(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
面状の第１電極と線状の第２電極とを有し、前記第１電極と前記第２電極が絶縁膜を介して形成される第１基板と、前記第１基板と対向配置される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで狭持される液晶と、複数の画素が形成される矩形状の表示領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記第１基板と前記第２基板とを固着する共に前記液晶を密封するシール材とを備える液晶表示装置であって、
前記第１基板に配置され、前記第１電極及び前記第２電極に導電膜で形成される配線を介して前記液晶の駆動信号を出力する駆動回路を有し、
前記第１基板又は／及び前記第２基板は、前記液晶側に形成されるメタル層を貫通する第１のコンタクトホールに重畳し、前記第１のコンタクトホールよりも大きさが小さい孔であって、前記第１のコンタクトホールを覆いかつ前記メタル層の前記液晶面側に形成された保護膜を貫通して、当該基板の基材が露出される少なくとも１つ以上のシール孔を有し、
前記シール孔は、前記駆動回路が配置される辺と対向する側の辺に形成され、
前記シール孔を含む領域に前記シール材が形成され、前記第１基板と前記第２基板との内の少なくとも一方の基板の基材が前記シール孔を介して前記シール材により直接固着されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１基板及び前記第２基板は、前記液晶を介して重畳される位置に一対以上の前記シール孔を備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記表示領域の外側に形成される矩形状のシール材の角部の内、前記表示領域を介して対向する辺を共有する少なくとも一方の角部に前記シール孔が形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記表示領域の外側に形成される矩形状のシール材の４つの角部に前記シール孔が形成されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記シール孔は、複数の貫通孔群からなることを特徴とする請求項１乃至４の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、画素を構成する薄膜トランジスタが形成されるＴＦＴ基板と、液晶を介してガラス基板と対向して配置されるカラーフィルタ基板とを固定する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、複数のドレイン線と、このドレイン線に交差するゲート線が形成され、ドレイン線とゲート線とに囲まれる領域に画素が形成され、画素毎に薄膜トランジスタが形成される第１基板と、カラー表示用の画素を構成するためのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタが形成される第２基板とで液晶を挟持する構成となっている。このとき、第１基板と第２基板との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布されたシール材で固定され、液晶も封止される構成となっている。このような液晶表示装置では、第１基板及び第２基板の液晶側の面の内で、液晶が封入され画素が形成される領域いわゆる表示領域には、液晶分子の初期配向を制御する配向膜が形成されている。配向膜を塗布する装置の位置合わせ精度や表示領域内の液晶分子の初期配向を安定して制御するために、配向膜の形成においては表示領域を僅かに超えた領域にまで塗布されることが一般的である。
【０００３】
一方、携帯電話をはじめとする携帯情報端末の搭載される液晶表示装置では、筐体の大きさが限られているなかでの表示領域の拡大、高精細化及び高画質が要望されている。このために、液晶表示パネルを構成する第１基板及び第２基板の内で、画像表示に係わらない額縁領域の占める割合を小さくする、すなわち額縁領域を狭くする（いわゆる挟額縁化）ことによって、表示領域を拡大させると共に、額縁領域における配線の多層化等により高精細化及び高画質化を進めている。
【０００４】
しかしながら、近年では、表示領域の端部から液晶表示パネルの辺縁部までの距離が１〜２ｍｍ程度となり、さらなる挟額縁化によりシール材の塗布領域に配向膜が重畳されてしまうことが懸念されている。特に、配向膜を形成するポリイミド系の材料は密着性が低いために、シール材の塗布領域に配向膜が重畳した場合、シール材と第１基板及び第２基板との密着性が低下してしまうことが懸念されている。
【０００５】
このようなシール材と第１基板及び第２基板との密着性を向上させる技術として、特許文献１及び特許文献２に記載の技術がある。特許文献１に記載の技術では、液晶表示パネルの隅部に塗布されるシール材の外周部を、辺部に塗布されるシール材の外周部よりも基板の外側となるようにシール材を塗布する構成となっている。また、特許文献２に記載の技術では、液晶表示パネルの四隅に液晶パネルの辺縁部からシール材が塗布される領域にかけて、第１絶縁膜を除去した除去部を形成し、この除去部の一部領域にもシール材を塗布し一対の基板を固着する構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−６６６０７号公報
【特許文献２】特開２００８−４６３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２に記載の技術では、除去部は、薄膜トランジスタの形成に伴う基板上の凹凸を平坦化するための有機絶縁膜を含む第１絶縁膜を除去した領域となっている。すなわち、ゲート配線とソース配線（ドレイン配線を含む）との間に形成される第２絶縁膜が露出させた除去部の一部領域にシール材を塗布し、２枚の基板を固着する構成となっている。このため、特許文献２に記載の技術では、第２絶縁膜とシール材と接着強度、又は第２絶縁膜と基板との間に形成される薄膜層の強度の内の最も低い強度が、液晶表示パネルの四隅における２枚の透明基板の接着強度となる。
【０００８】
一方、近年の高精細化に伴い、額縁領域の形成される配線数に増加しており、所定の配線幅を維持し配線負荷の増大を抑えるため、額縁領域に形成される配線を多層化する等の技術が用いられている。このために、額縁領域における第２絶縁膜と基板との間に形成される薄膜層数も増大しており、液晶表示パネルの接着強度の低下が懸念されている。
【０００９】
さらには、額縁領域のさらなる縮小のためにシール材の塗布幅の縮小がなされた場合、シール材の単位面積当たりに作用する応力もさらに増加することとなるので、さらなる接着強度の向上が要望されている。
【００１０】
また、特許文献１に記載の技術では、シール材の塗布幅が大きくなってしまうので、額縁領域を縮小することが困難である。
【００１１】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、透明基板の接着強度を向上させ、画像表示に係わらない表示領域の外側部分を縮小させることが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）前記課題を解決すべく、面状の第１電極と線状の第２電極とを有し、前記第１電極と前記第２電極が絶縁膜を介して形成される第１基板と、前記第１基板と対向配置される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とで狭持される液晶と、複数の画素が形成される矩形状の表示領域と、前記表示領域の外側に形成され、前記第１基板と前記第２基板とを固着する共に前記液晶を密封するシール材とを備える液晶表示装置であって、前記第１基板に配置され、前記第１電極及び前記第２電極に導電膜で形成される配線を介して前記液晶の駆動信号を出力する駆動回路を有し、前記第１基板又は／及び前記第２基板は、前記液晶側に形成されるメタル層を貫通する第１のコンタクトホールに重畳し、前記第１のコンタクトホールよりも大きさが小さい孔であって、前記第１のコンタクトホールを覆いかつ前記メタル層の前記液晶面側に形成された保護膜を貫通して、当該基板の基材が露出される少なくとも１つ以上のシール孔を有し、前記シール孔は、前記駆動回路が配置される辺と対向する側の辺に形成され、前記シール孔を含む領域に前記シール材が形成され、前記第１基板と前記第２基板との内の少なくとも一方の基板の基材が前記シール孔を介して前記シール材により直接固着される液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、透明基板の接着強度を向上させることができるので、画像表示に係わらない表示領域の外側部分をさらに縮小させることができる
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための図である。
【図２】本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素構成を説明するための上面図である。
【図３】図２に示すＢ−Ｂ線における断面図である。
【図４】図１に示すＢ部の拡大図である。
【図５】図４に示すＤ−Ｄ線における断面図である。
【図６】本発明の実施形態１の液晶表示装置における他のシールコンタクトホールの形状を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態１の液晶表示装置における他のシールコンタクトホールの形成位置を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態２の液晶表示装置の概略構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。
【００１６】
〈実施形態１〉
〈全体構成〉
図１は本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための図であり、特に実施形態１のシール用のコンタクトホール（以下、シールコンタクトホール（シール孔）と記す。）の形成位置を説明するための図である。以下、図１に基づいて、実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明する。ただし、なお、図１に示すシールコンタクトホールは、その形成位置を明確にするために拡大した表記としている。また、図中に示すＸ、ＹはそれぞれＸ軸、Ｙ軸を示す。
【００１７】
図１に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、画素電極等が形成される第１基板ＳＵＢ１と、カラーフィルタやブラックマトリクスが形成され、第１基板ＳＵＢ１に対向して配置される第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される図示しない液晶層とで構成される液晶表示パネルＰＮＬを有し、この液晶表示パネルＰＮＬの光源となる図示しないバックライトユニットとを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布されたシール材ＳＬで固定され、液晶も封止される構成となっている。なお、以下の説明では、液晶表示パネルＰＮＬの説明においても、液晶表示装置と記す。
【００１８】
このとき、実施形態１の液晶表示装置では、矩形状の液晶表示パネルＰＮＬの図１中上側の辺すなわち矩形状の表示領域ＡＲの形状に沿って塗布されたシール材ＳＬの図１中の上側部に、このシール材ＳＬと重畳され、かつシール材ＳＬの幅（シール幅）を超えないシールコンタクトホールＳＣが第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２とにそれぞれ４個ずつ形成される構成となっている。この第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２に形成されるシールコンタクトホールＳＣは、後に詳述するように、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の液晶側の面（対向面）から各基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の基材表面に至る貫通孔である。従って、シール材ＳＬにより第１基板ＳＵＢ１の基材と第２基板ＳＵＢ２の基材とが直接、シール材ＳＬを介して固定されるので、シールコンタクトホールＳＣが形成される領域の固着力を向上させることができる。その結果、例えば、シール材ＳＬの形成幅（塗布幅）を縮小させることも可能である。さらには、液晶表示パネルＰＮＬに外部から応力が印加された場合に、その応力が集中する部位である液晶表示パネルＰＮＬの角部にシールコンタクトホールＳＣを形成することにより、少ないシールコンタクトホールＳＣの形成数で第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固着力を向上させることが可能となる。
【００１９】
また、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、ガラス基板に限定されることはなく、石英ガラスやプラスチック（樹脂）のような他の絶縁性基板であってもよい。例えば、石英ガラスを用いれば、プロセス温度を高くできるため、後述する薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜を緻密化できるので、信頼性を向上することができる。一方、プラスチック（樹脂）基板を用いる場合には、軽量で、耐衝撃性に優れた液晶表示装置を提供できる。
【００２０】
また、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。
【００２１】
実施形態１の液晶表示装置では第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査線（ゲート線）ＧＬが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。
【００２２】
ドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとで囲まれる矩形状の領域は画素が形成される領域を構成し、これにより、各画素は表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。各画素は、例えば図１中丸印Ａの部分において、その拡大図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、コモン線ＣＬに接続され映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極ＣＴとを備えている。
【００２３】
画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間には、第１基板ＳＵＢ１の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から、ＩＰＳ方式（ＩＰＳ−Ｐｒｏ方式を含む）あるいは横電界方式と称される。また、このような構成の液晶表示装置において、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。
【００２４】
なお、拡大図Ａ’に示す共通電極ＣＴの構成では、画素毎に独立して形成される共通電極ＣＴにコモン線ＣＬを介して共通信号を入力する構成としたが、これに限定されることはなく、Ｘ方向に隣接配置される画素の共通電極ＣＴが直接に接続されるように共通電極ＣＴを形成し、Ｘ方向の左右（第１基板ＳＵＢ１の端部）の一端から、又は両側からコモン線ＣＬを介して共通信号を入力する構成でもよい。
【００２５】
各ドレイン線ＤＬ及び各ゲート線ＧＬはその端部においてシール材ＳＬを越えてそれぞれ延在され、駆動回路ＤＲに接続される。該駆動回路は半導体チップで形成されており、第２基板ＳＵＢ２よりも大きい第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に搭載されている。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、駆動回路ＤＲを半導体チップで形成し第１基板ＳＵＢ１に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板ＦＰＣにテープキャリア方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式で搭載し、第１基板ＳＵＢ１に接続させる構成であってもよい。
【００２６】
〈画素の構成〉
図２は本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素構成を説明するための上面図であり、図３は図２に示すＢ−Ｂ線における断面図である。以下、図２及び図３に基づいて、実施形態１の液晶表示装置における画素構造を説明する。ただし、説明を簡単にするために、図２及び図３には第１基板のみを示し、周知の配向膜は省略する。また、遮光膜ＳＢの形成を含む薄膜の形成は公知のフォトリソグラフィ技術により可能となるので、その形成方法の詳細な説明は省略する。
【００２７】
図２に示すように、実施形態１の液晶表示装置では、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設されるゲート線ＧＬと、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設されるドレイン線ＤＬとで囲まれる領域が画素の領域となっている。このような構成とすることにより、実施形態１の液晶表示装置では、画素をマトリクス状に形成する構成となっている。また、実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面（対向面）には、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）の透明導電材料からなる平面状の共通電極ＣＴが形成されている。この共通電極ＣＴは、第１基板ＳＵＢ１の辺部においてコモン線ＣＬに重畳されて形成され、これによりコモン線ＣＬと電気的に接続されて形成されている。なお、実施形態１では、ゲート線ＧＬ及びドレイン線ＤＬは金属薄膜で形成される。
【００２８】
また、図３に示すように、ガラス基板ＳＵＢ１の表面には薄膜トランジスタＴＦＴを保護するための下地膜ＩＮが形成され、該下地膜ＩＮの上層にゲート線ＧＬやコモン線ＣＬが形成されている。これらの上層には、ゲート線ＧＬやコモン線ＣＬ等を被うようにして絶縁膜ＧＩが形成されている。この絶縁膜ＧＩは、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において該薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するものであり、それに応じて膜厚等が設定されるようになっている。
【００２９】
絶縁膜ＧＩの上面であって、ゲート線ＧＬの一部と重畳する個所において、半導体層ＡＳが形成されている。この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層である。また、この半導体層ＡＳの形成時において、例えば、ドレイン信号線ＤＬの下層、接続部ＪＣの下層、及びソース電極ＳＴの延在部分（パッド部ＰＤを含む）の下層に、アモルファスシリコン層ＡＳ’を形成し、段差が少なく構成できるようにしている。
【００３０】
そして、図中Ｙ方向に伸張されるドレイン線ＤＬの一部において、薄膜トランジスタＴＦＴ側に延在する延在部（接続部）ＪＣを有し、この延在部ＪＣは半導体層ＡＳ上に形成された薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴに接続される。また、ドレイン線ＤＬは、絶縁膜ＧＩ及びアモルファスシリコン層ＡＳ’を介してゲート線ＧＬと交差する構成となっている。また、ドレイン線ＤＬ及びドレイン電極ＤＴの形成の際に同時に形成されるソース電極ＳＴが、半導体層ＡＳ上にてドレイン電極ＤＴと対向し、かつ、半導体層ＡＳ上から画素領域側に若干延在された延在部を有して形成されている。この延在部は画素電極ＰＸと接続されるパッド部ＰＤに至るようにして構成されている。このとき、図２に示すように、ドレイン電極ＤＴは、ソース電極ＳＴの先端部を囲むようにして形成された例えばＵ字状のパターンとして形成されている。これにより、薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル幅を大きく構成している。
【００３１】
なお、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート線ＧＬをゲート電極としたいわゆる逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）構造のトランジスタが構成されることになる。また、ＭＩＳ構造のトランジスタは、そのバイアスの印加によってドレイン電極ＤＴとソース電極ＳＴが入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線ＤＬと接続される側をドレイン電極ＤＴ、画素電極ＰＸと接続される側をソース電極ＳＴと称する。
【００３２】
第１基板ＳＵＢ１の表面には、薄膜トランジスタＴＦＴを被う絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴと液晶との直接の接触を回避させると共に、薄膜トランジスタＴＦＴの形成に伴う第１基板ＳＵＢ１表面を平坦化させるために設けられるようになっている。従って、後述するように、保護膜ＰＡＳは第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面の全面すなわち辺縁部に至る領域にまで延在して形成している。この保護膜ＰＡＳの上層に共通電極ＣＴが形成されて、その上層に容量素子の誘電体膜として機能する容量絶縁膜ＣＩが形成され、該容量絶縁膜ＣＩを介してその上層に画素電極ＰＸが形成されている。このとき、容量絶縁膜ＣＩ及び保護膜ＰＡＳには、パッド部ＰＤに至るコンタクトホールＣＨが形成され、該コンタクトホールＣＨを介して画素電極ＰＸと薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴとが電気的に接続される。
【００３３】
実施形態１の画素電極ＰＸは、例えばＩＴＯ等からなる透明導電膜を画素の領域内に面状に形成した後に、バックライト光の通過領域ＡＰに対応する部分にＹ方向と交差する複数のスリットＳＬＴが形成され、この構成により通過領域ＡＰ内において共通電極ＣＴと重畳する線状（櫛歯状）の電極を形成している。また、実施形態１では、１つの画素の領域内において、薄膜トランジスタＴＦＴに近い領域と遠い領域との２つの領域を設け、２つの領域でスリットＳＬＴの形成角度（Ｙ方向に対する傾斜角度）が異なる角度となるように形成することにより、通過領域ＡＰ内における線状電極部分の傾斜角度を異なる角度としている。このような構成とすることにより、スリットＳＬＴが形成される領域における透過率を向上させると共に、視角依存性を緩和させている。なお、実施形態１の画素電極ＰＸはスリットＳＬＴの端部が開口されない構成としたが、これに限定されることはなく、その一端又は両端が開口される構成であってもよい。
【００３４】
また、第１基板ＳＵＢ１に液晶ＬＣを介して対向配置される第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、カラー表示用の画素を構成するためのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタＣＦが形成されると共に、各カラーフィルタＣＦとの境界部分に遮光膜となるブラックマトリクスＢＭが形成されている。このカラーフィルタＣＦ及びブラックマトリクスＢＭの上層には保護膜となるオーバーコート層ＯＣが形成され、その上層に図示しない配向膜が形成される。
【００３５】
〈シール部の構成〉
次に、図４に図１に示すＢ部の拡大図、図５に図４に示すＤ−Ｄ線における断面図を示し、以下、図１〜図５に基づいて、実施形態１の液晶表示装置におけるシールコンタクトホールＳＣの詳細について説明する。
【００３６】
図４及び図５に示すように、実施形態１の液晶表示パネルでは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを固定するシール材ＳＬは、表示領域ＡＲの外周側に形成されるゲート線ＧＬから伸延される引き出し配線ＳＩＧに重畳されて塗布される構成となっている。このとき、実施形態１では、ドレイン線から伸延される図示しない引き出し配線は液晶表示パネルＰＮＬの下部すなわち駆動回路ＤＲが搭載される側に引き出される構成となっている。従って、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、表示領域ＡＲの図４中左側領域と下側領域とに引き出し配線ＳＩＧが形成されている。従って、シール材ＳＬと引き出し配線とが重畳される領域は、図１中の表示領域ＡＲの左側領域と下側領域となる。
【００３７】
従って、シール材ＳＬが塗布される領域の内で、液晶表示パネルＰＮＬの角部の引き出し配線ＳＩＧに重畳しない領域である図１に示す表示領域ＡＲの上側領域に、実施形態１のシールコンタクトホールＳＣが形成されている。このように、駆動回路ＤＲが配置される側（例えば、図１中の左下部）では、ゲート線ＧＬと駆動回路ＤＲとを接続する引き出し配線ＳＩＧが多数形成されているので、実施形態１においては、駆動回路ＤＲが配置される側の辺と対向する辺となるシール材ＳＬの形成位置にシールコンタクトホールＳＣを形成している。
【００３８】
すなわち、実施形態１のシールコンタクトホールＳＣは、その形状が丸型であり、直径がシール材ＳＬのシール幅を超えない大きさとなっている。また、本願発明のシールコンタクトホールＳＣは、シール材ＳＬに重畳して形成されると共に、表示面側から見てシール材ＳＬの形成範囲を超え、その外側に突出されない位置に形成される。
【００３９】
次に、図５に基づいて、実施形態１のシールコンタクトホールＳＣの詳細構造について説明する。ただし、以下の説明では、第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に形成されると共にシール材ＳＬの塗布領域に延在する金属薄膜層等を含む層をメタル層ＭＴＬと記す。また、この薄膜トランジスタの上層に形成される保護膜ＰＡＳは、前述するように無機絶縁膜や有機絶縁膜等からなる。実施形態１では、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成されるメタル層ＭＴＬ、すなわち引き出し配線ＳＩＧを形成する金属薄膜や透明導電膜で形成される配線、さらには薄膜トランジスタ等の形成位置を避けた領域にシールコンタクトホールＳＣが形成される構成となっているので、第１基板ＳＵＢ１の表面には保護膜ＰＡＳのみが形成されている。従って、図５に示すように、保護膜ＰＡＳのエッチングにより、保護膜ＰＡＳを貫通して第１基板ＳＵＢ１の表面まで達する構成となる。これにより、第１基板ＳＵＢ１の基材であるガラス基板の表面が露出され、シール時にはシール材ＳＬが第１基板ＳＵＢ１の基材であるガラス基板が直接接しての固着となる。
【００４０】
同様にして、第２基板ＳＵＢ２に形成されるシールコンタクトホールＳＣにおいては、第２基板ＳＵＢ２の液晶側の面にはカラーフィルタＣＦ、ブラックマトリクスＢＭ、及びオーバーコート層ＯＣが形成されるが、カラーフィルタＣＦは表示領域ＡＲにのみ形成される。従って、第２基板ＳＵＢ２におけるシール材ＳＬが形成される領域では、第２基板ＳＵＢ２の基材であるガラス基板の表面にはブラックマトリクスＢＭが形成され、その上層にオーバーコート層ＯＣが形成されている。よって、図５に示すように、ブラックマトリクスＢＭとオーバーコート層ＯＣとのエッチングにより、第２基板ＳＵＢ２の液晶側の面に形成されるブラックマトリクスＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通して第２基板ＳＵＢ２の表面まで達する構成となり、第２基板ＳＵＢ２の基材であるガラス基板の表面が露出され、シール時にはシール材ＳＬが第２基板ＳＵＢ２の基材であるガラスと直接接しての固着となる。
【００４１】
なお、シール材ＳＬの形成領域に面状の導電膜等を形成する場合には、例えばメタル層ＭＴＬの形成の後にシールコンタクトホールＳＣとなる第１のコンタクトホールを形成し、該メタル層ＭＴＬの上層に保護膜ＰＡＳを形成した後に該保護膜ＰＡＳに第１のコンタクトホールに重畳し、その大きさが第１のコンタクトホールよりも小さい第２のコンタクトホール（シール孔）を形成することにより、シールコンタクトホールＳＣを形成することにより、メタル層ＭＴＬを避けた領域にシールコンタクトホールＳＣを形成したのと同様に、メタル層ＭＴＬとシール材ＳＬとが直接接しないシールコンタクトホールＳＣを形成できる。
【００４２】
以上に説明したように、実施形態１のシールコンタクトホールＳＣを形成し、シール材ＳＬで固着することにより、図５に示すように、シールコンタクトホールＳＣが形成される領域においては、第１基板ＳＵＢ１の基材（例えば、ガラス）とシール材ＳＬ、及び第２基板ＳＵＢ２の基材（例えば、ガラス）とシール材ＳＬがそれぞれ薄膜等を介することなく直接接し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを固定することが可能となる。すなわち、最も密着性（接着力）が強いガラス基板同士をシール材ＳＬで固着させることとなるので、液晶表示パネルＰＮＬを構成する第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固着強度を向上させることが可能となる。さらには、額縁領域がさらに狭くなり、シール材ＳＬの塗布幅が細くなる、又はシール材ＳＬの塗布領域が配向膜の形成領域と重畳してしまった場合であっても、密着性を低下させることなく第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを固着することが可能となる。
【００４３】
また、以上に説明したシールコンタクトホールＳＣの形状は丸型としたが、シールコンタクトホールＳＣの形状は、図６に示すように、他の形状であってもよい。例えば、図６（ａ）に示す正方形を含む矩形状、図６（ｂ）に示す平行四辺形、図６（ｃ）に示す六角形をはじめとする多角形、図６（ｄ）に示す楕円形、図６（ｅ）に示す三角形、図６（ｆ）に示すような特殊な形状等の何れであってもよい。特に、このような他の形状を適宜用いることにより、メタル層ＭＴＬに導電膜が形成されているような領域であっても、シールコンタクトホールＳＣを形成することが可能となる。
【００４４】
さらには、本願発明では、シールコンタクトホールＳＣは図６（ｇ）に示す矩形状や図６（ｈ）に示す円形状のように、複数個の小さいシールコンタクトホールＳＣを形成して同じ面積の一つのシールコンタクトホールＳＣを代用とする構成であってもよい。ただし、シール材ＳＬは一般的に同じ面積の場合には一つのコンタクトホールで形成した方がその密着性を向上することができるので、可能な限りは１つのコンタクトホールでシールコンタクトホールＳＣを形成した方がより好ましい。
【００４５】
さらには、本実施形態１の液晶表示装置では、１辺に形成するシールコンタクトホールＳＣを４つの場合について説明したが、これに限定されることはなく、例えば図７に示すように、図中上側の１辺の端部すなわち液晶表示パネルＰＮＬの上端側の角部に形成する構成であってもよい。さらには、図１の両端側のシールコンタクトホールＳＣを除いた場合のように、何れの場所であってもよい。ただし、液晶表示パネルＰＮＬに印加された応力は、液晶表示パネルＰＮＬの角部に集中するので、角部にシールコンタクトホールＳＣを形成した方が少ないシールコンタクトホール数で密着性を向上させることが可能である。
【００４６】
〈実施形態２〉
図８は本発明の実施形態２の液晶表示装置の概略構成を説明するための図である。ただし、実施形態２の液晶表示装置は、シールコンタクトホールＳＣの形成位置及びその形成に伴う引き出し配線の位置を除く他の構成は実施形態１の液晶表示装置と同様の構成である。従って、以下の説明では、シールコンタクトホールＳＣの形成位置及びその形成に伴う引き出し配線について詳細に説明する。
【００４７】
図８に示すように、実施形態２の液晶表示装置では、液晶表示パネルＰＮＬの４つの角部の全てにシールコンタクトホールＳＣを形成する構成としている。すなわち、実施形態２の液晶表示装置では、駆動回路ＤＲが形成される側の辺においてもシールコンタクトホールＳＣを形成する構成となっている。一方、前述するように、特に、図８中左下の領域には図示しないドレイン線と駆動回路ＤＲとを接続するための図示しない引き出し配線、及び図示しないゲート線と駆動回路ＤＲとを接続するための図示しない引き出し配線とが形成される構成となっている。このような構成を可能とするために、例えば、この領域における引き出し配線を多層化すると共に、表示領域ＡＲの図中上側領域おける引き出し配線の形成位置を液晶表示パネルＰＮＬの図中右側とし、下側領域における引き出し配線の形成位置を液晶表示パネルＰＮＬの左側とする等により、駆動回路ＤＲが配置される側の辺にシールコンタクトホールＳＣを形成することが可能となる。
【００４８】
このような構成により、液晶表示パネルＰＮＬの４つの角部にシールコンタクトホールＳＣを形成する場合には、液晶表示装置を形成する第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との密着性をさらに向上させることが可能となる。
【００４９】
なお、実施形態１、２の液晶表示装置において、駆動回路ＤＲが配置される側の辺に対向する辺の角部を共有するＹ方向の辺のシール材ＳＬに重畳されるシールコンタクトホールＳＣを形成する構成であってもよい。
【００５０】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【００５１】
ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＡＲ……表示領域、ＳＵＢ１……第１基板
ＳＵＢ２……第２基板、ＤＬ……ドレイン線、ＧＬ……ゲート線、ＣＬ……コモン線
ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＣＴ……共通電極、ＳＬ……シール材、ＤＲ……駆動回路
ＦＰＣ……フレキシブルプリント基板、ＰＸ……画素電極、ＰＡＳ……保護膜
ＣＩ……容量絶縁膜、ＰＤ……パッド部、ＣＨ……コンタクトホール
ＳＴ……ソース電極、ＤＴ……ドレイン電極、ＧＴ……ゲート電極、ＧＩ……絶縁膜
ＡＳ……半導体層、ＡＳ’……アモルファスシリコン層、ＪＣ……接続部
ＩＮ……下地膜、ＳＢ、ＳＢ１、ＳＢ２……遮光膜、ＳＬＴ……スリット
ＭＴＬ……メタル層、ＳＣ……シールコンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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