(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（i）金属箔上に金属層を配置し、前記金属層上に誘電体層を形成し、前記誘電体層上に導電層を形成して、コンデンサ搭載金属箔を得る工程と、
（ii）インナービアが形成されたプリプレグと前記コンデンサ搭載金属箔とを重ね、前記金属層、前記誘電体層、前記導電層を前記プリプレグに埋設する工程と、
（iii）前記プリプレグを硬化させる工程と、
（iv）前記（ii）の工程の後、前記金属箔の一部を除去することによって配線パターンを形成する工程と、を含む回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記誘電体層が、前記金属層を構成する金属の酸化物からなる請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記（i）の工程が、
（ａ−１）前記金属箔上に金属膜を形成し、前記金属膜の一部を除去する工程と、
（ａ−２）前記金属膜の一部の表面を粗面化する工程と、
（ａ−３）粗面化された前記金属膜の表面を酸化することによって前記金属層と前記誘電体層とを形成する工程と、
含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記（ａ−１）の工程が熱間圧延法または冷間圧延法によって行われ、
前記金属箔と前記金属膜とが金属結合によって接着されている請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記（ａ−２）の工程が、化学エッチング、電解エッチングおよびサンドブラスト処理から選ばれる少なくとも１つの方法で行われる請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記（ａ−３）の工程において、前記金属膜の表面を陽極酸化法によって酸化する請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜が、アルミニウム、タンタルまたはニオブからなる請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記金属箔が、銅またはニッケルからなる請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記（i）の工程が、前記金属箔上のうち前記金属層が形成されていない部分に、絶縁性の高分子層を形成する工程を含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（i）の工程が、前記金属箔上の一部に金属層を形成する工程と、前記金属層上に非導電性ポリマーからなる前記誘電体層を形成する工程とを含む請求項１に回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記導電層が、前記金属箔側から順に積層された導電性高分子層と金属からなる電極とを含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記金属層に接続された抵抗体を形成する工程をさらに備える請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記プリプレグは前記金属箔と接する側とは反対側の表面に金属膜を備え、
前記（iii）の工程は、前記プリプレグを硬化させるとともに、前記コンデンサと前記金属膜とを電気的に接続する工程を含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記金属膜の一部を除去することによる配線パターン形成工程をさらに含む請求項１３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記（iv）の工程によって得られた基板上に、前記（ｉ）の工程によってコンデンサが形成された前記金属箔とプリプレグとをさらに積層して多層基板を形成する工程を含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１６】
絶縁性の基体と、
前記基体の２つの主面上に少なくとも形成された複数の配線パターンと、
前記複数の配線パターンを接続するように前記基体の内部に形成されたインナービアと、
前記複数の配線パターンから選ばれる少なくとも１つの配線パターンの表面に形成され、前記基体の内部に配置された複数のコンデンサとを含み、
前記コンデンサが、前記少なくとも１つの配線パターン上に設けられて前記配線パターンと接している金属層と、前記金属層上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた導電層と、を含む回路基板。
【請求項１７】
前記複数の配線パターンが、前記基体の内部に形成された配線パターンを含む請求項１６に記載の回路基板。
【請求項１８】
前記コンデンサが、前記少なくとも１つの配線パターンと前記誘電体層との間に配置された金属層をさらに備え、
前記誘電体層と接する前記金属層の表面が粗面化されている請求項１６または１７に記載の回路基板。
【請求項１９】
前記誘電体層が、前記金属層を構成する金属の酸化物からなる請求項１８に記載の回路基板。
【請求項２０】
前記金属層が、アルミニウム、タンタルまたはニオブからなる請求項１９に記載の回路基板。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの配線パターンと前記金属層とが、金属結合によって接着されている請求項１８に記載の回路基板。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの配線パターンが、銅またはニッケルからなる請求項１６ないし２１のいずれかに記載の回路基板。
【請求項２３】
前記導電層が、前記少なくとも１つの配線パターン側から順に積層された導電性高分子層と金属からなる電極とを含む請求項１６に記載の回路基板。
【請求項２４】
前記電極が、銀、銅、ニッケルおよびアルミニウムから選ばれる少なくとも１つの金属からなる請求項２３に記載の回路基板。
【請求項２５】
前記導電層が、前記少なくとも１つの配線パターン側から順に積層された導電性高分子層とカーボン層とを含む請求項１６に記載の回路基板。
【請求項２６】
前記誘電体層が、非導電性ポリマーからなる請求項１７に記載の回路基板。
【請求項２７】
前記少なくとも１つの配線パターンの配線間に配置された抵抗体をさらに備える請求項１６に記載の回路基板。
【請求項２８】
前記複数のコンデンサが、前記少なくとも１つの配線パターン上にグリッドアレイ状に配置されている請求項１６に記載の回路基板。
【請求項２９】
前記複数のコンデンサのすべてが、前記インナービアに接続されている請求項１６に記載の回路基板。
【請求項３０】
前記基体が、熱硬化性樹脂と無機フィラーとを含む請求項１６に記載の回路基板。
【請求項３１】
前記基体が、熱硬化性樹脂と補強材とを含む請求項１６に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板、および回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、半導体素子の高密度、高機能化が求められている。これに伴い、半導体素子を実装するため回路基板も、小型で高密度なものが求められている。
【０００３】
さらに、高密度に半導体素子を実装すると、部品からの発熱やノイズの発生が問題となる。したがって、高密度に半導体素子を実装するためには、高密度の実装が可能で、放熱性、耐ノイズ性に優れた回路基板が必要とされる。
【０００４】
回路基板の放熱性を改良する技術として、熱硬化性樹脂と無機フィラーとを用いた熱伝導性基板が提案されている（特開平１０−１７３０９７号公報参照）。また、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを混合したシート状物を加熱・加圧することによって半導体素子の実装と封止とを同時に行う方法が提案されている（特開平１１−１６８１１２号公報）。
【０００５】
また、耐ノイズ性を高める方法としては、回路基板にノイズ除去を行うコンデンサ部品を実装することにより、高周波ノイズやリップルの吸収を行う方法が一般的である。しかしながら、コンデンサを回路基板に実装する場合には、コンデンサの搭載面積を確保するために、回路基板のサイズが大きくなってしまうという問題がある。このため、コンデンサを回路基板に内蔵する試みが行われている。
【０００６】
たとえば、セラミック基板の内部にコンデンサを形成する方法が提案されている（特開昭６２−１３１４１１号公報、特開平１−１５２６８８号公報、特開平２−３０５４９０号公報）。これらの方法は、セラミック基板材料と、基板材料と同じ条件で焼成できるセラミック誘電体材料とを多層化し、同時焼成することによってセラミック基板内にコンデンサを形成する方法である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のコンデンサ内蔵セラミック基板は、コストが高いという問題があった。また、試作や設計変更に時間がかかるという問題もあった。一方、焼結体からなる誘電体を備えるコンデンサを安価な樹脂基板内に形成する方法では、基板を積層して多層化する際に、焼結体が破壊されてしまう場合があるという問題があった。
【０００８】
上記問題を解決するため、本発明は、高密度実装が可能で、耐ノイズ性および放熱性に優れた安価な回路基板を形成できるコンデンサ搭載金属箔およびその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、高密度実装が可能で、耐ノイズ性および放熱性に優れた安価な回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の回路基板の製造方法は、金属箔上に金属層を配置し、前記金属層上に誘電体層を形成し、前記誘電体層上に導電層を形成して、コンデンサ搭載金属箔を得る工程と、（ii）インナービアが形成されたプリプレグと前記コンデンサ搭載金属箔とを重ね、前記金属層、前記誘電体層、前記導電層を前記プリプレグに埋設する工程と、（iii）前記プリプレグを硬化させる工程と、（iv）前記（ii）の工程の後、前記金属箔の一部を除去することによって配線パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。上記コンデンサ搭載金属箔は、コンデンサを備えるため、耐ノイズ性に優れた回路基板を製造できる。また、上記コンデンサ搭載金属箔は柔軟であるため、樹脂を用いて回路基板を製造でき、高密度実装が可能で放熱性に優れた安価な回路基板を製造できる。
【００１０】
なお、この明細書において、金属箔とは、膜、層、シートなどをすべて含む。この明細書では、理解を容易にするために、「金属箔」という用語と「金属膜」という用語を別の部材に用いる場合があるが、両者の意味に違いはない。
【００１１】
上記回路基板の製造方法では、前記（ａ）の工程が、（ａ−１）前記金属箔上に金属膜を形成する工程と、（ａ−２）前記金属膜の一部の表面を粗面化する工程と、（ａ−３）粗面化された前記金属膜の表面を酸化することによって前記金属層と前記誘電体層とを形成する工程と、前記（ａ−１）の工程ののちに前記金属膜の一部を除去する工程とを含んでもよい。
【００１２】
また、上記回路基板の製造方法では、前記（ａ−２）の工程が、化学エッチング、電解エッチングおよびサンドブラスト処理から選ばれる少なくとも１つの方法で行ってもよい。
【００１３】
また、前記（ａ−３）の工程において、前記金属膜の表面を陽極酸化法によって酸化を行ってもよい。
【００１４】
上記回路基板の製造方法では、前記誘電体層が、前記金属層を構成する金属の酸化物からなるものでもよい。上記構成によれば、製造が容易になる。
【００１５】
上記回路基板の製造方法では、前記金属層が、アルミニウム、タンタルまたはニオブからなるものでもよい。上記構成によれば、アルミ電解コンデンサやタンタルコンデンサなどを形成できる。
【００１６】
上記回路基板の製造方法では、前記金属箔が銅またはニッケルからなるものでもよい。上記構成によれば、低抵抗でハンダ付けが容易な配線パターンを形成できる。
【００１７】
上記配線基板の製造方法では、前記導電層が、前記金属箔側から順に積層された導電性高分子層と金属からなる電極とを含んでもよい。上記構成によれば、等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ。以下、ＥＳＲという場合がある）が小さいコンデンサを製造できる。
【００１８】
上記回路基板の製造方法では、前記誘電体層が非導電性ポリマーからなるものでもよい。非導電性ポリマーは、誘電率が低いが機械的な強度が強いため、上記構成によれば、取り扱いが容易になる。また、基板と積層したときのダメージを受けにくくなる。
【００１９】
上記配線基板の製造方法では、前記金属箔上に形成された抵抗体をさらに備えてもよい。上記構成によれば、コンデンサに加えて抵抗体も回路基板に内蔵することができ、回路基板のさらなる高密度化が図れる。
【００２０】
上記配線基板の製造方法では、前記金属箔上であって前記コンデンサが形成されていない部分に絶縁性の高分子層を備えてもよい。上記構成によれば、エッチングや酸化処理の際に、金属箔がダメージを受けることを防止できる。また、絶縁性の高分子層の高さをコンデンサの高さと略等しくすることによって、回路基板を加圧・加熱する際にコンデンサに機械的ストレスが集中することを防止できる。また、回路基板を製造する際に、絶縁性の高分子層を接着層として利用することができる。
【００２１】
また、上記回路基板の製造方法では、前記プリプレグは前記金属箔と接する側とは反対側の表面に金属膜を備え、前記（iii）の工程は、前記プリプレグを硬化させるとともに、前記コンデンサと前記金属膜とを電気的に接続する工程を含んでもよい。
【００２２】
また、上記回路基板の製造方法では、前記金属膜の一部を除去することによる配線パターン形成工程をさらに含んでもよい。
【００２３】
また、上記回路基板の製造方法では、前記（iv）の工程によって得られた基板上に、前記（ｉ）の工程によってコンデンサが形成された前記金属箔とプリプレグとをさらに積層して多層基板を形成する工程を含んでもよい。
【００２４】
また、本発明の回路基板は、絶縁性の基体と、前記基体の２つの主面上に少なくとも形成された複数の配線パターンと、前記複数の配線パターンを接続するように前記基体の内部に形成されたインナービアと、前記複数の配線パターンから選ばれる少なくとも１つの配線パターンの表面に形成され、前記基体の内部に配置された複数のコンデンサとを含み、前記コンデンサが、前記少なくとも１つの配線パターン上に設けられて前記配線パターンと接している金属層と、前記金属層上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上に設けられた導電層と、を含む。上記回路基板によれば、高密度実装が可能で、耐ノイズ性および放熱性に優れた安価な回路基板が得られる。特に、上記回路基板は、コンデンサと配線パターンとがインナービアを介して接続されるため、高周波回路のノイズ低減、および回路部品の高密度化に極めて効果的である。また、上記回路基板では、基板の厚さ方向にコンデンサを接続できるため、ＥＳＬ(equivalent series inductance)を小さくできる。
【００２５】
上記回路基板では、前記複数の配線パターンが、前記基体の内部に形成された配線パターンを含んでもよい。上記構成によれば、配線パターンが多層に形成された回路基板が得られる。これによって、自由度が高く、極めて高密度で小型な実装が可能となる。
【００２６】
上記回路基板では、前記コンデンサが、前記少なくとも１つの配線パターンと前記誘電体層との間に配置された金属層をさらに備え、前記誘電体層と接する前記金属層の表面が粗面化されていてもよい。
【００２７】
上記回路基板では、前記誘電体層が、前記金属層を構成する金属の酸化物からなるものでもよい。
【００２８】
上記回路基板では、前記金属層が、アルミニウム、タンタルまたはニオブからなるものでもよい。
【００２９】
上記回路基板では、前記少なくとも１つの配線パターンと前記金属層とが、金属結合によって接着されていてもよい。
【００３０】
上記回路基板では、前記少なくとも１つの配線パターンが、銅またはニッケルからなるものでもよい。
【００３１】
上記回路基板では、前記導電層が、前記少なくとも１つの配線パターン側から順に積層された導電性高分子層と金属からなる電極とを含んでもよい。
【００３２】
上記回路基板では、前記電極が、銀、銅、ニッケルおよびアルミニウムから選ばれる少なくとも１つの金属からなるものでもよい。
【００３３】
上記回路基板では、前記導電層が、前記少なくとも１つの配線パターン側から順に積層された導電性高分子層とカーボン層とを含んでもよい。
【００３４】
上記回路基板では、前記誘電体層が、非導電性ポリマーからなるものでもよい。
【００３５】
上記回路基板では、前記少なくとも１つの配線パターンの配線間に配置された抵抗体をさらに備えてもよい。
【００３６】
上記回路基板では、前記複数のコンデンサが、前記少なくとも１つの配線パターン上にグリッドアレイ状に配置されていてもよい。上記構成によれば、コンデンサを必要とする電源回路や信号回路の接続が容易になる
上記回路基板では、前記複数のコンデンサのすべてが、前記インナービアに接続されていてもよい。
【００３７】
上記回路基板では、前記基体が、熱硬化性樹脂と無機フィラーとを含んでもよい。上記構成によれば、放熱性が高い回路基板が得られる。また、上記構成によれば、基体の物性を均一にできるため、信頼性が高い回路基板が得られる。
【００３８】
上記回路基板では、前記基体が、熱硬化性樹脂と補強材（たとえば、織布や不織布）とを含んでもよい。上記構成によれば、従来から用いられている回路基板の材料を使用できる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら一例を説明する。なお、本発明は、以下で説明する実施の形態には限定されない。また、以下で用いる図面は、模式的な図面であり必要に応じて表示を簡略化している。
【００４０】
（実施形態１）
実施形態１では、本発明のコンデンサ搭載金属箔について一例を説明する。
【００４１】
実施形態１のコンデンサ搭載金属箔１００について、平面図を図１（Ａ）に、図１（Ａ）の線Ｘ−Ｘにおける断面図を図１（Ｂ）に示す。
【００４２】
図１（Ａ）および（Ｂ）を参照して、コンデンサ搭載金属箔１００は、金属箔１０１と、金属箔１０１上に形成された複数のコンデンサ１１０（ハッチングは省略する）および抵抗体１２０とを備える。なお、図１には、一例として複数のコンデンサ１１０がグリッドアレイ状に配置される場合を示しているが、コンデンサ１１０の配置はどのようなものであってもよい。
【００４３】
コンデンサ１１０の拡大図を図１（Ｃ）に示す。コンデンサ１１０は、固体電解コンデンサである。コンデンサ１１０は、金属箔１０１上に、金属箔１０１側から順に積層された金属層１１１、誘電体層１１２、および導電層１１３を備える。
【００４４】
金属箔１０１は、たとえば、回路基板の配線パターンを形成する金属の材料からなる。具体的には、銅またはニッケルからなる金属箔を用いることができる。銅箔の場合には、取り扱いが容易で低抵抗な圧延銅箔を用いることが好ましい。金属箔１０１の厚さは、３μｍ〜７０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４５】
金属層１１１は、コンデンサ１１０の電極（陽極）として機能する。金属層１１１は、たとえば、アルミニウム、タンタルまたはニオブによって形成できる。金属層１１１の厚さは、１０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４６】
誘電体層１１２と接する金属層１１１の表面は、接触面積を増やすため粗面化されていることが好ましい。金属層１１１の表面の粗さは、たとえば面積率で表すことができる。ここで、面積率とは、平滑な面の一定面積が粗面化された場合に、粗面化後の表面積が粗面化前の表面積の何倍になったかで表される値である。すなわち、金属層１１１の表面の面積率が高いほど、容量が大きいコンデンサが得られる。一般的に、この面積率（粗面化前後の表面積の比）は、１０倍以上が好ましい。
【００４７】
金属箔１０１と金属層１１１は、金属結合によって接着されていることが好ましい。具体的には、金属箔１０１および金属層１１１として、熱間圧延法または冷間圧延法で形成されたクラッド材を用いることが好ましい。
【００４８】
誘電体層１１２は、たとえば、金属層１１１を構成する金属の酸化物によって形成されてもよい。具体的には、誘電体層１１２として、酸化アルミニウム、酸化タンタル、または酸化ニオブからなる層を用いることができる。誘電体層１１２に酸化アルミニウムを用いることによって、アルミ電解コンデンサを形成できる。誘電体層１１２に酸化タンタルを用いることによってタンタルコンデンサを形成できる。また、誘電体層１１２は、非導電性ポリマーによって形成されてもよい。誘電体層１１２を形成する非導電性ポリマーとしては、たとえば、ポリイミド、アクリル、ポリフェニレンサルファイドなどのポリマーを用いることができる。誘電体層１１２の厚さは、特に限定はないが、たとえば、２ｎｍ〜２μｍの範囲内である。
【００４９】
導電層１１３は、コンデンサ１１０の電極（陰極）として機能する。導電層１１３は、金属箔１０１側から順次積層された導電性高分子層１１３ａと、金属からなる電極１１３ｂとを備える。導電性高分子層１１３ａは、誘電体層１１２と電極１１３ｂとの接触面積を実質的に増大させる働きを有する。導電性高分子層１１３ａには、たとえば、ポリピロールを用いることができる。また、電極１１３ｂは、たとえば、銀、銅、ニッケルおよびアルミニウムから選ばれる少なくとも１つの金属によって形成することができる。また、金属からなる電極１１３ｂの代わりに、カーボンからなる電極を用いてもよい。さらに、導電層１１３は、導電性高分子層１１３ａと電極１１３ｂとの間に配置されたカーボン粒子からなる層を備えてもよい。
【００５０】
抵抗体１２０は、たとえば、複数のコンデンサ１１０の金属層１１１間を接続するように形成される。抵抗体１２０は、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に導電性の粉末を分散させたペーストを用いて形成できる。
【００５１】
なお、以下の実施形態で説明するように、本発明のコンデンサ搭載金属箔は、金属箔１０１上であってコンデンサ１１０が形成されていない部分に絶縁性の高分子層を備えてもよい。
【００５２】
また、本発明のコンデンサ搭載金属箔および回路基板では、コンデンサの形状、コンデンサの配置、抵抗体の有無、および絶縁性高分子層の有無については、自由に選択できる。
【００５３】
（実施形態２）
実施形態２では、本発明の回路基板について一例を説明する。なお、上記実施形態と同様の部分については、同様の符号を付して重複する説明を省略する（以下の実施形態において同様である）。
【００５４】
実施形態２の回路基板２００について、一例の平面図を図２（Ａ）に、図２（Ａ）の線Ｙ−Ｙにおける断面図を図２（Ｂ）に示す。
【００５５】
図２を参照して、回路基板２００は、絶縁性の基体２０１と、基体２０１の２つの主面上に形成された２つの配線パターン２０２ａおよび２０２ｂと、基体２０１の内部に形成されたインナービア２０３と、配線パターン２０２ｂ上に形成された複数のコンデンサ１１０とを備える。コンデンサ１１０は、実施形態１で説明したものと同様である。
【００５６】
基体２０１は、絶縁性の材料からなる。たとえば、基板２０１は、無機フィラー（無機物からなる粉末）を混入した熱硬化性樹脂によって形成してもよい。また、基板２０１は、熱硬化性樹脂を含浸させた補強材（たとえば、織布や不織布）によって形成してもよい。
【００５７】
複数の配線パターン２０２（２０２ａおよび２０２ｂ）は、基体２０１の２つの主面２０１ａ上および２０１ｂ上に形成される。なお、以下で説明するように、複数の配線パターン２０２は、基体２０１の内部に形成された配線パターンをさらに備えてもよい。配線パターン２０２は、一般的な電気配線に用いられる材料によって形成でき、たとえば銅やニッケルによって形成できる。コンデンサ１１０が形成された配線パターン２０２ｂは、コンデンサ搭載金属箔１００の金属箔１０１をエッチングすることによって容易に形成できる。
【００５８】
インナービア２０３は、配線パターン２０２ａと配線パターン２０２ｂとを、直接または間接的に電気的に接続するように基体２０１内部に配置される。インナービア２０３は、たとえば、基体２０１に形成された孔に導電性ペーストを充填することによって形成できる。導電性ペーストには、金、銀、銅、ニッケルまたは錫などの金属粉末と熱硬化性樹脂とを混合したものを用いることができる。具体的には、たとえば、８０重量％〜９０重量％の金属粉末を液状のエポキシ樹脂に混合した導電性ペーストを用いることができる。銅粉末は、酸化しやすいが、電気伝導性や耐マイグレーション性に優れる。また、銀粉末は電気伝導性に優れる。
【００５９】
コンデンサ１１０は、図１に示したようにグリッドアレイ状に配置されてもよいし、任意の位置に配置されてもよい（以下の実施形態において同様である）。図２には、コンデンサ１１０をグリッドアレイ状に配置し、一部の格子点（ｇｒｉｄ−ｐｏｉｎｔ）には、コンデンサ１１０の代わりに金属層２０４を配置した例を示している。
【００６０】
なお、回路基板２００は、複数のコンデンサ１１０の金属層１１１を接続するように形成された抵抗体１２０を備えてもよい。また、必要に応じてすべてのコンデンサ１１０が、インナービア２０３に接続されてもよい。
【００６１】
（実施形態３）
実施形態３では、本発明の回路基板の他の一例について説明する。実施形態３の回路基板３００は、３層の配線パターンを備える点のみが実施形態２の回路基板と異なるため、重複する説明は省略する。
【００６２】
回路基板３００の断面図を図３に示す。図３を参照して、回路基板３００は、絶縁性の基体３０１と、配線パターン２０２ａ、２０２ｂおよび３０２ａと、基体３０１の内部に形成されたインナービア２０３と、配線パターン３０２ｂ上に形成された複数のコンデンサ１１０とを備える。回路基板３００は、実施形態２で説明した回路基板２００に、さらに絶縁性の基板３０１ａを積層し、配線パターン３０２ａを形成したものである。
【００６３】
回路基板３００は、３層の配線パターンを備える。配線パターン３０２ａおよび２０２ｂは、基体３０１の２つの主面上に配置されている。また、配線パターン２０２ａは、基体３０１の内部に配置されている。
【００６４】
配線パターン３０２ａは、実施形態２で説明した配線パターン２０２ａと同様の配線パターンである。
【００６５】
なお、本発明の回路基板に含まれる配線パターンの数に特に限定はない。また、本発明の回路基板は、複数の配線パターン上にコンデンサ１１０が形成されていてもよい。
【００６６】
（実施形態４）
実施形態４では、本発明のコンデンサ搭載金属箔の製造方法について一例を説明する。実施形態４の製造方法によれば、本発明のコンデンサ搭載金属箔を容易に製造できる。なお、上記実施形態と同様の符号を付した部分には、上記実施形態で説明した材料を用いることができる。
【００６７】
実施形態４の製造方法について、製造工程の一例を図４に示す。図４の製造方法では、まず、図４（Ａ）に示すように、金属箔１０１上の一部に配置された金属層１１１と、金属層１１１上に配置された誘電体層１１２とを形成する（工程（ａ））。また、金属層１１１が形成されていない部分の金属箔１０１上に、絶縁性の高分子層４０１を形成する。絶縁性の高分子層４０１の高さは、形成するコンデンサの高さと略等しくすることが好ましい。
【００６８】
金属層１１１および誘電体層１１２は、さまざまな方法で形成できる。誘電体層１１２が、金属層１１１を構成する金属からなる場合について、一例の工程を図５に示す。まず、図５（Ａ）に示すように、金属箔１０１上に、金属層１１１となる金属膜５０１を形成する。金属膜５０１は、蒸着法、スパッタリング法、またはメッキ法によって形成できる。また、熱間圧延法または冷間圧延法を用いて、金属結合によって接着された金属箔１０１および金属膜５０１を形成してもよい。なお、実施例１に示すように、金属層１１１となる金属箔上に、金属箔１０１となる金属層を形成してもよい。
【００６９】
次に、図５（Ｂ）に示すように、金属膜５０１の一部を除去する。この工程は、金属膜５０１上にレジスト膜を形成し、金属膜５０１の一部をエッチングすることによって行うことができる。金属膜５０１がアルミニウムからなる場合、レジスト膜が形成された金属膜５０１を７％程度の塩酸水溶液に浸漬すればよい。この濃度の塩酸水溶液では、アルミニウムは溶解するが、銅はほとんど溶解しない。
【００７０】
次に、図５（Ｃ）に示すように、金属膜５０１が形成されていない金属箔１０１上に絶縁性の高分子層４０１を形成したのち、金属膜５０１の表面を粗面化する（図では、表面の凹凸の表示を省略する）。粗面化は、たとえば、化学エッチング、電解エッチングおよびサンドブラスト処理から選ばれる少なくとも１つの方法を用いて行うことができる。具体的には、電解直流エッチング法を用いることができる。この方法によれば、柱状ピットが形成できるため、粗面化の度合い（表面積）を大きくできる。また、塩酸系の水溶液を用いた交流エッチング法で粗面化を行うことによって、粗面化の度合いをさらに大きくできる。これらのエッチング方法では、柱状ピットの長さや金属箔１０１の厚さを制御することによって粗面化度の度合いを制御できる。絶縁性の高分子層４０１には、レジスト膜などを用いることができる。
【００７１】
次に、図５（Ｄ）に示すように、金属膜５０１の表面を陽極酸化法で酸化することによって、金属層１１１と誘電体層１１２とを形成できる。このとき、金属膜５０１の表面は、金属膜５０１の粗面化された表面の形状を反映して均一の厚さで酸化される。以上のようにして、金属層１１１と誘電体層１１２とを形成できる。
【００７２】
なお、金属膜５０１の一部をエッチングする工程は、金属膜５０１の形成後であれば、どの段階で行ってもよい。また、絶縁性の高分子層４０１の形成は、金属膜５０１の一部をエッチングしたあとで陽極酸化の前であればどの段階で行ってもよいし、省略してもよい。たとえば、金属膜５０１の表面の粗面化、金属膜５０１の一部のエッチング、絶縁性の高分子層４０１の形成、および陽極酸化をこの順序で行ってもよい。
【００７３】
また、誘電体層１１２が、非導電性ポリマーからなる場合には、表面を粗面化した金属層１１１を形成したのち、非導電性ポリマーを金属層１１１上に、電着、塗布、または噴霧すればよい。
【００７４】
図４（Ａ）の工程ののち、図４（Ｂ）に示すように、誘電体層１１２上に導電層１１３を形成する（工程（ｂ））。導電層１１３のうち、導電性高分子層１１３ａ（図１（Ｂ）参照）は、たとえば、導電性高分子剤を溶剤で溶かしたものをスクリーン印刷法で塗布することによって形成できる。また、誘電体層１１２以外の部分にレジストを形成したのち、導電性高分子剤を溶剤で溶かしたものをスピンコート法によって塗布してもよい。また、電極１１３ｂは、蒸着法、スパッタリング法、または導電性ペーストの塗布によって形成できる。また、カーボンからなる層を形成する場合には、溶剤に分散させたカーボンペーストを用い、導電性高分子層１１３ａと同様に、スクリーン印刷法やスピンコート法によって形成できる。
【００７５】
以上のように、実施形態４の製造方法によれば、本発明のコンデンサ搭載金属箔を形成できる。
【００７６】
（実施形態５）
実施形態５では、本発明の回路基板の製造方法について一例を説明する。実施形態５の回路基板の製造方法について、製造工程を図６に示す。
【００７７】
まず、図６（Ａ）に示すように、金属箔６０１上にコンデンサ６１０を形成し、コンデンサ搭載金属箔６００を形成する（工程（ｉ））。図６（Ａ）には、金属箔６０１上に、コンデンサ６１０、金属層６０３、および絶縁性の高分子層６０４を形成した一例を示す。コンデンサ搭載金属箔６００は、本発明のコンデンサ搭載金属箔である。工程（ｉ）は、実施形態４で説明したコンデンサ搭載金属箔の製造方法を含む。すなわち、工程（ｉ）は、（ａ）金属箔上の一部に配置された金属層と、金属層上に配置された誘電体層とを形成する工程と、（ｂ）誘電体層上に導電層を形成する工程とを含む。
【００７８】
次に、図６（Ｂ）に示すように、貫通孔にインナービア６０５が形成されたプリプレグ６０６とコンデンサ搭載金属箔６００とを、位置あわせをして重ね合わせる。インナービア６０５は、貫通孔に導電性ペーストを充填することによって形成できる。
【００７９】
次に、図６（Ｃ）に示すように、プリプレグ６０６とコンデンサ搭載金属箔６００とを、コンデンサ６１０がプリプレグ６０６に埋設されるように積層する（工程（ii））。また、工程（ii）と同時またはその後に、プリプレグ６０６上に金属膜６０７を形成する。具体的には、コンデンサ搭載金属箔６００とプリプレグ６０６と金属膜（金属箔）６０７とを重ね合わせ、ＳＵＳの板で挟んで熱プレスすればよい。このときの熱プレスは、たとえば、温度が１７５℃〜２６０℃、加圧圧力が１９６〜４９０Ｎ／ｃｍ2（２０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ2）の条件で行うことができる。
【００８０】
プリプレグ６０６には、無機フィラー(inorganic filler）と未硬化状態の熱硬化性樹脂とを溶剤を用いて混合し、乾燥によって溶剤を蒸発させてシート状に成形したものを用いることができる。無機フィラーには、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＡｌＮなどの無機物からなる粉末を用いることができる。熱硬化性樹脂には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、またはポリフェニレンエーテル樹脂などを利用できる。無機フィラーおよび熱硬化性樹脂を用いたプリプレグは熱伝導性が高いため、これを用いることによって部品実装時の発熱を素早く放熱させることができる。熱伝導性の観点では、Ａｌ2Ｏ3およびＡｌＮが特に好ましい。また、ＳｉＯ2は誘電率が小さいので、これを用いることによって高周波特性に優れた回路基板が得られる。また、ＳｉＯ2は熱膨張係数が小さいため、ＳｉＯ2の添加量を制御することによって基板の熱膨張係数と半導体の熱膨張係数とを一致させることができ、信頼性が高い回路基板を容易に製造できる。
【００８１】
また、プリプレグ６０６には、溶剤に溶解させた未硬化状態のエポキシ樹脂を織布または不織布に含浸させ、乾燥してシート状に成形したものを用いてもよい。織布または不織布には、ガラス繊維や有機質繊維からなるものを用いることができる。ガラス繊維を用いることによって、弾性率が高く強固な回路基板が得られる。また、有機質繊維はレーザ加工が容易であるため、有機質繊維を用いることによって、微細なビアの形成が容易になる。有機質繊維には、アラミド繊維や液晶ポリマを用いることができる。
【００８２】
プリプレグ６０６の貫通孔に充填する導電性ペーストには、実施形態２で説明した材料を用いることができる。
【００８３】
工程（ii）ののち、プリプレグ６０６を硬化させ（工程（iii））、これによって図６（Ｄ）に示すように絶縁性の基体６０８を形成する。具体的には、プリプレグ６０６を加熱することによってプリプレグ６０６中の熱硬化性樹脂を硬化させる。このとき、インナービア６０５も硬化する。コンデンサ搭載金属箔６００および金属膜６０７と、インナービア６０５とは、電気的に接続される。また、コンデンサ搭載金属箔６００および金属膜６０７とプリプレグ６０６とが接着される。
【００８４】
その後、図６（Ｅ）に示すように、コンデンサ搭載金属箔６００の一部を除去することによって配線パターン６０９ｂを形成する（工程（iv））。同様に、金属膜６０７の一部を除去することによって配線パターン６０９ａを形成する。なお、配線パターン６０９ａは、金属膜６０７を用いずに直接形成してもよい。
【００８５】
配線パターンの形成は、一般的なエッチング法によって行うことができる。具体的には、金属箔および金属膜上にドライフィルムレジストを用いてマスクパターンを形成し、塩化銅水溶液を用いて不要な部分を除去すればよい。
【００８６】
このようにして、本発明の回路基板７２０を製造できる。実施形態５の回路基板の製造方法によれば、実施形態２で説明した本発明の回路基板を容易に製造できる。
【００８７】
なお、３層以上の配線パターンを備える回路基板を製造する場合には、以下の実施例で説明するように、回路基板７２０上にさらにプリプレグや多層回路基板を積層すればよい。
【００８８】
また、コンデンサを備える回路基板の製造方法について、プリプレグを用いた方法を記載したが、コンデンサを形成した金属箔上に、絶縁性の材料を用いて基体を直接形成してもよい。絶縁性の材料としては、上述した無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いることができる。たとえば、未硬化状態で液状の混合物をロールコータ法やスクリーン印刷法でコンデンサ搭載金属箔上に塗布し、レーザ加工によって穴を形成し、形成した穴に導電性ペーストを充填する方法を用いてもよい。
【００８９】
また、プリプレグを積層したのちの熱処理によって金属酸化物からなる誘電体層が劣化した場合に対応するため、上記工程ののちに、金属層の表面を再度絶縁化するためのエージング処理を行ってもよい。この場合には、この処理によってコンデンサの漏れ電流が小さくなる。
【００９０】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【００９１】
（実施例１）
実施例１では、本発明のコンデンサ搭載金属箔を製造した一例について説明する。
【００９２】
まず、陽極用の金属層として、純度９９．９％以上のアルミニウム膜（厚さ５０μｍ）を用意した。このアルミニウム膜上に、電解メッキ法によって銅からなる金属膜（厚さ３５μｍ）を形成した。
【００９３】
次に、アルミニウム膜の表面を、濃度１０重量％、液温３５℃の塩酸系溶剤中で交流エッチングし、粗面化した。
【００９４】
次に、粗面化したアルミニウム膜を所定のパターンにエッチングした。具体的には、所定のパターンのレジストを形成したのち、７％程度の塩酸水溶液でアルミニウム膜の一部を溶解させた。このようにして、銅箔と、銅箔上に形成されたアルミニウム層とを形成した。
【００９５】
次に、アルミニウム膜のエッチングによって露出した銅膜上に、レジスト膜を形成した。レジスト膜には感光性エポキシ樹脂を用いた。具体的には、銅膜上の全面にレジスト膜を塗布した後、アルミニウム膜を除去した部分にだけレジスト膜が残るように現像処理した。
【００９６】
次に、アルミニウム膜の表面を酸化することによって、アルミニウム膜の表面に、酸化アルミニウムからなる誘電体層を形成した。具体的には、アジピン酸アンモニウムの水溶液（液温６０℃で濃度が５重量％）を化成液として用い、アルミニウム膜に化成電圧１２Ｖを印加して定電圧化成を行うことによってアルミニウム膜の表面を酸化した。
【００９７】
次に、酸化アルミニウムからなる誘電体層上に導電性高分子層を形成した。導電性高分子層は、ポリピロールを用いて作製した。具体的には、ピロールモノマと酸化剤と溶媒との混合溶液を用いて含浸化学重合法で下地を作製し、さらに電解重合(electrolytic polymerization)を行って導電性高分子層を作製した。
【００９８】
最後に、エポキシ樹脂と銀フィラーとを混合した導電性ペーストを、スクリーン印刷法で導電性高分子層上に印刷した。これを熱処理して硬化させ、陰極端子となる電極を形成した。このようにして、本発明のコンデンサ搭載金属箔が得られた。
【００９９】
（実施例２）
実施例２では、本発明の回路基板を製造した一例について説明する。
【０１００】
まず、実施例１と同様の方法で、図７（Ａ）に示すように、コンデンサ７１０を備えるコンデンサ搭載金属箔７０１を作製した。実施例２では、金属箔上に、コンデンサ７１０をグリッドアレイ状に１．０ｍｍピッチで配置した。このときのアルミニウム金属層は、直径０．５ｍｍの円状に形成した。
【０１０１】
次に、回路基板用のプリプレグを作製した。回路基板用のプリプレグの材料は、無機フィラー：９０重量％と、熱硬化性樹脂：９．５重量％と、カーボンブラック：０．２重量％と、カップリング剤：０．３重量％とを混合して作製した。無機フィラーには、球状のＡｌ2Ｏ3粉末（昭和電工（株）製ＡＳ−４０、直径１２μｍ）を用いた。熱硬化性樹脂には、液状エポキシ樹脂（日本レック（株）製  ＥＦ−４５０）を用いた。カーボンブラックは、東洋カーボン（株）製のものを用いた。カップリング剤には、チタネート系のカップリング剤（味の素（株）製  チタネート系  ４６Ｂ）を用いた。
【０１０２】
メチルエチルケトン溶剤（以下、ＭＥＫ溶剤という場合がある）で粘度調整した上記材料を、ポリフェニレンサルファイドＰＰＳフィルム（厚さ７５μｍ）上にドクターブレード法で塗布して膜を形成した。そして、ＭＥＫ溶剤を蒸発させてシート状（厚さ５００μｍ）のプリプレグを作製した。
【０１０３】
上記シート状のプリプレグを所定の大きさにカットし、炭酸ガスレーザを用いてピッチが１．０ｍｍの等間隔の位置に直径０．１５ｍｍの貫通孔（ビアホール）を形成した。この貫通孔に、導電性ペーストをスクリーン印刷法によって充填した。導電性ペーストは、球状の銅粒子８５重量％と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エピコート８２８  油化シェルエポキシ製）３重量％と、グルシジルエステル系エポキシ樹脂（ＹＤ−１７１  東都化成製）９重量％と、硬化剤であるアミンアダクト硬化剤（ＭＹ−２４  味の素製）３重量％とを、三本ロールによって混練して作製した。
【０１０４】
次に、図７（Ｂ）に示すように、回路基板用のプリプレグ７０２を、コンデンサ搭載金属箔７０１と金属銅箔７０４（厚さ３５μｍ）とで挟み、位置合わせして重ねた。プリプレグ７０２には、導電性ペーストによって形成されたインナービア７０３を備えるプリプレグを用いた。
【０１０５】
次に、図７（Ｃ）に示すように、１７５℃、４９０Ｎ／ｃｍ2（５０ｋｇｆ／ｃｍ2）の条件下でこれらを加熱加圧して一体化させた。これにより、プリプレグ７０２中のエポキシ樹脂が硬化し、金属箔７０１および金属銅箔７０４とプリプレグ７０２とが機械的に接着した。また、インナービア７０３中のエポキシ樹脂が硬化し、金属銅箔７０４とコンデンサ７１０とが、インナービア７０３を介して電気的に接続された。
【０１０６】
最後に、図７（Ｄ）に示すように、コンデンサ搭載金属箔７０１の金属銅部分の一部、および金属銅箔７０４の一部を化学エッチングによって除去し、配線パターン７０７および７０８を形成した。このようにして、本発明の回路基板７２０を製造した。
【０１０７】
製造した回路基板について、それぞれのコンデンサの特性をインピーダンスアナライザによって測定した。グリッドアレイ状に配置されたコンデンサは、容量が平均０．３μＦであった。得られた回路基板は、高容量のコンデンサを備えるため、高周波特性が良好であった。
【０１０８】
また、回路基板について、ヒートサイクル試験（−４０℃〜＋１２５℃各３０分  １０００回）、および吸湿リフロー試験（８５℃、８５％ＲＨ、１６８時間放置後、２３０℃リフロー１回）の２つの信頼性試験を行った。この信頼性試験においても、コンデンサ特性はほとんど変化しなかった。このように、上記製造方法を用いて回路基板内部にコンデンサを形成することによって、性能が極めて安定な回路基板を製造できた。
【０１０９】
また、無機フィラーとしてアルミナを用いた上記回路基板は、熱伝導度が３．０Ｗ／ｍＫであり、従来のガラスエポキシ基板に比べて熱伝導度が約２０倍以上であった。なお、無機フィラーとしてＡｌＮまたはＭｇＯを用いることによって、さらに高い熱伝導度を実現することができる。また、無機フィラーとして非晶質ＳｉＯ2を用いることによって、シリコン半導体の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する回路基板が得られる。これにより、半導体を直接実装するフリップチップ用基板として好ましい回路基板が得られる。すなわち、ＡｌＮの良好な熱伝導性を利用すれば、セラミック基板に近い熱伝導性を有する回路基板が得られる。また、ＢＮを添加することによって、熱伝導度が高く、しかも熱膨張性が低い回路基板が得られる。特に、９０重量％以上のアルミナを含むプリプレグを用いることによって、コンデンサを内蔵し、熱伝導度が高く、低コストな回路基板が得られる。また、無機フィラーとしてＳｉＯ2を用いることによって、他の無機フィラーを用いた回路基板に比べて誘電率が低く、比重が小さい回路基板が得られ、携帯電話などの高周波用回路基板として好ましい。
【０１１０】
なお、上記工程で得られた回路基板７２０を用いて、さらに多層の配線パターンを備える回路基板を製造できる。具体的には、まず、図８（Ａ）に示す回路基板７２０を作製する。
【０１１１】
次に、図８（Ｂ）に示すように、プリプレグ８０１および８０２と金属銅箔８０３および８０４とを用いて、回路基板７２０を挟む。プリプレグ８０１および８０２は、導電性ペーストによって形成されたインナービア８０５を備える。
【０１１２】
次に、図８（Ｃ）に示すように、上記積層物を加熱加圧することによって、絶縁性の基体８０６および８０７を形成する。このとき、インナービア８０５中の導電性ペーストも硬化する。その後、金属銅箔８０３および８０４の一部をエッチングすることによって、電気配線８０８および８０９を形成する。このようにして、４層の配線パターンを備える回路基板を製造できる。
【０１１３】
（実施例３）
実施例３では、本発明の回路基板を製造した他の一例について説明する。
【０１１４】
まず、図９（Ａ）に示すように、実施例２と同様の方法で、コンデンサ７１０を備えるコンデンサ搭載金属箔７０１を作製した。
【０１１５】
次に、図９（Ｂ）に示すように、コンデンサ搭載金属箔７０１と回路基板用のプリプレグ９０２とを位置あわせして重ねた。プリプレグ９０２は、コンデンサ７１０に対応する位置に形成された貫通孔を備え、貫通孔にはインナービア９０３が形成されている。
【０１１６】
プリプレグ９０２は、アラミド不織布にエポキシ樹脂を含浸したプリプレグ（新神戸電機製  ＥＬ−１１４：１４０μｍ厚み）に炭酸ガスレーザで穴加工を行い、実施例２で説明した導電性ペーストを充填したものである。
【０１１７】
次に、図９（Ｃ）に示すように、コンデンサ搭載金属箔７０１とプリプレグ９０２とを１００℃の温度でラミネートした。これによって、プリプレグ中のエポキシ樹脂は溶融し、コンデンサ搭載金属箔７０１とプリプレグ９０２とが接着された。この時の加熱条件では、回路基板用プリプレグ中の熱硬化性樹脂は軟化するだけで硬化は起こらない。なお、この工程の加熱は、７０℃〜１２０℃の範囲内で行うことが好ましい。７０℃以上の温度で加熱することによって熱硬化性樹脂が十分に軟化するため、積層時の圧力でコンデンサが破壊されることを防止できる。また、１２０℃以下の温度で加熱することによって、プリプレグが短時間で硬化することを防止できる。
【０１１８】
次に、図９（Ｄ）に示すように、プリプレグ９０２上に、多層回路基板９０４を位置合わせして重ねた。多層基板９０４には、４層の配線パターンを備える一般的なガラス・エポキシ基板を用いた。なお、多層回路基板９０４として、ガラス・エポキシ基板の代わりに、スルーホール基板やフレキシブルなプリント基板を用いてもよい。
【０１１９】
次に、図９（Ｅ）に示すように、位置合わせした基板を加熱加圧することによって一体化し、コンデンサ搭載金属箔７０１の銅箔の一部をエッチングすることによって配線パターン９０５を形成した。このようにして、複数のコンデンサが内蔵された多層回路基板を容易に製造できた。
【０１２０】
上記方法で作製された回路基板について、半田リフロー試験、および温度サイクル試験を用いて信頼性評価を行った。半田リフロー試験は、最高温度が２６０℃で１０秒のベルト式リフロー試験機を用いて、基板を１０回試験機に通すことで行った。また温度サイクル試験では、高温側が１２５℃、低温側が−５０℃の温度で各３０分間保持するサイクルを、２００サイクル行った。このとき回路基板は、形状的にもクラックが発生せず、超音波探傷装置でも特に異常は認められなかった。これらの試験から、回路基板に内蔵された複数のコンデンサは、基板と強固に密着していることがわかった。また、インナビアの接続抵抗も、試験前後でほとんど変化がなかった。
【０１２１】
なお、多層回路基板９０４には、ガラス・エポキシ基板の代わりに、紙フェノール基板、アラミド・エポキシ基板を用いてもよい。
【０１２２】
（実施例４）
実施例４では、本発明の回路基板を製造したその他の一例について説明する。
【０１２３】
まず、図１０（Ａ）に示すように、実施例２と同様の方法で、回路基板７２０を作製した。
【０１２４】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、回路基板７２０の片面に絶縁層９５１を形成した。絶縁層９５１は、ドライフィルム形状の感光性エポキシ樹脂（Ｄｕｐｏｎｔ社製  Ｖｉａｌｕｘ８１、厚さ５０μｍ）を用い、真空ラミネート法でラミネートすることによって形成した。なお、絶縁層９５１は、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂をロールコータ法やスクリーン印刷法で塗布して形成してもよい。
【０１２５】
次に、写真マスクを用いてビアホールの位置を露光し塩素系溶剤で現像することによって、図１０（Ｃ）に示すように、ビアホール９５２を形成した。なお、ビアホール９５２は、レーザ加工法によって形成してもよい。
【０１２６】
次に、図１０（Ｄ）に示すように、絶縁層９５１上の全面に、無電解メッキ法で１２μｍの厚みになるまで銅をメッキし、銅膜９５３を形成した。
【０１２７】
その後、図１０（Ｅ）に示すように、フォトリソ・エッチング法によって銅膜９５３の一部を除去し、配線パターン９５４を形成した。このようにして作製した回路基板も、信頼性が高かった。
【０１２８】
なお、この実施例では、絶縁層９５１の形成に感光性ドライフィルムを用いたが、液状の絶縁性樹脂を用いてもよい。また、この実施例ではフォトリソ法によってビアホールを形成したが、レーザ加工で形成してもよい。
【０１２９】
以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用することができる。
【０１３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の回路基板の製造方法は、コンデンサ搭載金属箔を用いることによって、回路基板に簡単に、ノイズおよびリップル吸収コンデンサを内蔵させることができる。また、コンデンサ搭載金属箔のコンデンサは、積層時の圧力に十分耐え、かつ低温で形成できるため、回路基板を容易に製造できる。
【０１３１】
また、本発明の回路基板によって、高密度実装が可能で、耐ノイズ性および放熱性に優れた安価な回路基板が得られる。本発明の回路基板は、コンピュータのＣＰＵ駆動回路やスイッチング電源などの回路基板に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のコンデンサ搭載金属箔について、一例の（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図、および（Ｃ）コンデンサ部分の拡大断面図である。
【図２】本発明の回路基板について、一例の（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。
【図３】本発明の回路基板について、他の一例の断面図である。
【図４】本発明のコンデンサ搭載金属箔の製造方法について、一例を示す工程図である。
【図５】本発明のコンデンサ搭載金属箔の製造方法について、一部の工程の一例を示す工程図である。
【図６】本発明の回路基板の製造方法について、一例を示す工程図である。
【図７】本発明の回路基板の製造方法について、他の一例を示す工程図である。
【図８】本発明の回路基板の製造方法について、その他の一例を示す工程図である。
【図９】本発明の回路基板の製造方法について、その他の一例を示す工程図である。
【図１０】本発明の回路基板の製造方法について、その他の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
１００  コンデンサ搭載金属箔
１０１  金属箔
１１０  コンデンサ
１１１  金属層
１１２  誘電体層
１１３  導電層
１１３ａ  導電性高分子層
１１３ｂ  電極
２００、３００  回路基板
２０１、３０１、３０１ａ  基体
２０２、２０２ａ、２０２ｂ、３０２ａ  配線パターン
２０３  インナービア
２０４  金属層
４０１  絶縁性の高分子層
５０１  金属膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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