(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同軸伝送路とその同軸伝送路から受動的相互変調（ＰＩＭ）の減少された信号を供給される装置(30)との間のインターフェース装置(10)において、
外部導体(12)と、
この外部導体(12)内に配置された内部導体(20)とを具備し、
前記内部導体(20)は前記信号を供給される装置(30)への伝送路の途中に位置する分岐部(21, 23)から分岐された分岐路(25, 27)を備え、その分岐路(25, 27)の少なくとも１つはその終端部(26, 28)が前記外部導体(12)と接触して一体化されて外部導体(12)と内部導体(20)とが単一の部材として構成されているインターフェイス装置。
【請求項２】
前記外部導体(12)はさらに前記ＰＩＭの減少された信号を供給される装置(30)に取付けられてそれに対して接続を形成するフランジ部材(16)を備えている請求項１記載のインターフェイス装置。
【請求項３】
前記フランジ部材(16)はさらに前記ＰＩＭの減少された信号を供給される装置(30)に前記フランジ部材(16)を取付けるための固定部材(18)を具備している請求項２記載のインターフェイス装置。
【請求項４】
前記内部導体(20)は複数の終端部(26, 28)へ分岐され、そのうちの少なくとも１つの終端部(26, 28)が前記フランジ部材(16)に接続されて前記内部導体(20)を前記外部導体(12)へ接続している請求項２記載のインターフェイス装置。
【請求項５】
前記内部導体(20)と前記ＰＩＭの減少された信号を供給される装置(30)は少なくとも１つの非接触チョークジョイントにより非接触結合されている請求項１記載のインターフェイス装置。
【請求項６】
前記フランジ部材(16)に接続された分岐された終端部(26, 28)は内部導体(20)の放熱および静電荷の放電のための通路を構成している請求項４記載のインターフェイス装置。
【請求項７】
前記内部導体(20)は、前記分岐部(21, 23)を通って前記フランジ部材(16)から離れる方向に延在している内部導体路を有している請求項４記載のインターフェイス装置。
【請求項８】
前記分岐部(21, 23)は、送信バンド用の分岐路と受信バンド用の分岐路とをさらに具備している請求項７記載のインターフェイス装置。
【請求項９】
前記分岐部を通って延在している内部導体路は、前記ＰＩＭの減少された信号を供給される装置(30)と非接触で結合されている請求項７記載のインターフェイス装置。
【請求項１０】
送信フィルタセクションへの結合路に位置する少なくとも１つの分岐と、受信フィルタセクションへの結合路に位置する少なくとも１つの分岐とを具備している請求項７記載のインターフェイス装置。
【請求項１１】
前記送信フィルタセクションおよび受信フィルタセクションとの結合部(22, 24)は非接触のチョークジョイントである請求項１０記載のインターフェイス装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はダイプレクサまたは多重化フィルタと同軸伝送ラインとの間のインターフェ−スに関する。
【０００２】
【従来の技術】
同軸伝送線をフィルタセクションと接続する場合には、同軸伝送線は受動的な相互変調（ＰＩＭ）の発生を確実に防止するような状態でフィルタセクションに接続されなければならない。ＰＩＭは同軸伝送線とフィルタとの接続部で発生しやすい。これを避けるために非接触または“隔離”構造、即ち容量性結合部および／または誘導性結合部で伝送線とフィルタを結合することが行われている。しかしながら、このような構成を使用してＰＩＭを抑制する場合には別の問題を誘起する。すなわち、静電荷が内部導体に累積するのに防止するために電荷を放電させるブリード路が存在しない。別の潜在的な問題は、“直接”接触する導体にによる導電通路が存在しないので、内部導体の熱放散が不十分であり、温度上昇が発生することである。
【０００３】
これらの問題を克服しようとするため、内部導体と外部導体との間の直接的な電気的および熱的伝導路からなる熱シャントその他の熱伝導路がインターフェ−スに付加させることが試みられている。これはフィルタセクションの内部導体が外部導体に緊密に取付けられることを必要とする。捩子等の少なくとも１つの固定取付け装置が通常使用される。残念ながら、このアセンブリはＰＩＭの防止に関してそれ程信頼性はない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
静電気の放電および熱放散を行うと共に、ＰＩＭを確実に減少させ、高いパワースペース応用に理想的なダイプレクサフィルタのためのインターフェ−ス装置が必要とされる。
【０００５】
本発明は、共振フィルタから別のコンポーネントへの高パワーＲＦエネルギを転送すると共に受動的な相互変調の発生を抑制除去することである。本発明のさらに別の目的は、熱および静電荷を放散させるための伝導路を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、受動的相互変調（ＰＩＭ）を低下させるために内部導体と外部導体との間で直接電気伝導および熱伝導が行われる通路を有する単一の部材で構成された構造体を具備している同軸伝送路と低ＰＩＭ信号を供給される装置との間のインタ−フェ−スを行うインターフェース装置を提供する。
【０００７】
本発明は、空洞共振フィルタの共振素子から、アンテナフィード素子のような別のコンポーネントへの高パワーＲＦエネルギの転送を可能にする。その転送は、伝送線内部導体から熱を放散しおよび静電荷を放散するための熱伝導路および静電気導電路を与えながら、ＰＩＭの発生の危険性を防止する。
【０００８】
インターフェ−ス装置の内部導体はインターフェ−ス装置の外部導体と一体化され、それによりインターフェイス装置の内部導体を外部導体に接続する必要をなくしている。インターフェ−ス装置の外部導体はフランジまたはその他の構造を有し、これは伝送線の外部導体またはフィルタハウジングへの接続を可能にする。結果的に２重化（または多重化）された同軸、（または方形同軸）の伝送線の“１ピース（単一部材）”構造が得られ、それによって熱放散と静電放電接地点への直接通路を与え、非接続の一体化内部導体インターフェ−スを有する。
【０００９】
本発明の他の目的および特徴は添付図面および特許請求の範囲と関連した好ましい実施形態の詳細な説明によって明白になるであろう。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明を良好に理解するために、添付図面を参照にして例示として与えられる幾つかの実施形態について説明する。
図１は本発明の受動的相互変調（ＰＩＭ）の発生が低い同軸ダイプレクサインターフェース装置10の斜視図である。本発明はダイプレクサと同軸伝送線との間のインタ−フェ−スに関連してここで説明されているが、本発明には多重化された同軸または方形同軸伝送ラインに適用されることが可能であることに留意すべきである。当業者は、本発明を多重化された同軸または方形同軸伝送ライン応用に適用するためにここに開示された情報によって十分な知識が得られる。
【００１１】
インターフェース装置10の外部導体12は、共通のポート14と、高圧力インターフェ−ス（図示せず）を受けるための構造18を有するフランジ部材16を有する。外部導体12と内部導体20とは一体化されている。
【００１２】
内部導体20は幾つかの分岐部21、23、25、27を有し、内部導体20の終端部につながっている。第１の分岐部21は１／４波長結合プローブ22によりフィルタ等のＰＩＭに敏感な装置（図示せず）のセクションの共振素子との非接触結合部に導かれている。分岐部23はプローブ24によりＰＩＭに敏感な装置（図示せず）の別のセクションの共振素子との非接触結合部につながっている。
【００１３】
分岐部25、27は、内部導体20と外部導体12を一体化した部材でありフランジ16で終端部26と28に導かれている。終端部26と28はＰＩＭの信頼性に必要とされる電気的および熱的伝導性を与える。
【００１４】
終端部26と28はフランジ部材16に一体化されるので、例えば機械加工プロセスによって１つの一体部分として内部導体および外部導体を製造することが可能である。終端部26と28は直接的な熱放散路と静電荷放電のための接地接続を与える。分岐部21および23はフィルタ等のＰＩＭに敏感な装置（図示せず）と導電接続のないインターフェ−スを提供する。
【００１５】
図２はフィルタ30と連通する本発明のインターフェース装置10の断面図である。図では非接触接続部だけが示されておりプローブ22および24により内部導体の分岐部21および23に結合される。
【００１６】
高圧力固定部31によってフランジ16でインターフェース装置10の外部導体との直接続が形成される。１０ｋＰＳＩの高圧力インターフェ−スは信頼性のあるＰＩＭ防止接続と、良好な熱伝導路と、良好なＥＳＤ導電路を与えることが知られている。しかしながら、示されている高圧力インターフェ−スを別の適切な接続方法と置換することも可能である。
【００１７】
インターフェース装置10の種々の接続部は以下の方法でフィルタ30に接続されている。送信フィルタセクションの第１の共振素子32は非接触チョークジョイントによりプローブ22へ非接触結合により結合される。チョークジョイントでは、接続表面は直接接続しないように分離するために、誘電材料34で被覆されている。受信フィルタセクションの第１の共振素子36はまた第２のプローブ24、および誘電材料38により隔離されたチョークジョイントにより内部導体20に結合される。第１および第２のプローブ22、24は送信および受信フィルタセクションが内部導体20の終端部40で多重化されるように長さ、位相、関係を維持する。終端部40はまたチョークジョイントにより（図示されない）アンテナ素子に結合される。
【００１８】
内部導体20の終端部26、28は前述したように単一部材構造で外部導体12へ直接一体化される。終端部26、28は、“開路状態”が送信および受信バンドでそれぞれ現れるように長さまたは位相の関係を維持し、さらに内部導体20からの熱伝導と外部導体12へのＥＳＤ導電用の短絡回路を維持する。
【００１９】
高圧力インターフェ−ス31を使用して、フィルタハウジング30の外部導体は同軸ダイプレクサインターフェ−スの外部導体12へ直接接続されている、しかしながら内部導体20は前述のように共振素子は誘電材料34,38 により直接接続されておらず非接触結合であるため直接接続による通じてＰＩＭの発生を防止することができる。
【００２０】
本発明の特定の実施形態を示し説明したが、複数の変形および代りの実施形態が当業者により行われるであろう。したがって本発明は特許請求の範囲の記載にのみによって限定されることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の同軸ダイプレクサインターフェ−スの斜視図。
【図２】フィルタハウジングと連通する本発明の同軸ダイプレクサインターフェ−スの断面図。
【図１】
0003631432.tif 000002
【図２】
0003631432.tif 000003