(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される化合物および下記一般式（II）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上からなる第１のアルコキシシラン化合物を、有機溶媒中、酸触媒存在下で、加水分解処理して得られる反応生成物を含む塗布液を、被処理物上に塗布して塗膜を形成する工程と、
該塗膜を酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の雰囲気中で、６００℃以上７５０℃以下の焼成温度で焼成して被膜を形成する工程とを含むことを特徴とするシリカ系有機被膜の製造方法。
【化１】
0003631236.tif 000006
【請求項２】
下記一般式（Ｉ）で表される化合物および一般式（II）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上からなる第１のアルコキシシラン化合物と、下記一般式（III）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上からなる第２のアルコキシシラン化合物を、有機溶媒中、酸触媒存在下で、加水分解処理して得られる反応生成物を含む塗布液を、被処理物上に塗布して塗膜を形成する工程と、
該塗膜を酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の雰囲気中で、６００℃以上７５０℃以下の焼成温度で焼成して被膜を形成する工程とを含むことを特徴とするシリカ系有機被膜の製造方法。
【化２】
0003631236.tif 000007
【請求項３】
前記第１のアルコキシシラン化合物と前記第２のアルコキシシラン化合物とのモル比が、第１のアルコキシシラン化合物：第２のアルコキシシラン化合物＝１：２〜４：１であることを特徴とする請求項２記載のシリカ系有機被膜の製造方法。
【請求項４】
前記被膜中の炭素含有量が６〜１８原子量％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のシリカ系有機被膜の製造方法。
【請求項５】
使用するアルコキシシラン化合物の合計量の１モル当たり２〜１０モルの水を加えて前記加水分解処理を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のシリカ系有機被膜の製造方法。
【請求項６】
前記反応生成物がシロキサンオリゴマーであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のシリカ系有機被膜の製造方法。
【請求項７】
前記シロキサンオリゴマーの質量平均分子量が１０００〜４０００の範囲内であることを特徴とする請求項６記載のシリカ系有機被膜の製造方法。
【請求項８】
前記第１のアルコキシシラン化合物として前記Ｒ１およびＲ３がメチル基である化合物を用いることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のシリカ系有機被膜の製造方法。
【請求項９】
前記塗布液の固形分を除いた溶媒中における水分含有量が１〜３０質量％であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のシリカ系有機被膜の製造方法。
【請求項１０】
前記焼成を不活性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のシリカ系有機被膜の製造方法。
【請求項１１】
前記不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする請求項１０記載のシリカ系有機被膜の製造方法。
【請求項１２】
前記塗膜を形成した後、該塗膜を５０〜１００℃で３０〜９０秒間加熱する第１の乾燥工程と、該第１の乾燥工程の後、１３０〜１７０℃で３０〜９０秒間加熱する第２の乾燥工程と、該第２の乾燥工程の後、１９０〜２２０℃で３０〜９０秒間加熱する第３の乾燥工程を行った後、前記焼成を行うことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のシリカ系有機被膜の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の製造方法で得られるシリカ系有機被膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はポリオルガノシロキサンを含有するシリカ系有機被膜とその製造方法、および該シリカ系有機被膜を備えた基材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体素子や液晶素子の基材製造において、平坦化膜、層間絶縁膜、パッシベーション膜等として、ＳＯＧ（ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ）が知られている。ＳＯＧとは、一般的に、ケイ素化合物を有機溶剤に溶解した溶液（以下ＳＯＧ溶液ということもある）、およびこのＳＯＧ溶液を塗布して加熱処理することによって形成されたＳｉＯ２を主成分とする膜（以下ＳＯＧ被膜ということもある）の総称として用いられる。
【０００３】
化学気相成長法（以下、ＣＶＤ法ということもある）により形成されるシリカ系被膜は、配線パターンに対してコンフォーマルに形成されるので、膜形成後に、その表面を平坦にするためには９５０〜１１００℃程度の高温でリフローさせる必要がある。これに対して、ＳＯＧ被膜は、塗布液を塗布して、前記リフロー温度よりも低い温度で焼成することによって表面が平坦な被膜を形成することができ、その被膜表面の平坦性も優れている。
ＳＯＧ被膜には、メチル基などの有機基Ｒがケイ素原子に結合したＲ−Ｓｉ基を有するオルガノシロキサン単位を含む有機ＳＯＧ被膜（例えば下記特許文献１）と、このような有機基を持たない、シロキサン単位およびＨ−Ｓｉ基を含むシロキサン単位のいずれか一方のみまたは両方からなる無機ＳＯＧ被膜が知られている（例えば下記特許文献２，３）。
【０００４】
半導体素子や液晶素子の基材製造において、ＳＯＧ被膜は、例えばアルミニウム配線などの耐熱温度が４００〜５００℃程度の配線パターン上に設けられる層間絶縁膜等として用いられる場合（以下、低温プロセスという）と、例えば多結晶シリコンなど耐熱温度が６００℃以上の配線パターン上に設けられる層間絶縁膜等として用いられる場合（以下、高温プロセスという）がある（下記特許文献４）。
【０００５】
そして、従来の有機ＳＯＧ被膜は６００℃以上の加熱温度でその有機基が分解されてしまうことから、これまで高温プロセスでは用いられず、低温プロセスでのみ用いられていた。
一方、下記特許文献５，６等に記載されている無機ＳＯＧ被膜は、低温プロセスおよび高温プロセスの両方に適用可能であった。
【０００６】
【特許文献１】
特公平８−３０７４号公報
【特許文献２】
特許第２７３９９０２号公報
【特許文献３】
特許第３２２８７１４号公報
【特許文献４】
特開平１０−３１３００２号公報、段落［０００２］〜［０００７］
【特許文献５】
特開平１０−３１３００２号公報
【特許文献６】
特許第３２２８７１４号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年では半導体デバイスの微細化が一段と進み、ゲート長が０．１８μｍ以下のデバイスにおいては、ＰＭＤと呼ばれる金属配線パターンの上層に設ける絶縁膜を無機ＳＯＧ被膜で形成することが難しくなってきている。具体的には、無機ＳＯＧ被膜は加熱焼成時にクラックが発生し易いという問題があるほか、無機ＳＯＧ被膜を貫通してコンタクトホールを形成した後、コンタクトホール内をフッ化水素酸で洗浄すると、コンタクトホールの内壁をなす無機ＳＯＧ被膜が基板に対して水平方向にエッチングされる、いわゆるサイドエッチングが生じるという問題があった。このようなサイドエッチングは、無機ＳＯＧ被膜の底部、すなわち被膜の厚さ方向における基板側の部分で生じ易い。
【０００８】
特に、次世代デバイス用の基板にあっては、例えば、ＣＶＤ法により形成された膜で覆われた状態で、配線間に幅（配線間距離）が０．２５μｍ以下、深さ（段差）が０．４μｍ以上というような微細な凹部が形成されて部分がある。そして、このような基板上に形成されるＳＯＧ被膜には、かかる微小な配線間スペースをボイドの発生無く埋めることが要求されるほか、平坦化するために配線間の凹部を埋めたＳＯＧ被膜にサイドエッチングが生じると配線間が短絡してしまうので、フッ化水素酸に対するＳＯＧ被膜のエッチングレートをより小さくしてサイドエッチングを防止することが重要になってきている。
なお、従来の有機ＳＯＧ被膜のフッ化水素酸によるエッチングレートは、１００オングストローム／分より大きいものであった。また、上記した無機ＳＯＧ被膜の同エッチングレートも同程度であった。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、高温プロセスに適用されるＳＯＧ被膜として使用可能なシリカ系有機被膜およびその製造方法を提供することにある。また、好ましくは、シリカ系有機被膜におけるフッ化水素酸によるエッチングレートを低減させることができるシリカ系有機被膜の製造方法を提供することにある。また、フッ化水素酸によるエッチングレートが低減されたシリカ系有機被膜を提供することにある。
また本発明の他の目的は、かかる被膜を備えた基材を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために本発明のシリカ系有機被膜の製造方法は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物および下記一般式（II）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上からなる第１のアルコキシシラン化合物を、有機溶媒中、酸触媒存在下で、加水分解処理して得られる反応生成物を含む塗布液を、被処理物上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の雰囲気中で、６００℃以上７５０℃以下の焼成温度で焼成して被膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
ここで、本明細書における「ｐｐｍ」は特に断りのない限り質量基準である。
【００１１】
【化３】
0003631236.tif 000002
【００１２】
また前記課題は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物および一般式（II）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上からなる第１のアルコキシシラン化合物と、下記一般式（III）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上からなる第２のアルコキシシラン化合物を、有機溶媒中、酸触媒存在下で、加水分解処理して得られる反応生成物を含む塗布液を、被処理物上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の雰囲気中で、６００℃以上７５０℃以下の焼成温度で焼成して被膜を形成する工程とを含むことを特徴とするシリカ系有機被膜の製造方法によっても解決できる。
【００１３】
【化４】
0003631236.tif 000003
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係る基材の一実施形態における主要部分の断面図であり、半導体デバイスの一部をなす多層構造を示している。本実施形態では、シリコンからなる基板１上に、多結晶シリコン（耐熱温度６００℃以上）からなる第１の配線パターン２が設けられ、該第１の配線パターン２上に、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる中間層３が形成され、その上に本発明に係るシリカ系有機被膜５が形成されている。中間層３はＣＶＤ法によって形成されている。
本実施形態においては、基板１、第１の配線パターン２、および中間層３からなる積層体が被処理物１５である。
【００１７】
本実施形態において、基板１内には不純物拡散層４が形成されている。また、シリカ系有機被膜５上にはＰ−ＴＥＯＳ膜（テトラエチルオキシシランと酸素の反応を用いてプラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ２膜）７が積層されており、このＰ−ＴＥＯＳ膜７およびシリカ系有機被膜５を貫通して基板１の不純物拡散層４に達するコンタクトホール８が形成されている。そして、コンタクトホール８の内壁およびＰ−ＴＥＯＳ膜７の上面を覆うようにＴｉＮ膜９が形成されるとともに、コンタクトホール８内には導電性材料であるタングステンが充填されてＷ−プラグ１０が形成されており、その上にアルミニウム（耐熱温度４００〜５００℃）からなる第２の配線パターン１１が形成されている。
【００１８】
シリカ系有機被膜５は以下のようにして形成することができる。
［塗布液の調製］
まず、下記塗布液（１）または塗布液（２）を調製する。
塗布液（１）：下記一般式（Ｉ）で表される化合物および下記一般式（ＩＩ）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上からなる第１のアルコキシシラン化合物を、有機溶媒中、酸触媒存在下で加水分解処理して得られる反応生成物を含む塗布液。
塗布液（２）：下記一般式（Ｉ）で表される化合物および一般式（ＩＩ）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上からなる第１のアルコキシシラン化合物と、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上からなる第２のアルコキシシラン化合物とを併用し、これらのアルコキシシラン化合物を、有機溶媒中、酸触媒存在下で加水分解処理して得られる反応生成物を含む塗布液。
【００１９】
【化５】
0003631236.tif 000004
【００２０】
塗布液の調製に使用するアルコキシシラン化合物の組成は、焼成工程後に得られるシリカ系有機被膜５中の炭素含有量が、６〜１８原子量％、好ましくは１０〜１４原子量％の範囲内となるように設定することが好ましい。
本明細書におけるシリカ系有機被膜中の炭素含有量の値は、下記数式（１）により算出される値であり、原料組成によって決まる。
シリカ系有機被膜中の炭素含有量が少ないほどクラックが生じやすくなったり、フッ化水素酸によるエッチングレートが大きくなる。一方、炭素含有量が多すぎると隣接する上下層との密着性が不足するおそれがある。炭素含有量を上記の範囲内に設定すれば、クラックが生じ難く、ボイドの発生無く微細な凹部を埋め込むことができるとともに、隣接する上下層との密着性およびドライエッチング時の加工性に優れ、Ｏ２アッシング時のダメージが小さくなるので好ましい。
【００２１】
【数１】
0003631236.tif 000005
数式（１）において、ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）で表される化合物の仕込み時のモル比に対応する。
なお、Ｒ１２ＳｉＯ２／２は一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物から形成されるシロキサン単位である。
同様にＲ３ＳｉＯ３／２は一般式（ＩＩ）で表されるアルコキシシラン化合物から、ＳｉＯ２は一般式（ＩＩＩ）で表されるアルコキシシラン化合物からそれぞれ形成されるシロキサン単位である。
【００２２】
塗布液（１）を調製するには、まず、前記第１のアルコキシシラン化合物を有機溶剤に溶解させてアルコキシシラン化合物溶液を得る。
一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキシシラン、ジプロピルジジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジプロポキシシランなどのジアルキルジアルコキシシラン；ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのジフェニルジアルコキシシランが挙げられる。より好ましいのはジアルキルジアルコキシシランである。
特に、Ｒ１がメチル基である化合物は、安価で入手しやすく、形成される被膜の緻密性が高いのでより好ましい。
【００２３】
一般式（ＩＩ）で表される化合物の好ましい例としては、モノメチルトリメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラン、モノメチルトリプロポキシシラン、モノエチルトリメトキシシラン、モノエチルトリエトキシシラン、モノエチルトリプロポキシシラン、モノプロピルトリメトキシシラン、モノプロピルトリエトキシシランなどのモノアルキルトリアルコキシシラン；モノフェニルトリメトキシシラン、モノフェニルトリエトキシシランなどのモノフェニルトリアルコキシシランが挙げられる。より好ましいのはモノアルキルトリアルコキシシランである。
特に、Ｒ３がメチル基である化合物は、安価で入手しやすく、形成される被膜の緻密性が高いのでより好ましい。
【００２４】
塗布液（１）を調製する際に、第１のアルコキシシラン化合物は、シリカ系有機被膜が形成可能な範囲で、好ましくは、そのシリカ系有機被膜中の炭素含有量が６〜１８原子量％となる範囲で、１種または２種以上を適宜選択することができる。
中でも一般式（ＩＩ）で表される化合物だけを用いると、後述の加水分解処理工程によりラダー型の反応生成物（加水分解縮合物）が得られ易く、このラダー型の反応生成物は緻密な膜を形成するためより好ましい。この場合、モノメチルトリエトキシシランのみを用いると、形成されるシリカ系有機被膜中の炭素含有量は次式より１７．９原子量％となる。
Ｃ／［（ＣＨ３）ＳｉＯ３／２］×１００
この炭素含有量を算出するための式において、Ｃは「Ｃの分子量」の略記であり、（ＣＨ３）ＳｉＯ３／２は「（ＣＨ３）ＳｉＯ３／２の分子量」の略記である（以下、同様に略記する）。
【００２５】
一方、塗布液（２）を調製するには、第１のアルコキシシラン化合物と前記第２のアルコキシシラン化合物とを混合した後、その混合物を加水分解する方法と、第１のアルコキシシラン化合物および前記第２のアルコキシシラン化合物をそれぞれ別個に加水分解した後に、両者を混合する方法とがある。本発明ではいずれの方法でもよいが、混合後に加水分解をする前者の方法が、製造工程が少なくて効率が良いし、また得られるシリカ系有機被膜の均一性が高く好ましい。ここでは、混合後に加水分解を行う方法について説明する。
まず、前記第１のアルコキシシラン化合物と前記第２のアルコキシシラン化合物とを有機溶剤に溶解させてアルコキシシラン化合物溶液を得る。第１のアルコキシシラン化合物と第２のアルコキシシラン化合物は、これらを予め混合した混合物を有機溶剤に投入してもよく、別々に投入して有機溶剤中で混合してもよい。
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の好ましい例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシランなどのテトラアルコキシシランが挙げられる。
このように一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を併用すれば、シリカ系有機被膜中の炭素含有量を調整し易く、これによりクラックの防止、フッ化水素酸によるエッチングレートを効果的に小さくすることができる。この点では、塗布液（１）よりも塗布液（２）の方が好ましい。
塗布液（２）の調製に用いるアルコキシシラン化合物の実用上好ましい組み合わせは、モノメチルトリメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、およびジメチルジエトキシシランから選ばれる１種または２種以上と、テトラメトキシシランおよび／またはテトラエトキシシランとの組み合わせである。
【００２６】
塗布液（２）を調製する際に、前記第１のアルコキシシラン化合物の配合量に対して、前記第２のアルコキシシラン化合物の配合量が、多すぎても少なすぎてもシリカ系有機被膜中の炭素含有量が適切な範囲を超えてしまう。したがって、塗布液（２）の調製に用いる第１のアルコキシシラン化合物と第２のアルコキシシラン化合物とのモル比（第１のアルコキシシラン化合物：第２のアルコキシシラン化合物）は１：２〜４：１の範囲内が好ましく、より好ましくは１：１〜３：１の範囲内である。
塗布液（２）を調製する際に、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物と、一般式（ＩＩ）で表される化合物との２種を用いるか、または一般式（ＩＩＩ）で表される化合物と、一般式（Ｉ）で表される化合物と、一般式（ＩＩ）で表される化合物との３種を用いることが好ましい。
特に第１のアルコキシシラン化合物として一般式（ＩＩ）で表される化合物のみを用い、上記の範囲のモル比で第２のアルコキシシラン化合物（一般式（ＩＩＩ）で表される化合物）と併用することが好ましい。
【００２７】
以下の説明は塗布液（１）および（２）の両方に共通する。
有機溶剤としては、従来より一般的に使用されている有機溶剤が使用できる。具体例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールのような一価アルコール；メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネートのようなアルキルカルボン酸エステル；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコールのような多価アルコール；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートのような多価アルコール誘導体；酢酸、プロピオン酸のような脂肪酸；アセトン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノンのようなケトンなどを挙げることができる。これらの有機溶剤は、単独で用いてもよいし２種以上組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、特に、一価アルコール、ケトン、グリコール系の多価アルコールおよび多価アルコール誘導体や、アルコキシカルボン酸エステルを用いると良好な塗布性が得られる。
有機溶剤の使用量は、塗布液の調製に用いられるアルコキシシラン化合物の１モルに対し、１０〜３０モル倍量の割合で用いるのが好ましい。
【００２８】
前記アルコキシシラン化合物溶液には、任意成分として、例えば、塗布性を向上させる界面活性剤や、焼成時の脱水縮合を促進させる酸等を適宜含有させることができる。
【００２９】
次いで、得られたアルコキシシラン化合物溶液に酸触媒および水を加えて加水分解処理することにより、生成したシラノールの脱水縮合を経て、反応生成物を含む塗布液を得る。アルコキシシラン化合物溶液に、水および酸触媒を別個に添加してもよく、添加する水の一部または全部と酸触媒とを混合してなる酸触媒水溶液を添加してもよい。
ここでの加水分解処理は、溶液中のアルコキシシラン化合物を完全に加水分解させてもよく、部分的に加水分解させてもよい。加水分解の程度、すなわち加水分解度は水の添加量により調整することができる。
水の添加量が少なすぎると加水分解度が低くなり、被膜形成時の脱ガスが多くなるので好ましくない。水の添加量が多すぎるとゲル化を起こしやすく保存安定性が悪くなるので好ましくない。したがって、塗布液の調製に使用するアルコキシシラン化合物の合計量１モルに対して、すなわち塗布液（１）の場合は前記第１のアルコキシシラン化合物の１モルに対して、塗布液（２）の場合は前記第１のアルコキシシラン化合物及び前記第２のアルコキシシラン化合物の合計量の１モルに対して、２〜１０倍モル、より好ましくは６〜９倍モルの割合の水を加えるのが望ましい。
【００３０】
酸触媒としては、従来より一般的に使用されている有機酸、無機酸いずれも使用できる。有機酸の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸等の有機カルボン酸が挙げられる。無機酸の具体例としては、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸等が挙げられる。
酸触媒の添加量は、添加後のアルコキシシラン化合物溶液における酸の濃度が、１〜１０００ｐｐｍ、好ましくは、５〜５００ｐｐｍの範囲内となるように設定することが好ましい。
【００３１】
酸触媒および水は、アルコキシシラン化合物溶液を撹拌しながら徐々に添加することが好ましく、添加後、静置することによって加水分解反応が進む。該加水分解反応には５〜１００時間程度を要するが、アルコキシシラン化合物溶液を８０℃を超えない温度で加熱しながら、酸触媒水溶液を滴下して反応させれば、加水分解の反応時間を短縮させることができる。
前記アルコキシシラン化合物が酸触媒の存在下で加水分解されるとアルコキシ基がシラノール基に変化し、同時に該シラノール基が分子間で脱水縮合を起こし、その結果、ケイ素原子に有機基が結合したシロキサン結合が生成する。このようなシロキサン結合は被膜形成能を有する。アルコキシシラン化合物を、有機溶媒中、酸触媒の存在下で加水分解処理して得られる反応生成物には、重合度が２〜２０程度のシロキサンオリゴマーが主に含まれる。アルコキシシラン化合物を加水分解処理して得られるシロキサンオリゴマーの質量平均分子量は１０００〜４０００の範囲内であることが好ましく、より好ましい範囲は１５００〜３０００である。該反応生成物の質量平均分子量が１０００〜４０００の範囲内であれば、被膜の表面平坦性が良好であり、この範囲より大きいとゲル化しやすいし、小さいと被膜形成能に劣る。該アルコキシシラン化合物を加水分解処理して得られるシロキサンオリゴマーの質量平均分子量は加水分解反応に使用する水の添加量、反応時間、反応温度等によって制御することができる。
【００３２】
このようにして得られる塗布液は、得ようとする被膜の膜厚を考慮して、有機溶剤で適宜希釈して用いることができる。希釈に用いる有機溶剤は、アルコキシシラン化合物溶液に用いる有機溶剤として前記に挙げたものを用いることができる。塗布液の固形分濃度は特に限定されないが、多すぎると塗布液の製造が困難となるし、少なすぎると所望の膜厚が得られないので、通常、ＳｉＯ２換算で２〜２５質量％程度の範囲内で、塗布面の表面形状、塗布方法、得ようとする塗膜の厚さ等に応じて適宜設定するのが好ましい。
【００３３】
また、該塗布液は、固形分を除く全溶媒中における水分含有量が１〜３０質量％であることが好ましく、５〜１５質量％の水分を含有していることがより好ましい。塗布液における該水分含有量を上記の範囲内とすることにより、フッ化水素酸によるウェットエッチング耐性を効果的に向上させることができる。
塗布液中の該水分含有量を制御する方法は特に限定されないが、例えば、前記アルコキシシラン化合物溶液に水を加えて加水分解処理する際に、当該加水分解反応に必要な水の量に対して過剰量の水を添加しておき、反応終了後の塗布液中に上記好ましい範囲内の水分が残るように反応時間をコントロールして加水分解反応を終了させる方法がある。
または、前記アルコキシシラン化合物の加水分解処理を終えた溶液中から、一旦水分を除去した後、新たに水を添加する方法によって、前記塗布液における前記水分含有量を上記の好ましい範囲内とすることができる。
または、前記アルコキシシラン化合物の加水分解処理を終えた溶液に水を添加する方法によっても、前記塗布液における前記水分含有量を上記の好ましい範囲内とすることができる。
なお、塗布液における前記水分含有量、すなわち塗布液の固形分を除く溶媒中における水分含有量は、ガスクロマトグラフィによって測定することができる。
【００３４】
［シリカ系有機被膜の形成］
このようにして調製した塗布液を被処理物１５上に塗布して塗膜を形成した後、該塗膜を焼成することにより、塗膜中でさらに脱水縮合反応が生じてポリオルガノシロキサンが形成され、シリカ系有機被膜５が得られる。
【００３５】
被処理物１５上に塗布液を塗布する方法としては、例えば、スピンナー法、ロールコーター法、浸漬引き上げ法、スプレー法、スクリーン印刷法、刷毛塗り法など、既知の手法を適宜用いることができる。
【００３６】
被処理物１５上に形成した塗膜を直ちに焼成することもできるが、焼成前に乾燥させて、塗膜中に含まれる有機溶剤の一部を除去した方が、塗膜表面の均一性が良くなるので好ましい。
乾燥温度は、塗膜中に含まれている有機溶剤の沸点以上の温度であればよいが、高すぎると表面が不均一になるので、２２０℃以下とすることが好ましい。
また、塗膜の乾燥は、５０〜１００℃、好ましくは７０〜９０℃で、３０〜９０秒間、好ましくは５０〜７０秒間加熱する第１の乾燥工程と、該第１の乾燥工程の後、１３０〜１７０℃、好ましくは１４０〜１６０℃で、３０〜９０秒間、好ましくは５０〜７０秒間加熱する第２の乾燥工程と、該第２の乾燥工程の後、１９０〜２２０℃、好ましくは１９０〜２１０℃で、３０〜９０秒間、好ましくは５０〜７０秒間加熱する第３の乾燥工程の３段階で行うことがより好ましい。このように３段階の乾燥工程を行うことにより、塗膜の表面の均一性をより向上させることができる。
【００３７】
塗膜の焼成は、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下、好ましくは１００〜１０００ｐｐｍ、より好ましくは１００〜５００ｐｐｍの雰囲気中にて行う。
塗膜中には、ケイ素原子に結合している有機基が存在しており、この有機基は酸素濃度が１０００ｐｐｍを超える雰囲気中で加熱されると６００℃程度で分解してしまうが、酸素濃度を低減させた雰囲気中で加熱することにより、６００℃を超える温度で焼成しても有機基の分解を抑えて被膜を形成することができる。また酸素濃度を低減させた状態で焼成することにより、驚くべきことに、空気中で焼成する場合に比べて焼成温度が同じでも、得られるシリカ系有機被膜５のフッ化水素酸に対する耐性が向上し、かつ雰囲気温度の上昇に伴う脱ガスが小さく抑えられる。そして、これによりガスの揮散による膜収縮、それに伴うクラックの発生、シリカ系有機被膜５とその上に設けられる膜との密着性の低下等の現象を抑えることができる。
【００３８】
焼成条件は、加熱により塗膜中の有機溶剤が除去され、さらに脱水縮合反応が促進されて、オルガノシロキサンの被膜が得られるように設定するのが好ましい。また、焼成後の被膜中の有機基含有比が０．０１以上となる程度に、有機基を残存させることができるように設定することがより好ましい。焼成後の被膜中の有機基含有比は、焼成温度、焼成時間、および雰囲気中の酸素濃度によって変化し得る。
焼成温度は、好ましくは６００〜７５０℃の範囲内で設定され、より好ましくは６５０〜７５０℃、さらに好ましくは６８０〜７２０℃の範囲内で設定される。
焼成時間は、通常１０〜６０分間の範囲内で好ましく設定され、より好ましくは２０〜４０分間の範囲内で設定される。
焼成時の温度が高いほど、被膜の緻密性は高くなり、得られるシリカ系有機被膜５のフッ化水素酸に対する耐性がより向上するとともに、雰囲気温度の上昇に伴う脱ガスがより小さく抑えられる。ただし、焼成温度が７５０℃を超えると、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下に低減された雰囲気中での焼成であっても有機基の分解が生じ易くなる。そして、被膜中の有機基が分解すると、所望の特性を備えたシリカ系有機被膜が得られないので、焼成温度の上限は７５０℃付近である。
【００３９】
焼成時の雰囲気の酸素濃度を低減させる方法として、不活性ガスで大気を充分に置換する方法を用いることができる。不活性ガスとしては、例えば窒素ガスが好適である。また、塗膜の温度が有機基の分解温度に達する前に、雰囲気中の酸素濃度が低減されていることが必要であるので、有機基が分解しない温度帯で不活性ガスによる雰囲気置換を行った後、焼成温度まで昇温することが好ましい。焼成時雰囲気の酸素濃度が低いほど、焼成時に分解される有機基の量が低減する。該酸素濃度は０ｐｐｍでもよいが、そのレベルを達成するには経済的に好ましくない。
【００４０】
このようにして被処理物１５上にシリカ系有機被膜５を形成した後、周知の手法により、Ｐ−ＴＥＯＳ膜７の形成、コンタクトホール８の形成、コンタクトホール８内の洗浄、ＴｉＮ膜９の形成、Ｗ−プラグ１０の形成、および第２の配線パターン１１の形成を順に行うことにより、図１に示すような構造を有する基材が得られる。
コンタクトホール９内の洗浄には、一般に、濃度０．１〜０．５質量％程度のフッ化水素酸が用いられる。
【００４１】
［シリカ系有機被膜］
このように、特定の酸素濃度条件下で、有機基の分解を抑えつつ焼成することにより、ポリオルガノシロキサンからなるシリカ系有機被膜５が得られる。該シリカ系有機被膜５中における有機基含有比は０．０１以上であることが好ましく、より好ましくは０．０２以上である。
図２は、シリカ系有機被膜５の赤外線吸収スペクトルの例を示したものである。
本明細書におけるシリカ系有機被膜の有機基含有比とは、この図に示すように、シリカ系有機被膜について赤外線吸収スペクトルを測定して得られたスペクトルにおける、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉに対応するピーク面積（この図の例ではピークＰ１の面積Ａ）に対する、ＳｉＲ１のピーク面積およびＳｉＲ３のピーク面積の合計（この図の例では、ＳｉＣＨ３に対応するピークＰ２の面積Ｂ）の比（Ｂ／Ａ）を算出して得られる値をいう。例えばＳｉ−Ｏ−Ｓｉに対応するピークは１０５０ｃｍ−１付近で得られ、ＳｉＣＨ３に対応するピークは１２５０ｃｍ−１付近で得られる。
【００４２】
シリカ系有機被膜５中の有機基含有比は、塗布液の調製に用いるアルコキシシラン化合物の組成によって変わるほか、焼成条件、すなわち焼成時に分解される有機基の量によっても変化するので、原料組成および焼成条件によって制御可能である。
シリカ系有機被膜５の有機基含有比が０．０１未満であると、サイドエッチングの防止効果が不十分となるほか、加熱焼成時のクラック発生など無機ＳＯＧ被膜と同様の問題が生じやすくなる。シリカ系有機被膜５の有機基含有比の値が大きいほど、被膜表面の疎水性が高くなってフッ化水素酸に対する耐性が高くなる、被膜の表面平坦性が良くなる、焼成によって塗膜から被膜へ転化する際の膜の収縮率が小さくなり成膜時のストレスが小さくなる等の利点が得られるので好ましい。シリカ系有機被膜５の有機基含有比は焼成温度が高いほど小さくなる傾向があり、シリカ系有機被膜５の有機基含有比の上限値は、例えば７００℃で０．０３８程度、６００℃で０．０４１程度である。
【００４３】
また、本実施形態のシリカ系有機被膜５は、フッ化水素酸に対する優れた耐性を有しており、コンタクトホール９内をフッ素含有溶液で洗浄する際の、サイドエッチングの発生が防止される。
従来の有機ＳＯＧ被膜の製法、すなわち空気中で焼成する製法で得られる被膜は、０．５質量％の濃度のフッ化水素酸によるウェットエッチングにおけるエッチングレートが１００オングストローム／分程度より大きいものであった。本発明によれば該エッチングレートを低減させることができ、好ましくは１００オングストローム／分以下、より好ましくは６０オングストローム／分（６ｎｍ／分）以下のシリカ系有機被膜５を得ることが可能である。特に該エッチングレートが６０オングストローム／分以下であればサイドエッチングをより有効に防止することができる。シリカ系有機被膜５の前記エッチングレートは、好ましくは１０〜５０オングストローム／分以下である。
【００４４】
ここで、本発明における０．５質量％の濃度のフッ化水素酸によるウェットエッチングは２５℃で行うものとする。また該ウェットエッチングにおけるエッチングレートは、シリカ系有機被膜の被膜表面と、該被膜の基板付近とで大きく変化する傾向があるので、本発明においては、コンタクトホール内のサイドエッチングに最も近い条件とするために、被膜内部のエッチングレートを採用する。
例えば、次のようにしてエッチングレートを算出する。すなわち、まず膜厚４０００オングストロームの被膜を設け、これを上記濃度のフッ化水素酸に浸漬し、エッチングレートを測定する。膜厚Ｘ１（オングストローム）の状態から、膜厚が減少して膜厚Ｘ２（オングストローム）の状態になるまでに要した時間をＴ（分）とすると、エッチングレート（単位：オングストローム／分）は下記の計算式で求められる。
（Ｘ１−Ｘ２）／Ｔ
ただし、本明細書では被膜内部におけるエッチングレートを採用するものとし、膜厚３０００オングストロームから膜厚１５００オングストロームの間の、一部ままたは全部におけるエッチングレートを測定する。すなわち、上記の計算式中、Ｘ１は３０００オングストローム以下の値、Ｘ２は１５００オングストローム以上の値であり、Ｘ１＞Ｘ２である。
【００４５】
シリカ系有機被膜５中の有機基含有比が高いほど、被膜表面の疎水性が高くなるため前記エッチングレートは小さくなり、焼成温度が高いほど被膜の緻密性が向上するため前記エッチングレートは小さくなる。前述したように焼成温度が高いほどシリカ系有機被膜５の有機基含有比は小さくなる傾向にあるが、耐フッ化水素酸に対する耐性に関しては、被膜中の有機基含有比よりも焼成温度の方が影響が大きい。したがって、前記エッチングレートの下限値は、例えば焼成温度が７００℃で１５オングストローム／分程度、６００℃で４０オングストローム／分程度である。このことから、焼成温度は７００℃付近（６８０℃〜７２０℃）がより好ましい。
【００４６】
また、本実施形態のシリカ系有機被膜５は、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下に低減された状態であれば７５０℃程度の高温に曝されても有機基の分解が抑えられて、膜特性の劣化が抑えられるので、加熱温度が７５０℃までの高温プロセスに用いることができる。
【００４７】
本実施形態のシリカ系有機被膜５の製造方法によれば、被処理物１５上に塗布液を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を焼成して被膜とするので、被処理物１５の塗布面に微細な凹凸があっても、それらの間を容易に、隙間無く埋め込むことができ、塗膜の表面の平坦性にも優れている。
したがって、本実施形態の製造方法によれば、例えば、中間層に覆われた状態での隣り合う配線パターン間の距離（図１中、符号Ｄで示す）が０．２５μｍ程度に微細化された配線パターンであっても、配線間の微小なスペースを良好な被膜でボイド無く埋め込むことができ、埋め込み性および表面平坦性に優れたシリカ系有機被膜５が得られる。
また、本実施形態の製造方法によれば、焼成による有機基の分解が抑えられるので、高温プロセスであっても、従来の有機ＳＯＧ被膜と同程度の有機基を含有し、さらに緻密性が高いシリカ系有機被膜が形成されるので、従来の有機ＳＯＧ被膜に比べて優れた耐フッ化水素酸性および脱ガス特性を有するシリカ系有機被膜５が得られる。
したがって、従来の有機ＳＯＧ被膜が適用されていなかった高温プロセスにおいても本実施形態のシリカ系有機被膜５を好適に用いることができ、従来の無機ＳＯＧ被膜では解決するのが難しかった、サイドエッチングによる配線間の短絡を防止できるので、配線間隔の狭小化にも対応できる。
【００４８】
なお、基材の構成は図１に示したものに限定されない。
基板１としては、シリカ系有機被膜５を形成するための焼成温度に耐えうる耐熱性を有するものであればよく、シリコン基板等の半導体基板、金属基板、セラミック基板などを用いることができる。
【００４９】
第１の配線パターン２を構成する材料は、シリカ系有機被膜５を形成するための焼成温度に耐えうる耐熱性を有するものであればよく、耐熱温度が６００℃以上の材料が好ましく用いられる。具体例としては、多結晶シリコン等が挙げられる。
本発明のシリカ系有機被膜は、特に、基板１上に形成される第１の配線パターン２における配線間距離Ｄの最小値が０．２５μｍ以下、より好ましくは０．０５〜０．２５μｍの範囲内である基板上に好適に用いることができる。なお、本明細書において、配線パターンにおける配線間距離は、シリカ系有機被膜を形成する直前の状態、図１の例では中間層３で覆われた状態での距離とする。
【００５０】
本発明において、基板１および第１の配線パターン２以外の層は任意に設けることができるが、特に、第１の配線パターン２上にＣＶＤ法により中間層３が設けられる場合、中間層３の表面が平坦にならないので、中間層３よりも上層に設ける平坦化膜または層間絶縁膜としてシリカ系有機被膜５が好ましく適用される。
中間層３を構成する材料は、シリカ系有機被膜５を形成するための焼成温度に耐えうる耐熱性を有するものであればよく、耐熱温度が６００℃以上の材料が好ましく用いられる。具体例としては窒化ケイ素等が挙げられる。
【００５１】
コンタクトホール８内の構成は限定されず、図１に示すようにコンタクトホール８内に導電性材料を充填すればよい。
コンタクトホール８内に充填される導電性材料としては、タングステン等を用いることができる。
【００５２】
また、シリカ系有機被膜５は埋め込み性および表面平坦性に優れているので、第１の配線パターン２よりも上層に第２の配線パターン１１を設ける基材において、第１の配線パターン２と第２の配線パターン１１との間にシリカ系有機被膜５を設けることが好適である。これによって第１の配線パターン２による凹凸が隙間無く埋められて、平坦になった面上に第２の配線パターン１１を形成することができるので、第２の配線パターン１１における断線が防止される。
第２の配線パターン１１を構成する材料は、耐熱温度が４００〜５００℃であればよく、特に限定されない。一般的に第２の配線パターン１１よりも上側（基板の反対側）は低温プロセスにより形成され、第２の配線パターン１１としては例えば、アルミニウム等の金属材料が好適に用いられる。
【００５３】
なお、本発明のシリカ系有機被膜は、図１に示す例のように、基板上に形成された微細な配線パターンを覆う平坦化膜として特に好適であるが、平坦化膜に限らず、層間絶縁膜やパッシベーション膜を形成するのにも好適に用いることができる。
【００５４】
【実施例】
（例１）
モノメチルトリメトキシシラン９０．６７ｇ（０．６７モル）と、テトラメトキシシラン５０．６７ｇ（０．３３モル）を、アセトン４６．２２ｇとイソプロピルアルコール９２．４３ｇとの混合物からなる有機溶剤に溶解させてアルコキシシラン化合物溶液を得た。これに純水１２０．０ｇ（６．７モル）と硝酸５０．０マイクロリットルを加えて撹拌した後、室温にて４日間静置することにより熟成させて塗布液を得た。該塗布液中の固形分としてオルガノシロキサンオリゴマーが生成しており、該オルガノシロキサンオリゴマーの質量平均分子量は１５００であった。また該塗布液のＳｉＯ２換算の固形分濃度は１５質量％であった。
得られた塗布液を、膜厚調製のため適当な濃度に希釈した。ガスクロマトグラフィの測定の結果、該塗布液の固形分を除いた溶媒中における水分含有量は１１質量％であった。当該塗布液を、図１に示す構成の被処理物１５上に、スピンナー法により塗布して、塗膜を形成した。被処理物１５を構成する基板１はシリコン基板であり、多結晶シリコンからなる第１の配線パターン２の配線間距離Ｄは０．２０μｍであった。塗布時の条件は回転数２５００ｒｐｍ、塗膜の厚さはベアウェハー上で４４００オングストロームとした。
次いで、形成した塗膜を８０℃で１分間乾燥させた後、１５０℃で１分間乾燥させ、さらに２００℃で１分間乾燥させた。
続いて、被処理物１５上の塗膜を焼成するために、まず加熱炉内に窒素ガスを５リットル／分の流量で供給して雰囲気置換を行った。加熱炉内の酸素濃度が１０００ｐｐｍとなったところで、前記塗膜付被処理物１５を加熱炉内に入れて７００℃に昇温し、窒素ガスを供給しながら、７００℃で３０分間焼成することによりシリカ系有機被膜５を形成した。
【００５５】
このようにして形成されたシリカ系有機被膜５によって、中間層（ＳｉＮ膜）３における配線間距離Ｄが０．２０μｍの凹凸はボイド無く埋められており、シリカ系有機被膜５にクラック等は発生しておらず、表面は平坦であった。また、配線間距離Ｄが０．０５μｍの場合も、ボイド、クラックはなく表面は平坦であった。
得られたシリカ系有機被膜５中の炭素含有量は下記数式（２）で算出され、その値は１２．４原子量％である。
［２Ｃ／｛２（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）＋ＳｉＯ２｝］×１００  …（２）
【００５６】
図２は、焼成後に得られたシリカ系有機被膜５についての赤外線吸収スペクトルを示すグラフである。
この赤外線吸収スペクトルより、本実施例で得られたシリカ系有機被膜５の有機基含有比を算出したところ０．０３２であった。
【００５７】
また、ベアウェハーに上記と同様にして、シリカ系有機被膜を膜厚４０００オングストロームで設け、濃度が０．５質量％のフッ化水素酸に１５０分間浸漬させて２５℃にてウェットエッチングを行った。そのときの膜厚３４００〜１２００オングストローム間のエッチングレートは５３オングストローム／分であった。
さらに、得られたシリカ系有機被膜５に、基板１にまで達するコンタクトホールを形成し、該コンタクトホール内を濃度が０．５質量％のフッ化水素酸で満たした。１０分経過後にコンタクトホールの断面を観察したところ、コンタクトホールの底部でもサイドエッチングは生じていなかった。
【００５８】
（例２）
例１において、モノメチルトリメトキシシランの量を１０２．１５ｇ（０．７５モル）に、テトラメトキシシランの量を３８．０５ｇ（０．２５モル）に、アセトンを４７．６０ｇに、イソプロピルアルコールを９５．２０ｇに、さらに水を１１７．０ｇ（６．５モル）に変えた以外は、例１と同様にして質量平均分子量１６００のオルガノシロキサンをＳｉＯ２換算で１５質量％含む塗布液を得た。得られた塗布液を、膜厚調製のため適当な濃度に希釈した。ガスクロマトグラフィの測定の結果、該塗布液の固形分を除いた溶媒中における水分含有量は１０質量％であった。
次いで、膜厚を４２００オングストロームに変えた以外は、例１と同様にして、評価したところ、中間層（ＳｉＮ膜）３における配線間距離０．２０μｍの凹凸はボイドなく埋められており、シリカ系有機被膜５にクラック等は発生しておらず、表面は平坦であった。また、配線間距離が０．０５μｍの場合もボイド、クラックはなく表面は平坦であった。
得られたシリカ系有機被膜５の炭素含有量は下記数式（３）で算出され、その値は１３．８原子量％である。
［３Ｃ／｛３（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）＋ＳｉＯ２｝］  ×１００  …（３）
また、焼成後に得られたシリカ系有機被膜５についての赤外吸収スペクトル（図示しない）から、有機基含有比を算出したところ、０．０３８であった。
また、例１と同様にして、０．５質量％のフッ化水素酸に２１０分間浸漬させて２５℃にてウエットエッチングを行った。そのときの膜厚３５００〜１１００オングストローム間の部分におけるエッチングレートは４０オングストローム／分であった。
さらに例１と同様にコンタクトホール内のサイドエッチングを観察したところ、サイドエッチングは生じていなかった。
【００６０】
（例３）
例１において、塗布液をハイドロジェンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）からなる無機ＳＯＧに変え、焼成条件を大気中８００℃で３０分間に変えた以外は、例１と同様にして、評価したところ、中間層（ＳｉＮ膜）３における配線間距離０．２０μｍの凹凸はボイドがなく、クラックもなく平坦化されていた。
また、例１と同様にして、０．５質量％のフッ化水素酸に対するエッチングレートを求めたところ、７０オングストローム／分であった。
さらに例１と同様にコンタクトホール内のサイドエッチングを観察したところ、サイドエッチングが生じていた。
【００６１】
（例４）
例１において、焼成条件を、窒素ガスを供給せず大気中（酸素濃度１０００ｐｐｍ超）に変えた以外は、例１と同様におこなったところ、焼成時に有機基が分解しシリカ系有機膜は形成されなかった。
従って、焼成後に得られた被膜についての赤外吸収スペクトル（図示しない）から、有機基含有比を算出したところ、０であった。
また、例１と同様にして、評価したところ、中間層（ＳｉＮ膜）３における配線間距離０．２０μｍの凹凸はボイドは発生しないが、クラックが発生していた。
また、例１と同様にして、０．５質量％のフッ化水素酸に対するエッチングレートを求めたところ、１５０オングストローム／分であった。
さらに例１と同様にコンタクトホール内のサイドエッチングを観察したところ、サイドエッチングが生じていた。
【００６２】
（昇温脱離分光分析試験）
例１において、焼成後に得られたシリカ系有機被膜５を昇温脱離分光法（ＴＤＳ）により分析した。その結果を図３に示す。
図３において、ａはＣＨ３、ｂはＨ２Ｏ、ｃはＣ２Ｈ４またはＣＯ、およびｄはＣＯ２のそれぞれのガスに対応するグラフである。
これらのグラフの結果より、例１で得られた被膜は、７００℃程度までは脱ガスがほとんど生じず、７００〜８００℃でも脱ガスは少なかった。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のシリカ系有機被膜の製造方法によれば、高温プロセスに適用可能なシリカ系有機被膜を得ることができる。また、該シリカ系有機被膜は埋め込み性および表面平坦性に優れ、脱ガスも低減させることができる。さらに、フッ化水素酸に対する耐性を向上させてサイドエッチングの発生防止を達成することも可能である。
本発明のシリカ系有機被膜は、基板上に形成された微細な配線パターンを覆う平坦化膜として特に好適であり、低温プロセス、および従来の有機ＳＯＧ被膜が適用されなかった高温プロセスに適用可能である。したがって、本発明によれば、基板上に、耐熱温度６００℃以上の第１の配線パターンが設けられ、該第１の配線パターンが本発明のシリカ系有機被膜で覆われた基材を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基材の一実施形態における主要部分の断面図である。
【図２】本発明に係るシリカ系有機被膜の赤外線吸収スペクトルの例を示すグラフである。
【図３】例１で得られたシリカ系有機被膜を昇温脱離分光法により分析した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１…基板、２…第１の配線パターン、３…中間層、５…シリカ系有機被膜、
８…コンタクトホール、１０…Ｗ−プラグ（導電性材料）、
１１…第２の配線パターン。
【図１】
0003631236.tif 000008
【図２】
0003631236.tif 000009
【図３】
0003631236.tif 000010