(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部と、
前記基板部の複数の第１領域にそれぞれ設けられ、前記複数の第１領域のぞれぞれに生じる変形に関する情報を計測する変形計測装置と、
前記複数の第１領域のそれぞれに設けられ、温度の変化によって前記複数の第１領域のそれぞれに生じる変形に関する情報を、前記変形計測装置とは独立して計測する第２変形計測装置とを有し、
前記変形計測装置及び前記第２変形計測装置は、露光処理を経て形成されてなる変形計測用基板。
【請求項２】
基板部と、
前記基板部の複数の第１領域にそれぞれ設けられ、前記複数の第１領域のそれぞれに生じる変形に関する情報を計測する変形計測装置と、
前記複数の第１領域から外れた第２領域に配置され、温度の変化によって前記第２領域に生じる変形に関する情報を計測する第２変形計測装置とを有し、
前記変形計測装置及び前記第２変形計測装置は、露光工程を経て前記基板部に形成されてなる変形計測用基板。
【請求項３】
前記第２変形計測装置は、前記基板のうち、表面と平行な方向の歪が基板本体から伝達され、前記平行な方向と交差する方向の歪の前記基板本体からの伝達が抑制されるフレクシャー部に設けられる請求項１または２記載の変形計測用基板。
【請求項４】
前記複数の第１領域は、デバイス製造用の基板上の複数のショット領域に対応して設けられている請求項１から３のいずれか一項に記載の変形計測用基板。
【請求項５】
前記変形計測装置及び前記第２変形計測装置は、第１方向の変形に関する情報を計測する第１計測部と、前記第１方向とは異なる第２方向の変形に関する情報を計測する第２計測部とをそれぞれ有する請求項１から４のいずれか一項に記載の変形計測用基板。
【請求項６】
前記変形計測装置及び前記第２変形計測装置にそれぞれ接続され、前記変形に関する情報を出力する出力部が所定領域に集約されて配置されている請求項１から４のいずれか一項に記載の変形計測用基板。
【請求項７】
基板を保持して移動する基板ステージを有し、前記基板にパターン像を露光する露光装置であって、
請求項１から６のいずれか一項に記載の変形計測装置及び前記第２変形計測装置の計測結果に基づいて、前記パターン像が形成される位置に関する情報を補正する補正装置を有する露光装置。
【請求項８】
基板にパターン像を露光する露光方法であって、
請求項１から６のいずれか一項に記載の変形計測装置及び前記第２変形計測装置を用いて、前記基板上の露光領域における変形に関する情報を計測する工程を有する露光方法。
【請求項９】
計測した前記基板上の露光領域における変形に関する情報を表示する工程を有する請求項８記載の露光方法。
【請求項１０】
前記変形計測装置と前記第２変形計測装置との少なくとも一方が計測した変形に関する情報を、当該変形計測装置と第２変形計測装置との少なくとも一方が配置される前記露光領域における変形に関する情報に変換した結果を表示する請求項９記載の露光方法。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれか一項に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、変形計測用基板、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、その他のマイクロデバイスの製造工程の１つであるフォトリソグラフィ工程においては、マスクやレチクル（以下、これらを総称する場合は「マスク」という）に形成されたパターンを、投影光学系を介してフォレジスト等の感光剤が塗布された半導体ウエハ（以下ウエハと略す）やガラスプレート等の基板上に転写する露光装置が用いられている。このような露光装置に用いられる露光方式の１つとして、ステップ・アンド・リピート方式が知られている。このステップ・アンド・リピート方式では、レチクル上に形成されたパターンを、ウエハ上に設定された所定のショット領域（露光領域）に露光した後、ウエハステージを一定距離だけステップ移動させて、ウエハ上の別のショット領域を露光し、かかる動作をウエハ上に設定された全てのショット領域に対して繰り返し行うことにより、ウエハ全体に対してレチクルに形成されたパターンの像を転写する。なお、このステップ・アンド・リピート方式を採用する露光装置はステッパと呼ばれ、半導体素子等の製造工程において広く使用されている。
【０００３】
このような露光装置では、レチクルとウエハとの位置合わせを高精度に行なうため、エンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）と呼ばれるアライメント手法が用いられている。このＥＧＡとは、ウエハ上に設けられた代表的な数個（３〜９個）のショット領域のそれぞれに付随して形成されたファインアライメントマークを撮像し、当該撮像結果に基づいて統計演算を行ってウエハ上に設定された全てのショット領域の配列座標を高精度に求め、これら各ショット領域の配列座標に基づいて、レチクルとウエハとの位置合わせを行なうものである（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、上記のアライメントでは、代表的な数個のショット領域についてアライメントマークを撮像し、その撮像結果に基づき統計演算して全てのショット領域の配列座標を求めるため、誤差成分が含まれる可能性がある。
そこで、従来では、各ショット領域に歪ゲージをそれぞれ貼設することにより、各ショット領域毎に変形量を求めることが考えられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−３１６１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
複数のショット領域毎に微小の歪ゲージを貼設するには多大な手間がかかり、作業効率が低下するという問題がある。特に、変形の検出方向を複数設定する場合には、検出方向毎に歪ゲージを貼設する必要があるため、さらに作業効率が低下するという問題が生じる。
そこで、上記歪ゲージは、製造過程でにおいて１枚の製造用基板に複数形成された後に、単体の歪ゲージに分割されるものもあるため、この複数の歪ゲージが形成された製造用基板を用いてショット領域の変形量を計測することも考えられるが、歪ゲージとして機能させるためには、他の部品もショット領域毎に搭載（貼設）する必要があり、変形量を容易に計測できるものではない。
【０００７】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、作業効率の低下を招くことなく、基板における露光領域の変形に関する情報を容易に計測できる変形計測用基板、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す以下の構成を採用している。
本発明の変形計測用基板は、露光光の照射処理が行われる基板上の複数の照射領域にそれぞれ設けられ、各照射領域における変形に関する情報を計測する変形計測装置と、温度による前記基板の変形に関する情報を、前記変形計測装置とは独立して計測する第２変形計測装置とを有し、前記変形計測装置及び前記第２変形計測装置は、前記露光光の照射処理によりパターニング形成されてなるものである。
【０００９】
従って、本発明の変形計測用基板では、変形計測装置及び第２変形計測装置が露光光を用いてパターニング形成されるため、変形計測装置及び第２変形計測装置を貼設したり他の部品を実装する必要がなく、当該変形計測用基板をそのまま計測に用いることができる。そのため、本発明では、作業効率の低下を招くことなく、基板上の露光領域毎に、変形量を容易に計測することが可能になる。
また、本発明では、各照射領域において、例えば基板を吸着保持する際の吸着圧力により生じた変形と、基板搬送等による温度変化で基板に生じた熱変形とが合わさった状態の変形が変形計測装置により計測され、上記熱変形が第２変形計測装置により計測される。  そのため、本発明では、上記吸着圧力により生じた変形量と熱変形量とを分離することができるため、各変形に応じた対策を効果的に採ることが可能になる。
【００１０】
また、本発明の露光装置は、基板を保持して移動する基板ステージを有し、前記基板にパターン像を露光する露光装置であって、先に記載の変形計測装置及び前記第２変形計測装置の計測結果に基づいて、前記パターン像が形成される位置に関する情報を補正する補正装置を有するものである。
また、本発明の露光方法は、基板にパターン像を露光する露光方法であって、先に記載の変形計測装置及び前記第２変形計測装置を用いて、基板上の露光領域における変形に関する情報を計測する工程を有するものである。
従って、本発明の露光装置及び露光方法では、容易、且つ高精度に計測された基板の変形量に基づいてパターン像を形成する位置に関する情報を補正することができ、効率的に基板上に高精度に位置合わせされたパターンを形成することが可能になる。
【００１１】
そして、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の露光方法を用いるものである。
従って、本発明のデバイス製造方法では、パターンが高精度に位置合わせされたデバイスを効率的に製造することが可能になる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、変形計測用基板をそのまま計測に用いることができ、作業効率の低下を招くことなく、基板における照射領域の変形に関する情報を容易に計測することができ、また変形の原因に応じた好適な対策を採ることで高精度の露光処理を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、露光装置の概略的な構成図である。
【図２】複数のショット領域ＳＡが設定された計測用ウエハＷＡの平面図である。
【図３】ショット領域ＳＡの一つを拡大した詳細図である。
【図４】フレクシャー部ＦＬの一つを拡大した詳細図である。
【図５】同断面図である。
【図６】吸着歪み、温度歪みの時間と歪み量との関係を示す図である。
【図７】フレクシャー部ＦＬの設計位置と変形時の位置とを示す図である。
【図８】第２実施形態におけるショット領域ＳＡの一つを拡大した詳細図である。
【図９】同ショット領域ＳＡの一つを模式的に示した図である。
【図１０】フレクシャー部ＦＬの別の形態を示す図である。
【図１１】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図１２】図１１におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の変形計測用基板、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法の実施の形態を、図１ないし図１２を参照して説明する。
まず、変形計測用基板が用いられる露光装置について説明する。
ここでは、例えば露光装置として、レチクルとウエハとをスキャン方向上の互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつ、レチクルに形成された半導体デバイスの回路パターンをウエハ上に転写する、走査型露光装置（スキャニング・ステッパー）を使用する場合の例を用いて説明する。また、この露光装置においては、本発明の変形計測用基板を用いて、ウエハ上で露光光が照射されるショット領域（露光領域、照射領域）における変形に関する情報を計測する場合の例を用いて説明する。
【００１５】
図１は、本実施例に好ましく用いられる半導体デバイス製造用の縮小投影型露光装置１の構成を概略的に示している。まず、この露光装置１の全体構成について以下説明する。
【００１６】
この露光装置１は、不図示の露光用光源からのエネルギービーム（露光光）によりマスクとしてのレチクルＲを照明する照明系２、レチクルＲから射出される露光光を物体としてのウエハ（基板）Ｗ上に投影する投影光学系ＰＬ、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳ、ウエハＷを保持するウエハステージＷＳ、及び装置全体を統括的に制御する主制御ユニット３０等を含んで構成されている。
【００１７】
照明系２は、図示しないリレーレンズ、フライアイレンズ（又はロット・インテグレータ）、コンデンサレンズ等の各種レンズ系や、開口絞り及びレチクルＲのパターン面と共役な位置に配置されたブラインド等を含んで構成され、露光用光源からの照明光を、レチクルＲ上の所定の照明領域内に均一な照度分布で照射する。
【００１８】
投影光学系ＰＬは、図示しない複数のレンズを含んで構成されており、レチクルＲを透過した照明光を、所定の縮小倍率β（βは例えば１／４，１／５等）に縮小し、感光材（フォトレジストなど）が塗布されたウエハＷ上に投影露光する。ここで、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行な方向（ウエハＷの表面の法線方向）をＺ方向とし、光軸ＡＸに垂直な平面内でレチクルＲと照明領域との相対走査の方向（紙面に垂直な方向）をＹ方向、これに直交する非走査方向をＸ方向、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行な軸線を中心とする回転方向をθ方向とする。
【００１９】
レチクルステージＲＳは、図示しない駆動装置によって、Ｙ方向（スキャン（走査）露光時におけるスキャン（走査）方向）に１次元走査移動するとともに、Ｘ方向及びθ方向に微小駆動するように構成されている。また、レチクルステージＲＳのＸ方向、Ｙ方向、及びθ方向の位置は、レーザ干渉計等の図示しない計測装置により常時モニターされ、これにより得られた位置情報は主制御ユニット３０に供給される。
【００２０】
ウエハステージＷＳは、２次元平面内（図１中のＸＹ平面内）で駆動自在なＸＹステージ３と、ウエハＷを吸着保持しかつＸＹステージ３上でＺ方向に微小駆動自在なＺレベリングステージ４とを含んで構成され、図示しないベース上に配置されている。ＸＹステージ３は、例えば磁気浮上型の２次元リニアアクチュエータ等から成る駆動装置２８を有しており、主制御ユニット３０の指令のもとで、ウエハＷの所定位置への位置決めや移動を行う。なお、スキャン露光時には、ＸＹステージ３はレチクルステージＲＳと同期してスキャン方向（Ｙ方向）にスキャン移動を行う。
【００２１】
また、Ｚレベリングステージ４は、図示しない駆動機構を有しており、主制御ユニット３０の指令のもとで、ウエハＷをＺ方向に微小移動させる。また、Ｚレベリングステージ４には、ウエハＷを下方（−Ｚ側）から吸着保持する保持機構（不図示）と、ウエハＷを吸着保持して昇降させるリフトピン（不図示）とが設けられている。
なお、Ｚレベリングステージ４のＸ方向、Ｙ方向、及びθ方向の位置は、レーザ干渉計等の計測装置３３により常時モニターされ、これにより得られた位置情報は主制御ユニット３０に供給される。
【００２２】
また、レチクルステージＲＳと同様に、ウエハステージＷＳのＸ方向、Ｙ方向、及びθ方向の位置は、レーザ干渉計等の図示しない計測装置により常時モニターされ、これにより得られた位置情報は主制御ユニット３０に供給される。
【００２３】
ウエハステージＷＳの上方には、ウエハＷの表面（露光面）のＺ方向（法線方向）の位置を計測するためのＡＦセンサ５が設けられている。このＡＦセンサ５は、ウエハＷの表面に対して斜め方向から複数のスリットを介してスリット光を照射する送光系６と、ウエハＷの表面で反射した反射光（反射スリット光）をそれぞれ受光する受光系７とを備えており、ウエハＷ表面からの反射光から得られる検出信号に基づいて、投影光学系ＰＬの結像面に対するウエハＷ表面のＺ方向の高さ位置（フォーカス量）を算出するように構成されている。
【００２４】
この露光装置１では、レチクルＲの回路パターンをウエハＷ上に転写する際、ＡＦセンサ５で算出されるフォーカス量に基づいて、Ｚレベリングステージ４を駆動して、ウエハＷをＺ方向に移動させ、ウエハＷ表面を投影光学系ＰＬの焦点深度内に合わせ込む焦点合わせ（メインＡＦ）動作を行う。また、これと並行して、ＸＹステージ３を駆動して、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直なＸＹ平面内でＸ方向及びＹ方向に所定量ずつウエハＷをステッピング移動させ、ウエハＷ上に設定される各ショット領域のそれぞれにレチクルＲの回路パターンの像を順次転写する。
【００２５】
このとき、露光装置１は、ウエハＷの各ショット領域の中心を投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ（露光位置）に位置合わせするアライメント動作を行う。このアライメント動作は、レチクルＲ及びウエハＷ上に形成されたアライメント用のマークの位置情報に基づいて行われる。レチクルＲのマークはレチクルアライメント系８によって検出され、ウエハＷのマークは結像光学系としてのウエハアライメント系１０によって検出される。
【００２６】
続いて、レチクルアライメント系８、及びウエハアライメント系１０の構成例について説明する。
レチクルアライメント系８としては、本実施形態では、レチクルＲ上に形成されたレチクルマークＲＭと、Ｚレベリングステージ４上に設けられた基準マークＦＭとを撮像方式で同時に検出する、いわゆるＴＴＲ方式（スルー・ザ・レチクル方式）の画像検出光学系が用いられる。レチクルＲは、レチクルアライメント系８で計測されるレチクルマークＲＭの位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）に基づいて、レチクルＲの中心が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと合致するようにアライメントされる。なお、レチクルマークＲＭとレチクルＲの中心との距離は設計上予め定まった値であり、この値を投影光学系ＰＬの縮小倍率に基づいて演算処理することにより、投影光学系ＰＬの像面側（ウエハ側）におけるレチクルマークＲＭの投影点と投影光学系ＰＬの中心との距離が算出される。この距離は、ウエハＷ上の各ショット領域を投影光学系ＰＬの視野内に配するときの補正値として用いられる。また、基準マークＦＭは、例えば、ウエハＷ上に形成されたアライメント用のマーク（ウエハマーク）と同等の形状に形成され、ウエハＷ表面とほぼ同じ高さとなるように、Ｚレベリングステージ４上に設けられた基準マーク板に形成される。
【００２７】
ウエハアライメント系１０としては、ウエハマークの像を撮像するＦＩＡ方式が用いられ、所定の広帯域波長の光束を計測ビームとして発し、ウエハＷに形成されたウエハマークの像を撮像することにより、ウエハマークの位置を検出する。
【００２８】
（計測用ウエハの第１実施形態）
次に、上記のウエハＷの変形に関する情報を計測するための計測用ウエハについて説明する。
図２は、基板Ｂ上に複数のショット領域（照射領域）ＳＡが設定された計測用ウエハ（変形計測用基板）ＷＡの平面図であり、図３は、ショット領域ＳＡの一つを拡大した詳細図である。
【００２９】
計測用ウエハＷＡは、実露光に用いられるウエハＷの変形を計測するためのものであって、ウエハＷと同種、同一サイズのシリコン基板Ｂに、歪ゲージ（変形計測装置）Ｇ及び歪ゲージ（第２変形計測装置）Ｇ２が形成された構成となっている。
計測用ウエハＷＡには、ウエハと同一の複数（ここでは１３）のショット領域ＳＡが設定されており、各ショット領域ＳＡには、複数（ここでは９つ）の歪ゲージＧが配列されている。
【００３０】
図３に示すように、歪ゲージＧは、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれについて、互いに間隔をあけて複数列（３列×３列）に配列されている。各歪ゲージＧは、Ｙ方向（第１方向）の変形（歪）を計測する歪ゲージ（第１計測部）ＧＹと、Ｘ方向（第２方向）の変形（歪）を計測する歪ゲージ（第２計測部）ＧＸとから構成されている。
【００３１】
歪ゲージＧ２は、ショット領域ＳＡからは外れた基板Ｂ上のコーナー部に設けられた複数（ここでは４箇所）のフレクシャー部ＦＬに配置されている。また、図４に示すように、各歪ゲージＧ２も、歪ゲージＧと同様に、Ｙ方向の変形（歪）を計測する歪ゲージ（第１計測部）Ｇ２Ｙと、Ｘ方向）の変形（歪）を計測する歪ゲージ（第２計測部）Ｇ２Ｘとから構成されている。
【００３２】
フレクシャー部ＦＬは、図５に示すように、基板本体ＢＨの表面に形成されたロ字状の溝部４１及び裏面に形成され溝部４１の外形と略同一の矩形状の凹部４２とによってロ字状に形成された薄板状の接続部４３により基板本体ＢＨに接続された矩形の島部形状を呈している。そして、フレクシャー部ＦＬは、このＸＹ平面と略平行な接続部４３により、基板本体ＢＨの表面と平行な方向（すなわちＸＹ平面と平行な方向）に関しては基板本体ＢＨに剛に接続され、この方向と交差する方向（例えば、Ｚ方向、θＹ方向、θＸ方向）に関しては基板本体ＢＨに柔に接続されている。また、凹部４２は、上述した保持機構による負圧吸引力が作用せず、またリフトピンによる吸着保持がなされない位置に形成されている。
なお、上記溝部４１及び凹部４２としては、例えばフォトリソ工程等を経ることにより形成することができる。
【００３３】
これら歪ゲージＧ、Ｇ２（ＧＹ、ＧＸ、Ｇ２Ｙ、Ｇ２Ｘ）としては、歪が生じると電界を発生する電気−ひずみ効果を利用した半導体歪ゲージや、歪が生じると電気抵抗値が変化することを利用した線歪ゲージ（箔歪ゲージ）等が用いられ、シリコン基板Ｂに上記露光装置１により露光処理が施されることで形成されたものである。
なお、シリコン基板Ｂ上に半導体歪ゲージを形成する方法としては、特開平７−１３１０３６号公報、特開平５−２６４３８０号公報、特開平５−１６４６３６号公報等に詳細に記載されているため、ここではその説明を省略する。
【００３４】
また、シリコン基板Ｂ上に線歪ゲージ（箔歪ゲージ）を形成する方法としては、ウエハＷ上に配線パターンを形成する場合と同様に、上記露光装置１を用いた周知のフォトリソグラフィ法により、導電材料にて線パターン（箔パターン）を成膜することにより形成することができる。
この場合、線パターンの延在方向を変形の検出方向とすることにより、シリコン基板Ｂに生じる当該検出方向の変形を検出することができる。
【００３５】
上記の各歪ゲージＧ（ＧＸ、ＧＹ）及び各歪ゲージＧ２（Ｇ２Ｘ、Ｇ２Ｙ）には、検出結果を出力したり、電流を流すためのリード線Ｌ、Ｌ２がそれぞれ接続されている。これらのリード線Ｌ、Ｌ２は短絡しないように、互いに隙間をあけた状態でシリコン基板Ｂ上を引き回され、図２に示すように、各リード線Ｌ、Ｌ２毎に設けられ、シリコン基板Ｂ上の−Ｘ側の端縁近傍に集約して配置された電極（出力部）Ｅにそれぞれ接続されている。
【００３６】
ウエハステージＷＳに載置された計測用ウエハＷＡに対しては、露光装置１に設けられたコンタクトプローブ等の入力装置（不図示）が電極Ｅに当接することで、歪ゲージＧ、Ｇ２の計測結果が主制御ユニット３０に入力される。また、この当接動作により、計測用ウエハＷＡに形成された各歪ゲージに必要な電力を供給するようにしてもよい。例えば、計測用ウエハＷＡにキャパシタ等のバッテリーを内蔵しておき、電極Ｅが接触することで充電されるように構成することが可能である。また、バッテリーをではなく、電池を内蔵しておくようにしてもよい。
なお、上記の接触方式ではなく、非接触方式で歪ゲージＧの計測結果を取得する構成としてもよい。具体的には、計測用ウエハＷＡに対して歪ゲージＧをパターニング形成する際に、無線通信可能なアンテナ回路をパターニング形成しておき、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行う構成としてもよい。センサ等の計測結果を非接触で制御部に送信する構成としては、例えば、特開昭６２−１３３８２９号等に開示されているものを使用することができる。
【００３７】
上記の計測用ウエハＷＡは、露光処理用のウエハＷの前処理（感光剤塗布処理、現像処理等）と同等の処理を施し、ウエハＷに生じる変形と同等の変形を生じさせることが可能となる。このように前処理が施された計測用ウエハＷＡがウエハステージＷＳに載置されると、入力装置を電極Ｅに当接させることにより、全てのショット領域ＳＡについて、歪ゲージＧＹ、ＧＸの出力を検出するとともに、フレクシャー部ＦＬにおける歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘの出力を検出する。
【００３８】
そして、主制御ユニット３０は、歪ゲージＧＹ、ＧＸの計測結果から、各ショット領域ＳＡの変形をＸ方向及びＹ方向のそれぞれについて求め、歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘの計測結果からフレクシャー部ＦＬにおける変形をＸ方向及びＹ方向のそれぞれについて求める。ここで、計測用ウエハＷＡにおいて生じる変形は、図６に示すように、Ｚレベリングステージ４に保持される際の保持機構やリフトピン等による負圧吸引力で生じた歪みＨＶ（以下、吸着歪みＨＶと称する）と、Ｚレベリングステージ４に搬送されるまでに生じた温度変化による歪みＨＴ（以下、温度歪みＨＴと称する）とに大別される。
そのため、歪ゲージＧＹ、ＧＸの計測結果から得られた各ショット領域ＳＡの変形については、上記吸着歪みＨＶ及び温度歪みＨＴが合算されたものが計測される。
【００３９】
一方、歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘが配置されたフレクシャー部ＦＬにおいては、温度歪みＨＴに関しては接続部４３を介して基板本体ＢＨから伝達されるが、吸着歪みＨＶに関しては接続部４３で変形するため、基板本体ＢＨからフレクシャー部ＦＬには伝達されない。従って、フレクシャー部ＦＬに配置された歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘによって計測される変形は、温度変化で基板Ｂに生じた温度歪みＨＴとなる。
【００４０】
そこで、主制御ユニット３０は、歪ゲージＧＹ、ＧＸの計測結果から得られた各ショット領域ＳＡの変形量から、歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘによって計測される変形量を差し引くことで、各ショット領域ＳＡにおける吸着歪みＨＶを求めることができる。
ここで、各ショット領域ＳＡに生じる温度歪みＨＴとしては、例えば上記４つのフレクシャー部ＦＬで計測された歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘの計測値の平均値や、当該ショット領域ＳＡに最も近いフレクシャー部ＦＬで計測された歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘの計測値等を用いることができる。
【００４１】
そして、基板Ｂに生じた温度歪みＨＴに関しては、ウエハホルダとしてのＺレベリングステージ４の温度と、当該Ｚレベリングステージ４へ搬送されるまでのウエハＷの温度とに大きな差が生じないように、ウエハＷを搬送する搬送装置の温度、雰囲気温度や、クールプレートによる冷却温度等を調整する。
なお、例えばクールプレートにより調整された温度とＺレベリングステージ４の温度との差分が明かである場合には、クールプレートからＺレベリングステージ４に搬送されるまでにウエハＷに生じる温度低下を補正値とし、クールプレートにおいては、この補正値分、ウエハＷの温度が高くなるように温度調整する手順も好適に選択可能である。
【００４２】
一方、基板Ｂに生じた吸着歪みＨＶに関しては、保持機構及びリフトピンによるウエハＷに対する吸着圧力や、ウエハＷを保持して昇降するリフトピンの移動速度を調整することにより、吸着歪みＨＶを最小化する。
【００４３】
そして、上述した温度や吸着状態等を調整した場合には、再度、歪ゲージＧＹ、ＧＸ及び歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘの計測結果から、各ショット領域ＳＡの変形をＸ方向及びＹ方向のそれぞれについて求め、理想格子との差分を各方向毎に補正量（倍率補正量）として記憶する。
なお、上記計測用ウエハＷＡを用いた変形計測は、例えばウエハＷの露光処理前に、ウエハＷの交換毎、ロット毎等、一定の間隔で行うように設定してもよい。
【００４４】
次に、本実施例におけるアライメント動作の一例について説明する。
ウエハＷ上には、計測用ウエハＷＡのショット領域ＳＡに対応する区画された複数のショット領域、つまりレチクルＲに形成された回路パターンの像が転写される領域が形成されており、各ショット領域に対応してウエハ上の二次元平面内での位置計測をする際に観察されるウエハアライメントマーク（マーク）が所定層（例えば第１層）に形成されている。アライメントマークは、Ｘ方向に間隔をあけて延設されウエハＷのＸ方向の位置を計測する際に観察されるウエハマークと、Ｙ方向に間隔をあけて延設されＹ方向の位置を計測する際に観察されるウエハマークとからなるライン・アンド・スペースのマークである。これらのアライメントマークは、例えばウエハＷ上のストリートライン上に形成されている。なお、アライメントマークの形態としては、これに限られるものではなく、１つのマーク内に二次元方向に配列されたライン・アンド・スペースマークを持つ二次元マーク（例えば本出願人より出願された特願平８−３１１４１０）であってもよいし、あるいはボックス状に配された二次元ラインマークであってもよい。なお、ウエハＷ上には、各ショット領域に対応してサーチアライメント用のサーチマークも形成されているが、ここでは図示を省略している。
【００４５】
また、各ウエハアライメントマークは、所定のショット領域の中心に対して同じ位置関係になるように、スクライブライン（ストリートライン）内に配置されている。本実施の形態では、例えば特開昭６１−４４４２９号公報に開示されているＥＧＡ（エンハンスド・グローバル・アライメント）法によって、ウエハＷ上の各ショット領域のアライメントを行う。
【００４６】
ＥＧＡ法において、主制御ユニット３０は、全てのショット領域のうち、アライメントショット領域として選択される少なくとも３つのショット領域におけるウエハマークをウエハアライメント系１０によって検出し、その検出結果に基づいて各アライメントショット領域の座標位置を求める。続いて、ウエハＷ上でのショット領域の配列を表すモデル関数に対して、アライメントショット領域ごとにその求めた座標位置と既知の座標位置（設計値など）とを代入し、最小二乗法などの統計演算によってＸシフト、Ｙシフト、Ｘスケール、Ｙスケール、回転、直交度の６個のショット配列誤差パラメータ（ＥＧＡパラメータ）を算出する。そして、これらのＥＧＡパラメータに基づいて、ウエハＷ上の全てのショット領域に対して設計上の座標位置を補正するとともに、特にスケーリングパラメータ（Ｘスケール、Ｙスケール）に基づいて投影光学系ＰＬの結像特性を調整する。
そして、この算出した座標位置と前述したウエハアライメント系１０のベースライン量とによって決定される移動量に基づいて、ウエハステージＷＳをＸ方向及びＹ方向に駆動することにより、ウエハＷの各ショット領域の中心が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸにアライメントされる。
【００４７】
この後、露光装置１では、駆動装置２８を介してウエハＷを順次露光位置（転写位置）に位置決めして、その位置決めされた各ショット領域上に、レチクルＲ上に形成されたパターンを順次転写（走査露光）する。
ここで、上述したＥＧＡ計測で得られたパラメータ（スケール）は、アライメントショット領域のウエハマークを検出した結果に基づいて統括的に求められたものであり、各ショット領域に対して誤差が含まれる場合がある。
そこで、主制御ユニット３０は、補正装置として、歪ゲージＧＹ、ＧＸにより計測された各ショット領域ＳＡ毎の各方向毎の変形（伸縮）に応じて、ウエハＷにおけるパターンの像が形成される位置・倍率を補正する。
【００４８】
具体的には、主制御ユニット３０は、ショット領域ＳＡの非走査方向（Ｘ方向）のスケール誤差については、当該ショット領域ＳＡを露光する際に、投影光学系ＰＬの結像特性（投影倍率）により補正し、走査方向（Ｙ方向）のスケール誤差についてはウエハステージＷＳの走査速度を調整することにより補正する。
これにより、各ショット領域には、ウエハＷ（各ショット領域）の変形に応じた適正な倍率でレチクルＲのパターン像が投影されることになる。
【００４９】
以上のように、本実施形態では、歪ゲージＧ、Ｇ２を計測用ウエハＷＡに露光処理によりパターニング形成するため、歪ゲージＧ、Ｇ２を計測用ウエハＷＡに貼設したり他の部品を実装する必要がなく、作業効率が低下することなく当該計測用ウエハＷＡを用いて容易にショット領域ＳＡの変形に関する情報を計測することが可能になる。また、歪ゲージとして機能させるための部品を別途搭載しないことから、基板に作用する力の状態を実際の露光処理に使われる基板に近い状態に設定し、この基板と同一環境下での測定を行うことも可能となる。
【００５０】
また、本実施形態では、各ショットＳＡ領域において、例えば基板Ｂを吸着保持する際の吸着圧力により生じた変形と、基板搬送等による温度変化で基板Ｂに生じた熱変形とが合わさった状態の変形が歪ゲージＧにより計測でき、上記熱変形が歪ゲージＧ２により計測できるため、上記吸着圧力により生じた変形量と熱変形量とを分離することができるため、各変形に応じた対策を効果的に採ることが可能になり、ウエハＷに生じる変形を最小限に抑えることができる。
特に、本実施形態では、基板本体ＢＨに対して、表面と平行な方向に関して剛に接続され、この方向と交差する方向に関しては柔に接続されたフレクシャー部ＦＬに歪ゲージＧ２を配置することで、簡単な構成で容易に基板Ｂの温度変形のみを計測することができる。また、本実施形態では、各ショット領域ＳＡ毎にＸ方向及びＹ方向の変形を個別に計測しているため、ショット領域ＳＡの変形をより正確に計測することが可能なり、パターンの像を形成する位置をより高精度に補正して高品質のデバイスを製造することができる。
【００５１】
しかも、本実施形態では、歪ゲージＧ、Ｇ２（ＧＹ、ＧＸ、Ｇ２Ｙ、Ｇ２Ｘ）の計測結果が出力される電極Ｅが集約されて配置されているため、小型の入力装置で各計測結果を得ることが可能になり、装置の大型化を防止することができるとともに、多数の歪ゲージＧの計測結果を効果的に得ることが可能になり、計測作業効率の向上を図ることができる。
【００５２】
なお、上記実施形態では、歪ゲージＧ、Ｇ２で計測した結果を用いて温度や吸着力等を調整するための情報を求める構成としたが、その他に図７に示すように、フレクシャー部ＦＬ（ＦＬ１〜ＦＬ４）に配置された歪ゲージＧ２の計測結果から、当該フレクシャー部ＦＬ１〜ＦＬ４の設計位置に対して変形時の位置ＦＬ１１〜ＦＬ１４を求めることにより、変形で基板Ｂ（ウエハＷ）に生じたθＺ方向（Ｚ軸周り方向）の回転成分も求めることが可能である。
【００５３】
（計測用ウエハの第２実施形態）
続いて、計測用ウエハの第２実施形態について説明する。
上記第１実施形態では、歪ゲージＧ２をショット領域ＳＡからは外れた基板Ｂ上のコーナー部に設ける構成としたが、第２実施形態では各ショット領域ＳＡに設ける構成としている。
すなわち、図８に示すように、本実施形態では各ショット領域ＳＡの略中央部にフレクシャー部ＦＬが設けられている。そして、このフレクシャー部ＦＬに歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘが配設されている。
他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００５４】
上記の構成では、主制御ユニット３０が歪ゲージＧＹ、ＧＸの計測結果から得られた各ショット領域ＳＡの変形量から、当該歪ゲージＧＹ、ＧＸと同一のショット領域ＳＡに設けられた歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘによって計測される変形量を差し引くことで、各ショット領域ＳＡにおける吸着歪みＨＶをより高精度に求めることができる。
また、図９に示すように、歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘの長さをそれぞれＬＹ、ＬＸ、ショット領域ＳＡのＹ方向、Ｘ方向の長さをそれぞれＳＹ、ＳＸ、歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘの計測結果をそれぞれεｙ、εｘとしたときに、ショット領域ＳＡのＹ方向及びＸ方向の長さεＹ、εＸは下式で求められる。
εＹ＝εｙ・（ＳＹ／ＬＹ）      …（１）
εＸ＝εｘ・（ＳＸ／ＬＸ）      …（２）
従って、各ショット領域ＳＡ毎に、式（１）、（２）を用いてショット領域ＳＡのＹ方向及びＸ方向の長さεＹ、εＸを、歪ゲージＧ２Ｙ、Ｇ２Ｘの計測結果εｙ、εｘを変換することで求め、Ｙ方向に並ぶショット領域ＳＡで求められたεＹを加算し、またＸ方向に並ぶショット領域ＳＡで求められたεＸを加算することにより、ウエハＷにおいて生じた全体的な歪みを求めることができる。
【００５５】
（表示工程）
上述した歪ゲージＧ、Ｇ２で計測した結果を適宜表示することで、ウエハＷに生じている変形等を明示的に可視化することも可能である。
例えば、図７に示した変形に関する情報を露光装置１に付設された表示装置（不図示）や、歪ゲージＧ、Ｇ２の計測結果を演算・解析する演算装置（例えば、図１に示す主制御ユニット３０）において表示する構成としてもよい。
【００５６】
また、他の表示としては、ショット領域ＳＡ毎の変形に関する情報（歪み等）や、上記のウエハＷにおいて生じた全体的な歪み等を表示することができる。また、表示方式としては、変形の大きさをベクトル表示として、Ｙ方向及びＸ方向の各方向毎に矢印表示する方式や、ショット領域ＳＡの大きさを設計値と変形時の双方を表示する方式等を選択できる。この場合、Ｙ方向とＸ方向とで表示色を異ならせたり、点灯と点滅パターンを用いることが視認性の向上の観点から好ましい。また、全体的な歪みやショット領域ＳＡ毎の歪みについて、許容範囲内の場合と許容範囲を超えた場合とで、表示方式（表示色や点灯、点滅パターン）を異ならせることにより、許容範囲を超えたエラー情報を迅速、且つ的確に視認することが可能になる。
【００５７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００５８】
例えば、上記第２実施形態では、歪ゲージＧ２を各ショット領域ＳＡに一つずつ配置する構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば歪みゲージＧ毎に歪ゲージＧ２を設ける構成としてもよい。この場合、歪みゲージＧの計測結果に対して、より高精度に温度歪みＨＴと吸着歪みＨＶとを分離することができる、
【００５９】
また、上記実施形態では、保持機構による負圧吸引力が作用せず、またリフトピンによる吸着保持がなされない位置にフレクシャー部ＦＬが形成される場合について、凹部４２を設けることでＺレベリングステージ４からの吸着力の影響を受けない構成としたが、保持機構による負圧吸引力またはリフトピンによる吸着保持がなされる位置にフレクシャー部ＦＬが形成される場合には、例えば、図１０に示すように、基板Ｂ（ウエハＷ）にはフレクシャー部ＦＬが設けられる位置にＺレベリングステージ４との当接部を設け、この当接部とフレクシャー部ＦＬとの間に凹部４２を設ける構成とすればよい。
【００６０】
この場合、フレクシャー部ＦＬを製造する方法としては、例えば当接部の厚さを有する第１板状部材と、別途フレクシャー部ＦＬを形成した第２板状部材とを貼り合わせる方法や、基板Ｂのフレクシャー部ＦＬと対応する位置に当接部を残す深さでエッチング等により凹部を形成した後に、凹部４２の厚さを有するレジストを塗布し、このレジスト上にフォトリソ技術を用いてフレクシャー部ＦＬを積層形成した後にレジストを除去する方法等を採用することができる。この場合、接続部４３の強度を維持するためにフレクシャー部ＦＬ及び接続部４３を金属で形成することが好ましく、この場合には歪ゲージＧ２は、フレクシャー部ＦＬ上に絶縁膜等を介して配設する。
【００６１】
また、上記実施形態では、計測用ウエハＷＡの各ショット領域ＳＡに歪ゲージＧＹ、ＧＸをそれぞれ配置する構成としたが、これに限定されるものではなく、要求される精度によっては、一方向のみの変形を計測可能な歪ゲージを配置する構成としてもよく、逆に３方向以上の変形を計測可能な歪ゲージを設ける構成としてもよい。
【００６２】
また、上記実施形態では、各ショット領域ＳＡに同数の歪ゲージＧを配置する構成としたが、これに限られず、例えば変形量（熱膨張量等）が大きくなる傾向にある外周側に位置するショット領域ＳＡについては、内周側に位置するショット領域ＳＡよりも多くの歪ゲージＧを配置する構成としてもよい。
上記実施形態では、各ショット領域ＳＡに歪ゲージＧＹ、ＧＸを９つずつ設け、１つのショット領域に対して歪の分布状態を求めることができるようにしてある。これにより、ショット領域ＳＡの高次の変形度合いを求めることが可能となる。しかし、それに限定されるものではなく、歪ゲージＧＹ、ＧＸを１つずつ設けるようにしてもよい。
【００６３】
また、上記実施形態では、露光装置１において計測用ウエハＷＡを用いて変形に関する情報を計測する構成としたが、露光装置１の他に、当該露光装置１に接続され、ウエハＷに対して感光剤の塗布処理を行うとともに、露光処理されたウエハＷに対して現像処理を行うコータ・デベロッパ装置において変形に関する情報を計測する構成としてもよい。
この場合、計測用ウエハＷＡに対して塗布処理及び現像処理を行い計測用ウエハＷＡに生じる変形に関する情報を計測することにより、塗布処理及び現像処理でウエハＷに生じるであろう変形を予測して、露光処理における補正に反映させることができ、パターンの像を形成する位置をより高精度に補正して高品質のデバイスを製造することができる。
【００６４】
なお、上記各実施形態のウエハＷとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００６５】
露光装置本体１としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明はウエハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００６６】
露光装置本体１の種類としては、ウエハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００６７】
また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）等のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。
【００６８】
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【００６９】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。
【００７０】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７１】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１１は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７２】
図１２は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７３】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【符号の説明】
【００７４】
１…露光装置、  Ｅ…電極（出力部）、  Ｇ…歪ゲージ（変形計測装置）、  ＧＹ、Ｇ２Ｙ…歪ゲージ（第１計測部）、  ＧＸ、Ｇ２Ｘ…歪ゲージ（第２計測部）、  ＳＡ…ショット領域（照射領域）、  ＷＡ…計測用ウエハ（変形計測用基板）、  ＷＳ…ウエハステージ（基板ステージ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005593690.tif 000009
【図９】
0005593690.tif 000010
【図１０】
0005593690.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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