(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏に電極層が形成された絶縁基板に穴をあけ、その穴に陽極リードがついた弁金属の焼結体を差し込んで配置し、その後に前記絶縁基板に形成された電極層の一方を陽極酸化に用いて前記焼結体に誘電体層を形成し、次に化学重合により第１の導電性高分子層を形成し、次に前記絶縁基板に形成された電極層の他の一方を電解重合に用いて前記電解重合により第２の導電性高分子層を形成することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
絶縁基板に弁金属の焼結体を差し込んで配置した後、前記穴に封止剤を添加したことを特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項３】
絶縁基板の片面に第一の電極層を設ける工程と、後の工程で配置する複数の弁金属の焼結体素子に接触しないように、第一の電極層の反対面に、第二の電極層を設ける工程と、各々の弁金属焼結体素子に接続された棒状の陽極リ−ドを通す貫通穴を絶縁基板に複数穿孔する工程と、陽極リ−ドを絶縁基板の貫通穴にさし込み、複数の弁金属焼結体素子を配置する工程と、後の工程で施す化学重合の溶液が貫通穴と陽極リ−ドの隙間を通って第一の電極層側に染み出さないようにするために、各々の貫通穴と陽極リ−ドの隙間の少なくとも一部を封止部材で埋めるか、または各々の貫通穴と陽極リ−ドの隙間を封止部材で塞ぐ工程と、陽極リ−ドと第一の電極層との導通をとるための導通層を各々設ける工程と、陽極の取り出しに第一の電極層を用いて陽極酸化により、陽極リ−ドと弁金属焼結体素子各々の表面に誘電体層を形成する工程と、化学重合により各々の誘電体層上、及び第二の電極層に接するように第二の電極層側の絶縁基板上に第一の導電性高分子層を形成する工程と、陽極の取り出しに第二の電極層を用いて、電解重合により各々の第一の導電性高分子層上に第二の導電性高分子層を形成する工程と、各々の第二の導電性高分子層上に陰極層を形成する工程と、絶縁基板を切断して個々のコンデンサ素子に分離する工程とを有する固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項４】
絶縁基板の貫通穴の第一の電極側に座グリを施していることを特徴とする請求項３記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項５】
絶縁基板の片面に、後の工程で絶縁基板に設ける複数の貫通穴に接触しないように、第一の電極層を設ける工程と、後の工程で配置する複数の弁金属焼結体素子に接触しないように、第一の電極層の反対面に、第二の電極層を設ける工程と、各々の弁金属焼結体素子に接続された棒状の陽極リ−ドを通す貫通穴を絶縁基板に複数穿孔する工程と、陽極リ−ドを絶縁基板の貫通穴にさし込み、複数の弁金属焼結体素子を配置する工
程と、後の工程で施す化学重合の溶液が貫通穴と陽極リ−ドの隙間を通って第一の電極層側に染み出さないようにするために、各々の貫通穴と陽極リ−ドの隙間の少なくとも一部を封止部材で埋めるか、または各々の貫通穴と陽極リ−ドの隙間を封止部材で塞ぐ工程と、陽極リ−ドと第一の電極層との導通をとるための導通層を各々設ける工程と、陽極の取り出しに第一の電極層を用いて陽極酸化により、陽極リ−ドと弁金属焼結体素子各々の表面に誘電体層を形成する工程と、化学重合により各々の誘電体層上、及び第二の電極層に接するように第二の電極層側の絶縁基板上に第一の導電性高分子層を形成する工程と、陽極の取り出しに第二の電極層を用いて、電解重合により各々の第一の導電性高分子層上に第二の導電性高分子層を形成する工程と、各々の第二の導電性高分子層上に陰極層を形成する工程と、絶縁基板を切断して個々のコンデンサ素子に分離する工程とを有する固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項６】
貫通穴と陽極リ−ドのはめあいが、しまりばめであることを特徴とする請求項５記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電気機器のデジタル化に伴って、コンデンサについても小型大容量で高周波領域でのインピーダンスの低いものが要求されている。
【０００３】
誘電体酸化皮膜を形成した弁作用金属の表面に、順次、化学重合によって形成した導電性高分子層、電解重合によって形成した導電性高分子層、カ−ボン層、及び銀ぺ−スト層を形成した構造の固体電解コンデンサが提案されている（特開昭６３−１７３３１３号公報）。このコンデンサは、電解重合により強靱な導電性高分子層が形成される。
【０００４】
また、電解重合の陽極取り出しに棒状または金属片の導電体を用いて導通をとる際の、誘電体酸化皮膜の損傷を防止する方法が、特開平３−７８２２２号公報，特開平３−４６２１５号公報，特開平３−１６３８１６号公報，及び特開平３−１６７８１６号公報に開示されている。
【０００５】
そして、弁作用金属にタンタル焼結体を用いるコンデンサにおいて、タンタル焼結体に棒状の陽極リ−ドが埋め込まれた構成の場合、化学重合により導電性高分子層を形成する際の陽極リ−ドへのはい上がりを防止するために、樹脂から成るワッシャ−を陽極リ−ドに取り付ける方法が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電解重合の陽極取り出しに棒状または金属片の導電体を用い、弁金属焼結体素子を棒状の陽極リ−ドで支持する場合には、陽極取り出し用導電体と弁金属焼結体素子あるいは陽極リ−ドとの位置関係が定まり難いために、導電体を接触せしめる位置が変化し、弁金属焼結体素子を損傷させて漏れ電流が大きくなるという課題を有していた。
【０００７】
また、化学重合によって導電性高分子層を形成する際のはい上がりを防止するために、ワッシャ−を陽極リ−ドに取り付けたとしても、はい上がりを完全に防止できない。陽極リ−ドの誘電体酸化皮膜が形成されていないところまで、あるいは陽極リ−ドにつなぐ電極との接合部分まではい上がり、導電性高分子層が形成される結果、漏れ電流が大きくなるという課題を有していた。
【０００８】
本発明は、上記従来技術の課題を解決するもので、漏れ電流特性に優れた固体電解コンデンサを得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を解決するもので、陽極酸化の際に陽極の取り出しに用いる第一の電極層と、その第一の電極層と陽極リ−ドの導通をとるための導通層と、電解重合の際に陽極の取り出しに用いる第二の電極層と、及び弁金属焼結体素子を配置した後に、陽極酸化により誘電体層、化学重合により第一の導電性高分子層、電解重合により第二の導電性高分子層を順次形成することにより、誘電体層の損傷を防止し、漏れ電流の小さな固体電解コンデンサを得ることができる。
【００１０】
また、陽極リ−ドの弁金属焼結体素子側と第一の電極層側を、絶縁基板と封止部材により隔て、重合溶液のはい上がりを完全に防止し、漏れ電流の小さな固体電解コンデンサを得ることができる。
【００１１】
この発明によれば、漏れ電流特性に優れた固体電解コンデンサを得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１記載の発明は、表裏に電極層が形成された絶縁基板に穴をあけ、その穴に陽極リードがついた弁金属の焼結体を差し込んで配置し、その後に前記絶縁基板に形成された電極層の一方を陽極酸化に用いて前記焼結体に誘電体層を形成し、次に化学重合により第１の導電性高分子層を形成し、次に前記絶縁基板に形成された電極層の他の一方を電解重合に用いて前記電解重合により第２の導電性高分子層を形成する固体電解コンデンサの製造方法であって、陽極酸化の際に陽極の取り出しに用いる第一の電極層と、その第一の電極層と陽極リ−ドの導通をとるための導通層と、電解重合の際に陽極の取り出しに用いる第二の電極層と、及び弁金属焼結体素子を配置した後に、陽極酸化により誘電体層、化学重合により第一の導電性高分子層、電解重合により第二の導電性高分子層を順次形成することにより、誘電体層の損傷を防止するという作用を有する。
【００１４】
本発明の請求項２記載の発明は、絶縁基板に弁金属の焼結体を差し込んで配置した後、前記穴に封止剤を添加したことを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項３記載の発明は、絶縁基板の片面に第一の電極層を設ける工程と、後の工程で配置する複数の弁金属焼結体素子に接触しないように、第一の電極層の反対面に、
第二の電極層を設ける工程と、各々の弁金属焼結体素子に接続された棒状の陽極リ−ドを通す貫通穴を絶縁基板に複数穿孔する工程と、陽極リ−ドを絶縁基板の貫通穴にさし込み、複数の弁金属焼結体素子を配置する工程と、後の工程で施す化学重合の溶液が貫通穴と陽極リ−ドの隙間を通って第一の電極層側に染み出さないようにするために、各々の貫通穴と陽極リ−ドの隙間の少なくとも一部を封止部材で埋めるか、または各々の貫通穴と陽極リ−ドの隙間を封止部材で塞ぐ工程と、陽極リ−ドと第一の電極層との導通をとるための導通層を各々設ける工程と、陽極の取り出しに第一の電極層を用いて陽極酸化により、陽極リ−ドと弁金属焼結体素子各々の表面に誘電体層を形成する工程と、化学重合により各々の誘電体層上、及び第二の電極層に接するように第二の電極層側の絶縁基板上に第一の導電性高分子層を形成する工程と、陽極の取り出しに第二の電極層を用いて、電解重合により各々の第一の導電性高分子層上に第二の導電性高分子層を形成する工程と、各々の第二の導電性高分子層上に陰極層を形成する工程と、絶縁基板を切断して個々のコンデンサ素子に分離する工程とを有する固体電解コンデンサの製造方法としたものであり、陽極酸化の際に陽極の取り出しに用いる第一の電極層と、その第一の電極層と陽極リ−ドの導通をとるための導通層と、電解重合の際に陽極の取り出しに用いる第二の電極層と、及び弁金属焼結体素子を配置した後に、陽極酸化により誘電体層、化学重合により第一の導電性高分子層、電解重合により第二の導電性高分子層を順次形成することにより、誘電体層の損傷を防止するという作用を有する。
【００１６】
また、陽極リ−ドの弁金属焼結体素子側と第一の電極層側を、絶縁基板と封止部材により隔て、重合溶液のはい上がりを完全に防止するという作用を有する。
【００１７】
ここで、絶縁基板には、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、またはこれらの混合物、共重合体、さらには硫酸カルシウム、炭酸マグネシウム、シリカ、アルミナなどのフィラ−との混合物からなる板を用いることができる。
【００１８】
第一の電極層には、銅、ニッケル、ステンレス等の金属や、銀ぺ−スト、ニッケルぺ−スト等の導電性塗料を用いることができる。金属の薄板を絶縁基板の片面に接着剤を用いて貼り付けたり、無電解メッキにより第一の電極層を設けることができる。また、導電性塗料をロ−ルコ−タ−や、スクリ−ン印刷により塗布して、第一の電極層を設けてもよい。
【００１９】
第二の電極層には、ニッケル、ステンレス等の金属や、銀ぺ−スト、ニッケルぺ−スト等の導電性塗料を用いることができる。第一の電極層の反対面に、後の工程で配置する複数の弁金属焼結体素子に接触しないように、導電性塗料をスクリ−ン印刷により塗布して、第二の電極層を設けることができる。
【００２０】
また、第一の電極層の反対面に、金属の薄板を接着剤を用いて貼り付けるか、あるいは無電解メッキにより電極層を設けてから、後の工程で配置する複数の弁金属焼結体素子に接触しないように、エッチングによるパタ−ン成形を施して第二の電極層を設けることができる。エッチングによるパタ−ンの成形には、レジストを用いたフォトエッチング技術、またはスクリ−ン印刷により保護層となる樹脂を塗布してからエッチング除去する技術等を用いることができる。
【００２１】
また、先に金属層を設けずに、レジストでパタ−ニングしてから金属を蒸着し、レジストを除去するとともにパタ−ンを成形するリバ−スエッチング技術を用いてもよい。
【００２２】
第一の電極層と第二の電極層は、どちらを先に設けても問題とならない。工程上都合のよい方から設ければよい。また、金属の薄板を絶縁基板上に接着剤を用いて貼り付ける場合、両面に同時に貼り付けてからパタ−ン成形を施してもよい。さらに、あらかじめパタ−ン成形された金属の薄板を貼り付けてもよい。
【００２３】
貫通穴の穿孔には、ドリル、レ−ザ−、打ち抜きプレス等を用いることができるが、ドリルが加工精度の点から好ましい。
【００２４】
封止部材には、熱硬化型のエポキシ樹脂接着剤、フェノ−ル樹脂接着剤、フラン樹脂接着剤等を使用できるが、金属との接着力の点からエポキシ樹脂接着剤が好ましい。
【００２５】
導通層には、銀ぺ−ストの塗布層やハンダ溶接を用いることができるが、強度の点からハンダ溶接が好ましい。
【００２６】
化学重合により形成される第一の導電性高分子層には、ポリピロ−ル、ポリチオフェン、ポリアニリン、あるいはそれらの誘導体からなる導電性高分子を用いることができる。
【００２７】
電解重合により形成される第二の導電性高分子層には、ポリピロ−ル、ポリチオフェン、ポリアニリン、あるいはそれらの誘導体からなる導電性高分子を用いることができる。
【００２８】
陰極層は、カ−ボン層と銀ぺ−スト層を塗布して形成した。
絶縁基板の切断には、カッタ−やダイサ−を用いることができる。
【００２９】
本発明の請求項４記載の発明は、絶縁基板の貫通穴の第一の電極側に座グリを施していることを特徴とする請求項３記載の固体電解コンデンサの製造方法としたものであり、座グリを施したところに接着剤を埋めることにより、重合溶液のはい上がりと、第一の電極層と導電性高分子層の接触をより確実に防止するという作用を有する。
【００３０】
ここで、座グリの形状には、穴グリ、サラモミ等があげられる。それらの加工には、フライス盤やボ−ル盤を用いることができる。
【００３１】
本発明の請求項５記載の発明は、この構成により、誘電体層の損傷を防止できる。
【００３２】
絶縁基板の片面に、後の工程で絶縁基板に設ける複数の貫通穴に接触しないように、第一の電極層を設ける工程と、後の工程で配置する複数の弁金属焼結体素子に接触しないように、第一の電極層の反対面に、第二の電極層を設ける工程と、各々の弁金属焼結体素子に接続された棒状の陽極リ−ドを通す貫通穴を絶縁基板に複数穿孔する工程と、陽極リ−ドを絶縁基板の貫通穴にさし込み、複数の弁金属焼結体素子を配置する工程と、後の工程で施す化学重合の溶液が貫通穴と陽極リ−ドの隙間を通って第一の電極層側に染み出さないようにするために、各々の貫通穴と陽極リ−ドの隙間の少なくとも一部を封止部材で埋めるか、または各々の貫通穴と陽極リ−ドの隙間を封止部材で塞ぐ工程と、陽極リ−ドと第一の電極層との導通をとるための導通層を各々設ける工程と、陽極の取り出しに第一の電極層を用いて陽極酸化により、陽極リ−ドと弁金属焼結体素子各々の表面に誘電体層を形成する工程と、化学重合により各々の誘電体層上、及び第二の電極層に接するように第二の電極層側の絶縁基板上に第一の導電性高分子層を形成する工程と、陽極の取り出しに第二の電極層を用いて、電解重合により各々の第一の導電性高分子層上に第二の導電性高分子層を形成する工程と、各々の第二の導電性高分子層上に陰極層を形成する工程と、絶縁基板を切断して個々のコンデンサ素子に分離する工程とを有する固体電解コンデンサの製造方法としたものであり、陽極酸化の際に陽極の取り出しに用いる第一の電極層と、その第一の電極層と陽極リ−ドの導通をとるための導通層と、電解重合の際に陽極の取り出しに用いる第二の電極層と、及び弁金属焼結体素子を配置した後に、陽極酸化により誘電体層、化学重合により第一の導電性高分子層、電解重合により第二の導電性高分子層を順次形成することにより、誘電体層の損傷を防止するという作用を有する。
【００３３】
また、陽極リ−ドの弁金属焼結体素子側と第一の電極層側を、絶縁基板と封止部材により隔て、重合溶液のはい上がりを完全に防止するという作用を有する。
【００３４】
さらに、貫通穴に接触しないように、第一の電極層を設けることにより、第一の電極層と導電性高分子層の接触をより確実に防止するという作用を有する。
【００３５】
ここで、第一の電極層には、ニッケル、銅、ステンレス等の金属や、銀ぺ−スト、ニッケルぺ−スト等の導電性塗料を用いることができる。後の工程で配置する複数の貫通穴に接触しないように、導電性塗料をスクリ−ン印刷により絶縁基板の片面に塗布して、第一の電極層を設けることができる。
【００３６】
また、金属の薄板を絶縁基板の片面に接着剤を用いて貼り付けるか、あるいは無電解メッキにより電極層を設けてから、後の工程で配置する複数の貫通穴に接触しないように、エッチングによるパタ−ン成形を施して第一の電極層を設けることができる。エッチングによるパタ−ンの成形には、フォトエッチング技術を用いることができる。また、先に金属層を設けずに、レジストでパタ−ニングしてから金属を蒸着し、レジストを除去するとともにパタ−ンを成形するリバ−スエッチング技術を用いてもよい。
【００３７】
本発明の請求項６記載の発明は、貫通穴と陽極リ−ドのはめあいが、しまりばめであることを特徴とする請求項５記載の固体電解コンデンサの製造方法としたものであり、陽極リ−ドを絶縁基板の貫通穴にさし込んで弁金属焼結体素子を配置する際、しまりばめとすることにより焼結体素子を保持できることから、後の工程の作業性が容易になるという作用を有する。
【００３８】
（実施の形態１）
実施の形態１について、図１を用いて説明する。絶縁基板１に、厚さ０．５ｍｍのガラスエポキシ樹脂板を用いた。厚さ５０μｍのニッケル金属の薄板を絶縁基板１の片面にエポキシ接着剤を用いて貼り付け、第一の電極層２を設けた。
【００３９】
第一の電極層２の反対面に、厚さ５０μｍのニッケル金属の薄板をエポキシ接着剤を用いて貼り付け、電極層を設けた。後の工程で配置するタンタル焼結体素子５の絶縁基板１に接するところの底面は、縦２．９ｍｍ×横１．４ｍｍである。
【００４０】
それより一回り大きい縦３．９ｍｍ×横２．４ｍｍのマス目状のパタ−ン（縦１０列×横１０列）を残して、エポキシ樹脂をスクリ−ン印刷して、絶縁層４を形成した。マス目状のパタ−ンの複数の開口部のニッケル金属の薄板を希硝酸によりエッチング除去して、後の工程で配置する複数のタンタル焼結体素子５に接触しないように、第二の電極層３を設けた。
【００４１】
各マス目状のパタ−ンのほぼ真ん中に、タンタル焼結体素子５に接続された棒状の陽極リ−ド６を通す貫通穴７をドリル加工により穿孔した。
【００４２】
陽極リ−ド６を絶縁基板１の貫通穴７に、第二の電極層３側からさし込み、複数のタンタル焼結体素子５（２．９ｍｍ×１．４ｍｍ×３．６ｍｍの大きさ）を縦１０列×横１０列に配置した。
【００４３】
後の工程で施す化学重合の溶液が貫通穴７と陽極リ−ド６の隙間を通って第一の電極層２側に染み出さないようにするために、各々の貫通穴７と陽極リ−ド６の隙間をエポキシ接着剤の封止部材８で埋めた。
【００４４】
陽極リ−ド６と第一の電極層２との導通をとるために、ハンダを盛って導通層９を各々設けた。
【００４５】
タンタル焼結体素子５を、リン酸５ｍｌを１０００ｍｌの脱イオン水に溶解した９０℃の溶液の中に浸漬した。陽極の取り出しに第一の電極層２を用いて、まず５ｍＶ／ｓｅｃの速度で０から４２Ｖまで上げ、続けて４２Ｖの定電圧を１８０分間印加し、陽極酸化により、タンタル焼結体素子５と封止部材８手前までの陽極リ−ド６各々の表面に誘電体層１０を形成した。
【００４６】
そして、脱イオン水の流水により洗浄後、脱イオン水を用い、約２５℃で３１Ｖを２０分間印加し、次に、酢酸０．０５ｍｌを１０００ｍｌの脱イオン水に溶解した溶液を用い、約２５℃で３０Ｖを３０分間印加し、二段階での陽極酸化により誘電体層１０の欠陥部分を修復した。次に、脱イオン水の流水により洗浄して、乾燥を行った。この構成をコンデンサと見立て、化成液中の容量を測定したところ、６８μＦであった。
【００４７】
ピロ−ルモノマ−６７ｇと界面活性剤トリイソプロピルナフタレンスルホン酸ナトリウムを３０ｇと脱イオン水１０００ｇとエタノ−ル２０ｇからなるピロ−ルモノマ−溶液にタンタル焼結体素子５の３分の２程度を浸漬し、７分間浸漬した。次に、硫酸第二鉄水和物（水分量２６％）１２０ｇと前記界面活性剤１２０ｇと脱イオン水１１００ｇとエタノ−ル１００ｇとパラニトロフェノ−ル１４ｇからなる酸化剤溶液に１５分間浸漬した。
【００４８】
次に、脱イオン水の流水により１０分間洗浄し、１０５℃のオ−ブンで５分間乾燥させる。引き続いてピロ−ルモノマ−溶液に浸漬からの処理を１２回繰り返し、化学重合により各々の誘電体層１０上に、２価の硫酸イオンと１価のアルキルナフタレンスルホン酸イオンとがド−プされたポリピロ−ルからなる第一の導電性高分子層１１を形成した。
【００４９】
尚、ピロ−ルモノマ−溶液と酸化剤溶液は、タンタル焼結体素子５から絶縁基板１の表面をぬれ広がり、第二の電極層３に接するように、絶縁基板１の表面にも第一の導電性高分子層１１が形成される。
【００５０】
ピロ−ルモノマ−３５ｇとトリイソプロピルナフタレンスルホン酸ナトリウム３４ｇと脱イオン水１０００ｇとエタノ−ル２０ｇからなる電解液にタンタル焼結体素子５を浸漬し、陽極の取り出しに第二の電極層３を用い、タンタル焼結体素子５と離して設けた陰極との間に３Ｖの電圧を３０分間印加して、電解重合により各々の第一の導電性高分子層１１上にポリピロ−ルからなる第二の導電性高分子層１２を形成した。次に、脱イオン水の流水により１０分間洗浄し、１０５℃のオ−ブンで５分間乾燥させた。
【００５１】
各々の第二の導電性高分子１２層上に、コロイダルカ−ボンと銀ぺ−ストを塗布し、コロイダルカ−ボン層１３と銀ぺ−スト層１４からなる陰極層を形成した。
【００５２】
絶縁基板１の切断箇所１５をカッタ−により切断して、個々のコンデンサ素子に分離した。
【００５３】
陽極リ−ド６と陰極層に陽極リ−ド端子と陰極リ−ド端子をそれぞれ取り付けた。さらに、エポキシ樹脂を用いて外装してから、エ−ジング処理を行い、１００個のコンデンサ素子を完成させた。
【００５４】
これら１００個について、定格電圧１０Ｖ印加２分後の漏れ電流を測定したところ、平均値が０．１５μＡと良好な特性が得られた。また、１ｋＨｚにおける容量は６２．５μＦ、損失係数は３．４％、４００ｋＨｚにおけるインピ−ダンスは２４．１ｍΩと良好な特性が得られた。
【００５５】
実施の形態１では、陽極酸化の際に陽極の取り出しに用いる第一の電極層２と、その第一の電極層２と陽極リ−ド６の導通をとるための導通層９と、電解重合の際に陽極の取り出しに用いる第二の電極層３と、及びタンタル焼結体素子５を配置した後に、陽極酸化により誘電体層１０、化学重合により第一の導電性高分子層１１、電解重合により第二の導電性高分子層１２を順次形成することにより、誘電体層１０の損傷を防止し、また、陽極リ−ド６のタンタル焼結体素子５側と第一の電極層２側を、絶縁基板１と接着剤の封止部材８により隔て、重合溶液のはい上がりを完全に防止し、漏れ電流の小さな固体電解コンデンサを得ることができた。
【００５６】
（実施の形態２）
実施の形態２について、図２を用いて説明する。実施の形態２では、絶縁基板１の貫通穴７の第一の電極層２側に座グリ１６を施し、座グリ１６を施したところに接着剤の封止部材１７を埋めること以外、実施の形態１と同様の操作でコンデンサ素子を作製した。
【００５７】
そこの工程を説明する。絶縁基板１に貫通穴７を設けた後、貫通穴７の第一の電極層２側からドリル加工により座グリ１６（サラモミ）を形成した。陽極リ−ド６を絶縁基板１の貫通穴７に、第二の電極層３側からさし込み、複数のタンタル焼結体素子５を縦１０列×横１０列に配置した。各々の座グリ１６及び貫通穴７と陽極リ−ド６の隙間をエポキシ接着剤の封止部材１７で埋めた。
【００５８】
完成したコンデンサ素子１００個について、定格電圧１０Ｖ印加２分後の漏れ電流を測定したところ、平均値が０．１３μＡと良好な特性が得られた。
【００５９】
実施の形態２によれば、座グリ１６と陽極リ−ド６の隙間を接着剤の封止部材１７で埋めることにより、重合溶液のはい上がりと、第一の電極層と第一の導電性高分子層１１または第二の導電性高分子層１２との接触をより確実に防止し、漏れ電流の小さな固体電解コンデンサを得ることができた。
【００６０】
（実施の形態３）
実施の形態３について、図３を用いて説明する。実施の形態３では、絶縁基板１の片面に、後の工程で絶縁基板１に設ける複数の貫通穴７に接触しないように、第一の電極層１８を設けることと、第一の導電性高分子層１９に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を用いること以外、実施の形態１と同様の操作でコンデンサ素子を作製した。それらの工程を説明する。
【００６１】
まず、第一の電極層１８を設ける工程を説明する。厚さ５０μｍのニッケル金属の薄板を絶縁基板１の片面にエポキシ接着剤を用いて貼り付けた。金属の薄板の上にホトレジストを塗布した。ホトマスクを用いた露光、現像、リンス、乾燥工程により、後の工程で配置する複数の貫通穴７を中心として直径２ｍｍの面積部分が開口するようなホトレジストのパタ−ンを形成した。
【００６２】
次に、開口部のニッケル金属の薄板を希硝酸によりエッチング除去した。次に、ホトレジストを剥離し、複数の貫通穴７に接触しないように、第一の電極層１８を設けた。
【００６３】
次に、第一の導電性高分子層１９を形成する工程を説明する。３，４−エチレンジオキシチオフェンモノマ−４２ｇと界面活性剤トリイソプロピルナフタレンスルホン酸ナトリウム２４ｇと脱イオン水１０００ｇとエタノ−ル１４ｇからなるモノマ−溶液にタンタル焼結体素子５の３分の２程度を浸漬し、７分間浸漬した。
【００６４】
次に、硫酸第二鉄水和物（水分量２６％）１６０ｇと前記界面活性剤４０ｇと脱イオン水１０００ｇとエタノ−ル１２０ｇとパラニトロフェノ−ル７ｇからなる酸化剤溶液に１５分間浸漬した。
【００６５】
次に、脱イオン水の流水により１０分間洗浄し、１０５℃のオ−ブンで５分間乾燥させる。引き続いてピロ−ルモノマ−溶液に浸漬からの処理を２０回繰り返し、化学重合により各々の誘電体層１０上に、２価の硫酸イオンと１価のトリイソプロピルナフタレンスルホン酸イオンとがド−プされたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）からなる第一の導電性高分子層１９を形成した。
【００６６】
尚、モノマ−溶液と酸化剤溶液は、タンタル焼結体素子５から絶縁基板１の表面をぬれ広がり、第二の電極層３に接するように、絶縁基板１の表面にも第一の導電性高分子層１９が形成される。
【００６７】
他の工程は実施の形態１と同様の操作で作製し、完成したコンデンサ素子１００個について、定格電圧１０Ｖ印加２分後の漏れ電流を測定したところ、平均値が０．１６μＡと良好な特性が得られた。
【００６８】
実施の形態３によれば、貫通穴７に接触しないように、第一の電極層１８を設けることにより、第一の電極層１８と第一の導電性高分子層１９または第二の導電性高分子層１２との接触をより確実に防止し、漏れ電流の小さな固体電解コンデンサを得ることができた。
【００６９】
（実施の形態４）
実施の形態４について、図４を用いて説明する。実施の形態４では、貫通穴２０と陽極リ−ド２１のはめあいが、しまりばめであることと、貫通穴２０と陽極リ−ド２１の隙間を塞ぐように封止部材２２を設けたこと以外、実施の形態３と同様の操作でコンデンサ素子を作製した。それらの工程を説明する。
【００７０】
まず、貫通穴２０の穿孔工程を説明する。陽極リ−ド２１の軸径をφ０．３±０．０１ｍｍとした。貫通穴２０の穴径を０．２７±０．０１ｍｍとしてしまりばめの関係とした。各マス目状のパタ−ンのほぼ真ん中に、貫通穴２０をドリル加工により穿孔した。
【００７１】
次に、封止部材２２を設ける工程を説明する。各々の貫通穴２０と陽極リ−ド２１の隙間を、エポキシ接着剤の封止部材２２を塗布して塞いだ。
【００７２】
他の工程は実施の形態３と同様の操作で作製し、完成したコンデンサ素子１００個について、定格電圧１０Ｖ印加２分後の漏れ電流を測定したところ、平均値が０．１９μＡと良好な特性が得られた。
【００７３】
実施の形態４によれば、漏れ電流の小さな固体電解コンデンサを得られるとともに、陽極リ−ド２１を絶縁基板１の貫通穴２０にさし込んでタンタル焼結体素子５を配置する際、しまりばめとすることによりタンタル焼結体素子５を保持できることから、後の工程の作業性を容易とすることができた。
【００７４】
なお、封止部材の上に導通層を添加しているが、封止部材自身に導通性を持たせても良い。
【００７５】
【発明の効果】
以上のように本発明は、陽極酸化の際に陽極の取り出しに用いる第一の電極層と、その第一の電極層と陽極リ−ドの導通をとるための導通層と、電解重合の際に陽極の取り出しに用いる第二の電極層と、及び弁金属焼結体素子を配置した後に、陽極酸化により誘電体層、化学重合により第一の導電性高分子層、電解重合により第二の導電性高分子層を順次形成することにより、誘電体層の損傷を防止し、また、陽極リ−ドの弁金属焼結体素子側と第一の電極層側を、絶縁基板と接着剤の封止部材により隔て、重合溶液のはい上がりを完全に防止し、漏れ電流の小さな固体電解コンデンサを得ることができるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１による固体電解コンデンサの製造方法の説明図
【図２】本発明の実施の形態２による固体電解コンデンサの製造方法の説明図
【図３】本発明の実施の形態３による固体電解コンデンサの製造方法の説明図
【図４】本発明の実施の形態４による固体電解コンデンサの製造方法の説明図
【符号の説明】
１  絶縁基板
２，１８  第一の電極層
３  第二の電極層
４  絶縁層
５  タンタル焼結体素子
６，２１  陽極リ−ド
７，２０  貫通穴
８，１７，２２  封止部材
９  導通層
１０  誘電体層
１１，１９  第一の導電性高分子層
１２  第二の導電性高分子層
１３  コロイダルカ−ボン層
１４  銀ぺ−スト層
１５  切断箇所
１６  座グリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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