(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直線偏光光を発散光として出射する出射手段と、この出射手段から出射された直線偏光光を平行光に変換するコリメータレンズと、このコリメータレンズによって平行光に変換された直線偏光光を光磁気ディスクの磁化膜に集光するとともに、この磁化膜での前記直線偏光光の反射光を平行光に変換する対物レンズと、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光の偏光面の傾きを検出する検出手段と、前記コリメータレンズと前記対物レンズとの間に配置され、入射する光の角度の変化に応じてＰ偏光成分の反射率が変化し、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光の軸に対して所定の角度に配置されたときに所定の反射率で前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光のＰ偏光成分を反射するように設計されるとともに前記Ｐ偏光成分よりも高い反射率でＳ偏光成分を反射するように設計された偏光分離面を有する偏光ビームスプリッタとを備えた情報読取装置の製造方法であって、
前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光の軸に対して前記偏光分離面が前記所定の角度になるように前記偏光ビームスプリッタを配置したときに前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光におけるＰ偏光成分の反射率が前記所定の反射率からずれている場合には、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光におけるＰ偏光成分が前記所定の反射率で反射されるように前記偏光分離面を前記所定の角度から傾けて前記偏光ビームスプリッタを固定する
ことを特徴とする情報読取装置の製造方法。
【請求項２】
前記偏光分離面が前記反射光の軸と交わる前記所定の角度は、この偏光分離面によって前記光磁気ディスクからの反射光のＰ偏光成分を２０パーセント反射させる角度である
ことを特徴とする請求項１記載の情報読取装置の製造方法。
【請求項３】
前記偏光ビームスプリッタを前記偏光分離面に対する入射面内において回転させることによって、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光の軸に対する前記偏光分離面の角度を調整する
ことを特徴とする請求項１記載の情報読取装置の製造方法。
【請求項４】
前記偏光ビームスプリッタは、当該偏光ビームスプリッタを回転自在に保持する回転保持手段に保持されており、この回転保持手段を回転させることによって、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光の軸に対する前記偏光分離面の角度を調整する
ことを特徴とする請求項３記載の情報読取装置の製造方法。
【請求項５】
前記偏光ビームスプリッタが固定される基板面は平面であり、この基板面に接触する前記偏光ビームスプリッタの面とこの基板面との間を接着することによって両者を固定することを特徴とする請求項１記載の情報読取装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気ディスク装置において光磁気ディスクに記録されている情報を読み取るための情報読取装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気ディスク装置は、光磁気ディスク上の磁性膜に形成された磁区の磁化方向を、エネルギーレーザ光と外部磁界装置を用いて適宜反転させることにより、情報をデジタルに記録する装置である。この光磁気ディスク装置において光磁気ディスク上に記録された情報を読み取る場合には、一定方向の偏光面を有する直線偏光光としてのレーザ光を、各磁区に照射する。すると、反射したレーザ光の偏光面の方向は、カー効果により、各磁区の磁化方向に応じて＋方向又は−方向に回転（旋光）する。従って、反射光の偏光面の方向の変化を検出することにより、情報を電気信号として読み出すことができるのである。
【０００３】
このような磁気情報の読み取りを行うための情報読取装置においては、一般に、半導体レーザから出射されたレーザ光を光磁気ディスクに対して垂直方向から照射するように構成するために、半導体レーザからのレーザ光を透過し且つ光磁気ディスクによって反射されたレーザ光を入射光軸から分離する偏光ビームスプリッタを備えている。この偏光ビームスプリッタの偏光分離面は、Ｓ偏光成分をほぼ１００パーセント反射するとともに、Ｐ偏光を所定の割合だけ反射する特性が与えられている。このようにＰ偏光成分の反射率を抑えるのは、上述のカー効果によって回転された反射光の偏光面をＰ軸方向に圧縮してその回転角（カー回転角）を見かけ上拡大するためであるとともに、該偏向分離面が往きの光路でもありＰ偏向の反射率が低ければ低いほどディスクに入射する光量も大きくする事ができるためである。
【０００４】
このような反射特性を実現するために、偏光分離面には様々な屈折率の膜からなる多層光学薄膜が形成されている。この多層光学薄膜は、偏光分離面に対する入射光軸の角度がブリュースター角になったときにはＰ偏光の反射率が０パーセントになるように、各膜の条件が設定されている。この偏光分離面と入射光軸との間の角度をブリュースター角から漸次ずらしていくと、Ｐ偏光の反射率が徐々に大きくなっていく（Ｐ偏光の角度依存性，傾角特性）。従って、この偏光分離面の入射光軸に対する角度を適宜調整することにより、Ｐ偏光を所望の割合だけ反射する特性を実現しているのである。
【０００５】
このＰ偏光の反射率の誤差は、その後の光学系は信号処理系に影響を与え、Ｓ／Ｎ比を悪化させ、また、信号振幅の製品間でのバラツキの原因となるので、その反射率特性の条件は正確に満たされていなければならない。従来においては、この条件を満足するために、偏光ビームスプリッタの加工を精密に行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、無位相条件を満たしつつ、反射率特性条件（反射膜の特性，偏光分離面の角度）を満たすのは、たとえ１パーセント程度の反射率誤差（２分程度の角度誤差）が許容されていたとしても非常に困難である。この反射特性条件を満たさない偏光ビームスプリッタは、これを情報読取装置内に精密に組み込んでも所望の反射率を示さないので、使用することができなかった。そのため、従来では、偏光ビームスプリッタの歩留りが悪く、コスト増の原因ともなっていた。
【０００７】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、偏光分離膜におけるＰ偏光の反射率が入射角に依存して変化するという入射角依存性（傾角特性）を積極的に利用することにより、所定の設計値通りに製造されていない偏光ビームスプリッタであっても、Ｐ偏光に対する所望の反射率を実現させることができる情報読取装置の製造方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明による情報読取装置の製造方法は、上記課題を解決するため、直線偏光光を発散光として出射する出射手段と、この出射手段から出射された直線偏光光を平行光に変換するコリメータレンズと、このコリメータレンズによって平行光に変換された直線偏光光を光磁気ディスクの磁化膜に集光するとともに、この磁化膜での前記直線偏光光の反射光を平行光に変換する対物レンズと、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光の偏光面の傾きを検出する検出手段と、前記コリメータレンズと前記対物レンズとの間に配置され、入射する光の角度の変化に応じてＰ偏光成分の反射率が変化し、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光の軸に対して所定の角度に配置されたときに所定の反射率で前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光のＰ偏光成分を反射するように設計されるとともに前記Ｐ偏光成分よりも高い反射率でＳ偏光成分を反射するように設計された偏光分離面を有する偏光ビームスプリッタとを備えた情報読取装置の製造方法であって、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光の軸に対して前記偏光分離面が前記所定の角度になるように前記偏光ビームスプリッタを配置したときに前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光におけるＰ偏光成分の反射率が前記所定の反射率からずれている場合には、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光におけるＰ偏光成分が前記所定の反射率で反射されるように前記偏光分離面を前記所定の角度から傾けて前記偏光ビームスプリッタを固定することを特徴とする（請求項１に対応）。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて、本発明の実施例を説明する。
各実施例の詳細な説明を行う前に、本発明の各構成要件の概念を説明する。
（出射手段）
出射手段は、直線偏光光を直接出射できる半導体レーザ又は個体レーザであっても良いし、ガスレーザとこのガスレーザから出射されたレーザ光を直線偏光化する偏光板から構成されても良い。
（偏光ビームスプリッタ）
偏光分離面が前記反射光の光軸と交わる前記角度は、この偏光分離面によって光磁気ディスクからの反射光のＰ偏光成分を所望の割合だけ反射させる角度であるとすると、検出手段による検出が容易になる（請求項２に対応）。
【００１０】
この偏光ビームスプリッタを偏光分離面に対する入射面内において回転させることによって、前記光磁気ディスクの磁化膜で反射された反射光の軸に対する前記偏光分離面の角度を調整してもよい（請求項３に対応）。その場合、この偏光ビームスプリッタを回転自在に保持する回転保持手段を更に備えるようにすれば、冶具を用いなくても、容易に調整を行うことができる（請求項４に対応）。また、この偏光ビームスプリッタが固定される基板面を平面とし、この基板面に接触する偏光ビームスプリッタの面とこの基板面との間を接着するようにすれば、冶具を用いての作業が容易になる（請求項５に対応）。
【００１１】
【実施形態１】
以下、本発明の第１の実施の形態を説明する。
＜実施形態の構成＞
図１は、光磁気ディスク装置のピックアップ装置のうち、情報読取装置に対応する構成のみを示した光学構成図である。従って、図１では、光ディスクＤに情報を記録するための書込装置の図示が省略されている。但し、以下の説明では、図１に示す光ディスクＤには、この図示せぬ書込装置により既にデジタル情報が記録されており、このデジタル情報の各ビットに対応して各磁区が厚さ方向の下向き又は上向きに磁化されているものとする。
【００１２】
図１において、レーザダイオード１から出射されたレーザ光は、コリメータレンズ２，第１偏光ビームスプリッタ３，立ち上げミラー４，対物レンズ５を通って、光磁気ディスクＤ上に収束する。光磁気ディスクＤからの反射光は、同じ光路を第１偏光ビームスプリッタ３まで戻り、λ／２板６を通って、第２偏光ビームスプリッタ７に入射し、２つのビームに分離される。一方のビームは、そのまま、コンデンサレンズ９を通って第１のフォトダイオード１０ａに入射する。他方のビームは、一旦光学クサビ８内に入ってから再度第２偏光ビームスプリッタ７内に戻り、コンデンサレンズ９を通って第２のフォトダイオード１０ｂに入射する。これら各光学素子のうち、立ち上げミラー４及び対物レンズ５以外は、基板Ｂ上に固定されている。なお、第１偏光ビームスプリッタ３の入射面は、図１の紙面の方向と平行である。従って、この読取装置内の全ての箇所の説明において、この紙面の方向に偏光面を有する直線偏光成分をＰ偏光といい、紙面に直交する方向に偏光面を有する直線偏光成分をＳ偏光という。以下、各光学素子の説明を行う。
【００１３】
出射手段としてのレーザダイオード１は、Ｐ偏光のみからなるレーザ光を出射する。コリメータレンズ２は、このレーザ光を平行光にするための光学系である。
【００１４】
第１偏光ビームスプリッタ３は、図２に示すような平面台形の角柱形状を有している。即ち、この第１ビームスプリッタ３のλ／２板側面３ｄとその反対側の面３ｃとは、互いに平行になっている。これら両面３ｃ，３ｄは、光軸ｌと平行に配置されるように設計されている。また、そのコリメータレンズ側面３ｂは、レーザ光が入射する面であり、このレーザ光のビーム形状を真円に整形するために、面３ｃ，３ｄに対して傾いている。また、そのディスク側面３ｅは、面３ｃ，３ｂに対して直角をなしているので、設計通りに配置されると光軸ｌに対して直交する。
【００１５】
この第１偏光ビームスプリッタ３内には、面３ｄ及び３ｅに対して４５度傾いた偏光分離面３ａが形成されている。この偏向分離面３ａには、多層光学薄膜が形成されている。この偏向分離面３ａにおける偏光特性の設定値は、光が面３ｄ，３ｃと平行に面３ｂ側から入射したときには、Ｐ偏光を８０パーセント，Ｓ偏光を１パーセント透過するというものである。また、光が面３ｄ，３ｃと平行に面３ｅ側から入射したときには，即ち、光が面３ｅ側から入射角４５度で入射したときには、Ｐ偏光成分を２０パーセント，Ｓ偏光成分を９９パーセント、面３ｄ側に夫々反射するというものである。
【００１６】
但し、これら各偏光成分に対する反射率は、偏光分離面３ａに対する光の入射角に従って、図３における実線の傾角特性線に示すように変化する。図３は、偏光分離面３ａにおけるＰ偏光の反射率と第１偏光ビームスプリッタ３の回転角度との関係（Ｐ偏光の傾角特性）を示すものである。図３の横軸は、偏光分離面３ａに対する入射角が４５度となる向きを基準（０分）とした場合における第１偏光ビームスプリッタ３のＰ偏光面内における回転角度を示す。この横軸の単位は分であり、入射角が狭くなる回転方向を＋方向とする。また、図３の縦軸は、Ｐ偏光の反射率であり、パーセントを単位とする。
【００１７】
図３から明らかなように、Ｐ偏光の傾角特性は比例特性であり、回転角６０分（１度）当たりの反射率変化量は約４パーセントである。なお、偏光分離面３ａでの入射角変化量は、第１偏光ビームスプリッタ３の回転角変化量の３／５に対応する。従って、入射角変化６０分（１度）当たりの反射率変化量は約７パーセントとなる。なお、多層光学薄膜３ａの諸条件（膜厚条件，屈折率条件）が設計値からずれると、その偏光特性もずれて、傾角特性線が図３の点線のようにシフトする。図３の点線は、入射角４５度におけるＰ偏光の反射率が１５．８パーセントであった場合の傾角特性線である。
【００１８】
一方、図４は、偏光分離面３ａにおけるＳ偏光の反射率と第１偏光ビームスプリッタ３の回転角度との関係を示すものである。この図４によれば、Ｓ偏光の反射率は偏光ビームスプリッタ３の回転角，即ち、偏光分離面３ａにおける入射角に依存していないことが判る。
【００１９】
以上により、第１偏光ビームスプリッタ３の偏光分離面３ａの他の面に対する角度が設定値通りの４５度丁度であって、多層光学薄膜の諸条件（膜厚条件，屈折率条件）が設定値通りである場合には、第１偏光ビームスプリッタ３は、図１に実線で示されるように両面３ｃ，３ｄが光軸ｌと平行にされた状態で、基板Ｂに接着される。このようにして、上記偏光特性が実現されている。
【００２０】
これに対して、偏光分離面３ａの他の面に対する角度の条件，又は多層光学薄膜の諸条件（膜厚条件，屈折率条件）が設定値通りでない場合には、図１に一点鎖線で示されるように、第１偏光ビームスプリッタ３は、Ｐ偏光面内で回転されて、Ｐ偏光の反射率が２０パーセントになるように光軸ｌの偏光分離面３ａに対する入射角が調整されてから、基板Ｂに接着される。例えば、偏光分離面３ａの他の面に対する角度の条件のみが設定値通りでない場合には、偏光ビームスプリッタ３は、光軸ｌの偏光分離面３ａに対する入射角が４５度になるように回転される。
【００２１】
また、光軸ｌの偏光分離面３ａに対する入射角が４５度であるにもかかわらず偏光分離面３ａでのＰ偏光の反射率が２０パーセントを越えている場合には、偏光ビームスプリッタ３は、光軸ｌの偏光分離面３ａに対する入射角が広くなるように（ブリュスター角に近づくように）、反射率超過分１パーセント当たり１５分だけ、図１上の半時計方向に回転される。同様に、Ｐ偏光に対する反射率が２０パーセント未満である場合には、偏光ビームスプリッタ３は、光軸ｌの偏光分離面３ａに対する入射角が狭くなるように（ブリュスター角から離れるように）、反射率不足分１パーセント当たり１５分だけ、図１上の時計方向に回転される。例えば、いま偏光分離面３ａの傾角特性が図３の点線に示す通りであった場合には、偏光ビームスプリッタ３は、図１上の実線の位置（両面３ｃ，３ｄが光軸ｌと平行になる位置）から時計方向に約６０分（１度）回転される。すると、光軸ｌの偏光分離面３ａに対する入射角が４４度２４分となり、Ｐ偏光の反射率が約２０パーセントとなるので、上記偏光特性を満たすことになる。
【００２２】
立ち上げミラー４は、第１偏光ビームスプリッタ３から出射されたレーザ光を紙面に直交する方向に曲げて、光磁気ディスクＤに対して垂直方向からレーザ光を照射する反射鏡である（図１では、便宜上、反射鏡４の前後の光軸を、同一面上に描いている。）。この反射鏡４は、光軸ｌ方向にスライドして光磁気ディスクＤに対するトラッキングを行う。
【００２３】
対物レンズ５は、立ち上げミラー４によって反射されたレーザ光を収束して、光磁気ディスクＤの磁化膜上にスポットを形成するためのレンズである。この対物レンズ５は、図示せぬサーボ系によって合焦駆動される。また、この対物レンズ５は、立ち上げミラー４と一体に、光軸方向ｌに移動する。
【００２４】
光磁気ディスクＤの磁性膜において反射されたレーザ光の偏光面は、そのスポットが形成された磁区の磁化の方向に依り、Ｐ偏光面から所定の角度の回転（カー回転）を受ける。即ち、横軸をＰ偏光面方向，縦軸をＳ偏光面方向とする座標系を想定したときに、磁区の磁化方向が上向きの時には、Ｐ軸から＋θ'k度回転し、磁区の磁化方向が下向きの時には、Ｐ軸から−θ'k度回転する。このようなカー回転を受けたレーザ光は、第１偏光ビームスプリッタ３の偏光分離面３ａにおいて反射されるが、この際、上述した通り、レーザ光の偏光面のＰ偏光平面に対するカー回転角が見かけ上大きくなる。
【００２５】
λ／２板６は、Ｐ偏光面と平行な偏光面をＰ偏光面に対して４５度回転させる特性を有している。従って、軸の磁化方向に応じてＰ偏光面を中心にカー回転するレーザ光の偏光面は、λ／２板６透過後は、Ｐ偏光面に対して４５度傾いた面を中心に回転することになる。
【００２６】
第２偏光ビームスプリッタ７は、平面２等辺三角形の三角柱形状を有しており、その入射側面は光軸ｌに対して直交している。この第２偏光プリズム７の斜面は偏光分離面７ａとなっている。この偏光分離面７ａは、Ｐ偏光成分を１００％透過するとともに、Ｓ偏光成分を１００％反射する。なお、ここにいうＰ偏光成分，Ｓ偏光成分とは、λ／２板６透過後の偏光面方向成分を指す。この偏光分離面７ａの外側には、λ／２板６から離れるほど薄くなる光学クサビ８が貼り付けられている。この光学クサビ８の外側面には、全ての光を１００％反射するコーティングがなされている。従って、この光学クサビ８に入射したＰ偏光成分は、再度第２偏光ビームスプリッタ７内に入射する。このようにして分離されたＳ方向成分とＰ方向成分とは、夫々異なる光軸に沿って、フォトダイオード側の面を通って第２偏光ビームスプリッタ７から出射する。
【００２７】
この第２偏光ビームスプリッタ７のフォトダイオード側の面には、コンデンサレンズ９が貼り付けられている。従って、各光軸に沿ってこのコンデンサ９に入射した各方向成分のビームは、夫々コンデンサレンズ９によって収束される。
【００２８】
第１のフォトダイオード１０ａは、Ｓ偏光成分のビームを受光し、その強度変化に対応した電気信号を出力する。この第１のフォトダイオード１０ａから出力された電気信号は、磁区の磁化方向が上向きの時には低レベル状態となり、磁区の磁化方向が下向きの時には高レベル状態となる。一方、受光手段としての第２のフォトダイオード１０ｂは、Ｐ偏光成分のビームを受光し、その強度変化に対応した電気信号を出力する。この第２のフォトダイオード１０ｂから出力された電気信号は、磁区の磁化方向が上向きの時には高レベル状態となり、磁区の磁化方向が下向きの時には低レベル状態となる。即ち、第１のフォトダイオード１０ａの出力と第２のフォトダイオード１０ｂの出力とを比較すると、その変化幅が同じであるとともに、その変化が逆相となる。従って、それらの差分をとることにより、カー回転角の変化に対応する電気信号の変化幅を大きくとることができる。また、フォトダイオード１０ａ，１０ｂの暗電流のような同相のノイズをキャンセルすることができる。この差分をとるために、第１のフォトダイオード１０ａの出力と第２のフォトダイオード１０ｂの出力とは、差動増幅器１１に入力されている。これら第２偏光ビームスプリッタ７，光学クサビ８，コンデンサレンズ９，ホトダイオード１０，差動増幅器１１により、光磁気ディスクＤの磁化膜で反射された反射光の偏光面の傾きを差動増幅器１１の出力の高低として検出する検出手段が構成されている。
＜実施形態の作用＞
本実施形態において第１偏光ビームスプリッタ３を基板Ｂに接着する際には、偏光分離面３ａの他の面に対する角度を精密に測定したり、多層光学薄膜の反射率を測定することは、必らずしも必要ない。即ち、レーザダイオード１からレーザ光を照射した状態で、第１偏光ビームスプリッタ３を光軸ｌに対して傾けながら、差動増幅器１１の出力を観察する。そして、差動増幅器１１の出力が所定レベルになった時点で第１偏光ビームスプリッタ３の回転を止めて、この第１偏光ビームスプリッタ３を基板Ｂに接着するのである。
【００２９】
本実施形態によると、第１偏光ビームスプリッタ３の製造時点においては、偏光分離面３ａの面３ｃ，３ｄに対する角度出しを極端に精密に行ったり、面３ｃ，３ｄと平行に入射したＰ偏光の多層光学薄膜における反射率を厳密に２０パーセント丁度にする必要はない。但し、偏光分離面３ａに対してブリュスター角が存在するように、各膜の屈折率の条件が満たされていることが必要である。このような条件を満たしておくことにより、偏光分離膜３ａが角度依存性（傾角特性）を有することになるからである。
【００３０】
そして、このような多少のバラツキのある第１偏光ビームスプリッタ３を、上述のようにして、その入射面内において光軸ｌに対する所定の設計値の角度から適宜回転させる。このようにするだけで、Ｐ偏光に対する所定の反射特性を実現することができるのである。よって、第１偏光ビームスプリッタの合格ラインを下げて、その歩留りを相対的に向上させることが可能になる。例えば、４５度入射のＰ偏光に対する反射率が１４〜２５パーセントの範囲にあれば合格とすることができる。その結果、第１偏光ビームスプリッタの製造コストを下げることが可能になるのである。
【００３１】
【実施形態２】
以下、本発明の第２の実施の形態を説明する。本第２実施形態は、第１実施形態に比較して、第１偏光ビームスプリッタ３を、ホルダ３０を介して基板Ｂに取り付けるようにしたことを特徴とする。本第２実施形態のその他の構成は、第１実施形態のものと同じであるので、その説明を省略する。
【００３２】
図５は、本第２実施形態の第１偏光ビームスプリッタ３，ホルダ３０，及び基板Ｂの関係を示すものである。この第１偏光ビームスプリッタ３は、第１実施形態の第１偏光ビームスプリッタ３と同じ構成を有している。この第１偏光ビームスプリッタ３を保持するホルダ３０は、レーザ光の入／出射がない面３ｃ側からこの第１偏光ビームスプリッタ３を紙面の上下方向から挟み込むように、断面コの字型の形状を有している。従って、レーザ光が入／出射する面３ｂ，３ｃ，３ｅは、このホルダ３０によって覆われない。
【００３３】
このホルダ３０の図５における下側の面には、面３ａ〜３ｅと平行な回転軸３１が植設されている。一方、基板Ｂには、この回転軸３１が多少の摩擦を生じて回転できるような内径の穴ｈが、穿たれている。従って、回転軸３１を穴ｈに挿入することにより、第１偏光ビームスプリッタ３をＰ偏光面内において光軸ｌに対して回転させることができる。
【００３４】
また、第１実施形態において説明したようにして、第１偏光ビームスプリッタ３の回転調整を行った後では、回転軸３１と穴ｈとの間の摩擦により、ホルダ３０は調整後の姿勢を維持することができる。また、調整後において再調整することも可能である。但し、振動等により回転軸３１が穴ｈに対して回転するおそれがあるならば、接着材を流し込んで固定しても良い。
【００３５】
【発明の効果】
以上のように構成した本発明の情報読取装置の製造方法によると、偏光分離膜におけるＰ偏光の反射率が入射角に依存して変化するという入射角依存性（傾角特性）を利用することにより、所定の設計値通りに製造されていない偏光ビームスプリッタであってもＰ偏光に対する所望の反射率を実現させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態による情報読取装置の要部を示す光学構成図
【図２】  図１の第１偏光ビームスプリッタの斜視図
【図３】  図１の第１偏光ビームスプリッタのＰ偏光に対する傾角特性図
【図４】  図１の第１偏光ビームスプリッタのＳ偏光に対する傾角特性図
【図５】  本発明の第２の実施の形態による情報読取装置における第１偏光ビームスプリッタ及びホルダの斜視図
【符号の説明】
１    レーザダイオード
２    コリメータレンズ
３    第１偏光ビームスプリッタ
５    対物レンズ
７    第２偏光ビームスプリッタ
８    光学クサビ
９    コンデンサレンズ
１０    フォトダイオード
１１    差動増幅器
【図１】
0003670720.tif 000002
【図２】
0003670720.tif 000003
【図３】
0003670720.tif 000004
【図４】
0003670720.tif 000005
【図５】
0003670720.tif 000006