(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上に径方向の中心側の領域と外側の領域とで異なる溝状態が形成され、前記中心側または前記外側のいずれか一方の領域が溝が形成された第一研磨領域、他方の領域が前記第一研磨領域と異なる溝状態とされた第二研磨領域である研磨パッドに、前記第一研磨領域と前記第二研磨領域との境界をまたいだ状態で被研磨物を配し、前記研磨パッド及び前記被研磨物を回転させて前記被研磨物を研磨し、前記被研磨物の表面を凹面または凸面に形成する被研磨物の研磨方法。
【請求項２】
前記研磨パッドの前記中心側の領域に前記第一研磨領域が形成され、前記被研磨物の表面を凹面に形成する請求項１に記載の被研磨物の研磨方法。
【請求項３】
前記研磨パッドの前記外側の領域に前記第一研磨領域が形成され、前記被研磨物の表面を凸面に形成する請求項１に記載の被研磨物の研磨方法。
【請求項４】
前記研磨パッドの前記第一研磨領域には、同心円状の前記溝が形成された請求項１〜３のいずれか１項に記載の被研磨物の研磨方法。
【請求項５】
表面上に溝が形成された研磨パッドに、研磨前に表面が凹面または凸面ではない被研磨物を配し、前記研磨パッド及び前記被研磨物を異なる回転数で回転させることにより、前記被研磨物の面内において、研磨速度に分布をもたせて前記被研磨物を研磨し、前記被研磨物の表面を凹面または凸面に形成する被研磨物の研磨方法。
【請求項６】
前記研磨パッドの回転数を前記被研磨物の回転数よりも大きくして、前記被研磨物の表面を凹面に形成する請求項５に記載の被研磨物の研磨方法。
【請求項７】
前記研磨パッドの回転数を前記被研磨物の回転数よりも小さくして、前記被研磨物の表面を凸面に形成する請求項５に記載の被研磨物の研磨方法。
【請求項８】
表面上に溝が形成された研磨パッドに被研磨物を配し、前記研磨パッドの径方向において、前記被研磨物の中心部よりも前記研磨パッドの中心側の領域と、前記被研磨物の中心部よりも前記研磨パッドの外側の領域とで、異なるスラリーを供給しつつ、または一方の領域のみにスラリーを供給しつつ、前記研磨パッド及び前記被研磨物を回転させて前記被研磨物を研磨し、前記被研磨物の表面を凹面または凸面に形成する被研磨物の研磨方法。
【請求項９】
前記研磨パッドの中心側の領域と、前記被研磨物の中心部よりも前記研磨パッドの外側の領域とで、異なるｐＨのスラリーを供給しつつ前記被研磨物の表面を凹面または凸面に形成する請求項８に記載の被研磨物の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被研磨物の表面を凸面または凹面に形成する被研磨物の研磨方法、及び研磨パッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウェハなどの被研磨物の表面を平坦化するために化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）が行われている。ＣＭＰにおいては、被研磨物の表面の研磨量が面内において不均一となりやすく、均一に研磨して平坦性を向上するための技術が開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３２７５６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、例えば、光学部品には、凹面または凸面を有するウェハが求められることがある。従来は、平坦性を向上する方向で開発が進められてきており、精度よい凹面または凸面を形成する技術はなかった。
【０００５】
本発明の課題は、被研磨物の表面を研磨することにより表面を精度よく凹面または凸面として形成するための被研磨物の研磨方法、及び研磨パッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明によれば、以下の被研磨物の研磨方法、及び研磨パッドが提供される。
【０００７】
［１］  表面上に径方向の中心側の領域と外側の領域とで異なる溝状態が形成され、前記中心側または前記外側のいずれか一方の領域が溝が形成された第一研磨領域、他方の領域が前記第一研磨領域と異なる溝状態とされた第二研磨領域である研磨パッドに、前記第一研磨領域と前記第二研磨領域との境界をまたいだ状態で被研磨物を配し、前記研磨パッド及び前記被研磨物を回転させて前記被研磨物を研磨し、前記被研磨物の表面を凹面または凸面に形成する被研磨物の研磨方法。
【０００８】
［２］  前記研磨パッドの前記中心側の領域に前記第一研磨領域が形成され、前記被研磨物の表面を凹面に形成する前記［１］に記載の被研磨物の研磨方法。
【０００９】
［３］  前記研磨パッドの前記外側の領域に前記第一研磨領域が形成され、前記被研磨物の表面を凸面に形成する前記［１］に記載の被研磨物の研磨方法。
【００１０】
［４］  前記研磨パッドの前記第一研磨領域には、同心円状の前記溝が形成された前記［１］〜［３］のいずれかに記載の被研磨物の研磨方法。
【００１２】
［５］  表面上に溝が形成された研磨パッドに、研磨前に表面が凹面または凸面ではない被研磨物を配し、前記研磨パッド及び前記被研磨物を異なる回転数で回転させることにより、前記被研磨物の面内において、研磨速度に分布をもたせて前記被研磨物を研磨し、前記被研磨物の表面を凹面または凸面に形成する被研磨物の研磨方法。
【００１３】
［６］  前記研磨パッドの回転数を前記被研磨物の回転数よりも大きくして、前記被研磨物の表面を凹面に形成する前記［５］に記載の被研磨物の研磨方法。
【００１４】
［７］  前記研磨パッドの回転数を前記被研磨物の回転数よりも小さくして、前記被研磨物の表面を凸面に形成する前記［５］に記載の被研磨物の研磨方法。
【００１５】
［８］  表面上に溝が形成された研磨パッドに被研磨物を配し、前記研磨パッドの径方向において、前記被研磨物の中心部よりも前記研磨パッドの中心側の領域と、前記被研磨物の中心部よりも前記研磨パッドの外側の領域とで、異なるスラリーを供給しつつ、または一方の領域のみにスラリーを供給しつつ、前記研磨パッド及び前記被研磨物を回転させて前記被研磨物を研磨し、前記被研磨物の表面を凹面または凸面に形成する被研磨物の研磨方法。
【００１６】
［９］  前記研磨パッドの中心側の領域と、前記被研磨物の中心部よりも前記研磨パッドの外側の領域とで、異なるｐＨのスラリーを供給しつつ前記被研磨物の表面を凹面または凸面に形成する前記［８］に記載の被研磨物の研磨方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の被研磨物の研磨方法によれば、被研磨物の表面を凹面または凸面とすることができる。研磨パッドの種類、回転数、スラリーによって研磨条件を決めることができるため、条件の最適化が容易である。
【００１８】
本発明の研磨パッドを使用して研磨することにより、被研磨物の表面を凹面または凸面とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】ＣＭＰ装置を示す模式図である。
【図２Ａ】中心側の領域に第一研磨領域が形成された研磨パッドの一実施形態を示す模式図である。
【図２Ｂ】外側の領域に第一研磨領域が形成された研磨パッドの一実施形態を示す模式図である。
【図２Ｃ】外側の領域が、溝のある第二研磨領域である実施形態を示す模式図である。
【図２Ｄ】中心側の領域が、溝のある第二研磨領域である実施形態を示す模式図である。
【図３】上段に研磨前の被研磨物、下段右側に凹面に研磨された被研磨物、及び下段左側に凸面に研磨された被研磨物を示す断面図である。
【図４Ａ】中心側の領域に第一研磨領域が形成され、第一研磨領域には、格子状の溝が形成された研磨パッドを示す模式図である。
【図４Ｂ】中心側の領域に第一研磨領域が形成され、第一研磨領域には、穴形状の溝が形成された研磨パッドを示す模式図である。
【図４Ｃ】中心側の領域に第一研磨領域が形成され、第一研磨領域には、スパイラルの溝が形成された研磨パッドの一実施形態を示す模式図である。
【図４Ｄ】中心側の領域に第一研磨領域が形成され、第一研磨領域には、スパイラルの溝が形成された研磨パッドの他の実施形態を示す模式図である。
【図５】研磨パッド及び被研磨物を異なる回転数で回転させる研磨方法を説明するための模式図である。
【図６Ａ】被研磨物の中心部よりも研磨パッドの中心側の領域と、被研磨物の中心部よりも研磨パッドの外側の領域とで、異なるスラリーを供給して研磨する研磨方法を説明するための研磨パッドを示す模式図である。
【図６Ｂ】被研磨物の中心部よりも研磨パッドの中心側の領域と、被研磨物の中心部よりも研磨パッドの外側の領域とで、異なるスラリーを供給して研磨する研磨方法を説明するための、スラリーの供給領域を示す模式図である。
【図７Ａ】ＳｉＯ２膜が形成されたＳｉウェハを示す模式図である。
【図７Ｂ】本発明の研磨方法により研磨されて凹面とされたＳｉＯ２膜を有するＳｉウェハを示す模式図である。
【図７Ｃ】本発明の研磨方法により研磨されて凸面とされたＳｉＯ２膜を有するＳｉウェハを示す模式図である。
【図８】実施例における膜厚の測定位置を説明するための模式図である。
【図９】中心側の領域に第一研磨領域が形成され、第一研磨領域には、同心円状の溝が形成された研磨パッドを用いて研磨した結果を示す図である。
【図１０】研磨パッドを８０ｒｐｍ、被研磨物を４０ｒｐｍで回転させて研磨した結果を示す図である。
【図１１】研磨パッドを４０ｒｐｍ、被研磨物を８０ｒｐｍで回転させて研磨した結果を示す図である。
【図１２】中心側の領域と外側の領域で異なるスラリーを供給しつつ研磨した結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、変更、修正、改良を加え得るものである。
【００２１】
（実施形態１）
本発明の研磨方法は、半導体ウェハなどの被研磨物の表面を研磨する化学機械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）において用いられる研磨方法であり、図１にＣＭＰ装置１の模式図を示す。ＣＭＰ装置１は、定盤２、研磨ヘッド３、スラリー供給装置４を備える。定盤２には、研磨パッド１０が取り付けられている。スラリー供給装置４からは、スラリーが研磨パッド１０上に供給され、定盤２が回転するとともに、研磨ヘッド３が、研磨パッド１０上に配置された被研磨物２０を研磨パッド１０に対して押しつけつつ定盤２と同方向に回転することにより、被研磨物２０の表面を化学的及び機械的に研磨する。
【００２２】
本発明の研磨パッド１０は、表面上に径方向の中心側の領域と外側の領域とで異なる溝状態が形成され、中心側または外側のいずれか一方の領域が溝１５が形成された第一研磨領域１１、他方の領域が第一研磨領域１１と異なる溝状態とされた第二研磨領域１２である。第二研磨領域１２の第一研磨領域１１と異なる溝状態とは、第一研磨領域１１と異なる溝１５が形成された場合、または、溝１５が形成されていない場合を意味する（なお、第二研磨領域１２が溝１５が形成されていない場合であっても、この領域によって被研磨物２０が全く研磨されないということはなく、多少は研磨される。）。第一研磨領域１１は、第二研磨領域１２よりも研磨が進行しやすい領域である。つまり、第一研磨領域１１の方が第二研磨領域１２よりも研磨量が多い。例えば、第一研磨領域１１は、第二研磨領域１２よりも研磨パッド１０の半径方向の単位長さ当たりの溝数が多い領域である。第一研磨領域１１の溝１５の数、深さ、幅等は、被研磨物２０の種類、研磨目的などによって適宜選択することができる。しかしながら、例えば、第一研磨領域１１の溝１５の幅は、０．２〜０．８ｍｍ、溝１５のピッチ（溝１５の中心間の距離）は、１〜２ｍｍ程度のものを利用することができる。また、第二研磨領域１２は、溝１５が形成されていなくてもよいが、溝１５が形成されている場合は、例えば、溝１５の幅は、０．２〜０．８ｍｍ、溝１５のピッチは、２．５〜３．５ｍｍ程度のものを利用することができる。なお、被研磨物２０を凸形状とする場合には、外側を第一研磨領域１１、中心側を第二研磨領域１２、被研磨物２０を凹形状とする場合には、中心側を第一研磨領域１１、外側を第二研磨領域１２としたものを用いる。
【００２３】
図２Ａに、研磨パッド１０の一実施形態を示す（図２Ａは、被研磨物２０を載置している。）。研磨パッド１０は、円板状に形成され、その表面には、複数の溝１５が加工されており、定盤２に取り付けられて被研磨物２０を研磨するものである。研磨パッド１０は、例えば、発泡硬質ウレタン、スウェード等で形成されている。
【００２４】
図２Ａは、径方向の中心側の領域に第一研磨領域１１が形成され、第一研磨領域１１には、同心円状の溝１５が形成された研磨パッド１０を示す。径方向の外側の領域は、第二研磨領域１２であり、図２Ａでは、溝１５が形成されていない場合を示している。図２Ａに示すように、中心側の領域に第一研磨領域１１が形成された研磨パッド１０を用いることにより、被研磨物２０の表面を凹面（図３の右下）に形成することができる。
【００２５】
図２Ｂは、外側の領域に第一研磨領域１１が形成され、第一研磨領域１１には、同心円状の溝１５が形成された研磨パッド１０を示す（図２Ｂは、被研磨物２０を載置している。）。中心側の領域は、第二研磨領域１２である（図２Ｂは、第二研磨領域１２に溝が形成されていない場合を示している）。図２Ｂに示すように、外側の領域に第一研磨領域１１が形成された研磨パッド１０を用いることにより、被研磨物２０の表面を凸面（図３の左下）に形成することができる。
【００２６】
第二研磨領域１２に溝１５が形成された実施形態を図２Ｃ及び図２Ｄに示す。図２Ｃは、外側の領域の溝数が少なく、外側の領域が第二研磨領域１２である。また、図２Ｄは、中心側の領域の溝数が少なく、中心側の領域が第二研磨領域１２である。第二研磨領域１２は、第一研磨領域１１よりも研磨パッド１０の半径方向の単位長さ当たりの溝数が少なくなっている。
【００２７】
本発明の被研磨物の研磨方法は、表面上に径方向の中心側の領域と外側の領域とで異なる溝状態が形成され、中心側または外側のいずれか一方の領域が溝１５が形成された第一研磨領域１１、他方の領域が第一研磨領域１１と異なる溝状態とされた第二研磨領域１２である研磨パッド１０に、第一研磨領域１１と第二研磨領域１２との境界をまたいだ状態で被研磨物２０を配し、研磨パッド１０及び被研磨物２０を回転させて被研磨物２０を研磨する。そして、図３に示すように、被研磨物２０の表面を凹面（図３の右下）または凸面（図３の左下）に形成する。本発明の被研磨物の研磨方法によれば、曲率半径がＲ２００万ｍｍ〜Ｒ５０００万ｍｍの凹面または凸面のクラウニング形成を行うことができる。
【００２８】
本発明の被研磨物の研磨方法における被研磨物２０は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ２、等の半導体ウェハや、ＬＮ、ＬＴ、ＧａＮ等の単結晶ウェハや、アルミナ、ジルコニア、圧電体等のセラミックスや、ベリリウム、銅等の合金を含めた金属などである。
【００２９】
図４Ａ〜図４Ｄに、研磨パッド１０の他の実施形態を示す。図４Ａは、中心側の領域に第一研磨領域１１が形成され、第一研磨領域１１には、格子状の溝１５が形成された研磨パッド１０を示す。図４Ｂは、中心側の領域に第一研磨領域１１が形成され、第一研磨領域１１には、穴形状の溝が形成された研磨パッド１０を示す。図４Ｃ及び図４Ｄは、中心側の領域に第一研磨領域１１が形成され、第一研磨領域１１には、研磨パッド１０の中心からスパイラルの溝１５が形成された研磨パッド１０を示す。図４Ａ〜図４Ｄに示すような中心側の領域に第一研磨領域１１が形成された研磨パッド１０を用いることにより、被研磨物２０の表面を凹面（図３の右下）に形成することができる。
【００３０】
なお、図４Ａ〜図４Ｄは、中心側の領域に第一研磨領域１１が形成された研磨パッド１０であるが、図２Ｂに示すように、外側の領域に第一研磨領域１１が形成されているようにすることもできる。このような外側の領域に第一研磨領域１１が形成された研磨パッド１０であれば、被研磨物２０の表面を凸面（図３の左下）に形成することができる。
【００３１】
（実施形態２）
図５を用いて、本発明の実施形態２の被研磨物の研磨方法を説明する。本発明の実施形態２の被研磨物の研磨方法は、表面上に溝１５が形成された研磨パッド１０に被研磨物２０を配し、研磨パッド１０及び被研磨物２０を異なる回転数で回転させることにより、被研磨物２０の面内において、研磨速度に分布をもたせて被研磨物２０を研磨する。これにより、被研磨物２０の表面を凹面または凸面に形成することができる。
【００３２】
図５に示す研磨パッドは、表面の全面が第一研磨領域１１とされ、第一研磨領域１１には、格子状の溝１５が形成されている。なお、実施形態２の被研磨物の研磨方法に用いる研磨パッド１０は、表面の全面にも溝１５が形成されていればよく、第一研磨領域１１の溝の形状は限定されない。
【００３３】
定盤２（研磨パッド１０）の回転速度は、５〜１０００ｒｐｍであることが好ましく、１０〜５００ｒｐｍであることがより好ましく、１０〜１５０ｒｐｍであることがさらに好ましい。
【００３４】
被研磨物２０の回転速度は、５〜１０００ｒｐｍであることが好ましく、１０〜５００ｒｐｍであることがより好ましく、１０〜１５０ｒｐｍであることがさらに好ましい。
【００３５】
定盤２（研磨パッド１０）の回転速度と被研磨物２０の回転速度との差は、０〜５００ｒｐｍ（ただし、０ｒｐｍを除く）であることが好ましく、０〜４５０ｒｐｍであることがより好ましく、０〜１００ｒｐｍであることがさらに好ましい。被研磨物２０の被研磨面の曲率半径を大きくしたい場合（例えば、５０００万ｍｍ）、回転速度の差を０に近づけることが好ましいが、０ｒｐｍは含まない。
【００３６】
研磨パッド１０の回転数を被研磨物２０の回転数より大きくして、被研磨物２０を研磨することにより、表面を凹面に形成することができる。
【００３７】
また、研磨パッド１０の回転数を被研磨物２０の回転数よりも小さくして、被研磨物２０を研磨することにより、表面を凸面に形成することができる。
【００３８】
（実施形態３）
本発明の被研磨物の研磨方法は、表面上に溝１５が形成された研磨パッド１０に被研磨物２０を配し、研磨パッド１０の径方向において、被研磨物２０の中心部２０ｃよりも研磨パッド１０の中心側の領域と、被研磨物２０の中心部２０ｃよりも研磨パッド１０の外側の領域とで、異なるスラリーを供給しつつ、研磨パッド１０及び被研磨物２０を回転させて被研磨物２０を研磨する研磨方法である。これにより、被研磨物２０の表面を凹面または凸面に形成することができる。
【００３９】
実施形態３においては、図６Ａに示すような同心円状の溝１５が形成された研磨パッド１０を用いる。図６Ｂは、スラリーの供給領域を示す模式図である。被研磨物２０の中心部２０ｃよりも研磨パッド１０の中心側の領域に、研磨するためのスラリーを供給し、被研磨物２０の中心部２０ｃよりも研磨パッド１０の外側の領域に研磨を抑制するためのスラリーを供給することにより、被研磨物２０に凹面を形成することができる。研磨するためのスラリーと研磨を抑制するためのスラリーは、ｐＨの異なるスラリーである。抑制する領域の研磨速度は、研磨する領域の研磨速度に対して３０〜１００％減となる。なお、実施形態１〜３の全てにおいて、研磨パッド１０の溝の形状は限定されないが、実施形態３においては、図６Ａに示すような同心円状の溝がスラリーの供給される領域を制御しやすく、好ましい。
【００４０】
スラリーは、ＣＭＰ装置１のスラリー供給装置４から、研磨パッド１０の表面上に供給する。スラリーは、研磨材、酸、酸化剤、および水を含む。研磨材としてコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアおよびこれらの混合物等を利用することができる。また、酸化剤としては、過酸化物、硝酸塩等を利用することができる。さらに、スラリーには、ｐＨ調整剤を含んでもよい。ｐＨ調整剤は、スラリーのｐＨを所望の値に調整するために酸性物質又は塩基性物質を適宜使用する。
【００４１】
被研磨物２０の中心部２０ｃよりも研磨パッド１０の中心側の領域は、ｐＨは、０〜１２．０であることが好ましく、３．０〜１０．０であることがより好ましく、４．０〜１０．０であることがさらに好ましい。被研磨物２０の中心部２０ｃよりも研磨パッド１０の外側の領域は、ｐＨは、１０．０〜１４．０であることが好ましく、１２．０〜１４．０であることがより好ましく、１３．０〜１４．０であることがさらに好ましい。なお、中心側の領域のｐＨと外側の領域のｐＨを上記と逆にすると、面の凹凸も逆に形成される。また、例えば、被研磨物２０が単結晶ウェハのＬＮ（ＬｉＮｂＯ３）の場合、コロイダルシリカによる通常の研磨速度を１とした場合、酸性（ｐＨ３〜５）では研磨速度が２００％（２倍）になり、強アルカリ（ｐＨ１３以上）では研磨速度はほぼゼロ（０％）になる。
【００４２】
研磨パッド１０の中心側の領域と、外側の領域とで異なるスラリーを用いる代わりに、研磨パッド１０の径方向において、被研磨物２０の中心部２０ｃよりも研磨パッド１０の中心側の領域、被研磨物２０の中心部２０ｃよりも研磨パッド１０の外側の領域の一方の領域のみにスラリーを供給しつつ、研磨してもよい。これにより、被研磨物２０の表面を凹面または凸面に形成することができる。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４４】
（実施例１）
ＣＭＰ装置１（図１参照）に、中心側の領域に第一研磨領域１１が形成され、第一研磨領域１１には、同心円状の溝１５が形成された研磨パッド１０（図２Ａ）を取り付けて、被研磨物２０を研磨した。スラリーは、研磨材としてコロイダルシリカを含むものを用いた。研磨パッド１０は、直径３００ｍｍで、溝１５が形成された第一研磨領域１１が中心側の直径１５０ｍｍの領域、その外側の直径１５０〜３００ｍｍの領域は溝１５が形成されていない第二研磨領域１２であるものを用いた。第一研磨領域１１の溝１５の幅は、０．５ｍｍ、溝１５のピッチは、１．５ｍｍであった。研磨パッド１０は、発泡硬質ウレタンで形成されたものを用いた。被研磨物２０としては、図７Ａに示すように、厚み１００００ÅのＳｉＯ２膜２０ａが形成された直径１００ｍｍのＳｉウェハ２０ｂを用いた。被研磨物２０は、図２Ａに示すように、第一研磨領域１１と第二研磨領域１２との境界に配置し研磨した。そして図８に示す各位置において、研磨後のウェハのＳｉＯ２膜２０ａの厚みを膜厚計で調べた。図９に結果を示す。図９の横軸の測定位置の−４０〜４０ｍｍの範囲の９点が、図８の測定位置１〜９に対応する。図９に示すように、中心側の領域に第一研磨領域１１が形成された研磨パッド１０を用いることにより、図７Ｂに示すように、被研磨物２０の表面を凹面とすることができた。図９では、曲率半径は、Ｒ３６００万ｍｍであった。
【００４５】
（実施例２）
表面の全面に格子状の溝１５が形成された直径３００ｍｍの研磨パッド１０を用いて、研磨パッド１０と被研磨物２０を異なる回転数で回転させて、被研磨物２０を研磨した（図５参照）。研磨パッド１０の第一研磨領域１１の溝１５の幅は、０．５ｍｍ、溝１５のピッチは、１．５ｍｍであった。研磨パッド１０は、発泡硬質ウレタンで形成されたものを用いた。被研磨物２０としては、厚み１００００ÅのＳｉＯ２膜２０ａが形成された直径１００ｍｍのＳｉウェハ２０ｂを用いた。研磨パッド１０を８０ｒｐｍ、被研磨物２０を４０ｒｐｍで同方向に回転させた。図１０に結果を示す。図１０の横軸の測定位置の−４０〜４０ｍｍの範囲の９点が、図８の測定位置１〜９に対応する。図１０に示すように、中心領域のＳｉＯ２の厚みが薄くなり、図７Ｂに示すように、凹面を形成することができた。図１０では、曲率半径は、Ｒ１３００万ｍｍであった。
【００４６】
（実施例３）
実施例２と同様の研磨パッド１０を用いて、研磨パッド１０と被研磨物２０を異なる回転数で回転させて、被研磨物２０を研磨した（図５参照）。被研磨物２０も実施例２と同じ、厚み１００００ÅのＳｉＯ２膜２０ａが形成された直径１００ｍｍのＳｉウェハ２０ｂを用いた。研磨パッド１０を４０ｒｐｍ、被研磨物２０を８０ｒｐｍで同方向に回転させた。図１１に結果を示す。図１１に示すように、中心領域のＳｉＯ２の厚みが厚くなり、図７Ｃに示すように、凸面を形成することができた。図１１では、曲率半径は、Ｒ８９０万ｍｍであった。
【００４７】
（実施例４）
表面の全面に同心円状の溝１５が形成された直径３００ｍｍの研磨パッド１０を用いて、被研磨物２０を研磨した（図６Ａ及び図６Ｂ参照）。研磨パッド１０の第一研磨領域１１の溝１５の幅は、０．５ｍｍ、溝１５のピッチは、１．５ｍｍであった。研磨パッド１０は、発泡硬質ウレタンで形成されたものを用いた。被研磨物２０としては、厚み１００００ÅのＳｉＯ２膜２０ａが形成された直径１００ｍｍのＳｉウェハ２０ｂを用いた。研磨パッド１０の径方向において、被研磨物２０の中心部２０ｃよりも研磨パッド１０の中心側の領域と、被研磨物２０の中心部２０ｃよりも研磨パッドの外側の領域とで、異なるスラリーを供給しつつ、研磨した。スラリーは、砥粒としてコロイダルシリカを含み、中心側の領域に供給したスラリーは、ｐＨ９〜１０、外側の領域に供給したスラリーは、ｐＨ１３であった。図１２に結果を示す。図１２に示すように、中心領域のＳｉＯ２の厚みが薄くなり、図７Ｂに示すように、凹面を形成することができた。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の被研磨物の研磨方法によれば、半導体ウェハ等の被研磨物の表面を凹面または凸面として形成することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１：ＣＭＰ装置、２：定盤、３：研磨ヘッド、４：スラリー供給装置、１０：研磨パッド、１１：第一研磨領域、１２：第二研磨領域、１５：溝、２０：被研磨物、２０ａ：ＳｉＯ２膜、２０ｂ：Ｓｉウェハ、２０ｃ：中心部。
【図１】
0005635957.tif 000002
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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