(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔の一方の面に感光性樹脂からなる絶縁層を形成し、所定のマスクを用いて露光した後現像することにより、前記絶縁層に両面導通用の開口部を形成するとともに、該開口部を介して前記金属箔の一部を露出させ、前記開口部の内部を含む前記絶縁層の表面全体及び前記金属箔の他方の面にそれぞれ少なくとも電解めっき層を含む金属層を形成し、次いで各所定パターンのエッチングレジスト層に沿って前記金属箔および前記金属箔の他方の面に形成された前記金属層をエッチングするとともに前記絶縁層の表面全体に形成された金属層をエッチングすることにより、両面の配線パターンを形成するとともに、前記開口部の部分に残存する前記金属層によって両面導通部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
金属箔の一方の面に感光性樹脂からなる絶縁層を形成し、所定のマスクを用いて露光した後現像することにより、前記絶縁層にデバイスホールを形成するとともに、該デバイスホールを介して前記金属箔の一部を露出させ、前記デバイスホールの内部を含む前記絶縁層の表面全体及び前記金属箔の他方の面にそれぞれ金属層を形成し、次いで各所定パターンのエッチングレジスト層に沿って前記金属箔および前記金属箔の他方の面に形成された前記金属層をエッチングするとともに前記絶縁層の表面全体に形成された金属層をエッチングすることにより、両面の配線パターンを形成するとともに、前記デバイスホールの内部に残存する前記金属箔および前記金属層によってフィンガリードを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
両面配線基板の製造方法としては、パネルめっき法、パターンめっき法、セミアディティブ法等が知られている。ところで、このような方法で製造される配線基板においては、ベースとなる絶縁板にスルーホールとなる開口部を形成することが多い。
【０００３】
このような配線基板の製造方法についてパネルめっき法の場合を例に説明すると、まず、図３（Ａ）に示すような絶縁板１の上下両面に銅箔２、２が設けられた銅張積層板３を用意する。そして、図３（Ｂ）に示すように、銅張積層板３の所定の位置にスルーホールとなる両面導通用の開口部４をドリリングまたはそれに代わる機械的な方法によって形成する。次に、図３（Ｃ）に示すように、開口部４の内部および銅張積層板３の上下両面に無電解銅めっき層５、５および電解銅めっき層６、６を順次形成する。次に、上面側の電解銅めっき層６の上面の所定の箇所、つまり形成すべき上面側の配線パターンに対応する箇所に上面側のエッチングレジスト層７を印刷やフォトリソグラフィ等によって形成し、また同様にして下面側の電解銅めっき層６の下面の所定の箇所にも下面側のエッチングレジスト層８を形成する。次に、エッチングを行うと、図３（Ｄ）に示すように、不要な部分の電解銅めっき層６、６、無電解銅めっき層５、５および銅箔２が除去され、これにより上面側の配線パターン９および下面側の配線パターン１０が形成される。この場合、開口部４の部分における電解銅めっき層６、６、無電解銅めっき層５、５および銅箔２は上下のエッチングレジスト層７、８によって覆われているので、この部分はエッチングされずに残存し、この残存する部分によって両面導通部１１が形成されることになる。この後、両エッチングレジスト層７、８を剥離すると、図３（Ｅ）に示すように、上下両面の配線パターン９、１０が両面導通部１１を介して電気的に接続された両面配線基板が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のこのような配線基板の製造方法では、ドリリングまたはそれに代わる機械的な方法を用いて銅張積層板３にスルーホールとなる両面導通用の開口部４を形成しているので、ドリルの材質や加工精度の面から形成できる開口部４の孔径および孔ピッチの微細化に限界があり、また、ドリルの位置精度にも限界があり、ひいてはパターン密度の向上に限界があるという問題があった。また、例えばＴＡＢテープのように、デバイスホール内に突出させたフィンガリード（インナーリード）に半導体チップ（電子部品）を接続するようにした配線基板の場合には、デバイスホールの内部に突出させたフィンガリードを形成することができず、したがってフィンガリード自体を両面導通部とした両面配線構造にすることができないという問題があった。なお、パターンめっき法およびセミアディティブ法については説明を省略したが事情は同様である。
この発明の目的は、パターン密度のより一層の向上を図ることができる配線基板の製造方法を提供することにある。
また、この発明の他の目的は、両面配線構造であっても、デバイスホールの内部に突出させたフィンガリードを形成することができる配線基板の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、金属箔の一方の面に感光性樹脂からなる絶縁層を形成し、所定のマスクを用いて露光した後現像することにより、前記絶縁層に両面導通用の開口部を形成するとともに、該開口部を介して前記金属箔の一部を露出させ、前記開口部の内部を含む前記絶縁層の表面全体及び前記金属箔の他方の面にそれぞれ少なくとも電解めっき層を含む金属層を形成し、次いで各所定パターンのエッチングレジスト層に沿って前記金属箔および前記金属箔の他方の面に形成された前記金属層をエッチングするとともに前記絶縁層の表面全体に形成された金属層をエッチングすることにより、両面の配線パターンを形成するとともに、前記開口部の部分に残存する前記金属層によって両面導通部を形成するものである。
請求項２記載の発明は、金属箔の一方の面に感光性樹脂からなる絶縁層を形成し、所定のマスクを用いて露光した後現像することにより、前記絶縁層にデバイスホールを形成するとともに、該デバイスホールを介して前記金属箔の一部を露出させ、前記デバイスホールの内部を含む前記絶縁層の表面全体及び前記金属箔の他方の面にそれぞれ金属層を形成し、次いで各所定パターンのエッチングレジスト層に沿って前記金属箔および前記金属箔の他方の面に形成された前記金属層をエッチングするとともに前記絶縁層の表面全体に形成された金属層をエッチングすることにより、両面の配線パターンを形成するとともに、前記デバイスホールの内部に残存する前記金属箔および前記金属層によってフィンガリードを形成するものである。
【０００６】
【作用】
請求項１記載の発明によれば、金属箔の一方の面に感光性樹脂からなる絶縁層を形成し、所定のマスクを用いて露光した後現像することにより、前記絶縁層に両面導通用の開口部をフォトリソグラフィーによって形成することができるので、両面導通用の開口部を極小径、極狭ピッチで形成することができ、したがってパターン密度のより一層の向上を図ることができる。
請求項２記載の発明によれば、金属箔の一方の面に感光性樹脂からなる絶縁層を形成し、所定のマスクを用いて露光した後現像することにより、前記絶縁層にデバイスホールを形成し、そしてこの後の工程で両面配線パターンとデバイスホールの内部に突出されたフィンガリードとを形成することができるので、デバイスホール内に突出させたフィンガリードを形成することができる。
【０００７】
【実施例】
図１（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれこの発明の一実施例における配線基板の各製造工程を示したものである。そこで、これらの図を順に参照しながら、両面導通部を備えた配線基板の製造方法について説明する。
【０００８】
まず、図１（Ａ）に示すように、厚さ１５〜４０μｍ程度の銅箔（金属箔）２１の上面にコーティング、キャスティング、ラミネート等の方法により感光性ポリイミド等の感光性樹脂からなる絶縁層２２を２５〜５０μｍ程度の厚さに形成する。なお、ラミネートによる場合は銅箔２１の上面に絶縁層２２を接着剤を介して接着する。次に、所定のマスク（図示せず）を用いて絶縁層２２を露光した後現像することにより、図１（Ｂ）に示すように、絶縁層２２の所定の位置にスルーホールとなる両面導通用の開口部２３を形成するとともに、この開口部２３を介して銅箔２１の一部を露出させる。このとき、銅箔２１と絶縁層２２とを接着剤を介して接着している場合には、開口部２３の部分における接着剤をエッチング除去する。
【０００９】
次に、図１（Ｃ）に示すように、触媒付与を行った後無電解銅めっきを行うことにより、開口部２３内に露出した銅箔２１の上面を含む開口部２３の内部および絶縁層２２の上面に上面側の無電解銅めっき層２５を形成するとともに、銅箔２１の下面に下面側の無電解銅めっき層２６を形成する。次に、電解銅めっきを行うことにより、上面側の無電解銅めっき層２５の上面に上面側の電解銅めっき層２７を形成するとともに、下面側の無電解銅めっき層２６の下面に下面側の電解銅めっき層２８を形成する。この状態では、上面側の無電解銅めっき層２５および上面側の電解銅めっき層２７によって上面側の金属層２９が形成され、下面側の無電解銅めっき層２６および下面側の電解銅めっき層２８によって下面側の金属層３０が形成されている。次に、上面側の金属層２９の上面の所定の箇所、つまり形成すべき上面側の配線パターンに対応する箇所にフォトレジストからなる上面側のエッチングレジスト層３１を形成し、また同様にして下面側の金属層３０の下面の所定の箇所にも下面側のエッチングレジスト層３２を形成する。
【００１０】
次に、両エッチングレジスト層３１、３２をエッチングマスクとしてエッチングを行うと、不要な部分の両金属層２９、３０および銅箔２１が除去され、これにより図１（Ｄ）に示すように、上面側の金属層２９によって上面側の配線パターン３３が形成されるとともに、銅箔２１および下面側の金属層３０によって下面側の配線パターン３４が形成される。この場合、開口部２３の部分における両金属層２９、３０および銅箔２１は上下のエッチングレジスト層３１、３２によって覆われているので、この部分はエッチングされずに残存する。そして、開口部２３の内部に残存する上面側の金属層２９によって両面導通部３５が形成され、この両面導通部３５を介して配線パターン３３、３４が電気的に接続されている。この後、両エッチングレジスト層３１、３２を剥離すると、図１（Ｅ）に示すように、両面の配線パターン３３、３４が両面導通部３５を介して電気的に接続された配線基板が得られる。
【００１１】
このようにして得られた配線基板では、スルーホールとなる両面導通用の開口部２３をドリリング等の機械的な方法で形成せず、感光性樹脂からなる絶縁層２２を所定のマスクを用いて露光した後現像することによりフォトリソグラフィーによって形成しているので、開口部２３を極小径、極狭ピッチで形成することができ、ひいては両面導通部３５を極小径、極狭ピッチで形成することができ、パターン密度のより一層の向上を図ることができる。
【００１２】
次に、図２（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれこの発明の他の実施例における配線基板の各製造工程を示したものである。そこで、これらの図を順に参照しながら、両面導通部およびデバイスホールの内部に突出させたフィンガリードを備えた配線基板の製造方法について説明する。
【００１３】
まず、図２（Ａ）に示すように、厚さ１５〜４０μｍ程度の銅箔（金属箔）４１の上面に上記一実施例の場合と同様にして感光性ポリイミド等の感光性樹脂からなる絶縁層４２を２５〜５０μｍ程度の厚さに形成する。次に、所定のマスク（図示せず）を用いて絶縁層４２を露光した後現像することにより、図２（Ｂ）に示すように、絶縁層４２の所定の位置にスルーホールとなる両面導通用の開口部４３およびデバイスホール４４を形成するとともに、これら開口部４３およびデバイスホール４４を介して銅箔４１の各一部を露出させる。
【００１４】
次に、図２（Ｃ）に示すように、触媒付与を行った後無電解銅めっきを行うことにより、開口部４３およびデバイスホール４４内に露出した銅箔４１の各一部を含む開口部４３およびデバイスホール４４の各内部と絶縁層４２の上面とに上面側の無電解銅めっき層４５を形成するとともに、銅箔４１の下面に下面側の無電解銅めっき層４６を形成する。次に、電解銅めっきを行うことによって、上面側の無電解銅めっき層４５の上面に上面側の電解銅めっき層４７を形成するとともに、下面側の無電解銅めっき層４６の下面に下面側の電解銅めっき層４８を形成する。この状態では、上面側の無電解銅めっき層４５および上面側の電解銅めっき層４７によって上面側の金属層４９が形成され、下面側の無電解銅めっき層４６および下面側の電解銅めっき層４８によって下面側の金属層５０が形成されている。次に、上面側の金属層４９の上面の所定の箇所、つまり形成すべき上面側の配線パターンに対応する箇所にフォトレジストからなる上面側のエッチングレジスト層５１を形成し、また同様にして下面側の金属層５０の下面の所定の箇所にも下面側のエッチングレジスト層５２を形成する。
【００１５】
次に、両エッチングレジスト層５１、５２をエッチングマスクとしてエッチングを行うと、不要な部分の両金属層４９、５１および銅箔４１が除去され、これにより図２（Ｄ）に示すように、上面側の金属層４９によって上面側の配線パターン５３が形成されるとともに、銅箔４１および下面側の金属層５０によって下面側の配線パターン５４が形成される。この場合、両面導通用の開口部４３の部分においては、上記一実施例の場合と同様に、両面導通部５５が形成され、この両面導通部５５を介して両面の配線パターン５３、５４が電気的に接続されている。また、デバイスホール４４においては、その内部での周縁部の両金属層４９、５０および銅箔４１の所定の箇所、つまり形成すべきフィンガリードに対応する箇所が上下のエッチングレジスト層５１、５２によって覆われているので、この部分はエッチングされずに残存する。そして、デバイスホール４４の内部に残存する両金属層４９、５０および銅箔４１によってデバイスホール４４の内部に突出するフィンガリード５６が形成される。この後、両エッチングレジスト層５１、５２を剥離すると、図２（Ｅ）に示すように、両面の配線パターン５３、５４を電気的に接続する両面導通部５５およびデバイスホール４４の内部に突出されたフィンガリード５６を備えた配線基板が得られる。なお、このフィンガリード５６に半導体チップ（電子部品）５７のバンプ５８が電気的に接続される。
【００１６】
このようにして得られた配線基板では、上記一の実施例の場合と同様にスルーホールとなる両面導通用の開口部４３を極小径、極狭ピッチで形成することができ、ひいては両面導通部５５を極小径、極狭ピッチで形成することができ、パターン密度の向上を図ることができる。また、同時に両面配線パターン５３、５４とデバイスホール４４内に突出されたフィンガリード５６とを形成することができるので、デバイスホール４４の内部に突出させたフィンガリード５６を形成することができ、電子部品の電気的接続が可能となる。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１記載の発明によれば、金属箔の一方の面に感光性樹脂からなる絶縁層を形成し、所定のマスクを用いて露光した後現像することにより、前記絶縁層に両面導通用の開口部をフォトリソグラフィーによって形成することができるので、両面導通用の開口部を極小径、極狭ピッチで形成することができ、したがってパターン密度のより一層の向上を図ることができる。
請求項２記載の発明によれば、金属箔の一方の面に感光性樹脂からなる絶縁層を形成し、所定のマスクを用いて露光した後現像することにより、前記絶縁層にデバイスホールを形成し、その後の工程で両面の配線パターンとデバイスホールの内部の突出されたフィンガリードとを形成することができるので、デバイスホール内に突出されたフィンガリードを形成することができ、電子部品の電気的接続が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれこの発明の一実施例における配線基板の各製造工程の断面図。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれこの発明の他の実施例における配線基板の各製造工程の断面図。
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ従来の配線基板の各製造工程の断面図。
【符号の説明】
２１、４１  銅箔（金属箔）
２２、４２  絶縁層
２３、４３  開口部
４４  デバイスホール
２９、３０、４９、５０  金属層
３１、３２、５１、５２  エッチングレジスト層
３３、３４、５３、５４  配線パターン
３５、５５  両面導通部
５６  フィンガリード（インナーリード）
【図１】
0003648753.tif 000002
【図２】
0003648753.tif 000003
【図３】
0003648753.tif 000004