(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上の所望の部分に導電性粒子を供給し、電路パターンを形成する回路基板の製造方法において、画像信号に応じて、帯電された現像剤を制御電極により誘導し、前記絶縁性基板表面上に前記パターンに相当する現像剤像を形成する工程を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は回路基板、特に半導体素子やチップ部品などを搭載する微細な導体パターンを備えた基板において、静電転写方式を用いて導体パターンを形成した回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プリント基板の電路形成方法として、全面銅張り積層板の銅張り面にフォトレジストにて電路パターンを形成し、電路パターン以外の銅張り層をエッチングにて除去して電路を形成する方法が一般に用いられていた。しかしながら、このような方法では、フォトレジストの塗布あるいは、剥離などの工程が必要であり、工程が複雑になる欠点があった。また、エッチングにより除去された銅が無駄になる上、エッチング工程における廃液処理の公害対策も必要となる問題点があった。また、他の方法として、基板の表面に無電解銅浴薄膜層を全面にわたって形成し、シルクスクリーン印刷等によって電路パターン以外の部分に絶縁材より成るマスク塗料を被着し、電気銅メッキにて電路パターン部に所定厚さの銅メッキを施して電路を形成する方法があった。しかしながら、このような方法においても、マスク塗料の塗布、剥離工程が必要であり、工程が複雑化する上、しかも高価で製作が煩わしいシルクスクリーン印刷用原版が必要であるという問題があった。
【０００３】
このような状況を鑑みて提案されたマスクを必要としないプリント基板の電路形成方法として、特開昭５８−５７７８３に記載の方法がある。すなわち、セレン薄膜の様な光導電性の表面に電路パターンの静電潜像を光ビームなどを用いて形成し、静電潜像にパラジウムのような無電解銅浴に対して活性な物質よりなるトナーを被着させてトナーパターンを形成し、上記トナーパターンをプリプレグ層を有する基板に転写し、基板に転写されたトナーパターン上に無電解銅浴にて所定厚さの銅メッキを施した後に、プリプレグ層を硬化するプリント基板の電路パターン形成方法である。この方法は、従来のように、フォトレジストを用いるプロセス特有の塗布・剥離などの工程を必要とせず、エッチングなどの工程がなくなるため、廃液処理施設などの公害対策も不要となり、省資源、脱公害化が図れる。
【０００４】
しかし、この方法においては、光導電性の表面の静電潜像に被着されたトナーパターンをプリプレグ層へ転写する方法を取っているため、基板上にはプリプレグ層を設けることが望ましく、層の均一な塗布などが必要である。また、近年の高密度実装基板では、積層基板が要求されており、電路パターンの積層化等の場合は、プリプレグ層をその都度塗布する必要があるため、多層基板の作成には不向きであった。また、プリプレグ層を塗布できないセラミック焼結基板のグリーンシートなどの電路パターン形成には適応できない等の問題があった。さらには、基板との密着性、プリプレグ層に使用する樹脂の塗料化に用いられる溶媒の種類などから、基板として利用できる材料が限定されるなどの問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、基板上に、形成した無電解銅浴に対して活性な物質からなるトナーを吸着させ、これに銅メッキを行うことにより電路パターンを形成する方法においては、使用する装置に、パターンの静電潜像を形成する光導電性表面層が設けられるため、この装置にさらに遮光手段を設ける必要があり、さらに、基板表面にトナーを受容するためのプリプレグ層を設ける必要があるために使用可能な回路基板材料が限定され、また、原版を用いてスクリーン印刷することにより電路パターンを形成する方法の場合には、マスク塗料の塗布、剥離工程が必要であり、工程が複雑化し、さらにこのマスク自体が高価で製作が煩わしいなどの問題があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、従来の回路基板の電路形成方法の問題点であった電路パターンの原版となる高価で製作の煩わしいマスクが不要で、回路パターンかつ、製造装置に特別な付帯設備を必要とせず、さらには、回路基板に使用する基板材料、および厚さ等に依存することなく電路パターンを形成することが可能な回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の回路基板の製造方法は、絶縁性基板上の所望の部分に導電性粒子を供給し、電路パターンを形成する回路基板の製造方法において、画像信号に応じて帯電された現像剤を制御電極により誘導し、前記絶縁性基板表面上に前記パターンに相当する現像剤像を形成する工程を具備することを特徴とする。
【００１２】
また、荷電粒子が現像剤である場合には、荷電粒子像は、現像剤像を形成する。たとえば現像剤担持体上の帯電された現像剤にパルス電圧を印加して現像剤を飛翔させ、飛翔した現像剤を貫通孔を有する制御電極を用いて制御し、基板上に直接現像剤像を形成することができる。
【００１３】
【作用】
本発明によれば、光導電性基材からなる静電潜像保持体を必要としないので、荷電粒子の現像工程においても従来のように遮光する必要がない。このため、製造装置に特別な付帯設備を設ける必要がない。また、光導電性基板は、光劣化、コロナイオンによる劣化などがあり、定期的な交換が必要であるが、本発明の場合には、光導電性基板が不要なため、このようなメンテナンスが不要となり、装置のランニングコストが低減できる。
【００１４】
また、本発明によれば現像剤像を直接基板上に形成することが可能となる。この場合、従来の静電潜像保持体上に形成された荷電粒子像を基板に転写する工程が省略されるため、転写によるピンホール、エッジの乱れ等の荷電粒子像の劣化がない。また、静電潜像保持体を省略できるので装置を大幅に小形化できる。
【００１５】
回転ミラーでレーザービームを走査し、画像データ信号に基づいて感光体上に静電潜像を形成する従来の電子写真プロセスでは、回転ミラーの回転速度は、画像密度、プロセススピードより決定され、回転ミラーの面数、回転速度にも限界があり、高速のパターン描画は、小形で安価な装置では実現できない問題があったが、本発明はこの問題も解決し得る。
【００１６】
【実施例】
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
【００１７】
図１は、本発明による回路基板の製造方法の概略を示す構成図である。この装置では、まず絶縁性基板１の移動方向に対して最も上流に位置する場所に表面を一様に負極性に帯電するイオン発生器２を配置し、絶縁性基板表面を−６００Ｖに一様に帯電する。
【００１８】
次に、低電圧駆動が可能なイオン流制御ヘッド３を用い、各記録ドット毎に制御された正極性のイオン流によって、絶縁性基板１表面に、反転した静電潜像を形成する。その後負極性を有する接触現像を用い、−３００Ｖの現像バイアス電圧で反転現像を行い荷電粒子像を絶縁性基板１表面に形成する。この荷電粒子像はヒートローラ１１ａ，１１ｂにより絶縁性基板１上に定着され固定される。このようなイオン流制御ヘッドを用いる方法は、レーザープリンタのような回転光学系を使用していないため、任意の信号に対応できること、接触現像により現像される画像濃度は、主に、絶縁性基板表面電位に依存し、絶縁性基板の移動速度に依存しないこと、転写工程が不要であるなどの利点がある。
【００１９】
次に、本発明の回路基板の製造方法の要部である基板上に静電潜像を形成するためのイオン発生及びイオン流制御ヘッドについて図２を用いて概要を説明する。以下の説明では絶縁性基板表面は負極性のイオンで予備帯電され、その後イオン流制御ヘッドでイオンを照射し、静電潜像を形成する場合を考える。図２（ａ）に示すように、イオン流制御ヘッドは、セラミック基板２０上に形成された厚さ数μｍ（２〜３μｍ）の誘導電極２１と厚さ数１０μｍ（〜２０μｍ）程度の誘電層２２、更に厚さ１０μｍ（〜１８μｍ）程度のイオン発生電極、イオン発生電極と同電位の遮蔽電極（イオン発生電極と遮蔽電極の間のスリット幅は約４０μｍ）とから構成されるイオン発生器と、絶縁性基板の両面に形成された第１の制御電極２７と第２の制御電極２８とから構成され、多数のイオン貫通孔が配設された制御基板３０とを、スペーサ部材３１を介してこのイオン発生器２５と制御基板３０を適当な距離（１００〜５００μｍ）だけ離して、接着・一体化することで、イオン流制御ヘッドが構成される。
【００２０】
電路パターンなどが形成される回路基板１は、導電性ベルトなどで搬送される絶縁性の基板かあるいは、裏面に導電性材料を設けた基板材料が使用される。ここで、図２（ａ）に示す基板材料１は、導電性基板３２と絶縁性基板３３によって構成され、基板裏面に配設される導電性材料は基準電極となっている。また、第２制御電極２８は、導電性基板３２と同電位である。第１制御電極２７は、非記録時には、第２制御電極２８と同電位、記録時には第２制御電極２８に対して正の制御電圧が印加されるように電気的なスイッチ素子３５で制御される。また、スイッチ素子３５は、図２（ｂ）に示されるような構成の画像信号回路に接続されており、この画像信号回路から画像信号が送られる。
【００２１】
イオン発生電極２３と遮蔽電極２４とは、非記録時には第１制御電極２７に対して負のバイアス電圧が、記録時には第１制御電極２７に対して正のバイアス電圧が与えられるように、電気的なスイッチ素子で制御される。
【００２２】
更に、誘導電極２１とイオン発生電極２３及び遮蔽電極２４との間には記録時には交流電圧３９が与えられるように、電気的なスイッチング回路４０で制御される。誘電層２２は放電により周辺部４１の物性が変わりやすいので、このように静電潜像形成時のみ交流電圧を印加すると放電回数が最小限で済み、イオン発生器のイオン発生効率の劣化を制御できる。
【００２３】
このような記録装置で画点を記録する場合には、図２に示すように、第１制御電極２７には制御電圧、イオン発生電極２３と遮蔽電極２４には第１制御電極２７に対して正のバイアス電圧、そしてイオン発生電極２３及び遮蔽電極２４と誘導電極との間には交流電圧が印加されている。誘電層２２を挟んでイオン発生電極２３及び遮蔽電極２４と誘導電極２１との間に交流電圧を印加することによって、これらの電極の周辺部４１でコロナ放電が起こり、これによってイオンが発生する。つまり、誘電層で絶縁された電極間の交流電圧を大きくすると、周辺部４１の気体分子の電離が盛んに起こる。すなわち、空気中には常に微量のイオンが存在しているが電界が大きくなるとこれらのイオンは加速されて、気体分子と衝突しこれを電離する。この電離作用がある程度以上大きくなると気体の絶縁性が失われてしまい放電が起こる。この放電により周辺部の誘電体表面が荷電していくため、やがて放電は止まる。
【００２４】
一方逆の電界が作用したときにも同様なことが起こる。今度は、誘電体表面が上記とは逆の極性のイオンで荷電される。この繰り返しによって、周辺部には正負のイオンが発生する。発生するイオンの密度は、交流電圧の大きさ、周波数に依存するが、従来のコロナチャージャとは比較できないほどの高密度のイオン電流が発生する。本発明では、交流電源の電圧としては１〜３ＫＶｐｐ、周波数は〜５０ＫＨｚとする。
【００２５】
ここで第１制御電極には制御電圧として約６０Ｖ、イオン発生電極２３には正のバイアス電圧として約２４０Ｖが印加されているので、これらの電極間に形成される電界Ｅ１によって正極性のイオンだけが第１制御電極２７の側に移動する。次に、第１制御電極２７と第２制御電極２８の間に加えられている約６０Ｖの制御電圧によって形成される電界Ｅ２によって、この正極性のイオンが多数のイオン貫通用の孔を通過することが可能となる。更に予め負極性のイオン発生器によって絶縁性基板表面が約−６００Ｖに一様に帯電されているので、この負極性のイオンによって形成される電界Ｅ３によって、イオン貫通用の孔を通過した正極性のイオンは、絶縁性基板の方向に加速される。このようにして絶縁性基板の表面に到達した正極性のイオンにより、静電潜像が形成される。画点を記録しないときは、正極性のイオンがイオン貫通孔を通過しないように画像信号回路から送られる画像信号によってスイッチ素子の接点を２側に切り替えて、第１制御電極２７と第２制御電極２８を同電位にし電界をゼロに設定する。このようにすることで、正極性のイオンの通過が遮断される。このようにイオン流の制御は、第１制御電極２７、第２制御電極２８の間に印加される電圧をスイッチ素子３５でゼロと制御電圧の間で切り替えることによって行われる。
【００２６】
また、画点を記録しない場合には、第１制御電極２７と第２制御電極２８を同電位にしておくだけでは、微量ではあるがエネルギーの高いイオンがイオン貫通用の孔を通過することがある。これを防ぐために、画点を記録しないときには第２制御電極２８のほうが第１制御電極２７より電位が高くなるように、第２制御電極２８に５〜２０Ｖ程度の正極性の電位を与えておくと良い。
【００２７】
以上の様に絶縁性基板３３上に形成された静電潜像を現像する現像装置として、接触一成分現像装置１０を用いた。現像器１０において、１０ａはトナー供給ローラ、１０ｂは、層規制ブレード、１０ｃは、現像ローラ、１０ｄは、現像剤である。
【００２８】
本実施例では、トナー供給ローラ１０ａは、導電化ポリウレタン多孔体から成るローラであり、層規制ブレード１０ｂは、シリコーンゴムの成形体、現像ローラ１０ｃは、導電性弾性を有するウレタンゴムローラの表面に導電性ウレタン塗料をディプ法により塗布した２層構造のローラである。現像剤１０ｄとしては、図６に示すように、ポリエステル樹脂１００を結着剤として用い、これに帯電極性が負極性となるように、カーボン、帯電制御剤等を内添したものを平均粒径１１μｍに粉砕、分級し、さらに、シリカを外添し、この表面に、塩化パラジュームの溶液にてパラジューム微粒子１０１を析出させたものを用いた。前記現像剤１０ｄを現像器１０にて絶縁性基板３３上に形成された静電潜像を現像し、電路パターンとなる現像剤像を熱ロール定着器１１ａ，１１ｂにより絶縁性基板３３上に定着した。さらに、この絶縁性基板３３上の電路パターンの抵抗を低減するため、基板をＣｕの無電解メッキ浴に浸漬し、Ｃｕの金属層５が５μｍの厚さとなる様にメッキを析出させた。形成された導体はパターン幅が５０μｍで、１６０℃２時間のアニール工程を経た後のシート抵抗は３ｍΩ／□、導体の密着強度は引っ張り強度試験で５０ＭＰａ以上であり、良好な導体パターンが得られた。
【００２９】
図３は、本発明に係る回路基板の製造方法の第２の実施例を説明する概略図である。図３において、５０は絶縁性基板、５１は現像装置、５２は中間転写体、５３はイオン流ヘッド、５４は、イオン流制御ヘッド、５５はクリーニング装置、５６は転写ローラである。
【００３０】
本実施例が第１の実施例と異なるところは、中間転写体５２を設け、中間転写体上に形成された現像剤を転写ローラにより、電界を加えて絶縁性基板上に現像剤像を形成することである。中間転写体は、ポリエステルなどの絶縁性フィルムをアルミ製ドラム上に張り付けた構造であり、絶縁製樹脂塗料を塗布した構造などでも良い。転写ローラは、導電性、弾性を有するポリウレタン多孔体を用い、所定の電界が加わるよう、電圧を印加した。このように構成された装置にて、前記実施例と同様に、現像剤を絶縁性基板上に画像データに基づいて、電路パターンを現像剤として形成し、定着工程にて、絶縁性基板上に固定し、さらに、この絶縁性基板３３上の電路パターンの抵抗を低減するため、基板をＣｕの無電解メッキ浴に浸漬し、Ｃｕの金属層５が５μｍの厚さとなる様にメッキを析出させた。形成された導体はパターン幅が５０μｍで、１６０℃２時間のアニール工程を経た後のシート抵抗は３ｍΩ／□、導体の密着強度は引っ張り強度試験で５０ＭＰａ以上であり、良好な導体パターンが得られた。
【００３１】
図４は、本発明に係る回路基板の製造方法の第３の実施例を説明する概略図である。図４において、６０は絶縁性基板、６１は現像装置、６２は中間転写体、６３はイオン流ヘッド、６４は、イオン流制御ヘッド、６６は転写ローラである。本実施例が第２の実施例と異なるところは、クリーニング装置を省略したことにある。中間転写体のクリーニング装置は、中間転写体上に残留する転写残りの現像剤の除去にあり、転写効率が極めて良好な場合には、クリーニング装置は不要になる。また、少量の現像剤が中間転写体上に残留する場合は、現像装置に現像バイアス電位を適当に選ぶことで、転写されなかった現像剤は、非画像部の場合、現像ローラによって現像器に回収される。
【００３２】
本実施例では、現像ローラに−５７０Ｖの電圧を印加し、クリーニング装置を省略した。前記実施例と同様に、現像剤を絶縁性基板上に画像データに基づいて、電路パターンを現像剤として形成し、定着工程にて、絶縁性基板上に固定し、更に、この絶縁性基板３３上の電路パターンの抵抗を低減するため、基板をＣｕの無電解メッキ浴に浸漬し、Ｃｕの金属層５が５μｍの厚さとなる様にメッキを析出させた。形成された導体はパターン幅が５０μｍで、１６０℃２時間のアニール工程を経た後のシート抵抗は３ｍΩ／□、導体の密着強度は引っ張り強度試験で５０ＭＰａ以上であり、良好な導体パターンが得られた。この時、非画像部にわずかに飛散した現像剤により、絶縁性の低下が問題になるが、導体パターン間の絶縁抵抗は１０15Ωであり、回路動作上問題ないレベルであった。
【００３３】
図５は本発明の実施例４に係わる集積化回路基板の製造工程を模式的に示した図である。以下に詳細を述べる。
【００３４】
図５に示す様に、集積化回路基板の製造装置は、絶縁性基板の搬送装置、現像装置、イオン発生ヘッド、イオン流制御ヘッド、定着器から構成され、それぞれの目的に合わせて、絶縁体（誘電体）、導体、抵抗体、磁性体等を含有する現像剤を現像、積層して集積化回路を形成する。同図で、７０は絶縁性基板、７１ａ，７１ｂ，７１ｃは、現像器、７２ａ，７２ｂ，７２ｃはイオン発生ヘッド、７３ａ，７３ｂ，７３ｃはイオン流制御ヘッド、７４ａ，７４ｂは熱ロール定着である。本実施例では、導体、絶縁体、導体のサンドイッチ構造を有するキャパシタの製造プロセスを、図５を用いて説明する。
【００３５】
現像装置７１ａ，７１ｃはそれぞれ導体を形成するための現像装置である。現像剤は、導電性微粒子を含有する現像剤、もしくは図７（ａ）に示すような、金属コア１１０を熱可塑性樹脂１１１などでコートしたものを用いる。また、現像装置７１ｂはキャパシタの誘電体層を形成するための現像装置である。現像剤としては、図７（ｂ）に示すようなコア１１０に誘電体材料を用い、その外側を熱可塑性樹脂１１２で被覆した絶縁性現像剤を用いる。
【００３６】
本実施例では、導体用現像剤には、コア粒子としてＡｇ粉末（直径１０μｍ程度、アスペクト比ａ／ｂ＝５（最長方向の長さをａ、最小方向の長さをｂ）のフレーク状）２２を用い、表面にポリエステル樹脂２１を被覆する。ポリエステル樹脂には現像剤構造として、静電転写パターンを形成するために現像剤の帯電量を制御するため、あるいはパターン形成の確認を容易とするため、電荷制御剤やカーボン粒子を混合してもよい。本樹脂の被覆にはそのように調整した平均粒径１μｍ以下の樹脂粉末と金属コア粒子を重量比で１００：１０に混合し、高速にて回転するローター中にて常温で混合、融合させる。高速回転時の温度上昇にもより金属コア粒子の表面に約１μｍのポリエステル樹脂被膜が形成される。このポリエステル樹脂被覆現像剤は通常の現像剤とほぼ同様のプロセスで転写、定着が可能であった。また、誘電体用現像剤としては、軟化点が、前記導体用現像剤の被覆に用いられたポリエステル樹脂よりも２０℃程度高い樹脂に帯電制御剤を加え現像剤とした。
【００３７】
誘電体用現像剤としては、メラミン樹脂やベンゾグアナミン樹脂の有機物微粒子或いはガラス、シリカの無機物微粒子や金属酸化物、金属窒化物の微粒子にポリエステル樹脂やテフロン樹脂などの熱可塑性樹脂をコートしたもの、或いはポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、ポリフェニレンエチレン樹脂などの熱硬化性樹脂をコートし半硬化状態にしたものが挙げられる。トナー形成はいずれも針状、板状、柱状などアスペクト比が２以上のものである。また、２液混合のエポキシ樹脂を硬化剤と主剤を別々にマイクロカプセル化し、定着時に硬化反応を起こしてエポキシ樹脂の絶縁層を得ても良い。以上のような現像剤をそれぞれの現像装置にて、絶縁性基板上に、イオン発生ヘッド、イオン流制御ヘッドにより、キャパシタの形状に対応して画像信号を制御し、形成された静電潜像を現像し、現像剤像を熱ロール定着器にて固定することでキャパシタが形成できる。本実施例では、キャパシタの製造プロセスについて説明したが、現像剤を適宜変更することで、抵抗体、インダクタ等を形成することも可能である。抵抗体トナーに関して例えば、ＮｉＣｒ合金の金属粉に接着用樹脂をコーティングしたものを用い、さらに高抵抗化を計る場合には、Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒなどの金属粉をコーティングした接着用樹脂にシリカの微粒子を均一に分散させたものを用いても良い。
【００３８】
図８ないし１０は、本発明の実施例５に係る集積回路基板の製造方法を示す模式図である。以下に詳細を述べる。図８では、現像器８０を用いて、回路基板上に形成する導体、誘導体、抵抗体などの構成要素に対応した現像剤を現像剤担持体８１の表面に均一に薄層を形成し、制御電極８３によって、基板材料８５上に電路パターンに対応した電気信号に従って現像剤によるパターンを形成するものである。続いて、図９を用いてその詳細を説明する。図９において、現像剤８２は、現像剤担持体表面に現像剤供給ローラ（図示せず）、層規制ブレート（図示せず）などにより帯電、薄層化され、搬送される。制御電極８３は、現像剤担持体側に形成された加速電極８３ａとその反対側に形成された個別電極８３ｂから構成され、図１０（ａ）に示す貫通孔８４を通して現像剤担持体上の現像剤の飛翔を制御する。現像剤の飛翔は、図１０（ｂ）に示すような画像信号回路に接続された個別電極用電源８７と、加速電極制御用電源８６とによりパルス電圧を印加し、加速電極によって現像剤担持体上の現像剤をスモーク状に舞い上げ、更に基板方向に大きな電界を誘起するように、個別電極に電圧を印加することにより行われる。
【００３９】
回路基板としては、絶縁性基板の背面に導電性基板を形成したものと、絶縁性基板のみの構成で、プラテンなどの背面電極を設ける構成がある。本実施例では、絶縁性基板の背面に導電性基板を接合した構成の回路基板を用いた場合の集積化回路基板の製造方法を示す。従って、回路基板８５は、導電性基板８５ｂ上に、絶縁性基板８５ａを接合した構成となっており、より具体的には、３５μｍの厚みの銅箔に厚さ１００μｍのポリイミドシートを接着した構造を採用した。
【００４０】
以上のように構成された回路基板製造装置により導体を形成したところ、導体としての特性は、前記実施例と同様に、十分な性能が得られた。本実施例では導体の形成方法のみを示したが、前記実施例４に示すように、多重に現像剤を形成することが可能である。
【００４１】
また、本発明においては、各実施例を拡大し、これら形成装置を適宜組み合わせることにより、連続的に絶縁体、導体、抵抗体、コンデンサ、インダクタの各回路要素膜を所望の領域に形成、積層し、最終的に集積化回路基板を得ることが可能になる。
【００４２】
なお、上述の実施例においては、荷電粒子の制御を大気中で行なったが、荷電粒子を液体好ましくは絶縁性の液体中に分散させて制御を行なうことも可能である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、高価で製作の煩わしいマスクが不要で、かつ光導電性基材などの静電潜像保持体を必要とせず、静電潜像形成、現像工程あるいは現像剤像の形成工程においても、従来のような遮光手段を必要としない。このことから、装置に特別な付帯設備を省き、製造装置を小形化することができる。また、光導電性基板は、光劣化、コロナイオンによる劣化などがあり、定期的な交換が必要であるが、本発明の場合には、光導電性基材が不要なため、このようなメンテナンスが不要となり、装置のランニングコストが低減できる。また、基板の材質や厚さに関係なく優れた画像が得られる。さらに、本発明によれば、回転ミラーでレーザービームを走査し、画像データ信号に基づいて感光体上に静電潜像を形成する従来の電子写真プロセスでは、回転ミラーの回転速度は、画素密度、プロセススピードより決定され、回転ミラーの面数、回転速度にも限界があり、高速のパターン描画は、小形で安価な装置では実現できないと言う従来技術の問題を回避できる。
【００４４】
また、荷電粒子像を直接基板上に形成し、転写工程を省くことも可能であるため、静電潜像保持体上に形成された荷電粒子像を基板に転写する工程が省略されるため、転写によるピンホール、エッジの乱れ等の荷電粒子像の劣化を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る回路基板の製造方法の第１の例を説明するための概略図。
【図２】  本発明に係る回路基板の製造方法の第１の例の要部を説明するための概略図。
【図３】  本発明に係る回路基板の製造方法の第２の例を説明するための概略図。
【図４】  本発明に係る第１の回路基板の製造方法の第３の例を説明する概略図。
【図５】  本発明に係る第１の回路基板の製造方法の第４の例を説明する断面図。
【図６】  本発明に係る回路基板の製造方法に用いられる現像剤の一例の構造を説明する断面図。
【図７】  本発明に係る回路基板の製造方法に用いられる現像剤の他の一例の構造を説明する断面図。
【図８】  本発明に係る回路基板の製造方法の第５の例を説明する概略図。
【図９】  本発明に係る回路基板の製造方法の第５の例を説明する概略図。
【図１０】  本発明に係る回路基板の製造方法の第５の例を説明するための概略図。
【符号の説明】
１，５０，６０，７０…絶縁性基板
２，５３，６３，７２ａ，７２ｂ，７２ｃ…イオン発生ヘッド
３，５４，６４，７３ａ，７３ｂ，７３ｃ…イオン流制御ヘッド
１０，５１，６１，７１ａ，７１ｂ，７１ｃ…現像器
【図１】
0003697271.tif 000002
【図２】
0003697271.tif 000003
【図３】
0003697271.tif 000004
【図４】
0003697271.tif 000005
【図５】
0003697271.tif 000006
【図６】
0003697271.tif 000007
【図７】
0003697271.tif 000008
【図８】
0003697271.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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