(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ツリー抑制剤を含むことなくツリーが低い電導性デバイスであって、該デバイスが、少なくとも一つの導電性基板を含む電導性部材と、
（ｉ）該電導性部材の付近に設ける少なくとも一つの電気的絶縁部材と、
（ii）該電導性部材の付近に設ける少なくとも一つの半導体部材と、
（iii）該電導性部材を実質的に囲み、かつ該電導性部材により支持される少なくとも一つの保護層とを含み、
該少なくとも一つの絶縁部材（ｉ）または該少なくとも一つの半導体部材（ii）、または該少なくとも一つの保護層（iii）が、C3ないしC20アルファ−オレフィンおよびC3ないしC20ポリエンのグループから選ばれた少なくとも一つのコモノマーと重合したエチレンからなるグループから選択された高分子を含み、さらに
該高分子が0.86g/cm3ないし0.96g/cm3の範囲の密度、0.2dg/分ないし100dg/分の範囲のメルトインデックス、1.5ないし30の範囲の分子量分布、および45パーセントを超える組成分布幅インデックスを有する
ことを特徴とする電導性デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスにおいて該高分子がエチレン/C3ないしC20アルファ−オレフィン共重合体またはエチレン/C3ないしC20アルファ−オレフィン/C3ないしC20ジエン三元共重合体を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイスにおいて該高分子がエチレン／ブテン−１、エチレン／ヘキセン−１、エチレン／オクテン−１もしくはエチレン／プロピレン共重合体、またはエチレン／プロピレン/1,4−ヘキサジエンもしくはエチレン／ブテン−1/1,4−ヘキサジエン三元共重合体を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項４】
前記いずれかの請求項に記載のデバイスにおいて該高分子が、モノマーの全モル数を基準として68モルパーセントないし99モルパーセントのエチレンを含むことを特徴とするデバイス。
【請求項５】
請求項４に記載のデバイスにおいて該高分子が、モノマーの全モル数を基準として73モルパーセントないし98モルパーセントのエチレンを含むことを特徴とするデバイス。
【請求項６】
請求項５に記載のデバイスにおいて該高分子が、モノマーの全モル数を基準として75モルパーセントないし94モルパーセントのエチレンを含むことを特徴とするデバイス。
【請求項７】
前記いずれかの請求項に記載のデバイスにおいて該高分子が、高分子と充填剤の重量に基づいて50重量パーセントまでの充填剤を含み、該充填剤が電導性または非電導性であることを特徴とするデバイス。
【請求項８】
請求項７に記載のデバイスにおいて、電導性充填剤がカーボンブラックであることを特徴とするデバイス。
【請求項９】
前記いずれかの請求項に記載のデバイスにおいて該高分子が架橋されていることを特徴とするデバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載のデバイスにおいて、該高分子が過酸化物、加水分解されたシラン、または放射線で架橋されたことを特徴とするデバイス。
【請求項１１】
前記いずれかの請求項に記載のデバイスにおいて、メタロセン触媒系を使用してモノマーを重合することにより該高分子が形成されたことを特徴とするデバイス。
【請求項１２】
前記いずれかの請求項に記載のデバイスにおいて、該高分子が0.865g/cm3ないし0.93g/cm3の範囲の密度、およびまたは1dg/分ないし50dg/分の範囲のメルトインデックス、およびまたは1.7ないし10の範囲の分子量分布、およびまたは50パーセントを超える組成分布幅インデックスを有することを特徴とする電導性デバイス。
【請求項１３】
請求項12に記載のデバイスにおいて、該高分子が0.87g/cm3ないし0.91g/cm3の範囲の密度、およびまたは3dg/分ないし30dg/分の範囲のメルトインデックス、およびまたは1.8ないし3.5の範囲の分子量分布、およびまたは60パーセントを超える組成分布幅インデックスを有することを特徴とする電導性デバイス。
【請求項１４】
前記いずれかの請求項に記載のデバイスにおいて、該高分子が40未満のツリー等級、およびまたは0.0002ないし0.0005の範囲のパワー因子、およびまたは1.8ないし2.4の範囲の誘電定数を有することを特徴とする電導性デバイス。
【請求項１５】
請求項14に記載のデバイスにおいて、該高分子が40未満のツリー等級、およびまたは0.0002ないし0.0005の範囲のパワー因子、およびまたは1.8ないし2.4の範囲の誘電定数を有すると共に、少なくとも一つの保護層（iii）を含むことを特徴とする電導性デバイス。
【請求項１６】
前記いずれかの請求項に記載のデバイスにおいて、該少なくとも一つの保護層が該電導性部材に隣接する第一シールド層、該第一シールド層に隣接する絶縁層、該絶縁層に隣接する第二シールド層、および該第二シールド層に隣接するジャケット層を含むことを特徴とするデバイス。
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は電導性もしくは半導体性製品に関する。特にこの発明はポリオレフィンを含む電導性もしくは半導体性製品に関する。さらに特定すると本発明は水性ツリー現象に対する抵抗および他の改良された性質を有する高分子の絶縁部材もしくは半導体部材を含む電導性もしくは半導体性製品に関する。
発明の背景技術
通常のパワーケーブルは一般に、第一高分子半導体シールド層、高分子絶縁層、第二高分子半導体シールド層、金属テープシールド、および高分子ジャケットを含むいくつかの層で囲まれたコア内に一つ以上の電導体を含む。
パワーケーブルその他いろいろの用途の電気的絶縁シールド材料および半導体シールド材料として広範囲な高分子材料が利用されている。長期にわたる性能が所望され、もしくは必要であるサービスあるいは製品に使用できるためには、これらの高分子材料は適当な誘電性に加えて耐久性があり、かつ多年にわたり有効かつ安全に働くよう、初期の性質を実質的に保持しなければならない。例えば建設用電線、電動機その他の機械的電力線、もしくは地下用伝送ケーブルに利用する高分子絶縁体は安全のためのみならず、経済的な必要性と実用性のため、耐久性がなければならない。建設用電線に耐久性のない高分子絶縁体を使うことの危険性、あるいは高分子絶縁体に耐久性がないために地下の伝送ケーブルを頻繁に交換しなければならないことの非実用性は容易に理解できる。
高分子パワーケーブルの絶縁体が起こす可能性のある故障の主なタイプの一つは、ツリー（treeing）として知られる現象である。ツリー現象と言うのは、一般的に電気的応力の下で誘電体部に進行し、それが可視的であるときはその経路が木のように見えるものである。このために「ツリー」の名を冠されている。ツリー現象は周期的な局部的放電によって起き、かつ緩慢に進行する。それは局部的放電がまったく無くても湿気の存在下に緩慢に起きることもあり、あるいは衝撃電圧を受ける結果として急速に起きることもある。ツリー現象は、たとえば絶縁体−半導体スクリーン境界層のある本体中の不純物あるいは空洞のある高い電気的応力のかかる場所で発生しうる。固体の有機誘電体では破局的には起きないがもっと長期的過程で現われる電気的故障があり、その最も起きやすい機構がツリー現象である。過去には高分子絶縁体の耐用寿命の延長は、ツリー現象が始まる電圧を通常よりももっと高くし、あるいはツリー成長が開始した後はツリー成長率を低減すべくシランをベースとする分子その他の添加物を混合し、グラフト化し、あるいは共重合化させることにより達成していた。
ツリー現象自体はさらに、電気的ツリー（electrical treeing）現象と水性ツリー（water tteeing）現象として知られる二つの異なる現象に分けて特徴づけることができる。
電気的ツリー現象は、誘電体を分解させる内部的電気放電から起きる。高電圧インパルスが電気的ツリー現象を発生させることがあり、また内部的空洞および不純物の存在は好ましくないが、それよりも欠陥（imperfections）を含む電極−絶縁体境界層に適度の交流電圧を印加する結果生じる損傷が商業上大きな意味をもっている。後者の場合、非常に高い局所的な応力勾配が存在しえて、長い時間をかけてツリーの発生および成長に続く破壊を来たしうる。この一例として、導体もしくは導体シールドと主絶縁体との間に粗い境界をもった高電圧パワーケーブルまたは接続子がある。この故障の機構には、多分、電子の衝突により起こされる誘電体材料の分子的構造破壊が実際に関与している。過去の技術の多くは電気的ツリー現象の抑制を狙いとしていた。
誘電体を分解する内部的電気放電の結果として生じる電気的ツリー現象とは対照的に、水性ツリー現象は液体もしくは蒸気と電場とに同時的にさらされる固体誘電体材料の劣化である。これは埋設したパワーケーブルの有用な寿命を決定する重要な因子である。水性ツリー現象は、電気的ツリーに必要な電場よりも弱い電場におかれている粗い境界層、突起状電導点、空洞、あるいは埋め込まれた不純物のような高い電気的応力の起きる場所から発生する。電気的ツリーとは対照的に水性ツリーは次のような特徴を持っている：（ａ）ツリーの成長に水の存在が本質的である。（ｂ）それらの成長期間中、部分的な放電は通常検出されない。（ｃ）ツリーは破壊を起こす大きさに達する何年も前に成長する。（ｄ）成長の速さは遅いが、電気的ツリーの発達に必要な電場よりもはるかに低い電場で開始し発生する。
電気的絶縁の用途では一般に1kV未満の低電圧絶縁、1kVないし35kVの範囲の中間電圧絶縁、35kV以上の用途に用いる高電圧絶縁とに分類される。低電圧絶縁ないし中間電圧絶縁では、自動車産業等で使われる電気的デバイスおよび機器の用途では電気的ツリーは一般に厄介な問題ではなく、水性ツリーよりも稀である。水性ツリー現象がしばししば問題となるのである。
中間電圧の用途の場合、最も普遍的な高分子絶縁体はエチレン−プロピレンゴム（ethylene−propylene−rubber,EPR）として知られるポリエチレンホモコポリマーまたはエチレン−プロピレンエラストマーのいずれかで製造される。
ポリエチレンは一般的に電気的絶縁材料のような充填剤なしのニート（neat,純粋な形）で使われる。ポリエチレンは非常に優れた誘電性、特に誘電定数およびパワー因子をもっている。ポリエチレンの誘電定数は許容可能な値である約2.2ないし2.3の範囲にある。パワー因子は散逸および消費される電気エネルギーの関数で、それゆえできるかぎり低く、約0.0002に抑制すべきものである。この値は許容可能であるのみならず、非常に好ましい値である。ポリエチレンの機械的諸性質もまた中間電圧絶縁体として非常に適当である。
しかしながらポリエチレンホモポリマーは、特に中間電圧領域の上端付近で、水性ツリーを非常に起こしやすい。
長期的に電気的安定を有するポリエチレンをベースとする高分子を造る試みが過去に行われている。例えばジクミル過酸化物をポリエチレンに対する架橋剤として使ったとき、この過酸化物の残留物が硬化後のある時間、ツリー抑制剤として機能する。しかしこれらの残留物は電気的パワーケーブル使用時の温度でやがて失われてしまう。アシュクラフト他に付与された1979年３月13日付け米国特許第4,144,202号は有機シランを含んだ少なくとも一つのエポキシをツリー抑制剤としてポリエチレン中に含有させる方法を開示している。しかしながら、そのようなシランを含むポリエチレンに勝る改良されたツリー抵抗を有する高分子絶縁体の必要性が未だに存在する。
ニートとして使用できるポリエチレンとは異なり、他のありふれた中間電圧絶縁体であるEPRは、ツリーを抑制するためには高レベル充填剤で充填しなければならない。中間電圧絶縁体として使用したとき、EPRは一般に約20ないし50重量パーセントの充填剤を含み、過酸化物で架橋してあることが望ましい。充填剤は、大抵は焼成クレーである。充填剤の存在はEPRにツリーの伝播に強い抵抗性を与える。また、EPRはポリエチレンに比肩する機械的諸性質を有する。
EPRに利用される充填剤がツリー現象の防止に役立つ一方、それらのEPRは不幸にして貧弱な誘電特性、すなわち貧弱な誘電定数および貧弱なパワー因子、を有する。充填されたEPRの誘電定数は約2.3ないし約2.8の範囲にある。充填したEPRのパワー因子は約0.0002ないし約0.0005のオーダーであって、これはポリエチレンよりもほぼオーダー一つ不良である。
このようにしてポリエチレンが優れた誘電特性および優れた機械的特性を有する一方、水性ツリー抵抗の改良が必要である。充填したEPRは優れたツリー抵抗を有する一方、誘電特性の点で改良が必要である。
今日、一般に線状ポリエチレンと呼ばれている別のクラスの高分子が存在する。これらの型の高分子は1989年11月15日に発行されたEPA公報0 341 644号に記載されている。この文献は伝統的なジーグラー−ナッタ触媒系により生成される線状ポリエチレンに関し、このポリエチレンは一般に十分低い密度では線状低密度ポリエチレンに類似の広い幅の分子量分布を有し良好なツリー抵抗性を示す。しかし電線およびケーブル分野での利用上、これらの線状型高分子の溶融温度特性は貧弱である。押し出し器で使うための良好な混合体を達成するためには伝統的に使用されている過酸化物が高分子を早期架橋（「スコーチ（scorch）」と呼ばれる現象）する温度で線状高分子を処理しなければならない。スコーチを回避するために処理温度を十分低く保持すると、広い幅の分子量分布をもつ線状高分子中に高い溶融点をもつ種があるため、不完全な溶融が起きる。この現象は不良混合、サージ押し出し圧力、その他の不良な結果を来たす。
それゆえ依然として、優れた機械的諸特性、優れた誘電特性および優れた水性ツリー抵抗をもつ高分子絶縁体を与える絶縁技術を与える必要性がある。
発明の概要
本発明は予測しにくいかつ驚異的な改良されたツリー特性その他の物理的および機械的諸特性を示す高分子絶縁部材およびまたは電導性部材を有する電気的デバイスに関する。
本発明は一実施例として、電導性デバイスであって：（ａ）少なくとも一つの電導性基板を含んだ電導性部材と、（ｂ）前記電導性部材の付近に設けた少なくとも一つの電気的絶縁部材とを含む電気的デバイスを与える。この実施例ではこの絶縁部材は、C3ないしC20アルファ−オレフィンおよびC3ないしC20ポリエンのグループから選ばれた少なくとも一つのコモノマーで重合したエチレングループから選択した高分子を含み、さらにこの高分子は約0.86g/cm3ないし約0.96g/cm3の範囲の密度、約0.2dg/分ないし約100dg/分の範囲のメルトインデックス（melt index,MI）、約1.5ないし約30の範囲の分子量分布（molecular weight distribution,MWD）、45パーセントを超える組成分布幅インデックス（composition distribution breadth index,CDBI）および28℃未満の溶解分布インデックス（solubility distribution index）を有する。
本発明はもう一つの実施例として、電導性デバイスであって：（ａ）少なくとも一つの電導性基板を含む電導性部材と、（ｂ）前記電導性部材の付近に設けた少なくとも一つの半導体部材とを含むデバイスを与える。この実施例では半導体部材は上記の高分子を含んでいる。
本発明はさらに別の実施例として、半導体デバイスであって：（ａ）半導体部材と、（ｂ）前記半導体部材付近に設けた電気的絶縁部材とを含むデバイスを与える。この実施例では、半導体部材およびまたは電気的絶縁部材が上記高分子を含む。
本発明はさらに別の実施例として、電導性デバイスであって：（ａ）少なくとも一つの電導性基板を含む電導性コア部材と、（ｂ）このコア部材を囲みかつこのコアにより支持される少なくとも一つの保護層とを含むデバイスを与える。この実施例では保護層の少なくとも一つが上記高分子を含む。
【図面の簡単な説明】
本発明の上記局面、特徴、および利点は添付の図面を参照しつつ以下の詳細な説明を読むことにより明確かつ十分に理解できよう。
図１はテストしたいろいろのサンプルのツリーの程度を決定するのに使用するテスト装置を示す。
図２は図１のテスト装置で経時させた（aged）テストサンプルを解析する方法を示す。
図３は代表的なパワーケーブルの図で、ジャケット、絶縁体、または半導体のシールド層のいずれかであるいくつかの保護層により実質的に囲まれている電導性コアを含む複数の電導性基板を示す。
図４（ａ）および図４（ｂ）はそれぞれ代表的な中間電圧および低電圧電力線の断面図である。
図５はいろいろの高分子の過酸化物反応性を示すグラフである。
図６はいろいろの高分子の放射線反応性を示すグラフである。
図７は狭いSDBIおよびCDBIをもつ共重合体（Ｘ）および広いSDBIおよびSDBIをもつ共重合体（Ｙ）の溶解分布および組成分布のグラフである。
図８は温度スケールを組成スケールに変換するのに使用するための、溶解温度と組成との間の相関を示すグラフである。
図９はSDBIを計算するための方法を示すグラフである。
発明の詳細な説明
本発明は特に、ポリオレフィンを利用する高分子製品に関する。これでこれらの製品は優れた機械的諸特性、優れた誘電特性および優れた水性ツリー特性、過酸化物を含む組成物による低溶融温度の独特の組み合わせを有し、電気的絶縁体および半導体として有用である。
ポリオレフィンには高分子の究極的性質に影響する構造的変数が多数ある。二つの最も重要なものは組成分布（composition distribution,CD）と分子量分布（molecular wight distribution,MWD）である。組成分布は共重合体分子間のコモノマーの分布および各高分子内のコモノマーの分布を表す。本発明でいう高分子の改質は、炭化水素以外の分子を追加せずに行う高分子の分子的構造改質である。この特徴は高分子の結晶性（crystallizability）、光学的性質（optical properties）、強さ（toughness）、溶融処理容易性（melt processability）その他の重要な使用目的上の特性に直接関係する。分子量分布は達成可能な物理的諸特性のレベルと諸特性の均衡に重要な役割を果たす。MWDもまた溶融処理容易性に重要な因子である。本発明の高分子はMWDおよび組成分布（CD）の独特な組み合わせを有する。MWDは非常に狭く、CDは分子内でランダムである以上に一様である。表VIIIからわかるような物理的強度特性、電気的特性、ツリー抑制性をポリオレフィン高分子にもたせるこの独特な組み合わせは、電気的デバイスの分野、特に電線およびケーブル用途の分野で、非常に好ましい。
同様に重要なのは高分子の分子量（molecular weight,MW）であって、これが溶融粘性のレベルと、高分子に究極的に望まれる物理的特性とを決定する。コモノマーのタイプと量もまた共重合体の物理的諸特性および結晶性に影響する。
本発明の新規な装置のジャケット、絶縁性部材もしくは半導体部材に利用する高分子は、上記の構造的特徴（MW、MWD、CD、コモノマーのタイプおよび量）を適当に制御することにより、所望の物理的強度特性、電気的特性、ツリー抑制性および加工性に必要な溶融温度を生ずる任意の適当な過程により生成することができる。その一つの適当な方法はメタロセン（metalloxene）として知られる非常に活性なクラスのオレフィン触媒を使用することである。
メタロセンはポリエチレン、コポリエチレン−アルファ−オレフィン類の調製で良く知られている。グループIVBの遷移金属、ジルコニウム、チタニウム、ハフニウムをベースとするこれらの触媒はエチレンの重合過程に非常に高い活性を示す。これらの遷移金属メタロセン配合体（metallocene compounds）は一般に化学式（Cp）mMRnR′ｐにより表される。ここにCpは置換された、もしくは置換されない、ブッリジされていない、あるいは組み合わせのシクロペンタジエニルリングであり、ＭはグループIVBもしくはVB遷移金属であり、ＲおよびＲ′はハロゲン、ヒドロカルボニルグループ（hydrocarbyl group）、または１−20炭素原子;m＝１−3,n＝０−3,p＝０−３をもつヒドロカルボキシルグループ、から独立に選択され、ｍ＋ｎ＋ｐの和がＭの酸化状態に等しい。メタロセン型のいろいろの形式の触媒系を重合化に使って、本発明に利用する高分子を調製することができる。限定の意味でなく例として上記触媒の例を挙げると、気相プロセス、高圧プロセスあるいはスラリー重合プロセスすなわち溶解重合プロセスにより重合化を行うため、触媒および助触媒が不活性支持体上に一般的に支持され、あるいは一体的に反応される一様な支持触媒型のものがある。これらのメタロセン触媒はまた、触媒の組成および反応条件を操作することにより、分子量約200の低さ（潤滑油添加物等の用途に有用である）から超高分子量の線状ポリエチレン等に見られる約100万以上まで、分子量を制御したポリオレフィンを与えるのに使用できるようにすることができる、という点で非常に柔軟性がある。同時に、高分子の分子量分布は極めて狭い範囲（多分散度Mw/Mnで約２）のものから幅の広い（多分散度Mw/Mnで約８）ものまで、制御することができる。
エチレンの重合化のためのこれらのメタロセン触媒の開発の例がエウェン他に対する米国特許第4,937,299号およびEP−Ａ−129368号に開示されている。これらをここに参照として挙げる。とりわけこの技術は、メタロセン触媒系は、水がトリアルキルアルミニウムと反応してメタンを放出するときに形成されるアルモキサン（alumoxane）を含むことができることを教示している。このアルモキサンはメタロセン化合物と錯体をなして前記触媒を形成する。しかしトリアルキルアルミニウム錯化合物、あるいはトリ（ｎ−ブチル）アンモニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボロンのようなイオン化のためのイオン化合物等の他の触媒もメタロセンと使うことができる。トリ（ｎ−ブチルアンモイウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボロンは中性のメタロセン化合物をイオン化する。このようなイオン化化合物は活性の陽子、あるいはカルボニウミのようなある種の他の陽イオンを含むことができる。カルボニウミはメタロセンと接触したときにこれをイオン化し、当該イオン化するイオン化合物の残りのイオンに関連のメタロセン陽イオンを形成する。ただしそのメタロセン陽イオンは当該イオン化合物の残りのイオンに配位結合せず、あるいは緩く配位結合するに過ぎない。そのような化合物は共に1988年８月３日に発行されたEP−Ａ−0 277 003号および0 277 004号に記載されており、これらの文献全体を参考としてここに引用する。さらにこのメタロセン触媒成分はモノシクロペンタジエニルヘテロ原子を含んだ化合物でよい。この化合物はアルモキサンもしくはイオン活性剤のいずれかにより活性化され、本発明に有用な高分子を生成するための活性重合化触媒系を形成する。これは1992年１月９日に発行されたPCT国際公開WO92/00333号および米国特許第5,096,867号および5,055,438号、EP−Ａ−0 420 436号およびWO91/04257号に記載されている。これらの文献をここに参考として引用する。メタロセン触媒は、特別仕様の超一様かつ超ランダムな特性共重合体（tailored ultra uniform and super random specialty copolymer）を作成するのに特に魅力的である。たとえば非常に低密度のポリエチレン（VLDPE）のようなメタロセン触媒で低密度の共重合体を作成すると、従来のジーグラー触媒を使って共重合化により生成される高分子とは対照的に、超一様かつ超ランダムな共重合が生ずる。優れた機械的性質、優れた誘電特性および優れた水性ツリー抵抗をもった高分子の電気的絶縁体および半導体の需要に鑑みて、またスコーチの生じない十分に低い温度でこれらの材料を処理する必要に鑑みて、メタロセン触媒で調製したポリオレフィンの高品質特性を利用した製品を与えることが望ましい。
本発明のデバイスのジャケット部材、絶縁部材もしくは半導体部材に利用する高分子は
C3ないしC20アルファ−オレフィンおよびC3ないしC20ポリエンのグループから選ばれた少なくとも一つのコモノマーで重合したエチレンからなる高分子のグループから選択される。本発明に利用する高分子で選択されるモノマーのタイプは経済性と結果物たるデバイスの所望の用途とに依存する。
一般に本発明の使用目的に適したアルファオレフィンは約３パーセントないし約20の範囲の炭素原子を含む。好ましくはアルファ−オレフィンは約３ないし約16の範囲の炭素原子を含み、最も好ましくは約３ないし約８の範囲の炭素原子を含む。そのようなアルファ−オレフィンの例はプロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテンおよび１−ドデセンである。これらの例は本発明を限定するのものではない。
好ましくは本発明のデバイスに利用する高分子はエチレン／アルファ−オレフィン共重合体またはエチレン／アルファ−オレフィン／ジエン三元共重合体のいずれかである。適切な共重合体の非限定的な例を挙げれば、エチレン−ブテン−１、エチレン／ヘキセン−１、エチレン／オクテン−１、およびエチレン／プロピレン共重合体等である。適当な三元共重合体の例としてはエチレン／プロピレン/1,4−ヘキサジエンおよびエチレン／ブテン−1/1,4−ヘキサジエンがある。
本発明に利用するポリエンは一般に約３ないし20の範囲の炭素原子を有する。好ましくはポリエンは約４ないし約20の範囲の炭素原子を含み、最も好ましくはポリエンは、一般に約３ないし約20の範囲の炭素原子を有するジエンである。本発明に利用するジエンは好ましくは直鎖、枝分かれ鎖、あるいは環状の炭化水素ジエンで、好ましくは約４ないし約20の炭素原子を有し、最も好ましくは約４ないし約15の炭素原子を有し、さらに最も好ましくは約６ないし15の範囲の炭素原子を有する。最も好ましいジエンは非共役ジエンである。適当なジエンの例は、1,3−ブタジエン、1,4−ヘキサジエン、および1,6−オクタジエンのような直鎖非環式ジエン（straight chain acylic dienes）、５−メチル−1,4−ヘキサジエン、3,7−ジメチル−1,6−オクタジエン、3,7−ジメチル−1,7−オクタジエン、およびジヒドロミリシン（dihydro myricene）とジヒドロオシメン（dihydroocinene）の混合アイソマーのような枝分れ鎖非環式ジエン（branched chain acylic dienes）、1,3−シクロペンタジエン、1,4−シクロヘキサジエン、1,5−シクロオクタジエンおよび1,5−シクロドデカジエンのような単環非脂環式ジエン（single ring alicyclic dienes）、テトラヒドロインデン、メチルテトラヒドロインデン、ジシクロペンタジエン、バイシクロ−（2,2,1）−ヘプタ−２−５−ジエンのような多環状非脂環式融解／ブリッジ環状ジエン（multi−ring alicyclic fused and bridged ring dienes）、アルケニル、アルキリデン、シクロアルケニルおよび５−メチレン−２−ノルボルネン（MNB）、５−プロペニル−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−（４−シクロペンテニル）−２−ノルボルネン、５−シクロヘキシリデン−２−ノルボルネン、５−ビニル−２−ノルボルネン、およびノルボルネンのようなシクロアルキリデンノルボルネンである。EPRの調製に使用されるこれら代表的ジエンのうち、好ましい特定のジエンは1,4−ヘキサジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−ビニルリンデン−２−ノルボルネン、５−メチレン−２−ノルモルネンおよびジシクロペンタジエンである。特別に好ましいジエンは５−エチリデン−２−ノルボルネンおよび1,4−ヘキサジエンである。
好ましいモノマーレベルをもつ本発明に利用する高分子は、支持されたもしくは支持されていない触媒系のなかで適当なモノマーを重合化することにより調製することができる。利用するその触媒系は前述したタイプのメタロセン触媒系であることが好ましい。
本発明に利用する高分子の正確なモノマー含有率は目的とするデバイスの経済的および所望の用途に依存する。本発明に利用する代表的な高分子は一般に約68モルパーセントないし約99モルパーセント（モノマーの全モル数を基準とする）の範囲のエチレンを含む。好ましくはこれら高分子は最小限73モルパーセント、最も好ましくは75モルパーセントのエチレンを有する。好ましくは高分子は最大98モルパーセント、最も好ましくは94モルパーセントのエチレンを含む。本発明に利用するジャケット部材、絶縁部材もしくは半導体部材に利用する高分子は一般的に約73モルパーセントないし約98モルパーセントのエチレンを含み、最も好ましくは75モルパーセントないし約94モルパーセントを含む。他のモノマーが高分子の残余をなす。
本発明の高分子部材に利用する高分子は約0.860g/cm3ないし約0.960g/cm3の範囲の密度を有する。好ましくは高分子は最小密度約0.865g/cm3を有し、その最も好ましい密度はは0.870g/cm3である。好ましくはこれら高分子は最大密度0.93g/cm3を有し、その最も好ましく密度は約0.91g/cm3である。好ましくは密度は約0.86g/cm3ないし約0.93g/cm3の範囲にある。最も好ましい範囲はは約0.870g/cm3ないし約0.910g/cm3の範囲である。密度は標準的に使用されている手順を使って測定した。ただし資料は密度測定前に48時間にわたり周囲温度（23℃）に保つ追加の条件を課した。
本発明に利用する高分子のメルトインデックス（melt index,MI）は高分子が所望の製品に押し出しできるものである。一般的にメルトインデックスは約0.2dg/分ないし約100dg/分の範囲にある。好ましくはメルトインデックスは少なくとも約1dg/分であり、最も好ましくは少なくとも約3dg/分である。好ましい最大のメルトインデックスは約50dg/分で、その最も好まし値は約30dg/分である。好ましいメルトインデックス速く1dg/分ないし約50dg/分の半にあり、最も好ましい範囲は約3dg/分内ｓに約30dg/分である。測定したメルトインデックスはASTM M−1238（1290/2.16）に従って決定した。高荷重メルトインデックスはASTM M−1238（1290/21.6）に従って決定した。
本発明の電導性デバイスもしくは半導体デバイスに利用する高分子は、当該高分子が好ましい電気的性質をもちながら所望の製品に処理できるような分子量分布を有する。Mw/Mn比は一般に約1.5ないし30の範囲にある。最大の比は好ましくは約10であり、最も好ましくは約3.5である。最小の比は1.5であり、その最も好ましい値は1.8である。好ましい比は約1.7ないし約10の範囲にあり、最も好ましくは約1.8ないし約3.5の範囲である。
本発明の高分子部材に利用する高分子の組成分布幅インデックス（composition distribtuion breadth index,CDBI）は一般に約45パーセント以上である。好ましくはCDBIは約50パーセント以上である。最も好ましくはCDBIは約60パーセント以上であり、さらに好ましくは約80パーセントである。ここに使用したCDBIは、媒質全コモノマーモル量の50パーセント（すなわち±50％）以内のコモノマーを有する共重合体分子の重量パーセントと定義される。コモノマーを含まない線状ポリエチレンのCDBIを100％と定義する。
組成分布幅インデックス（CDBI）は温度上昇溶解分別法（Temperature Rising Elution Fractionation technique,TREF）を使って決定する。CDBIの決定により、例えば本発明に利用するプラストマー（CDBI値で評価して約45％以上の狭い組成分布を有する）と過去の絶縁性製品に伝統的に使われたもの（CDBIで評価して45％未満の幅の広い組成分布を有する）とを明確に区別することができる。共重合体のCDBIは直ちに本技術分野で公知の方法、例えば温度上昇溶解分別法（temperature rising elution fractionation）で得られるデータを使って計算できる。この温度上昇溶解分別法は米国特許第5,008,204号あるいはワイルド他共著のJ.Poly.Sci,Poly.Phys.ED.誌1982年第20巻441頁に記載されており、両文献をここに参考として引用する。
溶解性分布（Solubility Distribution）は、長さ164cm、内径1.8cmのコラムに非多孔性ビーズ（20−30メッシュ）を詰め、これを温度のプログラム制御可能な油浴中に漬けて測定した。この油浴は、油浴内の温度勾配を最小限にするため激しく攪拌した。油浴の温度はプラチナ抵抗温度計を使って測定した。高分子の約1.6gがサンプル調製チャンパ内に置かれ、繰り返し脱気され、系から酸素を追い出すために水素を満たす。次いで定体積のテトラクロルエチレンの溶媒をサンプル調製チャンバ中にポンプ注入する。そのチャンバの中で攪拌を行い、３大気圧の下で140℃に加熱し、約１％の濃度の高分子液を得る。次いで定量体積100ccの溶液をサーモスタットで120℃の高温に恒温化できる上記詰め込みコラム中にポンプ注入する。
コラム中の高分子溶液はその後、冷却速度〜20℃／分で０℃までコラムを冷却することにより結晶化する。コラムの温度は次いで25分間この温度０℃に保持する。次いで油浴の温度に予め加熱した純粋な溶媒を27cc/分の流率でコラム中にポンプで通過させることにより分別を始める。コラムからの流出流は吸収を測定する赤外線検出器に至る加熱したラインに流す。約2960cm-1にある高分子炭素−水素のストレッチングバンドの吸収が流出液中の高分子の相対的重量パーセント濃度の連続的測定に使える。この赤外線検出器を通過した後、流出液を自動分別収集器を通過させる前に流出液は温度を約120゜に、圧力を大気圧まで低下させる。分別した溜分は３℃間隔で収集する。この分別段では純粋なテトラクロルエチレン溶媒を０℃、27cc/分で25分間コラムを通す。これにより、未結晶高分子のパーセント（０℃で溶解可能な高分子のパーセント）が赤外線トレースから決定できるよう、冷却段において結晶しなかった高分子をコラムから追い出す。次いでプログラムに従って温度を1.0℃／分の速さで上昇させる。このようにして溶解分布曲線（solubility distribtuion curve）すなわち溶解された高分子の重量比率を温度の関数としてプロットした曲線、が得られる。
溶解性分布幅インデックス（Solubility Distribution Breadth Index,SDBI）を計算する手順は以下のとおりである。二つのエチレン中間高分子の溶解性分布を図７に示す。ここで、例示の目的のため、広い幅の溶解性分布を有するサンプルＹに比較してサンプルＸは狭い溶解性分布を有し、狭い温度範囲で分別するものとする。溶解性分布幅インデックス（SDBI）は溶解性分布曲線の幅の目安として使われる。ｗ（Ｔ）を温度Ｔで分別する（溶解する）高分子の重量比率とする。溶解温度Taveは次式で与えられる。
Tave＝∫Tw（Ｔ）dT、ただし∫ｗ（Ｔ）dT＝1.
SDBIは次の関係式を使って計算する：
SDBI（℃）＝［（Ｔ−Tave）4w（Ｔ）dT］1/4
（SDBIはこのように溶解性分布曲線の標準偏差に類似するが、Ｔ−Taveの二乗ではなくて４次の指数を含む。）従って例えば、図７に示す狭い溶解分布のサンプルＸおよび幅の広い溶解性分布曲線をもつサンプルＹはそれぞれ14.6゜および29.4℃に等しいSDBI値を有する。SDBIの好ましい値は28℃未満であって、より好ましい値は25℃未満であり、さらに好ましい値は20℃未満である。
結晶した中間高分子の組成分布（conposition distribution,CD）は次のように決定する。いくつかのポリ（エチレン−コ−ブテン）についていろいろの狭い温度間隔で収集された溜分の組成および数平均分子量（number average molecular weight）Mnはそれぞれ、C13 NMRおよびサイズ排除クロマトグラフィー（size exclusion chromatography）を使って決定した。図８はMn＞15,000をもつ溜分について溶解温度に対するモルパーセントコモノマーをプロットしたものである。諸データ点を通るように引いた曲線は０℃を超える温度に対して組成を溶解温度に相関させるのに使用する。溶解温度と組成との間の相関は溜分のMnが15,000以下に減少すると正確さを欠くようになる。このエラーは流出溜分の組成をC13 NMRで直接測定することにより除去することができる。その代わりとして、図８に与えた高分子量溜分に対する溶解温度−組成の較正は、流出溜分のMnおよびMn＜15,000のときに成り立つMnと溶解温度との間の実験的相関とに基づいて補正することができる。しかし、そのような低い分子量分子は無視できる程度にしか存在せず、含まれるエラーは無視できるものと仮定する。図８に示すような相関曲線は、アルファ−オレフィンがプロピレンでないと仮定すれば、実質的にランダムな任意のポリ（エチレン−コ−α−オレフィン）に適用できる。
溶解分布曲線の温度スケールはこのようにして組成スケールに変換することができ、高分子の重量比率−組成曲線が得られる。図８に示す組成スケールから分かるように、サンプルＸは狭い組成範囲幅の分子を含むが、他方、サンプルＹは広い組成幅の分子を含む。従ってサンプルＸが狭い幅の組成分布を有するに対してサンプルＹは幅の広い組成分布を有する。
組成分布幅の定量的目安は組成分布幅インデックス（CDBI）により与えられる。CDBIは中間コモノマー組成の50％以内に組成をもつ高分子の百分率として定義される。これは図９に示すような組成分布曲線および組成分布曲線の正規化した累積積分から計算される。中間組成Cmedは、累積積分値が0.5となる点における組成に相当する。組成値0.5Cmedおよび1.5Cmedにおける累積積分値の差（この例では71−29、すなわち42％）が当該共重合体のCDBIである。CDBI値はゼロと１の間の値となり、大きな値は狭いCDを示し、低い値は幅の広いCDを示す。従って、図７をもう一度参照すると、狭い幅および広い幅のCDの共重合体はそれぞれ95％および42％に等しいCDBIを有する。非常に低いコモノマー量を有する共重合体のCDとCDBIを高い精度で測定することは難しいので、密度が0.94g/cm3を超えるポリエチレンのCDBIを100％に等しいと定義する。
特に断らないかぎり、「コモノマー量」、「平均コモノマー量」等の用語はモル基準による中間高分子混合体のバルクコモノマー量、混合体組成もしくは比率を指す。
上記のように高分子を使用することにより、ツリー抵抗性と優れた電気特性すなわち優れた誘電定数およびポワー因子とを備えたジャケット部材、絶縁部材あるいは半導体部材を製作ことができる。
本発明で記述したツリー等級はデンスリー他共著の記事「ケーブル絶縁における水性ツリーの研究」（電気的絶縁材料に関する第20回シンポジウム。東京、1989年）、およびブリンスキ他共著の記事「重度に酸化された架橋ポリエチレン絶縁体における水性ツリー」（高電圧工学に関する第６回国際シンポジウム。ニューオリーンズ、1989年８月28日−９月１日）に記載されており、これらを参考として引用する。一般的な方法は以下のとおりである。テストすべき75ミル（0.1905cm）のプラックを175℃でプラスして直径１インチ（2.54cm）の円形に切断する。ツリーの開始を加速するため、三つの小さな領域がこれら円形の表面上に砂吹き付けを施す。図11に示すような装置を使ってこれらのサンプルに75℃で3500時間、6kV、1000Hzの応力を加え、さらに0.1MのNaCl溶液に接触させる。ツリーの程度は砂吹き付けした二つの領域を通るようにサンプルを垂直に薄切りし、次いでサンプルの厚さに対するツリーの相対的長さを測定することにより決定した。（長さ／厚さ×100＝ツリー等級）（応力はサンプルの厚さに逆比例する）図２はツリー抑制テストサンプルを解析する方法を表す。
ジャケット部材、絶縁部材、半導体部材に利用する高分子はニートポリエチレンのツリー等級よりも優れたツリー等級を有し、充填したEPR類に匹敵するツリー等級を有する。ツリー等級は一般に約40より小さく、好ましくは約25未満であり、最も好ましくは約15未満であり、さらにもっと好ましくは約10未満である。
本発明に利用する高分子が充填されたEPRに比較して優れたツリー抵抗を有するのみならず、これら高分子はまたニートポリエチレンに匹敵する優れた誘電特性を有する。一般に本発明に利用する高分子の誘電定数は約1.8ないし約2.4の範囲内にある。
本発明に利用する高分子がもっているもう一つの誘電特性は優れたパワー因子である。この高分子のパワー因子は一般に約0.0002ないし0.0005の範囲にある。
本発明のジャケット部材、絶縁部材、半導体部材の製造に有利な高分子は、ジャケット部材、絶縁部材、半導体部材部材に形成したときにツリーに対する適当な抵抗および優れた電気特性を有することができる、所望の性質の高分子を生成する任意の方法により生成することができる。本発明にとって有用な高分子を製造する特に適当な方法の一例を挙げると、メタロセンとして知られるあるクラスの高活性のオレフィン触媒を使用する。メタロセンはポリエチレンおよびコポリエチレン−アルファ−オレフィンの調製においてとくに良く知られているものである。これらの触媒系は前述したようにグループIVBの遷移金属、ジルコニウム、チタニウムおよびハフニウムをベースとし、エチレン重合に非常に高い活性をもっている。メタロセン触媒はまた、触媒組成および反応条件を操作することにより、触媒がポリオレフィンに分子量約200（潤滑油添加剤に有用）から超高分子量の線状ポリエチレンの場合の約100万以上までの制御可能な分子量を与えることができるようにすることができる点で非常に柔軟性がある。同時に高分子の分子量分布は非常に狭い幅のもの（多分散度Mw/Mnが約２）から広い幅（多分散度Mw/Mnが約８）まで制御することができる。
エチレンの重合に使用するこれらのメタロセン触媒の開発例はエウェン他に付与された米国特許第4,937,299号、ウェルボーンジュニアに付与された米国特許第4,808,561号、およびチャンに付与された米国特許第4,814,310号があり、これらを参考文献としてここに引用する。とりわけエウェン他は水がトリアルキルアルミニウムと反応するときにメタンを解離して形成されるアルモキサンがメタロセン触媒の構造に含まれることを教示している。このアルモキサンはメタロセン化合物と錯体を形成して上記触媒を形成する。ウェルボーンジュニアはエチレンのアルファ−オレフィンおよびまたはジオレフィンとの重合方法を教示している。チャンはシリカゲル触媒支持体に吸収した水を利用してメタロセンアルモキサン触媒系を造る方法を教示している。
エチレン／アルファ−オレフィン共重合体およびエチレン／アルファ−オレフィン／ジエン三元共重合体を製造する特定の方法がホエール他に付与された米国特許第4,871,705号（1989年10月３日付け）、第5,001,205号（1991年３月19日付け）、および1992年４月８日発行のEPA公報第0 347 129号に教示されており、これらをここに参考として引用する。
メタロセン触媒を使い、スラリー重合、気相重合、および高圧重合を含む任意の適当な重合プロセスおよび溶液重合プロセスに従って本発明に有用な高分子を生成することができる。
スラリー重合プロセスは一般に超高大気圧および40゜ないし100゜の温度を使う。固体の懸濁液であるスラリーの重合ではエチレンとコモノマーさらにしばしば触媒と共に水素とが添加された液体重合媒体の中で粒状の高分子が形成される。この重合媒体に採用される液体はアルカン、シクロアルカン、あるいはトルエン、エチルベンゼンもしくはキシレンのような芳香族炭化水素でよい。使用する媒体は重合条件の下で液体であるべきであり、かつ比較的不活性であるべきである。ヘキサンまたはトルエンを使用することが好ましい。
本発明の絶縁成分または半導体部材成分に使用する高分子は気相重合で形成することが好ましい。気相プロセスは超高大気圧および約50℃−120℃の範囲の温度を使用する。気相重合は未反応気体から生成粒子を分離することができるようにされた圧力容器内の触媒と生成粒子の攪拌床または流動床内で行うことができる。温度50℃−120℃に維持すべく、サーモスタット調節したエチレン、コモノマー、水素、および窒素のような不活性希釈ガスを導入し、または循環させることができる。水、酸素その他の外来不純物のスカベンジャーとして必要に応じてトリエチルアルミニウムを添加することができる。高分子生成物は連続的に、または半連続的に、リアクター内の生成物を一定に維持しうる速度で取り出すことができる。重合および触媒の奪活の後、生成高分子は任意の適当な手段により回収できる。商業的実施では、高分子生成物は直接に気相リアクターから回収し、窒素パージにより残留モノマーから分離することができ、それ以上の奪活なしに、あるいは触媒の除去をせずに使用することができる。
本発明の高分子はメタロセン／アルモキサン触媒系の存在下で他の所望のモノマーと組み合わせてエチレンを重合することにより高圧処理で生成することもできる。高圧処理では重合温度が約120℃を超えていること、しかし当該生成物の分解温度の下であること、かつ重合圧力が約500バール（kg/cm2）の上であることが重要である。一組の運転条件で生成される高分子生成物の分子量が所望の値より高い場合、分子量を制御する任意の公知方法の利用、例えば水素もしくはリアクター温度、を使用して本発明のデバイスにとって有用な高分子を作ることができる。
本発明に利用する高分子は化学的にあるいは放射線で架橋することができる。一つの適当な自由ラジカル架橋剤はジクミル過酸化物の様な過酸化物である。この代わりとして、シラン高分子はシランを主鎖にグラフト化してから加水分解してシロキサンを介して隣接の高分子鎖間に架橋を形成することができる。これはいわゆる湿分硬化法である。
本発明のデバイスの絶縁部材は「ニート（neat）」高分子を含むことができ、あるいはこれを随意選択的に充填することができる。適当な充填剤（filler）の一例はカオリンクレイ（Kaolin clay）である。本発明の半導体部材は当該部材を半導体性にするため電導性充填剤を充填しなければならない。半導体用途のために最もよくつかれわれる充填剤はカーボンブラックで、これは一般に当該充填された半導体部材の30ないし40重量パーセントを含む。
ポリオレフィン成分によく使われる他の添加剤、例えば架橋剤、酸化防止剤、加工助剤、色素、染料、着色剤、金属奪活剤、オイルエクステンダー、安定剤、および潤滑剤を本発明に使用することができる。
本発明のデバイスはそれが使用される用途に適した任意の形状をとることができる。本発明のデバイスの成分すなわち絶縁性部材、半導体性部材、および電導性部材は、当該デバイスの所望の用途に応じていろいろの相対的相互位置に配置することができる。一般的に言って、絶縁性部材は、電導性部材または半導体性部材の絶縁体として機能するように配置されなければならない。例えば前記いろいろの成分は：相互に接近して、相互に接触して、相互に隣接して相互に固着することができ、あるいは実質的に一方が他方を取り囲むことができる。一般的に、パワーケーブルの分野では、デバイスは一つ以上の絶縁体層およびまたは半導体シールドで実質的に囲まれた一以上の電導性物質のコア（芯）を含む。図３は代表的なパワーテーブルの例で、この図はジャケット、絶縁体シールドあるいは半導体シールドのいずれかであるいくつかの保護層で実質的に囲まれた電導性コアを含む複数の電導性物質を示す。図４（ａ）は代表的な中間電圧パワーケーブルの断面図で、電導性コアが複数の電導性物質、第一半導体シールド層、絶縁層、第二半導体シールド層、およびジャケットを含むことを示す。図４（ｂ）は代表的な停電圧力パワーケーブルの断面図で、電導体が絶縁体層またはジャケット層で実質的に囲まれていることを示す。本発明は水性ツリー現象が最もよく起きる低電圧力および中間電圧用途に非常に利点があるが、高電圧力用途にも有用である。
伝統的に、パワーケーブルに通常採用されているジャケット材料はEPR絶縁ケーブルに被せたネオプレン、およびポリエチレン絶縁したケーブルに被せたポリビニルクロライド（PVC）である。本発明によれば本発明の高分子は絶縁層およびシールド層として適しているのみならず、ジャケット層にも使用することができる。
本発明に利用するすべての成分は普通、電導体上に押し出す前に相互に混合され、あるいは配合される。高分子その他の添加剤および充填剤はそれらの混合体を混合して一様なものにするために本技術分野で使われている任意の方法によって一体に混合することができる。例えばその組成物は、マルチロールミル、スクリューミル、連続ミキサー、配合押し出し器、およびバンベリーミキサーのようないろいろの装置上に流し出すことができる。
利用すべき組成をもついろいろの諸成分を一様に添加し相互に混合した後、それらはさらに、本発明のデバイスを製造すべく処理される。高分子で絶縁したケーブルおよびワイヤを製造するための先行技術の方法はよく知られている。また本発明のデバイスの製造は一般的に任意のいろいろの押し出し方法（extrusion methods）で達成することができる。
通常の押し出し法では随意選択的に加熱した塗布すべき電導性コアが加熱した押し出しダイ（一般に的にこれはクロスヘッドダイである）から引き出され、このダイで溶融した高分子層が電導性架橋剤に塗布される。ダイを出て高分子層を塗布された電導性コアはこれを硬化させるため、一般に細長い冷却浴である冷却部を通過される。連続的な押し出し段を使うことにより各段毎に追加層が付加されるようにして多重高分子層を塗布することができ、あるいは適当な型のダイで多重高分子層を同時的に塗布することができる。
本発明の電導体は一般的に電導性金属を利用するが、一般に任意の適当な電導性材料を含むことができる。好ましくはこれらに利用する材料は銅またはアルミニウムである。パワー伝送ではアルミニウム導体／スチール強化材（aluminum conductor/steel reinforcement,ACSR）ケーブル、アルミニウム導体／アルミニウム強化材（aluminum conductor/aluminim reinforement,ACAR）ケーブル、あるいはアルミニウムケーブルが一般に好ましい。
好ましい実施例
本発明を、その代表的利点と共によりよく理解できるようにするため、本発明の実施に際して行われた実際のテストにかかる例として以下の例を提供し、本発明の電気的デバイスの驚異的かつ予想し難い性質を例示する。ただしこれは本発明の限定のためではない。
本発明で使用するに適したエチレン／アルファ−オレフィン共重合体は例Ｉに示すように調製することができる。本発明に利用する三元共重合体を含むジオレフィンは例IIおよびIIIに示すように調製することができる。
例  Ｉ
エチレン／アルファ−オレフィン共重合体の調製
触媒はヘプタンにトリメチルアルミニウムのの10％溶液5.1リットルを乾燥したかつ酸素を含まない機械的攪拌器付き２ガロンリアクター中に添加することにより調製する。次に12.3％の水性ツリー現象を含む脱水してないシリカゲルのサンプル800グラムをリアクターに追加する。この追加の完了後、この混合体を周囲温度で１時間攪拌する。次いで30リットルのヘプタン中で攪拌したジ（ｎ−ブチルシクロペンタジエニール）ジルコニウムジクロライドのサンプル20グラムをリアクター中に追加し、混合体を周囲温度で30分間反応させる。次にリアクターを65℃に加熱し、溶媒を除去するためリアクター中に窒素ガスをパージする。窒素ガスのパージはリアクター内の混合体が自由浮遊粉末になったときに停止する。
重合は直径16インチ流動気相リアクター（fluidized gas phase reactor）内で行った。エチレン、ブテン−１および窒素を連続的にリアクター中に供給して一定の生成率を達成した。所望の台重量を維持するため、生成物はリアクターから周期的に除去された。重合条件は下記の表Ｉに示す。
0003648515.tif 000002
重合した生成物「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」は本発明に使用するに有用であり、下記表IIに示す特性を有する。
0003648515.tif 000003
当業者はプロセスの条件を変えることによりいろいろのメルトインデックスおよび密度の上記Ａ、Ｂ、Ｃ生成物が得られることを認識できよう。
例  II
ジ−オレフィンを含む共重合体の調製
触媒はトルエンに溶かしたトリメチルアルモキサンの10％溶液2.7リットルを、乾燥したかつ酸素を含まない機械的攪拌器付き２ガロンリアクター中に添加することにより調製する。800℃で乾燥した800gのシリカゲルをゆっくりとリアクター中に添加する。添加完了後、混合体を65℃で１時間攪拌する。次いで30のトルエンに溶解した20のビス−インデニルジルコニウムジクロライド（bis−indenyl zirconium dichloride）のサンプルをリアクター中に追加し、混合体を65℃で30分間反応させる。リアクターは次いで65℃に加熱し、溶媒を除去するためリアクター中に窒素ガスをパージする。窒素ガスのパージはリアクター内の混合体が自由浮遊粉末になったときに停止する。
重合は直径16インチ流動気相リアクター（fluidized gas phase reactor）内で行った。エチレン、１−４ヘキサジエン、ブテン−１および窒素を連続的にリアクター中に供給して一定の生成率を達成した。所望の台重量を維持するため、生成物はリアクターから周期的に除去された。重合条件は下記の表IIIに示す。
0003648515.tif 000004
重合した生成物Ｄはメルトインデックスが６、密度が0.893g/cm3、混和１−４ヘキサジエンを2.1モル％レベル含む。重合した生成物Ｅはメルトインデックスが5.5、密度が0.897g/cm3、混和1,4ヘキサジエンを1.3モル％レベル含む。
当業者は、プロセスの条件を変えることによりいろいろのメルトインデックス、密度および混和した1,4ヘキサジエンをもつ上記ＤおよびＥ生成物を得られることを認識できよう。さらに、生成物の組成は使用するアルファ−オレフィン共重合体の選択に応じて変えることができる。
例  III
ジ−オレフィンを含む共重合体の調製
触媒はヘプタンに溶かしたトリメチルアルミニウムの10％溶液5.1リットルを、乾燥したかつ酸素を含まない機械的攪拌器付き２ガロンリアクター中に添加することにより調製する。12.3％の水を含む脱水してない800gのシリカゲルサンプルをゆっくりとリアクター中に添加する。添加完了後、混合体を周囲温度で１時間攪拌する。30リットルのヘプタン中で攪拌した20gのビス−インデニルジルコニウムジクロライドのサンプルを次いでリアクター中に追加し、混合体を周囲温度で30分間反応させる。次いで溶媒を除去するためリアクター中に窒素ガスをパージしながらリアクターを65℃に加熱する。窒素ガスのパージはリアクター内の混合体が自由浮遊粉末になったときに停止する。
重合は直径16インチ流動ガス相リアクター内で行った。エチレン、１−４ヘキサジエン、ブテン−１および窒素を連続的にリアクター中に供給して一定の生成率を達成した。所望の台重量を維持するため、生成物はリアクターから周期的に除去された。重合条件は下記の表IVに示す。
0003648515.tif 000005
重合した生成物Ｆはメルトインデックスが2.5、密度が0.887g/cm3、混和１−４ヘキサジエンを2.0モル％レベル含む。前述したようにプロセスの条件を変えることによりいろいろのメルトインデックス、密度および混和した1,4ヘキサジエンをもつ上記Ｆ生成物を得ることができることを認識できよう。さらに、生成物の組成は使用するアルファ−オレフィン共重合体の選択に応じて変えることができる。
例  IV
この例では本発明に使用するに有用である上記の高分子Ｃを、XLPEパワーケーブル絶縁を行うのに使用されるポリエチレンの代表である二つの市販のLDPEホモポリマー（Exxxon LD−400およびLD−411）と比較する。すべての高分子は充填せずに（ジクミル過酸化物を介して）架橋してテストした。
充填してないLDPEは、ニートのおよび充填したEPエラストマー（すなわちEPRあるいはEPDM）よりも際だった誘電特性を有することが当業者に知られている。表ＶのデータはLDPEとの比較で高分子Ｃの誘電特性を示す。
0003648515.tif 000006
この例では誘電特性は四つのスーパーオーム（SUPEROHM）3728型配合（図VIに示すように0,30,60,および100部の充填のとき）について再測定した。表VIIのデータは充填剤の充填が増すにつれて誘電性能が次第に低劣化することを示している。EPをベースとする市販の充填配合体は生成物の押し出し性、誘電性能、ツリー抑制性能、物理特性その他の必要条件に応じて、充填剤の充填が約30部（20重量％）から約110部（47％）まで変化する。本発明に利用する優れた内在的ツリー抑制性をもつ高分子は、もっと少ない充填剤配合で実現でき、このため誘電特性、ツリー抑制特性、及び物理特性がもっと良好に均衡のとれたものとすることができる。
0003648515.tif 000007
0003648515.tif 000008
例  VI
この例では絶縁材料および半導体材料として有用な高分子を市販の高分子と比較する。
データは充填してない架橋ポリエチレン（密度0.920、2.8メルトインデックス、および充填したEPR）に比較して、本発明の高分子が好ましく均衡した誘電特性、ツリー等級、および物理特性を与えることを示す。
0003648515.tif 000009
例  VII
この例では本発明に使用するに適した高分子をいろいろの市販の高分子とツリー抑制性について比較する。上に説明したように、本発明に利用するツリー等級は、高電圧力工学に関する第６回国際シンポジウム（1989年８月28日−９月１日、ニューオリーンズ）「重度に酸化された架橋ポエイエチレン絶縁体における水性ツリー」に記載のブリンスキー他による方法にしたがって決定する。一般的方法は次のとおりである。テストすべき75ミル（0.1905cm）の材料のプラック（plaque）を175℃でプレスしてから直径１インチ（2.54cm）に切り取る。これら三つの小さな面積はツリー開始を加速するため、表面に砂吹き付けを行う。サンプルは図１に示す装置を使って0.1NのNaCl溶液に接触させたまま、6kV、1000HZ、75゜で応力を3500時間加える。ツリー化の程度はサンプルを鉛直に、二つの砂吹き付けした面積を通るように薄切りし、サンプルの厚さに相対的なツリーの長さを測定した（応力は厚さに比例する。）図２はこのツリー抑制テストサンプルを解析する方法を表す。ツリー等級データを下記表IXに示す。
表IXには本発明に利用するに適した高分子は商標EXACTにより、あるいは例１−３の高分子の表示により呼称している。市販のEXACT高分子は製造番号で呼称している。製造番号を付けてないEXACT高分子はパイロットプラントサンプルである。
0003648515.tif 000010
0003648515.tif 000011
例  VIII
この例では本発明に使用するに適した高分子の架橋性を市販の高分子とツリー抑制性について比較する。高分子はジクミル過酸化物および放射線で架橋した。
本発明の高分子（残留オレフィン不飽和を与えるジオレフィン含有高分子を含む）の過酸化物反応性を半結晶性EPDMおよび標準LDPEと比較して図５に示す。図５では本発明に有用であるこれら高分子は商標名「EXACT」と記されている。この図は、大きなトルク値で証明されるように、本発明に利用する高分子が等価な過酸化物レベルのある環境で大きな反応性を有することを示す。
LSPEに比較したときの本発明の高分子の放射線反応性は図６に示す。図６では本発明に有用であるこれら高分子は商標名「EXACT」と記してある。図６からわかるように、本発明に利用する高分子はトルクレベルで測ったときLSPEに対して一層大きな放射線反応性を示す。
特定の実施例を参照して本発明を例示したが、本発明が本例示に示さなかったいろいろの変更を受けうることを当業者は了解できよう。例えば本発明に有用である高分子は、混合した遷移金属メタロセン触媒系を使って生成することができる。従ってこの理由から本発明の正しい範囲は付記の請求の範囲のみに基づいて決定すべきものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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