの間に発生する電界Ｅの方向は、対向電圧共通線４を境として、図中、その下側の画素領域においては該対向電圧共通線４に対して（−）θとなっており、上側の画素領域においては該対向電圧共通線４に対して（＋）θとなっている。
【００３８】
このように、一画素の領域内（必ずしも一画素の領域内に限らず、他の画素との関係であってもよい）において、電界Ｅの方向を異ならしめているのは、一定の初期配向方向に対して液晶分子をそれぞれ逆方向へ回転させて光透過率を変化させることにある。
【００３９】
このようにすることによって、液晶表示パネルの主視角方向に対して視点を斜めに傾けると輝度の逆転現象を引き起こすという液晶表示パネルの視角依存性による不都合を解消した構成となっている。
【００４０】
なお、この実施例では、液晶分子の初期配向方向はドレイン線３の延在方向とほぼ一致づけられており、後述する配向膜におけるラビング方向はドレイン線３に沿ってなされるようになっている。
【００４１】
このため、上述した電界方向θは、該初期配向方向との関係で適切な値が設定されるようになっている。一般的には、このθは、電界Ｅのゲート線２に対する角度の絶対値が電界Ｅのドレイン線３に対する角度の絶対値より小さくなっている。
【００４２】
そして、前記画素電極５において、その対向電圧信号線４に重畳する部分はその面積を大ならしめるように形成され、該対向電圧信号線４との間に容量素子Ｃａｄｄが形成されている。この場合の誘電体膜は前述した絶縁膜となっている。
【００４３】
この容量素子Ｃａｄｄはたとえば画素電極５に供給される映像信号を比較的長く蓄積させるために形成されるようになっている。すなわち、ゲート線２から走査信号が供給されることによって薄膜トランジスタＴＦＴがオンし、ドレイン線３からの映像信号がこの薄膜トランジスタＴＦＴを介して画素電極５に供給される。その後、薄膜トランジスタＴＦＴがオフした場合でも、画素電極５に供給された映像信号は該容量素子Ｃａｄｄによって蓄積されるようになっている。
【００４４】
そして、このように形成された透明基板１の表面の全域には、たとえばシリコン窒化膜からなる保護膜（図示せず）が形成され、たとえば薄膜トランジスタＴＦＴの液晶への直接の接触を回避できるようになっている。
【００４５】
さらに、この保護膜の上面には、液晶の初期配向方向を決定づける配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜は、たとえば合成樹脂膜を被服し、その表面に前述したようにドレイン線の延在方向に沿ったラビング処理がなされることによって形成されている。
【００４６】
このようにして表面加工がなされた透明基板はいわゆるＴＦＴ基板１Ａと称され、その配向膜が形成された面に液晶を介在させていわゆるフィルタ基板１Ｂと称される透明基板を対向配置させることによって液晶表示パネルが完成されることになる。
【００４７】
フィルタ基板１Ｂには、その液晶側の面に画素領域の輪郭を画するブラックマトリックス（その外輪郭を図１に示している）ＢＭ、このブラックマトリックスの開口部（画素領域の周辺を除く中央部に相当する）に形成されたカラーフィルタ、および液晶と接触するようして形成された配向膜等が形成されている。
【００４８】
ここで、フィルタ基板１Ｂ側の配向膜は、ＴＦＴ基板１Ａ側のそれと同様、たとえば合成樹脂膜を被服し、その表面に前述したようにドレイン線３の延在方向に沿ったラビング処理がなされることによって形成されている。
【００４９】
いわゆる横電界方式の液晶表示装置においては、液晶を介して配置されるそれぞれの配向膜における配向方向はいずれもほぼ同方向で、その方向は、本実施例の場合、ドレイン線３の延在方向にほぼ一致づけられている。
【００５０】
さらに、液晶を介して互いに対向配置されるＴＦＴ基板１Ａとフィルタ基板１Ｂとの間にはそれらの間のギャップを保持するため、スペーサ１０が介在されている。上述したように、これにより液晶の層厚を均一なものとして表示むらの発生を防止せんがためである。
【００５１】
この場合のスペーサ１０は、たとえばフィルタ基板１Ｂ側に予め所定の個所に固定されて配置されたもので、本実施例の場合、ドレイン線３に重畳するようにして設けられている。
【００５２】
図２は図１のII−II線における断面を示す図である。フィルタ基板１Ｂ側の透明基板の液晶側の面にはブラックマトリックスＢＭが形成され、このブラックマトリックスＢＭの一部において突起体が形成されることによって、この突起体が前記スペーサ１０として機能するようになっている。
【００５３】
この突起体は、たとえば通常より厚めの遮光材料層を全面に形成し、周知のフォトリソグラフィ技術による選択エッチング方法で形成することができる。その後、再びフォトリソグラフィ技術による選択エッチング方法で開口部を形成することによってブラックマトリックスＢＭを形成することができる。
【００５４】
このブラックマトリックスＢＭは、図１に示すように、ゲート線２およびその近傍、ドレイン線３およびその近傍を被って形成され、その開口部は、画素電極５と対向電極４Ａとの間の領域を露出し、画素電極５と対向電極４Ａの端部を覆い隠すようにして形成されている。
【００５５】
ブラックマトリックスの開口部は、それが大きければ画素の開口率をより向上させることができるが、不要電界（ドレイン線３と対向電極４Ａとの間に生じる）および電界の乱れ（画素電極５と対向電極４Ａの端部の近傍に生じる）を覆い隠すに足りる程度に最大限の大きさに設定されている。
【００５６】
そして、ブラックマトリックスＢＭの開口部にはカラーフィルタ７が形成され、それらを被って平坦膜８が形成され、さらに、この平坦膜８を被うようにして配向膜９が形成されている。
【００５７】
この配向膜９は、上述したように、ドレイン線３の延在方向に沿ってラビング処理がなされたものであり、具体的には、図３に示すように、ローラ１００を配向膜９に当接させた状態でドレイン線３の延在方向に移動させるようになっている。
【００５８】
この場合、同図に示すように、スペーサ１０が形成されている部分はその突起体によって、ローラ１００が浮き上がり、該スペーサ１０の背面側において充分な配向ができない（配向乱れ２００の発生）という不都合が生じる。
【００５９】
しかし、この部分は、図１に示すように、予め形成されているブラックマトリックスの形成領域内において発生するようになっており、該配向乱れによる表示むらを憂うことがないという効果を奏するようになる。
【００６０】
なお、この実施例では、スペーサ１０に起因する配向乱れをブラックマトリックスＢＭ内に位置づけられるように構成したが、特に、この部分においてブラックマトリックスＢＭがない状態であってもよいことはいうまでもない。
【００６１】
ドレイン線３に重畳されたスペーサ１０に起因する配向乱れは遮光領域となる該ドレイン線３によって覆い隠され同様の効果を奏するからである。
【００６２】
また、対向電極４Ａに接続される対向電圧信号線４をドレイン線３と平行に延在させて構成することもでき、このようにした場合に、該スペーサ１０を対向電圧信号線４に重畳するように構成しても同様の効果を奏することはいうまでもない。対向電圧信号線４も該スペーサ１０の遮光領域となるからである。
【００６３】
〔実施例２〕（参考例）
図４は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１と対応した図となっている。
【００６４】
同図において、ゲート線２、対向電圧信号線４、対向電極４Ａ、ドレイン線３、画素電極５等のパターンは図１と同様となっている。
【００６５】
図１の場合と異なる構成は、まず、用いられる液晶は負の誘電率異方性を有するものとなっている。
【００６６】
そして、ＴＦＴ基板１Ａおよびフィルタ基板１Ｂのそれぞの側の配向膜のラビング方向（初期配向方向）はゲート線２の延在方向に沿ってなされるようになっている。
【００６７】
さらに、基板に固定されるスペーサ１０はゲート線２に重畳されるようにして配置されていることにある。
【００６８】
スペーサ１０に起因する配向膜の配向乱れはゲート線２に沿って生じることになり、この場合において、該配向乱れはゲート線２あるいはブラックマトリックスＢＭによる遮光領域によって覆い隠されることになる。
【００６９】
〔実施例３〕（参考例）
図５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図１と対応した図となっている。
【００７０】
そして、この実施例の液晶表示装置において、その液晶は正の誘電率異方性を有するものが用いられるようになっている。また、配向膜のラビング方向によって決定づけられる液晶の初期配向方向はゲート線２に沿って形成されている。
【００７１】
図１の場合と比較して、まず、画素電極５と対向電極４Ａのそれぞれのパターンが異なっている。
【００７２】
すなわち、画素電極５と対向電極４Ａはそれぞれゲート線とほぼ平行に配置されるように構成されている。
【００７３】
具体的には、画素電極５は、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極５Ａから近接するドレイン線３に沿って延在され、その延在部から画素領域内に実質的に機能する画素電極５が延在されている。
【００７４】
この場合、対向電圧信号線４を境にして、その図中上側においては各画素電極５がそれぞれゲート線２に対して（−）θの角度を有して形成され、下側においては各画素電極がそれぞれゲート線２に対して（＋）θの角度を有して形成されている。
【００７５】
また、対向電極４Ａは、前記ドレイン線３に隣接する他方のドレイン線（図示せず）に沿った対向電圧信号線４の延在部から画素領域内に延在されて形成されている。
【００７６】
この場合の対向電極４Ａは前記画素電極５を間にかつ平行に位置づけるようにして延在されている。従って、このため、これら対向電極４Ａのうち幾つかはその幅が変化した状態で形成されるようになっている。
【００７７】
このように構成された画素電極と対向電極との間で発生する電界Ｅは、対向電圧信号線４を境にして、図中その上側における方向と下側における方向とでは異なるようになっている。
【００７８】
しかし、上下のいずれの場合においても、各電界Ｅのゲート線２に対する角度の絶対値がドレイン線３に対する角度の絶対値より大きくなっている。
【００７９】
すなわち、これにより、液晶の分子を一定の初期配向方向（ゲート線２に沿う方向）に対してそれぞれ逆方向に回転できるようにして、上述した液晶表示パネルの視角依存性による不都合を解消した構成となっている。
【００８０】
すなわち、前記初期配向方向は、ゲート線２に沿った方向となっており、ＴＦＴ基板１Ａおよびフィルタ基板１Ｂのそれぞの側の配向膜のラビング方向はゲート線２の延在方向にほぼ一致づけられている。
【００８１】
そして、基板に固定されるスペーサ１０はゲート線２に重畳されるようにして配置されていることにある。
【００８２】
スペーサ１０に起因する配向膜の配向乱れはゲート線２に沿って生じることになり、この場合においても、該配向乱れはゲート線２あるいはブラックマトリックスＢＭによる遮光領域によって覆い隠されることになる。
【００８３】
〔実施例４〕（参考例）
図６は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図５と対応した図となっている。
【００８４】
同図において、ゲート線２、対向電圧信号線４、対向電極４Ａ、ドレイン線３、画素電極５等のパターンは図５と同様となっている。
【００８５】
図５の場合と異なる構成は、まず、用いられる液晶は負の誘電率異方性を有するものとなっている。
【００８６】
そして、ＴＦＴ基板１Ａおよびフィルタ基板１Ｂのそれぞの側の配向膜のラビング方向（初期配向方向）はゲート線２とほぼ直交する方向に沿ってなされるようになっている。
【００８７】
さらに、基板に固定されるスペーサ１０はドレイン線３に重畳されるようにして配置されていることにある。
【００８８】
スペーサ１０に起因する配向膜の配向乱れはドレイン線３に沿って生じることになり、この場合において、該配向乱れはドレイン線３あるいはブラックマトリックスＢＭによる遮光領域によって覆い隠されることになる。
【００８９】
〔実施例５〕（参考例）
図７は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図である。
【００９０】
同図（ａ）は、液晶表示装置の各画素の配列の状態を示しているものである。図中、黒枠はブラックマトリックスＢＭを示し、その開口部は各画素を示している。
【００９１】
いわゆるデルタ配置と称されるもので、隣接するゲート線（図中ｘ方向に延在する）に沿うそれぞれの画素群が１／２ピッチずれて配置されている。このような画素の配置はカラー表示における一画素に相当するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素が互いに近接して配置されることからカラー表示品質を良好なものとできることが知られている。
【００９２】
このような場合において、基板に固定されるスペーサはゲート線に重畳されるように配置されるとともに、配向膜のラビング方向（初期配向方向）はゲート線に沿った方向となっている。
【００９３】
このように構成することによって、スペーサに起因する配向膜の配向乱れはブラックマトリックスの形成領域内に配置され、その開口部から露出することがないので、表示の品質を劣化させるようなことがなくなる。
【００９４】
さらに詳細に説明すると、仮に、同図（ｂ）の構成で、基板に固定されるスペーサをドレイン線に重畳して配置させるとともに、配向膜のラビング方向（初期配向方向）をゲート線に直交する方向とした場合に、スペーサ１０に起因する配向膜の配向乱れは１／２ピッチずれた下段（あるいは上段）の画素領域（ブラックマトリックスの開口部内）にまで及んで形成され、表示の品質の劣化をもたらすことになってしまうからである。
【００９５】
そして、この実施例に示す液晶表示装置において、横電界方式を採用する場合には、たとえば上述した実施例のうち図４および図５の画素構成とすることができるようになる。
【００９６】
図４および図５の場合、そのいずれも基板に固定されるスペーサ１０はゲート線２に重畳されるように配置されるとともに、配向膜のラビング方向（初期配向方向）はゲート線２に沿った方向となっているからである。
【００９７】
なお、この実施例に示す液晶表示装置においていわゆる縦電界方式を採用できることはいうまでもない。
【００９８】
すなわち、縦電界方式の液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各透明基板側の配向膜はそれぞれ互いに直交する方向にラビング処理がなされている。
【００９９】
このため、スペーサをＴＦＴ基板側に固定させる場合には、そのスペーサをゲート線に重畳する位置に配置させるとともに、該ＴＦＴ基板側の配向膜のラビング処理の方向をゲート線に沿った方向とすればよい。また、スペーサをフィルタ基板側に固定させる場合には、そのスペーサをゲート線に重畳する位置に配置させるとともに、該フィルタ基板側の配向膜のラビング処理の方向をゲート線に沿った方向とすればよい。
【０１００】
〔実施例６〕（参考例）
上述の実施例５と同様に、いわゆるデルタ配置の構成としては、隣接するドレイン線に沿うそれぞれの画素群が１／２ピッチずれているものも知られている。
【０１０１】
この場合、基板に固定されるスペーサはドレイン線に重畳されるように配置されるとともに、配向膜のラビング方向（初期配向方向）はドレイン線に沿った方向となっている。
【０１０２】
そして、この実施例に示す液晶表示装置において横電界方式を採用する場合には、たとえば上述した実施例のうち図１および図６の画素構成とすることができるようになる。
【０１０３】
図１および図６の場合、そのいずれも基板に固定されるスペーサ１０はドレイン線３に重畳されるように配置されるとともに、配向膜のラビング方向（初期配向方向）はゲート線とほぼ直交する方向となっているからである。
【０１０４】
また、縦電界方式の液晶表示装置の場合、スペーサをＴＦＴ基板側に固定させる場合には、そのスペーサをドレイン線に重畳する位置に配置させるとともに、該ＴＦＴ基板側の配向膜のラビング処理の方向をドレイン線に沿った方向とすればよい。また、スペーサをフィルタ基板側に固定させる場合には、そのスペーサをドレイン線に重畳する位置に配置させるとともに、該フィルタ基板側の配向膜のラビング処理の方向をドレイン線に沿った方向とすればよい。
【０１０５】
〔実施例７〕（参考例）
上述した実施例６では、画素がデルタ配置された縦電界方式の液晶表示装置について説明したものである。
【０１０６】
しかし、画素がデルタ配置されていない縦電界方式の液晶表示装置においても本発明を適用することができる。
【０１０７】
上述したように縦電界方式の液晶表示装置は液晶を介して対向配置される各透明基板のそれぞれの配向膜のラビング方向は直交しており、一方の基板側の配向膜のラビング方向は任意に設定することができる。
【０１０８】
このため、スペーサをＴＦＴ基板側に固定し、かつ、そのＴＦＴ基板側の配向膜のラビング方向をゲート線に沿って設定した場合、該スペーサはゲート線に重畳する位置に配置させるようにすればよい。また、スペーサをフィルタ基板側に固定し、かつ、そのＴＦＴ基板側の配向膜のラビング方向をゲート線とほぼ直交する方向に沿って設定した場合、該スペーサはドレイン線に重畳する位置に配置させるようにすればよい。
【０１０９】
さらに、スペーサをＴＦＴ基板側に固定し、かつ、そのＴＦＴ基板側の配向膜のラビング方向をゲート線に直交する方向に沿って設定した場合、該スペーサはドレイン線に重畳する位置に配置させるようにすればよい。また、スペーサをフィルタ基板側に固定し、かつ、そのＴＦＴ基板側の配向膜のラビング方向をゲート線に沿って設定した場合、該スペーサはゲート線に重畳する位置に配置させるようにすればよい。
【０１１０】
〔実施例８〕（参考例）
図８は、本発明による液晶表示装置のうち横電界方式における他の実施例を示す図である。
【０１１１】
同図は、液晶表示装置の各ゲート線のうちの一つに沿って切断された断面図であり、ＴＦＴ基板１Ａに対向するフィルタ基板１Ｂの側に固定されたスペーサ１０が備えられている。
【０１１２】
そして、前記スペーサ１０は、各基板のギャップを保持するスペーサ（第１スペーサ１０Ｂと称す：図中領域Ｂに存在する）と、特に、各ゲート線の両端にそれぞれ重畳されて配置されるスペーサ（第２スペーサ１０Ａと称す：図中領域Ａに存在する）からなっている。
【０１１３】
さらに、フィルタ基板１Ｂの液晶側の面には、ＴＦＴ基板１Ａ側の各ゲート線にそれぞれ重畳するようにしてそれぞれ導電層２１が形成されている。
【０１１４】
この場合、これら各導電層２１は、必然的に第２スペーサ１０Ａを被服する状態で形成されることになり、この第２スペーサ１０Ａの個所で対向配置されるゲート線２と電気的な接続がなされるようになる。
【０１１５】
このことから、ゲート線２は、それ本来の信号線とは別に迂回回路を備えることになり、たとえゲート線２に断線が発生したとしても、その断線は該迂回回路によって保護される効果を奏するようになる。
【０１１６】
そして、上述した実施例は、ゲート線２の保護回路について説明したものであるが、ドレイン線３を保護する場合にもそのまま適用できることはいうまでもない。この場合、図中のゲート線２がドレイン線３に置き換えられることとなる。
【０１１７】
なお、この実施例は、上述した各実施例のうち横電界方式の液晶表示装置の構成において適用してもよいことはいうまでもない。
【０１１８】
〔実施例９〕（参考例）
図９は、本発明による液晶表示装置のうち縦電界方式のものの他の実施例を示す図である。
【０１１９】
同図は、液晶表示装置の各ゲート線２のうちの一つに沿って切断された断面図であり、ＴＦＴ基板１Ａに対向するフィルタ基板１Ｂの側に固定されたスペーサ１０が備えられている。
【０１２０】
前記スペーサ１０は、各基板のギャップを保持するスペーサ（第１スペーサと称す：図中領域Ｂに存在する）１０Ｂと、特に、各基板をシールするシール材２４の近傍に配置されたスペーサ（第３スペーサと称す：図中領域Ａに存在する）１０Ａからなっている。
【０１２１】
この第３スペーサ１０Ａは、その形成時において第１スペーサ１０Ｂと同時に形成されるようになっている。
【０１２２】
そして、フィルタ基板１Ｂの液晶側の面には、前記各スペーサをも被って各画素に共通な共通電極（透明電極）２２が形成されている。
【０１２３】
また、前記各スペーサのうち第３スペーサ１０Ａと当接するＴＦＴ基板１Ａ面に、該第３スペーサ１０Ａを被う共通電極２２と電気的に接続される導電層２３が形成されている。
【０１２４】
この導電層２３はＴＦＴ基板１Ａ上でシール材２４を超えて延在され、前記共通電極２２に基準信号を供給するための端子に接続されるようになっている。
【０１２５】
したがって、ＴＦＴ基板１Ａ上の該端子に基準信号を供給した場合に、この基準信号は、第３スペーサ１０Ａの部分を介してフィルタ基板１Ｂ側の共通電極に供給されるようになる。
【０１２６】
このように構成した液晶表示装置は、共通電極２２をＴＦＴ基板１Ａ面に引き出すための導電手段を特に設ける必要がなくなるという効果を奏するようになる。  なお、この実施例は、上述した各実施例のうち縦電界方式の液晶表示装置の構成において適用してもよいことはいうまでもない。
【０１２７】
〔実施例１０〕（参考例）
上述した各実施例では、ＴＦＴ基板側にスペーサを固定させたもの、あるいはフィルタ基板側にスペーサを固定させたものを説明した。
【０１２８】
しかし、薄膜トランジスタの特性劣化を特に防止する必要がある場合には、フィルタ基板側にスペーサを固定させることが好ましい。
【０１２９】
ＴＦＴ基板側にスペーサを固定させる場合、そのスペーサを形成するためのフォトリソグラフィ技術による選択エッチング工程の増加をもたらし、それに用いる薬剤等によって薄膜トランジスタの劣化をもたらすことになるからである。
【０１３０】
また、ＴＦＴ基板に対してスペーサを位置的に精度よく配置させる必要がある場合には、ＴＦＴ基板側にスペーサを固定させることが好ましい。
【０１３１】
フィルタ基板側にスペーサを固定させる場合、そのフィルタ基板をＴＦＴ基板に対して対向配置させる際に位置づれが生じて、スペーサをＴＦＴ基板に対して位置的に精度よく配置させることができない場合があるからである。
【０１３２】
〔実施例１１〕（参考例）
図１０は、フィルタ基板１Ｂ側に固定して形成されたスペーサ１０の詳細を示した断面図である。
【０１３３】
フィルタ基板１Ｂの液晶側の面には、ブラックマトリックスＢＭ、カラーフィルタ７が形成され、それらの上面に表面を平坦にするため、熱硬化性の樹脂膜からなる平坦膜８が形成されている。
【０１３４】
そして、この平坦膜８の所定の個所にスペーサ１０が形成されているが、このスペーサ１０は、光硬化性の樹脂膜から構成されている。
【０１３５】
光硬化性の樹脂膜によってスペーサ１０を構成することによって、選択エッチングの工程を行う必要がなくなることから、製造工程の低減を図れるようになる。  なお、この実施例は、上述した各実施例の構成においてそれぞれ適用してもよいことはいうまでもない。
【０１３６】
また、必ずしもフィルタ基板１Ｂ側に限定する必要はなく、ＴＦＴ基板１Ａ側に形成する場合にも適用することができる。
【０１３７】
〔実施例１２〕（参考例）
図１１（ａ）は、表示部において、各画素の輪郭を画するブラックマトリックスＢＭに重畳するようにして配置されたスペーサ１０を示す図である。
【０１３８】
このようにして配置されるスペーサ１０は表示部全体として均一に配置されているが、互いに隣接されたほぼ同数の画素に対して一つのスペーサ１０が配置されるようになっている。
【０１３９】
表示部におけるスペーサ１０の数を減らし、これにともない該スペーサに起因する配向乱れを少なくしている。
【０１４０】
これにより、光漏れ（特に黒表示の場合）によるコントラストの防止が図れる効果を奏する。
【０１４１】
〔実施例１３〕（参考例）
図１１（ｂ）は、実施例１２と同様に、表示部におけるスペーサ１０の数を減らしているとともに、その配置が均一ではなく、ランダム（均一性なく）になっている点が実施例１２と異なっている。
【０１４２】
人間の視覚の特性として、光漏れの部分が繰り返しパターンで発生している場合それを認識し易いことから、スペーサを均一性なく配置させることによって、その不都合を解消している。
【０１４３】
〔実施例１４〕（参考例）
図１２は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図で、図２あるいは図１０に対応した図となっている。
【０１４４】
同図において、スペーサ１０が固定された側の透明基板と対向する他の透明基板との間の該スペーサ１０の当接部に接着剤３０が介在されている。
【０１４５】
該スペーサ１０の当接部は配向膜同士の接触部であり、これらは同材料であることから固着力が弱いという不都合が生じる。
【０１４６】
それ故、該接着剤としてたとえばＳｉカップリング剤を用いることにより、各透明基板の間のギャップの保持の信頼性を確保することができるようになる。
【０１４７】
次に、このような構成からなる液晶表示装置の製造方法の一実施例を図１３を用いて説明する。
【０１４８】
工程１．
一方の基板にスペーサ１０を形成し、そのスペーサ１０をも被って配向膜が形成されたものを用意する（同図（ａ））。
【０１４９】
工程２．
接着剤が満たされた容器に、前記基板を近接させ、そのスペーサ１０の頂部に該接着剤３０の表面を接触させる（同図（ｂ））。
【０１５０】
工程３．
これにより、スペーサ１０の頂部に接着剤３０が塗布されるようになる（同図（ｃ））。
【０１５１】
工程４．
上記基板を他の基板と対向配置させる（同図（ｄ））。
【０１５２】
工程５．
熱処理を加えることにより、接着剤３０を硬化させる。これにより、スペーサ１０は各基板のそれぞれに固着された状態となる（同図（ｅ））。
【０１５３】
また、上述した構成からなる液晶表示装置の製造方法の他の実施例を図１４を用いて説明する。
【０１５４】
工程１．
一方の基板にスペーサ１０を形成し、そのスペーサ１０をも被って配向膜が形成されたものを用意する（同図（ａ））。
【０１５５】
工程２．
接着剤３０が満たされた容器でローラ３１を備える装置を用意し、該ローラ３１の回転によってその表面に付着する接着剤を前記スペーサの頂部に塗布させる（同図（ｂ））。
【０１５６】
工程３．
これにより、スペーサ１０の頂部に接着剤３０が塗布されるようになる（同図（ｃ））。
【０１５７】
工程４．
上記基板を他の基板と対向配置させる（同図（ｄ））。
【０１５８】
工程５．
熱処理を加えることにより、接着剤３０を硬化させる。これにより、スペーサ１０は各基板のそれぞれに固着された状態となる（同図（ｅ））。
【０１５９】
なお、この実施例は、上述した各実施例の液晶表示装置の構成において適用してもよいことはいうまでもない。
【０１６０】
〔実施例１５〕
図１５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図である。
【０１６１】
同図は、スペーサ１０が固定された基板に対向する他の基板側に、該スペーサの頂部が嵌め込まれる凹陥部４０を備えている。
【０１６２】
そして、この凹陥部４０はたとえばＴＦＴ基板１Ａの側の保護膜４１に形成されており、その表面に対して底面側において面積の大きないわゆる逆テーパ状となっている。
【０１６３】
このように構成した場合、スペーサ１０は、その頂部が該凹陥部４０に食い込んで配置され、ＴＦＴ基板１Ａに対して接着された状態と同様になる。
【０１６４】
また、図１６は、同様の趣旨で構成された他の実施例であり、前記凹陥部４０と同様の機能を有する手段を一対の信号線（配線）４２の間の溝で構成したものである。
【０１６５】
そして、この場合、各信号線の互いに対向する辺部が逆テーパ状となっている。  なお、この実施例では、前記凹陥部においてスペーサ１０の頂部が食い込むようにして構成されているが、必ずしも、このような構成に限定されることはなく、たとえば比較的ゆとりのある状態でスペーサ１０が嵌め込まれるように構成してもよい。
【０１６６】
このようにした場合、各基板の離間する方向に対してはその移動を規制できない（しかし、この機能はシール材が担当する）が、各基板の水平方向の移動を規制できるようになるからである。
【０１６７】
また、この場合、スペーサ１０と前記凹陥部とで、各基板を対向配置させる際の位置決め手段として用いることもできるようになる。
【０１６８】
〔実施例１６〕（参考例）
図１７は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図である。
【０１６９】
同図は、ゲート線２あるいはドレイン線３等の信号線に重畳されて形成されたスペーサ１０を示し、該信号線に沿って形成されたブラックマトリックスＢＭは、該スペーサ１０の近傍にてその幅が該スペーサの近傍で幅広になって形成されている。
【０１７０】
換言すれば、スペーサ１０を被うブラックマトリックスＢＭは、該スペーサ１０の近傍において該スペーサを中心とする径をもつ輪郭を有するパターンとなっている。
【０１７１】
この場合、この実施例では、配向膜のラビング方向は信号線に沿った方向となっており、該ラビング処理によるスペーサ１０に起因する配向乱れはブラックマトリックス１０それ自身によって覆い隠されるのが通常であるが、該配向乱れの発生する領域が大きくなってしまう場合があることから、これを事前に解消せんとするものである。
【０１７２】
なお、この実施例では、配向膜のラビング方向は信号線に沿って形成されたものとしたものであるが、ブラックマトリックスＢＭを幅広に形成してスペーサ１０に起因する配向乱れを覆い隠すという趣旨から、該配向膜のラビング方向は信号線に対して角度を有する方向であっても適用できることはもちろんである。
【０１７３】
〔実施例１７〕（参考例）
図１８は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図で、図１７に対応した図となっている。
【０１７４】
同図は、まず、図１７の場合と異なり、配向膜のラビング方向が図中に示すように、信号線に対して角度（θ）を有するようになっている。
【０１７５】
この場合、スペーサに起因する配向膜の配向乱れは、信号線に対して角度θの方向に延在して発生するようになる。
【０１７６】
このため、ブラックマトリックスＢＭは、特に、該配向乱れが発生している側にて、その延在方向の他の部分の幅よりも大きく形成されている。
【０１７７】
換言すれば、スペーサ１０を被うブラックマトリックスＢＭは、該スペーサ１０の近傍において該スペーサを中心とする径をもつ輪郭を有するが、この径は配向乱れが発生する方向において特に大きく形成されている。
【０１７８】
そして、このことから、配向膜のラビング方向であってスペーサ１０に起因する配向乱れが生じていない方向は、特にブラックマトリックスＢＭによって覆い隠す必要に乏しいことから、図１９に示すように、幅広の部分をブラックマトリックスの一辺側のみに形成するようにしてもよいことはいうまでもない。
【０１７９】
〔実施例１８〕（参考例）
図２０は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図である。
【０１８０】
同図は、ゲート線２あるいはドレイン線３等の信号線に重畳されて形成されたスペーサ１０を示し、該スペーサ１０の近傍における該信号線の両脇に遮光金属層５０が形成された構成となっている。
【０１８１】
この実施例では、該遮光金属層５０は信号線に分離されて形成され、それらの間の隙間はブラックマトリックスＢＭによって遮光されるようになっている。
【０１８２】
そして、この場合も、配向膜のラビング方向は信号線に沿った方向となっており、該ラビング処理によるスペーサ１０に起因する配向乱れは信号線あるいはブラックマトリックスＢＭ自身によって覆い隠されるのが通常であるが、該配向乱れの発生する領域が大きくなってしまう場合があることから、これを事前に解消せんとするものである。
【０１８３】
なお、前記遮光金属膜５０は、信号線と同層であってもよく、また、異層であってもよい。
【０１８４】
遮光金属膜５０を信号線と同層で形成する場合、該信号線と一体化して形成することもできる。
【０１８５】
そして、遮光金属膜５０を信号線と異層で形成する場合、該信号線の材料と異なる材料で形成することができる。たとえば該信号線がドレイン線である場合にゲート線あるいは対向電圧信号線と同一の材料で形成することができる。
【０１８６】
また、配向膜のラビング方向は信号線に沿って形成されたものとしたものであるが、実質的に信号線を幅広に形成してスペーサに起因する配向乱れを覆い隠すという趣旨から、該配向膜のラビング方向は信号線に対して角度を有する方向であっても適用できることはもちろんである。
【０１８７】
〔実施例１９〕（参考例）
図２１は、上記実施例と同趣旨の基に形成される遮光金属膜５０で、信号線に対して一方の側にのみ形成されたものとなっている。
【０１８８】
スペーサ１０に起因する配向膜に生じる配向乱れの方向に合わせて遮光金属膜５０を配置し、該方向と逆の方向には該遮光金属膜５０を配置させないようになっている。
【０１８９】
同図に示した実施例の場合、たとえば、配向膜のラビング処理が信号線とほぼ直交した図中左の方向となっている場合に有効となる。
【０１９０】
この場合、実施例１８と比較すると、画素の開口率を狭める度合いを小さくできるという効果を奏する。
【０１９１】
〔実施例２０〕（参考例）
図２２は、実施例１８と同様に、信号線の両脇に遮光金属膜５０をそれぞれ配置した構成となっているが、一方の遮光金属膜５０に対して他方の遮光金属膜５０は信号線の延在方向に沿って長く形成されたものとなっている。
【０１９２】
スペーサ１０に起因する配向膜の配向乱れの方向に応じて各遮光金属膜５０を配置させ、これにより、信号線および各遮光金属膜５０（ブラックマトリックスＢＭも含む）とで構成される遮光領域に、該スペーサ１０の近傍にて該スペーサ１０を中心とする径を有する輪郭をもたせ、該径を前記ラビング処理の方向のうち配向膜の配向乱れが発生している方向にて大きくさせている。
【０１９３】
〔実施例２１〕（参考例）
上述した実施例における遮光金属膜５０は、遮光の機能のみをもたせるものとして構成したものである。
【０１９４】
しかし、この遮光金属膜５０は画素内に存在する電極にその機能をもたせるようにしてもよいことはいうまでもない。
【０１９５】
図２３は、このような場合の一実施例を示すもので、図１に示した画素構成において、ドレイン線２の両脇に位置づけられる共通電極４Ａに前記遮光金属膜の機能を兼ね備えさせたものとして構成している。
【０１９６】
換言すれば、ゲート線２に重畳させてスペーサ１０を配置させることなく、共通電極４Ａを隣接させて形成されたドレイン線３に重畳させてスペーサ１０を配置させることによって、得意遮光金属膜５０を形成させることなく、スペーサに起因する配向膜の配向乱れによる不都合を信頼性よく回避できることになる。
【０１９７】
この場合においても、初期配向方向は特に限定されることはない。
【０１９８】
〔実施例２２〕（参考例）
図２４は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す説明図である。同図（ａ）は平面図で、同図（ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
【０１９９】
同図において、液晶を介して互いに対向配置されるＴＦＴ基板１Ａとフィルタ基板１Ｂとがあり、これら各基板は該液晶を封入するシール材２４によって互いに固定されるとともに、該シール材２４の形成された部分において所定のギャップが確保されるようになっている。
【０２００】
そして、液晶の封入領域すなわちシール材２４によって囲まれた領域が表示領域となり、この表示領域内には、この表示領域の各基板のギャップを確保するためのスペーサ１０が散在して配置されている。
【０２０１】
このスペーサ１０は、上述した実施例で示したように、一方の基板側に固定されて形成されたもので、この実施例では、該基板と平行な面での断面積が等しく形成されている。
【０２０２】
そして、このスペーサ１０は、前記表示領域をその周辺部（シール材２４の近傍）とその周辺部を除く中央部とに区分けした場合、周辺部における個数が中央部における個数よりも少なくなっている。
【０２０３】
すなわち、これらスペーサ１０は表示領域の周辺部における単位当たりの密度が該周辺部を除く中央部における密度より小さく配置されている。
【０２０４】
ここで、対象とする液晶表示パネルの大型化にともない、前記密度はたとえば１ｃｍ2あるいは１ｍｍ2の面積内に存在するスペーサ１０の密度として想定することが妥当となる。
【０２０５】
このように構成された液晶表示装置は、表示領域の中央部に配置されるスペーサ群の基板に対する支持力を周辺部に配置されるスペーサ群の基板に対する支持力を強くしていることに他ならない。
【０２０６】
近年における液晶表示装置はその液晶表示パネルが大型化してきており、シール材２４から遠く位置づけられる表示領域の中央部はその周辺部よりもスペーサの基板に対する支持力を大きくしなければ、各基板のギャップをその全域にわたって均一に保持できなくなる不都合を回避せんとするものである。
【０２０７】
基板に固定されて形成されるスペーサ１０は、該基板の全面に形成された該スペーサ１０の材料層に、たとえばフォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチング（図１０に示した構成はフォトリソグラフィ技術だけで形成できる）によって所望のパターンに、しかも、所定の位置に配置できることから、上述した構成のスペーサ１０を容易に形成することができる。
【０２０８】
また、この場合、液晶が封入された領域の周辺部におけるスペーサ１０の密度と該周辺部を除く中央部におけるスペーサ１０の密度は、周辺部と中央部との境界で段差的に変化するのではなく、周辺部から中央部にかけて滑らかに変化するように配置させるようにしてもよい。
【０２０９】
このようにした場合、対向する基板のギャップに急俊が部分が生じるのを回避できる効果を奏する。
【０２１０】
なお、上述した実施例は、たとえば、図中ｘ方向における中央部と周辺部においてスペーサ１０の密度を異ならしめるようにし、図中ｙ方向における中央部と周辺部においてスペーサ１０の密度を同じように構成してもよいことはいうまでもない。
【０２１１】
また、上述した実施例は、明細書の他の実施例と合わせて実施できるが、このようにしなくてもよいことはいうまでもない。
【０２１２】
〔実施例２３〕（参考例）
また、実施例２２と同様の趣旨で、図２５に示すように、表示領域内の各スペーサ１０は均等に散在されているが、該表示領域の中央部におけるスペーサ１０の基板と平行な面での断面積が周辺部におけるスペーサ１０の前記面での断面積よりも大きくなるように構成してもよい。
【０２１３】
この場合にも、基板面の全域に形成したスペーサ１０の材料層にたとえばフォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法を行うことにより各スペーサを容易に形成することができる。
【０２１４】
さらに、表示領域の中央部のスペーサの材料強度を周辺部のスペーサの材料強度よりも大きくしても同様の効果を得ることができるようになる。
【０２１５】
〔実施例２４〕（参考例）
上述した各スペーサは、表示領域内で任意の個所に容易に配置できることは上述したとおりである。
【０２１６】
そして、この実施例では、カラー用液晶表示装置において、緑色（Ｇ）フィルタが形成されている画素を画する遮光領域以外の他の遮光領域に該スペーサを配置させるようにしたものである。
【０２１７】
換言すれば、該スペーサは、赤色（Ｒ）フィルタが形成されている画素を画する遮光領域あるいは青色（Ｂ）フィルタが形成されている画素を画する遮光領域に重畳されるように配置させるようにしたものである。
【０２１８】
緑色（Ｇ）は他の色と比較して最も光透過率が高く、人間の視覚に敏感であることに鑑み、この色を透過する画素の近傍（遮光領域内）に配置させるスペーサによって光漏れを感知させるのを防止する趣旨である。
【０２１９】
【発明の効果】
以上説明したことから本発明による液晶表示装置によれば、液晶表示パネルの大型化にもかかわらず、基板のギャップを均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置に用いられるスペーサの断面を示す図である。
【図３】本発明による液晶表示装置に用いられるスペーサによる不都合を示す説明図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す断面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す断面図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置に用いられるスペーサの他の実施例を示す断面図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置に用いられるスペーサの配置の実施例を示す平面図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置に用いられるスペーサの他の実施例を示す断面図である。
【図１３】図１２に示すスペーサの製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図１４】図１２に示すスペーサの製造方法の他の実施例を示す工程図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置に用いられるスペーサの他の実施例を示す断面図である。
【図１６】本発明による液晶表示装置に用いられるスペーサの他の実施例を示す断面図である。
【図１７】本発明による液晶表示装置のスペーサの近傍における他の実施例を示す平面図である。
【図１８】本発明による液晶表示装置のスペーサの近傍における他の実施例を示す平面図である。
【図１９】本発明による液晶表示装置のスペーサの近傍における他の実施例を示す平面図である。
【図２０】本発明による液晶表示装置のスペーサの近傍における他の実施例を示す平面図である。
【図２１】本発明による液晶表示装置のスペーサの近傍における他の実施例を示す平面図である。
【図２２】本発明による液晶表示装置のスペーサの近傍における他の実施例を示す平面図である。
【図２３】本発明による液晶表示装置のスペーサの近傍における他の実施例を示す平面図である。
【図２４】本発明による液晶表示装置のスペーサの配置状態の一実施例を示す平面図である。
【図２５】本発明による液晶表示装置のスペーサの配置状態の一実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
１……透明基板、１Ａ……ＴＦＴ基板、２……ゲート線、３……ドレイン線、３Ａ……ドレイン電極、４……対向電圧信号線、４Ａ……対向電極、５……画素電極、５Ａ……ソース電極、６……半導体層、７……カラーフィルタ、９……配向膜、１０……スペーサ、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＢＭ……ブラックマトリックス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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