(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスキングした被エッチング膜に対して、方向性及び反応性を有するドライエッチングを行なって配線基板を製造する方法において、
前記被エッチング膜の上に、無電解メッキによって無電解メッキ膜を形成する工程と、
該無電解メッキ膜を、前記方向性及び反応性を有するドライエッチングのマスク材として用いて、前記被エッチング膜をエッチングする工程と、
を備えるとともに、
前記被エッチング膜が、前記方向性及び反応性を有するドライエッチングによりエッチング可能な材料からなる絶縁膜又は層間密着用膜であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記無電解メッキ膜の上に、フォトリソグラフィにより、開口部を有するレジストを設ける工程と、
前記レジストの開口部から露出する前記無電解メッキ膜に対して、ウエットエッチングを施し、該無電解メッキ膜を除去して、前記被エッチング膜を露出させる工程と、
該無電解メッキ膜をマスク材として、該マスク材の間から露出した前記被エッチング膜に対して、前記方向性及び反応性を有するドライエッチングを施す工程と、
前記無電解メッキ膜に対して、ウエットエッチングを施し、該無電解メッキ膜を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする前記請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
マスキングした被エッチング膜に対して、方向性及び反応性を有するドライエッチングを行なって配線基板を製造する方法において、
前記被エッチング膜の上に、スパッタリングによってスパッタ膜を形成する工程と、
前記スパッタ膜の上に、電解メッキによって電解メッキ膜を形成する工程と、
前記スパッタ膜及び前記電解メッキ膜を、前記方向性及び反応性を有するドライエッチングのマスク材として用いて、前記被エッチング膜をエッチングする工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記スパッタ膜の上に、フォトリソグラフィにより、レジストを設ける工程と、
前記レジスト以外の部分にて露出する前記スパッタ膜に対して、電解メッキを施し、電解メッキ膜を形成する工程と、
前記レジストを除去して、前記スパッタ膜を露出させる工程と、
前記電解メッキ膜の間から露出した前記スパッタ膜に対して、ウエットエッチングを施して、前記被エッチング膜を露出させる工程と、
前記スパッタ膜及び前記電解メッキ膜をマスク材として、該マスク材の間から露出した前記被エッチング膜に対して、前記方向性及び反応性を有するドライエッチングを施す工程と、
前記スパッタ膜に対して、ウエットエッチングを施し、該スパッタ膜を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする前記請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記被エッチング膜が、前記方向性及び反応性を有するドライエッチングによりエッチング可能な材料からなる絶縁膜又は層間密着用膜であることを特徴とする前記請求項３又は４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
基板上に導電膜を形成するとともに、該導電膜を覆うように前記絶縁膜を形成する場合に、前記方向性及び反応性を有するドライエッチングにより、前記導電膜に至るスルーホールを形成することを特徴とする前記請求項１、２、５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば反応性イオンエッチング等によって絶縁膜などのエッチングを行う配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
（Ａ）従来より、例えばセラミック基板の表面上に、内層配線や層間絶縁膜を形成するだけでなく、例えば図３に示す様に、層間絶縁膜を貫いて内層配線に至るスルーホールを形成して配線基板を製造する方法が知られている。
【０００３】
これは、下記ａ）〜ｇ）に示す様に、マスク材としてスパッタ膜を用い、層間絶縁膜に対して、反応性イオンエッチング（リアクティブイオンエッチング；ＲＩＥ）を施す技術である（特開昭６３−３６５４７号公報及び特開昭６２−２４５６５０号公報参照）。
【０００４】
ａ）薄膜多層形成工程
まず、図３（ａ）に示す様に、セラミック基板Ｐ１の表面に、内層配線Ｐ２を形成した後に、内層配線Ｐ２を覆うようにして、基板表面全体にポリイミドからなる層間絶縁膜Ｐ３を形成する。
【０００５】
ｂ）スパッタ工程
次に、図３（ｂ）に示す様に、層間絶縁膜Ｐ３の表面全体を覆うように、スパッタを施して、例えばＴｉ又はＡｌからなるスパッタ膜Ｐ４を形成する。
ｃ）フォトリソ工程
次に、図３（ｃ）に示す様に、スパッタ膜Ｐ４の表面に、感光性の樹脂からなるレジスト（ポジレジスト）を形成し、その後、スルーホールとなる部分のレジストに光を当て（露光し）、その光を当てた部分を除去液（現像液）によって除去する。つまり、フォトリソグラフィにより、スパッタ膜Ｐ４の表面のうち、スルーホールの形成箇所以外をマスキングしたレジストＰ５を形成する。
【０００６】
ｄ）第１エッチング工程
次に、図３（ｄ）に示す様に、エッチング液を用いたウエットエッチングにより、レジストＰ５でマスキングされていない箇所のスパッタ膜Ｐ４を除去する。
ｅ）レジスト除去工程
次に、図３（ｅ）に示す様に、残りのスパッタ膜Ｐ４上のレジストＰ５を溶かして、スパッタ膜Ｐ４を露出させる。
【０００７】
ｆ）ＲＩＥ工程
次に、図３（ｆ）に示す様に、スパッタ膜Ｐ４をマスク材として、ＲＩＥにより、マスキングされていない箇所の層間絶縁膜Ｐ３を除去して、内層配線Ｐ２に至るスルーホールＰ６を形成する。
【０００８】
ｇ）第２エッチング工程
次に、図３（ｇ）に示す様に、エッチング液を用いたウエットエッチングにより、残りのスパッタ膜Ｐ４を除去し、層間絶縁膜Ｐ３を露出させる。
これによって、内層配線Ｐ２に至るスルーホールＰ６を備えた配線基板を完成する。
【０００９】
（Ｂ）また、この技術とは別に、例えば図４に示す方法が知られている。これは、下記ａ）〜ｄ）に示す様に、マスク材としてレジストを用い、層間絶縁膜に対して、ＲＩＥを施す技術である（特開昭６１−２４２０９９号公報参照）。
ａ）薄膜多層形成工程
まず、図４（ａ）に示す様に、セラミック基板Ｑ１の表面に、内層配線Ｑ２を形成した後に、層間絶縁膜Ｑ３を形成する。
【００１０】
ｂ）フォトリソ工程
次に、図４（ｂ）に示す様に、層間絶縁膜Ｑ３の表面に、感光性の樹脂からなるレジストを形成し、その後、スルーホールとなる部分のレジストに光を当て、その光を当てた部分を除去液によって除去する。それにより、スルーホールの形成箇所以外をマスキングしたレジストＱ４を形成する。
【００１１】
ｃ）ＲＩＥ工程
次に、図４（ｃ）に示す様に、レジストＱ４をマスク材として、ＲＩＥにより、マスキングされていない箇所の層間絶縁膜Ｑ３を除去して、内層配線Ｑ２に至るスルーホールＱ５を形成する。
【００１２】
ｄ）レジスト除去工程
次に、図４（ｄ）に示す様に、残りのレジストＱ４を溶かして除去し、層間絶縁膜Ｑ３を露出させる。
これによって、内層配線Ｑ２に至るスルーホールＱ５を備えた配線基板を完成する。
【００１３】
（Ｃ）また、上述した技術とは別に、例えば図５に示す方法が知られている。これは、下記ａ）〜ｆ）に示す様に、マスク材としてレジストを採用するが、層間絶縁膜に対して、ＲＩＥを用いずにエッチングを施す技術である（特開昭６３−２９３９９６号公報参照）。
【００１４】
ａ）第１薄膜多層形成工程
まず、図５（ａ）に示す様に、セラミック基板Ｒ１の表面に、内層配線Ｒ２を形成した後に、第１層間絶縁膜Ｒ３ａを形成する。
ｂ）第１フォトリソ工程
次に、図５（ｂ）に示す様に、第１層間絶縁膜Ｒ３ａの表面に、感光性の樹脂からなる第１レジストＲ４ａを形成し、その後、スルーホールとなる部分の第１レジストＲ４ａに光を当てる。そして、光を当てた部分の第１レジストＲ４ａを除去液によって除去する。同時に、その除去液により、その下地である第１層間絶縁膜Ｒ３ａを、エッチングする。これにより、第１スルーホールＲ５ａを形成する。
【００１５】
ｃ）第１レジスト除去工程
次に、図５（ｃ）に示す様に、残りの第１レジストＲ４ａを溶かして除去し、第１層間絶縁膜Ｒ３ａを露出させる。その後、第１層間絶縁膜Ｒ３ａの表面をキュアする（硬化させる）。
【００１６】
ｄ）第２薄膜多層形成工程
次に、図５（ｄ）に示す様に、第１層間絶縁膜Ｒ３ａ及び内層配線Ｒ２の上に、第２層間絶縁膜Ｒ３ｂを形成する。
ｅ）第２フォトリソ工程
次に、図５（ｅ）に示す様に、前記第１フォトリソ工程と同様にして、第２層間絶縁膜Ｒ３ｂの表面に、感光性の樹脂からなる第２レジストＲ４ｂを形成し、その後、スルーホールとなる部分の第１レジストＲ４ｂに光を当てる。そして、光を当てた部分の第２レジストＲ４ａを除去液によって除去するが、同時に、その下地である第２層間絶縁膜Ｒ３ｂをエッチングする。これにより、第１スルーホールＲ５ａとほぼ重なる第２スルーホールＲ５ｂを形成する。
【００１７】
ｆ）第２レジスト除去工程
次に、図５（ｆ）に示す様に、残りの第２レジストＲ５ｂを溶かして除去し、第２層間絶縁膜Ｒ３ｂを露出させる。
以下同様な工程を必要な回数繰り返して、内層配線Ｒ２に至るスルーホールを備えた配線基板を完成する。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来の技術（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）では、下記の問題があり、必ずしも十分ではない。
つまり、前記（Ａ）の技術では、図３に示す様に、マスク材であるスパッタ膜Ｐ４にピンホールＰ７が発生することがある。このピンホールＰ７があると、その後ＲＩＥによってエッチングを行うときに、層間絶縁膜Ｐ３も加工されてしまい、層間絶縁膜Ｐ３に不要な穴Ｐ８が形成されてしまう。そして、この様な穴Ｐ８があると、層間絶縁膜Ｐ３の絶縁性が損なわれるという問題がある。
【００１９】
この対策として、スパッタ膜Ｐ４のピンホールＰ７の有無を検査する方法が考えられるが、ピンホールＰ７は数ミクロン単位であり、検査等で検出することは容易ではない。
また、前記（Ｂ）の技術では、レジストＱ４をマスク材として層間絶縁膜Ｑ３をエッチングするが、ＲＩＥは反応性エッチングであるので、レジストＱ４は層間絶縁膜Ｑ３とエッチング速度に差があるにせよ侵されてゆく。
【００２０】
そのため、層間絶縁膜Ｑ３の厚みに対して十分なレジストＱ４の厚みが必要となる。例えば層間絶縁膜Ｑ３とレジストＱ４のエッチング速度比を２：１とすると、層間絶縁膜Ｑ３の厚みが１００μｍに対してレジストＱ４の厚みは５０μｍ以上必要となる。
【００２１】
ところが、この様な５０μｍもの厚みのレジストＱ４に対して、フォトリソ加工を行って、精密なパターンを形成することは、実際には容易ではないという問題がある。
更に、前記（Ｃ）の技術では、ＲＩＥ法を用いずに、フォトリソ工程で各層間絶縁膜Ｒ３ａ，Ｒ３ｂを形成するが、層間絶縁膜Ｒ３ａ，Ｒ３ｂは、マスク材であるレジストＲ４ａ，Ｒ４ｂの開口部から、除去液による等方性のウエットエッチングがなされるので、層間絶縁膜Ｒ３ａ，Ｒ３ｂが厚いほど、スルーホールＲ５ａ，Ｒ５ｂのパターン精度が悪くなるという問題がある。
【００２２】
特に、層間絶縁膜Ｒ３ａ，Ｒ３ｂが２層、３層と厚くなると、スルーホールＲ５ａ，Ｒ５ｂを形成する加工部分の厚みが厚くなるので、一層パターン精度が悪くなる。しかも、加工部分が厚い場合には、内層配線Ｒ２上の層間絶縁膜Ｒ３ａ，Ｒ３ｂを完全に除去できないという問題が生じることある。
【００２３】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、例えば反応性イオンエッチングなどの様な方向性及び反応性を有するドライエッチングを好適に行って、精度の高いパターンを形成することができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための請求項１の発明は、マスキングした被エッチング膜に対して、方向性及び反応性を有するドライエッチングを行なって配線基板を製造する方法において、被エッチング膜の上に、無電解メッキによって無電解メッキ膜を形成する工程と、無電解メッキ膜を、方向性及び反応性を有するドライエッチングのマスク材として用いて、被エッチング膜をエッチングする工程と、を備えるとともに、前記被エッチング膜が、前記方向性及び反応性を有するドライエッチングによりエッチング可能な材料からなる絶縁膜又は層間密着用膜であることを特徴とする配線基板の製造方法を要旨とする。
【００２５】
本発明では、例えば反応性イオンエッチングの様に、方向性及び反応性を有するドライエッチングを行う場合に、マスク材として、従来の様なピンホールの発生する可能性のあるスパッタ膜ではなく、その様な心配のない無電解メッキ膜を用いる。そのため、十分なマスキングが行われるので、被エッチィング膜に不要な穴などが形成されることがない。よって、被エッチング膜が例えば絶縁膜の場合には、絶縁性の低下を防止できる。
【００２６】
また、マスク材として、従来の様に、例えば反応性イオンエッチングに使用するガスと反応するレジストではなく、ガスと反応しない無電解メッキ膜からなるマスク材を使用するので、被エッチング膜が侵されて薄くなることがない。よって、被エッチング膜が例えば絶縁膜の場合には、絶縁性の低下を防止できる。
【００２７】
さらに、マスク材として、従来の様な厚みのあるレジストや多層のレジストを用いないので、形成する例えばスルーホールなどの様なパターンの精度を向上することができる。
特に、本発明では、被エッチング膜である絶縁膜又は層間密着用膜は、方向性及び反応性を有するドライエッチングによりエッチング可能な材料からなるので、マスキングされていない箇所は、当然ながら、方向性及び反応性を有するドライエッチングにより除去でき、例えばその下層の導電膜などを露出させることが可能である。
ここで、前記絶縁膜としては、多層配線基板における層間絶縁膜が挙げられ、その材料としては、例えばポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、環状オレフィン系樹脂などの有機高分子材料等が挙げられる。また、層間密着用膜としては、例えば導電膜と絶縁膜との密着性を高めるために、導電膜の表面に形成されるＭｏやＣｒからなるスパッタ膜が挙げられる。
請求項２の発明は、無電解メッキ膜の上に、フォトリソグラフィにより、開口部を有するレジストを設ける工程と、レジストの開口部から露出する無電解メッキ膜に対して、ウエットエッチングを施し、無電解メッキ膜を除去して、被エッチング膜を露出させる工程と、無電解メッキ膜をマスク材として、マスク材の間から露出した被エッチング膜に対して、方向性及び反応性を有するドライエッチングを施す工程と、無電解メッキ膜に対して、ウエットエッチングを施し、無電解メッキ膜を除去する工程と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
【００２８】
本発明は、前記請求項１の発明の好適な手順を例示したものであり、フォトリソグラフィによって、無電解メッキ膜の上にレジストを設け、ウエットエッチングによって、無電解メッキ膜を除去する。次に、方向性及び反応性を有するドライエッチングによって、被エッチング膜を除去する。次に、ウエットエッチングによって、無電解メッキ膜を除去する。
【００２９】
これにより、所望の箇所の被エッチング膜のみを除去した配線基板を容易に製造することが可能となる。
請求項３の発明は、
マスキングした被エッチング膜に対して、方向性及び反応性を有するドライエッチングを行なって配線基板を製造する方法において、被エッチング膜の上に、スパッタリングによってスパッタ膜を形成する工程と、スパッタ膜の上に、電解メッキによって電解メッキ膜を形成する工程と、スパッタ膜及び前記電解メッキ膜を、方向性及び反応性を有するドライエッチングのマスク材として用いて、被エッチング膜をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法を要旨とする。
【００３０】
本発明では、前記請求項１の発明と同様な方向性及び反応性を有するドライエッチングを行う場合に、マスク材として、ピンホールの発生する恐れのないスパッタ膜上に電解メッキ膜を積層したマスク材を用いている。
そのため、前記請求項１の発明と同様な作用効果を奏する。特に、電解メッキ膜はスパッタ膜と比べて緻密であるので、ピンホールの発生の防止効果が大きいという利点がある。
【００３１】
請求項４の発明は、スパッタ膜の上に、フォトリソグラフィにより、レジストを設ける工程と、レジスト以外の部分にて露出するスパッタ膜に対して、電解メッキを施し、電解メッキ膜を形成する工程と、レジストを除去して、スパッタ膜を露出させる工程と、電解メッキ膜の間から露出したスパッタ膜に対して、ウエットエッチングを施して、被エッチング膜を露出させる工程と、スパッタ膜及び電解メッキ膜をマスク材として、マスク材の間から露出した被エッチング膜に対して、方向性及び反応性を有するドライエッチングを施す工程と、スパッタ膜に対して、ウエットエッチングを施し、スパッタ膜を除去する工程と、を備えたことを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
【００３２】
本発明は、前記請求項３の発明の好適な手順を例示したものであり、フォトリソグラフィによって、スパッタ膜の上にレジストを設け、電解メッキによって、電解メッキ膜を形成する。次に、レジストを除去し、ウエットエッチングによって、被エッチング膜を露出させる。次に、方向性及び反応性を有するドライエッチングによって、被エッチング膜を除去し、ウエットエッチングによって、スパッタ膜を除去する。
【００３３】
これにより、所望の箇所の被エッチング膜のみを除去した配線基板を容易に製造することが可能となる。
請求項５の発明は、被エッチング膜が、方向性及び反応性を有するドライエッチングによりエッチング可能な材料からなる絶縁膜又は層間密着用膜であることを特徴とする請求項３又は４に記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
【００３４】
つまり、絶縁膜又は層間密着用膜は、方向性及び反応性を有するドライエッチングによりエッチング可能な材料からなるので、マスキングされていない箇所は、当然ながら、方向性及び反応性を有するドライエッチングにより除去でき、例えばその下層の導電膜などを露出させることが可能である。
【００３５】
ここで、前記絶縁膜としては、多層配線基板のける層間絶縁膜が挙げられ、その材料としては、例えばポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、環状オレフィン系樹脂などの有機高分子材料等が挙げられる。また、層間密着用膜としては、例えば導電膜と絶縁膜との密着性を高めるために、導電膜の表面に形成されるＭｏやＣｒからなるスパッタ膜が挙げられる。
【００３６】
請求項６の発明は、基板上に導電膜を形成するとともに、導電膜を覆うように絶縁膜を形成する場合に、方向性及び反応性を有するドライエッチングにより、導電膜に至るスルーホールを形成することを特徴とする請求項１、２、５のいずれかに記載の配線基板の製造方法を要旨とする。
【００３７】
本発明では、導電膜を覆う絶縁膜に対して、方向性及び反応性を有するドライエッチングを施すことにより、導電膜に至るパターン精度の優れたスルーホールを容易に形成することができる。
尚、ここで、方向性及び反応性を有するドライエッチングとは、化学的に活性なイオン種を電界に沿って加速し、基板に対して所定方向に進むようにしてエッチングに方向性をもたせたものであり、例えば反応性イオンエッチングや、エキシマレーザーを用いたドライエッチングなどが挙げられる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の配線基板の製造方法の例（実施例）について、図面に基づいて説明する。尚、図１及び図２は、各実施例における配線基板の製造方法の手順を示す説明図である。
（実施例１）
本実施例は、層間絶縁膜に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ法）を行う場合に、そのマスク材として、無電解メッキ膜を用いるものである。
【００３９】
本実施例が適用される基板、即ち表面に内層配線や層間絶縁膜を形成する基板としては、アルミナからなるセラミック基板を用いる。尚、本実施例の配線基板は、基板表面に薄膜の内層配線や層間絶縁膜が積層された多層配線基板であるので、以下の説明では、多層配線基板と記す。
【００４０】
以下、順次、本実施例の多層配線基板の製造方法について説明する。
ａ）薄膜多層形成工程
まず、図１（ａ）に示す様に、セラミック基板１の表面に、接地される導電膜として、従来のパターン形成法（パターンニング技術）により、Ａｕからなる厚さ１〜１０μｍの内層配線（ＧＮＤ）３を形成する。
【００４１】
また、この内層配線３の表面には、層間絶縁膜５との密着性を高めるために、Ｍｏ又はＣｒからなる層間密着用膜（図示せず）を、スパッタリングにより形成する。
その後、例えば従来のキャスティングやスピンナ塗装の技術により、この内層配線３（及び層間密着用膜）を覆うようにして、基板表面全体にポリイミドからなる厚さ５〜数百μｍの層間絶縁膜５を形成する。
【００４２】
ｂ）無電解メッキ工程
次に、図１（ｂ）に示す様に、層間絶縁膜５の表面全体に、無電解メッキを施して、厚さ１〜数十μｍのＣｕからなる無電解メッキ膜７を形成する。
尚、無電解メッキをかけるときの層間絶縁膜５の状態は、例えばキュア剤（硬化剤）によってキュア（硬化）した前でもキュア後でもかまわないが、キュア前の方が表面が粗化し易いので、無電解メッキ膜７の密着性がよい。
【００４３】
ｃ）フォトリソ工程
次に、無電解メッキ膜７の表面全体に、感光性の樹脂（例えばノボラック系樹脂）からなるレジスト（ポジレジスト）９を形成する。そして、図１（ｃ）に示す様に、光を用いた周知のフォトリソグラフィの技術によって、無電解メッキ膜７の表面全体を覆うレジスト９のうち、スルーホールを形成する箇所のレジスト９のみを除去する。
【００４４】
具体的には、スルーホールを形成する箇所のレジスト９に光を照射（露光）して、そのレジスト９を薬品に可溶性に変質させ、この変質した箇所のレジスト９のみを除去液（現像液）を用いて除去する。これにより、無電解メッキ膜７上には、スルーホールを形成する箇所以外にのみレジスト９が残される。
【００４５】
ｄ）第１エッチング工程
次に、図１（ｄ）に示す様に、エッチング液を用いたウエットエッチングにより、レジスト９で覆われていない部分（即ちスルーホールの形成箇所）の無電解メッキ膜７を除去する。
【００４６】
これによって、スルーホールの形成箇所の層間絶縁膜５が露出する。
ｅ）レジスト除去工程
次に、図１（ｅ）に示す様に、セラミック基板１をアセトン中に入れて、レジスト９を除去する。
【００４７】
これにより、無電解メッキ膜７が露出する。つまり、スルーホール形成箇所の層間絶縁膜５が露出するとともに、他の部分は無電解メッキ膜７で覆われた状態となる。
ｆ）ＲＩＥ工程
次に、図１（ｆ）に示す様に、無電解メッキ膜７をマスク材として、ＲＩＥにより、マスキングされていない箇所の層間絶縁膜５（及び層間密着用膜）を除去して、内層配線３に至るスルーホール１１を形成する。
【００４８】
このＲＩＥ法とは、Ｏ＋Ｆ系のガス（例えばＯ2＋ＣＦ4ガス）を用い、化学反応と電界効果によって、方向性のあるドライエッチングを施すものであり、その装置として、例えば平行平板形の酸素プラズマ装置を用いることができる。尚、マスク材の材料としては、本実施例の様に、ＲＩＥに反応しないものを選択する。
【００４９】
ｇ）第２エッチング工程
次に、図１（ｇ）に示す様に、エッチング液を用いたウエットエッチングにより、残りの無電解メッキ膜７を除去し、層間絶縁膜５を露出させる。
この後に、キュアを施し、更に必要に応じて、他の表面の薄膜（図示せず）を形成する作業などを行う。
【００５０】
尚、このエッチングにより無電解メッキ膜７を除去する際に、内層配線３にエッチング液が接するので、エッチング液によって内層配線３が損なわれない様に、無電解メッキ膜７の材料と内層配線３の材料を選択する必要がある。
これによって、セラミック基板１上に、層間絶縁膜５を貫いて内層配線３に至るスルーホール１１を備えた多層配線基板を形成する。
【００５１】
この様に、本実施例では、層間絶縁膜５上に無電解メッキ膜７を形成し、その後、フォトリソグラフィによって、スルーホール１１の形成箇所以外にレジスト９を形成し、その後、ウエットエッチングによって、スルーホール１１の形成箇所の無電解メッキ膜７を除去している。そして、露出した箇所の層間絶縁膜５（及び層間密着用膜）に対して、無電解メッキ膜７をマスク材として、ＲＩＥを施すことによって、スルーホール１１を形成している。
【００５２】
これによって、従来のスパッタ膜のみをマスク材とした場合の様なピンホールが形成されないので、ＲＩＥを実施した場合でも、層間絶縁膜５に不要な穴が形成されることがない。そのため、層間絶縁膜５の絶縁性が損なわれることがない。
【００５３】
また、従来の様に、レジストをマスク材としないので、層間絶縁膜５がＲＩＥにより損なわれることがない。
更に、厚過ぎるレジストを採用した場合におけるパターン形成の不具合いがなく、精度のよいスルーホール１１などのパターンを形成することができる。
【００５４】
その上、従来の様に、多くの層間絶縁膜のそれぞれに対して、順次除去液による等方性のエッチングを施してスルーホール１１を形成するものではないので、この点からもパターン精度が向上するという利点がある。
（実施例２）
次に、実施例２について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は、省略又は簡略化する。
【００５５】
本実施例は、層間絶縁膜に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ法）を行う場合に、そのマスク材として、スパッタ膜及びスパッタ膜に積層された電解メッキ膜を用いるものである。
以下、順次、本実施例の多層配線基板の製造方法について説明する。
【００５６】
ａ）薄膜多層形成工程
まず、図２（ａ）に示す様に、アルミナからなるセラミック基板２１の表面に、接地される導電膜として、Ａｕからなる厚さ１〜１０μｍの内層配線（ＧＮＤ）２３を形成する。更に、この内層配線２３上に、Ｍｏ又はＣｒからなる層間密着用膜（図示せず）を形成する。
【００５７】
その後、この内層配線２３（及び層間密着膜）を覆うようにして、基板表面全体にポリイミドからなる厚さ５〜数百μｍの層間絶縁膜２５を形成する。尚、層間絶縁膜２５はキュアすることが望ましい。
ｂ）スパッタ工程
次に、図２（ｂ）に示す様に、層間絶縁膜２５の表面全体に対して、スパッタリングによって、Ｃｕからなる厚さ５００〜１００００オングストロームのスパッタ膜２７を形成する。尚、Ｃｕスパッタのみではなく、ポリイミドとの密着性のよいＣｒを介在させた、Ｃｒ／Ｃｕスパッタとしてもよい。
【００５８】
ｃ）フォトリソ工程
次に、スパッタ膜２７の表面全体に、感光性の樹脂（例えばノボラック系樹脂）からなるレジスト（ポジレジスト）２９を形成する。そして、図２（ｃ）に示す様に、光を用いた周知のフォトリソグラフィの技術によって、スパッタ膜２７の表面全体を覆うレジスト２９のうち、スルーホールを形成する箇所以外のレジスト２９のみを除去する。これにより、スパッタ膜２７上には、スルーホールを形成する箇所以外にのみレジスト２９が残される。
【００５９】
ｄ）電解メッキ工程
次に、図２（ｄ）に示す様に、スパッタ膜２７の表面全体に、電解メッキを施して、Ｃｕからなる電解メッキ膜３１を形成する。尚、電解メッキ膜３１の厚みは、スパッタ膜２７のピンホールを生めることが可能な様に、例えば５〜２５μｍの厚みを必要とする。
【００６０】
ｅ）レジスト除去工程
次に、図２（ｅ）に示す様に、セラミック基板２１をアセトン中に入れ、超音波振動を加えることによって、レジスト２９を除去し、スパッタ膜２７を露出させる。
【００６１】
ｆ）第１エッチング工程
次に、図２（ｆ）に示す様に、エッチング液を用いたウエットエッチングにより、電解メッキ膜３１で覆われていない部分、即ちスルーホールの形成箇所である露出しているスパッタ膜２７を除去する。
【００６２】
これにより、スルーホール形成箇所の層間絶縁膜２５（及び層間密着用膜）が露出し、他の部分はスパッタ膜２７上に電解メッキ膜３１を積層した積層膜３３により覆われた状態となる。
ｇ）ＲＩＥ工程
次に、図２（ｇ）に示す様に、スパッタ膜２７上に電解メッキ膜３１を積層した積層膜３３をマスク材として、ＲＩＥ法により、マスキングされていない箇所の層間絶縁膜２５（及び層間密着用膜）を除去して、内層配線２３に至るスルーホール３５を形成する。
【００６３】
ｈ）第２エッチング工程
次に、図２（ｈ）に示す様に、エッチング液を用いたウエットエッチングにより、残りの積層膜３３を除去し、層間絶縁膜２５を露出させる。
これによって、セラミック基板２１上に、層間絶縁膜２５を貫いて内層配線２３に至るスルーホール３５を備えた多層配線基板を形成する。
【００６４】
この様に、本実施例では、層間絶縁膜２５上にスパッタ膜２７を形成し、その後、フォトリソグラフィによって、スルーホール３５の形成箇所にレジスト２９を形成し、その後、スパッタ膜２７上に、電解メッキ膜３１を形成している。そして、レジスト２９を除去した後に、ウエットエッチングによって、スルーホール３３の形成箇所のスパッタ膜２７を除去している。その後、露出した箇所の層間絶縁膜２５に対して、スパッタ膜２７上に電解メッキ膜３１を積層した積層膜３３をマスク材として、ＲＩＥを施すことによって、スルーホール３５を形成している。
【００６５】
これによって、前記実施例１と同様に、層間絶縁膜２５に不要な穴が形成されることがなく、また、層間絶縁膜２５が過度の薄くなることがないので、十分な絶縁性が確保される。しかも、精度のよいパターンを形成できるという利点がある。
【００６６】
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
（１）例えば前記実施例では、方向性及び反応性を有するドライエッチングとして、ＲＩＥ法を用いたが、エキシマレーザーによるドライエッチングを施してもよい。
【００６７】
（２）また、例えば前記実施例では、アルミナからなるセラミック基板を用いたが、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミック基板、ガラス基板やガラスセラミック基板等の様に、内層配線や層間絶縁膜などを形成できるものであれば、特に限定はない。
【００６８】
（３）更に、層間絶縁膜の材料として、ポリイミドに代えて他の有機高分子材料、例えばＢＣＢ、環状オレフィン系樹脂等を用いてもよい。
（４）前記実施例では、層間絶縁膜を貫くスルーホールの形成について述べたが、本発明は、層間絶縁膜に有る程度の深さの凹部を形成する場合にも適用できる。また、被エッチング膜としては、層間絶縁膜や層間密着用膜に限らず、本発明によるエッチング可能な材料であればよい。
【００６９】
（５）前記実施例では、多層配線基板における内層配線や層間絶縁膜について述べたが、本発明は、単に一層の配線上に一層の絶縁膜を形成した配線基板にも、適用できる。
（６）前記実施例では、スパッタ膜の形成に、スパッタリングによる薄膜形成技術を用いたが、例えば真空蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）の技術などを採用できる。
【００７０】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１の発明では、方向性及び反応性を有するドライエッチングを行う場合に、マスク材として無電解メッキ膜を用いるので、絶縁膜や層間密着用膜からなる被エッチング膜が損なわれることがない。また、高いパターンの精度を確保できる。
【００７１】
請求項２の発明では、所望の箇所の被エッチング膜のみを除去した配線基板を容易に製造することができる。
請求項３の発明では、方向性及び反応性を有するドライエッチングを行う場合に、マスク材としてスパッタ膜及び電解メッキ膜からなるマスク材を用いるので、前記請求項１と同様な効果を奏する。特に、電解メッキ膜はスパッタ膜と比べて緻密であるので、ピンホール等が発生し難いとい効果がある。
【００７２】
請求項４の発明では、所望の箇所の被エッチング膜のみを除去した配線基板を容易に製造することができる。
請求項５の発明では、被エッチング膜として、絶縁膜や層間密着用膜を採用できる。
【００７３】
請求項６の発明では、導電膜を覆う絶縁膜に対して、方向性及び反応性を有するドライエッチングを施すことにより、導電膜に至るパターン精度の優れたスルーホールを容易に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例１の製造方法の手順を示す説明図である。
【図２】  実施例２の製造方法の手順を示す説明図である。
【図３】  従来技術の製造方法の手順を示す説明図である。
【図４】  他の従来技術の製造方法の手順を示す説明図である。
【図５】  更に他の従来技術の製造方法の手順を示す説明図である。
【符号の説明】
１，２１…セラミック基板
３，２３…内層配線
５，２５…層間絶縁膜
７…無電解メッキ膜
９，２９…レジスト
１１，３５…スルーホール
２７…スパッタ膜
３１…電解メッキ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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