(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ねじ穴（１ａ７）を有する第１ねじ止め部（１ａ）と、ねじ穴（１ｂ７）を有する第２ねじ止め部（１ｂ）と、それらの間に配置された搭載部（１ｃ）とを具備する概略矩形形状の金属製ベース板（１）を設け、
ベース板（１）の搭載部（１ｃ）に少なくともパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）とを搭載し、
樹脂部（５）の下面（５ｆ）とベース板（１）の下面（１Ｄ）とが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板（１）の一部分とパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）の一部分とを封止し、
ベース板（１）が取り付けられる被取り付け部材（２００）とベース板（１）との間のうち、被取り付け部材（２００）と第１ねじ止め部（１ａ）との間および被取り付け部材（２００）と第２ねじ止め部（１ｂ）との間にグリス（２０１）を配置することなく、搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）との間にグリス（２０１）を配置し、
仮ねじ止めを行うことなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）を被取り付け部材（２００）に対して固定し、次いで、仮ねじ止めを行うことなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）を被取り付け部材（２００）に対して固定するように構成された樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）において、
ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）と搭載部（１ｃ）との境界である第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第１切り欠き部（１ｄ１）を形成すると共に、第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側とは反対側の第２の側の端部に概略半円形状の第２切り欠き部（１ｅ１）を形成し、
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）と搭載部（１ｃ）との境界である第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第３切り欠き部（１ｆ１）を形成すると共に、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第２の側の端部に概略半円形状の第４切り欠き部（１ｇ１）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ａ１ａ）と、その第１部分（１ａ１ａ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）に隣接する第２部分（１ａ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｃ１ａ）とを潰すことにより、第１切り欠き部（１ｄ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）から第１の側に突出する第１張り出し部（１ｄ２）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ａ１ｃ）と、その第３部分（１ａ１ｃ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）に隣接する第４部分（１ａ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第２部分（１ｃ１ｂ）とを潰すことにより、第２切り欠き部（１ｅ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）から第２の側に突出する第２張り出し部（１ｅ２）を形成し、
第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｂ１ａ）と、その第１部分（１ｂ１ａ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に隣接する第２部分（１ｂ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｃ１ｃ）とを潰すことにより、第３切り欠き部（１ｆ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）から第１の側に突出する第３張り出し部（１ｆ２）を形成し、
第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｂ１ｃ）と、その第３部分（１ｂ１ｃ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に隣接する第４部分（１ｂ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第４部分（１ｃ１ｄ）とを潰すことにより、第４切り欠き部（１ｇ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）から第２の側に突出する第４張り出し部（１ｇ２）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）の中心軸線と第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）の中心軸線とを含む中心面（ＣＰａｂ）と鋭角をなす直線状の第１溝部（１ｈ１）を、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第１切り欠き部（１ｄ１）との間に形成し、
中心面（ＣＰａｂ）と鋭角をなす直線状の第２溝部（１ｈ２）を、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第２切り欠き部（１ｅ１）との間に形成し、
中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の第３溝部（１ｈ３）を、第１境界部分（ＢＰａｃ）上であって、第１溝部（１ｈ１）と第２溝部（１ｈ２）との間に形成し、
中心面（ＣＰａｂ）と鋭角をなす直線状の第４溝部（１ｈ４）を、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第３切り欠き部（１ｆ１）との間に形成し、
中心面（ＣＰａｂ）と鋭角をなす直線状の第５溝部（１ｈ５）を、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第４切り欠き部（１ｇ１）との間に形成し、
中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の第６溝部（１ｈ３）を、第２境界部分（ＢＰｂｃ）上であって、第４溝部（１ｈ４）と第５溝部（１ｈ５）との間に形成し、
第１切り欠き部（１ｄ１）と第２切り欠き部（１ｅ１）と第３切り欠き部（１ｆ１）と第４切り欠き部（１ｇ１）と第１張り出し部（１ｄ２）と第２張り出し部（１ｅ２）と第３張り出し部（１ｆ２）と第４張り出し部（１ｇ２）と第１溝部（１ｈ１）と第２溝部（１ｈ２）と第３溝部（１ｈ３）と第４溝部（１ｈ４）と第５溝部（１ｈ５）と第６溝部（１ｈ６）とを樹脂部（５）によって覆ったことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）。
【請求項２】
樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）を、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）と、その両側の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）とによって構成し、
ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）と第２の側の側面（１ａ５）との間隔（Ｗ１ａ）を、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）の半径（Ｒ５ｄ３）の概略２倍の値に設定し、
樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）を、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第１溝部（１ｈ１）および第２溝部（１ｈ２）との間に配置し、
樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）を、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）と、その両側の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）とによって構成し、
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）と第２の側の側面（１ｂ５）との間隔（Ｗ１ｂ）を、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）の半径（Ｒ５ｅ３）の概略２倍の値に設定し、
樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）を、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第４溝部（１ｈ４）および第５溝部（１ｈ５）との間に配置したことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）。
【請求項３】
ねじ穴（１ａ７）を有する第１ねじ止め部（１ａ）と、ねじ穴（１ｂ７）を有する第２ねじ止め部（１ｂ）と、それらの間に配置された搭載部（１ｃ）とを具備する概略矩形形状の金属製ベース板（１）を設け、
ベース板（１）の搭載部（１ｃ）に少なくともパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）とを搭載し、
樹脂部（５）の下面（５ｆ）とベース板（１）の下面（１Ｄ）とが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板（１）の一部分とパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）の一部分とを封止し、
ベース板（１）が取り付けられる被取り付け部材（２００）とベース板（１）との間のうち、被取り付け部材（２００）と第１ねじ止め部（１ａ）との間および被取り付け部材（２００）と第２ねじ止め部（１ｂ）との間にグリス（２０１）を配置することなく、搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）との間にグリス（２０１）を配置し、
仮ねじ止めを行うことなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）を被取り付け部材（２００）に対して固定し、次いで、仮ねじ止めを行うことなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）を被取り付け部材（２００）に対して固定するように構成された樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）において、
ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）と搭載部（１ｃ）との境界である第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第１切り欠き部（１ｄ１）を形成すると共に、第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側とは反対側の第２の側の端部に概略半円形状の第２切り欠き部（１ｅ１）を形成し、
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）と搭載部（１ｃ）との境界である第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第３切り欠き部（１ｆ１）を形成すると共に、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第２の側の端部に概略半円形状の第４切り欠き部（１ｇ１）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ａ１ａ）と、その第１部分（１ａ１ａ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）に隣接する第２部分（１ａ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｃ１ａ）とを潰すことにより、第１切り欠き部（１ｄ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）から第１の側に突出する第１張り出し部（１ｄ２）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ａ１ｃ）と、その第３部分（１ａ１ｃ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）に隣接する第４部分（１ａ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第２部分（１ｃ１ｂ）とを潰すことにより、第２切り欠き部（１ｅ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）から第２の側に突出する第２張り出し部（１ｅ２）を形成し、
第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｂ１ａ）と、その第１部分（１ｂ１ａ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に隣接する第２部分（１ｂ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｃ１ｃ）とを潰すことにより、第３切り欠き部（１ｆ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）から第１の側に突出する第３張り出し部（１ｆ２）を形成し、
第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｂ１ｃ）と、その第３部分（１ｂ１ｃ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に隣接する第４部分（１ｂ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第４部分（１ｃ１ｄ）とを潰すことにより、第４切り欠き部（１ｇ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）から第２の側に突出する第４張り出し部（１ｇ２）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）を中心とする概略円弧形状の第１溝部（１ｈ７）を、第１境界部分（ＢＰａｃ）に接するように第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）に形成し、
第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）を中心とする概略円弧形状の第２溝部（１ｈ８）を、第２境界部分（ＢＰｂｃ）に接するように第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）に形成し、
第１切り欠き部（１ｄ１）と第２切り欠き部（１ｅ１）と第３切り欠き部（１ｆ１）と第４切り欠き部（１ｇ１）と第１張り出し部（１ｄ２）と第２張り出し部（１ｅ２）と第３張り出し部（１ｆ２）と第４張り出し部（１ｇ２）と第１溝部（１ｈ７）と第２溝部（１ｈ８）とを樹脂部（５）によって覆ったことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）。
【請求項４】
樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）を、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）と、その両側の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）とによって構成し、
ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）と第２の側の側面（１ａ５）との間隔（Ｗ１ａ）を、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）の半径（Ｒ５ｄ３）の概略２倍の値に設定し、
樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）を、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第１溝部（１ｈ７）との間に配置し、
樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）を、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）と、その両側の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）とによって構成し、
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）と第２の側の側面（１ｂ５）との間隔（Ｗ１ｂ）を、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）の半径（Ｒ５ｅ３）の概略２倍の値に設定し、
樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）を、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第２溝部（１ｈ８）との間に配置したことを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）。
【請求項５】
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）を、搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）よりも第１の側に突出させ、
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）を、搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）よりも第２の側に突出させたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ねじ穴を有する一方のねじ止め部と、ねじ穴を有する他方のねじ止め部と、それらの間に配置された搭載部とを具備する概略矩形形状の金属製ベース板を設け、ベース板の搭載部に少なくともパワー半導体素子と外部端子とを搭載し、樹脂部の下面とベース板の下面とが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板の一部分とパワー半導体素子と外部端子の一部分とを封止した樹脂封止型パワー半導体モジュールに関する。
【０００２】
特に、本発明は、樹脂部とベース板との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板の変形を抑制することができる樹脂封止型パワー半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００３】
従来から、ねじ穴を有する一方のねじ止め部と、ねじ穴を有する他方のねじ止め部と、それらの間に配置された搭載部とを具備する概略矩形形状の金属製ベース板を設け、ベース板の搭載部に少なくともパワー半導体素子と外部端子とを搭載し、樹脂部の下面とベース板の下面とが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板の一部分とパワー半導体素子と外部端子の一部分とを封止した樹脂封止型パワー半導体モジュールが知られている。この種の樹脂封止型パワー半導体モジュールの例としては、例えば特許文献１（特開２０１０−１２９８６８号公報）の図８〜図１０に記載されたものがある。
【０００４】
特許文献１の図８〜図１０に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、ベース板が取り付けられる被取り付け部材として、冷却フィンが用いられている。また、ベース板の下面が冷却フィンの上面に取り付けられている。詳細には、ベース板の下面と冷却フィンの上面との間にグリスが配置されている（特許文献１の段落００２８参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１２９８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、被取り付け部材の表面（上面）の構成によっては、ベース板の下面の全体と被取り付け部材の表面（上面）の全体との間にグリスが配置される場合のみならず、パワー半導体素子からの熱の主要な伝熱経路であるベース板の搭載部の下面と被取り付け部材の表面（上面）との間のみにグリスが配置され、パワー半導体素子からの熱の主要な伝熱経路ではないベース板のねじ止め部の下面と被取り付け部材の表面（上面）との間にグリスが配置されない場合もある。
【０００７】
ベース板のねじ止め部の下面と被取り付け部材の表面（上面）との間にグリスが配置されない場合には、ねじ止めが行われる前の段階で、ベース板の搭載部の下面と被取り付け部材の表面（上面）との間のグリスの厚さに相当する隙間が、ベース板のねじ止め部の下面と被取り付け部材の表面（上面）との間に存在することになる。
【０００８】
更に、ねじ止めのやり方によっては、ベース板の下面と被取り付け部材の表面（上面）との間のグリスが均一に押し潰されるように、一方のねじ止め部の仮ねじ止めおよび他方のねじ止め部の仮ねじ止めが行われた後に、一方のねじ止め部の本ねじ止めが行われ、次いで、他方のねじ止め部の本ねじ止めが行われる場合がある。
【０００９】
一方、例えばねじ止め工程のスループットを向上させるために、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板の一方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定され（つまり、一方のねじ止め部の本ねじ止めが行われ）、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板の他方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定される（つまり、他方のねじ止め部の本ねじ止めが行われる）場合もある。
【００１０】
仮に、特許文献１の図８〜図１０に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールのベース板の搭載部の下面と被取り付け部材の表面（上面）との間のみにグリスが配置され、かつ、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板の一方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板の他方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定される場合には、ベース板の一方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定された段階で、グリスの断面形状が、長方形にならず、概略楔形状になる。そのため、次いで、ベース板の他方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定される時に、ベース板の他方のねじ止め部と搭載部との境界部分の近傍に大きい応力がかかり、ベース板が変形して（詳細には、曲がって）しまうおそれがある。詳細には、ベース板の他方のねじ止め部と搭載部との境界部分の近傍におけるベース板の変形（曲がり）に伴い、その境界部分の近傍で、樹脂部が割れてしまったり、ベース板、パワー半導体素子、外部端子などを接合する例えば半田などの接合材が剥離してしまったりするおそれがある。
【００１１】
また、特許文献１の図８〜図１０に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールのように、樹脂材料の成形によって樹脂部が形成される従来の一般的な樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、樹脂部とベース板との密着性を向上させる機能、および、外部からモジュールの内部に水分が浸入するのを抑制するために、ベース板の上面あるいは側面の沿面距離を増加させる機能（外部に露出しているベース板と樹脂部との境界線から例えばパワー半導体素子等までのベース板の上面あるいは側面の表面に沿った距離を増加せる機能）を有する凹部および凸部がベース板の上面および側面に形成される。詳細には、一般的に、ベース板の上面に対して上述した機能を有する凹部が形成され、ベース板の側面に対して上述した機能を有する凹部および／または凸部が形成される。
【００１２】
ところで、ベース板の上面および側面に凹部および凸部を形成するやり方によっては、上述したベース板の変形（曲がり）に抗する強度が大幅に低下してしまうおそれがある。特に、ベース板の上面に凹部を形成するやり方（詳細には、ベース板の上面に凹部を配置するやり方）によっては、上述したベース板の変形（曲がり）に抗する強度が大幅に低下してしまうおそれがある。
【００１３】
前記問題点に鑑み、本発明は、樹脂部とベース板との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板の変形を抑制することができる樹脂封止型パワー半導体モジュールを提供することを目的とする。
【００１４】
詳細には、本発明は、樹脂部とベース板との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板の搭載部と被取り付け部材との間のみにグリスが配置される場合であって、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板の一方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板の他方のねじ止め部が被取り付け部材に対して固定される場合であっても、ベース板の変形を抑制することができる樹脂封止型パワー半導体モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１に記載の発明によれば、ねじ穴（１ａ７）を有する第１ねじ止め部（１ａ）と、ねじ穴（１ｂ７）を有する第２ねじ止め部（１ｂ）と、それらの間に配置された搭載部（１ｃ）とを具備する概略矩形形状の金属製ベース板（１）を設け、
ベース板（１）の搭載部（１ｃ）に少なくともパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）とを搭載し、
樹脂部（５）の下面（５ｆ）とベース板（１）の下面（１Ｄ）とが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板（１）の一部分とパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）の一部分とを封止し、
ベース板（１）が取り付けられる被取り付け部材（２００）とベース板（１）との間のうち、被取り付け部材（２００）と第１ねじ止め部（１ａ）との間および被取り付け部材（２００）と第２ねじ止め部（１ｂ）との間にグリス（２０１）を配置することなく、搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）との間にグリス（２０１）を配置し、
仮ねじ止めを行うことなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）を被取り付け部材（２００）に対して固定し、次いで、仮ねじ止めを行うことなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）を被取り付け部材（２００）に対して固定するように構成された樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）において、
ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）と搭載部（１ｃ）との境界である第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第１切り欠き部（１ｄ１）を形成すると共に、第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側とは反対側の第２の側の端部に概略半円形状の第２切り欠き部（１ｅ１）を形成し、
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）と搭載部（１ｃ）との境界である第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第３切り欠き部（１ｆ１）を形成すると共に、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第２の側の端部に概略半円形状の第４切り欠き部（１ｇ１）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ａ１ａ）と、その第１部分（１ａ１ａ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）に隣接する第２部分（１ａ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｃ１ａ）とを潰すことにより、第１切り欠き部（１ｄ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）から第１の側に突出する第１張り出し部（１ｄ２）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ａ１ｃ）と、その第３部分（１ａ１ｃ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）に隣接する第４部分（１ａ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第２部分（１ｃ１ｂ）とを潰すことにより、第２切り欠き部（１ｅ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）から第２の側に突出する第２張り出し部（１ｅ２）を形成し、
第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｂ１ａ）と、その第１部分（１ｂ１ａ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に隣接する第２部分（１ｂ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｃ１ｃ）とを潰すことにより、第３切り欠き部（１ｆ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）から第１の側に突出する第３張り出し部（１ｆ２）を形成し、
第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｂ１ｃ）と、その第３部分（１ｂ１ｃ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に隣接する第４部分（１ｂ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第４部分（１ｃ１ｄ）とを潰すことにより、第４切り欠き部（１ｇ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）から第２の側に突出する第４張り出し部（１ｇ２）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）の中心軸線と第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）の中心軸線とを含む中心面（ＣＰａｂ）と鋭角をなす直線状の第１溝部（１ｈ１）を、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第１切り欠き部（１ｄ１）との間に形成し、
中心面（ＣＰａｂ）と鋭角をなす直線状の第２溝部（１ｈ２）を、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第２切り欠き部（１ｅ１）との間に形成し、
中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の第３溝部（１ｈ３）を、第１境界部分（ＢＰａｃ）上であって、第１溝部（１ｈ１）と第２溝部（１ｈ２）との間に形成し、
中心面（ＣＰａｂ）と鋭角をなす直線状の第４溝部（１ｈ４）を、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第３切り欠き部（１ｆ１）との間に形成し、
中心面（ＣＰａｂ）と鋭角をなす直線状の第５溝部（１ｈ５）を、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第４切り欠き部（１ｇ１）との間に形成し、
中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の第６溝部（１ｈ３）を、第２境界部分（ＢＰｂｃ）上であって、第４溝部（１ｈ４）と第５溝部（１ｈ５）との間に形成し、
第１切り欠き部（１ｄ１）と第２切り欠き部（１ｅ１）と第３切り欠き部（１ｆ１）と第４切り欠き部（１ｇ１）と第１張り出し部（１ｄ２）と第２張り出し部（１ｅ２）と第３張り出し部（１ｆ２）と第４張り出し部（１ｇ２）と第１溝部（１ｈ１）と第２溝部（１ｈ２）と第３溝部（１ｈ３）と第４溝部（１ｈ４）と第５溝部（１ｈ５）と第６溝部（１ｈ６）とを樹脂部（５）によって覆ったことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）が提供される。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）を、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）と、その両側の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）とによって構成し、
ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）と第２の側の側面（１ａ５）との間隔（Ｗ１ａ）を、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）の半径（Ｒ５ｄ３）の概略２倍の値に設定し、
樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）を、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第１溝部（１ｈ１）および第２溝部（１ｈ２）との間に配置し、
樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）を、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）と、その両側の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）とによって構成し、
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）と第２の側の側面（１ｂ５）との間隔（Ｗ１ｂ）を、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）の半径（Ｒ５ｅ３）の概略２倍の値に設定し、
樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）を、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第４溝部（１ｈ４）および第５溝部（１ｈ５）との間に配置したことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）が提供される。
【００１７】
請求項３に記載の発明によれば、ねじ穴（１ａ７）を有する第１ねじ止め部（１ａ）と、ねじ穴（１ｂ７）を有する第２ねじ止め部（１ｂ）と、それらの間に配置された搭載部（１ｃ）とを具備する概略矩形形状の金属製ベース板（１）を設け、
ベース板（１）の搭載部（１ｃ）に少なくともパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）とを搭載し、
樹脂部（５）の下面（５ｆ）とベース板（１）の下面（１Ｄ）とが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板（１）の一部分とパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）の一部分とを封止し、
ベース板（１）が取り付けられる被取り付け部材（２００）とベース板（１）との間のうち、被取り付け部材（２００）と第１ねじ止め部（１ａ）との間および被取り付け部材（２００）と第２ねじ止め部（１ｂ）との間にグリス（２０１）を配置することなく、搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）との間にグリス（２０１）を配置し、
仮ねじ止めを行うことなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）を被取り付け部材（２００）に対して固定し、次いで、仮ねじ止めを行うことなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）を被取り付け部材（２００）に対して固定するように構成された樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）において、
ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）と搭載部（１ｃ）との境界である第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第１切り欠き部（１ｄ１）を形成すると共に、第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側とは反対側の第２の側の端部に概略半円形状の第２切り欠き部（１ｅ１）を形成し、
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）と搭載部（１ｃ）との境界である第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第３切り欠き部（１ｆ１）を形成すると共に、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第２の側の端部に概略半円形状の第４切り欠き部（１ｇ１）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ａ１ａ）と、その第１部分（１ａ１ａ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）に隣接する第２部分（１ａ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｃ１ａ）とを潰すことにより、第１切り欠き部（１ｄ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）から第１の側に突出する第１張り出し部（１ｄ２）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ａ１ｃ）と、その第３部分（１ａ１ｃ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）に隣接する第４部分（１ａ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第２部分（１ｃ１ｂ）とを潰すことにより、第２切り欠き部（１ｅ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）から第２の側に突出する第２張り出し部（１ｅ２）を形成し、
第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｂ１ａ）と、その第１部分（１ｂ１ａ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に隣接する第２部分（１ｂ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｃ１ｃ）とを潰すことにより、第３切り欠き部（１ｆ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）から第１の側に突出する第３張り出し部（１ｆ２）を形成し、
第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｂ１ｃ）と、その第３部分（１ｂ１ｃ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に隣接する第４部分（１ｂ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第４部分（１ｃ１ｄ）とを潰すことにより、第４切り欠き部（１ｇ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）から第２の側に突出する第４張り出し部（１ｇ２）を形成し、
第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）を中心とする概略円弧形状の第１溝部（１ｈ７）を、第１境界部分（ＢＰａｃ）に接するように第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）に形成し、
第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）を中心とする概略円弧形状の第２溝部（１ｈ８）を、第２境界部分（ＢＰｂｃ）に接するように第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）に形成し、
第１切り欠き部（１ｄ１）と第２切り欠き部（１ｅ１）と第３切り欠き部（１ｆ１）と第４切り欠き部（１ｇ１）と第１張り出し部（１ｄ２）と第２張り出し部（１ｅ２）と第３張り出し部（１ｆ２）と第４張り出し部（１ｇ２）と第１溝部（１ｈ７）と第２溝部（１ｈ８）とを樹脂部（５）によって覆ったことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）が提供される。
【００１８】
請求項４に記載の発明によれば、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）を、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）と、その両側の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）とによって構成し、
ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）と第２の側の側面（１ａ５）との間隔（Ｗ１ａ）を、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）の半径（Ｒ５ｄ３）の概略２倍の値に設定し、
樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）を、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第１溝部（１ｈ７）との間に配置し、
樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）を、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）と、その両側の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）とによって構成し、
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）と第２の側の側面（１ｂ５）との間隔（Ｗ１ｂ）を、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）の半径（Ｒ５ｅ３）の概略２倍の値に設定し、
樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）を、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第２溝部（１ｈ８）との間に配置したことを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）が提供される。
【００１９】
請求項５に記載の発明によれば、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）を、搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）よりも第１の側に突出させ、
ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）を、搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）よりも第２の側に突出させたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ねじ穴（１ａ７）を有する第１ねじ止め部（１ａ）と、ねじ穴（１ｂ７）を有する第２ねじ止め部（１ｂ）と、それらの間に配置された搭載部（１ｃ）とを具備する概略矩形形状の金属製ベース板（１）が設けられている。また、ベース板（１）の搭載部（１ｃ）に少なくともパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）とが搭載されている。また、樹脂部（５）の下面（５ｆ）とベース板（１）の下面（１Ｄ）とが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板（１）の一部分とパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）の一部分とが封止されている。
【００２１】
更に、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ベース板（１）が取り付けられる被取り付け部材（２００）とベース板（１）との間のうち、被取り付け部材（２００）と第１ねじ止め部（１ａ）との間および被取り付け部材（２００）と第２ねじ止め部（１ｂ）との間にグリス（２０１）が配置されることなく、搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）との間にグリス（２０１）が配置されている。
【００２２】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第１ねじ止め部（１ａ）および第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ止めが行われる前の段階で、ベース板（１）の搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）のとの間のグリスの厚さ（Ｔ１ｃ）に相当する隙間（ＳＰ１ａ，ＳＰ１ｂ）が、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）と被取り付け部材（２００）との間およびベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）と被取り付け部材（２００）との間に存在する。
【００２３】
また、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）が被取り付け部材（２００）に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対して固定される。
【００２４】
その結果、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）が被取り付け部材（２００）に対して固定された段階で、グリス（２０１）の断面形状が、長方形にならず、概略楔形状になる。
【００２５】
従って、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、次いで、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対して固定される時に、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）と搭載部（１ｃ）との境界である第２境界部分（ＢＰｂｃ）の近傍に大きい応力がかかる。
【００２６】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対して固定される時に第２境界部分（ＢＰｂｃ）の近傍にかかる応力に伴うベース板（１）の変形（曲がり）を抑制するために、後述するような対策が施されている。
【００２７】
また、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、樹脂材料の成形によって樹脂部（５）が形成されている。そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、樹脂部（５）とベース板（１）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板（１）と樹脂部（５）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制するために、後述するような対策が施されている。
【００２８】
詳細には、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）と搭載部（１ｃ）との境界である第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第１切り欠き部（１ｄ１）が形成されると共に、第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側とは反対側の第２の側の端部に概略半円形状の第２切り欠き部（１ｅ１）が形成されている。また、ベース板（１）の第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第３切り欠き部（１ｆ１）が形成されると共に、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第２の側の端部に概略半円形状の第４切り欠き部（１ｇ１）が形成されている。更に、第１切り欠き部（１ｄ１）と第２切り欠き部（１ｅ１）と第３切り欠き部（１ｆ１）と第４切り欠き部（１ｇ１）とが樹脂部（５）によって覆われている。
【００２９】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第１切り欠き部（１ｄ１）、第２切り欠き部（１ｅ１）、第３切り欠き部（１ｆ１）および第４切り欠き部（１ｇ１）が形成されていない場合よりも、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）と樹脂部（５）との密着性、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）と樹脂部（５）との密着性、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）と樹脂部（５）との密着性、並びに、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）と樹脂部（５）との密着性を向上させることができる。
【００３０】
更に、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ａ１ａ）と、その第１部分（１ａ１ａ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）に隣接する第２部分（１ａ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｃ１ａ）とを潰すことにより、第１切り欠き部（１ｄ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）から第１の側に突出する第１張り出し部（１ｄ２）が形成されている。また、第１張り出し部（１ｄ２）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００３１】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第１張り出し部（１ｄ２）が形成されていない場合よりも、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）と樹脂部（５）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板（１）の下面（１Ｄ）と樹脂部（５）の下面（５ｆ）との境界線からベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００３２】
また、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ａ１ｃ）と、その第３部分（１ａ１ｃ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）に隣接する第４部分（１ａ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第２部分（１ｃ１ｂ）とを潰すことにより、第２切り欠き部（１ｅ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）から第２の側に突出する第２張り出し部（１ｅ２）が形成されている。更に、第２張り出し部（１ｅ２）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００３３】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第２張り出し部（１ｅ２）が形成されていない場合よりも、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）と樹脂部（５）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板（１）の下面（１Ｄ）と樹脂部（５）の下面（５ｆ）との境界線からベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００３４】
更に、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｂ１ａ）と、その第１部分（１ｂ１ａ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に隣接する第２部分（１ｂ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｃ１ｃ）とを潰すことにより、第３切り欠き部（１ｆ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）から第１の側に突出する第３張り出し部（１ｆ２）が形成されている。また、第３張り出し部（１ｆ２）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００３５】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第３張り出し部（１ｆ２）が形成されていない場合よりも、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）と樹脂部（５）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板（１）の下面（１Ｄ）と樹脂部（５）の下面（５ｆ）との境界線からベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００３６】
詳細には、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第３張り出し部（１ｆ２）を形成するために、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）の第１部分（１ｂ１ａ）が潰されるのみならず、その第１部分（１ｂ１ａ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に隣接する第２部分（１ｂ１ｂ）も潰されている。
【００３７】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対してねじ止めされる時に、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の近傍にかかる大きい応力によって、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に密着している樹脂部（５）が割れてしまうおそれを、第２部分（１ｂ１ｂ）が潰されていない場合よりも低減することができる。
【００３８】
また、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｂ１ｃ）と、その第３部分（１ｂ１ｃ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に隣接する第４部分（１ｂ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第４部分（１ｃ１ｄ）とを潰すことにより、第４切り欠き部（１ｇ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）から第２の側に突出する第４張り出し部（１ｇ２）が形成されている。更に、第４張り出し部（１ｇ２）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００３９】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第４張り出し部（１ｇ２）が形成されていない場合よりも、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）と樹脂部（５）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板（１）の下面（１Ｄ）と樹脂部（５）の下面（５ｆ）との境界線からベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００４０】
詳細には、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第４張り出し部（１ｇ２）を形成するために、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）の第３部分（１ｂ１ｃ）が潰されるのみならず、その第３部分（１ｂ１ｃ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に隣接する第４部分（１ｂ１ｄ）も潰されている。
【００４１】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対してねじ止めされる時に、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の近傍にかかる大きい応力によって、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に密着している樹脂部（５）が割れてしまうおそれを、第４部分（１ｂ１ｄ）が潰されていない場合よりも低減することができる。
【００４２】
更に、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）の中心軸線と第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）の中心軸線とを含む中心面（ＣＰａｂ）と鋭角（θ１）をなす直線状の第１溝部（１ｈ１）が、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第１切り欠き部（１ｄ１）との間に形成されている。また、中心面（ＣＰａｂ）と鋭角（θ２）をなす直線状の第２溝部（１ｈ２）が、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第２切り欠き部（１ｅ１）との間に形成されている。更に、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の第３溝部（１ｈ３）が、第１境界部分（ＢＰａｃ）上であって、第１溝部（１ｈ１）と第２溝部（１ｈ２）との間に形成されている。また、第１溝部（１ｈ１）と第２溝部（１ｈ２）と第３溝部（１ｈ３）とが樹脂部（５）によって覆われている。
【００４３】
つまり、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第１溝部（１ｈ１）、第２溝部（１ｈ２）および第３溝部（１ｈ３）が、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１境界部分（ＢＰａｃ）上およびその近傍に形成されている。
【００４４】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第１溝部（１ｈ１）、第２溝部（１ｈ２）および第３溝部（１ｈ３）が形成されていない場合よりも、樹脂部（５）とベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）との密着性を向上させることができる。
【００４５】
また、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第１溝部（１ｈ１）、第２溝部（１ｈ２）および第３溝部（１ｈ３）が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）と樹脂部（５）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００４６】
一方、樹脂部（５）とベース板（１）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板（１）と樹脂部（５）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板（１）の変形に抗する強度（詳細には、ベース板（１）の曲げ強度）が大幅に低下してしまうおそれがある。
【００４７】
この点に鑑み、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、直線状の第１溝部（１ｈ１）が、中心面（ＣＰａｂ）に垂直に形成されるのではなく、中心面（ＣＰａｂ）と鋭角（θ１）をなすように形成されている。また、直線状の第２溝部（１ｈ２）が、中心面（ＣＰａｂ）に垂直に形成されるのではなく、中心面（ＣＰａｂ）と鋭角（θ２）をなすように形成されている。更に、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の第３溝部（１ｈ３）が、第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、第１溝部（１ｈ１）と第２溝部（１ｈ２）との間に形成されている。
【００４８】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の溝部（１ｈ３’）が第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第１境界部分（ＢＰａｃ）におけるベース板（１）の断面積を大きくすることができ、それにより、第１境界部分（ＢＰａｃ）におけるベース板（１）の変形に抗する強度（ベース板（１）の曲げ強度）を向上させることができる。
【００４９】
換言すれば、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の溝部（１ｈ３’）が第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第１境界部分（ＢＰａｃ）上に溝部が形成されることに伴うベース板（１）の変形に抗する強度（ベース板（１）の曲げ強度）の低下を抑制することができる。
【００５０】
更に、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、中心面（ＣＰａｂ）と鋭角（θ４）をなす直線状の第４溝部（１ｈ４）が、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第３切り欠き部（１ｆ１）との間に形成されている。また、中心面（ＣＰａｂ）と鋭角（θ５）をなす直線状の第５溝部（１ｈ５）が、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第４切り欠き部（１ｇ１）との間に形成されている。更に、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の第６溝部（１ｈ３）が、第２境界部分（ＢＰｂｃ）上であって、第４溝部（１ｈ４）と第５溝部（１ｈ５）との間に形成されている。また、第４溝部（１ｈ４）と第５溝部（１ｈ５）と第６溝部（１ｈ６）とが樹脂部（５）によって覆われている。
【００５１】
つまり、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第４溝部（１ｈ４）、第５溝部（１ｈ５）および第６溝部（１ｈ６）が、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第２境界部分（ＢＰｂｃ）上およびその近傍に形成されている。
【００５２】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第４溝部（１ｈ４）、第５溝部（１ｈ５）および第６溝部（１ｈ６）が形成されていない場合よりも、樹脂部（５）とベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）との密着性を向上させることができる。
【００５３】
また、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第４溝部（１ｈ４）、第５溝部（１ｈ５）および第６溝部（１ｈ６）が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）と樹脂部（５）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００５４】
一方、樹脂部（５）とベース板（１）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板（１）と樹脂部（５）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板（１）の変形に抗する強度（詳細には、ベース板（１）の曲げ強度）が大幅に低下してしまうおそれがある。
【００５５】
この点に鑑み、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、直線状の第４溝部（１ｈ４）が、中心面（ＣＰａｂ）に垂直に形成されるのではなく、中心面（ＣＰａｂ）と鋭角（θ４）をなすように形成されている。また、直線状の第５溝部（１ｈ５）が、中心面（ＣＰａｂ）に垂直に形成されるのではなく、中心面（ＣＰａｂ）と鋭角（θ５）をなすように形成されている。更に、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の第６溝部（１ｈ６）が、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、第４溝部（１ｈ４）と第５溝部（１ｈ５）との間に形成されている。
【００５６】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の溝部（１ｈ６’）が第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第２境界部分（ＢＰｂｃ）におけるベース板（１）の断面積を大きくすることができ、それにより、第２境界部分（ＢＰｂｃ）におけるベース板（１）の変形に抗する強度（ベース板（１）の曲げ強度）を向上させることができる。
【００５７】
換言すれば、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の溝部（１ｈ６’）が第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第２境界部分（ＢＰｂｃ）上に溝部が形成されることに伴うベース板（１）の変形に抗する強度（ベース板（１）の曲げ強度）の低下を抑制することができる。
【００５８】
すなわち、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、樹脂部（５）とベース板（１）との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板（１）の搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）との間のみにグリス（２０１）が配置される場合であって、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）が被取り付け部材（２００）に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対して固定される場合であっても、ベース板（１）の変形を抑制することができる。
【００５９】
請求項２に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）が、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）と、その両側の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）とによって構成されている。また、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）と第２の側の側面（１ａ５）との間隔（Ｗ１ａ）が、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）の半径（Ｒ５ｄ３）の概略２倍の値に設定されている。更に、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）が、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第１溝部（１ｈ１）および第２溝部（１ｈ２）との間に配置されている。
【００６０】
また、請求項２に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）が、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）と、その両側の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）とによって構成されている。更に、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）と第２の側の側面（１ｂ５）との間隔（Ｗ１ｂ）が、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）の半径（Ｒ５ｅ３）の概略２倍の値に設定されている。また、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）が、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第４溝部（１ｈ４）および第５溝部（１ｈ５）との間に配置されている。
【００６１】
そのため、請求項２に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）と第２の側の側面（１ａ５）との間隔（Ｗ１ａ）が、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）の半径（Ｒ５ｄ３）の２倍より大きい値に設定され、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）が、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）を隔てて樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の凹状面部分（５ｄ３）の反対側に配置され、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）と第２の側の側面（１ｂ５）との間隔（Ｗ１ｂ）が、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）の半径（Ｒ５ｅ３）の２倍より大きい値に設定され、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）が、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）を隔てて樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の凹状面部分（５ｅ３）の反対側に配置されている特許文献１の図８〜図１０に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールよりも、樹脂部（５）の第１の側の側面（５ｂ）と第２の側の側面（５ｃ）との間隔（Ｗ５）を小さくすることができ、それにより、樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）全体を小型化することができる。
【００６２】
請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ねじ穴（１ａ７）を有する第１ねじ止め部（１ａ）と、ねじ穴（１ｂ７）を有する第２ねじ止め部（１ｂ）と、それらの間に配置された搭載部（１ｃ）とを具備する概略矩形形状の金属製ベース板（１）が設けられている。また、ベース板（１）の搭載部（１ｃ）に少なくともパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）とが搭載されている。また、樹脂部（５）の下面（５ｆ）とベース板（１）の下面（１Ｄ）とが一致するように、樹脂材料の成形によって、少なくともベース板（１）の一部分とパワー半導体素子（２Ｌ）と外部端子（４Ｌ）の一部分とが封止されている。
【００６３】
更に、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ベース板（１）が取り付けられる被取り付け部材（２００）とベース板（１）との間のうち、被取り付け部材（２００）と第１ねじ止め部（１ａ）との間および被取り付け部材（２００）と第２ねじ止め部（１ｂ）との間にグリス（２０１）が配置されることなく、搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）との間にグリス（２０１）が配置されている。
【００６４】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第１ねじ止め部（１ａ）および第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ止めが行われる前の段階で、ベース板（１）の搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）のとの間のグリスの厚さ（Ｔ１ｃ）に相当する隙間（ＳＰ１ａ，ＳＰ１ｂ）が、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）と被取り付け部材（２００）との間およびベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）と被取り付け部材（２００）との間に存在する。
【００６５】
また、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）が被取り付け部材（２００）に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対して固定される。
【００６６】
その結果、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）が被取り付け部材（２００）に対して固定された段階で、グリス（２０１）の断面形状が、長方形にならず、概略楔形状になる。
【００６７】
従って、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、次いで、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対して固定される時に、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）と搭載部（１ｃ）との境界である第２境界部分（ＢＰｂｃ）の近傍に大きい応力がかかる。
【００６８】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対して固定される時に第２境界部分（ＢＰｂｃ）の近傍にかかる応力に伴うベース板（１）の変形（曲がり）を抑制するために、後述するような対策が施されている。
【００６９】
また、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、樹脂材料の成形によって樹脂部（５）が形成されている。そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、樹脂部（５）とベース板（１）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板（１）と樹脂部（５）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制するために、後述するような対策が施されている。
【００７０】
詳細には、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）と搭載部（１ｃ）との境界である第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第１切り欠き部（１ｄ１）が形成されると共に、第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側とは反対側の第２の側の端部に概略半円形状の第２切り欠き部（１ｅ１）が形成されている。また、ベース板（１）の第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部に概略半円形状の第３切り欠き部（１ｆ１）が形成されると共に、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第２の側の端部に概略半円形状の第４切り欠き部（１ｇ１）が形成されている。更に、第１切り欠き部（１ｄ１）と第２切り欠き部（１ｅ１）と第３切り欠き部（１ｆ１）と第４切り欠き部（１ｇ１）とが樹脂部（５）によって覆われている。
【００７１】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第１切り欠き部（１ｄ１）、第２切り欠き部（１ｅ１）、第３切り欠き部（１ｆ１）および第４切り欠き部（１ｇ１）が形成されていない場合よりも、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）と樹脂部（５）との密着性、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）と樹脂部（５）との密着性、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）と樹脂部（５）との密着性、並びに、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）と樹脂部（５）との密着性を向上させることができる。
【００７２】
更に、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ａ１ａ）と、その第１部分（１ａ１ａ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）に隣接する第２部分（１ａ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第１切り欠き部（１ｄ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｃ１ａ）とを潰すことにより、第１切り欠き部（１ｄ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）から第１の側に突出する第１張り出し部（１ｄ２）が形成されている。また、第１張り出し部（１ｄ２）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００７３】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第１張り出し部（１ｄ２）が形成されていない場合よりも、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）と樹脂部（５）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板（１）の下面（１Ｄ）と樹脂部（５）の下面（５ｆ）との境界線からベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００７４】
また、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ａ１ｃ）と、その第３部分（１ａ１ｃ）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）に隣接する第４部分（１ａ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第２切り欠き部（１ｅ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第２部分（１ｃ１ｂ）とを潰すことにより、第２切り欠き部（１ｅ１）および第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）から第２の側に突出する第２張り出し部（１ｅ２）が形成されている。更に、第２張り出し部（１ｅ２）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００７５】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第２張り出し部（１ｅ２）が形成されていない場合よりも、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）と樹脂部（５）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板（１）の下面（１Ｄ）と樹脂部（５）の下面（５ｆ）との境界線からベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第２の側の側面（１ａ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００７６】
更に、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第１部分（１ｂ１ａ）と、その第１部分（１ｂ１ａ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に隣接する第２部分（１ｂ１ｂ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第３切り欠き部（１ｆ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｃ１ｃ）とを潰すことにより、第３切り欠き部（１ｆ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）から第１の側に突出する第３張り出し部（１ｆ２）が形成されている。また、第３張り出し部（１ｆ２）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００７７】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第３張り出し部（１ｆ２）が形成されていない場合よりも、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）と樹脂部（５）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板（１）の下面（１Ｄ）と樹脂部（５）の下面（５ｆ）との境界線からベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）および搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００７８】
詳細には、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第３張り出し部（１ｆ２）を形成するために、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）の第１部分（１ｂ１ａ）が潰されるのみならず、その第１部分（１ｂ１ａ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に隣接する第２部分（１ｂ１ｂ）も潰されている。
【００７９】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対してねじ止めされる時に、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の近傍にかかる大きい応力によって、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に密着している樹脂部（５）が割れてしまうおそれを、第２部分（１ｂ１ｂ）が潰されていない場合よりも低減することができる。
【００８０】
また、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第３部分（１ｂ１ｃ）と、その第３部分（１ｂ１ｃ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に隣接する第４部分（１ｂ１ｄ）と、搭載部（１ｃ）の上面（１ｃ１）のうち、第４切り欠き部（１ｇ１）に隣接する概略４分の１円弧形状の第４部分（１ｃ１ｄ）とを潰すことにより、第４切り欠き部（１ｇ１）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）から第２の側に突出する第４張り出し部（１ｇ２）が形成されている。更に、第４張り出し部（１ｇ２）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００８１】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第４張り出し部（１ｇ２）が形成されていない場合よりも、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）と樹脂部（５）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板（１）の下面（１Ｄ）と樹脂部（５）の下面（５ｆ）との境界線からベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）および搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００８２】
詳細には、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第４張り出し部（１ｇ２）を形成するために、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）の第３部分（１ｂ１ｃ）が潰されるのみならず、その第３部分（１ｂ１ｃ）および第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に隣接する第４部分（１ｂ１ｄ）も潰されている。
【００８３】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対してねじ止めされる時に、第２境界部分（ＢＰｂｃ）の近傍にかかる大きい応力によって、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に密着している樹脂部（５）が割れてしまうおそれを、第４部分（１ｂ１ｄ）が潰されていない場合よりも低減することができる。
【００８４】
更に、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）を中心とする概略円弧形状の第１溝部（１ｈ７）が、第１境界部分（ＢＰａｃ）に接するように第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）に形成されている。また、第１溝部（１ｈ７）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００８５】
つまり、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第１溝部（１ｈ７）が、第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）のうち、第１境界部分（ＢＰａｃ）上およびその近傍に形成されている。
【００８６】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第１溝部（１ｈ７）が形成されていない場合よりも、樹脂部（５）とベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）との密着性を向上させることができる。
【００８７】
また、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第１溝部（１ｈ７）が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の上面（１ａ１）と樹脂部（５）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００８８】
一方、樹脂部（５）とベース板（１）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板（１）と樹脂部（５）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板（１）の変形に抗する強度（詳細には、ベース板（１）の曲げ強度）が大幅に低下してしまうおそれがある。
【００８９】
この点に鑑み、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の溝部（１ｈ３’）が第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、概略円弧形状の第１溝部（１ｈ７）が、第１境界部分（ＢＰａｃ）に接するように形成されている。
【００９０】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の溝部（１ｈ３’）が第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第１境界部分（ＢＰａｃ）におけるベース板（１）の断面積を大きくすることができ、それにより、第１境界部分（ＢＰａｃ）におけるベース板（１）の変形に抗する強度（ベース板（１）の曲げ強度）を向上させることができる。
【００９１】
換言すれば、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の溝部（１ｈ３’）が第１境界部分（ＢＰａｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第１境界部分（ＢＰａｃ）上に溝部が形成されることに伴うベース板（１）の変形に抗する強度（ベース板（１）の曲げ強度）の低下を抑制することができる。
【００９２】
更に、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）を中心とする概略円弧形状の第２溝部（１ｈ８）が、第２境界部分（ＢＰｂｃ）に接するように第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）に形成されている。また、第２溝部（１ｈ８）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００９３】
つまり、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、第２溝部（１ｈ８）が、第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）のうち、第２境界部分（ＢＰｂｃ）上およびその近傍に形成されている。
【００９４】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第２溝部（１ｈ８）が形成されていない場合よりも、樹脂部（５）とベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）との密着性を向上させることができる。
【００９５】
また、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第２溝部（１ｈ８）が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の上面（１ｂ１）と樹脂部（５）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【００９６】
一方、樹脂部（５）とベース板（１）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板（１）と樹脂部（５）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板（１）の変形に抗する強度（詳細には、ベース板（１）の曲げ強度）が大幅に低下してしまうおそれがある。
【００９７】
この点に鑑み、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の溝部（１ｈ６’）が第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、概略円弧形状の第２溝部（１ｈ８）が、第２境界部分（ＢＰｂｃ）に接するように形成されている。
【００９８】
そのため、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の溝部（１ｈ６’）が第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第２境界部分（ＢＰｂｃ）におけるベース板（１）の断面積を大きくすることができ、それにより、第２境界部分（ＢＰｂｃ）におけるベース板（１）の変形に抗する強度（ベース板（１）の曲げ強度）を向上させることができる。
【００９９】
換言すれば、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、中心面（ＣＰａｂ）に垂直な直線状の溝部（１ｈ６’）が第２境界部分（ＢＰｂｃ）の第１の側の端部と第２の側の端部との間の全体にわたって形成されている場合よりも、第２境界部分（ＢＰｂｃ）上に溝部が形成されることに伴うベース板（１）の変形に抗する強度（ベース板（１）の曲げ強度）の低下を抑制することができる。
【０１００】
すなわち、請求項３に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、樹脂部（５）とベース板（１）との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板（１）の搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）との間のみにグリス（２０１）が配置される場合であって、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）が被取り付け部材（２００）に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対して固定される場合であっても、ベース板（１）の変形を抑制することができる。
【０１０１】
請求項４に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）が、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）と、その両側の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）とによって構成されている。また、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）と第２の側の側面（１ａ５）との間隔（Ｗ１ａ）が、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）の半径（Ｒ５ｄ３）の概略２倍の値に設定されている。更に、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）が、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）と第１溝部（１ｈ７）との間に配置されている。
【０１０２】
また、請求項４に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）が、概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）と、その両側の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）とによって構成されている。更に、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）と第２の側の側面（１ｂ５）との間隔（Ｗ１ｂ）が、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）の半径（Ｒ５ｅ３）の概略２倍の値に設定されている。また、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）が、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）と第２溝部（１ｈ８）との間に配置されている。
【０１０３】
そのため、請求項４に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、ベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）の第１の側の側面（１ａ４）と第２の側の側面（１ａ５）との間隔（Ｗ１ａ）が、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｄ３）の半径（Ｒ５ｄ３）の２倍より大きい値に設定され、樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の平面部分（５ｄ１，５ｄ２）が、第１ねじ止め部（１ａ）のねじ穴（１ａ７）を隔てて樹脂部（５）の第１ねじ止め部（１ａ）の側の側面（５ｄ）の凹状面部分（５ｄ３）の反対側に配置され、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）と第２の側の側面（１ｂ５）との間隔（Ｗ１ｂ）が、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の概略円筒面形状の凹状面部分（５ｅ３）の半径（Ｒ５ｅ３）の２倍より大きい値に設定され、樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の平面部分（５ｅ１，５ｅ２）が、第２ねじ止め部（１ｂ）のねじ穴（１ｂ７）を隔てて樹脂部（５）の第２ねじ止め部（１ｂ）の側の側面（５ｅ）の凹状面部分（５ｅ３）の反対側に配置されている特許文献１の図８〜図１０に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールよりも、樹脂部（５）の第１の側の側面（５ｂ）と第２の側の側面（５ｃ）との間隔（Ｗ５）を小さくすることができ、それにより、樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）全体を小型化することができる。
【０１０４】
本発明者等の鋭意研究により、ベース板（１）の搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）との間のみにグリス（２０１）が配置される場合であって、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）が被取り付け部材（２００）に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対して固定される場合には、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に密着している樹脂部（５）、および、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に密着している樹脂部（５）が割れてしまうおそれが高くなることが見い出された。
【０１０５】
更に、本発明者等の鋭意研究により、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）を搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）よりも第１の側に突出させると共に、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）を搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）よりも第２の側に突出させることにより、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に密着している樹脂部（５）、および、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に密着している樹脂部（５）が割れてしまうおそれを低減できることが見い出された。
【０１０６】
この点に鑑み、請求項５に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）では、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）が、搭載部（１ｃ）の第１の側の側面（１ｃ４）よりも第１の側に突出せしめられている。更に、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）が、搭載部（１ｃ）の第２の側の側面（１ｃ５）よりも第２の側に突出せしめられている。
【０１０７】
そのため、請求項５に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、ベース板（１）の搭載部（１ｃ）と被取り付け部材（２００）との間のみにグリス（２０１）が配置される場合であって、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第１ねじ止め部（１ａ）が被取り付け部材（２００）に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）が被取り付け部材（２００）に対して固定される場合に、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第１の側の側面（１ｂ４）に密着している樹脂部（５）、および、ベース板（１）の第２ねじ止め部（１ｂ）の第２の側の側面（１ｂ５）に密着している樹脂部（５）が割れてしまうおそれを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００を示した図である。
【図２】ねじ止めによって第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００が被取り付け部材２００に取り付けられる様子を示した図である。
【図３】図１に示すベース板１の部品図である。
【図４】図３に示す切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１が形成された後であって、図３に示す張り出し部１ｄ２，１ｅ２，１ｆ２，１ｇ２，１ｃ４ａ，１ｃ４ｂ，１ｃ５ａ，１ｃ５ｂおよび溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３，１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６が形成される前におけるベース板１を示した図である。
【図５】図３に示す溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３，１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６を説明するための図である。
【図６】第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部構造を説明するための図である。
【図７】図３に示すベース板１の右ねじ止め部１ａと図１に示す樹脂部５の右側面５ｄとの関係、図３に示すベース板１の左ねじ止め部１ｂと図１に示す樹脂部５の左側面５ｅとの関係などを説明するための図である。
【図８】第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の等価回路図である。
【図９】第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００のベース板１の部品図である。
【図１０】図９に示す溝部１ｈ７，１ｈ８を説明するための図である。
【図１１】第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部構造を説明するための図である。
【図１２】図９に示すベース板１の右ねじ止め部１ａと図１０（Ｂ）に示す樹脂部５の右側面５ｄとの関係、図９に示すベース板１の左ねじ止め部１ｂと図１０（Ｂ）に示す樹脂部５の左側面５ｅとの関係などを説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０１０９】
以下、本発明の樹脂封止型パワー半導体モジュールの第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００を示した図である。詳細には、図１（Ａ）は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の平面図、図１（Ｂ）は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の正面図、図１（Ｃ）は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の左側面図、図１（Ｄ）は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の右側面図、図１（Ｅ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。詳細には、図１（Ｅ）はベース板１の右ねじ止め部１ａ（図１（Ｅ）参照）のねじ穴１ａ７の中心軸線と左ねじ止め部１ｂ（図１（Ｅ）参照）のねじ穴１ｂ７の中心軸線とを含む中心面ＣＰａｂ（図１（Ａ）参照）に沿った第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の断面図である。
【０１１０】
図２はねじ止めによって第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００が被取り付け部材２００に取り付けられる様子を示した図である。図３は図１に示すベース板１の部品図である。詳細には、図３（Ａ）はベース板１の平面図、図３（Ｂ）はベース板１の正面図、図３（Ｃ）は図３（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。詳細には、図３（Ｃ）は右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７の中心軸線と左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７の中心軸線とを含む中心面ＣＰａｂに沿ったベース板１の断面図である。図３（Ｄ）はベース板１の底面図、図３（Ｅ）はベース板１の後側面図である。
【０１１１】
図４は図３に示す切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１が形成された後であって、図３に示す張り出し部１ｄ２，１ｅ２，１ｆ２，１ｇ２，１ｃ４ａ，１ｃ４ｂ，１ｃ５ａ，１ｃ５ｂおよび溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３，１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６が形成される前におけるベース板１を示した図である。詳細には、図４（Ａ）は図３に示す切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１が形成された後であって、図３に示す張り出し部１ｄ２，１ｅ２，１ｆ２，１ｇ２，１ｃ４ａ，１ｃ４ｂ，１ｃ５ａ，１ｃ５ｂおよび溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３，１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６が形成される前におけるベース板１の平面図である。図４（Ｂ）はベース板１の右ねじ止め部１ａの上面１ａ１、左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１および搭載部１ｃの上面１ｃ１のうち、張り出し部１ｄ２，１ｅ２，１ｆ２，１ｇ２，１ｃ４ａ，１ｃ４ｂ，１ｃ５ａ，１ｃ５ｂ（図３参照）を形成するために潰される部分１ａ１ａ，１ａ１ｂ，１ａ１ｃ，１ａ１ｄ，１ｂ１ａ，１ｂ１ｂ，１ｂ１ｃ，１ｂ１ｄ，１ｃ１ａ，１ｃ１ｂ，１ｃ１ｃ，１ｃ１ｄ，１ｃ１ｅ，１ｃ１ｆ，１ｃ１ｇ，１ｃ１ｈを示した図である。図４（Ｃ）は図４（Ｂ）に示す部分１ａ１ａ，１ａ１ｂ，１ｃ１ａ，１ｃ１ｅなどの拡大図、図４（Ｄ）は図４（Ｂ）に示す部分１ａ１ｃ，１ａ１ｄ，１ｃ１ｂ，１ｃ１ｆなどの拡大図、図４（Ｅ）は図４（Ｂ）に示す部分１ｂ１ａ，１ｂ１ｂ，１ｃ１ｃ，１ｃ１ｇなどの拡大図、図４（Ｆ）は図４（Ｂ）に示す部分１ｂ１ｃ，１ｂ１ｄ，１ｃ１ｄ，１ｃ１ｈなどの拡大図である。
【０１１２】
図５は図３に示す溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３，１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６を説明するための図である。図６は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部構造を説明するための図である。詳細には、図６（Ａ）は図１に示す樹脂部５が形成される前における第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の他の構成部品の平面図、図６（Ｂ）は図１に示す樹脂部５が形成される前における第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の他の構成部品の正面図、図６（Ｃ）は図１に示す樹脂部５が形成される前における第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の他の構成部品の右側面図、図６（Ｄ）は図１に示す樹脂部５が形成される前における第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の他の構成部品の左側面図である。図７は図３に示すベース板１の右ねじ止め部１ａと図１に示す樹脂部５の右側面５ｄ（図７参照）との関係、図３に示すベース板１の左ねじ止め部１ｂと図１に示す樹脂部５の左側面５ｅ（図７参照）との関係などを説明するための図である。図８は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の等価回路図である。
【０１１３】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１および図３に示すように、ねじ穴１ａ７を有する右ねじ止め部１ａと、ねじ穴１ｂ７を有する左ねじ止め部１ｂと、それらの間に配置された搭載部１ｃとを具備し、例えば２ｍｍの厚さを有する概略矩形形状の金属製ベース板１が設けられている。また、図３および図６に示すように、電極板３Ｌ１と、例えばダイオードなどのようなパワー半導体素子２Ｌと、電極板３Ｌ２と、外部端子４Ｌとが、ベース板１の搭載部１ｃに搭載されると共に、電極板３Ｒ１と、例えばダイオードなどのようなパワー半導体素子２Ｒと、電極板３Ｒ２と、外部端子４Ｒとが、ベース板１の搭載部１ｃに搭載されている。更に、ベース板１の搭載部１ｃと、電極板３Ｌ１と、パワー半導体素子２Ｌと、電極板３Ｌ２と、外部端子４Ｌの下側部分４Ｌ１とが、例えば半田などのような接合材によって相互に接合されると共に、ベース板１の搭載部１ｃと、電極板３Ｒ１と、パワー半導体素子２Ｒと、電極板３Ｒ２と、外部端子４Ｒの下側部分４Ｒ１とが、例えば半田などのような接合材によって相互に接合されている。
【０１１４】
詳細には、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、電極板３Ｌ１の熱膨張係数が、ベース板１の熱膨張係数とパワー半導体素子２Ｌの熱膨張係数との間の値に設定されている。また、電極板３Ｌ２の熱膨張係数が、パワー半導体素子２Ｌの熱膨張係数と外部端子４Ｌの熱膨張係数との間の値に設定されている。更に、電極板３Ｒ１の熱膨張係数が、ベース板１の熱膨張係数とパワー半導体素子２Ｒの熱膨張係数との間の値に設定されている。また、電極板３Ｒ２の熱膨張係数が、パワー半導体素子２Ｒの熱膨張係数と外部端子４Ｒの熱膨張係数との間の値に設定されている。
【０１１５】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１に示すように、樹脂部５の下面５ｆとベース板１の下面１Ｄとが一致するように、例えばトランスファー成形などのような樹脂材料の成形によって、少なくともベース板１の一部分と、パワー半導体素子２Ｒ，２Ｌ（図１（Ｅ）参照）と、電極板３Ｒ１，３Ｒ２，３Ｌ１，３Ｌ２（図６参照）と、外部端子４Ｒ，４Ｌの一部分とが封止されている。
【０１１６】
詳細には、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１および図３に示すように、ベース板１の右ねじ止め部１ａの上面１ａ１の一部分が樹脂部５によって覆われ、ベース板１の右ねじ止め部１ａの上面１ａ１の残りの部分が、外部に露出せしめられている。また、ベース板１の右ねじ止め部１ａの右側面１ａ２が、外部に露出せしめられている。更に、ベース板１の右ねじ止め部１ａの前側面１ａ４の一部分が樹脂部５によって覆われ、ベース板１の右ねじ止め部１ａの前側面１ａ４の残りの部分が、外部に露出せしめられている。また、ベース板１の右ねじ止め部１ａの後側面１ａ５の一部分が樹脂部５によって覆われ、ベース板１の右ねじ止め部１ａの後側面１ａ５の残りの部分が、外部に露出せしめられている。更に、ベース板１の右ねじ止め部１ａの下面１ａ６が、外部に露出せしめられている。
【０１１７】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１および図３に示すように、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１の一部分が樹脂部５によって覆われ、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１の残りの部分が、外部に露出せしめられている。また、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの左側面１ｂ３が、外部に露出せしめられている。更に、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの前側面１ｂ４の一部分が樹脂部５によって覆われ、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの前側面１ｂ４の残りの部分が、外部に露出せしめられている。また、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの後側面１ｂ５の一部分が樹脂部５によって覆われ、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの後側面１ｂ５の残りの部分が、外部に露出せしめられている。更に、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの下面１ｂ６が、外部に露出せしめられている。
【０１１８】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１および図３に示すように、ベース板１の搭載部１ｃの上面１ｃ１が樹脂部５によって覆われている。また、ベース板１の搭載部１ｃの前側面１ｃ４が樹脂部５によって覆われている。更に、ベース板１の搭載部１ｃの後側面１ｃ５が樹脂部５によって覆われている。また、ベース板１の搭載部１ｃの下面１ｃ６が、外部に露出せしめられている。
【０１１９】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１および図６に示すように、パワー半導体素子２Ｒ，２Ｌと、電極板３Ｒ１，３Ｒ２，３Ｌ１，３Ｌ２とが、樹脂部５によって覆われている。更に、外部端子４Ｒの下側部分４Ｒ１と、中間部分４Ｒ３の一部分とが樹脂部５によって覆われ、外部端子４Ｒの中間部分４Ｒ３の残りの部分と、ねじ穴４Ｒ２ａを有する上側部分４Ｒ２とが、外部に露出せしめられている。また、外部端子４Ｌの下側部分４Ｌ１と、中間部分４Ｌ３の一部分とが樹脂部５によって覆われ、外部端子４Ｌの中間部分４Ｌ３の残りの部分と、ねじ穴４Ｌ２ａを有する上側部分４Ｌ２とが、外部に露出せしめられている。
【０１２０】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１（Ｅ）に示すように、樹脂部５の上面５ａに形成された凹部内にナット６Ｒ，６Ｌが挿入されている。また、図１および図６に示すように、外部端子４Ｒの中間部分４Ｒ３と上側部分４Ｒ２との境界部分が折り曲げられ、外部端子４Ｒの上側部分４Ｒ２によって、ナット６Ｒが覆われている。更に、外部端子４Ｌの中間部分４Ｌ３と上側部分４Ｌ２との境界部分が折り曲げられ、外部端子４Ｌの上側部分４Ｌ２によって、ナット６Ｌが覆われている。
【０１２１】
その結果、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１および図８に示すように、ベース板１によってパワー半導体素子（ダイオード）２Ｒ，２Ｌの共通のアノード端子が構成されている。また、外部端子４Ｒの上側部分４Ｒ２によってパワー半導体素子（ダイオード）２Ｒのカソード端子が構成され、外部端子４Ｌの上側部分４Ｌ２によってパワー半導体素子（ダイオード）２Ｌのカソード端子が構成されている。
【０１２２】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、ベース板１によってパワー半導体素子（ダイオード）２Ｒ，２Ｌのアノード端子が構成され、外部端子４Ｒ，４Ｌの上側部分４Ｒ２，４Ｌ２によってパワー半導体素子（ダイオード）２Ｒ，２Ｌのカソード端子が構成されているが、第２の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、ベース板１によってパワー半導体素子（ダイオード）２Ｒ，２Ｌのカソード端子を構成し、外部端子４Ｒ，４Ｌの上側部分４Ｒ２，４Ｌ２によってパワー半導体素子（ダイオード）２Ｒ，２Ｌのアノード端子を構成することも可能である。
【０１２３】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、パワー半導体素子２Ｒ，２Ｌとしてダイオードが用いられているが、第３の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、パワー半導体素子として、ダイオード以外の任意のパワー半導体素子を用いたり、あるいは、パワー半導体素子としてダイオードとダイオード以外の任意のパワー半導体素子とを併用したりすることも可能である。
【０１２４】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、２個のパワー半導体素子２Ｒ，２Ｌが設けられているが、第４の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、１個以上の任意の数のパワー半導体素子を設けることも可能である。
【０１２５】
第２から第４の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００においても、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００と同様に、大電流が流れるパワー半導体素子の一方の端子がベース板によって構成され、大電流が流れるパワー半導体素子の他方の端子が外部端子によって構成されている。
【０１２６】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００のベース板１が被取り付け部材２００に取り付けられる場合には、図２（Ａ）に示すように、被取り付け部材２００とベース板１との間のうち、被取り付け部材２００と右ねじ止め部１ａとの間および被取り付け部材２００と左ねじ止め部１ｂとの間にグリス２０１が配置されることなく、搭載部１ｃと被取り付け部材２００との間にグリス２０１が配置される。
【０１２７】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００のベース板１が被取り付け部材２００に取り付けられる場合には、図２（Ａ）に示すように、ベース板１の右ねじ止め部１ａおよび左ねじ止め部１ｂのねじ止めが行われる前の段階で、ベース板１の搭載部１ｃと被取り付け部材２００のとの間のグリス２０１の厚さＴ１ｃに相当する隙間ＳＰ１ａ，ＳＰ１ｂが、ベース板１の右ねじ止め部１ａと被取り付け部材２００との間およびベース板１の左ねじ止め部１ｂと被取り付け部材２００との間に存在する。
【０１２８】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００のベース板１が被取り付け部材２００に取り付けられる場合には、図２（Ｂ）に示すように、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板１の右ねじ止め部１ａが被取り付け部材２００に対して固定され、次いで、図２（Ｃ）に示すように、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板１の左ねじ止め部１ｂが被取り付け部材２００に対して固定される。
【０１２９】
その結果、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００のベース板１が被取り付け部材２００に取り付けられる場合には、図２（Ｂ）に示すように、ベース板１の右ねじ止め部１ａが被取り付け部材２００に対して固定された段階で、グリス２０１の断面形状が、長方形にならず、概略楔形状になる。従って、次いで、図２（Ｃ）に示すように、ベース板１の左ねじ止め部１ｂが被取り付け部材２００に対して固定される時に、ベース板１の左ねじ止め部１ｂと搭載部１ｃとの境界である境界部分ＢＰｂｃの近傍に大きい応力がかかる。
【０１３０】
そこで、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図２（Ｃ）に示すようにベース板１の左ねじ止め部１ｂが被取り付け部材２００に対して固定される時に境界部分ＢＰｂｃの近傍にかかる応力に伴うベース板１の変形（曲がり）を抑制するために、後述するような対策が施されている。
【０１３１】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、上述したように、例えばトランスファー成形などのような樹脂材料の成形によって樹脂部５（図１参照）が形成されている。そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、樹脂部５とベース板１（図１および図３参照）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板１と樹脂部５との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制するために、後述するような対策が施されている。
【０１３２】
詳細には、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図３および図４に示すように、ベース板１の右ねじ止め部１ａと搭載部１ｃとの境界である境界部分ＢＰａｃの前側（図３（Ａ）および図４（Ａ）の下側）の端部に概略半円形状の切り欠き部１ｄ１が形成されると共に、境界部分ＢＰａｃの後側（図３（Ａ）および図４（Ａ）の上側）の端部に概略半円形状の切り欠き部１ｅ１が形成されている。また、ベース板１の境界部分ＢＰｂｃの前側（図３（Ａ）および図４（Ａ）の下側）の端部に概略半円形状の切り欠き部１ｆ１が形成されると共に、境界部分ＢＰｂｃの後側（図３（Ａ）および図４（Ａ）の上側）の端部に概略半円形状の切り欠き部１ｇ１が形成されている。更に、図１および図３に示すように、切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１（図３参照）が樹脂部５（図１参照）によって覆われている。
【０１３３】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１（図３参照）が形成されていない場合よりも、ベース板１（図３参照）の右ねじ止め部１ａ（図３参照）の前側面１ａ４（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の前側面１ｃ４（図３参照）と樹脂部５（図１参照）との密着性、ベース板１（図３参照）の右ねじ止め部１ａ（図３参照）の後側面１ａ５（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の後側面１ｃ５（図３参照）と樹脂部５（図１参照）との密着性、ベース板１（図３参照）の左ねじ止め部１ｂ（図３参照）の前側面１ｂ４（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の前側面１ｃ４（図３参照）と樹脂部５（図１参照）との密着性、並びに、ベース板１（図３参照）の左ねじ止め部１ｂ（図３参照）の後側面１ｂ５（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の後側面１ｃ５（図３参照）と樹脂部５（図１参照）との密着性を向上させることができる。
【０１３４】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図４に示すように、右ねじ止め部１ａの上面１ａ１のうち、切り欠き部１ｄ１に隣接する概略４分の１円弧形状の部分１ａ１ａ（図４（Ｂ）および図４（Ｃ）参照）と、その部分１ａ１ａおよび右ねじ止め部１ａの前側面１ａ４に隣接する部分１ａ１ｂ（図４（Ｂ）および図４（Ｃ）参照）と、搭載部１ｃの上面１ｃ１のうち、切り欠き部１ｄ１に隣接する概略４分の１円弧形状の部分１ｃ１ａ（図４（Ｂ）および図４（Ｃ）参照）とを潰すことにより、切り欠き部１ｄ１および右ねじ止め部１ａの前側面１ａ４から前側（図３（Ａ）の下側）に突出する張り出し部１ｄ２（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）が形成されている。また、図１および図３に示すように、張り出し部１ｄ２（図３参照）が樹脂部５（図１参照）によって覆われている。
【０１３５】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、張り出し部１ｄ２（図３参照）が形成されていない場合よりも、ベース板１（図３参照）の右ねじ止め部１ａ（図３参照）の前側面１ａ４（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の前側面１ｃ４（図３参照）と樹脂部５（図１参照）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板１（図３参照）の下面１Ｄ（図３参照）と樹脂部５（図１参照）の下面５ｆ（図１参照）との境界線からベース板１（図３参照）の右ねじ止め部１ａ（図３参照）の前側面１ａ４（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の前側面１ｃ４（図３参照）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【０１３６】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図４に示すように、右ねじ止め部１ａの上面１ａ１のうち、切り欠き部１ｅ１に隣接する概略４分の１円弧形状の部分１ａ１ｃ（図４（Ｂ）および図４（Ｄ）参照）と、その部分１ａ１ｃおよび右ねじ止め部１ａの後側面１ａ５に隣接する部分１ａ１ｄ（図４（Ｂ）および図４（Ｄ）参照）と、搭載部１ｃの上面１ｃ１のうち、切り欠き部１ｅ１に隣接する概略４分の１円弧形状の部分１ｃ１ｂ（図４（Ｂ）および図４（Ｄ）参照）とを潰すことにより、切り欠き部１ｅ１および右ねじ止め部１ａの後側面１ａ５から後側（図３（Ａ）の上側）に突出する張り出し部１ｅ２（図３（Ａ）および図３（Ｅ）参照）が形成されている。更に、図１および図３に示すように、張り出し部１ｅ２（図３参照）が樹脂部５（図１参照）によって覆われている。
【０１３７】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、張り出し部１ｅ２（図３参照）が形成されていない場合よりも、ベース板１（図３参照）の右ねじ止め部１ａ（図３参照）の後側面１ａ５（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の後側面１ｃ５（図３参照）と樹脂部５（図１参照）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板１（図３参照）の下面１Ｄ（図３参照）と樹脂部５（図１参照）の下面５ｆ（図１参照）との境界線からベース板１（図３参照）の右ねじ止め部１ａ（図３参照）の後側面１ａ５（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の後側面１ｃ５（図３参照）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【０１３８】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図４に示すように、左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１のうち、切り欠き部１ｆ１に隣接する概略４分の１円弧形状の部分１ｂ１ａ（図４（Ｂ）および図４（Ｅ）参照）と、その部分１ｂ１ａおよび左ねじ止め部１ｂの前側面１ｂ４に隣接する部分１ｂ１ｂ（図４（Ｂ）および図４（Ｅ）参照）と、搭載部１ｃの上面１ｃ１のうち、切り欠き部１ｆ１に隣接する概略４分の１円弧形状の部分１ｃ１ｃ（図４（Ｂ）および図４（Ｅ）参照）とを潰すことにより、切り欠き部１ｆ１および左ねじ止め部１ｂの前側面１ｂ４から前側（図３（Ａ）の下側）に突出する張り出し部１ｆ２（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）が形成されている。また、図１および図３に示すように、張り出し部１ｆ２（図３参照）が樹脂部５（図１参照）によって覆われている。
【０１３９】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、張り出し部１ｆ２（図３参照）が形成されていない場合よりも、ベース板１（図３参照）の左ねじ止め部１ｂ（図３参照）の前側面１ｂ４（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の前側面１ｃ４（図３参照）と樹脂部５（図１参照）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板１（図３参照）の下面１Ｄ（図３参照）と樹脂部５（図１参照）の下面５ｆ（図１参照）との境界線からベース板１（図３参照）の左ねじ止め部１ｂ（図３参照）の前側面１ｂ４（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の前側面１ｃ４（図３参照）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【０１４０】
詳細には、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、張り出し部１ｆ２（図３参照）を形成するために、左ねじ止め部１ｂ（図４参照）の上面１ｂ１（図４参照）の部分１ｂ１ａ（図４（Ｂ）および図４（Ｅ）参照）が潰されるのみならず、その部分１ｂ１ａ（図４（Ｂ）および図４（Ｅ）参照）および左ねじ止め部１ｂ（図４参照）の前側面１ｂ４（図４参照）に隣接する部分１ｂ１ｂ（図４（Ｂ）および図４（Ｅ）参照）も潰されている。
【０１４１】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、図２（Ｃ）に示すように、ベース板１の左ねじ止め部１ｂが被取り付け部材２００に対してねじ止めされる時に、境界部分ＢＰｂｃの近傍にかかる大きい応力によって、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの前側面１ｂ４（図３参照）に密着している樹脂部５が割れてしまうおそれを、部分１ｂ１ｂ（図４（Ｂ）および図４（Ｅ）参照）が潰されていない場合よりも低減することができる。
【０１４２】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図４に示すように、左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１のうち、切り欠き部１ｇ１に隣接する概略４分の１円弧形状の部分１ｂ１ｃ（図４（Ｂ）および図４（Ｆ）参照）と、その部分１ｂ１ｃおよび左ねじ止め部１ｂの後側面１ｂ５に隣接する部分１ｂ１ｄ（図４（Ｂ）および図４（Ｆ）参照）と、搭載部１ｃの上面１ｃ１のうち、切り欠き部１ｇ１に隣接する概略４分の１円弧形状の部分１ｃ１ｄ（図４（Ｂ）および図４（Ｆ）参照）とを潰すことにより、切り欠き部１ｇ１および左ねじ止め部１ｂの後側面１ｂ５から後側（図３（Ａ）の上側）に突出する張り出し部１ｇ２（図３（Ａ）および図３（Ｅ）参照）が形成されている。更に、図１および図３に示すように、張り出し部１ｇ２（図３参照）が樹脂部５（図１参照）によって覆われている。
【０１４３】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、張り出し部１ｇ２（図３参照）が形成されていない場合よりも、ベース板１（図３参照）の左ねじ止め部１ｂ（図３参照）の後側面１ｂ５（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の後側面１ｃ５（図３参照）と樹脂部５（図１参照）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板１（図３参照）の下面１Ｄ（図３参照）と樹脂部５（図１参照）の下面５ｆ（図１参照）との境界線からベース板１（図３参照）の左ねじ止め部１ｂ（図３参照）の後側面１ｂ５（図３参照）および搭載部１ｃ（図３参照）の後側面１ｃ５（図３参照）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【０１４４】
詳細には、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、張り出し部１ｇ２（図３参照）を形成するために、左ねじ止め部１ｂ（図４参照）の上面１ｂ１（図４参照）の部分１ｂ１ｃ（図４（Ｂ）および図４（Ｆ）参照）が潰されるのみならず、その部分１ｂ１ｃ（図４（Ｂ）および図４（Ｆ）参照）および左ねじ止め部１ｂ（図４参照）の後側面１ｂ５（図４参照）に隣接する部分１ｂ１ｄ（図４（Ｂ）および図４（Ｆ）参照）も潰されている。
【０１４５】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、図２（Ｃ）に示すように、ベース板１の左ねじ止め部１ｂが被取り付け部材２００に対してねじ止めされる時に、境界部分ＢＰｂｃの近傍にかかる大きい応力によって、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの後側面１ｂ５（図３参照）に密着している樹脂部５が割れてしまうおそれを、部分１ｂ１ｄ（図４（Ｂ）および図４（Ｆ）参照）が潰されていない場合よりも低減することができる。
【０１４６】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図４に示すように、搭載部１ｃの上面１ｃ１のうち、切り欠き部１ｄ１と切り欠き部１ｆ１との間の部分１ｃ１ｅ，１ｃ１ｇ（図４（Ｂ）、図４（Ｃ）および図４（Ｅ）参照）を潰すことにより、搭載部１ｃの前側面１ｃ４から前側（図３（Ａ）の下側）に突出する張り出し部１ｃ４ａ，１ｃ４ｂ（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）が形成されている。また、図１および図３に示すように、張り出し部１ｃ４ａ，１ｃ４ｂ（図３参照）が樹脂部５（図１参照）によって覆われている。
【０１４７】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、張り出し部１ｃ４ａ，１ｃ４ｂ（図３参照）が形成されていない場合よりも、ベース板１（図３参照）の搭載部１ｃ（図３参照）の前側面１ｃ４（図３参照）と樹脂部５（図１参照）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板１（図３参照）の下面１Ｄ（図３参照）と樹脂部５（図１参照）の下面５ｆ（図１参照）との境界線からベース板１（図３参照）の搭載部１ｃ（図３参照）の前側面１ｃ４（図３参照）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【０１４８】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図４に示すように、搭載部１ｃの上面１ｃ１のうち、切り欠き部１ｅ１と切り欠き部１ｇ１との間の部分１ｃ１ｆ，１ｃ１ｈ（図４（Ｂ）、図４（Ｄ）および図４（Ｆ）参照）を潰すことにより、搭載部１ｃの後側面１ｃ５から後側（図３（Ａ）の上側）に突出する張り出し部１ｃ５ａ，１ｃ５ｂ（図３（Ａ）および図３（Ｅ）参照）が形成されている。また、図１および図３に示すように、張り出し部１ｃ５ａ，１ｃ５ｂ（図３参照）が樹脂部５（図１参照）によって覆われている。
【０１４９】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、張り出し部１ｃ５ａ，１ｃ５ｂ（図３参照）が形成されていない場合よりも、ベース板１（図３参照）の搭載部１ｃ（図３参照）の後側面１ｃ５（図３参照）と樹脂部５（図１参照）との密着性を向上させることができ、更に、ベース板１（図３参照）の下面１Ｄ（図３参照）と樹脂部５（図１参照）の下面５ｆ（図１参照）との境界線からベース板１（図３参照）の搭載部１ｃ（図３参照）の後側面１ｃ５（図３参照）に沿って樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【０１５０】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図５（Ａ）に示すように、右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７の中心軸線と左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７の中心軸線とを含む中心面ＣＰａｂと例えば４５°の鋭角θ１をなす直線状の溝部１ｈ１が、右ねじ止め部１ａの上面１ａ１のうち、右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７と切り欠き部１ｄ１との間に形成されている。また、中心面ＣＰａｂと例えば４５°の鋭角θ２をなす直線状の溝部１ｈ２が、右ねじ止め部１ａの上面１ａ１のうち、右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７と切り欠き部１ｅ１との間に形成されている。更に、中心面ＣＰａｂに垂直な直線状の溝部１ｈ３が、境界部分ＢＰａｃ上であって、溝部１ｈ１と溝部１ｈ２との間に形成されている。また、図１および図５（Ｂ）に示すように、溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３が樹脂部５によって覆われている。
【０１５１】
つまり、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図５（Ａ）に示すように、溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３が、右ねじ止め部１ａの上面１ａ１のうち、境界部分ＢＰａｃ上およびその近傍に形成されている。
【０１５２】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３（図５（Ａ）参照）が形成されていない場合よりも、樹脂部５（図１および図５（Ｂ）参照）とベース板１（図５（Ａ）参照）の右ねじ止め部１ａ（図５（Ａ）参照）の上面１ａ１（図５（Ａ）参照）との密着性を向上させることができる。また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３（図５（Ｂ）参照）が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板１（図５（Ｂ）参照）の右ねじ止め部１ａ（図５（Ｂ）参照）の上面１ａ１（図５（Ｂ）参照）と樹脂部５（図５（Ｂ）参照）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【０１５３】
一方、樹脂部５（図１および図５（Ｂ）参照）とベース板１（図５（Ａ）参照）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板１（図５（Ａ）参照）と樹脂部５（図１および図５（Ｂ）参照）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３（図５（Ａ）参照）の配置のやり方によっては、ベース板１（図２参照）の変形に抗する強度（詳細には、ベース板１の曲げ強度）が大幅に低下してしまうおそれがある。
【０１５４】
この点に鑑み、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、直線状の溝部１ｈ１（図５（Ａ）参照）が、中心面ＣＰａｂ（図５（Ａ）参照）に垂直に形成されるのではなく、中心面ＣＰａｂ（図５（Ａ）参照）と鋭角θ１（図５（Ａ）参照）をなすように形成されている。また、直線状の溝部１ｈ２（図５（Ａ）参照）が、中心面ＣＰａｂ（図５（Ａ）参照）に垂直に形成されるのではなく、中心面ＣＰａｂ（図５（Ａ）参照）と鋭角θ２（図５（Ａ）参照）をなすように形成されている。更に、中心面ＣＰａｂ（図５（Ａ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ３（図５（Ａ）参照）が、境界部分ＢＰａｃ（図５（Ａ）参照）の前側（図５（Ａ）の下側）の端部と後側（図５（Ａ）の上側）の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、溝部１ｈ１（図５（Ａ）参照）と溝部１ｈ２（図５（Ａ）参照）との間に形成されている。
【０１５５】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、中心面ＣＰａｂ（図５（Ｃ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ３’（図５（Ｃ）参照）が境界部分ＢＰａｃ（図５（Ｃ）参照）の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図５（Ｃ）に示す場合よりも、境界部分ＢＰａｃ（図５（Ａ）参照）におけるベース板１（図５（Ａ）参照）の断面積を大きくすることができ、それにより、境界部分ＢＰａｃ（図５（Ａ）参照）におけるベース板１（図５（Ａ）参照）の変形に抗する強度（ベース板１の曲げ強度）を向上させることができる。
【０１５６】
換言すれば、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、中心面ＣＰａｂ（図５（Ｃ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ３’（図５（Ｃ）参照）が境界部分ＢＰａｃ（図５（Ｃ）参照）の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図５（Ｃ）に示す場合よりも、境界部分ＢＰａｃ（図５（Ａ）参照）上に溝部１ｈ３（図５（Ａ）参照）が形成されることに伴うベース板１（図５（Ａ）参照）の変形に抗する強度（ベース板１の曲げ強度）の低下を抑制することができる。
【０１５７】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図５（Ａ）に示すように、中心面ＣＰａｂと例えば４５°の鋭角θ４をなす直線状の溝部１ｈ４が、左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１のうち、左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７と切り欠き部１ｆ１との間に形成されている。また、中心面ＣＰａｂと例えば４５°の鋭角θ５をなす直線状の溝部１ｈ５が、左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１のうち、左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７と切り欠き部１ｇ１との間に形成されている。更に、中心面ＣＰａｂに垂直な直線状の溝部１ｈ６が、境界部分ＢＰｂｃ上であって、溝部１ｈ４と溝部１ｈ５との間に形成されている。また、図１および図５（Ｂ）に示すように、溝部１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６が樹脂部５によって覆われている。
【０１５８】
つまり、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図５（Ａ）に示すように、溝部１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６が、左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１のうち、境界部分ＢＰｂｃ上およびその近傍に形成されている。
【０１５９】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、溝部１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６（図５（Ａ）参照）が形成されていない場合よりも、樹脂部５（図１および図５（Ｂ）参照）とベース板１（図５（Ａ）参照）の左ねじ止め部１ｂ（図５（Ａ）参照）の上面１ｂ１（図５（Ａ）参照）との密着性を向上させることができる。また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、溝部１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６（図５（Ｂ）参照）が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板１（図５（Ｂ）参照）の左ねじ止め部１ｂ（図５（Ｂ）参照）の上面１ｂ１（図５（Ｂ）参照）と樹脂部５（図５（Ｂ）参照）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【０１６０】
一方、樹脂部５（図１および図５（Ｂ）参照）とベース板１（図５（Ａ）参照）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板１（図５（Ａ）参照）と樹脂部５（図１および図５（Ｂ）参照）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６（図５（Ａ）参照）の配置のやり方によっては、ベース板１（図２参照）の変形に抗する強度（詳細には、ベース板１の曲げ強度）が大幅に低下してしまうおそれがある。
【０１６１】
この点に鑑み、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、直線状の溝部１ｈ４（図５（Ａ）参照）が、中心面ＣＰａｂ（図５（Ａ）参照）に垂直に形成されるのではなく、中心面ＣＰａｂ（図５（Ａ）参照）と鋭角θ４（図５（Ａ）参照）をなすように形成されている。また、直線状の溝部１ｈ５（図５（Ａ）参照）が、中心面ＣＰａｂ（図５（Ａ）参照）に垂直に形成されるのではなく、中心面ＣＰａｂ（図５（Ａ）参照）と鋭角θ５（図５（Ａ）参照）をなすように形成されている。更に、中心面ＣＰａｂ（図５（Ａ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ６（図５（Ａ）参照）が、境界部分ＢＰｂｃ（図５（Ａ）参照）の前側（図５（Ａ）の下側）の端部と後側（図５（Ａ）の上側）の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、溝部１ｈ４（図５（Ａ）参照）と溝部１ｈ５（図５（Ａ）参照）との間に形成されている。
【０１６２】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、中心面ＣＰａｂ（図５（Ｃ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ６’（図５（Ｃ）参照）が境界部分ＢＰｂｃ（図５（Ｃ）参照）の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図５（Ｃ）に示す場合よりも、境界部分ＢＰｂｃ（図５（Ａ）参照）におけるベース板１（図５（Ａ）参照）の断面積を大きくすることができ、それにより、境界部分ＢＰｂｃ（図２（Ｃ）参照）におけるベース板１（図２（Ｃ）参照）の変形に抗する強度（ベース板１の曲げ強度）を向上させることができる。
【０１６３】
換言すれば、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、中心面ＣＰａｂ（図５（Ｃ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ６’（図５（Ｃ）参照）が境界部分ＢＰｂｃ（図５（Ｃ）参照）の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図５（Ｃ）に示す場合よりも、境界部分ＢＰｂｃ（図５（Ａ）参照）上に溝部１ｈ６（図５（Ａ）参照）が形成されることに伴うベース板１（図２（Ｃ）参照）の変形に抗する強度（ベース板１の曲げ強度）の低下を抑制することができる。
【０１６４】
すなわち、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、樹脂部５（図１参照）とベース板１（図１参照）との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板１（図２参照）の搭載部１ｃ（図２参照）と被取り付け部材２００（図２参照）との間のみにグリス２０１（図２参照）が配置され、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板１（図２参照）の右ねじ止め部１ａ（図２参照）が被取り付け部材２００（図２参照）に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板１（図２参照）の左ねじ止め部１ｂ（図２参照）が被取り付け部材２００（図２参照）に対して固定される図２に示す場合であっても、ベース板１（図２参照）の変形を抑制することができる。
【０１６５】
図３および図４に示す例では、切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１（図４参照）が形成された後に、溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３，１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６（図３参照）が形成されているが、他の例では、代わりに、切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１（図４参照）を形成する前に溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３，１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６（図３参照）を形成したり、あるいは、切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１（図４参照）を形成すると同時に溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３，１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６（図３参照）を形成したりすることも可能である。また、図１および図６に示す例では、一体化せしめられている外部端子４Ｒ，４Ｌ（図６参照）が樹脂部５の成形時に用いられ、樹脂部５の成形後に外部端子４Ｒ（図１参照）と外部端子４Ｌ（図１参照）とが互いに分離されているが、他の例では、予め互いに分離されている外部端子４Ｒと外部端子４Ｌとを、樹脂部５の成形時に用いることも可能である。
【０１６６】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１および図７（Ａ）に示すように、樹脂部５の右側面５ｄが、概略円筒面形状の凹状面部分５ｄ３と、その前後の平面部分５ｄ１，５ｄ２とによって構成されている。また、ベース板１の右ねじ止め部１ａの前側面１ａ４と後側面１ａ５との間隔Ｗ１ａ（図７（Ａ）参照）が、樹脂部５の右側面５ｄの概略円筒面形状の凹状面部分５ｄ３の半径Ｒ５ｄ３（図７（Ａ）参照）の概略２倍の値に設定されている。更に、樹脂部５の右側面５ｄの平面部分５ｄ１がベース板１の右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７と溝部１ｈ１との間に配置され、樹脂部５の右側面５ｄの平面部分５ｄ２がベース板１の右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７と溝部１ｈ２との間に配置されている。
【０１６７】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１および図７（Ａ）に示すように、樹脂部５の左側面５ｅが、概略円筒面形状の凹状面部分５ｅ３と、その前後の平面部分５ｅ１，５ｅ２とによって構成されている。更に、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの前側面１ｂ４と後側面１ｂ５との間隔Ｗ１ｂ（図７（Ａ）参照）が、樹脂部５の左側面５ｅの概略円筒面形状の凹状面部分５ｅ３の半径Ｒ５ｅ３（図７（Ａ）参照）の概略２倍の値に設定されている。また、樹脂部５の左側面５ｅの平面部分５ｅ１がベース板１の左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７と溝部１ｈ４との間に配置され、樹脂部５の左側面５ｅの平面部分５ｅ２がベース板１の左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７と溝部１ｈ５との間に配置されている。
【０１６８】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、ベース板１（図７（Ｂ）参照）の右ねじ止め部１ａ（図７（Ｂ）参照）の前側面１ａ４（図７（Ｂ）参照）と後側面１ａ５（図７（Ｂ）参照）との間隔Ｗ１ａ（図７（Ｂ）参照）が、樹脂部５（図７（Ｂ）参照）の右側面５ｄ（図７（Ｂ）参照）の概略円筒面形状の凹状面部分５ｄ３（図７（Ｂ）参照）の半径Ｒ５ｄ３（図７（Ｂ）参照）の２倍より大きい値に設定され、樹脂部５（図７（Ｂ）参照）の右側面５ｄ（図７（Ｂ）参照）の平面部分５ｄ１，５ｄ２（図７（Ｂ）参照）が、ベース板１（図７（Ｂ）参照）の右ねじ止め部１ａ（図７（Ｂ）参照）のねじ穴１ａ７（図７（Ｂ）参照）よりも右側に配置され、ベース板１（図７（Ｂ）参照）の左ねじ止め部１ｂ（図７（Ｂ）参照）の前側面１ｂ４（図７（Ｂ）参照）と後側面１ｂ５（図７（Ｂ）参照）との間隔Ｗ１ｂ（図７（Ｂ）参照）が、樹脂部５（図７（Ｂ）参照）の左側面５ｅ（図７（Ｂ）参照）の概略円筒面形状の凹状面部分５ｅ３（図７（Ｂ）参照）の半径Ｒ５ｅ３（図７（Ｂ）参照）の２倍より大きい値に設定され、樹脂部５（図７（Ｂ）参照）の左側面５ｅ（図７（Ｂ）参照）の平面部分５ｅ１，５ｅ２（図７（Ｂ）参照）が、ベース板１（図７（Ｂ）参照）の左ねじ止め部１ｂ（図７（Ｂ）参照）のねじ穴１ｂ７（図７（Ｂ）参照）よりも左側に配置されている特許文献１の図８〜図１０に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールよりも、樹脂部５（図７（Ａ）参照）の前側面５ｂ（図７（Ａ）参照）と後側面５ｃ（図７（Ａ）参照）との間隔Ｗ５（図７（Ａ）参照）を小さくすることができ、それにより、樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の全体を小型化することができる。
【０１６９】
本発明者等の鋭意研究により、図２（Ａ）に示すように、ベース板１の搭載部１ｃと被取り付け部材２００との間のみにグリス２０１が配置され、次いで、図２（Ｂ）に示すように、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板１の右ねじ止め部１ａが被取り付け部材２００に対して固定され、次いで、図２（Ｃ）に示すように、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板１の左ねじ止め部１ｂが被取り付け部材２００に対して固定される場合には、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの前側面１ｂ４（図７（Ａ）参照）に密着している樹脂部５（図７（Ａ）参照）、および、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの後側面１ｂ５（図７（Ａ）参照）に密着している樹脂部５（図７（Ａ）参照）が割れてしまうおそれが高くなることが見い出された。
【０１７０】
更に、本発明者等の鋭意研究により、図３（Ａ）に示すように、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの前側面１ｂ４を例えば０．５ｍｍほど搭載部１ｃの前側面１ｃ４よりも前側（図３（Ａ）の下側）に突出させると共に、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの後側面１ｂ５を例えば０．５ｍｍほど搭載部１ｃの後側面１ｃ５よりも後側（図３（Ａ）の上側）に突出させることにより、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの前側面１ｂ４に密着している樹脂部５（図１および図７（Ａ）参照）、および、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの後側面１ｂ５に密着している樹脂部５（図１および図７（Ａ）参照）が割れてしまうおそれを低減できることが見い出された。
【０１７１】
この点に鑑み、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図３（Ａ）に示すように、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの前側面１ｂ４が、例えば０．５ｍｍほど搭載部１ｃの前側面１ｃ４よりも前側（図３（Ａ）の下側）に突出せしめられている。更に、ベース板１の左ねじ止め部１ｂの後側面１ｂ５が、例えば０．５ｍｍほど搭載部１ｃの後側面１ｃ５よりも後側（図３（Ａ）の上側）に突出せしめられている。
【０１７２】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、図２（Ａ）に示すように、ベース板１の搭載部１ｃと被取り付け部材２００との間のみにグリス２０１が配置され、次いで、図２（Ｂ）に示すように、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板１の右ねじ止め部１ａが被取り付け部材２００に対して固定され、次いで、図２（Ｃ）に示すように、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板１の左ねじ止め部１ｂが被取り付け部材２００に対して固定される場合に、ベース板１（図７（Ａ）参照）の左ねじ止め部１ｂ（図７（Ａ）参照）の前側面１ｂ４（図７（Ａ）参照）に密着している樹脂部５（図７（Ａ）参照）、および、ベース板１（図７（Ａ）参照）の左ねじ止め部１ｂ（図７（Ａ）参照）の後側面１ｂ５（図７（Ａ）参照）に密着している樹脂部５（図７（Ａ）参照）が割れてしまうおそれを低減することができる。
【０１７３】
同様に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図３（Ａ）に示すように、ベース板１の右ねじ止め部１ａの前側面１ａ４が、例えば０．５ｍｍほど搭載部１ｃの前側面１ｃ４よりも前側（図３（Ａ）の下側）に突出せしめられている。更に、ベース板１の右ねじ止め部１ａの後側面１ａ５が、例えば０．５ｍｍほど搭載部１ｃの後側面１ｃ５よりも後側（図３（Ａ）の上側）に突出せしめられている。
【０１７４】
以下、本発明の樹脂封止型パワー半導体モジュールの第５の実施形態について説明する。第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００は、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００とほぼ同様に構成されている。従って、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、後述する点を除き、上述した第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００とほぼ同様の効果を奏することができる。
【０１７５】
図９は第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００のベース板１の部品図である。詳細には、図９（Ａ）はベース板１の平面図、図９（Ｂ）はベース板１の正面図、図９（Ｃ）は図９（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。詳細には、図９（Ｃ）は右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７の中心軸線と左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７の中心軸線とを含む中心面ＣＰａｂに沿ったベース板１の断面図である。図９（Ｄ）はベース板１の底面図、図９（Ｅ）はベース板１の後側面図である。
【０１７６】
図１０は図９に示す溝部１ｈ７，１ｈ８を説明するための図である。図１１は第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部構造を説明するための図である。詳細には、図１１（Ａ）は図１０（Ｂ）に示す樹脂部５が形成される前における第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の他の構成部品の平面図、図１１（Ｂ）は図１０（Ｂ）に示す樹脂部５が形成される前における第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の他の構成部品の正面図、図１１（Ｃ）は図１０（Ｂ）に示す樹脂部５が形成される前における第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の他の構成部品の右側面図、図１１（Ｄ）は図１０（Ｂ）に示す樹脂部５が形成される前における第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の他の構成部品の左側面図である。図１２は図９に示すベース板１の右ねじ止め部１ａと図１０（Ｂ）に示す樹脂部５の右側面５ｄ（図１２参照）との関係、図９に示すベース板１の左ねじ止め部１ｂと図１０（Ｂ）に示す樹脂部５の左側面５ｅ（図１２参照）との関係などを説明するための図である。
【０１７７】
第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００においても、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００と同様に、図２（Ｃ）に示すようにベース板１の左ねじ止め部１ｂが被取り付け部材２００に対して固定される時に境界部分ＢＰｂｃの近傍にかかる応力に伴うベース板１の変形（曲がり）を抑制するために、後述するような対策が施されている。
【０１７８】
また、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００においても、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００と同様に、樹脂部５（図１０（Ｂ）参照）とベース板１（図９および図１０（Ｂ）参照）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板１と樹脂部５との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制するために、後述するような対策が施されている。
【０１７９】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図５（Ａ）に示すように、直線状の溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３が右ねじ止め部１ａの上面１ａ１に形成され、図１および図５（Ｂ）に示すように、溝部１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３が樹脂部５によって覆われているが、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、図９および図１０（Ａ）に示すように、右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７を中心とする概略円弧形状の溝部１ｈ７が、境界部分ＢＰａｃに接するように右ねじ止め部１ａの上面１ａ１に形成され、図１０（Ｂ）に示すように、溝部１ｈ７が樹脂部５によって覆われている。
【０１８０】
つまり、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図９および図１０（Ａ）に示すように、溝部１ｈ７が、右ねじ止め部１ａの上面１ａ１のうち、境界部分ＢＰａｃ上およびその近傍に形成されている。
【０１８１】
そのため、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、溝部１ｈ７（図１０（Ａ）参照）が形成されていない場合よりも、樹脂部５（図１０（Ｂ）参照）とベース板１（図１０（Ｂ）参照）の右ねじ止め部１ａ（図１０（Ｂ）参照）の上面１ａ１（図１０（Ｂ）参照）との密着性を向上させることができる。また、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、溝部１ｈ７（図１０（Ａ）参照）が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板１（図１０（Ｂ）参照）の右ねじ止め部１ａ（図１０（Ｂ）参照）の上面１ａ１（図１０（Ｂ）参照）と樹脂部５（図１０（Ｂ）参照）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【０１８２】
一方、樹脂部５（図１０（Ｂ）参照）とベース板１（図１０（Ａ）参照）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板１（図１０（Ａ）参照）と樹脂部５（図１０（Ｂ）参照）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板１（図１０（Ｂ）参照）の変形に抗する強度（詳細には、ベース板１の曲げ強度）が大幅に低下してしまうおそれがある。
【０１８３】
この点に鑑み、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、中心面ＣＰａｂ（図１０（Ｃ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ３’（図１０（Ｃ）参照）が境界部分ＢＰａｃ（図１０（Ｃ）参照）の前側（図１０（Ｃ）の下側）の端部と後側（図１０（Ｃ）の上側）の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、概略円弧形状の溝部１ｈ７（図１０（Ａ）参照）が、境界部分ＢＰａｃ（図１０（Ａ）参照）に接するように形成されている。
【０１８４】
そのため、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、中心面ＣＰａｂ（図１０（Ｃ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ３’（図１０（Ｃ）参照）が境界部分ＢＰａｃ（図１０（Ｃ）参照）の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図１０（Ｃ）に示す場合よりも、境界部分ＢＰａｃ（図１０（Ａ）参照）におけるベース板１（図１０（Ａ）参照）の断面積を大きくすることができ、それにより、境界部分ＢＰａｃ（図１０（Ａ）参照）におけるベース板１（図１０（Ａ）参照）の変形に抗する強度（ベース板１の曲げ強度）を向上させることができる。
【０１８５】
換言すれば、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、中心面ＣＰａｂ（図１０（Ｃ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ３’（図１０（Ｃ）参照）が境界部分ＢＰａｃ（図１０（Ｃ）参照）の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図１０（Ｃ）に示す場合よりも、境界部分ＢＰａｃ（図１０（Ａ）参照）上に溝部１ｈ７（図１０（Ａ）参照）が形成されることに伴うベース板１（図１０（Ａ）参照）の変形に抗する強度（ベース板１の曲げ強度）の低下を抑制することができる。
【０１８６】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図５（Ａ）に示すように、直線状の溝部１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６が左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１に形成され、図１および図５（Ｂ）に示すように、溝部１ｈ４，１ｈ５，１ｈ６が樹脂部５によって覆われているが、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、図９および図１０（Ａ）に示すように、左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７を中心とする概略円弧形状の溝部１ｈ８が、境界部分ＢＰｂｃに接するように左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１に形成され、図１０（Ｂ）に示すように、溝部１ｈ８が樹脂部５によって覆われている。
【０１８７】
つまり、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図９および図１０（Ａ）に示すように、溝部１ｈ８が、左ねじ止め部１ｂの上面１ｂ１のうち、境界部分ＢＰｂｃ上およびその近傍に形成されている。
【０１８８】
そのため、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、溝部１ｈ８（図１０（Ａ）参照）が形成されていない場合よりも、樹脂部５（図１０（Ｂ）参照）とベース板１（図１０（Ｂ）参照）の左ねじ止め部１ｂ（図１０（Ｂ）参照）の上面１ｂ１（図１０（Ｂ）参照）との密着性を向上させることができる。また、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、溝部１ｈ８（図１０（Ａ）参照）が形成されていない場合よりも、外部に露出しているベース板１（図１０（Ｂ）参照）の左ねじ止め部１ｂ（図１０（Ｂ）参照）の上面１ｂ１（図１０（Ｂ）参照）と樹脂部５（図１０（Ｂ）参照）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制することができる。
【０１８９】
一方、樹脂部５（図１０（Ｂ）参照）とベース板１（図１０（Ａ）参照）との密着性を向上させると共に、外部に露出しているベース板１（図１０（Ａ）参照）と樹脂部５（図１０（Ｂ）参照）との境界線から樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の内部に水分が浸入するのを抑制するための溝部の配置のやり方によっては、ベース板１（図１０（Ｂ）参照）の変形に抗する強度（詳細には、ベース板１の曲げ強度）が大幅に低下してしまうおそれがある。
【０１９０】
この点に鑑み、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、中心面ＣＰａｂ（図１０（Ｃ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ６’（図１０（Ｃ）参照）が境界部分ＢＰｂｃ（図１０（Ｃ）参照）の前側（図１０（Ｃ）の下側）の端部と後側（図１０（Ｃ）の上側）の端部との間の全体にわたって形成されるのではなく、概略円弧形状の溝部１ｈ８（図１０（Ａ）参照）が、境界部分ＢＰｂｃ（図１０（Ａ）参照）に接するように形成されている。
【０１９１】
そのため、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、中心面ＣＰａｂ（図１０（Ｃ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ６’（図１０（Ｃ）参照）が境界部分ＢＰｂｃ（図１０（Ｃ）参照）の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図１０（Ｃ）に示す場合よりも、境界部分ＢＰｂｃ（図１０（Ａ）参照）におけるベース板１（図１０（Ａ）参照）の断面積を大きくすることができ、それにより、境界部分ＢＰｂｃ（図２参照）におけるベース板１（図２参照）の変形に抗する強度（ベース板（１）の曲げ強度）を向上させることができる。
【０１９２】
換言すれば、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、中心面ＣＰａｂ（図１０（Ｃ）参照）に垂直な直線状の溝部１ｈ６’（図１０（Ｃ）参照）が境界部分ＢＰｂｃ（図１０（Ｃ）参照）の前側の端部と後側の端部との間の全体にわたって形成されている図１０（Ｃ）に示す場合よりも、境界部分ＢＰｂｃ（図１０（Ａ）参照）上に溝部１ｈ８（図１０（Ａ）参照）が形成されることに伴うベース板１（図２参照）の変形に抗する強度（ベース板１の曲げ強度）の低下を抑制することができる。
【０１９３】
すなわち、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、樹脂部５（図１０（Ｂ）参照）とベース板１（図１０（Ｂ）参照）との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、ベース板１（図２参照）の搭載部１ｃ（図２参照）と被取り付け部材２００（図２参照）との間のみにグリス２０１（図２参照）が配置され、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板１（図２参照）の右ねじ止め部１ａ（図２参照）が被取り付け部材２００（図２参照）に対して固定され、次いで、仮ねじ止めが行われることなく、１回のねじ止めによってベース板１（図２参照）の左ねじ止め部１ｂ（図２参照）が被取り付け部材２００（図２参照）に対して固定される図２に示す場合であっても、ベース板１（図２および図９参照）の変形を抑制することができる。
【０１９４】
図９に示す例では、切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１が形成された後に、溝部１ｈ７，１ｈ８が形成されるが、他の例では、代わりに、切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１を形成する前に溝部１ｈ７，１ｈ８を形成したり、あるいは、切り欠き部１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１を形成すると同時に溝部１ｈ７，１ｈ８を形成したりすることも可能である。
【０１９５】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図７（Ａ）に示すように、樹脂部５の右側面５ｄの平面部分５ｄ１がベース板１の右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７と溝部１ｈ１との間に配置され、樹脂部５の右側面５ｄの平面部分５ｄ２がベース板１の右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７と溝部１ｈ２との間に配置されているが、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、図１２（Ａ）に示すように、樹脂部５の右側面５ｄの平面部分５ｄ１，５ｄ２が右ねじ止め部１ａのねじ穴１ａ７と溝部１ｈ７との間に配置されている。
【０１９６】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図７（Ａ）に示すように、樹脂部５の左側面５ｅの平面部分５ｅ１がベース板１の左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７と溝部１ｈ４との間に配置され、樹脂部５の左側面５ｅの平面部分５ｅ２がベース板１の左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７と溝部１ｈ５との間に配置されているが、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、図１２（Ａ）に示すように、樹脂部５の左側面５ｅの平面部分５ｅ１，５ｅ２が左ねじ止め部１ｂのねじ穴１ｂ７と溝部１ｈ８との間に配置されている。
【０１９７】
そのため、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、ベース板１（図１２（Ｂ）参照）の右ねじ止め部１ａ（図１２（Ｂ）参照）の前側面１ａ４（図１２（Ｂ）参照）と後側面１ａ５（図１２（Ｂ）参照）との間隔Ｗ１ａ（図１２（Ｂ）参照）が、樹脂部５（図１２（Ｂ）参照）の右側面５ｄ（図１２（Ｂ）参照）の概略円筒面形状の凹状面部分５ｄ３（図１２（Ｂ）参照）の半径Ｒ５ｄ３（図１２（Ｂ）参照）の２倍より大きい値に設定され、樹脂部５（図１２（Ｂ）参照）の右側面５ｄ（図１２（Ｂ）参照）の平面部分５ｄ１，５ｄ２（図１２（Ｂ）参照）が、ベース板１（図１２（Ｂ）参照）の右ねじ止め部１ａ（図１２（Ｂ）参照）のねじ穴１ａ７（図１２（Ｂ）参照）よりも右側に配置され、ベース板１（図１２（Ｂ）参照）の左ねじ止め部１ｂ（図１２（Ｂ）参照）の前側面１ｂ４（図１２（Ｂ）参照）と後側面１ｂ５（図１２（Ｂ）参照）との間隔Ｗ１ｂ（図１２（Ｂ）参照）が、樹脂部５（図１２（Ｂ）参照）の左側面５ｅ（図１２（Ｂ）参照）の概略円筒面形状の凹状面部分５ｅ３（図１２（Ｂ）参照）の半径Ｒ５ｅ３（図１２（Ｂ）参照）の２倍より大きい値に設定され、樹脂部５（図１２（Ｂ）参照）の左側面５ｅ（図１２（Ｂ）参照）の平面部分５ｅ１，５ｅ２（図１２（Ｂ）参照）が、ベース板１（図１２（Ｂ）参照）の左ねじ止め部１ｂ（図１２（Ｂ）参照）のねじ穴１ｂ７（図１２（Ｂ）参照）よりも左側に配置されている特許文献１の図８〜図１０に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールよりも、樹脂部５（図１２（Ａ）参照）の前側面５ｂ（図１２（Ａ）参照）と後側面５ｃ（図１２（Ａ）参照）との間隔Ｗ５（図１２（Ａ）参照）を小さくすることができ、それにより、樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の全体を小型化することができる。
【０１９８】
第６の実施形態では、上述した第１から第５の実施形態および各例を適宜組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【０１９９】
１                                      ベース板
１Ｕ                                    上面
１Ｄ                                    下面
１ａ，１ｂ                              ねじ止め部
１ａ１                                  上面
１ａ１ａ，１ａ１ｂ，１ａ１ｃ，１ａ１ｄ  部分
１ａ２，１ａ４，１ａ５                  側面
１ａ６                                  下面
１ａ７                                  ねじ穴
１ｂ１                                  上面
１ｂ１ａ，１ｂ１ｂ，１ｂ１ｃ，１ｂ１ｄ  部分
１ｂ３，１ｂ４，１ｂ５                  側面
１ｂ６                                  下面
１ｂ７                                  ねじ穴
１ｃ                                    搭載部
１ｃ１                                  上面
１ｃ１ａ，１ｃ１ｂ，１ｃ１ｃ，１ｃ１ｄ  部分
１ｃ１ｅ，１ｃ１ｆ，１ｃ１ｇ，１ｃ１ｈ  部分
１ｃ４，１ｃ５                          側面
１ｃ４ａ，１ｃ４ｂ，１ｃ５ａ，１ｃ５ｂ  張り出し部
１ｃ６                                  下面
１ｄ１，１ｅ１，１ｆ１，１ｇ１          切り欠き部
１ｄ２，１ｅ２，１ｆ２，１ｇ２          張り出し部
１ｈ１，１ｈ２，１ｈ３，１ｈ４          溝部
１ｈ５，１ｈ６，１ｈ７，１ｈ８          溝部
ＢＰａｃ，ＢＰｂｃ                      境界部分
ＣＰａｂ                                中心面
Ｗ１ａ，Ｗ１ｂ                          間隔
２Ｒ，２Ｌ                              パワー半導体素子
３Ｒ１，３Ｒ２，３Ｌ１，３Ｌ２          電極板
４Ｒ，４Ｌ                              外部端子
４Ｒ１，４Ｌ１                          下側部分
４Ｒ２，４Ｌ２                          上側部分
４Ｒ２ａ，４Ｌ２ａ                      ねじ穴
４Ｒ３，４Ｌ３                          中間部分
５                                      樹脂部
５ａ                                    上面
５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ                  側面
５ｄ１，５ｄ２，５ｅ１，５ｅ２          平面部分
５ｄ３，５ｅ３                          凹状面部分
５ｆ                                    下面
Ｗ５                                    間隔
６Ｒ，６Ｌ                              ナット
１００                                  樹脂封止型パワー半導体モジュール
２００                                  被取り付け部材
２０１                                  グリス
【図１】
0005634384.tif 000002
【図２】
0005634384.tif 000003
【図３】
0005634384.tif 000004
【図４】
0005634384.tif 000005
【図５】
0005634384.tif 000006
【図６】
0005634384.tif 000007
【図７】
0005634384.tif 000008
【図８】
0005634384.tif 000009
【図９】
0005634384.tif 000010
【図１０】
0005634384.tif 000011
【図１１】
0005634384.tif 000012
【図１２】
0005634384.tif 000013