(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、電極が絶縁体層上に形成された薄膜素子を設けるとともに、該薄膜素子を絶縁性保護膜で被覆してなり、該絶縁性保護膜に、前記電極と電気的に接続する外部端子が設けられる貫通孔を形成してなる薄膜電子部品であって、前記貫通孔の周りの前記絶縁体層上に、前記電極を分割する環状の絶縁ダム部が形成されていることを特徴とする薄膜電子部品。
【請求項２】
貫通孔の周りの絶縁性保護膜に環状の隆起部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜電子部品。
【請求項３】
貫通孔内に電極と電気的に接続される外部端子が形成されており、該外部端子が絶縁性保護膜から突出していることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜電子部品。
【請求項４】
隆起部の高さは２μｍ以上であることを特徴とする請求項２記載の薄膜電子部品。
【請求項５】
支持基板上に、下側電極、絶縁体層を順次積層する工程と、前記絶縁体層に前記下側電極が露出する第１貫通孔および第２貫通孔を形成する工程と、前記第１貫通孔の周りの前記絶縁体層表面に環状の第１絶縁性保護膜を形成する工程と、前記絶縁体層上、並びに前記第１貫通孔および第２貫通孔の内面に上側電極を形成する工程と、該上側電極および前記第１絶縁性保護膜の上面に第２絶縁性保護膜を形成する工程と、該第２絶縁性保護膜における前記第１貫通孔および第２貫通孔の形成位置に、前記上側電極と電気的に接続する外部端子が設けられる貫通孔を形成する工程とを具備することを特徴とする薄膜電子部品の製法。
【請求項６】
第１絶縁性保護膜の膜厚は上側電極よりも厚いことを特徴とする請求項５記載の薄膜電子部品の製法。
【請求項７】
絶縁材料からなる基体の表面に、請求項１乃至４のうちいずれかに記載の薄膜電子部品を設けてなることを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜電子部品に関し、例えば、薄膜コンデンサに好適に用いられる高周波用途の薄膜電子部品およびその製法並びに基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴い、電子機器内に設置される電子部品にも小型化、薄型化、高周波対応などの要求が強くなってきている。
【０００３】
特に、大量の情報を高速に処理する必要のあるコンピュータの高速デジタル回路では、パーソナルコンピュータレベルにおいても、ＣＰＵチップ内のクロック周波数は２００ＭＨｚから１ＧＨｚ、チップ間バスのクロック周波数も７５ＭＨｚから１３３ＭＨｚという具合に高速化が顕著である。
【０００４】
また、ＬＳＩの集積度が高まりチップ内の素子数の増大につれ、消費電力を抑えるために電源電圧は低下の傾向にある。これらＩＣ回路の高速化、高密度化、低電圧化に伴い、コンデンサ等の受動部品も小型大容量化と併せて、高周波もしくは高速パルスに対して優れた特性を示すことが必須になってきている。コンデンサの小型・大容量化を実現するためには、誘電体層の薄膜化、電極パターンの小型化が有効であり、種々の薄膜コンデンサが提案されている。
【０００５】
誘電体層の薄膜化による弊害として、絶縁特性の劣化が懸念される。これら薄膜電子部品の絶縁特性を向上するため、種々の手法が提案されている。例えば、特開平７−１８３１６５号公報、特開平８−３１９５１号公報には絶縁体層の微構造を改良し、絶縁体層自身のリーク特性を改良した例が開示されている。また、特開平９−１９９３７３号公報には上側電極が絶縁体層端部を被覆しない様なエアブリッジ構造を採用し、絶縁体層端部での絶縁性劣化を改善した例が開示されている。
【０００６】
薄膜コンデンサとしては、例えば、図７に示すように、支持基板４１上に、絶縁体層４３（誘電体薄膜）と下側電極４５、上側電極４７を有する薄膜素子Ａが複数設けられて構成され、絶縁体層４３は電極４５、４７により挟持されて薄膜素子Ａ（容量素子）を構成することが考えられる。
【０００７】
また、薄膜素子Ａは絶縁性保護膜４９で被覆されており、この絶縁性保護膜４９には、底面に上側電極４７が露出する貫通孔５１が形成されている。この貫通孔５１内には、ハンダバリア層５３を介してハンダバンプからなる外部端子５５が形成されている。この薄膜コンデンサでは、上側電極４７は、下側電極４５との導通を防止するため、貫通孔５１の周りが環状に除去され（ｘで示す）、上側電極４７の一部が分割されている。
【０００８】
このような薄膜コンデンサは、支持基板上にスパッタリング法、ＣＶＤ法等の気相合成法を用いて下側電極を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、パターン加工を行う工程と、パターン加工された下側電極上に、気相合成法やゾルゲル法などで絶縁体層を形成し、フォトリソグラフィを用いてパターン加工する工程と、パターン加工された絶縁体層上に上側電極を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、パターン加工を行う工程と、上側電極上に絶縁性保護膜を形成する工程と、この絶縁性保護膜に貫通孔を形成し、この貫通孔内に、下側電極および上側電極にそれぞれ電気的に接続する外部端子を形成する工程を経て作製される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した様な工程で薄膜電子部品を作製する場合、絶縁体層上に上側電極を形成した後、上側電極が下側電極と電気的に接続されないように余分な上側電極をパターン加工して除去していたため、絶縁体層上に上側電極のエッチング残渣が生じ、この絶縁体層上のエッチング残渣による表面リーク電流が発生し、薄膜電子部品の絶縁特性が劣化してしまうという問題があった。
【００１０】
本発明は、高容量、高絶縁性を有する小型の薄膜電子部品およびその製法並びに基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜電子部品は、支持基板上に、電極が絶縁体層上に形成された薄膜素子を設けるとともに、該薄膜素子を絶縁性保護膜で被覆してなり、該絶縁性保護膜に、前記電極と電気的に接続する外部端子が設けられる貫通孔を形成してなる薄膜電子部品であって、前記貫通孔の周りの前記絶縁体層上に、前記電極を分割する環状の絶縁ダム部が形成されていることを特徴とする。貫通孔の周りの絶縁性保護膜に環状の隆起部が形成されている。
【００１３】
このような薄膜電子部品は、支持基板上に、下側電極、絶縁体層を順次積層する工程と、前記絶縁体層に前記下側電極が露出する第１貫通孔および第２貫通孔を形成する工程と、前記第１貫通孔の周りの前記絶縁体層表面に環状の第１絶縁性保護膜を形成する工程と、前記絶縁体層上、並びに前記第１貫通孔および第２貫通孔の内面に上側電極を形成する工程と、該上側電極および前記第１絶縁性保護膜の上面に第２絶縁性保護膜を形成する工程と、該第２絶縁性保護膜における前記第１貫通孔および第２貫通孔の形成位置に、前記上側電極と電気的に接続する外部端子が設けられる貫通孔を形成する工程とを具備する製法により得られる。
【００１４】
上側電極は加工した絶縁体層上に直接スパッタ法で形成され、フォトレジストを用いたエッチング加工により、絶縁体層上の上側電極の一部が除去され、絶縁体層上の同一面上に形成された極性の異なる電極間（上側電極と下側電極との間）の電気的な導通が阻止されていたが、本発明では、上側電極の一部を除去していた部分、即ち、下側電極に電気的に接続される外部端子用の貫通孔（第１貫通孔）の周りに、予め環状の第１絶縁性保護膜を形成し、この後、上側電極を形成し、絶縁体層上、並びに第１貫通孔および第２貫通孔の内面だけに上側電極が形成されるよう、第１絶縁性保護膜上の上側電極のみをエッチング加工することにより、絶縁体層上の上側電極の一部（極性の異なる電極間）をエッチング加工する必要がなく、下側電極と確実に絶縁することができ、エッチング残渣による異なる極性の電極間の表面リーク電流の発生を低減でき、これに起因する絶縁不良を防止できる。
【００１５】
第１絶縁性保護膜の膜厚は上側電極よりも厚いことが望ましい。上側電極よりも第１絶縁性保護膜の膜厚を大きくすることにより、電極間の障壁の高さが高くなり、異なる極性の電極間の表面リーク電流の発生を防止できる。
【００１６】
このように第１絶縁性保護膜の膜厚を上側電極よりも厚くすることにより、下側電極と電気的に接続される外部端子の周りの絶縁性保護膜に環状の隆起部が形成されることになる。
【００１７】
絶縁性保護膜に形成された環状の隆起部または絶縁ダム部の高さは２μｍ以上であることが望ましい。これは、上側電極と第１絶縁性保護膜との高低差が大きくなり、この第１絶縁性保護膜により異なる極性の電極間を確実に絶縁することができるとともに、異なる極性の電極間の表面リーク電流の発生をさらに確実に防止できる。このような隆起部は、第１絶縁性保護膜（絶縁ダム部）の膜厚を上側電極よりも２μｍ以上厚くすることにより得られる。
【００１８】
また、本発明の薄膜電子部品では、絶縁体層非形成領域にハンダバンプからなる外部端子が形成されるため、絶縁体層の厚みに対して非常に大きな外部端子がリフロー時に収縮しても、リフロー工程で生じる外部端子の熱収縮に伴う応力に対して絶縁体層が直接ダメージを受けず、絶縁体層に過大な応力が発生することがなく、絶縁体層におけるクラック発生を防止することができ、クラックに半田が流れ込むことがなく、これにより絶縁性を確保することができ、素子特性を維持した状態で、かつ実装信頼性も確保できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の薄膜コンデンサからなる薄膜電子部品を示すもので、この薄膜コンデンサは、支持基板１上に、絶縁体層３（誘電体薄膜）と下側電極５、上側電極７を有する薄膜素子Ａが複数設けられて構成されている。電極５、７はＡｕから構成され、絶縁体層３は電極５、７により挟持されて薄膜素子Ａ（容量素子）が構成されている。
【００２０】
また、薄膜素子Ａは絶縁性保護膜９で被覆されており、この絶縁性保護膜９には、底面に下側電極５または上側電極７が露出する貫通孔１１が形成されている。この貫通孔１１内には、ハンダバリア層１３を介してハンダバンプからなる外部端子１５ａ、１５ｂが突出して形成されている。
【００２１】
薄膜コンデンサの誘電体薄膜を構成する絶縁体層３は、高周波領域において高い比誘電率を有するペロブスカイト型酸化物結晶からなる誘電体でよく、例えばＰｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3系、Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3系、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系、Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3−Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系、（Ｐｂ，Ｌａ）ＺｒＴｉＯ3系、ＢａＴｉＯ3系、（Ｓｒ，Ｂａ）ＴｉＯ3系、あるいはこれに他の添加物を添加したり、置換した化合物であってもよく、特に限定されるものではない。
【００２２】
また、絶縁体層３の膜厚は、高容量と絶縁性を確保するため０．３〜１．０μｍが望ましい。これは０．３μｍよりも薄い場合には被覆性が低下し、絶縁性が低下する場合があり、１．０μｍよりも厚い場合には容量が小さくなる傾向があるからである。絶縁体層３の膜厚は０．４〜０．８μｍが望ましい。
【００２３】
Ａｕからなる電極５、７の膜厚は、高周波領域でのインピーダンスと膜の被覆性を考慮すると０．３〜０．５μｍが望ましい。電極５、７の膜厚が０．３μｍよりも薄い場合には、一部に被覆されない部分が発生する虞があるからであり、また０．５μｍよりも厚い場合は、高周波領域における導体の表皮効果を考慮すると導体層の抵抗は殆ど変化しないからである。
【００２４】
支持基板１としては、アルミナ、サファイア、窒化アルミ、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ3単結晶、表面酸化シリコン、ガラス、石英等から選択されるもので特に限定されない。
【００２５】
絶縁性保護膜９は、例えば、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、ポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等から構成されている。
【００２６】
ハンダバリア層１３は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、およびこれらの金属から選ばれる２種以上からなる合金のうちいずれかからなり、スパッタ、蒸着、メッキ等で形成可能であれば良い。ハンダバリア層１３の厚みは、ハンダバリアとしての機能を発現するためには０．３μｍ以上の厚みであればよい。
【００２７】
そして、下側電極５は外部端子１５ｂを取り囲むように環状にエッチングされ、容量を形成する下側電極５ａと、容量を形成せず、上側電極７に接続する下側電極５ｂに分割されている。また、上側電極７は、絶縁体層３上において、外部端子１５ａを取り囲むように環状に形成されていない部分があり、容量を形成する上側電極７ａと、容量を形成せず、下側電極５ａに接続される上側電極７ｂに分割されている。上側電極７ａと上側電極７ｂとの間には、絶縁ダム部１６が形成されている。薄膜素子Ａは下側電極５ａと上側電極７ａにより、絶縁体層３を挟持して構成されている。下側電極５ａと電気的に接続される外部端子１５ａ（貫通孔１１）の周りの絶縁性保護膜９には、図１および図２に示すように、リング状の隆起部１７が形成されている。この隆起部１７の形状は環状であれば良く、円形状、四角形状等、特に限定されない。また、絶縁体層３は、絶縁体層非形成領域Ｂを除く全面に、下側電極（金属層５ｂも含む）５および上側電極（金属層７ｂも含む）７は、環状にエッチングされた部分を除いて全面に形成されている。
【００２８】
この隆起部１７の高さｈは２μｍ以上であることが望ましい。これは、極性の異なる電極間の障壁の高さを十分に高くできるため、表面リーク電流の発生を確実に防止できるからである。
【００２９】
このような薄膜電子部品は、例えば、先ず、図３（ａ）に示すように、支持基板１上に下側電極５をスパッタ法により形成し、図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて下側電極５をパターン加工し、上側電極７に接続される外部端子１５ｂの周りに該当する部分を環状に除去し、下側電極５ａ、５ｂを形成する。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、全面に、例えば、ゾルゲル法にて合成した塗布溶液を塗布し、乾燥させた後、熱処理して焼成し、絶縁体層３を形成する。この絶縁体層３を、フォトリソグラフィ技術を用いて、図３（ｄ）に示すように、下側電極５が露出するように絶縁体層３を加工し、絶縁体層３に下側電極５が露出する第１貫通孔２１および第２貫通孔２３を形成する。
【００３１】
そして、図３（ｅ）に示すように、第１貫通孔２１の周りの絶縁体層３表面、即ち、下側電極５ａと接続される外部端子１５ａの周りに、例えば、感光性のＢＣＢ樹脂を塗布し、環状の第１絶縁性保護膜２５を形成する。この環状の第１絶縁性保護膜２５は、全面にＢＣＢ樹脂を塗布し、露光現像することにより形成でき、絶縁ダム部１６となる。
【００３２】
次に、第１絶縁性保護膜２５表面、絶縁体層３表面、並びに第１貫通孔２１および第２貫通孔２３の内面に上側電極７を形成し、第１絶縁性保護膜２５表面の上側電極７をフォトリソグラフィ技術を用いて除去し、図３（ｆ）に示すような上側電極７ａ、７ｂを形成する。
【００３３】
この後、図３（ｇ）に示すように、上側電極７および第１絶縁性保護膜２５の上面に、例えば、感光性のＢＣＢ樹脂を塗布して第２絶縁性保護膜９を形成する。これにより第１絶縁性保護膜２５が形成された部分では、第２絶縁性保護膜９が隆起し、隆起部１７を形成することになる。尚、第１絶縁性保護膜２５と第２絶縁性保護膜９は一体となる。
【００３４】
この後、図３（ｈ）に示すように、第２絶縁性保護膜９における第１貫通孔２１および第２貫通孔２３の形成位置に、露光、現像により上側電極７が露出する貫通孔１１を形成し、この貫通孔１１内面に、図３（ｉ）に示すように、例えば、蒸着法によりハンダバリア層１３を形成し、例えば、スクリーン印刷を用いて共晶半田ペーストを印刷し、リフローを行い、半田バンプからなる外部端子１５ａ、１５ｂを形成することにより、本発明の薄膜コンデンサが作製される。
【００３５】
本発明の基板は、図４に示すように、上記のようにして構成された薄膜電子部品３０の外部端子１５を、絶縁材料からなる基体３１の表面に形成された電極３３に接続して構成されている。
【００３６】
また、上記例では、本発明を薄膜コンデンサに適用した例について説明したが、本発明では上記例に限定されるものではなく、例えば、薄膜インダクタ、薄膜ＬＣフィルタ、薄膜抵抗、薄膜ＲＣフィルタ、あるいは、薄膜コンデンサ、薄膜インダクタ、薄膜ＬＣフィルタ、薄膜抵抗、薄膜ＲＣフィルタを複合した薄膜複合部品に適用しても良い。
【００３７】
また、上記例では、一層の絶縁体層を電極で挟持した単板型を示したが、複数の絶縁体層と電極とを交互に積層した積層型の薄膜コンデンサであっても良い。
【００３８】
さらに、本発明の薄膜電子部品では、半田バンプからなる外部端子１５ａ、１５ｂを保護膜９の貫通孔１１に設けた例について説明したが、本発明は上記例に限定されるものではなく、要旨を変更しない範囲で変更できる。
【００３９】
例えば、半田バンプを形成しない場合には、図５に示すように、保護膜９の貫通孔１１内に形成されたハンダバリア層１３が外部端子となる。尚、図５は、半田バンプからなる外部端子を設けない以外は、図１と同一であるため同一符号を付した。
【００４０】
この場合には、母基板に実装する段階で導電性部材により、母基板の表面電極とハンダバリア層１３が接続される。導電性部材としては、形状的には、バンプ状、箔状、板状、ワイヤ、ペースト状等があり、特に限定されるものではなく、複数の形状を組合せても良い。また、材質は、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎなどがあり、導電性のものであれば良く、複数の材料を組合せても良い。導電性樹脂であっても良い。
【００４１】
尚、ハンダバリア層１３が形成されない場合や、ハンダバリア層１３の上面に半田密着層が形成される場合には、保護膜９の貫通孔内に露出した層が外部端子となる。
【００４２】
【実施例】
電極ならびにハンダバリア層の形成は高周波マグネトロンスパッタ法にて、絶縁体層はゾルゲル法にて作製した。
【００４３】
先ず、アルミナからなる支持基板上にＴｉからなる３ｎｍの密着層を形成し、この密着層の上面に、０．３μｍのＡｕ層を形成し、密着層とＡｕ層からなる下側電極とした。
【００４４】
フォトリソグラフィ技術を用いて下側電極をパターン加工した。加工された下側電極に、ゾルゲル法にて合成したＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3塗布溶液をスピンコート法を用いて塗布し、乾燥させた後、３８０℃で熱処理、８１５℃で焼成を行い、膜厚０．７μｍのＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3からなる絶縁体層を形成した。その後フォトリソグラフィ技術を用いて、下側電極が露出するように、絶縁体層を加工し、第１貫通孔、第２貫通孔を形成した。
【００４５】
次に感光性のＢＣＢ樹脂を絶縁体層上に塗布・成膜し、上側電極の形成部分が露出するようなネガパターンで加工し、厚み２μｍの第１絶縁性保護膜（絶縁ダム部）を形成した。
【００４６】
次に、絶縁体層表面、第１絶縁性保護膜表面、第１貫通孔および第２貫通孔の内面に、膜厚３０ｎｍのＴｉからなる密着層と膜厚０．３μｍのＡｕ層を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、第１絶縁性保護膜表面のＡｕ層とＴｉ層を除去し、上側電極とした。
【００４７】
この後、再度光感光性ＢＣＢを全面に塗布し、露光、現像を行い、上側電極のＡｕ層が露出するように、直径約１００μｍ、深さ１μｍの貫通孔を有する第２絶縁性保護膜を形成した。この時点で、薄膜コンデンサには、高さｈが２μｍの環状の隆起部が形成されていた。
【００４８】
第２絶縁性保護膜上および貫通孔内に、膜厚１．５μｍのハンダバリア層を形成し、この後、膜厚０．１μｍの半田密着層Ａｕを形成し、貫通孔の内壁面、および保護膜表面における貫通孔周囲が残留するように、貫通孔を中心に直径１２０μｍの形状にフォトリソグラフィを用いて加工した。
【００４９】
最後に、スクリーン印刷を用いて半田密着層上にＰｂが６３重量％、Ｓｎが３７重量％からなる共晶半田ペーストを転写し、リフローを行い、半田バンプからなる外部端子を形成し、図１に示したような薄膜コンデンサを得た。
【００５０】
得られた薄膜コンデンサの有効電極面積は１．４ｍｍ2であり、周波数１ｋＨｚでの静電容量は約４０ｎＦであった。
【００５１】
比較例として、図７に示した様な、第１絶縁性保護膜を形成せず、上側電極の一部をエッチングすることにより異なる極性の電極間を離間した薄膜コンデンサを作製した。この薄膜コンデンサには、環状の隆起部は形成されなかった。
【００５２】
両者の構造の違いを比較するため、大気中（室温・湿度６０％）でのリーク電流−電界強度との関係を評価した。その結果を図６に示す。
【００５３】
図６によると、本発明の薄膜コンデンサにおいては、電界強度が約１００Ｖ／μｍで破壊するのに対し、比較例の薄膜コンデンサでは、高々５０Ｖ／μｍと低く、かつバラツキも大きいことが判る。この様に、本発明の薄膜コンデンサでは高い絶縁性を確保できることが判る。
【００５４】
また、第１絶縁性保護膜の厚みを３μｍとする以外は、上記と同様にして薄膜コンデンサを作製したところ、上記と同様高い破壊電圧強度を有していた。
【００５５】
【発明の効果】
以上の詳述したように、本発明によれば、下側電極に電気的に接続される外部端子用の貫通孔の周りに、予め環状の第１絶縁性保護膜（絶縁ダム部）を形成し、この後、受動素子を形成する絶縁体層上、並びに第１貫通孔および第２貫通孔の内面だけに上側電極が形成されるよう、第１絶縁性保護膜上の上側電極のみがエッチング加工されるため、絶縁体層上の上側電極の一部（極性の異なる電極間）をエッチング加工する必要がなく、異なる極性の電極間を確実に絶縁することができ、エッチング残渣による異なる極性の電極間の表面リーク電流の発生を防止でき、これに起因する絶縁不良を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜電子部品の断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】本発明の薄膜電子部品の製法を説明するための工程図である。
【図４】本発明の基板を示す断面図である。
【図５】ハンダバリア層が外部端子となる場合の本発明の薄膜電子部品を示す断面図である。
【図６】リーク電流−破壊電圧との関係を示すグラフである。
【図７】薄膜電子部品を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・支持基板
３・・・絶縁体層
５、７・・電極
９・・・第２絶縁性保護膜
１１・・・貫通孔
１５・・・外部端子
１７・・・隆起部
１６・・・絶縁ダム部
２１・・・第１貫通孔
２３・・・第２貫通孔
２５・・・第１絶縁性保護膜
３０・・・薄膜コンデンサ
３１・・・基体
Ａ・・・薄膜素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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