(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能なチャンバー内に、カソードとして作用するターゲットおよびアノードを配置し、前記チャンバー内にガスを導入して、前記ターゲットおよびアノード間にＤＣ電圧を印加することにより、前記ガスのプラズマを発生させ、前記チャンバー内に配置した基板上に前記ターゲットの材料からなる膜を堆積するように構成したＤＣスパッタリング装置において、前記アノードが、前記プラズマに暴露される面に溝部を有することを特徴とするＤＣスパッタリング装置。
【請求項２】
前記ＤＣスパッタリング装置は、前記ターゲットの周辺に前記アノードを配置したマグネトロン型であることを特徴とする請求項１に記載のＤＣスパッタリング装置。
【請求項３】
前記ガスとして、前記ターゲットをスパッタリングするスパッタリング用ガスと、前記ターゲットを構成する材料物質と結合して絶縁物質を形成することができるガスとを含むことを特徴とする請求項１または２に記載のＤＣスパッタリング装置。
【請求項４】
前記アノードの溝部はその内部に拡張された空間部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＤＣスパッタリング装置。
【請求項５】
前記アノードの溝部は、前記ターゲットに対向する前記アノードの表面に略垂直に形成された垂直部を有し、前記拡張された空間部が、前記垂直部の奥において前記垂直部に略直交する方向に形成されていることを特徴とする請求項４に記載のＤＣスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、直流（ＤＣ）プラズマ放電を用いた反応性スパッタリングにより、特に絶縁膜を成膜するのに適したＤＣスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スパッタリングによる薄膜の形成法は、基板上へ所定の材料物質からなる薄膜を蒸着するために広く用いられる技術である。直流スパッタリング（ＤＣスパッタリング）装置は、原理的には一対のカソードとアノードからなるグロー放電管構造で構成されている。
【０００３】
最近の直流スパッタリング装置は、マグネトロンスパッタリング方式を採用しているものが多い。図３に従来から使用されているマグネトロンスパッタリング装置の一例を示し、これの構造とスパッタリング膜形成工程について説明する。１は真空に排気する事ができるチャンバー（真空容器）であり、チャンバー１内には薄膜を形成すべき基板９が、ウエハリフト１０により保持されている。一方、基板９に対向してスパッタされる薄膜材料物質から構成されたターゲット５が設置されている。
【０００４】
まず、真空ポンプ２を用いてチャンバー１内の余分な大気を排気した後、スパッタリングガス源３より導入されるアルゴンガスにより、チャンバ１内を数ｍＴｏｒｒのアルゴン雰囲気に保つ。アノードとして作用するアースシールド８と、カソードとして作用するターゲット５およびターゲットホルダー７間に、数ｋＶの直流電圧をＤＣ電源１２により印加すると、アルゴンガスのグロー放電が発生する。なお、アースシールド８とターゲットホルダー７は、絶縁スペーサー１１により電気的に絶縁されている。このグロー放電により、アースシールド８とターゲット５およびそれを支持するターゲットホルダー７との間に電場が生じる。さらにターゲット５の裏面には、永久磁石６が配置されているので、ターゲット５表面に電場と概ね直交する方向に直行磁界が発生する。この電場と磁界の中で浮遊電子がサイクロイド運動をして加速され、アルゴンに衝突してチャンバ１内で十分に低い圧力に保たれたアルゴンガスをイオン化し、プラズマ放電を形成する。
【０００５】
このプラスマ中のアルゴン正イオンが、カソードであるターゲット５近傍の陰極電位降下で加速されてターゲット５表面に衝突し、ターゲット５表面をスパッタしターゲット材料原子を蒸発させる。この原子はターゲット５表面からあらゆる方向に放射される。これらの原子はほぼ中性であることと質量が電子に比べて非常に大きいことのため、その進路は直線であり、電場や磁場による影響を受けない。これらは、図３のようにターゲット５と対向して基板９が設置されている場合はほとんどが直線的にいかなる基板９表面にも入射蒸着し被覆する。
【０００６】
放出された原子のうちあるものは基板９表面に沈着して、ターゲット材料物質からなる薄膜が形成される。ガス状の、ターゲット材料以外の他の化学種を、反応性ガス源４よりスパッタリングチャンバ１内に導入することにより、ターゲット物質と他の化学種との結合物の蒸着膜を基板９上につくることができる。こうした過程は、反応性スパッタリングとして知られている。ターゲット物質と反応性ガス種との化学結合物はチャンバ１の内壁面や、もしくはターゲット周辺の治具表面においても、基板９の表面よりは遙かに少ないが堆積される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
所望の薄膜が金属酸化膜のような電気的絶縁物質の場合、例えば、タンタルターゲットからタンタルをスパッタさせ、チャンバ１内にアルゴンとともに導入した酸素と反応させ、所望の組成のタンタルオキサイド膜を基板９上に形成する場合、スパッタリング装置内部の基板９以外の他の部分への当該物質の蓄積が起こる問題が、従来技術において認識されている。特に、図３におけるターゲット５周辺に配置されたアノードであるアースシールド８への絶縁膜の蓄積は、アースシールド近傍のプラズマ電荷量をほぼ定常状態に保つため、すなわち電荷のバランスを維持するために必要な、アースシールド８のプラズマからの電子除去能力に対して障害となる。
【０００８】
このことは、プラズマを不安定にし、成膜工程の制御に対しても障害となる。そのため、絶縁膜を成膜する際には、従来から高周波スパッタリング（ＲＦスパッタリング）が用いられている。しかし、ＲＦスパッタリングは、ＤＣスパッタリングに比べて基板上への成長速度など成膜効率が低く、膜厚・膜質の制御性が悪く、またチャンバ構造が複雑になる上、より高価な電源も必要となっていた。
【０００９】
この発明は、ＤＣスパッタリングにおける上記の課題を解決し、ＲＦスパッタリングに比べて、簡単なチャンバ及び安価な電源の使用が可能で、しかもより高速で、膜厚・膜質の制御性が良く成膜が可能なＤＣスパッタリングの利点を活かすことのできる、絶縁膜のスパッタリング蒸着に適したＤＣスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のＤＣスパッタリング装置は、減圧可能なチャンバー内に、カソードとして作用するターゲットおよびアノードが配置され、チャンバー内にガスを導入して、ターゲットおよびアノード間にＤＣ電圧を印加することにより、導入したガスのプラズマを発生させ、チャンバー内に配置した基板上にターゲットの材料からなる膜を堆積するように構成したＤＣスパッタリング装置であって、アノードが、プラズマに暴露される面に溝部を有する。
【００１１】
上記構成のように、アノードに溝部を設ければ、この溝部の内部にはスパッタリングによって形成される膜が非常に堆積しにくくなり、特に絶縁膜がアノードにほとんど付着しなくなる。このことにより、アノード部の導電性表面が確保され、プラズマから十分な量の電子を誘引する能力を保つので、プラズマの電荷バランスを維持することができる。
【００１２】
上記の構成のＤＣスパッタリング装置を、ターゲットの周辺にアノードを配置したマグネトロン型とすることができる。
【００１３】
導入するガスとして、ターゲットをスパッタリングするスパッタリング用ガスと、ターゲットを構成する材料物質と結合して絶縁物質を形成することができるガスとを含むことことができる。
【００１４】
上記構成におけるアノードの溝部は、その内部に拡張された空間部を有することが望ましい。それにより、アノードに対する絶縁膜の付着を抑制する効果を更に向上させることができる。
【００１５】
上記の構成において、好ましくは、アノードの溝部は、ターゲットに対向するアノードの表面に略垂直に形成された垂直部を有し、拡張された空間部が、垂直部の奥において垂直部に略直交する方向に形成されている構成とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面と共に説明する。図１は本発明によるマグネトロン方式のＤＣスパッタリング装置の断面概略図である。本装置は、アノードとして用いられるアースシールド８’の形状が異なることを除いて、図３に示した従来例のスパッタリング装置と同様な構造となっている。
【００１７】
ＤＣスパッタリングチャンバ１は、真空排気可能な密封構造となっており、真空ポンプ２を用いて減圧される。スパッタリングガスは、スパッタリングガス源３よりチャンバ１内に導入される。スパッタリングガスは、通常アルゴンのような不活性ガスである。そして反応性スパッタリングで絶縁物などを形成する場合、反応性ガスが、反応性ガス源４よりチャンバ１内に導入される。
【００１８】
チャンバ１内には、アルゴンガスなどのスパッタリング用ガスでスパッタされる材料からなるターゲット５と、それを支持するターゲットホルダー７が設置され、ターゲット５裏面には磁場を発生させる永久磁石６が配置される。ターゲットホルダー７とアースシールド８’との間は、絶縁スペーサー１１で互いに電気絶縁され、気密性が保持される。ＤＣ電源１２はターゲットホルダー７を負電位に維持する。
【００１９】
また、９は薄膜をその表面に形成すべき基板であり、基板９はウエハリフト１０に保持される。基板９とターゲット５は対向しており、その間隔は通常１ｃｍ〜１０ｃｍ程度である。
【００２０】
本発明のスパッタリング装置においては、アースシールド８’の表面に溝８’ａが形成されていることが特徴である。スパッタリング用アルゴンと共に反応性の酸素ガスをチャンバー１内に導入して絶縁膜を形成する場合、ターゲット５表面からスパッタされた原子が酸素と結合して絶縁化合物となり、ほとんどは直線的に基板９に入射する。
【００２１】
しかし、スパッタされたターゲット構成原子はアルゴンガス自体と衝突して散乱される確率があるので、原子と酸素との反応物質は基板９に到達せず、ターゲット５周囲に設置されたアースシールド８’上にも付着し、絶縁物膜が堆積する。しかしアースシールド８’には溝８’ａが形成されているので、反応物質は溝８’ａの内部、特にその底部まで到達することは困難となる。すなわち、溝８’ａの内部には絶縁物膜がほとんど堆積せず、導電性のアースシールド表面が絶縁物膜スパッタリングを繰り返した後も維持される。
【００２２】
このようにして、スパッタリング用アルゴンプラズマが連続的に発生していても、アースシールド８’に絶縁物膜による電荷蓄積（帯電）が起こらず、効果的に電子電荷を吸収するので、安定したプラズマが維持される。これにより、薄膜堆積工程の制御が、ＤＣスパッタリングを用いた場合でも可能となる。実際には、多少アースシールド８’の溝８’ａ内部にも絶縁物膜は堆積されるが、膜厚が非常に薄く、また溝付近でプラズマの電位勾配も存在するので充分電流はシールドへ流れる。
【００２３】
図１に示したアースシールド８’の溝８’ａは単純な溝形状であるが、これに限ることはない。図２に、様々なアースシールドの断面形状を示す。図２（ａ）は図１のものと同一であるが、単純な溝ではなくさらに溝の底部を拡張した（ｂ）に示す溝８’ｂ、（ｃ）に示す溝８’ｃの様な空間部を有する形状としてもよい。特に（ｂ）、（ｃ）の溝にすると、内部が広がっているので、（ａ）の場合よりもさらに溝へ入射する絶縁物質は内面に付着し難くなる。
【００２４】
以上のような形状のアースシールド８’を用いることにより、絶縁被膜の蒸着を防ぎ、または蒸着量をプラズマが不安定となるような量以下に低減し、プラズマの電荷バランスを維持することができる。
【００２５】
【発明の効果】
本発明によれば、マグネトロン型ＤＣスパッタリング装置のターゲット近傍にアノードであるアースシールドを設ける場合において、アースシールド面に溝部を形成することにより、絶縁膜が付着しない部分をチャンバ内に確保することができる。したがって、アノードの電子吸収力を低下させることなくプラズマを安定に維持することが可能となる。それにより反応性ガスを用いる反応性ＤＣスパッタリングが可能となり、簡単かつ安価な装置により所望の絶縁膜を、成膜効率が高く、膜厚・膜質の制御性が良く基板上に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態におけるＤＣスパッタ装置の断面概略図
【図２】  図１の装置に用いられるアースシールドの形状を示す断面図
【図３】  従来例のＤＣスパッタ装置の断面概略図
【符号の説明】
１  チャンバ
２  ポンプ
３  スパッタリングガス源
４  反応性ガス源
５  ターゲット
６  永久磁石
７  ターゲットホルダー
８  アースシールド
８’アースシールド
８’ａ、８’ｂ、８’ｃ  溝
９  基板
１０  ウエハリフト
１１  絶縁スペーサー
１２  ＤＣ電源
【図１】
0003685670.tif 000002
【図２】
0003685670.tif 000003
【図３】
0003685670.tif 000004