(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク形状の光記録媒体からの全反射光量のピーク電圧値を検出する第１の波形ピーク検出手段と、該第１の波形ピーク検出手段の出力電圧を第１の時定数で保持する第１のコンデンサと、前記第１のコンデンサの充電電圧を分圧して出力する第１の分圧手段と、全反射光量信号が前記第１の分圧手段の出力電圧を下回ったことを検出して全反射光量信号のドロップアウトを示すドロップアウト検出信号を出力する第２の比較器とを具備した、前記ドロップアウト検出信号をサーボを制御する制御手段に出力する第１のドロップアウト検出手段を有し、光記録媒体に対する情報の記録および／もしくは光記録媒体からの記録情報の再生を行う光ディスク装置であって、前記第１のドロップアウト検出手段は、更に前記第１のコンデンサに接続してその充電時間を遅らせる第１の抵抗と、開放時に前記第１の抵抗を前記第１のコンデンサに接続し閉路時に前記第１の抵抗を短絡する第１のスイッチ手段と、前記第１のコンデンサの充電電圧と第１の基準電圧とを比較して該第１のコンデンサの充電電圧が第１の基準電圧を超えたときは前記第１のスイッチ手段を開放しそれ以外ときは該第１のスイッチ手段を閉じる第１の比較器とを備え、前記第１のスイッチ手段が開放されたとき前記第１の抵抗を前記第１のコンデンサに接続して第１の増加時定数を形成し、前記第１のコンデンサの充電を遅らせるようにしたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
ディスク形状の光記録媒体から情報を再生した再生信号のピーク電圧値を検出する第２の波形ピーク検出手段と、該第２の波形ピーク検出手段から出力した再生信号のピーク値を第２の時定数で保持する第２のコンデンサと、前記第２のコンデンサの充電電圧を分圧して出力する第２の分圧手段と、前記再生信号が前記第２の分圧手段の出力電圧を下回ったことを検出して再生信号のドロップアウトを示すドロップアウト検出信号を出力する第４の比較器とを具備した、前記ドロップアウト検出信号をサーボを制御する制御手段に出力する第２のドロップアウト検出手段を有し、光記録媒体に対する情報の記録および／もしくは光記録媒体からの記録情報の再生を行う光ディスク装置であって、前記第２のドロップアウト検出手段は、更に前記第２のコンデンサに接続してその充電時間を遅らせる第２の抵抗と、開放時に前記第２の抵抗を前記第２のコンデンサに接続し閉路時に前記第２の抵抗を短絡する第２のスイッチ手段と、前記第２のコンデンサの充電電圧と第２の基準電圧とを比較して該第２のコンデンサの充電電圧が第２の基準電圧を超えたときは前記第２のスイッチ手段を開放しそれ以外ときは該第２のスイッチ手段を閉じる第３の比較器と、前記光記録媒体から情報を再生した再生信号の波高値のエンベロープ波形のピーク電圧値を検出する第３の波形ピーク検出手段と、該第３の波形ピーク検出手段から出力した再生信号を前記第２の時定数より短い第３の時定数で保持する第３のコンデンサとを備え、前記第２のスイッチ手段が開放されたとき前記第２の抵抗を前記第２のコンデンサに接続して第２の増加時定数を形成し、前記第２のコンデンサの充電を遅らせるようにしたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
ディスク形状の光記録媒体に対する情報の記録および／もしくは光記録媒体からの記録情報の再生を行う光ディスク装置であって、光記録媒体上の記録可能領域と再生専用領域とを判別して領域判定信号を出力する領域判定手段と、前記領域判定信号により前記記録可能領域においては請求項１に記載の第１のドロップアウト検出手段を選択し、前記再生専用領域においては請求項２に記載の第２のドロップアウト検出手段を選択して、その何れかから得られたドロップアウト信号をサーボを制御する制御手段に出力する選択手段とを具備することを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生情報のドロップアウトを検出するドロップアウト検出手段を有する光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンパクトディスク（以下、ＣＤと略記する）やミニディスク（以下、ＭＤと略記する）のようにディスク形状の光記録媒体に情報の記録および／もしくはそのような光記録媒体に記録された情報の再生を行う光ディスク装置が広く普及しつつある。光ディスク装置では、一般に、ディスク表面にゴミや汚れなどの異物が付着することによる再生情報の欠落またはドロップアウト（以下、単にドロップアウトという）とか、ディスクの製造工程やディスクの使用中に生ずる傷等によるドロップアウト等が発生する場合がある。ドロップアウトが発生すると、光ピックアップのトラッキング制御やフォーカス制御が外れる恐れがあるため、ドロップアウトに対する対策が必要となる。
【０００３】
ＣＤには再生専用の光ディスクシステムがあり、再生専用の光ディスクシステムにおいては、常に情報信号が記録されていることが保証されているので、再生された情報信号の欠落に基づき、再生情報のドロップアウトを検出する方法を採るのが一般的である。（特開平１―９２９７２号公報を参照）。
【０００４】
しかし、例えば、ＭＤのように記録および再生が可能なディスク装置においては、記録可能領域に対し未だ記録されていない状態の領域もあり得るため、このような場合には、再生情報信号の欠落を監視する方法ではドロップアウトを検出することができない。そのため、記録可能領域を含むディスク装置においては、光ディスクからの全反射光量の低下を監視する方法によりドロップアウトの検出を行うようにしている。
【０００５】
以下、図６及び図７を参照して、上記従来のドロップアウトを検出するドロップアウト検出手段を有する光ディスク装置の一例について説明する。
図６は従来の光ディスク装置の一例の構成を示すブロック図、図７は図６に示す光ディスク装置のドロップアウト検出手段の各部の動作による電圧の値（波形）を示すタイミング図である。図６において、３９は光ディスクによる全反射光量に比例した直流電圧信号である全反射光量信号を検出する全反射光量検出手段であり、光ディスクによる全反射光量が増大したときにこの全反射光量信号の電圧は上昇する。４０はドロップアウト検出信号ｑを生成するドロップアウト検出手段である。
【０００６】
また、４１はダイオード４４と、コンデンサ４５と、コンデンサ４５の充電電圧を放電させる電流源４６と、アンプ４７と、分圧手段４８とにより構成され、入力した全反射光量信号のピーク電圧値を検波しそれを大きな時定数で保持する低周波成分検出手段である。ここで、ダイオード４４及びコンデンサ４５は全反射光量信号のピーク電圧値を保持するよう作用する。尚、ダイオード４４の順方向電圧による電圧ロスは全反射光量検出手段３９内部において電気的に補償が行われる。
【０００７】
また、４６はコンデンサ４５の電荷を徐々に放電させてコンデンサ４５の充電電圧の電圧値ｎを徐々に低下させる電流源、４８は抵抗４８ａと抵抗４８ｂとで構成され、アンプ４７を通してコンデンサ４５の充電電圧の電圧値ｎを抵抗４８ａ及び抵抗４８ｂによる所定の分圧比で分圧してその出力信号の電圧値ｐを比較器４３の＋側入力に入力する分圧手段、４２はダイオード４９と電流源５０とアンプ５１とにより構成され、全反射光量信号をバッファしてその出力信号の電圧値ｑを比較器４３の−側入力に入力するバッファである。尚、バッファ４２の構成要素であるダイオード４９と電流源５０とアンプ５１とは、それぞれ、ダイオード４４と電流源４６とアンプ４７と電気的な特性バランスを保つために設けられる。
【０００８】
尚、ダイオード４４の場合と同様に、ダイオード４９の順方向電圧による電圧ロスは全反射光量検出手段３９の内部で電気的に補償が行われる。また、４３は＋側入力電圧と−側入力電圧との比較を行い、＋側入力電圧、すなわち分圧手段４８の出力信号の電圧値ｐが、−側入力電圧すなわちバッファ４２の出力信号の電圧値ｍよりも高い場合に、Ｈレベルのドロップアウト検出信号ｑを出力し、＋側入力電圧が−側入力電圧より低い場合はＬレベルのドロップアウト検出信号ｑを出力する比較器である。
【０００９】
また、５２は光ピックアップのフォーカス制御またはトラッキング制御を行う制御手段であり、ドロップアウト検出手段４０がドロップアウト検出信号ｑをＨレベルとして出力している間は、制御手段５２はフォーカス制御またはトラッキング制御に対し制御のホールド（現在状態の維持）を行うなどの保護処理動作を実行し、ドロップアウト発生によるサーボ外れを防止する。通常、光ディスク表面のゴミなどに起因するドロップアウトの発生は、例えば約１ｍｓ程度と短時間であるため、サーボ制御のホールドを行うなど、保護処理動作を行ってもサーボ系に破綻をきたすようなことはない。
【００１０】
以下、図６及び図７を参照して、上記従来のドロップアウト検出手段を有する光ディスク装置の動作について説明する。
図７において、横軸は時間、縦軸は電圧値である。電圧値（波形）として、ｍはバッファ４２の出力信号の電圧値、ｎはコンデンサコンデンサ４５の充電電圧の電圧値、ｐは分圧手段４８の出力信号の電圧値であり、これらの各符号は、図６に示すものと同一の符号で示す部分の動作を表すものであり、０Ｖを基準に重ね合わせて表示している。また、矩形波信号ｑは比較器４３の出力であるドロップアウト検出信号を示すＨ及びＬレベルからなるディジタル信号である。
【００１１】
まず、図７において、区間ｔ１５に見られるように、ドロップアウトが発生しない場合の動作を説明する。すなわち、このときは、全反射光量信号の電圧はほとんど変動しないため、分圧手段４８の出力信号の電圧値ｐは、バッファ４２の出力信号の電圧値ｍより低い。従って、比較器４３は、ドロップアウト検出信号ｑをＬレベルとして出力する。それは、ドロップアウト発生なしを示す。従って、制御手段５２はフォーカス制御またはトラッキング制御に対して通常の動作を行う。
【００１２】
次に、図７において、区間ｔ１６に示すように、光ディスク表面のゴミや汚れなど、異物の付着に起因するドロップアウトの発生によって、全反射光量信号が一時的に急激に低下した場合について説明する。全反射光量信号が一時的に低下すると、バッファ４２の出力信号の電圧値ｍは全反射光量信号の電圧低下に従って急激に低下する。
【００１３】
一方、分圧手段４８の出力信号の電圧値ｐはコンデンサ４５により保持されているため、区間ｔ１６においても、区間ｔ１５における電圧値からほとんど変化せず、コンデンサ４５と電流源４６とにより決定される時定数に従って徐々に電圧が低下するのみである。したがって、分圧手段４８の出力信号の電圧値ｐは、ゴミや汚れなどの異物付着に起因するドロップアウトが発生した区間ｔ１６では、バッファ４２の出力信号の電圧値ｍより高くなる。従って、比較器４３はドロップアウト検出信号ｑとしてドロップアウトの発生を示すＨレベルを出力する。そのため、制御手段５２はフォーカス制御またはトラッキング制御に対し、サーボ制御のホールドなど保護処理動作を行ってサーボ外れを防止する。
【００１４】
次に、区間ｔ１７に示すように、ドロップアウト通過後の各部の動作によるそれぞれの信号の電圧値を説明する。バッファ４２の出力信号の電圧値ｍは全反射光量信号の電圧回復に従って、区間ｔ１５におけるときと同じ電圧に戻るため、比較器４３の出力信号であるドロップアウト検出信号ｑはドロップアウト発生なしを示すＬレベルとなる。従って、制御手段５２はフォーカス制御またはトラッキング制御に対し、再び通常の動作を実行する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなドロップアウト検出手段を有する従来の光ディスク装置においては、サーボ動作の安定性向上を図るため、本来、ドロップアウト検出信号の信頼性が要求される。
【００１６】
ところで、ＭＤ等の光磁気ディスク（以下、光ディスクで総称する）では、光磁気材料の記録層の裏側にアルミニウムなどの好光反射率材料からなる反射層が設けられる。アルミニウムなどからなる反射層の光の反射率は、光磁気記録を行うための誘電体や磁器材料等の記録層の光の反射率より大きい。光ディスクの製造上の欠陥などにより記録層にピンホールが生じアルミの反射層が露出すると、一時的に光ディスクからの反射光量信号が増大する。この現象は上記で説明した光ディスク表面のゴミや汚れなどの異物付着に起因するドロップアウト発生時とは異なる。このような、一時的に反射光量信号が増大する現象は、光ディスク装置の記録再生動作切換時の過渡期などにおける装置の起動時及び設定切換時にも発生することがある。
【００１７】
しかしながら、上記従来のドロップアウト検出手段を有する光ディスク装置においては、記録層のピンホール等光ディスクの傷により反射光量が増大するドロップアウトが発生した場合とか、または装置の起動時及び設定切換の過渡状態において反射光量が一時的に増大した場合等においては、長時間に亘りドロップアウトを誤検出してしまう場合があるという問題があった。
【００１８】
以下、図６及び図７を参照して、上記従来のドロップアウト検出手段を有する光ディスク装置における誤検出について説明する。例えば、図７の区間ｔ１８における各信号の電圧値は、区間ｔ１７に比べ、光ディスクの傷等により反射光量が急激に増大した場合の各部の動作により変化したそれぞれの信号の電圧値を示す。バッファ４２の出力信号の電圧値ｍは反射光量の増大に伴って急激に高くなりピークに達する。分圧手段４８の出力信号の電圧値ｐもまた、コンデンサ４５が保持する全反射光量信号のピーク電圧値が急激に高くなるため、それに従って急激に高くなる。
【００１９】
区間ｔ１９は、区間ｔ１８における光ディスクの傷等により、反射光量が急激に増大した状態から反射光量が元の正常値に戻った場合の各部の動作により変化した信号の電圧値を示す。区間ｔ１９において、バッファ４２の出力信号の電圧値ｍは元の正常値に戻るが、一旦コンデンサ４５に充電された電圧は、コンデンサ４５と電流源４６とによって決まる大きな時定数に従い、徐々にしか低下しないため、分圧手段４８の出力信号の電圧値ｐが元の値まで降下するには長い時間を必要とする。従って、比較器４３はドロップアウト検出信号ｑをドロップアウトの発生を示すＨレベルとして長時間出力したままとなる。この間、制御手段５２はフォーカス制御またはトラッキング制御に対しサーボ制御のホールドなど保護処理動作を長時間行うこととなるため、その結果、サーボが追従できなくなり、サーボ外れが発生するという問題があった。
【００２０】
本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたもので、反射光量が一時的に増大する場合に、ドロップアウト検出信号の長時間に亘る誤検出を防止する光ディスク装置を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明による光ディスク装置は、光ディスクからの反射光量に対応した全反射光量信号のピーク値もしくは光ディスクに記録された情報を再生した再生信号の波高値のエンベロープ波形のピーク値が基準電圧を超えたことを検知して、所定の時定数を有し全反射光量信号のピーク値もしくは再生信号の波高値のエンベロープ波形のピーク値を保持するようにしたコンデンサに直列抵抗を接続して、その充電時間を遅らせるよう時定数を変更し、前記ピーク値の基準電圧を超える上昇を抑えるようにしたものである。
【００２２】
ドロップアウトが発生して反射光量が増大した場合、または装置の起動時及び設定切換の過渡状態において反射光量が一時的に増大した場合でも、ドロップアウト終了後、前記ピーク値は速やかに下降して、ドロップアウト検出信号の長時間に亘る誤検出を防止することができる光ディスク装置が得られる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明における光ディスク装置は、ディスク形状の光記録媒体からの全反射光量のピーク電圧値を検出する第１の波形ピーク検出手段と、該第１の波形ピーク検出手段の出力電圧を第１の時定数で保持する第１のコンデンサと、前記第１のコンデンサの充電電圧を分圧して出力する第１の分圧手段と、全反射光量信号が前記第１の分圧手段の出力電圧を下回ったことを検出して全反射光量信号のドロップアウトを示すドロップアウト検出信号を出力する第２の比較器とを具備した、前記ドロップアウト検出信号をサーボを制御する制御手段に出力する第１のドロップアウト検出手段を有し、光記録媒体に対する情報の記録および／もしくは光記録媒体からの記録情報の再生を行う光ディスク装置であって、前記第１のドロップアウト検出手段は、更に前記第１のコンデンサに接続してその充電時間を遅らせる第１の抵抗と、開放時に前記第１の抵抗を前記第１のコンデンサに接続し閉路時に前記第１の抵抗を短絡して無効にする第１のスイッチ手段と、前記第１のコンデンサの充電電圧と第１の基準電圧とを比較して該第１のコンデンサの充電電圧が第１の基準電圧を超えたときは前記第１のスイッチ手段を開放しそれ以外ときは該第１のスイッチ手段を閉じる第１の比較器とを備え、前記第１のスイッチ手段が開放されたとき前記第１の抵抗を前記第１のコンデンサに接続して第１の増加時定数を形成し、前記第１のコンデンサの充電を遅らせるようにしたものであり、情報の記録および／もしくは再生動作時にドロップアウトが発生して全反射光量が増大し全反射光量信号の電圧が基準電圧を超えたときにコンデンサの充電時間を遅らせてドロップアウト検出信号の長時間に亘る誤検出を防止するという作用を有する。
【００２４】
本発明の請求項２に記載の発明における光ディスク装置は、ディスク形状の光記録媒体から情報を再生した再生信号のピーク電圧値を検出する第２の波形ピーク検出手段と、該第２の波形ピーク検出手段から出力した再生信号のピーク値を第２の時定数で保持する第２のコンデンサと、前記第２のコンデンサの充電電圧を分圧して出力する第２の分圧手段と、前記再生信号が前記第２の分圧手段の出力電圧を下回ったことを検出して再生信号のドロップアウトを示すドロップアウト検出信号を出力する第４の比較器とを具備した、前記ドロップアウト検出信号をサーボを制御する制御手段に出力する第２のドロップアウト検出手段を有し、光記録媒体に対する情報の記録および／もしくは光記録媒体からの記録情報の再生を行う光ディスク装置であって、前記第２のドロップアウト検出手段は、更に前記第２のコンデンサに接続してその充電時間を遅らせる第２の抵抗と、開放時に前記第２の抵抗を前記第２のコンデンサに接続し閉路時に前記第２の抵抗を短絡して無効にする第２のスイッチ手段と、前記第２のコンデンサの充電電圧と第２の基準電圧とを比較して該第２のコンデンサの充電電圧が第２の基準電圧を超えたときは前記第２のスイッチ手段を開放しそれ以外ときは該第２のスイッチ手段を閉じる第３の比較器と、前記光記録媒体から情報を再生した再生信号の波高値のエンベロープ波形のピーク電圧値を検出する第３の波形ピーク検出手段と、該第３の波形ピーク検出手段から出力した再生信号を前記第２の時定数より短い第３の時定数で保持する第３のコンデンサとを備え、前記第２のスイッチ手段が開放されたとき前記第２の抵抗を前記第２のコンデンサに接続して第２の増加時定数を形成し、前記第２のコンデンサの充電を遅らせるようにしたものであり、情報の再生動作時にドロップアウトが発生して再生信号の電圧が基準電圧を超えたときにコンデンサの充電時間を遅らせてドロップアウト検出信号の長時間に亘る誤検出を防止することができるとともに、ドロップアウト検出信号の生成のために全反射光量信号よりドロップアウトによる信号レベル変化の感度がも高い情報の再生信号を用いることにより、ドロップアウト検出信号の検出の応答をより早くするという作用を有する。
【００２５】
本発明の請求項３に記載の発明における光ディスク装置は、ディスク形状の光記録媒体に対する情報の記録および／もしくは光記録媒体からの記録情報の再生を行う光ディスク装置であって、光記録媒体上の記録可能領域と再生専用領域とを判別して領域判定信号を出力する領域判定手段と、前記領域判定信号により前記記録可能領域においては請求項１に記載の第１のドロップアウト検出手段を選択し、前記再生専用領域においては請求項２に記載の第２のドロップアウト検出手段を選択して、その何れかから得られたドロップアウト信号をサーボを制御する制御手段に出力する選択手段とを具備するようにしたものであり、ピットまたはグルーブ等の記録可能領域と再生専用領域とを兼ね備えた光ディスクの記録および／もしくは再生のときや、必要とするドロップアウト検出信号の検出応答時間の差によってサーボ動作の応答を選択的に切り替えることにより、ドロップアウトの検出精度を最適に向上するという作用を有する。
【００２６】
以下、添付図面、図１乃至図５に基づき、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態における光ディスク装置の構成を示すブロック図、図２は図１に示す光ディスク装置の各部の信号の電圧値によりドロップアウト検出の動作を示すタイミング図、図３は本発明の第２の実施の形態における光ディスク装置の構成を示すブロック図、図４は図３に示す光ディスク装置の各部の信号の電圧値によりドロップアウト検出の動作を示すタイミング図、図５は本発明の第３の実施の形態における光ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【００２７】
（第１の実施の形態）
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態における光ディスク装置の構成について説明する。本実施の形態における光ディスク装置の構成は、大きく分けて全反射光量検出手段１と、第１の低周波成分検出手段３と、バッファ４と、第２の比較器５と、制御手段１８とに大別される。全反射光量検出手段１は、光ディスク（光記録媒体）による全反射光量に比例した直流電圧信号である全反射光量信号を検出して、その出力信号を第１の低周波成分検出手段３及びバッファ４の双方に出力する。この全反射光量信号の電圧は光ディスクからの全反射光量が増大したときに上昇する。
【００２８】
第１の低周波成分検出手段３は、第１の波形ピーク検出手段６と、第１のコンデンサ７と、第１の放電手段（電流源）８と、第１の抵抗９と、第１のスイッチ手段１０と、第１の基準電圧１１と、第１の比較器１２と、バッファ用の第１のアンプ１３と、第１の分圧手段１４とにより構成され、全反射光量検出手段１の出力信号のピーク電圧値を検波して大きな第１の時定数で保持し、第１の分圧手段１４の出力信号の電圧値ｃとして出力する。
【００２９】
第１の波形ピーク検出手段６としては、例えばＮＰＮトランジスタやダイオード等を使用することができる。尚、第１の波形ピーク検出手段６の順方向電圧による電圧ロスは全反射光量検出手段１の内部で電気的に補償が行われる。第１のコンデンサ７としては、例えば積層セラミックコンデンサ等を使用することができる。また、第１の放電手段８は第１のコンデンサ７の充電電圧（電圧値ｂ）を第１の時定数で放電させるもので、例えばカレントミラー電流源回路等を使用することができる。
【００３０】
上記第１の時定数は、第１のコンデンサ７の容量と第１の放電手段８の電流値とによって決まり、ドロップアウトの発生により全反射光量検出手段１の出力電圧が、例えば１ｍｓに亘り急激に減少した場合でも、第１のコンデンサ７の充電電圧が大きく影響されない値に設定される。第１のスイッチ手段１０は、例えばＮＰＮトランジスタ等を使用することができ、オフ時（開放時）に第１の抵抗９の抵抗値を第１の時定数に挿入して第１のコンデンサ７の充電時間を遅らせるようにする。
【００３１】
第１の比較器１２は、第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値ｂと第１の基準電圧１１の電圧値ｅとを比較して、第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値ｂが第１の基準電圧１１の電圧値ｅを超えたときに、第１のスイッチ手段１０をオフにし（開放し）、それ以外のときは第１のスイッチ手段１０をオンにする（閉じる）。第１の基準電圧１１の電圧値ｅは、全反射光量信号が通常の全光量和信号のときの第１のコンデンサ７の充電電圧より高く設定される。第１の比較器１２としては、コンパレータ、ヒステリシスコンパレータ等を使用することができ、特にヒステリシスコンパレータはノイズによるチャタリング防止の点から好ましい。
【００３２】
第１の分圧手段１４は、分圧抵抗１４ａと分圧抵抗１４ｂとにより構成され、第１のコンデンサ７の充電電圧を第１のアンプ１３を通して所定の比により分圧して出力する抵抗である。分圧抵抗１４ａおよび分圧抵抗１４ｂとしては、例えば抵抗器などを使用することができる。第１の分圧手段１４の出力は第２の比較器５のプラス側入力に入力される。一方、バッファ４の構成要素であるダイオード１５と電流源１６とアンプ１７は、それぞれ、第１の波形ピーク検出手段６と第１の放電手段８と第１のアンプ１３と電気的な特性バランスを保つために設けられる。
【００３３】
ダイオード１５の順方向電圧による電圧ロスは、第１の波形ピーク検出手段６の場合と同様に、全反射光量検出手段１の内部で電気的に補償が行われる。バッファ４の出力は第２の比較器５のマイナス側入力に入力される。第２の比較器５は、＋側入力電圧（第１の分圧手段１４の出力信号の電圧値ｃ）と−側入力電圧（バッファ４の出力信号の電圧値ａ）との比較を行い、＋側入力電圧が−側入力電圧よりも高い場合に、ドロップアウト検出信号ｄとしてＨレベルを出力する。＋側入力電圧が−側入力電圧より低い場合はＬレベルを出力する。
【００３４】
制御手段１８は、光ピックアップのフォーカス制御またはトラッキング制御を行う。第１のドロップアウト検出手段２がドロップアウト検出信号ｄとしてＨレベルを出力している間、制御手段１８はフォーカス制御またはトラッキング制御に対し制御のホールド（現在状態の維持）を行うなどの保護処理動作を実行し、ドロップアウトの発生によるサーボ外れを防止する。通常、光ディスク表面に付着したゴミなどに起因するドロップアウトの発生は、例えば約１ｍｓ程度と短時間であるため、サーボ制御のホールドを行うなどの保護処理動作を行ってもサーボ系に破綻をきたすようなことはない。
【００３５】
次に、図１及び図２を参照して、上記のように構成された本実施の形態における光ディスク装置の動作について説明する。図２は図１に示す光ディスク装置のドロップアウトの検出動作を各部信号の波形で示したタイミング図であり、横軸は時間、縦軸は電圧値を示す。図２において、波形ａ、ｂ、ｃ、ｅは、図１において同一符号で示した部分の動作を示す波形であり、０Ｖ基準で重ね合わせて表示した電圧値である。すなわち、波形ａはバッファ４の出力信号の電圧値、波形ｂは第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値、波形ｃは第１の分圧手段１４の出力信号の電圧値、波形ｅは第１の基準電圧１１の電圧値、波形ｄはドロップアウト検出信号を示すディジタル信号である。
【００３６】
まず、図２に示す区間ｔ１の各部信号波形で示すような、ドロップアウトが発生しない状態の光ディスク装置各部の動作を説明する。このとき、全反射光量信号電圧はほとんど変動しないため、第１の分圧手段１４の出力信号の電圧値ｃはバッファ４の出力信号の電圧値ａより低い。従って、第２の比較器５はドロップアウト検出信号ｄとして、ドロップアウト発生なしを示すＬレベルを出力する。そのため、制御手段１８はフォーカス制御またはトラッキング制御に対する通常の制御動作を実行する。
【００３７】
上記のように、第１の基準電圧１１の電圧値ｅは、通常の全光量の和信号の場合における第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値ｂより高く設定されているので、区間ｔ１においては、第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値ｂは第１の基準電圧１１の電圧値ｅを下回るため、第１の比較器１２は第１のスイッチ手段１０をオンにした（閉じた）ままである。そのため、第１の時定数に対し第１の抵抗９の抵抗値は加えられない。
【００３８】
次に、図２に示す区間ｔ２の各部信号波形で示すような、光ディスク表面のゴミや汚れなど異物の付着に起因するドロップアウトの発生によって、全反射光量信号が一時的に急激に低下した状態の光ディスク装置各部の動作を説明する。このとき、バッファ４の出力信号の電圧値ａは、全反射光量信号の電圧低下に従って急激に低下する。一方、第１の分圧手段１４の出力信号の電圧値ｃは、第１のコンデンサ７により保持されているため、区間ｔ１における電圧値からほとんど変化せず、第１のコンデンサ７の容量と第１の放電手段８の電流値とによって決まる第１の時定数によって、図２に示すように、徐々に電圧が低下するのみである。
【００３９】
従って、ゴミや汚れなど異物の付着に起因するドロップアウトが発生した区間ｔ２においては、第１の分圧手段１４の出力信号の電圧値ｃは、バッファ４の出力信号の電圧値ａより高くなる。そのため、第２の比較器５は、ドロップアウト検出信号ｄをＨレベルにして、ドロップアウトの発生を知らせる。そのため、制御手段１８はフォーカス制御またはトラッキング制御に対するサーボの制御動作をホールド（現在状態の維持）するなどの保護処理動作を実行し、ドロップアウトの発生によるサーボ外れを防止する。また、区間ｔ２においても、第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値ｂは第１の基準電圧１１の電圧値ｅを下回るため、第１の比較器１２は第１のスイッチ手段１０をオンにしたままである。
【００４０】
次に、図２に示す区間ｔ３の各部信号波形で示すような、区間ｔ２におけるドロップアウトを通過した後の光ディスク装置各部の動作について説明する。バッファ４の出力信号の電圧値ａは全反射光量信号の電圧の回復に伴って区間ｔ１の時と同じ電圧に戻るため、第２の比較器５は、ドロップアウト検出信号ｄをＬレベルにして、ドロップアウト発生なしを知らせる。従って、制御手段１８はフォーカス制御またはトラッキング制御に対し、再び通常の制御動作を実行する。
【００４１】
次に、図２に示す区間ｔ４の各部信号波形で示すような、光ディスクの製造上の欠陥などにより一時的に全反射光量信号が増大する場合における光ディスク装置の動作を説明する。このような全反射光量信号が増大するドロップアウト区間においては、全反射光量の増大に伴ってバッファ４の出力信号の電圧値ａが急激に上昇してピークに達する。第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値ｂも同時に急増し始めるが、第１の基準電圧１１の電圧値ｅに達すると、第１の比較器１２は第１のスイッチ手段１０をオフにする（開放する）。
【００４２】
第１のスイッチ手段１０がオフになると、第１のコンデンサ７と直列に第１の抵抗９が挿入される。そのため、充電する時定数（以下、第１の増加時定数という）が大きくなるので充電時間が遅れ、第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値ｂおよび第１の分圧手段１４の出力電圧の電圧値ｃは、バッファ４の出力信号の電圧値ａが急増するのに対し、非常に緩やかな電圧上昇となる。その結果、ドロップアウト区間ｔ４における第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値ｂの上昇は大変低く抑えられ、第１の分圧手段１４の出力信号の電圧値ｃの上昇も大変低く抑えられる。
【００４３】
次に、図２に示す区間ｔ５の各部信号波形で示すような、全反射光量信号が増大するドロップアウト通過後の状態における光ディスク装置の動作を説明する。この状態では、バッファ４の出力信号の電圧値ａはピークから元の正常値に戻る。それと同時に、第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値ｂは、第１のコンデンサ７の容量と、第１の放電手段８の電流値と、第１の抵抗９の抵抗値とによって決まる第１の増加時定数に基づき区間ｔ４で僅かに上昇した値から非常にゆっくり低下してゆく。
【００４４】
従って、バッファ４の出力信号の電圧値ａが元の正常値に戻っても、第１のコンデンサ７の充電電圧の電圧値ｂが第１の基準電圧１１の電圧値ｅを上回る区間ｔ６の間は、第１のスイッチ手段１０はオフした（開放した）ままである。このため、区間ｔ５の初期において、バッファ４の出力信号の電圧値ａより第１の分圧手段１４の出力信号の電圧値ｃの方が上回る期間が生じ、第２の比較器５は、その期間、ドロップアウト検出信号ｄとしてドロップアウトの発生を示すＨレベルを出力する。
【００４５】
しかし、区間ｔ４で第１の分圧手段１４の出力電圧の上昇は大変低く抑えられているため、このドロップアウトの誤検出は図２のｔ７で示すように、非常に短い区間に抑えられる。このように、区間ｔ７が区間ｔ２と比較して同等もしくは短ければ、区間ｔ７におけるドロップアウトの誤検出により、サーボ外れなどによる影響が出ることはない。
【００４６】
（第２の実施の形態）
以下、図３及び図４を参照して、本発明の第２の実施の形態における光ディスク装置について説明する。本発明の第１の実施の形態における光ディスク装置においては、光ディスクによる全反射光量に比例した信号として全反射光量信号を用いてドロップアウトを検出したが、本実施の形態においては、光ディスクに記録された情報を再生した再生信号（以下ＲＦ信号と略記）の波高値のエンベロープ波形のピーク値を用いてドロップアウトの検出を行う。
【００４７】
まず、図３を参照して、本実施の形態における光ディスク装置の構成を説明する。本実施の形態における光ディスク装置の構成は大きく分けて情報再生信号検出手段１９と第２の低周波成分検出手段２１とエンベロープ検出手段２２と第４の比較器２３と制御手段１８とに大別される。情報再生信号検出手段１９は、光ディスクの情報信号を再生し増幅して、ＲＦ信号として出力するものである。光ディスクによる反射光量が増大したときにこの情報再生信号検出手段１９の出力電圧であるＲＦ信号のピーク電圧は上昇し、減少したときにピーク電圧は下降する。
【００４８】
情報再生信号検出手段１９の出力は、第２の低周波成分検出手段２１とエンベロープ検出手段２２との双方に入力される。第２の低周波成分検出手段２１は、第２の波形ピーク検出手段２４と、第２のコンデンサ２５と、第２の放電手段２６と、第２の抵抗２７と、第２のスイッチ手段２８と、第２の基準電圧２９と、第３の比較器３０と、バッファ用の第２のアンプ３１と、第２の分圧手段３２とにより構成され、情報再生信号検出手段１９から出力されたＲＦ信号の波高値を検波して第２の時定数で保持し、それを第２の分圧手段３２の出力信号の電圧値ｉとして出力する。
【００４９】
第２の波形ピーク検出手段２４としては、例えばＮＰＮトランジスタやダイオード等を使用することができる。尚、第２の波形ピーク検出手段２４の順方向電圧による電圧ロスは情報再生信号検出手段１９の内部で電気的に補償が行われる。第２のコンデンサ２５としては、例えば積層セラミックコンデンサ等を使用することができる。また、第２の放電手段２６は第２のコンデンサ２５の充電電圧（電圧値ｈ）を第２の時定数で放電させるもので、例えばカレントミラー電流源回路等を使用することができる。
【００５０】
上記第２の時定数は、第２のコンデンサ２５の容量と第２の放電手段２６の電流値とによって決まり、ドロップアウトの発生により情報再生信号検出手段１９の出力電圧が、例えば１ｍｓに亘り急激に減少した場合でも、第２のコンデンサ２５の充電電圧が大きく影響されない値に設定される。第２のスイッチ手段２８は、例えばＮＰＮトランジスタ等を使用することができ、オフ時（開放時）に第２の抵抗２７の抵抗値を第２の時定数に挿入して第２のコンデンサ２５の充電時間を遅らせるようにする。
【００５１】
第３の比較器３０は、第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値ｈと第２の基準電圧２９の電圧値ｋとを比較して、第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値ｈが第２の基準電圧２９の電圧値ｋを超えたときに、第２のスイッチ手段２８をオフにし、それ以外のときは第２のスイッチ手段２８をオンにする（閉じる）。第２の基準電圧２９の電圧値ｋは、通常のＲＦ信号の時の第２のコンデンサ２５の充電電圧より高く設定される。第３の比較器３０としては、コンパレータ、ヒステリシスコンパレータ等を使用することができ、特にヒステリシスコンパレータはノイズによるチャタリング防止の点から好ましい。
【００５２】
第２の分圧手段３２は、分圧抵抗３２ａと分圧抵抗３２b とにより構成され、第２のコンデンサ２５の充電電圧を第２のアンプ３１を通して所定の比により分圧して出力する抵抗である。分圧抵抗３２ａおよび分圧抵抗３２ｂとしては、例えば抵抗器などを使用することができる。第２の分圧手段３２の出力は第４の比較器２３のプラス側入力に入力される。
【００５３】
一方、エンベロープ検出手段２２は、第３の波形ピーク検出手段３３と電流源３４とアンプ３５と第３のコンデンサ３６とにより構成される。第３の波形ピーク検出手段３３と第３のコンデンサ３６は、光ディスクに記録された情報を再生した再生信号の波高値のエンベロープ波形のピーク電圧値を検出する。第３の波形ピーク検出手段３３と電流源３４とアンプ３５は、それぞれ、第２の波形ピーク検出手段２４と第２の放電手段２６と第２のアンプ３１と電気的な特性バランスを保つために設けられる。
【００５４】
第３のコンデンサ３６の容量は、第２のコンデンサ２５の容量に比べて極めて小さな値に設定される。従って、第３のコンデンサ３６は、第３の波形ピーク検出手段３３の出力電圧を第２の時定数より短い第３の時定数で保持することになり、後述するように、エンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇはドロップアウトに急速に反応した波形となる。また、第３の波形ピーク検出手段３３の順方向電圧による電圧ロスは、第２の波形ピーク検出手段２４と同様に、情報再生信号検出手段１９の内部で電気的に補償が行われる。
【００５５】
エンベロープ検出手段２２の出力は第４の比較器２３のマイナス側入力に入力される。第４の比較器２３は＋側入力電圧（第２の分圧手段３２の出力信号の電圧値ｉ）と−側入力電圧（エンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇ）との比較を行い、＋側入力電圧が−側入力電圧よりも高い場合に、ドロップアウト検出信号ｊとしてＨレベルを出力する。＋側入力電圧が−側入力電圧より低い場合はＬレベルを出力する。制御手段１８は、図１に示した制御手段１８と同一であり、光ピックアップのフォーカス制御またはトラッキング制御の制御動作を実行する。
【００５６】
第２のドロップアウト検出手段２０がドロップアウト検出信号ｊとしてＨレベルを検出している間、制御手段１８はフォーカス制御またはトラッキング制御に対し制御のホールド（現在状態の維持）を行うなどの保護処理動作を実行し、ドロップアウトの発生によるサーボ外れを防止する。通常、光ディスク表面に付着したゴミなどに起因するドロップアウトの発生は、例えば約１ｍｓ程度と短時間であるため、サーボ制御のホールドを行うなどの保護処理動作を行ってもサーボ系に破綻をきたすようなことはない。
【００５７】
次に、図３及び図４を参照して、上記のように構成された本実施の形態における光ディスク装置の動作について説明する。図４は図３に示す光ディスク装置のドロップアウトの検出動作を各部信号の波形で示したタイミング図であり、横軸は時間、縦軸は電圧値を示す。図４において、波形ｆ、ｇ、ｈ、ｉは、図３において同一符号で示した部分の動作を示す波形であり、０Ｖ基準で重ね合わせて表示した電圧値である。
【００５８】
すなわち、波形ｆは情報再生信号検出手段１９の出力信号であるＲＦ信号の波形、波形ｇはエンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値、波形ｈは第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値、波形ｉは第２の分圧手段３２の出力信号の電圧値、波形ｋは第２の基準電圧２９の電圧値、波形ｊはドロップアウト検出信号を示すディジタル信号である。
【００５９】
まず、図４に示す区間ｔ８の各部信号波形で示すような、ドロップアウトが発生しない状態の光ディスク装置各部の動作を説明する。このとき、ＲＦ信号のレベルはほとんど変動しないため、第２の分圧手段３２の出力信号の電圧値ｉはエンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇより低い。従って、第４の比較器２３はドロップアウト検出信号ｊとして、ドロップアウト発生なしを示すＬレベルを出力する。そのため、制御手段１８はフォーカス制御またはトラッキング制御に対する通常の制御動作を実行する。
【００６０】
上記のように、第２の基準電圧２９の電圧値ｋは、通常のＲＦ信号の場合における第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値ｈより高く設定されているので、区間ｔ８においては、第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値ｈは第２の基準電圧２９の電圧値ｋを下回るため、第３の比較器３０は第２のスイッチ手段２８をオンにした（閉じた）ままである。そのため、第２の時定数に対し第２の抵抗２７の抵抗値は加えられない。
【００６１】
次に、図４に示す区間ｔ９の各部信号波形で示すような、光ディスク表面のゴミや汚れなど異物の付着に起因するドロップアウトの発生によって、全反射光量信号が一時的に急激に低下した状態の光ディスク装置各部の動作を説明する。このとき、エンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇは、ＲＦ信号レベルの低下に従って急激に低下する。一方、第２の分圧手段３２の出力信号の電圧値ｉは第２のコンデンサ２５により保持されているため、区間ｔ８における電圧値からほとんど変化せず、第２のコンデンサ２５の容量と第２の放電手段２６の電流値とによって決まる第２の時定数によって、図４に示すように徐々に電圧が低下するのみである。
【００６２】
従って、ゴミや汚れなど異物の付着に起因するドロップアウトが発生した区間ｔ９においては、第２の分圧手段２３の出力信号の電圧値ｉは、エンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇより高くなる。そのため、第４の比較器２３は、ドロップアウト検出信号ｊをＨレベルにして、ドロップアウトの発生を知らせる。そのため、制御手段１８はフォーカス制御またはトラッキング制御に対するサーボの制御動作をホールド（現在状態の維持）するなどの保護処理動作を実行し、ドロップアウトの発生によるサーボ外れを防止する。また、区間ｔ９においても、第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値ｈは第２の基準電圧２９の電圧値ｋを下回るため、第３の比較器３０は第２のスイッチ手段２８をオンのままに維持する。
【００６３】
次に、図４に示す区間ｔ１０の各部信号波形で示すような、区間ｔ９におけるドロップアウトを通過した後の光ディスク装置各部の動作について説明する。エンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇはＲＦ信号のレベル回復に従って区間ｔ８の時と同じ電圧に戻るため、第４の比較器２３は、ドロップアウト検出信号ｊをＬレベルにして、ドロップアウト発生なしを知らせる。従って、制御手段１８はフォーカス制御またはトラッキング制御に対し、再び通常の制御動作を実行する。
【００６４】
次に、図４に示す区間ｔ１１の各部信号波形で示すような、光ディスクの製造上の欠陥などにより一時的にＲＦ信号レベルが増大する場合における光ディスク装置の動作を説明する。このような、ＲＦ信号レベルが増大するドロップアウト区間においては、ＲＦ信号レベルの増大に伴ってエンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇが急激に上昇してピークに達する。第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値ｈも同時に急増し始めるが、第２の基準電圧２９の電圧値ｋに達すると、第３の比較器３０は第２のスイッチ手段２８をオフにする（開放する）。
【００６５】
第２のスイッチ手段２８がオフになると、第２のコンデンサ２５と直列に第２の抵抗２７が挿入される。そのため、充電する時定数（以下、第２の増加時定数という）が大きくなるので充電時間が遅れ、第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値ｈおよび第２の分圧手段３２の出力電圧の電圧値ｉは、エンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇが急増するのに対し、非常に緩やかな電圧上昇となる。その結果、ドロップアウト区間ｔ１１における第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値ｈの上昇は大変低く抑えられ、第２の分圧手段３２の出力信号の電圧値ｉの上昇も大変低く抑えられる。
【００６６】
次に、図４に示す区間ｔ１２の各部信号波形で示すような、ＲＦ信号レベルが増大するドロップアウト通過後の状態における光ディスク装置の動作を説明する。この状態では、エンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇはピークから元の正常値に戻る。それと同時に、第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値ｈは、第２のコンデンサ２５の容量と、第２の放電手段２６の電流値と、第２の抵抗２７の抵抗値とによって決まる第２の増加時定数に基づき区間ｔ１１において僅かに上昇した値から非常にゆっくり低下してゆく。
【００６７】
従って、エンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇが元の正常値に戻っても、第２のコンデンサ２５の充電電圧の電圧値ｈが第２の基準電圧２９の電圧値ｋを上回る区間ｔ１３の間は、第２のスイッチ手段２８はオフしたままである。このため、区間ｔ１２の初期において、エンベロープ検出手段２２の出力信号の電圧値ｇより第２の分圧手段３２の出力信号の電圧値ｉの方が上回る期間が生じ、第４の比較器２３は、その期間、ドロップアウト検出信号ｊとしてドロップアウトの発生を示すＨレベルを出力する。
【００６８】
しかし、区間ｔ１１で第２の分圧手段３２の出力信号の電圧値ｉの上昇は大変低く抑えられているため、このドロップアウトの誤検出は図４のｔ１４で示すように、非常に短い区間に抑えられる。このように、区間ｔ１４が区間ｔ９と比較して同等もしくは短ければ、区間ｔ１４におけるドロップアウトの誤検出により、サーボ外れなどの影響が出ることはない。
【００６９】
本発明の第２の実施の形態における光ディスク装置では、ドロップアウトによる信号レベル変化の感度が全反射光量信号よりも高いＲＦ信号を用いるため、ドロップアウト検出信号の検出の応答感度が高い。
【００７０】
しかし、光磁気ディスク等の記録可能なディスクにおいて、光ディスクの記録可能領域に記録経歴がない場合には、そこにＲＦ信号が存在しないため、本実施の形態における光ディスク装置ではドロップアウトの検出はできない。従って、本実施の形態は、再生専用ディスクおよび／もしくは記録可能ディスクの再生領域において実施することができる。
【００７１】
（第３の実施の形態）
以下、図５を参照して、本発明の第３の実施の形態における光ディスク装置について説明する。本実施の形態における光ディスク装置の構成は図５に示されるが、図５において、図１及び図３に示す符号と同一の符号を有する構成要素は同様の機能を有するものであるため、更に詳細な説明は省略する。
【００７２】
また、図５において、３７は光ディスク上の記録可能領域と再生専用領域とを判別して領域判定信号を出力する領域判定手段、３８は領域判定手段３７からの領域判定信号によって記録および／もしくは情報再生を行うか、再生専用領域において情報再生を行うかを知り、記録および／もしくは情報再生を行う場合は第１のドロップアウト検出手段２を選択し、再生専用領域において情報再生を行う場合は第２のドロップアウト検出手段２０を選択するよう切り替える選択手段である。
【００７３】
次に、本実施の形態における光ディスク装置の動作を説明する。第１のドロップアウト検出手段２は、未だ情報が記録されていない記録可能領域においても適用することができ、第２のドロップアウト検出手段２０は検出の応答感度は良いが再生専用領域にのみ適用可能であるため、領域判定手段３７により両領域を判定し、選択手段３８により第１または第２のドロップアウト検出手段２または２０を適宜選択して、それぞれ、第１または第２のドロップアウト検出手段２または２０において生成されたドロップアウト検出信号を制御手段１８に送出する。そして、フォーカス制御またはトラッキング制御等の制御動作を行わせる。
【００７４】
本実施の形態においては、光ディスクの記録可能領域および／もしくは再生専用領域によってドロップアウトの検出手段を選択できるため、ドロップアウトの検出精度を最適に向上することができる。尚、本実施の形態において、光ディスクの記録可能領域および再生専用領域は、同一の光ディスク上にあっても、別個の光ディスクであってもよい。
【００７５】
【発明の効果】
本発明は上記のように構成し、特に、光ディスクからの反射光量に対応した全反射光量信号のピーク値もしくは光ディスクに記録された情報を再生した再生信号の波高値のエンベロープ波形のピーク値が基準電圧を超えたことを検知して、所定の時定数を有し全反射光量信号のピーク値もしくは再生信号の波高値のエンベロープ波形のピーク値を保持するようにしたコンデンサの充電時間を遅らせるよう時定数を変更するようにしたことにより、反射光量が増大するドロップアウトが発生した場合もしくは装置の起動時及び設定切換の過渡状態において反射光量が一時的に増大した場合にも、ドロップアウト検出信号の長時間に亘る誤検出を防止することができ、サーボが外れたり不安定になるような不具合を防止することができる。
【００７６】
また、光ディスクからの反射光量に対応した信号として、光ディスクに記録されている情報を再生した再生信号の波高値のエンベロープ波形を用いることにより、ドロップアウト検出信号の検出の応答感度をより向上することができる。
【００７７】
その上、光ディスクの記録領域および／もしくは再生専用領域等領域の違いによりドロップアウトの検出手段を選択するようにしたことにより、ドロップアウトの検出精度を最適に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における光ディスク装置の構成を示すブロック図
【図２】図１に示す光ディスク装置の各部の信号の電圧値によりドロップアウト検出の動作を示すタイミング図
【図３】本発明の第２の実施の形態における光ディスク装置の構成を示すブロック図
【図４】図３に示す光ディスク装置の各部の信号の電圧値によりドロップアウト検出の動作を示すタイミング図
【図５】本発明の第３の実施の形態における光ディスク装置の構成を示すブロック図
【図６】従来の光ディスク装置の一例の構成を示すブロック図
【図７】図６に示す光ディスク装置のドロップアウト検出手段の各部の動作による電圧の値（波形）を示すタイミング図
【符号の説明】
１、３９  全反射光量検出手段
２  第１のドロップアウト検出手段
３  第１の低周波成分検出手段
４、４２  バッファ
５  第２の比較器
６  第１の波形ピーク検出手段
７  第１のコンデンサ
８  第１の放電手段
９  第１の抵抗
１０  第１のスイッチ手段
１１  第１の基準電圧
１２  第１の比較器
１３  第１のアンプ
１４  第１の分圧手段
１５、４４、４９  ダイオード
１６、３４、４６、５０  電流源
１７、３５、４７、５１  アンプ
１８、５２  制御手段
１９  情報再生信号検出手段
２０  第２のドロップアウト検出手段
２１  第２の低周波成分検出手段
２２  エンベロープ検出手段
２３  第４の比較器
２４  第２の波形ピーク検出手段
２５  第２のコンデンサ
２７  第２の抵抗
２８  第２のスイッチ手段
２９  第２の基準電圧
３０  第３の比較器
３１  第２のアンプ
３２  第２の分圧手段
３３  第３の波形ピーク検出手段
３６  第３のコンデンサ
３７  領域判定手段
３８  選択手段
４０  ドロップアウト検出手段
４１  低周波成分検出手段
４３  比較器
４５  コンデンサ
４８  分圧手段
【図１】
0003659447.tif 000002
【図２】
0003659447.tif 000003
【図３】
0003659447.tif 000004
【図４】
0003659447.tif 000005
【図５】
0003659447.tif 000006
【図６】
0003659447.tif 000007
【図７】
0003659447.tif 000008