(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状部材の一側の面に、ハンダバンプを介して複数のチップを固定する工程と、
前記平板状部材に固定された前記複数のチップの前記平板状部材とは反対側の面において、複数のチップ間をボンディングワイヤにより接続する工程と、
前記ボンディングワイヤにより接続された前記複数のチップを、前記平板状部材とは反対側の面において基板に電気的に接続する工程と、を含むマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項２】
前記基板を前記複数のチップに対して電気的に接続した後、前記基板と前記複数のチップとの間を樹脂により封止する工程を更に含む請求項１に記載のマルチチップモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、マルチチップモジュールの製造方法に関する。
【０００２】
異なる製造プロセスで製造されたシリコンチップを、基板上に複数個搭載したマルチチップモジュール（ＭＣＭ：multi chip module）と呼ばれる半導体チップモジュールが、従来から存在している。このマルチチップモジュールでは、シリコンチップとして、むき出しの状態のベアチップが用いられており、各ベアチップをセラミックやビルドアップ基板等に形成した配線で接続している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２８３６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１では、上述のようにチップ間の接合をセラミックやビルドアップ基板等で行うことから、それらの配線仕様により生じるチャネルエリア確保のため、チップ間の間隔を大きくとる必要があった。
【０００５】
また、チップ間の接続精度は、マルチチップモジュールの良品率（歩留まり）に直接影響を与えるため、接続精度を高く維持することは非常に重要である。
【０００６】
そこで本件は上記の課題に鑑みてなされたものであり、マルチチップモジュールの歩留まりを向上することが可能なマルチチップモジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書に記載のマルチチップモジュールの製造方法は、平板状部材の一側の面に、ハンダバンプを介して複数のチップを固定する工程と、前記平板状部材に固定された前記複数のチップの前記平板状部材とは反対側の面において、複数のチップ間をボンディングワイヤにより接続する工程と、前記ボンディングワイヤにより接続された前記複数のチップを、前記平板状部材とは反対側の面において基板に電気的に接続する工程と、を含むマルチチップモジュールの製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本明細書に記載のマルチチップモジュールの製造方法は、マルチチップモジュールの歩留まりを向上することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態に係るマルチチップモジュールを模式的に示す断面図である。
【図２】ボンディングワイヤによる接続状態を示す平面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｅ）は、マルチチップモジュールの製造方法を説明するための図（その１）である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｄ）は、マルチチップモジュールの製造方法を説明するための図（その２）である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）は、マルチチップモジュールの製造方法を説明するための図（その３）である。
【図６】図６（ａ）、図６（ｂ）は、マルチチップモジュールの製造方法を説明するための図（その４）である。
【図７】図７（ａ）、図７（ｂ）は、マルチチップモジュールの変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、マルチチップモジュール及びマルチチップモジュールの製造方法の一実施形態について、図１〜図６に基づいて詳細に説明する。図１には、一実施形態にかかるマルチチップモジュール１００の断面図が模式的に示されている。この図１に示すように、マルチチップモジュール１００は、マザーボード２００に対して、ハンダバンプ２１０を介して固定されている。
【００１２】
マルチチップモジュール１００は、パッケージ基板１０と、チップとしての４つのＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄ（ＬＳＩチップ３０Ｃ，３０Ｄについては、図２参照）と、平板状部材としてのヒートスプレッダ５０と、を備える。
【００１３】
パッケージ基板１０は、ビルドアップ基板とも呼ばれている。このパッケージ基板１０は、コア基板と呼ばれる例えば４層の配線層を形成した基板の、表面及び裏面にそれぞれ１層から３層の配線層を形成した多層プリント基板である。パッケージ基板１０に形成された配線は、マザーボード２００とＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとを接続するものである。基板の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミドなどが用いられている。また、配線の材料としては、例えば、銅が用いられている。
【００１４】
ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄは、シリコンウエハに薄膜３１を形成し、当該薄膜３１に回路パターンを形成したものである。なお、以下においては、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの薄膜３１を、薄膜回路３１と呼ぶものとする。これらＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄは、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの位置関係を模式的に示す図２の平面図から分かるように、それぞれが近接して配置されている。
【００１５】
薄膜回路３１の下面（パッケージ基板１０側の面）には、図１に示すように、多数のパッド１４４が設けられている。これらパッド１４４のうち、図２において破線で囲んだ領域内に存在するパッド１４４ａは、他のＬＳＩチップの破線で囲んだ領域内に存在するパッド１４４ａとボンディングワイヤ２７により接続されている。ボンディングワイヤ２７は、各ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄのパッド１４４ａ間を連結することにより、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄを電気的に接続する。なお、図２では、ボンディングワイヤ２７は、ＬＳＩチップ３０Ａと、ＬＳＩチップ３０Ｂ，３０Ｄとの間を接続し、ＬＳＩチップ３０Ｃと、ＬＳＩチップ３０Ｂ，３０Ｄとの間を接続している。一方、パッド１４４ｂ部分では、図１に示すように、ハンダバンプ１４０を介して、パッケージ基板１０とＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとを電気的に接続する。なお、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとパッケージ基板１０との間の隙間は、樹脂（アンダーフィル材）３８により封止されている。この樹脂３８は、ＬＳＩの動作に支障の無い範囲の誘電率、誘電損失を有している。一方、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの上面側には、パッド１３９が複数設けられている。
【００１６】
ヒートスプレッダ５０は、上面及び下面がフラットに形成された、例えば銅などの金属を材料とする板状部材である。このヒートスプレッダ５０は、熱接合用ハンダバンプ４０を間に介在させて、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの上面に固定されている。ヒートスプレッダ５０は、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄにおいて発生した熱を放散する機能を有している。なお、ヒートスプレッダ５０の下面のハンダバンプ４０が設けられていない部分には、ソルダーレジスト８０が設けられている。
【００１７】
以上のように構成されるマルチチップモジュール１００では、ＬＳＩチップ間がボンディングワイヤ２７より接続されている。したがって、各ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄでは、パッド１４４ｂにおいてパッケージ基板１０との電気的な接続を確保でき、かつ、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄ全体で、擬似的に１つの大きなＬＳＩチップとして扱うことができる。
【００１８】
次に、マルチチップモジュール１００の製造方法について、図３〜図６に基づいて説明する。
【００１９】
まず、図３（ａ）〜図３（ｅ）に沿って、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの製造方法について説明する。このＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの製造においては、図３（ａ）に示すように、シリコンウエハＷを用意し、図３（ｂ）に示すように、シリコンウエハＷの上面に薄膜回路３１を形成する。この薄膜回路３１の形成においては、半導体製造装置（半導体露光装置など）が用いられる。次いで、図３（ｃ）に示すように、薄膜回路３１上に信号用パッド１４４ａ、１４４ｂを銅などの金属をメッキして形成する。次いで、図３（ｄ）に示すように、シリコンウエハＷの薄膜回路３１とは反対側の面に、パッド１３９を形成する。なお、この図３（ｄ）が終了した段階で（又はそれ以前に）、シリコンウエハＷは、所望の大きさにダイシングしておく必要がある。このダイシング後のものが、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとなる。次いで、図３（ｅ）に示すように、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄのパッド１４４ｂ上にハンダバンプ１４０を形成する。なお、シリコンウエハＷはハンダバンプ１４０を形成した後にダイシングしても良い。
【００２０】
次に、図４（ａ）に示すように、ヒートスプレッダ５０を用意する。次いで、図４（ｂ）に示すように、ヒートスプレッダ５０の下面にソルダーレジスト８０を貼付する。次いで、図４（ｃ）に示すように、露光・現像工程を経てソルダーレジスト８０に多数の開口部を形成する。なお、開口部においては、ヒートスプレッダ５０の下面（金属面）が露出している。したがって、当該金属面には防錆処理を施しておくことが好ましい。次いで、図４（ｄ）に示すように、ソルダーレジスト８０の開口部にハンダバンプ４０を形成する。
【００２１】
次に、図５（ａ）に示すように、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄを、ヒートスプレッダ５０の下面に搭載する。この場合、ハンダバンプ４０を介して、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとヒートスプレッダ５０とを接合した状態で、加熱することで、ヒートスプレッダ５０とハンダバンプ４０とを固定する。この状態では、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄは、ヒートスプレッダ５０のフラットな面（下面）に固定されているので、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの下面がほぼ面一に設定されている。
【００２２】
次いで、図５（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ２７により、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの間を電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。このワイヤーボンディング工程は、ヒートスプレッダ５０に対して、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄが既に固定された状態で行われている。このため、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの下面がほぼ面一に設定された状態でワイヤーボンディングを行うことができるので、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄ間の接続を精度良く行うことができる。
【００２３】
次いで、図６（ａ）に示すように、図５（ｂ）までに製造された構造体を、パッケージ基板１０上に搭載する（ハンダバンプ１４０で接着する）。そして、図６（ｂ）に示すように、パッケージ基板１０と、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとの間を樹脂３８で封止することで、マルチチップモジュール１００の製造が完了することになる。
【００２４】
その後、上記のようにして製造されたマルチチップモジュール１００は、図１に示すように、ハンダバンプ２１０を介して、マザーボード２００に固定される。
【００２５】
以上、詳細に説明したように、本実施形態によると、平板状のヒートスプレッダ５０の一側の面（図５（ａ）における下側の面）に、ハンダバンプ４０を介して複数のＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄを固定し、その複数のＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄのヒートスプレッダ５０とは反対側の面（図５（ｂ）における下側の面）において、チップ間をボンディングワイヤ２７により接続する。そして、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄのヒートスプレッダ５０とは反対側の面（図６（ａ）における下側の面）において、パッケージ基板１０を電気的に接続する。したがって、ヒートスプレッダ５０に対してＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄが既に固定された状態、すなわち、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄそれぞれの下面の高さをほぼ一致させた状態で、ワイヤーボンディングを行うことができる。これにより、ＬＳＩチップ間を、ボンディングワイヤ２７で精度良く接続することが可能である。これにより、マルチチップモジュール１００の歩留まりを向上することが可能である。
【００２６】
また、本実施形態によると、各ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄ間をボンディングワイヤ２７で接続して、擬似的に１つのチップを構成することとしている。したがって、大きなチップを直接製造するような場合と比べて、大型の製造装置を用いる必要がない。このため、技術的に容易でかつコストの低減を図ることが可能である。
【００２７】
また、本実施形態では、パッケージ基板１０をＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄに対して電気的に接続した後で、パッケージ基板１０とＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとの間を樹脂３８により封止する。したがって、樹脂３８として、ＬＳＩの動作に支障の無い範囲の誘電率、誘電損失を有する樹脂を用いることで、ボンディングワイヤにおける伝送効率を高く維持することが可能である。
【００２８】
また、本実施形態では、複数のＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとヒートスプレッダ５０との間に、ハンダバンプ４０が設けられている。ここで、ハンダバンプ４０は、ほぼ一定の径とすることができることから、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの下面の高さを同一に維持しつつ、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとヒートスプレッダ５０との間を固定することが可能である。また、本実施形態では、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとヒートスプレッダ５０との間にハンダバンプ４０が設けられている。したがって、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄにおいて発生した熱を、ハンダバンプ４０を介して、ヒートスプレッダ５０に効率的に伝達することができる。
【００２９】
更に、本実施形態では、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの薄膜回路３１側（ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄの下面側）に、ボンディングワイヤ２７が接続される。したがって、薄膜回路３１に接続用の回路等を形成すれば良いことから、ボンディングワイヤ２７が接続される部分を簡易に形成することができる。
【００３０】
なお、上記実施形態では、パッケージ基板１０が平板状の基板である場合について説明したが、これに限られるものではない。例えば、図７（ａ）に示すように、パッケージ基板１０の、ボンディングワイヤ２７に近接する部分に、ボンディングワイヤ２７との接触を回避するための凹部１０ａを設けることとしても良い。また、これに代えて、例えば、図７（ｂ）に示すように、パッケージ基板１０に貫通孔１０ｂを設けることとしても良い。この場合、樹脂３８は、図１０（ｂ）に示すように、貫通孔１０ｂ全体に満たされなくても良い。
【００３１】
なお、上記実施形態では、ヒートスプレッダ５０とＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとの間をハンダバンプ４０で固定することとした。しかしながら、これに限られるものではなく、これに加えて、ヒートスプレッダ５０とＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄ間に熱伝導性の樹脂を充填しても良い。これにより、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄにおいて発生した熱をヒートスプレッダ５０に効果的に伝達することができる。
【００３２】
また、上記実施形態では、ＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄとパッケージ基板１０との間に、樹脂３８を設ける場合について説明したが、これに限らず、樹脂３８を設けなくても良い。また、上記実施形態では、ヒートスプレッダ５０の下面にＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄを固定してワイヤーボンディングを行う場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、ヒートスプレッダ５０以外の平板状部材にＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄを固定してワイヤーボンディングを行うこととしても良い。
【００３３】
なお、上記実施形態では、ＬＳＩチップが４つ設けられた場合について説明したが、これに限らず、ＬＳＩチップは任意の数（複数）設けることとしても良い。また、上記実施形態では、チップとして、ＬＳＩチップを用いることとしたが、これに限らず、その他のチップを用いることとしても良い。
【００３４】
上述した実施形態は本発明の好適な実施の例である。但し、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施可能である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  パッケージ基板（基板）
２７  ボンディングワイヤ
３０Ａ〜３０Ｄ  チップ（ＬＳＩチップ）
３８  樹脂
４０  ハンダバンプ
５０  ヒートスプレッダ（平板状部材）
１００  マルチチップモジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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