(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スロット幅Δｔ単位でパルス幅制御されかつ各スロットにおける波高値がＡ１〜Ａｎのｎ段階（但し、ｎは２以上の整数で、０＜Ａ１＜Ａ２＜・・・・＜ＡｎでありＡ１は０でない階調データに対応する波高値）のいずれかの波高値に制御される駆動波形を１選択期間中に発光素子に供給する駆動回路であって、
前記駆動波形は、波高値が波高値Ａ１から波高値Ａｋ−１までの波高値に制御される部分を少なくとも１スロットずつ経て所定波高値Ａｋ（但し、ｋは２以上ｎ以下の整数）に制御される部分まで立ち上がる部分と、波高値が前記所定波高値Ａｋに制御されている部分から、波高値が前記波高値Ａｋ−１から波高値Ａ１までの波高値に制御される部分を少なくとも１スロットずつ経て立ち下がる部分とを有することを特徴とする発光素子の駆動回路。
【請求項２】
前記駆動波形が波高値Ａ１に立ち上がったスロットを第１スロットとするとき、第１〜第ｋ−１スロットの波高値がそれぞれＡ１〜Ａｋ−１、第ｋと第Ｎｋ＋ｋ−１スロット（但し、Ｎｋは１以上の整数）の波高値がＡｋ、第Ｎｋ＋ｋ〜第Ｎｋ＋２（ｋ−１）スロットの波高値がそれぞれＡｋ−１〜Ａ１となる駆動波形に対し、前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを１段階増加させた駆動波形が、前記駆動波形の第Ｎｋ＋２ｋ−１スロットの波高値をＡ１に増加させたものであり、以降順次前記駆動エネルギーを１段階増加させた駆動波形が前段階の駆動波形に対して、さらに第Ｎｋ＋２（ｋ−１）スロットの波高値をＡ１からＡ２に、・・・・、第Ｎｋ＋ｋスロットの波高値をＡｋ−１からＡｋに変更した波形を有することを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
【請求項３】
波高値Ａｋから波高値Ａｋより低い各波高値を順番に少なくとも１スロットずつ経て立ち下がる部分を有する所定の駆動波形に対して、前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階増加した駆動波形が、前段の駆動波形の前記立ち下がる部分において波高値がＡ１であったスロットに続くスロットの波高値をＡ１に増加させた波形を有しており、以降前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階ずつ増加した駆動波形が、前段の駆動波形において、前々段の駆動波形に対して波高値を一段階増加させたスロットの一つ手前のスロットの波高値を一段階増加させた波形を有することを特徴とする請求項１もしくは２に記載の駆動回路。
【請求項４】
前段の駆動波形に対して前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階ずつ増加した駆動波形が、前段の駆動波形において、前々段の駆動波形に対して波高値を一段階増加させたスロットの一つ手前のスロットの波高値を一段階増加させた波形を有するという前記関係は、該関係によって決まる駆動波形が前段の駆動波形に対して波高値を増加させたスロットの波高値が波高値Ａｋよりも一段階高い波高値である駆動波形までの一連の駆動波形が満たすものである請求項３に記載の駆動回路。
【請求項５】
前段の駆動波形に対して前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階ずつ増加した駆動波形が、前段の駆動波形において、前々段の駆動波形に対して波高値を一段階増加させたスロットの一つ手前のスロットの波高値を一段階増加させた波形を有するという前記関係は、該関係によって決まる駆動波形が前段の駆動波形に対して波高値を増加させたスロットの波高値が波高値Ａｋである駆動波形までの一連の駆動波形が満たすものである請求項３に記載の駆動回路。
【請求項６】
前記駆動波形が波高値Ａ１に立ち上がったスロットを第１スロットとするとき、第１〜第ｋ−１スロットの波高値がそれぞれＡ１〜Ａｋ−１、第ｋと第Ｎｋ＋ｋ−１スロット（但し、Ｎｋは１以上の整数）の波高値がＡｋ、第Ｎｋ＋ｋ〜第Ｎｋ＋２（ｋ−１）スロットの波高値がそれぞれＡｋ−１〜Ａ１となる駆動波形に対し、前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを１段階減少させた駆動波形が、前記駆動波形の第ｋスロットの波高値をＡｋからＡｋ−１に変更したものであり、以降順次前記駆動エネルギーを１段階減少させた駆動波形が前段階の駆動波形に対して、さらに第ｋ−１スロットの波高値をＡｋ−１からＡｋ−２に、・・・・、第１スロットの波高値をＡ１から輝度データの最低階調に対応する発光を生じさせない波高値に変更した波形を有することを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
【請求項７】
波高値Ａｋより低い各波高値を順番に少なくとも１スロットずつ経て波高値Ａｋまで立ち上がる部分を有する駆動波形に対して、前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階減少した駆動波形が、前段の駆動波形の前記立ち上がる部分において波高値がＡｋ−１であったスロットに続くスロットであり波高値がＡｋであったスロットの波高値をＡｋ−１とした波形を有しており、以降前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階ずつ減少した駆動波形が、前段の駆動波形において、前々段の駆動波形に対して波高値を一段階減少させたスロットの一つ手前のスロットの波高値を一段階減少させた波形を有することを特徴とする請求項１もしくは６に記載の駆動回路。
【請求項８】
前記駆動波形において波高値がＡｋである２つのスロットの間のスロットにおける波高値はＡｋである請求項１乃至７のいずれか１つに記載の駆動回路。
【請求項９】
前記波高値がＡｋである２つのスロットの間に他のスロットがある時には、該他のスロットにおける波高値はＡｋとするものであり、ｋ＝１の場合を含み前記波高値ＡｋがＡｎよりも小さく、かつ前段階の駆動波形に対して駆動エネルギーを一段階増加させることにより波高値がＡｋであるスロットの数が２個から３個になった駆動波形に対して、駆動エネルギーを更に一段階増加させた駆動波形は、前記駆動波形の波高値がＡｋである３個のスロットのうちの真中のスロットの波高値をＡｋからＡｋ＋１に変更した形状を有することを特徴とする請求項２乃至４、６、７のいずれか１つに記載の駆動回路。
【請求項１０】
所定の駆動波形よりも前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを増加させた駆動波形は、前記所定の駆動波形に対して最大波高値を上昇させるよりもパルス幅を増加させることを優先させた形状を有する請求項１乃至３もしくは５乃至８のいずれか１つに記載の駆動回路。
【請求項１１】
所定の駆動波形に対して前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを一段階増加して駆動波形の最大波高値を高くしたときの駆動波形は、波高値差Ａｎ−Ａｎ−１、・・・・、もしくはＡ２−Ａ１または波高値Ａ１と前記発光素子の駆動しきい値となる波高値との波高値差、およびスロット幅Δｔとで定まる単位駆動波形ブロックの数を前記所定の駆動波形で用いた数よりも一つ増加させて、最大波高値がなるべく連続するように積み直した形状を有する請求項１乃至３もしくは５乃至８もしくは１０のいずれか１つに記載の駆動回路。
【請求項１２】
階調データに対応する駆動波形を発生する駆動回路であって、
０でない前記階調データに対応する波高値である最小の波高値とより大きい前記階調データに対応する波高値である１つ以上の非最小の波高値とを含む不連続な複数の波高値に波高値が制御される駆動波形を１選択期間中に発生するものであり、
前記非最小の波高値に制御される部分を有する前記駆動波形が、前記最小の波高値に制御される部分を該駆動波形の先頭および末尾に有するものであることを特徴とする駆動回路。
【請求項１３】
マトリクスディスプレイを構成する複数個の発光素子に対してそれぞれの階調データに応じた前記駆動波形を印加することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１つに記載の駆動回路。
【請求項１４】
複数の発光素子と、該複数の発光素子をマトリクス配線する走査信号配線及び情報信号配線と、請求項１乃至１３のいずれか１つに記載の駆動回路とを有しており、前記駆動回路は、複数の前記発光素子を駆動する駆動波形を発生するものであることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
前記走査信号配線に接続された走査回路を有しており、
前記駆動波形は、前記走査回路により選択された発光素子に対して前記情報信号配線を介して供給される請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記複数の情報信号配線の一部の情報信号配線に印加する駆動波形は、立ち上がりが走査回路が一つの走査信号配線を選択する選択期間の前半になるように制御し、他の一部の情報信号配線に印加する駆動波形は、立ち下がりが前記選択期間の後半になるように制御することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記発光素子が表面伝導型放出素子を用いたものであることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１つに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、輝度データに対応する駆動波形を発生する駆動回路に関し、またその駆動回路を用いた表示装置に関する。また該駆動波形を発生する駆動方法に関する。特に複数の発光素子をマトリクス配線した画像表示パネルを備える画像表示装置における前記発光素子の駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、電子放出素子として熱陰極素子と冷陰極素子の２種類が知られている。このうち冷陰極素子としては、例えば表面伝導型放出素子や、電界放出型素子（以下ＦＥ型と記す）や、金属／絶縁層／金属型放出素子（以下ＭＩＭ型と記す）等が知られている。表面伝導型放出素子としては、例えば、Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ  Ｅｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）や、後述する他の例が知られている。
【０００３】
表面伝導型放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎＯ2薄膜を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるもの（Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ，９，３１７（１９７２））や、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｎＯ2薄膜によるもの（Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ  ａｎｄ  Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．ＥＤ  Ｃｏｎｆ．，５１９（１９７５））や、カーボン薄膜によるもの（荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２（１９８３））等が報告されている。
【０００４】
これらの表面伝導型放出素子の素子構成の典型的な例として、図２８に前述のＭ．Ｈａｒｔｗｅｌｌらによる素子の平面図を示す。同図において、３００１は基板であり、３００４はスパッタで形成された金属酸化物よりなる導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は図示のようにＨ字形の平面形状に形成されている。この導電性薄膜３００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理を施すことにより、電子放出部３００５が形成される。図中の間隔Ｌは０．５〜１（ｍｍ）、Ｗは０．１（ｍｍ）で設定されている。なお、図示の便宜から、電子放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけではない。
【０００５】
Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌらによる素子をはじめとして、上述の表面伝導型放出素子においては、電子放出を行う前に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと呼ばれる通電処理を施すことにより電子放出部３００５を形成するのが一般的であった。すなわち、通電フォーミングとは、導電性薄膜３００４の両端に一定の直流電圧、もしくは、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっくりとしたレートで昇圧する直流電圧を印加して通電し、導電性薄膜３００４を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態の電子放出部３００５を形成することである。なお、局所的に破壊、変形もしくは変質した導電性薄膜３００４の一部には、亀裂が発生する。前記通電フォーミング後に導電性薄膜３００４に適宜の電圧を印加した場合には、前記亀裂付近において電子放出が行われる。
【０００６】
ＦＥ型の例としては、例えば、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ  ＆  Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，Ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ，Ａｄｖａｎｃｅ  ｉｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）や、あるいはＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，Ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｆｉｅｌｄｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｃａｔｈｏｄｅｓ  ｗｉｔｈ  ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ  ｃｏｎｅｓ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）等が知られている。
【０００７】
ＦＥ型の素子構成の典型的な例として、図２９に前述のＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらによる素子の断面図を示す。同図において、３０１０は基板であり、３０１１は導電材料よりなるエミッタ配線、３０１２はエミッタコーン、３０１３は絶縁層、３０１４はゲート電極である。本素子は、エミッタコーン３０１２とゲート電極３０１４の間に適宜の電圧を印加することにより、エミッタコーン３０１２の先端部より電界放出を起させるものである。また、ＦＥ型の他の素子構成として、図２９のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ平行にエミッタとゲート電極を配置した例もある。
【０００８】
ＭＩＭ型の例としては、例えば、Ｃ．Ａ．Ｍｅａｄ，Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｕｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などが知られている。ＭＩＭ型の素子構成の典型的な例を図３０に示す。同図は断面図であり、図において、３０２０は基板、３０２１は金属よりなる下電極、３０２２は厚さ１００オングストローム程度の薄い絶縁層、３０２３は厚さ８０〜３００オングストローム程度の金属よりなる上電極である。ＭＩＭ型においては、上電極３０２３と下電極３０２１の間に適宜の電圧を印加することにより、上電極３０２３の表面より電子放出を起させる。
【０００９】
上述の冷陰極素子は、熱陰極素子と比較して低温で電子放出を得ることができるため、加熱用ヒータを必要としない。したがって、熱陰極素子よりも構造が単純であり、微細な素子を作成可能である。また、基板上に多数の素子を高い密度で配置しても、基板の熱溶融などの問題が発生しにくい。また、熱陰極素子がヒータの加熱により動作するために応答速度が遅いのとは異なり、冷陰極素子の場合には応答速度が速いという利点もある。
このため、冷陰極素子を応用するための研究が盛んに行われてきている。
【００１０】
例えば、表面伝導型放出素子は、冷陰極素子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であることから、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点がある。そこで、例えば本出願人による特開昭６４−３１３３２号公報において開示されるように、多数の素子を配列して駆動するための方法が研究されている。
また表面伝導型放出素子の応用については、例えば、画像表示装置、画像記録装置などの画像形成装置や、荷電ビーム源等が研究されている。
【００１１】
特に、画像表示装置への応用としては、例えばＵＳＰ５，０６６，８８３や特開平２−２５７５５１号公報や特開平４−２８１３７号公報等において開示されているように、表面伝導型放出素子と電子ビームの照射により発光する蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装置が研究されている。表面伝導型放出素子と蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示装置は、従来の他の方式の画像表示装置よりも優れた特性が期待されている。例えば、近年普及してきた液晶表示装置と比較しても、自発光型であるためにバックライトを必要としない点や、視野角が広い点が優れていると言える。
【００１２】
また、ＦＥ型を多数個ならべて駆動する方法は、例えばＵＳＰ４，９０４，８９５に開示されている。また、ＦＥ型を画像表示装置に応用した例として、例えば、Ｒ．Ｍｅｙｅｒらにより報告された平板型表示装置が知られている（Ｒ．Ｍｅｙｅｒ：Ｒｅｃｅｎｔ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｎ  ＭｉｃｒｏｔｉｐｓＤｉｓｐｌａｙ  ａｔ  ＬＥＴＩ，Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  ４ｔｈ  Ｉｎｔ．Ｖａｃｕｕｍ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｃｏｎｆ．，Ｎａｇａｈａｍａ，ｐｐ．６〜９（１９９１））。
【００１３】
またＭＩＭ型を多数個並べて画像表示装置に応用した例は、例えば特開平３−５５７３８号公報に開示されている。
さらに、電子放出素子以外の素子を用いた画像表示装置として、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を用いたものが、例えば特開平０９−２８１９２８号公報に開示されている。
【００１４】
本発明者らは、例えば図３１に示す電気的な配線方法によるマルチ電子ビーム源を試みてきた。すなわち、電子放出素子を２次元的に多数個配列し、これらの素子を図示のようにマトリクス状に配線したマルチ電子ビーム源である。
【００１５】
図中、１は電子放出素子を模式的に示したもの、２は行方向配線、３は列方向配線である。行方向配線２および列方向配線３は、配線抵抗４、５、配線インダクタンス６、７、および配線容量８を有するものである。なお、図示の便宜上、４×４のマトリクスで示しているが、マトリクスの規模はむろんこれに限ったわけではなく、例えば画像表示装置用のマルチ電子ビーム源の場合には、所望の画像表示を行うのに足りるだけの素子を配列し配線するものである。
【００１６】
電子放出素子をマトリクス配線したマルチ電子ビーム源においては、所望の電子ビームを出力させるため、行方向配線および列方向配線に適宜の電気信号を印加する。
【００１７】
図３２にパルス幅変調波形を示す。例えば、マトリクスの中の任意の１行の電子放出素子を駆動するには、選択する行の行方向配線には選択電位Ｖｓを印加し、同時に非選択の行の行方向配線には非選択電位Ｖｎｓを印加する。これと同期して列方向配線に電子ビームを出力するための駆動電位Ｖｅを印加する。この方法によれば、選択する行の電子放出素子には、Ｖｅ−Ｖｓの電圧が印加され、また非選択行の電子放出素子にはＶｅ−Ｖｎｓの電圧が印加される。Ｖｅ、Ｖｓ、Ｖｎｓを適宜の大きさの電位にすれば選択する行の電子放出素子だけから所望の強度の電子ビームが出力される。また、冷陰極素子の応答速度は高速であるため、駆動電位Ｖｅを印加する時間の長さを変えれば、電子ビームが出力される時間の長さも変えることができる。
同様に、列方向配線に印加する電位や電流値を変化させて輝度を制御する波高値変調と呼ばれる方式によっても電子ビームを制御することが可能である。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有効画素数１９２０×１０８０、フレームレート６０Ｈｚ、１０ビット階調の表示装置においては、パルス波高値変調方式の場合、素子に印加するエネルギーの波高値をＰｉとすると、Ｐｉ／２10＝Ｐｉ／１０２４の分解能が必要とされる。電圧駆動の場合Ｐｉは数Ｖ程度となるため、１９２０×１０８０の画面全体に渡って駆動波形に数ｍＶの分解能を要求される。この値は駆動回路を構成するＩＣやプリント基板、電源などの特性を考慮すると実現が困難である。
【００１９】
一方、パルス幅変調方式の場合、１走査線を駆動する時間は１／（６０×１０８０）≒１５μｓｅｃである。１０ビットパルス幅変調を行った場合、最小パルス幅は、１／（６０×１０８０×２10）≒１５ｎｓｅｃであり、最小１５ナノ秒のパルス幅分解能が必要とされる。
【００２０】
しかしながら、図３１に示すような配線は、配線インダクタンス（Ｌ）と配線容量（Ｃ）と配線抵抗（Ｒ）で決定されるカットオフ周波数を持つローパスフィルタと等価である。このようなローパス特性を持つ信号配線や表示部配線を、カットオフ周波数以上の周波数スペクトル成分で構成される、線順次−パルス幅変調（ＰＷＭ）駆動方式で駆動した場合、図３３に示すように、素子に印加されるＰＷＭ波形の立ち上がりおよび立ち下がり波形が鈍ってしまい、低輝度における表示品位の低下が生じる。特に、情報電極駆動回路１０から低階調のパルス幅変調駆動波形を印加すると、電子放出素子１に印加される走査回路１１の出力波形との合成波形は、波高値が低くなった波形となる。つまり、高い周波数スペクトル成分のみで構成されるような駆動波形すなわち低階調のパルス幅変調駆動波形は波高値が低くなってしまい、低階調領域で所望の階調の画像を表示できない。
【００２１】
また、非常に多数の電子放出素子をマトリクス配線したマルチ電子源に対して、制御定電流源から時間的長さの短い定電流パルスを供給する場合にも、ほとんど電子が放出されない。比較的長い期間定電流パルスを供給し続ける場合には、もちろん電子は放出され始めるが、電子放出が開始するまでには大きな立ち上がり時間が必要となっていた。
【００２２】
図３３は、これを説明するためのタイムチャートであって、図に示したように、制御定電流源から短い電流パルスを供給しても、電子放出素子にはほとんど電流Ｉｆは流れない。また、長いパルスを供給した場合でも、電子放出素子に流れる駆動電流Ｉｆは、立ち上がり時間の大きな波形になってしまう。冷陰極型の電子放出素子自身は高速応答性能を有しているのにもかかわらず、電子放出素子に供給される電流波形がなまってしまうため、結果的に放出電流Ｉｅの波形も変形してしまっていた。
【００２３】
単純マトリクス配線されたマルチ電子源においては、マトリクスの規模を大きくするとそれにともなって寄生容量（配線容量）が増大する。寄生容量の主要部分は行方向配線と列方向配線の交差部に存在するが、この等価回路を図３４に示す。列方向配線３に接続された制御定電流源９から定電流Ｉ１の供給を開始すると、初めのうち電流は寄生容量８の充電に費やされてしまい、電子放出素子１の駆動電流としてほとんど作用しない。このため、電子放出素子の実効的な応答速度が低下する。
【００２４】
また、電圧駆動については以下の解決すべき問題点がある。発光素子として駆動に伴って電流が流れる素子、例えばＬＥＤ、ＥＬ、ＦＥＤ、ＳＥＤなどを用いたディスプレイでは、一般的に配線抵抗は低く設計される。したがって、等価回路としては、寄生容量、寄生抵抗、寄生インダクタンスによって構成された図３１に示すモデルとなる。このような回路に従来の電圧駆動法を適用すると、電圧の印加によって寄生容量へ充電電流ｉが流れ込むため駆動波形立ち上がり部の鈍りが生じる。さらに寄生インダクタンスの自己誘導作用によって起電力Ｕ＝−Ｌ×（ｄｉ／ｄｔ）が発生し、オーバーシュート、リンギングが発生し、発光素子への異常電圧の印加が起こってしまっていた。
【００２５】
近年、ディスプレイに対する大面積化、高精細化、高階調化の要求は著しくそれに伴って、配線の寄生インダクタンス、寄生容量は増加しており、駆動波形立ち上がり部の鈍りによる低輝度領域での階調のつぶれ、オーバーシュート、リンギングはますます解決すべき重要課題となっている。
【００２６】
また、単純なパルス幅制御とパルス波高値制御による駆動波形は発光素子の電圧／発光強度特性の変化やばらつきによって階調の単純増加性が保証できなくなることが問題となっていた。
【００２７】
また、例えば、特開平０９−３１９３２７号公報で開示されるように、前記冷陰極素子に駆動電流パルスを供給するための制御電流源と、マルチ電子源の寄生容量を高速に充電するための電圧源と、前記駆動電流パルスの立ち上がりに同期させて前記電圧源と前記列方向配線とを電気的に接続する充電電圧印加手段によって、配線の寄生容量に対してほぼ充電が完了するまでの間、駆動電流パルスに加えて充電電圧を印加する方法などが行われていた。このような駆動を行った場合には階調の線形性を保証することが可能となる。
【００２８】
また、特開平８−２２２６１号公報では、デジタル映像信号の各ワードを複数のサブワードに分割し、下位のサブワードには波高値が低く、上位のサブワードには波高値の高いＰＷＭ波形を割り当てることによって従来のＰＷＭ波形のタイムスロットの期間より長い期間を有する駆動波形を実現し、低輝度における画像の表示品位の低下を防止している。
【００２９】
また、特開平１０−３９８２５号公報では、輝度信号に応じて高電圧がＶ１で低電圧がＶ２である２値信号を出力する第２のパルス幅変調出力手段と、前記輝度信号に応じて前記２値信号を所定のパルス幅で切り込む第２のパルス幅信号出力手段を有する駆動方法によってパルス幅変調回路の周波数の低減を可能とし、高階調化に伴って問題となるＰＷＭ動作周波数の高周波化の問題を解決している。
【００３０】
さらに、特開平１１−０１５４３０号公報では、電圧パルスとして、Ｍ階調に対応するパルス幅制御とＮ階調に対応するパルス波高値制御とで定義されるＭ×Ｎ階調の情報を含ませたパルス駆動波形を用いることによって高階調化を容易に実現している。
【００３１】
しかしながら、従来のパルス幅変調による駆動ではさらに、階調によっては駆動波形の立ち上がり立ち下がり時に大きな電磁波ノイズすなわち電磁波の不要輻射が誘起される可能性があった。
【００３２】
また、上述した電子放出素子を多数個、マトリクス配置したマルチ電子ビーム源においては、その配線の抵抗分の影響によって生じる電圧降下のために、各素子に印加される電圧はその給電端から遠い素子ほど小さくなり、その結果、各素子の放出電子分布が一様にならないという問題がある。そして、このマルチ電子放出素子を画像表示装置に応用した場合は、配線抵抗によって生じる電圧降下のために、画質が劣化する問題がある。
【００３３】
図３４および図３５を用いて説明する。図３４はマルチ電子ビーム源基板の一例を示す。図中、１は電子放出素子、２は選択電極（行方向配線）、３は情報電極（列方向配線）、９は選択回路、１０は変調回路、１２は基板を表している。
【００３４】
また、図３５は図３４のマルチ電子ビーム源基板１１を用いた画像表示パネルの斜視図である。図中、１３はメタルバック、１４は蛍光面、１５はフェースプレート、１６は電子源からの電流を表している。
【００３５】
今、ある選択電極２が選択され、その選択電極に接続されている画素の全てが点灯したとする。この時の等価回路を図３６に示す。図中、１６は情報電極から電子放出素子を通じ、選択電極に流れる電流成分、４は選択電極の抵抗成分を表している。
【００３６】
ここで選択電極に流れ込む電流は各素子とも、同一の値Ｉｆとし、一画素あたりの選択電極の抵抗値をｒｆと仮定する。この時の選択電極上での電位を計算する。
【００３７】
Ｒｆ５に流れる電流はＩｆであり、Ｒｆ５による電圧降下分は、Ｉｆ・ｒｆである。Ｒｆ４に流れる電流は２・Ｉｆであり、Ｒｆ４による電圧降下分は、２・Ｉｆ・ｒｆである。以下同様に各抵抗成分での電圧降下分を計算し、選択電極上の各部の電位を計算した結果を図３７に示す。なお、ここではＶｅ＞Ｖｓとした場合について示した。
【００３８】
注目すべき点は、給電点である選択回路９から電位Ｖｓを出力した時、選択電極２に電流が流れ込み、給電点から離れるにつれて電位が上昇し、最遠方端では２１・Ｉｆ・ｒｆだけ電位上昇している点である。図３８は、このときの最遠方端の画素に印加される駆動波形を示したものである。図中（ａ）は選択電極に印加される電位波形、（ｂ）は情報電極に印加される電位波形、（ｃ）は選択された電子放出素子に印加される電圧波形を示している。電位上昇によって、選択電位がＶｓからＶｓ’となることで、素子に印加される電圧が低下することがわかる。
【００３９】
この電圧のばらつきは、選択電極の抵抗成分がきわめて小さい場合にはさほど問題とならないが、例えば、画像表示装置の大画面化等により、選択電極の抵抗成分が大きい場合、その電圧ばらつきは無視できないものとなる。また画素数が増大し、選択電極に流れ込む電流が増大した場合もその電圧ばらつきは大きくなる。
【００４０】
この電圧ばらつきが生じることによって、電子放出素子に印加される電圧が各素子で異なることになり、とりわけ、給電点に近い電子放出素子と給電点から離れた電子放出素子とでは、同じ電圧が印加されず、電子の放出量に差異が生じる。このことは、その電子放出素子から放出される電子ビームにより発光する素子である画素間の輝度差として表れてしまい、画像表示装置としての表示品位が低下してしまうことにつながる。
【００４１】
特開平１０−１１２３９１号公報には、Ｘ−Ｙマトリクス型有機ＥＬ表示装置の配線電極の抵抗値と当該配線電極に流れる電流に注目し、データ電極を低抵抗側配線に、走査電極を高抵抗側配線に配設するようにするとともに、駆動電圧Ｖｃｃの電圧源に接続された電流源で駆動する駆動方法とし、この時の駆動電圧Ｖｃｃを画素である発光素子の位置による配線抵抗のばらつきがあっても電流源が必ず定電流動作する条件を満足する特定の電圧以上とすることによって、多数の発光素子を均一に発光させ、画像表示装置として優れた特性を実現することが開示されている。
【００４２】
また、特許第３０４９０６１号には、変調配線（情報信号配線）に印加する信号の立ち下がりを複数のステップに分けて行うことが記載されている。
また、特開平７−１８１９１７号公報には、単数または複数個の単位駆動ブロックに対応する複数個の電圧を用い、この単位駆動ブロックをパルス幅および波高値方向に積み重ねて、駆動波形を作成する方法が記載されている。
【００４３】
本願に係る発明は、発光素子を駆動する信号の駆動波形として好適なものを実現することを課題とし、特には、発光素子を正確に駆動できる駆動波形を実現することを課題とする。
【００４７】
【課題を解決するための手段】
本願にかかわる発光素子の駆動回路の発明の一つは以下のように構成される。
スロット幅Δｔ単位でパルス幅制御されかつ各スロットにおける波高値がＡ１〜Ａｎのｎ段階（但し、ｎは２以上の整数で、０＜Ａ１＜Ａ２＜・・・・＜ＡｎでありＡ１は０でない階調データに対応する波高値）のいずれかの波高値に制御される駆動波形を１選択期間中に発光素子に供給する駆動回路であって、前記駆動波形は、波高値が波高値Ａ１から波高値Ａｋ−１までの波高値に制御される部分を少なくとも１スロットずつ経て所定波高値Ａｋ（但し、ｋは２以上ｎ以下の整数）に制御される部分まで立ち上がる部分と、波高値が前記所定波高値Ａｋに制御されている部分から、波高値が前記波高値Ａｋ−１から波高値Ａ１までの波高値に制御される部分を少なくとも１スロットずつ経て立ち下がる部分を有することを特徴とする発光素子の駆動回路。
この発明によれば駆動波形を段階的に立ち上げ、かつ立ち下げることで発光素子を正確に駆動することが可能となる。なお、駆動波形の立ち上がり部分に波高値Ａｋよりも高い波高値まで立ち上がる部分を有している場合、波高値Ａｋに達した後駆動波形を急激に立ち上げるのは好ましくない。よって上記発明において、波高値Ａｋは駆動波形の（少なくとも立ち上がり部分の）最大波高値であることが望ましい。
【００４８】
なお以上述べた各発明において、駆動波形の立ち上がり部分で波高値Ａ1に立ち上がる直前の波高値は発光素子が実質的に駆動されない波高値であればよい。また駆動波形の立ち下がり部分で波高値Ａ1から立ち下がった直後の波高値は発光素子が実質的に駆動されない波高値であればよい。ここで、発光素子が実質的に駆動されない波高値とは、該波高値が１スロット入力されても発光素子が輝度データの最低階調に対応する発光を生じさせない波高値であり、具体的には該波高値が発光素子の駆動しきい値を越えないように選ばれる。
【００４９】
発光素子に基礎電位（例えば後述するマトリクス駆動の際の選択電位）が与えられた状態を考える。この発光素子に本願に係る発明による駆動波形が与えられると、駆動波形の各部分に対応する電位(波高値制御を電位制御により行う場合はその電位、波高値制御を電流制御により行う場合は該電流を流すための電位)と前記基礎電位との電位差が発光素子に与えられる。この電位差により輝度データに応じた表示に際して無視できない発光を生じたときの波高値が発光素子の駆動しきい値である。
【００５０】
なお、この駆動波形がＡ１に立ち上がる前の発光素子が実質的に駆動されない波高値と、Ａ１から立ち下がった後の発光素子が実質的に駆動されない波高値とは、同じ値である構成を好適に採用できる。またここで波高値の大小（高低）をいうとき、より大きい（高い）波高値とはより多くの駆動エネルギーを発光素子に与える波高値であることを指し、必ずしも電位の大小関係と一致するものではない。例えば、基礎電位として所定電位を与え、駆動波形の電位をそれよりも低い電位とするときには、電位が低いほうが波高値が高い状態となる。
【００５１】
また、以上の構成において、ある駆動波形と、該駆動波形が発光素子を駆動する駆動エネルギーを増減させた他の駆動波形の関係を以下のように規定することにより、駆動波形を好適に設定することが可能となる。すなわち、前記駆動波形が波高値Ａ１に立ち上がったスロットを第１スロットとするとき、第１〜第ｋ−１スロットの波高値がそれぞれＡ1〜Ａk-1、第ｋと第Ｎk＋ｋ−１スロット（但し、Ｎkは１以上の整数）の波高値がＡk、第Ｎk＋ｋ〜第Ｎk＋２（ｋ−１）スロットの波高値がそれぞれＡk-1〜Ａ1となる駆動波形に対し、前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを１段階増加させた駆動波形が、前記駆動波形の第Ｎk＋２ｋ−１スロットの波高値をＡ1に増加させたものであり、以降順次前記駆動エネルギーを１段階増加させた駆動波形が前段階の駆動波形に対して、さらに第Ｎk＋２（ｋ−１）スロットの波高値をＡ1からＡ2に、‥‥、第Ｎk＋ｋスロットの波高値をＡk-1からＡkに変更した波形を有するようにすることである。
【００５２】
すなわち波高値Ａkから波高値Ａkより低い各波高値を順番に１スロットずつ経て前記発光素子が実質的に駆動されない波高値まで立ち下がる部分を有する駆動波形に対して、前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階増加した駆動波形が、前段の駆動波形の前記立ち下がる部分において波高値がＡ1であったスロットに続くスロットの波高値をＡ1に増加させた波形を有しており、以降前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階ずつ増加した駆動波形が、前段の駆動波形において、前々段の駆動波形に対して波高値を一段階増加させたスロットの一つ手前のスロットの波高値を一段階増加させた波形を有するとよい。
【００５３】
なおここで述べる発明は駆動信号の波形を規定するものであり、ある階調エネルギーに相当する第１の駆動波形に対し、１段階駆動エネルギーを増加させたときの第２の駆動波形がこの発明に従うものである時に、ある所定期間における第１および第２の駆動波形の印加のタイミングを限定するものではなく、例えば第１の駆動波形を用いるときに所定期間の２番目のスロットから第１の駆動波形を立ち上げる構成において、第２の駆動波形を用いる場合に、第２の駆動波形を前記所定期間の最初のスロットから立ち上げる実施形態を含む発明である。すなわち、この発明の実施の形態は、第１の駆動波形の立ち上がりのタイミングと第２の駆動波形の立ち上がりのタイミングがある所定期間(例えば後述のようにマトリクス駆動する際の１選択期間)において同じである構成に限らない。
【００５４】
また以上述べた各発明において以下のようにしてもよい。すなわち、波高値Ａkから波高値Ａkより低い各波高値を順番に少なくとも１スロットずつ経て立ち下がる部分を有する所定の駆動波形に対して、前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階増加した駆動波形が、前段の駆動波形の前記立ち下がる部分において波高値がＡ1であったスロットに続くスロットの波高値をＡ1に増加させた波形を有しており、以降前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階ずつ増加した駆動波形が、前段の駆動波形において、前々段の駆動波形に対して波高値を一段階増加させたスロットの一つ手前のスロットの波高値を一段階増加させた波形を有することを特徴とする駆動方法である。
このように各駆動波形の関係を設定することにより各駆動波形の立ち下がり部分で連続するスロットにおいて波高値の変化を１段階以内にすることができる。
【００５５】
特に、前段の駆動波形に対して前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階ずつ増加した駆動波形が、前段の駆動波形において、前々段の駆動波形に対して波高値を一段階増加させたスロットの一つ手前のスロットの波高値を一段階増加させた波形を有するという前記関係は、該関係によって決まる駆動波形が前段の駆動波形に対して波高値を増加させたスロットの波高値が波高値Ａkよりも一段階高い波高値である駆動波形までの一連の駆動波形が満たすものである構成を好適に採用することができる。これらの一連の駆動波形の最後の駆動波形に対して更に一段階駆動エネルギーを増加させた駆動波形は、前記最後の駆動波形の立ち下がり部分において波高値が波高値がＡ1であったスロットに続くスロットの波高値をＡ1に変更した波形を有するようにすればよい。
【００５６】
また、波高値Ａkが許容される最高波高値であったり、波高値の更新をなるべく回避したい場合には、以下のようにすればよい。すなわち、
前段の駆動波形に対して前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階ずつ増加した駆動波形が、前段の駆動波形において、前々段の駆動波形に対して波高値を一段階増加させたスロットの一つ手前のスロットの波高値を一段階増加させた波形を有するという前記関係は、該関係によって決まる駆動波形が前段の駆動波形に対して波高値を増加させたスロットの波高値が波高値Ａkである駆動波形までの一連の駆動波形が満たすものである構成である。これらの一連の駆動波形の最後の駆動波形に対して更に一段階駆動エネルギーを増加させた駆動波形は、前記最後の駆動波形の立ち下がり部分において波高値が波高値がＡ1であったスロットに続くスロットの波高値をＡ1に変更した波形を有するようにすればよい。
【００５７】
また、一段階ずつ駆動エネルギーが異なる一連の駆動波形を以下のように設定しても良い。すなわち、
前記駆動波形が波高値Ａ１に立ち上がったスロットを第１スロットとするとき、第１〜第ｋ−１スロットの波高値がそれぞれＡ１〜Ａｋ−１、第ｋと第Ｎｋ＋ｋ−１スロット（但し、Ｎｋは１以上の整数）の波高値がＡｋ、第Ｎｋ＋ｋ〜第Ｎｋ＋２（ｋ−１）スロットの波高値がそれぞれＡｋ−１〜Ａ１となる駆動波形に対し、前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを１段階減少させた駆動波形が、前記駆動波形の第ｋスロットの波高値をＡｋからＡｋ−１に変更したものであり、以降順次前記駆動エネルギーを１段階減少させた駆動波形が前段階の駆動波形に対して、さらに第ｋ−１スロットの波高値をＡｋ−１からＡｋ−２に、・・・・、第１スロットの波高値をＡ１から輝度データの最低階調に対応する発光を生じさせない波高値に変更した波形を有する構成である。
【００５８】
なおこの発明も駆動信号の波形を規定するものであり、ある階調エネルギーに相当する第１の駆動波形に対し、１段階駆動エネルギーを減少させたときの第２の駆動波形がこの発明に従うものである時に、ある所定期間における第１および第２の駆動波形の印加のタイミングを限定するものではなく、例えば第１の駆動波形を用いるときに所定期間の最初のスロットから第１の駆動波形を立ち上げる構成において、第２の駆動波形を用いる場合に、第２の駆動波形を前記所定期間の２番目のスロットから立ち上げる実施形態をも含む発明である。すなわち、この発明の実施の形態は、第１の駆動波形の立ち下がりのタイミングと第２の駆動波形の立ち下がりのタイミングがある所定期間(例えば後述のようにマトリクス駆動する際の１選択期間)において同じである構成に限らない。
【００５９】
また、以下のようにいうこともできる。すなわち、
波高値Ａkより低い各波高値を順番に少なくとも１スロットずつ経て波高値Ａkまで立ち上がる部分を有する駆動波形に対して、前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階減少した駆動波形が、前段の駆動波形の前記立ち上がる部分において波高値がＡk-1であったスロットに続くスロットであり波高値がＡkであったスロットの波高値をＡk-1とした波形を有しており、以降前記発光素子を駆動するエネルギーを一段階ずつ減少した駆動波形が、前段の駆動波形において、前々段の駆動波形に対して波高値を一段階減少させたスロットの一つ手前のスロットの波高値を一段階減少させた波形を有することを特徴とする構成である。
【００６０】
以上述べた各発明において、波高値がＡkである２つのスロットの間のスロットにおける波高値はＡkであると好適である。立ち上がり部と立ち下がり部以外では波高値を維持できるため、発光素子をより正確に駆動でき、また駆動波形の生成も容易になる。
【００６１】
また、以下のように設定するのも好適である。すなわち、
前記波高値がＡkである２つのスロットの間に他のスロットがある時には、該他のスロットにおける波高値はＡkとするものであり、ｋ＝１の場合を含み前記波高値ＡkがＡnよりも小さく、かつ前段階の駆動波形に対して駆動エネルギーを一段階増加させることにより波高値がＡkであるスロットの数が２個から３個になった駆動波形に対して、駆動エネルギーを更に一段階増加させた駆動波形は、前記駆動波形の波高値がＡkである３個のスロットのうちの真中のスロットの波高値をＡkからＡk+1に変更した形状を有することを特徴とする構成である。
【００６２】
また、所定の駆動波形よりも前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを増加させた駆動波形は、前記所定の駆動波形に対して最大波高値を上昇させるよりもパルス幅を増加させることを優先させた形状を有するようにすることも好適である。
【００６３】
駆動エネルギーを増加させる際に、波高値の上昇よりもパルス幅の増加を優先することにより、瞬間的に流れる電流を減らす作用が期待できる。ここで波高値の上昇よりもパルス幅の増加を優先する場合の好適な構成は、少なくとも１スロットずつ各波高値を経ながら立ち上がる、もしくは立ち下がる形状を維持しつつ、いずれかの波高値のパルス幅を伸ばすことによって駆動エネルギーを増加させられる場合は、最大波高値を上昇させない構成となる。
【００６４】
また以下のように設定することも好適である。すなわち、
所定の駆動波形に対して前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを一段階増加して駆動波形の最大波高値を高くしたときの駆動波形は、波高値差Ａn−Ａn-1、‥‥、もしくはＡ2−Ａ1または波高値Ａ1と前記発光素子の駆動しきい値となる波高値との波高値差、およびスロット幅Δｔとで定まる単位駆動波形ブロックの数を前記所定の駆動波形で用いた数よりも一つ増加させて、最大波高値がなるべく連続するように積み直した形状を有する構成である。
【００６５】
駆動エネルギーを増加させる際に、波高値の上昇よりもパルス幅の増加を優先することにより、瞬間的に流れる電流を減らす作用が期待できる。ただし、駆動エネルギーを増加させるためにパルス幅を増やしていく構成においても、駆動波形のパルス幅の制限がある場合所定の段階でより高い波高値を使う必要がでてくる。波高値、特には最大波高値の連続性を重視する場合は、階段状の立ち上がりもしくは階段状の立ち下がりもしくはその両方を充足する範囲において最大波高値がなるべく連続するように駆動波形を構成する単位駆動波形ブロックを積み直した形状にすると良い。
【００６６】
また以下のように設定することも好適である。すなわち、
所定の駆動波形に対して前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを増加した駆動波形は、波高値差Ａn−Ａn-1、‥‥、もしくはＡ2−Ａ1または波高値Ａ1と前記発光素子の駆動しきい値となる波高値との波高値差、およびスロット幅Δｔとで定まる単位駆動波形ブロックを、ｋ＝１を含む最大波高値Ａkがより低くなる位置に優先的に付加した形状を有する構成である。特に、所定の駆動波形に対して前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを増加した駆動波形は、波高値差Ａn−Ａn-1、‥‥、もしくはＡ2−Ａ1または波高値Ａ1と前記発光素子の駆動しきい値となる波高値との波高値差、およびスロット幅Δｔとで定まる単位駆動波形ブロックを、最大波高値がより低くかつ最大波高値が連続する位置に優先的に付加した形状を有する構成を好適に採用できる。
【００６７】
具体的には、最大スロット数をＳとして、最大波高値Ａkであるスロット数がＳ−２（ｋ−１）になった駆動波形に対し、前記単位駆動波形ブロックを付加することによって前記駆動エネルギーをさらに１段階増加させた駆動波形は、第ｋ＋１〜第Ｓ−ｋスロットのうち任意のスロットの波高値をＡkからＡk+1に変更した形状を有する駆動波形である。波高値をＡkからＡk+1に変更するスロットは、例えば第ｋ＋１または第Ｓ−ｋスロットのいずれかとするとよい。
【００６８】
なお、本発明は、所定の駆動波形に対して前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを一段階増加して駆動波形の最大波高値を高くしたときの駆動波形として、前記単位駆動波形ブロックの数を前記所定の駆動波形で用いた数よりも一つ増加させて、最大波高値がなるべく連続するように積み直した形状を有する構成と、前記単位駆動波形ブロックを、ｋ＝１を含む最大波高値Ａkがより低くなる位置に優先的に付加した形状を有する構成との中間の構成をも含んでいる。すなわち、所定の駆動波形に対して前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを一段階増加して駆動波形の最大波高値を高くしたときの駆動波形は、前記単位駆動波形ブロックの数を前記所定の駆動波形で用いた数よりも一つ増加させて、最大波高値が２スロット以上連続するように積み直した形状を有する構成である。
【００６９】
さらに、本発明は、２スロット以上の最大波高値が連続しない構成も含んでいる。すなわち、所定の駆動波形に対して前記発光素子を駆動する駆動エネルギーを一段階増加して駆動波形の最大波高値を高くしたときの駆動波形は、前記単位駆動波形ブロックの数を前記所定の駆動波形で用いた数よりも一つ増加させて、最大波高値が２スロット以上となるように積み直した形状を有する構成である。
【００７０】
以上の各発明において、波高値がＡ1でスロット幅がΔｔの駆動波形は、前記発光素子を輝度データの概ね１ＬＳＢに対応する輝度で発光させる駆動エネルギーを有するようにすると好適である。
【００７１】
また、前記波高値Ａ1〜Ａnはそれぞれ異なる電位の値である構成を好適に採用でき、例えば、前記波高値Ａ1〜Ａnは前記発光素子の輝度が概ね１：２：‥‥：ｎとなる電位である構成を採用できる。また、前記波高値Ａ1〜Ａnは波高値差Ａm−Ａm-1（但し、ｍは１以上ｎ以下の整数、Ａ0は発光素子の駆動しきい値）が概ね一定となる電位である構成を採用できる。また、前記波高値Ａ1〜Ａnはそれぞれ異なる電流値である構成も採用できる。
【００７２】
また、波高値差Ａｍ−Ａｍ−１（但し、ｍは１以上ｎ以下の整数、Ａ０は発光素子の駆動しきい値）が概ね一定であるか、または２以上のｍに対してＡｍ−Ａｍ−１≧Ａｍ−１−Ａｍ−２であり、ｋ＝１の場合を含み前記波高値Ａｋが駆動波形の最大波高値になっておりかつ前記波高値ＡｋがＡｎより小さく、かつ前記波高値がＡｋであるスロットに挟まれるスロットの波高値はＡｋであり、かつ前記Ｎｋ＋２（ｋ−１）が所定の最大スロット数Ｓ（但し、Ｓは２ｎ−１以上の整数）に達した駆動波形に対し、前記駆動エネルギーをさらに１段階増加させる場合、波高値がＡ１になっているスロットに隣接しておりかつ波高値が前記発光素子が実質的に駆動されない波高値になっているスロットの波高値をＡ１に変更する代わりに、波高値がＡ１よりも高いスロットの数が（Ｓ・ｋ＋２ｋ＋１）／（ｋ＋１）以上のこれに最も近い整数であり、最大波高値がＡｋ＋１であり、前記波高値差Ａｍ−Ａｍ−１とスロット幅Δｔとで定まる単位駆動波形ブロックの数が前記駆動波形に対して１個だけ多く、かつ本願にかかわる駆動回路において前述した駆動波形に変更し、波高値がＡ１〜Ａｋのいずれかであり同一であるスロットが複数個ある場合は、以後さらに前記駆動エネルギーを１段階増加させるときに、波高値がより小さく、波高値が１段階上であるスロットにより近いスロットの波高値を１段階大きくすることを特徴とする構成を採用できる。
【００７３】
この構成において、前記波高値Ａ1〜Ａnは前記発光素子の輝度が概ね１：２：‥‥：ｎとなる電位である構成や、前記波高値Ａ1〜Ａnは波高値差Ａm−Ａm-1（但し、ｍは１以上ｎ以下の整数、Ａ0は発光素子の駆動しきい値）が概ね一定な電位である構成を採用できる。また、前記波高値Ａ1〜Ａnは波高値が概ね１：２：‥‥：ｎとなる電流値である構成を採用できる。
【００７４】
また本願は以下の発明を含んでいる。すなわち、
階調データに対応する駆動波形を発生する駆動回路であって、
０でない前記階調データに対応する波高値である最小の波高値とより大きい前記階調データに対応する波高値である１つ以上の非最小の波高値とを含む不連続な複数の波高値に波高値が制御される駆動波形を１選択期間中に発生するものであり、
前記非最小の波高値に制御される部分を有する前記駆動波形が、前記最小の波高値に制御される部分を該駆動波形の先頭および末尾に有するものであることを特徴とする駆動回路である。
【００７５】
ここで、０でない輝度階調データに対応する波高値とは、該波高値に制御した駆動波形を発光素子に印加することにより０以外の輝度階調データに対応する発光を生じさせることができる波高値を言う。
【００８５】
以上述べた各発明において、前記発光素子が、マトリクスディスプレイを構成する複数個の発光素子であり、各発光素子にそれぞれの階調データに応じた前記駆動波形を印加する構成を好適に採用できる。
【００８６】
また本願は、表示装置の発明として以下の構成の発明を含んでいる。
複数の発光素子を走査信号配線と情報信号配線とを用いてマトリクス配線したマルチ発光素子と、前記走査信号配線に接続された走査回路と、前記情報信号配線に接続された変調回路とを有する表示装置において、
前記変調回路は、前記走査回路により選択された発光素子を上述の各発明の駆動方法を用いて駆動するものであることを特徴とする表示装置。
【００８７】
具体的には、走査回路が各走査信号配線を順次選択し、選択した走査信号配線に所定の基礎電位として選択電位を与え、該選択された走査信号配線に接続される複数の発光素子にそれらが接続される複数の情報信号配線を介して上述の駆動波形を有する信号が与えられるようにすればよい。
【００８８】
この構成において、前記駆動波形の立ち上がり開始時から最大波高値Ａkに達するまでの時間が前記マルチ発光素子の情報信号配線の負荷と前記駆動回路の駆動能力とで決定される０％〜９０％時定数に概ね等しいかそれより長くなるように設定すると好適である。
【００８９】
０％〜９０％時定数とは、駆動波形を配線に供給する部分において測定できるものであり、駆動波形を所望の電位まで立ち上げるときに該部分における電位が変化し始めてから所望電位までの電位差の０．９倍の電位に達するまでに要する時間をいう。０％〜９０％時定数に概ね等しいかそれより長いよりも長い時間で駆動波形を立ち上げることによって電子源の両端に印加すべき電圧の９０％以上の電圧を印加することが可能となり、所望の発光量の９０％以上の輝度を得ることが可能となる。
【００９０】
また複数の情報信号配線に流れる同時に流れる電流を分散できる構成として、前記複数の情報信号配線の一部の情報信号配線に印加する駆動波形は、立ち上がりが選択期間の前半になるように制御し、他の一部の情報信号配線に印加する駆動波形は、立ち下がりが選択期間の後半になるように制御する構成を好適に採用できる。一つの選択期間においては、パルス幅制御のためのスロットが複数設定される。具体的には、複数の情報信号配線の一部の情報信号配線に印加する駆動波形は、対応する駆動エネルギー（階調）によらず選択期間におけるパルス幅制御のための最初（もしくはその近傍）のスロットから立ち上がるように印加し、残りの情報信号配線に印加する駆動波形は、対応する駆動エネルギーによらず選択期間におけるパルス幅制御のための最後（もしくはその近傍）のスロットで立ち下がるように印加することによって、複数の情報信号配線に同時に流れる電流を分散することができる。特には、印加される駆動波形の立ち上がりタイミングが選択期間の前半に設定される情報信号配線と、印加される駆動波形の立ち下がりのタイミングが選択期間の後半に設定される情報信号配線とが交互に配置されるようにすると好適である。またこのとき、前記駆動波形の時間軸を前記複数の情報信号配線の一部と残部とで逆にする構成を好適に採用できる。
【００９１】
また、上記構成において、前記変調回路は、画像データとしてＲビットの輝度データを入力され、スロット数２P個以下の範囲で前記パルス幅制御を行い、かつｎ＝２Q段階の波高値制御とを行うものであり、前記Ｒ、Ｐ、Ｑの各データがＲ＜Ｐ＋Ｑなる関係を有するようにすると好適である。
【００９３】
なお、本発明で言う発光素子としては、ＬＥＤやＥＬや、電子放出素子を挙げることができる。電子放出素子はそれ単体では発光するものではないが、放出される電子により発光する蛍光体を用いることにより発光素子として用いることができる。なお、電子放出素子としては冷陰極素子が好適である。電界放出（ＦＥ）型電子放出素子、ＭＩＭ型電子放出素子を好適に用いることができる。特に好適には表面伝導型放出素子（ＳＣＥ）を用いることができる。表面伝導型放出素子は電子放出特性のばらつきが少ない多数の素子を比較的容易に製作できるので好ましい。
【００９４】
なお、以上述べた各発明はそれぞれ他の発明と組み合わせて用いることができる。
【００９５】
【作用】
本発明の駆動方法によれば、パルス幅制御とパルス波高値制御を併用することにより、パルス波高値制御の波高値の分解能すなわち最小波高値差を実現容易な値に設定することができる。また、パルス幅制御の分解能すなわちスロット幅をより大きくして駆動信号の最大周波数および最大波高値を下げることができる。特に、駆動波形を階段状に立ち上げまたは立ち下げることにより、立ち上がりもしくは立ち下がり部分の波高値の急激な変化を抑制することができる。これにより、例えば不要輻射を低減することができる。また駆動波形のなまりを低減して特に低階調での階調特性の劣化を防ぐことができる。またオーバーシュート、リンギングの発生や、それによる発光素子への異常電圧の印加を防止することができる。
【００９６】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施の形態の一つにおいて、駆動波形の駆動エネルギーを１段階増加させて波高値が最大波高値Ａkであるスロットの数がＮk−１個からＮk個（但し、Ｎkは１以上の整数）になったときの駆動波形は、該波形が波高値Ａ1に立ち上がるスロットを第１スロットとして、第１〜第ｋ−１スロットの波高値がそれぞれＡ1〜Ａk-1、第ｋ〜第Ｎk＋ｋ−１スロットの波高値がＡk、第Ｎk＋ｋ〜第Ｎk＋２（ｋ−１）スロットの波高値がそれぞれＡk-1〜Ａ1、とする。それ以外のスロットの波高値は素子が実質的に駆動されない値にする。そして、これに対し、駆動エネルギーが１段階多い駆動波形は、第Ｎk＋２ｋ−１スロットの波高値を素子が実質的に駆動されない値からＡ1に変更したものであり、以後、第Ｎk＋２（ｋ−１）スロットの波高値をＡ1からＡ2に、‥‥、第Ｎk＋ｋスロットの波高値をＡk-1からＡkに変更することにより前記駆動エネルギーを１段階ずつ増加した駆動波形を形成することができる。
なおこの波形設定の仕方は前後を逆転させても良い。
【００９７】
最大波高値を繰り上げるには、例えば、ｋ＝１の場合を含み前記最大波高値ＡkがＡnより小さく、かつ波高値が最大波高値Ａkであるスロットの数が２個から３個になった駆動波形に対し、前記駆動エネルギーをさらに１段階増加させる場合、前記第Ｎk＋２ｋ−１スロットの波高値を０からＡ1に変更する代わりに、第ｋ＋１スロットの波高値をＡkからＡk+1に変更する。
【００９８】
すなわち、前段階の駆動波形に対して駆動エネルギーを一段階増加させることにより波高値がＡkであるスロットの数が２個から３個になった駆動波形に対して、駆動エネルギーを更に一段階増加させた駆動波形は、前記駆動波形の波高値がＡkである３個のスロットのうちの真中のスロットの波高値をＡkからＡk+1に変更した形状とする。またこれは、前段階の駆動波形に対して駆動エネルギーを一段階増加させることにより波高値がＡkであるスロットの数が３個から４個になった駆動波形に対して、駆動エネルギーを更に一段階増加させた駆動波形は、前記駆動波形の波高値がＡkである４個のスロットのうちの両端の２つ以外のスロットの波高値をＡkからＡk+1に変更した形状としてもよい。このような駆動波形列を用いる駆動方法を以下「Ｖ１４駆動」という。
【００９９】
または、k＝１の場合を含み前記最大波高値ＡkがＡnより小さく、かつ前記Ｎk＋２（ｋ−１）が所定の最大スロット数Ｓ（但し、Ｓは２ｎ-1以上の整数）に達した駆動波形に対し、前記駆動エネルギーをさらに１段階増加させる場合、前記第Ｎk＋２ｋ−１スロットの波高値を素子が実質的に駆動されない波高値からＡ1に変更する代わりに、パルス幅が（Ｓ・ｋ＋２ｋ＋１）／（ｋ＋１）以上のこれに最も近いスロット数であり、最大波高値がＡk+1であり、かつ前記単位駆動波形ブロックの数が該駆動波形に対して１個だけ多い階段状立ち上がりおよび立ち下がりを呈する駆動波形に変更する。そして、波高値がＡ1〜Ａkのいずれかであり同一であるスロットが複数個ある場合は、以後さらに前記駆動エネルギーを１段階増加させるときに、波高値がより小さく、波高値が１段階上であるスロットにより近いスロットの波高値を１段階大きくする。
【０１００】
このような駆動波形列を用いる駆動方法を以下「Ｖｎ駆動」という。このＶｎ駆動においては、最大波高値を繰り上げた場合の単調増加性を保つため、波高値および波高値差はＡn−Ａn-1≧‥‥≧Ａ2−Ａ1≧Ａ1であるか、概ね一定であることが好ましく、特に、Ａn−Ａn-1＝‥‥＝Ａ2−Ａ1＝Ａ1であることが好ましい。また、波高値差Ａn−Ａn-1、‥‥、もしくはＡ2−Ａ1または波高値Ａ1と素子の駆動しきい値となる波高値との波高値差およびスロット幅Δｔとで定まる単位駆動波形ブロックがそれぞれ前記発光素子を輝度データの概ね１ＬＳＢに対応する輝度（最低階調に対応する輝度）で発光させる駆動エネルギーを有することが好ましい。
【０１０１】
最大波高値を繰り上げるさらに別の方法は、波高値差Ａn−Ａn-1、‥‥、もしくはＡ2−Ａ1または波高値Ａ1と素子の駆動しきい値となる波高値との波高値差およびスロット幅Δｔとで定まる単位駆動波形ブロックを、ｋ＝１を含む最大波高値Ａkがより低くかつ最大波高値が連続する位置に優先的に付加することによって、前記駆動波形を形成し、最大スロット数をＳとして最大波高値Ａkとなっているスロット数がＳ−２（ｋ−１）になった駆動波形に対し、前記駆動エネルギーをさらに１段階増加させる場合、第ｋ＋１〜第Ｓ−ｋスロットのうち任意のスロット、好ましくは前記範囲の先頭または末尾のスロットの波高値をＡkからＡk+1に変更する。このような駆動波形列を用いる駆動方法を以下「新Ｖｎ駆動」という。
【０１０２】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
［第１の実施例］
図１は本発明の一実施例に係るマルチ電子源の駆動回路のブロック図を示す。同図において、１０１はマルチ電子源、１０２は変調回路、１０３は走査回路、１０４はタイミング発生回路、１０５はデータ変換回路、１０６はマルチ電源回路である。本構成により、マルチ電子源１０１を駆動する。マルチ電子源１０１は、図３４に示すように行方向配線２と列方向配線３の交点に電子源（電子放出素子）１が構成されたものである。電子源としては、前述のようにＳＣＥ型、ＦＥ型およびＭＩＭ型の電子放出素子が知られているが、本実施例では、ＳＣＥ型の電子放出素子を用いた。
【０１０３】
データ変換回路１０５は、外部からマルチ電子源１０１を駆動する駆動データを変調回路１０２に適したフォーマットに変換する回路である。変調回路１０２はマルチ電子源１０１の列方向配線に接続されており、データ変換回路１０５からのデータ変換された駆動データに応じてマルチ電子源１０１に変調信号を入力する回路である。走査回路１０３はマルチ電子源１０１の行方向配線に接続されており、変調回路１０２の出力をマルチ電子源１０１のどの行に信号を加えるかを選択する回路である。一般的には、一行ずつ順次行選択する線順次走査を行うが、これに限定されることなく、複数の行を選択しても面を選択しても構わない。タイミング発生回路１０４は、変調回路１０２、走査回路１０３およびデータ変換回路１０４の各回路のタイミング信号を発生する回路である。マルチ電源回路１０６は、複数の電源値を出力する電源回路であり、変調回路１０２の出力値を制御する回路である。一般的には、電圧源回路であるが、これに限定されるものではない。
【０１０４】
次に図２のブロック図により、変調回路１０２の詳しい説明をする。図２は、変調回路１０２の内部構成を現したブロック図である。変調回路１０２は、シフトレジスタ１０７、ＰＷＭ回路１０８および出力段回路１０９で構成される。シフトレジスタ１０７には駆動データをデータ変換回路１０５でフォーマット変換された変調データが入力され、シフトレジスタ１０７によりマルチ電子源１０１の列方向配線に応じた変調データが転送される。出力段回路１０９はマルチ電源回路１０６に接続され、本発明に従った駆動波形を出力する回路である。ＰＷＭ回路１０８はシフトレジスタ１０７からマルチ電子源１０１の列方向配線に応じた変調データが入力され、出力段回路１０６のそれぞれの出力電圧に応じたパルス幅出力を発生する回路である。また、シフトレジスタ１０７およびＰＷＭ回路１０８の制御のためのタイミング信号がタイミング発生回路１０４から入力される。
【０１０５】
さらに、図３のブロック図により、ＰＷＭ回路１０８の詳しい説明をする。図３は、ＰＷＭ回路１０８の内部構成を現したブロック図である。ここでは４段の電圧出力段回路の場合を例に説明を行うが、これに限定されるものではない。ＰＷＭ回路１０８は、ラッチ１１０、Ｖ１スタート回路１１１、Ｖ２スタート回路１１２、Ｖ３スタート回路１１３、Ｖ４スタート回路１１４、Ｖ１エンド回路１１５、Ｖ２エンド回路１１６、Ｖ３エンド回路１１７、Ｖ４エンド回路１１８、Ｖ１ＰＷＭ発生回路１１９、Ｖ２ＰＷＭ発生回路１２０、Ｖ３ＰＷＭ発生回路１２１およびＶ４ＰＷＭ発生回路１２２で構成される。ラッチ回路１１０では、各シフトレジスタ１０７から出力された各変調データをタイミング発生回路１０４から出力されたロード信号に応じてラッチする。ここで、タイミング発生回路１０４から出力されたロード信号は各ＰＷＭ信号のスタートのタイミング信号にも用いている。
【０１０６】
ラッチ回路１１０でラッチされた変調データは、さらに、Ｖ１からＶ４のスタート回路１１１〜１１４と、Ｖ１からＶ４のエンド回路１１５〜１１８に入力される。次に、Ｖ１スタート回路１１１から出力されたスタート信号とＶ１エンド回路１１５から出力されたエンド信号がＶ１ＰＷＭ回路１１９に入力され、出力電圧Ｖ１に対応するＰＷＭ出力が出力段回路１０９に入力される。同様に、Ｖ２スタート回路１１２から出力されたスタート信号とＶ２エンド回路１１６から出力されたエンド信号がＶ２ＰＷＭ回路１２０に入力されて出力電圧Ｖ２に対応するＰＷＭ出力が出力段回路１０９に入力され、Ｖ３スタート回路１１３から出力されたスタート信号とＶ３エンド回路１１７から出力されたエンド信号がＶ３ＰＷＭ回路１２１に入力されて出力電圧Ｖ３に対応するＰＷＭ出力が出力段回路１０９に入力され、Ｖ４スタート回路１１４から出力されたスタート信号とＶ４エンド回路１１８から出力されたエンド信号がＶ４ＰＷＭ回路１２２に入力されて出力電圧Ｖ４に対応するＰＷＭ出力が出力段回路１０９に入力される。
【０１０７】
ここでは、本発明に従った駆動波形を作成するために、Ｖ１スタート回路１１１から出力されたスタート信号よりもＶ２スタート回路１１２から出力されたスタート信号が、Ｖ２スタート回路１１２から出力されたスタート信号よりもＶ３スタート回路１１３から出力されたスタート信号が、Ｖ３スタート回路１１３から出力されたスタート信号よりもＶ４スタート回路１１４から出力されたスタート信号が遅いタイミングで出力される。さらに、Ｖ４エンド回路１１８から出力されたエンド信号よりもＶ３エンド回路１１７から出力されたエンド信号が、Ｖ３エンド回路１１７から出力されたエンド信号よりもＶ２エンド回路１１６から出力されたエンド信号が、Ｖ２エンド回路１１６から出力されたエンド信号よりもＶ１エンド回路１１５から出力されたエンド信号が遅いタイミングで出力される。
【０１０８】
次に、Ｖ１〜Ｖ４スタート回路１１１〜１１４とＶ４〜Ｖ１エンド回路１１５〜１１８とＶ１〜Ｖ４ＰＷＭ回路１１９〜１２２の詳細な説明を行う。図４に第１の回路例を、図５に第２の回路例を挙げ説明する。
【０１０９】
図４はマルチ電子源１０１の複数の変調信号配線への出力波形の立ち上がりがほぼ同時になるように揃える場合の回路構成を示した図である。ここでは、Ｖ１スタート回路１１１、Ｖ１エンド回路１１５およびＶ１ＰＷＭ発生回路１１９のみを示しているが、他のスタート回路、エンド回路およびＰＷＭ発生回路は上記回路と同じ構成である。
【０１１０】
Ｖ１スタート回路１１１は、デコード回路とアップカウンタとコンパレータで構成され、Ｖ１エンド回路１１５は、デコード回路とアップカウンタとコンパレータで構成され、Ｖ１ＰＷＭ発生回路１１９はＲＳフリップフロップで構成されている。
【０１１１】
Ｖ１スタート回路１１１内のデコード回路において変調データに含まれる制御信号によりデコードされたデータが出力される。Ｖ１スタート回路１１１内のデコード回路の出力値とＶ１スタート回路１１１内のアップカウンタとの出力が一致した場合に、Ｖ１スタート回路１１１内のコンパレータからＶ１スタート信号が出力される。変調データの各階調値ごと信号波形は決まるので、変調データの階調値に対応したデータを出力できるようにデコード回路は設定されている。ここで０でない階調値に対応する波高値のうちの最小波高値であるＶ１は変調データの階調値が０以外のときに用いるので、変調データの階調値が０以外の時には、アップカウンタの出力値との比較によってＶ１出力の開始を規定するスタート信号が発生されるような出力を出力するようにデコード回路は構成されている。変調データの階調値に対応する信号波形において、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４が必要か否かも各階調値ごとに決まっているので、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４のスタート回路においてもアップカウンタの出力と比較されるデータをデコード回路が変調データの階調値に応じて出力する。一方Ｖ１エンド回路１１１内のデコード回路において変調データに含まれる制御信号によりデコードされたデータが出力される。変調データの階調値によってＶ１出力を終了するタイミングが決まるので、階調値に応じた出力をデコード回路が出力する。Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４のスタート回路においても同様である。Ｖ１エンド回路１１１内のデコード回路の出力値とＶ１エンド回路１１１内のアップカウンタの出力が一致した場合に、Ｖ１エンド回路１１１内のコンパレータからＶ１エンド信号が出力される。
【０１１２】
以上のスタート信号とエンド信号がＶ１ＰＷＭ発生回路１１９に入力されることにより、Ｖ１出力に対応するＰＷＭ波形ＴＶ１が出力される。図４において、Ｖ１ＰＷＭ発生回路１１９は、ＲＳフリップフロップにより構成されている。このＲＳフリップフロップのセット端子Ｓにスタート信号が、リセット端子Ｒにエンド信号が入力されることによって、スタート信号の入力タイミングで立ち上がってエンド信号の入力タイミングで立ち下がる信号がＶ１ＰＷＭ発生回路１１９のＰＷＭ波形ＴＶ１としてＲＳフリップフロップから出力される。なお、ここでは、Ｖ１ＰＷＭ発生回路１１９としてＲＳフリップフロップを用いたが、ＪＫフリップフロップや、他の回路でも構わない。
【０１１３】
次に、第２の回路例として、図５はマルチ電子源１０１の複数の変調信号配線への出力波形の立ち下がりがほぼ同時になるように揃える場合の回路構成を示した図である。Ｖ１スタート回路１１１は、デコード回路とダウンカウンタとコンパレータで構成され、Ｖ１エンド回路１１５は、コンスタント回路とダウンカウンタとコンパレータで構成され、Ｖ１ＰＷＭ発生回路１１９はＲＳフリップフロップで構成されている。ここでは、Ｖ１スタート回路１１１、Ｖ１エンド回路１１５およびＶ１ＰＷＭ発生回路１１９のみを示しているが、他のスタート回路、エンド回路およびＰＷＭ発生回路は上記回路と同じ構成である。
【０１１４】
Ｖ１スタート回路１１１内のデコード回路において変調データに含まれる制御信号によりデコードされたデータが出力される。Ｖ１スタート回路１１１内のデコード回路の出力値とＶ１スタート回路１１１内のダウンカウンタの出力が一致した場合に、Ｖ１スタート回路内のコンパレータからＶ１スタート信号が出力される。Ｖ１エンド回路１１１内のデコード回路において変調データに含まれる制御信号によりデコードされたデータが出力される。Ｖ１エンド回路１１１内のデコード回路の出力値とＶ１エンド回路内のダウンカウンタとの出力が一致した場合に、Ｖ１エンド回路のコンパレータからＶ１エンド信号が出力される。以上のスタート信号とエンド信号がＶ１ＰＷＭ発生回路１１９に入力されることにより、Ｖ１出力に対応するＰＷＭ波形ＴＶ１が出力される。
【０１１５】
上述のＰＷＭ回路１０８および出力段回路１０９は、マルチ電子源１０１の各列方向配線に対応して、図４または図５のいずれかに示される回路を用いることができるが、第３の例として、列方向配線に、図４の回路と図５の回路を交互に設けることにより、立ち上がり揃えと、立ち下がり揃えを交互に行うこともできる。
【０１１６】
図６は、図２および図３に示す出力段回路１０９として列方向配線１本当たり用いられる回路の一例を示す。図６の回路において、電位Ｖ１〜Ｖ４は、０＜Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３＜Ｖ４であり、それぞれＰＷＭ出力波形ＴＶ１〜ＴＶ４に対応して出力される。Ｑ１〜Ｑ４はオンすることによりそれぞれ電位Ｖ１〜Ｖ４を出力端子Ｏｕｔに出力するトランジスタまたはペアトランジスタである。ＰＷＭ出力波形ＴＶ１〜ＴＶ４は、これらのうち２つ以上がＨレベルであっても２個以上のトランジスタＱ１〜Ｑ４が同時にオンすることがないように、かつＨレベルであるＰＷＭ出力波形ＴＶ１〜ＴＶ４に対応する電位Ｖ１〜Ｖ４のうち最大のもののみが出力端子Ｏｕｔに出力されるように、論理回路を介して各トランジスタＱ１〜Ｑ４のゲートＧＶ１〜ＧＶ４に印加される。図３９はＴＶ４〜ＴＶ１およびＧＶ４〜ＧＶ０の波形の一例を示す。
【０１１７】
図７はＬＥＤや電子放出素子のような電圧／発光強度特性が非線形のしきい値特性を持つ発光素子の電圧／発光強度特性を示す。横軸が印加電圧で縦軸が発光強度を表す。発光強度の比が１：２：３：４になるように、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４の各駆動レベル電位を設定することによって発光量の時間変化グラフ中のａ、ｂ、ｃ、ｄの各領域の発光量は等価となる。つまり、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４の各駆動レベル電位を最適に設定することによって、駆動波形の時間変化グラフ中で表される単位パルス幅Δｔと単位波高値すなわち電圧差Ｖ４−Ｖ３、Ｖ３−Ｖ２、Ｖ２−Ｖ１、Ｖ１−Ｖ０で構成されるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの単位駆動波形ブロックの発光量を等しくすることができる。ここでは、各単位駆動波形ブロックＡ〜Ｄの発光量が輝度データの１ＬＳＢ（１階調）に概ね一致するように電位Ｖ１〜Ｖ４を定めている。
【０１１８】
なお、素子には基礎電位として走査信号配線により選択電位が与えられる。ここでは選択電位は−９.９[Ｖ]である。よって素子に印加される電圧は電圧降下の影響を無視して考えると、駆動信号のレベルがＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４のとき、それぞれＶ１−（−９.９）[Ｖ]、Ｖ２−（−９.９）[Ｖ]、Ｖ３−（−９.９）[Ｖ]、Ｖ４−（−９.９）[Ｖ]である。なお、Ｖ０−（−９.９）[Ｖ]が素子の駆動電圧しきい値以下になるようにＶ０を選ぶ。ここではＶ０をグランド電位としている。またここではこの値は素子の駆動しきい値と同じにしている。すなわち素子の駆動電圧しきい値は９.９[Ｖ]である。
【０１１９】
図８は階調を表現するための駆動波形の形状の一例としてＶ１４駆動波形を示す。図８において、各階調の信号は、その階調数に応じた個数の単位駆動波形ブロックからなる。１階調は１個の単位駆動波形ブロック、２階調は２個の単位駆動波形ブロック、そしてＮ階調はＮ個の単位駆動波形ブロックからなる。図中、Ｎ階調目の白抜きの単位駆動波形ブロックはＮ−１階調からの差分を表す。Ｎ−１階調目の駆動波形に単位駆動ブロックを、駆動波形が連続する位置に付加することによってＮ階調目の駆動波形を形成する。このように駆動波形を形成することによって電圧／発光強度特性が変化した場合や、発光素子間のばらつきがあった場合にも単純増加性を保証することができる。
【０１２０】
本実施例においては、データビット長Ｒ＝１０の画像データを表示するために、Ｐ＝９ビットを用いてスロット幅Δｔの単位パルスを０〜２５９個の範囲でパルス幅制御し、残りの１ビットを含むＱ＝２ビットを用いて波高レベルが１〜４レベルすなわち波高値Ｖ１からＶ４の範囲で波高値（振幅）制御する。つまり１０ビットの画像データを表示するために前記Ｒ、Ｐ、Ｑの各データはＲ＜Ｐ＋Ｑなる関係を持つ。
【０１２１】
Ｒ＝Ｐ＋Ｑである場合、例えば、波高値制御に上位２ビットを使い、残りの８ビットでパルス幅の制御を行うと、駆動波形の立ち下がり部を階段状にした場合には１０ビットのすべての画像データを表現することができない。すなわち階調数が低下する。しかし、本実施例では、Ｒ＜Ｐ＋Ｑとなるように、パルス幅の制御を９ビットで行っており、これにより、１０ビットのすべての画像データを表現することができる。
【０１２２】
図８に示すように、Ｎ階調目の最高駆動レベルがｋのとき駆動波形の立ち上がり時に１レベル（電位Ｖ１）からｋレベル（電位Ｖｋ）の駆動波形を低いレベルから高いレベルに順番にすべてのレベルを出力し、かつ各レベルの出力を単位パルス幅Δｔ以上保持することによって、駆動波形の立ち上がり時に流れる電流を低減することが可能となる。
【０１２３】
同様に駆動波形の立ち下がり時にもｋレベル（電位Ｖｋ）から１レベル（電位Ｖ１）の駆動波形を高いレベルから低いレベルに順番にすべてのレベルを出力しかつ、各レベルの出力を単位パルス幅Δｔ以上保持することによって、駆動波形の立ち下がり時に流れる電流を低減することが可能となる。
【０１２４】
図１２にマルチ発光素子の等価回路を示す。実際の駆動においては選択する行方向配線２に選択電位を印加して、列方向配線３に駆動電位を印加するが、直感的理解のためにモデルを単純化して、図１３に示す単ビット列方向配線モデルを使ってシミュレーションを行った。寄生抵抗は１０Ω、寄生インダクタンスは３００ｎＨ、寄生容量は１０ｐＦ、変調回路は４種の電源とＭＯＳトランジスタによって形成した。
【０１２５】
図１３の回路について図８中の９階調の駆動波形をＶ０＝０Ｖ、Ｖ１＝３Ｖ、Ｖ２＝３．７Ｖ、Ｖ３＝４．４Ｖ、Ｖ４＝５．０Ｖの条件で駆動した場合のシミュレーションを行った。行方向配線末端の電圧波形を図１４に、列方向配線に流れ込む電流波形を図１５に示す。
【０１２６】
比較のためにＶ０＝０Ｖ、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖ３＝Ｖ４＝５．０Ｖの条件で駆動した場合、つまり従来波形で駆動した場合の行方向配線末端の電圧波形を図１６に、列方向配線に流れ込む電流波形を図１７に示す。
【０１２７】
本実施例の駆動波形（図８）で駆動した場合には列方向配線に流れ込む電流が従来波形での駆動に比べて半分程度に収まっていることが分かる。その結果、従来波形で駆動した場合はオーバーシュート電圧は２Ｖ程度も発生しているのに比べ本実施例の駆動波形で駆動し場合にはオーバーシュート電圧は０．８Ｖ程度に収まっている。
【０１２８】
すなわち、本実施例によれば、安価な駆動回路で、高階調の実現、階調の単純増加性の確保、発光素子の均一発光、放射ノイズの低減、駆動波形の安定化が可能となる駆動波形および駆動方法を提供することが可能となる。
【０１２９】
［第２の実施例］
図１８は、Ｖ１４駆動波形の他の例を示す。図８の駆動波形は、図７に示すように、発光強度の比が１：２：３：４になるように、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４の各駆動レベル電位を設定した場合の例を示した。ＬＥＤや電子放出素子において、発光強度は駆動電流に概ね比例するので、以下これを電流等分割方式と呼ぶ。一方、図１８は、図１９に示すように、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４を、それらの比が１：２：３：４になるように、すなわち電位差Ｖ４−Ｖ３、Ｖ３−Ｖ２、Ｖ２−Ｖ１およびＶ１−Ｖ０（ここでも駆動波形の基準電位Ｖ０を素子の駆動しきい値と同じにした)が一定となるように定めたもので、以下これを電圧等分割方式と呼ぶ。図１９は電圧等分割方式における電圧／電流（発光強度）を示す。
【０１３０】
図１８において、Ｎ階調目の白抜きの単位駆動波形ブロックはＮ−１階調からの差分を表す。Ｎ−１階調目の駆動波形に１個の単位駆動ブロックを、駆動波形が連続する位置に付加することによってＮ階調目の駆動波形を形成する。図１８において用いる図１９の単位駆動ブロックＡ〜Ｄの発光量ａ〜ｄはａ＜ｂ＜ｃ＜ｄの関係にある。そのため、単位駆動ブロックＡ〜Ｄの発光量が一定である図８の波形においては、３階調と４階調との差分は単位駆動ブロックＢであるのに対し、図１８の波形においては、単位駆動ブロックＡとして低階調である３階調と４階調との間の変化を小さくしている。
【０１３１】
図２０にＶ１４駆動における直線性を示す。このように駆動波形を形成することによって電圧、発光強度特性が変化した場合や、発光素子間のバラツキがあった場合にも単純増加性を保証することができる。
【０１３２】
図１８に示すように、Ｎ階調目の最高駆動レベルがｋのとき駆動波形の立ち上がり時に１レベル（電位Ｖ１）からｋレベル（電位Ｖｋ）の駆動波形を低いレベルから高いレベルに順番にすべてのレベルを出力し、かつ各レベルの出力を単位パルス幅Δｔ以上保持することによって、駆動波形の立ち上がり時に流れる電流を低減することが可能となる。
【０１３３】
同様に駆動波形の立ち下がり時にもｋレベル（電位Ｖｋ）から１レベル（電位Ｖ１）の駆動波形を高いレベルから低いレベルに順番にすべてのレベルを出力しかつ、各レベルの出力を単位パルス幅Δｔ以上保持することによって、駆動波形の立ち下がり時に流れる電流を低減することが可能となる。
【０１３４】
［第３の実施例］
図２１は、Ｖｎ駆動波形の一例を示す。この波形は、輝度データがＲビットから構成される時に、輝度データが概略０＜Ｎ≦（（２R）ｋ／ｎ−１）の時、データＮの駆動波形の波高値をｋ（ｋは１以上ｎ未満の整数）とする波形で駆動するためのものである。図８の駆動波形では、波高値ｋが３以下の場合、ｎ−２階調目の駆動波形に単位駆動ブロックを付加することによってｎ−１階調目の駆動波形の波高値ｋの単位駆動ブロック数（スロット数）が３になったとき、次のｎ階調目の駆動波形では波高値ｋ＋１の単位駆動ブロックを付加していたのに対し、図２１の駆動波形では、階調を増加する際、波高値１（１レベル；最低波高値）の単位駆動ブロック数が所定の最大数Ｓ（本実施例では２５９）に達するまでは、波高値（レベル）の繰上げを行わず、最大数Ｓに達して次に１階調増加するときに、１レベルの単位駆動ブロック数が（Ｓ・ｋ＋２ｋ＋１）／（ｋ＋１）以上のこれに最も近い数となり、かつそれぞれ１つ上のレベルのブロック数が下のものより２個または３個少なくなるように折り返して、繰上げを行っている。
【０１３５】
例えば、Ｓ＝２５９の場合、２５９階調目で１レベルの単位駆動ブロック数が２５９個と一杯になると、次の２６０階調目では１レベルが１３１個と２レベルが１２９個になり、同様に、５１６階調目で１レベルが２５９個と２レベルが２５７個となって１レベルの単位駆動ブロック数が一杯になると、次の５１７階調目では、１レベルが１７５個と２レベルが１７２個と３レベルが１７０個になり、７７１階調目で１レベルが２５９個と２レベルが２５７個と３レベルが２５５となって１レベルの単位駆動ブロック数が一杯になると、次の７７２階調目では、１レベルが１９６個と２レベルが１９４個と３レベルが１９２個と４レベルが１９０個になり、最大波高値が１つずつ繰り上がる。
【０１３６】
図２１の駆動波形によると、ｎ＝４、ｋ＝１すなわち輝度データが０〜最大輝度の１／４までの場合は、従来のパルス幅変調波形に対し、パルス幅変調波形の振幅の実効部分を１／４にし、パルス幅を４倍にして駆動を行うことにより、発光素子１素子当たりに流れる電流はｉ／４となり、選択された行方向配線に流れる電流もｒ＊ｉ／４となる。したがって電圧降下量も１／４に低減することが可能となり発光素子に印加される電圧の減少量も１／４に低減することが可能となる。同様にｎ＝４、ｋ＝２すなわち輝度データが０〜最大輝度の１／２までの場合は電圧降下量を１／２に、ｎ＝４、ｋ＝３すなわち輝度データが０〜最大輝度の３／４までの場合は電圧降下量を３／４に低減することが可能となる。
【０１３７】
図９にｒ×ｓマトリクスの画像表示装置を示す。図１０にｎ＝４、ｋ＝１すなわち輝度データが０〜最大輝度の１／４までの場合の従来技術によるパルス幅変調回路での駆動波形を示す。発光素子１素子当たりに流れる電流をｉとすると選択された行方向配線Ｙｑにはｒ＊ｉなる電流が流れることにより電圧降下が発生し、発光素子に印加される電圧が減少してしまうことが分かる。
【０１３８】
図１１にｎ＝４、ｋ＝１すなわち最大輝度の１／４迄の輝度データの場合の本実施例によるパルス幅変調回路での駆動波形を示す。パルス幅変調波形の振幅の実効部分（振幅から素子の駆動電圧しきい値に含まれる部分を引いた部分；本実施例では変調波形の基準電位となるＶ０を素子の駆動しきい値と同じ値としたため、変調波形の振幅から素子の駆動電圧しきい値に含まれる部分を引いた部分＝変調波形の振幅である)を１／４にし、パルス幅を４倍にした駆動を行った様子を示す。発光素子１素子当たりに流れる電流はｉ／４となり、選択された行方向配線に流れる電流もｒ＊ｉ／４となる。したがって電圧降下量も１／４に低減することが可能となり発光素子に印加される電圧の減少量も１／４に低減することが可能となる。
【０１３９】
同様にｎ＝４、ｋ＝２すなわち輝度データが０〜最大輝度の１／２までの場合は電圧降下量を１／２に、ｎ＝４、ｋ＝３すなわち輝度データが０〜最大輝度の３／４までの場合は電圧降下量を３／４に低減することが可能となる。
【０１４０】
図２２に第１または第２実施例のＶ１４駆動（前揃え）における変調波形の例と任意の走査配線Ｙｑに流れる電流を示す。また、図２３に本実施例であるＶｎ駆動（前揃え）における変調波形の例と任意の走査配線Ｙｑに流れる電流を示す。本実施例のＶｎ駆動の方が、電流が平均化されることによって走査配線に流れる電流のピークが大幅に減少しているのが分かる。
【０１４１】
図２４にＶｎ駆動に前後揃えを併用した場合の走査配線（行方向配線）Ｙｑに流れる電流を示す。さらに電流が平均化されている。ここで、前揃えとは、駆動波形の立ち上がり部分が１選択期間の前半になるように制御することであり、好適には時間的に最初の単位駆動ブロックをパルス幅制御の前半の所定のスロットで発生するとよい。また、後ろ揃えとは、駆動波形の立ち下がり部分が１選択期間の後半になるように制御することであり、好適には時間的に最後の単位駆動ブロックをパルス幅制御の後半の所定のスロットで発生するようにするとよい。なお、これら所定のスロットを固定する場合は、前半の所定のスロットとして１選択期間の最初のスロットを、後半の所定のスロットとして最終スロットを設定するのが好ましいが、より内側のスロットを設定してもよい。また、各列方向配線ごとに、その列方向配線または他の列方向配線を介して駆動すべき発光素子の階調または変調波形に応じて、前半または後半の各所定のスロットを設定するようにしてもよい。あるいは同時に選択される複数の発光素子の階調または変調波形に応じてそれらを駆動する全列方向配線に対して同じスロットを、前半または後半の各所定のスロットとして設定するようにしてもよい。
【０１４２】
［第４の実施例］
図２５に新Ｖｎ駆動波形を示す。この駆動波形は、階調を増加する際、先ず波高値１（１レベル）の単位駆動ブロックを所定の最大数Ｓ（本実施例では２５９）に達するまで配列し、次に２レベル（電位Ｖ２）の単位駆動ブロックを第２スロットから第Ｓ−１スロットに達するまで配列し、‥‥、ｋレベル（電位Ｖｋ）の単位駆動ブロックを第ｋスロットから第Ｓ＋１−ｋスロットに達するまで配列するというように、順序良く配列するものである。
【０１４３】
図２６に新Ｖｎ駆動（前揃え）における変調波形の例と任意の走査配線Ｙｑに流れる電流を示す。電流が平均化されている。さらに新Ｖｎ駆動に前後揃えを併用することによって図２７に示すように走査配線Ｙｑに流れる電流を１Ｈ期間内でほぼ均一にすることが可能となる。
【０１４４】
ここで１９２０×３本の情報配線および１０２４本の走査配線を持つマトリクスパネルについて情報配線に流れる電流の低減効果を算出する。素子に流す電流を最大０．８ｍＡとすると、図７に示すように駆動電流を等分割になるように変調波形を設定した場合、従来の単純ＰＷＭやＶ１４駆動の場合は１素子当たりの電流変化の最大値は０．８ｍＡであるから１走査配線当たりの電流変化の最大値ΔＩｙは
ΔＩｙ＝０．８ｍＡ×１９２０×３＝４．６０８Ａ
前後揃えを併用することによって１／２になるので
ΔＩｙ＝２．３０４Ａ
新Ｖｎ駆動の場合は波形の立ち上がり、立ち下がり部を除いた部分では電流の変化は０．８ｍＡ／４＝０．２ｍＡであるので
ΔＩｙ＝０．２ｍＡ×１９２０×３＝１．１５２Ａ
さらに、前後揃え駆動を併用すると１素子ごとに前揃え、後ろ揃えが繰り返されるので１／２になり、
ΔＩｙ＝５７６ｍＡ
となる。
【０１４５】
［実施例の変形例］
図２１のＶｎ駆動および図２５の新Ｖｎ駆動において、変調波形は、図７に示すように駆動電流が等分割になるように設定することも、図１９に示すように駆動電位振幅の実効部分が等分割になるように設定することも可能である。波形の立ち上がり立ち下がり時に発生するリンギングやオーバーシュートを防止するためには、基礎電位との電位差が素子の駆動電圧しきい値となる電位(Ｖ０）、ならびにＶ１、Ｖ２、Ｖ３、およびＶ４間の電圧を等しくすることが有効である。図１９に駆動電位振幅の実効部分を等分割した場合の印加電圧と発光量の関係を示す。駆動波形の時間変化グラフ中で表される単位パルス幅と単位波高値で構成されるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの単位駆動波形ブロックの発光量が等しくならないことが分かる。
【０１４６】
図２０にＶ１４駆動において電流等分割にした場合と、電圧等分割にした場合の輝度とデータの関係を示す。低輝度領域で直線性がやや損なわれるが、単純増加性は保証されており、データの補正等によって対処可能である。
【０１４７】
γ補正については、リンギング発生を最小限に出来るＶ１〜Ｖ４の電圧等分割に設定によって、輝度データ対輝度の関係が通常使用される２．２乗の逆γ特性よりも深いカーブ（低輝度領域で輝度分解能が高くなる）となる。その結果、逆γ変換時に低輝度から中輝度の輝度分解能を高めることが可能となる。
【０１４８】
上述した実施例においては、４レベルの波高値制御を行い階調数が０から１０２３の１０２４階調の例を挙げたが、本発明において、制御波高値、階調数の限定は無い。
【０１４９】
【発明の効果】
本発明によって、安価な駆動回路で、高階調の実現、階調の単純増加性の確保、発光素子の均一発光、放射ノイズの低減、駆動波形の安定化が可能となる駆動波形、駆動方法を提供することが可能となる。また、安価な駆動回路で、輝度分布の偏りを低減することができる発光素子制御方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施例に係るマルチ電子源駆動回路のブロック図である。
【図２】  図１における変調回路のブロック図である。
【図３】  図２におけるＰＷＭ回路のブロック図である。
【図４】  図３のＰＷＭ回路の要部構成の一例を示すブロック図である。
【図５】  図３のＰＷＭ回路の要部構成の他の例を示すブロック図である。
【図６】  図２における出力段回路の一例を示す回路図である。
【図７】  発光素子の電圧/発光強度特性（電流等分割）を示すグラフである。
【図８】  電流等分割によるＶ１４駆動波形の一例を示す波形図である。
【図９】  ｒ×ｓマトリクスの画像表示装置の構成図である。
【図１０】  輝度データが０〜最大輝度の１／４までの場合の従来技術によるパルス幅変調回路での駆動波形の波形図である。
【図１１】  輝度データが０〜最大輝度の１／４までの場合の第１の実施例によるパルス幅変調回路での駆動波形の波形図である。
【図１２】  図１のマルチ発光素子の等価回路図である。
【図１３】  図１２の等価回路図の単ビット列方向配線モデルの図である。
【図１４】  図１３のモデルの行方向配線末端の電圧波形図である。
【図１５】  図１３のモデルの列方向配線に流れ込む電流波形図である。
【図１６】  従来波形で駆動した場合の行方向配線末端の電圧波形図である。
【図１７】  従来波形で駆動した場合の列方向配線に流れ込む電流波形図である。
【図１８】  電圧等分割によるＶ１４駆動波形の一例を示す波形図である。
【図１９】  発光素子の電圧/発光強度特性（電圧等分割）を示すグラフである。
【図２０】  図８および図１８のＶ１４駆動における直線性を示すグラフである。
【図２１】  Ｖｎ駆動波形の一例を示す波形図である。
【図２２】  Ｖ１４駆動（前揃え）における変調波形および任意の走査配線Ｙｑに流れる電流を示す波形図である。
【図２３】  Ｖｎ駆動（前揃え）における変調波形および任意の走査配線Ｙｑに流れる電流を示す波形図である。
【図２４】  Ｖｎ駆動に前後揃えを併用した場合の変調波形および任意の走査配線Ｙｑに流れる電流を示す波形図である。
【図２５】  新Ｖｎ駆動波形の一例を示す波形図である。
【図２６】  新Ｖｎ駆動（前揃え）における変調波形の例と任意の走査配線Ｙｑに流れる電流を示す波形図である。
【図２７】  新Ｖｎ駆動に前後揃えを併用した場合の変調波形および任意の走査配線Ｙｑに流れる電流を示す波形図である。
【図２８】  表面伝導型放出素子の素子構成の一例を示す図である。
【図２９】  ＦＥ型の素子構成の一例を示す断面図である。
【図３０】  ＭＩＭ型の素子構成の一例を示す断面図である。
【図３１】  マルチ電子ビーム源の電気的構成を示す配線図である。
【図３２】  従来の走査回路およびパルス幅変調回路の出力波形図である。
【図３３】  従来の走査回路およびパルス幅変調回路の出力波形図である。
【図３４】  マルチ電子源の構成図である。
【図３５】  図３４のマルチ電子源の分解斜視図である。
【図３６】  ある選択電極に接続されている画素の全てが点灯したときの等価回路図である。
【図３７】  図３６の回路における選択電極上の各部の電圧を示すグラフである。
【図３８】  図３６の回路で最遠方端の画素に印加される駆動波形の図である。
【図３９】  図６における信号ＴＶ４〜ＴＶ１およびＧＶ４〜ＧＶ０の波形図である。
【符号の説明】
１：電子源（電子放出素子）、２：行方向配線、３：列方向配線、４：行方向配線寄生抵抗、５：列方向配線寄生抵抗、６：行方向配線寄生インダクタンス、７：列方向配線寄生インダクタンス、８：寄生容量、９：走査回路、１０：変調回路、１１：画像表示装置、１２：基板、１３：メタルバック、１４：蛍光面、１５：フェースプレート、１６：電子源からの電流、１０１：マルチ電子源、１０２：変調回路、１０３：走査回路、１０４：タイミング発生回路、１０５：データ変換回路、１０６：マルチ電源回路、１０７：シフトレジスタ、１０８：ＰＷＭ回路、１０９：出力段回路、１１０：ラッチ、１１１：Ｖ１スタート回路、１１２：Ｖ２スタート回路、１１３：Ｖ３スタート回路、１１４：Ｖ４スタート回路、１１５：Ｖ１エンド回路、１１６：Ｖ２エンド回路、１１７：Ｖ３エンド回路、１１８：Ｖ４エンド回路、１１９：Ｖ１ＰＷＭ発生回路、１２０：Ｖ２ＰＷＭ発生回路、１２１：Ｖ３ＰＷＭ発生回路、１２２：Ｖ４ＰＷＭ発生回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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