(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収納する処理槽に処理液を供給する供給回路と，前記処理槽から処理液を排液する排液回路と，前記供給回路と前記排液回路との間を接続する循環回路と，前記循環回路に介装され前記排液回路側から前記供給回路側に処理液を送液するポンプとフィルタを備えた処理装置において，
前記供給回路と前記循環回路との接続点よりも前記処理槽側において供給回路に一端が接続され，前記排液回路と前記循環回路との接続点よりも前記処理槽側において前記排液回路に他端が接続されるか若しくは前記ポンプの上流側において循環回路に他端が接続された第１の迂回回路と，
前記ポンプの下流側であって前記フィルタの上流側において前記循環回路に一端が接続された第２の迂回回路とを備え，
前記第１の迂回回路に第１の弁を設け，前記第２の迂回回路に第２の弁を設け，前記供給回路と前記循環回路の接続点と前記供給回路と前記第１の迂回回路の接続点との間において前記供給回路に第３の弁を設け，前記供給回路と前記循環回路の接続点よりも前記処理槽の反対側において前記供給回路に第４の弁を設け，前記排液回路と前記循環回路の接続点よりも前記処理槽の反対側において前記排液回路に第５の弁を設け，
前記処理槽は，基板を収納する内槽と前記内槽から溢れ出た処理液を受け止める外槽とを備え，前記排液回路の一端が前記外槽に接続されており，
前記排液回路と前記第１の迂回回路との接続点よりも前記処理槽側において前記排液回路に第６の弁を設けると共に，前記外槽に液面の下限位置を検出する液面下限センサを設け，
前記処理槽からの処理液排液時に，前記第１，２，６の弁を開き，前記ポンプにより送液排液し，
前記外槽が空になると，これを前記液面下限センサが検出して前記第６の切換弁を閉じるように構成したことを特徴とする，処理装置。
【請求項２】
前記第２の迂回回路の他端が，前記第５の弁よりも前記処理槽の反対側において前記排液回路に接続されていることを特徴とする，請求項１に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，処理液を用いて基板などを処理する処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば，半導体デバイスの製造工程では，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）を所定の薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し，ウェハの表面に付着したパーティクル，有機汚染物，金属不純物等のコンタミネーションを除去する洗浄装置が使用されている。その中でも，洗浄液が充填された洗浄槽内にウェハを浸漬させて洗浄処理を行うウェット型の洗浄装置は，ウェハに付着したパーティクル等を効果的に除去できるため広く普及している。
【０００３】
ウェット型の洗浄装置においては，供給回路を通じて洗浄槽に供給された洗浄液中にウェハを浸漬させている。そして，洗浄中は供給回路を通じて新たな洗浄液を洗浄槽に供給し続ける一方で，洗浄槽内の洗浄液を排液回路を通じて排液し，洗浄槽内の洗浄液を清浄度の高い洗浄液に置換しながら，洗浄処理を行うようにしている。ここで，排液回路と供給回路との間は，ポンプ，ダンパ，ヒータ，フィルタを順に介装した循環回路によって接続されており，洗浄槽から排液された洗浄液は，排液回路から循環回路に流れて，循環回路で浄化及び温調された後に供給回路を通じて再び洗浄槽に供給される。これにより，洗浄液の再利用を図って洗浄液の消費量を節約しながら，洗浄槽内の洗浄液の温度や清浄度を所定の状態に保つことができる。洗浄槽で使用される洗浄液には，例えば，アンモニア水溶液（ＮＨ４ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水（Ｈ２Ｏ）との混合液であるＡＰＭ，塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素水と純水との混合液であるＨＰＭ，硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ，燐酸（Ｈ３ＰＯ４）を含んだ液体やエチレングリコール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）等の薬液が知られている。
【０００４】
また，洗浄処理が終了すると，供給回路や排液回路を通じて洗浄槽から洗浄液を排液させ，洗浄槽を一旦空にしている。このとき，洗浄槽内の洗浄液は，自重によって供給回路や排液回路に流れ込んで自然排液される。その後，新しい洗浄液が供給回路を通じて洗浄槽に供給され，次のウェハの洗浄処理に備えることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来の洗浄装置では，自重によって洗浄液を排液するので，粘度が高いＳＰＭ，燐酸（Ｈ３ＰＯ４）を含んだ液体やエチレングリコール等の薬液では，排液に時間がかかる。例えば，３４リットル容量の洗浄槽にＳＰＭが充填されていた場合，排液には５分程度要し，これは，洗浄処理を繰り返す毎に累積されることになるので，スループットに悪影響を与える。
【０００６】
従って，本発明の目的は，粘度が高い処理液でも短時間で排液することができる処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明は，基板を収納する処理槽に処理液を供給する供給回路と，前記処理槽から処理液を排液する排液回路と，前記供給回路と前記排液回路との間を接続する循環回路と，前記循環回路に介装され前記排液回路側から前記供給回路側に処理液を送液するポンプとフィルタを備えた処理装置において，前記供給回路と前記循環回路との接続点よりも前記処理槽側において供給回路に一端が接続され，前記排液回路と前記循環回路との接続点よりも前記処理槽側において前記排液回路に他端が接続されるか若しくは前記ポンプの上流側において循環回路に他端が接続された第１の迂回回路と，前記ポンプの下流側であって前記フィルタの上流側において前記循環回路に一端が接続された第２の迂回回路とを備え，前記第１の迂回回路に第１の弁を設け，前記第２の迂回回路に第２の弁を設け，前記供給回路と前記循環回路の接続点と前記供給回路と前記第１の迂回回路の接続点との間において前記供給回路に第３の弁を設け，前記供給回路と前記循環回路の接続点よりも前記処理槽の反対側において前記供給回路に第４の弁を設け，前記排液回路と前記循環回路の接続点よりも前記処理槽の反対側において前記排液回路に第５の弁を設け，前記処理槽は，基板を収納する内槽と前記内槽から溢れ出た処理液を受け止める外槽とを備え，前記排液回路の一端が前記外槽に接続されており，前記排液回路と前記第１の迂回回路との接続点よりも前記処理槽側において前記排液回路に第６の弁を設けると共に，前記外槽に液面の下限位置を検出する液面下限センサを設け，前記処理槽からの処理液排液時に，前記第１，２，６の弁を開き，前記ポンプにより送液排液し，前記外槽が空になると，これを前記液面下限センサが検出して前記第６の切換弁を閉じるように構成したことを特徴とする。
【０００８】
請求項１に記載の処理装置によれば，まず，第１の弁，第２の弁，第５の弁を閉じ，第３の弁,第４の弁を開いて供給回路から処理液を処理槽に供給し，処理槽内に処理液を充填する。そして，処理槽内の処理液に基板を浸漬させて処理を行う。処理中は第４の弁を閉じて供給回路から処理液を供給しない一方で，処理槽から排液回路を通じて排液された処理液を循環回路に流入させ，ポンプの稼働によって供給回路から処理槽に循環供給する。
【０００９】
処理後，処理槽から処理液を排液し処理槽を空にする。このとき，第３の弁，第４の弁，第５の弁を閉じる一方で，第１の弁，第２の弁を開く。そして，供給回路と排液回路を通じて処理液を処理槽から排液する。この場合，処理液を，供給回路から第１の迂回回路，循環回路に順に流し，ポンプによって送液して排液することができる。即ち，処理槽から供給回路を通じて排液される処理液は，第３の弁が閉じているので，供給回路から第１の迂回回路に流れ込む。そして，第１の迂回回路の他端が，排液回路と循環回路との接続点よりも処理槽側において排液回路に接続されるか若しくはポンプの上流側において循環回路に接続されているので，第１の迂回回路内の処理液は，排液回路から循環回路に流れ込むか若しくは直接循環回路に流れ込む。そして，処理液は，循環回路においてポンプによって送液されて第２の迂回回路に流れ込み，外部に排液される。また，処理槽から排液回路を通じて排液される処理液は，排液回路から循環回路，第２の迂回回路の順で流れて外部に排液される。この場合も，処理液をポンプによって送液して排液することができる。このように請求項１では，ポンプによって送液するので，自重で排液させた場合に比べて，粘度が高い処理液でも短時間で排液することが可能になる。しかも，循環回路に設けられた既存のポンプを利用するので，排液用の新たなポンプを設ける必要もない。
【００１０】
請求項１に記載の処理装置において，請求項２に記載したように，前記第２の迂回回路の他端が，前記第５の弁よりも前記処理槽の反対側において前記排液回路に接続されていても良い。この場合，排液回路から循環回路に流れ込んだ処理液は，ポンプで送液された後に，第２の迂回回路から再び排液回路に流れ込んで外部に排液される。
【００１１】
前記処理槽は，基板を収納する内槽と前記内槽から溢れ出た処理液を受け止める外槽を備え，前記排液回路の一端が前記外槽に接続されている。かかる構成によれば，外槽内の処理液は，排液回路を通じて外槽から排液される。
【００１２】
また，前記排液回路と前記第１の迂回回路との接続点よりも前記処理槽側において前記排液回路に第６の弁を設けると共に，前記外槽に液面の下限位置を検出する液面下限センサを設け，前記第６の弁の開閉を前記液面下限センサの検出に基づいて行うように構成する。かかる構成によれば，まず，第６の弁を開き，外槽内の処理液を排液回路を通じて外槽から排液する。その後，外槽から処理液が全て排液されて外槽が空になると，これを液面下限センサが検出し，所定の時間が経過した後に第６の弁を閉じる。これにより，排液回路からポンプに空気が入り込むことがなくなり，ポンプの空気噛み込みを防止することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下，添付図面を参照しながら本発明の好ましい実施の形態を説明する。図１は，本実施の形態にかかる洗浄装置１２を備えた洗浄システム１の斜視図である。この洗浄システム１は，キャリアＣ単位での基板としてのウェハＷの搬入，ウェハＷの洗浄，ウェハＷの乾燥，キャリアＣ単位でのウェハＷの搬出までを一貫して行うように構成されている。
【００１４】
この洗浄システム１において，搬入・取出部２は，洗浄前のウェハＷを２５枚収納したキャリアＣを搬入しウェハＷを洗浄に移行させるまでの動作を行う。即ち，搬入部５に載置されたキャリアＣを移送装置６によってローダ７へ例えば２個ずつ搬送し，このローダ７でキャリアＣからウェハＷを取り出す構成になっている。
【００１５】
洗浄乾燥処理部１０には，搬入・取出部２側から順に，ウェハＷを搬送する搬送装置３０のウェハチャック３０ａを洗浄および乾燥するためのウェハチャック洗浄・乾燥装置１１，各種の薬液や純水等の洗浄液を用いてウェハＷを洗浄する各洗浄装置１２〜１９，搬送装置３３のウェハチャック３３ａを洗浄および乾燥するためのウェハチャック洗浄・乾燥装置２０，および，洗浄装置１２〜１９で洗浄されたウェハＷを，例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気を用いて乾燥させる乾燥装置２１が配列されている。
【００１６】
ウェハチャック洗浄・乾燥装置１１，２０では，例えば純水などを用いてウェハチャック３０ａとウェハチャック３３ａの洗浄，乾燥をそれぞれ行う。また，一般的な洗浄プロセスに従い，薬液洗浄とリンス洗浄とが交互に行えるように洗浄乾燥処理部１０では，洗浄装置１２，１４，１６，１８は薬液洗浄を行うように構成され，洗浄装置１３，１５，１７，１９はリンス洗浄を行うように構成されている。その一例として，洗浄装置１２では，硫酸成分を主体とした洗浄液であって，粘度が高いＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２の混合液）を用いた洗浄処理を行って，ウェハＷの表面に付着している有機汚染物等の不純物質を除去する。また，洗浄装置１６では，例えばアンモニア成分を主体とした洗浄液であるＡＰＭ（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合液）を用いた洗浄処理を行って，ウェハＷの表面に付着している有機汚染物，パーティクル等の不純物質を除去する。また，洗浄装置１４，１８では，何れもフッ酸成分を主体とした洗浄液であるＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ２Ｏの混合液）を用いた洗浄処理を行って，ウェハＷの表面に形成された酸化膜等を除去する。また，洗浄装置１３，１５，１７，１９では，純水を用いてウェハＷのリンス洗浄を行う。更に，乾燥装置２０では，ＩＰＡ蒸気を利用してウェハＷの表面を乾燥処理するように構成されている。
【００１７】
なお以上の配列や各洗浄装置１２〜１９の組合わせは，ウェハＷに対する洗浄処理の種類によって任意に組み合わせることができる。例えば，ある洗浄装置を減じたり，逆にさらに他の種類の薬液を用いてウェハＷを薬液洗浄する洗浄装置を付加してもよい。
【００１８】
装填・搬出部５０は，洗浄乾燥処理部１０で洗浄，乾燥された２５枚のウェハＷをキャリアＣに装填後キャリアＣ単位で搬出する。即ち，アンローダ５１によって，洗浄後のウェハＷが収納されたキャリアＣを，移送装置（図示せず）によって，搬出部５２にまで搬送する構成になっている。
【００１９】
次に，本実施の形態にかかる洗浄装置１２の構成について説明する。この洗浄装置１２は，粘度が高いＳＰＭでも円滑に排液できるように構成されている。図２に示すように，洗浄装置１２に備えられた洗浄槽６０は，ウェハＷを収納するのに充分な大きさを有する箱形の内槽６１と外槽６２から構成されている。外槽６２は，内槽６１の上端からオーバーフローしたＳＰＭを受けとめるように，内槽６１の開口部を取り囲んで装着されている。
【００２０】
内槽６１の下方には，水槽６３を介して超音波振動子を内蔵しているメガソニック装置６４が装着されている。メガソニック装置６４から発振された超音波は，水槽６３の水を経て内槽６１内のＳＰＭに伝搬し，ＳＰＭを振動させてウェハＷの表面に付着しているパーティクルを除去する作用がある。
【００２１】
内槽６１には図示しないＳＰＭ供給源からのＳＰＭを内槽６１に供給する供給回路７０が接続され，外槽６２にはＳＰＭを例えば工場の排液ライン等に排液する排液回路７１が接続され，これら供給回路７０と排液回路７１との間は，循環回路７２によって接続されている。そして，この循環回路７２に介装されたポンプ７３は，循環回路７２内のＳＰＭを排液回路７１側から供給回路７０側に送液するように構成されている。
【００２２】
ここで，供給回路７０と循環回路７２との接続点Ｎ１よりも洗浄槽６０側において供給回路７０に一端が接続され，排液回路７１と循環回路７２との接続点Ｎ２よりも洗浄槽６０側において排液回路７１に他端が接続されている第１の迂回回路７４が設けられている。この第１の迂回回路７４を介して，内槽６１から供給回路７０を通じて排液されるＳＰＭを排液回路７１に流入させることができるようになっている。また，ポンプ７３の下流側において循環回路７２に一端が接続され，後述する第５の切換弁８４よりも洗浄槽６０の反対側において排液回路７１に他端が接続されている第２の迂回回路７５が設けられている。この第２の迂回回路７５を介して，ポンプ７３によって送液されるＳＰＭを排液回路７１に流入させて排液ラインに排液することができるようになっている。
【００２３】
第１の迂回回路７４に第１の切換弁８０を設け，第２の迂回回路７５に第２の切換弁８１を設け，供給回路７０と循環回路７２の接続点Ｎ１と供給回路７０と第１の迂回回路７４の接続点Ｎ３との間において供給回路７０に第３の切換弁８２を設け，供給回路７０と循環回路７２の接続点Ｎ１よりも洗浄槽６０の反対側において供給回路７０の途中に第４の切換弁８３を設け，排液回路７１と循環回路７２の接続点Ｎ２よりも洗浄槽６０の反対側において排液回路７１に前述した第５の切換弁８４を設け，排液回路７１と第１の迂回回路７４との接続点Ｎ４よりも洗浄槽６０側において排液回路７１に第６の切換弁８５を設ける。これら第１の切換弁８０，第２の切換弁８１，第３の切換弁８２，第４の切換弁８３，第５の切換弁８４，第６の切換弁８５は何れも，電磁（ソレノイド）方式の２方口弁であり，電源制御機構９０からの電力の供給によって，開閉の切り換えが制御されるようになっている。従って，各回路は，その時々に応じて流路を導通又は遮断して，ＳＰＭを流すか否かを選択できるようになっている。
【００２４】
循環回路７２には，ポンプ７３以外に，ダンパ８６，ヒータ８７，フィルタ８８がポンプ７３の下流側に順に介装されている。洗浄中は，第１の切換弁８０，第２の切換弁８１，第４の切換弁８３，第５の切換弁８４を閉じ，第３の切換弁８２,第６の切換弁８５を開いて，内槽６１から外槽６２にオーバーフローしたＳＰＭを，排液回路７１から循環回路７２に流し，循環回路７２で温調及び浄化した後に供給回路７０を通じて内槽６１に再び供給するようになっている。
【００２５】
また，外槽６２は，外槽６２内のＳＰＭの液面の下限位置を検出する液面下限センサ９１を備えている。この液面下限センサ９１は，外槽６２に窒素（Ｎ２）ガスを送り続ける管路９２の途中に装着されており，Ｎ２ガスの圧力を測定することによって，間接的に外槽６２内のＳＰＭの液面の下限位置を検出する。液面下限センサ９１の検出信号は，電源制御機構９０に出力されるようになっており，第６の切換弁８５の開閉は，液面下限センサ９１の検出に基づいて，電源制御機構９０によって行うように構成されている。外槽６２からＳＰＭを排液する際には第６の切換弁８５を開き，外槽６２から全てのＳＰＭが排液されて所定の時間が経過すると，第６の切換弁８５を閉じるようになってる。
【００２６】
なお，その他，洗浄装置１３〜１９も洗浄装置１２と同様な構成にし，ポンプ７３を利用して槽内の洗浄液を円滑に排液できるように構成してもよい。
【００２７】
次に，以上のように構成された洗浄装置１２で行われる洗浄処理について，図１の洗浄システム１におけるウェハＷの洗浄工程に基づいて説明する。まず，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣを搬入・取出部２の搬入部５に複数載置する。そして，この搬入・取出部２によって，例えばキャリアＣ２個分の５０枚のウェハＷをキャリアＣから取り出し，搬送装置３０が，ウェハＷを５０枚単位で一括して把持する。そして，それらウェハＷを搬送装置３１，３２，３３に引きつきながら，各洗浄装置１２〜１９に順次搬送する。こうして，ウェハＷの表面に付着しているパーティクル等の不純物質を除去する洗浄を行う。
【００２８】
ここで，粘度が高い薬液であるＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２の混合液）を用いて薬液洗浄を行う洗浄装置１２での処理について説明する。まず，第１の切換弁８０，第２の切換弁８１，第５の切換弁８４を閉じ，第３の切換弁８２,第４の切換弁８３を開く。図示しないＳＰＭ供給源から供給回路７０を通じてＳＰＭを洗浄槽６０に供給し，洗浄槽６０内にＳＰＭを予め充填しておく。
【００２９】
その後，搬送装置３０によって５０枚のウェハＷを一括して内槽６１内に収納し，ＳＰＭによる薬液洗浄を開始する。図２に示したように，洗浄中は第４の切換弁８３を閉じて供給回路７０から新たなＳＰＭを供給しない一方で，外槽６２から排液回路７１を通じて排液されたＳＰＭを循環回路７２に流入させ，以後，ポンプ７３の稼働によって，供給回路７０から洗浄槽６０に循環供給する。循環回路７２では，ダンパ８６，ヒータ８７，フィルタ８８の順で流して浄化及び温調を行い，ＳＰＭの再利用を図っている。内槽６１ではＳＰＭの上昇流を形成させ，ウェハＷの表面を均一に洗浄している。このように，洗浄槽６０内のＳＰＭを繰り返して利用するので，ＳＰＭの消費量を節約することができる。
【００３０】
洗浄後，洗浄槽６０からＳＰＭを排液し洗浄槽６０を空にする。このとき，第３の切換弁８２，第４の切換弁８３，第５の切換弁８４を閉じる一方で，第１の切換弁８０，第２の切換弁８１を開く。そして，供給回路７０と排液回路７１を通じてＳＰＭを洗浄槽６０から排液する。この場合，ＳＰＭを，供給回路７０から第１の迂回回路７４，循環回路７２に順に流し，ポンプ７３によって送液して排液することができる。図３は，このときの状態を示している。
【００３１】
即ち，内槽６１から供給回路７０を通じて排液されるＳＰＭは，第３の切換弁８２が閉じているので，供給回路７０から第１の迂回回路７４に流れ込む。そして，第１の迂回回路７４の他端が，排液回路７１と循環回路７２の接続点Ｎ２よりも洗浄槽６０側において排液回路７１に接続されているので，第１の迂回回路７４内のＳＰＭは，排液回路７１から循環回路７２に流れ込む。そして，ＳＰＭは，循環回路７２においてポンプ７３によって送液されて第２の迂回回路７５に流れ込んだ後に，再び排液回路７１に流れ込み，工場の排液ラインに排液される。
【００３２】
また，外槽６２から排液回路７１を通じて排液されるＳＰＭは，排液回路７１から循環回路７２，第２の迂回回路７５の順に流れて，内槽６１から排液されるＳＰＭの時と同様に排液ラインに排液される。この場合も，ＳＰＭをポンプ７３によって送液して排液することができる。ここで，図示の如く，第２の迂回回路７５の一端は，ポンプ７３の下流側であると共に，ヒータ８７の上流側において循環回路７２に接続されている。ポンプ７３によって送液されたＳＰＭの流動性が，ヒータ８７，フィルタ８８による圧力降下によって低下する前に，第２の迂回回路７５にＳＰＭを流入させて排液回路７１から排液することができるからである。
【００３３】
外槽６２からＳＰＭが全て排液されて外槽６２が空になると，これを液面下限センサ９１が検出して電源制御機構９０に出力し，電源制御機構９０は，所定の時間が経過した後に第６の切換弁８５を閉じるようにする。これにより，排液回路７１からポンプ７３に空気が入り込むことがなくなり，ポンプ７３の空気噛み込みを防止することができる。
【００３４】
このように，本実施の形成の洗浄装置１２では，ポンプ７３によって送液するので，自重で排液させた場合に比べて，粘度が高いＳＰＭでも短時間で排液することが可能になる。例えば，３４リットル容量の洗浄槽６０にＳＰＭが充填されていた場合，ポンプ７３の吐出量が１５リットル／ｍｉｎであれば，排液時間は２分数秒で済み，さらにポンプ７３の吐出量が５５リットル／ｍｉｎであれば，排液時間は１分以内で済ますことができる。しかも，循環回路７２に設けられた既存のポンプ７３を利用するので，排液用の新たなポンプを設ける必要もない。
【００３５】
かくして，本実施の形態の洗浄装置１２によれば，循環回路７２のポンプ７３を利用して排液を行うので，粘度が高いＳＰＭでも短時間で排液することができる。従って，処理時間も短縮することになり，経済的な負担をかけずにスループットの向上を図ることが可能になる。
【００３６】
以上のような洗浄装置１２は，その他の粘度が高い洗浄液，例えば燐酸（Ｈ３ＰＯ４）を含んだ液体やエチレングリコール等の薬液に対しても有効である。また，第１の迂回回路７４の他端を排液回路７１に接続する代わりに，第１の迂回回路７４の他端をポンプ７３の上流側において循環回路７２に接続して，第１の迂回回路７４内のＳＰＭを直接循環回路７２に流すようにしてもよい。
【００３７】
なお，本発明は，この実施の形態に限定されるものではなく，種々の態様を採りうるものである。例えば，１つの洗浄槽で複数の洗浄液を使用するワンバス・タイプ（一槽多薬型等とも称呼されている。）の洗浄装置などにも本発明を適用しても良い。また，基板は，上記ウェハＷに限るものではなく，例えばＬＣＤ基板，ＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板であっても良い。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば，循環回路のポンプを利用して排液を行うので，粘度が高い処理液でも短時間で排液することができる。従って，処理時間も短縮することになり，経済的な負担をかけずにスループットの向上を図ることが可能になる。特に，排液中のポンプの空気噛み込むを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる洗浄装置を備えた洗浄システムの斜視図である。
【図２】本実施の形態にかかる洗浄装置の回路系統を示す説明図である。
【図３】図２の洗浄装置においてＳＰＭを排液する際の様子を示している説明図である。
【符号の説明】
１    洗浄システム
１２    洗浄装置
６０    洗浄槽
７０    供給回路
７１    排液回路
７２    循環回路
７３    ポンプ
７４    第１の迂回回路
７５    第２の迂回回路
８０    第１の切換弁
８１    第２の切換弁
８２    第３の切換弁
８３    第４の切換弁
８４    第５の切換弁
８５    第６の切換弁
９１    液面下限センサ
【図１】
0003648096.tif 000002
【図２】
0003648096.tif 000003
【図３】
0003648096.tif 000004