(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を搭載するパッド部と、ワイヤーを介して前記パッドに搭載した発光素子と電気的に接続をおこなうための電機的接合エリアを備えるとともに、リフレクター部を備えるＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板でおいて、
ＬＥＤチップ搭載部及び放熱部を有する前記パッドとワイヤー接続部及び電気的に接続をおこなうための電気的接続エリアを備えるリードフレーム部と、リードフレーム部を封止する樹脂部及び前記リフレクター部を備える樹脂部とが一体成型され、
エッチング加工をおこなったリードフレーム部のＬＥＤチップ搭載部、電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア及び裏面放熱部にメッキ処理により樹脂汚染を防ぐための保護層を施し、
トランスファー成型にて樹脂の充填を施した後に、物理研磨により前記保護層上に生じた前記樹脂による樹脂汚染層を除去し、前記保護層をエッチングにより除去し、保護層下にあるめっき面を再現することを特徴とするＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のメッキ処理にあっては、パッドとＬＥＤチップと電気的に接続をおこなうための電気的接続エリアは、耐熱拡散性に優れたＮｉ（ニッケル）メッキ等の下地メッキ層上に、銀メッキ、金メッキ、パラジウムメッキ等を施した上に、保護層としてＮｉめっき、さらに銅めっきを施すことを特徴とするＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１から請求項２のいずれかに記載のＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法において、前記充填樹脂が高光反射率９０％以上を有することを特徴とするＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を担持、搭載する発光素子リードフレーム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体集積回路やＬＥＤ発光素子などの電子素子を担持、搭載するためのリードフレームは、板状の鉄―ニッケル等の合金薄板、銅―ニッケル―錫等の合金薄板からなるリードフレーム用金属材料を、その片面又は両面から塩化第二鉄等のエッチャントを用いてフォトエッチング加工として製造され、半導体集積回路やＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部（アイランド部）と、該パッド部とは絶縁状態になっており、電子素子と電気的に接続が行われるインナーリード部およびアウターリード部を備えている。
【０００３】
上記リードフレームのパッド部は、その表面側に電子素子を載置するための搭載部（搭載面）と、その裏面側には、ＬＥＤ発光素子などの電子素子本体から発生する駆動熱や、電子素子周囲の環境条件による熱を放散されるための放熱部（放熱板）を備えたものがあり、電子素子側に熱が蓄積されないように、パッド裏面側の放熱部から外界側に熱が放出されるようになっている。特許文献１〜３にＬＥＤ等の発光素子に対する蓄熱を防止するための放熱技術が記載されている。
【０００４】
ＬＥＤ発光素子用の素子担持体用の基板として、例えば、セラミック基板を用いた場合は、放熱特性は良好であり、信頼性も優秀であるが、価格が高いという欠点がある。また素子担持体用（及びリード用）の基板として、プリント基板を用いた場合は、プリント基板の基材であるエポキシ樹脂が、熱放散性に劣るという欠点があり、それを解消するため、基板の内層に銅、あるいはアルミからなる金属板を挿入したプリント基板を採用せざるを得ない。また、ＬＥＤ光源の高光反射率を確保するために、基板を介して形成される発光素子の光反射表面に光反射性のセラミックインクを塗布する工程を必要としている。
【０００５】
また、ＬＥＤ発光素子用の素子担持用（及びリード用）の基板として、合金薄板からなるリードフレーム基板を用いる場合、熱放散性に欠けるという欠点のほかに、ＬＥＤ光源の高い光利得（光照射方向への高い光反射率）を確保するために、リードフレーム基板を介して形成される発光素子の光反射面に、特殊な複合樹脂（セラミックインク＋シリコーン樹脂）からなる複合材を積層して欠点をカバーする必要があり、また、リードフレーム基板方式を用いているにも関わらず、ＬＥＤモジュールから実装基板面への放熱面の十分な確保ができず、放熱性能が不足する欠点がある。
【０００６】
また、セラミック基板以外のプリント基板、あるいはリードフレーム基板方式は、何れも放熱特性が劣るだけでなく、セラミック基板を用いたＬＥＤ発光素子の製造方法に比較して、その製法や工程が複雑になる欠点がある。
【０００７】
そのような欠点を解消するための方法として、下記のような構造の金属製リードフレームと絶縁樹脂の複合体としてＬＥＤ発光素子用リードフレームを構成することがあげられる。
【０００８】
この方法は、少なくともＬＥＤチップを搭載するための一つ乃至複数のパッド部と、前記ＬＥＤチップと電気的接続を行うための電気的接合エリアを、同一平面に備えたＬＥＤ発光素子用リードフレームにおいて、パッドと電気的に接続をおこなうための電気的接合エリア間、またそれらとリードフレーム外周部の間の空隙を樹脂によって埋め、かつ前記パッド部のＬＥＤチップ搭載表面Ａの面積Ｓ１と、該搭載表面と対向する放熱用裏面（Ｂ）の面積Ｓ２との関係は、０＜Ｓ１＜Ｓ２となるようにし、かつ前記電極部の接続用表面Ｃの面積Ｓ３と、該接続用表面と対向する放熱用裏面Ｄの面積Ｓ４の関係は、０＜Ｓ３＜Ｓ４とし、かつ前記パッド部と前記電極部それぞれにおいて、その表面と裏面との間の側面部には、表面から裏面の方向に拡がる、段差状またはテーパー状部が形成するものである。
【０００９】
この方法によれば、ＬＥＤ発光素子用リードフレームにおけるパッド部のＬＥＤチップ搭載用表面の面積Ｓ１と搭載用表面と対向する放熱用裏面の面積Ｓ２が０＜Ｓ１＜Ｓ２の関係にあり、また、電気的に接続をおこなうための電気的接合エリアの接続用表面の面積Ｓ３と放熱用裏面Ｄの面積が０＜Ｓ３＜Ｓ４の関係にあるため、リードフレーム裏面における高い放熱性が得られる。
【００１０】
また、ＬＥＤ発光素子用リードフレームのパッド部と電気的に接続をおこなうための電気的接合エリアにおいて、その表面と裏面の間の側面部に、表面から裏面の方向に拡がる、段差上またはテーパー状部が形成されるため、リードフレームと充填樹脂の確実な密着性が得られ、リードフレームと充填樹脂との分離や、リードフレームからの充填樹脂の離脱などを防止して、耐離脱性を向上できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−８０７１号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７６００号公報
【特許文献３】特開２００４−１７２１６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながらＬＥＤ発光素子用リードフレームのＬＥＤチップ搭載部、ＬＥＤチップと電気的に接続をおこなうための電気的接続エリアは、樹脂充填により樹脂バリ、樹脂汚染が生じることが懸念される。この樹脂汚染により、ＬＥＤチップ搭載部、電気的に接続をおこなう電気的接続エリアのめっき面は光沢度にむらが生じ、ワイヤーボンディングに影響を与える。
【００１３】
一方、樹脂充填後に、樹脂バリ、樹脂汚染層を除去し、後めっきを施す手法も考えられるが、めっき液が、リフレクター内部に入りにくく、めっきむらが生じる。また、めっき浴に充填樹脂が脱落し、めっき浴を汚染することが懸念される。
【００１４】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、充填樹脂による樹脂バリ、樹脂汚染の除去を行い、高放熱特性と高光特性を兼ね備えるＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法及びこれを用いて製造したＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供する。
【００１６】
請求項１に記載の発明は、発光素子を搭載するパッド部と、ワイヤーを介して前記パッドに搭載した発光素子と電気的に接続をおこなうための電機的接合エリアを備えるとともに、リフレクター部を備えるＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板でおいて、ＬＥＤチップ搭載部及び放熱部を有する前記パッドとワイヤー接続部及び電気的に接続をおこなうための電気的接続エリアを備えるリードフレーム部と、リードフレーム部を封止する樹脂部及び前記リフレクター部を備える樹脂部とが一体成型され、エッチング加工をおこなったリードフレーム部のＬＥＤチップ搭載部、電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア及び裏面放熱部にメッキ処理により樹脂汚染を防ぐための保護層を施し、トランスファー成型にて樹脂の充填を施した後に、物理研磨により前記保護層上に生じた前記樹脂による樹脂汚染層を除去し、前記保護層をエッチングにより除去し、保護層下にあるめっき面を再現することを特徴とするＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法である。
【００１７】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のメッキ処理にあっては、パッドとＬＥＤチップと電気的に接続をおこなうための電気的接続エリアは、耐熱拡散性に優れたＮｉ（ニッケル）メッキ等の下地メッキ層上に、銀メッキ、金メッキ、パラジウムメッキ等を施した上に、保護層としてＮｉめっき、さらに銅めっきを施すことを特徴とするＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法である。
【００１８】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１から請求項２のいずれかに記載のＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法において、前記充填樹脂が高光反射率９０％以上を有することを特徴とするＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法及びＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板は、樹脂充填前にリードフレームにメッキ処理による保護層を形成することで保護層下のメッキ面を充填樹脂による樹脂バリ、樹脂汚染から保護することが可能となり、ウェットブラストなどの物理研磨によるメッキ面のダメージを防ぐことが可能となる。
そして、ウェットブラストなどの物理研磨後にエッチング液による洗浄を行うことで前記メッキによる保護層を除去するが可能であり、下地の銀メッキ、金メッキ、パラジウムメッキは金属光沢を残しためっき面を再現することが可能である。
【００２０】
そして、充填樹脂は高光反射率有する樹脂を用いており、リフレクター形状に応じた専用の金型を用いてトランスファー成型にてリフレクター部を一体成型することで、光反射特性に優れたＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板を製作することが可能となる。
【００２１】
ＬＥＤチップ搭載部及び放熱部を有するパッドとワイヤーを介して前記パッドに搭載したＬＥＤチップと電気的に接続をおこなうための電気的接合エリア及び裏面放熱部を備えるリードフレーム部と、リードフレームを封止する樹脂部及び前記リフレクター部を備える樹脂部とを一体成型されたＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態に係わるＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の上面図である。
【図２】図１のＸ１−Ｘ１の側断面図である。
【図３】図１のＸ２−Ｘ２の側断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係わるＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板を示す平面図である。
【図５】本発明の実施形態に係わるＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係わる多面付けしたＬＥＤ発光素子用リードフレームを示す平面図である。
【図７】本発明の実地携帯に係わる金型を用いたリードフレームへの樹脂モールドの一例を説明する側断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係わる多面付けしたＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図１から図８を参照にし、本発明の実施形態に係わるＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法及びＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板について説明する。本実施形態はＬＥＤチップ（ＬＥＤ発光素子）を担持、搭載する発光素子用リードフレーム基板の製造方法及びＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板に関し、特にメッキ処理による保護層、樹脂汚染層の除去、エッチング液による洗浄に関する。
【００２４】
本実施形態は、図１から図４に示すように、リードフレーム基板（Ｂ）と、ＬＥＤチップ（ＬＥＤ発光素子）（１）とワイヤー（２）と、封止樹脂（３）を備えて構成されている。リードフレーム基板（Ｂ）はリードフレーム部（４）を封止する樹脂部（５）を備えて構成されている。
【００２５】
リードフレーム部（４）は、鉄−ニッケル等の合金薄板、又は銅−ニッケル−鉛等の合金薄板、銅又は、銅合金薄板等の板状の金属材料（金属板）を用いて形成したものであり、ＬＥＤチップ搭載が搭載されるパッド（６）と、パッド（６）に搭載したＬＥＤチップ（１）にワイヤー（２）を介して電気的に接続される電気的接続エリア（７）とを備えて形成されている。
【００２６】
パッド（６）と電気的に接続をおこなう電気的接続エリア（７）はそれぞれ、離反して絶縁状態となるように形成されるとともに、上面（６ａ）と（７ａ）がリードフレーム基板（Ｂ）の表面（８）を形成する樹脂部（５）の表面（５ａ）と面一状に形成され、下面（６Ｂ）、（７Ｂ）がリードフレーム基板（Ｂ）の裏面（９）に露出して形成されている。そして、パッド（６）は、上面（６ａ）がリードフレーム基板（Ｂ）の表面（８）の中央に露出し、ＬＥＤチップ（１）を搭載面とされ、電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）は、上面（７ａ）がリードフレーム基板（Ｂ）の表面（８）のパッド（６）を挟んで両側にそれぞれ露出し、ワイヤー（２）を介して接続するワイヤー接続面とされている。
【００２７】
このリードフレーム部（Ｂ）は、金属合金製の板状の材料をフォトエッチング加工することにより形成される。ＬＥＤチップ（１）と搭載するためのパッド（６）、その対極に放熱部（１１）を形成している。また、電気的に接続をおこなう電気的接続エリア（７）、その対極にも放熱部を形成している。パッド（６）の面積をＳ１、その対極に形成した放熱部（１１）の面積Ｓ２としたときの関係は０＜Ｓ１＜Ｓ２、電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）の面積をＳ３、その対極の放熱部（１２）の面積をＳ４としたときの関係は０＜Ｓ３＜Ｓ４となるように形勢している。なお、放熱部（１１）及び放熱部（１２）は、ＬＥＤチップ（１）から発生する駆動熱やＬＥＤチップ（１）の周辺環境条件による熱を外部に拡散させ、ＬＥＤチップ（１）に熱が蓄積されないように面積が設定されている。
【００２８】
また、本実施形態ではパッド（６）の厚さ（ｔ１）のうち、ＬＥＤチップ搭載部の厚さ（ｔ２）が放熱部（１１）の厚さ（ｔ３）よりも大きくなるようにして、ＬＥＤ搭載部（１０）及び放熱部（１１）が形成されている（図３参照）。
【００２９】
また、ＬＥＤ発光素子用リードフレームは図２から図３に示すように充填時の充填樹脂を保持するためにエッチング面は、段差状部又はテーパー状部に形成されている。
【００３０】
一方、リードフレーム基板（Ｂ）の樹脂部（５）は、リードフレーム部（４）の上面（表面６ａ、７ａ）と下面（裏面６ｂ、７ｂ）をそれぞれ表面（５ａ）と裏面（５ｂ）に露出された状態でリードフレーム（４）を封止する平板状の樹脂部（１５）と、この樹脂部（１５）と一体成型され、リードフレーム基板（（Ｂ））の外周側に設けられたリフレクター部（１６）とを備えて形成されている。リフレクター部（１６）は、樹脂部（１５）の表面（５ａ）から上方に突出するとともに、リードフレーム基板（Ｂ）の外周方向に延出して環状に形成されている。そして、リフレクター部（１６）は、樹脂部（１５）の表面（ａ）側に円形状のチップ収容空間（１７）を形成し、リードフレーム部（４）のパッド（６）のＬＥＤチップ搭載部（６ａ）と電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）のワイヤー接続面（７ａ）がＬＥＤチップ収容空間（１７）内に配置されるように形成されている。また、リフレクター部（１６）は、チップ収容空間（１７）を形成する内面（−側面１（６ａ））が上端から下端に向かうに従いリードフレーム基板（Ｂ）に対して中央に向かうようにテーパー上に形成されている。
【００３１】
本実施形態において、上記構想からなるリードフレーム基板（Ｂ）のパッド（６）のＬＥＤチップ搭載面（６ａ）と電気的に接続をおこなうための電気的接続絵エリア（７ａ）にそれぞれメッキがほどこされている。また、ＬＥＤチップ（１）がＬＥＤチップ搭載面（６ａ）上に固着して搭載され、ＬＥＤチップ（１）とワイヤー接続面（７ａ）に金線等のワイヤー（２）がボンディングされて、ＬＥＤチップ（１）が電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）に接続されている。さらにリフレクター部（１６）によって形成されたＬＥＤチップ収容空間（１７）内に透明の封止樹脂が充填され、この封止樹脂によってＬＥＤチップ（１）及びワイヤー（２）が封止されている。
【００３２】
ここで、上記構成からなる本実施形態のリードフレーム基板（Ｂ）の製造方法について図５を用いて説明する。
【００３３】
このリードフレーム基板（Ｂ）を製造する際には、図５（ａ）に示すように、リードフレーム用の合金薄板（２０）の表面（２０ａ）および裏面（２０Ｂ）に感光性レジストを塗布、あるいはドライフィルムレジストを貼付してレジスト（２１）を積層する。
【００３４】
次に、図５（ｂ）に示すように、パッド６（ＬＥＤチップ搭載部１０、放熱部１１）及び電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（ワイヤー接続部１３、放熱部１４）のパターンを有するフォトマスクを用いて露光、現像処理等を行い、金属板２０の表面（２０ａ）及び裏面（２０ｂ）にレジストパターン２２を形成する。
【００３５】
次に、図５（ｃ）に示すように、金属板２０の表面（２０ａ）及び裏面（２０ｂ）側から塩化第二鉄等のエッチャントを用いてレジスト非形成部（開口部２３）をフォトエッチング加工する。これにより、離反して絶縁状態となるようにパッド（６）及び電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）を備えたリードフレームが形成される（エッチング工程）。このときパッド（６）は、放熱部（Ｂ）と面積Ｓ２がＬＥＤチップ搭載面（６ａ）の面積Ｓ１よりも大きいテーパー状のＬＥＤチップ搭載部（１０）と平板状の放熱部（１１）を備え形成される。また、電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）も同様に、放熱部（７ｂ）の面積Ｓ４がワイヤー接続面（７ａ）の面積より大きく、テーパー状に形成されている。
【００３６】
そして、本実地形態では、リードフレーム部（４）を形成した段階でメッキ処理を施す。
【００３７】
このメッキ処理にあっては、銀メッキ、金メッキ、パラジウムメッキなどを施す。
また、銀メッキ、金メッキ、パラジウムメッキなどを施す前に、耐熱拡散性が優れたＮｉメッキなどの下地メッキを施すようにしても良い。さらに、パッド（６）や電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）の裏面（６ｂ、７ｂ）にもメッキ処理を施しても良い（図５（ｅ）参照）。
【００３８】
次に施したメッキ面に耐熱拡散性の優れたＮｉメッキ、その上に銅メッキを行い、保護層の形成をおこなう。保護層は後のエッチング工程を考慮し、厚さを適宜設定してかまわない。また、保護層はパッド（６）や電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）の裏面（６ｂ）、（７ｂ）にも形成しても良い（図５（ｆ）参照）。
【００３９】
図６には、工程説明図５で用いるリードフレームを多面付けした多面付けリードフレームの一実施例を示す。
【００４０】
図６中の符号２６は吊りリード、２７はタイバーであり、このような吊りリード（２６）やタイバー（２７）によってエッチング加工処理後のパッド（６）及び電気的に接続をおこなうための電気的接続エリアが保持され、必要期間、パッド（６）及び電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）の脱落が防止される。
【００４１】
また、吊りリード（２６）及びタイバー（２７）は充填時の充填樹脂の流動性を確保するため、ハーフエッチングによって封熱部の厚さ（ｔ３）と同等で薄く形成されている。また、これにより切断時の切断刃にかかる負担が少なく、切断刃の寿命を長くすることが可能となる。
【００４２】
次に、リフレクター形状に対応した専用の金型を用いて図５（ｇ）に示すように、多面付けしたリードフレームをトランスファー成型にて樹脂充填をおこなう。
【００４３】
その後、図５（ｈ）に示すように、樹脂充填によりパッド（６）、電気的に接合をおこなうための電気的接合エリア（７）などに生じた樹脂バリ、充填樹脂による樹脂汚染層をウェットブラストなどの物理研磨などで除去を施す。
【００４４】
この研磨工程ではリードフレーム基板（Ｂ）の表裏面で研磨をおこなう。リードフレーム基板（Ｂ）の表面にはリフレクター部（１６）が存在するため、極力研磨量を少なくすることが望ましい。
【００４５】
そして、上記研磨工程後に図５（ｉ）に示すようにエッチング液による洗浄を行い、メッキ面上にある保護層の除去をおこなう。この保護層は下地に耐熱拡散性が優れているＮｉメッキなど、その上に銅メッキを施し形成されている。そのため、エッチャントには塩化第二鉄、硝酸、硝酸塩および芳香族ニトロ化合物の混合物などを用いて保護層のエッチングを行い除去し、保護層下にある銀メッキ、金メッキ、パラジウムメッキなどのメッキ面を再現する。これにより、樹脂汚染、ウェットブラストなどの物理研磨による影響を受けないメッキ面を得ることが可能である。
【００４６】
これらの工程により製造することで図７に示すような多面付けのＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板が得られる。この多面付けＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の切断時期は、樹脂モールド後に限らずＬＥＤチップ搭載後、透明樹脂の成型後であっても構わず、適宜設定しても構わない。
【００４７】
図８に本実地形態に使用した金型の模式図を示す。金型は、蓋となる板状の上金型（４０）と、溶融する充填樹脂を注入する注入口（４２）と連通するリードフレーム（４）（多面付けリードフレームＭＬ）を装填可能な凹部（４３）を内部空間として形成した下金型（４１）との２枚構成とし、下金型（４１）の凹部（４３）にリードフレーム（４）（多面付けリードフレームＭＬ）を装填後に、上金型（４０）で下金型（４１）に蓋をして型締めするものが一般的である。
【００４８】
ついで、注入口（４２）から、凹部（４３）（内部空間）内に加熱溶融した充填樹脂を注入して、装填されてリードフレーム（４）（多面付けリードフレームＭＬ）に充填樹脂が充填され成型されてリフレクターが一体成型されたＬＥＤ発光素子用リードフレームが得られる。
成型後、冷却して上金型を外し、リードフレーム（４）を下金型から取り外す。これにより、パッド（６）及び電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）のそれぞれの面、及び、裏面の放熱部（６ｂ）及び（７ｂ）のそれぞれの面が充填樹脂から外面に露出し、ＬＥＤチップ搭載部（７ａ）及びワイヤー接続面（７ａ）間に充填樹脂が充填され、リフレクター一体成型されたＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板が形成される。
【００４９】
また、本実施形態で用いた充填樹脂は、高光反射率（反射率：９０〜９５％以上）を有する樹脂である。なお、この充填樹脂は、その他、耐熱性、耐光性、熱伝導性、高い光拡散性を有することが望ましい。このような充填樹脂として、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、芳香族系ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）などが挙げられ、これらの樹脂から１種の樹脂を用いたり、複数の樹脂を混合した混合樹脂を使用しても良い。また、樹脂の反射率を高めるために添加剤を混合している。この添加剤としては、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、酸化ジルコニウム、セラミック材、又は混合物などの微粒子が挙げられ、添加剤の混合比率は適宜設定することで、高い反射特性を得ることができる。
【００５０】
ウェットブラストなどの物理研磨による樹脂バリ、樹脂汚染層の除去工程では、金属は研磨されにくいのに対して充填樹脂は研磨されやすいという特徴がある。そのため、研磨処理後のリードフレーム基板（Ｂ）の表裏面ではでは、パッド（６）、電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）は樹脂部とでは段差が生じる。そのため、メッキ面の保護層の厚さと研磨量を同程度に調整する必要がある。その結果、メッキ面の保護層を研磨処理後に除去することで、樹脂部とパッド（６）、電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア（７）のメッキ面はＬＥＤチップ収容空間（１７）内で同一平面状に形成することが可能となる。
【００５１】
保護層の除去工程において、除去に使用するエッチャントが硫化物を含んでいると副生物として銀メッキ表面に硫化銀が生じ、変色部を形成する可能性がある。そのため、保護層の除去にしようするエッチャントは硫化物を含まないものを使用することが望ましい。
【００５２】
また、前記工程後、大気中の硫化物と銀めっき表面との反応を防ぐため、硫化防止処理をおこなうことが望ましい。
【００５３】
これにより、高放熱特性と高光利得特性を備える高信頼性のリフレクター一体成型のＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板を製造することが可能となる。以上、本発明に係わるＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板の製造方法及びＬＥＤ発光素子用リードフレームの実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１        ＬＥＤチップ（ＬＥＤ発光素子）
２        ワイヤー
３        封止樹脂
４        リードフレーム部
５        樹脂部
５ａ      樹脂部表面
５ｂ      樹脂部裏面
６        パッド
６ａ      ＬＥＤチップ搭載部（上面、表面）
６ｂ      放熱部（下面、裏面）
７        電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア
７ａ      ワイヤー接続面（上面、表面）
７ｂ      放熱部（下面、裏面）
８        リードフレーム基板表面
９        リードフレーム基板裏面
１０      ＬＥＤチップ搭載部
１１      放熱部
１２      段部
１３      ワイヤー接続部
１４      放熱部
１６      リフレクター部
１６ａ    リフレクター部側面
１７      ＬＥＤチップ収容空間
２０      金属板
２０ａ    表面
２０ｂ    裏面
２１      レジスト又はドライフィルムレジスト
２２      レジストパターン
２３      開口部
２４      メッキ面
２５      保護層
２６      吊りリード
２７      タイバー
４０      上金型
４１      下金型
４２      樹脂注入口
４３      凹部（内部空間）
Ａ        ＬＥＤ発光モジュール
Ｂ        ＬＥＤ発光素子用リードフレーム基板
Ｓ１      ＬＥＤチップ搭載部の面機
Ｓ２      パッド放熱部の面積
Ｓ３      電気的に接続をおこなうための電気的接続エリアの面積
Ｓ４      電気的に接続をおこなうための電気的接続エリア裏面の面積
【図１】
0005509878.tif 000002
【図２】
0005509878.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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