(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）−５．６ｅＶより浅いかこれと同等のＨＯＭＯエネルギーレベルを有すると共に９５℃を超えるＴｇを有する第１のホスト材料、（ｂ）−２．０ｅＶより深いＬＵＭＯを有する第２のホスト材料、および（ｃ）エレクトロルミネセントドーパント材料を含み、第１のホスト材料対第２のホスト材料の重量比が９９：１〜１．５：１の範囲内であり、
前記第１のホスト材料が式Ｉ：
【化１】
0005591822.tif 000032
［式中、
Ａｒ1〜Ａｒ4は、同一であるかまたは異なっていると共に、アルキル基、アルコキシ基、シリル基およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１個の置換基を有していてもよいアリールであり；
Ｑは、クリセンであり、
ｍは１または２である］
を有し、
前記第２のホスト材料が、式ＩＩ：
【化２】
0005591822.tif 000033
（式中：
Ｒ1は、同一であるかまたは異なっていると共に、フェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、トリフェニルアミノおよびカルバゾリルフェニルからなる群から選択され；
Ｒ2およびＲ3は、同一であるかまたは異なっていると共に、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、フェナントリル、トリフェニルアミノおよびカルバゾリルフェニルからなる群から選択される）
を有するフェナントロリン化合物である、
光活性組成物。
【請求項２】
前記第１のホストおよび前記第２のホストが、各々、トルエン中に少なくとも０．６重量％の溶解度を有する、請求項１に記載の光活性組成物。
【請求項３】
前記第１および第２のホスト材料が２．０ｅＶを超える三重項エネルギーを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
Ａｒ1〜Ａｒ4が、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、クォーターフェニル、ナフチル、フェナントリル、ナフチルフェニルおよびフェナントリルフェニルからなる群から独立して選択される、請求項１から３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
Ｑが、アルキル基、アリール基、アルコキシ基およびシリル基からなる群から選択される少なくとも１つの置換基を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記ドーパントがリン光材料である、請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
前記ドーパント材料がＩｒのシクロメタレート化錯体である、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
陽極と、
正孔輸送層と、
光活性層と
電子輸送層と、
陰極と、
を備え、
前記発光層が、（ａ）請求項１〜５のいずれか一項における第１のホスト材料、（ｂ）請求項１から３のいずれか一項における第２のホスト材料、ならびに、（ｃ）請求項１、６および７のいずれか一項におけるエレクトロルミネセントドーパント材料を含む有機発光素子。
【請求項９】
基板上にパターン化された陽極を有する基板を提供する工程と、
正孔輸送材料を第１の液体媒体中に含む液体組成物を堆積させることにより正孔輸送層を形成する工程と、
（ａ）請求項１〜５のいずれか一項における第１のホスト材料、（ｂ）請求項１から３のいずれか一項における第２のホスト材料、および、（ｃ）請求項１、６および７のいずれか一項におけるエレクトロルミネセントドーパント材料、ならびに（ｄ）第２の液体媒体を含む液体組成物を堆積させることにより光活性層を形成する工程であって、第１のホスト材料対第２のホスト材料の重量比が９９：１〜１．５：１の範囲内である工程と、
電子輸送材料の蒸着により電子輸送層を形成する工程と、
全体に陰極を形成する工程と、
を含む有機発光素子を形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００８年１２月１２日出願の、その全体が参照により援用される米国仮特許出願第６１／１２２，０８１号明細書に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）による優先権を主張する。
【０００２】
本開示は、全体として、有機電子素子に有用である光活性組成物に関する。
【背景技術】
【０００３】
ＯＬＥＤディスプレイを形成する有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）などの有機光活性電子素子において、有機活性層は、ＯＬＥＤディスプレイにおける２つの電気コンタクト層の間に挟まれている。ＯＬＥＤにおいて、有機光活性層は、電気コンタクト層に電圧が印加されると、光透過性電気コンタクト層を介して光を放射する。
【０００４】
有機エレクトロルミネセント化合物を発光ダイオードにおける活性成分として用いることは周知である。単純な有機分子、共役ポリマーおよび有機金属錯体が用いられている。
【０００５】
光活性材料を用いる素子は、多くの場合、１つまたは複数の電荷輸送層を備えており、これは、光活性（例えば発光）層と、コンタクト層（正孔注入コンタクト層）との間に配置されている。素子は、２つ以上のコンタクト層を含有していることが可能である。正孔輸送層は、光活性層と正孔注入コンタクト層との間に配置されることが可能である。正孔注入コンタクト層は陽極とも呼ばれ得る。電子輸送層は、光活性層と電子注入コンタクト層との間に配置されることが可能である。電子注入コンタクト層はまた陰極とも呼ばれ得る。電荷輸送材料はまた、光活性材料との組み合わせにおいてホストとして用いられることが可能である。
【０００６】
電子素子のための新規の材料に対する要求が継続的に存在する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（ａ）−５．６ｅＶより浅いかこれと同等のＨＯＭＯエネルギーレベルを有すると共に９５℃を超えるＴｇを有する第１のホスト材料；（ｂ）−２．０ｅＶより深いＬＵＭＯを有する第２のホスト材料；および、（ｃ）エレクトロルミネセントドーパント材料を含み；第１のホスト材料対第２のホスト材料の重量比が９９：１〜１．５：１の範囲内である光活性組成物が提供されている。
【０００８】
陽極、正孔輸送層、光活性層、電子輸送層および陰極を備える有機電子素子もまた提供されており、ここで、光活性層は上記の光活性組成物を含む。
【０００９】
パターン化された陽極をその上に有する基板を提供する工程；
正孔輸送材料を第１の液体媒体中に含む液体組成物を堆積させることにより正孔輸送層を形成する工程；
（ａ）−５．６ｅＶより浅いかこれと同等のＨＯＭＯエネルギーレベルを有すると共に９５℃を超えるＴｇを有する第１のホスト材料；（ｂ）−２．０ｅＶより深いＬＵＭＯを有する第２のホスト材料；および、（ｃ）エレクトロルミネセントドーパント材料を含む液体組成物を堆積させることにより光活性層を形成する工程であって；第１のホスト材料対第２のホスト材料の重量比が９９：１〜１．５：１の範囲内である工程、
電子輸送材料の蒸着により電子輸送層を形成する工程；ならびに
全体に陰極を形成する工程
を含む有機発光素子を形成する方法もまた提供されている。
【００１０】
前述の概要および以下の詳細な説明は例示および説明のみを目的としており、添付の特許請求の範囲に定義されている本発明を限定はしない。
【００１１】
本明細書に提示されているコンセプトの理解を向上させるために、実施形態が添付の図に示されている。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】図１Ａは、ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギーレベルの図を含む。
【図１Ｂ】図１Ｂは、２種の異なる材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギーレベルの図を含む。
【図２】図２は、例示的な有機素子の図示を含む。
【００１３】
当業者は、図中の対象物は簡潔性および明確性のために図示されており、必ずしも縮尺どおりに描画されていないことを理解している。例えば、図中の対象物の寸法は、実施形態の理解の向上を助けるために他の対象に比して強調されている場合がある。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
多くの態様および実施形態が上記に記載されているが、これらは単に例示的であり、限定的ではない。この明細書を読了した後には、当業者は、本発明の範囲から逸脱することなく他の態様および実施形態も可能であることを理解している。
【００１５】
１つまたは複数の実施形態のいずれかの他の特性および有益性は、以下の詳細な説明、および、特許請求の範囲から明らかになるであろう。詳細な説明は、先ず、用語の定義および明確化、続いて、光活性組成物、電子素子、および、最後に実施例に言及している。
【００１６】
１．用語の定義および明確化
以下に記載されている実施形態の詳細に言及する前に、いくつかの用語が定義または明確化されている。
【００１７】
「アルキル」という用語は、脂肪族炭化水素に由来する基を意味することが意図されている。いくつかの実施形態において、アルキル基は、１〜２０個の炭素原子を有する。
【００１８】
「アリール」という用語は、芳香族炭化水素に由来する基を意味することが意図されている。「芳香族化合物」という用語は、非局在化π電子を有する少なくとも１個の不飽和環式基を含む有機化合物を意味することが意図されている。この用語は、炭素および水素原子のみを有する芳香族化合物、ならびに、環式基の１つまたは複数の炭素原子が窒素、酸素、硫黄等などの他の原子によって置き換えられている芳香族複素環式化合物の両方を含むことが意図されている。いくつかの実施形態において、アリール基は４〜３０個の炭素原子を有する。
【００１９】
層、材料、構成要素または構造を参照している場合、「電荷輸送」という用語は、このような層、材料、構成要素または構造の厚さ方向へのこのような電荷の移動を、比較的高い効率および小さい電荷の損失で促進するような層、材料、構成要素または構造を意味することが意図されている。正孔輸送材料は正電荷を促進させ；電子輸送材料は陰電荷促進させる。発光材料もまたいくらかの電荷輸送特性を有し得るが、「電荷輸送層、材料、構成要素または構造」という用語が、主たる機能が発光である層、材料、構成要素または構造を包含することは意図されていない。
【００２０】
「ドーパント」という用語は、このような物質が存在していない層の電子的特徴、または、放射線の放射、受光あるいはフィルタリング波長に比して、層の電子的特徴、または、放射線の放射、受光あるいはフィルタリングの目標波長を変える、ホスト材料を含む層中の材料を意味することが意図されている。
【００２１】
「縮合アリール」という用語は、２つ以上の縮合芳香族環を有するアリール基を指す。
【００２２】
「ＨＯＭＯ」という用語は最高被占軌道を指す。図１Ａに図示されているとおり、ＨＯＭＯエネルギーレベルは真空準位と相対的に計測される。慣例により、ＨＯＭＯは負の値が与えられており、すなわち、真空準位がゼロに設定されており、束縛電子エネルギーレベルはこれよりも深い。「より浅い」とは、レベルが真空準位に近いことを意味している。これは図１Ｂに図示されており、ここで、ＨＯＭＯ  ＢはＨＯＭＯ  Ａよりも浅い。
【００２３】
「ホスト材料」という用語は、ドーパントが添加されてもされなくてもよい通常は層の形態の材料を意味することが意図されている。ホスト材料は、電子的特徴または放射線を放射し、受光しあるいはフィルタリングする能力を有していてもいなくてもよい。
【００２４】
「層」という用語は、用語「フィルム」と同義に用いられており、所望の領域を覆うコーティングを指す。この用語はサイズによっては限定されない。この領域は、素子全体と同程度の大きさであっても、または、実際のビジュアルディスプレイなどの特定の機能領域と同程度の小ささ、または、単一のサブピクセルと同程度の小ささであることが可能である。層およびフィルムは、蒸着、液相堆積（連続および非連続技術）、および、熱転写を含む従来の堆積技術のいずれかによって形成されることが可能である。連続堆積技術としては、これらに限定されないが、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、ディップコーティング、スロット−ダイコーティング、スプレーコーティング、および、連続ノズルコーティングが挙げられる。非連続堆積技術としては、これらに限定されないが、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられる。
【００２５】
「ＬＵＭＯ」という用語は最低空軌道を指す。図１Ａに図示されているとおり、ＬＵＭＯエネルギーレベルは真空準位と相対的にｅＶで計測される。慣例により、ＬＵＭＯは負の値であり、すなわち、真空準位がゼロに設定されており、束縛電子エネルギーレベルはこれよりも深い。「より深い」レベルは、真空準位からさらに離れている。これは図１Ｂに示されており、ここで、ＬＵＭＯ  ＢはＬＵＭＯ  Ａよりも深い。
【００２６】
「有機電子素子」、または、時々、単に「電子素子」という用語は、１つまたは複数の有機半導体層または材料を含む素子を意味することが意図されている。
【００２７】
「光活性」という用語は、印加電圧（発光ダイオードまたは化学セルなどにおいて）により活性化された場合に発光して、または、放射エネルギーに応答して発光して、印加バイアス電圧（光検出器などにおいて）を伴って、または、伴わずにシグナルを生成する材料もしくは層を意味することが意図されている。
【００２８】
「シリル」という用語は基−ＳｉＲ3を指し、ここで、Ｒは、各出現で同一であるかまたは異なると共に、アルキル基およびアリール基からなる群から選択される。
【００２９】
「Ｔｇ」という用語は材料のガラス転移温度を指す。
【００３０】
「三重項エネルギー」という用語は、ｅＶでの材料の最低励起三重項状態を指す。三重項エネルギーは正の数として報告され、通常は一重項状態である基底状態の上の三重項状態のエネルギーを表す。
【００３１】
他に示されていない限りにおいて、すべての基は未置換であることも置換されていることも可能である。他に示されていない限りにおいて、すべての基は、可能である場合には、直鎖、分岐または環式であることが可能である。いくつかの実施形態において、置換基は、アルキル、アルコキシ、アリールおよびシリルからなる群から選択される。
【００３２】
本明細書において用いられるところ、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有している（ｈａｖｉｎｇ）」という用語、または、これらのいずれかの他の変形は、非排他的な包含をカバーしていることが意図されている。例えば、要素の一覧を含むプロセス、方法、物品、または、装置は、必ずしもこれらの要素のみに限定されることはなく、明示的に列挙されていないか、または、このようなプロセス、方法、物品、または、装置に固有である他の要素が包含されていてもよい。さらに、そうでないと明記されていない限りにおいて、「または」は、包括的なまたはを指し、排他的なまたはを指さない。例えば、条件ＡまたはＢは以下のいずれか一つにより満たされる：Ａが真であり（または存在し）およびＢが偽である（または不在である）、Ａが偽であり（または不在であり）およびＢが真である（または存在する）、ならびに、ＡおよびＢの両方が真である（または存在する）。
【００３３】
また、「ａ」または「ａｎ」の使用は、本明細書に記載の要素および構成成分の記載に採用されている。これは、単なる簡便性のために、および、本発明の範囲の一般的な意味を付与するために行われる。この記載は、そうでないことを意味することが明らかでなければ、１つまたは少なくとも１つを含み、および、単数形はまた複数形をも含むと読解されるべきである。
【００３４】
元素周期律表中の列に関連する族数は、ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，第８１版，（２０００〜２００１年）に見られる「新表記」技法を用いている。
【００３５】
そうでないと定義されていない限りにおいて、本明細書において用いられている技術用語および科学用語のすべては、本発明が属する技術分野における当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。本発明の実施形態の実施または試験において本明細書に記載のものと類似のまたは同等の方法および材料を用いることが可能であるが、好適な方法および材料は以下に記載されている。特定の経路が言及されていない限りにおいては、本明細書に記載されているあらゆる刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、参照によりそれらの全体が援用される。矛盾が生じる場合には、定義を含めて本明細書に従うものとする。加えて、材料、方法および例は、単なる例示であり、限定的であることは意図されていない。
【００３６】
本明細書に記載されていない範囲で、特定の材料、加工行為および回路に関する多くの詳細は従来のものであり、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光起電力および半導電部材の技術分野における教科書および他の資料に見出され得る。
【００３７】
２．光活性組成物
電子輸送材料は、光活性層においてホスト材料として用いられてきている。Ａｌ、Ｇａ、またはＺｒなどとのキノリンリガンドの金属錯体系の電子輸送材料がこれらの用途において用いられてきている。しかしながら、数々の欠点が存在している。これらの錯体は、ホストとして用いられた場合に大気中での安定性に劣っている場合がある。このような金属錯体が採用されて製作された部品をプラズマ洗浄することは困難である。低い三重項エネルギーは＞２．０ｅＶエネルギーのリン光発光の消光をもたらす。バソフェナントロリンおよびアントラセン材料もまた用いられている。しかしながら、特に溶解度といった処理特徴が、ホスト材料としてのいくつかの用途については頻繁に不十分となってしまう。
【００３８】
本明細書に記載の光活性組成物は：（ａ）−５．６ｅＶより浅いかこれと同等のＨＯＭＯエネルギーレベルを有すると共に９５℃を超えるＴｇを有する第１のホスト材料；（ｂ）−２．０ｅＶより深いＬＵＭＯを有する第２のホスト材料；および、（ｃ）エレクトロルミネセントドーパント材料を含み；第１のホスト材料対第２のホスト材料の重量比が９９：１〜１．５：１の範囲内である。第１のホスト材料は第２のホスト材料とは異なる。
【００３９】
いくつかの実施形態において、第１および第２のホスト材料の各々は、トルエン中に少なくとも０．６重量％の溶解度を有する。いくつかの実施形態において、溶解度は少なくとも１重量％である。
【００４０】
いくつかの実施形態において、第１のホスト材料対第２のホスト材料の重量比は１９：１〜２：１であり；いくつかの実施形態においては、９：１〜２．３：１の範囲内である。
【００４１】
いくつかの実施形態において、ホスト材料の合計（第１のホスト＋第２のホスト）対ドーパントの重量比は５：１〜２５：１であり；いくつかの実施形態においては、１０：１〜２０：１の範囲である。
【００４２】
いくつかの実施形態において、光活性組成物は、２種以上のエレクトロルミネセントドーパント材料を含む。いくつかの実施形態において、この組成物は、３種のドーパントを含む。
【００４３】
いくつかの実施形態において、光活性組成物は、上記に定義されているとおり、および、上記に記載の比で、基本的に、第１のホスト材料、第２のホスト材料および１種または複数のエレクトロルミネセントドーパント材料から構成される。
【００４４】
これらの組成物は、溶液加工可能な、ＯＬＥＤ素子用の正孔が支配的な光活性組成物として有用である。「正孔が支配的な」とは、ホストと放射層中のドーパント材料との結合が、放射層の電子輸送層側の再結合ゾーンをもたらすことを意味する。得られる素子は、高い効率および長い寿命を有する。いくつかの実施形態において、これらの材料は、光電装置およびＴＦＴを含む、いずれかの印刷されたエレクトロニクス用途に有用である。
【００４５】
ａ．第１のホスト材料
第１のホスト材料は、−５．６ｅＶよりも浅いＨＯＭＯエネルギーレベルを有する。ＨＯＭＯエネルギーレベルを測定するための方法は周知であると共に、理解されている。いくつかの実施形態において、このレベルは紫外光電子分光（「ＵＰＳ」）によって測定される。いくつかの実施形態において、ＨＯＭＯは−５．０〜−５．６ｅＶである。
【００４６】
第１のホスト材料は９５℃を超えるＴｇを有する。高いＴｇは平滑でおよび頑強なフィルムの形成を可能とする。Ｔｇをルーチン的に計測する２つの主な方法がある：示差走査熱量測定法（「ＤＳＣ」）および熱機械分析（「ＴＭＡ」）。いくつかの実施形態において、Ｔｇは、ＤＳＣによって計測される。いくつかの実施形態において、Ｔｇは１００〜１５０℃である。
【００４７】
いくつかの実施形態において、第１のホスト材料は２．０ｅＶを超える三重項エネルギーレベルを有する。これは、発光の消光を防ぐために、ドーパントがリン光材料である場合に特に有用である。三重項エネルギーは、先験的に算出されるか、または、パルス放射線法または低温ルミネッセンス分光法を用いて計測されることが可能である。
【００４８】
いくつかの実施形態において、第１のホスト材料は式Ｉを有する。
【００４９】
【化１】
0005591822.tif 000002
【００５０】
（式中：
Ａｒ1〜Ａｒ4は、同一であるかまたは異なっていると共に、アリールであり；
Ｑは、多価アリール基および
【００５１】
【化２】
0005591822.tif 000003
【００５２】
からなる群から選択され；
Ｔは、（ＣＲ’）a、ＳｉＲ2、Ｓ、ＳＯ2、ＰＲ、ＰＯ、ＰＯ2、ＢＲおよびＲからなる群から選択され；
Ｒは、各出現で同一であるかまたは異なると共に、アルキルおよびアリールからなる群から選択され；
Ｒ’は、各出現で同一であるかまたは異なると共に、Ｈおよびアルキルからなる群から選択され；
ａは１〜６の整数であり；ならびに
ｍは０〜６の整数である）。
【００５３】
式Ｉのいくつかの実施形態において、隣接するＡｒ基は一緒に結合して、カルバゾールなどの環を形成している。式Ｉにおいて、「隣接する」とは、Ａｒ基が同一のＮに結合していることを意味する。
【００５４】
いくつかの実施形態において、Ａｒ1〜Ａｒ4は、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、クアテルフェニル、ナフチル、フェナントリル、ナフチルフェニル、およびフェナントリルフェニルからなる群から独立して選択される。５〜１０個のフェニル環を有する、クアテルフェニルより高級の類似体もまた用いられることが可能である。
【００５５】
上記で言及されている基は以下のとおり定義され、ここで、破線は可能性のある結合点を表す。
【００５６】
【化３】
0005591822.tif 000004
【００５７】
【化４】
0005591822.tif 000005
【００５８】
いくつかの実施形態において、Ａｒ１〜Ａｒ４の少なくとも１つは少なくとも１個の置換基を有する。置換基は、存在することでホスト材料の物理特性または電子特性を変化させることが可能である。いくつかの実施形態において、置換基は、ホスト材料の加工性を向上させる。いくつかの実施形態において、置換基は、溶解度を高め、および／または、ホスト材料のＴｇを高める。いくつかの実施形態において、これらの置換基は、アルキル基、アルコキシ基、シリル基およびこれらの組み合わせからなる群から選択される。
【００５９】
いくつかの実施形態において、Ｑは、少なくとも２個の縮合環を有するアリール基である。いくつかの実施形態において、Ｑは、３〜５個の縮合芳香族環を有する。いくつかの実施形態において、Ｑは、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロリン、ナフタレン、アントラセン、キノリンおよびイソキノリンからなる群から選択される。
【００６０】
ｍは０〜６の値を有していることが可能であるが、いくつかのＱ基について、ｍの値は、その基の化学により制限されることは理解されるであろう。いくつかの実施形態において、ｍは０または１である。
【００６１】
第１のホスト材料の例としては、これらに限定されないが、以下の化合物Ａ１〜Ａ１４が挙げられる。
【００６２】
【化５】
0005591822.tif 000006
【００６３】
【化６】
0005591822.tif 000007
【００６４】
【化７】
0005591822.tif 000008
【００６５】
【化８】
0005591822.tif 000009
【００６６】
【化９】
0005591822.tif 000010
【００６７】
【化１０】
0005591822.tif 000011
【００６８】
【化１１】
0005591822.tif 000012
【００６９】
第１のホスト材料は、公知のカップリングおよび置換反応によって調製されることが可能である。例示的な調製法が実施例に記載されている。
【００７０】
ｂ．第２のホスト材料
第２のホスト材料は、−２．０ｅＶよりも深いＬＵＭＯを有するものである。ＬＵＭＯは、逆光電子分光法（「ＩＰＥＳ」）を用いて測定されることが可能である。いくつかの実施形態において、第２のホスト材料のＬＵＭＯは、ドーパントのＬＵＭＯと類似した値を有する。
【００７１】
いくつかの実施形態において、第２のホスト材料はまた、２．０ｅＶを超える三重項エネルギーレベルを有する。これは、発光の消光を防ぐために、ドーパントがリン光材料である場合に特に有用である。いくつかの実施形態においては、第１のホスト材料および第２のホスト材料の両方が２．０ｅＶを超える三重項エネルギーレベルを有する。
【００７２】
いくつかの実施形態において、第２のホスト材料は電子輸送材料である。いくつかの実施形態において、第２のホスト材料はフェナントロリン、キノキサリン、フェニルピリジン、ベンゾジフランおよび金属キノリネート錯体からなる群から選択される。
【００７３】
いくつかの実施形態において、第２のホスト材料は、式ＩＩを有するフェナントロリン化合物である。
【００７４】
【化１２】
0005591822.tif 000013
【００７５】
式中：
Ｒ1は、同一であるかまたは異なっていると共に、フェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、トリフェニルアミノ、およびカルバゾリルフェニルからなる群から選択され；
Ｒ2およびＲ3は、同一であるかまたは異なっていると共に、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、フェナントリル、トリフェニルアミノ、およびカルバゾリルフェニルからなる群から選択される。
【００７６】
式ＩＩのいくつかの実施形態において、Ｒ１〜Ｒ３は、フェニルおよび置換フェニルからなる群から選択される。
【００７７】
式ＩＩのいくつかの実施形態においては、両方のＲ1がフェニルであり、Ｒ2およびＲ3が、２−ナフチル、ナフチルフェニル、フェナントリル、トリフェニルアミノ、およびｍ−カルバゾリルフェニルからなる群から選択される。
【００７８】
既述されていない基は以下のとおり定義され、ここで、破線は可能性のある結合点を表す。
【００７９】
【化１３】
0005591822.tif 000014
【００８０】
いくつかの実施形態において、フェナントロリン化合物は対称であり、ここでは、両方のＲ1が同一であると共に、Ｒ2＝Ｒ3である。いくつかの実施形態において、Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3である。いくつかの実施形態において、フェナントロリン化合物は非対称であり、ここで、２つのＲ1基は同一であるが、Ｒ2≠Ｒ3であるか；２つのＲ1基は異なっていると共に、Ｒ2＝Ｒ3であるか；または、２つのＲ1基は異なっていると共に、Ｒ2≠Ｒ3である。
【００８１】
いくつかの実施形態において、Ｒ1基は同一であると共に、フェニル、トリフェニルアミノ、およびカルバゾリルフェニルからなる群から選択される。いくつかの実施形態において、Ｒ1基は、ｐ−トリフェニルアミノ（ここで、結合点は窒素に対してパラである）およびｍ−カルバゾリルフェニル（ここで、結合点は窒素に対してメタである）から選択される。
【００８２】
いくつかの実施形態において、Ｒ2＝Ｒ3であると共に、これは、トリフェニルアミノ、ナフチルフェニル、トリフェニルアミノおよびｍ−カルバゾリルフェニルからなる群から選択される。
【００８３】
第２のホスト材料の例としては、これらに限定されないが、以下の化合物Ｂ１〜Ｂ７が挙げられる。
【００８４】
【化１４】
0005591822.tif 000015
【００８５】
【化１５】
0005591822.tif 000016
【００８６】
【化１６】
0005591822.tif 000017
【００８７】
第２のホスト化合物は、公知の合成技術により形成されることが可能である。これは、実施例においてさらに例示されている。いくつかの実施形態において、フェナントロリンホスト化合物は、ジクロロフェナントロリンの所望の置換基のボロン酸類似体でのスズキカップリングにより形成される。
【００８８】
ｃ．ドーパント材料
エレクトロルミネセントドーパント材料としては、小分子有機蛍光化合物、蛍光材料およびリン光材料金属錯体、ならびに、これらの混合物が挙げられる。蛍光化合物の例としては、これらに限定されないが、ピレン、ペリレン、ルブレン、クマリン、これらの誘導体、およびこれらの混合物が挙げられる。金属錯体の例としては、これらに限定されないが、トリス（８−ヒドロキシキノレート）アルミニウム（ＡｌＱ）などの金属キレート化オキシノイド化合物；Ｐｅｔｒｏｖら、米国特許第６，６７０，６４５号明細書および国際公開第０３／０６３５５５号パンフレットおよび国際公開第２００４／０１６７１０号パンフレットに開示のフェニルピリジン、フェニルキノリン、フェニリソキノリンまたはフェニルピリミジンリガンドとのイリジウムの錯体などのシクロメタレート化イリジウムおよび白金エレクトロルミネセント化合物、ならびに、例えば、国際公開第０３／００８４２４号パンフレット、国際公開第０３／０９１６８８号パンフレット、および、国際公開第０３／０４０２５７号パンフレットに記載の有機金属錯体、ならびに、これらの混合物が挙げられる。
【００８９】
いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは、イリジウムのシクロメタレート化錯体である。いくつかの実施形態において、錯体は、フェニルピリジン、フェニルキノリンおよびフェニリソキノリンから選択される２個のリガンド、ならびに、β−ジエノレートである第３のリガンドを有する。リガンドは、未置換であるか、または、Ｆ、Ｄ、アルキル、パーフルオロアルキル、アルコキシル、アルキルアミノ、アリールアミノ、ＣＮ、シリル、フルオロアルコキシルまたはアリール基で置換されていてもよい。
【００９０】
いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは、非高分子スピロビフルオレン化合物およびフルオランテン化合物からなる群から選択される。
【００９１】
いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは、アリールアミン基を有する化合物である。いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは以下の式から選択される。
【００９２】
【化１７】
0005591822.tif 000018
式中：
Ａは、各出現で同一であるかまたは異なると共に、３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり；
Ｑは単結合であるか、または、３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり；
ｎおよびｍは、独立して１〜６の整数である。
【００９３】
上記式のいくつかの実施形態において、各式におけるＡおよびＱの少なくとも一方は、少なくとも３個の縮合環を有する。いくつかの実施形態において、ｍおよびｎは１に等しい。
【００９４】
いくつかの実施形態において、Ｑはスチリルまたはスチリルフェニル基である。
【００９５】
いくつかの実施形態において、Ｑは、少なくとも２個の縮合環を有する芳香族基である。いくつかの実施形態において、Ｑは、ナフタレン、アントラセン、クリセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、およびルブレンからなる群から選択される。
【００９６】
いくつかの実施形態において、Ａは、フェニル、トリル、ナフチル、およびアントラセニル基からなる群から選択される。
【００９７】
いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは以下の式を有する。
【００９８】
【化１８】
0005591822.tif 000019
式中：
Ｙは、各出現で同一であるかまたは異なると共に、３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり；
Ｑ’は、芳香族基、二価トリフェニルアミン残渣基または単結合である。
【００９９】
いくつかの実施形態において、光活性ドーパントはアリールアセンである。いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは非対称アリールアセンである。
【０１００】
いくつかの実施形態において、光活性ドーパントはクリセン誘導体である。「クリセン」という用語は、１，２−ベンゾフェナントレンを意味することが意図されている。いくつかの実施形態において、光活性ドーパントはアリール置換基を有するクリセンである。いくつかの実施形態において、光活性ドーパントはアリールアミノ置換基を有するクリセンである。いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは２個の異なるアリールアミノ置換基を有するクリセンである。いくつかの実施形態において、クリセン誘導体は濃い青色の発光を有する。
【０１０１】
いくつかの実施形態において、異なるドーパントを有する別々の光活性組成物が異なる色を提供するために用いられる。いくつかの実施形態において、ドーパントは、赤色、緑色、および青色の発光を有するために選択される。本明細書において用いられるところ、赤色は、６００〜７００ｎｍの範囲内に最大波長を有する光を指し；緑色は、５００〜６００ｎｍの範囲内に最大波長を有する光を指し；ならびに青色は、４００〜５００ｎｍの範囲内に最大波長を有する光を指す。
【０１０２】
青色発光材料の例としては、これらに限定されないが、ジアリールアントラセン、ジアミノクリセン、ジアミノピレン、フェニルピリジンリガンドを有するＩｒのシクロメタレート化錯体、および、ポリフルオレンポリマーが挙げられる。青色発光材料は、例えば、米国特許第６，８７５，５２４号明細書および米国特許出願公開第２００７−０２９２７１３号明細書および米国特許出願公開第２００７−００６３６３８号明細書に開示されている。
【０１０３】
赤色発光材料の例としては、これらに限定されないが、フェニルキノリンまたはフェニリソキノリンリガンドを有するＩｒのシクロメタレート化錯体、ペリフランテン、フルオランテンおよびペリレンが挙げられる。赤色発光材料は、例えば、米国特許第６，８７５，５２４号明細書および米国特許出願公開第２００５−０１５８５７７号明細書に開示されている。
【０１０４】
緑色発光材料の例としては、これらに限定されないが、フェニルピリジンリガンドを有するＩｒのシクロメタレート化錯体、ジアミノアントラセンおよびポリフェニレンビニレンポリマーが挙げられる。緑色発光材料は、例えば、国際公開第２００７／０２１１１７号パンフレットに開示されている。
【０１０５】
ドーパント材料の例としては、これらに限定されないが、以下の化合物Ｃ１〜Ｃ９が挙げられる。
【０１０６】
【化１９】
0005591822.tif 000020
【０１０７】
【化２０】
0005591822.tif 000021
【０１０８】
【化２１】
0005591822.tif 000022
【０１０９】
【化２２】
0005591822.tif 000023
【０１１０】
３．電子素子
本明細書に記載の光活性組成物を有することにより利点がもたらされ得る有機電子素子としては、これらに限定されないが、（１）電気エネルギーを放射線に変換する素子（例えば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイまたはダイオードレーザ）、（２）エレクトロニクスプロセス中のシグナルを検出する素子（例えば、光検出器、光伝導セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、光電管、ＩＲ検出器、バイオセンサ）、（３）放射線を電気エネルギーに変換する（例えば、光起電力素子または太陽電池）素子、ならびに、（４）１つまたは複数の有機半導体層を有する１個または複数の容量型電子部品を備える素子（例えば、トランジスタまたはダイオード）が挙げられる。
【０１１１】
いくつかの実施形態において、有機発光素子は：
陽極；
正孔輸送層；
光活性層；
電子輸送層、および
陰極；
を備え、ここで、光活性層は上記の組成物を含む。
【０１１２】
有機電子素子構造の一例が図１に示されている。素子１００は、第１の電気コンタクト層、陽極層１１０および第２の電気コンタクト層、陰極層１６０を有すると共に、これらの間に光活性層１４０を有する。陽極にはバッファ層１２０が隣接している。バッファ層には正孔輸送材料を含む正孔輸送層１３０が隣接している。陰極には、電子輸送材料を含む電子輸送層１５０が隣接していてもよい。任意で、素子は、１つまたは複数の追加の正孔注入層または正孔輸送層（図示せず）を陽極１１０に隣接して、および／または、１つまたは複数の追加の電子注入層または電子輸送層（図示せず）を陰極１６０に隣接して用いていてもよい。
【０１１３】
層１２０〜１５０は、独立して、および、全体として、活性層と称される。
【０１１４】
一実施形態においては、異なる層は、以下の範囲の厚さを有する：陽極１１０、５００〜５０００Å、一実施形態においては１０００〜２０００Å；バッファ層１２０、５０〜２０００Å、一実施形態においては２００〜１０００Å；正孔輸送層１３０、５０〜２０００Å、一実施形態においては２００〜１０００Å；光活性層１４０、１０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；層１５０、５０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；陰極１６０、２００〜１００００Å、一実施形態においては３００〜５０００Å。素子における電子−正孔再結合ゾーンの位置、それ故、素子の発光スペクトルは、各層の相対的な厚さによって影響されることが可能である。層厚の所望の比は、用いられる材料の正確な性質に依存することとなる。
【０１１５】
素子１００の用途に応じて、光活性層１４０は、印加電圧により活性化される発光層（発光ダイオードまたは発光電気化学電池などにおいて）であることが可能であり、または、放射エネルギーに応答すると共に、印加バイアス電圧を伴って、または、伴わずにシグナルを生成する材料の層（光検出器などにおいて）であることが可能である。光検出器の例としては、光伝導セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタおよび光電管、ならびに、光起電力電池が挙げられ、これらの用語は、Ｍａｒｋｕｓ，Ｊｏｈｎ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ａｎｄ  Ｎｕｃｌｅｏｎｉｃｓ  Ｄｉｃｔｉｏｎａｒｙ，第４７０ページおよび第４７６ページ（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，Ｉｎｃ．１９６６年）に記載されているとおりである。
【０１１６】
ａ．光活性層
光活性層は上記の光活性組成物を含む。
【０１１７】
いくつかの実施形態において、第１のホスト材料は少なくとも１個のジアリールアミノ置換基を有するクリセン誘導体であり、第２のホスト材料はフェナントロリン誘導体である。いくつかの実施形態において、これらの２種のホスト材料は、リン光放射体と組み合わされて用いられる。いくつかの実施形態において、リン光放射体はシクロメタレート化Ｉｒ錯体である。
【０１１８】
光活性層は、以下に記載のとおり、液体組成物からの液相堆積により形成されることが可能である。いくつかの実施形態において、光活性層は蒸着によって形成される。
【０１１９】
いくつかの実施形態において、３種の異なる光活性組成物が液相堆積によって適用されて、赤色、緑色および青色サブピクセルが形成される。いくつかの実施形態において、有色サブピクセルの各々は、本明細書に記載の新規の光活性組成物を用いて形成される。いくつかの実施形態において、第１および第２のホスト材料は、すべての色について同一である。
【０１２０】
ｂ．他の素子層
素子中の他の層は、このような層において有用であると公知である任意の材料で形成されることが可能である。
【０１２１】
陽極１１０は、陽電荷キャリアを注入するために特に効率的である電極である。これは、例えば、金属、混合金属、合金、金属酸化物あるいは混合金属酸化物を含有する材料で形成されることが可能であり、または、導電性ポリマー、または、これらの混合物であることが可能である。好適な金属としては、第１１族金属、第４〜６族の金属、および、第８〜１０族遷移金属が挙げられる。陽極が光透過性である場合には、インジウム−錫−酸化物などの第１２、１３および１４族金属の混合金属酸化物が一般に用いられる。陽極１１０はまた、「Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ  ｍａｄｅ  ｆｒｏｍ  ｓｏｌｕｂｌｅ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒ」，Ｎａｔｕｒｅ，第３５７巻、第４７７〜４７９ページ（１９９２年６月１１日）に記載されているポリアニリンなどの有機材料を含んでいることが可能である。陽極および陰極の少なくとも一方は、生成された光が観察可能であるように少なくとも部分的に透明であることが望ましい。
【０１２２】
バッファ層１２０は、バッファ材料を含み、特にこれらに限定されないが、下位層の平坦化、電荷輸送および／または電荷注入特性、酸素または金属イオンなどの不純物の掃去、ならびに、有機電子素子の性能を促進させるか向上させる他の態様を含む、有機電子素子における１つまたは複数の機能を有し得る。バッファ材料は、ポリマー、オリゴマーまたは小分子であり得る。これらは、蒸着されるか、または、溶液、分散体、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物、あるいは、他の組成物の形態であり得る液体から堆積され得る。
【０１２３】
バッファ層は、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などの、度々プロトン酸でドープされる高分子材料で形成されることが可能である。プロトン酸は、例えば、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）等であることが可能である。
【０１２４】
バッファ層は、銅フタロシアニンおよびテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン系（ＴＴＦ−ＴＣＮＱ）などの電荷輸送化合物等を含んでいることが可能である。
【０１２５】
いくつかの実施形態において、バッファ層は、少なくとも１種の導電性ポリマーおよび少なくとも１種のフッ素化酸ポリマーを含む。このような材料は、例えば、米国特許出願公開第２００４−０１０２５７７号明細書、米国特許出願公開第２００４−０１２７６３７号明細書、および、米国特許出願公開第２００５／２０５８６０号明細書に記載されている。
【０１２６】
層１３０用の正孔輸送材料の例は、例えば、Ｙ．Ｗａｎｇによる、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，第４版，第１８巻，第８３７〜８６０ページ，１９９６年にまとめられている。正孔輸送分子およびポリマーの両方が用いられることが可能である。通例用いられる正孔輸送分子は：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、ａ−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）−ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチル−フェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）、および、銅フタロシアニンなどのポリフィリン化合物である。通例用いられる正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）−ポリシランおよびポリアニリンである。ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマーに上述のものなどの正孔輸送分子をドープすることにより正孔輸送ポリマーを得ることも可能である。いくつかの場合において、トリアリールアミンポリマーが用いられ、特にトリアリールアミン−フルオレンコポリマーが用いられる。いくつかの場合において、ポリマーおよびコポリマーは架橋性である。いくつかの実施形態において、正孔輸送層は、ｐ−ドーパントをさらに含む。いくつかの実施形態において、正孔輸送層はｐ−ドーパントでドープされる。ｐ−ドーパントの例としては、これらに限定されないが、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）およびペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸−３，４，９，１０−二無水物（ＰＴＣＤＡ）が挙げられる。
【０１２７】
層１５０に用いられることが可能である電子輸送材料の例としては、これらに限定されないが、トリス（８−ヒドロキシキノレート）アルミニウム（ＡｌＱ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、テトラキス−（８−ヒドロキシキノレート）ハフニウム（ＨｆＱ）およびテトラキス−（８−ヒドロキシキノレート）ジルコニウム（ＺｒＱ）などの金属キノレート誘導体を含む金属キレート化オキシノイド化合物；ならびに、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンズイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）および２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン；ならびにこれらの混合物が挙げられる。いくつかの実施形態において、電子輸送層は、ｎ−ドーパントをさらに含む。ｎ−ドーパントの例としては、これらに限定されないが、Ｃｓおよび他のアルカリ金属が挙げられる。
【０１２８】
陰極１６０は、電子または陰電荷キャリアを注入するために特に効率的である電極である。陰極は、陽極より低い仕事関数を有する任意の金属または非金属であることが可能である。陰極用の材料は、第１族のアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｃｓ）、第２族（アルカリ土類）金属、希土類元素およびランタノイドを含む第１２族金属、ならびに、アクチニドから選択されることが可能である。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウムおよびマグネシウムなどの材料、ならびに、組み合わせが用いられることが可能である。Ｌｉ含有有機金属化合物、ＬｉＦ、およびＬｉ2Ｏもまた、動作電圧を下げるために有機層と陰極層との間に配置されることが可能である。
【０１２９】
他の層を備える有機電子素子が公知である。例えば、注入される正電荷の量を制御するために、および／または、層のバンドギャップマッチングをもたらすために、または、保護層として機能するために、陽極１１０とバッファ層１２０との間に層（図示せず）が存在していることが可能である。銅フタロシアニン、ケイ素酸化−窒化物、フルオロカーボン、シラン、または、Ｐｔなどの金属の超薄層などの、技術分野において公知である層を用いることが可能である。あるいは、陽極層１１０、活性層１２０、１３０、１４０、および１５０、または陰極層１６０のいくつかまたはすべてが、電荷キャリア輸送効率を高めるために表面処理されることが可能である。構成層の各々についての材料の選択は、素子のエレクトロルミネセンス効率を高めるための放射層における陽電荷および陰電荷のバランスにより決定されることが好ましい。
【０１３０】
各機能層は、２つ以上の層から形成されることが可能であることが理解される。
【０１３１】
ｃ．素子作製
素子層は、任意の堆積技術、または、蒸着、液相堆積および熱転写を含む技術の組み合わせにより形成されることが可能である。ガラス、プラスチックおよび金属などの基板が用いられることが可能である。熱蒸発、化学蒸着等などの従来の蒸着技術が用いられることが可能である。有機層は、好適な溶剤中の溶液または分散体から、特にこれらに限定されないが、スピンコーティング、ディップコーティング、ロールツーロール技術、インクジェット印刷、連続ノズル印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷等を含む従来のコーティングまたは印刷技術を用いて適用されることが可能である。
【０１３２】
いくつかの実施形態において、有機発光素子を形成する方法は：
パターン化された陽極をその上に有する基板を提供する工程；
正孔輸送材料を第１の液体媒体中に含む液体組成物を堆積させることにより正孔輸送層を形成する工程；
（ａ）−５．６ｅＶより浅いかこれと同等のＨＯＭＯエネルギーレベルを有すると共に９５℃を超えるＴｇを有する第１のホスト材料；（ｂ）−２．０ｅＶより深いＬＵＭＯを有する第２のホスト材料；および、（ｃ）エレクトロルミネセントドーパント材料；ならびに（ｄ）第２の液体媒体を含む液体組成物を堆積させることにより光活性層を形成する工程であって、第１のホスト材料対第２のホスト材料の重量比が９９：１〜１．５：１の範囲内である工程；
電子輸送材料の蒸着により電子輸送層を形成する工程；ならびに
全体に陰極を形成する工程
を含む。
【０１３３】
「液体組成物」という用語は、材料が溶解されて溶液が形成される液体媒体、材料が分散されて分散体が形成される液体媒体、または、材料が懸濁されて懸濁液もしくはエマルジョンが形成される液体媒体を意味することが意図されている。
【０１３４】
連続および不連続技術を含む、任意の公知の液相堆積技術または技術の組み合わせが用いられることが可能である。連続液相堆積技術の例としては、これらに限定されないが、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、ディップコーティング、スロット−ダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズル印刷が挙げられる。不連続堆積技術の例としては、これらに限定されないが、インクジェット印刷、グラビア印刷およびスクリーン印刷が挙げられる。いくつかの実施形態において、光活性層は、連続ノズルコーティングおよびインクジェット印刷から選択される方法によりパターンで形成される。連続技術としてノズル印刷を考慮することが可能であるが、パターンは、層を形成するための所望の領域上のみにノズルを配置することにより形成されることが可能である。例えば、連続する列のパターンを形成することが可能である。
【０１３５】
堆積されるべき特定の組成物のために好適な液体媒体は、当業者により容易に決定されることが可能である。いくつかの用途については、化合物は非水性溶剤中に溶解されることが好ましい。このような非水性溶剤は、Ｃ1〜Ｃ20アルコール、エーテル、および酸エステルなど比較的極性であることが可能であり、または、Ｃ1〜Ｃ12アルカンもしくはトルエン、キシレン、トリフルオロトルエン等などの芳香族化合物など比較的非極性であることが可能である。新規化合物を含む本明細書に記載の溶液または分散体のいずれかとしての液体組成物の形成に用いられる他の好適な液体としては、特にこれらに限定されないが、塩素化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンなど）、芳香族炭化水素（トリフルオロトルエンを含む置換または非置換トルエンまたはキシレンなど）、極性溶剤（テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）など）、エステル（酢酸エチルなど）、アルコール（イソプロパノールなど）、ケトン（シクロペンタノンなど）、または、これらの混合物のいずれかが挙げられる。発光材料のための溶剤の混合物の例が、例えば、米国特許出願公開第２００８−００６７４７３号明細書に記載されている。
【０１３６】
いくつかの実施形態において、ホスト材料の合計（第１のホストと第２のホスト）対ドーパントの重量比は５：１〜２５：１の範囲内である。
【０１３７】
堆積の後、材料は乾燥されて層が形成される。加熱、減圧、およびこれらの組み合わせを含む任意の従来の乾燥技術を用いることが可能である。
【０１３８】
いくつかの実施形態において、素子は、バッファ層、正孔輸送層および光活性層の液相堆積、ならびに、陽極、電子輸送層、電子注入層および陰極の蒸着により製作される。
【実施例】
【０１３９】
本明細書に記載のコンセプトを、以下の実施例においてさらに説明するが、これは、特許請求の範囲に記載の本発明の範囲を限定しない。
【０１４０】
実施例１
この実施例は、第１のホスト材料Ａ１の調製を示す。
【０１４１】
【化２３】
0005591822.tif 000024
【０１４２】
ａ．１−（４−ｔ−ブチルスチリル）ナフタレンの調製
オーブンで乾燥させた５００ｍＬ三首丸底フラスコに、磁気攪拌棒、滴下漏斗および窒素導入口コネクタを備え付けた。このフラスコに、塩化（１−ナフチルメチル）トリフェニルホスホニウム（１２．０７ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）および２００ｍＬの無水ＴＨＦを仕込んだ。水素化ナトリウム（１．１ｇ、２５ｍｍｏｌ）を一度に添加した。混合物は明るいオレンジ色になり、これを室温で一晩攪拌した。４−ｔ−ブチル−ベンズアルデヒド（７．１ｇ、２５ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（３０ｍＬ）中の溶液をカニューレで滴下漏斗に追加した。アルデヒド溶液を反応混合物に４５分間かけて滴下した。反応を室温で２４時間攪拌した（オレンジ色は退色した）。シリカゲルを反応混合物に添加すると共に、揮発物を減圧下で除去した。粗生成物を、ヘキサン中の５〜１０％ジクロロメタンを用いるシリカゲルでのカラムクロマトグラフィーで精製した。生成物をシス−およびトランス−異性体（６．３ｇ、８９％）の混合物として単離し、分離せずに用いた。1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２７（ｓ，９Ｈ），７．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１６Ｈｚ），７．３３〜７．４９（ｍ，７Ｈ），７．６８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），７．７１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），７．７６〜７．８１（ｍ，２Ｈ），８．１６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）。
【０１４３】
ｂ．３−ｔ−ブチルクリセンの調製
１−（４−ｔ−ブチルスチリル）ナフタレン（４．０ｇ、１４．０ｍｍｏｌ）を、窒素導入口および攪拌棒を備えた１リットル光化学容器中の乾燥トルエン（１ｌ）中に溶解させた。１００ｍＬのエポキシドをシリンジで取り出しておよび反応混合物に添加する前に、乾燥プロピレンオキシドのボトルを氷水中で冷却した。ヨウ素（３．６１ｇ、１４．２ｍｍｏｌ）を最後に添加した。コンデンサを光化学容器の頂部に取り付けると共に、ハロゲンランプ（Ｈａｎｏｖｉａ、４５０Ｗ）を点灯させた。ヨウ素の色の消失により反応混合物中のヨウ素の消尽が示されたらランプを消して反応を停止させた。反応は３．５時間で完了した。トルエンおよび過剰量のプロピレンオキシドを減圧下で除去して濃い黄色の固体を得た。粗生成物をヘキサン中の少量の２５％ジクロロメタンに溶解させ、中性アルミナの４インチプラグを通すと共に、ヘキサン中の２５％ジクロロメタン（約１リットル）で洗浄した。揮発物を除去して、３．６ｇ（９１％）の３−ｔ−ブチルクリセンを黄色の固体として得た。1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．４１（ｓ，９Ｈ），７．５１（ａｐｐ  ｔ，１Ｈ），７．５８（ａｐｐ  ｔ，１Ｈ），７．６３（ｄｄ（１Ｈ，Ｊ＝１．８，８．４Ｈｚ），７．８０〜７．９２（ｍ，４Ｈ），８．５４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．１Ｈｚ），８．６３〜８．６８（ｍ，３Ｈ）。
【０１４４】
ｃ．６，１２−ジブロモ−３−ｔ−ブチルクリセンの調製
３−ｔ−ブチルクリセン（４．０ｇ、１４．１ｍｍｏｌ）およびトリメチルホスフェート（１１０ｍＬ）を５００ｍＬ丸底フラスコ中で混合した。臭素（４．９５ｇ、３１ｍｍｏｌ）を添加した後、還流凝縮器をフラスコに取り付けると共に、反応混合物を１０５℃の油浴中で１時間攪拌した。白色の沈殿物がほとんど即時に形成された。反応混合物を少量の氷水（１００ｍＬ）に注ぎ入れることにより後処理した。混合物を減圧ろ過し、水で十分に洗浄した。得られた黄褐色の固体を減圧下で乾燥させた。粗生成物をメタノール（１００ｍＬ）中で沸騰させ、室温に冷却し、および、再度ろ過して３．７４ｇ（６０％）の白色の固体を得た。1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．４６（ｓ，９Ｈ），７．７０（ｍ，２Ｈ），７．７９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．９，８．８Ｈｚ），８．２８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），８．３６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５，８．０），８．６０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ），８．６４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５，８．０Ｈｚ），８．８９（ｓ，１Ｈ），８．９７（ｓ，１Ｈ）。
【０１４５】
ｄ．ホスト材料Ａ１
ドライボックス中で、３−ｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセン（０．５ｇ、１．１３ｍｍｏｌ）およびＮ−（４−（１−ナフチル）フェニル）−４−ｔ−ブチルアニリン（０．８３ｇ、２．３７ｍｍｏｌ）を肉厚のガラス管中で組み合わせると共に、２０ｍＬの乾燥トルエン中に溶解させた。トリス（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．００９ｇ、０．０４５ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０２１ｇ、０．０２３ｍｍｏｌ）を５ｍＬの乾燥トルエン中に溶解させると共に、１０分間攪拌した。触媒溶液を反応混合物に添加し、５分間攪拌し、続いて、ナトリウムｔ−ブトキシド（０．２１７ｇ、２．２６ｍｍｏｌ）および１５ｍＬの乾燥トルエンを添加した。さらなる１０分間の後、反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素ラインに取り付け、および８０℃で一晩攪拌した。次の日、反応混合物を室温に冷却し、１リットルのクロロホルムおよび３００ｍＬのジクロロメタンで洗浄しながらシリカゲルの４インチプラグおよび１インチのセライトを通してろ過した。減圧下での揮発物の除去で黄色の固体を得た。粗生成物を、ヘキサン中の５〜１２％ＣＨ2Ｃｌ2でのカラムクロマトグラフィーで精製した。収率４４０ｍｇ（３３．６％）。1Ｈ  ＮＭＲ（ｄｍｆ−ｄ7）：δ１．２９（ｓ，９Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ），１．４３（ｓ，９Ｈ），７．２３（ｍ，４Ｈ），７．３１（ｍ，４Ｈ），７．４１〜７．４６（ｍ，１０Ｈ），７．４６〜７．５９（ｍ，６Ｈ），７．６６（ａｐｐ  ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），７．７５（ａｐｐ  ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），７．８１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８，８．５Ｈｚ），７．９３（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝３．３，８．４Ｈｚ），８．２５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），８．２７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．１，８．９Ｈｚ），８．８３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ），８．９８（ｓ，１Ｈ），８．９９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），９．０３（ｓ，１Ｈ）。
【０１４６】
実施例２
この実施例は、第１のホスト材料Ａ２の調製を示す。
【０１４７】
【化２４】
0005591822.tif 000025
【０１４８】
ａ．３−ブロモクリセンの調製
３−ブロモクリセンを、塩化（１−ナフチルメチル）トリフェニルホスホニウムおよび４−ブロモベンズアルデヒドから実施例１（ａおよびｂ）に記載の手法を用いて調製した。
【０１４９】
ｂ．Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（４−ｔ−ブチルフェニル）クリセン−３−アミンの調製（ホストＡ２）
ドライボックス中で、３−ブロモクリセン（０．８６９ｇ、２．８３ｍｍｏｌ）およびＮ−（４−ｔ−ブチルフェニル）ビフェニル−４−アミン（０．９ｇ、２．９７ｍｍｏｌ）を肉厚のガラス管中で組み合わせると共に、２０ｍＬの乾燥ｏ−キシレン中に溶解させた。トリス（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．０１ｇ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０２３ｇ）を１０ｍＬの乾燥ｏ−キシレン中に溶解させると共に、１０分間攪拌した。触媒溶液を反応混合物に添加し、５分間攪拌し、続いて、ナトリウムｔ−ブトキシド（０．２７ｇ、２．８３ｍｍｏｌ）および２５ｍＬの乾燥ｏ−キシレンを添加した。さらなる１０分間の後、反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素ラインに取り付け、および７５℃で一晩攪拌した。次の日、反応混合物を室温に冷却し、ジクロロメタンで洗浄してシリカゲルの１インチプラグおよび１インチのセライトを通してろ過した。減圧下での揮発物の除去で固体を得、これをジエチルエーテルで倍散した。収率１．２７ｇ（８５．２％）。1Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ジクロロメタン−ｄ２）ｄ＝１．２７（ｓ，９Ｈ），７．０９（ｂｒ  ｄ，２Ｈ，Ｊapp＝７．７Ｈｚ），７．１６（ｂｒ  ｄ，２Ｈ，Ｊapp＝７．６Ｈｚ），７．２３（ｂｒ  ｔ，１Ｈ，Ｊapp＝７．４Ｈｚ），７．２９（ｂｒ  ｄ，２Ｈ，Ｊapp＝８．６Ｈｚ），７．３２〜７．３７（ｍ，３Ｈ），７．４７（ｂｒ  ｄ，２Ｈ，Ｊapp＝８．６Ｈｚ），７．５２〜７．５６（ｍ，３Ｈ），７．６２（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊapp＝１．６，７．０，８．４Ｈｚ），７．８１（ｂｒ  ｄｄ，２Ｈ，Ｊapp＝６．５，８．６Ｈｚ），７．８８（ｂｒ  ｄ，２Ｈ，Ｊapp＝８．４Ｈｚ），８．３１（ｂｒ  ｄ，１Ｈ，Ｊapp＝９．０Ｈｚ），８．３８（ｂｒ  ｓ，１Ｈ），８．５３（ｂｒ  ｄ，１Ｈ，Ｊapp＝９．８Ｈｚ），８．６９（ｂｒ  ｄ，１Ｈ，Ｊapp＝８．２Ｈｚ）。
【０１５０】
実施例３
この実施例は、２，９−ジクロロ−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンの４−トリフェニルアミノボロン酸でのスズキカップリングを用いた第２のホスト材料Ｂ３の調製を示す。
【０１５１】
パートＡ：中間体ジクロロバソフェナントロリン化合物、２，９−ジクロロ−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンの調製。
【０１５２】
ａ）Ｙａｍａｄａら、Ｂｕｌｌ  Ｃｈｅｍ  Ｓｏｃ  Ｊｐｎ，６３，２７１０，１９９０年からの手法を用いて、トリメチレン橋架けバソフェナントロリンを以下のとおり調製し：２ｇのバソフェナントロリンを２０ｇ  １，３−ジブロモプロパン中に取り、空気中で還流させた。約３０分後、濃密なオレンジ色のスラリーを冷却した。メタノールを添加して固形分を溶解させ、次いで、アセトンを添加して明るいオレンジ色の固体を沈殿させた。これをろ過し、トルエンおよびジクロロメタンで洗浄し、オレンジ色の粉末を２．８ｇ収率で得た。
【０１５３】
【化２５】
0005591822.tif 000026
【０１５４】
ｂ）上記からの２．８ｇの生成物を１２ｍＬの水中に溶解させ、氷冷した２１ｇカリウムフェリシアニドおよび１０ｇ水酸化ナトリウムの３０ｍＬの水中の溶液に、約３０分間かけて滴下し、次いで、９０分間攪拌した。これを再度氷冷し、６０ｍＬの４Ｍ  ＨＣｌで約８のｐＨに中和した。薄い黄褐色／黄色の固体をろ過し、減圧乾燥させた。ろ過した固体をソックスレーに入れ、クロロホルムで抽出して、茶色の溶液を抽出した。これを蒸発させて茶色がかった油状の固体とし、次いで、少量のメタノールで洗浄して薄い茶色の固体（約１．０ｇ、４７％）を得た。材料は、混合物からクロロホルムを蒸発させることにより、金色の板状結晶としてクロロホルム／メタノールから再結晶させることが可能である。構造を以下のジケトンとしてＮＭＲにより識別した。
【０１５５】
【化２６】
0005591822.tif 000027
【０１５６】
ｃ）上記ステップ（ｂ）からのジケトンの分量を組み合わせて合計で５．５ｇ（１３．６ｍＭ）を３９ｍＬ  ＰＯＣｌ3中に懸濁させると共に、５．４ｇ  ＰＣｌ5を添加した。これを脱気し、窒素下で８時間還流した。過剰量のＰＯＣｌ３を蒸発により除去した。氷を添加して残留する塩化物を分解すると共に、混合物をアンモニアで中和した。茶色の沈殿物を回収し、減圧下で乾燥し、一方で、母液は塩化メチレンで抽出した。すべての茶色の材料を組み合わせ、茶色のガムに蒸発させると共に、メタノールを添加した。振盪および攪拌した後、薄い黄色の固体を単離し、これをオフホワイトの針状結晶としてＣＨＣｌ３およびメタノール（１：１０）から再結晶させた。ＮＭＲによる分析は、以下のジクロロバソフェナントロリン構造を示した。
【０１５７】
【化２７】
0005591822.tif 000028
【０１５８】
パートＢ：第２のホスト材料Ｂ３の調製
パートＡからの２．０ｇのジクロロバソフェナントロリン（５ｍＭ）に、３．０ｇ（１１ｍＭ）ｐ−ジフェニルアミノフェニルボロン酸を添加した。これに、０．１５ｇ  Ｐｄ２ＤＢＡ３（０．１５ｍＭ）、０．１ｇトリシクロヘキシルホスフィン（０．３５ｍＭ）および３．７５ｇリン酸カリウム（１７ｍＭ）を添加し、すべてを３０ｍＬジオキサンおよび１５ｍＬ水に溶解させた。これを、１００℃のグローブボックス内で１時間混合すると共に加熱し、次いで、一晩、窒素下で穏やかに温めた（最低レオスタット設定）。約８０℃に達すると、混合物は黄褐色の茶色のスラリーであり、これは、徐々に、高密度の沈殿物を伴って清透な茶色になった。溶液を還流（空気式コンデンサ）したところ、白色の粉末状の沈殿物が形成された。混合物を冷却すると共に、グローブボックスから取り出した。ジオキサンを蒸発により除去すると共に、追加の水を添加した。明るい茶色のゴム状の固体をろ過により単離すると共に、水で洗浄した。固体は、トルエンおよびジクロロメタン中に良好に溶解した。この生成物は化合物Ｂ３であった。
【０１５９】
【化２８】
0005591822.tif 000029
【０１６０】
実施例４
第２のホスト材料Ｂ１を、実施例３と同様の手法を用いる、２，９−ジクロロ−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンのフェニルボロン酸でのスズキカップリングを用いて調製した。
【０１６１】
実施例５
この実施例は、第２のホスト材料Ｂ２の調製を示し、これは、実施例３と同様の手法を用いる、２，９−ジクロロ−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンの９−（３−ボロピコリネート−フェニル）カルバゾールでのスズキカップリングを用いて調製した。
【０１６２】
実施例６
この実施例は、第２のホスト材料Ｂ５の調製を示す。
【０１６３】
実施例７
ドーパント材料Ｃ８を、米国特許第６，６７０，６４５号明細書に記載のものと同様の手法を用いて調製した。
【０１６４】
実施例８〜１６
これらの実施例は、ＯＬＥＤ素子の製作および性能を示す。以下の材料を用いた。
【０１６５】
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）：１８０ｎｍ
バッファ層＝バッファ１（２０ｎｍ）（これは、導電性ポリマーおよび高分子フッ素化スルホン酸の水性分散体である）。このような材料は、例えば、米国特許出願公開第２００４／０１０２５７７号明細書、米国特許出願公開第２００４／０１２７６３７号明細書および米国特許出願公開第２００５／０２０５８６０号明細書に記載されている。
【０１６６】
正孔輸送層＝ＨＴ−１（これは、アリールアミン含有コポリマーである）。このような材料は、例えば、米国特許出願公開第２００８／００７１０４９号明細書に記載されている。
【０１６７】
光活性層＝表１中の組成物
電子輸送層＝金属キノレート誘導体
陰極＝ＣｓＦ／Ａｌ（０．５／１００ｎｍ）
【０１６８】
ＯＬＥＤ素子を、溶液加工および熱蒸発技術の組み合わせにより製作した。Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃ製のパターン化されたインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）でコートされたガラス基板を用いた。これらのＩＴＯ基板は、３０ｏｈｍｓ／ｓｑｕａｒｅの表面抵抗値および８０％光透過率を有するＩＴＯがコートされたＣｏｒｎｉｎｇ１７３７ガラスをベースとしている。パターン化されたＩＴＯ基板を洗剤水溶液中で超音波洗浄すると共に、蒸留水ですすいだ。その後、パターン化されたＩＴＯをアセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、および、窒素流中で乾燥させた。
【０１６９】
素子製作の直前に、清浄化したパターン化されたＩＴＯ基板をＵＶオゾンで１０分間処理した。冷却した直後、バッファ１の水性分散体をＩＴＯ表面上にスピンコートすると共に、加熱して溶剤を除去した。冷却の後、次いで、基板を正孔輸送材料の溶液でスピンコートし、次いで、加熱して溶剤を除去した。放射層溶液を、表１に記載のホストおよびドーパントをトルエン中に溶解させることにより形成した。冷却の後、基板を放射層溶液でスピンコートすると共に、加熱して溶剤を除去した。基板をマスクし、真空チャンバ中に入れた。電子輸送層を熱蒸発により堆積させ、続いてＣｓＦの層を堆積させた。次いで、マスクを減圧中で変更し、Ａｌの層を熱蒸発により堆積させた。チャンバをベントし、素子を、ガラス蓋、乾燥剤およびＵＶ硬化性エポキシを用いて封入した。
【０１７０】
ＯＬＥＤサンプルを、（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）エレクトロルミネセンス輝度対電圧、および（３）エレクトロルミネセンススペクトル対電圧を計測することにより特徴付けた。すべての３種の計測は同時に行うと共に、コンピュータで制御した。一定の電圧での素子の電流効率は、ＬＥＤのエレクトロルミネセンス輝度を素子の動作に必要とされる電流密度で除することにより測定される。単位はｃｄ／Ａである。出力効率は、動作電圧で除された電流効率である。単位はｌｍ／Ｗである。結果が表２に示されている。
【０１７１】
【表１】
0005591822.tif 000030
【０１７２】
【表２】
0005591822.tif 000031
【０１７３】
概要または実施例において上記されている作業のすべてが必要とされているわけではなく、特定の作業の一部分が必要でない場合があり、および、１つまたは複数のさらなる作業が記載されたものに追加して実施されてもよいことに注目すべきである。さらに、作業が列挙されている順番は、これらが実施される順番では必ずしもない。
【０１７４】
前述の明細書において、特定の実施形態を参照してコンセプトを記載してきた。しかしながら、技術分野における当業者は、以下の特許請求の範囲に記載の本発明の範囲から逸脱することなく、種々の変更および変形をなすことが可能であることを理解している。従って、明細書および図面は、限定的ではなく、例示的であるとみなされるべきであり、すべてのこのような変更は発明の範囲内に包含されることが意図されている。
【０１７５】
有益性、他の利点および問題に対する解法が、特定の実施形態に関して上述されている。しかしながら、有益性、利点、問題に対する解法、および、利益、利点あるいは解法のいずれかを生じさせ得るか、もしくは、より顕著とさせ得るいずれかの特性は、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての決定的な、必要な、または、必須の特性としては解釈されるべきではない。
【０１７６】
明確さのために本明細書において個別の実施形態の文脈に記載されている一定の特性はまた、単一の実施形態において組み合わせで提供され得ることが認められるべきである。反対に、簡潔さのために単一の実施形態の文脈に記載されている種々の特性はまた、個別にまたは任意のサブコンビネーションで提供され得る。さらに、範囲で記載されている値の参照は、その範囲内の値の各々およびすべてを包含する。
【図１Ａ】
0005591822.tif 000034
【図１Ｂ】
0005591822.tif 000035
【図２】
0005591822.tif 000036