(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ可溶性樹脂と感光性成分を含有するポジ型ホトレジスト組成物において、前記感光性成分が下記化１〜化３で表わされる少なくとも１種のポリヒドロキシ化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルであることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。
【化１】
0003631289.tif 000009
【化２】
0003631289.tif 000010
【化３】
0003631289.tif 000011
【請求項２】
キノンジアジドスルホン酸エステルがナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルであることを特徴とする請求項１記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ポジ型ホトレジスト組成物、さらに詳しくは半導体デバイスや液晶表示デバイス等の電子部品の製造に必要な感度、解像性、耐熱性を有し、かつ良好なレジストパターンを形成できるポジ型ホトレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスやＬＣＤなどの液晶デバイスなどの製造にホトリソグラフィーによる基板上のパターンの形成方法が採用されている。前記ホトリソグラフィーは、シリコンウエーハやガラス等の基板上にホトレジストをスピンナー等を用いて塗布、乾燥し、次いでマスクを介して活性光線や粒子線を照射又は描画して潜像を形成し、それを現像してパターンを基板上に形成する方法である。前記形成方法で使用されるホトレジストとしては、電子部品製造の初期にはネガ型ホトレジスト組成物が用いられていた。ところが、ネガ型ホトレジスト組成物は現像中に膨張し解像に限界があるところから、現在では解像性に優れたポジ型ホトレジストが使用されている。前記ポジ型ホトレジストはアルカリ可溶性樹脂と感光性成分からなるホトレジスト組成物であるが、特にアルカリ可溶性樹脂としてアルカリ可溶性ノボラック樹脂とキノンジアジド基含有化合物とからなるポジ型ホトレジスト組成物が好ましい。ノボラック樹脂は、膨潤することなくアルカリ水溶液に溶解し現像性に優れるとともに、プラズマエッチングに対しても優れた耐熱性を示し、またキノンジアジド基含有化合物は、それ自身ではノボラック樹脂のアルカリ溶解性を抑制する作用を有するが、一旦、紫外線（ｇ線、ｉ線）、エキシマレーザーをも含めた遠紫外線等の電磁波、或は電子線等の粒子線の照射、描画を感受すると、アルカリ可溶性に変化するとともに、ノボラック樹脂のアルカリ溶解性をも促進するという性質を有する。そのため前記アルカリ可溶性ノボラック樹脂とキノンジアジド基含有化合物を含有するポジ型ホトレジスト組成物は多数開発され、実用化されている。それらの例として、米国特許第４３７７６３１号明細書、特開昭６２ー３５３４９号公報、特開平１ー１４２５４８号公報、特開平１ー１７９１４７号公報、特公平３ー４８９７号公報等に記載されているものを挙げることができる。
【０００３】
ところで、最近、シリコンウエーハやガラス等の基板が大型化する一方、レジストパターンの高密度化、高集積化の要請から、照射又は描画する放射線がより短波長化の傾向にある。それに伴い使用するレジスト組成物も高感度、高解像性、良好なパターン形状及び放射線照射後、現像前の加熱操作（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）によっても熱変形が起らない耐熱性を有することが要求されるようになった。かかる要求に応えるポジ型ホトレジスト組成物として、例えば特開平１ー１８９６４４号公報には感光性成分をビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタンのナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルとしたポジ型ホトレジスト組成物が、特開平２ー２８５３５１号公報には４，６−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロールのナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルを感光成分としたポジ型ホトレジスト組成物が、また特開平３ー４８２４９号公報には、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンのナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルを感光成分としたポジ型ホトレジスト組成物が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記各公報記載の各ポジ型ホトレジスト組成物は、その感度、解像性、耐熱性などが最近のポジ型ホトレジスト組成物に要求されるレベルを充分満足するものでなく、より改善されたポジ型ホトレジスト組成物の出現が強く望まれている。
【０００５】
こうした現状に鑑み、本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂と感光性成分を含有するポジ型ホトレジスト組成物において、感光性成分を特定のポリヒドロキシ化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルとすることで上記要求される特性が満たされたポジ型ホトレジスト組成物が得られることを見出し、本発明を完成したものである。
【０００６】
すなわち、本発明は、高感度、高解像性を有し、パターン形状が優れているとともに、耐熱性も優れたポジ型ホトレジスト組成物を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明は、アルカリ可溶性樹脂と感光性成分を含有するポジ型ホトレジスト組成物において、前記感光性成分が下記化４〜化６で表わされる少なくとも１種のポリヒドロキシ化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルであることを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物に係る。
【０００８】
【化４】
0003631289.tif 000002
【０００９】
【化５】
0003631289.tif 000003
【００１０】
【化６】
0003631289.tif 000004
【００１１】
上記アルカリ可溶性樹脂としては、ポジ型ホトレジスト組成物の被膜形成用樹脂として知られている、フェノール樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニルフェノール、ポリα−メチルビニルフェノールなどが挙げられる。特にフェノール樹脂、中でも膨潤することなくアルカリ水溶液に容易に溶解し現像性に優れるとともにドライエチングで使用するプラズマに対しても安定性の高いノボラック樹脂が好適である。前記フェノール樹脂としてはフェノール類とアルデヒド類との縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生成物、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応生成物などが挙げられる。前記重合体を形成するフェノール類としては、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、２，３−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、エチルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、フェニルフェノールなどの一価のフェノール類；レゾルシノール、ピロカテコール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ピロガロールなどの多価フェノール類などが挙げられる。また、アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒドなどが、ケトン類としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなどが挙げられる。これらの化合物の１種又は２種以上の混合物を、塩酸、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ギ酸又はシュウ酸などの酸性触媒の存在下で常法に従って反応させ、フェノール類とアルデヒド類との縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生成物などのフェノール樹脂が製造される。中でも、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノールのフェノール類から選ばれる数種の混合フェノールとホルムアルデヒドの縮合によって得られるノボラック樹脂が好適である。
【００１２】
上記ビニルフェノール系重合体は、ビニルフェノールの単独重合体及びビニルフェノールと共重合可能な例えばアクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル等の共重合体から選択され、またイソプロペニルフェノール系重合体は、イソプロペニルフェノールの単独重合体及び該イソプロペニルフェノールと共重合可能な上記例示成分との共重合体から選択される。さらに、フェノール樹脂の水素添加反応生成物は、フェノール樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系又は不均一系で水素添加触媒の存在下で水素を導入して製造される。
【００１３】
本発明で使用するアルカリ可溶性樹脂としては、ゲルパーミエションクロマトグラフィー法で測定した重量平均分子量が２，０００〜２０，０００、好ましくは５，０００〜１５，０００の範囲が選ばれる。重量平均分子量が２，０００未満では現像後の膜減りが大きく、また２０，０００を越えると現像速度が小さくなる。
【００１４】
また、本発明で使用する感光性成分は、化７〜化９で表わされるポリヒドロキシ化合物
【００１５】
【化７】
0003631289.tif 000005
ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−フリルメタン、
【００１６】
【化８】
0003631289.tif 000006
ビス（２，４−ジヒドロキシ−５−メチルフェニル）−２−フリルメタン
【００１７】
【化９】
0003631289.tif 000007
ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−フリルメタン              のキノンジアジドスルホン酸エステルであるが、前記化７〜化９のポリヒドロキシ化合物はフェノール類と分子中にカルボニル基を有するフラン化合物との反応生成物である。前記フェノール類としては、具体的には、フェノール；ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール，２，５−キシレノール、２，３−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノールなどのキシレノール類；ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノールなどのアルコキシフェノール類、ｏ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノール、２−エチル−４−イソプロペニルフェノールなどのイソプロペニルフェノール類；ｏ−クロロフェノール、２，３−ジクロロフェノール、ｐ−ブロモフェノールなどのハロゲン化フェノール類；ｐ−ベンジルフェノール、クミルフェノールなどのアラルキルフェノール類；２−フェニルフェノールなどのアリールフェノール類；カテコール、４−メチルピロカテコールなどのカテコール類；レゾルシノール、４−メチルレゾルシノールなどのレゾルシノール類、ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、２，４，６−トリヒドロキシベンゼン等のポリヒドロキシフェノール類などが挙げられる。特に２，５−キシレノール、２，３−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、カテコール、４−メチルピロカテコール、４−メチルレゾルシノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、１，２，４−トリヒドロキシベンゼン、２，４，６−トリヒドロキシベンゼンが、露光部におけるアルカリ溶解性と未露光部におけるアルカリ不溶性のバランスを良くし、かつレジストパターンのコントラストを明確にするので好適である。中でも２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、カテコール、４−メチルピロカテコール、レゾルシノール、４−メチルレゾルシノール及びヒドロキノンが良い。これらのフェノール類の１種又は２種以上が混合して用いられる。
【００１８】
上記ポリヒドロキシ化合物と反応する分子中にカルボニル基を含有するフラン化合物としては、具体的にはフルフラール、５−メチルフルフラール、５−（ヒドロキシメチル）フルフラールなどが挙げられ、特にフルフラールが好適である。これらの１種又は２種以上が混合して用いられる。
【００１９】
上記化７〜化９で表わされるポリヒドロキシ化合物はフェノール類とフラン化合物とを溶媒に溶解し、酸触媒の存在下で常法で合成される。
【００２０】
使用される酸触媒としては、塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸などを挙げることができ、また溶媒としては、具体的に水、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソアミルアルコールなどのアルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコール誘導体；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ヘキサン、ヘプタンなどの炭化水素類、ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素類などを挙げることができる。前記酸触媒及び溶剤は１種又は２種以上混合して用いることができる。
【００２１】
本発明の感光性成分は、上記化７〜化９のポリヒドロキシ化合物のキノンジアジドスルホン酸エステルであるが、該エステル部分としては１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルなどが挙げられる。特に１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル又は１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルが好適である。
【００２２】
本発明の感光性成分は、上記化７〜化９のポリヒドロキシ化合物とナフトキノン−１，２−ジアジド−４（又は５）−スルホン酸クロライドを、ジオキサン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフランなどの有機溶媒に所定量溶解し、ここにトリエタノールアミド、ピリジン、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリなどの塩基性触媒を加えて反応させ、得られた生成物を水洗、乾燥して得ることができる。
【００２３】
上記製造において、ポリヒドロキシ化合物の水酸基の合計モル数に対し５０％以上、好ましくは６０％のモル数のナフトキノン−１，２−ジアジド−４（又は５）−スルホン酸クロライドを縮合させたエステル（すなわち、平均エステル化率が５０モル％以上、好ましくは６０モル％以上）を用いると高解像性を得ることができるので好ましい。
【００２４】
また、本発明においては、上記感光性成分の他にポジ型ホトレジストの感光性成分として公知のフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルを本発明の目的を損なわない範囲において適宜組合せて使用してもよい。このような公知のフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルとして一例を挙げると、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２’，３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタンなどのヒドロキシ化合物のナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エステルがある。
【００２５】
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は上記感光性成分を、アルカリ可溶性樹脂１００重量部に対して５〜５０重量部、好ましくは１０〜３５重量部の範囲で含有する。感光性成分が５重量部未満では像形成ができず、５０重量部を超えると解像性、レジストパターン形状が悪くなるとともに感度も低下する。
【００２６】
上記アルカリ可溶性樹脂、感光性成分に加えて、本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、場合により公知の感度や解像性を向上させるための低分子量フェノール化合物を配合することができる。この低分子量フェノール化合物の一例を挙げると、上記したトリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２’，３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタンなどに加えて２，６−ビス［１−（２，４−ジヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−メチルフェノール、２，６−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニルメチル）−４−メチルフェノール、４，６−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−レゾルシンなどがある。これらの低分子量フェノール化合物はアルカリ可溶性樹脂に対し、５〜５０重量％、好ましくは１０〜３５重量％の範囲で配合される。
【００２７】
さらに必要に応じて、相溶性のある添加物、ハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル−４−（４−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４−ジメチルアミノ−４’−ヒドロキシアゾベンゼン、４−ジエチルアミノ−４’−エトキシアゾベンゼン、４−ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミンなど、またストリエーション防止のための界面活性剤、たとえばフロラードＦＣ−４３０、ＦＣ−４３１（商品名、スリーエム社製）、エフトップＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＥＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２６（商品名、トーケムプロヅクツ社製）などのフッ素系界面活性剤などを本発明の目的に支障のない範囲で添加含有させることができる。
【００２８】
本発明のポジ型ホトレジスト組成物の使用に当たっては、従来のホトレジスト技術のレジストパターン形成方法と同様に有機溶剤に溶解した塗布液として用いるのが好ましい。前記有機溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート或はこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどのアルコール類及びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。これらの有機溶剤の１種又は２種以上を混合して使用できる。これらの溶剤に溶解し調製した塗布液を、シリコンウエーハやガラスのような基板上にスピンナーの任意の塗布方法で塗布し、それを乾燥して感光層を形成させ、次いで放射線を用い、マスクパターンを介して縮小投影露光装置により露光するか、エキシマレーザーやＸ線を照射するか、あるいは電子線を走査しながら照射し、これを現像液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液に浸漬し、露光によって可溶化した部分を選択的に溶解除去し、マスクパターンに忠実な画像を得る。
【００２９】
上記パターン形成方法は、半導体デバイスや液晶表示デバイスの加工にとどまらず、リソグラフィーを用いて加工する分野、例えばＬＣＤ、ＴＡＢ、ＰＣＢ、ケミカルミーリング、印刷などにも利用できる。
【００３０】
【実施例】
次に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
【００３１】
なお、実施例及び比較例で示す測定法は、下記の測定方法による。
（ｉ）感度：試料をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布し、これを              ホットプレート上で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚１．０５μｍ              のレジスト膜を得、この膜に縮小投影露光装置ＮＳＲ−１５０５              Ｇ７Ｅ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５４）を用いて、０．１秒から              ０．０１秒の間隔で露光し、それを２．３８重量％テトラメチル              アンモニウムヒドロキシド水溶液を使用して２３℃で６０秒間現              像したのち、３０秒間水洗し、乾燥したとき、現像後の露光部の              膜厚が０となる最小露光時間をミリ秒（ｍｓ）単位で表わす測定              法。
【００３２】
（２）解像性：０．８μｍのマスクパターンを再現する露光量における限界                  解像度を測定する測定法。
【００３３】
（３）耐熱性：シリコンウエーハ上に形成された５μｍのパターン線幅のレジ                ストパターンを、１２５℃から５℃ずつ昇温させ、各温度で５                分間ホットプレート上でベークしたとき、レジストパターンに                変形が生じる温度を測定する測定法。
【００３４】
（４）パターン形状：０．８μｍ幅のレジストパターンの断面形状をＳＥＭ                        （走査型電子顕微鏡）写真により観察し、矩形状のもの                      をＡとし、やや台形状のものをＢとし、トップが丸みを                      帯びテーパー状になっているものをＣとして評価する測                      定法。
【００３５】
実施例１
ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールをモル比で４：６の混合物をシュウ酸触媒を用いてホルマリンで常法により縮合して重量平均分子量８，０００のアルカリ可溶性ノボラック樹脂を製造した。前記ノボラック樹脂の低分子量フラクションを除去し重量平均分子量１０，０００とした。このアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部とビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−フリルメタン（商品名Ｂｉｓ２６Ｘ−ＦＦ、本州化学社製）１モルとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライド２モルとのエステル化物３０重量部、さらにビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン３０重量部を乳酸エチル３６０重量部と酢酸ブチル４０重量部の混合溶媒に溶解し、それを孔径０．２μｍのメンブランフィルターでろ過し、塗布液を調製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜について、その感度、解像性、耐熱性及びパターン形状について測定した。その結果を表１に示す。
【００３６】
実施例２
実施例１において、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−フリルメタンとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライドとのエステル化物をビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−フリルメタン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライド２．５モルとのエステル化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布液を調製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜について、その感度、解像性、耐熱性及びパターン形状について測定した。その結果を表１に示す。
【００３７】
実施例３
実施例１において、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−フリルメタンとナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸クロライドとのエステル化物をビス（２，４−ジヒドロキシ−５−メチルフェニル）−２−フリルメタン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸クロライド２．５モルとのエステル化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布液を調製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜について、その感度、解像性、耐熱性及びパターン形状について測定した。その結果を表１に示す。
【００３８】
比較例１
実施例１において、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−フリルメタンとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライドとのエステル化物をビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライド２モルとのエステル化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布液を調製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜について、その感度、解像性、耐熱性及びパターン形状について測定した。その結果を表１に示す。
【００３９】
比較例２
実施例１において、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−フリルメタンとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライドとのエステル化物を２，３，４，４´−テトラヒドロキシベンゾフェノン１モルとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライド２．５モルとのエステル化物に代えた以外は、実施例１と同様にして塗布液を調製した。調製した塗布液を用いて形成した塗着膜について、その感度、解像性、耐熱性及びパターン形状について測定した。その結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
0003631289.tif 000008
【００４１】
上記表１にみるように、本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、感度、解像性、耐熱性に優れている上に、形状が良好なパターンが形成される。
【００４２】
【発明の効果】
本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、感度、解像性、耐熱性が優れるとともに、パターン形状が良好で、半導体デバイスや液晶表示デバイス等の製造に好適である。