(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
べース基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極よりも小さい面積を有し、前記ゲート電極上の中央に形成されたゲート絶縁パターンと、
前記ゲート絶縁パターンと同一の面積を有し、前記ゲート絶縁パターン上に形成されたチャンネルパターンと、
前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆うように前記ベース基板上に形成され、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する第１有機絶縁パターンと、
前記第１有機絶縁パターンの下部に形成され、前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極の一部をカバーし、平面視において側縁が前記ゲート電極の側縁と一直線上にあるアライン絶縁パターンと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記チャンネルパターンの形状は、前記ゲート絶縁パターンの形状と同一であることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
前記第１有機絶縁パターン上に形成され、前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間したソース電極とドレイン電極を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
透明導電性物質からなり、前記ドレイン電極と電気的に接続されるピクセル電極をさらに含むことを特徴とする請求項３記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
前記開口部に位置して前記チャンネルパターンの露出された部分を保護する保護部をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項６】
前記保護部は有機物質を含むことを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項７】
前記ソース電極、ドレイン電極及び第１有機絶縁パターンを覆うように前記ベース基板上に形成され、前記ドレイン電極の上部に形成されたコンタクトホールを有する第２有機絶縁パターンをさらに含み、
前記画素電極は前記第２有機絶縁パターン上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項８】
前記チャンネルパターンは、
前記ゲート絶縁パターン上に形成されたアクティブパターンと、
前記ソース電極とアクティブパターンとの間、及び前記ドレイン電極とアクティブパターンとの間に形成され、前記ソース電極及びドレイン電極と接触されるイオンドーピングパターンを含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項９】
平面視において、前記イオンドーピングパターンの側縁、前記ゲート絶縁パターンの側縁及び前記アクティブパターンの側縁は、一直線上に位置することを特徴とする請求項８記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１０】
ベース基板上にゲート金属層、ゲート絶縁層及びチャンネル層を順に形成する段階と、
前記チャンネル層及びゲート絶縁層をパターニングして、チャンネルパターン及びゲート絶縁パターンを形成する段階と、
前記チャンネルパターン及び前記ゲート絶縁パターンを形成した後に、前記ゲート金属層をパターニングして、ゲート電極を形成する段階と、
を含み、
前記ゲート電極を形成する段階は、
前記チャンネルパターン及びゲート絶縁パターンを覆うように前記ゲート金属層上にアライン絶縁層を形成する段階と、
前記ゲート絶縁パターンより広い面積で前記チャンネルパターン及びゲート絶縁パターンをカバーし、前記開口部に対応するように前記アライン絶縁層の一部を露出させる感光パターンを前記アライン絶縁層上に形成する段階と、
前記感光パターンを通じて前記ライン絶縁層の一部をエッチングしてアライン絶縁パターンを形成する段階と、
前記アライン絶縁パターンを通じて前記ゲート金属層の一部をエッチングして前記ゲート電極を形成する段階と、
を含み、
前記ゲート絶縁パターン及び前記チャンネルパターンは、前記ゲート電極よりも小さい面積を有し、前記ゲート電極上の中央に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆ってカバーし、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する第１有機絶縁パターンを形成する段階と、
前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間したソース電極とドレイン電極を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記開口部内にインクを提供し、前記チャンネルパターンの一部を覆って保護する保護部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記ソース電極、ドレイン電極及び第１有機絶縁パターンを覆って表面を平坦化し、前記ドレイン電極の一部を露出させるコンタクトホールを有する第２有機絶縁パターンを形成する段階をさらに含み、
前記画素電極は前記第２有機絶縁パターン上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１２記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ゲート電極を形成する段階は、
前記ゲート絶縁パターンより広い面積で前記チャンネルパターン及びゲート絶縁パターンをカバーし、前記開口部に対応するように前記チャンネルパターンの一部を露出させる感光パターンを形成する段階と、
前記感光パターンを通じてゲート金属層の一部をエッチングし、前記ゲート電極を形成する段階と、
前記感光パターンを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記ゲート電極を形成する段階は、前記感光パターンを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記チャンネル層は、
前記ゲート絶縁層上に形成されたアクティブシリコン層と、
前記アクティブシリコン層上に形成されたイオンドーピングシリコン層と、
を含むことを特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記ソース電極とドレイン電極を通じて前記イオンドーピングパターンの一部をエッチングし、前記イオンドーピングパターンを２つの部分に分離させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記アクティブシリコン層は、アモルファスシリコンからなり、前記イオンドーピングシリコン層は高密度イオンドーピングアモルファスシリコンからなることを特徴とする請求項１７記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記ベース基板は透明な合成樹脂からなることを特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２１】
薄膜トランジスタ基板、前記薄膜トランジスタ基板と対向する対向基板及び前記薄膜トランジスタ基板と対向基板との間に介在する液晶層を含むことを特徴とする表示パネルにおいて、
前記薄膜トランジスタ基板は、
ベース基板と、
ベース基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極よりも小さい面積を有し、前記ゲート電極上の中央に形成されたゲート絶縁パターンと、
前記ゲート絶縁パターンと同一の面積を有し、前記ゲート絶縁パターン上に形成されたチャンネルパターンと、
前記チャンネルパターン、前記ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆うように前記ベース基板上に形成され、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する有機絶縁パターンと、
前記有機絶縁パターン上に形成され、前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間したソース電極とドレイン電極と、
前記ドレイン電極と電気的に接続され、透明な導電性物質からなる画素電極と、
前記有機絶縁パターンの下部に形成され、前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極の一部をカバーし、平面視において側縁が前記ゲート電極の側縁と一直線上にあるアライン絶縁パターンと、
を含むことを特徴とする表示パネル。
【請求項２２】
前記チャンネルパターンは、前記ゲート絶縁パターンと同一の形状を有することを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
【請求項２３】
ベース基板上にゲート金属層、ゲート絶縁層及びチャンネル層を順に形成する段階と、
前記チャンネル層及びゲート絶縁層を連続工程でパターニングして、同一の形状を有するチャンネルパターン及びゲート絶縁パターンを形成する段階と、
前記チャンネルパターン及び前記ゲート絶縁パターンを形成した後に、前記ゲート金属層をパターニングして、ゲート電極を形成する段階と、
前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆ってカバーし、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する第１有機絶縁パターンを形成する段階と、
前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間したソース電極とドレイン電極を形成する段階と、
を含み、
前記ゲート電極を形成する段階は、
前記チャンネルパターン及びゲート絶縁パターンを覆うように前記ゲート金属層上にアライン絶縁層を形成する段階と、
前記ゲート絶縁パターンより広い面積で前記チャンネルパターン及びゲート絶縁パターンをカバーし、前記開口部に対応するように前記アライン絶縁層の一部を露出させる感光パターンを前記アライン絶縁層上に形成する段階と、
前記感光パターンを通じて前記ライン絶縁層の一部をエッチングしてアライン絶縁パターンを形成する段階と、
前記アライン絶縁パターンを通じて前記ゲート金属層の一部をエッチングして前記ゲート電極を形成する段階と、
を含み、
前記ゲート絶縁パターン及び前記チャンネルパターンは、前記ゲート電極よりも小さい面積を有し、前記ゲート電極上の中央に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ基板、その製造方法及びそれを有する表示パネルに係り、より詳細には層間ミスアラインを防止した薄膜トランジスタ基板、その製造方法及びそれを有する表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置は液晶の光透過率を用いて画像を表示する液晶表示パネル及び液晶表示パネル下部に配置され液晶表示パネルに光を提供するバックライトアセンブリを含む。
【０００３】
液晶表示パネルは一般的に薄膜トランジスタ基板、薄膜トランジスタ基板と対向するカラーフィルタ基板、及び薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板との間に介在する液晶層を含む。
【０００４】
薄膜トランジスタ基板はベース基板、ベース基板上に形成されたゲート電極、ゲート電極を覆うようにベース基板上に形成されたゲート絶縁膜、ゲート電極に対応するようにゲート絶縁膜上に形成されたチャンネルパターン、及びチャンネルパターン上に離間するように形成されたソース電極とドレイン電極を含む。この際、昨今ではベース基板は製造費用及び重さを減少させるために透明の合成樹脂で形成される場合が多い。
【０００５】
一方、薄膜トランジスタ基板は一般的に化学蒸着法またはスパッタリング蒸着法によって製造される。一般的に、ゲート電極はスパッタリング蒸着法によって蒸着した後、パターニングすることにより形成することができ、チャンネルパターンは高温のプラズマ化学蒸着法を通じて蒸着した後パターニングすることで形成できる。
【０００６】
しかし、チャンネルパターンの形成は高温状態で行う必要があることから、合成樹脂材質からなるベース基板は当該高温で膨張し易くなる。このように、ベース基板が容易に膨張するような場合、ゲート電極に対するチャンネルパターンのミスアラインが発生するおそれがある。さらに、このようなチャンネルパターンとゲート電極との間のミスアラインは画像の表示品質を低下させるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明の技術的課題はこのような従来の問題点を解決するためのもので、本発明の目的は熱によるチャンネルパターン及びゲート電極の間のミスアラインを防止して、画像の表示品質を向上させた薄膜トランジスタ基板を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は薄膜トランジスタ基板を製造するための方法を提供することにある。
【０００９】
本発明のさらに他の目的は、前述した薄膜トランジスタ基板を有する表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述した本発明の目的を達成するための一実施例による薄膜トランジスタ基板は、ゲート電極、ゲート絶縁パターン、第１有機絶縁パターン、ソース電極及びドレイン電極を含み、望ましくは、画素電極をさらに含む。
【００１１】
前記ゲート電極はベース基板上に形成される。前記ゲート絶縁パターンは前記ゲート電極より小さい面積を有し、前記ゲート電極上の中央に形成される。前記チャンネルパターンは前記ゲート絶縁パターンと同一の面積を有し、前記ゲート絶縁パターン上に形成される。前記第１有機絶縁パターンは前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆うように前記ベース基板上に形成され、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する。前記ソース電極とドレイン電極は、前記第１有機絶縁パターン上に形成され、前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間して形成される。前記画素電極は前記ドレイン電極と電気的に接続され、透明な導電性物質からなる。
【００１２】
一方、選択的に、前記薄膜トランジスタ基板は前記開口部内に介在し、前記チャンネルパターンの一部を保護する保護部をさらに含むか、前記ソース電極、ドレイン電極及び第１有機絶縁パターンを覆うように前記ベース基板上に形成された第２有機絶縁パターンをさらに含むように構成できる。この際、前記画素電極は前記第２有機絶縁パターン上に形成され、前記第２有機絶縁パターンに形成されたコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に接続される。
【００１３】
前述した本発明の他の目的を達成するための一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法は、ベース基板上にゲート金属層、ゲート絶縁層及びチャンネル層を順に形成する段階と、前記チャンネル層及びゲート絶縁層を同時にパターニングして、互いに同一の面積を有するチャンネルパターン及びゲート絶縁パターンを形成する段階と、前記チャンネルパターン及び前記ゲート絶縁パターンを形成した後に、前記ゲート金属層をパターニングして、前記ゲート絶縁パターンより大きい面積を有するゲート電極を形成する段階と、前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆ってカバーし、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する第１有機絶縁パターンを形成する段階と、前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間したソース電極とドレイン電極を形成する段階を含む。望ましくは、前記薄膜トランジスタ基板の製造方法は前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極を形成する段階をさらに含む。前記ゲート絶縁パターン及び前記チャンネルパターンは、前記ゲート電極よりも小さい面積を有し、前記ゲート電極上の中央に形成される。
【００１４】
一方、選択的に、前記薄膜トランジスタ基板の製造方法は前記開口部内にインクを提供し、前記チャンネル層の一部を覆って保護する保護部を形成する段階をさらに含むか、前記ソース電極、ドレイン電極及び第１有機絶縁パターンを覆って表面を平坦化する第２有機絶縁パターンを形成する段階をさらに含むことができる。
【００１５】
前述した本発明のさらに他の目的を達成するための一実施例による表示パネルは薄膜トランジスタ基板、前記薄膜トランジスタ基板と対向される対向基板及び前記薄膜トランジスタ基板と対向基板との間に介在する液晶層を含む。
【００１６】
前記薄膜トランジスタ基板はベース基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極より小さい面積を有し、前記ゲート電極上の中央に形成されたゲート絶縁パターンと、前記ゲート絶縁パターンと同一の面積を有し、前記ゲート絶縁パターン上に形成されたチャンネルパターンと、前記チャンネルパターン、ゲート絶縁パターン及びゲート電極を覆ってカバーするように前記ベース基板上に形成され、前記チャンネルパターンの一部を露出させる開口部を有する有機絶縁パターンと、前記有機絶縁パターン上に形成され、前記開口部を通じて前記チャンネルパターンと接触し、互いに離間したソース電極及びドレイン電極、前記ドレイン電極と電気的に接続され、透明な導電性物質からなる画素電極を含む。
【００１７】
このような本発明によると、チャンネルパターンがゲート電極に対して自動的に整列させることができ、チャンネルパターンのゲート電極に対するミスアラインの発生を防止することができ、それによって、画像の表示品質をより向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００１９】
＜薄膜トランジスタ基板の第１実施例＞
図１〜図５は本発明の第１実施例による薄膜トランジスタ基板の一部を示した図面である。具体的に、図１は第１実施例による薄膜トランジスタ基板の一部を示した平面図であり、図２は図１のI-I’線に沿って切断した断面図であり、図３は図１のII-II’線に沿って切断した断面図であり、図４は図１でアライン絶縁パターンを除去した断面図であり、図５は図３でアライン絶縁パターンを除去した断面図である。
【００２０】
本発明による薄膜トランジスタ基板は、一例で、画像を表示するための表示パネル（図示せず）の構成要素として用いられる。即ち、表示パネルは薄膜トランジスタ基板を始め、対向基板及び液晶層を含む。まず、表示パネルの各構成要素について簡単に説明する。
【００２１】
薄膜トランジスタ基板はマトリックス形態に配置された複数の画素電極、各画素電極に駆動電圧を印加する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタをそれぞれ作動させるための信号線を含む。
【００２２】
対向基板は薄膜トランジスタ基板と向き合うように配置される。対向基板は透明な導電性物質からなる共通電極を含み、選択的に画素電極と向き合うところに配置されたカラーフィルタを含む。カラーフィルタには赤色カラーフィルタ、青色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタなどがある。
【００２３】
液晶層は、薄膜トランジスタ基板と対向基板との間に介在し、画素電極と共通電極との間に形成された電気場によって再配列される。この再配列された液晶層は、外部から入射する光の光透過率を調節する。光透過率が調節された光はカラーフィルタを通過することで所定の画像を外部に表示する。
【００２４】
以下、図１、図２及び図３を参照して本実施例による薄膜トランジスタ基板をより詳細に説明する。
【００２５】
本実施例による薄膜トランジスタ基板はベース基板１００、ゲート金属パターン２００、ゲート絶縁パターン３００、チャンネルパターン４００、アライン絶縁パターン５００、有機絶縁パターン６００、データ金属パターン７００、透明金属パターン８００及び保護部８５０を含む。
【００２６】
ベース基板１００はプレート形状を有し、透明の物質で形成される。ベース基板１００を構成する材質の一例として、ガラス及び石英を採用することができ、望ましくは製造費用及び重量を軽減するために透明な合成樹脂を用いることができる。
【００２７】
ゲート金属パターン２００はベース基板１００上に形成され、ゲート配線ＧＬ、ゲート電極ＧＥ、ゲート金属パッドＧＰ、ストレージ配線ＳＬ及びストレージ電極ＳＴＥを含む。
【００２８】
ゲート配線ＧＬは、ベース基板上に第１方向に形成され、第１方向に垂直な第２方向に沿って並列に複数個が形成される。一方、ゲート配線ＧＬは後述するデータ配線ＤＬと交差するように形成され、複数の単位画素を定義する。
【００２９】
ゲート電極ＧＥは、ゲート配線ＧＬから第２方向に所定の長さで突出するように形成される。この際、ゲート電極ＧＥは平面視で長方形形状に形成することが望ましい。
【００３０】
ゲート金属パッドＧＰはゲート配線ＧＬの一端部に形成される。望ましくは、ゲート金属パッドＧＰも平面視で長方形形状に形成することが好ましい。
【００３１】
ストレージ配線ＳＬは、ベース基板１００上に各単位画素を横切るように第１方向に沿って形成され、第２方向に沿って並列に複数個が形成される。
【００３２】
ストレージ電極ＳＴＥは、各単位画素内に形成され、ストレージ配線ＳＬと電気的に接続される。この際、ストレージ電極ＳＴＥは平面視で長方形形状に形成することが望ましい。
【００３３】
ゲート絶縁パターン３００は、ゲート電極ＧＥ上に形成される。ゲート絶縁パターン３００は、ゲート電極ＧＥより小さい面積を有するように形成され、望ましくは、ゲート電極ＧＥの中央に形成することが好ましい。ゲート絶縁パターン３００は、一例として、窒化シリコンＳｉＮｘまたは酸化シリコンＳｉＯｘで形成することができる。
【００３４】
チャンネルパターン４００は、ゲート絶縁パターン３００上に形成され、ゲート絶縁パターン３００と同一の面積を有するアクティブパターン４０２と、このアクティブパターン４０２上に形成されたイオンドーピングパターン４０４とを含む。
【００３５】
アクティブパターン４０２は、ゲート絶縁パターン３００と同一の面積でゲート絶縁パターン３００上に形成される。アクティブパターン４０２は一例として、アモルファスシリコン（a-Si）で構成することができる。
【００３６】
イオンドーピングパターン４０４は、アクティブパターン４０２上に形成され、電気的に２つの部分に分離される。この際、２つの部分のうちいずれか１つの部分は後述するソース電極ＳＥと接触し、２つの部分のうち他の１つの部分は後述するドレイン電極ＤＥと接触する。イオンドーピングパターン４０４は、一例として、高密度イオンドーピングアモルファスシリコン（n＋・a-Si）で構成することができる。
【００３７】
アライン絶縁パターン５００は、ゲート金属パターン２００と対応するようにゲート金属パターン２００上部に形成される。この際、平面視におけるアライン絶縁パターン５００の境界線の形状はゲート金属パターン２００の境界線の形状と一致する。
【００３８】
具体的に、アライン絶縁パターン５００はゲート配線ＧＬ、ゲート電極ＧＥ、ゲート金属パッドＧＰ、ストレージ配線ＳＬ及びストレージ電極ＳＴＥ上にそれぞれ形成される。特に、アライン絶縁パターン５００はチャンネルパターン４００及びゲート絶縁パターン３００の一部を覆うようにゲート電極ＧＥ上に形成され、チャンネルパターン４００の中央を露出させる。また、アライン絶縁パターン５００はゲート金属パッドＧＰ上に形成され、ゲート金属パッドＧＰの中央を露出させる。
【００３９】
一方、アライン絶縁パターン５００は、一例として、窒化シリコンＳｉＮｘまたは酸化シリコンＳｉＯｘで形成することができる。
【００４０】
有機絶縁パターン６００は、ゲート配線ＧＬ、ゲート電極ＧＥ、ストレージ配線ＳＬ、及びストレージ電極ＳＴＥを覆うようにベース基板１００上に形成される。この際、有機絶縁パターン７００はゲート配線ＧＬ、ゲート電極ＧＥ、ストレージ配線ＳＬ及びストレージ電極ＳＴＥを完全に覆うように広く形成される。  
【００４１】
特に、有機絶縁パターン６００は、アライン絶縁パターン５００、チャンネルパターン４００、ゲート絶縁パパ３００及びゲート電極ＧＥを覆ってカバーするようにベース基板１００上に形成され、アライン絶縁パターン５００の開口された部分と対応して開口される。即ち、アライン絶縁パターン５００及び有機絶縁パターン６００にはチャンネルパターン４００の中心を露出させるためにチャンネル開口部５１０が形成される。
【００４２】
データ金属パターン７００はデータ配線ＤＬ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、データ金属パッドＤＰ及びゲート連結パッドＧＣＰを含む。
【００４３】
データ配線ＤＬはゲート配線ＧＬと交差するように第２方向に形成され、第１方向に沿って複数個形成される。この際、データ配線ＤＬは有機絶縁パターン６００及びアライン絶縁パターン５００によってゲート配線ＧＬと電気的に絶縁される。
【００４４】
ソース電極ＳＥは、データ配線ＤＬから第１方向に所定の長さで突出するように形成される。ソース電極ＳＥはベース基板１００及び有機絶縁パターン６００上に渡って形成され、チャンネル開口部５１０内にも形成されチャンネルパターン４００のイオンドーピングパターン４０２のいずれか１つの部分と接触する。
【００４５】
ドレイン電極ＤＥはソース電極ＳＥから所定距離で離間する位置に有機絶縁パターン６００上に形成される。また、ドレイン電極ＤＥはチャンネル開口部５１０内にも形成されチャンネルパターン４００のイオンドーピングパターン４０２の他の一部分と接触する。
【００４６】
データ金属パッドＤＰはデータ配線ＤＬの一端に形成される。望ましくは、データ金属パッドＤＰも平面視で長方形形状とすることが好ましい。
【００４７】
ゲート連結パッドＧＣＰは、アライン絶縁パターン５００及びゲート金属パッドＧＰを覆うようにベース基板１００上に形成され、アライン絶縁パターン５００の開口された部分に対応して開口を有している。即ち、アライン絶縁パターン５００及びゲート連結パッドＧＣＰには、ゲート金属パッドＧＰの中心を露出させるためにゲートパッドコンタクトホール５５０が形成される。この際、ゲート連結パッドＧＣＰはゲート金属パッドＧＰの側面と接触して電気的に接続される。
【００４８】
透明金属パターン９００は、透明な導電性物質からなり、一例として、インジウム錫酸化物ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物ＩＺＯ、アモルファスインジウム錫酸化物ａ−ＩＴＯなどで形成することができる。透明金属パターン９００は画素電極９１０、ゲート透明パッド９２０及びデータ透明パッド９３０を含む。
【００４９】
画素電極９１０は、ドレイン電極ＤＥの一部と重畳するように形成され、ドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。画素電極９１０は各単位画素内に形成され、ベース基板１００及び有機絶縁パターン６００上に形成される。
【００５０】
ゲート透明パッド９２０はゲート連結パッドＧＣＰ、アライン絶縁パターン５００及びゲート金属パッドＧＰを覆うように形成され、ゲートパッドコンタクトホール５５０を通じてゲート金属パッドＧＰと電気的に接続される。望ましくは、ゲート透明パッド９２０は平面視で長方形形状に形成することが好ましい。
【００５１】
データ透明パッド９３０はデータ金属パッドＤＰを覆うようにベース基板１００上に形成される。その結果、データ透明パッド９３０はデータ金属パッドＤＰと電気的に接続される。
【００５２】
保護部８５０はチャンネル開口部５１０内に介在しており、チャンネル開口部５１０によって露出されたチャンネルパターン４００の一部を保護する。保護部８５０は有機物質を含むことが好ましい。
【００５３】
図４及び図５に示すように、本実施例による薄膜トランジスタ基板は上述したものとは異なり、アライン絶縁パターン５００を省略することができる。その結果、有機絶縁パターン６００が、ゲート配線ＧＬ、ゲート電極ＧＥ、ストレージ配線ＳＬ及びストレージ電極ＳＴＥを覆って保護するように構成される。特に、有機絶縁パターン６００はチャンネルパターン４００、ゲート絶縁パターン３００及びゲート電極ＧＥを覆って保護する。
【００５４】
このように、チャンネルパターン４００を、ゲート電極３００の中央に対応する位置に、ゲート電極より小さい面積で形成することにより、チャンネルパターン４００のゲート電極３００に対するミスアラインを防止できる。
【００５５】
＜薄膜トランジスタ基板の第２実施例＞
図６及び図７は本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ基板を示した図面である。具体的に、図６は図２に対応する薄膜トランジスタ基板の断面図であり、図７は図３に対応する薄膜トランジスタ基板の断面図である。
【００５６】
図１、図６及び図７に示すように、本実施例による薄膜トランジスタ基板はベース基板１００、ゲート金属パターン２００、ゲート絶縁パターン３００、チャンネルパターン４００、アライン絶縁パターン５００、第１有機絶縁パターン６００、データ金属パターン７００、第２有機絶縁パターン８００及び透明金属パターン９００を含む。
【００５７】
まず、ベース基板１００、ゲート金属パターン２００、ゲート絶縁パターン４００、アライン絶縁パターン５００、第１有機絶縁パターン６００及びデータ金属パターン７００は第１実施例による薄膜トランジスタ基板と同一であるので詳細な説明は省略する。
【００５８】
第２有機絶縁パターン８００はベース基板１００上に形成され、ゲート連結パターンＧＣＰ、データ配線ＤＬ、データ金属パターンＤＰ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ及び第１有機絶縁パターン６００を覆って保護する。第２有機絶縁パターン８００は所定の厚さで形成され、薄膜トランジスタ基板の表面を平坦化する。
【００５９】
一方、第２有機絶縁パターン８００はドレイン電極ＤＥの上部に形成された第１コンタクトホール８１０、ゲートパッドコンタクトホール５５０の上部に形成された第２コンタクトホール８２０及びデータ金属パッドＤＰの上部に形成された第３コンタクトホール８３０を有する。
【００６０】
透明金属パターン９００は第２有機絶縁パターン８００上に形成され、透明な導電性物質で構成される。透明金属パターン９００は画素電極９１０、ゲート透明パッド９２０及びデータ透明パッド９３０を含む。
【００６１】
画素電極９１０は、各単位画素内の第２有機絶縁パターン８００上に形成され、第１コンタクトホール８１０を通じてドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。
【００６２】
ゲート透明パッド９２０は、ゲート金属パッドＧＰに対応するように第２有機絶縁パターン８００上に形成され、第２コンタクトホール８２０及びゲートパッドコンタクトホール５５０を通じてゲート金属パッドＧＰと電気的に接続される。望ましくは、ゲート透明パッド９２０は平面視において長方形形状であることが好ましい
【００６３】
データ透明パッド９３０は、データ金属パッドＤＰに対応するように第２有機絶縁パターン８００上に形成され、第３コンタクトホール８３０を通じてデータ金属パッドＤＰと電気的に接続される。
【００６４】
＜薄膜トランジスタ基板の製造方法の実施例＞
図８〜図１２は本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちチャンネルパターンを形成する過程を示した図面である。具体的に、図８はゲート金属層、ゲート絶縁層、チャンネル層及び感光パターンを順に蒸着する過程を説明するための平面図であり、図９は図８のIII−III’線に沿って切断した断面図であり、図１０は図８のIV−IV’線に沿って切断した断面図であり、図１１は図９における感光パターンを用いてゲート絶縁層及びチャンネル層をエッチングする過程を説明するための断面図であり、図１２は図１０においてのゲート絶縁層及びチャンネル層をエッチングする過程を説明するための断面図である。
【００６５】
まず、図８、図９及び図１０に示すように、本実施例による薄膜トランジスタ基板を製造するためにベース基板１００上にゲート金属層２１０、ゲート絶縁層３１０及びチャンネル層４１０を順に形成する。一般的に、ゲート金属層２１０はスパッタリング蒸着法によって形成され、ゲート絶縁層３１０及びチャンネル層４１０はプラズマ化学蒸着法によって形成される。この際、ベース基板１００は製造費用及び重量を軽減するために透明な合成樹脂で構成することができる。
【００６６】
一方、チャンネル層４１０は、ゲート絶縁層３１０上に形成されたアクティブシリコン層４１２及びアクティブシリコン層４１２上に形成されたイオンドーピングシリコン層４１４を含む。一例として、アクティブシリコン層４１２はアモルファスシリコン（a-Si）で構成することができ、イオンドーピングシリコン層４１４は高密度イオンドーピングアモルファスシリコン（n＋・a-Si）で構成することができる。
【００６７】
チャンネル層４１０を形成した後、チャンネル層４１０上面の一部上に感光パターン１０を形成する。感光パターン１０はチャンネル層４１０の全面に感光層を形成した後、露光工程を通じて形成される。
【００６８】
続いて、図１１及び図１２に示すように、感光パターン１０を用いてチャンネル層４１０の一部及びゲート絶縁層３１０の一部をエッチングし、チャンネルパターン４００及びゲート絶縁パターン３００を形成する。一般的に、チャンネル層４１０及びゲート絶縁層３１０のエッチングは、プラズマによる乾式エッチング法によって行うことができる。感光パターン１０を通じてエッチング工程を行った後、感光パターン１０を除去する。
【００６９】
一方、チャンネルパターン４００はアクティブシリコン層４１２の一部がエッチングされて形成されたアクティブパターン４０２及びイオンドーピングシリコン層４１４の一部がエッチングされて形成されたイオンドーピングパターン４０４を含む。
【００７０】
図１３及び図１７は本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちゲート電極を形成する過程を示した図面である。具体的に、図１３はアライン絶縁パターンを形成する過程を説明するための平面図であり、図１４は図１３のV-V’線に沿って断面図であり、図１５は図１３のVI-VI’線に沿って切断した断面図であり、図１６は図１４においてアライン絶縁パターンを用いてゲート金属層をエッチングする過程を説明するための断面図であり、図１７は図１５においてアライン絶縁パターンを用いてゲート金属層をエッチングする過程を説明するための断面図である。
【００７１】
続いて、図１３、図１４及び図１５に示すように、ゲート金属層２１０の一部領域にアライン絶縁パターン５００を形成する。特に、アライン絶縁パターン５００は、チャンネルパターン４００及びゲート絶縁パターン３００を完全に覆うように、ゲート絶縁パターン３００より広い面積で形成され、チャンネルパターン４００の中央を露出するようにチャンネル開口部５１０を有する。一方、アライン絶縁パターン５００は、一例として、窒化シリコンＳｉＮｘまたは酸化シリコンＳｉＯｘで形成することができる。
【００７２】
具体的に、例を挙げてアライン絶縁パターン５００を形成する過程を説明すると、まず、チャンネルパターン４００及びゲート絶縁パターン３００を覆うように、ゲート金属層２１０上にアライン絶縁層を形成する。続いて、このアライン絶縁層上に感光層を形成し、感光層を露光して感光パターンを形成する。最後に、感光パターンを用いてアライン絶縁層の一部をエッチングすることで、アライン絶縁パターン５００を形成する。
【００７３】
続いて、図１６及び図１７に示すように、アライン絶縁パターン５００を通じてゲート金属層２１０の一部をエッチングしてゲート金属パターン２００を形成する。この際、ゲート金属パターン２００はゲート配線ＧＬ、ゲート電極ＧＥ、ゲート金属パッドＧＰ、ストレージ配線ＳＬ及びストレージ電極ＳＴＥを含む。
【００７４】
具体的に、ゲート配線ＧＬは第１方向に形成され、第１方向と垂直な第２方向に沿って並列に複数個が形成される。ゲート電極ＧＥは、ゲート配線ＧＬから第２方向に所定の長さで突出した形状で形成される。ゲート金属パッドＧＰはゲート配線ＧＬの一端部に形成される。ストレージ配線ＳＬは第１方向に沿って形成され、第２方向に沿って並列に複数個が形成される。ストレージ電極ＳＴＥはストレージ配線ＳＬと電気的に接続される。
【００７５】
一方、アライン絶縁パターン５００上に形成された感光パターンは、アライン絶縁層の一部をエッチングしてアライン絶縁パターン５００を形成する際に除去するか、ゲート金属層２１０の一部をエッチングしてゲート金属パターン２００を形成した後除去することができる。
【００７６】
また、アライン絶縁パターン５００を形成しないで、感光パターンのみでゲート金属パターン２００を形成することもできる。具体的に説明すると、まず、ゲート絶縁パターン３００より広い面積でチャンネルパターン４００及びゲート絶縁パターン３００を完全に覆う感光パターンを、露光過程により形成する。この際、感光パターンはチャンネルパターン４００の中央を露出させる。続いて、感光パターンを通じてゲート金属層２１０の一部をエッチングし、ゲート金属パターン２００を形成した後、感光パターンを除去する。
【００７７】
図１８及び図１９は、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうち第１有機絶縁パターンを形成する過程を示した図面である。具体的に、図１８は第１有機絶縁パターンを形成する過程を示した平面図であり、図１９は図１８のVII-VII’線に沿って切断した断面図である。
【００７８】
続いて、図１８及び図１９に示すように、ゲート配線ＧＬ、ゲート電極ＧＥ、ストレージ配線ＳＬ及びストレージ電極ＳＴＥを覆う第１有機絶縁パターン６００をベース基板１００上に形成する。この際、有機絶縁パターン６００はゲート配線ＧＬ、ゲート電極ＧＥ、ストレージ配線ＳＬ及びストレージ電極ＳＴＥを完全に覆うように広く形成される。
【００７９】
即ち、第１有機絶縁パターン６００はゲート配線ＧＬ、ゲート電極ＧＥ、ストレージ配線ＳＬ及びストレージ電極ＳＴＥを覆うようにベース基板１００の全面に第１有機絶縁層を形成した後、第１有機絶縁層をパターニングして形成する。
【００８０】
一方、第１有機絶縁パターン６００にもチャンネルパターン４００の中心を露出させるチャンネル開口部５１０を有する。即ち、チャンネル開口部５１０はチャンネルパターン４００の中心を露出させるためにアライン絶縁パターン５００及び有機絶縁パターン６００の一部が除去されて形成される。
【００８１】
図２０〜図２４は、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちソース電極とドレイン電極を形成する過程を示した図面である。具体的に、図２０はデータ金属パターンを形成する過程を説明するための平面図であり、図２１は図２０のVIII-VIII’に沿って切断した断面図であり、図２２は図２０のIX-IX’線に沿って切断した断面図であり、図２３は図２１におけるイオンドーピングパターンの一部をエッチングする過程を説明するための断面図であり、図２４は図２３におけるアライン絶縁パターンの一部をエッチングする過程を説明するための断面図である。
【００８２】
続いて、図２０、図２１及び図２２に示すように、ベース基板１００上にデータ金属パターン７００を形成する。データ金属パターン７００はベース基板１００全面にデータ金属層を形成した後、このデータ金属層をパターニングすることで形成できる。
【００８３】
データ金属パターン７００は、データ配線ＤＬ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、データ金属パッドＤＰ及びゲート連結パッドＧＣＰを含む。
【００８４】
データ配線ＤＬはゲート配線ＧＬと交差するように第２方向に形成され、第１方向に沿って複数個形成される。この際、データ配線ＤＬは第１有機絶縁パターン６００及びアライン絶縁パターン５００によってゲート配線ＧＬと電気的に絶縁される。
【００８５】
ソース電極ＳＥは、データ配線ＤＬから第１方向に所定の長さで突出するように形成される。ソース電極ＳＥは、ベース基板１００及び第１有機絶縁パターン６００上に形成され、チャンネル開口部１０内にも形成されチャンネルパターン４００のイオンドーピングパターン４０４の一部と接触する。
【００８６】
ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥから所定距離で離間するように第１有機絶縁パターン６００上に形成される。また、ドレイン電極ＤＥはチャンネル開口部５１０内にも形成されチャンネルパターン４００のイオンドーピングパターン４０４の一部と接触される。
【００８７】
データ金属パッドＤＰはデータ配線ＤＬの一端に形成される。ゲート連結パッドＧＣＰは、アライン絶縁パターン５００及びゲート金属パッドＧＰを覆うようにベース基板１００上に形成され、アライン絶縁パターン５００の一部を露出するように開口を有する。
【００８８】
続いて、図２３及び図２４に示すように、データ金属パターン７００を用いてチャンネルパターン４００及びアライン絶縁パターン５００の一部をエッチングする。
【００８９】
具体的に説明すると、まず、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを用いてイオンドーピングパターン４０４の一部をエッチングする。その結果、イオンドーピングパターン４０４は電気的に２つの部分に分離される。また、ゲート連結パターンＧＣＰを用いてアライン絶縁パターン５００の一部をエッチングし、その結果、アライン絶縁パターン５００にゲートパッドコンタクトホール５５０が形成される。
【００９０】
最後に、図１、図２及び図３に示す実施例と同様に、ベース基板１００上に透明金属パターン９００を形成する。透明金属パターン９００はベース基板１００全面に透明金属層を形成した後、透明金属層をパターニングすることで形成できる。
【００９１】
透明金属パターン９００は画素電極９１０、ゲート透明パッド９２０及び透明パッド９３０を含む。
【００９２】
画素電極９１０はドレイン電極ＤＥの一部と重畳するように形成され、ドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。ゲート透明パッド９２０は、ゲート連結パッドＧＣＰ、アライン絶縁パターン５００及びゲート金属パッドＧＰを覆うように形成され、ゲートパッドコンタクトホール５５０を通じて、ゲート金属パッドＧＰと電気的に接続される。データ透明パッド９３０はデータ金属パッドＤＰを覆うようにベース基板１００上に形成され、データ金属パッドＤＰと電気的に接続される。
【００９３】
透明金属パターン９００を形成した後、チャンネル開口部５１０内に保護部８５０を形成する。即ち、有機インクをチャンネル開口部５１０内に提供して保護部８５０を形成する。この際、保護部８５０はチャンネル開口部５１０によって露出されたチャンネルパターン４００の一部を覆って保護する。
【００９４】
本実施例によると、ゲート電極ＧＥを形成した後にチャンネルパターン４００を形成するのではなく、チャンネルパターン４００を先に形成しゲート電極ＧＥを後で形成することにより、チャンネルパターン４００をゲート電極ＧＥに対して自動に整列させることができる。
【００９５】
具体的に説明すると、従来のように、ゲート電極ＧＥを形成した後にチャンネルパターン４００を形成する場合、チャンネルパターン４００を形成する際に必要となる高温によって、ベース基板１００が膨張する。特に、ベース基板１００が透明な合成樹脂で形成される場合、さらに大きく熱膨張するおそれがある。このように、ベース基板１００が熱膨張する場合、ベース基板１００上に形成されたゲート電極ＧＥの位置が変更し、チャンネルパターン４００とゲート電極ＧＥとの間にミスアラインを生じる。
【００９６】
しかし、本実施例のように、チャンネルパターン４００を先に形成しゲート電極ＧＥを後で形成する場合、ベース基板１００の熱膨張によってゲート電極ＧＥの位置が変更することを防止でき、チャンネルパターン４００とゲート電極ＧＥとの間のミスアラインが発生しない。
【００９７】
本実施例による製造方法では、保護部８５０を形成する段階を含むものとして説明したが、保護部８５０の代わりに第２有機絶縁パターンを形成する段階を含むように構成することもできる。
【００９８】
図６及び図７を参照して具体的に説明すると、データ金属パターン７００を形成し、イオンドーピングパターン４０４及びアライン絶縁パターン５００の一部をエッチングした後、ベース基板１００上に第２有機絶縁パターン８００を形成する。
【００９９】
第２有機絶縁パターン８００は、ゲート連結パターンＧＣＰ、データ配線ＤＬ、データ金属パターンＤＰ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ及び第１有機絶縁パターン６００を覆って保護する。第２有機絶縁パターン８００は所定の厚さで形成され、薄膜トランジスタ基板の表面を平坦化する。
【０１００】
一方、第２有機絶縁パターン８００はドレイン電極ＤＥの上部に形成された第１コンタクトホール８１０、ゲートパッドコンタクトホール５５０の上部に形成された第２コンタクトホール８２０及びデータ金属パッドＤＰの上部に形成された第３コンタクトホール８３０を有する。
【０１０１】
続いて、第２有機絶縁パターン８００上に透明金属パターン９００を形成する。透明金属パターン９００は画素電極９１０、ゲート透明パッド９２０及びデータ透明パッド９３０を含む。
【０１０２】
画素電極９１０は、第２有機絶縁パターン８００上に形成され、第１コンタクトホール８１０を通じてドレイン電極ＤＥと電気的に接続される。ゲート透明パッド９２０はゲート金属パッドＧＰに対応するように第２有機絶縁パターン８００上に形成され、第２コンタクトホール８２０及びゲートパッドコンタクトホール５５０を通じてゲート金属パッドＧＰと電気的に接続される。データ透明パッド９３０はデータ金属パッドＤＰに対応するように第２有機絶縁パターン８００上に形成され、第３コンタクトホール８３０を通じてデータ金属パッドＤＰと電気的に接続される。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
このような本によると、チャンネルパターンを先に形成しゲート電極を後で形成することにより、チャンネルパターンとゲート電極との間でミスアラインが発生することを防止でき、その結果、表示パネルの画像の表示品質をより向上させることができる。  
【０１０４】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の第１実施例による薄膜トランジスタの一部を示した図面である。
【図２】本発明の第１実施例による薄膜トランジスタの一部を示した図面である。
【図３】本発明の第１実施例による薄膜トランジスタの一部を示した図面である。
【図４】本発明の第１実施例による薄膜トランジスタの一部を示した図面である。
【図５】本発明の第１実施例による薄膜トランジスタの一部を示した図面である。
【図６】本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ基板を示した図面である。
【図７】本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ基板を示した図面である。
【図８】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちチャンネルパターンを形成する過程を示した図面である。
【図９】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちチャンネルパターンを形成する過程を示した図面である。
【図１０】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちチャンネルパターンを形成する過程を示した図面である。
【図１１】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちチャンネルパターンを形成する過程を示した図面である。
【図１２】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちチャンネルパターンを形成する過程を示した図面である。
【図１３】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちゲート電極を形成する過程を示した図面である。
【図１４】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちゲート電極を形成する過程を示した図面である。
【図１５】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちゲート電極を形成する過程を示した図面である。
【図１６】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちゲート電極を形成する過程を示した図面である。
【図１７】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちゲート電極を形成する過程を示した図面である。
【図１８】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうち第１有機絶縁パターンを形成する過程を示した図面である。
【図１９】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうち第１有機絶縁パターンを形成する過程を示した図面である。
【図２０】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちソース電極とドレイン電極を形成する過程を示した図面である。
【図２１】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちソース電極とドレイン電極を形成する過程を示した図面である。
【図２２】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちソース電極とドレイン電極を形成する過程を示した図面である。
【図２３】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちソース電極とドレイン電極を形成する過程を示した図面である。
【図２４】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ基板の製造方法のうちソース電極とドレイン電極を形成する過程を示した図面である。
【符号の説明】
【０１０６】
１００      ベース基板
２００      ゲート金属パターン
ＧＥ      ゲート電極
ＧＬ      ゲート配線
ＧＰ      ゲート金属パッド
ＳＬ      ストレージ配線
３００      ゲート絶縁パターン
４００      チャンネルパターン
４０２      アクティブパターン
４０４      イオンドーピングパターン
５００      アライン絶縁パターン
６００      第１有機絶縁パターン
７００      データ金属パターン
ＳＥ’      ソース電極
ＤＥ      ドレイン電極
ＤＬ      データ配線
ＤＰ      データ金属パッド
８００      第２有機絶縁パターン
８５０      保護部
９００      透明金属パターン
９１０      画素電極
【図１】
0005424544.tif 000002
【図２】
0005424544.tif 000003
【図３】
0005424544.tif 000004
【図４】
0005424544.tif 000005
【図５】
0005424544.tif 000006
【図６】
0005424544.tif 000007
【図７】
0005424544.tif 000008
【図８】
0005424544.tif 000009
【図９】
0005424544.tif 000010
【図１０】
0005424544.tif 000011
【図１１】
0005424544.tif 000012
【図１２】
0005424544.tif 000013
【図１３】
0005424544.tif 000014
【図１４】
0005424544.tif 000015
【図１５】
0005424544.tif 000016
【図１６】
0005424544.tif 000017
【図１７】
0005424544.tif 000018
【図１８】
0005424544.tif 000019
【図１９】
0005424544.tif 000020
【図２０】
0005424544.tif 000021
【図２１】
0005424544.tif 000022
【図２２】
0005424544.tif 000023
【図２３】
0005424544.tif 000024
【図２４】
0005424544.tif 000025