(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極及び該アノード電極に設けられた蛍光体からなる発光部が設けられたアノード基板と、
前記アノード基板と所定間隔をおいて配置される背面基板と、
前記アノード基板と前記背面基板の間において前記アノード基板と前記背面基板から離れて配置され、前記発光部におけるドット状の発光に対応する貫通孔が形成され、且つアノード基板側の面に帯電防止電極を設けた一の制御基板と、
前記背面基板の内面に形成された冷陰極である電子源と、
前記制御基板の前記電子源側の面において前記貫通孔の近傍に形成され、前記電子源から放出された電子が前記貫通孔を通って前記発光部に射突することにより前記発光部がドット状に発光するように前記電子を制御する制御電極とを有し、
前記アノード基板と前記背面基板と前記制御基板の各外周の間が気密に封着された真空表示素子において、
前記制御基板の前記アノード基板側の面における前記貫通孔の縁部に低軟化点ガラスを被着したことを特徴とする真空表示素子。
【請求項２】
アノード電極及び該アノード電極に設けられた蛍光体からなる発光部が設けられたアノード基板と、
前記アノード基板と所定間隔をおいて配置される背面基板と、
前記アノード基板と前記背面基板の間において前記アノード基板と前記背面基板から離れて配置され、前記発光部におけるドット状の発光に対応する貫通孔が形成され、且つアノード基板側の面に帯電防止電極を設けた一の制御基板と、
前記背面基板の内面に形成された冷陰極である電子源と、
前記制御基板の前記電子源側の面において前記貫通孔の近傍に形成され、前記電子源から放出された電子が前記貫通孔を通って前記発光部に射突することにより前記発光部がドット状に発光するように前記電子を制御する制御電極とを有し、
前記アノード基板と前記背面基板と前記制御基板の各外周の間が気密に封着された真空表示素子において、
前記制御基板の前記アノード基板側の面における前記貫通孔の縁部に導電性低軟化点ガラスを被着したことを特徴とする真空表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蛍光表示管、ＦＥＤ等の真空表示素子に係り、特に大画面のグラフィックディスプレイの一構成単位としても利用できる真空表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開昭５１−１２３０５８号公報には図６に示す基本構造を備えた平面型表示素子が開示されている。この表示素子は、ガラス板を略箱型に組み立てて内部を高真空状態とした気密容器を本体とする。そして、当該気密容器の内面に形成された電子源から放出した電子を、他方の内面に形成した発光面に射突させて発光させ、当該発光をガラス板を通して容器外から観察するものである。
【０００３】
具体的な構造としては、まず平板状ガラス板 (背面基板１００）の内面に導電性物質と熱電子放出物質から構成される線状の熱電子放出体１０１が所定間隔で形成されている。また、他方の透明ガラス板（アノード基板１０２）の内面には、透明導電膜であるアノード導体が形成され、その上に蛍光体層が形成されて平面状の発光部１０３が構成されている。これら背面基板とアノード基板の間には、絶縁性の２枚の基板 (制御基板１０４及び隔壁板１０５）が間隔をおいて配置されている。これらの基板１０４，１０５には、電子線によるクロストーク防止のため、熱電子放出体に対応した多数の穴１０６がマトリクス状の配置で形成されている。また、背面基板に近い一方の基板（制御基板１０４）には、背面基板１００と反対側に画素選択用のストライプ状の信号電極１０７が前記線状の熱電子放出体１０１と交差する方向に沿って所定間隔で形成されている。これらの背面基板１００、アノード基板１０２、制御基板１０４、隔壁板１０５は、各外周の間が気密に封着されて箱型の真空容器を構成している。
【０００４】
上記の構成によれば、交差する熱電子放出体１０１から放出された電子を信号電極１０７の駆動によって制御することができる。当該電子は制御基板１０４と隔壁板１０５の対応する穴１０６を通過して発光部１０３の対応する位置に射突し、これをドット状に発光させるので、本表示素子によれば発光部に所望の画像を発光表示させることができる。
【０００５】
ここで、発光部１０３ (アノード）側に配置された隔壁板１０５は、熱電子放出体側に配置された制御基板１０４の信号電極１０７へアノード電位が影響するのを防止し、また電子線を収束する作用を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前述した従来技術では、アノード基板１０２と背面基板１００の間に制御基板１０４、隔壁板１０５を有しており、４枚の基板から構成されている。従って熱電子放出体から放出された電子を発光部１０３の対応する位置に射突、発光させるには背面基板１００、制御基板１０４、隔壁板１０５とアノード基板１０２を正確に位置合わせする必要があり、非常に複雑な構造となっている。
【０００７】
しかし、前述した従来技術において、隔壁板１０５を単純に無くすだけではアノード電位が信号電極１０７の等電位面に影響を与え、電子軌道を曲げてしまう。その結果、選択性の悪化、クロストーク等の問題が生じる。
【０００８】
一方、大型グラフィック表示装置は、屋外又は商店街の通路等の半屋外に設置されることが多く、２０００ｃｄ／ｍ2 以上の高輝度を要求される。かかる高輝度を実現するためにはアノード電圧を５〜１０ｋＶ程度の高電圧とすることが必要となる。このため前述した従来技術においてはアノード電極（発光部１０３）と隔壁板１０５との間で放電が発生し易くなる。このような放電を防止するためには、従来技術ではアノード電極と隔壁板１０５の間隔を広げれば良い。また前記隔壁板１０５を設けない場合には、制御基板１０４とアノード基板１０２の間隔を広くすることになるが、かかる対策には以下の問題点がある。
【０００９】
制御基板１０４とアノード基板１０２の間隔を広くすると電子軌道が広がり、隣接ドット間のクロストークが発生することになる。また制御基板１０４とアノード基板１０２の間隔は表示装置の厚さに影響し、薄型軽量化の市場要求があることからあまり広くすることはできない。
【００１０】
しかし現状の設計寸法で単に前記隔壁板１０５を設けないだけでは放電が発生し表示素子が壊れてしまう。
【００１１】
そこで本発明は、アノード基板と、隔壁板の機能をもたせた制御基板と、背面基板の３枚の基板で真空容器を構成し、アノードと制御基板間の放電を確実に防止しながら、クロストークの問題も発生しない構造上の特徴を備えた真空表示装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
そこで、従来の前記隔壁板を設けることなく前述の目的を達成するには、制御基板には例えば以下の機能が要求されるところとなる。即ち、
(1)通過する電子ビームのサイズを規制すること。
(2)信号電極とアノード間の絶縁性を確保すること。
本発明の真空表示装置は、上記の機能を備えた１枚の制御基板を備えており、次の構成を有する。
【００１３】
請求項１に記載された真空表示素子は、アノード電極及び該アノード電極に設けられた蛍光体からなる発光部（発光ドット７）が設けられたアノード基板（２）と、前記アノード基板と所定間隔をおいて配置される背面基板（３）と、前記アノード基板と前記背面基板の間において前記アノード基板と前記背面基板から離れて配置され、前記発光部におけるドット状の発光に対応する貫通孔（８）が形成され、且つアノード基板側の面に帯電防止電極を設けた一の制御基板（６）と、前記背面基板の内面に形成された冷陰極である電子源と、前記制御基板の前記電子源側の面において前記貫通孔の近傍に形成され、前記電子源から放出された電子が前記貫通孔を通って前記発光部に射突することにより前記発光部がドット状に発光するように前記電子を制御する制御電極（９）とを有し、前記アノード基板と前記背面基板と前記制御基板の各外周の間が気密に封着された真空表示素子において、前記制御基板の前記アノード基板側の面における前記貫通孔の縁部に低軟化点ガラスを被着したことを特徴としている。
【００１４】
請求項２に記載された真空表示素子は、アノード電極及び該アノード電極に設けられた蛍光体からなる発光部（発光ドット７）が設けられたアノード基板（２）と、前記アノード基板と所定間隔をおいて配置される背面基板（３）と、前記アノード基板と前記背面基板の間において前記アノード基板と前記背面基板から離れて配置され、前記発光部におけるドット状の発光に対応する貫通孔（８）が形成され、且つアノード基板側の面に帯電防止電極を設けた一の制御基板（６）と、前記背面基板の内面に形成された冷陰極である電子源と、前記制御基板の前記電子源側の面において前記貫通孔の近傍に形成され、前記電子源から放出された電子が前記貫通孔を通って前記発光部に射突することにより前記発光部がドット状に発光するように前記電子を制御する制御電極（９）とを有し、前記アノード基板と前記背面基板と前記制御基板の各外周の間が気密に封着された真空表示素子において、前記制御基板の前記アノード基板側の面における前記貫通孔の縁部に導電性低軟化点ガラスを被着したことを特徴としている。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の一例を図１〜図５を参照して説明する。
図１は本例の真空表示素子１を示す斜視図であって、説明の便宜上その一部を切り欠き、また一部の部材に隠れた部分をも透視して示した図であり、図２は本例の真空表示素子１を示す断面図である。まず図１及び図２を参照して本例の真空表示素子１の概要を説明する。
【００２４】
この真空表示素子１は、ガラス板を薄い箱型（パネル状）に組み立てて内部を高真空状態とした気密容器を本体とする。気密容器は、アノード基板２と背面基板３と側面板４（又は両基板間に設けられる支柱５等のスペーサ部材）によってパネル状に構成され、気密容器内においてアノード基板２と背面基板３の間に制御基板６が設けられている。アノード基板２には正方形の複数の発光ドット７（画素）がマトリクス状に配置されている。制御基板６には発光ドットに対応した貫通孔８が形成され、貫通孔８を囲んでストライプ状の制御電極９が設けられている。背面基板３の内面には制御電極９と直交する向きでストライプ状の背面電極１０が設けられている。当該気密容器内の背面基板３の側には電子源としてのフィラメント状陰極１１が設けられている。
【００２５】
フィラメント状陰極１１から放出された電子は、制御基板６の貫通孔８を通過して制御され、アノード基板２の発光ドット７に射突してこれを発光させる。互いに直交する背面電極１０と制御電極９の駆動走査により所望の発光ドット７を発光させることができる。当該発光はアノード基板２を通して気密容器外から観察する。このような真空表示装置をマトリクス状に多数個並べれば、屋外等に設置して任意の画像表示を行なうに適した大画面表示装置を構成することができる。
【００２６】
次に、図１〜図４を参照して本真空表示素子１の構造について詳細に説明する。  気密容器の前面側を構成するアノード基板２は、１．１ｍｍ厚のソーダライムガラス基板を使用している。発光ドット７の画素ピッチは２．５ｍｍ、画素サイズは１．５ｍｍ角程度の正方形のパターンである。アノードには、用途に応じて導電性ブラックマトリクス膜やアルミメタルバックを設ける。また、大気圧に耐えるために、外径０．３〜０．７５ｍｍ程度の円柱形の支柱５（支持部材）を発光ドット７の間においてアノード基板２と制御基板６の間に設ける。
【００２７】
図１及び図２に示すように、アノード基板２と背面基板３の略中間位置には、制御基板６が前記両基板２，３と平行に配設されている。この制御基板６は表面が絶緑性であり、製造工程で５００℃程度の高温に晒されるため、気密容器を構成するその他の材料と等しい熱膨張係数を有することが望ましく、本例では制御基板６は０．７ｍｍ厚のソーダライムガラス基板を使用している。そして制御基板６のアノード基板２に対面する側にはガラス基板表面へのチャージアップによる放電を防止するために導電性膜からなる帯電防止電極１５を設ける。
【００２８】
制御基板６には、複数の前記発光ドット７に一対一で対応するように貫通孔８（背面電極１０側で直径１．５ｍｍ）が設けられている。孔明けの加工は一画素に一孔が対応することから例えばビデオグラフィックアレイ（ＶＧＡ）相当の画素数でも６４０×４８０＝３０７２００個程の多数の孔明けが必要となる。
【００２９】
かかる多数の孔明けを効率よくかつ位置精度よく行なうため、本例ではサンドブラストを採用した。前記貫通孔８は制御基板６の片面側からサンドブラスト加工をすることで比較的容易にテーパー角が７０度程度のテーパー部が付いた断面を有する貫通孔８が得られた。これにより貫通孔８の開口部のエッジ部１２を鈍角とし電界集中による放電の発生を緩和した。
【００３０】
但し、真空表示素子１の駆動条件によっては、このエッジ部１２を鈍角にするだけでは放電が引き起こされる場合もある。この場合は、図３に示すように貫通孔８のエッジ部１２に低軟化点ガラスをコートして放電防止膜１３を形成し、表面をより平滑にして電界集中を一層緩和することができる。低軟化点ガラスとは、酸化鉛を主成分（５０％以上含む）とするガラス、例えば株式会社日本電気ガラスのＧＡ９、ＧＡ２１等が相当する。
【００３１】
更に絶縁材料が露出しているとその部分に電荷がチャージし放電の原因となることがある。この場合は、図４に示すように貫通孔８のエッジ部１２と貫通孔８の内周面を導電性低軟化点ガラス又は導電性薄膜で覆うことにより放電防止膜１４を形成し、表面をより平滑にすると同時にチャージの蓄積を防止して放電防止効果を得ることができる。導電性低軟化点ガラス材料は、例えばＩＴＯ、酸化スズ、酸化ルテニウム、酸化アンチモン、黒鉛等を含む前記低軟化点ガラスが使用できる。導電性薄膜は、例えばα−Ｓｉ、ＩＴＯ、酸化スズ等が使用できる。
【００３２】
放電防止膜１３，１４は、印刷・ロールブラシによるコート・スプレーコート等で形成可能である。また導電性薄膜の場合はスパッタ、ＣＶＤ法等で形成可能である。制御基板６のアノード基板２に対面する側には全面に導電性膜からなる帯電防止電極１５を設けるが、前記放電防止膜１３，１４の材料は帯電防止電極１５と別材料でもよいし、同じでもよい。同じ材料とする場合には、制御基板６の表面に帯電防止電極１５を形成すると同時に貫通孔８のエッジ部１２及び内面もコートし、１工程で済ませることも出来る。
【００３３】
図５に前記放電防止膜１３，１４の効果を示す。この図は、制御基板６の貫通孔８のエッジ部１２に低軟化点ガラスをコートした場合（図２の場合）と、導電性低軟化点ガラスをコートした場合（図３の場合）と、コート無しの場合の各耐電圧測定結果を比較して示したものである。コート無しの場合に比べ、低軟化点ガラスをコートした場合は約３倍、導電性低軟化点ガラスをコートした場合は約４倍の耐電圧がある。
【００３４】
図１及び図２に示すように、制御基板６の背面電極１０に対面する側には複数本の帯状の制御電極９が各々１列の貫通孔８の周囲を囲む位置にストライプ状に形成されている。制御電極９は蒸着、印刷等で形成することが出来る。コスト面からは印刷で形成するのが望ましい。
【００３５】
図１及び図２に示すように、制御基板６の背面基板３側に対面する側の面において、前記貫通孔８の開口部に金属製のメッシュグリッド１６が設けられている。このメッシュグリッド１６によりアノード電位が選択電極の等電位面に影響を与えることを防止できる。
【００３６】
本例のメッシュグリッド１６は一辺０．２ｍｍ、線幅０．０５ｍｍの６角形状メッシュで形成する。材料は４２６アロイ、ＹＥＦ４２６等、ソーダライムガラス基板と熱膨張係数が一致する材料を使用する。制御基板６の貫通孔８に対応する部分のみメッシュを張り、他はヌキとしてメッシュグリッド１６に流れる無効電流を低減してもよい。メッシュグリッド１６は金属のエッチング、金属の紗、貫通孔８の周縁へのワイヤーボンディング等の方法で形成が可能である。
【００３７】
このメッシュグリッド１６は貫通孔８に固定されており、前記制御電極９と電気的に接続されている。例えば、メッシュグリッド１６はフリットガラスペーストを印刷、焼成したガラスで固定することができる。そして電極とメッシュグリッド１６の接続は導電性ペーストで確保する。
【００３８】
本例の制御電極９は画素選択のため電気的に独立したストライプ状としたが、後述する背面電極１０とフィラメントによるマトリクス駆動の場合は全面を電気的に１枚に接続したメッシュとしてもよい。
【００３９】
図１及び図２に示すように、気密容器の背面側を構成する背面基板３は１．１ｍｍ厚のソーダライムガラス基板からなる。背面基板３の内面には、制御基板６上のストライプ状の制御電極９と直交する方向に複数本の帯状の背面電極１０がストライプ状に形成されている。背面電極１０はアルミニウム又はＩＴＯの薄膜をフォトリソ工程により形成する。
【００４０】
背面基板３の所定の位置に排気用の排気孔を設ける。また、大気圧に耐えるための外径０．３〜０．７５ｍｍ程度の支柱５をアノード基板２の支柱５位置と対応する位置に設ける。
【００４１】
制御基板６と背面基板３の間の空間に設けられたフィラメント状陰極１１は、一般的な蛍光表示素子と同様の構造・手順で張設する。即ち、フィラメントを張設するための枠状部材であるリードフレームの両端にフィラメントアンカーを溶接し、フィラメントに所定の張力が作用するように、これらフィラメントアンカーにフィラメントの両端を溶接固定する。リードフレームにはゲッターも溶接しておく。
【００４２】
アノード基板２と制御基板６の間にフリットガラスを塗布・焼成したスペーサ部材としての図示しないガラス枠を設け、制御基板６と背面基板３の間にフリットガラスを塗布・焼成したガラス枠を設け、さらにフィラメント状陰極１１を張った前記リードフレームを挟んで組合わせる。即ち、アンカー間に張設されたフィラメントが気密容器内の所定位置に配置されるように、前記リードフレームを背面基板３とガラス枠の間に挟みこんで気密容器の組み立て、封着を行なう。また図１に示すように、パネル状の本素子の二対の対向辺部の一方においては、スペーサ部材としての前記ガラス枠を設けずに、側面板４をガラス封着材を介して各基板２，３，６の端面に組み合わせている。そして、以上のように組み合わせた各部材を仮固定し、一般の真空表示素子１と同様に封着排気を行いパネルを完成させる。
【００４３】
本例では、アノード基板２と制御基板６の間隔は３．５ｍｍ、制御基板６と背面基板３の間隔は２．２ｍｍ程度である。また制御基板６とフィラメント状陰極１１の間隔は１．１ｍｍとした。
【００４４】
本例の真空発光素子ではアノード電圧を５ｋＶとし、制御基板の帯電防止電極１５には０〜１０００Ｖの間の所定の電圧を印加した。本例の真空発光素子の駆動は、背面電極１０と制御電極９で行なう。即ち、フィラメント状陰極１１には常時所定の電圧を印加して電子放出可能な状態としておき、背面電極１０及び制御電極９の一方を走査するとともに、他方に所定のタイミングで表示信号を与える。互いに交差する背面電極１０と制御電極９の交点が任意に選択され、フィラメント状陰極１１から放出された電子は当該交点に対応する貫通孔８を通過してその真下の発光ドット７に射突してこれを発光させる。従って、走査信号に同期して与えられる表示信号によって表示面に所望の画像が形成できるので、このような真空表示装置をマトリクス状に多数個並べた大画面表示装置を同様に統括して駆動すれば大画面に任意の画像を表示することができる。
【００４５】
以上説明した本例の真空表示素子１では、画素の選択を背面電極１０と制御電極９で行なったが、一般に本発明の真空表示素子１によれば、本例の手法（下記の１）を含めて画素選択は以下の３種の方法で行うよう構成することが出来る。
【００４６】
1.制御基板６のストライプ状の制御電極９とこれに直交する方向に形成されたストライプ状の背面電極１０で画素選択を行なう。
【００４７】
2.制御基板６のストライプ状の制御電極９とこれに直交する方向に張設したフィラメント状陰極１１で画素選択を行なう。なお、本例では制御電極９とフィラメント状陰極１１は互いに平行となっているので、本手法を前記例で採用するには、制御電極９及びフィラメント状陰極１１のいずれか一方の向きを他方に対して直行する向きに変更する。この場合、フィラメントは発光ドット７の１列に対し１本が対応する。
【００４８】
3.ストライプ状の背面電極１０とこれに直交する方向に形成されたフィラメントで画素選択を行なう。この場合、フィラメントは発光ドット７の１列に対し１本が対応する。なお、本例はこの手法に構造上対応可能であるので、駆動部の構成を変更してかかる駆動を行なえるようにすればよい。また、本手法の場合には、制御電極９は分割してストライプ状にする必要はなく、前述したように各貫通孔８を覆う一枚もののメッシュで構成することもできる。
【００４９】
以上説明した本例の真空発光素子では、電子源としてフィラメント状陰極１１を用いたが、これの代わりにＣＮＴ、ＤＬＣ、スピント型等の冷陰極を使用することも可能である。その場合には、冷陰極は背面電極１０の内面に形成することができ、上述した駆動手法の選択において電子源 (陰極）側を分割する必要がある場合は、冷陰極を背面電極１０の内面にストライプ状に形成して分割して駆動できるように構成すればよい。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、制御基板６に各発光ドット７に一対一で対応するよう貫通孔８を設け、制御基板６の背面基板３側に対面する側で貫通孔８の位置にメッシュグリッド１６を設けたので、アノード電位が選択電極（制御電極９又は陰極である電子源としてのフィラメント状陰極１１）の選択性に悪影響を与えることなく、背面基板３、制御基板６、アノード基板２の３枚の基板という簡素な構造で大型のグラフィック表示素子を形成できる。
【００５１】
また、制御基板６に各発光ドット７に一対一で対応するよう貫通孔８を設け、制御基板６の背面基板３に対面する側で貫通孔８の位置にメッシュグリッド１６を固定し、さらに制御基板６の発光ドット７に対面する側に全面に帯電防止電極１５を設けたので、アノード電位が選択電極（制御電極９又は陰極である電子源としてのフィラメント状陰極１１）の選択性に悪影響を与えることなく、さらに耐電圧を向上させながら、背面基板３、制御基板６、アノード基板２の３枚の基板という簡素な構造で大型のグラフィック表示素子を形成できる。
【００５２】
制御基板６の貫通孔８をアノード基板２に対面する側に開いた形状にすれば、制御基板６のアノード側の表面と孔の内周面のなす角度を鈍角とし、エッジ部１２の電界集中を緩和することで放電に対する耐電圧を向上させることが出来る。
【００５３】
制御基板６の貫通孔８をアノード基板２に対面する側に開いた形状にして、貫通孔８のエッジ部１２から貫通孔８の内周面に低軟化点ガラスをコートして放電防止膜１３を形成し、電界集中を緩和することで放電に対する耐電圧を更に向上させることが出来る。
【００５４】
制御基板６の貫通孔８をアノード基板２に対面する側に開いた形状にして、貫通孔８のエッジから貫通孔８の内周面に導電性低軟化点ガラスをコートして放電防止膜１４を形成し、電界集中の緩和とチャージ防止をすることで放電に対する耐電圧をより一層向上させることが出来る。
【００５５】
制御基板６の孔明けをサンドブラスト法により行うことで貫通孔８に７０度程度のテーパーを設けることが出来るので、制御基板６の表面と貫通孔８の内周面のなす角度を鈍角とし、エッジ部１２の電界集中を緩和できる。また、サンドブラスト法によりガラス基板からなる制御基板６に多数の貫通孔８を位置精度よく効率的に孔あけ加工することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態である真空表示素子１の一部を切り欠き、一部の部材を透視して示した斜視図である。
【図２】本発明の実施の一形態である真空表示素子１の部分断面図である。
【図３】本発明の実施の一形態である真空表示素子１の制御基板６の貫通孔８近傍の部分断面図である。
【図４】本発明の実施の一形態である真空表示素子１の制御基板６の貫通孔８近傍の部分断面図である。
【図５】本発明の実施の一形態である真空表示素子１において、制御基板６の貫通孔８のエッジに低軟化点ガラスをコートした場合と、導電性低軟化点ガラスをコートした場合と、コート無しの場合の各耐電圧測定結果を比較して示した図である。
【図６】特開昭５１−１２３０５８号公報で開示された平面型表示素子の基本構造を示す図である。
【符号の説明】
１…真空表示素子
２…アノード基板
３…背面基板
６…制御基板
７…発光部としての発光ドット
８…貫通孔
９…制御電極
１０…背面電極
１１…電子源としてのフィラメント状陰極
１２…エッジ部
１３…低軟化点ガラスからなる放電防止膜
１４…導電性低軟化点ガラスからなる放電防止膜
１５…帯電防止電極
１６…メッシュグリッド
【図１】
0003724419.tif 000002
【図２】
0003724419.tif 000003
【図３】
0003724419.tif 000004
【図４】
0003724419.tif 000005
【図５】
0003724419.tif 000006
【図６】
0003724419.tif 000007