(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板の一面にパッチ電極が形成され、他面の略全体に接地電極が形成された円偏波マイクロストリップアンテナであって、前記パッチ電極の中心で直交する２本の直線の一方の線上において、該パッチ電極の対向する縁部の少なくとも一方に縮退分離用の切り欠きを設けるとともに、この切り欠き内に前記パッチ電極の縁部から外側に延びる調整用電極を設けたことを特徴とする円偏波マイクロストリップアンテナ。
【請求項２】
前記直交する２本の直線の他方の線上において、前記パッチ電極の対向する縁部の少なくとも一方に前記切り欠きに比較して小さい第２の切り欠きを設けるとともに、この第２の切り欠き内に前記パッチ電極の縁部から外側に延びる第２の調整用電極を設けたことを特徴とする請求項１記載の円偏波マイクロストリップアンテナ。
【請求項３】
前記パッチ電極が方形形状であり、前記切り欠きを略三角形状となしたことを特徴とする請求項１記載の円偏波マイクロストリップアンテナ。
【請求項４】
前記パッチ電極が方形形状であり、前記第２の切り欠きを略三角形状となしたことを特徴とする請求項２または３記載の円偏波マイクロストリップアンテナ。
【請求項５】
前記パッチ電極が円形形状であり、前記切り欠きを略四角形状となしたことを特徴とする請求項１記載の円偏波マイクロストリップアンテナ。
【請求項６】
前記パッチ電極が円形形状であり、前記第２の切り欠きを略四角形状となしたことを特徴とする請求項２または５記載の円偏波マイクロストリップアンテナ。
【請求項７】
前記パッチ電極が円形形状であり、前記切り欠きを略半円形状となしたことを特徴とする請求項１記載の円偏波マイクロストリップアンテナ。
【請求項８】
前記パッチ電極が円形形状であり、前記第２の切り欠きを略半円形状となしたことを特徴とする請求項２または７記載の円偏波マイクロストリップアンテナ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体基板の一面にパッチ電極が形成され、他面に接地電極が形成されてなる円偏波マイクロストリップアンテナに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＧＰＳアンテナを携帯機器に内蔵することにより、携帯型ナビゲーションシステムを構成したり携帯電話での緊急通信における位置情報取得等で利用したりする動きが活発になってきており、それに伴って非常に小型なアンテナが望まれている。
【０００３】
図１１は従来から広く使用されている円偏波マイクロストリップアンテナ１０１の平面図であり、このマイクロストリップアンテナ１０１は、略方形の誘電体基板１０４の一面に略方形のパッチ電極１０２が形成されるとともに、他面の略全体に接地電極（図示しない）が形成されている。パッチ電極１０２には、その中心からわずかに離れた位置に給電点１０５が形成されており、この給電点１０５に前記接地電極面から同軸ケーブル（図示しない）で給電する構成になっている。また、パッチ電極１０２には一対の切り欠き１０２ａ，１０２ｂが形成されており、パッチ電極１０２の中心から給電点１０５を見た方向を０°としたとき、両切り欠き１０２ａ，１０２ｂは１３５°方向と３１５°方向に形成されている。これら切り欠き１０２ａ，１０２ｂは縮退分離素子とも呼ばれ、マイクロストリップアンテナ１０１に縮退している直交する２つのモード（図１１中のＭ１とＭ２）を分離させる働きがあり、マイクロストリップアンテナ１０１はこれら切り欠き１０２ａ、１０２ｂにより右旋円偏波の電波を送信または受信できるようになる。
【０００４】
このように構成された方形のマイクロストリップアンテナ１０１において、その共振周波数ｆｒは一般に次式（１）で与えられる。
【０００５】
【数１】
0003685676.tif 000002
ただし式（１）中、ｃは光速、εｒは誘電体基板１０４の比誘電率、ｈは誘電体基板１０４の厚さ、ａは方形パッチ電極１０２の一辺の長さである。
【０００６】
上記式（１）から、小型なマイクロストリップアンテナ１０１を実現するためには、比誘電率εｒの大きな誘電体基板１０４を使用すれば良いことがわかる。一例として、マイクロストリップアンテナ１０１がＧＰＳ受信用である場合、εｒ＝２０のときに誘電体基板１０４の一辺の寸法は略２５ｍｍとなるが、εｒ＝９０になると誘電体基板１０４の一辺の寸法は略１２ｍｍまで小型化される。このため、誘電体基板１０４としては一般的に、比誘電率εｒの大きいマイクロ波誘電体セラミック（以下、セラミックと略す）が多用されている。
【０００７】
図１２は、パッチ電極が正方形である場合、パッチ電極の一辺の寸法バラツキに対する共振周波数ｆｒの変化を表している。同図の破線Ｇは誘電体基板のεｒ＝２０のときを表し、同図の実線Ｈは誘電体基板のεｒ＝９０のときを表している。図１２からは、比誘電率εｒが大きいほどパッチ電極の寸法バラツキに対する共振周波数ｆｒの変化が大きいことがわかる。ここで、パッチ電極の寸法バラツキは、単に一辺の長さのみではなく、例えば、切り欠き１０２ａ，１０２ｂにも及ぶため、単に共振周波数ｆｒのみならず円偏波発生周波数やその軸比までも変化してしまうことになる。
【０００８】
また、図１３は、比誘電率εｒのバラツキに対する共振周波数ｆｒの変化を表している。同図の破線Ｉは誘電体基板のεｒ＝２０のときを表し、同図の実線Ｊは誘電体基板のεｒ＝９０のときを表している。図１３からは、図１２に比較してその寄与は小さいものの、比誘電率εｒが大きいほど共振周波数ｆｒの変化が大きいことがわかる。
【０００９】
したがって、前述した従来のマイクロストリップアンテナ１０１にあっては、比誘電率εｒが大きい誘電体基板１０４を用いることにより、マイクロストリップアンテナ１０１を小型化できるという利点があるものの、実際の製造バラツキ等の影響を大きく受けることになるため、共振周波数ｆｒが所望値から大きくはずれたり、軸比が大きくなる等の問題が発生し、結果的に歩留まりが劣化してしまうという問題があった。
【００１０】
これらの問題点を解決するための一方法として、従来より、図１４に示すような円偏波マイクロストリップアンテナ１１０が提案されている。このマイクロストリップアンテナ１１０は、誘電体基板１１４の一面に略方形（または円形）のパッチ電極１１２が形成され、このパッチ電極１１２の定められた位置に軸比調整用の突起１１６ａ〜１１６ｄと周波数調整の突起１１７ａ〜１１７ｄ及び導体欠除部１１８ａ〜１１８ｄが形成されている。軸比調整用の各突起１１６ａ〜１１６ｄは縮退分離素子であり、パッチ電極１１２の中心から給電点１１５を見た方向を０°としたとき、軸比調整用の各突起１１６ａ〜１１６ｄはそれぞれ４５°，１３５°，２２５°，３１５°方向に形成されており、突起１１６ａ，１１６ｃの長さは突起１１６ｂ，１１６ｄよりも長く構成されている。また、周波数調整の各突起１１７ａ〜１１７ｄはそれぞれ０°，９０°，１８０°，２７０°方向に形成されており、周波数調整の各導体欠除部１１８ａ〜１１８ｄは上記各突起１１７ａ〜１１７ｄの基端部近傍に形成されている。
【００１１】
このように構成されたマイクロストリップアンテナ１１０においては、まず、軸比調整用の各突起１１６ａ〜１１６ｄをそれぞれ同量ずつ切削することにより、軸比を規定値以下になるように調整する。ここで、軸比調整後の共振周波数が目標周波数以下であれば、周波数調整の各突起１１７ａ〜１１７ｄをそれぞれ同量ずつ切削することにより、共振周波数を徐々に上昇させて目標周波数に調整する。そして、この作業で各突起１１７ａ〜１１７ｄを削り過ぎて共振周波数が目標周波数を越えた場合は、周波数調整の各導体欠除部１１８ａ〜１１８ｄを切削することにより、共振周波数を徐々に低下させて目標周波数に調整する。
【００１２】
一方、軸比調整後の共振周波数が既に目標周波数以上であれば、周波数調整の各導体欠除部１１８ａ〜１１８ｄを切削することにより、共振周波数を徐々に低下させて目標周波数に調整し、この作業で共振周波数が目標周波数以下に低下した場合は、周波数調整の各突起１１７ａ〜１１７ｄをそれぞれ同量ずつ切削することにより、共振周波数を徐々に上昇させて目標周波数に調整する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
前述したように、図１４に示す従来の円偏波マイクロストリップアンテナ１１０では、パッチ電極１１２の定められた位置に軸比調整用の突起１１６ａ〜１１６ｄと周波数調整の突起１１７ａ〜１１７ｄ及び導体欠除部１１８ａ〜１１８ｄが形成されているたため、軸比調整用の突起１１６ａ〜１１６ｄを切削して軸比が規定値以下になるように調整した後、周波数調整の突起１１７ａ〜１１７ｄ及び導体欠除部１１８ａ〜１１８ｄを切削することにより、共振周波数を所望周波数に調整することができる。しかしながら、軸比調整用の突起１１６ａ〜１１６ｄと周波数調整用の突起１１７ａ〜１１７ｄ及び導体欠除部１１８ａ〜１１８ｄとはそれぞれ独立に機能するわけではなく、軸比調整用の突起１１６ａ〜１１６ｄを切削することにより、軸比を規定値以下に設定できたとしても、その後に行われる周波数調整用の突起１１７ａ〜１１７ｄ及び導体欠除部１１８ａ〜１１８ｄの切削により、再び軸比が劣化してしまうという問題があった。また、軸比調整用の突起１１６ａ〜１１６ｄを誤って切削し過ぎた場合、円偏波の回転方向が逆転してしまうという問題もあった。
【００１４】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、比誘電率の大きな誘電体基板を用いて小型化を図った上で、所望の共振周波数や軸比が得られる円偏波マイクロストリップアンテナを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、誘電体基板の一面にパッチ電極が形成され、他面の略全体に接地電極が形成された円偏波マイクロストリップアンテナであり、前記パッチ電極の中心で直交する２本の直線の一方の線上において、該パッチ電極の対向する縁部の少なくとも一方に縮退分離用の切り欠きを設けるとともに、この切り欠き内に前記パッチ電極の縁部から外側に延びる調整用電極を設けたことを特徴とするものである。
【００１６】
このように構成すると、パッチ電極の縁部に設けられた切り欠きが円偏波マイクロストリップアンテナに縮退している２つのモードを分離させる縮退分離素子として動作し、この切り欠き内に設けられた調整用電極を切削することにより、規定値以下に設定された軸比の劣化を抑制しつつ２つのモードに関わる一方の共振周波数が上昇し、しかも、調整用電極による調整限界が切り欠き位置によって明確になるため、円偏波発生周波数を所望の周波数に簡単かつ確実に調整することができ、歩留まりを大きく向上させることができる。
【００１７】
また、本発明は、上記の構成に加え、前記直交する２本の直線の他方の線上において、前記パッチ電極の対向する縁部の少なくとも一方に前記切り欠きに比較して小さい第２の切り欠きを設けるとともに、この第２の切り欠き内に前記パッチ電極の縁部から外側に延びる第２の調整用電極を設けたことを特徴とするものである。
【００１８】
このように構成すると、調整用電極及び第２の調整用電極を切削することにより、円偏波マイクロストリップアンテナに縮退している２つのモードに関わるそれぞれの共振周波数が上昇し、しかも、２つの調整用電極による調整限界が明確になるため、無調整時の円偏波マイクロストリップアンテナに各種の共振周波数のバラツキがあったとしても、これを所望周波数で軸比が小さい状態に調整することがができる。
【００１９】
上記の構成において、前記パッチ電極の形状は特に限定されないが、例えば、方形形状のパッチ電極とした場合は、前記切り欠きや前記第２の切り欠きを略三角形状にすることが好ましい。また、円形形状のパッチ電極とした場合は、前記切り欠きや前記第２の切り欠きを略四角形状あるいは略半円形状にすることが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態例について図面を参照して説明すると、図１は本発明の第１の実施形態例に係る円偏波マイクロストリップアンテナの平面図、図２は図１のII−II線に沿う断面図である。
【００２１】
図１，２に示すように、本実施形態例に係る円偏波マイクロストリップアンテナ１は、略方形の誘電体基板４の一面に略方形のパッチ電極２が形成されるとともに、他面の略全体に接地電極３が形成されている。誘電体基板４としては比誘電率が大きいセラミックが用いられており、また、パッチ電極２と接地電極３は銅ペーストや銀ペーストを印刷して形成される。パッチ電極２には、その中心からわずかに離れた位置に給電点５が形成されており、この給電点５に接地電極３の形成面から同軸ケーブル６で給電する構成になっている。この同軸ケーブル６は内導体６ａと外導体６ｂとを有し、内導体６ａはパッチ電極２に半田付け部７により接続され、外導体６ｂは接地電極３に半田付け部８により接続されている。
【００２２】
前記パッチ電極２の中心から給電点５を見た方向を０°としたとき、１３５°方向と３１５°方向にはそれぞれ第１の切り欠き２ａ，２ｂが形成されており、これら第１の切り欠き２ａ，２ｂは略方形のパッチ電極２の角部を切除した三角形状となっている。両第１の切り欠き２ａ，２ｂは縮退分離素子とも呼ばれ、マイクロストリップアンテナ１に縮退している直交する２つのモード（図１中のＭ１とＭ２）を分離させる働きがあり、マイクロストリップアンテナ１はこれら第１の切り欠き２ａ，２ｂにより右旋円偏波の電波を送信または受信できるようになっている。また、第１の切り欠き２ｂの内部には先端をくさび状にした調整用第１電極２ｃが形成されており、この調整用第１電極２ｃはパッチ電極２の縁部（第１の切り欠き２ｂの底辺）から外側に延出している。ただし、調整用第１電極２ｃは基本となるパッチ電極２の略方形の範囲内に形成されており、本実施形態例では、調整用第１電極２ｃの先端は第１の切り欠き２ｂの頂点に一致している。一方、パッチ電極２の中心から給電点５を見た方向を０°としたとき、４５°方向には第２の切り欠き２ｄが形成されており、この第２の切り欠き２ｄの内部には先端をくさび状にした調整用第２電極２ｅが形成されている。第２の切り欠き２ｄも第１の切り欠き２ｂと同様に略方形のパッチ電極２の角部を切除した三角形状であるが、切り欠き面積は第１の切り欠き２ｂよりも小さくなっている。この調整用第２電極２ｅはパッチ電極２の縁部（第２の切り欠き２ｄの底辺）から外側に延出しており、その先端は第２の切り欠き２ｄの頂点に一致している。
【００２３】
ここで、右上部の第１の切り欠き２ａの面積をΔＳ１、左下部の第１の切り欠き２ｂの面積をΔＳ２、第２の切り欠き２ｄの面積をΔＳ３、調整用第１電極２ｃの面積をＰ２、右下部の調整用第２電極２ｅの面積をＰ３とすると、（ΔＳ１＋ΔＳ２−Ｐ２）＞（ΔＳ３−Ｐ３）の関係に設定される必要がある。ただし、右上部の第１の切り欠き２ａを省略して左下部の第１の切り欠き２ｂのみで構成することも可能であり、この場合は、（ΔＳ２−Ｐ２）＞（ΔＳ３−Ｐ３）の関係が成立すれば良い。また、基本となるパッチ電極２の略方形の面積をＳとすると、各部の面積比は誘電体基板４の比誘電率εｒやパッチ電極２の大きさ等によって適宜設定される。一例として、マイクロストリップアンテナ１がＧＰＳ受信用（周波数１．５７５４２ＧＨｚ）であり、誘電体基板４の比誘電率がεｒ＝９０の場合、基本となるパッチ電極２の略方形の一辺の長さは約９．５ｍｍであり、ΔＳ1／Ｓ≒０．３％、ΔＳ２／Ｓ≒０．４％、ΔＳ３／Ｓ≒０．２％、Ｐ２／ΔＳ２≒０．５、Ｐ３／ΔＳ３≒０．５となる。
【００２４】
次に、上記した円偏波マイクロストリップアンテナ１における周波数の調整方法について、図３〜図８の特性図とともに説明する。なお、図３〜図８において、横軸は周波数を、縦軸はＶＳＷＲ（電圧定在波比）をそれぞれ示している。
【００２５】
図３の実線Ｒは円偏波マイクロストリップアンテナが理想的な円偏波を発生している場合のＶＳＷＲ特性であり、同図中、ｆLは図１中における第１のモードＭ１に関わる共振周波数、ｆHは図１中における第２のモードＭ２に関わる共振周波数である。図３の実線ＲはｆLとｆHの略中央の所望周波数ｆ0において理想的な円偏波を発生している場合を示しおり、この場合は周波数の調整は行わない。しかしながら、既に説明したように、誘電体基板４の比誘電率を大きくするに従ってマイクロストリップアンテナ１は小型化されるが、パッチ電極２の寸法バラツキや比誘電率のバラツキが共振周波数に与える影響が大きくなるため、図３に示したｆL及びｆHは製造した個々の円偏波マイクロストリップアンテナ１毎に異なる周波数を示すことになる。
【００２６】
本実施形態例に係る円偏波マイクロストリップアンテナ１においては、基本となる共振周波数は式（１）で与えられるため、パッチ電極２の一辺の長さａと誘電体基板４の比誘電率εｒ及び厚さｈを適切に設定することにより、図４の実線Ａで示すように、無調整時の共振周波数を理想的なＶＳＷＲ特性（同図の２点鎖線Ｒ）をわずかに低い周波数側にシフトしたようなＶＳＷＲ特性が得られるように設定しておく。なお、図４において、ｆL’及びｆH’は無調整時における２つの共振周波数であり、これら共振周波数の差（ｆH’−ｆL’）は２点鎖線Ｒにおける２つの共振周波数の差（ｆH−ｆL）とほぼ同じである。そして、無調整時の共振周波数が図４の実線Ａで示すようなＶＳＷＲ特性である場合は、調整用第１電極２ｃと調整用第２電極２ｅをほぼ同量切削し、実線ＡのＶＳＷＲ特性が２点鎖線ＲのＶＳＷＲ特性になるまで、言い換えれば、共振周波数ｆL’及びｆH’をそれぞれｆL及びｆHになるまで上昇させることにより、マイクロストリップアンテナ１の共振周波数を所望周波数に調整する。この場合、調整用第１電極２ｃ及び調整用第２電極２ｅはそれぞれパッチ電極２の縁部までしか切削できず、すなわち、第１の切り欠き２ｂ及び第２の切り欠き２ｄの切り欠き位置によって調整量の限界が明確に規定されるため、仮に調整用第１電極２ｃと調整用第２電極２ｅを全て切削してしまったとしても、円偏波の回転方向が逆転することはない。
【００２７】
なお、無調整時の共振周波数が常に図４の実線Ａで示すようなＶＳＷＲ特性になるとは限らず、各種の共振周波数でバラツキを生じることがある。例えば、図５の実線Ｂで示されるＶＳＷＲ特性は、理想的なＶＳＷＲ特性（同図の２点鎖線Ｒ）に対して一方の共振周波数ｆL’のみが低い周波数側にシフトしており、実線Ｂにおける共振周波数の差（ｆH’−ｆL’）は２点鎖線Ｒにおける２つの共振周波数の差（ｆH−ｆL）よりも大きくなっている。このような場合は、調整用第２電極２ｅのみを切削することにより、実線ＢのＶＳＷＲ特性が２点鎖線ＲのＶＳＷＲ特性になるように調整する。
【００２８】
また、図６の実線Ｃで示されるＶＳＷＲ特性は、理想的なＶＳＷＲ特性（同図の２点鎖線Ｒ）に対して他方の共振周波数ｆH’のみが低い周波数側にシフトしており、実線Ｃにおける共振周波数の差（ｆH’−ｆL’）は２点鎖線Ｒにおける２つの共振周波数の差（ｆH−ｆL）よりも小さくなっている。このような場合は、図５の場合と逆に、調整用第１電極２ｃのみを切削することにより、実線ＣのＶＳＷＲ特性が２点鎖線ＲのＶＳＷＲ特性になるように調整する。
【００２９】
また、図７の実線Ｄで示されるＶＳＷＲ特性は、理想的なＶＳＷＲ特性（同図の２点鎖線Ｒ）に対して２つの共振周波数ｆL’及びｆH’がいずれも低い周波数側にシフトしているが、ｆL’のシフト量の方がｆH’よりも大きくなっている。したがって、実線Ｄにおける共振周波数の差（ｆH’−ｆL’）は２点鎖線Ｒにおける２つの共振周波数の差（ｆH−ｆL）よりも大きくなり、このような場合は、調整用第１電極２ｃと調整用第２電極２ｅの両方を切削するが、調整用第２電極２ｅを調整用第１電極２ｃよりも多く切削することにより、実線ＤのＶＳＷＲ特性が２点鎖線ＲのＶＳＷＲ特性になるように調整する。
【００３０】
さらに、図８の実線Ｅで示されるＶＳＷＲ特性は、理想的なＶＳＷＲ特性（同図の２点鎖線Ｒ）に対して２つの共振周波数ｆL’及びｆH’がいずれも低い周波数側にシフトしているが、図７の場合と逆に、ｆH’のシフト量の方がｆL’よりも大きくなっている。したがって、実線Ｅにおける共振周波数の差（ｆH’−ｆL’）は２点鎖線Ｒにおける２つの共振周波数の差（ｆH−ｆL）よりも小さくなり、このような場合は、調整用第１電極２ｃと調整用第２電極２ｅの両方を切削するが、調整用第１電極２ｃを調整用第２電極２ｅよりも多く切削することにより、実線ＥのＶＳＷＲ特性が２点鎖線ＲのＶＳＷＲ特性になるように調整する。
【００３１】
図９は本発明の第２の実施形態例に係る円偏波マイクロストリップアンテナの平面図であり、同図中、符号１２はパッチ電極、符号１５は給電点である。
【００３２】
本実施形態例に係るマイクロストリップアンテナ１１が図１に示したマイクロストリップアンテナ１と基本的に異なる点は、略方形のパッチ電極に代えて、略円形のパッチ電極１２を用いたことである。また、両第１の切り欠き１２ａ，１２ｂと第２の切り欠き１２ｄはいずれも略四角形とされ、第１の切り欠き１２ｂ及び第２の切り欠き１２ｄの内部にはそれぞれ調整用第１電極１２ｃと調整用第２電極１２ｅが形成されている。
【００３３】
図１０は本発明の第３の実施形態例に係る円偏波マイクロストリップアンテナの平面図であり、同図中、符号２２はパッチ電極、符号２５は給電点である。
【００３４】
本実施形態例に係るマイクロストリップアンテナ２１においても、パッチ電極２２は略円形であるが、両第１の切り欠き２２ａ，２２ｂと第２の切り欠き２２ｄはいずれも略半円形とされ、第１の切り欠き２２ｂ及び第２の切り欠き２２ｄの内部にはそれぞれ調整用第１電極２２ｃと調整用第２電極２２ｅが形成されている。
【００３５】
なお、これら第２及び第３の実施形態例における周波数の調整方法は、既に説明した第１の実施形態例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略することとする。
【００３６】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００３７】
パッチ電極の中心で直交する２本の直線の一方の線上において、該パッチ電極の対向する縁部の少なくとも一方に縮退分離用の切り欠きを設けるとともに、この切り欠き内にパッチ電極の縁部から外側に延びる調整用電極を設けると、調整用電極を切削することにより、規定値以下に設定された軸比の劣化を抑制しつつ円偏波マイクロストリップアンテナに縮退している２つのモードに関わる一方の共振周波数が上昇し、しかも、調整用電極による調整限界が明確になるため、円偏波発生周波数を所望の周波数に簡単かつ確実に調整することができ、歩留まりを大きく向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態例に係る円偏波マイクロストリップアンテナの平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】円偏波マイクロストリップアンテナが理想的な円偏波を発生している場合のＶＳＷＲ特性を示す説明図である。
【図４】円偏波マイクロストリップアンテナが無調整時のＶＳＷＲ特性の一例を示す説明図である。
【図５】円偏波マイクロストリップアンテナが無調整時のＶＳＷＲ特性の一例を示す説明図である。
【図６】円偏波マイクロストリップアンテナが無調整時のＶＳＷＲ特性の一例を示す説明図である。
【図７】円偏波マイクロストリップアンテナが無調整時のＶＳＷＲ特性の一例を示す説明図である。
【図８】円偏波マイクロストリップアンテナが無調整時のＶＳＷＲ特性の一例を示す説明図である。
【図９】本発明の第２の実施形態例に係る円偏波マイクロストリップアンテナの平面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態例に係る円偏波マイクロストリップアンテナの平面図である。
【図１１】従来の円偏波マイクロストリップアンテナの一例を示す平面図である。
【図１２】方形マイクロストリップアンテナにおけるパッチ電極の一辺の長さのバラツキに対する共振周波数の変化を表わす説明図である。
【図１３】方形マイクロストリップアンテナにおける誘電体基板の比誘電率のバラツキに対する共振周波数の変化を表わす説明図である。
【図１４】従来の円偏波マイクロストリップアンテナの他例を示す平面図である。
【符号の説明】
１，１１，２１  円偏波マイクロアンテナストリップ
２，１２，２２  パッチ電極
２ａ，２ｂ，１２ａ，１２ｂ，２２ａ，２２ｂ  第１の切り欠き
２ｃ，１２ｃ，２２ｃ  調整用第１電極
２ｄ，１２ｄ，２２ｄ  第２の切り欠き
２ｅ，１２ｅ，２２ｅ  調整用第２電極
３  接地電極
４  誘電体基板
５，１５，２５  給電点
６  同軸ケーブル
【図１】
0003685676.tif 000003
【図２】
0003685676.tif 000004
【図３】
0003685676.tif 000005
【図４】
0003685676.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003685676.tif 000009
【図８】
0003685676.tif 000010
【図９】
0003685676.tif 000011
【図１０】
0003685676.tif 000012
【図１１】
0003685676.tif 000013
【図１２】
0003685676.tif 000014
【図１３】
0003685676.tif 000015
【図１４】
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