(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の薄膜を覆う第２の薄膜を所定量だけ除去して前記第１の薄膜を含む層を露出させる過程で前記第２の薄膜の膜厚を測定する膜厚測定方法において、
前記第１の薄膜が計測光に対して透明膜であり、
前記第２の薄膜は所定値より厚い膜厚において前記計測光を透過しない所定の金属の膜であり、
前記基板は前記第１の薄膜を所定のパターンで形成した後、そのパターン間に、前記所定の金属を埋め込んで前記第２の薄膜を形成した基板であって、
前記所定値より厚い膜厚での前記計測光に対する前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルを記憶する記憶工程と、
前記第２の薄膜を前記所定量未満だけ除去した前記基板に対して前記計測光を照射し、前記計測光が照射された前記基板から反射した反射光に基づいて前記基板の分光反射スペクトルを求める測光工程と、
前記測光工程で求めた前記基板の分光反射スペクトルと前記記憶工程で記憶された前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルとを比較する比較工程と、
前記比較工程において、前記基板の分光反射スペクトルと前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルとが不一致となったときに前記第２の薄膜の膜厚が前記所定値以下になったと判断して、前記基板の分光反射スペクトルに基づいて前記第２の薄膜の膜厚を算出する膜厚算出工程と、
を含むことを特徴とする膜厚測定方法。
【請求項２】
基板上に形成された第１の薄膜を覆う第２の薄膜を所定量だけ除去して前記第１の薄膜を含む層を露出させる過程で前記第２の薄膜の膜厚を測定する膜厚測定装置において、
前記第１の薄膜が計測光に対して透明膜であり、
前記第２の薄膜は所定値より厚い膜厚において前記計測光を透過しない所定の金属の膜であり、
前記基板は前記第１の薄膜を所定のパターンで形成した後、そのパターン間に、前記所定の金属を埋め込んで前記第２の薄膜を形成した基板であって、
前記所定値より厚い膜厚での前記計測光に対する前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルを記憶する記憶手段と、
前記第２の薄膜を前記所定量未満だけ除去した前記基板に対して前記計測光を照射し、前記計測光が照射された前記基板から反射した反射光に基づいて前記基板の分光反射スペクトルを求める測光手段と、
前記測光手段によって求めた前記基板の分光反射スペクトルと前記記憶工程で記憶された前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルとを比較する比較手段と、
前記比較工程によって、前記基板の分光反射スペクトルと前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルとが不一致となったときに前記第２の薄膜の膜厚が前記所定値以下になったと判断して、前記基板の分光反射スペクトルに基づいて前記第２の薄膜の膜厚を算出する膜厚算出手段と、
を有することを特徴とする膜厚測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハなどの基板上に形成された酸化膜などの第１の薄膜を覆うとともに第１の薄膜とは異なる銅膜などの金属膜を、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理による研磨処理などによって所定量だけ除去して第１の薄膜を含む層を露出させる過程において、金属膜の膜厚を測定する膜厚測定方法および膜厚測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体ウエハ（以下、基板という）上に所定の回路パターンを形成する方法として、基板上に所定のパターンで形成された酸化膜を覆うとともに、酸化膜間の凹部に銅膜を埋め込むように銅膜を形成した後、ＣＭＰ処理によって銅膜をその表面から所定量だけ研磨除去して、酸化膜と酸化膜間の凹部に埋め込まれた銅膜とを含む層を露出させるというダマシンプロセスが利用されている。
【０００３】
上記ＣＭＰ処理は、銅膜が形成された基板の表面を下方に向けるようにトップリングによって基板を保持しつつ、基板の表面をターンテーブルに張設された研磨布に押圧した状態で実行される。この状態で研磨布上にスラリー（研磨砥液）が供給されるとともに、ターンテーブルとトップリングとがモータによりそれぞれ独立して回転駆動される。
【０００４】
上述のＣＭＰ処理により銅膜が除去されて酸化膜などを含む層が露出したときに研磨処理（除去処理）を終了させるが、この研磨処理の終了点は例えば次のようにして求められる。回転駆動されるトップリングに保持された基板の表面と、回転駆動されるターンテーブル上の研磨布との間の摩擦力は、基板の表面が銅膜であるときと銅膜が除去されて酸化膜等を含む層が露出したときとで変化する。この摩擦力の変化に応じてトップリングおよびターンテーブルをそれぞれ独立して回転駆動するモータにかかる負荷（トルク）が変化する。このようにモータにかかる負荷が変化した時点を研磨処理の終了点とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようにモータにかかる負荷の変化により研磨処理の終了点を求めると、終了点を求めた時点から研磨処理を停止するまでの間に、酸化膜等を含む層が必要以上に研磨されて除去されるという問題が発生する。
本発明の目的は、上述のような点に鑑み、第１の薄膜を含む層を必要以上に除去することを防止するために、研磨処理などの除去処理の過程において金属膜の膜厚を測定することができる膜厚測定方法および膜厚測定装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するために請求項１に係る発明は、基板上に形成された第１の薄膜を覆う第２の薄膜を所定量だけ除去して前記第１の薄膜を含む層を露出させる過程で前記第２の薄膜の膜厚を測定する膜厚測定方法において、前記第１の薄膜が計測光に対して透明膜であり、前記第２の薄膜は所定値より厚い膜厚において前記計測光を透過しない所定の金属の膜であり、前記基板は前記第１の薄膜を所定のパターンで形成した後、そのパターン間に、前記所定の金属を埋め込んで前記第２の薄膜を形成した基板であって、前記所定値より厚い膜厚での前記計測光に対する前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルを記憶する記憶工程と、前記第２の薄膜を前記所定量未満だけ除去した前記基板に対して前記計測光を照射し、前記計測光が照射された前記基板から反射した反射光に基づいて前記基板の分光反射スペクトルを求める測光工程と、前記測光工程で求めた前記基板の分光反射スペクトルと前記記憶工程で記憶された前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルとを比較する比較工程と、前記比較工程において、前記基板の分光反射スペクトルと前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルとが不一致となったときに前記第２の薄膜の膜厚が前記所定値以下になったと判断して、前記基板の分光反射スペクトルに基づいて前記第２の薄膜の膜厚を算出する膜厚算出工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
請求項２に係る発明は、基板上に形成された第１の薄膜を覆う第２の薄膜を所定量だけ除去して前記第１の薄膜を含む層を露出させる過程で前記第２の薄膜の膜厚を測定する膜厚測定装置において、前記第１の薄膜が計測光に対して透明膜であり、前記第２の薄膜は所定値より厚い膜厚において前記計測光を透過しない所定の金属の膜であり、前記基板は前記第１の薄膜を所定のパターンで形成した後、そのパターン間に、前記所定の金属の膜を埋め込んで前記第２の薄膜を形成した基板であって、前記所定値より厚い膜厚での前記計測光に対する前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルを記憶する記憶手段と、前記第２の薄膜を前記所定量未満だけ除去した前記基板に対して前記計測光を照射し、前記計測光が照射された前記基板から反射した反射光に基づいて前記基板の分光反射スペクトルを求める測光手段と、前記測光手段によって求めた前記基板の分光反射スペクトルと前記記憶工程で記憶された前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルとを比較する比較手段と、前記比較工程によって、前記基板の分光反射スペクトルと前記所定の金属の膜の分光反射スペクトルとが不一致となったときに前記第２の薄膜の膜厚が前記所定値以下になったと判断して、前記基板の分光反射スペクトルに基づいて前記第２の薄膜の膜厚を算出する膜厚算出手段とを有することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
＜膜厚測定装置の構成＞
図１は、この発明の実施形態の一つである膜厚測定装置を示す模式図である。ステージ１は、図示しないＣＭＰ処理装置から搬入された基板を水平に保持するもので、水平面内で移動可能に構成されている。光源部３は、ハロゲンランプまたは重水素ランプを備えたランプ３ａと、複数個のレンズ３ｂとを備え、可視光または紫外光の計測光を出射する。
【００１２】
ビームスプリッタ５は、光源部３から横方向に出射された計測光を下方向に反射するとともに、基板Ｗから反射し対物レンズ７を透過した反射光を透過させるものである。対物レンズ７は、ビームスプリッタ５で反射した計測光を、基板Ｗ上の測定領域Ｒを含む所定領域に照射する。測定領域Ｒの大きさは対物レンズ７の倍率と後述のプレート１１ａに形成されたピンホールの大きさにより設定され、概ね数μｍから数十μｍ径である。
【００１３】
チューブレンズ９は、基板Ｗの測定領域Ｒから反射して対物レンズ７およびビームスプリッタ５を透過した反射光を分光ユニット１１に向けて集光する。分光ユニット１１は、チューブレンズ９によって集光された反射光の入射位置にピンホールが形成されたプレート１１ａと、このプレート１１ａの上方に配備され、ピンホールを通過して分光ユニット１１内に入射した反射光を分光する凹面回折格子１１ｂと、この凹面回折格子１１ｂによって分光された回折光の分光光強度を検出する光検出器１１ｃとを備える。光検出器１１ｃは、例えば、フォトダイオードアレイやＣＣＤなどにより構成され、プレート１１ａのピンホールと共役な関係に配置されている。また、光検出器１１ｃで検出された分光光強度は、データ処理部１９に出力される。
【００１４】
データ処理部１９は、操作部２７を介する操作者の指示に基いてＣＰＵやメモリを内蔵する制御部２３が出力する制御信号に応じて処理を行う。具体的には、光検出器１１ｃで検出された銅膜などの金属膜の分光光強度に基づく分光反射スペクトルＮ（λ）および光検出器１１ｃで検出された基板Ｗの測定領域Ｒからの反射光の分光光強度に基づく分光反射スペクトルＭ（λ）を求めて、これらの分光反射スペクトルＮ（λ），Ｍ（λ）を記憶する。また、記憶した金属膜の分光反射スペクトルＮ（λ）と、基板Ｗの分光反射スペクトルＭ（λ）とを比較し、この比較結果に応じて後述する所定処理を実行する。
【００１５】
チューブレンズ９と分光ユニット１１との間に配置されたプリズム１３は、基板Ｗからの反射光の一部を取り出す。取り出された反射光の一部は、撮像ユニット１５に導かれる。撮像ユニット１５は、反射光の一部を撮像素子１５ｂに向けて集光するレンズ１５ａと、このレンズ１５ａで集光された光を撮像するとともに、測定領域に対応した画像信号を画像処理部１７に出力する撮像素子１５ｂとを備える。
【００１６】
画像処理部１７は、撮像素子１５ｂから入力された画像信号に所定の処理を施してＩ／Ｏ２１に出力する。出力された画像信号は、制御部２３の制御下でディスプレイ装置２５に出力されて画像が表示される。この画像を操作者は見ながら、操作部２７を操作してステージ１を移動させ、基板Ｗ表面の所望位置に測定領域を設定する。
【００１７】
なお、上述のデータ処理部１９などは本発明の記憶手段、比較手段および膜厚算出手段に相当し、分光ユニット１１などは本発明の測光手段に相当する。
【００１８】
＜基板Ｗ上の薄膜状態＞
ここで、ＣＭＰ処理過程における基板Ｗ上に形成された薄膜状態の一例を説明する。図２は、基板Ｗ上の測定領域Ｒ付近の薄膜状態を示す平面図である。また、図３はＣＭＰ処理前における基板Ｗの測定領域Ｒ付近の薄膜状態を示す縦断面図である。
【００１９】
図２および図３に示すように、基板Ｗの母体であるシリコン基板Ｗａの上に所定パターンの酸化膜Ｆ１が形成され、その上にタンタルナイトライド（ＴａＮ）などのバリアメタル膜Ｆ２が被着され、さらにその上を覆うとともに酸化膜Ｆ１の凹部を埋めるように銅配線用の銅膜Ｆ３が被着されている。なお、上述の酸化膜Ｆ１は計測光に対して透明膜であり本発明の第１の薄膜に相当する。
【００２０】
図３に示す基板Ｗの計測光に対する分光反射スペクトルは、例えば図６に示すような右肩上がりの分光反射スペクトルＮ（λ）となる。この分光反射スペクトルＮ（λ）は、銅膜Ｆ３の膜厚が厚いために測定領域Ｒ内において計測光が銅膜Ｆ３を透過しないので、銅膜Ｆ３の表面からの反射光による成分だけで構成されている。なお、分光反射スペクトルＮ（λ）は、計測光の各波長におけるシリコン基板Ｗａに対する相対反射比率で構成されている。
【００２１】
図４は、図３に示す基板Ｗ上の銅膜Ｆ３をその表面から図示しないＣＭＰ処理装置により、所定量だけ研磨除去した状態を示している。図４において銅膜Ｆ３の表面から酸化膜Ｆ１上に形成されたバリアメタル膜Ｆ２上面までの厚さ寸法ｄ４は、例えば５０ｎｍである。
【００２２】
図５は、図４に示す基板Ｗをさらに研磨処理して、研磨処理が終了した状態を示す。この研磨処理の終了点において基板Ｗ上の酸化膜Ｆ１上面は露出している。
【００２３】
研磨処理後の基板Ｗ（図５）の計測光に対する分光反射スペクトルは、例えば図７に示すような分光反射スペクトルＭ（λ）となる。この分光反射スペクトルＭ（λ）は、酸化膜Ｆ１、バリアメタル膜Ｆ２が露出した部分からの分光反射スペクトルの成分と、酸化膜Ｆ１の凹部に埋め込まれたは銅膜Ｆ３からの分光反射スペクトルの成分とを合わせ持っていて複数の山谷が存在する。すなわち、酸化膜Ｆ１、バリアメタル膜Ｆ２が露出した部分では計測光が酸化膜Ｆ１、バリアメタル膜Ｆ２を透過するので、この部分の分光反射スペクトルは、酸化膜Ｆ１またはバリアメタル膜Ｆ２の表面から反射した反射光とシリコン基板Ｗａから反射した反射光とが互いに干渉した成分で構成されて、分光反射スペクトルに複数の山谷が存在する。酸化膜Ｆ１の凹部に埋め込まれた銅膜Ｆ３は、厚さ寸法が大きいために計測光を透過しないから、この部分からの分光反射スペクトルは銅膜Ｆ３からの反射光のみで構成されて、図６に示すような分光反射スペクトルＮ（λ）となる。したがって、図５に示す測定領域Ｒ内における基板Ｗの計測光に対する分光反射スペクトルＭ（λ）は、酸化膜Ｆ１、バリアメタル膜Ｆ２が露出した部分による分光反射スペクト成分と、銅膜Ｆ３の表面からの分光反射スペクトル成分とを合わせ持つ分光反射スペクトルＭ（λ）となり、複数の山谷を有することとなる。
【００２４】
＜膜厚測定装置の動作＞
図８のフローチャートを参照しながら上述の膜厚測定装置の動作を説明する。
【００２５】
ステップＳ１（準備工程）
まず、操作者は図３に示す研磨処理前の基板Ｗをステージ１上に載置するとともに、操作部２７を操作しつつディスプレイ装置２５に表示された画像を確認して、基板Ｗ上の所望位置に測定領域Ｒを設定する。次に、光源部３からの計測光をビームスプリッタ５および対物レンズ７を介して基板Ｗの測定領域Ｒに照射する。測定領域Ｒに照射された計測光は、銅膜Ｆ３の厚さ寸法が大きいので、銅膜Ｆ３を透過せずに銅膜Ｆ３の表面で反射する。測定領域Ｒから反射した反射光は対物レンズ７、ビームスプリッタ５およびチューブレンズ９などを介して分光ユニット１１に入射する。分光ユニット１１に入射した反射光は、分光されてその光強度がデータ処理部１９に出力される。データ処理部１９では入力された分光光強度に基づいて、例えば図６に示す銅膜Ｆ３の分光反射スペクトルＮ（λ）を作成して記憶する。
【００２６】
ステップＳ２（研磨処理工程）
準備工程（ステップ１）を終えた基板Ｗ（図３）を図示しないＣＭＰ処理装置にセットする。そして、ＣＭＰ処理装置によって基板Ｗの銅膜Ｆ３の表面を研磨処理の終了点の直前である中間時点まで研磨除去して、一旦、研磨処理を中断する。
【００２７】
ステップＳ３（測光工程）
操作者は上記中間時点の基板Ｗをステージ１上に載置するとともに、操作部２７を操作しつつディスプレイ装置２５に表示された画像を確認して、基板Ｗ上の所望位置に測定領域Ｒを設定する。次に、光源部３からの計測光をビームスプリッタ５および対物レンズ７を介して基板Ｗの測定領域Ｒに照射する。測定領域Ｒから反射した反射光は対物レンズ７、ビームスプリッタ５およびチューブレンズ９などを介して分光ユニット１１に入射する。分光ユニット１１に入射した反射光は、分光されてその分光光強度がデータ処理部１９に出力される。データ処理部１９では入力された分光光強度に基づいて、基板Ｗの分光反射スペクトルＭ（λ）を作成して記憶する。
【００２８】
ステップＳ４、ステップＳ５（比較工程）
次にステップＳ４で、データ処理部１９においてステップＳ１の準備工程で作成した銅膜Ｆ３の分光反射スペクトルＮ（λ）とステップＳ３の測光工程で作成した基板Ｗの分光反射スペクトルＭ（λ）とを比較する。この比較結果に基づいてステップＳ５から処理が分岐する。すなわち、ステップＳ５において銅膜Ｆ３の分光反射スペクトルＮ（λ）と基板Ｗの分光反射スペクトルＭ（λ）とが互いに不一致であると判断したときは、次のステップＳ６に処理が移行する。
【００２９】
銅膜Ｆ３の分光反射スペクトルＮ（λ）と基板Ｗの分光反射スペクトルＭ（λ）とが互いに不一致となるのは、銅膜Ｆ３の厚さ寸法が所定値以下となって計測光の一部が銅膜Ｆ３を透過することによって、図６に示す研磨処理前の基板Ｗの分光反射スペクトルＮ（λ）に、図７に示す研磨処理後における基板Ｗの分光反射スペクトルＭ（λ）の成分が付加されるためである。具体的には、図４に示すように銅膜Ｆ３の表面から酸化膜Ｆ１上に形成されたバリアメタル膜Ｆ２上面までの厚さ寸法ｄ４が例えば５０ｎｍ以下となると、この部分において計測光が銅膜Ｆ３を透過して、バリアメタルＦ２、酸化膜Ｆ２およびシリコン基板Ｗａに達する。その結果、図４に示す中間時点の基板Ｗの分光反射スペクトルＭ（λ）は、図６に示す銅膜Ｆ３の分光反射スペクトルＮ（λ）から、図７に示す分光反射スペクトルＭ（λ）へ移行する間の分光反射スペクトルとなり、複数の山谷を有することとなる。
【００３０】
また、ステップＳ５において銅膜Ｆ３の分光反射スペクトルＮ（λ）と基板Ｗの分光反射スペクトルＭ（λ）とが互いに不一致ではない、すなわち、銅膜Ｆ３の分光反射スペクトルＮ（λ）と基板Ｗの分光反射スペクトルＭ（λ）とが互いに一致していると判断したときは、上述のステップＳ２に処理が戻る。この場合において、図４に示す厚さ寸法ｄ４が例えば５０ｎｍを越えており、測定領域Ｒ全体にわたって計測光が銅膜Ｆ３を透過する部分がない。したがって、この場合の基板Ｗからの分光反射スペクトルＭ（λ）は、図６に示す銅膜Ｆ３の分光反射スペクトルＮ（λ）と等しくなる。この場合は、最初に設定した研磨処理条件では研磨処理が不十分であったと判断して、ステップＳ２の研磨処理に戻り、厚さ寸法ｄ４が例えば５０ｎｍ以下で、酸化膜Ｆ１が露出する直前となるように研磨処理条件を設定し直して再度、研磨処理を実行する。
【００３１】
ステップＳ６（膜厚算出工程）
ステップＳ６では、図４に示す厚さ寸法ｄ４を算出する。図４に示す酸化膜Ｆ１が形成された部分においては、計測光に対して透明膜である銅膜Ｆ３、バリアメタル膜Ｆ２、酸化膜Ｆ１がシリコン基板Ｗａ上に形成されている。換言すれば、シリコン基板Ｗａ上に酸化膜Ｆ１、バリアメタル膜Ｆ２および銅膜Ｆ３という３つの多層膜が形成されている。このような多層膜中の各薄膜の膜厚を算出する方法として例えば特許第２８６６５５９号に記載された方法が知られている。
【００３２】
この方法を上述の膜厚測定装置で実行すると、まず、操作者は多層膜中の薄膜数（本実施形態では酸化膜Ｆ１、バリアメタル膜Ｆ２および銅膜Ｆ３の「３」）および各薄膜の光学定数を、操作部２７を介して入力してデータ処理部１９に記憶させる。次に図４に示す上記中間時点における基板Ｗの分光反射スペクトルＭ（λ）の山谷（ピーク・ヴァレイ）総数と、計測光の波長域における最も短波長側に現われる山谷に対応する第１波長および最も長波長側に現われる山谷に対応する第２波長に基づいて各薄膜の膜厚範囲を特定する。この膜厚範囲内で、各薄膜の膜厚設定値を一定の膜厚ピッチで変化させながら、各薄膜の膜厚が前記膜厚設定値であると仮定したときの分光反射スペクトルとステップＳ３で測光した分光反射スペクトルＭ（λ）との偏差量を演算し、その偏差量が最小となる膜厚の組み合わせを求めて、銅膜Ｆ３の膜厚ｄ４を求める。
【００３３】
上述のように銅膜ｄ４の膜厚が例えば５０ｎｍと算出されれば、この膜厚に基づいて、続いて実行される酸化膜Ｆ１を露出するための研磨処理の処理条件を設定することができるので、シリコン基板Ｗａ上の酸化膜Ｆ１を含む層を必要以上に研磨除去することを防止することができる。
【００３４】
＜他の実施形態＞
（１）上述の実施形態では、準備工程（ステップＳ１）において図３に示す研磨処理前の基板Ｗを用いて銅膜の分光反射スペクトルＮ（λ）を作成したが、計測光が透過しない厚さを有する銅膜のサンプルを用いて銅膜の分光反射スペクトルＮ（λ）を作成しても良い。また、計測光に対する銅膜の理論的な分光反射スペクトルＮ（λ）を予め操作部２７を介してデータ処理部１９に記憶させておいても良い。これらの変形例の場合、予め準備工程を実行しておけば、測定対象の基板毎に準備工程を実行する必要はない。
【００３５】
（２）上述の実施形態は、ＣＭＰ処理装置による銅膜Ｆ３の研磨除去処理過程で適用されたが、銅膜Ｆ３の除去処理は研磨処理に限定されず、例えばエッチングによる除去処理過程において本発明を適用しても良い。
【００３６】
（３）研磨処理などの除去処理を行いながらインラインで膜厚測定が可能なように、上述した膜厚測定装置を研磨処理装置などの除去装置に組み込んだ構成としても良い。
【００３７】
（４）ステージ１を水平移動させて複数の測定領域Ｒを設定して、それぞれの測定領域Ｒにおいて銅膜の膜厚を求めても良い。このように複数の測定領域Ｒにおける銅膜の膜厚を求めることによって基板Ｗ表面における銅膜の膜厚の面内分布を求めることができる。この面内分布に基づいてＣＭＰ処理装置などの除去装置を調整することによって、均一に銅膜を除去することが可能となる。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳細に説明した如く、請求項１または請求項２に係る発明によれば、第２の薄膜の除去過程において、所定の金属の膜の分光反射スペクトルと基板の分光反射スペクトルとが不一致であるときの基板の分光反射スペクトルから第２の薄膜の膜厚を求めることができるので、基板上に形成された第１の薄膜を含む層を必要以上に除去することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施形態である膜厚測定装置の構成を示す模式図である。
【図２】基板Ｗの測定領域Ｒ付近の平面図である。
【図３】研磨処理前における基板Ｗの薄膜状態を示す縦断面図である。
【図４】研磨処理過程における基板Ｗの薄膜状態を示す縦断面図である。
【図５】研磨処理終了後における基板Ｗの薄膜状態を示す縦断面図である。
【図６】銅膜の分光反射スペクトルを示す図である。
【図７】研磨処理終了後における基板Ｗの分光反射スペクトルを示す図である。
【図８】実施形態の膜厚測定装置の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１  ステージ
３  光源部
５  ビームスプリッタ
７  対物レンズ
１１  分光ユニット
１９  データ処理部
Ｗ  基板
Ｗａ  シリコン基板
Ｆ１  酸化膜（第１の薄膜）
Ｆ２  バリアメタル膜
Ｆ３  銅膜（金属膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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