(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、導電層をその表面を粗面化して形成する工程と、前記導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部を形成する工程とを含む電子放出素子の製造方法であって、
前記導電層の表面を粗面化して形成する工程が、導電層の形成を溶射法により行う工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項２】
少なくとも、導電層をその表面を粗面化して形成する工程と、前記導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部を形成する工程と、前記電子放出部から電子を引き出すための引き出し電極を形成する工程とを含む電子放出素子の製造方法であって、
前記導電層の表面を粗面化して形成する工程が、導電層の形成を溶射法により行う工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項３】
少なくとも、多孔質な導電層を形成する工程と、前記導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部を形成する工程と、前記電子放出部から電子を引き出すための引き出し電極を形成する工程とを含む電子放出素子の製造方法であって、
前記多孔質な導電層を形成する工程が、溶射法による工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子を放出する電子放出素子およびその製造方法、および該電子放出素子を備えた画像表示装置およびその製造方法に関し、特に粒子状のダイヤモンドを用いた構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
薄型ディスプレィ用の電子源や、高速動作が可能な微小真空デバイスのエミッター部分として、微小電子放出素子の開発が盛んである。
【０００３】
従来、電子放出素子としては、高温に加熱されたタングステン等の材料に数キロボルト以上の電圧をかける「熱放出型」のものが用いられていたが、近年、高温に加熱する必要が無く、低電圧でも電子を放出することが可能である「冷陰極型」の電子放出素子が、低消費電力化の意味からも盛んに研究開発がなされている。
【０００４】
このような冷陰極素子のタイプとしては様々な報告があるが、電界放出型や、ｐｎ及びショットキー接合を用いたアバランシェ増幅型などが一般的である。
【０００５】
電界放出型の冷陰極素子は、ゲート電極に電圧をかけて冷陰極部分に電界を印加することにより、シリコン（Ｓｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属などで作製されたコーン状の先端部分から電子を放出させるものであり、微細加工技術を用いることによって小型化、集積化を図ることができるなどの特徴を有している。
【０００６】
また半導体材料を用いたアバランシェ増幅型のものは、ｐｎ及びショットキー接合部分に逆バイアス電圧を印加してアバランシェ増幅を起こすことにより、電子をホット化し、エミッター部分より電子を放出させるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
一般的に冷陰極素子として要求される特性は、低電圧・低消費電力駆動で高電流が安定に得られることである。
【０００８】
ここで、従来、一般的に作製された電界放出型冷陰極素子の一つである「スピント型」と呼ばれるものは、鋭い突起部を有するコーン状のものであり、得られる電子放出量はその先端形状に大きく依存していた。
【０００９】
すなわち、低電圧・低消費電力駆動で高電流を安定に得るためには、冷陰極素子に用いる材料として、（１）小さな電界で電子を放出し易くするために、電子親和力が小さいこと、（２）化学的に安定なこと、（３）耐摩耗性・耐熱性に優れていること、等が求められる。
【００１０】
しかしながら、従来材料では、これらの要件を全て満たすようなものはなかった。すなわち、以上のような観点で従来技術をみた場合、電界放出型素子は放出電流量のエミッター部形状依存性が大きく、その作製、制御が非常に困難であると共に、用いられている材料の表面安定性の面からも課題があった。
【００１１】
またこの方式では、個々の素子は電界の集中するコーン状の先端部分からの点の電子放出源であり、大電流を取り出すことの出来る面状の電子放出流を得ることは困難であった。
【００１２】
一方、アバランシェ増幅型冷陰極素子は、一般的に非常に大きな電流量を素子に印加する必要があるので素子の発熱が起こり、そのため電子放出特性が不安定になったり素子寿命が短くなったりするといった問題点があった。
【００１３】
さらに、アバランシェ増幅型ではエミッター部表面にセシウム層等を設けることによって電子放出部分の仕事関数量を小さくしているが、セシウム等の仕事関数が小さい材料は化学的に不安定なため表面状態が安定でなく、結果、電子放出特性が安定でないといった問題点もあった。
【００１４】
以上のようにこれまで用いられてきた材料および構造は、電子放出素子に要求される特性を十分に満たすものではなかった。
【００１５】
そこで本発明は、従来技術における前記課題を解決するため、低電圧駆動で高電流が安定に得ることが可能な電子放出素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
また本発明は、上述の電子放出素子を用いた画像表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するための本発明の電子放出素子およびその製造方法、および該電子放出素子を備えた画像表示装置およびその製造方法手段は以下の通りである。
【００２２】
請求項１の本発明は、少なくとも、導電層をその表面を粗面化して形成する工程と、前記導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部を形成する工程とを含む電子放出素子の製造方法であって、前記導電層の表面を粗面化して形成する工程が、導電層の形成を溶射法により行う工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法である。
【００２３】
請求項２の本発明は、少なくとも、導電層をその表面を粗面化して形成する工程と、前記導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部を形成する工程と、前記電子放出部から電子を引き出すための引き出し電極を形成する工程とを含む電子放出素子の製造方法であって、前記導電層の表面を粗面化して形成する工程が、導電層の形成を溶射法により行う工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法である。
【００２５】
請求項３の本発明は、少なくとも、多孔質な導電層を形成する工程と、前記導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部を形成する工程と、前記電子放出部から電子を引き出すための引き出し電極を形成する工程とを含む電子放出素子の製造方法であって、前記多孔質な導電層を形成する工程が、溶射法による工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法である。
【００２８】
【発明の実施の形態】
第１の発明は、少なくとも、導電層と、前記導電層上に形成された粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部とを備えた電子放出素子であって、前記導電層の表面が粗面化されていることを特徴とする。
【００２９】
第２の発明は、少なくとも、導電層と、前記導電層上に形成された粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部と、前記電子放出部から電子を引き出すための引き出し電極とを備えた電子放出素子であって、前記導電層部の表面が粗面化されていることを特徴とする。
【００３０】
第３の発明は、少なくとも、導電層と、前記導電層上に形成された粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部とを備えた電子放出素子であって、前記導電層が多孔質であることを特徴とする。
【００３１】
第４の発明は、少なくとも、導電層と、前記導電層上に形成された粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部と、前記電子放出部から電子を引き出すための引き出し電極とを備えた電子放出素子であって、前記導電層が多孔質であることを特徴とする。
【００３２】
第５の発明は、少なくとも、導電層をその表面を粗面化して形成する工程と、前記導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部を形成する工程とを含むことを特徴とした電子放出素子の製造方法である。
【００３３】
第６の発明は、少なくとも、導電層をその表面を粗面化して形成する工程と、前記導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部を形成する工程と、前記電子放出部から電子を引き出すための引き出し電極を形成する工程とを含むことを特徴とした電子放出素子の製造方法である。
【００３４】
第７の発明は、少なくとも、多孔質な導電層を形成する工程と、前記導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部を形成する工程とを含むことを特徴とした電子放出素子の製造方法である。
【００３５】
第８の発明は、少なくとも、多孔質な導電層を形成する工程と、前記導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体からなる電子放出部を形成する工程と、前記電子放出部から電子を引き出すための引き出し電極を形成する工程とを含むことを特徴とした電子放出素子の製造方法である。
【００３６】
第９の発明は、少なくとも、複数個の電子放出素子と、前記複数個の電子放出素子から放出された電子により画像を形成する画像形成部とを備えた画像表示装置であって、前記電子放出素子が第１〜第４の発明のいずれかに記載した電子放出素子であることを特徴とする画像表示装置である。
【００３７】
第１０の発明は、少なくとも、複数個の電子放出素子を製造・配設する工程と、前記電子放出素子から放出された電子により画像を形成する画像形成部を製造・配設する工程とを含む画像表示装置の製造方法であって、前記電子放出素子を製造・配設する工程が第５〜第８の発明のいずれかに記載した製造方法で製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法である。
【００３８】
本発明は上記した構成によって、電子放出部３を構成する粒子もしくは粒子の凝集体２への電界集中が高まるため、低い電圧を印加するだけで電子を取り出すことが可能となる。
【００３９】
また、電子放出部３を構成する粒子もしくは粒子の凝集体２は互いに接触することなく独立しているため、各々が電子放出の起点となり得、結果、電子放出部３からの電子放出電流は粒子もしくは粒子の凝集体２各々の複数箇所からの電子放出の集積となり、大電流となると同時に時間的・空間的な均一性も得ることが可能となる。
【００４０】
また本発明により、上記の電子放出素子を用いた、低電圧駆動・高輝度の平板型画像表示装置が可能となる。
【００４１】
【実施例】
（第１の実施例）
図１は本発明の電子放出素子の第１の実施例における断面図を示すものである。
【００４２】
図１に示すように、基板１０１上に導電層１が形成されているが、その導電層１の表面は粗面化されており、粒子もしくは粒子の凝集体２は導電層１表面の凹凸にならって、且つ、互いが接触せずに独立して付着し電子放出部３を形成している。
【００４３】
図１の構成は一般的にダイオ−ド構成と呼ばれるもので、電子放出部３に対向した電極（図示せず）に電圧を印加し、電子放出部３を構成する粒子もしくは粒子の凝集体２に電界を集中させ電子を取り出すものである。
【００４４】
ここで、電子放出部３を構成する粒子もしくはその凝集体２は表面が粗面化された導電層１上に形成されているため、平坦な導電層上に形成した場合に比べ電界集中が高くなり、結果、対向電極（図示せず）には低い電圧を印加するだけで電子を取り出すことが可能となる。
【００４５】
また、電子放出部３を構成する粒子もしくは粒子の凝集体２は互いに接触することなく独立しているため、各々が電子放出の起点となり得、結果、電子放出部３からの電子放出電流は粒子もしくは粒子の凝集体２各々の複数箇所からの電子放出の集積となり、大電流となると同時に時間的・空間的な均一性も得ることが可能となる。
【００４６】
ここで、前記粒子もしくは粒子の凝集体２として、ダイヤモンドを用いることにより、物質面の安定性が得られ、結果、電子放出の経時的な安定性がさらに増す。
【００４７】
また、一般的に、ダイヤモンドの表面を水素終端にすると、電子親和力が負になるという報告があり、そういった観点から、電子放出部３を形成する粒子もしくは粒子の凝集体２がダイヤモンドで、さらにその表面が水素終端されたものであるならば、本発明の効果をさらに大きくすることが可能となる。
【００４８】
このようなダイヤモンド粒子は、例えば気相合成で得られるような人工ダイヤモンドを粉砕した後、水素プラズマに曝すことによって得られる。
【００４９】
また、前記粒子もしくは粒子の凝集体２として、ダイヤモンド構造を部分的に備えたカーボン粒子を用いても同様の効果を得ることができる。
【００５０】
またこの場合にも、水素終端にすることにより、同様に本発明の効果を大きくすることができる。
【００５１】
導電層１は電子放出部３を構成する粒子もしくは粒子の凝集体２に電子を供給する電極として作用するものであり、通常の金属をはじめとする導電物の薄膜・厚膜、１層構造・多層構造などは問わない。
【００５２】
ただ、導電層１から粒子もしくは粒子の凝集体２への電子の注入の際の障壁を考慮して、導電層１としては低仕事関数材料を用いた方が好ましい。
【００５３】
また、構造上許容されるのであれば、基板１０１と導電層１とを兼ねた構成も可能である。
【００５４】
（第２の実施例）
図２は本発明の電子放出素子の第２の実施例における断面図を示すものである。
【００５５】
基板１０１上に導電層１が形成されているが、その導電層１の表面は粗面化されており、粒子もしくは粒子の凝集体２は導電層１表面の凹凸にならって付着し電子放出部３を形成している。
【００５６】
電子放出部３に対応した箇所に開口部がある引き出し電極４が電子放出部３と所定の間隔を隔てて設けられている。
【００５７】
図２の構成は一般的にトライオード構成と呼ばれるもので、引き出し電極４に電圧を印加し、電子放出部３表面に電界を集中させ電子を引き出し、開口部を通過させ、前方に取り出すものであり、図１のダイオード方式に比べ電子放出素子としての構成は若干複雑にはなるが、電子を取り出すための印加電圧は低くて済む。
【００５８】
図２の構成は図１の構成と同様、電子放出部３を構成する粒子もしくはその凝集体２は表面が粗面化された導電層１上に形成されているため、平坦な導電層上に形成した場合に比べ電界集中が高くなり、その結果、引き出し電極４には低い電圧を印加するだけで電子を取り出すことが可能となる。
【００５９】
また、電子放出部３を構成する粒子もしくは粒子の凝集体２は互いに接触することなく独立しているため、各々が電子放出の起点となり得、結果、電子放出部３からの電子放出電流は粒子もしくは粒子の凝集体２各々の複数箇所からの電子放出の集積となり、大電流となると同時に時間的・空間的な均一性も得ることが可能となる。
【００６０】
また、粒子もしくは粒子の凝集体２に対しての具体的な実施例およびその際の効果に関しては図１と同様である。
【００６１】
（第３の実施例）
図３は本発明の電子放出素子の第３の実施例における断面図を示すものである。
【００６２】
基板１０１上に導電層１が形成されているが、その導電層１は多孔質であり、その表面には凹凸が存在する。
【００６３】
粒子もしくは粒子の凝集体はその導電層１表面の凹凸にならって付着し電子放出部３を形成している。
【００６４】
この構成は一般にダイオ−ド構成と呼ばれるものであり、この構成に於ける動作およびその特徴は前の図１でのそれと同様である。
【００６５】
（第４の実施例）
図４は本発明の電子放出素子の第４の実施例における断面図を示すものである。
【００６６】
基板１１上に導電層１が形成されているが、その導電層１は多孔質であり、その表面には凹凸が存在する。
【００６７】
粒子もしくは粒子の凝集体はその導電層１表面の凹凸にならって付着し電子放出部２を形成している。
【００６８】
この構成は一般にトライオード構成と呼ばれるものであり、この構成に於ける動作およびその特徴は前の図２でのそれと同様である。
【００６９】
（第１の実施例「電子放出素子の製造方法」）
図５（ａ），（ｂ）は本発明の電子放出素子の製造方法の第１の実施例を説明するための工程の簡略図である。
【００７０】
具体的には、本発明の電子放出素子の第１の実施例の構成の製造方法である。１は導電層であり、その表面を粗面化させて形成し（図５（ａ））、その上に少なくとも１個の粒子もしくは粒子の凝集体２からなる電子放出部３を形成する（図５（ｂ））。
【００７１】
ここで、導電層１の表面を粗面化した状態で形成する方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
【００７２】
まず第１の方法は、導電層１の形成方法として「溶射」を用いることである。溶射によれば、その成膜表面は必然的に荒れてしまうため、その表面の荒れを利用するものである。
【００７３】
荒れの程度はその成膜条件で制御可能である。
また溶射は真空プロセスが不必要で大気圧下で成膜できるという特徴を持ち、導電層１の形成コスト低減にもなる。
【００７４】
導電層１表面粗面化の第２の方法は、何らかの方法で形成した導電層１をブラストすることにより表面を粗面化する方法である。
【００７５】
この方法によると、鋭利な突起形状を有する導電層表面が得られる。
導電層１表面粗面化の第３の方法は、何らかの方法で形成した導電層１を化学的にエッチングすることにより表面を粗面化する方法である。
【００７６】
この際、湿式エッチングの場合、突起の凹凸をより大きく得るために、エッチング液を噴霧状に吹き付ける等のエッチング方法を採用することが望ましい。
【００７７】
導電層１表面の粗面化の第４の方法は、基板１０１を粗面化し、そこに導電層１を形成することにより、導電層１の形成面に凹凸を与える方法である。
【００７８】
基板１０１を粗面化する方法は、上述の導電層１を粗面化する方法の一つであった、ブラスト法、エッチング法等が挙げられる。
【００７９】
また、粒子もしくは粒子の凝集体２を導電層１上に形成する方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
【００８０】
一つは、粒子もしくは粒子の凝集体２を分散させた溶液を導電層１上に、例えばスピンコート等の方法で塗布する方法である。
【００８１】
また別の方法として、粒子もしくは粒子の凝集体２を分散させた溶液中に導電層１を形成した部材を浸して設置し、溶液に超音波振動を印加することにより溶液中の粒子を導電層に付着させる方法である。
【００８２】
第３の方法としては、電気泳動法により、粒子を付着させる方法である。
これらの方法によれば、粒子もしくは粒子の凝集体２を互いが接触せずに独立した状態で導電層１上に分布・形成させることが可能となる。
【００８３】
以上の製造方法によれば、少なくとも１個の粒子もしくは粒子の凝集体２が粗面化された導電層１上に形成された電子放出部３を有する電子放出素子が得られ、この構成により電子放出部３への電界集中が効率的になることにより低電圧印加で電子の取り出しが可能な電子放出素子の製造が可能となる。
【００８４】
また、この製造方法によれば、粒子もしくは粒子の凝集体２は互いに接触せずに独立した状態で導電層１上に塗布されるため、粒子もしくは粒子の凝集体２の個々が電子放出源となり、電子放出部３から取り出される電子は、粒子もしくは粒子の凝集体２個々からの電子の集積となる。従って大電流の取り出しが可能な電子放出素子の製造が可能となる。
【００８５】
（第２の実施例「電子放出素子の製造方法」）
図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の電子放出素子の製造方法の第２の実施例を説明するための工程の簡略図である。
【００８６】
具体的には、本発明の電子放出素子の第２の実施例の構成の製造方法である。１は導電層であり、その表面を粗面化させて形成し（図６（ａ））、その上に少なくとも１個の粒子もしくは粒子の凝集体２からなる電子放出部３を形成する（図６（ｂ））。
【００８７】
そして電子放出部３に対応した箇所に開口部がある引き出し電極４を前記電子放出部３と所定の間隔を隔てて設ける（図６（ｃ））。
【００８８】
ここで、導電層１の表面を粗面化した状態で形成する方法としては、前の図５での構成と同様の方法が挙げられる。
【００８９】
また、粒子もしくは粒子の凝集体２を導電層１状に形成する方法としても、前の図５での構成と同様の方法が挙げられる。
【００９０】
また、図６（ａ）〜（ｃ）において、少なくとも１個の粒子もしくは粒子の凝集体２からなる電子放出部３を形成する工程（図６（ｂ））と、電子放出部３に対応した箇所に開口部がある引き出し電極４を電子放出部３と所定の間隔を隔てて設ける工程（図６（ｃ））とが逆であっても、引き出し電極４への粒子もしくは粒子の凝集体２の付着を防いでやれば、いっこうに構わない。
【００９１】
（第３の実施例「電子放出素子の製造方法」）
図７（ａ）〜（ｂ）は本発明の電子放出素子の製造方法の第３の実施例を説明するための工程の簡略図である。
【００９２】
具体的には、本発明の電子放出素子の第３の実施例の構成の製造方法である。１は導電層であり、導電層１は多孔質になっており（図７（ａ））、その上に少なくとも１個の粒子もしくは粒子の凝集体１からなる電子放出部３を形成する（図７（ｂ））。
【００９３】
ここで導電層１を多孔質に形成する方法としては、例えば、「溶射」による方法が挙げられる。
【００９４】
溶射によればその膜は必然的に気孔を含んだ多孔質になる。
また溶射は真空プロセスが不必要で大気圧下で成膜できるという特徴を持ち、導電層１の形成コスト低減にも繋がる。
【００９５】
また、粒子もしくは粒子の凝集体２を導電層１状に形成する方法としては、前の図５での構成と同様の方法が挙げられる。
【００９６】
（第４の実施例「電子放出素子の製造方法」）
図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の電子放出素子の製造方法の第４の実施例を説明するための工程の簡略図である。
【００９７】
具体的には、本発明の電子放出素子の第４の実施例の構成の製造方法である。１は導電層であり、導電層１は多孔質になっており（図８（ａ））、その上に少なくとも１個の粒子もしくは粒子の凝集体１からなる電子放出部３を形成する（図８（ｂ））。
【００９８】
そして電子放出部３に対応した箇所に開口部がある引き出し電極４を電子放出部３と所定の間隔を隔てて設ける（図８（ｃ））。
【００９９】
ここで、導電層１を多孔質に形成する方法としては、前の図７での説明と同様の方法が挙げられる。
【０１００】
また、粒子もしくは粒子の凝集体２を導電層１状に形成する方法としては、前の（図５）での構成と同様の方法が挙げられる。
【０１０１】
また、図８（ａ）〜（ｃ）において、少なくとも１個の粒子もしくは粒子の凝集体２からなる電子放出部３を形成する工程（図８（ｂ））と、電子放出部３に対応した箇所に開口部がある引き出し電極４を前記電子放出部３と所定の間隔を隔てて設ける工程（図８（ｃ））とが逆であっても、引き出し電極４への粒子もしくは粒子の凝集体２の付着を防いでやれば、いっこうに構わないのも同様である。
【０１０２】
図９は本発明の平板型画像表示装置の１実施例である。
本発明の電子放出素子１１が、外囲器１２の一部を兼ねた基板１２ａ上に形成されている。
【０１０３】
１３は画像形成部であり、電子放出素子１１からの電子に対し加速・偏向・変調等の駆動・制御を行う電子駆動電極１３ａと、外囲器１２の一部１２ｂの内面に塗布された蛍光体１３ｂとからなり、前記駆動された電子により蛍光体１３ｂを発光させ画像を表示する。
【０１０４】
ここで、電子放出素子１１としては、本発明の電子放出素子を用いているため、低電圧で且つ大電流の取り出しが可能であり、従って、低電圧駆動且つ高輝度な平板型画像表示装置が実現できる。
【０１０５】
図１０（ａ）〜（ｄ）は本発明の平板型画像表示装置の製造方法の１実施例である。例えば、外囲器１２の一部を兼ねる基板１２ａに、本発明の電子放出素子１１を形成する（図１０（ａ））。
【０１０６】
次に画像形成部の一部である電子駆動電極１３ａを配設し（図１０（ｂ））、内面に蛍光体１３ｂを塗布した外囲器の一部１２ｂを設置し（図１０（ｃ））、内部を真空にして画像表示装置を製造する（図１０（ｄ））。
【０１０７】
この製造方法によれば、本発明の電子放出素子を用いた平板型画像表示装置を製造することが可能となり、従って、低電圧駆動且つ高輝度な平板型画像表示装置の製造が可能となる。
【０１０８】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、粗面化されたもしくは多孔質な導電層上に粒子もしくは粒子の凝集体が互いに接触せずに独立して塗布された構成であることを特徴とし、低い電圧で高電流の取り出しが可能となる電子放出素子およびその製造方法の提供が可能となる。
【０１０９】
さらに、本発明により、前記電子放出素子を用いた、低電圧駆動・高輝度な平板型画像表示装置およびその製造方法の提供が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子放出素子の第１の実施例における断面図
【図２】  本発明の電子放出素子の第２の実施例における断面図
【図３】本発明の電子放出素子の第３の実施例における断面図
【図４】本発明の電子放出素子の第４の実施例における断面図
【図５】  (ａ),(ｂ) 本発明の電子放出素子の製造方法の第１の実施例を示す簡略工程図
【図６】  (ａ)〜(ｃ)本発明の電子放出素子の製造方法の第２の実施例を示す簡略工程図
【図７】  (ａ),(ｂ) 本発明の電子放出素子の製造方法の第３の実施例を示す簡略工程図
【図８】  (ａ)〜(ｃ)本発明の電子放出素子の製造方法の第４の実施例を示す簡略工程図
【図９】本発明の平板型画像表示装置の１実施例を示す図
【図１０】  (ａ)〜(ｄ)本発明の平板型画像表示装置の製造方法の１実施例を示す簡略工程図
【符号の説明】
１  導電層
２  粒子もしくは粒子の凝集体
３  電子放出部
４  引き出し電極
１３  画像形成部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003724145.tif 000008
【図８】
0003724145.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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