(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダと、前記ヘッドスライダが搭載されるアームとを備えたヘッドジンバルアセンブリであって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果素子と、書込用の誘導型電磁変換素子と、通電されることにより発熱するヒータと、を備え、
前記ヘッドスライダは、前記磁気抵抗効果素子に通電するための第１素子用電極パッドと、前記誘導型電磁変換素子に通電するための第２素子用電極パッドと、前記ヒータに通電するためのヒータ用電極パッドとを同一面に備え、
前記ヒータ用電極パッドは、前記第１及び第２素子用電極パッドの群の両側に位置し、
前記第１素子用電極パッド、前記第２素子用電極パッド及び前記ヒータ用電極パッドに接続される通電用の配線は、前記電極パッドが備えられた面から折り返され、前記ヘッドスライダの周囲を回り込んで前記アームの基端側へ伸長しており、
前記電極パッドが備えられた面と前記アームの基端との間の領域において、前記ヒータ用電極パッドの配線が、前記第１素子用電極パッドの配線と前記第２素子用電極パッドの配線との間に位置していることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２】
薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダと、前記ヘッドスライダが搭載されるアームとを備えたヘッドジンバルアセンブリを有するハードディスク装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果素子と、書込用の誘導型電磁変換素子と、通電されることにより発熱するヒータと、を備え、
前記ヘッドスライダは、前記磁気抵抗効果素子に通電するための第１素子用電極パッドと、前記誘導型電磁変換素子に通電するための第２素子用電極パッドと、前記ヒータに通電するためのヒータ用電極パッドとを同一面に備え、
前記ヒータ用電極パッドは、前記第１及び第２素子用電極パッドの群の両側に位置し、
前記第１素子用電極パッド、前記第２素子用電極パッド及び前記ヒータ用電極パッドに接続される通電用の配線は、前記電極パッドが備えられた面から折り返され、前記ヘッドスライダの周囲を回り込んで前記アームの基端側へ伸長しており、
前記電極パッドが備えられた面と前記アームの基端との間の領域において、前記ヒータ用電極パッドの配線が、前記第１素子用電極パッドの配線と前記第２素子用電極パッドの配線との間に位置していることを特徴とするハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子と誘導型電磁変換素子とを備えた薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ヘッドジンバルアセンブリは、薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダをサスペンションに接続されたジンバルに搭載して構成される。ヘッドスライダにおけるジンバルの先端側に位置する面には、薄膜磁気ヘッドに備えられた再生用の磁気抵抗効果素子と書込用の誘導型電磁変換素子とに通電するための複数の電極パッドが設けられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
上記の電極パッドには、電気信号を入出力するための配線の一端が接続されている。この配線は、ヘッドスライダの周囲のジンバル上を這ってサスペンションの基端まで伸長しており、他端が磁気ディスクドライブ装置の信号端子に接続されている。再生用の磁気抵抗効果素子の配線には、一定の電流（センス電流）が常時供給されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−１１１０１５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のヘッドジンバルアセンブリでは、磁気抵抗効果素子の配線と誘導型電磁変換素子の配線とがジンバル上で並列に這わされているため、誘導型電磁変換素子の配線に電流を供給した場合、磁気抵抗効果素子の配線にノイズが乗る現象、すなわちクロストークを引き起こしてしまう虞がある。
【０００６】
本発明の目的は、磁気抵抗効果素子の配線と誘導型電磁変換素子の配線との間におけるクロストークを防止することができるヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダと、ヘッドスライダが搭載されるアームとを備えたヘッドジンバルアセンブリであって、薄膜磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果素子と、書込用の誘導型電磁変換素子と、通電されることにより発熱するヒータと、を備え、ヘッドスライダは、磁気抵抗効果素子に通電するための第１素子用電極パッドと、誘導型電磁変換素子に通電するための第２素子用電極パッドと、ヒータに通電するためのヒータ用電極パッドとを同一面に備え、ヒータ用電極パッドは、第１及び第２素子用電極パッドの群の両側に位置し、第１素子用電極パッド、第２素子用電極パッド及びヒータ用電極パッドに接続される通電用の配線は、電極パッドが備えられた面から折り返され、ヘッドスライダの周囲を回り込んでアームの基端側へ伸長しており、電極パッドが備えられた面とアームの基端との間の領域において、ヒータ用電極パッドの配線が、第１素子用電極パッドの配線と第２素子用電極パッドの配線との間に位置していることを特徴としている。
【００１１】
本発明のヘッドジンバルアセンブリでは、ヘッドスライダの同一面内において、ヒータ用電極パッドが、磁気抵抗効果素子用の第１素子用電極パッド及び誘導型電磁変換素子用の第２素子用電極パッドよりも外側に配されている。これらの電極パッドに接続される配線は、アームの先端側から折り返されてヘッドスライダの周囲を回り込み、アームの基端側へと這わされる。この際、２本のヒータの配線がスライダを挟むようにする。従って、ヒータ用電極パッドに接続された配線は、第１素子用電極パッドに接続された配線と第２誘導素子用電極パッドに接続された配線との間に位置することとなる。これにより、誘導型電磁変換素子の配線と磁気抵抗効果素子の配線との間がヒータの配線によって隔てられるため、誘導型電磁変換素子の配線に電流が供給された場合でも、磁気抵抗効果素子の配線へのクロストークを防止することができる。
【００１３】
また、本発明のハードディスク装置は、薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダと、ヘッドスライダが搭載されるアームとを備えたヘッドジンバルアセンブリを有するハードディスク装置であって、薄膜磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果素子と、書込用の誘導型電磁変換素子と、通電されることにより発熱するヒータと、を備え、ヘッドスライダは、磁気抵抗効果素子に通電するための第１素子用電極パッドと、誘導型電磁変換素子に通電するための第２素子用電極パッドと、ヒータに通電するためのヒータ用電極パッドとを同一面に備え、ヒータ用電極パッドは、第１及び第２素子用電極パッドの群の両側に位置し、第１素子用電極パッド、第２素子用電極パッド及びヒータ用電極パッドに接続される通電用の配線は、電極パッドが備えられた面から折り返され、ヘッドスライダの周囲を回り込んでアームの基端側へ伸長しており、電極パッドが備えられた面とアームの基端との間の領域において、ヒータ用電極パッドの配線が、第１素子用電極パッドの配線と第２素子用電極パッドの配線との間に位置していることを特徴としている。
【００１４】
本発明のハードディスク装置では、ヘッドスライダの同一面内において、ヒータ用電極パッドが、磁気抵抗効果素子用の第１素子用電極パッド及び誘導型電磁変換素子用の第２素子用電極パッドよりも外側に配されている。これらの電極パッドに接続される配線は、アームの先端側から折り返されてヘッドスライダの周囲を回り込み、アームの基端側へと這わされる。この際、２本のヒータの配線がスライダを挟むようにする。従って、ヒータ用電極パッドに接続された配線は、第１素子用電極パッドに接続された配線と第２素子用電極パッドに接続された配線との間に位置することとなる。これにより、誘導型電磁変換素子の配線と磁気抵抗効果素子の配線との間がヒータの配線によって隔てられるため、誘導型電磁変換素子の配線に電流が供給された場合でも、磁気抵抗効果素子の配線へのクロストークを防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００１６】
図１は、本実施形態のヘッドスライダを備えたハードディスク装置を示す図であり、図２は、図１に示すハードディスク装置に備えられ、薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダを搭載したヘッドジンバルアセンブリの拡大斜視図である。ハードディスク装置１は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbals Assembly）１０を作動させて、高速回転するハードディスク２の記録面（図１の上面）に、薄膜磁気ヘッド１１によって磁気情報を記録及び再生するものである。
【００１７】
図２に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１０は、金属製の薄板であるサスペンションアーム１２を備えている。サスペンションアーム１２の先端側には、切込みで囲われたタング部１４が形成されており、このタング部１４上に薄膜磁気ヘッド１１が形成されたヘッドスライダ１３が搭載されている。
【００１８】
また、サスペンションアーム１２上には、先端側に設けられた端子１５ａ〜１５ｆと基端側に設けられた端子１６ａ〜１６ｆとに接続される配線１７ａ〜１７ｃを絶縁層で被覆したプリント配線１７が備えられている。配線１７ａ〜１７ｃは、順に、後述するヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂ、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ、再生用電極パッド２２ａ，２２ｂに電気的に接続される（図３参照）。
【００１９】
プリント配線１７は、端子１５ａ〜１５ｆからヘッドスライダ１３の周囲を回り込んでヘッドスライダ１３の後方へと這わされ、端子１６ａ〜１６ｆまで伸長している。このプリント配線１７によって、ヘッドスライダ１３に形成された薄膜磁気ヘッド１１の各素子が端子１５ａ〜１５ｆを介して通電されるようになっている。
【００２０】
尚、ヘッドスライダ１３、プリント配線１７及び各端子１５ａ〜１５ｆ，１６ａ〜１６ｆは、絶縁層１８を介してサスペンションアーム１２上に配されており、金属製のサスペンションアーム１２とは絶縁されている。
【００２１】
以上のようなヘッドジンバルアセンブリ１０は、図１に示すように、支軸３周りに例えばボイスコイルモータによって回転可能となっている。ヘッドジンバルアセンブリ１０を回転させると、ヘッドスライダ１３は、ハードディスク２の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移動する。
【００２２】
図３は、図２に示すヘッドスライダ１３の拡大図である。ヘッドスライダ１３は、略直方体形状をなし、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）からなる基台２０上に、薄膜磁気ヘッド１１が形成されている。尚、図では、薄膜磁気ヘッド１１が、基台２０の水平方向における中央付近に形成されているが、形成位置はこれには限定されない。
【００２３】
図３におけるヘッドスライダ１３の上面は、ハードディスク２の記録面に対向する記録媒体対向面であり、エアベアリング面（ＡＢＳ：Air Bearing Surface）Ｓと称される。ハードディスク２が回転する際、この回転に伴う空気流によってヘッドスライダ１３が浮上し、エアベアリング面Ｓはハードディスク２の記録面から離隔する。尚、エアベアリング面Ｓは、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）等のコーティングが施されていてもよい。
【００２４】
図３におけるヘッドスライダ１３の手前側の面には、薄膜磁気ヘッド１１を保護するために、オーバーコート層２１が設けられている。オーバーコート層２１の表面には、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ、再生用電極パッド２２ａ，２２ｂ及びヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂが取り付けられている。ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂは、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ及び再生用電極パッド２２ａ，２２ｂからなる群の両側に位置している。ヒータの詳細は後述する。尚、図では、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂの右側に再生用電極パッド２２ａ，２２ｂが取り付けられているが、左右反対に取り付けられていてもよい。
【００２５】
記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ、再生用電極パッド２２ａ，２２ｂ及びヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂは、サスペンションアーム１２に設けられた端子１５ａ〜１５ｆにそれぞれ電気的に接続されている。本実施形態では、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂがそれぞれ端子１５ｅ，１５ｆに、再生用電極パッド２２ａ，２２ｂがそれぞれ端子１５ａ，１５ｂに、ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂがそれぞれ端子１５ｄ，１５ｃに電気的に接続されている。
【００２６】
各電極パッドと端子１５ａ〜１５ｆとの接続に際しては、例えば、ボンディングの材質として金を用いたボールボンディング（ゴールドボールボンディング；Gold Ball Bonding）が用いられる。
【００２７】
更に、端子１５ａ〜１５ｆには、上述した配線１７ａ〜１７ｃが接続されている。本実施形態において、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂに電気的に接続された配線１７ｂ，１７ｂは、ヒータ用電極パッド２３ａに電気的に接続された配線１７ａと共に、各電極パッドが備えられた面から折り返されてヘッドスライダ１３の周囲を回り込み、図２に示す端子１６ｅ，１６ｆに接続される。この場合、配線１７ａは、端子１６ｄに接続される。再生用電極パッド２２ａ，２２ｂに電気的に接続された配線１７ｃ，１７ｃは、ヒータ用電極パッド２３ｂに電気的に接続された配線１７ａと共に、配線１７ｂ，１７ｂとは反対の方向に折り返されてヘッドスライダ１３の周囲を回り込み、図２に示す端子１６ａ，１６ｂに接続される。この場合、配線１７ａは、端子１６ｃに接続される。
【００２８】
図４は、薄膜磁気ヘッド１１におけるエアベアリング面Ｓに対して垂直な方向の概略断面図である。薄膜磁気ヘッド１１は、基台２０上に、再生用のＧＭＲ素子（磁気抵抗効果素子；Giant Magneto Resistive）３０を有する再生ヘッド部３１と、書込用の誘導型の電磁変換素子としての記録ヘッド部３２とを積層した複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。ＧＭＲ素子は、磁気抵抗変化率が高い巨大磁気抵抗効果を利用したものである。
【００２９】
記録ヘッド部３２は、いわゆる面内記録方式を採用しており、下部磁極３３と、ＧＭＲ素子３０との間に下部磁極３３を挟むとともに下部磁極３３に磁気的に連結された上部磁極３４と、一部が下部磁極３３と上部磁極３４との間に位置する薄膜コイル３５とを主として備えている。
【００３０】
上部磁極３４は、エアベアリング面Ｓ側に位置する磁極部分層３４ａと、これに接続されると共に薄膜コイル３５の上方を迂回するヨーク部分層３４ｂとから構成されている。
【００３１】
また、ＧＭＲ素子３０におけるエアベアリング面Ｓとは反対側、すなわちエアベアリング面Ｓから見たＧＭＲ素子３０の裏側には、Ｃｕ，ＮｉＦｅ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等で形成されたヒータ４０ａが設けられている。このヒータ４０ａは、通電による発熱で周囲の層を熱膨張させ、ＧＭＲ素子３０とハードディスク２との間隔を調整するものである。
【００３２】
ヒータ４０ａは、蛇行形状をしており、その両端には図中上方に伸びたＣｕ等の導電材料からなる２つの導電部４１ａ，４１ｂが電気的に接続されている。該導電部４１ａ，４１ｂの上端（オーバーコート層２１の表面）にはそれぞれ上述したヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂが取り付けられている。
【００３３】
また同様に、再生ヘッド部３１及び記録ヘッド部３２に関しても、導電材料からなる２つの導電部（図示せず）が電気的に接続されており、導電部の上端において、それぞれ上述した再生用電極パッド２２ａ，２２ｂ、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂに接続されている。
【００３４】
図５は、ヒータ４０ａの一例を示す平面図である。ヒータ４０ａは、一本のラインを蛇行させた構造となっており、ラインの両端にはそれぞれ引出し電極８５ａ，８５ｂが接続されている。引出し電極８５ａ，８５ｂは、それぞれ図４に示した導電部４１ａ，４１ｂに接続されている。
【００３５】
ヒータ４０ａの寸法については、例えば蛇行させるラインのピッチを３μｍとし、ライン幅を２μｍ、隣り合うラインの間隔を１μｍとする。ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂ間に電圧を印加してヒータ４０ａに通電することで（例えば２０ｍＡ程度の電流を流す）、ヒータ４０ａが発熱するようになっている。
【００３６】
尚、導電部４１ａ，４１ｂ、ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂ、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ及び再生用電極パッド２２ａ，２２ｂは、図４の紙面に対し垂直な方向に並設されているため、図４では、ヒータ４０ａにおける導電部４１ａ及びヒータ用電極パッド２３ａについてのみを示している。
【００３７】
以上のように構成されたヘッドスライダ１３は、図３に示すように、同一面内において、ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂが、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ及び再生用電極パッド２２ａ，２２ｂよりも外側に配されている。
【００３８】
これらの電極パッドに接続される配線１７ａ〜１７ｃは、サスペンションアーム１２の先端側から折り返されてヘッドスライダ１３の周囲を回り込み、サスペンションアーム１２の基端側へと這わされている。
【００３９】
このため、プリント配線１７のうち、ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂに電気的に接続された配線１７ａは、各電極パッドが備えられた面とサスペンションアーム１２の基端との間の領域において、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂに電気的に接続された一対の配線１７ｂと再生用電極パッド２２ａ，２２ｂに電気的に接続された一対の配線１７ｃとの間に位置することとなる。
【００４０】
従って、記録ヘッド部３２の配線１７ｂと再生ヘッド部３１の配線１７ｃとの間がヒータ４０ａの配線１７ａによって隔てられることとなり、記録ヘッド部３２の配線１７ｂに電流が供給された場合でも、再生ヘッド部３１の配線１７ｃにノイズが乗ることはなく、すなわちクロストークが防止される。
【００４１】
ここで、図４に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を説明する。
【００４２】
まず、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなる基板３８に、スパッタリング法によって、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料からなる下地層３９を厚さ約１μｍ〜約１０μｍで形成する。基板３８及び下地層３９は、後にヘッドスライダの基台２０となるものである。
【００４３】
次に、下部シールド層４２上に、公知の手法によってＧＭＲ素子３０を形成する。ＧＭＲ素子３０は、実際は複数の膜から構成されるが、図においては単層で示している。次に、下部シールド層４２及びＧＭＲ素子３０を覆うように、例えばスパッタリング法によってＡｌ2Ｏ3等からなる絶縁層４４を形成する。尚、図４において、ここで積層された絶縁層と、下部シールド層４２とを一体的に絶縁層４４として示している。
【００４４】
続いて、ＧＭＲ素子３０及び絶縁層４４を覆うように、例えばめっき法によって上部シールド層４５を厚さ約１．０μｍ〜約４．０μｍで形成する。また、上部シールド層４５を形成するのと同時に、同じく絶縁層４４上に、上部シールド層４５の作製と同一の処理（例えばめっき法）によってＣｕ，ＮｉＦｅ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等の導電性材料からなるヒータ４０ａを形成する。ヒータ４０ａの高さは、例えば上部シールド層４５と同程度にする。上部シールド層４５とヒータ４０ａを同一の材料にする場合は、両者を同時に形成できる。
【００４５】
次に、上部シールド層４５及びヒータ４０ａ上に、例えばスパッタリング法によって、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなる絶縁層４６をヒータ４０ａが覆われる程度に厚く積層する。その後、この絶縁層４６の表面を研磨して平坦にする。このとき、絶縁層４６は、上部シールド層４５上での厚さが約０．１μｍ〜約０．５μｍであり、上部シールド層４５の後方ではそれより厚くなっている。以上により、再生ヘッド部３１が得られる。尚、絶縁層４６を始めから約０．１μｍ〜約０．５μｍで積層してもよく、この場合、絶縁層４６を積層し、ヒータ４０ａの絶縁層４６から突出した部分を覆うように、後述するオーバーコート層２１を形成する。
【００４６】
次いで、絶縁層４６上に、パーマロイからなる下部磁極３３を例えばスパッタリング法で形成する。そして、下部磁極３３上に例えばスパッタリング法で非磁性層５０を形成し、この非磁性層５０上にフォトレジスト層５１を形成する。また、非磁性層５０には、フォトリソグラフィ及びドライエッチングによってコンタクトホール５０ｈを形成する。
【００４７】
更に、フォトレジスト層５１上に、フォトリソグラフィ及びめっき法等を利用して一段目の薄膜コイル３５を厚さ約１μｍ〜約３μｍで形成した後、薄膜コイル３５上にフォトレジスト層５３を形成する。薄膜コイル３５の一部は、下部磁極３３と上部磁極３４との間に位置する。
【００４８】
１段目の薄膜コイル３５を形成した後に、上部磁極３４の磁極部分層３４ａを形成し、その後２段目の薄膜コイル３５を形成する。その後、薄膜コイル３５の中央部に相当する位置において非磁性層５０をエッチングすることでコンタクトホール５０ｈを形成し、上部磁極３４の後側部分となるヨーク部分層３４ｂを形成する。本実施形態では薄膜コイル３５及びフォトレジスト層５３は２段積層するが、段数や形成手順はこれに限られない。
【００４９】
次に、上部磁極３４を覆うように、オーバーコート層２１を形成する。尚、図４に示した導電部４１ａ，４１ｂは、概略以下の手法により形成することができる。すなわち、ヒータ４０ａ及び引出し電極８５ａ，８５ｂ（図５参照）を形成した後に、引出し電極８５ａ，８５ｂがその後の積層材料で覆われないようにレジストパターンを形成する。そして、例えばオーバーコート層２１を形成した後に、このレジストパターンをリフトオフする。次いで、例えばフレームめっき法によって導電部４１ａ，４１ｂを形成し、これらの上端部にヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂを配設する。
【００５０】
また、再生ヘッド部３１及び記録ヘッド部３２に関しても、ヒータ４０ａと同様に導電部を形成し、図３に示すように、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ及び再生用電極パッド２２ａ，２２ｂを、ヒータ用電極パッド２３ａ，２３ｂと共にヘッドスライダ１３の同一面上に配設する。
【００５１】
以上により、記録ヘッド部３２が得られ、本実施形態の薄膜磁気ヘッド１１が完成する。
【００５２】
ここで、ヒータの設置位置の他の形態について説明する。
【００５３】
図６は、ヒータの設置位置の他の形態を示す図である。同図に示すように、ヒータは、例えば、基板３８とＧＭＲ素子３０との間に位置する層に設けてもよいし（図６中の二点鎖線で示すヒータ４０ｂ）、記録ヘッド部３２の上方に設けてもよい（図６中の二点鎖線で示すヒータ４０ｃ）。
【００５４】
ヒータ４０ｃの位置にヒータを設ける場合は、まず、オーバーコート層２１の上にヒータ４０ｃを形成し、次いで、例えばスパッタリング法によって、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなるオーバーコート層５２を更に形成する。
【００５５】
また、ヒータは、上述した位置に一つだけ配置してもよいし、２つに分割して配置してもよい。図７は、ヒータが分割して配置された薄膜磁気ヘッド１１の一例を示す概略断面図である。同図において、分割配置されたヒータ６０は、図６に示すオーバーコート層５２内に設けられたヒータ４０ｃと同じ高さ位置に配されている。同図では、ヒータ４０ｃの高さ位置での分割配置を示しているが、図６に示すヒータ４０ａ，４０ｂの高さ位置で分割配置してももちろんよく、高さ位置は限定されない。
【００５６】
上述したようにして薄膜磁気ヘッド１１が完成したとき、薄膜磁気ヘッド１１は、一枚の基板３８上に複数形成された状態となっている。この状態から図３に示すヘッドスライダ１３を得るためには、まず、基板３８を切断して薄膜磁気ヘッド１１が列状に配置された複数本のバーとし、更に、そのバーを切断して、それぞれが薄膜磁気ヘッド１１を有するブロック単位に切断する。その後、所望のスライダレールを形成し（図示せず）、イオンミリング等を施し、ヘッドスライダ１３が完成する。
【００５７】
また、このヘッドスライダ１３をサスペンションアーム１２の先端側に搭載し、ヘッドスライダ１３に電気的に接続する配線１７ａ〜１７ｃをサスペンションアーム１２上に這わせ、配線１７ａ〜１７ｃの一端をサスペンションアーム１２の先端側に設けられた端子１５ａ〜１５ｆにボンディングし、他端をサスペンションアーム１２の基端側に設けられた端子１６ａ〜１６ｆにボンディングすることによってヘッドジンバルアセンブリ１０を作製することができる。ヘッドジンバルアセンブリ１０を作製した後、ヘッドスライダ１３がハードディスク２上を移動可能で、且つ、磁気信号の記録及び再生が可能となるように組み立てることで、図１に示したハードディスク装置１が完成する。
【００５８】
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、第２の磁極を磁極部分層とヨーク部分層とに分けず、一体にしてもよい。また、薄膜磁気ヘッドを面内記録方式ではなく、垂直記録方式としてもよい。更に、再生ヘッド部において、ＧＭＲ素子の代わりに、異方性磁気抵抗効果を利用するＡＭＲ（Anisotropy Magneto Resistive）素子、トンネル接合で生じる磁気抵抗効果を利用するＴＭＲ（Tunnel-type Magneto Resistive）素子等を利用してもよい。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、ヘッドスライダの同一面内において、ヒータ用電極パッドが第１及び第２素子用電極パッドの群の両側に位置しているため、磁気抵抗効果素子の配線と誘導型電磁変換素子の配線との間におけるクロストークを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係るヘッドスライダを備えたハードディスク装置を示す図である。
【図２】図１に示すハードディスク装置に備えられ、薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダを搭載したヘッドジンバルアセンブリを示す拡大斜視図である。
【図３】図２に示すヘッドスライダの拡大図である。
【図４】薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリング面に対して垂直な方向の概略断面図である。
【図５】ヒータ４０ａの一例を示す平面図である。
【図６】ヒータの設置位置の他の形態を示す図である。
【図７】ヒータが分割して配置された薄膜磁気ヘッドの一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１…ハードディスク装置、２…ハードディスク、３…支軸、１０…ヘッドジンバルアセンブリ、１１…薄膜磁気ヘッド、１２…サスペンションアーム、１３…ヘッドスライダ、１４…タング部、１５ａ〜１５ｆ，１６ａ〜１６ｆ…端子、１７…プリント配線、１７ａ，１７ｂ，１７ｃ…配線、１８…絶縁層、２０…基台、２１…オーバーコート層、２１ａ，２１ｂ…記録用電極パッド（第２素子用電極パッド）、２２ａ，２２ｂ…再生用電極パッド（第１素子用電極パッド）、２３ａ，２３ｂ…ヒータ用電極パッド、３１…再生ヘッド部、３２…記録ヘッド部、３３…下部磁極、３４…上部磁極、３４ａ…磁極部分層、３４ｂ…ヨーク部分層、３５…薄膜コイル、３８…基板、３９…下地層、４０ａ，４０ｂ，４０ｃ…ヒータ、４１ａ，４１ｂ…導電部、４２…下部シールド層、４４…絶縁層、４５…上部シールド層、４６…絶縁層、５０ｈ…コンタクトホール、５０…非磁性層、５１…フォトレジスト層、５２…オーバーコート層、５３…フォトレジスト層、６０…ヒータ、８５ａ，８５ｂ…引出し電極、Ｓ…エアベアリング面（記録媒体対向面）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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