(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、
前記第１の基板に設けられた第１の透明電極と、
前記第２の基板に設けられた第１の配線と、
前記第１の透明電極と前記第１の配線とを接続するための導通材と、
前記第２の基板に実装され、前記液晶を駆動するためのドライバＩＣと、
を備え、
前記ドライバＩＣは、信号を供給するための出力側バンプを含み、
前記出力側バンプは、前記第１の配線に接続され、
前記第１の配線は、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い金属膜とを含み、
前記第１の配線に含まれる前記金属膜は、前記第２の基板上に形成されてなるとともに、前記第１の配線に含まれる前記金属酸化物膜に覆われてなり、
前記第１の配線に含まれる前記金属膜は、前記導通材との接続部分および前記ドライバＩＣの実装領域を避けて形成されてなり、
前記導通材との接続部分および前記ドライバＩＣの実装領域には前記第１の配線に含まれる前記金属酸化物膜が形成されてなり、
前記第１の配線に含まれる前記金属酸化物膜が前記導通材および前記ドライバＩＣの前記出力バンプに接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第２の基板に設けられるとともに、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い金属膜とを含む第２の配線をさらに有し、
前記ドライバＩＣは、信号を入力する入力側バンプを含み、
前記入力側バンプは、前記第２の配線に接続され、
前記第２の配線に含まれる前記金属膜は、前記第２の基板上に形成されてなるとともに、前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜に覆われてなり、
前記第２の配線に含まれる金属膜は、前記ドライバＩＣの実装領域を避けて形成されており、
前記ドライバＩＣの実装領域には前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が形成されてなり、
前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が前記入力側バンプに接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第２の基板の一辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第１の張り出し領域と、
前記第２の基板にあって、前記一辺と交差する辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第２の張り出し領域とを有し、
前記ドライバＩＣは、前記第１の張り出し領域に設けられ、
前記第２の配線は、前記第１の張り出し領域、および、第２の張り出し領域の双方にわたって設けられている
ことを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第２の配線に、前記第２の張り出し領域にて接続される外部回路基板をさらに有し、
前記第２の配線に含まれる金属膜は、前記外部回路基板との接続部分を避けて形成されており、
前記外部回路基板との接続部分には、前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が形成されてなり、
前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が前記外部回路基板に接続されている
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第２の基板に設けられた第２の透明電極と、
前記第２の透明電極に接続される第２のドライバＩＣと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第２の基板に設けられ、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い金属膜とを含み、前記第２のドライバＩＣに接続される第２の配線と、
前記第２の基板の一辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第１の張り出し領域と、
前記第２の基板にあって、前記一辺と交差する辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第２の張り出し領域とを有し、
前記第２のドライバＩＣは、前記第２の配線から信号を入力する入力側バンプを含み、かつ、前記第１の張り出し領域に設けられ、
前記第２の配線は、前記第１の張り出し領域に設けられている
ことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第２の配線に含まれる金属膜は、前記第２のドライバＩＣとの接続部分を避けて形成されてなり、
前記第２のドライバＩＣとの接続部分には、前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が形成されてなり、
前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が前記第２のドライバＩＣと接続されている
ことを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、
前記第１の基板に設けられた第１の透明電極と、
前記第２の基板に設けられた第１の配線と、
前記第１の透明電極と前記第１の配線とを接続するための導通材と、
前記第２の基板に設けられた第２の透明電極と、
前記第２の基板に設けられ、前記第２の透明電極に接続される第２の配線と、
前記第２の基板に実装され、前記液晶を駆動するためのドライバＩＣと、
を備え、
前記ドライバＩＣは、信号を供給する出力側バンプを含み、
前記出力側バンプは、前記第１または第２の配線に接続されており、
前記第１および第２の配線の少なくとも一方は、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い金属膜とを含み、
前記金属膜は、前記第２の基板上に形成されてなるとともに、前記金属酸化物膜に覆われてなり、
前記金属膜は、前記導通材との接続部分および前記ドライバＩＣの実装領域を避けて形成されてなり、
前記導通材との接続部分および前記ドライバＩＣの実装領域には前記金属酸化物膜が形成されてなり、
前記金属酸化物膜が前記導通材および前記ドライバＩＣの前記出力バンプに接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
前記第１および第２の配線にそれぞれ信号を供給する外部回路基板をさらに有する
ことを特徴とする請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線抵抗の低減を図った液晶装置および該液晶装置を表示部に用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように、液晶表示装置は、ＣＲＴ（陰極線管）を用いた表示装置に比べて、重量や消費電力などにおいて優れているので、特に、携帯性が要求される電子機器の表示部として広く用いられている。
ここで、液晶表示装置は、一般には、２枚の基板が電極形成面を互いに対向させて一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、該間隙に液晶が挟持された構成となっているが、駆動方式で大別すると、スイッチング素子で液晶を駆動するアクティブマトリクス型と、スイッチング素子を用いないで液晶を駆動するパッシブマトリクス型との２タイプに大別することができる。さらに、前者のアクティブマトリクス型は、スイッチング素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などの３端子型素子を用いる型と、薄膜ダイオード（ＴＦＤ：Thin Film Diode）などの２端子型素子を用いる型とに分類することができる。
【０００３】
ここで、アクティブマトリクス型のうちスイッチング素子にＴＦＤ素子を用いた型や、単なるパッシブマトリクス型では、一方の基板に走査線（コモン電極）が、他方の基板にデータ線（セグメント電極）が、それぞれ形成される構成となる。したがって、これらの型では、２枚の基板に対してそれぞれ１枚ずつＦＰＣ基板を接合して、走査信号（コモン信号）およびデータ信号（セグメント信号）をそれぞれ供給する必要があるので、接合工程の複雑化や高コスト化等の問題を引き起こす。そこで、これらの型にあっては、他方の基板に形成される配線または電極を、導通材を介し一方の基板に形成された配線に接続する構成として、すなわち、他方の基板に形成される配線または電極のすべてを一方の基板に寄せる構成として、当該一方の基板のみに１枚のＦＰＣ基板を接合する技術が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記技術において、一方の基板に形成される配線は、当該一方の基板において、液晶に電圧を印加するための透明電極と同一の材料が用いられる。ここで、この種の透明電極の材料には、一般には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられるが、この透明導電材料の面積抵抗率は、一般的な金属と比較して高い。このため、このような透明導電材料を、表示領域以外における接続配線として用いると、その抵抗が必然的に高くなり、表示品位に悪影響を及ぼす、といった問題があった。
【０００５】
特に、近年では、液晶パネルとＦＰＣ基板との接続点数を低減させるために、液晶パネルのガラス基板に、走査線（コモン電極）やデータ線（セグメント電極）を駆動するためのドライバＩＣを実装する場合がある。このような場合、当該ドライバＩＣには、各種の制御信号やクロック信号を供給する必要があるが、ＦＰＣ基板から当該ドライバＩＣまでの配線に上記透明導電材料を用いると、配線抵抗が高くなってその時定数が大きくなる結果、波形鈍化や振幅減少等が発生して、動作マージンが狭くなる、といった問題も発生する。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、基板に形成される配線抵抗を低減した液晶装置および該液晶装置を表示部に用いた電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた第１の透明電極と、前記第２の基板に設けられた第１の配線と、前記第１の透明電極と前記第１の配線とを接続するための導通材と、前記第２の基板に実装され、前記液晶を駆動するためのドライバＩＣと、を備え、前記ドライバＩＣは、信号を供給するための出力側バンプを含み、前記出力側バンプは、前記第１の配線に接続され、前記第１の配線は、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い金属膜とを含み、前記第１の配線に含まれる前記金属膜は、前記第２の基板上に形成されてなるとともに、前記第１の配線に含まれる前記金属酸化物膜に覆われてなり、前記第１の配線に含まれる前記金属膜は、前記導通材との接続部分および前記ドライバＩＣの実装領域を避けて形成されてなり、前記導通材との接続部分および前記ドライバＩＣの実装領域には前記第１の配線に含まれる前記金属酸化物膜が形成されてなり、前記第１の配線に含まれる前記金属酸化物膜が前記導通材および前記ドライバＩＣの前記出力バンプに接続されていることを特徴とする。
また、前記第２の基板に設けられるとともに、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い金属膜とを含む第２の配線をさらに有し、前記ドライバＩＣは、信号を入力する入力側バンプを含み、前記入力側バンプは、前記第２の配線に接続され、前記第２の配線に含まれる前記金属膜は、前記第２の基板上に形成されてなるとともに、前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜に覆われてなり、前記第２の配線に含まれる金属膜は、前記ドライバＩＣの実装領域を避けて形成されており、前記ドライバＩＣの実装領域には前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が形成されてなり、前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が前記入力側バンプに接続されていることが好ましい。
また、前記第２の基板の一辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第１の張り出し領域と、前記第２の基板にあって、前記一辺と交差する辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第２の張り出し領域とを有し、前記ドライバＩＣは、前記第１の張り出し領域に設けられ、前記第２の配線は、前記第１の張り出し領域、および、第２の張り出し領域の双方にわたって設けられていることが好ましい。
また、前記第２の配線に、前記第２の張り出し領域にて接続される外部回路基板をさらに有し、前記第２の配線に含まれる金属膜は、前記外部回路基板との接続部分を避けて形成されており、前記外部回路基板との接続部分には、前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が形成されてなり、前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が前記外部回路基板に接続されていることが好ましい。
一方、前記第２の基板に設けられた第２の透明電極と、前記第２の透明電極に接続される第２のドライバＩＣと、を含むことが好ましい。
また、前記第２の基板に設けられ、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い金属膜とを含み、前記第２のドライバＩＣに接続される第２の配線と、前記第２の基板の一辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第１の張り出し領域と、前記第２の基板にあって、前記一辺と交差する辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第２の張り出し領域とを有し、前記第２のドライバＩＣは、前記第２の配線から信号を入力する入力側バンプを含み、かつ、前記第１の張り出し領域に設けられ、前記第２の配線は、前記第１の張り出し領域に設けられていることが好ましい。
また、前記第２の配線に含まれる金属膜は、前記第２のドライバＩＣとの接続部分を避けて形成されてなり、前記第２のドライバＩＣとの接続部分には、前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が形成されてなり、前記第２の配線に含まれる前記金属酸化物膜が前記第２のドライバＩＣと接続されていることが好ましい。
本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた第１の透明電極と、前記第２の基板に設けられた第１の配線と、前記第１の透明電極と前記第１の配線とを接続するための導通材と、前記第２の基板に設けられた第２の透明電極と、前記第２の基板に設けられ、前記第２の透明電極に接続される第２の配線と、前記第２の基板に実装され、前記液晶を駆動するためのドライバＩＣと、を備え、前記ドライバＩＣは、信号を供給する出力側バンプを含み、前記出力側バンプは、前記第１または第２の配線に接続されており、前記第１および第２の配線の少なくとも一方は、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い金属膜とを含み、前記金属膜は、前記第２の基板上に形成されてなるとともに、前記金属酸化物膜に覆われてなり、前記金属膜は、前記導通材との接続部分および前記ドライバＩＣの実装領域を避けて形成されてなり、前記導通材との接続部分および前記ドライバＩＣの実装領域には前記金属酸化物膜が形成されてなり、前記金属酸化物膜が前記導通材および前記ドライバＩＣの前記出力バンプに接続されていることを特徴とする。
また、前記第１および第２の配線にそれぞれ信号を供給する外部回路基板をさらに有することが好ましい。
本発明の電子機器は、上記本発明の液晶装置を備えることを特徴とする。
また、本発明の一つの形態に係る液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた第１の透明電極と、前記第２の基板に設けられた第１の配線と、前記第１の透明電極と前記第１の配線とを接続する導通材とを備え、前記第１の配線は、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い導電膜とを含む構成を特徴としている。この構成によれば、第１の配線は、化学的に安定な金属酸化物膜と、これよりも抵抗値が低いが、化学的に不安定な導電膜との積層膜から構成されるので、いずれかの単独層からなる場合と比較して、配線の低抵抗化及び安定化が図られる。
ここで、導通材は、プラスティック等の非導電性粒子の表面に金（A u）などの金属を被覆したものからなるが、この被覆金属との密着性は、金属酸化物膜の方が一般的に良好である。このため、上記構成において、第１の配線のうち、前記導電膜は、前記導通材との接続部分を避けて形成されていることが好ましい。また、上記構成においては、前記第２の基板に設けられ、前記液晶を駆動するためのドライバＩＣを、さらに有し、前記ドライバＩＣは、信号を供給する出力側バンプを含み、前記出力側バンプは、前記第１の配線に接続されて、前記導電膜は、前記ドライバＩＣとの接続部分を避けて形成されていることも好ましい。このように、第１の配線、導通材および第１の透明電極を介して、液晶を駆動するドライバＩＣを第２の基板に実装すると、外部との接続点数を減らすことも可能となる。また、ドライバＩＣを配線に接合する際、接着材中に導電性粒子を分散させたものが用いられるが、この導電性粒子は、上記導通材と同様に、プラスティック等の非導電性粒子の表面に金（Au）などの金属を被覆したものからなる。このため、ドライバＩＣとの接続部分を避けて導電膜を形成すれば、金属酸化物膜と導通材の被服金属とが接触することとなり、密着性が向上する。
【０００８】
また、上記構成において、前記第２の基板に設けられ、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い導電膜とを含む第２の配線と、前記第２の基板に設けられ、前記液晶を駆動するためのドライバＩＣとをさらに有し、前記ドライバＩＣは、信号を入力する入力側バンプを含み、前記入力側バンプは、前記第２の配線に接続されて、前記第２の配線に含まれる導電膜は、前記ドライバＩＣとの接続部分を避けて形成されていることも好ましい。こうすると、第２の配線は、化学的に安定な金属酸化物膜と、これよりも抵抗値が低いが、化学的に不安定な導電膜との積層膜から構成されるので、いずれかの単独層からなる場合と比較して、配線の低抵抗化が図られる。このため、信号が、低抵抗された第２の配線を介して、液晶を駆動するドライバＩＣに供給されるので、電圧降下等の影響を小さくを抑えることができる。また、ドライバＩＣとの接続部分では、低抵抗の導電膜を避けて金属酸化物膜にすると、導通材の被服金属との密着性を向上させることも可能となる。
【０００９】
ここで、第２に基板に、第２の配線およびＩＣドライバを有する液晶装置では、前記第２の基板の一辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第１の張り出し領域と、前記第２の基板にあって、前記一辺と交差する辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第２の張り出し領域とを有し、前記ドライバＩＣは、前記第１の張り出し領域に設けられ、前記第２の配線は、前記第１の張り出し領域、および、第２の張り出し領域の双方にわたって設けられている態様が好ましい。
さらに、この態様では、前記第２の配線に、前記第２の張り出し領域にて接続される外部回路基板をさらに有し、前記第２の配線に含まれる導電膜は、前記外部回路基板との接続部分を避けて形成されていることが望ましい。こうすると、ＩＣドライバには、外部回路基板から、低抵抗化された第２の配線を介して信号を供給することが可能となる。
【００１０】
また、上記構成において、前記第２の基板に設けられた第２の透明電極と、前記第２の透明電極に接続されるドライバＩＣとを含むことも好ましい。こうすると、第２の透明電極は、ドライバＩＣによって信号が供給されることになる。
ここで、第２に基板に、第２の透明電極およびＩＣドライバを含む液晶装置では、前記第２の基板に設けられ、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い導電膜とを含み、前記ドライバＩＣに接続される第２の配線と、前記第２の基板の一辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第１の張り出し領域と、前記第２の基板にあって、前記一辺と交差する辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第２の張り出し領域とを有し、前記ドライバＩＣは、前記第２の配線から信号を入力する入力側バンプを含み、かつ、前記第１の張り出し領域に設けられ、前記第２の配線は、前記第１の張り出し領域、および、第２の張り出し領域の双方にわたって設けられている態様が好ましい。この態様では、第２の配線は、化学的に安定な金属酸化物膜と、これよりも抵抗値が低いが、化学的に不安定な導電膜との積層膜から構成されるので、いずれかの単独層からなる場合と比較して、配線の低抵抗化及び安定化が図られる。このため、信号が、低抵抗された第２の配線を介してドライバＩＣに供給されるので、電圧降下等の影響を小さくを抑えることができる。
さらに、この態様では、前記第２の配線に含まれる導電膜は、前記ドライバＩＣとの接続部分を避けて形成されていることが望ましい。ドライバＩＣとの接続部分では、低抵抗の導電膜を避けて金属酸化物膜にすると、導通材の被服金属との密着性を向上させることも可能となる。
そして、本発明の一つの形態における電子機器は、上記液晶装置を備えるので、配線抵抗が低減される結果、表示品位に悪影響を及ぼしたり、駆動回路の動作マージンが狭くなったりすることが防止される。
【００１１】
一方、本発明の一つの形態に係る液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた第１の透明電極と、前記第２の基板に設けられた第１の配線と、前記第１の透明電極と前記第１の配線とを接続する導通材と、前記第２の基板に設けられた第２の透明電極と、前記第２の基板に設けられ、前記第２の透明電極に接続される第２の配線とを備え、前記第１または第２の配線の少なくとも一方は、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い導電膜とを含む構成を特徴としている。この構成によれば、第１および第２の配線は、ともに第２の基板に寄せられるので、外部との接続が容易となる。さらに、第１または第２の配線の少なくとも一方は、化学的に安定な金属酸化物膜と、これよりも抵抗値が低いが、化学的に不安定な導電膜との積層膜から構成されるので、いずれかの単独層からなる場合と比較して、配線の低抵抗化及び安定化が図られる。
この構成においては、前記第２の基板に設けられ、前記液晶を駆動するためのドライバＩＣを、さらに有し、前記ドライバＩＣは、信号を供給する出力側バンプを含み、前記出力側バンプは、前記第１または第２の配線に接続されていることが好ましい。このように、第１または第２の配線に接続されるドライバＩＣを第２の基板に実装すると、外部との接続点数を減らすことも可能となる。
また、この構成において、前記第１およびは第２の配線にそれぞれ信号を供給する外部回路基板をさらに有することも好ましい。こうすると、前記第１およびは第２の配線には、外部回路基板から信号がそれぞれ供給されるので、第２の基板にＩＣドライバを実装する必要がなくなる。
【００１２】
また、本発明の一つの形態に係る液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第２の基板の一辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第１の張り出し領域と、前記第２の基板にあって、前記一辺と交差する辺側に設けられ、前記第１の基板とは重なり合わない第２の張り出し領域と、前記第１の張り出し領域、および、第２の張り出し領域の双方にわたって設けられる配線とを備え、前記配線は、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い導電膜とを含む構成を特徴としている。この構成によれば、配線は、化学的に安定な金属酸化物膜と、これよりも抵抗値の低い導電膜との積層膜から構成されるので、第１および第２の張り出し領域の双方にわたって設けられる場合であっても、配線の低抵抗化が図られる。
【００１３】
さらにまた、本発明の一つの形態に係る液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた複数の第１の透明電極と、相隣接する前記第１の透明電極の間に、前記第１の透明電極とは非導通に設けられた導電性の遮光膜と、前記第１の基板に設けられ、前記第１の透明電極に接続される配線とを備え、前記配線は、前記第１の透明電極と実質的に同一の層と、前記遮光膜と実質的に同一の層とを含む構成を特徴としている。この構成では、第１の基板において遮光膜に用いられる層が、積層配線のうち、低抵抗の導電層を兼ねるので、特別な工程を追加することなく、配線の低抵抗化を図ることが可能になる。
【００１４】
一方、本発明の一つの形態に係る液晶装置は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置であって、前記第１の基板に設けられた複数の第１の透明電極と、相隣接する前記第１の透明電極の間に、前記第１の透明電極とは非導通に設けられた導電性の遮光膜と、前記第１の基板に設けられた配線と、前記第２の基板に設けられた第２の透明電極と、前記配線と第２の透明電極とを接続する導通材とを備え、前記配線は、前記第１の透明電極と実質的に同一の層と、前記遮光膜と実質的に同一の層とを含む構成を特徴としている。この構成では、第１の基板において遮光膜に用いられる層が、積層配線のうち、低抵抗の導電層を兼ねるので、特別な工程を追加することなく、配線の低抵抗化を図ることが可能になる。さらに、第２の基板に設けられる第２の透明電極は、第１の基板に設けられる配線に、導通材により接続される。このため、外部とは、第１の基板に対して接続するだけで済む。
【００１５】
また、本発明の一つの形態に係る液晶装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置の製造方法であって、第１の透明電極を、前記第１の基板に設ける工程と、第１前記第２の基板に設けられた第１の配線と、前記第１の透明電極と前記第１の配線とを接続する導通材とを備え、前記第１の配線は、金属酸化物膜と、前記金属酸化物膜よりも抵抗値の低い導電膜とを含むこととしている。この方法によれば、第１の配線は、化学的に安定な金属酸化物膜と、これよりも抵抗値の低い導電膜との積層膜から構成されるので、いずれかの単独層からなる場合と比較して、配線の低抵抗化が図られる。
【００１６】
さらにまた、本発明の一つの形態に係る液晶装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが対向して置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置の製造方法であって、複数の第１の透明電極を、前記第１の基板に設ける工程と、相隣接する前記第１の透明電極の間に、導電性の遮光膜を、前記第１の透明電極とは非導通に設ける工程と、前記第１の透明電極に接続される配線を、前記第１の基板に設ける工程とを備え、前記配線を、前記第１の透明電極と実質的に同一の層と、前記遮光膜と実質的に同一の層とを含んで形成することとしている。この方法では、第１の基板において遮光膜に用いられる層が、積層配線のうち、低抵抗の導電層を兼ねるので、特別な工程を追加することなく、配線の低抵抗化を図ることが可能になる。
【００１７】
一方、本発明の一つの形態に係る液晶装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とが対向して配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間隙に液晶が封入された液晶装置の製造方法であって、複数の第１の透明電極を、前記第１の基板に設ける工程と、相隣接する前記第１の透明電極の間に、導電性の遮光膜を、前記第１の透明電極とは非導通に設ける工程と、前記第１の基板に設けた配線と、前記第２の基板に設けた第２の透明電極とを導通材によって接続する工程とを備え、前記配線を、前記第１の透明電極と実質的に同一の層と、前記遮光膜と実質的に同一の層とを含んで形成することとしている。この方法では、特別な工程を追加することなく、配線の低抵抗化を図ることが可能になり、さらに、外部とは、第１の基板に対して接続するだけで済む。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置について説明する。この液晶表示装置は、外光が十分ある場合には、反射型として機能する一方、外光が不十分である場合には、バックライトを点灯させることで、透過型として機能する、という、半透過半反射型のものである。
【００２０】
＜全体構成＞
ここで、図１は、この液晶表示装置の液晶パネルの構成を示す斜視図である。なお、この図では、液晶パネルの構成を判りやすくするために、観察者に対して背面側を、図において表側にして示している。また、図２は、この液晶パネルをＸ方向に沿って破断した場合の構成について、観察側を上側として示す部分断面図である。このため、図１と図２とは、互いに上下関係が逆となる点に留意されたい。
【００２１】
これらの図に示されるように、液晶パネル１００は、観察側に位置する基板３００と、その背面側に位置して、観察側の基板３００よりも一回り小さい基板２００とが、スペーサを兼ねる導電性粒子１１４の混入されたシール材１１０によって一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶１６０が封入された構成となっている。ここで、シール材１１０は、基板２００の内周縁に沿っていずれか一方の基板に形成されるが、液晶１６０を封入するために、その一部が開口している。このため、液晶の封入後に、その開口部分が封止材１１２によって封止されている。
【００２２】
さて、背面側の基板（第１の基板）２００にあって、観察側の基板３００との対向面には、複数のコモン（走査）電極２１４が、Ｘ（行）方向に延在して形成される一方、観察側の基板３００にあって背面側の基板２００との対向面には、複数のセグメント（データ）電極３１４が、Ｙ（列）方向に延在して形成されている。したがって、本実施形態では、コモン電極２１４とセグメント電極３１４とが互いに交差する領域において、両電極によって液晶１６０に電圧が印加されるので、この交差領域がサブ画素として機能することになる。
【００２３】
また、観察側の基板（第２の基板）３００の対向面にあって背面側の基板２００から張り出した２辺に相当する領域には、コモン電極２１４を駆動するためのドライバ（駆動回路）ＩＣ１２２、および、セグメント電極３１４を駆動するためのドライバＩＣ１２４が、それぞれ後述するようにＣＯＧ（Chip On Glass）技術により実装されている。さらに、この２辺のうち、ドライバＩＣ１２４が実装される領域の外側には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板１５０が接合されている。
【００２４】
ここで、基板２００に形成されたコモン電極２１４は、シール材１１０に混入された導電性粒子１１４を介し、観察側の基板３００に形成された配線（第１の配線）３５０の一端に接続されている。一方、配線３５０の他端は、ドライバＩＣ１２２の出力側バンプに接続されている。すなわち、観察側の基板３００に実装されるドライバＩＣ１２２は、配線３５０、導電性粒子１１４およびコモン電極２１４という経路を介して、背面側の基板２００に形成されたコモン電極２１４にコモン信号を供給する構成となっている。なお、ドライバＩＣ１２２の入力側バンプとＦＰＣ基板１５０との間は、配線（第２の配線）３６０により接続されている。
【００２５】
一方、観察側の基板３００に形成されたセグメント電極３１４は、そのままシール枠の外に引き出されて、ドライバＩＣ１２４の出力側バンプに接続されている。すなわち、基板３００に実装されたドライバＩＣ１２４は、同じく基板３００に形成されたセグメント電極３１４に、セグメント信号を直接供給する構成となっている。
また、ドライバＩＣ１２４の入力側バンプとＦＰＣ基板１５０との間は、配線（第２の配線）３７０により接続されている。すなわち、ＦＰＣ基板１５０は、電源を含む各種の信号を、配線３６０を介してドライバ１２２に、配線３７０を介してドライバ１２４に、それぞれ供給する構成となっている。
【００２６】
なお、液晶パネル１００には、実際には、図２に示されるように基板３００の観察側に偏光板１３１や位相差板１３３が設けられる一方、基板２００の背面側（観察者側とは反対側）に偏光板１２１や位相差板１２３などが設けられるが、図１においては、これらの図示を省略している。また、基板２００の背面側には、外光が少ない場合に透過型として用いるためのバックライトが設けられるが、これについては、図１および図２において図示を省略している。
【００２７】
＜表示領域＞
次に、液晶パネル１００における表示領域の詳細について説明する。まず、観察側の基板３００の詳細について説明する。図２に示されるように、基板３００の外面には、位相差板１３３および偏光板１３１が貼り付けられる。一方、基板３００の内面には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなるセグメント電極３１４がＹ方向（図において紙面垂直方向）に延在して帯状に複数形成されている。
さらに、セグメント電極３１４の表面には、ポリイミド等からなる配向膜３０８が形成されている。なお、この配向膜３０８には、背面側の基板２００と貼り合わせる前に、所定の方向にラビング処理が施される。なお、配向膜３０８は、表示領域外では不要であるから、シール材１１０の領域近傍およびその外側では設けられていない。
【００２８】
続いて、背面側の基板２００について説明する。基板２００の外面には、位相差板１２３および偏光板１２１が貼り付けられる。一方、基板２００の内面には、起伏が形成された散乱樹脂層２０３が形成されている。この散乱樹脂層２０３は、後述するように例えば、基板２００の表面上において点状にパターニングしたフォトレジストを熱処理し、当該フォトレジストの端部を軟化させることによって、形成したものである。
【００２９】
次に、散乱樹脂層２０３の起伏面には、アルミニウムや銀等の反射性金属からなる反射膜２０４が形成されている。したがって、散乱樹脂層２０３の起伏を反映して、反射膜２０４の表面も起伏となるので、観察側から入射した光は、反射膜２０４によって反射する際に、適度に散乱することとなる。
なお、本実施形態では、透過型としても機能するので、反射膜２０４には、バックライトによる光を透過させるための開口部２０９が、サブ画素１個あたり例えば２つ設けられている（図３参照）。なお、このような開口部２０９を設けずに、例えばアルミニウム等の光反射性を有する金属の膜厚を比較的薄く（２０ｎｍ〜５０ｎｍ）して形成することにより、背面側からの入射光の一部を透過させる構成としても良い。
【００３０】
さらに、反射膜２０４の表面には、コモン電極２１４とセグメント電極３１４とが交差する領域に対応して、赤色のカラーフィルタ２０５Ｒ、緑色のカラーフィルタ２０５Ｇ、および、青色のカラーフィルタ２０５Ｂが、それぞれ所定の配列で設けられている。なお、本実施形態では、カラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂが、データ系の表示に好適なストライプ配列（図３参照）となっており、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のサブ画素の３個で略正方形状の１画素を構成しているが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
【００３１】
次に、各色のカラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂの表面には、絶縁材からなる平坦化膜２０７が設けられて、当該カラーフィルタの段差や反射膜２０４等の起伏を平坦化している。そして、平坦化膜２０７により平坦化された面に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなるコモン電極２１４がＸ方向（図２において紙面左右方向）に延在して帯状に複数形成されている。
そして、コモン電極２１４の表面には、ポリイミド等からなる配向膜２０８が形成されている。なお、この配向膜２０８には、観察側の基板３００と貼り合わせる前に、所定の方向にラビング処理が施される。また、各色のカラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂ、平坦化膜２０７および配向膜２０８は、表示領域外では不要であるから、シール材１１０の領域近傍およびその外側では設けられていない。
【００３２】
＜シール材近傍＞
次に、液晶パネル１００のうち、シール材１１０が形成される領域近傍について、図２のほか、図３および図４を参照して説明する。ここで、図３は、当該領域近傍における配線の詳細な構成を、観察側から背面側に透視してみた場合の平面図であり、図４は、そのＡ−Ａ'の断面図である。
まず、図２および図３に示されるように、背面側の基板２００におけるコモン電極２１４は、シール材１１０が形成される領域まで延設される一方、観察側の基板３００にあっては、配線３５０を構成する透明導電膜３５４が、コモン電極２１４に対向するように、シール材１１０が形成される領域まで延設されている。このため、シール材１１０中に、スペーサを兼ねた球状の導電性粒子１１４を適切な割合で分散させると、コモン電極２１４と透明導電膜３５４とが、当該導電性粒子１１４を介して電気的に接続されることになる。
【００３３】
ここで、配線３５０は、上述したように、コモン電極２１４とドライバＩＣ１２２の出力側バンプとの間を観察側基板３００の対向面において電気的に接続するものであり、詳細には、低抵抗導電膜３５２と透明導電膜３５４との積層膜から構成されたものである。このうち、低抵抗導電膜３５２は、透明導電膜３５４よりも低抵抗材料（例えば、クロムなど）からなる導電層からなり、また、透明導電膜３５４は、セグメント電極３１４と同一の導電層からなる。ここで、低抵抗導電膜３５２および透明導電膜３５４の両者は、図４に示されるように互いに略同一形状にパターニングされている。ただし、シール材１１０が形成される領域では、図２または図３に示されるように、低抵抗導電膜３５２は積層されずに、透明導電膜３５４のみが設けられる。すなわち、低抵抗導電膜３５２は、シール材１１０における導電性粒子１１４との接合領域を避けて形成されている。
なお、図２において導電性粒子１１４の径は、説明の便宜上、実際よりもかなり大きくしてあり、このため、シール材１１０の幅方向に１個だけ設けられたように見えるが、実際には、図３に示されるように、シール材１１０の幅方向に多数の導電性粒子１１４が配置する。
【００３４】
＜ドライバＩＣの実装領域、ＦＰＣ基板の接合領域の近傍＞
続いて、観察側の基板３００のうち、ドライバＩＣ１２２、１２４が実装される領域や、ＦＰＣ基板１５０が接合される領域の近傍について説明する。ここで、図５（ａ）は、ドライバ１２２およびＦＰＣ基板１５０が接合される領域の近傍について、配線を中心にして示す断面図であり、また、図５（ｂ）は、ドライバ１２４が接合される領域の近傍について、配線を中心にして示す断面図である。さらに、図６は、このうち、ドライバＩＣ１２２の実装領域における配線の構成を、背面側から観察側に透視してみた場合の平面図、すなわち、ドライバＩＣにおける実装面を俯瞰してみた平面図である。
なお、上述したように、観察側の基板３００には、セグメント電極３１４のほか、配線３５０、３６０および３７０が設けられるが、ここでは、ドライバＩＣ１２２に関連する配線３５０、３６０を例にとって説明する。
【００３５】
まず、ドライバＩＣ１２２によるコモン信号をコモン電極２１４まで供給するための配線３５０は、上述したように、低抵抗導電膜３５２と透明導電膜３５４との積層膜からなるが、図６に示されるように、ドライバＩＣ１２２が実装される領域では、低抵抗導電膜３５２が設けられずに、透明導電膜３５４のみとなっている。換言すれば、低抵抗導電膜３５２は、ドライバＩＣ１２２との接合部分を避けて形成されている。
【００３６】
また、ＦＰＣ基板１５０から供給される各種信号をドライバＩＣ１２２まで供給するための配線３６０は、配線３５０と同様に、低抵抗導電膜３６２と透明導電膜３６４との積層膜からなるものである。このうち、低抵抗導電膜３６２は、配線３５０における低抵抗導電膜３５２と同一の導電層からなり、また、透明導電膜３６４は、セグメント電極３１４や透明導電膜３５４と同一の導電層からなる。ここで、低抵抗導電膜３６２および透明導電膜３６４の両者は、図４の括弧符号で示されるように互いに略同一形状にパターニングされている。ただし、配線３６０のうち、ドライバＩＣ１２２が実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接合される領域では、図５（ａ）および図６に示されるように低抵抗導電膜３６２が設けられずに、透明導電膜３６４のみとなっている。換言すれば、反射性導電膜３６２は、ドライバＩＣ１２２との接合部分およびＦＰＣ基板１５０との接合部分を、それぞれ避けて形成されている。
【００３７】
このような配線３５０、３６０に対して、ドライバＩＣ１２２は、例えば次のようにしてＣＯＧ実装される。まず、直方体形状のドライバＩＣ１２２の一面には、その周縁部分に電極が複数設けられるが、このような各電極には、例えば金（Au）などからなるバンプ１２９ａ、１２９ｂを予め個々に形成しておく。そして、図５に示される上下関係を逆さまとして、第１に、観察側の基板３００にあってドライバＩＣ１２２が実装されるべき領域に、エポキシ等の接着材１３０に導電性粒子１３４を均一に分散させたシート状の異方性導電膜を載置し、第２に、電極形成面を下側にしたドライバＩＣ１２２と基板３００とで異方性導電膜を挟持し、第３に、ドライバＩＣ１２２を、位置決めした後に、当該異方性導電膜を介して基板３００に加圧・加熱する。
【００３８】
これにより、ドライバＩＣ１２２のうち、コモン信号を供給する出力側バンプ１２９ａは、配線３５０を構成する透明導電膜３５４に、また、ＦＰＣ基板１５０からの信号を入力する入力側バンプ１２９ｂは、配線３６０を構成する透明導電膜３６４に、それぞれ、接着材１３０中の導電性粒子１３４を介して電気的に接続されることとなる。この際、接着材１３０は、ドライバＩＣ１２２の電極形成面を、湿気や、汚染、応力などから保護する封止材を兼ねることになる。
【００３９】
なお、ここでは、ドライバＩＣ１２２に関連する配線３５０、３６０を例にとって説明したが、ＦＰＣ基板１５０から供給される各種信号をドライバＩＣ１２４まで供給するための配線３７０についても、図４の括弧符号および図５（ｂ）に示されるように、配線３６０と同様な構成となっている。すなわち、配線３７０は、配線３６０と同様に、低抵抗導電膜３７２と透明導電膜３７４との積層膜からなるものであり、このうち、低抵抗導電膜３７２は、配線３５０、３６０における低抵抗導電膜３５２、３６２と同一の導電層からなり、また、透明導電膜３７４は、セグメント電極３１４や透明導電膜３５４、３６４と同一の導電層からなる。ここで、低抵抗導電膜３７２および透明導電膜３７４の両者は、図４の括弧符号で示されるように互いに略同一形状にパターニングされている。ただし、配線３７０のうち、ドライバＩＣ１２４が実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接合される領域では、図５（ａ）の括弧符号および図５（ｂ）に示されるように低抵抗導電膜３７２が設けられずに、透明導電膜３７４のみとなっている。換言すれば、反射性導電膜３７２は、ドライバＩＣ１２４との接合部分およびＦＰＣ基板１５０との接合部分を、それぞれ避けて形成されている。
【００４０】
そして、このようなセグメント電極３１４、配線３７０に対して、ドライバＩＣ１２４は、ドライバＩＣ１２２と同様に、異方性導電膜を介して接続されることになる。また、配線３６０、３７０に対して、ＦＰＣ基板１５０を接合する場合にも、同様に異方性導電膜が用いられる。これにより、ＦＰＣ基板１５０において、ポリイミドのような基材１５２に形成された配線１５４は、配線３６０を構成する透明導電膜３６４、および、配線３７０を構成する透明導電膜３７４に対し、それぞれ接着材１４０中の導電性粒子１４４を介して電気的に接続されることとなる。
【００４１】
＜製造プロセス＞
次に、上述した液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。まず、観察側の基板３００の製造プロセスについて図７を参照して説明する。なお、ここでは、セグメント電極３１４と配線３５０とを中心にして、シールの枠内（表示領域）およびシール材にわけて説明することとする。また、説明の便宜上、図７は、図２および図５と上下関係が逆向きとなっている。
【００４２】
まず、図７（ａ）に示すように、基板３００の内面全面に、ＩＴＯなどの透明性を有する金属酸化物よりも低抵抗である金属（例えばクロム）をスパッタリングなどにより堆積して、低抵抗金属層３５２'を形成する。続いて、同図（ｂ）に示すように、低抵抗金属層３５２'を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングして、配線３５０を構成する低抵抗導電膜３５２のほか、配線３６０、３７０を構成する低抵抗導電膜３６２、３７２を形成する。
【００４３】
次に、同図（ｃ）に示すように、ＩＴＯ等の透明導電層３１４'を、スパッタリングやイオンプレーティング法などを用いて成膜する。この後、同図（ｄ）に示すように、透明導電層３１４'を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングして、セグメント電極３１４と、配線３５０のうち、透明導電膜３５４とを形成する。この際、配線３６０、３７０を構成する透明導電膜３６２、３７２も同時にパターニングして形成する。
そして、例えばポリイミド溶液を塗布・印刷した後、焼成して、同図（ｄ）に示すように、配向膜３０８を形成する。この後、当該配向膜３０８にラビング処理を施す。
【００４４】
続いて、背面側の基板２００の製造プロセスについて図８および図９を参照して説明する。
まず、図８（ａ）に示すように、基板２００の内面全面に、ネガ型のフォトレジストを塗布・ベークして樹脂層２０３''を形成する。次に、樹脂層２０３''に対し、局所的に多数の光を透過するフォトマスクを用いて露光し、現像する。これにより、同図（ｂ）に示すように、シール枠内において、光が照射された部分（感光部分）が除去されて、多数の突起２０３ａが形成されることになる。
なお、この突起２０３ａは、ポジ型のフォトレジストを用いて、光が照射された部分を硬化させる一方、光が照射されなかった部分を除去することにより形成しても良い。
【００４５】
次に、同図（ｃ）に示すように、突起２０３ａが形成された基板２００を、フォトレジストの熱変形温度以上に加熱処理する。この加熱処理により、突起２０３ａは軟化し、角部分が丸められる。これにより、比較的滑らかな凹凸を有する散乱樹脂層２０３が形成される。なお、散乱樹脂層２０３に求められる散乱特性に応じて、樹脂層２０３''の材料（粘性や膜厚など）、突起２０３ａの形状、ピッチ等が選定される。
【００４６】
さらに、同図（ｄ）に示すように、銀合金やアルミニウムなどの反射層２０４'を、スパッタリングなどにより成膜する。続いて、同図（ｅ）に示すように、反射層２０４'を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングして、反射膜２０４を形成する。このパターニングの際に、開口部２０９も同時に形成する。
【００４７】
続いて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のうち、いずれかに着色された樹脂層を形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングして、１色分のカラーフィルタを形成する。他の２色のカラーフィルタについても同様なパターニングにより形成する。これにより、図９（ｆ）に示すように、開口部２０９が形成された反射膜２０９の上に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色にそれぞれ対応したカラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂが形成される。
次に、同図（ｇ）に示すように、アクリル樹脂等の樹脂材料を塗布または印刷し、そのベークして平坦化膜（オーバコート）２０７を形成する。この平坦化膜２０７については、カラーフィルタ２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂや、反射膜２０４などの各部を覆うように、かつ、シール材１１０が形成される領域にかからないように形成する。
【００４８】
引き続き、平坦化膜２０７が形成された基板２００の内面全面に、ＩＴＯ等の透明導電層を、スパッタリングやイオンプレーティング法などを用いて成膜し、この後、該透明導電層を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングして、コモン電極２１４を形成する（同図（ｈ）参照）。
そして、例えばポリイミド溶液を塗布・印刷した後、焼成して、同図（ｉ）に示すように、配向膜２０８を形成する。この後、当該配向膜２０８にラビング処理を施す。
【００４９】
以降の製造プロセスについては図示を省略するが、配向膜２０８にラビング処理を施した背面側の基板２００と、同様に配向膜３０８にラビング処理を施した観察側の基板３００とを、導電性粒子１１４を適切に分散させたシール材１１０により貼り合わせ、次に、真空に近い状態にして、シール材１１０の開口部分に液晶１６０を滴下する。そして、常圧に戻すことで、シール枠内に液晶１６０を浸透させた後、当該開口部分を封止材１１２で封止する。この後、上述したように、ドライバＩＣ１２２、１２４およびＦＰＣ基板１５０を実装することで、図１に示されるような液晶パネル１００となる。
【００５０】
＜表示動作等＞
次に、このような構成に係る液晶表示装置の表示動作について簡単に説明する。まず、上述したドライバＩＣ１２２は、コモン電極２１４の各々に対し、水平走査期間毎に所定の順番で選択電圧を印加する一方、ドライバＩＣ１２４は、選択電圧が印加されたコモン電極２１４に位置するサブ画素１行分の表示内容に応じたセグメント信号を、対応するセグメント電極３１４を介してそれぞれ供給する。この際、コモン電極２１４およびセグメント電極３１４とで印加される電圧差にしたがって、当該領域における液晶１６０の配向状態がサブ画素毎に制御される。
【００５１】
ここで、図２において、観察側からの外光は、偏光板１３１および位相差板１３３を経ることで、所定の偏光状態となり、さらに、観察側の基板３００→セグメント電極３１４→液晶１６０→コモン電極２１４→カラーフィルタ２０５という経路を介して反射膜２０４に到達し、ここで反射して、今来た経路を逆に辿る。したがって、反射型においては、コモン電極２１４とセグメント電極３１４との間に印加された電圧差により液晶１６０の配向状態が変化することによって、外光のうち、反射膜２０４による反射後、偏光板１３１を通過して最終的に観察者に視認される光の量が、サブ画素毎に制御されることになる。
【００５２】
一方、基板２００の背面側に位置するバックライト（図示省略）を点灯させた場合、当該光は、偏光板１２１および位相差板１２３を経ることで、所定の偏光状態となり、さらに、背面側基板２００→開口部２０９→カラーフィルタ２０５→コモン電極２１４→液晶１６０→セグメント電極３１４→観察側基板３００→偏光板１３１という経路を介して観察側に出射する。したがって、透過型においても、コモン電極２１４とセグメント電極３１４との間に印加された電圧差により液晶１６０の配向状態が変化することによって、開口部２０９を透過した光のうち、偏光板１３１を通過して最終的に観察者に視認される光の量が、サブ画素毎に制御されることになる。
【００５３】
このように、本実施形態による液晶表示装置によれば、外光が十分であれば反射型となり、外光が弱ければ、バックライトを点灯させることで主として透過型となるので、いずれの型の表示も可能となる。
一方、配線３５０、３６０、３７０は、それぞれ透明導電膜３５４、３６４、３７４と、それよりも低抵抗の導電層からなる低抵抗導電膜３５２、３６２、３７２とそれぞれ積層された構成となっているので、透明導電膜の単一層または低抵抗導電膜の単一層からなる場合と比較して、低抵抗化が図られている。特に、ＦＰＣ基板１５０からドライバＩＣ１２２の入力側バンプに至るまでの配線３６０には、コモン信号を供給するドライバＩＣ１２２の電源ラインが含まれるので、比較的高い電圧が印加され、しかも、その配線距離は、配線３７０と比較して長い。このため、配線３６０が高抵抗であると、電圧降下による影響を無視することができなくなる。これに対して、本実施形態における配線３６０では、積層により低抵抗化が図られているので、電圧降下の影響が少なくなる。
【００５４】
また、本実施形態において、背面側の基板２００に設けられるコモン電極２１４は、導電性粒子１１４および配線３５０を介して、観察側の基板３００に実装されたドライバＩＣ１２２の出力側に接続されている。このため、本実施形態では、パッシブマトリクス型であるにもかかわらず、ＦＰＣ基板１５０との接合が片面の１箇所で済んでいる。このため、実装工程の簡易化が図られることになる。
【００５５】
一方、配線３５０のうち、シール材１１０に含まれることになる領域、および、ドライバＩＣ１２２が実装される領域では、低抵抗導電膜３５２が設けられずに、透明導電膜３５４のみとなっている。また、配線３６０のうち、ドライバＩＣ１２２が実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接合される領域では、低抵抗導電膜３６２が設けられずに、透明導電膜３６４のみとなっており、同様に、配線３７０のうち、ドライバＩＣ１２４が実装される領域、および、ＦＰＣ基板１５０が接合される領域では、低抵抗導電膜３７２が設けられずに、透明導電膜３７４のみとなっている。
【００５６】
これは、シール材１１０に混入される導電性粒子１１４や、接着材１３０、１４０に分散される導電性粒子１３４、１４４は、プラスティック等の非導電性粒子の表面に、金（Au）などの金属を被覆したものであるが、この被覆金属との密着性は、低抵抗導電膜よりも透明導電膜の方が、また、下層に低抵抗導電膜が存在しない方が、良好だからである。すなわち、配線の低抵抗化を優先させるならば、透明導電膜と低抵抗導電膜とを積層する構成が望ましいが、このような構成では、基板同士の貼合工程や、ドライバＩＣの実装工程、ＦＰＣ基板の接合工程において接続不良が発生する可能性が高まる。そこで、本実施形態では、導電性粒子が接続する部分には、低抵抗導電膜を設けずに、透明導電膜のみとしているのである。
【００５７】
また、構成の簡略化の観点から言えば、反射膜そのものを電極として用いる構成も考えられるが、そのような構成は、本実施形態では次のような理由により採用していない。すなわち、観察側の基板に形成される電極には、透明性が要求されるので、ＩＴＯなどのような透明導電材料が用いられるが、一方の電極に反射膜を兼ねる反射性金属を用いる構成にすると、異種金属で液晶を挟持することによって、極性の偏りが発生するからである。このため、本実施形態では、反射層をコモン電極として用いずに、セグメント電極３１４と同じＩＴＯ等の透明性導電材料をパターニングして、コモン電極２１４として用いているのである。
【００５８】
＜応用＞
上述した第１実施形態では、コモン電極２１４をドライバＩＣ１２２により、また、セグメント電極３１４をドライバＩＣ１２４により、それぞれ駆動する構成としたが、本発明は、これに限られず、例えば、図１０に示されるように、両者を１チップ化したタイプにも適用可能である。
この図に示される液晶表示装置では、背面側の基板２００に、コモン電極２１４がＸ方向に複数本延在して形成される点において第１実施形態と共通であるが、上半分のコモン電極２１４が一方側から、下半分のコモン電極２１４が他方側から、それぞれ引き出されてドライバＩＣ１２６に接続されている点において第１実施形態と相違している。ここで、ドライバＩＣ１２６は、第１実施形態におけるドライバＩＣ１２２、１２４を１チップ化したものであり、このため、セグメント電極３１４も接続されている。そして、ＦＰＣ基板１５０は、外部回路（図示省略）からドライバＩＣ１２６を制御するための信号等を、配線３６０（３７０）を介して供給することになる。なお、図１０に示される液晶表示装置において、コモン電極２１４の本数が少ないのであれば、当該コモン電極２１４を片側一方からのみ引き出す構成としても良い。
【００５９】
また、図１１に示されるように、ドライバＩＣを液晶パネル１００に実装しないタイプにも適用可能である。すなわち、この図に示される液晶表示装置では、ドライバＩＣ１２６がフリップチップ等の技術によりＦＰＣ基板１５０に実装されている。なお、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いて、ドライバＩＣ１２６をそのインナーリードでボンディングする一方、液晶パネル１００とはそのアウターリードで接合する構成としても良い。ただし、このような構成では、画素数が多くなるにつれて、ＦＰＣ基板１５０との接続点数が増加することになる。
【００６０】
くわえて、第１実施形態にあっては、スイッチング素子を用いないで液晶を駆動するパッシブマトリクス型としたが、サブ画素（または画素）毎にＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子を設けて、これらにより駆動する構成としても良い。例えば、ＴＦＤ素子を用いる場合、観察側の基板３００の表示領域は、図１３に示されるような構成となる。すなわち、セグメント電極３１４の代わりに、矩形状の画素電極３３４がマトリクス状に複数配列するとともに、１列分の画素電極３３４の各々が、１本のデータ線３１４ｂにそれぞれＴＦＤ素子３２０を介して接続された構成となる。ここで、ＴＦＤ素子３２０は、基板３００の側からみて、第１の金属膜３２２／この第１の金属膜３２２を陽極酸化してなる絶縁膜３２４／第２の金属膜３２６とから形成されて、金属／絶縁体／金属のサンドイッチ構造となるので、その電流−電圧特性は、正負双方向にわたって非線形となる。また、この際、背面側の基板２００に形成されるコモン電極２１４の各々は、マトリクス状に配列する画素電極３３４の各行において対向する構成となる。このような構成においては、第２金属３２６を、実施形態における低抵抗導電膜３５２、３６２、３７２と同一層で形成することができるので、その分、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００６１】
さらに、第２実施形態では、半透過半反射型の液晶表示装置としたが、開口部２０９を設けずに、単なる反射型としても良い。反射型とする場合には、バックライトに代えて、必要に応じて観察側から光を照射するフロントライトを設けても良い。
また、実施形態では、コモン電極２１４と配線３５０との導通を、シール材１１０に混入された導電性粒子１１４により図る構成としたが、シール材１１０の枠外に別途設けられた領域において導通を図る構成としても良い。
一方、コモン電極２１４およびセグメント電極３１４は、互いに相対的な関係にあるため、観察側の基板３００にコモン電極を形成する一方、背面側の基板２００にセグメント電極を形成した構成としても良い。この構成では、背面側の基板２００に形成されたセグメント電極が、観察側の基板３００に形成された配線３５０と、シール材１１０内の導電性粒子１１４を介して接続されることになる。
【００６２】
＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態では、ドライバＩＣ１２２、１２４を、観察側の基板３００に実装する構成としたために、配線３５０、３６０、３７０についても、観察側の基板３００に設けられていたが、本発明は、これに限られず、ドライバＩＣや配線を背面側に設ける場合にも適用可能である。
そこで次に、ドライバＩＣや配線を背面側の基板に設けた第２実施形態について説明することにする。
【００６３】
図１４は、第２実施形態に係る液晶パネルの全体構成を示す斜視図である。この図に示されるように、第２実施形態に係る液晶パネル１００は、第１実施形態（図１参照）とは外観的には全く同一であるが、観察側・背面側が全く正反対となる。すなわち、第２実施形態に係る液晶パネル１００では、背面側が基板（第１の基板）３００となり、観察側が基板（第２の基板）の２００となる。
【００６４】
詳細には、この液晶パネルをＸ方向に沿って破断した場合の部分断面図を示す図１５、および、この液晶パネルをＹ方向に沿って破断した部分断面図を示す図１６に示されるように、観察側の基板２００にあって背面側の基板３００との対向面には、複数のコモン電極２１４が、Ｘ（行）方向に延在して形成される一方、背面側の基板３００にあって観察側基板２００との対向面には、複数のセグメント電極３１４が、Ｙ（列）方向に延在して形成されている。
また、背面側の基板３００にあって観察側の基板２００から張り出した２辺には、コモン電極２１４を駆動するためのドライバＩＣ１２２、および、セグメント電極３１４を駆動するためのドライバＩＣチップ１２４が、それぞれ第１実施形態と同様にＣＯＧ技術により実装され、さらに、この２辺のうち、ドライバＩＣチップ１２４が実装される領域の外側には、ＦＰＣ基板１５０が接合されている。
【００６５】
ここで、第２実施形態において、観察側の基板２００に形成されたコモン電極２１４は、シール材１１０に混入された導電性粒子１１４を介して、背面側の基板３００に形成された配線３５０の一端に接続されている。一方、配線３５０の他端は、ドライバＩＣ１２２の出力側バンプに接続されている。なお、ＦＰＣ基板１５０（の接合部分）からドライバＩＣチップ１２２の入力側バンプまでは、基板３００に形成された配線３６０により引き回されている。
一方、背面側の基板３００に形成されたセグメント電極３１４は、そのままドライバＩＣ１２４の出力側バンプに接続されている。ここで、セグメント電極３１４のうち、シール材１１０の枠外からドライバＩＣ１２４の出力側バンプの直前までに至る部分の下層には、低抵抗導電膜３１２が形成されて、配線３１０となっている（図１４、図１６参照）。なお、ＦＰＣ基板１５０（の接合部分）からドライバＩＣチップ１２４の入力側バンプまでは、基板３００に形成された配線３７０により引き回されている。
【００６６】
＜表示領域＞
次に、第２実施形態に係る液晶パネル１００における表示領域の詳細について説明する。まず、観察側の基板２００の詳細について説明する。
図１５または図１６に示されるように、基板２００の外面には、位相差板１３３および偏光板１３１が貼り付けられる。一方、基板２００の内面には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなるコモン電極２１４がＸ方向（図１５においては紙面左右方向、図１６においては紙面垂直方向）に延在して帯状に複数形成されている。さらに、コモン電極２１４や基板２００の表面には、ポリイミド等からなる配向膜２０８が形成されている。なお、配向膜２０８は、表示領域外では不要であるから、シール材１１０の領域近傍およびその外側では設けられていない。
【００６７】
続いて、背面側の基板３００について説明する。基板３００の外面には、位相差板１２３および偏光板１２１が貼り付けられる。一方、基板３００の内面には、起伏を有する散乱樹脂層３０３が形成されている。この散乱樹脂層３０３は、第１実施形態における散乱樹脂層２０３と同様なものであり、さらに、その起伏面には、反射膜３０４が形成されている。
したがって、散乱樹脂層３０３の起伏を反映して、反射膜３０４の表面も起伏を有することになるので、観察側から入射した光は、反射膜３０４によって反射する際に、適度に散乱することとなる。
また、この反射膜３０４は、アルミニウムや銀等の反射性金属膜を、平面的に見てセグメント電極３１４と重なるように略同一幅にパターニングされている。このため、相隣接するセグメント電極３１４同士は、反射膜３０４を介して容量結合しにくい構成となっている。
さらに、本実施形態に係る液晶表示装置は、透過型としても機能するため、反射膜３０４には、そのパターニングの際に、バックライトによる光を透過させるための開口部３０９が、サブ画素１個あたり２つ形成されている（図１７参照）。
【００６８】
続いて、反射膜３０４の表面には、コモン電極２１４とセグメント電極３１４とが交差する領域に対応して、赤色のカラーフィルタ３０５Ｒ、緑色のカラーフィルタ３０５Ｇ、および、青色のカラーフィルタ３０５Ｂが、ストライプ配列で形成されて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のサブ画素の３個で略正方形状の１画素を構成している。なお、本発明をこれに限定する趣旨ではない点は、第１実施形態と同様である。
一方、これらのカラーフィルタ３０５Ｒ、３０５Ｇ、３０５Ｂにおける境界、および、表示領域を区画する外周縁には、クロム等の遮光性金属層をパターニングした遮光膜３０２が設けられて、サブ画素間の混色を防止するほか、表示領域を規定する額縁としても機能している。
【００６９】
次に、各色のカラーフィルタ３０５Ｒ、３０５Ｇ、３０５Ｂや遮光膜３０２の表面には、絶縁材からなる平坦化膜３０７が設けられて、当該カラーフィルタや遮光膜等の起伏を平坦化している。そして、平坦化膜３０７により平坦化された面に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなるセグメント電極３１４がＹ方向（図１５においては紙面垂直方向、図１６においては紙面左右方向）に延在して帯状に複数形成されている。そして、セグメント電極３１４や平坦化膜３０７の表面には、ポリイミド等からなる配向膜３０８が形成されている。なお、配向膜３０８や、その下層の平坦化膜３０７等は、表示領域外では不要であるから、シール材１１０の領域近傍およびその外側では設けられていない。
【００７０】
＜シール材近傍、ドライバＩＣの実装領域、ＦＰＣ基板の接合領域の近傍＞
上述したように、第２実施形態に係る液晶パネル１００にあっては、第１実施形態とは異なり、基板２００が観察側に位置し、基板３００が背面側に位置する。
このため、第２実施形態に係る液晶パネル１００のうち、シール材１１０が形成される領域近傍を、観察側から透視した平面構成については、図１７に示されるように、コモン電極２１４およびセグメント電極３１４の上下関係が第１実施形態（図３参照）と比較して、逆転した関係となる。なお、図１７におけるＡ−Ａ'線の断面図は、観察側・背面側が互いに反対となる（ｚ方向が逆となる）ので、図４の括弧書で示される座標軸の通りとなる。
また、観察側を上向きとして見た場合には、ドライバ１２２、１２４における実装面の向きも、第１実施形態（図５参照）と比較して、反対になる。このため、ドライバＩＣ１２２の実装領域における配線の構成を、観察側から背面側に透視してみた場合の平面図、すなわち、ドライバＩＣにおける実装面を俯瞰してみた平面図は、図６の括弧書で示される座標軸の通りであり、これは、観察側・背面側が互い反対となる（ｚ方向が逆となる）ことを示している。
【００７１】
したがって、第２実施形態における配線３５０、３６０、３７０についての構成は、第１実施形態と全く同一であるが、背面側に設けられるので、観察側を上向きとすると、第１実施形態とは上下関係が逆向きに見えることになる。
すなわち、配線３５０、３６０、３７０は、それぞれ、第１実施形態と同様に、低抵抗導電膜３５２、３６２、３７２と、セグメント電極３１４と同一層からなる透明導電膜３５４、３６４、３７４とを積層したものである。ただし、第２実施形態において、低抵抗導電膜３５２、３６２、３７２は、上述した遮光膜３０２と同一層から構成される。すなわち、本実施形態では、クロム等の遮光性金属層をパターニングして、遮光膜３０２と、低抵抗導電膜３５２、３６２、３７２とを形成することになる。そこで次に、このような基板３００の製造プロセスについて、背面側の基板３００を中心に説明することにする。
【００７２】
＜製造プロセス＞
説明の便宜上、セグメント電極３１４と配線３５０とを中心にして、シールの枠内（表示領域）、シール材、および、シール枠外にわけて説明することとする。
まず、図１９（ａ）に示すように、基板３００の内面全面に、ネガ型のフォトレジストを塗布・ベークして樹脂層３０３''を形成する。次に、樹脂層３０３''に対し、局所的に多数の光を透過するフォトマスクを用いて露光し、現像する。これにより、同図（ｂ）に示すように、シール枠内において、光が照射された部分（感光部分）が除去されて、多数の突起３０３ａが形成されることになる。なお、この突起３０３ａは、ポジ型のフォトレジストを用いて、光が照射された部分を硬化させる一方、光が照射されなかった部分を除去することにより形成しても良い。
【００７３】
次に、同図（ｃ）に示すように、突起３０３ａが形成された基板３００を、フォトレジストの熱変形温度以上に加熱処理する。この加熱処理により、突起３０３ａは軟化し、角部分が丸められる。これにより、比較的滑らかな凹凸を有する散乱樹脂層３０３が形成される。なお、散乱樹脂層３０３に求められる散乱特性に応じて、樹脂層３０３''の材料（粘性や膜厚など）、突起３０３ａの形状、ピッチ等が選定される。
【００７４】
さらに、同図（ｄ）に示すように、銀合金やアルミニウムなどの反射層３０４'を、スパッタリングなどにより成膜する。続いて、同図（ｅ）に示すように、反射層３０４'を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングして、反射膜３０４を形成する。このパターニングの際に、開口部３０９も同時に形成する。
【００７５】
続いて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のうち、いずれかに着色された樹脂層を形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングして、１色分のカラーフィルタを形成する。他の２色のカラーフィルタについても同様なパターニングにより形成する。これにより、図２０（ｆ）に示すように、開口部３０９が形成された反射膜３０９の上に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色にそれぞれ対応したカラーフィルタ３０５Ｒ、３０５Ｇ、３０５Ｂが形成されることになる。
【００７６】
次に、同図（ｇ）に示すように、基板３００の内面全面に、ＩＴＯなどの透明性を有する金属酸化物よりも低抵抗である金属（例えばクロム）をスパッタリングなどにより堆積して、低抵抗金属層３０２'を成膜する。続いて、同図（ｈ）に示すように、低抵抗金属層３０２'を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングして、シール枠内の表示領域にあっては、遮光膜３０２を形成し、また、シール枠外にあっては、配線３５０を構成する低抵抗導電膜３５２のほか、配線３１０、３６０、３７０を構成する低抵抗導電膜３１２、３６２、３７２を形成する。
【００７７】
次に、同図（ｉ）に示すように、アクリル樹脂等の樹脂材料を塗布または印刷し、そのベークして平坦化膜（オーバコート）３０７を形成する。この平坦化膜３０７については、カラーフィルタ３０５Ｒ、３０５Ｇ、３０５Ｂや、反射膜３０４などの各部を覆うように、かつ、シール材１１０が形成される領域にかからないように形成する。
【００７８】
引き続き、図２１（ｊ）に示すように、平坦化膜３０７が形成された基板３００の内面全面に、ＩＴＯ等の透明導電層３１４'を、スパッタリングやイオンプレーティング法などを用いて成膜する。そして、同図（ｋ）に示すように、該透明導電層３１４'を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングして、セグメント電極３１４や、配線３５０を構成する透明導電膜３５４のほか、配線３６０、３７０を構成する透明導電膜３６４、３７４を形成する。
そして、例えばポリイミド溶液を塗布・印刷した後、焼成して、同図（ｌ）に示すように、配向膜３０８を形成する。この後、当該配向膜３０８にラビング処理を施す。
【００７９】
一方、観察側における基板２００の製造プロセスについては、図示を省略するが、簡単に説明すると、次の通りとなる。すなわち、第１に、基板２００の内面前面にＩＴＯなどの透明導電層を成膜し、第２に、この透明導電層をパターニングして、コモン電極２１４を形成し、第３に、ポリイミド溶液を塗布・印刷した後、焼成して、配向膜２０８を形成して、当該配向膜２０８にラビング処理を施す、というものである。
【００８０】
以降については、配向膜３０８にラビング処理を施した背面側の基板３００と、同様に配向膜２０８にラビング処理を施した観察側の基板２００とを、導電性粒子１１４を適切に分散させたシール材１１０により貼り合わせ、次に、真空に近い状態にして、シール材１１０の開口部分に液晶１６０を滴下する。そして、常圧に戻すことで、シール枠内に液晶１６０を浸透させた後、当該開口部分を封止材１１２で封止する。この後、上述したように、ドライバＩＣ１２２、１２４およびＦＰＣ基板１５０を実装することで、図１４に示されるような液晶パネル１００となる。
【００８１】
なお、第２実施形態における表示動作については、基本的に第１実施形態と同様である。すなわち、反射型において観察側からの外光は、偏光板１３１および位相差板１３３を経ることで、所定の偏光状態となり、さらに、観察側の基板２００→コモン電極２１４→液晶１６０→セグメント電極３１４→平坦化膜３０７→カラーフィルタ３０５という経路を介して反射膜３０４に到達し、ここで反射して、今来た経路を逆に辿る。
一方、透過型においてバックライト（図示省略）の照射光は、偏光板１２１および位相差板１２３を経ることで、所定の偏光状態となり、さらに、背面側の基板３００→開口部３０９→カラーフィルタ３０５→平坦化膜３０７→セグメント電極３１４→液晶１６０→コモン電極２１４→観察側の基板２００→偏光板１３１という経路を介して観察側に出射する。
このため、第２実施形態では、第１実施形態と同様に、反射型においても、透過型においても、偏光板１３１を通過して最終的に観察者に視認される光の量が、コモン電極２１４とセグメント電極３１４との間において印加される電圧差にしたがって、サブ画素毎に制御されることになる。
【００８２】
このような第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、外光が十分であれば反射型となり、外光が弱ければ、バックライトを点灯させることで主として透過型となるので、いずれにおいても表示が可能となる。
ここで、第２実施形態では、表示領域外における配線３５０、３６０、３７０は、それぞれ透明導電膜３５４、３６４、３７４と、遮光膜３０２と同一層の遮光性金属層からなる低抵抗導電膜３５２、３６２、３７２との積層膜から構成されているので、いずれかの単独膜から構成されている場合と比較して、低抵抗化が図られている。さらに、セグメント電極３１４は、シール枠外において低抵抗導電膜３１２と積層されているので、低抵抗化が図られている。
しかも、これらの低抵抗導電膜３１２、３５２、３６２、３７２は、サブ画素同士の混色防止や額縁を規定する遮光膜３０２と同一の遮光性金属層をパターニングしたものであるので、製造プロセスを特別に追加することを要しない。このため、第２実施形態では、製造工程が複雑化することがないので、容易かつ低コストで液晶表示装置を製造することが可能となる。
【００８３】
また、第２実施形態では、反射膜３０９の外形を、セグメント電極３１４と略同一形状となるように、帯状にパターニングしてあるので、相隣接するセグメント電極３１４同士が、反射膜３０４を介して容量結合しにくい構成となっている。
さらにまた、第２実施形態では、背面側の基板３００に形成されたセグメント電極３１４のうち、シール材１１０の枠外からドライバＩＣ１２４の出力側バンプの直前までに至る部分の下層には、低抵抗導電膜３１２が形成されて、（距離的には短いが）積層された配線３１０となっているので、その分、低抵抗化が図られている。
【００８４】
＜応用＞
上述した第２実施形態では、第１実施形態と同様な応用が可能である。例えば、図２２に示されるように、ドライバＩＣ１２２、１２４を１チップ化したドライバＩＣ１２６によって、コモン電極２１４およびセグメント電極３１４をそれぞれ駆動する構成としても良い。
また、ドライバＩＣを、液晶パネル１００に実装しないで、フリップチップ技術やＴＡＢ技術などによりＦＰＣ基板１５０に実装しても良い。なお、図２３は、１チップ化したドライバＩＣ１２６をＦＰＣ基板１５０に実装した例を示す斜視図である。
【００８５】
さらに、第２実施形態では、半透過半反射型の液晶表示装置としたが、開口部３０９を設けずに、単なる反射型としても良い。反射型とする場合には、バックライトに代えて、必要に応じて観察側から光を照射するフロントライトを設けても良い。
また、実施形態では、コモン電極２１４と配線３５０との導通を、シール材１１０に混入された導電性粒子１１４により図る構成としたが、シール材１１０の枠外に別途設けられた領域において導通を図る構成としても良い。
一方、コモン電極２１４およびセグメント電極３１４は、互いに相対的な関係にあるため、観察側の基板２００にセグメント電極を形成する一方、背面側の基板３００にコモン電極を形成した構成としても良い。この構成では、観察側の基板２００に形成されたセグメント電極が、背面側の基板３００に形成された配線３５０と、シール材１１０内の導電性粒子１１４を介して接続されることになる。
くわえて、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、サブ画素（または画素）毎にＴＦＤ素子を設けて、これらにより駆動する構成としても良い。
【００８６】
＜その他＞
なお、第１実施形態や第２実施形態では、液晶としてＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nematic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さらには、分子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型などの液晶を用いても良い。
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このように、本発明では、液晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。
【００８７】
＜電子機器＞
次に、上述した液晶表示装置を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。
【００８８】
＜その１：モバイル型コンピュータ＞
まず、この実施形態に係る液晶表示装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図２４は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、液晶表示ユニット１１０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１１０６は、先に述べた液晶パネル１００の背面にバックライト（図示省略）を付加することにより構成されている。これにより、外光があれば反射型として、外光が不十分であればバックライトを点灯させることで透過型として、表示が視認できるようになっている。
【００８９】
＜その２：携帯電話＞
次に、液晶表示装置を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図２５は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した液晶パネル１００を備えるものである。なお、この液晶パネル１００の背面にも、視認性を高めるためのバックライト（図示省略）が必要に応じて設けられる。
【００９０】
＜その３：ディジタルスチルカメラ＞
さらに、液晶表示装置をファインダに用いたディジタルスチルカメラについて説明する。図２６は、このディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図であるが、外部機器との接続についても簡易的に示すものである。
通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。ここで、ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース１３０２の背面には、上述した液晶パネル１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。このため、液晶パネル１００は、被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケース１３０２の前面側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けられている。
【００９１】
ここで、撮影者が液晶パネル１００に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、また、後者のデータ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作によって、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成となっている。
【００９２】
なお、電子機器としては、図２４のパーソナルコンピュータや、図２５の携帯電話、図２６のディジタルスチルカメラの他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
【００９３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、基板に形成される配線抵抗が、透明電極と同一層からなる透明導電膜と、それよりも低抵抗材料からなる低抵抗導電膜との積層膜から構成されるので、いずれかの単独層からなる場合と比較して、配線の低抵抗化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置を構成する液晶パネルの全体構成を示す斜視図である。
【図２】  同液晶パネルをＸ方向に破断した場合の構成を示す部分断面図である。
【図３】  同液晶パネルにおける画素の構成およびシール材近傍の構成を示す平面図である。
【図４】  図３におけるＡ−Ａ'線の断面図である。
【図５】  （ａ）、（ｂ）は、それぞれ同液晶パネルにおけるドライバＩＣの実装領域近傍を示す部分断面図である。
【図６】  同液晶パネルの背面側の基板においてドライバＩＣの実装領域近傍を示す部分平面図である。
【図７】  同液晶パネルにおける観察側基板の製造プロセスを示す図である。
【図８】  同液晶パネルにおける背面側基板の製造プロセスを示す図である。
【図９】  同液晶パネルにおける背面側基板の製造プロセスを示す図である。
【図１０】  同液晶パネルの変形例を示す斜視図である。
【図１１】  同液晶パネルの別の変形例を示す斜視図である。
【図１２】  同液晶パネルの応用例における観察側基板を部分拡大して示す斜視図である。
【図１３】  本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置を構成する液晶パネルの全体構成を示す斜視図である。
【図１４】  同液晶パネルをＸ方向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面図である。
【図１５】  同液晶パネルをＹ方向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面図である。
【図１６】  同液晶パネルにおける画素の構成およびシール材近傍の構成を示す平面図である。
【図１７】  同液晶パネルにおいて、ドライバＩＣの実装領域近傍を示す部分断面図である。
【図１８】  同液晶パネルにおける背面側基板の製造プロセスを示す図である。
【図１９】  同液晶パネルにおける背面側基板の製造プロセスを示す図である。
【図２０】  同液晶パネルにおける背面側基板の製造プロセスを示す図である。
【図２１】  同液晶パネルの変形例を示す斜視図である。
【図２２】  同液晶パネルの別の変形例を示す斜視図である。
【図２３】  実施形態に係る液晶パネルを適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図２４】  実施形態に係る液晶パネルを適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図２５】  実施形態に係る液晶パネルを適用した電子機器の一例たるディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１００・・・液晶パネル
１１０・・・シール材
１１２・・・封止材
１１４・・・導電性粒子（導通材）
１２２、１２４、１２６・・・ドライバＩＣ
１２９ａ、１２９ｂ・・・バンプ
１３０、１４０・・・接着材
１３４、１４４・・・導電性粒子
１５０・・・ＦＰＣ基板
１６０・・・液晶
２００・・・基板（第１の基板）
２０３、３０３・・・散乱樹脂層
２０４、３０４・・・反射膜
２０５Ｒ、２０５Ｇ、２０５Ｂ、３０５Ｒ、３０５Ｇ、３０５Ｂ・・・カラーフィルタ
２０８、３０８・・・配向膜
２０９、３０９・・・開口部
２１４・・・コモン電極
３００・・・基板（第２の基板）
３１４・・・セグメント電極
３５０、３６０、３７０・・・配線
３５２、３６２、３７２・・・低抵抗導電膜
３５４、３６４、３７４・・・透明導電膜
１１００・・・パーソナルコンピュータ
１２００・・・携帯電話
１３００・・・ディジタルスチルカメラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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