(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ型の熱電薄膜素子およびＮ型の熱電薄膜素子が交互に接続された熱電モジュールにおける当該いずれかの熱電薄膜素子の製造時において、当該熱電薄膜素子を構成する複数の薄膜が支持基板の上に積層体として形成された熱電薄膜素子製造用中間体を保持具によって保持した状態において研削用定盤に対して当該熱電薄膜素子製造用中間体を相対的に摺動させることで当該支持基板を研削して薄厚化する研削処理を実行するときに、当該支持基板と共に研削されることによって抵抗値が変化する研削量検出用導体を有する研削量検出用部材を前記保持具に配設すると共に、前記研削量検出用導体の抵抗値を測定する測定処理を実行しつつ、前記研削処理において前記研削用定盤に対して前記熱電薄膜素子製造用中間体および前記研削量検出用部材を相対的に摺動させることで前記熱電薄膜素子製造用中間体および前記研削量検出用部材に対して研削を実行し、前記測定処理において予め規定された抵抗値が測定されたときに前記研削処理を終了する熱電薄膜素子製造方法。
【請求項２】
長尺帯状の前記熱電薄膜素子製造用中間体に対する前記研削処理を実行する際に、当該熱電薄膜素子製造用中間体における長手方向の一端部側および他端部側にそれぞれ１つ以上の前記研削量検出用導体が位置するように複数の前記研削量検出用部材を前記保持具に配設し、前記測定処理によって測定される前記各研削量検出用導体の前記抵抗値に応じて当該熱電薄膜素子製造用中間体における前記一端部側および前記他端部側に対する研削条件を調整する請求項１記載の熱電薄膜素子製造方法。
【請求項３】
前記支持基板とは反対側の面に保護膜を設けた前記熱電薄膜素子製造用中間体を前記保持具によって保持した状態において前記研削処理を実行する請求項１または２記載の熱電薄膜素子製造方法。
【請求項４】
前記研削量検出用部材における前記研削処理時に前記研削用定盤側に位置する端面が、前記支持基板における前記各薄膜側とは反対側の一面よりも当該各薄膜側の一面寄りに位置するように当該研削量検出用部材を前記保持具に配設する請求項１から３のいずれかに記載の熱電薄膜素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｐ型の熱電薄膜素子およびＮ型の熱電薄膜素子が交互に直列接続された熱電モジュールにおけるいずれかの熱電薄膜素子を製造する熱電薄膜素子製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の熱電モジュールとして、出願人は、非導電性材料で形成された支持基板の上に、複数のＰ型熱電薄膜素子および複数のＮ型熱電薄膜素子が交互に直列接続されて本体部が構成された熱電モジュールを特願２０１０−８５７０３において開示している。この場合、Ｐ型熱電薄膜素子は、一例として、Ｂｉ２Ｔｅ３／Ｓｂ２Ｔｅ３の薄膜と、Ｂｉ０．５Ｓｂ１．５Ｔｅ３の薄膜とが交互に積層された積層体を切断することによって長尺帯状に形成されている。また、上記のＮ型熱電薄膜素子１２２は、一例として、Ｂｉ２Ｔｅ３の薄膜と、Ｂｉ２Ｓｅ３の薄膜とが交互に積層された積層体を切断することによって長尺帯状に形成されている。
【０００３】
この熱電モジュールの製造に際しては、一例として、厚み０．６ｍｍ程度の製造用支持基板の上にＢｉ２Ｔｅ３／Ｓｂ２Ｔｅ３の薄膜と、Ｂｉ０．５Ｓｂ１．５Ｔｅ３の薄膜とを交互に形成することにより、Ｐ型熱電薄膜素子を製造するためのＰ型熱電薄膜を製作する。同様にして、他の製造用支持基板の上にＢｉ２Ｔｅ３の薄膜と、Ｂｉ２Ｓｅ３の薄膜とを交互に形成することにより、Ｎ型熱電薄膜素子を製造するためのＮ型熱電薄膜を製作する。次いで、Ｐ型熱電薄膜およびＮ型熱電薄膜を所望のサイズ（Ｐ型熱電薄膜素子およびＮ型熱電薄膜素子のサイズ）に切断する。続いて、切断した各小片から、ラッピング研磨装置等を使用して上記の製造用支持基板を研削して除去する。これにより、Ｐ型熱電薄膜素子およびＮ型熱電薄膜素子が製造される。
【０００４】
次いで、Ｃｕ等の板体を切断して形成した電極部を熱電モジュール用の支持基板の上に接着剤によって接着すると共に、支持基板上の電極部に対して導電性を有する接着剤によって各熱電薄膜素子を接着する。これにより、Ｐ型熱電薄膜素子およびＮ型熱電薄膜素子が各電極を介して交互に直列接続されて上記の本体部が完成する。この後、形成した本体部を覆うようにして支持基板にケーシングを取り付けることにより、熱電モジュールが完成する。
【先行出願１】
【０００５】
特願２０１０−８５７０３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、出願人が開示している熱電モジュールの製造方法には、以下の解決すべき課題が存在する。すなわち、出願人が開示している熱電モジュールの製造方法では、製造用支持基板の上に各薄膜の積層体を形成したＰ型熱電薄膜やＮ型熱電薄膜を所望のサイズに切断した後に製造用支持基板を除去することによってＰ型熱電薄膜素子およびＮ型熱電薄膜素子を製造する方法を採用している。この場合、両熱電薄膜素子として使用される各薄膜の積層体は、その厚みが０．１〜１．０μｍ程度と非常に薄いため、これらの薄膜の成膜時や、所望のサイズに切断する切断作業時には、物理的強度を確保するための製造用支持基板の存在が必要不可欠となっている。また、各薄膜のうちの最初の薄膜を成膜するための基材としても製造用支持基板の存在が必要不可欠となっている。
【０００７】
したがって、製造用支持基板としては、「物理的強度を確保し得る厚みに形成されている」との条件、および「薄膜の成膜時に好適なエピタキシャル成長が可能な材料で形成されている」との条件の双方を満たしているものを使用するのが前提となっている。このため、この種のＰ型熱電薄膜やＮ型熱電薄膜の製造に際しては、上記の製造用支持基板として、平板状のシリコンの表面に酸化シリコンの膜を形成した板体（ＳＯＩ（Silicon On Insulator）等）を使用するのが一般的となっている。この場合、上記の製造支持基板におけるシリコンや酸化シリコンは、Ｐ型熱電薄膜やＮ型熱電薄膜を構成する各薄膜よりも熱伝導率が高いことが知られている。このため、製造後のＰ型熱電薄膜やＮ型熱電薄膜に厚手の製造用支持基板が残存している状態においては、そのＰ型熱電薄膜やＮ型熱電薄膜を搭載した熱電モジュールの使用に際してＰ型熱電薄膜の両端部間やＮ型熱電薄膜の両端部間に生じた温度差が、高い熱伝導率の製造用支持基板の存在に起因して短時間で平均化されてしまうため、熱電モジュールの熱電特性を向上させるのが困難となるおそれがある。
【０００８】
このように、熱電モジュールの構成要素としての両熱電薄膜素子においては、製造時には必要不可欠であった製造用支持基板の存在が、熱電モジュールの熱電特性の向上の妨げとなるおそれがあるため、この製造用支持基板を可能な限り薄厚にするのが好ましい。しかしながら、所望のサイズに切断した両熱電薄膜の小片から、ラッピング装置等を使用して製造用支持基板を研削して除去する際には、製造用支持基板だけでなく、積層体を誤って研削するおそれがある。このため、製造用支持基板を十分に薄厚にするのが困難となっている。
【０００９】
具体的には、この種の研削装置を使用した研削処理時においては、対象物と同様に形成した試料に対する研削処理を実行して処理時間当りの研削量を予め取得しておき、取得した情報に基づいて、所望の量だけ対象物を研削するのに要する処理時間を算出する方法が一般的に採用されている。しかしながら、厚み０．６ｍｍの製造用支持基板の大半を研削する際には、処理時間を厳密に管理したとしても、使用する研削用スラリーの劣化や、研削対象物の熱膨張等に起因して、３０μｍ〜５０μｍの範囲内で研削量が相違する状態となる。このため、製造用支持基板だけでなく、各薄膜の積層体までもが研削される事態を招くことがないように、上記の研削量のばらつきを吸収し得るマージン（この例では、５０μｍ）を規定して研削処理する必要があることから、製造用支持基板を十分に薄厚化するのが困難となっている。
【００１０】
このように、出願人が開示している熱電モジュールの製造方法では、Ｐ型熱電薄膜素子やＮ型熱電薄膜素子の製造に際して製造用支持基板を十分に薄厚化するのが困難となっているため、この点を改善するのが好ましい。
【００１１】
本発明は、かかる解決すべき課題に鑑みてなされたものであり、支持基板が十分に薄厚化された熱電薄膜素子を製造し得る熱電薄膜素子製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成すべく、本発明に係る熱電薄膜素子製造方法は、Ｐ型の熱電薄膜素子およびＮ型の熱電薄膜素子が交互に接続された熱電モジュールにおける当該いずれかの熱電薄膜素子の製造時において、当該熱電薄膜素子を構成する複数の薄膜が支持基板の上に形成された熱電薄膜素子製造用中間体を保持具によって保持した状態において研削用定盤に対して当該熱電薄膜素子製造用中間体を相対的に摺動させることで当該支持基板を研削して薄厚化する研削処理を実行するときに、当該支持基板と共に研削されることによって抵抗値が変化する研削量検出用導体を有する研削量検出用部材を前記保持具に配設すると共に、前記研削量検出用導体の抵抗値を測定する測定処理を実行しつつ、前記研削処理において前記熱電薄膜素子製造用中間体および前記研削量検出用部材に対して研削を実行し、前記測定処理において予め規定された抵抗値が測定されたときに前記研削処理を終了する。
【００１３】
また、本発明に係る熱電薄膜素子製造方法は、長尺帯状の前記熱電薄膜素子製造用中間体に対する前記研削処理を実行する際に、当該熱電薄膜素子製造用中間体における長手方向の一端部側および他端部側にそれぞれ１つ以上の前記研削量検出用導体が位置するように複数の前記研削量検出用部材を前記保持具に配設し、前記測定処理によって測定される前記各研削量検出用導体の前記抵抗値に応じて当該熱電薄膜素子製造用中間体における前記一端部側および前記他端部側に対する研削条件を調整する。
【００１４】
さらに、本発明に係る熱電薄膜素子製造方法は、前記熱電薄膜素子製造用中間体における前記支持基板とは反対側の面に保護膜を設けた状態において前記研削処理を実行する。
【００１５】
また、本発明に係る熱電薄膜素子製造方法は、前記研削量検出用部材における前記研削処理時に前記研削用定盤側に位置する端面が、前記支持基板における前記各薄膜側とは反対側の一面よりも当該各薄膜側の一面寄りに位置するように当該研削量検出用部材を前記保持具に配設する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る熱電薄膜素子製造方法によれば、支持基板と共に研削されることによって抵抗値が変化する研削量検出用導体を有する研削量検出用部材を保持具に配設すると共に、研削量検出用導体の抵抗値を測定する測定処理を実行しつつ、研削処理において熱電薄膜素子製造用中間体および研削量検出用部材に対する研削を実行し、測定処理において予め規定された抵抗値が測定されたときに研削処理を終了することにより、研削処理時間を管理して製造用支持基板を研削する方法とは異なり、熱電薄膜素子製造用中間体に対する研削処理の進行に応じて研削される研削量検出用部材を介して取得した情報（研削量検出用導体の抵抗値）に基づいて、熱電薄膜素子製造用中間体に対する研削処理の終了のタイミングを特定することができる結果、各薄膜の積層体を誤って研削することなく、熱伝導率が高い支持基板を十分に薄厚化することができる。これにより、この製造方法に従って製造した熱電薄膜素子を搭載した熱電モジュールの熱電特性を十分に向上させることができる。
【００１７】
また、本発明に係る熱電薄膜素子製造方法によれば、長尺帯状の熱電薄膜素子製造用中間体における長手方向の一端部側および他端部側にそれぞれ１つ以上の研削量検出用導体が位置するように複数の研削量検出用部材を保持具に配設し、測定処理によって測定される各研削量検出用導体の抵抗値に応じて熱電薄膜素子製造用中間体における一端部側および他端部側に対する研削条件を調整することにより、熱電薄膜素子製造用中間体の一端部側に対する研削量と他端部側に対する研削量とが相違する事態を回避して、支持基板の長手方向の全域に対して同じ厚みとなるように均一に研削することができる。
【００１８】
さらに、本発明に係る熱電薄膜素子製造方法によれば、熱電薄膜素子製造用中間体における支持基板とは反対側の面に保護膜を設けた状態において研削処理を実行することにより、支持基板を研削することで各薄膜の積層体が薄厚となる熱電薄膜素子製造用中間体を保持具から取り外すときや、研削処理が完了した熱電薄膜素子製造用中間体を、次の作業位置まで搬送するときなどに、この熱電薄膜素子製造用中間体が破損する事態を回避することができる。
【００１９】
また、本発明に係る熱電薄膜素子製造方法によれば、研削量検出用部材における研削処理時に研削用定盤側に位置する端面が、支持基板における各薄膜側とは反対側の一面よりも各薄膜側の一面寄りに位置するように研削量検出用部材を保持具に配設することにより、熱電薄膜素子製造用中間体（支持基板）に対する研削処理の開始時点において両研削量検出用部材を研削することなく、支持基板だけを研削することができるため、研削用定盤の処理面にチャージしたスラリー等が、支持基板の研削を完了する前に、研削量検出用部材の研削屑によって汚濁した状態となるのを回避することができると共に、一回の研削処理当りの研削量検出用部材の研削量を少なくすることができるため、研削量検出用部材を複数回に亘って再利用することができる結果、熱電薄膜素子の製造コストを十分に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】研削装置１の構成図である。
【図２】熱電薄膜素子製造用中間体２０の断面図である。
【図３】熱電モジュール１００の断面図である。
【図４】熱電モジュール１００の平面図である。
【図５】検出用部材５の断面図である。
【図６】研削装置１による研削処理の開始時点における熱電薄膜素子製造用中間体２０（製造用支持基板２１）と検出用部材５，５との位置関係について説明するための熱電薄膜素子製造用中間体２０、保持具４および検出用部材５，５の断面図である。
【図７】熱電薄膜素子製造用中間体２０と両検出用部材５，５との位置関係について説明するための熱電薄膜素子製造用中間体２０、保持具４および検出用部材５，５の平面図である。
【図８】検出用部材５，５の両端面Ｆ５が定盤２の処理面Ｆ２に接した時点における熱電薄膜素子製造用中間体２０、保持具４および検出用部材５，５の断面図である。
【図９】検出用部材５，５における各検出用導体１３の抵抗値が規定された値となった時点における熱電薄膜素子製造用中間体２０、保持具４および検出用部材５，５の断面図である。
【図１０】他の熱電薄膜素子製造用中間体２０に対する研削処理に先立って保持具４に対する検出用部材５，５の取り付け位置を変更した状態の熱電薄膜素子製造用中間体２０、保持具４および検出用部材５，５の断面図である。
【図１１】熱電薄膜素子製造用中間体２０と両検出用部材５，５との他の位置関係について説明するための断面図である。
【図１２】熱電薄膜素子製造用中間体２０と両検出用部材５，５とのさらに他の位置関係について説明するための断面図である。
【図１３】熱電薄膜素子製造用中間体２０と各検出用部材５ａとの位置関係について説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る熱電薄膜素子製造の実施の形態について説明する。
【００２２】
最初に、「熱電モジュール」の一例である熱電モジュール１００、およびこの熱電モジュール１００に実装される「熱電薄膜素子」を製造するための研削装置１の構成について、添付図面を参照して説明する。
【００２３】
図１に示す研削装置１は、図３，４に示す熱電モジュール１００におけるＰ型熱電薄膜素子１２１およびＮ型熱電薄膜素子１２２の製造に際して、図２に示す熱電薄膜素子製造用中間体２０に対する研削処理を実行可能に構成されている。
【００２４】
この場合、熱電モジュール１００は、図３，４に示すように、その一端部側および他端部側のいずれか（両図における左方側および右方側のいずれか）を加熱または冷却して一端部側および他端部側の間に温度差を生じさせることによって電流を生成して出力する発電モジュールとして使用可能に構成されている。この熱電モジュール１００は、支持基板１１０、本体部１２０、スペーサ１３０およびケーシング１４０を備えている。支持基板１１０は、本体部１２０やスペーサ１３０を支持する支持体であって、一例として、厚みが１〜２ｍｍ程度で、一辺の長さが１０〜５０ｍｍ程度の平面視矩形状に形成されている。この支持基板１１０としては、平板状のシリコンの表面に酸化シリコンの膜が形成された板体（ＳＯＩ）、およびエンジニアリングプラスチックやセラミックなどの非導電性材料で形成された板体などを使用することができる。
【００２５】
本体部１２０は、複数のＰ型熱電薄膜素子１２１、複数のＮ型熱電薄膜素子１２２および複数の電極部１２３，１２４を備えている。各Ｐ型熱電薄膜素子１２１および各Ｎ型熱電薄膜素子１２２（以下、総称して「熱電薄膜素子１２１，１２２」ともいう）は、後述する熱電薄膜素子製造方法に従って薄膜状に形成されることで量子井戸構造に形成された熱電素子であって、一例として、支持基板１１０の表面に沿った第１の方向（矢印Ｘの方向）に沿って長い長尺帯状（一例として、長さ：２０ｍｍ、幅：２ｍｍの長尺平板状）に形成されている。なお、熱電薄膜素子１２１，１２２における長尺方向の長さ、短尺方向の長さ（幅）および厚み等については、熱電モジュール１００に求められる仕様に応じて、長尺方向の長さが８〜４５ｍｍ程度の範囲内、短尺方向の長さ（幅）が１〜８ｍｍ程度の範囲内、厚みが０．１〜１．０μｍ程度の範囲内で適宜規定される。
【００２６】
Ｐ型熱電薄膜素子１２１は、図２に示すように、一例として、ＳｉＧｅ（８０：２０ａｔ％）にドーパントとしてＢを含有させた薄膜２２と、Ｓｉの薄膜２３とが交互に積層された積層体を所望の形状に切断して製造されている。Ｎ型熱電薄膜素子１２２は、一例として、ＳｉＧｅ（８０：２０ａｔ％）にドーパントとしてＳｂを含有させた薄膜２２ａと、Ｓｉの薄膜２３とが交互に積層された積層体を所望の形状に切断して製造されている。なお、熱電薄膜素子１２１，１２２を構成する「薄膜」は上記の薄膜２２（２２ａ），２３の構成に限定されるものではなく、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｂｉ、ＰｂＴｅなどの各種半導体材料のうちの１つにドーパントとしてＰ、Ｓｂ、Ｎ、Ｂのいずれかを含有させて成膜した薄膜と、上記の各種半導体材料のうちの他の１つで成膜した薄膜とを交互に積層した積層体を所望の形状に切断して製造することができる。
【００２７】
この場合、この熱電モジュール１００では、各熱電薄膜素子１２１，１２２が、上記の第１の方向と交差する第２の方向（この例では、図４に示す矢印Ｙの方向：第１の方向である矢印Ｘの方向と直交する方向）に沿って交互に並んだ状態で支持基板１１０の一面側（図３における上面側）に配設されて、電極部１２３，１２４およびスペーサ１３０によって支持されている。また、各熱電薄膜素子１２１，１２２は、電極部１２３，１２４によって交互に直列接続されている。
【００２８】
電極部１２３は、支持基板１１０の第１の方向における両端部のうちの一方の側（この例では、図３，４における左方側）において熱電薄膜素子１２１，１２２における一方の側の端部（この例では、両図における左方側の端部）を相互に電気的に接続する。電極部１２４は、支持基板１１０の第１の方向における両端部のうちの他方の側（この例では、図３，４における右方側）において熱電薄膜素子１２１，１２２における他方の側の端部（この例では、両図における右方側の端部）を相互に電気的に接続する。この電極部１２３，１２４は、一例として、ＣｕやＡｕ等の導電性材料によって厚み１ｍｍ程度の平面視矩形状に形成されている。
【００２９】
この場合、この熱電モジュール１００では、導電性を有する接着剤によって電極部１２３が熱電薄膜素子１２１，１２２および支持基板１１０の双方に固定的に接着され（固着され）、かつ、導電性を有する接着剤によって電極部１２４が熱電薄膜素子１２１，１２２に固定的に接着されると共に（固着されると共に）支持基板１１０に対する第１の方向（同図における矢印Ｘの方向）に沿った摺動を許容された状態で支持基板１１０によって支持されている。なお、電極部１２３，１２４や、後述する電極部１２５の固着については、接着剤による接着に代えて、熱溶着によって固着させることもできる。
【００３０】
また、図４に示すように、この熱電モジュール１００では、電極部１２３，１２４によって交互に直列接続された熱電薄膜素子１２１，１２２における直列接続の両端部に電極部１２５がそれぞれ接続されると共に、支持基板１１０の一端側（この例では、同図における左端側）に取り付けられた出力端子１２６と、上記の電極部１２５とが接続用導体１２７を介して相互に電気的に接続されている。この場合、上記の電極部１２５は、上記の電極部１２３，１２４と同様にして、一例として、ＣｕやＡｕ等の導電性材料で厚み１ｍｍ程度に形成されている。
【００３１】
スペーサ１３０は、図３に示すように、熱電薄膜素子１２１，１２２と支持基板１１０との間に配設されて熱電薄膜素子１２１，１２２の第１の方向に沿った摺動を許容しつつ、熱電薄膜素子１２１，１２２を支持可能に構成されている。このスペーサ１３０は、一例として、エンジニアリングプラスチックやセラミックなどの非導電性材料によって電極部１２３，１２４と同等の厚み１ｍｍ程度の平板状に形成されている。ケーシング１４０は、支持基板１１０上に形成された本体部１２０を保護するための筐体であって、厚み１ｍｍ程度のエンジニアリングプラスチック等の耐熱性材料で全体として底面開口の箱形に形成されている。
【００３２】
この場合、上記の熱電モジュール１００における両熱電薄膜素子１２１，１２２を製造するための熱電薄膜素子製造用中間体２０（以下、単に「中間体２０」ともいう）は、図２に示すように、一例として、ＳＯＩで構成された厚み０．６ｍｍ程度の製造用支持基板２１（「支持基板」の一例）の上に、上記の薄膜２２（２２ａ）および薄膜２３（「熱電薄膜素子を構成する複数の薄膜」の一例）が交互に積層されて構成されている。なお、同図では、中間体２０の構成についての理解を容易とするために、６層の薄膜２２（２２ａ）および６層の薄膜２３が交互に積層されている状態を図示しているが、実際の中間体２０では、さらに多層の薄膜２２（２２ａ）および薄膜２３が交互に積層されている。具体的には、一例として、厚み５ｎｍ程度の薄膜２２（２２ａ）および厚み５ｎｍ程度の薄膜２３が交互に形成されて、計４０層程度の薄膜２２（２２ａ），２３の積層体が製造用支持基板２１の上に形成されている。
【００３３】
一方、研削装置１は、いわゆる「ラッピング研磨装置」であって、図１に示すように、定盤２、モータ３、保持具４、検出用部材５、上下動機構６、測定部７、スラリー供給部８および制御部９を備えて構成されている。定盤２は、「研削用定盤」に相当し、本例では、一例として、直径３５０ｍｍの錫（Ｓｎ）製のラップ定盤で構成されている。モータ３は、制御部９からの制御信号Ｓ２に従い、定盤２を定速回転させる。保持具４は、後述するように保護膜２５が形成された状態の中間体２０を保持可能に構成されると共に、図６に示すように、検出用部材５，５を取り付け可能に構成されている。
【００３４】
検出用部材５は、「研削量検出用部材」に相当し、図５に示すように、一例として、酸化アルミニウム（アルミナ）で形成された母材１１に、金（Ａｕ）によって４つのリード１２が形成されると共に、隣接する一対のリード１２，１２の間に「研削量検出用導体」に相当する検出用導体１３がステンレススチールによって形成されて、全体として直方体に形成されている。なお、同図では、検出用部材５の構成に関する理解を容易にするために、各リード１２や両検出用導体１３における各部の寸法の関係を実際の寸法とは相違する比率で図示している。この場合、各リード１２における上端部には、信号ケーブル７ａ（図１参照）を接続するためのパッドが金（Ａｕ）によって形成されている。なお、リード１２や検出用導体１３を形成するための導体は、金やステンレススチールに限定されず、検出用導体１３の抵抗値がリード１２の抵抗値よりも大きいとの条件を満たす範囲内において、任意の金属材料または半金属材料で形成することができる。
【００３５】
この検出用部材５は、一対のリード１２，１２および検出用導体１３で構成されたセンサ部１５ａと、他の一対のリード１２，１２および他の検出用導体１３で構成されたセンサ部１５ｂとの２組のセンサ部を備えている。この場合、一例として、センサ部１５ａは、両リード１２，１２間の抵抗値（未使用時における初期抵抗）が１０Ω程度となるように、検出用導体１３の幅（両リード１２，１２間の距離）が１ｍｍで、高さが０．５ｍｍで、厚みが０．５μｍとなるように形成され、センサ部１５ｂは、両リード１２，１２間の抵抗値（未使用時における初期抵抗）が２０Ω程度となるように、検出用導体１３の幅が２ｍｍで、高さが０．５ｍｍで、厚みが０．５μｍとなるように形成されている。
【００３６】
上下動機構６は、制御部９からの制御信号Ｓ４に従い、保持具４を上下動させることによって中間体２０および検出用部材５，５を定盤２に対して接離動させる。この場合、上下動機構６は、定盤２の処理面Ｆ２に対する保持具４の傾きを微調整することができるように構成されている。測定部７は、図１に示すように、信号ケーブル７ａを介して検出用部材５の各リード１２に接続されると共に、制御部９からの制御信号Ｓ３に従い、検出用部材５における各検出用導体１３の抵抗値（各センサ部１５ａ，１５ｂ毎の一対のリード１２間の抵抗値）を測定して、その測定結果を測定結果データＤとして制御部９に出力する。スラリー供給部８は、制御部９からの制御信号Ｓ１に従い、ノズル８ａを介して定盤２の処理面Ｆ２（図６，８，９等を参照）に研磨用のスラリーや、スラリー希釈用のオイルを供給する。本例では、一例として、平均粒径が１μｍ〜１／４μｍのダイヤモンド粒体を含有するダイヤモンドスラリー（１／４μスラリー、１／２μスラリー、および１μスラリー等）を使用する。
【００３７】
制御部９は、研削装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部９は、スラリー供給部８に対して制御信号Ｓ１を出力することにより、定盤２の処理面Ｆ２に研磨用のスラリーを供給させる。また、制御部９は、モータ３に対して制御信号Ｓ２を出力することによって定盤２を定速回転させると共に、測定部７に対して制御信号Ｓ３を出力することによって抵抗値の測定処理を実行させる。さらに、制御部９は、上下動機構６に対して制御信号Ｓ４を出力することにより、保持具４を定盤２の処理面Ｆ２に対して接近させて中間体２０および検出用部材５，５を処理面Ｆ２に押し付けさせる（「研削処理」を開始させる）。また、制御部９は、測定部７からの測定結果データＤを解析することにより、保持具４（中間体２０および検出用部材５，５）に傾きが生じていると判別したときに、上下動機構６に制御信号Ｓ４を出力して、その傾きを補正する。さらに、制御部９は、両検出用部材５，５における各センサ部１５ａ，１５ｂ毎の検出用導体１３の抵抗値が予め規定された抵抗値となったときに、上下動機構６に対して制御信号Ｓ４を出力することにより、保持具４を定盤２の処理面Ｆ２に対する離間方向に移動させて中間体２０および検出用部材５，５を処理面Ｆ２から離間させる（「研削処理」を終了させる）。
【００３８】
次に、熱電モジュール１００の製造方法について、添付図面を参照して説明する。
【００３９】
熱電モジュール１００の製造に際しては、まず、上記の熱電薄膜素子１２１，１２２を製造する。この熱電薄膜素子１２１，１２２の製造に際しては、図２に示す中間体２０を製作する。具体的には、一例として、直径６インチの製造用支持基板２１をスパッタリング装置にセットして、この製造用支持基板２１の表面に薄膜２２および薄膜２３を交互の形成してＰ型熱電薄膜素子１２１用の中間体２０を製作すると共に、製造用支持基板２１の表面に薄膜２２ａおよび薄膜２３を交互の形成してＮ型熱電薄膜素子１２２用の中間体２０を製作する。次いで、図示しない切断装置に中間体２０をセットして、幅２ｍｍ、長さ２０ｍｍの複数の小片を切り出す。以下、切り出した小片を「中間体２０」という。続いて、中間体２０における製造用支持基板２１とは反対側の面（製造用支持基板２１上に形成した薄膜２２（２２ａ），２３の積層体の表面：この例では、最後に成膜した薄膜２３の表面）に、アクリル系樹脂材料で構成された接着剤によって厚み２ｍｍ程度のガラス製の保護膜２５を貼付する。
【００４０】
次いで、図６，７に示すように、製造用支持基板２１を下向きにして中間体２０を保持具４に保持させる。具体的には、一例として、中間体２０に貼付した保護膜２５の表面と保持具４の下面との間に熱可逆性接着剤を溶融塗布して保持具４に中間体２０（保護膜２５および中間体２０）を貼付する。なお、図６，７および後に参照する図８〜１２では、研削方法についての理解を容易とするために、中間体２０や保持具４および検出用部材５，５における各部の寸法を実際の寸法とは相違する比率で図示している。続いて、保持具４によって保持された中間体２０における長手方向の一端部側および他端部側（この例では、両図における左端部側および右端部側）に検出用部材５が位置するように、両検出用部材５，５を保持具４に取り付ける。この際には、図６に示すように、両検出用部材５，５において研削処理時に定盤２側（この例では、下側）に位置する端面Ｆ５が、製造用支持基板２１における各薄膜２２（２２ａ），２３側とは反対側の一面（この例では、下面：以下、「製造用支持基板２１の表面」ともいう）よりも、製造用支持基板２１における各薄膜２２（２２ａ），２３側の一面（以下、「製造用支持基板２１の裏面」ともいう）寄りに位置すると共に、図７に示すように、中間体２０における長手方向の一端部側および他端部側にそれぞれ２つの検出用導体１３が位置するように両検出用部材５，５を保持具４に取り付ける。
【００４１】
続いて、一例として、レーザー変位計を用いて、製造用支持基板２１の表面と、両検出用部材５，５の端面Ｆ５との中間体２０の厚み方向に沿った離間距離（図６に示す距離Ｌ）が、予め規定された距離となっているかを測定する。この際に、測定された距離Ｌが規定された距離とは相違する距離となっていたときには、一例として、保持具４から検出用部材５を取り外して再装着する。また、測定された距離Ｌが規定された距離となっているときには、信号ケーブル７ａを介して両検出用部材５，５の各リード１２を測定部７にそれぞれ接続する。なお、測定された距離Ｌが規定された距離とは相違する距離となっていたときに、測定された距離Ｌを研削装置１に数値入力することにより、後述する研削処理と並行して実行される測定処理の値を補正する方法を採用することもできる。
【００４２】
次いで、研削装置１の図示しない操作部を操作して、定盤２の処理面Ｆ２に研磨用のスラリーをチャージする。この際には、スラリー供給部８が、制御部９からの制御信号Ｓ１に従い、研磨用のスラリーおよび炭化水素系オイルを処理面Ｆ２に滴下する。次いで、酸化アルミニウムで形成されたリング状の治具（図示せず）を定盤２の処理面Ｆ２に載置した状態において、定盤２を回転させる。この際には、定盤２がモータ３によって回転させられることにより、上記の治具が処理面Ｆ２上で回転しつつ、滴下されたスラリーやオイルを均すようにして処理面Ｆ２の溝部にスラリーとオイルとの混合物をエンベッドする。これにより、研削処理の準備作業が完了する。
【００４３】
続いて、図示しない操作部を操作して研削処理を開始させる。この際に、制御部９は、モータ３に対して制御信号Ｓ２を出力することで定盤２を定速回転させると共に、上下動機構６に対して制御信号Ｓ４を出力することで、定盤２の処理面Ｆ２に向けて保持具４（中間体２０および両検出用部材５，５）を接近させる。また、制御部９は、測定部７に対して制御信号Ｓ３を出力することにより、両検出用部材５，５のセンサ部１５ａ，１５ｂにおける各検出用導体１３の抵抗値の測定処理を開始させる。この場合、本例では、両検出用部材５，５において研削処理時に定盤２側に位置する端面Ｆ５が、製造用支持基板２１の表面よりも、製造用支持基板２１の裏面寄りに位置するように両検出用部材５，５が保持具４に取り付けられている。したがって、上下動機構６によって保持具４が定盤２に向けて接近させられたときには、図６に示すように、まず、中間体２０における製造用支持基板２１の表面が定盤２の処理面Ｆ２に当接する。
【００４４】
この際には、モータ３によって定盤２が回転させられているため、保持具４によって保持されている中間体２０（製造用支持基板２１）が定盤２に対して相対的に摺動させられる。これにより、中間体２０における製造用支持基板２１が研削（ラッピング）されて徐々に薄厚化される。なお、この時点においては、両検出用部材５，５が定盤２の処理面Ｆ２に接していないため、中間体２０における製造用支持基板２１だけが研削される。このため、測定部７によって、各検出用導体１３の初期抵抗値がそれぞれ測定されて、制御部９は、測定部７からの測定結果データＤに基づき、両検出用部材５，５（各検出用導体１３）が研削されていないと判別する。
【００４５】
一方、製造用支持基板２１に対する研削処理が進行して、上記の距離Ｌ分だけ製造用支持基板２１が研削されたときには、図８に示すように、保持具４に取り付けられている両検出用部材５，５の端面Ｆ５が定盤２の処理面Ｆ２に当接する。したがって、両検出用部材５，５の端面Ｆ５が定盤２の処理面Ｆ２に当接した時点以降においては、製造用支持基板２１だけでなく、両検出用部材５，５が製造用支持基板２１と共に研削される。この際に、製造用支持基板２１と共に両検出用部材５，５が研削されるのに伴い、両検出用部材５，５における各検出用導体１３の高さ方向の長さが徐々に短くなる。したがって、製造用支持基板２１および両検出用部材５，５に対する研削処理が進行するにつれて、測定部７によって測定される各検出用導体１３の抵抗値が徐々に大きくなる。
【００４６】
この場合、製造用支持基板２１の長手方向（図８等における左右方向）に傾きが生じているとき、例えば長手方向における右側の方に傾いたときには、一方の（左側の）検出用部材５における検出用導体１３の研削量よりも、他方の（右側の）検出用部材５における検出用導体１３の研削量の方が多くなる。このため、一方の検出用部材５における検出用導体１３の抵抗値の変化量よりも、他方の検出用部材５における検出用導体１３の抵抗値の変化量の方が多くなるため、測定部７から出力される測定結果データＤをモニタリングすることで、製造用支持基板２１の長手方向に傾きが生じているか否かを判別することができる。同様にして、製造用支持基板２１の幅方向（図７等における上下方向）に傾きが生じているとき、例えば幅方向における同図で手前側の方に傾いたときには、両検出用部材５，５における一方の検出用導体１３（この例ではセンサ部１５ａ）の研削量よりも、他方の検出用導体１３（この例ではセンサ部１５ｂ）の研削量の方が多くなる。このため、一方の検出用導体１３の抵抗値の変化量よりも、他方の検出用導体１３の抵抗値の変化量の方が多くなるため、測定部７から出力される測定結果データＤをモニタリングすることで、製造用支持基板２１の幅方向（に傾きが生じているか否かを判別することができる。
【００４７】
したがって、制御部９は、測定部７からの測定結果データＤに基づき、中間体２０（製造用支持基板２１）に傾きが生じていると判別したときには、上下動機構６に対して制御信号Ｓ４を出力することにより、保持具４の傾きを修正させる（「一端部側および他端部側に対する研削条件を調整する」との処理の一例）。これにより、定盤２の処理面Ｆ２に対して製造用支持基板２１の裏面（製造用支持基板２１と各薄膜２２（２２ａ），２３の積層体との界面）が平行な状態が維持されて、製造用支持基板２１および両検出用部材５，５が徐々に研削される。
【００４８】
一方、制御部９は、測定部７から出力される測定結果データＤに基づき、両検出用部材５，５におけるセンサ部１５ａの検出用導体１３の抵抗値が例えば１０．７Ωで、両検出用部材５，５におけるセンサ部１５ｂの検出用導体１３の抵抗値が例えば２１．４Ωとなったときに、モータ３に対して制御信号Ｓ２を出力することにより、定盤２の回転速度を低下させる。また、制御部９は、図９に示すように、製造用支持基板２１が十分に研削されて、両検出用部材５，５におけるセンサ部１５ａの検出用導体１３の抵抗値が例えば１１．０Ωで、両検出用部材５，５におけるセンサ部１５ｂの検出用導体１３の抵抗値が例えば２２．０Ωとなったときに（「予め規定された抵抗値が測定されたとき」との状態の一例）、上下動機構６に対して制御信号Ｓ４を出力して保持具４を定盤２から離間させると共に、モータ３に対して制御信号Ｓ２を出力して停止させる。これにより、「研削処理」が完了する。なお、上記の１０．７Ω、２１．４Ωや、１１．０Ω、２２．０Ω等の各基準抵抗値については、製造用支持基板２１に対する研削処理の進行度合い（製造用支持基板２１の残量）と、検出用部材５に対する研削処理の進行度合い（各検出用導体１３の残量）とに基づいて予め取得されている。
【００４９】
次いで、保護膜２５が貼付された中間体２０を保護膜２５と共に保持具４から取り外した後に、アクリル系樹脂材料で構成された接着剤を溶融可能な溶剤に浸す。この際には、接着剤が溶融されることにより、中間体２０から保護膜２５が剥離される。これにより、熱電薄膜素子１２１，１２２が完成する。なお、熱電薄膜素子１２１，１２２の製造（製造用支持基板２１の研削）に際して使用した検出用部材５については、図１０に示すように、他の中間体２０を研削する際に、未使用時よりもやや下方寄りとなるように保持具４に取り付けることで再利用される。
【００５０】
この場合、上記の一連の製造方法に従って製造した熱電薄膜素子１２１，１２２について、その長さ方向の各部の厚みを測定したところ、いずれも０．２２μｍ程度でほぼ均一となっていた。したがって、上記の製造方法に従って製造用支持基板２１を研削することで、最終的に残存する製造用支持基板２１の厚みを長手方向の各部において０．０２μｍ程度とすることができる。
【００５１】
次いで、例えばＣｕの板体を所望のサイズに切断することにより、電極部１２３〜１２５を製造する。続いて、支持基板１１０上の予め規定された位置に接着剤によって各電極部１２３，１２５およびスペーサ１３０を接着すると共に、支持基板１１０上の予め規定された位置に各電極部１２４を配置した状態において、各熱電薄膜素子１２１，１２２を電極部１２３〜１２５の表面に接着剤によって接着する。これにより、電極部１２３が熱電薄膜素子１２１，１２２と支持基板１１０との双方に接着剤によって固定的に接着され、かつ、電極部１２４が熱電薄膜素子１２１，１２２に接着剤によって固定的に接着されると共に支持基板１１０に対する第１の方向（図３，４における矢印Ｘの方向）に沿った摺動を許容された状態で支持基板１１０によって支持された状態となり、支持基板１１０の上に本体部１２０が形成される。この後、電極部１２５と出力端子１２６とを接続用導体１２７によって接続すると共に、本体部１２０を覆うようにして支持基板１１０にケーシング１４０を取り付けることにより、図３，４に示すように、熱電モジュール１００が完成する。
【００５２】
この熱電モジュール１００の使用に際しては、両出力端子１２６，１２６を図示しない接続用ケーブルによって電流供給対象体に接続した状態において、一例として、出力端子１２６，１２６が設けられている側の端部（電極部１２３によって熱電薄膜素子１２１，１２２が相互に接続されている側の端部）を熱源に接近させ、かつ、出力端子１２６，１２６が設けられていない側の端部（電極部１２４によって熱電薄膜素子１２１，１２２が相互に接続されている側の端部）を大気中に突出させる。この場合、出力端子１２６，１２６が設けられていない側の端部を熱源に接近させ、かつ、出力端子１２６，１２６が設けられている側の端部を大気中に突出させてもよい。これにより、熱電モジュール１００における熱源側の端部が加熱されて、熱源側の端部と、大気中に突出させられている側の端部との間に温度差が生じる結果、ゼーベック効果によって本体部１２０において電位差が生じて出力端子１２６，１２６から電流供給対象体に電流が出力される。なお、上記のゼーベック効果については公知のため、その詳細な説明を省略する。
【００５３】
この場合、この熱電モジュール１００では、前述したように、熱電薄膜素子１２１，１２２に残存している製造用支持基板２１の厚みが十分に薄厚となっている。このため、この熱電モジュール１００では、各熱電薄膜素子１２１，１２２の一端部が加熱（または冷却）されたときに、この熱が、製造用支持基板２１によって各熱電薄膜素子１２１，１２２の他端部側に短時間で伝熱される事態が回避される。これにより、各熱電薄膜素子１２１，１２２の両端部間に生じた温度差が短時間で平均化される事態が回避される。
【００５４】
このように、この研削装置１による熱電薄膜素子１２１，１２２の製造方法によれば、製造用支持基板２１と共に研削されることによって抵抗値が変化する検出用導体１３を有する検出用部材５を保持具４に配設すると共に、検出用導体１３の抵抗値を測定する測定処理を実行しつつ、研削処理において中間体２０および検出用部材５に対する研削を実行し、測定処理において予め規定された抵抗値が測定されたときに研削処理を終了することにより、研削処理時間を管理して製造用支持基板２１を研削する方法とは異なり、中間体２０に対する研削処理の進行に応じて中間体２０と共に研削される検出用部材５，５を介して取得した情報（検出用導体１３の抵抗値）に基づいて、中間体２０に対する研削処理の終了のタイミングを特定することができる結果、薄膜２２（２２ａ），２３の積層体を誤って研削することなく、熱伝導率が高い製造用支持基板２１を十分に薄厚化することができる。これにより、この製造方法に従って製造した熱電薄膜素子１２１，１２２を搭載した熱電モジュール１００の熱電特性を十分に向上させることができる。
【００５５】
また、この研削装置１による熱電薄膜素子１２１，１２２の製造方法によれば、長尺帯状の中間体２０における長手方向の一端部側および他端部側にそれぞれ１つ以上（この例では、それぞれ２つ）の検出用導体１３が位置するように複数の検出用部材５を保持具４に配設し、測定処理によって測定される各検出用導体１３の抵抗値に応じて中間体２０における一端部側および他端部側に対する研削条件を調整することにより、中間体２０の一端部側に対する研削量と他端部側に対する研削量とが相違する事態を回避して、製造用支持基板２１の長手方向の全域に対して同じ厚みとなるように均一に研削することができる。
【００５６】
さらに、この研削装置１による熱電薄膜素子１２１，１２２の製造方法によれば、中間体２０における製造用支持基板２１とは反対側の面に保護膜２５を設けた状態において研削処理を実行することにより、製造用支持基板２１を研削することで薄膜２２（２２ａ），２３の積層体が薄厚となる中間体２０を保持具４から取り外すときや、研削処理が完了した中間体２０を、次の作業位置まで搬送するときなどに、この中間体２０が破損する事態を回避することができる。
【００５７】
また、この研削装置１による熱電薄膜素子１２１，１２２の製造方法によれば、検出用部材５における研削処理時に定盤２側に位置する端面Ｆ５が、製造用支持基板２１における各薄膜２２（２２ａ），２３側とは反対側の一面よりも製造用支持基板２１における各薄膜２２（２２ａ），２３側の一面寄りに位置するように検出用部材５を保持具４に配設することにより、中間体２０（製造用支持基板２１）に対する研削処理の開始時点において両検出用部材５，５を研削することなく、製造用支持基板２１だけを研削することができるため、定盤２の処理面Ｆ２にチャージしたスラリー等が、製造用支持基板２１の研削を完了する前に、検出用部材５の研削屑によって汚濁した状態となるのを回避することができると共に、一回の研削処理当りの検出用部材５の研削量を少なくすることができるため、検出用部材５を複数回に亘って再利用することができる結果、熱電薄膜素子１２１，１２２の製造コストを十分に低減することができる。
【００５８】
なお、「熱電薄膜素子製造方法」は、上記の研削装置１による熱電薄膜素子１２１，１２２の製造方法に限定されない。例えば、両検出用部材５，５の端面Ｆ５が、製造用支持基板２１の表面よりも製造用支持基板２１の裏面寄りに位置するように（検出用部材５の端面Ｆ５と製造用支持基板２１の表面とが中間体２０の厚み方向で距離Ｌだけ離間するように）保持具４に対して検出用部材５，５を取り付ける例について説明したが、図１１に示すように、両検出用部材５，５の端面Ｆ５が、製造用支持基板２１の表面と面一となるように保持具４に対して検出用部材５，５を取り付けたり、図１２に示すように、両検出用部材５，５の端面Ｆ５側の端部が、製造用支持基板２１の表面から突出するように保持具４に対して検出用部材５，５を取り付けたりすることもできる。このような取り付け方法を採用した場合においても、前述した熱電薄膜素子１２１，１２２の製造方法と同様にして、研削処理に際して各検出用部材５における検出用導体１３の抵抗値をモニタリングすることで、製造用支持基板２１を十分に薄厚化することができる。
【００５９】
また、長尺帯状の中間体２０における長手方向の一端部側および他端部側にそれぞれ２つの検出用導体１３が位置するように２つの検出用部材５を保持具４に配設した例について説明したが、図１３に示すように、長尺帯状の中間体２０における長手方向の一端部側および他端部側にそれぞれ１つの検出用導体１３が位置すると共に、中間体２０における幅方向の一端部側および他端部側にそれぞれ１つの検出用導体１３が位置するように４つの検出用部材５ａを保持具４に配設した状態で研削処理を実行することもできる。この場合、検出用部材５ａは、「研削量検出用部材」の他の一例であって、１つの検出用導体１３を備えて１つのセンサ部１５が構成されている。なお、この検出用部材５ａは、１つの検出用導体１３を備えて構成されている点を除き、前述した検出用部材５と同様に構成されているため、この検出用部材５ａについての詳細な説明を省略する。このように各検出用部材５ａを保持具４に取り付けた状態においても、前述した熱電薄膜素子１２１，１２２の製造方法と同様にして、研削処理に際して各検出用部材５ａにおける検出用導体１３の抵抗値をモニタリングすることで、製造用支持基板２１の各部における研削量にばらつきが生じる事態を回避することができる。
【００６０】
さらに、「研削用定盤に対して熱電薄膜素子製造用中間体を相対的に摺動させる」との処理の一例として、中間体２０や検出用部材５（５ａ）を処理位置に位置させた状態において定盤２を回転させる例について説明したが、停止させた状態の「研削用定盤」に対して「熱電薄膜素子製造用中間体」や「研削量検出用部材」を移動させて相対的に摺動させる方法を採用することもできるし、「研削用定盤」と「熱電薄膜素子製造用中間体」および「研削量検出用部材」との双方を互いに移動させて相対的に摺動させる方法を採用することもできる。これらの方法を採用した場合においても、上記の熱電薄膜素子１２１，１２２の製造方法と同様の効果を奏することができる。
【００６１】
また、製造用支持基板２１の研削が完了した中間体２０から保護膜２５を剥離して熱電薄膜素子１２１，１２２とする製造方法を例に挙げて説明したが、例えば、上記の例における保護膜２５のように、「熱電薄膜素子の熱電特性」に与える影響が小さい材料（熱伝導率が低い材料：例えば、ガラス、サファイヤＡｌ２Ｏ３）で形成した「保護膜」である限り、「熱電薄膜素子製造用中間体」から剥離することなく、その「保護膜」を「熱電薄膜素子」の一部として残すこともできる。この場合、研削処理に際して設ける「保護膜」は、研削対象の「支持基板」とは異なり、「その熱伝導率が、成膜する各薄膜の熱伝導率以下の材料で形成されている」との条件を他の条件に優先させて形成し、この形成した「保護膜」を残したとしても、この「保護膜」の存在に起因して「熱電薄膜素子」の両端部に生じた温度差が短時間で平均化される事態、つまり、その「熱電薄膜素子」を搭載した熱電モジュールの熱電特性の向上が妨げられる事態を好適に回避することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１  研削装置
２  定盤
３  モータ
４  保持具
５，５ａ  検出用部材
６  上下動機構
７  測定部
８  スラリー供給部
９  制御部
１１  母材
１２  リード
１３  検出用導体
１５，１５ａ，１５ｂ  センサ部
２０  熱電薄膜素子製造用中間体
２１  製造用支持基板
２２，２２ａ，２３  薄膜
２５  保護膜
１００  熱電モジュール
１２１  Ｐ型熱電薄膜素子
１２２  Ｎ型熱電薄膜素子
Ｄ  測定結果データ
Ｆ２  処理面
Ｆ５  端面
Ｌ  距離
【図１】
0005640650.tif 000002
【図２】
0005640650.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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