(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを偏向する複数段の偏向器によってそれぞれ偏向されるサイズの異なる偏向領域のうちの最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域内に照射される荷電粒子ビームの総電荷量を算出する総電荷量算出部と、
前記最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく、当該最小偏向領域の代表温度を算出する代表温度算出部と、
前記最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域に照射される照射量を入力し、当該最小偏向領域の代表温度を用いて当該最小偏向領域に照射される照射量を変調する照射量変調部と、
前記複数段の偏向器を有し、前記複数段の偏向器を用いて、変調された照射量で当該最小偏向領域内にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記最小偏向領域は、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく熱拡散速度よりも速い描画速度で当該最小偏向領域内にパターンを描画することが可能なサイズに設定されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記描画部は、
描画対象となる基板を載置する、移動可能なステージと、
前記複数段の偏向器として、
前記ステージの移動に追従するように、前記基板の描画領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１の小領域の基準位置に荷電粒子ビームを順に偏向する第１の偏向器と、
各第１の小領域の基準位置から、各第１の小領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第２の小領域の基準位置に前記荷電粒子ビームを順に偏向する第２の偏向器と、
各第２の小領域の基準位置から、当該第２の小領域内に照射されるビームのショット位置に前記荷電粒子ビームを偏向する第３の偏向器と、
を有し、
前記最小偏向領域として、前記第２の小領域が用いられることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱により生じる温度上昇量を算出する温度上昇量算出部をさらに備え、
前記代表温度算出部は、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の複数の最小偏向領域からの伝熱により生じる各温度上昇量を累積加算することで、当該最小偏向領域の前記代表温度を求めることを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記温度上昇量は、前記他の最小偏向領域が描画された後に当該最小偏向領域が描画されるまでの経過時間に依存することを特徴とする請求項３記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
荷電粒子ビームを偏向する複数段の偏向器によってそれぞれ偏向されるサイズの異なる偏向領域のうちの最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域内に照射される荷電粒子ビームの総電荷量を算出する工程と、
前記最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく、当該最小偏向領域の代表温度を算出する工程と、
前記最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域に照射される照射量を入力し、当該最小偏向領域の代表温度を用いて当該最小偏向領域に照射される照射量を変調する工程と、
前記複数段の偏向器を用いて、変調された照射量で当該最小偏向領域内にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記最小偏向領域は、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく熱拡散速度よりも速い描画速度で当該最小偏向領域内にパターンを描画することが可能なサイズに設定されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、レジストヒーティング補正を行う装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図７は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。
【０００４】
光リソグラフィ技術の進展や、ＥＵＶによる短波長化に伴い、マスク描画に必要な電子ビームのショット数は加速的に増加している。一方で、微細化に必要な線幅精度を確保するために、レジストを低感度化し、照射量を上げることでショットノイズやパターンのエッジラフネスの低減を図っている。このように、ショット数と照射量が際限なく増え続けているため、描画時間も際限なく増加していく。そのため、電流密度を上げることで描画時間の短縮を図ることが検討されている。
【０００５】
しかしながら、増加した照射エネルギー量を、より高密度な電子ビームで短時間に照射しようとすると、基板温度が過熱してレジスト感度が変化し、線幅精度が悪化する、レジストヒーティングと呼ばれる現象が生じてしまうといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−５０５４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、ショット数と照射量が際限なく増え続けている中、電流密度を上げることで描画時間の短縮を図るが、これにより、レジストが過熱して感度が変化し、線幅精度が悪化する、レジストヒーティングと呼ばれる現象が生じてしまうといった問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、かかる問題を克服し、レジストヒーティングによるパターンの寸法変動を抑制する描画が可能な装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームを偏向する複数段の偏向器によってそれぞれ偏向されるサイズの異なる偏向領域のうちの最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域内に照射される荷電粒子ビームの総電荷量を算出する総電荷量算出部と、
最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく、当該最小偏向領域の代表温度を算出する代表温度算出部と、
最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域に照射される照射量を入力し、当該最小偏向領域の代表温度を用いて当該最小偏向領域に照射される照射量を変調する照射量変調部と、
複数段の偏向器を有し、複数段の偏向器を用いて、変調された照射量で当該最小偏向領域内にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記最小偏向領域は、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく熱拡散速度よりも速い描画速度で当該最小偏向領域内にパターンを描画することが可能なサイズに設定されることを特徴とする。
【００１０】
また、描画部は、
描画対象となる基板を載置する、移動可能なステージと、
複数段の偏向器として、
ステージの移動に追従するように、基板の描画領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第１の小領域の基準位置に荷電粒子ビームを順に偏向する第１の偏向器と、
各第１の小領域の基準位置から、各第１の小領域がメッシュ状に仮想分割された複数の第２の小領域の基準位置に荷電粒子ビームを順に偏向する第２の偏向器と、
各第２の小領域の基準位置から、当該第２の小領域内に照射されるビームのショット位置に荷電粒子ビームを偏向する第３の偏向器と、
を有し、
最小偏向領域として、第２の小領域が用いられることを特徴とする。
【００１１】
また、最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱により生じる温度上昇量を算出する温度上昇量算出部をさらに備え、
代表温度算出部は、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の複数の最小偏向領域からの伝熱により生じる各温度上昇量を累積加算することで、当該最小偏向領域の代表温度を求めると好適である。
【００１２】
また、温度上昇量は、他の最小偏向領域が描画された後に当該最小偏向領域が描画されるまでの経過時間に依存するように算出される。
【００１３】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
荷電粒子ビームを偏向する複数段の偏向器によってそれぞれ偏向されるサイズの異なる偏向領域のうちの最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域内に照射される荷電粒子ビームの総電荷量を算出する工程と、
最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく、当該最小偏向領域の代表温度を算出する工程と、
最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域に照射される照射量を入力し、当該最小偏向領域の代表温度を用いて当該最小偏向領域に照射される照射量を変調する工程と、
複数段の偏向器を用いて、変調された照射量で当該最小偏向領域内にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記最小偏向領域は、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく熱拡散速度よりも速い描画速度で当該最小偏向領域内にパターンを描画することが可能なサイズに設定されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、レジストヒーティングによるパターンの寸法変動を抑制できる。よって、より精度の高い寸法でパターンを描画できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。
【図３】実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図４】実施の形態１におけるＳＦ内のＴＤ描画スケジュールと各ＴＤの総電荷量を示す概念図である。
【図５】実施の形態１におけるストライプ領域内のＳＦの描画順序の一例を示す概念図である。
【図６】実施の形態１におけるＳＦ内のＴＤの描画順序の一例を示す概念図である。
【図７】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型（ＶＳＢ型）の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング偏向器（ブランカー）２１２、ブランキングアパーチャ２１４、第１の成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２の成形アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８、副偏向器２０９、及び副副偏向器２１６が配置されている。描画室１０３内には、少なくともＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、レジストが塗布された描画対象となる試料１０１（基板）が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
【００１８】
制御部１６０は、制御計算機ユニット１１０、偏向制御回路１２０、ＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプユニット１３０，１３２，１３４，１３６（偏向アンプ）、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０を有している。制御計算機ユニット１１０、偏向制御回路１２０、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０は、図示しないバスを介して互いに接続されている。偏向制御回路１２０にはＤＡＣアンプユニット１３０，１３２，１３４，１３６が接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３０は、ブランキング偏向器２１２に接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３２は、副偏向器２０９に接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３４は、主偏向器２０８に接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３６は、副副偏向器２１６に接続されている。
【００１９】
また、制御計算機ユニット１１０内には、ショット分割部５０、アンダーサブフィールド（ＵＳＦ：ここでは第３の偏向を意味するＴｅｒｔｉａｒｙ  Ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎの略語を用いて「ＴＤ」とする。以下、同じ）割振り部５２、サブフィールド（ＳＦ）割振り部５４、ＴＤ順序設定部５６、ＴＤ総電荷量計算部５８、ＴＤ熱拡散計算部６０、ＴＤ代表温度計算部６２、照射量マップ作成部６４、照射量変調部６６、照射時間計算部６８、描画処理部７０、及びメモリ７２が配置される。ショット分割部５０、アンダーサブフィールド（ＴＤ）割振り部５２、サブフィールド（ＳＦ）割振り部５４、ＴＤ順序設定部５６、ＴＤ総電荷量計算部５８、ＴＤ熱拡散計算部６０、及びＴＤ代表温度計算部６２、照射量マップ作成部６４、照射量変調部６６、照射時間計算部６８、描画処理部７０といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機ユニット１１０内に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ７２に記憶される。
【００２０】
描画データが外部から入力され、記憶装置１４０に格納されている。
【００２１】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。
【００２２】
図２は、実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。図２において、試料１０１の描画領域１０は、主偏向器２０８の偏向可能幅で、例えばｙ方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域２０に仮想分割される。また、各ストライプ領域２０は、副偏向器２０９の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のサブフィールド（ＳＦ）３０（第１の小領域）に仮想分割される。そして、各ＳＦ３０は、副副偏向器２１６の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のアンダーサブフィールド（ＴＤ）４０（第２の小領域）に仮想分割される。そして、各ＴＤ４０の各ショット位置４２にショット図形が描画される。各ＳＦ内のＴＤ分割数は、ＴＤの熱拡散計算によって描画動作が律速しない程度の数が望ましい。例えば、縦横１０個以下が望ましい。より好適には、縦横５個以下が望ましい。
【００２３】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプユニット１３０に対して、ブランキング制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット１３０では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、ブランキング偏向器２１２に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームが形成される。
【００２４】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプユニット１３４に対して、主偏向制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット１３４では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、主偏向器２０８に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームがメッシュ状に仮想分割された所定のサブフィールド（ＳＦ）の基準位置に偏向される。
【００２５】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプユニット１３２に対して、副偏向制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット１３２では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副偏向器２０９に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームがメッシュ状に仮想分割された所定のサブフィールド（ＳＦ）内にさらにメッシュ状に仮想分割された最小偏向領域となるアンダーサブフィールド（ＴＤ）の基準位置に偏向される。
【００２６】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプユニット１３６に対して、副副偏向制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット１３６では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副副偏向器２１６に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームがメッシュ状に仮想分割された所定のサブフィールド（ＳＦ）内にさらにメッシュ状に仮想分割された最小偏向領域となるアンダーサブフィールド（ＴＤ）内の各ショット位置に偏向される。
【００２７】
描画装置１００では、複数段の偏向器を用いて、ストライプ領域２０毎に描画処理を進めていく。ここでは、一例として、主偏向器２０８、副偏向器２０９、及び副副偏向器２１６といった３段偏向器が用いられる。ＸＹステージ１０５が例えば−ｘ方向に向かって連続移動しながら、１番目のストライプ領域２０についてｘ方向に向かって描画を進めていく。そして、１番目のストライプ領域２０の描画終了後、同様に、或いは逆方向に向かって２番目のストライプ領域２０の描画を進めていく。以降、同様に、３番目以降のストライプ領域２０の描画を進めていく。そして、主偏向器２０８（第１の偏向器）が、ＸＹステージ１０５の移動に追従するように、ＳＦ３０の基準位置Ａに電子ビーム２００を順に偏向する。また、副偏向器２０９（第２の偏向器）が、各ＳＦ３０の基準位置Ａから、ＴＤ４０の基準位置Ｂに電子ビーム２００を順に偏向する。そして、副副偏向器２１６（第３の偏向器）が、各ＴＤ４０の基準位置Ｂから、当該ＴＤ４０内に照射されるビームのショット位置４２に電子ビーム２００を偏向する。このように、主偏向器２０８、副偏向器２０９、及び副副偏向器２１６は、サイズの異なる偏向領域をもつ。そして、ＴＤ４０は、かかる複数段の偏向器の偏向領域のうち、最小偏向領域となる。
【００２８】
図３は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図３において、実施の形態１における描画方法は、ショット分割工程（Ｓ１０２）と、照射量マップ作成工程（Ｓ１０４）と、アンダーサブフィールド（ＴＤ）割振り工程（Ｓ１０６）と、サブフィールド（ＳＦ）割振り工程（Ｓ１０８）と、ＴＤ順序設定工程（Ｓ１１０）と、ＴＤ内総電荷量計算工程（Ｓ１１２）と、ＴＤ熱拡散計算工程（Ｓ１１４）と、ＴＤ代表温度計算工程（Ｓ１１６）と、照射量変調工程（Ｓ１１８）と、描画工程（Ｓ１２０）といった一連の工程を実施する。
【００２９】
ショット分割工程（Ｓ１０２）として、ショット分割部５０は、記憶装置１４０から描画データを入力して、複数段のデータ変換処理を行って、パターン図形を各ショットのショット図形に分割し、描画装置固有のフォーマットとなるショットデータを生成する。
【００３０】
照射量マップ作成工程（Ｓ１０４）として、照射量マップ作成部６４は、所定のサイズのメッシュ領域毎に、必要な照射量を算出する。そして、描画領域全面、或いはストライプ領域毎について照射量マップを作成する。例えば、近接効果を補正する場合には、近接効果メッシュ領域毎に必要な照射量を算出すると好適である。近接効果メッシュ領域のサイズは、近接効果の影響範囲の１／１０程度のサイズが好適である。例えば、１μｍ程度が好適である。照射量マップ作成工程（Ｓ１０４）とショット分割工程（Ｓ１０２）とは並列に処理されると好適である。但し、これに限るものではなく、直列に実施されても構わない。かかる場合、順序はどちらが先でも構わない。
【００３１】
ＴＤ割振り工程（Ｓ１０６）として、ＴＤ割振り部５２は、ショット分割された各ショットデータを、当該ショット図形が配置されるＴＤ４０に割り振る。
【００３２】
ＳＦ割振り工程（Ｓ１０８）として、ＳＦ割振り部５４は、ショットデータがＴＤ４０に割り振られたＴＤデータを、当該ＴＤが配置されるＳＦ３０に割り振る。
【００３３】
ＴＤ順序設定工程（Ｓ１１０）として、ＴＤ順序設定部５６は、ＳＦ３０毎に、当該ＳＦ内の複数のＴＤの描画順序を設定する。
【００３４】
ＴＤ内総電荷量計算工程（Ｓ１１２）として、ＴＤ総電荷量計算部５８（総電荷量算出部）は、最小偏向領域となるＴＤ４０毎に、当該ＴＤ４０内に照射される電子ビーム２００の総電荷量を算出する。ＴＤ内総電荷量計算工程（Ｓ１１２）は、ＳＦ割振り工程（Ｓ１０８）及びＴＤ順序設定工程（Ｓ１１０）の両工程と、並列処理されると好適である。但し、これに限るものではなく、直列に実施されても構わない。かかる場合、順序はどちらが先でも構わない。
【００３５】
図４は、実施の形態１におけるＳＦ内のＴＤ描画スケジュールと各ＴＤの総電荷量を示す概念図である。図４において、一例として、ＳＦ内に配置される左下のＴＤからｘ方向１列目のＴＤ列をｙ方向に向かって順に描画し、ｘ方向１列目の描画が終了後、ｘ方向２列目のＴＤ列の各ＴＤについてｙ方向に向かって順に描画する。そして、ｘ方向３列目以降のＴＤ列の各ＴＤについても同様にｙ方向に向かって順に描画する。図４の例では、以上のような描画スケジュールで描画していく場合を示している。そして、ＴＤ総電荷量計算部５８は、ＴＤ４０毎に、当該ＴＤ４０内に照射される電子ビーム２００の総電荷量を算出する。総電荷量Ｑは、当該ＴＤ内に照射される各ショット図形の面積と照射量の積和で算出される。図４では、かかる総電荷量Ｑを当該ＴＤの描画時間で割った平均電流を描画順序に沿って示している。
【００３６】
図５は、実施の形態１におけるストライプ領域内のＳＦの描画順序の一例を示す概念図である。図５において、各ストライプ領域内のＳＦは、各ストライプ領域に配置される複数のＳＦをｙ方向にまとめた各ＳＦ列について、下のＳＦからｙ方向に向かって順に描画するアップワード（ＵＷＤ）の描画順序と、上のＳＦから−ｙ方向に向かって順に描画するダウンワード（ＤＷＤ）の描画順序との２種類を用意可能である。
【００３７】
図６は、実施の形態１におけるＳＦ内のＴＤの描画順序の一例を示す概念図である。図６において、各ＳＦ内のＴＤは、左下のＴＤからｘ方向に向かって順にｙ方向１列目を描画し、ｙ方向２列目以降も左側端のＴＤからｘ方向に向かって順に描画する描画順序（０）と、左下のＴＤからｙ方向に向かって順にｘ方向１列目を描画し、ｘ方向２列目以降も下側端のＴＤからｙ方向に向かって順に描画する描画順序（１）と、左上のＴＤからｘ方向に向かって順に−ｙ方向１列目を描画し、−ｙ方向２列目以降も左側端のＴＤからｘ方向に向かって順に描画する描画順序（２）と、左上のＴＤから−ｙ方向に向かって順にｘ方向１列目を描画し、ｘ方向２列目以降も上側端のＴＤから−ｙ方向に向かって順に描画する描画順序（３）と、右下のＴＤから−ｘ方向に向かって順にｙ方向１列目を描画し、ｙ方向２列目以降も右側端のＴＤから−ｘ方向に向かって順に描画する描画順序（４）と、右下のＴＤからｙ方向に向かって順に−ｘ方向１列目を描画し、−ｘ方向２列目以降も下側端のＴＤからｙ方向に向かって順に描画する描画順序（５）と、右上のＴＤから−ｘ方向に向かって順に−ｙ方向１列目を描画し、−ｙ方向２列目以降も右側端のＴＤから−ｘ方向に向かって順に描画する描画順序（６）と、右上のＴＤから−ｙ方向に向かって順に−ｘ方向１列目を描画し、−ｘ方向２列目以降も上側端のＴＤから−ｙ方向に向かって順に描画する描画順序（７）と、を用意可能である。
【００３８】
図５，６の描画順序を組み合わせて、ＳＦ及びＴＤの描画順序が設定されればよい。例えば、熱拡散が生じにくい順序で設定するとより好適である。
【００３９】
ＴＤ熱拡散計算工程（Ｓ１１４）として、ＴＤ熱拡散計算部６０は、当該ＴＤよりも前に描画される他のＴＤからの伝熱により生じる温度上昇量δＴｉｊを算出する。ＴＤ熱拡散計算部６０は、温度上昇量算出部の一例である。温度上昇量δＴｉｊは、ｉ番目のＴＤｉが、他のｊ番目のＴＤｊからの伝熱により生じる温度上昇量を示している。温度上昇量δＴｉｊは、他のＴＤが時刻ｔｊに描画された後に、時刻ｔｉに当該ＴＤが描画されるまでの経過時間（ｔｉ−ｔｊ）に依存する。温度上昇量δＴｉｊは、ＴＤｊの総電荷量Ｑｊに依存したＴＤｊ単独による温度上昇Ａ（Ｑｊ）、熱拡散係数ｋ、グルンレンジ（Ｇｒｕｎ  Ｒａｎｇｅ）Ｒｇ、ＴＤｉの座標（Ｘｉ，Ｙｉ）、ＴＤｊの座標（Ｘｊ，Ｙｊ）、ＴＤｉの描画時間ｔｉ、及びＴＤｊの描画時間ｔｊを用いて、次の式（１）で定義できる。かかる式（１）では、一例として、Ｚ（深さ）方向直方体近似で、ＴＤ照射中拡散無視近似の場合を示している。
【００４０】
【数１】
0005636238.tif 000002
【００４１】
ＴＤ熱拡散計算部６０は、ＳＦ内の各ＴＤについて、当該ＴＤよりも前に描画される他のすべてのＴＤから受ける各温度上昇量δＴｉｊを算出する。
【００４２】
ＴＤ代表温度計算工程（Ｓ１１６）として、ＴＤ代表温度計算部６２は、ＴＤ毎に、当該ＴＤよりも前に描画される他のＴＤからの伝熱に基づく、当該ＴＤの代表温度Ｔｉを算出する。ＴＤ代表温度計算部６２は、代表温度算出部の一例である。ＴＤ代表温度計算部６２は、当該ＴＤよりも前に描画される他の複数のＴＤからの伝熱により生じる各温度上昇量δＴｉｊを累積加算することで、当該ＴＤの代表温度Ｔｉを求める。代表温度Ｔｉは、次の式（２）で定義される。
【００４３】
【数２】
0005636238.tif 000003
【００４４】
照射量変調工程（Ｓ１１８）と、照射量変調部６６は、ＴＤ毎に、当該ＴＤｉに照射される照射量Ｄを入力し、当該ＴＤｉの代表温度Ｔｉを用いて当該ＴＤｉに照射される照射量Ｄを変調する。変調後の照射量ＤＴＤｉは、ＤＴＤｉ＝Ｄ・ｆ（Ｔｉ）で求めることができる。当該ＴＤｉを描画する際には、変調後の照射量ＤＴＤｉを一律に用いる。
【００４５】
実施の形態１では、ＳＦよりもさらに小さなＴＤに分割することで、偏向範囲を小さくできるので、副副偏向器２１６用のＤＡＣアンプ１３６を高速化できる。そのため、各ＴＤ内の描画速度を熱拡散速度よりも速くすることができる。よって、ＴＤ照射中の熱拡散を無視した近似を行うことができる。その結果、レジストヒーティング補正が高精度にできる。
【００４６】
描画工程（Ｓ１２０）として、まず、照射時間計算部６８が、ＴＤ毎に照射時間を算出する。照射時間は変調後の照射量ＤＴＤｉを電流密度で割ることで求めることができる。そして、描画処理部７０は、各ＴＤを描画する際には、各ＴＤに対応する照射時間になるように偏向制御回路１２０を制御する。描画処理部７０は、偏向制御回路１２０等を介して描画部１５０を制御して、描画処理を開始する。描画部１５０は、ＴＤ毎に得られた変調後の照射量ＤＴＤｉの電子ビーム２００を用いて、試料１０１上に所望のパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。偏向制御回路１２０は、ショット毎の照射時間を制御するデジタル信号をＤＡＣアンプユニット１３０に出力する。そして、ＤＡＣアンプユニット１３０は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅した上で偏向電圧としてブランキング偏向器２１２に印加する。
【００４７】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、ブランキング偏向器２１２内を通過する際にブランキング偏向器２１２によって、ビームＯＮの状態では、ブランキングアパーチャ２１４を通過するように制御され、ビームＯＦＦの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ２１４で遮へいされるように偏向される。ビームＯＦＦの状態からビームＯＮとなり、その後ビームＯＦＦになるまでにブランキングアパーチャ２１４を通過した電子ビーム２００が１回の電子ビームのショットとなる。ブランキング偏向器２１２は、通過する電子ビーム２００の向きを制御して、ビームＯＮの状態とビームＯＦＦの状態とを交互に生成する。例えば、ビームＯＮの状態では電圧を印加せず、ビームＯＦＦの際にブランキング偏向器２１２に電圧を印加すればよい。かかる各ショットの照射時間で試料１０１に照射される電子ビーム２００のショットあたりの照射量が調整されることになる。
【００４８】
以上のようにブランキング偏向器２１２とブランキングアパーチャ２１４を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１の成形アパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１の成形アパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２の成形アパーチャ２０６上に投影される。偏向器２０５によって、かかる第２の成形アパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形を行なう）ことができる。かかる可変成形はショット毎に行なわれ、通常ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形される。そして、第２の成形アパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８、副偏向器２０９及び副副偏向器２１６によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料１０１の所望する位置に照射される。以上のように、各偏向器によって、電子ビーム２００の複数のショットが順に基板となる試料１０１上へと偏向される。
【００４９】
以上のように、実施の形態１によれば、レジストヒーティング補正を高精度に行うことができる。その結果、レジストヒーティングによるパターンの寸法変動を抑制できる。よって、より精度の高い寸法でパターンを描画できる。
【００５０】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５１】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００５２】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５３】
１０  描画領域
２０  ストライプ領域
３０  ＳＦ
４０  ＴＤ
４２  ショット位置
５０  ショット分割部
５２  ＴＤ割振り部
５４  ＳＦ割振り部
５６  ＴＤ順序設定部
５８  ＴＤ総電荷量計算部
６０  ＴＤ熱拡散計算部
６２  ＴＤ代表温度計算部
６４  照射量マップ作成部
６６  照射量変調部
６８  照射時間計算部
７０描画処理部
７２  メモリ
１００  描画装置
１０１  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機ユニット
１２０  偏向制御回路
１３０，１３２，１３４，１３６  ＤＡＣアンプユニット
１４０  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  第１の成形アパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  偏向器
２０６  第２の成形アパーチャ
２０７  対物レンズ
２０８  主偏向器
２０９  副偏向器
２１２  ブランキング偏向器
２１４  ブランキングアパーチャ
２１６副副偏向器
３３０  電子線
３４０  試料
４１０  第１のアパーチャ
４１１  開口
４２０  第２のアパーチャ
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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