(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
空洞部を有する基板と、
第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれるように形成された圧電体膜を有するとともに前記基板の第１の主面上に配設される圧電素子と、
を備え、
前記圧電素子は、前記基板の第１の主面に対して前記第１の主面と直交する方向である第１主面直交方向に前記空洞部を投影した像を、同第１主面直交方向に延長することにより形成される空間領域である空洞部投影領域に一致するように設けられ、
前記第１電極と前記第２電極との間への電圧印加に基く前記圧電素子の伸縮により前記空洞部の容積を変化させる圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ａ）前記基板を準備する基板準備工程と、
（ｂ）前記基板の前記第１の主面の上方に、焼成により前記圧電体膜へと変化する焼成前の圧電材料を含む層である圧電材料層を形成する圧電材料層形成工程と、
（ｃ）前記圧電材料層の上方に第１マスクを形成する第１マスク作成工程と、
（ｄ）砥粒及び有機溶剤の少なくとも一方を含む投射材を前記基板の第１の主面に向けて投射することにより前記第１マスクが存在しない部分に存在する前記圧電材料層を除去する圧電材料層加工工程と、
（ｅ）前記第１マスクを除去する第１マスク除去工程と、
（ｆ）前記圧電材料層を焼成する焼成工程と、
を含む製造方法であって、
前記基板準備工程（ａ）は前記空洞部を有する前記基板を準備する工程であり、
前記第１マスク作成工程（ｃ）は、
（ｃ１）前記圧電材料層の上方に第１感光膜を形成する感光膜形成工程と、
（ｃ２）前記第１の主面と対向する前記基板の第２の主面側から前記第１主面直交方向に平行な光を前記基板に照射することにより、前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第１感光膜を露光することなく前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第１感光膜を露光する第１露光工程と、
（ｃ３）前記露光された第１感光膜を除去することにより前記圧電材料層の上面に前記第１マスクを形成する露光後第１感光膜除去工程と、
を含む、
製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ｇ）前記基板準備工程（ａ）の後であって且つ前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に、前記基板の第１の主面の上方に第２感光膜を形成し、次いで、前記第２の主面側から前記第１主面直交方向に平行な光を前記基板に照射することにより前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第２感光膜を露光することなく前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第２感光膜を露光し、次いで、前記露光されていない第２感光膜を除去することにより前記基板の上方に第２マスクを形成する第２マスク形成工程と、
（ｈ）前記圧電材料層加工工程（ｄ）の後に、前記第２マスクを除去する第２マスク除去工程と、
を含む製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ｉ）前記圧電材料層加工工程（ｄ）の前に、前記空洞部内に流体状物質を充填し且つ前記流体状物質を硬化させることにより前記空洞部内に支持体を形成する支持体形成工程と、
（ｊ）前記圧電材料層加工工程（ｄ）の後に、前記支持体を除去する支持体除去工程と、
を含む製造方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ｋ）前記第１露光工程（ｃ２）の前に、前記空洞部内に遮光性の材料を含む流体状物質を充填し且つ前記流体状物質を硬化させることにより前記空洞部内に遮光機能を有する支持体を形成する支持体形成工程と、
（ｌ）前記圧電材料層加工工程（ｄ）の後に、前記支持体を除去する支持体除去工程と、
を含む製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ｍ）前記基板準備工程（ａ）の後であって且つ前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に、前記空洞部に遮光性の材料を含む物質を充填するとともに前記第１の主面の上方に第３感光膜を形成し、次いで、前記第２の主面側から前記第１主面直交方向に平行な光を前記基板に照射することにより前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第３感光膜を露光することなく前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第３感光膜を露光し、次いで、前記露光されていない第３感光膜を除去することにより前記基板の上方に第３マスクを形成する第３マスク形成工程と、
（ｎ）前記第３マスク形成工程（ｍ）の後であって且つ前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に、前記基板の第１の主面の上面であって前記第３マスクが存在していない部分に前記第１電極となる導電材料膜を形成する導電材料膜形成工程と、
を含む製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ｏ）前記導電材料膜形成工程（ｎ）の後であって且つ前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に、前記第３マスクを除去する第３マスク除去工程を含み、
前記第１露光工程（ｃ２）は、前記導電材料膜をマスクとして機能させながら前記第１感光膜を露光する工程である、
製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の圧電膜型デバイスの製造方法において、
前記第１露光工程（ｃ２）は、前記導電材料膜に加え、前記第３マスク形成工程（ｍ）において前記空洞部内に充填された遮光性の材料をマスクとして機能させながら前記第１感光膜を露光する工程である製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の圧電膜型デバイスの製造方法において、
前記第３マスク形成工程（ｍ）において前記空洞部に充填される遮光性の材料を含む物質は流体状の物質であり、
前記第３マスク形成工程（ｍ）は、前記第３感光膜を露光するための光の照射前に前記空洞部に充填された前記流体状の物質を硬化させる硬化体を形成することを含み、
前記圧電材料層加工工程（ｄ）は、前記第３マスク形成工程（ｍ）において形成された前記硬化体を前記空洞内に保持した状態において前記投射材を投射する工程である製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
前記第３マスク形成工程（ｍ）において前記空洞部に充填される遮光性の材料を含む物質は流体状の物質であり、
（ｐ）前記第３マスク形成工程（ｍ）後であって且つ前記圧電材料層加工工程（ｄ）の前に、前記第３マスク形成工程（ｍ）において前記空洞部に充填された前記流体状の物質を硬化させることにより第１硬化体を形成する第１硬化体形成工程を含み、
前記圧電材料層加工工程（ｄ）は、前記第１硬化体を前記空洞内に保持した状態において前記投射材を投射する工程である製造方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ｑ）前記第３マスク形成工程（ｍ）の後であって且つ前記第１露光工程（ｃ２）の前に、前記第３マスク形成工程（ｍ）において前記空洞部に充填された前記遮光性の材料を含む物質を前記空洞部から除去する第３感光膜露光用材料除去工程と、
（ｒ）前記第３感光膜露光用材料除去工程（ｑ）の後であって且つ前記第１露光工程（ｃ２）の前に、前記空洞部内に遮光性の材料を含む物質を再充填する遮光性材料再充填工程と、
を含み、
前記第１露光工程（ｃ２）は、前記導電材料膜に加え、前記遮光性材料再充填工程（ｒ）において前記空洞部内に再充填された遮光性の材料をマスクとして機能させながら前記第１感光膜を露光する工程である製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
前記遮光性材料再充填工程（ｒ）において前記空洞部内に再充填された遮光性の材料を含む物質は流体状の物質であり、
（ｓ）前記遮光性材料再充填工程（ｒ）の後であって且つ前記圧電材料層加工工程（ｄ）の前に、前記遮光性材料再充填工程（ｒ）において前記空洞部に再充填された前記流体状の物質を硬化させることにより第２硬化体を形成する第２硬化体形成工程を含み、
前記圧電材料層加工工程（ｄ）は、前記第２硬化体を前記空洞内に保持した状態において前記投射材を投射する工程である製造方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１の何れか一項に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ｔ）前記第３マスク除去工程（ｏ）の後であって且つ前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に、前記第１の主面の上方に第２感光膜を形成し、次いで、前記第２の主面側から前記第１主面直交方向に平行な光を前記基板に照射するとともに、少なくとも前記導電材料膜をマスクとして用いることにより前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第２感光膜を露光することなく前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第２感光膜を露光し、次いで、前記露光されていない第２感光膜を除去することにより前記基板の上面に第２マスクを形成する第２マスク形成工程と、
（ｕ）前記圧電材料層加工工程（ｄ）の後に、前記第２マスクを除去する第２マスク除去工程と、
を含む製造方法。
【請求項１３】
請求項１又は請求項２に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ｖ）前記圧電材料層形成工程（ｂ）の後であって且つ前記感光膜形成工程（ｃ１）の前に、前記圧電材料層の上面に、同圧電材料層と前記第１感光膜とが接触することによって溶解反応が発生することを防止する反応防止用中間層、を形成する中間層形成工程、
を含む製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の圧電膜型デバイスの製造方法において、
前記露光後第１感光膜除去工程（ｃ３）又は前記圧電材料層加工工程（ｄ）は、前記空洞部投影領域の内部に存在する前記反応防止用中間層を除去することなく、前記空洞部投影領域の外部に存在する前記反応防止用中間層を除去する反応防止用中間層除去工程を含む製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４の何れか一項に記載の圧電膜型デバイスの製造方法であって、
前記基板は前記空洞部を複数備え、
前記基板準備工程（ａ）は、前記複数の空洞部が前記第１の主面に沿う方向に所定の距離を隔てて配列されるように前記基板を形成する工程である製造方法。
【請求項１６】
基板と、圧電体膜を有するとともに前記基板の第１の主面上に配設される圧電素子と、を備える圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ａ）前記基板を準備する基板準備工程と、
（ｂ）前記基板の前記第１の主面の上方に、焼成により前記圧電体膜へと変化する焼成前の圧電材料を含む層である圧電材料層を形成する圧電材料層形成工程と、
（ｃ）前記圧電材料層の上方に第１マスクを形成する第１マスク作成工程と、
（ｄ）砥粒及び有機溶剤の少なくとも一方を含む投射材を前記基板の第１の主面に向けて投射することにより前記第１マスクが存在しない部分に存在する前記圧電材料層を除去する圧電材料層加工工程と、
（ｅ）前記第１マスクを除去する第１マスク除去工程と、
（ｆ）前記圧電材料層を焼成する焼成工程と、
を含む製造方法であって、
前記第１マスク作成工程（ｃ）は、
（ｃ４）前記圧電材料層の上方に第１感光膜を形成する感光膜形成工程と、
（ｃ５）前記第１感光膜の一部を露光する露光工程と、
（ｃ６）前記第１感光膜のうちの露光された部分及び前記第１感光膜のうちの露光されていない部分の何れかの部分を除去することにより前記圧電材料層の上方に前記第１マスクを形成する第１感光膜除去工程と、
を含み、更に、
（ｗ）前記圧電材料層形成工程（ｂ）の後であって且つ前記感光膜形成工程（ｃ４）の前に、前記圧電材料層の上面に、同圧電材料層と前記第１感光膜とが接触することによって溶解反応が発生することを防止する反応防止用中間層、を形成する中間層形成工程、
を含む製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電膜型デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
空洞部を有する基板と、その基板上に設けられた圧電素子と、を備える圧電膜型デバイスが知られている。圧電素子は、第１電極、第２電極、及び、前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれた圧電体膜を有する。圧電膜型デバイスにおいては、前記第１電極と前記第２電極との間に印加される電圧により前記圧電体膜が伸縮させられる。この結果、前記空洞部の一部を構成する基板の一部（例えば、振動板）が変形し、それにより前記空洞部の容積が変化する。係る圧電膜型デバイスは、例えば、プリンタのインクジェット用アクチュエータとして用いられる。【０００３】
なお、本明細書、添付の請求の範囲及び図面（以下、「本明細書等」と称呼する。）において、「圧電」及び「電歪」を、便宜上、「圧電」と表記する。従って、例えば、本明細書等において、「圧電素子」は「圧電効果を有する素子（圧電素子）及び電歪効果を有する素子（電歪素子）」の両者を含み、「圧電体膜」は「圧電体膜及び電歪体膜」の両者を含む。本明細書等における「圧電膜型デバイス」は、「圧電素子を備えるデバイス及び電歪素子を備えるデバイス」を含む。【０００４】
圧電膜型デバイスの従来の製造方法の一つにおいては、空洞部を有する基板と、焼成された圧電体膜を含む圧電素子と、を接合する。その後、圧電素子の上にマスクを形成し、微粒子（砥粒）を噴射してマスクが存在していない部分の圧電素子を除去する。即ち、所謂「ブラスト加工」により圧電素子が加工されている（例えば、特許文献１を参照。）。【０００５】
なお、上記マスク（ブラスト加工用のマスク）は、通常、次のようにして形成される。
（１）圧電素子の全面に膜厚形成法により感光性樹脂を塗布し、それにより感光性樹脂層を形成する。
（２）その感光性樹脂層の上に所定形状の遮蔽物を設ける。
（３）遮蔽物の上方から圧電素子に光を照射して感光性樹脂を露光する。
（４）「露光された感光性樹脂」及び「前記遮蔽物の存在により露光されていない感光性樹脂」の何れか一方を除去し、これにより上記マスクを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３３４００４３号（段落００４０、００４２等）
【発明の概要】
【０００７】
ところで、焼成された圧電体膜を含む圧電素子は硬度が高い。更に、ブラスト加工によって精細な圧電素子を形成する場合、径の大きな砥粒を用いたり、投射圧力を非常に高い値に設定したりすること等が困難である。その結果、上記従来の製造方法によれば、ブラスト加工に要する時間が長く、生産効率が良好でない。従って、本発明の目的の一つは、圧電膜型デバイスを効率よく製造することができる圧電膜型デバイスの製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の圧電膜型デバイスの製造方法（以下、単に「本製造方法」と称呼する。）は、基板と、圧電体膜を有するとともに前記基板の第１の主面上に配設される圧電素子と、を備える圧電膜型デバイスを製造する方法であり、
（ａ）前記基板を準備する基板準備工程と、
（ｂ）前記基板の前記第１の主面の上方に、焼成により前記圧電体膜へと変化する焼成前の圧電材料を含む層である圧電材料層を形成する圧電材料層形成工程と、
（ｃ）前記圧電材料層の上方に第１マスクを形成する第１マスク作成工程と、
（ｄ）砥粒及び有機溶剤の少なくとも一方を含む投射材を前記基板の第１の主面に向けて投射することにより前記第１マスクが存在しない部分に存在する前記圧電材料層を除去する圧電材料層加工工程と、
（ｅ）前記第１マスクを除去する第１マスク除去工程と、
（ｆ）前記圧電材料層を焼成する焼成工程と、
を含む。
【０００９】
本製造方法によれば、基板の第１の主面（上面）の上方に圧電材料層が形成される（圧電材料層形成工程（ｂ）を参照。）。この圧電材料層は、焼成により圧電体膜へと変化する層でり、焼成前の圧電材料を含む層である。次いで、その圧電材料層の上方に第１マスクが形成される（第１マスク作成工程（ｃ）を参照。）。その後、砥粒及び有機溶剤の少なくとも一方を含む投射材を前記基板の第１の主面に向けて投射することにより、前記第１マスクが存在しない部分に存在する前記圧電材料層が除去される（圧電材料層加工工程（ｄ）を参照。）。即ち、ブラスト加工に相当する加工が「焼成前の圧電材料層」に対して行われる。焼成前の圧電材料層は、焼成後の圧電体膜に比べて硬度が低いので、投射材の投射により容易に加工され得る。即ち、高い加工レートでブラスト加工を行うことができる。その結果、圧電膜型デバイスを効率よく製造することができる。
【００１０】
ところで、基板が空洞部を有する圧電膜型デバイスにおいて、圧電素子は、基板の空洞部を「基板の第１の主面（振動板が存在する面）に直交する方向」に投影した範囲内に設けられることが重要である。以下、基板の第１の主面に直交する方向を「第１主面直交方向」と称呼する。更に、前記基板の第１の主面に対して「前記空洞部を第１主面直交方向に投影した像」を、「第１主面直交方向に延長することにより形成される空間領域」を「空洞部投影領域」と称呼する。圧電素子が空洞部投影領域から偏移した領域に形成されると、振動板の変形量が所望の量と相違する。その結果、圧電膜型デバイスが所期の性能を発揮できない。
【００１１】
更に、例えば、インクジェット用アクチュエータ等においては、基板に複数の空洞部が設けられ、そのそれぞれの空洞部についての空洞部投影領域内に圧電素子が設けられる。この場合、空洞部投影領域に対する実際の圧電素子の位置関係（相対位置）が複数の空洞部間において相違すると、複数の空洞部間のインクの吐出能力が互いに相違してしまう。従って、圧電素子を「基板の第１の主面の上であって空洞部投影領域内」に精度良く形成することができる製造方法が要求される。係る製造方法は、圧電膜型デバイスが小型化された場合、より一層重要である。
【００１２】
上述した従来の製造方法によれば、圧電素子の位置精度はブラスト加工用のマスクの位置精度に依存する。更に、ブラスト加工用のマスクの位置精度は上記遮蔽物の位置精度に依存する。一般に、上記遮蔽物は、基板上面に設けられたマーキングを基準とした位置に形成される。従って、遮蔽物の存在する領域と空洞部投影領域とを高精度に一致させることは容易ではない。これは、例えば、空洞部の形状自体も一定ではないこと、及び／又は、空洞部とマーキングとの相対位置関係が必ずしも一定ではないことに起因する。この結果、圧電素子を、その存在領域が空洞部投影領域に精度良く一致するように形成することができない場合がある。
【００１３】
そこで、本発明の目的の他の一つは、膜型圧電素子の存在領域が基板の上面であって且つ空洞部投影領域に精度良く一致するように、その圧電素子を効率的に形成することができる製造方法を提供することにある。
【００１４】
この場合、前記基板は空洞部を有する。
前記圧電素子は、第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれるように形成された圧電体膜と、を有する。更に、前記圧電素子は、前記基板の第１の主面に対して「前記第１の主面と直交する方向（第１主面直交方向）」に「前記空洞部を投影した像」を第１主面直交方向に延長することにより形成される空間領域（空洞部投影領域）に一致するように設けられる。即ち、前記圧電素子は、平面視において前記圧電素子の場所及び輪郭が前記空洞部投影領域の場所及び輪郭とそれぞれ一致するように設けられる。加えて、前記圧電膜型デバイスは、前記第１電極と前記第２電極との間への電圧印加に基く前記圧電素子の伸縮により前記空洞部の容積を変化させる。
【００１５】
更に、前記基板準備工程（ａ）は前記空洞部を有する前記基板を準備する工程であり、
前記第１マスク作成工程（ｃ）は、
（ｃ１）前記圧電材料層の上方に第１感光膜を形成する感光膜形成工程と、
（ｃ２）前記第１の主面と対向する前記基板の第２の主面側から前記第１主面直交方向に平行な光を前記基板に照射することにより、前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第１感光膜を露光することなく前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第１感光膜を露光する第１露光工程と、
（ｃ３）前記露光された第１感光膜を除去することにより前記圧電材料層の上面に第１マスクを形成する露光後第１感光膜除去工程と、
を含む。
【００１６】
換言すると、本製造方法は、
（ａ）前記空洞部を有する基板を準備する基板準備工程と、
（ｂ）前記基板の前記第１の主面の上方に、焼成により前記圧電体膜へと変化する焼成前の圧電材料を含む層である圧電材料層を形成する圧電材料層形成工程と、
（ｃ１）前記圧電材料層の上方に第１感光膜を形成する感光膜形成工程（第１感光膜形成工程）と、
（ｃ２）前記第１の主面と対向する前記基板の第２の主面側から前記第１主面直交方向に平行な光を前記基板に照射することにより、前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第１感光膜を露光することなく前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第１感光膜を露光する第１露光工程と、
（ｃ３）前記露光された第１感光膜を除去することにより前記圧電材料層の上面に第１マスクを形成する露光後第１感光膜除去工程と、
（ｄ）砥粒及び有機溶剤の少なくとも一方を含む投射材を前記基板の第１の主面に向けて投射することにより前記第１マスクが存在しない部分に存在する前記圧電材料層を除去する圧電材料層加工工程と、
（ｅ）前記第１マスクを除去する第１マスク除去工程と、
（ｆ）前記圧電材料層を焼成する焼成工程と、
を含む。
【００１７】
なお、上記第１感光膜形成工程（ｃ１）、第１露光工程（ｃ２）及び露光後第１感光膜除去工程（ｃ３）が第１マスク作成工程（ｃ）に含まれる。
【００１８】
本製造方法によれば、空洞部を有する基板の第１の主面（上面）の上方に圧電材料層が形成される（圧電材料層形成工程（ｂ）を参照。）。次いで、その圧電材料層の上面に第１感光膜が形成される（感光膜形成工程（ｃ１）を参照。）。
【００１９】
その後、第１露光工程（ｃ２）において、前記第１の主面と対向する前記基板の第２の主面側から基板（第１の主面）に向けて光が照射される。この光の照射方向は第１主面直交方向と平行である。
【００２０】
この場合、第１露光工程（ｃ２）における前記光の照射の前に、前記空洞部内に遮光性の材料を含む物質を充填しておいてもよい。
【００２１】
代替として、前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に、
前記空洞部に遮光性の材料を含む物質を充填するとともに前記基板の上面に感光膜（便宜上、「第３感光膜」と称呼する。）を形成し、
前記第２の主面側から前記第１主面直交方向に平行な光を前記基板に照射することにより前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第３感光膜を露光することなく前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第３感光膜を露光し、
前記露光されていない第３感光膜を除去することにより前記基板の上面にマスク（便宜上「第３マスク」と称呼する。）を形成し、
前記基板の第１の主面の上面であって前記第３マスクが存在していない部分に前記第１電極となる導電材料膜を形成し、
その後、前記第３マスクを除去し、それにより空洞部投影領域の内部に前記第１電極となる導電材料膜を形成しておいてもよい。
【００２２】
或いは、第１露光工程（ｃ２）における前記光の照射の前までに前記空洞部内に遮光性の材料を含む物質を充填しておくとともに、上述した手法によって空洞部投影領域の内部に前記第１電極となる導電材料膜を形成しておいてもよい。
【００２３】
前記空洞部内に遮光性の材料を含む物質（遮光物質）を充填しておく場合、前記導電材料膜を形成しておく場合、及び、それらの両方の場合、の何れの場合であっても、第１露光工程（ｃ２）において第２の主面側から基板に照射される光は、遮光物質及び／又は導電材料膜の存在により空洞部投影領域の内部に到達することができない。換言すると、第１露光工程（ｃ２）において第２の主面側から照射される光は、空洞部投影領域の外部のみに到達することができる。
【００２４】
第１露光工程（ｃ２）は、これらの態様を含む工程である。即ち、第１露光工程は、前記基板の第２の主面側から前記基板に照射された光により、前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第１感光膜を露光することなく前記前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第１感光膜を露光する工程である。この結果、前記第１感光膜のうちの露光されない部分の「平面視における位置及び形状（第１主面直交方向に沿って見た場合の位置及び形状）」が、空洞部の平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。
【００２５】
その後、露光後第１感光膜除去工程（ｃ３）において、前記露光された第１感光膜の部分が除去され、前記露光されていない第１感光膜の部分が第１マスクとして残る。この結果、第１マスクの平面視における位置及び形状は、空洞部の平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。
【００２６】
次に、圧電材料層加工工程（ｄ）において、砥粒及び有機溶剤の少なくとも一方を含む投射材が前記基板の第１の主面に向けて投射される。その結果、前記第１マスクが存在しない部分に存在する前記圧電材料層が除去され、前記圧電体材料層のうち第１マスクで覆われている部分が残る。前述したように、第１マスクの平面視における位置及び形状は空洞部の平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致している。従って、圧電材料層は、その平面視における位置及び形状が空洞部の平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致するように、形成される。換言すると、圧電材料層が、前記基板の第１の主面の上方であって前記空洞部投影領域の内部の領域にのみ存在するように、精度良く形成される。この結果、圧電素子の存在領域を「基板の上面であって且つ空洞部投影領域」に精度良く一致させることができる。
【００２７】
更に、圧電材料層加工工程（ｄ）において加工される対象は、焼成前の圧電材料層（例えば、セラミックグリーンシート）である。焼成前の圧電材料層は、焼成後の圧電材料層に比較して硬度が低いので、投射材の投射によって短時間にて除去される。この結果、圧電材料層加工工程（ｄ）の時間を短くすることもできる。
【００２８】
本製造方法の一の態様は、
（ｇ）第２マスク形成工程と、
（ｈ）第２マスク除去工程と、
とを含む。
【００２９】
前記第２マスク形成工程（ｇ）は、前記基板準備工程（ａ）の後であって且つ前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に実施される。
前記第２マスク形成工程（ｇ）は、
前記基板の第１の主面の上方に第２感光膜を形成し、次いで、
前記第２の主面側から前記第１主面直交方向に平行な光を前記基板に照射することにより前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第２感光膜を露光することなく前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第２感光膜を露光し、
次いで、前記露光されていない第２感光膜を除去することにより前記基板の上方に第２マスクを形成する工程である。
【００３０】
この第２マスク形成工程（ｇ）における前記第２感光膜の露光は、前記第１露光工程（ｃ２）と同様、
前記空洞部内に遮光物質を充填した状態において前記第２の主面側から前記光を照射する態様、
前記導電材料膜を形成した状態において前記第２の主面側から前記光を照射する態様、及び、
前記空洞部内に遮光物質を充填しておくとともに前記導電材料膜を形成した状態において前記第２の主面側から前記光を照射する態様、
の何れかを含む態様にて実施され得る。
【００３１】
前記第２マスク除去工程（ｈ）は、前記圧電材料層加工工程（ｄ）の後に実施される。前記第２マスク除去工程（ｈ）は、前記第２マスクを除去する工程である。
【００３２】
第２マスクの平面視における位置及び形状は、前記第１マスクに関する理由と同様の理由により、基板の空洞部が形成されていない部分（非空洞部）の平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。
【００３３】
前記第２マスク形成工程（ｇ）は前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に実施されるから、圧電材料層は第２マスクを覆うように形成される。しかも、前記第２マスク除去工程（ｈ）は、前記圧電材料層加工工程（ｄ）の後に実施されるから、前記圧電材料層加工工程（ｄ）を実施する時点において第２マスクが存在している。従って、圧電材料層加工工程（ｄ）において、投射材の投射によって除去しなければならない圧電材料層の厚さは、第２マスクが形成されない場合に比較して、第２マスクの厚さ分だけ小さくなる。この結果、圧電材料層の除去を短時間にて終了することができる。
【００３４】
この態様は、粒径が小さい砥粒を用いて圧電材料層の除去を行う場合、及び、有機溶剤のみにより圧電材料層の除去を行う場合、等のように、圧電材料層の除去速度が小さい場合に特に有利である。即ち、圧電材料層の除去速度（加工レート）が小さい場合であっても、除去すべき圧電材料層の厚さが小さいので、圧電材料層の除去を比較的短時間内に終了することができる。よって、圧電材料層の加工精度を高く維持しながらも、圧電材料層を短時間にて加工することが可能となる。
【００３５】
上述した本製造方法の他の態様は、更に、
（ｉ）支持体形成工程と、
（ｊ）支持体除去工程と、
を含むことが好適である。
【００３６】
前記支持体形成工程（ｉ）は、前記圧電材料層加工工程（ｄ）の前に実施される。
前記支持体形成工程（ｉ）は、前記空洞部内に流体状物質を充填し且つ前記流体状物質を硬化させることにより前記空洞部内に支持体を形成する工程である。
【００３７】
前記支持体除去工程（ｊ）は、前記圧電材料層加工工程（ｄ）の後に実施される。前記支持体除去工程（ｊ）は、前記支持体を（前記空洞部から）除去する工程である。
【００３８】
前記圧電材料層加工工程（ｄ）においては、投射材が投射される。この結果、基板の第１の主面を構成する部分に圧力が加わる。一方、空洞部を構成する基板の一部であって、前記第１主面を構成する部分（即ち、空洞部と圧電素子との境界部）は、空洞部の容積が容易に変化できるようにするために、「強度が比較的低い薄板」であることが多い。このため、投射材の投射時における上記圧力により、空洞部と圧電素子との境界部が変形又は破損する虞がある。
【００３９】
上記態様は、このような問題に対処する。即ち、上記態様によれば、空洞部に「硬化された支持体」が形成された状態にて、投射材が投射される。この結果、空洞部と圧電素子との境界部が変形又は破損することを回避することができる。
【００４０】
本製造方法の他の態様は、更に、
（ｋ）前記第１露光工程（ｃ２）の前に、前記空洞部内に遮光性の材料を含む流体状物質を充填し且つ前記流体状物質を硬化させることにより前記空洞部内に遮光機能を有する支持体を形成する支持体形成工程と、
（ｌ）前記圧電材料層加工工程（ｄ）の後に、前記支持体を除去する支持体除去工程と、
を含むことが好適である。
【００４１】
この態様によっても、空洞部に「硬化された支持体」が形成された状態にて、投射材が投射される。この結果、空洞部と圧電素子との境界部が変形又は破損することを回避することができる。
【００４２】
更に、支持体形成工程（ｋ）は、前記第１露光工程（ｃ２）の前に実施される。従って、前記第１露光工程（ｃ２）において前記基板の第２の主面側から前記基板に向けて前記光を照射するとき、前記空洞部内には遮光性の材料を含む硬化体（マスク）が存在している。従って、前記第１露光工程（ｃ２）において露光される前記第１感光膜の位置及び形状の精度を向上させることができる。
【００４３】
加えて、一つの支持体形成工程（ｋ）により、空洞部内に、前記第１露光工程（ｃ２）における露光時に「マスクとして機能する遮光性の材料を含む硬化体」と、前記圧電材料層加工工程（ｄ）における前記投射材の投射時に「前記境界部の変形又は破損を防止する支持体として機能する硬化体」と、を同時に形成することができる。この結果、製造工程を簡素化することができる。
【００４４】
本製造方法の他の態様は、更に、
第３マスク形成工程（ｍ）と、
導電材料膜形成工程（ｎ）と、
を含むことが好適である。
【００４５】
前記第３マスク形成工程（ｍ）は、前記基板準備工程（ａ）の後であって且つ前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に実施される。
前記第３マスク形成工程（ｍ）は、
前記空洞部に遮光性の材料を含む物質を充填するとともに前記基板の第１の主面の上方に第３感光膜を形成し、次いで、
前記第２の主面側から前記第１主面直交方向に平行な光を前記基板に照射することにより前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第３感光膜を露光することなく前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第３感光膜を露光し、次いで、
前記露光されていない第３感光膜を除去することにより前記基板の上方に第３マスクを形成する工程である。
【００４６】
この第３マスク形成工程（ｍ）により形成される第３マスクの位置及び形状は、前記第１マスクに関する理由と同様の理由により、基板の空洞部が形成されていない部分（非空洞部）の平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。
【００４７】
前記導電材料膜形成工程（ｎ）は、前記第３マスク形成工程（ｍ）の後であって且つ前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に実施される。従って、前記導電材料膜形成工程（ｎ）は、前記第１露光工程（ｃ２）の前に実施される。
前記導電材料膜形成工程（ｎ）は、前記基板の第１の主面の上面であって前記第３マスクが存在していない部分に前記第１電極となる導電材料膜を形成する工程である。
【００４８】
このように前記第１電極となる導電材料膜は、第３マスクに沿って形成される。従って、この導電材料膜の位置及び形状を、前記空洞部の平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致させることができる。
【００４９】
係る態様は、更に、
前記導電材料膜形成工程（ｎ）の後であって且つ前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に、前記第３マスクを除去する第３マスク除去工程（ｏ）を含むことができる。
この場合、前記第１露光工程（ｃ２）は、前記導電材料膜をマスクとして機能させながら前記第１感光膜を露光する工程である、ことが好適である。
【００５０】
前述したように、第３マスクを用いて形成される導電材料膜の位置及び形状は、前記空洞部の平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致している。従って、前記第１露光工程（ｃ２）において前記基板の第２の主面側から前記光を前記基板に照射するとき、その導電材料膜を「その光を遮断するマスク」として用いることにより、露光される前記第１感光膜の位置及び形状の精度を向上させることができる。
【００５１】
更に、この態様（第３マスク除去工程（ｏ）を含む態様）において、
前記第１露光工程（ｃ２）は、前記導電材料膜に加え、前記第３マスク形成工程（ｍ）において前記空洞部内に充填された遮光性の材料をマスクとして機能させながら前記第１感光膜を露光する工程であってもよい。
【００５２】
これによれば、前記導電材料膜に加え、導電材料膜を形成するための第３マスクを形成する際に使用した空洞部内に充填された遮光性の材料を、第１露光工程におけるマスクとしても機能させることができる。更に、導電材料膜と第３マスクを形成する際に使用した空洞部内に充填された遮光性の材料とにより、前記第１露光工程（ｃ２）において照射される光をより確実に遮断できるので、その光により露光される前記第１感光膜の位置及び形状の精度を向上させることができる。
【００５３】
更に、前記第３マスク形成工程（ｍ）において前記空洞部に充填される遮光性の材料を含む物質は流体状の物質である場合、
前記第３マスク形成工程（ｍ）は、前記第３感光膜を露光するための光の照射前に前記空洞部に充填された前記流体状の物質を硬化させる硬化体を形成することを含み、
前記圧電材料層加工工程（ｄ）は、前記第３マスク形成工程（ｍ）において形成された前記硬化体を前記空洞内に保持した状態において前記投射材を投射する工程であってもよい。
【００５４】
これによれば、導電材料膜を形成するための第３マスクを形成する際に使用した空洞部内に充填された遮光性の材料を、前記圧電材料層加工工程（ｄ）における前記投射材の投射時に「前記境界部の変形又は破損を防止する支持体として機能する硬化体」と、して使用することができる。即ち、前記第３マスク形成工程（ｍ）にて使用される遮光体と、前記第１露光工程（ｃ２）にて使用される遮光体と、圧電材料層加工工程（ｄ）にて使用される支持体と、を一つの工程により形成することができる。従って、製造工程を簡素化することができる。
【００５５】
代替として、更に、前記第３マスク形成工程（ｍ）において前記空洞部に充填される遮光性の材料を含む物質は流体状の物質である場合、
（ｐ）前記第３マスク形成工程（ｍ）後であって且つ前記圧電材料層加工工程（ｄ）の前に、前記第３マスク形成工程（ｍ）において前記空洞部に充填された前記流体状の物質を硬化させることにより第１硬化体を形成する第１硬化体形成工程を含み、
前記圧電材料層加工工程（ｄ）は、前記第１硬化体を前記空洞内に保持した状態において前記投射材を投射する工程であってもよい。
【００５６】
これによれば、導電材料膜を形成するための第３マスクを形成する際に使用した空洞部内に充填された遮光性の材料を、前記圧電材料層加工工程（ｄ）における前記投射材の投射時に「前記境界部の変形又は破損を防止する支持体として機能する硬化体」と、して使用することができる。即ち、前記第３マスク形成工程（ｍ）にて使用される遮光体となる物質と、前記第１露光工程（ｃ２）にて使用される遮光体となる物質と、圧電材料層加工工程（ｄ）にて使用される支持体となる物質と、を一つの工程により空洞部に充填することができる。従って、製造工程を簡素化することができる。
【００５７】
一方、「第３マスク形成工程において使用した前記空洞部内の遮光性の材料」を空洞部から除去し、それとは異なる「遮光性の材料」を空洞部内に再充填してから前記第１露光工程を実施してもよい。
【００５８】
即ち、他の態様は、
（ｑ）前記第３マスク形成工程（ｍ）の後であって且つ前記第１露光工程（ｃ２）の前に、前記第３マスク形成工程（ｍ）において前記空洞部に充填された前記遮光性の材料を含む物質を前記空洞部から除去する第３感光膜露光用材料除去工程と、
（ｒ）前記第３感光膜露光用材料除去工程（ｑ）の後であって且つ前記第１露光工程（ｃ２）の前に、前記空洞部内に遮光性の材料を含む物質を再充填する遮光性材料再充填工程と、
を含み、
前記第１露光工程（ｃ２）は、前記導電材料膜に加え、前記遮光性材料再充填工程（ｒ）において前記空洞部内に再充填された遮光性の材料をマスクとして機能させながら前記第１感光膜を露光する工程であってもよい。
【００５９】
このとき、前記遮光性材料再充填工程（ｒ）において前記空洞部内に再充填された遮光性の材料を含む物質が流体状の物質であれば、
（ｓ）前記遮光性材料再充填工程（ｒ）の後であって且つ前記圧電材料層加工工程（ｄ）の前に、前記遮光性材料再充填工程（ｒ）において前記空洞部に再充填された前記流体状の物質を硬化させることにより第２硬化体を形成する第２硬化体形成工程を含み、
前記圧電材料層加工工程（ｄ）は、前記第２硬化体を前記空洞内に保持した状態において前記投射材を投射する工程である、
ことが好適である。
【００６０】
これによれば、前記第１露光工程（ｃ２）においてマスクとして使用した空洞部内の材料（前記遮光性材料再充填工程（ｒ）において前記空洞部内に再充填された遮光性の材料）を、圧電材料層加工工程（ｄ）における支持体としても使用することができる。即ち、前記第１露光工程（ｃ２）にて使用される遮光体となる物質と、圧電材料層加工工程（ｄ）にて使用される支持体となる物質と、を一つの工程により空洞部に充填することができる。従って、製造工程を簡素化することができる。
【００６１】
更に、
第２マスク形成工程（ｔ）と、
第２マスク除去工程（ｕ）と、
を含むことができる。
【００６２】
前記第２マスク形成工程（ｔ）は、前記第３マスク除去工程（ｏ）の後であって且つ前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に実施される。
前記第２マスク形成工程（ｔ）は、
前記基板の第１の主面の上方に第２感光膜を形成し、次いで、
前記第２の主面側から前記第１主面直交方向に平行な光を前記基板に照射するとともに、少なくとも前記導電材料膜をマスクとして用いることにより前記空洞部投影領域の内部に存在する前記第２感光膜を露光することなく前記空洞部投影領域の外部に存在する前記第２感光膜を露光し、次いで、
前記露光されていない第２感光膜を除去することにより前記基板の上面に第２マスクを形成する工程である。
【００６３】
前記第２マスク除去工程（ｕ）は、前記圧電材料層加工工程（ｄ）の後に実施される。
前記第２マスク除去工程（ｕ）は、前記第２マスクを除去する工程である。
【００６４】
この第２マスク形成工程（ｔ）において形成される第２マスクの平面視における位置及び形状は、前記第１マスクに関する理由と同様の理由により、基板の非空洞部の平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。
【００６５】
前記第２マスク形成工程（ｔ）は前記圧電材料層形成工程（ｂ）の前に実施されるから、圧電材料層は第２マスクを覆うように形成される。しかも、前記第２マスク除去工程（ｕ）は前記圧電材料層加工工程（ｄ）の後に実施されるから、前記圧電材料層加工工程（ｄ）を実施する時点において第２マスクが存在している。従って、圧電材料層加工工程（ｄ）において、投射材の投射によって除去しなければならない圧電材料層の厚さは、第２マスクが形成されていない場合に比較して「第２マスクの厚さ分」だけ小さくなる。この結果、圧電材料層の除去を短時間にて終了することができる。
【００６６】
更に、本製造方法は、
（ｖ）前記圧電材料層形成工程（ｂ）の後であって且つ前記感光膜形成工程（ｃ１）の前に、前記圧電材料層の上面に同圧電材料層と前記第１感光膜とが接触することによって溶解反応を発生させることを防止する反応防止用中間層を形成する中間層形成工程、
を含むことができる。
【００６７】
この場合、
前記露光後第１感光膜除去工程（ｃ３）は、前記空洞部投影領域の内部に存在する前記反応防止用中間層を除去することなく、前記空洞部投影領域の外部に存在する前記反応防止用中間層を除去する反応防止用中間層除去工程を含むことが望ましい。但し、反応防止用中間層は、例えば、圧電材料層加工工程（ｇ）において除去されてもよい。
【００６８】
圧電材料層の上面に第１感光膜を直接形成すると、圧電材料層と第１感光膜とが溶解反応を起こし、圧電材料層の一部（上部）と第１感光膜の一部（下部）とが一体的になる虞がある。この場合、第１マスク除去工程（ｅ）において、第１マスクのみを除去することができず、圧電材料層までもが除去されてしまう虞がある。
【００６９】
そこで、上記中間層形成工程（ｖ）において、前記圧電材料層の上方に反応防止用中間層を形成しておき、その後、第１感光膜を形成する。これによれば、圧電材料層と第１感光膜との間に溶解反応が発生しないので、第１マスク除去工程（ｅ）において第１マスクのみを容易に除去することができる。
【００７０】
本製造方法により製造される圧電膜型デバイスの前記基板は前記空洞部を複数備えることができる。この場合、前記基板準備工程（ａ）は、前記複数の空洞部が前記第１の主面に沿う方向に所定の距離を隔てて配列されるように前記基板を形成する工程である。
【００７１】
本製造方法によれば、圧電体膜を含む圧電膜型デバイスが空洞部投影領域の内部に精度良く形成される。従って、基板が空洞部を複数備える場合であっても、空洞部間の容積変形の特性を互いに一致させることができる。従って、本製造方法は、複数の空洞部と、それぞれが前記複数の空洞部のそれぞれの空洞部投影領域の内部に形成される複数の圧電素子と、を備える圧電膜型デバイス（例えば、インクジェット用アクチュエータ）を製造する際に好適に使用される。
【００７２】
ところで、従来の製造方法によれば、焼成された後の圧電素子がブラスト加工により加工されている。焼成された圧電素子は高い硬度を有する。従って、ブラスト加工に要する時間が長くなるという問題がある。従って、ブラスト加工に要する時間を短くするためには、粒径が大きい砥粒を用いることが考えられる。しかしながら、砥粒の粒径が大きいと、微細な加工が困難になる。従って、基板が複数の空洞部を備え、且つ、隣接する空洞部間の距離が短い場合、粒径の大きい砥粒を用いることはできない。よって、ブラスト加工時間が長くなる。
【００７３】
これに対し、本発明の各態様は、圧電材料層加工工程（ｄ）において焼成前の圧電材料層を除去する。焼成前の圧電材料層は、焼成後の圧電材料層よりも硬度が低い。従って、砥粒の粒径が小さい場合、或いは、有機溶剤のみにより圧電材料層を除去する場合、においても圧電材料層加工工程（ｄ）の時間を短くすることができる。この結果、本発明の各態様は、空洞部間の距離が短い等の細密なパターンを有する圧電膜型デバイスを効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る圧電膜型デバイスの製造方法（第１製造方法）により製造される圧電膜型デバイスの概略斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した圧電膜型デバイスを図１の１−１線に沿った平面にて切断した圧電膜型デバイスの断面図である。
【図３】図３は、図１に示した圧電膜型デバイスを図１の２−２線に沿った平面にて切断した圧電膜型デバイスの断面図である。
【図４】図４は、第１製造方法の第１工程を説明するための図である。
【図５】図５は、第１製造方法の第２工程を説明するための図である。
【図６】図６は、第１製造方法の第３工程を説明するための図である。
【図７】図７は、第１製造方法の第４工程を説明するための図である。
【図８】図８は、第１製造方法の第５工程を説明するための図である。
【図９】図９は、第１製造方法の第６工程を説明するための図である。
【図１０】図１０は、第１製造方法の第７工程を説明するための図である。
【図１１】図１１は、第１製造方法の第８工程を説明するための図である。
【図１２】図１２は、第１製造方法の第９工程を説明するための図である。
【図１３】図１３は、第１製造方法の第１０工程を説明するための図である。
【図１４】図１４は、第１製造方法の第１１工程を説明するための図である。
【図１５】図１５は、第１製造方法の第１２工程を説明するための図である。
【図１６】図１６は、第１製造方法の第１３工程を説明するための図である。
【図１７】図１７は、第１製造方法の第１４工程を説明するための図である。
【図１８】図１８は、第１製造方法の第１５工程を説明するための図である。
【図１９】図１９は、第１製造方法の第１６工程を説明するための図である。
【図２０】図２０は、第１製造方法の第１７工程を説明するための図である。
【図２１】図２１は、第１製造方法の第１８工程を説明するための図である。
【図２２】図２２は、第１製造方法の第１９工程を説明するための図である。
【図２３】図２３は、第１製造方法のその他の工程を説明するための図である。
【図２４】図２４は、第１製造方法により製造された実施例及び比較例の加工レートを示したグラフである。
【図２５】図２５は、本発明の第２実施形態に係る圧電膜型デバイスの製造方法（第２製造方法）の第１工程を説明するための図である。
【図２６】図２６は、第２製造方法の第２工程を説明するための図である。
【図２７】図２７は、第２製造方法の第３工程を説明するための図である。
【図２８】図２８は、第２製造方法の第４工程を説明するための図である。
【図２９】図２９は、第２製造方法の第５工程を説明するための図である。
【図３０】図３０は、第２製造方法の第６工程を説明するための図である。
【図３１】図３１は、第２製造方法の第７工程を説明するための図である。
【図３２】図３２は、第２製造方法の第８工程を説明するための図である。
【図３３】図３３は、第２製造方法の第９工程を説明するための図である。
【図３４】図３４は、第２製造方法の第１０工程を説明するための図である。
【図３５】図３５は、第２製造方法の第１１工程を説明するための図である。
【図３６】図３６は、第２製造方法の第１２工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００７５】
以下、本発明の各実施形態及びその変形例について図面を参照しながら説明する。但し、本発明はこれらの実施形態及び変形例に限定されて解釈されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々の変更、修正及び改良を加え得るものである。
【００７６】
＜第１実施形態＞
図１乃至図３は、本発明の第１実施形態に係る製造方法により製造される圧電膜型デバイス１０の概略図である。圧電膜型デバイス１０は、例えば、プリンタ装置等のヘッドに使用されるインクジェット用アクチュエータである。圧電膜型デバイス１０は他の用途にも用いられる。圧電膜型デバイス１０は、一つの基板２０と、複数の圧電素子３０と、を備えている。なお、本発明の各実施形態に係る製造方法は、一つの基板と、一つの圧電素子と、を備えた圧電膜型デバイス１０を製造する際にも用いられ得る。
【００７７】
＜＜基板＞＞
基板２０は、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれに平行な辺を有する直方体形状を有する薄板体である。基板２０は、Ｘ−Ｙ平面に平行な第１の主面２０ａと、Ｘ−Ｙ平面に平行な第２の主面２０ｂと、を備える。即ち、第１の主面２０ａと第２の主面２０ｂとは、互いに平行であって、対向している。
【００７８】
基板２０は、複数の空洞部（キャビティ、中空室）２０ｃを備えている。空洞部２０ｃの形状は、Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれに平行な辺を有する形状（直方体及び四角錐台等）である。従って、空洞部２０ｃの平面視における形状（Ｚ軸に平行な方向から空洞部２０ｃを見た形状）は、長方形である。後に説明するように、空洞部２０ｃの潜像が基板２０の上方に配置された感光膜に転写されることを考慮すると、その第２主面２０ｂ側端部の形状の大きさが、その第１主面２０ａ側端部の形状の大きさより小さければよく、空洞部２０ｃの形状に制限はない。
【００７９】
なお、本明細書等において、Ｚ軸正方向は便宜上「上方」と定義され、Ｚ軸負方向は便宜上「下方」と定義される。更に、本明細書等において、ある部材又は空間等の「平面形状」又は「平面視における形状」とは、その部材又は空間等をＺ軸に平行な方向（基板２０の第１の主面２０ａに直交する方向）に沿ってＺ軸正方からＺ軸負方向に見た場合（基板２０の上方から下方に向けて見た場合）の形状を意味する。更に、基板２０の第１の主面２０ａに直交する方向は、「第１主面直交方向」とも称呼される。
【００８０】
複数の空洞部２０ｃは互いに略同形且つ同サイズである。空洞部２０ｃの短手方向の長さ（幅Ｗ１）は、例えば、３０μｍ以上且つ２００μｍ以下であることが好ましい。空洞部２０ｃの長手方向の長さ（幅Ｗ２）は、例えば、０．５ｍｍ以上且つ３ｍｍ以下であることが好ましい。空洞部２０ｃの高さ（Ｈ１）は、例えば、１０μｍ以上且つ３００μｍ以下であることが好ましい。
【００８１】
なお、空洞部２０ｃの形状は、直方体形状に限定されない。即ち、空洞部２０ｃの平面形状は、長方形以外の多角形、円形、楕円形、輪郭の一部及び全部が曲線であるような形状等であってもよい。更に、なお、本例における複数の空洞部２０ｃは互いに同じ形状を備えている。但し、複数の空洞部２０ｃは、互いに相違する形状を備えていてもよい。
【００８２】
複数の空洞部２０ｃは、図２に示したように、Ｘ軸方向において所定の距離Ｌ１を隔てて配列されている。距離Ｌ１は空洞部間スペース（キャビティ間スペース）Ｌ１とも称呼される。距離Ｌ１は、１μｍ以上且つ５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上且つ２０μｍ以下であることが更に好ましい。なお、複数の空洞部間スペースＬ１は互いに同じであってもよく、互いに相違していてもよい。
【００８３】
複数の空洞部２０ｃのそれぞれのＹ軸負方向端部の辺は、Ｘ軸に平行な一つの直線上にある。従って、複数の空洞部２０ｃのそれぞれのＹ軸正方向端部の辺は、Ｘ軸に平行な他の一つの直線上にある。複数の空洞部２０ｃのそれぞれの上壁（Ｚ軸正方向端部のＸ−Ｙ平面に平行な面）は、Ｘ−Ｙ平面に平行な一つの平面内に存在している。従って、複数の空洞部２０ｃのそれぞれの下壁（Ｚ軸負方向端部のＸ−Ｙ平面に平行な面）は、Ｘ−Ｙ平面に平行な他の一つの平面内に存在している。即ち、基板２０は、複数の空洞部２０ｃが第１の主面２０ａに沿う方向に所定の距離Ｌ１を隔てて配列される基板である。なお、複数の空洞部２０ｃは、格子状に配列されてもよく、不規則に配列されてもよい。
【００８４】
空洞部２０ｃには、一対の連通路２０ｄ，２０ｅが接続されている。連通路２０ｄ，２０ｅのそれぞれは、空洞部２０ｃを基板２０の外部と連通する。連通路２０ｄ，２０ｅのそれぞれは、Ｚ軸方向に沿って伸びる軸線を有する円柱形状を有している。連通路２０ｄの一端は空洞部２０ｃのＹ軸正方向端部近傍の下壁に開口している。連通路２０ｄの他の一端は基板２０の第２の主面２０ｂに開口している。連通路２０ｅの一端は空洞部２０ｃのＹ軸負方向端部近傍の下壁に開口している。連通路２０ｅの他の一端は基板２０の第２の主面２０ｂに開口している。なお、貫通孔の形状は、円柱形状以外の形状（例えば、直方体形状）であってもよい。また、連通路２０ｄ，２０ｅの何れか一方は、その一端が「空洞部２０ｃを構成する側壁であってＸ−Ｚ平面に平行な壁面」に開口を形成し、且つ、Ｙ軸方向に延びて基板２０の外部と空洞部２０ｃとを連通する通路であってもよい。更に、そのような軸方向に延びる連通路は、他の一端が「平面視において（Ｚ軸方向から基板２０を見た場合において）空洞部２０ｃと重ならない位置であって第１主面２０ａ及び第２主面２０ｂの何れか一方」に開口を形成するような通路であってもよい。
【００８５】
より具体的に述べると、基板２０は、下方板（第１のベース板）２１、中間板（第２のベース板）２２、及び振動板２３を備えている。下方板２１、中間板２２及び振動板２３は、絶縁性セラミックからなっている。下方板２１、中間板２２及び振動板２３は、順に積層され、焼成により一体化されている。即ち、基板２０はセラミック焼成体である。
【００８６】
下方板２１、中間板２２及び振動板２３の材料である絶縁性セラミックは、特に制限はないが、例えば、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、ムライト、窒化アルミニウム及び窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１種類を含む材料から構成される。特に、安定化された酸化ジルコニウム及び部分安定化酸化ジルコニウムは、機械的強度及び靱性の観点から、基板２０の材料として好ましい。
【００８７】
下方板２１は、略均一の厚みを有する薄板体である。下方板２１には、所定の位置に配列された複数の貫通孔であって、且つ、前述した連通路２０ｄ，２０ｅを構成する貫通孔が形成されている。下方板２１の上面は空洞部２０ｃの下壁面を構成する。
【００８８】
中間板２２は、略均一の厚みＨ１を有する薄板体である。中間板２２には所定の位置に配列された複数の貫通孔が形成されている。この貫通孔の側壁面は空洞部２０ｃの側壁面を構成する。
【００８９】
振動板２３は、略均一の厚みを有する薄板体である。振動板２３の厚みは、例えば、３０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上且つ１５μｍ以下であることが更に好ましい。振動板２３の下面は空洞部２０ｃの上壁面を構成する。振動板２３は、圧電素子３０の伸縮に伴って変形するようになっている。振動板２３の上面は、基板２０の第１の主面２０ａである。
【００９０】
下方板２１、中間板２２及び振動板２３の板厚の合計（即ち、基板２０の厚み）は、後述する「露光のための光」が、基板２０を十分に透過することができるように決定される。「露光のための光」は、第２の主面２０ｂから第１の主面２０ａに向かう光であって第１主面直交方向（Ｚ軸方向）に平行な光である。以下、「露光のための光」を「照射光」とも称呼する。照射光が基板２０を十分に透過できるか否かは、基板２０の材料及び緻密さ等によっても変化する。例えば、基板２０の材料が部分安定化ジルコニウムであるとき、下方板２１の板厚と中間板２２の板厚の合計は、２０μｍ以上且つ３００μｍ以下であることが好ましい。従って、基板２０の板厚は、２１μｍ以上且つ３３０μｍ以下であることが好ましい。
【００９１】
＜＜圧電素子＞＞
圧電素子３０は、第１電極（下部電極膜、下部電極層）３１、圧電体膜３２、及び、第２電極（上部電極膜、上部電極層）を備えている。
【００９２】
第１電極３１は導電材料の焼成体（焼結体）である。第１電極３１は、例えば、白金、パラジウム、ロジウム、金及び銀等の金属、又は、これらの金属を主成分とする合金から形成される。第１電極３１は、他の導電性材料から形成されてもよい。
【００９３】
第１電極３１の厚みは、焼結後において、例えば、０．３〜５．０μｍ程度であることが好ましい。但し、第１電極３１の厚み及び材質は、「照射光」を透過させないように、振動板２３の厚み及び材質とともに決定される必要がある。
【００９４】
以下、図２及び図３に示したように、基板２０の第１の主面２０ａに対して「空洞部２０ｃを第１主面直交方向に投影した像を、「空洞部投影像」と称呼する。更に、空洞部投影像を「第１主面直交方向に延長することにより形成される空間領域ＰＡ」を「空洞部投影領域ＰＡ」と称呼する。従って、空洞部投影領域ＰＡは、平面視において空洞部２０ｃと一致する。つまり、平面視において、空洞部投影領域ＰＡの輪郭は、「空洞部２０ｃの輪郭」及び「空洞部投影像の輪郭」と一致する。
【００９５】
第１電極３１は、基板２０の第１の主面２０ａの上（上面）に配設（形成）される。更に、第１電極３１は、空洞部投影領域ＰＡ（の内部）に存在するように形成される。換言すると、第１電極３１は、「第１電極３１の平面視における位置及び形状が、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状と一致する」ように設けられている。第１電極３１は振動板２３と一体化している。第１電極３１には、図示しない下部配線電極が接続されている。下部配線電極は、図示しない駆動回路に接続され、第１電極３１への給電経路を構成する。
【００９６】
圧電体膜３２は、圧電セラミックスの焼成体である。圧電体膜３２の材料としては、特に制限はないが、例えば、電界誘起歪の観点から、鉛（Ｐｂ）系ペブロスカイト酸化物や非鉛系ペブロスカイト型酸化物が挙げられる。鉛（Ｐｂ）系ペブロスカイト酸化物は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ；Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）、又は、「単純酸化物及び／又は複合ペブロスカイト酸化物を導入したチタン酸ジルコン酸鉛の変性物であることが更に好ましい。
具体的には以下ような材料が圧電体膜３２の材料として使用され得る。
チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ；Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）。
チタン酸ジルコン酸鉛とマグネシウム酸ニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３）との固溶体に酸化ニッケル（ＮｉＯ）を加えた材料。
チタン酸ジルコン酸鉛とニッケル酸ニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３）との固溶体。
非鉛系ペブロスカイト型酸化物として、（Ｎａ，Ｎｂ）ＴｉＯ３、（Ｋ，Ｎｂ）ＴｉＯ３、（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、。
【００９７】
圧電体膜３２の厚みは、焼成後において、例えば、１μｍ以上且つ１５μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上且つ５μｍ以下であることが更に好ましい。圧電体膜３２は分極処理が施されている。
【００９８】
圧電体膜３２は、第１電極３１の上（上面）に配設（形成）される。更に、圧電体膜３２は、空洞部投影領域ＰＡ（の内部）に存在するように形成される。換言すると、圧電体膜３２は、「圧電体膜３２の平面視における位置及び形状が、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状と一致する」ように設けられている。圧電体膜３２は第１電極３１と一体化している。従って、隣接する圧電体膜３２同士の距離（圧電体膜間スペース）は、空洞部間スペースＬ１と実質的に等しい。よって、圧電体膜間スペースは、１μｍ以上且つ５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上且つ２０μｍ以下であることが更に好ましい。
【００９９】
第２電極３３は、第１電極３１と同様の材料からなる金属の焼結体である。第２電極３３の厚みは、焼結後において、例えば、０．０６〜３．０μｍ程度であることが好ましい。
【０１００】
第２電極３３は、圧電体膜３２の上（上面）に配設（形成）される。更に、第２電極３３は、空洞部投影領域ＰＡ（の内部）に存在するように形成される。換言すると、第２電極３３は、「第２電極３３の平面視における位置及び形状が、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状と一致する」ように設けられている。第２電極３３は圧電体膜３２と一体化している。従って、圧電素子３０は振動板２３（従って、基板２０）と一体化している。第２電極３３には、図示しない上部配線電極が接続されている。上部配線電極は、図示しない前記駆動回路に接続され、第２電極３３への給電経路を構成する。
【０１０１】
上述したように構成された圧電膜型デバイス１０において、第１電極３１と第２電極３３との間に変化する電位差を付与すると（即ち、圧電体膜３２に変化する電圧を印加すると）、圧電体膜３２に変化する電界が加わる。その結果、圧電体膜３２が第１の主面２０ａと平行な方向に伸縮し、圧電素子３０と一体化されている振動板２３が屈曲運動する。この振動板２３の屈曲運動に伴って空洞部２０ｃの容積が変化する。従って、空洞部２０ｃにインクが充填されていると、インクは連通路２０ｄを介して圧電膜型デバイス１０の外部へと吐出される。なお、インクは連通路２０ｅを介して空洞部２０ｃに導入される。
【０１０２】
＜第１製造方法＞
次に、本発明の第１実施形態に係る「圧電膜型デバイスの製造方法（以下、「第１製造方法」とも称呼する。）について説明する。
【０１０３】
１．第１工程（基板準備工程）
先ず、図４に示した基板２０を作成する（準備する）。基板２０は、例えば、以下のように作成される。
・下方板２１となるセラミックグリーンシートを準備し、連通路２０ｄ，２０ｅに応じた位置に連通路２０ｄ，２０ｅとなる貫通穴を形成する。
・中間板２２となるセラミックグリーンシートを準備し、空洞部２０ｃに応じた位置に空洞部２０ｃとなる貫通穴を形成する。
・振動板２３となるセラミックグリーンシートを準備する。
・下方板２１となるセラミックグリーンシート上に、中間板２２となるセラミックグリーンシートを積層し、更に、中間板２２となるセラミックグリーンシートの上に振動板２３となるセラミックグリーンシートを積層する。このとき、各板は互いに平面方向の位置合わせを行う。
・積層されたセラミックグリーンシートを熱圧着する。
・熱圧着されたセラミックグリーンシート（積層体）を脱脂した後に焼成する。
【０１０４】
２．第２工程（第３感光膜形成工程）
次に、図５に示したように、基板２０の第１の主面２０ａの上面にフォトレジスト膜１１０を形成する。このフォトレジスト膜１１０は、便宜上「第３感光膜１１０」と称呼される。第３感光膜１１０は第１の主面２０ａの全面を覆うように形成される。第３感光膜１１０の塗布方法は、例えば、スピンコート、スリットコート、ロールコート、スプレー法、及び、スクリーン印刷法等の何れであってもよい。更に、感光性のドライフィルムレジストを貼り付けることにより第３感光膜１１０を形成してもよい。
【０１０５】
第３感光膜１１０の厚みは、第１電極３１の厚みに対して十分大きい。第３感光膜１１０は露光されると現像液（有機溶剤）に対する溶解性が低下する「ネガ型（ネガティブタイプ）」のフォトレジストである。第３感光膜１１０の材料は、特に限定されないが、例えば、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系及びフッ素系等の感光性樹脂である。更に、第３感光膜１１０の材料は、耐薬品性保護剤でもよい。パターン形成時の解像度の観点から、第３感光膜１１０は化学増幅型のフォトレジストからなる膜であることが更に好ましい。
【０１０６】
３．第３工程（遮光性材料（第３遮光剤）充填工程）
次に、図６に示したように、基板２０の空洞部２０ｃに遮光性の材料を含む流体状の物質（液状物質、第３遮光剤ＬＳ３）を充填する。例えば、この第３遮光剤ＬＳ３は、固形の遮光剤を溶媒に溶解した遮光液、又は、固形の遮光剤を分散媒に分散させた遮光液、である。遮光剤は、光を吸収する染料又は顔料を含むことが好ましい。また、遮光剤は、基板２０と屈折率が異なるものであってもよい。この場合、空洞部２０ｃにおいて「照射光」が全反射するので、照射光が空洞部２０ｃを透過することができなくなる。
【０１０７】
遮光液は、連通路２０ｄ及び／又は連通路２０ｅを通して注射器等により空洞部２０ｃ内に注入されることにより、空洞部２０ｃ内に充填される。その後、基板２０をホットプレート及びオーブン等の加熱装置により加熱し、それにより第３遮光剤ＬＳ３の「溶媒又は分散媒」を消失させる。これにより、硬化した遮光剤（遮光体）が空洞部２０ｃ内に形成される。なお、空洞部２０ｃに「固形又は半固形」の「遮光性の材料を含む物質」を充填してもよい。更に、遮光性の材料を含む流体状の物質が、硬化されない状態にて空洞部２０ｃ内に保持され得る場合、その流体状の物質を硬化しなくてもよい。
【０１０８】
４．第４工程（第３感光膜露光工程、第３露光工程）
次に、図７に示したように、基板２０の第２の主面２０ｂ側から「第１の主面２０ａに向かう光であって第１主面直交方向に平行な光（Ｚ軸正方向の光）」を基板２０に照射する。この照射された光（照射光）は、基板２０のうち空洞部２０ｃが形成されていない部分を透過することができるが、第３遮光剤ＬＳ３が充填された空洞部２０ｃを透過することはできない。これにより、空洞部投影領域ＰＡ（の内部）に存在する第３感光膜１１０は露光されず、且つ、空洞部投影領域ＰＡ以外の領域ＮＡ（空洞部投影領域ＰＡの外部領域ＮＡ）に存在する第３感光膜１１０のみが露光される。第３感光膜１１０のうちの露光された部分は、露光後第３感光膜１１２とも称呼される。この結果、第３感光膜１１０のうちの露光されない部分１１１の「平面視における位置及び形状」が、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。第３感光膜１１０のうちの露光されない部分１１１は、第３感光膜非露光部１１１とも称呼される。更に、この工程は、便宜上、「第３感光膜露光工程」又は「第３露光工程」とも称呼される。
【０１０９】
５．第５工程（第３感光膜非露光部除去工程：第３マスク完成）
次に、現像液（アルカリ性水溶液又は有機溶剤）を用いて「第３感光膜１１０の露光されていない部分１１１」を除去する。この結果、図８に示したように、空洞部投影領域ＰＡ以外の領域ＮＡに存在する第３感光膜１１２（露光後第３感光膜１１２）のみが残り、その残った露光後第３感光膜１１２が第３マスク１１２となる。従って、第３マスク１１２が存在していない部分の平面視における位置及び形状は、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。その後、基板２０全体をホットプレートを用いて加熱することにより第３マスク１１２を加熱し、第３マスク１１２を更に硬化させてもよい。
【０１１０】
６．第６工程（遮光性材料（第３遮光剤）除去工程）
次に、溶剤を空洞部２０ｃに注入し、第３遮光剤ＬＳ３を空洞部２０ｃから除去する（図９を参照。）。この工程は、第３感光膜露光用材料除去工程とも称呼される。更に、第２工程乃至第６工程（又は第５工程）は、第３マスク形成工程とも称呼される。
【０１１１】
７．第７工程（導電材料膜形成工程）
次に、図１０に示したように、基板２０の第１の主面２０ａの上面であって第３マスク１１２が存在していない部分に「第１電極３１となる導電材料膜３１ａ（第１電極用導電膜３１ａ）」を形成する。第３マスク１１２は後に除去されるので、第３マスク１１２の上面にも第１電極用導電膜３１ａが形成されてもよい。
【０１１２】
第１電極用導電膜３１ａは、例えば、次の（１）〜（３）の何れかの方法により形成することができる。
（１）導電材料を分散媒に分散させたペースト（以下、「導電ペースト」とも称呼する。）をスクリーン印刷法等により塗布する。次いで、塗布された導電ペースト中の分散媒を蒸発させることにより除去する。
（２）導電材料のレジネートを溶媒に溶解させた溶液（以下、「導電レジネート」とも称呼する。）を、スピンコート法及び吹き付け法等により塗布する。次いで、塗布された導電レジネート中の溶媒を蒸発させることにより除去する。
（３）導電材料を、スパッタ蒸着法及び抵抗加熱蒸着法等により第１の主面２０ａの上面に蒸着させる。
（４）導電材料を、無電解めっき法により第１の主面２０ａの上面に成膜する。
【０１１３】
８．第８工程（第３マスク除去工程）
次に、第３マスク１１２を剥離することにより除去する。第３マスク１１２の剥離は、例えば、薬液法、熱処理法及びプラズマ処理法等の方法により行う。この結果、図１１に示したように、第１の主面２０ａの上面であって空洞部投影領域ＰＡにのみ、第１電極用導電膜３１ａが形成される。前述したように、第３マスク１１２が存在していない部分の平面視における位置及び形状は、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致していた。従って、第１電極用導電膜３１ａの平面視における位置及び形状は、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致している。その後、第１電極用導電膜３１ａを焼成し、第１電極３１を作成する。
【０１１４】
９．第９工程（第２感光膜形成工程）
次に、図１２に示したように、基板２０の第１の主面２０ａの上方にフォトレジスト膜１２０を形成する。このフォトレジスト膜１２０は、便宜上「第２感光膜１２０」と称呼される。即ち、この工程において、第２感光膜１２０を、露呈している第１の主面２０ａ及び第１電極３１の上に膜状に形成する。第２感光膜１２０の塗布方法は、例えば、スピンコート、スリットコート、ロールコート、スプレー法、及び、スクリーン印刷法等の何れであってもよい。更に、感光性のドライフィルムレジストを貼り付けることにより第２感光膜１２０を形成してもよい。
【０１１５】
第２感光膜１２０は、第３感光膜１１０と同様、露光されると現像液（アルカリ性水溶液又は有機溶剤）に対する溶解性が低下する「ネガ型のフォトレジスト」である。第２感光膜１２０の材料は、特に限定されないが、例えば、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系及びフッ素系等の「感光性樹脂、又は、感光性の耐薬品性保護剤」である。パターン形成時の解像度の観点から、第２感光膜１２０は、化学増幅型のフォトレジストからなる膜であることが更に好ましい。
【０１１６】
１０．第１０工程（第２感光膜露光工程、第２露光工程）
次に、図１３に示したように、基板２０の第２の主面２０ｂ側から「第１の主面２０ａに向かう光であって第１主面直交方向に平行な光（Ｚ軸正方向の光）」を照射する。照射された光（照射光）は、基板２０のうち空洞部２０ｃが形成されていない部分を透過することができるが、第１電極３１が形成された部分を透過することはできない。
【０１１７】
前述したように、第１電極３１の平面視における位置及び形状は、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致している。従って、空洞部投影領域ＰＡ（の内部）に存在する第２感光膜１２０は露光されず、空洞部投影領域ＰＡ以外の領域ＮＡに存在する第２感光膜１２０のみが露光される。第２感光膜１２０のうちの露光された部分は、露光後第２感光膜１２２とも称呼される。この結果、第２感光膜１２０のうちの露光されない部分１２１の「平面視における位置及び形状」が、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。第２感光膜１２０のうちの露光されない部分１２１は、第２感光膜非露光部１２１とも称呼される。更に、この工程は、便宜上、「第２感光膜露光工程」又は「第２露光工程」とも称呼される。
【０１１８】
１１．第１１工程（第２感光膜非露光部除去工程：第２マスク完成）
次に、現像液（アルカリ性水溶液又は有機溶剤）を用いて「第２感光膜１２０の露光されていない部分１２１」を除去する。この結果、図１４に示したように、空洞部投影領域ＰＡ以外の領域ＮＡに存在する第２感光膜１２２（露光後第２感光膜１２２）のみが残り、その残った露光後第２感光膜１２２が第２マスク１２２となる。従って、第２マスク１２２が存在していない部分の平面視における位置及び形状は、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。その後、基板２０全体をホットプレートを用いて加熱することにより第２マスク１２２を加熱し、第２マスク１２２を更に硬化させてもよい。なお、第２マスク１２２の厚みは、後述する第１マスク１３１（図１８を参照。）の厚みと、後述する圧電材料層加工工程（ブラスト加工、図２０を参照。）の加工選択比と、を考慮して決定される。第２マスク１２２の厚みは、例えば、２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、３μｍ以上５μｍ以下が更に好ましい。
【０１１９】
１２．第１２工程（圧電材料層形成工程）
次に、図１５に示したように、基板２０の第１の主面２０ａの上方に、圧電材料層３２ａを形成する。より具体的には、圧電セラミックペーストを「第１電極３１及び第２マスク１２２」の上面に塗布することにより、圧電材料層３２ａを形成する。圧電セラミックペーストの塗布の方法に特に制限はないが、例えば、スピンコート、スリットコート、ロールコート、ゾルゲル法、スプレー法及びスクリーン印刷法等の湿式塗布、並びに、下部電極パターンを電極にした電気泳動法の何れかが好適に用いられ得る。なお、圧電材料層３２ａは、セラミックペーストを塗布することに代え、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、ＰＶＤ、イオンプレーティング、及び、ＣＶＤ等の方法を用いることにより形成されてもよい。
【０１２０】
圧電セラミックペーストは、固形分率が８８〜９９重量％であるものが好ましく、焼結密度と加工性（パターン加工性）との観点から固形分率が９０〜９６重量％であるものが更に好ましい。また、圧電セラミックペーストのバインダーとなる樹脂の種類は特に制限されないが、セラミック材料との吸着及び分散性の観点から、ブチラール樹脂、セルロース樹脂及びアクリル樹脂の何れか、又は、これらの混合物であることが好ましい。
【０１２１】
１２Ａ．第１２Ａ工程（反応防止用中間層形成工程）
次に、図１６に示したように、圧電材料層３２ａの上方（上面）に反応防止用中間層ＨＢを形成する。この反応防止用中間層ＨＢは、圧電材料層３２ａと、圧電材料層３２ａの上方に形成される第１感光膜１３０（後述の第１感光膜形成工程を参照。）と、が溶解反応を発生しないようにするための膜である。反応防止用中間層ＨＢの材料は、圧電材料層３２ａの材料（圧電体膜３２の材料）と第１感光膜１３０とが相互に溶解しないようにする材料であり、且つ、圧電材料層３２ａとも溶解又は反応等しない材料である限り、特に限定されない。反応防止用中間層ＨＢの材料としては、例えば、親水性樹脂のＰＶＡ（ポリビニールアルコール）、及び、ＰＡｃ（ポリアクリル酸）等が好適である。反応防止用中間層ＨＢの塗布方法は、例えば、スピンコート、スリットコート、ロールコート、スプレー法、及び、スクリーン印刷法等のうちの何れかであってよい。反応防止用中間層ＨＢの膜厚は０．１μｍ以上１μｍ以下が好ましく、０．５μｍであることが更に望ましい。なお、この反応防止用中間層形成工程は、必要に応じて実施されればよい。
【０１２２】
１３．第１３工程（第１感光膜形成工程）
次に、図１６に示したように、圧電材料層３２ａの上方（反応防止用中間層ＨＢがない場合には圧電材料層３２ａの上面、反応防止用中間層ＨＢがある場合には反応防止用中間層ＨＢの上面）にフォトレジスト膜１３０を形成する。このフォトレジスト膜１３０は、便宜上「第１感光膜１３０」と称呼される。第１感光膜１３０は圧電材料層３２ａの全面を覆うように形成される。第１感光膜１３０は、圧電材料層（圧電セラミックペースト）３２ａとの反応性の観点から、感光性樹脂シートを貼り付けることにより、圧電材料層３２ａの上方に形成されることが好ましい。なお、第１感光膜１３０の塗布方法は、例えば、スピンコート、スリットコート、ロールコート、スプレー法、及び、スクリーン印刷法等のうちの何れかであってよい。また、感光性のドライフィルムレジストを貼り付けることにより第１感光膜１３０を形成してもよい。
【０１２３】
第１感光膜１３０は露光されると現像液（アルカリ性水溶液又は有機溶剤）に対する溶解性が増大する「ポジ型（ポジティブタイプ）」のフォトレジストである。第１感光膜１１０の材料は、特に限定されないが、例えば、ゴム系、ウレタン系、エポキシ系、ポリイミド系及びフッ素系の「感光性樹脂、又は、感光性の耐薬品性保護剤」である。
【０１２４】
１４．第１４工程（第１感光膜露光工程、第１露光工程）
次に、図１７に示したように、基板２０の第２の主面２０ｂ側から「第１の主面２０ａに向かう光であって第１主面直交方向に平行な光（Ｚ軸正方向の光）」を照射する。照射された光（照射光）は、基板２０のうち空洞部２０ｃが形成されていない部分を透過することができるが、第１電極３１が形成された部分を透過することはできない。
【０１２５】
前述したように、第１電極３１の平面視における位置及び形状は、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致している。従って、空洞部投影領域ＰＡ（の内部）に存在する第１感光膜１３０は露光されず、空洞部投影領域ＰＡ以外の領域ＮＡに存在する第１感光膜１３０のみが露光される。第１感光膜１３０のうちの露光された部分は、露光後第１感光膜１３２とも称呼される。この結果、第１感光膜１３０のうちの露光されない部分１３１の「平面視における位置及び形状」が、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。第１感光膜１３０のうちの露光されない部分１３１は、第１感光膜非露光部１３１とも称呼される。更に、この工程は、便宜上、「第１感光膜露光工程」又は「第１露光工程」とも称呼される。
【０１２６】
なお、後述するように、この第１露光工程（第１４工程）の前までに、空洞部２０ｃ内に遮光体が形成されていてもよい。この場合、その遮光体により、空洞部投影領域ＰＡ（の内部）に存在する第１感光膜１３０は露光されず、空洞部投影領域ＰＡ以外の領域ＮＡに存在する第１感光膜１３０のみが露光される。
【０１２７】
以上のことから、第１露光工程（第１４工程）は、基板２０を照射光のマスクとして利用する露光工程であると言うことができる。即ち、第１露光工程（第１４工程）は、前記照射光を照射することにより、空洞部投影領域ＰＡの内部に存在する第１感光膜１３０を露光することなく空洞部投影領域の外部ＮＡに存在する第１感光膜１３０を露光する工程である。
【０１２８】
１５．第１５工程（第１感光膜露光部除去工程：第１マスク完成）
次に、現像液（アルカリ性水溶液又は有機溶剤）を用いて「第１感光膜１３０の露光された部分１３２」を除去する。この結果、図１８に示したように、空洞部投影領域ＰＡ（の内部）に存在する第１感光膜１３１のみが残り、その残った第１感光膜１３１が第１マスク１３１となる。従って、第１マスク１３１の平面視における位置及び形状は、空洞部２０ｃの平面視における位置及び形状とそれぞれ極めて精度良く一致する。その後、基板２０全体をホットプレートを用いて加熱することにより第１マスク１３１を加熱し、それにより、第１マスク１３１を更に硬化させてもよい。
【０１２９】
次に、反応防止用中間層ＨＢが形成されている場合には、その反応防止用中間層ＨＢを温水（液温６０℃）により除去する。除去方法はスプレー噴霧、浸漬・揺動、シャワー等、特に制限はない。また、反応防止用中間層は、エアーブラシを用いた噴霧により除去されてもよい。更に、反応防止用中間層ＨＢは、後述する圧電材料層加工工程におけるブラスト加工により除去されてもよい。この反応防止用中間層ＨＢを除去する工程は、反応防止用中間層除去工程と称呼される。反応防止用中間層除去工程は、「空洞部投影領域ＰＡの内部に存在する前記反応防止用中間層ＨＢを除去することなく、前記空洞部投影領域の外部ＮＡに存在する前記反応防止用中間層ＨＢを除去する工程である。
【０１３０】
１６．第１６工程（支持体形成工程）
次に、図１９に示したように、基板２０の空洞部２０ｃに流体状物質ＬＳ１を充填する。流体状物質ＬＳ１は、空洞部２０ｃに充填された後に加熱され、それにより乾燥して硬化する。即ち、流体状物質ＬＳ１は、機械強度が比較的高い支持体ＳＪへと変化する（図２０を参照。）。流体状物質ＬＳ１は、乾燥・硬化後に「加熱、溶解及びアッシング（灰化）等」によって空洞部２０ｃから除去できる材料からなる。例えば、フォトレジスト（感光性レジスト）、ワックス、ホットメルト及び仮接着剤等が流体状物質ＬＳ１として使用され得る。更に、液体にフィラーを混合した混合物も流体状物質ＬＳ１として使用され得る。
【０１３１】
１７．第１７工程（圧電材料層加工工程：ブラスト加工）
次に、図２０に示したように、投射材を第１の主面２０ａ側から「基板２０の第１の主面２０ａ（実際には、圧電材料層３２ａの上面及び第１マスク１３１の上面）」に向けて投射する。即ち、ブラスト加工を実施する。これにより、第１マスク１３１が存在しない部分（第１マスク１３１により覆われていない部分）の圧電材料層３２ａが除去される。第１マスク１３１により覆われている部分の圧電材料層３２ａは除去されない。投射材は、「砥粒及び有機溶剤」の少なくとも一方を含む。
【０１３２】
より具体的に述べると、投射材は、粒子系が「０．１μｍ以上且つ５．０μｍ以下」の研磨剤を含むスラリーであることが好ましい。研磨剤の材料としてはモース硬度の高いセラミックスが好ましく、具体的には炭化珪素、酸化アルミニウム、及び、酸化ジルコニウム等のモース硬度１１以上の材料が好適である。投射材に含まれる研磨剤の粒子径は、０．３μｍ以上且つ２．０μｍ以下であることがより好ましい。研磨剤の粒子形状は、多角形状、球形状、扁平状、及び、不定形状の何れであってもよい。スラリーに含まれる溶媒は、水又は有機溶剤であることが好ましい。更に、スラリーに含まれる溶媒としては、圧電材料層３２ａ（圧電セラミックス）及び圧電セラミックペーストを乾燥した膜（乾燥膜）の加工性の観点から、ペースト樹脂（圧電セラミック粉体をペースト状にするために含有している樹脂）との相溶性（溶解パラメータ：Solubility Parameter、ＳＰ値）の近い有機溶剤を選択することが好ましい。更に、投射材は、研磨剤を含まず、有機溶剤のみであってもよい。この場合、圧電材料層３２ａ及び第１マスク１３１は、膨潤及び投射圧力により除去される。
【０１３３】
この工程において、投射材は、「湿式ブラスト加工装置」又は「スラリー噴霧装置」により投射される。ブラストエアー圧（投射材噴射圧）は、「０．０５Ｍｐａ以上且つ０．５Ｍｐａ以下」であることが好ましく、「０．１５Ｍｐａ以上且つ０．２５Ｍｐａ以下」であることが更に好ましい。
【０１３４】
１８．第１８工程（支持体除去工程）
次に、図２１に示したように、空洞部２０ｃ内の支持体ＳＪを除去する。支持体ＳＪは、支持体ＳＪの材質に応じた方法（有機溶剤に溶解させて除去する方法、薬液法により除去する方法、及び、加熱して燃焼させることによる除去する方法等）にて除去する。支持体ＳＪは、これらの方法の組み合わせにより除去されてもよい。
【０１３５】
１９．第１９工程（第１マスク除去工程及び第２マスク除去工程）
次に、第１マスク１３１及び第２マスク１２２を除去する（図２２を参照。）。これらのマスクは、その材質に応じた方法（有機溶剤に溶解させて除去する方法、薬液法により除去する方法、及び、加熱して燃焼させることによる除去する方法等）にて除去する。更に、これらのマスクは、プラズマアッシング法及びエキシマレーザー照射による有機物洗浄法等により除去されてもよい。これらのマスクは、これらの方法の組み合わせにより除去されてもよい。更に、反応防止用中間層ＨＢが形成されている場合には、その反応防止用中間層ＨＢを温水（液温６０℃）により除去する。除去方法はスプレー噴霧、浸漬・揺動、シャワー等、特に制限はない。また、反応防止用中間層は、エアーブラシを用いた噴霧により除去されてもよい。その後、圧電材料層３２ａを焼成し、圧電体膜３２を作成する。
【０１３６】
２０．第２０工程（その他の工程）
その後、上述した第１〜第３マスクの作成方法と同様の方法により、第１の主面２０ａの上方（圧電体膜３２の上面及び第１の主面２０ａの上面）であって、空洞部投影領域ＰＡ以外の領域ＮＡに存在し且つ空洞部投影領域ＰＡには存在しないマスク（第４マスク）を形成し、そのマスクを利用して「第２電極３３となる導電材料膜３３ａ（第２電極用導電膜３３ａ）」を形成する。第２電極用導電膜３３ａの形成は、第１電極用導電膜３１ａの形成と同様に行う（第７工程を参照。）。その後、第２電極用導電膜３３ａを焼成することにより、第２電極３３を形成する。次いで、図示しない下部配線電極及び上部配線電極を形成する。以上により、圧電膜型デバイス１０が製造される。
【０１３７】
＜実施例＞
次に、上記実施形態に従って作成した実施例について説明する。
【０１３８】
１．実施例の材料構成
実施例の材料構成は以下のとおりである。
１．１  基板２０
基板材料：部分安定化酸化ジルコニウム
基板厚み：振動板２３の厚み＝２μｍ
中間板２２の厚み＝８０μｍ
下方板２１の厚み＝１２０μｍ
空洞部寸法：幅Ｗ１＝６５μｍ、長さＷ２＝１ｍｍ
空洞部間間隔：Ｌ１＝５μｍ〜３０μｍ
基板焼成温度：１４５０℃
作成方法：第１工程（基板準備工程）を参照。
【０１３９】
１．２  圧電材料層３２ａ
材料：チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を主成分とするセラミックペースト（ＰＺＴ粉末を樹脂バインダーと溶媒とで混練してペースト状にしたもの）
【０１４０】
１．３  マスキング材料（第１マスク１３１、第２マスク１２２及び第３マスク１１２）
・感光性ネガ型レジスト剤（第２感光膜１２０、第３感光膜１１０）
固形分濃度５０％  （日本化薬製）
・感光性ポジ型レジスト剤（第１感光膜１３０）
固形分濃度３０％  （東京応化工業製）
・反応防止用中間層ＨＢの材料
ＰＶＡ（ポリビニールアルコール）樹脂
固形分濃度  ６％
１．４  支持体ＳＪの材料
感光性樹脂  固形分濃度１０％  （東京応化工業製）
【０１４１】
２．ブラスト加工
２．１  ブラスト装置：マイクロウェットブラスト機
２．２  投射材（投射スラリー）  
スラリー濃度：１０重量％
研磨剤：ＳｉＣ（炭化ケイ素）  ＧＣ＃８０００（粒径１．２μｍ）
溶媒：乳酸
【０１４２】
３．作製方法
３．１  第１電極３１の形成
上記第２工程〜上記第８工程に従って第１電極３１を形成した。
【０１４３】
３．２  第２マスク１２２の形成
上記第９工程〜上記第１１工程に従って第２マスク１２２を形成した。詳細は次のとおりである。
・上記第９工程において、第２マスク１２２となる第２感光膜（感光性ネガ型レジスト剤の膜）１２０の形成（塗布）は、スピンコートにより行った。スピンコートの回転数は４５００ｒｐｍ、保持時間は３０秒とした。その後、第２感光膜１２０を、ホットプレートを用いて乾燥させた。乾燥条件は、乾燥温度７０℃、保持時間１０分とした。
【０１４４】
・上記第１０工程において、露光装置（３線波長、ランプ出力２５０Ｗ（ｉｇｈ））を用いて照射光を第２の主面２０ｂ側から第１の主面２０ａに向けて照射し、第２感光膜１２０に第１電極３１の潜像を転写した。このときの光量は３００ｍｊ／ｃｍ２とした。
【０１４５】
・上記第１１工程において使用される現像液には、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、濃度２．３８％）を用いた。実際には、露光後の第２感光膜１２０が形成されている基板２０を、その現像液中に浸漬し且つ現像液中にて揺動させ、第２マスク１２２を形成した。
・その後、形成された第２マスク１２２を更に硬化させるため、第２マスク１２２が形成された基板２０をホットプレートにて加熱処理した。加熱処理条件は、乾燥温度１００℃、保持時間３分とした。
・なお、第２マスク１２２の厚み（膜厚）は、８μｍであった（白色干渉式形状測定器にて計測）。
【０１４６】
３．３  圧電材料層３２ａの形成
・上記第１２工程に従って圧電材料層３２ａを、スピンコート（回転数３５００ｒｐｍ、保持時間１５秒）により形成（塗布）した。圧電材料層３２ａは、基板２０の第１の主面２０ａの上面（第１電極３１の上面を含む。）の全体に塗布された。その後、圧電材料層３２ａを、ホットプレートを用いて乾燥させた。乾燥条件は、乾燥温度１２０℃、保持時間５分とした。
・なお、圧電材料層３２ａの乾燥後の厚み（膜厚）は５μｍであった（白色干渉式形状測定器にて計測）。
【０１４７】
３．３．１  反応防止用中間層の形成
反応防止用中間層ＨＢを次のように形成した。
・親水性樹脂溶液ＰＶＡ（ポリビニールアルコール）であって濃度６％の溶液をスピンコート（回転数は５０００rpm保持時間１５秒）により圧電材料層３２ａの上面全体に塗布した。
・その後、その溶液をホットプレートを用いて乾燥させた。乾燥条件は、乾燥温度１５０℃、保持時間３分とした。これにより、圧電材料層３２ａの上面全体に反応防止用中間層ＨＢが形成された。
・なお、反応防止用中間層ＨＢの厚み（膜厚）は０．５μｍであった（白色干渉式形状測定器にて計測）。
【０１４８】
３．４  第１マスク１３１の形成
上記第１３工程〜上記第１５工程に従って第１マスク１３１を形成した。詳細は次のとおりである。
・上記第１３工程において、第１マスク１３１となる第１感光膜（感光性ポジ型レジスト剤の膜）１３０の形成は、スピンコートにより行った。スピンコートの回転数は２０００ｒｐｍ、保持時間は１５秒とした。その後、第１感光膜１３０を、ホットプレートにて乾燥させた。乾燥条件は、乾燥温度１００℃、保持時間５分とした。これにより、反応防止用中間層ＨＢの上面全体に第１感光膜１３０が形成された。
【０１４９】
・上記第１４工程において、露光装置（３線波長、ランプ出力２５０Ｗ（ｉｇｈ））を用いて照射光を第２の主面２０ｂ側から第１の主面２０ａに向けて照射し、第１感光膜１３０に第１電極３１の潜像を転写した。このときの光量は５０００ｍｊ／ｃｍ２とした。
【０１５０】
・上記第１５工程において使用される現像液には、水酸化ナトリウム水溶液（濃度１％）を用いた。実際には、露光後の第１感光膜１３０が形成されている基板２０を、その現像液中に浸漬し且つ現像液中にて揺動させ、第１マスク１３１を形成した。
・その後、形成された第１マスク１３１を更に硬化させるため、第１マスク１３１が形成された基板２０をホットプレートにて加熱処理した。加熱処理条件は、乾燥温度１００℃、保持時間３分とした。
・なお、第１マスク１３１の厚み（膜厚）は、５μｍであった（白色干渉式形状測定器にて計測）。
【０１５１】
続いて、反応防止用中間層ＨＢを温水（液温６０℃）によりエアーブラシを用いて噴霧除去（時間１分）した。除去後の反応防止用中間層ＨＢの平面視における形状は、第１マスク１３１の平面視における形状と同形状となった。次いで、形成した反応防止用中間層ＨＢをホットプレートを用いて乾燥させた。乾燥条件は、乾燥温度１００℃、保持時間５分とした。
【０１５２】
３．５  支持体ＳＪの形成
上記第１６工程に従って支持体ＳＪを作製した。ここでは、空洞部２０ｃ内に流体状の感光性樹脂（流体状物質）ＬＳ１を連通路２０ｄを介して注入した。その後、露光装置（３線波長、ランプ出力２５０Ｗ（ｉｇｈ））を用いて照射光を第２の主面２０ｂ側から第１の主面２０ａに向けて照射し、感光性樹脂ＬＳ１を露光した。これにより、流体状物質ＬＳ１は硬化して支持体ＳＪとなった。このときの光量は３００ｍｊ／ｃｍ２とした。次いで、形成された支持体ＳＪを更に硬化させるため、支持体ＳＪが形成された基板２０をホットプレートにて加熱処理した。加熱処理条件は、乾燥温度１００℃、保持時間１０分とした。
【０１５３】
３．６  圧電材料層除去（ブラスト加工）
上記第１７工程に従って圧電材料層３２ａを除去（ブラスト加工）した。このとき、マイクロウェットブラスト加工機を用いた。投射材としてのスラリーの濃度は、１０重量％とした。ブラストエアー圧は０．１５Ｍｐａとした。更に、ブラストガン（投射方向）を基板２０の第１の主面２０ａの法線に対して３０°傾斜させて、投射を行った。このように「投射材の投射方向を、第１の主面２０ａと直交しないように設定すること」により、投射材（スラリー）が第１の主面２０ａと平行な方向に流出することができるので、基板２０の破損（割れ）をより確実に回避することができた。
【０１５４】
更に、圧電材料層３２ａの加工レートを算出し、圧電材料層３２ａの膜厚が所望の値になるまでに必要な積算加工時間を求めた。そして、求めた積算加工時間だけ上記のブラスト加工を行った。
【０１５５】
３．７  支持体ＳＪの除去
上記第１８工程に従って支持体ＳＪを薬液法により除去した。
【０１５６】
３．８  第１マスク１３１及び第２マスク１２２の除去
上記第１９工程に従って「第１マスク１３１及び第２マスク１２２」を除去した。実際には、圧電材料層３２ａ等が形成された基板２０を、レジスト剥離液としての水酸化ナトリウム水溶液（濃度４％）中に浸漬し且つそのレジスト剥離液中にてにて揺動させることにより、「第１マスク１３１及び第２マスク１２２」を除去した。更に、反応防止用中間層ＨＢを温水（液温６０℃）等を用いて除去した。
【０１５７】
＜ブラスト加工における加工レートの比較＞
次に、上述した方法に従って作製したデバイスの圧電体膜（圧電材料層）３２ａの加工レート（ブラスト加工の加工速度）について測定した。このとき、比較例として、圧電体膜（圧電材料層）３２ａを焼成させたサンプルに対しても同様なブラスト加工を行った。また、投射材に含まれる溶媒を「水、有機溶剤」の何れかとするとともに、種々の空洞部間間隔を有するサンプルについて、加工レートを測定した。測定結果を図２４に示す。下記の表１は図２４の線Ｃ１〜Ｃ３についての説明である。なお、投射材に含まれる砥粒には、何れの投射材においても同じ砥粒を用いた。
【０１５８】
【表１】
0005635077.tif 000002
【０１５９】
図２４から理解されるように、ブラスト加工の対象である圧電体膜が「第１製造方法のように焼成前のセラミックグリーン体（乾燥後）」であると、ブラスト加工の対象である圧電体膜が「焼成後の圧電体（焼成体）」である場合に比べ、加工レートは明らかに向上している。更に、ブラスト加工の対象である圧電体膜が「第１製造方法のように焼成前のセラミックグリーン体（乾燥後）」である場合、投射材の溶媒を有機溶剤にすると、加工レートは格段に大きくなる。従って、ブラスト加工の対象である圧電体膜を「焼成前のセラミックグリーン体（乾燥後）」とするとともに「投射材の溶媒を有機溶剤」にすることは、圧電体膜の高密度パターニングに極めて有効であることが判明した。即ち、第１製造方法（及び後述する本発明の他の実施形態に係る製造方法）によれば、空洞部間スペースＬ１が極めて小さい圧電膜型デバイス１０（例えば、インクジェット用アクチュエータ）を精度良く且つ短時間にて製造することができることが確認された。
【０１６０】
＜第１製造方法の変形例＞
次に、第１製造方法の変形例について説明する。以下に述べる種々の変形例は、相互に矛盾が生じない限り、組み合わされてもよい。
【０１６１】
（第１変形例）
第１製造方法においては、第２マスク１２２が形成されていた。しなしながら、第２マスク１２２は形成されなくてもよい。即ち、第９工程乃至第１１工程は省略されてもよい。この場合、第１９工程においては、第１マスク１３１のみが除去される。換言すると、第２マスク除去工程は省略される。
【０１６２】
（第２変形例）
第１製造方法においては、支持体ＳＪが空洞部２０ｃ内に保持された状態において圧電材料層加工工程（第１７工程）が実施されていた。しかしながら、振動板２３の強度が高い場合及び／又は投射材噴射圧が低い場合等、振動板２３が破損する可能性が小さい場合には、支持体ＳＪが空洞部２０ｃ内に形成されなくてもよい。この場合、支持体形成工程（第１６工程）及び支持体除去工程（第１８工程）は省略される。
【０１６３】
（第３変形例）
第１製造方法において、支持体形成工程（第１６工程）は、第１感光膜露光部除去工程（第１５工程）の後であって且つ圧電材料層加工工程（第１７工程）の前に実施されていた。しかしながら、支持体形成工程（第１６工程）は、圧電材料層加工工程（第１７工程）の前までに実施されればよい。従って、例えば、支持体形成工程（第１６工程）は、第１感光膜露光部除去工程（第１５工程）の前（圧電材料層形成工程（第１２工程）と第１感光膜形成工程（第１３工程）との間、及び、第１感光膜形成工程（第１３工程）と第１感光膜露光工程（第１４工程）との間等）に実施されてもよい。
【０１６４】
（第４変形例）
第１製造方法の支持体形成工程（第１６工程）に代え、別の支持体形成工程（以下、「第１の遮光体兼支持体形成工程」とも称呼する。）を第１露光工程（第１４工程）の前までに実施してもよい。例えば、この「第１の遮光体兼支持体形成工程」は、第１感光膜形成工程（第１３工程）よりも後であって且つ第１露光工程（第１４工程）よりも前に実施されてもよく、圧電材料層形成工程（第１２工程）よりも後であって且つ第１感光膜形成工程（第１３工程）よりも前に実施されてもよく、第２感光膜非露光部除去工程（第１１工程）よりも後であって且つ圧電材料層形成工程（第１２工程）よりも前に実施されてもよい。
【０１６５】
第１の遮光体兼支持体形成工程においては、空洞部２０ｃ内に、遮光性の材料（前述の染料又は顔料等の遮光剤）を含み且つ前述の「支持体ＳＪとなる流体状物質ＬＳ１」のように硬化させることができる流体状物質、を充填する。このような流体状物質は、流体状物質ＬＳ１内に遮光性の材料を分散又は溶解させた物質である。そして、空洞部２０ｃにその流体状物質を充填した後、加熱等によってその流体状物質を硬化させる。これにより、空洞部２０ｃ内に「遮光機能を有する支持体（第１の遮光体兼支持体）」が形成される。
【０１６６】
この第１の遮光体兼支持体形成工程を実施すれば、空洞部２０ｃに第１の遮光体兼支持体が形成された状態にて、投射材が投射される。この結果、空洞部２０ｃと圧電素子３０との境界部（即ち、振動板２３）が変形又は破損することを回避することができる。
【０１６７】
反応防止用中間層形成工程は、圧電材料層形成工程（第１２工程）の後であって且つ第１感光膜形成工程（第１３工程）の前に実施されればよい。更に、反応防止用中間層形成工程は、第１感光膜の材料が「溶解性の低い材料である場合、又は、親水性の高い樹脂材料である場合」（即ち、圧電材料層３２ａと第１感光膜１３０とが溶解反応を起こし難い場合）、省略することができる。
【０１６８】
更に、第１の遮光体兼支持体形成工程は、第１露光工程（第１４工程）の前に実施される。従って、第１露光工程（第１４工程）において前記照射光を照射するとき、空洞部２０ｃ内には遮光性の材料を含む硬化体（マスク：第１の遮光体兼支持体）が存在していることになる。従って、照射光は、第１電極３１に加えて、空洞部２０ｃ内の遮光体兼支持体によっても遮断される。この結果、第１露光工程（第１４工程）において露光される第１感光膜の部分（露光後第１感光膜１３２）」の位置及び形状の精度を向上させることができる。なお、この第１の遮光体兼支持体は、上記支持体除去工程（第１８工程）において除去される。
【０１６９】
（第５変形例）
上記第１製造方法においては、第３マスク除去工程（第８工程）にて第３マスク１１２が一旦除去され、その後、第２マスク１２２が形成されていた。しかしながら、第３マスク１１２を第２マスク１２２として使用してもよい。この場合、第３マスク除去工程（第８工程）乃至第２感光膜非露光部除去工程（第１１工程）は省略され得る。
【０１７０】
（第６変形例）
第１製造方法においては、第３遮光剤除去工程（第６工程）において、遮光剤ＬＳ３が除去されていた。しかしながら、この第３遮光剤除去工程（第６工程）は、第１露光工程（第１４工程）の後であって且つ支持体形成工程（第１６工程）の前までに実施することができる。
【０１７１】
この第６変形例においては、遮光剤ＬＳ３が空洞部２０ｃ内に存在した状態において、第２露光工程（第１０工程）及び第１露光工程（第１４工程）が実施される。この結果、第２露光工程（第１０工程）及び第１露光工程（第１４工程）において露光すべき部分の形状精度（露光精度）を向上することができる。更に、第１電極３１が照射光を透過させてしまうような材質からなるか、及び／又は、第１電極３１が照射光を透過させてしまうような厚みを有していても、第２露光工程（第１０工程）及び第１露光工程（第１４工程）の露光を確実に行うことができる。
【０１７２】
（第７変形例）
第１製造方法においては、第３遮光剤除去工程（第６工程）にて遮光剤ＬＳ３が除去されていた。しかしながら、この第３遮光剤除去工程（第６工程）は、第２露光工程（第１０工程）の後であって且つ支持体形成工程（第１６工程）の前までに実施することができる。
【０１７３】
この第７変形例においては、遮光剤ＬＳ３が空洞部２０ｃ内に存在した状態において、第２露光工程（第１０工程）が実施される。この結果、第２露光工程（第１０工程）において露光すべき部分の形状精度（露光精度）を向上することができる。
【０１７４】
（第８変形例）
第１製造方法においては、第３マスク除去工程（第８工程）は第２感光膜形成工程（第９工程）の前に実施されていた。しかしながら、第３マスク除去工程（第８工程）は圧電材料層形成工程（第１２工程）の前までに実施されればよい。即ち、第３マスク除去工程（第８工程）は、例えば、第２感光膜形成工程（第９工程）の後であって第２露光工程（第１０工程）の前、第２露光工程（第１０工程）の後であって第２感光膜非露光部除去工程（第１１工程）の前、及び、２感光膜非露光部除去工程（第１１工程）の後であって圧電材料層形成工程（第１２工程）の前に実施されてもよい。
【０１７５】
（第９変形例）
更に、第３遮光剤充填工程（第３工程）において空洞部２０ｃに充填される遮光性の材料を含む物質は流体状の物質であり、更に、第３遮光剤充填工程（第３工程）は、第３感光膜１１０を露光するための光の照射前に「空洞部２０ｃに充填された前記流体状の物質を硬化させること（硬化体を形成すること）」を含んでもよい。この場合、第３マスク除去工程（第８工程）は圧電材料層加工工程（第１７工程）の後に実施され、且つ、圧電材料層加工工程（第１７工程）は、その第３遮光剤充填工程（第３工程）において形成された硬化体を空洞部２０ｃ内に保持した状態において投射材を投射する工程であってもよい。
【０１７６】
第９変形例によれば、「導電材料膜３１ａを形成するための第３マスク１１２」を形成する際に使用した「空洞部２０ｃ内に充填された遮光性の材料」を、圧電材料層加工工程（第１７工程）における支持体（投射材の投射時に振動板２３の変形又は破損を防止するように機能する硬化体）」と、して使用することができる。即ち、第３マスク形成工程（実際には、第４工程である第３露光工程）にて使用される遮光体と、第１露光工程（第１４工程）にて使用される遮光体と、圧電材料層加工工程（第１７工程）にて使用される支持体と、を一つの工程（第３工程である第３遮光剤充填工程）により形成することができる。従って、製造工程を簡素化することができる。
【０１７７】
（第１０変形例）
第９変形例においては、第３遮光剤充填工程（第３工程）にて「空洞部２０ｃに充填された前記流体状の物質を硬化させていた。これに代え、第３遮光剤充填工程（第３工程）においては「空洞部２０ｃ内に充填された遮光性の材料」を硬化させず、第３感光膜非露光部除去工程（第５工程）よりも後であって且つ圧電材料層加工工程（第１７工程）の前に、第３遮光剤充填工程（第３工程）にて空洞部２０ｃに充填された流体状の物質を硬化させることにより第１硬化体を形成する第１硬化体形成工程を含んでもよい。この場合、圧電材料層加工工程（第１７工程）は、前記第１硬化体を前記空洞内に保持した状態において前記投射材を投射する工程であることが望ましい。
【０１７８】
この第１０変形例によれば、第４工程（第３露光工程）にて使用される遮光体となる物質と、第２露光工程（第１０工程）及び第１露光工程（第１４工程）にて使用される遮光体となる物質と、圧電材料層加工工程（第１７工程）にて使用される支持体となる物質と、を一つの第３遮光剤充填工程（第３工程）により空洞部２０ｃに充填することができる。従って、製造工程を簡素化することができる。なお、第１硬化体形成工程は、第３マスク１１２が形成された後であって且つ第１露光工程（第１４工程）の前に実施されてもよい。
【０１７９】
（第１１変形例）
上記実施形態において、第３遮光剤除去工程（第６工程、第３感光膜露光用材料除去工程）の後であって且つ第１露光工程（第１４工程）の前に、空洞部２０ｃ内に遮光性の材料を含む物質を再充填する遮光性材料再充填工程を含んでもよい。この場合、第１露光工程（第１４工程）は、導電材料膜３１ａに加え、遮光性材料再充填工程において空洞部２０ｃ内に再充填された遮光性の材料をマスクとして機能させながら第１感光膜１３０を露光する工程であることができる。
【０１８０】
なお、この遮光性材料再充填工程は、第６工程（第３感光膜露光用材料除去工程、第３遮光剤除去工程）の後であって且つ第２露光工程（第１０工程）の前に実施されれることがより好ましい。これによれば、第２露光工程においても、導電材料膜３１ａに加え、遮光性材料再充填工程において空洞部２０ｃ内に再充填された遮光性の材料をマスクとして機能させながら第２感光膜１２０を露光することができる。
【０１８１】
（第１２変形例）
この第１１変形例の遮光性材料再充填工程において、空洞部２０ｃ内に再充填された遮光性の材料を含む物質を流体状の物質とすることができる。この場合、その遮光性材料再充填工程の後であって且つ圧電材料層加工工程（第１７工程）の前に、遮光性材料再充填工程において空洞部２０ｃに再充填された前記流体状の物質を硬化させることにより、第２硬化体を形成する第２硬化体形成工程を含むことができる。更に、圧電材料層加工工程（第１７工程）は、その第２硬化体を空洞部２０ｃに保持した状態において投射材を投射する工程であることが好適である。
【０１８２】
この第１１変形例によれば、第１露光工程（第１４工程）において照射光のマスクとして使用した空洞部２０ｃ内の材料（前記遮光性材料再充填工程において空洞部２０ｃ内に再充填された遮光性の材料）を、圧電材料層加工工程（第１７工程）における支持体としても使用することができる。即ち、第１露光工程（第１４工程）にて使用される遮光体となる物質と、圧電材料層加工工程（第１７工程）にて使用される支持体となる物質と、を一つの工程により空洞部２０ｃに充填することができる。従って、製造工程を簡素化することができる。
【０１８３】
この場合、前記第２硬化体形成工程は、第１露光工程（第１４工程）の前に実施されてもよい。
【０１８４】
（第１３変形例）
第１製造方法の、第１・第２マスク除去工程（第１９工程）においては、第１マスク１３１及び第２マスク１２２が同じ有機溶剤により一つの工程において除去される。しかしながら、第１マスク１３１及び第２マスク１２２は、二以上の工程において除去されてもよい。即ち、第１マスク１３１及び第２マスク１２２は、互いに異なる有機溶剤を用いて、或いは、互いに異なる方法により、除去されてもよい。この場合、第１マスク１３１を除去する工程及び第２マスクを除去する工程は、第１７工程（圧電材料層加工工程）の後であれば、何れが先に行われてもよい。
【０１８５】
以上、説明したように、第１製造方法及びその変形例は、
基板２０と、圧電体膜３２を有するとともに前記基板の第１の主面２０ａ上に配設される圧電素子３０と、を備える圧電膜型デバイス１０の製造方法であって、
（ａ）前記基板を準備する基板準備工程（図４を参照。）と、
（ｂ）前記基板の前記第１の主面２０ａの上方に、焼成により前記圧電体膜へと変化する焼成前の圧電材料を含む層である圧電材料層３２ａを形成する圧電材料層形成工程（図１５を参照。）と、
（ｃ）前記圧電材料層３２ａの上方に第１マスク１３１を形成する第１マスク作成工程（図１６乃至図１８を参照。）と、
（ｄ）砥粒及び有機溶剤の少なくとも一方を含む投射材を前記基板の第１の主面２０ａに向けて投射することにより前記第１マスク１３１が存在しない部分に存在する前記圧電材料層３２ａを除去する圧電材料層加工工程（図２０を参照。）と、
（ｅ）前記第１マスクを除去する第１マスク除去工程（図２２を参照。）と、
（ｆ）前記圧電材料層を焼成する焼成工程と、
を含む。
【０１８６】
このように、焼成前の圧電材料層が圧電材料層加工工程においてブラスト加工される。従って、ブラスト加工を短時間に終了することができる。
【０１８７】
＜第２製造方法＞
次に、本発明の第２実施形態に係る「圧電膜型デバイスの製造方法（以下、「第２製造方法」とも称呼する。）について説明する。この第２製造方法により製造される圧電膜型デバイスの基板には空洞部が設けられていない。但し、その基板に空洞部が設けられていてもよい。
【０１８８】
１．第１工程（基板準備工程）
先ず、図２５に示した基板２１０を作成する（準備する）。基板２１０は、例えば、互いに積層され且つ熱圧着された複数のセラミックグリーンシートを脱脂した後に焼成することによって作成される。
【０１８９】
２．第２工程（下部電極形成工程）
次に、図２６に示したように、基板２１０の第１の主面２１０ａの上に「第１電極（下部電極）となる導電材料膜２３１ａ（第１電極用導電膜２３１ａ）」を形成する。導電材料膜２３１ａの形成方法は特に制限はないが、は、例えば、次の（１）〜（３）の何れかの方法により形成することが好ましい。
（１）導電ペーストをスクリーン印刷法等により塗布する。次いで、塗布された導電ペースト中の分散媒を蒸発させることにより除去する。
（２）導電レジネートを、スピンコート法及び吹き付け法等により塗布する。次いで、塗布された導電レジネート中の溶媒を蒸発させることにより除去する。
（３）導電材料を、無電解めっき法により第１の主面２１０ａの上面に成膜する。
【０１９０】
３．第３工程（第１１感光膜形成工程）
次に、図２７に示したように、基板２１０の第１の主面２１０ａの上面にフォトレジスト膜２２０を形成する。このフォトレジスト膜２２０は、便宜上「第１１感光膜２２０」と称呼される。第１１感光膜２２０は第１の主面２１０ａの全面を覆うように形成される。第１１感光膜２２０の塗布方法は、例えば、スピンコート、スリットコート、ロールコート、スプレー法、及び、スクリーン印刷法等の何れであってもよい。更に、感光性のドライフィルムレジストを貼り付けることにより第１１感光膜２２０を形成してもよい。
【０１９１】
第１１感光膜２２０の厚みは、導電材料膜２３１ａの厚みに対して十分大きい。第１１感光膜２２０は、露光されると現像液（有機溶剤）に対する溶解性が低下する「ネガ型（ネガティブタイプ）」のフォトレジスト、及び、露光されると現像液（有機溶剤）に対する溶解性が増大する「ポジ型（ポジティブタイプ）」のフォトレジスト、の何れであってもよい。なお、本例において、第１１感光膜２２０はネガ型のフォトレジストにより構成した。第１１感光膜２２０の材料は、特に限定されないが、例えば、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系及びフッ素系等の感光性樹脂である。更に、第１１感光膜２２０の材料は、耐薬品性保護剤でもよい。パターン形成時の解像度の観点から、第１１感光膜２２０は化学増幅型のフォトレジストからなる膜であることが更に好ましい。
【０１９２】
４．第４工程（第１１感光膜露光工程）
次に、図２８に示したように、マスク２３０を配置する。マスク２３０は便宜上「第１１マスク２３０」とも称呼される。第１１マスク２３０は、石英ガラスマスクである。即ち、第１１マスク２３０の基板は光透過性の石英ガラスからなり、その基板にクロム（Ｃｒ）が蒸着されたマスクである。クロムが蒸着されている部分は光が透過することができない光遮蔽部２３１を構成し、その他の部分が光透過部２３２を構成している。各光遮蔽部２３１は、第１１マスク２３０の主面が基板２１０の第１の主面２１０ａと平行に維持され、且つ、その主面と平行な面内（Ｘ−Ｙ平面内）において第１１マスク２３０の位置合わせがなされた場合、各導電材料膜２３１ａを覆う位置及び形状を有するように形成される。
【０１９３】
次に、「第１１マスク２３０の上方から第１の主面２１０ａに向かう光であって第１主面直交方向に平行な光（Ｚ軸正方向の光）」を照射する。照射された光（照射光）は、第１１マスク２３０の光透過部２３２を透過することができるが、第１１マスク２３０の光遮蔽部２３１を透過することはできない。この結果、第１１感光膜２２０は、露光されない部分（非露光部）２２１と、露光された部分（露光部）２２２と、に変化する。
【０１９４】
５．第５工程（第１１感光膜・非露光部・除去工程）
次に、現像液（アルカリ性水溶液又は有機溶剤）を用いて「第１１感光膜２２０の非露光部２２１」を除去する。この結果、図２９に示したように、露光部２２２のみが残る。その後、基板２１０全体をホットプレートを用いて加熱することにより露光部２２２を加熱し、それにより、露光部２２２を更に硬化させてもよい。
【０１９５】
６．第６工程（圧電材料層形成工程）
次に、図３０に示したように、基板２１０の第１の主面２１０ａの上方に、圧電材料層２３２ａを形成する。より具体的には、圧電セラミックペーストを「導電材料膜２３１ａ及び露光部２２２」の上面に塗布することにより、圧電材料層２３２ａを形成する。この圧電セラミックペーストの塗布の方法に特に制限はないが、例えば、スピンコート、スリットコート、ロールコート、ゾルゲル法、スプレー法及びスクリーン印刷法等の湿式塗布、並びに、下部電極パターンを電極にした電気泳動法の何れかが好適に用いられ得る。この工程で使用される圧電セラミックペーストは、第１製造方法にて使用される圧電セラミックペーストと同じである。なお、圧電材料層２３２ａは、セラミックペーストを塗布することに代え、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、ＰＶＤ、イオンプレーティング、及び、ＣＶＤ等の方法を用いることにより形成されてもよい。
【０１９６】
ここで、圧電材料層２３２ａの上方（上面）に反応防止用中間層ＨＢ（図示省略）を形成してもよい。この反応防止用中間層ＨＢは、圧電材料層２３２ａと、圧電材料層２３２ａの上方に形成される第１２感光膜２４０（後述の第１２感光膜形成工程を参照。）と、が溶解反応を発生しないようにするための膜である。この反応防止用中間層ＨＢの材料及び形成方法は、第１実施形態において述べた反応防止用中間層ＨＢの材料及び形成方法とそれぞれ同じである。なお、この反応防止用中間層形成工程は必ずしも実施しなくてもよい。
【０１９７】
７．第７工程（第１２感光膜形成工程）
次に、図３１に示したように、圧電材料層２３２ａの上方（反応防止用中間層ＨＢがない場合には圧電材料層２３２ａの上面、反応防止用中間層ＨＢがある場合には反応防止用中間層ＨＢの上面）にフォトレジスト膜２４０を形成する。このフォトレジスト膜２４０は、便宜上「第１２感光膜２４０」又は「第１感光膜」と称呼される。第１２感光膜２４０は圧電材料層２３２ａの全面を覆うように形成される。第１２感光膜２４０は、圧電材料層（圧電セラミックペースト）２３２ａとの反応性の観点から、感光性樹脂シートを貼り付けることにより、圧電材料層２３２ａの上方に形成されることが好ましい。なお、第１２感光膜２４０の塗布方法は、例えば、スピンコート、スリットコート、ロールコート、スプレー法、及び、スクリーン印刷法等の何れであってもよい。
【０１９８】
第１２感光膜２４０は、ポジ型のフォトレジスト、及び、ネガ型のフォトレジスト、の何れであってもよい。なお、本例において、第１２感光膜２４０はポジ型のフォトレジストにより構成した。第１２感光膜２４０の材料は、特に限定されないが、例えば、ゴム系、ウレタン系、エポキシ系、ポリイミド系及びフッ素系の「感光性樹脂、又は、感光性の耐薬品性保護剤」である。
【０１９９】
８．第８工程（第１２感光膜露光工程）
次に、図３２に示したように、マスク２５０を配置する。マスク２５０は便宜上「第１２マスク２５０」とも称呼される。第１２マスク２５０は、第１１マスク２３０と同様の石英ガラスマスクである。従って、第１２マスク２５０は、光遮蔽部２５１及び光透過部２５２を備える。各光遮蔽部２５１は、第１２マスク２５０の主面が基板２１０の第１の主面２１０ａと平行に維持され、且つ、その主面と平行な面内（Ｘ−Ｙ平面内）において第１２マスク２５０の位置合わせがなされた場合、各導電材料膜２３１ａを覆う位置及び形状を有するように形成される。換言すると、各光透過部２５２は、第１２マスク２５０の主面が基板２１０の第１の主面２１０ａと平行に維持され、且つ、その主面と平行な面内（Ｘ−Ｙ平面内）において第１２マスク２５０の位置合わせがなされた場合、平面視において露光部２２２と一致する位置及び形状を有するように形成される。
【０２００】
次に、「第１２マスク２５０の上方から第１の主面２１０ａに向かう光であって第１主面直交方向に平行な光（Ｚ軸正方向の光）」を照射する。照射された光（照射光）は、第１２マスク２５０の光透過部２５２を透過することができるが、第１２マスク２５０の光遮蔽部２５１を透過することはできない。この結果、第１２感光膜２４０は、露光されない部分（非露光部）２４１と、露光された部分（露光部）２４２と、に変化する。即ち、この第８工程は、前記第１２感光膜（前記第１感光膜）の一部を露光する露光工程である。
【０２０１】
９．第９工程（第１２感光膜・露光部・除去工程）
次に、現像液（アルカリ性水溶液又は有機溶剤）を用いて「第１２感光膜２４０の露光部２４２」を除去する。この結果、図３３に示したように、非露光部２４１のみが残る。その後、基板２１０全体をホットプレートを用いて加熱することにより非露光部２４１を加熱し、それにより、非露光部２４１を更に硬化させてもよい。これにより、非露光部２４１はマスクとなる。このマスクは便宜上「第１マスク」とも称呼される。この第９工程は、前記第１２感光膜（＝第１感光膜）のうちの露光された部分２４２を除去することにより前記圧電材料層２３２ａの上方に第１マスクを形成する第１感光膜除去工程である。
なお、第１２感光膜がネガ型のフォトレジストからなる場合には、露光部２４２が非露光部となるように且つ非露光部２４１が露光部となるように第１２感光膜を露光するとともに、その第１２感光膜のうちの非露光部を除去することにより前記圧電材料層２３２ａの上方に第１マスクを形成する。
【０２０２】
次に、反応防止用中間層ＨＢが形成されている場合には、その反応防止用中間層ＨＢを第１実施形態と同様な手法により除去する。この反応防止用中間層ＨＢを除去する工程は、反応防止用中間層除去工程と称呼される。
【０２０３】
１０．第１０工程（圧電材料層加工工程：ブラスト加工）
次に、図３４に示したように、投射材を第１の主面２１０ａの上方から第１の主面２１０ａ（実際には、圧電材料層２３２ａの上面及び露光部２２２の上面）」に向けて投射する。即ち、ブラスト加工を実施する。これにより、非露光部２４１が存在しない部分（非露光部２４１により覆われていない部分）の圧電材料層２３２ａが除去される。非露光部２４１により覆われている部分の圧電材料層２３２ａは除去されない。ここで使用される投射材は、第１製造方法の第１７工程において使用される投射材と同じである。更に、投射方法も第１製造方法の投射方法と同じである。
【０２０４】
１１．第１１工程（露光部２２２除去工程及び非露光部２４１除去工程）
次に、露光部２２２及び非露光部２４１を除去する（図３５を参照。）。これらのマスクは、その材質に応じた方法（有機溶剤に溶解させて除去する方法、薬液法により除去する方法、及び、加熱して燃焼させることによる除去する方法等）にて除去される。或いは、これらのマスクは、プラズマアッシング法及びエキシマレーザー照射による有機物洗浄法等により除去されてもよく、これらの方法の組み合わせにより除去されてもよい。更に、反応防止用中間層ＨＢが形成されている場合には、その反応防止用中間層ＨＢを第１実施形態と同様な方法により除去する。
【０２０５】
１２．第１２工程（焼成工程）
その後、図３６に示したように、圧電材料層２３２ａの上面に「第２電極（上部電極）となる導電材料膜２３３ａ」を形成する。その後、圧電材料層２３２ａを焼成し、圧電体膜を作成する。次いで、図示しない下部配線電極及び上部配線電極を形成する。以上により、圧電膜型デバイスが製造される。
【０２０６】
以上、説明したように、第２製造方法は、
基板２１０と、圧電体膜２３２ａを有するとともに前記基板の第１の主面２１０ａ上に配設される圧電素子と、を備える圧電膜型デバイスの製造方法であって、
（ａ）前記基板を準備する基板準備工程（図２５を参照。）と、
（ｂ）前記基板の前記第１の主面の上方に、焼成により前記圧電体膜へと変化する焼成前の圧電材料を含む層である圧電材料層を形成する圧電材料層形成工程（図３０を参照。）と、
（ｃ）前記圧電材料層の上方に第１マスクを形成する第１マスク作成工程（図３１乃至図３３と、第１マスクとしての非露光部２４１を参照。）と、
（ｄ）砥粒及び有機溶剤の少なくとも一方を含む投射材を前記基板の第１の主面に向けて投射することにより前記第１マスクが存在しない部分に存在する前記圧電材料層を除去する圧電材料層加工工程（図３４を参照。）と、
（ｅ）前記第１マスクを除去する第１マスク除去工程（図３５を参照。）と、
（ｆ）前記圧電材料層を焼成する焼成工程（図３６を参照。）と、
を含む。
【０２０７】
この第２製造方法によっても、焼成前の圧電材料層が圧電材料層加工工程においてブラスト加工される。従って、ブラスト加工を短時間に終了することができる。
【０２０８】
以上、本発明に係る実施形態及び変形例によれば、細密な圧電素子のパターンを有する圧電膜型デバイス１０を、空洞部投影領域に「精度良く、且つ、効率的に」形成することができる。本発明は上記実施形態に限定されることはなく、本発明の範囲内において種々の変形例を採用することができる。例えば、導電材料膜３１ａと圧電材料層３２ａとは同時に焼成されてもよい。更に、第１電極用の導電材料膜３１ａと圧電材料層３２ａと第２電極用の導電材料膜３３ａとを同時に焼成してもよい。
【図１】
0005635077.tif 000003
【図２】
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【図３】
0005635077.tif 000005
【図４】
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【図５】
0005635077.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
0005635077.tif 000029
【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
0005635077.tif 000032
【図３１】
0005635077.tif 000033
【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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