(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも軟磁性膜，保護膜，サーボパターンが形成された樹脂層，反射膜，下地誘電体膜，記録膜，上地誘電体膜およびカバー層が、この順に形成され、前記保護膜が軟磁性膜の磁気特性の変化を防止する機能を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記軟磁性膜が、ＦｅＣで形成されていることを特徴とする請求項１の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記軟磁性膜と記録膜との距離が１０μｍ程度以下となるように、前記樹脂層，反射膜及び下地誘電体膜の膜厚が調整されていることを特徴とする請求項１又は２の光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記軟磁性膜と、記録再生ヘッドに設けられた磁場発生用コイルとの距離が２２±４μｍ程度に保たれるように、前記保護膜からカバー層までの各構成膜の膜厚が調整されていることを特徴とする請求項１の光磁気記録媒体。
【請求項５】
第１基板上に、軟磁性膜および保護膜がこの順に形成された第１部材と、光透過性の第２基板上に，サーボパターンが形成された樹脂層，反射膜，下地誘電体膜，記録膜，上地誘電体膜およびカバー層がこの順に形成された第２部材とが、嫌気性硬化樹脂を介して、前記保護膜と前記第２基板とが接着されるようにして構成され、前記保護膜が軟磁性膜の磁気特性の変化を防止する機能を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項６】
前記軟磁性膜が、ＦｅＣで形成されていることを特徴とする請求項５の光磁気記録媒体。
【請求項７】
前記軟磁性膜と記録膜との距離が１０μｍ程度以下となるように、前記樹脂層，反射膜及び下地誘電体膜の膜厚が調整されていることを特徴とする請求項５又は６の光磁気記録媒体。
【請求項８】
前記軟磁性膜と、記録再生ヘッドに設けられた磁場発生用コイルとの距離が２２±４μｍ程度に保たれるように、前記保護膜からカバー層までの各構成膜の膜厚が調整されていることを特徴とする請求項５の光磁気記録媒体。
【請求項９】
基板上に、スパッタリング法により軟磁性膜を形成し、軟磁性膜の上に保護膜を形成し、所定のサーボパターンが形成されたスタンパ上に熱硬化樹脂を所定量滴下した部材を、熱硬化樹脂の表面と保護膜とが接するように押し付け、所定の加熱をすることにより熱硬化樹脂を硬化させた後スタンパを剥離し、前記熱硬化樹脂の上に、反射膜，下地誘電体膜，記録膜及び上地誘電体膜をこの順にスパッタリング法により形成し、さらに上地誘電体膜の上に紫外線硬化樹脂を塗布することによりカバー層を形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
第１基板上にスパッタリング法により軟磁性膜および保護膜をこの順に製膜した第１部材を製作し、所定のサーボパターンが形成されたスタンパ上に紫外線硬化樹脂を滴下し、紫外線硬化樹脂の上に光透過性の第２基板を押しつけた後、第２基板の上方から紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂を硬化させて樹脂層を形成した第１部材を製作し、前記第２部材の第２基板上に、嫌気性硬化樹脂を滴下し、この嫌気性硬化樹脂を介して前記第１部材の保護膜と前記第２基板とを結合し、前記嫌気性硬化樹脂を硬化させた後スタンパを剥離し、前記樹脂層のサーボパターンが形成された表面の上に、反射膜、下地誘電体膜、記録膜及び上地誘電体膜をこの順にスパッタリング法により形成し、さらに、上地誘電体膜の上に紫外線硬化樹脂を塗布することによりカバー層を形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光磁気記録媒体に関し、特に軟磁性膜を有する光磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、実用化されている光磁気記録媒体の多くは、透明基板上に記録層や保護層などを積層して、基板側から光を入射させて情報の記録・再生を行うものである。
光磁気記録媒体の高密度化をするために、トラック幅、および記録マークサイズを微細化することが挙げられるが、たとえば、光磁気記録媒体に照射される光ビームのスポットサイズを小さくすることが行われている。現在、光磁気記録媒体に用いられる対物レンズの開口数ＮＡは０．５５〜０．６程度である。
【０００３】
一般に、スポットサイズをφ、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザ光の波長を(とすると、φ＝(／２ＮＡという関係式が成り立つ。この式より、スポットサイズφを小さくするためには、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。ＮＡを大きくすれば、分解能を高めることができるが、焦点距離が短くなる。
したがって、開口数ＮＡを大きくすればするほど、基板の厚さむらやチルトによる収差が大きくなるので、できるだけ基板の厚さを薄くする必要がある。よって、従来のように基板側から光を入射して記録再生を行うよりも、記録膜側から光を入射して記録再生を行う方が高密度化を実現する上では好ましい。
以下、記録膜側から光を入射して記録再生を行う方式を、フロントイルミネーション方式と呼ぶ。
【０００４】
フロントイルミネーション方式では、磁場を発生するコイルと対物レンズとが一体となった構造のオプティカル  フライング  ヘッドや、近接アクチュエータを用いる。
一般に高い記録磁界（たとえば３００Ｏe以上）を印加する必要のある光磁気記録媒体では、近接アクチュエータのコイルに、大電流（９００ｍＡ程度）を流す必要がある。
一方、記録再生の速度を向上させるためには、高速で電流のＯＮ／ＯＦＦをしなければならず、高速の過渡応答が要求される。
しかし、大電流を流す場合は、電流の過渡応答時間が長くならざるを得ず、高速の電流スイッチングすなわち高速の磁場スイッチングが困難となる。
【０００５】
また、高速の電流スイッチングを行うと、電流はコイルの表層を流れるようになるので、コイルの抵抗値が増加し、このためコイルが発熱し、性能劣化や寿命等が問題となる。
したがって、高い記録磁界を必要とする媒体では、高速の電流スイッチングは困難であり、記録速度として１００Ｍｂｐｓを実現するためには、記録磁界の強度の上限値は２００Ｏe程度以下に抑える必要がある。すなわち、１００Ｍｂｐｓという要求仕様を満たすためには、磁界強度を低減させる必要がある。
【０００６】
そこで、外部から印加する磁界強度を２００Ｏeに低減させても、３００Ｏeの磁界と同様な記録性能を維持するために、基板の上であって記録層の下地に、ＮｉＦｅなどの軟磁性層を形成することが行われている。
これは、軟磁性層に磁界を印加すると、磁束は拡散せずに集中するという性質により、高磁界をかけたのと同じような磁化状態が形成されるからである。したがって、軟磁性層を形成すれば、コイルに流す電流を少なくしても、高い記録磁界を必要とする媒体への記録再生ができる。
【０００７】
ところで、３００Ｏeの高磁界をかけたのと同様の効果を得るためには、軟磁性層の膜厚は、１００ｎｍ以上は必要である。
従来の一般的な光磁気記録媒体の基板の表面には、ランドとグルーブからなる凹凸形状のサーボパターンが形成されており、このサーボパターン上に、軟磁性層が形成される。
しかし、１００ｎｍ以上の軟磁性層を形成した場合には、ランドが広くなり、ランドとグルーブの幅比が大きく変化し、グルーブのテーパー角度は著しく鈍角化し、ランドやグルーブのエッジ部は極端に丸くなってしまう。
したがって、基板のサーボパターンの形状が正確に反映されていない軟磁性層の上に記録層が形成されることになり、これでは、要求される性能を満たす記録再生をすることができない。
【０００８】
また、特開平３−１０５７４１号公報には、アルミニウム基板上に、１００ｎｍ程度以上の軟磁性体層を設け、その上にグルーブ層を設けて、Ｃ／Ｎを向上させた光磁気記録媒体用基板が記載されている。
しかし、一般に、アルミニウム基板は剛性が低いので、対物レンズを媒体に近接させて配置すると接触する恐れがあり、近接アクチュエータを用いるのは好ましくない。
また、軟磁性層の上に直接グルーブ層を設けた場合、大気中に軟磁性層が曝されるので、酸化及び窒化により磁気特性が変化してしまう恐れがある。
【発明の開示】
【０００９】
この発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであり、軟磁性層の上に、保護層を設けることにより、軟磁性層の酸化及び窒化を防止して、安定した磁気特性を有する光磁気記録媒体を提供する。
【００１０】
この発明は、基板上に、少なくとも軟磁性膜，保護膜，サーボパターンが形成された樹脂層，反射膜，下地誘電体膜，記録膜，上地誘電体膜およびカバー層が、この順に形成され、前記保護膜が軟磁性膜の磁気特性の変化を防止する機能を有することを特徴とする光磁気記録媒体を提供するものである。
これによれば、軟磁性膜の酸化，窒化を防止し、安定した磁気特性を有する光磁気記録媒体を提供することができる。
【００１１】
また、第１基板上に、軟磁性膜および保護膜がこの順に形成された第１部材と、光透過性の第２基板上に，サーボパターンが形成された樹脂層，反射膜，下地誘電体膜，記録膜，上地誘電体膜およびカバー層がこの順に形成された第２部材とが、嫌気性硬化樹脂を介して、前記保護膜と前記第２基板とが接着されるようにして構成され、前記保護膜が軟磁性膜の磁気特性の変化を防止する機能を有することを特徴とする光磁気記録媒体を提供するものである。
【００１２】
この発明において、前記軟磁性膜は、ＦｅＣで形成され、前記保護膜は、膜厚１０ｎｍ程度のＳｉＯ2膜で形成され、前記軟磁性膜と記録膜との距離が１０μｍ程度以下となるように、前記樹脂層，反射膜及び下地誘電体膜の膜厚を調整することが、磁気特性上好ましい。
また、前記軟磁性膜と、記録再生ヘッドに設けられた磁場発生用コイルとの距離が２２±４μｍ程度に保たれるように、前記保護膜からカバー層までの各構成膜の膜厚を調整するようにしてもよい。
【００１３】
また、この発明は、基板上に、スパッタリング法により軟磁性膜を形成し、軟磁性膜の上に保護膜を形成し、所定のサーボパターンが形成されたスタンパ上に熱硬化樹脂を所定量滴下した部材を、熱硬化樹脂の表面と保護膜とが接するように押し付け、所定の加熱をすることにより熱硬化樹脂を硬化させた後、スタンパを剥離し、前記熱硬化樹脂の上に、反射膜，下地誘電体膜，記録膜及び上地誘電体膜をこの順にスパッタリング法により形成し、さらに上地誘電体膜の上に紫外線硬化樹脂を塗布することによりカバー層を形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
【００１４】
さらに、この発明は、第１基板上にスパッタリング法により軟磁性膜および保護膜をこの順に製膜した第１部材を製作し、所定のサーボパターンが形成されたスタンパ上に紫外線硬化樹脂を滴下し、紫外線硬化樹脂の上に光透過性の第２基板を押しつけた後、第２基板の上方から紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂を硬化させて樹脂層を形成した第１部材を製作し、前記第２部材の第２基板上に、嫌気性硬化樹脂を滴下し、この嫌気性硬化樹脂を介して前記第１部材の保護膜と前記第２基板とを結合し、前記嫌気性硬化樹脂を硬化させた後スタンパを剥離し、前記樹脂層のサーボパターンが形成された表面の上に、反射膜、下地誘電体膜、記録膜及び上地誘電体膜をこの順にスパッタリング法により形成し、さらに、上地誘電体膜の上に紫外線硬化樹脂を塗布することによりカバー層を形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定されるものではない。
〔第１実施例〕
図１に、この発明の第１実施例の光磁気記録媒体の概略断面図を示す。
【００１６】
＜第１実施例の媒体の構成＞
この第１実施例の光磁気記録媒体は、基板１の上に、軟磁性膜２，保護膜３，樹脂層４，反射膜５，下地誘電体膜６，記録膜７，上地誘電体膜８，カバー層９をこの順に形成した積層構造からなる。
基板１は、できるだけ剛性が高い材料であるガラス、シリコンなどが用いられる。
軟磁性膜２は、磁束集中化のために磁性を有する材料を用いるが、ＦｅＣ，ＦｅＮｉ、ＦｅＡｌＳｉ，ＣｏＺｒＮｂなどを用いることができる。
【００１７】
保護膜３は、軟磁性膜２の酸化、窒化を防止できる材料で形成されるが、たとえば、ＳｉＯ2、ＳｉＮなどを用いることができる。
樹脂層４は、アクリル樹脂を母剤とした熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂または嫌気性硬化樹脂などを用いることができる。
反射膜５は、アルミニウム、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒなどの材料を用いることができる。下地誘電体膜６及び上地誘電体膜８は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2などを用いることができる。
【００１８】
記録膜７は、１層の磁性膜（ＴｂＦｅＣｏ）を用いてもよいが、３層構成の磁気超解像膜を用いた場合、下地誘電体膜６の上に形成される記録層７１としてＴｂＦｅＣｏまたはＤｙＦｅＣｏを用い、その上の中間層７２としてＧｄＦｅＣｏまたはＧｄＦｅＣｏＳｉを用い、その上の再生層７３としてＧｄＦｅＣｏまたはＧｄＦｅＣｏＣｒを用いることができる。
カバー層９は、基板上の構成層全体を保護するためのものであり、透明な紫外線硬化樹脂を用いることができるが、熱硬化性または嫌気性の樹脂を用いてもよい。
【００１９】
＜第１実施例の構成の特徴＞
この媒体は、基板１とは反対側のカバー層９側から光を入射するフロントイルミネーション方式の媒体である。この発明では、保護膜３は、軟磁性膜２の酸化及び窒化を防止し、軟磁性膜２の磁気特性、特に透磁率が変化するのを防止するためのものであり、軟磁性膜２と共にこの発明の必須の構成要素である。
【００２０】
この発明の樹脂層４の表面には、ランドおよびグルーブからなる凹凸形状のサーボパターンが形成されている。この樹脂層４の上に形成される反射膜５，記録膜７も、図１のようにこのサーボパターンの凹凸を反映した表面形状となる。
【００２１】
また、対物レンズやコイルと、この媒体との距離をできるだけ短く一定に保つために、基板は、できるだけ剛性の高い材料を用いることが好ましい。剛性の低い基板では、フライングヘッドの浮上量の変動が大きくなるので、光ビームスポットの収差が大きく、記録再生の性能が悪くなるからである。一方、剛性の高い基板では、フライングヘッドの浮上量変動が抑えられるので、光ビームスポットの収差変動が小さく、信号品質劣化を抑えることができる。
【００２２】
記録膜７が３層構造の磁気超解像膜からなる場合、記録層７１に記録されている情報を、中間層７２を介して再生層７３に転写し、光照射によって再生層７３に形成される低温及び高温のマスク領域以外の微小領域を通して前記転写された情報を再生する。
軟磁性膜２は、コイルから出た磁束をできるだけコイル直下に集中させるために形成されるものであり、記録層７の特性劣化を防止するために、サーボパターンが形成された樹脂層４よりも下方であって基板１に接する位置に形成される。
【００２３】
軟磁性膜２がある場合は、図２に示すように、コイルから媒体方向に進行した磁束は、コイル直下の部分に集中して軟磁性膜２まで達して水平方向に進み、記録膜７に対して有効に磁界が印加されると考えられる。これは、記録信号特性の記録磁場依存性を観測することによりわかる。
ところで、軟磁性膜２の磁界集中の効果は、記録膜７と軟磁性膜２との距離ができるだけ近い方が大きいと考えられる。したがって、記録膜７と軟磁性膜２との間に設けられる保護膜３，樹脂層４，反射膜５および下地誘電体膜６の合計膜厚はできるだけ小さいことが好ましく、１０μｍ程度以下とするのがよい。すなわち、軟磁性膜と記録膜との距離を１０μｍ以下とする。
【００２４】
また、図３に示すように、近接アクチュエータ２１の場合、媒体のカバー層９との距離Ｃを５０μｍ程度に設定する場合は、アクチュエータ２１に含まれるコイルと軟磁性膜２との距離Ａが７０±４μｍ程度となるように、保護膜３からカバー層９までの各構成層の膜厚と合計膜厚とを調整する。
あるいは、図３に示すように、フライングヘッド２２の場合、媒体のカバー層９との距離Ｄを１μｍ程度に設定する場合は、フライングヘッド２２に含まれるコイルと軟磁性膜２との距離Ｂが２２±４μｍ程度となるように、保護膜３からカバー層９までの各構成層の膜厚と合計膜厚とを調整する。
樹脂層４およびカバー層９は、前記したように、嫌気性硬化樹脂を用いることもできる。嫌気性硬化樹脂は、室温にて重合反応を促進させる重合開始剤（プライマ）と、母剤となるアクリル樹脂とを混合することにより硬化するものであり、たとえば、プライマとしてＴＢ１３９０Ｅ，母剤樹脂としてＴＢ３０６２Ｂを用いることができる。
【００２５】
＜第１実施例の各構成層の材料及び膜厚＞
次に、この発明の第１実施例の光磁気記録媒体の各構成層の材料及び膜厚の一実施例を示す。
基板１：ガラス（ソーダライム），厚さ１．２ｍｍ，表面粗さＲａ＝２．５Å，直径９０ｍｍ
軟磁性膜２：ＦｅＣ，厚さ１００ｎｍ，透磁率９００
保護膜３：ＳｉＯ2，厚さ１０ｎｍ
樹脂層４：熱硬化製樹脂，厚さ１０μｍ以下、凹凸の溝の深さ３０ｎｍ
反射膜５：Ａｌ，厚さ１５ｎｍ
下地誘電体膜６：ＳｉＮ，厚さ６０ｎｍ
記録膜７：１３０ｎｍ（記録層７１：ＴｂＦｅＣｏ：５０ｎｍ，中間層７２：ＧｄＦｅＣｏ：４０ｎｍ，再生層７３：ＧｄＦｅＣｏ：４０ｎｍ）
上地誘電体膜８：ＳｉＮ，厚さ８０ｎｍ
カバー層９：紫外線硬化樹脂，厚さ１０μｍ
【００２６】
＜第１実施例の媒体の製造方法＞
図４及び図５に、この発明の第１実施例の光磁気記録媒体の製造工程図を示す。
（１−１）ガラス基板１の製作
まず、図４（ａ）に示すように、ガラス基板１（板厚１．２ｍｍ，直径９０ｍｍ，表面粗さ２．５Å）を用意する。
【００２７】
（１−２）軟磁性膜２の製膜
次に、図４（ｂ）に示すように、基板１上に、スパッタリング法により、軟磁性膜２であるＦｅＣを１００ｎｍ程度製膜する。スパッタリングは、一般的な真空スパッタ装置を用い、この装置内の所定の位置に、基板１とＦｅターゲット及びＣターゲットをそれぞれ設置し、コスパッタにより行った。製膜ガスにはＡｒ，製圧ガス圧を０．５Ｐａ，投入電力は２００〜１８００Ｗとした。
たとえば、組成比Ｆｅ７５％，Ｃ２５％の場合、Ｆｅターゲットの投入電力を８００Ｗ，Ｃターゲットの投入電力を８００Ｗとした。
【００２８】
（１−３）保護膜３の製膜
次に、図４（ｃ）に示すように、軟磁性膜２の上に、スパッタリング法により酸化及び窒化を防止するための保護膜３であるＳｉＯ2を１０ｎｍ程度製膜する。
スパッタリングは、製膜ガス圧を０．５〜１Ｐａ，投入電力を０．５〜０．８ｋｗ，Ａｒガス：Ｏ2ガス＝２：１の混合ガスを用いた。
【００２９】
（１−４）樹脂層４の形成
次に、図４（ｄ），図４（ｅ），図５（ｆ）において、保護膜３の上に、ランド及びグルーブからなるサーボパターンとなる樹脂層４を形成する。ここで、まず、保護膜３と樹脂層４との間の密着性を向上させるために、シランカップリング剤を保護膜３に塗布しておく。
次に、所定のサーボパターンが形成されたスタンパ４１（ニッケルスタンパ，ＴＰ＝０．２５μｍ，溝深さ３０ｎｍ）上に、熱硬化性樹脂４２（アクリル樹脂）を、溝全体に樹脂が入り込む程度だけ（０．１５ｇ程度）滴下する。
そして、樹脂が硬化する前に、スタンパ４１のサーボパターン面と、保護膜３とが対向するようにして、所定の圧力で基板側の部材を、上方からスタンパ４１に押しつける。
【００３０】
次に、図４（ｅ）に示すように、樹脂がスタンパ４１と保護膜３との間に均一に充填されてから、樹脂を硬化させるために、スタンパ４１側から、加熱（たとえば１４０℃，３０分間）する。
樹脂が硬化した後、スタンパ４１から熱硬化樹脂４２を剥離すると、図５（ｆ）に示すように、サーボパターン形状を有する樹脂層４を持つ媒体が形成される。
ここで、保護膜３に、シランカップリング剤処理をしているので、保護膜３と樹脂層４との間の密着性が高く、樹脂層４がスタンパ４１からはがれる。樹脂層４は、１０μｍ程度以下の厚さに形成される。
【００３１】
（１−５）反射膜５等の製膜
次に、図５（ｇ）に示すように、樹脂層４の上に、反射膜５（Ａｌ膜，膜厚１５ｎｍ）、下地誘電体膜６（ＳｉＮ，膜厚６０ｎｍ），記録膜７（全体で膜厚１３０ｎｍ程度），上地誘電体膜８（ＳｉＮ，膜厚８０ｎｍ）を、この順に製膜する。
これらは、いずれも製膜ガスとしてＡｒを用い、ガス圧０．５〜１Ｐａ，投入電力０．５〜０．８ｋｗとし、スパッタリング法により製膜した。ただし、ＳｉＮの形成は、Ａｒガス：Ｎ2ガス＝２：１の混合ガスを用いた。
【００３２】
また、記録膜７は、３層構成のダブルマスクＲＡＤ型の磁気超解像膜（例えば特開２０００−２００４４８号公報参照）とする。このような磁気超解像媒体の再生原理はレーザスポットの照射領域のうち、低温側および高温側に磁気的マスクを形成し、これらの間に挟まれた中間温度領域から微小な記録マークを再生する方式である。
本実施例では、下地誘電体膜６の上に、記録層７１（Ｔｂ２２．２Ｆｅ６０．３Ｃｏ１７．５合金膜，膜厚５０ｎｍ），中間層７２（（Ｇｄ３３．８Ｆｅ６２．４Ｃｏ３．８）92Ｓｉ8合金膜，膜厚４０ｎｍ），再生層７３（Ｇｄ２４．６Ｆｅ６１．８Ｃｏ１３．６合金膜，膜厚４０ｎｍ）を、この順にスパッタリング法により形成した。
【００３３】
（１−６）カバー層９の形成
最後に、図５（ｈ）に示すように、紫外線硬化樹脂を塗布することにより、カバー層９（紫外線硬化樹脂，膜厚１０μｍ±２μｍ程度）を形成した。
以上により、図１に示したこの発明の第１実施例の光磁気記録媒体が製造される。
図３に示すように、カバー層９表面から近傍アクチュエータ２１までの距離Ｃを５０μｍ，カバー層９表面からフライングヘッド２２までの距離Ｄを１μｍ程度とした場合、軟磁性膜２の表面から近接アクチュエータ２１までの距離Ａを７０±４μｍ程度とし、フライングヘッド２２までの距離Ｂを２２±４μｍ程度とすることができ、軟磁性膜２の磁束集中の機能を十分に発揮し、軟磁性膜２が酸化及び窒化されることもない安定した磁気特性を有する光磁気媒体が形成できる。
【００３４】
＜第1実施例の磁気特性＞
次に、この発明の第１実施例の媒体が、より低いレベルの磁界を印加しても、記録再生に十分なＣＮＲが得られることを示す。
この発明の第１実施例との比較のために、２つの比較例の媒体Ａ，Ｂを作った。比較例Ａは、図１の第１実施例に対して、軟磁性膜２及び保護膜３のないものであり、他の膜構成は同様としたものである。比較例Ｂは、図１の第１実施例と膜構成は同じであるが、軟磁性膜２の膜厚を５０ｎｍとしたものである。３つの媒体のＣＮＲを比較するために、波長４０５ｎｍ，ＮＡ０．８５，ビームスポット径０．４２μｍの光ディスクテスタを用い、線速６．０ｍ／ｓ，最短マーク長０．２μｍ，磁界変調方式による記録を行い、記録磁界強度（Ｏｅ）に対するＣＮＲを測定した。
【００３５】
図６に、３つの媒体の記録磁界強度に対するＣＮＲのグラフを示す。
図６において、横軸が記録磁界強度（Ｏｅ）であり、縦軸が信号対ノイズ比ＣＮＲ（ｄＢ）である。
実線のグラフがこの発明の第１実施例の媒体であり、記録磁界強度が２００Ｏｅ程度になると、ＣＮＲが一定値に達し、飽和している。点線のグラフは比較例Ａ（軟磁性膜および保護膜なし）の媒体であり、記録磁界強度が３４０Ｏｅ程度でＣＮＲが飽和している。一点鎖線のグラフは比較例Ｂ（軟磁性膜２の膜厚５０ｎｍ）の媒体であり、２５０Ｏｅ程度で飽和している。
【００３６】
一般に、記録磁界強度が増加するにつれてＣＮＲは高くなるが、どの媒体の場合も記録磁界強度がある値に達するとＣＮＲは飽和している。
その飽和ＣＮＲの値はどれも４５ｄＢ程度であるが、ＣＮＲが飽和する記録磁界強度が低いほど媒体の書込み速度（すなわち記録速度）を向上させることができる点で有利である。前記したように、１００Ｍｂｐｓの記録速度を実現するためには、少なくとも記録磁界強度を２００Ｏｅ程度以下に抑える必要がある。
【００３７】
図６のグラフによれば、この発明の第１実施例の媒体は、２００Ｏｅ程度で飽和ＣＮＲを達成しているのに対し、比較例Ａ及びＢでは、同じ飽和ＣＮＲを達成するのに、それぞれ２５０Ｏｅ，３４０Ｏｅという高い記録磁界強度を印加する必要があり、これらの比較例の媒体では、１００Ｍｂｐｓの記録速度は実現できない。
すなわち、従来３００Ｏｅという高記録磁界強度を印加しなければ十分な記録特性（ＣＮＲ＝４５ｄＢ）を達成することができなかったが、この発明の第１実施例の媒体では、それよりも低い２００Ｏｅ程度の記録磁界強度を印加するだけで同等の記録特性（ＣＮＲ）を達成でき、さらに、２００Ｏｅ程度という低い記録磁界強度を印加すればよいので、１００Ｍｂｐｓという高い記録速度を実現できる。これは、前記したように、この発明の第１実施例の媒体が基板上であって記録膜７の下地に軟磁性膜２を設け、さらにこの軟磁性膜２の酸化等による変化を防止するために保護膜３を設けることにより、コイルからの磁束がその直下に集中しかつ安定して印加されるようになったためと考えられる。
【００３８】
〔第２実施例〕
次に、この発明の第２実施例の光磁気記録媒体の構成及びその製造方法について説明する。
図７に、この発明の第２実施例の光磁気記録媒体の構成の概略断面図を示す。
【００３９】
＜第２実施例の媒体の構成＞
第２実施例の媒体は、ガラス基板１，軟磁性膜２，保護膜３，嫌気性硬化樹脂５４，ガラス基板２１，樹脂層５３，反射膜５，下地誘電体膜６，記録膜７，保護膜８およびカバー層９を、この順に形成した積層構造からなる。
この第２実施例では、途中まで２つの部材に分けて製造し、この２つの部材を結合させて媒体を製造する。図７において、ガラス基板２１は、樹脂層５３を形成する部材を作るために用いられるものである。嫌気性硬化樹脂５４は、基板１、軟磁性膜２、保護膜３から構成される第２部材と、ガラス基板２１と樹脂層５３からなる第１部材とを結合させるためのものである。
【００４０】
ガラス基板２１は、剛性の高い基板であればよく、ガラスの他、シリコンウエハを用いることもできる。嫌気性硬化樹脂５４は、前記した材料（プライマ：ＴＢ１３９０Ｅ、樹脂：ＴＢ３０６２Ｂ）を用いることができる。
また、軟磁性膜２等の材料は、第１実施例と同じものを用いることができる。
【００４１】
＜第２実施例の媒体の製造方法＞
この発明の第２実施例の媒体は、第１実施例と異なる製造方法により作成される。図８、図９、図１０に、この第２実施例の製造工程図を示す。
【００４２】
（２−１）ガラス基板２１の製作
まず、図８（ａ）に示すように、板厚１００μｍ、直径９０ｍｍ、表面粗さ２．５Åのガラス基板２１を用意する。
【００４３】
（２−２）樹脂層５３の形成
図８（ｂ）に示すように、所定のランドおよびグルーブからなるサーボパターンが形成されたニッケルスタンパ５１（ＴＰ＝０．２５μｍ、溝深さ３０ｎｍ）上に、紫外線硬化樹脂５３を０．１５ｇ滴下する。また、密着性確保のため、ガラス基板２１の樹脂層５３と接着する面を、シランカップリング剤で処理しておく。
次に、基板２１のシランカップリング剤処理をした面を、紫外線硬化樹脂５３の上にのせて、樹脂層５３が溝に一様に広がるように押しつける。そして、図８（ｃ）に示すように、ガラス基板２１の後方から紫外線５９を照射し（２分間）、樹脂層５３を硬化させる。以上の工程により、第２部材が完成する。
【００４４】
（２−３）第１部材の製作
図８（ｄ）に示すように、第１実施例と同じガラス基板１を用意する。次に図８（ｅ）に示すように、ガラス基板１の上に、軟磁性膜２（ＦｅＣ、膜厚１００ｎｍ）をスパッタリング法により製膜する。さらに、図８（ｆ）に示すように軟磁性膜２の上に、保護膜３（ＳｉＯ2、膜厚１０ｎｍ）をスパッタリング法により製膜する。そして、次工程での密着性確保のため、保護膜３の表面を、シランカップリング剤で処理しておく。以上の工程により、第１部材が完成する。
【００４５】
（２−４）第１及び第２部材の結合
図９（ｇ）に示すように、第２部材のガラス基板２１と、第１部材の保護膜３とを、嫌気性硬化樹脂５４を介して接着する。嫌気性磁化樹脂５４は、前記したプライマと樹脂を混合した材料を用い、この樹脂５４が硬化した後の厚みが１０μｍ程度となるぐらいの量を、ガラス基板２１の表面に滴下すればよい。
次に、図９（ｈ）に示すように、嫌気性硬化樹脂５４が硬化した後、スタンパ５１を樹脂層５３から剥離する。以上により、サーボパターンが表面に形成された結合媒体が形成される。
【００４６】
（２−５）反射膜５、下地誘電体膜６、記録膜７および上地誘電体膜８の製膜
図１０（ｈ）に示したようなサーボパターンの形成された樹脂層５３の上に、第１実施例と全く同様にして、反射膜５、下地誘電体膜６、３層構成の記録膜７および上地誘電体膜８を、この順に製膜する（図１０（ｉ））。膜厚、材料等の製膜条件も第１実施例と同様でよい。
【００４７】
（２−６）カバー層９の形成
最後に、図１０（ｊ）に示すように、紫外線硬化樹脂を塗布することにより、カバー層９（紫外線硬化樹脂、膜厚１０μｍ、±２μｍ程度）を形成して、この発明の第２実施例の光磁気記録媒体が完成する。
図１１に、この発明の第２実施例における近接アクチュエータまたはフライングヘッドとの位置関係の説明図を示す。
【００４８】
図３と同様に、カバー層９表面から近接アクチュエータ２１までの距離Ｃを５０μｍ、カバー層９表面からフライングヘッド２２までの距離Ｄを１μｍ程度とした場合、軟磁性膜２の表面から近接アクチュエータ２１までの距離Ａを１７５〜１８５μｍ程度とし、フライングヘッド２２までの距離Ｂを１２６〜１３６μｍ程度とすることができる。
この場合も、軟磁性膜２と保護膜３を基板１上に形成しているので、安定した磁束集中化を図ることができ、２００Ｏｅ程度の低い記録磁界強度を印加しても、記録再生に十分なＣＮＲが得られ、１００Ｍｂｐｓ程度の高速記録を実現することができる。
【００４９】
〔第３実施例〕
第２実施例では、第２部材にガラス基板２１を形成したものを用いたが、このガラス基板２１のない第２部材と第１部材とを結合してもよい。
第３実施例では、第２部材の紫外線硬化樹脂５３と、第１部材の保護膜３とを、嫌気性硬化樹脂５４を介して結合する。
したがって、ガラス基板２１がないので、これに相当する厚さ（１．２ｍｍ程度）だけ、軟磁性膜２と記録膜７との距離を近づけることができるので、第２実施例と比べてより安定した磁束集中化と十分なＣＮＲが得られ、２００Ｏｅ程度の低い記録磁界強度の印加により１００Ｍｂｐｓ程度の高速記録が実現できる。
図１２、図１３、図１４にこの発明の第３実施例の光磁気記録媒体の製造工程図を示す。
【００５０】
（３−１）第２部材の製作
まず、図１２（ａ）に示すように、第２実施例と同じニッケルスタンパ５１上に紫外線硬化樹脂５３を、０．９ｇ滴下する。そして、このスタンパ５１を２０００ｒｐｍ程度の速度で回転させ、スタンパ表面の凹凸全体を覆うように紫外線硬化樹脂５３をスピンコートする。
次に、図１２（ｂ）に示すように、樹脂５３に紫外線５９を照射し、硬化させる。これにより、膜厚１０μｍ程度の樹脂膜５３が形成される。
以上により、第２部材が完成される。
【００５１】
（３−２）第１部材の製作
図１２（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示す工程（軟磁性膜２、保護膜３の製膜）によって第１部材が完成するが、これは、第２実施例の第２部材と同一の方法によって作られる。
【００５２】
（３−３）第１及び第２部材の結合
図１３（ｆ）に示すように、嫌気性硬化樹脂５４を、硬化した後の樹脂層５３の上に所定量滴下し、第２部材の樹脂層５３と、第１部材の保護膜３とを接着する。
次に、図１３（ｇ）に示すように、嫌気性硬化樹脂５４を硬化した後、スタンパ５１を樹脂層５３から剥離する。これにより、サーボパターンが表面に形成された結合媒体が形成される。
【００５３】
（３−４）反射層５からカバー層９の形成
図１４（ｇ）に示したような結合媒体の樹脂層５３の上に、第１及び第２実施例と同様の方法により、反射膜５、下地誘電体膜６、記録膜７及び上地誘電体膜８、カバー層９を形成する（図１４（ｈ）、（ｉ））。
これにより、この発明の第３実施例の光磁気記録媒体が完成する。
【００５４】
以上、この発明の光磁気記録媒体として３つの構成とその製造方法を示したが、下地誘電体膜６からカバー層９までの構成は特にこれに限るものではなく、従来用いられている光磁気記録媒体と同様のものを適用してもよい。
特に、前記したように、記録膜７は、３層構成の磁気超解像膜でなく、１層からなる記録磁性膜を用いてもよい。
【発明の効果】
【００５５】
この発明は、軟磁性膜に接して保護膜を形成しているので、軟磁性膜の酸化、窒化を防止し、安定した磁気特性を有する光磁気記録媒体を提供することができる。
また、軟磁性膜を基板に接して配置し、その上に保護膜、サーボパターンが形成された樹脂層を形成し、さらにその上に記録層を形成しているので、フライングヘッドなどのコイルから出た磁束をその直下に集中印加することができ、従来よりも小さな磁界を印加しても、十分な記録再生特性を有し、かつ安定した磁気特性の媒体を提供することができる。
小さな磁界を印加すればよいので、コイルに流す電流を少なくすることができ、１００Ｍｂｐｓ程度にまで記録速度を高速化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、この発明の第１実施例の光磁気記録媒体の概略断面図である。
【図２】図２は、この発明の第１実施例の軟磁性膜の機能の概略説明図である。
【図３】図３は、この発明の第１実施例におけるフライングヘッド等との位置関係の説明図である。
【図４】図４は、この発明の第１実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。
【図５】図５は、この発明の第１実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。
【図６】図６は、３つの光磁気記録媒体の記録磁界強度とＣＮＲの関係グラフである。
【図７】図７は、この発明の第２実施例の光磁気記録媒体の概略断面図である。
【図８】図８は、この発明の第２実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。
【図９】図９は、この発明の第２実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。
【図１０】図１０は、この発明の第２実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。
【図１１】図１１は、この発明の第２実施例におけるフライングヘッド等との位置関係の説明図である。
【図１２】図１２は、この発明の第３実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。
【図１３】図１３は、この発明の第３実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。
【図１４】図１４は、この発明の第３実施例の光磁気記録媒体の製造工程図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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