(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向に複数個の貫通孔を有する絶縁基体と、前記貫通孔内に充填され、一端が絶縁基体の上面に導出されて半導体素子の電極が接続される上部接続パッドを形成し、他端が絶縁基体の下面に導出されて外部電気回路基板の配線導体が接続される下部接続パッドを形成する複数個の配線層とから成る配線基板であって、前記絶縁基体はＳｉＯ２ーＡｌ２Ｏ３ーＭｇＯーＺｎＯーＢ２Ｏ３系結晶性ガラスから成り、かつＺｎＦｅ２Ｏ４、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＦｅＦｅ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｕＦｅ２Ｏ４の少なくとも１種から成る磁性材料が含有されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記磁性材料の含有量が５０〜９０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基体に、外添加で１０〜４０重量部の無機物フィラーを含有させたことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩ（大規模集積回路素子）等の半導体素子が搭載接続される配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子が搭載接続される外部電気回路基板は酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る絶縁基体と、該絶縁基体の表面及び内部に形成され、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料から成る複数個の配線導体とで構成されている。
【０００３】
かかる外部電気回路基板は一般にＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技術を採用することによって形成され、具体的には、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属から成る金属粉末に有機バインダー、溶剤等を添加し、ペースト状となした金属ペーストを生もしくは焼結セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により配線導体となる所定パターンに印刷塗布し、次にこれを還元雰囲気中で焼成し、高融点金属とセラミック体とを焼結一体化させることによって形成されている。
【０００４】
また近時、電子機器の小型化に対応して外部電気回路基板も小型にして、かつ配線導体を高密度に形成することが要求されるようになってきており、これに対応するために配線導体を厚膜形成技術で形成するのに変えて微細配線が可能な薄膜形成技術で形成した外部電気回路基板も使用されるようになってきた。
【０００５】
この配線導体を薄膜形成技術で形成した外部電気回路基板は、絶縁基体上に、例えば、窒化タンタルやニッケル・クロム合金等から成る接着層と、ニッケル・クロム合金やチタン・タングステン合金、ニッケル、パラジウム等から成る中間層と、金や銅等から成る主導体層をイオンプレーティング法やスパッタリング法、蒸着法、メッキ法等の薄膜形成技術を採用することによって順次被着させ、次に、これらの各層をフォトリソグラフィー技術で所定パターンに加工し、配線導体とすることによって形成されている。
【０００６】
かかる外部電気回路基板は、絶縁基体の上面に、下面に電極を有する半導体素子が載置され、絶縁基体上面の配線導体と半導体素子の下面の電極とを半田等を介し接合させることによって半導体素子が搭載接続されることとなり、配線導体を介して半導体素子に所定の電気信号を出し入れすることによって半導体素子が駆動する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、情報処理装置は高性能化が急激に進展し、これに伴って半導体素子も高速駆動が行われ、ノイズの影響を極めて受け易いものになってきたこと、従来の外部電気回路基板はタングステン、モリブデン等から成る配線導体が高調波のノイズを伝搬させ易いこと等から配線基板の配線導体に高調波のノイズが入り込んだ場合、このノイズがそのまま配線導体を介して半導体素子に入り込み、半導体素子を誤動作させるという欠点を有していた。
【０００８】
本発明は、上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、半導体素子と従来の外部電気回路基板との間に配され、外部電気回路基板の配線導体に入り込んだノイズがそのまま半導体素子に入り込むのを有効に防止し、半導体素子を長期間にわたり正常に作動させることができる配線基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、厚み方向に複数個の貫通孔を有する絶縁基体と、前記貫通孔内に充填され、一端が絶縁基体の上面に導出されて半導体素子の電極が接続される上部接続パッドを形成し、他端が絶縁基体の下面に導出されて外部電気回路基板の配線導体が接続される下部接続パッドを形成する複数個の配線層とから成る配線基板であって、前記絶縁基体はＳｉＯ２ーＡｌ２Ｏ３ーＭｇＯーＺｎＯーＢ２Ｏ３系結晶性ガラスから成り、かつＺｎＦｅ２Ｏ４、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＦｅＦｅ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｕＦｅ２Ｏ４の少なくとも１種から成る磁性材料が含有されていることを特徴とするものである。
【００１０】
また本発明は前記磁性材料の含有量が５０〜９０重量％であることを特徴とするものである。
【００１１】
更に本発明は、前記絶縁基体に、外添加で１０〜４０重量部の無機物フィラーを含有させたことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の配線基板によれば、絶縁基体をＳｉＯ２ーＡｌ２Ｏ３ーＭｇＯーＺｎＯーＢ２Ｏ３系結晶性ガラスで形成するとともにＺｎＦｅ２Ｏ４、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＦｅＦｅ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｕＦｅ２Ｏ４の少なくとも１種から成る磁性材料を含有させたことから絶縁基体に設けた配線層にノイズが伝搬した場合、そのノイズは磁性材料で熱エネルギーに変換されて吸収され、その結果、ノイズが半導体素子に入り込むことはなく、半導体素子を常に正常に作動させることが可能となる。
【００１３】
また本発明の配線基板によれば、絶縁基体を形成するＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が８００〜１０５０℃であり、低いことからこの結晶性ガラス中に磁性材料を含有させて焼成しても磁性材料は磁性を失うことはなく、ノイズを良好に吸収することが可能となる。
【００１４】
同時にガラスセラミック焼結体の焼成温度が低いことから銅、銀、金等の融点が低くく、導通抵抗の低い材料から成る配線層を同時焼成によって形成することが可能となり、配線層を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等が生じるのを有効に防止して半導体素子を正確に作動させることもできる。
【００１５】
更に絶縁基体に無機物フィラーを外添加で１０〜４０重量部の範囲で含有させると絶縁基体の機械的強度が強くなり、外力印加によって破損等が招来するのを有効に防止することもできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
図１は本発明の配線基板の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は配線層である。
【００１７】
前記絶縁基体１はＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成り、その厚み方向に貫通する複数個の貫通孔３が形成されており、該貫通孔３内には銅、銀、金等から成る導通抵抗の小さい金属材料から成る配線層２が形成されている。
【００１８】
前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１は、例えば、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 から成るガラス成分粉末に適当な有機バインダー、溶剤、可塑剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用しシート状に成形することによって複数枚のグリーンシート（生シート）を得、次に、前記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに所定の順に上下に積層して生成形体となすとともに該生成形体を８００〜１０５０℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１９】
また前記絶縁基体１に形成されている貫通孔３は、焼成によって絶縁基体１となるグリーンシート（生シート）に従来周知の金型によるパンチング孔開け加工法を採用することによって、例えば、直径８０μｍ〜２５０μｍに形成される。
【００２０】
前記絶縁基体１に形成した貫通孔３内には配線層２が形成されており、該配線層２は外部電気回路基板５の配線導体５ａと半導体素子４の電極４ａとを電気的に接続する作用をなし、配線層２の一端を絶縁基体１の上面に導出させて上部接続パッド２ａを形成するとともに、他端を絶縁基体１の下面に導出されて下部接続パッド２ｂを形成し、上部接続パッド２ａに半導体素子４の電極４ａを半田等から成る導電性接合材６を介して接合させ、下部接続パッド２ｂに外部電気回路基板５の配線導体５ａを半田等から成る導電性接合材７を介して接合させれば半導体素子４の電極４ａは配線層２を介して外部電気回路基板５の配線導体５ａに接続されることとなり、これによって外部電気回路より半導体素子４に電気信号が出し入れし、半導体素子４を作動させることができる。
【００２１】
前記配線層２は銅、銀、金等の融点が低く、導通抵抗の小さい金属材料によって形成されており、銅、銀、金等の金属粉末に有機バインダー、溶剤、可塑材等を添加混合して金属ペーストを作成し、この金属ペーストを焼成によって絶縁基体１となるグリーンシート（生シート）に設けた貫通孔内に充填しておき、グリーンシートの焼成と同時焼成によって絶縁基体１の貫通孔３内に形成される。この場合、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはその焼成温度が８００〜１０５０℃と低いため、絶縁基体１の焼成時に金属ペーストの金属粉末が気散してしまうことはなく、絶縁基体１と同時焼成によって絶縁基体１の貫通孔３内に形成することができる。
【００２２】
なお、前記配線層２は銅、銀、金等の導通抵抗が低い金属材料で形成されていることから配線層２を電気信号が伝搬しても電気信号に減衰等が生じるのを有効に防止することができ、その結果、半導体素子４を正確に作動させることができる。
【００２３】
また前記貫通孔３内に配線層２を有する絶縁基体１は、その内部にＺｎＦｅ2 Ｏ4 、ＭｎＦｅ2 Ｏ4 、ＦｅＦｅ2 Ｏ4 、ＣｏＦｅ2 Ｏ4 、ＮｉＦｅ2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 の少なくとも１種から成る磁性材料が含有されており、該磁性材料は配線層２に外部電気回路から入り込んだ高調波ノイズが伝搬した場合、そのノイズを熱エネルギーに変換して吸収し、ノイズが半導体素子に入り込むのを有効に防止する作用をなし、これによって半導体素子は常に正常に作動させることが可能となる。
【００２４】
前記磁性材料は、例えば、焼成によって絶縁基体１となるグリーンシートに、ＺｎＦｅ2 Ｏ4 、ＭｎＦｅ2 Ｏ4 、ＦｅＦｅ2 Ｏ4 、ＣｏＦｅ2 Ｏ4 、ＮｉＦｅ2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 の少なくとも１種から成る磁性粉末を添加含有させておくことによって絶縁基体１内に含有される。
【００２５】
前記磁性材料を含有する絶縁基体１、即ち、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスと、磁性材料とより成る絶縁基体１はＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの量が１０重量％未満、言い換えると磁性材料が９０重量％を超えたものとなるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が高いものとなって銅等の金属材料から成る配線層２と同時に焼成するのが困難となり、またＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの量が５０重量％を超え、言い換えると磁性材料が５０重量％未満となると、絶縁基体１に設けた配線層２に外部電気回路基板５の配線導体５ａよりノイズが入り込んだ場合、ノイズを良好に吸収することができず、半導体素子４に誤動作を起こさせてしまう。従って、前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスに磁性材料を含有させた絶縁基体１は、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの量を１０〜５０重量％の範囲に、磁性材料の量を５０〜９０重量％の範囲にしておくことが好ましい。
【００２６】
前記磁性材料はまたその粒径が０．５μｍ未満となると、焼成によって絶縁基体１を製作する際、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスとの反応が進行し、磁性材料の残存率が低下してノイズを効果的に吸収することができなくなり、また１０μｍを超えるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が高いものとなって銅等の金属材料から成る配線層２と同時に焼成するのが困難となる。従って、前記磁性材料はその粒径を０．５μｍ〜１０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００２７】
本発明の配線基板においては絶縁基体１をＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスで形成することが重要である。
【００２８】
このＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスは、例えば、ＳｉＯ2 ：４０〜４６重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：２５〜３０重量％、ＭｇＯ：８〜１３重量％、ＺｎＯ：６〜９重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：８〜１１重量％で形成されている。
【００２９】
前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスは、焼成時にガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）、コージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ）、スピネル型結晶相（ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）等の結晶相を生成するが、これらの結晶相の生成により絶縁基体１の強度が向上するという性質を持っている。
【００３０】
また前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはその焼成温度が８００〜１０５０℃と低いことから、配線層２を銅、銀、金等の融点が低くく、導通抵抗の低い材料としても絶縁基体１と同時焼成によって形成することが可能となり、配線層２を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等が生じるのを有効に防止して半導体素子４を正確に作動させることができる。
【００３１】
更に前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が８００〜１０５０℃と低いことから焼成時に磁性材料を含有させておいても磁性材料の磁性が失われることはなく、これによって配線層２に入り込んだノイズを良好に吸収することが可能となる。
【００３２】
前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはまたその比誘電率が約５（室温１ＭＨｚ）と低くく、そのため絶縁基体１の貫通孔３内に配されている配線層２に電気信号を伝搬させても伝搬遅延を招来することはなく、これによって配線層２に高速で電気信号を伝搬させることが可能となる。
【００３３】
なお、前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスは、ＳｉＯ2 の量が４０重量％未満、或いは４６重量％を超えるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が高いものとなって銅等の金属材料から成る配線層２と同時に焼成するのが困難となる。従って、ＳｉＯ2 の量は４０〜４６重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００３４】
またＡｌ2 Ｏ3 の量が２５重量％未満、或いは３０重量％を超えるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が高いものとなって銅等の金属材料から成る配線層２と同時に焼成するのが困難となる。従って、Ａｌ2 Ｏ3 の量は２５〜３０重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００３５】
またＭｇＯの量が８重量％未満となると焼成によってＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１を製作する際、生成するコージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ）の量が少なくなって絶縁基体１の強度を大きく向上させることができず、また１３重量％を超えるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が高いものとなって銅等の金属材料から成る配線層２と同時に焼成するのが困難となる。従って、ＭｇＯの量は８〜１３重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００３６】
またＺｎＯの量が６重量％未満となると焼成によってＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１を製作する際、生成するガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）の量が少なくなって絶縁基体１の強度を大きく向上させることができず、また９重量％を超えるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が高いものとなって銅等の金属材料から成る配線層２と同時に焼成するのが困難となる。従って、ＺｎＯの量は６〜９重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００３７】
またＢ2 Ｏ3 の量が８重量％未満となると焼成によってＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１を製作する際、ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）、コージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ）、スピネル型結晶相（ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）等の結晶相が過剰に生成され、絶縁基体１が多孔質のものとなって配線基板として不向きとなり、また１１重量％を超えると耐薬品性が大きく劣化して配線基板としての信頼性が大きく低下してしまう。従って、Ｂ2 Ｏ3 の量は８〜１１重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００３８】
更に前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはその内部に無機物フィラー，具体的にはアルミナ、シリカ、窒化珪素、窒化アルミニウム等の粉末を外添加で１０〜４０重量部添加含有させておくと機械的強度が大幅に向上し、外力印加によって破損等を招来するのが有効に防止される。従って、絶縁基体１の機械的強度を向上させ、外力印加によって破損等を招来しないようにするのは前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスに無機物フィラーを外添加で１０〜４０重量部添加含有させて絶縁基体１を形成することが好ましい。
【００３９】
前記無機物フィラーは更にその粒径を０．５〜５μｍの範囲としておくとガラスセラミック焼結体中に均一に分散含有させて絶縁基体１の機械的強度を均一に向上させることができる。従って、前記無機物フィラーはその粒径を０．５〜５μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００４０】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００４１】
また上述の実施例では複数のグリーンシートを積層した成形体を焼成して絶縁基体１を作成したが、これをプレス成形等によって成形した１つの成形体を焼成して作成してもよい。また同時に複数のグリーンシートを積層した成形体を焼成して絶縁基体１を作成する際、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスに磁性材料を含有させたものと、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスに無機物フィラーを含有させたものとを多層に配して作成してもよい。
【００４２】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、絶縁基体をＳｉＯ２ーＡｌ２Ｏ３ーＭｇＯーＺｎＯーＢ２Ｏ３系結晶性ガラスで形成するとともにＺｎＦｅ２Ｏ４、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＦｅＦｅ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｕＦｅ２Ｏ４の少なくとも１種から成る磁性材料を含有させたことから絶縁基体に設けた配線層にノイズが伝搬した場合、そのノイズは磁性材料で熱エネルギーに変換されて吸収され、その結果、ノイズが半導体素子に入り込むことはなく、半導体素子を常に正常に作動させることが可能となる。
【００４３】
また本発明の配線基板によれば、絶縁基体を形成するＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が８００〜１０５０℃であり、低いことからこの結晶性ガラス中に磁性材料を含有させて焼成しても磁性材料は磁性を失うことはなく、ノイズを良好に吸収することが可能となる。
【００４４】
同時にガラスセラミック焼結体の焼成温度が低いことから銅、銀、金等の融点が低くく、導通抵抗の低い材料から成る配線層を同時焼成によって形成することが可能となり、配線層を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等が生じるのを有効に防止して半導体素子を正確に作動させることもできる。
【００４５】
更に絶縁基体に無機物フィラーを外添加で１０〜４０重量部の範囲で含有させると絶縁基体の機械的強度が強くなり、外力印加によって破損等が招来するのを有効に防止することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・絶縁基体
２・・・配線層
２ａ・・上部接続パッド
２ｂ・・下部接続パッド
３・・・貫通孔
４・・・半導体素子
４ａ・・半導体素子の電極
５・・・外部電気回路基板
５ａ・・外部電気回路基板の配線導体
【図１】
0003716088.tif 000002