(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の信号用パッド及びこのパッドに連結された信号用バンプが主面の所定の領域に規則的に配列された電子回路パッケージにおいて、前記信号用パッド及びバンプの配列の外周部の複数位置に、または外周部の延長線が交差する複数の角部の位置に、前記信号用パッド及びバンプと実質的に同じ大きさに形成された複数個の隣接した補強用パッド及びこのパッドに連結された補強用バンプをそれぞれ備え、前記複数個の隣接した補強用パッド及びバンプの相互の間隔を、前記信号用パッド及びバンプの相互の間隔よりも小さく配置したことを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項２】
前記複数個の隣接した補強用パッド及びバンプのうちの１個以上が、前記信号用パッド及びバンプの配列の外周部の延長線上より外側に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の電子回路パッケージ。
【請求項３】
複数の信号用パッドが主面の所定の領域に規則的に配列された実装ボードにおいて、前記信号用パッドの配列の外周部の複数位置に、または外周部の延長線が交差する複数の角部の位置に、前記信号用パッドと実質的に同じ大きさに形成された複数個の隣接した補強用パッドをそれぞれ備え、前記複数個の隣接した補強用パッドの相互の間隔を、前記信号用パッドの相互の間隔よりも小さく配置したことを特徴とする実装ボード。
【請求項４】
前記複数個の隣接した補強用パッドのうちの１個以上が、前記信号用パッドの配列の外周部の延長線上より外側に配置されたことを特徴とする請求項３に記載の実装ボード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は電子回路パッケージ（以下パッケージと記す）と実装ボードおよび実装体に関し、特にパッケージ外部電極と実装ボード接続端子がボールグリッドアレイ（Ball Grid Array 以下ＢＧＡと記す）構造に接続されるパッケージおよび実装ボードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子回路チップを収納したパッケージの主面に半田ボールからなる電極バンプをマトリクス状に配列するＢＧＡ外部電極構造は、多ピン化が容易でチップサイズに構成できる（Chip Size Package 以下ＣＳＰと記す）とともに、実装ボード上の実装面積もチップサイズと同程度に小形化できるなどの特長から、カード用・携帯電話用・パソコン用など電子回路パッケージの高密度実装に多用されている。ここで実装ボードは、パッケージを他の半導体装置やキャパシタ・抵抗・その他の電子部品などと電気的・機械的に接続して電子機器の電子回路を形成する電子回路実装基板である。
【０００３】
しかし通常ガラスエポキシ樹脂からなるパッケージや実装ボードは、熱膨張係数が２０〜６０×１０-6／℃程度で両者の熱膨張係数差が比較的に大きいため、電子機器の製造中や使用中の繰り返し熱サイクルによる熱歪みや熱変形が両者の接続部のＢＧＡ電極接合部に応力を生じ、ＢＧＡ電極構造では４角形パッケージの４つのコーナ部における電極接合部の応力緩和が大きな課題となっていた。
また、外力により生じる曲げ、衝撃荷重等の機械的歪みに対する上記電極接合部の接合破壊を防止する機械的強度の向上が大きな課題となっていた。
【０００４】
ＢＧＡ電極構造の４コーナの電極接合部の応力緩和については、例えば特開平９−２０５１１３号公報に開示されている。上記公報の図５では、フェイスアップ型のチップがダイボンディングされたプリント配線板の下面（パッケージ主面）にＢＧＡ電極群が配設され、樹脂封止された後、パッケージ主面の辺縁部に４角枠状の半田板からなる補強膜がＢＧＡ電極群を取り囲むように配設される。パッケージの電極群と半田補強膜の配列に対応して、実装ボードの主面には半田膜を被着した接続端子パッド群と半田膜からなる４角枠状の接続端子パッドが配設されていて、これらを溶融するリフロー半田付けによって実装組立される。
【０００５】
しかし、上述の従来の技術によってＢＧＡ電極接合部で充分な応力緩和が得られるとしても、４角枠状の補強膜と４角枠状の半田電極バンプの面積サイズは、チップサイズよりも遥かに大きいものであって、これではＣＳＰから外れて大形化してしまい、実装面積の小形化が損なわれる。特にフェイスダウン型チップをＣＳＰに構成するには不向きである。また更に、パッケージ主面の半田ボールのバンプ高さと、外周４辺の４角枠状半田板補強膜の高さと、実装ボード主面の４角枠状の半田電極バンプの高さの３者を厳しく調整する必要がある。ＢＧＡ電極接合部の平坦性を確保するためには、４角枠状の補強膜や補強電極の膜厚を均一に形成しなければならないが、しかし均一膜厚を形成することは大面積になる程難しくなる。このようにＢＧＡ／ＣＳＰ電極構造には全く不向きで量産性が劣るという問題点がある。
【０００６】
そこで次に従来のＢＧＡ／ＣＳＰ電極構造の例を図面を参照して説明する。
図２４は、従来の電子部品パッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を示す平面図である。また、図２５は、従来のパッケージと実装ボードを含む実装体の電極接合構造を示す断面図である。
図２４の平面図はパッケージ１Ｊ主面のボール状半田電極バンプ（以後バンプと記す）配置と、実装ボード１１Ｊ主面の円形状電極パッド（以後パッドと記す）の概要を表す模式図である。例えば、１Ｊは電子回路チップを収納しエポキシ樹脂でモールドされた１辺の長さが１０〜２０ｍｍのほぼ正方形のパッケージで、１１Ｊは大きさがパッケージ１Ｊの数倍〜１０倍以上の長方形の実装ボードであるが、紙面の便宜上から一つのパッケージ１Ｊに対応したほぼ正方形の部分を表示している。
【０００７】
まず図２４のパッケージ１Ｊにおいて、その主面には信号バンプ７Ｓと補強バンプ７Ｆとが配列されている。以下、これらを合わせてバンプ７と総称することにする。複数の信号バンプ７Ｓは、ＢＧＡ外部電極となるバンプであって、電子回路チップの内部回路が送受信する信号をパッケージ１Ｊ主面に露出する信号パッド２Ｓ（図では見えない）を介して外部へ入出力する。補強バンプ７Ｆは、パッケージ１Ｊの４コーナ部１Ｋに１個づつ配置されており、補強パッド２Ｆ（図では見えない）に直結されている。補強パッド２Ｆは、露出して電気的に非接続のダミー、接地または電源電位に接続される応力緩和用のパッドである。以下では、信号パッド２Ｓと補強パッド２Ｆを総称してパッド２と総称することにする。なお複数のパッド２は各バンプ７直下の位置で直結されるので図中符号を７Ｓ（２Ｓ）、７Ｆ（２Ｆ）のように表している。
【０００８】
図２４のパッケージ１Ｊにおいて銅箔からなる複数のパッド２は、最外周列のパッド中心間距離２Ｌで包囲される４角形の破線で示したパッド形成領域にメタルマスクを用いて格子状にパターニングされていて、このパッド形成領域の面積がほぼ電子回路チップの投影面積に相当する。各バンプ７の間隔、断面積は各パッド２の間隔、表面積と同じで、等ピッチＰ、等面積Ｑに形成される。各パッド２の円形パッド面にＰｂ−Ｓｎからなるクリームが予備半田され、Ｐｂ−Ｓｎからなる半田ボール６が通常のボール移載法で形成されて、パッケージ１ＪのＢＧＡ外部電極となる半田バンプ７を構成している。
【０００９】
また図２４において、変性エポキシ樹脂の多層プリント配線基板からなる実装ボード１１Ｊ主面には、パッケージ１Ｊ側の各パッドの中心位置と対向するように、図中４角形の破線で示した最外周列パッド中心間距離１２Ｌの内側に、円形状の信号パッド１２Ｓと補強パッド１２Ｆが格子状のパッドピッチＰ、パッド面積Ｑで形成された後、円形状のパッド面にクリーム半田が被覆されて、実装ボード１１Ｊの接続端子パッド１２を構成する。以下、信号パッド１２Ｓと補強パッド１２Ｆとを合わせてパッド１２と総称することにする。
【００１０】
図２５は、図２４の鎖線Ａ−Ａ’で切断したパッケージ１Ｊと、鎖線Ａ’−Ａで切断した実装ボード１１Ｊとを接続した実装体１００の断面図である。図２５において、パッケージ１Ｊの半田ボール６からなるバンプ（外部電極）７を、実装ボード１１Ｊ主面の接続端子パッド１２上にフェイスダウンに載置し、クリーム半田と半田ボール６を再溶融することで信号パッド２Ｓと信号バンプ７Ｓと信号パッド１２Ｓの各々がリフロー半田付けされ  、また補強パッド２Ｆと補強バンプ７Ｆと補強パッド１２Ｆの各々がリフロー半田付けされる。ＢＧＡ電極のパッケージ側リフロー接合部８ｒ（２Ｓと７Ｓの界面、２Ｆと７Ｆの界面）および実装ボード側リフロー接合部８Ｒ（７Ｓと１２Ｓの界面、７Ｆと１２Ｆの界面）とが得られる。
【００１１】
図２５におけるＢＧＡ実装体１００の中間製品をバーンイン繰り返し熱サイクル、落下衝撃テストに掛けて電極リフロー接合部８ｒ、８Ｒを接合評価した結果は、接合破壊が最初に起こるのは補強バンプ７Ｆと補強パッド１２Ｆとのリフロー接合界面８Ｒに最も集中していることが検証された。このようにパッケージ１Ｊのコーナ部１Ｋに対応して実装ボード１１Ｊのパッド形成領域コーナ部に配置される補強パッド１２Ｆそれ自体には機械的強度を向上させる機能はなくて、補強バンプ７Ｆと補強パッド１２Ｆのリフロー接合界面が最初に破壊されると、次には図２４において、破壊された補強電極１２Ｆに隣接するパッド形成領域コーナ部の３個の信号電極（信号パッド２Ｓとバンプ７Ｓとパッド１２Ｓ）に応力集中を生じ、破壊電極が伝搬していく。補強電極リフロー接合部８Ｒの１個が最初に破壊されることを防止するために、その後パッケージ１Ｊと実装ボード１１Ｊの間にＢＧＡ電極７を埋め込むように、エポキシ系接着剤からなるアンダーフイル９を充填して応力分散を図る必要があった。
【００１２】
故障修理のために、上述の特開平９−２０５１１３号公報の技術では大形４角枠状の補強膜を外すことは困難であり、上述図２４、図２５の従来技術でもアンダーフイル後は修理のためにアンダーフイル樹脂を除去できないという問題点があった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は上述のような課題を解決するためになされたもので、第１の目的は補強電極の機械的強度を向上できるとともに、アンダーフィルが不要となり、低コストで修理可能な電子部品ＢＧＡパッケージおよび実装ボードを提供しようとするものである。
この発明の第２の目的は、補強電極接合部周辺の応力緩和が可能な電子部品ＢＧＡパッケージの電極バンプおよび実装ボードを提供しようとするものである。
この発明の第３の目的は、補強電極接合界面の応力緩和が可能で、電極の接合部の平坦性向上と実装性向上が可能な電子部品ＢＧＡパッケージの電極バンプ、および実装ボードの電極パッドを提供しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本願の請求項１の発明にかかる電子回路パッケージは、複数の信号用パッド及びこのパッドに連結された信号用バンプが主面の所定の領域に規則的に配列された電子回路パッケージにおいて、前記信号用パッド及びバンプの配列の外周部の複数位置に、または外周部の延長線が交差する複数の角部の位置に、前記信号用パッド及びバンプと実質的に同じ大きさに形成された複数個の隣接した補強用パッド及びこのパッドに連結された補強用バンプをそれぞれ備え、前記複数個の隣接した補強用パッド及びバンプの相互の間隔を、前記信号用パッド及びバンプの相互の間隔よりも小さく配置したことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項２の発明にかかる電子回路パッケージは、請求項１に記載のものにおいて、前記複数個の隣接した補強用パッド及びバンプのうちの１個以上が、前記信号用パッド及びバンプの配列の外周部の延長線上より外側に配置されたことを特徴とするものである。
【００１６】
請求項３の発明にかかる実装ボードは、複数の信号用パッドが主面の所定の領域に規則的に配列された実装ボードにおいて、前記信号用パッドの配列の外周部の複数位置に、または外周部の延長線が交差する複数の角部の位置に、前記信号用パッドと実質的に同じ大きさに形成された複数個の隣接した補強用パッドをそれぞれ備え、前記複数個の隣接した補強用パッドの相互の間隔を、前記信号用パッドの相互の間隔よりも小さく配置したことを特徴とするものである。
【００１７】
請求項４の発明にかかる実装ボードは、請求項３に記載のものにおいて、前記複数個の隣接した補強用パッドのうちの１個以上が、前記信号用パッドの配列の外周部の延長線上より外側に配置されたことを特徴とするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による電子部品パッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。図２は、図１の鎖線Ａ−Ａ’で切断したパッケージと図１の鎖線Ａ’−Ａで切断した実装ボードを含む実装体の電極接合構造を表す断面図である。なお従来例による上述の図２４、図２５と同一または相当部分の符号は説明を省略する。
【００１９】
図１を参照して、パッケージ１Ａのバンプ配置の平面構成を説明する。図１において、バンプ配置が上述の図２４と異なるところは、補強バンプ７Ｆがパッケージ１Ａの各コーナ１Ｋ当たり３個が増設されて４個づつ配設された点である。
すなわち、バンプ配列の外周部の信号用バンプ７Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲する４角形のバンプ形成領域（最外周のバンプ中心間距離２Ｌ）の角部（頂部）、言い換えればバンプ配列の外周部の信号用バンプ７Ｓ上の延長線（図中の破線）が交差する角部の１個の補強バンプ７Ｆは図２４の１個と同じであるが、これに隣接して３個の補強バンプ７Ｆが信号バンプ７Ｓとの間に増設されている。信号バンプ７Ｓ間のピッチＰに対し、各コーナ部１Ｋに配設される４個の補強バンプ７Ｆのバンプピッチｐは、ｐ＝Ｐ／２であり、信号バンプ７Ｓ間の絶縁耐力を従来通り確保できるよう狭ピッチに形成される。
【００２０】
なお図１の各バンプ７の直下に一致して配設されている各パッド２も上述の各バンプ７と同様である。パッケージ１Ａが上述図２４のパッケージ１Ｊと異なるところは上記の点だけであり、その他のパッド２、半田ボール６および半田バンプ７の構成、接続電位などは全て上述図２４と同じである。
つまりパッケージ１Ａは、パッド形成領域を増やさず、また信号パッド間の絶縁耐力も従来通り確保しながら、信号パッド形状と同一形状の補強パッドを用いて各コーナ当たりの補強パッド面積を４倍に増強したＢＧＡ／ＣＳＰ構造を特徴とするものである。
【００２１】
また図１において、実装ボード１１Ａの各パッド１２は、パッケージ１Ａ側の各バンプ７の中心位置と一致するように配置される。パッド配列の外周部の信号用パッド１２Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲される４角形領域（最外周のパッド中心間距離１２Ｌ）は、電子回路チップの投影面積とほぼ等しい面積であり、このパッド形成領域の内側に複数の円形状信号パッド１２Ｓと各コーナ当たり４個の円形状補強パッド１２Ｆが形成された後、各パッド表面にクリーム半田が被覆されて、実装ボード１１Ａの接続端子パッド１２が構成される。
つまり実装ボード１１Ａは、パッド形成領域を増やさずにまた信号パッド間の絶縁耐力も従来通り確保しながら、信号パッド形状と同一形状の補強パッドを用いて各コーナ当たりの補強パッド面積を４倍に増強した実装構造を可能にすることを特徴とするものである。
【００２２】
図２は、図１のパッケージ１Ａと実装ボード１１Ａを接続した実装体１０Ａの電極接合構造を表す断面図である。図２の断面図は、図１の鎖線Ａ−Ａ’で切断したパッケージ１Ａの信号バンプ７Ｓ及び補強バンプ７Ｆと、図１の鎖線Ａ’−Ａで切断した実装ボード１１Ａの信号パッド１２Ｓ及び補強パッド１２Ｆとを含むＢＧＡ実装体１０Ａの電極接合構造を示している。
図２において、パッケージ１Ａの半田バンプ７からなる外部電極を実装ボード１１Ａ主面の接続端子パッド１２上にフェイスダウンに載置し、リフロー炉内で実装ボード１１Ａの各パッド表面のクリーム半田の溶融とともに、半田バンプ７を再溶融することで、パッケージ１Ａの信号バンプ７Ｓと実装ボード１１Ａの信号パッド１２Ｓの各々がリフロー半田付けされる。また同時、同様に補強バンプ７Ｆと補強パッド１２Ｆの各々がリフロー半田付けされる。信号用７Ｓと１２Ｓおよび補強用７Ｆと１２Ｆとでほぼ同一形状のリフロー電極接合部８ｒ（パッケージ側）および８Ｒ（実装ボード側）をもつＢＧＡ実装体１０Ａが構成される。なおリフロー半田付け後の半田バンプ７断面の側面形状を、図２では従来の図２５に倣って中央部が膨らんだ「樽型」に描いたが、中央部が凹んだ「鼓形」に形成することもできる。
【００２３】
実装体１０Ａの電極接合構造は次の２点で上述の図２５の実装体１００と異なっている。１点目は、補強バンプ７Ｆと補強パッド１２Ｆとの接合部が各コーナ当たり３個増えて４個になったことである。２点目は、補強バンプ７Ｆ間のピッチｐが、ｐ＝Ｐ／２であり、信号バンプ７Ｓ間のピッチＰよりも狭くなっていることである。実装体１０Ａのその他の電極接合構造は実装体１００と同じである。各コーナ部に配設された補強バンプ４個のピッチは、信号バンプ間の絶縁耐力を確保できる限り狭ピッチに形成されるが、リフロー半田付け後も図２の補強バンプ７Ｆの４個間、補強バンプ７Ｆと信号バンプ７Ｓの間は互いに分離独立して構成されており、相互間の絶縁耐力を従来通り確保できるものである。
【００２４】
図２におけるＢＧＡ実装体１０Ａを上述と同一の条件でバーンイン繰り返し熱サイクル、落下衝撃テストに掛けて電極リフロー接合部８Ｒの接合強度を評価した結果、接合破壊は全く起こらなかった。補強バンプ７Ｆを狭ピッチにすることによって、補強バンプ数を４倍に増加できて補強バンプ周辺の単位面積当たりの補強接合面積が増え、見かけ上大きな補強電極を配置して補強接合面積を大きくした場合と同等の効果を示し、実装体１０Ａ全体の接合強度を向上させる効果が検証された。
しかも補強バンプ７Ｆと隣接する３個の信号バンプ７Ｓとの間のバンプピッチを各相互間の絶縁耐力が確保できる限り狭ピッチに形成することで、４個の補強バンプ７Ｆと３個の信号バンプ７Ｓの各コーナ当たり小計７個のバンプ集団があたかも実効的な補強バンプとして作用する相乗効果も期待できる。また更に、信号バンプ７Ｓと同一の半田ボール６で補強バンプ７Ｆを形成するため複数のバンプ相互間の平坦性が得られ易く、また現用の自動装着機をそのまま使用して高精度で位置決めできるため実装性が極めて良好である。
以上説明した図２のＢＧＡ実装体１０Ａにおいては、従来の実装体１００で必須とされたアンダーフィル９の作業を完全に無くすることができた。
なお、パッケージ１Ａの補強用バンプ２Ｆと実装ボード１１Ａの補強用バンプ１２Ｆとは、ともにバンプ配列の角部に配設する例について説明したが、これは必要に応じてバンプ配列の外周部、具体的にには図１の破線上の所定の位置またはその近傍に配設することがあってもよい。
【００２５】
以上説明したこの実施の形態の構成を要約する次のとおりである。
電子回路パッケージ１Ａにおいて、複数の信号用パッド２Ｓ及びこのパッドに連結された信号用バンプ７Ｓを主面の所定の領域に規則的に配列する。そして、信号用パッド２Ｓ及びバンプ７Ｓの配列の外周部（図１の破線上）の複数の位置に、または外周部の延長線（図１の破線）が交差する複数の角部の位置に、複数個の隣接した補強用パッド２Ｆ及びこのパッドに連結された補強用バンプ７Ｆを配設する。そして、この補強用パッド２Ｆ及びバンプ７Ｆは、信号用パッド２Ｓ及びバンプ７Ｓと実質的に同じ大きさのものを用いることができる。また、複数個の隣接した補強用パッド２Ｆ／バンプ７Ｆの相互の間隔を、信号用パッド２Ｓ／バンプ７Ｓの相互の間隔よりも小さく配置する。
また、電子回路パッケージ１Ａを搭載する実装ボード１１Ａは、複数の信号用パッド１２Ｓを主面の所定の領域に規則的に配列する。そして、信号用パッド１２Ｓの配列の外周部（図１の破線上）の複数位置に、または外周部の延長線（図１の破線）が交差する複数の角部の位置に、複数個の隣接した補強用パッド１２Ｆをそれぞれ備える。そして、この補強用パッド１２Ｆは信号用パッド１２Ｓと実質的に同じ大きさに形成されたものを用いることができる。また、複数個の隣接した補強用パッド１２Ｆの相互の間隔を、信号用パッド１２Ｓの相互の間隔よりも小さく配置する。
【００２６】
実施の形態２．
図３はこの発明の実施の形態２によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。図４は、図３のパッケージと実装ボードとを接続した実装体の電極接合構造を表す断面図である。なお実施の形態１による上述の図１と同一または相当部分の符号は説明を省略し、実施の形態２による関連部分のみ説明する。
【００２７】
図３を参照してこの実施の形態のパッケージ１Ｂのバンプ配置の平面構成を説明する。図３のバンプ配置で上述の図１と異なるところは、各コーナ部１Ｋに配設される４個中３個の補強バンプ７Ｆが、バンプ配列の外周部の信号用バンプ７Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲する４角形のバンプ形成領域（最外周のバンプ中心間距離２Ｌ）よりも外周縁側に配設され、残る１個の補強バンプ７Ｆが上記バンプ形成領域の内周側で信号バンプ７Ｓとの間に配設される点である。４個の補強バンプ７Ｆの配設位置は何れも、上述の図１におけるパッケージ１Ａの補強バンプよりも更にパッケージ外周縁側にシフトした位置にあるため、複数の補強バンプの面積重心がパッケージ外周縁側にシフト配設されている点を特徴とするものである。
【００２８】
また図３において、この実施の形態による実装ボード１１Ｂのパッド配置は、パッケージ１Ｂ側の各バンプの中心位置と一致するように、図中、パッド配列の外周部の信号用パッド１２Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲される４角形領域（最外周列パッド中心間距離１２Ｌ）の内側に信号パッド１２Ｓが配置され、またこの４角形領域の角部の内側に１個、外側に３個と、コーナ当たり４個の補強パッド１２Ｆが形成される。４個の補強パッド１２Ｆの配設位置は何れも、上述の図１における実装ボード１１Ａの補強パッドよりも更にパッケージ外周縁側にシフトした位置に配設されている。その後円形状のパッド面にクリーム半田が被覆されて、実装ボード１１Ｂの接続端子パッド１２が構成される。
つまり実装ボード１１Ｂは実装ボード１１Ａと同様に各コーナ部に４個の補強パッドを有し、同様に狭ピッチに形成されながら、更にパッケージ外周縁側にシフトした位置に配設されることで外力が加わった場合の実装ボード１１Ｂの変形をより効果的に抑制することができることを特徴とするものである。
【００２９】
図４は、図３の鎖線Ｂ−Ｂ’で切断したパッケージ１Ｂと図３の鎖線Ｂ’−Ｂで切断した実装ボード１１Ｂとを接続した実装体１０Ｂの電極接合構造を表す断面図である。
図４の断面図における補強バンプ７Ｆがパッケージ１Ｂの外周縁部へシフトされているため、補強バンプ７Ｆと信号バンプ７Ｓとの間隙ｇは補強バンプ７Ｆ間の間隙よりも広く形成される。その結果、各信号バンプの絶縁耐力は図２の実装体１０Ａよりも向上できる。
【００３０】
以上のＢＧＡ実装体１０Ｂを、上述の実装体１０Ａと同一の条件でバーンイン繰り返し熱サイクル、落下衝撃テストに掛けて電極リフロー接合部８Ｒを接合評価した結果、接合破壊は全く起こらないことが検証された。例えば、落下衝撃によって実装ボード１１Ｂに撓みを生じさせた場合でも、コーナ当たり４個の補強バンプ７Ｆが狭ピッチで配設されて、かつ実装体１０Ａよりも更に外周縁側にシフトした位置に配置されているため、信号電極周辺の実装ボード１１Ｂの変位量を更に効果的に抑制できることが検証された。
パッケージ１Ｂは、パッケージ１Ａと同様に各コーナ部に４個の補強バンプ７Ｆを有し、同様に狭ピッチに形成されながら補強バンプ７Ｆと信号バンプ７Ｓ間の間隙ｇはパッケージ１Ａよりも拡大できるので絶縁耐力が向上できる。
換言すると電子部品パッケージの多ピン化、高密度化とともにＢＧＡバンプピッチの微細化が進行しても充分に適用できる。更に補強バンプ７Ｆがパッケージ外周縁側にシフトした位置に配設されていることで、外力が加わった場合のパッケージ１Ｂの変形をより効果的に抑制することができることを特徴とするものである。以上説明した図２のＢＧＡ実装体１０Ｂにおいても、従来の実装体１００で必須とされたアンダーフィル９の作業を完全に無くすることができた。
【００３１】
実施の形態３．
図５はこの発明の実施の形態３によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表し、図６は図５パッケージと図５の実装ボードとを接続した実装体の電極接合構造を表す断面図である。また図７はこの発明の実施の形態３による他の例のパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。なお実施の形態１〜２による上述の図１〜図４と同一または相当部分の符号は説明を省略し、以下実施の形態３による関連部分のみ説明する。
【００３２】
図５のパッド配置平面図において、この実施の形態による実装ボード１１Ｃは各コーナ部にＸ字形パターンの補強パッド１２Ｆが配設される。実装ボード１１Ｃのパッド配置はパッケージ１Ｂ側の各バンプの中心位置と一致するように、Ｘ字形パターンの中心は、図中、パッド配列の外周部の信号用パッド１２Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲される４角形領域（最外周のバンプ中心間距離１２Ｌ）の頂点（角部）付近に位置して、Ｘ字形状の補強パッド１２Ｆの面積は信号パッド１２Ｓの４倍以上になるように一体的に連結される。その後、Ｘ字形状補強パッド１２Ｆの表面にＰｂ−Ｓｎからなるクリーム半田が被覆されて、電気的に非接続のダミー、接地または電源電位に接続されることなど、その他の補強パッドとしての仕様は実装ボード１１Ｂと同様である。
一方実装ボード１１Ｃの各信号パッド１２Ｓも、信号パッドとしての仕様は上述図３の実装ボード１１Ｂにおける各信号パッド１２Ｓと同じである。これらが実装ボード１１Ｃの接続端子パッド１２を構成する。
【００３３】
図６は、図５の鎖線Ｂ−Ｂ’で切断したパッケージ１Ｂと図５の鎖線Ｃ’−Ｃで切断した実装ボード１１Ｃを接続した実装体１０Ｃの電極接合構造を表す断面図である。
図６の断面図を参照して、図５のパッケージ１Ｂの信号バンプ７Ｓと補強バンプ７Ｆ、および実装ボード１１Ｃの信号パッド１２ＳとＸ字形状の補強パッド１２Ｆを含む実装体１０Ｃの電極接合構造を説明する。
図６において、上述パッケージ１Ｂの半田バンプ７からなる外部電極を、実装ボード１１Ｃ主面にクリーム半田が被覆された接続端子パッド１２上にフェイスダウンに載置する。この時、パッケージ１Ｂの信号バンプ７Ｓと補強バンプ７Ｆに共通の半田ボール６から形成された各コーナ部の４個の補強バンプ７Ｆが実装ボード１１Ｃの各コーナ部のＸ字形状の補強パッド１２Ｆ上に載置される。
そして、リフロー炉内で半田バンプ７を再溶融することで、パッケージ１Ｂの信号バンプ７Ｓと信号パッド１２Ｓの各々が独立してリフロー半田付けされて、リフロー電極接合部８ｒ（パッケージ側）と８Ｒ（実装ボード側）とでほぼ同一形状が得られる。これに対してコーナ当たり４個の補強バンプ７Ｆと一体化連結されてたＸ字形状の補強パッド１２Ｆとがリフロー半田付けされることで、リフロー電極接合部８ｒ（パッケージ側）と８Ｒ（実装ボード側）とで異なる形状が得られる。なおリフロー半田付け後の半田バンプ７断面の側面形状を、図６では図２、図４に倣って中央部が膨らんだ「樽型」に描いたが、中央部が凹んだ「鼓形」を構成し易い特徴がある。
【００３４】
実施の形態３による実装体１０Ｃは、実装体１０Ｂと同様にコーナ部に狭ピッチに配置され信号バンプ７Ｓと同一の半田ボール６から形成された４個の分離独立形の補強バンプ７Ｆを用いながら、実装ボード１１Ｃの補強パッド１２Ｆを４電極分の大形サイズ１個にすることで、４個の補強バンプ７Ｆと大形補強パッド１２Ｆの界面をリフロー電極接合部８Ｒで一体化する。
また図６の断面図中に見られるように、パッケージ１Ｂの補強パッド２Ｆ端部と補強バンプ７Ｆとのリフロー電極接合部８ｒには「Ｕ字状の谷部」が形成され、パッケージ１Ｂコーナ部の４個の補強パッド２Ｆと４個のバンプ７Ｆ間をも一体化する。このＵ字状の谷部の形状は実装ボード１１Ｃ上のクリーム半田の被覆量によって調整することができる。
以上実装体１０Ｃは、パッケージ１Ｂ各コーナ部４個の補強パッド２Ｆと実装ボード１１Ｃ各コーナ部にＸ字形連結パターンの大形補強パッド１２Ｆとがリフロー接合後に１個の大きな電極となるように一体化することで、接合面積が４倍になり接合強度を上述の実装体１０Ｂよりも更に向上できることとを特徴とするものである。
【００３５】
次に図７は、この発明の実施の形態３による他の例の、パッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
図７の平面図でこの実施の形態による実装ボード１１Ｄのパッド配置の構成を説明する。実装ボード１１Ｄでは、上述の実装ボード１１Ｃにおける各コーナ部の４電極分のＸ字形状の補強パッド１２Ｆに代えて、図７に示される各コーナ部に大円形パターンの補強パッド１２Ｆが配設される。大円形パターンの中心は、図中、パッド配列の外周部の信号用パッド１２Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲される４角形領域（最外周列・最外周行のパッド中心間距離１２Ｌ）の頂点（角部）よりも外周縁側に、図示水平及び垂直方向に、距離ｐ’だけシフトして配設され、大円形パターン補強パッド１３Ｆの面積は信号パッド１２Ｓの４倍以上となるように形成される。
【００３６】
図７のパッケージ１Ｂと実装ボード１１Ｄとを接続した実装体の電極接合構造を図６を参照して説明する。図６は、図７の鎖線Ｂ−Ｂ’で切断したパッケージ１Ｂと、鎖線Ｄ−Ｄ’で切断した実装ボード１１Ｄとを接続した実装体１０Ｄの電極接合構造を表す断面図としても適用できる。
実装体１０Ｄは、パッケージ１Ｂの補強バンプ７Ｆの独立４個と一致する位置に大円形パターンの補強パッド１２Ｆを形成することで、補強バンプ７Ｆの４個と大形補強パッド１２Ｆの接合界面を４個分の接合部をもつ電極接合部８Ｒで一体化する。また独立４個の補強パッド２Ｆ間に「Ｕ字状の谷部」を形成して４個の補強バンプ７Ｆ間をも一体化するので、接合面積が４倍になり接合強度度を上述の実装体１０Ｃと同様に向上できる。
また更に、大円形パターンの補強パッド１２Ｆがパッケージのコーナ頂点方向にｐ’だけ外周縁側にシフトした位置に配設されていることで、外力が加わった場合の実装ボードの変形を上述の実装体１０Ａ、１０Ｂよりも更に効果的に抑制できることを特徴とするものである。
以上説明したように、実施の形態３による実装体１０Ｃと１０Ｄは、パッケージ１Ｂ各コーナ部４個の補強パッドと実装ボード各コーナ部１個の大形パターン補強パッドとがリフロー接合後に１個の大きな接合電極となるように一体化することで、電極接合面積が４倍以上になり接合強度を上述の実装体１０Ａ、１０Ｂよりも更に向上できることを特徴とするものである。
【００３７】
実施の形態４．
図８はこの発明の実施の形態４によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。図９は、図８のパッケージと実装ボードを含む実装体の電極接合構造を表す断面図である。ここでは上述の図６の実装体１０Ｄとの相違点を説明する。
【００３８】
図８の平面図において、パッケージ１Ｅの各コーナの大円形補強バンプ７Ｆは、上述のパッケージ１Ｂ（図３、図５、図７）の各コーナの独立４個の補強バンプ７Ｆを代替えしたものである。すなわち通常バンプ４個分の面積をもつ大円形の補強バンプ７Ｆの中心は、図中、外周部の信号用パッド７Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲される４角形領域（最外周のバンプ中心間距離２Ｌ）の頂点（角部）に配設される。
一方、図８の実装ボード１１Ｄの各コーナの大円形補強パッド１２Ｆは、上述図７と同じもので、通常パッド４個分以上の面積をもつ大円形パターンの中心は、図中、外周部の信号用パッド７Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲される４角形領域（最外周のバンプ中心間距離１２Ｌ）の頂点（角部）よりも更に外周縁側に、図示水平方向および垂直方向へ、距離ｐ’だけシフトして配設されている。
従って切断線の符号ＥとＤ、およびＥ’とＤ’とが各々対向するようにして、パッケージ１Ｅの大円形補強バンプ７Ｆを実装ボード１１Ｄの大円形パターン補強パッド１２Ｆに搭載する時は、補強バンプ７Ｆ外周端よりも補強パッド１２Ｆ外周端の方がより一層コーナ外周縁方向へシフトした位置に配置される。
なおこの場合大円形補強バンプ７Ｆは、通常のクリーム半田印刷法または半田メッキ法または半田ボール移載法で形成される。
【００３９】
図９は、図８の鎖線Ｅ−Ｅ’で切断したパッケージ１Ｅと図８の鎖線Ｄ’−Ｄで切断した実装ボード１１Ｄとを接続した実装体１０Ｅの電極接合構造を表す断面図である。
図９の断面図を参照して、図８のパッケージ１Ｅと実装ボード１１Ｄとを接続した実装体１０Ｅは、大円形の電極同志を接合することで接合面積が４倍以上になり、接合強度度を向上できるとともに、電極接合構造として次の特徴をもっている。
大円形の補強バンプ７Ｆの外周端部がコーナ頂点方向にシフトしたパッケージ１Ｅを用いながら、それよりも一層コーナ外周縁方向にシフトした大円形の補強パッド１２Ｆをもつ実装ボード１１Ｄに接合することで、図９の断面図中に見られるように、パッケージ補強バンプと実装ボード補強パッドとのリフロー接合部の外周縁側の接合フィレット形状８Ｒを緩やかな連続曲面状に一体化できる。
以上説明した図８、図９で表す実装体１０Ｅにおいても、実装ボードに外力が加わった場合の実装ボードの変形を上述の実装体１０Ｄと同様に一層効果的に抑制できて、従来の実装体１００で必須とされたアンダーフィル９の作業を完全に無くすることができた。
【００４０】
実施の形態５．
図１０はこの発明の実施の形態５によるパッケージ１Ｆのバンプ配置と実装ボード１１Ｆのパッド配置を表す平面図で、その実装体１０Ｆの電極接合構造を表す断面図は上述図４に示される。また図１１はパッケージ１Ｆのバンプ配置と実装ボード１１Ｇのパッド配置を表す平面図で、実装体１０Ｇの電極接合構造を表す断面図は上述図６に示される。
【００４１】
図１０はこの発明の実施の形態５によるパッケージ１Ｆのバンプ配置と実装ボード１１Ｆのパッド配置を表す平面図で、その実装体１０Ｆの電極接合構造を表す断面図は上述図４に示される。
図１０を参照して、この実施の形態のパッケージ１Ｆのバンプ配置が上述の図１のパッケージ１Ａと異なるところを説明する。図１０中、外周部の信号用パッド７Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲される４角形のバンプ形成領域（最外周のバンプ中心間距離２Ｌ）において、各頂点（角部）上の補強バンプ７Ｆの１個は図１の１個と同じであるが、残る３個の補強バンプ７Ｆは、図１では隣接する信号バンプ７Ｓが占めていた座席領域を補強バンプ７Ｆに転用したものである。その上でこの３個の補強バンプ７Ｆを角部（頂点）上の補強バンプ７Ｆに接近させて、信号バンプ間ピッチＰに対して狭ピッチｐ’として（ｐ’＜Ｐ）、各コーナ部１Ｋに４個づつ分離独立して配設した点が上述の図１と異なる。
図１０において、この実施の形態の実装ボード１１Ｆのパッド配置もパッケージ１Ｆのバンプ配置と同様に補強パッド１２Ｆは４個の独立形である。
【００４２】
この実施の形態５によるパッケージ１Ｆと実装ボード１１Ｆとを接続した実装体の電極接合構造を図４を援用して説明する。
パッケージ１Ｆと実装ボード１１Ｆからなる実装体１０Ｆの電極接合構造は図４の断面図に示されるように、信号バンプ７Ｓが占めていた座席領域を転用した補強バンプ７Ｆがパッケージ１Ｆの外周縁部へシフト配置されているため、補強バンプ７Ｆと隣接の信号バンプ７Ｓとの間隙ｇは補強バンプ７Ｆ間の間隙よりも広く形成される。
【００４３】
次に、図１１はこの実施の形態による他の例の、パッケージと実装ボードとを示す平面図である。
図１１のこの実施の形態による実装ボード１１Ｇの補強パッド１２Ｆは、上述の実装ボード１１Ｆの４個の独立形パッド１２Ｆに代えて、それら４個と同じ位置に１個の４角形パターンの大形補強パッド１２Ｆが配設される。４角形パターンの中心位置もそれら補強バンプ４個分の面積重心の位置と同じである。
但し、図８の実装ボード１１Ｄの大円形補強パッドの事例と同様に、独立形パッド４個分以上の面積をもつ４角形パターン１２Ｆの中心位置を図１１で示されている位置よりも更に外周縁側に所要の距離だけシフト配設されてもよい。
図１１のパッケージ１Ｆのバンプ配置は図１０パッケージ１Ｆと同じである。
【００４４】
この実施の形態によるパッケージ１Ｆと実装ボード１１Ｇとを接続した実装体１０Ｇの電極接合構造を、図６の断面図を援用して説明する。
パッケージ１Ｆと実装ボード１１Ｇからなる実装体１０Ｇの電極接合構造は、図６の断面図を参照して、パッケージ１Ｆの補強パッド２Ｆ端部と補強バンプ７Ｆとのリフロー電極接合部８ｒには「Ｕ字状の谷部」が形成され、パッケージ１Ｆコーナ部の４個の補強パッド２Ｆと４個のバンプ７Ｆ間をも一体化するため、コーナ部の機械的強度を向上できる。
【００４５】
補強バンプ７Ｆと隣接する信号バンプ７Ｓとの間隙は図１、図３の場合より広くなって、その結果各信号バンプの絶縁耐力は図２、図４の実装体１０Ａ、１０Ｂよりも向上できる。以上のようにコーナ当たり３個づつ信号バンプからの転用を許容することで、各補強バンプ４個を独立させて信号バンプよりも狭ピッチの配置が可能になるため、補強電極接合面積を４倍以上に増加できる。今後一層実装の高密度化が進展しても信号バンプの絶縁耐力を確保しつつコーナ部の機械的強度を向上できることを特徴とするものである。
【００４６】
実施の形態６．
図１２はこの発明の実施の形態６による実装ボードのパッド配置を表す平面である。図１３は、上述図２４のパッケージ１Ｊと図１２の実装ボードを含む実装体の電極接合構造を表す断面図である。以下に上述図２４のパッケージ１Ｊを含む従来例の実装体１００との相違点を説明する。
【００４７】
図１２はこの実施の形態による実装ボード１１Ｈのパッド配置を表す平面である。  図１２において、実装ボード１１Ｈは各コーナ部にほぼＴ字形状パターンの補強パッド１２Ｆが配設される。補強パッド１２Ｆの配置は、従来のパッケージ１Ｊ側の３個のバンプ中心位置と一致するように、図１２のＴ字形状を連結する３つの接続パターンの中心が、図中、外周部の信号用パッド１２Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲される４角形のバンプ形成領域（最外周のバンプ中心間距離１２Ｌ）のほぼ頂点部（角部）に位置して、かつＴ字形状の補強パッド１２Ｆの面積が信号パッド１２Ｓの４倍になるように形成される。
すなわち補強パッド１２Ｆは、実装ボード１１Ｈの最外周の３個のパッドを接続パターンによってパッド連結してほぼＴ字形状に一体化することで、パッド面積を通常パッドの４倍としたものである。後に４パッド分の面積をもつ補強パッド１２Ｆに被覆されるクリーム半田を介して、従来のパッケージ１Ｊ最外周列の３個の半田バンプと接合されてＴ字形状電極を構成する。
【００４８】
図１３は、上述図２４のパッケージ１Ｊと図１２の実装ボード１１Ｈとを接続した実装体１０Ｈの電極接合構造を表す断面図である。
図１３の断面図を参照して、図２４の鎖線Ａ−Ａ’で切断したパッケージ１Ｊの信号バンプ７Ｓと補強バンプ７Ｆ、および図１２の鎖線Ｈ’−Ｈで切断した実装ボード１１Ｈの信号パッド１２ＳとＴ字形状の補強パッド１２Ｆとを含むＢＧＡ実装体１０Ｈの電極接合構造を説明する。
図１３において、上述のパッケージ１Ｊの半田バンプ７からなる外部電極を実装ボード１１Ｈの主面の接続端子パッド１２上にフェイスダウンに載置する。この時、パッケージ１Ｊの信号バンプと補強バンプに共通の半田ボール６から形成された最外周コーナ部のバンプ７の３個が補強バンプ７Ｆに転用されて実装ボード１１Ｈの各コーナ部のＴ字形状の補強パッド１２Ｆ上に載置される。
パッケージ１Ｊと比べると、コーナ当たり２個づつ信号バンプからの転用を許容するので、従って信号バンプ７Ｓの有効個数は図２４よりも８個減少する。
そして、リフロー炉内で半田バンプ７を再溶融することで、パッケージ１Ｊの信号バンプ７Ｓと実装ボード１１Ｈの信号パッド１２Ｓの各々がリフロー半田付けされる。また同時に、信号バンプ７Ｓと同一の半田ボールから形成されたパッケージ１Ｊの各コーナ当たり３個の補強バンプ７Ｆと実装ボード１１Ｈのパッド連結したＴ字形状の補強パッド１２Ｆとがリフロー半田付けされることで、信号バンプ７Ｓと信号パッド１２Ｓおよび補強バンプ７Ｆと補強パッド１２Ｆとの異なるリフロー電極接合部８ＲをもつＢＧＡ実装体１０Ｈが構成される。
【００４９】
実施の形態６による実装体１０Ｈは、実装体１００と同様に等ピッチに配置され信号バンプ７Ｓと同一の半田ボール６から形成された３個の分離独立形の補強バンプ７Ｆを用いながら、実装ボード１１Ｈの補強パッド１２Ｆを４電極分のＴ字大形サイズ１個に連結することで、補強バンプ７Ｆと大形補強パッド１２Ｆの界面をリフロー電極接合部８Ｒで一体化するとともに、図１３の断面図中に見られるように、パッケージ１Ｊのコーナ当たり３個の補強パッド２Ｆ間に「Ｕ字状の谷部」を形成して３個の補強バンプ７Ｆ間をも一体化する。接合面積が４倍になり接合強度を上述の実装体１００よりも格段に向上できることを特徴とするものである。以上のように図１２、図１３で説明した実装体１０Ｈにおいても、従来の実装体１００で必須とされたアンダーフィル９の作業を完全に無くすることができた。
【００５０】
実施の形態７．
図１４はこの発明の実施の形態７による実装ボードのパッド配置を表す平面である。図１５は、上述図２４のパッケージ１Ｊとこの実施の形態の実装ボードとを接続した実装体の電極接合構造を表す断面図である。また図１６は、パッケージの補強バンプと実装ボードの補強パッドの接合フィレット形状を説明するための断面図である。以下、上述の図２５の実装ボード１１Ｊを含む従来例の実装体１００との相違点を説明する。
【００５１】
図１４はこの実施の形態による実装ボード１１Ｍおよび１１Ｎのパッド配置を表す平面である。図１４のパッド配置図において、実装ボード１１Ｍは、各コーナ部に円形状パターンの補強パッド１２Ｆが配設される。円形状補強パッドの中心位置は、図中、外周部の信号用パッド１２Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲される４角形のバンプ形成領域（最外周のバンプ中心間距離１２Ｌ）の頂点部（角部）に配置してパッケージ１Ｊ側の各バンプの中心位置と一致させるものの、円形状補強パッド１２Ｆの面積がバンプ面積の３倍になるように形成される。すなわちパッケージ１Ｊの通常サイズの円形状補強バンプ２Ｆを実装ボード１１Ｍの円形状補強パッド１２Ｆに搭載した場合に、パッケージ１Ｊのバンプ直結の円形状パッド２Ｆの端部よりも実装ボード１１Ｍ側の円形状補強パッド１２Ｆの端部の方がより外側にシフト配置するように構成する。なお、補強パッド１２Ｆは、その中心を図示破線のバンプ形成領域の頂点部（角部）から外側にシフトさせてもよい。
【００５２】
また図１４において、他の実装ボード１１Ｎは、補強パッド１２Ｆの形状を円形状に代えて扇形状としたもので、図中、外周部の信号用パッド１２Ｓ上の延長線（図中の破線）で包囲される４角形のバンプ形成領域（最外周のバンプ中心間距離２Ｌ）の各頂点（角部）において、補強パッド１２Ｆの面積がバンプ形成領域内では小さくし、バンプ形成領域の外側へ大きく広がるように工夫された扇形状補強パッドである。
【００５３】
図１５は、上述図２４のパッケージ１Ｊと図１４の実装ボード１１Ｍを含む実装体１０Ｍ、およびパッケージ１Ｊと図１４の実装ボード１１Ｎを含む実装体１０Ｎの電極接合構造を表す断面図である。
図１５の断面図を参照して、図２４の鎖線Ａ−Ａ’で切断したパッケージ１Ｊの半田バンプ７からなる外部電極を図１４の鎖線Ｍ’−Ｍで切断した実装ボード１１Ｍ主面の接続端子パッド１２上にフェイスダウンに載置する。そして、リフロー炉内で半田バンプ７を再溶融することで、パッケージ１Ｊの信号バンプ７Ｓと実装ボード１１Ｍの信号パッド１２Ｓの各々がリフロー半田付けされる。また同時に、信号バンプ７Ｓと同一の半田ボールから形成されたパッケージ１Ｊの各コーナ当たり１個の通常サイズの円形補強バンプ７Ｆと実装ボード１１Ｍの３倍の面積をもつ円形状補強パッド１２Ｆとがリフロー半田付けされる。
パッケージ１Ｊ側の円形状パッド２Ｆの端部よりも実装ボード１１Ｍ側の円形状補強パッド１２Ｆの端部の方がより外側にシフト配置するように構成されているため、図１５に示されるように、補強バンプ７Ｆと実装ボード補強パッド１２Ｆとのリフロー接合部８Ｒにおいて、外周縁側の接合フィレット形状を緩やかな連続曲線状とすることができる。
【００５４】
図１６（ａ）は、この実施の形態によるパッケージ１Ｊの補強バンプと実装ボード１１Ｎの補強パッドの接合フィレット形状を示す断面図である。
図１５のパッケージ補強バンプ７Ｆと実装ボード補強パッド１２Ｆとの外周縁側リフロー接合部８Ｒにおいて、接合フィレット形状を緩やかな連続曲線状とするには、図１６（ａ）に示す接合フィレット角度αを９０度よりも小さくすることが望ましい。接合フィレット角度αを鋭角にすればする程、連続曲線をより一層なだらかに形成することができる。
この実施の形態７による円形状補強パッドと扇形状補強パッドは、バンプとの面積比が３倍であるいわば中形補強パッドでありながら、バンプとの面積比が４倍である実施の形態１〜６による大形補強パッドと同様な電極接合強度を得ることができる。特に扇形状補強パッドでは、補強パッドの外周縁側だけでなく補強パッドの内周側においても接合フィレット角度αを９０度よりも小さくすることができる。
【００５５】
この実施の形態７による実装体１０Ｍ、１０Ｎは、従来の実装体１００と同様に等ピッチに配置され信号バンプと同一の半田ボールから形成された１個の分離独立形の補強バンプを用いながら、補強バンプ７Ｆと補強パッド１２Ｆとのリフロー電極接合部８Ｒの接合フィレットの形状をなだらかな連続曲線状に形成できる。
以上のように円形状補強パッドと扇形状補強パッドの事例で示される実装体１０Ｍと１０Ｈにおいても、外力が加わった場合の実装ボードの変形を一層効果的に抑制できて、従来の実装体１００で必須とされたアンダーフィル９の作業を完全に無くすることができた。
【００５６】
なお、図１６（ｂ）は、この発明のいくつかの実施の形態による電極接合部の接合フィレット形状を表す断面図である。
実施の形態３、５および６で上述の実装体１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｇ（図６）および１０Ｈ（図１３）において、狭ピッチまたは通常ピッチで半田ボール４個の分離独立形の補強バンプ７Ｆをもつパッケージを、複数連結または単独で３〜４電極分以上の大形サイズ補強パッド１２Ｆをもつ実装ボードに搭載してなる実装体のリフロー電極接合部は、パッケージ補強パッド２Ｆ端部と補強バンプ７Ｆとの接合部８ｒに「Ｕ字状の谷部」が形成され、パッケージコーナ部の４個の補強パッド２Ｆと４個のバンプ７Ｆ間が一体化する。
図１６（ｂ）に示すように、このＵ字状谷部の接合部８ｒのフィレット形状は実装ボード上のクリーム半田の被覆量を調整することによって、フィレット角度αが小さくて緩やかな連続曲線状を得ることができる。  また電極接合部を従来例の図２５に倣って中央部が膨らんだ「樽型」に描いた事例を主体に述べてきたが、クリーム半田の被覆量を調整することによって、図１６（ｂ）に示すように中央部が凹んだ「鼓形」に形成することもできる。
【００５７】
実施の形態８．
図１７は、この発明の実施の形態８によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。また図１８は、補強電極部の接合構造を示す断面図、図１９は信号電極部の接合構造を示す断面図である。また、図２０（ａ）は比較のために示す他の例の信号電極部の接合構造を示す断面図である。さらに図２１は実装体に関する静荷重繰返し曲げ試験方法を説明する斜視図、図２２は落下衝撃試験法を含む比較評価試験結果を説明する比較図である。以下に実施の形態８の詳細を述べる。
【００５８】
図１７は、この発明の実施の形態８によるパッケージ１Ｔのバンプ配置と実装ボード１１Ｔのパッド配置を表す平面図である。
図１７を参照して、パッケージ１Ｔは、コーナ部に狭ピッチｐ’で独立の４個の補強バンプ７Ｆを配置している。実装ボード１１Ｔは、コーナ部に大型の４角形単一の補強パッド１２Ｆを配置している。そして、パッケージ１Ｔの４個の補強バンプ７Ｆと実装ボード１１Ｔの大型の４角形単一の補強パッド１２Ｆとを連結接合することで３次元的に柔剛性が優れた補強電極が構成され、実装体１０Ｔを形成する。
図中、パッケージ１Ｔの外周部の信号用パッド７Ｓ上の延長線で包囲される４角形のバンプ形成領域の各角部において、バンプ４座席分を補強バンプ設定領域として、コーナ当たり４個のバンプ座席を補強バンプ７Ｆ用に割り当てることで、柔軟性をもつ狭ピッチで独立の複数バンプ７Ｆを大きな機械強度をもつ単一パッド１２Ｆに接合し、特に衝撃強度が優れたＢＧＡ／ＣＳＰ実装体を面積効率よく小形化できることを特徴とするものである。
【００５９】
図１７の構成が、平面図上で実施の形態５による図１１の実装体１０Ｇを構成するパッケージ１Ｆと実装ボード１１Ｇと異なる点は、信号バンプ７Ｓ用の座席数の違いだけである（図１７では２４０個、図１１では４８個）。実施の形態１〜７では図示の便宜上から電極アレイが８行８列に配列された事例を述べてきたが、図１７の平面では電子製品の実用レベルである１６行１６列に構成した事例が開示されている。
従って補強電極については、両者ともに補強電極座席数１６個、ＢＧＡ各コーナ４個分の補強バンプ７Ｆと大形４角形補強パッド１２Ｆの形状、ピッチｐ’、配置なども全て同じである。
【００６０】
次にこの実施の形態の実装体における電極部の接合構造について、他の例と比較して詳細に説明する。
図１８はこの発明の実施の形態８による実装体１０Ｔの補強パッドの電極部の接合構造を示す図、図１９は実装体１０の信号パッドの電極部の接合構造を示す図、図２０は比較のために示すこの実施の形態による他の実装体の信号パッドの電極部の接合構造を示す図である。
まず、図１８は、この実施の形態による実装体１０Ｔの補強電極部の接合構造とソルダーレジストを示す断面図である。
図１８（ａ）に示す補強電極部のリフロー接合前の断面図を参照して、１３Ｆは実装ボード１１Ｔ（および１１Ｔ’）の各補強パッド１２Ｆ周縁部上面に被さるように装着されたソルダーレジストを表す（パッケージ１Ｔ側には装着されない）。補強パッド用ソルダーレジスト１３Ｆは、例えば実装ボード１１Ｔと同様のガラスエポキシ樹脂から形成される。補強パッド用ソルダーレジスト１３Ｆは、ほぼ４角形状の開口の内壁面が順テーパ状に断面図の上方に拡がるように構成されている。このソルダーレジスト１３Ｆの開口の内壁面とパッド１２Ｆ上面とで構成される凹部に、自動機によってクリーム半田が予め塗布または被着された後、パッケージ１Ｔ側の半田ボ−ル６が移載機によってソルダーレジスト１３Ｆの開口の順テーパの内壁面と接触するようにフェイスダウンに載置される。
【００６１】
次に図１８（ｂ）に示す補強電極部のリフロー接合後の断面図を参照して、図１６などで説明したのと同様にクリーム半田量を調整するなどの手段によって、補強バンプ７Ｆは中央部が凹んだ「鼓形」となり、パッケージ側の複数パッド２Ｆ間には「Ｕ字状谷部」８ｒが構成される。これらは接合フィレット角αが９０度よりも小さな鋭角であるため、従って応力集中し難く破壊し難い接合境界が得られる。
以上のように、狭ピッチで独立の複数のパッド２Ｆ上のバンプが溶融して柔軟性に富む「Ｕ字状谷部」８ｒを形成しつつ剛性が強い大形単一パッド１２Ｆの表面に一体的に連結接合されるので、３次元的に柔剛性が優れた接合電極を構成できることを特徴とするものである。
また、実装ボードのパッドにソルダーレジストとクリーム半田が予め装・被着されていることで、バンプとパッド間の接合フィレット角度を応力集中し難い鋭角状に高精度に形成できるものである。
【００６２】
次に、図１９は、この実施の形態による実装体１０Ｔの信号パッドの電極部接合構造とソルダーレジストを表す断面図である。
図１９（ａ）に示す信号電極部のリフロー接合後の断面図を参照して、１３Ｓは実装ボード１１Ｔの各信号パッド１２Ｓの周縁部上面に被さるように形成されたソルダーレジストを表す。信号パッド用ソルダーレジスト１３Ｓの円形状開口の内壁面は、順テーパ状に断面図の上方に拡がるように構成されている。このソルダーレジスト１３Ｓの開口の内壁面とパッド１２Ｓの上面とで構成される凹部に、自動機によってクリーム半田が予め塗布または被着された後、パッケージ１Ｔ側の半田ボ−ル６が載置されてリフローされる。図１８（ａ）における補強パッド用ソルダーレジストとは形状・寸法が異なることで、ＢＧＡの補強用と信号用の全ての電極接合の平坦性が高精度で得られる。
リフロー接合バンプ７Ｓの表面は、ソルダーレジスト１３Ｓの内壁面のほぼ全周と接触するように「樽状」の半田電極が形成される。フェイスダウンに載置されたパッケージ１Ｔの信号バンプ７Ｓは、実装ボード１１Ｔの信号パッド１２Ｓ上面にリフロー接合された際、接合フィレット角αが９０度よりも大きな鈍角になるため、接合境界に応力集中し易くまた破壊し易い構造を呈している。
【００６３】
なお、図１９（ｂ）の信号電極部の接合断面を現わす図において、８Ｘは接合クラックが最も発生し易い位置が接合境界部であり、かつ接合表面から接合内部へ向かって破壊が進行することを表している。接合クラック８Ｘは信号パッド１２Ｓの接合境界部で発生する確率の高いことが、後述の静荷重繰返し曲げ試験および落下衝撃試験によって確認されている。
【００６４】
図２０は、比較のために示すこの実施の形態による他の実装体の信号電極部の接合構造とソルダーレジストを表す断面図である。
図２０（ａ）のおいて、実装ボード１１Ｔ’の改良形ソルダーレジスト１３Ｔ’は、その開口の内壁面が信号パッド１２Ｓの周縁端部の表面に被さらないまたは接触しないように構成することを特徴とするものである。より好ましくはソルダーレジスト１３Ｔ’の内壁面と信号パッド１２Ｓの周縁の側壁面との間に適切な間隙ｇを有するように形成される。
【００６５】
ソルダーレジスト構造を図２０（ａ）のように、ソルダーレジスト１３Ｔ’が実装ボード１１Ｔ’のパッド１２Ｓに直接接触しない形状に構成することで、電極接合面積をパッド１２Ｓの上面の全面に拡大されるだけでなく周縁の側壁面にも拡大できて、接合強度を向上できる効果が得られる。
【００６６】
次に図２０（ｂ）（ｃ）を参照して、信号用・補強用を問わずに電極部ソルダーレジストなどの他の改良事例を説明する。
まず図２０（ｂ）において、１２は図２０（ａ）のパッド１２Ｓと同じ円板状のパッド、１３は開口の内壁面が断面図の上方に向かって狭まる逆テーパ状のソルダーレジスト、αはパッド１２の上面に対する接合フィレット角であり、かつαはパッド１２の上面とソルダーレジスト１３の内壁面との挟角αである。すなわち、パッド１２とソルダーレジスト１３との挟角αと一致する接合フィレット角αが形成されることを特徴とするものである。接合フィレット角αがパッド１２とソルダーレジスト１３との挟角αによって規制できるために、バンプ７は中央部が凹んだ「鼓形」を形成し易くなる特徴も得られる。従って応力集中し難く・破壊し難い接合境界を構成できる効果が得られる。
【００６７】
次に図２０（ｃ）において、パッド１２は円板の側面が上方に向かって狭まる「台形」に形成されている。ソルダーレジスト１３は、開口の内壁面が断面図の上方に狭まる逆テーパ状に形成され、垂直部の内壁面をもたないので、従ってパッド１２とソルダーレジストとの挟角αは実装ボード１１の上面から発生する点で図２０（ｂ）のソルダーレジスト１３とは異なっている。そして「台形」パッド１２のテーパ側面とソルダーレジスト１３の内壁面との挟角αが図２０（ｂ）における挟角αよりも一層小さく構成できることを特徴とするものである。
また、バンプ７の接合フィレットとの接触長が長くとれるように、ソルダーレジスト１３は台形状のパッド１２の上面よりも上方に高く突き出る構造になっている。接合フィレット角αがパッド１２とソルダーレジスト１３との挟角αによって規制でき、かつ接合フィレット先端の長さをより長くできるために、バンプ７は中央部が凹んだ「鼓形」を一層形成し易くなるばかりでなくて、適切な物性値を有するレジスト材料を使用することで、リフロー接合後のバンプ７とパッド１２の接合部に対して圧縮応力を加えることができる特徴も得られる。例えば絶縁性の形状記憶材料や熱膨張率温度特性の特殊な材料を選択することによって接合部に圧縮応力を加えることができる。
従って図２０（ｃ）の構成によれば図２０（ｂ）よりも、接合フィレット角αがより小さくできて、バンプ７の接合面積が拡大できるとともに、接合部に圧縮応力を加え易いことを特徴とするものである。
【００６８】
更に図２０（ｃ）の変形例を説明する。まず台形状のパッド１２に代えて、図示はされないが、周縁の外壁面から上面の全面をなだらかな凸状のラウンド曲面をもつ凸レンズ状に形成することによっても、パッド１２に対する接合フィレット角αが力学的に適切な鋭角に規制することが可能になる。パッド１２の上面を凸レンズ状曲面に形成することで、パッド１２に対する接合フィレット角αを限りなく０度に近い鋭角に構成できるため、極めて応力集中し難くまた破壊し難い接合境界が得られることを特徴とするものである。更にまたパッド１２を凸 レンズ状曲面に形成することで、リフロー接合後のバンプ７は中央部が凹んだ「鼓形」を形成し易くなるという相乗効果が得られる。
【００６９】
また更に図２０（ｃ）において、台形状のパッド上面の全面と外壁面に、例えばサンドブラスト法によって梨地面または粗面を施すことで接合面のアンカー効果を高めることが更に望ましい。アンカー効果をもつ梨地面または粗面化加工面が形成された実装ボードのパッドによって、密着力が強く亀裂破壊が発生し難い接合境界面を構成できる効果が得られる。
【００７０】
以上説明したように、実装ボードのパッドの電極接合部において、パッドとソルダーレジストとクリーム半田の３者の材料・形状・寸法・構造を組み合わせることで、ＢＧＡ上の補強用と信号用の全ての電極接合の平坦性が高精度で得られる。また、実装ボードのパッド上の接合フィレット表面に亀裂破壊が発生し難い接合境界面を形成できる効果を奏する。
【００７１】
次に、この実施の形態の実装体１０Ｔにおける電極部の接合強度に関する検証について他の実装体と比較して説明する。各供試グループの仕様は次の（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の通りである。
（Ｉ）供試グループＩの実装体１０Ｔは、補強バンプ７Ｆが図１８で説明したものであり、信号バンプ７Ｓが図１９（ａ）で説明したものである。
（ＩＩ）供試グループＩＩの実装体１０Ｔ’は、実装体１０Ｔと同じく図１７に示される構造であって、補強バンプ７Ｆが実装体１０Ｔと同じく図１８で説明したものであり、信号バンプ７Ｓが図２０（ａ）で説明したものである。
（ＩＩＩ）試験比較用の供試グループＩＩＩの従来の実装体１００は、全てのバンプ７が図１９（ａ）に示した形状をもつものである。なお、実装体１００は補強バンプ７Ｆを各コーナに１個づつ計４個と、信号バンプ７Ｓを２５２個を備えている。
【００７２】
図２１は、この実施の形態による実装体１０Ｔ、１０Ｔ’および従来の実装体１００の電極接合強度の比較評価試験方法を説明する斜視図である。
まず、図２１（ａ）の斜視図は、長方形実装ボ−ド１１の長手方向中央部にパッケージ１がフェイスダウン形に搭載された実装体の供試品を表している。図示の便宜上から、電極アレイは６行８列に配列された従来の実装体１００の構造が模式的に描かれている。比較試験用の仕様が異なる実装体３グループは、何れも電極アレイ１６行１６列に構成され、複数の製造ロットについて各ロット毎に仕様が異なる各実装体からそれぞれ数１０個づつが抜き取り供試品とされた。
【００７３】
次に、図２１（ｂ）の側面図を参照して、いわゆる４点支持式による（Ａ）静荷重繰返し曲げ試験の方法を説明する。パッケージ１がフェイスダウン形に搭載された実装ボ−ド１１の搭載面を下向きにして、長方形実装ボード１１の搭載面で長手方向両端部Ａ、Ｂを下方から支持するとともに、実装ボード１１の搭載面の裏面でパッケージ１から長手方向に離間した２点Ｃ、Ｄを上方から押し下げることによって、パッケージ１搭載部のほぼ中央部に対応する実装ボード１１の裏面（図中の上側）に発生するひずみ（歪み）εがε＝２．５×１０-3となるように、実装ボード１１を繰り返し曲げる試験が実施される。
【００７４】
次に電極接合強度の評価方法と供試グループ（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の比較方法を説明する。上記に説明した条件で繰返し曲げ静荷重を加えて、全供試品１個毎に電極接合部の数１００ケ所のうちの少なくとも１ケ所が破壊に至るまでの繰返し曲げ回数を確認しながら、破壊が確認された時点で寿命終止と判定して、その累計の繰返し曲げ回数が供試品１個の寿命回数として記録される。
同一製造ロットで製造された供試グループ（Ｉ）〜（ＩＩＩ）は各グループが数１０個づつの供試品で構成されており、上記寿命回数の各グループ数１０個の平均値を各供試グループ（Ｉ）〜（ＩＩＩ）別の「当該ロットの寿命（回数）」と定義する。そして、従来の実装体１００である供試グループ（ＩＩＩ）に対する供試グループ（Ｉ）および供試グループ（ＩＩ）の当該ロットの寿命回数の「比率」を寿命向上「効果」の評価尺度とする。
この当該ロット寿命の「回数」と「比率」を複数の製造ロットについて繰り返し比較することで、静的接合強度における製造ロット間ばらつきの影響を含む供試グループ（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の強度検証の精度を向上することができる。
【００７５】
以上は（Ａ）「静荷重試験方法」を述べたが、更に（Ｂ）「落下衝撃試験方法」を説明する。各供試品は所定の電子機器に組み込まれた総重量９０ｇの直方体状の落下体となり、１．５ｍの高さからコンクリート床上に自然落下させる。所定の基準に従って落下直方体の６面が順次衝撃面となるように、繰り返し落下衝撃試験が実施される。
上述「静荷重試験方法」の手順と同様にして、各供試グループ（Ｉ）〜（ＩＩＩ）別の当該ロット寿命を表す「回数」と「比率」を複数の製造ロットについて繰り返し比較することで、動的接合強度における製造ロット間ばらつきの影響を含む供試グループ（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の強度検証の精度を向上することができる。
【００７６】
図２２は、実装体１０Ｔ、１０Ｔ’および１００の比較評価試験の結果を説明する比較図である。
図２２では、供試グループ（Ｉ）〜（ＩＩＩ）別に、ロット毎に、（Ａ）静荷重繰返し曲げ試験の結果、および（Ｂ）落下衝撃試験の結果を表している。図中の「ロット平均」欄の数値から、供試グループ（Ｉ）の実装体１０Ｔは、供試グループ（ＩＩＩ）の従来の実装体１００に対して（Ａ）静的寿命「比率」が２．３倍、（Ｂ）動的寿命「比率」が３．２倍にそれぞれ向上することが確認された。また供試グループ（ＩＩ）の実装体１０Ｔ’は、供試グループ（ＩＩＩ）の従来の実装体１００に対して（Ａ）静的寿命「比率」が９．４倍、（Ｂ）動的寿命「比率」が２．１倍にそれぞれ向上することが確認された。
【００７７】
実施の形態９．
図２３は、この発明の実施の形態９によるパッケージ１Ｖの補強バンプ７Ｆと信号バンプ７Ｓの配置、および実装ボード１１Ｖの補強パッド１２Ｆと信号パッド１２Ｓの配置を表す平面図であり、パッケージ１Ｖを実装ボード１１Ｖに搭載することで実装体１０Ｖが構成される。
図２３において、パッケージ１Ｖの円形バンプ７の配列（アレイ）は２０行２０列に配列され、電極座席数は４００個を有する。また実装ボード１１Ｖの４角形パッド１２のアレイは１０行１０列に構成された事例を示している。パッケージ１Ｖの補強バンプ７Ｆと信号バンプ７Ｓは何れも、分離独立の円形バンプ４個が１組となって、それぞれ４角形の補強パッド１２Ｆの１個と４角形の信号パッド１２Ｓの１個とに電極接合される。
つまり実装体１０Ｖの４コーナ部の補強電極の構成は、実施の形態８による図１７の実装体１０Ｔと同じである。この実施の形態では、さらにこの補強電極構成を４コーナ部以外の信号電極にも適用したものである。
この実施の形態による実装体１０Ｖでは、大面積４角形信号パッド１２Ｓを全面に適用するので、更に静的寿命の向上効果が得られる。また、この実施の形態においても、図２０（ａ）に示した改良形信号パッド用ソルダーレジスト１３Ｔ’を適用すれば特に静的寿命の向上効果が得られる。
【００７８】
図２３の事例によれば、柔軟性をもつ狭ピッチ複数バンプ７と大きな機械強度をもつ単一パッド１２との接合電極をＢＧＡ全領域に適用することで、放熱性と機械的強度信頼性が優れた電子回路大電流用実装体を構成できる効果が得られる。
【００７９】
図２３の変形例として、柔軟性をもつ狭ピッチ複数バンプ７と大きな機械強度をもつ単一パッド１２との接合電極方式と、ＢＧＡ平均ピッチのバンプ・パッドの接合電極方式を大面積ＢＧＡに混在配置することで、高い機械的強度信頼性をもつ大形電子回路用実装体を構成できる。
【００８０】
なお、この実施の形態の構成を要約すると次のとおりである。
電子回路パッケージ１Ｖには、複数の信号用パッド２Ｓ及びこのパッドに連結された信号用バンプ７Ｓを主面の所定の領域に規則的に配列する。そして信号用パッド２Ｓ及びバンプ７Ｓは、隣接した所定数を一組として互いに所定の間隔をおいて多数の組に区分されて配列する。また、信号用パッド２Ｓ及びバンプ７Ｓの配列の外周部の複数位置に、または外周部の延長線が交差する複数の角部の位置に、信号用パッド２Ｓ及びバンプ７Ｓの一組と実質的に同様に形成された一組の補強用パッド２Ｆ及びバンプ７Ｆをそれぞれ備える。
また、電子回路パッケージ１Ｖを搭載する実装ボード１１Ｖには、電子回路パッケージ１Ｖの信号用パッド２Ｓ及びバンプ７Ｓの各一組に対応して信号用パッド１２Ｓが各１個配置され、また、電子回路パッケージ１Ｖの補強用パッド２Ｆ及びバンプ７Ｆの各一組に対して補強用パッド１２Ｆが各１個配置される。
【００８１】
なお、以上に説明した各実施の形態に関して、その変形例について説明する。
（ア）図１〜図２４ではパッケージ１または実装ボード１１のパッド形状が円形、４角形、Ｘ字形、Ｔ字形および扇形の事例を述べたが、これに限定されず、多角形、十字形、Ｙ字形、Ｌ字形、瓢箪形、ワッシャー形またはドーナツ形から選択使用することができる。
（イ）パッケージ１に配設されるバンプ形状は、平面形状において上述（ア）と同様であってよい。
（ウ）またパッケージ１に配設されるバンプの断面形状は、従来例に倣って「樽形」、「鼓形」の場合を述べたが、これらは一事例に過ぎず、円柱形、角柱形、円筒形または角筒形を適宜選択してよい。
（エ）また複数の独立バンプを実装ボード側の一体化パッドに接合して得られる集合バンプの断面形状についても、主に「樽形」の場合を述べたが、図１６に示したように中央部が凹んだ「鼓形」に形成するのが望ましい。
（オ）パッケージ１はモールド形を主に述べたが、ガラスエポキシ基板を含むパッケージの場合にも適用できる。
（カ）パッケージ１は、フェイスダウン形を主に述べたが、フェイスアップ形に搭載する場合にも適用できる。
（キ）実装体１０はパッケージ１を実装ボード１１の片面に搭載する場合を述べたがこれに限定されず、実装ボード１１の表裏に搭載する場合にも適用できる。
【００８２】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
請求項１の発明かかる電子回路パッケージでは、信号用パッドの配列の外周部または角部に、信号用パッド及びバンプと同様な複数個の隣接した補強用パッド及び補強用バンプを備えるので、パッケージ強度が増し、実装時のアンダーフィル補強が不要になり、生産性と修理性を向上できる効果を奏し、複数個の隣接した補強用パッド及びバンプの相互の間隔を、信号用パッド及びバンプの相互の間隔よりも小さく配置するので、補強用パッドを増設することができ、機械衝撃強度を効果的に向上できる。
【００８３】
請求項２の発明にかかる電子回路パッケージでは、請求項１に記載の電子回路パッケージにおいて、複数個の隣接した補強用パッド及びバンプのうちの１個以上が、信号用パッド及びバンプの配列より外周に配置されるので、応力集中が起こりにくくパッケージ強度を向上できる効果を奏する。
【００８４】
請求項３の発明にかかる実装ボードでは、信号用パッドの配列の外周部または角部に、信号用パッドと同様の複数個の隣接した補強用パッドを備えるので、実装ボードの強度が増し、機械的・熱的衝撃強度の信頼性を向上できる効果を奏し、複数個の隣接した補強用パッドの相互の間隔を、信号用パッドの相互の間隔よりも小さく配置するので、補強用パッドを増設することができ、実装ボードの強度が増し、機械的・熱的衝撃強度の信頼性を向上できる効果を奏する。
【００８５】
請求項４の発明にかかる実装ボードでは、請求項３に記載の実装ボードにおいて、複数個の隣接した補強用パッドのうちの１個以上が、信号用パッドの配列より外側に配置されるので、応力集中が起こりにくくパッケージ強度を向上できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１による電子部品パッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
【図２】  この発明の実施の形態１によるパッケージと実装ボードを含む実装体の電極接合構造を表す断面図である。
【図３】  この発明の実施の形態２によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
【図４】  この発明の実施の形態２によるパッケージと実装ボードを含む実装体の電極接合構造、およびこの発明の実施の形態５によるパッケージと実装ボードを含む実装体の電極接合構造を表す断面図である。
【図５】  この発明の実施の形態３によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
【図６】  この発明の実施の形態３および５によるパッケージと実装ボードを含む実装体の電極接合構造を表す断面図である。
【図７】  この発明の実施の形態３によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
【図８】  この発明の実施の形態４によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
【図９】  この発明の実施の形態４によるパッケージと実装ボードのパッドを含む実装体の電極接合構造を表す断面図である。
【図１０】  この発明の実施の形態５によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
【図１１】  この発明の実施の形態５によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
【図１２】  この発明の実施の形態６による実装ボードのパッド配置を表す平面である。
【図１３】  この発明の実施の形態６によるパッケージと実装ボードを含む実装体の電極接合構造を表す断面図である。
【図１４】  この発明の実施の形態７による実装ボードのパッド配置を表す平面である。
【図１５】  この発明の実施の形態７によるパッケージと実装ボードを含む実装体の電極接合構造を表す断面図である。
【図１６】  この発明の実施の形態７によるパッケージの補強バンプと実装ボードの補強パッドの接合フィレット形状、およびこの発明のその他の変形例の接合フィレット形状を表す断面図である。
【図１７】  この発明の実施の形態８によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
【図１８】  この発明の実施の形態８による補強電極部の接合構造とソルダーレジストを表す図である。
【図１９】  この発明の実施の形態８による実装体の信号電極部接合構造とソルダーレジストを表す断面図である。
【図２０】  この発明の実施の形態８による他の実装体の信号電極部接合構造とソルダーレジストを表す断面図、およびその他実施例のソルダーレジストを含む電極部接合構造を表す断面図である。
【図２１】  この発明の実施の形態８による実装体を含む電極接合強度の比較評価試験方法を説明する斜視図である。
【図２２】  この発明の実施の形態８による実装体を含む比較評価試験結果を説明する比較図である。
【図２３】  この発明の実施の形態９によるパッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
【図２４】  従来の電子部品パッケージのバンプ配置と実装ボードのパッド配置を表す平面図である。
【図２５】  従来のパッケージと従来の実装ボードを含む実装体の電極接合構造を表す断面図である。
【符号の説明】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｊ、１Ｔ、１Ｖ、  電子機器パッケージ（パッケージ）、  １Ｋ  パッケージコーナ部、  ２  パッド、  ２Ｆ  補強パッド、  ２Ｌ  最外周列パッドの延長線（中心線）、  ２Ｓ  信号パッド、  ６  半田ボール、  ７  半田バンプ、  ７Ｆ  補強バンプ、  ７Ｓ  信号バンプ、  ８Ｒ  接合部（実装ボード側）、  ８ｒ  接合部（パッケージ側）、  ８Ｘ  接合クラック、  ９  アンダーフィル、  １０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｍ、１０Ｎ、１０Ｔ、１０Ｔ’、１０Ｖ  実装体、  １１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｆ、１１Ｇ、１１Ｈ、１１Ｊ、１１Ｍ、１１Ｎ、１１Ｔ、１１Ｔ’、１１Ｖ  実装ボード、  １１Ｋ  実装ボードコーナ部、  １２  パッド、  １２Ｆ  補強パッド、  １２Ｌ  最外周列パッドの延長線（中心線）、１２Ｓ  信号パッド、  １３、１３Ｆ、１３Ｊ、１３Ｓ、１３Ｔ’  ソルダーレジスト、  １００  実装体（従来例）、  ｇ  間隙、  Ｐ  信号パッド間または信号バンプ間のピッチ、  Ｐ’、ｐ  補強パッド間または補強バンプ間の狭ピッチ、  ｐ’  補強パッドまたは補強バンプの外周縁側へのシフト距離、  Ｑ  パッド表面積またはバンプ断面積、  α  電極フィレット角度。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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