(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光素子及び他の半導体素子が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成され前記受光素子の受光用の開口を有するとともに前記他の半導体素子への接続用の開口を有する遮光膜と、
前記接続用の開口の中に形成された接続用パッドと、
このパッドから前記遮光膜の下で前記絶縁膜の中を延在するように形成され、屈曲部分を有するリード線と、
前記遮光膜の下で前記絶縁膜の中を延在するように形成され、前記リード線に沿って屈曲して形成された屈曲部分、及び前記接続用の開口部に沿って延在する線部分を有する遮光壁とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁膜が複数の層から形成され、前記遮光壁が前記複数の層のうち１層以上を貫いて形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記遮光壁が前記遮光膜から前記絶縁膜を貫いて前記半導体基板に達するように形成されたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体受光素子を内蔵した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図９は、従来から使用されている受光センサを内蔵した半導体集積回路の一部の縦構造図である。受光センサ自身は、この図では示されておらず、他の部分に配置されている。
図９の集積回路において、左半部はこの集積回路の電極領域Ａ、右半部は回路素子領域Ｂを示している。電極領域Ａには、第１の絶縁層８の上に、第１の導電層（第１の配線層）から形成された第１の導電層の部分１０ａ（パッド下層部）と第２の導電層（第２の配線層）から形成された第２の導電層の部分１１ａ（パッド上層部）とからなる接続用パッド１２が配置されている。このパッド１２にボンディングなどにより配線が接続される。第１の導電層の部分１０ａ（パッド下層部）の周囲には、第２の絶縁層９が形成され、その上に開口１１ｈを有する第２の導電層の部分１１ｂが形成され、遮光膜とされている。
【０００３】
次に、回路素子領域Ｂでは、Ｐ-半導体基板４とＰ+拡散領域５との中に形成されたＮ-ウェル６の中に、Ｐ+拡散領域７が形成され、回路素子としての抵抗を構成している。このＰ+拡散領域７の両端に、第１の絶縁層８に設けられた開口８ｈを通して第１の導電層の部分１０ｃからなる引出電極が形成されている。
【０００４】
また、この回路素子は、第２の絶縁層９により保護されており、さらにその上に第２の導電層の部分１１ｂが、遮光膜して配置されている。
このように、図９の集積回路の構造は、受光センサ３以外の半導体集積回路上面を第２の導電層の部分１１ｂによる遮光膜で覆うことで、半導体上面より照射した光が受光センサ３以外のＰＮ接合部に入射しないようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の構成において、電極領域Ａの開口１１ｈから光が入射すると、この光は第１及び第２の絶縁層８，９などを通って回路素子領域Ｂに達し、図９に示すような、Ｐ+拡散領域７とＮ-ウェル６によるダイオード構造（ＰＮ接合）、あるいはＰ+拡散領域７とＮ-ウェル６とさらにＰ-半導体基板４又はＰ+拡散領域５とからなるトランジスタ構造において、電流を生じる。
【０００６】
すなわち、受光センサ３の外周部近辺や接続用パッド１２の周りなど、第２の導電層の部分１１ｂ（遮光膜）の開口部端に照射された光が、屈折して遮光部分の下へ入り込み、第１の導電層の部分１０ｃと第２の導電層の部分１１ｂ間の第２の絶縁層９と、第１の導電層の部分１０ｃと拡散領域５間の第１の絶縁層８とを通過し、受光センサ以外のPN接合に到達すると、フォトトランジスタもしくはフォトダイオードとして動作するため、電流リークや誤動作を引き起こしていた。また上述の問題を軽減させるため、第２の導電層の部分１１ｂ（遮光膜）の開口部から集積回路素子を一定距離だけ離す必要があった。
【０００７】
この発明はかかる問題を解決するためになされたもので、遮光膜の開口部から屈折して遮光部分に回り込む光を遮断もしくは減少させ、回路誤動作を防ぐと共に、遮光膜の開口部から回路素子までの距離を短くすることができる半導体装置を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体装置は、
受光素子及び他の半導体素子が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成され前記受光素子の受光用の開口を有するとともに前記他の半導体素子への接続用の開口を有する遮光膜と、
前記接続用の開口の中に形成された接続用パッドと、
このパッドから前記遮光膜の下で前記絶縁膜の上を延在するように屈曲して形成されたリード線とを備え、
前記遮光膜の下の前記絶縁膜上または前記絶縁膜中であって、かつ、前記接続用パッドを形成した開口の周りに及び前記リード線に沿って屈曲して遮光壁を形成したことを特徴とするものである。
【０００９】
また、この発明の半導体装置は、前記遮光壁が前記接続用の開口部を囲んで環状に形成されたことを特徴とするものである。
【００１２】
また、この発明の半導体装置は、前記絶縁膜が複数の層から形成され、前記遮光壁が前記複数の層のうち１層以上を貫いて形成されたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、この発明の半導体装置は、前記遮光壁が前記遮光膜から前記絶縁膜を貫いて前記半導体基板に達するように形成されたことを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、図中、同一の符号はそれぞれ同一又は相当部分を示す。
実施の形態１．
図１〜図３は、この発明の実施の形態１による半導体装置について説明するための図である。図１は、この発明の実施の形態に共通な半導体装置の一例、特に半導体集積回路装置の平面構成の例を示す図である。この例では、半導体チップ内に受光部（受光センサ）と電極部とを配置したものを示している。
【００１５】
図１において、１は半導体チップ（シリコン半導体チップなど）、２は電極部、３は半導体受光素子の受光部（受光センサ）を示している。電極部２の開口と、受光センサ３の開口を除いて、全面に遮光膜が施されている。この遮光膜の下には、多数の回路素子が形成されている。
【００１６】
図２は、図１の電極部２を拡大して示す図、図３は図２の平面図におけるＸ−Ｘ線での断面を示す図である。
図２及び図３において、Ａは電極領域、Ｂは回路素子領域を示す。また、４はＰ-半導体基板（シリコン半導体基板など）、５はＰ+半導体拡散領域、６はＮ-ウェル領域、７はＰ+拡散領域を示す。
【００１７】
また、８は、半導体基板１の表面に形成された第１の絶縁層（シリコン酸化膜など）、９はこの第１の絶縁層の上に形成された第２の絶縁層（シリコン酸化膜など）を示し、ここでは両者を合わせて絶縁膜と称することにする。また、１０ａ，１０ｂ，１０ｃは第１の絶縁層８の上に形成された第１の導電層の部分（例えば、第１アルミ層の部分）であり、１０ａは接続用電極としてのパッド１２の下層部、１０ｂ，１０ｆは第１の導電層の部分１０ａ（パッド下層部）の周囲に形成された第１の導電層の部分（遮光壁）、１０ｃはＰ+導電領域７の両端に設けられた第１の導電層の部分（引出電極）を示す。
【００１８】
１１ａ，１１ｂは、それぞれ第１の導電層の部分１０ａ（パッド１２の下層部）の上、及び第２の絶縁層９の上に配置された第２の導電層の部分（例えば、第２アルミ層の部分）であり、１１ａは接続用パッドの上層部となり、１１ｂは第２の導電層の部分１１ａ（パッド上層部）の周囲に開口１１ｈを有するように形成された他の第２の導電層の部分（遮光膜）を示す。
第１の導電層の部分１０ａ（パッドの下層部）及び第２の導電層の部分１１ａ（パッド上層部）により、接続用パッド１２が構成され、この上にボンディングなどにより配線が接続されるものである。
【００１９】
次に、図２及び図３の左半部の電極領域Ａの構造について説明する。この電極領域Ａの中心には第１の導電層の部分１０ａ（パッド下層部）と第２の導電層の部分１１ａ（パッド上層部）とからなるパッド１２が配置されている。第２の導電層の部分１１ａ（パッド上層部）からは、図２に示すように引き出し線が延びている。この例では、第２アルミ層が用いられている。
第１の導電層の部分１０ａ（パッド下層部）の周囲には、遮光膜となる第２の導電層の部分１１ｂの下で、第２の導電層の部分１１ｂの開口端近くに、第１の絶縁層８の中に環状に開けられた開口（溝状のスルーホール）８ｈを埋めた第１の導電層の部分１０ｆと、第１導電層の部分１０ｂが遮光壁として形成されている。
【００２０】
この第１の導電層の部分１０ｂ，１０ｆ（遮光壁）の形成方法としては、第１の絶縁層８の上にレジストを施し、このレジストの開口からエッチングにより環状の溝状にスルーホール８ｈを形成し、しかる後に第１の導電層を形成し、フォトリソグラフィとエッチングによりパターン形成して、第１の導電層の部分１０ｂ，１０ｆ（遮光部）を残す。すなわち、第１の導電層の部分１０ｂから半導体基板の拡散領域５にコンタクトを形成する。
また、第２の導電層の部分１１ａ（パッド上層部）の周囲は、開口１１ｈを置いて、第２の導電層の部分１１ｂが遮光膜として配置されている。
【００２１】
次に、図２及び図３の右半部の回路素子領域Ｂの構造について説明する。ここでは、Ｐ-半導体基板４とＰ+拡散領域５との中に形成されたＮ-ウェル６の中に、Ｐ+拡散領域７が形成され、回路素子としての抵抗を構成している。このＰ+拡散領域７の両端には、第１の絶縁層８に設けられた開口８ｈを通して第１の導電層の部分１０ｃからなる引出電極が形成されている。
【００２２】
この回路素子においては、Ｐ+拡散領域７とＮ-ウェル６との間にＰＮ接合が形成されている。また、Ｎ-ウェル６とＰ-半導体基板４及びＰ+拡散領域５との間にもＰＮ接合が形成されている。
また、この回路素子は、第２の絶縁層９により保護されており、さらにその上に第２の導電層の部分１１ｂが遮光膜として配置されている。
この例では、回路素子として、抵抗を配置したものを示しているが、これは単に回路素子の一例として示したにすぎない。これは、トランジスタなどの機能素子や容量・抵抗などあらゆる場合が想定されるものである。
【００２３】
次に、この実施の形態の機能について説明する。図１に示した半導体装置の受光部（受光センサ）３に光を照射するとき、光は電極部２をも照射する。電極部２において、パッド１２の周囲において、第２の導電層の部分１１ｂ（遮光膜）の開口部１１ｈから入射した光は、第１及び第２の絶縁層８，９からなる絶縁膜を通って進入しようとするが、少なくともその一部は第１の導電層の部分１０ｂ，１０ｆからなる遮光部により遮られ、素子領域に達するのが妨げられる。
【００２４】
開口部１１ｈから入射した光が、回路素子のＰＮ接合に達すると、光電流が流れて回路素子の一部がフォトトランジスタもしくはフォトダイオードとして動作し、電流リークや誤動作を引き起こすおそれがある。この実施の形態では、開口部１１ｈと回路素子のＰＮ接合部分との間において、光が伝播する絶縁膜（第１及び第２の絶縁層８，９）の中に第１の導電層の部分１０ｂ，１０ｆ（遮光壁）を配置させたので、光の進入を遮断もしくは減少させることができる。
この遮光壁１０ｂ，１０ｆの位置は、一般には光が入射する開口部の近く配置するのがよいが、光がＰＮ接合に達するのを防止するのであるから、光が入射する開口部と回路素子のＰＮ接合部との間であれば、どこに設けてもよい。
【００２５】
以上のように、この実施の形態では、第２の導電層の部分１１ｂ（遮光膜）の開口部端の直下に第１の導電層の部分１０ｂ（遮光壁）を配置し、この第１の導電層の部分１０ｂから他の第１の導電層の部分１０ｆ（コンタクト、遮光壁）を設け、第１の導電層の部分１０ｂと半導体基板４の拡散領域５とを接続することにより、第２の導電層の部分１１ｂの開口部端から回路素子のＰＮ接合部までの間において、第１の導電層の部分１０ｂと拡散領域５間の第１の絶縁層８に配線の壁ができるため、第２の導電層の部分１１ｂ（遮光膜）の開口部端より屈折し第１の導電層の部分１０ｂと拡散領域５間の第１の絶縁層８を通過して入り込む光を遮断することができる。これにより、集積回路の電流リークや誤動作を引き起こすことがないようにし、集積回路の動作の安定をはかることができる。
【００２６】
実施の形態２．
図４は、この発明の実施の形態２による半導体装置について説明するための図である。この実施の形態において、半導体装置の平面図とその電極部の平面図は、図１及び図２と同様に表わされるので、図１及び図２を援用する。図４はこの実施の形態の図２の平面図におけるＸ−Ｘ線での断面を示す図である。
【００２７】
図において、１１ａ，１１ｂ，１１ｆは、第２の導電層の部分（例えば、第２アルミ層の部分）であり、１１ｆは第２の絶縁層９の中に環状に開けられた開口（溝状のスルーホール）９ｈを埋めた第２導電層の部分であり、遮光壁として構成されている。
その他の構成部分は、実施の形態１と同様であるから説明を省略する。なお、この実施の形態では、実施の形態１における、第１の絶縁層８の中の第１導電層の部分１０ｆは形成されていない。
【００２８】
次に、この実施の形態の機能について説明する。図１に示した半導体装置の受光センサ３に光を照射するとき、光は電極部２をも照射する。電極部２において、パッド１２の周囲の開口部１１ｈから入射した光は、第１及び第２の絶縁層８，９を通って進入しようとするが、少なくともその一部は第２の導電層の部分１１ｆ（遮光壁）及び第１の導電層の部分１０ｂ（遮光壁）により遮られるので、素子領域に達するのが妨げられる。
【００２９】
以上のように、この実施の形態では、第２の導電層の部分１１ｂ（遮光膜）の開口部端の直下に第１の導電層の部分１０ｂ（遮光壁）を配置し、開口（スルーホール）９ｈを第２の導電層の部分１１ｆにより埋めて、第１の導電層の部分１０ｂと第２の導電層の部分１１ｂとを接続することで、第２の導電層の部分１１ｂの開口部端から回路素子のＰＮ接合部までの第１の導電層の部分１０ｂと第２の導電層の部分１１ｂ間の第２の絶縁層９に遮光壁ができるため、第２の導電層の部分１１ｂの開口部端より屈折し第１の導電層の部分１０ｂと第２の導電層の部分１１ｂ間の第２の絶縁層９を通過して入り込む光を遮断することができる。これにより、集積回路の電流リークや誤動作を引き起こすことがないようにし、集積回路の動作の安定をはかることができる。
【００３０】
実施の形態３．
図５は、この発明の実施の形態３による半導体装置について説明するための図である。この実施の形態において、半導体装置の平面図とその電極部の平面図は、図１及び図２と同様に表わされるので、図１及び図２を援用する。
【００３１】
図５はこの実施の形態の図２の平面図におけるＸ−Ｘ線での断面を示す図である。図において、１０ａ，１０ｂ，１０ｆは、第１の導電層の部分（例えば、第１アルミ層の部分）であり、１０ｆは第１の絶縁層８の中に環状に開けられた開口（溝状のスルーホール）８ｈを埋めた第１の導電層の部分であり、遮光壁として構成されている。
【００３２】
また、１１ａ，１１ｂ，１１ｆは、第２の導電層の部分（例えば、第２アルミ層の部分）であり、１１ｆは第２の絶縁層９の中に環状に開けられた開口（溝状のスルーホール）９ｈを埋めた第２の導電層の部分であり、遮光壁として構成されている。
【００３３】
この実施の形態では、第１の導電層の部分１０ｂ，１０ｆと、第２の導電層の部分１１ｂ，１１ｆとが接続されて連続し、絶縁膜（第１及び第２の絶縁層８，９）を貫いて、第２の導電層の部分１１ｂから半導体基板４の拡散層５に達する遮光壁として構成されている。
その他の構成部分は、実施の形態１，２と同様であるから説明を省略する。  なお、この場合、第２の導電層の部分１１ｂは半導体基板４の拡散領域５と同電位となる。
【００３４】
次に、この実施の形態の機能について説明する。図１に示した半導体装置の受光センサ３に光を照射するとき、光は電極部２をも照射する。電極部２において、パッド１２の周囲の開口部１１ｈから入射した光は、第１及び第２の絶縁層８，９を通って進入しようとするが、第１の導電層の部分１０ｂ（遮光壁），１０ｆ（遮光壁）及び第２の導電層の部分１１ｆ（遮光壁）により遮られ、素子領域に達するのが妨げられる。この場合、第２の導電層の部分１１ｂ（遮光膜）と半導体基板４の表面との間の絶縁膜（第１及び第２の絶縁層８，９）は完全に遮光壁１０ｂ，１０ｆ，１１ｆで遮断される。
【００３５】
以上のように、この実施の形態では、第２の導電層の部分１１ｂ（遮光膜）の開口部端の直下に第１の導電層の部分１０ｂ（遮光壁）を配置し、開口（スルーホール）９ｈにて第１の導電層の部分１０ｂと第２の導電層の部分１１ｂとを接続し、かつ第１の導電層の部分１０ｂから他の第１の導電層の部分１０ｆ（コンタクト、遮光壁）を設け、第１導電層の部分１０ｂと半導体基板４の拡散領域５とを接続している。これにより、第２の導電層の部分１１ｂの開口部端から回路素子のＰＮ接合部までの間において、第１導電層の部分１０ｂと第２の導電層の部分１１ｂ間の第２の絶縁層９と、第１の導電層の部分１０ｂと半導体基板４の拡散領域５間の第１の絶縁層８とに遮光部ができるため、第２の導電層の部分１１ｂの開口部端より屈折し、第１の導電層の部分１０ｂと第２の導電層の部分１１ｂ間の第２の絶縁層９と、第１導電層の部分１０ｂと半導体基板４の拡散領域５間の第１の絶縁層８とを通過して入り込む光を遮断することができる。これにより、集積回路の電流リークや誤動作を引き起こすことがないようにし、集積回路の動作の安定をはかることができる。
【００３６】
実施の形態４．
図６〜図８は、この発明の実施の形態４による半導体装置について説明するための図である。この実施の形態において、半導体装置の平面図は図１と同様に表わされるので、図１を援用する。
図６は、この実施の形態における電極部の遮光構造を拡大して示す平面図である。また、図７はこの実施の形態の他の電極部の構造を示す斜視図、図８は図７の斜視図においてＸ−Ｘ線を破断した断面を示す斜視図である。図６と図７，図８とは、遮光部分の構造が若干異なるが同じ構造概念を有するのであわせて説明する。
【００３７】
図６から図８において、Ａは電極領域、Ｂは回路素子領域、Ｃは遮光領域を示す。また、１０ａ，１０ｄは、第１の絶縁層８の上の第１の導電層の部分（例えば、第１アルミ層の部分）であり、１０ａは接続用パッドを形成すると同時にパッド１２へのリード線部分１０ａ１を有する。この第１の導電層の部分１０ａは、リード線部分１０ａ１では図示のとおり屈曲部分１０ａ２を有するように形成されている。
【００３８】
第１の導電層の部分１０ｄは、第１の導電層の部分１０ａのリード線部分１０ａ１と所定間隔をおきながらこのリード線部分１０ａ１に沿って屈曲して形成された屈曲部分１０ｄ１を有するとともに、第２の導電層の部分１１ｂ（遮光膜）の開口部１１ｈに沿って延在する線部分１０ｄ２を有する。
【００３９】
次に、この実施の形態の機能について説明する。図１に示した半導体装置の受光部３に光を照射するとき、光は電極部２をも照射する。電極部２において、パッド１２の周囲の開口部１１ｈから入射した光は、第１の導電層の部分１０ａのリード線部分１０ａ１に沿って第２の絶縁層９（図６〜８では、図示されていないが、第１の絶縁層８の上に形成されている）の中を進入してくるが、遮光領域Ｃにおいて、リード線部分１０ａ１の屈曲部部分１０ａ２と第１の導電層の部分１０ｄの屈曲部分１０ｄ１と、開口部１１ｈと対向した線部分１０ｄ２とにより遮蔽され、その通過が妨げれられる。
【００４０】
以上のように、この実施の形態によれば、第２の導電層の部分１１ｂ（遮光膜）の開口部端に交差する第１の導電層１０ａのリード線部分１０ａ１を第２の導電層の部分１１ｂの直下で屈曲させて屈曲部分１０ａ２を形成し、かつこのリード線部分１０ａ１の両側に、別の第１の導電層の部分１０ｄの線を所定間隔をおい沿うように配置することで、遮光用の第２の導電層の部分１１ｂの開口部端に交差するリード線部分１０ａ１に沿って、第１の導電層の部分１０ｂと第２の導電層の部分１１ｂ間の第２の絶縁層９を通過して入り込む光を減少させることができる。
【００４１】
また、この実施の形態の変形例として、遮光領域Ｃを次のように構成することができる。
すなわち、図６に示した第１の導電層の部分１０ｄを、その直下の第１の絶縁層８にスルーホールを設けてそのスルーホールを埋めるように形成する。これにより、第１の絶縁層８を通ってくる進入光をも遮断できる。
また、図６に示した第１の導電層の部分１０ｄの直上の第２の絶縁層９にスルーホールを設け、第２の導電層の部分１１ｂがそのスルーホールを埋めるように形成する。これにより、第２の絶縁層９を通って進入してくる光を遮断できる。
【００４２】
以上の各実施の形態では、この発明の遮光構造について、パッドの周りに設けられた遮光膜の開口部を例にとって、説明した。しかし、この発明の遮光構造はパッドの開口に対して設けるように限定されるものではない。受光素子の受光面の外周部において、遮光膜の開口端から入射してくる光を遮蔽するためにも同様に用いられ、有効なものである。その他の開口であっても同様である。
【００４３】
【発明の効果】
この発明によれば、受光素子の受光用の開口あるいは回路素子の接続用の開口を除いて表面が遮光膜で遮光された半導体装置において、開口の周りで遮光膜の下に遮光壁を形成したので、表面の遮光膜の開口部から屈折して遮光部分に回り込む光を遮断もしくは減少させ、回路誤動作を防ぐと共に、遮光膜の開口部から回路素子までの距離を短くすることができる。
【００４４】
また、この発明によれば、表面の遮光膜の下に開口部を囲むように環状の遮光壁を形成したので、遮光膜の開口部から屈折して遮光部分に回り込む光を十分に遮断もしくは減少させることができる。
【００４５】
また、この発明によれば、開口部の中に接続用パッドが形成され、かつこのパッドからリード線が延在する半導体装置において、表面の遮光膜の下に遮光壁を備えたので、接続用パッドの周りの遮光膜の開口からの光を遮断もしくは減少させることができる。
【００４６】
また、この発明によれば、接続用パッドから屈曲して形成されたリード線に沿って、屈曲して遮光壁を形成したので、表面の遮光膜の開口部からリード線に沿って屈折して遮光部分に回り込む光を遮断もしくは減少させることができる。
【００４７】
また、この発明によれば、表面の遮光膜の下の絶縁膜を複数の層から形成し、遮光壁を複数の層のうち１層以上を貫いて形成したので、絶縁層ごとに遮光壁が形成でき、表面の遮光膜の開口部から入射してくる光を遮断もしくは減少させることができる。
【００４８】
また、この発明によれば、遮光壁を表面の遮光壁から中間の絶縁膜を貫いて半導体基板に達するように形成したので、表面の遮光膜の開口部から入射してくる光を十分に遮断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１〜４の半導体装置における半導体チップの平面構造を示す図である。
【図２】  この発明の実施の形態１〜４の半導体装置における接続用電極領域の平面構造を説明するための拡大図である。
【図３】  この発明の実施の形態１による半導体装置の遮光構造を説明するための縦構造断面図である。
【図４】  この発明の実施の形態２による半導体装置の遮光構造を説明するための縦構造断面図である。
【図５】  この発明の実施の形態３による半導体装置の遮光構造を説明するための縦構造断面図である。
【図６】  この発明の実施の形態４による半導体装置の遮光構造を説明するための電極領域と遮光領域の平面図である。
【図７】  この発明の実施の形態４による半導体装置の遮光構造を説明するための電極領域と遮光領域の斜視図である。
【図８】  この発明の実施の形態４による半導体装置の遮光構造を説明するための電極領域と遮光領域の破断斜視図である。
【図９】  従来の半導体装置の遮光構造を説明するための縦構造断面図である。
【符号の説明】
１  半導体チップ、２  電極部、３  受光部（受光センサ）、４  Ｐ-半導体基板、５  Ｐ+拡散領域、６  Ｎ-ウェル領域、７  Ｐ+拡散領域、８  第１の絶縁層（絶縁膜）、８ｈ  開口、９  第２の絶縁層（絶縁膜）、９ｈ  開口、１０ａ  第１の導電層の部分（接続用パッドの下層部）、１０ｂ  第１の導電層の部分（遮光壁）、１０ｃ  第１の導電層の部分（引出電極）、１０ｄ  第１の導電層の部分（遮光壁）、１０ｆ  第１の導電層の部分（遮光壁）、１０ａ１  リード線部分、１０ａ２  屈曲部分、１０ｄ１  屈曲部分（遮光壁）、１０ｄ２  線部分（遮光壁）、１１ａ  第２の導電層の部分（接続用パッドの上層部）、１１ｂ  第２の導電層の部分（遮光膜）、１１ｆ  第２の導電層の部分（遮光壁）、１２  接続用パッド、Ａ  電極領域、Ｂ  回路素子領域、Ｃ  遮光領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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