(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極基体と、前記電極基体の被処理部材に対向する側に配置され、前記電極基体に電気的に導通するように該電極基体に固定される活物質支持体と、該活物質支持体の放電面となる表面側を覆う導電性活物質層とを有する放電部材とを備え、
前記電極基体の前記被処理部材に対向する側と、これと反対側との間でメッキ液を連通させる液連通部が形成されてなり、
前記電極基体が前記液連通部の一部をなす開口を有した枠状に形成され、該電極基体の前記開口の周縁部を支持面として、板状の前記活物質支持体の裏面側が前記支持面に溶接部を介して接合されてなり、
前記導電性活物質層が、ＩｒＯ２換算にて７０原子％以上７５原子％以下のＩｒと、Ｔａ２Ｏ５換算にて１５原子％以上２０原子％以下のＴａと、ＳｎＯ２換算にて５原子％以上１５原子％以下のＳｎとを金属カチオンとして含有する金属酸化物よりなることを特徴とするＳｎメッキ用電極。
【請求項２】
前記活物質支持体がＴｉ、Ｚｒ、Ｔａ及びＮｂのいずれかを主成分とする金属よりなる請求項１記載のＳｎメッキ用電極。
【請求項３】
前記活物質支持体がＴｉを主成分として、Ｐｄ−Ｎｉ、Ｒｕ、Ｍｏ及びＣｏより選ばれる１種又は２種以上を含有するＴｉ合金よりなる請求項２記載のＳｎメッキ用電極。
【請求項４】
前記放電部材の前記活物質支持体が、前記液連通部の一部をなす貫通孔が板厚方向に貫通する形で複数分散形成された板状に形成されてなる請求項１ないし３のいずれか１項に記載のＳｎメッキ用電極。
【請求項５】
前記活物質支持体は、多孔質金属板、金属網及びエキスパンドメタルのいずれかよりなる請求項４記載のＳｎメッキ用電極。
【請求項６】
前記溶接部は前記開口の周縁部に沿って線状に形成されたシーム溶接部である請求項１ないし５のいずれか１項に記載のＳｎメッキ用電極。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電極を、Ｓｎメッキ液中にて、長手方向に連続搬送される鋼板ストリップに対し、被メッキ面となる板面に放電面が対向する形で配置し、電極側をアノード、鋼板ストリップ側をカソードとして前記Ｓｎメッキ液を介して通電することにより、鋼板ストリップの表面に連続Ｓｎメッキ処理することを特徴とするＳｎメッキ方法。
【請求項８】
前記鋼板ストリップの搬送速度が０．５ｍ／秒以上である請求項７記載のＳｎメッキ方法。
【請求項９】
前記通電の電流密度が２５Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下である請求項７又は８に記載のＳｎメッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｓｎメッキ用電極及びそれを用いたＳｎメッキ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開２００１−７３１９７号公報
【特許文献２】
特許第２９７９６９１号公報
【特許文献３】
登録実用新案第３００６８４６号公報
【０００３】
従来、例えば鋼板ストリップにＳｎ（又はＳｎ合金）を連続的にメッキするラインにおいては、メッキ用電極として、Ｔｉ等の耐食性金属で構成された電極基体にセグメント状の放電部材（板状陽極）を取り付けたものが多く使用されるようになってきている。このようなメッキ電極においては放電部材として、Ｔｉ等の耐食性金属板の表面に、特許文献１〜３に開示されているごとく、放電活性を付与するための、ＩｒＯ２を主成分とする導電性活物質を被覆したものが使用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＩｒＯ２を活物質層として使用するＳｎメッキ用電極は、活物質層が基材への付着力がやや弱いことから、高速Ｓｎメッキ用ライン（例えば、鋼板ストリップ搬送速度が０．５ｍ／秒以上、電流密度が２５〜２００Ａ／ｄｍ２）に適用したとき、活物質の脱落によるメッキむらや脱落物の巻き込みによるメッキ不良などを生じやすい問題がある。また、別の問題として、高速Ｓｎメッキに使用したとき、活物質層の表面にＳｎ系の堆積物（例えばＳｎＯ２）が付着しやすく、それによって次のような不具合を招くことにつながる。
▲１▼放電抵抗増加によるメッキ効率の低下、ひいては電極寿命の短縮。
▲２▼局所的な堆積物付着によるメッキむらの発生。
▲３▼堆積物付着代を考慮した被メッキ物と電極との極間拡大の必要性、及びそれによるメッキ電圧の上昇と消費電力の増大。
【０００５】
本発明の課題は、被処理物が高速移動するラインに適用した場合でも、活物質層の脱落が生じにくく、しかも電極へのＳｎ系付着物の堆積を抑制することができ、ひいては、メッキ効率が向上し、また、電極寿命を延ばすことが可能なＳｎメッキ用電極と、それを用いたＳｎメッキ方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記の課題を解決するために本発明のＳｎメッキ用電極は、
電極基体と、電極基体の被処理部材に対向する側に配置され、電極基体に電気的に導通するように該電極基体に固定される活物質支持体と、該活物質支持体の放電面となる表面側を覆う導電性活物質層とを有する放電部材とを備え、導電性活物質層が、ＩｒＯ２換算にて７０原子％以上７５原子％以下のＩｒ（以下、単にＩｒＯ２含有率等と記載する）、Ｔａ２Ｏ５換算にて１５原子％以上２０原子％以下のＴａ（以下、単にＴａ２Ｏ５含有率等と記載する）と、ＳｎＯ２換算にて５原子％以上１５原子％以下のＳｎ（以下、単にＳｎＯ２含有率等と記載する）とを金属カチオンとして含有する金属酸化物よりなることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明のＳｎメッキ方法は、上記本発明のＳｎメッキ用電極を、Ｓｎメッキ液中にて、長手方向に連続搬送される鋼板ストリップに対し、被メッキ面となる板面に放電面が対向する形で配置し、電極側をアノード、鋼板ストリップ側をカソードとしてＳｎメッキ液を介して通電することにより、鋼板ストリップの表面に連続Ｓｎメッキ処理することを特徴とする。
【０００８】
本発明によると、電極に使用する導電性活物質層として、７０原子％以上７５原子％以下のＩｒＯ２に対し、１５原子％以上２０原子％以下のＴａ２Ｏ５と、５原子％以上１５原子％以下のＳｎＯ２とを配合した酸化物を使用することにより、活物質被覆層の強度が向上し、また活物質支持体への付着力も増す。従って、高速Ｓｎメッキ用ラインに適用したとき、活物質の脱落が生じにくくなり、ひいてはメッキむらや脱落物の巻き込みによるメッキ不良の発生を効果的に防止できる。また、導電性活物質層の表面への、Ｓｎ系の堆積物（例えばＳｎＯ２）の付着が劇的に抑制され、放電抵抗増加が生じにくくなるので、メッキ効率が向上し、電極寿命も延ばすことができる。また、局所的な堆積物付着によるメッキむらの発生も抑制できる。さらに、被メッキ物と電極との極間を狭くでき、ひいては消費電力も削減することができる。
【０００９】
なお、上記金属酸化物よりなる導電性活物質層は１層のみを形成する構造としてもよいし、金属等の導電材料よりなる導電層を介して複数の導電性活物質層を積層形成する構造としてもよい。
【００１０】
上記本発明の効果は、鋼板ストリップの搬送速度が０．５ｍ／秒以上（望ましくは５ｍ／秒以上）、あるいは通電の電流密度が２５Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下の高速Ｓｎメッキ用ラインに適用したとき、一層顕著となる。
【００１１】
導電性活物質層中のＴａ２Ｏ５含有率が１５原子％未満になると、ＩｒＯ２を主体とする導電性活物質層の密着力が低下し、高速Ｓｎメッキ用ラインに適用したとき、活物質の脱落が生じやすくなる。また、Ｔａ２Ｏ５含有率が２０原子％を超えると、ＳｎＯ２の含有率かＩｒＯ２の含有率の少なくともいずれかが、下限値を下回らざるを得なくなる。ＩｒＯ２の含有率が下限値（７０原子％）未満になったときは、メッキ効率の低下につながる。
【００１２】
他方、導電性活物質層中のＳｎＯ２の含有率が下限値（５原子％）未満になった場合、高速Ｓｎメッキ用ラインに適用したとき、電極へのＳｎ系付着物の堆積抑制効果が十分に確保できなくなる。また、ＳｎＯ２含有率が１５原子％を超えると、ＩｒＯ２の含有率が下限値未満となるか、又はＴａ２Ｏ５の含有率が下限値未満となるか、のいずれかとなる。前者の場合は、メッキ効率の低下につながり、後者の場合は、高速Ｓｎメッキ用ラインに適用したとき、活物質の脱落が生じやすくなる。
【００１３】
また、導電性活物質層中のＩｒＯ２の含有率が７０原子％未満になると、メッキ効率の低下につながり、７５原子％を超えると、Ｔａ２Ｏ５及びＳｎＯ２の少なくともいずれかが下限値未満となるので、既に説明したいずれかの不具合を招来することにつながる。
【００１４】
なお、導電性活物質被覆を構成する酸化物は、ＩｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５及びＳｎＯ２の含有率が上記の範囲を充足している限り、上記の本発明の効果を損なわない範囲にて、カチオン成分に他の元素を副成分として含有させることが可能である。例えば、バルブ金属又は白金族金属、具体的にはＴｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｒｕ又はＰｄの１種または２種以上を副成分として使用できる。
【００１５】
次に、活物質支持体は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ及びＮｂのいずれかを主成分とする金属にて構成することが、耐腐食性など、放電部材のメッキ液中での化学的耐久性を確保する上で望ましい。このうち、特にＴｉを主成分（最も質量含有率の高い成分のことである）とする金属は耐食性が良好であり、しかも軽量で加工や溶接も比較的容易であること、さらに、他の材質と比較して安価であることから、本発明に好適に使用できる。具体的には、工業用の純Ｔｉが本発明に好適である。また、Ｔｉを主成分として、Ｐｄを含有するＴｉ合金は耐食性に優れている、さらに本発明に好適に使用できる。
【００１６】
また、電極基体も、その少なくとも表層部を、上記活物質支持体の構成金属と同様の金属にて構成することが望ましい。その理由は、活物質支持体の場合と略同じである。なお、接触による局部電池形成、ひいてはそれによる腐食を防止するために、電極基体と活物質支持体とはなるべく同一の材質にて構成することが望ましい。
【００１７】
次に、本発明においては、電極の被処理部材に対向する側と、これと反対側との間でメッキ液を連通させる液連通部が形成しておくことが望ましい。これにより、電極に対向する鋼板ストリップ等の被処理部材が高速移動して液流が発生しても、電極に形成された液連通部を介して、電極表面側と裏面側とでメッキ液が流通可能となっているので、被処理部材と電極との間に負圧が発生しにくい。その結果、負圧発生により被処理部材と電極とが吸引・接近してショート等のトラブルを招く不具合を、極めて効果的に防止することができる。また、負圧発生の心配が軽減されることから、被処理部材の送り速度を、前述の範囲に増大させることが可能となり、該電極を用いたメッキや電解酸洗等の電気化学処理の能率を大幅に向上させることができる。さらに、電極と被処理部材との距離を近づけることができるから、メッキ消費電力を節約することができる。
【００１８】
具体的には、放電部材の活物質支持体を、液連通部の一部をなす貫通孔が板厚方向に貫通する形で複数分散形成された板状に形成することができる。板状の放電部材の板面に複数の貫通孔が分散開口することで、電極面全体に渡って均一に液流通を促すことができ、負圧発生の問題をより生じにくくすることができる。また、非通電部となる貫通孔が分散形成されることで、貫通孔に由来したメッキむら等も生じにくい。該効果は、活物質支持体が、多孔質金属板、金属網及びエキスパンドメタルのいずれかにて構成される場合、特に顕著である。
【００１９】
他方、電極基体は、液連通部の一部をなす開口を有した枠状に形成することができる。電極基体を、開口の大きな枠状に形成することで、負圧軽減のための液流通をより効果的に促進でき、ひいては、液連通部の効果をさらに高めることができる。この場合、電極基体の開口の周縁部を支持面として、板状の活物質支持体の裏面側が支持面に溶接部を介して接合する構成にすると、電極基体への放電部材の組付け工程も簡略化され、接合用の締結部材も不要なので、電極全体を安価に構成できる。溶接部は、上記開口の周縁部に沿って線状に形成されたシーム溶接部とすることで、接合工程が一層簡略化され、さらに線状の溶接部により電極基体と放電部材との接合強度も高めることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面に示す実施例を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施例たるＳｎメッキ用電極（以下、単に「電極」ともいう）２０１の正面図及び側面図である。電極１は、少なくとも表層部（この実施例ではその全体）が、耐食性金属であるＴｉ又はＴｉ合金（以下、これらを総称してＴｉ系金属という）にて構成された電極基体３０を有する。また、この電極基体３０の被処理部材に対向する側には、少なくとも表層部、この実施例ではその全体が工業用純Ｔｉにて構成され、裏面側にて電極基体３０に電気的に導通するようにこれに固定される放電部材３５とを備える。この放電部材３５は、少なくとも表層部、例えば全体が工業純Ｔｉからなる活物質支持体２３０（図４参照）と、その表面を覆う導電性活物質層２３１とからなるものである。この導電性活物質層２３１は、ＩｒＯ２換算にて７０原子％以上７５原子％以下のＩｒと、Ｔａ２Ｏ５換算にて１５原子％以上２０原子％以下のＴａと、ＳｎＯ２換算にて５原子％以上１５原子％未満のＳｎとを金属カチオンとして含有する金属酸化物よりなるものである。
【００２１】
放電部材３５の活物質支持体２３０は、貫通孔２１１ｐが板厚方向に貫通する形で複数分散形成された板状形態を有する。活物質支持体２３０は、本実施形態では図４に示すように、板厚方向に貫通する複数の切れ目が全面に千鳥状に形成された耐食性金属板を、その切れ目の形成方向と交差する向きに変形させ、切れ目をその変形方向に開口することにより、貫通孔２１１ｐをなす菱形状の網目（以下、網目２１１ｐと記載する）が形成されたものが使用されている。これは、いわゆるエキスパンドメタルと称されるもので、板状の素材に切れ目を入れて引き伸ばすことにより比較的安価に製造できる利点がある。また、導電性活物質層２３１を担持させる上で、以下のような特有の効果がある。すなわち、線材を編み合わせて製造した通常の網材の場合、縦横の線材は交差位置において本質的に非結合であり、温度変化に曝された際の膨張・収縮により微量ではあるが互いに摺動する。このような摺動が繰り返されると、線材の交差位置において担持されている導電性活物質層にクラック等が生じやすくなり、ひいては電性活物質層２３１の剥離・脱落が生じやすくなる場合がある。しかしながら、上記のようなエキスパンドメタルでは、網目を形成する線状部分がすべて一体不可分に結合されているので、上記のような不具合が生じにくい。
【００２２】
なお、本実施形態において、エキスパンドメタルは、ローラー加圧により平坦に矯正したものを使用している。そして、導電性活物質層２３１は、図５に示すように、活物質支持体２３０をなすエキスパンドメタルの線状金属部２３０ｓの周囲を取り囲むように形成されている。
【００２３】
なお、菱形状の網目２１１ｐの間隔Ｄを、その長対角線の寸法Ｔと短対角線の寸法Ｓとの平均値（≡（Ｔ＋Ｓ）／２）で定義したときに、該Ｄは１．５〜５０ｍｍに調整されているのがよい。Ｄが１．５ｍｍ未満では液流通効果が不十分となる。逆に５０ｍｍを超えると、放電表面積を十分に確保することが困難となり、導電性活物質層２３１の消耗が加速されて寿命が尽きやすくなる場合がある。Ｄは、さらに望ましくは２〜２４ｍｍに調整されているのがよい。一方、網目２１１ｐを形成する線状部分の断面径（線状部分の、長手方向における略中央位置での軸断面の円換算径を断面径として定義する）は、０．３〜３ｍｍに調整されているのがよい。断面径が０．３ｍｍ未満では活物質支持体２３０としての強度確保が困難となり、断面径が３ｍｍを超えると、液流通効果を十分達成するには網目間隔Ｄを相当大きくしなければならず、電流密度が過剰になりやすくなる。
【００２４】
次に、図２に示すように、電極基体３０は開口６を有した枠状に形成され、該開口６の周縁部を支持面３０ｆとして、板状の放電部材３５の裏面側が該支持面３０ｆに溶接部を介して接合されてなる。この開口６が、放電部材３５側の貫通孔２１１ｐとともに、電極２０１の液連通部を形成している。本実施形態においては、エキスパンドメタルよりなる活物質支持体２３０の裏面側の一部に、導電性活物質層２３１の非形成部が設けられ、該非形成部において、金属製の活物質支持体２３０が、同じく金属製の電極基体３０と溶接部Ｗにより結合されている。
【００２５】
溶接部Ｗは、開口６の周縁部に沿って線状に形成されたシーム溶接部とされている。図７に示すように、シーム溶接部の形成経路を、エキスパンドメタルをなす線状金属部２３０ｓが断続的に横切る形となるため、溶接部Ｗも上記形成経路に沿って点状のものが断続的に現われる。図３は、シーム溶接部Ｗの形成形態の一例を示すものである。該図では、長方形状の開口６が、電極基体３０の高さ方向にそれぞれ長辺方向が一致するように、千鳥状に開口形成され、その開口６の各辺に沿うようにシーム溶接部Ｗが形成されている。図２に示すように、放電部材３５は長方形状に形成される。ただし、千鳥状の放電部材配列により電極面を埋め尽くすため、電極高さ方向において一列おきに、電極幅方向両端に位置する放電部材が、該電極幅方向の寸法が短縮された小放電部材３５ｓとされている。以下、「放電部材の長辺方向」を、短縮されない放電部材３５の長辺方向として定義する。
【００２６】
放電部材３５，３５ｓは、短辺側の縁部が開口６の長辺側の縁部をなす支持面３０ｆと重なるように配置され、ここに放電部材３５，３５ｓの短辺側の縁部に沿うシーム溶接部Ｗが形成されている。放電部材３５は、その長辺方向において複数の開口６にまたがるように配置され、該長辺方向の中間において、隣接する開口６，６間に位置する支持面３０ｆとの重なり部にもシーム溶接部Ｗが形成されてなる。電極基体３０の高さ方向と幅方向のいずれにおいても、隣接する放電部材３５の突合せ位置には、各放電部材３５の縁に対応して独立したシーム溶接部Ｗが形成される。従って、該位置に対応した支持面３０ｆには、２本のシーム溶接部Ｗが並んで形成される。また、図２に示すように、被メッキ物である鋼板ストリップＳＳは、電極２０１の高さ方向に搬送される。そして、メッキ電流密度が低くなりやすい放電部材３５の突合せ縁が、鋼板ストリップＳＳの幅方向の同じ位置に常に現われることがないよう、電極２０１の幅方向に並ぶ突合せ縁ＣＥ（放電部材３５，３５ｓの短辺側の縁部に対応）が千鳥状に分散配置されている。
【００２７】
以下、上記電極２０１を用いたＳｎメッキ方法について説明する。
図１は鋼板ストリップＳＳの両面にＳｎメッキを連続的に施すラインの一例を示すもので、メッキ液ＳＬ中を長手方向に連続搬送される被処理部材としての鋼板ストリップＳＳに対し、電極２０１が、被メッキ面（この実施例では両面）となる板面に放電面が対向する形で配置される。電極２０１は、電解液Ｌへの浸漬部分において鋼板ストリップＳＳと対向する側が放電面であり、後述の放電部材が配置される。そして、電極側をアノード、鋼板ストリップ側をカソードとしてメッキ液ＳＬを介して通電することにより、メッキ液ＳＬ中のＳｎイオンが鋼板ストリップＳＳの表面に析出し、連続Ｓｎメッキ処理されることとなる。なお、鋼板ストリップＳＳは、ガイドロール５０等によりメッキ液ＳＬ中を搬送される。
【００２８】
鋼板ストリップＳＳは、５ｍ／秒以上２０ｍ／秒以下のかなりの高速でメッキ液ＳＬ中を搬送され、また、メッキ速度を上昇させるため、電流密度も２５Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下と高く設定される。図２の電極２０１は、放電部材３５に形成される導電性活物質層２３１（図４）として、７０原子％以上７５原子％以下のＩｒＯ２に対し、１５原子％以上２０原子％以下のＴａ２Ｏ５と、５原子％以上１５原子％以下のＳｎＯ２とを配合した酸化物を使用しており、上記のごとき高速Ｓｎメッキ用ラインに適用した場合でも活物質の脱落が生じにくくなる。また、導電性活物質層２３１の表面への、Ｓｎ系の堆積物（例えばＳｎＯ２）の付着が劇的に抑制され、放電抵抗増加が生じにくくなるので、メッキ効率が向上し、電極寿命も延ばすことができる。また、局所的な堆積物付着によるメッキむらの発生も抑制できる。
【００２９】
また、図１において電極２０１の放電面と鋼板ストリップＳＳの被メッキ面との距離は小さい。そのため、鋼板ストリップＳＳと電極２０１との間には、鋼板ストリップＳＳの高速移動に伴う流体摩擦により電解液の流れが生ずる。しかしながら、放電部材３５の貫通孔２１１ｐ（図４）と、電極基体２の貫通部６（図２）とを介して電極２０１の表面側と裏面側とでメッキ液が流通可能となっているので、図１において鋼板ストリップＳＳと電極２０１との間には負圧が発生しにくい。その結果、負圧発生により鋼板ストリップＳＳと電極２０１とが吸引・接近してショートする等のトラブルが、効果的に防止される。さらに、負圧発生が生じにくくなっていることにより、鋼板ストリップＳＳと電極２０１との距離を２０〜６０ｍｍ程度に近づけることができ、低い電圧でもメッキに必要な電流密度を確保できることから、電力節減にも寄与する。
【００３０】
なお、放電部材３５は、図６に示すように、導電性活物質層２３１と活物質支持体２３０との間に、金属Ｔａ又はその酸化物よりなる中間層２３１ｍを配置することにより、導電性活物質層２３１の活物質支持体２３０に対する付着力をさらに高めることが可能である。
【００３１】
【実験例】
以下、本発明の効果を確認するために行なった実験結果について説明する。
図１に示すメッキ装置を用い、各種試験を行った。使用した電極は図２に示すタイプのものであり、電極面の縦方向寸法Ｌ1が１５００ｍｍ、幅方向寸法Ｌ2を１２００ｍｍとしている。放電部材には、表１に示す種々の組成の導電性活物質層（以下、活性層ともいう）を形成している。その形成方法は、以下の通りである。まず、Ｔｉ製基材の両面に、アルミナ砥粒を４ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で約１０分間噴射することによりブラスト処理し、その後、流水中で１昼夜洗浄した後乾燥する前処理を行った。他方、活性層形成用の塗付剤として、塩化イリジウム酸、塩下スズ、ブチルチタネート及び塩化タンタルを、表１の種々の活性層組成が得られる配合にてブタノールに溶解したものを用意した。該塗付剤をＴｉ製基材に塗付し、１２０℃で１０分乾燥し、さらに電気炉中で５００℃にて２０分焼成する処理を１０回繰り返し、１０ｇ／ｍ２の付着量となるように、各組成の活性層を形成した。
【００３２】
上記の電極４枚を図１の装置にセットし、メッキ槽Ｂ内にＳｎメッキ浴ＳＬを建浴した。ただし、浴組成は、Ｓｎイオン濃度が３０ｇ／Ｌ、酸濃度がＨ２ＳＯ４換算にて１５ｇ／Ｌのフェノールスルホン酸浴であり、ヒータにより浴温を４５℃に維持した。そして、幅１０００ｍｍの炭素鋼板ストリップを７ｍ／秒にて搬送しながら、これをカソードとして電極面（隙間７を含む）全体における電流密度を２０〜８０Ａ／ｄｍ２の種々の値にて通電し、鋼板ストリップの両面に連続Ｓｎメッキを行った。ただし、電極と鋼板面との距離は４０ｍｍに固定した。該メッキ処理は、一日８時間通電にて３０日間（１ヶ月）継続した。
【００３３】
処理終了後、被処理品のメッキ厚さを測定した。また、活性層の電気比抵抗（ただし、番号３の試験品の測定値を１００として相対値にて示す）を交流インピーダンス法により測定した。他方、活性層の消耗厚さを測定し、活性層の消耗速度を測定した。さらに、メッキ面における色むらの有無を目視確認し、「○」（色むら全くなし）、「△」（僅かな色むら発生）、「×」（顕著な色むらが発生）の３段階にて評価した。また、放電部材上へのＳｎＯ２堆積の有無を、「○」（堆積ほとんどなし）、「△」（堆積多少あり）、「×」（顕著な堆積あり）の３段階にて評価した。また、導電性活物質層の剥離の有無を目視観察し、「○」（剥離ほとんどなし）、「△」（軽微な剥離程度）、「×」（剥離顕著）の３段階にて評価した。以上の結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
0003697447.tif 000002
【００３５】
この結果によると、本件特許請求の範囲に記載した組成を有する活性層を採用することにより、活性層の抵抗増大（メッキ消費電力の過大な増大をもたらす）や、剥離等による活性層の異常消耗を生ずることなく、放電部材上へのＳｎＯ２堆積を効果的に抑制できていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電極を使用した連続Ｓｎメッキ工程の概念を説明する図。
【図２】本発明の電極の一実施例を示す正面図及び側面図。
【図３】図２の電極における、放電部材固定用のシーム溶接部の、形成形態の一例を示す正面図。
【図４】放電部材の活物質支持体をエキスパンドメタルにより構成した例を示す部分拡大図。
【図５】エキスパンドメタルよりなる活物質支持体への導電性活物質層の形成形態を示す断面模式図。
【図６】図５において中間層を設ける例を示す断面模式図。
【図７】図４の活物質支持体を用いた放電部材を電極基体に溶接接合する例を示す側面模式図。
【符号の説明】
６  開口
３０  電極基体
３０ｆ  支持面
３５  放電部材
ＳＳ  鋼板ストリップ（被処理部材）
２０１  Ｓｎメッキ用電
２３０  活物質支持体
２３１  導電性活物質層
２１１ｐ  貫通孔
Ｗ  シーム溶接部
【図１】
0003697447.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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