(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有し樹脂材料からなる回路基板と、前記回路基板の上下面に設けられた回路配線と、前記貫通孔の深さとほぼ同じ高さを有し前記貫通孔に収納されて前記回路基板の両面に設けられた回路配線を電気的に接続するチップ部品とを有し、前記貫通孔を所定の規則に従ってマトリクス状の所定位置に配設するとともに、所定定数のチップ部品を収納させて所望の回路を構成したことを特徴とするモジュール部品。
【請求項２】
チップ部品が未収納の貫通孔には絶縁樹脂材料またはダミー部品を収納させたことを特徴とする請求項１記載のモジュール部品。
【請求項３】
貫通孔に収納されたチップ部品と貫通孔との隙間に熱硬化樹脂からなる固定部材が充填されていることを特徴とする請求項１記載のモジュール部品。
【請求項４】
貫通孔にテーパ部を設けたことを特徴とする請求項１記載のモジュール部品。
【請求項５】
貫通孔にチップ部品を支持するための支持手段を形成したことを特徴とする請求項１記載のモジュール部品。
【請求項６】
回路基板を挟み込むように第１および第２の補助基板を設け、貫通孔に収納された際に、前記貫通孔の深さよりも高く、第１及び第２の補助基板から突出しない高さのチップ部品を用いて所望の回路を構成したことを特徴とする請求項１記載のモジュール部品。
【請求項７】
補助基板上にＩＣチップを搭載するとともに、前記ＩＣチップの直下となる貫通孔にコンデンサを収納させて、前記ＩＣチップと直結させた請求項１記載のモジュール部品。
【請求項８】
樹脂材料からなる回路基板の所定位置にマトリクス状の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔にその深さとほぼ同じ高さを有するチップ部品を挿入する工程と、前記回路基板上にチップ部品を結線するための回路配線を形成する工程と、前記回路配線が形成された前記回路基板の両面の少なくとも一方に補助基板を貼り合わせて加熱圧着する工程とを有し、前記貫通孔を所定の規則に従って形成するとともに、所定定数のチップ部品を収納して所望の回路を構成することを特徴とするモジュール部品の製造方法。
【請求項９】
貫通孔をマトリクス状に形成するとともに、所定の貫通孔にのみ所定定数のチップ部品を収納して所望の回路を形成することを特徴とする請求項８記載のモジュール部品の製造方法。
【請求項１０】
チップ部品の端面電極が露出するように前記チップ部品を樹脂モールドした成形体と、前記成形体の片面または両面に設けられた回路配線とを有し、前記チップ部品を所定の規則に従って配置するとともに、所定定数のチップ部品を樹脂モールドして所望の回路を構成したことを特徴とするモジュール部品。
【請求項１１】
チップ部品をマトリクス状の所定位置にのみ配置するとともに、所定定数のチップ部品を樹脂モールドして所望の回路を構成したことを特徴とする請求項１０記載のモジュール部品。
【請求項１２】
マトリクス状のチップ部品が配置されない位置にも前記チップ部品と同サイズのダミー部品を配置したことを特徴とする請求項１１記載のモジュール部品。
【請求項１３】
エポキシ樹脂またはフェノール樹脂を用いて樹脂モールドしたことを特徴とする請求項１０記載のモジュール部品。
【請求項１４】
樹脂内に熱伝導性または／および耐熱性の高いフィラーが含有されていることを特徴とする請求項１０記載のモジュール部品。
【請求項１５】
樹脂内にフィラーとして、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、Ａｌ3Ｎ4、Ｓｉ3Ｎ4の内の少なくとも１つが含有されていることを特徴とする請求項１０記載のモジュール部品。
【請求項１６】
樹脂内にフィラーとして、セラミック粉体、または／およびＳｉＯ2が含有されていることを特徴とする請求項１０記載のモジュール部品。
【請求項１７】
樹脂内に磁性材料が含有されていることを特徴とする請求項１０記載のモジュール部品。
【請求項１８】
チップ部品を所定の規則に従って配置し、その端面電極が露出するように樹脂モールドされて形成された成形体の一方にＩＣチップを搭載するとともに他方を回路基板の配線パターンと接続し、前記チップ部品を介して前記ＩＣチップの電極端子と前記回路基板の配線パターンとを直結させたことを特徴とするモジュール部品。
【請求項１９】
モールド用金型内にチップ部品を挿入する挿入工程と、前記チップ部品の端面電極が露出するように樹脂を充填する１次モールド工程と、前記チップ部品を挿入した側のモールド用金型を剥離する剥離工程と、剥離された前記チップ部品の端面電極が露出するように樹脂を充填する２次モールド工程と、樹脂モールドされた成形体の片面または両面に回路配線を形成する工程とを有し、前記チップ部品を所定の規則に従って配置するとともに、所定定数のチップ部品を樹脂モールドして所望の回路を構成することを特徴とするモジュール部品の製造方法。
【請求項２０】
チップ部品をマトリクス状の所定位置にのみ形成するとともに、所定定数のチップ部品を樹脂モールドして所望の回路を構成することを特徴とする請求項１９記載のモジュール部品の製造方法。
【請求項２１】
マトリクス状のチップ部品が配置されない位置にも前記チップ部品と同サイズのダミー部品を配置したことを特徴とする請求項２０記載のモジュール部品の製造方法。
【請求項２２】
モールド用金型内にチップ部品を所定の規則に従って配置されるように挿入する挿入工程と、前記チップ部品の端面電極が露出するように樹脂を充填する１次モールド工程と、前記チップ部品を挿入した側のモールド用金型を剥離する剥離工程と、剥離された前記チップ部品の端面電極が露出するように樹脂を充填する２次モールド工程とを有し、樹脂モールドされた成形体の一方にＩＣチップを搭載するとともに他方を回路基板と接続し、前記チップ部品を介して前記ＩＣチップの電極端子と前記回路基板の配線パターンとを直結させたことを特徴とするモジュール部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板内にチップ部品を実装して構成される、あるいはチップ部品をモールドして構成されるモジュール部品とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、軽量化、薄型化、多機能化が急速に進んでおり、それに伴い回路素子を高密度に実装する技術が各種提案されており、その一つとして電子部品を基板内に内蔵する技術が提案されている。
【０００３】
この種の電子部品を内蔵した基板としては、例えば特開昭６３−１６９７９８号公報に記載されたようなものが知られており、図１２（ａ）に示されるような構成により、図１２（ｂ）のような等価回路を実現している。
【０００４】
すなわち、図において、１０２はセラミック基板１２１〜１２６が多層に積層されて形成された多層基板であり、多層基板１０２内に形成された貫通孔１０７内にコンデンサ１０３、１０４および抵抗器１０５が挿入されるとともに、それらが導体１０６により電気的に接続されるように構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術ではコンデンサ１０３、１０４および抵抗器１０５を最終的に多層基板１０２と共に焼成する必要があるため、耐熱性に優れた特殊な部品を用いる必要があるとともに、電子部品のサイズが小さくなればなるほど十分な耐熱効果が得られにくくなるため、高温の熱処理による特性劣化や特性変動が発生して仕様通りの値が得られにくくなり、所望の回路特性、機能等が得られず、また、高温の熱処理での収縮による寸法ばらつきが発生するため高精度な寸法部品が得られにくく、小型化に限界を有するものであった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、電子部品のサイズがより小さくなって行っても、所望の回路特性、機能が安定して得られるとともに、埋設されるチップ部品の自動挿入、高速化が図りやすく、非常に効率よく生産しやすいモジュール部品およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、樹脂材料からなる回路基板に形成した貫通孔を所定の規則に従って配設するとともに、所定定数のチップ部品を収納させて所望の回路を構成したもの、あるいは所定定数のチップ部品を所定の規則に従って配置し、各チップ部品の端面電極が露出するように樹脂モールドして所望の回路を構成したものであり、モジュール化する際に埋設されたチップ部品を高温で熱処理する必要がなくなり、各チップ部品は仕様通りの値が得られるため設計通りの回路特性、機能、寸法精度等が安定して得られるとともに、所定の規則に従ってチップ部品を配設するため、チップ部品の挿入の自動化、高速化が図りやすく、かつチップ部品のサイズが小さくなっても十分対応でき、さらにチップ部品の挿入位置、種類を変えるだけで回路構成を柔軟に、かつ簡単に変更することができるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１におけるモジュール部品の概略構成を示すＡ−Ａ’断面図であり、（ｂ）はその上面図である。図において、１は樹脂基板であり、チップ部品とほぼ同一の穴形状を有する貫通孔内にチップ抵抗２、チップコンデンサ３等のチップ部品が挿入され、これらの端面電極と樹脂基板１の両面に形成された回路配線４ａ、４ｂとが電気的に接続されて所望の電気回路を形成している。そしてこれらは第１の補助基板５と第２の補助基板６とで挟み込まれて補強され、第１の補助基板５上にはＩＣチップ７や小型化が困難な電子部品８が実装されるとともに、配線回路４ｃと電気的に接続され、スルーホール９に充填された導電体を介して回路配線４ａと接続されている。なお７ａはモールド樹脂、１０はモジュール部品１１としての外部電極端子である。
【０００９】
ここで、挿入されるチップ部品のサイズは、全てＪＩＳ規格（Ｃ−５２０１−８）の０６０３（縦０．６ｍｍ×横０．３ｍｍ）を用いており、これに合わせて高さが０．６ｍｍの樹脂基板１を用いている。このように、チップ部品のサイズが規格化されているため、回路構成が変わっても樹脂基板１の高さを変える必要がなく共通に使えるため、非常に汎用性を高くすることができる。また、ここでは挿入されるチップ部品として、抵抗（Ｒ）、コンデンサ（Ｃ）を例にしているが、これに限定されるものではなく、コイル（Ｌ）やＬＣ、ＣＲ等の複合部品も利用することができ、規格化されたチップ部品であれば、同様の効果が得られる。
【００１０】
なお、図２に示されるように、第１の補助基板５と樹脂基板１と第２の樹脂基板６のトータルの高さを１．０ｍｍとし、これらを貫通させてＪＩＳ規格の１００５のサイズのチップ部品も利用できるようにすることにより、高さの異なるチップ部品も利用することができるためより柔軟な回路設計が可能となり、より多機能で高性能な、かつ小型のモジュール部品を実現することができる。
【００１１】
図３は樹脂基板に設けられた貫通孔にチップ部品が挿入されて配列された状態を模式化したものであり、（ａ）はその上面図であり、（ｂ）はその断面図である。
【００１２】
図において、樹脂基板２１にはマトリクス状にチップ部品とほぼ同じ穴形状を有する貫通孔（符号付さず）が形成されており、その中にチップ抵抗２２およびチップコンデンサ２３が挿入されている。なお図では、各チップ部品の２辺が揃うように貫通孔が配設されて各チップ部品が挿入配列されているが、各チップ部品の中心が揃うように貫通孔を形成して各チップ部品を挿入配列しても同様の効果が得られる。
【００１３】
ここで、貫通孔はマトリクス状に規則正しく精度良く形成されているため、機械によるチップ部品の自動挿入が非常に行いやすく、自動挿入機の性能が向上するに伴いさらなるチップ部品の小型化にも対応することができるとともに、さらなる貫通孔間の狭ピッチ化にも対応することができる。
【００１４】
なお、ここでは模式的に貫通孔が樹脂基板２１の全面に配設され、チップ抵抗２２とチップコンデンサ２３とが交互に挿入されているが、これに限定されるものではなく、回路設計の構成に応じて必要箇所にのみに、挿入されるチップ部品の大きさに合わせて貫通孔を形成して所定定数のチップ部品を挿入することにより所望の回路を構成したり、あるいは貫通孔をマトリクス状に全て形成しておき、回路設計の内容に応じて必要箇所にのみ所定定数のチップ部品を挿入して、残りの貫通孔には絶縁物等を充填したり、チップ部品サイズの絶縁物等（ダミー部品）を挿入することにより所望の回路を構成することもできる。特に後者の場合には、樹脂基板を共通に利用することができるとともに、チップ部品の挿入箇所、種類を変えるだけで回路構成を柔軟に、かつ簡単に変更することができ、さらにダミー部品を用いれば他のチップ部品と同様に自動挿入が可能となり、効率よく生産できるというメリットがある。
【００１５】
また、貫通孔の穴形状はチップ部品とほぼ同一の形状に限定されるものではなく、図４の２４ａ〜２４ｄに示されるような円形状や楕円形状や多角形状等でもよく、貫通孔内での位置決め保持がされやすい形状であればよく、このような形状にすることにより機械による挿入の際にチップ部品の挿入角度がずれても確実に貫通孔内に挿入することができ、機械化をより図りやすくすることができる。なお、貫通孔とチップ部品との隙間にはエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂からなる固定部材２４を充填することにより、あるいは貫通孔の一部を突出させてチップ部品を支持するための支持部２６を設けることにより、チップ部品を確実に貫通孔内で支持固定することができるとともに、回路基板上に配設された回路配線とチップ部品との接続の信頼性をより高めることができる。
【００１６】
また、貫通孔の形状は円柱状に限定されるものではなく、図５の２７ａ〜２７ｃに示されるような円錐状やＹ字状等に形成してテーパが設けられるように構成してもよく、このような貫通孔の底面までチップ部品の端面が届くような形状のテーパを設けることにより、貫通孔のチップ部品挿入側の開口部が大きくなるためより機械による挿入を行いやすくすることができるとともに、貫通孔内でのチップ部品の位置決めを自動的に決めることができ、さらに貫通孔とチップ部品の隙間に充填される固定部材の充填もスムーズに行うことができるため、そのメリットは大きい。
【００１７】
また、チップ部品の端面と樹脂基板の表面を異なる色で形成してやれば、貫通孔にチップ部品を挿入後、チップ部品の抜け等の外観検査をより行いやすくすることができる。
【００１８】
次に、本実施の形態の製造工程について、図６を用いて説明する。まず、ガラエポやテフロン等の樹脂基板３１の両面に銅箔３２が形成されたものを用意し（ａ：両面銅貼り基板）、この両面の銅箔３２を導通させるためにドリルまたはレーザによりスルーホール３３を形成し（ｂ：スルーホール穴開け工程）、さらに無電解銅めっきを施すことにより両面の銅箔３２の導通を図る（ｃ：スルーホールめっき工程）。
【００１９】
次にフォトリソ技術により樹脂基板３１の両面に所望の回路配線パターン３４を形成し（ｄ：パターンエッチング工程）、マトリクス状の所定位置にチップ部品を挿入するための貫通孔３５を形成して（ｅ：パーツ挿入穴開け工程）、所定の貫通孔３５にチップ抵抗器３６やチップコンデンサ３７等の所定定数のチップ部品を挿入する（ｆ：パーツ挿入工程）。
【００２０】
次に、チップ抵抗器３６およびチップコンデンサ３７等のチップ部品の端面電極３６ａ、３７ａと回路配線パターン３４との接続を図るために端面電極３６ａ、３７ａ上に導電性樹脂（導電性接着材料、樹脂電極材料等）を充填あるいは塗布あるいは印刷して接続電極を形成し（ｇ：接続電極形成工程）、これらを粘性および接着性を有するプリプレグ層４１、すなわちエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂からなる補助基板３９の片面に銅箔４０が形成されたプリプレグ層４１で挟み込み、１８０℃、１時間、３０ｋｇ／ｃｍ2の条件で加熱圧着する（ｈ：プリプレグ層形成工程）。
【００２１】
なお、ここでは樹脂基板３１の高さをチップ部品の高さよりも低くし、両面の銅箔３２を含めた高さをチップ部品よりも高くしているが、これは回路配線パターン３４とチップ部品の端面電極３６ａ、３７ａとの接続をより確実にするためのものであり、これに限定されるものではなく、樹脂基板３１の高さをチップ部品の高さとほぼ同じ、すなわちチップ部品の高さよりも樹脂基板３１の高さを少し高くしても、あるいはチップ部品の高さよりも両面の銅箔３２を含めた高さを少し低くしても問題はない。
【００２２】
次に、スルーホール４２を形成して導電材料を充填し、フォトリソ技術を利用して表面回路配線パターン４３を形成して（ｉ：表層パターンエッチング工程）、図１に示されるような表面にＩＣチップや小型化が困難な電子部品を実装することにより、所望の回路構成を有するモジュール部品が完成する（工程図示せず）。
【００２３】
ここで、第１および第２の補助基板５，６はエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂材料を主成分とする樹脂材料からなり、できるだけ低温で処理するものを利用することにより熱処理によるチップ部品への影響を少なくすることができるとともに、耐熱性に優れた特殊なチップ部品を用いることなく、各チップ部品はスペック通りの抵抗値、容量値等が得られ、設計通りの回路特性、機能、寸法精度等を得ることができる。
【００２４】
（実施の形態２）
図７は本発明の実施の形態２におけるモジュール部品の概略構成を説明するための断面図であり、図１の実施の形態１と同様の構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００２５】
図において、５０はバイパスコンデンサであり、ＩＣチップ７の端子直下に配設され最短で接続されるように構成されているため、これにより従来ＩＣチップからの配線回路中で拾うことの多かったノイズの影響を受けにくくすることができる。また、５１は金属板や銅箔からなるグランド層であり、グランドとしての機能と放熱板としての機能を発揮しているとともに、ＩＣチップ７の端子直下に熱伝導性に優れた導電材料（銅、アルミ等）からなるバイパスライン５２を配設することにより、これを介してＩＣチップの放熱を効率的に行うことができる。なお、ここではグランド層５１を樹脂基板１上に直接形成されているが、図１に示される第２の補助基板６上に形成して回路配線４ｂとスルーホール等を介して接続される構成（図示せず）にしても、同様の効果が得られる。また、バイパスライン５２を銅チップ等のチップ部品サイズの導電材料で形成すれば、他のチップ部品と同様に自動挿入が可能となり、導電性材料を充填する作業に比べ、作業効率を大幅に向上させることができる。
【００２６】
（実施の形態３）
図８は本発明の実施の形態３におけるモジュール部品の概略構成を説明するための断面図であり、図１の実施の形態１と同様の構成については、同一符号を付してその説明を省略する。
【００２７】
図において、５３は樹脂基板１上に形成された印刷抵抗であり、貫通孔にチップ部品を挿入することなく回路配線４ａの途中に形成することができ、しかもトリミング後、第１および第２の補助基板５、６を積層することができるため、小型化および生産効率上有利である。また５４は積層コンデンサであり、回路配線４ａ、４ｂ中の電極端子５４ａ、５４ｂと基板自体の誘電率５４ｃを用いて低容量のコンデンサを形成することができ、より小型化を図る上で有効である。
【００２８】
以上の説明から明らかなように、本実施の形態１〜３では、樹脂材料からなる回路基板に形成した貫通孔を所定の規則に従って配設するとともに、所定定数のチップ部品を収納させて所望の回路を構成したものであるため、樹脂基板を用いているためチップ部品を焼成することなくモジュール化することができ、その際各チップ部品はスペック通りの値が得られるため設計通りの回路特性、機能、寸法精度等を安定して得ることができる。
【００２９】
また、所定の規則に従って貫通孔が配設されるため、チップ部品の貫通孔への挿入の自動化、高速化が図りやすく、かつチップ部品のサイズが小さくなっても十分対応でき、さらにチップ部品の挿入位置、種類を変えるだけで回路構成を柔軟に、かつ簡単に変更することができ、その効果は絶大である。
【００３０】
（実施の形態４）
次に、本発明の他のモジュール部品の製造方法につて説明する。なお、本実施の形態の製造方法により製造されたモジュール部品の概略構成は、結果的に実施の形態１の製造方法で製造されたものと同様の構成、すなわち図１のような構成になるので、その説明を省略する。
【００３１】
また、本実施の形態でモールドされるチップ部品のサイズは、実施の形態１と同様に全てＪＩＳ規格（Ｃ−５２０１−８）の０６０３（縦０．６ｍｍ×横０．３ｍｍ）が用いられており、これに合わせて高さが０．６ｍｍの樹脂基板１が形成されている。したがって、実施の形態１と同様にチップ部品のサイズが規格化されているため、回路構成が変わっても樹脂基板１の高さが変わることがなく、非常に汎用性が高い。
【００３２】
なお、実施の形態１とは異なり、本実施の形態ではチップサイズが規格化されていない部品であっても、高ささえ揃っていれば、同様の効果が得られ、特に規格化されたチップ部品の端面電極を長手方向ではなく、横手方向に設けてやれば、樹脂基板１としての高さを低く抑えることができ、端面電極の形成位置を変えるだけの比較的簡単な変更で、薄型のモジュール部品を実現することができる。
【００３３】
次に、図２を利用して本実施の形態の製造方法により形成された樹脂基板について説明する。
【００３４】
図において、樹脂基板２１はマトリクス状にチップ抵抗２２およびチップコンデンサ２３がモールドされて形成されており、各端面電極が露出するように形成されている。なお図では、各チップ部品の２辺が揃うように各チップ部品を配置してモールドしているが、各チップ部品の中心が揃うように各チップ部品を配置してモールドしても同様の効果が得られる。また図では、マトリクス状に各チップ部品をモールドしているがこれに限定されるものではなく、無秩序に散在するものは除き、同心円状、放射状、らせん状等ある一定の規則に従って配置されていれば同様の効果が得られる。
【００３５】
ここで、チップ部品はモールド用金型内にマトリクス状に規則正しく精度良く挿入配置されるため、機械によるチップ部品の自動挿入、高速挿入が非常に行いやすくなり、さらに自動挿入機の性能が向上するに伴いさらなるチップ部品の小型化にも対応することができるとともに、さらなるチップ部品間の狭ピッチ化にも対応することができる。
【００３６】
なお、ここでは模式的にチップ部品が樹脂基板２１の全体にモールドされるとともに、チップ抵抗２２とチップコンデンサ２３とが交互になるようにモールドされているが、これに限定されるものではなく、回路設計の構成に応じてモールド用金型内の所定位置にのみ溝を設けてそこに所定定数のチップ部品を挿入配置することにより所望の回路を構成したり、あるいはモールド用金型内にマトリクス状の溝を形成しておき、回路設計の内容に応じて必要箇所にのみ所定定数のチップ部品を挿入配置してモールド化したり、さらにはチップ部品が配置されていない残りの溝に同じ高さサイズのダミー部品（モジュール部品としての特性に影響を及ぼしにくい部品）を挿入することにより所望の回路を構成することもできる。
【００３７】
特にモールド用金型内にマトリクス状の溝を設けておく場合には、金型を共通に利用することができるとともに、チップ部品の挿入位置、種類を変えるだけで回路構成を柔軟に、かつ簡単に変更することができ、さらにダミー部品を用いれば常に同じ状態、すなわちマトリクス状の全ての溝に種類の違いはあるもののチップ部品が配置された状態でこれらをモールドすることができ、精度よく安定したモールドを行うことができる。
【００３８】
次に、本実施の形態におけるチップ部品のモールド方法について、図９を用いて説明する。図において、６１ａは第１の金型であり、マトリクス状にチップ部品６２を位置決め保持するための溝部６３が形成されており、まず、チップ部品６２が溝部に挿入配置される（ａ：チップ部品挿入）。ここで、第１の金型６１ａ内の溝部６３の形状を円錐状やＹ字状等のテーパを有するように構成すると（図示なし）、チップ部品挿入側の開口面積を大きくすることができ、より機械による挿入を行いやすくすることができるとともに、溝部６３内でのチップ部品６２の位置決めを自動的に決めることができ、さらに溝部６３とチップ部品６２の隙間への樹脂の充填もスムーズに行うことができるため、そのメリットは大きい。
【００３９】
次に、チップ部品６２の挿入完了後、チップ部品６２の端面電極６２ａが成形後露出するように第２の金型６１ｂを第１の金型６１ａ内に移動させ（ｂ：１次モールド用金型形成）、充填口６４ａより樹脂６５ａを充填して１次モールドを行う（ｃ：１次モールド）。固化後、チップ部品６２の挿入側の第１の金型６１ａを剥離するとともに（ｄ：チップ挿入側金型剥離）、もう一方のチップ部品６２の端面電極６２ｂが露出するように第３の金型６１ｃを移動させ（ｅ：２次モールド用金型形成）、充填口６４ｂより樹脂６５ｂを充填して２次モールドを行う（ｆ：２次モールド）。そして、第２および第３の金型６１ｂ、６１ｃを剥離し、形を整えることにより（ｇ：金型剥離、整形）、図１０に示されるようなモールド部品６６を得る。
【００４０】
ここで、モールド用の樹脂としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂材料を主成分とする樹脂材料からなり、できるだけ低温で処理可能な樹脂を利用することにより熱処理によるチップ部品への影響を少なくすることができるとともに、耐熱性に優れた特殊なチップ部品を用いることなく、各チップ部品がスペック通りの抵抗値、容量値等が得られ、設計通りの回路特性、機能、寸法精度等を得ることができる。
【００４１】
また、樹脂内に熱伝導性、耐熱性に優れたフィラーを含有させることにより、放熱性、耐熱性に優れたモジュール部品を実現することができ、具体的には、樹脂内にフィラーとして、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、Ａｌ3Ｎ4、Ｓｉ3Ｎ4の内の少なくとも１つを含有させることにより放熱性を高めることができるとともに、樹脂内にフィラーとしてセラミック粉体、または／およびＳｉＯ2を含有させることにより、耐熱性を高めることができる。また、樹脂内にフェライト等の磁性材料を含有させることにより、ノイズの影響を受けにくいモジュール部品を実現することができる。
【００４２】
（実施の形態５）
図１１は本発明の実施の形態５におけるモジュール部品の概略構成を説明するための断面図であり、図１０のモールド部品６６を用いたモジュール部品の応用例を示し、（ａ）はモールド部品６６を多層基板７０上に載置した例、（ｂ）はモールド部品６６を多層基板７０内に埋め込んだ例、（ｃ）はモールド部品６６をＩＣチップ７よりも小さく形成して多層基板７０内に埋め込んだ例を示している。なお、７１、７２はそれぞれ多層基板７０内に設けられた配線パターン、スルーホールであり、実施の形態４と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４３】
図において、いずれの構成においても、モジュール部品６６内の各チップ部品６２を介してＩＣチップ７の端子と多層基板７０の配線パターン７１を直結させているため、従来ＩＣチップからの配線回路中で拾うことの多かったノイズの影響を受けにくくすることができる。
【００４４】
また、近年ＣＰＵの高速化（高周波化）が急速に進んでおり、駆動周波数がＧＨｚ帯域に突入するのも時間の問題であるが、一般にＣＰＵの電源ラインはコンデンサを介して行われるものであり、このような高速化が進むと、このコンデンサとＣＰＵとの間で生じるＥＳＲ（等価直列抵抗）およびＥＳＬ（等価直列インダクタンス）を無視することができず、これらを如何に小さく抑えるかがＣＰＵの高速化のカギを握るものであった。従来は、ＩＣチップの周りにチップコンデンサを配置することにより（図示せず）、これらの値を抑えていたが、高速化に伴い、この距離でも問題となるようになってきている。
【００４５】
そこで、本実施の形態のようにチップ部品６２のいくつかにチップコンデンサを用いてバイパスコンデンサとして機能させると、ＣＰＵとコンデンサを直結させることができるため、ＥＳＲ，ＥＳＬを極めて小さく抑えることができ、今後の高速化にも十分対応することができる。また、全てのチップ部品６２またはある一群のチップ部品６２をチップコンデンサを用いてバイパスコンデンサとして機能させ、さらにそれらの露出した端面電極を覆うように共通電極を両面に設けてＣＰＵと直結させてやると、より高速化に対応できる。
【００４６】
なお、図においてチップ部品６２のいくつかに熱伝導性に優れた導電体（銅、アルミ等）を用いるとバイパスラインとして機能させることもでき、ＩＣチップ７の放熱を効率的に行うことができる。
【００４７】
以上の説明から明らかなように、本実施の形態４、５によれば、樹脂モールドすることにより基板を形成しているためチップ部品を高温で熱処理する必要がなくなり、各チップ部品は仕様通りの値が得られるためモジュール部品として設計通りの回路特性、機能、寸法精度等が安定して得られるとともに、所定の規則に従ってチップ部品を配置して樹脂モールドしているため、モールド用金型内へのチップ部品の挿入の自動化、高速化が図りやすく、かつチップ部品のサイズが小さくなっても十分対応でき、さらにチップ部品の挿入位置、種類を変えるだけで回路構成を柔軟に、かつ簡単に変更することができ、その効果は絶大である。
【００４８】
なお、本実施の形態４の製造方法を用いて実施の形態２、３のようなモジュール部品が形成することができるとともに、実施の形態１の方法で形成されたモジュール部品を本実施の形態５のような応用例に利用することができることは明らかであるので、その説明は省略する。
【００４９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、モジュール化する際に埋設されたチップ部品を高温で熱処理する必要がなくなり、各チップ部品は仕様通りの値が得られるため設計通りの回路特性、機能、寸法精度等が安定して得られるとともに、所定の規則に従ってチップ部品を配設するため、チップ部品の挿入の自動化、高速化が図りやすく、かつチップ部品のサイズが小さくなっても十分対応でき、さらにチップ部品の挿入位置、種類を変えるだけで回路構成を柔軟に、かつ簡単に変更することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１におけるモジュール部品の概略構成を示す断面図
（ｂ）同上面図
【図２】同実施の形態における樹脂基板の他の例を示す断面図
【図３】（ａ）同実施の形態における樹脂基板に設けられた貫通孔にチップ部品が挿入されて配列された状態を模式化した上面図
（ｂ）同断面図
【図４】同実施の形態における貫通孔の穴形状の例を示す上面図
【図５】同実施の形態における貫通孔の形状の例を示す断面図
【図６】同実施の形態におけるモジュール部品の製造方法を示す工程断面図
【図７】本発明の実施の形態２におけるモジュール部品の概略構成を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態３におけるモジュール部品の概略構成を示す断面図
【図９】実施の形態４におけるチップ部品のモールド方法を示す工程断面図
【図１０】同モールド方法により形成されたモールド部品の構成を示す斜視図
【図１１】本発明の実施の形態５におけるモールド部品を用いたモジュール部品の応用例を示す断面図
【図１２】（ａ）従来の電子部品を内蔵した多層基板の構成を示す断面図
（ｂ）同等価回路図
【符号の説明】
１  樹脂基板
２  チップ抵抗
３  チップコンデンサ
４ａ〜４ｃ  回路配線
５  第１の補助基板
６  第２の補助基板
７  ＩＣチップ
８  電子部品
９  スルーホール
１０  外部電極端子
１１  モジュール部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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