(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、前記配線基板上に形成される複数の高周波電力増幅系とを有し、前記各高周波電力増幅系は従属接続される複数のトランジスタで構成される高周波電力増幅装置であって、前記高周波電力増幅系のトランジスタのうちの二つ以上または全部のトランジスタが単一の半導体チップにモノリシックに形成されているとともに、前記半導体チップに設けられる隣り合うトランジスタは相互に異なる高周波電力増幅系を構成するトランジスタになっていることを特徴とする高周波電力増幅装置。
【請求項２】
配線基板と、前記配線基板上に形成される複数の高周波電力増幅系とを有し、前記各高周波電力増幅系は従属接続される複数のトランジスタで構成される高周波電力増幅装置であって、前記高周波電力増幅系のトランジスタのうちの二つ以上または全部のトランジスタが単一の半導体チップにモノリシックに形成されているとともに、前記半導体チップに設けられる隣り合うトランジスタは相互に異なる高周波電力増幅系を構成するトランジスタになり、かつ少なくとも前記最終段のトランジスタの近傍には前記配線基板の配線間を電気的に接続する空中配線体が設けられているとともに、前記空中配線体は前記トランジスタの電極に接続される導電性のワイヤの延在方向に対して直交を含み交差する方向に延在していることを特徴とする高周波電力増幅装置。
【請求項３】
前記空中配線体は前記配線基板の表層や内層の配線よりも直流抵抗が小さい金属体で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の高周波電力増幅装置。
【請求項４】
前記各高周波電力増幅系は相互に搬送周波数が異なる信号を増幅する構成になっていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の高周波電力増幅装置。
【請求項５】
複数の高周波電力増幅系を有する高周波電力増幅装置が組み込まれる無線通信機であって、前記高周波電力増幅装置は前記請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の構成になっていることを特徴とする無線通信機。
【請求項６】
請求項５に記載の無線通信機は多バンド通信方式または／および多モード通信方式の移動体通信機を構成していることを特徴とする無線通信機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多バンド通信方式や多モード通信方式のような複数の増幅系を有する高周波電力増幅装置（高周波電力増幅器モジュール：ＰＡモジュール）およびその高周波電力増幅装置を組み込んだ移動体通信機等の無線通信機に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車電話，携帯電話等の移動体通信機の送信部には高周波電力増幅器が使用されている。
【０００３】
通信方式の異なる携帯電話（セルラー電話機）間での通話を可能とする方式として多バンド通信方式や多モード通信方式が知られている。多バンド通信方式の一つとしてデュアルバンド方式がある。デュアルバンド方式については、たとえば、日立評論社発行「日立評論」、第80巻、第11号（1998年）、Ｐ47〜Ｐ52に記載されている。同文献には、搬送周波数帯が８８０〜９１５ＭＨｚのＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）と、搬送周波数帯が１７１０〜１７８５ＭＨｚのＤＣＳ−1800（Digital Cellular System 1800）によるデュアルバンド方式およびデュアルバンド用高周波電力増幅器（ＲＦモジュール：ＰＡモジュール）について記載されている。なお、同文献には、複合機としてトリプルモード方式についても記載されている。
【０００４】
また、特願平９−３５３４３８号公報には、ＰＣＮ（Personal Communications Network：ＤＣＳ−1800），ＰＣＳ（Personal Communications Servis：ＤＣＳ−1900）およびＧＳＭなどの携帯電話システムに利用できる多バンド移動体通信装置が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
デュアルバンド用高周波電力増幅モジュールにおいて、二つ以上のトランジスタ（増幅器）を一つの半導体チップにモノリシックに集積する複合チップにあっては、多段アンプの１・２段、１・２・３段等の増幅器をお互いに並べて配置すると、隣接するトランジスタの電極に接続されるワイヤ群間にクロストークが発生して帰還ループが発生し、異常発振が起きやすくなることが判明した。
【０００６】
図１２（ａ），（ｂ）は本発明に先立って検討されたデュアルバンド用高周波電力増幅装置（デュアルバンドＰＡモジュール）１のトランジスタ（増幅器）と、そのトランジスタを組み込んだ半導体チップの配列構成を示す模式図である。本構成では、第１高周波電力増幅系２と、第２高周波電力増幅系３を有し、それぞれの増幅系は初段（１段），２段，最終段（３段）とトランジスタを順次従属接続した構成になっている。
【０００７】
第１高周波電力増幅系２では、第１段トランジスタＱ１と第２段トランジスタＱ２は複合チップ１０内に隣接してモノリシックに形成され、第３段トランジスタＱ３は単独な半導体チップ１１に形成されている。また、第２高周波電力増幅系３では、第１段トランジスタＱ４と第２段トランジスタＱ５は複合チップ１２内に隣接してモノリシックに形成され、第３段トランジスタＱ６は単独な半導体チップ１３に形成されている。
【０００８】
第１高周波電力増幅系２ではＰin１端子から信号が入力され、Ｐout１端子から信号が出力され、第２高周波電力増幅系３ではＰin２端子から信号が入力され、Ｐout２端子から信号が出力される。
【０００９】
図１２（ｂ）は第１段トランジスタＱ４および第２段トランジスタＱ５を組み込んだ複合チップ１２の電極配列と、これら電極１４と配線基板のワイヤ接続用パッド１５を電気的に接続するワイヤ１６の接続状態を示す模式図である。電極１４は複合チップ１２の縁に沿って配列され、第１段トランジスタＱ４および第２段トランジスタＱ５のゲート（Ｇ）電極またはドレイン（Ｄ）電極を構成している。図に示すように、電極１４は四角形で示され、ワイヤ接続用パッド１５は前記電極１４列に平行に設けられている。また、前記電極１４とワイヤ接続用パッド１５は導電性のワイヤ１６で電気的に接続されている。
【００１０】
このような構造では、トランジスタＱ４およびトランジスタＱ５の各ワイヤ群は共に並んで延在するため、第２高周波電力増幅系３の動作時、第１段トランジスタＱ４の１段目入力と、第２段トランジスタＱ５の２段目出力との間には寄生容量Ｃｆが発生してクロストークが発生し異常発振（雑音）が発生しやすくなる。この発振は第１高周波電力増幅系２の動作にもトランジスタＱ１とトランジスタＱ２間で同様に起きやすくなる。
【００１１】
本発明者は、増幅系が複数設けられる多バンド構成や多モード構成の場合、複合チップを使用していても、複合チップの各トランジスタをそれぞれ相互に異なる増幅系を構成するトランジスタにしておくことにより、一つの増幅系が動作しても動作したトランジスタの隣接するトランジスタは動作しないため異常発振を防止できるということに気が付き本発明をなした。
【００１２】
なお、単一の半導体チップに単一のトランジスタを組み込んだものでは、実装設計において各トランジスタ間を充分離すことは良く採られる手法である。
【００１３】
本発明は、複数の高周波電力増幅系を有する多バンド通信方式または／および多モード通信方式用の高周波電力増幅装置における発振の防止を図ることにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、異常発振の防止が図れる多バンド通信方式または／および多モード通信方式移動体通信機を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
（１）配線基板と、前記配線基板上に形成される複数の高周波電力増幅系とを有し、前記各高周波電力増幅系は従属接続される複数のトランジスタで構成される高周波電力増幅装置であって、前記高周波電力増幅系のトランジスタのうちの二つ以上または全部のトランジスタが単一の半導体チップにモノリシックに形成されているとともに、前記半導体チップに設けられる隣り合うトランジスタは相互に異なる高周波電力増幅系を構成するトランジスタになり、かつ少なくとも前記最終段のトランジスタの近傍には前記配線基板の配線間を電気的に接続する空中配線体が設けられているとともに、前記空中配線体は前記トランジスタの電極に接続される導電性のワイヤの延在方向に対して直交を含み交差する方向に延在している。前記空中配線体は前記配線基板の表層や内層の配線よりも直流抵抗が小さい金属体で形成されている。前記各高周波電力増幅系は相互に搬送周波数が異なる信号を増幅する構成になっている。
【００１７】
（２）前記手段（１）の構成の高周波電力増幅装置が組み込まれた無線通信機を構成している。無線通信機は多バンド通信方式または／および多モード通信方式の移動体通信機を構成している。
【００１８】
前記（１）の手段によれば、（ａ）各高周波電力増幅系に対応してそれぞれ複合チップが設けられているが、これら複合チップに設けられる隣り合うトランジスタは相互に異なる高周波電力増幅系のトランジスタを構成することから、一方の高周波電力増幅系が動作している際は、複合チップ内で動作するトランジスタの隣接するトランジスタは動作しないため、隣り合うトランジスタのワイヤ間ではクロストークが発生しにくくなり異常発振が防止できる。
【００１９】
（ｂ）トランジスタの近傍に設けられる空中配線体は、前記トランジスタの電極に接続される導電性のワイヤの延在方向に対して直交を含み交差する方向に延在していることから、各ワイヤには前記空中配線体によって発生する電磁界の影響を受け難くなり、特に直交する場合は影響を受けにくくなり、クロストークによる異常発振が発生しにくくなる。
【００２０】
前記（２）の手段による無線通信機は、内蔵された高周波電力増幅装置の複数の高周波電力増幅系を構成するトランジスタは、単一の複合チップに形成されていても、隣り合うトランジスタは相互に異なる高周波電力増幅系を構成するトランジスタであることから、隣接するトランジスタ間での異常発振が起きにくくなり安定した通話が達成できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
（実施形態１）
本実施形態１では多バンド通信方式移動体通信機に本発明を適用した例について、より具体的にはデュアルバンド通信方式の移動体通信機およびその移動体通信機に組み込まれるデュアルバンド用高周波電力増幅装置に適用した例について説明する。
【００２３】
図１乃至図６は本発明の一実施形態（実施形態１）であるデュアルバンド用高周波電力増幅装置（高周波電力増幅器モジュール：ＰＡモジュール）に係わる図である。
【００２４】
本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュール１は、図３の斜視図に示すように、外観的には偏平な矩形体構造になっている。すなわち、デュアルバンドＰＡモジュール１は、板状の配線基板２０と、この配線基板２０の一面側（主面側）に重ねて取り付けられたキャップ２１とによって偏平矩形体構造のパッケージ２２が構成された構造になっている。
【００２５】
デュアルバンドＰＡモジュール１は、多層構造の配線基板２０の一面側にトランジスタ等の能動部品やチップ抵抗やチップコンデンサ等の受動部品を搭載するとともに、複数のトランジスタを従属接続させて多段構成の増幅器を２系統構成したモジュール構成になっている。
【００２６】
本実施形態１では高周波電力増幅系は第１高周波電力増幅系および第２高周波電力増幅系と２系統設けられている。また、各高周波電力増幅系はトランジスタを３個従属接続した３段構成〔初段（１段），２段，最終段（３段）〕になっている。
【００２７】
また、配線基板２０の一面側は電磁シールド効果の役割を果たす金属製のキャップ２１で被われている。キャップ２１は配線基板２０に直接固定され、配線基板２０とキャップ２１によってパッケージ２２が構成されている。
【００２８】
前記パッケージ２２からは電気的に独立した外部電極端子（電極端子）が突出している。すなわち、この例では、図４に示すように、配線基板２０の下面（底面）の周縁に表面実装用の外部電極端子が設けられている。
【００２９】
前記外部電極端子は、図４に示すように、パッケージ２２の一縁に沿って左から右に向かって、第１高周波電力増幅系の入力端子（Ｐin１）、第１基準電位端子（たとえば電源端子：Ｖdd）、第２基準電位端子（たとえばグランド端子：ＧＮＤ）、第１高周波電力増幅系の制御端子（Ｖapc１）、第１高周波電力増幅系の出力端子（Ｐout１）が設けられ、パッケージ２２の他縁に沿って左から右に向かって、第２高周波電力増幅系の入力端子（Ｐin２）、ＧＮＤ、第２高周波電力増幅系の制御端子（Ｖapc２）、第２高周波電力増幅系の出力端子（Ｐout２）が設けられている。これら外部電極端子は配線基板２０の側面から底面に亘って設けられている。
【００３０】
また、このデュアルバンドＰＡモジュール１は半田等による表面実装構造になっているが、この実装において配線基板２０の底面で各領域の半田厚さを均一にするように、図４に示すように、ＧＮＤ配線は選択的に設けられるレジスト膜２３によって覆われている。これにより、デュアルバンドＰＡモジュール１の実装時の信頼性を図ることができる。
【００３１】
図５は本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュール１の等価回路図である。本実施形態１では高周波電力増幅系はいずれも３段構成になる第１高周波電力増幅系２と第２高周波電力増幅系３の二つの増幅系が設けられている。
【００３２】
第１高周波電力増幅系２では、第１段トランジスタＱ１，第２段トランジスタＱ２，第３段トランジスタＱ３となるとともに、Ｐin１端子から信号が入力され、Ｐout１端子から信号が出力される。
【００３３】
第２高周波電力増幅系３では、第１段トランジスタＱ４，第２段トランジスタＱ５，第３段トランジスタＱ６となるとともに、Ｐin２端子から信号が入力され、Ｐout２端子から信号が出力される。
【００３４】
また、各部には整合用または電位調整用にコンデンサ（Ｃ１〜Ｃ１６）や抵抗（Ｒ１〜Ｒ６）が組み込まれている。Ｖdd端子は各トランジスタのドレイン端子に接続されている。また、Ｖapc１はそれぞれ抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を介してトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３のゲート電極に接続され、Ｖapc２はそれぞれ抵抗Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６を介してトランジスタＱ４，Ｑ５，Ｑ６のゲート電極に接続されている。
【００３５】
このような回路は、図６に示すように、配線基板２０に各電子部品（前記トランジスタ，抵抗，コンデンサ）を実装することによって形成されている。図６に示すように、配線基板２０の主面には配線２５が所定のパターンに形成されている。また、トランジスタの電極１４に一端を接続したワイヤ１６の他端を接続するためのワイヤ接続用パッド１５も配線２５によって形成されている。
【００３６】
一方、これが本発明の特徴の一つであるが、本実施形態１では図１，図２，図６に示すように、単一の半導体チップからなる複合チップ３０に第１高周波電力増幅系２の１段目トランジスタＱ１と第２高周波電力増幅系３の１段目トランジスタＱ４が形成されている。
【００３７】
また、単一の半導体チップからなる複合チップ３１に第１高周波電力増幅系２の２段目トランジスタＱ２と第２高周波電力増幅系３の２段目トランジスタＱ５が形成されている。
【００３８】
また、第１高周波電力増幅系２の３段目トランジスタＱ３は単一の半導体チップ３２に形成され、第２高周波電力増幅系３の３段目トランジスタＱ６は単一の半導体チップ３３に形成されている。
【００３９】
各トランジスタＱ１〜Ｑ６の電極１４（ドレイン電極，ゲート電極）と、これらに対応する配線２５部分、すなわちワイヤ接続用パッド１５は導電性のワイヤ１６で電気的に接続されている（図２参照）。
【００４０】
このようなデュアルバンドＰＡモジュール１は、高周波電力増幅系が２系統あり、切り換えによって各系統の高周波電力増幅系が動作する。そして、複合チップ３０および複合チップ３１においては、それぞれ二つのトランジスタが設けられているが、どちらの系統の高周波電力増幅系が使用されても、二つのトランジスタが設けられた複合チップでは、何方か一方のトランジスタが動作し、他方のトランジスタは動作しないようになり、複合チップにおいて隣接するトランジスタ間でのクロストークが発生しにくくなる。
【００４１】
図２において、たとえば、動作状態にあるトランジスタにはハッチングを施して示してある。この図では第１高周波電力増幅系２が動作し、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３が動作するものである。この結果、複合チップ３０において隣接するトランジスタＱ１とトランジスタＱ４との間でのクロストークは発生しにくくなる。また同様に複合チップ３１において隣接するトランジスタＱ２とトランジスタＱ５との間でのクロストークは発生しにくくなる。
【００４２】
本実施形態１では、第１高周波電力増幅系２をＧＳＭ用（搬送周波数９００ＭＨｚ）とし、第２高周波電力増幅系３をＰＣＮ用（搬送周波数１．７５ＧＨｚ）とする。
【００４３】
本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュール１は、無線通信機として、たとえば移動体通信機に組み込まれる。図７はデュアルバンドＰＡモジュール１を組み込んだ移動通信機（携帯電話機）の無線部のブロック図である。
【００４４】
デュアルバンド携帯電話機は、図７に示すように、マイクやスピーカに接続されかつベースバンドＩＣを有するベースバンド部４０と、前記ベースバンド部４０に接続されかつアナログ・デジタルコンバータやデジタル・アナログコンバータを有するコンバータ４１と、前記コンバータ４１に接続される信号処理部４２と、アンテナ４３と、前記アンテナ４３の切り換えを行うスイッチ４４と、前記信号処理部４２とスイッチ４４との間に組み込まれるデュアルバンドＰＡモジュール１と、前記信号処理部４２とスイッチ４４との間に２系統として組み込まれる２組の低雑音アンプ（ＬＮＡ）４５，４６と、前記信号処理部４２に接続されるＲＦＶＣＯ４７と、前記ＲＦＶＣＯ４７および信号処理部４２に接続されるＲＦＰＬＬおよびＩＦＰＬＬを有するデュアルシンセサイザ４８とを具備している。
【００４５】
前記信号処理部４２は、送信系として変調器５０と、これに接続されるＰＬＬ（Phase-Locked Loop）５１を有し、変調器５０はコンバータ４１に接続され、ＰＬＬ５１はデュアルバンドＰＡモジュール１に接続されている。
【００４６】
また、信号処理部４２には受信系として二つの周波数帯域に対して用意された前記低雑音アンプ（ＬＮＡ）４５，４６にそれぞれ接続される二つのＲＦミキサ５２，５３と、前記ＲＦミキサ５２，５３に接続されるＡＧＣ（Auto Gain Control）を有するＩＦミキサ５４と、前記ＩＦミキサ５４に接続される復調器５５を有している。前記復調器５５はコンバータ４１に接続されている。
【００４７】
また、デュアルシンセサイザ４８は信号処理部４２内に設けられたＩＦＶＣＯ５６を介してＩＦミキサ５４，変調器５０，復調器５５に接続されている。また、ＲＦＶＣＯ４７はＰＬＬ５１，ＲＦミキサ５２，５３に接続されている。
【００４８】
このようなシステム構成のデュアルバンド携帯電話機においては、使用するシステム（周波数）に対応したＬＮＡ，ＲＦミキサ，ＲＦＶＣＯおよびＰＡモジュールを選択し、他方をスリープ（否使用）モードにする。その切替えについては、各システムの混雑の度合いにより自動で選択するか、または手動で任意に選択する。
【００４９】
本実施形態１によるデュアルバンド携帯電話機によればデュアルバンドの通信が可能になる。そして、前記デュアルバンドＰＡモジュール１が、複合チップでの隣接するトランジスタ間のクロストークに起因する異常発振が起きにくくなり、良好な状態で通話ができることになる。
【００５０】
本実施形態１によれば以下の効果を有する。
【００５１】
（１）各高周波電力増幅系（第１高周波電力増幅系２，第２高周波電力増幅系３）に対応してそれぞれ複合チップ３０，３１が設けられているが、これら複合チップ３０，３１にモノリシックに隣り合って形成されたトランジスタ（Ｑ１とＱ４またはＱ２とＱ５）は、相互に異なる高周波電力増幅系のトランジスタを構成するトランジスタであることから、一方の高周波電力増幅系が動作しているときは、隣接するトランジスタは動作しないため、隣り合うトランジスタのワイヤ間での異常発振が発生しにくくなる。
【００５２】
（２）デュアルバンド携帯電話機においては、電話機に組み込まれた高周波電力増幅装置は、前記（１）に記載したように複合チップのトランジスタがその動作時隣接するトランジスタとの間でクロストークを発生することを防止できるため、異常発振の起きにくい安定した通話が達成できる。
【００５３】
（実施形態２）
図８乃至図１０は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるデュアルバンドＰＡモジュールに係わる図であり、図８はデュアルバンドＰＡモジュールの等価回路図、図９は電子部品を搭載した配線基板の模式的平面図である。
【００５４】
本実施形態２は、前記実施形態１の構成において、第１高周波電力増幅系２および第２高周波電力増幅系３の最終段のトランジスタ（Ｑ３，Ｑ６）のドレイン電極に接続される配線の直流抵抗を小さくするために空中配線体（電流空中配線体）６０，６１を介在させたものである。この電流空中配線体６０，６１は初段，２段，最終段のトランジスタの近傍を通過するように延在しているが、その延在方向は、図９に示すように、各トランジスタの電極に接続されるワイヤ１６の延在方向と直交する方向になっている。
【００５５】
すなわち、図１０は電流空中配線体６０とワイヤ１６との関係を示す模式図であるが、たとえばトランジスタＱ３の電極１４とワイヤ接続用パッド１５を接続するワイヤ１６の延在方向と、電流空中配線体６０の延在方向は直交している。このように電流空中配線体６０，６１の延在方向を、電流空中配線体６０，６１に近接配置されるトランジスタのワイヤ１６の延在方向に対して９０度に近づけることにより電磁界の影響を抑えて発振を防止させるものである。電流空中配線体６０，６１はワイヤ１６の延在方向に対して交差する方向に延在していればよく、９０度に近い程電磁界の影響を少なくできる。
【００５６】
電流空中配線体６０，６１は配線基板２０の表層や内層の配線よりも直流抵抗が充分小さくなる幅広の金属体（たとえば、幅１ｍｍ，厚さ０．１ｍｍ程度の銅板）で形成されている。
【００５７】
（実施形態３）
図１１は本発明の他の実施形態（実施形態３）であるデュアルバンドＰＡモジュールの複合チップとトランジスタの組み合わせを示す模式図であり、図１１（ａ）は高周波電力増幅系の各トランジスタと半導体チップとの相関を示すものであり、図１１（ｂ）は半導体チップにおける各トランジスタの配置状態を示す模式図である。
【００５８】
本実施形態３の回路構成は前記実施形態１および実施形態２と同様であるが、３段のトランジスタは単一の半導体チップにモノリシックに形成されている。すなわち、図１１（ｂ）に示すように、本実施形態３では、２個の複合チップ７０，７１が使用される。
【００５９】
一方の複合チップ７０には、第１高周波電力増幅系２の第１段トランジスタＱ１と、第２高周波電力増幅系３の第２段トランジスタＱ５と、第１高周波電力増幅系２の第３段トランジスタＱ３が順次一列に並ぶように配置されている。
【００６０】
また、他方の複合チップ７１には、第２高周波電力増幅系３の第１段トランジスタＱ４と、第１高周波電力増幅系２の第２段トランジスタＱ２と、第２高周波電力増幅系３の第３段トランジスタＱ６が順次一列に並ぶように配置されている。
【００６１】
この結果、両複合チップ７０，７１における一列に並ぶ３個のトランジスタは、隣接同士では相互に異なる高周波電力増幅系を構成するトランジスタになるため、動作するトランジスタに隣接するトランジスタは動作しなくなり、隣接するトランジスタ同士に起因する異常発振を抑止することができることになる。
【００６２】
したがって、本実施形態３のデュアルバンドＰＡモジュールを組み込んだデュアルバンド携帯電話機も複合チップのトランジスタがその動作時隣接するトランジスタとの間で異常発振をすることを防止できるため、安定した通話が達成できるようになる。
【００６３】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、本発明は周波数が異なる通信システムは勿論のこと、アナログ通信やデジタル通信さらにはマルチメディアを対象とする通信とを含む無線通信にも適用することができる。
【００６４】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００６５】
（１）複数の高周波電力増幅系を有する高周波電力増幅装置において、複合チップに設けられる複数のトランジスタは相互に異なる高周波電力増幅系を構成するトランジスタになっていることから、トランジスタ間での異常発振が防止できる。したがって、このような高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信機では異常発振が起きにくいことから安定した通話が可能になる。
【００６６】
（２）トランジスタの近傍に空中配線体を設ける高周波電力増幅装置では、空中配線体の延在方向をトランジスタの電極に接続されるワイヤの延在方向に対して直交するようにしてあることから、電流空中配線体によって発生する電磁界の影響が生じにくくなり発振の防止が達成できる。したがって、このような高周波電力増幅装置を組み込んだ無線通信機では発振が起きにくく良好な状態での通話が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）であるデュアルバンド用高周波電力増幅装置の２系統の高周波電力増幅系を示す模式図である。
【図２】本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュールの動作状態のトランジスタを模式的に示す模式図である。
【図３】本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュールの外観を示す斜視図である。
【図４】本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュールの底面図である。
【図５】本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュールの等価回路図である。
【図６】本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュールにおいて電子部品を搭載した配線基板を示す模式的平面図である。
【図７】本実施形態１のデュアルバンドＰＡモジュールを組み込んだ移動体通信機のシステム構成を示すブロック図である。
【図８】本発明の他の実施形態（実施形態２）であるデュアルバンドＰＡモジュールの等価回路図である。
【図９】本実施形態２のデュアルバンドＰＡモジュールにおいて電子部品を搭載した配線基板を示す模式的平面図である。
【図１０】本実施形態２のデュアルバンドＰＡモジュールにおける電流空中配線体とワイヤとの関係を示す模式図である。
【図１１】本発明の他の実施形態（実施形態３）であるデュアルバンドＰＡモジュールの複合チップとトランジスタの組み合わせを示す模式図である。
【図１２】本発明に先立って検討されたデュアルバンド方式ＲＦパワーモジュールのトランジスタとそのトランジスタを組み込んだチップの配列構成を示す模式図である。
【符号の説明】
１…デュアルバンド用高周波電力増幅装置（デュアルバンドＰＡモジュール）、２…第１高周波電力増幅系、３…第２高周波電力増幅系、１０…複合チップ、１１…半導体チップ、１２…複合チップ、１３…半導体チップ、１４…電極、１５…ワイヤ接続用パッド、１６…ワイヤ、２０…配線基板、２１…キャップ、２２…パッケージ、２３…レジスト膜、２５…配線、３０，３１…複合チップ、３２，３３…半導体チップ、４０…ベースバンド部、４１…コンバータ、４２…信号処理部、４３…アンテナ、４４…スイッチ、４５，４６…低雑音アンプ（ＬＮＡ）、４７…ＲＦＶＣＯ、４８…デュアルシンセサイザ、５０…変調器、５１…ＰＬＬ、５２，５３…ＲＦミキサ、５４…ＩＦミキサ、５５…復調器、５６…ＩＦＶＣＯ、６０，６１…電流空中配線体、７０，７１…複合チップ、Ｑ１，Ｑ４…第１段トランジスタ、Ｑ２，Ｑ５…第２段トランジスタ、Ｑ３，Ｑ６…第３段トランジスタ、Ｃ１〜Ｃ１６…コンデンサ、Ｒ１〜Ｒ６…抵抗。
【図１】
0003645731.tif 000002
【図２】
0003645731.tif 000003
【図３】
0003645731.tif 000004
【図４】
0003645731.tif 000005
【図５】
0003645731.tif 000006
【図６】
0003645731.tif 000007
【図７】
0003645731.tif 000008
【図８】
0003645731.tif 000009
【図９】
0003645731.tif 000010
【図１０】
0003645731.tif 000011
【図１１】
0003645731.tif 000012
【図１２】
0003645731.tif 000013