(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する一対の基板を有する非発光型の表示パネルの裏面側に配置されたバックライトからの光と外光との双方を同時に利用して表示を行うことができる表示装置であって、前記表示パネルに一体的に形成され、外光の照度を検出する外光照度検出センサと、前記表示パネルに一体的に形成され、前記バックライトからの光の照度を検出するバックライト照度検出センサと、前記外光照度検出センサによる検出結果及び前記バックライト照度検出センサによる検出結果に基づいて前記バックライトからの光の輝度を制御するバックライト輝度制御手段とを具備し、前記外光照度検出センサ及び前記バックライト照度検出センサは前記表示パネルの裏面側の基板の上面に一体的に形成されており、前記外光照度検出センサ及び前記バックライト照度検出センサは、裏面側に遮光性を有する材料からなる第１ゲート電極が配置され、表面側に透光性を有する材料からなる第２ゲート電極が配置された光電変換薄膜トランジスタによって構成されていて、前記バックライト照度検出センサは前記裏面側の基板の上面における前記表示パネルの表面側の基板の下面に形成された反射層に対向する部分に形成され、前記バックライトからの光が前記反射層で反射されて前記バックライト照度検出センサに入射されることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば液晶表示パネルのような非発光型の表示パネルを備えた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば液晶表示パネルのような非発光型の表示パネルを備えた表示装置には、大別すると、透過光を利用して表示する透過型のものと、反射光を利用して表示する反射型のものとがあるが、この両者を兼ねた反射兼透過型のものもある。反射兼透過型の表示装置の場合には、図示していないが、一般的に、非発光型の表示パネルの裏面側に半透過半反射板を配置し、その裏面側にバックライトを配置した構造となっている。そして、透過型として使用する場合には、バックライトを点灯させ、バックライトからの光を半透過半反射板及び表示パネルを透過させて表示パネルの表面側に出射させ、これにより表示を行っている。一方、反射型として使用する場合には、バックライトを点灯させず、表示パネルの表面側から入射された外光を表示パネルを透過させて半透過半反射板で反射させ、この反射光を表示パネルを透過させて表示パネルの表面側に出射させ、これにより表示を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような表示装置では、外光とバックライトからの光との双方を同時に利用して表示を行うこともできる。この場合、外光の照度を外光照度検出センサで検出するとともに、バックライトからの光の照度をバックライト照度検出センサで検出し、これらの検出結果に基づいて、バックライトからの光の輝度を制御することにより、外光とバックライトからの光との双方による表示パネルの画面輝度が外光照度に応じた好適な画面輝度となるようにすることが考えられる。しかしながら、照度検出センサとして、例えばシリコンチップ上に光トランジスタや光ダイオード等が形成されてなるチップ部品を用いると、部品点数が増加してしまうことになる。
この発明の課題は、照度検出センサを備えても、部品点数が増加しないようにすることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この発明は、相対向する一対の基板を有する非発光型の表示パネルの裏面側に配置されたバックライトからの光と外光との双方を同時に利用して表示を行うことができる表示装置であって、前記表示パネルに一体的に形成され、外光の照度を検出する外光照度検出センサと、前記表示パネルに一体的に形成され、前記バックライトからの光の照度を検出するバックライト照度検出センサと、前記外光照度検出センサによる検出結果及び前記バックライト照度検出センサによる検出結果に基づいて前記バックライトからの光の輝度を制御するバックライト輝度制御手段とを具備し、前記外光照度検出センサ及び前記バックライト照度検出センサは前記表示パネルの裏面側の基板の表面に一体的に形成されており、前記外光照度検出センサ及び前記バックライト照度検出センサは、裏面側に遮光性を有する材料からなる第１ゲート電極が配置され、表面側に透光性を有する材料からなる第２ゲート電極が配置された光電変換薄膜トランジスタによって構成されていて、前記バックライト照度検出センサは前記裏面側の基板の表面における前記表示パネルの表面側の基板の裏面に形成された反射層に対向する部分に形成されていることを特徴としたものである。この発明によれば、外光照度検出センサ及びバックライト照度検出センサを表示パネルの同一の面上に一体的に形成しているので、照度検出センサを備えても、部品点数が増加しないようにすることができ、また、半導体層とトップゲート絶縁膜との間のトラップ準位から正孔をはき出させてリフレッシュ（リセット）することができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施形態を適用した反射兼透過型の液晶表示装置の要部を示したものである。この液晶表示装置は、データラインと各画素電極との間に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型の液晶表示パネル１を備えている。液晶表示パネル１は、詳細には図示していないが、一対のガラス基板２、３がほぼ枠状のシール材４を介して貼り合わされ、シール材４の内側における両ガラス基板２、３間に液晶が封入され、各ガラス基板２、３の表面に偏光板５、６が貼り付けられたものからなっている。
【０００６】
液晶表示パネル１の裏面側には反射機能を備えたバックライト１１が配置されている。バックライト１１は、液晶表示パネル１の裏面に設けられた光学シート１２と、この光学シート１２の裏面に設けられた光拡散層１３と、この光拡散層１３の裏面に設けられた光学部材１４と、この光学部材１４の裏面側に設けられた導光体１５と、この導光体１５の所定の一端面側に設けられた光源１６とを備えている。光源１６は、直線状の蛍光管１７と、この蛍光管１７からの光を導光体１５の一端面に向けて反射させるためのリフレクタ１８とからなっている。
【０００７】
導光体１５は、図２にも示すように、アクリル樹脂等によって形成されたものであって、裏面を平坦面とされ、裏面に垂直な所定の一端面を光入射面２１とされ、表面を光入射面２１側から他端面側に向かうに従って漸次薄肉となる階段状とされた構造となっている。この場合、階段状の表面は、裏面に平行な複数の段面２２と、これらの段面２２に垂直な段差面（光出射面）２３とからなっている。各段面２２上には、酸化シリコンからなる下地膜（図示せず）を介してアルミニウムの蒸着膜等からなる反射膜２４が設けられている。導光体１５の裏面には反射板２５が設けられている。そして、導光体１５は、その裏面を液晶表示パネル１に対して適宜に傾斜された状態で、液晶表示パネル１の裏面側に配置されている。
【０００８】
光学部材１４は、図２にも示すように、アクリル樹脂等によって形成されたものであって、表面を平坦面とされ、裏面に複数の断面三角形状の突状部３１が一定のピッチで形成された構造となっている。この場合、突状部３１の一方の側面と空気との界面は第１の光学界面３２となっており、突状部３１の他方の側面と空気との界面は第２の光学界面３３となっており、各突状部３１間における光学部材１４の裏面と空気との界面は第３の光学界面３４となっている。そして、光学部材１４は、その突状部３１の頂点を反射膜２４に近接または当接された状態で、導光体１５上に配置されている。この状態では、第１の光学界面３２は、導光体１５の段面２２に対する角度（第１の光学界面３２の段差面２３と対向する側の角度）が９０°以下であって、段差面２３とほぼ平行する面またはそれに近い傾斜面となっている。第２の光学界面３３は、光学部材１４の表面の垂線に対する角度が当該垂線と第１の光学界面３２とのなす角度よりも大きい傾斜面となっている。第３の光学界面３４は、導光体１５の段面２２とほぼ平行する面またはそれに近い傾斜面となっている。なお、光学部材１４の突状部３１のピッチは、液晶表示パネル１の画素ピッチとほぼ同じか、あるいは同画素ピッチの整数分の１となっている。また、導光体１５の段面２２のピッチは、光学部材１４の突状部３１のピッチよりもやや大きくなっている。
【０００９】
光拡散層１３は、例えば、光散乱用微粒子が分散された透明な粘着剤を光学部材１４の表面に塗布したものからなっている。そして、光学シート１２は、この光拡散層１３を介して光学部材１４の表面に貼り付けられている。また、液晶表示パネル１は、光学シート１２の表面に透明な粘着剤または両面粘着シート３５を介して貼り付けられている。光学シート１２は、図３に示すように、互いにほぼ直交する透過軸Ｐ及び反射軸Ｓを有し、透過軸Ｐに沿った偏光成分（Ｐ偏光成分）の光を透過させ、反射軸Ｓに沿った偏光成分（Ｓ偏光成分）の光を反射するようになっている。すなわち、この光学シート１２の裏面側から、透過軸Ｐに沿ったＰ偏光成分の光と反射軸Ｓに沿ったＳ偏光成分の光との双方を含む光が入射されると、この入射光のうち透過軸Ｐに沿ったＰ偏光成分の光は光学シート１２を透過し、反射軸Ｓに沿ったＳ偏光成分の光は光学シート１２で反射される。このような半透過半反射特性は、光学シート１２の表面側からの入射光に対しても同様である。
【００１０】
さて、この液晶表示装置を透過型として使用する場合には、蛍光管１７を点灯させる。すると、蛍光管１７からの光及びリフレクタ１８によって反射された反射光は導光体１５の光入射面２１に入射される。この入射光は、例えば図２において実線の矢印で示すように、反射膜２４や反射板２５で反射されながら導光体１５内を横方向に進行し、各段差面（光出射面）２３から出射される。この出射光は、同じく図２において実線の矢印で示すように、光学部材１４の第１の光学界面３２に入射され、第２の光学界面３３で全反射され、光学部材１４の表面から出射され、光散乱層１３に入射されて散乱される。この散乱光のうちＰ偏光成分の光は光学シート１２を透過して液晶表示パネル１の裏面に入射され、Ｓ偏光成分の光は光学シート１２で反射される。しかし、光学シート１２で反射された光は、反射膜２４で反射され、光散乱層１３で再度散乱される。この散乱光のうちＰ偏光成分の光は光学シート１２を透過して液晶表示パネル１の裏面に入射され、Ｓ偏光成分の光は光学シート１２で反射される。そして、このようなことが繰り返されることにより、各段差面２３から出射された光のほとんどが液晶表示パネル１の裏面に入射される。なお、光学シート１２の透過軸と液晶表示パネル１の裏面側の偏光板６の透過軸とは互いにほぼ平行となっている。そして、液晶表示パネル１の裏面に入射された光は、液晶表示パネル１を透過して液晶表示パネル１の表面側に出射され、これにより表示が行われることになる。
【００１１】
一方、この液晶表示装置を反射型として使用する場合には、蛍光管１７を点灯させず、外光を利用することになる。すなわち、液晶表示パネル１の表面側から入射された外光（直線偏光光）は液晶表示パネル１を透過する。この透過光は、例えば図２において点線の矢印で示すように、光学シート１２、光拡散層１３及び光学部材１４を順に透過し、反射膜２４で反射される。この反射光は、光学部材１４を透過し、光拡散層１３で拡散される。この拡散光のほとんどは、上記の場合と同様にして、光学シート１２を透過して液晶表示パネル１の裏面に入射される。この入射光は、液晶表示パネル１を透過して液晶表示パネル１の表面側に出射され、これにより表示が行われることになる。
【００１２】
次に、この液晶表示装置において、光源１６からの光と外光との双方を同時に利用して表示を行う場合について説明する。ところで、液晶表示パネル１の好適な画面輝度（使用環境下で表示を充分な明るさで観察することができる輝度）は使用環境の照度（以下、環境照度という。）によって異なり、同じ画面輝度でも、環境照度によっては画面が眩しすぎたり暗すぎたりする。例えば、夏期の直射日光下のような１０万ルクスを越える高照度の使用環境下では、眩しすぎることになる。
【００１３】
そこで、この液晶表示装置では、夏期の直射日光下のような１０万ルクスを越える高照度の使用環境下でも、眩しすぎない好適な画面輝度が得られるようにするために、主として反射膜２４による外光の反射率と液晶表示パネル１の光の透過率とによって決まる装置全体としての反射率（液晶表示パネル１の表面側から入射する外光の強度と反射膜２４によって反射されて液晶表示パネル１の表面側に出射される外光の強度との比）を、外光のみを利用する通常の反射型液晶表示装置に比べて低く設定している。
【００１４】
また、光源１６からの光の輝度を環境照度等に応じて制御することにより、光源１６からの光と外光との双方による液晶表示パネル１の画面輝度が環境照度に応じた好適な画面輝度となるようにしている。すなわち、この液晶表示装置では、環境照度等に応じて光源１６からの光の輝度を制御するために、光源輝度制御手段が備えられている。次に、この光源輝度制御手段について説明する。
【００１５】
まず、図４はこの液晶表示装置の一部の概略構成を示したものである。液晶表示パネル１の一対のガラス基板２、３のうち裏面側のガラス基板３の所定の辺部は表面側のガラス基板２から突出されている。そして、この裏面側のガラス基板３の突出部の上面には外光照度検出センサ４１が設けられている。また、図１に示すシール材４の外側における裏面側のガラス基板３の上面において表面側のガラス基板２と対向する部分の所定の箇所にはバックライト照度検出センサ４２が設けられている。この場合、表面側のガラス基板２の下面にはクロム等の金属からなるブラックマスク４３が設けられ、このブラックマスク４３によって外光がバックライト照度検出センサ４２に入射されないようになっている。そして、バックライト１１からの光がブラックマスク４３で反射されてバックライト照度検出センサ４２に入射されるようになっている。バックライト照度検出センサ４２は、蛍光管１７の照度が経時変化により徐々に低下していくので、これを検出するためのものである。
【００１６】
次に、図５はこの液晶表示装置の回路の要部を示したものである。液晶表示パネル１の裏面側のガラス基板３の上面の所定の箇所には外光照度検出部５１が一体的に形成され、他の所定の箇所にはバックライト照度検出部５２が一体的に形成されている。両照度検出部５１、５２は同じ構造となっている。すなわち、照度検出部５１、５２は、後述するダブルゲート型光電変換薄膜トランジスタからなる照度検出センサ４１、４２と、薄膜トランジスタからなる第１のスイッチング素子５３、５４と、照度検出センサ４１、４２と第１のスイッチング素子５３、５４との間に設けられた抵抗５５、５６及びキャパシタ５７、５８と、照度検出センサ４１、４２と抵抗５５、５６との間に接続された薄膜トランジスタからなる第２のスイッチング素子５９、６０とを備えている。
【００１７】
そして、分周器６１、６２から予め設定された時間だけ出力されるセンサ駆動信号が第２のスイッチング素子５９、６０に入力されている間に、照度検出センサ４１、４２から検出照度に応じた電流がキャパシタ５７、５８に流れ、キャパシタ５７、５８に電荷が蓄積される。そして、所定のタイミングで第１のスイッチング素子５３、５４がオンすると、キャパシタ５７、５８に蓄積された電荷に応じた光検出信号がレベルシフト調整器６３、６４に入力される。レベルシフト調整器６３、６４は、例えばＡ／Ｄ変換器からなり、入力された光検出信号をパラレル信号に変換し、このパラレル信号をパラレルシリアル変換器６５、６６に出力する。パラレルシリアル変換器６５、６６は入力されたパラレル信号をシリアル信号に変換し、このシリアル信号を加算器６７に出力する。加算器６７は入力された両シリアル信号を加算し、加算信号を調光用制御信号発生器６８に出力する。調光用制御信号発生器６８は入力された加算信号に応じた調光用制御信号を調光機能付きインバータ６９に出力する。調光機能付きインバータ６９は、光源１６（図１参照）が調光用制御信号発生器６８からの調光用制御信号に応じた輝度の光を発光するように、光源１６（蛍光管１７）を駆動する。
【００１８】
次に、光源輝度制御手段により光源１６からの光の輝度を環境照度等に応じて制御することについて、具体的な数値を挙げて説明する。まず、図６はこの場合の液晶表示パネル１の画面輝度と環境照度との関係を示したものである。前提条件として、環境照度に応じた液晶表示パネル１の好適な画面輝度は、夜間の街灯下のような５０ルクスの環境照度では２０〜２００ニット、室内照明を点灯させたときの室内のような１０００ルクスの環境照度では３０〜３００ニット、晴天時の木陰のような３００００ルクスの環境照度では４００〜４０００ニットであるとし、より好ましくは、５０ルクスの環境照度では２０〜６０ニット、１０００ルクスの環境照度では６０〜２００ニット、３００００ルクスの環境照度では１０００〜３０００ニットであるとする。
【００１９】
さて、液晶表示パネル１の画面輝度Ｌ（ニット）は、環境照度をＩ（ルクス）、光源１６からの光の輝度をＢ（ニット）、液晶表示パネル１の光の透過率をＴ（％）、上述の装置全体としての反射率をＲ（％）としたとき、次の式（１）から求められる。
Ｌ＝Ｉ×Ｒ／４００＋Ｂ×Ｔ／１００……（１）
【００２０】
そこで、第１に、液晶表示パネル１の画面輝度Ｌが、５０ルクスの環境照度で２０〜２００ニット、１０００ルクスの環境照度で３０〜３００ニット、３００００ルクスの環境照度で４００〜４０００ニットの範囲をそれぞれ満足する二次関数で表わされる輝度となるように、光源輝度制御手段により光源１６からの光の輝度を環境照度等に応じて制御する。すなわち、この場合の光源１６からの光の輝度の制御条件は、上記式（１）から求められ、次の式（２）のようになる。
−2×10-8×Ｉ2＋0.015×I＋20≦Ｌ≦−3×10-7×Ｉ2＋0.113×Ｉ＋150…(2)
【００２１】
そして、図６において、曲線Ｍ1、Ｍ2は上記式（２）から求められる画面輝度Ｌの最大値と最小値を示す。すなわち、曲線Ｍ1、Ｍ2は次の式（３）、（４）によってそれぞれ表わされる曲線である。
Ｌ（Ｍ1）＝−3×10-7×Ｉ2＋0.113×Ｉ＋150…（３）
Ｌ（Ｍ2）＝−2×10-8×Ｉ2＋0.015×I＋20……（４）
したがって、この両曲線Ｍ1、Ｍ2間の範囲Ｍは、環境照度等に応じた液晶表示パネル１の好適な画面輝度の範囲である。
【００２２】
次に、第２に、液晶表示パネル１の画面輝度Ｌが、５０ルクスの環境照度で２０〜６０ニット、１０００ルクスの環境照度で６０〜２００ニット、３００００ルクスの環境照度で１０００〜３０００ニットの範囲をそれぞれ満足する二次関数で表わされる輝度となるように、光源輝度制御手段により光源１６からの光の輝度を環境照度等に応じて制御する。すなわち、この場合の光源１６からの光の輝度の制御条件は、上記式（１）から求められ、次の式（５）のようになる。
−9×10-8×Ｉ2＋0.0453×I＋20≦Ｌ≦−2×10-7×Ｉ2＋0.0871×Ｉ＋50…(5)
【００２３】
そして、図６において、曲線Ｎ1、Ｎ2は上記式（５）から求められる画面輝度Ｌの最大値と最小値を示す。すなわち、曲線Ｎ1、Ｎ2は次の式（６）、（７）によってそれぞれ表わされる曲線である。
Ｌ（Ｎ1）＝−2×10-7×Ｉ2＋0.0871×Ｉ＋50 …（６）
Ｌ（Ｎ2）＝−9×10-8×Ｉ2＋0.0453×I＋20……（７）
したがって、この両曲線Ｎ1、Ｎ2間の範囲Ｎは、環境照度等に応じた液晶表示パネル１のより好適な画面輝度の範囲である。
【００２４】
以上のように、この液晶表示装置では、光源輝度制御手段により光源１６からの光の輝度を環境照度等に応じて制御することにより、液晶表示パネル１の画面輝度を曲線Ｍ1、Ｍ2間の範囲Ｍ、より好ましくは曲線Ｎ1、Ｎ2間の範囲Ｎとすることができる。これにより、低照度から高照度の広い環境照度において、液晶表示パネル１の画面輝度を好適もしくはより好適とすることができる。
【００２５】
なお、図６における二点鎖線は、比較のために、外光のみを利用する通常の反射型液晶表示装置の画面輝度を表わしたものである。この二点鎖線で示す画面輝度は、環境照度の変化に対して直線的に変化している。そして、この通常の反射型液晶表示装置では、曲線Ｍ1、Ｍ2間の範囲Ｍに対応する環境照度が約３００〜約５０００ルクスの範囲であり、曲線Ｎ1、Ｎ2間の範囲Ｎに対応する環境照度が約５００〜約２０００ルクスの範囲である。したがって、それ以上の環境照度では、液晶表示パネルの画面が明るくなりすぎ、例えば夏期の直射日光下のような１０万ルクスを越える高照度の使用環境下では、液晶表示パネルの画面が眩しすぎて表示が見えにくくなってしまう。一方、それ以下の環境照度では、液晶表示パネルの画面が暗くなりすぎ、例えば夜間の屋外のような暗い使用環境下では、表示を視認できる程度の画面輝度が得られなくなってしまう。
【００２６】
次に、照度検出センサ４１、４２の具体的な構造について、図７を参照して説明する。裏面側のガラス基板３の上面にはアルミニウム等の遮光性電極からなるボトムゲート電極７１が設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるボトムゲート絶縁膜７２が設けられている。ボトムゲート絶縁膜７２の上面においてボトムゲート電極７１に対応する部分にはアモルファスシリコンやポリシリコンからなる半導体層７３が設けられている。半導体層７３の上面中央部には窒化シリコンからなるブロッキング層７４が設けられている。ブロッキング層７４の上面両側及びその両側における半導体層７３の上面にはｎ+シリコン層７５、７６が設けられている。ｎ+シリコン層７５、７６の上面にはアルミニウム等の遮光性電極からなるソース電極７７及びドレイン電極７８が設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるトップゲート絶縁膜７９が設けられている。トップゲート絶縁膜７９の上面において半導体層７３に対応する部分にはＩＴＯ等の透明電極からなるトップゲート電極８０が設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるオーバーコート膜８１が設けられている。そして、この照度検出センサ４１、４２では、その下面側から入射された光がボトムゲート電極７１によって遮光されて半導体層７３に直接入射しないようになっている。
【００２７】
この照度検出センサ４１、４２では、ボトムゲート電極（ＢＧ）７１、半導体層７３、ソース電極（Ｓ）７７及びドレイン電極（Ｄ）７８等によってボトムゲート型トランジスタが構成され、トップゲート電極（ＴＧ）８０、半導体層７３、ソース電極（Ｓ）７７及びドレイン電極（Ｄ）７８等によってトップゲート型トランジスタが構成されている。すなわち、この照度検出センサ４１、４２は、半導体層７３の下側及び上側にそれぞれボトムゲート電極（ＢＧ）７１及びトップゲート電極（ＴＧ）８０が配置されたダブルゲート型光電変換薄膜トランジスタによって構成され、その等価回路は図８のように示すことができる。
【００２８】
次に、この照度検出センサ４１、４２の動作について説明する。まず、図９（Ａ）に示すように、ソース電極（Ｓ）−ドレイン電極（Ｄ）間に正電圧（例えば＋５Ｖ）が印加された状態において、ボトムゲート電極（ＢＧ）に正電圧（例えば＋１０Ｖ）が印加されると、半導体層７３にチャネルが形成され、ドレイン電流が流れる。この状態で、トップゲート電極（ＴＧ）にボトムゲート電極（ＢＧ）の電界によるチャネルを消滅させるレベルの負電圧（例えば−２０Ｖ）が印加されると、トップゲート電極（ＴＧ）からの電界がボトムゲート電極（ＢＧ）の電界によるチャネル形成に対してそれを妨げる方向に働き、チャネルがピンチオフされる。このとき、トップゲート電極（ＴＧ）側から半導体層７３に光が照射されると、半導体層７３のトップゲート電極（ＴＧ）側に電子−正孔対が誘起される。この電子−正孔対は半導体層７３のチャネル領域に蓄積され、トップゲート電極（ＴＧ）の電界を打ち消す。このため、半導体層７３にチャネルが形成され、ドレイン電流が流れる。このドレイン電流は半導体層７３への入射光量に応じて変化する。そして、このドレイン電流により、図５に示すキャパシタ５７、５８に電荷が蓄積されることになる。
【００２９】
次に、この照度検出センサ４１、４２をリセットする場合について、図９（Ｂ）を参照して説明する。ボトムゲート電極（ＢＧ）に正電圧（＋１０Ｖ）が印加された状態において、トップゲート電極（ＴＧ）を例えば０Ｖにすると、半導体層７３とトップゲート絶縁膜７９との間のトラップ準位から正孔を吐き出させてリフレッシュ、つまりリセットすることができる。すなわち、連続して使用されると、半導体層７３とトップゲート絶縁膜７９との間のトラップ準位が光照射により発生する正孔とドレイン電極（Ｄ）から注入される正孔とによって埋められていき、光無入射状態でのチャネル抵抗が小さくなり、光無入射時にドレイン電流が増加する。そこで、トップゲート電極（ＴＧ）を０Ｖとし、この正孔を吐き出させてリセットする。
【００３０】
ところで、この照度検出センサ４１、４２のドレイン電流が外光照度に対して１μＡに達するまでの反応時間を調べたところ、一例として、図１０に示す結果が得られた。この図から明らかなように、照度検出センサ４１、４２のドレイン電流が１μＡに達するまでの反応時間は、外光照度が高くなるほど短くなる。この結果、反応時間から環境照度及びバックライト照度を求めることができる。そこで、例えば図５に示す第１のスイッチング素子５３、５４をオンするタイミングとして、照度検出センサ４１、４２から１μＡ以上の電流が流れた時点とすることもできる。なお、ドレイン電流が０．１μＡに達するまでとした場合には、反応時間は約１０分の１となり、１０μＡに達するまでとした場合には、反応時間は約１０倍となる。
【００３１】
次に、照度検出センサ４１、４２の形成方法の一例について、アクティブマトリクス型の液晶表示装置におけるスイッチング素子としてのＭＩＳ型薄膜トランジスタの形成方法と併せ、図１１を参照して説明する。裏面側のガラス基板３の上面の薄膜トランジスタ等形成領域にアルミニウム等からなるゲート電極９１を形成するとともに、同上面の照度検出センサ形成領域にアルミニウム等からなるボトムゲート電極７１を形成する。次に、上面全体には窒化シリコンからなるボトムゲート絶縁膜７２を形成する。次に、ボトムゲート絶縁膜７２の上面の薄膜トランジスタ等形成領域にアモルファスシリコンやポリシリコンからなる半導体層９２を形成するとともに、同上面の照度検出センサ形成領域にアモルファスシリコンやポリシリコンからなる半導体層７３を形成する。次に、半導体層９２、７３の上面中央部に窒化シリコンからなるブロッキング層９３、７４を形成する。次に、ブロッキング層９３、７４の上面両側及びその両側における半導体層９２、７３の上面にｎ+シリコン層９４、９５、７５、７６を形成する。次に、ｎ+シリコン層９４、９５、７５、７６の上面にアルミニウム等からなるソース電極９６、ドレイン電極９７、ソース電極７７、ドレイン電極７８を形成する。次に、上面全体には窒化シリコンからなるトップゲート絶縁膜７９を形成する。次に、トップゲート絶縁膜７９の上面の薄膜トランジスタ等形成領域にＩＴＯ等の透明電極からなる画素電極９８を形成するとともに、同上面の照度検出センサ形成領域にＩＴＯ等の透明電極からなるトップゲート電極８０を形成する。この場合、画素電極９８は、トップゲート絶縁膜７９に形成されたコンタクトホール９９を介してソース電極９６に接続される。次に、画素電極９８の所定の部分を除く上面全体に窒化シリコンからなるオーバーコート膜８１を形成する。
【００３２】
かくして、薄膜トランジスタ等形成領域にＭＩＳ型薄膜トランジスタ及び画素電極９８が形成され、照度検出センサ形成領域にＭＩＳ型薄膜トランジスタからなる照度検出センサが形成される。このように、照度検出センサ４１、４２をスイッチング素子としてのＭＩＳ型薄膜トランジスタ及び画素電極９８の形成と同時に形成することができるので、製造工程数が増加しないようにすることができる。しかも、照度検出センサ４１、４２を液晶表示パネル１の裏面側のガラス基板３上に一体的に形成しているので、照度検出センサ４１、４２を備えても、部品点数が増加しないようにすることができる。
【００３３】
なお、上記実施形態では、図４に示すように、外光照度検出センサ４１を裏面側のガラス基板３の突出部の上面に形成した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図１２に示すように、図１に示すシール材４の外側における裏面側のガラス基板３の上面において表面側のガラス基板２と対向する部分の所定の箇所に外光照度検出センサ４１を形成するようにしてもよい。このようにした場合には、外光が表面側のガラス基板２（このガラス基板２の下面に顔料入りの樹脂等からなるカラーフィルタが形成されている場合には、ガラス基板２及びカラーフィルタ）及びブラックマスク４３に形成された開口部４３ａを透過して外光照度検出センサ４１に入射されることになるので、外光の光量が数十％程度低下することになる。したがって、図４に示す場合と比較して、外光照度検出センサ４１の外光に対する反応時間を少し長めとすることができる。そこで、図４に示す場合と図１２に示す場合の２種類の外光照度検出センサ４１を設置した場合には、感度範囲を広くすることができる。
【００３４】
また、上記実施形態では、照度検出センサ４１、４２としてダブルゲート型光電変換薄膜トランジスタを用いた場合について説明したが、これに限らず、スイッチング素子としての薄膜トランジスタの形成と同時に形成することができるｐｎ型光ダイオード等を用いてもよい。また、上記実施形態では、蛍光管１７を用いた場合について説明したが、これに限らず、直線状の発光ダイオードアレイ等を用いてもよい。また、上記実施形態では、階段状の段面２２上に反射膜２４を有する導光体１５等からなるバックライト１１を用いた場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図示していないが、液晶表示パネルの裏面側に光学シートを配置し、その裏面側にＥＬ等からなるバックライトを配置するようにしてもよい。さらに、上記実施形態では、この発明を液晶表示装置に適用した場合について説明したが、これに限らず、他の非発光型の表示パネルを備えた表示装置にも適用することができる。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、外光照度検出センサ及びバックライト照度検出センサを表示パネルの同一の面上に一体的に形成しているので、照度検出センサを備えても、部品点数が増加しないようにすることができ、また、半導体層とトップゲート絶縁膜との間のトラップ準位から正孔をはき出させてリフレッシュ（リセット）することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態を適用した液晶表示装置の要部の側面図。
【図２】液晶表示装置の一部における光の進行を説明するために示す図。
【図３】光学シートを説明するために示す斜視図。
【図４】液晶表示装置の一部の概略構成を示す側面図。
【図５】液晶表示装置の要部の回路図。
【図６】液晶表示パネルの画面輝度と環境照度との関係を示す図。
【図７】照度検出センサの具体的な構造を示す断面図。
【図８】図７に示す照度検出センサの等価回路図。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）は照度検出センサの動作を説明するために示す図。
【図１０】照度検出センサのドレイン電流が外光照度に対して１μＡに達するまでの反応時間を示す図。
【図１１】照度検出センサの形成方法の一例を説明するために示す断面図。
【図１２】外光照度検出センサの他の設置例を示す側面図。
【符号の説明】
１  液晶表示パネル
２、３  ガラス基板
１１  バックライト
４１  外光照度検出センサ
４２  バックライト照度検出センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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