(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射画素電極、層間絶縁膜、前記反射画素電極に凹凸を設けるための凸状の絶縁膜及びスイッチング素子が形成された第一の基板と、透明電極が前記反射画素電極に対向して形成された第二の透明基板とを有し、この第二の透明基板と前記第一の基板との間に液晶が封入された反射型液晶表示装置において、
前記凸状の絶縁膜が遮光性を有し、かつ、前記スイッチング素子を覆うことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項２】
上記請求項１に記載の反射型液晶表示装置において、
前記凸状の絶縁膜が遮光性を有し、かつ、前記スイッチング素子の配線を覆うことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項３】
上記請求項１または請求項２に記載の反射型液晶表示装置において、
前記凸状の絶縁膜が前記スイッチング素子の半導体層を覆うことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項４】
上記請求項１〜請求項３のいずれかに記載の反射型液晶表示装置において、
前記凸状の絶縁膜の高さを０．３μｍ〜５μｍとし、かつ、前記スイッチング素子と前記反射画素電極の間に形成した層間絶縁膜の厚さを０．２μｍ〜４μｍとしたことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項５】
上記請求項１〜請求項４のいずれかに記載の反射型液晶表示装置において、
前記凸状の絶縁膜が遮光性を有し、かつ、前記反射画素電極の間隙の下方に形成されたことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項６】
上記請求項１〜請求項５のいずれかに記載の反射型液晶表示装置において、
前記スイッチング素子の配線又は前記スイッチング素子を覆うように前記反射画素電極を形成したことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項７】
上記請求項１〜請求項６のいずれかに記載の反射型液晶表示装置において、
前記凸状の絶縁膜が感光性を有することを特徴とする反射型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入射光を反射することにより表示を行う反射型液晶表示装置に関し、特に、アクティブマトリクス駆動方式の反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、外部から入射した光を装置内の反射板（反射画素電極）により反射し、その光を利用して表示を行なう反射型液晶表示装置が注目されている。
この反射型液晶表示装置は、表示光源を外部光としてあるので、バックライトを用いる透過型液晶表示装置より消費電力が少なくてすみ、さらに、バックライトを必要としないので、薄型化・軽量化が可能である。
このため、反射型液晶表示装置は、携帯用情報端末装置などに使用されている。
【０００３】
一般的に、液晶表示装置の駆動方式として、単純マトリクス駆動方式とアクティブマトリクス駆動方式があり、アクティブマトリクス駆動方式が、画像の精細度、応答速度などの画質特性において優れていることから、現在広く用いられている。
【０００４】
アクティブマトリクス駆動方式の反射型液晶表示装置は、スイッチング素子が各反射画素電極ごとに設けられている第一の基板，この反射画素電極に対向して配置された透明電極を有する第二の透明基板及びこの両基板の間に封入された液晶とからなっている。
また、この反射型液晶表示装置においては、スイッチング素子として、半導体層に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）あるいは多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）を用いた薄膜トランジスタ（適宜、ＴＦＴと略称する。）や、ＭＩＭ（金属／絶縁膜／金属）構造のダイオードなどが用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この反射型液晶表示装置は、画像の精細度、応答速度などの画質特性が優れているとはいえ、光リーク電流の発生によって画質が低下するといった問題があった。
【０００６】
つまり、反射型液晶表示装置は、スイッチング素子がオン状態となり、反射画素電極に信号電圧が印加されることによって書き込みが行われ、その後、スイッチング素子がオフ状態となっても、次の新たな書き込みが行われるまで、反射画素電極をこの信号電圧に保持する。
しかし、反射型液晶表示装置は、信号電圧を保持しているときに、スイッチング素子に用いられているａ−Ｓｉあるいはｐ−Ｓｉなどの半導体層に光が進入すると、半導体層の光伝導性により光リーク電流が発生し、反射画素電極の信号電圧の低下を引き起こし、パネル表示特性におけるコントラスト比が低下し画像品位が劣化する。
【０００７】
この問題を解決する技術として、スイッチング素子の半導体層への光の進入を防ぐために、金属層あるいは黒色有機樹脂層を用いた遮光層をＴＦＴ上部に設ける技術が用いられている。この従来例における技術としては、特開平６−３４２１５３号公報に記載のものがある。
この反射型液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
【０００８】
図９は、特開平６−３４２１５３号の従来例における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
同図において、反射型液晶表示装置は、下部基板１上にＴＦＴ２，ゲート絶縁層７及び配線（電極）１６が形成され、これらのほぼ全面に、反射画素電極９に凹凸を設けるための凸状の絶縁膜（以下、ベース凸絶縁膜１０とも称す。）が不規則な位置に形成され、さらに、層間絶縁膜１１および反射画素電極９が順次形成されている。
【０００９】
この反射型液晶表示装置は、ベース凸絶縁膜１０および層間絶縁膜１１を光吸収特性または光散乱性もしくはその両方の特性を有する感光性樹脂にすることにより、ＴＦＴ２の半導体層６に外部からの光が進入しないように改善してある。
【００１０】
しかし、この反射型液晶表示装置は、同図に示すように、ＴＦＴ２の中央部においてベース凸絶縁膜１０が隣接するように形成された場合には、層間絶縁膜１１の厚さ“ｔ１”がＴＦＴ２の中央部における光吸収層の厚さとなり、ＴＦＴ２への光の進入を完全には阻止することができず、このため、パネル表示特性であるコントラスト比が低下し、画像品位を向上させることができないといった問題があった。
【００１１】
なお、反射型液晶表示装置は、十分な光吸収特性を得るために層間絶縁膜１１を単に厚くしたのでは、その後のリソグラフィー処理によるパターン形成が困難となり、反射画素電極９の凹凸形状に悪影響を与えて反射特性が劣化するので、単純に層間絶縁膜１１を厚くできない。
【００１２】
また、反射型液晶表示装置は、配線１６が層間絶縁膜１１を介して反射画素電極９に部分的に覆われている場合には、配線１６と層間絶縁膜１１間のもっとも薄い部分の絶縁膜の厚さ“ｔ２”が、層間絶縁膜１１の厚さとほぼ等しくなり、配線１６と層間絶縁膜１１の間の寄生容量が大きくなるため、クロストークなどが発生し、画質が低下するといった問題点もあった。
【００１３】
そこで、本発明は、上記問題を解決すべく、光リーク電流および寄生容量を抑制することによって、画像品位の優れた反射型液晶表示装置の提供を目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明における請求項１記載の反射型液晶表示装置は、反射画素電極、層間絶縁膜、前記反射画素電極に凹凸を設けるための凸状の絶縁膜及びスイッチング素子が形成された第一の基板と、透明電極が前記反射画素電極に対向して形成された第二の透明基板とを有し、この第二の透明基板と前記第一の基板との間に液晶が封入された反射型液晶表示装置において、  前記凸状の絶縁膜が遮光性を有し、かつ、前記スイッチング素子を覆うことを特徴とする。
【００１５】
このようにすると、反射型液晶表示装置は、スイッチング素子上における凸状の絶縁膜の厚さを層間絶縁膜の膜厚よりも大きくすることができるため、効果的にスイッチング素子への光の進入を抑えることが可能となり、光リーク電流が抑制され、画像品位が向上する。
【００１６】
本発明における請求項２記載の反射型液晶表示装置は、前記凸状の絶縁膜が遮光性を有し、かつ、前記スイッチング素子の配線を覆うことを特徴とする。
【００１７】
このように、スイッチング素子およびその配線への光の進入を抑えることが可能となり、光リーク電流が抑制され、画像品位が向上する。また、反射画素電極とスイッチング素子の配線間の寄生容量が減少し、画質の低下を防止することができる。
【００１８】
請求項３記載の発明は、上記請求項１または請求項２に記載の反射型液晶表示装置において、  前記凸状の絶縁膜が前記スイッチング素子の半導体層を覆う構成としてある。
【００１９】
このようにすると、反射型液晶表示装置は、スイッチング素子の半導体層上における凸状の絶縁膜を層間絶縁膜の膜厚よりも厚くすることができるため、効果的にスイッチング素子への光の進入を抑えることが可能となり、光リーク電流が抑制され画像品位が向上する。
【００２０】
請求項４記載の発明は、上記請求項１〜請求項３のいずれかに記載の反射型液晶表示装置において、  前記凸状の絶縁膜の高さを０．３μｍ〜５μｍとし、かつ、前記スイッチング素子と前記反射画素電極の間に形成した層間絶縁膜の厚さを０．２μｍ〜４μｍとした構成としてある。
【００２１】
このようにすることにより、反射型液晶表示装置は、外部から入射した光が直接又は散乱若しくは多重反射によってスイッチング素子に進入するのを効果的に防止することができる。
【００２２】
請求項５記載の発明は、上記請求項１〜請求項４のいずれかに記載の反射型液晶表示装置において、  前記凸状の絶縁膜が遮光性を有し、かつ、前記反射画素電極の間隙の下方に形成されたことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【００２３】
このように、通常、反射画素電極が形成されない反射画素電極の間隙の下方に、凸状の絶縁膜を形成することにより、反射画素電極の間隙からの光の進入を防ぐことができるので、光リーク電流が抑制され画像品位が向上する。
【００２４】
請求項６記載の発明は、上記請求項１〜請求項５のいずれかに記載の反射型液晶表示装置において、前記スイッチング素子の配線又は前記スイッチング素子を覆うように前記反射画素電極を形成した構成としてある。
【００２５】
このようにすることにより、反射画素電極によってもスイッチング素子やその配線への光の進入を防止し遮光性が向上するので、光リーク電流がより効果的に抑制され、画像品位が向上する。
また、反射型液晶表示装置は、反射画素電極とスイッチング素子の間における寄生容量の値が小さくなることによっても、画質の低下を防止することができる。
【００２６】
請求項７記載の発明は、上記請求項１〜請求項６のいずれかに記載の反射型液晶表示装置において、前記凸状の絶縁膜が感光性を有する構成としてある。
【００２７】
このように、感光性を有する絶縁膜とすることにより、生産工数を増加させることなく（具体的には、マスクを用いた露光現像工程によって容易に形成可能である。）、画質の低下を防止できることから、低価格で高品位表示の反射型液晶表示装置を提供することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施形態における反射型液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
先ず、本発明の第一実施形態における反射型液晶表示装置について説明する。
【００２９】
「第一実施形態」
図１は、本発明の第一実施形態における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
同図において、反射型液晶表示装置は、透明な下部基板１上にマトリックス状に配設されたスイッチング素子１５，このスイッチング素子１５を覆うように形成され、かつ、スイッチング素子１５以外の下部基板１上にも形成された光吸収特性を有するベース凸絶縁膜１０，このベース凸絶縁膜１０の表面に形成された層間絶縁膜１１，この層間絶縁膜１１上にスイッチング素子１５を覆わないように形成され、かつ、スイッチング素子１５と接続された反射画素電極９，この反射画素電極９に対向配置され、かつ、透明電極１３が形成された上部透明基板１４、及び透明電極１３と反射画素電極９の間に封入された液晶１２とからなっている。
【００３０】
このように、第一実施形態における反射型液晶表示装置は、従来例と異なり、スイッチング素子１５を覆うように、具体的には、スイッチング素子１５の中央部（通常、半導体層が形成されている。）に光りが進入しないように、スイッチング素子１５の中央部にベース凸絶縁膜１０を配設してある。
これにより、反射型液晶表示装置は、十分に厚いベース凸絶縁膜１０によって、外部から入射した光が直接又は散乱若しくは多重反射によってスイッチング素子１５に進入することを防止することができる。
【００３１】
ここで、好ましくは、ベース凸絶縁膜１０の高さを０．３μｍ〜５μｍとし、かつ、層間絶縁膜１１の膜厚を０．２μｍ〜４μｍとすると良い。
これにより、外部から入射した光が直接又は散乱若しくは多重反射をおこしてスイッチング素子１５へ照射するのを効果的に防止することができる。
なお、高さを０．３μｍ以上とし膜厚を０．２μｍ以上とするのは、絶縁性を確保するためであり、また、高さを５μｍ以下とし膜厚を４μｍ以下とするのは生産コストを低減するためである。
実施するに際しては、これらの値の範囲内で反射型液晶表示装置の反射特性を考慮した上で選択することがより望ましいことは勿論である。
【００３２】
また、ベース凸絶縁膜１０の材料を感光性の材料とすることによって、所望の位置にベース凸絶縁膜１０が形成されるようなマスクを用いた露光現像工程により、ベース凸絶縁膜１０を容易に形成することができる。
【００３３】
上述したように、第一実施形態における反射型液晶表示装置は、光吸収特性を有するベース凸絶縁膜１０がスイッチング素子１５を覆うように形成してあるので、外部から入射した光が直接又は散乱若しくは多重反射によってスイッチング素子１５へ進入するのを効果的に防止する。
したがって、反射型液晶表示装置は、ベース凸絶縁膜１０がその十分な厚さによって、スイッチング素子１５に対する遮光層としての役割を果たすので、パネル表示特性におけるコントラスト比が低下せず画像品位が向上する。
【００３４】
次に、第一実施形態における反射型液晶表示装置の具体例について、図面を参照して説明する。
図２は、第一実施形態の具体例における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
【００３５】
同図において、反射型液晶表示装置は、透明な下部基板１上にマトリックス状に配設された逆スタガー型構造のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２，このＴＦＴ２を覆うように形成され、かつ、ＴＦＴ２以外の下部基板１上に形成された光吸収特性を有するベース凸絶縁膜１０，このベース凸絶縁膜１０の表面に形成された層間絶縁膜１１，この層間絶縁膜１１上にＴＦＴ２を覆わないように形成され、かつ、ＴＦＴ２のドレイン電極４と接続された反射画素電極９，この反射画素電極９に対向配置され、かつ、コモン電極１３ａが形成された上部透明基板１４、及びコモン電極１３ａと反射画素電極９間に封入された液晶１２とからなっている。
【００３６】
ここで、ＴＦＴ２は、ゲート電極８が下部基板１上に形成され、ゲート電極８と下部基板１上にゲート絶縁層７が形成され、このゲート絶縁層７上に、半導体層６，ドーピング層５，ソース電極３及びドレイン４電極をそれぞれ積層形成した構造としてある。
【００３７】
また、通常のＴＦＴ作製工程により、ガラスからなる下部基板１上にＴＦＴ２を形成した。
具体的には、先ず、下部基板１に金属Ｃｒをスパッタリング法により成膜し、フォトレジストによりゲート電極８および走査線をパターンニング形成した。
続いて、ゲート絶縁層７，半導体層６及びドーピング層５をプラズマＣＶＤにより連続成膜を行った。
【００３８】
そして、ゲート絶縁層７にはシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を、半導体層６には非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層を、ドーピング層５にはリン原子を注入することでｎ型となった非晶質シリコン（Ｎ＋ａ−Ｓｉ）層を成膜した。
さらに、半導体層６、ドーピング層５をパターンニング形成したのちに、金属Ｃｒをスパッタリング法により成膜し、フォトレジストによりソース電極３、ドレイン電極４および信号線をパターンニング形成した。
【００３９】
その後、光吸収特性を有する絶縁膜として、ポジ型黒色感光性樹脂を約３μｍの厚さに塗布し、マスクを用いてフォトリソグラフィ技術によりベース凸絶縁膜１０を形成した。
【００４０】
図３は、第一実施形態の具体例における反射型液晶表示装置の要部の概略拡大平面図を示している。また、図４は、第一実施形態の具体例における反射型液晶表示装置におけるフォトマスクの要部の概略拡大平面図を示している。図３におけるＴＦＴ２の半導体層６とこれに隣接するドレイン電極４とソース電極３の一部分に対して、図４に示すように、長方形の遮光部１７ａを設け、さらに、その他の領域に対して、同じく図４に示すように、不規則な位置に円形の遮光部１７ｂを設けた。
【００４１】
ここで、フォトマスクに設けた円形の遮光部１７ｂは、円形に限定するものではなく、例えば、多角形や楕円などの形状とすることができる。
また、長方形の遮光部１７ａは、スイッチング素子の形状に対応して長方形としたものであり、長方形に限定するものではない。
また、この例ではポジ型の感光性樹脂を用いたが、ネガ型の感光性樹脂を用いて、反転マスクを用いてもよい。
【００４２】
そして、層間絶縁膜１１として、感光性樹脂を約２μｍの厚さに塗布し、ドレイン電極４が下方にある領域のみエッチングした。
その後、反射画素電極９として金属Ａｌをスパッタリング法により形成し、パターンニング形成した。
【００４３】
一方、上部透明基板１４には透明電極（ＩＴＯ）をスパッタリング法により形成し、パターンニングすることによりコモン電極１３ａを形成した。
その後、コモン電極１３ａと反射画素電極９が互いに向かい合うように、かつ、プラスチック粒子などのスペーサにより液晶層１２を封入するための隙間を設けて、下部基板１と上部透明基板１４を位置決めしてから、これらの周辺部にエポキシ系の接着剤を塗布して貼り合わせた。
そして、最終工程として、下部基板１と上部透明基板１４の隙間に液晶を封入することにより、反射型液晶表示装置を製作した。
【００４４】
このように、生産工数（プロセス数）を増やすことなく、逆スタガー型のＴＦＴ２の半導体層６を覆うようにベース凸絶縁膜１０を形成することができた。
また、この作製された反射型液晶表示装置は、光リーク電流の原因となる半導体層６への光の入射を抑え、効果的に光リーク電流を抑えることができるので、画質が向上した。
【００４５】
上述したように、第一実施例における反射型液晶表示装置は、光吸収特性を有するベース凸絶縁膜１０をＴＦＴ２の半導体層６が覆われるように形成したので、ベース凸絶縁膜１０がその十分な厚さによって、スイッチング素子１５に対する遮光層としての役割を果たし、外部からの光が直接又は散乱若しくは多重反射をおこして半導体層６へ進入するのを効果的に防止することができた。
これにより、反射型液晶表示装置のパネル表示特性におけるコントラスト比の低下といった画像品位の劣化を防止することができた。
【００４６】
なお、この反射型液晶表示装置は、逆スタガー型のＴＦＴ２に限定するものではなく、順スタガー型ＴＦＴやダイオード素子などその他のスイッチング素子にも適用可能であることは勿論である。
【００４７】
次に、本発明の第二実施形態における液晶表示装置について説明する。
「第二実施形態」
図５は、本発明の第二実施形態における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
【００４８】
同図において、反射型液晶表示装置は、透明な下部基板１上にマトリックス状に配設されたスイッチング素子１５，このスイッチング素子１５を覆うように形成され、かつ、スイッチング素子１５以外の下部基板１上にも形成された光吸収特性を有するベース凸絶縁膜１０，このベース凸絶縁膜１０の表面に形成された層間絶縁膜１１，この層間絶縁膜１１上にスイッチング素子１５を覆うように形成され、かつ、スイッチング素子１５と接続された反射画素電極９，この反射画素電極９に対向配置され、かつ、透明電極１３が形成された上部透明基板１４、及び透明電極１３と反射画素電極９と間に封入された液晶１２とからなっている。
【００４９】
ここで、第二実施形態における反射型液晶表示装置は、第一実施形態における反射型液晶表示装置と異なり、反射画素電極９がスイッチング素子１５を覆うように形成されているので、反射画素電極９によりスイッチング素子１５へ光が直接入射する危険性がなくなり、スイッチング素子１５への光の進入を防止する。
【００５０】
また、この反射型液晶表示装置は、反射画素電極９とスイッチング素子１５の間にある絶縁膜の厚さが、ベース凸絶縁膜１０の高さと層間絶縁膜１１の膜厚の和となる。
【００５１】
したがって、この間に存在する寄生容量の値が、スイッチング素子１５を覆わずにベース凸絶縁膜１０を形成するときより小さくなり、反射型液晶表示装置は、画質の低下を抑えるとともに、反射画素電極９の領域面積を大きくすることができる。
このように、反射型液晶表示装置の光リーク電流を抑制し、さらに寄生容量を減少させることにより、画質の低下を防止することができる。
【００５２】
次に、本発明の第三実施形態における液晶表示装置について説明する。
「第三実施形態」
図６は、本発明の第三実施形態における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
【００５３】
同図において、反射型液晶表示装置は、透明な下部基板１上にマトリックス状に配設されたＴＦＴ２，このＴＦＴ２の半導体層６とソース電極３とゲート電極８を覆うように形成され、かつ、ＴＦＴ２以外の下部基板１上にも形成された光吸収特性を有するベース凸絶縁膜１０，このベース凸絶縁膜１０の表面に形成された層間絶縁膜１１，この層間絶縁膜１１上に半導体層６を覆うように形成され、かつ、ドレイン電極４と接続された反射画素電極９，この反射画素電極９に対向配置され、かつ、透明電極１３が形成された上部透明基板１４、及び透明電極１３と反射画素電極９と間に封入された液晶１２とからなっている。
【００５４】
ここで、この反射型液晶表示装置は、第一実施形態の具体例における反射型液晶表示装置と異なり、ゲート電極８とソース電極３上に光吸収特性を有するベース凸絶縁膜１０を配置しており、その他の構造は、第一実施形態における反射型液晶表示装置と同様としてある。
【００５５】
また、図７は、第三実施形態における反射型液晶表示装置の要部の概略拡大平面図を示しており、同図において、反射型液晶表示装置は、理解しやすいように図示してないが、ＴＦＴ２を覆うようにベース凸絶縁膜１０が形成されており、さらに、ゲート配線８ａとソース配線３ａ上にベース凸絶縁膜１０が形成されている。
【００５６】
ここで、ベース凸絶縁膜１０は、ゲート配線８ａとソース配線３ａの上面およびこれらの周辺を覆うように形成してあり、このようにすることにより、外部からの光をより確実に遮光することができる。
【００５７】
この第三実施形態における反射型液晶表示装置は、ＴＦＴ２を覆うように（具体的には、半導体層６とこれに連設された各電極部分を覆うように。）ベース凸絶縁膜１０を形成し、さらに、ゲート配線８ａとソース配線３ａを覆うようにベース凸絶縁膜１０を形成してあるので、半導体層６の近くにおいて光リーク電流を抑制することができるとともに、半導体層６から離れた電極で発生する光リーク電流を効果的に抑制することができるので、画質の低下を防止することができる。つまり、半導体層６から離れた配線で光リーク電流が発生し、配線を介して光リーク電流が反射画素電極９の信号電圧を変動させるといった不具合を防止することができる。
【００５８】
また、好ましくは、反射画素電極９は、通常、スイッチング素子の配線上には形成されないが、これら電極以外の領域に反射画素電極９が形成されない間隙が生じる場合には、図８に示すように、この間隙の下方にベース凸絶縁膜１０を形成すると良い。
このようにすることにより、反射画素電極９の間隙から進入する光を効果的にベース凸絶縁膜１０が吸収し、スイッチング素子へ光が進入することを防止することができ、反射型液晶表示装置の光リーク電流を抑制し、さらに、寄生容量を減少させることにより、画質の低下を効果的に防止することができる。
【００５９】
上述したように、第三実施形態における反射型液晶表示装置は、ゲート配線８ａとソース配線３ａへの光の進入を効果的に防止することができ、光リーク電流を抑制することができ、画質の低下を防止することができる。
【００６０】
また、この反射型液晶表示装置は、スイッチング素子のゲート電極やソース電極などと電気的に接続された配線上部に凸状の絶縁膜を形成することにより、反射画素電極とこれら配線間に、凸状の絶縁膜と層間絶縁膜が形成されることになるので、その間に発生する寄生容量の値が減少し、画質の低下を防止することができる。
【００６１】
なお、この反射型液晶表示装置においては、凸状の絶縁膜がスイッチング素子およびその電極を覆うように形成したが、スイッチング素子の配線のみを覆うように形成した場合であっても、相応の効果があり画質の低下を防止することができることは勿論である。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、光吸収特性を有する凸状の絶縁膜をスイッチング素子の半導体層や配線などを覆うように形成することにより、スイッチング素子の半導体層や配線への光の進入を防止して光リーク電流を抑止し、かつ、寄生容量の増加を抑制できるので、画像品位の優れた反射型液晶表示装置を提供することができる。
また、この反射型液晶表示装置は、生産工数（プロセス数）を増加させることなく生産可能なので、画質の向上した反射型液晶表示装置を低価格で提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第一実施形態における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
【図２】図２は、第一実施形態の具体例における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
【図３】図３は、第一実施形態の具体例における反射型液晶表示装置の要部の概略拡大平面図を示している。
【図４】図４は、第一実施形態の具体例における反射型液晶表示装置におけるフォトマスクの要部の概略拡大平面図を示している。
【図５】図５は、本発明の第二実施形態における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
【図６】図６は、本発明の第三実施形態における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
【図７】図７は、第三実施形態における反射型液晶表示装置の要部の概略拡大平面図を示している。
【図８】図８は、第三実施形態の応用例における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
【図９】図９は、特開平６−３４２１５３号の従来例における反射型液晶表示装置の単位画素部分の概略拡大断面図を示している。
【符号の説明】
１  下部基板
２  ＴＦＴ
３  ソース電極
３ａ  ソース配線
４  ドレイン電極
５  ドーピング層
６  半導体層
７  ゲート絶縁層
８  ゲート電極
８ａ  ゲート配線
９  反射画素電極
１０  ベース凸絶縁膜（凸状の絶縁膜）
１１  層間絶縁膜
１２  液晶
１３  透明電極
１３ａ  コモン電極
１４  上部透明基板
１５  スイッチング素子
１６  配線（電極）
１７ａ  長方形の遮光部
１７ｂ  円形の遮光部
【図１】
0003645769.tif 000002
【図２】
0003645769.tif 000003
【図３】
0003645769.tif 000004
【図４】
0003645769.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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