(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶成長用反応容器内に半導体基板をこの半導体基板を保持した基板保持部材とともに収容し、上記反応容器内にIII族およびＶ族元素の水素化物またはIII族およびＶ族元素のアルキル化合物を含むガスを導入して、上記基板上に少なくともIII―Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層と発光層とを所定の成長温度で順次成長させる半導体発光素子の製造方法において、
上記バッファ層の原料となるIII族元素として少なくともガリウム(Ｇａ)またはインジウム(Ｉｎ)を用い、
上記バッファ層を成長すべき第１温度を、上記発光層を成長すべき第２温度よりも高く設定して、上記バッファ層を成長させる間に上記基板保持部材に付着した酸素を蒸発させて、上記第２温度で上記発光層を成長させる間に上記基板保持部材より酸素の蒸発が生じないようにし、
上記バッファ層上に、成長温度を上記第２温度より低い第３温度に設定した状態で第２バッファ層を成長させた後、上記Ｖ族元素の種類を切り替えて、成長温度を上げながら上記発光層を成長させ始め、成長温度が上記第２温度に達した状態で上記発光層を所定の厚さまで成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子の製造方法に関し、より詳しくは、有機金属気相成長(ＭＯＣＶＤ)法により、化合物半導体結晶層を成長して半導体レーザや発光ダイオードを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、結晶欠陥の存在しない良好なＡｌＧａＩｎＰ層を成長させる方法としては、基板温度を７００℃以上の高温に設定した状態で、ＡｌＧａＩｎＰ層を成長させる方法が提案されている(公開平２−２５４７１５号公報)。
【０００３】
例えば、図７に示す半導体レーザを製造する場合、まず、ｎ−ＧａＡｓ(ガリウムヒ素)基板１を化学エッチングによって清浄化し、図６に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１を基板保持具１２に保持して反応容器１１内に収容する。この反応容器１１内を１５〜１００ｔｏｒｒの範囲内に減圧し、図８中の領域Iに示すように、反応容器１１内にＡｓＨ3(アルシン)を含むガスを導入し、ｎ−ＧａＡｓ基板１を加熱する。その後、基板温度を６００℃から６５０℃へ上昇させながら、３０分間ｎ−ＧａＡｓ基板１の清浄化を行う。それから、ＴＭＧ(トリメチルガリウム)を含むガスを反応容器１１内に導入して、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２を成長させる。ｎ−ＧａＡｓバッファ層２を所定の厚さまで成長させた後、ＴＭＧの導入を止めて、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２の成長を停止させる。次に、図８中の領域IIに示すように、基板温度を７４５〜７５５℃まで昇温させた後、図８中の領域IIIに示すように反応容器１１内へのＡｓＨ3の導入を停止する。そして、反応容器１１内を一旦１５〜３５ｔｏｒｒに減圧して、反応容器１１内へＰＨ3(ホスフィン)を含むガスを導入し始める。その後、反応容器１１内のＡｓＨ3を置換するために約１秒の時間ｔを置き、予め所定の混合比に調整したＴＭＡ(トリメチルアルミニウム)、ＴＭＧおよびＴＭＩ(トリメチルインジウム)を含むガスを反応容器１１内に導入して、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２上にｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を所定の厚さまで成長させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体発光素子の製造方法では、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を成長すべき基板温度(７４５℃〜７５５℃)より低い基板温度(６００℃〜６５０℃)でｎ−ＧａＡｓバッファ層２を成長させているため、ｎ−ＧａＡｓ基板１内におけるＧａのマイグレーションが充分に行われない。その結果、ｎ−ＧａＡｓ基板１表面に最初に存在していた転位を完全になくすことができず、発光層等の高Ａｌ組成の結晶層において、ヒロックに代表される結晶欠陥が高密度で存在するという問題がある。また、基板保持部材１２に最初に吸着していた酸素をＡｌＧａＩｎＰ層が取り込むため、その酸素が非発光再結合中心を形成して、素子特性の低下を引き起こすという欠点がある。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、結晶欠陥を低減でき、素子特性を向上できる半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の半導体発光素子の製造方法は、結晶成長用反応容器内に半導体基板をこの半導体基板を保持した基板保持部材とともに収容し、上記反応容器内にIII族およびＶ族元素の水素化物またはIII族およびＶ族元素のアルキル化合物を含むガスを導入して、上記基板上に少なくともIII―Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層と発光層とを所定の成長温度で順次成長させる半導体発光素子の製造方法において、上記バッファ層の原料となるIII族元素として少なくともガリウム(Ｇａ)またはインジウム(Ｉｎ)を用い、上記バッファ層を成長すべき第１温度を、上記発光層を成長すべき第２温度よりも高く設定して、上記バッファ層を成長させる間に上記基板保持部材に付着した酸素を蒸発させて、上記第２温度で上記発光層を成長させる間に上記基板保持部材より酸素の蒸発が生じないようにし、上記バッファ層上に、成長温度を上記第２温度より低い第３温度に設定した状態で第２バッファ層を成長させた後、上記Ｖ族元素の種類を切り替えて、成長温度を上げながら上記発光層を成長させ始め、成長温度が上記第２温度に達した状態で上記発光層を所定の厚さまで成長させることを特徴としている。
【０００７】
ここで、上記基板保持部材は、基板を直接保持する保持具のみならず、保持具とともに反応容器内に収容される部材を含んでいる。
【０００８】
上記請求項１の半導体発光素子の製造方法によれば、上記結晶成長用反応容器内に半導体基板をこの半導体基板を保持した基板保持部材とともに収容する。そして、上記バッファ層を成長すべき第１温度を、上記発光層を成長すべき第２温度よりも高く設定して、半導体基板上にバッファ層を成長させるとともに、基板保持部材に付着した酸素を蒸発させる。それから、発光層を成長すべき第２温度まで成長温度を降温させて、バッファ層上に発光層を成長させる。
【０００９】
このように、上記半導体発光素子の製造方法では、発光層を成長すべき第２温度よりも高い第１温度で半導体基板上にバッファ層を成長させるので、半導体基板表面に存在していた転位が減少する。また、バッファ層がマイグレーション速度の速いガリウムまたはインジウムを含んでいるので、バッファ層における結晶欠陥の発生を容易に防ぐことが可能となる。したがって、転位の少ない半導体基板上のバッファ層の結晶欠陥はより減少して、そのバッファ層上に成長させる発光層の結晶欠陥を低減できる。また、バッファ層成長時に、発光層を成長すべき第２温度よりも高い第１温度で基板保持部材に付着した酸素を蒸発させてから発光層を成長させるので、上記発光層を成長させる間に上記基板保持部材から酸素が蒸発しないようにすることができる。したがって、非発光再結合中心を形成する酸素が発光層に侵入するのを防止できる。この結果、高い発光効率を有する半導体発光素子を製造できる。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
また、上記請求項１の半導体発光素子の製造方法によれば、発光層を成長すべき第２温度より高い第１温度に成長温度を設定した状態で、半導体基板上にバッファ層を成長させる。それから、発光層を成長すべき第２温度より低い第３温度に成長温度を設定した状態で、バッファ層上に第２バッファ層を成長させる。そして、成長温度が第３温度の状態でＶ族元素の種類を切り替えた後、発光層を成長させながら成長温度を第２温度まで昇温させて、その第２温度の状態で第２バッファ層上に発光層を所定の厚さまで成長させる。このように、発光層を成長すべき第２温度より低い第３温度に成長温度が設定されて、バッファ層上に第２バッファ層が成長されるとともに、Ｖ族元素の種類が切り替えられる。この結果、結晶欠陥の少ないバッファ層上に成長させた第２バッファ層の結晶欠陥はより減少する。その上、Ｖ族元素の種類を切り替え時に、第２バッファ層を構成するＶ族元素の空孔(所謂抜け)が生じることもない。したがって、第２バッファ層表面を清浄に保つことが可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を説明する前に、まず本発明をより理解し易くするために第１，第２参考例を説明する。
【００１５】
(第１参考例)
図１は、半導体レーザを製造するためのシーケンスを示している。なお、この実施形態で作製すべき半導体レーザは、図７に示したものと同じ構造を持ち、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層６、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７が順次積層されたものである。この半導体レーザを製造するための材料として、III族元素としてのＴＭＡ、ＴＭＧおよびＴＭＩを含むガスと、Ｖ族元素としてのＡｓＨ3およびＰＨ3を含むガスとが使用される。
【００１６】
まず、図６に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１を反応容器１１に基板保持具１２に保持して収容する。この反応容器１１内を１０〜１００ｔｏｒｒに減圧して、図１中の領域Iに示すように、その反応容器１１内にＡｓＨ3を含むガスを導入する。その後、ｎ−ＧａＡｓ基板１を加熱し始め、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２を成長すべき第１温度(７７０〜８３０℃が望ましい)、例えば８００℃まで基板温度を昇温させる。それから、この基板温度を８００℃に保ちつつ、反応容器１１内にＴＭＧを含むガスを導入して、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２を成長させるとともに、ｎ−ＧａＡｓ基板１、基板保持具１２および基板保持具１２周辺の部材に付着している酸素を蒸発させる。そして、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２を所定の厚さまで成長させた後、反応容器１１内へのＴＭＧの導入を止めて、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２の成長を停止させる。次に、図１中の領域IIに示すように、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を成長すべき第２温度、例えば７５０℃まで基板温度を降温させる。次に、図１中の領域IIIに示すように、反応容器１１内に導入していたガスのＶ族元素の種類を、ＡｓＨ3からＰＨ3に切り替える。そして、反応容器１１内に残るＡｓＨ3を置換するために、ＰＨ3を含むガスのみを反応容器１１内に導入した状態で時間ｔ、例えばｔ＝２秒経過させる。その後、ＴＭＡ、ＴＭＧおよびＴＭＩを含むガスを反応容器１１内に導入して、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２上にｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を所定の厚さまで成長させる。
【００１７】
このように、上記領域Ｉにおいて、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３の成長時の第２温度(７５０℃)より高い第１温度(８００℃)に基板温度を設定した状態で、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２が成長されるので、ｎ−ＧａＡｓ基板１を構成するＧａのマイグレーションが促進され、ｎ−ＧａＡｓ基板１表面に存在していた転位が低減される。この結果、転位の少ないｎ−ＧａＡｓ基板１上に成長させるｎ−ＧａＡｓバッファ層２の結晶欠陥が減少する。さらに、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２もマイグレーション速度の速いＧａを含んでいるので、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２の結晶欠陥がより減少する。したがって、良好な結晶性を有するｎ−ＧａＡｓバッファ層２上に成長させたｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３では、ヒロック等の結晶欠陥を大幅に低減できる(従来例では、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３の結晶欠陥が１００００/ｃｍ3なのに対し、この例では、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３の結晶欠陥密度が１０００/ｃｍ3となっている)。
【００１８】
また、ｎ−ＧａＡｓ基板１、基板保持具１２および基板保持具１２周辺の部材に付着した酸素を蒸発させてからｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を成長させるので、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を成長させる間にｎ−ＧａＡｓ基板１、基板保持具１２および基板保持具１２周辺の部材から酸素が蒸発しないようにすることができる。この結果、図２(ｂ)に示す従来のｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３に含まれる酸素濃度に比べて、図２(ａ)に示すようにこの実施形態のｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３内の酸素濃度が大幅に低減される。このように、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３への酸素の混入が略完全に防止されるので、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を含む発光層の特性を向上することができる。この結果、この発光層を有する半導体レーザは、発振しきい値密度を１.５ｋＡ／ｃｍ2から１ｋＡ／ｃｍ2に低減できる。さらに、黄色の発光ダイオードでは、５mm径ランプの形態で軸上光度が４cdから６cdに向上した。
【００１９】
(第２参考例)
図３は、半導体レーザ(図７に示したのと同じ構造を持つ)を製造するための第１参考例とは別のシーケンスを示している。
【００２０】
まず、図６に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１を基板保持具１２に保持して反応容器１１内に収納する。そして、反応容器１１内を１０〜１００ｔｏｒｒに減圧して、図３中の領域Ｉに示すように、その反応容器１１内にＡｓＨ3を導入する。それから、ｎ−ＧａＡｓ基板１を加熱し始め、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２を成長すべき第１温度(７７０から８３０℃が望ましい)、例えば８１０℃まで基板温度を昇温させる。基板温度が８１０℃に達した状態で、ＴＭＧを含むガスを反応容器１１内に導入して、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２を成長させるとともに、ｎ−ＧａＡｓ基板１上、基板保持具１２および基板保持具１２周辺の部材に付着している酸素を蒸発させる。そして、このｎ−ＧａＡｓバッファ層２を所定の厚さまで成長させた後、反応容器１１内へのＴＭＧの導入を止めて、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２の成長を停止させる。次に、図３中の領域IIに示すように基板温度を７００℃に降温させた後、反応容器１１内に導入していたガスのＶ族元素の種類を、ＡｓＨ3からＰＨ3に切り替える。そして、例えばt=5秒後、ＴＭＡ、ＴＭＧおよびＴＭＩを含むガスを反応容器１１内に導入して、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を成長させ始める。そして、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を成長させつつ、良好な結晶性が得られる第２温度、例えば７６０℃まで基板温度を昇温させた後、図３中の領域IIIに示すようにｎ−ＧａＡｓバッファ層２上にｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を所定の厚さまで成長させる。
【００２１】
このように、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を成長すべき第２温度(７６０℃)より低い基板温度(７００℃)の状態で、反応容器１１内へ導入するガスのＶ族元素がＡｓＨ3からＰＨ3に切り替えられるので、ＡｓＨ3からＰＨ3に切り替える時にｎ−ＧａＡｓバッファ層２を構成するＡｓの空孔(所謂抜け)が生じるのを最小限に抑えることができる。したがって、第１参考例に比べて、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３におけるヒロック等の結晶欠陥をさらに低減できる(第１参考例では、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３の結晶欠陥が１０００/ｃｍ3なのに対し、この例では、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３の結晶欠陥密度が１００/ｃｍ3となっている)。また、第１参考例の場合と同様に、ｎ−ＧａＡｓ基板１、基板保持具１２および基板保持具１２周辺の部材に付着した酸素を蒸発させた後、最早酸素が蒸発しない状態で発光層を成長させるので、非発光再結合中心を形成する酸素が発光層に侵入せず、高い発光効率を有する半導体発光素子を製造できる。
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図４は、半導体レーザを製造するためのシーケンスを示す。なお、この実施形態で作製すべき半導体レーザの断面図を図５に示している。この半導体レーザでは、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２ａとｎ−ＧａＡｓ第２バッファ層２ｂとでｎ−ＧａＡｓ基板１上のバッファ層を構成している点のみが、図７に示す半導体レーザと異なる。
【００２３】
まず、図６に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１を基板保持具１２に保持して反応容器１１内に収容する。それから、反応容器１１内を１０〜１００ｔｏｒｒに減圧して、図４中の領域Iに示すように、この反応容器１１内にＡｓＨ3を含むガスを導入する。そして、ｎ−ＧａＡｓ基板１を加熱し、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２ａを成長すべき第１温度(７７０〜８３０℃が望ましい)、例えば７９０℃まで基板温度を昇温させる。基板温度を７９０℃に保ちつつ、反応容器１１内にＴＭＧを含むガスを導入して、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２a上にｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２ａを成長させるとともに、ｎ−ＧａＡｓ基板１上、基板保持具１２および基板保持具１２周辺の部材に付着している酸素を蒸発させる。このｎ−ＧａＡｓバッファ層２ａを所定の厚さまで成長させた後、反応容器１１内へのＴＭＧを含むガス導入を止めて、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２ａの成長を停止させる。次に、図４中の領域lIに示すように、ｎ−ＧａＡｓ第２バッファ層２ｂを成長すべき第３温度の６８０℃まで基板温度を降温させた後、ＴＭＧを含むガスを再び反応容器１１内に導入して、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２ａ上にｎ−ＧａＡｓ第２バッファ層２ｂを成長させる。その後、反応容器１１内へのＴＭＧの導入を止めて、反応容器１１内に導入していたガスのＶ族元素をＡｓＨ3からＰＨ3に切り替える。そして、例えばｔ=１０秒後、ＴＭＡ、ＴＭＧおよびＴＭＩを含むガスを反応容器１１内に導入して、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３の成長を開始する。それから、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３の成長をさせつつ、良好な結晶性が得られる第２温度、例えば７６０℃まで基板温度を昇温させた後、図４中の領域IIIに示すようにｎ−ＧａＡｓ第２バッファ層２ｂ上にｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を所定の厚さまで成長させる。
【００２４】
このように、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を成長すべき第２温度(７６０℃)より高い第１温度(７９０℃)の基板温度で成長させることによって結晶欠陥を低減したｎ−ＧａＡｓバッファ層２ａ上にｎ−ＧａＡｓ第２バッファ層２ｂを成長させるので、ｎ−ＧａＡｓ第２バッファ層２ｂにおいて結晶欠陥は略存在しない。その上、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を成長すべき第２温度(７６０℃)より低い第３温度(６８０℃)に基板温度を設定した状態で、反応容器１１内へ導入するガスのＶ族元素をＡｓＨ3からＰＨ3に切り替えるので、ｎ−ＧａＡｓ第２バッファ層２ｂを構成するＡｓの空孔(所謂抜け)の発生を最小限に抑えられる。したがって、ｎ−ＧａＡｓ第２バッファ層２ｂ表面をより清浄な状態、つまり結晶欠陥のより少ない状態に保つことが可能である。(第２参考例では、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３の結晶欠陥密度が１００/ｃｍ3なのに対し、この例では、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３の結晶欠陥密度が５０／ｃｍ3となっている)。また、第１、第２参考例の場合と同様に、ｎ−ＧａＡｓ基板１上、基板保持具１２および基板保持具１２周辺の部材に付着した酸素を蒸発させた後、最早酸素が蒸発しない状態で発光層を成長させるので、非発光再結合中心を形成する酸素が発光層に侵入せず、高い発光効率を有する半導体発光素子を製造できる。
【００２５】
上記実施形態では、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２ａを成長させたが、例えばサファイア基板にＧａＮバッファ層を成長させる場合、結晶になったＧａＮバッファ層が基板の役割を果たすので、発光層の成長温度より高い成長温度に設定した状態で、このＧａＮバッファ層上に改めて本発明でいうバッファ層を成長させてもよい。
【００２６】
【発明の効果】
以上より明らかなように、請求項１の発明の半導体発光素子の製造方法では、発光層を成長すべき第２温度よりも高い第１温度に成長温度を設定して、半導体基板上にバッファ層を成長させるので、半導体基板表面に存在していた転位を低減できる。また、この半導体発光素子の製造方法では、マイグレーション速度の速いガリウムまたはインジウムをバッファ層が含んでいるので、バッファ層の結晶欠陥をさらに低減できる。したがって、発光層における結晶欠陥を大幅に低減できる。また、基板保持部材に付着した酸素を蒸発させた後、最早酸素が蒸発しない状態で発光層を成長させるので、非発光再結合中心を形成する酸素が発光層に侵入せず、高い発光効率を有する半導体発光素子を製造できる。
【００２７】
【００２８】
また、請求項１の発明の半導体発光素子の製造方法では、良好な結晶性のバッファ層上に第２バッファ層を成長させるので、その第２バッファ層の結晶性をより良好にすることができる。さらに、発光層を成長すべき第２温度より低い第３温度に成長温度が設定された状態でＶ族元素の種類の切り替えが行われるので、Ｖ族元素の種類の切り替え時に、第２バッファ層を構成するＶ族元素の空孔(所謂抜け)が生じるのを防止できる。したがって、第２バッファ層表面を清浄に保つことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１参考例の半導体発光素子を製造するためのシーケンスを示す図である。
【図２】  (ａ)は本発明の第１参考例の半導体発光素子の製造方法で成長された結晶層の酸素濃度分布をＳＩＭＳ(Secondary Ion Mass Spectrometry：２次イオン質量分析法)によって検出した結果を示す図、(ｂ)は従来の半導体発光素子の製造方法で成長された結晶層の酸素濃度分布をＳＩＭＳによって検出した結果を示す図である。
【図３】  本発明の第２参考例の半導体発光素子を製造するためのシーケンスを示す図である。
【図４】  本発明の実施の形態の半導体発光素子を製造するためのシーケンスを示す図である。
【図５】  本発明の実施の形態の半導体発光素子の製造方法によって製造される半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図６】  半導体レーザを製造するＭＯＣＶＤ装置の要部の断面図を示す。
【図７】  本発明の第１参考例、第２参考例および従来の半導体発光素子の製造方法によって製造される半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図８】  従来の半導体発光素子を製造するためのシーケンスを示す図である。
【符号の説明】
１  ｎ−ＧａＡｓ基板、              ２  ｎ−ＧａＡｓバッファ層、
２ａ  ｎ−ＧａＡｓバッファ層、      ２ｂ  ｎ−ＧａＡｓ第２バッファ層、
３  ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、  ４  ＡｌＧａＩｎＰ活性層、
５  ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、  ６  ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、
７  ｐ−ＧａＡｓコンタクト層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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