(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック焼結体からなる母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列され、前記配線基板領域の上面に電子部品の搭載部が設けられるとともに、前記配線基板領域の上面および下面の少なくとも一方に、表面にめっき層が被着された金属層が形成された多数個取り配線基板であって、
前記配線基板領域のうち個片の配線基板として不良であるものは、前記金属層の中央部において、レーザ光によって前記めっき層の厚み方向の一部または全部が除去され、前記めっき層の一部または前記金属層が露出して酸化していることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記金属層が、前記配線基板領域の下面に形成された外部接続用の接続パッドを含み、前記配線基板領域のうち個片の配線基板として不良であるものは、前記接続パッドの中央部において、レーザ光によって前記めっき層の厚み方向の一部または全部が除去され、前記めっき層の一部または前記接続パッドが露出して酸化していることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記母基板は、前記配線基板領域の境界に沿ってダイシング加工が施されて切断されるものであり、複数の前記接続パッドが前記配線基板領域の境界に近接して沿うように配列されていることを特徴とする請求項２記載の多数個取り配線基板。
【請求項４】
前記金属層が前記配線基板領域の上面に形成されており、前記配線基板領域のうち個片の配線基板として不良であるものは、前記配線基板領域の上面に形成された前記金属層の中央部において、レーザ光によって前記めっき層の厚み方向の一部または全部が除去され、前記めっき層の一部または前記金属層が露出して酸化していることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するための配線基板となる配線基板領域が複数個、母基板に縦横の並びに配列されてなり、配線基板領域が個片の配線基板に分割される多数個取り配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体からなる絶縁基板の上面に電子部品を搭載するための搭載部を有し、この搭載部またはその周辺を含む絶縁基板の上面から下面にかけてタングステン等の金属材料からなる複数の金属層が形成されたものが多用されている。金属層は、絶縁基板の上面から下面にかけて形成された配線導体や、絶縁基板の下面に形成された外部接続用の接続パッド等である。
【０００３】
このような配線基板は、一般に、１枚の広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。多数個取り配線基板は、例えば、平板状の母基板に配線基板となる配線基板領域が縦横の並びに複数個配列形成された構造を有している。
【０００４】
このような多数個取り配線基板は、例えば、配線基板領域の境界において母基板にダイシング加工等の切断加工を施すことにより、個片の配線基板に分割される。ダイシング加工は、一般に、多数個取り配線基板を粘着テープ（いわゆるダイシングテープ）に貼り付けた状態で行なわれ、個片に切断された多数個取り配線基板の複数の配線基板領域（個々の配線基板）がばらばらにならないようにしている。
【０００５】
なお、この切断の前に、各配線基板領域について、電気的な特性や外観等の検査が行なわれ、これらの検査項目において不具合が発見された配線基板領域は、個々の配線基板として不良として判定され、個片に分割された後に、他の配線基板（不良ではないもの）とは別にダイシングテープから剥がされて、廃棄等の処置が行なわれる。この、不良として判定された配線基板領域の識別用のマークには、従来、油性インクが用いられている。油性インクで配線基板領域の接続パッドや配線導体の露出部分を塗りつぶしたり、母基板の表面（上面等）に円形等の図形を描いたりして識別用のマーク（いわゆるバッドマーク）としていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開2005−243468号公報
【特許文献２】特開2002−246400号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来技術の多数個取り配線基板は、個片の配線基板として不良の配線基板領域を識別するためのマークが油性インクで描かれているため、他の検査や洗浄，搬送等の多数個取り配線基板の取り扱い時にマークが薄くなったり、部分的に消えたりして識別しにくくなる可能性があるという問題点があった。
【０００８】
また、油性インクに含まれる溶剤等の有機物が気化した成分が配線基板領域の表面に付着して、配線導体における電子部品との接続信頼性や、接続パッドの外部電気回路に対す
る接続信頼性等を低下させる可能性があるという問題点があった。
【０００９】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、不良の配線基板領域の識別が容易かつ確実であり、また、電子部品や外部電気回路等に対する接続信頼性の高い配線基板を作製することが可能な多数個取り配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の多数個取り配線基板は、セラミック焼結体からなる母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列され、前記配線基板領域の上面に電子部品の搭載部が設けられると
ともに、前記配線基板領域の上面および下面の少なくとも一方に、表面にめっき層が被着された金属層が形成された多数個取り配線基板であって、前記配線基板領域のうち個片の配線基板として不良であるものは、前記金属層の中央部において、レーザ光によって前記めっき層の厚み方向の一部または全部が除去され、前記めっき層の一部または前記金属層が露出して酸化していることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記金属層が、前記配線基板領域の下面に形成された外部接続用の接続パッドを含み、前記配線基板領域のうち個片の配線基板として不良であるものは、前記接続パッドの中央部において、レーザ光によって前記めっき層の厚み方向の一部または全部が除去され、前記めっき層の一部または前記接続パッドが露出して酸化していることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記母基板は、前記配線基板領域の境界に沿ってダイシング加工が施されて切断されるものであり、複数の前記接続パッドが前記配線基板領域の境界に近接して沿うように配列されていることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記金属層が前記配線基板領域の上面に形成されており、前記配線基板領域のうち個片の配線基板として不良であるものは、前記配線基板領域の上面に形成された前記金属層の中央部において、レーザ光によって前記めっき層の厚み方向の一部または全部が除去され、前記めっき層の一部または前記金属層が露出して酸化していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の多数個取り配線基板によれば、配線基板領域のうち個片の配線基板として不良であるものは、金属層の中央部において、レーザ光によってめっき層の厚み方向の一部または全部が除去され、めっき層の一部または接続パッドが露出して酸化していることから、この金属層において、レーザ光によるめっき層の除去が行なわれた一部を除く他の部分（残部）と、めっき層または金属層の酸化して黒く変色した部分との間で色調や光の反射率等の差が大きいため、このようなレーザ光による加工が行なわれたか否かの識別が容易である。そのため、各配線基板領域について、このようなマークが設けられた、つまり個片の配線基板として不良であるものか否かの識別が容易である。
【００１５】
また、このマークは、レーザ光で除去されためっき層の厚み方向の一部（表面部分）の下側のめっき層の一部または金属層そのものが酸化して形成されたものであるため、塗布された油性インクにように検査や搬送等の取り扱いで剥がれて薄くなることは効果的に抑制される。また、油性インクにおける溶剤のような気化成分を生じることがない。
【００１６】
したがって、不良の配線基板領域の識別が容易かつ確実であり、また、電子部品や外部電気回路等に対する接続信頼性の高い配線基板を作製することが可能な多数個取り配線基
板を提供することができる。
【００１７】
また、本発明の多数個取り配線基板において、レーザ光による加工は、金属層の部分のみであり、母基板の下面には施されていない。そのため、レーザ光による加工で母基板の下面における表面粗さが粗くなることがなく、ダイシングテープの母基板の対する粘着力が不要に高くなり過ぎることがない。したがって、個片に分割した配線基板をダイシングテープから剥がすことが容易であり、個片の配線基板の生産性を高く確保することもできる。
【００１８】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、金属層が、配線基板領域の下面に形成された外部接続用の接続パッドを含み、配線基板領域のうち個片の配線基板として不良であるものは、接続パッドの中央部において、レーザ光によってめっき層の厚み方向の一部または全部が除去され、めっき層の一部または接続パッドが露出して酸化している場合には、一般に、配線基板領域２の下面に複数個形成される接続パッド４をバッドマークとして利用することができるため、配線基板として不良である配線基板領域２の認識が容易である。
【００１９】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記金属層が接続パッドを含む構成において、母基板が、配線基板領域の境界に沿ってダイシング加工が施されて切断されるものであり、複数の接続パッドが配線基板領域の境界に近接して沿うように配列されている場合には、接続パッドのうちレーザ光による加工が行なわれていない残部にめっき層が被着され、これを画像認識装置等で周囲の母基板の表面等と分けて認識することが容易であるため、個片の配線基板領域の外周位置の検知が容易であり、ダイシング加工の際の位置決めも容易である。したがって、この場合には、個片の配線基板の生産性がより高い多数個取り配線基板を提供することができる。
【００２０】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、金属層が配線基板領域の上面に形成されており、配線基板領域のうち個片の配線基板として不良であるものは、配線基板領域の上面に形成された金属層の中央部において、レーザ光によってめっき層の厚み方向の一部または全部が除去され、めっき層の一部または金属層が露出して酸化している場合には、多数個取り配線基板を個片に分割する際に表に露出する面である上面にバッドマークが形成されるため、個片の配線基板として不良である配線基板領域の認識をより容易に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）は本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す上面図であり、（ｂ）はその下面図である。
【図２】図１に示す多数個取り配線基板の要部を拡大して示す要部拡大下面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の多数個取り配線基板の要部における断面の一例を示す要部拡大断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大上面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の多数個取り配線基板について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００２３】
以下の実施の形態の説明においては、主に、バッドマークとして利用される金属層が配線基板領域の下面に形成された接続パッドである場合を例に挙げて説明する。
【００２４】
図１（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す上面図であり、図１（ｂ）は、その下面図であり、図２は図１（ｂ）の要部を拡大して示す要部拡大下面図である。母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列されて多数個取り配線基板９が基本的に形成されている。
【００２５】
母基板１は、ガラスセラミック焼結体，酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ムライト質焼結体等のセラミック焼結体からなる絶縁材料により形成されている。また、この実施の形態の例において、母基板１の外周には、配列された複数の配線基板領域２を取り囲むようにダミー領域８が設けられている。ダミー領域８は、多数個取り配線基板９の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。
【００２６】
母基板１に配列された複数の配線基板領域２は、それぞれが個片の配線基板（図示せず）となる領域である。母基板１が配線基板領域２の境界２ａにおいて切断されることにより、複数の配線基板が同時集約的に製作される。
【００２７】
個片の配線基板は、例えば電子部品搭載用基板として使用され、配線基板領域２の上面の中央部や下面等に電子部品の搭載部２ｂが設けられている。図１に示す例においては、配線基板領域２の上面の中央部に凹部（符号なし）が設けられ、その凹部の底面が電子部品の搭載部２ｂとされている。
【００２８】
なお、母基板１は、このような凹部を配線基板領域２に有しているものである必要はなく、平板状のもの（図示せず）として、配線基板領域２の平坦な上面の一部を搭載部２ｂとしたものでもよい。
【００２９】
搭載部２ｂに搭載される電子部品（図示せず）としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子、およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子、容量素子、抵抗器、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。
【００３０】
電子部品は、搭載部２ｂに、例えばエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂，アクリル系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリエーテルアミド系樹脂等の樹脂接着剤や、Ａｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｐｂ等のはんだや、ガラス等で接着される。
【００３１】
母基板１の上面および下面の少なくとも一方には、配線導体３や接続パッド４等の金属層（符号なし）が形成されている。金属層は、例えば、搭載部２ｂに搭載される電子部品と外部の電気回路とを電気的に接続するための導電路や、電子部品封止用の蓋体（図示せず）を接合するための下地金属層等を形成するものである。
【００３２】
図１に示す例においては、母基板１に、搭載部２ｂの外周部分から配線基板領域２の下面にかけて配線導体３が形成されている。配線導体３は、搭載部２ｂに搭載される電子部品と電気的に接続されて、電子部品を外部の電気回路に電気的に接続する導電路の一部として機能する。このような配線導体３は、タングステンやモリブデン，マンガン，銅銀，
パラジウム，白金，金，等の金属材料により形成されている。
【００３３】
配線導体３は、例えばタングステンからなる場合であれば、タングステンの粉末を有機溶剤，バインダとともに混練して金属ペーストを作製し、この金属ペーストを母基板１となるセラミックグリーンシートに所定のパターンで印刷した後、同時焼成する方法で形成することができる。
【００３４】
電子部品と配線導体３との電気的な接続は、例えば、配線導体３のうち搭載部２ｂの外周部分に露出している部位に電子部品の電極（図示せず）を、ボンディングワイヤやはんだ等の導電性接続材（図示せず）を介して接続することにより行なうことができる。
【００３５】
配線基板領域２の下面には接続パッド４が形成されている。接続パッド４は、個片の配線基板（実際には配線基板に電子部品が実装されてなる電子装置）（図示せず）を外部電気回路に電気的に接続させるためのものである。例えば、はんだや導電性接着剤等の導電性接続材を介して接続パッド４を外部電気回路の所定位置に接続すれば、配線基板が外部電気回路と電気的に接続される。また、この接続パッド４を配線導体３と電気的に接続しておけば、配線導体３および接続パッド４を介して、電子部品と外部電気回路とを電気的に接続させることができる。
【００３６】
これらの接続パッド４および配線導体３の露出部分には、ボンディングワイヤやはんだ等との接続を容易かつ強固なものとするために、例えばニッケルや金等のめっき層５が被着されている。
【００３７】
この多数個取り配線基板９は、例えば紫外線を照射することにより粘着力を弱くすることができるような粘着テープ（いわゆるダイシングテープ）に下面側が貼り付けられて、ダイシング加工が施され、個片の配線基板に分割される。個片に分割されたそれぞれの配線基板は、ダイシングテープに貼り付いているのでばらばらになることはなく、例えば搬送や電子部品の搭載のためのセット等の取り扱いが容易である。個片に分割された配線基板に対する電子部品の搭載は、後述するような不良の配線基板がダイシングテープから取り外された後に行なわれる。
【００３８】
本発明の多数個取り配線基板９においては、配線基板領域２のうち個片の配線基板として不良であるものは、金属層である接続パッド４の中央部において、レーザ光によってめっき層５の厚み方向の一部または全部が除去され、めっき層５の一部または接続パッド４が露出して酸化している。なお、図１では、このめっき層５の一部または接続パッド４の露出した部分を省略している。
【００３９】
個片の配線基板として不良であるものは、例えば、配線導体３や配線導体３と接続パッド４との間における断線または電気的短絡等の不良、配線導体３における静電容量や電気抵抗，インピーダンス等の電気特性の規格値からの外れ、配線導体３や接続パッド４等における変色、配線基板領域２の全体における欠けや異物の付着等の外観上の不具合等が発生しているものである。これらの不具合等は、電気特性の測定や画像認識装置による外観検査により検知される。
【００４０】
そして、そのような個片の配線基板として不良である配線基板領域２に対して、上記のように接続パッド４の一部（例えば、図２に示す例のような中央部）でめっき層５の厚み方向の一部または接続パッド４を露出させて酸化させているので、この酸化した部分が識別用のマークとなって、その配線基板領域２（配線基板）が不良であることを容易に識別することができる。
【００４１】
すなわち、上記のようにめっき層５の厚み方向の一部または接続パッド４が露出して酸化していることから、接続パッド４において、レーザ光によるめっき層５の除去が行なわれた一部を除く他の部分（残部）と、めっき層５または接続パッド４の酸化して黒く変色した部分との間（図２に示す例では中央部と外周部との間）で色調や光の反射率等の差が大きいため、このようなレーザ光による加工が行なわれたか否かの識別が容易である。そのため、各配線基板領域２について、このようなマークが設けられた、つまり個片の配線基板として不良であるものか否かの識別が容易である。
【００４２】
また、このマークは、レーザ光で除去されためっき層５の厚み方向の一部（表面部分）の下側のめっき層５の一部または接続パッド４そのものが酸化して形成されたものであるため、塗布された油性インクにように検査や搬送等の取り扱いで剥がれて薄くなることは効果的に抑制される。また、油性インクにおける溶剤のような気化成分を生じることもない。
【００４３】
したがって、不良の配線基板領域２の識別が容易かつ確実であり、また、電子部品や外部電気回路等に対する接続信頼性の高い配線基板を作製することが可能な多数個取り配線基板９を提供することができる。
【００４４】
また、レーザ光による加工は、接続パッド４の部分のみであり、母基板１の表面には施されていない。そのため、レーザ光による加工で母基板１の下面における表面粗さが粗くなることがなく、ダイシングテープの母基板１の対する粘着力が不要に高くなり過ぎることはない。したがって、個片に分割した配線基板をダイシングテープから剥がすことが容易であり、個片の配線基板の生産性を高く確保することもできる。
【００４５】
本発明の多数個取り配線基板において、上記のように、金属層が、配線基板領域２の下面に形成された外部接続用の接続パッド４を含み、配線基板領域２のうち個片の配線基板として不良であるものは、接続パッド４の中央部において、レーザ光によってめっき層５の厚み方向の一部または全部が除去され、めっき層５の一部または接続パッド４が露出して酸化している場合には、一般に、配線基板領域２の下面に複数個形成される接続パッド４をバッドマークとして利用することができるため、配線基板として不良である配線基板領域２の認識が容易である。
【００４６】
例えば、配線基板領域２の上面側に形成される配線導体３等の金属層の面積が小さい場合や個数が少ない場合のように、上面側に識別しやすいバッドマークを形成するのが難しいときでも、接続パッド４においてめっき層５をレーザ光で除去して、識別が容易なバッドマークを配線基板領域２に形成することができる。
【００４７】
なお、バッドマークを形成するための金属層としての接続パッド４は、その全面においてレーザ光でめっき層５が除去されると、全面が酸化して黒色等に変色するため、識別が困難になる。そのため、レーザ光による上記加工は、接続パッド４の中央部等の一部に対して行なう。この場合、加工の位置ずれ等に起因して、レーザ光が誤って母基板１の下面に照射されることを防ぐ上では、レーザ光による加工は接続パッド４の外周を避けて行なうことが好ましい。
【００４８】
なお、接続パッド４は、上記のようにレーザ光でめっき層５を除去する前に、この除去する範囲内において表面に油性インクで印を付けておいて、この油性インクを含めてめっき層５をレーザ光で除去するようにしてもよい。この場合、加工後の多数個取り配線基板には油性インクが残らないため、従来技術のような不具合は生じない。また、油性インクで印を付けているので、レーザ加工すべき配線基板領域２および接続パッド４の認識が容易であるため、多数個取り配線基板の生産性の点でも有利である。
【００４９】
このようなレーザ光による加工の範囲（パターン）としては、図２に示したような、接続パッド４と相似形状の四角形状に限らず、円形状や楕円形状，四角枠状，円環状，楕円環状等の他のパターンでもよい。
【００５０】
この加工に用いるレーザ光としては、例えば波長が約0.8〜1.3μｍ程度のＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）レーザを用いることができる。
【００５１】
また、レーザ光で除去されるめっき層５の厚み方向の一部は、例えば図３（ａ）に示すように、接続パッド４の表面から順にニッケルめっき層５ａおよび金めっき層５ｂが被着されているときの金めっき層５ｂである。また、めっき層５を厚み方向に全部除去して接続パッド４を露出させる場合であれば、例えば図３（ｂ）に示すように、ニッケルおよび金めっき層５ａ，５ｂの両方である。なお、図３（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板９の要部における断面の一例を示す要部拡大断面図である。図３において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５２】
めっき層５は、上記のようなニッケルめっき層５ａと金めっき層５ｂとに限らず、ニッケル−コバルト合金や銅，パラジウム，白金，錫等の他の金属材料からなるめっき層（図示せず）であってもよい。めっき層５が１層のみの場合であれば、そのめっき層５を厚み方向に全部除去したときには、接続パッド４が露出して酸化することになる。
【００５３】
めっき層５は、例えばニッケルめっき層５ａであれば、硫酸ニッケルを主成分とする電解めっき用のニッケルめっき液中に多数個取り配線基板９を浸漬した状態で、所定の電流密度および時間でめっき用の電流を各接続パッド４に供給すれば被着させることができる。この場合、接続パッド４に対するめっき用の電流の供給は、配線導体３を通じて行なうことができ、この際に、配線導体３の露出部分にも接続パッド４と同様にニッケルめっき層（図示せず）を被着させることができる。なお、金めっき層５ｂおよびその他の金属材料からなるめっき層の場合も、用いるめっき液をそれぞれの金属材料に応じて適宜変更（例えばシアン系の金めっき液等に変更）すれば、ニッケルめっき層５ａと同様に被着させることができる。
【００５４】
ここで、レーザ光による加工の具体例を説明する。
【００５５】
配線基板領域２が、１辺の長さが２×2.2ｍｍの長方形状であり、母基板１に12×12個
の並びで配列されている多数個取り配線基板９において、接続パッド４を、タングステンのメタライズ層からなる１辺の長さが約0.4ｍｍの正方形状として、配線基板領域２の下
面の４つの角部および各辺の中央部に１つずつ配置したときに、接続パッド４の表面に、厚さが約２〜10μｍのニッケルめっき層５ａと、厚さが約0.5〜１μｍの金めっき層５ｂ
とを順次被着させた。
【００５６】
そして、100個の多数個取り配線基板９（14400個の配線基板領域２）について電気特性および外観の検査を行ない、この検査で個片の配線基板として不良と判定された配線基板領域２（64個）について、接続パッド４の中央部における１辺の長さが約0.35ｍｍの正方形状の範囲において、出力が10Ｗ（ワット）のＹＡＧレーザを用いて加工を行ない、金めっき層５ｂを除去し、ニッケルめっき層５ａを露出させて酸化させた。酸化したニッケルめっき層５ａの露出部分は酸化ニッケルであり、色調は黒色であった。
【００５７】
これらの多数個取り配線基板９について、厚みが約500μｍのダイシングテープ（図示
せず）を下面側の全面に貼り付けて、不良である配線基板（配線基板領域２）の識別を画像認識装置を用いて行なった。その結果、上記のようにニッケルめっき層５ａを露出およ
び酸化させたものは、その全部が画像認識装置で検知された。また、目視による検知も行なったが、この場合も検知が容易であった。
【００５８】
また、個片の配線基板に分割した後、不良でない配線基板について、接続パッド４を外部電気回路（プリント配線基板の銅めっき回路）にはんだを用いて接続した後、配線基板を外部電気回路から引き剥がす試験（引き剥がし試験）を行なった。その結果、剥がれのモードはいずれもはんだの内部における破壊であり、はんだと接続パッド４との間の接続の強度が十分に強固であることが確認された。
【００５９】
これに対し、従来技術による、油性インクを用いて不良の配線基板領域２に描いたマークでは、上記本発明の多数個取り配線基板９の具体例と同様の条件において、約0.9％の
割合でマークが識別されないものが発生していた。また、上記の引き剥がし試験において、約0.1％の配線基板において、はんだと接続パッド４との界面における破壊が生じ、は
んだの剥がれが発生していた。
【００６０】
なお、接続パッド４は、図１に示した例のように複数が配線基板領域２の外周に沿って配列形成されたものに限らず、例えば図４（ａ）に示すように配線基板領域２に１つのみの場合や、図４（ｂ）に示すように、複数が配線基板領域２の中央に配置されているようなものであってもよい。なお、図４（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板９における実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図である。図４において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００６１】
図４（ａ）に示す例は、例えば接地用の接続パッド４をできるだけ広い面積で配線基板領域２の下面に設けて接地を安定させるような場合である。この例では、接続パッド４の中央部に四角枠状の範囲でレーザ光による加工を行ない、めっき層５の厚み方向の一部、または接続パッド４を露出させて酸化させている。また、図４（ｂ）に示す例は、例えば電極の数が多い半導体素子を電子部品として搭載するようなときに、その電極パッドに合わせて多数の接続パッド４を配列形成するような場合である。この例では、縦横の並びにに配列された複数の接続パッド４のうち外周に位置するもののみに対してレーザ光による加工を行ない、めっき層５の厚み方向の一部、または接続パッド４を露出させて酸化させている。レーザ光による加工の範囲を小さく抑えておけば、生産性を高く維持する上で有利である。
【００６２】
多数個取り配線基板９は、前述したように、配線基板領域２の境界２ａ（この例では、配線基板領域２同士の境界および配線基板領域２とダミー領域８との境界）においてダイシング加工を施して個々の配線基板領域２毎に切断することにより、個片の配線基板に分割される。
【００６３】
ダイシング加工による母基板１の切断は、ダイヤモンド等の砥粒がガラスや樹脂材料等の結合材で結合されてなるダイシングブレードを高速（約5000〜15000回転／分）で回転
させて、配線基板領域２の境界２ａにおいて母基板１を切断することにより行なわれる。ダイシングブレードの母基板１に対する位置決めは、例えば母基板１にあらかじめ位置決め用のパターン（図示せず）を設けておいて、その位置を画像認識装置で認識させることにより行なう。この位置決め用のパターンは、例えば配線導体３と同様の材料を用い、同様の方法で母基板１に形成することができる。また、位置決め用のパターンは、母基板１を形成するのと同様の材料に顔料等の着色剤を添加して形成してもよい。また、このようなパターンに限らず、母基板１の外縁部分等の一部を切り欠いてなる切り欠き部（図示せず）等を位置決めの基準としてもよい。
【００６４】
また、この多数個取り配線基板９は、母基板１が、例えば上記のように配線基板領域２
の境界２ａに沿ってダイシング加工が施されて切断されるものであり、複数の接続パッド４が配線基板領域２の境界２ａに近接して沿うように配列されている場合には、接続パッド４のうちレーザ光による加工が行なわれていない残部にめっき層５が被着され、これを画像認識装置等で認識することが容易であるため、個片の配線基板領域２の外周位置の検知が容易であり、ダイシング加工の際の位置決めも容易である。したがって、この場合には、個片の配線基板の生産性がより高い多数個取り配線基板９を提供することができる。
【００６５】
この場合、接続パッド４について、前述したように接続パッド４の外周を避けてレーザ光による加工を行なうようにしておけば、接続パッド４の外周に光の反射率が比較的高く識別が容易なめっき層５が残るので、接続パッド４の外周の位置、およびそれに近接する配線基板領域２の境界２ａの位置の検知が容易である。
【００６６】
なお、このようなダイシング加工時の効果を得る上で、接続パッド４は、必ずしも、例えば図１（ｂ）に示したような、全部が配線基板領域２の下面の外辺に沿って、この外辺からの距離が同じになるように配列されているものである必要はない。例えば、図５（ａ）に示すように、四角形状の配線基板領域２の下面の４つの角部に配置されているような場合や、図５（ｂ）に示すように、一部の接続パッド４が他のものよりも配線基板領域２の境界２ａから離れているような場合でも、接続パッド４の位置を基にして、個片の配線基板領域２の外周位置を検知することができる。なお、図５（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大下面図である。図５において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００６７】
図５（ａ）に示す例は、例えば、接続用の電極を４つ有する弾性表面波素子を電子部品として搭載するような配線基板（配線基板領域２）の場合であり、図５（ｂ）に示す例は、例えば、作動時の発熱量が大きい半導体素子を電子部品として搭載するような場合に、接続パッド４を配線基板領域２の下面の角部を避けて配置して、個片の配線基板を外部電気回路に接続したときの熱応力が一部の接続パッド４に集中するのを抑制するような場合である。
【００６８】
（金属層が母基板１の上面に形成されている場合）
以下の実施の形態の例においては、バッドマークとして利用される金属層が配線基板領域２の上面に形成された金属層である場合を例に挙げて説明する。この実施の形態においては、レーザ光でめっき層５の一部が除去される金属層が配線基板領域２の上面に形成されている点が上記の実施の形態（バッドマークとして利用される金属層が接続パッド４である場合）と異なり、他の点については同様である。この、上記の実施の形態と同様の部分については説明を省略する。
【００６９】
図６（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例における要部を示す要部上面図である。図６において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００７０】
図６（ａ）に示す多数個取り配線基板は、上記本発明の多数個取り配線基板の構成を備えているとともに、金属層として複数の配線導体３が配線基板領域２の上面に形成されている。配線導体３の表面には、ボンディングワイヤやはんだ等の導電性接続材の接続をより容易かつ強固なものとするために、接続パッド４と同様に、ニッケルめっき層や金めっき層（図６においては図示せず）等のめっき層５が被着されている。そして、配線基板領域２のうち個片の配線基板として不良であるものは、配線基板領域２の上面に形成された配線導体３（金属層）の中央部において、レーザ光によってめっき層５の厚み方向の一部または全部が除去され、めっき層５の一部または配線導体３が露出して酸化している。
【００７１】
なお、図６（ａ）に示す例においては、全ての配線導体３において、配線導体３の中央部のめっき層５を厚み方向に全部除去して、金属層としての配線導体３の表面を露出および酸化させている。配線導体３は配線基板領域２の上面に多数が形成されているので、多数個取り配線基板９の上面側から不良の配線基板領域２を識別することが容易である。
【００７２】
図６（ｂ）に示す多数個取り配線基板は、配線基板領域２の搭載部２ｂに金属層が、電子部品を金−シリコンろう材等の接合材を介して接合するための接合層６として形成されている。接合層６は、ろう材等の接合材の接合をより容易かつ強固なものとするために、接続パッド４と同様にめっき層５が被着されている。この例においても、配線基板領域２のうち個片の配線基板として不良であるものは、接合層６の中央部において、レーザ光によってめっき層５の厚み方向の一部または全部が除去され、めっき層５の一部または配線導体３が露出して酸化している。
【００７３】
なお、図６（ｂ）に示す例においては、接合層６の中央部について、四角形状の接合層６よりも少し小さい四角形状の範囲でめっき層５を厚み方向に全部除去して、金属層としての接合層６の表面を露出および酸化させている。接合層６は、一般に配線導体３や接続パッド４よりも大きなパターンで形成されるので、めっき層５を除去して露出および酸化させたときの識別が容易である。
【００７４】
なお、配線導体３や接合層６の場合にも、めっき層５を除去させる範囲は、四角形状以外に、円形状や楕円形状，環状，枠状，三角形状等の四角形以外の多角形状，不定形状等の形状でもよく、記号等でもよい。
【００７５】
このように、母基板１の上面に金属層が形成され、この、配線基板領域２の上面に形成された金属層（配線導体３や接合層６等）の中央部において、レーザ光によってめっき層５の厚み方向の一部または全部が除去され、めっき層５の一部または金属層が露出して酸化している場合には、多数個取り配線基板９を個片に分割する際に表に露出する面である上面にバッドマークが形成されるため、個片の配線基板として不良である配線基板領域２の認識をより容易に行なうことができる。
【００７６】
配線導体３や接合層６等の、母基板１の上面の金属層に対するレーザ光の照射は、接続パッド４の場合と同様の条件で行なうようにすればよい。
【００７７】
なお、母基板１の上面の配線導体３を、レーザ光でめっき層５の一部を除去する金属層とする場合には、個々の配線導体３の線幅等の寸法が接続パッド４に比べて小さい場合がある。この場合には、個々の配線導体３の中央部分等にレーザ光の照射によるめっき層５の除去を行なうことが難しい。そのため、例えば、図７（ａ）に示すように、長さ方向に沿って配列された複数の配線導体３を線幅方向につなぐようなパターンでレーザ光を照射して、めっき層５の一部または金属層である配線導体３を露出させるようにしてもよい。この際に、レーザ光の照射によって母基板１の表面粗さが粗くなったとしても、この上面をダイシングテープに貼り付けないようにすれば（ダイシングテープを母基板１の下面に貼り付けるようにすれば）、ダイシングテープが母基板１から剥がれにくくなるようなことはない。
【００７８】
また、母基板１の上面に形成された、上記バッドマークとなる金属層は、例えば図７（ｂ）に示すようなダミー金属層７であってもよい。ダミー金属層７は、配線導体３や接続パッド４と異なり、搭載部２ｂに搭載される電子部品とは電気的に接続されず、例えば単に母基板１の上面に被着されるのみである。なお、図７（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す上面図である。図７において図
１および図２ならびに図６と同様の部位には同様の符号を付している。
【００７９】
図７（ｂ）に示す例においては、搭載部２ｂの外側に、配線基板領域２のコーナー部（右上隅）に円形状のダミー金属層７を形成して、このダミー金属層７の中央部でめっき層５を厚み方向に全部除去している。ダミー金属層７は、正常な配線基板領域２（個片の配線基板）において、特定の配線導体３の位置を示すためのインデックスマークとして利用することもできる。
【００８０】
なお、以上の、図６および図７に示す例においては、個片の配線基板として不良の配線基板領域２において、配線基板領域２の上面の金属層（配線導体３や接合層６，ダミー金属層７）をバッドマークとするときに、めっき層５を厚み方向に全部除去しているが、これらの例においても、めっき層５の厚み方向の一部のみ（例えば金めっき層）を除去して、露出するめっき層５の一部（例えばニッケルめっき層）の表面を酸化させるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８１】
１・・・母基板
２・・・配線基板領域
２ａ・・配線基板領域の境界
２ｂ・・搭載部
３・・・配線導体
４・・・接続パッド
５・・・めっき層
５ａ・・ニッケルめっき層
５ｂ・・金めっき層
６・・・接合層
７・・・ダミー金属層
８・・・ダミー領域
９・・・多数個取り配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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