(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
活性素子領域と、
前記活性素子領域との境界を形成している隔離領域と、
前記活性素子領域内にチャネルを画定するために、前記境界の第１部分と第２部分との間において、前記活性素子領域と重なるパターン化ゲート材料とを含み、
前記パターン化ゲート材料は、前記境界の第１部分と第２部分との間よりも、該境界の第１部分と第２部分とに近接してより大きい、該パターン化ゲート材料の主要寸法に沿う中心線と直交するゲート長さ寸法を有しており、該ゲート長さ寸法は、前記境界の第１部分と第２部分との間から該境界の第１部分および第２部分に向かって指数関数的に大きくなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記チャネルは、前記境界の第１部分に近接する第１端と、該境界の前記第２部分に近接する第２端とを含み、前記チャネルは更に、該チャネルの両端においてテーパが付けられたゲート長さ寸法によって特徴付けられることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記第１部分に近接して前記中心線と直交する前記ゲート長さ寸法は、該中心線に関して対称的であることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項４】
前記第１部分に近接して前記中心線と直交する前記ゲート長さ寸法は、該中心線に関して非対称的であることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項５】
前記第２部分に近接して前記中心線と直交する前記ゲート長さ寸法は、該中心線に関して対称的であることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項６】
前記第２部分に近接して前記中心線と直交する前記ゲート長さ寸法は、該中心線に関して非対称的であることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項７】
前記中心線と直交する前記ゲート長さ寸法は、（ｉ）前記第１部分に近接して、該中心線に関して対称的であり、且つ、（ｉｉ）前記第２部分に近接して、該中心線に関して対称的であることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項８】
前記中心線と直交する前記ゲート長さ寸法は、（ｉ）前記第１部分に近接して、該中心線に関して非対称的であり、且つ、（ｉｉ）前記第２部分に近接して、該中心線に関して非対称的であることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項９】
前記隔離領域は、浅溝隔離領域を含むことを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項１０】
前記パターン化ゲート材料は、ポリシリコンおよび金属からなるグループの一つを含むことを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項１１】
前記境界の第１部分と第２部分とに近接する短チャネル効果は、該境界の第１部分と第２部分との間における短チャネル効果と比較して、チャネルの端部におけるより大きなゲート長さ寸法に応じて減少させられることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項１２】
半導体装置であって、
活性素子領域と、
前記活性素子領域との境界を形成している隔離領域と、
前記活性素子領域内にチャネルを画定するために、前記境界の第１部分と第２部分との間において、前記活性素子領域と重なるパターン化ゲート材料とを含み、
該パターン化ゲート材料は、前記境界の第１部分と第２部分との間よりも、該境界の第１部分と第２部分とに近接してより大きい、該ゲート材料の主要寸法に沿う中心線と直交するゲート長さ寸法を有しており、該ゲート長さ寸法は、前記境界の第１部分と第２部分との間から該境界の第１部分および第２部分に向かって指数関数的に大きくなり、
前記チャネルは、前記境界の第１部分に近接する第１端と、該境界の第２部分に近接する第２端とを含み、前記チャネルは更に、該チャネルの両端においてテーパが付けられたゲート長さ寸法によって特徴付けられており、
前記第１部分に近接して前記中心線と直交する前記ゲート長さ寸法は、前記中心線に関して対称的または非対称的であり、
前記第２部分に近接して前記中心線と直交する前記ゲート長さ寸法は、前記中心線に関して対称的または非対称的である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
半導体装置の製造方法であって、
活性素子領域の周りで隔離領域を形成する工程と、
前記隔離領域と活性素子領域とに重なるゲート材料をパターン化する工程とを含み、
該パターン化工程は、前記ゲート材料をパターン化して、前記活性素子領域内にチャネルを画定する境界の第１部分と第２部分との間において、少なくとも該活性素子領域と重なる主要寸法を有するパターン化ゲート材料を得る工程を含み、前記パターン化ゲート材料は、該パターン化ゲート材料の主要寸法に沿った中心線と直交して、前記境界の第１部分と第２部分との間よりも、該境界の第１部分と第２部分とに近接してより大きいゲート長さ寸法を有しており、該ゲート長さ寸法は、前記境界の第１部分と第２部分との間から該境界の第１部分および第２部分に向かって指数関数的に大きくなることを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記ゲート材料のパターン化工程は、更に、マスクを用いた前記活性素子領域と重なる前記ゲート材料のリソグラフィ処理に応じて、前記パターン化ゲート材料の主要寸法に沿って、前記ゲート長さ寸法を生じさせるように構成されるゲート形状テーパフィーチャを備えたマスクを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記ゲート形状テーパフィーチャを備えたマスクを提供する工程は、更に、光近接効果補正処理に先立ち、且つ、マスク作製に先立ち、前記半導体装置の素子レイアウト内に、ゲートテーパ調整フィーチャを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記チャネルは、前記境界の第１部分に近接する第１端と、該境界の第２部分に近接する第２端とを含み、該チャネルは更に、該チャネルの両端においてテーパが付けられたゲート長さ寸法によって特徴付けられることを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１７】
前記第１部分に近接して前記中心線と直交するゲート長さ寸法は、該中心線に関して対称的または非対称的であり、且つ、前記第２部分に近接して前記中心線と直交するゲート長さ寸法は、該中心線に関して、対称的または非対称的であることを特徴とする請求項１３の方法。
【請求項１８】
前記隔離領域は、浅溝隔離領域を含み、且つ、前記ゲート材料は、ポリシリコンおよび金属からなるグループの一つを含むことを特徴とする請求項１３の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して、集積回路に関し、特に、ゲートが成形されているＭＯＳＦＥＴトランジスタを備えた集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路設計は、特定の回路設計において用いられる素子の電気特性に基づいている。トランジスタの場合では、重要な特性の一つとして、所定の状態で流れる電流の量がある。これは、ゲートの長さに対する幅の有効比率として考えられる。処理およびリソグラフィ変数に起因して、電流量、或いは幅対長さの有効比率は、トランジスタ毎に、特にウェハ毎に変化するだけでなく、同じウェハ、或いは同じ集積回路であっても当てはまり得る。幅対長さの有効比率におけるこの変化は、回路設計をより困難にする。この幅対長さの有効比率の減少は、動作速度の増加、動作信頼性の向上、および電力消費の減少等の性能を向上させる回路設計を結果的にもたらし得る。当然のことながら、リソグラフィを含む製造工程を向上させるために、継続的な努力が行われているが、これらの改良を伴い、トランジスタの寸法は縮小し、そして更に、その結果として、幅対長さの有効比率の変化を保持するという効果が得られる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、幅対長さの有効比率の変化の制御における改良が継続的に必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一態様において、半導体装置は、活性領域と隔離領域との間における２つの境界を横切るゲートを有する。ゲートの下方には、対応するチャネルが存在する。ゲート長さは、ゲートが活性領域と隔離領域との間を横切る２つの境界各々において、これら２つの領域の間の中間領域よりも長い。その結果として、ゲートの幅対長さの有効比率の変化が減少する。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】一実施形態に係る半導体装置の上面図。
【図２】図１の半導体装置の第１断面図。
【図３】図２の半導体装置の第２断面図。
【図４】図１の半導体装置を得る際に有用な物理的構成即ちマスク生成段階におけるレイアウト。
【図５】図１の半導体装置の変形形態を得る際に有用な図４のレイアウトの変形実施形態。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
本発明は、一例として例証されており、添付の図面によって制限されるものではなく、同様の符号は、類似する要素を指示している。図面の要素は、簡潔および明瞭にするために示されており、且つ、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。
【０００７】
本明細書で説明される半導体基板は、ガリウムヒ素、シリコンゲルマニウム、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）、シリコン、単結晶シリコン等、いかなる半導体材料および上記の組み合わせであってよく、少なくとも上部は半導体材料からなり、且つ、半導体層と考えられてよい。
【０００８】
図１に示されるのは、半導体基板に形成される活性領域１２、活性領域１２を取り囲む隔離領域１４、および活性領域１２を横切るゲート導体１６を有する半導体装置１０である。また図１に示されるのは、ゲート１６の中央を横切る中心線１８である。中心線１８はまた、半導体１０を垂直方向下方に横切る平面と考えられてもよい。活性領域１２と隔離領域１４との間には、境界線３２が存在する。図１の左側に示されるのは、境界部３４であり、この境界部３４は、ゲート導体１６が活性領域１２と隔離領域１４との間を横切る領域である境界線３２の第１部分である。図１の右側に示されるのは、境界部３６であり、この境界部３６は、ゲート導体１６が活性領域１２と隔離領域１４との間を横切る領域である境界線３２の第２部分である。境界部３４と境界部３６との間において、中心線１８に沿った中間部は、ゲート導体１６の中心線１８から図１において上側として示される第１端縁までの寸法２０と、ゲート導体１６の中心線１８から図１において下側として示される第２端縁までの寸法２２からなる最小ゲート長さである。寸法２０と寸法２２とは等しい。中心線１８は、ゲート幅の方向に延び、且つ、境界部３４と境界部３６との間の中間点を通過して寸法２０と寸法２２とが等しくなるように画定される。境界部３４に沿って、中心線１８からゲート導体１６の上側までが、寸法２４である。境界部３４に沿って、中心線１８からゲート導体１６の下側までが、寸法２６である。境界部３６に沿って、中心線１８からゲート導体１６の上側までが、寸法２８である。境界部３６に沿って、中心線１８からゲート導体１６の下側までが、寸法３０である。
【０００９】
本例において、寸法２４と寸法２８とは各々、寸法２０よりも大きく、また、寸法２６と寸法３０とは各々、寸法２２よりも大きい。また、対称的である本例において、寸法２４は寸法２８と等しく、また、寸法２６は寸法３０と等しい。しかしながら、境界部３４，３６に対するゲート導体１６の対称性は、必ずしも必要とされない。それ故、寸法２４は、寸法２８と等しい必要はなく、寸法２６は寸法３０と等しい必要はない。一般的に、中心線１８は、寸法２４と寸法２６とが等しく、且つ、寸法２８と寸法３０とが等しいように配置されることが求められるが、これは必ずしも当てはまらない。例えば、寸法２２，２６，３０が互いに等しく、且つ、寸法２４と寸法２８とが、各々が寸法２０を越えてもよい。要求されることとしては、寸法２４と寸法２６の合計、ならびに寸法２８と寸法３０の合計が、各々寸法２０と寸法２２との合計を越えなければならない。その結果として、活性領域と隔離領域との間の各境界におけるチャネル長さは、これらの境界の間のチャネルの中間部におけるチャネル長さよりも長くなる。従って、対称が好ましいが、非対称が利用されてもよい。また、対称は、右側での対称および左側での対称等、側方毎でもよく、右側と左側とは互いに対称的でなくてよい。
【００１０】
ゲート寸法が継続的に縮小するにつれて、チャネルの全体幅に対して、活性領域と隔離領域との間における境界に沿った短チャネル効果は、より著しくなる。短チャネル効果を伴い、ゲート長さにおける所定の物理的変化に対するゲート幅対ゲート長さの有効比率の変化は、活性領域と隔離領域との間の境界に沿って、チャネルの中間におけるゲート幅対ゲート長さの有効比率よりも、指数関数的となる。活性／隔離境界に沿って、ゲート長さを増加させることにより、短チャネル効果の影響は、大きく減少する。その結果として、ゲート長さの変化は、ゲート幅対ゲート長さの全体有効比率においてより小さな変化となる。
【００１１】
チャネルの一方側におけるゲート長さの偶発的且つ好ましくない増加は、コンタクトがゲートに非常に近接する時に生じている。活性領域の外側でのゲート導体の拡大によって、ゲートの一方側のみで、活性／隔離境界におけるゲート長さの増加が生じる。これは、好ましくなく、また、回避されるべきと考えられている。この活性／隔離境界におけるゲートの拡大が生じないことを確実にするために、ゲートコンタクトが活性領域から十分に離れていることを要求する設計ルールが存在する。
【００１２】
図２に示されているのは、図１に示される２−２線視断面図における半導体装置１０である。図２に示されるのは、ゲート導体１６の中間を通る中心線１８である。また、中心線１８からゲート導体１６の側方まで横方向に延出すると共に、ソース／ドレイン領域４０とソース／ドレイン領域４２との間である活性領域１２の一部を横切るゲート長さとして、寸法２０と寸法２２とが示されている。側壁スペーサ４４は、ゲート導体１６の周りに示されている。図２に示される半導体装置１０は、両ソース／ドレイン領域４０，４２の間にチャネル領域がある機能トランジスタである。図示されるように、両ソース／ドレイン領域４０，４２は、ゲート導体１６の側部と整列させられているが、これらソース／ドレイン領域４０，４２は、ゲート導体１６の僅かに下方に延出し、ゲート導体１６をマスクとして用いる埋設工程に続き、加熱工程を必要とする。側壁スペーサ４４は、側壁スペーサの多層化並びに１つ又はそれ以上のライナであってよい。
【００１３】
図３に示されるのは、図１に示される３−３線視断面図における半導体装置１０であり、極めて近接した境界部３４であり、ゲート導体は、寸法２４，２６のゲート長さを有する。図３に示されるのは、ゲート導体１６の中央を通る中心線１８である。また、ゲート導体１６の中心線１８から側部まで横方向に延出すると共に、ソース／ドレイン領域４０とソース／ドレイン領域４２との間である活性領域１２の一部を横切るゲート長さとして、寸法２５，２７が示されている。寸法２５は、寸法２４と略同じであり、且つ、寸法２７は、寸法２６と略同じである。側壁スペーサ４４は、ゲート導体１６の周りに示されている。図示されるように、ソース／ドレイン領域４０，４２は、境界部３４付近での断面３−３におけるチャネル長さが、寸法２５プラス寸法２７であるこの位置におけるゲート長さに対応することを示すために、ゲート導体１６の側部と整列させられる。
【００１４】
図４に示されるのは、半導体装置１０を形成する際に使用され得るレイアウト１１である。レイアウト１１はまた、図１の半導体装置１０を得るために用いられる処理におけるフォトレジストに適用されるリソグラフィ法を図示するために重ね合わされる幾つかのマスクとして見なされ得る。この場合、ゲート導体１６に対応するゲートフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）１１６が存在する。ゲートフィーチャ１１６は、左上のジョグ１２４と、左下のジョグ１２６と、右上のジョグ１２８と、右下のジョグ１３０とを含む。ジョグ１２４，１２６，１２８および１３０は、図１に示されるゲートの形状を生成するために、ゲートフィーチャ１１６に加えられる。図示されるように、ジョグ１２４，１２６，１２８および１３０は、同じ形状であると共に、活性機能１１２から同じ距離であり、この活性フィーチャ１１２は、活性領域１２を表しており、図１に示されるゲート導体１６の対称的な形状をもたらす。この対称性は好ましいが、両ジョグ１２４，１２６の一方、および両ジョグ１２８，１３０の一方の少なくともいずれかが削除されてもよく、それでも、ゲート幅対ゲート長さの有効変化の減少が得られる。ジョグ１２４は、活性領域１２を表す活性領域１１２の左側からの寸法５２として示されている。ジョグ１２４は、寸法５０の幅、および寸法４８の長さを有する。ジョグ１２６は、寸法５４の長さ、寸法５６の幅、および活性領域１１２からの寸法５８の距離を有する。ジョグ１２８は、寸法６０の長さ、寸法６２の幅、および活性領域１１２からの寸法６４の距離を有する。ジョグ１３０は、寸法６６の長さ、寸法６８の幅、および活性領域１１２からの寸法７０の距離を有する。
【００１５】
処理に伴い、ジョグ１２４，１２６，１２８および１３０は、活性領域１２に亘り、ゲート導体１６のゲート長さを増加させるという効果を有する。図４に示される様々な寸法は、ゲート導体１６の可能な形状の最良の形態を得るために実行される特定の処理およびリソグラフィ法について、実験に基づき導き出され得る。また、ゲートフィーチャ１１６の一方側又は両側にあり、ジョグがゲートフィーチャ１１６のこれらジョグと整列させられている平行導体フィーチャがまた、ゲート導体１６を成形するために使用され得る。整列させられたジョグを伴い付加された平行導体フィーチャは、活性／隔離境界において加えられるゲート長さ量を増加させると共に、ゲート長さの増加を、活性／隔離境界の間の中心領域のより近くに移動させる傾向にある。寸法５２，５８，６４および６６を減少させることによって、ゲート長さの増加が、活性／隔離境界の間の中心領域のより近くに移動する。寸法５０，５６，６２および６８を増加させることによって、ゲート長さの増加の幅および大きさが増加する。寸法４８，５４，６４、および７０を増加させることによって、概して、ゲート長さの増加の大きさが増加するが、寸法５２，５８，６４および６６を対応して増加させることなく制限される。境界部におけるゲート長さの増加のために、ジョグを有益に使用することの一般的な効果に対する代表的な寸法は、境界部３４および３６から、活性領域１２に亘り、ゲート導体１６の中間領域へ向けて内方へ、おおよそ最初の３０から５０ナノメートルである。Ｐチャネルについて、最初の３０ナノメートルが最も重要である。Ｎチャネルについて、重要部分は、約５０ナノメートルに広がる。しかし、これらより少ない量であっても有効である。
【００１６】
従って、方法は、活性領域１２の周りに隔離領域１４を形成することであり、その後に、ゲート誘導体を形成し、その後に、ポリシリコン又は金属等のゲート材料層を堆積させることである。フォトレジスト層は、ジョグがゲートフィーチャ１１６のジョグと整列させられ或いは略整列させられた状態で、ゲートフィーチャ１１６および可能な他の平行線に従い、堆積させられると共にパターン化が行われる。パターン化されたフォトレジストは、次に、マスクとして使用される一方、層ゲート材料はエッチングされる。フォトレジストのパターン化および後に続くエッチングの結果として、ゲート導体１６のようなゲートが得られ、ゲート長さは、活性／隔離境界面の間の領域よりも、活性／隔離境界面においてより長くなる。ゲート導体がマスクとして用いられる一方、ソース／ドレインの埋設が行われる。側壁スペーサが形成されると共に、ソース／ドレイン領域の形成のための埋設の間に、マスクとして使用される。
【００１７】
図５に示されるのは、レイアウト１３であり、図４のレイアウト１１の変形形態として、図４に示されるマスクとしても考えられる。ジョグ１２４および１２６は、ゲート導体１６を成形する他に目的を持たないが、寸法６２および６８を増加させることにより、図４のジョグ１２８および１３０は、ゲート導体１６への電気接触を得るために、接触領域を形成する際に使用するコンタクトフィーチャ７４となり得る。これは、ゲートに必要とされるコンタクト、並びに活性／隔離境界におけるゲート長さの増加の両方を達成する有効な方法であり得る。これは、左側に対称性を有すると共に、右側に対称性を有することの結果例であるが、右側および左側は、互いに対称的ではないかもしれない。レイアウト１１に関して、用いられる実際の寸法は、特定の加工およびリソグラフィ法に基づく。しかしながら、原則としては、ゲートフィーチャのジョグは、ゲートフィーチャのジョグと整列させられ、或いは略整列させられるジョグを有するゲートフィーチャと平行なラインと組み合わせて使用され、活性領域および隔離領域の間をゲートが横切る両方の境界部において、ゲート長さが、これら境界部の間の中間領域においてよりも長くなるように、ゲート導体を成形するために使用され得る。
【００１８】
これまでに、当然のことながら、活性領域、隔離領域、およびパターン化ゲート材料を有する半導体装置が提供されている。隔離領域は、活性素子領域との境界を形成する。パターン化ゲート材料は、境界の第１部分と第２部分との間で、活性素子領域と重なると共に、活性素子領域内にチャネルを画定するためのものである。パターン化ゲート材料は、パターン化ゲート材料の主要寸法に沿った中心線と直交して、境界の第１部分と第２部分との間よりも、境界の第１部分と第２部分とに近接する部分がより大きいゲート長さ寸法を有する。半導体装置は、更に、境界の第１部分に近接する第１端と、境界の第２部分に近接する第２端を含むチャネルによって特徴付けられ、チャネルは更に、チャネルの両端においてテーパが付けられているゲート長さ寸法によって特徴付けられる。半導体装置は、更に、中心線と直交して、中心線に関して対称的な第１部分に近接しているゲート長さ寸法によって特徴付けられ得る。半導体装置は、更に、中心線と直交して、中心線に関して非対称的な第１部分に近接しているゲート長さ寸法によって特徴付けられ得る。半導体装置は、更に、中心線と直交して、中心線に関して対称的な第２部分に近接しているゲート長さ寸法によって特徴付けられ得る。半導体装置は、更に、中心線と直交して、中心線に関して非対称的な第２部分に近接しているゲート長さ寸法によって特徴付けられ得る。半導体装置は、更に、中心線と直交して、（ｉ）中心線に関して対称的である第１部分に近接し、且つ、（ｉｉ）中心線に関して対称的である第２部分に近接するゲート長さ寸法によって特徴付けられ得る。半導体装置は、更に、中心線と直交して、（ｉ）中心線に関して非対称的である第１部分に近接し、且つ、（ｉｉ）中心線に関して非対称的である第２部分に近接するゲート長さ寸法によって特徴付けられ得る。半導体装置は、更に、浅溝（ｓｈａｌｌｏｗ  ｔｒｅｎｃｈ）隔離領域を含む隔離領域によって、特徴付けられ得る。半導体装置は、更に、ポリシリコンおよび金属からなるグループの一つを含むパターン化ゲート材料によって特徴付けられる。半導体装置は、更に、境界の第１部分と第２部分との間における短チャネル効果と比べて、境界の第１部分と第２部分とに近接して、チャネルの両端におけるより大きなゲート長さ寸法に応じて減少させられる短チャネル効果によって特徴付けられ得る。半導体装置は、更に、境界の第１部分と第２部分との間におけるチャネル幅を含むチャネルによって特徴付けられ、好ましくない電流密度の大きさの効力は、チャネルの少なくとも一端から、内方へ、おおよそチャネル幅の３０から５０パーセント（３０〜５０％）の間の最大距離で広がる。半導体装置は、更に、約１００ナノメートルのチャネル幅と、チャネルの少なくとも一端から、内方へ、約３０から５０ナノメートルの間で広がる好ましくない電流密度の大きさによって特徴付けられ得る。
【００１９】
また、説明されるのは、活性領域、隔離領域、およびパターン化ゲート材料を有する半導体装置である。隔離領域は、活性素子領域との境界を形成する。パターン化ゲート材料は、活性素子領域内にチャネルを画定するために、境界の第１部分と第２部分との間で、活性素子領域と重なる。パターン化ゲート材料は、ゲート材料の主要寸法に沿って中心線と直交し、境界の第１部分と第２部分との間よりも、境界の第１部分と第２部分とに近接して大きいゲート長さ寸法を有する。チャネルは、境界の第１部分に近接する第１端と、境界の第２部分に近接する第２端を含み、チャネルは、更に、チャネルの両端においてテーパが付けられたゲート長さ寸法によって特徴付けられる。第１部分に近接している中心線と直交するゲート長さ寸法は、中心線に関して対称的又は非対称的である。第２部分に近接している中心線と直交するゲート長さ寸法は、中心線に関して対称的または非対称的である。
【００２０】
また、説明されるのは、半導体装置の製造方法である。本方法は、活性素子領域の周りに、隔離領域を形成する工程を含む。本方法は、更に、隔離領域と活性素子領域とに重ねて、ゲート材料をパターン化する工程を含み、パターン化工程は、活性素子領域内でチャネルを画定する境界の第１部分と第２部分との間で、少なくとも活性素子領域と重なる主要寸法を有するパターン化ゲート材料を結果的に得るために、ゲート材料をパターン化する工程を含み、パターン化されたゲート材料は、パターン化ゲート材料の主要寸法に沿った中心線と直交し、境界の第１部分と第２部分との間よりも、境界の第１部分と第２部分とに近接してより大きいゲート長さ寸法を有する。本方法は、更に、ゲート材料パターン化工程が、更に、マスクを用いた活性素子領域と重なるゲート材料のリソグラフィ処理に応じて、パターン化されたゲート材料の主要寸法に沿って、ゲート長さ寸法を生じさせるように構成されるゲート形状テーパフィーチャを備えたマスクを提供する工程を含むことによって特徴付けられ得る。本方法は、更に、ゲート形状テーパフィーチャを備えたマスクを提供する工程が、光近接効果補正処理に先立ち、且つマスク作成に先立ち、半導体装置の素子レイアウト内に、ゲートテーパ調整フィーチャを提供する工程を含むことによって特徴付けられ得る。本方法は、更に、境界の第１部分に近接する第１端と、境界の第２部分に近接する第２端とを含むチャネルによって特徴付けられ、チャネルは更に、チャネルの両端においてテーパが付けられたゲート長さ寸法によって特徴付けられる。本方法は、更に、中心線と直交して、中心線の周りにおいて対称的または非対称的である第１部分に近接するゲート長さ寸法によって特徴付けられ、且つ、中心線と直交して、第２部分に近接するゲート長さ寸法は、中心線に関して、対称的または非対称的である。本方法は、更に、浅溝隔離を含む隔離領域によって特徴付けられ、且つ、ゲート材料は、ポリシリコンおよび金属からなるグループの一つを含む。
【００２１】
本発明は、特定の導電型又は電位の極性に関して説明されているが、当該技術分野に属する者であれば認識できるように、導電型および電位の極性は、逆にされてもよい。
更に、「前」、「後」、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「左」、「右」、「上側」、「下側」等の説明内および請求の範囲内の用語は、もしあれば、説明を目的として用いられており、また必ずしも、恒久的な相対位置を説明するために用いられるものではない。当然のことながら、これまでに使われた用語は、本明細書に説明される実施形態が、例えば、本明細書において例証され、或いは他に説明されるもの以外の配向で作用可能であるように、適当な状況下において相互に交換可能である。
【００２２】
本発明は、本明細書において、特定の実施形態を参照して説明されているが、以下の請求の範囲に記載の本発明の範囲から逸脱することなく、様々な変形および変更がなされてよい。例えば、レイアウト自体は、ジョグを有さなくてもよく、且つ、ジョグはマスクレベルで付加されてもよい。従って、明細書および図面は、限定的な意味ではなく、例証的な意味で考慮されるべきであり、且つ、これらの変形全ては、本発明の範囲内に含まれるように意図される。特定の実施形態に関して、本明細書に記載されるあらゆる利益、効果、或いは問題に対する解決策は、いずれか又は全ての請求項の重要な、必須の、又は本質的な機能と解釈されるように意図されない。
【００２３】
更に、本明細書で用いられる用語「ａ」又は「ａｎ」は、１個又は１個以上として定義される。また、請求項において、「少なくとも１個」および「１個またはそれ以上」等の前置きの句の使用は、たとえ、同じ請求項が導入の句「１個またはそれ以上の」或いは「少なくとも１個」、および「ａ」又は「ａｎ」等の不定冠詞を含む時であっても、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による別の請求項要素の導入が、この導入された請求項要素を含む特定請求項を、この要素の一つのみを含む発明に制限することを暗示するように解釈されるべきではない。同じことが、定冠詞の使用についても当てはまる。
【００２４】
特に明記しない限り、「第１」および「第２」等の用語は、これらの用語が説明する要素の間で、任意に区別するために使用される。従って、これらの用語は、必ずしも、これら要素の時間的又は他の優先順位を指示することを意図するものではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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