(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属からなり外部端子を成すバンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなる配線膜を有し、
上記配線膜上に、これと接続される層間接続用のバンプを有する別の一層又は複数層の配線膜を層間絶縁膜を介して積層し、
上記配線膜のうちの最表面の配線膜上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部を残し絶縁膜で覆ってなる
ことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
上記外部端子を成すバンプの表面が半田で覆われてなる
ことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
上記最表面の配線膜の電極接続部表面が金で覆われてなる
ことを特徴とする請求項１又は２記載の配線回路基板
【請求項４】
第１の金属からなるバンプ形成用の金属膜と、該金属膜のエッチングに際して該金属膜以外へのエッチングを防止する、第２の金属からなるエッチングストップ層と、少なくとも第２の金属とは別の第３の金属からなる配線膜形成用の金属膜を積層した三層構造の金属基板の上記配線膜形成用の金属膜をパターニングすることにより配線膜を形成する工程と、
上記金属基板の上記配線膜が形成された主表面上に、一方の面に層間接続用のバンプを有する配線膜形成用金属箔を、そのバンプが上記配線膜に接続されるようにして絶縁性接着剤を介して接着する工程と、
上記バンプを有する配線膜形成用金属箔を選択的にエッチングすることにより配線膜を形成する工程を少なくとも含む一層又は複数層の配線膜を形成する工程と、
上記配線膜のうち最表面の配線膜が形成された面に、該配線膜上を電子デバイス電極が接続される電極接続部を残し絶縁膜で覆う工程と、
上記三層構造の金属基板のバンプ形成用金属膜を選択的にエッチングすることにより外部端子を成すバンプを形成する工程と、
を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
バンプ形成用金属膜の選択的エッチングにより外部端子を成すバンプを形成するに際してエッチングマスクとして該金属膜表面に選択的に形成した半田層を用い、
上記選択的エッチングの終了後上記半田層に対するリフロー処理を施すことにより上記バンプの表面を半田で覆った状態にする
ことを特徴とする請求項４記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
第１の金属からなる配線回路基板間接続用バンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなる、互いに絶縁層で絶縁分離された層間接続用のバンプを有し、
上記層間接続用のバンプのうち上記外部端子を成すバンプと接続されないバンプが電子デバイス電極接続用のバンプとされ、
上記絶縁層の配線回路基板間接続用バンプの形成された側と反対側の面に上記層間接続用のバンプと接続されたものを少なくとも一部として有する一層又は複数層の配線膜が形成され、
上記配線膜のうち最表面の配線膜が形成された面上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部及び配線回路基板間接続用バンプが接続される配線回路基板間接続バンプ接続部を残し絶縁膜で覆ってなる
ことを特徴とする配線回路基板。
【請求項７】
上記配線回路基板間接続用バンプの表面が半田で覆われてなる
ことを特徴とする請求項６記載の配線回路基板。
【請求項８】
上記最表面の配線膜の電極接続部及び配線回路基板間接続用バンプ接続部の表面が金で覆われてなる
ことを特徴とする請求項６又は７記載の配線回路基板
【請求項９】
同一構造を有する他の配線回路基板に積層されて集積回路装置を構成する配線回路基板の製造方法において、
第１の金属からなる配線回路基板間接続用バンプ形成用の金属膜と、該金属膜のエッチングに際して該金属膜以外へのエッチングを防止する、第２の金属からなるエッチングストップ層と、少なくとも第２の金属とは別の第３の金属からなるバンプ形成用の金属膜を積層した三層構造の金属基板の上記バンプ形成用の金属膜をパターニングすることにより後に上記他の配線回路基板の配線回路基板間接続用バンプと接続されるバンプと、接続されない電子デバイス電極接続用のバンプとを形成する工程と、
上記金属基板の上記第３の金属からなるバンプが形成された側の主表面上に各バンプ間を絶縁分離する絶縁層を介して配線膜形成用の金属箔を積層する工程と、
上記金属箔を選択的にエッチングすることにより配線膜を形成する工程を少なくとも含む一層又は複数層の配線膜を形成する工程と、
上記配線膜のうち最表面の配線膜が形成された面上に、該配線膜の電子デバイス電極が接続される部分と配線回路基板間接続用バンプが接続される部分以外を覆う絶縁膜を形成する工程と、
上記三層構造の金属基板の配線回路基板間接続用バンプ形成用金属膜を選択的にエッチングすることにより配線回路基板間接続用バンプを形成する工程と、
を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項１０】
配線回路基板間接続用バンプ形成用金属膜の選択的エッチングにより外部端子を成すバンプを形成するに際してエッチングマスクとして該金属膜表面に選択的に形成した半田層を用い、
上記選択的エッチングの終了後上記半田層に対するリフロー処理を施すことにより上記バンプの表面を半田で覆った状態にする
ことを特徴とする請求項９記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１１】
第１の金属からなる配線回路基板間接続用バンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなり互いに絶縁層で絶縁分離された層間接続用のバンプを有し、該バンプのうち上記外部端子を成すバンプと接続されないバンプが電子デバイス電極接続用のバンプとされ、上記絶縁層の外部端子を成すバンプの形成された側と反対側の面に上記層間接続用のバンプと接続されたものを少なくとも一部として有する一層又は複数層の配線膜が形成され、該配線膜のうちの最表面の配線膜上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部及び配線回路基板間接続用バンプが接続されるバンプ接続部分を残し絶縁膜で覆ってなる複数の配線回路基板と、
上記各配線回路基板の上記配線膜の電極接続部に或いは上記第三の金属からなるバンプであって上記配線回路基板間接続用バンプとは接続されないものに電極が接続された複数の半導体チップその他の電子デバイスと、
を有し、
両面又は片面に上記電子デバイスが接続された上記複数の配線回路基板を同じ向きにて重ね、一つの配線回路基板の配線回路基板間接続用バンプを、他の配線回路基板の配線膜のバンプ接続部分に接続することにより、複数の配線回路基板を積層してなる
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１２】
第１の金属からなる配線回路基板間接続用バンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなり互いに絶縁層で絶縁分離された層間接続用のバンプを有し、該バンプのうち上記配線回路基板間接続用バンプと接続されないバンプが電子デバイス電極接続用バンプとされ、上記絶縁層の外部端子を成すバンプの形成された側と反対側の面に上記層間接続用のバンプと接続されたものを少なくとも一部として有する一層又は複数層の配線膜が形成され、その最表面の配線膜上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部及び配線回路基板間接続用バンプが接続されるバンプ接続部分を残し絶縁膜で覆ってなる複数の配線回路基板を用意し、
各配線回路基板の上記配線膜の電極接続部と、上記第三の金属からなるバンプであって上記配線回路基板間接続用バンプとは接続されないものとに電子デバイス電極を接続して両面又は片面に半導体チップその他の電子デバイスを搭載し、
上記複数の配線回路基板を同じ向きにて重ね、一つの配線回路基板の配線回路基板間接続用バンプを、他の配線回路基板の配線膜のバンプ接続部分に接続することにより、複数の配線回路基板を積層する
ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
第１の金属からなる配線回路基板間接続用バンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなり互いに絶縁層で絶縁分離された層間接続用のバンプを有し、該バンプのうち上記外部端子を成すバンプと接続されないバンプが電子デバイス電極接続用のバンプとされ、上記絶縁層の外部端子を成すバンプの形成された側と反対側の面に上記層間接続用のバンプと接続されたものを少なくとも一部として有する一層又は複数層の配線膜が形成され、該配線膜のうちの最表面の配線膜上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部及び配線回路基板間接続用バンプが接続されるバンプ接続部分を残し絶縁膜で覆ってなり、重ねたとき一つが他から食み出すように広く形成されその食み出す部分の一方の面にヒートシンク接続部分を有する複数の配線回路基板と、
上記各配線回路基板の上記配線膜の電極接続部に或いは上記第三の金属からなるバンプであって上記配線回路基板間接続用バンプとは接続されないものに電極が接続された複数の半導体チップその他の電子デバイスと、
上記複数の配線回路基板のうちの広く形成された一つの配線回路基板以外の配線回路基板をそれに接続された電子デバイスを含め覆う凹状のヒートシンクと、
を有し、
両面又は片面に上記電子デバイスが接続された上記複数の配線回路基板を上記一つの配線回路基板に対して他の配線回路基板を同じ向きにて重ね、一つの配線回路基板の配線回路基板間接続用バンプを、他の配線回路基板の配線膜のバンプ接続部分に接続することにより、複数の配線回路基板を積層し、
上記一つの配線回路基板の他の配線回路基板から食み出した部分のヒートシンク接続部分に上記ヒートシンクの上縁を接続して該ヒートシンクにて該他の配線回路基板をそれに接続された電子デバイスを含め覆う状態にしてなる
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１４】
第１の金属からなる外部端子を成すバンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなる、互いに絶縁層で絶縁分離された層間接続用のバンプを有し、
上記絶縁層上に少なくとも上記第三の金属からなる層間接続用バンプと接続されたものを一部として有する一層又は複数層の配線膜が形成され、
上記配線膜のうちの最表面の配線膜形成面上に該配線膜の電子デバイス電極接続部以外を覆う絶縁膜を形成した
ことを特徴とする配線回路基板。
【請求項１５】
上記最表面の配線膜の電子デバイス電極接続部が金で覆われてなる
ことを特徴とする請求項１４記載の配線回路基板。
【請求項１６】
上記外部端子を成すバンプの表面が半田で覆われてなる
ことを特徴とする請求項１４又は１５記載の配線回路基板。
【請求項１７】
第１の金属からなる外部端子を成すバンプ形成用の金属膜と、該金属膜のエッチングに際して該金属膜以外へのエッチングを防止する、第２の金属からなるエッチングストップ層と、少なくとも第２の金属とは別の第３の金属からなる層間接続用バンプ形成用の金属膜を積層した三層構造の金属基板の該層間接続用バンプ形成用の金属膜をパターニングすることにより上記層間接続用バンプを形成する工程と、
上記金属基板の上記層間接続用バンプが形成された側に、絶縁層を介して金属箔を接着する工程と、
上記金属箔をパターニングすることにより配線膜を形成する工程を少なくとも含む一層又は複数層の配線膜を形成する工程と、
上記三層構造の金属基板の外部端子を成すバンプ形成用金属膜を選択的にエッチングすることによりバンプ形成用金属膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項１８】
上記外部端子を成すバンプ形成用金属膜の選択的エッチングにより電子デバイス電極接続用バンプを形成するに際してエッチングマスクとして該金属膜表面に選択的に形成した半田層を用いる
ことを特徴とする請求項１７記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１９】
第１の金属からなる電子デバイス電極接続用バンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなる配線膜を有し、
上記配線膜が形成された面上に或いはそれに絶縁膜を介して積層された一層又は複数層の配線膜の最表面の配線膜が形成された面上に外部端子接続部以外を覆う絶縁膜を形成した
ことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２０】
上記最表面の配線膜の外部端子接続部の表面に金膜が形成された
ことを特徴とする請求項１９記載の配線回路基板。
【請求項２１】
上記電子デバイス電極接続用バンプの表面が金で覆われてなる
ことを特徴とする請求項１９記載の配線回路基板。
【請求項２２】
第１の金属からなる電子デバイス電極接続用バンプ形成用の金属膜と、該金属膜のエッチングに際して該金属膜以外へのエッチングを防止する、第２の金属からなるエッチングストップ層と、少なくとも第２の金属とは別の第３の金属からなる配線膜形成用の金属膜を積層した三層構造の金属基板の該配線膜形成用の金属膜をパターニングすることにより配線膜を形成する工程と、
上記配線膜又は該配線膜上に絶縁膜を介して形成された一層又は複数層の配線膜のうちの最表面上の配線膜が形成された面上に、最表面の配線膜の外部端子接続部以外を覆う絶縁膜を形成する工程と、
上記三層構造の金属基板の電子デバイス電極接続用バンプ形成用金属膜を選択的にエッチングすることにより電子デバイス電極接続用バンプを形成する工程と、
上記電子デバイス電極接続用バンプをマスクとして、上記エッチングストップ層を選択的にエッチングする工程と、
を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項２３】
電子デバイス電極接続用バンプ形成用金属膜を選択的にエッチングするに際してエッチングマスクとして金膜を用いる
ことを特徴とする請求項２２記載配線回路基板の製造方法。
【請求項２４】
請求項１、２、３、６、７、８、１４、１５、１６、１９、２０又は２１記載の配線回路基板に、一又は複数の半導体チップを搭載した
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイス搭載用の配線回路基板とその製造方法と半導体チップその他の電子デバイスを搭載した配線回路基板を複数個積層した半導体集積回路装置とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図９（Ａ）〜（Ｅ）は配線回路基板の製造方法の従来例の一つを工程順に示す断面図である。
（Ａ）ポリイミドからなる樹脂フィルム（厚さ７５〜１２５μｍ）１を用意し、該フィルム１の両主表面に導電化のために銅膜（厚さ０．２μｍ）を例えばスパッタリングにより形成し、その後、ドリルを用いての或いはプレス加工により上下配線間接続用の貫通孔２を形成し、その後、上記銅膜の電気抵抗を低下させるための銅の無電解メッキ処理を施す。図９（Ｂ）はその無電解メッキ処理後の状態を示し、３はその無電解メッキ処理後の銅膜（厚さ５μｍ）である。
【０００３】
（Ｂ）上記フィルム１の両主表面に、形成しようとする配線膜に対してネガのパターンを有するレジスト膜４を形成し、該レジスト膜４をマスクとして銅を電解メッキすることにより銅からなる配線膜（厚さ３０μｍ）５を形成する。図９（Ｂ）は配線膜５の形成後の状態を示す。
【０００４】
（Ｃ）上記レジスト膜４を除去し、その後、銅をライトエッチングして上記配線膜５の下地となっている上記導電化のためのスパッタリングによる銅膜及び無電解メッキ処理による銅膜を除去する。これにより配線膜５が互いにその下地銅膜により電気的にショートした状態から独立、分離した状態になる。図９（Ｃ）はそのライトエッチング後の状態を示す。
【０００５】
（Ｄ）上記樹脂フィルム１の一方の主表面に、配線膜５のデバイス電極を接続すべき部分を除きレジストからなる絶縁膜６を形成し、該主表面を保護する。７は該絶縁膜６の電極接続用開口であり、該開口７に配線膜５の表面が露出する。図９（Ｄ）は該絶縁膜６形成後の状態を示す。
（Ｅ）その後、銅からなる配線膜５をマスクとして上記樹脂フィルム１を他方の主表面側から選択的にエッチングすることにより、上記一方の主表面側の配線膜５の裏面を露出させる。８はこの露出する部分であり、該部分８が後述する半田ボールが形成される半田ボール形成部分になる。９は出来た配線回路基板である。
【０００６】
図１０（Ａ）〜（Ｃ）は上記配線回路基板９に電子デバイス例えばＬＳＩチップを搭載し、更に、半田ボールを形成する方法を工程順に示す断面図である。
図１０（Ａ）に示すように、ＬＳＩチップ１０をその電極１１とそれに対応する上記開口７とが整合するように配線回路基板９に臨ませ、図１０（Ｂ）に示すようにその電極１１を配線膜６の該開口７に露出する部分に接続する。
【０００７】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、配線回路基板９の上記一方の主表面の配線膜５の裏面が露出する部分８に半田ボール１２を形成する。
【０００８】
図１１（Ａ）〜（Ｅ）は配線回路基板の製造方法の他の従来例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）一方の主表面に接着剤が付いた接着剤付ポリイミド樹脂からなる樹脂フィルム（膜厚７５〜１２５μｍ）１ａを用意し、その後、ドリルを用いて或いはプレス加工により上下配線間接続用の貫通孔２を形成し、その後、配線膜形成用銅箔（１８μｍ）５を上記接着剤を介して樹脂フィルム１ａの主表面に接着する。具体的には、熱圧着により接着し、その後接着剤の硬化のために熱硬化のための熱処理を施す。図１１（Ａ）は接着後の状態を示す。
【０００９】
（Ｂ）次に、上記銅箔５の表面にレジスト膜４を塗布し、該レジスト膜４を露光及び現像することにより形成しようとする配線膜に対してネガのパターンにパターニングする。その後、上記樹脂フィルム１ａの他方の主表面にレジスト膜４を塗布し、該レジスト膜４を露光、現像することにより各貫通孔２のみを埋めるようにパターニングする。図１１（Ｂ）はこの貫通孔２を埋めるレジスト膜６の形成後の状態を示す。
【００１０】
（Ｃ）次に、上記レジスト膜６をマスクとして銅箔５を選択的にエッチングすることにより配線膜５を形成する。このエッチングの際、銅箔５の貫通孔２に露出する裏面はレジスト膜４によりマスクされ、エッチングされることはない。その後、レジスト膜４を除去する。図１１（Ｃ）はそのレジスト膜４を除去した後の状態を示す。
【００１１】
（Ｄ）次に、樹脂フィルム１の一方の主表面をレジストからなる絶縁膜６を選択的に形成する。その後、無電解ニッケルメッキ処理を施し、しかる後、無電解金メッキ処理を施す。図１１（Ｄ）はこの絶縁膜６の選択的形成後の状態を示す。７は該絶縁膜６の配線膜５を選択的に露出させる開口である。９ａは出来た配線回路基板である。
（Ｅ）次に、この配線膜５の開口７に露出する部分に半導体チップ１０のバンプ電極１１を接続することにより配線回路基板９ａに半導体チップ１０を搭載し、しかる後、配線膜５の上記貫通孔２に露出する部分に裏面に半田ボール１１を形成する。図１１（Ｅ）はその半田ボール１１形成後の状態を示す。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように従来の技術によれば、ポリイミド・フィルムをベースにして配線回路基板を製造するので、搬送や取り扱いの関係から或る程度以上の機械的強度が必要なため、配線膜の厚さと絶縁フィルムの厚さを薄くすることに限界があり、通常、１００μｍ程度必要である。そのため、薄型化に限界があるという問題があった。
【００１３】
また、三次元実装のため複数の配線回路基板を積層する場合、半田ボールを介在して配線回路基板間接続をする必要があるが、その配線回路基板間接続の際、半田ボールの熱による溶融加圧により、半田が変形してＬＳＩチップへのダメージが生じやすいという問題もあった。勿論、１個の配線回路基板の薄型化が難しいという上述した問題は、複数の配線回路基板を積層して三次元実装する場合には配線回路基板の段数が多い程累積し、三次元実装体の厚さを著しく厚くする要因になる。
【００１４】
また、配線回路基板の配線層を多層化する場合、フィルムへの機械的孔あけが両サイドの配線膜間の層間接続に不可欠となるが、層間接続の確実性を確保するには、孔径を或る程度以上にすることが不可欠であり、小径化が制約される。しかし、孔径を大きくすると、フィルムの伸び、変形、配線膜各部の位置ずれ等をもたらし、斯かる伸び、変形、位置ずれ等の配線膜に及ぼす悪影響は配線膜が微細になる程大きくなる。従って、配線膜の微細化に限界があるという問題があった。
【００１５】
そのため、孔明けは非常に重要な技術であるが、この孔明け技術の一つとしてレーザー装置を用いてレーザービームにより孔明けをするという技術があるが、この方法には、熱による異物が生成することや、時間がかかる等の問題があった。
更には、回路を構成する銅からなる配線膜は電解メッキ法で絶縁層上に形成するため、メッキの下地処理として導電化処理のための無電解メッキが必要な上、絶縁被膜とメッキ被膜の接着強度を充分に強くすることが出来ないという問題もあり、そのことも配線膜の微細化を妨げる要因となっていた。また、無電解メッキ及び電解メッキの両方を行うことは工程を複雑にし、配線回路基板の高価格化を招く要因となっていた。
【００１６】
また、ＬＳＩチップの三次元配置のために、複数の配線回路基板を積層する場合、端子部分をバンプ状に形成するために、半田ボール等の搭載が必要であるので、半田ボール形成をすることが必要であり、それには工程が複雑となるという問題があった。またボールの高さにバラツキ等が生じやすく、高さのバラツキは配線回路基板をきちんと積層することを阻む要因となっていた。
【００１７】
そして、半田ボールの形成には、ボール搭載位置を決めるための治具を用いるが小径ボール（０．５ｍｍ以下）での静電気による良好な搭載が妨げられるという問題があった。また、治具代（６００万円）も決して安価ではなく、無視できないコスト増要因となっていた。
【００１８】
また、基板実装後の温度サイクル試験で基板とチップの膨張係数の違いからくる、ストレスによるボール落ちの改善のためにボールを搭載するランドのエリア面積を広く必要とする。そのためにボール間の配線本数が限定され、配線膜の微細化、高密度化に限界があるという問題があった。
更に、配線回路基板とＬＳＩチップとの接合においては、ＬＳＩチップ側に金ボールなど高価なバンプを形成する必要があり、材料費が高くなり、コストアップに繋がるという問題があった。
【００１９】
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、製造過程で配線回路基板のベースを成す部分が薄くても充分な強度を持ちうるようにし、以て生産性の向上を図り、配線回路基板やその配線膜の薄型化を容易にし、更には、配線膜の微細化、高集積化を図ることを一つの目的とし、従来の半田ボールを介して複数の配線回路基板を積層することにより生じていた各種の問題を解決することを別の目的とし、層間接続のためにベースにレーザービーム或いはプレス加工により孔明けをする必要性をなくし、孔明けにより生じていたベースが延びたり、位置ずれが生じたりするという問題を回避することを更に別の目的とし、配線膜の電解メッキにより形成するための前提となる無電解メッキ処理の必要性をなくし、工程数の低減を図ることを更に別の目的とし、更に、金ボール等高価な材料を用いる必要性をなくし、配線回路基板或いはそれを積層したものの低価格化を図ることを更に別の目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
請求項１の配線回路基板は、第１の金属からなり外部端子を成すバンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなる配線膜を有し、該配線膜上に、これと接続される層間接続用のバンプを有する別の一層又は複数層の配線膜を層間絶縁膜を介して積層し、上記配線膜のうちの最表面の配線膜上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部を残し絶縁膜で覆ってなることを特徴とする。
【００２１】
請求項２の配線回路基板は、請求項１記載の配線回路基板において、上記外部端子を成すバンプの表面が半田で覆われてなることを特徴とする。
【００２２】
請求項３の配線回路基板は、請求項１又は２記載の配線回路基板において、上記最表面の配線膜の電極接続部表面が金で覆われてなることを特徴とする。
【００２３】
請求項４の配線回路基板は、第１の金属からなるバンプ形成用の金属膜と、該金属膜のエッチングに際して該金属膜以外へのエッチングを防止する、第２の金属からなるエッチングストップ層と、少なくとも第２の金属とは別の第３の金属からなる配線膜形成用の金属膜を積層した三層構造の金属基板の上記配線膜形成用の金属膜をパターニングすることにより配線膜を形成する工程と、上記金属基板の上記配線膜が形成された主表面上に、一方の面に層間接続用のバンプを有する配線膜形成用金属箔を、そのバンプが上記配線膜に接続されるようにして絶縁性接着剤を介して接着する工程と、上記バンプを有する配線膜形成用金属箔を選択的にエッチングすることにより配線膜を形成する工程を少なくとも含む一層又は複数層の配線膜を形成する工程と、上記配線膜のうち最表面の配線膜が形成された面に、該配線膜上を電子デバイス電極が接続される電極接続部を残し絶縁膜で覆う工程と、上記三層構造の金属基板のバンプ形成用金属膜を選択的にエッチングすることにより外部端子を成すバンプを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２４】
請求項５の配線回路基板の製造方法は、請求項４記載の配線回路基板の製造方法において、バンプ形成用金属膜の選択的エッチングにより外部端子を成すバンプを形成するに際してエッチングマスクとして該金属膜表面に選択的に形成した半田層を用い、上記選択的エッチングの終了後上記半田層に対するリフロー処理を施すことにより上記バンプの表面を半田で覆った状態にすることを特徴とする。
【００２５】
請求項６の配線回路基板は、第１の金属からなる配線回路基板間接続用バンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなる、互いに絶縁層で絶縁分離された層間接続用のバンプを有し、上記層間接続用のバンプのうち上記外部端子を成すバンプと接続されないバンプが電子デバイス電極接続用のバンプとされ、上記絶縁層の配線回路基板間接続用バンプの形成された側と反対側の面に上記層間接続用のバンプと接続されたものを少なくとも一部として有する一層又は複数層の配線膜が形成され、上記配線膜のうち最表面の配線膜が形成された面上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部及び配線回路基板間接続用バンプが接続される配線回路基板間接続バンプ接続部を残し絶縁膜で覆ってなることを特徴とする。
【００２６】
請求項７の配線回路基板は、請求項６記載の配線回路基板において、上記配線回路基板間接続用バンプの表面が半田で覆われてなることを特徴とする。
【００２７】
請求項８の配線回路基板は、請求項６又は７記載の配線回路基板において、上記最表面の配線膜の電極接続部の表面が金で覆われてなることを特徴とする。
【００２８】
請求項９の配線回路基板の製造方法は、同一構造を有する他の配線回路基板に積層されて集積回路装置を構成する配線回路基板の製造方法において、第１の金属からなる配線回路基板間接続用バンプ形成用の金属膜と、該金属膜のエッチングに際して該金属膜以外へのエッチングを防止する、第２の金属からなるエッチングストップ層と、少なくとも第２の金属とは別の第３の金属からなるバンプ形成用の金属膜を積層した三層構造の金属基板の上記バンプ形成用の金属膜をパターニングすることにより後に上記他の配線回路基板の配線回路基板間接続用バンプと接続されるバンプと、接続されない電子デバイス電極接続用のバンプとを形成する工程と、上記金属基板の上記第３の金属からなるバンプが形成された側の主表面上に各バンプ間を絶縁分離する絶縁層を介して配線膜形成用の金属箔を積層する工程と、上記金属箔を選択的にエッチングすることにより配線膜を形成する工程を少なくとも含む一層又は複数層の配線膜を形成する工程と、上記配線膜のうち最表面の配線膜が形成された面上に、該配線膜の電子デバイス電極が接続される部分と配線回路基板間接続用バンプが接続される部分以外を覆う絶縁膜を形成する工程と、上記三層構造の金属基板の配線回路基板間接続用バンプ形成用金属膜を選択的にエッチングすることにより配線回路基板間接続用バンプを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２９】
請求項１０の配線回路基板の製造方法は請求項９記載の配線回路基板の製造方法において、配線回路基板間接続用バンプ形成用金属膜の選択的エッチングにより外部端子を成すバンプを形成するに際してエッチングマスクとして該金属膜表面に選択的に形成した半田層を用い、上記選択的エッチングの終了後上記半田層に対するリフロー処理を施すことにより上記バンプの表面を半田で覆った状態にすることを特徴とする。
【００３０】
請求項１１の半導体集積回路装置は、第１の金属からなる配線回路基板間接続用バンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなり互いに絶縁層で絶縁分離された層間接続用のバンプを有し、該バンプのうち上記外部端子を成すバンプと接続されないバンプが電子デバイス電極接続用のバンプとされ、上記絶縁層の外部端子を成すバンプの形成された側と反対側の面に上記層間接続用のバンプと接続されたものを少なくとも一部として有する一層又は複数層の配線膜が形成され、該配線膜のうちの最表面の配線膜上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部及び配線回路基板間接続用バンプが接続されるバンプ接続部分を残し絶縁膜で覆ってなる複数の配線回路基板と、該各配線回路基板の上記配線膜の電極接続部に或いは上記第三の金属からなるバンプであって上記配線回路基板間接続用バンプとは接続されないものに電極が接続された複数の半導体チップその他の電子デバイスと、を有し、両面又は片面に上記電子デバイスが接続された上記複数の配線回路基板を同じ向きにて重ね、一つの配線回路基板の配線回路基板間接続用バンプを、他の配線回路基板の配線膜のバンプ接続部分に接続することにより、複数の配線回路基板を積層してなることを特徴とする。
【００３１】
請求項１２の半導体集積回路装置の製造方法は、第１の金属からなる配線回路基板間接続用バンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなり互いに絶縁層で絶縁分離された層間接続用のバンプを有し、該バンプのうち上記配線回路基板間接続用バンプと接続されないバンプが電子デバイス電極接続用バンプとされ、上記絶縁層の外部端子を成すバンプの形成された側と反対側の面に上記層間接続用のバンプと接続されたものを少なくとも一部として有する一層又は複数層の配線膜が形成され、その最表面の配線膜上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部及び配線回路基板間接続用バンプが接続されるバンプ接続部分を残し絶縁膜で覆ってなる複数の配線回路基板を用意し、各配線回路基板の上記配線膜の電極接続部と、上記第三の金属からなるバンプであって上記配線回路基板間接続用バンプとは接続されないものとに電子デバイス電極を接続して両面又は片面に半導体チップその他の電子デバイスを搭載し、上記複数の配線回路基板を同じ向きにて重ね、一つの配線回路基板の配線回路基板間接続用バンプを、他の配線回路基板の配線膜のバンプ接続部分に接続することにより、複数の配線回路基板を積層することを特徴とする。
【００３２】
請求項１３の半導体集積回路装置は、第１の金属からなる配線回路基板間接続用バンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなり互いに絶縁層で絶縁分離された層間接続用のバンプを有し、該バンプのうち上記外部端子を成すバンプと接続されないバンプが電子デバイス電極接続用のバンプとされ、上記絶縁層の外部端子を成すバンプの形成された側と反対側の面に上記層間接続用のバンプと接続されたものを少なくとも一部として有する一層又は複数層の配線膜が形成され、該配線膜のうちの最表面の配線膜上を、電子デバイス電極が接続される電極接続部及び配線回路基板間接続用バンプが接続されるバンプ接続部分を残し絶縁膜で覆ってなり、重ねたとき一つが他から食み出すように広く形成されその食み出す部分の一方の面にヒートシンク接続部分を有する複数の配線回路基板と、該各配線回路基板の上記配線膜の電極接続部に或いは上記第三の金属からなるバンプであって上記配線回路基板間接続用バンプとは接続されないものに電極が接続された複数の半導体チップその他の電子デバイスと、上記複数の配線回路基板のうちの広く形成された一つの配線回路基板以外の配線回路基板をそれに接続された電子デバイスを含め覆う凹状のヒートシンクと、を有し、両面又は片面に上記電子デバイスが接続された上記一つの配線回路基板に対して他の配線回路基板を同じ向きにして重ね、該一つの配線回路基板の配線回路基板間接続用バンプを、他の配線回路基板の配線膜のバンプ接続部分に接続することにより、複数の配線回路基板を積層し、上記一つの配線回路基板の他の配線回路基板から食み出した部分のヒートシンク接続部分に上記ヒートシンクの上縁を接続して該ヒートシンクにて該他の配線回路基板をそれに接続された電子デバイスを含め覆う状態にしてなることを特徴とする。
【００３３】
請求項１４の配線回路基板は、第１の金属からなる外部端子を成すバンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなる、互いに絶縁層で絶縁分離された層間接続用のバンプを有し、上記絶縁層上に少なくとも上記第三の金属からなる層間接続用バンプと接続されたものを一部として有する一層又は複数層の配線膜が形成され、該配線膜のうちの最表面の配線膜形成面上に該配線膜の電子デバイス電極接続部以外を覆う絶縁膜を形成したことを特徴とする。
【００３４】
請求項１５の配線回路基板は、上記最表面の配線膜の電子デバイス電極接続部が金で覆われてなることを特徴とする。
【００３５】
請求項１６の配線回路基板は、請求項１４又は１５記載の配線回路基板において、上記外部端子を成すバンプの表面が半田で覆われてなることを特徴とする。
【００３６】
請求項１７の配線回路基板の製造方法は、第１の金属からなる外部端子を成すバンプ形成用の金属膜と、該金属膜のエッチングに際して該金属膜以外へのエッチングを防止する、第２の金属からなるエッチングストップ層と、少なくとも第２の金属とは別の第３の金属からなる層間接続用バンプ形成用の金属膜を積層した三層構造の金属基板の該層間接続用バンプ形成用の金属膜をパターニングすることにより上記層間接続用バンプを形成する工程と、上記金属基板の上記層間接続用バンプが形成された側に、絶縁層を介して金属箔を接着する工程と、上記金属箔をパターニングすることにより配線膜を形成する工程を少なくとも含む一層又は複数層の配線膜を形成する工程と、上記三層構造の金属基板の外部端子を成すバンプ形成用金属膜を選択的にエッチングすることによりバンプ形成用金属膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００３７】
請求項１８の配線回路基板の製造方法は、請求項１７記載の配線回路基板の製造方法において、上記外部端子を成すバンプ形成用金属膜の選択的エッチングにより電子デバイス電極接続用バンプを形成するに際してエッチングマスクとして該金属膜表面に選択的に形成した半田層を用いることを特徴とする。
【００３８】
請求項１９の配線回路基板は、第１の金属からなる電子デバイス電極接続用バンプと第２の金属からなるエッチングストップ層を介して接続されたものを一部として少なくとも含む少なくとも第２の金属とは別の金属である第３の金属からなる配線膜を有し、該配線膜が形成された面上に或いはそれに絶縁膜を介して積層された一層又は複数層の配線膜の最表面の配線膜が形成された面上に外部端子接続部以外を覆う絶縁膜を形成したことを特徴とする。
【００３９】
請求項２０の配線回路基板は、請求項１９記載の配線回路基板において、上記最表面の配線膜の外部端子接続部の表面に金膜が形成されたことを特徴とする。
【００４０】
請求項２１の配線回路基板は、請求項１９に記載の配線回路基板において、上記電子デバイス電極接続用バンプの表面が金で覆われてなることを特徴とする。
【００４１】
請求項２２の配線回路基板の製造方法は、第１の金属からなる電子デバイス電極接続用バンプ形成用の金属膜と、該金属膜のエッチングに際して該金属膜以外へのエッチングを防止する、第２の金属からなるエッチングストップ層と、少なくとも第２の金属とは別の第３の金属からなる配線膜形成用の金属膜を積層した三層構造の金属基板の該配線膜形成用の金属膜をパターニングすることにより配線膜を形成する工程と、上記配線膜又は該配線膜上に絶縁膜を介して形成された一層又は複数層の配線膜のうちの最表面上の配線膜が形成された面上に、最表面の配線膜の外部端子接続部以外を覆う絶縁膜を形成する工程と、上記三層構造の金属基板の電子デバイス電極接続用バンプ形成用金属膜を選択的にエッチングすることにより電子デバイス電極接続用バンプを形成する工程と、上記電子デバイス電極接続用バンプをマスクとして、上記エッチングストップ層を選択的にエッチングする工程と、を有することを特徴とする。
【００４２】
請求項２３の配線回路基板の製造方法は、請求項２２記載の配線回路基板の製造方法におて、電子デバイス電極接続用バンプ形成用金属膜を選択的にエッチングするに際してエッチングマスクとして金膜を用いることを特徴とする。
【００４３】
請求項２４の半導体集積回路装置は、請求項１、２、３、６、７、８、１４、１５、１６、１９、２０又は２１記載の配線回路基板に、一又は複数の半導体チップを搭載したことを特徴とする。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示実施の形態例に従って詳細に説明する。
図１（Ａ）〜（Ｆ）は本発明配線回路基板の製造方法の第１の実施の形態を工程順に示す断面図である。本実施の形態は、ＩＣ等の電子チップを立体配置せず、従って複数個積層をしないタイプの配線回路基板に本発明を適用したものである。
【００４５】
（Ａ）図１（Ａ）に示す三層構造の金属基板２１を用意する。２１ａは銅又は銅合金からなり、該銅箔２１のベースを成す厚さ例えば８０〜１５０μｍ程度の金属膜で、２１ｂは該金属膜２１ａの表面にエッチングストップ層で、銅或いは銅合金に対するエッチング（例えばアルカリ系エッチング液を用いたエッチング）において該銅或いは銅合金に対して充分にエッチング選択比をとれる材料であれば何でも良いが、ニッケル若しくはニッケル合金が好適である。尚、このニッケル若しくはニッケル合金によりエッチングストップ層２１ｂとして用いた場合、厚さは例えば０．１〜２μｍ程度が好適である。尚、該ニッケル系エッチングストップ層２１ｂは塩酸系エッチング液或いはニッケル系専用の剥離液により除去することができる。
【００４６】
２１ｃは上記エッチングストップ層２１ｂの表面に積層された銅からなる薄い金属膜で、後で配線膜となり、配線幅と電気的特性を勘案してその厚さが設定されるが、例えば１〜２０μｍ程度が好適である。
【００４７】
（Ｂ）次に、上記三層構造の金属基板２１の金属膜２１ｃをフォトエッチングによりパターニングすることにより配線膜２２を形成し、その後、バンプを有する回路形成用基板２３を用意し、該回路形成用基板２３を上記金属基板２１に対して位置合わせする。具体的には、回路形成用基板２３の銅等からなる各バンプ２４を配線膜２２の該バンプ２４と接続されるべき部分上に位置するように位置合わせする。図１（Ｂ）はその位置合わせした状態を示す。
【００４８】
ところで、上記回路形成用基板２３は、例えば銅箔（厚さ例えば１〜２０μｍ）２５上に例えばニッケル系金属膜（厚さ例えば０．１〜２μｍ）２６を介して銅箔２４を積層したものを用意し、該銅箔２４を選択的にエッチングすることにより該銅箔からなるバンプ２４を形成し、その後、そのエッチングの際エッチングストップ層としての役割を果たしたニッケル系金属膜２６をそのバンプ２４をマスクとして除去し、しかる後、接着性を有する絶縁層（厚さ例えば１０〜３５μｍ）２７を回路形成用基板２３の上記バンプ２４が形成された側の主面に該バンプ２４によって突き破られてその先端部を突出させるように積層してなる。絶縁層２７は例えばガラスエポキシ、或いは液晶ポリマー、或いは熱可塑性のポリイミド等の樹脂からなる。
【００４９】
尚、この種の回路形成用基板及びその製造方法については本願出願人会社により既に特許出願（出願番号：特願２０００−１４２８５６）にて提案済みである。また、同特許出願により、単層の銅箔等の金属箔（即ちエッチングストップ層のない金属箔）を用意し、ハーフエッチングによりバンプを形成する技術についても提案が為されており、本発明にもその技術を利用することができる。
【００５０】
（Ｃ）図１（Ｂ）に示す状態から、図１（Ｃ）に示すように、回路形成用基板２３をその上記バンプ２４を配線膜２２に熱圧着により接続することにより金属基板２１に積層する。回路形成用基板２３と金属基板２１とはバンプ２４以外の部分は上記絶縁層２７を介して接着される。
（Ｄ）次に、上記回路形成用基板２３の銅箔２５をフォトエッチングすることにより配線膜２５を形成し、その後、該配線膜２５が形成された側の面を該配線膜２５上を含め選択的に絶縁膜２７ａで覆い、しかる後、ニッケルメッキ（厚さ例えば２μｍ）及び金メッキ（厚さ例えば０．３μｍ）を形成し、後でボンディングされるＬＳＩチップの電極との接続性を高める。２７ｂは該絶縁膜２７ａの配線膜２５を部分的に露出させる開口で、後述する半導体チップの電極がその開口２７ｂ内にて配線膜２５に接続されることになる。
【００５１】
（Ｅ）次に、金属基板２１の銅からなる金属膜２１ａを裏面側から選択的エッチングにより、バンプ２８及び補強部２９を形成する。３０はその選択的にエッチングに際してエッチングマスクとして用いた半田膜（厚さ例えば１０〜５０μｍ）で、メッキにより形成される。該半田膜３０はレジスト膜等をマスクとしてアルカリエッチングにより選択的に除去することによりパターニングできるので、外部端子を成すバンプ２８及び補強部２９を形成するエッチングにおいてエッチングマスクとして用いることができるのである。図１（Ｅ）は半田膜３０をマスクとする銅からなる金属膜２１ａに対するエッチングを終えた状態を示している。
【００５２】
（Ｆ）次に、上記半田膜３０に対するリフロー処理を施すことにより接続端子を成すバンプ２８の表面を上記半田３０で覆った状態にする。このバンプ２８を半田３０で覆ったものが配線回路基板３２の外部端子となり、配線回路基板３２と図示しない例えばプリント基板等との接続は該外部端子を通じて為される。
その後、ＬＳＩチップ３１ａ（ロジックＬＳＩチップ）、３１ｂ（メモリＬＳＩチップ）を配線回路基板３２の反バンプ２８側の主表面に搭載する。具体的には開口２７に露出する配線膜２２表面にチップ３１ａ、３１ｂの金で表面を覆われたバンプ電極３３をボンディングすることにより搭載する。
【００５３】
図１の実施の形態に係る配線回路基板によれば、先ず三層構造の金属基板２１をベースとして製造ができるので、薄くても搬送その他取り扱い上必要な機械的強度を確保できるので、従来よりも基板の配線膜の薄型化が可能となり、また、配線膜を薄くすることが可能になるので、高集積化が図りやすくなる。
【００５４】
また、外部端子がバンプ２８からなり、半田ボールを用いる場合のように、半田ボールの落ち、半田の溶融による変形、厚さの変化による接続不良等の発生するおそれがない。また、半田ボールの位置合わせのために特殊な高価な位置合わせ治具を必要とするという問題も回避できる。そして、層間接続にバンプ２４を利用するので、従来におけるように層間接続のために孔明けを要しない。従って、レーザービームにより孔明けをしていた場合において生じていた、孔の小径化の限界、孔によるフィルムの変形、熱処理による異物の発生、熱処理に時間がかかり、生産性が落ちる等の各種問題が生じない。
【００５５】
そして、金属基板２１をベースとし、その金属膜２１ａをパターニングする前に、配線膜２５の電子デバイス３１ａ、３１ｂの電極が接続される部分にニッケル系金属膜、金層を形成するので、これらの層を電解メッキにより形成することができ、無電解メッキの必要性がない。依って、良質のメッキ層を簡単に形成できる。というのは、金属基板２１の金属膜２１ａを電解メッキに必要な各メッキ部分への電位伝達に用いることができるから、無電解メッキ処理が必要でなくなるからである。
【００５６】
図２（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線回路基板の製造方法の第２の形態を工程順に示す断面図である。本実施の形態は本発明を複数個積層してＬＳＩチップ等の電子デバイスを立体的配置できる配線回路基板（尚、本実施の形態は複数の配線回路基板を積層する際には既に各配線回路基板に搭載され、積層した段階で半導体チップその他の電子デバイスが搭載済みなので、半導体集積回路装置の製造方法であるとも言える。）は立体配置に適用したものである。
【００５７】
（Ａ）図１（Ａ）に示すような三層構造の金属基板２１を用意する。但し、本実施の形態における金属基板２１は、図１（Ａ）に示すそれとは銅からなる金属膜２１ｃの厚さが異なり、４０〜７０μｍであるという点でのみ異なる。そして、該金属膜２１ｃに対するフォトエッチングにより層間接続用のバンプ３５を形成する。該バンプ３５は厚さ（高さ）が約６０μｍ、直径が約５０μｍである。図２（Ａ）は該バンプ３５を形成し、その後、該バンプ３５の選択的エッチングに際しエッチングマスクとして用いたレジスト膜を除去した後の状態を示す。
【００５８】
（Ｂ）次に、図２（Ｂ）に示すように、上記金属基板２１のバンプ３５が形成された側の面に接着性を有する絶縁層（厚さ２５〜３５μｍ）３６をバンプ３５により貫通され該バンプ３５先端部が表面から突出するように接着する。材質は例えば第１の実施の形態の絶縁層２７と同じものでよい。
（Ｃ）次に、図２（Ｃ）に示すように、上記金属基板２１のバンプ３５が形成され絶縁層２７が接着された側の面に配線膜となる銅箔３７（厚さ１２〜３５μｍ）を熱圧着により積層する。この積層処理の処理条件は、例えば加熱温度３００℃、加圧力５０Ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間１０分間である。
【００５９】
（Ｄ）次に、その積層した銅箔（３７）に対するフォトエッチングにより配線膜３７を形成し、その後、該配線膜３７形成面上に例えばレジストからなる絶縁層３８を選択的に形成し、更に、その配線膜３７の表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次施することにより接続性を確保し、その後、金属基板２１の金属膜２１ａをその表面に選択的に形成した半田層をマスクとしてエッチングすることによりバンプ３９及び補強部４０を形成し、その後、上記半田層をリフローし、該半田４１でバンプ３９を覆った状態にする。これにより配線回路基板４４が出来上がる。
【００６０】
しかる後、金属基板２１の両面に半導体チップ３１、３１を臨ませる。具体的には、金属基板２１の配線膜３７形成側においては、半導体チップ３１のバンプ電極４３を配線膜３７の絶縁層３８開口４２に露出する部分に臨ませ、金属基板２１の金属膜２１ａ側においては、半導体チップ３１のバンプ電極４３をバンプ３５に臨ませる。図２（Ｄ）はその臨ませた状態を示す。尚、銅箔３７の選択的エッチングにより配線膜の形成からバンプ３９の形成、マスクとして用いた半田層のリフローまでのプロセスは図１に示す第１の実施の形態と共通する。
【００６１】
尚、本実施の形態では、各金属基板２１の両面に半導体チップ３１、３１、・・・を搭載するようにしていたが、必ずしもそのようにすることは不可欠ではなく、金属基板２１の例えばバンプ３９の形成された側の面のみに半導体チップ３１、３１、・・・を搭載するようにしても良い。また、積層された複数の金属基板２１、２１、・・・の一部の金属基板２１には両面に半導体チップ３１、３１、・・・を搭載し、残りの金属基板２１には片面にのみに半導体チップ３１、３１、・・・を搭載するようにしても良い。更に、金属基板３１に搭載するものの総てが半導体チップ３１である必要はなく、一部は例えば抵抗、コンデンサ、誘導素子その他の伝でしデバイスであっても良い等本実施の形態には種々のバリエーションがあり得る。
【００６２】
（Ｅ）その後、上記各半導体チップ３１をそのバンプ電極４３にて配線回路基板４４の配線膜３７の開口４２への露出部及びバンプ３５へ圧着乃至熱圧着により配線回路基板４４に搭載する。そして、そのように、両面に半導体チップ３１を搭載した配線回路基板４４を複数用意し、一つの配線回路基板４４のバンプ３９が他の配線回路基板４４の配線膜３７の開口４２に露出する部分上に位置するようにする。そのような状態でバンプ３９表面を覆う半田３０をリフローすることにより、バンプ３９を該半田３０を介して配線膜３７の上記露出部に接続し、以てこの複数の配線回路基板４４・４４同士を積層する。図２（Ｅ）はその積層後の状態を示す。尚、図２（Ｅ）においては２個の配線回路基板４４が積層されたものが示されているが、配線回路基板積層数は決して２に限定されるものではなく、３個或いはそれ以上、例えば１０数個以上の配線回路基板を積層することも可能である。
【００６３】
本実施の形態に係る配線回路基板にも、図１に示した第１の実施に係る配線回路基板と同様の利点が認められる。即ち、先ず三層構造の金属基板２１をベースとして製造ができるので、薄くても搬送その他取り扱い上必要な機械的強度を確保でき、基板の薄型化が可能となり、また、配線膜を薄くすることが可能になるので、高集積化が図りやすくなるという利点がある。また、配線回路基板間接続にバンプ３９を用いるので、半田ボールを用いる場合のように、半田ボールの落ち、半田の溶融による変形、厚さの変化による接続不良等の発生するおそれがなく、また、半田ボールの位置合わせのために特殊な高価な位置合わせ治具を必要とするという問題も回避できる。そして、層間接続にバンプ３５を利用するので、従来におけるように層間接続のために孔明けを要せず、従って、レーザービームにより孔明けをしていた場合において生じていた、孔の小径化の限界、孔によるフィルムの変形、熱処理による異物の発生、熱処理に時間がかかり、生産性が落ちる等の各種問題が生じないという利点もある。
【００６４】
更に、金属基板２１をベースとし、その金属膜２１ａをパターニングする前に、配線膜２５の半導体チップ（電子デバイス）３１ａ、３１ｂの電極が接続される部分にニッケル系金属膜、金層を形成するので、その際、パターニングされない状態の金属膜２１ａを電位伝達経路に利用することができ、これらの層（ニッケル層、金層）を電解メッキにより形成することができ、無電解メッキの必要性がないという利点もある。
【００６５】
更に、本実施の形態に係る配線回路基板には、複数個積層して電子デバイスを極めて高密度に三次元実装することができるという大きな利点がある。図３（Ａ）、（Ｂ）は図２に示した本発明配線回路基板の第２の実施の形態と、従来例の場合の寸法について比較して示す断面図であり、（Ａ）は第２の実施の形態の場合を、（Ｂ）は従来例の場合を示し、（Ｃ）は本発明の第２の実施の形態を適用したメモリーカードの寸法を示す断面図である。この図３に従って第２の実施の形態と従来例とを比較すると、従来の場合、厚さが２７５μｍ程度になるのに対して、第２の実施の形態の場合には、厚さは２１０μｍで済むので、配線回路基板１段当たり、約６５μｍも薄くて済む。従って、同じ実装空間内に収納できる配線回路基板の段数を本発明による方を従来よりも多くすることができる。
【００６６】
因みに、メモリーカードをつくる場合、規格（仕様）等から一つのケースでは、図３（Ｃ）に示すように１．３ｍｍの厚さの中に配線回路基板を積層しなければならないので、従来の場合だと、４個の配線回路基板しか積層できないが、本発明だと６個の配線回路基板を積層できる。勿論、本発明に係る配線回路基板にはまだまだ薄型化の可能性を有しているので、１０個或いはそれ以上の個数の配線回路基板を積層できる可能性を秘めている。
【００６７】
尚、配線回路基板間接続に従来の場合は半田ボールを用いているので、半田ボール脱落による接続不良が多かったが、本実施の形態によれば、バンプ３９を配線回路基板間接続に用いているので、そのような脱落の類のトラブルが発生する余地がないこというまでもない。
【００６８】
図４（Ａ）〜（Ｄ）は本発明配線回路基板の製造方法の第３の実施の形態を工程順に示す断面図である。本実施の形態は、ＩＣ等の電子チップを立体配置せず、従って複数個積層をしないタイプの配線回路基板に本発明を適用したものである。
（Ａ）図２（Ａ）〜（Ｃ）と同様の工程により、三層構造の金属基板２１の金属膜２１ｃを選択的にエッチングすることにより層間接続用のバンプ３５を形成した後、接着性を有する絶縁層３６を金属基板２１のバンプ３５形成側の面に接着し、その後、該絶縁層３６を介して銅箔３７をその金属基板２１に積層し、しかる後、該銅箔３７を選択的にエッチングすることにより配線膜３７を形成する。図４（Ａ）はその配線膜３７形成後の状態を示す。
【００６９】
（Ｂ）次に、図４（Ｂ）に示すように、金属基板２１の配線膜３７形成側の主面に回路形成用基板２３を臨ませる。該回路形成用基板２３は図１（Ｂ）に示す回路形成用基板２３と全く同様にして形成されるので重ねて説明はしない。この回路形成用基板２３としてニッケル又はニッケル合金層２６のないもの（ハーフエッチングによりバンプ２４を形成したもの）を用いて良いことはいうまでもない。
具体的には、配線膜３７のバンプ接続部３７ａに回路形成用基板２３のバンプ２４を臨ませる。その後、該回路形成用基板２３を金属基板２１に加圧接着する。
【００７０】
（Ｃ）次に、上記回路形成用基板２３の銅箔２５をパターニングすることにより配線膜２５を形成し、その後、例えばレジストからなる絶縁層３８を選択的に形成して後述する半導体チップ（３１ａ、３１ｂ）のバンプ電極（４３）を接続すべき部分にのみ開口４２を形成するようにする。そして、配線膜２５のその開口４２に露出する部分が半導体チップのバンプ電極の接続される部分となる。図４（Ｃ）は絶縁層３８形成後の状態を示す。
【００７１】
（Ｄ）次に、上記金属基板２１の金属膜２１ａに対する選択的に形成した半田層をマスクとしての選択的エッチングによりバンプ３９及び補強部４０を形成し、その後、補強部４０上の半田層を除去し、しかる後、該半田層に対するリフロー処理を施す。その結果、バンプ３９が半田３０により覆われた状態になる。このバンプ３９及び補強部４０の形成方法、リフロー処理は図１、図２に示した実施の形態におけるものと同じである。これにより配線回路基板４６が出来上がる。その後、半導体チップ３１ａ、３１ｂを図１に示した第１の実施の形態におけると同様に配線回路基板４６の反バンプ３９側の面に搭載する。
【００７２】
本実施の形態に係る配線回路基板にも、図１に示した第１の実施の形態に係る配線回路基板とほぼ同様の利点が認められる。
【００７３】
図５（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線回路基板の第４の実施の形態を工程順に示す断面図である。本実施の形態は、ＩＣ等の電子チップを立体配置せず、従って複数個積層をしないタイプの配線回路基板に本発明を適用したものである。
（Ａ）図１（Ａ）に示す三層構造の金属基板２１と同じものを用意し、その金属膜２１ｃを選択的にエッチングすることにより配線膜２２を形成する。金属膜２１ｃの厚さは形成しようとする配線膜２２の微細さ（幅）と電気的特性から最適値が設定されるが、本実施の形態では例えば１〜２０μｍで、第１の実施の形態の場合と同様である。因みに、ライン／スペースを８μｍ／８μｍとする場合、金属膜２１ｃの厚さは１０μｍ程度が好適である。次に、該金属基板２１の配線膜２２の形成された側の面を配線膜２２の後述する半田ボール（１２）を搭載すべき部分を除き例えばポリイミドのレジストからなる絶縁層（厚さ２０μｍ）５０で覆う。５１は該絶縁層５０の、配線膜２２を露出させる開口であり、２５０μｍの径を有し、この開口５１が半田ボール搭載部分となる。図５（Ａ）は絶縁層５０形成後の状態を示す。
【００７４】
（Ｂ）次に、図５（Ｂ）に示すように、金属基板２１の金属膜２１ａの表面に選択的にレジストからなる或いは金からなるマスク膜５２を形成する。該マスク膜５２として金からなるものを用いた場合には、その金が後で形成されるバンプと該バンプに接続される半導体チップのバンプとの接続性を高める役割をも担うことになる。その後、配線膜２２の表面の半田ボールとの接着性を高めるために、ニッケルメッキ処理を施し次に金メッキする。
【００７５】
（Ｃ）次に、上記マスク膜５２をマスクとして金属膜２１ａをエッチングすることによりバンプ５３を形成し、更に、該バンプ５３をマスクとしてニッケル系金属からなるエッチングストップ層２１ｂを選択的にエッチングして各バンプ５３間を分離独立させる。図５（Ｃ）はそのエッチングストップ層２１ｂの選択的エッチング後の状態を示す。これにより配線回路基板５４ができる。
【００７６】
（Ｄ）次に、マスク膜５２としてレジストを用いた場合には、そのマスク膜５２を除去し、マスク膜５２として金を用いた場合には、そのマスク５２を残したまま、バンプ５３にＬＳＩチップ３１ａ及び３１ｂの電極の位置が合うように位置合わせして例えば異方性導電膜５５を介してＬＳＩチップ３１ａ及び３１ｂを配線回路基板５４に接着する。その後、各ＬＳＩチップ３１ａ・３１ｂ間を樹脂５６で封止する。図５（Ｄ）は樹脂５６による封止後の状態を示す。
【００７７】
（Ｅ）その後、図５（Ｅ）に示すように、上記配線膜２２の絶縁層５０の開口５１に露出する部分に半田ボール１２を搭載する。
【００７８】
本実施の形態に係る配線回路基板５４は、金属膜２１ａの選択的エッチングにより形成したバンプ５３を電子デバイスであるＬＳＩチップ３１ａ、３１ｂの電極の接続に用い、配線膜２２の開口５１に露出する部分に形成した半田ボール１２を外部端子として用いる点で、第１〜３の実施の形態に係る配線回路基板とは異なるが、それ以外の点では基本的な相違がなく、第１〜３の実施の形態に係る配線回路基板に求められる利点は概ね本実施の形態に係る配線回路基板５４においても認められる。
【００７９】
図６（Ａ）〜（Ｅ）及び図７（Ｆ）〜（Ｉ）は本発明配線回路基板の製造方法の第５の実施の形態を工程順（Ａ）〜（Ｉ）に示す断面図である。本実施の形態もＩＣ等の電子チップを立体配置せず、従って複数個積層をしないタイプの配線回路基板に本発明を適用したものである。
【００８０】
（Ａ）図１に示す第１の実施の形態において用いるような三層構造の金属基板２１を用意し、その金属膜２１ｃ上にレジスト膜６０を選択的に形成する。図６（Ａ）はそのレジスト膜６０の選択的形成後の状態を示す。
（Ｂ）次に、図６（Ａ）に示すように、上記レジスト膜６０をマスクとして該金属膜２１ａ上に銅を電解メッキすることにより配線膜６１を形成する。
【００８１】
（Ｃ）次に、図６（Ｃ）に示すように、接着性絶縁層６２を介してバンプ付配線膜形成用金属箔６３のそのバンプ６４を形成した面を金属基板２１の金属膜２１ｃ側の面に臨ませる。該バンプ付配線膜形成用金属箔６３は例えば銅からなる単層の金属箔を一方の側から選択的に形成した例えばレジスト膜等をマスクとしてハーフエッチングすることによりバンプ６４を形成してなる。
（Ｄ）次に、図６（Ｄ）に示すように、上記バンプ付配線膜形成用金属箔６３を接着性絶縁層６２を介して金属基板２１に接着する。
【００８２】
（Ｅ）次に、上記金属箔６３を選択的にエッチングすることにより配線膜６３を形成し、その後、該配線膜６３が形成された側の面に、該配線膜６３の後述する半田ボール（１２）を形成すべき部分以外を覆う例えばレジストからなる絶縁層６５を形成する。６６は該絶縁層６５のその半田ボール（１２）を形成すべき部分に形成された開口である。図６（Ｅ）は該絶縁層５０形成後の状態を示す。
【００８３】
（Ｆ）次に、金属基板２１の金属膜２１ａの表面に選択的にレジストからなる或いは金からなるマスク膜５２を形成する。該マスク膜５２として金からなるものを用いた場合には、その金が後で形成されるバンプと該バンプに接続される半導体チップのバンプとの接続性を高める役割をも担う。図７（Ｆ）はマスク膜５３の形成後の状態を示す。その後、配線膜６３の表面の半田ボールとの接着性を高めるために、ニッケルメッキ処理を施し次に金メッキする。
【００８４】
（Ｇ）次に、上記マスク膜５２をマスクとして金属膜２１ａをエッチングすることによりバンプ５３及び補強部６７を形成し、更に、該バンプ５３及び補強部６７をマスクとしてニッケル系金属からなるエッチングストップ層２１ｂを選択的にエッチングして各バンプ５３間を分離独立させる。図７（Ｇ）はそのエッチングストップ層２１ｂの選択的エッチング後の状態を示す。これにより配線回路基板６８が出来上がる。
【００８５】
（Ｈ）次に、マスク膜５２としてレジストを用いた場合には、そのマスク膜５２を除去し、マスク膜５２として金を用いた場合には、そのマスク５２を残したまま、バンプ５３にＬＳＩチップ３１ａ及び３１ｂの電極の位置が合うように位置合わせして例えば異方性導電膜５５を介してＬＳＩチップ３１ａ及び３１ｂを配線回路基板５４に接着する。その後、各ＬＳＩチップ３１ａ・３１ｂ間を樹脂５６で封止する。図７（Ｈ）は樹脂５６による封止後の状態を示す。
【００８６】
（Ｉ）その後、図７（Ｉ）に示すように、上記配線膜２２の絶縁層５０の開口５１に露出する部分に半田ボール１２を搭載する。
本実施の形態に係る配線回路基板６８は、図５に示した第４の実施の形態に係る配線回路基板５４よりも反電子デバイス搭載側の配線膜の層数を増やし、多層化を図っており、その点では相違し、配線の集積度がより高いといえるが、それ以外の点では共通し、配線回路基板５４の持つ利点の総てを持つと言える。
【００８７】
図８（Ａ）、（Ｂ）は複数の配線回路基板を用いて半導体チップその他の電子デバイスを立体配置すると共に、ヒートシンクでハウジングして電子デバイスの放熱性を高めた本発明半導体集積回路装置の一つの実施の形態を示すための断面図で、（Ａ）は該半導体集積回路装置に用いる一つの配線回路基板を示し、（Ｂ）はヒートシンクでハウジングした半導体集積回路装置の完成した状態を示す。
【００８８】
７０は積層される配線回路基板の一つで、例えば図２に示すような技術を駆使して多層配線膜を形成し、一方の表面に銅からなる配線回路基板間接続用バンプ７１と、層間接続用バンプ７２からなる、半導体チップの電極と接続される半導体チップ接続部を有する。該バンプ７２は例えば図２に示すバンプ３５と同じ方法で形成される。７３は該バンプ７１の表面を覆う半田層である。
【００８９】
半導体集積回路装置は、図８（Ａ）に示す、半導体チップ３１が搭載された２枚の配線回路基板７０、７０と、該配線回路基板７０に重ねたとき該配線回路基板７０から食み出すように広く形成された、半導体チップ３１搭載配線回路基板７４を、図８（Ｂ）に示すように配線回路基板間接続用バンプ７１を配線回路基板間接続に用いて積層してなる。この積層は、図２に示す実施の形態と同様にして行う。該配線回路基板７４はその反バンプ７１側の面であって、重ねたとき配線回路基板７０から食み出した部分にヒートシンク接続部７５を有する。
【００９０】
そして、配線回路基板７０、７０と配線回路基板７４を積層した状態で、上記ヒートシンク接続部７５に凹状のヒートシンク７６の上縁７７を接続してなる。その際、最も上の半導体チップ３１とヒートシンク７６の底面とを直接接触させたり、その間に伝熱材料を介在させると良い。７８は半導体チップ３１と配線回路基板７０、７４との間に介在する異方性導電膜である。
【００９１】
このような半導体集積回路装置によれば、ヒートシンク７６で、配線回路基板７０、７０及びこれ等に搭載された半導体チップ３１、３１、・・・をハウジングするので、放熱性を高くすることができる。
【００９２】
【発明の効果】
請求項１の配線回路基板によれば、三層構造の金属基板をベースとして製造ができるので、薄くても搬送その他取り扱い上必要な機械的強度を確保できる。従って、従来よりも基板の配線膜の薄型化が可能となり、また、配線膜を薄くすることが可能になるので、高集積化が図りやすくなる。
【００９３】
また、外部端子がバンプからなり、半田ボールを用いる場合のように、半田ボールの落ち、半田の溶融による変形、厚さの変化による接続不良等の発生するおそれがない。また、半田ボールの位置合わせのために特殊な高価な位置合わせ治具を必要とするという問題も回避できる。そして、層間接続にバンプを利用するので、従来におけるように層間接続のために孔明けを要しない。従って、レーザービームにより孔明けをしていた場合において生じていた、孔の小径化の限界、孔によるフィルムの変形、熱処理による異物の発生、熱処理に時間がかかり、生産性が落ちる等の各種問題が生じない。
【００９４】
請求項２の配線回路基板によれば、外部端子を成すバンプの表面が半田で覆われてなるので、その半田を外部端子と他（配線回路基板以外のもの、例えばプリント配線等）との接続に用い、接続性を良好にすることができる。
【００９５】
請求項３の配線回路基板によれば、請求項１又は２記載の配線回路基板において、上記最表面の配線膜の電極接続部が表面を金で覆われてなるので、電極接続部の接続性を高めることができる。そして、金属基板をベースとし、それを構成する第１の金属からなる金属膜をパターニングする前に、配線膜の電子デバイス電極が接続される部分に金層を形成することができるので、これらの層を電解メッキにより形成することができ、無電解メッキの必要性がない。依って、良質の金層をメッキにより簡単に形成できる。
【００９６】
請求項４の配線回路基板の製造方法によれば、請求項１の配線回路基板を得ることができる。そして、その配線回路基板によれば、前述した効果を享受することができる。
【００９７】
請求項５の配線回路基板の製造方法は、バンプを形成するに際してエッチングマスクとして用いた半田層をそのエッチングの終了後のリフロー処理により上記バンプの表面を半田で覆った状態にするので、製造工程数を徒に増やすことなくバンプの表面を半田で簡単に覆って接続性向上を図ることができる。
【００９８】
請求項６の配線回路基板によれば、電子デバイス電極が接続される電極接続部においてと、電子デバイス電極接続用のバンプにおいて、電子デバイスを搭載できるので、両面に電子デバイスを搭載することができる。しかも、一方の主表面に配線回路基板間接続用バンプを、他方の主表面の配線膜に配線回路基板間接続用バンプ接続部を有するので、複数の配線回路基板を同じ向きで重ね、一つの配線回路基板の配線回路基板間接続用バンプをその下の配線回路基板間接続用バンプ接続部に接続することにより、多数の配線回路基板を積層し、電子デバイスを三次元配置した高集積度積層配線基板を提供することが可能となる。
【００９９】
そして、この配線回路基板によれば、請求項１、２等の配線回路基板と同様に、三層構造の金属基板をベースとして製造ができるが故の上述した各種効果を奏し、また、配線回路基板間接続手段としてバンプを用いるので、半田ボールを用いる場合のように、半田ボールの落ち、半田の溶融による変形、厚さの変化による接続不良等の発生するおそれがなく、また、半田ボールの位置合わせのために特殊な高価な位置合わせ治具を必要とするという問題も回避できる。そして、層間接続にもバンプを利用するので、従来におけるように層間接続のために孔明けを要しない。従って、レーザービームにより孔明けをしていた場合において生じていた、孔の小径化の限界、孔によるフィルムの変形、熱処理による異物の発生、熱処理に時間がかかり、生産性が落ちる等の各種問題が生じないという効果も奏する。
【０１００】
請求項７の配線回路基板によれば、配線回路基板間接続用バンプの表面が半田で覆われているので、その半田を配線回路基板間接続用バンプ接続部との接続性を良好にすることができる。
【０１０１】
請求項８の配線回路基板は、電子デバイス電極接続部及び配線回路基板間接続用バンプ接続部の表面が金で覆われているので、その接続部の接続性を高めることができる。
【０１０２】
請求項９の配線回路基板の製造方法によれば、請求項６の配線回路基板を得ることができる。そして、その請求項６の配線回路基板によれば、上述した各種の効果を奏する。
【０１０３】
請求項１０の配線回路基板の製造方法によれば、バンプを形成するに際してエッチングマスクとして用いた半田層をそのエッチングの終了後のリフロー処理により上記バンプの表面を半田で覆った状態にするので、製造工程数を徒に増やすことなくバンプの表面を半田で簡単に覆って接続性向上を図ることができる。
【０１０４】
請求項１１の半導体集積回路装置は、両面に電子デバイスを搭載した複数の配線回路基板（請求項６の配線回路基板）を同じ向きにて複数積層することにより、電子デバイスを三次元配置し、極めて高集積度の電子装置、例えばメモリーカード等を提供することができる。そして、該積層配線回路基板は、上記請求項６の配線回路基板を複数用いており、従って、その請求項６の配線回路基板の持つ利点を享受することができる。
【０１０５】
請求項１２の半導体集積回路装置の製造方法によれば、請求項１１の半導体集積回路装置を得ることができる。その半導体集積回路装置によれば、上述した効果を奏するこというまでもない。
【０１０６】
請求項１３の半導体集積回路装置によれば、ヒートシンクで、配線回路基板及びこれ等に搭載された半導体チップその他の電子デバイスをハウジングするので、放熱性を高くすることができる。
【０１０７】
請求項１４の配線回路基板よれば、配線膜の層数を多くすることができ、配線膜の集積密度を著しく高めることができる。そして、層間接続手段としてバンプを用いるので、孔明けをして層間接続をする場合に比較して信頼性を高め、製造工数の低減を図ることができる。また、外部端子を第１の金属からなるバンプにより構成したので、半田ボールを用いた場合に比較して接続作業の作業性が良くなり、特殊治具の必要性がなくなる等各種利点を有する。また、三層構造の金属基板を用いて製造したが故の請求項１、６等の配線回路基板が享受した各種利点を本配線回路基板も有する。
【０１０８】
請求項１５の配線回路基板によれば、最表面の配線膜の電子デバイス電極接続部が金で覆われてなるので、該電子デバイス電極接続部の接続性をその金より高めることができる。
【０１０９】
請求項１６の配線回路基板によれば、上記外部端子を成すバンプの表面が半田で覆われてなるので、半田によりそのバンプの接続性を高めることができる。
【０１１０】
請求項１７の配線回路基板の製造方法によれば、請求項１３の配線回路基板を得ることができる。その配線回路基板によれば、上述した各種効果を奏することは前述の通りである。
【０１１１】
請求項１８の配線回路基板の製造方法によれば、上記外部端子を成すバンプ形成用金属膜の選択的エッチングにより外部端子を成すバンプを形成するに際してエッチングマスクとして半田層を用いるので、その半田層をそのまま残してバンプの他との電気的接続性向上に用いることができる。
【０１１２】
請求項１９の配線回路基板は、第１の金属からなるバンプを電子デバイス電極接続に用いるので、半田ボールを電子デバイス電極接続用に用いる場合に生じていた上述した各種問題を回避することができ、また、請求項１、６、１３等の配線回路基板が持っていた上述した各種の利点を享受することができる。
【０１１３】
請求項２０の配線回路基板によれば、最表面の配線膜の外部端子接続部の表面に金膜が形成されているので、該外部端子接続部の接続性を向上させることができる。
【０１１４】
請求項２１の配線回路基板によれば、電子デバイス電極接続用バンプの表面が金で覆われているので、該バンプ接続性をその金により向上させることができる。
【０１１５】
請求項２２の配線回路基板の製造方法によれば、請求項１９の配線回路基板を得ることができる。そして、請求項１８の配線回路基板によれば、上述した各種効果を享受することができること前述の通りである。
【０１１６】
請求項２３の配線回路基板によれば、電子デバイス電極接続用バンプ形成用金属膜を選択的にエッチングするに際してエッチングマスクとして金膜を用いるので、そのエッチング後そのマスクとして用いた金膜を残すことにより、それをバンプの接続性向上に活用でき、バンプの接続性向上を工程数を増すことなく実現することができる。
【０１１７】
請求項２４の半導体集積回路装置によれば、請求項１、２、３、６、７、８、１４、１５、１６、１７、１９、２０又は２１記載の配線回路基板に一又は複数の半導体チップを搭載したので、請求項１、２、３、６、７、８、１４、１５、１６、１７、１９、２０又は２１記載の配線回路基板が持つ効果を享受した半導体集積回路装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明配線回路基板の製造方法の第１の実施の形態を工程順に示す断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線回路基板（半導体集積回路装置）の製造方法の第２の形態を工程順に示す断面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は図２に示した本発明配線回路基板の第２の実施の形態と、従来例の場合の寸法について比較して示す断面図であり、（Ａ）は第２の実施の形態の場合を、（Ｂ）は従来例の場合を示し、（Ｃ）は本発明の第２の実施の形態に係る配線回路基板を適用したメモリーカードの寸法を示す断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明配線回路基板の製造方法の第３の実施の形態を工程順に示す断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線回路基板の第４の実施の形態を工程順に示す断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線回路基板の製造方法の第５の実施の形態の工程（Ａ）〜（Ｅ）を順に示す断面図である。
【図７】（Ｆ）〜（Ｉ）は本発明配線回路基板の製造方法の第５の実施の形態の工程（Ｆ）〜（Ｉ）を順に示す断面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）は本発明半導体集積回路装置の一つの実施の形態を説明するための断面図で、（Ａ）は半導体集積回路装置を構成する一つの配線回路基板を示し、（Ｂ）は完成した半導体集積回路装置を示す断面図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｅ）は配線回路基板の製造方法の従来例の一つを工程順に示す断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）は図９の配線回路基板に電子デバイス例えばＬＳＩチップを搭載し、更に、半田ボールを形成する方法を工程順に示す断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｅ）は配線回路基板の製造方法の他の従来例を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
２１・・・三層構造の金属基板、２１ａ・・・第１の金属からなる金属層、
２１ｂ・・・エッチングストップ層、
２１ｃ・・・第３の金属からなる金属層、２２・・・配線膜、
２４・・・バンプ、２５・・・配線膜、２７・・・絶縁膜、
２８・・・突起、３０・・・半田（半田層）、
３１（３１ａ、３１ｂ）・・・電子デバイス（ＬＳＩチップ）、
３５・・・バンプ、３６・・・絶縁膜、３７・・・配線膜、
３９・・・バンプ、７０・・・配線回路基板、７１・・・層間接続用バンプ、７２・・・層間接続用バンプ、７４・・・他より広い一つの配線回路基板、７５・・・ヒートシンク接続部、７６・・・ヒートシンク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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