(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電流によりレーザ光を出射するレーザ光源及び前記レーザ光の光量をモニターする光量センサとを備えるレーザユニットと、
前記レーザ光の照射により画像が形成される感光体と、
入力される画像信号に応じて前記レーザ光を変調するレーザ制御手段と、
前記光量センサの出力に基づいて前記レーザ光源を駆動するための電流を制御するレーザ光量補正手段と、
前記レーザ光を前記感光体上を含む領域を主走査させる走査手段と、
主走査された前記レーザ光を検知して、走査開始基準信号を形成する走査開始信号生成手段と、
前記レーザユニットの温度が設定された目標温度になるように、発熱体への通電をＯＮ又はＯＦＦにすることにより、温度制御を行う温度制御手段と、
を有する画像形成装置において、
前記目標温度よりも低い所定温度に達した後の画像形成動作中の前記温度制御は、各主走査毎に前記走査開始基準信号から定められる主走査の１ライン中の非画像領域でのみ行われることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記温度制御手段は加熱手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記温度制御手段は冷却手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記温度制御手段は前記レーザユニットが前記目標温度より低い前記所定の温度に達するまでは温度制御を常に行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザによる走査装置を備えた画像形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子写真方式での画像形成装置においては、感光体上にレーザ光を走査させ、画素毎にレーザ光の強度や、点灯時間を入力信号の値に応じて変調させて感光体上に静電潜像を形成する。この感光体上の静電潜像は現像器により現像され記録媒体上に転写、定着、もしくは現像を一旦中間転写体に転写した後、記録媒体に転写、定着される電子写真プロセスを経て最終出力画像となる。
【０００３】
半導体レーザはユニット内に内蔵されたフォトダイオードにより、レーザの発光強度を検出し、それに応じた電流を出力する機能を有している。これをレーザの制御回路にフィードバックして発光強度が常に所定の値になるように制御するＡＰＣ(Automatic Power Contorol)が一般に用いられている。図２を用いてＡＰＣの動作の一例について簡単に説明する。
【０００４】
半導体レーザ２０１を流れる電流はトランジスタ２０３を制御することによる駆動電流、トランジスタ２０４を制御することによるバイアス電流の２種類に大分される。バイアス電流は、半導体レーザ２０１がレーザ発光する直前の値、つまりしきい値電流付近になるように設定され、常時半導体レーザ２０１に流れるようになっている。このバイアス電流はレーザの発光強度が一定になるように制御される。駆動電流は、半導体レーザ２０１がレーザ発光するような固定値に設定されている。画像形成時には、トランジスタ２０３のベースに画像に応じたパルス信号が印加され、パルスの波高値と抵抗器２０５により決定される電流値が、駆動電流となる。
【０００５】
フォトダイオード２０２は半導体レーザ２０１と同一のユニット内に設けられ、半導体レーザ２０１のレーザ光の一部が入射されるようになっている。レーザ光が入射されたフォトダイオード２０２はレーザ光の強度に応じた電流を出力する。電流電圧変換器２０７はフォトダイオード２０２の出力電流を所定の増幅率で電圧信号に変換する。スイッチ２０８は図示しない制御部により制御されるもので、画像形成中に一定周期のＡＰＣ制御時にオンされる。ホールドコンデンサ２０９はスイッチ２０８がオンされた時に、電流電圧変換器２０７の出力電圧と等しくなるように電荷が蓄積される。加算器２１０は所定の電圧値Ｖ0 からホールドコンデンサ２０９のホールド電圧値Ｖ1を減算した電圧値を出力する。トランジスタ２０４のベースには加算器の出力がバッファアンプ２１１を介して印加され、その電圧値と抵抗器２０６で決定される電流値がバイアス電流となる。
【０００６】
以上より、半導体レーザ２０１の発光強度は駆動電流とバイアス電流の合計値で決定される。図２の方式では駆動電流が固定値であるから温度変化や経時変化によるレーザ光の強度変動はバイアス電流を制御することで補償する。
【０００７】
次にＡＰＣの動作について説明をする。
【０００８】
画像形成時、半導体レーザ２０１は図３のレーザ駆動信号３０１により駆動される。ここで、ＢＤ点灯時では、水平方向の画像信号の書出し基準となる水平同期信号を生成するために、非画像領域において所定の時間、レーザを点灯し続ける。このＢＤ点灯と同期して制御部はＡＰＣモード信号３０２によりスイッチ２０８をオンする。フォトダイオード２０２はＢＤ点灯時の半導体レーザ２０１のレーザ光を受光し、それに応じた電流値を出力する。電流電圧変換器２０７により電圧信号に変換された出力はオン状態のスイッチ２０８を介してホールドコンデンサ２０９に電荷として蓄積され、ＢＤ点灯中には電流電圧変換器２０７の出力電圧と等しくなる。ＢＤ点灯終了時より所定の時間だけ早い時期にスイッチ２０８は再び開放されるが、ホールドコンデンサ２０９により電流電圧変換器２０７の出力電圧は保持されている。加算器２１０の２つの入力の一方には、あらかじめ決められた電圧Ｖ0 が入力されている。他方にはホールドコンデンサ２０９が保持している電圧値Ｖ1が入力される。この加算器２１０の出力からは（Ｖ0 −Ｖ1 ）が出力されるようになっている。この（Ｖ0 −Ｖ1 ）によりバイアス電流が決定する。すなわち、半導体レーザ２０１の発光強度が通常より小さい場合、Ｖ1 は小さく、（Ｖ0 −Ｖ1 ）は大きくなり、バイアス電流が増加するようになっている。また、逆に発光強度が通常より大きい場合、Ｖ1 は大きく、（Ｖ0 −Ｖ1 ）は大きくなり、バイアス電流が減少するようになっている。
【０００９】
ところが、この発光強度検出用フォトダイオードによる温度特性により、同じ発光強度でも、レーザユニットの周囲温度により、検出電流にバラツキが生じる。その結果、レーザの発光強度が周囲温度により変化し、画像に影響が出てしまうという不具合がある。
【００１０】
そこで上記不具合を解決するために、半導体レーザを常に所定の温度に保つためにヒータなどで温度調整を行うことがある。図１が、半導体レーザに温度調整機構を実装したものである。円盤状の基台１２に半導体レーザとフォトダイオードを含むユニット２０１を基台１２の中央に空いた穴より電極を通した形で固定する。半導体レーザユニット２０１のケースにはケースの表面温度を検出するためのサーミスタ１４がケースに接触するように固定されている。サーミスタ１４の両端には図４に示す制御部４００が接続されている。基台１２には、円盤状の面上ヒータ１３が、基台１２に接触するように固定されている。これは、基台１２に固定されている半導体レーザユニット２０１の近傍を加熱するような位置である。基台１２は熱伝導が十分良好な材質でできているため、このヒータ１３により半導体レーザユニット２０１のケースをすみやかに加熱することが可能である。ヒータ１３は図４に示すように制御部４００内で電源に接続され、電源は制御部４００によりオン／オフが可能である。
【００１１】
すなわち、サーミスタ１４により検出される半導体レーザユニット２０１の表面温度が所定の値より低い場合、ヒータ用電源をオンし、所定の値より高い場合、ヒータ用電源をオフする。また、ヒータ１３を制御する基準温度はたとえば以下のように決定される。半導体レーザユニット２０１が装置内に実装される個所の温度の環境温度に対する差分をΔα（℃）とすると、装置の使用温度範囲の最高温度ｋ（℃）に対して制御温度Ｔを
Ｔ＝ｋ＋Δα（℃）
に設定する。
【００１２】
ｋ＝３５℃、Δα＝５（℃）
のときには、半導体レーザ２０１の制御温度Ｔは
Ｔ＝３５＋５℃となる。
【００１３】
図４はヒータの制御部４００である。５Ｖをサーミスタ１４と抵抗器４０５で分圧し、その分圧された電圧と抵抗器４０１と４０２で作られる基準電圧をコンパレータ４０３で比較する。半導体レーザユニット２０１の表面温度によってサーミスタ１４の抵抗値が変化するため、サーミスタ４０３による分圧された電圧は半導体レーザ２０１の温度によって変化することになる。抵抗器４０１、４０２、４０５の値は、半導体レーザ２０１が制御温度Ｔになった時のサーミスタ１４と抵抗器４０５で分圧された電圧と基準電圧が同じになるように設定される。制御温度Ｔ以下になるとコンパレータ４０３はトランジスタ４０４をオンし、ヒータ１３に電源が供給される。制御電圧Ｔ以上になるとコンパレータ４０３はトランジスタ４０４をオフし、ヒータ１３の電源が遮断されることで温度調整が行われる。
【００１４】
図５は半導体レーザのユニット内に内蔵されたフォトダイオードがある発光強度のレーザ光を検出した時の出力電流の温度変化を示した１例のグラフである。
【００１５】
装置の使用温度範囲が１０℃から３５℃であった場合、半導体レーザの実装位置の温度上昇分を５℃とすると、半導体レーザの使用温度範囲は１５℃から４０℃である。図５の特性よりこの範囲におけるフォトダイオードの出力電流変動は、２５℃時の測定値を基準にして最大約３％の変動がある。ヒータの温度調整制御値を４０℃、許容範囲を±５℃と設定した場合、フォトダイオードの出力電流変動は４０℃の測定値を基準にしても最大約１％以内に抑えることができる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
従来、レーザ温度調整は画像形成中であるなしに拘わらずに行われていた。ヒータの電流経路はレーザの電流経路のそばに配置されるため、ヒータのオンオフによって流れる比較的大きな電流による誘導がレーザ駆動電流に影響を及ぼす可能性があった。具体的には、この誘導のためのレーザ駆動電流の乱れが画質を決めるレーザの光波形を乱すことになる。つまり、画像形成中にヒータのオンオフを繰り返すため、このヒータの電流の影響が画像に及ぼす可能性があった。
【００１７】
さらには、温度調整はレーザのみに行われるのではなく、ヒータが取り付いている基台、鏡筒ごとに温度調整を行なってしまう。このため、熱容量が大きくなり、熱の応答速度が遅くなり、その結果ヒータのオンオフの周期が長くなって、レーザの温度に大きなリップルを持ってしまうことがある。この様子を示したものが図１２である。制御温度をＴとするとＴに達してからも図１２のように大きなリップル成分が存在する。このリップル成分はレーザパワーの変動の原因となり、画質を劣化させることになる。
【００１８】
本発明は、リップル分が少ない精度の高い温度調整が行えるとともに、温度調整によるヒータのオンオフの画像形成への影響を排除し安定したレーザ光量での画像形成が可能である画像形成装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明による画像形成装置は、駆動電流によりレーザ光を出射するレーザ光源及び前記レーザ光の光量をモニターする光量センサとを備えるレーザユニットと、前記レーザ光の照射により画像が形成される感光体と、入力される画像信号に応じて前記レーザ光を変調するレーザ制御手段と、前記光量センサの出力に基づいて前記レーザ光源を駆動するための電流を制御するレーザ光量補正手段と、前記レーザ光を前記感光体上を含む領域を主走査させる走査手段と、主走査された前記レーザ光を検知して、走査開始基準信号を形成する走査開始信号生成手段と、前記レーザユニットの温度が設定された目標温度になるように、発熱体への通電をＯＮ又はＯＦＦにすることにより、温度制御を行う温度制御手段と、を有する画像形成装置において、前記目標温度よりも低い所定温度に達した後の画像形成動作中の前記温度制御は、各主走査毎に、前記走査開始基準信号から定められる、各主走査の１ライン中の非画像領域でのみ行われることを特徴とする。
【００２１】
更に、本発明による画像形成装置は、上記の画像形成装置において、前記温度制御手段は加熱手段を含むことを特徴とする。
【００２２】
更に、本発明による画像形成装置は、上記の画像形成装置において前記温度制御手段は冷却手段を含むことを特徴とする。
【００２３】
更に、本発明による画像形成装置は、上記の画像形成装置において、前記温度制御手段は前記レーザユニットが前記目的温度より低い所定の温度に達するまでは温度制御を常に行うことを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
図６は本発明での画像形成装置のプリンタ部の構成の例、図７はそのタイミングチャートである。図６において、不図示のイメージスキャナやコンピュータ等の外部装置より送られてくる画像信号が、画像書き出しタイミング制御回路１０１に送られる。画像書き出しタイミング制御回路１０１はマゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イエロー（Ｙ）、ブラック（ＢＫ）の画像信号に応じ、半導体レーザ２０１を変調駆動する。レーザ光は回転するポリゴンミラー１０３で反射され、ｆ−θレンズ１０４によってｆθ補正され、感光ドラム１０５上を走査する。こうして、感光ドラム１０５上に静電潜像が形成される。
【００２５】
感光ドラム１０５はギアベルト１１６を介してドラムモータ１１５によって右回りの矢印方向に回転駆動され、転写ドラム１０８は感光ドラム１０５と不図示のギアを介しているため感光ドラム１０５と同期して左回りの矢印（副走）方向に回転駆動する。感光ドラム１０５を回転駆動するドラムモータ１１５は、発振器１１２のクロックを分周回路１１７で分周しモータ駆動用パルス（基準ＣＬＫ）としてＰＬＬ回路１１８に送られることで回転駆動する。ＰＬＬ回路１１７はドラムモータ１１５からのモータＦＧパルスと基準ＣＬＫの位相が合うように、ＦＧパルスと基準ＣＬＫの位相差及び周波数偏差を検出し、それらを比較してドラムモータ１１５への駆動電圧を制御するＰＬＬ制御を行う。
【００２６】
ポリゴンモータ１０６は、発振器１１２のクロックを分周回路１１３で分周しモータ駆動用パルス（基準ＣＬＫ）としてＰＬＬ回路１１４に送られることで回転駆動する。ＰＬＬ回路１１４はポリゴンモータからのモータＦＧパルスと基準ＣＬＫの位相が合うように、ＦＧパルスと基準ＣＬＫの位相差及び周波数偏差を検出し、それらを比較してポリゴンモータ１０６への駆動電圧を制御するＰＬＬ制御を行う。ＢＤセンサ１０７はレーザ光の１ラインの走査開始位置近傍に設けられ、レーザ光のライン走査を検出し、図７のＢに示すような同一周期の各ラインの走査開始基準信号（ＢＤ信号）を作り出す。また感光体１０５の周囲には不図示のマゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イエロー（Ｙ）、ブラック（ＢＫ）の現像器が設けられ、感光ドラム１０５が４回転する間に４つの現像器が交互に感光ドラム１０５に接し、感光ドラム１０５上に形成されたＭ、Ｃ、Ｙ、ＢＫの静電潜像に対応するトナーで現像する。不図示の用紙カセットより給紙された記録用紙１０９は転写ドラム１０８に巻き付けられ、現像器で現像されたトナー像が転写される。転写ドラム１０８内には、転写ドラム１０８上の記録用紙１０９の先端位置を表すＩＴＯＰ信号を作るためのセンサ１１０が有り、転写ドラム１０８が回転し転写ドラム１０８内に固定されたフラグ１１１がセンサ１１０を通過することで図７のＡに示すような色毎のＩＴＯＰ信号が作られる。このようにしてＭ、Ｃ、Ｙ、ＢＫの４色が順次転写された後に、用紙は不図示の定着ユニットを通過して排紙される。
【００２７】
半導体レーザの温度調整機構は従来例の図１と同様なので説明を省略すると共に、本実施形態においても同じ符号を用いる。本実施形態では半導体レーザの温度によって３段階の温度調整方式を切り替える。すなわち、温度調整設定温度をＴとすると、半導体レーザのユニット２０１が温度調整温度ＴからＴに達した時の温度リップル分よりも若干大きい値を引いた温度Ｔ′まではヒータを常にオンさせる。温度Ｔ′以上になると温度Ｔになるまでは、ＢＤ点灯に同期した設定可能な所定の論理Ｈ区間でヒータをオンさせる。温度Ｔに達するとその後は、温度Ｔ以上ならヒータオフ、温度Ｔ以下ならヒータオンといった温度調整をＢＤ点灯に同期した設定可能な所定の論理Ｈ区間で行う。この結果、ユニット２０１の温度は、図１１のように温度Ｔ′までは急勾配で温度Ｔ′に達し、温度Ｔ′になった時点から温度Ｔになる時点までは緩やかな勾配で温度Ｔに達し、その後小さいリップルで温度Ｔ近傍に保たれる。なお、このＢＤ点灯に同期した設定可能な所定の論理Ｈ区間は主走査の非画像部にすることで画像形成へのヒータオンオフの影響を排除できる。すなわち図１０のタイミングチャートのようにＢＤ点灯に同期して決定される最大記録用紙サイズでの画像領域／非画像領域のうちＡやＢのように非画像領域のみで論理Ｈを出力する、すなわち温度調整を可能にすることでヒータオンオフの画像形成への影響を排除できる。レーザの温度が設定温度Ｔに達しないためこの温度調整区間（論理Ｈ区間）をＣのように多少画像領域に入り込んでも記録用紙が小さい場合には問題ないし、通常画像領域の両端は余白領域であるため問題になりにくい。
【００２８】
図８に本実施形態の半導体レーザの温度調整制御部を示す。まず、温度Ｔ′までの制御について説明する。サーミスタ１４の抵抗値は半導体レーザのユニット２０１の表面温度によって変化するため、サーミスタ１４と抵抗器８１４により分圧された電圧は半導体レーザ２０１の温度によって変化することになる。抵抗器８１４，８１６，８１７の値は、半導体レーザのユニット２０１が温度調整温度ＴからＴに達した時の温度リップル分よりも若干大きい値を引いた温度Ｔ′になった時のサーミスタ１４と抵抗器８１４で分圧された電圧と基準電圧が同じになるように設定される。コンパレータ８１５は温度Ｔ′になるまでは論理ＨをＯＲゲート８０８に出力するためＡＮＤゲート８０７のひとつの入力には論理Ｈが入力される。抵抗器８１１，８１２の値は、半導体レーザ２０１が温度調整温度Ｔになった時のサーミスタ１４と抵抗器８１４で分圧された電圧と基準電圧が同じになるように設定される。このため温度調整温度Ｔになるまではコンパレータ８１３は論理ＨをＡＮＤゲート８０７に出力し続ける。よって温度Ｔ′まではＡＮＤゲート８０７は両入力とも論理Ｈが入力されるためトランジスタ８１４を常時オンさせ、ヒータに電源が供給される。
【００２９】
次に温度Ｔ′からＴまでは、コンパレータ８１５の出力は論理Ｌになるため、ＯＲゲート８０８の出力はインバータ８０６の出力のみをＡＮＤゲート８０７に出力する。コンパレータ８１３の出力は温度Ｔまでは常に論理Ｈなので、ＢＤ点灯に同期した設定可能な所定の論理Ｈ区間を出力するインバータ８０６の出力が論理Ｈのときのみトランジスタ８１４をオンしヒータに電源が供給される。このＢＤ点灯に同期した設定可能な所定の論理Ｈ区間の出力は次のようにして作られる。すなわち、カウンター８０１は水晶発振器８０２からのクロックをカウントし、画像形成時なら不図示の制御部からの画像形成信号によってセレクタ８２０でセレクトされたＢＤセンサ１０７からの主走査開始基準信号（ＢＤ）によってリセットされる。画像形成以外であればＢＤ信号が出力されないため発振器８０２から出力されるクロックをカウントするカウンタ８２１からのリップルキャリーでリセットされる。なお、このカウンタ８２１はＢＤ周期とほぼ同じ周期でリップルキャリーが出るようにプリセットされている。カウンタ８０１の値はコンパレータ８０３，８０４に入力される。コンパレータ８０３，８０４には温度調整を許可する主走査方向の領域に応じて決定される値が不図示の制御部によって入力される。コンパレータ８０３には主走査の温度調整を禁止する開始地点を表す設定値Ａが入力され、コンパレータ８０４には主走査の温度調整を許可する開始地点を表す設定値Ｂが入力される。ＪＫ−ＦＦ８０５は、設定値Ａとカウンタ８０１の値が同じになったときにコンパレータ８０３によりセット、設定値Ｂとカウンタ８０１の値が同じになったときにコンパレータ８０４によりリセットされるので、主走査における温度調整禁止領域で、論理Ｈを維持する。インバータ８０６はＪＫ  ＦＦ８０５からの信号を反転させることで、主走査における温度調整可能領域で論理ＨをＯＲゲート８０８に出力する。このようにして、ＢＤ点灯に同期した設定可能な所定の論理Ｈ区間を作り出す。コンパレータ８０３，８０４に設定する値を変えることで論理Ｈを出力する位置及びＤＵＴＹを可変にできることは明らかである。
【００３０】
一度制御温度Ｔに達し、制御温度Ｔ以上になるとコンパレータ８１３はＡＮＤゲート８０７に論理Ｌを出力し、ヒータ１３の電源が遮断される。ヒータ１３がオフすることで温度Ｔ以下になるとＢＤ点灯に同期した設定可能な所定の論理Ｈ区間でヒータがオンするといった温度調整が行われる。なお、抵抗器８１８とトランジスタ８１９はコンパレータ８１３の出力にヒステリシスを持たせるためのものである。すなわち、コンパレータの出力が論理Ｈになるとトランジスタ８１９がオンすることでコンパレータに入力されている基準電圧が低くなる。コンパレータ８１３の出力が論理Ｌになるとトランジスタ８１９がオフし元の基準電圧に戻る。つまり、コンパレータ８１３の出力が論理ＬからＨに変化するときと、論理ＨからＬになるときで基準電圧を変えることでヒステリシスを持たせている。
【００３１】
図９が画像形成時のこのＢＤ点灯に同期した設定可能な所定の論理Ｈ区間のタイミングチャートである。ＢＤ信号の立ち上がりによってカウンタ８０１はクロックをカウントし、走査の温度調整を禁止する開始地点を表す設定値Ａと同じになったところでコンパレータ８０３がパルスを出力し、主走査の温度調整を許可する開始地点を表す設定値Ｂを同じになったところでコンパレータ８０４がパルスを出力する。ＪＫ−ＦＦ８０５はこの出力によってセット、リセットされるので、この間で論理Ｈを出力する。インバータ８０６によってこのＪＫ−ＦＦの出力が反転されるので、温度調整許可領域のみヒータオンを可能とする。
【００３２】
なお、上記の実施形態では、ヒータを用いて、温度調整をするとしたが、ヒータの代わりにペルチェ効果を利用した冷却手段を用いることもできる。この場合、制御温度は、例えば、半導体レーザのケース２０１温度範囲の下限付近に設定される。
【００３３】
このように、一度温度調整点に達すると主走査一ラインの一部分のみ温度調整が行われるため、ヒータのオンオフが速い周期で行えることになり、その結果として、細かな温度調整、つまりリップルの少ない温度調整が可能となる。
【００３４】
さらに主に主走査の非画像領域を温度調整可能領域にすることで、ヒータのオンオフによるレーザ制御への影響を排除でき、安定したレーザ光量による画像形成が可能となる。
【００３５】
【発明の効果】
以上、画像形成時の半導体レーザの温度調整を主走査開始信号に同期して行うことで、リップル分が少ない精度の高い温度調整が行えるとともに、温度調整によるヒータのオンオフの画像形成への影響を排除し安定したレーザ光量での画像形成が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明及び従来例におけるレーザの温度調整機構を示す断面図である。
【図２】本発明及び従来例におけるレーザのＡＰＣを行う回路の回路図である。
【図３】本発明及び従来例におけるレーザのＡＰＣを行うタイミングを表すタイミング図である。
【図４】従来例によるレーザ温度調整制御部の回路図である。
【図５】本発明及び従来例におけるレーザに内蔵されたフォトダイオードの温度特性を示すグラフである。
【図６】本発明の実施形態及び従来例における画像形成装置を示す概念図である。
【図７】本発明の本実施形態及び従来例におけるＢＤとＩＴＯのタイミングを表すタイミング図である。
【図８】本発明の実施形態によるレーザ温度調整制御部の回路図である。
【図９】本発明の実施形態によるレーザ温度調整制御部の動作を示すタイミング図である。
【図１０】本発明の実施形態によるレーザ温度調整可能領域を表すタイミング図である。
【図１１】本発明の実施形態によるレーザ温度調整によるレーザの温度の遷移を表すグラフである。
【図１２】従来例によるレーザ温度調整によるレーザの温度の遷移を表すグラフである。
【符号の説明】
１２  基台
１３  ヒーター
１４  サーミスタ
１５  ヒーター電極
１６  コリメータレンズ
１７  鏡筒
１０７  ＢＤセンサ
２０１  半導体レーザのユニット
８０１、８２１  カウンタ
８０３、８０４  コンパレータ
８１３、８１５  コンパレータ
８２０  セレクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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