(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の周辺電極上にバンプを形成する工程と、前記バンプに導電性接着剤を供給する工程と、前記バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位置合わせし搭載する工程と、前記導電性接着剤を硬化する工程と、封止樹脂を前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間に形成された隙間とその周辺部に注入する工程と、前記封止樹脂を硬化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記バンプに前記導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な転写皿に前記導電性接着剤を積層し、前記転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置された複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの前記導電性接着剤の膜を前記転写皿上に形成し、前記バンプの一部を前記導電性接着剤の膜に浸漬して前記バンプに前記導電性接着剤を転写させることにより、前記半導体素子の電極ピッチによって異なる量の前記導電性接着剤を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体素子の周辺電極上にバンプを形成する工程と、前記バンプに導電性接着剤を供給する工程と、前記バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位置合わせし搭載する工程と、前記導電性接着剤を硬化する工程と、封止樹脂を前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間に形成された隙間とその周辺部に注入する工程と、前記封止樹脂を硬化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記バンプに前記導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な複数の段部を有する転写皿に前記導電性接着剤を積層し、１枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの前記導電性接着剤の膜を前記転写皿上に形成し、前記バンプの一部を前記導電性接着剤の膜に浸漬して前記バンプに前記導電性接着剤を転写させることにより、前記半導体素子の電極ピッチによって異なる量の前記導電性接着剤を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体素子の周辺電極上にバンプを形成する工程と、前記バンプに導電性接着剤を供給する工程と、前記バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位置合わせし搭載する工程と、前記導電性接着剤を硬化する工程と、封止樹脂を前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間に形成された隙間とその周辺部に注入する工程と、前記封止樹脂を硬化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記バンプに前記導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な複数の段部を有する転写皿に前記導電性接着剤を積層し、複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの前記導電性接着剤の膜を前記転写皿上に形成し、前記バンプの一部を前記導電性接着剤の膜に浸漬して前記バンプに前記導電性接着剤を転写させることにより、前記半導体素子の電極ピッチによって異なる量の前記導電性接着剤を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体素子の周辺電極上に形成したバンプに転写ユニットにより導電性接着剤を転写して、前記バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを接続する半導体装置の製造装置であって、前記転写ユニットが、前記導電性接着剤を積層する転写皿と、前記転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置されて前記導電性接着剤の膜厚を調整する複数枚のブレードとを備えた半導体装置の製造装置。
【請求項５】
半導体素子の周辺電極上に形成したバンプに転写ユニットにより導電性接着剤を転写して、前記バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを接続する半導体装置の製造装置であって、前記転写ユニットが、前記導電性接着剤を積層する複数の段部を有する転写皿と、前記導電性接着剤の膜厚を調整する一枚のブレードとを備えた半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体素子の集積回路部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的接続を安定に確保し、さらにもっとも高密度な実装を可能とした半導体装置マルチチップモジュール（以降ＭＣＭと称する）の構造及び製造法に関するもので、特に半導体素子とキャリアとの接続にＡｕバンプと導電性接着剤を用いた半導体装置の製造方法及び製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスを高密度に実装する手段の一つとして、複数の半導体素子を一つのキャリアに搭載し、一つのデバイスとする（ＭＣＭ）の検討がなされている。
以下、従来のＡｕバンプと導電性接着剤を用いたＭＣＭの製造方法について図面を参照しながら説明する。図８は従来のＡｕバンプと導電性接着剤を用いたＭＣＭの半導体素子電極とキャリア電極の接続を示す断面図、図９はその平面図である。
【０００３】
図示するように、複数の異なる半導体素子２７，２８，２９を同じキャリア３０に搭載しているが、搭載する半導体素子２７，２８，２９の電極ピッチに因らず同じ量の導電性接着剤３１でＡｕバンプ３２とキャリア電極３３が接続されている。また、半導体素子２７，２８，２９とキャリア３０の隙間及び半導体素子２７，２８，２９の周囲には封止樹脂３４が存在している。この場合、隣接間ショートを防ぐため、搭載されるすべての半導体素子２７，２８，２９の導電性接着剤３１の量が、搭載される半導体素子２７，２８，２９の中で一番電極ピッチの狭い半導体素子によって決まることになる。また、導電性接着剤を用いるフリップチップ工法では、一般的に導電性接着剤の量が少なくなるほどキャリアの反りやうねりを吸収しずらくなるので、搭載歩留まりが低くなる傾向にある。
【０００４】
次に従来のＡｕバンプと導電性接着剤を用いたＭＣＭの製造方法について図面を参照しながら説明する。図１０および図１１は従来のＭＣＭの製造方法を工程別に示した断面図である。
まず図１０に示すように、半導体素子２７の電極上３５にＡｕバンプ３２を形成する（図１０（ａ））。次に平坦かつ平滑な面を有する転写皿３６上に、一定厚さの平滑な面を有する導電性接着剤の膜３７を形成する（図１０（ｂ））。半導体素子２７のＡｕバンプ３２をフェイスダウンで導電性接着剤の膜３７に浸漬させ、導電性接着剤３８をＡｕバンプ３２に転写させる（図１０（ｃ），（ｄ））。次に、Ａｕバンプ３２に導電性接着剤３８を転写させた半導体素子２７を、搭載させるキャリア３０に位置合わせして搭載する（図１０（ｅ））。さらに、図１１に示すように残りの複数の半導体素子２８，２９について図１０（ａ）〜（ｅ）を繰り返し、一つのキャリア３０に対して複数の半導体素子２７，２８，２９を搭載し、オーブン等で導電性接着剤３８を硬化させる（図１１（ｆ））。この時搭載される複数の半導体素子２７，２８，２９すべては、一台の転写部を有する１台の搭載機を用いて実装されるため、転写される導電性接着剤３８の量は全ての半導体素子２７，２８，２９について同じになる。次に、半導体素子２７，２８，２９とキャリア３０との隙間及び半導体素子２７，２８，２９の周辺部に絶縁性樹脂３４を流し込み、熱硬化させる（図１１（ｇ））。
【０００５】
また次に従来の転写を行うための導電性接着剤膜の形成について説明する。図１２は従来の転写ユニットを説明するための簡単な模式図である。（ａ）は平面図で、（ｂ）は（ａ）をＧ−Ｈで切ったときの断面図である。
平坦かつ平滑な面を有する転写皿３９と膜厚を調整するためのブレード４０、一旦膜面の平滑性を破壊する掻き取りブレード４１、及び周囲に追いやられた導電性接着剤を集めるかき寄せブレード４２を有する回転ユニット４３からなり、ブレード４０の高さを制御することにより、必要な厚さの導電性接着剤の膜４４を形成する。この場合、回転毎にブレード４０の高さを変えない限り、異なる厚さの導電性接着剤の膜４４を形成することはできない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来は、搭載する全ての半導体素子に対する導電性接着剤の転写に関して、同じ転写ユニットを用いるものであり、さらに転写ユニットについては高さを固定した１枚のブレードのみで転写膜（導電性接着剤の膜）を形成しているものであるので、搭載するすべての半導体素子に対して同じ膜厚で導電性接着剤の転写を行うことになる。この場合、転写される導電性接着剤の量は搭載する全ての半導体素子について同じになり、その量は最も狭い電極ピッチを有する半導体素子に合わせざるをえない。そして狭ピッチな半導体素子を含む場合には転写させる導電性接着剤を制限する必要があるので、その他のピッチの大きい半導体素子についてもその少ない転写量で生産することになり、前述のように導電性接着剤の量が少なくなるほどキャリアの反りやうねりを吸収しづらくなるので、搭載歩留まりが低下してしまうという課題を有していた。
【０００７】
したがって、この発明の目的は、前記従来の課題を解決するものであって、半導体素子の電極ピッチに対応した導電性接着剤の量を供給し、搭載歩留まりを低下させることなくＭＣＭの実装を行うことができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
従来の課題を解決するためこの発明の請求項１記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子の周辺電極上にバンプを形成する工程と、バンプに導電性接着剤を供給する工程と、バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位置合わせし搭載する工程と、導電性接着剤を硬化する工程と、封止樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの間に形成された隙間とその周辺部に注入する工程と、封止樹脂を硬化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な転写皿に導電性接着剤を積層し、転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置された複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬して前記バンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することを特徴とする。
【００１２】
このように、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な転写皿に導電性接着剤を積層し、転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置された複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬して前記バンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給するので、ブレードの枚数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができることで、同じ転写ユニット内で膜厚を変化させることができる。このため、設備的にもプロセスフロー的にも従来と同じものを利用して、搭載する半導体素子の電極ピッチによって供給する導電性接着剤の量を調整することができ、その結果としてＭＣＭ全体の歩留りを大きく向上させることができる。
【００１４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子の周辺電極上にバンプを形成する工程と、バンプに導電性接着剤を供給する工程と、バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位置合わせし搭載する工程と、導電性接着剤を硬化する工程と、封止樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの間に形成された隙間とその周辺部に注入する工程と、封止樹脂を硬化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な複数の段部を有する転写皿に導電性接着剤を積層し、１枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することを特徴とする。これにより、転写皿の段部の段数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができることで、請求項１と同様の効果が得られる。
【００１５】
請求項３記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子の周辺電極上にバンプを形成する工程と、バンプに導電性接着剤を供給する工程と、バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを位置合わせし搭載する工程と、導電性接着剤を硬化する工程と、封止樹脂を半導体素子と半導体キャリアとの間に形成された隙間とその周辺部に注入する工程と、封止樹脂を硬化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な複数の段部を有する転写皿に導電性接着剤を積層し、複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することを特徴とする。これにより、転写皿の段部の段数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができるとともに、各々のブレードのレベルを変えることによっても異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができることで、請求項１と同様の効果が得られる。
【００１６】
請求項４記載の半導体装置の製造装置は、半導体素子の周辺電極上に形成したバンプに転写ユニットにより導電性接着剤を転写して、バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを接続する半導体装置の製造装置であって、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する転写皿と、この転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置されて導電性接着剤の膜厚を調整する複数枚のブレードとを備えた。このように、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する転写皿と、この転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置されて導電性接着剤の膜厚を調整する複数枚のブレードとを備えているので、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができる。このため、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、搭載する半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することができる。
【００１７】
請求項５記載の半導体装置の製造装置は、半導体素子の周辺電極上に形成したバンプに転写ユニットにより導電性接着剤を転写して、バンプと半導体キャリア上面の対応する電極とを接続する半導体装置の製造装置であって、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する複数の段部を有する転写皿と、導電性接着剤の膜厚を調整する一枚のブレードとを備えた。このように、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する複数の段部を有する転写皿と、導電性接着剤の膜厚を調整する一枚のブレードとを備えているので、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができる。このため、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、搭載する半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態を図１〜図７に基づいて説明する。
図１はこの発明の実施の形態の半導体装置における３素子が搭載されたＭＣＭの構造を示した断面図、図２はその平面図である。同図において、図２をＡ−Ｂで切ったときの接続部（Ａｕバンプ）構成を含む断面図が図１である。
【００１９】
図示するように、キャリア基板（半導体キャリア）４は上面に複数の配線電極６と底面に格子状に配列された外部電極（図示せず）とを有する絶縁性基体からなる。第一の半導体素子１、第二の半導体素子２、及び第三の半導体素子３の３つの半導体素子が１枚のキャリア基板４にフェイスダウンで搭載されており、この時それぞれの半導体素子の周辺電極であるＡｌ電極５とキャリア基板４の配線電極６とはＡｕバンプ７と導電性接着剤８を介して電気的に接続されている。さらに半導体素子１の導電性接着剤の量は、半導体素子３の導電性接着剤の量より少なくなっている。また、全ての半導体素子１，２，３とキャリア基板４の隙間及び半導体素子１，２，３の周辺には封止樹脂９が注入硬化され、半導体素子１，２，３を保護している。
【００２０】
次にこの実施の形態の３個の半導体素子が搭載されたＭＣＭの製造方法について図面を参照しながら説明する。図３と図４はこの実施の形態のＭＣＭの製造方法を示した工程図である。
まず図３（ａ）に示すように、第一の半導体素子１のＡｌ電極５にＡｕバンプ７を形成する。次に、転写皿１０上に導電性接着剤膜１１を形成する（図３（ｂ））。次に第一の半導体素子１をフェイスダウンで、導電性接着剤膜１１にＡｕバンプ７の一部を浸漬させ、Ａｕバンプ７上に第一の半導体素子１の素子電極の最小ピッチの実装に対応した最適な量の導電性接着剤１２を転写させる（図３（ｃ），（ｄ））。次に第一の半導体素子１上の導電性接着剤１２が供給されたＡｕバンプ７と、キャリア基板４上面の対応する配線電極６とを位置合わせし、キャリア基板４上の適正位置に第一の半導体素子１を搭載する（図３（ｅ））。
【００２１】
次に図４（ｆ）に示すように、第二の半導体素子２のＡｌ電極５にＡｕバンプ７を形成する。次に、転写皿１０上に導電性接着剤膜１１よりも厚い導電性接着剤膜１３を形成する（図４（ｇ））。次に第二の半導体素子２をフェイスダウンで、導電性接着剤膜１３にＡｕバンプ７の一部を浸漬させ、Ａｕバンプ７上に第二の半導体素子２の素子電極の最小ピッチの実装に対応した最適な量の導電性接着剤１４を転写させる（図４（ｈ），（ｉ））。
【００２２】
次に図５に示すように、第二の半導体素子２上の導電性接着剤１４が供給されたＡｕバンプ７と、キャリア基板４上面の対応する配線電極６とを位置合わせし、キャリア基板４上の適正位置に、第二の半導体素子２を搭載する（図５（ｊ））。第一の半導体素子１及び第二の半導体素子２の搭載と同様なプロセスで第三の半導体素子３をキャリア基板４に搭載後、熱硬化し、さらに搭載した３個の半導体素子に対し封止樹脂９を注入、硬化させる。このとき、封止樹脂９を半導体素子とキャリア基板４との間に形成された隙間とその周辺部に注入する。以上の工程により３個の半導体素子１，２，３を搭載したＭＣＭ１５が完成する（図５（ｋ））。
【００２３】
次に上記導電性接着剤を転写させる工程において、搭載する半導体素子の電極ピッチによって導電性接着剤の量を異ならせるために、転写皿上に形成する導電性接着剤膜の厚さを変化させる方法について説明する。
図６はこの実施の形態における３種類の膜厚を形成する転写ユニットについて示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）をＣ−Ｄで切ったときの断面図である。転写ユニットは、ドーナツ状で表面が平滑及び平坦な転写皿１６、この転写皿１６上の中央部に設置された回転モータ１７により転写を行うための膜面を形成する第一のブレード１８、第二のブレード１９、第三のブレード２０、導電性接着剤２３を常にかき混ぜて一旦膜面の平滑性を破壊する掻き取りブレード２１及び周囲に追いやられた導電性接着剤２３を集める掻き寄せブレード２２を備えている。第一のブレード１８，第二のブレード１９，第三のブレード２０は、転写皿１６の表面に対し異なる隙間ｈ１  ，ｈ２  ，ｈ３  が形成されるように配置されている。そして、転写皿１６上に導電性接着剤を積層し、第一のブレード１８、第二のブレード１９、第三のブレード２０、掻き取りブレード２１及び掻き寄せブレード２２を回転させ膜厚を形成及び調整する。この場合、ブレードを３枚付けることにより、３種類の異なる厚さの導電性接着剤の膜２３を１枚の転写皿１６上に形成することができる。なお、ブレードの枚数は２枚または３枚以上でもよい。
【００２４】
図７はこの実施の形態における３種類の膜厚を形成する転写ユニットの別の例について示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）をＥ−Ｆで切ったときの断面図である。転写ユニットは、図６と同様に回転モータ１７、掻き取りブレード２１及び掻き寄せブレード２２を備えているが、１枚のブレード２５で構成され、転写皿２４の形状が異なる。転写皿２４は表面が平坦な複数の段部２４ａ，２４ｂ，２４ｃを有する。そして、転写皿２４上に導電性接着剤を積層し、ブレード２５、掻き取りブレード２１及び掻き寄せブレード２２を回転させ膜厚を形成及び調整する。この場合、凹凸を形成した転写皿２４を用いることにより、１枚のブレード２５で異なる厚さの導電性接着剤の膜２３を形成することができる。なお、図６の転写ユニットにおいて図６のように複数枚のブレードを取付けてもよい。
【００２５】
以上、この実施の形態に示したように、搭載する半導体素子１の電極ピッチによって導電性接着剤８の量が異なっているので、粗いピッチの半導体素子に対してはキャリア基板４の反り等吸収させるのに十分な量の導電性接着剤８を確保することができる。また、導電性接着剤８の量が搭載する半導体素子１の素子電極の最小ピッチに対応して供給されているので、半導体素子１の実装において最適な量の導電性接着剤８を確保することができる。また、半導体素子１の電極ピッチが狭いほど導電性接着剤８の量が少なくすることにより、隣接間ショートを防ぐことができる。
【００２６】
また、Ａｕバンプ７に導電性接着剤１２，１４を供給する工程に際し、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜２３を形成し、Ａｕバンプ７の一部を導電性接着剤の膜２３に浸漬してＡｕバンプ７に導電性接着剤１２，１４を転写させることにより、搭載する半導体素子１，２の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤１２，１４を供給するので、同じ転写ユニット内の一枚の転写皿上で膜厚を変化させることができる。このため、Ａｕバンプと導電性接着剤を用いたＭＣＭの製造において、従来の設備、プロセス、及びシステムを用いて歩留まりのより高い生産を行うことができる。
【００２９】
【発明の効果】
この発明の請求項１記載の半導体装置の製造方法によれば、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な転写皿に導電性接着剤を積層し、転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置された複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬して前記バンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給するので、ブレードの枚数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができることで、同じ転写ユニット内で膜厚を変化させることができる。このため、設備的にもプロセスフロー的にも従来と同じものを利用して、搭載する半導体素子の電極ピッチによって供給する導電性接着剤の量を調整することができ、その結果としてＭＣＭ全体の歩留りを大きく向上させることができる。
【００３０】
この発明の請求項２記載の半導体装置の製造方法によれば、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な複数の段部を有する転写皿に導電性接着剤を積層し、１枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給するので、転写皿の段部の段数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができることで、請求項１と同様の効果が得られる。
この発明の請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、バンプに導電性接着剤を供給する工程で、表面が平坦な複数の段部を有する転写皿に導電性接着剤を積層し、複数枚のブレードで膜厚を調整することにより、異なる厚さの導電性接着剤の膜を転写皿上に形成し、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給するので、転写皿の段部の段数に対応した複数の厚さの導電性接着剤の膜を１枚の転写皿上に形成することができるとともに、各々のブレードのレベルを変えることによっても異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができることで、請求項１と同様の効果が得られる。
【００３１】
この発明の請求項４記載の半導体装置の製造装置によれば、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する転写皿と、この転写皿の表面に対し異なる隙間が形成されるように配置されて導電性接着剤の膜厚を調整する複数枚のブレードとを備えているので、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができる。このため、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、搭載する半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することができる。
【００３２】
この発明の請求項５記載の半導体装置の製造装置によれば、転写ユニットが、導電性接着剤を積層する複数の段部を有する転写皿と、導電性接着剤の膜厚を調整する一枚のブレードとを備えているので、複数の異なる厚さの導電性接着剤の膜を形成することができる。このため、バンプの一部を導電性接着剤の膜に浸漬してバンプに導電性接着剤を転写させることにより、搭載する半導体素子の電極ピッチによって異なる量の導電性接着剤を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態の半導体装置の接続構造を示す断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】この発明の実施の形態の半導体装置の製造方法の工程フロー断面図である。
【図４】図３の後の工程フロー断面図である。
【図５】図４の後の工程フロー断面図である。
【図６】（ａ）はこの発明の実施の形態における膜厚調整を行う転写ユニットの平面図、（ｂ）はそのＣ−Ｄ断面図である。
【図７】（ａ）はこの発明の実施の形態における膜厚調整行う転写ユニットの別の例の平面図、（ｂ）はそのＥ−Ｆ断面図である。
【図８】従来のＭＣＭの構造を示す断面図である。
【図９】図８の平面図である。
【図１０】従来のＭＣＭの製造プロセスを示す工程フロー断面図である。
【図１１】図１０の後の工程フロー断面図である。
【図１２】（ａ）は従来のＭＣＭの製造プロセスにおける膜厚調整を行う転写ユニットの平面図、（ｂ）はその断面図である。
【符号の説明】
１  第一の半導体素子
２  第二の半導体素子
３  第三の半導体素子
４  キャリア基板
５  Ａｌ電極
６  キャリア基板の配線電極
７  Ａｕバンプ
８  導電性接着剤
９  封止樹脂
１０  転写皿
１１  導電性接着剤膜
１２  導電性接着剤
１３  導電性接着剤膜
１４  導電性接着剤
１５  ＭＣＭ
１６  転写皿
１７  回転ユニット
１８  第一のブレード
１９  第二のブレード
２０  第三のブレード
２１  掻き取りブレード
２２  掻き寄せブレード
２３  導電性接着剤膜
２４  転写皿
２５  ブレード
２７  半導体素子
２８  半導体素子
２９  半導体素子
３０  キャリア
３１  導電性接着剤
３２  Ａｕバンプ
３３  キャリア電極
３４  封止樹脂
３５  素子電極
３６  転写膜
３７  導電性接着剤膜
３８  導電性接着剤
３９  転写皿
４０  ブレード
４１  掻き取りブレード
４２  掻き寄せブレード
４３  回転ユニット
４４  導電性接着剤膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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