(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
微粉末化した三塩化希土類金属水和物を分散させた溶媒中に、式（１Ｒ）
【化１】
0003724046.tif 000012
または、式（１Ｓ）
【化２】
0003724046.tif 000013
（Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して水素、アルキル基、フェニル基、アルケニル基、トリアルキルシリルエチニル基、シアノ基およびハロゲンを表し、Ｒ１の位置は３，４，５，６，７位、Ｒ２は３’，４’，５’，６’及び７’位のどこでもかまわない。）で示される光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール誘導体のジリチウム塩を混合して反応させ、続いてアルカリ金属化合物を加えて反応させることを特徴とする光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【請求項２】
請求項１に記載の不斉合成用触媒の調製法において、使用する光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール誘導体ジリチウム塩、三塩化希土類金属水和物及びアルカリ金属化合物のモル比が２．１〜３．０：１：０．１〜０．５の範囲である光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【請求項３】
請求項１記載の方法にしたがって調製した触媒溶液に、反応終了後さらにアルカリ金属化合物を再度添加することを特徴とする光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【請求項４】
微粉末化した三塩化希土類金属無水物を分散させた無水溶媒中に、式（１Ｒ）
【化３】
0003724046.tif 000014
または、式（１Ｓ）
【化４】
0003724046.tif 000015
（Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して水素、アルキル基、フェニル基、アルケニル基、トリアルキルシリルエチニル基、シアノ基およびハロゲンを表し、Ｒ１の位置は３，４，５，６，７位、Ｒ２は３’，４’，５’，６’及び７’位のどこでもかまわない。）で示される光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール誘導体のジリチウム塩を混合して反応させ、続いてアルカリ金属化合物を加えて反応させた後、さらに水を添加することを特徴とする光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【請求項５】
請求項４に記載の不斉合成用触媒の調製法において、使用する光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール誘導体ジリチウム塩、三塩化希土類金属無水物及びアルカリ金属化合物のモル比が２．１〜３．０：１：０．１〜０．５の範囲である光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【請求項６】
請求項４記載の方法にしたがって調製した触媒溶液に、反応終了後さらにアルカリ金属化合物を添加することを特徴とする光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医・農薬原料の中間体として有用な光学活性化合物を不斉ニトロアルドール反応、不斉マイケル反応及び不斉ヒドロホスホニル化などの反応を経由して製造するための光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成触媒の調製法に関する技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
本発明者等は、特開平６−１５４６１８，特開平６−２５６２７０，特開平６−３０６０２６，ＷＯ９５／０１３２３、J.Am.Chem.Soc.,114,4418-4420,1992,Tetrahedron Lett.,34(5),851-854,1993,Tetrahedron Lett.,34(5),855-858,1993,Tetrahedron Lett.,34(16),2657-2660,1993,J.Am.Chem.Soc.,115,10372,1993,J.Org.Chem.,60,7388-7389,1995等に、希土類金属錯体触媒を用いた各種アルデヒドを原料とする不斉合成反応における収率や光学過剰量等に関して十分な結果を得、既に報告している。例えば、ランタン−リチウム−（Ｒ）−ビナフトール錯体触媒を用いてイソプロピルアルデヒドとニトロメタンを−４２℃で反応させると、反応時間２日間で医・農薬原料の中間体として有用な（Ｓ）−３−メチル−ニトロブタン−２−オールが収率８０％（８５％ｅｅ）で得られる結果を報告している。このように、ビナフトール系希土類金属錯体は、不斉合成において非常に有用な触媒であることが知られている。
【０００３】
不斉合成用触媒は、先に記載した文献に詳細な調製法を記載しているが、簡単にここに記載すると下記の反応式１、２の様にして調製できる。
【化５】
0003724046.tif 000002
【化６】
0003724046.tif 000003
ここでの光学活性ビナフトール類は、Ｒ体またはＳ体それぞれ片方のみを使用し、Ｒ１の位置は３，４，５，６，７位、Ｒ２は３’，４’，５’，６’及び７’位のどこでもかまわず、特に６，６’位に置換基を有するものが現在まで収率、光学過剰量によい結果を示すことが知られている。Ｒ１およびＲ２は水素またはアルキル基（メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチルまたはｔ−ブチル等が挙げられる）、フェニル基、アルケニル基、トリアルキルシリルエチニル基（アルキルとしてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチルまたはｔ−ブチル等が挙げられる）、シアノ基およびハロゲン等が挙げられ、どの組み合わせでもかまわない。
【０００４】
また、希土類金属化合物としてはアルコキシド（メトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ｎ−ブトキシド、ｓ−ブトキシドおよびｔ−ブトキシド等が挙げられる）、塩化物（無水物および水和物どちらでもかまわない）および硝酸塩などが挙げられどれを使用してもかまわない。希土類金属としてはＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，ＴｂおよびＹｂ等が挙げられ、どれを使用してもかまわない。
【０００５】
アルキル金属化合物としては、アルキルアルカリ金属類（メチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等）、水酸化アルカリ（水酸化リチウム、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウム等）などが使用できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のＬｎ−Ｍ−ビナフトール触媒（ＬｎはＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，ＴｂおよびＹｂを、ＭはＬｉ，ＮａおよびＫを表す）の調製法は、三塩化希土類金属類を原料にした場合、高価な希土類金属化合物をビナフトール誘導体類に対して大過剰使用しなければならなかった。特開平６−３０６０２６において、三塩化希土類金属無水物を原料にした場合、希土類金属１モルに対して、ビナフトール類の存在比は１〜３倍モル、特開平６−１５４６１８においては、希土類金属化合物１モルに対して１〜２倍モルと記載されているが、実際に実施例として例示されている存在比は１〜２倍モルである。
また、希土類金属アルコキシドを使用する場合は、アルコキシドが空気中の水分と反応して、錯体を形成しにくい水酸化希土類金属に変化してしまう事もあり、取り扱いに細心の注意が必要とされていた。
【０００７】
本発明の課題の一つは、高価な希土類金属化合物を過剰に使用することなく、不斉合成触媒として有用な光学活性ビナフトール系希土類金属錯体を調製する新規な方法を提供することである。また、本発明のもう一つの課題は、空気中の水分に敏感な希土類金属化合物を原料として使用せずに光学活性ビナフトール系希土類金属錯体を調製する新規な方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らが鋭意研究した結果、ビナフトール系希土類金属錯体触媒調製の原料として、三塩化希土類金属化合物を微粉化する工程を入れることにより、高価な希土類金属化合物の使用量を削減し、反応収率および光学過剰量が従来の方法で調整されたビナフトール系希土類金属錯体の数値と変わらない調製法を見い出すに至った。さらに、三塩化希土類金属水和物を用いることにより、取り扱いに注意を要する空気中の水分に敏感な希土類金属化合物を使用することなく、同様の結果を得られることを見い出した。
【０００９】
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（６）の態様を包含する。
（１）微粉末化した三塩化希土類金属水和物（希土類金属としてはＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，ＴｂおよびＹｂが挙げられる）を分散させた溶媒中に、式（１Ｒ）
【化７】
0003724046.tif 000004
または、式（１Ｓ）
【化８】
0003724046.tif 000005
（Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して水素またはアルキル基（アルキル基としてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチルまたはｔ−ブチル等が挙げられる）、フェニル基、アルケニル基、トリアルキルシリルエチニル基（アルキルとしてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチルまたはｔ−ブチル等が挙げられる）、シアノ基およびハロゲンを表し、Ｒ１の位置は３，４，５，６，７位、Ｒ２は３’，４’，５’，６’及び７’位のどこでもかまわない。）で示される光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール誘導体のジリチウム塩を混合して反応させ、続いてアルカリ金属化合物（アルカリ金属化合物としては、アルキルアルカリ金属類、水酸化アルカリ及び塩化物等が挙げられる）を加えて反応させることを特徴とする光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【００１０】
（２）上記（１）に記載の不斉合成用触媒の調製法において、使用する光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール誘導体ジリチウム塩、三塩化希土類金属水和物及びアルカリ金属化合物のモル比が２．１〜３．０：１：０．１〜０．５の範囲である光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【００１１】
（３）上記（１）に記載の方法にしたがって調製した触媒溶液に、反応終了後さらにアルカリ金属化合物（アルカリ金属化合物としては、アルキルアルカリ金属類、水酸化アルカリ及び塩化物等が挙げられる）を再度添加することを特徴とする光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【００１２】
（４）微粉末化した三塩化希土類金属無水物（希土類金属としてはＹ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，ＴｂおよびＹｂが挙げられる）を分散させた無水溶媒中に、式（１Ｒ）
【化９】
0003724046.tif 000006
または、式（１Ｓ）
【化１０】
0003724046.tif 000007
（Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して水素またはアルキル基（アルキル基としてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチルまたはｔ−ブチル等が挙げられる）、フェニル基、アルケニル基、トリアルキルシリルエチニル基（アルキルとしてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチルまたはｔ−ブチル等が挙げられる）、シアノ基およびハロゲンを表し、Ｒ１の位置は３，４，５，６，７位、Ｒ２は３’，４’，５’，６’及び７’位のどこでもかまわない。）で示される光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール誘導体のジリチウム塩を混合して反応させ、続いてアルカリ金属化合物（アルカリ金属化合物としては、アルキルアルカリ金属類、水酸化アルカリ及び塩化物等が挙げられる）を加えて反応させた後、さらに水を添加することを特徴とする光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【００１３】
（５）上記（４）に記載の不斉合成用触媒の調製法において、使用する光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール誘導体ジリチウム塩、三塩化希土類金属無水物及びアルカリ金属化合物のモル比が２．１〜３．０：１：０．１〜０．５の範囲である光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【００１４】
（６）上記（４）に記載の方法にしたがって調製した触媒溶液に、反応終了後さらにアルカリ金属化合物を添加することを特徴とする光学活性１，１’−ビ−２−ナフトール金属錯体系不斉合成用触媒の調製法。
【００１５】
本発明の触媒の調製法における三塩化希土類金属水和物類の微粉末化は、三塩化希土類金属水和物類を乳鉢等を用いて機械的に微粉化する方法や三塩化希土類金属水和物類をテトラヒドロフラン等の溶媒中に分散させ超音波により微粉化する方法等により行うことができる。超音波を使用して微粉化する場合は、希土類金属化合物の量が増えるに従い、超音波にかけておく時間も長くする方が望ましい。三塩化希土類金属無水物を用いる場合は、微粉末化を行う際、不活性気体雰囲気下乳鉢等を用いて機械的に行うこともできるが、無水溶媒中超音波で処理することが空気中の水分との接触を避けるために好ましい。
【００１６】
本発明の触媒の調製法は、例えば、（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトール（６．５０ｇ、２２．７ｍｍｏｌ）を５０℃、２時間真空乾燥する。乾燥させたビナフトールをＴＨＦ１１９ｍＬに溶解し、０℃で１．６０ＮＢｕＬｉ（２８．４ｍＬ、４５．４ｍｍｏｌ）を加え、ジリチウムビナフトキシドＴＨＦ溶液（溶液Ａ）を調製する。三塩化ランタン七水和物（３．１２ｇ，８．４０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍＬに分散し、室温で３０分間市販の超音波洗浄器中で処理する。室温下、三塩化ランタン分散溶液に溶液Ａ、０．５２ＮＮａＯｔ−Ｂｕ／ＴＨＦ溶液（４．８５ｍＬ、２．５２ｍｍｏｌ）を滴下する。１晩激しく撹拌した後、更に５０℃で２日間撹拌することにより、不斉合成用触媒溶液が調製できる。
【００１７】
触媒調製時に使用する溶媒はＴＨＦばかりでなく、触媒構造を変化させなければどのような溶媒を使用してもかまわない。例えば、ＴＨＦ以外にエーテル系溶媒（ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン等）、ハロゲン系溶媒（塩化メチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン及びモノクロロベンゼン等）、炭化水素系溶媒（ベンゼン、トルエン、ｎ−ヘキサン及びｎ−ヘプタン等）、脂肪酸エステル類（酢酸エチル、酢酸メチル等）が挙げられ、その他にもジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒が使用できる。これらの溶媒は単独もしくは２種類以上混合して使用してもかまわない。
【００１８】
新規調製法で調製した不斉合成用触媒溶液に、更にアルカリ金属化合物を添加しても、同様の反応にしようできる不斉合成触媒が調製できる。
アルカリ金属化合物の添加量は触媒に対し、０．０１モル当量以上であればかまわなく、特に０．１〜１０モル当量の範囲が好ましい。アルカリ金属化合物の添加温度は室温以下であればよく、置換基などとの反応を考えた場合０℃以下が特に望ましい。
【００１９】
例えば、今回の調製法で調製された不斉合成触媒溶液の触媒に対して０．９当量のｎ−ブチルリチウムを冷却下添加し、室温で３０分間撹拌する事により、新規な不斉合成触媒を調製できる。
【００２０】
新規不斉合成用触媒を用いる不斉ニトロアルドール反応は、不活性ガス気流下冷却しながら、不斉合成用触媒溶液とニトロアルカン類（ニトロメタン、ニトロエタン、ニトロプロパンおよびニトロエタノール等）をＴＨＦ溶液中で３０分間撹拌する。その後、反応温度でアルデヒド溶液または含有ＴＨＦ溶液を滴下し、撹拌することにより、容易に反応は進行する。反応は酸の添加により終了させることができ、一般的な後処理を行うことで目的の光学活性ニトロアルコールを得ることが出来る。反応溶媒としては反応条件下原料と反応しないものであればよい。例えばＴＨＦの他に水、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノール及びエチレングリコール等）、エーテル系溶媒（ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン等）、ハロゲン系溶媒（塩化メチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン及びモノクロロベンゼン等）、炭化水素系溶媒（ベンゼン、トルエン、ｎ−ヘキサン及びｎ−ヘプタン等）、脂肪酸エステル類（酢酸エチル、酢酸メチル等）が挙げられ、その他にもジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒が使用できる。これらの溶媒は単独もしくは２種類以上混合して使用してもかまわない。
反応温度は−１００〜５０℃の間であればかまわなく、特に−８０〜０℃の範囲が収量、光学過剰量および反応時間の関係から望ましい。
【００２１】
得られた光学活性ニトロアルコールは、ＰｔＯ２、Ｐｄ−Ｃなどの一般的な接触水添触媒を使用し、１００℃以下で水素添加反応を行うことにより、もとの立体構造を維持したまま光学活性アミノアルコールを得ることができる。また、ホウ素化水素ナトリウムなどの還元試薬を用いても同様に光学活性アミノアルコールを得ることができる。また、ニトロ基をカルボン酸や水酸基などへの変換も既知の方法で立体構造を維持したまま行うことができる。
【００２２】
この不斉合成用触媒を用いて、不斉ニトロアルドール反応以外にも不斉マイケル反応、不斉ヒドロホスホニル化等の不斉合成反応に使用することができる。
【００２３】
【実施例】
以下、実施例にて本発明をより詳細に説明するが、以下の実施例は本発明を限定するためのものではない。
【００２４】
実施例１
（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトール（６．５０ｇ、２２．７ｍｍｏｌ）を５０℃、２時間真空乾燥した。乾燥させたビナフトールをＴＨＦ１１９ｍＬに溶解し、０℃で１．６０ＮＢｕＬｉ（２８．４ｍＬ、４５．４ｍｍｏｌ）を加え、ジリチウムビナフトキシドＴＨＦ溶液（溶液Ａ）を調製した。
別途、ＴＨＦ１００ｍＬを入れた３００ｍｌ丸底フラスコ中に三塩化ランタン七水和物（３．１２ｇ，８．４０ｍｍｏｌ）を加えて分散させ、室温で３０分間市販の超音波洗浄器中で処理した。この三塩化ランタン分散溶液に前述の溶液Ａを室温を超えないような速度で滴下した後、さらに氷浴で冷却しながら０．５２ＮＮａＯｔ−Ｂｕ／ＴＨＦ溶液（４．８５ｍＬ、２．５２ｍｍｏｌ）を滴下した。１晩激しく撹拌した後、更に５０℃で２日間撹拌することにより、不斉合成用触媒溶液１を調製した。
【００２５】
実施例２
０℃に冷却した実施例１で調製された触媒溶液１に１．７２ＮＢｕＬｉヘキサン溶液４．８８ｍＬ（８．４０ｍｍｏｌ）を添加して、室温で３０分間撹拌することにより、触媒溶液２を調製した。
【００２６】
実施例３〜５
Ｌａ化合物に変えて、Ｃｅ、Ｐｒ及びＮｄにおいても同様な触媒溶液３〜５を調製した。
【００２７】
実施例６
（Ｒ）−６，６’−ビス（トリエチルシリルエチニル）−２，２’−ジヒドロキシ−１，１’−ビナフタレン（１２．７８ｇ、２２．７ｍｍｏｌ）と三塩化ランタン七水和物（３．１２ｇ，８．４０ｍｍｏｌ）を使用して、実施例１と同様の操作で、触媒溶液６を調製した。
【００２８】
実施例７
（Ｒ）−６，６’−ビス（トリエチルシリルエチニル）−２，２’−ジヒドロキシ−１，１’−ビナフタレン（１２．７８ｇ、２２．７ｍｍｏｌ）と三塩化プラセオジウム七水和物（３．１４ｇ，８．４０ｍｍｏｌ）を使用して、実施例１と同様の操作で、触媒溶液７を調製した。
【００２９】
以下に、今回の触媒を用いた反応例を示す。それぞれの光学過剰量は、ＨＰＬＣ（カラム；ダイセル化学工業(株)製ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＯＤ、ヘキサン／ｉ−プロパノール＝９／１）で決定した。
反応例１（Ｓ）−４−フェニル−１−ニトロ−２−ブタノールの合成
触媒溶液１（１．２４ｍＬ，０．０１５ｍｍｏｌ）とＴＨＦ０．７３４ｍＬの混合溶液を−４０℃で３０分間撹拌した。その溶液にニトロメタン０．２４６ｍＬ（４．５６ｍｍｏｌ）を−４０℃で加え、更に３０分撹拌した。その後、ジヒドロシンナムアルデヒド０．０６０ｍＬ（０．４５６ｍｍｏｌ）を添加する。−４０℃で２４時間反応させた。その後１Ｎ塩酸２．０ｍＬで反応を終了させ、酢酸エチル１０ｍＬ×３抽出操作を行った。有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させる。溶媒を減圧留去後、フラッシュクロマトグラフィ（ＳｉＯ２、アセトン／ヘキサン＝１／５）で精製し、目的物を収率９１％（６５％ｅｅ）で得た。
【００３０】
反応例２  （Ｓ）−２−ニトロ−５−フェニル−３−ペンタノールの合成
触媒溶液１（１．２４ｍＬ，０．０１５ｍｍｏｌ）とＴＨＦ０．７３４ｍＬの混合溶液を−４０℃で３０分間撹拌した。その溶液にニトロエタン０．２４６ｍＬ（４．５６ｍｍｏｌ）を−４０℃で加え、更に３０分撹拌した。その後、ジヒドロシンナムアルデヒド０．０６０ｍＬ（０．４５６ｍｍｏｌ）を添加する。−４０℃で１１４時間反応させた。その後、反応例１と同様の後処理を行うことにより目的物を収率６４％、ｓｙｎ／ａｎｔｉ＝４．４（８８％ｅｅ）／１．０で得た。
【００３１】
反応例３  （Ｓ）−１−シクロヘキシル−２−ニトロ−エタノールの合成
触媒溶液２（１．８４ｍＬ、０．００４６ｍｍｏｌ）を用いてＴＨＦ０．１３４ｍＬの混合溶液を−５０℃で３０分間撹拌した。その溶液にニトロメタン０．２４６ｍＬ（４．５６ｍｍｏｌ）を−５０℃で加え、更に３０分撹拌した。その後、シクロヘキシルアルデヒド０．０５５ｍＬ（０．４５６ｍｍｏｌ）を添加する。−５０℃で２０時間反応させた。その後、反応例１と同様の後処理を行うことにより、目的物を収率９４％（８８％ｅｅ）で得た。
【００３２】
反応例４〜１５  不斉合成用触媒１、３〜５を使用したジヒドロシンナムアルデヒドとの不斉ニトロアルドール反応の結果を表１に示す。
【表１】
0003724046.tif 000008
【００３３】
比較例１に使用した触媒の調製法
（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトール（２．４１ｇ、８．４０ｍｍｏｌ）を５０℃、２時間真空乾燥した。乾燥させたビナフトールをＴＨＦ１１９ｍＬに溶解し、０℃で１．６０ＮＢｕＬｉ（１０．５ｍＬ、１６．８ｍｍｏｌ）を加え、ジリチウムビナフトキシドＴＨＦ溶液（溶液Ａ）を調製した。三塩化ランタン七水和物（３．１２ｇ，８．４０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍＬに分散し、室温で３０分間超音波にかけた。室温下、三塩化ランタン分散溶液に溶液Ａ、０．５２ＮＮａＯｔ−Ｂｕ／ＴＨＦ溶液（１６．２ｍＬ、８．４ｍｍｏｌ）を滴下した。１晩激しく撹拌した後、水（８４．０ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦ溶液１５ｍＬを加え、２日間撹拌することにより、不斉合成用触媒溶液を調製した。
【００３４】
比較例２に使用した触媒の調製法
（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトール２９．５ｍｇ（０．１０３ｍｍｏｌ）を５０℃で２時間真空乾燥し、アルゴン気流下ＴＨＦ８８０μｌに溶解する。その溶液を０℃に冷却しランタントリイソプロポキシド１０．６ｍｇ（０．０３４４ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨＦ溶液１７２μｌを滴下する。混合溶液を室温にもどし、３０分攪拌後再度０℃に冷却する。その溶液に１．７２Ｎｎ−ＢｕＬｉヘキサン溶液６０μｌを滴下した。その後、一晩室温で攪拌し、水（０．０３５ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦ溶液３５μｌを加えることにより、０．０３Ｎの触媒溶液を調製した。
【００３５】
反応例１６〜２７  ジリチウムビナフトキシドおよびｔ−ブトキシナトリウムの量を変えた場合の反応例を表２、３に示す。
【表２】
0003724046.tif 000009
【表３】
0003724046.tif 000010
【００３６】
反応例２８〜３１  実施例６，７を使用した反応例を表４に示す。
【表４】
0003724046.tif 000011
【００３７】
【発明の効果】
三塩化希土類金属水和物を微粉末にする工程を入れることにより、触媒溶液中に不純物および原料使用量の削減ができた。その触媒溶液を使用することにより収率、光学過剰量の増大が確認された。