(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水蒸気との反応で希土類水酸化物となり得るＲ化合物を１０ｐｐｍ以下、希土類水酸化物を１ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ含有するＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末と樹脂からなる耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石。
【請求項２】
水蒸気との反応で希土類水酸化物となり得るＲ化合物を１０ｐｐｍ以下、希土類水酸化物を１ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ含有するＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末と樹脂からなる耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石表面に有機系樹脂被覆層を形成してなる耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石。
【請求項３】
有機系樹脂被覆層は２ｗｔ％〜７０ｗｔ％のフッ素樹脂と０．５ｗｔ％〜５０ｗｔ％の顔料又は０．２ｗｔ％〜１０ｗｔ％金属錯塩染料の１種又は２種（但し、金属錯塩染料含有の場合は顔料の含有量は０．２ｗｔ％〜５０ｗｔ％）と、残部がアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びポリエステル樹脂の１種又は２種以上からなる請求項２に記載の耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石。
【請求項４】
有機系樹脂被覆層の厚みは１μｍ〜５０μｍである請求項２に記載の耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石。
【請求項５】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石用原料粉末を水蒸気圧雰囲気中にて処理し、水蒸気との反応で希土類水酸化物となり得るＲ化合物を１０ｐｐｍ以下、希土類水酸化物を１ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ含有するＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末を得る工程、当該ボンド磁石成形用粉末をボンド磁石化する工程を含む、耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の製造方法。
【請求項６】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石用原料粉末を水蒸気圧雰囲気中にて処理し、水蒸気との反応で希土類水酸化物となり得るＲ化合物を１０ｐｐｍ以下、希土類水酸化物を１ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ含有するＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末を得る工程、当該ボンド磁石成形用粉末をボンド磁石化する工程、得られたＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石表面に有機系樹脂被覆層を形成する工程を含む耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の製造方法。
【請求項７】
水蒸気圧雰囲気中での処理条件は、水蒸気圧が１５ｍｍＨｇ（１９９５Ｐａ）〜３５０ｍｍＨｇ（４６５５０Ｐａ）、処理温度が−１０℃〜２００℃である請求項５又は請求項６に記載の耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の製造方法。
【請求項８】
水蒸気圧雰囲気中での処理条件は、水蒸気圧が５０ｍｍＨｇ（６６５０Ｐａ）〜２００ｍｍＨｇ（２６６００Ｐａ）、処理温度が３０℃〜８０℃である請求項７に記載の耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の製造方法。
【請求項９】
有機系樹脂被覆層は２ｗｔ％〜７０ｗｔ％のフッ素樹脂と、０．５ｗｔ％〜５０ｗｔ％の顔料又は０．２ｗｔ％〜１０ｗｔ％の金属錯塩染料の１種又は２種（但し、金属錯塩染料含有の場合は顔料の含有量は０．２ｗｔ％〜５０ｗｔ％）と、残部がアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びポリエステル樹脂の１種又は２種以上からなる請求項６に記載の耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の製造方法。
【請求項１０】
有機系樹脂被覆層の厚みは１μｍ〜５０μｍである請求項６に記載の耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の製造方法。
【請求項１１】
超急冷法又は水素化処理法（ＨＤＤＲ法）にて得られた磁石用原料粉末を用いる請求項５又は請求項６に記載の耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の製造方法。
【請求項１２】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末中に水蒸気と反応してＲ（ＯＨ）3となるＲ化合物を１０ｐｐｍ以下、希土類水酸化物を１ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ含有するＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末。
【請求項１３】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石用原料粉末を水蒸気圧雰囲気中にて処理して、水蒸気と反応してＲ（ＯＨ）3となるＲ化合物を１０ｐｐｍ以下、希土類水酸化物を１ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ含有する粉末を得るＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末の製造方法。
【請求項１４】
水蒸気圧が１５ｍｍＨｇ（１９９５Ｐａ）〜３５０ｍｍＨｇ（４６５５０Ｐａ）、処理温度が−１０℃〜２００℃である請求項１３に記載のＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末の製造方法。
【請求項１５】
水蒸気圧が５０ｍｍＨｇ（６６５０Ｐａ）〜２００ｍｍＨｇ（２６６００Ｐａ）、処理温度が３０℃〜８０℃である請求項１４に記載のＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末の製造方法。
【請求項１６】
超急冷法又は水素化処理法（ＨＤＤＲ法）にて得られた磁石用原料粉末を用いる請求項１３に記載Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石が使用中に発生する白粉発生に伴う割れ、欠け、膨れ等の不良発生及び錆びによる不良発生を防止した耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石に関する。さらに詳述すると、この発明は、水蒸気圧雰囲気中にて処理する工程で磁石成形用粉末にＲ酸化物、Ｒ窒化物、Ｒ炭化物、Ｒ水素化物など水蒸気と反応してＲ（ＯＨ）3となるＲ化合物を１０ｐｐｍ以下、Ｒ（ＯＨ）3を１ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ含有させ、あるいはさらに成形後、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石表面に有機系樹脂を被覆することにより、割れ、欠けの原因となるＲ水酸化物などによる白粉及び錆の発生を防止した耐食性Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石とその磁石成形用粉末並びにそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
資源的に豊富で安価なＲ（希土類元素Ｎｄ，Ｐｒ等）やＦｅを主成分として用いることにより、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石は、従来の高性能のＳｍ−Ｃｏ系磁石に比べて、高性能で且つ安価に製造できるもので、今日、焼結磁石やボンド磁石として種々の形態のものが製造され、広い範囲の用途で使用されている。
【０００３】
一般に、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石は、同系ボンド磁石成形用粉末に結合剤の樹脂を配合混合後、成形して製造される。このＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末は、鋳塊粉砕法、Ｃａ還元拡散法、安価な超急冷法、あるいは再結晶微細組織が得られ、磁気的に異方性化できる水素化処理法（ＨＤＤＲ法）により製造されている。
【０００４】
前記Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石は、大気中での長期間使用中に前記磁石表面及び内部で白粉発生現象が生じ、白粉の体積膨張により、磁石の割れ、欠け、膨れ等の不良品が発生する場合があることが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この白粉発生現象は、ボンド磁石の主要用途であるモーターなど厳密な寸法精度が要求される用途や、ハードディスクドライブ等の清浄性を要求される用途において、致命的欠陥を与えることになる。
【０００６】
この発明は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石において、前記の白粉発生を防止して、これに伴う割れ、欠け、膨れ等の不良発生を防止した、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石成形用粉末及びＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石とその製造方法の提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、ボンド磁石に発生する白粉発生に伴う体積膨張現象の原因について種々検討した結果、ボンド磁石用原料粉末は溶製あるいは熱処理中に原料合金内にスラグの混入、あるいは表面反応物などにより、１〜２００ｐｐｍ程度のＲ酸化物、炭化物、窒化物、水素化物等（Ｒ化合物）を生じ、前記の種々Ｒ化合物は大気中の水蒸気と反応することにより、Ｒ水酸化物に変化することに着目した。
【０００８】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石用原料粉末において、超急冷法による超急冷粉は、合金溶湯を急冷ロールにより超急冷にてアモルファス化した後、結晶化熱処理して得られるものである。また、水素化処理粉は、鋳塊粉砕法又はＣａ還元拡散法などにより得られた原料粉末を水素吸蔵処理、脱水素処理を行って、磁気的に異方性を有する再結晶微細組織を得ている。
【０００９】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石用原料粉末に、特に、上記の超急冷粉あるいは水素化処理粉（ＨＤＤＲ粉末）を用いる場合、これら原料粉末は前述の製造工程中の熱処理により、含有のＲ酸化物、炭化物等がたとえ大気中で安定なＲ水酸化物となっても、Ｒ水酸化物は前記熱処理で再び大気中で不安定なＲ酸化物に変化してしまう。
【００１０】
発明者らは、前記超急冷粉又は水素化処理粉を用いて製造されたボンド磁石は、長期間使用中、ボンド磁石に含有のＲ酸化物、炭化物等は大気中の水蒸気と反応してＲ水酸化物に変化し、ボンド磁石表面あるいは内部に白粉発生が起こり、その体積膨張によりボンド磁石の割れ、欠け、膨れ等の原因になることを知見した。
【００１１】
そこで発明者らは、Ｒ化合物のうち、常温大気中ではＲ水酸化物が一番安定であることに着目し、ボンド磁石成形用粉末中に存在するＲ酸化物、炭化物、窒化物、水素化物等のＲ化合物を成型直前に予めＲ水酸化物に変化させて安定させ、前記Ｒ化合物の残量を１０ｐｐｍ以下とすることにより、使用中のＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石の割れ、欠け、膨れ等の原因となる、白粉発生に伴う体積膨張を防止できることを知見した。さらにこの防止方法は塗装なしでも白粉発生に伴う体積膨張を防止できることを知見した。
【００１２】
また、発明者らは、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石特有の問題である錆についても検討した。ボンド磁石の磁気特性を左右するＲ2Ｆｅ14Ｂ相が酸化されることにより、錆が発生するが、従来のＲ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石に発生する錆を防止するために磁石表面への有機系樹脂塗装が有効である。しかし、使用条件によっては、前記塗装方法では、塗装によって得られる有機系樹脂被覆層に生じる不可避なピンホールが発生し、錆の発生を防止できない問題があることを知見した。
【００１３】
そこで発明者らは、さらに優れた錆止めと白粉発生に伴う体積膨張の防止について検討を加えた結果、
１）Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石用原料粉末中に含まれる不可避的なＲ酸化物、Ｒ窒化物、Ｒ炭化物、Ｒ水素化物などの白粉を生成する希土類化合物を、特定条件の水蒸気雰囲気中で処理して、Ｒ水酸化物に変化させた後、前記成形用粉末に結合剤の樹脂を混合、成形して、所要形状、寸法のボンド磁石を得た後、
２）前記ボンド磁石表面に特定量のフッ素樹脂及び顔料あるいは有機錯塩染料の１種又は２種を含む有機系樹脂を塗布することにより、
３）前記樹脂被覆層に発生の不可避的なピンホールからの水分等進入をフッ素樹脂の含有にて付与した撥水性によって防止し、
４）また水分以外の酸化性ガスの有機系樹脂被膜を透過することを、顔料にて遮蔽すること、もしくは有機錯塩染料の防錆効果により、白粉及び錆発生を同時に防止できることを知見し、この発明を完成した。
【００１４】
【発明の実施の形態】
この発明は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石用原料粉末を水蒸気圧雰囲気中にて処理して、前記原料粉末中に含有のＲ酸化物、炭化物、窒化物、水素化物等のＲ化合物を大気中で安定なＲ水酸化物（Ｒ（ＯＨ）3）に変化させ、これを含有する粉末を得ることを特徴とする。
【００１５】
この発明は、いずれの製法によるＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石用原料粉末をも対象とし、特に白粉発生が起こりやすい、超急冷法により得られたアモルファス状態の原料粉末を結晶化熱処理して得られた磁石用原料粉末、あるいは鋳塊粉砕法等により得られた粉末を再結晶微細組織にするためのＨ2吸蔵処理、脱Ｈ2処理の水素化処理により得られた磁石用原料粉末を対象とする。
【００１６】
詳述すると、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石用原料粉末には、所要のＲ−Ｆｅ−Ｂ系合金を溶解し鋳造後に粉砕する溶解粉砕法、Ｃａ還元にて直接粉末を得る直接還元拡散法、所要のＲ−Ｆｅ−Ｂ系合金を溶解ジェットキャスターでリボン箔を得てこれを粉砕、焼鈍する急冷合金法、所要のＲ−Ｆｅ−Ｂ系合金を溶解し、これをガスアトマイズで粉末化して熱処理するガスアトマイズ法、所要原料金属を粉末化したのち、メカニカルアロイングにて微粉末化して熱処理するメカニカルアロイ法による粉末が採用できる。
【００１７】
さらに、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石用原料粉末には、所要の合金溶湯を急冷ロールにて超急冷してアモルファス化した後、結晶化熱処理して得られる超急冷粉、及び所要組成の合金鋳塊を粗粉砕して得られた粗粉砕粉を０．１ａｔｍ以上１０ａｔｍ以下（常温換算、以降０．１ａｔｍ〜１０ａｔｍで表示する。〜で示す他の単位の範囲も同様）のＨ2ガス又はそれに等しいＨ2分圧を有する不活性ガス（Ｎ2ガスを除く）中で、例えば、５００℃〜９００℃に３０分〜８時間加熱保持後、さらにＨ2分圧１×１０-2Ｔｏｒｒ以下にて５００℃〜９００℃に３０分〜８時間保持の脱Ｈ2処理を行って平均結晶粒径が０．０５μｍ〜１μｍの再結晶微細集合組織からなる水素化処理粉がある。
【００１８】
この発明において、水蒸気圧雰囲気中での加熱処理は、好ましくは水蒸気圧が１５ｍｍＨｇ（１９９５Ｐａ）〜３５０ｍｍＨｇ（４６５５０Ｐａ）である。水蒸気圧が１５ｍｍＨｇ（１９９５Ｐａ）未満ではＲ（ＯＨ）3への反応が不十分となり、又時間が長時間となり、製造コスト高になり好ましくない。又、３５０ｍｍＨｇ（４６５５０Ｐａ）を超えると磁石原料粉末の磁気特性が大きく低下するため好ましくない。さらに好ましい水蒸気圧は、５０ｍｍＨｇ（６６５０Ｐａ）〜２００ｍｍＨｇ（２６６００Ｐａ）である。
【００１９】
この発明において、処理温度は、−１０℃〜２００℃の範囲が好ましい、−１０℃未満では反応に長時間を要して、製造コスト高になり、又、２００℃を超えると磁石原料粉末の磁気特性が大きく低下するため好ましくない。好ましい加熱処理温度は、０℃〜１００℃であり、より好ましくは３０℃〜８０℃の温度である。
【００２０】
この発明において、加熱処理時間は、３時間から２６０時間が好ましく、例えば加熱温度が４０℃の場合は２５〜４０時間の加熱、また８０℃の加熱温度の場合は５〜１０時間の加熱が好ましい。
【００２１】
この発明において、加熱処理する雰囲気は水蒸気を含んだ大気、Ａｒ、Ｎ2等が選択できる。又、加熱時の圧力は大気圧が設備を安価にできるため好ましいが、加圧、減圧中で行ってもよい。また、水蒸気によってＲ（ＯＨ）3へ反応させているが、同等の反応が起こる気体種であれば特に限定しない。
【００２２】
この発明の磁石成形用粉末に、水蒸気と反応してＲ（ＯＨ）3となるＲ化合物が１０ｐｐｍを超えて含有されると水蒸気と反応して白粉を発生するので好ましくなく、前記Ｒ化合物量を１０ｐｐｍ以下とする。
【００２３】
この発明による磁石成形用粉末は、Ｒ（ＯＨ）3を含有することを特徴とするが、含有量は１ｐｐｍ〜２００ｐｐｍが好ましく、１ｐｐｍ未満の磁石原料粉末は実際上、得ることは不可能であり、２００ｐｐｍを超えると磁石として有効な体積が減少しすぎるため磁気特性が低下する理由にて好ましくない。
【００２４】
この発明において、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石は、等方性、異方性ボンド磁石のいずれも対象とし、例えば圧縮成形の場合は、所要組成、性状の磁性粉末に熱硬化性樹脂、カップリング剤、潤滑剤や滑剤等を添加混練した後、圧縮成形し加熱して樹脂を硬化して得られ、射出成形、押し出し成形、圧延成形の場合は、磁性粉末に熱可塑性樹脂、カップリング剤、潤滑剤や滑剤等を添加混練したのち、射出成形、押し出し成形、圧延成形のいずれかの方法にて成形して得られる。
【００２５】
またこの発明において、バインダー樹脂には、射出成形では、６Ｐａ、１２Ｐａ、ＰＰＳ、ＰＢＴ、ＥＶＡ等、又押出成形、カレンダーロール、圧延成形ではＰＶＣ、ＮＢＲ、ＣＰＥ、ＮＲ、ハイパロン等、又圧縮成形には、エポキシ樹脂、ＤＡＰ、フェノール樹脂等が利用でき、必要に応じて、公知の金属バインダーを用いることができる。さらに、助材には成形を容易にする滑剤や樹脂と無機フィラーの結合剤、シラン系、チタン系等のカップリング剤などを用いることができる。
【００２６】
この発明において、ボンド磁石表面に錆発生防止のために被覆する有機系樹脂中に含まれるフッ素樹脂は、被覆層に撥水性を付与するための成分である。フッ素樹脂の含有量は、２ｗｔ％未満では被覆層に十分なる撥水性が得られず、また７０ｗｔ％を超えると被覆層と磁石との十分な密着性が得られないため、フッ素樹脂の含有量は２ｗｔ％〜７０ｗｔ％とする。好ましくは２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲である。
【００２７】
フッ素樹脂としては、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン−バーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン−バーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（ＥＰＥ）、四フッ化エチレン−エチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）、三フッ化塩化エチレン共重合樹脂（ＰＣＴＦＥ）、三フッ化塩化エチレン−エチレン共重合樹脂（ＥＣＴＦＥ）、フッ化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＦ）、フッ化ビニル樹脂（ＰＶＥ）から選ばれた１種である。このうち四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）が好ましく、さらに低分子量（分子量５０万以下）のものが密着性の点から好ましい。
【００２８】
有機系樹脂被覆層に含有の顔料は、被覆層中の酸素等の酸化性ガスの透過経路を分散させて、前記ガスの透過し難い被覆層構造にするために含有させるのであり、顔料としては二酸化チタン、酸化コバルト、酸化鉄、カーボンブラック等が用いられる。
【００２９】
顔料の含有量は、０．５ｗｔ％未満では前記ガス透過経路の分散効果が不十分であり、５０ｗｔ％を超えると有機系樹脂被覆層中に含まれるアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、又はポリエステル樹脂等有機系樹脂の密着性向上成分が少なくなり、十分な密着性が得られなくなり、好ましくないため０．５ｗｔ％〜５０ｗｔ％に限定する。
【００３０】
有機系樹脂被覆層中に染料は、防錆効果があるため含有するもので、前記染料としてはクロム錯塩染料が好ましい。前記染料の含有量は、０．２ｗｔ％未満では防錆効果が著しく小さく、また１０ｗｔ％を超えるとその効果は飽和して好ましくないため、０．２ｗｔ％〜１０ｗｔ％に限定する。
【００３１】
前記染料と複合して顔料を含有する場合、顔料の含有量は、０．２ｗｔ％〜５０ｗｔ％が好ましく、０．２ｗｔ％未満では酸化性ガス透過経過の分散効果が不十分であり、又５０ｗｔ％を超えると有機系樹脂被覆層中に含まれるエポキシ樹脂等有機系樹脂の密着性向上成分が少なくなり、十分な密着性が得られない。
【００３２】
この発明において、有機系樹脂被覆層に含まれるフッ素樹脂、顔料以外にアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂から選ばれた１種又は２種以上を含有する。これは、フッ素樹脂単独では金属や他樹脂との密着性が劣るため、密着性を向上、改善するために被覆の焼付温度を４００℃の高温を必要とし、被覆する磁石中の磁石粉末及び結合樹脂を酸化や分解を招来して悪影響を及ぼすことを防止するためである。
【００３３】
すなわち、この発明では、被覆する磁石中の磁石粉末と結合樹脂、及びヨーク等の磁気回路構成部材と前記被覆磁石を接着する接着剤との密着性の良いアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂から選ばれた１種又は２種以上を選択して、被覆層の構成樹脂とすることにより、被覆層と磁石及び被覆層を有する磁石を接着する磁気回路構成部材との密着性を改善向上できる。
【００３４】
ボンド磁石表面の有機系樹脂被覆層の厚みは、１μｍ未満では有機系樹脂被覆層が均一にならないため、十分な撥水性や酸化性ガスの透過分散経路を遮断できず、又５０μｍを超えると効果の向上は得られず、又コスト高になるので好ましくないため、１μｍ〜５０μｍに限定する。さらに好ましい被覆層厚は５〜３０μｍである。
【００３５】
この発明において、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系磁石原料粉末の組成は特に限定しないが、以下の組成が磁石組成の点で好ましい。希土類元素Ｒは、組成の１０原子％〜３０原子％を占めるが、Ｎｄ，Ｐｒ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｂのうち少なくとも１種、あるいはさらに、Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｔｎ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙのうち少なくとも１種を含むものが好ましい。また、通常Ｒのうち１種をもって足りるが、実用上は２種以上の混合物（ミッシュメタル、シジム等）を入手上の便宜等の理由により用いることができる。なお、このＲは純希土類元素でなくてもよく、工業上入手可能な範囲で製造上不可避な不純物を含有するものでも差し支えない。
【００３６】
Ｒは、上記系磁石粉未における必須元素であって、１０原子％未満ではα−鉄が多く析出し、高磁気特性、特に高保磁力が得られず、３０原子％を超えとＲリッチな非磁性相が多くなり、残留磁束密度（Ｂｒ）が低下してすぐれた性の永久磁石が得られない。よって、Ｒは、１０原子％〜３０原子％の範囲がましい。
【００３７】
Ｂは、上記系磁石粉末における必須元素であって、２原子％未満ではＮｄ2Ｆｅ14Ｂ正方晶以外の異構造が主相となり、高い保磁力（ｉＨｃ）は得られず、２８原子％を超えるとＢリッチな非磁性相が多くなり、残留磁束密度（Ｂｒ）が低下するため、すぐれた永久磁石が得られない。よって、Ｂは２原子％〜２８原子％の範囲が望ましい。
【００３８】
Ｆｅは、上記系磁石粉末において必須元素であり、６５原子％未満では残留磁束密度（Ｂｒ）が低下し、８０原子％を超えると高い保磁力が得られないので、Ｆｅは６５原子％〜８０原子％の含有が望ましい。
【００３９】
また、Ｆｅの一部をＣｏで置換することは、得られる磁石の磁気特性を損なうことなく、温度特性を改善することができるが、Ｃｏ置換量がＦｅの５０％を超えると、逆に磁気特性が劣化するため、好ましくない。Ｃｏの置換量がＦｅの５原子％〜３０原子％の場合は、（Ｂｒ）は置換しない場合に比較して増加するため、高磁束密度を得るために好ましい。
【００３９】
また、Ｒ，Ｂ，Ｆｅのほか、工業的生産上不可避的不純物の存在を許容でき、例えば、Ｂの一部を４．０ｗｔ％以下のＣ、２．０ｗｔ％以下のＰ、２．０ｗｔ％以下のＳのうち少なくとも１種、合計量で２．０ｗｔ％以下で置換することにより、永久磁石の製造性改善、低価格化が可能である。
【００４０】
さらに、Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｂｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｃｕのうち少なくとも１種は、磁石粉末に対してその保磁力、減磁曲線の角型性を改善あるいは製造性の改善、低価格化に効果があるため添加することができる。なお、添加量の上限は、ボンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘや（Ｂｒ）値を所要値とするに必要な該条件を満たす範囲が望ましい。
【００４１】
【実施例】
実施例１
鋳塊粉砕法により得られた、Ｒ１２．８ａｔ％−Ｂ６．３ａｔ％−Ｃｏ１４．８ａｔ％−Ｇａ０．２５ａｔ％−Ｚｒ０．０９ａｔ％−残部Ｆｅからなる組成の平均粒径１５０μｍの粗粉砕粉を用いた。粗粉砕粉を１ａｔｍ（常温換算）のＨ2ガス中で８２０℃に１．５時間保持のＨ2吸蔵処理後、さらに４０Ｔｏｒｒ  Ａｒ減圧気流にて８５０℃に０．５時間保持の脱Ｈ2処理を行って、平均結晶粒径が０．４μｍの再結晶微細集合組織からなる水素化処理粉を得た。得られた水素化処理粉中に含まれるＲ2Ｏ3量は２００ｐｐｍ、Ｒ（ＯＨ）3量は０．９ｐｐｍであった。
【００４２】
上記の水素化処理粉を磁石用原料粉末として、水蒸気圧１８０ｍｍＨｇ（２３９４０Ｐａ）の雰囲気中で温度７０℃、１５時間保持の加熱処理を行って成形用粉末を得た。得られた成形用粉末中に含まれるＲ2Ｏ3量は７ｐｐｍ、Ｒ（ＯＨ）3量は１８０ｐｐｍであった。
【００４３】
得られた成形用粉末に３．５ｗｔ％のエポキシ樹脂を混合配合後、成形圧６Ｔ／ｃｍ2、１２ｋＯｅ（９５５．２ｋＡ／ｍ）の磁界中にて、寸法１０ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍに成形後、硬化温度１５０℃に６０分加熱してボンド磁石５０個を作製した。
【００４４】
得られたボンド磁石を、１２５℃、相対湿度８５％、０．２ＭＰａの雰囲気で１２時間放置する加速試験を行った。尚、本試験条件では赤錆は発生せず、白粉のみ試験できる。その時の外観状況、不良率を測定した結果を表１に表す。
【００４５】
実施例２
実施例１と同一組成、同一条件にて作製した成形用粉末を用いて、実施例１と同一条件にてボンド磁石５０個を作製した。  得られたボンド磁石表面に、フッ素樹脂としてＰＴＦＥを３０ｗｔ％、顔料としてカーボンブラックを２ｗｔ％、残部エポキシ樹脂からなる有機系樹脂を有機溶媒に溶解分散させた後、スプレー法にて塗布後に乾燥し、１５０℃に３０分間硬化処理して、層厚２５μｍの有機被覆層を有するボンド磁石を得た。
【００４６】
得られたボンド磁石を、８０℃、相対湿度９０％に１０００時間放置した。尚、本試験条件は赤錆、白粉の両方の試験ができる条件である。その磁気特性、外観状況、不良率を測定した結果を表２に表す。
【００４７】
実施例３
実施例１と同一組成で、同一条件にて作製した成形用粉末を用いて、実施例１と同一条件にてボンド磁石５０個を作製した。得られたボンド磁石表面に、フッ素樹脂としてＰＴＦＥを６ｗｔ％、有機錯塩染料としてクロム錯塩染料として３ｗｔ％、残部エポキシ樹脂４８ｗｔ％、アクリル樹脂４３ｗｔ％からなる有機系樹脂をスプレー法にて塗布後、実施例２と同一条件にて硬化処理して層厚２５μｍの有機被覆層を有するボンド磁石を得た。
【００４８】
得られたボンド磁石を、８０℃、相対湿度９０％に１０００時間、放置した後、その磁気特性、外観状況、不良率を測定した結果を表２に表す。
【００４９】
実施例４
実施例１と同一組成で、同一条件にて作製した成形用粉末を用いて、実施例１と同一条件にてボンド磁石５０個を作製した。得られたボンド磁石表面に、フッ素樹脂としてＰＴＦＥを２５ｗｔ％、顔料としてカーボンブラックを１ｗｔ％、有機錯塩染料としてクロム錯塩染料として３ｗｔ％、残部エポキシ樹脂４８ｗｔ％、ポリエステル樹脂２３ｗｔ％からなる有機系樹脂をスプレー法にて塗布後、実施例２と同一条件にて硬化処理して層厚２０μｍの有機被覆層を有するボンド磁石を得た。
【００５０】
得られたボンド磁石を、８０℃、相対湿度９０％に１０００時間、放置した後、その磁気特性、外観状況、不良率を測定した結果を表２に表す。
【００５１】
比較例１
実施例１と同一工程で得られた水素化処理粉を用いて、水蒸気雰囲気中で加熱処理することなく、直接、実施例１と同一条件にてボンド磁石を作成した。得られたボンド磁石中に含まれるＲ化合物を測定した結果、Ｒ2Ｏ3量は１９０ｐｐｍ、Ｒ（ＯＨ）3量は０．３ｐｐｍであった。
【００５２】
得られたボンド磁石を１２５℃、相対湿度８５％、０．２ＭＰａの雰囲気で１２時間放置する加速試験を行った。その時の外観状況、不良率を測定した結果を表１に表す。
【００５３】
比較例２
実施例１と同一工程で得られた水素化処理粉を用いて、実施例１と同一条件で水蒸気加熱処理及びボンド磁石の成形を行った。得られたボンド磁石にポリエステル樹脂のみをスプレー法にて塗装後、実施例２と同一条件にて焼付けを行った。得られたボンド磁石を８０℃、相対湿度９０％に１０００時間放置した後、その磁気特性、外観状況、不良率を測定した結果を表２に表す。
【００５４】
比較例３
比較例１と同一工程で得られたボンド磁石に実施例２と同一工程、同一条件にて有機系樹脂塗装及び硬化処理して、層厚３０μｍの有機被覆層を有するボンド磁石を得た。得られたボンド磁石を８０℃、相対湿度９０％に１０００時間放置した後、その磁気特性、外観状況、不良率を測定した結果を表２に表す。
【００５５】
【表１】
0003645524.tif 000002
【００５６】
【表２】
0003645524.tif 000003
【００５７】
【発明の効果】
従来、超急冷粉又は水素化処理粉を原料粉末として製造されたＲ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド磁石は、長期間の使用中、ボンド磁石に含有のＲ酸化物などは大気中の水蒸気と反応してＲ水酸化物に変化してボンド磁石表面あるいは内部に白粉発生が起こり、その体積膨張によりボンド磁石に割れ、欠け、膨れ等の欠陥を発生した。
【００５８】
この発明によると、上記の白粉発生源となるボンド磁石中のＲ化合物の全てをＲ水酸化物に変化させて安定化するため、磁石の使用中に白粉の発生がなく、ボンド磁石に割れ、欠け、膨れ等の欠陥がなく、あるいはさらに磁石表面に有機系樹脂被覆層を形成することにより、錆発生を防止して、長期に渡って安定した外観、磁石特性を維持することが可能となる。