(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、
前記配線を構成する前記導電材料は少なくともＣｕを含有し、
前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料とし、前記水素化ＳｉＣにＮ原子を含有してなる膜密度が２．１（ｇ／ｃｍ3）以上とされた拡散防止膜が設けられていることを特徴とする配線構造。
【請求項２】
前記拡散防止膜は、１５（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）のＮ原子を含有することを特徴とする請求項１に記載の配線構造。
【請求項３】
基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、
前記配線を構成する前記導電材料は少なくともＣｕを含有し、
前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料とし、１５（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）のＮ原子を含有する拡散防止膜が設けられていることを特徴とする配線構造。
【請求項４】
絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、
前記溝を、少なくともＣｕを含有する、前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、
前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料とし、前記水素化ＳｉＣにＮ原子を含有させて、膜密度が２．１（ｇ／ｃｍ3）以上となるように拡散防止膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする配線構造の形成方法。
【請求項５】
前記拡散防止膜を形成する際に、当該拡散防止膜中にＮを含有するガスを添加し、前記拡散防止膜中におけるＮ濃度を１５（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）に制御することを特徴とする請求項４に記載の配線構造の形成方法。
【請求項６】
絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、
前記溝を、少なくともＣｕを含有する、前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、
前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料として拡散防止膜を形成する工程と
を含み、
前記拡散防止膜を形成する際に、当該拡散防止膜中にＮを含有するガスを添加し、前記拡散防止膜中におけるＮ濃度を１５（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）に制御することを特徴とする配線構造の形成方法。
【請求項７】
前記拡散防止膜を形成する際に用いるソースガスがメチルシラン系のガスであることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の配線構造の形成方法。
【請求項８】
前記Ｎを含有するガスがＮ2又はＮＨ3であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の配線構造の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁膜に形成された配線溝を易拡散性の導電材料、特にＣｕを含有する金属材料で充填してなる配線構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高集積化とチップサイズの縮小化に伴い、配線の微細化及び多層配線化が加速的に進められている。こうした多層配線構造を有するロジックデバイスにおいては、配線遅延がデバイス信号遅延の支配的要因の１つになりつつある。デバイスの信号遅延は、配線抵抗と配線容量の積に比例しており、配線遅延の改善のためには配線抵抗及び配線容量の軽減が重要となってくる。
【０００３】
この配線抵抗を低減するために、低抵抗金属であるＣｕを材料として配線を形成することが検討されている。ここで、Ｃｕをパターニングして配線形成することは極めて困難であるため、絶縁膜に配線溝を形成し、この配線溝にＣｕを充填して配線形成する、いわゆるダマシン法が案出されている。このダマシン法を採用する場合、更に配線容量を低減するために、前記絶縁膜として従前のＳｉＯ2に替えて低誘電率材料を用いることが好適である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、Ｃｕは低抵抗金属であるために今後の配線材料として大いに期待される反面、一般的な絶縁材料に対して易拡散性を有するという欠点がある。そこで、ダマシン法によるＣｕ配線形成プロセスでは、絶縁膜上に堆積したＣｕをＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により研磨除去し、絶縁膜の配線溝内のみを充填するようにＣｕ配線を形成した後、Ｃｕ拡散防止とエッチングストッパーの役割を持ったＳｉＮ膜をＣｕ配線上に形成するようにしている。
【０００５】
しかしながら、ＳｉＮは、その誘電率が７．０と比較的大きいため、絶縁膜に低誘電率膜を用いたとしても、ＳｉＮのフリンジ効果によって低誘電率化が妨げられ、実効的な誘電率が減少しないという深刻な問題が生じる。
【０００６】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、ダマシン法を用いてＣｕに代表される絶縁膜に対して易拡散性の導電材料により配線を形成するに際して、配線遅延を抑止するとともに、配線が充填形成される絶縁膜の実効的な誘電率を大幅に低減して、近時における半導体素子の更なる微細化に対応した信頼性の高い配線構造及びその形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００８】
本発明の配線構造は、基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、前記配線を構成する前記導電材料は少なくともＣｕを含有し、前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料とし、前記水素化ＳｉＣにＮ原子を含有してなる膜密度が２．１（ｇ／ｃｍ3）以上とされた拡散防止膜が設けられている。
【０００９】
本発明の配線構造の他の態様は、基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、前記配線を構成する前記導電材料は少なくともＣｕを含有し、
前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料とし、１５（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）のＮ原子を含有する拡散防止膜が設けられている。
【００１０】
本発明の配線構造の形成方法は、絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、前記溝を、少なくともＣｕを含有する、前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料とし、前記水素化ＳｉＣにＮ原子を含有させて、膜密度が２．１（ｇ／ｃｍ3）以上となるように拡散防止膜を形成する工程とを含む。
【００１１】
本発明の配線構造の形成方法の他の態様は、絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、前記溝を、少なくともＣｕを含有する、前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料として拡散防止膜を形成する工程とを含み、前記拡散防止膜を形成する際に、当該拡散防止膜中にＮを含有するガスを添加し、前記拡散防止膜中におけるＮ濃度を１５（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）に制御する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
−本発明の基本骨子−
初めに、本発明の基本骨子について説明する。
最近、ダマシン法によるＣｕ配線の上面を覆うＣｕ拡散防止膜として、比較的誘電率の高いＳｉＮ膜に替わり、プラズマＣＶＤ法によって形成する水素化ＳｉＣ（ＳｉＣ：Ｈ）膜が提案されている。
【００１３】
しかしながら、ＳｉＣ：Ｈ膜はＳｉＮ膜に比して低誘電率である反面、絶縁耐圧に乏しいという性質を有することが判っている。具体的に、図１に示すように、シリコン基板上にＳｉＣ：Ｈ膜を膜厚１００ｎｍに形成し、このＳｉＣ：Ｈ膜上にＣｕ電極を形成して電圧印加する絶縁破壊試験を試みたところ、温度１７５（℃）、電界３．４９（ＭＶ／ｃｍ）の条件下でＳｉＣ：Ｈ膜に絶縁破壊が生じた。
【００１４】
本発明者は、ＳｉＣ：Ｈ膜の絶縁耐圧に乏しいという性質が、成膜されたＳｉＣ：Ｈ膜の膜密度が低いことに起因するのではないかと推論し、この推論に基づきＳｉＣ：Ｈ膜に与える悪影響を最小限に抑えつつ絶縁耐圧向上を図るための具体的手法を考察するため、以下の各実験を試みた。
【００１５】
［１］ＳｉＣ：Ｈ膜においてＮ原子添加により膜密度を変えた場合の膜密度と誘電率（ｋ値）との関係
先ず、ＳｉＣ：Ｈ膜の膜密度を増加させた場合に誘電率に与える影響について考察する。ＳｉＣ：Ｈ膜の膜密度を高めるには、ＳｉＣ：Ｈ膜の成膜時に窒素（Ｎ）原子を膜内に添加することが有効である。
【００１６】
図２に示すように、シリコン基板上に膜密度を変えたＳｉＣ：Ｈ膜をそれぞれ膜厚２００ｎｍに成膜して誘電率を調べたところ、次のようになる。即ち、膜密度が１．８〜２．３ｇ／ｃｍ3の範囲では、膜密度と誘電率の増加の割合は略同等であり、膜密度が２．３ｇ／ｃｍ3を超えると、膜密度の増加により誘電率も増加傾向を示すものの、ＳｉＣ：Ｈ膜の膜密度を高めても誘電率をさほど増加させることはないことが確認された。
【００１７】
［２］ＳｉＣ：Ｈ膜における膜ストレス変動と膜密度との関係
続いて、ＳｉＣ：Ｈ膜の膜密度を制御させた場合における膜ストレスの経時的安定性について考察する。
ここでは、［１］と同様にシリコン基板上にＳｉＣ：Ｈ膜を膜厚２００ｎｍに成膜した後、大気中に１週間放置し、膜堆積時の膜ストレスと１週間放置したときの膜ストレスの変動を調べた。
【００１８】
図３は、ＳｉＣ：Ｈ膜における膜密度と大気中に１週間放置したときの膜ストレス変動との関係を示す特性図である。
図３によれば、膜密度の増加に従って膜ストレス変動が小さくなり、膜密度２．１（ｇ／ｃｍ3）ではストレス変動はさほど見られなくなる。即ち、ＳｉＣ：Ｈ膜を膜密度２．１（ｇ／ｃｍ3）以上の緻密な膜に形成すれば、たとえ大気中に長時間放置しておいても膜ストレスは安定となることが判る。
【００１９】
なお、［１］，［２］の各実験において、ＳｉＣ：Ｈ膜のソースガスとしてトリメチルシラン（３ＭＳ）ガスを用い、ＳｉＣ：Ｈ膜の膜密度２．１（ｇ／ｃｍ3）を得るため、Ｎを含有する添加ガスとしてＮＨ3を用いている。膜密度２．１（ｇ／ｃｍ3）を得るための典型的な成膜条件としては、３ＭＳの流量を１５０（ｃｃ／ｍｉｎ）、ＲＦパワー（１３．５６ＭＨｚ）を３００（Ｗ）、基板温度を３５０（℃）、添加ガスであるＮＨ3の流量を１００（ｃｃ／ｍｉｎ）以上、雰囲気圧力を２．７×１０2（Ｐａ）（２Ｔｏｒｒ）とすれば良い。この場合、ＳｉＣ：Ｈのソースガスとしてテトラメチルシラン（４ＭＳ）ガスを用いてもよい。また添加ガスとして、Ｎ2を用いた場合にも同様の効果が得られる。
【００２０】
［３］ＳｉＣ：Ｈ膜における昇温脱離分光（ＴＤＳ：Thermal Desorption Spectroscopy）特性と膜密度との関係
続いて、ＳｉＣ：Ｈ膜を成膜する際において、Ｎを含有する添加ガスの膜中への吸収安定性について考察する。
ここでは、シリコン基板上にＳｉＣ：Ｈ膜を膜厚４３０ｎｍに成膜し、室温から７００℃まで基板温度を変化させてＴＤＳにより脱ガス特性を調べた。このＴＤＳの試験の際に注目したＭ／ｅ（質量電荷比）は、２，１２，１５，１６，１７，１８，２８，４４である。
【００２１】
図４は、ＳｉＣ：Ｈ膜の各成膜条件における脱ガス特性を示す特性図である。図４によれば、４００℃におけるＭ／ｅ＝１６の脱ガス量に注目すると、膜密度１．７９（ｇ／ｃｍ3）で４．０×１０-9（Ｐａ）（３．０×１０-11（Ｔｏｒｒ））、膜密度２．３２（ｇ／ｃｍ3）で２．４×１０-9（Ｐａ）（１．８×１０-11（Ｔｏｒｒ））、膜密度２．４２（ｇ／ｃｍ3）で３．３×１０-10（Ｐａ）（２．５×１０-12（Ｔｏｒｒ））となり、膜密度が増加するに従って脱ガス量が減少してゆくことが判る。このことから、結合の弱い成分が成膜中に取り込まれ難い緻密なＳｉＣ：Ｈ膜となって、たとえ放置してもガスを吸収することが少なくなり安定化したものと考えられる。
【００２２】
［４］ＳｉＣ：Ｈ膜における経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ：Time Dependent Dielectric Break-down）寿命と膜密度との関係
続いて、ＳｉＣ：Ｈ膜の膜密度を制御させた場合における耐圧信頼性について考察する。
【００２３】
図５はＴＤＤＢ試験の原理を示す模式図である。
図５（ａ）に示すように、シリコン基板（又はＣｕ膜等）上に絶縁膜を堆積した後、この絶縁膜上に電極用のＣｕを真空蒸着により堆積し、形成したＣｕ電極を＋電極、シリコン基板を接地として電圧を印加する。電圧を印加すると、図５（ｃ）に示すように＋のＣｕ電極からイオン化されたＣｕが絶縁膜中に放出される。絶縁膜中に浸入したＣｕイオンは、電極間に生じた電界によって＋電極から−電極へとドリフトし、最終的には−電極に到達して絶縁破壊へと至る。図５（ｂ）にリーク電流の時間的変化の様子を示す。リーク電流が大幅に大きくなる時刻が絶縁破壊による絶縁膜の寿命である。
【００２４】
図６は、上述したＴＤＤＢ試験をＳｉＣ：Ｈ膜に適用した場合の模式図である。
図６（ａ）にＴＤＤＢ試験に用いたサンプルの概略構造を示す。このサンプルは、シリコン基板上にＳｉＣ：Ｈ膜を膜厚７０ｎｍに成膜した後、ＳｉＣ：Ｈ膜上にＣｕ電極を真空蒸着により成膜したものである。Ｃｕ電極の大きさは０．１５ｍｍφであり、ステージ温度を２００℃に設定してプローバを用いて測定した。測定の際には、図６（ｂ）に示すように、Ｃｕ電極に＋の電圧を印加する。この場合、電圧印加初期にリーク電流が減少するが、その後はほぼ一定の値に落ちつく。初期リーク電流の目安として、０．１秒経過後の電流値をｉ0と定義し、ウェハーレベルで可能な測定範囲を凡そ２０００秒までとした。
【００２５】
試験結果を以下の表１に結果をまとめる。
【００２６】
【表１】
0003716218.tif 000002
【００２７】
膜密度２．４２（ｇ／ｃｍ3）のＳｉＣ：Ｈ膜については、３（ＭＶ／ｃｍ）の電界を印加してもリーク電流は少なく、平均故障時間（ＭＴＦ：Mean Time to Failure）はウェハーレベル限界の２０００秒を遥かに越える結果を示した。これに対して、膜密度１．７９（ｇ／ｃｍ3）のＳｉＣ：Ｈ膜については、３（ＭＶ／ｃｍ）の電界を印加するとリーク電流が１００μＡを越えてしまう。ＴＤＤＢ試験では寿命の目安として、リーク電流＞１（μＡ／ｃｍ2）程度が採用されておりことから、１．４（ＭＶ／ｃｍ）の印加電界でも発生するリーク電流はμＡオーダーとなり、極めて大きい。また、膜密度２．３２（ｇ／ｃｍ3）のＳｉＣ：Ｈ膜については、膜密度２．４２（ｇ／ｃｍ3）のものと膜密度１．７９（ｇ／ｃｍ3）のものとの中間の物性を示す。
【００２８】
更に、ＳｉＣ：Ｈ膜の成膜時に添加ガスとしてＮＨ3を添加することにより、膜密度２．１（ｇ／ｃｍ3）のＳｉＣ：Ｈ膜を有するのサンプルを作製し、このサンプルについても上述と同様の実験を行った。その実験結果を以下の表２にまとめる。
【００２９】
【表２】
0003716218.tif 000003
【００３０】
表２に示すように、ＳｉＣ：Ｈ膜を膜密度２．１（ｇ／ｃｍ3）以上となるように添加ガス量を制御して成膜することにより、誘電率の低減及び電気的信頼性の確保という双方の要請を十分満たすことが判る。
【００３１】
［５］ＳｉＣ：Ｈ膜におけるＮ原子添加量と膜密度との関係
上述したように、Ｎを含むガスを添加することにより、ＳｉＣ：Ｈ膜の膜密度が増加して絶縁耐圧が向上することが今回初めて見出された。そこで次に、Ｎを含む添加ガスの適正添加範囲について考察する。
【００３２】
［１］で説明したように、ＳｉＣ：Ｈ膜の膜密度の増加に伴い誘電率の上昇を招くが、本発明では膜密度を増加させる手法としてＳｉＣ：Ｈ膜成膜時のＮ原子添加を採用しており、Ｎ原子添加量と誘電率及び膜密度との関係を調べることが必要である。
【００３３】
図７（ａ）はＳｉＣ：Ｈ膜のＮ原子含有量と誘電率との関係を示す特性図、図７（ｂ）はＳｉＣ：Ｈ膜のＮ原子含有量と膜密度との関係を示す特性図である。
（ａ）に示すように、Ｎ原子含有量の増加により誘電率も増加傾向を示す。しかしながら、膜密度に関してはＮ原子含有量が２０（ａｔｍ％）以上では飽和する（図７（ｂ））。信頼性良く、且つ低誘電率のＣｕ拡散防止膜として機能するＳｉＣ：Ｈ膜中のＮ原子含有量の上限は２０（ａｔｍ％）と見積もることができる。一方、（ｂ）に示すように、膜密度２．１（ｇ／ｃｍ3）以上を確保するにはＮ原子含有量が１５（ａｔｍ％）程度以上であることを要し、絶縁耐圧の十分な確保という要請に着目すれば、Ｎ原子含有量の下限は８（ａｔｍ％）と見積もることができる。以上の考察から、ＳｉＣ：Ｈ膜のＮ原子含有量、即ちＮを含む添加ガスの適正添加範囲は８（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）であり、この範囲を満たせば、ＳｉＣ：Ｈ膜に与える悪影響を最小限に抑えつつ絶縁耐圧向上が実現する。
【００３４】
以上の説明を総括し、本実施形態における配線構造の主要構成を図８に示す。本実施形態では、例えばアリルエーテル系有機低誘電率膜等からなる層間絶縁膜１にビア孔２及び配線溝３が一体形成され、ダマシン法及びＣＭＰ法によりこれらをＴａＮやＴａ等の下地膜６を介してＣｕで充填する配線４が形成され、この配線４の上面を覆うようにＳｉＣ：Ｈ膜５が形成されてなる配線構造を前提とする。
【００３５】
そして、ＳｉＣ：Ｈ膜５の膜密度が２．１（ｇ／ｃｍ3）以上となるように、ＳｉＣ：Ｈ膜５成膜時のＮを含むガスの添加により制御する。別の観点から見れば、ＳｉＣ：Ｈ膜５のＮ原子含有量が８（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）となるように、Ｎを含むガスの添加量を制御してＳｉＣ：Ｈ膜５を成膜する。これらにより、ダマシン法によるＣｕ配線構造において、配線遅延を抑止するとともに、配線が充填形成される絶縁膜の実効的な誘電率を大幅に低減して、近時における半導体素子の更なる微細化に対応した信頼性の高い配線構造が実現する。
【００３６】
−具体的な実施形態−
上述した本発明の基本骨子を踏まえ、本発明の具体的な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３７】
図９〜図１４は、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図９（ａ）に示すように、シリコン基板１１上に、ＭＯＳトランジスタ等の半導体素子（不図示）を形成した後、低誘電率の層間絶縁膜としてアリルエーテル系有機低誘電率膜１２（膜厚１５０ｎｍ）を形成し、続いて、下地からの反射を防止するため反射防止膜１３を形成する。その後、反射防止膜１３にフォトレジストを塗布し、これをフォトリソグラフィーにより加工して配線溝形状のレジストパターン１４を形成する。
【００３８】
なお、層間絶縁膜としては、アリルエーテル系有機低誘電率膜１２の替わりに、フッ素をドープしたＳｉＯ2膜、アロマテックハイドロカーボンポリマー膜、フルオロカーボン系低誘電率膜、ハイドロジェンシロセスキオキサン系低誘電率膜、ハイドロメチルシロセスキオキサン系低誘電率膜、ポーラスキオキサン系低誘電率膜、オルガノシリケートグラス膜、ポーラスアリルエーテル系低誘電率膜を形成しても良い。また、層間絶縁膜として低誘電率膜とプラズマＳｉＯ2膜、又はプラズマＳｉＯＮ膜、或いはプラズマＳｉＮ膜との積層構造膜を形成しても好適である。
【００３９】
続いて、図９（ｂ）に示すように、レジストパターン１４をマスクとして反射防止膜１３及びアリルエーテル系有機低誘電率膜１２をプラズマエッチングし、配線溝を形成する。その後、不要なレジストパターン１４及び反射防止膜１３を除去する。
【００４０】
続いて、図１０（ａ）に示すように、配線溝の内壁面を覆うようにバリアメタル膜１５としてＴａ膜又はＴａＮ膜（膜厚１５ｎｍ）をスパッタリング法により成膜し、次にバリアメタル膜１５上にメッキ電極膜１６（膜厚１３０ｎｍ）を形成する。
【００４１】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、電界メッキ法によりＣｕ膜１７を膜厚９７０ｎｍに成模した後、図１０（ｃ）に示すように、ＣＭＰ法によりＣｕ膜１７及びバリアメタル膜１５を研磨し、配線溝内にバリアメタル膜１５を介してＣｕで充填してなる配線１８を形成する。
【００４２】
続いて、図１１（ａ）に示すように、配線１８上にＳｉＣ：Ｈ膜１９（膜厚７０ｎｍ）をプラズマＣＶＤ法により膜密度が２．２（ｇ／ｃｍ3）となるように形成する。
具体的には、炭素（Ｃ）のソースガスとして４ＭＳ、３ＭＳ、又は２ＭＳを用い、ＮＨ3を添加ガスとして加え、これらのガスの混合ガスプラズマを用い、全圧力を１．３×１０2（Ｐａ）〜１．３×１０1（Ｐａ）（１（Ｔｏｒｒ）〜１０（Ｔｏｒｒ））、プラズマパワーを１３．５６（ＭＨｚ）で３００（Ｗ）〜５００（Ｗ）（又は４００（ｋＨｚ）で３００（Ｗ）〜５００（Ｗ））、成膜温度を３５０℃〜４００℃の範囲で行なう。このとき、４００（ｋＨｚ）のＲＦパワーは印加しなくともＮＨ3ガスを添加することにより同様の効果が得られる。この場合、添加ガスとしてＮＨ3ガスの替わりにＮ2を添加しても好適である。
【００４３】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、ＳｉＣ：Ｈ膜１９上に配線部を形成するための層間絶縁膜となるアリルエーテル系有機低誘電率膜２１（膜厚５５０ｎｍ）を形成し、更に配線部を形成するときのエッチングマスクとなるＳｉＮ膜２２（膜厚１００ｎｍ）をプラズマＣＶＤ法により形成する。
【００４４】
なお、層間絶縁膜としては、アリルエーテル系有機低誘電率膜２１の替わりに、フッ素をドープしたＳｉＯ2膜、アロマテックハイドロカーボンポリマー膜、フルオロカーボン系低誘電率膜、ハイドロジェンシロセスキオキサン系低誘電率膜、ハイドロメチルシロセスキオキサン系低誘電率膜、ポーラスキオキサン系低誘電率膜、オルガノシリケートグラス膜、ポーラスアリルエーテル系低誘電率膜を形成しても良い。また、層間絶縁膜として低誘電率膜とプラズマＳｉＯ2膜、又はプラズマＳｉＯＮ膜、或いはプラズマＳｉＮ膜との積層構造膜を形成しても好適である。
【００４５】
続いて、図１２（ａ）に示すように、ＳｉＮ膜２２上に反射防止膜２３を形成した後、この反射防止膜２３上にフォトレジストを塗布し、これをフォトリソグラフィーにより加工して配線溝形状のレジストパターン２４を形成する。
【００４６】
続いて、図１２（ｂ）に示すように、レジストパターン２４をマスクとして反射防止膜２３及びＳｉＮ膜２２をプラズマエッチングし、ＳｉＮ膜２２に配線溝パターン２０ａを形成する。その後、不要なレジストパターン及び反射防止膜２３を除去する。
【００４７】
続いて、図１３（ａ）に示すように、ＳｉＮ膜２２上に配線溝パターン２０ａを埋め込むように反射防止膜２３（膜厚１１０ｎｍ）を形成した後、この反射防止膜２３上にフォトレジストを塗布し、これをフォトリソグラフィーにより加工してビア孔形状のレジストパターン３１を形成する。
【００４８】
続いて、図１３（ｂ）に示すように、レジストパターン３１をマスクとして反射防止膜２３及びＳｉＮ膜２２をプラズマエッチングし、更に図１３（ｃ）に示すように、ＳｉＣ：Ｈ膜１９をストッパーとしてアリルエーテル系有機低誘電率膜２１をエッチングした後、配線１８の表面が露出するようにＳｉＣ：Ｈ膜１９をエッチングする。これらの工程により、ビア孔３０及び配線溝パターン２０ａの形成されたＳｉＮ膜２２がマスクとなってビア孔３０と連続する配線溝２０が形成される。なお、当該一連の工程により、レジストパターン３１及び反射防止膜２３が除去される。
【００４９】
そして、図１４に示すように、配線溝２０及びビア孔３０の内壁面を覆うようにバリアメタル膜３２としてＴａ膜（膜厚１５ｎｍ）をスパッタリング法により成膜し、次にバリアメタル膜３２上にメッキ電極膜３３（膜厚１３０ｎｍ）を形成した後、電界メッキ法によりＣｕ膜３４を膜厚９７０ｎｍに成模し、ＣＭＰ法によりＣｕ膜３４及びバリアメタル膜３２を研磨する。このとき、ビア孔３０及び配線溝２０を埋め込む配線３５が形成される。しかる後、配線３５上にカバー膜３６となるＳｉＮ膜（膜厚７０ｎｍ）を形成する。
【００５０】
本実施形態による、配線を構成する配線部及びプラグ部が低誘電率膜内に形成されてなる、いわゆるフル低誘電率の配線構造の温度バイアス試験を行ったところ、以下の表３に示すように、温度バイアスストレス試験においても不良は見られず、配線間寿命を犠牲にすることなく従来品の発明と比較して配線間容量が８％減少したという好適な結果を得た。
【００５１】
【表３】
0003716218.tif 000004
【００５２】
以上説明したように、本実施形態によれば、ダマシン法を用いてＣｕにより配線１８を形成するに際して、配線遅延を抑止するとともに、配線１８が充填形成される層間絶縁膜の実効的な誘電率を大幅に低減して、近時における半導体素子の更なる微細化に対応した信頼性の高い配線構造が実現する。
【００５３】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００５４】
（付記１）基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、
前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料とし、膜密度が２．１（ｇ／ｃｍ3）以上とされた拡散防止膜が設けられていることを特徴とする配線構造。
【００５５】
（付記２）前記拡散防止膜は、８（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）のＮ原子を含有することを特徴とする付記１に記載の配線構造。
【００５６】
（付記３）基板の上方に設けられた絶縁膜に配線形状の溝が形成され、前記溝内に前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料が充填されて配線が形成されてなる配線構造であって、
前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料とし、８（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）のＮ原子を含有する拡散防止膜が設けられていることを特徴とする配線構造。
【００５７】
（付記４）前記配線を構成する前記導電材料が少なくともＣｕを含有する金属材料であることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の配線構造。
【００５８】
（付記５）前記配線は、前記溝内で導電性の下地膜を介して充填形成されていることを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載の配線構造。
【００５９】
（付記６）前記絶縁膜は低誘電率材料からなることを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の配線構造。
【００６０】
（付記７）絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、
前記溝を少なくとも前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、
前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料とし、膜密度が２．１（ｇ／ｃｍ3）以上となるように拡散防止膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする配線構造の形成方法。
【００６１】
（付記８）前記拡散防止膜を形成する際に、当該拡散防止膜中にＮを含有するガスを添加し、前記拡散防止膜中におけるＮ濃度を８（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）に制御することを特徴とする付記７に記載の配線構造の形成方法。
【００６２】
（付記９）絶縁膜に少なくとも配線形状の溝を形成する工程と、
前記溝を少なくとも前記絶縁膜に対して易拡散性の導電材料で充填する工程と、
前記配線の上面を覆うように、水素化ＳｉＣを材料として拡散防止膜を形成する工程と
を含み、
前記拡散防止膜を形成する際に、当該拡散防止膜中にＮを含有するガスを添加し、前記拡散防止膜中におけるＮ濃度を８（ａｔｍ％）〜２０（ａｔｍ％）に制御することを特徴とする配線構造の形成方法。
【００６３】
（付記１０）前記拡散防止膜を形成する際に用いるソースガスがメチルシラン系のガスであることを特徴とする付記７〜９のいずれか１項に記載の配線構造の形成方法。
【００６４】
（付記１１）前記Ｎを含有するガスがＮ2又はＮＨ3であることを特徴とする付記８〜１０のいずれか１項に記載の配線構造の形成方法。
【００６５】
（付記１２）前記配線を構成する前記導電材料が少なくともＣｕを含有する金属材料であることを特徴とする付記７〜１１のいずれか１項に記載の配線構造の形成方法。
【００６６】
（付記１３）前記配線を形成する際に、前記溝の内壁を覆うように導電性の下地膜を形成した後、前記下地膜を介して前記溝内を充填するように前記配線を形成することを特徴とする付記７〜１２のいずれか１項に記載の配線構造の形成方法。
【００６７】
（付記１４）前記絶縁膜は低誘電率材料からなることを特徴とする付記７〜１３のいずれか１項に記載の配線構造の形成方法。
【００６８】
【発明の効果】
本発明によれば、ダマシン法を用いてＣｕに代表される絶縁膜に対して易拡散性の導電材料により配線を形成するに際して、配線遅延を抑止するとともに、配線が充填形成される絶縁膜の実効的な誘電率を大幅に低減して、近時における半導体素子の更なる微細化に対応した信頼性の高い配線構造が実現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】通常のＳｉＣ：Ｈ膜の絶縁破壊試験を示す模式図である。
【図２】ＳｉＣ：Ｈ膜において、膜密度と誘電率の関係を示す特性図である。
【図３】ＳｉＣ：Ｈ膜における膜密度と大気中に１週間放置したときの膜ストレス変動との関係を示す特性図である。
【図４】ＳｉＣ：Ｈ膜の各成膜条件における脱ガス特性を示す特性図である。
【図５】ＴＤＤＢ試験の原理を示す模式図である。
【図６】ＴＤＤＢ試験をＳｉＣ：Ｈ膜に適用した場合の模式図である。
【図７】Ｎ原子添加量と誘電率及び膜密度との関係を示す特性図である。
【図８】本実施形態における配線構造の主要構成を示す概略断面図である。
【図９】本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【図１０】図９に引き続き、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【図１１】図１０に引き続き、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【図１２】図１１に引き続き、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【図１３】図１２に引き続き、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【図１４】図１３に引き続き、本実施形態による配線構造の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  層間絶縁膜
２  ビア孔
３  配線溝
４  配線
５  ＳｉＣ：Ｈ膜
６  下地膜
１１  シリコン基板
１２，２１  アリルエーテル系有機低誘電率膜
１３，２３  反射防止膜
１４，３１  レジストパターン
１５，３２  バリアメタル膜
１６，３３  メッキ電極膜
１７，３４  Ｃｕ膜
１８，３５  配線
１９  ＳｉＣ：Ｈ膜１９
２０  配線溝
２２  ＳｉＮ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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