(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光面と側面および発光面から側面に至る傾斜面を有し、ＡｌＧａＩｎＰを発光層とする発光ダイオードにおいて、前記ＡｌＧａＩｎＰ発光層の端面が前記傾斜面内に位置し、傾斜面と発光面とが交わる点に於ける傾斜面の接線と発光面とがなす角度（α）が１１０度以上１２５度以下であり、発光面の隅の曲率半径（Ｒ）が、３μｍ以上であり、発光面の端と側面との距離（ｄ）が１５μｍ以上であり、ヘテロ界面を５つ以上有し、光学的反射層（ＤＢＲ層）を含むエピタキシャル層の層厚が２０μｍ以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
発光面の表面が、ＡｌＧａＩｎＰ混晶であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
厚さ２００μｍ以下のＧａＡｓ基板を使用していることを特徴とする請求項１または２に記載された発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＡｌＧａＩｎＰを発光層とする高輝度発光ダイオードに係わり、特に信頼性を改善するのに有効な素子形状を有する発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＡｌＧａＩｎＰ系材料は、窒化物を除くＩＩＩ  −Ｖ族化合物半導体混晶のなかでは最大の直接遷移型エネルギーギャップをもち、ＧａＡｓ結晶と格子整合がとれるため、近年、ＡｌＧａＩｎＰを発光部に用いた、赤〜緑色の発光領域における高輝度のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードが実用化されつつある。
【０００３】
これらの発光ダイオードは、ＧａＡｓ単結晶基板にエピタキシャル層を成長したウェーハを用いて作製される。エピタキシャル成長の方法としては、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）や分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）などが用いられている。
【０００４】
エピタキシャル成長方法としては、成長炉内へＧａＡｓ基板を設置し、その上にｎ−ＧａＡｓバッファ層、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＡｌＧａＩｎＰ発光層、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層を順次積層する。
このようなエピタキシャル層を成長したウェーハを炉より取り出し、ウェーハの上面と下面にそれぞれｐ電極、ｎ電極を形成し、ダイシングソー等で素子に分離することにより、図１に示す様な発光面１３と側面１５のなす角度がほぼ９０度となる直方体状の半導体チップよりなる発光ダイオードを作製するのが一般的である（特開平６−３２６３６０）。なお、図１で示した発光ダイオードでは、発光面１３には表面電極が形成されており、主にこの面から光が取り出される。また、側面１５は発光面とほぼ垂直で、ダイシングソーなどによる切断で形成される。また、図１中の５ａはＡｌＧａＩｎＰ発光層の端面である。
【０００５】
一方、前記の直方体形状と異なるＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードとしては、側面からの不要な光を外部に取り出せないようにし単色性を向上させるため、側面の上部を傾斜構造にしたもの（特開平７−３０７４８９）や、側面を曲面構造とし半導体内部での反射を抑制し光の外部取り出し効率を向上させたもの（特開平９−１１６１９６）が開示されている。これらは側面形状に着目し、反射や吸収などの光学的観点から発光特性を改善することを目的としている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来より発光ダイオードは、半導体チップをエポキシ樹脂で封止して使用するのが一般的である。しかし、樹脂を硬化させる時樹脂が収縮するため、内部の半導体チップに応力が掛かる。この応力と通電などのストレスにより半導体に欠陥が入り、発光ダイオードの輝度が時間と伴に低下する劣化現象が起こる重大な課題がある。
これに対し、例えばＧａＡｓＰ発光ダイオードにおいては特開平２−２４０９７５に記載されている様に、発光面の隅の曲率半径や切り出し面（側面）の平滑度を改良することにより劣化現象を抑制し信頼性を高めた発光ダイオードが提案されている。
【０００７】
しかし、ＡｌＧａＩｎＰを発光層とする発光ダイオードに対しては、上記のような形状で素子を作製しても劣化現象を改善する十分な効果が得られなかった。例えば、発光面の隅の曲率半径を７μｍとした場合でも、樹脂の応力が大きくなる低温（−４０℃）で２０ｍＡ通電を５００時間行った時の発光ダイオードの輝度の残存率（５００時間後の輝度／初期の輝度×１００％）は５６％程度であった。
この劣化の原因は、ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードがＧａＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰなどの発光ダイオード材料に比べ、樹脂からの応力に対して弱く結晶欠陥が入りやすいことによるものと考えられる。
【０００８】
上記のように、従来提案されている方法ではＡｌＧａＩｎＰを発光層とする発光ダイオードの劣化現象を抑制して十分な信頼性を得ることができなかった。従って、ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードは、信頼性に乏しく実用化できる環境が限られていた。例えば、低温環境での劣化が激しいことから、屋外ディスプレイ等の屋外用途に使用が困難であった。
【０００９】
このようにＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードには、特に低温環境下での輝度の劣化が大きいという信頼性の面での重大な課題がある。
本発明は、上述の課題を解決すべく、高輝度ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの材質的強度を研究し、応力劣化が素子形状、結晶欠陥、残留歪みに関連することに着目し、ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードに適する素子形状を見い出し、樹脂などの応力に強く低温環境下で実用できる高信頼性ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わる発光ダイオードは、発光面と側面および発光面から側面に至る傾斜面を有し、ＡｌＧａＩｎＰを発光層とする発光ダイオードにおいて、前記ＡｌＧａＩｎＰ発光層の端面が前記傾斜面内に位置し、傾斜面と発光面とが交わる点に於ける傾斜面の接線と発光面とがなす角度（α）が１１０度以上１２５度以下であることを特徴とする。
上記発光ダイオードにおいては、発光面の隅の曲率半径（Ｒ）が３μｍ以上であることが好ましい。
また上記発光ダイオードにおいては、発光面の端と側面との距離（ｄ）が１５μｍ以上であることが好ましい。
【００１１】
また上記発光ダイオードにおいては、発光面の表面が、ＡｌＧａＩｎＰ混晶であることが好ましい。
また上記発光ダイオードにおいては、厚さ２００μｍ以下のＧａＡｓ基板を使用していることが好ましい。
本発明は、発光層の構造がダブルへテロ構造であり、エピタキシャル成長層にヘテロ界面が５個以上含む発光ダイオードに特に有効に用いることができる。
また本発明は、エピタキシャル成長層の膜厚が２０μｍ以下であり、半導体で形成された反射層を含む発光ダイオードに特に有効に用いることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明者らは、前記課題を解決するため信頼性低下の原因を検討し、ＡｌＧａＩｎＰの材質、ヘテロ界面の数、層厚などの因子から決まるエピタキシャル層の強度（機械的強度、結晶欠陥の発生し易さ）と応力劣化の劣化率とが関連あることを見い出した。
この点に着目し、エピタキシャル層の強度を検討した結果、ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル成長層の強度が、ＧａＡｓ、ＧａＰなどの液相エピタキシャル成長層やＧａＮなどの強い材質からなるエピタキシャル成長層に比較して、非常に弱いことが判った。従って、従来の応力劣化に対する技術では、ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードに対しては劣化現象を抑制する十分な効果が得られなかった為、固有の技術を研究し、本発明に至った。
【００１３】
本発明は、図５および図６に示した様な発光面１３と側面１５および発光面から側面に至る傾斜面１４を有し、ＡｌＧａＩｎＰを発光層とする発光ダイオードにおいて、前記ＡｌＧａＩｎＰ発光層の端面５ａが前記傾斜面１４内に位置し、傾斜面と発光面とが交わる点に於ける傾斜面の接線と発光面とがなす角度（α）が１１０度以上の場合に、応力劣化が発生しにくくなることを見出したものである。
本発明はさらに、発光面の隅の曲率半径（Ｒ）を３μｍ以上にすること及び側面と発光面との距離（ｄ）を１５μｍ以上にすることにより、応力劣化に対する信頼性が一層向上することを見出したものである。
なお、図５は本発明に係わる発光ダイオードの断面図であり、図６は本発明に係わる発光ダイオードの平面図である。
【００１４】
応力劣化を防止するためには、モールド樹脂からの応力集中を抑制する素子形状を作製すること、及び発光層とその近傍に結晶欠陥や歪が少ない事が重要である。
そこで本発明者らは、モールド樹脂からの応力が発光面と側面との接合部に集中する事、及び発光層に機械的強度を弱める結晶欠陥や歪が多く存在する事が劣化の主な原因であると考えた。そのため、発光特性に対して最も重要な役割を果たしている発光層は、応力集中を避けられ応力の小さい傾斜面内に位置する事が大切である。
【００１５】
発光層を含む傾斜面は、結晶に歪や結晶欠陥を生じさせない化学的エッチングにより形成することができる。本発明者らは、様々なエッチング条件（温度、時間、エッチャント）を選択し、発光面から側面に至る傾斜面を有する様々な形状の発光ダイオードを作製した。
【００１６】
そしてそれら作製した発光ダイオードについて、樹脂の応力が大きくなる低温（−４０℃）で２０ｍＡ通電を５００時間行った。そして輝度の残存率（５００時間後の輝度／初期の輝度×１００％）が８０％以下を不良素子として、不良素子の発生数と素子形状の関係を調べた。その結果、図２、３、４の結果が得られた。
【００１７】
図２は、素子の不良数と傾斜面と発光面とが交わる点に於ける傾斜面の接線と発光面とがなす角度（α）との関係を示した図である。
図２の結果から、傾斜面と発光面とが交わる点に於ける傾斜面の接線と発光面とがなす角度（α）が劣化と深い関わりがあることがわかる。
すなわち図２に示したように、傾斜面と発光面とが交わる点に於ける傾斜面の接線と発光面とがなす角度（α）が１１０度以上では素子の信頼性が高くなり、それ以下の角度では応力劣化する確率が角度の減少と伴に増大した。
しかし、αが１２５度より大きな角度では、なだらかな傾斜面を再現性良く形成するのが困難であり、また、エピ層を傾斜面に含ませるため大きな面積が必要となりコストの面でも問題がある。
【００１８】
また、図３は素子の不良数と発光面の隅の曲率半径（Ｒ）の関係を示した図である。但し、図３に示した素子の傾斜面と発光面とが交わる点に於ける傾斜面の接線と発光面とがなす角度（α）は、１１０〜１２０度の範囲内にある。
図３からわかるように、発光面の隅の曲率半径（Ｒ）が大きい程不良数が少なく、３μｍ以上の場合、不良が無かった。これは、発光面の隅の曲率半径（Ｒ）が小さい場合、発光面の隅に応力が集中して結晶欠陥が誘発されるものと考えられる。なお、この３μｍ以上の曲率半径は、適切なエッチング条件（例えば臭素・メタノール混合液など）を選定すれば、傾斜面の加工と同時に形成できる。
【００１９】
また、図４に側面と発光面の端の距離（ｄ）と不良素子数の関係を示した。但し、図４に示した素子の傾斜面と発光面とが交わる点に於ける傾斜面の接線と発光面とがなす角度（α）は、１１０〜１２０度の範囲内にある。
この結果のように、側面と発光面の端の距離（ｄ）が長いほど不良数が少ない傾向があり１５μｍ以上で不良が無かった。
素子の分離方法は、公知のスクライブ、ダイシングソー等で機械的な切断を行う。この時の結晶の切断面が側面となる。側面には切断時に、欠陥が多数発生し破砕層が形成される。ＡｌＧａＩｎＰを発光層に用いない発光ダイオードではこの破砕層をエッチングで除去する場合があるが、ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードでは、エピタキシャル層が薄いため、エッチング量を多くできない制限があり破砕層を十分エッチング除去できないことがある。この様な場合、側面に結晶欠陥や歪みが残留するため、応力に弱い結晶となる。そこで、ＡｌＧａＩｎＰ発光層の端面を化学的エッチングにより形成した傾斜面内に位置するようにし、切断面の残留歪みと発光層との距離が長くすれば、歪の及ぼす影響を小さくすることができる。
図４に示した結果から、破砕層の除去なしでもｄが１５μｍ以上であれば、発光層に対する欠陥や歪みの影響がなくなり応力劣化がなくなることが明らかになった。またｄを１５μｍ以上とすることは、応力を傾斜面と側面が接続するところで受け、エピタキシャル層が受ける応力を軽減する効果もあると考えられる。
【００２０】
本発明は、（１００）面や（１００）面から傾斜したｎ型またはｐ型のＧａＡｓ単結晶基板などの公知の基板の上に、ＭＯＣＶＤやＭＢＥ法などで成長した、発光層にＡｌＧａＩｎＰ混晶を利用したエピタキシャルウェーハを用いることができる。エピタキシャルウェーハは、ダブルへテロ構造、電流拡散層、電流阻止層、反射層などを組み合わせた一般的に作製されている構造が適用でき、発光層の組成は、発光させる波長（緑〜赤）に応じて公知の条件を選択すれば良い。
【００２１】
応力劣化に対しては、ＧａＡｓ基板の厚さが薄い方が信頼性が高い傾向があるため、薄いＧａＡｓ基板を使用するか基板を成長後に薄く加工して、ＧａＡｓ基板の厚さを２００μｍ以下とするのが望ましい。
一方、発光層のＡｌＧａＩｎＰ層の上にＡｌＧａＡｓ層，ＧａＰ層などの電流拡散層を成長した場合には、熱膨張係数の差による内部応力を緩和するために、表面に発光層やクラッド層と同じ材質であるＡｌＧａＩｎＰ層を成長させると応力劣化を抑制させる効果があり、これと素子形状との組み合わせにより、非常に信頼性の高い発光ダイオードが得られる。
【００２２】
また、エピタキシャル層は、ヘテロ接合が多く層厚が薄いほど界面の歪みが蓄積され機械的な強度が弱くなる傾向がある。この様な点から、本発明は、発光層にダブルヘテロ構造を有するヘテロ界面が５個以上存在するエピウェーハに対して効果が大きく、更に、歪みが蓄積しやすいと考えられる０．１μｍ以下の半導体層を多層成長した光学的反射層（ＤＢＲ）を含みエピタキシャル層の層厚が２０μｍ以下の薄いエピ構造に対して特に効果が顕著である。
【００２３】
【作用】
上記のように本発明は、エピタキシャル層が薄く、ヘテロ接合が多いＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードに対して、応力集中を避けるような素子形状（特にα、Ｒ、ｄ）の最適な範囲で３次元的に形状を制御する事により課題を解決した。
すなわち本発明は、素子の側面、発光面、傾斜面の最適な組み合わせにより、ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードに対して、応力劣化に対する信頼性の改善に最適な３次元的素子形状を見い出したものである。そして、材質やエピ構造に応じた応力集中を避けるような素子形状としたことにより、信頼性が向上したと考えられる。
【００２４】
【実施例】
（実施例１）
以下、本発明を実施例を基に説明する。
本実施例では、まずＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード用エピタキシャルウェーハを製作した。エピタキシャルウェーハの積層構造図を図７に示す。
図７に示したＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード用エピタキシャルウェーハは、（１００）面から４度傾斜した表面を研磨したｐ型ＧａＡｓ単結晶基板１（厚さ１７０μｍ）の上にｐ型ＧａＡｓバッファ層２（厚さ０．５μｍ、キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３）、２４層からなるｐ型ＡｌＧａＡｓ反射層３（厚さ１．  １μｍ、キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３）、ｐ型（Ａｌ０．７  Ｇａ０．３  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層４（厚さ１．０μｍ，キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３）、アンドープ（Ａｌ０．２  Ｇａ０．８  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ発光層５（厚さ０．５μｍ，キャリア濃度１×１０１６ｃｍ−３）、ｎ型（Ａｌ０．７  Ｇａ０．３  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層６（厚さ１．０μｍ，キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３）、ｎ型Ａｌ０．７  Ｇａ０．３  Ａｓ電流拡散層７（厚さ３．  ５μｍ、キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３）、ｎ型（Ａｌ０．７  Ｇａ０．３  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ層８（厚さ０．１μｍ，キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３）及びｎ型ＧａＡｓコンタクト層９（厚さ０．３μｍ，キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３）をＭＯＣＶＤ法により順次積層して形成した。
【００２５】
このエピウェーハのｎ型ＧａＡｓコンタクト層９上に１３０μｍφの円形の電極パターン（３００μｍピッチ）を用いてｎ型電極１０、および裏面のｐ型ＧａＡｓ基板１にｐ型電極１１を公知のフォトリソグラフィー法を駆使してパターンを形成後、熱処理を行いオーミック電極を形成した。
【００２６】
続いて傾斜面形成の為、上記のようにして得られた電極形成済みウェーハのｎ型電極のちょうど中間に開口部が位置するように、エッチングマスク（３００μｍピッチ、２４０μｍ□、隅の曲率半径：Ｒ＝３μｍ）用のフォトレジストが、公知のフォトリソグラフィー法を用いて電極および発光面上に形成された。
また裏面は、フォトレジストで全面保護した。
【００２７】
上記のようにして得られたウェーハを臭素−メタノール混合液を用いて発光面から深さ１０μｍエッチングし、傾斜面および発光面の隅の丸みを形成した。
次に、フォトレジストを除去した後、ウェーハの裏面を粘着シートに貼り付け、ダイシングソーで傾斜面と傾斜面の間を切断し、チップ化した。その後、リン酸−過酸化水素系エッチング液を用いて傾斜面、側面および表面のコンタクト層を０．  ３μｍエッチングした。
作製された代表的な素子の形状は図５および図６に示したものである。
【００２８】
上記のようにして作製された素子の代表的な形状は、発光面と傾斜面のなす角度（α）は、１１０度〜１２２度、発光面の隅の曲率半径（Ｒ）は、３〜４．５μｍ、側面と発光面の端との距離（ｄ）は、１６〜２４μｍであった。
【００２９】
（実施例２）
実施例１において傾斜面形成の為のエッチングマスクを３００μｍピッチ、２４０μｍ□、隅の曲率半径：Ｒ＝１．５μｍに変更し形状の異なる素子を作製した。
このようにして作製された素子の代表的な形状は、発光面と傾斜面のなす角度（α）は、１１２度〜１２２度、発光面の隅の曲率半径（Ｒ）は、１〜２．５μｍ、側面と発光面の端との距離（ｄ）は、１６〜２４μｍであった。
【００３０】
（実施例３）
実施例１において傾斜面形成の為のエッチングマスクを３００μｍピッチ、２７０μｍ□、隅の曲率半径：Ｒ＝３μｍに変更し、ダイシングする位置と発光面の端を近づけた素子を作製した。
このようにして作製された素子の代表的な形状は、発光面と傾斜面のなす角度（α）は、１１２度〜１２２度、発光面の隅の曲率半径（Ｒ）は、３〜５μｍ、側面と発光面の端との距離（ｄ）は、６〜１３μｍであった。
【００３１】
（比較例）
実施例１と同様にしてオーミック電極を形成した後、表面にプラズマＣＶＤ装置で酸化珪素膜を０．  ２μｍ形成し、ダイシングソーで素子に切断後、臭素−メタノール混合液でエピタキシャル層とＧａＡｓ基板からなる側面を約５μｍエッチングした。その後、フッ酸で酸化珪素を除去し、リン酸−過酸化水素系エッチング液を用いて側面および表面のコンタクト層を０．  ３μｍエッチングした。
このようにして作製された素子の代表的な形状は、発光面と傾斜面のなす角度（α）は、９２度〜１０５度、発光面の曲率半径（Ｒ）は、６〜８μｍ、側面と発光面の端との距離（ｄ）は、０〜５μｍであった。
【００３２】
上記の実施例１、２、３および比較例で得られた発光ダイオードを各々５０点抜き取り、リードフレームにダイボンドし金線で配線後、エポキシ樹脂で封止して５ｍｍφのランプを作製した。
作製したランプを−４０℃の低温環境で２０ｍＡ通電を５００時間行い、輝度残存率（通電後の輝度／初期輝度×１００％）を評価した。表１に５００時間後の輝度残存率の平均値、最大値および最小値をまとめた。
【００３３】
【表１】
0003630212.tif 000002
【００３４】
表１より、実施例１、２、３に記載の本発明に係わる発光ダイオードは、輝度残存率が高く信頼性が非常に良好であり、特に、実施例１に記載の発光ダイオードは、輝度残存率の最小値の値が他より高く非常に優れている事が判る。また、比較例に記載の従来の発光ダイオードは、本発明に比較し、信頼性が大幅に劣っており、低温環境での使用は困難であると判断できる。
【００３５】
上述に示した如く樹脂からの応力が大きくなる低温通電試験結果から、本発明を適用した実施例１、２、３の発光ダイオードは、比較例の発光ダイオードと比べて、輝度残存率の平均値が高くまたばらつきが小さい点から、高信頼性の発光ダイオードであることが明らかとなった。
なお、上記実施例１〜３では、エピタキシャルウェーハにｐ型ＧａＡｓ基板を用いたが、ｎ型ＧａＡｓ基板を用い極性を反対にした構造でも同様な効果が得られた。
【００３６】
【発明の効果】
以上のように本発明者らは、ヘテロ接合が多くエピタキシャル成長層の膜厚が薄いＡｌＧａＩｎＰを発光層とする発光ダイオードが、応力に対し非常に弱い事に着目した。そして本発明者らは、この発光ダイオードに対して、応力集中を避けられ発光層の近傍に結晶欠陥が入りにくい３次元的に最適な素子形状を見出し、発光ダイオードの信頼性を大幅に向上した。
本発明の高信頼性の発光ダイオードは、低温に曝される温度環境の厳しい屋外で使用でき用途の拡大ができると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の発光ダイオードの外観図
【図２】素子の不良数と角度（α）との関係を示した図
【図３】素子の不良数と曲率半径（Ｒ）との関係を示した図
【図４】素子の不良数と側面と発光面の端の距離（ｄ）との関係を示した図
【図５】本発明に係わる発光ダイオードの断面図
【図６】本発明に係わる発光ダイオードの平面図
【図７】実施例１、２、３および比較例に係わる発光ダイオードの積層構造図
【符号の説明】
１  ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板
２  ｐ型ＧａＡｓバッファ層
３  ｐ型ＡｌＧａＡｓ反射層
４  ｐ型（Ａｌ０．７  Ｇａ０．３  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層
５  アンドープ（Ａｌ０．２  Ｇａ０．８  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ発光層
５ａ  ＡｌＧａＩｎＰ発光層の端面
６  ｎ型（Ａｌ０．７  Ｇａ０．３  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層
７  ｎ型Ａｌ０．７  Ｇａ０．３  Ａｓ電流拡散層
８  ｎ型（Ａｌ０．７  Ｇａ０．３  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ層
９  ｎ型ＧａＡｓコンタクト層
１０  ｎ型電極
１１  ｐ型電極
１３  発光面
１４  傾斜面
１５  側面
α  発光面と傾斜面のなす角度（度）
Ｒ  発光面の隅の曲率半径（μｍ）
ｄ  発光面の端と側面の距離（μｍ）
【図１】
0003630212.tif 000003
【図２】
0003630212.tif 000004
【図３】
0003630212.tif 000005
【図４】
0003630212.tif 000006
【図５】
0003630212.tif 000007
【図６】
0003630212.tif 000008
【図７】
0003630212.tif 000009