(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージを備えたＭＥＭＳ素子が搭載されるべき集積回路基板の検査に供され、複数の検査用接続部を有する検査用素子と、前記集積回路基板の電極パッドに前記検査用接続部を押圧する押圧手段と、を備える集積回路基板用評価装置であって、
前記検査用素子と前記集積回路基板を接続して形成される回路と、前記ＭＥＭＳ素子を前記集積回路基板に搭載して形成される回路とが、等価回路として同一となるよう、前記検査用素子を構成し、
前記検査用素子は、前記ＭＥＭＳ素子のパッケージと同一構造で且つ電気配線が形成されたパッケージを有し、該パッケージの前記集積回路基板との当接面には尖り部が突出して形成されており、該尖り部は、前記検査用素子と前記集積回路基板とを接続する際に、該集積回路基板に形成された電極パッドのうち、前記検査用接続部が当接する電極パッドとは別の電極パッドに当接するよう構成され、
さらに、前記押圧手段により前記検査用接続部を前記電極パッドに押圧したとき、前記検査用接続部が変形しないよう、該検査用接続部は剛性を有するとともに前記押圧手段は弾性を有することを特徴とする、集積回路基板用検査装置。
【請求項２】
ＭＥＭＳ素子が搭載されるべき集積回路基板の検査に供され、複数の検査用接続部を有する検査用素子と、前記集積回路基板の電極パッドに前記検査用接続部を押圧する押圧手段と、を備える集積回路基板用評価装置であって、
前記検査用素子と前記集積回路基板を接続して形成される回路と、前記ＭＥＭＳ素子を前記集積回路基板に搭載して形成される回路とが、等価回路として同一となるよう、前記検査用素子を構成し、前記押圧手段により前記検査用接続部を前記電極パッドに押圧したとき、前記検査用接続部が変形しないよう該検査用接続部は剛性を有するとともに、前記押圧手段は弾性を有し、
さらに、前記検査用素子には、前記ＭＥＭＳ素子の回路素子と同一の素子を保持する絶縁体が設けられると共に、該絶縁体の前記集積回路基板との対向面から突出して疑似検査用接続部及び前記複数の検査用接続部が設けられ、前記押圧手段が前記検査用接続部を前記電極パッドに押圧する際に、前記疑似検査用接続部により前記検査用素子を水平に保って前記検査用接続部を前記電極パッドに接触させることを特徴とする、集積回路基板用検査装置。
【請求項３】
前記検査用接続部は、前記集積回路基板に対して平行な稜線を先端に有するよう、前記絶縁体の前記集積回路基板との対向面から突出しており、
前記検査用接続部の稜線が前記押圧手段の長手方向に垂直となるように前記検査用接続部が配置されており、前記押圧手段が前記検査用接続部を前記電極パッドに押圧することにより、前記検査用接続部の稜線が前記電極パッドに線接触することを特徴とする、請求項２に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項４】
前記検査用素子には、前記検査用接続部が一直線上に並べて配置されており、かつ前記疑似検査用接続部が前記検査用接続部と一直線上に並ばない位置に絶縁されていることを特徴とする、請求項２に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項５】
前記検査用素子は、前記ＭＥＭＳ素子の電極部と同一の断面寸法を有する前記検査用接続部と、前記ＭＥＭＳ素子の回路素子と同一構造の素子と、を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項６】
前記検査用素子は、前記ＭＥＭＳ素子の回路素子としての受動素子と同一構造の素子を含んでおり、
前記検査用素子が前記集積回路基板に接続されて前記集積回路基板における集積回路と高周波回路を形成することを特徴とする、請求項１又は２に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項７】
前記押圧手段は絶縁性の支持手段と非絶縁性の弾性手段を含んでおり、前記検査用素子が前記支持手段に取り付けられており、
前記支持手段は、前記検査用素子が前記集積回路基板に押圧されている状態で前記検査用素子と該集積回路基板における集積回路とで形成される回路網の特性への影響を無視できる程度に、前記検査用素子中の導通部を前記弾性手段から離隔していることを特徴とする、請求項１又は２に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項８】
前記検査用素子は前記受動素子としてコイル素子を含んでおり、
前記弾性手段は、当該コイル素子で生じる磁場の最大強度の１／１０以下に減衰する領域に設けられていることを特徴とする、請求項７に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項９】
前記検査用素子は、前記ＭＥＭＳ素子のパッケージと同一構造のパッケージを有することを特徴とする、請求項２に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項１０】
前記検査用素子のパッケージには電気配線が形成されており、該パッケージの前記集積回路基板との当接面には尖り部が突出形成されており、該尖り部は、前記検査用素子と前記集積回路基板とを接続する際に、前記集積回路基板に形成された電極バッドのうち、検査用接続部が当接する電極パッドとは別の電極パッドに当接することを特徴とする、請求項９に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項１１】
前記検査用接続部は、該検査用接続部が前記電極パッドに押圧されている状態で前記検査用素子と前記集積回路基板の集積回路とで形成される回路網の特性への影響を無視できる程度に、前記絶縁体の前記集積回路基板との対向面から突出していることを特徴とする、請求項２に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項１２】
前記検査用素子における受動素子がコイル素子であり、
前記検査用素子が前記電極パッドに押圧されている状態で、前記絶縁体の前記集積回路基板との対向面から前記検査用接続部が突出している高さが、前記絶縁体内の前記コイル素子の最も前記集積回路基板側に近い部位と該集積回路基板までの距離の１／１０以下であるとともに、
前記距離が、前記ＭＥＭＳ素子における絶縁体の前記集積回路基板との対向面から前記ＭＥＭＳ素子における回路素子の最も該対向面寄りの部位からの寸法に等しいことを特徴とする、請求項１１に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項１３】
前記検査用素子の受動素子がコイル素子であり、
前記検査用素子が前記電極パッドに押圧されている状態で、前記絶縁体の前記集積回路基板との対向面から前記検査用接続部が突出している高さが、前記絶縁体内の前記コイル素子の最も前記集積回路基板側に近い部位と前記絶縁体の対向面との距離の１／１０以下であるとともに、
前記距離が、前記ＭＥＭＳ素子における絶縁体の前記集積回路基板との対向面から前記ＭＥＭＳ素子における回路素子の最も該対向面寄りの部位からの寸法に等しいことを特徴とする、請求項１１に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項１４】
前記集積回路基板上の電力供給用電極パッド及び出力信号用電極パッドに接続する複数のプローブと、該複数のプローブを支持するプローブ用支持手段とをさらに有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の集積回路基板用検査装置。
【請求項１５】
前記プローブ用支持手段と前記押圧手段とがそれぞれ別体で構成されていることを特徴とする、請求項１４に記載の集積回路基板用検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子が搭載されるべき集積回路基板を事前に検査するための集積回路基板用検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路が形成されている基板（以下、これを「集積回路基板」と呼ぶ。）上に受動素子（一般に「ＭＥＭＳ素子」と呼ぶ。）を搭載することで、集積回路と受動素子とで回路を形成し、各種の機能デバイスを作製することがなされている。ここで、「ＭＥＭＳ素子」とはＭＥＭＳ作製のための技術を用いて、立体形成された機能デバイスをいう。「搭載する」とは別々に作製した集積回路基板とＭＥＭＳ素子を接合し一体化させること、もしくは集積回路基板上に直接ＭＥＭＳ素子を形成することをいう。
【０００３】
図２３は従来の機能デバイス１００を模式的に示しており、機能デバイス１００は、集積回路が形成されている基板、つまり集積回路基板１１０に、回路素子を有する別の基板つまり、ＭＥＭＳ素子１２０が搭載されている。具体的には、集積回路基板１１０には薄膜形成、微細加工などの各種工程の繰り返しを経て複数の電子素子が形成されていて、複数の素子が配線パターンにより接続されており、集積回路基板１１０の表面には電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂが形成されている。ＭＥＭＳ素子１２０にも同様に薄膜形成、微細加工などの各種工程の繰り返しを経て一又は複数の素子が形成されており、ＭＥＭＳ素子１２０は下面に接続用電極１２１Ａ，１２１Ｂを有している。接続用電極１２１Ａ，１２１Ｂが電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂ上に電気的に接続されるようＭＥＭＳ素子１２０が集積回路基板１１０上に搭載されて固定される。このような構造を有する機能デバイス１００は、ＭＥＭＳ素子１２０内の回路素子が接続用電極１２１Ａ，１２１Ｂと電極パッド１１１Ａ、１１１Ｂとをそれぞれ経由して集積回路に接続され、所定の機能を発揮する。
【０００４】
このように、集積回路基板１１０内の集積回路はそれ自体として機能せず、ＭＥＭＳ素子１２０と接続されることで、その集積回路とそのＭＥＭＳ素子１２０とが初めて機能するわけである。しかしながら、集積回路基板１１０にＭＥＭＳ素子１２０を搭載した後に検査を行って所定の機能が発揮しないことが分かった場合には、その原因が集積回路基板１１０それ自体、ＭＥＭＳ素子１２０それ自体、ＭＥＭＳ素子搭載プロセスの最中に発生した集積回路へのダメージの何れかにあるかを判断することはできない。
【０００５】
ところで、集積回路が形成されている基板を検査することはすでに知られている。（例えば特許文献１、２）。
【０００６】
特許文献１は、プローブカードに設けられ、バネ部とこのバネ部より細径でバネ部の一端から直線状に延びる針部とを有する導電性のバネ型プローブを保持するプローブ保持構造について開示している。具体的には、プローブカード側に配置されるインタポーザと、インタポーザに主面を対向させて測定対象物側に配置されるプローブ支持基板とを有し、インタポーザにはバネ型プローブとプローブカードとを電気的に接続する導電路が設けられており、プローブ支持基板には主面に直交する貫通孔が形成されており、プローブ支持基板及びインタポーザは針部が貫通孔に貫通されると共にバネ部の後端が配線手段に接触して両基板間にバネ部を縮めた状態に挟んで保持している。
【０００７】
特許文献２は、少なくとも１つの製品ダイ上の製品回路をテストするためのテストアセンブリについて開示している。具体的には、それぞれが製品ダイの少なくとも一部の製品回路をテストするためのテスト回路を有する複数の第１のレベルのテストダイと、第１のレベルのテストダイを少なくとも１つの製品ダイへ電気的に結合するための第１の相互接続手段と、１つの共有テストダイと、共有テストダイを第１のレベルのテストダイのそれぞれに電気的に結合するための第２の相互接続手段と、共有テストダイと通信を行うホストコントローラに共有テストダイを電気的に結合するための第３の相互接続手段とを備えている。第１の相互接続手段が複数の接触要素を備えており、これらの複数の接触要素がバネ接触要素から成っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−１７１１３９号公報（フロントページ）
【特許文献２】特許第３７５４６１６号公報（請求項１、請求項５、請求項７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図２３を示して説明したように、集積回路基板１１０上にＭＥＭＳ素子１２０を搭載する場合、特に、集積回路基板１１０中の複数の素子とＭＥＭＳ素子中の回路素子とで一体として高周波回路を形成するような場合において集積回路基板１１０を検査することを考えた時、検査装置のバネ性を有するプローブで検査すると、そのプローブ及びバネ接続要素の何れかと集積回路基板との電気的な接続経路の形状がプローブの押し付けによって変化する。ＭＥＭＳ素子を搭載した集積回路基板がＧＨｚ以上の高周波回路を形成する場合には、低周波回路とは異なり、検査は慎重に実施される必要がある。特に検査対象がＧＨｚオーダーを超える高周波回路の部品としての集積回路基板１１０である場合、その周波数特性が周りの環境によって左右されるからである。
【００１０】
一例を挙げると、配線に高周波を流すと同じ頻度で変化する電磁波が発生する。従って、配線などの電気導通領域の周りに電磁波に反応する物質が存在すると、電磁気的な損失が生じる。具体的には、集積回路基板と検査装置との間で絶縁体ではない高抵抗物質があると渦電流の発生により渦電流損失が生じる。集積回路基板と検査装置との間で周りに誘電体が存在すると誘電損失が生じる。これらの損失により、Ｑ値が低下して設計通りの特性を示さない。
【００１１】
別の例を挙げると、配線の周りに電気的な物質があると、その物質に受動的な性質が追加され、設計の仕様から変化する。具体的には、集積回路基板と検査装置との間の周りに磁性体が存在すると、その磁性体が磁場を溜めようとするのでインダクタンスの増加をもたらす。集積回路基板と検査装置との間の周りに別の電気導通領域があると浮遊容量の発生をもたらす。これら、インダクタンスの増加、浮遊容量の発生は、設計からずれた受動的な性質となってしまう。
【００１２】
以上のように、ＭＥＭＳ素子を集積回路基板上に搭載して高周波回路を構成する場合、集積回路基板のみを検査する際に、実際のＭＥＭＳ素子を搭載した状態と同じ状態で検査しなければ、正しい検査を行うことができない。特許文献１、２に示すように検査装置がバネ性のプローブを備えており、そのプローブで集積回路基板を検査する場合には、集積回路基板と検査装置との間でのプローブの形状変化や実際のＭＥＭＳ素子との寸法の違いのため実際のＭＥＭＳを搭載したときと異なるインダクタンスの発生、浮遊容量の発生、電磁気的な損失などが生じ、検査素子の周波数特性が設計仕様から変化して予測不能な結果を招来する。特に、ＭＥＭＳ素子を集積回路基板上に搭載して発振回路のような高周波回路を構成している場合には、共振周波数の変化や電磁気的な損失によるＱ値の低下により発振しないことがある。またそのプローブと集積回路基板との接触抵抗が増加して発振しなかったりする。
【００１３】
本発明は、以上の点に鑑み、集積回路基板にＭＥＭＳ素子を搭載する前にその集積回路基板が仕様通りの性能があるかを正しく検査することができる、集積回路基板用検査装置を提供することを目的する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の集積回路基板用検査装置は、パッケージを備えたＭＥＭＳ素子が搭載されるべき集積回路基板の検査に供され、複数の検査用接続部を有する検査用素子と、集積回路基板の電極パッドに検査用接続部を押圧する押圧手段と、を備える集積回路基板用評価装置であって、
検査用素子と集積回路基板を接続して形成される回路と、ＭＥＭＳ素子を集積回路基板に搭載して形成される回路とが、等価回路として同一となるよう、検査用素子を構成し、
検査用素子は、ＭＥＭＳ素子のパッケージと同一構造で且つ電気配線が形成されたパッケージを有し、パッケージの集積回路基板との当接面には尖り部が突出して形成されており、尖り部は、検査用素子と集積回路基板とを接続する際に、集積回路基板に形成された電極パッドのうち、検査用接続部が当接する電極パッドとは別の電極パッドに当接するように構成され、
さらに、押圧手段により検査用接続部を電極パッドに押圧したとき、検査用接続部が変形しないよう、検査用接続部は剛性を有するとともに押圧手段は弾性を有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の集積回路基板用検査装置は、ＭＥＭＳ素子が搭載されるべき集積回路基板の検査に供され、複数の検査用接続部を有する検査用素子と、集積回路基板の電極パッドに検査用接続部を押圧する押圧手段と、を備える集積回路基板用評価装置であって、
検査用素子と集積回路基板を接続して形成される回路と、ＭＥＭＳ素子を前記集積回路基板に搭載して形成される回路とが、等価回路として同一となるよう、検査用素子を構成し、
押圧手段により検査用接続部を電極パッドに押圧したとき、検査用接続部が変形しないよう、検査用接続部は剛性を有するとともに、押圧手段は弾性を有し、
さらに、検査用素子には、ＭＥＭＳ素子の回路素子と同一の素子を保持する絶縁体が設けられると共に、絶縁体の集積回路基板との対向面から突出して疑似検査用接続部及び複数の検査用接続部が設けられ、押圧手段が検査用接続部を電極パッドに押圧する際に、疑似検査用接続部により検査用素子を水平に保って検査用接続部が電極パッドと接触することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ＭＥＭＳ素子が搭載されるべき集積回路基板の電極パッドに対し、剛性の検査用接続部を含む検査用素子を接触させることで、ＭＥＭＳ素子を搭載した状態と電気的に同じ状態を再現できる。よって、集積回路基板を正しく検査することができる。集積回路基板自体を事前に検査しておき、検査に合格した集積回路基板に対してＭＥＭＳ素子を搭載することになるので、歩留まりが向上する。特に、ＭＥＭＳ素子を搭載して高周波回路を構成するような集積回路基板に対する検査においては特に威力を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る集積回路基板用検査装置を模式的に示す図である。
【図２】図１に示す検査用素子、ＭＥＭＳ素子と集積回路基板との大きさの関係を示しており、（Ａ）は集積回路基板にＭＥＭＳ素子が搭載されている場合、（Ｂ）及び（Ｃ）は集積回路基板に検査用素子が接続されている場合で、（Ｂ）はＯＫの場合、（Ｃ）はＮＧの場合をそれぞれ示す模式図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る集積回路基板用検査装置を模式的に示す図である。
【図４】図１に示す集積回路基板用検査装置による検査方法を模式的に示す図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る集積回路基板用検査装置を模式的に示す図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係る集積回路基板用検査装置を模式的に示す図である。
【図７】図６に示す集積回路基板にＭＥＭＳ素子が搭載されている様子を模式的に示す図である。
【図８】本発明の第６実施形態に係る集積回路基板用検査装置を模式的に示す図である。
【図９】ＭＥＭＳ素子が正方形のコイルである場合において、検査用素子と第１の弾性部材、第２の支持部材との距離をどのように決定すべきかを説明するための説明図であり、（Ａ）はモデル設定の状態を示す図、（Ｂ）はＺ軸方向の距離に対する磁場強度の変化を示す図、（Ｃ）はＸＹ平面におけるコイルの一辺からの距離に対する磁場強度の変化を示す図である。
【図１０】本発明の第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置を示し、（Ａ）は模式的な断面図、（Ｂ）は底面図である。
【図１１】図１０に示す第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置に関する一ユニットを示し、（Ａ）は底面図、（Ｂ）はＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
【図１２】図１０に示す第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置を示し、（Ａ）はＡ−Ａ線に沿う断面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ線に沿う断面図、（Ｃ）はＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図１３】第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置の作製工程を模式的に示す図である。
【図１４】図１３に示す作製工程の続きを示す図である。
【図１５】図１４に示す作製工程の続きを示す図である。
【図１６】図１５に示す作製工程の続きを示す図である。
【図１７】図１に示す検査用素子の具体的な第一の構成を示す図であり、（Ａ）は下斜め方向から見た斜視図、（Ｂ）は底面図である。
【図１８】図１に示す検査用素子の具体的な第二の構成を示す図であり、（Ａ）は下斜め方向から見た斜視図、（Ｂ）は底面図である。
【図１９】図１８に示すような検査用接続部を有する集積回路基板用装置を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図、（Ｃ）及び（Ｄ）は正面図である。
【図２０】（Ａ）乃至（Ｆ）は検査用素子の各種の変形例を模式的に示す底面図である。
【図２１】本発明の各実施形態において検査用素子と集積回路基板との関係を説明するための模式図であり、（Ａ）はＭＥＭＳ素子の平面図、（Ｂ）はＭＥＭＳ素子の側面図、（Ｃ）は具体的な第１の例における検査用素子と集積回路基板との関係を示し、（Ｄ）は具体的な第２の例における検査用素子と集積回路基板との関係を示す図である。
【図２２】本発明の各実施形態において検査用素子と押圧手段との関係を模式的に示し、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は底面図である。
【図２３】従来の機能デバイスを模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。本発明の各実施形態における集積回路基板用検査装置は、例えば図２３を示して前述した集積回路基板１１０をＭＥＭＳ素子１２０が搭載される前に検査するためのものである。なお、集積回路基板１１０及びＭＥＭＳ素子１２０については前述した場合と同じである。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る集積回路基板用検査装置を模式的に示している。集積回路基板用検査装置１０は集積回路基板１１０を検査するものである。集積回路基板１１０は表面に複数の、図示の場合では二つの電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂを有している。Ｓｉなどの基板上への薄膜形成とエッチングなどの微細加工とを経て、集積回路基板１１０には複数の回路素子１１２が配線パターンにより接続されている。図示の場合では回路素子１１２として増幅素子が模式的に示してある。ＭＥＭＳ素子１２０における接続用電極が電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂにそれぞれ接続され、集積回路基板１１０内の回路素子１１２とＭＥＭＳ素子１２０とが接続して集積回路が形成され、ＭＥＭＳ素子１２０を搭載した集積回路基板１１０は所定の機能を発揮する（図２３参照）。ＭＥＭＳ素子１２０は、集積回路基板１１０に搭載された状態において集積回路基板１１０と対向する面に突出して電極部（接続用電極とも呼ぶ。）１２１Ａ，１２１Ｂを備えている。ＭＥＭＳ素子１２０は、本実施形態では抵抗、コイル、コンデンサの何れかを含む受動素子を有しているものとするが、他の回路素子を含んでいてもよい。
【００１９】
集積回路基板用検査装置１０は、外部端子として剛性を有する複数の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂを含む検査用素子１２と、集積回路基板１１０の表面に設けられている電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに検査用接続部１２Ａ，１２Ｂを押圧する押圧手段１６とを含んでいる。ここで、検査用素子１２は、押圧手段１６が検査用素子１２を電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに押圧している状態で検査用素子１２と集積回路基板１１０における集積回路とで形成される回路と、ＭＥＭＳ素子１２０が集積回路基板１１０に搭載されたときに集積回路とＭＥＭＳ素子１２０とで形成される回路と、等価回路として同一となるよう、構成されている。つまり、集積回路基板１１０上に検査用素子１２が押圧手段１６により押圧されたとき、集積回路基板１１０における集積回路と検査用素子１２中の素子とで形成される回路が、浮遊容量、損失の発生も含めて、集積回路基板１１０にＭＥＭＳ素子１２０が搭載されたときに形成される回路と、等価回路として同一である。
【００２０】
例えば、検査用素子１２が、ＭＥＭＳ素子１２０と電気的に等価な二端子回路を含んでいる場合が当てはまる。ここに、「電気的に等価」とは、ＭＥＭＳ素子１２０が集積回路基板１１０に搭載されたときと、検査用素子１２が支持なしで集積回路の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂと検査用接続部１２Ａ，１２Ｂとがそれぞれ接触した場合とで、電気的に等価な特性を有することを言う。即ち、検査用素子１２とＭＥＭＳ素子１２０とが構造、寸法、材質の点で同一である場合に理想的な等価な特性を有することになる。
【００２１】
以下詳細に説明すると、図１に模式的に示すように、集積回路基板１１０を載置するステージ１１と、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂを含む検査用素子１２と、検査用素子１２のうち集積回路基板１１０と対向しない側に設けられる支持手段としての支持部材１３と、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂを集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに押圧する弾性手段としての弾性部材１４と、弾性部材１４を移動可能に支持する可動式支持部１５と、を含んでいる。
【００２２】
ここで、押圧手段１６は、支持部材１３と弾性部材１４との組み合わせにより構成されている。検査用素子１２は、ＭＥＭＳ素子１２０と電気的に同一の構成及び大きさを有していればよい。ＭＥＭＳ素子１２０が、電気導通路としてコイル素子とその両側に取り付けられている検査用接続部１２Ａ，１２Ｂとを備え、その電気導通路の周りの絶縁体がＭＥＭＳ素子１２０におけるそれと略同一の誘電率及び透磁率を有する場合、検査用素子１２における絶縁体の大きさは電気導通路に対して外部からの電気的・磁気的な影響が無視できる範囲であればよく、必ずしも、検査用素子１２における絶縁体の形状及び寸法が、ＭＥＭＳ素子１２０における絶縁体の形状及び寸法と同一である必要はない。
【００２３】
以下、各構成要素について詳細に説明する。
【００２４】
ステージ１１は、集積回路基板１１０が動かないように載置できるものが好ましく、例えば図示するようにステージ１１に窪みを有しておりその窪みに集積回路基板１１０の下側一部が収容されるのが好ましい。ステージ１１は、集積回路基板１１０を載置したままステージ１１それ自体を水平面に平行にスライドしたり、上下動したりするように移動可能なものが好ましい。
【００２５】
検査用素子１２は、集積回路基板１１０を検査した後に搭載されるべきＭＥＭＳ素子１２０と電気的に等価な二端子回路を有しており、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂがリジッド（rigid）な、即ち曲がり難い、堅直なものである。このように、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂは剛性を有している。剛性は、例えば数μＮの力に対して変形しないことを意味する。
【００２６】
押圧手段１６は、支持部材１３と弾性部材１４からなることで弾性を有する。支持部材１３は、検査用素子１２の表面側、即ち検査用接続部１２Ａ，１２Ｂとは逆側に設けられており、エポキシ樹脂などの絶縁体からなる。
【００２７】
弾性部材１４は、例えば板バネなどのバネ材からなる。図１に模式的に示すように、弾性部材１４の一端が支持部材１３を介在して検査用素子１２に取り付けられ、弾性部材１４の他端が支持部としての可動式支持部１５に取り付けられている。弾性部材１４は、絶縁性材料からなっても導電性材料からなってもよい。弾性部材１４が絶縁体でなる支持部材１３を介在して検査用素子１２に取り付けられているからである。
【００２８】
支持部としての可動式支持部１５は、少なくとも検査用素子１２をステージ１１側及びその逆側の方向に移動できるものであればよく、二次元方向、三次元方向に移動可能なものが好ましい。
【００２９】
次に、集積回路基板用検査装置１０による集積回路基板１１０の検査方法について説明する。先ず、ステップ１として、検査すべき集積回路基板１１０をステージ１１上に載せて固定する。
【００３０】
ステップ２として、ステージ１１をＸＹ方向に移動して検査用素子１２を集積回路基板１１０の上方に移動し、検査用素子１２における検査用接続部１２Ａ，１２Ｂをそれぞれ集積回路基板１１０における電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの上方に位置合わせする。
【００３１】
ステップ３として、可動式支持部１５を−Ｚ方向であるステージ１１側に下降し、検査用素子１２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂをそれぞれ集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接触し、さらに可動式支持部１５を下降する。すると、弾性部材１４が弾性変形しつつ検査用接続部１２Ａ，１２Ｂがそれぞれ集積回路基板１１０における電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに押圧する。その際、検査用素子１２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂは弾性部材１４の復元力により電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの表面の酸化膜を突き破り、検査用素子１２が電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに電気的に接続する。この状態において、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂを変形させないでＭＥＭＳ素子１２０が集積回路基板１１０に搭載された状態に形成される回路網と等価回路として等しい回路網を形成する。
【００３２】
さらに、検査用素子１２と集積回路基板１１０との電気的な接続の確実性を確保するために、ステップ４として、検査用素子１２における検査用接続部１２Ａ，１２Ｂが電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに食い込んだ状態で、可動式支持部１５をＸＹ平面に平行な方向、例えばＸ方向に移動する。すると、検査用素子１２がＸ方向に移動する。これにより、検査用素子１２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂが電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの各表面に沿って摺動する。これにより、電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの表面酸化膜に筋が形成され、検査用素子１２と集積回路基板１１０との電気的な接続が確実となる。このステップ４については、電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの表面酸化膜の状態や、ステップ３での電気的な不接続の蓋然性に応じてなされればよい。
【００３３】
第１実施形態では、検査用素子１２は集積回路基板１１０に搭載されるＭＥＭＳ素子１２０と電気的に等価、例えば同じ構成及び大きさであるので、検査用素子１２の集積回路基板１１０に対する浮遊容量Ｃ，誘導損失Loss及び渦電流損失Lossは、ＭＥＭＳ素子１２０が搭載されている状態の場合と同じであるため、ＭＥＭＳ素子１２０を搭載したときと同じ状態で集積回路基板１１０を検査することができる。
【００３４】
特に、ＭＥＭＳ素子１２０と集積回路基板１１０とで例えば発振回路などの高周波回路を形成するような場合であって、検査用素子１２は、絶縁体から成る支持部材１３を介在して弾性部材１４により支持されているので、その高周波回路は弾性部材１４、支持部材１３からの影響を無視できる。つまり、高周波特性、特に共振周波数が設計値と異ならない。
【００３５】
特に、検査用素子１２における検査用接続部１２Ａ，１２Ｂが変形し難いリジッドであるため、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂが弾性部材１４による復元力を受けても、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂの形状は変化しない。つまり、検査用素子１２と集積回路基板１１０との間での電流経路の形が変わらないので、集積回路基板１１０の検査をモノリシックに作製した状態と同様の状態で行える。
【００３６】
これらのことから、検査用素子１２の回路素子、例えばコイルなどの受動素子と集積回路基板１１０内の集積回路とで構成される回路が、例えば１ＧＨｚ前後を超えるようなＧＨｚ帯の高周波回路である場合においても、集積回路基板１１０を正確に検査することができる。
【００３７】
図１に示す集積回路基板用検査装置１０では、押圧手段１６が検査用素子１２を電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに押圧している状態で検査用素子１２と集積回路基板１１０における集積回路とで形成される回路が、ＭＥＭＳ素子１２０が集積回路基板１１０に搭載されたときに集積回路とＭＥＭＳ素子とで形成される回路と等価回路として同一となるよう、検査用素子１２が構成されており、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂが剛性を有し、押圧手段１６が弾性を有している。例えば、検査用素子１２は、実際に集積回路基板１１０に検査後に搭載されるべきＭＥＭＳ素子１２０と電気的に等価な二端子回路を含んでいる。よって、ＭＥＭＳ素子１２０を集積回路基板１１０に搭載してＭＥＭＳ素子１２０の電極部を集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接続した状態を作り出せる。
【００３８】
この点について詳細に説明する。図２は、図１に示す検査用素子１２、ＭＥＭＳ素子１２０と集積回路基板１１０との関係を示しており、（Ａ）は集積回路基板１１０にＭＥＭＳ素子１２０が搭載されている場合、（Ｂ）は集積回路基板１１０に検査用素子１２が接続されている場合を示す模式図である。図２（Ａ）乃至（Ｃ）に示す集積回路基板１１０は、図１における集積回路基板１１０に対応するものであり、集積回路基板１１０の表面側にはＭＥＭＳ素子１２０と接続される電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂのほか配線及びＬＳＩ素子（以下、「配線・素子１１１Ｃ」と表記する）が配置されている。集積回路基板１１０の最表面層１１３は絶縁層である。
【００３９】
図２（Ａ）に示すように、集積回路基板１１０はＭＥＭＳ素子１２０が搭載されるとＭＥＭＳ素子１２０と回路素子との間には浮遊容量Ｃ、誘導損失Ｌ１及び渦電流損失Ｌ２が生じる。よって、集積回路基板１１０における集積回路及びＭＥＭＳ素子１２０における回路素子はこれらの浮遊容量Ｃ、誘導損失Ｌ１及び渦電流損失Ｌ２を加味して回路設計され、所望の高周波特性を有している。
【００４０】
検査用素子１２が図２（Ｂ）に示すようにＭＥＭＳ素子１２０と同一の構成及び寸法を有しており、その検査用素子１２が集積回路基板１１０に接続される場合においては、検査用素子１２と集積回路基板１１０との間には、図２（Ａ）に示す場合と同様に浮遊容量Ｃ、誘導損失Ｌ１及び渦電流損失Ｌ２が発生する。従って、ＭＥＭＳ素子１２０搭載時と同じ状況下で集積回路基板１１０を検査することができる。
【００４１】
図２（Ｂ）に示す場合とは異なり、図２（Ｃ）に示すように、検査用素子１７がＭＥＭＳ素子１２０と同様の回路を有していても寸法が異なり図示するように大きい場合、検査用素子１７が集積回路基板１１０に接続されると、検査用素子１７と集積回路基板１１０との間には、図２（Ａ）に示す場合とは異なる浮遊容量Ｃ’、誘導損失Ｌ１’及び渦電流損失Ｌ２’が生じる。つまり、ＭＥＭＳ素子１２０の搭載時と同じ状況下で集積回路基板１１０を検査することができない。
【００４２】
ここで、図２（Ｂ）に示されるように、検査用素子１２，１７の集積回路基板１１０と逆側に絶縁体である支持部材１３が細長くかつ鉛直方向に延びており、支持部材１３の一端が可動式支持部１５に弾性部材１４としてのバネ部材で接続されている。支持部材１３は細長いので、検査用素子１２に流れる電流が弾性部材１４、支持部材１３により変化しない。
【００４３】
以上のように本発明の第１実施形態によれば、検査用素子１２は実際に集積回路基板１１０に検査後搭載されるべきＭＥＭＳ素子１２０と電気的、構造的に等価な構成を含んでいるため、ＭＥＭＳ素子１２０を集積回路基板１１０に搭載してＭＥＭＳ素子１２０の電極部を集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接続した状態となり得る。
【００４４】
加えて、検査用素子１２の集積回路基板１１０側にはリジッドな検査用接続部１２Ａ，１２Ｂが突出しているため、検査用素子１２を集積回路基板１１０に押し付け、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂを集積回路基板１１０における電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに押し当てても、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂは座屈したり、屈曲したりしない。つまり、検査用素子１２の集積回路基板１１０への押圧により、検査用素子１２内の回路素子と集積回路基板１１０内の回路素子とが配線パターンで接続されて形成される回路網と、ＭＥＭＳ素子１２０を集積回路基板１１０に搭載して形成される回路網とは、等価回路として、同一となる。
【００４５】
加えて、集積回路基板１１０が図１に示すように回路素子１１２として増幅素子及びコンデンサを含んでおり、ＭＥＭＳ素子１２０がコイルを含んで、集積回路基板１１０とＭＥＭＳ素子１２０とで発振回路などの高周波回路が構成される場合を想定すると、検査用素子１２はＭＥＭＳ素子１２０と同様コイルを含む二端子回路を含んでいるので、検査用素子１２が集積回路基板１１０に押圧して形成される高周波回路は、集積回路基板１１０にＭＥＭＳ素子１２０が搭載されて形成される高周波回路と同一になる。つまり、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂが変形しないので、周波数特性による影響を受けずに、設計値と検査値とを比較できる。
【００４６】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係る集積回路基板用検査装置２０を模式的に示している。図３に示す第２実施形態は、検査用素子１２における検査用接続部１２Ａ，１２Ｂの先端が尖っていない点で、図１に示す第１実施形態と異なる。集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂが種類の異なる金属層で積層されてなり、金属層のうち最表面層１１１Ｄが例えばＡｕなどの酸化し難い金属で構成されている。この場合、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂが集積回路基板１１０における電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに食い込ませなくても検査用接続部１２Ａ，１２Ｂを電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの最表面層１１１Ｄに接触させるだけで、電気的に接続することができるからである。
【００４７】
本発明の第２実施形態によれば、図１に示した第１実施形態と同様、集積回路基板１１０を正しく検査することができる。しかも、第１実施形態と異なり、検査用素子１２の各検査用接続部１２Ａ，１２Ｂを集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接触させるだけでよく、電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの最表面層１１１Ｄに検査用接続部１２Ａ，１２Ｂを食い込ませる必要がないため、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂの先端を例えば角錐、円錐のように尖らすことが不要で、かつ、検査用素子１２を集積回路基板１１０の表面に沿って移動させる必要もない。よって、検査用素子１２の構造を単純化でき、かつプローブで電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂを擦る必要がないから集積回路基板１１０の検査に要する時間が短縮できる。この第２実施形態に係る集積回路基板用検査装置２０は、ＭＥＭＳ素子１２０の電極部がＭＥＭＳ素子１２０における集積回路基板１１０との対向面から突出していないようなＭＥＭＳ素子１２０を搭載する集積回路基板１１０を検査対象とする場合などに、特に有効である。
【００４８】
（第３実施形態）
図４は、図１に示す集積回路基板用検査装置１０による検査方法を模式的に示す図である。図４に示すように、集積回路基板１１０において、電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの表面に窪み１１１Ｅをそれぞれ設けている点で図１に示す場合とは異なる。電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの窪み１１１Ｅは、集積回路基板用検査装置１０における検査用素子１２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂの先端が食い込むようにエッチング等により形成される。電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに窪み１１１Ｅが設けられているので、検査用素子１２と集積回路基板１１０との距離が小さくなると、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂが自ら電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの窪み１１１Ｅに入り込む。このセルフアライメントにより、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂと電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂとの位置合わせが容易となる。さらに、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂと電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂとの接触面積が大きくなるため、接触抵抗の低減を図ることができる。また、検査用接続部１２Ａ，１２Ｂの先端部の形と大きさを窪み１１１Ｅの形と大きさと同じにすることによって、ＭＥＭＳ素子１２０が集積回路基板１１０上に搭載されたときと、検査用素子１２が集積回路に接触している場合とで、全く同じ状況を再現できる。
【００４９】
（第４実施形態）
図５は、第４実施形態に係る集積回路基板用検査装置３０を模式的に示す。集積回路基板用検査装置３０で検査対象となる集積回路基板１１０には、集積回路内でＧＮＤ配線となる電極パッド１１１Ｆが設けられている。図５に示す検査用素子３３は、集積回路基板１１０内の集積回路と回路網を構成する検査用素子本体部３２とパッケージ３４で構成されている点で図１に示す場合と異なる。これは、検査対象となる集積回路基板１１０に搭載されるＭＥＭＳ素子がＭＥＭ素子本体とパッケージとで構成されているため、検査用素子３３をこの構成に対応させて同一の構造及び寸法を有するようにしている。つまり、検査用素子３３はＭＥＭＳ素子のパッケージと同一構造を有するパッケージ３４を有しており、押圧手段１６、具体的には弾性部材１４の一端が検査用素子３３におけるパッケージ３４に取り付けられ、検査用素子本体部３２がパッケージ３４を介在して弾性部材１４に支持されている。パッケージ３４は、検査用素子本体部３２を支持部３４Ａで取り付けられている上部３４Ｂと、検査用素子本体部３２の周りを離隔して覆う環状の側壁部３４Ｃと、でなっている。つまりパッケージ３４は上部３４Ｂと側壁部３４Ｃとで凹陥部３４Ｄを設けており、ＧＮＤ接続用端子３４Ｅが側壁部３４Ｃに突出して設けられている。ＧＮＤ接続用端子３４Ｅは、パッケージ３４内の電気導通部（図示せず）に接続されている。検査用素子３３、ＭＥＭＳ素子の何れの場合においてもパッケージ３４はそれ自体が例えばシリコンのように導電性を有する材料で構成されていても良いし、例えばプラスチックのような絶縁物に例えば金属が堆積して構成されても良い。パッケージ３４の電気導通部の形状はＭＥＭＳ素子本体部３２の全体を囲むように配置されていても良いし、一部を覆うように配置されていても良い。つまり、パッケージ３４を含む検査用素子３３は、集積回路基板１１０に接続された際、その集積回路基板１１０にパッケージを含むＭＥＭＳ素子を搭載したときと同じ等価回路を構成できればよい。ＧＮＤ接続用端子３４Ｅは尖り形状を有しており、集積回路基板１１０との対向面から検査用素子３３における検査用接続部３２Ａ，３２Ｂの先端と同じ高さに突出している。パッケージ３４の上部３４Ｂには支持部材１３が配置され、支持部材１３は弾性部材１４に取り付けられている。パッケージ３４の上部３４Ｂは、支持部材１３とは逆の凹陥部３４Ｄ側に突出して支持部３４Ａが設けられており、支持部３４Ａには検査用素子本体部３２が取り付けられている。
【００５０】
集積回路基板用検査装置３０によれば、検査用素子本体部３２の検査用接続部３２Ａ，３２Ｂが集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接続され、かつ、パッケージ３３が検査用素子本体部３２を覆ってＧＮＤ接続用端子３４Ｅが集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ｆに接続された状態は、検査後の集積回路基板１１０にＭＥＭＳ素子が搭載された状態と同じとなるので、正確な集積回路基板１１０の検査を行うことができる。
【００５１】
（第５実施形態）
図６は、第５実施形態に係る集積回路基板用検査装置４０を模式的に示す。集積回路基板用検査装置４０は、図６に示すように、検査用素子４２の上層部に支持部材４３が一体として構成されている点で他の実施形態と異なる。即ち、検査用素子４２は絶縁性の支持部材４３と検査用素子本体４４とで構成される。この集積回路基板用検査装置４０で検査対象となる集積回路基板１１０は、図７に示すように、ＭＥＭＳ素子１３０の表面側に支持部材４３と同一の性質を有する絶縁体１３１が設けられて一体構成されている。第５実施形態に係る集積回路基板用検査装置４０によれば、検査用素子４２が支持部材４３を予め組み込んで一体的に構成されているので、部品点数が少なくなり、集積回路基板用検査装置４０の組立作業が容易になる。
【００５２】
（第６実施形態）
次に、第１実施形態を前提とした第６実施形態を説明するが、第２乃至第５実施形態でも同様である。図８は、第６実施形態に係る集積回路基板用検査装置５０を模式的に示す図である。集積回路基板用検査装置５０は、支持部としての可動式支持部５５に対して取り付けられる第１の弾性手段としての第１の弾性部材５４と、第１の弾性部材５４の先端に取り付けられた第１の支持手段としての第１の支持部材５３と、第１の支持部材５３に設けられている検査用素子５２と、集積回路基板１１０を載置して固定するステージ５１と、可動式支持部５５に対して取り付けられる第２の弾性手段としての第２の弾性部材５８と、第２の弾性部材５８の先端に取り付けられる第２の支持手段としての第２の支持部材５７と、第２の支持部材５７にステージ５１側に突出するよう取り付けられている複数のプローブ５６と、複数のプローブ５６を経由して集積回路基板１１０に対して駆動電力を供給して集積回路基板１１０からの出力信号を計測する検査用回路５９と、を有している。
【００５３】
集積回路基板用検査装置５０は、可動式支持部５５に対して第１の弾性部材５４を介在して第１の支持部材５３に保持されている検査用素子５２と、同じ可動式支持部５５に対して第２の弾性部材５８を介在して第２の支持部材５７に保持されている複数のプローブ５６と、を備える。この第２の支持部材５７はプローブ用支持手段と呼んでも良い。つまり、検査用素子５２を支持する手段、つまり押圧手段と、複数のプローブ５６を支持するプローブ用支持手段とはそれぞれ別々に配置されている。
【００５４】
第１の弾性部材５４及び第２の弾性部材５８は何れも片持ち式であって、具体的にカンチレバー状に可動式支持部５５に形成されている。図８に示す形態では、第１の弾性部材５４及び第２の弾性部材５８は何れも棒状又は細長平板状を有して、ステージ５１の表面に沿って延びて設けられている。第１の弾性部材５４及び第２の弾性部材５８の各端部が可動式支持部５５に固定されている。第１の弾性部材５４の先端部には第１の支持部材５３が取り付けられており、第２の弾性部材５８の先端部には第２の支持部材５７が取り付けられている。第１の支持部材５３及び第２の支持部材５７は、それぞれ、棒状、三角平板状、矩形平板状、多角形平板状などの形状を有して、ステージ５１の表面に沿って、可動式支持部５５とは逆方向に延びて設けられている。図８に示すように、第１の弾性部材５４及び第１の支持部材５３が第２の弾性部材５８及び第２の支持部材５７と比べてステージ５１側に配置されているが、逆に、第２の弾性部材５８及び第２の支持部材５７が第１の弾性部材５４及び第１の支持部材５３と比べてステージ５１側に配置されていてもよいし、ステージ５１とほぼ同じ高さに配置されていてもよい。第１の弾性部材５４及び第１の支持部材５３は、平面視において第２の弾性部材５８及び第２の支持部材５７と重なるように配置されていてもよいし、逆に平面視において第２の弾性部材５８及び第２の支持部材５７と重ならないように配置されてもよい。
【００５５】
検査用素子５２は、電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに押圧されている状態で検査用素子５２と集積回路基板１１０における集積回路とで形成される回路が、ＭＥＭＳ素子１２０が集積回路基板１１０に搭載されたときに集積回路とＭＥＭＳ素子１２０とで形成される回路と等価回路として同一となるよう構成されている。例えば、検査対象となる集積回路基板１１０における電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂと電気的に接続されるＭＥＭＳ素子１２０と同一構造、同一寸法を有しており、受動素子と検査用接続部５２Ａ，５２Ｂとで二端子回路を備えている。第１の支持部材５３は絶縁材料で構成される。検査用素子５２が集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂと電気的に接続されて集積回路網を構成した際、その集積回路網に流れる信号に影響を与えないためである。
【００５６】
これに対し、第２の支持部材５７は必ずしも絶縁材料で構成される必要はない。第２の支持部材５７には複数のプローブ取付孔が穿設されており、各プローブ取付孔にプローブ５６を下向きに突き出すように設け、プローブ５６の側面とプローブ取付孔とが絶縁されていればよい。各プローブ５６は検査用素子５２における検査用接続部５２Ａ，５２Ｂとは異なり、リジッドである必要はなく、バネ形状を部分的に有していてもよい。即ち、第２の支持部材５７に取り付けられる複数のプローブ５６のそれぞれがバネ構造を一部又は全部に有していれば、第２の支持部材５７は弾性部材を含まず、可動式支持部５５に直接設けられても良い。プローブ５６は、例えば第１乃至第３のプローブ５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃで構成される。
【００５７】
検査用回路５９は、ＭＥＭＳ素子１２０と集積回路基板１１０の集積回路とで回路網が構成されているとき、この回路網に電気的なエネルギーを供給する電源部５９Ａと、この回路網から出力される信号を測定する測定部５９Ｂと、を有している。第１のプローブ５６Ａと電源部５９Ａとは配線５９Ｃで電気的に接続されており、第２のプローブ５６Ｂと電源部５９Ａとは配線５９Ｄで電気的に接続されており、第３のプローブ５６Ｃと測定部５９Ｂとは配線５９Ｅで電気的に接続されている。
【００５８】
前述の他の実施形態と同様、集積回路基板１１０は、ＭＥＭＳ素子１２０との接続により回路網を形成して機能デバイスを構成する。集積回路基板１１０の表面には、ＭＥＭＳ素子１２０と接続する第１の電極パッド１１１Ａ及び第２の電極パッド１１１Ｂと、回路網に対して駆動用の電気的エネルギーを供給するための第１及び第２の駆動電極用パッド１１１Ｇ，１１１Ｈと、機能デバイスにより出力される信号を取り出すための検査用電極パッド１１１Ｉと、が設けられている。第１及び第２の駆動電極用パッド１１１Ｇ，１１１Ｈは第１及び第２のプローブ５６Ａ，５６Ｂに接触し、検査用電極パッド１１１Ｉは第３のプローブ５６Ｃに接触する。
【００５９】
ここで、可動式支持部５５が下降するかステージが上昇するかして、可動式支持部５５とステージ５１との距離が小さくなると、第１の支持部材５３に支持された検査用素子５２の検査用接続部５２Ａ，５２Ｂが第１の弾性部材５４により適宜の押圧力で集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに当接すると同時に、各プローブ５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃが第２の弾性部材５８により適宜の押圧力で集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ｇ，１１１Ｈ，１１１Ｉに対して当接する。
【００６０】
集積回路基板用検査装置５０においても、検査用素子５２を絶縁性でなる第１の支持部材５３で保持し、第１の支持部材５３を第１の弾性部材５４で可動式支持部５５に取り付けている。その際、第１の支持部材５３は絶縁性でなり、検査用素子５２が第１の弾性部材５４と所定の距離ｄ１だけ離しているため、検査用素子５２は第１の弾性部材５４の存在の影響を受けない。また、検査用素子５２は、検査用素子５２寄りのプローブ５６Ａと所定の距離ｄ１’だけ離れているため、検査用素子５２はプローブ５６Ａの存在の影響を受けない。加えて、第２の支持部材５７が電気導電体である場合には、第２の支持部材５７は、検査用素子５２における受動素子（図８では点線で示されている。）の上端部から所定の距離ｄ２だけ離れて存在しているので、検査用素子５２は第２の支持部材５７の影響も受けない。以上により、ＭＥＭＳ素子１２０の集積回路基板１１０への搭載状態において集積回路基板１１０の集積回路とＭＥＭＳ素子１２０とで形成される回路網と、検査用素子５２の集積回路基板１１０への押圧状態において集積回路基板１１０の集積回路と検査用素子５２とで形成される回路網とが等価回路として同一となる。
【００６１】
検査用素子５２が、検査用素子５２の周りで損失を生じる部材（以下、「損失部材」と呼ぶ。）、例えば第１の弾性部材５４や第２の支持部材５７とどの程度離隔して設ければ良いかは、検査用素子５２に設けられている素子の種類や形状によって定まる。その素子は集積回路基板１１０に後に搭載されるＭＥＭＳ素子と同一の構造及び寸法を有しているので、結果として、ＭＥＭＳ素子の種類や形状によって定まる。そこで、ＭＥＭＳ素子がコイルである場合について説明する。
【００６２】
図９は、ＭＥＭＳ素子が正方形のコイルである場合において、検査用素子５２と第１の弾性部材５４、第２の支持部材５７との距離ｄ１，ｄ２をどのように決定すべきかを説明するための説明図であり、（Ａ）はモデル設定の状態を示す図、（Ｂ）はＺ軸方向の距離に対する磁場強度の変化を示す図、（Ｃ）はＸＹ平面におけるコイルの一辺からの距離に対する磁場強度の変化を示す図である。
【００６３】
図９（Ａ）に示すように、検査用素子５２を正方形のコイルとする。コイルの中心を原点Ｏとして、コイルの軸方向をＺ軸とし、コイルの各辺をＸ軸、Ｙ軸と平行なるよう座標軸を設定する。ここで、正方形のコイルは、一巻きとしても複数巻きでもよい。このような設定の下において、Ｚ軸方向の磁場強度を示したグラフが図９（Ｂ）であり、ＸＹ平面におけるコイル一辺からの距離に応じた磁場強度を示したグラフが図９（Ｃ）である。図９（Ｂ）及び（Ｃ）の何れも、横軸はコイルの一辺と距離との比、即ち（コイル一辺からの距離）／（コイルの一辺の長さ）であり、縦軸は原点Ｏでの磁場強度で正規化した各点での磁場強度を示している。図９（Ｂ）及び（Ｃ）は何れもビオ・サバールの法則から算出している。
【００６４】
図９（Ｂ）から分かるように、コイル中心からＺ軸方向に離れるにつれて、磁場強度は急激に減少する。コイル中心からコイル一辺の長さの約１．８倍だけ軸方向（±Ｚ軸方向）に離れた位置における磁場強度は、コイル中心での磁界強度の１／１０である。
【００６５】
図９（Ｃ）から分かるように、コイルが設置されておりかつ軸を法線方向に有する面（以下、「コイル設置面」と呼ぶ。）において、コイルから離れた位置では、磁場強度は急激に減少する。コイル設置面においてコイル一辺からの距離がコイル一辺の長さの約０．８倍だけ外方向に離れた位置における磁場強度は、コイル中心での磁場強度の１／１０である。
【００６６】
そこで、検出用素子５２、即ちコイルを含む集積回路基板用検査装置が有する素子の精度を考慮すると、損失部材がコイルの軸方向にコイル一辺の長さの約１．８倍以上離隔されていれば、又は損失部材がコイル設置面においてコイル一辺から外方向にコイル一辺の長さの約０．８倍以上離隔されていれば、損失部材は、検出用素子５２と集積回路基板１１０とで形成される回路網への損失部材の影響を無視できる。
【００６７】
別の例を挙げる。ＭＥＭＳ素子が円形コイルである場合において、図９を参照して説明したのと同様に計算すると、次のような結果を得ることができる。円形コイルは、図９（Ａ）に示される場合と同様に、円形コイルの軸がＺ軸となり、円形コイルの中心が原点となるよう座標系を設置するものとする。コイル中心からＺ軸方向に離れるにつれて、磁場強度は急激に減少する。コイル中心からコイル直径の約１倍だけ軸方向（±Ｚ軸方向）に離れた位置における磁場強度は、コイル中心での磁界強度の１／１０である。コイルが設置されておりかつ軸を法線方向に有する面（以下、「コイル設置面」と呼ぶ。）において、コイルから離れた位置では、磁場強度は急激に減少する。コイル設置面においてコイル外周からの距離がコイル直径の約０．５倍だけ外方向に離れた位置における磁場強度は、コイル中心での磁場強度の１／１０である。
【００６８】
そこで、検出用素子５２、即ちコイルを含む集積回路基板用検査装置が有する各種の素子の精度を考慮すると、損失部材がコイルの軸方向にコイル直径の約１倍以上離隔していれば、又は損失部材がコイル設置面においてコイル外周から外方向にコイル直径の約０．５倍以上離隔してれば、損失部材は、検出用素子５２と集積回路基板１１０とで形成される回路網への影響を無視できる。
【００６９】
以上のことから、集積回路基板用検査装置５０において、検査用素子５２がＸ軸を軸とする円形コイルを有している場合には、損失部材となる第１の弾性部材５４との距離Ｌ１はＸ軸方向距離でコイル直径の１倍以上であればよく、損失部材となる第２の支持部材５７との距離Ｌ２はＺ軸方向距離でコイル直径の０．５倍以上であればよい。検査用素子５２がＸ軸を軸とする正方形コイルを有している場合には、損失部材となる第１の弾性部材５４との距離Ｌ１はＸ軸方向距離でコイル直径の１．８倍以上であればよく、損失部材となる第２の支持部材５７との距離Ｌ２はＺ軸方向距離でコイル直径の０．８倍以上であればよい。
【００７０】
検査用素子５２が有するコイルの軸方向がＸ軸方向ではなく、図８に点線で示すように、Ｚ軸方向である場合には、次のように求めることができる。即ち、集積回路基板用検査装置５０において、検査用素子５２がＺ軸を軸とする円形コイルを有している場合には、円形コイルの上端部から損失部材となる電気導電性の第２の支持部材５７との距離Ｌ２はＺ軸方向距離でコイル直径の１倍以上であればよく、損失部材となる第１の弾性部材５４との距離Ｌ１はＸ軸方向距離でコイル直径の０．５倍以上であればよい。一方、検査用素子５２がＺ軸を軸とする正方形コイルを有している場合には、円形コイルの上端部から損失部材となる電気導電性の第２の支持部材５７との距離Ｌ２はＺ軸方向距離でコイル直径の１．８倍以上であればよく、損失部材となる第１の弾性部材５４との距離Ｌ１はＸ軸方向距離でコイル直径の０．８倍以上であればよい。
【００７１】
上記説明では、検査用素子５２がコイル素子である場合であるので、第１の弾性手段１４がコイル素子で生じる磁場の最大強度の１／１０以下に減衰する領域に設けられるが、同様の手法により検査用素子がコイル以外の電気素子を含んでいる場合でも、検査用素子５２が、検査用素子５２の周りで損失を生じる部材、例えば第１の弾性部材５４や第２の支持部材５７とどの程度離隔すればよいか、定めることができる。
【００７２】
加えて、集積回路基板用検査装置４０は、例えばステージ５１を上昇するか又は可動式支持部５５をステージ５１側に下降するかして検査用接続部５２Ａ，５２Ｂと集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂ，１１１Ｇ，１１１Ｈ，１１１Ｉとの距離をゼロ以下となるように相対的に移動させても第１の弾性部材５４がしなって第１の支持部材５３とともに検査用素子５２が集積回路基板１１０に押し付けられる。その際、検査用素子５２の検査用接続部５２Ａ，５２Ｂがリジッドな構造であるがゆえに、集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに検査用接続部５２Ａ，５２Ｂが押し付けられても、検査用接続部５２Ａ，５２Ｂがしなったりせず、湾曲せず硬直した状態を維持するので、検査用素子５２と集積回路基板１１０とで集積回路網が形成され、ＭＥＭＳ素子１２０が集積回路基板１１０に搭載されている状況、つまり、ＭＥＭＳ素子１２０が集積回路基板１１０上に集積されている状況と同じ状態で検査することができる。その際、第１乃至第５の実施形態とは異なり、同一の可動式支持部５５に第２の弾性部材５８及び第２の支持部材５７を介在して第１乃至第３のプローブ５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃが設けられているので、第１のプローブ５６Ａ、第２のプローブ５６Ｂが電極パッド１１１Ｇ，１１１Ｈに電気的に接続し、第３のプローブ５６Ｃが電極パッド１１１Ｉに電気的に接続する。
【００７３】
なお、第１及び第２のプローブ５６Ａ，５６Ｂは検査用接続部５２Ａ，５２Ｂとは異なり、リジッドな構造である必要は必ずしもない。第１及び第２のプローブ５６Ａ，５６Ｂを経由して流れる電流は高周波ではないからである。その点、第３のプローブ５６Ｃには、検査用素子５２内の受動素子と集積回路基板１１０内の集積回路とで構成される高周波回路からの高周波信号が流れるので測定検査の精度上、リジッドな構造であることが好ましいが、高周波回路に与える影響が小さく無視できる程度の構造であれば十分である。
【００７４】
第６実施形態に係る集積回路基板用検査装置５０による集積回路基板１１０の検査方法について説明する。
【００７５】
ステップ１として、先ず、検査対象となる集積回路基板１１０をステージ５１に載置して固定する。
【００７６】
ステップ２として、可動式支持部５５をＸＹ方向に駆動し、検査用素子５２及び第１乃至第３のプローブ５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃを集積回路基板１１０の上方ヘ移動し、検査用素子５２の検査用接続部５２Ａ，５２Ｂ、第１乃至第３のプローブ５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃをそれぞれ集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｇ、１１１Ｈ，１１１Ｉの上に位置合わせする。
【００７７】
ステップ３として、可動式支持部５５を下降するか又はステージ５１を上昇させるかして検査用素子５２の検査用接続部５２Ａ，５２Ｂ及び第１乃至第３のプローブ５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃをそれぞれ集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｇ、１１１Ｈ，１１１Ｉに接触させ、さらに第１の弾性部材５４及び第２の弾性部材５８を弾性変形させて検査用素子５２の検査用接続部５２Ａ，５２Ｂ及び第１乃至第３のプローブ５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃをそれぞれ電極パッド１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｇ、１１１Ｈ，１１１Ｉに押圧する。すると、検査用素子５２の検査用接続部５２Ａ，５２Ｂ及び第１乃至第３のプローブ５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃが第１の弾性部材５４及び第２の弾性部材５８の各復元力に基づいて電極パッド１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｇ、１１１Ｈ，１１１Ｉの表面酸化膜を突き破り電極パッド１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｇ、１１１Ｈ，１１１Ｉに電気的に接触する。
【００７８】
ステップ４として、必要に応じて、可動式支持部５５又はステージ５１を水平に移動する。すると、検査用素子５２の検査用接続部５２Ａ，５２Ｂ及び第１乃至第３のプローブ５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃが電極パッド１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｇ、１１１Ｈ，１１１Ｉの表面に沿って摺動することで、電極パッド１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｇ、１１１Ｈ，１１１Ｉとの接触を確実にして電気的に接続する。つまり、検査用素子５２と電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂとの接触抵抗が小さくなり、検査用素子５２と集積回路基板１１０内の集積回路が接続され、高周波回路を形成する。
【００７９】
ステップ５として、検査用回路により、第１及び第２のプローブ５６Ａ，５６Ｂ間に電圧を印加するか又は電流を流して高周波回路を駆動し、高周波回路の出力信号を第３のプローブ５６Ｃから取り出し検査用回路５９に入力する。これにより、集積回路基板１１０内の集積回路を検査できる。
【００８０】
（第７実施形態）
図１０は、本発明の第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置７０を示し、（Ａ）は模式的な断面図、（Ｂ）は底面図である。第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置７０は、同一の集積回路が複数平面的に並んで配設された集積回路基板を検査対象とする。よって、集積回路基板用検査装置７０は、集積回路基板に構成されている各集積回路に対応して配列されており、図１０に示すように、検査用素子７２が一列に並んで複数列で配置されている。各検査用素子７２同士の間には、複数のプローブ７６を支持する手段７６Ａが配置されている。
【００８１】
図１１は、図９に示す第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置に関する一ユニットを示し、（Ａ）は底面図、（Ｂ）はＤ−Ｄ線に沿う断面図である。図１２（Ａ）はＡ−Ａ線に沿う断面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ線に沿う断面図、（Ｃ）はＣ−Ｃ線に沿う断面図である。集積回路基板用検査装置７０は、平板状を有して所定の間隔を開けて窪み７５ａが下面に形成されている支持部７５と、複数の第１の押圧手段７３と、それぞれが第１の押圧手段７３の先端部で下面に取り付けられた複数の検査用素子７２と、複数の第２の押圧手段７７と、それぞれが第２の押圧手段７７の先端部で下側に突出して設けられている複数のプローブ７６と、を備え、各第１の押圧手段７３が支持部７５の下面７５ｂで窪み７５ａの外周部の一端部に取り付けられて片持ち式となっている。同じく、各第２の押圧手段７７が支持部７５の下面７５ｃで窪み７５ａの外周部の他端部に取り付けられて片持ち式となっている。ここで、第１の押圧手段７３は、検査用素子７２における回路素子、例えばコイル素子の上端部との距離を所定の範囲に配置される。つまり、第１の押圧手段７３と検査用素子７２における回路素子との間には絶縁体が存在するため、絶縁体の高さを調整することにより、第１の押圧手段７３が回路素子に与える影響を無視することが可能となる。図示した例では、検査用素子７２を第１の押圧手段７３に取り付ける接着層７７ｂの存在が、第１の押圧手段７３の回路素子への影響を少なくし又はなくす。詳細については後述する。
【００８２】
ここで、第１の押圧手段７３の寸法と第２の押圧手段７７の寸法との比を調整することで、第１の押圧手段７３に取り付けられている検査用素子７２、特にその先端の検査用接続部７２Ａ，７２Ｂの形状変化を抑えることができる。なお、図１０（Ａ）では、紙面の左右方向、つまり、第１の押圧手段７３、第２の押圧手段７７の延びている方向に沿って検査用接続部７２Ａ，７２Ｂが設けられているが、これらは検査用素子７２に二つの検査用接続部７２Ａ，７２Ｂが突出して設けられていることを模式的に示すためであって、図１０（Ｂ）及び図１１、図１２に示すように、第１の押圧手段７３、第２の押圧手段７７の延びている方向に交差、特に直交するように設けられているのが好ましい。これは、二つの検査用接続部７２Ａ，７２Ｂの何れか一方の先端のみが検査対象たる集積回路基板における電極パッドに接触することを避けるためである。詳細については後述する。第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置７０による検査手順は、前述した他の実施形態と同様である。
【００８３】
図１０に示す第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置７０の製造方法について説明する。図１３乃至図１６は、図１０に模式的に示す第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置７０の作製工程を模式的に示す図である。
【００８４】
第１ステップでは、図１３（Ａ）に示すように、例えば結晶方向（１００）を有するシリコン基板などの半導体基板８１の表面に、例えばＫＯＨなどのアルカリ溶液を用いてアルカリ異方性エッチングを行う。これにより、ピラミッド型のエッチピット８１ａを作製する。
【００８５】
第２ステップでは、図１３（Ｂ）に示すように、例えば２０ｎｍのＣｒ（クロム）層、５００ｎｍのＷ（タングステン）層、８０ｎｍのＡｕ（金）層を順次堆積し、エッチングによってエッチピット８１ａの位置にそれらの金属を残すように薬品又はプラズマでパターニングし、金属層８１ｂをエッチピット８１ａの表面に設ける。パターニングはリフトオフプロセスを用いてもよい。Ｗは耐摩耗性を有する硬い材料として知られており、この部分にはＷの代わりにＮｉ（ニッケル）等の他の硬い材料でもよい。また、ＣｒやＷを堆積せず先端部の材料として、直接導電性ダイヤモンドをＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)で堆積した後、パターニングして、その後以下に続く作製を行ってもよい。ＡｕはＷを薬品でエッチングするためのマスクとしての役割を有していて、リフトオフプロセスやプラズマでエッチングするなら金属層８１ｂはＣｒ層とＷ層の積層のみでもよい。Ｗの厚さは、強度を確保する必要から５００ｎｍ以上あることが望ましい。
【００８６】
第３ステップでは、図１３（Ｃ）に示すように、エポキシ樹脂などのレジスト８２を半導体基板８１に塗布し、レジスト８２を貫通して上記金属層８１ｂがパターニングされたエッチピット８１ａにつながる貫通配線部や受動素子としてのコイルの輪郭８２ａを形成する。
【００８７】
第４ステップでは、図１３（Ｄ）に示すように、輪郭８２ａを含めてレジスト８２にめっきシールド層として例えばＴａなどの金属を堆積した後、銅めっきで型８２ｂを埋め、表面を研磨することを繰り返す。これにより、図１３（Ｅ）で示すように、受動素子及び貫通配線埋め込み基板８４が形成される。即ち、受動素子及び貫通配線埋め込み基板８４は、半導体基板８１と、その半導体基板８１上に形成されたレジスト８２と、レジスト８２内に埋め込まれたコイルなどの受動素子８３ａ及び貫通配線８３ｂと、からなる。
【００８８】
第５ステップでは、図１４（Ａ）に示すように、プラスチック又はグラスファイバでなる絶縁基板８５ａに型によって貫通孔を形成し、めっきを施し、貫通孔を金属で埋め、絶縁基板８５ａに貫通配線８５ｂとしての金属配線を形成する。絶縁基板８５ａの下側に貫通配線８５ｂを一部突出する。貫通配線８５ｂの先端部８５ｃは、めっき又はＦＩＢを用いて選択堆積により先端部をテーパー状に凸状に形成する。この第４ステップにより、貫通配線埋め込み絶縁体８５を得る。第５ステップと、第１乃至第４ステップとは独立して行ってもよいことは説明するまでもない。
【００８９】
第６ステップでは、図１４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、受動素子及び貫通配線埋め込み基板８４上で、受動素子８３ａが埋設されている領域と、貫通配線８３ｂが埋め込まれている領域の周りとに接着剤をそれぞれ塗布して接着層８６ａとし、貫通配線埋め込み絶縁体８５を貼り付ける。この工程により、貫通配線８５ｂと貫通配線８３ｂとを電気的に接続する。
【００９０】
第７ステップでは、図１４（Ｃ）に示すように、絶縁基板８５ａを研磨して薄くし所定厚みを有する絶縁基板８５ｄとする。
【００９１】
第８ステップでは、図１５（Ａ）に示すように、第７ステップで研磨した絶縁基板８５ｄの表面に、金属配線８５ｅを形成する。金属配線８５ｅは、密着層と電極層との積層構造で構成する。密着層は例えばＣｒでなり、電極層は例えばＰｔでなる。ここで、図１５（Ａ）では、二本の配線が重なっておらず、紙面の奥行き方向に離隔して配設されており、二本の配線同士は絶縁されている。
【００９２】
第９ステップでは、図１５（Ｂ）に示すように、下側に複数の窪み８６ａを有し、それら窪み８６ａの間に厚み方向に金属配線８６ｂが貫通されている絶縁基板８６を用意する。この絶縁基板８６はガラス又はセラミックでなる。この絶縁基板８６は、セラミック素材又はガラス素材に金属棒を挿入して型で窪み８６ａとなるべき凹部を形成して焼成することで作製することができる。この絶縁基板８６の下側に金属配線８６ｂが一部突出しており、めっきにより又はＦＩＢ（Focused Ion Beam）を用いた選択堆積で金属配線８６ｂの先端部８６ｃは凸形状を有する。
【００９３】
第１０ステップでは、図１５（Ｂ）に示すように、窪み８６ａの外周の一端部及び他端部にそれぞれ金属配線８５ｅに触れないように接着剤を塗布して接着層８７ａ，８７ｂとする。その後、絶縁基板８５ｄと第８ステップで用意した絶縁基板８６とを接着する。接着剤としては、例えば感光性ポリイミドを用いてもよい。
【００９４】
第１１ステップでは、まず半導体基板８１をエッチングなどにより取り除いて図１６（Ａ）に示す状態とし、次に受動素子８３ａ及び貫通配線８３ｂの先端のＣｒをＣｒエッチャントで除去しＷが先端表面に現れるようにする。さらに、レーザーカッターでレジスト８２のうち矢印Ａで示す領域を切断する。すると、図１６（Ｂ）に示すように、検査用素子８２及びプローブとなる貫通配線８３ｂを保持するレジスト部分以外は、押圧手段となる絶縁基板８５ｄに接着剤で固定されていないので、外れる。
【００９５】
第１２ステップでは、レジスト８２のうち図１６（Ｂ）に矢印Ｂで示す領域をレーザーカッターで切断する。すると、図１６（Ｂ）に示すように、平板状の絶縁基板８５ｄがカットされて押圧手段７３としてのカンチレバーが形成され、第１の押圧手段７３としてのカンチレバーは、カンチレバーの基端部が接着層７７ａで固定され、基端部と反対側の先端部がフリー状態となり、その先端部の下面に接着層７７ｂで検査用素子が取り付けられている。また、第２の押圧手段７７としてのカンチレバーは、カンチレバーの基端部が接着層７７ｃで固定され、基端部と反対側の先端部がフリー状態となり、その先端部の下面に接着層７７ｄを介在してレジストでなるプローブ保持手段７６Ａが取り付けられる。
【００９６】
以上の工程により、図１０に示す第７実施形態に係る集積回路基板用検査装置７０が完成する。以上説明した製造方法は一例であり、適宜変更しても構わない。
【００９７】
次に第１実施形態における検査用素子１２について詳細に説明する。なお、他の実施形態でも同様である。図１７は検査用素子１２の具体的な第一の構成を示す図であり、（Ａ）は下斜め方向から見た斜視図、（Ｂ）は底面図である。
【００９８】
検査用素子１２は、金属埋め込み部を有する基体１２Ｃと、その金属埋め込み部に設けられて基体１２Ｃの裏側から突出している第１及び第２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂと、金属埋め込み部内に埋設されて第１の検査用接続部１２Ａと第２の検査用接続部１２Ｂとの間に接続される受動素子１２Ｄとしてのコイルと、で構成されている。図１７に示されているように、基体１２Ｃの裏面に対し第１及び第２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂが立設されておりその大部分は埋設されているが、第１及び第２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂはその先端部１２Ｅが基体１２Ｃの底面から突出している。
【００９９】
第１及び第２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂの先端部１２Ｅは、その断面寸法が先端になるにつれて小さくなっており、例えば尖っている。先端部１２Ｅは図示するように四角錐状その他の角錐状、円錐状に形成されている。先端部１２Ｅは、タングステン、ニッケル、ダンヤモンドなどの剛性の導電性素材で構成される。よって、第１及び第２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂの先端部１２Ｅが、集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接触して押圧されても変形せず電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂの表面酸化膜を突き破り、第１及び第２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂの先端部１２Ｅが電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに電気的に接続する。第１及び第２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂはリジッドな構造であるため、電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂ上を押圧して摺動しても第１及び第２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂは先端部１２Ｅを含めて変形しない。よって、検査用素子１２は繰り返し用いることができる。
【０１００】
図１８は、検査用素子１２の具体的な第２の構成を示す図であり、（Ａ）は下斜め方向から見た斜視図、（Ｂ）は底面図である。図１８に示す第２の構成は、検査用素子１２における第１及び第２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂにおける先端部１２Ｆの形状の点で、図１７とは異なる。即ち、第１及び第２の検査用接続部１２Ａ，１２Ｂの先端部１２Ｆは、図示するように、基体１２Ｃに沿って稜線を有しており、その稜線の各点は基体１２Ｃから同じ高さにある。
【０１０１】
図１７及び図１８に示す検査用素子１２における検査用接続部１２Ａ，１２Ｂの先端部１２Ｅ，１２Ｆは、基体１２Ｃに立設した基部にタングステンなどを堆積し、その堆積層をＦＩＢ（集束イオンビーム）で加工したり、コイルを形成する基板にあらかじめ異方性エッチングを施したりすることで形成される。
【０１０２】
検査用素子１２が図１８に示す検査用接続部１２Ａ，１２Ｂを有する場合、即ち、集積回路基板１１０に対して平行な稜線を備えている場合には、第１の検査用接続部１２Ａと第２の検査用接続部１２Ｂとは、それぞれ点接触とならず、稜線全体が電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接触するように配置される必要がある。
【０１０３】
図１９は図１８に示すような検査用接続部を有する集積回路基板用装置６０を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図、（Ｃ）及び（Ｄ）は正面図である。図１９（Ｃ）は第１の弾性部材６４が動作しつつある状態を示しており、図１９（Ｄ）は第１の弾性部材６４が動作した状態を示している。図１９の各図では、可動式支持部６５にカンチレバー状の第１の弾性部材６４が接続され、第１の弾性部材６４の先端部に第１の支持部材６３が接続されている。第２の弾性部材及び第２の支持部材は図示していない。
【０１０４】
図１９（Ａ）乃至（Ｄ）に示す第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂの先端は点状ではなく線状であるので、集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂとは点接触ではなく線接触となりえる。第１の弾性部材６４がカンチレバー状の板バネとなっているので、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの各先端の稜線を結ぶ仮想線Ｌが第１の弾性部材６４の長手方向に対して傾斜するよう、第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂが配置されていることが好ましい。第１の弾性部材６４の長手方向に対し、仮想線Ｌが直交していてもよいし、例えば４５度傾斜していてもよい。可動式支持部６５が集積回路基板１１０との鉛直方向の距離が狭まって第１の検査用接続部６２Ａ、第２の検査用接続部６２Ｂの先端一部だけが集積回路基板１１０における電極パッド１１１Ａ,１１１Ｂに接触することを避けることができ、第１の検査用接続部６２Ａ，第２の検査用接続部６２Ｂにおける先端の稜線全体が、電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂにそれぞれ当接する。よって、第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂと電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂとの接触抵抗を小さくすることができる。
【０１０５】
第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂと電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂとの接触抵抗を低減するには、第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂが電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに対して傾斜しないで当接すればよい。図２０（Ａ）乃至（Ｆ）は検査用素子６２の各種の変形例を模式的に示す底面図である。図２０（Ａ）乃至（Ｆ）において矢印の方向は、第１の弾性部材６４から第１の支持部材６３に向いている方向であり、第１の支持部材５３の先端方向を示している。
【０１０６】
図２０（Ａ）に示すように、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの各稜線が交差していない場合には、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの間でそれらの配置中心線から基体６２Ｃの何れか一方に少し寄ってダミーの擬似検査用接続部６２Ｄを設ける。この擬似検査用接続部６２Ｄは第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂと同じ寸法、特に基体６２Ｃからの高さが同じであり、その稜線が第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂの稜線と同じ方向となるよう、擬似検査用接続部６２Ｄが基体６２Ｃに取り付けられている。この擬似検査用接続部６２Ｄは絶縁物でなることが好ましいが、導電性素材でも第１の検査用接続部６２Ａ，第２の検査用接続部６２Ｂから所定の距離を有しかつ電気的に絶縁されていればよい。第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂは擬似検査用接続部６２Ｄの存在により水平を保って集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接触する。
【０１０７】
図２０（Ｂ）に示すように、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの各稜線が交差していない場合には、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの間でそれらの配置中心線から基体６２Ｃの何れか一方に少し寄ってダミーの擬似検査用接続部６２Ｄを設ける。この擬似検査用接続部６２Ｄは第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂと同じ基体６２Ｃからの高さであり、その稜線が第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂの稜線と直交するよう、擬似検査用接続部６２Ｄが基体６２Ｃに取り付けられている。第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂは擬似検査用接続部６２Ｄの存在により水平を保って集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接触する。
【０１０８】
図２０（Ｃ）に示すように、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの各稜線が同一線Ｌ上に配置されている場合には、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの間でそれらの配置中心線、つまり２つの稜線をつなぐ延長線から基体６２Ｃの何れか一方に少し寄ってダミーの擬似検査用接続部６２Ｄが設けられている。この擬似検査用接続部６２Ｄは基体６２Ｃから所定の高さを有する。特に、第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂと同じ高さであるとよい。ＭＥＭＳ素子を集積回路基板に搭載したときと同じ状態となるからである。擬似検査用素子６２Ｄの稜線が第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂの稜線と直交するよう、擬似検査用接続部６２Ｄが基体６２Ｃに突出して設けられている。この擬似検査用接続部６２Ｄは絶縁物でなることが好ましいが、導電性素材でも第１の検査用接続部６２Ａ，第２の検査用接続部６２Ｂから所定の距離を有しかつ電気的に絶縁されていればよい。第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂは擬似検査用接続部６２Ｄの存在により水平を保って集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接触する。
【０１０９】
図２０（Ｄ）に示すように、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの各稜線が同一線Ｌ上に配置されている場合には、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの間でそれらの配置中心線、つまり２つの稜線をつなぐ延長線から基体６２Ｃの何れか一方に少し寄ってダミーの擬似検査用接続部６２Ｄを設ける。この擬似検査用接続部６２Ｄは第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂと同じ寸法であり、その稜線が第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂの稜線と平行になるよう、擬似検査用接続部６２Ｄが基体６２Ｃに取り付けられている。この擬似検査用接続部６２Ｄは絶縁物でなることが好ましいが、導電性素材でも第１の検査用接続部６２Ａ，第２の検査用接続部６２Ｂから所定の距離を有しかつ電気的に絶縁されていればよい。第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂは擬似検査用接続部６２Ｄの存在により水平を保って集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに接触する。
【０１１０】
ここで、図２０（Ａ）乃至（Ｄ）に示す変形例は何れも検査用素子１２が２端子である場合を想定しているが、別に検査用素子１２が３端子などの多端子であってもよい。この場合には、例えば図２０（Ｅ）に示すように、図２０（Ｄ）と同じ位置に第３の検査用接続部６２Ｅを設ければよい。図２０（Ａ）乃至（Ｃ）の擬似検査用接続部６２Ｄの位置に第３の検査用接続部を設けてもよい。
【０１１１】
検査用素子１２が２端子である場合であっても、図２０（Ａ）乃至（Ｄ）に示す変形例ように擬似検査用接続部６２Ｄは１つでなくても２つ以上設けてもよい。例えば図２０（Ｆ）に示すように、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの各稜線が同一線Ｌ上に配置されている場合には、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの間でそれらの配置中心線、つまり稜線の延長線から基体６２Ｃの何れか一方に少し寄ってダミーの第１の擬似検査用接続部６２Ｄを設け、第１の検査用接続部６２Ａと第２の検査用接続部６２Ｂとの間でそれらの配置中心線、つまり稜線の延長線から基体６２Ｃの何れか他方に少し寄ってダミーの第２の擬似検査用接続部６２Ｆを設けてもよい。第１の擬似検査用接続部６２Ｄは第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂと同じ寸法であるが、第２の擬似検査用接続部６２Ｆは第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂよりも基体６２Ｃからの高さを低くする。これより、第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂは第１の擬似検査用接続部６２Ｄの存在だけで、水平を保って集積回路基板１１０の電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂと接触する。なお、第１及び第２の擬似検査用接続部６２Ｄ，６２Ｆは、その稜線が第１及び第２の検査用接続部６２Ａ，６２Ｂの稜線と平行になるよう基体６２Ｃに取り付けられている。第１及び第２擬似検査用接続部６２Ｄ，６２Ｆは絶縁物でなることが好ましいが、導電性素材でも電気的に絶縁されていればよい。
【０１１２】
図２１は、検査用素子と集積回路基板との関係を説明するための模式図であり、（Ａ）はＭＥＭＳ素子の平面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は具体的な第１の例における検査用素子と集積回路基板との関係を示し、（Ｄ）は具体的な第２の例における検査用素子と集積回路基板との関係を示す図である。ＭＥＭＳ素子９１が、図２１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように樹脂などの絶縁体９１Ｄと、絶縁体９１Ｄの高さ方向に伸びる第１の電極部９１Ａ及び第２の電極部９１Ｂと、第１の電極部９１Ａと第２の電極部９１Ｂとの間に設けられる受動素子９１Ｃとしてのコイルとで構成されているとする。ここで、コイル９１Ｃは絶縁体９１Ｄの高さ方向に並行に軸を備えており、受動素子９１Ｃとしてのコイルにおいて絶縁体９１Ｄの底面寄りの部位と絶縁体９１Ｄとの間の距離をｈ１とする。
【０１１３】
検査用素子としては二つの場合が考えられる。一つは図２１（Ｃ）に示すように、検査用素子９２は、ＭＥＭＳ素子９１と同じく、絶縁体９２Ｄと第１の電極部９２Ａと第２の電極部９２Ｂと受動素子９２Ｃとで構成されるとしても、第１の電極部９２Ａの先端部９２Ｅ、第２の電極部９２Ｂの先端部９２Ｆは、図示するように、絶縁体９２Ｄの底面、即ち、集積回路基板１１０との対向面から突出しており、先端部９２Ｅ，９２Ｆがそれぞれ電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに当接する。この場合、先端部９２Ｅ，９１Ｆと受動素子９２Ｃの高さは、図２１（Ｂ）に示す高さｈ１に等しくする。受動素子９２Ｃとしてのコイルと集積回路基板１１０との距離が変わらないため、検査用素子９２と集積回路基板１１０との間の浮遊容量が高さｈ１に起因して異ならない。しかし、第１の電極部９２Ａ，第２の電極部９２Ｂの各先端部９２Ｅ，９２Ｆが絶縁体９２Ｄにおける集積回路基板１１０の対向面から突出しているので、各先端部９２Ｅ，９２Ｆの周りの誘電率などが変わる。そのため、図２１（Ｃ）に示すように、第１の電極部９２Ａ、第２の電極部９２Ｂの先端部９２Ｅ，９２Ｆが電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに当接している状態において、絶縁体９２Ｄの底面と集積回路基板１１０表面の距離Δｈｓが、距離ｈ１の１／１０以下となるよう、絶縁体９２の寸法を設定する。これにより、ＭＥＭＳ素子９１と検査用素子９２とが電気的に等価とみなせる。
【０１１４】
検査用素子の二つ目としては、図２１（Ｄ）に示すように、検査用素子９３は、同じく、絶縁体９３Ｄと第１の電極部９３Ａと第２の電極部９３Ｂと受動素子９３Ｃとで構成されるとしても、第１の電極部９３Ａの先端部９３Ｅ、第２の電極部９３Ｂの先端部９３Ｆは、図示するように、絶縁体９３Ｄの底面、即ち、集積回路基板１１０の対向面から突出しており、先端部９３Ｅ，９３Ｆがそれぞれ電極パッド１１１Ａ，１１１Ｂに当接する。この場合、絶縁体９３Ｄの底面と受動素子９３Ｃのコイルの下端部位、即ち、絶縁体９３Ｄにおける集積回路基板１１０との対向面から受動素子９３Ｃの対向面寄りの部位までの高さを、図２１（Ａ）に示す高さｈ１に等しくする。すると、検査用素子９３を集積回路基板１１０に搭載した場合、ＭＥＭＳ素子９１を集積回路基板１１０に搭載した場合と比べて、受動素子９３Ｃとしてのコイルの位置は先端部９３Ｅ，９３Ｆの突出高さ分だけ高くなる。よって、検査用素子９３を集積回路基板１１０に搭載した場合における検査用素子９３と集積回路基板１１０との間で生じる浮遊容量は、ＭＥＭＳ素子９１を集積回路基板１１０に搭載した場合と比べて異なり、変化する。そのため、図２１（Ｄ）に示すように、第１の電極部９３Ａ、第２の電極部９３Ｂのそれぞれが、絶縁体９３Ｄの底面から突出している長さΔｈＬが、距離ｈ１の１／１０以下となるよう、先端部９３Ｅ，９３Ｆの寸法を設定する。これにより、ＭＥＭＳ素子９１と検査用素子９２とが電気的に等価とみなせる。
【０１１５】
図２２は、検査用素子９７と押圧手段９５との関係を説明するための模式図である。図２２では、押圧手段９５は図１０に示す押圧手段７３を想定して示している。検査用素子９７は、図２１を参照しながら説明したように、第１の検査用接続部９７Ａと第２の検査用接続部９７Ｂとの間に受動素子９７Ｃとしてのコイルが設けられて構成されており、受動素子９７Ｃ全体と第１及び第２の検査用接続部９７Ａ，９７Ｂの先端部を除いた部分とが樹脂などの絶縁体９７Ｄで覆われている。ここで、受動素子９７としてのコイルは、押圧手段９５の平板に直交するよう中心軸を有している。このような検査用素子９７を片持ち式の押圧手段９５に絶縁性の接着層９６で取り付けられている場合、受動素子９７Ｃにおける押圧手段９５寄りの部位と押圧手段９５との距離ｄ２を、受動素子９７Ｃとしてのコイルによる磁界の影響を受けない領域となるよう設定する。
【０１１６】
図２１，図２２を参照して説明したように、検査用素子９２における第１及び第２の検査用先端部９２Ｅ，９２Ｆの高さΔｈｓ、検査用素子９３における第１及び第２の検査用先端部９３Ｅ，９３Ｆの高さΔｈＬ、検査用素子９７内の受動素子９７Ｃと押圧手段９５との距離ｄ２とを、それぞれ所定の範囲とすることにより、検査用素子が集積回路基板の集積回路で構成する回路網と、ＭＥＭＳ素子が集積回路基板の集積回路で構成する回路網と、が等価回路的に同一となるようにすることができる。よって、このように設計された集積回路基板用装置によれば、正確に、集積回路基板が所定の仕様通りの性能を有するかを確認することができる。
【０１１７】
以上述べたように、本発明によれば、簡単な構成により、集積回路が配設された集積回路基板にＭＥＭＳ素子を搭載する前に、集積回路基板を正しく検査することができる。
【符号の説明】
【０１１８】
１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０：集積回路基板用検査装置
１１，５１：ステージ
１２，１７，３３，４２，５２，６２，７２，８２：検査用素子
１２Ａ，１２Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ，６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｅ，７２Ａ，７２Ｂ：検査用接続部
１２Ｃ，６２Ｃ：基体
１２Ｄ，８３ａ：受動素子
１２Ｅ，１２Ｆ：先端部
１３，４３，５３，５７，６３：支持部材
１４，５４，５８，６４：弾性部材
７３，７７：押圧手段
１５，６５，７５：支持部（可動式支持部）
１６：押圧手段
３２，４４：検査用素子本体部
３４：パッケージ
３４Ａ：支持部
３４Ｂ：上部
３４Ｃ：側壁部
３４Ｄ：凹陥部
３４Ｅ：接続用端子
５６：５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ，７６：プローブ
５９：検査用回路
５９Ａ：電源部
５９Ｂ：測定部
５９Ｃ，５９Ｄ，５９Ｅ：配線
６２Ｄ，６２Ｆ：擬似検査用接続部
７５ａ：窪み
７５ｂ，７５ｃ：支持部の下面
７６Ａ：プローブ７６を支持する手段
７７ａ，７７ｂ，７７ｃ，７７ｄ，８６ａ，８７ａ，８７ｂ：接着層
８１：半導体基板
８１ａ：エッチピット
８２：レジスト
８２：検査用素子
８２ａ：輪郭
８２ｂ：型
８３ａ：受動素子
８３ｂ，８５ｂ：貫通配線
８４：受動素子及び貫通配線埋め込み基板
８５：絶縁体
８５ａ，８５ｄ，８６：絶縁基板
８５ｃ：貫通配線の先端部
８５ｃ，８５ｅ，８６ｂ：金属配線
８６ｃ：配線先端部
９１：ＭＥＭＳ素子
９１Ａ，９２Ａ，９３Ａ，９７Ａ：第１の電極部
９１Ｂ，９２Ｂ，９３Ｂ，９７Ｂ：第２の電極部
９１Ｃ，９２Ｃ，９３Ｃ，９７Ｃ：受動素子
９１Ｄ，９２Ｄ，９３Ｄ：絶縁体
９２Ｅ，９３Ｅ：第１の電極部の先端部
９２Ｆ，９３Ｆ：第２の電極部の先端部
９２，９３，９７：検査用素子
９５：押圧手段
９６：接着層
１００：機能デバイス
１１０：集積回路基板
１１１Ａ，１１１Ｂ，１１１Ｆ：電極パッド
１１１Ｃ：配線・素子
１１１Ｄ：最表面層
１１１Ｇ，１１１Ｈ：駆動電極用パッド（電極パッド）
１１１Ｉ：検査用電極パッド（電極パッド）
１１３：最表面層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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