(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に半透光膜及び遮光膜のパターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
透明基板上に半透光膜、遮光膜を順次形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッチングし、遮光膜パターンを形成する工程と、
前記レジストパターン及び遮光膜パターンをマスクにして前記半透光膜をエッチングし、半透光膜パターンを形成する工程と、
前記遮光膜パターン上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして前記遮光膜パターンをエッチングすることにより、最終形状の遮光膜パターンを形成する工程と、
マスク完成後に欠陥検査を行う工程と、
を有し、
マスク完成後の欠陥検査において検出された半透光膜上に残った余剰な遮光膜欠陥を、半透光膜パターンのエッジにかかるものはエッチングにより修正し、その他の欠陥はそのままとすることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記半透光膜パターンを形成する工程の後に、レジストパターンを剥離し、所定の洗浄を施した後、前記遮光膜パターンをもとに欠陥検査を行う工程を有することを特徴とする請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記半透光膜パターンを形成する工程の後の欠陥検査を行う工程において、修正可能な欠落欠陥又は余剰欠陥があった場合、余剰欠陥についてはその場で修正し、孤立した欠落欠陥についてもその場で修正し、パターンエッジにかかる欠落欠陥については最終工程において修正することを特徴とする請求項２記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、位相シフトリソグラフィーに用いられる位相シフトマスクの製造方法に関し、特に、ハーフトーン型の位相シフトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ＬＳＩなどの製造において微細パターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフォトマスクの一つとして位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、マスクを透過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上できるようにしたものである。この位相シフトマスクの一つに、特に、孤立したホールやライン＆スペースパターンを転写するのに適したマスクに関して特開平４−１３６８５４号公報に記載の位相シフトマスクが知られている。
【０００３】
この位相シフトマスクは、透明基板上に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に通過する光の位相をシフトさせる半透光膜（ハーフトーン位相シフト膜）を形成し、この半透光膜の一部を選択的に除去して半透光膜パターンを形成することにより、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部（透明基板露出部）と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とで構成されるマスクパターンを形成したものである。この位相シフトマスクは、半透光部を通過する光の位相をシフトさせて、この半透光部を通過した光の位相が上記透光部を通過した光の位相に対して実質的に反転する関係になるようにすることによって、前記半透光部と透光部との境界近傍を通過して回折により回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたものであり、通称、ハーフトーン型位相シフトマスクと称されている。
この位相シフトマスクにおいては露光光の波長をλ、半透光膜の露光光に対する屈折率をｎとしたとき、半透光膜の膜厚ｔの値が
ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝
を満たす値に一般的に設定され、また、露光光の波長における半透光膜の透過率が１〜５０％程度になるように設定されるのが普通である。
【０００４】
上述のようにハーフトーン型位相シフトマスクは、半透光部によって露光光の位相をシフトさせる位相シフト機能と露光光を実質的に遮断する遮光機能との二つの機能を兼ねさせたものである。すなわち、この半透光部を、パターンの境界部においては位相シフト層として機能させ、それ以外の部分では遮光層として機能させている。したがって、本来は完全に露光光を遮断するのが理想的である部分にもわずかな漏れ光が生じている。通常はこの漏れ光があっても実質的な露光とまで至らないように、全体の露光量を調整する。
このように、ハーフトーン型位相シフトマスクは、半透光部によって遮光機能を兼ねているものであるので、原理的には従来の一般的な位相シフトマスクのような遮光膜を設ける必要はない。しかしながら、このハーフトーン型位相シフトマスクの欠点をカバーするために、半透光部を形成する半透光膜の上又は下に遮光膜を設ける技術が提案されている。以下、この提案にかかるハーフトーン型位相シフトマスクについて、その提案の背景から説明する。
【０００５】
周知のように、ハーフトーン型位相シフトマスクは、通常、半導体製造に用いられる露光装置である縮小投影露光装置（ステッパー）のマスク（レチクル）として用いられる。このステッパーは、レチクルを露光光で投影して得られる投影像を投影レンズで縮小し、被転写体である半導体ウエハ上に結像させて縮小投影露光を行うものである。この縮小投影露光は、通常、１枚の半導体ウエハ上の異なる位置に同一のレチクルパターンを繰り返し転写して露光し、１枚の半導体ウエハから多数の半導体チップを得るものである。このため、このステッパーを用いてパターン転写を行うときは、ステッパーに備え付けられた被覆部材（アパーチャー）によって位相シフトマスク（レチクル）の転写領域のみを露出させるようにマスクの周縁領域を被覆して露光を行う。
【０００６】
しかしながら、このアパーチャーは精度良く（例えば１μｍ内外の精度で）転写領域のみを露出させるように設置することは機械精度的に難しく、多くの場合、転写領域の外周周辺の非転写領域にまではみ出て露出してしまう。また、アパーチャーが仮に高精度であってはみ出し部分がない場合であっても、アパーチャーと被転写体との間に距離があることから露光光が回折して被転写領域に達してしまう。
【０００７】
このようにアパーチャーが本来の転写領域よりも広い範囲に露光光を通過させた場合、次の問題があることがわかった。すなわち、ハーフトーン型位相シフトマスクにおいては通常、非転写領域に実質的に露光に寄与しない強度の光を通過させる半透光膜が形成されている。このため、上述したようにアパーチャーが本来の転写領域よりも広い範囲に露光光を通過させると、非転写領域上のはみ出した部分で実質的に露光に寄与しない強度の光による露光がなされる。勿論、このはみ出し部分があっても１回の露光では何ら問題は生じない。しかし、このはみ出し部分で露光された部分（はみ出し露光部）が転写領域に重なったり、あるいは、次の露光の際に同様にはみ出して露光された部分と重なる場合が生じ、この重複露光によって、１回の露光では実質的に露光に寄与しない露光量であっても、それらが積算されて露光に寄与する量に達する場合がある。したがって、これにより本来は露光されるべきでない領域に結果的に露光が施されたのと同様のことが起こり、欠陥が発生する。
また、ハーフトーン型位相シフトマスクの本来の利点が発揮されるパターンサイズ（例えば、波長３６５ｎｍのｉ線ではおよそ０．３〜０．５μｍ）よりも大きなパターン（およそ数〜数十倍以上の大きさ）ではパターン近傍においてサイドローブ効果が顕著になり不要なレジスト膜減りが生じて欠陥になってしまうこともある。
【０００８】
以上のような欠点を除去できるものとして、非転写領域に形成された半透光膜の上であって転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域に所定以上の幅を有する遮光部を形成するようにしたハーフトーン型位相シフトマスクが提案されている（特開平６−２８２０６３号公報）（従来例１）。
【０００９】
図５は上記提案にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
同図において、透明基板１上にスパッタリング法によりクロムからなる半透過遮光膜２ａを形成し、その上にスピンコート法によってＳＯＧ（スピン・オン・グラス）からなる位相シフト膜２ｂを形成する。これらの半透過遮光膜２ａとＳＯＧからなる位相シフト膜２ｂとによって半透光膜２を構成する。続いて、上記半透光膜２の上にクロムからなる遮光膜３をスパッタリング法によって形成し、この遮光膜３の上にポジ型電子線レジスト４をスピンコート法によって形成する（図５（ａ））。
次に、電子線描画によりレジストパターン４１を形成し、これをマスクにして遮光膜３をウエットエッチングし、引き続き位相シフト膜２ｂをドライエッチングして、遮光膜パターン３１及び位相シフト膜パターン２１ｂを形成する（図５（ｂ））。
次いで、レジストパターン４１を剥離した後、スピンコート法によりネガ型電子線レジスト５を形成する（図５（ｃ））。
次に、電子線描画によりレジストパターン５１を形成し、これをマスクにして遮光膜パターン３１及び半透過遮光膜２ａをウエットエッチングして、遮光膜パターン３２及び半透過遮光膜パターン２１ａを形成する（図５（ｄ））。
最後に、レジストパターン５１を剥離して、所望のハーフトーン型位相シフトマスクを得る（図５（ｅ））。
【００１０】
しかしながら、上記の発明では透明基板上に形成される膜構成が、クロム／ＳＯＧ／クロムという構成であるため、このような構成の膜を形成するためには、真空装置内でクロム膜を形成し、次に真空装置から取り出してスピンコートによりＳＯＧを塗布してこれを炉で焼成することによってＳＯＧ膜を形成し、しかる後に再度真空装置内に入れクロム膜を形成する必要がある。すなわち、工程が煩雑で製造に時間がかかり、かつ工程が複雑であるために欠陥が発生する確率が高いという問題がある。また、ＳＯＧを加工した後クロムを加工するため、ここでも欠陥が発生する確率が高い。さらに付け加えるとＳＯＧとクロムは密着性に問題があり、ＳＯＧからクロムが又はクロム上からＳＯＧが剥離してしまう可能性がある。
【００１１】
そこで、このような課題を解決するために、例えば、半透光膜としてＭｏＳｉＯＮ単層膜を用い、その上にクロムからなる遮光膜を形成する技術が提案されている（Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ  ２６２１，  ２６６−２７２  （１９９５））（従来例２）。
【００１２】
図６は上記提案にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
同図において、透明基板１上にスパッタリング法によりＭｏＳｉＯＮからなる半透光膜２を形成し、この半透光膜２の上にクロムからなる遮光膜３をスパッタリング法によって形成し、この遮光膜３の上にポジ型電子線レジスト４をスピンコート法によって形成する（図６（ａ））。
次に、電子線描画によりレジストパターン４１を形成し、これをマスクにして遮光膜３をウエットエッチングし、引き続き半透光膜２をドライエッチングして、遮光膜パターン３１及び半透光膜パターン２１を形成する（図６（ｂ））。
次いで、レジストパターン４１を剥離した後、スピンコート法によりネガ型電子線レジスト５を形成する（図６（ｃ））。
次に、電子線描画によりレジストパターン５１を形成し、これをマスクにして遮光膜パターン３１をウエットエッチングして、遮光膜パターン３２を形成する（図６（ｄ））。
最後に、レジストパターン５１を剥離して、所望のハーフトーン型位相シフトマスクを得る（図６（ｅ））。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例２のハーフトーン型位相シフトマスクでは、半透光膜が単層になったことで従来例１に比べマスクブランクの製造工程及びマスクの製造工程が共に減るものの、未だ以下のような問題があることがわかった。
すなわち、マスク製造工程において、遮光膜及び半透光膜をエッチングしてレジストを剥離後、再びレジストを塗布して電子線描画により遮光膜パターンを再度パターニングして最終的な形状の遮光膜パターンを形成するが、半透光膜又は遮光膜に、それらの膜をスパッタリング法等により成膜する際や、レジストの現像やエッチング等のプロセス中に、発生した修正不可能な欠落欠陥あるいは余剰欠陥があった場合には、２回目のレジスト塗布、描画、現像、エッチング、レジスト剥離等の一連の工程が無駄になってしまう。つまり、すべての製造工程が終了しなければ、合格又は不合格の判定が出来ないことになり、不良品となったときのリカバリー（再度製造を手配し製造に着手することなど）が遅れてしまう。また、遮光膜よりも半透光膜の方が自動欠陥検査装置で欠陥を検出しにくいという難点もあった。
【００１４】
本発明は上述した背景の下になされたものであり、製造上の無駄が少なく、欠陥検査が容易かつ高精度に行え、欠陥修正が容易かつ高精度に行える位相シフトマスクの製造方法の提供を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法は、以下の構成としてある。
【００１６】
（構成１）透明基板上に半透光膜及び遮光膜のパターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に半透光膜、遮光膜を順次形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッチングし、遮光膜パターンを形成する工程と、前記レジストパターン及び遮光膜パターンをマスクにして前記半透光膜をエッチングし、半透光膜パターンを形成する工程と、少なくとも前記遮光膜パターンをもとに、欠陥検査を行う工程と、前記遮光膜パターン上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして前記遮光膜パターンをエッチングすることにより、最終形状の遮光膜パターンを形成する工程と、を有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【００１７】
（構成２）前記欠陥検査を行う工程は、レジストパターンを剥離し、洗浄工程の後に行うことを特徴とする構成１記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【００１８】
（構成３）前記欠陥検査を行う工程において、修正可能な欠落欠陥又は余剰欠陥があった場合、余剰欠陥についてはその場で修正し、孤立した欠落欠陥についてもその場で修正し、パターンエッジにかかる欠落欠陥については最終工程において修正することを特徴とする構成１又は２記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【００１９】
（構成４）マスク完成後の欠陥検査において検出された半透光膜上に残った余剰な遮光膜欠陥を、遮光膜パターンのエッジにかかるものはエッチングにより修正し、その他の欠陥はそのままとすることを特徴とする構成３記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【００２０】
【作用】
本発明では、マスクの製造工程の途中で欠陥検査を行い修正不可能と判断された場合には製造を中止することで、製造上の無駄を省くことができる。すなわち、マスクが完成した後に、欠陥検査を行う通常の製造工程では、修正不可能と判断される欠落欠陥あるいは余剰欠陥があった場合には、最初から作り直しとなってしまうために大幅な時間等のロスが出てしまうが、本発明によれば、２回目のレジスト塗布、描画、現像、エッチング、レジスト剥離等の一連の工程を省くことができる。また、製造工程の途中で欠陥修正を行なっておくことで、最終マスクの状態での検査工程が簡単になる。
【００２１】
また、本発明では、半透光膜パターン上に同一パターンの遮光膜パターンがある状態で半透光膜の欠陥検査を行うことができる（遮光膜パターンをもとに欠陥検査を行うことができる）ので、欠陥検査が容易かつ高精度に行える。すなわち、自動欠陥検査装置では半透光膜よりも遮光膜の方が欠陥を検出し易いために、より高精度な検査ができる。また、光学顕微鏡を用いて検査する場合にも、半透光膜よりも遮光膜の方がパターンや欠陥を認識し易い。
【００２２】
さらに、本発明では、半透光膜パターン上に同一パターンの遮光膜パターンがある状態で半透光膜の欠陥修正を行うことができるので、欠陥修正が容易かつ高精度に行える。すなわち、レーザーリペア装置により余剰欠陥を修正する場合、半透光膜よりも遮光膜の方がレーザー光を吸収し易いため、低パワーで修正でき、下地のガラス基板へのダメージが少ない。同様に、レーザー光を照射して飛散した粒子は再び遮光膜上に付着するため、最終的には除去され、飛散粒子は半透光膜上には残らない（遮光膜を最終的にエッチングして半透光膜を露出させるため）。また、ＦＩＢ装置により修正を行う場合においても、画像が認識しやすく高精度の修正ができる。
【００２３】
【実施例】
以下、実施例にもとづき本発明を詳細に説明する。
【００２４】
実施例１
図１は本発明の一実施例にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
【００２５】
同図に示すように、まず、表面を研磨した石英ガラス（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）からなる透明基板１に所定の洗浄を施した後、この透明基板１上に、モリブデン、シリコン、酸素、及び窒素からなる半透光膜２をスパッタリング法により１６０ｎｍの膜厚で形成し、続けて、クロムからなる遮光膜３を１００ｎｍの膜厚で形成した。この遮光膜３の上にポジ型電子線レジスト（ＥＢＲ−９：東レ社製）４をスピンコート法により膜厚５００ｎｍで塗布してベークした（図１（ａ））。
【００２６】
次いで、ポジ型電子線レジスト４に所望のパターンを電子線描画し、これを現像してレジストパターン４１を形成した。続けて、レジストパターン４１をマスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸からなるエッチング液を用いて、遮光膜３をウエットエッチングして、１回目の遮光膜パターン３１を形成した（図１（ｂ））。
【００２７】
次に、レジストパターン４１及び１回目の遮光膜パターン３１をマスクにして、エッチングガス：ＣＦ４／Ｏ２の混合ガス、圧力：０．４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー：１００Ｗの条件で、半透光膜２をドライエッチングして半透光膜パターン２１を形成した（図１（ｃ））。
【００２８】
次に、レジストを剥離し、所定の洗浄を施した後、欠陥検査を行った（図１（ｄ））。
その結果、修正不可能な余剰欠陥及び欠落欠陥が発見されたため、その後の工程には進めず、再度マスク作製の準備に取りかかった。
【００２９】
実施例２
図２は本発明の他の実施例にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。なお、途中の工程までは図１と同様であるので図１も参照して説明する。
【００３０】
まず、表面を研磨した石英ガラス（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）からなる透明基板１に所定の洗浄を施した後、この透明基板１上に、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる半透光膜２をスパッタリング法により１６０ｎｍの膜厚で形成し、続けて、クロムからなる遮光膜３を１００ｎｍの膜厚で形成した。この遮光膜３の上にポジ型電子線レジスト（ＥＢＲ−９：東レ社製）４をスピンコート法により膜厚５００ｎｍで塗布してベークした（図１（ａ））。
【００３１】
次いで、ポジ型電子線レジスト４に所望のパターンを電子線描画し、これを現像してレジストパターン４１を形成した。続けて、レジストパターン４１をマスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸からなるエッチング液を用いて、遮光膜３をウエットエッチングして、１回目の遮光膜パターン３１を形成した（図１（ｂ））。
【００３２】
次に、レジストパターン４１及び１回目の遮光膜パターン３１をマスクにして、エッチングガス：ＣＦ４／Ｏ２の混合ガス、圧力：０．４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー：１００Ｗの条件で、半透光膜２をドライエッチングして半透光膜パターン２１を形成した（図１（ｃ））。
【００３３】
次に、レジストパターン４１を剥離し、所定の洗浄を施した後、欠陥検査を行った（図１（ｄ））。
【００３４】
上記欠陥検査の結果、修正可能な余剰欠陥（孤立黒欠陥５及びエッジにかかる黒欠陥６）が発見された（図２（ａ））。そこで、ＹＡＧレーザーを用いたリペアー装置により通常のＣｒフォトマスクを修正するのと同じようにして修正した（図２（ｂ））。
【００３５】
上記修正後、ポジ型電子線レジスト（ＥＢＲ−９：東レ社製）７をスピンコート法により膜厚５００ｎｍで塗布してベークした（図２（ｃ））。
【００３６】
次いで、ポジ型電子線レジスト７に所望のパターンを電子線描画し、これを現像してレジストパターン７１を形成した。続けて、レジストパターン７１をマスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸からなるエッチング液を用いて、遮光膜パターン３１を再度ウエットエッチングして、２回目（最終形状）の遮光膜パターン３２を形成した（図２（ｄ））。
【００３７】
最後に、レジストパターン７１を剥離して、所定の洗浄を施した後再度欠陥検査を行ったところ、欠陥は検出されず、高品質のハーフトーン型位相シフトマスクを効率よく得ることができた（図２（ｅ））。
【００３８】
実施例３
図３は本発明の他の実施例にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。なお、途中の工程までは図１と同様であるので図１も参照して説明する。
【００３９】
まず、表面を研磨した石英ガラス（大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチ）からなる透明基板１に所定の洗浄を施した後、この透明基板１上に、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる半透光膜２をスパッタリング法により１６０ｎｍの膜厚で形成し、続けて、クロムからなる遮光膜３を１００ｎｍの膜厚で形成した。この遮光膜３の上にポジ型電子線レジスト（ＥＢＲ−９：東レ社製）４をスピンコート法により膜厚５００ｎｍで塗布してベークした（図１（ａ））。
【００４０】
次いで、ポジ型電子線レジスト４に所望のパターンを電子線描画し、これを現像してレジストパターン４１を形成した。続けて、レジストパターン４１をマスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸からなるエッチング液を用いて、遮光膜３をウエットエッチングして、１回目の遮光膜パターン３１を形成した（図１（ｂ））。
【００４１】
次に、レジストパターン４１及び１回目の遮光膜パターン３１をマスクにして、エッチングガス：ＣＦ４／Ｏ２の混合ガス、圧力：０．４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー：１００Ｗの条件で、半透光膜２をドライエッチングして半透光膜パターン２１を形成した（図１（ｃ））。
【００４２】
次に、レジストを剥離し、所定の洗浄を施した後、欠陥検査を行った（図１（ｄ））。
【００４３】
上記欠陥検査の結果、修正可能な欠落欠陥（孤立白欠陥（ピンホール）８及びエッジにかかる白欠陥９）が発見された（図３（ａ））。そこで、ＦＩＢ装置により孤立白欠陥（ピンホール）８については通常のＣｒフォトマスクを修正するのと同じようにおよそ３０００オングストロームのカーボン膜８１を堆積させて修正し、エッジにかかる白欠陥９についてはそのままとした（図３（ｂ））。
【００４４】
上記部分修正後、ポジ型電子線レジスト（ＥＢＲ−９：東レ社製）７をスピンコート法により膜厚５００ｎｍで塗布してベークした（図３（ｃ））。
【００４５】
次いで、ポジ型電子線レジスト７に所望のパターンを電子線描画し、これを現像してレジストパターン７１を形成した。続けて、レジストパターン７１をマスクにして、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸からなるエッチング液を用いて、遮光膜パターン３１を再度ウエットエッチングして、２回目（最終形状）の遮光膜パターン３２を形成した（図３（ｄ））。
【００４６】
最後に、レジストパターン７１を剥離して、所定の洗浄を施した後再度欠陥検査を行ったところ、上記で既に検出されていたエッジにかかる白欠陥９、及び遮光膜に隠れていたために検出していなかった半透光膜パターン２１上の孤立白欠陥（ピンホール）１０を検出した。そこで、ＦＩＢ装置により孤立白欠陥（ピンホール）１０については通常のＣｒフォトマスクを修正するのと同じようにおよそ３０００オングストロームのカーボン膜１０１を堆積させて修正し、エッジにかかる白欠陥９についても同様にカーボン膜９１を堆積させて修正した。その結果、ウエハーへの転写上何ら問題なのない高品質のハーフトーン型位相シフトマスクを効率よく得ることができた（図３（ｅ））。
【００４７】
実施例４
実施例４では、実施例２及び３と同様にして最後にレジストパターンを剥離して所定の洗浄を施した後の最終的なマスクについて欠陥検査を行ったところ、図４（ａ）に示すように、半透光膜パターン２１上に余剰遮光膜欠陥（孤立黒欠陥１１及びエッジにかかる黒欠陥１２）があった場合である。この場合、半透光膜パターン２１のエッジにかかる黒欠陥１２についてはエッチング液をかけてエッチングし、孤立黒欠陥１１についてはそのままとした。その結果、ウエハーへの転写上何ら問題なのない高品質のハーフトーン型位相シフトマスクを効率よく得ることができた（図４（ｂ））。
以上のように、本発明では、工程途中に比較的単純な検査工程を付加するだけで、欠陥が発生した場合でも結果としてウエハーへの転写上何ら問題なのない高品質のハーフトーン型位相シフトマスクを効率よく短時間で得ることができる。
【００４８】
以上好ましい実施例をあげて本発明を説明したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるものではない。
【００４９】
例えば、パターンエッジにかかる欠落欠陥については、ＦＩＢ（フォーカスイオンビーム）方式によって修正する方法に限定されず、例えば、欠落欠陥部分以外の部分をレジスト等でマスキングし、欠落欠陥部分にのみカーボン等の修正膜を堆積させる方法も可能である。
【００５０】
また、半透光膜は、モリブデン、シリコン、酸素及び窒素からなるものに限定されず、例えば、モリブデンとシリコンと酸素又は窒素とからなる半透光膜や、タングステン、チタン、タンタル、クロムから選ばれる金属とシリコンと酸素及び／又は窒素とからなる半透光膜であってもよい。
【００５１】
さらに、遮光膜は、クロムに限定されず、例えば、クロムと酸素、窒素、炭素のうちから選ばれる少なくとも一種とを含む材料や、アルミニウム、チタン、タングステン、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等の膜や、あるいはこれらに酸素、窒素、炭素のうちから選ばれる少なくとも一種を含ませた材料からなるものであってもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法によれば、製造上の無駄が少なく、欠陥検査が容易かつ高精度に行え、欠陥修正が容易かつ高精度に行うことができる。
したがって、高歩留まりで容易かつ安価にハーフトーン型位相シフトマスクを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
【図２】本発明の実施例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
【図３】本発明の実施例３にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
【図４】本発明の実施例４にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
【図５】従来例１にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
【図６】従来例２にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための図である。
【符号の説明】
１      透明基板
２      半透光膜
３      遮光膜
４      レジスト
５      孤立黒欠陥
６      エッジにかかる黒欠陥
７      レジスト
８      孤立白欠陥（ピンホール）
９      エッジにかかる白欠陥
１０      半透光膜の孤立白欠陥（ピンホール）
１１      遮光膜パターン上の孤立黒欠陥
１２      遮光膜パターンのエッジにかかる黒欠陥
２１      半透光膜パターン
３１      遮光膜パターン
３２      最終形状の遮光膜パターン
４１      レジストパターン
７１      レジストパターン
【図１】
0003630929.tif 000002
【図２】
0003630929.tif 000003
【図３】
0003630929.tif 000004
【図４】
0003630929.tif 000005
【図５】
0003630929.tif 000006
【図６】
0003630929.tif 000007