(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺の剥離基材と、前記剥離基材上に設けられた複数のウエハ形状の接着剤層と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように設けられた粘着フィルムとを有するダイボンドダイシングシートの製造方法であって、該製造方法は、
剥離基材上に接着剤層を積層した後、前記接着剤層を複数のウエハ形状にプリカットする工程（Ｉ）、
不要部分の接着剤層を除去して、剥離基材上に複数のウエハ形状の接着剤層を形成する工程（ＩＩ）、
前記ウエハ形状の接着剤層及び剥離基材層を覆うように、粘着フィルムを積層する工程（ＩＩＩ）、
前記ウエハ形状の接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で剥離基材に接するように前記粘着フィルムを円形状にプリカットする工程（ＩＶ）、
不要部分の粘着フィルムを除去する工程（Ｖ）とを含む製造方法であり、
更に、前記工程（ＩＩ）において、接着剤層を除去するに際し、長手方向に隣接するウエハ形状の接着剤層との間に形成される間隙部分の接着剤層を冷却処理する、及び／又は、剥離基材の幅方向と平行な円形状の接着剤層の直径の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部近傍の接着剤層を加熱処理する工程（ＩＩａ）、及び、
前記工程（Ｖ）において、粘着フィルムを除去するに際し、長手方向に隣接する円形状の粘着フィルムとの間に形成される間隙部分の粘着フィルムを冷却処理する、及び／又は、剥離基材の幅方向と平行な円形状の粘着フィルムの直径の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部近傍の粘着フィルムを加熱処理する工程（Ｖａ）の少なくとも１つの工程を含む
ことを特徴とするダイボンドダイシングシートの製造方法。
【請求項２】
前記粘着フィルムが、高エネルギー線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤層を有することを特徴とする請求項１記載のダイボンドダイシングシートの製造方法。
【請求項３】
前記工程（ＩＩ）において、接着剤層の除去を、巻取りロールを用いて毎分０.２〜１０ｍの巻取り速度で行なうことを特徴とする請求項１又は２に記載のダイボンドダイシングシートの製造方法。
【請求項４】
前記工程（Ｖ）において、粘着フィルムの除去を、巻取りロールを用いて毎分０.２〜１０ｍの巻取り速度で行なうことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイボンドダイシングシートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンドダイシングシートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体装置の製造方法として、半導体ウエハの裏面にダイボンドフィルムとダイシングテープを貼付け、その後、半導体ウエハとダイボンドフィルムとダイシングテープの一部をダイシング工程で切断する半導体ウエハ裏面貼付け方式が、一般的に用いられている。
【０００３】
フィルム状接着剤を用いてウエハ裏面貼付け方式により半導体装置を作製する場合には、まず、半導体ウエハの回路面とは反対側の面（裏面）にフィルム状接着剤を貼付け、更にフィルム状接着剤の半導体ウエハ側と反対側の面にダイシングテープを貼り合わせる。次に、ダイシングによって半導体ウエハ及びフィルム状接着剤を個片化し、フィルム状接着剤付き半導体素子を得る。得られたフィルム状接着剤付き半導体素子をピックアップし、それを半導体素子搭載用の支持部材に接合（ダイボンド）する。その後、加熱、硬化、ワイヤボンド等の工程を経ることにより半導体装置を作製する。
【０００４】
しかし、フィルム状接着剤を用いた上記のウエハ裏面貼付け方式においては、半導体ウエハのダイシングを行うまでに、フィルム状接着剤を半導体ウエハに貼付する工程とダイシングテープをフィルム状接着剤に貼付する工程との２つの貼付工程が必要である。そこで、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせ、一枚で両方の機能を併せ持つダイボンドフィルム（ダイボンドダイシングシート）が開発されている（特許文献１参照）。かかるダイボンドダイシングシートは、剥離基材、接着剤層、粘着フィルムがこの順に積層された三層構造を有している。
【０００５】
また、このようなダイボンドダイシングシートを、半導体素子を構成するウエハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば、特許文献２参照）。かかるプリカット加工は、使用されるウエハの形状に合わせて樹脂層（接着剤層及び粘着フィルム）を打ち抜き、ウエハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。
【０００６】
プリカット加工が施されたダイボンドダイシングシートは、例えば、図４に示すような構造を有している。図４の（ａ）は、ダイボンドダイシングシート２００の平面図であり、（ｂ）は図４の（ａ）のダイボンドダイシングシート２００のＡ−Ｂ線断面図である。剥離基材１上にウエハ形状の接着剤層（ダイホンド材）２が積層され、その上に接着剤層２よりも一回り大きい円形状の粘着フィルム３（図４の（ｂ）では、下側が粘着剤層３ａ、上側が保護フィルム３ｂ）が積層されている。なお、粘着フィルム３は接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように粘着フィルム３の外縁部３ａ’、３ｂ’が積層されており、これにより、半導体ウエハのダイシングを行う際に、半導体ウエハの外周部のウェハリングに粘着フィルム３を貼り付けてダイボンドダイシングシート２００を固定することができるようになっている。このダイボンドダイシングシートを使用する場合は、以下の工程により半導体装置を製造することができる。剥離基材１を先ず剥して除き接着剤層２を露出させ（図４の（ｃ））、続いて粘着フィルム３の粘着剤層３ａの外縁部３ａ’上にタイシング用リング５を載置し、その内側の接着剤層２に半導体ウエハ４を載置する（図４の（ｄ））。次いで半導体ウエハ４をダイシングし、個片化された接着フィルム付き半導体チップ７（図４の（ｅ））を得る。その後、この個片化された接着フィルム付き半導体チップ７をピックアップし、リードフレーム上に載置し、加熱・接合し、ワイヤボンドし、封止材を用いて半導体装置を製造する。
【０００７】
ダイボンドダイシングシートは、通常、以下の工程により製造される（図５参照）。
【０００８】
（１）剥離基材２１の片面に、ローラー２７を用いて接着剤層（ダイボンド材層）２２を積層させる（図５の（Ｉ））。
【０００９】
（２）半導体ウェハに合うような形状（図では円形）で接着剤層２２を形成でき、かつ、その他の不要な接着剤層２２を除去可能にする切り込み（細溝）を、金型２６やカッターを用いて、接着剤層２２の上方側から、剥離基材２１と接着剤層２２との界面に達する深さに形成する（第１のプリカット加工）（図５の（ＩＩ））。
【００１０】
（３）不要な接着剤層２２を剥離・除去し（図５の（ＩＩＩｂ））、剥離基材２１上に所定の平面視形状の円形の接着剤層（ダイボンド材）２２を島状に多数形成させた接着剤層付き剥離基材を得る（図５の（ＩＩＩａ））。
【００１１】
（４）その上から粘着フィルム２３を、その粘着剤層２３ａ面が接着剤層２２に接するようにして貼り合わせる（図５の（ＩＶａ）、（ＩＶｂ））。
【００１２】
（５）円形の接着剤層２２を覆う所定形状で、その他の不要な粘着フィルム２３を除去可能にする切り込み（細溝）を、金型２６やカッターを用い、その上方側から、粘着剤層２３ａと基材２１との界面に達する深さに形成する（第２のプリカット加工）（図５の（Ｖａ））。
【００１３】
（６）不要な粘着フィルム２３を剥離・除去し（図５の（Ｖｂ））、剥離基材２１上に所定形状の接着剤層２２及び粘着フィルム２３を多数、島状に形成させたダイボンドダイシングシート（図５の（ＶＩａ）、（ＶＩｂ））を得る。
【００１４】
近年、１パッケージあたりの記憶容量を増大させる目的でパッケージ中のチップの積層枚数は増加しており、それに従いチップあるいは半導体ウエハの厚さをバックグラインド工程等で薄くすることが行われており、厚さ１００μｍ以下、特には厚さ７０μｍ以下、さらに薄い場合は厚さ５５μｍ以下、より薄くは３５μｍ以下の半導体ウエハが作製されている。ダイボンドダイシングシートもより薄いことが求められており、３μｍ〜１０μｍのフィルムが作製されている他、ダイシング性を向上させるため、フィラーなどを多量に含むものが増えている。このような傾向から、ダイボンドダイシングシート自体は単体で扱うと、わずかな応力で、切れやすくなっており、取り扱いが難しくなっている。
【００１５】
ダイボンドダイシングシートが脆く割れやすい場合、ブレードダイシング時にばりやチップクラックが発生しにくいという利点がある。また、ステルスダイシングやＤＢＧ（Dicing before Grinding）したウエハを切断する場合にも、切断性が向上するなどの利点を有する。以上の点から、ダイボンドダイシングシートを意図的に脆くすることもある。特に、上述の薄いダイボンドダイシングシート、フィラー高充填ダイボンドダイシングシート、脆いダイボンドダイシングシートは、いずれもプリカット後に不要部分を剥離除去する工程において、次のような不具合が生じている。剥離基材上に形成された接着剤層をウエハ形状にプリカットし、その後、不要部分の接着剤層を引っ張りながら除去する工程（図５の（ＩＩＩｂ））において、接着剤層が切れやすく、連続的に接着剤層の不要部分を除去する工程を行うことが困難になっている。また、接着剤層上に形成された粘着フィルムをプリカットし、その後、不要部分の粘着フィルムを引っ張りながら除去する工程（図５の（Ｖｂ））において、粘着フィルムが切れやすく、連続的に粘着フィルムの不要部分を除去する工程を行うことが困難になっている。
【００１６】
上記接着剤層又は粘着フィルムの不要部分を除去する工程において、例えば、粘着フィルムを剥離・除去する場合を例に挙げると、図３の（ｂ）に示すように剥離基材の幅方向と平行な円形状の粘着フィルム３３の直径（図３の（ｂ）のａ２とｂ２を結んだ直線）の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部Ｎ２の近傍Ｔ２（図３の縦線で示す領域）は粘着フィルム３３が切れやすいという問題点があった。これは中央部に比べて端部の粘着フィルムは幅が狭いため、中央部を剥がすために必要な剥離力が粘着フィルムの強度よりも大きく、粘着フィルムが破断するためである。この不要部分を除去する工程において、粘着フィルムが切れてしまい剥離除去できないと、１００ｍ以上のロール状フィルムがすべて不良品になってしまうため、かかる問題点を解決することは重要な課題である。この課題に対し、例えば、粘着フィルムを剥離除去する速度を低減することも切れ防止に効果があるが、生産能力を低下させるという問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開平７−４５５５７号公報
【特許文献２】実公平６−１８３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の課題は、接着剤層又は粘着フィルムの不要部分を除去する工程において、接着剤層又は粘着フィルムが切れることなく良好に剥離・除去でき、１００ｍ以上のロール状フィルム製品の歩留まりを向上することができるダイボンドダイシングシートの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者は接着剤層又は粘着フィルムの強度が加熱により上昇すること、接着剤層又は粘着フィルムの剥離強度が冷却により減少することから、接着剤層又は粘着フィルムの不要部分を剥離・除去する際、特定箇所を加熱するか冷却することで、切れを大幅に低減できることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００２０】
すなわち、本発明は、（１）長尺の剥離基材と、前記剥離基材上に設けられた複数のウエハ形状の接着剤層と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように設けられた粘着フィルムとを有するダイボンドダイシングシートの製造方法であって、該製造方法は、
剥離基材上に接着剤層を積層した後、前記接着剤層を複数のウエハ形状にプリカットする工程（Ｉ）、
不要部分の接着剤層を除去して、剥離基材上に複数のウエハ形状の接着剤層を形成する工程（ＩＩ）、
前記ウエハ形状の接着剤層及び剥離基材層を覆うように、粘着フィルムを積層する工程（ＩＩＩ）、
前記ウエハ形状の接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で剥離基材に接するように前記粘着フィルムを円形状にプリカットする工程（ＩＶ）、
不要部分の粘着フィルムを除去する工程（Ｖ）とを含む製造方法であり、
更に、前記工程（ＩＩ）において、接着剤層を除去するに際し、長手方向に隣接するウエハ形状の接着剤層との間に形成される間隙部分の接着剤層を冷却処理する、及び／又は、剥離基材の幅方向と平行な円形状の接着剤層の直径の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部近傍の接着剤層を加熱処理する工程（ＩＩａ）、及び、
前記工程（Ｖ）において、粘着フィルムを除去するに際し、長手方向に隣接する円形状の粘着フィルムとの間に形成される間隙部分の粘着フィルムを冷却処理する、及び／又は、剥離基材の幅方向と平行な円形状の粘着フィルムの直径の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部近傍の粘着フィルムを加熱処理する工程（Ｖａ）の少なくとも１つの工程を含む
ことを特徴とするダイボンドダイシングシートの製造方法に関する。
【００２１】
また、本発明は、（２）前記粘着フィルムが、高エネルギー線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤層を有することを特徴とする前記（１）記載のダイボンドダイシングシートの製造方法に関する。
【００２２】
また、本発明は、（３）前記工程（ＩＩ）において、接着剤層の除去を、巻取りロールを用いて毎分０.２〜１０ｍの巻取り速度で行なうことを特徴とする請求項１又は２に記載のダイボンドダイシングシートの製造方法に関する。
【００２３】
また、本発明は、（４）前記工程（Ｖ）において、粘着フィルムの除去を、巻取りロールを用いて毎分０.２〜１０ｍの巻取り速度で行なうことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイボンドダイシングシートの製造方法に関する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、接着剤層又は粘着フィルムの不要部分を除去する工程において、接着剤層又は粘着フィルムが切れることなく良好に剥離・除去でき、１００ｍ以上のロール状フィルム製品の歩留まりを向上することができ、生産能力が大幅に向上するほか、品質が安定するという効果を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のダイボンドダイシングシート、及びこれを用いたダイシング工程までの説明図であり、（ａ）はダイボンドダイシングシートの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。
【図２】本発明のダイボンドダイシングシートの製造方法を説明する説明図である。
【図３】本発明のダイボンドダイシングシートの製造方法を説明する説明図である。
【図４】従来例のダイボンドダイシングシート、及びこれを用いたダイシング工程までの説明図であり、（ａ）はダイボンドダイシングシートの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ断面図であり、（ｂ）〜（ｅ）はウエハ貼付工程からダイシング工程までを説明する断面図である。
【図５】従来例のダイボンドダイシングシートの製造方法を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明のダイボンドダイシングシートの製造方法は、長尺の剥離基材と、前記剥離基材上に設けられた複数のウエハ形状の接着剤層と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように設けられた粘着フィルムとを有するダイボンドダイシングシートの製造方法であって、該製造方法は、剥離基材上に接着剤層を積層した後、前記接着剤層を複数のウエハ形状にプリカットする工程（Ｉ）、不要部分の接着剤層を除去して、剥離基材上に複数のウエハ形状の接着剤層を形成する工程（ＩＩ）、前記ウエハ形状の接着剤層及び剥離基材層を覆うように、粘着フィルムを積層する工程（ＩＩＩ）、前記ウエハ形状の接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で剥離基材に接するように前記粘着フィルムを円形状にプリカットする工程（ＩＶ）、不要部分の粘着フィルムを除去する工程（Ｖ）とを含む製造方法であり、
更に、前記工程（ＩＩ）において、接着剤層を除去するに際し、長手方向に隣接するウエハ形状の接着剤層との間に形成される間隙部分の接着剤層を冷却処理する、及び／又は、剥離基材の幅方向と平行な円形状の接着剤層の直径の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部近傍の接着剤層を加熱処理する工程（ＩＩａ）、及び、
前記工程（Ｖ）において、粘着フィルムを除去するに際し、長手方向に隣接する円形状の粘着フィルムとの間に形成される間隙部分の粘着フィルムを冷却処理する、及び／又は、剥離基材の幅方向と平行な円形状の粘着フィルムの直径の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部近傍の粘着フィルムを加熱処理する工程（Ｖａ）の少なくとも１つの工程を含むことを特徴とする。
【００２７】
本発明では、上記工程（ＩＩ）において、接着剤層を除去するに際し、長手方向に隣接するウエハ形状の接着剤層との間に形成される間隙部分の粘着剤層を冷却処理することにより接着剤層の剥離強度を減少させ剥離除去し易くし、及び／又は、剥離基材の幅方向と平行な円形状の接着剤層の直径の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部近傍の接着剤層を加熱処理することにより接着剤層の強度を高め切れにくくすることを特徴とする。
【００２８】
また、本発明では、上記工程（Ｖ）において、粘着フィルムを除去するに際し、長手方向に隣接する円形状の粘着フィルムとの間に形成される間隙部分の粘着フィルムを冷却処理することにより粘着フィルムの剥離強度を減少させ剥離除去し易くし、及び／又は、剥離基材の幅方向と平行な円形状の粘着フィルムの直径の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部近傍の粘着フィルムを加熱処理することにより粘着フィルムの強度を高め切れにくくすることを特徴とする。
【００２９】
本発明では、前記工程（ＩＩａ）及び（Ｖａ）の少なくとも１つの工程において、加熱又は冷却処理を行なえばよい。つまり、前記工程（ＩＩａ）において、「加熱処理」、「冷却処理」、「加熱及び冷却処理」、「処理なし」の４パターンがあり、前記工程（Ｖａ）においても、「加熱処理」、「冷却処理」、「加熱及び冷却処理」、「処理なし」の４パターンがあり、組合せは４×４の１６通りのパターンとなるが、「処理なし」と「処理なし」の組合せは除かれるため、全部で１５パターンとなる。
【００３０】
本発明の製造方法で得られるダイボンドダイシングシートは、長尺の剥離基材と、前記剥離基材上に設けられたウエハ形状の接着剤層と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように設けられた粘着フィルムとを有するものであり、図１の（ａ）及び（ｂ）に示す構造を有している。図１の（ａ）は、ダイボンドダイシングシートの平面図であり、（ｂ）は図１の（ａ）のダイボンドダイシングシートのＡ−Ｂ線断面図である。すなわち、剥離基材３１上にウエハ形状の接着剤層（ダイホンド材）３２が積層され、その上に接着剤層３２よりも一回り大きい円形状の粘着フィルム３３（図１の（ｂ）では、下側が粘着剤層３３ａ、上側が保護フィルム３３ｂ）が積層されている。なお、粘着フィルム３３は接着剤層３２を覆い、且つ、接着剤層３２の周囲で剥離基材３１に接するように粘着フィルム３３の外縁部３３ａ、３３ｂが積層されており、これにより、半導体ウエハのダイシングを行う際に、半導体ウエハの外周部のウェハリングに粘着フィルム３３を貼り付けてダイボンドダイシングシートを固定することができるようになっている。
【００３１】
以下、本発明のダイボンドダイシングシートの製造方法について図２を参照しながら各工程について説明する。
工程（Ｉ）
本発明の製造方法における工程（Ｉ）は、剥離基材３１上に接着剤層３２を積層した後、前記接着剤層３２を複数のウエハ形状にプリカットする工程である。まず、接着剤層（ダイボンド材層）３２を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して接着剤層形成用ワニスとして、例えばローラー３７を用いて剥離基材３１の片面に塗布後、加熱により溶剤を除去して、接着剤層（ダイボンド材層）３２を積層させる（図２の（ａ））。ワニスの調製に使用する溶剤は、各構成材料を溶解又は分散できるものであれば特に限定されず、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどの比較的低沸点；ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較的高沸点の溶媒；などを使用することができる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。剥離基材３１へのワニスの塗布方法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。
【００３２】
剥離基材３１の厚さは、好ましくは２０〜８０μｍ、より好ましくは３０〜６０μｍである。前記厚さが８０μｍより厚いと材料費が高くなる傾向がある。一方、２０μｍより薄いとフィルムにしわが入りやすくなる傾向がある。
【００３３】
剥離基材３１上に積層する接着剤層３２の膜厚は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは１〜７０μｍである。前記膜厚が１００μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられない、破断が困難になる傾向がある。一方、１μｍより薄いと応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向がある。接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で、さらにより好ましくは３〜４０μｍ、特に好ましくは５〜２０μｍである。
【００３４】
次いで、ウエハ形状で接着剤層３２を形成でき、かつ、その他の不要な接着剤層３２を除去可能にする切り込み（細溝）を、金型３６やカッターを用いて、接着剤層３２の上方側から、剥離基材３１と接着剤層３２との界面に達する深さに形成する（図２の（ｂ）、第１のプリカット加工）。
【００３５】
工程（ＩＩ）
本発明の製造方法における工程（ＩＩ）は、不要部分の接着剤層３２を除去して、剥離基材３１上に複数のウエハ形状の接着剤層３２を形成する工程である（図２の（ｃ））。不要部分の接着剤層３２を除去する手段としては特に限定されないが、例えば、巻取りロールを用いて、毎分０．２〜１０ｍの巻取り速度で行なうことが好ましい。前記速度が０．２ｍ／分未満では製造コストが増大する傾向があり、１０ｍ／分を超えるとフィルムが切れやすくなる傾向がある。
本発明では、工程（ＩＩ）において、接着剤層３２を除去するに際し、長手方向に隣接するウエハ形状の接着剤層３２との間に形成される間隙部分Ｃ１の接着剤層３２を冷却処理する、及び／又は、剥離基材３１の幅方向と平行な円形状の接着剤層３２の直径（ａ１とｂ１を結んだ直線）の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部Ｎ１の近傍Ｔ１の接着剤層３２を加熱処理する工程（ＩＩａ）を行なうことが重要である（図３の（ａ）参照）。それによって接着剤層３２が切れることなく良好に剥離・除去でき、１００ｍ以上のロール状フィルム製品の歩留まりを向上することができるのである。本発明では、上記のとおり接着剤層３２を除去するに際し、接着剤層３２を局所的に加熱処理、及び／又は、冷却処理することで、接着剤層３２が切れることなく良好に剥離・除去できるため、要するエネルギーも少なく、接着剤層３２の硬化などによる特性低下や熱拡散温度の均一化を防止することができる。加熱処理は、赤外線加熱などの放射熱による加熱、ドライヤーのような熱風加熱などの非接触式の加熱が好ましいが、加熱ロールとの接触などの接触式加熱でも良い。加熱処理は、剥離基材３１側から行なっても、接着剤層３２側から行なっても良い。加熱温度は、適宜選択されるが、３０℃〜１２０℃であることが好ましい。接着剤層３２がやや柔軟になるが、流動するほどには軟化しない点で、３０℃〜６０℃であることがより好ましい。加熱時間は、適宜選択されるが、０．１〜１０秒であることが好ましい。冷却処理は、冷却空気の送風、冷却ロールとの接触などの方法が挙げられる。冷却処理は、剥離基材３１側から行なっても、接着剤層３２側から行なっても良い。冷却温度は、適宜選択されるが、−４０℃〜２０℃であることが好ましく、結露などを生じにくい点で０℃〜２０℃があることがより好ましい。冷却時間は、適宜選択されるが、０．１〜１０秒であることが好ましい。加熱処理のみを行っても、あるいは冷却処理のみを行ってもよいが、接着剤層の強度が向上し、剥離しやすくなる点で、加熱処理と冷却処理を同時に行うことがより好ましい。
【００３６】
本発明の製造方法における工程（ＩＩＩ）は、前記ウエハ形状の接着剤層３２及び剥離基材層３１を覆うように、粘着フィルム３３を積層する工程である（図２の（ｅ）、（ｆ））。粘着フィルム３３を積層する方法は特に限定されず、例えば、プレスやラミネーターを用いる方法が挙げられ、連続的に積層でき、効率が良い点でホットロールラミネーターを用いる方法が好ましい。
【００３７】
接着剤層３２及び剥離基材層３１上に積層する粘着フィルム３３の膜厚は、好ましくは
３〜２０μｍである。前記膜厚が２０μｍより厚いとコスト高になる傾向がある。前記膜厚が３μｍより薄いと粘着性が不足する傾向がある。
【００３８】
工程（ＩＶ）
本発明の製造方法における工程（ＩＶ）は、前記ウエハ形状の接着剤層３２を覆い、且つ、前記接着剤層３２の周囲で剥離基材３１に接するように前記粘着フィルム３３を円形状にプリカットする工程である。ウエハ形状の接着剤層３２を覆う円形状で、その他の不要な粘着フィルム３３を除去可能にする切り込み（細溝）を、金型３６やカッターを用い、その上方側から、粘着剤層３３ａと基材３１との界面に達する深さに形成する（図２の（ｇ）、第２のプリカット加工）。
【００３９】
工程（Ｖ）
本発明の製造方法における工程（Ｖ）は、不要部分の粘着フィルムを除去し、剥離基材３１上に所定形状の接着剤層３２及び粘着フィルム３３を複数させたダイボンドダイシングシートを得る工程である（図２の（ｈ）〜（ｊ））。不要部分の接着剤層３２を除去する手段としては特に限定されないが、例えば、巻取りロールを用いて、毎分０．２〜１０ｍの巻取り速度で行なうことが好ましい。
【００４０】
本発明では、工程（Ｖ）において、粘着フィルム３３を除去するに際し、長手方向に隣接する円形状の粘着フィルム３３との間に形成される間隙部分Ｃ２の粘着フィルム３３を冷却処理する、及び／又は、剥離基材３１の幅方向と平行な円形状の粘着フィルム３３の直径（ａ２とｂ２を結んだ直線）の延長線上に位置する、幅寸法の最も小さい最狭部Ｎ２の近傍Ｔ２の粘着フィルム３３を加熱処理する工程（Ｖａ）を行なうことが重要である（図３の（ｂ）参照）。それによって粘着フィルム３３が切れることなく良好に剥離・除去でき、１００ｍ以上のロール状フィルム製品の歩留まりを向上することができるのである。本発明では、上記のとおり粘着フィルム３３を除去するに際し、粘着フィルム３３を局所的に加熱処理、及び／又は、冷却処理することで、粘着フィルム３３が切れることなく良好に剥離・除去できるため、要するエネルギーも少なく、粘着フィルム３３の硬化などによる特性低下や熱拡散温度の均一化を防止することができる。加熱処理は、赤外線加熱などの放射熱による加熱、ドライヤーのような熱風加熱などの非接触式の加熱が好ましいが、加熱ロールとの接触などの接触式加熱でも良い。加熱処理は、剥離基材３１側から行なっても、粘着フィルム３３側から行なっても良い。加熱温度は、適宜選択されるが、３０℃〜１２０℃であることが好ましい。粘着フィルム３３がやや柔軟になるが、流動するほどには軟化しない点で、３０℃〜６０℃であることがより好ましい。加熱時間は、適宜選択されるが、０．１〜１０秒であることが好ましい。冷却処理は、冷却空気の送風、冷却ロールとの接触などの方法が挙げられる。冷却処理は、剥離基材３１側から行なっても、粘着フィルム３３側から行なっても良い。冷却温度は、適宜選択されるが、−４０℃〜２０℃であることが好ましく、結露などを生じにくい点で０℃〜２０℃があることがより好ましい。冷却時間は、適宜選択されるが、０．１〜１０秒であることが好ましい。加熱処理のみを行っても、あるいは冷却処理のみを行ってもよいが、粘着フィルム３３の強度が向上し、剥離しやすくなる点で、加熱処理と冷却処理を同時に行うことがより好ましい。
【００４１】
次に、本発明のダイボンドダイシングシート製造方法に用いられる各構成成分について説明する。
【００４２】
（剥離基材）
剥離基材としては特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができるが、半導体装置作製のプロセス上、剥離基材は剥されて使用されるため、剥離性を有していることが好ましい。剥離性を必要とする面にシリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理しても良い。
【００４３】
（接着剤層）
接着剤層は、半導体素子搭載用支持部材に半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性及び耐湿性を有するものであることが好ましい。また、接着剤層は、適当なタック強度を有しシート状での取り扱い性が良好であることから、高分子量成分の他に熱硬化性成分及びフィラーを含むことが好ましく、さらにこれらの他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでも良い。
【００４４】
接着剤層は、接着性やシートの強度を改善するために高分子量成分を含むことが好ましい。高分子量成分としては、ガラス転移温度（以下、Ｔｇ）が−３０℃〜５０℃で重量平均分子量が５万〜１００万であることが好ましい。Ｔｇが５０℃を超えると、シートの柔軟性が低い点で不都合であり、Ｔｇが−３０℃未満であると、シートの柔軟性が高すぎるため、半導体ウエハ破断時にシートが破断し難い点で都合が悪い。また、重量平均分子量が５万未満であるとシートの耐熱性が低下する点で不都合であり、分子量が１００万を超えるとシートの流動性が低下する点で不都合である。
【００４５】
半導体ウエハ切断時におけるシートの破断性や耐熱性の観点から、Ｔｇが−２０℃〜４０℃で重量平均分子量が１０万〜９０万の高分子量成分がより好ましく、Ｔｇが−１０℃〜４０℃で重量平均分子量が１０万〜９０万の高分子量成分がさらにより好ましく、Ｔｇが−１０℃〜３０℃で重量平均分子量が５０万〜９０万の高分子量成分が特に好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値であり、ポンプとして日立製作所製Ｌ−６０００を使用し、カラムとして日立化成工業株式会社製ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ−Ｒ４４０、ゲルパックＧＬ−Ｒ４５０、及びゲルパックＧＬ−Ｒ４００Ｍ（各１０．７ｍｍφ×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラムを使用し、溶離液としてテトラヒドロフランを使用し、試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍｌに溶解させたサンプルについて、流速１．７５ｍＬ／分で測定することができる。
【００４６】
高分子量成分として、具体的には、ポリイミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアミド、ブタジエンゴム、アクリルゴム、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート及びそれらの混合物等が挙げられる。特に、官能性モノマを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分が好ましい。かかる重合体における官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましい。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。重量平均分子量が１０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の市販品としは、ナガセケムテックス株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）等が挙げられる。高分子量成分の含有量は、接着剤層を構成する樹脂組成物中、好ましくは２０〜８５質量％、より好ましくは２５〜７５質量％である。前記含有量が２０質量％未満ではフィルムが切れやすくなる傾向にあり、８５質量％超では耐熱性が低下する傾向にある。
【００４７】
また、接着剤層は熱硬化性成分を含むことが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤等があるが、耐熱性が高い点で、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。これらのなかでも、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。熱硬化性成分の含有量は、接着剤層を構成する樹脂組成物中、好ましくは１５〜８０質量％、より好ましくは２５〜７５質量％である。
【００４８】
さらに、接着剤には、Ｂステージ状態の接着剤層の破断強度、破断伸びの低減、接着剤の取扱性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与等を目的としてフィラー、好ましくは無機フィラーを配合することが好ましい。
【００４９】
無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物等が挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、耐湿性を向上させるためにはアルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、アンチモン酸化物が好ましい。上記フィラー量は接着剤層を構成する樹脂組成物中、５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは３５質量％以上６０質量％以下である。配合量が多くなると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので５０質量％以下とすることが特に好ましい。また、フィラーの比重は１〜１０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。
【００５０】
接着剤層は、高分子量成分、さらに必要に応じて熱硬化性成分、フィラー、及び他の成分を溶剤に溶解又は分散して接着剤層形成用ワニスを調製し、剥離基材の片面に塗布後、加熱により溶剤を除去することにより、剥離基材上に積層することができる。
【００５１】
（粘着フィルム）
粘着フィルムは、粘着剤層と保護フィルムから構成される。粘着剤層としては特に制限はないが、ダイボンドダイシングシートは半導体装置作製に用いられるシートであるため、その作製プロセスを考慮すると放射線又は熱によって硬化する（すなわち粘着力を制御でき、硬化により粘着力が低下する）ものが好ましく、なかでも放射線によって硬化するものが好ましく、紫外線によって硬化するものがより好ましい。
【００５２】
放射線によって硬化する成分としては、特に制限されないが、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート等を使用することができる。
【００５３】
また、粘着剤層には、光重合開始剤（例えば活性光の照射によって遊離ラジカルを生成するようなもの）を添加することもできる。かかる光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体などが挙げられる。
【００５４】
上記光重合開始剤の使用量としては、特に制限はないが、放射線によって硬化する成分の総量１００質量部に対して、通常０.０１〜３０質量部である。
【００５５】
保護フィルムとしては特に制限はないが、ダイボンドダイシングシートは半導体装置作製に用いられるシートであるため、その作製プロセスを考慮するとフィルムの伸びが大きく、エキスパンド工程での作業性がよい点で、２５℃での引張弾性率が１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、８００ＭＰａ以下であることがより好ましく、６００ＭＰａ以下であることが特に好ましい。この引張弾性率は、ＪＩＳ  Ｋ７１１３号に準じて測定されたものである。かかる保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。更に、保護フィルムは、これらのフィルムが２層以上に積層されたものであってもよい。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５７】
実施例１
離型処理したＰＥＴフィルム状に形成された膜厚１５μｍの日立化成工業株式会社製ダイボンドフィルム（ＨＳ−２６０）（幅３４０ｍｍ、長さ５０ｍのフィルム）をプレカットする。プレカットの寸法は、ウエハ貼り付け部の円形部の直径３１０ｍｍ、円形部の中心間の距離（ピッチ）３６０ｍｍ、両端のフィルムかす取り部の最小幅１５ｍｍである。プレカットする際、両端部に６０℃の温風を吹き付け、中央部に１５℃の冷風を吹き付けた。なお、この際、室温は２３〜２７℃であった。
【００５８】
プレカットは毎分５ｍ、１０ｍで連続的に行い、５０ｍ行う間、フィルムの切断などにより不良は起きず、良好に行うことができた。
【００５９】
実施例２
両端部に６０℃の温風を吹き付け、中央部には送風しなかった他は、実施例１と同様である。プレカットは毎分５ｍでは良好フィルムの切断などにより不良は起きず、良好に行うことができたが、１０ｍではきれが生じた。
【００６０】
実施例３
両端部に温風を吹き付けなかった他は、実施例１と同様である。プレカットは毎分５ｍでは良好フィルムの切断などにより不良は起きず、良好に行うことができたが、１０ｍではきれが生じた。
【００６１】
比較例１
両端部、中央部にいずれも送風しなかった他は、実施例１と同様である。プレカットは毎分５ｍ、１０ｍいずれの場合もきれが生じた。
【符号の説明】
【００６２】
１  剥離基材
２  接着剤層
３  粘着フィルム
４  半導体ウエハ
５  ダイシング用リング
７  半導体チップ
２１  剥離基材
２２  接着剤層
２３  粘着フィルム
２６  金型
３１  剥離基材
３２  接着剤層
３３  粘着フィルム
３３ａ  粘着剤層
３３ｂ  保護フィルム
３６  金型
３７  ローラー
Ｃ１  間隙部分
Ｃ２  間隙部分
Ｎ１  最狭部
Ｎ２  最狭部
Ｔ１  近傍
Ｔ２  近傍
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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