(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）下記一般式（ＩＩ）
【化１】
0003729641.tif 000025
（式中、Ｒ９〜Ｒ１７は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ１８は、シクロへキシル基を表す）で表される化合物のトリエステル体リッチのキノンジアジドエステル化物（ここでいう「トリエステル体リッチ」とは、２５４ｎｍを測定波長とする高速液体クロマトグラフィーにおいて測定したトリエステル体のピーク面積比が、他のモノ、ジおよびテトラエステル体のいずれかのピーク面積比に対しても相対的に大きいことを意味する）の中から選ばれる少なくとも１種の化合物のキノンジアジドエステル化物を全キノンジアジドエステル化物中５０〜９０％重量の範囲で含有するキノンジアジドエステル化成分、および（Ｃ）４，４'−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項２】
（Ｃ）成分の含有量が、（Ｃ）成分を除く組成物の全固形分に対して０．１〜１．０重量％であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項３】
支持体上に、請求項１または２のいずれか１項に記載のポジ型ホトレジスト組成物の溶液を塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次に前記感光層を露光し、適当な現像液で現像することを特徴とする、アンダー露光余裕度［Ｅｏｐ露光量（基板照度５００ｍＷ／ｃｍ２においてマスクパターンの設定寸法を忠実に再現することのできる露光量であり、ミリ秒（ｍｓ）で表す）と、Ｅｓ露光量（基板照度５００ｍＷ／ｃｍ２において分離パターンを形成することができる最小露光量であり、ミリ秒（ｍｓ）で表す）との比であり、Ｅｏｐ／Ｅｓで表す］の大きいレジストパターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高感度、高解像性であり、かつ焦点深度幅特性、アンダー露光余裕度が改善されたポジ型ホトレジスト組成物に関する。なお、本明細書においてアンダー露光余裕度とは、Ｅｏｐ露光量（基板照度５００ｍＷ／ｃｍ２においてマスクパターンの設定寸法を忠実に再現することのできる露光量であり、ミリ秒（ｍｓ）で表す）と、Ｅｓ露光量（基板照度５００ｍＷ／ｃｍ２において分離パターンを形成することができる最小露光量であり、ミリ秒（ｍｓ）で表す）との比であり、Ｅｏｐ／Ｅｓで表す。
【０００２】
【従来の技術】
ハーフミクロン以下、とくに０．３５μｍ以下の高解像性を必要とする超ＬＳＩの作製においては、感度、解像性、アンダー露光余裕度、および焦点深度幅特性に優れ、かつ形状のよいレジストパターンを形成することができるホトレジスト組成物が望まれている。
【０００３】
例えば、特開平６−１６７８０５号公報には、高解像性のポジ型ホトレジスト組成物として、感光性成分に４〜７核体のリニア型ポリフェノール骨格を有するキノンジアジドエステル化物が開示されている。しかしこの従来技術は、高解像性である一方、そのγ値が極端に高いことからアンダー露光余裕度が１．０〜１．２と非常に小さく、とくに露光量の低い部分（アンダー露光側）でパターンが形成されない傾向にある。
従って、露光工程においては、露光時間が数ｍｓ最適露光量（Ｅｏｐ露光量）に足りなかったり、レジスト膜厚が下地基板の段差により部分的に数ｎｍ厚くなっただけで露光量不足となり、レジストパターンが形成されないといった欠点を有する。
また、当該感光性成分を用いた材料は、０．３５μｍ以下の超微細なレジストパターンを形成する場合において、露光時の光源の焦点がプラス側にずれた場合（光の焦点がレジスト表面より基板側にある）にパターンが形成されない現象がみられる。図４は、当該感光性成分を用いたときの光源のずれによるレジストパターンの形成の状態を説明するための図であり、（ａ）は当該感光性成分、（ｂ）は４〜７核体のリニア型ではない構造の感光性成分（例えば下記の特開平７−１５２１５１号公報に記載の成分）を示している。図４を参照すると、光源の焦点がずれていない場合を０とし、焦点がマイナス側にずれたときには、両者のパターンの形成に差異はないが、当該感光性成分は、焦点がプラス側にずれたとき、上記のようにパターンが形成されず、特異な性質を示す。
その結果、焦点深度幅が狭く、露光工程において光源と基板との距離がずれたり、レジスト被膜を段差のある基板上に形成し、レジスト被膜表面が下地基板の段差により凹凸を有する様な場合に、設定寸法のレジストパターンが形成されないといった欠点を有する。
【０００４】
また、特開平７−１５２１５１号公報には、高解像性、および焦点深度幅特性に優れる材料として、アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジドエステル化物、および４，４’−ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノンを含有して成るポジ型ホトレジスト組成物が開示されているが、アンダー露光余裕度が小さい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
したがって本発明の目的は、高感度、高解像性であり、かつ焦点深度幅特性、アンダー露光余裕度が改善されたポジ型ホトレジスト組成物の提供にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、上記課題を解決することができた。
すなわち本発明は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）
【０００７】
【化２】
0003729641.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基を表す）
および下記一般式（II）
【０００９】
【化３】
0003729641.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１７は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ１８は、炭素原子数１〜３のアルキル基またはシクロアルキル基を表す）
で表される化合物の中から選ばれる少なくとも１種の化合物のキノンジアジドエステル化物、および（Ｃ）４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを含有してなるポジ型ホトレジスト組成物を提供するものである。
また本発明は、（Ｃ）成分の含有量が、（Ｃ）成分を除く組成物の全固形分に対して０．１〜１．０重量％であることを前記のポジ型ホトレジスト組成物を提供するものである。
さらに本発明は、（Ｂ）成分は、
【００１１】
【化４】
0003729641.tif 000004
【００１２】
のキノンジアジドジエステル化物であることを特徴とする前記のポジ型ホトレジスト組成物を提供するものである。
さらにまた本発明は、支持体上に、前記のポジ型ホトレジスト組成物の溶液を塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次に前記感光層を露光し、適当な現像液で現像することを特徴とする、アンダー露光余裕度［Ｅｏｐ露光量（基板照度５００ｍＷ／ｃｍ２においてマスクパターンの設定寸法を忠実に再現することのできる露光量であり、ミリ秒（ｍｓ）で表す）と、Ｅｓ露光量（基板照度５００ｍＷ／ｃｍ２において分離パターンを形成することができる最小露光量であり、ミリ秒（ｍｓ）で表す）との比であり、Ｅｏｐ／Ｅｓで表す］の大きいレジストパターンの形成方法を提供するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
（Ａ）アルカリ可溶性樹脂
（Ａ）成分としてのアルカリ可溶性樹脂は、とくに制限されるものでなく、ポジ型ホトレジスト組成物において被膜形成物質として通常用いられ得るものの中から任意に選ぶことができる。
例えば、芳香族ヒドロキシ化合物とアルデヒド類またはケトン類との縮合反応生成物、ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体等を挙げることができる。
【００１４】
前記芳香族ヒドロキシ化合物としては、例えばフェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール等のキシレノール類；ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール等のアルキルフェノール類；ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；ｏ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノール、２−エチル−４−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類；フェニルフェノール等のアリールフェノール類；４，４´−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１５】
前記アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフラール、フリルアクリレイン、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ケイ皮酸アルデヒド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１６】
前記ケトン類として、例えばアセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。さらにまた、アルデヒド類とケトン類とを適宜組み合わせて用いてもよい。
【００１７】
芳香族ヒドロキシ化合物とアルデヒド類またはケトン類との縮合反応生成物は、酸性触媒の存在下公知の方法で製造することができる。その際の酸性触媒としては、塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、ｐ−トルエンスルホン酸等を使用することができる。
【００１８】
ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体としては、例えばビニルフェノールの単独重合体、ビニルフェノールとこれと共重合し得るコモノマーとの共重合体等が挙げられる。このコモノマーとしては、例えばアクリル酸誘導体、アクリロニトリル、メタクリル酸誘導体、メタクリロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン等のスチレン誘導体が挙げられる。
【００１９】
中でも本発明において好適な（Ａ）成分としてのアルカリ可溶性樹脂は、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール等のフェノール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド類との反応により得られる低分子領域をカットしたノボラック樹脂が耐熱性に優れていて好ましい。とくに、ｐ−クレゾールを５〜４０重量％含有し、この他にｍ−クレゾール、２，５−キシレノールを構成単位とし、オルソ−オルソ結合の含有量が２０〜８０％のノボラック樹脂が好ましい。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は、低分子領域をカットした２０００〜２５０００の範囲で、好ましくは２５００〜２００００、さらに好ましくは５０００〜１００００の範囲で選ばれる。ここで重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値である。
低分子領域のカットは、分別等の処理により行うことができる。この処理は、縮合反応により得られた樹脂を良溶媒、例えばメタノール、エタノール等のアルコール、アセトン、メチルエチルケトン等のケトンや、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン等に溶解し、次いで水中に注ぎ沈殿させる等の方法により行われる。
【００２０】
（Ｂ）キノンジアジドエステル化物
本発明における（Ｂ）成分は、一般式（Ｉ）および（II）で表される化合物の中から選ばれる少なくとも１種の化合物のキノンジアジドエステル化物であり、このような（Ｂ）成分を使用することにより、アンダー露光余裕度を初めとする本発明の所望する効果が得られる。
【００２１】
好適な一般式（Ｉ）で表される化合物としては、例えば
【００２２】
【化５】
0003729641.tif 000005
【００２３】
【化６】
0003729641.tif 000006
【００２４】
【化７】
0003729641.tif 000007
【００２５】
【化８】
0003729641.tif 000008
【００２６】
【化９】
0003729641.tif 000009
【００２７】
【化１０】
0003729641.tif 000010
【００２８】
などが挙げられる。中でも化５で表されるビス［２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシフェニル］メタンが高解像性の点において好適である。
【００２９】
好適な一般式（II）で表される化合物としては、例えば
【００３０】
【化１１】
0003729641.tif 000011
【００３１】
【化１２】
0003729641.tif 000012
【００３２】
【化１３】
0003729641.tif 000013
【００３３】
【化１４】
0003729641.tif 000014
【００３４】
【化１５】
0003729641.tif 000015
【００３５】
などが挙げられる。中でも化１１で表される２，４−ビス［４−ヒドロキシ−３−（４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルベンジル］−６−シクロヘキシルフェノールが高解像性の点において好適である。
【００３６】
また、一般式（Ｉ）のキノンジアジドエステル化物のエステル化率は５０％、即ちジエステル体リッチであることが好ましく、モノエステル体リッチでは残膜率および解像性が低下し、トリエステル体、テトラエステル体リッチでは、感度の低下が著しく、また現像残さ（スカム）が増加するので好ましくない。ここでいう「ジエステル体リッチ」とは、２５４ｎｍを測定波長とする高速液体クロマトグラフィーにおいて測定したジエステル体のピーク面積比が、他のモノ、トリ、およびテトラエステル体のいずれのピーク面積比に対しても、相対的に大きいことを意味する。なお、エステル化反応の結果、若干のモノ、トリ、テトラエステル体が合成される場合があるが、（Ｂ）成分中にこれらのエステル化物が存在していてもよい。
【００３７】
また、本発明の組成物には、下記一般式（III）
【００３８】
【化１６】
0003729641.tif 000016
【００３９】
（式中、Ｒ１９は、炭素原子数１〜５のアルキル基を表す）、および／または下記一般式（IV）
【００４０】
【化１７】
0003729641.tif 000017
【００４１】
（式中、Ｒ２０は、炭素原子数１〜５のアルキル基を表し、ｎは０または１〜８を表す）
で表される化合物のキノンジアジドエステル化物を併用することが好ましい。
これらは、露光時の光源の焦点がプラス側にずれた場合のパターン形成能、およびアンダー露光余裕度の改善に好適である。
【００４２】
一般式（III）で表される化合物としては没食子酸メチル、没食子酸エチル、没食子酸プロピル、没食子酸ブチルおよび没食子酸ペンチル等が挙げられ、中でも没食子酸メチルは、焦点がプラス側にずれた場合のパターン形成能の改善に最も好ましい。
一般式（IV）で表される化合物としては、２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン、３，３−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）ペンタン、４，４−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）ヘプタン、ピロガロール−アセトン縮合物などが挙げられ、中でも２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパンは、焦点がプラス側にずれた場合のパターン形成能の改善に最も好ましい。
【００４３】
また、一般式（III）で表される化合物のキノンジアジドエステル化物のエステル化率は１００％、即ちトリエステル体リッチであることが好ましく、モノエステル体、ジエステル体リッチでは残膜率および解像性が著しく低下し、逆に焦点深度幅特性、アンダー露光余裕度を低下させて好ましくない。なお、エステル化反応の結果、若干のモノ、ジエステル体が合成される場合があるが、（Ｂ）成分中にこれらのエステル化物が存在していてもよい。
一方、一般式（IV）のキノンジアジドエステル化物のエステル化率は、ｎ＝０のとき、６７％、即ちテトラエステル体リッチであることが好ましく、モノ、ジ、トリエステル体リッチでは残膜率および解像性が低下し、逆に焦点深度幅特性、アンダー露光余裕度を低下させ、ペンタエステル体、ヘキサエステル体では、感度の低下が著しく、また現像残さ（スカム）が増加するので好ましくない。なお、エステル化反応の結果、若干のモノ、ジ、トリ、ペンタ、ヘキサエステル体が合成される場合があるが、（Ｂ）成分中にこれらのエステル化物が存在していてもよい。
なお、ｎ＝１〜８のときのエステル化率は、当該化合物に対して、（ｎ＋２）モルのキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物を反応させたものが好ましい。
【００４４】
（Ｂ）成分中に占める一般式（Ｉ）および／または（II）で表される化合物のキノンジアジドエステル化物の含有量は５０〜９０重量％、とくに６０〜８０重量％が好ましく、この範囲内によれば解像性、焦点深度幅特性およびアンダー露光余裕度にとくに優れたものとなる。
一方、必要に応じて（Ｂ）成分に存在する一般式（III）または（IV）で表される化合物のキノンジアジドエステル化物の含有量は５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％が好ましく、この範囲内によれば解像性、焦点深度幅特性およびアンダー露光余裕度にとくに優れたものとなる。
【００４５】
さらに、（Ｂ）成分には、上記以外のキノンジアジドエステル化物の他にさらに下記一般式（Ｖ）
【００４６】
【化１８】
0003729641.tif 000018
【００４７】
で表される化合物のキノンジアジドジエステル化物を併用することにより、アンダー露光余裕度が更に改善されて好ましい。
【００４８】
一般式（Ｖ）で表される化合物としては、
【００４９】
【化１９】
0003729641.tif 000019
【００５０】
【化２０】
0003729641.tif 000020
【００５１】
などを挙げることができる。
なお、一般式（Ｖ）で表される化合物のキノンジアジドエステル化物は、（Ｂ）成分中５〜３０重量％、とくに１０〜２０重量％の範囲で添加されることが本発明のポジ型ホトレジストの高解像性を損なわず、アンダー露光余裕度の改善効果が大きく好ましい。
【００５２】
本発明の組成物における（Ｂ）成分は、上記に例示した各種ヒドロキシ化合物とキノンジアジド化合物とのエステル化物であるが、該キノンジアジド化合物としては、例えばナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸ハロゲン化物、オルトベンゾキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物等を挙げることができ、中でも、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライド、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニルクロライド、ナフトキノン−１，２−ジアジド−６−スルホニルクロライド等のナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸ハロゲン化物が好ましい。エステル化反応は、常法により行うことができる。
【００５３】
なお本発明の組成物には、上記のいずれにも該当しないキノンジアジドエステル化物も必要に応じて（Ｂ）成分として併用することができる。
【００５４】
本発明の組成物において、（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂と所望に応じて添加される下記（Ｄ）成分との合計量に対し１０〜６０重量％、好ましくは２０〜５０重量％の範囲で選ぶのが好ましい。（Ｂ）成分の配合量が上記範囲を下回るとパターンに忠実な画像が得られず、転写性も低下する。一方、（Ｂ）成分の配合量が上記範囲を上回ると感度劣化と形成されるレジスト膜の均質性が低下し、解像性が劣化する。
【００５５】
（Ｃ）成分
本発明の組成物において、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを添加することにより、露光時の光源の焦点がプラス側にずれた場合のパターン形成能、およびアンダー露光余裕度が改善され好適である。
（Ｃ）成分の配合量は（Ｃ）成分を除く組成物の全固形分、つまり、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、および所望により添加される（Ｄ）感度向上剤の合計量に対し０．１〜１．０重量％、好ましくは０．１５〜０．５重量％の範囲で選択される。
この範囲を下回ると焦点深度幅特性およびアンダー露光余裕度の改善効果が十分に発揮されず、逆に上回ると感度および解像性が著しく劣るため好ましくない。
【００５６】
（Ｄ）感度向上剤
本発明の組成物には、必要に応じて（Ｄ）感度向上剤（増感剤）を配合することができる。（Ｄ）感度向上剤としてはとくに制限はなく公知のものを用いることができ、例えば、前記の一般式（Ｉ）、（II）、（III）および（IV）で表される化合物や、その他の化合物等を使用できる。具体的には例えばビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、１，４−ビス［１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］ベンゼン、２，４−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニルメチル）−６−メチルフェノール、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１−［１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２，６−ビス［１−（２，４−ジヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−メチルフェノール、４，６−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］レゾルシン、４，６−ビス（３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、４，６−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニルメチル）ピロガロール、２，６−ビス（３−メチル−４，６−ジヒドロキシフェニルメチル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニルメチル）−４−メチルフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等が好ましいものとして挙げられる。
【００５７】
中でも、
【００５８】
【化２１】
0003729641.tif 000021
【００５９】
【化２２】
0003729641.tif 000022
【００６０】
【化２３】
0003729641.tif 000023
【００６１】
で表される化合物の中から選ばれる少なくとも１種を（Ｄ）成分として使用することが好ましい。
これら（Ｄ）成分を配合する場合、その含有量は（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂に対し５〜５０重量％、好ましくは１０〜３５重量％の範囲で選ばれる。
【００６２】
本発明の組成物には、さらに必要に応じて、相容性のある添加物、例えばハレーション防止のための紫外線吸収剤、例えば２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、５−アミノ−３−メチル−１−フェニル−４−（４−ヒドロキシフェニルアゾ）ピラゾール、４−ジメチルアミノ−４’−ヒドロキシアゾベンゼン、４−ジエチルアミノ−４’−エトキシアゾベンゼン、４−ジエチルアミノアゾベンゼン、クルクミン等や、またストリエーション防止のための界面活性剤、例えばフロラードＦＣ−４３０、ＦＣ４３１（商品名、住友３Ｍ（株）製）、エフトップＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＥＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２６（商品名、トーケムプロダクツ（株）製）等のフッ素系界面活性剤などを本発明の目的に支障のない範囲で添加含有させることができる。
【００６３】
本発明の組成物は、（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）成分、さらに必要に応じて（Ｄ）成分や各種添加成分を、適当な溶剤に溶解して溶液の形で用いるのが好ましい。
このような溶剤の例としては、従来のポジ型ホトレジスト組成物に用いられる溶剤を挙げることができ、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；および乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。とくにアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類が好ましい。
【００６４】
本発明の組成物の好適な使用方法について一例を示すと、まず、シリコンウェーハ等の支持体上に、ポジ型ホトレジスト組成物の溶液をスピンナー等で塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ等を用い、マスクを介して露光する。次にこれを現像液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液のようなアルカリ性水溶液に浸漬すると、露光部が溶解除去されてマスクパターンに忠実なパターン画像を得ることができる。
【００６５】
【実施例】
以下、本発明を実施例および比較例によりさらに説明する。
ポジ型ホトレジスト組成物の諸物性は次のようにして求めた。
（１）感度：
試料をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、これをホットプレート上で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚１．０５μmのレジスト膜を得た。この膜にラインアンドスペースが１：１の０．３５μｍレジストパターン対応のマスク（レチクル）を介して縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、基板照度５００ｍＷ／ｃｍ２の条件下で０．１秒から０．０１秒間隔で露光したのち、１１０℃、９０秒間のＰＥＢ（露光後加熱）処理を行い、２．３８wt％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃にて６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、０．３５μｍレジストパターンのラインアンドスペース幅が１：１に形成される最適露光量（Ｅｏｐ）を感度としてミリ秒（ｍｓ）単位で表した。
（２）アンダー露光余裕度：
試料をスピンナーを用いてシリコンウェーハ上に塗布し、これをホットプレート上で９０℃、９０秒間乾燥して膜厚１．０５μmのレジスト膜を得た。この膜にラインアンドスペースが１：１の０．３５μｍレジストパターン対応のマスク（レチクル）を介して縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製、ＮＡ＝０．５７）を用いて、基板照度５００ｍＷ／ｃｍ２の条件下で０．１秒から０．０１秒間隔で露光したのち、１１０℃、９０秒間のＰＥＢ（露光後加熱）処理を行い、２．３８wt％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃にて６０秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥したとき、現像後に分離パターンを形成することができる最小露光量（Ｅｓ）をミリ秒（ｍｓ）単位で表し、アンダー露光余裕度をＥｏｐ／Ｅｓとして表した。
（３）プラス側焦点深度幅特性：
Ｅｏｐ露光量において、焦点をプラス側（基板側）にずらしたときに、ライアンドスペースが１：１の０．３５μｍのレジストパターンを、設定寸法の±１０％の変化率の範囲内で形成することができる限界のずれ幅をプラス側焦点深度幅特性とし、μｍ単位で表した。
（４）解像性：
０．３５μｍのマスクパターンを再現する露光量における限界解像度で表した。
【００６６】
（実施例１）
（Ａ）成分：
アルカリ可溶性ノボラック樹脂  １００重量部
（ｍ−クレゾール：ｐ−クレゾール：２，５−キシレノール＝５：１：４（モル比）で構成される低分子量フラクションを除去したもの（Ｍｗ＝６８００、オルソ−オルソ結合の含有量４５％））
（Ｂ）成分：
ｂ１／ｂ２＝７／１（重量比）  ５７重量部
〔ｂ１：ビス〔２，５−ジメチル−３−（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−ヒドロキシフェニル〕メタン（化５の化合物）のジエステル体リッチのエステル化物、ｂ２：没食子酸メチルのトリエステル体リッチのエステル化物〕
なおここでいうエステル化物とは、上記化合物とナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロライドとのエステル化物を意味する。
（Ｃ）成分：（Ａ＋Ｂ＋Ｄの０．２重量％）
４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン  ０．４重量部
（Ｄ）成分：
ｄ１／ｄ２＝１／１  ３３重量部
〔ｄ１：２，６−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール（化１９の化合物）、ｄ２：１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン〕
【００６７】
上記（Ａ）〜（Ｄ）成分を２−ヘプタノン４７０重量部に溶解した後、これを孔径０．２μｍのメンブランフィルターを用いてろ過し、ポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
【００６８】
（実施例２）
（Ｃ）成分の添加量を０．２重量部（Ａ＋Ｂ＋Ｄの０．１重量％）に代えた以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
【００６９】
（実施例３）
（Ｃ）成分の添加量を２．０重量部（Ａ＋Ｂ＋Ｄの１．０重量％）に代えた以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
【００７０】
（実施例４）
（Ｃ）成分の添加量を２．３重量部（Ａ＋Ｂ＋Ｄの１．２重量％）に代えた以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
【００７１】
（実施例５）
実施例１の（Ｂ）成分で使用したｂ１の代わりに下記のｂ３を用いた以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
ｂ３：２，４−ビス〔４−ヒドロキシ−３−（４−ヒドロキシベンジル）−５−メチルベンジル〕−６−シクロヘキシルフェノール（化１１の化合物）のトリエステル体リッチのエステル化物
【００７２】
（比較例１）
実施例１の（Ｂ）成分で使用したｂ１の代わりに下記のｂ４を用いた以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
ｂ４：ビス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−シクロヘキシルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタンのジエステル体リッチのエステル化物
【００７３】
（比較例２）
（Ｃ）成分を添加しなかったこと以外は実施例１と同様にしてポジ型ホトレジスト組成物を調製した。
【００７４】
上記の実施例１〜５および比較例１〜２で調製した組成物についての上記（１）〜（４）の物性を表１に示した。
【００７５】
【表１】
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【００７６】
さらに、実施例１、比較例１および比較例２の組成物を用いた場合のアンダー露光余裕度および焦点深度幅の関係を図１〜図３に示す（プロセスウィンドウ）。
図１〜図３において、横欄は露光時間（ミリ秒）であり、縦欄は焦点深度幅（μｍ）である。なお、黒色部分は、設定寸法（ラインアンドスペースが０．３５μｍで１：１）の±１０％の範囲を表す。図１の実施例１では、Ｅｏｐ４９０ミリ秒のとき、焦点がプラス側あるいはマイナス側にずれたときでも設定寸法に近く、良好な焦点深度幅が得られている。また露光時間が短い、すなわちアンダー露光であっても余裕度が大きい。これに比べて比較例１の図２、比較例２の図３では、実施例１の図１に比べて、焦点深度幅特性およびアンダー露光余裕度に劣っていることが分かる。
【００７７】
【発明の効果】
本発明によれば、高感度、高解像性であり、かつ焦点深度幅特性、アンダー露光余裕度が改善されたポジ型ホトレジスト組成物が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の組成物を用いた場合のアンダー露光余裕度および焦点深度幅の関係を示す図である。
【図２】比較例１の組成物を用いた場合のアンダー露光余裕度および焦点深度幅の関係を示す図である。
【図３】比較例２の組成物を用いた場合のアンダー露光余裕度および焦点深度幅の関係を示す図である。
【図４】従来の感光性成分を用いたときの光源のずれによるレジストパターンの形成の状態を説明するための図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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