(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続されている第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上面及び側面と接する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上及び前記第１の電極上の有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上及び前記第２の絶縁層上の第２の電極と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板上のトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続されている第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上面及び側面と接する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上及び前記第１の電極上の有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上及び前記第２の絶縁層上の第２の電極と、を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の電極の上面の一部と接しており、
前記有機化合物を含む層は、前記第２の絶縁層を介して、前記第１の絶縁層の上端部と重なることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置を用いた表示装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の発光装置を用いた照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に有機化合物を含む膜（以下、「有機化合物層」と記す）を設
けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得られる発光素子を用いた発光装置及び
その作製方法に関する。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発
光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例え
ばFPC（Flexible printed circuit）もしくはTAB（Tape Automated Bonding）テープもし
くはTCP（Tape Carrier Package）が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先に
プリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG（Chip On Glass）方式に
よりIC（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
【０００３】
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として
用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特
に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視
野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００４】
発光素子の発光機構は、一対の電極間に有機化合物層を挟んで電界を印加することによ
り、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心
で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放
出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光は
どちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００５】
このような発光素子をマトリクス状に配置して形成された発光装置には、パッシブマト
リクス駆動（単純マトリクス型）とアクティブマトリクス駆動（アクティブマトリクス型
）といった駆動方法を用いることが可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画
素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧
駆動できるので有利であると考えられている。
【０００６】
また、本出願人は、発光装置の帯電防止の対策として特許文献１に記載の技術を提案し
ている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３３４７９０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合、絶縁表面を有する基板上にスイッチ
ング素子としてＴＦＴを形成し、該ＴＦＴと電気的に接続する画素電極を陽極または陰極
としたＥＬ素子をマトリクス状に配置する。
【０００９】
なお、絶縁表面を有する基板上にＴＦＴを形成する生産工場、もしくは半導体基板に集
積回路を形成する生産工場においては、工場内を高い清浄度に保ち、不純物が精密な素子
に混入しないように注意を払っている。特に、半導体素子に影響を与えるアルカリ金属元
素は避けられている。
【００１０】
一方、ＥＬ素子を形成するには、陰極として仕事関数の小さい材料、特にアルカリ金属元
素を用いることが好ましく、さらに発光層となる有機化合物を含む層の形成も必要である
。
【００１１】
従って、基板上にＴＦＴとＥＬ素子とを作製する場合、汚染を防ぐため、ＴＦＴを作製す
る装置の設置場所と、ＥＬ素子を形成する装置の設置場所を隔離することが考えられる。
例えば、装置間に仕切りを設けて別々の清浄機を用いたり、装置が設置されている棟を別
々にしたり、工場自体を別々の場所に設置すればよい。
【００１２】
隔離した場合には、互いの設置場所の間で基板を搬送する必要性が発生する。そして、互
いの設置場所の間で基板を搬送する際には、静電破壊の恐れやゴミが付着する恐れがある
。
【００１３】
また、基板や有機絶縁膜や無機絶縁膜などは絶縁体であるので、その表面に静電気が帯
電しやすく、このために帯電した表面にゴミが引きつけられて付着したり、他の物体に触
れると静電放電が生じる恐れもある。
【００１４】
また、発光層となる有機化合物を含む層は膜厚が薄いため、表面における凹凸の大きさ
、即ち、段差が大きいとカバレッジ不良が生じやすいという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、上記課題を解決するため、新規な構成を有する隔壁を形成するものである。本
発明は図１（Ｂ）にその一例を示すように、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を備えた発光装置であって、
第１の電極の端部を覆う第１の隔壁と、該第１の隔壁の側壁となる第２の隔壁とを有する
ことを特徴とする発光装置である。
【００１６】
上記構成とすることで、第１の隔壁の上面形状を縮小しても第２の隔壁によりカバレッ
ジ不良が低減される。アクティブマトリクス型表示装置またはパッシブマトリクス型表示
装置を高精細化するためには隔壁の上面形状も小さくして高精細化を可能にする必要があ
る。第１の隔壁の材料として、無機絶縁膜、または非感光性樹脂を用いてドライエッチン
グを行う場合、高精細なパターン形状を実現できる一方、ドライエッチングを行うと第１
の隔壁の側面が荒れたり、側面が基板平面となす角度（テーパー角度）が大きくなりすぎ
る場合がある。そこで、両方の側面のみを覆う第２の隔壁を形成することによって、第１
の隔壁の両方の側面の荒れを覆い滑らかなものとする。
【００１７】
第１の隔壁および第２の隔壁の材料としては、スパッタ法、ＰＣＶＤ法、または塗布法
により得られる無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＳｉＯＦ膜
、ＳｉＯＮＦ膜など）、或いは塗布法により得られる感光性または非感光性の有機材料（
ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブ
テン）、或いは塗布法により得られるＳＯＧ膜（シロキサン構造を有する絶縁膜）、また
はこれらの積層などを適宜用いることができる。また、絶縁物として、感光用の光によっ
てエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となる
ポジ型のいずれも使用することができる。また、第１の隔壁のみでも電極間は絶縁できる
ため、特に絶縁性は低くてもよく、第２の隔壁の他の材料としては、半導体材料（ドーピ
ングされた半導体材料を含む）を用いることもできる。
【００１８】
また、第１の隔壁と第２の隔壁は、同じ材料を用いることもできるが、異なる材料とす
ることが好ましい。蒸着法で有機化合物を含む層を形成する場合、蒸着マスクと第１の隔
壁は接することになり、蒸着の廻り込みを防ぐには第１の隔壁の高さ（膜厚）は１μｍ以
下、（好ましくは０．５μｍ〜１μｍ）とすることが好ましい。薄い膜厚を有機材料で確
保することは困難であるため、無機絶縁材料を用いることが好ましい。露光を用いて感光
性樹脂からなる隔壁を形成した場合には上端部は曲面となり裾状となった領域の幅（片側
の幅）は５μｍ、またはそれ以上となり、合計１０μｍ以上の幅の隔壁となって結果的に
開口率を下げていた。本発明では、幅の狭い隔壁を形成することができ、例えば、第１の
隔壁の幅を１μｍ、第２の隔壁の幅を１μｍとして合計３μｍの幅の隔壁を形成すること
ができる。第２の隔壁の幅は、０．１μｍ、またはそれ以上とすることができるが、第１
の隔壁の高さよりも大きくすることが好ましい。第２の隔壁の幅は、３μｍ程度あれば十
分なカバレッジが確保できる。有機化合物を含む層やその上に形成する膜のカバレッジを
確保することによって発光装置全体としての信頼性が向上する。また、第２の隔壁の上端
部における曲面の曲率半径は、０．５μｍ〜２μｍとすればよい。
【００１９】
また、隔壁の一部に無機材料を用いることで、有機材料のみからなる隔壁と比べて隔壁か
らの脱ガスのトータル量を少なくすることができる。また、プロセスにおいても、有機化
合物膜を蒸着する前に行われる脱ガスのための真空ベークの処理時間を短縮することがで
きる。また、発光装置として封止した後も脱ガス量が少ないため、長期信頼性も向上する
。
【００２０】
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置またはパッシブマトリクス型表示装置のど
ちらにも適用することができるが、特にＴＦＴやその他の配線によって開口率、即ち、発
光面積が低くなりやすい下方出射型のアクティブマトリクス型表示装置に有用である。
【００２１】
また、第１の隔壁で電極間を絶縁しなくとも第２の隔壁で電極間を絶縁してもよい。例え
ば、ＴＦＴの電極の端部を覆う第１の隔壁を形成し、そのＴＦＴの電極と第１の電極とが
重なっている段差部を第２の隔壁で覆う構成としてもよい。
【００２２】
また、インクジェット法やスピンコート法などの塗布法で有機化合物を含む層を形成す
る場合、図１（Ｂ）にその一例を示すように、第２の隔壁材料は親水性を有する材料（ポ
リアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ＭＳＱ（メチルシル
セシロキサン）、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）など）、
第１の隔壁材料は疎水性を有する材料（ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂、窒化珪素、ポリシリコン、アモルファスシリコンなど）とすることで第
１の隔壁上に有機化合物を含む層を形成せず、第１の電極上または第２の隔壁にのみ接す
る有機化合物を含む層を選択的に形成することができる。ただし、ここでは溶媒として水
を用いた材料液として第２の隔壁材料を親水性とし、第１の隔壁材料を疎水性とした例を
示したが、溶媒として水以外のものを用いた材料液の場合は、その材料液に対して親和性
を有する材料を第２の隔壁材料に使用し、非親和性を有する材料を第１の隔壁材料に使用
すればよい。
【００２３】
また、疎水性を有する材料表面にＯ2プラズマ処理やＮ2Ｏプラズマ処理を行って親水性
化処理を行ってもよい。また、アルコールなどの水酸基（−ＯＨ）を含む溶液による表面
ディップ処理によっても親水性化処理を行うことができる。ＣＭＰ処理はスラリーを用い
る表面研磨法であり、スラリーはＳｉＯ2などの微粒子をＫＯＨ、ＮＨ4ＯＨなどの化学溶
液に懸濁させて利用するため、ＣＭＰ処理を行うと平坦化と同時に親水性化処理がなされ
る。
【００２４】
また、親水性を有する材料表面に対してＳｉＨ4、ＳｉＨmＦn、フロロカーボンなどのガ
スを用いたプラズマ処理を行って疎水性化処理を行ってもよい。
【００２５】
また、上方に形成する膜（有機化合物を含む層など）のカバレッジを問わない場合、図
１５（Ａ）に示すように第２の隔壁１６１２の側面をテーパー形状としてもよいし、図１
５（Ｂ）に示すように、第２の隔壁１６２２の側面を材料溶液が溜まりやすいように湾曲
した斜面を有する形状としてもよい。
【００２６】
また、第２の隔壁材料に顔料を含ませて有機化合物を含む層からの発光や外光などの光
を吸収する構造としてもよい。なお、第２の隔壁材料として酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ
）を用いた場合には第２の隔壁は黒色となる。
【００２７】
本明細書で開示する作製方法に関する本発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に第１の
電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する発光素子を有する発光装置の作製
方法であって、
基板上にＴＦＴおよび第１の電極を形成する工程と、
疎水性の表面を有する第１の隔壁を前記第１の電極の端部を覆って形成する工程と、
親水性の表面を有する第２の隔壁を前記第１の隔壁の側面に形成する工程と、
塗布法により第２の隔壁および第１の電極のみに接して有機化合物を含む層を形成する
工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００２８】
また、第２の隔壁で第１の隔壁を覆う形状としてもよく、図４（Ａ）にその一例を示す
ように、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を備えた発光装置であって、
第１の電極の端部を覆う第１の隔壁と、該第１の隔壁を覆う第２の隔壁と、
前記第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、
該有機化合物を含む層上に第２の電極とを有し、
前記有機化合物を含む層と前記第１の隔壁との間には、前記第２の隔壁が設けられている
ことを特徴とする発光装置である。
【００２９】
上記構成において、第１の隔壁は完全に第２の隔壁で覆われており、第１の隔壁の上端
部よりも第２の隔壁の上端部のほうが丸みを帯びた形状とすることを特徴としている。上
記構成とすることで、第１の隔壁の上面形状を縮小しても第２の隔壁によりカバレッジ不
良が低減される。
【００３０】
また、基板上にＴＦＴとＥＬ素子とを作製する場合、汚染を防ぐため、ＴＦＴを作製す
る装置の設置場所と、ＥＬ素子を形成する装置の設置場所を隔離することが好ましく、こ
れらの設置場所間を搬送する際には、第１の隔壁となる絶縁膜を全面に形成した段階で、
基板の輸送または搬送を行うことが好ましい。
【００３１】
本発明の作製方法に関する構成は、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
第１の場所で基板上にＴＦＴおよび第１の電極を形成し、該第１の電極を覆って全面に有
機樹脂膜または無機絶縁膜を形成する工程と、
基板を第２の場所に搬送する工程と、
第２の場所で前記有機樹脂膜または無機絶縁膜をエッチングして隔壁を形成し、且つ、第
１の電極の一部を露呈させた後、大気に触れることなく該第１の電極上に有機化合物を含
む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発
光装置の作製方法である。
【００３２】
さらに、基板を第２の場所に搬送する前に、有機樹脂膜または無機絶縁膜を覆う帯電防止
層を形成することによって静電破壊を防ぐことが好ましい。
【００３３】
また、第１の隔壁を形成した後、第１の電極表面を研磨または洗浄を行ってもよく、本
発明の作製方法に関する他の構成は、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
第１の場所で基板上にＴＦＴおよび第１の電極を形成し、該第１の電極の端部を覆う第１
の隔壁を形成する工程と、
露呈している第１の電極の表面を研磨する工程と、
前記第１の電極および第１の隔壁を覆って全面に有機樹脂膜または無機絶縁膜を形成する
工程と、
基板を第２の場所に搬送する工程と、
第２の場所で前記有機樹脂膜または無機絶縁膜をエッチングして第２の隔壁を形成し、且
つ、画素電極を露呈させた後、大気に触れることなく、該第１の電極上に有機化合物を含
む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成する工程と、を特徴とする発光装置の作製
方法である。
【００３４】
研磨または洗浄を行うことにより、第１の電極の表面において、第１の隔壁に覆われた場
所以外は、平坦、且つ、清浄な表面となる。即ち、上記各構成において、有機化合物を含
む層と接する第１の電極表面は、第１の隔壁で覆われた第１の電極表面よりも凹凸が小さ
いことを特徴としている。そして全面に絶縁膜を形成し、その絶縁膜を異方性エッチング
することによって第２の隔壁を自己整合的に形成するとともに第１の電極表面を露呈させ
る。第２の隔壁を形成する際、マスクを用いてもよいが、マスク数の増加を防ぐには異方
性エッチングを用いて自己整合的に形成することが好ましい。
【００３５】
また、第１の隔壁の形成後に、スラリーなどを用いてＣＭＰで第１の電極表面を研磨す
ると、第１の隔壁の下端部付近はあまり研磨されないが、その部分は後の工程により第２
の隔壁で覆うため問題とならない。また、上記各構成において、第１の電極のうち、第２
の隔壁と接する領域は、第１の隔壁と接する第１の電極表面よりも凹凸が小さいことを特
徴としている。
【００３６】
また、基板上にＴＦＴとＥＬ素子とを作製する場合、汚染を防ぐため、ＴＦＴを作製す
る装置の設置場所と、ＥＬ素子を形成する装置の設置場所を隔離することが好ましく、こ
れらの設置場所間を搬送する際には、第２の隔壁となる絶縁膜を全面に形成した段階で、
基板の輸送または搬送を行うことが好ましい。第１の電極を露呈させないようにすること
で第１の電極表面にゴミが付着することを防ぐことができる。
【００３７】
また、第２の隔壁となる絶縁膜を覆う帯電防止層を形成することによって静電破壊を防
ぐことができ、本発明の作製方法に関する他の構成は、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
第１の場所で基板上にＴＦＴおよび第１の電極を形成し、該第１の電極を覆って全面に有
機樹脂膜または無機絶縁膜と、帯電防止層とを積層形成する工程と、
基板を第２の場所に搬送する工程と、
第２の場所で前記帯電防止層をエッチングし、前記有機樹脂膜または無機絶縁膜をエッチ
ングして隔壁を形成し、且つ、第１の電極の一部を露呈させた後、大気に触れることなく
該第１の電極上に有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発
光装置の作製方法である。
【００３８】
第２の隔壁となる絶縁膜を覆う帯電防止層を形成することによって静電破壊を防ぐこと
ができる。帯電防止層としては、導電性の被膜、例えば界面活性剤系の塗料が塗布された
もの、塩化リチウムや塩化マグネシウムのような無機塩や、カルボン酸基やスルホン酸基
を含む高分子電解質のようなイオン伝導性物質を合成樹脂やシリケートなどの造膜性物質
に分散させてなる組成物を成膜したもの、または導電性ポリマーを用いればよい。そして
、搬送後は、帯電防止層を除去し、絶縁膜を異方性エッチングして第２の隔壁を形成して
から有機化合物を含む層を形成する。
【００３９】
また、本発明は、発光が第２の電極を透過する上面出射型（トップエミッション型）の
発光装置にも適用することができる。上面出射型の発光装置とする場合、第２の電極は光
を透過する透明導電膜を用いることになるが、第２の電極の膜抵抗が高くなるという問題
が生じる。特に、透明導電膜の膜厚を薄くした場合、さらに膜抵抗が高くなってしまう。
陽極または陰極となる透明導電膜の膜抵抗が高くなると電圧降下により面内電位分布が不
均一になり、発光素子の輝度バラツキといった不具合が生じる。そこで、本発明は、発光
素子における透明電極の膜抵抗を低下させる構造の発光装置を提供する。
【００４０】
本発明の他の構成は、図１７（Ａ）に一例を示したように、
絶縁表面を有する基板上に第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する
発光素子を備えた発光装置であって、
第１の電極の端部を覆う第１の隔壁と、該第１の隔壁の側壁となる第２の隔壁とを有し
、
前記第１の隔壁は、金属層を上層とし、絶縁層を下層とする積層構造であることを特徴と
する発光装置である。
【００４１】
また、上記構成において、前記第２の電極は、透明導電膜を有し、前記発光素子の発光
は、前記第２の電極を透過することを特徴としている。
【００４２】
また、上記構成において、前記金属層は、前記第２の電極と接して補助電極となること
を特徴としている。
【００４３】
図１７（Ａ）に示すように、絶縁膜と金属膜とを積層し、同じマスクでパターニングを
行って上層を金属層とし、下層を絶縁層とする第１の隔壁を作製する。従って、マスク数
に増加はない。第１の隔壁の上層である金属層が補助電極１８００として機能する。
【００４４】
また、上記構成において、前記金属層は、前記隔壁に設けられたコンタクトホールを介
して下方の配線と接続していることを特徴している。
【００４５】
また、上記金属層を用いて引き出し配線を形成し、下層に存在する他の配線と接続を行
うことも本発明の特徴としている。この場合、第１の隔壁にコンタクトホールを形成した
後に金属層を形成するため、マスク数が１枚増加する。透明電極と接続電極とを接続する
ための領域を表示領域以外に設けていたが、その接続領域スペースを削減できる。また、
有機化合物を含む膜の形成に塗布法を用いた場合には、全面に膜が形成されるため、接続
電極を露出するために選択的にＯ2プラズマアッシング処理などを蒸着法による有機化合
物を含む膜形成前、或いは陰極形成前に行っていた。本発明により有機化合物を含む膜の
形成に塗布法を用いても連続的に有機化合物を含む層と陰極とを積層形成することができ
る。
【００４６】
また、ＴＦＴ構造は特に限定されず、ポリシリコンを活性層とするトップゲート型ＴＦ
Ｔやボトムゲート型ＴＦＴであってもよく、図１８に示すように、アモルファスシリコン
ＴＦＴであってもよい。
【発明の効果】
【００４７】
本発明により、第１の隔壁の断面形状における段差が大きくても側面または上面を第２の
隔壁で覆うためカバレッジ不良が低減できる。また、隔壁の上面形状を縮小できるため、
さらなる高精細な表示を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施の形態１を示す断面構造図である。
【図２】実施の形態１を示す工程図である。
【図３】実施の形態２を示す工程図である。
【図４】実施の形態３、４を示す断面構造図である。
【図５】実施の形態３を示す工程図である。
【図６】実施の形態５のフローを示す図である。
【図７】ＣＭＰ処理前後での凹凸の比較を示すグラフである。
【図８】実施例１を示す上面図および断面図である。
【図９】実施例１を示す上面図および断面図である。
【図１０】素子構造を説明する図。（実施例２）
【図１１】電子機器の一例を示す図。（実施例３）
【図１２】電子機器の一例を示す図。（実施例３）
【図１３】モジュールを示す図。（実施例４）
【図１４】ブロック図を示す図。（実施例４）
【図１５】断面構造を示す図。（実施の形態６）
【図１６】断面構造を示す図。（実施の形態７）
【図１７】断面構造おおよび上面図を示す図。（実施の形態８）
【図１８】断面構造を示す図。（実施の形態９）
【発明を実施するための形態】
【００４９】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００５０】
（実施の形態１）
ここではアクティブマトリクス型発光装置の例を用いて本発明を説明する。
【００５１】
図１（Ａ）において、１０は基板、１１は第１の隔壁、１２は第２の隔壁、１３は第１の
電極、１４は有機化合物を含む層、１５は第２の電極、１６はＴＦＴ、１８は絶縁膜であ
る。なお、図１（Ａ）では第１の電極１３は発光素子の陽極として機能させ、第２の電極
は発光素子の陰極として機能させているが、特に限定されず、材料を適宜選択すれば第１
の電極を陰極として機能させ、第２の電極を陽極として機能させることも可能である。
【００５２】
また、図１（Ａ）の構造を得るための作製工程の一例を図２に示す。
【００５３】
まず、絶縁表面を有する基板１０上にＴＦＴ１６を作製する。ＴＦＴ１６の層間絶縁膜と
しては、スパッタ法、ＰＣＶＤ法、または塗布法により得られる無機材料（酸化シリコン
、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、ＳｉＯＦ膜、ＳｉＯＮＦ膜など）、或いは塗布法に
より得られる感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポ
リイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、或いは塗布法により得られるＳ
ＯＧ膜（シロキサン構造を有する絶縁膜）、またはこれらの積層などを適宜用いることが
できる。ここではトップゲート型ＴＦＴの例を示したが特に限定されず、ボトムゲート型
ＴＦＴとしてもよい。ＴＦＴ１６は公知の方法でｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型
ＴＦＴを作製すればよい。次いで、陽極となる第１の電極１３をＴＦＴの電極と一部重な
るように形成する。ここでは、第１の電極１３として、仕事関数の大きい導電膜（ＩＴＯ
（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用い、ウエットエッチングで形成する。第１の電極１３をパタ
ーニングする際、絶縁膜１８と選択比が取れるようにエッチング条件または材料を適宜設
定する。
【００５４】
次いで、ＰＣＶＤ法、スパッタ法、または塗布法により絶縁膜を全面に形成した後、パ
ターニングを行って第１の隔壁１１を形成する。第１の隔壁１１は、第１の電極の端部、
配線、および電極を覆い、各電極間を絶縁する。この第１の隔壁１１の幅が大きいと、開
口率が低下するため、本発明では、できるだけ第１の隔壁の上面形状を小さくして開口率
向上、且つ、高精細化を図る。従って、微細加工が可能なドライエッチングでパターニン
グを行うことが好ましい。第１の隔壁１１をパターニングする際、第１の電極及び絶縁膜
１８と選択比が取れるようにエッチング条件または材料を適宜設定する。
【００５５】
次いで、露呈している第１の電極１３の表面を研磨または洗浄する。この段階での１つ
の画素における断面図が図２（Ａ）である。第１の電極（陽極）の表面に対して界面活性
剤（弱アルカリ性）を含ませた多孔質なスポンジ（代表的にはＰＶＡ（ポリビニルアルコ
ール）製、ナイロン製など）で洗浄して表面のゴミを除去することが好ましい。洗浄機構
として、基板の面に平行な軸線まわりに回動して基板の面に接触するロールブラシ（ＰＶ
Ａ製）を有する洗浄装置を用いてもよいし、基板の面に垂直な軸線まわりに回動しつつ基
板の面に接触するディスクブラシ（ＰＶＡ製）を有する洗浄装置を用いてもよい。例えば
、機械的化学的研磨法（ＣＭＰ法）を用いて研磨する場合、第１の隔壁は硬質である無機
絶縁材料とすることが好ましい。凸部となる第１の隔壁が設けられていても第１の電極表
面を研磨して平坦にすることができる。また、第１の隔壁の高さ（膜厚）が２μｍ以上だ
と、カバレッジ不良が生じやすく、さらに第１の電極と接している第１の隔壁の下端部近
傍が研磨しずらいので、第１の隔壁の高さは低いほうがよい。
【００５６】
ＣＭＰ装置を用い、５５０ｎｍの高さを有する凸部（段差）がある状態でＣＭＰ処理を行
ったところ、凸部から３μｍ以上距離が離れている箇所で平坦化が可能であった。図７に
実験結果を示す。ＣＭＰ処理前の図７（Ａ）に比べ、１０ｎｍの高さを有する凸凹がＣＭ
Ｐ処理後の図７（Ｂ）に示すように大幅に減少している。
【００５７】
また、研磨後に、他の処理、例えば第１の電極表面の改質を行うための紫外線照射、酸
素プラズマ処理などを行ってもよい。
【００５８】
次いで、基板全面に絶縁膜を形成する。（図２（Ｂ））この絶縁膜としては、第１の隔
壁の材料とエッチングレートが異なる材料を用いる。また、第１の隔壁によって既に電極
間の絶縁がなされているので絶縁膜ではなく、半導体膜（ポリシリコンやアモルファスシ
リコンなど）であってもよい。また、この絶縁膜は後の工程で第１の隔壁の側面を覆う第
２の隔壁となる。また、第１の電極表面を研磨した直後に絶縁膜を形成することによって
、第１の電極表面にゴミが付着するのを防ぐ。図２（Ａ）の状態で基板を蒸着装置に搬送
または導入するまでの間、第１の電極表面にゴミが付着するとショートが生じる原因にな
る。しかし、図２（Ｂ）の状態であれば、たとえ基板を工場外に搬送してゴミが付着して
も後の工程で絶縁膜表面のゴミをエッチングで除去することができ、第１の電極表面をク
リーンに保つことができる。
【００５９】
次いで、異方性エッチングまたはエッチバックを行って絶縁膜のほとんどを除去して第
１の隔壁の側面のみに接する第２の隔壁１２を形成するとともに、第１の電極表面を露呈
させる。（図２（Ｃ））ここではウエットエッチングまたは反応性イオンを用いたドライ
エッチングを用いて表面を曲面とするとともに、第１の隔壁の形状に沿って自己整合的に
第２の隔壁を形成することが好ましい。ドライエッチングを用いて形成された第１の隔壁
側面は荒れやすいが、その荒れた側面を覆うように第２の隔壁を形成する。こうしてサイ
ドウォール型の隔壁が形成される。また、ＣＭＰなどの平坦化処理で処理しきれていない
部分が第１の電極表面に生じた場合、その部分を第２の隔壁で覆うことができる。第２の
隔壁１２をパターニングする際、第１の隔壁、第１の電極、及び絶縁膜１８と選択比が取
れるようにエッチング条件または材料を適宜設定する。
【００６０】
また、第２の隔壁を形成する際、第１の電極表面をエッチングして薄くしてもよい。予め
ＣＭＰなどで平坦化されているため、多少オーバーエッチングされても平坦な表面を維持
できる。また、第１の電極表面がオーバーエッチングされた場合には、第２の隔壁の端部
と接する箇所にわずかな段差が形成される。
【００６１】
さらに、第２の隔壁を形成する際、エッチングレートが異なる材料で形成された第１の隔
壁がエッチングされてもよい。第１の隔壁がオーバーエッチングされた場合、第１の隔壁
の上端部を丸くすることができる。
【００６２】
各部位の材料の組み合わせの一例としては、絶縁膜１８を窒化珪素膜、第１の電極１３を
ＩＴＯ、第１の隔壁１１を酸化珪素膜、第２の隔壁１２を有機樹脂膜（アクリル、ポリイ
ミドなど）としてＯ2プラズマアッシングで第２の隔壁を形成する。Ｏ2プラズマアッシン
グで第２の隔壁を形成する場合、そのまま第１の電極１３の表面改質をＯ2プラズマでで
きるため、トータル工程数が増えない。また、上面出射型の表示装置とする場合において
、第１の電極１３として窒化チタン膜を用いた場合、Ｏ2プラズマで第２の隔壁を形成し
た後、塩素ガスにガスを切り替えプラズマ処理を行って仕事関数を増大させることが好ま
しい。また、本発明により隔壁形成後から大気に触れることなく、真空アニールを行うこ
とができ、さらに有機化合物を含む層を形成することができる。
【００６３】
また、各部位の材料の組み合わせの他の一例としては絶縁膜１８を窒化珪素膜、第１の電
極１３をＩＴＯ、第１の隔壁１１を酸化珪素膜、第２の隔壁１２をポリシリコン膜として
フッ酸系のエッチャント、或いはＳ2Ｆ2ガス等で第２の隔壁を形成する。また、他の一例
としては絶縁膜１８を窒化酸化珪素膜、第１の電極１３をＩＴＯ、第１の隔壁１１を窒化
珪素膜、第２の隔壁１２を酸化珪素膜(有機シラン、例えばテトラエトキシシランを用い
た酸化珪素膜)としてＲＩＥ（Reactive Ion Etching）による異方性エッチングで第２の
隔壁を形成する。第２の隔壁１２を酸化珪素膜としてウエットエッチングする場合には、
エッチャントとしてフッ素水素アンモニウムを７．１３％含み、且つ、フッ化アンモニウ
ムを１５．４％含む混合溶液（ＬＡＬ５００：ステラケミファ社製）を用いればよい。ま
た、第２の隔壁の上端部に曲面を持たせるためにＣＨＦ3ガスからＣＦ4ガスに徐々に切り
替えることによって酸化珪素膜をエッチングして酸化珪素膜からなる第２の隔壁を形成し
てもよい。
【００６４】
また、窒化珪素膜からなる第２の隔壁を形成する場合には、酸化珪素膜やシリコン膜と
選択性の高いＣＨ3Ｆガスを用いればよい。
【００６５】
次いで、有機化合物を含む層１４を蒸着法で形成し、さらにその上に第２の電極１５と
なる陰極を形成する。図１（Ａ）では、有機化合物を含む層１４は単層として示している
が、正孔注入層（または正孔輸送層）、発光層、電子注入層（または電子輸送層）などが
積層された積層構造である。なお、発光装置の信頼性を向上させるため、有機化合物を含
む層１４の形成直前に真空加熱（１００℃〜２５０℃）を行って脱気を行うことが好まし
い。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下
、好ましくは１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際
、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことに
より基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設
けられた開口部を通って基板に蒸着される。以上の工程で図２（Ｄ）に示す構造を得るこ
とができる。また、有機化合物を含む層１４や第２の電極１５の成膜方法は、ＴＦＴ１６
にダメージを与えない抵抗加熱法が好ましく、インクジェット法やスピンコート法なども
用いることができる。
【００６６】
また、インクジェット法やスピンコート法によって有機化合物を含む層を形成する場合、
材料液が水溶液であれば、図１（Ｂ）に示すように、第１の隔壁２１（および絶縁膜２８
）を疎水性の材料で形成し、第２の隔壁を親水性の材料で形成することによって、有機化
合物を含む層を選択的に成膜することができる。この場合、第２の隔壁と露呈している第
１の電極表面のみに有機化合物を含む層を形成することができる。もし、第２の隔壁も疎
水性の材料で形成した場合、第１の電極上には周縁の膜厚が薄くなる一方、中央部が厚く
なり膜の均一性が悪くなってしまうが、第２の隔壁を親水性とすることによって第１の電
極上に均一な膜厚を得ることができる。
【００６７】
インクジェット法としてはピエゾジェット方式であってもよいし、熱による気泡発生に
より吐出する方式（バブル方式）であってもよい。ピエゾ方式の場合には、使用する溶液
に熱的ストレスを与えない、インクジェットヘッドの駆動波形を変化させることで自由に
液滴の大きさをコントロールしやすい利点がある。
【００６８】
図１（Ｂ）において、２０は基板、２１は第１の隔壁、２２は第２の隔壁、２３は第１の
電極、２４は有機化合物を含む層、２５は第２の電極、２６はＴＦＴ、２８は絶縁膜であ
る。ここでは有機化合物を含む層２４を塗布法で形成した例を示しているが、蒸着法によ
る膜と積層してもよく、例えば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオ
フェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（PEDOT／PSS）、或いはポリアニリン／シ
ョウノウスルホン酸水溶液（ＰＡＮＩ／ＣＳＡ）、ＰＴＰＤＥＳ、Ｅｔ−ＰＴＰＤＥＫ、
またはＰＰＢＡなどをスピンコート法で塗布、焼成した後、蒸着法により発光層、電子輸
送層などを積層してもよい。この場合、正孔注入層は自己整合的に所定の箇所に形成され
、発光層、電子輸送層などは蒸着マスクによって形成されることになるので互いの端面は
一致しない。
【００６９】
また、第１の隔壁の材料として疎水性の材料を用いなくとも、フッ素処理などを行って疎
水性の表面としてもよい。
【００７０】
また、ここでは水溶液の例を示したが、有機化合物を含む材料液の溶媒（アルコールな
ど）に親和性の材料を第１の隔壁の材料として用い、非親和性の材料を第２の隔壁として
用いればよい。
【００７１】
（実施の形態２）
ここでは、アクティブマトリクス型表示装置の作製工程中に帯電防止層を設けることに
よってＴＦＴの静電破壊を防ぐ例を図３に示す。なお、図３において、図１（Ａ）と同じ
箇所には同一の符号を用いることとする。
【００７２】
基板１０上にＴＦＴ１６と、第１の電極１３とを形成する。次いで、第１の電極の端部
を覆う第１の隔壁１１を形成する。（図３（Ａ））
【００７３】
次いで、基板全面に絶縁膜を形成し、さらにその上に帯電防止層３０を形成する。（図
３（Ｂ））帯電防止層３０を形成することによって静電破壊を防ぐことができる。絶縁表
面には静電気が帯電しやすく、このために帯電した表面にゴミが引きつけられて付着した
り、他の物体に触れると静電放電が生じる恐れがあった。
【００７４】
帯電防止層３０として導電性ポリマー、例えば、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／
ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（PEDOT／PSS）、ポリアニリン／ショウノウスルホン
酸水溶液（ＰＡＮＩ／ＣＳＡ）、ＰＴＰＤＥＳ、Ｅｔ−ＰＴＰＤＥＫ、またはＰＰＢＡな
どを塗布、焼成したものを用いればよい。この帯電防止層３０は後の工程で除去する。ま
た、帯電防止層３０としては、銀、ニッケル、銅、錫などの金属またはその酸化物の微粒
子をアクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、テトラエトキシシランなどに分散させた層、
例えばアンチモン含有酸化錫からなる粒径が０．２μｍ以下の導電性微粒子をアクリルに
５０〜７０重量％含む層を形成してもよい。
【００７５】
次いで、帯電防止層３０を除去した後、異方性エッチングを行って第２の隔壁１２を形
成する。（図３（Ｃ））また、工程数短縮のため、帯電防止層３０と絶縁膜とを同じエッ
チング方法でエッチングして第２の隔壁１２を形成してもよい。
【００７６】
また、帯電防止層３０と第１の電極とを接して形成した場合、帯電防止層３０に含まれ
る材料と反応して第１の電極の表面状態または仕事関数を変化させてしまう恐れがある。
そこで、本発明では帯電防止層と第１の電極の間にバッファ層となる絶縁膜を設けており
、さらにその絶縁膜をエッチングして隔壁の一部、ここでは第２の隔壁１２としている。
【００７７】
次いで、有機化合物を含む層１４、第２の電極１５となる陰極を蒸着法または塗布法に
より積層形成する。以上の工程で図３（Ｄ）に示す構造を得ることができる。
【００７８】
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００７９】
（実施の形態３）
実施の形態１では第１の隔壁の側面を覆う第２の隔壁を形成した例を示したが、ここでは
第１の隔壁を全て覆う第２の隔壁を形成した例を図４（Ａ）に示す。
【００８０】
図４（Ａ）において、４０は基板、４１は第１の隔壁、４２は第２の隔壁、４３は第１の
電極、４４は有機化合物を含む層、４５は第２の電極、４６はＴＦＴ、４７は電源供給線
、４８ａ〜４８ｃは絶縁膜である。
【００８１】
また、図４（Ａ）の構造を得るための作製工程の一例を図５に示す。
【００８２】
まず、絶縁表面を有する基板４０上にＴＦＴ４６を作製する。ＴＦＴ４６は公知の方法で
ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴを作製すればよい。なお、４６ａはチャネ
ル形成領域、４６ｂ、４６ｃはソース領域またはドレイン領域、４６ｄはゲート電極、４
６ｅ、４６ｆはソース電極またはドレイン電極、４６ｇはゲート絶縁膜である。ここでは
トップゲート型ＴＦＴの例を示したが特に限定されず、ボトムゲート型ＴＦＴとしてもよ
い。
【００８３】
次いで、陽極となる第１の電極４３をＴＦＴの電極４６ｆと一部重なるように形成する。
【００８４】
次いで、ＰＣＶＤ法、スパッタ法、または塗布法により絶縁膜を全面に形成した後、フ
ォトリソ技術によるパターニングを行って第１の隔壁４１を形成する。第１の隔壁４１は
、第１の電極４３の端部、電源供給線４７、および電極４６ｅ、４６ｆを覆い、各電極間
を絶縁する。ここでは塗布法により無機絶縁膜（酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜など）で第
１の隔壁４１を形成する例を示している。
【００８５】
次いで、露呈している第１の電極４３の表面を研磨または洗浄する。この段階での１つ
の画素における断面図が図５（Ａ）である。
【００８６】
次いで、基板全面に絶縁膜を形成する。（図５（Ｂ））この絶縁膜としては、第１の隔
壁の材料とエッチングレートが同じ材料を用いる。また、絶縁膜として第１の隔壁の材料
とエッチングレートが異なる材料を用いてもよい。
【００８７】
次いで、エッチバックまたは異方性エッチングを行って第１の隔壁４１を覆う第２の隔
壁４２を形成するするとともに、第１の電極表面を露呈させる。（図５（Ｃ））エッチバ
ックを行えば、絶縁膜表面の凹凸を反映して第２の隔壁４２が形成される。また、第２の
隔壁４２の上端部は、第１の隔壁４１の上端部よりも滑らかなものとすることができる。
【００８８】
次いで、有機化合物を含む層４４を蒸着法で形成し、さらにその上に第２の電極４５と
なる陰極を形成する。以上の工程で図５（Ｄ）に示す構造を得ることができる。また、有
機化合物を含む層４４や第２の電極４５の成膜方法は、ＴＦＴ４６にダメージを与えない
抵抗加熱法が好ましく、インクジェット法やスピンコート法なども用いることができる。
【００８９】
また、本実施の形態は実施の形態１、または実施の形態２と自由に組み合わせることが
できる。
【００９０】
（実施の形態４）
実施の形態１では第１の隔壁の側面を覆う第２の隔壁を形成した例を示したが、ここでは
電極のみを覆う第１の隔壁を形成した例を図４（Ｂ）に示す。本実施の形態によりサブミ
クロンサイズの隔壁を形成することができる。
【００９１】
図４（Ｂ）において、５０は基板、５１は第１の隔壁、５２は第２の隔壁、５３は第１の
電極、５４は有機化合物を含む層、５５は第２の電極、５６はＴＦＴ、５８は絶縁膜であ
る。
【００９２】
ここでは、第１の隔壁５１は金属電極（アルミニウムを主成分とする電極）を熱酸化また
は陽極酸化などの酸化処理を行うことによって得られる酸化物（アルミナ）で形成する。
従って、第１の隔壁も自己整合的に形成されるため、マスク数を削減することができる。
また、酸化により得られる第１の隔壁は上面形状をさらに小さくすることができ、高精細
化することができる。また、隔壁サイズを極小なものとすることができるため、画素領域
全体に占める隔壁面積が小さくなるので開口率が向上する。
【００９３】
第１の電極５３を絶縁膜５８上に形成した後、ＴＦＴの電極（ソース電極またはドレイ
ン電極）を形成する。その後、ＴＦＴの電極を酸化させて表面に酸化膜を形成する。第１
の隔壁５１を電極の酸化膜とすることで、０．１μｍ以下のサイズが形成可能となる。
【００９４】
次いで、露呈している第１の電極５３の表面を研磨または洗浄する。次いで、基板全面
に絶縁膜を形成する。この絶縁膜としては、第１の隔壁の材料とエッチングレートが異な
る材料を用いる。また、第１の隔壁によって既に電極間の絶縁がなされているので絶縁膜
ではなく、半導体膜（ポリシリコンやアモルファスシリコンなど）であってもよい。また
、この絶縁膜は後の工程で第１の隔壁の側面を覆う第２の隔壁となる。
【００９５】
次いで、異方性エッチングまたはエッチバックを行って絶縁膜のほとんどを除去して第
１の隔壁の側面のみに接する第２の隔壁５２を形成するとともに、第１の電極表面を露呈
させる。ここではウエットエッチングを用いて表面を曲面とするとともに、自己整合的に
形成することが好ましい。こうしてサイドウォール型の隔壁が形成される。第１の隔壁の
みでも画素間の絶縁を行うことは可能であるが、第１の隔壁を金属酸化物とした場合、第
１の隔壁の上端部における厚さと下端部における厚さが不均一、即ち、逆テーパ形状とな
りやすく、カバレッジ不良を生じやすくなる。本実施の形態においては、不均一になりや
すい第１の隔壁の側面を第２の隔壁で覆うことによって、後に形成する膜厚の薄い有機化
合物を含む層のカバレッジ不良をなくし、信頼性を向上させる。
【００９６】
また、実施の形態４に示したように第１の隔壁５１を全て覆う第２の隔壁を形成しても
よい。
【００９７】
次いで、有機化合物を含む層５４を蒸着法で形成し、さらにその上に第２の電極５５と
なる陰極を形成する。以上の工程で図４（Ｂ）に示す構造を得ることができる。また、有
機化合物を含む層５４や第２の電極５５の成膜方法は、ＴＦＴ５６にダメージを与えない
抵抗加熱法が好ましく、インクジェット法やスピンコート法なども用いることができる。
【００９８】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３と自由に組み
合わせることができる。
【００９９】
（実施の形態５）
基板上にＴＦＴとＥＬ素子とを作製する場合、汚染を防ぐため、ＴＦＴを作製する装置の
設置場所と、ＥＬ素子を形成する装置の設置場所を隔離することが考えられる。例えば、
装置が設置されている棟を別々にしたり、工場自体を別々の場所に設置する。
【０１００】
隔離した場合には、互いの設置場所の間で基板を搬送する必要性が発生する。そして、互
いの設置場所の間で基板を搬送する際には、静電破壊の恐れやゴミが付着する恐れがある
。ＴＦＴは静電気などに非常に弱く、静電破壊や静電気によってＴＦＴ特性が変動する。
【０１０１】
ここでは、ＴＦＴを作製する装置の設置場所（第１の場所）と、ＥＬ素子を形成する装
置の設置場所（第２の場所）を隔離した場合に適した発光装置の製造システムの例を図６
に示す。
【０１０２】
図６（Ａ）に本発明のフローの一例を示す。
【０１０３】
まず、第１の場所に基板を搬入して基板上にＴＦＴを形成する。次いで、発光素子の陽
極を形成する。次いで、陽極表面を保護するため保護膜を形成する。この保護膜は、絶縁
材料または帯電防止材料からなる単層、またはこれらの積層を用いる。
【０１０４】
次いで、第１の場所から基板の搬出または搬送を行う。
【０１０５】
次いで、第２の場所に基板を搬入して陽極間を絶縁するための隔壁を形成する。なお、
隔壁を形成すると同時に陽極の表面一部を露呈させる。この隔壁は、第１の場所で形成し
た保護膜をエッチングすることによって形成すると工程短縮が図れる。
【０１０６】
次いで、有機化合物層の形成、陰極の形成を順次行い、封止を行う。そして、完成した
発光装置を第２の場所から搬出する。
【０１０７】
このような工程の流れを有するシステムとすることで、陽極の形成から有機化合物を含む
層の形成までに費やされる時間が長くなっても搬送時にゴミが付着するのは保護膜表面で
あるので、歩留まりが向上する。陽極表面が露呈した状態で時間が経てば経つほどゴミが
付着する数が増えると考えられるため、陽極表面が露呈する時間を如何に短くして有機化
合物層を形成することが重要である。
【０１０８】
即ち、図６（Ａ）に示すフローとすることで隔壁を形成する前に基板を搬送し、隔壁形
成後、直ちに蒸着を行うことが可能となる。
【０１０９】
また、保護膜を形成した段階でストックすることも可能となる。
【０１１０】
また、別々の場所とすることで、第１の場所の清浄度を高めることができ、ＴＦＴの電
気特性を左右するアルカリ金属元素が工程中に混入することなく電気特性の優れたＴＦＴ
を作製することができる。また、第１の場所と隔離された第２の場所でアルカリ金属元素
を含む発光素子を形成することができる。
【０１１１】
また、他のフローの例を図６（Ｂ）に示す。
【０１１２】
まず、第１の場所に基板を搬入して基板上にＴＦＴを形成する。次いで、発光素子の陽
極を形成する。次いで、陽極間を絶縁するための隔壁を形成する。なお、隔壁を形成する
と同時に陽極の表面一部を露呈させる。次いで、陽極表面を保護するため保護膜を形成す
る。この保護膜は、絶縁材料または帯電防止材料からなる単層、またはこれらの積層を用
いる。
【０１１３】
次いで、第１の場所から基板の搬出または搬送を行う。
【０１１４】
次いで、第２の場所に基板を搬入して保護膜を除去する。或いは、保護膜を異方性エッ
チングして実施の形態１乃至４に示したような第２の隔壁を形成してもよい。
【０１１５】
次いで、有機化合物層の形成、陰極の形成を順次行い、封止を行う。そして、完成した
発光装置を第２の場所から搬出する。
【０１１６】
また、本実施の形態は、第１の場所を第１の工場とし、第２の場所を第２の工場とした場
合にも適用することができる。
【０１１７】
本発明により、発光装置の作製プロセス途中での静電破壊やゴミの付着を効果的に防ぐ
ことができる。
【０１１８】
（実施の形態６）
ここでは、上記実施の形態１と第２の隔壁の形状が異なる例を図１５に示す。
【０１１９】
図１５（Ａ）において、１６１０は基板、１６１１は第１の隔壁、１６１２は第２の隔壁
、１６１３は第１の電極、１６１４は有機化合物を含む層、１６１５は第２の電極、１６
１６はＴＦＴ、１６１８は絶縁膜である。
【０１２０】
図１５（Ａ）において、第２の隔壁１６１２はテーパー状の斜面を有している。第１の隔
壁１６１１を形成した後、ＣＭＰ処理などを行い、その後に第２の隔壁１６１２を形成す
る。エッチング条件を適宜調節することによって第２の隔壁１６１２を得ることができる
。第２の隔壁１６１２のテーパー角は、第１の隔壁１６１１のテーパー角よりも小さくす
る。また、第１の隔壁１６１１、第２の隔壁１６１２の材料は絶縁材料であれば特に限定
されず、適宜選択すればよい。第１の隔壁の下端部付近を覆うことによって、第１の電極
１６１３への表面研磨不足の領域を覆うことができる。
【０１２１】
また、図１５（Ｂ）において、１６２０は基板、１６２１は第１の隔壁、１６２２は第
２の隔壁、１６２３は第１の電極、１６２４は有機化合物を含む層、１６２５は第２の電
極、１６２６はＴＦＴ、１６２８は絶縁膜である。
【０１２２】
図１５（Ｂ）において、第２の隔壁１６２２は湾曲した斜面（図１（曲面における曲率
半径の中心が陽極側）とは異なる曲面）を有する。エッチング条件を適宜調節することに
よって第２の隔壁１６２２を得ることができる。図１５（Ｂ）においては、曲面における
曲率半径の中心が陰極側に存在する。発光領域全域において、有機化合物を含む層の膜厚
を均一とすることができる。他の構造である場合、隔壁端部の影響を受けるため、有機化
合物を含む層において中央部の膜厚よりも隔壁の端部付近のほうが厚くなりやすい。
【０１２３】
なお、図１５（Ｂ）において、第２の隔壁１６２２は有機化合物を含む層の材料液に親
和性の材料とすることが好ましい。また、第１の隔壁１６２１を非親和性の材料とするこ
とによって、超音波振動を与えながらインクジェットヘッドから発光材料を含んだ溶液を
基板に吐出して有機化合物を含む層を形成する場合、各画素を区切る第１の隔壁（非親和
性）に弾着した溶液の動的接触角を大きくして第２の隔壁（親和性）および第１の電極表
面に移動させることができる。
【０１２４】
また、図１（Ａ）や図１５（Ａ）に比べて第２の隔壁の形状および体積が小さいので、第
１の隔壁材料として無機材料を用い、第２の隔壁材料として有機材料を用いる場合、第２
の隔壁からの脱ガスのトータル量を少なくすることができる。また、プロセスにおいても
、有機化合物膜を蒸着する前に行われる脱ガスのための真空ベーク処理時間を短縮するこ
とができる。また、発光装置として封止した後も脱ガス量が少ないため、長期信頼性も向
上する。
【０１２５】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、ま
たは実施の形態５と自由に組み合わせることができる。
【０１２６】
（実施の形態７）
また、図１６（Ａ）は、第１の隔壁１７１１の表面に疎水性処理を行った例を示している
。
【０１２７】
また、図１６（Ａ）において、１７１０は基板、１７１１は第１の隔壁、１７１２は第
２の隔壁、１７１３は第１の電極、１７１４は有機化合物を含む層、１７１５は第２の電
極、１７１６はＴＦＴ、１７１８は絶縁膜である。
【０１２８】
透明導電膜（ＩＴＯなど）からなる第１の電極１７１３をパターニング形成した後、基板
全面に酸化珪素膜を形成する。次いで、ＳｉＨmＦnガスを用いたプラズマ処理を行って疎
水性処理された表面１７００を得る。次いで、ハ゜ターニンク゛を行って第１の隔壁１７
１１を形成する。
【０１２９】
次いで、ポリビニルピロリドンからなる樹脂膜を成膜し、パターニングを行って第２の隔
壁１７１２を形成する。次いで、有機化合物を含む層１７１４、第２の電極１７１５を順
次形成する。なお、有機化合物を含む層１７１４の形成方法を塗布法またはインクジェッ
ト法を用いた場合、各画素を区切る第１の隔壁（疎水性）に弾着した水溶液の動的接触角
を大きくして第２の隔壁（親水性）および第１の電極表面に移動させることができる。
【０１３０】
また、第２の電極１７１５として、薄い金属膜（ＡｇまたはＡｌ）と透明導電膜（ＩＴ
Ｏなど）とを積層した陰極を用いて、有機化合物を含む層１７１４からの発光を透過させ
ている。また、第１の電極１７１３も有機化合物を含む層１７１４からの発光を透過させ
ている。従って、基板１７１０の上方に透過する発光と、基板１７１０の下方に透過する
発光とが得られる発光装置となる。また、発光を取り出す方向は、特に限定されず、どち
らか一方であってもよい。
【０１３１】
また、図１６（Ｂ）は、第１の隔壁１７２１と第２の隔壁１７２２との両方を疎水性を有
する材料とした例を示している。第１の電極１７２３上にＰＣＶＤ法により窒化珪素膜を
得た後、パターニングを行って第１の隔壁を得て、さらに塗布法によりエポキシ樹脂を形
成した後、エッチバックによって第２の隔壁を得る。有機化合物を含む層１７２４の形成
方法を塗布法またはインクジェット法を用いた場合、各画素を区切る第１の隔壁（疎水性
）および第２の隔壁（疎水性）に弾着した水溶液の動的接触角を大きくして第１の電極表
面のみに移動させることができる。
【０１３２】
また、図１６（Ｂ）において、１７２０は基板、１７２１は第１の隔壁、１７２２は第
２の隔壁、１７２３は第１の電極、１７２４は有機化合物を含む層、１７２５は第２の電
極、１７２６はＴＦＴ、１７２８は絶縁膜である。
【０１３３】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実
施の形態５、または実施の形態６と自由に組み合わせることができる。
【０１３４】
（実施の形態８）
ここでは、トップエミッション型とした場合、透明電極の電気抵抗を下げるため低抵抗
金属材料からなる補助電極を設ける例を示す。
【０１３５】
図１７（Ａ）において、１８００は補助電極、１８１０は基板、１８１１ａは第１の隔
壁、１８１２は第２の隔壁、１８１３は第１の電極、１８１４は有機化合物を含む層、１
８１５は第２の電極、１８１６はＴＦＴ、１８１８は絶縁膜である。
【０１３６】
図１７（Ａ）に示す構造を得るには、まず、基板１８１０上にＴＦＴ１８１６を作製し
、第１の電極１８１３を形成する。
【０１３７】
第１の電極１８１３は、陽極として機能させるため、仕事関数の大きい、具体的には白金
（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、もしくはニッケル(Ｎｉ)といった金属
材料を用いる。第１の電極１８１３として透明導電膜（ＩＴＯなど）を用いてもよいが、
その場合、基板１８１０の上方に透過する発光と、基板１８１０の下方に透過する発光と
が得られる発光装置とすることもできる。
【０１３８】
次いで、基板全面に絶縁膜を形成し、さらにその上にスパッタ法などにより低抵抗金属
材料（導電型を付与する不純物元素がドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｗ、ＷＳｉX、Ａｌ
、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｃｒ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素
を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜）か
らなる金属膜を連続的に形成する。次いで、マスクを用いて選択的にエッチング（金属膜
および絶縁膜のエッチング）を行って、補助電極１８００、第１の隔壁１８１１を形成す
る。同一のマスクを用いてエッチングすることができ、その場合、補助電極１８００と第
１の隔壁１８１１のパターン形状が同一となる。また、同一のマスクを用いてエッチング
する場合、マスク数を増加させることなく補助電極の形成が可能である。
【０１３９】
次いで、第１の電極１８１３の表面研磨などを行い、その後に塗布法により絶縁膜を形成
した後、エッチバックを行って第２の隔壁１８１２を形成する。
【０１４０】
次いで、有機化合物を含む層１８１４を蒸着法、インクジェット法、または塗布法によっ
て形成する。次いで、蒸着法またはスパッタ法により金属薄膜（１０ｎｍ以下の膜厚）と
透明導電膜との積層からなる第２の電極１８１５を形成する。
【０１４１】
第２の電極１８１５としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉなどの合金からなる金属薄
膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合
金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層膜とし、発光素子の陰極とし
て機能させ、且つ、各発光素子からの光を通過させている。
【０１４２】
以上の工程で図１７（Ａ）に示した構造が得られる。
【０１４３】
上記に示した透明導電膜の抵抗値は、比較的に高いため、大画面化することが困難である
が、補助電極１８００を設けることによって、陰極全体として低抵抗化を実現し、大画面
化を可能とすることができる。加えて、透明導電膜の薄膜化も可能とすることができる。
【０１４４】
また、マスクを１枚増やして下層の配線とのコンタクトホールを形成することができる
。陰極と引き出し配線との接続を補助電極を介して行う例を図１７（Ｂ）に示す。
【０１４５】
まず、上記図１７（Ａ）の作製手順と同様にして第１の電極を形成した後、基板全面に絶
縁膜を形成する。
【０１４６】
次いで、マスクを用い、図１７（Ｂ）に示す下層の電極１８２１に達するコンタクトホ
ールを空けるためのエッチングを行う。次いで金属膜を成膜する。
【０１４７】
次いで、上記図１７（Ａ）の作製手順と同様にして同一マスクを用いて金属膜と絶縁膜と
をエッチングして第１の隔壁１８１１ｂ、１８１１ａと補助電極１８００を形成する。
【０１４８】
以降の工程は、上記図１７（Ａ）の作製手順と同様にして有機化合物を含む層１８１４、
金属薄膜（１０ｎｍ以下の膜厚）と透明導電膜との積層からなる第２の電極１８１５を形
成する。
【０１４９】
以上の工程で図１７（Ｂ）に示した構造が得られる。補助電極１８００は、第２の電極１
８１５や電極１８２１と同電位であり、電極１８２１は、さらに電極１８２０と電気的に
接続されている。図示しないが、この電極１８２０は引き回し配線（接続配線）となって
おり、端子部まで延在している。
【０１５０】
図８（Ａ）に示す図では、ソース側駆動回路と画素部との間に、陰極と接続配線との導通
のための接続領域を設けているのに対して、画素部において陰極と接続配線との導通が補
助電極１８００により可能であるため、接続領域が占める面積を削減することができる。
【０１５１】
各画素毎に陰極と下層の引き回し配線とを接続することも可能であるが、開口率を優先
する場合には、表示部周縁部の隔壁に数個設ける構成とすることが好ましい。図１７（Ｃ
）にパネル上面図の一例を示す。
【０１５２】
図１７（Ｃ）に示すように、画素部１８０２の周縁部で陰極と接続配線との導通を行う
。図１７（Ｃ）では１４個のコンタクトホールを設けたコンタクト部１８２５を形成して
いる。コンタクト部１８２５は、図１７（Ｂ）に示す構造として第１の隔壁１８１１ｂを
形成し、それ以外の画素部１８０２では図１７（Ａ）に示す構造として第１の隔壁１８１
１ａを形成している。図１７（Ｃ）では、画素部以外の配線および回路が占める面積の削
減を実現できる。
【０１５３】
また、図１７（Ｃ）において、点線で示された１８０１はソース信号線駆動回路、１８０
２は画素部、１８０３はゲート信号線駆動回路、１８１０は基板である。また、１８０４
は透明な封止基板、１８０５は第１のシール材であり、第１のシール材１８０５で囲まれ
た内側は、透明な第２のシール材１８０７で充填されている。なお、第１のシール材１８
０５には基板間隔を保持するためのギャップ材が含有されている。
【０１５４】
なお、接続配線（図示しない）はソース信号線駆動回路１８０１及びゲート信号線駆動
回路１８０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ
（フレキシブルプリントサーキット）１８０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る
。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（Ｐ
ＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０１５５】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実
施の形態５、実施の形態６、または実施の形態７と自由に組み合わせることができる。
【０１５６】
（実施の形態９）
ここでは、ポリシリコンを活性層とするＴＦＴに代えて、アモルファスシリコンを活性層
とするＴＦＴの例を図１８に示す。
【０１５７】
図１８（Ａ）において、１９１０は基板、１９１１は第１の隔壁、１９１２は第２の隔
壁、１９１３は第１の電極、１９１４は有機化合物を含む層、１９１５は第２の電極、１
９１６はアモルファスシリコンＴＦＴ、１９１７、１９１８は絶縁膜である。
【０１５８】
アモルファスシリコンＴＦＴ１９１６の作製手順は、公知の技術を用いればよく、まず
、基板１９１０上に下地絶縁膜を形成し、ゲート電極をパターニングした後、ゲート絶縁
膜を形成する。次いで、アモルファスシリコン膜（活性層）、リンを含むアモルファスシ
リコン膜（ｎ＋層）、金属膜を順次積層する。次いで、アモルファスシリコンを所望の素
子形状にパターニングした後、ゲート電極と重なる領域において、アモルファスシリコン
が一部露呈するように選択的にエッチングを行ってチャネルを形成する。次いで、全面を
絶縁膜１９１７、１９１８で覆った後、コンタクトホールの形成、ソース配線、ドレイン
配線の形成を行う。
【０１５９】
なお、アモルファスシリコンＴＦＴ１９１６はチャネルエッチ型ＴＦＴを示しているが
、チャネルストップ型ＴＦＴとしてもよい。
【０１６０】
アモルファスシリコンＴＦＴ作製以降の工程は、実施の形態１と同様に、第１の電極１
９１３の形成、第１の隔壁１９１１の形成、第１の電極１９１３の表面研磨などを行い、
その後に塗布法により絶縁膜を形成した後、エッチバックを行って第２の隔壁１９１２を
形成する。
【０１６１】
次いで、有機化合物を含む層１９１４を蒸着法、インクジェット法、または塗布法によっ
て形成する。次いで、蒸着法またはスパッタ法により第２の電極１９１５を形成する。
【０１６２】
アモルファスシリコンＴＦＴは高熱でのプロセスが少なく、量産に適したプロセスであ
り、発光装置の作製におけるコスト削減することができる。
【０１６３】
また、本実施例においては、アモルファスシリコンＴＦＴを用いる例であるので、同一
基板上に画素部と駆動回路とを作製せずに、画素部のみを基板上に形成し、駆動回路をＩ
Ｃで構成する。
【０１６４】
また、本実施の形態は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４、実
施の形態５、実施の形態６、実施の形態７、または実施の形態８と自由に組み合わせるこ
とができる。
【０１６５】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行う
こととする。
【実施例１】
【０１６６】
本実施例では、絶縁表面を有する基板上に、有機化合物層を発光層とする発光素子を
備えた発光装置（上面出射構造）を作製する例を図８に示す。
【０１６７】
なお、図８（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）をＡ−Ａ’で切断
した断面図である。点線で示された１１０１はソース信号線駆動回路、１１０２は画素部
、１１０３はゲート信号線駆動回路である。また、１１０４は透明な封止基板、１１０５
は第１のシール材であり、第１のシール材１１０５で囲まれた内側は、透明な第２のシー
ル材１１０７で充填されている。なお、第１のシール材１１０５には基板間隔を保持する
ためのギャップ材が含有されている。
【０１６８】
なお、１１０８はソース信号線駆動回路１１０１及びゲート信号線駆動回路１１０３に
入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブル
プリントサーキット）１１０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここで
はＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付
けられていても良い。
【０１６９】
次に、断面構造について図８（Ｂ）を用いて説明する。基板１１１０上には駆動回路及
び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路１１０１
と画素部１１０２が示されている。
【０１７０】
なお、ソース信号線駆動回路１１０１はｎチャネル型ＴＦＴ１１２３とｐチャネル型Ｔ
ＦＴ１１２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴ
ＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。ま
た、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもそ
の必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。また、ポリシリコン膜を活
性層とするＴＦＴの構造は特に限定されず、トップゲート型ＴＦＴであってもよいし、ボ
トムゲート型ＴＦＴであってもよい。
【０１７１】
また、画素部１１０２はスイッチング用ＴＦＴ１１１１と、電流制御用ＴＦＴ１１１２
とそのドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）１１１３を含む複数の画素によ
り形成される。電流制御用ＴＦＴ１１１２としてはｎチャネル型ＴＦＴであってもよいし
、ｐチャネル型ＴＦＴであってもよいが、陽極と接続させる場合、ｐチャネル型ＴＦＴと
することが好ましい。また、保持容量（図示しない）を適宜設けることが好ましい。なお
、ここでは無数に配置された画素のうち、一つの画素の断面構造のみを示し、その一つの
画素に２つのＴＦＴを用いた例を示したが、３つ、またはそれ以上のＴＦＴを適宜、用い
てもよい。
【０１７２】
ここでは第１の電極１１１３がＴＦＴのドレインと直接接している構成となっているた
め、第１の電極１１１３の下層はシリコンからなるドレインとオーミックコンタクトのと
れる材料層とし、有機化合物を含む層と接する最上層を仕事関数の大きい材料層とするこ
とが望ましい。例えば、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜と
の３層構造とすると、配線としての抵抗も低く、且つ、良好なオーミックコンタクトがと
れ、且つ、陽極として機能させることができる。また、第１の電極１１１３は、窒化チタ
ン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層としてもよいし、３層以上
の積層を用いてもよい。
【０１７３】
また、第１の電極（陽極）１１１３の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと
呼ばれる）１１１４ａ、１１１４ｂが形成される。絶縁物１１１４ａ、１１１４ｂは有機
樹脂膜もしくは珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。絶縁物１１１４ａ、１１１４ｂは上
記実施の形態３に従って、形成すればよい。ここでは、絶縁物１１１４ａとして酸化シリ
コン膜、１１１４ｂとしてポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いて図８に示す形状の絶縁
物を形成する。
【０１７４】
カバレッジを良好なものとするため、絶縁物１１１４ｂの上端部または下端部に曲率を有
する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物１１１４ｂの材料としてポジ型の感光
性アクリルを用いた場合、絶縁物１１１４ｂの上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μ
ｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１１１４ｂとして、感光用の
光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解
性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１７５】
また、第１の電極（陽極）１１１３上には、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジ
ェット法によって有機化合物を含む層１１１５を選択的に形成する。さらに、有機化合物
を含む層１１１５上には第２の電極（陰極）１１１６が形成される。陰極としては、仕事
関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、
ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）を用いればよい。ここでは、発光が透過するように
、第２の電極（陰極）１１１６として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ
（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いる。こうして、第１の電極（陽極）１１１３、有
機化合物を含む層１１１５、及び第２の電極（陰極）１１１６からなる発光素子１１１８
が形成される。ここでは発光素子１１１８は白色発光とする例であるので着色層１１３１
と遮光層（ＢＭ）１１３２からなるカラーフィルター（簡略化のため、ここではオーバー
コート層は図示しない）を設けている。
【０１７６】
また、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光が得られる有機化合物を含む層をそれぞれ選択的に形成すれば
、カラーフィルターを用いなくともフルカラーの表示を得ることができる。
【０１７７】
また、発光素子１１１８を封止するために透明保護層１１１７を形成する。透明保護積層
は、スパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜
（ＳｉＮＯ膜（組成比Ｎ＞Ｏ）またはＳｉＯＮ膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とす
る薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）を用いることができる。本実施例では、シリコンター
ゲットを用い、窒素とアルゴンを含む雰囲気で成膜した膜、即ち、水分やアルカリ金属な
どの不純物に対してブロッキング効果の高い窒化珪素膜を透明保護層１１１７に用いる。
また、透明保護積層に発光を通過させるため、透明保護積層のトータル膜厚は、可能な限
り薄くすることが好ましい。
【０１７８】
また、発光素子１１１８を封止するために不活性気体雰囲気下で第１シール材１１０５
、第２シール材１１０７により封止基板１１０４を貼り合わせる。なお、第１シール材１
１０５、第２シール材１１０７としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第
１シール材１１０５、第２シール材１１０７はできるだけ水分や酸素を透過しない材料で
あることが望ましい。
【０１７９】
また、本実施例では封止基板１１０４を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他
、ＦＲＰ（Fiberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイ
ラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
また、第１シール材１１０５、第２シール材１１０７を用いて封止基板１１０４を接着し
た後、さらに側面（露呈面）を覆うように第３のシール材で封止することも可能である。
【０１８０】
以上のようにして発光素子を封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断する
ことができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入すること
を防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【０１８１】
また、第１の電極１１１３として透明導電膜を用いれば両面発光型の発光装置を作製す
ることができる。
【０１８２】
また、本実施例では陽極上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に透
明電極である陰極を形成するという構造（以下、上面出射構造とよぶ）とした例を示した
が、陽極上に有機化合物を含む層が形成され、有機化合物層上に陰極が形成される発光素
子を有し、有機化合物を含む層において生じた発光を透明電極である陽極からＴＦＴの方
へ取り出す（以下、下面出射構造とよぶ）という構造としてもよい。
【０１８３】
ここで、下面出射構造の発光装置の一例を図９に示す。
【０１８４】
なお、図９（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）をＡ−Ａ’で切断
した断面図である。点線で示された１２０１はソース信号線駆動回路、１２０２は画素部
、１２０３はゲート信号線駆動回路である。また、１２０４は封止基板、１２０５は密閉
空間の間隔を保持するためのギャップ材が含有されているシール材であり、シール材１２
０５で囲まれた内側は、不活性気体（代表的には窒素）で充填されている。シール材１２
０５で囲まれた内側の空間は乾燥剤１２０７によって微量な水分が除去され、十分乾燥し
ている。
【０１８５】
なお、１２０８はソース信号線駆動回路１２０１及びゲート信号線駆動回路１２０３に
入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブル
プリントサーキット）１２０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。
【０１８６】
次に、断面構造について図９（Ｂ）を用いて説明する。基板１２１０上には駆動回路及
び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路１２０１
と画素部１２０２が示されている。なお、ソース信号線駆動回路１２０１はｎチャネル型
ＴＦＴ１２２３とｐチャネル型ＴＦＴ１２２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成され
る。
【０１８７】
また、画素部１２０２はスイッチング用ＴＦＴ１２１１と、電流制御用ＴＦＴ１２１２
とそのドレインに電気的に接続された透明な導電膜からなる第１の電極（陽極）１２１３
を含む複数の画素により形成される。
【０１８８】
ここでは第１の電極１２１３が接続電極と一部重なるように形成され、第１の電極１２
１３はＴＦＴ１２１２のドレイン領域と接続電極を介して電気的に接続している構成とな
っている。第１の電極１２１３は透明性を有し、且つ、仕事関数の大きい導電膜（ＩＴＯ
（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用いることが望ましい。
【０１８９】
また、第１の電極（陽極）１２１３の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと
呼ばれる）１２１４ａ、１２１４ｂを形成する。カバレッジを良好なものとするため、絶
縁物１２１４ｂの上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。絶縁
物１２１４ａ、１２１４ｂは実施の形態１に従って形成すればサイドウォール型の絶縁物
が形成できる。
【０１９０】
また、第１の電極（陽極）１２１３上には、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインク
ジェット法によって有機化合物を含む層１２１５を選択的に形成する。さらに、有機化合
物を含む層１２１５上には第２の電極（陰極）１２１６が形成される。陰極としては、仕
事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ
、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）を用いればよい。こうして、第１の電極（陽極）
１２１３、有機化合物を含む層１２１５、及び第２の電極（陰極）１２１６からなる発光
素子１２１８が形成される。発光素子１２１８は、図９中に示した矢印方向に発光する。
ここでは発光素子１２１８はＲ、Ｇ、或いはＢの単色発光が得られる発光素子の一つであ
り、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光が得られる有機化合物を含む層をそれぞれ選択的に形成した３つの
発光素子でフルカラーとする。
【０１９１】
また、発光素子１２１８を封止するために保護層１２１７を形成する。
【０１９２】
また、発光素子１２１８を封止するために不活性気体雰囲気下でシール材１２０５によ
り封止基板１２０４を貼り合わせる。封止基板１２０４には予めサンドブラスト法などに
よって形成した凹部が形成されており、その凹部に乾燥剤１２０７を貼り付けている。な
お、シール材１２０５としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、シール材１
２０５はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０１９３】
また、本実施例では凹部を有する封止基板１２０４を構成する材料として金属基板、ガ
ラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Fiberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビ
ニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板
を用いることができる。また、内側に乾燥剤を貼りつけた金属缶で封止することも可能で
ある。
【０１９４】
また、本実施例は実施の形態１乃至９のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
【実施例２】
【０１９５】
本実施例では、有機化合物膜中に存在するエネルギー障壁を緩和してキャリアの移動性を
高めると同時に、なおかつ積層構造の機能分離と各種複数の材料の機能を有する素子を作
製する例を示す。
【０１９６】
積層構造におけるエネルギー障壁の緩和に関しては、キャリア注入層の挿入という技術に
顕著に見られる。つまり、エネルギー障壁の大きい積層構造の界面において、そのエネル
ギー障壁を緩和する材料を挿入することにより、エネルギー障壁を階段状に設計すること
ができる。これにより電極からのキャリア注入性を高め、確かに駆動電圧をある程度まで
は下げることができる。しかしながら問題点は、層の数を増やすことによって、有機界面
の数は逆に増加することである。このことが、単層構造の方が駆動電圧・パワー効率のト
ップデータを保持している原因であると考えられる。逆に言えば、この点を克服すること
により、積層構造のメリット（様々な材料を組み合わせることができ、複雑な分子設計が
必要ない）を活かしつつ、なおかつ単層構造の駆動電圧・パワー効率に追いつくことがで
きる。
【０１９７】
そこで本実施例において、発光素子の陽極と陰極の間に複数の機能領域からなる有機化合
物膜が形成される場合、従来の明確な界面が存在する積層構造ではなく、第一の機能領域
と第二の機能領域との間に、第一の機能領域を構成する材料および第二の機能領域を構成
する材料の両方からなる混合領域を有する構造を形成する。
【０１９８】
また、三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料をドーパントとして混合領域に添加
した場合も含める。また、混合領域の形成においては、混合領域に濃度勾配をもたせても
よい。
【０１９９】
このような構造を適用することで、機能領域間に存在するエネルギー障壁は従来の構造
に比較して低減され、キャリアの注入性が向上すると考えられる。すなわち機能領域間に
おけるエネルギー障壁は、混合領域を形成することにより緩和される。したがって、駆動
電圧の低減、および輝度低下の防止が可能となる。
【０２００】
以上のことから、本実施例では第一の有機化合物が機能を発現できる領域（第一の機能
領域）と、前記第一の機能領域を構成する物質とは異なる第二の有機化合物が機能を発現
できる領域（第二の機能領域）と、を少なくとも含む発光素子、及びこれを有する発光装
置の作製において、前記第一の機能領域と前記第二の機能領域との間に、前記第一の機能
領域を構成する有機化合物と前記第二の機能領域を構成する有機化合物、とからなる混合
領域を作製する。
【０２０１】
成膜装置において、一つの成膜室において複数の機能領域を有する有機化合物膜が形成
されるようになっており、蒸着源もそれに応じて複数設けられている。
【０２０２】
はじめに、第一の有機化合物が蒸着される。なお、第一の有機化合物は予め抵抗加熱に
より気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。これ
により、図１０（Ａ）に示す第一の機能領域６１０を形成することができる。
【０２０３】
そして、第一の有機化合物を蒸着したまま、第１シャッターを開け、第二の有機化合物
を蒸着する。なお、第二の有機化合物も予め抵抗加熱により気化されており、蒸着時に第
２シャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。ここで、第一の有機化合物と第二
の有機化合物とからなる第一の混合領域６１１を形成することができる。
【０２０４】
そして、しばらくしてから第１シャッターのみを閉じ、第二の有機化合物を蒸着する。
これにより、第二の機能領域６１２を形成することができる。
【０２０５】
なお、本実施例では、二種類の有機化合物を同時に蒸着することにより、混合領域を形
成する方法を示したが、第一の有機化合物を蒸着した後、その蒸着雰囲気下で第二の有機
化合物を蒸着することにより、第一の機能領域と第二の機能領域との間に混合領域を形成
することもできる。
【０２０６】
次に、第二の有機化合物を蒸着したまま、第３シャッターを開け、第三の有機化合物を
蒸着する。なお、第三の有機化合物も予め抵抗加熱により気化されており、蒸着時にシャ
ッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。ここで、第二の有機化合物と第三の有機
化合物とからなる第二の混合領域６１３を形成することができる。
【０２０７】
そして、しばらくしてから第２シャッターのみを閉じ、第三の有機化合物を蒸着する。
これにより、第三の機能領域６１４を形成することができる。
【０２０８】
最後に、陰極を形成することにより発光素子が完成する。
【０２０９】
さらに、その他の有機化合物膜としては、図１０（Ｂ）に示すように、第一の有機化合
物を用いて第一の機能領域６２０を形成した後、第一の有機化合物と第二の有機化合物と
からなる第一の混合領域６２１を形成し、さらに、第二の有機化合物を用いて第二の機能
領域６２２を形成する。そして、第二の機能領域６２２を形成する途中で、一時的に第３
シャッターを開いて第三の有機化合物の蒸着を同時に行うことにより、第二の混合領域６
２３を形成する。
【０２１０】
しばらくして、第３シャッターを閉じることにより、再び第二の機能領域６２２を形成
する。そして、陰極を形成することにより発光素子が形成される。
【０２１１】
同一の成膜室において複数の機能領域を有する有機化合物膜を形成することができるの
で、機能領域界面が不純物により汚染されることなく、また、機能領域界面に混合領域を
形成することができる。以上により、明瞭な積層構造を示すことなく（すなわち、明確な
有機界面がなく）、かつ、複数の機能を備えた発光素子を作製することができる。
【０２１２】
また、成膜前、成膜中、または成膜後に真空アニールを行うことが可能な成膜
装置を用いれば、成膜中に真空アニールを行うことによって、混合領域における分子間を
よりフィットさせることができる。したがって、さらに駆動電圧の低減、および輝度低下
の防止が可能となる。また、成膜後のアニール（脱気）によって基板上に形成した有機化
合物層中の酸素や水分などの不純物をさらに除去し、高密度、且つ、高純度な有機化合物
層を形成することができる。
【０２１３】
また、本実施例は実施の形態１乃至９、実施例１のいずれか一と自由に組み合わせるこ
とができる。
【実施例３】
【０２１４】
本発明を実施して様々なモジュール（アクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティ
ブマトリクス型ＥＬモジュール、アクティブマトリクス型ＥＣモジュール）を完成させる
ことができる。即ち、本発明を実施することによって、それらを組み込んだ全ての電子機
器が完成される。
【０２１５】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプ
レイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、
パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書
籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１１、図１２に示す。
【０２１６】
図１１（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表
示部２００３、キーボード２００４等を含む。本発明により隔壁の上面形状を縮小できる
ため、開口率が向上し、高精細な表示を実現できる。
【０２１７】
図１１（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０
３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
【０２１８】
図１１（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、
カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
【０２１９】
図１１（Ｄ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレー
ヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、
操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇ
ｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲー
ムやインターネットを行うことができる。
【０２２０】
図１１（Ｅ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０
３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
【０２２１】
図１２（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９
０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ
、イメージセンサ等）２９０７等を含む。本発明により隔壁の上面形状を縮小できるため
、開口率が向上し、高精細な表示を実現できる。
【０２２２】
図１２（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００
３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
【０２２３】
図１２（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３
等を含む。
【０２２４】
ちなみに図１２（Ｃ）に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば５〜２０
インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには
、基板の一辺が１ｍのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
【０２２５】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適
用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態１乃至９、実施例１、
または実施例２のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【実施例４】
【０２２６】
実施例３において示した電子機器には、発光素子が封止された状態にあるパネルに、コン
トローラ、電源回路等を含むＩＣが実装された状態にあるモジュールが搭載されている。
モジュールとパネルは、共に発光装置の一形態に相当する。本実施例では、モジュールの
具体的な構成について説明する。
【０２２７】
図１３（Ａ）に、コントローラ８０１及び電源回路８０２がパネル８００に実装された
モジュールの外観図を示す。パネル８００には、発光素子が各画素に設けられた画素部８
０３と、前記画素部８０３が有する画素を選択する走査線駆動回路８０４と、選択された
画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路８０５とが設けられている。
【０２２８】
またプリント基板８０６にはコントローラ８０１、電源回路８０２が設けられており、
コントローラ８０１または電源回路８０２から出力された各種信号及び電源電圧は、ＦＰ
Ｃ８０７を介してパネル８００の画素部８０３、走査線駆動回路８０４、信号線駆動回路
８０５に供給される。
【０２２９】
プリント基板８０６への電源電圧及び各種信号は、複数の入力端子が配置されたインタ
ーフェース（I/F）部８０８を介して供給される。
【０２３０】
なお、本実施例ではパネル８００にプリント基板８０６がＦＰＣを用いて実装されてい
るが、必ずしもこの構成に限定されない。ＣＯＧ(Chip on Glass)方式を用い、コントロ
ーラ８０１、電源回路８０２をパネル８００に直接実装させるようにしても良い。
【０２３１】
また、プリント基板８０６において、引きまわしの配線間に形成される容量や配線自体
が有する抵抗等によって、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍っ
たりすることがある。そこで、プリント基板８０６にコンデンサ、バッファ等の各種素子
を設けて、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりするのを防
ぐようにしても良い。
【０２３２】
図１３（Ｂ）に、プリント基板８０６の構成をブロック図で示す。インターフェース８
０８に供給された各種信号と電源電圧は、コントローラ８０１と、電源電圧８０２に供給
される。
【０２３３】
コントローラ８０１は、Ａ／Ｄコンバータ８０９と、位相ロックドループ（PLL：Phase
Locked Loop）８１０と、制御信号生成部８１１と、ＳＲＡＭ（Static Random Access M
emory）８１２、８１３とを有している。なお本実施例ではＳＲＡＭを用いているが、Ｓ
ＲＡＭの代わりに、ＳＤＲＡＭや、高速でデータの書き込みや読み出しが可能であるなら
ばＤＲＡＭ（Dynamic  Random  Access  Memory）も用いることが可能である。
【０２３４】
インターフェース８０８を介して供給されたビデオ信号は、Ａ／Ｄコンバータ８０９に
おいてパラレル−シリアル変換され、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応するビデオ信号として制御
信号生成部８１１に入力される。また、インターフェース８０８を介して供給された各種
信号をもとに、Ａ／Ｄコンバータ８０９においてＨｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロ
ック信号ＣＬＫ、交流電圧（AC Cont）が生成され、制御信号生成部８１１に入力される
【０２３５】
位相ロックドループ８１０では、インターフェース８０８を介して供給される各種信号
の周波数と、制御信号生成部８１１の動作周波数の位相とを合わせる機能を有している。
制御信号生成部８１１の動作周波数は、インターフェース８０８を介して供給された各種
信号の周波数と必ずしも同じではないが、互いに同期するように制御信号生成部８１１の
動作周波数を位相ロックドループ８１０において調整する。
【０２３６】
制御信号生成部８１１に入力されたビデオ信号は、一旦ＳＲＡＭ８１２、８１３に書き
込まれ、保持される。制御信号生成部８１１では、ＳＲＡＭ８１２に保持されている全ビ
ットのビデオ信号のうち、全画素に対応するビデオ信号を１ビット分づつ読み出し、パネ
ル８００の信号線駆動回路８０５に供給する。
【０２３７】
また制御信号生成部８１１では、各ビット毎の、発光素子が発光する期間に関する情報
を、パネル８００の走査線駆動回路８０４に供給する。
【０２３８】
また電源回路８０２は所定の電源電圧を、パネル８００の信号線駆動回路８０５、走査
線駆動回路８０４及び画素部８０３に供給する。
【０２３９】
次に電源回路８０２の詳しい構成について、図１４を用いて説明する。本実施例の電源
回路８０２は、４つのスイッチングレギュレータコントロール８６０を用いたスイッチン
グレギュレータ８５４と、シリーズレギュレータ８５５とからなる。
【０２４０】
一般的にスイッチングレギュレータは、シリーズレギュレータに比べて小型、軽量であ
り、降圧だけでなく昇圧や正負反転することも可能である。一方シリーズレギュレータは
、降圧のみに用いられるが、スイッチングレギュレータに比べて出力電圧の精度は良く、
リプルやノイズはほとんど発生しない。本実施例の電源回路８０２では、両者を組み合わ
せて用いる。
【０２４１】
図１４に示すスイッチングレギュレータ８５４は、スイッチングレギュレータコントロ
ール（ＳＷＲ）８６０と、アテニュエイター（減衰器：ＡＴＴ）８６１と、トランス（Ｔ
）８６２と、インダクター（Ｌ）８６３と、基準電源（Ｖｒｅｆ）８６４と、発振回路（
ＯＳＣ）８６５、ダイオード８６６と、バイポーラトランジスタ８６７と、可変抵抗８６
８と、容量８６９とを有している。
【０２４２】
スイッチングレギュレータ８５４において外部のＬｉイオン電池（３．６Ｖ）等の電圧
が変換されることで、陰極に与えられる電源電圧と、スイッチングレギュレータ８５４に
供給される電源電圧が生成される。
【０２４３】
またシリーズレギュレータ８５５は、バンドギャップ回路（ＢＧ）８７０と、アンプ８
７１と、オペアンプ８７２と、電流源８７３と、可変抵抗８７４と、バイポーラトランジ
スタ８７５とを有し、スイッチングレギュレータ８５４において生成された電源電圧が供
給されている。
【０２４４】
シリーズレギュレータ８５５では、スイッチングレギュレータ８５４において生成され
た電源電圧を用い、バンドギャップ回路８７０において生成された一定の電圧に基ずいて
、各色の発光素子の陽極に電流を供給するための配線（電流供給線）に与える直流の電源
電圧を、生成する。
【０２４５】
なお電流源８７３は、ビデオ信号の電流が画素に書き込まれる駆動方式の場合に用いる
。この場合、電流源８７３において生成された電流は、パネル８００の信号線駆動回路８
０５に供給される。なお、ビデオ信号の電圧が画素に書き込まれる駆動方式の場合には、
電流源８７３は必ずしも設ける必要はない。
【０２４６】
なお、スイッチングレギュレータ、ＯＳＣ、アンプ、オペアンプは、ＴＦＴを用いて形
成することが可能である。
【０２４７】
また、本実施例は実施の形態１乃至８、実施例１乃至３のいずれか一と自由に組みあわ
せることができる。
【産業上の利用可能性】
【０２４８】
本発明により、製造装置間、或いは装置の設置場所間で基板を搬送する際に生じやすい静
電破壊やゴミが付着することを防ぐことができる。
【符号の説明】
【０２４９】
１０：基板
１１：第１の隔壁
１２：第２の隔壁
１３：第１の電極（陽極）
１４：有機化合物を含む層
１５：第２の電極（陰極）
【図１】
0005448270.tif 000002
【図２】
0005448270.tif 000003
【図３】
0005448270.tif 000004
【図４】
0005448270.tif 000005
【図５】
0005448270.tif 000006
【図６】
0005448270.tif 000007
【図７】
0005448270.tif 000008
【図８】
0005448270.tif 000009
【図９】
0005448270.tif 000010
【図１０】
0005448270.tif 000011
【図１１】
0005448270.tif 000012
【図１２】
0005448270.tif 000013
【図１３】
0005448270.tif 000014
【図１４】
0005448270.tif 000015
【図１５】
0005448270.tif 000016
【図１６】
0005448270.tif 000017
【図１７】
0005448270.tif 000018
【図１８】
0005448270.tif 000019