(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下部シールド層、下部ギャップ層及び磁気抵抗効果を発揮する抵抗層を順に積層形成する工程と、
前記抵抗層上に所定パターンを有するレジストを形成し、該レジストに覆われていない抵抗層を除去することにより、抵抗層パターンを規定する工程と、
前記抵抗層の除去部分に、前記抵抗層パターンの両端部に接合する一対の電極層を形成する工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記抵抗層パターン及び前記電極層上に上部ギャップ層と上部シールド層を形成する工程とを含み、
前記抵抗層パターンには、少なくとも電気抵抗値Ｒｄの第１領域、電気抵抗値Ｒｃの第２領域、及び電気抵抗値Ｒｂの第３領域がハイト方向後方に向かって順に設けられ、
前記電気抵抗値Ｒｄ、Ｒｃ、Ｒｂの大小関係はＲｃ＞Ｒｂ＞Ｒｄであって、
ハイト方向最後方に配置した前記電気抵抗値Ｒｂの第３領域が、形成すべき磁気ヘッド素子のトラック幅寸法及びハイト寸法で形成され、磁気抵抗素子となることを特徴とする磁気ヘッド素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ヘッド素子の製造方法において、前記抵抗層には、最大電気抵抗値Ｒｃの第２領域が前記一対の電極層の間隔を拡張するように設けられ、最小電気抵抗値Ｒｄの第１領域が、ハイト方向の寸法を前記第２領域及び前記第３領域よりも長くし、且つ、トラック幅方向の寸法を前記第３領域と等しくして形成されている磁気ヘッド素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の磁気ヘッド素子の製造方法において、前記抵抗層の第１領域と第２領域は、形成すべき磁気ヘッド素子の媒体対向面となる位置よりもハイト方向先方に形成されている磁気ヘッド素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気ヘッド素子の製造方法において、前記基板上に複数同時に形成され、該基板から磁気ヘッド素子を個々に切出し、この切出した磁気ヘッド素子に対して媒体対向面となる面まで研磨を行う磁気ヘッド素子の製造方法。
【請求項５】
基板上に、下部シールド層及び下部ギャップ層を形成する工程と、
前記下部ギャップ層上に磁気抵抗素子を形成する工程と、
前記磁気抵抗素子の両端部に接合して対をなす電極層を形成する工程と、
前記磁気抵抗素子及び前記電極層上に設けられる上部ギャップ層と、前記上部ギャップ層上に設けられる上部シールド層とを形成する工程とを含み、
前記磁気抵抗素子を形成する工程において、磁気抵抗素子の形状を加工するためのレジストに、一定のトラック幅方向の幅の第１の領域と、前記第１の領域よりもトラック幅方向の幅が広い第２の領域を形成し、かつ前記第２の領域が前記第１の領域中にあって、前記第２の領域を第１の領域の全体のハイト方向長さに対しハイト方向後ろ寄りに設けることを特徴とする磁気ヘッド素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果を利用して高密度記録情報を読み取る磁気ヘッド素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】
近年、高密度記録システムにおける磁気ヘッドとして、磁気抵抗素子の電気抵抗が記録媒体からの信号磁界によって変化する、所謂、磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドが注目されている。ここで、１枚の基板（ウエハ）上に複数の磁気ヘッド素子が形成され、前記基板（ウエハ）から磁気ヘッド素子が個々に切出されて製品としての磁気ヘッドとして完成される。以下では、基板上に形成される磁気ヘッド素子の状態を対象として説明する。
【０００３】
従来の磁気ヘッド素子は図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板１００上に下部シールド層１０１及び下部ギャップ層１０２が形成され、下部ギャップ層１０２上に磁気抵抗効果を発揮する磁気抵抗素子１０３ａが形成され、磁気抵抗素子１０３ａの両端部にバイアス膜１０４及び導電層１０５が形成され、導電層１０５上に上部ギャップ層１０６と上部シールド層１０７が形成された構造に構成されている。
【０００４】
ところで、記録媒体に磁気記録するデータ密度が増加する傾向にあり、この高記録密度化に伴って磁気抵抗素子のトラック幅及びハイト方向の長さが狭くなる。これにより、磁気抵抗素子をパターニングする際に問題が生じている。この問題について従来の製造方法を説明しながら、明らかにする。
【０００５】
従来では図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板（ウエハ）１００上に下部シールド層１０１と下部ギャップ層１０２とを形成し、下部ギャップ層１０２上に磁気抵抗素子１０３ａの抵抗層１０３を形成し、その後、レジスト１０８を抵抗層１０３上に形成する。
【０００６】
図１１に示すように、レジスト１０８はパターニングされたレジスト膜を用いている。パターニングされたレジスト１０８は、磁気抵抗素子１０３ａ及び磁気抵抗素子１０３ａの端部に接合する構成要素を形成するためのものであり、磁気抵抗素子１０３ａのトラック幅に対応したマスキング部１０８ｂとマスキング部１０８ｂを挟む開口１０８ｃが形成されている。
【０００７】
そして図１１において、レジスト１０８のマスキング部１０８ｂで抵抗層１０３をマスキングし、抵抗層１０３をイオンミリング加工でエッチングして所望の形状の磁気抵抗素子１０３ａ（図１０参照）に成形する。このエッチング加工時に不要な抵抗層１０３がレジスト１０８の開口１０８ｃを通してオーバーエッチングされる。
【０００８】
さらに図１１において、レジスト１０８の開口１０８ｃを通して、露出した下部ギャップ層１０２上にバイアス下地層１０４ａ、バイアス層１０４を順に形成し、次いでバイアス層１０４上に導電層１０５を形成する。これらのバイアス下地層１０４ａ、バイアス層１０４及び導電層１０５は磁気抵抗素子１０３ａの端部に接合して形成される。
【０００９】
上述したように近年では、磁気抵抗素子１０３ａのハイト方向の長さＬが短くなり、またトラック幅ｗも狭くなっている。このため、製造工程中に静電気等によってウエハに電流が生じた場合には、後に磁気抵抗素子となる素子部に電流が集中して流れ、該素子部が静電破壊を引き起こす虞がある。磁気抵抗素子は素子サイズが小さくなるほど静電耐圧が低くなる。また、素子サイズが小さくなると、レジスト１０８とレジスト１０８の下面との接合面積が小さくなることから、現像時にレジスト１０８が傾いたり或いは倒れて横臥するという不具合も生じている。
【００１０】
【発明の目的】
本発明の目的は、製造工程中に素子部が静電破壊されることのない磁気ヘッド素子の製造方法を得ることにある。
【００１１】
【発明の概要】
本発明は、基板上に下部シールド層、下部ギャップ層及び磁気抵抗効果を発揮する抵抗層を順に積層形成する工程と、抵抗層上に所定パターンを有するレジストを形成し、該レジストに覆われていない抵抗層を除去することにより、抵抗層パターンを規定する工程と、抵抗層の除去部分に、抵抗層パターンの両端部に接合する一対の電極層を形成する工程と、レジストを除去する工程と、抵抗層パターン及び電極層上に上部ギャップ層と上部シールド層を形成する工程とを含み、上記抵抗層パターンには、少なくとも電気抵抗値Ｒｄの第１領域、電気抵抗値Ｒｃの第２領域、及び電気抵抗値Ｒｂの第３領域がハイト方向後方に向かって順に設けられ、電気抵抗値Ｒｄ、Ｒｃ、Ｒｂの大小関係はＲｃ＞Ｒｂ＞Ｒｄであって、ハイト方向最後方に配置した電気抵抗値Ｒｂの第３領域が、形成すべき磁気ヘッド素子のトラック幅寸法及びハイト寸法で形成され、磁気抵抗素子となることを特徴としている。
【００１２】
抵抗層には、最大電気抵抗値Ｒｃの第２領域が一対の電極層の間隔を拡張するように設けられ、最小電気抵抗値Ｒｄの第１領域が、ハイト方向の寸法を第２領域及び第３領域よりも長くし、且つ、トラック幅方向の寸法を第３領域と等しくして形成されていることが好ましい。
【００１３】
抵抗層の第１領域と第２領域は、形成すべき磁気ヘッド素子の媒体対向面となる位置よりもハイト方向先方に形成されていることが好ましい。
【００１４】
上記磁気ヘッド素子は基板上に複数同時に形成されることが実際的であり、該基板から磁気ヘッド素子を個々に切出し、この切出した磁気ヘッド素子に対して媒体対向面となる面まで研磨を行うことにより、完成状態の磁気ヘッド素子が得られる。
【００１５】
また本発明は、基板上に、下部シールド層及び下部ギャップ層を形成する工程と、下部ギャップ層上に磁気抵抗素子を形成する工程と、磁気抵抗素子の両端部に接合して対をなす電極層を形成する工程と、磁気抵抗素子及び電極層上に設けられる上部ギャップ層と、上部ギャップ層上に設けられる上部シールド層とを形成する工程とを含み、磁気抵抗素子を形成する工程において、磁気抵抗素子の形状を加工するためのレジストに、一定のトラック幅方向の幅の第１の領域と、第１の領域よりもトラック幅方向の幅が広い第２の領域を形成し、かつ第２の領域が第１の領域中にあって、第２の領域を第１の領域の全体のハイト方向長さに対しハイト方向後ろ寄りに設けることを特徴としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る磁気ヘッド素子の構造を示す図である。図１において、Ｘはトラック幅方向、Ｙはハイト方向、Ｚは積層（高さ）方向を示す。この図１に示される磁気ヘッド素子は、磁気抵抗素子のトラック幅寸法及びハイト寸法を規定した後であって媒体対向面を形成する前の段階にある、製造工程中の磁気ヘッド素子である。
【００１８】
磁気ヘッド素子１は、基板（ウエハ）１２上に、保護層１３と、下部シールド層１４と、下部ギャップ層１５と、磁気抵抗素子２と、磁気抵抗素子２の両端部に接合する一対の電極層３７と、磁気抵抗素子２及び電極層３７上に形成した上部ギャップ層３５及び上部シールド層３６とを有している。
【００１９】
磁気抵抗素子２は、下部ギャップ層１５の上に形成された磁気抵抗効果を発揮する抵抗層２０の一部である。本実施形態では、磁気抵抗素子２として、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ（ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子を用いている。具体的に磁気抵抗素子２は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層及びフリー磁性層を順に積層した構造のものであり、そのトラック幅寸法（Ｔｗ）は記録媒体のトラック幅に対応して設定されている。磁気抵抗素子２には、ＧＭＲ素子に限らず、異方性磁気抵抗素子（ＡＭＲ）、トンネル型磁気抵抗素子（ＴＭＲ）のいずれかを用いてもよく、要は、記録媒体からの信号磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を発揮するものであれば、記述した磁気抵抗素子に限定されるものではない。
【００２０】
電極層３７は、下部ギャップ層１５上にバイアス下地層３２を介して形成されたバイアス層３３と、このバイアス層３３上に形成された導電層３４とを有している。バイアス層３３は磁気抵抗素子２にバイアス磁界を印加するものであり、導電層３４は磁気抵抗素子２に外部より電流を導くものである。バイアス層３３には、ＣｏＰｔ等からなるハードバイアス層や反強磁性層を用いたエクスチェンジバイアス層を用いることができる。
【００２１】
上記概略構成の磁気ヘッド素子１では、図１（Ｂ）に示すように、磁気抵抗効果を発揮する抵抗層２０が、ハイト方向の長さＬとトラック幅方向の幅寸法Ｔｗとの比に応じて電気抵抗値を異ならせた第１領域２ｄ、第２領域２ｃ及び第３領域２ｂをハイト方向奥側に向かって順に有している。これら第１領域２ｄ、第２領域２ｃ、第３領域２ｂのうち、ハイト方向最後方に位置する第３領域２ｂが磁気抵抗素子２を構成する。第３領域２ｂは、磁気ヘッド素子１のトラック幅Ｔｗ及びハイト寸法（ハイト方向の長さ）Ｌで形成されている。抵抗層２０の第２領域２ｃは一対の電極層３７、３７の間隔を拡張するように設けられており、この第２領域２ｃと第１領域２ｄは、磁気ヘッド素子１の媒体対向面となる面より一側に偏らせて形成されている。別言すれば、抵抗層２０の第２領域２ｃと第３領域２ｂとの境界に、磁気ヘッド素子１の媒体対向面となる面が位置している。
【００２２】
図１の要部を示す図２を参照し、抵抗層２０の第１領域２ｄ、第２領域２ｃ、第３領域２ｂの抵抗Ｒｄ、Ｒｃ、Ｒｂについて考察する。この抵抗値はＲ＝Ｒｓ・ｗ（トラック幅Ｔｗでの寸法）／Ｌ（ハイト方向での寸法）で表せる。図２において、抵抗層２０の第１領域２ｄ、第２領域２ｃ、第３領域２ｂのハイト方向での寸法をｄ、ｃ、ｂとし、ｄ＞ｃ＞ｂの長さ関係にある。またトラック幅方向での幅寸法は、抵抗層２０の第１領域２ｄと第３領域２ｂのトラック幅方向の幅寸法が等しく、第２領域２ｃのトラック幅方向の幅寸法が一番広いものとする。
【００２３】
この条件からすると、抵抗層２０の第１領域２ｄ、第２領域２ｃ、第３領域２ｂの抵抗Ｒｄ、Ｒｂ、Ｒｃは、Ｒｃ＞Ｒｂ＞Ｒｄの関係にある。
【００２４】
本実施形態によれば、少なくとも形成すべき磁気ヘッド１のハイト方向の長さ及びトラック幅Ｔｗの寸法を有する第３領域２ｂに加えて、ハイト方向の長さとトラック幅方向の幅寸法ｗとの比が異なる第１領域２ｄ、第２領域２ｃを有しており、第３領域２ｂの電気抵抗値Ｒｂより小さな電気抵抗値Ｒｄをもつ第１領域２ｄを含む。よって、基板１２に静電電流が生じた場合には、該静電電流は抵抗値の一番小さい第１領域２ｄを流れることとなり、磁気抵抗素子２（磁気ヘッド）として用いることとなる第３領域２ｂは静電破壊されることがない。
【００２５】
さらに抵抗層２０の各領域２ｄ、２ｃ、２ｂの電気抵抗値Ｒｄ、Ｒｃ、Ｒｂは、ハイト方向の長さとトラック幅方向の幅寸法の比で決まるものであり、第２領域２ｃは、第１領域２ｄ及び第３領域２ｂに対してトラック幅方向の寸法が拡張されているため、電気抵抗が高く、第１領域２ｄと第３領域２ｄへの分流を容易にすることとなる。本実施形態では抵抗層２０の第２領域２ｃが菱形をなしているが、曲線状であっても、三角形状であってもよく、形状は問わない。
【００２６】
さらに、この第２領域２ｃを製造するためのレジスト４０の面積が他の領域２ｄ、２ｂ上に設けられるレジスト４０より拡張されることとなる（図４）。したがって、後述する製造工程において、抵抗層２０と該抵抗層２０上に形成されるレジスト４０との密着度を高めることができ、レジスト４０の傾斜、横臥等の問題を解決することもできる。レジストの傾斜或いは横臥等がないので、磁気抵抗素子の寸法を高精度に定めることができ、基板（ウエハ）上に複数の磁気ヘッド素子を形成した場合に各々のばらつきを抑えることができる。
【００２７】
次に、図１及び図２に示す磁気ヘッド素子の製造方法を図３〜図６を用いて工程順に説明する。
【００２８】
図３に示すように、先ず例えばアルチック（ＡｌＴｉＣ）などのセラミックス材料で形成された基板（ウエハ）１２上に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などで保護層（アンダコート）１３を形成し、保護層（アンダコート）１３上に、磁性材料からなる下部シールド層１４を形成し、下部シールド層１４上に、電気絶縁性の高いセラミック、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの下部ギャップ層１５を形成する。
【００２９】
さらに図３に示すように、下部ギャップ層１５上に、磁気抵抗効果を発揮する、磁気抵抗素子２を形成するための抵抗層２０を形成する。
【００３０】
例えば、抵抗層２０がＧＭＲ効果を発揮する抵抗層である場合には、下部ギャップ層１５上に、ＰｔＭｎ合金などの反強磁性層を形成し、この反強磁性層上にＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された固定磁性層、Ｃｕなどで形成された非磁性導電層、ＮｉＦｅ合金などで形成されたフリー磁性層、及びＴａなどで形成された保護層などを順に積層形成する。なお、反強磁性層を直接形成せずに、先ず下地層を形成し、その上に反強磁性層を形成してもよい。
【００３１】
次に図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、抵抗層２０上にレジスト４０を形成する。レジスト４０は、抵抗層２０に電気抵抗値の異なる領域（第１領域２ｄ、第２領域２ｃ、第３領域２ｂ）を形成するためのマスク領域（第１マスク領域４０ｉ、第２マスク領域４０ｈ、第３マスク領域４０ｇ）を有している。レジスト４０の第３マスク領域４０ｇは、形成すべき磁気ヘッド素子１のハイト方向の長さＬ及びトラック幅Ｔｗの寸法を有する領域であり、露光時に、形成すべき磁気ヘッド素子１の電気抵抗値Ｒｂを有する第３領域２ｂ（磁気抵抗素子２）を抵抗層２０に形成する。
【００３２】
レジスト４０の第２マスク領域４０ｈは、菱形形状をなし、対をなす電極層３７、３７の間隔を拡張して形成される、最も電気抵抗値が大きい第２領域２ｃを抵抗層２０に形成するものである。レジスト４０の第１マスク領域４０ｉは、露光時に、ハイト方向の長さが最も長く、かつ第３領域２ｂよりも電気抵抗値が小さい第１領域２ｄを抵抗層２０に形成するものである。レジスト４０の第１マスク領域４０ｉと第３マスク領域４０ｇは、トラック幅方向での幅寸法を等しくさせている。さらにレジストの第２マスク領域４０ｈ及び第１マスク領域４０ｉは、形成すべき磁気ヘッド素子１の媒体対向面となる面よりも一側（ハイト方向先方）に偏らせて形成している。この第２マスク領域４０ｈ及び第１マスク領域４０ｉを設けたことによりレジスト４０の接合面積は該第２マスク領域４０ｈ及び第１マスク領域４０ｉの面積分だけ増加するので、レジスト４０とレジスト４０の直下に位置する抵抗層２０との密着度を高めることができ、レジスト４０の傾斜、横臥等の問題を解決することができる。
【００３３】
次に図５に示すように、レジスト４０をマスクとしてイオンミリング加工することにより、抵抗層２０を略台形形状にエッチングする。このエッチング処理により、抵抗層２０には、最小電気抵抗値Ｒｄの第１領域２ｄと、最大電気抵抗値Ｒｃの第２領域２ｃ、中間電気抵抗値Ｒｂの第３領域２ｂがハイト方向後方に向かって順に形成される。この場合、点線で示すように下部ギャップ層１５の一部がオーバーエッチングされる。なお、下部ギャップ層１５の一部は、オーバーエッチングしなくてもよい。
【００３４】
次に図６に示すように、レジスト４０をマスクとして、レジスト４０の開口４０ｃを通して、露出した下部ギャップ層１５上に、バイアス下地層３２、バイアス層３３を順に形成し、その後、バイアス層３３上に導電層３４を形成する。ここに、バイアス下地層３２、バイアス層３３、導電層３４から電極層３７が形成される。電極層３７が形成された後に、レジスト４０をリフトオフする。
【００３５】
次に、図７に示すように、磁気抵抗素子２及び電極層３７に対して磁気抵抗素子２のハイト方向奥側の面Ｈを決定する加工を行うためのレジスト４１を形成する。レジスト４１は、対をなす電極層３７及び電気抵抗素子２の面積より小さく、このレジスト４１のハイト方向の寸法は磁気抵抗素子２のハイト方向の寸法Ｌに対応している。
【００３６】
次に、図８に示すように、レジスト４１を用いてイオンミリングによる加工を行い、磁気抵抗素子２及び電極層３７のハイト方向奥側Ｈの寸法・形状を規定のものに成形する。イオンミリング後は、レジスト４１を除去する。
【００３７】
レジスト４１を除去したら、磁気抵抗素子２及び電極層３７上に図１（Ａ）に示すように、電気絶縁性の高いセラミック、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの上部ギャップ層３５を形成し、上部ギャップ層３５上に上部シールド層３６を形成する。これにより、図１に示す磁気ヘッド素子１が得られる。
【００３８】
図１に示す磁気ヘッド素子１は基板１２上に複数形成されているものであり、基板１２から磁気ヘッド素子１を単数又は複数切出し、この切出した磁気ヘッド素子１に対して媒体対向面となる面まで研磨を行うことにより、製品としての磁気ヘッドが完成する。この磁気ヘッドは、図示しないハードディスク装置等の磁気記録装置に設けられたスライダのトレーリング側端部に取付けられ、図示しない記録媒体に記録されている記録磁気データを読み出す。図１において、磁気式でデータが記録される記録媒体の移動方向はＺ方向であり、この記録媒体からの信号磁界がＹ方向から磁気抵抗素子２に作用する。なお、図１に示す磁気ヘッド素子１は、記録媒体からの記録データを再生する再生用として使用するが、図１に示す上部シールド層３６上に誘電方式により記録データ用の電流で記録媒体にデータを書き込む記録用のインダクティブ磁気ヘッドを形成するようにしてもよい。
【００３９】
前記切出した磁気ヘッド素子に研磨加工を施す場合を図９を用いて説明する。図９に示すように、切出した磁気ヘッド素子１には、抵抗層２０の電気抵抗値を検出しながら、磁気ヘッド素子１の不要領域Ｕ側からハイト（Ｙ）方向の媒体対向面となる面まで（検出した電気抵抗値が抵抗層２０の第３領域２ｂの電気抵抗値Ｒｂに一致するまで）研磨加工を行なう。この加工により、製品としての磁気ヘッドが完成する。
【００４０】
以上の製造方法によれば、磁気抵抗素子２を形成する抵抗層２０に、電気抵抗値の異なる領域を形成することにより、静電破壊を引起す静電電流を、静電破壊により支障が生じない磁気抵抗素子外（第３領域２ｂ外）の抵抗層２０の部分に強制的に流すことができる。これにより、磁気抵抗素子２を静電破壊から確実に保護することができる。また、レジスト４０に第１マスク領域４０ｉ及び第２マスク領域４０ｈを設けたことによりレジスト４０とレジスト４０の下面との接合面積が著しく増加するので、レジスト４０の傾斜、横倒しを防止することができる。
【００４１】
以上の本実施形態は、静電破壊対策を考慮して磁気抵抗素子２を形成する抵抗層２０に、ハイト方向の長さとトラック幅方向の幅との比が異なる少なくとも３以上の領域（２ｂ、２ｃ、２ｄ）を有し、それぞれの電気抵抗値の違いにより、静電破壊を防止する。さらに、抵抗層２０の第２領域２ｃのトラック幅方向での幅寸法が増大することを利用して、レジストの傾斜、横倒しを防止する構成としたが、これに限定されるものではない。すなわち、レジストの傾斜、横倒しの点に着目すれば、トラック幅方向の幅寸法が異なる領域を磁気抵抗素子に形成した構成としてすればよい。具体的には抵抗層２０に、一定のトラック幅方向の幅の第１の領域（図１０の場合、領域２ｂ、２ｄに相当する）と、該第１の領域よりもトラック幅方向の幅が広い第２の領域（図１０の場合、領域２ｃに相当する）とを設け、第２の領域（領域２ｃ）が第１の領域中（領域２ｂと領域２ｄとの間）にあって、第２の領域（領域２ｃ）が第１の領域（２ｂ、２ｄ）の全体のハイト方向長さに対しハイト方向後ろ寄りに設ける。
【００４２】
この変更した実施形態では、その製造工程に図３〜図６に示すような、基板上に、下部シールド層及び下部ギャップ層を形成する工程と、下部ギャップ層上に磁気抵抗素子を形成する工程と、磁気抵抗素子の両端部に接合して対をなす電極層を形成する工程と、磁気抵抗素子及び前記電極層上に設けられる上部ギャップ層と、上部ギャップ層上に設けられる上部シールド層とを形成する工程とを含む。さらに磁気抵抗素子を形成する工程において、磁気抵抗素子の形状を加工するためのレジストに、一定のトラック幅方向の幅の第１の領域（領域２ｂ、２ｄ）と、第１の領域（領域２ｂ、２ｄ）よりもトラック幅方向の幅が広い第２の領域（領域２ｃ）を形成し、第２の領域（領域２ｃ）が第１の領域中（領域２ｂと領域２ｄとの間）にあって、第２の領域（領域２ｃ）を第１の領域（領域２ｂ、２ｄ）の全体のハイト方向長さに対しハイト方向後ろ寄りに設ける。これにより、レジストとレジストの下面との接合面積を増大させることができ、レジストの傾斜、横倒しを防止することができる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、製造工程中に素子部が静電破壊されることのない磁気ヘッド素子の製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気ヘッド素子の構造を示す（Ａ）断面図、(Ｂ)平面図である。
【図２】図１の磁気ヘッド素子の要部を拡大して示す平面図である。
【図３】図１の磁気ヘッド素子の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４】図３の工程の次工程を示す（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図５】図４の工程の次工程を示す断面図である。
【図６】図５の工程の次工程を示す（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図７】図６の工程の次工程を示す（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図８】図７の工程の次工程を示す断面図である。
【図９】研磨工程を説明する平面図である。
【図１０】従来構造の磁気ヘッド素子を示す（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【図１１】図１０に示す磁気ヘッド素子の製造方法の一工程を説明する（Ａ）断面図、（Ｂ）平面図である。
【符号の説明】
１  磁気ヘッド素子
２  磁気抵抗素子
２ｂ  第３領域
２ｃ  第２領域
２ｄ  第１領域
１２  基板
１３  保護層
１４  下部シールド層
１５  下部ギャップ層
２０  抵抗層
３２  バイアス下地層
３３  バイアス層
３４  電極層
３５  上部ギャップ層
３６  上部シールド層
３７  電極層
４０  レジスト
４０ｇ  第３マスク領域
４０ｈ  第２マスク領域
４０ｉ  第１マスク領域
【図１】
0003631447.tif 000002
【図２】
0003631447.tif 000003
【図３】
0003631447.tif 000004
【図４】
0003631447.tif 000005
【図５】
0003631447.tif 000006
【図６】
0003631447.tif 000007
【図７】
0003631447.tif 000008
【図８】
0003631447.tif 000009
【図９】
0003631447.tif 000010
【図１０】
0003631447.tif 000011
【図１１】
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