(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属球を受容する凹所が設けられ且つ任意の温度に於いて金属球を転写する側を凸とする反りを与える為の樹脂膜が設けられた形成板
からなることを特徴とする突起電極形成用基板。
【請求項２】
形成板に金属球を受容する凹所を形成してから任意の温度に於いて金属球を転写する側を凸とする反りを与える為の樹脂膜を設ける工程と、
次いで、前記凹所内を埋めた半田ペーストから金属球を生成させる工程と、
次いで、接続端子をもつウエハと平坦化され金属球を保持した前記形成板とを該接続端子と該金属球とを対向させて配置し且つ位置合わせする工程と、
次いで、前記接続端子と前記金属球とを圧着及び加熱して該金属球を該接続端子に転写する工程と、
次いで、前記形成板の平坦化を解除すると共に前記ウエハ及び該形成板を洗浄液中に浸漬して剥離する工程と
が含まれてなることを特徴とする突起電極の形成方法。
【請求項３】
形成板がシリコン・ウエハであって且つ凹所が該シリコン・ウエハを異方性エッチングして形成されたものであること
を特徴とする請求項２記載の突起電極の形成方法。
【請求項４】
形成板の平坦化及び平坦化の解除は真空チャックに依る吸引及び吸引の解除に依ること
を特徴とする請求項２或いは請求項３記載の突起電極の形成方法。
【請求項５】
形成板の平坦化は真空チャックの吸引後にセットする磁石に依って実施し且つ平坦化の解除はセットされた磁石の除去に依って実施すること
を特徴とする請求項２或いは請求項３記載の突起電極の形成方法。
【請求項６】
形成板の平坦化若しくは平坦化の助長を樹脂膜が平坦化する温度を維持して実施すること
を特徴とする請求項２乃至請求項５の何れか１記載の突起電極の形成方法。
【請求項７】
樹脂膜が異種の少なくとも二層からなり且つ形成板の平坦化及び平坦化の解除は各樹脂膜の応力が略等しくなる温度の維持及び応力に差が現れる温度の維持に依って実施すること
を特徴とする請求項２及び請求項３及び請求項６の何れか１記載の突起電極の形成方法。
【請求項８】
形成板の平坦化は形成板の表裏に形成した樹脂膜に依って実施し且つ平坦化の解除は形成板の前記凹所形成面と反対側に在る樹脂膜の除去に依って実施すること
を特徴とする請求項２或いは請求項３記載の突起電極の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハに作り込まれた複数の半導体素子に突起電極を一括して形成するのに用いて好適な突起電極形成用基板及びそれを用いた突起電極の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体素子と回路基板とを接続する為の接続端子の数は増加する傾向にあり、それに伴って接続端子のサイズは微細なものとなっている。
【０００３】
このような微細な接続端子を精度よく形成する為、Ｓｉ板を異方性エッチングして接続端子に対応する位置に四角錐形状の凹所を形成し、その凹所に半田ペーストを充填して加熱することで、凹所内に金属球を形成し、その金属球と接続端子とを位置合わせし、加熱することで接続端子上に金属球を転写し、突起電極を形成する技術が知られている（要すれば「特開平７−２４９６３１号公報」を参照）。
【０００４】
また、Ｓｉ板上にメタル・マスクを介して所定量の半田を蒸着し、その半田と接続端子とを位置合わせし、前記同様、加熱することで接続端子上に突起電極を形成する技術も知られている。
【０００５】
従来、前記何れの手段を採る場合にも、チップ単位で突起電極を形成していたが、近年はコスト・ダウンする目的で、チップに切り出す前のウエハ段階で、一括して突起電極を形成することが行われている。
【０００６】
図１０及び図１１は従来の技術に於ける一例を解説する為の工程要所に於けるウエハなどを表す要部切断説明図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
【０００７】
図１０（Ａ）参照
１０−（１）
半導体素子が作り込まれ、且つ、接続端子２が形成されたウエハ１をアップ・サイド・ダウンにして治具（図示せず）にセットすると共に四角錐形状をなす凹所４Ａが形成され且つ凹所４Ａ内に半田ペーストを加熱して形成した金属球３を保持したＳｉ板からなる形成板４を治具（図示せず）にセットして対向させる。
【０００８】
図１０（Ｂ）参照
１０−（２）
ウエハ１に於ける接続端子２と形成板４に保持された金属球３との位置合わせを行って接触させる。
【０００９】
図１１（Ａ）参照
１０−（１）
接続端子２と金属球３とが接触した状態で加熱処理を行って、金属球３を接続端子２に転写する。
【００１０】
この場合、接続端子２及び金属球３は共に微細化されているので、ウエハ１と形成板４との間のギャップＧは大変狭くなっている。
【００１１】
図１１（Ｂ）参照
１１−（２）
全体を洗浄液に浸漬し、ウエハ１と形成板４とを剥離する。
【００１２】
前記したように、ウエハ１と形成板４との間のギャップＧは狭いものになっていて、しかも、ウエハ１のサイズが大きくなっているので、洗浄液に浸漬した場合、ギャップＧ内に洗浄液が入り難く、剥離することが困難である。
【００１３】
特に、接続端子２に金属球３を転写する際にフラックスを用いた場合には剥離が困難である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、金属球を接続端子に転写してから洗浄液に浸漬してウエハと形成板とを剥離する段階で、形成板が反って洗浄液が入り易くなるようにし、ウエハと形成板との剥離を簡単且つ容易にしようとする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明では、金属球を保持する形成板に樹脂膜を成膜して、洗浄液に浸漬する際には、その樹脂膜の作用に依って形成板に反りを発生させることが基本になっているのであるが、その場合の樹脂膜は、常温で反りを生ずるものとするか、或いは、常温では平坦であるが、洗浄液に浸漬する際に何等かの手段をとることで反りを生ずるものとするかの何れかである。
【００１６】
何れにせよ、接続端子と金属球とを位置合わせして転写する際は形成板が平坦を維持し、ウエハと形成板を剥離する際には、形成板に反りを発生させなくてはならないから、それを実現するには一工夫が必要になる。
【００１７】
この場合、ポリイミド或いはエポキシなどの熱硬化性樹脂は極めて有用であって、ブレンドするなど種々な操作は必要であるが、例えばポリイミドであっても熱膨張率を異にするものを得ることは容易であり、そのなかには、常温で反りを発生し、且つ、１００〔℃〕程度に加熱すると反りが少なくなるもの、或いは、ガラス転移温度Ｔg が常温近傍にあって、常温より低温にすると反りを発生するものなど多くの特性のものが得られる。
【００１８】
図１乃至図２は種々な樹脂膜の特性を説明する為の金属球を保持した形成板及び樹脂膜を表す要部切断側面図であり、図１０及び図１１に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００１９】
図１（Ａ）参照
図示例では、形成板４に於ける半田ボールである金属球３を保持した側（以下表面側とする）と反対側（以下裏面側とする）に熱硬化性樹脂を塗布して樹脂膜５Ｂを形成し且つ適用温度を適切に選ぶことで、形成板４の上方に付記してあるような反りを発生させることができる。
【００２０】
図１（Ｂ）参照
図示例では、形成板４の表面側に熱硬化性樹脂を塗布して樹脂膜５Ａを形成し且つ適用温度を適切に選ぶことで、形成板４の上方に付記してある反りを発生させることができる。
【００２１】
図１（Ｂ）に見られる反りの向きから窺知できると思われるが、樹脂膜５Ｂと樹脂膜５Ａとは特性を異にし、且つ、適用する温度も異なっている為、樹脂膜５Ｂを形成板４の表面側に形成しても、図１（Ａ）の場合と同じ向きに反りを生じている。
【００２２】
図２（Ａ）参照
図示例では、形成板４の裏面側に熱硬化性樹脂を塗布して樹脂膜５Ｂを形成すると共に形成板４の表面側にも熱硬化性樹脂を塗布して樹脂膜５Ａを形成し且つ適用温度を適切に選ぶことで、形成板４の上方に付記してあるように反りは発生しない。
【００２３】
図２（Ｂ）参照
図示例では、図２（Ａ）について説明した例に於ける樹脂膜５Ｂを例えばレーザ・ビーム照射に依って剥離し且つ適用温度を適切に選ぶことで、形成板４の上方に付記してある反りを発生させることができる。
【００２４】
図３は樹脂膜の特性を説明する為の樹脂膜並びにデータを表す要部説明図であり、（Ａ）は樹脂膜を、また、（Ｂ）はデータを示し、図１及び図２に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００２５】
図３（Ａ）に見られるように、樹脂膜６は特性を異にする樹脂膜６Ａ及び６Ｂを積層したものからなっていて、ある温度から外れた低温或いは高温に於いて、樹脂膜６の上方に付記してある反りを発生する。
【００２６】
図３（Ｂ）は樹脂膜６Ａと樹脂膜６Ｂの特性を示すものであり、横軸には温度〔℃〕を、また、縦軸には応力〔ＭＰａ〕をそれぞれ採ってあり、図に於いて、Ａで指示してある特性線は樹脂膜６Ａに、また、Ｂで指示してある特性線は樹脂膜６Ｂにそれぞれ対応している。
【００２７】
図から明らかなように、適用温度が低い場合には、樹脂膜６Ａの応力が大きいことから、図３（Ａ）について説明した向きに反りが発生し、適用温度を高めて常温近傍に達すると反りは小さくなり、それを越えて高温になると樹脂膜６Ｂの応力が大きくなって同じく図３（Ａ）について説明した向きに反りが発生する。
【００２８】
本発明では、前記説明したような樹脂膜の様々な特性を利用し、必要なときに形成板に反りを発生させるのであるが、接続端子と金属球とを位置合わせして転写する際には形成板を平坦に維持することが必要であり、その為には、真空チャック及び磁石を用いる手段、適用する温度を適切に選択する手段、樹脂膜を複数層用いる手段などが存在し、これ等は実施の形態の説明で明らかにされる。
【００２９】
前記したところから、本発明に依る突起電極形成用基板及びそれを用いた突起電極の形成方法に於いては、
（１）
金属球（例えば半田からなる金属球３）を受容する凹所（例えば凹所４Ａ）が設けられ且つ任意の温度に於いて金属球を転写する側を凸とする反りを与える為の樹脂膜（例えば樹脂膜５）が設けられた形成板（例えば形成板４）からなることを特徴とするか、又は、
【００３０】
（２）
形成板（例えば形成板４）に金属球（例えば半田からなる金属球３）を受容する凹所（例えば凹所４Ａ）を形成してから任意の温度に於いて金属球を転写する側を凸とする反りを与える為の樹脂膜（例えば樹脂膜５）を設ける工程と、次いで、前記凹所内を埋めた半田ペースト（例えばＳｎ−Ｐｂ共晶半田ペースト）から金属球（例えば金属球３）を生成させる工程と、次いで、接続端子（例えば接続端子２）をもつウエハ（例えばシリコン・ウエハ１）と平坦化され金属球を保持した前記形成板とを該接続端子と該金属球とを対向させて配置し且つ位置合わせする工程と、次いで、前記接続端子と前記金属球とを圧着及び加熱して該金属球を該接続端子に転写する工程と、次いで、前記形成板の平坦化を解除すると共に前記ウエハ及び該形成板を洗浄液（例えばキシレン）中に浸漬して剥離する工程とが含まれてなることを特徴とするか、又は、
【００３１】
（３）
前記（２）に於いて、形成板がシリコン・ウエハであって且つ凹所が該シリコン・ウエハを異方性エッチングして形成されたものであることを特徴とするか、或いは、
【００３２】
（４）
前記（２）或いは（３）に於いて、形成板の平坦化及び平坦化の解除は真空チャック（例えば基台１１に設けられた真空吸引孔１１Ａ及び真空源）に依る吸引及び吸引の解除に依ることを特徴とするか、又は、
【００３３】
（５）
前記（２）或いは（３）に於いて、形成板の平坦化は真空チャックの吸引後にセットする磁石（例えば磁石１４）に依って実施し且つ平坦化の解除はセットされた磁石の除去に依って実施することを特徴とするか、又は、
【００３４】
（６）
前記（２）乃至（５）の何れか１に於いて、形成板の平坦化若しくは平坦化の助長を樹脂膜が平坦化する温度を維持して実施することを特徴とするか、又は、
【００３５】
（７）
前記（２）及び（３）及び（６）の何れか１に於いて、樹脂膜（例えば樹脂膜６：図３参照）が異種の少なくとも二層（例えばポリイミド膜６Ａ及び６Ｂ：図３参照）からなり且つ形成板の平坦化及び平坦化の解除は各樹脂膜の応力が略等しくなる温度の維持及び応力に差が現れる温度の維持に依って実施することを特徴とするか、又は、
【００３６】
（８）
前記（２）或いは（３）に於いて、形成板の平坦化は形成板の表裏に形成した樹脂膜（例えば樹脂膜５Ａ及び５Ｂ：図２参照）に依って実施し且つ平坦化の解除は形成板の前記凹所形成面と反対側に在る樹脂膜（樹脂膜５Ｂ：図２参照）の除去に依って実施することを特徴とする。
【００３７】
前記手段を採ることに依り、ウエハの接続端子に形成板に保持した金属球を転写した後、形成板に反りを発生させてウエハとのギャップを大きくして洗浄液の流入量を多くすることが可能になり、ウエハと形成板とは容易に剥離することができる。また、形成板が反ることで応力が発生して剥離が促進され、反りを生じない形成板を使用した場合に比較して速く剥離することができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
図４乃至図７は本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける形成板及びウエハなどを表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、図１乃至図３に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００３９】
図４（Ａ）参照
４−（１）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、エッチャントをＫＯＨとするウエット・エッチング法を適用することに依り、主面の面指数が＜１１０＞である直径約１５〔ｃｍ〕（６〔インチ〕）のＳｉ板からなる形成板４の異方性エッチングを行って、半導体素子が作り込まれたウエハに於ける接続端子（図示せず）に対応する位置に金属球を受容することが可能な四角錐形状の凹所４Ａを形成する。
【００４０】
４−（２）
スピン・コート法を適用することに依り、常温に於いて形成板４に反りを与えることができる熱硬化性樹脂であるポリイミドを形成板４の裏面に塗布して樹脂膜５を形成する。
【００４１】
前記塗布について具体的に説明すると、形成板４にポリイミドを滴下し、回転数を５００〔ｒｐｍ〕として１０〔秒〕間、引き続いて、回転数を１５００〔ｒｐｍ〕に変更してから３０〔秒〕間それぞれ実施した。
【００４２】
４−（３）
温度８０〔℃〕として時間３０〔分〕のプリ・ベーキングを行い、低沸点溶媒をある程度逸散させてから、温度３５０〔℃〕として時間１〔時間〕の熱処理を行って樹脂膜５を硬化させる。尚、硬化後の樹脂膜５の厚さは約１０〔μｍ〕である。
【００４３】
４−（４）
樹脂膜５が形成され、図示のような反りをもった形成板４を真空吸引孔１１Ａをもつ基台１１上に載置する。
【００４４】
図４（Ｂ）参照
４−（５）
真空吸引孔１１Ａに接続された真空源（図示せず）、即ち、真空チャックを作動させて形成板４を基台１１に引き付けて平坦化する。
【００４５】
４−（６）
印刷技術を適用することに依り、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田ペースト３Ａを凹所４Ａを埋めるように塗布する。尚、１２はスキージを示している。
【００４６】
図５（Ａ）参照
５−（１）
約２３０〔℃〕に加熱して凹所４Ａ内の半田ペースト３Ａを溶融してから凝固することで半田からなる金属球３を形成する。
【００４７】
図５（Ｂ）参照
５−（２）
半導体素子が作り込まれ、且つ、接続端子２をもつウエハ１を治具（図示せず）に装着して形成板４と対向させ、接続端子２と金属球３との位置合わせを行う。尚、この場合、形成板４が平坦化されていることから、位置合わせは高精度で行うことができる。
【００４８】
図６（Ａ）参照
６−（１）
ウエハ１の接続端子２と形成板４が保持している金属球３とを当接し、加熱して金属球３を接続端子２に転写する。尚、この場合、形成板４は真空チャックで吸引したままの状態であるから、全体を加熱炉に入れるようなことはできず、従って、例えば基台１１に加熱手段を作り付けるなどの構成にすることが必要である。
【００４９】
図６（Ｂ）参照
６−（２）
真空チャックに依る吸引を解除するとウエハ１及び形成板４などの全体がフリーになり、この時、樹脂膜５の応力が大きい場合には形成板４に反りが発生するが、応力が小さい場合には、直ちに反りが発生することはなく、洗浄液に浸漬されて外周部のフラックスが洗浄されるにつれて次第に反ることになる。
【００５０】
図７参照
７−（１）
全体をキシレンからなる洗浄液中に浸漬すると、ウエハ１と形成板４との間には、形成板４の反りに起因する大きなギャップが生成されているので、洗浄液は容易に侵入して、ウエハ１と形成板４とは約２０〔分〕程度で剥離することができた。因みに、従来の技術に依った場合、剥離するのに約２〔時間〕〜３〔時間〕を要していた。
【００５１】
前記説明した実施の形態１に依れば、金属球３からなる良好で欠損がない突起電極（バンプ）をウエハ１の接続端子２上に形成することができた。
【００５２】
図８及び図９は本発明に於ける実施の形態２を説明する為の工程要所に於ける形成板及びウエハなどを表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、図１乃至図７に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００５３】
図８（Ａ）参照
８−（１）
実施の形態２に於いて、凹所４Ａ内に半田からなる金属球３を保持した形成板４を接続端子２をもつウエハ１と対向させるまでの工程は、実施の形態１と同じであるから省略して、その次の工程から説明する。
【００５４】
本実施の形態では、形成板４を真空吸引孔１１Ａをもつ基台１１に引き付けて平坦化するに際し、形成板４と基台１１との間に固定用治具板１３を介在させてあり、この固定用治具板１３は磁性体を主材とするもので、磁石を用いて引き付けることができるものを用いる。
【００５５】
図８（Ｂ）参照
８−（２）
ウエハ１の接続端子２と形成板４が保持している金属球３との位置合わせを行ってから当接し、ウエハ１を治具（図示せず）から解放し、且つ、適所に磁石１４を載置し、ウエハ１及び形成板４を介して固定用治具板１３を吸引することに依り、間に在るウエハ１と形成板４とを抑え込むようにする。
【００５６】
図９及び図７参照
９−（１）
真空チャックに依る吸引を解除すると、ウエハ１及び形成板４は固定用治具板１３及び磁石１４に依って挟持されたままの状態で基台１１から取り外すことができるから、その状態でリフロー炉を通過させ、加熱することで金属球３を接続端子２に転写する。
【００５７】
９−（２）
磁石１４を除去すると、ウエハ１並びに形成板４などの全体が固定用治具板１３からも解放されてフリーになり、図７に見られるように、形成板４には反りが戻ることになる。
【００５８】
９−（３）
この後、実施の形態１と同様、全体をキシレンからなる洗浄液中に浸漬すると、ウエハ１と形成板４との間には、形成板４の反りに起因する大きなギャップが生成されているので、洗浄液は容易に侵入して、ウエハ１と形成板４とは約２０〔分〕程度で剥離することができた。
【００５９】
ところで、樹脂膜５をもつ形成板４が、適用温度の如何に依り、平坦になったり、或いは、反りを生じたりすることを利用すれば、真空チャックや磁石を用いる必要はなくなるが、接続端子２と金属球３とを位置合わせする際、及び、洗浄液に浸漬する際には形成板４の温度制御を行うことが必要であり、次に、その実施の形態を例示説明する。
【００６０】
温度制御に依存する場合の１例を実施の形態３として説明する。
（１）
Ｓｉ板からなる形成板４に金属球を受容する凹所４Ａを形成し、形成板４の裏面に樹脂膜５を形成し、凹所４Ａ内に半田からなる金属球３を形成するまでの工程は実施の形態１及び２と殆ど変わりないが、真空チャックは用いないこと、及び、樹脂膜５の材料として温度１００〔℃〕程度で形成板４を平坦化する作用をもつポリイミドを用いていること、の点で相違している。尚、真空チャックを用いないので、形成板４の凹所４Ａに半田ペーストを塗布する際、温度を１００〔℃〕程度に上昇させて実施すると良い。
【００６１】
（２）
約１００〔℃〕程度に加熱して形成板４を平坦な状態にして、接続端子２をもつウエハ１と対向させ、接続端子２と金属球３との位置合わせを行う。
【００６２】
（３）
ウエハ１の接続端子２と形成板４が保持している金属球３とを当接し、温度２００〔℃〕で加熱圧着を行って金属球３を接続端子２に仮固定する。
【００６３】
（４）
ピーク温度を２３０〔℃〕としてリフローを行って、接続素子２上に金属球３を完全に転写した。
【００６４】
（５）
全体を常温のキシレンからなる洗浄液中に浸漬すると、ウエハ１と形成板４との間には、形成板４の反りに起因するギャップが生成される為、洗浄液は容易に侵入し、実施の形態１及び実施の形態２と同様、ウエハ１と形成板４とは約２０〔分〕程度で剥離することができた。
【００６５】
温度制御に依存する場合の他の例を実施の形態４として説明する。尚、ここでは、形成板４に二種類の樹脂膜を積層する方法を採用している。
（１）
Ｓｉ板からなる形成板４に金属球を受容する凹所４Ａを形成し、形成板４の裏面に樹脂膜６を形成し、凹所４Ａ内に半田からなる金属球３を形成するまでの工程と真空チャック並びに磁石を用いない点では実施の形態３と変わりないが、形成板４に形成する樹脂膜６は、二種類のポリイミド膜６Ａ及び６Ｂを積層したものからなっていて、その特性は、図３について説明したものと同様である。
【００６６】
（２）
樹脂膜６を構成する二種類のポリイミド膜６Ａ及び６Ｂは常温に於いて互いの反りが干渉し合うので、形成板４には殆ど反りが現れず、従って、そのままの状態で形成板４と接続端子２をもつウエハ１とを対向させ、接続端子２と金属球３との位置合わせを行う。
【００６７】
（３）
ウエハ１の接続端子２と形成板４が保持している金属球３とを当接し、温度２３０〔℃〕に加熱することでリフローを行ない、接続端子２上に金属球３を転写する。
【００６８】
（４）
全体を常温以下にしたキシレンからなる洗浄液中に浸漬すると、二種類のポリイミド膜６Ａ及び６Ｂは常温以下で応力の差が大きくなって、ウエハ１と形成板４との間に形成板４の反りに起因するギャップが生成されて洗浄液は容易に侵入し、実施の形態１乃至３と同様、ウエハ１と形成板４とは約２０〔分〕程度で剥離することができた。
【００６９】
真空チャックや磁石を用いることなく、また、温度制御も殆ど不要な例を実施の形態５として説明する。尚、ここでは、樹脂膜５の設け方に依って、平坦化及び反りの発生を実現させるものである。
（１）
Ｓｉ板からなる形成板４に金属球を受容する凹所４Ａを形成し、形成板４の裏面にポリイミドを塗布し且つ硬化させて樹脂膜を形成する。
【００７０】
（２）
形成板４の表面に感光性ポリイミドを塗布し、露光マスクを介して凹所４Ａに対応する箇所を露光し、現像を行って凹所４Ａ上のポリイミドのみを除去する。
【００７１】
（３）
他の実施の形態と全く同様にして形成板４の凹所４Ａ内に金属球３を形成するのであるが、形成板４の表裏両面に樹脂膜が形成されているので、反りは殆ど発生していない。
【００７２】
（４）
金属球３を保持した形成板４と接続端子２をもつウエハ１とを対向させ、接続端子２と金属球３との位置合わせを行う。尚、この際、形成板４を更に平坦化するには約１００〔℃〕程度に加熱すると良い。
【００７３】
（５）
ウエハ１の接続端子２と形成板４が保持している金属球３とを当接し、温度２００〔℃〕に加熱圧着を行って金属球３を接続端子２に仮固定する。
【００７４】
（６）
ピーク温度を２３０〔℃〕としてリフローを行って、接続素子２上に金属球３を完全に転写する。
【００７５】
（７）
形成板４の裏面に２００〔Ｗ〕のパワーで１〔時間〕に亙って酸素プラズマを照射する反応性イオン・エッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）を実施して樹脂膜を除去する。
【００７６】
このようにすると、形成板４の表面側のみに樹脂膜が残ることになり、その応力に起因して反りが発生する。
【００７７】
（８）
全体をキシレンからなる洗浄液中に浸漬すると、ウエハ１と形成板４との間には、形成板４の反りに起因するギャップが生成されているので、洗浄液は容易に侵入して、他の実施の形態と同様、ウエハ１と形成板４とは約２０〔分〕程度で剥離することができた。
【００７８】
本発明では、前記説明した実施の形態に限られることなく、他に多くの改変を実現することが可能であり、例えば、前記各実施の形態に於いては、形成板に反りを与える樹脂膜の材料にポリイミドを用いたが、これは他の材料、例えばエポキシやＳｉカップリング材に代替することができる。
【００７９】
Ｓｉカップリング材を具体的に例示すると、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン
ビニルトリエトキシシラン
ビニルトリメトキシシラン
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン
などである。
【００８０】
また、前記実施の形態では、形成板にシリコン・ウエハを用いたが、これはガラス・ウエハ、或いは、任意の温度で反りを有する樹脂ウエハに代替することが可能であり、更にまた、金属球は蒸着法に依って形成することもできる。但し、蒸着法を適用する場合、例えばシリコン・ウエハにメタル・マスクをかけ、真空炉中に於いて、るつぼ内に在る半田などの母合金を飛ばし、シリコン・ウエハ上に被着させることになるので、球体とはならず、截頭円錐形状になる。
【００８１】
更にまた、凹所内を埋める金属系材料がＳｎ−Ｐｂ共晶半田である場合について説明したが、この他に一般的な半田、例えばＳｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−３．３Ａｇ−３Ｂｉ−０．５Ｃｕなど、適宜に採用して良い。
【００８２】
【発明の効果】
本発明に依る突起電極形成用基板及びそれを用いた突起電極の形成方法に於いては、金属球を保持し且つ金属球を転写する側を凸とする反りを与える樹脂膜が設けられた形成板に接続端子をもつウエハを対向させ、接続端子と金属球とを位置合わせする際は形成板を平坦化し、接続端子に金属球を転写した後、洗浄液中に浸漬して形成板とウエハとを剥離する際は形成板に反りを発生させる。
【００８３】
前記構成を採ることに依り、ウエハの接続端子に形成板に保持した金属球を転写した後、形成板に反りを発生させてウエハとのギャップを大きくして洗浄液の流入量を多くすることが可能になり、ウエハと形成板とは容易に剥離することができる。また、形成板が反ることで応力が発生して剥離が促進され、反りを生じない形成板を使用した場合に比較して速く剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】種々な樹脂膜の特性を説明する為の金属球を保持した形成板及び樹脂膜を表す要部切断側面図である。
【図２】種々な樹脂膜の特性を説明する為の金属球を保持した形成板及び樹脂膜を表す要部切断側面図である。
【図３】樹脂膜の特性を説明する為の樹脂膜並びにデータを表す要部説明図である。
【図４】本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける形成板及びウエハなどを表す要部切断側面図である。
【図５】本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける形成板及びウエハなどを表す要部切断側面図である。
【図６】本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける形成板及びウエハなどを表す要部切断側面図である。
【図７】本発明に於ける実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける形成板及びウエハなどを表す要部切断側面図である。
【図８】本発明に於ける実施の形態２を説明する為の工程要所に於ける形成板及びウエハなどを表す要部切断側面図である。
【図９】本発明に於ける実施の形態２を説明する為の工程要所に於ける形成板及びウエハなどを表す要部切断側面図である。
【図１０】従来の技術に於ける一例を解説する為の工程要所に於けるウエハなどを表す要部切断説明図である。
【図１１】従来の技術に於ける一例を解説する為の工程要所に於けるウエハなどを表す要部切断説明図である。
【符号の説明】
１  ウエハ
２  接続端子
３  金属球
３Ａ  Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田ペースト
４  形成板
４Ａ  凹所
５  樹脂膜
５Ａ  樹脂膜
５Ｂ  樹脂膜
６  樹脂膜
６Ａ  樹脂膜
６Ｂ  樹脂膜
１１  基台
１１Ａ  真空吸引孔
１２  スキージ
１３  固定用治具板
１４  磁石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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