(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と，前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程と，前記加熱処理後に基板を冷却する工程と，前記基板に形成された塗布膜に露光する工程と，前記露光処理後に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であって，
前記加熱処理後に基板を冷却する工程中に，処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成することを特徴とする，塗布現像処理方法。
【請求項２】
基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と，前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程と，前記加熱処理後に基板を冷却する工程と，前記基板に形成された塗布膜に露光する工程と，前記露光処理後に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であって，
前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程中に，処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成することを特徴とする，塗布現像処理方法。
【請求項３】
前記処理ガスは，フッ素系のガスであることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の塗布現像処理方法。
【請求項４】
少なくとも基板に塗布膜を形成する塗布処理装置と，前記基板の現像を行う現像処理装置と，前記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部と，
前記処理部と前記基板の露光処理を行う露光処理装置との間の経路で基板の搬送を行うためのインタフェイス部とを有する塗布現像処理システムであって，
前記熱処理装置は，前記基板に形成された塗布膜に処理ガスを供給する処理ガス供給手段を有することを特徴とする，塗布現像処理システム。
【請求項５】
前記処理ガス供給手段は，前記熱処理装置内に設けられ，かつ処理ガスの複数の吐出口を有することを特徴とする，請求項４に記載の塗布現像処理システム。
【請求項６】
前記処理ガス供給手段は，前記基板の直径と略等しい幅を有し，かつθ方向に回動する駆動機構を備えていることを特徴とする，請求項４又は５のいずれかに記載の塗布現像処理システム。
【請求項７】
前記熱処理装置は，基板を載置して加熱する熱板と，基板を載置して冷却する冷却板とを有する加熱・冷却処理装置であることを特徴とする，請求項４，５又は６のいずれかに記載の塗布現像処理システム。
【請求項８】
前記処理ガス供給手段は，処理ガスを供給するガスノズルを有し，
前記ガスノズルは，前記加熱・冷却処理装置の前記冷却板上に移動できることを特徴とする，請求項７に記載の塗布現像処理システム。
【請求項９】
前記処理ガス供給手段は，処理ガスを供給するガスノズルを有し，
前記ガスノズルは，前記加熱・冷却処理装置の前記熱板上に移動できることを特徴とする，請求項７に記載の塗布現像処理システム。
【請求項１０】
前記処理ガスは，フッ素系のガスであることを特徴とする，請求項４〜９のいずれかに記載の塗布現像処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の塗布現像処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを照射して露光する露光処理，露光後のウェハに対して現像を行う現像処理，塗布処理前，露光処理前後及び現像処理後にする加熱処理，冷却処理等が行われる。これらの処理は，個別に設けられた各処理装置において行われ，これらの各処理装置は，前記一連の処理を連続して行えるように一つにまとめられ，塗布現像処理システムを構成している。
【０００３】
通常，前記塗布現像処理システムは，この塗布現像処理システム内に基板を搬入出するローダ・アンローダ部と，塗布処理装置，現像処理装置，熱処理装置等を有し，前記ウェハ処理の大半が行われる処理部と，ウェハの露光処理が行われるシステム外にある露光処理部等と，前記処理部と前記露光処理部に隣接して設けられ，前記処理部と前記露光処理部間でウェハの受け渡しを行うインタフェイス部とで構成されている。
【０００４】
そして，この塗布現像処理システムにおいてウェハの処理が行われる際には，ウェハに不純物が付着することを防止するために，前記塗布現像処理システム内には，空気清浄機等で清浄にされた例えば空気がダウンフローとして供給され，その一方で，塗布現像処理システム内の雰囲気を排気するようにして，ウェハを清浄な状態で処理できるようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで，近年，より細かく，より精密な回路パターンを形成するために，より短い波長の光を用いた露光技術が開発されつつあり，その短い波長の光を用いた場合には，今まで問題とならなかった分子レベルの不純物，例えば，酸素，オゾン，水蒸気等が精密な回路パターンの形成に悪影響を与えるおそれがある。
【０００６】
したがって，露光の際に前記不純物がウェハに付着していると，適切なパターンが露光されず，歩留まりの低下は避けられない。処理中のウェハに前記不純物が付着しないようにする必要がある。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，ウェハ等の基板に分子レベルの微細な不純物が付着しないような塗布現像処理方法及び塗布現像処理システムを提供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
参考例として，基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と，前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程と，前記加熱処理後に基板を冷却する工程と，前記基板に形成された塗布膜に露光する工程と，前記露光処理後に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であって，前記塗布膜を形成する工程の後，前記基板を露光する工程の前に，処理ガスとしてフッ素系のガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成する塗布現像処理方法が提案できる。
【０００９】
上記塗布現像処理方法によれば，塗布膜を形成する工程の後，基板を露光する工程の前に，処理ガスを供給して塗布膜の表面に処理膜を形成するので，この処理膜により，雰囲気中の酸素や水蒸気等の不純物から基板を保護することができる。特に基板が露光処理される際に不純物が付着していると，その不純物が露光で用いられるレーザ光等のエネルギーを吸収してしまい，露光処理が好適に行われないおそれがあるが，このように処理膜を形成することで，露光処理を好適に行うことができる。さらに処理ガスによる処理膜は透過性に優れ，例えば１５７ｎｍ程度の短い波長の光を通すことができる。したがって，基板に形成された塗布膜に不純物が付着することを防止しつつも，この塗布膜に所定の回路パターンを精密に露光させることができる。
しかも水蒸気等の付着を防止することができると共に，透過性に優れた膜を実現することができる。
【００１０】
本発明によれば，基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と，前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程と，前記加熱処理後に基板を冷却する工程と，前記基板に形成された塗布膜に露光する工程と，前記露光処理後に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であって，前記加熱処理後に基板を冷却する工程中に，処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成することを特徴とする塗布現像処理方法が提供される。
また，別の観点による本発明によれば，基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と，前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程と，前記加熱処理後に基板を冷却する工程と，前記基板に形成された塗布膜に露光する工程と，前記露光処理後に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であって，前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程中に，処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成することを特徴とする塗布現像処理方法が提供される。
【００１１】
前記処理ガスは，フッ素系のガスであっても良い。そうすれば，水蒸気等の付着を防止することができると共に，透過性に優れた膜を実現することができる。
【００１２】
参考例として，少なくとも基板に塗布膜を形成する塗布処理装置と，前記基板の現像を行う現像処理装置と，前記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部と，前記処理部と前記基板の露光処理を行う露光処理装置との間の経路で基板の搬送を行うためのインタフェイス部とを有する塗布現像処理システムであって，前記基板に形成された塗布膜に処理ガスとしてフッ素系のガスを供給する処理ガス供給手段を有することを特徴とする，塗布現像処理システムを提供する。なお，熱処理装置には，加熱処理装置，冷却処理装置及び加熱・冷却処理装置等が含まれる。また，前記処理部には，例えば基板を待機させておくエクステンション装置や基板と塗布液の定着性を高めるために基板上に所定の処理液を供給するアドヒージョン装置等の他の処理装置が含まれていても良い。
【００１３】
上記塗布現像処理システムによれば，処理ガス供給手段により，基板に形成された塗布膜に処理ガスを供給して処理膜を形成する。従って，上述の塗布現像処理方法を好適に実施することができる。
【００１４】
別の観点による本発明によれば，少なくとも基板に塗布膜を形成する塗布処理装置と，前記基板の現像を行う現像処理装置と，前記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部と，前記処理部と前記基板の露光処理を行う露光処理装置との間の経路で基板の搬送を行うためのインタフェイス部とを有する塗布現像処理システムであって，前記熱処理装置は，前記基板に形成された塗布膜に処理ガスを供給する処理ガス供給手段を有することを特徴とする塗布現像処理システムが提供される。
前記処理ガス供給手段は，前記熱処理装置内に設けられ，かつ処理ガスの複数の吐出口を有するようにしてもよい。また，前記処理ガス供給手段は，前記基板の直径と略等しい幅を有し，かつθ方向に回動する駆動機構を備えていてもよい。
前記熱処理装置は，基板を載置して加熱する熱板と，基板を載置して冷却する冷却板とを有する加熱・冷却処理装置であってもよい。
また，前記処理ガス供給手段は，処理ガスを供給するガスノズルを有し，前記ガスノズルは，前記加熱・冷却処理装置の前記冷却板上に移動できるものであってもよい。
また，前記処理ガス供給手段は，処理ガスを供給するガスノズルを有し，前記ガスノズルは，前記加熱・冷却処理装置の前記熱板上に移動できるものであってもよい。
前記塗布現像処理システムにおいて，処理ガスは，フッ素系のガスであってもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００１６】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，そのケーシング１ａ内に，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程において枚葉式に所定の処理をウェハＷに施す各種処理装置を多段に配置している処理部としての処理ステーション３と，この塗布現像処理システム１に隣接して設けられている露光処理装置５との間でウェハＷの受け渡しをするインタフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００１７】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台６上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００１８】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２及びアドヒージョン装置３１に対してもアクセスできるように構成されている。
【００１９】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されており，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４は，インタフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対してウェハＷを搬入出可能である。
【００２０】
第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１７と，露光処理後のウェハＷを現像処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に配置されている。
【００２１】
第３の処理装置群Ｇ３では，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，現像処理後のウェハＷを冷却するクーリング装置３３，３４及び現像処理後のウェハＷに加熱処理を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に例えば７段に積み重ねられている。
【００２２】
第４の処理装置群Ｇ４では，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置４０，エクステンション装置４１，４２，本発明にかかる処理ガス供給手段としてのガスノズル５５を有するガス供給装置４３（図３中のＧＡＳ），露光処理後のウェハＷを加熱（ポスト・エクスポージャーベーキング）し，その後所定温度に冷却する加熱・冷却処理装置４４，４５（図３中のＰＥＢ／ＣＯＬ），露光処理前のウェハＷを加熱してレジスト液中の溶剤を蒸発させ，その後所定温度に冷却する露光前の熱処理装置としての加熱・冷却処理装置４６，４７（図３中のＰＲＥ／ＣＯＬ）等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００２３】
図４に示すように，前記ガス供給装置４３のケーシング４３ａ内には，ケース５０が設けられている。このケース５０に，円盤状の載置盤５１が取り付けられている。載置盤５１には貫通孔５２が３箇所形成されており，各貫通孔５２には，昇降ピン５３が設けられている。昇降ピン５３は，昇降機構５４により貫通孔５２内を昇降自在であり，ウェハＷを昇降させて載置盤５１上に載置すると共に，主搬送装置１３及び後述するウェハ搬送体６５との間でウェハＷの受け渡しができるように構成されている。
【００２４】
また，載置盤５１の上方には，保護ガス（処理ガス）を供給するガスノズル５５が設けられている。このガスノズル５５の横幅は，例えばウェハＷと直径と略等しく，下面に形成された複数の吐出口５６から保護ガスをウェハＷに供給するようになっている。ガスノズル５５は，アーム５７によって支持されており，図５に示すように，このアーム５７は，駆動機構（図示せず）により，ウェハＷの上方をθ方向に回動するようになっている。従って，ガスノズル５５は，ウェハＷ全体に満遍なく保護ガスを供給するようになっている。なお，ケーシング４３ａの底部には，ケーシング４３ａ内の雰囲気を排気する排気管５８が接続されている。
【００２５】
保護ガスとして，例えばフッ素（Ｆ２）系のガスが用いられている。フッ素系の保護ガスには，例えばノルボルネンとテトラフロロエチレンの共重合体を含有しているものや，ノルボルネン上にヘキサフォロロノールを置換した重合体を含有しているものがある。また，ポリシロキサン等の高分子を含有したものや，ポリアクリル酸上に脂環属をペンダントした系のものがある。
【００２６】
保護ガスが供給されると，図６に示すように，ウェハＷ上に形成されたレジスト膜６０の表面に膜厚が薄い保護膜６１が形成され，レジスト膜６０は，保護膜６１によって覆われる。保護膜６１は，不純物を寄せ付けず，雰囲気中の酸素，オゾン，水蒸気等からレジスト膜６０を保護する。また，透過性が高く，短い波長の光でも通してレジスト膜６０に所定の回路パターンを露光できるようになっている。
【００２７】
前記加熱・冷却処理装置４４は，図７に示すように，そのケーシング４４ａ内の基台６２上にウェハＷを加熱するための円盤状の熱板６３と，その熱板６３上まで移動し，熱板６３上からウェハＷを受け取って冷却する冷却板６４を有している。そして，同じ装置内でウェハＷの加熱・冷却処理を連続して行い，加熱によってウェハＷに与える熱履歴を常に一定に保つことができるようになっている。なお，他の加熱・冷却装置４５〜４７も同じ構成を有している。
【００２８】
インタフェイス部４には，その中央部にウェハ搬送体６５が設けられている。このウェハ搬送体６５は，Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション装置４１，４２，ガス供給装置４３，周辺露光処理装置６６及び露光処理装置５に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００２９】
また，ウェハＷの露光処理を行う露光処理装置５は，インタフェイス部４に隣接して設けられている。この露光処理装置５は，その露光処理装置５のケーシング５ａにより密閉されており，露光処理装置５内の雰囲気を厳格に制御できるように構成されている。また，ケーシング５ａのインタフェイス部４側には，ウェハＷをインタフェイス部４に対して搬入出する通過口６７が設けられており，この通過口６７には，通過口６７を開閉自在とするシャッタ６８が設けられている。
【００３０】
次に，以上のように構成された塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスを説明する。
【００３１】
ウェハＷの処理が開始されると，先ずカセットステーション２において，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，処理ステーション３のアドヒージョン装置３１に搬入する。
【００３２】
次いで，アドヒージョン装置３１において，レジスト液との密着性を向上させるＨＭＤＳなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０搬送され，所定の温度に冷却される。
【００３３】
その後，ウェハＷは，露光処理に付されるまで図８に示すフローに従って処理される。即ち，図８に示すように，ウェハＷは，レジスト塗布装置１７又は１８に搬送され，レジスト塗布処理が施される（図８中のＳ１）。そして，レジスト膜が形成されたウェハＷは，加熱・冷却処理装置４６又は４７（図３中のＰＲＥ／ＣＯＬ）に搬送される。加熱・冷却処理装置４６又は４７では，熱板６３で加熱処理が施され（図８中のＳ２），冷却板６４で冷却処理（図８中のＳ３）が施される。このとき，加熱処理及び冷却処理を個別に設けられた各装置で順次行うのではなく，加熱・冷却処理装置４６又は４７のように単一の装置内で加熱・冷却処理を行うことにより，ウェハＷが加熱処理されてから冷却処理されるまでの時間を常に一定にすることができるため，加熱によってウェハＷに与えられる熱履歴をウェハＷ間において同一にすることができる。また，本実施の形態では，レジスト塗布処理から現像処理までに行われる全ての加熱，冷却処理を加熱・冷却処理装置４４〜４７を用いて行うようにしたため，レジスト塗布から現像処理までにかかる所要時間を全てのウェハＷにおいて同一にすることができる。
【００３４】
その後，ウェハＷは，ガス供給装置４３に搬送される。図６に示したように，ウェハＷに保護ガスが供給されることにより，レジスト膜６０の表面に保護膜６１が形成される（図８中のＳ４）。
【００３５】
その後，ウェハＷは，エクステンション装置４１に搬送され，ウェハ搬送体６５がエクステンション装置４１からウェハＷを受け取って，インタフェイス部４内の周辺露光処理装置６６に搬送する。周辺部が露光されたウェハＷは，通過口６７を通して露光処理装置５に搬送される。このとき，シャッタ６８が開放され，ウェハＷが露光処理装置５に搬送されると，シャッタ６８は再び閉じられる。
【００３６】
ガス供給装置４３から露光処理装置５に搬送されるまでの間，保護膜６１によりレジスト膜６０の表面，ひいてはウェハＷを保護し，酸素，オゾン，水蒸気等の不純物や微粒子が付着するのを防止する。このため，清浄な状態でウェハＷを露光処理装置５に搬送することができる。そして，露光処理装置５では，ウェハＷに所定の回路パターンが露光される（図８中のＳ５）。
【００３７】
露光が終了したウェハＷは，再びウェハ搬送体６５によって，インタフェイス部４内を通過し，処理ステーション３内のエクステンション装置４２に搬送される。そして，ウェハＷは，主搬送装置１３によって，加熱・冷却処理装置４４又は４５に搬送され，露光処理後の加熱，冷却処理が順次施される。
【００３８】
その後，ウェハＷは，現像処理装置１８又は２０に搬送され，現像処理される。そして，現像処理されたウェハＷは，ポストベーキング装置３５又は３６に搬送されて加熱され，その後クーリング装置３３又は３４に搬送され，所定温度に冷却される。そして，エクステンション装置３２に搬送され，そこからウェハ搬送体７によって，カセットステーション２のカセットＣに戻される。以上の工程により，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００３９】
以上の実施の形態によれば，保護ガスを供給してレジスト膜６０の表面に保護膜６１を形成するので，この保護膜６１により，雰囲気中の酸素や水蒸気等の不純物からウェハＷを保護することができる。特にウェハＷが露光処理される際に不純物が付着していると，その不純物が露光で用いられるレーザ光等のエネルギーを吸収してしまい，レジスト膜６０に対して所定の回路パターンが精密に露光されないおそれがあるが，このように保護膜６１を形成することで，好適な露光処理を行うことができる。さらに保護ガスによる保護膜６１は透過性に優れ，例えば１５７ｎｍ程度の短い波長の光を通すことができる。したがって，ウェハＷに形成されたレジスト膜６０に不純物が付着することを防止しつつも，このレジスト膜６０に所定の回路パターンを精密に露光させることができ，ウェハＷの歩留まりに大きく貢献する。また，露光処理装置５内で用いられるレーザ光の波長が短ければ短いほど，不純物による影響が大きくなるので，短い波長のレーザ光を用いた場合にその効果は大きい。
【００４０】
特に保護ガスがフッ素（Ｆ２）系のガスであれば，水分等の付着を防止することができると共に，透過性に優れた保護膜６１を実現することができる
【００４１】
なお，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えばウェハＷ上に保護膜６１を形成する時期は，各種状況に応じて柔軟に設定することができる。即ち，図９に示すように，例えば加熱・冷却処理装置４３内に前記ガスノズル５５及び前記アーム５７を設けても良い。図９に示すように，実線で示すガスノズル５５及びアーム５７は，冷却板６４側に配置されている。
【００４２】
かかる構成によれば，先の図８中のＳ４と同様に，冷却処理後にガスノズル５５がウェハＷの上方に移動して直ちに保護膜６１を形成することができる。また，図１０に示すように，加熱処理後（図１０中のＳ２），ウェハＷの冷却中に，ガスノズル５５が移動してレジスト膜６０の表面に保護膜６１を形成しても良い（図１０中のＳ３）。
【００４３】
また，図９中の二点鎖線５５’及び５７’で示すように，ガスノズル５５及びアーム５７は加熱板６３側に配置されていても良い。この場合，図１１に示すように，加熱処理後（図１１中のＳ２），ガスノズル５５が移動してレジスト膜６０の表面に保護膜６１を形成し（図１１中のＳ３），その後に冷却処理（図１１中のＳ４），露光処理（図１１中のＳ５）を続けて行っても良い。また，図１２に示すように，加熱処理中にガスノズル５５が移動してレジスト膜６０の表面に保護膜６１を形成しても良い（図１２中のＳ２）。比較的早い段階から保護ガスを供給するようになるので，酸素やオゾン等の不純物が付く前にウェハＷに保護膜６０を形成することが可能となる。なお基本的には，加熱によってレジスト液中の溶剤を十分に蒸発させたのを見計らってから，前記保護膜６１をレジスト膜６０の表面に形成することが好ましい。
【００４４】
また，不純物付着をより確実に防止するために，例えば図１３に示すように，カセットステーション２，処理ステーション３，インタフェイス部４の各エリアの上部に，Ｎ２ガス等の不活性気体を供給する気体供給装置８０，８１，８２を個別に設けると共に，各エリアの下部に排気管８３，８４，８５を設けても良い。各気体供給装置８０，８１，８２は，不活性気体中の微粒子を除去するＵＬＰＡフィルタ８０ａ，８１ａ，８２ａを有している。かかる構成によれば，各エリア内から酸素，オゾン，水蒸気等の不純物をパージして清浄な雰囲気に維持することができる。
【００４５】
なお，以上で説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハＷの塗布現像処理システムについてであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の塗布現像処理システムにおいても応用できる。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば，基板上に処理膜を形成して酸素，オゾン，有機物等の分子レベルの不純物から基板を保護することができる。さらに処理ガスによる処理膜は透過性に優れ，短い波長の光を基板に形成された塗布膜に通すことができる。したがって，基板に形成された塗布膜に不純物が付着することを防止しつつも，この塗布膜に所定の回路パターンを精密に露光させることができ，歩留まりの向上を図ることができる。また，処理膜を形成する時期は，各種状況に応じて柔軟に設定することができる。
【００４７】
本発明の塗布現像処理システムによれば，上記発明の塗布現像処理方法を好適に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの外観を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】図１の塗布現像処理システム内のガス供給装置の縦断面の説明図である。
【図５】ウェハに保護ガスを供給している様子を示す平面図である。
【図６】ウェハに保護ガスを供給している様子を拡大して示す縦断面の説明図である。
【図７】図１の塗布現像処理システム内の加熱・冷却処理装置の概略を示す横断面図である。
【図８】レジスト塗布から露光処理までの処理の流れを示すフロー図である。
【図９】ガスノズルを設けた場合の加熱・冷却処理装置の概略を示す横断面図である。
【図１０】加熱・冷却処理装置にガスノズルを設けた場合の，レジスト塗布から露光処理までの処理の流れを示すフロー図である。
【図１１】加熱・冷却処理装置にガスノズルを設けた場合の，レジスト塗布から露光処理までの処理の流れの変形例を示すフロー図である。
【図１２】加熱・冷却処理装置にガスノズルを設けた場合の，レジスト塗布から露光処理までの処理の流れの他の変形例を示すフロー図である。
【図１３】図１の塗布現像処理システム１の各エリアの上部に気体供給装置を設け，各エリアの下部に排気管を設けた場合の説明図である。
【符号の説明】
１  塗布現像処理システム
５  露光処理装置
４３  ガス供給装置
４４，４５，４６，４７  加熱・冷却処理装置
５５  ガスノズル
６０  レジスト膜
６１  保護膜
Ｗ  ウェハ
【図１】
0003648129.tif 000002
【図２】
0003648129.tif 000003
【図３】
0003648129.tif 000004
【図４】
0003648129.tif 000005
【図５】
0003648129.tif 000006
【図６】
0003648129.tif 000007
【図７】
0003648129.tif 000008
【図８】
0003648129.tif 000009
【図９】
0003648129.tif 000010
【図１０】
0003648129.tif 000011
【図１１】
0003648129.tif 000012
【図１２】
0003648129.tif 000013
【図１３】
0003648129.tif 000014