(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光される基板を保持するためのテーブルであって、
前記基板と前記テーブルとの間のギャップを覆うように設けられ、前記基板および前記テーブルと接触するリングを含み、
前記リングが前記ギャップ内へ延在するフランジを備える、テーブル。
【請求項２】
前記フランジは、前記ギャップの底部に達する、請求項１に記載のテーブル。
【請求項３】
露光される基板を保持するためのテーブルであって、
前記基板と前記テーブルとの間のギャップを覆うように設けられ、前記基板および前記テーブルと接触するリングとを含み、
前記リングが、その内縁に前記基板に向かって下方に延出した第１のへりと、その外縁に前記テーブルに向かって下方に延出した第２のへりを備え、前記リングは、前記第１のへりのみが前記基板と接触し、前記第２のへりのみが前記テーブルと接触するようになっている、テーブル。
【請求項４】
露光される基板を保持するためのテーブルであって、
前記基板と前記テーブルとの間のギャップを覆うように設けられ、前記基板および前記テーブルと接触するリングとを含み、
前記リングの最下表面は、前記基板と前記テーブルとの間のギャップ内に適合する寸法である、テーブル。
【請求項５】
前記リングの最下表面には、複数の円形突出部が設けられる、請求項４に記載のテーブル。
【請求項６】
前記円形突出部が実質的には球形である、請求項５に記載のテーブル。
【請求項７】
前記リングが前記基板および／又はテーブルに対して密閉を形成する、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のテーブル。
【請求項８】
前記リングが、前記基板の周囲のすべての位置で前記ギャップを覆うほどに十分に幅広いが、前記テーブルに設けられた光学検出器を見えなくするほどには幅広くはない、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のテーブル。
【請求項９】
疎水性表面が前記リングの密閉部分上に設けられる、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のテーブル。
【請求項１０】
前記テーブルが前記リングを適所に保持する真空を提供するように構成された、請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載のテーブル。
【請求項１１】
使用中、前記基板および／又はテーブル上に液体が供給される請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のテーブル。
【請求項１２】
露光される基板およびフランジを備えるリングをテーブル上に提供するステップと、
前記リングが前記基板および前記テーブルの上面の少なくとも一部を押圧するように前記基板および前記リングを前記テーブルに対して固定するステップと、を含む、リソグラフィ方法。
【請求項１３】
露光される基板およびリングをテーブル上に提供するステップと、
前記リングが前記基板および前記テーブルを押圧するように前記基板および前記リングを前記テーブルに対して固定するステップと、を含み、
前記リングが、その内縁に前記基板に向かって下方に延出した第１のへりと、その外縁に前記テーブルに向かって下方に延出した第２のへりを備え、前記リングは、前記第１のへりのみが前記基板と接触し、前記第２のへりのみが前記テーブルと接触するようになっている、リソグラフィ方法。
【請求項１４】
露光される基板およびリングをテーブル上に提供するステップと、
前記リングが前記基板および前記テーブルの上面の少なくとも一部を押圧するように前記基板および前記リングを前記テーブルに対して固定するステップと、を含み、
前記リングの最下表面に、前記基板と前記テーブルとの間のギャップ内に適合する寸法である突起部が設けられる、リソグラフィ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ装置およびリソグラフィ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般に、１枚の基板は順次パターニングされる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含んでいる。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液に液浸することが提案されている。その要点は、より小さいフィーチャを結像可能にすることである。これは露光放射が液体中の方が短い波長を有するからである（液体の効果はシステムの有効ＮＡを増加させ、焦点深さも増大させることとみなすこともできる。）。自身内に固体粒子（例えばクォーツ）が懸濁した水など、他の液浸液も提案されている。
【０００４】
しかし、基板を、または基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば参照により全体を本明細書に組み込む米国特許第４５０９８５２号参照）は、スキャン露光中に加速されるべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータまたはさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
提案されている解決法の１つは、液体供給システムが基板の局所的な領域のみおよび投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを達成するように提案されている１つの方法が、参照により全体を本明細書に組み込むＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２および図３に示すように、液体は少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作の方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。すなわち、基板がＸ方向にて最終要素の下でスキャンされると、液体が最終要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる配置構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に位置決めされた入口および出口の種々の配向および数が可能であり、その一例を図３に示しており、ここでは各側に４組の入口と出口が最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【０００６】
乱流が液体中で気泡を発生させるおそれがあることが分かっている。乱流が発生すると、気泡が基板上に投影されるパターンの一部を不明瞭にしたり、歪めたりすることがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、液体中の気泡の発生を低減し得るリソグラフィ装置およびリソグラフィ方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、基板を保持する基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、投影システムと基板テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、基板および基板テーブルと接触した状態の、基板と基板テーブルとの間のギャップを覆うように設けられたリングとを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、従来のリソグラフィ基板の外径より小さい内径および従来のリソグラフィ基板の外径より大きい外径を有するリングが提供され、このリングは従来のリソグラフィ基板の外径よりも大きい内径を有するフランジを備える。
【００１０】
本発明の第３の態様によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、投影システムと基板との間の空間に液体を提供するように構成された液体供給システムと、（ｉ）リングを基板上に置く、（ｉｉ）リングを基板から除去する、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の両方を行うように構成されたリングハンドラを含む基板ハンドラであって、基板を基板テーブルからまたは基板テーブルの方へ移動するように構成された基板ハンドラとを備えるリソグラフィ装置が提供され、リングは、基板が基板テーブルによって保持されるときに基板と基板テーブルとの間のギャップを実質的に覆うように配置される。
【００１１】
本発明の第４の態様によれば、基板およびリングを基板テーブル上に提供するステップと、リングが基板および基板テーブルを押圧するように基板およびリングを基板テーブルに対して固定するステップと、投影システムと基板テーブルとの間の空間に液体を提供するステップと、投影システムを介してパターンを基板上に投影するステップと、基板およびリングを基板テーブルから除去するステップとを含むリソグラフィ方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明が適用され得るリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】リソグラフィ装置に使用される液体供給システムを示す図である。
【図３】リソグラフィ装置に使用される液体供給システムを示す図である。
【図４】リソグラフィ装置に使用される別の液体供給システムを示す図である。
【図５】リソグラフィ装置に使用される別の液体供給システムを示す図である。
【図６】本発明に適用され得るリソグラフィ装置の基板テーブルを示す図である。
【図７】リソグラフィ装置の基板テーブルの一部を示す拡大図である。
【図８】本発明のリングを含む基板テーブルを示す拡大図である。
【図９ａ】リングが適所にない、上から見た基板テーブルを示す図である。
【図９ｂ】リングが適所にある、上から見た基板テーブルを示す図である。
【図１０】リングが適所にない、基板および基板テーブルの一部を示す断面図である。
【図１１ａ】別の形態を有するリングが適所にある、基板および基板テーブルの一部を示す断面図である。
【図１１ｂ】図８に示した形態のリングが適所にある、基板および基板テーブルの一部を示す断面図である。
【図１２】下から見たリングの一部を示す図である。
【図１３】別の形態を有するリングの一部を示す断面図である。
【図１４】基板ハンドラを含む、本発明の一実施形態のリソグラフィ装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
ここで、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。このリソグラフィ装置は、放射ビームＰＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを備える）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＬとを備える。
【００１４】
照明システムは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、あるいはその任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでもよい。
【００１５】
支持構造体は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かなどの他の条件に応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用する場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義的であるとみなすことができる。
【００１６】
本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１７】
パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフト、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトのようなマスクタイプのほか、多様なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーを各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１８】
本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用する場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義とみなすことができる。
【００１９】
ここに示すように、装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。
【００２０】
リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル （および／または２つ以上の支持構造体）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機構では、追加のテーブルまたは支持構造体を平行に使用するか、１つまたは複数の他のテーブルまたは支持構造体を露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルまたは支持構造体で予備工程を実行することができる。
【００２１】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合、それぞれ別個の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの補助により、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと送られる。他の例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶこともできる。
【００２２】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々のターゲットを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面に所望の均一性および強度分布が得られるようにしてもよい。
【００２３】
放射ビームＰＢは、支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＰＢはパターニングデバイスＭＡを横断すると、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＬを通過する。以降で更に説明する液浸フードＩＨが、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗとの間の空間に液浸液を供給する。
【００２４】
第２の位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計装置、リニアエンコーダまたは容量センサ）の補助により、例えば放射ビームＰＢの経路において種々のターゲット部分Ｃに位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動できる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造体ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造体ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続されていてもよいし、固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２５】
図示の装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２６】
１．ステップモードでは、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に維持される一方で、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２７】
２．スキャンモードでは、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期的にスキャンされる一方で、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（すなわち単一動的露光）。支持構造体ＭＴに対する基板テーブル ＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００２８】
３．別のモードでは、支持構造体ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブル ＷＴを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、上記に言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に応用可能である。
【００２９】
上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。
【００３０】
各々参照により全体を本明細書に組み込む欧州特許出願公報第ＥＰ１４２０３００号および米国特許出願公報第２００４−０１３６４９４号では、ツインまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられている。液浸液のない状態でテーブルにおいて第１の位置でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第２の位置でテーブルを使用して露光を実行する。あるいは、この装置はテーブルを１つだけ有する。本発明のある実施形態を上記したデュアルステージ液浸リソグラフィ装置に適用してもよい。
【００３１】
局所的液体供給システムを有する他の液浸露光法を図４に示す。投影系ＰＬの両側に設けられている２つの溝状インレットＩＮから液体が供給され、インレットＩＮから放射方向外側に離散して配置されている複数のアウトレットＯＵＴによって取り除かれる。インレットＩＮおよびアウトレットＯＵＴは中心部に開口を有するプレートとして形成されており、この開口を通じて放射ビームが投影される。液体は投影系ＰＬの一方の側部に設けられている１つの溝状のイントレットＩＮから供給され、投影系ＰＬの他方の側部に分散配置される複数のアウトレットＯＵＴによって除去され、これにより、投影系ＰＬと基板Ｗとの間に薄膜状の液体の流れが形成される。どのイントレットＩＮとアウトレットＯＵＴとを組み合わせて使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向に左右されてよい（インレットＩＮとアウトレットＯＵＴとの組合せによっては有効に機能しない）。
【００３２】
既に提案されている局所的液体供給システムを有する別の液浸リソグラフィの解決法は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造体を有する液体供給システムを提供することである。この解決法を図５に示す。この液体閉じ込め構造体は、そこを通るＸＹ平面がＺ方向（光学軸方向）にある程度相対運動できるように、投影システムに対して実質的に静止的である。一実施形態では、シールが液体閉じ込め構造体と基板の表面との間に形成されており、ガスシールのような非接触シールであってよい。
【００３３】
液体閉じ込め構造体１２は、少なくとも部分的に、投影システムＰＬの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を封じ込める。基板に対する非接触シール１６は、投影システムの像視野周辺に形成することができ、液体は基板表面と投影システムの最終要素との間の空間内に封じ込められる。この空間は、少なくとも部分的には、投影システムＰＬの最終要素の下およびその周囲に位置決めされた液体閉じ込め構造体１２によって形成される。液体は液体入口１３によって投影システムの下および液体閉じ込め構造体１２の中の空間内に入れられ、液体出口１３から取り出すことができる。液体閉じ込め構造体１２は、投影システムの最終要素の少し上に延在し、液面は液体の緩衝がもたらされるように最終要素の上に上昇する。一実施形態では、液体閉じ込め構造体１２は、上端において投影システムまたはその最終要素の形状によく一致し、例えば、丸形であり得る内周を有する。この内周は、底部では、像視野の形状、例えば矩形によく一致しているが、これはそうである必要はない。
【００３４】
液体は、液体閉じ込め構造体１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められる。ガスシールは、ガス、例えば、空気または合成空気、一実施形態では、Ｎ２または他の不活性ガスにより形成され、液体閉じ込め構造体１２と基板との間の間隙に入口１５を介して圧力下で供給され、出口１４を介して抽出される。ガス入口１５に加わる過圧、出口１４の真空レベル、および間隙の幾何学的形状は、液体を封じ込める内向きの高速なガス流が存在するように配置される。これらの入口／出口は、空間１１を囲む環状の溝であってよく、ガス１６の流れは空間１１内に液体を収めるのに有効である。このようなシステムは、参照によりその全体を本明細書に組み込む米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００３５】
図６は基板テーブルＷＴの略断面図である。基板テーブルＷＴは外側部分１００および基板受け取り部分１０２を含む。基板Ｗは基板受け取り部分１０２上にある。光学検出器およびそれに関連する電子機器１０４が、基板テーブルＷＴの外側部分１００に設けられた凹部１０６内に設けられている。基板テーブルの基板受け取り部分１０２は、基板受け取り部分から上方に突出した突出部アレイ１０８を備える。基板Ｗは突出部１０８に載る。突出部１０８は、汚染粒子が突出部間に留まり、基板Ｗと接触しないような寸法になっている。
【００３６】
基板Ｗは基板テーブルＷＴの基板受け取り部分１０２に設けられた凹部１１０に位置する。凹部１１０は、基板が存在するときに、基板Ｗの上面が基板受け取り部分１０２の両側１１２の上面と実質的に平衡になるような寸法になっている。
【００３７】
使用中、基板Ｗは基板ハンドラ１０２（図示せず）によって基板テーブルＷＴまで運ばれる。リソグラフィ装置の投影レンズＰＬ（図１〜４を参照）を介して基板上にあるパターンが投影される。パターンの投影が完了すると、基板Ｗは基板ハンドラによって基板テーブルＷＴから除去され、別の基板と交換される。基板受け取り部分１０２は基板テーブルの外側部分１００の適所に収まったままである（すなわち、リソグラフィ装置の動作中、基板受け取り部分１０２は外側部分１００から除去されない。）。
【００３８】
ギャップ１１４が基板テーブルＷＴの基板受け取り部分１０２と外側部分１００との間に存在する。追加のギャップ１１６が基板Ｗの外縁と基板テーブルＷＴの基板受け取り部分１０２との間に存在する。基板テーブルの基板受け取り部分１０２と外側部分１００との間のギャップは、例えば接着性プラスチックテープ１１８を当該ギャップの上に固定することによって近接し得る。しかし、同じ方法を用いて、基板Ｗの外縁と基板テーブルＷＴの基板受け取り部分１０２との間のギャップを近接させることはできない。これは、リソグラフィ装置の動作中に、基板受け取り部分に基板を装填し、基板受け取り部分から基板を取り外すことができる必要があることによる。
【００３９】
図７は基板Ｗと基板テーブルの基板受け取り部分１０２との間のギャップ１１６を更に詳細に示す略図である。図７はリソグラフィ装置の投影レンズＰＬの一部および図５に関連して上に記載した液体閉じ込め構造体１２も示す。液体１１は投影レンズＰＬと基板Ｗとの間に存在する。液体は基板テーブルの液体閉じ込め構造体１２と基板受け取り部分１０２との間にも存在する。液体１１はその外縁においてメニスカス２０を形成する。液体１１は基板Ｗと基板受け取り部分１０２との間のギャップ１１６にも存在する。
【００４０】
使用中、基板テーブルＷＴは基板Ｗ上の異なる場所にパターン投影できるようにするために、投影レンズＰＬおよび液体閉じ込め構造体１２の真下に迅速に移動する。投影レンズＰＬおよび液体閉じ込め構造体１２がギャップ１１６の上を通過すると、この通過が液体中に乱流を生じさせ、これが次に液体に気泡を生じさせることもある。気泡は基板上へのパターンの正確な投影を妨げるおそれがあるので、これは好ましくない。
【００４１】
また、ギャップ１１６へ流れ込むときの液体１１は、基板テーブルＷＴの基板受け取り部分１０２の凹部１１０の突出部１０８間も流れることもある。これが液体の更なる汚染を引き起こすおそれがあり、基板Ｗを固定するのに用いられる真空の発生を妨げることもある。
【００４２】
この問題の解決法は、例えば液体抽出装置を用いて、ギャップ１１６から液体１１を抽出することであり得る。残念ながら、この方法は、抽出チャネル内の液体の蒸発よって生じる著しい熱負荷を基板Ｗおよび／または基板上に導入することもある。更に、液体の抽出は液体中の気泡の発生を抑制しないかもしれない。
【００４３】
本発明の一実施形態を図８に示す。図８を参照すると、基板Ｗと基板テーブルの基板受け取り部分１０２との間のギャップ１１６を架橋するリング１２０が設けられている。
【００４４】
このリングの利点は、液体がギャップ１１６内へ流れるのを阻止（または阻害）し、これにより外乱を低減し得ることにある。これは液体中の気泡の形成を低減し得る。液体抽出装置の代わりにリングを用いれば、液体抽出装置によって引き起こされる熱負荷が回避される。これにより熱負荷によって基板が歪むのが避けられ、リソグラフィ装置のオーバーレイ性能を改善し得る。また、リングは受動装置であるので、（液体抽出装置と違って）リソグラフィ装置では好ましくないであろう熱を発生しない。
【００４５】
リング１２０は、例えば３０μｍ以下または２０μｍ以下の厚さを有してよく、スチールまたは他のいくつかの適した材料あるいは他の材料から形成されてもよい。スチールは強力であるので用いてよく、例えばリソグラフィ装置または液体１１（例えば水であってよい）によって発生される放射による損傷を受けない。
【００４６】
投影レンズＰＬと基板Ｗとの間の間隔「ｄ」は典型的には小さい。これは投影レンズの焦点面が投影レンズと近いからである。例えば、間隔ｄは３ｍｍであってよい。（液体を効果的に閉じ込めるために）液体閉じ込め構造体１２と基板Ｗとの間の間隔「ｅ」は典型的には３ｍｍよりも著しく小さい。例えば、間隔ｅは０．１ｍｍであってよい（図８は原寸大ではない）。リング１２０はｚ方向に十分薄くなっているので、投影レンズＰＬまたは液体閉じ込め構造体１２の動きに干渉しない。例えば、リングは厚さ３０μｍ以下または厚さ２５μｍ以下であってもよいし、２０μｍ以下であってもよい。
【００４７】
リング１２０は種々の手段の１つまたは複数によって適所に保持され得る。例えば、基板テーブルの基板受け取り部分１０２と基板Ｗとの間に真空が確立されてもよい。この真空はギャップ１１６に存在してもよいし、リング１２０を下方に引き下げ、これにより基板Ｗの上におよび基板テーブルの基板受け取り部分１０２の上引っ張ることができる。このようにしてリング１２０は適所に固定される。
【００４８】
リング１２０の位置決めおよび除去を以下で更に説明する。しかし、基板テーブルＷＴの基板受け取り部分１０２からリング１２０（および基板Ｗ）を除去することができるようにするために、真空を除去してもよいことにここでは留意されたい。
【００４９】
リング１２０を開放可能に適所に固定するために、真空に代わってまたは真空と組み合わせて静電気引力を用いてもよい。リング１２０を適所に保持するために、真空または静電気引力と同様に、あるいは真空または静電気引力に代わって重力を用いてもよい。他の力またはクランプ装置などの装置を用いてリング１２０を適所に保持することもできる。
【００５０】
図９ａは基板Ｗおよび基板テーブルＷＴを上から見た図である。分かり易いように、基板テーブルＷＴの基板受け取り部分および外縁を１つの実体として示している。光学検出器および関連する電子機器１０４が基板テーブルＷＴの２つの角にあるのが分かる。図９ａでは説明のために、ギャップ１１６を誇張している。実際、一般には、本発明を説明するのに用いる図面は縮尺拡大図であることを意図するものではなく、むしろ略図である。
【００５１】
基板Ｗはリソグラフィによく用いられる種類のものである。この基板は完全には円形ではなく、その代わり、基板の一部分は曲線というよりは直線状になっている。この直線部分１２２を基板のフラットエッジと呼ぶこともある。基板の直線部分１２２と、完全に円形である場合にはその外縁である部分との間の間隔は、距離は「ｂ」である。この距離は例えば４．５ｍｍであってよい。
【００５２】
図９ｂは図９ａの基板Ｗおよび基板テーブルＷＴを示しているが、それに加えてリング１２０を示す。リング１２０の幅「ｃ」は、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間のギャップ１１６を架橋するように十分なものである。このギャップは、基板のフラットエッジ１２２を含む全部分で架橋されている。図９では分かり易いように、リングの幅ｃ、ギャップの大きさおよび距離ｂは誇張されている。
【００５３】
リソグラフィによく使用される別の種類の基板（図示せず）では、基板はフラットエッジを有していないが、それに代わって切り欠きを有している。切り欠きを有する場合、リングの幅は、切り欠きを含んで、基板テーブルと基板との間のギャップを架橋するように十分なものである。
【００５４】
リング１２０は、例えばリングが光学検出器１０４を見えなくするように（リングが検出器に関連する電子機器を覆うかどうかは関係ない）、または基板が移動されるときにリングがリソグラフィ装置の一部との衝突を引き起こさせるように、幅広ではない。
【００５５】
リングの幅「ｃ」は例えば４ｍｍであってよい。４ｍｍは、例えば、基板の外周を覆う３ｍｍ、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間のギャップ１１６を覆う０．６ｍｍ、および基板受け取り部分１０２の内周を覆う０．４ｍｍを提供するものであり得る。これはＳＥＭＩ標準のＭ１．１０基板（２００ｍｍ径）に基づくものである。
【００５６】
リングの幅「ｃ」は、３００ｍｍ径基板に関して同じでもよいし、類似してもよい。
【００５７】
リングの外径は、例えば、２００ｍｍ径基板については２０３ｍｍ以上であってもよいし、３００ｍｍ径基板については３０３ｍｍ以上であってもよい。リングの外径は２００ｍｍ径基板については２１０ｍｍ以上であってもよいし、３００ｍｍ径基板については３１０ｍｍ以上であってもよい。
【００５８】
リングの外径は、接着テープ１１８に代わって、基板テーブルの基板受け取り部分１０２と外側部分１００との間のギャップ１１４を閉ざすのに十分なものであり得る。例えば、リングの外径は、２００ｍｍ径基板用に設計された基板テーブルについては２１５ｍｍ以上であってもよいし、３００ｍｍ径基板用に設計された基板テーブルについては３１５ｍｍ以上であってもよい。
【００５９】
他のリング径を用いてもよい。
【００６０】
図９では（直線縁１２２に隣接触する領域を除き）ギャップ１１６が基板の周囲にほぼ一定であるように基板Ｗが基板テーブルの中央に位置決めされたものとして示しているが、これは必ずしもこのようにある必要はない。例えば、基板Ｗは、ギャップ１１６が基板の一方の側では小さくなるが、基板の他方側では大きくなるように、中心からずれていてもよい。基板が中心から外れる距離は、例えば±０．１ｍｍであり得る。
【００６１】
また、基板Ｗの直径は、異なる基板について±約０．１ｍｍ変動し得る。リング１２０は、基板が基板テーブルＷＴに対して中心がずれている場合であっても、または基板が平均的な直径よりも小さい場合でも、ギャップ１１６がすべての場所で確実に架橋されるように十分な幅である。
【００６２】
リング１２０は、リングの位置決めの不正確さを考慮して、ギャップ１１６を覆うのに十分な幅である。基板上のリング１２０の位置決め精度は、例えば約０．１ｍｍであってもよい。
【００６３】
図１０は基板テーブルの基板受け取り部分１０２の一部と一緒に基板Ｗの断面を示す。１つまたは複数のパターン形成された層１２４が基板Ｗ上に予め設けられている。フォトレジスト層１２６が予め設けられた層１２４の最上部に設けられている。予め設けられた層１２４はフォトレジスト層１２６よりも更に外方向に延在している。
【００６４】
リソグラフィでは、フォトレジスト層は常に基板上に設けられる。このフォトレジスト層は、分かり易いように先に説明した図面では省略されている。多くの場合、フォトレジスト層は先に設けられた層ほど外方向には延在しない。
【００６５】
リング１２０は、先に設けられた層１２４と接触するかまたは基板Ｗと直接接触するというよりは、レジスト１２６と接触するのに十分な幅である。これはリソグラフィ中に用いられる液体（図示せず）が先に設けられた層１２４の縁部およびレジスト１２６の縁部と接触するのを妨げるので有利である。この接触が起こると、レジストの一部または先に設けられた層の一部が壊れて、リソグラフィ装置に望ましくない汚染がもたらされることになる。
【００６６】
リング１２０はフランジ１２８（すなわち、リングの密閉部分１２７から実質的に直角に突出する部分）を備える。フランジ１２８は、ギャップ１１６の底部に達し、基板テーブルの基板受け取り部分１０２に接触するような寸法になっている。この接触が起こると、密閉部分は基板の表面に対して例えば数十μｍだけ上げられかもしれない。しかし、密閉部分１２７の柔軟性は十分あるので、使用中、密閉部分は下方に曲がって、これにより基板Ｗに対して密閉を形成し得る。密閉部分１２７は、例えば、液体閉じ込め構造体１２および／または液体１１が及ぼす下方への圧力に応じて下方に曲がってもよい。
【００６７】
用語「密閉部分」とは、リングが基板に対しておよび／または基板テーブルの基板受け取り部分に対して液密シールを常に形成することを意味するものではない。場合によっては、リングが液密シールを常に形成することもある。しかし、他の場合、リングと基板および／または基板テーブルの基板受け取り部分との間を通過できる液体もある。
【００６８】
あるいは、フランジ１２８はギャップ１１６への途中までだけ達するような寸法であり得る。
【００６９】
リングの密閉部分１２７は例えば厚さ２０μｍであってもよく、フランジ１２８は例えば厚さ０．８ｍｍであってもよい。
【００７０】
フランジ１２８はリング１２０の構造的剛性を強化する。
【００７１】
図１１ａは基板Ｗの一部および基板テーブルの基板受け取り部分１０２の一部の断面図である。リング１２０の密閉部分１２７は両側にへり１３０を備える。このへりは下向きになっており、へりは基板Ｗ（または基板上に設けられたフォトレジスト１２６）および基板テーブルの基板受け取り部分１０２と接触する。密閉部分１２７の残りの部分は、これらの接触部分の上に懸架されている。へり１３０は密閉部分１２７に付加的な剛性を付与する。また、へり１３０はリングの中央が下方に曲がって、密閉部分１２７と基板Ｗまたは基板受け取り部分１０２との間でギャップを開かせる可能性を抑える。図１１ｂはそういったギャップ１３２がどのように生じ得るかを誇張して示している。このギャップはリング１２０の下に液体を浸透させるおそれがあるので、回避することが望ましい。また、リングの上に向いた縁部が液体閉じ込め構造体１２（図７参照）と衝突するかもしれない。
【００７２】
リング１２０上に設けたへり１３０の別の利点は、ギャップ１１６内の真空が作用する表面積が増大され、これによりリング１２７が基板Ｗおよび基板受け取り部分１０２上に引っ張られる力が増大し得ることにある。
【００７３】
へり１３０が基板Ｗおよび／または基板受け取り部分１０２の方に突出する距離は、例えば１０μｍであってよい。フランジ１２８は、例えば２ｍｍだけ下方に延びてよく、幅１ｍｍを有してもよい。
【００７４】
リング１２０がすべての場所で同じ断面形状を有することは必要というわけではない。例えば、図１２に示すように、リングは、フランジ１２８の両側に延在する複数の凹部１３４を備えてもよい。各凹部１３４は、例えば直径１０〜１００μｍであってもよい。リブ１３６が凹部間に延在し得る。リブ１３０は例えば幅１μｍであってもよく、リング１２０の外周および内周に沿って延在し、真空を閉じ込めるように働く。この凹部はギャップ１１６内の真空が作用し得る付加的な表面積を付与し、これによりリング１２０が基板Ｗおよび基板受け取り部分１０２上に引っ張られる力が増大し得る。また、この凹部によって、真空がリング１２０の方に外方向に延びることが可能になり、（図１１ｂに示したものと同様に）これによりリングの曲がりが阻止される。凹部は、例えばリソグラフィパターニングと組み合わせた酸性エッチングを用いて形成されてもよい。
【００７５】
リング１２０の密閉部分１２７の最下表面上にポリマーを設けてもよい。ポリマーは（リングを形成するのに用い得る）スチールよりも軟らかい。ポリマーは、例えばスチールよりも軟らかい表面を提供し、このことが密閉部分１２７と基板との間および密閉部分１２７と基板テーブルの基板受け取り部分１０２との間を密閉し易くし得る。ポリマーは基板Ｗおよび基板テーブルの基板受け取り部分１０２に張り付かないように、接着性がないことが好ましい。
【００７６】
リング１２０の密閉部分１２７の最下表面は疎水性であってもよい。疎水性表面を設けると、これによって液体と表面との間の接触角が増大される。本発明の実施形態のような環境では、このことはリングの密閉部分１２７と基板テーブルＷＴ（または基板Ｗ）との間に液体を押圧するのに必要な力が増大されることを意味する。
【００７７】
基板テーブルの基板受け取り部分１０２上（またはリングの密閉部分と接触する基板受け取り部分の少なくともその部分の上）に疎水性表面を設けてもよい。これはリングの密閉部分１２７と基板テーブルＷＴとの間に液体を押圧するのに必要な圧力を増大し易くする。
【００７８】
同様に、基板Ｗ上に設けられたレジスト（またはトップコート）が疎水性であってもよい。これはリングの密閉部分１２７と基板Ｗとの間に液体を押圧するのに必要な圧力を増大し易くする。レジスト（またはトップコート）を覆って疎水性コーティングが設けられてもよい。
【００７９】
一般に、リング１２０はギャップ１１６を閉鎖することが意図される。しかし、リングの製造公差、基板の表面粗さ、または他の公差に起因して、リングは基板Ｗ（または基板テーブルの基板受け取り部分１０２）の全周囲の周りに液密シールを形成しないかもしれない。この場合、一部の液体がギャップ１１６に入るおそれがある。しかし、本発明は、リング１２０が無い場合よりも、ギャップ１１６の入る液体は少ないという利点を依然として提供する。例えば、ギャップ１１６に入る液体の量は、望ましくない著しい熱効果を引き起こさずに液体をギャップ１１６から除去することができるようなものであり得る。
【００８０】
１つまたは複数の疎水性表面が設けられる場合、これはギャップに入る液体量を低減し得る。
【００８１】
１つまたは複数の疎水性表面を設けることの付加的な利点は、基板のリソグラフィ露光に続いてリングを除去するのに必要な力の量に関係する。基板のリソグラフィ露光中、液滴はリングと基板との間に蓄積する。これらの液滴がリングおよび基板（または基板テーブル）を引っ張る力を及ぼす。１つまたは複数の疎水性表面を設ける場合、この圧力は小さくなり、これによりリングの除去がより容易になる。
【００８２】
液体が水である場合には疎水性表面を用いることは特に効果的であるが、疎水性表面は水以外の液体にも有利であり得る。
【００８３】
疎水性表面は、例えば疎水性ポリマーを塗布することによって提供することができる。使用してよい疎水性ポリマーの一例はテフロンである。
【００８４】
リング１２０の密閉部分１２７の最下表面上にポリマーを提供する場合、凹部１３４は、例えばリング自身ではなくポリマーに提供されてもよい。例えば、リング１２０がスチール製の場合、凹部はスチールに設けるのではなくポリマーに設けられてもよい。ポリマーに凹部を形成するのに用いてもよい製造方法には、ポリマーのジェット印刷、コートおよびレーザーパターニング（ｐａｔｒｏｎｉｎｇ）、ポリマーのパターニング（ｐａｔｒｏｎａｔｉｎｇ）および（例えば接着剤を用いた）リング上への固定化、リソグラフィ、タンポ印刷（ｔａｍｐｏｎａｔｉｎｇ）、ホットエンボス加工、ＵＶ、ならびに化学エッチングが挙げられる。
【００８５】
あるいは、凹部はポリマーおよびリング自身（例えばポリマーおよびスチール）に設けてもよい。
【００８６】
凹部が設けられるポリマーは疎水性であってもよい。
【００８７】
前述のように、フランジ１２８はリング１２０に付加的な構造的剛性（堅さ）を付与する。また、フランジ１２８によってリング１２０を都合よく取り扱うことが可能となる。更に、フランジ１２８は、ギャップ１１６内に収容されるような寸法になっているので、リング１２０を位置決めし易くし得る。
【００８８】
別の構成では、リング１２０にフランジを備える代わりに、複数の実質的に球形の突出部がリング１２０の下側に設けられてもよい。こうした突出部を備えたリングの一例を図１３に断面図で示す。突出部１４０は、基板表面または基板テーブルの基板受け取り部分の上を容易に滑動するような形状である。このため、リング１２０がギャップ１１６と完全には整列しないように位置決めされる場合、湾曲状の突出部１４０は基板表面または基板受け取り部分１０２を横切って滑動してギャップ１１６内に収まり得る。このようにして、基板テーブルＷＴに対するリング１２０の僅かな位置ずれが自動的に補正され得る。他の形状の突出部を用いて、同じ位置ずれ補正効果を実現してもよい。一般に、突出部は基板表面上を滑動し、これによりリング１２０が基板と円筒的に整列するように構成されるべきである。円形になっている突出部（突出部は必ずしも球形である必要はない）がこれを実現し得る。球形突出部には、（正確な寸法で）容易に利用可能で、リングに都合よく結合できるという利点がある。
【００８９】
（従来のようにリソグラフィ中に）基板Ｗを基板テーブル１０２から除去し、新しい基板と交換するために、リング１２０はギャップ１１６から除去され得る。これは、例えばリング上に設けられた電磁石を付勢することによって達成されてもよい。この電磁石は、例えば投影レンズＰＬに取り付けられてもよい。あるいは、真空源を用いてリング１２０を上げることもできる。真空源は、例えば投影レンズＰＬに取り付けられてもよい。更なる代替例では、リングと係合し、リングを持ち上げるように、機械式リフタが配置されてもよい。あるいは、機械的リフタを投影レンズに設ける代わりに、機械式アームに設けてもよい。同じく、電磁的装置または真空装置を機械式アーム上に設けてもよい。
【００９０】
真空をリング１２０に印加して基板テーブルの適所にそのリングを保持する場合、リングを除去する前に真空が切られる。同じく、リングを除去する前に、静電的クランピングまたは機械的クランピングが解放される。
【００９１】
更なる代替構成例では、基板がリソグラフィ装置に導入される前にリングを基板上に設けてもよいし、リソグラフィ装置の基板ハンドラ部分において基板上に置いてもよい。リングは、レジストを基板に塗布する前または基板にレジストを塗布した後で基板上に設けてもよい。例えば、基板がリソグラフィ装置に入る前にリングが基板に接着されてもよい。
【００９２】
リングをトラック装置内の基板に都合よく取り付けできるようにするためには、トラック装置内で加工する間の基板の位置が十分にはよく分かっていないであろう。この場合、基板の位置を正確に決定できるようにするために、適した検出器をトラック装置に加えてもよい。
【００９３】
例えばリソグラフィ装置内に基板ハンドラを配置して、基板の位置を十分な精度で決定してリングを基板上に正確に位置決めすることができるようにしてもよい（基板ハンドラは、基板が基板テーブル上に正確に位置決めされることを保証するなど他の目的のために、基板の位置を知る必要があろう）。図１４は基板の上にリングを置くことのできる基板ハンドラを示している。基板ハンドラ２００はリソグラフィ装置の一部を形成してもよく、開口部２０４を介してリソグラフィ装置の露光チャンバ２０２に接続されている。基板Ｗは、ｘ方向に動くことのできる可動アーム２０６上に載っている。基板保管装置２０８が、開口部２１０を介してリソグラフィ装置に送られる複数の基板Ｗｓを保持する。
【００９４】
リングハンドラ２１２は、最下表面に複数の電磁石２１４を備えるハウジングを含む。電磁石２１４はリングハンドラ２１２にリング１２０を固定できるように位置決めされる。
【００９５】
例えば画像検出器であってもよい光学検出器２１６が、リングハンドラの最下表面上に設けられている。コントローラ２１８がリングハンドラ内に設けられている（コントローラはいくつかのほかの場所に設けられてもよい）。コントローラは光学検出器２１６から信号を受信し、電磁石および可動アーム２０６の位置を制御する。
【００９６】
使用中、基板Ｗは可動アームによって開口部２１０を介して保管装置２０８から取り出される。可動アームは光学検出器２１６が基板の縁部および／またはアライメントマーク（一方または両方が必要となることもある）を見ることができるようにリングハンドラの光学検出器２１６下方に動く。可動アームの位置も監視される。このようにして、基板の位置が十分正確に決定されて、基板をリング１２０の下に位置決めできるようになる。基板がリング１２０の下に位置決めされると、電磁石２１４が切られる。これによってリング１２０は基板の上に落ちることが可能となる。次いで、基板は可動アームによって、基板ハンドラ２００を露光チャンバ２０２に接続している開口部２０４まで運ばれる。可動アーム２０６は基板を基板テーブル上に運び、この後に基板上へのパターンの露光が行われ得る。
【００９７】
露光が終了すると、基板は可動アーム２０６によって露光チャンバ２０２から除去される。電磁石２１４が付勢され、これによりリング１２０が基板から除去される。基板は基板保管装置２０８まで戻される。次いで、新しい基板が基板保管装置２０８から取り出され、プロセスが繰り返される。
【００９８】
いくつかの場合、２つ以上のアームを用いて、例えば第２のアームが露光チャンバ２０２から基板を取り出している間にアームの１つが基板保管装置２０８から基板を取り出すことができるようにしてもよい。この場合、適した変更を上記プロセスに行ってもよい。２つ以上のリングを用いることもできる。例えば異なる基板からリング除去しているのと同時にリングを１つの基板に加えることが同時に行えるように、２つ以上のリングハンドラを設けてもよい。この場合、可動アームがリングハンドラ間でリングを受け渡して、リングが次の基板上に置かれるように適切に位置決めされることを保証してもよい。
【００９９】
リングハンドラ２１２は、リング１２０の温度を制御するように配置された温度制御装置（図示せず）を備えてもよい。
【０１００】
リングを環状で示しているが、リングは環状である必要はない。例えば、リングは平坦な内縁であってもよく、これは基板の直線部分（基板の直線部分の一例を図９ａに示す）と適合するように配置される。
【０１０１】
従来のリソグラフィ基板は２００ｍｍまたは３００ｍｍの直径を有する。リングは従来のリソグラフィ基板の直径よりも小さい内径および従来のリソグラフィ基板の直径よりも大きい外径を有する。リソグラフィ基板が２００ｍｍの直径を有する場合、リングの内径は２００ｍｍ未満であり、リングの外径は２００ｍｍより大きい。リソグラフィ基板が３００ｍｍの直径を有する場合、リングの内径は３００ｍｍ未満であり、リングの外径は３００ｍｍより大きい。リングがフランジを備える場合、フランジの内径は従来のリソグラフィ基板の直径よりも大きい（すなわち、２００ｍｍを超えるか、または３００ｍｍを超える）。
【０１０２】
本明細書ではＩＣの製造における露光装置の使用に具体的に言及しているが、本明細書に記載された露光装置は他の用途にも適用することが可能であるものとして理解されたい。他の用途としては、光集積回路システム、磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という表現がそれぞれ「基板」あるいは「ターゲット部分」という、より一般的な表現と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本明細書における基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、および／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらの基板処理装置または他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という表現は、既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
【０１０３】
本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【０１０４】
「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折および反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか、またはその組合せを指す。
【０１０５】
以上、本発明の特定の実施形態を説明してきたが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが認識される。例えば、適用可能である場合、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。
【０１０６】
本発明の１つまたは複数の実施形態は、特に上述したタイプを含むが、それに限定されない任意の液浸リソグラフィ装置に、液浸液が浴槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるかにかかわらず適用することができる。本明細書で想定されるような液体供給システムは広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、投影システムと基板および／または基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せでよい。これは、液体をこの空間に提供する１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口および／または１つまたは複数の液体出口の組合せを備えてよい。ある実施形態では、空間の表面は、基板および／または基板テーブルの一部であるか、空間の表面が、基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うか、空間が基板および／または基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは場合によっては、さらに１つまたは複数の要素を含み、液体の位置、量、品質、形状、流量または任意の他の形体を制御してよい。
【０１０７】
リソグラフィ装置に用いられる液浸液は、使用される露光放射の特性および波長に従って、異なる組成を有してよい。１９３ｎｍの露光波長の場合、超純水または水をベースにした組成物を用いてよく、この理由により、液浸液は水と呼ばれることもあり、親水性、疎水性、湿度等の水に関連する用語を用いてよい。
【０１０８】
上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図１０】
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【図１１ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図７】
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【図８】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図１２】
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