(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示装置用の電極基板の作製方法であって、
絶縁基板の表示領域に、それぞれが平行に設けられた複数のゲート配線と、それぞれが平行であって前記各ゲート電極と直交するように設けられた複数のソース配線と、前記各ゲート配線および前記各ソース配線の交差部近傍において、前記各交差部を形成する前記各ゲート配線および前記各ソース配線にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子とを形成した後に透明な有機絶縁膜を形成するとともに、前記絶縁基板における表示領域と同一面上の周辺領域において前記各ゲート配線上に無機絶縁膜を形成する工程と、
前記表示領域の前記有機絶縁膜および前記周辺領域の前記無機絶縁膜にそれぞれ透明導電膜としてのＩＴＯ膜が接するように、該表示領域および該周辺領域に該ＩＴＯ膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜および前記無機絶縁膜にそれぞれ接する前記ＩＴＯ膜を、その後に実施されるウェットエッチングによって、前記有機絶縁膜および前記無機絶縁膜にそれぞれ接する前記ＩＴＯ膜の両側におけるエッチングシフトの合計の差が１．５μｍ以下であって、前記有機絶縁膜に接する前記ＩＴＯ膜の両側におけるエッチングシフトの合計が２μｍ以下になるように、２００℃以上の温度が所定時間にわたる条件で同時に熱処理する工程と、
その後に、前記ＩＴＯ膜をウェットエッチングして、前記有機絶縁膜上に複数の透明電極をマトリクス状に形成すると同時に、前記無機絶縁膜上に透明電極を形成する工程と、
を包含することを特徴とする電極基板の作製方法。
【請求項２】
前記熱処理の温度が２２０℃以下である、請求項１に記載の電極基板の作製方法。
【請求項３】
前記所定時間が１時間である、請求項１に記載の電極基板の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極基板の作製方法に関する。さらに詳しくは、無機絶縁膜からなる無機絶縁膜領域および有機絶縁膜からなる有機絶縁膜領域の両方に接する透明導電膜が形成される電極基板の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）を含む透明導電膜は、光を透過させ，且つ、光を制御する電極として利用可能である。そのような特性を有する透明導電膜を使用した電極基板は、エレクトロルミネセンス表示装置などの表示装置だけでなくタッチパネル、太陽電池などの用途への実用化が進められている。
【０００３】
有機絶縁膜および無機絶縁膜の両方の上に透明導電膜を形成した電極基板を使用した表示装置として液晶表示装置が挙げられる。液晶表示装置は、ＣＲＴに替わるフラットパネルディスプレイの一つとして盛んに研究が行われており、とくに消費電力が小さく、薄型であるという特徴を活かして、電池駆動の超小型テレビやノートブック型のパーソナルコンピュータの表示装置としてすでに実用化されている。ここでは、有機絶縁膜および無機絶縁膜の両方の上に透明導電膜を形成した電極基板を使用した表示装置としての具体例として液晶表示装置を説明する。
【０００４】
図１は液晶表示装置１００の基本的な構成を模式的に示す。液晶表示装置１００は、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと記す）をスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイタイプであり、これは高表示品質が望まれる場合に有利である。
【０００５】
図１に示されるように液晶表示装置１００は、上側基板１０２と下側基板（電極基板）１０１との間に液晶層（図示せず）が設けられており、液晶層が上側基板１０２上の上側電極１０４と下側基板１０１上の複数の画素電極１０３とにより制御されるようになっている。下側基板１０１において、複数の画素電極１０３のそれぞれはスイッチング素子（ＴＦＴ）１０８を介してソース配線１０５に接続され、ＴＦＴ１０８のゲートはゲート配線１０６にそれぞれ接続されている。
【０００６】
図２は液晶表示装置の下側基板１０１（電極基板）の上面図を示す。ここで、液晶表示装置として、透過型アクティブマトリクスの液晶表示装置を想定している。ただし、液晶表示装置は、透過型に限定されず、透過／反射両用型液晶表示装置の透過領域も同様に考えることができる。
【０００７】
電極基板１０１は、絶縁性基板２０とその上に形成される構成要素全体を指す。電極基板１０１は、表示領域１５０および周辺領域１６０の２つの領域に分けられる。図２において、表示領域１５０を斜線で示す。表示領域１５０では、複数の画素電極１０３および複数の各画素電極１０３を制御する複数のＴＦＴ１０８が設けられる。画素電極１０３は透明導電膜により形成される。電極基板１０１を透過型液晶表示装置に使用する場合、絶縁性基板２０の少なくとも一部を透明材料で形成し、表示側の反対側からの光（一般に光源）を利用して表示を行うために電極を透明導電膜により形成することで、光の透過および制御を行う。
【０００８】
一方、周辺領域１６０には、複数のゲート接続端子部１１０、複数のソース接続端子部１２０、複数のコモン接続端子部１３０が設けられる。各ゲート接続端子部１１０、ソース接続端子部１２０、コモン接続端子部１３０にそれぞれ対応するゲート配線１０５、ソース配線１０６、コモン配線１０７が、周辺領域１６０から表示領域１５０にわたって形成されている。本明細書において、ゲート接続端子部１１０、ソース接続端子部１２０、コモン接続端子部１３０を総称して、周辺端子部と名付ける。
【０００９】
図３は、電極基板１０１の表示領域１５０を拡大した上面図を示す。図３において、破線で囲まれる領域が１つの画素電極１０３に相当する。各ゲート配線１０５と各コモン配線１０７とはそれぞれ平行に設けられ、各ゲート配線１０５および各コモン配線１０７とそれぞれ直交するように複数のソース配線１０６がそれぞれ設けられている。図３に示されるように、各ゲート配線１０５と各ソース配線１０６とのそれぞれの交差部では、各ゲート配線１０５およびソース配線１０６は、スイッチング素子であるＴＦＴ１０８のゲート電極またはソース電極と少なくとも接続するように分岐されている。ＴＦＴ１０８のドレイン電極に接続される接続電極４８はコモン配線１０７と一部が重なるように設けられ、さらに、接続電極４８とコモン配線１０７とが重なる領域の一部にコンタクトホール５０が設けられる。
【００１０】
図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿った電極基板１０１の表示領域１５０の断面図を示す。図４において、左側（Ａ側）にＴＦＴ１０８、右側（Ａ’側）にコンタクトホール５０が示される。ここで、図４のＡ側をＴＦＴ部、Ａ’側をコンタクトホール部とよぶ。
【００１１】
ＴＦＴ部において、絶縁性基板２０上にゲート配線１０５の分岐部分が形成され、ゲート絶縁膜４４がそれらを覆うように設けられている。ゲート絶縁膜４４としてはシリコンナイトライド（ＳｉＮx）が使用され得る。ゲート絶縁膜４４上にアモルファス半導体層４５が形成され、アモルファス半導体層４５の左側上方にソース電極４６ａ、アモルファス半導体層４５の右側上方にドレイン電極４６ｂが形成される。ソース電極４６ａはソース配線１０６と接続され、ドレイン電極４６ｂは接続電極４８と接続されている。このように形成されたＴＦＴ１０８は透明材料からなる有機絶縁膜４９で覆われ、平坦化された有機絶縁膜４９は透明導電膜からなる画素電極１０３で覆われている。
【００１２】
コンタクト部において、絶縁性基板２０上にコモン配線１０７が形成され、ゲート絶縁膜４４がそれらを覆うように設けられている。ゲート絶縁膜４４は接続電極４８で覆われている。コンタクトホール部において、接続電極４８上に有機絶縁膜４９が形成され、有機絶縁膜４９は画素電極１０３で覆われている。ただし、接続電極４８と画素電極１０３とが直接的に接続するコンタクトホール５０が設けられている。
【００１３】
電極基板１０１の表示領域１５０を上述したように形成することで、主に２つの利点により高開口率が得られる。第１の理由は、表面が平坦化された有機絶縁膜４９上に画素電極１０３が形成されるので、画素電極１０３の段差部分により生じていた液晶層内の液晶分子（図示せず）の配向乱れによる表示不良（ドメイン現象）を無くすことができ、液晶層内の表示有効面積を増やすことができるためである。第２の理由は、０．３μｍから２μｍの比較的膜厚の厚い有機絶縁膜４９を形成して、その上に画素電極１０３を形成することによって、有機絶縁膜４９の基板側にあるゲート配線１０５・ソース配線１０６と上面側（表示側）にある画素電極１０３との間の電気的短絡を生じることがないためである。したがって、表示を目視する側から見た場合、ゲート配線１０５・ソース配線１０６などの配線にオーバーラップさせるような広い面積で画素電極１０３を形成することが可能となる。
【００１４】
一方、周辺端子部では、実装部材との接続不良などを生じるリワーク時の信頼性が欠けるため、一般的に、電極となる無機絶縁膜上に透明導電膜が形成される。透明導電膜の形成は、周辺端子部の電極が酸化し、その結果、電極が高抵抗化することを防ぐ。周辺端子部の電極材料を有機絶縁膜上に形成することも考えられるが、有機絶縁膜の上に透明導電膜を形成することは、信頼性の観点から好ましいものではない。
【００１５】
透明導電膜の成膜後のエッチングは、一般にウエットエッチングを行う。なぜなら、ドライエッチングを行うと有機絶縁膜が変質し、絶縁性が脆化してしまうからである。また、電極基板を液晶表示装置に適用する場合、ドライエッチング時の残渣に起因して液晶層が汚染され、表示品位の劣化が引き起こされる可能性がある。したがって、本明細書において、特に言及しない限り「エッチング」はウエットエッチングを意味する。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述したように有機絶縁膜および無機絶縁膜の両方の上に形成された透明導電膜をエッチングする場合、同時にエッチングすることができるように考えられるが、実際には両者のエッチングシフトは異なる。本明細書において、エッチングシフトとは、エッチングによって除去される膜の長さを意味する。また、単位時間あたりのエッチングシフトを「エッチングレート」と規定する。有機絶縁膜上の透明導電膜と無機絶縁膜上の透明導電膜とを実質的に同じサイズで設計して、同じようなエッチングを行う場合、エッチングシフトが異なることにより、両者の透明導電膜の大きさにずれが生じる。すなわち、エッチングレートが異なる。したがって、透明導電膜をエッチングした際に、図５に示すように、一方の透明導電膜の設計寸法と仕上寸法との間に差が生じてしまう。したがって、有機絶縁膜上の透明導電膜と無機絶縁膜上の透明導電膜は、同時にエッチングすることができない。
【００１７】
ここで、図６を参照して、図２に示す液晶表示装置の電極基板の作製方法を説明する。図６は、工程（ａ）〜（ｇ）によりＴＦＴ部の画素電極１０３、ゲート接続端子部１１０・コモン接続端子部１３０、ソース接続端子部１２０（図２参照）を形成する方法を示す。図６では、ＴＦＴ部の画素電極１０３の形成工程を示すが、画素電極１０３の形成工程はＴＦＴ部に特に限定されるものではなく、表示領域１５０内の画素電極１０３は同じように形成されると考えられる。
【００１８】
工程（ａ）において、透明導電膜１５５（例えばＩＴＯ）を、ＴＦＴ部および周辺領域１６０（図２参照）の周辺端子部に同時に成膜する。
【００１９】
ＴＦＴ部の画素電極１０３となる透明導電膜１５５は、平坦に形成された有機絶縁膜４９上に形成される。
【００２０】
ゲート・コモン接続端子部１１０、１３０では、絶縁性基板２０上にゲート配線１０５またはコモン配線１０７を形成し、ゲート配線１０５またはコモン配線１０７の上の中央部を除去した状態で、無機絶縁膜１４４が形成される。ゲート配線１０５またはコモン配線１０７の上の中央部は電極１５４が設けられている。電極１５４上には、安定した接続抵抗をもつ透明電極１５７となる透明導電膜１５５を成膜する。
【００２１】
ソース接続端子部１２０では、絶縁性基板２０を覆うように無機絶縁膜１４４を形成し、無機絶縁膜１４４上にソース配線１０６を設けて，それらを覆うように、透明電極１５７となる透明導電膜１５５を成膜する。
【００２２】
工程（ｂ）において、周辺端子部のフォトレジストパターニングを行う。周辺端子部において、透明導電膜１５５を残す部分（すなわち、透明電極１５７を形成する部分）上に第１のレジスト１６５を形成する。第１のレジスト１６５は、例えば、東京応化製のノボラック樹脂のポジ型レジストを用いる。工程（ｂ）の際、ＴＦＴ部の透明導電膜１５５上全面に第１のレジスト１６５を形成する。
【００２３】
工程（ｃ）において、ウエットエッチングを行い、周辺端子部の不必要な透明導電膜１５５を除去する。
【００２４】
工程（ｄ）において、第１のレジスト１６５を剥離する。この時、周辺端子部において透明導電膜１５５よりなる透明電極１５７が形成される一方で、ＴＦＴ部の透明導電膜１５５は全面に形成されたままである。
【００２５】
工程（ｅ）において、画素電極１０３のフォトレジストパターニングを行う。透明導電膜１５５を残す部分（すなわち、画素電極１０３となる部分）上に第２のレジスト１６７を形成する。第２のレジスト１６７は、例えば、東京応化製のノボラック樹脂のポジ型レジストを用いる。工程（ｅ）の際、周辺端子部全面に第２のレジスト１６７を形成する。
【００２６】
工程（ｆ）において、ウエットエッチングを行い、ＴＦＴ部の不必要な透明導電膜１５５を除去する。
【００２７】
工程（ｇ）において、第２のレジスト１６７を剥離することで、画素電極１０３が形成される。
【００２８】
このように、電極基板１０１は形成されるが、上述したように、無機絶縁膜１４４上の透明導電膜１５５のエッチング（図６の（ｃ））と有機絶縁膜４９上の透明導電膜１５５のエッチング（図６の（ｆ））とは、それぞれエッチングレートが異なるため別々に行う必要がある。
【００２９】
本発明は、このような現状に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機絶縁膜上に形成される透明導電膜と無機絶縁膜上に形成される透明導電膜を同時に精度良くエッチングすることができる、電極基板の作製方法を提供することである。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、液晶表示装置用の電極基板の作成方法であって、絶縁基板の表示領域に、それぞれが平行に設けられた複数のゲート配線と、それぞれが平行であって前記各ゲート電極と直交するように設けられた複数のソース配線と、前記各ゲート配線および前記各ソース配線の交差部近傍において、前記各交差部を形成する前記各ゲート配線および前記各ソース配線にそれぞれ接続された複数のスイッチング素子とを形成した後に透明な有機絶縁膜を形成するとともに、前記絶縁基板における表示領域と同一面上の周辺領域において前記各ゲート配線上に無機絶縁膜を形成する工程と、前記表示領域の前記有機絶縁膜および前記周辺領域の前記無機絶縁膜にそれぞれ透明導電膜としてのＩＴＯ膜が接するように、該表示領域および該周辺領域に該ＩＴＯ膜を形成する工程と、前記有機絶縁膜および前記無機絶縁膜にそれぞれ接する前記ＩＴＯ膜を、その後に実施されるウェットエッチングによって、前記有機絶縁膜および前記無機絶縁膜にそれぞれ接する前記ＩＴＯ膜の両側におけるエッチングシフトの合計の差が１．５μｍ以下であって、前記有機絶縁膜に接する前記ＩＴＯ膜の両側におけるエッチングシフトの合計が２μｍ以下になるように、２００℃以上の温度が所定時間にわたる条件で同時に熱処理する工程と、その後に、前記ＩＴＯ膜をウェットエッチングして、前記有機絶縁膜上に複数の透明電極をマトリクス状に形成すると同時に、前記無機絶縁膜上に透明電極を形成する工程と、を包含することを特徴とする。
【００３１】
前記熱処理の温度が２２０℃以下であってもよい。
【００３２】
前記所定時間が１時間であってもよい。
【００３３】
【発明の実施の形態】
本願発明者らは、上記の課題を解決するために、すなわち、無機絶縁膜からなる無機絶縁膜領域に接する透明導電膜と、有機絶縁膜からなる有機絶縁膜領域に接する透明導電膜のエッチングレートを同程度にするために、透明導電膜を成膜後、熱処理（すなわちアニーリング）を行うことを見出した。
【００３４】
尚、ここでいう有機絶縁膜領域とは、透明導電膜に接する層または膜として、例えば、図８に示される有機絶縁膜４９、図１０に示される有機絶縁膜１４４９が形成された領域、または、図１１に示されるプラスチック基板１４２０において、無機絶縁膜が形成されていない領域を示す。また、無機絶縁膜領域とは、透明導電膜に接する層または膜として、図８に示される無機絶縁膜１４４、図１０または図１１に示される無機絶縁膜が形成された領域を示す。
【００３５】
図７は、透明導電膜成膜後、一定時間アニーリングする温度（以下、アニール温度と記載）（℃）とアニーリングした後の透明導電膜のエッチングシフト（μｍ）との関係を示すグラフである。図７において、参照符号「１１」は、有機絶縁膜上に形成された透明導電膜のエッチングシフトを、参照符号「１２」は、無機絶縁膜上に形成された透明導電膜のエッチングシフトを示す。ここで、無機絶縁膜としてＳｉＮx、有機絶縁膜としてアクリル樹脂、透明導電膜としてＩＴＯを使用し、ウエットエッチングは第２塩化鉄を用いて１８０秒間行った。また、アニール温度を１時間保つように設定した。
【００３６】
図７に示すように、アニール温度が上昇するにつれて有機絶縁膜上の透明導電膜のエッチングシフトと無機絶縁膜上の透明導電膜のエッチングシフトとの差が小さくなる。特に、アニーリング温度が１５０℃以上２２０℃以下の場合、有機絶縁膜上の透明導電膜のエッチングシフトが小さくなり、その結果、無機絶縁膜上の透明導電膜のエッチングシフトとの差が小さくなる。したがって、無機絶縁膜上の透明導電膜と有機絶縁膜上の透明導電膜とを同時にエッチングすることができる。アニーリング温度が２００℃以上２２０℃以下の場合、有機絶縁膜上の透明導電膜のエッチングシフトがさらに小さくなり、さらに好ましい。
【００３７】
図７のグラフからアニール温度が高いほど、有機絶縁膜上の透明導電膜のエッチングシフトと無機絶縁膜上の透明導電膜のエッチングシフトとの差が小さくなることがわかる。したがって、アニール温度を２２０度以上にするとエッチングシフトの差はさらに小さくなると期待される。しかしながら、一般に有機絶縁膜は高い温度下で昇華するため、周囲に悪影響を及ぼすおそれがある。有機絶縁膜が周囲に悪影響を及ぼさないためのアニール温度の上限値は２２０℃である。
【００３８】
また、透明導電膜を成膜する前に、少なくとも有機絶縁膜表面をプラズマ処理することでエッチングシフトはさらに低下する。プラズマ処理に使用するガスとして、Ａｒ、ＣＦ4があげられる。
【００３９】
プラズマ処理において、ＣＦ4またはＡｒガスを用いた場合、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光装置）などの分析装置により成分分析を行うと、有機絶縁膜の表面層に混入している、プラズマ処理に用いたガスを検出することが可能である。
【００４０】
本発明による電極基板の適用例として液晶表示装置を、従来技術の電極基板を適用した液晶表示装置と対比して説明する。ただし、液晶表示装置は、単なる例示にすぎず、本発明は有機絶縁膜および無機絶縁膜の両方の上に透明導電膜を形成した電極基板であればどのような形態であっても適用できる。例えば、エレクトロルミネッセンス素子において、発光領域内では有機絶縁体からなる基板上に陽極として透明導電膜を形成し、他方、端子領域においては無機絶縁体上に透明導電膜を形成するような場合にも本発明を適用することができる。
【００４１】
本発明による電極基板を作製する方法を示す図８は、従来の電極基板の形成方法を説明する図６に対応する。
【００４２】
具体的には、図８の工程（ａ）において、表示領域１５０内の有機絶縁膜４９上、ならびに周辺領域１６０の無機絶縁膜１４４上に透明導電膜１５５を成膜する。その後、透明導電膜１５５に熱処理を行う。熱処理は、窒素雰囲気であっても、大気中でおこなってもよい。熱処理は、例えば、枚葉型のオーブンにて行う。
【００４３】
工程（ｂ）において、画素電極および周辺端子部のフォトレジストパターニングを行う。周辺端子部において、透明導電膜１５５を残す部分（すなわち、画素電極１０３または透明電極１５７を形成する部分）上にレジスト１６９を形成する。レジスト１６９は、例えば、東京応化製のノボラック樹脂のポジ型レジストを用いる。
【００４４】
工程（ｃ）において、ウエットエッチングを行い、画素電極および周辺端子部の不必要な透明導電膜１５５を除去する。ウエットエッチングは、例えば４０℃の第２塩化鉄をウエットエッチング液として、１８０秒間行う。エッチング液としては、液温４０℃のＦｅＣｌ3とＨＣｌの混合液が使用される。
【００４５】
工程（ｄ）において、レジスト１６９を剥離する。この時、周辺端子部において透明導電膜１５５よりなる透明電極１５７が形成され、表示領域１５０内において画素電極１０３が形成される。
【００４６】
すなわち、本発明により、図６に示す工程（ｂ）〜（ｄ）と（ｅ）〜（ｇ）とを同時に行うことができる。したがって、製造プロセスが短縮され、その結果、製造コストを下げ、また、製造現場の生産能力を向上させることができる。さらに、フォトレジストパターニング工程が減少するため、パターン不良による歩留まり低下を回避することができ、また、レジストおよび剥離液の使用量が減少する。さらに、有機絶縁膜を剥離液に晒す回数が減少するため、有機絶縁膜の膨潤を少なくすることができ、その結果、パネルの品質信頼性が向上する。
【００４７】
また、透明電極１５７となる透明導電膜１５５を成膜した後に熱処理を行うことで、透明導電膜１５５の結晶性が向上し、無機絶縁膜１４４上の透明電極１５７の抵抗が低減し、その結果、無機絶縁膜１４４上の配線抵抗も低減する。
【００４８】
図９は、透明導電膜を成膜した後の熱処理のアニール温度（℃）と、無機絶縁膜１４４上の透明導電膜１５５よりなる透明電極１５７の単位面積当たりの抵抗（シート抵抗）（Ω／□）の変化を示す。図９より、アニール温度が上昇するにつれてシート抵抗が低減することが理解される。
【００４９】
さらに、ゲート・コモン接続端子部１１０、１３０において、電極１５４を成膜し、プラズマ処理を行った後に透明導電膜１５５を形成することで、電極１５４と透明導電膜１５５（後の透明電極１５７）とのコンタクト抵抗が低減する。
【００５０】
図１０の工程（ａ）〜（ｅ）を参照して本発明の概略を模式的に説明する。
【００５１】
工程（ａ）において、絶縁性基板１４２０上に、無機絶縁膜１４４４を形成する。絶縁性基板１４２０として、透明ガラスのほかにプラスチック基板を使用できる。プラスチック基板の材料としてポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリレート、ポリエチレンなどが使用される。無機絶縁膜１４４４としては、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮxまたはＴａＯ2を使用し、５００〜５０００Åの厚さで形成する。
【００５２】
工程（ｂ）において、絶縁性基板１４２０上の別の領域に有機絶縁膜１４４９を形成する。有機絶縁膜１４４９としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネートなどを使用し、１００Å〜１ｍｍの厚さで形成する。
【００５３】
工程（ｃ）において、透明導電膜１４５５をスパッタなどで、絶縁性基板１４２０、無機絶縁膜１４４４、有機絶縁膜１４４９を覆うように成膜する。透明導電膜１４５５として、ＩＴＯを使用してもよい。透明導電膜１４５５は、厚さ５００〜３０００Åで形成する。その後、無機絶縁膜１４４４上および有機絶縁膜１４４９上の透明導電膜１４５５を熱処理する。
【００５４】
工程（ｄ）において、フォトレジスト１４６５をパターニングした後、ウエットエッチングを行い、透明導電膜１４５５のパターニングを行う。フォトレジスト１４６５はノボラック樹脂を使用してもよく、ウエットエッチングのエッチング液として、ＦｅＣｌ3とＨＣｌの混合液またはＨＢｒを使用してもよい。
【００５５】
工程（ｅ）において、無機絶縁膜１４４４、有機絶縁膜１４４９上に所望の形状の透明導電膜１４５５が形成され、電極基板１７００が完成する。この時、無機絶縁膜１４４４上の透明導電膜１４５５と有機絶縁膜１４４９上の透明導電膜１４５５とのエッチングシフトの差は、２μｍ以下であることが望ましいが、これに限定されない。
【００５６】
無機絶縁膜１４４４、有機絶縁膜１４４９の成膜方法は、材料によって適切に選択される。具体的な方法としては、凸版印刷、スクリーン印刷、スピンコータなどがある。また、成膜後、さらに熱処理または紫外線照射を行ってもよい。
【００５７】
このように形成された透明導電膜１４５５と無機絶縁膜１４４４の密着性ならびに透明導電膜１４５５と有機絶縁膜１４４９との密着性は、ピールテストの結果、良好であることがわかった。
【００５８】
上述の説明では、絶縁性基板１４２０上に無機絶縁膜１４４４および有機絶縁膜１４４９を形成する電極基板１７００を示した。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、図１１に示すように、絶縁性基板１４２０としてプラスチック基板を使用し、その一部の領域に無機絶縁膜１４４４を形成し、無機絶縁膜１４４４とプラスチック基板１４２０上の一部に透明導電膜１４５５を形成する電極基板１８００も範囲に含む。このような電極基板１８００は、無機絶縁膜１４４４上にスイッチング素子等を含む集積回路を組み込み、透明導電膜１４５５は制御を行う電極だけでなく配線としても利用可能である。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、透明導電膜の成膜後に適切な条件で熱処理を行うことにより、有機絶縁膜領域に接するように形成された透明導電膜と無機絶縁膜領域に接するように形成された透明導電膜を同時にエッチング処理でき、工程の短縮が可能となる。これにより、電極基板および液晶表示装置の製造コストを低減することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示装置の構成を模式図である。
【図２】電極基板の上面図である。
【図３】図２の電極基板の表示領域の拡大図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図５】設計寸法と仕上寸法との差をあらわす図である。
【図６】従来の電極基板の作製方法を説明する図である。
【図７】アニール温度と、有機絶縁膜上の透明導電膜と無機絶縁膜上の透明導電膜のエッチングシフトとの関係を示すグラフである。
【図８】本発明による電極基板の作製方法を説明する図である。
【図９】アニール温度とシート抵抗との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の電極基板作製の概略を説明する図である。
【図１１】本発明の別の実施形態による電極基板を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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