(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、
ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具えた、第１ＴＦＴと、
ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具え、そのゲート電極が電気的に第１ＴＦＴのドレイン電極に連接された、第２ＴＦＴと、
第２ＴＦＴのゲート電極に電気的に連接された一端を具えた、第１ストレージキャパシタと、
ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具え、そのドレイン電極が電気的に第１ＴＦＴのドレイン電極に連接された、第３ＴＦＴと、
第３ＴＦＴのソース電極に電気的に連接された一端と共用バスに連接された他端を具え、液晶キャパシタとされた、第２ストレージキャパシタと、
第２ＴＦＴのドレイン電極に電気的に連接され、半ＯＬＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を具えた、有機発光ダイオードディスプレイ装置と、
を具え、第３ＴＦＴがオフ状態の時、ディスプレイが有機発光ダイオードモードとされ、第３ＴＦＴがオン状態の時、ディスプレイがオフ状態とされることを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【請求項２】
請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、第１ストレージキャパシタがパワーサプライバスに電気的に連接されるか接地する別端を具えたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【請求項３】
請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、第２ＴＦＴが有機発光ダイオードディスプレイ装置に電流を供給するアクティブドライブ装置とされたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【請求項４】
請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、第３ＴＦＴのソース電極とドレイン電極の領域がＰ+ 型或いはＮ+ 型ドーパントを有し、第２ＴＦＴのソース電極とドレイン電極の領域がＰ+ 型ドーパントを有することを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【請求項５】
請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ装置が有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード、或いはポリマーライティングエミッションディスプレイを含むことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【請求項６】
請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ装置が、
上面と底面を具えた下ガラス基板と、
該下ガラス基板の下に形成された１／４波膜と、
該下ガラス基板の上面の上に形成されたブラックマトリクスと、
該ブラックマトリクスと該下ガラス基板の上面の上に形成されたバッファ層と、
該バッファ層の上に形成されて第３ＴＦＴのソース及びドレイン電極領域を画定するポリシリコン層と、
該ポリシリコン層の上に形成された絶縁層と、
該絶縁層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのゲート電極領域を画定すると共に第１ストレージキャパシタの一つの対極の領域を画定するゲート層と、
該ゲート層と該ポリシリコン層の上に形成され、複数のコンタクトホールを具えた中間層と、
該中間層の上に形成された金属層と、
該金属層を被覆する第１不動態化層と、
該第１不動態化層の一部の上に形成され、電気的に第２ＴＦＴのドレイン電極に連接された透明材料のアノード層と、
該透明材料のアノード層と第１不動態化層の一部の上に形成された有機発光ダイオード材料層と、
該有機発光ダイオード材料層の上に形成された透明カソード層と、
該透明カソード層と第１不動態化層を被覆する第２不動態化層と、
該第２不動態化層の上に形成されて第３ＴＦＴのドレイン電極に連接された画素電極層と、
上面と底面を具えた上ガラス基板と、
該上ガラス基板の下に形成された反射金属層と、
該反射金属層の下に形成されたカラーフィルタと、
該カラーフィルタと該画素電極層の間に配置された液晶層と、
を具えたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【請求項７】
請求項６に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、画素電極層が透明電極層とされたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【請求項８】
請求項６に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態の時、有機発光ダイオード層の光路が下向きで、液晶層の液晶分子がノーマリブラックモードで操作され、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオフ状態の時、有機発光ダイオードディスプレイ装置が透明で液晶層の液晶分子が正常に操作されることを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【請求項９】
請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ装置が、
下ガラス基板と、
該下ガラス基板の上に形成された反射金属層と、
該反射金属層の上に形成されたバッファ層と、
該バッファ層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのソース及びドレイン電極領域を画定するポリシリコン層と、
該ポリシリコン層の上に形成された絶縁層と、
該絶縁層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのゲート電極領域を画定すると共に第１ストレージキャパシタの一つの対極の領域を画定するゲート層と、
該ゲート層と該ポリシリコン層の上に形成され、複数のコンタクトホールを具えた中間層と、
該中間層の上に形成された金属層と、
該金属層と該中間層を被覆する第１不動態化層と、
該第１不動態化層の一部の上に形成され、電気的に第２ＴＦＴのドレイン電極に連接された透明材料のアノード層と、
該透明材料のアノード層と第１不動態化層の一部の上に形成された有機発光ダイオード材料層と、
該有機発光ダイオード材料層の上に形成された透明カソード層と、
該透明カソード層と第１不動態化層を被覆する第２不動態化層と、
該第２不動態化層の上に形成されて第３ＴＦＴのドレイン電極に連接された画素電極層と、
上面と底面を具えた上ガラス基板と、
該上ガラス基板の底面の下に形成されたカラーフィルタと、
該カラーフィルタの下に形成された透明電極層と、
該上ガラス基板の上面の上に形成された１／４波膜と、
該１／４波膜の上に形成された偏光板と、
該透明電極層と該画素電極層の間に配置された液晶層と、
を具えたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【請求項１０】
請求項９に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、画素電極層が透明電極層とされたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【請求項１１】
請求項９に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態の時、液晶層の光路が上向きで、液晶層が透明で該液晶層の液晶分子がノーマリホワイトモードで操作され、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオフの時、有機発光ダイオードディスプレイ装置が透明で液晶層の液晶分子が正常に操作されることを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ及び液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に係り、さらに詳しくは、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フラットパネルディスプレイは最も重要な電気製品の一つとなっている。フラットパネルディスプレイ中、有機発光ダイオードディスプレイは自己発光、高い輝度効率、広い視角、快速な反応速度、高い信頼性、フルカラー、低電圧駆動、低電力消費及び簡易な構成という長所を有している。
【０００３】
現在、パッシブドライブ（ｐａｓｓｉｖｅ−ｄｒｉｖｅ）或いはアクティブドライブ（ａｃｔｉｖｅ−ｄｒｉｖｅ）の有機発光ダイオードディスプレイ装置の各種構造と製造方法が提供されている。伝統的なパッシブドライブ有機発光ダイオードディスプレイ装置の製造プロセスは簡単で製造コストは高くないが、製造されたディスプレイ装置の解析度は十分には高くない。それは小サイズで低解析度のディスプレイしか製造できない。反対に、アクティブドライブの有機発光ダイオードディスプレイ装置はＴＦＴを使用し高解析度、低電力消費及び低電圧駆動の長所を有している。しかし、伝統的な有機発光ダイオードの明状態の暗状態に対するコントラスト比は直射日光下では悪くなる。有機発光ダイオードの明るさを増加することにより、より高いコントラスト比が得られるが電力消費も増加する。
【０００４】
最近、液晶ディスプレイパネルの市場は急速に成長している。高品質の液晶ディスプレイはこのため製造されている。伝統的な反射式液晶ディスプレイは直射日光下で読むことができる。しかし、弱い光線環境下では正面光源を必要とし、画素品質は自己発光機能を具えたバックライト光源を具えた液晶ディスプレイよりも悪い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ゆえに、高いコントラスト比、低電力消費、自己発光及び良好な画素品質を具えた改良されたディスプレイが必要とされている。
【０００６】
本発明は上述の従来の有機発光ダイオードディスプレイ及び液晶ディスプレイの欠点を克服するためになされた。本発明の主要な目的は、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造を提供することにある。本発明によると、画素構造は半有機発光ダイオード構造及び半反射式液晶ディスプレイ構造を結合して両方のディスプレイ構造の長所を有するようにする。
【０００７】
本発明によると、半反射式ＬＣＤ構造は、ガラス基板、反射金属層、カラーフィルタ、液晶層、１／４波膜及び偏光板を具えている。本発明の半ＯＬＥＤ構造はガラス基板、該ガラス基板の上に形成されたブラックマトリクス、ブラックマトリクスの上のバッファ層、バッファ層の上に形成されてＴＦＴのソースとドレイン電極を画定するポリシリコン層を具えている。絶縁層がポリシリコン層の上に形成され、絶縁層の上に金属ゲート層が形成されてＴＦＴのゲート電極を画定する。中間層がゲート層の上に形成され、コンタクトホールが中間層に形成される。金属層が中間層を被覆し、第１不動態化層（ａ  ｆｉｒｓｔ  ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）が該金属層の上に形成される。透明材料層が第１不動態化層の一部の上に形成されアノード層を画定し、ＯＬＥＤ材料層が透明材料層と第１不動態化層の上に形成される。透明カソード層がＯＬＥＤ材料層の一部の上に形成される。第２絶縁層が透明カソード層と第１絶縁層を被覆するよう配置されて、ＩＴＯ画素電極層が第２絶縁層の上に形成される。
【０００８】
本発明は二つの好ましい実施例を提供する。第１の実施例において、反射金属層がカラーフィルタの上に形成される。ディスプレイはディスプレイの光路が下向きの時、有機発光ダイオードモードで操作される。有機発光モードにおいて、液晶層の液晶分子はノーマルブラックモードで操作される。第２の好ましい実施例において、反射金属層がＴＦＴ基板の上に形成される。ディスプレイは、ディスプレイの光路が上向きの時、有機発光ダイオードモードで操作され液晶層の液晶分子はノーマルホワイトモードで操作される。
【０００９】
本発明によると、ＴＦＴが、有機発光ダイオードモードと液晶モードの間のクロストークの問題と直流電流残留の問題を解決するスイッチとして使用される。
【００１０】
さらに、ＴＦＴがディスプレイにおけるスイッチとして使用されるために、有機発光ダイオードモード及び液晶モードにおけるデータ信号は異なる制御システムにより制御され得る。液晶材料とＯＬＥＤ材料を適宜選択することにより、データ信号の範囲が近似となり、たった一つのデータドライバのみが必要となる。これによりデータドライバのコストを節約できる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、
ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具えた、第１ＴＦＴと、
ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具え、そのゲート電極が電気的に第１ＴＦＴのドレイン電極に連接された、第２ＴＦＴと、
第２ＴＦＴのゲート電極に電気的に連接された一端を具えた、第１ストレージキャパシタと、
ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具え、そのドレイン電極が電気的に第１ＴＦＴのドレイン電極に連接された、第３ＴＦＴと、
第３ＴＦＴのソース電極に電気的に連接された一端と共用バスに連接された他端を具え、液晶キャパシタとされた、第２ストレージキャパシタと、
第２ＴＦＴのドレイン電極に電気的に連接され、半ＯＬＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を具えた、有機発光ダイオードディスプレイ装置と、
を具え、第３ＴＦＴがオフ状態の時、ディスプレイが有機発光ダイオードモードとされ、第３ＴＦＴがオン状態の時、ディスプレイがオフ状態とされることを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
請求項２の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、第１ストレージキャパシタがパワーサプライバスに電気的に連接されるか接地する別端を具えたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
請求項３の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、第２ＴＦＴが有機発光ダイオードディスプレイ装置に電流を供給するアクティブドライブ装置とされたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
請求項４の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、第３ＴＦＴのソース電極とドレイン電極の領域がＰ+ 型或いはＮ+ 型ドーパントを有し、第２ＴＦＴのソース電極とドレイン電極の領域がＰ+ 型ドーパントを有することを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
請求項５の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ装置が有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード、或いはポリマーライティングエミッションディスプレイを含むことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
請求項６の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ装置が、
上面と底面を具えた下ガラス基板と、
該下ガラス基板の下に形成された１／４波膜と、
該下ガラス基板の上面の上に形成されたブラックマトリクスと、
該ブラックマトリクスと該下ガラス基板の上面の上に形成されたバッファ層と、
該バッファ層の上に形成されて第３ＴＦＴのソース及びドレイン電極領域を画定するポリシリコン層と、
該ポリシリコン層の上に形成された絶縁層と、
該絶縁層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのゲート電極領域を画定すると共に第１ストレージキャパシタの一つの対極の領域を画定するゲート層と、
該ゲート層と該ポリシリコン層の上に形成され、複数のコンタクトホールを具えた中間層と、
該中間層の上に形成された金属層と、
該金属層を被覆する第１不動態化層と、
該第１不動態化層の一部の上に形成され、電気的に第２ＴＦＴのドレイン電極に連接された透明材料のアノード層と、
該透明材料のアノード層と第１不動態化層の一部の上に形成された有機発光ダイオード材料層と、
該有機発光ダイオード材料層の上に形成された透明カソード層と、
該透明カソード層と第１不動態化層を被覆する第２不動態化層と、
該第２不動態化層の上に形成されて第３ＴＦＴのドレイン電極に連接された画素電極層と、
上面と底面を具えた上ガラス基板と、
該上ガラス基板の下に形成された反射金属層と、
該反射金属層の下に形成されたカラーフィルタと、
該カラーフィルタと該画素電極層の間に配置された液晶層と、
を具えたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
請求項７の発明は、請求項６に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、画素電極層が透明電極層とされたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
請求項８の発明は、請求項６に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態の時、有機発光ダイオード層の光路が下向きで、液晶層の液晶分子がノーマリブラックモードで操作され、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオフ状態の時、有機発光ダイオードディスプレイ装置が透明で液晶層の液晶分子が正常に操作されることを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
請求項９の発明は、請求項１に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ装置が、
下ガラス基板と、
該下ガラス基板の上に形成された反射金属層と、
該反射金属層の上に形成されたバッファ層と、
該バッファ層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのソース及びドレイン電極領域を画定するポリシリコン層と、
該ポリシリコン層の上に形成された絶縁層と、
該絶縁層の上に形成されて第２及び第３ＴＦＴのゲート電極領域を画定すると共に第１ストレージキャパシタの一つの対極の領域を画定するゲート層と、
該ゲート層と該ポリシリコン層の上に形成され、複数のコンタクトホールを具えた中間層と、
該中間層の上に形成された金属層と、
該金属層と該中間層を被覆する第１不動態化層と、
該第１不動態化層の一部の上に形成され、電気的に第２ＴＦＴのドレイン電極に連接された透明材料のアノード層と、
該透明材料のアノード層と第１不動態化層の一部の上に形成された有機発光ダイオード材料層と、
該有機発光ダイオード材料層の上に形成された透明カソード層と、
該透明カソード層と第１不動態化層を被覆する第２不動態化層と、
該第２不動態化層の上に形成されて第３ＴＦＴのドレイン電極に連接された画素電極層と、
上面と底面を具えた上ガラス基板と、
該上ガラス基板の底面の下に形成されたカラーフィルタと、
該カラーフィルタの下に形成された透明電極層と、
該上ガラス基板の上面の上に形成された１／４波膜と、
該１／４波膜の上に形成された偏光板と、
該透明電極層と該画素電極層の間に配置された液晶層と、
を具えたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
請求項１０の発明は、請求項９に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、画素電極層が透明電極層とされたことを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
請求項１１の発明は、請求項９に記載の陽光下で表示できるディスプレイの画素構造において、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態の時、液晶層の光路が上向きで、液晶層が透明で該液晶層の液晶分子がノーマリホワイトモードで操作され、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオフの時、有機発光ダイオードディスプレイ装置が透明で液晶層の液晶分子が正常に操作されることを特徴とする、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の、ストレージキャパシタＣS がパワーサプライバスＶDDに連接された、有機発光ダイオードモードにおける単一画素の回路図である。図１に示されるように、有機発光ダイオードモードにおける単一画素の回路は二つのＴＦＴ  Ｔ1 及びＴ2 、ストレージキャパシタＣS 、液晶キャパシタＣlc、有機発光ダイオードディスプレイ装置１０１及びＴＦＴ  Ｔ3 を具えている。有機発光ダイオードディスプレイ装置１０１はＴＦＴ  Ｔ2 に連接されている。
【００１３】
ＴＦＴ  Ｔ1 、Ｔ2 及びＴ3 はそれぞれソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を具えている。ＴＦＴ  Ｔ1 のゲート電極はゲート線１０３の部分を具えている。ＴＦＴ  Ｔ1 のソース電極は電気的にデータ線１０５に連接され、ドレイン電極は電気的にＴＦＴ  Ｔ2 のゲート電極に連接されている。ＴＦＴ  Ｔ2 のゲート電極もまた電気的にストレージキャパシタＣS の一端に連接されている。有機発光ダイオードディスプレイ装置１０１は電気的にＴＦＴ  Ｔ2 のドレイン電極に連接されている。有機発光ダイオードディスプレイ装置１０１及びＴＦＴＴ2 は直列に連接されている。ストレージキャパシタＣS 及びＴＦＴ  Ｔ1 もまた直列に連接されている。ストレージキャパシタＣS の他端はパワーサプライバスＶDDに連接されている。
【００１４】
ＴＦＴ  Ｔ3 のソース電極は電気的にＴＦＴ  Ｔ1 のドレイン電極に連接され、ドレイン電極は電気的に液晶キャパシタＣlcに連接されている。ＴＦＴ  Ｔ3 は有機発光ダイオードディスプレイモードと液晶モード間のクロストークの問題と直流電流残留問題を解決するスイッチとして使用される。有機発光ダイオードモードにおいて、ＴＦＴ  Ｔ3 はオフ状態で、液晶キャパシタＣlcの他端は共用バスＶcom に連接されている。
【００１５】
図２は本発明の、ストレージキャパシタＣS が接地された、有機発光ダイオードモードにおける単一画素の回路図である。図１と図２の違いはストレージキャパシタＣS の連接である。
【００１６】
上述したように、本発明は半ＯＬＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を結合している。ゆえに、本発明のディスプレイが反射式液晶モードにある時、ＴＦＴ  Ｔ3 はオン状態にありパワーサプライＶDDは接地される。図３及び図４はそれぞれ図１及び図２の液晶モードにおける単一画素の等価回路図である。この設計は本発明がＴＦＴを有機発光ダイオードディスプレイモードと液晶モード間のクロストークの問題と直流電流残留問題を解決するスイッチとして使用し、尚も両方のディスプレイ構造の長所を有することを説明する。
【００１７】
図５は本発明の、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造の第１実施例の断面図である。図５に示されるように、半ＯＬＥＤ構造３００２は半反射式ＬＣＤ構造内に含まれる。半ＯＬＥＤ構造３００２は、下から上に、上面と底面を具えたガラス基板３２１、該ガラス基板３２１の上面の上及びＴＦＴ  Ｔ2 及びＴ3 の下のブラックマトリクス３２３、ブラックマトリクス３２３の上及びガラス基板３２１の上面の上のバッファ層３２５、バッファ層３２５の上にあってＴＦＴ  Ｔ2 のソース及びドレイン電極領域及びＴＦＴ  Ｔ3 のソース及びドレイン電極領域を画定するポリシリコン層３２７を具えている。絶縁層３２９がポリシリコン層３２７の上に形成され、ゲート層３３１が金属材料で絶縁層３２９の上に形成されてＴＦＴ  Ｔ2 及びＴＦＴ  Ｔ3 のゲート電極及びストレージキャパシタＣS の一つの対極の領域を画定している。
【００１８】
中間層３３３がゲート層３３１の上に形成され、金属層３３５が中間層３３３を被覆している。コンタクトホールが中間層３３３に形成されて金属層３３５とゲート層３３１をポリシリコン層３２７と同様に連接する。第１不動態化層（ｆｉｒｓｔ  ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）３３７が先ずホトレジスト或いは非ホトレジスト材料で形成され、それから第１不動態化層３３７の一部がホトリソグラフィープロセスでエッチングされてＴＦＴ  Ｔ2 のドレイン電極領域を画定する。透明材料層３３９、例えばＩＴＯが第１不動態化層３３７の一部の上に形成されてＴＦＴ  Ｔ2 のドレイン電極に電気的に連接されるアノード層を画定する。ＯＬＥＤ材料層３４１が透明材料層３３９と第１不動態化層３３７の上に形成され、透明カソード層３４３がＯＬＥＤ材料層３４１の一部の上に形成される。第２不動態化層３３８が第１不動態化層３３７と透明カソード層３４３を被覆するよう配置され、ＩＴＯ画素電極層３４５が第２不動態化層３３８の上に形成される。ＩＴＯ画素電極層３４５は電気的にＴＦＴ  Ｔ3 のドレイン電極に連接されている。
【００１９】
半反射式ＬＣＤ構造は偏光板３１９、該偏光板３１９の上及び半ＯＬＥＤ構造３００２のガラス基板３２１の底面の下に形成された１／４波膜３１７を具えている。液晶層３１５が半ＯＬＥＤ構造３００２のＩＴＯ画素電極層３４５の上に配置され、カラーフィルタ３１３が液晶層３１５の上に形成されている。カラーフィルタ３１３はガラス基板３１１の底面の下に形成された反射金属層３１２の下に形成される。
【００２０】
こうして、本発明は半ＯＬＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を結合して陽光下で表示できるディスプレイの画素構造を形成する。第１の好ましい実施例において、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態の時、光路３５０は下向きで液晶層３１５の液晶分子はノーマリブラックモード（ｎｏｒｍａｌｌｙ  ｂｌａｃｋ  ｍｏｄｅ）で操作される。有機発光ダイオードディスプレイ装置がオフ状態の時、該有機発光ダイオードディスプレイ装置は透明となり、液晶分子が正常に操作される。
【００２１】
図６は本発明の、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造の第２実施例の断面図である。図６に示されるように、１／４波膜４１７及び偏光板４１９が半反射式ＬＣＤ構造のガラス基板３１１の上に形成される。反射金属層４１２がバッファ層３２５と半ＯＬＥＤ構造の上面の間に形成される。第１実施例中のブラックマトリクス３２３は除去され、ＩＴＯのような透明電極層４４５が液晶層３１５とカラーフィルタ３１３の間に配置される。
【００２２】
第２実施例もまた半ＯＬＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を結合し、陽光下で表示できるディスプレイの別の画素構造を形成している。この実施例では、有機発光ダイオードディスプレイ装置がオン状態の時、光路４５０は上向きで、液層層３１５は透明で液層層３１５の液晶分子はノーマリホワイトモード（ｎｏｒｍａｌｌｙ  ｗｈｉｔｅ  ｍｏｄｅ）で操作される。有機発光ダイオードディスプレイ装置がオフ状態の時、有機発光ダイオードディスプレイ装置は透明で液晶分子は正常に操作される。
【００２３】
本発明の好ましい実施例中、ＴＦＴ  Ｔ2 のソース電極とドレイン電極はＰ+ 型ドーパントをイオン注入した後で形成される。ＴＦＴ  Ｔ2 は有機発光ダイオードディスプレイ装置に電流を供給するのに用いられアクティブドライブ装置として供される。ＴＦＴ  Ｔ3 のソース電極とドレイン電極領域がＰ+ 型或いはＮ+ 型ドーパントをイオン注入した後で形成される。ＴＦＴ  Ｔ3 はスイッチとして用いられ、有機発光ダイオードモードと液晶モードの間のクロストークの問題と直流電流残留の問題を解決する。
【００２４】
有機発光ダイオードは赤、緑、青或いは白色ＯＬＥＤ、ポリマー発光ダイオード、ポリマーライティングエミッションディスプレイ（ＰＬＥＤ）とされうる。不動態化層の材料はホトレジスト或いは非ホトレジスト材料とされうる。ブラックマトリクスは金属層、例えばクロム金属層、酸化クロム（ＣｒＯｘ）層、或いはブラックレジンとされうる。反射金属層はアルミニウム或いは銀金属層とされうる。
【００２５】
有機発光ダイオードモード或いは液晶モードにおけるガンマ曲線に関する問題は、ＴＦＴ  Ｔ3 がスイッチとして使用されたことにより異なる制御システムにより制御される二つのモードでのデータを有することにより解決できる。液晶材料と有機発光ダイオード材料をデータ信号が近似となるように適当に選択することにより、一つのデータドライバを二つのモード間で共有できる。ゆえにデータドライバにかかるコストを減らすことができる。
【００２６】
【発明の効果】
総合すると、本発明は半ＯＬＥＤ構造と半反射式ＬＣＤ構造を結合して直射日光下で読み取れ、高いコントラスト比、低電力消費、自己発光及び良好な画素品質の長所を有するディスプレイを形成する。本発明はＴＦＴをスイッチとして使用して有機発光ダイオードモードと液晶モード間のクロストークの問題と直流電流残留問題を解決すると共に、両方のディスプレイ構造の長所を保留する。
【００２７】
本発明は以上の好ましい実施例で説明されるが、これは本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の、ストレージキャパシタがパワーサプライバスＶDDに連接された、有機発光ダイオードモードにおける単一画素の回路図である。
【図２】本発明の、ストレージキャパシタが接地された、有機発光ダイオードモードにおける単一画素の回路図である。
【図３】本発明の、ＴＦＴ  Ｔ3 がオン状態で単一画素が液晶モードにある時の図１の等価回路図である。
【図４】本発明の、ＴＦＴ  Ｔ3 がオン状態で単一画素が液晶モードにある時の図２の等価回路図である。
【図５】本発明の、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造の第１実施例の断面図である。
【図６】本発明の、陽光下で表示できるディスプレイの画素構造の第２実施例の断面図である。
【符号の説明】
ＣS   ストレージキャパシタ
ＶDD  パワーサプライバス
Ｃlc  液晶キャパシタ
１０１  有機発光ダイオードディスプレイ装置
１０３  ゲート線
１０５  データ線
３００２  半ＯＬＥＤ構造
３１１  ガラス基板
３１２  反射金属層
３１３  カラーフィルタ
３１５  液晶層
３１７  １／４波膜
３１９  偏光板
３２１  ガラス基板
３２３  ブラックマトリクス
３２５  バッファ層
３２７  ポリシリコン層
３２９  絶縁層
３３１  ゲート層
３３３  中間層
３３５  金属層
３３７  第１不動態化層
３３８  第２不動態化層
３３９  透明材料層
３４１  ＯＬＥＤ材料層
３４３  透明カソード層
３４５  ＩＴＯ画素電極層
４１２  反射金属層
４１７  １／４波膜
４１９  偏光板
４４５  透明電極層
４５０  光路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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