(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成された密着層と、
該密着層上に形成された配線層と
を有し、
前記密着層は、窒化ＮｉＣｕ合金により形成され、
前記窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量は、１．５ａｔｏｍｓ％以上３．５ａｔｏｍｓ％以下であり、
前記密着層に含まれるＮｉの含有率は２０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
基板と、
該基板上に形成された密着層と、
該密着層上に形成された配線層と
を有し、
前記密着層は、窒化ＮｉＣｕ合金により形成され、
前記窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量は、１．５ａｔｏｍｓ％以上３．５ａｔｏｍｓ％以下であり、
前記窒化ＮｉＣｕ合金における窒素以外のＮｉ及びＣｕの重量比率は、Ｎｉ：Ｃｕ＝１：２であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２記載の配線基板であって、
前記配線層は、前記密着層の上に形成されたシード層を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の配線基板であって、
前記基板は、基板本体と該基板本体の表面に形成された樹脂絶縁層とを含むことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
表面が絶縁樹脂よりなる基板を準備し、
該基板上に、窒化ＮｉＣｕ合金により密着層を形成し、
該密着層上に配線層を形成し、
前記密着層の形成は、窒素を添加した雰囲気中でＮｉＣｕ合金をターゲットとしてスパッタリング法により行い、
前記雰囲気はＡｒガス雰囲気であり、該Ａｒガス雰囲気への窒素の添加量を５％以上１０％以下とし、
前記配線層の形成は、前記密着層上にＣｕシード層を形成してから該Ｃｕシード層上にＣｕ配線層を形成することを含み、
前記密着層を形成するＮｉＣｕ合金のＮｉの含有率を２０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下とし、
前記配線層が形成されない領域において、前記配線層をエッチングで除去する際に同時に前記密着層をエッチングして除去することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の配線基板の製造方法であって、
前記密着層を形成するＮｉＣｕ合金における窒素以外のＮｉ及びＣｕの重量比率をＮｉ：Ｃｕ＝１：２とすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６記載の配線基板の製造方法であって、
前記基板の準備は、基板本体上に樹脂により絶縁層を形成することを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関し、特に、配線層と絶縁層との間に密着層が設けられた配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣｕ配線基板において、基板本体上に形成される絶縁層とその上に形成されるＣｕ配線層との間に密着層が設けられる場合が多い（例えば、特許文献１参照）。密着層は、絶縁層とＣｕ配線層の両方に対して良好な密着性を有する材料で形成される。そのような材料として、例えばＣｕＮのような金属材料が用いられる。密着層を設けることにより、基板本体からＣｕ配線層が剥がれないように固定することができる。
【０００３】
基板本体上に形成する絶縁層とて樹脂材料が用いられることが多い。用いられる樹脂の種類によっては、ＣｕＮで形成した密着層であっても、密着強度が不十分な場合がある。密着層の密着強度が不十分であると、ＣｕＮ密着層と樹脂絶縁層との間で剥離が生じ、ＣｕＮ密着層と共にＣｕ配線層が剥離してしまうおそれがある。そこで、密着層をＮｉＣｕ合金で形成して、樹脂絶縁層と密着層との間の密着性を改善することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２１８５１６号公報
【特許文献２】特開２００９−１８８３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２で提案されたように密着層をＮｉＣｕ合金で形成して絶縁層と密着層との間の密着性を改善した場合でも、絶縁層を形成する樹脂の種類によっては密着性が不十分であり、密着層の剥離が生じることがある。
【０００６】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、絶縁層に対する密着層の密着強度が向上された配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、基板と、該基板上に形成された密着層と、該密着層上に形成された配線層とを有し、前記密着層は、窒化ＮｉＣｕ合金により形成され、前記窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量は、１．５ａｔｏｍｓ％以上３．５ａｔｏｍｓ％以下であり、前記密着層に含まれるＮｉの含有率は２０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下であることを特徴とする配線基板が提供される。また、本発明の他の観点によれば、基板と、該基板上に形成された密着層と、該密着層上に形成された配線層とを有し、前記密着層は、窒化ＮｉＣｕ合金により形成され、前記窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量は、１．５ａｔｏｍｓ％以上３．５ａｔｏｍｓ％以下であり、前記窒化ＮｉＣｕ合金における窒素以外のＮｉ及びＣｕの重量比率は、Ｎｉ：Ｃｕ＝１：２であることを特徴とする配線基板が提供される。
【０００８】
また、本発明のさらに他の観点によれば、表面が絶縁樹脂よりなる基板を準備し、該基板上に、窒化ＮｉＣｕ合金により密着層を形成し、該密着層上に配線層を形成し、前記密着層の形成は、窒素を添加した雰囲気中でＮｉＣｕ合金をターゲットとしてスパッタリング法により行い、前記雰囲気はＡｒガス雰囲気であり、該Ａｒガス雰囲気への窒素の添加量を５％以上１０％以下とし、前記配線層の形成は、前記密着層上にＣｕシード層を形成してから該Ｃｕシード層上にＣｕ配線層を形成することを含み、前記密着層を形成するＮｉＣｕ合金のＮｉの含有率を２０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下とし、前記配線層が形成されない領域において、前記配線層をエッチングで除去する際に同時に前記密着層をエッチングして除去することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板と配線層との間に設けられた密着層が基板から剥離することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態による配線基板の一部の断面図である。
【図２】絶縁層形成工程を示す図である。
【図３】密着層形成工程を示す図である。
【図４】シード層形成工程を示す図である。
【図５】レジスト膜形成工程を示す図である。
【図６】配線及び配線パターン形成工程を示す図である。
【図７】レジスト膜除去工程を示す図である。
【図８】シード層及び密着層除去工程を示す図である。
【図９】密着層のピール強度を示すグラフである。
【図１０】Ａｒガス雰囲気への窒素ガスの添加量を変えてスパッタリング法で窒化ＮｉＣｕ合金を形成したときの窒化ＮｉＣｕ合金の組成を示すグラフである。
【図１１】窒素ガスの添加量を変えたときの窒化ＮｉＣｕ合金中の窒素含有量の変化を示すグラフである。
【図１２】サブトラクティブ法により配線を形成する工程において、基板を準備する工程を示す図である。
【図１３】サブトラクティブ法により配線を形成する工程において、密着層及びシード層を形成する工程を示す図である。
【図１４】サブトラクティブ法により配線を形成する工程において、Ｃｕめっき層を形成する工程を示す図である。
【図１５】サブトラクティブ法により配線を形成する工程において、レジスト膜を形成する工程を示す図である。
【図１６】サブトラクティブ法により配線を形成する工程において、Ｃｕめっき層の不要な部分を除去する工程を示す図である。
【図１７】サブトラクティブ法により配線を形成する工程において、レジスト膜を除去する工程を示す図である。
【図１８】デュアルダマシン法により配線を形成する工程において、基板を準備する工程を示す図である。
【図１９】デュアルダマシン法により配線を形成する工程において、密着層及びシード層を形成する工程を示す図である。
【図２０】デュアルダマシン法により配線を形成する工程において、Ｃｕめっき層を形成する工程を示す図である。
【図２１】デュアルダマシン法により配線を形成する工程において、Ｃｕめっき層の不要な部分を除去する工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態による配線基板の一部の断面図である。本発明の一実施形態による配線基板１０は、基板本体１１と、パッド１２と、絶縁層１３と、密着層１５と、シード層１６と、配線パターン１８と、配線１９とを有する。シード層１６、配線パターン１８及び配線１９は配線層に相当する。
【００１３】
基板本体１１の上には、パッド１２及び絶縁層１３が形成され。基板本体１１としては、例えば、コア付きビルドアップ基板やコアレス基板等を用いることができる。パッド１２は、基板本体１１の上面１１Ａに設けられる。パッド１２は、基板本体１１に設けられた配線及びビア（図示せず）と電気的に接続されている。
【００１４】
絶縁層１３は、基板本体１１の上面１１Ａ上に形成されている。絶縁層１３にはビア孔２１（開口部）が形成されており、ビア孔２１の底部でパッド１２の上面が露出している。ビア孔２１は、配線パターン１８の一部となるビア２３を形成するために設けられた開口部である。絶縁層１３としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁樹脂材料が用いられる。
【００１５】
なお、基板本体１１自体が例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂のような絶縁性樹脂材料で形成されている場合は、絶縁層１３を形成する必要はない。そのような場合は、絶縁層１３は基板本体１１に含まれていると解釈できる。したがって、基板本体１１が絶縁性樹脂材料で形成されている場合は基板本体１１が基板に相当し、基板本体１１上に絶縁層１３が形成されている場合は基板本体１１と絶縁層１３との組み合わせが基板に相当する。このような基板の上に密着層１５が形成される。
【００１６】
本実施形態では、密着層１５は、配線パターン１８及び配線１９の形成領域に対応する部分の絶縁層１３の上面１３Ａ、ビア孔２１の内面となる絶縁層１３の面、及びビア孔２１の底部に露出したパッド１２の上面に設けられている。密着層１５は、絶縁層１３とシード層１６との間に配置される。密着層１５は、シード層１６に対して密着性がよく、且つ絶縁層１３に対しても密着性がよい材料で形成される。なお、上述のように基板本体１１として例えばエポキシ樹脂基板を用いる場合は、絶縁層１３は形成されず、基板本体１１の上に直接密着層１５が形成される。
【００１７】
本実施形態において、密着層１５は、窒化ＮｉＣｕ合金により形成される。すなわち、密着層１５は、ＮｉＣｕ合金に窒素を含有させた材料により形成された薄膜である。窒化ＮｉＣｕ合金より形成する密着層１５に含まれるＮｉの含有率は、例えば、２０ｗｔ％以上とすることが好ましい。これにより、密着層１５と絶縁層１３との間の密着性を向上させることができる。絶縁層１３とシード層１６との間に配置する密着層１５を、Ｎｉの含有率が２０ｗｔ％以上の窒化ＮｉＣｕ合金を用いることにより、絶縁層１３と密着層１５との間の密着性が向上するため、絶縁層１３から密着層１５が剥がれ難くなる。
【００１８】
また、窒化ＮｉＣｕ合金に含まれるＮｉの含有率は、例えば、２０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下（２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％）の範囲内で設定することが好ましい。このように、窒化ＮｉＣｕ合金に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内に設定することにより、絶縁層１３から密着層１５が剥がれ難くなる。さらに、例えば、シード層１６としてＣｕ層を用いた場合に、不要な部分のシード層１６を除去するために使用するＣｕ用エッチング液（例えば、硫酸系水溶液）を用いて、窒化ＮｉＣｕ合金により形成され密着層１５をエッチングして除去することができる。
【００１９】
なお、窒化ＮｉＣｕ合金に含まれるＮｉの含有率が７５ｗｔ％を超えた場合、Ｃｕ用エッチング液を用いてＮｉ−Ｃｕ合金層１５を除去することが難しい。窒化ＮｉＣｕ合金に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定した場合、窒化ＮｉＣｕ合金により形成される密着層１５の厚さは、例えば、３０ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましい。
【００２０】
ここで、本実施形態によるに密着層１５には窒素が含有されており、密着層１５は窒化ＮｉＣｕ合金により形成されている。本発明者は、密着層１５の材料としてＮｉＣｕ合金に窒素を含有させることで、樹脂層１３に対する密着層１５の密着強度をさらに改善することができることを新たに発見した。ＮｉＣｕ合金に対する窒素の含有率は、０．５〜５．０ａｔｏｍｓ％であることが好ましい。窒素以外のＮｉ及びＣｕの重量比率は、Ｎｉ：Ｃｕ＝１：２とすることが好ましい。
【００２１】
シード層１６は、密着層１５の上面を覆うように設けられる。シード層１６は、電解めっき法により配線パターン１８及び配線１９を形成する際の給電層として機能する。シード層１６としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。シード層１６としてＣｕ層を用いる場合、シード層１６の厚さは、例えば、３００ｎｍ〜５００ｎｍとすることが好ましい。
【００２２】
なお、配線パターン１８及び配線１９を電解めっき法以外の成膜方法で形成する場合には、給電層としてのシード層１６は不要であり、密着層１５上に配線層として配線パターン１８及び配線１９を直接形成することとしてもよい。
【００２３】
配線パターン１８は、ビア２３と、ビア２３の上部と一体的に構成された配線２４とを含む。ビア２３は、ビア孔２１に形成されたシード層１６上に設けられる。配線２４は、ビア２３及びシード層１６上に設けられる。配線パターン１８の材料としては、例えば、Ｃｕが用いられる。配線パターン１８は、密着層１５及びシード層１６を介して、パッド２１と電気的に接続される。
【００２４】
配線１９は、配線パターン１８から離間した位置に配置されたシード層１６の上面に設けられている。配線１９の材料としては、例えば、Ｃｕを用いられる。
【００２５】
本実施形態による配線基板では、絶縁層１３とシード層１６との間に配置する密着層１５を形成する材料として、窒素の含有率が０．５ａｔｏｍｓ％以上５．０ａｔｏｍｓ％以下（０．５〜５．０ａｔｏｍｓ％）のＮｉＣｕ合金を用いることにより、絶縁層１３と密着層１５との間の密着性が向上するため、絶縁層１３から密着層１５が剥がれ難くなる。
【００２６】
また、密着層１５に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定することにより、絶縁層１３から密着層１５が剥がれ難くなると共に、例えば、Ｃｕ用エッチング液（例えば、硫酸系水溶液）を用いて、密着層１５をエッチングして除去することができる。
【００２７】
次に、上述の配線基板の製造方法について、図２〜図８を参照しながら説明する。図２〜図８は、図１に示す配線基板１０の製造工程を示す図である。この製造工程では、アディティブ法によりＣｕ配線を形成する。
【００２８】
まず、図２に示す絶縁層形成工程では、周知の方法により、基板本体１１の上面１１Ａに、パッド１２と、開口部２１を有した絶縁層１３とを順次形成する。その後、Ａｒプラズマにより、絶縁層１３の上面１３Ａ及び開口部２１を形成する部分の絶縁層１３の面を清浄化する（水分等を除去する）。
【００２９】
基板本体１１としては、例えば、コア付きビルドアップ基板やコアレス基板等の基板を用いることができる。パッド１２は、例えば、サブトラクティブ法やセミアディティブ法等により形成することができる。また、パッド１２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。絶縁層１３は、例えば、パッド１２が形成された基板本体１１の上面１１Ａに、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる半硬化状態の絶縁樹脂シートを貼り付け、半硬化状態の絶縁樹脂シートを硬化させることで形成する。ビア孔２１は、例えば、レーザ加工法により形成する。
【００３０】
続いて、図３に示す密着層形成工程において、絶縁層１３の上面１３Ａと、ビア孔２１を形成する部分の絶縁層１３の面及びパッド１２の上面とを覆うように、窒化ＮｉＣｕ合金により密着層１５を形成する。
【００３１】
密着層１５を窒素の含有率が０．５〜５．０ａｔｏｍｓ％のＮｉＣｕ合金により形成することにより、絶縁層１３と密着層１５との間の密着性が向上する。具体的には、絶縁層１３に対する密着層１５のピール強度が０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上となるため、絶縁層１３から密着層１５が剥離することを防止できる。
【００３２】
なお、窒化ＮｉＣｕ合金層１５に含まれるＮｉの含有率は、例えば、２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定することが好ましい。窒化ＮｉＣｕ合金に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内に設定することにより、絶縁層１３から密着層１５が剥がれ難くなくなると共に、シード層１６の不要な部分を除去する際に使用するＣｕ用エッチング液（例えば、硫酸系水溶液）を用いて、密着層１５の不要な部分（配線パターン１８及び配線１９の形成領域以外の部分に形成された密着層１５）を除去することができる。これにより、シード層１６の不要な部分と、密着層１５の不要な部分とを別々のエッチング液を用いて除去する必要がなくなるため、配線基板１０の製造コストの増加を抑制することができる。
【００３３】
密着層１５に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％の範囲内で設定した場合、窒化ＮｉＣｕ合金で形成される密着層１５の厚さを、例えば、３０ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。
【００３４】
密着層１５は、例えば、スパッタリング法により形成されることが好ましい。スパッタリング法を用いて窒化ＮｉＣｕ合金の密着層１５を形成することにより、密着層１５（窒化ＮｉＣｕ合金）に含まれる窒素及びＮｉの含有率を精度よく所望の割合に設定することができる。例えば、スパッタリング法により使用するＮｉＣｕ合金ターゲットのＮｉ含有率を３３ｗｔ％とすることで、上述の比率Ｎｉ：Ｃｕ＝１：２を達成することができる。
【００３５】
次いで、図４に示すシード層形成工程では、密着層１５の上面を覆うように、シード層１６ｗ形成する。シード層１６は、例えば、スパッタ法により形成することが好ましい。スパッタ法を用いてシード層１６を形成することにより、密着層１５を形成する際に使用するスパッタ装置を用いてシード層１６を形成することができる。シード層１６の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。シード層１６をＣｕで形成した場合、シード層１６の厚さは、例えば、３００ｎｍ〜５００ｎｍとすることが好ましい。
【００３６】
次いで、図５に示すレジスト膜形成工程において、シード層１６の上面に、開口部２７Ａ，２７Ｂを有するレジスト膜２７を形成する。開口部２７Ａは、配線パターン１８の形成領域に対応する部分のシード層１６の上面が露出するように形成される。開口部２７Ｂは、配線１９の形成領域に対応する部分のシード層１６の上面が露出するように形成される。例えば、レジスト膜２７のＬ／Ｓ＝１２／１２μｍとし、厚さを２５μｍとすることが好ましい。
【００３７】
次いで、図６に示す配線及び配線パターン形成工程において、シード層１６を給電層として用いる電解めっき法により、開口部２７Ａ，２７Ｂで露出された部分のシード層１６上にめっき膜（例えば、Ｃｕめっき膜）を形成することで、ビア２３及び配線２４を有する配線パターン１８と配線１９とを同時に形成する。この段階では、配線パターン１８は、密着層１５及びシード層１６を介して、配線１９と電気的に接続されている。配線１９，２４の厚さは、例えば、２０μｍとすることが好ましい。
【００３８】
次いで、図７に示すレジスト膜除去工程において、図６に示すレジスト膜２７を除去する。次いで、図８に示すシード層及び密着層除去工程において、配線パターン１８及び配線１９の形成領域以外の領域に形成されたシード層１６及び密着層１５の部分（シード層１６の不要な部分及び密着層１５の不要な部分）を除去する。
【００３９】
具体的には、シード層１６としてＣｕ層を用いると共に、密着層１５に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％〜７５ｗｔ％とした場合、シード層１６の不要な部分及び密着層１５の不要な部分を、Ｃｕ用エッチング液（例えば、硫酸系水溶液）を用いることで同時に除去することができる。
【００４０】
以上の工程により、本実施形態による配線基板１０が形成される。
【００４１】
次に、上述の密着層１５の密着性を確認するために行なった実験結果について説明する。本発明者は、上述の製造方法で絶縁層１３の上に密着層１５を形成し、ピール試験を行なった。密着層１５をスパッタリング法で形成する際のＡｒガス雰囲気に窒素ガスを添加してＮｉＣｕ合金に窒素を含有させた。Ａｒガス雰囲気中に添加する窒素ガスを０％〜２０％までの間で変えてサンプルを作成し、ピール試験を行なった。ピール強度は、幅１ｃｍの密着層１５を絶縁層１３から引き剥がすために必要な力（ｋｇｆ／ｃｍ）で表した。図９は密着層１５のピール強度を示すグラフである。
【００４２】
図９からわかるように、窒素ガスを添加しない（０％）ときの密着層１５のピール強度は０．２４ｋｇｆ／ｃｍと低い値であった。Ａｒガス雰囲気に窒素ガスを添加するとピール強度は上昇し、窒素ガスを５％添加したときのピール強度は０．７６ｋｇｆ／ｃｍにまで上昇した。窒素ガスを７．７％添加したときに、ピール強度は最大の９．１ｋｇｆ／ｃｍとなった。窒素ガスの添加量をさらに増やすとピール強度は下がり、窒素ガスの添加量が１５％となると、ピール強度は０．２８ｋｇｆ／ｃｍまで低下した。
【００４３】
ここで、実際の製品で剥離が生じないピール強度を調べた結果、ピール強度が０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上あれば密着層の剥離はほとんど無くなり、実用上問題がないことがわかった。図９のグラフから、ピール強度が０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上となるのは、窒素ガスの添加量が２．５％以上１２．５％以下（２．５％〜１２．５％）までの範囲であることがわかった。そこで、Ａｒガス雰囲気への窒素ガスの添加量を２．５％から１２．５％としたときに、密着層１５として形成された窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量を調べた。
【００４４】
図１０は、Ａｒガス雰囲気への窒素ガスの添加量を変えてスパッタリング法で窒化ＮｉＣｕ合金を形成したときの窒化ＮｉＣｕ合金の組成を示すグラフである。Ａｒガス雰囲気への窒素ガスの添加量が０％のとき（すなわち、窒素ガスを添加しないとき）のＮｉＣｕ合金中のＮｉは３２ａｔｏｍｓ％であり、Ｃｕは６８ａｔｏｍｓ％であった。Ａｒガス雰囲気に窒素ガスを添加すると、窒素を含有するＮｉＣｕ合金、すなわち窒化ＮｉＣｕ合金を形成することができた。窒素ガスの添加量を増やすと、窒化ＮｉＣｕ合金に含有された窒素の量も増加した。
【００４５】
図１１は、図１０における窒素含有量の部分の縦軸を拡大したグラフである。窒素の含有量がよくわかるようにしたものである。すなわち、図１１のグラフは、Ａｒガス雰囲気への窒素ガスの添加量を変えてスパッタリング法で窒化ＮｉＣｕ合金を形成したときの窒化ＮｉＣｕ合金に含まれる窒素の含有量を示すグラフである。図１１のグラフから、Ａｒガス雰囲気への窒素ガスの添加量を２．５％〜１２．５％としたときの窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量は、１ａｔｏｍｓ％以上５ａｔｏｍｓ％以下（１ａｔｏｍｓ％〜５ａｔｏｍｓ％）であることがわかった。したがって、窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量が１ａｔｏｍｓ％〜５ａｔｏｍｓ％の範囲であれば、窒化ＮｉＣｕ合金で形成された密着層１５のピール強度は０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上となることがわかった。すなわち、密着層１５を形成する窒化ＮｉＣｕ合金の窒素含有量を１ａｔｏｍｓ％〜５ａｔｏｍｓ％の範囲とすることで、密着層１５のピール強度を０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上とすることができ、密着層１５の剥離を確実に防止することができる。
【００４６】
上述の配線基板１０の製造工程では、アディティブ法によりＣｕ配線を形成しているが、サブトラクティブ法やダマシン法を用いてＣｕ配線を形成することとしてもよい。
【００４７】
図１２〜図１７はサブトラクティブ法により基板上に密着層を介してＣｕ配線を形成する工程を示す図である。図１２〜図１７において、図２〜図８に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付す。
【００４８】
図１２及び図１３に示す工程において、絶縁膜１３上に密着層１５及びシード層１６を形成する工程は、図２〜図４に示す工程と同じであり、その説明は省略する。密着層１５は上述のように窒化ＮｉＣｕ合金で形成される。サブトラクティブ法では、絶縁膜１３に密着層１５及びシード層１６を形成した後に、図１４に示すめっき層形成工程において、シード層１６の全面にＣｕめっき層３０を電解めっき法により形成する。このＣｕめっき層３０の一部が配線パターン１８及び配線１９となる。
【００４９】
Ｃｕめっき層３０を形成したら、次に図１５に示すレジストパターニング工程において、Ｃｕめっき層の上にレジスト２７を形成し、レジスト２７に開口２７Ｃを形成する。開口２７Ｃは配線パターン１８及び配線１９が形成される領域以外の領域においてＣｕめっき層３０が露出するように形成される。
【００５０】
続いて、図１６に示すめっき層除去工程において、開口２７Ｃで露出したＣｕめっき層３０をエッチングにより除去する。エッチング液として、例えば塩化第二銅溶液を用いる。この時、Ｃｕめっき層３０の下にあるシード層１６及び密着層１５も同時にエッチングにより除去することができる。レジスト２７で覆われためっき層３０の部分が残り、この部分が配線パターン１８及び配線１９となる。そして、図１７に示すレジスト除去工程においてレジスト２７を除去し、配線パターン１８及び配線１９が形成された配線基板１０が完成する。
【００５１】
図１８〜図２１はデュアルダマシン法により基板上に密着層を介してＣｕ配線を形成する工程を示す図である。図１８〜図２１において、図２〜図８に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付す。
【００５２】
図１８において、絶縁膜１３上に密着層１５及びシード層１６を形成する工程は、図２〜図４に示す工程と同じであり、その説明は省略する。ただし、デュアルダマシン法では、絶縁膜１３の配線パターン１８及び配線１９が形成される領域に配線溝１３Ａ，１３Ｂが形成される。配線溝１３Ａは配線パターン１８が形成される領域であり、配線溝１３Ｂは配線１９が形成される領域に相当する。
【００５３】
続いて、図１９に示すように、配線溝１３Ａ，１３Ｂの内面を含む絶縁膜１３の表面に窒化ＮｉＣｕ膜よりなる密着層１５及びシード層１６を形成する。そして、図２０に示すように、電解めっき法によりシード層１６の上にＣｕめっき層４０を形成し、配線溝１３Ａ，１３Ｂの中にＣｕめっき層４０を充填する。そして、図２１に示すように、絶縁層１３の表面に形成されたＣｕめっき層４０を化学機械研磨（ＣＭＰ）により除去し、且つシード層１６及び密着層１５をエッチングにより除去する。これにより、配線溝１３Ａ，１３Ｂの中にＣｕめっき層４０が残り、この部分が配線パターン１８及び配線１９となる。
【００５４】
上述の本実施形態による配線基板及びその製造方法によれば、絶縁層１３とシード層１６との間に配置する密着層１５として窒素を含有したＮｉＣｕ合金層を形成することにより、窒素を含有しないＮｉＣｕ合金で形成した密着層よりも絶縁層１３に対する密着層１５のピール強度を増大することができる。密着層１５の窒素含有量を１ａｔｏｍｓ％以上５ａｔｏｍｓ％以下とすることで、窒化ＮｉＣｕ合金により形成する密着層１５のピール強度は０．５ｋｇ／ｃｍ以上となり、実用上十分なピール強度となるため、絶縁層１３からの密着層１５の剥離を防止することができる。
【００５５】
また、密着層１５を形成する窒化ＮｉＣｕ合金に含まれるＮｉの含有率を２０ｗｔ％以上７５ｗｔ％以下の範囲に設定することにより、例えば、シード層１６としてＣｕ層を用いた場合、Ｃｕ用エッチング液を用いてシード層１６の不要な部分と密着層１５の不要な部分とを同一工程で除去することができる。これにより、配線基板１０の製造コストの増加を抑制することができる。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  配線基板
１１  基板本体
１１Ａ，１３Ａ  上面
１２  パッド
１３  絶縁層
１５  密着層
１６  シード層
１８  配線パターン
１９，２４  配線
２１  ビア孔
２３  ビア
２７  レジスト膜
２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ  開口部
３０，４０  Ｃｕめっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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