(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトを支持するサポートを備えるリソグラフィ装置であって、
前記サポートは、本体の表面から突出する複数の突起を備え、
前記各突起は、該各突起の自由端を前記本体に対して変位させる少なくとも１つの静電アクチュエータを有し、
前記各突起の自由端は、前記静電アクチュエータによって、前記突起が突出する前記本体の前記表面に平行な平面内の成分を有する方向に変位可能である、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記各突起は、複数の静電アクチュエータを有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記複数の静電アクチュエータは、前記各突起の軸の周りに配設される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記各突起は、第１静電アクチュエータ、第２静電アクチュエータ、および第３静電アクチュエータを有し、
前記第１静電アクチュエータは第１中心を有し、
前記第２静電アクチュエータは第２中心を有し、
前記第３静電アクチュエータは第３中心を有し、
前記第１中心、前記第２中心、および前記第３中心は、前記本体の前記表面に平行な別の平面において、半径方向に略１２０°離れる、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記各突起は、前記静電アクチュエータによって生成された電界から前記サポート上の前記オブジェクトを隔離する隔離電極をさらに備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記オブジェクトの上面の平坦性の空間変化の制御のもとで、前記各静電アクチュエータに各電荷を印加することを制御するように動作するコントローラを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
オブジェクトを支持するサポートであって、
該サポートは、本体の表面から突出する複数の突起を含み、
前記各突起は、該各突起の自由端を前記本体に対して変位させる少なくとも１つの静電アクチュエータを有し、
前記各突起の自由端は、前記静電アクチュエータによって、前記突起が突出する前記本体の前記表面に平行な平面内の成分を有する方向に変位可能である、サポート。
【請求項８】
前記各突起は、複数の静電アクチュエータを有する、請求項７に記載のサポート。
【請求項９】
前記複数の静電アクチュエータは、前記各突起の軸の周りに配置される、請求項８に記載のサポート。
【請求項１０】
前記各突起は、第１静電アクチュエータ、第２静電アクチュエータ、および第３静電アクチュエータを有し、
前記第１静電アクチュエータは第１中心を有し、
前記第２静電アクチュエータは第２中心を有し、
前記第３静電アクチュエータは第３中心を有し、
前記第１中心、前記第２中心、および前記第３中心は、前記本体の前記表面に平行な別の平面において、半径方向に略１２０°離れる、請求項７に記載のサポート。
【請求項１１】
前記各突起は、前記静電アクチュエータによって生成された電界から前記サポート上の前記オブジェクトを隔離する隔離電極をさらに備える、請求項７〜１０のいずれか１項に記載のサポート。
【請求項１２】
基板サポートの本体の表面からの複数の突起の自由端上に支持された基板の上面上に放射ビームを投影することと、
前記突起のうちの少なくとも１つの突起の自由端を、該突起に関連する静電アクチュエータを用いて、前記本体に対して変位させることによって、前記基板の前記上面のプロファイルを変化させることと、を含み、
前記各突起の自由端は、前記静電アクチュエータによって、前記突起が突出する前記本体の前記表面に平行な平面内の成分を有する方向に変位可能である、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、サポート、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  この機械は、比較的高屈折率を有する液体（例えば、水）が、投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすものであってよい。一実施形態において、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。別の流体、特に湿潤流体、非圧縮流体、および／または空気より高い屈折率、望ましくは水より高い屈折率を有する流体が適切な場合もある。気体を除く流体が特に望ましい。上記の要点は、露光放射は液体中でより短い波長を有するという理由で、より小さいフィーチャの結像を可能にすることである。（この液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を増加させ、かつ焦点深度を増加させるものとみなすこともできる。）固体粒子（例えば、石英）が中に懸濁している水、またはナノ粒子懸濁液（例えば、最大寸法が１０ｎｍの粒子）などの、その他の液浸液も提案されている。懸濁された粒子は、粒子が懸濁された液体の屈折率と同等または同一の反射率を有してもよいし、有さなくてもよい。適切であり得る他の液体には、芳香族炭化水素などの炭化水素、フッ化炭化水素、および／または水溶液が含まれる。
【０００４】
[0004]  パターニングデバイスを使用して、回路パターンの代わりに、カラーフィルタパターンまたはドットマトリックスなどの他のパターンを形成し得る。パターニングデバイスは、当該回路または他の適用可能なパターンを生成する個別制御可能素子アレイを備えるパターニングアレイを、従来のマスクの代わりに備え得る。従来のマスクベースのシステムと比較した、そのような「マスクレス」システムの利点は、より迅速に、かつより少ない費用でパターンを設ける、および／または変更することができることである。
【０００５】
[0005]  従って、マスクレスシステムは、プログラマブルパターニングデバイス（例えば、空間光変調器、コントラストデバイス）を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子アレイを用いて所望のパターン付きビームを形成するように（例えば、電子的に、または光学的に）プログラムされる。プログラマブルパターニングデバイスのタイプには、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）アレイ、グレーティングライトバルブアレイなどが含まれる。
【０００６】
[0006]  その全体が参照により本明細書に組み込まれる、ＷＯ２０１０／０３２２２４に開示されているように、従来のマスクの代わりに、変調器が、所望のパターンに応じて変調された複数のビームに対して基板の露光領域をさらすように構成されてよい。投影システムは、変調されたビームを基板上に投影するように構成されてよく、複数のビームを受けるレンズアレイを含み得る。投影システムは、露光領域の露光中、変調器に対してレンズアレイを移動させるように構成されてよい。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置は、（例えば、５〜２０ｎｍの波長を有する）極端紫外線を用いるＥＵＶ装置とすることができる。
【０００８】
[0008]  ますます増大しつつあるサイズを有する基板がリソグラフィ装置において処理される。現在、最大３００ｍｍの基板サイズがリソグラフィプロセスで用いられている。基板の直径を、例えば、約４５０ｎｍの直径まで増加させることが望ましい。このようなより大きい基板は、より小さい厚さ対直径比を有することになり、曲げ剛性の低下を招く。結果として、基板は、拡大された位置における３つのｅピンに対するより大きい重力たわみを有することになり、これは、本質的に、より大きい基板負荷グリッドエラーと、潜在的にはオーバーレイエラーにもつながるおそれがある。また、ｅピンは、直径３００ｍｍの基板と比較して、増加した基板の重量を支持するより大きい表面積を有する必要があるであろう。このことは、基板がサポートにクランプされる際に平坦性の低下につながる可能性がある（というのは、その状態で、基板はｅピンの上方に支持されないからである）。
【０００９】
[0009]  基板領域の増加とともに、基板テーブルＷＴと基板ステージがより薄くされない限り、基板テーブルＷＴの奥行きは、基板テーブルＷＴの幅および長さ、従って基板の直径と同じ割合で増加する。こうして、例えば、３００ｍｍ基板に対する４５０ｍｍ基板Ｗについて、直径は５０％、比例して増加するが、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴの各々の領域は、１２５％増加し、基板テーブルＷＴの体積および質量はおよそ２４０％増加するであろう。そのような体積の増加は、きわめて望ましくない。しかし、より薄い基板テーブルＷＴを有する際、当該テーブルはより剛性が低くなり、よりしなやかになり、より曲がりやすくなる。その結果、基板テーブルＷＴおよびそれが支持している基板Ｗの正確な位置決めがより難しくなる。そのような、よりしなやかな基板テーブルＷＴを効果的に用いること、すなわち、その位置を十分に正確に知ることを可能にするための方策が必要である。
【００１０】
[0010]  基板テーブルの平坦な上面は、高コストでしか実現することができない。さらに、使用中、基板テーブルの平坦性は低下する場合がある。例えば、このことは、基板を支持する表面の摩耗、または表面上の汚染粒子に起因する可能性がある。基板テーブルのサポート表面の非平坦性は、サポート表面上に支持されている基板の上面の非平坦性につながる。このことは、すべてのサイズの基板にとっての問題であるものの、直径３００ｍｍの基板と比較して直径４５０ｍｍの基板について、より深刻であるとみられている。
【００１１】
[0011]  基板の上面の非平坦性は、基板の露光中、ＸおよびＹ方向（投影システムの光軸に直交する方向）の回転を行うことによって対処することができる。しかし、このことは複合制御に関し、スループットの低下につながることがあり、および／または、非最適なオーバーレイ制御および焦点制御の原因となる動的外乱を有害に生じさせるおそれがある。
【００１２】
[0012]  米国特許第４，５０４，０４５号において、基板テーブルの上面でのピエゾアクチュエータの使用が提案されている。しかし、短時間であってもピエゾアクチュエータの位置を制御することは難しい場合がある。
【発明の概要】
【００１３】
[0013]  サポート上の基板などのオブジェクトの平坦性を改善するように方策が採られたサポートを設けることが望ましい。
【００１４】
[0014]  本発明の一態様によれば、オブジェクトを支持するサポートであって、本体の表面から突出する複数の突起を備え、突起の各々は、該関連する突起の自由端を本体に対して変位させる、関連する静電アクチュエータを有する、サポートが提供される。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様によれば、基板サポートの本体の表面からの複数の突起の自由端上に支持された基板の上面上に放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、前記突起のうちの少なくとも１つの突起の自由端を、該突起に関連する静電アクチュエータを用いて、本体に対して変位させることによって、基板の上面のプロファイルが変化する、デバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
[0016]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１７】
【図１】[0017]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0018]  図２は、一実施形態に係るサポートの概略平面図である。
【図３】[0019]  図３は、図２の線ＩＩＩに沿う断面図である。
【図４】[0020]  図４は、アクチュエータおよび関連する突起の詳細を示す断面図である。
【図５】[0021]  図５は、アクチュエータおよび関連する突起の詳細を示す断面図である。
【図６】[0022]  図６は、複数の関連するアクチュエータを有する突起の詳細を示す断面図である。
【図７】[0023]  図７は、図６の実施形態の平面図である。
【図８】[0024]  図８は、複数の関連するアクチュエータを有する投影の実施形態の平面図である。
【図９】[0025]  図９は、接続スキームの概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0026]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
−放射ビームＢ（例えば、紫外線またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（照射システム）ＩＬと、
−パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
−基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
−パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００１９】
[0027]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２０】
[0028]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２１】
[0029]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００２２】
[0030]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２３】
[0031]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２４】
[0032]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２５】
[0033]  リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（またはステージやサポート）、例えば、２つ以上の基板テーブル、または１つ以上の基板テーブルと１つ以上のセンサまたは測定テーブルの組合せを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置は、基板、センサ、および測定テーブルと同様の態様で並行して使うことができる２つ以上のパターニングデバイス（またはステージやサポート）を有してよい。
【００２６】
[0034]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味だけではなく、単に、露光中、投影システムと基板および／またはマスクとの間に液体が位置することができることを意味するものである。このことは、液体内に沈められている基板などの構造を伴ってよく、伴わなくてもよい。参照符号ＩＭは、浸漬技術を実施する装置が配置され得る場所を示している。そのような装置は、浸漬液の供給システムと、該当領域に液体を収容するシール部材とを含み得る。そのような装置は、基板テーブルが浸漬液によって完全に覆われるように、任意に配置されてよい。
【００２７】
[0035]  イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２８】
[0036]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとみなされてよく、またみなされなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部分であってよく、またはリソグラフィ装置とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬがリソグラフィ装置上に設置されることを可能にするように構成され得る。必要に応じて、イルミネータＩＬは着脱可能であり、（例えば、リソグラフィ装置製造業者または別の供給業者によって）別個に設けられてよい。
【００２９】
[0037]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３０】
[0038]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００３１】
[0039]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００３２】
[0040]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が部分的に決まる。
【００３３】
[0041]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、他のモードと同様に、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３４】
[0042]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３５】
[0043]  リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴを備える。基板テーブルＷＴの上部が図２〜図８に詳細に示されている。図２は、基板テーブルＷＴのサポート１の一実施形態の平面図である。サポート１は、オブジェクト、リソグラフィ装置の場合、基板Ｗを支持するように構成される。
【００３６】
[0044]  サポート１は、サポート表面２０を備える。サポート表面２０は、基板テーブルＷＴ上に基板Ｗを支持するように構成される。サポート表面２０は、本体２２の上面２５から支持高さまで延在する個別のバール（図２に黒色点として示す突起５０）の量によって画定される。
【００３７】
[0045]  突起５０は、例えば、約１．５〜３．０ｍｍのピッチを有し得る。一実施形態において、サポート表面２０を形成する少なくとも４０，０００個の突起が存在する。一実施形態において、サポート表面２０を形成する最大６０，０００個のバール、またはそれ以上のバールが存在し得る。基板Ｗが支持される突起５０の上面がサポート表面２０を画定する。
【００３８】
[0046]  突起５０は、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に配置される際に基板Ｗに接触する表面積を低減させるために存在する。各接触点は、潜在的な汚染の源であり、総接触領域を低減させることによって汚染の可能性が減少する。
【００３９】
[0047]  サポート１は、サポート表面２０上の既定の領域において基板Ｗを受けるように構成される。既定の領域は、中心３０を備える。中心３０は、基板テーブルＷＴ上に配置される基板Ｗの中心を受けることになる。
【００４０】
[0048]  既定の領域は、比較的大きいサイズの基板Ｗ、例えば、直径４５０ｍｍの円形基板を受けるように設計され得る。そのような大きいサイズの基板Ｗは、より小さい厚さ対直径比を有することになり、曲げ剛性の低下を招く。一実施形態において、既定の領域は、直径４５０ｍｍの円形基板と平面図において異なる形状、および／または異なるサイズを有する基板Ｗを受けるように設計され得る。
【００４１】
[0049]  図３は、図２に示す線ＩＩＩを通る、図２の実施形態の断面図である。図３は、サポート表面２０を形成しかつ基板Ｗが支持される表面を各々の自由端において有する複数の突起５０を示している。
【００４２】
[0050]  破線で示されているのは、基板Ｗがサポート１上に配置された直後の基板Ｗの位置および突起５０ａの位置である。非平坦性の領域４５（突起）が存在する。調整無しで、結像中の焦点エラーおよび／またはオーバーレイエラーを回避するために、スキャン中のＸ軸および／またはＹ軸を中心とした回転が必要とされる。Ｚ方向に（下向きに）非平坦性の領域４５の下の突起５０ａの位置を調整することによって、基板Ｗの上面の平坦性（実線で示す）を改善することができる。これによって、結像中のＲｘ方向およびＲｙ方向の回転の必要性が少なくなる、および／または、減少したオーバーレイエラーおよび／または焦点エラーがもたらされる。
【００４３】
[0051]  サポート１は、いかなる種類のサポート１であってもよい。基板Ｗの底面と、突起５０と、本体２２の上面２５との間の負圧の生成に作用するサポート１とすることができる。別の実施形態において、サポート１は、基板Ｗが静電力によってサポート１に引き付けられる静電サポート１とすることができる。静電力は、サポート１の電極と基板Ｗとの電位差を印加することによって生成される（これは、この目的のために底面に導電コーティングを塗布することを必要とし得る）。
【００４４】
[0052]  突起５０ａが、本体２２に対して変位したサポート表面２０の一部を形成する自由端を有し得る方法を、図４〜図８を参照して説明する。一実施形態において、突起５０の各々は、関連する静電アクチュエータ７０を有し、これらは該静電アクチュエータ７０に関連する突起５０の自由端を本体２２に対して変位させるためのものである。このように、サポート表面２０の形状を変えることができる。
【００４５】
[0053]  静電アクチュエータ７０の、例えばピエゾアクチュエータに対する利点は、静電アクチュエータ７０の変位が静電アクチュエータ７０の電極にわたって所与の電位差に対して一定であることである。従って、そのようなシステムは長期にわたって安定し、静電アクチュエータ７０の位置設定と結像との間の位置ずれは起こる可能性が低い、または小さくなるにすぎない。というのは、静電アクチュエータ７０がその電極（導電層７２、７４）に印加された電荷を維持し、それは電極（導電層７２、７４）間の（真空、ガスもしくはガスの混合物、または誘電材料によって占められる）ギャップ７６の電位差であり、これは、変位の原因となる。従って、電荷がギャップ７６内に行き渡らないので電極（導電層７２、７４）からの電荷の漏れがない。このことは、長期にわたって位置ずれを招く傾向があり得る誘電アクチュエータの材料内に電荷がいきわたるピエゾアクチュエータと対照をなす。
【００４６】
[0054]  図４は、突起５０ａおよび関連する静電アクチュエータ７０の一実施形態の断面を示している。突起５０ａは、サブ突起５２を含む。サブ突起５２は、本体２２からの突起５０ａの自由端に形成される。サブ突起５２は、高耐摩耗材料から形成され得る、または高耐摩耗材料の上面を有し得る。サポート表面２０の一部を形成するのは、サブ突起５２の上面である。
【００４７】
[0055]  突起５０ａは、光軸の方向、および／または本体２２の上面２５に直交する方向に、本体２２の上面２５から数μｍ突出し得る。サブ突起５２の平面図での断面積は、突起５０ａの断面積より小さい。
【００４８】
[0056]  一実施形態において、静電アクチュエータ７０のストロークは１００ｎｍのオーダ、例えば５０ｎｍと２００ｎｍとの間、望ましくは８０ｎｍと１２０ｎｍとの間である。
【００４９】
[0057]  静電アクチュエータ７０は、サポート表面２０を形成する、関連する突起５０ａの自由端（本体２２の上面２５から遠い、サブ突起５２の表面）を、本体２２に対して変位させる。一実施形態において、そのような変位は、Ｚ方向のコンポーネントを少なくとも含む方向におけるものである。別の実施形態において、例えば、図６〜図８を参照して説明するように、突起５０ａは、さらに、またはあるいは、本体２２の上面２５の平面における１つ以上の方向に変位する。一実施形態において、変位は、装置の光軸に直交する１つ以上の方向におけるものである。
【００５０】
[0058]  一実施形態において、各静電アクチュエータ７０は、電極として第１および第２導電層７２、７４を備える。導電層７２、７４は、互いに電気的に隔離される。一実施形態において、第１および第２導電層７２、７４は、互いに異なる平面に存在する。図４に示すように、第１および第２導電層７２、７４は、平行な平面に存在し、Ｚ方向に互いに隔てられる。すなわち、第１および第２導電層７２、７４は、突起５０ａが突出する、本体２２の上面２５に垂直な方向に互いに隔てられる。
【００５１】
[0059]  本体２２の上面に平行な平面に存在する導電層７２、７４は、形成しやすい。これらの層は、選択的レーザ焼結プロセス、スプレー／スピンコーティング、スパッタリング、ドライまたはウェットエッチング、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの通常の製造技術を用いて上面２５上に層として堆積することができる。
【００５２】
[0060]  ギャップ７６は、第１導電層７２と第２導電層７４との間に存在する。ギャップ７６は、空隙とすることができる。すなわち、ギャップ７６は材料で満たされなくてよい。空隙は、真空、またはガスで少なくとも部分的に満たされた空間とすることができる。別の実施形態において、ギャップ７６は、誘電材料で満たされてよい。好ましくは、誘電材料は、低い弾性率（E modulus）を有し、電気絶縁性であり、第１導電層７２と第２導電層７４との間に生成されたある種類の電荷において壊れない（おそらく最大３,０００ボルト）。ギャップ７６内の誘電材料は、ガラス、セラミック、ガラスセラミックなどを含む群の１つ以上の材料から選択され得る。誘電材料は、選択的レーザ焼結プロセス、スプレー／スピンコーティング、スパッタリング、ドライまたはウェットエッチング、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの通常の製造技術を用いて堆積され得る。
【００５３】
[0061]  ギャップ７６は、通常、厚さ数μｍ（例えば、厚さ１μｍと５μｍとの間）である。
【００５４】
[0062]  使用中、第１および第２導電層７２、７４は、それらに印加された別々の電荷を有する。このことは、第１および第２導電層７２、７４間の引力または反発力、ならびに、互いに向かうまたは互いから離れる対応する移動をもたらす。それによって、Ｚ方向の、本体に対する関連する突起５０ａの自由端の変位が達成される。
【００５５】
[0063]  使用中、上部電極（図４の場合、第２電極７４）を接地電極とすることが望ましい。これにより、導電層７２、７４に印加された電荷が基板Ｗに到達することを防ぐ。静電アクチュエータ７０に関連する電界が基板Ｗを確実に妨げないようにするために、静電アクチュエータ７０の上部導電層が接地された層であることを確実にすることは十分であり得る。静電アクチュエータ７０に関連する電界が基板Ｗを妨げることの不利点は、引力が残留し得るので、結像後に基板Ｗをサポート１から取り外すことが難しくなり得ることである。
【００５６】
[0064]  その代わりに、または、それに加えて、隔離導電層９０が、静電アクチュエータ７０の上方で、サポート１上またはサポート１内に形成される。これは、接地されることによって、静電アクチュエータ７０により生成されたあらゆる静電界から基板Ｗが保護される。一実施形態において、隔離導電層９５をサポート１の底面側に設けて、基板サポート１の下方のあらゆるコンポーネントを静電アクチュエータ７０に関連する電界から隔離し得る。いかなる実施形態においても、１つ以上の隔離導電層９０、９５が存在し得る。
【００５７】
[0065]  基板Ｗの上面の平坦性を測定し、静電アクチュエータ７０に印加された電荷を調整することによって、基板Ｗの平坦性を向上させることができる。この作業を行うための制御プログラムを、図９を参照して以下に説明する。
【００５８】
[0066]  図５は、静電アクチュエータ７０の別の実施形態を示している。以下に説明することを除いて、図５の実施形態は、図４の実施形態と同一である。図５の静電アクチュエータ７０は、少なくとも１つの更なる導電層８２、８４、８６を備える。
【００５９】
[0067]  多数の導電層７２、７４、８２、８４、８６を設ける利点は、静電アクチュエータ７０のより大きいストロークが可能であることである。静電アクチュエータ７０は、それに関連する任意の数の導電層７２、７４、８２、８４を有してよい。
【００６０】
[0068]  図５の実施形態において、導電層７２、７４、８２、８４、８６の各々は、２つのグループのうちの１つに属する。あるグループの導電層７２、８４；７４、８２、８６の各々は、互いに接続される。例えば、第１導電層７２および更なる導電層８４は互いに接続され、第２導電層７４は更なる導電層８２および８６に接続される。そして、各グループのすべての導電層に電荷を印加することができる。図５の実施形態において、導電層７２、７４、８２、８４、８６は２つのグループに分割されるが、導電層７２、７４、８２、８４、８６は任意の数のグループに分割されてよい。
【００６１】
[0069]  一実施形態において、導電層７２、７４、８２、８４、８６は、他の導電層７２、７４、８２、８４、８６に必ずしも接続されず、各導電層７２、７４、８２、８４、８６または各グループに対する電荷は個別に制御され得る。
【００６２】
[0070]  図６は、突起５０ａが突出する本体２２の表面に平行な平面におけるコンポーネントを伴う所定の方向に、突起５０ａの自由端が変位可能である実施形態である。図６の例において、突起５０ａの自由端はＺ方向、ならびにＸおよびＹ方向に変位可能である。図６および図７の実施形態において、このことは、突起５０ａに関連する３つの静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃの使用によって達成される。ただし、特にこれがＺ，Ｘ、Ｙ方向のうちの２つのみである場合、突起５０ａの自由端を所要の方向に移動させることができる単一の静電アクチュエータを設計することが可能であり得る。一実施形態において、２つまたは３つの静電アクチュエータ７０が各突起５０に関連し得る。２つの静電アクチュエータを用いて、例えば、Ｚ方向およびＺ方向に直交する方向の移動を設けることが可能である。
【００６３】
[0071]  一実施形態において、突起５０ａは、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒｘ、およびＲｙ方向のうちの１つ以上、ならびにそれらの方向のあらゆる組合せに変位可能である。
【００６４】
[0072]  図６の実施形態において、３つの静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃが用いられる（図６の線ＶＩＩを通る断面図である図７で最も明確に分かる）。ただし、別の数のアクチュエータを用いてもよい。３つの関連する静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃの各々は、図５の実施形態のアクチュエータ７０と同一である。ただし、他の構成も可能である。
【００６５】
[0073]  関連する静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃは、突起５０ａの軸５７の周りに配置される。アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃは、突起５０ａの軸５７の周りに均一に配置される。突起５０ａの軸５７は、Ｚ方向に存在する。突起５０ａは、平面図において円形である。アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃは、図７において分かるように、平面図において略１２０°半径方向に離れた中心を有する。
【００６６】
[0074]  図６および図７の実施形態において、３つの静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃを作動させることによって、Ｚ方向ならびにＸおよび／またはＹ方向の突起５０ａの自由端の移動が可能である。このことは、例えば、基板Ｗがサポート１にクランプされた後にＸおよび／またはＹ方向に突起の自由端を移動させることによって基板Ｗの応力緩和が可能になるので有利である。
【００６７】
[0075]  図６および図７の実施形態は、ＸおよびＹ方向に突起５０ａの移動を設ける他の方法に対して有利である。というのは、静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃの各々の導電層は、本体２２の上面２５に平行な平面に存在するからである。従って、通常の技術を用いてこれらの層を容易に堆積することができる。
【００６８】
[0076]  図６および図７の実施形態は、平面図において円形である静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃを有する。ただし、必ずしもこのようにする必要はない。図８は、静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃの平面図での形状が異なる点を除いて図７の実施形態と同様の実施形態を示している。
【００６９】
[0077]  図８の実施形態において、静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃの表面積（およびそれによって達成可能な力）を最大にするために、静電アクチュエータの形状がくさび形にされている。これにより、静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃの所与の全占有面積について、各静電アクチュエータ７０ａ、７０ｂ、７０ｃの導電層の表面積が最大になる。
【００７０】
[0078]  サポート１は、基板テーブルＷＴの一部を形成し得る。そのような基板テーブルＷＴは、リソグラフィ装置、例えば、投影リソグラフィ装置において用いられ得る。
【００７１】
[0079]  コントローラ５００が設けられる。コントローラ５００は、電荷を各静電アクチュエータ７０に印加するように適合される。一実施形態において、例えば図９に示すように、コントローラ５００’、５００’’の一部は、サポート１上に設けられ得る。ただし、必ずしもこのようにする必要はない。コントローラ５００は、他の場所に設けられてよく、リソグラフィ装置の他の部分を制御するコントローラであってよい。コントローラ５００は、各突起５０を処理するように個別に適合される。
【００７２】
[0080]  図９は、静電アクチュエータ７０を相互に接続する制御システムを示している。各静電アクチュエータ７０の導電層のうちの１つが別の静電アクチュエータの別の導電層に接続されて、図９に示すようにグリッドが形成され得る。各導電層は、交差電気ネットワークを用いてコントローラ５００に接続される。これによって、各静電アクチュエータ７０は個別に処理できることが可能になる。例えば、図９に示す右下の静電アクチュエータ７０ｄの１つの導電層を処理するために、上部のコントローラ５００’’は、一番右のラインを処理し、左のコントローラ５００’は一番下のラインを処理する。静電アクチュエータ７０の導電層のうちの他の導電層について、図９に示すものと同様の第２の交差電気ネットワークが設けられ得る。このように、特定の静電アクチュエータ、例えば７０ｄの層の各々を個別に処理し、電荷を印加することが可能である。
【００７３】
[0081]  静電アクチュエータ７０との接続がいったん切れると、その電荷が静電アクチュエータ上に残留する（より具体的には、電荷は静電アクチュエータ７０の導電層と導電層との間に残留する）。上述の静電アクチュエータ７０の性質（長期にわたる安定性）のために、静電アクチュエータ７０の電荷がいったん設定されると、静電アクチュエータ７０の変位は認め得るほどには変化しなくなる。従って、上述のとおり交差電気ネットワークを用いて、比較的短時間で通常のサポート１上の４０,０００から６０,０００個の突起を個別に処理することが可能である（交差電気ネットワークは、１秒に１００,０００,０００個の突起が処理されることを可能にする１００ＭＨｚで動作することができる）。
【００７４】
[0082]  制御方法を説明する。レベルセンサ６００を用いて基板Ｗの上面の平坦性を測定する。レベルセンサ６００の結果に基づいて、突起５０に関連する１つ以上の静電アクチュエータ７０に対して、非平坦性が検出された位置に電荷が印加され得る。１つ以上の静電アクチュエータ７０に対して調整が行われた後、レベルセンサ６００を再び用いて基板Ｗの上面の平坦性を測定し得る。平坦性が特定の許容範囲、例えば、所定の許容範囲内に収まらない場合、静電アクチュエータ７０のうちの１つ以上の位置が（再びまたは初めて）変化し得る。基板Ｗの平坦性が特定の許容範囲内に収まることを測定ステップが示すまで、このループを継続することができる。
【００７５】
[0083]  静電アクチュエータ７０の一番上の導電層７４が（例えば、上述したような隔離導電層９０の使用という理由で）接地されると前もって決定されない場合、静電アクチュエータ７０の調整は、静電アクチュエータに印加されたゼロ電荷で開始し得る。というのは、本体２２の上面２５に向かう変位および上面２５から離れる変位の両方が（Ｚ方向で）実行され得るからである。従って、上部導電層７４に正電荷または負電荷を印加することが可能である。というのは、このことは基板Ｗに影響を及ぼさないからである。しかし、静電アクチュエータ７０に関連する電界が基板Ｗを妨げることを防ぐために、一番上の導電層７４が接地される層でなければならない場合、第１平坦性測定を行う前に、最大電荷の５０％に等しい電荷をアクチュエータの各々に供給することが望ましい場合がある。このように、Ｚ方向において正および負の両方に、どちらが必要であっても、静電アクチュエータ７０を作動させることが可能である。
【００７６】
[0084]  コントローラ５００は、各静電アクチュエータ７０に印加された電荷の大きさを制御するように適合される。このように、コントローラ５００は、レベルセンサ６００からの入力信号に基づいて静電荷を各静電アクチュエータに印加する。後続の調整ステップにおいて、１つ以上の静電アクチュエータ７０に印加された電荷が変化し得る。その代わりに、または、それに加えて、ループを通じた後続のステップにおいて、当初は電荷が印加されていなかった静電アクチュエータ７０に対して電荷が印加され得る。
【００７７】
[0085]  このシステムは、基板Ｗのあらゆる非平坦性を取り除くのではないことがあるものの、許容レベル内に低減させることができる。サポート１の動作により引き起こされたサポート１の変形は、基板Ｗの非平坦性と比較して小さい。加えて、そのような変形は予測可能であり、従って、例えば、結像中、サポート１の移動によって補償することができる。
【００７８】
[0086]  このシステムを用いて局所的な平坦性への近似を達成し得る。例えば、いかなる全体的な非平坦性を除去しようと試みることが望ましくない場合がある。というのは、基板サポート１は、いずれにせよ比較的しなやかであり、加速力によって不可避に曲がるからである。従って、本発明のシステムを用いて全体的な平坦性への近似ではなく局所的な平坦性への近似を達成することができる。
【００７９】
[0087]  基板サポート１の本体２２は、良好な平坦性を実現するのに適切であることが分かっているＳｉＳｉＣ材料に基づき得る。しかし、各突起５０に関連する静電アクチュエータ７０を設けるので、本体２２の平坦性はそれほど重大ではない。従って、代わりに他の材料が本体２２のために用いられてよい。
【００８０】
[0088]  コントローラ５００に対して静電アクチュエータの導電層を相互接続するワイヤは、例えば、基板サポート１の本体２２の下面を通過し得る。
【００８１】
[0089]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに１つ以上の処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００８２】
[0090]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００８３】
[0091]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００８４】
[0092]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の実施形態は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。さらに、機械読取可能命令は、２つ以上のコンピュータプログラムに具現化されてもよい。この２つ以上のコンピュータプログラムは、１つ以上の異なるメモリおよび／またはデータ記憶媒体に記憶してもよい。
【００８５】
[0093]  本発明は、３００ｍｍもしくは４５０ｍｍの直径を有する基板、または他のサイズの基板に適用することができる。
【００８６】
[0094]  リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に位置する１つ以上のコンピュータプロセッサによって１つ以上のコンピュータプログラムが読み取られる場合、本明細書記載のすべてのコントローラは、各々または組み合わせて動作可能である。コントローラは、各々または組み合わせて信号を受信、処理および送信するためのあらゆる適切な構成を、有し得る。１つ以上のプロセッサは、コントローラのうちの少なくとも１つと通信するように構成される。例えば、各コントローラは、上述の方法を目的とする機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプロセッサを含んでよい。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体または複数のデータ記憶媒体、および／またはそのような媒体／複数の媒体を受信するハードウェアを含んでよい。従って、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読取可能命令に従って動作することができる。
【００８７】
[0095]  本発明の１つ以上の実施形態は、液浸液が浴の形態で供給されるか、基板の局所表面領域上のみに供給されるか、または閉じ込められないかにかかわらず、あらゆる液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め配置においては、液浸液は基板および／または基板テーブルの表面上を流れ得るので、基板テーブルおよび／または基板の覆われていない表面の実質的に全体が濡れることになる。このような非閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムは液浸液を閉じ込めなくてよく、または液浸液を部分的に閉じ込めるが実質的に完全に閉じ込めなくてよい。
【００８８】
[0096]  一実施形態において、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に位置する２つ以上のテーブルを備えるマルチステージ装置であり、各テーブルは１つ以上のオブジェクトを備える、および／または保持する。一実施形態において、テーブルのうちの１つ以上は、放射感応性基板を保持し得る。一実施形態において、テーブルのうちの１つ以上は、投影システムからの放射を測定するセンサを保持し得る。一実施形態において、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１テーブル（すなわち、基板テーブル）と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第２テーブル（以下、概して、かつ制限無く、測定および／または洗浄テーブルと呼ぶ）とを備える。第２テーブルは、放射感応性基板以外に、１つ以上のオブジェクトを備えてよく、および／または保持してよい。そのようなオブジェクトには、以下、投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ以上のアライメントマーク、および／または（液体閉じ込め構造などを洗浄する）洗浄デバイス、から選択された１つ以上が含まれ得る。
【００８９】
[0097]  一実施形態において、リソグラフィ装置は、当該装置のコンポーネントの位置、速度などを測定するエンコーダシステムを含み得る。一実施形態において、コンポーネントは、基板テーブルを含む。一実施形態において、コンポーネントは、測定および／または洗浄テーブルを含む。それに加えて、または、その代わりに、エンコーダシステムは、テーブル用に本明細書に記載した干渉計システムとすることができる。エンコーダシステムは、スケールまたはグリッドに関連する、例えば、対になるセンサ、トランスデューサ、または読取りヘッドを含む。一実施形態において、可動コンポーネント（例えば、基板テーブル、ならびに／あるいは、測定および／または洗浄テーブル）は１つ以上のスケールまたはグリッドを有し、コンポーネントが移動するリソグラフィ装置のフレームは、センサ、トランスデューサ、または読取りヘッドのうちの１つ以上を有する。センサ、トランスデューサ、または読取りヘッドのうちの１つ以上は、スケールまたはグリッドと協働してコンポーネントの位置、速度などを特定する。一実施形態において、コンポーネントが移動するリソグラフィ装置のフレームは１つ以上のスケールまたはグリッドを有し、可動コンポーネント（例えば、基板テーブル、ならびに／あるいは、測定および／または洗浄テーブル）は、スケールまたはグリッドと協働してコンポーネントの位置、速度などを特定するセンサ、トランスデューサ、または読取りヘッドのうちの１つ以上を有する。
【００９０】
[0098]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、および静電型光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００９１】
[0099]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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