(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の上面に配置された励振電極と、
該励振電極上に封止空間が形成されるようにして前記基板の上面に配置された樹脂製のカバーと、
該カバーを高さ方向に貫き、前記励振電極に電気的に接続されて前記カバーの上面まで導出された貫通部および前記カバーの上面に配置されて前記貫通部の端部に接続されたフランジ部を有する端子と、
前記カバーの上面に平面透視して前記封止空間を覆うように配置された金属からなる補強層と、
該補強層の側面を前記カバーの上面まで被覆し、かつ前記フランジ部と間隔を空けて配置された樹脂製の絶縁膜と
を有する弾性波装置。
【請求項２】
前記フランジ部の下側端部の外周部が、前記カバーに向かうにつれて内方に傾斜している請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記補強層の下側端部の外周部が、前記カバーに向かうにつれて内方に傾斜している請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記補強層の上面も被覆している請求項１乃至３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記絶縁膜の上面の位置が前記フランジ部の上面の位置よりも低い請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記絶縁膜の前記補強層の側面を被覆している部分は、前記カバーの上面に近づくほど外方に広がる拡張部を有している請求項１乃至５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記補強層の下面には、前記カバーに向かって突出する突出部が設けられており、
該突出部は前記カバーによって被覆されている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記突出部は、前記補強層の下面外周に沿って環状になっている請求項７に記載の弾性波装置。
【請求項９】
基板の上面に励振電極を形成する工程と、
前記励振電極上に封止空間が形成されるようにして前記基板の上面に樹脂製のカバーを形成する工程と、
前記カバーを前記励振電極との電気的な接続部から前記カバーの上面にかけて高さ方向に貫通する貫通部用孔部を形成し、めっき法によって、前記励振電極に電気的に接続されて前記カバーの上面まで導出された貫通部および前記カバーの上面に配置されて前記貫通部の端部に接続されたフランジ部を有する端子を形成する工程と、
前記カバーの上面に、平面透視して前記封止空間を覆うように、金属からなる補強層を形成する工程と、
前記フランジ部から前記カバーの上面および前記補強層にかけてこれらを覆うように感光性の樹脂からなる絶縁膜構成層を形成する工程と、
フォトリソグラフィーによって、前記絶縁膜構成層のうち少なくとも前記フランジ部に対応する部分を除去することにより、少なくとも前記補強層の側面を前記カバーの上面まで
被覆する絶縁膜を形成する工程と
を含む弾性波装置の製造方法。
【請求項１０】
前記端子を形成する工程は、
前記貫通部用孔部が形成された前記カバー上にめっき用レジストを形成し、該めっき用レジスト層の前記貫通部用孔部上にフランジ用孔部を形成する工程と、
前記フランジ用孔部が形成された前記めっき用レジスト層を加熱することにより、該めっき用レジスト層の前記フランジ用孔部の下側端部の内周部が前記カバーに向かうにつれて前記フランジ用孔部の内方に傾斜するようにめっき用レジスト層を変形させる工程と
を含む請求項９に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）などの弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型化などを目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer Level Package）型の弾性波装置が知られている。このＷＬＰ型の弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板に設けられた励振電極と、励振電極を封止するカバーと、カバーを高さ方向に貫通する端子とを有する。
【０００３】
カバーの上面には、励振電極の封止空間の変形を防止するために、カバーよりも硬い金属などから成る補強層が設けられることがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１４２７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、カバーの上面に金属からなる補強層を設けると、弾性波装置を外部の回路基板に半田などを用いて実装する際に、端子に付着させる半田が補強層に接触する恐れがある。
【０００６】
端子に付着させる半田が補強層に接触すると実装不良や電気特性の劣化を招く要因となる。
【０００７】
そこでカバーに金属からなる補強層を設けた場合であっても、実装不良や電気特性の劣化が起きにくい弾性波装置およびその製造方法の提供が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様としての弾性波装置は、基板と、該基板の上面に配置された励振電極と、該励振電極上に封止空間が形成されるようにして前記基板の上面に配置された樹脂製のカバーと、該カバーを高さ方向に貫き、前記励振電極に電気的に接続されて前記カバーの上面まで導出された貫通部および前記カバーの上面に配置されて前記貫通部の端部に接続されたフランジ部を有する端子と、前記カバーの上面に平面透視して前記封止空間を覆うように配置された金属からなる補強層と、該補強層の側面を前記カバーの上面まで被覆し、かつ前記フランジ部と間隔を空けて配置された樹脂製の絶縁膜とを有するものである。
【０００９】
また本発明の一態様としての弾性波装置の製造方法は、基板の上面に励振電極を形成する工程と、前記励振電極上に封止空間が形成されるようにして前記基板の上面に樹脂製のカバーを形成する工程と、前記カバーを前記励振電極との電気的な接続部から前記カバーの上面にかけて高さ方向に貫通する貫通部用孔部を形成し、めっき法によって、前記励振電極に電気的に接続されて前記カバーの上面まで導出された貫通部および前記カバーの上面に配置されて前記貫通部の端部に接続されたフランジ部を有する端子を形成する工程と、前記カバーの上面に、平面透視して前記封止空間を覆うように、金属からなる補強層を形成する工程と、前記フランジ部から前記カバーの上面および前記補強層にかけてこれらを覆うように感光性の樹脂からなる絶縁膜構成層を形成する工程と、フォトリソグラフィ
ーによって、前記絶縁膜構成層のうち少なくとも前記フランジ部に対応する部分を除去することにより、少なくとも前記補強層の側面を前記カバーの上面まで被覆する絶縁膜を形成する工程とを含むものである。
【発明の効果】
【００１０】
上記の構成からなる弾性波装置は、補強層の側面をカバーの上面まで到達するようにして被覆する樹脂製の絶縁膜を設けたことによって、端子に付着される半田などの導電性接合材から補強層が絶縁膜によって保護されるため、端子と補強層との短絡が抑制される。よって、実装不良や電気特性の劣化が起きにくい弾性波装置とすることができる。また、樹脂からなる絶縁膜が樹脂からなるカバーと接触する部分を有することから、その部分では絶縁膜がカバーに強固に接着され、絶縁膜が剥がれにくくなり、端子と補強層との短絡防止効果を高めることができる。
【００１１】
さらに絶縁膜がフランジ部と間隔を空けて配置されていることから、フランジ部に施すメッキ処理の影響による絶縁膜の剥がれが起きにくくなり、これによっても端子と補強層との短絡防止効果を高めることができる。
【００１２】
また上記の工程からなる弾性波装置の製造方法によれば、端子と補強層との短絡が抑制された弾性波装置を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。
【図２】（ａ）は図１のＳＡＷ装置の平面図であり、（ｂ）は図１のＳＡＷ装置の蓋部を外した状態の平面図である。
【図３】図２（ａ）のIII−III線における断面図である。
【図４】図３のＭで示した部分の拡大断面図である。
【図５】（ａ）から（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】（ａ）から（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】（ａ）から（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷ装置の拡大断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係るＳＡＷ装置の拡大断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係るＳＡＷ装置の断面図である。
【図１２】本発明の第５の実施形態に係るＳＡＷ装置の断面図である。
【図１３】図１のＳＡＷ装置を回路基板に実装した状態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の構造＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図であり、図２（ａ）（ｂ）は、ＳＡＷ装置１の平面図である。なお図２（ｂ）は、カバー５の蓋部１７を外した状態の平面図である。また、図３は図２（ａ）のIII−III線における断面図である。
【００１５】
ＳＡＷ装置１は、いわゆるＷＬＰ型のＳＡＷ装置によって構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の上面３ａに配置された励振電極２と、励振電極２を保護するカバー５と、カバー５から露出する複数の端子７と、カバー５の上面に配置された補強層４と、補強層４を被覆する絶縁膜１０を有している。なお、図１では便宜上、絶縁膜１０を
省略している。
【００１６】
ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。
【００１７】
基板３は、圧電基板によって形成されている。例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶などの圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、所定方向（Ｙ方向）を長手方向とする矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。
【００１８】
基板３の上面３ａには、励振電極２、接続配線１１といった各種の電極および配線が設けられている。
【００１９】
基板３の上面３ａとは反対側の面である裏面３ｂには導体層１３が取り付けられている。裏面３ｂに導体層１３が取り付けられていることによって、基板３に蓄積された余分な電荷が放電され、ＳＡＷ装置のフィルタとしての特性を安定化させることができる。なお、導体層１３を設けずに基板３の裏面が露出した状態とされていてもよい。
【００２０】
励振電極２は、ＳＡＷを発生させるためのものである。図２（ｂ）に示すように励振電極２は、複数の電極指を有する一対の櫛歯状電極からなる複数のＩＤＴ電極と複数のＩＤＴ電極の両端に配置された反射器電極とを含む。このような励振電極２が圧電性の基板３の上面に配置されることによって、例えば、２重モードＳＡＷ共振器フィルタなどが構成されている。なお図２（ｂ）は模式図であり、実際にはこれよりも多数の電極指を有する櫛歯状電極が複数対設けられている。また、複数の励振電極２が直列接続や並列接続などの方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタなどが構成されてもよい。励振電極２は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金などのＡｌ合金によって形成されている。
【００２１】
基板３の上面３ａに配置される励振電極２は、接続配線１１を介して端子７と接続されている。接続配線１１は、例えば、励振電極２と同じ材料によって形成され、Ａｌ−Ｃｕ合金などのＡｌ合金によって形成されている。また接続配線１１の配線抵抗を小さくするために、配線接続１１の厚みを励振電極２の厚みよりも大きくしてもよい。
【００２２】
基板３の上面３ａに形成された励振電極２などの各種の電極および配線は、図３の断面図に示すように保護層１４で覆われている。この保護層１４は、励振電極２など基板３の上面３ａに設けられた各種の電極および配線の酸化防止などに寄与する。保護層１４は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料によって形成される。例えば、保護層１４は、酸化珪素、窒化珪素、シリコンなどからなる。
【００２３】
基板３の上面３ａに配置された各種の電極および配線を保護するとともに、励振電極２の封止空間６を確保するためのカバー５が基板３の上面３ａに配置されている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様であり、矩形状である。カバー５は、平面視したときに基板３の上面３ａの外周部が露出するように基板３の上面３ａよりもやや小さく形成されている。
【００２４】
カバー５は、基板３の上面３ａに積層される枠部１５と、枠部１５に積層される蓋部１７とで構成されている。枠部１５には、開口部１６が形成されている。開口部１６は、枠部１５を平面視したときに励振電極２と重なる部分に設けられている。換言すれば、平面
視において枠部１５の内壁は励振電極２を取り囲んでいる。この開口部１６が蓋部１７によって塞がれることで、基板３の上面３ａとカバー５との間に封止空間６が形成されることとなる。
【００２５】
枠部１５は、概ね一定の厚さの層によって構成されている。枠部１５の厚さは、例えば、１０μｍ〜３０μｍである。蓋部１７は、概ね一定の厚さの層によって構成されている。蓋部１７の厚さは、例えば、１０μｍ〜３０μｍである。
【００２６】
枠部１５および蓋部１７は、例えば、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合によって硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
【００２７】
枠部１５および蓋部１７は、同一の材料によって形成されていてもよいし、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。図では説明の便宜上、枠部１５と蓋部１７との境界線を明示しているが、実際の製品においては、枠部１５と蓋部１７とが同一材料によって形成され、一体的に形成されていてもよい。
【００２８】
封止空間６はカバー５の中に設けられた空洞部であり、励振電極２の上面に設けられている。励振電極２の上面に封止空間６が設けられていることにより、励振電極２によって発生するＳＡＷが基板３を伝搬しやすくなる。封止空間６は図２（ｂ）に示すように、平面形状が概ね矩形状に形成されている。また、図３の断面図に示すように、封止空間６の蓋部１７側の角部、すなわち枠部１５の内壁面の蓋部１７側の部分は、曲面状とされている。これにより、外部の回路基板に実装されたＳＡＷ装置１を樹脂モールドする際にＳＡＷ装置１に外部から大きな圧力が印加されたとしても、蓋部１７が撓むのを抑制することができる。また封止空間６の大きさおよび数は適宜に設定されてよい。図２（ｂ）では封止空間６を１つだけ設けた例を示しているが、例えば、複数の励振電極２を設けた場合には、複数の励振電極２ごとに複数の封止空間６を設けてもよい。
【００２９】
図３に示すようにカバー５を高さ方向に貫通し、カバー５の上面５ａまで導出された貫通部９が設けられている。貫通部９は、後述するフランジ部１２とともに端子７を構成するものである。貫通部９は、接続配線１１の末端付近に配置されている。貫通部９は枠部１５を高さ方向に貫く柱状の第１柱部９ａと、蓋部１７を高さ方向に貫く柱状の第２柱部９ｂとからなる。
【００３０】
第１柱部９ａの基板３の上面３ａと平行な方向に切断したときの断面形状は、例えば、円形状である。また第１柱部９ａは、その側面が基板３の上面３ａ側からカバー５の上面５ａ側に向かうにつれて内側に傾斜している。第２柱部９ｂも第１柱部９ａと同様に、基板３の上面３ａと平行な方向に切断したときの断面形状は、例えば、円形状であり、その側面が基板３の上面３ａ側からカバー５の上面５ａ側に向かうにつれて内側に傾斜している。
【００３１】
ＳＡＷ装置１を外部の回路基板などに実装し、樹脂封止すると、温度環境の変化によって、封止に用いた樹脂が膨張または収縮するが、このときに貫通部９に対し引っ張り応力、あるいはせん断応力が発生する。この引っ張り応力、あるいはせん断応力によって、貫通部９に対し、貫通部９を基板３から引き抜く方向に力が作用することがあるが、上述のように貫通部９の側面を傾斜させることによって、貫通部９の側面が傾斜していないものに比べて、貫通部９が基板３から引き抜かれるのを抑制することができる。また、外部の水分などが貫通部９の側面とカバー５との間の隙間から浸入することがあり、それが封止空間６まで到達するとフィルタ特性の劣化を招くこととなるが、貫通部９の側面を傾斜さ
せることによって、貫通部９の側面が傾斜していないものに比べて、水分の浸入経路長を長くすることができるため、フィルタ特性の劣化を抑制することができるという利点もある。なお、図３では第１柱部９ａの側面の基板３の上面３ａに対する傾斜角が、第２柱部９ｂの側面の基板３の上面３ａに対する傾斜角よりも大きくされている例を示しているが、傾斜角は適宜変更されてよく、例えば、第１柱部９ａと第２柱部９ｂとで同じ傾斜角としてもよい。
【００３２】
また、第１柱部９ａと第２柱部９ｂとの接続部分において、第２柱部９ｂの第１柱部９ａ側の断面積は、第１柱部９ａの第２柱部９ｂ側の断面積よりも大きくされている。これにより、貫通部９の第１柱部９ａと第２柱部９ｂとの接続部分における側面に段差が形成される。このように貫通部９の側面に段差部を設けることによっても貫通部９の側面とカバー５との間から浸入し得る水分の浸入経路を長くすることができ、封止空間６への水分の浸入によるフィルタ特性の劣化を抑制することができる。
【００３３】
貫通部９は、例えば、銅めっきによって形成されており、貫通部９とカバー５との間には、めっき下地層（図示せず）が設けられている。めっき下地層は、例えば、チタンや銅などからなる。
【００３４】
貫通部９と接続配線１１との間には接続強化層８が設けられている。接続強化層８は、比較的薄く形成される接続配線１１を補強して、接続配線１１と貫通部９との接続を強化するためのものである。接続強化層８は、例えば、上面３ａ側から順にクロム、ニッケル、金を積層した３層構造からなる。
【００３５】
一方、貫通部９のカバー５からの露出部にはフランジ部１２が接続されている。フランジ部１２と貫通部９とで端子７が構成されている。フランジ部１２は、例えば、銅めっきなどによって形成される。フランジ部１２と貫通部９とを銅めっきによって形成する場合は、両者を一体的に形成することができる。
【００３６】
フランジ部１２は、例えば、第２柱部９ｂの蓋部１７から露出する第２柱部９ｂの端面を覆うようにして、第２柱部９ｂの端面よりも一回り大きく形成されており、その外周部はカバー５に積層されている。フランジ部１２の平面視における形状は、例えば、円形である。
【００３７】
フランジ部１２が配置されたカバー５の上面５ａには、図１乃至図３に示すように補強層４が配置されている。なお、図２（ａ）では補強層４を破線で示している。補強層４は、カバー５の強度を補強するためのものである。例えば、ＳＡＷ装置１を外部の回路基板などに実装した後、ＳＡＷ装置１全体を樹脂モールドすることがあるが、樹脂モールドする際に大きな圧力がＳＡＷ装置１に印加される。この場合であっても、補強層４を設けておくことによって、カバー５が変形するのを抑制することができる。これによって封止空間６の形状が大きく歪むのを防ぐことができるため、ＳＡＷ装置１の信頼性向上に供することができる。
【００３８】
補強層４は、カバー５を構成する材料よりもヤング率が高い材料によって形成されている。例えば、カバー５のヤング率が０．５〜１ＧＰａであるのに対し、補強層４のヤング率は１００〜２５０ＧＰａである。具体的には、補強層４は銅などの金属からなる。補強層４の厚さは、例えば、１〜５０μｍである。補強層４は、カバー５の比較的広い範囲に亘って形成されており、封止空間６の変形を防止する観点からすると、カバー５を平面透視したときに少なくとも封止空間６全体を覆うように封止空間６よりも大きく形成されていることが好ましい。より具体的には、補強層４の外周縁が封止空間６の外周縁よりも５μｍ以上外側に位置しているとよい。補強層４はフランジ部１２と接続されておらず、電
気的に浮遊状態となっている。
【００３９】
補強層４は、上面および側面が絶縁膜１０によって被覆されている。絶縁膜１０を設けたことによって、ＳＡＷ装置１を外部の回路基板に実装する際に端子７に付着される半田などの導電性接合材が補強層４にも付着するのを抑制することができるため、実装不良や電気特性の劣化が起きにくいＳＡＷ装置１とすることができる。
【００４０】
補強層４の表面のうち少なくとも側面が絶縁膜１０によって被覆されていれば、端子７に付着される半田などの導電性接合材が補強層４に付着するのを十分に抑制することができるが、補強層４の上面も絶縁膜１０で覆うことによって、導電性接合材が補強層４に付着するのをより確実に抑制することができる。図２（ａ）には、絶縁膜１０によって被覆されている補強層４を破線で示している。同図に示すように、絶縁膜１０は、平面視において補強層４に対し一回り大きい相似形状となっている。なお、絶縁膜１０の平面形状は図２（ａ）に示したものに限らず、例えば、フランジ部１２に対応する部分に窓部を設けた状態でカバー５の上面５ａ全体に形成されるように矩形状としてもよい。
【００４１】
この絶縁膜１０は樹脂からなる。具体的には、絶縁膜１０の樹脂材料として、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。このように樹脂からなる絶縁膜１０が補強層４の側面を伝ってカバー５の上面５ａに到達している。絶縁膜１０がカバー５の上面５ａまで到達していることによって、到達部分において樹脂材料からなる絶縁膜１０とカバー５とが強固に接着されるため、絶縁膜１０が補強層４から剥がれるのを抑制することができる。そのため、絶縁膜１０が剥がれることによって補強層４が露出してしまうことが殆どなく、導電性接合材の補強層４への付着防止効果が向上する。
【００４２】
図４は、図３において丸で囲った領域Ｍを拡大した図である。
図４において、まずフランジ部１２に着目すると、フランジ部１２の表面には、めっき皮膜１９が形成されている。このめっき皮膜１９は、フランジ部１２を被覆する第１金属膜と第１金属膜を被覆する第２金属膜との２層構造からなる。第１金属膜は、フランジ部１２（端子７）を構成する金属の半田中への拡散（半田食われ）を防止するためのものであり、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、およびそれらの合金などを用いることができる。第２金属膜は、第１金属膜の酸化を防止し、半田濡れ性を良くするためのものであり、例えば、Ａｕ、Ａｇなどを用いることができる。
【００４３】
次に絶縁膜１０に着目すると、絶縁膜１０はフランジ部１２から所定の間隔ｄだけ離れた位置にある。この間隔ｄが小さすぎると絶縁膜１０のカバー５からの剥がれの発生が多くなる傾向にあることが本願発明者によって確認されている。間隔ｄが小さい場合に絶縁膜１０の剥がれの発生が多くなる原因を本願発明者が追及したところ、間隔ｄが小さすぎるとフランジ部１２の表面に設けるめっき皮膜１９が絶縁膜１０とフランジ部１２との間の領域にも成長してしまい、その領域に成長しためっき皮膜１９によって絶縁膜１０が押し上げられることによるものであることが判明した。このように絶縁膜１０とフランジ部１２との間の領域にもめっき皮膜１９が成長するのは、間隔ｄが小さすぎるとその部分にめっき液の残渣が存在しやすくなることが主な要因である。例えば、フランジ部１２がＣｕ、第１金属膜がＮｉによってそれぞれ形成されている場合は、Ｃｕからなるフランジ部１２の表面をＮｉめっき液中の還元剤に対して触媒活性にする処理が必要なため、フランジ部１２の表面にＰｄを置換させる処理を行う。このとき間隔ｄが小さすぎると、フランジ部１２と絶縁膜１０との隙間にＰｄの微粒子が残留し、そのＰｄが触媒核となってその部分にＮｉが析出することを確認している。そこで本願発明者が実験等を重ねた結果、間隔ｄを２０μｍ以上とすれば、フランジ部１２と絶縁膜１０との隙間にめっき液中の残渣が殆ど残らなくなり、絶縁膜１０とフランジ部１２との間におけるめっき皮膜１９の成長
が抑えられることが確認された。したがって、絶縁膜１０をフランジ部１２から２０μｍ以上離した状態で形成することによって、絶縁膜１０のカバー５からの剥離抑制効果をより確実なものとすることができる。
【００４４】
フランジ部１２は、下端部の外周部が、カバー５の上面５ａに向かうにつれて内方に傾斜している。フランジ部１２をこのような形状とすることによって、フランジ部１２の上面の面積を小さくすることなく、絶縁膜１２とフランジ部１２との間隔ｄを大きくすることができる。そのため、ＳＡＷ装置１の実装強度を保持するのに必要なフランジ部１２の上面の面積を所定の大きさに保ちつつ、絶縁膜１０の剥がれ抑制効果を高めることができる。また、端部が内側に傾斜していないものと比べてフランジ部１２の表面積が大きくなるため、半田との接触面積が増え、ＳＡＷ装置１の実装強度を向上させることができるという利点もある。
【００４５】
次に、補強層４に着目すると、フランジ部１２と同様に、補強層４の下端部の外周部がカバー５の上面５ａに向かうにつれて内方に傾斜している。補強層４の端部をこのような形状とすることによって、傾斜させた部分まで絶縁膜１０が回り込むこととなる。そうすると、間隔ｄを狭めることなく、傾斜させた部分に回り込んだ絶縁膜１０の分だけ絶縁膜１０とカバー５との接触面積を大きくすることができるため、絶縁膜１０のカバー５の上面５ａからの剥がれ防止効果を高めることができる。
【００４６】
ＳＡＷ装置１は、例えば、図１３に示すようにカバー５側の面を回路基板２５の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で、複数の端子７を実装面上のパッド２４に接続した状態で実装される。端子７とパッド２４とは、半田などの導電性接合材２６によって接続される。また、弾性波装置１は、全体が封止樹脂２７によって覆われている。
【００４７】
封止樹脂２７を形成する際、ＳＡＷ装置１は大きな圧力の環境下におかれるが、そのような環境下においても、金属製の補強層４が設けられているため、封止空間６が大きく変形することがない。また、上述したように補強層４は、絶縁膜１０によって被覆されているため実装用の導電性接合材２６の補強層４への接触が抑制される。
【００４８】
＜第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の製造方法＞
次に、図５乃至図８を参照してＳＡＷ装置１の製造方法について説明する。図５乃至図８は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【００４９】
以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となるウエハを対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図５（ａ）〜図８（ｂ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、電極や配線などは、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがある。
【００５０】
まず、図５（ａ）に示すように、基板３を用意する。基板３は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶などの圧電性基板である。
【００５１】
基板３の上面３ａ上には、励振電極２、接続配線１１といった各種の電極および配線が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの薄膜形成法により、基板３の上面３ａ上に導体層が形成される。次に、導体層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法などによってパターニングが行われる。これにより、励振電極２および接続配線１１が形成される。
【００５２】
励振電極２、接続用導体１１などの各種電極および配線が形成されると、図５（ｂ）に示すように、保護層１４および接続強化層８が形成される。保護層１４および接続強化層８は、いずれが先に形成されてもよい。例えば、まず、保護層１４となる薄膜が、励振電極２および接続配線１１の上を覆うように、ＣＶＤ法または蒸着法などの薄膜形成法によって形成される。次に、接続配線１１のうち、貫通部９の配置位置における部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層１４が形成される。次に、蒸着法などによって接続配線１１の保護層１４からの露出部分および保護層１４上に導体層が形成されるとともに、リフトオフ法あるいはフォトリソグラフィー法などによって保護層１４上の導体層が除去される。これにより、接続強化層８が形成される。
【００５３】
保護層１４および接続強化層８が形成されると、図５（ｃ）〜図６（ａ）に示すように、枠部１５が形成される。
【００５４】
具体的には、まず、図５（ｃ）に示すように、基板３の上面３ａ上に、枠部１５となる枠部構成層３５が形成される。枠部構成層３５は、例えば、ネガ型のフォトレジストによって形成されたフィルムが貼り付けられることによって形成される。その後、枠部構成層３５が形成された基板３を加熱処理する。これにより、枠部構成層３５と基板３との密着強度を高めることができる。
【００５５】
次に、図５（ｄ）に示すように、フォトマスク４０を介して紫外線などの光Ｌが枠部構成層３５に照射される。すなわち、露光処理が行われる。フォトマスク４０は、例えば、透明基板３８上に遮光層３９が形成されることによって構成されている。遮光層３９は、枠部構成層３５を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。すなわち、封止空間６、貫通部９およびダイシングラインに対応する位置にそれぞれ配置されている。各遮光層は幅が異なっており、封止空間６に対応する遮光層が最も大きく、貫通部９に対応する遮光層の幅が最も小さい。ダイシングラインに対応する遮光層の幅は、封止空間６に対応する遮光層の幅よりも小さく、貫通部９に対応する遮光層の幅よりも大きい。露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。
【００５６】
その後、図６（ａ）に示すように、現像処理を行い、枠部構成層３５のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、枠部構成層３５には、封止空間６となる開口部１６と、第１柱部９ａが配置される第１孔部４１とが形成される。またこれと同時に、ダイシングラインとなる第１溝部４２が形成される。すなわち、枠部１５が形成される。
【００５７】
枠部構成層３５の光Ｌが照射される領域の縁部においては、照射された光Ｌが、枠部構成層３５の光Ｌが照射されない領域へ発散されることから、基板３の上面３ａ側まで十分に光が到達しない。したがって、枠部構成層３５の光が照射される領域の縁部は、基板３の上面３ａ側が十分に硬化されずに、除去される。その結果、第１孔部４１、第１溝部４２、および開口部１６は、上面３ａ側ほど径が広がるテーパ状（順テーパ状）に形成される。
【００５８】
また、開口部１６、第１孔部４１および第１溝部４２のテーパ面の上面３ａに対する角度はそれぞれ異なっている。このテーパ面の上面３ａに対する角度の違いは、フォトリソグラフィー法によって枠部構成層３５のパターニングを行う際の種々の条件の違いによって生じるものである。なかでもフォトマスクの遮光層３９の幅および形状がテーパ面の角度の違いに大きく影響する。具体的には、フォトマスク４０の遮光層３９の幅が小さいほ
どテーパ面の上面３ａに対する角度は小さくなる傾向にある。また、フォトマスク４０の遮光層３９の平面形状における外周が直線状の場合よりも曲線状の場合の方がテーパ面の上面３ａに対する角度は小さくなる傾向にある。
【００５９】
よって開口部１６、第１孔部４１および第１溝部４２のそれぞれのテーパ面を比較すると、対応する遮光層３９の幅が最も小さく、かつ、その平面形状の外周が円形状となっている第１孔部４１のテーパ面の上面３ａに対する角度が最も小さくなっている。
【００６０】
第１孔部４１、開口部１６、および第１溝部４２が形成されると、図６（ｂ）〜図６（ｄ）に示すように、蓋部１７が形成される。
【００６１】
具体的には、まず、図６（ｂ）に示すように、枠部１５上に、蓋部１７となる蓋部構成層３７が形成される。蓋部構成層３７は、例えば、ネガ型のフォトレジストによって形成されたフィルムが貼り付けられることによって形成される。蓋部構成層３７が形成されることにより、枠部１５の開口部１６が塞がれて、封止空間６が構成される。枠部構成層３５と蓋部構成層３７とは加熱されることによって接合される。
【００６２】
次に、図６（ｃ）に示すように、フォトマスク５０を介して紫外線などの光Ｌが蓋部構成層３７に照射される。すなわち、露光処理が行われる。フォトマスク５０は、フォトマスク４０と同様に、透明基板５１上に所定パターンの遮光層５２を張り付けて構成されるものである。遮光層５２は、蓋部構成層３７を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。すなわち、貫通部９に対応する位置およびダイシングラインに対応する位置に配置されている。フォトマスク５０は、例えば、フォトマスク４０において、遮光層３９のうち封止空間６に対応する部分を除去した構成となっている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。
【００６３】
その後、図６（ｄ）に示すように、現像処理を行い、蓋部構成層３７のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、蓋部構成層３７には、第２柱部９ｂが配置される第２孔部４３および第２溝部４４が形成される。すなわち、蓋部１７が形成される。蓋部１７が形成されることにより、枠部１５と蓋部１７とからなるカバー５が完成する。なお、第１孔部４１と第２孔部４３とが連結されて貫通部用孔部となり、第１溝部４２と第２溝部４４とが連結されてダイシングラインとなる。
【００６４】
蓋部構成層３７に形成された第２溝部４４と第２孔部４３とを比較すると、第２溝部４４のテーパ面の上面３ａに対する角度と第２孔部４３のテーパ面の上面３ａに対する角度とが異なっている。具体的には、第２孔部４３のテーパ面の上面３ａに対する角度は、第２溝部４４のテーパ面の上面３ａに対する角度よりも小さい。これは、主に第２孔部４３に対応する遮光層５２の幅が第２溝部４４に対応するフォトマスク５０の遮光層５２の幅よりも小さいこと、および平面視において第２溝部４４に対応する遮光層５２の縁部が直線状であるのに対し、第２孔部４３に対応する遮光層５２の縁部が円形状であることによるものである。
【００６５】
また、連結された第１孔部４１と第２孔部４３とを比較すると、第１孔部４１のテーパ面の上面３ａに対する角度は、第２孔部４２のテーパ面の上面３ａに対する角度よりも大きい。同様に、連結された第１溝部４２と第２溝部４４についても、第１溝部４２のテーパ面の上面３ａに対する角度は、第２溝部４４のテーパ面の上面３ａに対する角度よりも大きい。この角度の違いは、第１孔部４１に対応する遮光層３９と第２孔部４３に対応する遮光層５２とで幅が異なっていることに加え、枠部構成層３５と蓋部構成層３７との硬さの違いによるものである。具体的には、フォトリソグラフィーを行う際の枠部構成層３５は、蓋部構成層３７よりも硬い状態となっている。この硬さの違いは、例えば、フォト
リソグラフィーを行う前に加熱処理を行うか否かによって生じるものである。なお、ここでいう硬さとはヤング率として測定したものをいう。
【００６６】
カバー５が形成されると、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、貫通部９およびフランジ部１２が形成される。具体的には、まず、カバー５の露出部分を覆うようにしてめっき用下地層（図示せず）が形成される。また、めっき用下地層は、カバー５の露出部分以外にも第１孔部４１の内周面および底面、第１溝部４２の内周面および底面にも形成される。めっき用下地層は、例えば、スパッタリング法、フラッシュめっき法などにより、Ｔｉ−Ｃｕなどで形成するのが好適な一例である。
【００６７】
めっき用レジスト層５５は、めっき用下地層上に形成される。めっき用レジスト層５５は、例えば、スピンコートなどの手法で基板上に形成される。めっき用レジスト層５５には、第２孔部４３上にフランジ用孔部５７が形成されるとともに、補強層４が形成される領域に補強層用孔部５４が形成されている。フランジ用孔部５７は、径が第２孔部４３の径よりも大きく、また、深さ（めっき用レジスト層５５の厚さ）が端子７の厚さ以上である。補強層用孔部５４は、平面透視したときに封止空間６全体が含まれるように封止空間６よりも大きく形成され、その深さは、フランジ用孔部５７と同じ大きさに設定されている。フランジ用孔部５７および補強層用孔部５４は、例えば、フォトリソグラフィーによって形成される。
【００６８】
次に、図７（ｂ）に示すように、めっき用レジスト層５５を変形させて、めっき用レジスト層５５の下端部の外周部がカバー５の上面５ａに向かうにつれて外方に傾斜するようにする。換言すれば、めっき用レジスト層５５に設けた孔部（補強層用孔部５４、フランジ用孔部５７）の下側端部の内周部がカバー５の上面５ａに向かうにつれて内方に傾斜するようにめっき用レジスト層５５を変形させる。具体的には、めっき用レジスト層５５を所定の温度で加熱することによって、めっき用レジスト層５５の下側の端部の外周部が外方に傾斜するように変形させることができる。
【００６９】
めっき法は、適宜に選択されてよいが、電気めっき法が好適である。電気めっき法は、柱状の端子７の高さの自由度が高く、また、めっき用下地層との密着性が良好なためである。
【００７０】
その後、めっき用レジスト層５５を除去する。ここで、めっき用レジスト層５５は先に述べたように、その端部がカバー５の上面５ａに向かうにつれて外方に傾斜しているため、そのめっき用レジスト層５５をガイドとして形成されるフランジ部１２および補強層４の端部は、めっき用レジスト層５５とは逆に、それぞれの端部がカバー５の上面５ａに向かうにつれて内方に傾斜したものとなる。
【００７１】
次に、図７（ｄ）に示すように、絶縁膜１０となる絶縁膜構成層５９を形成する。絶縁膜構成層５９は、例えば、ネガ型の感光性樹脂をスピンコート法などによってカバー５の上面５に塗布することによってフランジ部１２および補強層４を覆うようにして形成される。
【００７２】
次に、図８（ａ）に示すように、フォトマスク６０を介して紫外線などの光Ｌが絶縁膜構成層５９に照射される、すなわち、露光処理が行われる。フォトマスク６０は、透明基板６１に遮光層６２が取り付けられることによって構成されたものである。遮光層６２は、絶縁膜構成層５９を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。すなわち、フランジ部１２を含むカバー５の上面５ａの外周に沿った領域に対応する位置に遮光層６２が設けられている。換言すれば、遮光層６２が設けられていない部分は、補強層４と概略相似形状であり、補強層４よりも一回り大きい形状となっている。ここで遮光層６２は、フ
ランジ部１２の幅よりも大きい幅を有するように形成されている。これによって続く工程において、絶縁膜構成層５９のうちフランジ部１２に対応する部分を除去したときに、絶縁膜１０とフランジ部１２との間には所定間隔の隙間が形成されることとなる。このようなフォトマスク６０を用いて露光を行った後、現像処理を行うことで図８（ｂ）に示すように、補強層４を被覆する絶縁層１０が形成される。
【００７３】
その後、フランジ部１２にめっき処理を施すことにより、めっき皮膜１９を形成し、最後にダイシングラインに沿ってウエハ状の基板３を切断することによって個々のＳＡＷ装置１が完成する。
【００７４】
以上の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例である。また枠部構成層３５および蓋部構成層３７は、本発明のカバー構成層の一例である。
【００７５】
＜第２の実施形態に係るＳＡＷ装置＞
図９は第２の実施形態に係るＳＡＷ装置１００の断面図であり、図４と同様の箇所を拡大した部分である。なお、以下に述べる実施の形態では、第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１と同じ構成部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００７６】
ＳＡＷ装置１００は、絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との関係が第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１と異なっている。
【００７７】
具体的にはＳＡＷ装置１００は、絶縁膜１０の上面の位置が端子７の上面の位置よりも低くなっている。このように絶縁膜１０の上面の位置を端子７の上面の位置よりも低くしておくことによって、ＳＡＷ装置１００を外部の回路基板２５に実装する際に、絶縁膜１０が回路基板２５（図１３参照）に接触するのを抑制することができる。そのため、絶縁膜１０が回路基板２５に接触することによるＳＡＷ装置１００の実装不良が発生しにくくなる。
【００７８】
また、封止樹脂２７にフィラーを含有させる場合は、絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との差ｇは、封止樹脂２７に含まれるフィラーの径以上にしておくとよい。絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との差ｇが、封止樹脂２７に含まれるフィラーの径よりも小さいと、ＳＡＷ装置１００を回路基板２５に実装して、封止樹脂２７によって覆う際に、絶縁膜１０と回路基板２５との間のスペースに封止樹脂２７が充填されにくくなる。そうすると、絶縁膜１０と回路基板２５との間のスペースにおける封止樹脂２７の充填が不十分となり、その部分に気泡が発生しやすくなることによって、気泡を要因とする実装不良が起こりやすくなる。
【００７９】
したがって、絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との差ｇを、封止樹脂２７に含まれるフィラーの径以上にしておけば、絶縁膜１０と回路基板２５との間のスペースに封止樹脂２７が充填されやすくなり、その部分に気泡が発生するのを抑制し、ひいては実装不良を起きにくくすることができる。絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との差ｇは、例えば、２０μｍ〜９０μｍである。
【００８０】
絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との差ｇを異ならせるには、例えば、補強層４の厚みをフランジ部１２の厚みよりも絶縁膜１０の厚み分以上に小さくすればよい。端子７および補強層４をめっき法によって形成する場合に、補強層４の厚みをフランジ部１２の厚みよりも小さくするには、例えば、補強層４と端子７とを別々に形成すればよい。より具体的には、図５乃至図８に示したＳＡＷ装置１の製造方法において、まず図６（ｄ）まで同様のプロセスを進め、図７（ａ）において第２孔部の開口を塞ぐようにめっき用レジスト層５５を形成する。その状態で補強層４をめっき法によって形成した後、め
っき用レジスト層５５を剥離することによって、端子７よりも先に補強層１０を形成する。
【００８１】
次に、第２孔部４３上にフランジ用孔部５７を有するめっき用レジスト層５５を形成し、第１孔部４１および第２孔部４３にめっきを成長させる。このとき、フランジ用孔部５７に成長するめっきの上面が、先に形成されている補強層１０の上面よりも高くなるようにする。フランジ用孔部５７に成長するめっきの上面をどの程度補強層１０の上面よりも高くするかは、後に形成する絶縁膜１０の厚み、および封止樹脂２７に含有されるフィラーの径などを考慮して決める。
【００８２】
その後、めっき用レジスト層５５を剥離し、図７（ｄ）乃至図８（ｂ）に示すように絶縁膜１０を形成することによって、絶縁膜１０の上面の位置が端子７の上面の位置よりも低くなったＳＡＷ装置１００が完成する。
【００８３】
補強層４の厚みをフランジ部１２の厚みよりも小さくするには、上記の方法以外にも、補強層１０と端子７とを同時に形成した後、フランジ部１２の上面にさらにめっきを施すことによって、端子７の上面の高さをかさ上げするといった方法も可能である。
【００８４】
＜第３の実施形態に係るＳＡＷ装置＞
図１０は第３の実施形態に係るＳＡＷ装置２００の断面図であり、図４と同様の箇所を拡大したものである。
【００８５】
ＳＡＷ装置２００は、絶縁膜１０の形状が第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１と異なっている。
【００８６】
具体的には、ＳＡＷ装置２００は、絶縁膜１０の補強層４の側面を被覆している部分が、カバー５の上面５ａに近づくほど外方に広がる拡張部１０ｔを有している。換言すれば、拡張部１０ｔはカバー５の上面５ａに近づくほど横方向の厚みが次第に厚くなっている部分である。このように絶縁膜１０が拡張部１０ｔを有していることによって、ＳＡＷ装置２００と回路基板２５とを接続する際に使用される半田などが絶縁膜１０に接触しても、その接触部分を起点として半田にクラックが発生するのを抑制することができる。絶縁膜１０の拡張部１０ｔが半田の形状に沿うような形状となっているため、半田と絶縁膜１０との接触部分において、半田の特定部分に応力が集中するのを緩和することができるからである。半田の特定部分に応力が集中するのを緩和させる観点から、拡張部１０ｔの側面とカバー５の上面５とのなす角度θは、８５°以下にしておくとよい。一方で角度θを小さくしすぎると絶縁膜１０とフランジ部１２との間隔ｄが狭まることとなるため、その観点から角度θは５０°以上にしておくとよい。すなわち、角度θは５０°以上８５°以下が好ましい。
【００８７】
また、絶縁膜１０のカバー５への接触面積が増えるため、絶縁膜１０のカバー５からの剥がれを抑制する効果もある。
【００８８】
このような拡張部１０ｔを有する絶縁膜１０は、図８（ａ）において、露光量を変えるといった方法や、絶縁膜構成層５９をパターニングした後に加熱処理を施すといった処理を行うことよって形成することができる。
【００８９】
＜第４の実施形態に係るＳＡＷ装置＞
図１１は第４の実施形態に係るＳＡＷ装置３００の断面図である。
【００９０】
ＳＡＷ装置３００は、補強層４の形状が第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１と異なって
いる。
【００９１】
具体的には、ＳＡＷ装置３００は、補強層４がカバー５に向かって突出する突出部１８を有し、突出部１８はカバー５によって覆われている。このような突出部１８を設けることによって、補強層４のカバー５からの剥がれを抑制することができる。突出部１８は、例えば、補強層４の下面外周に沿って環状に形成されている。突出部１８をこのような形状とすることによって、補強層４のカバー５からの剥がれの抑制効果を高めることができる。なお、突出部１８の形状はこれに限られず、例えば、複数の円柱状の突出部１８を点在させるようにしてもよい。
【００９２】
突出部１８の厚みは、例えば、蓋部１７と同じ厚みである。なお、突出部１８の厚みは、これに限られず、例えば、蓋部１７よりも小さくしてもよいし、逆に蓋部１７よりも大きくなるように、突出部１８の下端が枠部１５まで到達するようにしてもよい。
【００９３】
突出部１８を形成するには、蓋部構成層３７に第２孔部４３を設ける工程（図６（ｃ））において、突出部１８を設けたい箇所に孔部や溝部を形成するようにパターニングを行い、その孔部あるいは溝部に補強層４を形成するためのめっき工程と同時にめっきを充填するようにすればよい。このような方法により、工程数を増やすことなく簡単に突出部１８を形成することができる。
【００９４】
＜第５の実施形態に係るＳＡＷ装置＞
図１２は第５の実施形態に係るＳＡＷ装置４００の断面図である。
【００９５】
ＳＡＷ装置４００は、第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１に側面保護層２０を加えた構造からなる。
【００９６】
具体的には、ＳＡＷ装置４００は、カバー９の側面を被覆する環状の側面保護層２０を有している。側面保護層２０は、例えば、絶縁膜１０と同じ材料からなる。
【００９７】
このような側面保護層２０を設けることによって、枠部１５と蓋部１７との境界部からの水分の浸入が抑制され、ＳＡＷ装置４００の耐湿性を向上させることができる。
【００９８】
側面保護層２０を形成するには、例えば、絶縁膜１０を形成する工程（図７（ｄ）〜図８（ｂ））において、第１溝部４２および第２溝部４４にも絶縁膜構成層５９が充填されるようにし、第１溝部４２および第２溝部４４に充填された絶縁膜構成層５９が除去されないようにすればよい。このような方法により、工程数を増やすことなく簡単に側面保護層２０を形成することができる。
【００９９】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【０１００】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。弾性波装置において、保護層１４、接続強化層８および導体層１３は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。例えば、実施形態において、導体層１３を覆う樹脂層を設けてもよい。導体層１３を覆う樹脂層を設けることによって、マーキングがしやすくなるといった利点がある。
【符号の説明】
【０１０１】
１・・・弾性表面波装置（弾性波装置）
２・・・励振電極
３・・・基板
４・・・補強層
５・・・カバー
６・・・封止空間
７・・・端子
８・・・接続強化層
９・・・貫通部
１０・・・絶縁膜
１１・・・接続配線
１２・・・フランジ部
【図１】
0005591163.tif 000002
【図２】
0005591163.tif 000003
【図３】
0005591163.tif 000004
【図４】
0005591163.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005591163.tif 000007
【図７】
0005591163.tif 000008
【図８】
0005591163.tif 000009
【図９】
0005591163.tif 000010
【図１０】
0005591163.tif 000011
【図１１】
0005591163.tif 000012
【図１２】
0005591163.tif 000013
【図１３】
0005591163.tif 000014