(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプとなるボールをICのパッド部に押圧しながら超音波振動を付与することで金属接合し、IC上にバンプを形成するバンプボンディング方法において、常温常圧下で１３０〜３２０ｋHzの超音波振動を付与することを特徴とするバンプボンディング方法。
【請求項２】
ICのパッド部とバンプが異材質であることを特徴とする請求項１記載のバンプボンディング方法。
【請求項３】
ICのパッド部はアルミニウムで、バンプは金であることを特徴とする請求項２記載のバンプボンディング方法。
【請求項４】
ボールがパッド部に当接する直前まで第１の速度で移動し、ボールがパッド部に当接するまで第１の速度より低い第２の速度で移動し、ボールがパッド部に当接後、所定の押圧力に到達するまでボールの押圧力を増加させ、所定の押圧力に到達するとその押圧力を作用させつつ超音波振動を付与することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のバンプボンディング方法。
【請求項５】
ICがウェハの形態において、各ICにバンプを形成することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のバンプボンディング方法。
【請求項６】
ICがエキスパンドシート上に貼り付けられた状態において、各ICにバンプを形成することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のバンプボンディング方法。
【請求項７】
ICを位置決め保持可能なボンディングステージと、バンプとなるボールをICのパッド部に押圧しながら１３０〜３２０ｋHｚの超音波振動を付与する超音波ヘッドとを有するバンプボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップ方式の半導体集積回路（ＩＣと称する）を構成するに際して、ＩＣ側に凸型電極（スタッドバンプまたは単にバンプと称する）を形成するバンプボンディング方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、ＩＣ関連のワイヤボンディング技術を応用して、金又は金メッキされた金属により形成されたボールを、フリップチップＩＣの電極パッド部（単にパッド部と称する）に超音波接合し、バンプを形成するバンプボンディング技術が知られている。
【０００３】
従来の一般的なバンプボンディング装置を図７に示す。図７において、３１は金線、３２は金線３１が挿通されたキャピラリ、３３はＩＣ、３４は金線３１の先端近傍に配設された放電トーチ、３５は先端部にキャピラリ３２が取付けられた超音波ホーン、３６は超音波ホーン３５の基端部に取付けられた超音波振動子である。３７は中間部が枢支軸３７ａを介して支持ブラケット３８にて揺動自在に支持されたボンディングアームであり、一端部に超音波ホーン３５及び超音波振動子３６が装着され、他端部に上下駆動手段３９が配設されている。４０は支持ブラケット３８が設置されたＸ−Ｙテーブルである。４１は金線３１を保持するクランパ、４２は金線３１を引き上げるエアテンショナである。４３はＩＣ３３を位置決め保持するとともに加熱するヒートステージ、４４はそのヒータである。４５はＩＣ３３の位置を認識する認識カメラである。４６は超音波発振器、４７はスパーク発生装置、４８は高圧ケーブルである。
【０００４】
次に、動作を説明する。まず、ヒートステージ４３にＩＣ３３を保持させて加熱するとともに、認識カメラ４５によりＩＣ３３を認識してＸ−Ｙテーブル４０にてキャピラリ３２との相対位置を位置決めし、かつスパーク発生装置４７を作動してキャピラリ３２から導出されている金線３１の先端と放電トーチ３４との間でスパークを発生させ、図８（ａ）に示すように金ボール４９を形成する。その後、上下駆動手段３９にてボンディングアーム３７を駆動してキャピラリ３２を下降する。そして、上下駆動手段３９に備えた当たり検出機能によりＩＣ３３のパッド部５０を検出した後、金ボール４９に所定の加圧を加えつつ、その状態で超音波発振器４６にて超音波振動子３６を駆動し、超音波ホーン３５を介してキャピラリ３２を６４〜１１０ｋＨｚの周波数で超音波振動させ、図８（ｂ）に示すように金ボール４９とＩＣ３３のパッド部５０とを接合し、金ボール４９にてバンプ５１を形成する。その後、キャピラリ３２を一定量上昇させた後、金線３１をクランパ４１にて保持して上昇させ、バンプ５１と金線３１の境界部を断裂させ、ＩＣ３３のパッド部５０に凸型電極としてのバンプ５１が完成する。
【０００５】
以上のバンプ形成に際して、ヒータ４４によるヒートステージ４３の加熱温度は、ＩＣ３３のパッド部５０に形成するバンプ５１のサイズやＩＣ３３の種類によって変更・調整している。例えば、バンプ台座５１ａ（図８（ｂ）参照）の径が８０μｍである場合は２６０℃に、５０μｍの場合は３００℃付近に管理する。これはバンプ台座５１ａが小さいと接合面積が微小化し、バンプ台座５１ａが大きい場合に比して超音波と荷重によるエネルギーを大きく付与することができなくなるため、外部からのエネルギーがより多く必要となるためである。
【０００６】
また、耐熱性の低いＳＡＷフィルタや、センサなどのＩＣの場合、上記のような温度まで上げることができないこともあり、その場合には加熱可能な温度まで熱供給を行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年はＩＣの電極パッド部の隣接間距離が年々小さくなってバンプ台座５１ａが小さくなっており、それに伴って所定の接合状態を得るためにＩＣ３３の加熱温度を上昇させる傾向があり、その結果以下のような問題を引き起こしている。
【０００８】
第１は、上記のように耐熱性が低いＩＣに対しては、加熱温度を上昇できないので信頼性の高いバンプ形成が困難である。
【０００９】
第２は、ヒータ４４による熱がボンディング機構部に悪影響を及ぼすことである。ヒータ４４よりヒートステージ４３に伝播した熱が放熱され、やがてボンディング機構部へと伝わる。そのため、ホーン３５、認識カメラ４５の鏡筒部、ボンディングアーム３７などが熱膨張を起こして伸びを発生させる。そのため、認識カメラ４５で判断した位置からずれたところでボンディングを行い、パッド部５０からバンプ５１がはみ出す結果に至る。そのため、パッド部５０間距離が短い場合、隣接するバンプ５１と接触し、後工程である基板の接合の際にコネクト不良を起こしてしまい、微小なＩＣに対するバンプ形成が困難である。
【００１０】
第３は、ウェハ段階でのボンディングプロセスに対する影響である。近年、ＩＣの薄型化とダイスピック工程の削減のために、ＩＣ個片ではなく、ウエハの状態でバンプ形成するプロセスに移行されつつある。この工法において、ヒータ４４によりウェハの加熱を行うと、バンプ形成を終了したＩＣにも熱が印加し続けられるため、金ボールとアルミのパッド部間での金属拡散がさらに進行し、接合界面においてクラックやボイドが発生し、接合不良を起こしてしまう。また、シートの付いた形態のウェハに対しては、ヒータ４４で加熱できる温度がシートの耐熱温度以下に制限され、接合品質を維持することが困難になっている。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題に鑑み、ヒータなどによる外部からの加熱を必要とせずに高い信頼性をもってＩＣのパッド部にボールを接合でき、良好な接合状態のバンプを形成できるバンプボンディング方法及び装置を提供することを目的とする。
【００１２】
本発明のバンプボンディング方法は、バンプとなるボールをICのパッド部に押圧しながら超音波振動を付与することで金属接合し、IC上にバンプを形成するバンプボンディング方法において、常温常圧下で１３０〜３２０ｋHzの超音波振動を付与するものであり、従来の６４〜１１０ｋHｚに比して高い１３０〜３２０ｋHzの周波数でボールを加振することによって接合部に外部からの過熱なしで高い接合エネルギーを付与することができ、したがって耐熱温度の低いICに対しても接合状態の良好なバンプを形成でき、また周囲に熱影響を与えず良い位置精度でバンプを形成でき、微小なICに対して信頼性の高いバンプを形成する。
【００１４】
また、ＩＣのパッド部とバンプが異材質である場合、特に現在一般的であるＩＣのパッド部がアルミニウムで、バンプが金である場合には、金同士のように同材質の場合に比してより高い接合エネルギーが必要となるため、顕著な効果を発揮する。
【００１５】
また、ボールがパッド部に当接する直前まで第１の速度で移動し、ボールがパッド部に当接するまで第１の速度より低い第２の速度で移動し、ボールがパッド部に当接後、所定の押圧力に到達するまでボールの押圧力を増加させ、所定の押圧力に到達するとその押圧力を作用させつつ超音波振動を付与すると、ボールがパッド部に当接する直前まで高速で移動することで生産性を維持でき、かつその後低速にて移動することでボールがパッド部に当接したときの衝撃が小さく、その後ほぼリニアに押圧力が増加するので、ボールがパッド部に当接する際の衝撃でボールが大きく圧縮変形してしまい、その状態で高い周波数の超音波振動を付与することでボール形状が破壊して適性なバンプを形成できないというような事態の発生を防止できて、確実に適正なバンプを形成することができる。さらに、上記第２の速度は、押圧力がほぼリニアに増加する範囲で、従来に比べて格段に速く設定することができるので、生産性も向上できる。
【００１６】
また、ICがウェハの形態において、各ICにバンプを形成すると、ウェハの状態でバンプを形成するので、薄型のICに対してもバンプ形成できるとともに、単体設備が必要なダイスピック工程を省略できてコスト低下を図ることができる。
【００１７】
また、ICがエキスパンドシート上に貼り付けられた状態において、各ICにバンプを形成すると、薄型のICに対してもバンプ形成できるとともに、単体設備が必要なダイスピック工程を省略できてコスト低下を図ることができ、しかも耐熱性の低いエキスパンドシートには過大な熱が加わらないため、信頼性の高いバンプを形成することができる。
【００１８】
また、本発明のバンプボンディング装置は、ICを位置決め保持可能なボンディングステージと、バンプとなるボールをICのパッド部に押圧しながら１３０〜３２０ｋHｚの超音波振動を付与する超音波ヘッドとを有するものであり、上記バンプボンディング方法を実施してその効果を奏することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のバンプボンティング装置の一実施形態について、図１〜図５を参照して説明する。
【００２２】
図１において、１はボール形成材料のワイヤである金線、２は金線１が挿通されたキャピラリ、３はＩＣ、４は金線１の先端近傍に配設された放電トーチ、５は先端部にキャピラリ２が取付けられた超音波ホーン、６は超音波ホーン５の基端部に取付けられた超音波振動子である。キャピラリ２と超音波ホーン５と超音波振動子６にて超音波ヘッド７が構成されている。超音波振動子６は、その共振周波数が２３０ｋＨｚになるように設計され、超音波ホーン５はホーン長が超音波振動波長の１波長となるように設計され、軽量・小型に設計されている。また、超音波ホーン５を保持するホルダーをフランジにより一体化することで、保持力と保持支点の違いによる超音波の損失を無くすようにしており、これにより２３０ｋＨｚという高い周波数においても、再現性をもって安定的に超音波エネルギーを伝達・供給することができる。
【００２３】
８は中間部が枢支軸９を介して支持ブラケット１０にて揺動自在に支持されたボンディングアームであり、一端部に板ばね１１を介して超音波ヘッド７が変位可能に装着されている。超音波ヘッド７は、板ばね１１をヒンジ部としてキャピラリ２が上下に移動するように揺動可能に支持されており、かつ板ばね１１を越えてボンディングアーム８の一端部上に延びる作用腕１２が延出され、この作用腕１２とボンディングアーム８の一端部の間に、キャピラリ２を下方に移動させるように揺動付勢する圧縮ばね１３と揺動端を規制するストッパ１４と、圧縮ばね１３のセット時の圧縮量を調整する押圧力調整手段１５と、作用腕１２のストッパ１４による規制位置からの変位量を検出する変位検出センサとしてのギャップセンサ１６が配設されている。
【００２４】
ボンディングアーム８の他端部には、このボンディングアーム８を揺動駆動する上下駆動手段１７が配設されるとともに、その移動位置を検出する位置センサ１８が配設されている。１９は支持ブラケット１０が設置されたＸ−Ｙテーブルである。２０は金線１を保持するクランパ、２１は金線１を引き上げるエアテンショナである。２２はＩＣ３を位置決め保持するボンディングステージ、２３はＩＣ３の位置を認識する認識カメラである。
【００２５】
次に、動作を説明する。まず、ボンディングステージ２２にＩＣ３を保持させ、認識カメラ２３によりＩＣ３を認識してＸ−Ｙテーブル１９にてキャピラリ２との相対位置を位置決めし、かつキャピラリ２から導出されている金線１の先端と放電トーチ４との間でスパークを発生させ、図３（ａ）に示すように金ボール２４を形成する。その後、上下駆動手段１７にてボンディングアーム８を駆動し、キャピラリ２の位置を位置センサ１８で検出しつつキャピラリ２を下降させる。その際、図２に示すように、金ボール２４がＩＣのパッド部２５に当接する直前まではキャピラリ２を高速の第１速度にて移動させ、直前位置で低速の第２速度に切り替える。
【００２６】
次いで、図３（ｂ）に示すように、金ボール２４がパッド部２５に当接すると、キャピラリ２の移動は金ボール２４の圧縮変形を除いて基本的に停止する。この金ボール２４がパッド部２５に当接する際には、超音波ヘッド７がボンディングアーム８と分離されていることにより、キャピラリ２を有する部位の慣性二次モーメントが従来の一体のものに比して約５０分の１に低減され、かつ移動速度が当接の直前に低速の第２の速度に切り替えられているため、衝撃荷重の大きさとその荷重変動量を、図２に示すように、従来の仮想線で示したものに比して極めて小さくでき、図３（ｂ）に示すように、金ボール２４が微小であっても、大きく変形するのを確実に防止できる。また、このときの第２の速度は、例えば１０ｍｍ／ｓｅｃ程度に設定しても、衝撃荷重の大きさを許容範囲に収めることができ、従来の超音波ヘッド７とボンディングアーム８が一体の場合には２ｍｍ／ｓｅｃ程度にする必要があったのに比して、移動速度を５倍にすることができて格段に生産性を向上できる。
【００２７】
金ボール２４がパッド部２５に当接した後もボンディングアーム８は移動し、その移動量に応じて板ばね１１が変形してボンディングアーム８の一端部と超音波ヘッド７が相対変位し、その変位量に応じて圧縮ばね１３が圧縮されてその反力でキャピラリ２を介して金ボール２４がＩＣ３のパッド部２５に押圧され、その押圧荷重は、図２に示すように、ボンディングアーム８の一端部と超音波ヘッド７の相対変位量に応じてほぼリニアに増加する。ボンディングアーム８の一端部と超音波ヘッド７の相対変位量はギャップセンサ１６にて検出され、その相対変位量が所定値になると押圧荷重が所定値になっており、その時点で上下駆動手段１７による超音波ヘッド７の移動を停止する。このようにして金ボール２４の押圧力が精度良く制御され、その状態で、図３（ｃ）で示すように、金ボール２４は高周波の超音波振動エネルギーを伝達するのに最適な押圧・変形状態に規制することができる。
【００２８】
この押圧状態で、超音波振動子６を駆動して超音波ホーン５、キャピラリ２を介して金ボール２４とパッド部２５との間に２３０ｋＨｚの高周波で超音波振動を負荷することにより、低荷重・低振幅で、図３（ｄ）に示すように、金ボール２４とパッド部２５を接合してバンプ２６を形成することができる。この接合に際して、高周波・低荷重・低振幅の超音波振動を負荷することで、単位時間当たりの金ボール２４の変形量が低下し、かつ単位時間当たりの摩擦回数が増加し、その結果金ボール２４の変形の際の新生界面の露出が増えるとともに、摩擦熱温度を増加させることができる。この効果により、ボンディングステージ２２からの加熱を必要とせずに、バンプ２６を形成することができる。
【００２９】
その後、キャピラリ２を一定量上昇させた後、金線１をクランパ２０にて保持して上昇させ、図３（ｅ）に示すように、バンプ２６と金線１の境界部を断裂させ、ＩＣ３のパッド部２５に凸型電極としてのバンプ２６が完成する。
【００３０】
具体例を示すと、図５に示すように、径が２５μｍの金線１を用い、ＩＣ３の１２０μｍピッチのアルミニウムのパッド部２５上に、台座径ｄが８０μｍ、台座高さｈが２０μｍのバンプ２６を上記実施形態に基づいて形成した。このバンプ２６の品質評価を、シェア強度測定によって行った結果を図４に示す。シェア強度測定は、図５に示すように、バンプ２６とパッド部２５の接合面に先端が位置するように配置したピック２７により、バンプ２６を剥ぎ取り、その時に必要となった荷重を測定するものである。したがって、シェア強度が高いほど接合に関しての信頼性が高いと言える。
【００３１】
図４では横軸にステージ温度、縦軸にシェア強度をとっており、シェア強度は各条件における平均値をプロットしている。常温状態は、ステージ温度が３０℃の点を示す。シェア強度として、本実施形態によれば常温でも、現状で信頼性があるとされている３９２ｍＮを上回っていることが分かる。なお、図４には超音波ホーンを１１０ｋＨｚのタイプに変更し、１１０ｋＨｚの超音波を負荷して接合した結果を比較例として示している。シェア強度は２３０ｋＨｚの時よりも大きく劣り、常温接合を行うと、数バンプにつき１件の割合で不着となる接合不良を起こした。
【００３２】
以上の実施形態の説明では、個片のＩＣ３をボンディングステージ２２上に配置してバンプ２６を形成する例を示したが、本発明では常温でバンプを接合することができることから、耐熱性の低いＩＣに関してウェハの状態で各ＩＣにバンプを形成することもできる、そうすることで薄型のＩＣに対してもバンプ形成できるとともに、単体設備が必要なダイスピック工程を省略できてコスト低下を図ることができる。またバンプ形成後のＩＣに外部から熱が加え続けられて接合不良が発生するのを防止することができる。
【００３３】
また、ウェハダイシング後、耐熱温度が８０℃未満のエキスパンドシート上に貼付けられた状態の各ＩＣに対してもバンプを形成することができる。そうすることで、薄型のＩＣに対してもバンプ形成できるとともに、工数が多いダイスピック工程を省略できてコスト低下を図ることができ、しかも耐熱性の低いエキスパンドシートには過大な熱が加わらないため、信頼性の高いバンプを形成することができる。図６に、シートに貼付けられたＩＣに対してバンプ形成を行ったときのシェア強度の測定結果を示す。本結果からシートの有る、無しに関わらず、強度はほぼ同じ結果になっている。
【００３４】
【発明の効果】
本発明のバンプボンディング方法及び装置によれば、以上のように常温常圧下で高い周波数の１３０〜３２０ｋＨｚ、好適には１７０〜２７０ｋＨｚ、最適には２３０±１０ｋＨｚの超音波振動をボールに付与してパッド部との間で金属接合するので、ボールの新生界面の露出量が増加しかつ摩擦熱も上昇することによって接合部に外部からの加熱なしで高い接合エネルギーを付与することができ、耐熱温度の低いＩＣに対して接合状態の良好なバンプを形成でき、また周囲に熱影響を与えず精度の良い位置精度でバンプを形成でき、微小なＩＣに対して信頼性の高いバンプを形成することができる。
【００３５】
また、ＩＣのパッド部とバンプが異材質である場合、特に現在一般的であるＩＣのパッド部がアルミニウムで、バンプが金である場合には、金同士のように同材質の場合に比してより高い接合エネルギーが必要となるため効果的である。
【００３６】
また、ボールを形成した後、ボールがパッド部に接触する直前までボールを第１の速度で移動し、その後ボールがパッド部に当接するまで第１の速度より低い第２の速度で移動し、ボールがパッド部に当接した後所定の押圧力に到達するまでほぼリニアにボールの押圧力を増加させ、所定の押圧力に到達するとその押圧力を作用させつつ超音波振動を付与すると、ボールがパッド部に当接する直前まで高速で移動することで生産性を維持でき、かつその後低速にて移動することでボールがパッド部に当接したときの衝撃が小さく、その後ほぼリニアに押圧力が増加するので、ボールがパッド部に当接する際の衝撃でボールが大きく圧縮変形してしまい、その状態で高い周波数の超音波振動を付与することでボールが過剰に変形して適正なバンプを形成できないというような事態の発生を防止できて、確実に適正なバンプを形成することができる。さらに、上記第２の速度は、押圧力がほぼリニアに増加する範囲で、従来に比べて格段に速く設定することができるので、生産性も向上できる。
【００３７】
また、ＩＣの状態が個片でなく、ウェハの形態において各ＩＣにバンプを形成すると、ウェハの状態でバンプを形成するので、薄型のＩＣに対してもバンプ形成できるとともに、単体設備を必要とするダイスピック工程を省略できてコスト低下を図ることができる。
【００３８】
また、ＩＣの状態が個片でなく、ウェハダイシング後のエキスパンドシート上に貼付けられた状態において各ＩＣにバンプを形成すると、薄型のＩＣに対してもバンプ形成できるとともに、単体設備を必要とするダイスピック工程を省略できてコスト低下を図ることができ、しかも耐熱性の低いエキスパンドシートには過大な熱が加わらないため、信頼性の高いバンプを形成することができる。
【００３９】
また、超音波ヘッドを、ワイヤを導出するキャピラリを超音波ホーンの先端部に取付け、この超音波ホーンの基端部に超音波振動子を取付けて構成し、この超音波ヘッドを弾性変位可能に支持するとともに超音波ヘッドのキャピラリをボンディングステージ上のＩＣに向けて移動駆動可能なボンディングアームを設け、ボンディングアームと超音波ヘッドの弾性的な変位量を検出する変位検出手段を設けると、超音波ヘッドがボンディングアームと分離されて弾性支持されているので、超音波ヘッドの慣性力を小さくできてキャピラリの先端に形成したボールがＩＣのパッド部に当接する時の衝撃力を小さく抑制することができ、かつその後ボンデイングアームの移動に伴う弾性変位量に応じて超音波ヘッドの押圧力がほぼリニアに増加し、その変位量によって押圧力を検出できるので、押圧力を精度良く制御した状態で超音波ヘッドを作動させて超音波接合でき、ボールがパッド部に当接する際の衝撃でボールが大きく圧縮変形してしまい、その状態で高い周波数の超音波振動を付与することでボールが過剰に変形して適正なバンプを形成できないというような事態の発生を防止でき、超音波振動エネルギーの伝達率を高く維持して、高周波振動の効果を最大限に発揮して確実に適正なバンプを形成することができる。さらに、上記のように超音波ヘッドが分離して弾性支持されかつその慣性力が小さいため、ボールがＩＣのパッド部に当接する直前の移動速度を従来に比べて格段に速く設定しても、上記のように確実かつ適正なバンプを形成できるので、生産性も向上できる。
【００４０】
また、超音波振動子は１３０〜３２０ｋＨｚで共振し、超音波ホーンはそのホーン長が超音波振動波長の１波長になるように設計すると、超音波ホーンのホーン長が短くかつ発振状態の再現性が高く、安定的に高周波振動を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態におけるバンプボンディング装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】同実施形態のバンプボンディング動作時における、キャピラリの下降動作と、ボール当たり後の押圧荷重の変化と、接合後のキャピラリの上昇動作を示し、横軸は時間、左側の縦軸はキャピラリの移動量、右側の縦軸はボールに作用する押圧荷重を示した図である。
【図３】同実施形態のバンプボンディング動作の説明図である。
【図４】同実施形態と従来例で形成したバンプのシェア強度とステージ温度との関係を示すグラフである。
【図５】シェア強度の測定方法の説明図である。
【図６】同実施形態におけるエキスパンドシート上のＩＣにバンプ形成した場合のシェア強度の測定例を示すグラフである。
【図７】従来例のバンプボンディング装置の概略構成を示し、（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図である。
【図８】同従来例におけるバンブ形成動作の説明図である。
【符号の説明】
１  金線（ワイヤ）
２  キャピラリ
３  ＩＣ
５  超音波ホーン
６  超音波振動子
７  超音波ヘッド
８  ボンディングアーム
１１  板ばね
１３  圧縮ばね
１６  ギャップセンサ（変位検出センサ）
２２  ボンディングステージ
２４  金ボール
２５  パッド部
２６  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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