(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部基板上に形成されてスキャン電圧が供給されるスキャン電極を含めた上部電極群と、放電空間を間に置いて前記上部基板と対向する下部基板上に形成されて前記放電空間を区画する隔壁と、データ電圧が供給されて前記隔壁の下に位置するように前記下部基板上に形成されるアドレス電極と、前記アドレス電極の一方側から前記スキャン電極の方向に延びる補助電極とを具備し、前記上部電極群はトリガ電極対と、前記トリガ電極対の間の間隔より大きい間隔に離隔されて間に前記トリガ電極対が配置されるサスティン電極対とを具備することを特徴とするプラズマディスプレーパネル。
【請求項２】
前記補助電極は前記放電空間を間に置いて前記スキャン電極と重なる位置に形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネル。
【請求項３】
前記アドレス電極の補助電極と前記スキャン電極の間の放電によりセルが選択されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレーパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレーパネルに関するもので、特に放電効率と輝度を高めるようにしたプラズマディスプレーパネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレーパネル（以下“ＰＤＰ”という）はガスの放電時に発生する紫外線によって蛍光体を発光させることで文字またはグラフィックを含む画像を表示するようになっている。このようなＰＤＰは薄膜化と大型化が容易であるだけではなく、最近の技術の向上に伴って画質が大きく向上している。
【０００３】
図１を参照すると、従来の３電極の交流面放電型ＰＤＰ（以下、“３電極ＰＤＰ”という）は、スキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）を備えた上部基板（１０）と、データ電極（Ｘ）を備えた下部基板（１８）とを有している。
【０００４】
スキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）はそれぞれ幅が広い透明電極（１２Ｙ、１２Ｚ）と幅が狭い金属バス電極（１３Ｙ、１３Ｚ）とからなり、それらが所定の間隔を保って平行に配置されている。
【０００５】
上部基板（１０）には、さらにスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）を覆うように上部誘電体層（１４）と保護膜（１６）が積層される。上部誘電体層（１４）はプラズマ放電時に発生した壁電荷を蓄積するためのものである。保護膜（１６）は、プラズマ放電時に発生するスパッタリングによる上部誘電体層（１４）の損傷を防止すると共に、２次電子の放出の効率を高める働きを持っている。この保護膜（１６）としては酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を利用するのが一般的である。
【０００６】
データ電極（Ｘ）は下部基板（１８）にスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）の長手方向と直交する方向に配置されている。
【０００７】
データ電極（Ｘ）が配置された下部基板（１８）には下部誘電体層（２２）と隔壁（２４）がさらに形成されている。下部誘電体層（２２）と隔壁（２４）の表面に蛍光体層（２６）が塗布される。隔壁（２４）は水平に隣接した放電空間を分離して隣接した放電セルの間の光学的、電気的なクロストークを防止するためのものである。蛍光体層（２６）はプラズマ放電時に発生された紫外線によって励起され、赤色、緑色または青色のいずれか一つの可視光線を発生する。
【０００８】
上部基板（１０）、下部基板（１８）及び隔壁（２４）の間に設けられた放電空間にはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
【０００９】
このようなＰＤＰの放電セル（１）は、図２のようにパネル（３０）上にマトリックス形態で配置される。並んで形成されたスキャン電極（Ｙ１〜Ｙｍ）とサスティン電極（Ｚ１〜Ｚｍ）は各放電セルでデータ電極（Ｘ１〜Ｘｎ）と交差している。
【００１０】
ＰＤＰは画像のグレーレベルを得るために１フレームを発光回数が異なる多数のサブフィールドに分けて駆動している。各サブフィールドは、放電を均一に起こすためのリセット期間、放電セルを選択するためのアドレス期間及びグレーレベルを実現するサスティン期間に分けられる。２５６グレーレベルで画像を表示しようとする場合に１/６０秒に当たるフレーム期間（１６.６７ｍｓ）は図３のようにそれぞれ時間間隔の異なる８つのサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）に分けられる。８つのサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）のそれぞれは、さらにリセット期間、アドレス期間及びサスティン期間に分けられている。各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は各サブフィールドとも同一である。セルを選択するためのアドレス放電はデータ電極（Ｘ）とスキャン電極（Ｙ）の間の電圧差により起きる。サスティン期間はサブフィールドＳＦ１からＳＦ８へ向かうにつれ２n(ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７）の比率で増加する。このようにサスティン期間の異なるサブフィールドを組み合わせてサスティン放電の回数を調節することで映像表示時に必要なグレースケールを実現している。サスティン放電はスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）に交互に供給される高い電圧のパルス信号により起きる。
【００１１】
図４は３電極ＰＤＰの駆動波形である。
図４を参照すると、リセット期間にはサスティン電極（Ｚ）またはスキャン電極（Ｙ１〜Ｙｍ）に図示しない球形波またはランプ波形態の信号が１回以上供給されて全画面の放電セルを同時に放電させる。このようなリセット期間の放電により全画面のセルに均一の壁電荷が蓄積される。
【００１２】
アドレス期間にはスキャン電極（Ｙ１〜Ｙｍ）に順次負極性のスキャンパルス（ＳＰ）が供給されると共にスキャンパルス（ＳＰ）に同期したデータパルス（ＤＰ）がデータ電極（Ｘ）に供給される。データパルス（ＤＰ）が供給された放電セルでアドレス放電が起きる。すなわち、放電させるセルが選択される。
【００１３】
サスティン期間にはスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）に交互にサスティンパルス（ＳＵＳＰｙ）とサスティンパルス（ＳＵＳＰｚ）が供給される。アドレス放電により選択された放電セルがサスティンパルス（ＳＵＳＰｙ）とサスティンパルス（ＳＵＳＰｚ）の供給ごとにサスティン放電が連続的に起きる。
【００１４】
しかし、３電極ＰＤＰはスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）が放電空間の上中央に位置していて、その上側にある２つの電極の間で放電が生じているだけであるので放電空間の活用度が低い。このために３電極のＰＤＰはサスティン放電を起こさせる電圧を高くしなければならず、それに伴って消費電力が高くなり、その上サスティン放電時に放電及び発光の効率が低い。これを以下にさらに説明する。サスティン放電はスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）の間で面放電として起きる。双方の電極の間隔が広ければ放電を開始させるための電圧を高くしなければならない。一般的にその電圧を低くするためにスキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）はセルの中央に近づけて配置している。そのためにサスティン放電時に放電経路が短くなり放電効率や発光効率が低くなる。効率を高めるために、スキャン電極（Ｙ）とサスティン電極（Ｚ）の間の間隔を広くすると、電極間の間隔に比例して放電開始の電圧が高くなる。
【００１５】
このような３電極ＰＤＰの問題点を解決するために、サスティン放電のための電極を４つに分離した５電極ＰＤＰが提案された。
【００１６】
図５にその従来の５電極ＰＤＰが示されている。この５電極ＰＤＰは放電セルの中央にトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）を狭い間隔で配置し、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の両外側の放電セルの縁に沿ってサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）を配置した構造である。下部基板４０の構造は３電極ＰＤＰと特に変わらず、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）やサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）と直交するようにデータ電極（Ｘ）が配置されている。
【００１７】
トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）とサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）はそれぞれ幅が広い透明電極と幅が狭い金属バス電極とからなり、それらが上部基板（３４）に並列に形成される。トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）は電極間の間隔（Ｎｉ）が狭く、サスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の間隔（Ｗｉ）は広い。
【００１８】
サスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）はトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の間の放電によって形成された空間の電荷及び壁電荷を利用して長い経路の放電を起こせる。
【００１９】
上部基板（３４）にはトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）とサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）を覆うように上部誘電体層（３６）と保護膜（３８）が積層される。これらの作用は３電極ＰＤＰのものと特に変わるところはない。同様に、下部基板の構造も３電極ＰＤＰのものと変わるところはなく、下部誘電体層（４４）と隔壁（４６）が形成され、蛍光体層（４８）がそれらの表面に形成されている。
【００２０】
上部基板（３４）、下部基板（４０）及び隔壁（４６）の間に設けられた放電空間には同様にＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
【００２１】
このような５電極ＰＤＰの放電セル（１１）は図６のようにパネル（６０）上にマトリックス形態で配置される。
５電極ＰＤＰの動作は３電極ＰＤＰと同じように、画像のグレーレベルを実現するために１フレームをリセット期間、アドレス期間及びサスティン期間に分け、サスティン期間を発光回数がそれぞれ異なる多数のサブフィールドに分けて駆動している。リセット期間には全画面の放電セルが初期化される。アドレス期間には第１トリガ電極（ＴＹ）とデータ電極（Ｘ）の間でアドレス放電を起こさせる。サスティン期間にはトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の各電極にパルスが交互に印加され、同時にサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の各電極にパルスが交互に印加される。トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の間にトリガ放電が先に起きて、このトリガ放電により生成されたプライミング荷電粒子を利用してサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）上に長い経路の放電を起こさせている。
【００２２】
５電極ＰＤＰにおいて、長い経路の放電、すなわち、サスティン放電が効果的に起きるためにはサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）に高いサスティン電圧を加える必要がある。しかし、サスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）にあまりに高い電圧が加えられるとサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の間に少なくともいずれか一つと基底電位（ＧＮＤ）を維持しているデータ電極（Ｘ）の間に放電が起きることがある。この放電が生じると、放電経路が分散されてサスティン放電の効率が落ちるだけでなく、輝度が落ちる。
【００２３】
また、５電極ＰＤＰはサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の間の長い経路の放電の効率と輝度を高めるためには、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）間の短い経路の放電はできる限り弱いことが好ましい。しかし、アドレス放電により第１トリガ電極（ＴＹ）上に多くの量の壁電荷が形成されて、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）間の間隔が狭いためにトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の間の短い経路の放電が強く起きやすい。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は放電効率と輝度を高めるためのＰＤＰを提供するのにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明ＰＤＰは、上部基板上に形成されてスキャン電圧が供給されるスキャン電極を含めた上部電極群と、放電空間を間に置いて前記上部基板と対向する下部基板上に形成された前記放電空間を区画する隔壁と、データ電圧が供給されて前記隔壁の下に位置するように前記下部基板上に形成されるアドレス電極と、前記アドレス電極の一方側から前記スキャン電極の方向に延びる補助電極とを具備する。
【００２６】
前記補助電極は、前記スキャン電極と重なる位置に形成されることを特徴とする。
【００２７】
前記ＰＤＰは、前記アドレス電極の補助電極と前記スキャン電極の間の放電によりセルが選択されることを特徴とする。
【００２８】
前記ＰＤＰの上部電極群はトリガ電極対と、前記トリガ電極対の間の間隔より大きい間隔に離隔され、間に前記トリガ電極対が配置されるサスティン電極対とを具備する。
【００２９】
本発明による異なる実施態様によるＰＤＰは、上部基板上に形成されて、スキャン電圧が供給されるスキャン電極を含めた上部電極群と、前記上部電極群と直交される方向に前記上部基板と対向する下部基板上に形成されるアドレス電極と、前記下部基板上に形成されて前記放電空間を区画する隔壁と、前記隔壁の少なくとも一方側に前記放電空間側に延びる補助隔壁とを具備する。
【００３０】
前記補助隔壁は前記隔壁の両側それぞれに形成されることを特徴とする。
【００３１】
前記上部電極群は、トリガ電極対と、前記トリガ電極対の間の間隔より大きい間隔に離隔され、間に前記トリガ電極対が配置されるサスティン電極対とを具備する。
【００３２】
前記補助隔壁は前記トリガ電極対の位置に重なるように形成されることを特徴とする。
【００３３】
前記補助隔壁は、前記トリガ電極対の中のスキャン電圧が供給される電極以外の電極と重なる位置に形成されることを特徴とする。
前記補助隔壁は前記隔壁の幅の方向に延びていることを特徴とする。
【００３４】
本発明の異なる実施態様によるＰＤＰは、上部基板上に形成されてスキャン電圧が供給されるスキャン電極を含めた上部電極群と、前記上部基板と対向する下部基板上に前記上部電極群と直交するように形成されるアドレス電極とを具備して、前記上部電極群の中の外側に位置する少なくとも１つの電極の幅が他の電極に比べて大きく設定されることを特徴とする。
【００３５】
前記外側の電極は前記スキャン電圧が供給される第１サスティン電極と、前記少なくとも一つ以上の電極を内側に置いて前記第１サスティン電極から離隔される第２サスティン電極とを具備する。
【００３６】
前記第１及び第２サスティン電極の電極幅が少なくとも一つ以上の内側の電極に比べて大きく設定されることを特徴とする。
【００３７】
前記第１サスティン電極の電極幅が前記少なくとも一つ以上の内側の電極に比べて大きく設定されることを特徴とする。
【００３８】
前記第２サスティン電極の電極幅は前記少なくとも一つ以上の内側の電極と同一に設定されることを特徴とする。
【００３９】
前記上部電極群を覆うように前記上部基板上に形成される誘電体層と、前記誘電体層上に積層される保護膜と、前記下部基板上に形成されて放電空間を区画する隔壁と、前記隔壁と前記下部基板の表面に形成される蛍光体とを更に具備することを特徴とする。
【００４０】
【作用】
本発明によるＰＤＰはアドレス電極を隔壁の下に位置させてスキャン電極と重なる位置でアドレス電極の一方側に補助電極を形成したので、サスティン電極対の間の長い経路の放電の際にアドレス電極の影響を最小にすることができる。また、隔壁の両側にそれぞれに補助隔壁部を形成したので、トリガ電極対の間の放電空間を物理的に縮小させて、トリガ電極の間の放電を弱くしている。また、本発明によるＰＤＰはトリガ電極に比べてサスティン電極の幅を大きくすることでサスティン放電の際にトリガ電極対の間の短い経路の放電に比べてサスティン電極対の間の長い経路の放電がより支配的に起きるようにする。
【００４１】
【発明の実施の形態】
前記の目的以外の本発明の異なる目的及び利点は添付した図面を参照した本発明の好ましい実施形態に対する説明を通して明らかになるであろう。
以下、本発明の実施形態を添付した図７〜図１５を参照してして詳細に説明する。
【００４２】
図７及び図８を参照する。本発明の第１実施形態によるＰＤＰは、上部基板（５０）には、従来同様の上部電極群を備えている。すなわち、放電セルの中央部に位置するように形成されたトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）と、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）を間に置いて放電セルの縁に沿って形成されたサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）とを備えている。一方、下部基板（６０）には、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）やサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）と直交するようにデータ電極（６２Ｘ）を配置すると共に、そのデータ電極（６２Ｘ）にその一方の側に電極から突出するように補助電極（６２Ｘａ）が形成されている。本実施形態ではアドレス電極であるデータ電極（６２Ｘ）が隔壁（６６）の下に配置されるのが特徴である。そして補助電極（６２Ｘａ）がセル内に突出するように配置されている。
【００４３】
トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）及びサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）はそれぞれ幅が広い透明電極と幅が狭い金属バス電極からなり、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）は電極間の間隔（Ｎｉ）が狭く設定されている。
【００４４】
サスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の電極の間にはトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）があるので、それらの電極の間の間隔はトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）に比べて広く設定されている。このサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）は、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の間の放電により形成された空間の電荷及び壁電荷を利用して放電を生じる長い経路の放電用である。
【００４５】
上部基板（５０）にはトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）とサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）を覆うように上部誘電体層（５６）と保護膜（５８）が積層される。これらの作用は従来のものと格別異なるものではない。
【００４６】
下部基板（６０）にはアドレス電極（６２Ｘ）を覆うように下部誘電体層（６４）が形成され、かつ隔壁（６６）が形成されている。下部誘電体層（６４）と隔壁（６６）の表面には蛍光体層（６８）が形成される。隔壁（６６）は水平に隣接した放電空間を分離して隣接した放電セルの間の光学的、電気的なクロストークを防止する。蛍光体層（６８）はプラズマ放電時に発生された紫外線によって励起されて赤色、緑色または青色の中のいずれか一つの可視光線を発生するのは従来同様である。
【００４７】
アドレス電極（６２Ｘ）の補助電極（６２Ｘａ）はトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）及びサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）と並んだ方向にアドレス電極（６２Ｘ）の一方の側に延びて、スキャン電極の役割をするトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）と平行に並ぶように形成されている。もちろん、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）と補助電極（６２Ｘａ）の間には放電空間がある。
【００４８】
上部基板（５０）、下部基板（６０）及び隔壁（６６）の間に設けられた放電空間にはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
【００４９】
本発明の第１実施形態によるＰＤＰは、同様に画像のグレーレベルを実現するために１フレームを発光回数が異なる多数のサブフィールドで分けて駆動する。各サブフィールドは、同様に、放電を均一に起こさせるためのリセット期間、放電セルを選択するためのアドレス期間及び放電回数によりグレースケールを実現するサスティン期間に分けられる。ここで、リセット期間とアドレス期間は各サブフィールドごとに同一で、サスティン期間は輝度により発光回数と期間がそれぞれ異なる。リセット期間には全画面の放電セルが初期化される。アドレス期間には第１トリガ電極（ＴＹ）とデータ電極（６２Ｘ）にそれぞれスキャンパルスとデータパルスが供給される。この時、アドレス電極（６２Ｘ）の補助電極（６２Ｘａ）と第１トリガ電極（ＴＹ）の間の電圧差によりデータが供給された放電セルの中でアドレス放電が起きる。サスティン期間には、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の各電極にパルスが交互に印加されると同時にサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の各電極にもパルスが交互に印加される。トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の間にトリガ放電が先に起きて、このトリガ放電により生成されたプライミング荷電粒子を利用してサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）上に長い経路の放電が起きる。
【００５０】
図７及び図８に示すＰＤＰは、補助電極（６２Ｘａ）を除いたアドレス電極（６２Ｘ）の大部分が隔壁（６６）の下にあるために、アドレス放電の際に生成された壁電荷はアドレス電極（６２Ｘ）の補助電極（６２Ｘａ）と第１トリガ電極（ＴＹ）の上にだけ集中的に蓄積される。従って、サスティン放電時のアドレス電極（６２Ｘａ）の影響が最小化される。サスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の間の長い経路の放電を高い効率で起こさせることができる。これについてさらに説明する。従来は、サスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の間の長い経路の放電の際に高い電圧を加えると、アドレス電極（６２Ｘ）上に蓄積されている壁電荷の影響でサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の中の少なくとも一つとアドレス電極（６２Ｘ）の間で放電が生じ、それによって長い経路の放電の効率と輝度が低下していた。これに対して、本実施形態のＰＤＰは、アドレス電極（６２Ｘ）の一方側に形成された補助電極（６２Ｘａ）と第１トリガ電極（ＴＹ）の間にだけアドレス放電が起きるので、補助電極（６２Ｘａ）の部分にだけしか壁電荷が生じないので、サスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の間の長い経路の放電の際にアドレス電極（６２Ｘ）上に形成された壁電荷の影響が最小化される。また、放電空間を間に置いて向かい合っている第１トリガ電極（ＴＹ）とアドレス電極（６２Ｘ）の補助電極（６２Ｘａ）の重なっている面積は従来に比べて広く形成することができるのでアドレス放電が安定に起きる。従来は、アドレス電極と第１トリガ電極とが交差した箇所でしかアドレス放電が生じなかった。
【００５１】
図９及び図１０は本発明の第２実施形態によるＰＤＰを示している。
図９及び図１０において、上部基板は図７及び図８に図示したＰＤＰの上部基板と同じであるので、同一の符号をつけて詳細な説明を省略する。
【００５２】
図９及び図１０を参照すると、本発明の第２実施形態によるＰＤＰの下部基板は、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の下に対応する位置で隔壁（７６）の両側へ延び出るように補助隔壁部（７６ａ、７６ｂ）が形成されている。アドレス電極（７２Ｘ）は従来の一般的なＰＤＰと同様に隔壁の間に配置されている。
【００５３】
上部基板（５０）には下部基板（７０）のアドレス電極（７２Ｘ）と直交するトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）とサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）が形成されている。
【００５４】
補助隔壁部（７６ａ、７６ｂ）が形成された隔壁（７６）は、水平に隣接した放電空間を分離して隣接した放電セル間の光学的、電気的クローストークを防ぐためのものであるのは従来同様である。したがって、この隔壁（７６）と下部誘電体層（７４）の表面には蛍光体層（７８）が形成される。
【００５５】
補助隔壁部（７６ａ、７６ｂ）は、上部基板（５０）のトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の双方の間隔よりわずかに広い幅を有している。したがって、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）と補助隔壁部（７６ａ、７６ｂ）は部分的に重なっている。この補助隔壁部（７６ａ、７６ｂ）はそれぞれ放電空間の中に突出しているので、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の間の短い経路の放電空間を物理的に狭くする役割を果たしている。この補助隔壁部（７６ａ、７６ｂ）により放電セルの放電空間は図１０のように、その横断面が中央部が狭くその両端側が広がっている‘Ｉ’字の形態になっている。従って、補助隔壁部（７６ａ、７６ｂ）が位置している放電セルの中心部に比べて、放電セルの両端の放電空間が広くなる。
【００５６】
上部基板（５０）、下部基板（７０）及び隔壁（７６）の間に設けられた放電空間にはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
【００５７】
このＰＤＰは画像のグレーレベルを実現するために１フレームを発光回数が異なる多数のサブフィールドで分けて駆動する。各サブフィールドは放電を均一に起こせるリセット期間、放電セルを選択するアドレス期間及び放電回数によりグレースケールを実現するサスティン期間に分けられる。ここで、リセット期間とアドレス期間は各サブフィールドごとに同一で、サスティン期間は輝度により発光回数と期間がそれぞれ異なる。リセット期間には全画面の放電セルが初期化される。アドレス期間には第１トリガ電極（ＴＹ）とデータ電極（７２Ｘ）にそれぞれスキャンパルスとデータパルスが供給される。この時、アドレス電極（７２Ｘ）と第１トリガ電極（ＴＹ）の間の電圧差によりデータが供給される放電セルの中でアドレス放電が起きる。サスティン期間にはトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の各電極にパルスが交互に印加されると同時にサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の各電極にパルスが交互に印加される。トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の間にトリガ放電が先に起きて、このトリガ放電により生成されたプライミング荷電粒子を利用してサスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）上に長い経路の放電が起きる。
【００５８】
図９及び図１０のようなＰＤＰは、補助隔壁部（７６ａ、７６ｂ）によりトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の間の短い経路の放電空間が小さく制約されるのでトリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の間の短い経路の放電は小さく起きるしかない。このように、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の間の放電が小さく起きるために、サスティン電極対（ＳＹ、ＳＺ）の間の長い経路の放電は高い効率で強く放電される。
【００５９】
図１１は本発明の第３実施形態によるＰＤＰを表す。
図１１を参照すると、本発明の第３実施形態によるＰＤＰの下部基板は、トリガ電極対（ＴＹ、ＴＺ）の中のいずれか一電極の下に位置する隔壁（８６）の両側からそれぞれ延び出している補助隔壁部（８６ａ、８６ｂ）を具備する。
【００６０】
このＰＤＰは図９及び図１０に図示されたＰＤＰに比べて、補助隔壁部の幅と位置だけ異なるだけである。図９及び図１０に図示されたＰＤＰはスキャン電極の役割をする第１トリガ電極対（ＴＹ）の下にも補助隔壁部が形成されているためにアドレス放電空間が制約されてアドレス放電が不安定になることがあった。これに比べて、図１１に図示されたＰＤＰはスキャン電極の役割をする第１トリガ電極対（ＴＹ）の下には補助隔壁部（８６ａ、８６ｂ）がないためにアドレス放電空間がその分大きく確保されてアドレス放電がより大きく起きて充分な量の壁電荷をサスティン放電に利用することができる利点がある。放電効率が高くなるのは第２実施形態の場合と同様である。
【００６１】
さらに、本発明の第２及び第３実施形態によるＰＤＰは、隔壁（７６、８６）の補助隔壁部（８６ａ、８６ｂ）により蛍光体の塗布面積がその分増加するので輝度が高くなる。
【００６２】
図１２及び図１３は本発明の第４実施形態によるＰＤＰを表す。
図１２及び図１３を参照すると、本発明の第４実施形態によるＰＤＰは放電セルの中央部に位置するように上部基板（９０）上に形成されたトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）と、トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）を間に置いて放電セルの縁に沿って電極がそれぞれ位置するように上部基板（９０）上に形成されてそれぞれの電極幅がトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）のそれより大きく設定されたサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）と、トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）及びサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）と直交すなるように下部基板（１００）の上に形成されたデータ電極（１０２Ｘ）とを具備する。
【００６３】
トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）及びサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）はそれぞれ幅が広い透明電極と幅が狭い金属バス電極とからなる。トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）は電極間の間隔（Ｎｉ）は狭く設定される。
【００６４】
サスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）の電極の間にはトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）があり、それら電極の間の間隔はトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）に比べて広く設定される。このサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）にはトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）の間の放電により形成された空間の電荷及び壁電荷を利用して長い経路の放電が生じる。このサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）の各電極の幅（Ｗｓ）はトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）のそれ（Ｗｔ）に比べて大きく設定される。このために、サスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）とトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）に同一の電圧が印加されても、トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）に比べてサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）により多くの壁電荷が蓄積される。
【００６５】
一方、トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）とサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）そしてこれらの間の間隔をすべて含めた上部電極群の全体の幅（Ｗｔｏｔ）は従来の５電極のそれと同一かより大きく設定することができる。
【００６６】
このようなトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）とサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）が形成された上部基板（９０）にはトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）とサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）を覆うように上部誘電体層（９６）と保護膜（９８）が積層される。
【００６７】
下部基板（１００）には下部誘電体層（１０４）と隔壁（１０６）が形成される。下部誘電体層（１０４）と隔壁（１０６）の表面には蛍光体層（１０８）が形成される。
【００６８】
上部基板（９０）、下部基板（１００）、隔壁（１０６）の間に設けられた放電空間にはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
【００６９】
このＰＤＰは画像のグレーレベルを実現するために１フレームを発光回数が異なる多数のサブフィールドで分けて駆動する。各サブフィールドは放電を均一に起こさせるリセット期間、放電セルを選択するアドレス期間及び放電回数によりグレースケールを実現するサスティン期間に分けられる。リセット期間とアドレス期間は各サブフィールドごとに同一である一方、サスティン期間は輝度により発光回数と期間がそれぞれ異なる。リセット期間には全画面の放電セルが初期化される。アドレス期間には第１トリガ電極（ＮＴＹ）とデータ電極（１０２Ｘ）にそれぞれスキャンパルスとデータパルスが供給される。アドレス電極（１０２Ｘ）と第１トリガ電極（ＮＴＹ）の間の電圧差によりデータが供給された放電セルの中でアドレス放電が起きる。サスティン期間にはトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）の各電極にパルスが交互に印加されると同時にサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）の各電極にパルスが交互に印加される。トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）の間にトリガ放電が先に起き、このトリガ放電により生成されたプライミング荷電粒子を利用してサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）に長い経路の放電が起きる。ここで、サスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）に含まれた電極のそれぞれの幅がトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）のそれに比べて大きく設定されているので、サスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）の間の長い経路の放電がトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）の間の短い経路の放電よりより強く起きる。言い換えると、サスティン期間にはサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）の間の長い経路の放電が支配的にに起きる。
【００７０】
図１４及び図１５は本発明の第５実施形態によるＰＤＰを表す。
図１４及び図１５を参照すると、本発明の第５実施形態によるＰＤＰは、放電セルの中央部に位置するように上部基板（９０）上に形成されたトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）と、トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）を間に置いて放電セルの縁側に電極がそれぞれ位置するように上部基板（１１０）上に形成され、その電極幅がトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）のそれより大きく設定されたサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）と、トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）及びサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）と直交するように下部基板（１２０）の上に形成されたデータ電極（１２２Ｘ）とを具備する。本実施形態では第１サスティン電極（ＷＳＹ）がアドレス放電に使用される。
【００７１】
トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）及びサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）はそれぞれ幅が広い透明電極と幅が狭い金属バス電極とからなる。トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）は電極間の間隔が狭く設定される。
【００７２】
サスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）の電極の間にはトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）があるので、それら電極の間の間隔はトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）に比べて広く設定される。このサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）はトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）の間の放電により形成された空間の電荷及び壁電荷を利用して長い経路の放電が起きる。このサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）の中にスキャン電極の役割を兼ねる第１サスティン電極（ＷＳＹ）の幅（Ｗｓ）は、トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）と第２サスティン電極（ＷＳＺ）の幅（Ｗｔ）に比べて大きく設定される。このために、第１サスティン電極対（ＷＳＹ）は従来の５電極に比べて電極幅が広いためにアドレス放電の際により多くの壁電荷が蓄積され、さらに、トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）の間の放電に比べてサスティン電極対（ＷＳＹ、ＮＳＺ）の間の長い経路の放電が支配的に起きるようになる。また、第１サスティン電極対（ＷＳＹ）の幅だけ大きくし、第２サスティン電極対（ＮＳＺ）の幅は比較的に小さく設定されるので従来の５電極のＰＤＰに比べて電極面積増加分を少なくすることができ、電流増加による消費電力の増加を最大に抑制することができる。
【００７３】
従って、本発明の第５実施形態によるＰＤＰはサスティン電極対（ＷＳＹ、ＮＳＺ）の中の１つの電極の幅だけを増加させることでサスティン放電の際に長い経路の放電が支配的に起きるようにすると共に、電流増加を最大に抑制して消費電力増加分を最小化させることができる。
【００７４】
一方、トリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）とサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）そしてこれらの間の間隔をすべて含めた上部電極群の全体の幅（Ｗｔｏｔ）は従来の５電極のそれと同一かより大きく設定することができる。
【００７５】
このようなトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）とサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）が形成された上部基板（１１０）にはトリガ電極対（ＮＴＹ、ＮＴＺ）とサスティン電極対（ＷＳＹ、ＷＳＺ）を覆うように上部誘電体層（１１６）と保護膜（１１８）が積層される。
【００７６】
下部基板（１２０）には下部誘電体層（１２４）と隔壁（１２６）が形成される。下部誘電体層（１２４）と隔壁（１２６）の表面には蛍光体層（１２８）が形成される。
【００７７】
上部基板（１１０）、下部基板（１２０）及び隔壁（１２６）の間に形成された放電空間にはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅなどの不活性の混合ガスが注入される。
【００７８】
【発明の効果】
上述したように、本発明による１実施態様によるＰＤＰは、アドレス電極を隔壁の下に位置させてスキャン電極と重なる位置でアドレス電極の一方側に補助電極を形成したので、サスティン電極対の間の長い経路の放電の間にアドレス電極の影響を最小にすることができる。
【００７９】
また、他の実施態様では、隔壁の両側にそれぞれ補助隔壁部を形成してトリガ電極対の間の放電空間を物理的に縮小させている。したがって、トリガ電極対の放電空間が制約されてその間の放電が大きくなることがないので、長い経路の放電の効率が高くなる。
【００８０】
さらに他の態様では、トリガ電極に比べてサスティン電極の幅を大きくすることでサスティン放電の際にトリガ電極対の間の短い経路の放電に比べてサスティン電極対の長い経路の放電を支配的に起きるようにしているので、サスティン電極対の間の放電が高い効率で強く起きる。したがって、放電効率と輝度を高めることができる。
【００８１】
さらに他の実施態様では、アドレス放電を１つのサスティン電極とアドレス電極との間で生じるようにし、そのサスティン電極の幅を他のサスティン電極やトリガ電極の幅より広くしたので、サスティン放電の際にトリガ電極対の間の短い経路の放電に比べてサスティン電極対の長い経路の放電を支配的に起きる。したがって、放電効率と輝度を高くすることができる。
【００８２】
以上説明した内容を通して当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かる。例えば、当業者はアドレス放電を起こせるための電極の幅を広くするという本発明の技術的な思想に基づいて３電極ＰＤＰでスキャン電極の幅を広くすることを予測することができるだろう。従って、本発明の技術的な範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず特許請求の範囲によって定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来の３電極のＰＤＰの放電セルを表す斜視図である。
【図２】  ３電極ＰＤＰの電極配置を表す平面図である。
【図３】  ＰＤＰの１フレーム構成を表す図面である。
【図４】  ３電極のＰＤＰの駆動波形を表す波形図である。
【図５】  従来の５電極のＰＤＰの一放電セルを表す斜視図である。
【図６】  ５電極ＰＤＰの電極配置を表す平面図である。
【図７】  本発明の第１実施形態によるＰＤＰの放電セルの隔壁一部を除去して表した斜視図である。
【図８】  図７に図示されたＰＤＰの放電セルの平面図である。
【図９】  本発明の第２実施形態によるＰＤＰの放電セルを表す斜視図である。
【図１０】  図９に図示されたＰＤＰの放電セルの平面図である。
【図１１】  本発明の第３実施形態によるＰＤＰの放電セルを表す平面図である。
【図１２】  本発明の第４実施形態によるＰＤＰの放電セルの隔壁一部を除去して表す斜視図である。
【図１３】  図１２に図示されたＰＤＰの放電セルの平面図である。
【図１４】  本発明の第５実施形態によるＰＤＰの放電セルの隔壁一部を除去して表す斜視図である。
【図１５】  図１４に図示されたＰＤＰの放電セルの平面図である。
【符号の説明】
１０、３４、５０、９０、１１０：上部基板
１４、３６：上部誘電体層
１６、３８、５８：保護膜
１８、４０、６０、７０、１００、１２０：下部基板
２２、４４、６４、７４、１０４、１２４：誘電体層
２４、４６、６６、７６、１０６、１２６：隔壁
２６、４８、６８、１０８、１２８：蛍光体層
３０：パネル
６２Ｘａ：補助電極
６２Ｘ、１０２Ｘ：アドレス電極
１２２Ｘ：データ電極
７６ａ、７６ｂ、８６ａ、８６ｂ：補助隔壁部
１２Ｙ、１２Ｚ：透明電極
１３Ｙ、１３Ｚ：金属バス電極
【図１】
0003725071.tif 000002
【図２】
0003725071.tif 000003
【図３】
0003725071.tif 000004
【図４】
0003725071.tif 000005
【図５】
0003725071.tif 000006
【図６】
0003725071.tif 000007
【図７】
0003725071.tif 000008
【図８】
0003725071.tif 000009
【図９】
0003725071.tif 000010
【図１０】
0003725071.tif 000011
【図１１】
0003725071.tif 000012
【図１２】
0003725071.tif 000013
【図１３】
0003725071.tif 000014
【図１４】
0003725071.tif 000015
【図１５】
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