(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸ジルコン酸鉛を構成するために形成された酸化チタン層と酸化ジルコニウム層と酸化鉛層とを備える厚さ３〜６ｎｍの積層膜ユニット、あるいはチタン、ジルコニウムおよび鉛から任意に選択された２種の金属の複合酸化物層と、残りの金属の酸化物層またはこの残りの金属および前記２種の金属のうち一方の金属の複合酸化物とを備える厚さ３〜６ｎｍの積層膜ユニットを周期的に積層した積層体薄膜を形成し、この積層体薄膜を熱処理し、これによって前記積層体薄膜を一体のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜とすることを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記積層膜ユニットの厚さを、３〜５．４ｎｍとすることを特徴とする請求項１記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項３】
前記積層膜ユニットの厚さを、４．５〜５．４ｎｍとすることを特徴とする請求項１または２記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項４】
積層膜をスパッタリング法により形成する請求項１〜３のいずれかの強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記酸化チタン層、酸化ジルコニウム層、酸化鉛層および前記複合酸化物層が多結晶もしくはアモルファス状態で形成される請求項１〜４のいずれかの強誘電体薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、強誘電体薄膜の製造法に関し、より詳しくは、電子部品、特に半導体記憶装置に用いられるチタン酸ジルコン酸鉛強誘電体薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
チタン酸ジルコン酸鉛強誘電体薄膜は、その強誘電体特性を生かし、強誘電体メモリー素子に適用されている。チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法としては、主として高周波スパッタリング法やゾルゲル法が用いられている。
【０００３】
例えば、Japanese Journal of Applied Physics, Vol.32, pp.4122-4125 "Preparation and Characterization of Pb(Zrx Ti1-x )O3  Thin Films by Reactive Sputtering Using an Alloy Target" には金属複合ターゲットを用いたスパッタリング法によるチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の形成例が、また、Ferroelectrics, Vol.116, pp79-93 "Recent Results on Switching,Fatigue and Electrical Characterization of Sol-Gel based PZT Capacitors"にはゾルゲル法を用いたチタン酸ジルコン酸鉛の形成例が示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが従来の製造方法で作られたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜は、分極反転を繰り返すと著しくその強誘電性劣化することが知られている。例えばJapanese Journal of Applied Physics, Vol.32, pp.4122-4125 "Preparation and Characterization of Pb(Zrx Ti1-x )O3 Thin Films by Reactive Sputtering Using an Alloy Target"に示されるチタン酸ジルコン酸鉛薄膜では約１０8 程度、Ferroelectrics, Vol.116, pp79-93 "Recent Results on Switching,Fatigue and Electrical Characterization of Sol-Gel based PZT Capacitors"に示されるチタン酸ジルコン酸鉛薄膜では１０8 程度の回数で薄膜の分極値が劣化してしまうことが知られている。
【０００５】
このような特性を持つチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を図１（この図において、５が強誘電体膜である）に示すような破壊読み出し型強誘電体メモリー素子の強誘電体キャパシタに応用した場合、記憶情報が強誘電体薄膜の分極値に依存するため、結果として情報の書き込み、読み出し回数可能回数が十分でなく、強誘電体メモリーの実用上最大の問題となっている。なお、図１において、１はＳｉ基板、２はフィールド酸化層、３はフィールド酸化層、４は下部電極、５は強誘電体膜、６は上部電極、７は層間絶縁層、８は層間絶縁層、９はビット線、１０はドライブ線、１１は層間絶縁層、１２はソース、１３はゲート、そして１４はドレインである。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するため、分極可能回数が著しく改善されたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜である強誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（５）の本発明によって達成される。
（１）  チタン酸ジルコン酸鉛を構成するために形成された酸化チタン層と酸化ジルコニウム層と酸化鉛層とを備える厚さ３〜６ｎｍの積層膜ユニット、あるいはチタン、ジルコニウムおよび鉛から任意に選択された２種の金属の複合酸化物層と、残りの金属の酸化物層またはこの残りの金属および前記２種の金属のうち一方の金属の複合酸化物とを備える厚さ３〜６ｎｍの積層膜ユニットを周期的に積層した積層体薄膜を形成し、この積層体薄膜を熱処理し、これによって前記積層体薄膜を一体のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜とすることを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
（２）  前記積層膜ユニットの厚さを、３〜５．４ｎｍとすることを特徴とする上記（１）の強誘電体薄膜の製造方法。
（３）  前記積層膜ユニットの厚さを、４．５〜５．４ｎｍとすることを特徴とする上記（１）又は（２）の強誘電体薄膜の製造方法。
（４）  積層膜をスパッタリング法により形成する上記（１）〜（３）のいずれかの強誘電体薄膜の製造方法。
（５）  前記酸化チタン層、酸化ジルコニウム層、酸化鉛層および前記複合酸化物層が多結晶もしくはアモルファス状態で形成される上記（１）〜（４）のいずれかの強誘電体薄膜の製造方法。
【０００８】
【作用および効果】
本発明においては、上記したように、チタン酸ジルコン酸鉛を構成するために形成された酸化チタン層と酸化ジルコニウム層と酸化鉛層とを備える厚さ１．２〜７ｎｍの積層膜ユニット、あるいはチタン、ジルコニウムおよび鉛から任意に選択された２種の金属の複合酸化物層と、残りの金属の酸化物層またはこの残りの金属および前記２種の金属のうち一方の金属の複合酸化物とを備える厚さ１．２〜７ｎｍの積層膜ユニットを周期的に積層した積層体薄膜を形成し、この積層体薄膜を熱処理し、これによって前記積層体薄膜を一体のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜としたところ、分極可能回数が著しく改善された。
【０００９】
【具体的構成】
本発明に従って製造される強誘電体薄膜は、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜である。
【００１０】
本発明の強誘電体薄膜の製造方法にあたっては、まず、チタン酸ジルコン酸鉛を構成するために形成された酸化チタン層と酸化ジルコニウム層と酸化鉛層とを備える厚さ１．２〜７ｎｍの積層膜ユニット、あるいはチタン、ジルコニウムおよび鉛から任意に選択された２種の金属の複合酸化物層と、残りの金属の酸化物層またはこの残りの金属および前記２種の金属のうち一方の金属の複合酸化物とを備える厚さ１．２〜７ｎｍの積層膜ユニットを周期的に積層した積層体薄膜形成する。
【００１１】
この積層体薄膜を、酸化チタン層と、酸化ジルコニウム層と、酸化鉛層とで構成する場合、例えば、図２に示したような層構成とすることができる。
【００１２】
各積層膜ユニットの厚さは、１．２〜７ｎｍとする。各積層膜ユニットの厚さが７ｎｍを超えると、熱処理時に膜が層状に剥離する現象が発生してしまい、１．２ｎｍ未満であると、得られたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜は、その分極反転可能回数が減少し、従来技術で製造されたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜に近づいてしまう。なお、各積層膜ユニットの厚さは、２〜７ｎｍ、特に４〜６ｎｍが好ましい。
【００１３】
上記積層膜ユニットを構成する各層の厚さは、それぞれ最終的に目的とするチタン酸ジルコン酸鉛の組成と、１ユニットの厚みとから各酸化物の比重を顧慮して決定される。例えば、目的とするチタン酸ジルコン酸鉛の組成がＰｂ（Ｚｒ0.5 Ｔｉ0.5 ）Ｏ3 で、１ユニットの厚さが５ｎｍであれば、酸化チタン層、酸化ジルコニウム層および酸化鉛層の各膜厚は、それぞれ約１．６ｎｍ、１．３ｎｍおよび２．１ｎｍとなる。
【００１４】
なお、層が２種の金属の複合酸化物で構成される場合には、形成する複合酸化物の比重と、目的とするチタン酸ジルコン酸鉛の組成と、上記１ユニットの厚さにより各層の膜厚が決定される。
【００１５】
また、積層体薄膜全体の膜厚（以下、全体膜厚と称することがある）は１００〜１０００ｎｍ程度であることが好ましい。上記全体膜厚が１００ｎｍ未満である場合には、良好な強誘電性が得ずらく、一方、１０００ｎｍを超えると、強誘電体薄膜を駆動するために必要な電圧が高くなりすぎる傾向がある。この積層体薄膜全体の膜厚と積層膜ユニットの膜厚を考慮すると、上記積層膜ユニットの周期数は、５０〜２００であることが好ましい。
【００１６】
そして、各層の酸化物は、多結晶状態かアモルファス状態であることが好ましい。
【００１７】
また、各積層膜ユニットは、以上説明した各酸化物層を備えるならば、ユニットの膜厚の条件を満足し、目的とする組成が得られることを条件として、構成する酸化物層の層数は何層であってもよい。
【００１８】
上記各層はスパッタリング法により形成することが好ましい。
【００１９】
本発明において、このスパッタ法は、例えば、図３に示すようなスパッタ装置を用いて行うことが好ましい。なお、このスパッタ装置においては、各金属を単独、すなわちチタン金属、ジルコニウム金属、鉛金属を単独で供給し、それぞれ酸素と反応させて酸化チタン層、酸化ジルコニウム層および酸化鉛層を形成する場合について説明する。
【００２０】
このスパッタ装置は、チタン金属ターゲット１５、第一のスパッタリングカソード１６、第二のスパッタリングカソード１７、ジルコニウム金属ターゲット１８、第三のスパッタリングカソード１９、鉛金属ターゲット２０、基板ホルダー２１、スパッタリングチャンバー２２、第一の高周波電源２３、第二の高周波電源２４、第三の高周波電源２５および基板２６を備えている。
【００２１】
上記基板ホルダー２１は、回転軸を中心として回転するものであり、その下面の外周部分に基板２６が取り付けられている。したがって、上記回転軸を中心として惑星運動（公転）を行う。この際、自転を行ってもよい。
【００２２】
そして、この惑星運動の軌跡の下方に上記の各ターゲットが周方向に並べられて配置されている。
【００２３】
スパッタの際の雰囲気は、ターゲットとして、金属または合金を用いる場合には、反応性スパッタリングを行うため、酸化性ガスとすることが好ましい。この酸化性ガスは、上記金属または合金を適切に酸化させて酸化物膜を形成することができるものであるなら、どのような酸化性ガスであってもよいが、通常不活性ガス（例えばＡｒ）とＯ2 の混合ガスが用いられ、このとき、Ｏ2 が１０％以上であることが好ましく、純Ｏ2 を用いてもよい。
【００２４】
スパッタは、各ターゲットに高周波電力を印加して行う。ここで、高周波とは、１ｋＨｚ〜１００ＧＨｚ程度のものをいう。ｒｆ電源によく用いられる１３．５６ＭＨｚを含むものである。印加電力は、各ターゲット材の飛散しやすさ（しにくさ）を勘案して、それに応じた大きさ（Ｗ）の電力とする。
【００２５】
スパッタは、基板ホルダーを回転させ、基板を惑星運動させながら行い、各金属の酸化物の層を順次形成積層して行う。このとき、上記回転数は、目的とする膜厚を勘案して、０．５〜２０ｒｐｍ程度とすることが好ましい。この回転は、ステップ回転（間欠回転）であってもよく、この場合には、回転数は上記より遅くてもよい。
【００２６】
以上のスパッタリング法により、図２に示されたような積層体薄膜が得られる。
【００２７】
以上、ターゲット材を単一金属の場合について説明したが、ターゲット材としては、各金属の酸化物であってもよく、また合金や複合酸化物であってもよい。酸化物の場合には焼結体を用いることが好ましい。ターゲット材として、酸化物を用いる場合には、不活性ガスを用いることが好ましい。金属の酸化物膜を形成するために酸素が足りない場合には、適宜酸素を供給するようにしてもよい。
【００２８】
上記の積層体薄膜は、さらに熱処理される。この熱処理は、酸化性雰囲気（通常大気で、純酸素であってもよい）中で、６００〜８００℃、好ましくは６５０〜７５０℃で、１０秒以上（上限は、通常２時間程度）行われる。熱処理温度が６００℃未満であると、反応が充分でなく、８００℃を超えると、膜中の鉛成分が蒸発し、得られたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の組成が目的の組成からずれるおそれがある。
【００２９】
以上により、ほぼ一体のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜である強誘電体薄膜が得られる。このチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の組成は、Ｐｂ１＋Ｘ（ＺｒＹＴｉ１−Ｙ ）Ｏ３＋Ｘ （ここで、０≦Ｘ≦０．３、０＜Ｙ≦０．９５である）であることが好ましい。この場合、Ｙは０．１以上であるとより好ましい結果が得られる。
【００３０】
上記チタン酸ジルコン酸鉛薄膜は、添加物として、Ｍｎ、Ｎｂ等を１wt％以下含んでいてもよい。
【００３１】
本発明のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜である強誘電体薄膜は、残留分極値として、５〜２３μＣ／ｃｍ2 程度の値が得られる。そして、比誘電率を７００以下、特に１００以下程度とすることができる。
【００３２】
上記チタン酸ジルコン酸鉛薄膜における平均グレイン径は、２０〜１０００ｎｍ程度であることが好ましく、本発明において、特に好ましい分極反転回数示したものでは、ほぼ２０〜４０ｎｍの平均グレイン径を示した。このグレイン径は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：ＣｕＫα線）スペクトルの（１１１）ピークの半値幅からシェーラーの式で求めたものである。
【００３３】
さらに、本発明の上記チタン酸ジルコン酸鉛薄膜においては、イオンエッチングしたとき、そのエッチング面に、図４のＴＥＭ写真に示されているように、基板に平行に層状の何らかの欠陥を反映すると考えれらる層状のイオエッチングダメージ層が観察された。本発明者らは、本発明のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の著しく改善された分極反転可能回数について次のように推察している。
【００３４】
現在、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の分極反転劣化現象に関しては、種々のモデルが提案されており、例えば分極反転を繰り返した結果、強誘電体膜内部の酸素欠陥が移動し、強誘電体と電極との界面に蓄積され、分極反転時の分域壁の移動を妨げることによって、分極反転が不可能となるモデルや、強誘電体が分極反転時に機械的に大きく歪むため、その歪みが膜内部に蓄積され機械的に膜構造が破壊されるモデルなどが提案されている。
【００３５】
これらのモデルに当てはめて本発明のチタン酸ジルコン酸鉛の構造を考察すれば、本強誘電体膜の層状構造が、分極反転時に移動する酸素欠陥層を何らかの形でトラップし強誘電体と電極との界面への蓄積を妨げているか、もしくは層状構造により、層間のチタン酸ジルコン酸鉛単結晶層の機械的歪みが緩和され、分極反転時の歪みを吸収し、その結果分極反転可能回数が増加しているのではないかと考える。
【００３６】
本発明のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜は、常法の半導体回路形成方法により基板状に形成され組み込まれて、上記図１に示す構造とされて、強誘電体メモリー素子とされる。
【００３７】
強誘電体メモリー素子においては、自発分極値変化率が２０％を超えないことが好ましく、本発明の強誘電体メモリー素子においては、分極可能回数が１０9 回以上、特に１０10回以上、さらには１０11回以上であることが好ましい。
【００３８】
本発明の製造法を用いれば、分極可能回数が著しく改善されたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜が製造できるため、例えばこの薄膜を強誘電体メモリーの強誘電体コンデンサに応用すれば、実用上無限回の情報の書き込み、読み出しが可能となる。
【００３９】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００４０】
スパッタ装置は図３に示した構造のものを用い、各カソードにはそれぞれチタン、ジルコニウム、鉛の金属ターゲットがスパッタリング蒸着源として装着されている。
【００４１】
まず、予め熱酸化法により基板表面上に膜厚３００nmのＳｉＯ2 層を形成し、さらに膜厚１００nmの多結晶白金膜を形成したＳｉ単結晶（１００）基板２６を基板ホルダー２１に装着し、サンプルNo. １〜５用として、基板を表１に示した回転数、すなわち３．４ｒｐｍ、２．８ｒｐｍ、１．９ｒｐｍ、１．１ｒｐｍそして０．５ｒｐｍと変化させて連続回転させた。次に、スパッタリングチャンバー２２を排気装置にて１０-4Ｐａ真空まで排気し、その後、高純度アルゴンガスに酸素を２０％混合したガスをスパッタリングガスとして装置内に０．５Ｐａの圧力となるように導入した。
【００４２】
次に、鉛金属ターゲット２０を装着したカソード１９に５５Ｗの高周波電力を、ジルコニウム金属ターゲット１８を装着したカソード１７に３００Ｗの高周波電力を、更にチタン金属ターゲット１５を装着したカソード１６に４００Ｗの高周波電力をそれぞれ同時に投入した。この後、所定時間のプレスパッタリングを行った上で、図示しないシャッターを開き成膜を開始した。
【００４３】
このとき基板２６上には各ターゲット上位置にてそれぞれ酸化鉛、酸化ジルコニウム、酸化チタンの積層膜がそれぞれのターゲットの酸化反応性スパッタリングにより連続的に形成された。
【００４４】
本実施例では、上記条件にて基板２６上には、表１に示すように一回転で０．２５nmから１０nmに相当する積層膜ユニットが形成され、その平均組成はＰｂ1.05（Ｚｒ0.6 Ｔｉ0.4 ）Ｏ3.05であった。この組成は、電子線マイクロアナライザーで確認した。
【００４５】
【表１】
0003681196.tif 000002
【００４６】
この積層行程を所定回数繰り返し、全て最終膜厚が３００nmの積層体薄膜を形成した。したがって、積層膜ユニットの繰り返し回数は各サンプルで異なっている。
【００４７】
次に、このチタン酸ジルコン酸鉛周期構造膜を赤外線熱処理炉にて酸素雰囲気中７００℃にて１０分間熱処理し、サンプルNo. １〜５の強誘電体薄膜を形成した。これらの強誘電体薄膜の組成を電子線マイクロアナライザーで分析したところ、全てがＰｂ1.05（Ｚｒ0.6 Ｔｉ0.4 ）Ｏ3.05であった。また、サンプルNo. １〜５の平均グレイン径をＸ線回折（ＸＲＤ：ＣｕＫα線）により測定した。その結果を表１に示した。なお、サンプルNo. ５のＸ線回折（ＸＲＤ：ＣｕＫα線）パターンを図５に示した。この図５には、Ｐｂ1.05（Ｚｒ0.6 Ｔｉ0.4 ）Ｏ3.05（図には、ＰＺＴで示した）の（１１１）面からの回折ピークが観察されている。
【００４８】
また、サンプルNo. ２〜５を６５０℃と７５０℃と温度を変化させて熱処理を行っても平均グレイン径は２０〜６５ｎｍの範囲であり、特にサンプルNo. ４および５については、２０〜４０ｎｍの範囲であった。
【００４９】
また、サンプルNo. １〜５の強誘電体薄膜のイオンエッチング面をＴＥＭにより観察したところ、本発明の実施例のサンプルNo. ２〜５について、上記図４のＴＥＭ写真に示したような、基板に平行なイオンエッチング欠陥が観察された。なお、図４のＴＥＭ写真は、サンプルNo. ５のものである。
【００５０】
さらに、比較のためのサンプルNo. ６用として、上記目的組成のチタン酸ジルコン酸鉛の焼結体をターゲットとしてスパッタリング法により、上記の同じ基板上に膜厚３００ｎｍのチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を形成した。スパッタリングの条件は上記と同等とした。なお、基板の回転は行わなかった。また、このようにして得られたチタン酸ジルコン酸鉛薄膜をサンプルNo. １〜５と同条件で熱処理して、サンプルNo. ６の強誘電体薄膜を得た。なお、積層膜ユニットの厚さを７．５ｎｍとしたものは、熱処理中に剥離が生じてしまい強誘電体薄膜のサンプルを得ることができなかった。
【００５１】
これらのサンプルNo. １〜６につき、比誘電率εｒ、初期残留分極値Ｐｒｉを測定した。誘電特性の測定に際しては、サンプル上にＰｔ膜（厚さ１００ｎｍ）を形成して上部電極とした。その結果を上記表１に示した。
【００５２】
表１から分かるように、本発明の実施例では、低εｒと高Ｐｒｉが得られた。なお、サンプルNo. ４についての電圧−分極値特性ヒステリシス線を図６のグラフに示した。なお、これと同様に、サンプルNo. ２、３および５についても良好な電圧−分極値特性ヒステリシスが得られた。
【００５３】
上記サンプルＮｏ．１〜６の強誘電体薄膜を図１に示した構造の強誘電体メモリー素子の強誘電体膜５として組み込み、分極反転試験を行った。その結果を、図７のグラフに示した。積層膜ユニット厚０．８ｎｍのサンプルＮｏ．１の強誘電体薄膜は、積層体薄膜を形成せずに最初からＴｉ−Ｚｒ−Ｐｂの複合酸化物薄膜として形成されたサンプルNo. ６の結果とほぼ同等であった。これに対して、本発明の積層膜ユニット厚範囲のサンプルNo. ２〜５では、分極反転可能回数が改善され、特にサンプルＮｏ．４および５では著しく改善があった。
【００５４】
これにより、本発明の強誘電体薄膜を備える強誘電体メモリー素子は、従来のメモリーの書き込み、読み出し回数が少ないという問題を解決することが可能となる。
【００５５】
なお、本実施例では、各カソードに供給する高周波電力を最適化し、基板を連続回転させて基本一周期の積層膜を形成したが、基板を各カソード上に適切な時間停止させ、ステップ回転させることで積層膜を形成しても同様な効果が得られた。酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化鉛をターゲットとして用いて、本発明の強誘電体薄膜を形成しても上記と同等の効果が得られた。また、基本積層膜ユニットの各構成層をチタン、ジルコニウム、鉛の任意の組み合わせによる２種の金属の複合酸化物と、残りの金属の酸化物とで構成したり、例えばチタン酸鉛とジルコン酸鉛で構成したりしても同様の効果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】強誘電体メモリー素子の断面図である。
【図２】本発明によるチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の熱処理前の構造の１例を示す概念図である。
【図３】本発明の強誘電体薄膜の製造方法を実施するスパッタ装置の構造の１例を示す説明図である。
【図４】本発明によるチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の熱処理後のイオンミリング面の結晶構造を示す図面代用写真であって、ＴＥＭによる上記結晶構造を示す図である。
【図５】本発明の実施例によるサンプルNo. ５のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜のＸ線回折パターンを示す図である。
【図６】本発明の実施例によるサンプルNo. ４についての電圧−分極値特性ヒステリシス線を示すグラフ図である。
【図７】サンプルNo. １〜６につき分極反転試験を行った結果を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１  Ｓｉ基板
２  フィールド酸化層
３  フィールド酸化層
４  下部電極
５  強誘電体膜
６  上部電極
７  層間絶縁層
８  層間絶縁層
９  ビット線
１０  ドライブ線
１１  層間絶縁層
１２  ソース
１３  ゲート
１４  ドレイン
１５  チタン金属ターゲット
１６  第一のスパッタリングカソード
１７  第二のスパッタリングカソード
１８  ジルコニウム金属ターゲット
１９  第三のスパッタリングカソード
２０  鉛金属ターゲット
２１  基板ホルダー
２２  スパッタリングチャンバー
２３  第一の高周波電源
２４  第二の高周波電源
２５  第三の高周波電源
２６  基板
【図１】
0003681196.tif 000003
【図２】
0003681196.tif 000004
【図３】
0003681196.tif 000005
【図４】
0003681196.tif 000006
【図５】
0003681196.tif 000007
【図６】
0003681196.tif 000008
【図７】
0003681196.tif 000009