(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）エポキシ樹脂用硬化剤、
（Ｃ）カルボキシル基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマー、アミノ基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマー及びエポキシ基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマーからなる群より選択される１種以上のエラストマー、並びに
（Ｄ）ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサン
を含む、
フリップチップボンディングと組合せて用いる液状封止剤樹脂組成物。
【請求項２】
成分（Ｃ）が、粒子状である、請求項１記載の液状封止材樹脂組成物。
【請求項３】
成分（Ｃ）が、カルボキシル基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマーである、請求項１又は２項記載の液状封止剤樹脂組成物。
【請求項４】
成分（Ｄ）が、ＨＬＢが５〜１４になるように選択される、請求項１〜３のいずれか１項記載の液状封止剤樹脂組成物。
【請求項５】
成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計１００重量部に対して、成分（Ｃ）が、１〜２０重量部であり、かつ成分（Ｄ）が０．０１〜１重量部である、請求項１〜４のいずれか１項記載の液状封止剤樹脂組成物。
【請求項６】
成分（Ａ）が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び／又はビフェニル型エポキシ樹脂である、請求項１〜５のいずれか１項記載の液状封止剤樹脂組成物。
【請求項７】
さらにシリカを含む、請求項１〜６のいずれか１項記載の液状封止剤樹脂組成物。
【請求項８】
板状ガラス１上に板状ガラス２を水平にずらして重ね、該板状ガラス１の上面と該板状ガラス２の側面とで形成される辺３に、封止剤樹脂組成物１０ｍｇを滴下し、７０〜１００℃で、３〜１０分加熱したとき、該辺３に沿って広がった該封止剤樹脂組成物の長さ４が、３５〜４５ｍｍである、請求項１〜７のいずれか１項記載の液状封止剤樹脂組成物。
【請求項９】
請求項１〜８記載のいずれか１項記載の液状封止剤樹脂組成物を用いて封止した半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップボンディングと組合せて用いる封止剤樹脂組成物、及びこの封止剤樹脂組成物を用いて封止した半導体デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器のさらなる軽薄短小化、高周波化に好適に対応できる半導体チップの実装方式として、フリップチップボンディングが利用されている。フリップチップボンディングにおいては、通常、半導体チップと基板との隙間に封止剤を注入し、封止することが行われる。ここで、図３により、従来のフリップチップボンディング及び封止について説明を行う。フリップチップボンディングは、まず、半導体チップ１０の表面の電極１２上に、バンプ１３を形成させ、次いでバンプ１３を下にして基板１５上の電極１４とを、リフローによるハンダ接合、超音波による金−金接合等の手段を用いて接合する。そして、電極を接合した後に、半導体チップ１０と基板１５との隙間に封止剤をディスペンサー等で注入し、バッチ炉で封止剤の硬化を行う。これにより、半導体チップ１０と基板１５の間にアンダーフィル１６が形成される。なお、半導体チップ１０の側方から基板１５上にアンダーフィル１６がはみ出た部分をフィレット１６ａという。
【０００３】
実装基板上で用いられるハンダは、従来、Ｓｎ−Ｐｂ系の共晶ハンダであったが、環境問題への対応から鉛フリーハンダへの置き換えが急速に進んでいる。鉛フリーハンダは、共晶ハンダよりも融点が高いため、実装の際のリフロー工程のリフロー温度プロファイルにおける最高温度も、共晶ハンダでは２３０℃であるのに対し、鉛フリーハンダでは２６０℃と、より高く設定する必要がある。そのため、従来の共晶ハンダとの組合せで用いられる封止剤樹脂組成物を、鉛フリーハンダと組合せて用いた場合、加熱膨張・冷却収縮の熱サイクルにより、アンダーフィル１６に、従来よりも大きい応力が生じるため、基板から剥離したり、クラックが発生したりするという問題が見られた。
【０００４】
これらの問題を解決するために、特開昭６２−２５１１７号公報には、エポキシ樹脂に応力緩和剤として特定のエラストマーを配合した封止剤樹脂組成物を用いて、加熱膨張・冷却収縮の熱サイクルによって、アンダーフィルに生じる応力を緩和し、クラック発生等を抑制する技術が提案されている。しかし、エラストマーを配合することにより応力は緩和されるものの、その一方で、封止剤樹脂組成物の流動性が減少し、フィレット部分の形状が不均一になりやすく、特にフィレット部分の軽微な形状不良もクラック等の原因となりうる鉛フリーハンダとの組合せで利用する場合に、封止剤樹脂組成物の更なる改善が求められていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記の問題を解決するための封止剤樹脂組成物を提供することであり、特に鉛フリーハンダといった従来よりも高温のリフローを必要とするハンダを用いた場合に、アンダーフィルのクラック発生や基板からの剥離を防止することができるフリップチップボンディングと組合せて用いる封止剤樹脂組成物を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の要旨は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂用硬化剤、（Ｃ）エラストマー及び（Ｄ）界面活性剤を含む、フリップチップボンディングとの組合せで用いられる封止剤樹脂組成物である。
【０００７】
また本発明の要旨は、板状ガラス１上に板状ガラス２を水平にずらして重ね、該板状ガラス１の上面と該板状ガラス２の側面とで形成される辺３に、封止剤樹脂組成物１０mgを滴下し、７０〜１００℃で、３〜１０分加熱したとき、該辺に沿って広がった該封止剤樹脂組成物の長さ４が、３５〜４５mmである、上記の封止剤樹脂組成物である。
【０００８】
さらに本発明の要旨は、上記の封止剤樹脂組成物を用いて封止した半導体デバイスである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の封止剤樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂用硬化剤、（Ｃ）エラストマー及び（Ｄ）界面活性剤を含む。本発明の封止剤樹脂組成物は、常温で流動性であり、フリップチップボンディングと組合せて使用することができる。常温で流動性とは、１０〜３５℃のいずれかで流動性を示すことをいう。
【００１０】
（Ａ）エポキシ樹脂
本発明に用いられる（Ａ）エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、硬化して樹脂状になるエポキシ化合物であれば、特に限定されない。（Ａ）エポキシ樹脂は、常温で液状であるか、あるいは常温で固体のものが、希釈剤により希釈され、常温で液状を示すものである。（Ａ）エポキシ樹脂自体が常温で液状であることが好ましい。
【００１１】
具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ナフタレン含有エポキシ樹脂、エーテル系又はポリエーテル系エポキシ樹脂、オキシラン環含有ポリブタジエン、シリコーンエポキシコポリマー樹脂等が例示される。
【００１２】
特に常温で液状であるエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の平均分子量が約４００以下のもの；式：
【００１３】
【化１】
0003716237.tif 000002
【００１４】
で示されるｐ−グリシジルオキシフェニルジメチルトリルビスフェノールＡジグリシジルエーテルのような分岐状多官能ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂の平均分子量が約５７０以下のもの；ビニル（３，４−シクロヘキセン）ジオキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルカルボン酸（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル、アジピン酸ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）５，１−スピロ（３，４−エポキシシクロヘキシル）−ｍ−ジオキサンのような脂環式エポキシ樹脂；３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジグリシジルオキシビフェニルのようなビフェニル型エポキシ樹脂；ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、３−メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、ヘキサヒドロテレフタル酸ジグリシジルのようなグリシジルエステル型エポキシ樹脂；ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン、テトラグリシジルビス（アミノメチル）シクロヘキサンのようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂；ならびに１，３−ジグリシジル−５−メチル−５−エチルヒダントインのようなヒダントイン型エポキシ樹脂；ナフタレン環含有エポキシ樹脂が例示される。これらのエポキシ樹脂は、単独でも、２種以上併用してもよい。
【００１５】
また、これらの常温で液体であるエポキシ樹脂に、常温で固体ないし超高粘性のエポキシ樹脂を併用してもよく、そのようなエポキシ樹脂として、高分子量のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が例示される。
【００１６】
希釈剤を用いる場合、非反応性希釈剤及び反応性希釈剤のいずれをも使用することができるが、反応性希釈剤が好ましい。反応性希釈剤は、１分子中に１個又は２個以上のエポキシ基を有する、常温で比較的低粘度の化合物であり、目的に応じて、エポキシ基以外に、他の重合性官能基、たとえばビニル、アリル等のアルケニル基；又はアクリロイル、メタクリロイル等の不飽和カルボン酸残基を有していてもよい。このような反応性希釈剤としては、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ｐ−ｓ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、スチレンオキシド、α−ピネンオキシドのようなモノエポキシド化合物；アリルグリシジルエーテル、メタクリル酸グリシジル、１−ビニル−３，４−エポキシシクロヘキサンのような他の官能基を有するモノエポキシド化合物；（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、（ポリ）プロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物等が例示される。
【００１７】
（Ｂ）エポキシ樹脂用硬化剤
本発明に用いられる（Ｂ）エポキシ樹脂用硬化剤としては、フェノール樹脂、酸無水物又はアミン系化合物を用いることができる。フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトール変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ｐ−キシレン変性フェノール樹脂等が例示されるが、これらに限定されるものではなく、封止剤樹脂組成物に通常、用いられるものであればよい。エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量あたり、フェノール樹脂中のＯＨ当量が、０．３〜１．５当量となることが好ましく、０．５〜１．２当量がさらに好ましい。酸無水物としては、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、アルキル化テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、無水メチルハイミック酸、無水ドデセニルコハク酸、無水メチルナジック酸等が例示される。エポキシ樹脂と酸無水物の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量あたり、酸無水物当量が０．６〜１．０となることが好ましい。アミン系化合物としては、脂肪族ポリアミン；芳香族アミン；及びポリアミノアミド、ポリアミノイミド、ポリアミノエステル、ポリアミノ尿素等の変性ポリアミンが例示され、特に限定されるものではない。また、第三級アミン系、イミダゾール系、ヒドラジド系、ジシアンジアミド系、メラミン系の化合物も用いることができる。アミン系化合物の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量あたり、アミン当量が０．６〜１．０となる量が好ましい。これらの硬化剤は、単独でも、２種以上併用してもよい。
【００１８】
（Ｃ）エラストマー
本発明で用いられる（Ｃ）エラストマーとしては、ポリブタジエンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、水素添加アクリロニトリル・ブタジエンゴムのようなブタジエン系ゴム；ポリイソプレンゴム；エチレン・プロピレン・ジエンコポリマー、エチレン・プロピレンコポリマーのようなエチレン・プロピレン系ゴム；クロロプレンゴム；ブチルゴム；ポリノルボルネンゴム；シリコーンゴム；エチレン・アクリルゴム、アクリルゴム、プロピレンオキシドゴム、ウレタンゴムのような極性基含有ゴム；六フッ化プロピレン・フッ化ビニリデンコポリマー、四フッ化エチレン・プロピレンコポリマーのようなフッ素ゴム；シリコーンゴムなどが挙げられる。エラストマーは、固体のものを使用することができる。形態は特に限定されず、例えば粒子状、粉末状、ペレット状のものを使用することができ、粒子状の場合は、例えば平均粒径が１０〜２００nm、好ましくは３０〜１００nm、より好ましくは、５０〜８０nmである。エラストマーは、常温で液状のものも使用することもでき、例えば、平均分子量が比較的低いポリブタジエン、ブタジエン・アクリロニトリルコポリマー、ポリイソプレン、ポリプロピレンオキシド、ポリジオルガノシロキサンが挙げられる。また、エラストマーは、末端にエポキシ基と反応する基を有するものを使用することができ、これらは固体、液状いずれの形態であってもよい。
【００１９】
エラストマーは、特に、エポキシ樹脂との反応性、及びエポキシ樹脂への相溶性又は分散性の点から、カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリルコポリマー、アミノ基末端ブタジエン・アクリロニトリルコポリマー、エポキシ基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマーが好ましい。これらのエラストマーは、単独でも、２種以上併用してもよい。これらのエラストマーのアクリロニトリル含量は、１０〜４０重量％が好ましく、１５〜３０重量％がより好ましい。カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリルコポリマーの場合は、酸価が３〜２０mgKOH/gが好ましく、より好ましくは、５〜１５mgKOH/gである。
【００２０】
（Ｃ）エラストマーは、樹脂組成物の粘度、エポキシ樹脂との相溶性又は分散性、硬化物の物性の点から、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計１００重量部に対して、１〜２０重量部で用いることが好ましく、より好ましくは３〜１５重量部であり、特に好ましくは５〜１２重量部である。
【００２１】
（Ｄ）界面活性剤
本発明に用いられる（Ｄ）界面活性剤は、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤及び両性界面活性剤のいずれであってもよいが、必要量を配合しても封止剤や半導体の電気特性に影響を及ぼさないことから、特にノニオン界面活性剤が好ましい。ノニオン界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル、アルキルアリルホルムアルデヒド縮合ポリオキシエチレンエーテル、ポリオキシプロピレンを親油基とするブロックポリマー及びポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド等のポリオキシアルキレン鎖含有ノニオン界面活性剤；ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサン等のシロキサン含有ノニオン界面活性剤；グリセリン脂肪酸エステル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル及びショ糖脂肪酸エステル等のエステル型界面活性剤；脂肪酸アルカノールアミド等の含窒素型ノニオン界面活性剤、フッ素系ノニオン界面活性剤が挙げられる。特に、フィレット形成性を向上させる効果の点から、ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサン等のシロキサン含有ノニオン界面活性剤、フッ素系ノニオン界面活性剤が好ましい。これらの界面活性剤は、単独でも、２種以上併用してもよい。
【００２２】
ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサンの場合、ポリジオルガノシロキサン、好ましくはポリジメチルシロキサンの一部のケイ素原子に結合した有機基の位置に、例えばトリメチレン結合を介してポリオキシアルキレン鎖がグラフト結合したポリシロキサン・ポリオキシアルキレングラフトコポリマーが、通常、用いられる。ポリオキシアルキレン鎖は、ポリオキシエチレン鎖、ポリオキシプロピレン鎖、又はオキシエチレン単位とオキシプロピレン単位の混成オキシアルキレン鎖であることが好ましく、その末端基としては、水酸基、メトキシ基、ブトキシ基等が例示される。シロキサン鎖の長さは、ケイ素原子数が通常４〜６０、好ましくは６〜２０の範囲から選択され、ブロックコポリマーのＨＬＢが５〜１４になるように選択される。ポリオキシアルキレン変性ポリシロキサンは、粘度が１００〜１０００mPa・sが好ましく、より好ましくは１５０〜８００mPa・s、特に好ましくは２００〜６００mPa・sである。これらの粘度は、Ｂ型回転粘度計を用い、２５℃で測定した値である。
【００２３】
（Ｄ）界面活性剤は、フィレット形成性の点から、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計１００重量部に対して、０．０１〜１重量部で用いることが好ましく、より好ましくは０．０５〜０．５重量部である。
【００２４】
本発明の封止剤樹脂組成物に、必要に応じて、硬化促進剤を用いることができる。硬化促進剤としては、イミダゾール系、第三級アミン系、リン化合物系等、エポキシ樹脂の硬化促進剤として用いられるものが挙げられるが、樹脂組成物の使用目的や必要とする硬化条件によって選択され、特に限定されるものではない。例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。硬化促進剤の配合量は、樹脂組成物全体の０．０５〜３０重量％の割合に設定することが好ましい。
【００２５】
本発明の封止剤樹脂組成物は、樹脂組成物の線膨張係数を調整し、基板の線膨張係数に近くするために、充填剤としてシリカを含むことが好ましい。シリカは、非晶質シリカ、結晶性シリカ、粉砕シリカ等、当技術分野で使用されるいずれのシリカも使用することができるが、膨張係数低下の観点から非晶質シリカが好ましい。シリカは、樹脂組成物の総重量に基づいて、２０〜７５重量％含有することが好ましい。本発明の封止剤樹脂組成物には、シリカ以外の充填剤、例えばアルミナ、チッ化ケイ素、マイカ、ホワイトカーボン等を含有させてもよい。また、基板への接着性を向上させるために、３−グリシドキシプロプルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（メチル）ジメトキシシラン、２−（２，３−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤を含有させてもよい。
【００２６】
本発明の封止剤樹脂組成物には、必要に応じて、消泡剤、カーボンブラック等の着色剤、無機繊維、難燃剤、イオントラップ剤、内部離型剤、増感剤等を含有させてもよい。
【００２７】
本発明の封止剤樹脂組成物の製造方法は、特に限定されず、例えば原料を、所定の配合で、ライカイ機、ポットミル、三本ロールミル、回転式混合機、二軸ミキサー等の混合機に投入し、混合して、製造することができる。
【００２８】
本発明の封止剤樹脂組成物は、常温で液状であり、フリップチップボンディングにより半導体チップを基板に接合する際の封止剤として使用することができる。例えば、フェースダウンで基板上に搭載した半導体チップと該基板との隙間にディスペンサー等を用いて、本発明の封止剤樹脂組成物を横から注入し、硬化させて封止することができる。また、基板にディスペンサー等を用いて、半導体チップの大きさに合わせて、本発明の封止剤樹脂組成物を塗布し、チップボンダー等を用いて、加熱接続をした後、硬化させることもできる。半導体チップは、特に限定されず、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等が挙げられる。
【００２９】
なお、上記の封止において、本発明の封止剤樹脂組成物は、（Ｃ）エラストマーと（Ｄ）界面活性剤とを含むため、応力が緩和されるとともに形状の良好なフィレット形成が可能となる。特に、本発明の封止剤樹脂組成物は、図１に示されるように板状ガラス１上に板状ガラス２を水平にずらして重ねて、板状ガラス１の上面と板状ガラス２の側面とで形成される辺３の中心近くの点４ａに、封止剤樹脂組成物１０mgを、常温で滴下し、次いで７０〜１００℃で３〜１０分の範囲に入る加熱条件で加熱したとき、辺３に沿って広がった該封止剤樹脂組成物の長さ４が、３５〜４５mmになるものが、フィレット形状の点から好ましい。ここで、板状ガラスは特に限定されず、例えばホウケイ酸ガラス等が挙げられる。滴下するときの温度は、１０〜３５℃とすることができ、例えば２５℃である。また、加熱条件は、例えば９０℃で５分とすることができる。フィレット形状は、例えば、フリップチップボンディングした半導体チップと基板との間を封止した場合における、半導体チップのエッジ部分の封止体の形状で判断することができ、図２ａに示すように、基板の上面から半導体チップ上面までの高さを１００％としたとき、フィレットの最上部が、エッジ部分において、基板の下面から７０％以上から半導体チップの上面までに位置する場合、アンダーフィルの剥離・クラックが生じにくく良好である。
【００３０】
【実施例】
以下、本発明を、実施例によってさらに詳細に説明する。本発明は、これらの実施例によって限定されるものではない。なお、実施例中、配合量の単位は、特に断らない限り、重量部である。
【００３１】
〔封止剤樹脂組成物の調製〕
表１に示す配合で、室温で２時間、ロールミルで、成分を混練して、実施例１〜２、比較例１〜６の封止剤樹脂組成物を調製した。
【００３２】
表１中の封止剤樹脂組成物の成分としては、以下を用いた。
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ａ−１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（数平均分子量  ３６０）
（Ａ−２）ビフェニル型エポキシ樹脂：３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジグリシジルオキシビフェニル
（Ｂ）エポキシ樹脂用硬化剤
メチルナジック酸無水物
（Ｃ）エラストマー
カルボキシル基末端ブタジエンアクリロニトリルコポリマー
（平均粒径７０nm、アクリロニトリル含量２０重量％、酸化１０mgKOH/ｇ）
（Ｄ）界面活性剤
ポリオキシアルキレン変性ポリジメチルシロキサン
（２５℃での粘度  ３００mPa・s）
【００３３】
【表１】
0003716237.tif 000003
【００３４】
上記で得られた実施例１〜２、比較例１〜６の各封止剤樹脂組成物について、粘度、ガラス転移温度（Ｔｇ）及び線膨張係数を測定した。結果を表１に示す。なお、測定方法は、以下のとおりである。
粘度：ブルックフィールド回転粘度計を用いて、５０rpmで、２５℃における粘度を測定した。
Ｔｇ（ガラス転移温度、ＴＭＡ）：１５０℃、１時間で硬化させた硬化物について、真空理工社製、ＴＭ３０００を用いて測定した。
線膨張係数：１５０℃、１時間で硬化させた硬化物について、真空理工社製  ＴＭ３０００を用いて測定した。
長さ：図１に示されるように板状ガラス１（マツナミ社製、商品名ホウケイ酸製スライドガラス）上に板状ガラス２（同上）を水平にずらして重ねて、板状ガラス１の上面と板状ガラス２の側面とで形成される辺３の中心近くの点４ａに、封止剤樹脂組成物１０mgを、２５℃で滴下し、次いで９０℃で、５分加熱したとき、辺３に沿って広がった該封止剤樹脂組成物の長さ４を、定規を用いて測定した。
【００３５】
〔封止剤樹脂組成物による封止〕
基板（ＦＲ−４基板、０．７５mm厚）に、半導体チップ（１２．５×１２．５mm）を１０個搭載したＴＥＧに実施例１の封止剤樹脂組成物を９０℃でディスペンサーを用いて、基板と半導体チップの隙間に注入した。その後、半導体チップを搭載した基板を１５０℃の硬化炉中で１時間放置し、封止を行った。同様に、実施例２、比較例１〜６の封止剤樹脂組成物を用いて、同様に封止を行った。
【００３６】
得られた封止体を以下により評価した。
フィレット形状：半導体チップのエッジ部分の硬化物の形状で判断を行った。図２ａに示すように、基板の上面から半導体チップの上面までの高さを１００％としたときに、フィレットの最上部が、基板の上面から７０％以上の高さから半導体チップの上面までに位置する場合を○、図２ｂに示すように、フィレットの最上部が基板の上面から７０％未満の高さに位置する場合を×とした。
剥離性の評価：得られた封止体を３０℃６０％の恒温恒湿槽に１９２時間放置した後、直ちに２６０℃のハンダリフロー炉に３回通し、剥離を超音波探傷機（ＳＡＴ）で観察し、剥離発生の有無を観察した。○は剥離なし、△はチップ周辺がわずかに剥離  ×はチップ下面が全体的に剥離をそれぞれ表す。
クラックの評価：剥離性の評価の評価で用いた封止体のフィレット部を観察し、○はクラックなし、×はクラックありを表す。
抵抗値評価：剥離性の評価の評価で用いた封止体の導通を測定し、抵抗値の異常を観察した。○は異常なし、×は異常ありを表す。
抵抗値：デジタルマルチメーターにより測定した。
【００３７】
表１に示すように、エラストマーと界面活性剤を配合した本発明の封止剤樹脂組成物は、高温リフローによりクラック・剥離を発生せず、抵抗値異常もない。いずれかの一方の成分のみを含む比較例１〜４、及び両方の成分を含まない比較例５〜６は、クラック・剥離のいずれか、又は両方が発生した。
【００３８】
【発明の効果】
本発明のフリップチップと組合せて用いる封止剤樹脂組成物は、鉛フリーハンダといった従来よりも高温のリフローを必要とするハンダとの組合せで使用した場合にも、アンダーフィルのクラックの発生や基板からの剥離を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】封止剤樹脂組成物を、ずらして重ねた２枚の板ガラスで形成される辺に滴下した際の広がりを表す図である。
【図２】半導体チップのエッジ部分におけるフィレットの形状を表す図である。
【図３】フリップチップボンディング及び封止を表す図である。
【符号の説明】
１  板ガラス１
２  板ガラス２
３  辺
４  封止剤樹脂組成物の広がりを示す長さ
４ａ  封止剤樹脂組成物の滴下点
５  半導体チップ
６  フィレット
７  基板
１０  半導体チップ
１２  電極
１３  バンプ
１４  電極
１５  基板
１６  アンダーフィル
１６ａ  フィレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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