(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェットエッチングによって生じた金属配線の表面粗れを除去する方法であって、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液を前記ウェットエッチングによって生じた金属配線の粗れた表面に適用し、所定時間、前記金属配線を静置する工程と、
前記金属配線を脱イオン水により洗浄する工程と
を含むことを特徴とする金属配線の表面粗れを除去する方法。
【請求項２】
前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は前記金属配線の前記表面に噴射されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は１〜１０重量部の濃度であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は２．３８重量部の濃度であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記金属配線はアルミアルミニウムからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記金属配線はアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記所定時間は８〜１５秒であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ウェットエッチングによって生じた金属配線の表面粗れを除去する方法であって、薄膜トランジスタの製造工程に適用され、
１〜１０重量部の濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液を前記ウェットエッチングによって生じた金属配線の粗れた表面に適用し、所定時間、前記金属配線を静置する工程と、
前記金属配線を脱イオン水により洗浄することを特徴とする金属配線の表面粗れを除去する方法。
【請求項９】
前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は２．３８重量部の濃度であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記所定時間は８〜１５秒であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
金属配線の表面粗れを除去する方法であって、半導体製造工程に適用され、
金属層をウェットエッチングして金属配線を形成する工程と、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液を前記金属配線の粗れた表面に適用し、所定時間、前記金属配線を静置する工程と、
前記金属配線を洗浄する工程と、
からなることを特徴とする金属配線の表面粗れを除去する方法。
【請求項１２】
ＴＦＴアレイに金属配線を形成する方法であって、
ＴＦＴアレイの製造工程において形成される蒸着層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層をウェットエッチングして金属配線を形成する工程と、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液を前記金属配線の粗れた表面に適用し、所定時間、前記金属配線を静置する工程と、
前記金属配線を洗浄する工程と、
からなることを特徴とするＴＦＴアレイに金属配線を形成する方法。
【請求項１３】
前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は前記金属配線の表面に噴射されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は１〜１０重量部の濃度であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は２．３８重量部の濃度であることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属配線はアルミ二ウムからなることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属配線はアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記所定時間は８〜１５秒であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタアレイの製造工程において、ウェットエッチングにより生じる金属配線の表面粗れを除去する方法及びＴＦＴアレイに金属配線を形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、以下ＬＣＤと呼ぶ）は幅広く使用されているフラットディスプレイである。ＬＣＤは軽量薄型で消費電力が少なく、駆動電圧が低い、という長所があり、ノートブック型パソコン、デジタルカメラ、ビデオゲーム及びプロジェクター等様々な用品に活用されている。
【０００３】
様々なタイプのＬＣＤの中で、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと呼ぶ）ＬＣＤはその他のアクティブマトリクス（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）ＬＣＤよりも良好な駆動及び切換能力を有すると認められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＴＦＴアレイを製造する従来の工程において、金属配線のエッチングにウェットエッチングが採用された場合、エッチング終了後、金属配線の露出した表面に粗れを生じる。図１は、エッチング後の金属配線表面の走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，以下ＳＥＭと呼ぶ）画像である。なお、図１の拡大倍率は９０倍、１目盛は５００ｎｍである。画像で示されるように、エッチング後、金属配線の露出した表面上にラフエッジが形成され、矢印Ａで示されるように、多くの細かい先の尖った突起を含む。金属配線はアルミニウム又はアルミニウム合金からなってよい。
【０００５】
金属配線のラフエッジは細かく先が尖っているため、蒸着のような後続の工程は、影響を受け効率を低下させる。更に、ラフエッジは、後続過程で形成した蒸着層を貫き、漏電の原因となる。それ故、ＴＦＴ工程の効率を上昇させ漏電を防ぐために、エッチング後の金属配線の表面上に形成された粗い面を除去することが重要である。
【０００６】
それ故、本発明の目的は、金属配線の表面の粗れを除去するための方法を提供することである。本発明の方法は、半導体製造工程、特に薄膜トランジスタ製造工程に適する。また本発明の目的は，ＴＦＴアレイに金属配線を形成する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明はウェットエッチングによって生じた金属配線の表面粗れを除去する方法であって、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液を前記ウェットエッチングによって生じた金属配線の粗れた表面に適用し、所定時間、前記金属配線を静置する工程と、前記金属配線を脱イオン水により洗浄処理する工程とを含むことを特徴とするものであり、 前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は前記金属配線の前記表面に噴射されることが好適であり、また、前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は１〜１０重量部の濃度であることが好適であり、更に、前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は２．３８重量部の濃度であることが好適であり、前記金属配線はアルミ二ウムからなることが好適であり、或いは、アルミニウム合金からなることが好適であり、前記所定時間は８〜１５秒であることが好適である。
【０００８】
そして、本発明はウェットエッチングによって生じた金属配線の表面粗れを除去する方法であって、薄膜トランジスタの製造工程に適用され、１〜１０重量部の濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液を前記ウェットエッチングによって生じた金属配線の粗れた表面に適用し、所定時間、前記金属配線を静置する工程と、前記金属配線を脱イオン水により洗浄することを特徴とする金属配線の表面粗れを除去する方法であり、前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は２．３８重量部の濃度であることが好適であり、また、前記所定時間は８〜１５秒であることが好適である。
【０００９】
そして、本発明は、金属配線の表面粗れを除去する方法であって、半導体製造工程に適用され、前記金属層をウェットエッチングして金属配線を形成する工程と、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液を前記金属配線の粗れた表面に適用し、所定時間、前記金属配線を静置する工程と、前記金属配線を洗浄する工程と、からなることを特徴とする。
【００１０】
更に、本発明のＴＦＴアレイに金属配線を形成する方法は、ＴＦＴアレイの製造工程において形成される蒸着層上に金属層を形成する工程と、前記金属層をウェットエッチングして金属配線を形成する工程と、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液を前記金属配線の粗れた表面に適用し、所定時間、前記金属配線を静置する工程と、前記金属配線を洗浄する工程と、からなるものであり、前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は前記金属配線の表面に噴射されることが好適であり、前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は１〜１０重量部の濃度であることが好適であり、更に前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド溶液は２．３８重量部の濃度であることが好適であり、前記金属配線はアルミ二ウムからなることが好適であり、前記金属配線はアルミニウム合金からなることが好適であり、また、前記所定時間は８〜１５秒であることが好適である。
【００１１】
本発明の方法によれば、ウェットエッチングが原因で生じる金属配線の表面の粗れを効果的に平坦にすることができ、ＴＦＴ製造工程の効率を向上させると共に、金属配線上にその後に形成される蒸着層の小さい穴が原因で起きるＴＦＴの漏電を回避することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明は、図面を参照にしながら、具体例を伴う以下の詳細な記述により、より十分に理解できよう。
図３は本発明の一つの好ましい具体例によるもので、ＴＦＴアレイの金属配線の表面粗れを除去する方法であり、以下の工程からなる。
【００１３】
第一に、工程１００で、既定の濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（Ｔｅｔｒａ−Ｍｅｔｈｙｌ Ａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｈｙｄｒｏｘｉｄｅ，以下ＴＭＡＨと呼ぶ）溶液を図１の金属配線の表面に噴射する。ＴＭＡＨ溶液の濃度は１０重量部以下であり、５重量部以下が理想的であるが１重量部を下回ってはいけない。本実施例では２．３８重量部のＴＭＡＨ溶液が使用されている。
【００１４】
第二に、工程１１０において、ＴＭＡＨ溶液が充分に金属と反応するのを確実にする所定の時間、金属配線を静置する。次に、工程１２０で残留したＴＭＡＨ溶液を取り除くために、脱イオン（ＤＩ）水が金属配線の露出した表面を洗浄するのに使用される。金属配線を静置する時間は約８〜１０秒が適当である。本具体例では、ＴＭＡＨ溶液を噴射された金属配線は約１０秒静置されている。
【００１５】
図２は、本発明の方法を実施した後の金属配線の表面の１例を示すＳＥＭの画像である。なお、図２の拡大倍率は９０倍、１目盛は５００ｎｍである。図２を参照すると、金属配線の露出した表面に形成されたラフエッジが平坦になることが見出される。言い換えれば、本発明の方法は、効果的に金属配線の表面粗れを除去することが可能である。このように、後続の工程の確実さは増し、蒸着層に穴があくことが原因で生じる漏電が回避される。
【００１６】
本発明の方法はＴＦＴの製造工程に適用されるが、これに限定されない。半導体に関係する製造工程の間のウェットエッチングが原因の金属配線の表面粗れは、本発明の方法を採用することにより改善され得る。
【００１７】
最後に、本発明は具体例及び好ましい実施例により説明されたが、本発明は開示された具体例に限られるものではないことを理解すべきである。当該技術を熟知する者にとって明白であろう種々の変形及び同様のアレンジメントを範囲とするものである。従って、本発明の特許請求の範囲は、全てのそのような変形及び同様のアレンジメントを範囲内に含むように、最も広い解釈が与えられるべきである。
【００１８】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、ウェットエッチングが原因で生じる金属配線表面の粗れ、ラフエッジを効果的に平坦にすることができる。本発明の方法では、半導体製造工程、薄膜トランジスタ製造工程に適用され、ＴＦＴ製造工程の効率を向上させることができる。また、本発明の方法によれば、金属配線上にその後に形成される蒸着層の小さい穴が原因で起こるＴＦＴの漏電を回避することができる等の優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の方法による工程前の金属配線の表面を示すＳＥＭの画像である。
【図２】  本発明の方法による工程後の金属配線の表面を示すＳＥＭの画像である。
【図３】  本発明の方法のフローチャートである。
【図１】
0003645210.tif 000002
【図２】
0003645210.tif 000003
【図３】
0003645210.tif 000004