(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面および他面を有する誘電体層と、
前記誘電体層の一面上に形成され、差動伝送路を構成する第１および第２の伝送線路と、
前記誘電体層の他面上に形成された接地導体層とを備え、
前記接地導体層は、前記第１および第２の伝送線路の幅方向において、前記第１の伝送線路の少なくとも一部および前記第２の伝送線路の少なくとも一部に前記誘電体層を介してそれぞれ対向するように配置され、
前記第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面における前記第１の伝送線路の幅Ｗ１、前記第２の伝送線路の幅Ｗ２、前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔Ｓ、および前記接地導体層の幅Ｗｇは、
Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）かつＳ≦０．８Ｗｇの関係を満たすとともに、
Ｗｇ／Ｓ≧２．００かつＷ１＞２ＳかつＷ２＞２Ｓの関係またはＷｇ／Ｓ＜２．００かつＷ１＞１．２ＳかつＷ２＞１．２Ｓの関係をさらに満たすことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記断面の前記幅方向において前記第１および第２の伝送線路の外側の側面間の中心位置と前記接地導体層の中心位置とのずれ量が前記間隔Ｓの２分の１よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記ずれ量が０であることを特徴とする請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記断面の前記幅方向において前記第１の伝送線路の幅Ｗ１と前記第２の伝送線路の幅Ｗ２とが等しいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
誘電体層の一面上に差動伝送路を構成する第１および第２の伝送線路を形成する工程と、
前記誘電体層の他面上に、前記第１および第２の伝送線路の幅方向において、前記第１の伝送線路の少なくとも一部および前記第２の伝送線路の少なくとも一部に前記誘電体層を介してそれぞれ対向するように接地導体層を形成する工程と、
前記第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面における前記第１の伝送線路の幅Ｗ１、前記第２の伝送線路の幅Ｗ２、前記第１の伝送線路と前記第２の伝送線路との間隔Ｓ、および前記接地導体層の幅Ｗｇを、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）かつＳ≦０．８Ｗｇの関係が満たされるとともに、Ｗｇ／Ｓ≧２．００かつＷ１＞２ＳかつＷ２＞２Ｓの関係またはＷｇ／Ｓ＜２．００かつＷ１＞１．２ＳかつＷ２＞１．２Ｓの関係がさらに満たされるように設定する工程とを備える配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信機器、コンピュータ等の電子機器には、フレキシブルプリント配線基板（以下、ＦＰＣ基板と呼ぶ）が用いられる。ＦＰＣ基板においては、例えば絶縁層上に高速な差動信号を伝送するための差動伝送路が設けられる。差動伝送路は、一対の伝送線路から構成される。
【０００３】
一対の伝送線路を伝送される差動信号の歪みの発生を防止するためには、一対の伝送線路の電気長を等しくする必要がある。ＦＰＣ基板上における回路配置による制約から、一対の伝送線路を直線でかつ平行に形成することができない場合が多い。そのため、一対の伝送線路の各々がＦＰＣ基板上で湾曲または屈曲するように設けられる。このような場合には、一対の伝送線路の電気長が等しくなるように、それぞれの伝送線路の長さを調整する必要がある。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載された回路基板では、複数の導体線路の電気長を等しくするために、各導体線路の一部にジグザグの迂回延長配線部分が設けられる。このような導体線路において、ジグザグの迂回延長配線部分と他の直線状の部分とでは、容量結合の差により特性インピーダンスの差が生じる。その結果、伝送線路の特性インピーダンスが不連続となり、信号の反射および歪の原因となる。
【０００５】
そこで、特許文献１には、迂回延長配線部分の特性インピーダンスを他の部分の特性インピーダンスと等しくするように迂回延長配線部分の幅を調整することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１５２２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、ＦＰＣ基板における伝送線路の高密度化に伴い、伝送線路の寸法の自由度が制限される。そのため、伝送線路の長さ方向の任意の位置で幅を所望の値に厳密に調整することは難しい。したがって、差動伝送路の一対の伝送線路の幅を厳密に調整することにより差動伝送路における差動インピーダンスの連続性を確保することができない。
【０００８】
本発明の目的は、伝送線路の幅が所望の値から一定の範囲内でずれる場合でも、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
［Ａ］本発明
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、一面および他面を有する誘電体層と、誘電体層の一面上に形成され、差動伝送路を構成する第１および第２の伝送線路と、誘電体層の他面上に形成された接地導体層とを備え、接地導体層は、第１および第２の伝送線路の幅方向において、第１の伝送線路の少なくとも一部および第２の伝送線路の少なくとも一部に誘電体層を介してそれぞれ対向するように配置され、第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面における第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅Ｗｇは、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）かつＳ≦０．８Ｗｇの関係を満たすとともに、Ｗｇ／Ｓ≧２．００かつＷ１＞２ＳかつＷ２＞２Ｓの関係またはＷｇ／Ｓ＜２．００かつＷ１＞１．２ＳかつＷ２＞１．２Ｓの関係をさらに満たすものである。
本発明者のシミュレーションの結果によると、接地導体層の幅Ｗｇが第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２および第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓの合計以上である場合には、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が大きくなる。また、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓが接地導体層の幅Ｗｇの０．８倍よりも大きい場合には、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が大きくなる。
したがって、第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面において、第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅Ｗｇが次式の関係を満たすことにより、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が小さくなる。
Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）
Ｓ≦０．８Ｗｇ
そのため、差動伝送路の任意の断面において、上記の関係を満たすように接地導体層の幅Ｗｇを設定することにより、第１および第２の伝送線路の幅が所望の値から一定の範囲内でずれる場合でも、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面における第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅Ｗｇは、Ｗｇ／Ｓ≧２．００かつＷ１＞２ＳかつＷ２＞２Ｓの関係またはＷｇ／Ｓ＜２．００かつＷ１＞１．２ＳかつＷ２＞１．２Ｓの関係をさらに満たす。
本発明者のシミュレーションの結果によると、接地導体層の幅Ｗｇが第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓの２倍以上である場合には、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２がそれぞれ間隔Ｓの２倍よりも大きい範囲で、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が十分に小さくなる。
また、接地導体層の幅Ｗｇが第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓの２倍よりも小さい場合には、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２がそれぞれ間隔Ｓの１．２倍よりも大きい範囲で、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が十分に小さくなる。
したがって、第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面において、第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅ＷｇがさらにＷｇ／Ｓ≧２．００かつＷ１＞２ＳかつＷ２＞２Ｓの関係またはＷｇ／Ｓ＜２．００かつＷ１＞１．２ＳかつＷ２＞１．２Ｓの関係を満たすことにより、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が十分に小さくなる。その結果、差動インピーダンスの不連続性が十分に低減される。
（２）断面の幅方向において第１および第２の伝送線路の外側の側面間の中心位置と接地導体層の中心位置とのずれ量が間隔Ｓの２分の１よりも小さくてもよい。
第１および第２の伝送線路の外側の側面間の中心位置と接地導体層の中心位置とのずれ量に応じて差動インピーダンスが変化する。このずれ量が間隔Ｓの２分の１よりも小さい場合には、ずれ量に応じた差動インピーダンスの変化が小さい。したがって、接地導体層の中心位置が第１の伝送線路と第２の伝送線路との間の領域に位置するように接地導体層を配置することにより、差動インピーダンスが不連続になることを防止することができる。
（３）ずれ量が０であってもよい。この場合、差動伝送路を伝送される差動信号の対称性が確保される。
（４）断面の幅方向において第１の伝送線路の幅Ｗ１と第２の伝送線路の幅Ｗ２とが等しくてもよい。
この場合、差動伝送路を伝送される差動信号の対称性を容易に確保することができる。
（５）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、誘電体層の一面上に差動伝送路を構成する第１および第２の伝送線路を形成する工程と、誘電体層の他面上に、第１および第２の伝送線路の幅方向において、第１の伝送線路の少なくとも一部および第２の伝送線路の少なくとも一部に誘電体層を介してそれぞれ対向するように接地導体層を形成する工程と、第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面における第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅Ｗｇを、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）かつＳ≦０．８Ｗｇの関係が満たされるとともに、Ｗｇ／Ｓ≧２．００かつＷ１＞２ＳかつＷ２＞２Ｓの関係またはＷｇ／Ｓ＜２．００かつＷ１＞１．２ＳかつＷ２＞１．２Ｓの関係がさらに満たされるように設定する工程とを備えるものである。
その配線回路基板の製造方法においては、誘電体層の一面上に差動伝送路を構成する第１および第２の伝送線路が形成される。また、誘電体層の他面上に、第１および第２の伝送線路の幅方向において、第１の伝送線路の少なくとも一部および第２の伝送線路の少なくとも一部に誘電体層を介してそれぞれ対向するように接地導体層が形成される。
第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面における第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅Ｗｇが、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）かつＳ≦０．８Ｗｇの関係が満たされるとともに、Ｗｇ／Ｓ≧２．００かつＷ１＞２ＳかつＷ２＞２Ｓの関係またはＷｇ／Ｓ＜２．００かつＷ１＞１．２ＳかつＷ２＞１．２Ｓの関係がさらに満たされるように設定される。
Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）かつＳ≦０．８Ｗｇの関係が満たされる場合には、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が小さくなる。そのため、第１および第２の伝送線路の幅Ｗ１，Ｗ２が所望の値から一定の範囲内でずれる場合でも、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
また、Ｗｇ／Ｓ≧２．００かつＷ１＞２ＳかつＷ２＞２Ｓの関係またはＷｇ／Ｓ＜２．００かつＷ１＞１．２ＳかつＷ２＞１．２Ｓの関係が満たされる場合には、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が十分に小さくなる。
したがって、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が十分に小さくなる。その結果、差動インピーダンスの不連続性が十分に低減される。
［Ｂ］参考形態
（１）第１の参考形態に係る配線回路基板は、一面および他面を有する誘電体層と、誘電体層の一面上に形成され、差動伝送路を構成する第１および第２の伝送線路と、誘電体層の他面上に形成された接地導体層とを備え、接地導体層は、第１および第２の伝送線路の幅方向において、第１の伝送線路の少なくとも一部および第２の伝送線路の少なくとも一部に誘電体層を介してそれぞれ対向するように配置され、第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面における第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅Ｗｇは、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）かつＳ≦０．８Ｗｇの関係を満たすものである。
【００１０】
本発明者のシミュレーションの結果によると、接地導体層の幅Ｗｇが第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２および第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓの合計以上である場合には、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が大きくなる。また、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓが接地導体層の幅Ｗｇの０．８倍よりも大きい場合には、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が大きくなる。
【００１１】
したがって、第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面において、第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅Ｗｇが次式の関係を満たすことにより、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が小さくなる。
【００１２】
Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）
Ｓ≦０．８Ｗｇ
そのため、差動伝送路の任意の断面において、上記の関係を満たすように接地導体層の幅Ｗｇを設定することにより、第１および第２の伝送線路の幅が所望の値から一定の範囲内でずれる場合でも、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
【００１３】
（２）第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面における第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅Ｗｇは、Ｗｇ／Ｓ≧２．００かつＷ１＞２ＳかつＷ２＞２Ｓの関係またはＷｇ／Ｓ＜２．００かつＷ１＞１．２ＳかつＷ２＞１．２Ｓの関係をさらに満たしてもよい。
【００１４】
本発明者のシミュレーションの結果によると、接地導体層の幅Ｗｇが第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓの２倍以上である場合には、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２がそれぞれ間隔Ｓの２倍よりも大きい範囲で、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が十分に小さくなる。
【００１５】
また、接地導体層の幅Ｗｇが第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓの２倍よりも小さい場合には、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２がそれぞれ間隔Ｓの１．２倍よりも大きい範囲で、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が十分に小さくなる。
【００１６】
したがって、第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面において、第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅ＷｇがさらにＷｇ／Ｓ≧２．００かつＷ１＞２ＳかつＷ２＞２Ｓの関係またはＷｇ／Ｓ＜２．００かつＷ１＞１．２ＳかつＷ２＞１．２Ｓの関係を満たすことにより、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が十分に小さくなる。その結果、差動インピーダンスの不連続性が十分に低減される。
【００１７】
（３）断面の幅方向において第１および第２の伝送線路の外側の側面間の中心位置と接地導体層の中心位置とのずれ量が間隔Ｓの２分の１よりも小さくてもよい。
【００１８】
第１および第２の伝送線路の外側の側面間の中心位置と接地導体層の中心位置とのずれ量に応じて差動インピーダンスが変化する。このずれ量が間隔Ｓの２分の１よりも小さい場合には、ずれ量に応じた差動インピーダンスの変化が小さい。したがって、接地導体層の中心位置が第１の伝送線路と第２の伝送線路との間の領域に位置するように接地導体層を配置することにより、差動インピーダンスが不連続になることを防止することができる。
【００１９】
（４）ずれ量が０であってもよい。この場合、差動伝送路を伝送される差動信号の対称性が確保される。
【００２０】
（５）断面の幅方向において第１の伝送線路の幅Ｗ１と第２の伝送線路の幅Ｗ２とが等しくてもよい。
【００２１】
この場合、差動伝送路を伝送される差動信号の対称性を容易に確保することができる。
【００２２】
（６）第２の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、誘電体層の一面上に差動伝送路を構成する第１および第２の伝送線路を形成する工程と、誘電体層の他面上に、第１および第２の伝送線路の幅方向において、第１の伝送線路の少なくとも一部および第２の伝送線路の少なくとも一部に誘電体層を介してそれぞれ対向するように接地導体層を形成する工程とを備え、第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面における第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅Ｗｇは、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）かつＳ≦０．８Ｗｇの関係を満たすものである。
【００２３】
その配線回路基板の製造方法においては、誘電体層の一面上に差動伝送路を構成する第１および第２の伝送線路が形成される。また、誘電体層の他面上に、第１および第２の伝送線路の幅方向において、第１の伝送線路の少なくとも一部および第２の伝送線路の少なくとも一部に誘電体層を介してそれぞれ対向するように接地導体層が形成される。
【００２４】
この場合、第１および第２の伝送線路に直交する任意の断面において、第１の伝送線路の幅Ｗ１、第２の伝送線路の幅Ｗ２、第１の伝送線路と第２の伝送線路との間隔Ｓ、および接地導体層の幅Ｗｇが次式の関係を満たすことにより、第１の伝送線路の幅Ｗ１および第２の伝送線路の幅Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が小さくなる。
【００２５】
Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）
Ｓ≦０．８Ｗｇ
そのため、差動伝送路の任意の断面において、上記の関係を満たすように接地導体層の幅Ｗｇを設定することにより、第１および第２の伝送線路の幅Ｗ１，Ｗ２が所望の値から一定の範囲内でずれる場合でも、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、伝送線路の幅が所望の値から一定の範囲内でずれる場合でも、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施の形態に係るＦＰＣ基板の模式的断面図である。
【図２】図１のＦＰＣ基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【図３】第１のシミュレーションの結果を示す図である。
【図４】第２のシミュレーションの結果を示す図である。
【図５】第２のシミュレーションの結果を示す図である。
【図６】第２のシミュレーションの結果を示す図である。
【図７】第２のシミュレーションの結果を示す図である。
【図８】第３のシミュレーションにおけるずれ量を示す模式的断面図である。
【図９】第３のシミュレーションの結果を示す図である。
【図１０】回路シミュレータによるシミュレーション回路を示す図である。
【図１１】図１０の信号発生源により発生される信号の電圧波形図である。
【図１２】ずれ量が０μｍである場合に伝送線路の終端部での信号の電圧波形を示す図である。
【図１３】ずれ量が１５μｍである場合に伝送線路の終端部での信号の電圧波形を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しつつ説明する。以下では、本発明の実施の形態に係る配線回路基板として、屈曲性を有するフレキシブル配線回路基板（以下、ＦＰＣ基板と呼ぶ）の構造およびその製造方法について説明する。
【００２９】
（１）ＦＰＣ基板の構造
図１は本発明の一実施の形態に係るＦＰＣ基板の模式的断面図である。図１に示すように、ＦＰＣ基板１は、ベース絶縁層１１、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂ、接地導体層１３ｇ、接着剤層２０およびカバー絶縁層３０を有する。
【００３０】
ベース絶縁層１１の上面に、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂが形成されている。一対の伝送線路１２ａ，１２ｂは、差動信号を伝送するための差動伝送路１２０を構成する。各伝送線路１２ａ，１２ｂの始端部および終端部には、例えば電子機器等の端子が接続される。一対の伝送線路１２ａ，１２ｂは、始端部から終端部にかけて互いに間隔を隔てて隣り合う。
【００３１】
ベース絶縁層１１上には、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂを覆うように接着剤層２０が設けられる。接着剤層２０上にカバー絶縁層３０が設けられる。ベース絶縁層１１の下面には、接地導体層１３ｇが形成される。
【００３２】
接地導体層１３ｇは、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向において、伝送線路１２ａの少なくとも一部および伝送線路１２ｂの少なくとも一部にベース絶縁層１１を介してそれぞれ対向するように配置される。
【００３３】
図１に示すように、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂに直交するＦＰＣ基板１の任意の断面において、伝送線路１２ａの幅をＷ１とし、伝送線路１２ｂの幅をＷ２とし、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔をＳとし、接地導体層１３ｇの幅をＷｇとする。接地導体層１３ｇの幅Ｗｇは下記式（１）および式（２）を満足するように設定される。
【００３４】
Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）  …（１）
Ｓ≦０．８Ｗｇ  …（２）
上記式（１）および式（２）は、後述する第１および第２のシミュレーションの結果に基づいて導出されたものである。一対の伝送線路１２ａ，１２ｂに直交するＦＰＣ基板１の任意の断面において、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが上記式（１）および式（２）を満足するように設定されることにより、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が小さくなる。その結果、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が所望の値から一定の範囲内でずれる場合でも、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。詳細は後述する。
【００３５】
上記式（１）および式（２）の関係が満足される場合、各伝送線路１２ａ，１２ｂは、始端部から終端部にかけて一定の幅を有してもよいし、複数の部分でそれぞれ異なる幅を有してもよい。また、伝送線路１２ａの幅Ｗ１と伝送線路１２ｂの幅Ｗ２とは互いに等しくてもよく、異なってもよい。伝送線路１２ａの幅Ｗ１と伝送線路１２ｂの幅Ｗ２とが互いに等しい場合には、差動伝送路１２０を伝送される差動信号の対称性を容易に確保することができる。
【００３６】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇ、伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓおよび伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２は下記式（３），（４），（５）の関係、または下記式（６），（７），（８）の関係を満足するように設定されることが好ましい。
【００３７】
Ｗｇ／Ｓ≧２．００  …（３）
Ｗ１＞２Ｓ  …（４）
Ｗ２＞２Ｓ  …（５）
Ｗｇ／Ｓ＜２．００  …（６）
Ｗ１＞１．２Ｓ  …（７）
Ｗ２＞１．２Ｓ  …（８）
上記式（３）〜（８）は、後述する第２のシミュレーションの結果に基づいて導出されたものである。一対の伝送線路１２ａ，１２ｂに直交するＦＰＣ基板１の任意の断面において、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇ、伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓおよび伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が上記式（３），（４），（５）の関係または上記式（６），（７），（８）の関係を満足するように設定されることにより、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスの変化の割合が十分に小さくなる。その結果、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が所望の値から一定の範囲内でずれる場合でも、差動インピーダンスの不連続性が十分に低減される。詳細は後述する。
【００３８】
伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向における差動伝送路１２０の中心位置（伝送線路１２ａ，１２ｂの外側の側面間の中心位置）と接地導体層１３ｇの中心位置とのずれ量は、伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓの０．５倍よりも小さいことが好ましい。
【００３９】
この条件が満足されることにより、接地導体層１３ｇの中心位置が差動伝送路１２０の中心位置からずれた場合でも、差動インピーダンスの連続性を確保することが可能となる。詳細は後述する。
【００４０】
伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向における差動伝送路１２０の中心位置（伝送線路１２ａ，１２ｂの外側の側面間の中心位置）と接地導体層１３ｇの中心位置とが一致することがより好ましい。この場合、差動伝送路を伝送される差動信号の対称性が容易に確保される。
【００４１】
（２）ＦＰＣ基板の製造方法
図２は、図１のＦＰＣ基板１の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。図１のＦＰＣ基板１は、例えばサブトラクティブ法により作製される。
【００４２】
まず、図２（ａ）に示すように、三層基材１０を用意する。三層基材１０は、ベース絶縁層１１の上面および下面にそれぞれ第１の導体層１２および第２の導体層１３を有する。
【００４３】
ベース絶縁層１１はポリイミドからなり、第１の導体層１２および第２の導体層１３は銅からなる。ベース絶縁層１１の厚みは例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは８μｍ以上５０μｍ以下である。第１の導体層１２の厚みは例えば３μｍ以上４０μｍ以下であり、好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下である。同様に、第２の導体層１３の厚みは例えば３μｍ以上４０μｍ以下であり、好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下である。
【００４４】
次に、図２（ｂ）に示すように、通常のフォトレジスト形成工程、露光工程、現像工程およびエッチング工程により第１の導体層１２をパターニングすることにより、ベース絶縁層１１の上面に隣り合う一対の伝送線路１２ａ，１２ｂを形成する。同様に、通常のフォトレジスト形成工程、露光工程、現像工程およびエッチング工程により第２の導体層１３をパターニングすることにより、ベース絶縁層１１の下面に接地導体層１３ｇを形成する。
【００４５】
一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２は例えば２０μｍ以上２００μｍ以下である。一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓは例えば８μｍ以上１００μｍ以下である。接地導体層１３ｇの幅Ｗｇは例えば４０μｍ以上３００μｍ以下である。
【００４６】
一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓおよび接地導体層１３ｇの幅Ｗｇは、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの長さ方向の任意の位置で上記式（１）および式（２）を満足するように設定される。
【００４７】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇは、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの長さ方向の任意の位置で上記式（３）を満足するように設定されることが好ましい。また、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向における差動伝送路１２０の中心位置と接地導体層１３ｇの中心位置とのずれ量は、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの長さ方向の任意の位置で伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓの０．５倍よりも小さいことが好ましい。さらに、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向における差動伝送路１２０の中心位置と接地導体層１３ｇの中心位置とが一致することがより好ましい。
【００４８】
続いて、図２（ｃ）に示すように、伝送線路１２ａ，１２ｂの上面および側面を覆うようにベース絶縁層１１の上面上に接着剤層２０を形成し、接着剤層２０上にカバー絶縁層３０を貼り合わせる。
【００４９】
カバー絶縁層３０はポリイミドからなる。カバー絶縁層３０の厚みは例えば３μｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上６０μｍ以下である。接着剤層２０としてはエポキシ系の接着剤が用いられる。接着剤層２０の厚みは例えば１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【００５０】
上記のようにして、ＦＰＣ基板１が完成する。ベース絶縁層１１およびカバー絶縁層３０の材料としては、ポリイミドに代えてエポキシを用いてもよい。さらに、ベース絶縁層１１の材料としては、他の誘電体を用いることもできる。
【００５１】
第１の導体層１２（伝送線路１２ａ，１２ｂ）の材料としては、銅に代えて金、ニッケルまたはアルミニウム等の他の金属を用いてもよいし、銅合金、はんだまたはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。第２の導体層１３（接地導体層１３ｇ）としては、銅に代えてステンレス、金、ニッケルまたはアルミニウム等の他の金属を用いてもよいし、銅合金、はんだまたはアルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
【００５２】
接着剤層２０としては、エポキシ系の接着剤に代えてフェノール系の接着剤、ポリエステル系の接着剤、アクリル系の接着剤、またはアクリロニトリルブタジエンゴムからなる接着剤等を用いてもよい。
【００５３】
本実施の形態では、三層基材１０を用いてベース絶縁層１１の上面および下面にそれぞれ伝送線路１２ａ，１２ｂおよび接地導体層１３ｇを形成する例を説明したが、伝送線路１２ａ，１２ｂおよび接地導体層１３ｇの形成方法はこれに限られない。例えば、基材として一層のベース絶縁層１１を用意し、その上面および下面にそれぞれ導体層を形成して一対の伝送線路１２ａ，１２ｂおよび接地導体層１３ｇを形成してもよい。
【００５４】
上記のように、本実施の形態では、ベース絶縁層１１の上面および下面に一対の伝送線路１２ａ，１２ｂおよび接地導体層１３ｇをサブトラクティブ法により形成する例を説明した。これに限らず、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂおよび接地導体層１３ｇは、セミアディティブ法またはアディティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。
【００５５】
上記のＦＰＣ基板１において、ベース絶縁層１１と一対の伝送線路１２ａ，１２ｂおよび接地導体層１３ｇとの間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、ベース絶縁層１１と一対の伝送線路１２ａ，１２ｂおよび接地導体層１３ｇとの密着性が向上される。
【００５６】
（３）各構成要素の寸法と差動伝送路の伝送特性との関係
ここで、ＦＰＣ基板１の各構成要素の寸法と差動伝送路１２０の伝送特性との関係をシミュレーションにより求めた。なお、以下のシミュレーションにおいて伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２は始端部から終端部にかけて互いに等しくかつ一定に設定される。伝送線路１２ａ，１２ｂの厚み、接地導体層１３ｇの厚みおよびベース絶縁層１１の厚みは、いずれも１８μｍである。接着剤層２０およびカバー絶縁層３０の厚みはそれぞれ１８μｍおよび１２．５μｍである。
【００５７】
以下、第１および第２のシミュレーションにおいては、複数のＦＰＣ基板１の伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向において差動伝送路１２０の中心位置（伝送線路１２ａ，１２ｂの外側の側面間の中心位置）と接地導体層１３ｇの中心位置とが一致する。
【００５８】
（３−１）第１のシミュレーション
第１のシミュレーションでは、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが異なる複数のＦＰＣ基板１について、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を求めた。
【００５９】
具体的には、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが１５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍおよび３５０μｍであるＦＰＣ基板１について、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を求めた。伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２を９０μｍから２００μｍまでに設定した。一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓは１０μｍで一定とした。
【００６０】
ベース絶縁層１１の幅は、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と間隔Ｓとの合計の最大よりも十分に大きく設定した。基準のＦＰＣ基板１については、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇをベース絶縁層１１の幅に等しく設定した。
【００６１】
ここで、第１のシミュレーションにおいて、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい場合とは、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２の１μｍの変化に対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化が０．１０Ω以下である場合をいう。
【００６２】
図３は、第１のシミュレーションの結果を示す図である。図３においては、縦軸は差動伝送路１２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを示し、横軸は伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２を示す。
【００６３】
図３に示すように、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが異なると、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さくなる範囲が異なることがわかる。
【００６４】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが３５０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１７０μｍよりも大きい範囲Ａｂで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。Ｗ１＝Ｗ２＝１７０［μｍ］の場合、Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ＝３５０［μｍ］である。したがって、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）の場合に、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しない。
【００６５】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが３００μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１４５μｍよりも大きい範囲Ａｃで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。Ｗ１＝Ｗ２＝１４５［μｍ］の場合、Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ＝３００［μｍ］である。したがって、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）の場合に、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しない。
【００６６】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが２５０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１２０μｍよりも大きい範囲Ａｄで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。Ｗ１＝Ｗ２＝１２０［μｍ］の場合、Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ＝２５０［μｍ］である。したがって、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）の場合に、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しない。
【００６７】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが２００μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が９５μｍよりも大きい範囲Ａｅで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。Ｗ１＝Ｗ２＝９５［μｍ］の場合、Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ＝２００［μｍ］である。したがって、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）の場合に、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しない。
【００６８】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが１５０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が９０μｍよりも大きい範囲Ａｆで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。Ｗ１＝Ｗ２＝９０［μｍ］の場合、Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ＝１９０［μｍ］である。したがって、Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）の場合に、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しない。
【００６９】
なお、基準のＦＰＣ基板１では、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が９０μｍ以上２００μｍ以下である範囲で差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほぼ一定の大きい割合で変化している。
【００７０】
上記の第１のシミュレーションから接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが次の関係を満足する範囲Ａｂ，Ａｃ，Ａｄ，Ａｅ，Ａｆで、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しないことがわかる。
【００７１】
Ｗｇ＜（Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）  …（１）
（３−２）第２のシミュレーション
第２のシミュレーションでは、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓおよび接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが異なる複数のＦＰＣ基板１について、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を求めた。
【００７２】
具体的には、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが３００μｍでありかつ一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍ、８０μｍ、１２０μｍおよび１５０μｍである複数のＦＰＣ基板１について、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を求めた。
【００７３】
また、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが２５０μｍでありかつ一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍ、８０μｍ、１２０μｍおよび１５０μｍである複数のＦＰＣ基板１について、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を求めた。
【００７４】
また、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが１５０μｍでありかつ一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍ、８０μｍ、１２０μｍおよび１５０μｍである複数のＦＰＣ基板１について、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を求めた。
【００７５】
また、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが５０μｍでありかつ一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが２５μｍ、４０μｍ、８０μｍ、１２０μｍおよび１５０μｍである複数のＦＰＣ基板１について、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２と差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を求めた。
【００７６】
第２のシミュレーションにおいては、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２を１０μｍから１８０μｍまでに設定した。
【００７７】
ここで、第２のシミュレーションにおいて、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい場合とは、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１μｍの変化に対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化が０．１０Ω以下である場合をいう。
【００７８】
図４〜図７は、第２のシミュレーションの結果を示す図である。図４〜図７においては、縦軸は差動伝送路１２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを示し、横軸は伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２を示す。
【００７９】
図４に示すように、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが３００μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１３０μｍよりも大きい範囲Ａｉ１で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．１３Ｗｇである。
【００８０】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが３００μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが８０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１１０μｍよりも大きい範囲Ａｉ２で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．２７Ｗｇである。
【００８１】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが３００μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが１２０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が９０μｍよりも大きい範囲Ａｉ３で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．４０Ｗｇである。
【００８２】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが３００μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが１５０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が７５μｍよりも大きい範囲Ａｉ４で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．５０Ｗｇである。
【００８３】
これらより、Ｓ＝０．１３Ｗｇ、Ｓ＝０．２７Ｗｇ、Ｓ＝０．４０ＷｇおよびＳ＝０．５０Ｗｇの場合には、それぞれ接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが上記式（１）の関係を満足する範囲Ａｉ１，Ａｉ２，Ａｉ３，Ａｉ４で、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しないことがわかる。
【００８４】
図５に示すように、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが２５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１０５μｍよりも大きい範囲Ａｊ１で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．１６Ｗｇである。
【００８５】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが２５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが８０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が８５μｍよりも大きい範囲Ａｊ２で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．３２Ｗｇである。
【００８６】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが２５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが１２０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が６５μｍよりも大きい範囲Ａｊ３で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．４８Ｗｇである。
【００８７】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが２５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが１５０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が５０μｍよりも大きい範囲Ａｊ４で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．６０Ｗｇである。
【００８８】
これらより、Ｓ＝０．１６Ｗｇ、Ｓ＝０．３２Ｗｇ、Ｓ＝０．４８ＷｇおよびＳ＝０．６０Ｗｇの場合には、それぞれ接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが上記式（１）の関係を満足する範囲Ａｊ１，Ａｊ２，Ａｊ３，Ａｊ４で、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しないことがわかる。
【００８９】
図６に示すように、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが１５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が５５μｍよりも大きい範囲Ａｋ１で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．２７Ｗｇである。
【００９０】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが１５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが８０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が３５μｍよりも大きい範囲Ａｋ２で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．５３Ｗｇである。
【００９１】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが１５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが１２０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１５μｍよりも大きい範囲Ａｋ３で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．８０Ｗｇである。
【００９２】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが１５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが１５０μｍである場合には、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さくなる範囲が存在しない。この場合、Ｓ＝１．００Ｗｇである。
【００９３】
これらより、Ｓ＝０．２７Ｗｇ、Ｓ＝０．５３ＷｇおよびＳ＝０．８０Ｗｇの場合には、それぞれ接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが上記式（１）の関係を満足する範囲Ａｋ１，Ａｋ２，Ａｋ３で、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しないことがわかる。
【００９４】
一方、Ｓ＝１．００Ｗｇの場合には、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが上記式（１）の関係を満足しても、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が大きくなることがわかる。
【００９５】
図７に示すように、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが２５μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１２．５μｍ以上１８０μｍ以下である範囲Ａｇ１で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．５Ｗｇである。
【００９６】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１０μｍ以上１８０μｍ以下である範囲Ａｌ１で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。この場合、Ｓ＝０．８０Ｗｇである。
【００９７】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが８０μｍである場合には、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さくなる範囲が存在しない。この場合、Ｓ＝１．６０Ｗｇである。
【００９８】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが１２０μｍである場合には、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さくなる範囲が存在しない。この場合、Ｓ＝２．４０Ｗｇである。
【００９９】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが１５０μｍである場合には、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さくなる範囲が存在しない。この場合、Ｓ＝３．００Ｗｇである。
【０１００】
これらより、Ｓ＝０．５ＷｇおよびＳ＝０．８０Ｗｇの場合には、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが上記式（１）の関係を満足する範囲Ａｇ１，Ａｌ１で、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しないことがわかる。
【０１０１】
一方、Ｓ＝１．６０Ｗｇ、Ｓ＝２．４０ＷｇおよびＳ＝３．００Ｗｇの場合には、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が大きくなることがわかる。なお、この場合、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇは上記式（１）の関係を満足しない。
【０１０２】
図４〜図７に示される第２のシミュレーションの結果から接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが上記式（１）を満足するとともに次の関係を満足する場合に、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が変化しても、差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しないことがわかる。
【０１０３】
Ｓ≦０．８Ｗｇ  …（２）
（３−３）各構成要素の寸法の好ましい範囲
以下の説明において、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２の変化に対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さい場合とは、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２の１μｍの変化に対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化が０．０７Ω以下である場合をいう。
【０１０４】
第２のシミュレーションの結果において、図４に示すように、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが３００μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１３０μｍよりも大きい範囲Ａｉ１で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さい。この場合、Ｗｇ／Ｓ＝７．５０である。また、Ｓ＝４０［μｍ］であるので、Ｗ１＝Ｗ２＝１３０［μｍ］の場合、Ｗ１＝Ｗ２＝３．２５Ｓである。
【０１０５】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが３００μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが８０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１６０μｍよりも大きい範囲Ａｉ２ｘで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さい。この場合、Ｗｇ／Ｓ＝３．７５である。また、Ｓ＝８０［μｍ］であるので、Ｗ１＝Ｗ２＝１６０［μｍ］の場合、Ｗ１＝Ｗ２＝２Ｓである。
【０１０６】
図５に示すように、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが２５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１０５μｍよりも大きい範囲Ａｊ１で差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さい。この場合、Ｗｇ／Ｓ＝６．２５である。また、Ｓ＝４０［μｍ］であるので、Ｗ１＝Ｗ２＝１０５［μｍ］の場合、Ｗ１＝Ｗ２＝２．６３Ｓである。
【０１０７】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが２５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが８０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１６０μｍよりも大きい範囲Ａｊ２ｘで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さい。この場合、Ｗｇ／Ｓ＝３．１３である。また、Ｓ＝８０［μｍ］であるので、Ｗ１＝Ｗ２＝１６０［μｍ］の場合、Ｗ１＝Ｗ２＝２Ｓである。
【０１０８】
図６に示すように、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが１５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が８０μｍよりも大きい範囲Ａｋ１ｘで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さい。この場合、Ｗｇ／Ｓ＝３．７５である。また、Ｓ＝４０［μｍ］であるので、Ｗ１＝Ｗ２＝８０［μｍ］の場合、Ｗ１＝Ｗ２＝２Ｓである。
【０１０９】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが１５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが８０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が９６μｍよりも大きい範囲Ａｋ２ｘで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さい。この場合、Ｗｇ／Ｓ＝１．８８である。また、Ｓ＝８０［μｍ］であるので、Ｗ１＝Ｗ２＝９６［μｍ］の場合、Ｗ１＝Ｗ２＝１．２Ｓである。
【０１１０】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが１５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが１２０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が１４４μｍよりも大きい範囲Ａｋ３ｘで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さい。この場合、Ｗｇ／Ｓ＝１．２５である。また、Ｓ＝１２０［μｍ］であるので、Ｗ１＝Ｗ２＝１４４［μｍ］の場合、Ｗ１＝Ｗ２＝１．２Ｓである。
【０１１１】
図７に示すように、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが２５μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が５０μｍよりも大きい範囲Ａｇ１ｘで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さい。この場合、Ｗｇ／Ｓ＝２である。また、Ｓ＝２５［μｍ］であるので、Ｗ１＝Ｗ２＝５０［μｍ］の場合、Ｗ１＝Ｗ２＝２Ｓである。
【０１１２】
接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが５０μｍでありかつ伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓが４０μｍである場合には、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が４８μｍよりも大きい範囲Ａｌ１ｘで差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さい。この場合、Ｗｇ／Ｓ＝１．２５である。また、Ｓ＝４０［μｍ］であるので、Ｗ１＝Ｗ２＝４８［μｍ］の場合、Ｗ１＝Ｗ２＝１．２Ｓである。
【０１１３】
これらより、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが上記式（１）および（２）の関係を満足しかつ接地導体層１３ｇの幅Ｗｇ、伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓおよび伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が下記式（３），（４），（５）の関係を満足する範囲Ａｉ１，Ａｉ２ｘ，Ａｊ１，Ａｊ２ｘ，Ａｋ１ｘ，Ａｇ１ｘで、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が十分に小さくなることがわかる。
【０１１４】
Ｗｇ／Ｓ≧２．００  …（３）
Ｗ１＞２Ｓ  …（４）
Ｗ２＞２Ｓ  …（５）
また、接地導体層１３ｇの幅Ｗｇが上記式（１）および（２）の関係を満足しかつ接地導体層１３ｇの幅Ｗｇ、伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓおよび伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２が下記式（６），（７），（８）の関係を満足する範囲Ａｋ２ｘ，Ａｋ３ｘ，Ａｌ１ｘで、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合がさらに小さくなることがわかる。
【０１１５】
Ｗｇ／Ｓ＜２．００  …（６）
Ｗ１＞１．２Ｓ  …（７）
Ｗ２＞１．２Ｓ  …（８）
これにより、差動伝送路１２０の任意の断面において、上記の関係を満たすように接地導体層１３ｇの幅Ｗｇ、伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓおよび伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２を設定することにより、差動インピーダンスの不連続性が十分に低減される。
【０１１６】
（３−４）第３のシミュレーション
第３のシミュレーションでは、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向における差動伝送路１２０の中心位置（伝送線路１２ａ，１２ｂの外側の側面間の中心位置）と接地導体層１３ｇの中心位置とのずれ量と差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を求めた。
【０１１７】
ＦＰＣ基板１の接地導体層１３ｇの幅Ｗｇは３００μｍであり、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２は１５０μｍであり、伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓは３０μｍである。このＦＰＣ基板１について、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向における差動伝送路１２０の中心位置と接地導体層１３ｇの中心位置とのずれ量Ｄを０μｍから６０μｍまでに設定し、ずれ量Ｄと差動インピーダンスＺｄｉｆｆとの関係を求めた。
【０１１８】
図８は、第３のシミュレーションにおけるずれ量Ｄを示す模式的断面図である。図８では、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向における差動伝送路１２０の中心位置ＣＬ１が一点鎖線で示され、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向における接地導体層１３ｇの中心位置ＣＬ２が破線で示される。
【０１１９】
図８に示すように、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向における差動伝送路１２０の中心位置ＣＬ１は、伝送線路１２ａ，１２ｂの外側の側面間の距離Ｗ（＝Ｗ１＋Ｗ２＋Ｓ）の２分の１の位置となる。ずれ量Ｄは中心位置ＣＬ１と中心位置ＣＬ２との間の距離で示される。
【０１２０】
ここで、第３のシミュレーションにおいて、ずれ量Ｄに対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい場合とは、ずれ量Ｄの１μｍの変化に対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化が０．０３Ω以下である場合をいう。
【０１２１】
図９は、第３のシミュレーションの結果を示す図である。図９においては、縦軸は差動伝送路１２０の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを示し、横軸はずれ量Ｄを示す。なお、図９では、差動伝送路１２０の中心位置ＣＬ１を基準として接地導体層１３ｇの中心位置ＣＬ２が一方側にずれた場合のずれ量Ｄを正の値で示し、他方側にずれた場合のずれ量Ｄを負の値で示す。
【０１２２】
図９に示すように、ずれ量Ｄの絶対値が１５μｍよりも小さい範囲Ａｍで、ずれ量Ｄに対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が小さい。一方、ずれ量Ｄの絶対値が１５μｍ以上である場合に、ずれ量Ｄに対する差動インピーダンスＺｄｉｆｆの変化の割合が大きい。
【０１２３】
上記のように、伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓは３０μｍである。したがって、ずれ量Ｄが伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓの０．５倍よりも小さい場合に差動インピーダンスＺｄｉｆｆがほとんど変化しないことがわかる。
【０１２４】
すなわち、差動伝送路１２０の中心位置ＣＬ１が伝送線路１２ａと伝送線路１２ｂとの間の領域にある場合には、差動伝送路１２０の中心位置ＣＬ１が接地導体層１３ｇの中心位置ＣＬ２からずれても、差動伝送路１２０の長さ方向において差動インピーダンスＺｄｉｆｆの連続性を確保することが可能となる。
【０１２５】
（３−５）第４のシミュレーション
第４のシミュレーションでは、伝送線路１２ａ，１２ｂの幅方向における差動伝送路１２０の中心位置ＣＬ１と接地導体層１３ｇの中心位置ＣＬ２とのずれ量Ｄと差動伝送路１２０を伝送される差動信号の波形との関係を求めた。
【０１２６】
ＦＰＣ基板１の接地導体層１３ｇの幅Ｗｇは３００μｍであり、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂの幅Ｗ１，Ｗ２は１５０μｍであり、伝送線路１２ａ，１２ｂの間隔Ｓは３０μｍである。このＦＰＣ基板１について、図９のずれ量Ｄを０μｍおよび１５μｍに設定した。
【０１２７】
まず、電磁界シミュレータを用いて上記のＦＰＣ基板１の解析を行うことにより、伝送線路１２ａ，１２ｂのＬ（インダクタンス）パラメータ、Ｃ（キャパシタンス）パラメータおよびＲ（抵抗）パラメータを求めた。
【０１２８】
ずれ量Ｄが０μｍである場合、一方の伝送線路１２ａのＬパラメータ、ＣパラメータおよびＲパラメータは、それぞれ９．３３−８、３．７９−１０および４２．２９２となった。他方の伝送線路１２ｂのＬパラメータ、ＣパラメータおよびＲパラメータは、それぞれ９．３３−８、３．７９−１０および４２．２９２となった。このように、ずれ量Ｄが０μｍである場合、一対の伝送線路１２ａ，１２ｂのＬパラメータ、ＣパラメータおよびＲパラメータは同じである。
【０１２９】
ずれ量Ｄが１５μｍである場合、一方の伝送線路１２ａのＬパラメータ、ＣパラメータおよびＲパラメータは、それぞれ８．９１−８、４．６３−１０および４１．９８９８であった。また、他方の伝送線路１２ｂのＬパラメータ、ＣパラメータおよびＲパラメータは、それぞれ９．９７−８、３．４７−１０および４３．６６５５であった。このように、ずれ量Ｄが１５μｍである場合には、一方の伝送線路１２ａのＬパラメータ、ＣパラメータおよびＲパラメータと他方の伝送線路１２ｂのＬパラメータ、ＣパラメータおよびＲパラメータとが互いに異なる。
【０１３０】
次に、このＬパラメータ、ＣパラメータおよびＲパラメータを用いて回路シミュレータにより上記のＦＰＣ基板１の一対の伝送線路１２ａ，１２ｂにおける差動信号を解析した。
【０１３１】
図１０は、回路シミュレータによるシミュレーション回路を示す図である。図１０に示すように、一方の伝送線路１２ａの始端部Ｐ１１に信号発生源１０１が接続され、他方の伝送線路１２ｂの始端部Ｐ２１に信号発生源１１１が接続される。伝送線路１２ａの始端部Ｐ１１と伝送線路１２ｂの始端部Ｐ２１との間に始端抵抗Ｒ１が接続される。伝送線路１２ａの終端部Ｐ１２と伝送線路１２ｂの終端部Ｐ２２との間に終端抵抗Ｒ２が接続される。始端抵抗Ｒ１および終端抵抗Ｒ２の抵抗値は、ともに１５Ωである。
【０１３２】
２つの信号発生源１０１，１１１により互いに位相が反転した矩形の信号が発生される。
【０１３３】
図１１は、図１０の信号発生源１０１，１１１により発生される信号の電圧波形図である。図１１の縦軸は電圧を示し、横軸は時間を示す。信号発生源１０１により発生される信号の電圧波形が実線Ｖａで示され、信号発生源１１１により発生される信号の電圧波形が点線Ｖｂで示されている。
【０１３４】
２つの信号発生源１０１，１１１においてそれぞれ発生される信号の電圧は２．５Ｖであり、パルス幅は０．９ｎｓｅｃであり、パルス周期は２．０ｎｓｅｃである。また、パルスの立ち上がり時間および立ち下がり時間は、それぞれ０．１ｎｓｅｃである。
【０１３５】
図１２は、ずれ量Ｄが０μｍである場合に伝送線路１２ａ，１２ｂの終端部Ｐ１２，Ｐ２２での信号の電圧波形を示す図である。図１３はずれ量Ｄが１５μｍである場合に伝送線路１２ａ，１２ｂの終端部Ｐ１２，Ｐ２２での信号の電圧波形を示す図である。図１２および図１３の縦軸は電圧を示し、横軸は時間を示す。一方の終端部Ｐ１２での信号の電圧波形が実線Ｖａで示され、他方の終端部Ｐ２２での信号の電圧波形が点線Ｖｂで示されている。
【０１３６】
図１２に示すように、ずれ量Ｄが０μｍである場合、終端部Ｐ１２，Ｐ２２での信号の電圧波形は、０Ｖを基準として互いに対称となっている。
【０１３７】
これに対して、図１３に示すように、ずれ量Ｄが１５μｍである場合、終端部Ｐ１２，Ｐ２２での信号の電圧波形は、０Ｖを基準として互いに非対称となっている。この場合、伝送線路１２ａ，１２ｂを伝送される差動信号に歪またはノイズが生じることになる。
【０１３８】
これらの結果、ずれ量Ｄが０となるように接地導体層１３ｇの位置が設定されることにより、差動伝送路１２０を伝送される差動信号の対称性が確保されることがわかる。
【０１３９】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１４０】
上記実施の形態においては、ベース絶縁層１１が誘電体層の例であり、接地導体層１３ｇが接地導体層の例であり、差動伝送路１２０が差動伝送路の例であり、伝送線路１２ａ，１２ｂが第１および第２の伝送線路の例である。
【０１４１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【符号の説明】
【０１４３】
１  ＦＰＣ基板
１０  三層基材
１１  ベース絶縁層
１２  第１の導体層
１２ａ，１２ｂ  伝送線路
１３  第２の導体層
１３ｇ  接地導体層
２０  接着剤層
３０  カバー絶縁層
１０１，１１１  信号発生源
１２０  差動伝送路
Ａｂ，Ａｃ，Ａｄ，Ａｅ，Ａｆ，Ａｉ１，Ａｉ２，Ａｉ３，Ａｉ４，Ａｊ１，Ａｊ２，Ａｊ３，Ａｊ４，Ａｋ１，Ａｋ２，Ａｋ３，Ａｌ１  範囲
Ｐ１１，Ｐ２１  始端部
Ｐ１２，Ｐ２２  終端部
Ｒ１  始端抵抗
Ｒ２  終端抵抗
Ｓ  間隔
Ｗ１，Ｗ２，Ｗｇ  幅
Ｚｄｉｆｆ  差動インピーダンス
【図１】
0005436361.tif 000002
【図２】
0005436361.tif 000003
【図３】
0005436361.tif 000004
【図４】
0005436361.tif 000005
【図５】
0005436361.tif 000006
【図６】
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【図７】
0005436361.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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