(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0005553758.tif 000088
［式中、
（Ｈｅｔ）Ａｒ1、（Ｈｅｔ）Ａｒ2は、それぞれ独立して、非置換または置換アリール基、あるいは非置換または置換ヘテロアリール基であり；
Ｒ1は、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基であり；
Ｒ2、Ｒ3は、それぞれ独立して、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基、あるいはシリル基であり；
ｎ、ｍは、それぞれ独立して、０、１、２、３または４であり、ｎまたはｍは０である場合は、Ｒ2またはＲ3で置換可能なアクリジン基本骨格におけるすべての位置が水素であり；
【化２】
0005553758.tif 000089
は、存在せず；
【化３】
0005553758.tif 000090
は、Ｒ1基をアクリジン骨格の置換可能炭素原子の１つに共有結合させる０、１または２個の原子で構成された任意のブリッジである］のアクリジン誘導体を、有機発光ダイオードの発光層におけるマトリックス材料および／または有機発光ダイオードにおける電子遮断体として有する有機発光ダイオードであって、式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、最低三重項状態のエネルギーが少なくとも２．６ｅＶであることを特徴とする、前記有機発光ダイオード。
【請求項２】
式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、三重項発光体のためのマトリックス材料および／または電子遮断体として使用される、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項３】
Ｒ1基は、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換Ｃ1〜Ｃ8-アルキル基、非置換または置換Ｃ6〜Ｃ14−アリール基、あるいは５〜１４個の環原子を有する非置換または置換ヘテロアリール基である、請求項１または２に記載の有機発光ダイオード。
【請求項４】
（Ｈｅｔ）Ａｒ1および（Ｈｅｔ）Ａｒ2基は、非置換および置換Ｃ6〜Ｃ14−アリール基、および５〜１４個の環原子を有する非置換および置換ヘテロアリール基からなる群からそれぞれ独立して選択される、請求項１から３までのいずれか１項に記載の有機発光ダイオード。
【請求項５】
式（Ｉ）のアクリジン誘導体における基および記号は、それぞれ以下のように定義される、すなわち
（Ｈｅｔ）Ａｒ1、（Ｈｅｔ）Ａｒ2は、それぞれ独立して、非置換であるか、またはＣＮ、−ＯＣ（Ｏ）Ｐｈ、カルバゾリル、ピリジル、ＣＦ3、
【化４】
0005553758.tif 000091
からなる群から選択される１つ以上の基で置換されたフェニル；それぞれが非置換であるか、またはフェニルで置換されたピリジル、ピリミジル、トリアジニル、オキサゾリル、オキサジアゾリル；非置換であるか、またはフェニルで置換されたベンズイミダゾリル；それぞれが非置換であるか、またはフェニルで置換されたベンゾフリル、ジベンゾフリル、ベンゾチエニル、ジベンゾチエニルおよびカルバゾリルであり；
Ｒ1は、非置換であるか、またはＣＨ3、ＣＮ、ＯＣＨ3、カルバゾリル、
【化５】
0005553758.tif 000092
からなる群から選択される１つ以上の基で置換されたフェニル；ビフェニル、ベンゾフリル、または式
【化６】
0005553758.tif 000093
の基であり、（Ｈｅｔ）Ａｒ1および（Ｈｅｔ）Ａｒ2は、それぞれ以上に定義されている通りであり、
Ｒ’は、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基であり；
ｎ、ｍは、それぞれ０であり；
【化７】
0005553758.tif 000094
は、存在しない、請求項１から４までのいずれか１項に記載の有機発光ダイオード。
【請求項６】
少なくとも１つの発光体材料および少なくとも１つのマトリックス材料を含む発光層であって、使用されるマトリックス材料は、一般式（Ｉ）
【化８】
0005553758.tif 000095
［式中、
（Ｈｅｔ）Ａｒ1、（Ｈｅｔ）Ａｒ2は、それぞれ独立して、非置換または置換アリール基、あるいは非置換または置換ヘテロアリール基であり；
Ｒ1は、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基であり；
Ｒ2、Ｒ3は、それぞれ独立して、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基、あるいはシリル基であり；
ｎ、ｍは、それぞれ独立して、０、１、２、３または４であり、ｎまたはｍは０である場合は、Ｒ2またはＲ3で置換可能なアクリジン基本骨格におけるすべての位置が水素であり；
【化９】
0005553758.tif 000096
は、存在せず；
【化１０】
0005553758.tif 000097
は、Ｒ1基をアクリジン骨格の置換可能炭素原子の１つに共有結合させる０、１または２個の原子で構成された任意のブリッジである］で表され、かつ、最低三重項状態のエネルギーが少なくとも２．６ｅＶである、少なくとも１つのアクリジン誘導体である発光層。
【請求項７】
請求項６に記載の少なくとも１つの発光層を含む有機発光ダイオード。
【請求項８】
電子に対する遮断層に、一般式（Ｉ）
【化１１】
0005553758.tif 000098
［式中、
（Ｈｅｔ）Ａｒ1、（Ｈｅｔ）Ａｒ2は、それぞれ独立して、非置換または置換アリール基、あるいは非置換または置換ヘテロアリール基であり；
Ｒ1は、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基であり；
Ｒ2、Ｒ3は、それぞれ独立して、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基、あるいはシリル基であり；
ｎ、ｍは、それぞれ独立して、０、１、２、３または４であり、ｎまたはｍは０である場合は、Ｒ2またはＲ3で置換可能なアクリジン基本骨格におけるすべての位置が水素であり；
【化１２】
0005553758.tif 000099
は、存在せず；
【化１３】
0005553758.tif 000100
は、Ｒ1基をアクリジン骨格の置換可能炭素原子の１つに共有結合させる０、１または２個の原子で構成された任意のブリッジである］で表され、かつ、最低三重項状態のエネルギーが少なくとも２．６ｅＶである、少なくとも１つのアクリジン誘導体を含む有機発光ダイオード。
【請求項９】
請求項７または８に記載の少なくとも１つの有機発光ダイオードを含む、コンピュータ、テレビの視覚的表示装置、プリンタ、台所器具および広告パネル、照明装置および情報パネルにおける視覚的表示装置などの固定式視覚表示装置、ならびに携帯電話、ラップトップ、デジタルカメラ、車両ならびにバスおよび電車の目的地表示板における視覚表示装置、ならびに照明装置などの可動式視覚表示装置からなる群から選択される装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の発光層におけるマトリックス材料および／またはＯＬＥＤにおける電子遮断体としての（ヘテロ）アリール置換アクリジン誘導体の使用に関する。本発明は、さらに、少なくとも１つの発光体材料および少なくとも１つのマトリックス材料を含む発光層であって、使用されるマトリックス材料が、少なくとも１つの（ヘテロ）アリール置換アクリジン誘導体である発光層、ならびに本出願による（ヘテロ）アリール置換アクリジン誘導体を含む少なくとも１つの本発明の発光層および／または電子に対する遮断層を含む有機発光ダイオード、ならびに少なくとも１つの本発明の有機発光ダイオードを含む固定式および可動式視覚表示装置および照明装置から選択される装置に関する。
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、電流によって励起されると発光する材料の特性を利用する。ＯＬＥＤは、陰極線管、および平面視覚表示装置を製造するための液晶ディスプレイの代用として特に興味深い。設計が非常にコンパクトであること、および消費電力が本質的に小さいことにより、ＯＬＥＤを含む装置は、可動装置の用途、例えば携帯電話、ラップトップ、デジタルカメラ、および照明等の用途に特に好適である。
【０００３】
ＯＬＥＤの基本的な機能原理およびＯＬＥＤの好適な構造（層）は、当業者に既知であり、例えばＷＯ２００５／１１３７０４およびそれに引用されている文献に明記されている。使用される発光材料（発光体）は、蛍光材料（蛍光発光体）ばかりでなく、リン光材料（リン光発光体）であってよい。リン光発光体は、典型的には、一重項発光を示す蛍光発光体と対照的に、三重項発光を示す有機金属錯体（三重項発光体）である（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏｗ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９，７５，４  ｔｏ  ６）。
【０００４】
量子力学的理由により、三重項発光体（リン光発光体）が使用されると、４倍までの量子効率、エネルギー効率および電力効率が可能になる。有機金属三重項発光体を実際に使用することの利点を実現するためには、動作寿命が長く、熱応力に対する安定性が高く、使用および動作電圧が低い装置組成物を提供することが必要である。
【０００５】
当該装置組成物は、例えば、実際の発光体が分散した形で存在するマトリックス材料を含む。この場合、マトリックス材料の選択が、ＯＬＥＤの輝度および量子収率を含むパラメータに有意な影響を与える。ＯＬＥＤのさらなる層、例えば電子に対する遮断層の選択もＯＬＥＤの性能に影響を与えるため、例えば、電子に対する遮断層を発光体に適合させることが望ましい。
【０００６】
先行技術では、ＯＬＥＤに使用するための多くの異なる材料が提案されている。提案された材料のなかには、（ヘテロ）アリール置換アクリジン誘導体もあり、ＯＬＥＤの様々な層におけるアクリジン誘導体の使用が開示されている。
【０００７】
例えば、ＵＳ２００４／０２１９３８６Ａ１は、発光層および／または１つ以上の電荷輸送層として、あるいはこれらの層の１つ以上の層のためのホスト材料（マトリックス材料）として使用できる異種のスピロ化合物のＯＬＥＤにおける使用に関する。ＵＳ２００４／０２１９３８６Ａ１における全体的な開示には、アクリジン単位を有するスピロ化合物も含まれる。
【０００８】
ＪＰ２００４／１７１９８６Ａ２は、多環式化合物が電子輸送層に使用され、または発光層におけるマトリックス材料として使用されるＯＬＥＤに関する。多環式化合物は、スピロ化合物であり、ほぼすべての例示化合物がスピロ−ビフルオレンである。しかし、挙げられている一例において、スピロ環式アクリジン誘導体が開示されている。このアクリジン誘導体は、窒素がメチル基で置換されており、さらなるアクリジン誘導体に対する脂肪族スピロ結合を９位に有する。ＪＰ２００４／１７１９８６Ａ２に明記されている多環式化合物は、三重項発光体のマトリックス材料として好適である。
【０００９】
ＥＰ１３４１４０３Ａ１は、特定のスピロ環式有機化合物を含む有機発光ダイオードに関する。スピロ環式有機化合物は、窒素原子がメチル基で置換されており、フルオレニル基に対するスピロ結合を９位に有するアクリジン誘導体を含むことができる。ＥＰ１３４１４０３Ａ１に開示されているスピロ化合物は、好ましくは、電子輸送層または正孔遮断層に使用される。
【００１０】
前記スピロ化合物に加えて、ＯＬＥＤにおける非スピロ環式アクリジン誘導体も同様に先行技術で既知である。
【００１１】
例えば、ＪＰ０６−２９３８８３Ａは、発光層に三環式有機化合物を有する化合物に関する。ＪＰ０６−２９３８８３Ａにおける一般的な定義によれば、該化合物は、アクリジン誘導体であってよい。しかし、ＪＰ０６−２９３８８３Ａには、好適なアクリジン誘導体の例が開示されておらず、アクリドン誘導体のみ開示されている。
【００１２】
ＪＰ０７−１０９４４９Ａは、ＯＬＥＤに三環式基本骨格を有する化合物の使用に関する。ＪＰ０７−１０９４４９Ａに開示されている化合物は、ＪＰ０６−２９３８８３Ａに開示されている化合物と同じ基本構造を有する。ＪＰ０７−１０９４４９Ａによれば、それらは、発光層に使用される。ＪＰ０７−１０９４４９Ａに開示されている基本構造は、アクリジン誘導体をも含むが、好適なアクリジン誘導体の例が開示されておらず、アクリドン誘導体の例のみ開示されている。
【００１３】
ＪＰ０８−２５９９３７Ａは、２つのトリアリル基で９置換されたアクリジン誘導体を含むことができるＯＬＥＤのための電子輸送材料に関する。ＪＰ０８−２５９９３７Ａに開示されている化合物のマトリックス材料としての使用は、ＪＰ０８−２５９９３７Ａに開示されていない。
【００１４】
ＪＰ１０−３３８８７１Ａは、ＪＰ０８−２５９９３７Ａに既に開示されている化合物のエレクトロルミネッセント材料としての発光層における使用に関する。ＪＰ１０−３３８８７１Ａに開示されているアクリジン誘導体のマトリックス材料としての使用は、ＪＰ１０−３３８８７１Ａに開示されていない。
【００１５】
ＪＰ０９−３１００６６Ａは、ＯＬＥＤの正孔輸送層に使用できる特定のアミン化合物に関する。ＪＰ０９−３１００６６Ａによるアミン化合物は、アクリジン誘導体であってよい。ＪＰ０９−３１００６６Ａに開示されているアクリジン誘導体は、それらの９位にアルキル基、例えばメチル基を有する。
【００１６】
ＪＰ１０−２２６７８５Ａは、有機発光ダイオードにおける正孔注入または正孔輸送材料としての特定のトリアリールアミン化合物の使用に関する。ＪＰ１０−２２６７８５Ａによれば、該トリアリールアミン化合物をＯＬＥＤの発光層または別の層（正孔注入層もしくは正孔輸送層）に加えることができる。ＪＰ１０−２２６７８５Ａによるトリアリールアミン化合物は、９位にアルキル基、例えばメチル基を有するアクリジン誘導体を含むことができる。
【００１７】
ＪＰ２００１−２４４０７６Ａは、とりわけ、アリール基を介して結合されたビスアクリジン誘導体の有機発光ダイオードにおける使用に関する。ＪＰ２００１−２４４０７６Ａに示されているアクリジン誘導体を、とりわけ、発光層におけるマトリックス材料として使用することができる。しかし、ＪＰ２００１−２４４０７６Ａには、具体的なアクリジン誘導体が挙げられていない（アクリドン誘導体のみ挙げられている）。
【００１８】
特に良好な特性を有するＯＬＥＤを提供することを可能にするために、ＯＬＥＤに使用される材料を最適化することが必要である。とりわけ、発光層に使用されるマトリックス材料または電子に対する遮断層に使用される材料を使用される発光体材料に適合させることが望ましい。したがって、本出願の目的は、好ましくは、三重項発光体のためのマトリックス材料および／または電子遮断体として機能する、ＯＬＥＤにおける発光層に使用するための新規のマトリックス材料およびＯＬＥＤに使用するための電子遮断体を提供することである。マトリックス材料および電子遮断体は、容易に入手可能であり、実際の発光体と組み合わせると、ＯＬＥＤにおいて良好な輝度および量子収率をもたらすべきである。
【００１９】
この目的は、発光層におけるマトリックス材料および／または有機発光ダイオードにおける電子遮断体としての一般式（Ｉ）
【化１】
0005553758.tif 000002
［式中、
（Ｈｅｔ）Ａｒ1、（Ｈｅｔ）Ａｒ2は、それぞれ独立して、非置換または置換アリール基、あるいは非置換または置換ヘテロアリール基であり；
Ｒ1は、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基であり；
Ｒ2、Ｒ3は、それぞれ独立して、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基、あるいはシリル基であり；
ｎ、ｍは、それぞれ独立して、０、１、２、３または４であり、ｎまたはｍは０である場合は、Ｒ2またはＲ3で置換可能なアクリジン基本骨格におけるすべての位置が水素であり；
【化２】
0005553758.tif 000003
は、（Ｈｅｔ）Ａｒ1基と（Ｈｅｔ）Ａｒ2基を互いに共有結合させる０、１または２個の原子で構成された任意のブリッジであり；
【化３】
0005553758.tif 000004
は、Ｒ1基をアクリジン骨格の置換可能炭素原子の１つに共有結合させる０、１または２個の原子で構成された任意のブリッジである］のアクリジン誘導体の使用によって達成される。
【００２０】
本発明に従って使用される式（Ｉ）の化合物は、実際の発光体とともにＯＬＥＤの発光層に使用される。ＯＬＥＤの発光層に式（Ｉ）のマトリックス材料とともに使用される発光体は、好ましくは、三重項発光体である。加えて、式（Ｉ）の化合物を、好ましくはＯＬＥＤにおける発光体層に直に隣接する（直に接触する）電子に対する遮断層に使用することができる。発光体は、この場合も好ましくは三重項発光体である。
【００２１】
したがって、本発明は、さらに、三重項発光体のためのマトリックス材料としての式（Ｉ）のアクリジン誘導体の使用に関する。
【００２２】
加えて、本発明は、さらに、電子に対する遮断層がＯＬＥＤに存在し、ＯＬＥＤの発光体層に直に接触し、発光体層が三重項発光体を含む電子に対する遮断層における式（Ｉ）のアクリジン誘導体の使用に関する。したがって、本発明は、さらに、三重項発光体のための電子遮断体としての式（Ｉ）のアクリジン誘導体の使用に関する。
【００２３】
式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、特に、実際の発光体との組合せで、マトリックス材料の形で、かつ／または電子遮断体の形で、ＯＬＥＤの発光体層に使用されると良好な輝度および量子収率を有する点が特徴的である。加えて、式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、容易に蒸発可能であり、安定した非晶質膜を形成する。それらを、使用される発光体に容易に合成的に適合させることができる。
【００２４】
有機発光ダイオードにおける特に三重項発光体のためのマトリックス材料および／または電子遮断体としての有機化合物の使用にとって重要なのは、最低三重項状態のエネルギーである。本発明に従って使用される式（Ｉ）のアクリジン誘導体において、該エネルギーは、一般には、少なくとも２．６ｅＶであり、好ましくは、最低三重項状態のエネルギーは、２．６〜３．３ｅＶ、より好ましくは２．７〜３．０ｅＶである。最低三重項状態のエネルギーは、三重項発光の最短波長ピークと定義される。
【００２５】
前記（Ｈｅｔ）Ａｒ1、（Ｈｅｔ）Ａｒ2、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3基ならびに前記任意のブリッジは、非置換であっても置換されていてもよい。前記基が非置換である場合は、すべての置換可能位置が水素原子で占められる。前記基が置換されている場合は、それらの基は、１つ以上の置換基を独立して有することができ、置換基の最大数は、特定の前記基における置換可能位置の数に依存する。前記基の置換に関する好適な実施形態を以下に示す。
【００２６】
好適な置換基は、直鎖状または分枝状であってよいアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アルコキシ基、シアノ基、アリールもしくはヘテロアリールカルボニルオキシ、アルキルカルボニルオキシ、シリル基、アリール基またはヘテロアリール基である。好適なアルキル、アルコキシ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、シリル、アリールおよびヘテロアリール基を以下に示す。
【００２７】
置換基として以下の基を使用するのが特に好ましい。直鎖状または分枝状であってよいＣ1〜Ｃ8-アルキル基、好ましくは、直鎖状または分枝状であってよいＣ1〜Ｃ4−アルキル基、より好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチル。アルキル基は、非置換であっても置換されていてもよく、好適な置換基は、好ましくは、アリール、アルコキシ、アリールオキシおよびハロゲンからなる群から選択される。置換基として好適な置換アルキル基の例は、ＣＦ3、フェノキシメチルおよびベンジルである。さらなる好適な置換基は、アルキル基について示された置換基で置換されても非置換であってもよいＣ6〜Ｃ14−アリール基、例えば、フェニルまたはビフェニルである。さらなる優先的に好適な置換基は、アルキル基について以上に示された置換基で置換されても非置換であってもよい、５〜１４個の環原子を有するヘテロアリール基である。好適なヘテロアリール基は、ピリジル、ピリミジル、トリアジニル、オキサジアゾリル、ベンゾフリル、ジベンゾフリル、ベンゾチエニル、ジベンゾチエニル、窒素原子またはその炭素原子の１つを介してアクリジン基本骨格に結合され得るカルバゾリル、窒素原子またはその炭素原子の１つを介してアクリジン基本骨格に結合され得るアクリジル、窒素原子またはその炭素原子の１つを介してアクリジン基本骨格に結合され得るフェノチアジンＳ，Ｓ−ジオキシジル、ならびにＮまたはＣを介して結合され得る場合によって置換されたイミダゾールおよびベンズイミダゾールである。さらなる優先的に好適な置換基は、アルコキシ置換基であり、アルコキシ置換基の好適なアルキル基は、置換基として好適なアルキル基のなかで既に以上に示されている。アルコキシ置換基としてＯＣＨ3を使用することが特に好ましい。さらなる好適な置換基は、アリールおよびヘテロアリールカルボニルオキシであり、好適なアリール基およびヘテロアリール基は、置換基として以上に示されているアリール基およびヘテロアリール基に対応する。置換基として優先的に好適なさらなる基は、ＣＮ基およびシリル基である。置換基として示された基は、それ自体、前記基から選択される１つ以上の置換基を有することができる。例えば、記載のカルバゾリル基は、シリル基で置換されていてよい。
【００２８】
既に以上に記載されているように、アルキル基およびアルコキシ基のアルキル基は、本出願によれば、直鎖状であっても分枝状であってもよく、好ましくは１〜８個の炭素原子、より好ましくは１〜４個の炭素原子を有する。最も好ましくは、アルキル基は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルである。アルキル基は、非置換であっても置換されていてもよく、好適な置換基は、アリール、アルコキシおよびハロゲンからなる群から選択される。アルキル基のさらなる好適な置換基は、以上に示されている。好適な置換アルキル基の例は、ＣＦ3、ベンジルおよびフェノキシメチルである。
【００２９】
本出願によるシクロアルキル基は、好ましくは、Ｃ3〜Ｃ14−シクロアルキル基、すなわち、それらの環骨格に３〜１４個の炭素原子を有するシクロアルキル基である。Ｃ5〜Ｃ10−シクロアルキル基が特に好ましい。シクロアルキル基は、単環式、二環式または多環式であってよい。シクロアルキル基は、好ましくは、単環式または二環式シクロアルキル基、より好ましくは単環式シクロアルキル基である。既に以上に記載されているように、シクロアルキル基は、置換されていても非置換であってもよい。好適な置換基は、好ましくは、アリール、アルコキシおよびハロゲンからなる群から選択される。さらなる優先的に好適な置換基は、既に以上に示されている。好適なシクロアルキル基の例は、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニルおよびシクロデシルなどの単環式シクロアルキル基、ならびにデカリニル、ノルボルナニル、ボルナニルまたはアダマンチルなどの多環式シクロアルキル基である。
【００３０】
ヘテロシクロアルキル基は、環式アルキル基本骨格における少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子に置き換えられている点で前記シクロアルキル基と異なる基を指すものと理解される。好適なヘテロ原子は、Ｎ、ＯおよびＳである。ヘテロシクロアルキル基本骨格は、シクロアルキル基本骨格と同様に、１つ、２つ以上またはすべての置換可能位置が置換されていてよく、好適な置換基は、シクロアルキルの定義において既に示されているものと同じである。環原子の数も同様に、シクロアルキル基について示されている炭素原子の数に対応する。好適なヘテロシクロアルキル基は、ピロリジン−２−イル、ピロリジン−３−イル、ピペリジン−２−イル、ピペリジン−３−イル、ピペリジン−４−イルなどの窒素含有基である。
【００３１】
好適なハロゲン置換基は、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素、好ましくはフッ素、塩素および臭素、より好ましくはフッ素および塩素、非常に好ましくはフッ素である。
【００３２】
好適なアルコキシ基は、以上に定義されている、対応するアルキル基に由来する。好適なアルコキシ基の例は、ＯＣＨ3、ＯＣ2Ｈ5、ＯＣ3Ｈ7およびＯＣ4Ｈ9である。Ｃ3Ｈ7およびＣ4Ｈ9は、ｎ−異性体と、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルおよびｔｅｒｔ−ブチルなどの分枝状異性体との両方を指すものと理解される。
【００３３】
本出願において、アリールは、単環式または多環式芳香族化合物、好ましくは単環式、二環式または三環式芳香族化合物、より好ましくは単環式または二環式芳香族化合物から誘導され、環ヘテロ原子を含まない基を指す。アリールが単環式系でないときは、特定の形が既知であり安定しているのであれば、飽和形（パーヒドロ形）または部分不飽和形（例えば、ジヒドロ形もしくはテトラヒドロ形）も第２の環またはさらなる環について可能である。これは、本出願における「アリール」という用語が、例えば、両方の基が芳香族である二環式基、または一方の環のみが芳香族である二環式基を含むことを意味する。好適なアリール基の例は、フェニル、ナフチル、インダニル、１，２−ジヒドロナフテニル、１，４−ジヒドロナフテニル、インデニルまたは１，２，３，４−テトラヒドロナフチルである。フェニルまたはナフチルが特に好ましく、フェニルが非常に好ましい。
【００３４】
アリール基は、非置換であっても、１つ以上のさらなる基で置換されていてもよい。好適なさらなる基は、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールカルボニルオキシ、ヘテロアリール、ヒドロキシル、アミノおよびハロゲンからなる群から選択される。好適なアルキル、アリール、アルコキシおよびハロゲン基ならびに好適なさらなる置換基は、既に以上に示されている。アリール基の置換は、式（Ｉ）のアクリジン基本骨格におけるそれらの位置等の要因に左右される。したがって、それらの位置に応じて置換されたさらなるアリール基を、式（Ｉ）のアクリジン基本骨格上の個々の置換基の定義に関して以下に示す。
【００３５】
好適なアリールオキシおよびアリールカルボニル基は、以上に定義された、対応するアリール基に由来する。フェノキシおよびフェニルカルボニルオキシが特に好ましい。
【００３６】
好適なアミノ基は、一般式−ＮＲ’Ｒ"（Ｒ’およびＲ"はそれぞれアリールである）を有する。そのそれぞれが場合によって置換されていてよい好適なアリール基は、以上に示されている。好適なアミノ基の例は、ジフェニルアミノなどのジアリールアミノ基である。
【００３７】
ヘテロアリールは、単環式、二環式または多環式複素環式芳香族基、好ましくは、アリール基本骨格における少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子で置き換えられた、前記アリールに部分的に由来する単環式、二環式または三環式複素環式芳香族基を指すものと理解される。好適なヘテロ原子は、Ｎ、ＯおよびＳである。好適な単環式ヘテロアリール基は、ピリジン、ピリミジンおよびトリアジン基における窒素原子が要望に応じて配置されていてよいピリミジンおよびトリアジン、ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾールおよびオキサジアゾールから誘導される。基本骨格は、１つ、２つ以上またはすべての置換可能位置が置換されていてよく、好適な置換基は、アリールの定義に関して示された置換基である。加えて、単環式ヘテロアリール基本骨格を１つまたは２つのアリール基と縮合させて、二環式または三環式ヘテロアリール基を形成することができる。好適な二環式または三環式ヘテロアリール基は、ベンゾフリル、ジベンゾフリル、ベンゾチエニル、ジベンゾチエニル、カルバゾリル、ベンズイミダゾリル、フェノチアジンＳ，Ｓ−ジオキシジル、アクリジルであり、カルバゾリル、フェノチアジン、Ｓ，Ｓ−ジオキシジルおよびアクリジル基は、窒素原子または対応する基の炭素原子の１つを介して結合されてよい。特に好適なヘテロアリール置換基は、式（Ｉ）のアクリジル基本骨格上の置換基の位置に左右され、式（Ｉ）のアクリジル基本骨格の個々の基の定義に関して以下に示される。
【００３８】
本出願の観点において、シリル基は、アリールシリル基、アリールアルキルシリル基およびアルキルシリル基を指すものと理解され、好適なアリールおよびアルキル基は、以上に示されている。シリル基における好適なアリール基は、置換されていても非置換であってもよいＣ6−アリール基であり、非置換のフェニル基が特に好ましい。好適なアルキル基は、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル基、より好ましくはＣ1〜Ｃ4−アルキル基、より好ましくはメチルまたはエチル基、最も好ましくはメチル基である。好適なシリル基の例は、トリフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、トリメチルシリルおよびフェニルジメチルシリルである。
【００３９】
Ｒ1基は、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基あるいは非置換または置換ヘテロアリール基である。適切かつ好適なアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基および好適な置換基は、既に以上に示されている。Ｒ1基は、好ましくは、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換Ｃ1〜Ｃ8−アルキル基、より好ましくは直鎖状または分枝状であってよい非置換Ｃ1〜Ｃ4−アルキル基；非置換または置換Ｃ6〜Ｃ14−アリール基、より好ましくは非置換または置換フェニル基あるいは非置換または置換ビフェニル基；５〜１４個の環原子を有する非置換または置換ヘテロアリール基、より好ましくは非置換または置換ピリジル基、非置換または置換ピリミジル基、非置換または置換ベンゾフリル基、非置換または置換ジベンゾフリル基、非置換または置換ベンゾチエニル基、非置換または置換ジベンゾチエニル基、非置換または置換カルバゾリル基、あるいは非置換または置換トリアジン基である。好適な実施形態において、Ｒ1基は、非置換または置換アリール基であり、好適なアリール基は以上に示されており、アリール基Ｒ1の好適な例は以下に示される。前記好適な基の好適な置換基は、既に以上に示されている。好適なＲ1基の例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルおよび以下の一般式
【化４】
0005553758.tif 000005
【００４０】
【化５】
0005553758.tif 000006
【００４１】
【化６】
0005553758.tif 000007
［式中、
Ｒ4は、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールカルボニルオキシ、シリルおよびハロゲン、以上に示されている好適なアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールオキシカルボニルオキシ、シリルおよびハロゲン基である。特に好適なＲ4基は、メチル、メトキシ、ＣＦ3、ＣＮ、シリル（好ましくはトリフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、フェニルジメチルシリル）である。
Ｒ5は、置換されていても非置換であってもよく、分枝状または非分枝状であってよいアルキル、好ましくはＣ1〜Ｃ8−アルキル、より好ましくはＣ1〜Ｃ4−アルキル、好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、特に好ましくはメチル、ＣＦ3；アルコキシ、好ましくはＣ1〜Ｃ4−アルコキシ、より好ましくはメトキシ；シアノ、シリル；アリールカルボニルオキシ、好ましくはフェニルカルボニルオキシ、ヘテロアリールカルボニルオキシ、以上に示されている好適なヘテロアリール基、または以下に示される式
【化７】
0005553758.tif 000008
の基であり、
Ｒ6は、水素、アルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロアリール、以上に示されている好適なアルキル、シクロアルキル、アリールおよびヘテロアリール基であり；
Ｒ’は、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基、以上に示されている好適なアルキル、シクロアルキル、アリールおよびヘテロアリール基であり；
ｏ、ｐは、それぞれ０、１、２、３、４、５、好ましくは０、１、２、３、より好ましくは０または１であり；
ｒは、０、１、２、３、４、好ましくは０、１または２、より好ましくは０または１であり；
ｓは、０、１、２、３、好ましくは０または１であり、
ｔは、０、１、２、好ましくは２であり；
ｏ、ｐ、ｒ、ｓまたはｔが０である場合は、前記基本骨格は、それらの置換可能位置に水素原子を有し、（Ｈｅｔ）Ａｒ1および（Ｈｅｔ）Ａｒ2は、それぞれ以下に定義されている］の基である。
【００４２】
好適な実施形態では、Ｒ1基ならびに以下に示される（Ｈｅｔ）Ａｒ1および（Ｈｅｔ）Ａｒ2基において、ｏ、ｒおよびｓは、それぞれ０であり、ｔは２であり、ｐは１である。
【００４３】
（Ｈｅｔ）Ａｒ1および（Ｈｅｔ）Ａｒ2は、それぞれ独立して、非置換または置換アリール基あるいは非置換または置換ヘテロアリール基である。（Ｈｅｔ）Ａｒ1および（Ｈｅｔ）Ａｒ2基は、好ましくは、非置換および置換Ｃ6〜Ｃ14−アリール基、好ましくは非置換および置換フェニルならびに非置換および置換ビフェニル；ならびに５〜１４個の環原子を有する非置換および置換ヘテロアリール基、好ましくは非置換および置換ピリジル、非置換および置換ピリミジル、非置換および置換トリアジニル、非置換および置換ベンゾフリル、非置換および置換ベンゾチエニル、非置換および置換ベンズイミダゾリル、非置換および置換ジベンゾフリル、非置換および置換ジベンゾチエニルならびに非置換および置換カルバゾリルからなる群からそれぞれ独立して選択され、カルバゾリル基は、窒素原子またはその炭素原子の１つを介して式（Ｉ）のアクリジン基本骨格に結合されていてよい。以上に示されている前記（Ｈｅｔ）Ａｒ1および（Ｈｅｔ）Ａｒ2基の好適な置換基は、既に以上に示されている。
【００４４】
特に好適な（Ｈｅｔ）Ａｒ1および（Ｈｅｔ）Ａｒ2基は、以下に示される基：
【化８】
0005553758.tif 000009
［式中、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6基および添字ｏ、ｐ、ｒ、ｓおよびｔは、それぞれＲ1基について以上に示されている通りである］からそれぞれ独立して選択される。
【００４５】
本発明の特に好適な実施形態において、式（Ｉ）のアクリジン誘導体における（Ｈｅｔ）Ａｒ1および（Ｈｅｔ）Ａｒ2基は、同一である。
【００４６】
式（Ｉ）のアクリジン誘導体におけるＲ2およびＲ3は、それぞれ独立して、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基あるいは非置換または置換ヘテロアリール基、およびシリル基である。好適なアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基およびヘテロアリール基は、以上に示されている。好適な置換基は、同様に以上に示されている。好ましくは、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立して、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換アリール基あるいは非置換または置換ヘテロアリール基である。より好ましくは、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立して、非置換であっても置換されていてもよく、直鎖状または分枝状であってよいＣ1〜Ｃ8−アルキル、好ましくは、直鎖状または分枝状であってよく、非置換であるＣ1〜Ｃ4−アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル；非置換または置換Ｃ6〜Ｃ14−アリール、好ましくは非置換または置換フェニル、より好ましくは非置換フェニル；５〜１４個の環原子を有する非置換または置換ヘテロアリール、好ましくは非置換または置換ピリジル、非置換または置換カルバゾイル、より好ましくは非置換ピリジル、非置換カルバゾリル、あるいはＣ1〜Ｃ8−アルキル基および／またはシリル基で置換されたカルバゾリルあるいはシリル、好ましくはトリフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、フェニルジメチルシリルである。
【００４７】
一般式（Ｉ）のアクリジン誘導体におけるｎおよびｍは、それぞれ独立して、０、１、２、３または４であり、ｎまたはｍが０である場合は、アクリジン骨格におけるＲ2およびＲ3で置換可能なすべての位置が水素である。ｎおよびｍは、好ましくは、それぞれ独立して０、１または２、より好ましくは０または１、最も好ましくは０である。
【００４８】
式（Ｉ）のアクリジン誘導体における記号
【化９】
0005553758.tif 000010
は、（Ｈｅｔ）Ａｒ1基および（Ｈｅｔ）Ａｒ2基を互いに共有結合させる０、１または２個の原子で構成された任意のブリッジを表す。この場合、０個の原子で構成されたブリッジは、（Ｈｅｔ）Ａｒ1基と（Ｈｅｔ）Ａｒ2基の間に直接結合が形成されることを意味する。架橋を形成する原子は、炭素原子またはヘテロ原子、例えばＯ、ＮもしくはＳであってよい。ブリッジが２個以上の原子を含む場合は、それらの原子は、純粋の炭素原子鎖から形成されるブリッジ（アルキレンブリッジ）および炭素原子のみならずヘテロ原子を有するブリッジ（ヘテロアルキレンブリッジ）の両方が含まれるように、炭素原子であってもヘテロ原子であってもよい。炭素原子、または場合によってヘテロ原子、例えばＮは、水素原子、アルキル基、例えばＣ1〜Ｃ4−アルキル基、好ましくはメチル；アリール基、例えばＣ6〜Ｃ14−アリール基、好ましくはフェニルで置換されていてよい。加えて、ブリッジは、少なくとも２つの炭素原子を有するときはアルキレン基であってよい。アルキレン基は、同様に、水素または前記基で置換されていてよい。０または１個の原子を有するブリッジが好ましく、１個の原子で構成されたブリッジは、場合によってヘテロ原子を有する。ブリッジは、より好ましくは、炭素原子または結合から形成され；１個以上の炭素原子から形成されたブリッジが特に好ましい。
【００４９】
一般式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、０、１または２個、好ましくは０または１個、最も好ましくは１個の原子を有し、Ｒ1基をアクリジン骨格の置換可能炭素原子の１つに共有結合させる任意のブリッジ
【化１０】
0005553758.tif 000011
をさらに有することができる。好適なブリッジは、ブリッジ
【化１１】
0005553758.tif 000012
について記載されたブリッジである。
【００５０】
好適な実施形態において、一般式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、ブリッジ
【化１２】
0005553758.tif 000013
を有さない。すなわち、式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、より好ましくは、スピロ化合物でない。スピロ化合物でない式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、ＯＬＥＤの動作における非晶質状態の安定性が良好であることが判明した。
【００５１】
非晶質状態の安定性は、ＯＬＥＤの好適なマトリックス材料における使用についての重要な基準である。ＯＬＥＤの動作時の熱応力は、準安定な非晶質状態の熱力学的に安定な結晶への移行をもたらし得る。これは、構成要素の寿命についての広範囲な結果を有する。個々の結晶の粒界は、電荷担体の輸送が停止する欠陥部位を構成する。同様に、結晶化に伴う層の再構成は、層同士の接触および層と電極との接触を抑える。動作の過程で、これは、究極的には、経時的にＯＬＥＤの破壊をもたらす。スピロ化合物における非晶質状態の安定性が特に高いことが知られる。スピロ化合物でない、すなわち
【化１３】
0005553758.tif 000014
が存在しない式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、非晶質状態が良好であるため、ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または電子遮断体としての使用に非常に好適である。
【００５２】
本発明のさらなる好適な実施形態において、式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、ブリッジ
【化１４】
0005553758.tif 000015
でもブリッジ
【化１５】
0005553758.tif 000016
でもない。
【００５３】
さらなる好適な実施形態において、本発明は、基および記号がそれぞれ独立して以下のように定義される一般式（Ｉ）のアクリジン誘導体に関する。
（Ｈｅｔ）Ａｒ1、（Ｈｅｔ）Ａｒ2は、それぞれ独立して、非置換および置換Ｃ6〜Ｃ14−アリール基、ならびに５〜１４個の環原子を有する非置換および置換ヘテロアリール基からなる群から選択され、好ましくは、非置換および置換フェニル、非置換および置換ビフェニル、非置換および置換ピリジル、非置換および置換ピリミジル、非置換および置換トリアジニル、非置換および置換ベンゾフリル、非置換および置換ベンズイミダゾリル、非置換および置換ベンゾチエニル、非置換および置換ジベンゾフリル、非置換および置換ジベンゾチエニルならびに非置換および置換カルバゾリルからなる群から選択され、より好ましくは、非置換であるか、あるいはＣＮ、フェニルカルボニルオキシ、窒素原子または炭素原子を介してアクリジン基本骨格に結合されていてよいカルバゾリル、ピリジル、ＣＦ3、
【化１６】
0005553758.tif 000017
からなる群から選択される１つ以上の基で置換されたフェニル、それぞれが非置換であるか、またはフェニルで置換されたピリジル、ピリミジル、トリアジニル、オキサゾリル、オキサジアゾリル；非置換であるか、またはフェニルで置換されたベンズイミダゾリル；それぞれが非置換であるか、またはフェニルで置換されたベンゾフリル、ジベンゾフリル、ベンゾチエニル、ジベンゾチエニルおよびカルバゾリルから選択され；
Ｒ1は、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換Ｃ1〜Ｃ8−アルキル基、好ましくは直鎖状または分枝状であってよい非置換Ｃ1〜Ｃ4−アルキル基；非置換または置換Ｃ6〜Ｃ14−アリール基、好ましくは非置換または置換フェニル基あるいは非置換または置換ビフェニル基；５〜１４個の環原子を有する非置換または置換ヘテロアリール基、好ましくは非置換または置換ピリジル基、非置換または置換ピリミジル基、非置換または置換ベンゾフリル基、非置換または置換のベンゾチエニル基、非置換または置換ジベンゾフリル基、非置換または置換ジベンゾチエニル基、あるいは窒素原子または炭素原子を介して式（Ｉ）のアクリジン基本骨格に結合されていてよい非置換または置換カルバゾリル基であり；
より好ましくは、Ｒ1は、非置換であるか、またはＣＨ3、ＣＮ、ＯＣＨ3、窒素原子もしくは炭素原子を介して式（Ｉ）のアクリジン基本骨格に結合されていてよいカルバゾリル、
【化１７】
0005553758.tif 000018
から選択される１つ以上の基で置換されたフェニル、ビフェニル、ベンゾフリル、あるいは式
【化１８】
0005553758.tif 000019
［式中、（Ｈｅｔ）Ａｒ1、および（Ｈｅｔ）Ａｒ2は、それぞれ以上に定義されている通りである］の基であり、
Ｒ’は、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換アルキル基、非置換または置換シクロアルキル基、非置換または置換ヘテロシクロアルキル基、非置換または置換アリール基、非置換または置換ヘテロアリール基であり、
最も好ましくは、Ｒ1は、非置換であるか、または前記基の１つ以上の基で置換されたフェニルである。
Ｒ2、Ｒ3は、それぞれ独立して、直鎖状または分枝状であってよい非置換または置換Ｃ1〜Ｃ8−アルキル基、好ましくは非置換Ｃ1〜Ｃ4−アルキル基；非置換または置換Ｃ6〜Ｃ14−アリール基、好ましくは非置換または置換フェニル基あるいは非置換または置換ビフェニル基；５〜１４個の環原子を有する非置換または置換ヘテロアリール基、好ましくは非置換または置換ピリジル基、好ましくは非置換または置換カルバゾリル基あるいはシリル基、好ましくはトリフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、フェニルジメチルシリルであり；特に好適な実施形態において、式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、それぞれＲ2またはＲ3基を有さないか、または１つ有し（ｎ、ｍ＝０、１）、ｎおよびｍ＝１であるときは、Ｒ2およびＲ3基は、それぞれ式（Ｉ）のアクリジン誘導体の窒素原子に対してパラ位に配置されており；
ｎ、ｍは、それぞれ０、１、２または３、好ましくは０または１、より好ましくは０であり；
【化１９】
0005553758.tif 000020
は存在しない。
【００５４】
好適な置換基およびさらなる好適なアルキル基、アリール基およびヘテロアリール基は、以上に示されている。
【００５５】
式（Ｉ）の特に好適なアクリジン誘導体は、以下の式を有する。
【００５６】
【化２０】
0005553758.tif 000021
【００５７】
【化２１】
0005553758.tif 000022
【００５８】
【化２２】
0005553758.tif 000023
【００５９】
【化２３】
0005553758.tif 000024
【００６０】
【化２４】
0005553758.tif 000025
【００６１】
【化２５】
0005553758.tif 000026
【００６２】
【化２６】
0005553758.tif 000027
【００６３】
【化２７】
0005553758.tif 000028
【００６４】
アクリジン誘導体は、当業者に既知の方法、または当業者に既知の方法から導かれた方法によって製造される。好適な製造方法は、例えば、本明細書の導入部に引用された文献に示されている。
【００６５】
例えば、式（Ｉ）のアクリジン誘導体を以下のスキーム１に従って製造することができる。
【００６６】
【化２８】
0005553758.tif 000029
ａ）極性非プロトン性溶媒、例えばＴＨＦ；金属化剤、例えばｔｅｒｔ−ＢｕＬｉ；低温、例えば−７８℃
【化２９】
0005553758.tif 000030
【００６７】
スキーム１
スキーム１における基および記号は、それぞれ式Ｉの化合物について以上に定義されている通りであり、Ｈａｌは、ハロゲン、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、好ましくは塩素または臭素、より好ましくは臭素である。
【００６８】
スキーム１に示された製造方法を実施するための方法工程および反応条件ならびに好適な極性非プロトン性溶媒は、当業者に既知である。
【００６９】
以下のスキーム２は、例として、９，９−ジ（４−（Ｎ−カルバゾイル）フェニル−Ｎ−フェニル−９，１０−ジヒドロアクリジンを製造するための方法を示す。
【００７０】
【化３０】
0005553758.tif 000031
【００７１】
スキーム２
式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、有機発光ダイオードにおける発光層のマトリックス材料およびＯＬＥＤにおける電子遮断体としての使用に極めて好適である。特に、それらは、使用される発光体化合物が１つ以上の三重項発光体である発光層のマトリックス材料、および発光体層が１つ以上の三重項発光体を含むＯＬＥＤの発光層に直に隣接する電子に対する遮断層の電子遮断体として好適である。
【００７２】
したがって、本発明は、好ましくは少なくとも１つの三重項発光体である少なくとも１つの発光体化合物に加えて、式（Ｉ）の少なくとも１つのアクリジン誘導体を発光層に含むＯＬＥＤをさらに提供する。
【００７３】
本発明は、また、電子に対する遮断層に式（Ｉ）の少なくとも１つのアクリジン誘導体を含むＯＬＥＤであって、電子に対する遮断層が好ましくはＯＬＥＤの発光層と直に接触し、ＯＬＥＤの発光層が好ましくは少なくとも１つの三重項発光体を含むＯＬＥＤをさらに提供する。
【００７４】
また、式（Ｉ）のアクリジン誘導体をＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および電子遮断体の両方として使用することが可能である。この場合、ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および電子遮断体として使用される式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、好ましくは、式（Ｉ）の異なるアクリジン誘導体である。
【００７５】
本発明は、少なくとも１つの発光体化合物および少なくとも１つのマトリックス材料を含む発光層であって、使用されるマトリックス材料が式（Ｉ）の少なくとも１つのアクリジン誘導体である発光層をさらに提供する。式（Ｉ）の好適なアクリジン誘導体は、既に以上に示されている。少なくとも１つの発光体化合物は、好ましくは三重項発光体である。好適な三重項発光体は、当業者に既知である。好適な三重項発光体は、以下に示される。
【００７６】
本出願は、式（Ｉ）の好適なアクリジン誘導体が既に以上に示されている式（Ｉ）の少なくとも１つのアクリジン誘導体を含む電子に対する遮断層をさらに提供する。
【００７７】
電子遮断体またはマトリックス材料としての式（Ｉ）のアクリジン誘導体の適性は、ＯＬＥＤにおける電子的状態および式（Ｉ）のアクリジン誘導体の置換パターンを含む要因に左右される。概して、マトリックス材料は、電子遮断体材料より強い電子親和力を有する。電子親和力を、還元電位を介して、例えばサイクリックボルタンメトリー測定で測定することができ、好適な測定装置は、当業者に既知である。
【００７８】
本発明は、少なくとも１つの本発明の発光層を含むＯＬＥＤをさらに提供する。
【００７９】
マトリックス材料および／または電子遮断体としての式（Ｉ）のアクリジン誘導体の使用は、これらの化合物もそれ自体発光する可能性を除外することを意図するものではない。しかし、本発明に従って使用されるマトリックス材料または電子遮断体は、通常の場合、ＯＬＥＤにおける発光体として使用される化合物について、他の通例のマトリックス材料および／または電子遮断体と比較した輝度および量子収率の向上が達成されるという効果を有する。
【００８０】
好適に使用される発光体化合物の多くは、金属錯体に基づくものであり、例えば、金属Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｏｓ、ＣｕおよびＡｕの錯体、特に金属Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、ＰｄおよびＰｔの錯体、特にＩｒの錯体が有効であった。本発明に従って使用される式Ｉのアクリジン誘導体は、当該金属錯体に基づく発光体のマトリックス材料および／または電子遮断体材料として特に好適である。特に、それらは、マトリックス材料および／または電子遮断体材料としてのＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、ＰｄおよびＰｔの錯体との併用、より好ましくはＩｒの錯体との併用に好適である。
【００８１】
ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または電子遮断体材料としての式Ｉのアクリジン誘導体とともに使用するための好適な金属錯体は、例えば、文献ＷＯ０２／６０９１０Ａ１、ＵＳ２００１／００１５４３２Ａ１、ＵＳ２００１／００１９７８２Ａ１、ＵＳ２００２／００５５０１４Ａ１、ＵＳ２００２／００２４２９３Ａ１、ＵＳ２００２／００４８６８９Ａ１、ＥＰ１１９１６１２Ａ２、ＥＰ１１９１６１３Ａ２、ＥＰ１２１１２５７Ａ２、ＵＳ２００２／００９４４５３Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ００／７０６５５Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２、ＷＯ２００５／１１３７０４Ａ２、ＷＯ２００６／１１５３０１Ａ１、ＷＯ２００６／０６７０７４Ａ１、ＷＯ２００６／０５６４１８、ＷＯ２００６／１０３８７４Ａ１、ＷＯ２００５／１２３８７３Ａ１およびＷＯ２００６／１２１８１１Ａ１に記載されている。
【００８２】
例えば、Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｓｏｃ．２００１，１２３，４３０４およびＣ．Ａｄａｃｈｉ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００１，７９，２０８２に開示されている青色発光イリジウム錯体イリジウム（ＩＩＩ）ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ2’］ピコリネート（Ｆｌｒｐｉｃ）、ならびに例えばＲ．Ｊ．Ｈｏｌｍｅｓ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００３，８３，３８１８に開示されているイリジウム（ＩＩＩ）ビス（４’，６’−ジフルオロフェニルピリジナト）テトラキス（１−ピラゾリル）ボレート（Ｆｌｒ６）がさらに好適である。
【００８３】
さらなる好適な金属錯体は、商業的に入手可能な金属錯体であるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（２−（４−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ2’）、イリジウム（ＩＩＩ）トリス（１−フェニルイソキノリン）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−（２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ3’）−（アセチルアセトネート）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ2）ピコリネート、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）およびイリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）である。
【００８４】
加えて、以下の商業的に入手可能な材料が好適である。トリス（ジベンゾイルアセトナト）モノ（フェナントリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（５−アミノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジ−２−ナフトイルメタン）モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（４−ブロモベンゾイルメタン）モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジ（ビフェニルメタン））モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）−モノ（４，７−ジフェニルフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジメチルフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジメチルフェナントロリン−二スルホン酸）ユーロピウム（ＩＩＩ）二ナトリウム塩、トリス［ジ（４−（２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ）ベンゾイルメタン）］モノ（フェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）およびトリス［ジ（４−（２−（２−エトキシエトキシ）−エトキシ）ベンゾイルメタン）］モノ（５−アミノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）。
【００８５】
加えて、以下の錯体は、ＯＬＥＤにおける式（Ｉ）のアクリジン誘導体とともに使用される発光体材料として好適である。
一般式（ＩＩ）：
【化３１】
0005553758.tif 000032
［式中、
Ｘは、Ｎ、ＮＨ、ＮＲ4、ＣＨ、ＣＲ4、ＯまたはＳであり；
Ｙは、ＣまたはＮであり；
Ｒ4は、それぞれの場合において独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールカルボニルオキシ、シリルおよびハロゲン、以上に示されている好適なアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールオキシカルボニルオキシ、シリルおよびハロゲン基からなる群から選択される置換基であり；特に好適なＲ4基は、置換または非置換フェニル（置換フェニルは、好ましくは、直鎖状または分枝状であってよいＣ1〜Ｃ8−アルキル基、好ましくはＣ1〜Ｃ4−アルキル基、より好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルなどのアルキル置換基で置換されている）；メチル；メトキシ；ＣＦ3；ＣＮ；シリル（好ましくはトリフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、フェニルジメチルシリル）であり；
Ｍは、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、ＰｄまたはＲｕ、好ましくはＩｒであり；
ｎ*は、Ｍの原子価に応じて、２、３または４であり、好ましくは、ＭがＩｒのときに３であり；
ｒは、０、１、２、３または４、好ましくは０、１または２、より好ましくは０または１であり、ｒが０の場合は、アリール基のすべての置換可能位置が水素原子を有する］のホモレプチック錯体。
【００８６】
式（ＩＩ）の好適なホモレプチック錯体は、以下の構造：
【化３２】
0005553758.tif 000033
［式中、
Ｒ4は、それぞれの場合において独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールカルボニルオキシ、シリルおよびハロゲン、以上に示されている好適なアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アリールオキシカルボニルオキシ、シリルおよびハロゲン基からなる群から選択される置換基であり；特に好適なＲ4基は、置換または非置換フェニル（置換フェニルは、好ましくは、直鎖状または分枝状であってよいＣ1〜Ｃ8−アルキル基、好ましくはＣ1〜Ｃ4−アルキル基、より好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルなどのアルキル置換基で置換されている）；メチル；メトキシ；ＣＦ3；ＣＮ；シリル（好ましくはトリフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、フェニルジメチルシリル）であり；
ＡＬＫは、アルキル基、好ましくは、直鎖状または分枝状であってよいＣ1〜Ｃ4−アルキル基、より好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルであり：
ｏは、０、１、２、３、４、５、好ましくは０、１、２、３、より好ましくは０または１であり；
ｒは、０、１、２、３、４、好ましくは０、１または２、より好ましくは０または１であり；
ｓは、０、１、２、３、好ましくは０または１であり；
ｔは、０、１、２、好ましくは０または１であり；
ｏ、ｐ、ｒ、ｓまたはｔが０である場合は、前記基本骨格は、それらの置換可能位置に水素原子を有する］を有する。
【００８７】
一般式（ＩＩＩ）：
【化３３】
0005553758.tif 000034
［式中、
記号および基Ｘ、Ｙ、Ｍ、Ｒ4およびｒは、それぞれ独立して、一般式（ＩＩ）について定義されている通りであり、
ｎ**は、Ｍの原子価に応じて、１、２または３であり、好ましくは、ＭがＩｒのときに２であり；
【化３４】
0005553758.tif 000035
は、モノアニオン性二座リガンド、例えば、アセチルアセトネートおよびそれらの誘導体、ピコリネートおよびそれらの誘導体、シッフ塩基、アミノ酸、および以下の一般式：
【化３５】
0005553758.tif 000036
のリガンドであり、
Ｘ’は、独立して、ＮまたはＣＨであり、Ｒ4は、以上に定義されている通りである］のヘテロレプチック錯体。
【００８８】
式（ＩＩＩ）の好適なヘテロレプチック錯体は、以下の構造：
【化３６】
0005553758.tif 000037
［式中、基および記号Ｒ4、ｏ、ｒ、ｓおよびｔは、それぞれ式（ＩＩ）の好適な化合物について以上に定義されている通りである］を有する。
【００８９】
一般式（ＩＶ）：
【化３７】
0005553758.tif 000038
［式中、記号および基Ｘ、Ｙ、Ｍ、Ｒ4、ｎ*およびｒは、それぞれ独立して、一般式（ＩＩ）について定義されている通りである］のホモレプチック錯体。
【００９０】
式（ＩＶ）の好適なホモレプチック錯体は、以下の構造：
【化３８】
0005553758.tif 000039
［式中、基および記号Ｒ4、ｏ、ｒ、ｓおよびｔは、それぞれ式（ＩＩ）の好適な化合物について以上に定義されている通りである］を有する。
【００９１】
一般式（Ｖ）：
【化３９】
0005553758.tif 000040
［式中、記号および基Ｘ、Ｙ、Ｍ、Ｒ4、ｎ**、ｒおよび
【化４０】
0005553758.tif 000041
は、それぞれ独立して、一般式（ＩＩＩ）について定義されている通りである］のヘテロレプチック錯体。
【００９２】
式（Ｖ）の好適なヘテロレプチック錯体は、以下の構造：
【化４１】
0005553758.tif 000042
［式中、基および記号Ｒ4、ｏ、ｒ、ｓおよびｔは、それぞれ式（ＩＩＩ）の好適な化合物について以上に定義されている通りである］を有する。
【００９３】
前記金属錯体は、当業者に既知の方法によって製造される。化学量論および反応条件は、前記特許出願に基づいて当業者により問題なく決定され得る。
【００９４】
本発明の好適な実施形態において、式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、三重項発光体としてのカルベン錯体とともにマトリックス材料として発光層に使用される。すなわち、特に好適な三重項発光体は、カルベン錯体である。好適なカルベン錯体は、当業者に既知であり、以上および以下に挙げられる出願のいくつかに示されている。さらなる好適な実施形態において、式（Ｉ）のアクリジン誘導体は、三重項発光体としてのカルベン錯体とともに電子遮断体材料として使用される。また、式（Ｉ）のアクリジン誘導体を三重項発光体としてのカルベン錯体とともにマトリックス材料および電子遮断体材料の両方として使用することができる。
【００９５】
したがって、ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または電子遮断体材料としての式Ｉのアクリジン誘導体とともに使用するための好適な金属錯体は、例えば、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２、ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２およびＷＯ２００５／１１３７０４、ならびにより早い優先日を有するが、本出願の優先日には公開されていなかった先行の欧州出願ＥＰ０６１１２２２８．９およびＥＰ０６１１２１９８．４に記載されているカルベン錯体でもある。引用したＷＯおよびＥＰ出願の開示内容は、明確に本明細書で援用され、これらの開示内容は、本出願の内容に組み込まれていると見なされるべきである。特に、式Ｉのアクリジン誘導体とともに使用するための好適な金属錯体は、ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または電子遮断体材料として、とりわけＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２（以降に使用される変数の記号は、出願ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２から採用された；変数のより正確な定義に関してはこの出願が明確に参照される）に開示されている以下の構造
【化４２】
0005553758.tif 000043
［式中、
＊は、金属中心へのリガンドの結合部位を表し；
ｚ、ｚ’は、同一であるか、または異なっており、それぞれＣＨまたはＮであり；
Ｒ12、Ｒ12’は、同一であるか、または異なっており、それぞれアルキル、アリール、ヘテロアリールまたはアルケニル基、好ましくはアルキルまたはアリール基であり、それぞれの場合において、２個のＲ12またはＲ12’基が一緒になって、少なくとも１つのヘテロ原子、好ましくはＮを場合によって含むことができる縮合環を形成し；好ましくは、それぞれの場合において、２個のＲ12またはＲ12’基が一緒になって、縮合芳香族Ｃ6環を形成し、１つ以上のさらなる芳香族環が、この好ましくは６員芳香族環に場合によって縮合されていてよく、考えられる任意の縮合が可能であり、縮合基は置換されていてよく；あるいはＲ12またはＲ12’は、ハロゲン基、好ましくはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、より好ましくはＦ；アルコキシ、アリールオキシ、カルボニル、エステル、アミノ基、アミド基、ＣＨＦ2、ＣＨ2Ｆ、ＣＦ3、ＣＮ、チオ基およびＳＣＮからなる群から選択される、供与体または受容体作用を有する基であり；
ｔおよびｔ’は、同一であるか、または異なっており、好ましくは同一であり、それぞれ０〜３であり、ｔまたはｔ’が＞１であるときは、Ｒ12またはＲ12’基は同一であっても異なっていてもよく；ｔまたはｔ’は、好ましくは０または１であり；Ｒ12またはＲ12’基は、ｔまたはｔ’が１であるときは、窒素原子がカルベン炭素原子に隣接する結合部位に対してオルト、メタまたはパラ位にあり；
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ11は、それぞれ水素、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、またはハロゲン基、好ましくはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、より好ましくはＦ、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、エステル基、アミン基、アミド基、ＣＨ2Ｆ基、ＣＨＦ2基、ＣＦ3基、ＣＮ基、チオ基およびＳＣＮ基から選択される供与体または受容体作用を有する置換基、好ましくは水素、アルキル、ヘテロアリールまたはアリールであり、
Ｒ10は、アルキル、アリール、ヘテロアリールまたはアルケニル、好ましくはアルキル、ヘテロアリールまたはアリールであり、それぞれの場合において、２個のＲ10基が一緒になって、少なくとも１つのヘテロ原子、好ましくは窒素を場合によって含むことができる縮合環を形成し；好ましくは、それぞれの場合において、２個のＲ10基が一緒になって、縮合芳香族Ｃ6環を形成し、１つ以上のさらなる芳香族環が、この好ましくは６員芳香族環に場合によって縮合されていてよく、考えられる任意の縮合が可能であり、縮合基は置換されていてよく；あるいはＲ10は、ハロゲン基、好ましくはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、より好ましくはＦ；アルコキシ、アリールオキシ、カルボニル、エステル、アミノ基、アミド基、ＣＨＦ2、ＣＨ2Ｆ、ＣＦ3、ＣＮ、チオ基およびＳＣＮからなる群から選択される、供与体または受容体作用を有する基であり；
ｖは、０〜４、好ましくは０、１または２、最も好ましくは０であり、ｖが０であるときは、Ｒ10で場合によって置換された式ｃにおけるアリール基の４個の炭素原子が水素原子を有する］のカルベンリガンドを含む。
【００９６】
特に、ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または電子遮断体材料としての式Ｉのアクリジン誘導体とともに使用するための好適な金属錯体は、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２に開示されている以下の構造：
【化４３】
0005553758.tif 000044
［式中、変数は、それぞれ以上に既に示されている］のＩｒ−カルベン錯体を含む。
【００９７】
また、ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または電子遮断体材料としての式Ｉのアクリジン誘導体とともに使用するためのさらなる好適な金属錯体は、特に、ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２（以降に使用される変数の記号は、出願ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２から採用された；変数のより正確な定義に関してはこの出願が明確に参照される）に開示されている構造：
【化４４】
0005553758.tif 000045
【００９８】
【化４５】
0005553758.tif 000046
【００９９】
【化４６】
0005553758.tif 000047
【０１００】
【化４７】
0005553758.tif 000048
［式中、
Ｍは、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（ＩＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）またはＰｔ（ＩＩ）であり、
ｎは、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）およびＩｒ（ＩＩＩ）については３の値、およびＰｄ（ＩＩ）およびＰｔ（ＩＩ）については２の値をとり、Ｙ2およびＹ3は、それぞれ水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチルである］でもある。Ｍは、好ましくは、ｎが３に等しいＩｒ（ＩＩＩ）である。Ｙ3は、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチルである。
【０１０１】
また、ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または電子遮断体材料としての式Ｉのアクリジン誘導体とともに使用するためのさらなる好適な金属錯体は、特に、構造：
【化４８】
0005553758.tif 000049
［式中、
Ｍは、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（ＩＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）またはＰｔ（ＩＩ）であり、
ｎは、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）およびＩｒ（ＩＩＩ）については３の値、およびＰｄ（ＩＩ）およびＰｔ（ＩＩ）については２の値をとり、Ｙ3は、それぞれ水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチルである］でもある。Ｍは、好ましくは、ｎが３に等しいＩｒ（ＩＩＩ）である。Ｙ3は、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチルである。
【０１０２】
また、ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または電子遮断体材料としての式Ｉのアクリジン誘導体とともに使用するためのさらなる好適な金属錯体は、特に、構造：
【化４９】
0005553758.tif 000050
［式中、
Ｍは、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）、特にＩｒ（ＩＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）またはＰｔ（ＩＩ）であり、
ｎは、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）およびＩｒ（ＩＩＩ）については３の値、およびＰｄ（ＩＩ）およびＰｔ（ＩＩ）については２の値をとる］でもある。
【０１０３】
また、ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または電子遮断体材料としての式Ｉのアクリジン誘導体とともに使用するためのさらなる好適な金属錯体は、特に、構造：
【化５０】
0005553758.tif 000051
【０１０４】
【化５１】
0005553758.tif 000052
【０１０５】
【化５２】
0005553758.tif 000053
［式中、
Ｍは、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）、特にＩｒ（ＩＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）またはＰｔ（ＩＩ）であり、
ｎは、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）およびＩｒ（ＩＩＩ）については３の値、およびＰｄ（ＩＩ）およびＰｔ（ＩＩ）については２の値をとる］でもある。
【０１０６】
加えて、異なるカルベンリガンドおよび／または一座であっても二座であってもよいモノまたはジアニオン性リガンドを有する錯体も有用である。
【０１０７】
以下に示す表
【表１】
0005553758.tif 000054
を参照すると、三価金属中心および２つの異なるカルベンリガンドＬ’およびＬ"を有する錯体ＭＬ’（Ｌ"）2
［式中、Ｍは、例えば、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）またはＩｒ（ＩＩＩ）、特にＩｒ（ＩＩＩ）であり、
Ｌ’およびＬ"は、例えば、リガンドＬ1〜Ｌ7
【化５３】
0005553758.tif 000055
の群から選択されるリガンドであり、
Ｙ2は、水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチルであり、
Ｙ3は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチルである］が体系的に示されている。
【０１０８】
異なるカルベンリガンド（Ｙ2＝水素およびＹ3＝メチルのときはＬ’＝Ｌ4であり；Ｙ2＝水素およびＹ3＝メチルのときはＬ"＝Ｌ2である）を有するこれらの錯体の１つの代表例は、例えば、
【化５４】
0005553758.tif 000056
である。
【０１０９】
マトリックス材料において、かつ／または式Ｉの電子遮断体材料とともに使用される三価金属中心（例えば、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）またはＩｒ（ＩＩＩ）の場合）の錯体において、すべての３つのカルベンリガンドは、互いに異なっていてもよいことが理解されるであろう。
【０１１０】
リガンドＬ（ここではモノアニオン性二座リガンド）を「傍観リガンド」とする三価金属中心Ｍの錯体の例は、ＬＭＬ’Ｌ"、ＬＭ（Ｌ’）2およびＬ2ＭＬ’［式中、Ｍは、例えば、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）またはＩｒ（ＩＩＩ）、特にＩｒ（ＩＩＩ）であり、Ｌ’およびＬ"は、それぞれ以上に定義されている通りである］である。これは、錯体ＬＭＬ’Ｌ"におけるＬ’とＬ"の組合せについて、以下の表
【表２】
0005553758.tif 000057
を与える。
【０１１１】
有用なリガンドＬは、特に、アセチルアセトンおよびその誘導体、ピコリネート、シッフ塩基、アミノ酸およびＷＯ０２／１５６４５Ａ１に示されている二座モノアニオン性リガンドであり、特に、アセチルアセトネートおよびピコリネートが興味深い。錯体Ｌ2ＭＬ’の場合には、リガンドＬは、同一であっても異なっていてもよい。
【０１１２】
異なるカルベンリガンド（Ｙ2＝水素およびＹ3＝メチルのときはＬ’＝Ｌ4であり；Ｙ2＝水素およびＹ3＝メチルのときはＬ"＝Ｌ2である）を有するこれらの錯体の１つの代表例は、例えば、
【化５５】
0005553758.tif 000058
［式中、記号
【化５６】
0005553758.tif 000059
におけるｚ1およびｚ2は、リガンドＬの２つの「歯」を表す］である。Ｙ3は、水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチル、特にメチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピルである。
【０１１３】
ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料および／または電子遮断体材料として式Ｉのアクリジン誘導体とともに使用するための特に発光体化合物として好適なさらなる金属錯体は、
【化５７】
0005553758.tif 000060
［式中、
Ｍは、Ｒｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（ＩＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）またはＰｔ（ＩＩ）であり、
ｎは、ＭがＲｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（ＩＩＩ）およびＩｒ（ＩＩＩ）である場合は３の値、およびＭがＰｄ（ＩＩ）およびＰｔ（ＩＩ）である場合は２の値をとり、
Ｙ2およびＹ3は、それぞれ水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチルである］である。Ｍは、好ましくは、ｎが３に等しいＩｒ（ＩＩＩ）である。Ｙ3は、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチルである。
【０１１４】
加えて、以下の具体的な金属錯体は、マトリックス材料としての式Ｉの化合物とともに、特に発光体化合物としてＯＬＥＤにおいて使用するのに好適である。
【０１１５】
【化５８】
0005553758.tif 000061
【０１１６】
【化５９】
0005553758.tif 000062
【０１１７】
前記カルベン錯体は、当業者に既知の方法によって製造される。化学量論および反応条件は、カルベン錯体および製造方法に関する前記特許出願に基づいて当業者により容易に決定され得る。加えて、本出願の実施例の部は、前記カルベン錯体のいくつかを製造するための方法の記載を含む。実施例に明記されていないカルベン錯体は、実施例の部に記載されている方法と同様にして製造することができる。
【０１１８】
式（Ｉ）の少なくとも１つのアクリジン誘導体が発光体化合物とともに、好ましくは三重項発光体とともに、より好ましくは三重項発光体としてのカルベン錯体とともにＯＬＥＤの発光層に使用されるときは、発光層における式（Ｉ）の少なくとも１つのアクリジン誘導体の割合は、一般には５０〜９９質量％、好ましくは６０〜９５質量％、より好ましくは７０〜９０質量％である。発光層における発光体化合物の割合は、一般には１〜５０質量％、好ましくは５〜４０質量％、より好ましくは１０〜３０質量％であり、式（Ｉ）の少なくとも１つのアクリジン誘導体および少なくとも１つの発光体化合物の割合は、一般には１００質量％までである。しかし、発光層、ならびに式（Ｉ）の少なくとも１つのアクリジン誘導体および少なくとも１つの発光体化合物は、さらなる物質、例えばさらなる希釈剤材料を含むことも可能であり、好適な希釈剤材料が以下に示される。
【０１１９】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、基本的にいくつかの層、例えば、
１．陽極
２．正孔輸送層
３．発光層
４．電子輸送層
５．陰極
から構成される。
【０１２０】
当業者に既知である、前記構造と異なる層配列も可能である。例えば、ＯＬＥＤは、挙げられた層のすべてを有さなくてよい。例えば、層（１）（陽極）、（３）（発光層）および（５）（陰極）を含むＯＬＥＤも好適であり、層（２）（正孔輸送層）および（４）（電子輸送層）の機能は、隣接する層が肩代わりする。層（１）、（２）、（３）および（５）または層（１）、（３）、（４）および（５）を有するＯＬＥＤも好適である。
【０１２１】
式Ｉのアクリジン誘導体を電子遮断材料および／またはマトリックス材料として使用することができる。
【０１２２】
式Ｉのアクリジン誘導体は、発光層に、唯一のマトリックス材料として−さらなる添加剤を含まずに−存在することができる。しかし、本発明に従って使用される式Ｉのアクリジン誘導体に加えて、さらなる化合物が発光層に存在することも可能である。例えば、存在する発光体分子の発光色を変えるために蛍光染料が存在してよい。加えて、希釈材料を使用することができる。この希釈材料は、ポリマー、例えば、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）またはポリシランであってよい。しかし、希釈材料は、小分子、例えば４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ＝ＣＤＰ）または三級芳香族アミンであってよい。希釈材料が使用される場合は、本発明に従って使用される式Ｉの化合物の発光層における割合は、式Ｉの化合物および希釈剤の全質量に基づいて、一般には常に少なくとも４０質量％、好ましくは５０〜１００質量％である。
【０１２３】
以上に示されているＯＬＥＤの個々の層を２つ以上の層から形成することができる。例えば、正孔輸送層を、正孔が電極から注入される層、および正孔を正孔注入層から発光層に輸送する層から形成することができる。電子輸送層も複数の層、例えば、電子が電極によって注入される層、および電子を電子注入層から受け取り、それらを発光層内に輸送する層で構成されていてよい。これらの層は、それぞれの場合において、エネルギーレベル、耐熱性および電荷担体移動性、ならびに挙げられた層と有機層または金属電極とのエネルギー差などの要因に応じて選択される。当業者は、ＯＬＥＤの構造を、それが本発明に従って発光体物質として使用される有機化合物に最大限に適合されるように選択することが可能である。
【０１２４】
特に効率的なＯＬＥＤを得るために、正孔輸送層のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）を陽極の仕事関数に適合させ、電子輸送層のＬＵＭＯ（最低非占有分子軌道）を陰極の仕事関数に適合させるべきである。
【０１２５】
陽極（１）は、正の電荷担体を提供する電極である。それを、例えば、金属、異なる金属の混合物、金属合金、金属酸化物または異なる金属酸化物の混合物を含む材料から構成することができる。あるいは、陽極は、導電性ポリマーであってよい。好適な金属は、元素周期律表のＩｂ、ＩＶａ、ＶａおよびＶＩａ族の金属、ならびにＶＩＩＩａ族の遷移金属を含む。陽極を透明とすべき場合は、一般には、元素周期律表（旧ＩＵＰＡＣバージョン）のＩＩｂ、ＩＩＩｂおよびＩＶｂ族の混合金属酸化物、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が使用される。陽極（１）は、Ｎａｔｕｒｅ，Ｖｏｌ．３５７，ｐａｇｅｓ  ４７７  ｔｏ  ４７９（Ｊｕｎｅ  １１，１９９２）に記載されているように有機金属、例えばポリアニリンを含むことも可能である。少なくとも陽極または陰極は、形成された光を放射することができるように少なくとも部分的に透明であるべきである。
【０１２６】
本発明のＯＬＥＤの層（２）のための好適な正孔輸送材料は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，４ｔｈ  ｅｄｉｔｉｏｎ，ｖｏｌ．１８，ｐａｇｅｓ  ８３７  ｔｏ  ８６０，１９９６に開示されている。正孔輸送分子およびポリマーの両方を正孔輸送材料として使用することができる。通常使用される正孔輸送分子は、トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（フェニルアミノ）］トリフェニルアミン（１−ＮａｐｈＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチル−フェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒド、ジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル）（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、４，４’、４"−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＴＡ）、ポルフィリン化合物および銅フタロシアニンなどのフタロシアニンからなる群から選択される。通常使用される正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシランおよびポリアニリンからなる群から選択される。正孔輸送分子をポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマーにドープすることによって正孔輸送ポリマーを得ることも可能である。好適な正孔輸送分子は、既に以上に挙げられている分子である。
【０１２７】
加えて、発光体材料として以上に挙げられたカルベン錯体を正孔輸送材料として使用することもでき、その場合は、少なくとも１つの正孔輸送材料のバンドギャップは、使用される発光体材料のバンドギャップより一般に大きい。本出願の観点において、バンドギャップは、三重項エネルギーを指すものと理解される。
【０１２８】
本発明のＯＬＥＤの層（４）のための好適な電子輸送層は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）などのオキシノイド化合物、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ＝ＢＣＰ）または４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）などのフェナントロリンに基づく化合物、ならびに２，２’，２"−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］（ＴＰＢＩ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）および３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）などのアゾール化合物でキレート化される金属を含む。層（４）は、電子輸送を容易にするように、または緩衝層として、またはＯＬＥＤの層の界面における励起子の失活を防止するための遮断層として機能することができる。層（４）は、好ましくは、電子の移動性を向上させ、励起子の失活を抑える。
【０１２９】
正孔輸送材料および電子輸送材料として以上に挙げられた材料のなかで、いくつかの材料は、いくつかの機能を満たすことができる。例えば、電子伝導材料は、それらが低位置ＨＯＭＯを有するときに同時に正孔遮断材料になる。
【０１３０】
使用される材料の輸送特性を向上させるために、すなわち第１に層の厚さをより厚くする（ピンホール／短絡を回避する）ために、そして第２にデバイスの動作電圧を最小限に抑えるために、電荷輸送層に電子ドープすることができる。例えば、正孔輸送材料に電子受容体をドープすることができる。例えば、ＴＰＤまたはＴＤＴＡなどのフタロシアニンまたはアリールアミンにテトラフルオロテトラシアンキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）をドープすることが可能である。電子輸送材料に例えばアルカリ金属、例えばリチウムを含むＡｌｑ3をドープすることができる。電子ドープは、当業者に既知であり、例えば、Ｗ．Ｇａｏ，Ａ．Ｋａｈｎ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．９４，Ｎｏ．１，Ｊｕｌｙ  １，２００３（ｐ−ドープ有機層）；Ａ．Ｇ．Ｗｅｒｎｅｒ，Ｆ．Ｌｉ，Ｋ．Ｈａｒａｄａ、Ｍ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒ、Ｔ．Ｆｒｉｔｚ、Ｋ．Ｌｅｏ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．８２，Ｎｏ．２５，Ｊｕｎｅ  ２３，２００３およびＰｆｅｉｆｆｅｒ  ｅｔ  ａｌ．，Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ２００３，４，８９−１０３に開示されている。
【０１３１】
陰極（５）は、電子または負電荷担体を導入するように機能する電極である。陰極のための好適な材料は、Ｉａ族のアルカリ金属、例えばＬｉ、Ｃｓ、ＩＩａ族のアルカリ土類金属、例えばカルシウム、バリウムまたはマグネシウム、ランタニドおよびアクチニドを含む元素周期律表（旧ＩＵＰＡＣバージョン）のＩＩｂの金属、例えばサマリウムからなる群から選択される。加えて、アルミニウムまたはインジウム、および挙げられた全ての金属の組合せなどの金属を使用することも可能である。加えて、動作電圧を低減するために、リチウム含有有機金属化合物またはＬｉＦを有機層と陰極の間に加えることができる。
【０１３２】
本発明によるＯＬＥＤは、当業者に既知であるさらなる層をさらに含むことができる。例えば、正電荷の輸送を容易にし、かつ／または層のバンドギャップを互いに適合させる層を層（２）と発光層（３）の間に加えることができる。あるいは、このさらなる層は、保護層として機能することができる。同様にして、負電荷の輸送を容易にし、かつ／または層間のバンドギャップを互いに適合させるために、さらなる層を発光層（３）と層（４）の間に加えることができる。あるいは、層は、保護層として機能することができる。
【０１３３】
好適な実施形態において、本発明のＯＬＥＤは、層（１）〜（５）に加えて、以下に示されるさらなる層の少なくとも１つを含む。
−陽極（１）と正孔輸送層（２）の間の正孔注入層；
−正孔輸送層（２）と発光層（３）の間の電子に対する遮断層；
−発光層（３）と電子輸送層（４）の間の正孔に対する遮断層；
−電子輸送層（４）と陰極（５）の間の電子注入層。
【０１３４】
しかし、ＯＬＥＤは、挙げられた層（１）〜（５）のすべてを有さなくてもよい。例えば、層（１）（陽極）、（３）（発光層）および（５）（陰極）を含むＯＬＥＤも好適であり、層（２）（正孔輸送層）および（４）（電子輸送層）の機能は、隣接する層が肩代わりする。層（１）、（２）、（３）および（５）または層（１）、（３）、（４）および（５）を有するＯＬＥＤも好適である。
【０１３５】
当業者は、どのようにして好適な材料を（例えば、電気化学的試験に基づいて）選択すべきかを認識している。個々の層の好適な材料は、当業者に既知であり、例えばＷＯ００／７０６５５に開示されている。
【０１３６】
加えて、挙げられた本発明のＯＬＥＤの層の各々を２つ以上の層から延長させることができる。加えて、電荷担持輸送の効率性を向上させるために、層（１）、（２）、（３）、（４）および（５）のいくつかまたはすべてを表面処理することが可能である。挙げられた層の各々の材料の選択は、好ましくは、高度な効率性および寿命を有するＯＬＥＤを得るように決定される。
【０１３７】
本発明のＯＬＥＤを当業者に既知の方法によって製造することができる。概して、本発明のＯＬＥＤは、個々の層の好適な基板上への連続的な蒸着によって製造される。好適な基板は、例えば、ガラスまたはポリマーフィルムである。蒸着には、熱蒸発および化学蒸着等の通常の技術を用いることが可能である。代替的な方法において、有機層を好適な溶媒中溶液または分散液からコーティングすることができ、そのために当業者に既知のコーティング技術が採用される。
【０１３８】
概して、それぞれの層は、以下の厚さを有する。陽極（１）は、５００〜５０００Å、好ましくは１０００〜２０００Åであり；正孔輸送層（２）は、５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Åであり、発光層（３）は、１０〜１０００Å、好ましくは１００〜８００Åであり、電子輸送層（４）は、５０〜１０００Å、好ましくは２００〜８００Åであり、陰極（５）は、２００〜１００００Å、好ましくは３００〜５０００Åである。本発明のＯＬＥＤにおける正孔および電子の再結合帯の位置、ならびにＯＬＥＤの発光スペクトルは、各層の相対的な厚さに影響され得る。これは、電子輸送層の厚さが、好ましくは、電子／正孔再結合帯が発光層に存在するように選択されるべきであることを意味する。ＯＬＥＤにおける個々の層の層厚さの比は、使用される材料に左右される。任意のさらなる使用される層の層厚さは、当業者に既知である。
【０１３９】
ＯＬＥＤの発光層におけるマトリックス材料としての式Ｉのアクリジン誘導体の本発明の使用により、高度な効率性を有するＯＬＥＤを得ることが可能である。本発明のＯＬＥＤの効率性を、他の層を最適化することによってさらに向上させることができる。例えば、ＣａまたはＢａなどの高効率性の陰極を、適宜ＬｉＦの中間層と組み合わせて使用することが可能である。成形基板、および動作電圧の低減または量子効率の向上をもたらす新規の正孔輸送材料を本発明のＯＬＥＤに使用することもできる。また、異なる層のエネルギーレベルを調整するために、かつエレクトロルミネセンスを容易にするためにさらなる層がＯＬＥＤに存在してよい。
【０１４０】
エレクトロルミネセンスが有用であるすべての装置に本発明のＯＬＥＤを使用することができる。好適な装置は、好ましくは、固定および可動式視覚表示装置から選択される。固定式表示装置は、例えば、コンピュータ、テレビの視覚的表示装置、プリンタ、台所器具および広告パネル、照明装置および情報パネルにおける視覚的表示装置である。可動式視覚表示装置は、例えば、携帯電話、ラップトップ、デジタルカメラ、車両ならびにバスおよび電車の目的地表示板における視覚表示装置である。
【０１４１】
加えて、式Ｉのアクリジン誘導体を発光層におけるマトリックス材料として逆構造のＯＬＥＤに使用することができる。逆ＯＬＥＤの構成およびそれに通常使用される材料は、当業者に既知である。
【０１４２】
以下に示す実施例は、本発明のさらなる実例を提供する。
【０１４３】
実施例
Ａ）選択されたカルベン錯体を製造するための方法
Ｉｒ（ＤＢＦ−ＭＩＣ）3（Ｖ５）
【化６０】
0005553758.tif 000063
【０１４４】
３．４８ｇ（９．２ｍｍｏｌ）のヨウ化イミダゾリウムおよび１．０７ｇ（４．６ｍｍｏｌ）の酸化銀を６０ｍｌのアセトニトリルに懸濁させ、室温で終夜撹拌する。続いて、該懸濁液を濃縮して乾固させ、１００ｍｌの１，４−ジオキサンで処理し、０．６２ｇ（０．９２ｍｍｏｌ）の［（μ−Ｃｌ）（η4−１，５−ｃｏｄ）Ｉｒ］2および６０ｍｌの１，４−ジオキサンに３０分間以内で計り入れる。その後、該混合物を室温で１時間、７０℃で２時間、そして還流下で１８時間撹拌する。冷却後、反応混合物を濃縮して乾固させ、ジクロロメタンで抽出し、抽出物をカラムクロマトグラフィー精製（溶離剤：異性体混合物を単離するための１．２：１の塩化メチレン：シクロヘキサンおよび異性体を分離するための２．１：１の酢酸エチル：シクロヘキサン、反応混合物における異性体の比：ｍｅｒ／ｆａｃ約３／１）する。これによって、約０．６１ｇ（３５％）のｍｅｒ異性体および０．１ｇ（６％）のｆａｃ異性体を淡黄色粉末として得る。
【０１４５】
メリジオナル異性体：
0005553758.tif 000064
【０１４６】
フェイシャル異性体：
0005553758.tif 000065
【０１４７】
［（ＰＭＩＣ）2ＩｒＣｌ］2（Ｖ６）
【化６１】
0005553758.tif 000066
【０１４８】
４．２９ｇ（１８．５ｍｍｏｌ）の酸化銀、９．４７ｇ（３３．１ｍｍｏｌ）のヨウ化イミダゾリウムおよび３．５６ｇ（１０．１ｍｍｏｌ）の三塩化イリジウム三水和物を３５０ｍｌの２−エトキシエタノールに懸濁させ、暗所にて１２０℃で１５時間撹拌する。その後、溶媒を減圧下で除去し、残渣を塩化メチレンで抽出する。抽出物をその容量の約４分の１まで濃縮し、メタノールと混合する。沈殿した固体を濾別し、乾燥させる。これによって、１．７ｇの［（ＰＭＩＣ）2ＩｒＣｌ］2（３１％）を得る。
【０１４９】
0005553758.tif 000067
【０１５０】
（ＰＭＩＣ）2Ｉｒｐｉｃ（Ｖ７）
【化６２】
0005553758.tif 000068
【０１５１】
メトキシエタノール（３０ｍｌ）中０．４１ｇ（３．３２ｍｍｏｌ）のピコリン酸の溶液を３．３２ｍｌの水酸化ナトリウム溶液（１Ｍ、３．３２ｍｍｏｌ）と１０分間以内で混合し、室温で１５分間撹拌する。その後、反応混合物をメトキシエタノール（８０ｍｌ）中０．９ｇ（０．８３ｍｍｏｌ）の［（ＰＭＩＣ）2ＩｒＣｌ］2懸濁液に１０分間以内で添加する。該混合物を室温で１５分間撹拌し、次いで２１時間還流しながら加熱する。冷却後、反応混合物を水（３００ｍｌ）と混合する。形成された沈殿を濾別し、乾燥させ、カラムクロマトグラフィー精製（溶離剤：酢酸エチル／メタノール＝１／０．２５）する。これによって、０．６４ｇの（ＰＭＩＣ）2ＩｒＰｉｃ（６１％）を得る。
【０１５２】
0005553758.tif 000069
【０１５３】
（ＰＭＩＣ）2ＩｒＰｉｃＯＭｅ（Ｖ８）
【化６３】
0005553758.tif 000070
【０１５４】
７０ｍｌの２−メトキシエタノール中０．６８ｇ（４．４４ｍｍｏｌ）の４−メトキシピコリン酸の懸濁液を４．４４ｍｌの水酸化ナトリウム溶液（１Ｍ、４．４４ｍｍｏｌ）と１０分間以内で混合する。該混合物を室温で１５分間撹拌してから、該混合物を１．２ｇ（１．１１ｍｍｏｌ）の［（ＰＭＩＣ）2ＩｒＣｌ］2および８０ｍｌの２−メトキシエタノールの懸濁液に徐々に添加する。該混合物を室温で１５分間撹拌し、次いで還流しながら２１時間加熱する。冷却後、反応混合物を水（６００ｍｌ）と混合する。形成された沈殿を濾別し、乾燥させ、カラムクロマトグラフィー（溶離剤：酢酸エチル／メタノール＝１／０．２５）によって精製する。これによって、０．９３ｇのＰＭＩＣ2ＩｒＰｉｃＯＭｅ（６４％）を得る。
【０１５５】
0005553758.tif 000071
【０１５６】
（ＰＭＩＣ）2Ｉｒ（ａｃａｃ−Ｆ6）（Ｖ９）
【化６４】
0005553758.tif 000072
【０１５７】
６０ｍｌの塩化メチレン中０．２２ｇ（０．２ｍｍｏｌ）の［（ＰＭＩＣ）2ＩｒＣｌ］2の溶液を３０ｍｌの塩化メチレン中０．１７ｇ（０．４ｍｍｏｌ）の（ｃｏｄ）Ａｇ（ａｃａｃ−Ｆ6）の溶液と混合した。該混合物を還流下で２時間、そして室温で１８時間撹拌した。次いで、溶媒を減圧下で除去し、残渣をカラムクロマトグラフィー（溶離剤ＣＨ2Ｃｌ2）によって精製した。これによって、０．２８ｇ（９６％）の赤色粉末を得た。
【０１５８】
0005553758.tif 000073
【０１５９】
ｍｅｒ−Ｔｒｉｓ−［１−（４’−フェニルスルホニルフェニル）−３−メチルベンズイミダゾール−２−イリデン−Ｃ２，Ｃ２’］−イリジウム（ＩＩＩ）（Ｖ１０）
【化６５】
0005553758.tif 000074
【０１６０】
１−（４’−フェニルスルホニルフェニル）ベンズイミダゾール
ＤＭＦ（５００ｍｌ）中ベンズイミダゾール（１１．８ｇ、０．１０ｍｏｌ）の溶液に対して、室温にて窒素下で、水素化ナトリウム（鉱油中６０％、４．４ｇ、０．１１ｍｏｌ）を添加し、該混合物を１０分間撹拌する。該混合物を４−クロロフェニルフェニルスルホン（２６．１ｇ、０．１０ｍｏｌ）と混合し、１００℃で１６時間撹拌する。再び室温で水素化ナトリウム（鉱油中６０％、２．０ｇ、０．０５ｍｏｌ）を添加した後、該混合物を１３０℃で１６時間撹拌する。室温で冷却した後、該混合物を氷−水に添加する。沈殿物を濾別し、水で洗浄する。収率：９１％。
【０１６１】
0005553758.tif 000075
【０１６２】
１−（４’−フェニルスルホニルフェニル）−３−メチルベンズイミダゾリウムテトラフルオロボレート
ジクロロメタン（１００ｍｌ）中１−（４’−フェニルスルホニルフェニル）ベンズイミダゾール（６．７ｇ、２０ｍｍｏｌ）の溶液を−１０℃でトリメチルオキソニウムテトラフルオロボレート（３．３ｇ、２２ｍｍｏｌ）と混合し、アルゴン下で１６時間撹拌する。エタノールを添加した後、形成された沈殿を濾別し、低温石油エーテルで洗浄する。収率：８０％。
【０１６３】
0005553758.tif 000076
【０１６４】
ｍｅｒ−トリス−［１−（４’−フェニルスルホニルフェニル）−３−メチルベンズイミダゾール−２−イリデン−Ｃ２，Ｃ２’］−イリジウム（ＩＩＩ）（Ｖ１１）
ジオキサン（１００ｍｌ）中１−（４’−フェニルスルホニルフェニル）−３−メチルベンズイミダゾリウムテトラフルオロボレート（４．４ｇ、１０ｍｍｏｌ）の懸濁液をアルゴン下にて室温でＫＨＭＤＳ（トルエン中０．５Ｍ、２０ｍｌ、１０ｍｍｏｌ）と混合し、１５分間撹拌する。塩化（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）二量体（０．７ｇ、１ｍｍｏｌ）を添加後、該混合物を還流下で１６時間撹拌する。室温まで冷却した後、沈殿を濾別し、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルで洗浄する。一緒にした濾液を濃縮して乾固させ、カラムクロマトグラフィー（酸化アルミニウム、ジクロロメタン、ブタノン）によって精製する。収率：５６％。
【０１６５】
0005553758.tif 000077
【０１６６】
トリス［１−（４’−メトキシカルボニルフェニル）−３−メチルイミダゾール−２−イリデン−Ｃ２，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）
【化６６】
0005553758.tif 000078
【０１６７】
１−（４’−メトキシカルボニルフェニル）イミダゾール
ＤＭＳＯ（２００ｍｌ）中イミダゾール（１３２ｇ、１．９ｍｍｏｌ）とメチル４−フルオロベンゾエート（１７０ｍｌ、１．３ｍｍｏｌ）と炭酸カリウム（３５７ｇ、２．６ｍｍｏｌ）との混合物を１２０℃で３時間撹拌する。室温まで冷却した後、該混合物を氷−水に添加する。沈殿物を濾別し、水で洗浄する。収率：５９％。
【０１６８】
0005553758.tif 000079
【０１６９】
１−（４’−メトキシカルボニルフェニル）−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物
１：１のＴＨＦ／メタノール（６００ｍｌ）中１−（４’−メトキシカルボニルフェニル）イミダゾール（１５３ｇ、０．７６ｍｏｌ）の溶液をヨウ化メチル（１９６ｍｌ、２．２７ｍｏｌ）と混合し、室温にてアルゴン下で１６時間撹拌する。該溶液を濃縮した後、沈殿物を濾別し、ＴＨＦで洗浄する。収率：５９％。
【０１７０】
0005553758.tif 000080
【０１７１】
トリス−［１−（４’−メトキシカルボニルフェニル）−３−メチルイミダゾール−２−イリデン−Ｃ２，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）
ジオキサン（４００ｍｌ）中１−（４’−メトキシカルボニルフェニル）−３−メチルイミダゾリウムヨウ化物（１４８．０ｇ、４３１ｍｍｏｌ）および酸化銀（Ｉ）（５０．４ｇ、２１６ｍｍｏｌ）の懸濁液を室温にてアルゴン下で１６時間撹拌する。該混合物を塩化（１，５−シクロオクタジエン）−イリジウム（Ｉ）二量体（３３．２ｇ、４３ｍｍｏｌ）と混合し、還流下で１６時間撹拌する。室温まで冷却した後、沈殿を濾別し、ジクロロメタンで洗浄する。一緒にした濾液を濃縮して乾固させ、カラムクロマトグラフィー（酸化アルミニウム、１：１酢酸エチル／メタノール）によって精製する。ｍｅｒ異性体およびｆａｃ異性体としての製造物を含む混合留分を濃縮して乾固させ、１：１アセトン／メタノールに溶解させる。該溶液を１Ｍ塩酸と混合し、還流下で１６時間撹拌する。沈殿したｍｅｒ異性体を濾別し、少量のアセトンで洗浄する。収率：４５％。
【０１７２】
0005553758.tif 000081
【０１７３】
イリジウム（ＩＩＩ）ビス［（２−フェニル）−２−ピラゾリナト−Ｎ，Ｃ2）］（１−フェニル−３−メチルイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ，Ｃ2（Ｖ１２）
［（Ｆ２ｐｐｚ）2ＩｒＣｌ］2の代わりに［（ｐｐｚ）2ＩｒＣｌ］2を使用すること以外は、ＵＳ２００５／０２６０４４１Ａ１の実施例３と同様にして化合物（Ｖ１２）を製造する。
【０１７４】
Ｂ）例示的なアクリジン誘導体を製造するための方法
Ｂ１）９，９−ジ（４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル−Ｎ−フェニル−９，１０−ジヒドロアクリジンの合成
【化６７】
0005553758.tif 000082
【０１７５】
４−ブロモフェニルカルバゾール（２．１ｇ、６．６ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２４ｍｌ）に溶解させ、−７８℃でｔｅｒｔ−ブチルリチウム（ヘキサン中１４．５ｍｍｏｌ）と混合する。２時間以内で−４０℃まで昇温させる。次いで、該混合物をメチルＮ，Ｎ−ジフェニルアントラニレート（１．０ｇ、３．３ｍｍｏｌ）の溶液と混合し、室温で終夜撹拌する。シリカゲル上でクロマトグラフィー精製を行った後、５９７ｍｇのジ（４−Ｎ−カルバゾリルフェニル）−（２−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）メタノールを得る。
【０１７６】
ジ（４−Ｎ−カルバゾリルフェニル）−（２−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）メタノール（０．１２ｇ、０．１６ｍｍｏｌ）を酢酸（２ｍｌ）に溶解させ、高濃度ＨＣｌ溶液（０．１ｍｌ）と混合する。続いて、該混合物を１時間にわたって１００℃に加熱し、室温まで冷却した後、水処理をする。シリカゲル上でクロマトグラフィー精製を行った後、９９ｍｇの９，９−ジ（４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル）−Ｎ−フェニル−９，１０−ジヒドロアクリジンを得る。
【０１７７】
0005553758.tif 000083
【０１７８】
ＵＶ（ＰＭＭＡ）：λmax＝２３６、２９２、３２６（肩）、３４０（肩）ｎｍ
さらなる実施例（アクリジン誘導体）
Ｂ２）９，９−ジ（３−Ｎ−エチルカルバゾリル）−Ｎ−フェニル−９，１０−ジヒドロアクリジン
0005553758.tif 000084
【０１７９】
Ｂ１による例示的な合成と同様にして合成を実施する。
ＵＶ（ＰＭＭＡ）：λmax＝２４０、２７０、３０１、３５０（肩）ｎｍ
Ｂ３）９，９−ジフェニル−Ｎ−フェニル−９，１０−ジヒドロアクリジン
Ｂ１による例示的な合成と同様にして合成を実施する。
【０１８０】
0005553758.tif 000085
【０１８１】
ＵＶ（ＰＭＭＡ）：λmax＝２３４、２９４ｎｍ
Ｂ４）９，９−ジ（２−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−９，１０−ジヒドロアクリジン
Ｂ１による例示的な合成と同様にして合成を実施する。
【０１８２】
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【０１８３】
ＵＶ（ＰＭＭＡ）：λmax＝２３１、２８８ｎｍ
Ｂ５）９，９−ジ（２，５−ジフルオロフェニル）−Ｎ−フェニル−９，１０−ジヒドロアクリジン
Ｂ１による例示的な合成と同様にして合成を実施する。
【０１８４】
0005553758.tif 000087
【０１８５】
ＵＶ（ＰＭＭＡ）：λmax＝２３６、２８０、３２４（肩）ｎｍ