(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
閃亜鉛構造の第１化合物半導体からなる基本層内に複数の穴を周期的に形成し、前記穴内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体からなる埋め込み層を成長させてなるフォトニック結晶層と、
前記フォトニック結晶層に対して光を供給する活性層と、
を備え、
前記基本層の主表面は（００１）面であり、
前記穴の側面は、異なる２つの｛１００｝面を含んでいる、又は、これらの面を前記主表面の法線の回りに±１５度以下の回転角度で回転させた面を含んでいる、
ことを特徴とする半導体面発光素子。
【請求項２】
前記第1化合物半導体はＧａＡｓであり、
前記第２化合物半導体はＡｌＧａＡｓである、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体面発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体面発光素子を製造する半導体面発光素子の製造方法において、
前記穴を形成する工程と、
前記埋め込み層の成長を行う工程と、
を備えることを特徴とする半導体面発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記成長を行う工程の前に、エッチングにより｛１１０｝面、又は｛１１０｝を前記主表面の法線回りに±１０度以内の回転角度で回転させた面を含むアライメントマークを、前記基本層の形成される半導体基板に形成する工程を備えることを特徴とする請求項３に記載の半導体面発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体面発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトニック結晶は、屈折率が周期的に変化するナノ構造体であり、これを通過する光の波長を制御することができる。次世代の半導体面発光素子として、２次元フォトニック結晶（以下２ＤＰＣと称す）を用いたフォトニック結晶面発光レーザ（以下ＰＣＳＥＬと称す）が提案されている。ＰＣＳＥＬは、その光学特性が微細構造の寸法・形状により決まり、材料に依らないという特徴を持ち、大面積・単一モード、２次元的な偏光制御、出射角度の制御といった、従来の半導体発光素子単体では実現困難な新しい特性を有し、高出力半導体レーザの可能性を切り拓くポテンシャルを有している。
【０００３】
実際の２ＤＰＣの作製では、ウェハ貼合わせ技術を用いており、次の問題点（１）〜（３）を有している。
（１）大面積の２ＤＰＣ作製が困難である。すなわち、貼合わせるウェハが反りを有している場合、ウェハ間にゴミがある場合、ウェハ表面に大きな凹凸がある場合などの場合には、これらのウェハを上手く貼り合わせることができない。
（２）２ＤＰＣ層に空洞を含んでおり、結合係数κが大きく、大面積化に不向きである。その理由は、２ＤＰＣ層に均一に光を分布させるために、電極長Ｌに対して面内方向の規格化結合係数κＬを１〜２程度とすることが望ましいが、２ＤＰＣ層に空洞を含む場合、κの値が１０００ｃｍ−１以上の値となり、Ｌの値が数十μｍに制限されるからである。
（３）貼り合わせられたウェハ間の界面に欠陥が形成されるため、寿命・信頼性に難点がある。
【０００４】
上記問題点を解決するための２ＤＰＣ作製手段として、結晶再成長を利用する再成長型ＰＣＳＥＬがあり、これには次の利点がある。
（１）大面積の２ＤＰＣ作製が容易である。すなわち、再成長を用いた場合、結晶を貼り合わせる必要がない。
（２）２ＤＰＣ層を完全に埋込んだ場合、その結合係数κはウェハを貼合せた場合の結合係数の１／１０程度に小さくなるため、大面積化が容易である。
（３）２ＤＰＣ層界面をエピ層で埋め込むため、欠陥が少なく、信頼性が改善する。
（４）２ＤＰＣ層に空洞を含まないので、放熱性に優れ、大出力化に向いている。
【０００５】
上記の観点から、高出力ＰＣＳＥＬの実用化を目指す上では、再成長型ＰＣＳＥＬが、貼り合わせ型のＰＣＳＥＬよりも優位である。
【０００６】
特許文献１は、結晶の再成長において空洞を生じないフォトニック結晶として、六角形の凸部を半導体層内に埋め込むことを提案している。この場合、凸部の主表面（０００１）面に対して、側面を（１−１００）面としている。
【０００７】
特許文献２では、極性面を有する（１１１）基板または、半極性面を有する(ｎ１１)基板（２≦ｎ≦６が望ましい）を用いた閃亜鉛構造（zinc blende structure）の結晶成長において、再成長埋込みを行っており、その手段としてラテラル成長を用いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２０６１５７号公報
【特許文献２】特開２０１０−１１４３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、本願発明者らが閃亜鉛構造の半導体層に穴を開けて、穴内で結晶の再成長を行った場合、その上に形成される化合物半導体層の表面モフォロジーが十分でなく、結晶内部に大きな転位が発生していることを発見した。すなわち、形成された半導体層の結晶性は十分ではないため、半導体面発光素子の特性が十分ではない。
【００１０】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、特性が改善可能な半導体面発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の課題を解決するため、本発明に係る半導体面発光素子は、閃亜鉛構造の第１化合物半導体からなる基本層内に複数の穴を周期的に形成し、前記穴内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体からなる埋め込み層を成長させてなるフォトニック結晶層と、前記フォトニック結晶層に対して光を供給する活性層と、を備え、前記基本層の主表面は（００１）面であり、前記穴の側面は、異なる２つの｛１００｝面を含んでいる、又は、これらの面を前記主表面の法線の回りに±１５度以下の回転角度で回転させた面を含んでいることを特徴とする。
【００１２】
穴の側面が４つの異なる｛１１０｝面によって形成されている場合、（１１０）および（−１−１０）の側面に垂直に成長した埋め込み層には（１１０）および（−１−１０）Ｆａｃｅｔが出現し、これらのＦａｃｅｔが中央部で接触するとき、結晶に乱れが生じ、最終的な結晶性が劣化することが判明した。すなわち、フォトニック結晶層上に形成された半導体層の表面モフォロジーは荒れており、内部に多くの転位が発生している。また、穴の側面に（１１０）、（-１-１０）を含む場合、再成長埋め込み過程の初期に現れるＦａｃｅｔ(一例として（１１３）、（-１-１３）、すなわち（１１３）Ａ面）上で複数のＦａｃｅｔの競合が生じ、部分的に不均一に再成長される。この領域が転位形成の核となるという機構も存在する。
【００１３】
一方、穴の側面形状が、本発明のものの場合、側面に（１１０）と（-１-１０）の露出の割合が減り、上述のように、転位形成機構が抑制されるため、理論的に内部の半導体層の結晶性が改善すると考えられる。このように半導体層の結晶性が改善すると、温度や熱による耐性が高くなるため、寿命を増加させることができ、リーク電流や内部抵抗が低くなるため、発光効率を改善することが可能となる。すなわち、穴の形状を本発明のものとすることで、半導体面発光素子の特性を改善することができる。
【００１４】
また、前記第1化合物半導体はＧａＡｓであり、前記第２化合物半導体はＡｌＧａＡｓである。これらの閃亜鉛構造の化合物半導体を用いた場合、材料特性がよく知られているので、その形成が容易である。
なお、上述の半導体面発光素子を製造する半導体面発光素子の製造方法は、前記穴を形成する工程と、前記埋め込み層の成長を行う工程と、を備えることを特徴とする。なお、前記成長を行う工程の前に、エッチングにより｛１１０｝面、又は｛１１０｝を前記主表面の法線回りに±１０度以内の回転角度で回転させた面を含むアライメントマークを、前記基本層の形成される半導体基板に形成する工程を含んでも良い。この方法によれば、上述の素子を形成する場合において、前記アライメントマークの再成長層に転位が形成されることで再成長表面が荒れ、光学露光の基準位置として利用することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体面発光素子によれば、これを構成する半導体層の結晶性が改善されているため、発光出力や寿命などの特性を改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】半導体面発光素子を一部破断して示す半導体面発光素子の斜視図である。
【図２】ウェハ上に形成された基本層６Ａの平面図である。
【図３】ウェハの正面図である。
【図４】穴の形状の構成を示す図である。
【図５】半導体面発光素子の断面図である。
【図６】比較例に係るウェハ上に形成された基本層６Ａの平面図である。
【図７】結晶性劣化の概念を示す図である。
【図８】穴の形状の詳細構成を示す図である。
【図９】様々な穴の形状について示す図である。
【図１０】フォトニック結晶層の第1の製造方法について説明するための図である。
【図１１】フォトニック結晶層の第2の製造方法について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、実施の形態に係る半導体面発光素子及びその製造方法について説明する。なお、同一要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１８】
図１は、半導体面発光素子を一部破断して示す半導体面発光素子の斜視図である。
【００１９】
半導体面発光素子は、半導体基板１上に順次形成された下部クラッド層２、下部光ガイド層３、活性層４、上部光ガイド層５、フォトニック結晶層６、上部クラッド層７、コンタクト層８を備えている。半導体基板１の裏面側には、電極Ｅ１が全面に設けられており、コンタクト層８の中央部には電極Ｅ２が設けられている。
【００２０】
これらの化合物半導体層の材料／厚みは以下の通りである。なお、導電型の記載のないものは不純物濃度が１０１５／ｃｍ３以下の真性半導体である。なお、不純物が添加されている場合の濃度は、１０１７〜１０２０／ｃｍ３である。また、下記は本実施の形態の一例であって、活性層４およびフォトニック結晶層６を含む構成であれば、材料系、膜厚、層の構成には自由度を持つ。なお、括弧内の数値は、後述のアライメントマーク作成時の実験で用いた数値であり、ＭＯＣＶＤ法によるＡｌＧａＡｓの成長温度は５００℃〜８５０℃であって、実験では５５０〜７００℃を採用し、成長時におけるＡｌ原料としてＴＭＡ（トリメチルアルミニム）、ガリウム原料としてＴＭＧ（トリメチルガリウム）およびＴＥＧ（トリエチルガリウム）、Ａｓ原料としてはＡｓＨ3（アルシン）、Ｎ型不純物用の原料としてＳｉ2Ｈ6（ジシラン）、Ｐ型不純物用の原料としてＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛）を用いた。
・コンタクト層８：Ｐ型のＧａＡｓ／５０〜５００ｎｍ（２００ｎｍ）
・上部クラッド層７：Ｐ型のＡｌＧａＡｓ（Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ）／１．０〜３．０μｍ（２．０μｍ）
・フォトニック結晶層６：
基本層６Ａ：ＧａＡｓ／５０〜２００ｎｍ（１００ｎｍ）
埋め込み層６Ｂ：ＡｌＧａＡｓ（Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ）／５０〜２００ｎｍ（１００ｎｍ）
・上部光ガイド層５：
上層：ＧａＡｓ／１０〜２００ｎｍ（５０ｎｍ）
下層：ｐ型または真性のＡｌＧａＡｓ／１０〜１００ｎｍ（５０ｎｍ）
・活性層４（多重量子井戸構造）：
ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ ＭＱＷ／１０〜１００ｎｍ（３０ｎｍ）
・下部光ガイド層３：ＡｌＧａＡｓ／０〜３００ｎｍ（１５０ｎｍ）
・下部クラッド層２：Ｎ型のＡｌＧａＡｓ／１．０〜３．０μｍ（２．０μｍ）
・半導体基板１：Ｎ型のＧａＡｓ／８０〜３５０μｍ（１５０μｍ）
【００２１】
上下の電極Ｅ１，Ｅ２間に電流を流すと、電極Ｅ２の直下の領域Ｒを電流が流れ、この領域が発光して、レーザ光ＬＢが基板に垂直な方向に向かって出力される。
【００２２】
図２は、ウェハ上に形成された基本層６Ａの平面図である。なお、平面図では、理解の明確化を目的として、実際のスケールよりも格段に大きく、複数の穴Ｈを記載しており、また、その数も実際よりは少ない。また、図３は、ウェハの正面図である。
【００２３】
ウェハ（基板）の主表面は（００１）面であり、同図では、基本層６Ａの主表面（００１）が表面に露出している状態が示されている。なお、閃亜鉛構造の結晶のａ軸、ｂ軸、ｃ軸は、それぞれＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸として、図面に示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の方向は、それぞれ[１００]、[０１０]、 [００１]である。
【００２４】
ウェハの一端には、オリエンテーションフラット（以下、オリフラと称す）ＯＦが形成されており、オリフラＯＦは[１１０]方向に垂直である。オリフラＯＦは（−１−１０）面を有している。基本層６Ａには、複数の穴Ｈ（Ｈ１〜Ｈ１０）が形成されており、それぞれの穴Ｈは、半導体基板の厚み方向に深さを有する。
【００２５】
穴Ｈの平面形状における輪郭は、三角形であり、三角形の各辺はオリフラＯＦの延びた方向[１−１０]に対して、４５度傾斜している。すなわち、穴Ｈの３つの側面は、それぞれ、（−１００）面、（０１０）面、（ｈｋ０）面を有している。なお、結晶学的に等価な面として、（−１００）面、（０１０）面は、｛１００｝面として表すことができる。
【００２６】
なお、図４は、穴Ｈの形状を示す図である。
【００２７】
（０−１０）面と（ｈｋ０）面のなす角度（鋭角）をθとする。図では（ｈｋ０）面の面方位は、ｈ１＝−ｓｉｎθ、ｋ１＝ｃｏｓθとして、ベクトルＶ［ｈ１，ｋ１，０］に平行な面方位となっている。
【００２８】
図２の平面図において、ＸＹ平面内における穴Ｈの重心位置は、[1-10]方向に沿って、等間隔に並んでおり、また、[110]方向に沿っても等間隔に沿って並んでいる。同図では前者の間隔（例えばＨ１とＨ２の間）が、後者の間隔（例えばＨ１とＨ６の間）より短い場合が示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。また、前者の間隔（例えばＨ１とＨ２の間）の中点位置の[110]方向に沿った延長線上に、別の穴Ｈ４が位置する配置になっている。
【００２９】
なお、実施の形態における穴Ｈの重心の[1-10]方向の間隔は、３３５ｎｍであり、[110]方向の間隔は、５８０ｎｍである。また、穴の形状は三角形であって、各辺の長さはそれぞれ１２０ｎｍ、１６０ｎｍ、２００ｎｍ、面積は９．６×１０３ｎｍ２である。なお、穴Ｈの重心位置を結ぶ線群は、正方格子、長方格子、三角格子を構成することができ、ランダムな配置であってもよい。
【００３０】
図１に示した埋め込み層６Ｂは、基本層６Ａの穴Ｈの内部に埋め込まれるため、その側面は穴Ｈの側面に接触し、その面方位は、穴Ｈの側面の面方位に一致している。
【００３１】
このように、上述の半導体面発光素子は、閃亜鉛構造の第１化合物半導体（ＧａＡｓ）からなる基本層６Ａ内に複数の穴Ｈを周期的に形成し、穴Ｈ内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体（ＡｌＧａＡｓ）からなる埋め込み層６Ｂを成長させてなるフォトニック結晶層６を備えている。もちろん、フォトニック結晶を構成するため、第１化合物半導体と、第２化合物半導体の屈折率は異なる。
【００３２】
図５は、半導体面発光素子の断面図である。本例は、オリフラに平行な断面を示している。
【００３３】
上述のように、半導体面発光素子は、半導体基板１上に順次形成された下部クラッド層２、下部光ガイド層３、活性層４、上部光ガイド層５、フォトニック結晶層６、上部クラッド層７、コンタクト層８を備えている。ここで、活性層４は、フォトニック結晶層６に対して光を供給するものであり、上下の半導体層４Ａ，４Ｃと、これらに挟まれた中央の半導体層４Ｂとを有している。これらのエネルギーバンドギャップの関係は、通常のレーザと同じであり、４ＢのＱＷ（量子井戸）層を４Ａ、４Ｃのガイド層で挟んだ多重量子井戸構造となるように設定されている。フォトニック結晶層６は、光の共振によってレーザ光を生成するために用いられる。すなわち、この半導体面発光素子は、フォトニック結晶面発光レーザであるが、レーザ発振が起きなければ当該構造は、発光ダイオードとして用いることもできる。
【００３４】
図６は、比較例に係るウェハ上に形成された基本層６Ａの平面図である。図１〜図５において示した半導体面発光素子を実施例とすると、比較例の素子は、穴Ｈ（Ｈ１〜Ｈ１０）の形状のみが、実施例と異なる。すなわち、穴Ｈの側面は、それぞれ、｛１１０｝面によって構成されている。詳説すれば、それぞれの側面は、（１１０）、（１-１０）、（-１-１０）、（-１１０）である。
【００３５】
図７は、結晶性劣化の概念を示す図である。
【００３６】
比較例において、側面（１１０)、(-１-１０)に垂直に成長した埋め込み層は上述の転位発生機構により、結晶性が劣化している。すなわち、フォトニック結晶層上に形成された半導体層の表面モフォロジーは荒れており、内部に多くの転位が発生している。
【００３７】
一方、本発明では、基本層６Ａの主表面は（００１）面であって、穴Ｈの側面のうち２つは、｛１００｝面であり、側面に（１１０）、(-１-１０）面の露出の割合が減少する。したがって、上述の転位発生機構が抑制されるため、理論的には結晶性が良好となると考えられる。
【００３８】
図８は、穴の形状の詳細構成を示す図である。
【００３９】
ＸＹ平面内において、穴Ｈの輪郭に外接する三角形において、直交する２辺の寸法をＬ１、Ｌ２とする。この三角形に相似の三角形を仮定し、１つの角部を内接させる。内接した三角形は、外接する三角形と重心Ｇを共通とし、ＸＹ平面内の回転位置も同一であるとする。この場合、それぞれ対応辺の三角形の直交する一辺（（０１０）面）に平行な方向の離間距離をΔＬ１１、ΔＬ１２、他の一辺（−１００）面）に平行な方向の離間距離をΔＬ２１、ΔＬ２２とする。
【００４０】
（ΔＬ１１＋ΔＬ１２）／Ｌ１が２９％未満であり、かつ、（ΔＬ２１＋ΔＬ２２）／Ｌ２が２９％未満の場合であり、且つ、ＸＹ平面内における穴の面積の最大値（最表面の面積）が、これに外接する三角形の面積の５０％以上である場合、穴の形状を三角形と認定し、穴Ｈの側面が２つの｛１００｝面を含むものと認めることとする。
【００４１】
図９は、様々な穴の形状について示す図である。
【００４２】
図中の点線は、｛１００｝面を示している。図９（Ａ）は、上述の実施形態の穴の形状である。（Ｂ）は、（Ａ）の１辺の一部が欠けて埋め込み層６Ｂが凹部（凹面）を有しているものである。（Ｃ）は、（Ａ）の２辺の一部が欠けて埋め込み層６Ｂが凹部（凹面）を有しているものである。（Ｄ）は、（Ａ）の３辺の一部が欠けて埋め込み層６Ｂが凹部（凹面）を有しているものである。なお、（Ｂ）〜（Ｄ）に示した凹部は複数であっても、また、凹部を凸部に置き換えてもよい。（Ｅ）は、（Ａ）の埋め込み層６Ｂの中央の一部が欠けている場合である。（Ｅ）の欠けた領域は複数であってもよい。
（Ｆ）は、（Ａ）の斜辺が曲線（曲面）となったものである。
【００４３】
これらの場合においても、上記のような（１１０）、（-１-１０）に起因する転位形成の機構が抑制されるため、結晶性が良好となると考えられる。
【００４４】
（Ｇ）は、穴の平面形状が四角形（台形）であり、側面が２つの｛１００｝面を有するが、これらの｛１００｝面が、対向しており、平行である場合を示している。（Ｈ）は、穴の平面形状が平行四辺形であり、側面が２つの｛１００｝面を有するが、これらの｛１００｝面が、対向しており、平行である場合を示している。（Ｉ）は、（Ｇ）に示した台形の底辺の一部が欠けて、埋め込み層６Ｂの一部がＶ溝を有する場合を示している。
【００４５】
これらの場合においても、上記のような（１１０）、（-１-１０）に起因する転位形成の機構が抑制されるため、結晶性が良好となると考えられる。
【００４６】
以上、説明したように、上述の実施形態では、穴Ｈの側面が、異なる２つの｛１００｝面を含んでいる。穴の側面形状が、本発明のものの場合、側面に（１１０）、(-１-１０）面の露出の割合が減少し、上述の転位発生機構が抑制されるため、理論的に内部の半導体層の結晶性が改善すると考えられる。このように半導体層の結晶性が改善すると、温度や熱による耐性が高くなるため、寿命を増加させることができ、リーク電流や内部抵抗が低くなるため、発光効率を改善することが可能となる。すなわち、穴の形状の上述の実施形態のものとすることで、半導体面発光素子の特性を改善することができる。
【００４７】
なお、上述の第1化合物半導体はＧａＡｓであり、前記第２化合物半導体はＡｌＧａＡｓである。これらの閃亜鉛構造の化合物半導体を用いた場合、材料特性がよく知られているので、その形成が容易である。
【００４８】
なお、上述の穴Ｈは、ＸＹ平面内において、主平面（００１）の法線回りに±１５度以内の回転角度で回転させた場合においても、同様の効果が得られると考えられる。この場合、穴Ｈの側面は、異なる２つの｛１００｝面を主表面(００１)の法線の回りに±１５度以下の回転角度で回転させた面を含んでいることになる。
【００４９】
図１０は、フォトニック結晶層の第1の製造方法について説明するための図である。
【００５０】
Ｎ型（第1導電型とする）の半導体基板（ＧａＡｓ）１上に、Ｎ型のクラッド層（ＡｌＧａＡｓ）２、ガイド層（ＡｌＧａＡｓ）３、多重量子井戸構造（ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ）４、光ガイド層（ＧａＡｓ／ＡａＧａＡｓ）又はスペーサ層（ＡｌＧａＡｓ）５、フォトニック結晶層となる基本層（ＧａＡｓ）６Ａを、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法を用いて順次、エピタキシャル成長させる。
【００５１】
エピタキシャル成長後のアライメントをとるため、ＰＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法により、ＳｉＮ層ＡＧを基本層６Ａ上に形成しＩ（Ｂ）、次に、レジストＲを、ＳｉＮ層ＡＧ上に形成する（Ｃ）。更に、レジストＲを露光・現像し（Ｄ）、レジストＲをマスクとしてＳｉＮ層ＡＧをエッチングし、ＳｉＮ層ＡＧを一部残留させて、アライメントマークを形成する（Ｅ）。残ったレジストは除去する（Ｆ）。
【００５２】
次に、基本層６ＡにレジストＲ２を塗布し、レジストＲ２上に電子ビーム描画装置で２次元微細パターンを描画し、現像することでレジストＲ２上に２次元微細パターンを形成する（Ｈ）。その後、レジストＲ２をマスクとして、ドライエッチングにより１００ｎｍ程度の深さを持つ２次元微細パターンを基本層６Ａ上に転写し(穴Ｈを形成する)（Ｉ）、レジストを除去する（Ｊ）。穴Ｈの深さは、１００ｎｍである。
【００５３】
その後、ＭＯＣＶＤ法を用いて再成長を行う。
【００５４】
再成長工程では、埋め込み層（ＡｌＧａＡｓ）６Ｂが穴Ｈ内に成長し、続いて、Ｐ型のクラッド層（ＡｌＧａＡｓ）７、Ｐ型のコンタクト層（ＧａＡｓ）８が順次エピタキシャル成長する（Ｋ）。次に、Ｐ型コンタクト８上に正方形の孔Ｈを持つレジストＲ３を形成し（Ｌ）、レジストＲ３をパ゜ターニングして（Ｍ）、電極ＥをレジストＲ３の上から蒸着し（Ｎ）、リフトオフにより電極（Cr/Au）Ｅ２のみを残して、電極材を除去する（Ｏ）。そして、Ｎ型の半導体基板１の裏面を研磨し、Ｎ型の電極（AuGe/Au）Ｅ１を形成する（Ｐ）。
【００５５】
図１１は、フォトニック結晶層の第２の製造方法について説明するための図である。
【００５６】
Ｎ型（第1導電型とする）の半導体基板（ＧａＡｓ）１上に、Ｎ型のクラッド層（ＡｌＧａＡｓ）２、ガイド層（ＡｌＧａＡｓ）３、多重量子井戸構造（ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ）４、光ガイド層（ＧａＡｓ／ＡａＧａＡｓ）又はスペーサ層（ＡｌＧａＡｓ）５、フォトニック結晶層となる基本層（ＧａＡｓ）６Ａを、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法を用いて順次、エピタキシャル成長させる。
【００５７】
次に、基本層６Ａ上にレジストＲ２を塗布し（Ｂ）、電子ビーム描画装置で２次元微細パターンを描画し、現像することでレジスト上に２次元微細パターンを形成する（Ｃ）。このとき、使用するフォトマスクのアライメントマーク位置に（１１０）面で囲まれた１辺１２０ｎｍの正方形を３３０ｎｍ間隔で配置し、領域全体の面積を１００μｍ×１００μｍとする。後述するが、このパターンは再成長後の光学露光の位置合わせの基準として利用する。
【００５８】
その後、ドライエッチングにより１００ｎｍ程度の深さを持つ２次元微細パターンを基本層６Ａ上に転写し（Ｄ）、レジストを除去する（Ｅ）。目印の位置もエッチングされるため、この位置にパターン（アライメントマーク）が形成される。このパターンは４つの｛１１０｝面で囲まれた側面を有するが、若干の回転（±１０度以内）をさせてもよい。このパターンは、再成長によっても転位が形成されるため、再成長表面が荒れることが観察された。したがって、荒れた表面を再成長後の光学露光における位置合わせの基準として利用することが出来る。その後、ＭＯＣＶＤ法を用いて再成長を行う。このように、埋め込み層の再成長を行う工程の前に、エッチングにより｛１１０｝面、又は｛１１０｝を前記主表面（００１）の法線回りに±１０度以内の回転角度で回転させた面を含むアライメントマークを、基本層６Ａの形成される半導体基板の適当な箇所（発光素子形成予定領域の外側領域）に形成しておくことで、通常のアライメントマーク形成工程を省略することができる。
【００５９】
再成長工程では、埋め込み層（ＡｌＧａＡｓ）６Ｂが穴Ｈ内に成長し、続いて、Ｐ型のクラッド層（ＡｌＧａＡｓ）７、Ｐ型のコンタクト層（ＧａＡｓ）８が順次エピタキシャル成長する（Ｆ）。次に、Ｐ型コンタクト８上に正方形の孔Ｈを持つレジストＲ３を形成し（Ｇ）、レジストＲ３を光学露光によりパターニングして（Ｈ）、電極ＥをレジストＲ３の上から蒸着し（Ｉ）、リフトオフにより電極（Cr/Au）Ｅ２のみを残して、電極材を除去する（Ｊ）。そして、Ｎ型の半導体基板１の裏面を研磨し、Ｎ型の電極（AuGe/Au）Ｅ１を形成する（Ｋ）。この方法によれば、上述の素子を形成する場合において、再成長前に｛１１０｝面で囲まれたパターンを形成しておくことで、これを再成長後の光学露光の位置合わせの基準位置として利用することができる。
なお、穴Ｈの深さは、基本層６Ａよりも浅くてもよく、若干深くてもよい。また、（００１）ウェハはオフ基板であってもよい。
【００６０】
なお、穴Ｈの作製方法として、実施の形態では電子ビーム露光法による作製法を説明したが、ナノインプリント、干渉露光、ＦＩＢ、ステッパなどの光学露光といった、その他の微細加工技術を用いてもよい。
【符号の説明】
【００６１】
６Ａ・・・基本層、６Ｂ・・・埋め込み層、Ｈ・・・穴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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