(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の少なくとも一方に、真空成膜法により作製される強磁性金属薄膜である磁性膜を有する磁気記録媒体であって、前記非磁性支持体と前記磁性膜との間に、
２以上の末端不飽和基を分子内に有するイミドモノマーである、下記化学式
【化１】
0003642862.tif 000006
で表されるビスアリルナジイミド（ただしＲ１、Ｒ２は独立に選択された水素またはメチル基、Ｒ３は脂肪族または芳香族の炭化水素基等の２価の連結基。）を前記非磁性支持体上で重合させたポリイミド樹脂を主成分とする下塗膜を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
非磁性支持体上で２以上の末端不飽和基を分子内に有するイミドモノマーである、下記化学式
【化２】
0003642862.tif 000007
で表されるビスアリルナジイミド（ただしＲ１、Ｒ２は独立に選択された水素またはメチル基、Ｒ３は脂肪族または芳香族の炭化水素基等の２価の連結基。）を重合させることにより前記非磁性支持体上にポリイミド樹脂層を作製し、該ポリイミド樹脂層上に真空成膜法により強磁性金属薄膜を成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、強磁性金属薄膜を磁性膜とする磁気記録媒体およびその製造方法に関し、特に、高い耐熱性、平滑な表面性および高い引張強度を有する下塗膜を作成することにより、低コスト化と優れた電磁変換特性とを実現した金属薄膜型磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気テープ、フロッピーディスクあるいはハードディスク等の磁気記録媒体は一般に、非磁性支持体上に磁性膜、保護膜などを成膜する工程によって製造されている。このような磁気記録媒体においては、スパッタ法や蒸着法等の真空成膜法によって作成した強磁性金属薄膜を磁性膜とする磁気記録媒体が実用化されている。上記のようなスパッタ法や蒸着法によって磁性膜を形成した磁気記録媒体は、高い磁気エネルギーが容易に得られ、さらに非磁性支持体の表面を平滑にすることによって平滑な磁性膜表面性を容易に達成できるためスペーシングロスが少なく、高い電磁変換特性を得ることができるため高密度記録材料に適している。特にスパッタ法は蒸着法よりさらに磁気エネルギーを高めることができるため、ハードディスクの様な高い記録密度が要求される媒体に採用されている。
【０００３】
一方、磁気記録媒体にはヘッドとの摺動に対する高い信頼性が要求される。例えばハードディスクのＣＳＳ特性や蒸着テープのスチル耐久性のような走行耐久性があげられ、このような耐久性を確保するために非磁性支持体表面に微少な突起を形成し、ヘッドに対する真実接触面積の低減をはかっている。しかしながら、最近の磁気記録媒体では高記録密度化の要求が強く、従来よりさらに高い電磁変換特性が必要となってきている。このため非磁性支持体表面に設けられる突起の高さは益々低くなる傾向にあり、突起高さは２０ｎｍ以下となってきている。
【０００４】
このためハードディスクでは非磁性支持体であるアルミニウム基板、ガラス基板、カーボン基板等の基板表面を機械的または化学的に研磨し、非常に平滑なテクスチャーとしている。また蒸着により磁性膜を形成した磁気テープでは、非磁性支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム等の高分子フィルム表面を非常に平滑にし、この上に球状微粒子を塗布している。
【０００５】
ところで、磁気テープやフロッピーディスクの様に、非磁性支持体として上記の様にポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム等の可撓性高分子フィルムを用いたものにおいても、記録密度の向上等を図るため、スパッタ法や蒸着法で強磁性金属薄膜から成る磁性膜を形成することが望ましいが、そのような高分子フィルムは耐熱性に劣るので、スパッタ法で成膜した場合、あるいは蒸着法により蒸着速度を高めて成膜した場合、高分子フィルムの表面が加熱されてオリゴマーの析出等による表面劣化が発生し、非磁性支持体の平滑な表面性、ひいては磁性膜の平滑な表面性を得ることが困難になるという問題が生じる。この問題を解決するために、以下の技術が提案されてきた。
【０００６】
一つは、非磁性支持体である高分子フィルムの材料として耐熱性樹脂を用いる方法である。用いる耐熱性樹脂としては、ポリイミドフィルムなどが考えられるが、一般にポリイミドフィルムは高価である。加えて、非常に平滑で表面性の良いポリイミドフィルムの作成、使用は技術上困難であり、この方法は現実的ではない。
【０００７】
他には、例えば塗布により磁性膜を形成した従来の磁気記録媒体に一般に用いられている比較的安価な高分子フィルム上に下塗膜を形成し、膜の平滑性および／または耐熱性を高める方法がこれまでに数例開示されている。
【０００８】
例えば特開平６−３４９０４２号公報には、比較的表面の粗い高分子フィルム上に微粒子を含有した樹脂膜を設けることにより適切な表面性を有するフィルムを作成する方法が開示されている。しかし、ここで使用されている一般的な樹脂結合剤を用いた場合、スパッタ法により磁性膜を作成すると熱的なダメージによる表面性の劣化が激しい。
【０００９】
また特開平７−２２５９３４号公報には、ポリエチレンテレフタレート上にポリエチレンナフタレートを塗布し、熱によるオリゴマー析出を抑制する方法が開示されている。しかし、ポリエチレンナフタレートを用いても、スパッタ法で一般的な温度である２００℃までフィルムを加熱するとオリゴマー析出による表面性の劣化を生じる。
【００１０】
また特開平６−２０８７１７号公報には、より耐熱性の高いポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を高分子フィルム上に塗布する方法が開示されている。このような材料を用いるとスパッタ法に耐えうる耐熱性をフィルムに付与することが可能ではある。しかしポリアミド樹脂やポリイミド樹脂は汎用溶剤に対する溶解性が低く、扱いにくい溶剤を使用する必要がある。また、樹脂が汎用溶剤に可溶性であっても、溶液の粘度が高いため、薄くて均一な被膜が得られず、表面性を高めることは困難である。さらにこのような方法では、溶剤を十分に乾燥することが難しく、塗膜中の溶剤残留量が多くなるため、フィルムの巻き取り時に塗膜とフィルムのバック面が接着してしまうブロッキングを引き起こしやすく、また磁性膜を形成する際に揮発する残留溶剤が真空槽内を汚染する可能性もある。
【００１１】
さらに耐熱性の高い被膜としては無機物の被膜を形成することが有効であり、例えば、シラン化合物の加水分解で得られるシリカ膜や金属アルコキシドから得られる金属酸化物の被膜を形成することが考えられる。しかしながらそのような無機物の被膜では非磁性支持体の熱変化についていけず、その被膜表面に割れが生じてその上に成膜される磁性膜にクラックが発生するという問題がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、高分子フィルム等を支持体としてその上に強磁性金属薄膜から成る磁性膜をスパッタ法等で形成しようとすると場合、支持体と磁性膜との間に耐熱性を有し、表面の平滑性を有し、割れが生じずかつ容易に形成し得る下塗膜を設けることが望ましいが、従来技術においてはそれらを十分に満足し得る下塗膜を設けることが困難であった。
【００１３】
本発明の目的は、上記事情に鑑み、非常に平滑な表面性を有し、さらに支持体加熱を伴うスパッタ法で磁性膜を作成した場合でも、表面性の劣化やクラックの発生がなく、ブロッキングを引き起こす虞れもない下塗膜を有し、低コストで容易に製造することのできる磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持体の少なくとも一方に強磁性金属薄膜である磁性膜を有する磁気記録媒体であって、前記非磁性支持体と前記磁性膜との間に、２以上の末端不飽和基を分子内に有するイミドモノマーを前記非磁性支持体上で重合させたポリイミド樹脂を主成分とする下塗膜を有することを特徴とする。
【００１５】
前記イミドモノマーとしては、下記化学式１で表されるビスアリルナジイミドを用いることができる。
【００１６】
【化２】
0003642862.tif 000002
【００１７】
化学式１
（ただしＲ１、Ｒ２は独立に選択された水素またはメチル基、Ｒ３は脂肪族または芳香族の炭化水素基等の２価の連結基。）
また、上記課題を解決するため、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体上で２以上の末端不飽和基を分子内に有するイミドモノマーを重合させることにより前記非磁性支持体上にポリイミド樹脂層を作成し、該ポリイミド樹脂層上に強磁性金属薄膜を成膜することを特徴とする。
【００１８】
つまり本発明では、図１に示す様に、非磁性支持体１上にポリイミドの下塗膜２を設け、その上に強磁性金属薄膜から成る磁性膜３を設けるが、前記ポリイミドは既に重合したポリイミドを付与するのではなく、まず非磁性支持体上にイミドモノマーを付与した後、重合させて作成したポリイミドであることを特徴とする。このイミドモノマーは既にイミド環化反応が終了しているもので、分子内に末端不飽和基を２つ以上有するものである。ポリイミドへの重合反応は加熱などによってビニル基等の不飽和基が付加重合する事によって進行する。従って重合反応は比較的低温で進行するため、ポリイミドをはじめ様々な非磁性支持体上でイミドモノマーを重合することができる。
【００１９】
またイミドモノマーはその構造によって汎用の有機溶剤に溶解することが可能であるため、生産性、作業性に優れる。またイミドモノマーは当然ポリイミドよりも分子量が小さいため、その溶液の粘度が低く、これを非磁性支持体上に塗布したときに、凹凸に対する回り込みが良く、平滑化効果が高い。
【００２０】
上記特徴から明らかなように、本発明においてはポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を塗布した場合に比べ、生産性や作業性、平滑性に優れている。また、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を塗布後、硬化させる場合に比べて硬化温度が非常に低いため、非磁性支持体の材質によらず本発明の目的を達成できるという利点を有する。
【００２１】
本発明のイミドモノマーは分子内にイミド環と末端不飽和結合を２つ以上有する化合物であって好ましくは前記化学式１で示されるビスアリルナジイミドである。この様な化合物は特開昭５９ー８０６６２号公報、特開昭６０ー１７８８６２号公報、特開昭６１ー１８７６１号公報、特開昭６３ー１７０３５８号公報、特開平７ー５３５１６号公報などに記載されている公知の合成法で合成された公知の化合物を使用することができる。
【００２２】
前記化学式１においてＲ１、Ｒ２はそれぞれ独立に選択される水素またはメチル基、Ｒ３は脂肪族、芳香族等の２価の連結基であって特に限定はされない。例えば直鎖または分岐構造のアルキレン基およびアルケニル基、シクロアルキレン基、アルキレン基を有するシクロアルキレン基、芳香族基、アルキレン基を有する芳香族基、ポリオキシアルキレン基、カルボニル基、エーテル基等などがあげられる。
【００２３】
イミドモノマーの溶剤溶解性やその重合物であるポリイミド樹脂の耐熱性はおもにＲ３の構造で決定される。このため所望の特性はＲ３の構造を選択することによって達成される。
【００２４】
この様な化合物は丸善石油化学社からＢＡＮＩシリーズ、ＡＮＩシリーズとして市販されている。市販品にはモノマー中にオリゴマーが混在することもある。
【００２５】
本発明において非磁性支持体上にイミドモノマーを付与して下塗膜を作成する方法としては、イミドモノマーを有機溶剤に溶解した溶液をワイヤーバー法、グラビア法、スプレー法、ディップコート法、スピンコート法等の手法によって非磁性支持体上に塗布した後、乾燥と同時に重合させ、または乾燥させた後塗膜を焼成等することによりイミドモノマーを重合させ、耐熱性や耐溶剤性、密着性などを向上させる方法を用いることができる。
【００２６】
このとき使用される塗布溶剤としては前記化学式１のＲ３の種類によって異なるが、多くの構造ではトルエン、キシレン、アセトニトリル、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどに溶解可能であり、一部の構造においてはイソプロピルアルコール、エタノール、メタノール等にも溶解可能である。また溶剤としてこれらの混合溶剤を使用することもできる。
【００２７】
また乾燥は上記溶剤を揮発させるために行うものであるが、モノマーの重合を行うためさらに高温で加熱しても良い。一般的な熱風乾燥、赤外線乾燥等の方法により乾燥できる。
【００２８】
塗膜の乾燥の後、イミドモノマーを重合させる方法としては熱風加熱、赤外線加熱、熱ローラー加熱などが使用できる。このときの加熱温度としては塗膜の厚みにもよるが１μｍ前後の場合には１２０℃〜３００℃、好ましくは１５０℃〜２５０℃の範囲である。温度がこれよりも低い場合には重合反応の進行が不十分であり、逆に高すぎると非磁性支持体の変形を引き起こしたり、生産性の低下につながる。
【００２９】
また加熱による重合以外にも紫外線照射、電子線照射などによる重合も可能である。
【００３０】
また本発明の下塗膜にはイミドモノマー以外の成分が含有されていても良い。例えば重合を促進するための硬化剤、表面に凹凸を設けるための耐熱性微粒子（フィラー）、密着を改善するためのカップリング剤、磁性膜の酸化を防止する防錆剤等を含有させることができる。
【００３１】
硬化剤としてはｐートルエンスルホン酸、ｐーキシレンスルホン酸、トルエンスルホン酸メチル、ピリジニウムｐートルエンスルホネート、ピリジニウムｍーニトロベンゼンスルホネート、硫酸メチルヒドラジンなどが使用できる。
【００３２】
また表面に凹凸を設けるための耐熱性微粒子としてはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアなどの無機酸化物、炭酸カルシウム、炭素、高分子などがあげられる。この形状としては単分散で球状であることが好ましい。その粒子径は下塗膜の膜厚に応じて選ばれるが１０〜１０００ｎｍ、好ましくは２０〜１００ｎｍである。
【００３３】
本発明は磁気テープやフロッピーディスク等のフレキシブル磁気記録媒体に限らずハードディスク等のリジット磁気記録媒体にも適応することができる。本発明で使用する非磁性支持体としては、フレキシブル磁気記録媒体の場合には、厚さ３〜１００μｍのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のフイルム等が使用できる。また、フィルムの内部にフィラーを含有し、フィルム表面に凹凸を形成したものでも良い。
【００３４】
一方、リジット磁気記録媒体の場合にはガラス基板、アルミ基板やカーボン基板が使用できる。
【００３５】
本発明の磁気記録媒体における磁性膜となる強磁性金属薄膜は、従来より公知の真空蒸着法や、スパッタ法により形成することができる。
【００３６】
磁性膜をスパッタ法で作成する場合、組成としてはコバルトを主体とした従来より公知の金属または合金が挙げられ、具体的にはＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ等が使用できる。特に電磁変換特性を改善するためにＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔが好ましい。磁性膜の厚みは１０〜３００ｎｍとするのが望ましい。またこの場合磁性膜の静磁気特性を改善するための下地膜を設けることが好ましく、この下地膜の組成としては従来より公知の金属または合金などがあげられ、具体的にはＣｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ等またはこれらの合金が使用でき、中でもＣｒ、ＣｒーＴｉ、ＣｒーＳｉが特に好ましい。この下地膜の厚みとしては５ｎｍ〜５００ｎｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００３７】
またスパッタ法で磁性膜を作成する場合には、支持体を加熱した状態で成膜する事が好ましく、そのときの温度は１００℃〜２５０℃が好適である。
【００３８】
磁性膜を真空蒸着法で作成する場合、組成としてはコバルトを主体とした従来より公知の金属または合金が挙げられ、具体的にはＣｏ、ＣｏＮｉ、ＣｏＦｅなどを酸素雰囲気中で蒸着し、膜中に酸素を含んだものが使用できる。特に電磁変換特性を改善するため磁性膜を構成する金属原子の９０％以上、さらに好ましくは９５％以上はコバルトであるＣｏ−Ｏ、またはＣｏ−Ｏを含有するＣｏ−Ｆｅ等が好ましい。磁性膜の厚みは、１００〜３００ｎｍとするのが望ましく、さらに望ましくは１２０〜２００ｎｍである。
【００３９】
また、強磁性金属薄膜は電磁変換特性を改善するため重層構成としたり、非磁性下地層や中間層を有していても良い。
【００４０】
本発明の磁気記録媒体においては強磁性金属薄膜上に保護膜が設けられていてもよく、この保護膜によってさらに走行耐久性、耐食性を改善することができる。保護膜としてはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、グラファイト、無定型カーボンなどの炭素からなる保護膜があげられる。
【００４１】
更に前記保護膜としては、ヘッド材質と同等またはそれ以上の硬度を有する硬質膜が好ましく、さらに摺動中に焼き付きを生じ難く、その効果が安定して持続するものが最も好ましく、そのような保護膜としては硬質炭素膜があげられる。
【００４２】
前記炭素保護膜は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法等で作成したアモルファス、グラファイト、ダイヤモンド構造、もしくはこれらの混合物からなるカーボン膜であり、特に好ましくは一般にダイヤモンドライクカーボンと呼ばれる硬質カーボン膜である。この炭素膜はビッカース硬度で１０００ｋｇ／ｍｍ2 以上、好ましくは２０００ｋｇ／ｍｍ2 以上の硬質の炭素膜である。また、その結晶構造はアモルファス構造であり、かつ非導電性である。そして、本発明におけるダイヤモンド状炭素膜の構造をラマン光分光分析によって測定した場合には、１５２０〜１５６０ｃｍ-1にピークが検出されることによって確認することができる。炭素膜の構造がダイヤモンド状構造からずれてくるとラマン光分光分析により検出されるピークが上記範囲からずれるとともに、炭素膜の硬度も低下する。
【００４３】
前記ダイヤモンド状炭素膜の構造は、ラマン分光法の他に、Ｘ線電子分光法（ＥＳＣＡ）によっても同定することができる。特に、ＥＳＣＡによって同定する場合、Ｃ−１ｓのプラズモン損失エネルギーが２６±１ｅＶであるとさらに良好な炭素膜となる。ここでいうプラズモン損失エネルギーは、炭素膜にＸ線を照射して測定されるＣ−１ｓスペクトルのメインピークから、プラズモン損失により生ずるピークのずれをＸ線電子分光装置（例えば、パーキンエルマー社製、ＰＨＩ−５６０）により測定されるものである。炭素保護膜の硬度が減少すると摩擦特性は改善されるが耐磨耗性が不足し、所望の走行耐久性を得ることができない。とくに、スチル耐久性が大幅に低下してしまう。これらのダイヤモンド状炭素保護膜はスパッタリングやＣＶＤによって作製することができるが、生産性、品質の安定性および厚み１０ｎｍ以下の超薄膜でも良好な耐磨耗性を確保できるという点からＣＶＤによって作製することが好ましく、とくに高周波プラズマによって分解した化学種を基板にバイアス電圧を印加して加速することが好ましい。
【００４４】
この炭素保護膜の材料となるプラズマ化される炭素化合物は、とくに制限されるものではないが、炭化水素系、ケトン系、アルコール系の化合物が挙げられる。
【００４５】
特に、メタン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカン、あるいはエチレン、プロピレン等のアルケン、またはアセチレン等のアルキンをはじめとした炭素含有化合物を原料としたプラズマＣＶＤによって硬質炭素保護膜を形成することが好ましい。
【００４６】
これらの被膜形成性の物質は、一般に１３．３〜０．１３３Ｎ／ｍ2 、好ましくは６．６７〜２．６７Ｎ／ｍ2 の分圧でプラズマ発生装置内に導入される。また、前記原料気体の他に水素、アルゴン等の不活性気体を同時に導入することもできる。この場合、望ましい混合気体としては、メタンなどの炭化水素とアルゴンが挙げられる。この場合、その混合割合は、一般に炭化水素：アルゴン＝６：１〜２：１が望ましい。
【００４７】
硬質炭素保護膜の膜厚が厚いと電磁変換特性の悪化や磁性膜に対する密着性の低下が生じ、膜厚が薄いと耐磨耗性が不足するために、膜厚２．５〜２０ｎｍが好ましく、とくに好ましくは５〜１０ｎｍである。
【００４８】
また、この硬質炭素保護膜上に付与する下記の潤滑剤等との密着をさらに向上させる目的で硬質炭素保護膜表面を酸化性もしくは不活性気体によって表面処理しても良い。
【００４９】
本発明の磁気記録媒体において、走行耐久性および耐食性を改善するため、上記磁性膜もしくは保護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。図１においては、保護膜４上に潤滑剤を付与して成る潤滑膜５を形成したものを示している。
【００５０】
潤滑剤としては公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などが使用できる。
【００５１】
炭化水素系潤滑剤としてはステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
【００５２】
フッ素系潤滑剤としては上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としてはパーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）n 、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ2 Ｏ）n またはこれらの共重合体等である。
【００５３】
極圧添加剤としてはリン酸トリラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。
【００５４】
上記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用される。これらの潤滑剤を磁性膜もしくは保護膜上に付与する方法としては潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワイヤーバー法、グラビア法、スピンコート法、ディップコート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させればよい。
【００５５】
潤滑剤の塗布量としては１〜３０ｍｇ／ｍ2 が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ2 が特に好ましい。
【００５６】
本発明で使用できる防錆剤としてはベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導体等が挙げられる。
【００５７】
このような目的で使用可能なテトラザインデン環化合物には、下記に示すものが挙げられる。
【００５８】
【化３】
0003642862.tif 000003
【００５９】
ここで、Ｒには、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミド基から選ばれる炭化水素基である。
【００６０】
特に好ましくは、炭素数３以上２０以下であり、アルコキシの場合にはＲＯＣＯＣＨ2 −のＲは、Ｃ3 Ｈ7 −、Ｃ6 Ｈ13−、フェニル、またアルキル基の場合には、Ｃ6 Ｈ13−、Ｃ9 Ｈ19−、Ｃ17Ｈ35−が挙げられ、アルキルアミドの場合にはＲＮＨＣＯＣＨ2 −のＲはフェニル、Ｃ3 Ｈ7 −が挙げられる。
【００６１】
また、チオウラシル環化合物には、下記に示すものが挙げられる。
【００６２】
【化４】
0003642862.tif 000004
【００６３】
【実施例】
（実施例１）
最大突起粗さが０．０６μｍの厚み５０μｍのポリイミドフィルムにイミドモノマー（丸善石油化学社製ＢＡＮＩ−ＮＢ）をトルエンに溶解した溶液をグラビアコート法で塗布した後、１００℃で乾燥して厚み１μｍの下塗膜を作成した。次に塗膜を２２０℃で１時間加熱し、イミドモノマーの重合を行った。このフィルムを温度２００℃に加熱した後、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＣｒ−Ｔｉ下地膜を６０ｎｍ成膜し、さらに引き続きＣｏーＣｒ−Ｐｔ磁性膜を３０ｎｍ成膜し、さらにその上にＣ保護膜を成膜した。この下地膜、磁性膜、保護膜はフィルムの両面に対して成膜した。次にこの保護膜上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモント社製ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系溶剤（住友３Ｍ社製ＦＣー７７）に溶解した溶液をディップコート法で塗布して厚み３ｎｍの潤滑膜を作成した。そしてこの試料を３．５インチの磁気ディスク形状に打ち抜き、フロッピーディスクを作成した。
【００６４】
（実施例２）
最大突起粗さが０．１μｍの厚み９０μｍのポリエチレンナフタレートフィルムにイミドモノマー（丸善石油化学社製ＢＡＮＩ−ＮＢ）をトルエンに溶解した溶液をグラビアコート法で塗布した後、１００℃で乾燥して厚み１μｍの下塗膜を作成した。次に塗膜を２００℃で１時間加熱し、イミドモノマーの重合を行った。このフィルムを温度１８０℃に加熱した後、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＣｒ−Ｔｉ下地膜を６０ｎｍ成膜し、さらに引き続きＣｏーＣｒ−Ｐｔ磁性膜を３０ｎｍ成膜し、さらにその上にＣ保護膜を成膜した。この下地膜、磁性膜、保護膜はフィルムの両面に対して成膜した。次にこの保護膜上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモント社製ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系溶剤（住友３Ｍ社製ＦＣー７７）に溶解した溶液をディップコート法で塗布して厚み３ｎｍの潤滑膜を作成した。そしてこの試料を３．５インチの磁気ディスク形状に打ち抜き、フロッピーディスクを作成した。
【００６５】
（実施例３）
最大突起粗さが０．１μｍの厚み９０μｍのポリエチレンナフタレートフィルムにイミドモノマー（丸善石油化学社製ＢＡＮＩ−ＮＢ）をトルエンに溶解した溶液をグラビアコート法で塗布した後、１００℃で乾燥して厚み１μｍの下塗膜を作成した。次に塗膜を１７０℃で１時間加熱し、イミドモノマーの重合を行った。このフィルムを温度１５０℃に加熱した後、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＣｒ−Ｔｉ下地膜を６０ｎｍ成膜し、さらに引き続きＣｏーＣｒ−Ｐｔ磁性膜を３０ｎｍ成膜し、さらにその上にＣ保護膜を成膜した。この下地膜、磁性膜、保護膜はフィルムの両面に対して成膜した。次にこの保護膜上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモント社製ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系溶剤（住友３Ｍ社製ＦＣー７７）に溶解した溶液をディップコート法で塗布して厚み３ｎｍの潤滑膜を作成した。そしてこの試料を３．５インチの磁気ディスク形状に打ち抜き、フロッピーディスクを作成した。
【００６６】
（実施例４）
実施例２においてイミドモノマーを丸善石油化学社製ＢＡＮＩーＭに変更した以外は実施例２と同様に試料を作成した。
【００６７】
（実施例５）
実施例２においてイミドモノマーを丸善石油化学社製ＢＡＮＩーＸに変更した以外は実施例２と同様に試料を作成した。
【００６８】
（比較例１）
実施例２においてイミドモノマーを塗布せず、ポリエチレンナフタレート上に直接磁性膜を成膜した以外は実施例２と同様に試料を作成した。
【００６９】
（比較例２）
実施例２においてイミドモノマーを塗布せず、ポリエチレンナフタレート上に直接磁性膜を成膜した以外は実施例３と同様に試料を作成した。
【００７０】
（比較例３）
実施例３においてイミドモノマーをポリエステル樹脂（東洋紡社製バイロン２００）に、溶剤をトルエンからメチルエチルケトンに変更した以外は実施例２と同様に試料を作成した。
【００７１】
作成した試料は以下の観点から評価を行った。
【００７２】
１）表面性
支持体フィルム表面、重合後の下塗膜表面、完成した媒体表面について光学顕微鏡観察（１００倍）をおこなうとともに、原子間力顕微鏡で１０×１０μｍから１００×１００μｍの範囲を観察し、３０×３０μｍについて基準面からの突起高さ分布と高さ２０ｎｍ以上の突起数を求めた。
【００７３】
２）下塗膜塗布乾燥後のブロッキングの有無
巻き取った状態でフィルムの裏面への貼り付きの有無を確認した。
【００７４】
上記評価結果を表１に示す。
【００７５】
【表１】
0003642862.tif 000005
【００７６】
【発明の効果】
本発明に従って、非磁性支持体上にイミドモノマーを付与した後重合させて作成したポリイミド樹脂から成る耐熱性を有する下塗膜を設けることにより、支持体加熱を伴うスパッタ法等で磁性膜を作成した場合でも、表面性の劣化やクラックの発生を防止できる。このため比較的安価な高分子フィルムを支持体として用いることができ、コスト面から好ましい。
【００７７】
またポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を塗布することにより耐熱性の下塗り膜を設ける従来技術と比較した場合、本発明で用いるイミドモノマーは、ポリイミド等よりも分子量が小さいのでその溶液の粘度が低く塗布が容易であり、また溶液を非磁性支持体上に塗布したときに、凹凸に対する回り込みが良く非常に平滑な表面性を達成でき、さらにイミドモノマーはその構造によって汎用の有機溶剤に溶解することが可能であるため、生産性、作業性に優れ、同時に溶媒残留の危険性が減少し、もってブロッキングを引き起こす可能性も低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の磁気記録媒体の主要構成を模式的に示す断面図
【符号の説明】
１    非磁性支持体
２    下塗膜
３    磁性膜
４    保護膜
５    潤滑膜
【図１】
0003642862.tif 000008