(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバを構成するベース板及び蓋部と、前記蓋部の内側に着脱自在に装着されたシールド部材と、前記ベース板に絶縁状態で装着された電極と、真空チャンバ内を排気する真空排気装置と、真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給装置と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、真空チャンバ内の真空度を計測する真空度計測手段を備えたプラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング方法であって、真空チャンバ内を真空排気する際に所定の真空度に到達するまでの時間を計測し、この時間が設定時間を超えているならば、指示手段により前記シールド板の清掃又は交換の指示を行うことを特徴とする電子部品のプラズマクリーニング方法。
【請求項２】
真空チャンバを構成するベース板及び蓋部と、前記蓋部の内側に着脱自在に装着されたシールド部材と、前記ベース板に絶縁状態で装着された電極と、真空チャンバ内を排気する真空排気装置と、真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給装置と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、真空チャンバ内の真空度を計測する真空度計測手段を備えたプラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング方法であって、真空チャンバ内の真空排気を開始後、所定時間経過後の真空チャンバ内の真空度を計測し、この真空度が設定真空度に満たないならば、指示手段により前記シールド板の清掃又は交換の指示を行うことを特徴とする電子部品のプラズマクリーニング方法。
【請求項３】
真空チャンバを構成するベース板及び蓋部と、前記蓋部の内側に着脱自在に装着されたシールド部材と、前記ベース板に絶縁状態で装着された電極と、真空チャンバ内を排気する真空排気装置と、真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給装置と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、真空チャンバ内の真空度を計測する真空度計測手段を備えたプラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング方法であって、真空チャンバを真空排気する際に真空排気速度を計測し、この真空排気速度が設定排気速度に満たないならば、指示手段により前記シールド板の清掃又は交換の指示を行うことを特徴とする電子部品のプラズマクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマにより電子部品の表面をクリーニングする電子部品のプラズマクリーニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品の表面のクリーニングを行う方法として、プラズマクリーニング法が知られている（例えば、特開平６−２１０３２号公報）。この方法は減圧雰囲気下でプラズマを発生させこの結果発生した電子やイオンを電子部品の表面に衝突させて表面処理を行うものである。この方法では減圧雰囲気を形成するため、外部と遮断された真空チャンバと、真空チャンバ内を真空排気する排気手段を必要とする。そして、プラズマクリーニングの各サイクルごとに真空チャンバを開閉して電子部品の出し入れを行い、真空チャンバを閉じた後はその都度真空チャンバ内が所定真空度に到達するまで真空排気を行う。この真空排気に要する時間は、プラズマクリーニングの１サイクルのタクトタイムの相当部分を占めるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、プラズマクリーニングでは電子部品の表面に電子やイオンを衝突させ、そのエッチング効果で表面の汚染物を除去するものであるため、除去された微粒子状の汚染物は周囲に飛散して真空チャンバの内壁面に付着し、時間の経過とともに堆積する。そして、真空チャンバの開閉の度に外部から導入される大気中の水蒸気その他のガスがこの汚染物の堆積層に吸着され、これらのガスは、真空チャンバの真空排気時に堆積層から放出されて外部へ排出される。ここで、微粒子状汚染物の堆積層は真空チャンバの内壁面の微視的な表面積を著しく増大させることとなり、その結果内壁に堆積層がある状態での真空チャンバ内に吸着される水蒸気等のガスの量は、堆積層がない状態と比較すれば極めて多量のものとなる。
【０００４】
しかしながら、真空チャンバの内壁は点検しにくいためこの堆積層は気付かれずに放置されやすく、そしてこの堆積層が放置されて堆積が進行すると、堆積層に吸着されるガスの量が益々増大し、各サイクルごとに長い真空排気時間を必要とするようになる。このように、従来のプラズマクリーニング装置では、真空チャンバ内壁に汚染物が堆積することによってタクトタイムが長くなり、生産性が上がらないという問題点があった。
【０００５】
そこで本発明は、タクトタイムを維持して生産性を向上させることができる電子部品のプラズマクリーニング方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の電子部品のプラズマクリーニング方法は、真空チャンバを構成するベース板及び蓋部と、前記蓋部の内側に着脱自在に装着されたシールド部材と、前記ベース板に絶縁状態で装着された電極と、真空チャンバ内を排気する真空排気装置と、真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給装置と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、真空チャンバ内の真空度を計測する真空度計測手段を備えたプラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング方法であって、真空チャンバ内を真空排気する際に所定の真空度に到達するまでの時間を計測し、この時間が設定時間を超えているならば、指示手段により前記シールド板の清掃又は交換の指示を行うようにした。
【０００８】
請求項２記載の電子部品のプラズマクリーニング方法は、真空チャンバを構成するベース板及び蓋部と、前記蓋部の内側に着脱自在に装着されたシールド部材と、前記ベース板に絶縁状態で装着された電極と、真空チャンバ内を排気する真空排気装置と、真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給装置と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、真空チャンバ内の真空度を計測する真空度計測手段を備えたプラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング方法であって、真空チャンバ内の真空排気を開始後、所定時間経過後の真空チャンバ内の真空度を計測し、この真空度が設定真空度に満たないならば、指示手段により前記シールド板の清掃又は交換の指示を行うようにした。
【０００９】
請求項３記載の電子部品のプラズマクリーニング方法は、真空チャンバを構成するベース板及び蓋部と、前記蓋部の内側に着脱自在に装着されたシールド部材と、前記ベース板に絶縁状態で装着された電極と、真空チャンバ内を排気する真空排気装置と、真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給装置と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、真空チャンバ内の真空度を計測する真空度計測手段を備えたプラズマクリーニング装置におけるプラズマクリーニング方法であって、真空チャンバを真空排気する際に真空排気速度を計測し、この真空排気速度が設定排気速度に満たないならば、指示手段により前記シールド板の清掃又は交換の指示を行うようにした。
【００１０】
【発明の実施の形態】
上記構成の本発明によれば、真空計測手段により真空チャンバ内の真空度を計測し、真空度計測結果に基づき真空チャンバの内壁のシールド部材などの清掃・交換などのメンテナンスの指示をすることにより、作業者にメンテナンスの時期を知らせることができる。したがってメンテナンスによって真空チャンバ内壁に汚染物が設定限度以上に堆積するのを防止し、堆積層にガスが吸着されることによる真空排気時間の増加を抑制してタクトタイムを維持することができる。
【００１１】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の側面図、図２、図３、図４は本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の部分断面図、図５は本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の部分斜視図、図６は本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の制御系の構成を示すブロック図、図７は本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の動作を示すフローチャートである。
【００１２】
まず、図１を参照して、電子部品のプラズマクリーニング装置の全体構造を説明する。図１において１は基礎フレームであり、基礎フレーム１上には、ケース２が配設されている。ケース２の上にはベース板３が設置されており、ベース板３上には蓋部４が設けられている。ベース板３と蓋部４は真空チャンバ５を構成する。ベース板３を貫通して電極６が装着されている。電極６上にはプラズマクリーニング対象物の電子部品である基板２１が載置される。
【００１３】
ケース２の側方にはＬ型のブラケット７が立設されている。ブラケット７にはガイド８が装着されている。ガイド８にはシャフト９が上下方向にスライド可能に挿入されている。シャフト９の上部はカギ型のフレーム１０に結合されている。フレーム１０は上部が水平方向へ張り出しており、蓋部４と結合されている。また基礎フレーム１にはシリンダ１１が立設されており、フレーム１０の下面はシリンダ１１のロッド１１ａの上端部に接地している。したがってシリンダ１１のロッド１１ａが突出することにより蓋部４は上昇して真空チャンバ５を開き、またロッド１１ａが引き込むと蓋部４は下降して真空チャンバ５を閉じる。すなわちシリンダ１１は真空チャンバ５の開閉手段となっている。
【００１４】
ベース板３の右端部には貫通孔１２が設けられている。貫通孔１２には配管１３が接続されている。配管１３には、真空排気装置１４、真空計１５、大気ベント装置１６、ガス供給装置１７が接続されている。真空排気装置１４、大気ベント装置１６、ガス供給装置１７は、それぞれ真空排気バルブ１４ａ、大気ベントバルブ１６ａ、ガス導入バルブ１７ａを備えている。ガス供給装置１７は、アルゴンガスなどのプラズマ発生用のガスを真空チャンバ５内へ供給する。真空排気装置は、真空チャンバ５の真空排気を行う。真空度計測手段である真空計１５は、真空チャンバ５内の真空度を計測し、計測データを制御部６０へ送る。
【００１５】
電極６の下方には高周波電源１８が配設されている。高周波電源１８はケーブル１９を介して電極６と電気的に接続されている。高周波電源１８は電極６に高周波電圧を印加する。この電極６とケーブル１９はシールド２０によってカバーされている。
【００１６】
次に、図２、図３にて真空チャンバ５および電極６について説明する。図２、図３に示すように真空チャンバ５は、略直方体形状をしており、ベース板３上の蓋部４との当接部にはシール溝２５が設けられている。このシール溝２５内部に装着されるシール２６により真空チャンバ５は密封される。
【００１７】
図２、図３において、疎ピッチのハッチングを施した部分は接地電極として機能する部分を示し、また密ピッチのハッチングを施した部分は高周波電圧が印加される電極６を示している。まず電極６について説明する。ベース板３の中央部には長方形の開口２７が開口されている。この開口２７を貫通して電極６が配置される。図示するように電極６は３つの部分に分割されている。３つのうち、最も上に位置する上部電極６ａはベース板３上の真空チャンバ５の内部に配置されて、その上面に基板２１を載置する。すなわち上部電極６ａは基板２１の載置部を兼務する。
【００１８】
上部電極６ａの上面には、両端部に基板２１の幅に対応したガイド部としての凸部２８が形成されている。凸部２８と凸部２８の間隔Ｗは基板２１の幅と略等しくなっており、基板２１の搬送時にはこれら凸部２８が基板２１の両側面に当接し、基板２１の搬送をガイドする。すなわち、上部電極６ａは基板２１をスライドさせて搬送するためのガイドレールを兼務している。また上部電極６ａの上面の中心線上には、基板２１の搬送方向に沿って連続した凹部２９が設けられている。この凹部２９は、基板搬送手段である搬送アーム３０の先端部の爪３０ａが入り込むためのものである。
【００１９】
図２において、上部電極６ａの下面には両端部を残して凹部３１が形成されている。この凹部３１にブロック形の中電極６ｂが嵌合している。したがって上部電極６ａは中電極６ｂ上に着脱自在に装着されている。中電極６ｂは下部電極６ｃ上に載置されている。下部電極６ｃにはボルト用の座ぐり３２が形成されている。座ぐり３２の内部には絶縁材のワッシャ３３が装着されている。また下部電極６ｃとベース板３の下面の間には絶縁プレート３４が挿入されている。座ぐり３２に挿入されたボルト３５はベース板３の下面に螺入されている。したがって下部電極６ｃは絶縁体３４を挟んでボルト３５によりベース板３の下面に装着される。
【００２０】
ベース板３の下面及び下部電極６ｃの上面にはシール溝２５が設けられている。これらのシール溝２５にはシール２６が装着されている。真空チャンバ５の内部が真空吸引されることにより下部電極６ｃは空気圧差により絶縁プレート３４を介してベース板３の下面に強く押しつけられる。この押しつけ力によりシール２６が押しつぶされ、シール面は密封される。このように電極６が分割されていることにより、基板２１の品種変更時には、使用済の上部電極６ａを取りはずし、新しい基板２１の幅に適合する凸部２８の間隔Ｗを有する新たな上部電極６ａを中電極６ｂ上に装着すればよい。
【００２１】
次に接地電極について説明する。図２において、疎ハッチングを施したベース板３、蓋部４及びアースレール３６が接地電極である。アースレール３６はベース板３の上面に上部電極６ａを囲むように装着されている。図３に示すようにアースレール３６の長手方向（基板２１の搬送方向）の前端部と後端部の両側部には基板２１をガイドするための凸部３６ａが形成されている。この凸部３６ａは上記凸部２８に連続している。またアースレール３６の両側部には搬送アーム３０の先端部の爪３０ａが入り込むための凹部３６ｂが形成されている。この凹部３６ｂも、上記凹部２９に連続している。
【００２２】
また図３において、ベース板３上で真空チャンバ５外のアースレール３６の延長線上にはアースレール３６と同様の断面形状を有する乗り移りレール３９が設けられている。真空チャンバ５が開状態の時に基板２１はこの乗り移りレール３９上を搬送される。このアースレール３６および乗り移りレール３９は、上部電極６ａと同様に基板２１の品種変更に応じて、新しい基板２１の幅に適合するものと交換される。
【００２３】
図２に示すように、電極６と接地電極各部分とは、絶縁隙間Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を保って相対し、直接に接触せず、かつこの隙間内でプラズマが生じない距離を保って装着されている。
【００２４】
次に、図４を参照してプラズマクリーニング装置の搬送系について説明する。図４において基礎フレーム１上にはＬ型のブラケット４０が配設されている。ブラケット４０の上部には水平なガイドレール４１ａが装着されており、ガイドレール４１ａにはスライダ４１ｂがスライド自在に嵌合している。スライダ４１ｂには支持プレート４２が立設されている。支持プレート４２の上部にはガイド４３が装着されている。ガイド４３にはスライドシャフト４４が上下動自在に挿入されている。スライドシャフト４４の上端部は昇降ブロック４５に結合されている。
【００２５】
また、支持プレート４２の上端部にはシリンダ４６が装着されている。シリンダ４６のロッド４７の先端はアーム４５に結合されている。昇降ブロック４５の先端部には搬送アーム３０が装着されている。搬送アーム３０の先端部の爪３０ａは下方に屈曲し、上部電極６ａの凹部２９やアースレール３６の凹部３６ｂに入り込む（図２も参照）。したがってシリンダ４６のロッド４７が突没すると搬送アーム３０の爪３０ａは上部電極６ａ上面の凹部２９の位置で上下する。すなわちロッド４７の没入時には爪３０ａは凹部２９内に進入して基板２１の端部を押送可能となり、ロッド４７の突出時には爪３０ａは基板２１の上方に退去する。
【００２６】
図４において、基礎フレーム１上にはモータ４８が配設されている。モータ４８の回転軸にはプーリ４９が装着されている。プーリ４９と図示しない従動プーリとの間にはベルト５０が掛け回されている。ベルト５０にはブラケット５１が装着されている。ブラケット５１の上端部は支持プレート４２に結合されている。したがってモータ４８が正逆回転すると、支持プレート４２はガイドレール４１ａに沿って水平移動し、これにより搬送アーム３０は基板２１を上部電極６ａの上面に沿って搬送し、また原位置に戻る動作を行う。
【００２７】
次に図５を参照して蓋部材４に装着されるシールド部材３７について説明する。図５において、蓋部４（天地を逆にして示している）の内下面、すなわち真空チャンバ５内部の天井面には、交換可能なシールド部材３７がボルト３８により装着されている。シールド部材３７は真空チャンバ５内の側壁及び天井を覆って装着され、プラズマクリーニング時に基板２１から除去された汚染物が飛散して、接地電極である蓋部４の内下面に直接付着堆積するのを防ぐ。シールド部材３７は、その内面の汚染物の堆積層が一定限度になると取り外され、必要な清掃が行われるか、または新たなものと交換される。
【００２８】
次に図６を参照してプラズマクリーニング装置の制御系の構成を説明する。図６において、制御部６０はＣＰＵであり、装置全体の制御を行う。制御部６０は、記憶部６１、時計６２を備えている。記憶部６１は真空チャンバ５の設定真空度や設定真空到達時間などを記憶する。時計６２はタイマであり、真空到達時間を計時する。制御部６０はインターフェイス６３を介して真空計１５、真空排気装置１４、大気ベントバルブ１６ａ、表示モニタ６４、高周波電源１８、チャンバ開閉手段であるシリンダ１１、真空排気バルブ１４ａ、ガス導入バルブ１７ａに接続されている。また、制御部６０は真空チャンバ５内の真空排気時に真空度の到達度合いを真空計１５の計測結果により判定し、この結果からメンテナンスを行うべきか否かを判断する。したがって制御部６０はメンテナンス時期を判断する判断手段となっている。表示モニタ６４は、制御部６０からの指示に基づいて真空チャンバ５内のシールド部材３７の清掃、交換などのメンテナンスの指示を表示する。したがって、表示モニタ６４は、シールド部材３７の清掃・交換などのメンテナンスを指示する指示手段となっている。
【００２９】
この基板のプラズマクリーニング装置は上記のような構成より成り、以下その動作を図７のフローに沿って各図を参照して説明する。まず、図４において真空チャンバ５の蓋部４が上昇し、真空チャンバ５が開いた状態から、プラズマクリーニング処理のサイクルが開始する。真空チャンバ５内に基板２１が搬入されると、真空チャンバ５の蓋部４が下降し真空チャンバ５が閉じる（ＳＴ１）。次いで真空排気バルブ１４ａが開き（ＳＴ２）、真空排気装置１４（図１）が駆動する。
【００３０】
ここで、真空到達時間を計測するために時計６２より現時点の時間ｔ１を読み込む（ＳＴ３）。次いで、真空計１５より真空計測データが送られ真空度が設定真空度に到達したか否かが判断される（ＳＴ４）。到達していなければ真空度計測を継続し、到達していればその時点での時間ｔ２が読み込まれる（ＳＴ５）。次いで、ｔ１とｔ２より真空到達時間Ｔが求められ（ＳＴ６）、Ｔが設定時間Ｔ０以内であるか否かが判断される（ＳＴ７）。このようにして真空度計測結果に基づき求められた真空到達時間Ｔが、設定時間Ｔ０を超えている場合には、シールド部材３７に付着堆積している汚染物の量が設定限度以上であると判断され、ＳＴ８にて警告表示がなされ、シールド部材３７などの清掃または交換など、真空チャンバ５のメンテナンスが指示される。
【００３１】
真空到達時間Ｔが設定時間Ｔ０以内であれば、ガス導入バルブ１７ａが開かれてガス供給装置１７が駆動され、真空チャンバ５内にプラズマ発生用ガスが導入される。次に高周波電源１８が駆動され（ＳＴ１０）、電極６には高周波電圧が印加される。この高周波電圧によりプラズマが発生し、プラズマクリーニングが行われる。この後ガス導入バルブ１７ａが閉じられ（ＳＴ１１）、次いで真空排気バルブが閉じられる（ＳＴ１２）。次に大気ベントバルブ１６ａが開かれて（ＳＴ１３）、真空チャンバ５内に大気が導入される。その後真空チャンバ５の蓋部４が上昇し、真空チャンバ５は開状態となって（ＳＴ１４）、プラズマクリーニングの１サイクルが終了する。
【００３２】
（実施の形態２）
図８は本発明の実施の形態２の電子部品のプラズマクリーニング装置の動作を示すフローチャートである。実施の形態１では、真空到達時間が設定時間を超えている場合に真空チャンバ５のメンテナンスの指示がなされるが、本実施の形態２では、真空排気開始から所定時間経過後に設定真空度に到達するか否かによって上記メンテナンスの要否を判断するものである。
【００３３】
図８において、ＳＴ２１からＳＴ２３までは実施の形態１のＳＴ１からＳＴ３と同様である。次に、真空測定時間ｔ２が算出される（ＳＴ２４）。ここでは、ＳＴ２３にて読み込まれた時間ｔ１から、設定された所定の時間Ｔ１が経過した時間ｔ２を求めている。次いでその時点での時間が真空測定時間に達したかが判断される（ＳＴ２５）。真空測定時間に達したならばその時点での真空度ｐ２が測定される（ＳＴ２６）。
【００３４】
次いで測定された真空度ｐ２が設定真空度ｐ０以上であるか否かが判断される（ＳＴ２７）。そして真空度ｐ２が設定真空度に満たないならば警告表示がなされ、真空チャンバ５のメンテナンスが指示される（ＳＴ２８）。
【００３５】
真空度ｐ２が設定真空度以上であれば、ＳＴ２９以降の通常のプラズマクリーニング動作に移る。ＳＴ２９以降の各ステップは、実施の形態１におけるＳＴ９以降の各ステップと同様である。
【００３６】
（実施の形態３）
図９は本発明の実施の形態３の電子部品のプラズマクリーニング装置の動作を示すフローチャートである。本実施の形態３は、真空排気速度が設定排気速度以上であるか否かによって前記メンテナンスの要否を判断するものである。
【００３７】
図９において、ＳＴ４１からＳＴ４３までは実施の形態１のＳＴ１からＳＴ３と同様である。次に、現在の真空度ｐ１が計測され（ＳＴ４４）、次いで真空測定時間ｔ２が算出される（ＳＴ４５）。ここでは、ＳＴ４３にて読み込まれた時間ｔ１から、設定された所定の時間Ｔ２が経過した時間ｔ２を求めている。次いでその時点での時間が真空測定時間ｔ２に達したかが判断される（ＳＴ４６）。真空測定時間に達したならば、その時点での真空度ｐ２が測定される（ＳＴ４７）。次いでｐ１、ｐ２およびｔ１、ｔ２に基づいて排気速度ｖ１が算出される（ＳＴ４８）。
【００３８】
次に算出された排気速度ｖ１が設定排気速度ｖ０以上であるか否かが判断される（ＳＴ４９）。そして排気速度ｖ１が設定排気速度ｖ０に満たないならば警告表示がなされ、真空チャンバ５のメンテナンスが指示される（ＳＴ５０）。排気速度ｖ１が設定排気速度ｖ０以上であれば、ＳＴ５１以降の通常のプラズマクリーニング動作に移る。ＳＴ５１以降の各ステップは、実施の形態１におけるＳＴ９以降の各ステップと同様である。
【００３９】
上記各実施の形態での説明のように、プラズマクリーニングの各処理サイクルごとに真空度計測手段により真空チャンバ５内の真空度を計測して所定の真空度に到達するまでの真空到達時間、真空排気開始後から所定時間経過後の真空度、真空排気速度などを求め、これらがそれぞれの設定条件を満たしていない場合には、シールド部材３７の清掃・交換などの真空チャンバ５のメンテナンスを自動的に指示する。このため必要なメンテナンスをタイムリーに行うことができ、汚染物の堆積による真空排気時間の増加を一定限度以下に抑制してタクトタイムを維持することができる。また、オペレータによるシールド部材３７の汚染状況の点検を頻繁に行う必要がなく、目視による検査が行いにくい狭隘な真空チャンバ５内の保守点検作業に要する労力を削減することができる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、プラズマクリーニングの各サイクルごとに、真空到達時間、真空排気開始後から所定時間経過後の真空度、真空排気速度などを計測することにより、常に真空チャンバ内の汚染物の堆積状況を監視し、必要な場合に自動的に報知される指示に従って真空チャンバの内壁のシールド部材などのメンテナンスをタイムリーに行うようにしているので、真空チャンバ内壁に汚染物が設定限度以上に堆積することがなく、したがって堆積層にガスが吸着されることによる真空排気時間の増加を抑制してタクトタイムを維持することができるとともに、保守点検作業に要する労力を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の側面図
【図２】本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の部分断面図
【図３】本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の部分断面図
【図４】本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の部分断面図
【図５】本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の部分斜視図
【図６】本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の制御系の構成を示すブロック図
【図７】本発明の実施の形態１の電子部品のプラズマクリーニング装置の動作を示すフローチャート
【図８】本発明の実施の形態２の電子部品のプラズマクリーニング装置の動作を示すフローチャート
【図９】本発明の実施の形態３の電子部品のプラズマクリーニング装置の動作を示すフローチャート
【符号の説明】
３  ベース板
４  蓋部
５  真空チャンバ
６  電極
６ａ  上部電極
６ｃ  下部電極
１１  シリンダ
１４  真空排気装置
１５  真空計
１７  ガス供給装置
１８  高周波電源
２１  基板
３７  シールド部材
６０  制御部
６１  記憶部
６２  時計
６４  表示モニタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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