(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外光を第１の波長の光として放出する発光素子と、
前記第１の波長の光を吸収して第２の波長の光を放出する第１の波長変換手段と、
前記第２の波長の光の一部を吸収して第３の波長の光を放出する第２の波長変換手段と、
を備え、前記第２の波長の光の前記一部以外の光と前記第３の波長の光との放出により白色発光を生じさせる、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第２の波長は、前記第１の波長よりも長く、
前記第３の波長は、前記第２の波長よりも長く、
前記第２の波長変換手段は、前記第１の波長の光を実質的に吸収しないことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１の波長変換手段は、蛍光体であり、
前記第２の波長変換手段は、蛍光体であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２の波長の光は、青色光であり、
前記第３の波長の光は、黄色光であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子は、窒化物半導体からなる半導体発光素子であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は発光装置に関し、特に半導体発光素子などの発光素子と蛍光体などの波長変換手段とを組み合わせた発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＥＤ（light emitting diode：発光ダイオード）などの半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置は、安価で長寿命な発光装置として注目され、広く用いられつつある。特に、白色の発光装置は、蛍光灯に変わる発光装置として、あるいは表示装置用の光源としてさまざまな用途が期待されている。
【０００３】
図６は、従来の白色発光型の発光装置の概念構成を表す概略断面図である。すなわち、従来の発光装置は、リードフレーム１１６のカップ部に青色発光ＬＥＤ１１１がマウントされ、その周囲が樹脂１１２によりモールドされている。そして、ＬＥＤ１１１はワイア１１４により、適宜配線されている。また、樹脂１１２の上には蛍光体１１７が塗布されている。そして、さらにその周囲が封止樹脂１１３により封止されている。
【０００４】
図６の発光装置においては、青色発光ＬＥＤ１１１から放出された１次光の青色光の一部が蛍光体１１７に吸収され、２次光として黄色光が放出される。つまり、ＬＥＤ１１１から放出される青色光と、蛍光体１１７から放出される黄色光とにより、白色発光を生ずる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、本発明者の試作・評価の結果、図６のような従来の発光装置には、以下に挙げる問題があることが判明した。すなわち、
（１）装置毎のホワイトバランスのばらつきが大きい。
（２）供給する電流値の変化によるホワイトバランスの変化が大きい。
（３）周囲温度の変動によるホワイトバランスの変化が大きい。
（４）ＬＥＤ１１１の経時変化によるホワイトバランスの変化が大きい。
【０００６】
これらの問題は、いずれも、半導体発光素子として用いている青色発光ＬＥＤ１１１が有する本質的な特性に起因している。すなわち、青色発光ＬＥＤ１１１の発光層として用いられている窒化インジウム・ガリウム（ＩｎＧａＮ）は、その組成の厳密な制御が難しく、成長ウェーハ毎に発光波長が変動する傾向がある。また、ＬＥＤに供給する電流や温度によって発光波長が比較的大きく変動するという特性を有する。さらに、電流を供給して発光動作を継続すると、発光波長が変動する傾向がみられる。
【０００７】
このようにして、青色発光ＬＥＤ１１１から放出される青色光の波長が変動すると、蛍光体１７から放出される黄色光との強度のバランスがくずれて色度座標が大きくずれてしまう。その結果として、出力される白色光のホワイトバランスが大きく変化するという問題が生ずることが判明した。
【０００８】
この問題を解決する方法として、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３色の発光を生ずる蛍光体を使う方法もある。しかし、この場合には、３種類の蛍光体の配合比の精密な調整が必要となり、所定のバランスで混合することは容易ではないという欠点があった。また、蛍光体を混合して塗布する場合に、それぞれの蛍光体粒子の比重の違いに起因する分離の影響で、所望の均一な混合形態を実現することが難しいという欠点もあった。
【０００９】
本発明は、かかる独自の課題の認識に基づいてなされたものである。すなわち、その目的は、光の混合比を確実且つ容易に所望のバランスにし、安定した発光特性を有する発光装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の発光装置は、紫外光を第１の波長の光として放出する発光素子と、前記第１の波長の光を吸収して第２の波長の光を放出する第１の波長変換手段と、前記第２の波長の光の一部を吸収して第３の波長の光を放出する第２の波長変換手段と、を備え、前記第２の波長の光の前記一部以外の光と前記第３の波長の光との放出により白色発光を生じさせる、ことを特徴とする発光装置として構成される。
【００１１】
ここで、前記第２の波長は、前記第１の波長よりも長く、前記第３の波長は、前記第２の波長よりも長く、前記第２の波長変換手段は、前記第１の波長の光を実質的に吸収しないことを特徴とすることにより、第２の波長の光と第３の波長の光のバランスを極めて安定させることができる。
【００１２】
また、本発明の望ましい実施の態様としては、前記第１の波長変換手段は、蛍光体であり、前記第２の波長変換手段は、蛍光体であることを特徴とする。
【００１３】
さらに、前記第１の波長の光は、紫外光であり、前記第２の波長の光は、青色光であり、前記第３の波長の光は、黄色光であることを特徴とすることにより、ホワイトバランスが極めて安定した白色光を得ることができる。
【００１４】
また、前記発光素子は、窒化物半導体からなる半導体発光素子であることを特徴とすることにより、高輝度の発光装置を実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態にかかる発光装置の概念構成を表す断面図である。すなわち、同図の発光装置は、一般に「縦形ＬＥＤ」と呼ばれるものであり、リードフレーム１６のカップ部に発光素子１１がマウントされ、その周囲が樹脂１２によりモールドされている。樹脂１２は、発光素子１１から放出される光の吸収の少ない材料により構成することが望ましい。発光素子１１はワイア１４により、適宜配線されている。また、樹脂１２の上には第１の波長変換手段１８と第２の波長変換手段１７とが設けられている。そして、さらにその周囲が封止樹脂１３により封止されている。
【００１６】
ここで、第１の波長変換手段１８は、発光素子１１から放出される第１の波長の光を吸収してそれよりも長い第２の波長の光に変換する。例えば、発光素子１１として紫外光を放出するＬＥＤを用いた場合には、その紫外光により励起されて青色の２次光を放出する蛍光体とすることができる。
【００１７】
一方、第２の波長変換手段１７は、第１の波長変換手段１８から放出された第２の波長を有する２次光を吸収してそれよりも長い第３の波長の２次光に変換する。第２の波長変換手段１７としては、例えば、蛍光体１８から放出される青色光により励起されて黄色の２次光を放出する蛍光体とすることができる。ここで、蛍光体１７は、発光素子１１から放出される第１の波長の光に対する吸収率は低いことを特徴とする。つまり、蛍光体１７は、蛍光体１８から放出される２次光の波長領域において吸収率のピークを有するものであることが望ましい。
【００１８】
上述の具体例に沿って説明すれば、本発明の発光装置においては、紫外線発光ＬＥＤ１１から放出された１次光の紫外光が蛍光体１７に吸収され、２次光として青色光が放出される。そして、その青色光の一部が蛍光体１７に吸収されて２次光として黄色光が放出される。蛍光体１７は、ＬＥＤ１１から放出される紫外光に対しては、吸収率が低く、実質的に波長変換を生じない。そして、蛍光体１８から放出される青色光と、蛍光体１７から放出される黄色光とにより、白色発光を生ずる。
【００１９】
本発明において用いることができる蛍光体の例としては、紫外光により励起される青色発光蛍光体１８としては、例えば東芝製型式８０１ＥＪがある。なお、８０１ＥＪの比重は４．２である。一方、青色光により励起される黄色発光蛍光体１７としては、ＹＡＧ（Ｃｅ）すなわち（Ｙ1-aＧｄa）3（Ａｌ1-bＧａb）5Ｏ12：Ｃｅがある。なお、ＹＡＧ（Ｃｅ）の比重も約４．２である。
【００２０】
蛍光体１７、１８の層の作り方の一例としては、以下の方法を挙げることができる。
（１）８０１ＥＪをキャスティングする。すなわち、溶媒に蛍光体を分散させ、樹脂１２の表面に塗布して加熱することによりキュアして硬化させる。このようにして青色蛍光体１８の層を形成することができる。次に、同様にして、その上にＹＡＧ（Ｃｅ）をキャスティングする。この一連の方法は蛍光体の比重の大小関係に無関係に用いることができる。
（２）８０１ＥＪを溶かした溶媒と、ＹＡＧ（Ｃｅ）を溶かした溶媒とを樹脂１２の表面に滴下する。この際に、蛍光体粒子の比重や、溶媒の粘性と硬化速度などを考慮して、相分離により８０１ＥＪがＹＡＧ（Ｃｅ）よりも下の層になるように設計する。
本発明によれば、ＬＥＤ１１から放出された１次光は蛍光体１８のみにより波長変換され、青色光に変換される。蛍光体１７は、ＬＥＤ１１から放出される紫外光を実質的に波長変換しない。この特徴により、極めて安定したホワイトバランスを得ることができる。
【００２１】
ここで、仮に、蛍光体１７と蛍光体１８の両方がＬＥＤ１１から放出される紫外光をそれぞれ波長変換する場合を想定する。このような場合には、図６に関して前述したように、ＬＥＤ１１の発光波長が変動した場合に、ホワイトバランスが変動するという問題を生ずる。何故ならば、蛍光体１７と蛍光体１８の吸収率の波長依存性を同一とすることは技術的に不可能に近い。両者の吸収スペクトルが異なる結果として、ＬＥＤ１１から放出される１次光の波長が変動した場合には、蛍光体１７と蛍光体１８にそれぞれ吸収される光成分のバランスが変化し、変換されて放出される２次光のバランスも変化するからである。
【００２２】
これに対して、本発明によれば、ＬＥＤ１１から放出された１次光は蛍光体１８のみにより波長変換され、青色光に変換される。蛍光体１７は、ＬＥＤ１１から放出される紫外光を実質的に波長変換しない。図６に関して前述したような種々の要因によりＬＥＤ１１の発光波長が変動しても、蛍光体１８から放出される青色光の波長が変動することはない。そして、その青色光の一部が蛍光体１７により黄色光に変換される。つまり、本発明によれば、発光装置から外部に放出される青色光と黄色光のバランスは、蛍光体１７と蛍光体１８との混合比のみに依存し、ＬＥＤ１１の発光波長や発光強度には依存せず、極めて安定している。
【００２３】
このように、本発明によれば、外部に取り出される青色光と黄色光とは、いずれも極めて安定した波長スペクトルを有し、その結果として得られる白色光のホワイトバランスも極めて安定する。
【００２４】
また、３色の蛍光体を用いる場合には、配合比の精密な調整が必要とされ、ホワイトバランスを再現することが容易でないが、本発明によれば、２色の蛍光体のみを用いる点で、蛍光体の配合比の調整がはるかに容易である。
【００２５】
本発明において用いることができる紫外発光ＬＥＤ１１としては、窒化インジウム・アルミニウム・ガリウムＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦x＜１、０≦y＜１）を活性層とした窒化物半導体発光素子を挙げることができる。
【００２６】
なお、本願において「窒化物半導体」とは、ＢxＩｎyＡｌzＧａ(1-x-y-z)Ｎ（Ｏ≦ｘ≦１、Ｏ≦ｙ≦１、Ｏ≦ｚ≦１）のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎに加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶も含むものとする。
【００２７】
図２は、この半導体発光素子の概念構成を表す概略断面図である。同図の発光素子の積層構造は以下の通りである。なおドーピング材料、膜厚等は必要に応じて適宜変化させても良い。
（１）サファイア基板１３１
（２）ＧａＮバッファ層１３２
（３）膜厚４μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層１３３
（４）膜厚２００μｍのｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１３４
（５）膜厚５０μｍのＩｎＧａＮ活性層１３５。なおここで活性層にドーピングを行ったり、あるいは活性層を多重量子井戸（ＭＱＷ）などの多層膜にしても良い。
（６）膜厚２００μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１３６
（７）膜厚５０μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層１３７
以上説明した積層構造は、同図に示すようにその一部が表面からｎ型コンタクト層１３３にまでエッチングされ、ｎ側電極１４１が設けられている。また、ｐ型コンタクト層１３７の上に透過性を有するｐ側電極１４３が設けられている。さらに、それぞれの電極にはボンディングパッド１４２及び１４４が接続され、素子の表面は保護膜１４５及び１４６で覆われている。
【００２８】
なお、基板１３１の材料は、サファイアに限定されず、その他にも、例えば、スピネル、ＭｇＯ、ＳｃＡｌＭｇＯ4、ＬａＳｒＧａＯ4、（ＬａＳｒ）（ＡｌＴａ）Ｏ3などの絶縁性基板や、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮなどの導電性基板も同様に用いてそれぞれの効果を得ることができる。ここで、ＳｃＡｌＭｇＯ4基板の場合には、（０００１）面、（ＬａＳｒ）（ＡｌＴａ）Ｏ3基板の場合には（１１１）面を用いることが望ましい。
【００２９】
図２に例示したＬＥＤ１１は、活性層１３５のインジウム（Ｉｎ）のIII族元素の中で占める組成を２〜３％程度にすると、波長約３７０〜３７５ｎｍ程度の紫外光を高い発光強度で放出する。このようなＬＥＤと、紫外光により励起される青色発光蛍光体と、青色光により励起される黄色発光蛍光体とを組み合わせた白色発光装置は、ホワイトバランスの均一性、安定性に極めて優れる。すなわち、蛍光体の発光波長は蛍光体を励起させる光の強度・波長によらず一定であるため、半導体発光素子の特性にばらつきがあっても、発光装置の波長は一定になる。このため、素子によるホワイトバランスのばらつき、電流・温度によるホワイトバランスのばらつき、または素子の劣化によるホワイトバランスの変化が起らない。
【００３０】
ここで、図１に例示した発光装置においては、発光素子１１から放出される紫外線の外部への漏洩を防止するために、封止樹脂１３を紫外線に対して高い吸収率を有する材料により構成することが望ましい。
【００３１】
本実施形態においては、白色発光装置として、紫外発光半導体発光素子と、紫外光により励起される青色発光蛍光体と、青色光により励起される黄色発光蛍光体とを用いたものを具体例として挙げたが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３２】
例えば、発光素子として紫色の波長帯の光を放出する発光半導体発光素子、第１の蛍光体として紫色光により励起される青緑色発光蛍光体、第２の蛍光体として青緑色光により励起される赤色発光蛍光体、をそれぞれ用いた発光装置においても、極めて均一且つ安定した白色光を得ることができる。また、本発明において用いる発光素子は必ずしも半導体発光素子である必要はない。すなわち、ＬＥＤや半導体レーザなどの半導体発光素子の他にも、ＥＬ（electro-luminescent）素子やその他の種々の発光素子を用いても良い。
【００３３】
さらに、白色以外の光を放出する発光装置についても同様に適用して同様の硬化を得ることができる。すなわち、発光素子からの光により励起されて発光する第１の蛍光体と、第１の蛍光体からの光により励起されて発光する第２の蛍光体を用いて色度座標の変化のない発光装置を実現できる。
【００３４】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
図３は、本発明の第２の実施の形態にかかる発光装置を表す概略断面図である。すなわち、同図の発光装置は、一般にＳＭＤ（Surface Mounted Device：面実装用デバイス）ランプと呼ばれるものである。すなわち、実装基板２５の表面には、配線パターン２６が形成され、その上に半導体発光素子１１がマウントされている。発光素子１１は、ワイア２４により適宜配線パターン２６に接続されている。半導体発光素子１１は、紫外線領域の光を放出する発光素子である。
【００３５】
本実施形態において用いる蛍光体も、紫外光により励起される青色発光蛍光体２８と、青色光により励起される黄色発光蛍光体２７である。図中の２２は樹脂で、青色光により励起される黄色発光蛍光体２７はこの樹脂の上に塗布されており、さらにこの上に紫外光により励起される青色発光蛍光体２８が塗布されている。また、その周囲は、封止樹脂２３により封止されている。内側の樹脂２２は、紫外光の吸収の少ない材料により形成する。
【００３６】
本実施形態においては、青色発光蛍光体２８よりも黄色発光蛍光体２７のほうが発光素子１１に近くに設けられている。このような配置の場合においては、発光素子１１から放出された紫外光は、黄色発光蛍光体２７には吸収されずに透過して青色発光蛍光体２８に到達して吸収され、青色光に変換される。そして、この青色光のうちで、発光装置の内側に向かって放出された成分は、黄色発光蛍光体２７に吸収されて黄色光に変換される。つまり、本実施形態においても、青色光と黄色光とからなる白色光を外部において取り出すことができる。また、そのホワイトバランスは、第１実施形態において前述したものと同様に、蛍光体２７と２８との比率のみに依存し、発光素子１１の発光波長や発光強度の変動に左右されることはない。その結果として、極めて安定し均一な白色光を得ることができる。
【００３７】
本実施形態において使用することができる蛍光体２７、２８の例としては、第１実施形態に関して前述したものと同様のものを挙げることができる。すなわち、紫外光により励起される青色発光蛍光体２８としては、前述した東芝製型式８０１ＥＪがある。なお、８０１ＥＪの比重は４．２である。また、青色光により励起される黄色発光蛍光体２７としては、ＹＡＧ（Ｃｅ）すなわち（Ｙ1-aＧｄa）3（Ａｌ1-bＧａb）5Ｏ12：Ｃｅがある。ここで、ＹＡＧ（Ｃｅ）は、その吸収率のピークが青色光の波長領域にある。つまり、青色光に対する吸収率が極めて高い反面、発光素子１１から放出される紫外線領域の光に対する吸収率は極めて低い。従って、発光素子１１から放出される１次光は、黄色蛍光体２７には実質的に吸収されず、透過して青色蛍光体２８に到達する。
【００３８】
これらの蛍光体２７、２８の塗布の方法についても第１実施形態に関して前述したものと同様とすることができる。すなわち：
（１）ＹＡＧ（Ｃｅ）をキャスティングする。すなわち、溶媒に蛍光体を分散させ、樹脂２２の表面に塗布して加熱することによりキュアして硬化させる。このようにして青色蛍光体２７の層を形成することができる。次に、同様にして、その上に８０１ＥＪをキャスティングする。この一連の方法は蛍光体の比重の大小関係に無関係に用いることができる。
（２）８０１ＥＪを溶かした溶媒と、ＹＡＧ（Ｃｅ）を溶かした溶媒とを樹脂１２の表面に滴下する。この際に、蛍光体粒子の比重や、溶媒の粘性と硬化速度などを考慮して、相分離によりＹＡＧ（Ｃｅ）が８０１ＥＪよりも下の層になるように設計する。
【００３９】
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
図４は、本発明の第３の実施の形態にかかる発光装置を表す概略断面図である。同図の発光装置も「縦型ＬＥＤ」と呼ばれるものである。本実施形態においては、発光素子１１の表面に蛍光体が塗布されている点に特徴を有する。
【００４０】
すなわち、紫外線発光素子１１は、リードフレーム３６のカップ部に接着剤３０によってマウントされている。発光素子１１の表面には、紫外光により励起される青色発光蛍光体３８が塗布され、さらに、その上には、青色光により励起される黄色発光蛍光体３７が塗布されている。
【００４１】
本実施形態においても、発光素子１１から放出される紫外光により青色発光蛍光体２８が励起されて青色光が放出され、この青色光の一部が黄色発光蛍光体２７に吸収されて黄色光に変換される。そして、青色光と黄色光とからなる白色光を取り出すことができる。
【００４２】
本実施形態においては、蛍光体３７、３８を発光素子１１の表面に直接塗布することによって発光素子１１のごく近傍において波長を変換し、高い発光輝度の白色光を得ることができる。さらに、この白色光の放出源を点光源に近づけることができるために、光学的手段により、所定の放射形状の光を容易に得ることができる。例えば、樹脂３３をレンズ状に形成することにより、平行光線を容易に形成することができる。
【００４３】
また、本実施形態においては、発光素子１１と蛍光体３７、３８との間に樹脂が存在しないので、そのような樹脂による紫外光の吸収ロスを解消することもできる。なお、蛍光体は、一般に絶縁性を有するものが多いので、本実施形態のように発光素子１１の表面に直接塗布しても電気的に短絡するような心配はない。なお、本実施形態において用いる青色蛍光体３８や黄色蛍光体３７の材料やその塗布方法は、前述した各実施形態と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【００４４】
また、蛍光体の塗布順序を図４に例示したものとは逆にして、まず、発光素子１１の表面に黄色蛍光体を塗布し、さらにその上に青色蛍光体を塗布しても良い。
【００４５】
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。
図５は、本発明の第４の実施の形態にかかる発光装置を表す概略断面図である。同図の発光装置は、一般に「７セグメントディスプレイ」と称されるものである。
同図において、１１は紫外発光半導体発光素子であり、基板４５の上にマウントされている。紫外光により励起される青色発光蛍光体４８と青色光により励起される黄色発光蛍光体４７は混合されてこの素子１１の上に塗布されている。４９は、遮蔽部材であり、４３は封止樹脂である。本実施形態においては、樹脂４３の紫外光の吸収を考慮しなくても良いという利点がある。なお、図５においては、配線のための電極パターンやワイアなどは便宜上省略した。
【００４６】
本実施形態のように青色発光蛍光体４７と黄色発光蛍光体４８とを混ぜて用いても、前述した各実施形態と同様の効果を得ることができる。従来の発光装置のように３色の蛍光体を使用した場合には、蛍光体の比重の違いで溶媒が硬化する際に分離が起こり、発色の不均一などが生じてしまう。これに対して、本実施形態のように２色の蛍光体のみを混ぜる場合は、溶媒が硬化する際の分離が起りずらく、発色の不均一は生じにくい。特に、蛍光体４７と蛍光体４８との比重が同じ場合、例えば青色発光蛍光体４８として８０１ＥＪを用い、黄色発光蛍光体４７としてＹＡＧ（Ｃｅ）を用いた場合などは、分離が抑制され、極めて均一な発色が容易に得られる点で効果的である。
【００４７】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明のこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、本発明は、発光素子と、その発光素子から放出される光を波長変換する第１の蛍光体と、その発光素子からの光は実質的に吸収せず、第１の蛍光体からの放出される２次光を波長変換する第２の蛍光体と、を備えた発光装置であれば、同様の作用効果を奏するものであり、それぞれの要素の具体的な構成は、当業者が適宜選択して実施することができる。
【００４８】
さらに、前述した各具体例においては、２種類の蛍光体を備えた場合について説明したが、これ以外にも、３種類以上の蛍光体を用いても良い。例えば、発光素子からの１次光を２次光に変換する第１の蛍光体と、その２次光を波長変換してそれぞれ波長が異なる２次光を放出する第２の蛍光体及び第３の蛍光体と、を具備したものとしても良い。
【００４９】
【発明の効果】
本発明は、以上説明した形態で実施され、以下に説明する効果を奏する。
【００５０】
すなわち、本発明によれば、第１の波長の１次光を放出する発光素子と、その１次光を吸収して第２の波長の２次光を放出する第１の蛍光体と、その第２の波長の２次光を吸収して第３の波長の２次光を放出する第２の蛍光体と、を備え、第２の蛍光体は、第１の波長に対する吸収率が低く、実質的に波長変換をしないものとして構成することにより、得られる光スペクトルのバランスを極めて安定させ、発光素子から放出される１次光の波長や強度が変化しても、得られる光スペクトルが変化することが解消される。
【００５１】
例えば、紫外発光を有する半導体発光素子と、紫外光により励起される青色発光蛍光体と、青色光により励起される黄色発光蛍光体とを用いて白色の発光を得る場合を例に挙げると、以下のようなメリットがある。
（１）搭載する発光素子のばらつきすなわち個体差によるホワイトバランスのばらつきが解消される。
（２）電流の変化によるホワイトバランスの変化が解消される。
（３）温度の変化によるホワイトバランスの変化が解消される。
（４）搭載した発光素子の劣化によるホワイトバランスの変化が解消される。
【００５２】
また、蛍光を用いて白色の発光を行う方法として、２色のみを蛍光体を用いることにより、
（５）蛍光体の配合比の調整が容易にできる
というメリットも得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる発光装置の概念構成を表す断面図である。
【図２】本発明の発光装置に用いる半導体発光素子の概念構成を表す概略断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態にかかる発光装置を表す概略断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態にかかる発光装置を表す概略断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態にかかる発光装置を表す概略断面図である。
【図６】従来の白色発光型の発光装置の概念構成を表す概略断面図である。
【符号の説明】
１１  発光素子
１２、２２  樹脂
１３、２３、３３、４３  封止樹脂
１４、２４、３４  ワイア
１５、３６  リードフレーム
１６、３６  リードフレーム
１７、２７、３７、４７  青色発光で励起される黄色発光蛍光体
１８、２８、３８、４８  青色蛍光体
２５  基板
２６  配線パターン
３０  接着剤
２２  樹脂
２３  樹脂モールド
２４  リードフレーム
２５  メタルポスト
２６  メタルステム
２７  青色発光で励起される黄色発光蛍光体
２８  紫外発光で励起される青色発光蛍光体
４５  基板
４９  遮光部材
１１１  発光素子
１１２  樹脂
１１３  封止樹脂
１１４  ワイア
１１５、１１６  リードフレーム
１１７  黄色蛍光体
１３１  サファイア基板
１３２  ＧａＮバッファ層
１３３  ｎ型ＧａＮ層
１３４  ｎ型ＡｌＧａＮ層
１３５  活性層
１３６  ｐ型ＡｌＧａＮ層
１３７  ｐ型ＧａＮ層
１４１  ｎ側電極
１４２  ボンディングパッド
１４３  ｐ側電極
１４４  ボンディングパッド
１４５  ＳｉＯ2 保護膜
１４６  ＳｉＯ2 保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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