(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
略四角形の誘電体板から成り、かつ上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体および該線路導体の両側に略等間隙をもって形成された同一面接地導体層とを有する平板部と、該平板部の上面に前記線路導体および前記同一面接地導体層を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備した入出力端子において、前記平板部の前記線路導体端側の側面に前記同一面接地導体層が延出されて成る側面接地導体層が前記線路導体の両側の前記同一面接地導体層をつなぐように形成されており、前記線路導体の幅Ｘに対して前記側面接地導体層同士の間隔をＸ＋０．０６ｍｍ〜Ｘ＋２ｍｍとし、かつ前記線路導体と前記側面接地導体層との間隔を０．０３ｍｍ以上としていることを特徴とする入出力端子。
【請求項２】
上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体上面に前記載置部を囲繞するように取着された枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着された請求項１記載の入出力端子とを具備したことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記枠体は長方形であり、長辺側に前記入出力端子が取り付けられ、短辺側に光ファイバが取り付けられる貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信、マイクロ波通信、ミリ波通信等の高周波信号で作動する各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージに用いられる入出力端子および半導体素子収納用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のマイクロ波帯やミリ波帯等の高周波信号を伝送する入出力端子、および半導体素子を気密に収容する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージという）について、それぞれ図４，図５に示す。これらの図において高周波信号の入出力端子の取付部１０２ａには、上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体１０４ａ−Ａとこの線路導体１０４ａ−Ａの両側に等間隙をもって形成された同一面接地導体層１０４ａ−Ｂとを有する誘電体から成る平板部１０４ａと、平板部１０４ａの上面に線路導体１０４ａ−Ａを間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部１０４ｂとを具備する入出力端子１０４が嵌着されており、線路導体１０４ａ−Ａ，同一面接地導体層１０４ａ−Ｂ上面に銀ロウ等のロウ材で接合されたリード端子１０５を介して、半導体パッケージの内部に収容された半導体素子１０９と、外部電気回路（図示せず）とを電気的に接続している。
【０００３】
このような入出力端子１０４は、平板部１０４ａ上面の線路導体１０４ａ−Ａが高周波信号の入出力線路として使用され、またこの線路導体１０４ａ−Ａの両側には、半導体素子１０９と外部電気回路との間の電気的接続におけるインピーダンスのミスマッチングを効果的に抑えて高周波信号の伝送特性の劣化を抑える機能を有する同一面接地導体層１０４ａ−Ｂが等間隙をもって形成されており、低反射損失の半導体パッケージとすることができるものである。
【０００４】
また、このような半導体パッケージの１種である光半導体パッケージは、図５に示すように、上面にＬＤ（半導体レーザ），ＰＤ（フォトダイオード）等の光半導体素子から成る半導体素子１０９が載置される載置部１０１ａを有する、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属材料から成る基体１０１を有する。また、載置部１０１ａを囲繞するようにして基体１０１の上面に銀ロウ等のロウ材を介して接合されるとともに、長辺側の両側部に半導体素子１０９と外部電気回路（図示せず）とを電気的に接続する入出力端子１０４嵌着用の取付部１０２ａが形成され、また短辺側の一側部に半導体素子１０９と光結合するための光伝送路である貫通孔１０２ｂが形成された、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成る枠体１０２を有する。
【０００５】
また、この枠体１０２の光伝送路である貫通孔１０２ｂの外側周辺部には、金属枠体１０２の熱膨張係数に近似するＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成る、光ファイバ１０８固定用の筒状の固定部材１０３が銀ロウ等のロウ材で接合される。
【０００６】
また、シールリング１０６は、枠体１０２上面および入出力端子１０４上面に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、入出力端子１０４を挟持するとともに、上面に蓋体（図示せず）をシーム溶接等により接合するための媒体として機能する。
【０００７】
このような半導体パッケージに、半導体素子１０９を載置部１０１ａに錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）半田等の低融点ロウ材で載置固定するとともに、線路導体１０４ａ−Ａと半導体素子１０９とをボンディングワイヤ（図示せず）で電気的に接続し、さらに光ファイバ１０８と半導体素子１０９との光軸を調整した後、固定部材１０３の外側端面に、光ファイバ１０８を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ１０７をＡｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合する。さらに、シールリング１０６上面に蓋体をシーム溶接等により接合することにより、製品としての光半導体装置となる。
【０００８】
このような光半導体装置は、外部電気回路から供給される駆動信号によって半導体素子１０９を光励起させ、励起したレーザ光等の光を光ファイバ１０８に授受させるとともに、光ファイバ１０８内を伝送させることにより、大容量の情報を高速に伝送できる光電変換装置として機能するとともに、光通信分野等に多く用いられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の入出力端子１０４を半導体パッケージに嵌着し半導体素子１０９を、例えば４０ＧＨｚ以上の非常に高い周波数で作動させた場合、平板部１０４ａの両端面１０４ｄ（図４）に形成されたメタライズ層間で容量成分が発生し、この容量成分は小さいとはいえそのインピーダンスは大きなものとなり、線路導体１０４ａ−Ａに大きなインピーダンスの容量成分が並列的に付加された状態となり、信号線路の特性インピーダンスが大きく変化してインピーダンス不整合が大きくなるという問題があった。
【００１０】
また、誘電体および導体から成る入出力端子１０４は、上記の容量成分を含んだ共振回路を構成しており、伝送される数１０ＧＨｚの高周波信号の周波数付近で共振が発生し易くなっている。その共振により高周波信号の反射損失が増大するという問題点があった。
【００１１】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたもので、その目的は、高周波信号の入出力時における反射損失を小さいものとすることにより、半導体素子の作動性を良好なものとすることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の入出力端子は、略四角形の誘電体板から成り、かつ上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体および該線路導体の両側に略等間隙をもって形成された同一面接地導体層とを有する平板部と、該平板部の上面に前記線路導体および前記同一面接地導体層を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備した入出力端子において、前記平板部の前記線路導体端側の側面に前記同一面接地導体層が延出されて成る側面接地導体層が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明は、上記の構成により、側面接地導体層間に大きな容量成分が発生し、その容量成分によるインピーダンスは小さなものとなり、線路導体に小さなインピーダンスの容量成分が並列的に付加された状態となり、信号線路の特性インピーダンスの変化によるインピーダンス不整合を抑制することができる。また、入出力端子の上記容量成分を含んだ共振回路による、数１０ＧＨｚの高周波信号の周波数付近での共振を抑えることができ、例えば高周波信号の周波数付近より低周波数側に共振周波数をずらすことができる。従って、高周波信号の反射損失が低減し、伝送特性が向上する。さらに、接地電位が安定し強化されるという効果も有する。
【００１４】
本発明において、好ましくは、前記線路導体の幅Ｘに対して前記側面接地導体層同士の間隔をＸ＋０．０６ｍｍ〜Ｘ＋２ｍｍとしたことを特徴とする。
【００１５】
本発明は、上記の構成により、入出力端子の共振回路による高周波信号の共振を有効に抑制するという効果がさらに向上する。
【００１６】
また、本発明の半導体パッケージは、上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体上面に前記載置部を囲繞するように取着された枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着された本発明の入出力端子とを具備したことを特徴とする。
【００１７】
本発明は、このような構成により、半導体素子を気密に収容することができるとともに、高周波信号の伝送特性が向上するため、長期にわたり半導体素子の作動性を良好とし得、信頼性の高い半導体パッケージとなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の入出力端子および半導体パッケージについて以下に詳細に説明する。入出力端子および半導体パッケージを、それぞれ図１，図２，図３に示す。図１，図２は本発明の入出力端子の斜視図、図３は図１の入出力端子を用いた半導体パッケージの斜視図である。これらの図において、１は基体、２は枠体、３は光ファイバ８が取着された金属ホルダ７を固定する筒状の固定部材、４は入出力端子、６はシールリングである。これら基体１と枠体２と固定部材３と入出力端子４とシールリング６とで、内部にＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子などの半導体素子９を収納し、シールリング６上面に蓋体（図示せず）を取着することにより、半導体素子９を収納するための容器が構成される。
【００１９】
基体１は、その上面に半導体素子９を載置する載置部１ａを有しており、半導体素子９を支持する支持部材として機能するとともに、半導体素子９の作動時に発する熱を外部に効率良く放散する機能を有する。
【００２０】
この基体１は、その形状は略直方体または略長方形の板体であり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金等の金属材料から成る。また、その製作は合金のインゴットに圧延加工やプレス加工等の金属加工を施すことにより所定の形状に成形される。
【００２１】
なお、この基体１は、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層とを順次メッキ法により被着させておくと、基体１が酸化腐食するのを有効に防止できるとともに、基体１上面に半導体素子９を強固に接着固定できる。従って、基体１表面には０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させておくことが好ましい。
【００２２】
また、この基体１の上面には、載置部１ａを囲繞するようにして銀ロウ等のロウ材を介して接合されるとともに、長辺側の両側部に半導体素子９と外部電気回路とを電気的に接続する入出力端子４嵌着用の貫通孔または切欠部から成る取付部２ａが形成され、さらに短辺側の一側部に半導体素子９と光結合するための光伝送路である貫通孔２ｂが形成された、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成る枠体２を有する。
【００２３】
このような枠体２の製作は、基体１と同様、合金のインゴットに圧延加工やプレス加工等の金属加工を施すことにより所定の形状に成形される。
【００２４】
なお、枠体２の基体１への接合は、基体１上面と枠体２下面とを、基体１上面に敷設したプリフォーム状の銀ロウ等のロウ材を介して接合される。さらに、枠体２表面には、基体１と同様に０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させておくと良い。
【００２５】
また、この枠体２の取付部２ａには、半導体素子９と外部電気回路との高周波信号の入出力を行う機能を有するとともに、半導体パッケージの内外部を遮断する機能を有する入出力端子４が銀ロウ等のロウ材で接合される。
【００２６】
この入出力端子４は、略長方形，正方形等の四角形で板状の平板部４ａの上面に、略直方体で横倒しにされた四角柱状の立壁部４ｂが積層されて成る。このとき、図１に示すように、立壁部４ｂの端面と平板部４ａの端面は略面一とされている。
【００２７】
本発明の入出力端子４は、その平板部４ａがアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス，ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）セラミックス等の誘電体から成る。平板部４ａの上面には、１辺から対向する他辺にかけて、Ｗ，Ｍｏ−Ｍｎ等のメタライズ層から成る線路導体４ａ−Ａと、この線路導体４ａ−Ａの両側に略等間隙をもって形成された同一面接地導体層４ａ−Ｂとが形成される。平板部４ａの線路導体４ａ−Ａ端側の側面には、同一面接地導体層４ａ−Ｂを延出させて成る側面接地導体層４ａ−Ｃが形成されている。
【００２８】
このように平板部４ａの側面に側面接地導体層４ａ−Ｃが形成されていることにより、例えば４０ＧＨｚ以上の高い周波数で作動させた場合、側面接地導体層４ａ−Ｃ間に発生した容量成分を含んだ入出力端子４の共振回路による、４０ＧＨｚの高周波信号の周波数付近での共振を抑えることができ、例えば高周波信号の周波数付近より低周波数側に共振周波数をずらすことができる。従って、半導体素子９をより高い周波数で作動させ得る。また、接地電位が安定化され強化されることとなる。
【００２９】
即ち、平板部４ａの側面に側面接地導体層４ａ−Ｃを形成することにより、平板部４ａの側面における高周波信号の反射損失を非常に小さいものとでき、より高い周波数においても半導体素子９は正常かつ安定に作動する。
【００３０】
また、側面接地導体層４ａ−Ｃ同士は、図２に示すように、平板部４ａの側面で線路導体４ａ−Ａと電気的に接続されないように連ながっていても構わず、この場合、さらに高周波信号の周波数付近での共振を抑えることができるとともに、接地電位もさらに安定化される。図２のような構成においては、半導体素子９と外部電気回路との高周波信号の入出力時におけるインピーダンスのマッチングをとるために、線路導体４ａ−Ａの幅Ｘを適宜狭くしても良い。
【００３１】
ただし、この幅Ｘは、線路導体４ａ−Ａ上面に接合されるリード端子５の線路導体４ａ−Ａに対する接合が損なわれないようにしておく必要があるため、平板部４ａ側面の誘電体が露出している部位、即ち線路導体４ａ−Ａから側面接地導体層４ａ−Ｃまでの間隔（距離）を適宜確保することが好ましい。
【００３２】
なお、線路導体４ａ−Ａと同一面接地導体層４ａ−Ｂとの間隙および、線路導体４ａ−Ａと側面接地導体層４ａ−Ｃとの間隙は、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。０．０３ｍｍ未満の場合、リード端子５を銀ロウ等のロウ材で接合した際、このロウ材が隣合う線路導体４ａ−Ａと同一面接地導体層４ａ−Ｂとを電気的に接続（ショート）させてしまう場合がある。この場合、半導体素子９と外部電気回路との高周波信号の伝送を損なわせることとなる。
【００３３】
また、図６に示すように、線路導体４ａ−Ａの幅をＸとした場合、側面接地導体層４ａ−Ｃ同士の間隔ＹがＸ＋０．０６ｍｍ〜Ｘ＋２ｍｍであることが好ましい。間隔ＹがＸ＋０．０６ｍｍ未満では、線路導体４ａ−Ａと側面接地導体層４ａ−Ｃとが短絡し易くなるとともに、線路導体４ａ−Ａの同軸構造に影響を与えることとなる。間隔ＹがＸ＋２ｍｍを超えると、数１０ＧＨｚの高周波信号の周波数付近で共振が発生し、高周波信号の伝送損失が増大し易くなる。またこの場合、側面接地導体層４ａ−Ｃ同士の間隔Ｙは同一面接地導体層４ａ−Ｂ同士の間隔よりも狭い方がよく、上記の効果が高くなる。
【００３４】
さらに、側面接地導体層４ａ−Ｃの配置および形状は、図１，図６に示すように、線路導体４ａ−Ａの中心軸に対して対称に設けるのが同軸構造上好ましい。
【００３５】
このような線路導体４ａ−Ａ，同一面接地導体層４ａ−Ｂ，側面接地導体層４ａ−Ｃは、例えばＷ等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、平板部４ａ用のセラミックグリーンシートに、予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておき、焼成することにより形成される。
【００３６】
また、平板部４ａの上面には立壁部４ｂが積層される。即ち、この立壁部４ｂは、平板部４ａの上面に線路導体４ａ−Ａ，同一面接地導体層４ａ−Ｂを間に挟んで接合された誘電体から成る。
【００３７】
この入出力端子４の線路導体４ａ−Ａ，同一面接地導体層４ａ−Ｂの枠体２外部に導出される部位には、外部電気回路と入出力端子４との高周波信号の入出力を行い、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成るリード端子５が銀ロウ等のロウ材で接合される。
【００３８】
また、枠体２の短辺の一側部には、貫通孔２ｂが形成されており、一端面が貫通孔２ｂの開口を囲むように銀ロウ等のロウ材で接合され、他方の端面には光ファイバ８を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ７がＡｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合される固定部材３が設けられる。この固定部材３は、基体１や枠体２と同様の材料を同様の加工法で所望の形状に加工作製されるとともに、その表面に０．５〜９μｍのＮｉ層や０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させておくと良い。
【００３９】
このように入出力端子４および固定部材３が取着される枠体２上面にはシールリング６が銀ロウ等のロウ材で接合される。このシールリング６は、枠体２上面に銀ロウ等のロウ材で接合されて入出力端子４を挟持するとともに、その上面に、半導体素子９を封止するための蓋体をシーム溶接等により接合するための接合媒体として機能する。
【００４０】
本発明の入出力端子４は、上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体４ａ−Ａと線路導体４ａ−Ａの両側に略等間隙をもって形成された同一面接地導体層４ａ−Ｂを、側面に同一面接地導体層４ａ−Ｂを延出させて成る側面接地導体層４ａ−Ｃを有する誘電体から成る平板部４ａと、この平板部４ａ上面に線路導体４ａ−Ａ，同一面接地導体層４ａ−Ｂを間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部４ｂとから成る。
【００４１】
これにより、より高い周波数の高周波信号を伝送させても、高周波信号の反射をより小さいものとでき、また高周波信号の入出力時におけるインピーダンスのミスマッチングを有効に防止できる。
【００４２】
本発明の半導体パッケージは、金属材料から成る基体１と、その上面に半導体素子９の載置部１ａを囲繞するように接合され、取付部２ａ，貫通孔２ｂを有する枠体２と、この貫通孔２ｂに嵌着される入出力端子４とを具備している。
【００４３】
これにより、入出力端子４を取付部２ａに銀ロウ等のロウ材で嵌着させた際、枠体２とシールリング６とに銀ロウ等のロウ材により接合、挟持されている、これらと熱膨張係数がわずかに異なる入出力端子４の平板部４ａに熱応力が加わっても、この熱応力による歪みによって平板部４ａにクラック等が発生し破損することはない。
【００４４】
このような半導体パッケージに、半導体素子９を載置部１ａにＳｎ−Ｐｂ半田等の低融点ロウ材で載置固定するとともに、線路導体４ａ−Ａと半導体素子９とをボンディングワイヤで電気的に接続し、さらに固定部材３に、光ファイバ８を樹脂等の接着剤で取着した金属ホルダ７を、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材で接合した後、シールリング６上面に蓋体をシーム溶接等により接合することにより、製品としての光半導体装置となる。なお、光半導体装置が本発明の半導体パッケージを用いた半導体装置の一種であることはいうまでもない。
【００４５】
この光半導体装置は、外部電気回路から供給される駆動信号によってＬＤ等の半導体素子９を光励起させ、励起したレーザ光等の光を光ファイバ８に授受させるとともに、光ファイバ８内を伝送させることにより、大容量の情報を高速に伝送できる光電変換装置として機能するものであり、光通信分野等に多く用いられる。
【００４６】
かくして、本発明は、入出力端子における高周波信号の周波数付近での共振を有効に抑制することができ、高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。また、伝送される高周波信号の周波数が高くなってもインピーダンスのミスマッチングを有効に防止でき、かつ半導体素子９を光半導体パッケージ内部に気密に収容できる。その結果、半導体素子９を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る。
【００４７】
例えば、図１の入出力端子４を用いて、４０〜５０ＧＨｚの高周波信号を入出力端子４に入出力させた場合、図４のものに比べて入出力端子４における反射損失が５〜７ｄＢ改善された。
【００４８】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を行うことは何等支障ない。例えば、半導体パッケージは光半導体パッケージに限られず、高周波信号により作動するＩＣ，ＬＳＩ等の高周波半導体素子を収納する高周波用半導体パッケージであっても良い。
【００４９】
また、平板部４ａの側面に形成される側面接地導体層４ａ−Ｃは、半導体パッケージ内部側および外部側の平板部４aの両側面に形成されていても良く、この場合高周波信号による反射損失をさらに小さくできる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明は、入出力端子は、略四角形の誘電体板から成り、かつ上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体および線路導体の両側に略等間隙をもって形成された同一面接地導体層とを有する平板部と、平板部の上面に線路導体および同一面接地導体層を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備し、平板部の線路導体端側の側面に同一面接地導体層が延出されて成る側面接地導体層が形成されていることにより、側面接地導体層間に大きな容量成分が発生し、その容量成分によるインピーダンスは小さなものとなり、線路導体に小さなインピーダンスの容量成分が並列的に付加された状態となり、信号線路の特性インピーダンスの変化によるインピーダンス不整合を抑制することができる。また、入出力端子の上記容量成分を含んだ共振回路による、数１０ＧＨｚの高周波信号の周波数付近での共振を抑えることができ、例えば高周波信号の周波数付近より低周波数側に共振周波数をずらすことができる。従って、高周波信号の反射損失が低減し、伝送特性が向上する。さらに、接地電位が安定し強化されるという効果も有する。
【００５１】
本発明は、好ましくは、線路導体の幅Ｘに対して側面接地導体層同士の間隔をＸ＋０．０６ｍｍ〜Ｘ＋２ｍｍとしたことにより、高周波信号の周波数付近での共振を有効に抑制するという効果、およびインピーダンス不整合の抑制効果がさらに向上する。
【００５２】
本発明の半導体パッケージは、上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、基体上面に載置部を囲繞するように取着された枠体と、枠体を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取付部と、取付部に嵌着された本発明の入出力端子とを具備したことにより、半導体素子を気密に収容することができるとともに、高周波信号の伝送特性が向上するため、長期にわたり半導体素子の作動性を良好とし得、信頼性の高い半導体パッケージとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の入出力端子の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の入出力端子の他の実施形態を示す斜視図である。
【図３】図１の入出力端子が嵌着された半導体パッケージを示す斜視図である。
【図４】従来の入出力端子の斜視図である。
【図５】図４の入出力端子が嵌着された半導体パッケージを示す斜視図である。
【図６】本発明の入出力端子の他の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
２ａ：取付部
４：入出力端子
４ａ：平板部
４ａ−Ａ：線路導体
４ａ−Ｂ：同一面接地導体層
４ａ−Ｃ：側面接地導体層
４ｂ：立壁部
９：半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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