(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
前記シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を引き上げる引き上げ工程と、
前記シリコン単結晶からスライスしたウェーハを空孔注入効果ガス雰囲気で１０００〜１２５０℃のＲＴＡ処理する空孔注入工程と、
前記空孔注入工程後に、６００℃〜１１５０℃の温度範囲、０．２５〜２４時間の処理時間で熱処理して前記ウェーハの厚さ方向の空孔密度分布を制御する空孔制御熱処理工程と、
を有し、
前記引き上げ工程における同一の単結晶の引き上げ条件および前記空孔注入工程におけるＲＴＡ処理条件で製造した前記シリコン単結晶ウェーハから、
該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の４パターンから一つを選択するものであり、
前記空孔制御熱処理工程において、
該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ａ （７５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｃ（６００，１０）、点Ｄ（６００，１．５）、点Ｅ（６５０，１）で囲まれる範囲か、および／または、点Ｆ（９５０，１）、点Ｊ（９５０，１６）、点Ｋ（１０５０，１６）、点Ｌ（１０５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ１熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ｆ（９５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｃ（６００，１０）、点Ｈ（６００，１８）、点Ｇ（９５０，３）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ２熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ａ （７５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｆ（９５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ３熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ｈ（６００，１８）、点Ｇ（９５０，３）、点Ｊ（９５０，１６）で囲まれる範囲か、および／または、点Ｋ（１０５０，１６）、点Ｌ（１０５０，１）、点Ｍ（１１５０，１）、点Ｎ（１１５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ４熱処理条件のうちから選択される熱処理条件を含む第１ステップと、１０００〜１１００℃、１０〜２０時間の第２ステップと、を有することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン単結晶ウェーハの製造方法およびシリコン単結晶ウェーハに係り、特に、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の製造に適用可能な厚さ１５０μｍ程度以上のＤＺ層を有するウェーハから、通常のデバイスの製造に適用可能な厚さ５〜数十μｍ程度のＤＺ層を有するウェーハまで、同一の引き上げ条件、空孔注入条件で、対応可能とすることができる技術や、同一の単結晶の引き上げ条件および急速加熱急速冷却による熱処理（ＲＴＡ処理）条件で製造したシリコン単結晶ウェーハに対して、酸素析出物形成熱処理（以下「析出熱処理」）を行うことにより、ＩＧＢＴの製造に適用可能なウェーハや一般のデバイスの製造に適用可能なウェーハといった仕様の異なるウェーハを製造することができる方法およびこの方法で製造されたウェーハに用いて好適なものである。
本願は、２００８年６月１０日に、日本に出願された特願２００８−１５１８５９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁ゲートバイポーラトランジスター（Insulated Gate Bipolar Transistor、以下ＩＧＢＴと記す）は、大電力を制御するのに適したゲート電圧駆動型スイッチング素子であり、電車、ハイブリッド車、空調機器、冷蔵庫などのインバータなどに用いられている。ＩＧＢＴには、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、エミッタＥ、コレクタＣ、ゲートＧという３つの電極が備えられており、絶縁酸化膜ＳｉＯ２を介して素子の表面側に形成されたゲートに印加する電圧によって、素子表面側のエミッタＥと裏面側のコレクタＣ間の電流を制御するものである。
上述のように、ＩＧＢＴは酸化膜で絶縁されたゲートで電流を制御する素子なので、ゲート酸化膜の品質（Gate Oxide Integrity、以下ＧＯＩと記す）が重要である。シリコン単結晶ウェーハ中に欠陥が含まれていると、その欠陥がゲート酸化膜に取り込まれて、酸化膜の絶縁破壊の原因となる。
【０００３】
メモリ等に使用されるＬＳＩのような一般のデバイスは、ウェーハの表面近傍だけを横方向に使う素子である。一方、ＩＧＢＴは、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、ウェーハを縦方向（厚さ方向）に使う素子であるので、表面近傍の無欠陥層（以下「ＤＺ層」）の厚さは、一般のデバイスに比べて厚く設定する必要がある。ここで、一般のデバイス、ＩＧＢＴともに、デバイス製造工程の熱処理過程で、素子として使用する領域（ＤＺ層）が金属不純物によって汚染されないような対策、すなわち、ゲッタリングが必要である。
【０００４】
また、ＩＧＢＴは、メモリ等のＬＳＩのようにウェーハの表面近傍だけを横方向に使う素子ではなく、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、ウェーハを縦方向（厚み方向）に使う素子なので、その特性はウェーハのバルクの品質に影響される。特に、再結合ライフタイムと抵抗率は重要な品質である。再結合ライフタイムは、基板中の結晶欠陥によって低下するので、デバイスプロセスを経ても結晶欠陥が生じないように制御することが必要である。抵抗率に関しては、均一性と安定性が要求される。ウェーハの面内だけでなく、ウェーハ間、すなわち、シリコンインゴットの長さ方向でも均一で、且つデバイス熱プロセスを経ても変化しないことが重要である。
もし、ウェーハ平面上に複数の受けられた素子、つまり、複数の素子が並列に設けられていた場合、これらの素子間で抵抗率が異なると、抵抗率の低い素子に大電流が集中し破損してしまうので抵抗率の均一性と安定性が重要である。このように、複数の素子が並列に微細化された場合、抵抗率の差によって、大電流が集中し特定の素子に電流が集中し破損してしまうので抵抗率が均一で、しかも、デバイス熱プロセスを経ても変化しないことが重要である。
【０００５】
また、図５Ａに示すように、電流のオフ時に空乏層がコレクタ側に接触する所謂パンチスルー（Punch Through、以下ＰＴと記す）型ＩＧＢＴ用の基板として、エピキタキシャルウェーハ（以下エピウェーハと記す）が使用されている。しかし、ＰＴ型ＩＧＢＴは、エピウェーハを使用するためコストが高いという問題がある。また、ライフタイムコントロールのため、高温でスイッチング損失が増加する。このため高温でオン電圧が低下して並列使用時に特定の素子に電流が集中し破損の原因となることもある。
ＰＴ型基板の欠点を克服する為に、オフ時に空乏層がコレクタ側に接触しないノンパンチスルー（Non Punch Through、以下ＮＰＴと記す）型のＩＧＢＴが開発されている。更に最近になって、トレンチゲート構造や、図５Ｃに示すように、コレクタ側にフィールドストップ（Field Stop、以下ＦＳと記す）層を形成した、よりオン電圧が低くスイッチング損失の少ないＦＳ−ＩＧＢＴが製造されるようになっている。ＮＰＴ型やＦＳ型のＩＧＢＴ用の基板としては、従来から浮遊帯域溶融法（Floating Zone Method、以下ＦＺ法と記す）で育成したシリコン単結晶から切り出した直径１５０ｍｍ以下のウェーハ（以下、ＦＺウェーハという）が使用されている。
【０００６】
エピウェーハに比べてＦＺウェーハは安価であるが、ＩＧＢＴの製造コストを更に下げる為には、ウェーハを大口径化する必要がある。しかし、ＦＺ法で直径１５０ｍｍより大きい単結晶を育成することは極めて難しく、たとえ製造できたとしても、低価格で安定供給するのは困難である。
そこで、我々はφ２００ｍｍ以上好ましくはφ３００ｍｍ以上の大口径結晶が容易に育成できるチョクラルスキー法（ＣＺ法）でＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを製造することを試みた。
【０００７】
以下に説明する特許文献１〜３に記載されている技術はいずれもウェーハ内の欠陥の低減を目的とするものであり、特許文献１には、ＣＺ法によって育成され、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウェーハが開示されている。
また特許文献２には、酸素及び窒素でドーピングされる間にチョクラルスキー法を使って引き上げられるシリコン単結晶の製造方法であって、単結晶が引き上げられる間に６．５×１０１７原子／ｃｍ３未満の濃度の酸素、及び５×１０１３原子／ｃｍ３超の濃度の窒素でドーピングされるシリコン単結晶の製造方法が開示されている。
更に特許文献３には、窒素を添加した融液からチョクラルスキー法により育成され、２×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素濃度、及び７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の酸素濃度を含有し、各種表面欠陥密度がＦＰＤ≦０．１個／ｃｍ２、ＳＥＰＤ≦０．１個／ｃｍ２、及びＯＳＦ≦０．１個／ｃｍ２であり、内部欠陥密度がＬＳＴＤ≦１×１０５個／ｃｍ３であり、かつ酸化膜耐圧特性がＴＺＤＢ高Ｃモード合格率≧９０％及びＴＤＤＢ合格率≧９０％以上であるシリコン半導体基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１４６４９８号公報
【特許文献２】特開２０００−７４８６号公報
【特許文献３】特開２００２−２９８９１号公報
【特許文献４】特開２００４−８７５９２号公報
【特許文献５】特開２００３−２９７８３９号公報
【０００９】
また、従来のＲＴＡ技術では、特許文献４，５で示すように空孔注入後、適切な析出熱処理を施したウェーハ深さ方向（厚さ方向）の酸素析出物（ＢＭＤ）密度分布は、注入した空孔濃度分布を反映しており、ＢＭＤ密度分布やＤＺ層（無欠陥層）厚みは、初期の空孔注入条件が支配的であるとされている。
このため、所望のＢＭＤ密度分布やＤＺ層厚みを有するウェーハを製造するためには、製造工程初期におこなわれる単結晶引き上げ条件あるいは空孔注入条件であるＲＴＡプロセスの時点から変更する必要性があった。
【００１０】
従来は、特許文献４，５で示すように、ウェーハ裏面側にゲッタリング層として多結晶シリコン層（ＥＧ層）を形成し、一般のデバイスやＩＧＢＴの製造工程における重金属汚染を除去するようにしていたが、このポリシリコン層形成が作業工程の増大と製造コストの増大を招くため、これを行わないことが好ましい。従って、ＥＧを施さずにウェーハの内部にＩＧ層を有するシリコン単結晶ウェーハが求められていた。デバイス製造工程における熱処理が低温で行われる傾向にあることを考慮すれば、デバイスとして使用される表面近傍のＤＺ層とＩＧ層との間の距離はできるだけ短い方が好ましい。即ち、ＩＧ層は、表面に近い位置にあることが好ましい。しかし、ＩＧＢＴは、ウェーハを縦方向（厚さ方向）に使う素子であり、かつ、その特性はウェーハのバルクの品質に影響され易い。従って、ＩＧＢＴ用のウェーハにおいて、ＩＧ層は、ウェーハの厚さ方向の中央部に位置させることが好ましい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、このような異なるＢＭＤ密度分布を必要とするＩＧＢＴ用のウェーハからメモリー等の通常デバイス用のウェーハまでを、引き上げ条件、ＲＴＡ条件に関わらず、これらの終了した時点において、ウェーハ仕様を変更可能としたいという要求があった。
また、このように、製造途中から製品ウェーハの仕様を変更可能とすることで、ウェーハの製造コストを低減したいという要求があった。
【００１２】
従来のＲＴＡ技術では、特許文献４および５に示すように、ＲＴＡ処理によってウェーハ内部に空孔を注入後、適切な析出熱処理を施したウェーハの深さ方向（厚さ方向）の酸素析出物（ＢＭＤ）密度の分布は、注入した空孔濃度分布に対応する分布となり、初期の空孔注入条件が支配的であるとされている。
このため、所望のＢＭＤ密度の分布を有するウェーハを製造するためには、ＢＭＤ密度の分布に対応して、単結晶の引き上げ条件およびＲＴＡ処理条件を設定する必要があった。即ち、ＩＧＢＴ用ウェーハやメモリー等の一般デバイス用ウェーハといった仕様の異なるウェーハに対応して、単結晶の引き上げ条件およびＲＴＡ処理条件を設定する必要があった。
【００１３】
これに対し、同一の単結晶の引き上げ条件およびＲＴＡ処理条件で製造したウェーハから仕様の異なるウェーハを製造することができれば、それぞれの製品に対応して単結晶の引き上げ条件およびＲＴＡ処理条件を設定する必要がなく、需要に応じて、仕様の異なるウェーハの生産量を柔軟に調整できる。さらに、デバイスメーカーからのウェーハの仕様を変更したいという要求にもすぐに対応することができる。
【００１４】
本発明は、上記の事情に鑑み、同一の単結晶インゴットの引き上げ条件および同一のＲＴＡ処理条件で製造されたウェーハに対して、析出熱処理工程の熱処理温度および熱処理時間を変化させることで、ＩＧＢＴの製造に適用可能なウェーハや一般のデバイスの製造に適用可能なウェーハといった仕様の異なるウェーハの製造が可能なシリコン単結晶ウェーハの製造方法およびシリコン単結晶ウェーハを提供することを目的とする。
【００１５】
また、本発明は、上記の事情に鑑み、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の製造に適用可能な厚さ１５０μｍ程度以上のＤＺ層を有するウェーハから、通常のデバイスの製造に適用可能な厚さ５〜数十μｍ程度のＤＺ層を有するウェーハまで、同一の引き上げ条件、空孔注入条件で、異なる酸素析出物密度のウェーハ製造に対応可能とすることができるシリコン単結晶ウェーハの製造方法およびシリコン単結晶ウェーハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のシリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
前記シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を引き上げる引き上げ工程と、
前記シリコン単結晶からスライスしたウェーハを空孔注入効果ガス雰囲気で１０００〜１２５０℃のＲＴＡ処理する空孔注入工程と、
前記空孔注入工程後に、６００℃〜１１５０℃の温度範囲、０．２５〜２４時間の処理時間で熱処理して前記ウェーハの厚さ方向の空孔密度分布を制御する空孔制御熱処理工程と、
を有し、
前記引き上げ工程における同一の単結晶の引き上げ条件および前記空孔注入工程におけるＲＴＡ処理条件で製造した前記シリコン単結晶ウェーハから、
該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の４パターンから一つを選択するものであり、
前記空孔制御熱処理工程において、
該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ａ （７５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｃ（６００，１０）、点Ｄ（６００，１．５）、点Ｅ（６５０，１）で囲まれる範囲か、および／または、点Ｆ（９５０，１）、点Ｊ（９５０，１６）、点Ｋ（１０５０，１６）、点Ｌ（１０５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ１熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ｆ（９５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｃ（６００，１０）、点Ｈ（６００，１８）、点Ｇ（９５０，３）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ２熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ａ （７５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｆ（９５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ３熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ｈ（６００，１８）、点Ｇ（９５０，３）、点Ｊ（９５０，１６）で囲まれる範囲か、および／または、点Ｋ（１０５０，１６）、点Ｌ（１０５０，１）、点Ｍ（１１５０，１）、点Ｎ（１１５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ４熱処理条件のうちから選択される熱処理条件を含む第１ステップと、１０００〜１１００℃、１０〜２０時間の第２ステップと、を有することにより上記課題を解決した。
本発明は、また、チョクラルスキー法によってＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のないシリコン単結晶インゴットが引き上げ可能な引き上げ速度でシリコン単結晶インゴットを引き上げる引き上げ工程と、前記シリコン単結晶インゴットからスライスして得たウェーハに対して窒素含有雰囲気中で急速加熱急速冷却による熱処理（ＲＴＡ処理）を行うＲＴＡ処理工程と、前記ＲＴＡ処理工程後に、前記ウェーハの厚さ方向の酸素析出物密度の分布を制御する熱処理を前記ウェーハに対して行う析出熱処理工程から成ることができる。
【００１７】
チョクラルスキー法によって、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のないシリコン単結晶インゴットが引き上げ可能な引き上げ速度で、シリコン単結晶インゴットを引き上げる。この単結晶インゴットからスライスして得たウェーハ内部にはＣＯＰ等の欠陥が存在しないので、ＲＴＡ処理を行う前に、ウェーハ表面近傍に存在するＣＯＰ等の欠陥を除去するための熱処理を別途行う必要がなく、結果として、製造工程短縮、製造コスト低減につながる。また、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のないシリコン単結晶インゴットをスライスしたウェーハは、ＩＧＢＴの原料として好適である。さらに、窒素含有雰囲気中でウェーハのＲＴＡ処理を行うため、ＲＴＡ処理によって注入された空孔の濃度のピークがウェーハの表面近傍に存在するような空孔濃度の分布がウェーハの厚さ方向において得られる。このように空孔の濃度のピークがウェーハの表面近傍に存在するウェーハに析出熱処理を行うに際し、析出熱処理の温度および時間を変化させることによって、ウェーハの厚さ方向における酸素析出物の密度の分布を制御でき、ウェーハの厚さ方向において所望の酸素析出物密度が得られる。
【００１８】
即ち、図１において、熱処理温度と熱処理時間を組みあわせることで、図２に示すような、次の４種類の酸素析出物密度の分布が得られる。
（ｐ１）ウェーハの厚さ方向の中央部分のみにピークを有する分布
（ｐ２）ウェーハの厚さ方向の表面部分と中央部分にピークを有する分布
（ｐ３）ウェーハの厚さ方向の表面付近にピークを有する分布
（ｐ４）ウェーハ表面近傍から中央部分にわたって均一な分布
【００１９】
上記（ｐ１）の分布は、ウェーハ表層部に形成されるＤＺ層の厚みが厚いため、ＩＧＢＴ用ウェーハに好適である。
上記（ｐ２）、（ｐ３）および（ｐ４）の分布は、ウェーハ表層部に形成されるＤＺ層の厚みが上記（ｐ１）よりも薄いため、一般のデバイスに好適である。また、ウェーハの表面近傍において酸素析出物の密度が高いため、近接ゲッタリング効果が得られ、デバイス工程における熱処理が低温で行われる場合でも、デバイス形成領域（ＤＺ層）が重金属で汚染されることが防止できる。さらに、（ｐ２）は、ウェーハの厚さ方向の中央部分においても酸素析出物の密度が高く、（ｐ４）は表層部分を除くウェーハの厚さ方向の全域において酸素析出物の密度が高いため、何れも、（ｐ３）に比べてＩＧ効果が高くなる。
【００２０】
本発明のシリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
前記シリコン単結晶を引き上げる引き上げ工程と、
前記シリコン単結晶からスライスしたウェーハを空孔注入効果ガス雰囲気で１０００〜１２５０℃のＲＴＡ処理する空孔注入工程と、
前記空孔注入工程後に、６００℃〜１１５０℃の温度範囲、０．２５〜２４時間の処理時間で熱処理して前記ウェーハの厚さ方向の空孔密度分布を制御する空孔制御熱処理工程と、
を有し、
前記空孔制御熱処理工程における熱処理条件によって、該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の４パターンから選択した１つの状態となるよう制御することを特徴とする。
本発明は、前記空孔制御熱処理工程において、
該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ａ  （７５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｃ（６００，１０）、点Ｄ（６００，１．５）、点Ｅ（６５０，１）で囲まれる範囲か、および／または、点Ｆ（９５０，１）、点Ｊ（９５０，１６）、点Ｋ（１０５０，１６）、点Ｌ（１０５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ１熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ｆ（９５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｃ（６００，１０）、点Ｈ（６００，１８）、点Ｇ（９５０，３）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ２熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ａ  （７５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｆ（９５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ３熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ｈ（６００，１８）、点Ｇ（９５０，３）、点Ｊ（９５０，１６）で囲まれる範囲か、および／または、点Ｋ（１０５０，１６）、点Ｌ（１０５０，１）、点Ｍ（１１５０，１）、点Ｎ（１１５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ４熱処理条件のうちから選択される熱処理条件を含むことが好ましい。
本発明は、前記空孔制御熱処理が、６００〜１１００℃、０〜８時間の第１ステップと、１０００〜１１００℃、１０〜２０時間の第２ステップとを有することができる。
本発明は、前記引き上げ工程において、前記シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を育成することができる。
本発明のシリコン単結晶ウェーハは、上記のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことができる。
【００２１】
本発明のシリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
前記シリコン単結晶を引き上げる引き上げ工程と、
前記シリコン単結晶からスライスしたウェーハを空孔注入効果ガス雰囲気で１０００〜１２５０℃のＲＴＡ処理する空孔注入工程と、
前記空孔注入工程後に、６００℃〜１１５０℃の温度範囲、０．２５〜２４時間の処理時間で熱処理して前記ウェーハの厚さ方向の空孔密度分布を制御する空孔制御熱処理工程と、
を有し、
前記空孔制御熱処理工程における熱処理条件によって、該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の４パターンから選択した１つの状態となるよう制御することにより、引き上げた単結晶からスライスしたウェーハにＲＴＡ処理（空孔注入工程）が終了した時点で、上記のｐ１〜ｐ４までの酸素析出物密度分布のことなるウェーハを選択して製造することが可能となる。
また、空孔制御熱処理工程における熱処理では、その冷却速度を、３〜１０℃／ｍｉｎ、または、約５℃／ｍｉｎと設定することが好ましい。これは空孔を注入しない冷却速度である。
【００２２】
本発明のシリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
前記シリコン単結晶を引き上げる引き上げ工程と、
前記シリコン単結晶からスライスしたウェーハを空孔注入効果ガス雰囲気で１０００〜１２５０℃のＲＴＡ処理する空孔注入工程と、
前記空孔注入工程後に、６００℃〜１１５０℃の温度範囲、０．２５〜２４時間の処理時間で熱処理して前記ウェーハの厚さ方向の空孔密度分布を制御する空孔制御熱処理工程と、
を有し、
前記空孔制御熱処理工程における熱処理条件によって、該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の４パターンから選択した１つの状態となるよう制御することを特徴とする。
本発明は、前記空孔制御熱処理工程において、
該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ａ  （７５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｃ（６００，１０）、点Ｄ（６００，１．５）、点Ｅ（６５０，１）で囲まれる範囲か、および／または、点Ｆ（９５０，１）、点Ｊ（９５０，１６）、点Ｋ（１０５０，１６）、点Ｌ（１０５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ１熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ｆ（９５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｃ（６００，１０）、点Ｈ（６００，１８）、点Ｇ（９５０，３）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ２熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ａ  （７５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｆ（９５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ３熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ｈ（６００，１８）、点Ｇ（９５０，３）、点Ｊ（９５０，１６）で囲まれる範囲か、および／または、点Ｋ（１０５０，１６）、点Ｌ（１０５０，１）、点Ｍ（１１５０，１）、点Ｎ（１１５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ４熱処理条件のうちから選択される熱処理条件を含むこと、および／または、前記空孔制御熱処理が、６００〜１１００℃、０〜８時間の第１ステップと、１０００〜１１００℃、１０〜２０時間の第２ステップとを有することにより、上記のように空孔制御熱処理工程における条件のみを設定することにより、空孔注入条件は同一で、後の熱処理条件のみを変更することで、所望のＢＭＤ密度分布、ＤＺ層厚みを有したウェーハを得ることが可能となり、近接ゲッタリング（ＩＧ）効果が必要なシリコン単結晶ウェーハあるいは表層から１００μｍ程度までに析出物が存在しないＤＺ層が必要なＩＧＢＴ用などに適応可能なシリコン単結晶ウェーハの作成が可能となる。これにより、大幅な製造プロセス時間の短縮を図ることができ、製造コストを下げることができる。
【００２３】
具体的には、ＤＺ層の厚さとして、
（ｐ１）ウェーハで、１０〜２０μｍ、または、１００〜２００μｍ程度、あるいは、１５０μ程度以上
（ｐ２）ウェーハで、２〜２０μｍ
（ｐ３）ウェーハで、２〜２０μｍ
（ｐ４）ウェーハで、２〜２０μｍ、または、１００〜２００μｍ程度、あるいは、１５０μ程度以上
を実現することが可能となる。
しかも、ゲッタリングサイトとなるＢＭＤ密度のピーク値としては、それぞれのウェーハにおいて、５×１０５個／ｃｍ２以上、１×１０６〜１×１０７個／ｃｍ２程度を実現することが可能となる。
【００２４】
＜空孔注入後の酸素析出モデルの説明＞
図２は、析出熱処理後のＢＭＤ密度分布を１０００℃１６時間（ｈｒ）の１ステップ熱処理と、この１ステップ処理前に１０００℃未満の熱処理を含む２ステップ熱処理とで比較したモデルズ図である。図において、ハッチング部分ＢＭＤが析出する領域を示している。
空孔注入直後の空孔濃度分布については、Ｐｔ拡散法を用いて深さ方向の不純物濃度をＤＬＴＳにより測定した結果（図３）があり、ＮＨ３雰囲気中のＲＴＡ処理では表層から５０μｍをピークに空孔濃度分布が山なりに分布する。これはＡｒ／窒素の混合雰囲気中のＲＴＡ処理では、表面窒化膜の形成により母相Ｓｉと窒化膜の界面で圧縮応力がかかり、その結果、応力緩和のためにウェーハ表面からウェーハ中心部分のバルクへ空孔が注入されることに起因していると考えられている。
【００２５】
したがって、２ステップ熱処理では表層の空孔過飽和度が高いが故に、表層析出がバルクの析出よりも早く進行するため、表層析出にともない内部に格子間Ｓｉが注入されると考えられる。これにより、バルクでは空孔が存在しているにもかかわらず、析出核まわりの格子間Ｓｉの過飽和度が高いため析出が抑制され、表層のみに析出が起こるＢＭＤ密度分布になる。
一方、１０００℃単発熱処理では８００℃等の低温熱処理と比較し、酸素の外方拡散が顕著になるため、表層近傍の酸素析出が起こらない。したがって内部への格子間Ｓｉの注入が生じず、その結果バルク中心部のみに析出すると考えられる。
【００２６】
本発明は、前記引き上げ工程において、前記シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を育成することができる、上記の範囲以下であるとＣＺ引き上げでは実現できず、操業の可能性はない。
また、格子間酸素濃度は、近接ゲッタリング効果を有するウェーハでは、１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とすることが好ましく、これは、近接ゲッタリングが期待できる濃度、かつ、結晶の歩留まりを考慮した時の上限濃度となる。また、格子間酸素は、ＩＧＢＴ用ウェーハなど、パワーデバイス系ウェーハでは、２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とすることが好ましい。
【００２７】
また、特許文献１〜３には、結晶欠陥フリーとなるウェーハの製造方法について開示されているものの、ＩＧＢＴに必要なウェーハ特性は明らかになっていない。また、無欠陥ＣＺシリコンで格子間酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ウェーハ面内での抵抗率のばらつきが５％以下である結晶を育成するには、石英坩堝の回転速度や、結晶の回転速度を従来の条件から大幅に変更する必要があり、無欠陥結晶が育成できる引き上げ速度マージンが小さくなってしまい、歩留まりが低下する問題があった。
また、従来から、ＥＧ処理として、ウェーハ裏面側にゲッタリング層としての多結晶シリコン層を形成し、ＩＧＢＴ製造工程における重金属汚染を除去するようにしていたが、このポリシリコン層形成が作業工程の増大と製造コストの増大を招くため、これをおこなわないことが好ましい。しかし、ＩＧＢＴ用デバイスプロセスにおいては、ゲッタリング能を有することが必要であり、ＥＧを施さずにＩＧ能を有するＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハが求められていた。
【００２８】
本発明は、ＩＧＢＴ用の酸素析出物密度分布が必要なウェーハにおいては、引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、ＥＧ処理が必要でなく、ＩＧＢＴ用ウェーハとしての充分な厚さのＤＺ層を有しかつＩＧ能を有するとともに、抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能であるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハをも提供可能とすることができる。
【００２９】
ＩＧＢＴ用の酸素析出物密度分布が必要なシリコン単結晶ウェーハを、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と言う場合がある）により製造すると、直径３００ｍｍ程度の大口径のウェーハが製造可能であるが、ＣＺ法で製造されたウェーハは次のような理由でＩＧＢＴ用のウェーハには適していなかった。
（１）ＣＺ法では、単結晶の育成時に過剰な空孔が凝集して０．２〜０．３μｍ程度のＣＯＰ欠陥（Crystal Originated Particle）が生じる。ＩＧＢＴを製造する際には、ウェーハ表面にゲート酸化膜を形成するが、ＣＯＰ欠陥がウェーハ表面に露出して出来たピット、あるいはウェーハ表面近傍に存在するＣＯＰ欠陥がこのゲート酸化膜に取り込まれると、ＧＯＩ（Gate Oxide Integrity）を劣化させる。従って、ＧＯＩが劣化しないように、ＣＯＰ欠陥を含まないウェーハが必要になるが、ＣＺ法では無欠陥のウェーハの製造が難しい。
（２）ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶ウェーハには、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度の過剰な酸素が含まれており、このようなウェーハに対して４５０℃で１時間程度の低温熱処理（ＩＧＢＴ製造工程のシンタリング処理に相当する熱処理）を行うと酸素ドナーが発生し、熱処理前後でウェーハの抵抗率が変化してしまう。
（３）ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶ウェーハの抵抗率は、シリコン融液に添加するドーパント量によって制御でき、ＩＧＢＴ用のウェーハにはドーパントとしてリンが添加されるが、リンは偏析係数が小さい為にシリコン単結晶の長さ方向に渡って濃度が大きく変化する。そのため、一本のシリコン単結晶の中で、設計仕様に合致する抵抗率を有するウェーハの得られる範囲が狭い。
（４）ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶ウェーハには、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度の過剰な酸素が含まれており、このようなウェーハに対してデバイス形成プロセスを行うと、過剰な酸素がＳｉＯ２となって析出し、再結合ライフタイムを劣化させる。
【００３０】
（５）ＣＺシリコンには１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度の酸素が含まれており、ＩＧＢＴ用デバイスプロセスにおける４５０℃１時間程度の低温熱処理を受けると酸素ドナーが発生して、基板の抵抗率が変化してしまう。また、窒素ドープ結晶においては、酸素ドナーを消す熱処理（典型的には６５０℃×３０分）を施しているが、デバイスプロセスにおいてたとえばＡｌ配線のシンタリング処理などはこの４５０℃程度の温度前後で行われるため、デバイス製造工程を通るとＩＧＢＴ用デバイスを形成するデバイス領域における抵抗率がウェーハ出荷時の抵抗率よりも高くなるという問題があった。このため、ウェーハ最表面から深さ方向１００〜２００μｍ程度とされるデバイス領域には、酸素析出物ＢＭＤが存在せず、かつ、デバイス領域に隣接してデバイスプロセスにおけるハンドリング性を向上するために、ゲッタリング（ＩＧ）効果を有するために、この領域にはＢＭＤが充分存在しているウェーハが求められていた。
【００３１】
上記（１）〜（５）の問題点を解決すべく、本発明者らが鋭意研究を行ったところ、以下の構成を採用することによって、ＩＧＢＴに必要なウェーハ特性を備えたウェーハを、ＣＺ法により製造できることが判明した。
【００３２】
本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハは、チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハであって、
前記ウェーハ全面に設けられ表面側にＩＧＢＴ用デバイスの形成されるデバイス領域と、該デバイス領域よりも裏面側に位置しデバイス形成後に除去されるゲッタリング領域とを有し、
前記デバイス領域の厚さ方向寸法が１００〜２００μｍとされ、
結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下であることを特徴とする。
本発明は、前記デバイス領域において、ＩＧＢＴ用デバイスプロセス熱処理後に、２０ｎｍ以上の酸素析出物密度が５×１０３個／ｃｍ３以下であり、前記ゲッタリング領域において、ＩＧＢＴ用デバイスプロセス熱処理後に、２０ｎｍ以上の酸素析出物密度が５×１０４個／ｃｍ３以上１×１０７個／ｃｍ３以下であることができる。
本発明は、前記シリコン単結晶に、５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または、１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素をドープすることができる。
本発明は、前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法により育成される際にＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度で育成されたものであり、かつ、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射がなされてリンがドープされてなるものであることができる。
本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を育成する引き上げ工程と、
前記単結晶からスライスしたウェーハを１１７５℃以上でＲＴＡ処理する空孔注入工程と、
前記空孔注入工程後に、１０００℃〜１１００℃の温度範囲、１〜１６時間の処理時間で熱処理して前記ウェーハ全面の表面側に厚さ方向寸法が１００〜２００μｍであるＩＧＢＴ用デバイスの形成されるデバイス領域および該デバイス領域よりも裏面側にデバイス形成後に除去されるゲッタリング領域を形成する空孔制御熱処理工程と、
を有することを特徴とする。
本発明は、前記シリコン単結晶に、５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素をドープすることができる。
本発明は、ＣＺ炉内の雰囲気ガス中に水素ガス換算分圧で４０Ｐａ以上４００Ｐａ以下の範囲となる水素原子含有物質を導入することができる。
本発明は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、シリコン融液にｎ型ドーパントを添加するか、シリコン融液にリンを２．９×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．９×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを、その偏析係数に応じて結晶中の濃度が１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるように添加するか、または、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射を行うことで、リンをドープすることができる。
【００３３】
本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハは、チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハであって、
前記ウェーハ全面に設けられ表面側にＩＧＢＴ用デバイスの形成されるデバイス領域と、該デバイス領域よりも裏面側に位置しデバイス形成後に除去されるゲッタリング領域とを有し、
前記デバイス領域の厚さ方向寸法が１００〜２００μｍとされ、
結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下であることにより、ＩＧＢＴが形成されるデバイス領域（ウェーハ最表面〜百数十μｍ）にＢＭＤが発生せず、バックグラインドで除去される厚み領域の中で、バルク中心部（表裏面から百数十μｍ以外）にＲＴＡ処理で故意にＢＭＤを作りこんだウェーハを提供することができる。これにより、デバイス領域では、無欠陥としてデバイス特性に影響を与える抵抗率の変化がなく、かつ、ＥＧ処理をおこなわないで、デバイス製造工程において必要なＩＧ能を有してデバイスプロセスにおけるハンドリング性を向上し、デバイス製造に影響を及ぼす重金属汚染を防止することが可能となる。
【００３４】
アルゴンと窒素の混合雰囲気中でＲＴＡによる空孔注入処理をおこなったウェーハでは、初期デバイスプロセス中に６００℃〜９００℃までの低温熱処理が長時間施されると、表層に存在する空孔が安定化する。その結果、デバイスプロセスにおける後の熱処理工程で表層から１００〜２００μｍまたは１５０μｍの厚みであるデバイス領域でＢＭＤが高密度に形成され、ＩＧＢＴ特性を劣化させる原因となる。したがって、空孔注入ＲＴＡ処理で注入された表層近傍の空孔を、ＲＴＡ処理後に１０００℃〜１１００℃の温度で１〜１６時間程度の熱処理を実施することで、ウェーハ最表面から約１５０μｍ程度のデバイス領域中では酸素析出がおきず、それより深い位置では酸素析出が起きるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを提供することができる。このようなウェーハでＩＧＢＴ用デバイスプロセスを経てＩＧＢＴを製造すれば、デバイスを形成した後にデバイス領域より深い裏面側の部分を除去して薄厚化する薄厚化工程（バックグラインド工程）以前の工程では、最表面から１５０μｍ以上の深い位置に含まれるＢＭＤのゲッタリング（ＩＧ）効果で、デバイス領域（デバイス活性領域）を金属汚染から保護することができる。バックグラインドによってＢＭＤを含む深い領域の部分は削り取られるので、完成したＩＧＢＴ素子にはＢＭＤが含まれず、したがいＢＭＤによるＩＧＢＴ特性の劣化は生じない。また本発明によるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハは、デバイス工程における初期からウェーハにＩＧ能を有するので、裏面へのポリシリコン膜形成処理（ＰＢＳ）などのＥＧ処理を省略して製造コストを低減することも可能である。
【００３５】
本発明は、前記デバイス領域において、ＩＧＢＴ用デバイスプロセス熱処理後に、２０ｎｍ以上の酸素析出物密度が５×１０３個／ｃｍ３以下であり、前記ゲッタリング領域において、ＩＧＢＴ用デバイスプロセス熱処理後に、２０ｎｍ以上の酸素析出物密度が５×１０４個／ｃｍ３以上１×１０７個／ｃｍ３以下であることにより、ゲッタリング領域内部においてデバイス領域側に充分なゲッタリング能を有するゲッタリング領域と、デバイス領域内部でウェーハ厚み方向において均質でかつＩＧＢＴ用デバイスプロセス中からその後にＩＧＢＴ特性が劣化しないデバイス領域とを有するウェーハを提供することが可能となる。
具体的には、ウェーハ最表面からウェーハ厚さ方向に、それぞれ、ＩＧＢＴ用デバイスプロセスを経ても酸素析出がおきない、つまり、ＢＭＤが検出されない均質な厚み寸法１００〜２００μｍ程度のデバイス領域と、このデバイス領域に接して、ＩＧＢＴ用デバイスプロセスを経るとウェーハ厚さ方向にほぼ均質で２０ｎｍ以上の酸素析出物密度が５×１０４個／ｃｍ３以上１×１０７個／ｃｍ３以下となるＢＭＤ層と、このＢＭＤ層からウェーハ裏面までデバイス領域と同様の特性を有する裏側領域とを有するウェーハを得ることができる。
【００３６】
さらに、本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハは、チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハであって、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下であることを特徴とする。
さらに、本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法により育成される際にＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度で育成されたものであり、かつ、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射がなされてリンがドープされてなるものが好ましい。
また本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、前記シリコン単結晶が、前記チョクラルスキー法より育成される際に、ｎ型ドーパントがドープされたシリコン融液から、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶を引き上げ可能な引き上げ速度により育成されたものであることが好ましい。
更に本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、前記シリコン単結晶に、５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素がドープされていることが好ましい。
【００３７】
さらに、本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、破壊電界８ＭＶ／ｃｍでのＴＺＤＢの合格率が９０％以上であり、４５０℃で１時間の熱処理を行った場合に発生する酸素ドナーの濃度が９．８×１０１２個／ｃｍ３以下であり、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の二段階熱処理を行った場合に析出するＢＭＤの密度が５×１０７個／ｃｍ３以下であり、前記二段階熱処理を行った場合における再結合ライフタイムが１００μ秒以上であることが好ましい。
さらにまた、本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、リンと、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントがそれぞれ、１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度で含まれていることが好ましい。
さらにまた、本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハにおいては、ウェーハ表面におけるＬＰＤ密度が０．１個／ｃｍ２以下であり、ライトエッチング欠陥密度が１×１０３個／ｃｍ２以下であることが好ましい。
【００３８】
なお、本発明において、抵抗率のばらつきは、ウェーハ中心、ウェーハ中心と外周の中間の位置、ウェーハ外周から５ｍｍの位置の合計３カ所で抵抗率を測定し、その３カ所の抵抗率の中から最大値と最小値を選び、（最大値−最小値）×１００／最小値の式で得られる値とする。
【００３９】
また、本発明において「Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリー」とは、ＣＯＰ欠陥や転位クラスタなどの結晶育成に伴って生る可能性のある全ての欠陥が排除されることを意味する。
また、本発明で、ＯＳＦ領域とは、乾燥酸素雰囲気で９００℃から１０００℃まで、昇温速度５℃／ｍｉｎで昇温した後、乾燥酸素雰囲気で１０００℃、１時間、その後、ウェット酸素雰囲気で１０００℃から１１５０℃まで昇温速度３℃／ｍｉｎで昇温した後、ウェット酸素雰囲気で１１５０℃、２時間、その後９００℃まで降温する熱処理後に、２μｍのライトエッチングを実施してＯＳＦ領域を顕在化させ、ＯＳＦ密度のウェーハ面内分布を測定した際に、ＯＳＦの密度が１０個／ｃｍ２の領域を意味するものである。
【００４０】
なお、Ｐｖ領域、Ｐｉ領域とは、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶インゴットを育成し、前記インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域をＩ領域とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域をＶ領域とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しない領域をＰ領域とするとき、前記Ｉ領域に隣接しかつ前記Ｐ領域に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域をＰｉ領域とし、前記ＯＳＦ領域に隣接しかつ前記Ｐ領域に属しＣＯＰを形成し得る空孔濃度以下の領域をＰｖ領域とする。
【００４１】
シリコンウェーハは、ＣＺ法により炉内のシリコン融液からインゴットをボロンコフ（Ｖｏｒｏｎｋｏｖ）の理論に基づいた所定の引上げ速度プロファイルで引上げた後、このインゴットを切出して作製される。一般的に、ＣＺ法により炉内のシリコン融液からシリコン単結晶のインゴットを引上げたときには、シリコン単結晶における欠陥として、点欠陥（ｐｏｉｎｔ  ｄｅｆｅｃｔ）と点欠陥の凝集体（ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｅｓ：三次元欠陥）が発生する。点欠陥は空孔と格子間シリコンという二つの一般的な形態がある。空孔は一つのシリコン原子がシリコン結晶格子で正常的な位置の一つから離脱したものである。一方、シリコン結晶の格子点以外の位置（インタースチシャルサイト）で存在するシリコン原子が格子間シリコン原子である。
【００４２】
点欠陥は一般的にシリコン融液（溶融シリコン）とインゴット（固状シリコン）の間の接触面で形成される。しかし、インゴットを継続的に引上げることによって接触面であった部分は引上げとともに冷却し始める。冷却の間、空孔又は格子間シリコン原子は拡散し、空孔の凝集体（vacancy agglomerates）であるＣＯＰ又は格子間シリコン原子の凝集体（interstitial agglomerates）である転位クラスタが形成される。い換えれば、凝集体は点欠陥の合併に起因して発生する三次元構造である。空孔型点欠陥の凝集体は前述したＣＯＰの他に、ＬＳＴＤ（Laser Scattering Tomograph Defects）又はＦＰＤ（Flow Pattern Defects）と呼ばれる欠陥を含み、格子間シリコン型点欠陥の凝集体は前述したＬＤと呼ばれる欠陥を含む。ＦＰＤとは、インゴットを切出して作製されたシリコンウェーハを３０分間セコエッチング（Secco etching、ＨＦ：Ｋ２  Ｃｒ２Ｏ７  （０．１５ｍｏｌ／ｌ）＝２：１の混合液によるエッチング）したときに現れる特異なフローパターンを呈する痕跡の源であり、ＬＳＴＤとは、シリコン単結晶内に赤外線を照射したときにシリコンとは異なる屈折率を有し散乱光を発生する源である。
【００４３】
ボロンコフの理論は、欠陥の数が少ない高純度インゴットを成長させるために、インゴットの引上げ速度をＶ（ｍｍ／分）、インゴットとシリコン融液の界面近傍のインゴット鉛直方向の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）とするときに、Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／分・℃）を制御することである。
【００４４】
このＶ／Ｇの値が高い値から低い値と変化するのに対応して、上述したＶ領域、ＯＳＦ領域、Ｐｖ領域、Ｐｉ領域、Ｉ領域の順となる。このため、電熱解析ソフトにより引き上げ装置固有のＧ（℃／ｍｍ）を算出しておき、引き上げ速度を徐々に低下させる引き上げ実験を実施し、これにより得られた単結晶の引き上げ長さ方向の欠陥分布を予め調べておくことにより、Ｐｖ領域、Ｐｉ領域、Ｉ領域を得るために必要な引き上げ速度Ｖ（ｍｍ／分）を算出することができる。あるいは、Ｖ／Ｇの値は、引き上げ炉上部におけるホットゾーンの構造等、各実機によって異なるが、ＣＯＰ密度、ＯＳＦ密度、ＢＭＤ密度、ＬＳＴＤ密度又はＦＰＤ、ライトエッチング欠陥密度などを測定することによって、判別可能である。
【００４５】
また、「ライトエッチング欠陥」とは、Ａｓ−Ｇｒｏｗｎのシリコン単結晶ウェーハを硫酸銅水溶液に浸漬した後自然乾燥し、窒素雰囲気中で９００℃、２０分程度の熱処理を行なうＣｕデコレーションを行ない、その後、試片表層のＣｕシリサイド層を除去するために、ＨＦ／ＨＮＯ３混合溶液中に浸漬して、表層を数十ミクロン程度エッチングして除去し、その後、ウェーハ表面を２μｍライトエッチング（クロム酸エッチング）し、光学顕微鏡を用いて検出される欠陥である。この評価手法によれば、結晶育成時に形成した転位クラスタをＣｕデコレーションすることで顕在化させ、転位クラスタを感度良く検出することができる。即ちライトエッチング欠陥には、転位クラスタが含まれる。
また、本発明において、「ＬＰＤ密度」とは、レーザ光散乱式パーティクルカウンター（ＳＰ１（surfscan SP1）：ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて検出される０．１μｍサイズ以上の欠陥の密度である。
【００４６】
また、ＴＺＤＢとは、タイムゼロ絶縁破壊（Time Zero Dielectric Breakdown）の略であり、ＧＯＩを表す指標のひとつである。本発明におけるＴＺＤＢの合格率は、測定電極の電極面積を８ｍｍ２とし、判定電流を１ｍＡとしたとした条件で、ウェーハ全体で４１６カ所程度の場所で電流−電圧曲線を測定し、静電破壊を起こさなかった確率をＴＺＤＢの合格率としている。なお、この合格率はＣモード合格率とも呼ばれる。
【００４７】
本発明のシリコン単結晶ウェーハによれば、ウェーハ面内方向全域にわたって均質でかつ充分なゲッタリング能を有するゲッタリング領域と、ウェーハ面内方向全域にわたって均質でかつＩＧＢＴ用デバイスプロセス中からその後にＩＧＢＴ特性が劣化しないデバイス領域とを有するとともに、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されているので、ウェーハを縦方向に使う素子であるＩＧＢＴ用のウェーハとして好適である。即ち、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されているので、ＩＧＢＴ製造工程におけるウェーハ表面でのゲート酸化膜の形成時に、ＣＯＰ欠陥がゲート酸化膜に取り込まれることがなく、ＧＯＩを劣化させることがない。また、転位クラスタが排除され、酸素析出物（ＢＭＤ）も低減されているので、ｐ／ｎ接合におけるリーク電流を防止できる。
【００４８】
更に、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下なので、ウェーハの熱処理後に発生する酸素ドナーの濃度を９．８×１０１２個／ｃｍ３以下に抑えることができ、熱処理前後でのウェーハの抵抗率の変化を防ぐことができ、シリコン単結晶ウェーハの品質を安定にできる。
なお、酸素ドナーの濃度を９．８×１０１２個／ｃｍ３以下にする理由は次の通りである。高耐圧ＩＧＢＴには、ｎ型で抵抗率が４０〜７０Ω・ｃｍのウェーハが使われる。例えば、基板の抵抗率の仕様が５０±５Ω・ｃｍの場合では、許容できるドナー濃度は９．８×１０１２個／ｃｍ３以下となる。ここで、酸素に起因した酸素ドナーが最も発生しやすい温度は４５０℃である。例えばデバイスプロセスにおいてＡｌ配線のシンタリング処理はこの温度前後で行われる。４５０℃で１時間の熱処理を施した場合に発生する酸素ドナーの濃度の酸素濃度依存性を調べた結果を図１に示す。図１から、酸素ドナーの濃度を９．８×１０１２個／ｃｍ３以下に抑えるためには、ウェーハの格子間酸素濃度を８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下に制御しなければならないことが分かる。このような理由から本発明においては、格子間酸素濃度を８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることができる。
【００４９】
なお、通常のＣＺ法では格子間酸素濃度を８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にするのは困難な場合があるので、その場合は磁場を印加して単結晶を育成するＭＣＺ法によって、格子間酸素濃度を８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることが可能である。また、石英るつぼおよび引き上げる単結晶の回転速度を低速にすることによっても格子間酸素濃度の低減が図られる。
具体的には、図８に示すように、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
添付図面図８に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
点Ａ  （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｃ（０．５，７）、点Ｄ（０．７，６）、点Ｅ（１，６）、点Ｆ（２，２）、点Ｇ（２，１）で囲まれる範囲内の値に設定することができる。これにより、格子間酸素濃度が４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を育成することができる。実質的には、石英ルツボの回転数をＲ１（ｒｐｍ）、結晶回転数をＲ２（ｒｐｍ）とするとき、Ｒ１：０．１以上２以下、Ｒ２：１以上７以下、の範囲であって、Ｒ１：０．５以上０．７以下の場合、Ｒ２＜７−５（Ｒ１−０．５）を満足し、Ｒ１：０．７以上１以下の場合、Ｒ２＜６を満足し、Ｒ１：１以上２以下の場合、Ｒ２＜６−４（Ｒ１−１）を満足する範囲に設定することができる。この場合、単結晶中の格子間酸素濃度を４．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下として低酸素濃度のシリコン単結晶を育成できる。
このため、この低酸素単結晶から、抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の密度が極めて少ない４５０℃程度の低温熱処理を受けると酸素ドナーが発生して、基板の抵抗率が変化してしまうことを防止可能なＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハを提供することが可能となる。
【００５０】
また、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
添付図面図８に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
点Ａ  （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｌ（０．２，７）、点Ｋ（０．３，７）、点Ｊ（０．５，６）、点Ｉ（０．７，６）、点Ｈ（１，５）、点Ｎ（１，３）、点Ｍ（１，１）で囲まれる範囲内の値に設定してシリコン単結晶を引き上げることで、単結晶中の格子間酸素濃度を３．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下としてより低酸素濃度のシリコン単結晶を育成できる。実質的には、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とをＲ１：０．１以上２以下、Ｒ２：１以上７以下、の範囲であって、但しＲ１：０．３以上、０．５以下の場合、Ｒ２＜７−５（Ｒ１−０．３）を満足し、Ｒ１：０．５以上０．７以下の場合、Ｒ２＜６を満足し、Ｒ１：０．７以上１以下の場合、Ｒ２＜６−３．４（Ｒ１−０．７）を満足する範囲に設定すればよい。この場合、単結晶中の格子間酸素濃度が３．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下として、低酸素濃度のシリコン単結晶を提供できる。
【００５１】
また、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とを、
添付図面図８に各点（Ｒ１，Ｒ２）で示すように、
点Ａ  （０．１，１）、点Ｂ（０．１，７）、点Ｌ（０．２，７）、点Ｑ（０．３，６）、点Ｊ（０．５，６）、点Ｐ（０．７，５）、点Ｎ（１，３）、点Ｍ（１，１）で囲まれる範囲内の値に設定してシリコン単結晶を引き上げてもよい。  実質的には、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）とをＲ１：０．１以上１以下、Ｒ２：１以上７以下、の範囲であって、但しＲ１：０．２以上０．３以下の場合、Ｒ２＜７−１０（Ｒ１−０．２）を満足し、Ｒ１：０．３以上０．５以下の場合、Ｒ２＜６を満足し、Ｒ１：０．５以上０．７以下の場合、Ｒ２＜６−５（Ｒ１−０．５）を満足し、Ｒ１：０．７以上、１以下の場合、Ｒ２＜５−６．７（Ｒ１−０．７）を満足する範囲に設定することができる。この場合、単結晶中の格子間酸素濃度３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のシリコン単結晶を育成し、より低酸素濃度のシリコン単結晶を育成できる。
なお、石英ルツボ回転数Ｒ１（ｒｐｍ）と、結晶回転数Ｒ２（ｒｐｍ）と格子間酸素濃度との関係を表１に示す。
【００５２】
【表１】
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【００５３】
また、本発明では、シリコン融液に印加する磁場は水平磁場やカスプ磁場など採用することができ、例えば水平磁場の強度としては、３０００〜５０００Ｇ（０．３Ｔ〜０．５Ｔ）とすることができる。磁場強度が上記の範囲以下であるとシリコン融液の対流抑制効果が充分でなく固液界面の形状を好ましい形状とすることができない上、酸素濃度を充分低下することができず好ましくない。また、上記の範囲以上に磁場強度を上げると、対流が抑制されすぎて、高温のシリコン融液が石英ルツボ内表面の劣化を進め、結晶の無転位化率が低下するため好ましくない。
また、本発明では、磁場中心位置と結晶引き上げ時の融液表面位置を−７５〜＋５０ｍｍ、より好ましくは、２０〜４５ｍｍとすることが好ましい。ここで、ここで磁場中心位置とは、水平磁場にあっては磁場発生コイルの中心が位置する高さ位置を意味し、−７５ｍｍとは、融液液面から上方７５ｍｍであることを意味している。
【００５４】
本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、φ８インチ以上のＣＺシリコン単結晶において  酸素濃度４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ｏｌｄＡＳＴＭ）以下というレベルは  今までに類を見ないレベルを実現することができた。ＣＯＰフリーでかつ  酸素濃度４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下というシリコン単結晶は  従来結晶でいうＣＺ結晶とＦＺ結晶の中間に位置する結晶である。ＭＣＺ法でＣＯＰフリー結晶を育成することにより  ＦＺ結晶同等の酸化膜耐圧を得ることができる。また、酸素濃度４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることにより  デバイス製造工程における熱処理での酸素ドナー発生の懸念を払拭することができ、さらに  ＣＺ結晶特有の酸素起因不良がほとんど見られなくなる。ＭＣＺ法による引き上げにおいて  シリコン融液の対流を抑制し  石英ルツボの溶解量を減らすと共に、合成石英ルツボを使用し  石英ルツボ中の不純物濃度を低減させ、よりＦＺ結晶に近い品質のＣＺ結晶を育成できる。
ここで、合成石英ルツボとは、少なくとも原料融液に当接する内表面が以下のような合成石英から形成されたものを意味する。
【００５５】
合成石英は、化学的に合成・製造した原料であり、合成石英ガラス粉は非晶質である。合成石英の原料は気体又は液体であるため、容易に精製することが可能であり、合成石英粉は天然石英粉よりも高純度とすることができる。合成石英ガラス原料としては四塩化炭素などの気体の原料由来とケイ素アルコキシドのような液体の原料由来がある。合成石英粉ガラスでは、すべての不純物を０．１ｐｐｍ以下とすることが可能である。
合成石英ガラス粉を溶融して得られたガラスでは、光透過率を測定すると、波長２００ｎｍ程度までの紫外線を良く透過し、紫外線光学用途に用いられている四塩化炭素を原料とした合成石英ガラスに近い特性であると考えられる。
合成石英ガラス粉を溶融して得られたガラスでは、波長２４５ｎｍの紫外線で励起して得られる蛍光スペクトルを測定すると、天然石英粉の溶融品のような蛍光ピークは見られない。
【００５６】
含有する不純物濃度を測定するか、シラノール量の違い、あるいは、光透過率を測定するか、波長２４５ｎｍの紫外線で励起して得られる蛍光スペクトルを測定することにより、ガラス材料が天然石英であったか合成石英であったかを判別することができる。
【００５７】
また、ＭＣＺ法により、８インチφシリコン単結晶の育成がＦＺ法に比べて簡単になるとともに、石英ルツボの使用により大チャージ化が可能となり、ＦＺ法に比べて原料コストの削減が可能となり、同時に歩留りを向上することができる。
【００５８】
また、本発明では、シリコン融液表面のガス流状態を制御するために、炉内圧力は、１３３３Ｐａ以上、好ましくは４０００Ｐａ〜２６６６０Ｐａが望ましい。炉内圧力の上限は、炉内の圧力が増大するとＡｒ等の不活性ガスの融液上でのガス流速が低下することにより、融液から蒸発したＳｉＯ等の反応物ガスが排気しにくくなることにより、結晶中の酸素濃度が高くなり、また、ＳｉＯが炉内の融液上部の１１００℃程度またはこれより低温の部分に凝集することで、ダストを発生させ融液に落下することで結晶の有転位化を引き起こすため、これらを防止するために上記の上限の圧力を規定した。
【００５９】
また、本発明では、シリコン融液表面のガス流状態を制御するために、炉内圧力は、１０ｔｏｒｒ（１．３ｋＰａ）以上、好ましくは３０ｔｏｒｒ〜２００ｔｏｒｒ（４．０〜２７ｋＰａ）、さらに、好ましくは、３０ｔｏｒｒ〜７０ｔｏｒｒ（４．０〜９．３ｋＰａ）が望ましい。炉内圧力の上限は、炉内の圧力が増大するとＡｒ等の不活性ガスの融液上でのガス流速が低下することにより、融液から蒸発したＳｉＯ等の反応物ガスが排気しにくくなることにより、結晶中の酸素濃度が高くなり、また、ＳｉＯが炉内の融液上部の１１００℃程度またはより低温の部分に凝集することで、ダストを発生させ融液に落下することで結晶の有転位化を引き起こすため、これらを防止するために上記の上限の圧力を規定した。
また、本発明では、ＣＺ炉内に供給する雰囲気ガス流量を１００〜２００リットル／ｍｉｎ以上とし、ＣＺ炉内の圧力を６７００ｐａ以下として、溶融液表面から蒸発するＳｉＯを効果的に装置外に排出すると共に、溶融液表面を漂う異物もルツボ壁に追いやるとともに、結晶中の酸素濃度が高くなることを防止することができる。
【００６０】
また、本発明のシリコン単結晶ウェーハによれば、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下なので、ＩＧＢＴの品質を安定にできる。
ところで、ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶ウェーハの抵抗率は、シリコン単結晶に含まれるドーパント量によって制御できるが、ＩＧＢＴ基板のドーパントとして良く使われるリンは、偏析係数が小さい為にシリコン単結晶の長さ方向にわたってその濃度が大きく変化する。そのため、一本の単結晶の中で設計仕様に合った抵抗率を有するウェーハの得られる範囲が狭い。このため本発明では、上述したように、中性子照射、シリコン融液へのｎ型ドーパントの添加、リンとリンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを所定量添加、その他様々な手段を採用する。いずれの場合も、不純物濃度の低いシリコン多結晶を原料とし、不純物の溶出が少ない合成石英ルツボを用いて単結晶を育成することが重要である。これらの手段を用いることで、シリコン単結晶の歩留まりを改善することができる。
【００６１】
中性子照射については、まず、シリコン融液に抵抗率を調整するためのドーパントを添加せずにシリコン単結晶を育成し、このノンドープのシリコン単結晶に中性子を照射することによって、結晶中の３０Ｓｉが３１Ｐに変換される現象を利用してリンをドープすることが出来る。３０Ｓｉは単結晶中に約３％の濃度で均一に含まれているので、この中性子照射は、結晶の径方向にも軸方向にも最も均一にリンをドープできる方法である。
また、シリコン融液へのｎ型ドーパントの添加によっても、抵抗率を制御することができる。この時、所謂ＤＬＣＺ法（Double Layered Czochralski；二層式引き上げ法）を適用することが望ましい。ＤＬＣＺ法とは、リンのような偏析係数の小さなドーパントの結晶軸方向の濃度変化を抑制する方法である。この方法は例えば特開平５−４３３８４号公報に開示されており、ＣＺ方法において、坩堝中で多結晶シリコンを一旦全部溶かしてシリコン融液としてからリンを添加し、坩堝の底部の温度を下げてシリコン融液を底より上方に向かって凝固させてシリコン凝固層を形成し、このシリコン凝固層を上方から底に向けて徐々に溶かしながら結晶を育成することによって、単結晶中に取り込まれるドーパント濃度をほぼ一定に保つ方法である。
本発明ではこのＤＬＣＺ法を採用することによっても、シリコン単結晶の結晶軸方向の抵抗率変化を抑制することができる。
【００６２】
また、リンと、リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを所定量添加することによっても、シリコン単結晶の結晶軸方向の抵抗率変化を抑制することができる。これは所謂ダブルドープ法と呼ばれ、例えば特開２００２−１２８５９１号公報に開示されており、リンのような偏析係数の小さなドーパントをドープした結晶の軸方向の抵抗率変化を抑制する方法である。リンに対して、リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパント（例えばＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ）をカウンタードーパントとしてドープすることによってリンの濃度変化を補償する。リンだけをドープした場合とリンとアルミニウムを同時にドープした場合の結晶軸方向の抵抗率変化を図２に示す。ウェーハの抵抗率の仕様が５０±５Ω・ｃｍの場合、リンとアルミニウムを同時にドープすることによって、歩留まりが約３倍に向上する。単結晶の上端におけるリンに対するアルミニウムの濃度比を５０％程度にすると歩留まりが最も高くなる。本発明では、リンと、リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントがそれぞれ、１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度で含有されることで、シリコン単結晶の結晶軸方向の抵抗率変化を抑制することができる。
【００６３】
更に、本発明においては、所謂ＣＣＺ法と呼ばれる方法も適用可能である。この方法は、例えば特開昭６１−３６１９７号公報に開示されており、単結晶育成中に、リンを含んだシリコン融液にドーパントを含まない多結晶シリコンを添加することによって、単結晶中に取り込まれるドーパント濃度をほぼ一定に保つ方法である。
更にまた、ＤＬＣＺ法やＣＣＺ法のようにシリコン融液にドーパントを添加する単結晶育成の場合には、ウェーハ面内の抵抗率バラツキを抑制するために、結晶育成中の結晶回転速度を速く回転させることが望ましく、直径２００ｍｍ以下の単結晶育成では結晶回転速度を１５〜３０ｒｐｍ、直径３００ｍｍ以上では８〜１５ｒｐｍの範囲で回転させることが望ましい。なお、通常、結晶回転速度を増加させると、Ｇｒｏｗ−ｉｎ欠陥フリー結晶を得るための引き上げ速度マージン幅が狭くなってしまい、単結晶育成そのものが困難となるが、本発明では後述するように水素含有ガス雰囲気でシリコン単結晶を育成することにより、Ｇｒｏｗ−ｉｎ欠陥フリー結晶を得るための引き上げ速度マージンを十分に確保することができる。
【００６４】
次に、シリコン単結晶に、５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、あるいは、１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは、５×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上９×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素がドープされることによって、ＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が容易になる。窒素のドープ量が上記の範囲未満ではＶ／Ｇの制御可能範囲が狭くＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が完全になされない虞があり、上記の範囲を超えると、窒化物が生成してシリコン単結晶が育成できなくなるため好ましくない。
また、シリコン単結晶に、１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、あるいは、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上９×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、あるいは、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素がドープされることによって、ＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が容易になる。窒素のドープ量が上記の範囲未満ではＶ／Ｇの制御可能範囲が狭くＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が完全になされない虞があり、上記の範囲を超えると、窒化物が生成してシリコン単結晶が育成できなくなるため好ましくない。また、上記の範囲以上とすることで、窒素をドープすることによる酸素析出促進効果が明らかであり、また、上記の範囲以下とすれば、単結晶引き上げ時の単結晶化の妨げとなったり、連続操業の不安定化を引き起こしたりすることもない。
【００６５】
また、本発明のシリコン単結晶ウェーハによれば、ＴＺＤＢの合格率が９０％以上であり、４５０℃で１時間の熱処理を行った場合に発生する酸素ドナーの濃度が９．８×１０１２個／ｃｍ３以下であり、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の二段階熱処理を行った場合に生じるＢＭＤの密度が５×１０７個／ｃｍ３以下であり、二段階熱処理を行った場合における再結合ライフタイムが１００μ秒以上であるので、ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハに求められる特性を満たすことができる。
【００６６】
再結合ライフタイムは、シリコン単結晶に含まれる格子間酸素が、デバイス形成プロセスを経ることでＳｉＯ２として析出することによって劣化される。本発明のウェーハによれば、上述のように格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下なので、再結合ライフタイムを１００μ秒以上にすることができる。
【００６７】
本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を育成する引き上げ工程と、
前記単結晶からスライスしたウェーハを１１７５℃以上でＲＴＡ処理する空孔注入工程と、
前記空孔注入工程後に、１０００℃〜１１００℃の温度範囲、１〜１６時間の処理時間で熱処理して前記ウェーハ全面の表面側に厚さ方向寸法が１００〜２００μｍであるＩＧＢＴ用デバイスの形成されるデバイス領域および該デバイス領域よりも裏面側にデバイス形成後に除去されるゲッタリング領域を形成する空孔制御熱処理工程と、
を有することにより、空孔注入工程として窒素を含む雰囲気、または、アンモニアなどの窒素含有ガスを含む雰囲気中でＲＴＡ処理をおこなったウェーハでは、ＩＧＢＴ用デバイスプロセスの初期に６００℃〜９００℃までの低温熱処理が長時間施された場合でも、ウェーハ表層側に存在する空孔が安定化しない。その結果、デバイスプロセスにおける後の熱処理工程で表層から１００〜２００μｍまたは１５０μｍの厚みであるデバイス領域で２０ｎｍ以上のＢＭＤ（酸素析出物）が密度５×１０３個／ｃｍ３以上の高密度に形成され、ＩＧＢＴ特性を劣化させる原因となることを防止できる。
ここで、空孔制御熱処理工程における熱処理の昇温速度、降温速度は、それぞれ３〜５０℃／ｍｉｎ、３〜２０℃／ｍｉｎとされることが好ましい。したがって、ランプアニール炉も使用可能であるが、横型炉によって処理することができる。
ここで、昇温・降温速度が３℃より小さいと核形成が生じてしまい、密度制御が困難である。また昇温速度が５０℃／ｍｉｎを越えるとウェーハに大きな熱応力が付加され、割れてしまう可能性がある。また降温速度が２０℃／ｍｉｎを越えると空孔制御熱処理でウェーハに空孔注入され、密度制御を困難にする要因となってしまう。
【００６８】
つまり、本願発明においては、空孔注入ＲＴＡ処理で注入された表層近傍の空孔を、ＲＴＡ処理後に１０００℃〜１１００℃の温度で１〜１６時間程度の熱処理を実施することで、たとえば８００℃４ｈｒ＋１０００℃１６ｈｒの熱処理条件を有するＩＧＢＴ用デバイスプロセスを経た後においても、ウェーハ最表面から約１５０μｍ程度のデバイス領域中では酸素析出がおきず酸素析出物密度が５×１０３個／ｃｍ３以下、それより深い位置では酸素析出が起きて酸素析出物密度が５×１０４個／ｃｍ３以上１×１０７個／ｃｍ３以下となるるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを提供することができる。
【００６９】
このようなウェーハでＩＧＢＴ用デバイスプロセスを経てＩＧＢＴを製造すれば、デバイスを形成した後にデバイス領域より深い裏面側の部分を除去して薄厚化する薄厚化工程（バックグラインド工程）以前の工程では、最表面から１５０μｍ以上の深い位置に含まれるＢＭＤのゲッタリング（ＩＧ）効果で、デバイス領域（デバイス活性領域）を金属汚染から保護することができる。バックグラインドによってＢＭＤを含む深い領域の部分は削り取られるので、完成したＩＧＢＴ素子にはＢＭＤが含まれず、したがいＢＭＤによるＩＧＢＴ特性の劣化は生じない。また本発明によるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハは、デバイス工程における初期からウェーハにＩＧ能を有するので、裏面へのポリシリコン膜形成処理（ＰＢＳ）などのＥＧ処理を省略して製造コストを低減することも可能である。
【００７０】
本願発明の空孔制御熱処理工程においては、処理時間と温度との関係は、図８に示すように、空孔制御熱処理工程の熱処理温度を横軸、空孔制御熱処理工程の熱処理時間を縦軸にとった場合に、７００℃、８（ｈｒ）時間の点と、１０００℃１時間の点を結んだ直線よりも上側のＺ領域の範囲とすることが好ましい。つまり、処理時間ｔ（ｈｒ）と処理温度ｄ（℃）との関係は、
ｔ  ≧  −７ｄ／３００  ＋  ７３／３
となる。
図８において、Ｚ領域より下側で、７００℃３時間の点と１０００℃１時間の点を結んだ直線よりも上側のＹ領域では、デバイス領域にもＢＭＤが析出してしまうため好ましくない。また、図８において、Ｙ領域より下側のＸ領域では、デバイス領域のみＢＭＤが析出してしまうため好ましくない。
【００７１】
本発明のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、ＣＺ炉内の雰囲気ガス中に水素ガス換算分圧で４０Ｐａ以上４００Ｐａ以下の範囲となる水素原子含有物質を導入し、シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を育成し、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射を行ってリンをドープすることができる。
また本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、シリコン融液にｎ型ドーパントを添加し、ＣＺ炉内の雰囲気ガス中に水素ガス換算分圧で４０Ｐａ以上４００Ｐａ以下の範囲となる水素原子含有物質を導入し、シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を育成することができる。
また本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、シリコン融液に、リンを２．９×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．９×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、前記リンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを、その偏析係数に応じて結晶中の濃度が１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるように添加し、ＣＺ炉内の雰囲気ガス中に水素ガス換算分圧で４０Ｐａ以上４００Ｐａ以下の範囲となる水素原子含有物質を導入し、シリコン単結晶の引き上げ速度をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の単結晶を育成することができる。
更に本発明のＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法においては、前記チョクラルスキー法よりシリコン単結晶に対して、窒素を５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度で添加することが好ましい。
【００７２】
ここで、水素含有物質とは、水素原子をその分子中に含む物質であって、シリコン融液中に溶け込んだ際に熱分解されることによって水素ガスを発生させる気体状の物質である。この水素含有物質には水素ガス自体も含まれる。この水素含有物質を不活性ガスに混合してネッキング部形成時の雰囲気中に導入することにより、シリコン融液中の水素濃度を向上させることができる。水素含有物質の具体例としては、水素ガス、Ｈ２Ｏ、ＨＣｌ等の水素原子を含む無機化合物や、シランガス、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２などの炭化水素、アルコール、カルボン酸等の水素原子を含む有機化合物を例示できるが、特に水素ガスを用いることが望ましい。また、ＣＺ炉内の雰囲気ガスとしては、安価なアルゴンガスが好ましく、これ以外にもヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンなどの各種希ガス単体またはこれらの混合ガスを用いることができる。
【００７３】
また本発明では、水素含有雰囲気中における水素含有物質の濃度を、水素ガス換算分圧で４０Ｐａ以上４００Ｐａ以下の範囲としている。ここで、水素ガス換算分圧としたのは、水素含有物質が熱分解等して得られる水素原子の量が、水素含有物質に元来含まれる水素原子の数量等によって左右されるためである。例えば、Ｈ２Ｏの１モルには１モル分のＨ２が含まれるが、ＨＣｌの１モルには０．５モル分のＨ２しか含まれない。従って本発明においては、水素ガスが４０〜４００Ｐａの分圧で不活性ガス中に導入されてなる水素含有雰囲気を基準とし、この基準となる雰囲気と同等の雰囲気が得られるように、水素含有物質の濃度を決めることが望ましく、このときの好ましい水素含有物質の圧力を水素ガス換算分圧として規定したものである。
即ち、本発明においては、水素含有物質がシリコン融液に溶解し高温のシリコン融液中で熱分解して水素原子に変換されると仮定した上で、変換後の雰囲気中の水素ガス換算分圧が４０〜４００Ｐａの範囲になるように水素含有物質の添加量を調整すればよい。
【００７４】
上記のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法によれば、水素ガス換算分圧で４０Ｐａ以上４００Ｐａ以下の範囲となる水素原子含有物質を導入することで、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度の許容幅を広げることができ、これにより結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されたウェーハを容易に製造できる。また、引き上げ後のノンドープのシリコン単結晶に中性子照射を行ってリンをドープするか、もしくはシリコン融液にリン等のｎ型ドーパントを添加することで、ウェーハの面内における抵抗率のバラツキを５％以下にすることができる。また抵抗率のバラツキの低減は、シリコン融液にリンとリンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを添加することでも達成できる。
また、シリコン融液に窒素を添加することで、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度の許容幅を更に広げることができ、ウェーハのＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が容易になる。
これにより、引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、ＥＧ処理が必要でなく、ＩＧＢＴ用ウェーハとしての充分な厚さのＤＺ層を有しかつＩＧ能を有するとともに、抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能であるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを提供できる。
【発明の効果】
【００７５】
本発明によれば、同一の単結晶インゴットの引き上げ条件および同一のＲＴＡ処理条件で製造されたウェーハに対して、析出熱処理工程の熱処理温度および熱処理時間を変化させることで、ウェーハの厚さ方向において酸素析出物密度を変化させることができ、この結果、ＩＧＢＴの製造に適用可能なウェーハや一般のデバイスの製造に適用可能なウェーハといった仕様の異なるウェーハを製造することができる。
【００７６】
また、本発明によれば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の製造に適用可能な厚さ１５０μｍ程度以上のＤＺ層を有するウェーハから、通常のデバイスの製造に適用可能な厚さ５〜数十μｍ程度のＤＺ層を有するウェーハまで、同一の引き上げ条件、空孔注入条件で、異なる酸素析出物密度のウェーハ製造に対応可能とすることができるシリコン単結晶ウェーハの製造方法およびシリコン単結晶ウェーハを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】図１は、空孔制御熱処理工程における処理時間と処理温度との関係を示すグラフである。
【図２】図２は、バルク中心部への格子間Ｓｉ注入モデル図である。
【図３】図３は、空孔注入時のウェーハ厚み方向における空孔密度分布を示すグラフである。
【図４】図４は、本発明の実施形態のシリコン単結晶ウェーハの製造方法を実施する際に使用されるＣＺ炉の縦断面模式図である。
【図５Ａ】図５Ａは、ＩＧＢＴ素子を示す模式断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、ＩＧＢＴ素子を示す模式断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、ＩＧＢＴ素子を示す模式断面図である。
【図６】図６は、本発明の製造方法およびＩＧＢＴ製造工程を示すフローチャートである。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の製造方法における工程図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の製造方法における工程図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本発明の製造方法における工程図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、本発明の製造方法における工程図である。
【図８】図８は、石英ルツボ回転数と結晶回転数と格子間酸素濃度との関係を示すグラフである。
【図９】図９は、本発明の実施例におけるウェーハ深さとＢＭＤ密度との関係を示すグラフである。
【図１０】図１０は、本発明の実施例におけるウェーハ深さとＢＭＤ密度との関係を示すグラフである。
【図１１】図１１は、本発明の実施例におけるウェーハ深さとＢＭＤ密度との関係を示すグラフである。
【図１２】図１２は、本発明の実施例におけるウェーハ深さとＢＭＤ密度との関係を示すグラフである。
【図１３】図１３は、本発明の実施例におけるウェーハ深さとＢＭＤ密度との関係を示すグラフである。
【図１４】図１４は、本発明の実施例におけるウェーハ深さとＢＭＤ密度との関係を示すグラフである。
【図１５】図１５は、本発明の実施例におけるウェーハ深さとＢＭＤ密度との関係を示すグラフである。
【図１６】図１６は、本発明の実施形態のシリコン単結晶ウェーハの周縁部を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００７８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００７９】
（ＣＺ炉の構成）
図４は、本発明の実施形態におけるシリコン単結晶ウェーハの製造方法を実施するのに適したＣＺ炉の縦断面図である。
図４に示すＣＺ炉は、チャンバー内の中心部に配置されたルツボ１と、ルツボ１の外側に配置されたヒータ２と、ヒータ２の外側に配置された磁場供給装置９とを備えている。ルツボ１は、内側にシリコン融液３を収容する石英ルツボ１ａを外側の黒鉛ルツボ１ｂで保持する二重構造であり、ペディスタルと呼ばれる支持軸１ｃにより回転および昇降駆動される。
ルツボ１の上方には、円筒形状の熱遮蔽体７が設けられている。熱遮蔽体７は、黒鉛で外殻を作り、内部に黒鉛フェルトを充填した構造である。熱遮蔽体７の内面は、上端部から下端部にかけて内径が漸減するテーパー面になっている。熱遮蔽体７の上部外面は内面に対応するテーパー面であり、下部外面は、熱遮蔽体７の厚みを下方に向かって漸増させるようにほぼストレート面に形成されている。
そして、シードチャック５に取り付けた種結晶Ｔをシリコン融液３に浸漬し、ルツボ１および引き上げ軸４を回転させつつ種結晶Ｔを引き上げることにより、シリコン単結晶６を形成できるようになっている。
【００８０】
熱遮蔽体７は、ヒータ２およびシリコン融液３面からシリコン単結晶６の側面部への輻射熱を遮断するものであり、育成中のシリコン単結晶６の側面を包囲するとともに、シリコン融液３面を包囲するものである。熱遮蔽体７の仕様例を挙げると次のとおりである。
半径方向の幅Ｗは例えば５０ｍｍ、逆円錐台面である内面の垂直方向に対する傾きθは例えば２１°、熱遮蔽体７の下端の融液面からの高さＨ１は例えば６０ｍｍとする。
【００８１】
また、磁場供給装置９から供給される磁場は、水平磁場やカスプ磁場など採用することができ、例えば水平磁場の強度としては、２０００〜４０００Ｇ（０．２Ｔ〜０．４Ｔ）、より好ましくは２５００〜３５００Ｇ（０．２５Ｔ〜０．３５Ｔ）とされ、磁場中心高さが融液液面に対して−１５０〜＋１００ｍｍ、より好ましくは−７５〜＋５０ｍｍの範囲内になるように設定される。
【００８２】
（シリコン単結晶ウェーハの製造方法）
次に、図６に示すＣＺ炉を用いたＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法を説明する。
【００８３】
図６は、シリコン単結晶ウェーハの製造方法、および、ＩＧＢＴまたはメモリー用デバイスの製造工程を示すフローチャートであり、図７Ａ〜図７Ｄは、ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法、および、ＩＧＢＴの製造工程を示す工程図である。
【００８４】
本実施形態においては、図６に示すように、ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法として、ＣＺ（チョクラルスキー）法により単結晶を引き上げる引き上げ工程Ｓ０１と、引き上げた単結晶からウェーハをスライスしエッチング・研削・研磨等の表面処理をおこなってウェーハを形成するスライス工程Ｓ０２と、ウェーハＷを１１７５℃以上でＲＴＡ処理する空孔注入工程Ｓ０３と、空孔注入工程Ｓ０３後に、６００℃〜１１５０℃の温度範囲、０．２５〜２４時間の処理時間で熱処理して前記ウェーハの厚さ方向の空孔密度分布を制御する空孔制御熱処理工程Ｓ０４と、を有する。さらに、ＩＧＢＴの製造工程として、ＩＧＢＴ用デバイスプロセスＳＤ１と、バックグラインド工程ＳＤ２と、デバイス仕上げ工程ＳＤ３とを提示するとともに、メモリー用デバイスの製造工程として、メモリー用デバイスプロセスＳＭ１と、デバイス仕上げ工程ＳＭ２とを提示する。
【００８５】
本実施形態においては、シリコン単結晶ウェーハの製造方法として、チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる引き上げ工程Ｓ０１と、引き上げた単結晶からウェーハをスライスしエッチング・研削・研磨等の表面処理を行ってウェーハを作製するスライス工程Ｓ０２と、ウェーハをＲＴＡ処理して空孔を注入するＲＴＡ処理工程Ｓ０３と、ＲＴＡ処理工程後に、６００℃〜１１５０℃の温度範囲、０．２５〜２４時間の処理時間で熱処理してウェーハの厚さ方向の酸素析出物密度の分布を制御する析出熱処理工程Ｓ０４とを有する。さらに、ＩＧＢＴの製造工程としてＩＧＢＴ用デバイスプロセスＳＤ１、メモリー用デバイスの製造工程としてメモリー用デバイスプロセスＳＭ１とを有することもできる。
【００８６】
先ず、図６に示す引き上げ工程Ｓ０１として、チョクラルスキー法によって、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のないシリコン単結晶インゴットが引き上げ可能な引き上げ速度で、シリコン単結晶インゴットを引き上げる。
この際、ルツボ１内に高純度シリコンの多結晶を例えば１００ｋｇ装入し、窒素源として例えば、窒化珪素からなるＣＶＤ膜を有するシリコンウェーハを投入する。シリコン結晶中の窒素濃度が５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるように、シリコン融液中の窒素濃度を調整することが好ましい。
【００８７】
次に、ＣＺ炉内を水素含有物質と不活性ガスとの混合ガスからなる水素含有雰囲気とし、雰囲気圧力を１３３３Ｐａ〜１３３３０Ｐａ（１０〜１００ｔｏｒｒ）とし、雰囲気ガス中における水素含有物質の濃度が水素ガス換算分圧で４０〜４００Ｐａ程度になるように調整する。水素含有物質として水素ガスを選択した場合には、水素ガス分圧を４０〜４００Ｐａとすればよい。このときの水素ガスの濃度は０．３％〜３１％の範囲になる。
なお、水素ガスを含有しない不活性ガスのみの雰囲気とすることもできる。
【００８８】
水素含有物質の水素ガス換算分圧が４０Ｐａ未満では、引き上げ速度の許容幅が縮小し、ＣＯＰ欠陥及び転位クラスタの発生を抑制できなくなるので好ましくない。また、水素含有物質の水素ガス換算濃度（水素の濃度）が高い程、転位発生の抑制効果が増大する。ただし、水素ガス換算分圧が４００Ｐａを超えると、ＣＺ炉内に酸素リークを生じた場合に爆発などの危険性が増大するので安全上好ましくない。より好ましい水素含有物質の水素ガス換算分圧は４０Ｐａ以上２５０Ｐａ以下の範囲であり、特に好ましい水素ガス換算分圧は４０Ｐａ以上１３５Ｐａ以下の範囲である。
【００８９】
次いで、磁場供給装置９から例えば３０００Ｇ（０．３Ｔ）の水平磁場を磁場中心高さが融液液面に対して−７５〜＋５０ｍｍとなるように供給するとともに、ヒータ２によりシリコンの多結晶を加熱してシリコン融液３とする。
次に、シードチャック５に取り付けた種結晶Ｔをシリコン融液３に浸漬し、ルツボ１および引き上げ軸４を回転させつつ結晶引き上げを行う。この場合の引き上げ条件としては、単結晶の成長速度をＶ（ｍｍ／分）とし、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配Ｇ（℃／ｍｍ）としたときの比Ｖ／Ｇ（ｍｍ２／分・℃）を０．２２〜０．１５程度に制御し、ＶをＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度である０．４２〜０．３３ｍｍ／分に制御する、といった条件を例示できる。また、他の条件としては、石英るつぼの回転数を５〜０．２ｒｐｍとし、単結晶の回転速度を２０〜１０ｒｐｍとし、アルゴン雰囲気の圧力を１３３３〜２６６６０Ｐａまたは３０Ｔｏｒｒとし、更に磁場強度を３０００〜５０００Ｇａｕｓｓといった条件を例示できる。特に、石英るつぼの回転数を５ｒｐｍ以下にすることで、石英るつぼに含まれる酸素原子のシリコン融液への拡散を防止することができ、シリコン単結晶中の格子間酸素濃度を低減することができる。また、単結晶の回転速度を５ｒｐｍ以上とすることで、シリコン単結晶内部における抵抗率のバラツキを低減できる。
以上の引き上げ条件に設定することで、シリコン単結晶中の格子間酸素濃度を１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、または、８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは、４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることができ、これによりＩＧＢＴ製造工程での酸素ドナー発生を防止することができる。格子間酸素濃度が上記の範囲を越えると後工程のＩＧＢＴ製造工程や、他のデバイス製造工程で酸素析出物や酸素ドナーが生じ、ＩＧＢＴ等のデバイスの特性を変えてしまうので好ましくない。
【００９０】
次に、形成された抵抗率を調整するためのドーパントが添加されていない単結晶シリコンに対して中性子線を照射する。この中性子線照射によって、シリコン原子の一部をリンに変換させ、これにより単結晶シリコンにリンを均一にドープさせることができ、抵抗率が均一な単結晶シリコンが得られる。中性子線の照射条件は、例えば、３．０×１０１２個／ｃｍ２／ｓ−１の中性子線束である位置において、結晶回転約２ｒｐｍで約８０時間の照射とすると良い。こうして中性子線が照射されたシリコンインゴットは、抵抗率が４８Ω・ｃｍ〜５２Ω・ｃｍ程度になる。
【００９１】
また、中性子線の照射に代えて、シリコン融液に予めｎ型（Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等）のドーパントを添加しておいても良いが、偏析係数が小さいためにシリコン単結晶の長さ方向で抵抗率が大きく変化する。こうしたｎ型ドーパントの濃度の変化を防止するためには、例えば上述したＤＬＣＺ法、ダブルドープ法、ＣＣＺ法を採用すればよい。
【００９２】
次に、図６に示すスライス工程Ｓ０２として、引き上げた単結晶シリコンからウェーハを切り出し、必要に応じてラッピングやエッチング等を行なう。
ラッピングを行う際には、ウェーハの割れを防止するために、ウェーハの表面の周縁部に表面側面取り部を形成するとともに、ウェーハの裏面の周縁部に裏面側面取り部を形成することが好ましい。図１６には、ウェーハ加工完了後のウェーハ周縁部の断面を示す。
【００９３】
図１６に示すように、ウェーハの表面２２には、平坦面である主面２３と、周縁部に形成された表面側面取り部２４とが設けられている。また、裏面２６には、平坦面である主面２７と、周縁部に形成された裏面側面取り部２８とが設けられている。表面側面取り部２４は、その周縁端２９からウェーハ半径方向内方に向けた方向の幅Ａ１が、裏面側面取り部２８の周縁端２９からウェーハ半径方向内方に向けた方向の幅Ａ２よりも狭められている。表面側面取り部２４の幅Ａ１は５０μｍから２００μｍの範囲が好ましい。また、裏面側面取り部２８の幅Ａ２は２００μｍから３００μｍの範囲が好ましい。
また、表面側面取り部２４は、表面２２の主面２３に対して傾斜する第一傾斜面１１を有しており、裏面側面取り部２８は、裏面２６の主面２７に対して傾斜する第二傾斜面１２を有している。第一傾斜面１１の傾斜角度θ１は１０°から５０°の範囲が好ましく、第二傾斜面１２の傾斜角度θ２は１０°から３０°の範囲が好ましく、更にθ１≦θ２とされていることが好ましい。
また、第一傾斜面１１と周縁端２９との間には、これらを接続する第一曲面１３が設けられている。また、第二傾斜面１２と周縁端２９との間には、これらを接続する第二曲面１４が設けられている。第一曲面１３の曲率半径Ｒ１の範囲は８０μｍから２５０μｍの範囲が好ましく、第二曲面１４の曲率半径Ｒ２の範囲は１００μｍから３００μｍの範囲が好ましい。
【００９４】
このように、図７Ａに示すスライス工程Ｓ０２後のウェーハＷ０に対して、空孔注入工程Ｓ０３として、ＲＴＡ処理をおこなう。
この空孔注入工程Ｓ０３では、窒化ガス単独（Ｎ２、ＮＨ３、ヒドラジン）あるいは窒化ガスと不活性ガスとの混合雰囲気で１１５０℃〜１２５０℃で１秒以上の熱処理をおこなうことができる。
この空孔注入工程Ｓ０３では、１１５０〜１２５０℃、または１１００〜１２００℃、より好ましくは１１７０〜１１８０℃で、５〜６０秒、昇温・降温速度ともに、５０〜１００℃／分で、かつ、窒素または、アンモニア等空孔注入効果を有するガス雰囲気として、ランプアニールなど枚葉アニール炉でおこなわれる。ここで、１０５０〜１１５０℃程度の低い温度でアンモニアなどの分解温度が低いガス雰囲気で表面を窒化して空孔注入をおこなった場合には、表面窒化による空孔のウェーハ表面からの注入のみが優勢である。これは、窒化膜形成に際して、ウェーハ表面におけるシリコン単結晶の結晶格子からシリコン原子を奪い取って単結晶外側に窒化シリコン膜を形成してゆくために、（格子間シリコンと対になっていない）空孔のみの形成となり、これがウェーハ表面から内側に向けて拡がり、最外部（表面側）の空孔のみが冷却時に減って、ウェーハ厚み方向表面及び裏面付近に空孔濃度のピークが形成されてＭ型の空孔濃度分布が実現されると考えられる。なお、この低い温度範囲においては、窒素ガス雰囲気では表面窒化が起こりにくいので、窒素よりも分解温度の低いアンモニア等のガス雰囲気とすることが必要である。
【００９５】
これに対し、本願発明のように、１１５０〜１２５０℃、１１７０〜１１８０℃程度でのＮ２  雰囲気高温処理においては、このような窒化によるウェーハ表面からの空孔注入だけでなく、バルク領域（ウェーハ厚み方向中央部分）において、空孔と格子間シリコンとのFrenkel対生成による空孔形成がおこなわれることになる。なお、この温度範囲では、Ｎ２ 雰囲気のみならず、アンモニア等の雰囲気とすることもできる。
このFrenkel対生成による空孔形成は、空孔の拡散係数に対して格子間シリコンの拡散係数がはやいため、ウェーハ厚み方向全域で生成したFrenkel対のうち、格子間シリコンのみがウェーハ表面側に拡散していき、結果的にバルク領域には空孔のみが形成されるものである。なお、このFrenkel対生成による空孔形成は、表面窒化をおこなわないでＲＴＡ処理した際の空孔形成、あるいは、表面に自然酸化膜以上の厚みを有する酸化膜が存在した状態でのＲＴＡ処理した際の空孔形成として認識される。
したがって、上記の１１５０〜１２５０℃、１１７０〜１１８０℃程度高温処理においては、バルク領域において、低い温度での処理による表面からの空孔注入と、Frenkel対による空孔形成の両方がおこることになり、結果的に、ウェーハ厚み方向中央部分のバルク領域における空孔濃度がウェーハ厚み方向および面内方向に均一で、かつ低温処理よりも高い状態を実現することができるものである
【００９６】
空孔注入工程Ｓ０３後に、空孔制御熱処理工程Ｓ０４をおこなう。
この空孔制御熱処理工程Ｓ０４では、６００℃〜１１５０℃の温度範囲、０．２５〜２４時間の処理時間で熱処理して前記ウェーハの厚さ方向の空孔密度分布を制御するものとされ、
この空孔制御熱処理工程Ｓ０４における熱処理条件によって、該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の４パターンから選択した１つの状態となるよう制御する。
具体的には、空孔制御熱処理工程Ｓ０４において、
該空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ１）ウェーハ厚み方向中央部分のバルク中心部のみに析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ａ  （７５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｃ（６００，１０）、点Ｄ（６００，１．５）、点Ｅ（６５０，１）で囲まれる範囲か、および／または、点Ｆ（９５０，１）、点Ｊ（９５０，１６）、点Ｋ（１０５０，１６）、点Ｌ（１０５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ１熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ２）ウェーハ表面付近とバルク中心部に析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ｆ（９５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｃ（６００，１０）、点Ｈ（６００，１８）、点Ｇ（９５０，３）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ２熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ３）ウェーハ表面付近のみ析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ａ  （７５０，１）、点Ｂ（７５０，４）、点Ｆ（９５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ３熱処理条件か、
前記空孔制御熱処理後の酸素析出物密度分布が、
（ｐ４）ウェーハ表面付近からバルク部分にわたって均一に析出
の状態となるように、熱処理温度Ｔ（℃）と、熱処理時間ｔ（時間）を、添付図面図１に各点（Ｔ，ｔ）で示すように、
点Ｈ（６００，１８）、点Ｇ（９５０，３）、点Ｊ（９５０，１６）で囲まれる範囲か、および／または、点Ｋ（１０５０，１６）、点Ｌ（１０５０，１）、点Ｍ（１１５０，１）、点Ｎ（１１５０，１）で囲まれる範囲内の値に設定するｐ４熱処理条件のうちから選択される熱処理条件を含む。
さらに、空孔制御熱処理Ｓ０４は、６００〜１１００℃、０〜８時間の第１ステップと、１０００〜１１００℃、１０〜２０時間の第２ステップとを有する。空孔制御熱処理Ｓ０４としての析出熱処理は、６００〜９００℃で０．２５〜８時間の第１熱処理と１０００〜１１００℃で１０〜２０時間の第２熱処理から構成することができ、第１熱処理によって、ＲＴＡ処理によって注入された空孔が酸素析出核になることが促進され、さらに、第１熱処理よりも高温下の第２熱処理を行うことによって、第１熱処理で成長した酸素析出核を基に酸素析出物が形成されることが促進される。
これらｐ１〜ｐ４のウエーハタイプと２段階熱処理の１ステップ目の処理温度及び時間との関係を表２に示す。
【００９７】
【表２】
0005605468.tif 000003
【００９８】
（ｐ１）の分布を有するウェーハは、デバイス領域（ＤＺ層）の厚みを厚くすることができるので、ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハに好適である。ウェーハＷの表面ＷＳ１側に、厚さ方向の寸法が１００〜２００μｍであるＩＧＢＴ用デバイスの形成されるデバイス領域Ｗ１および該デバイス領域Ｗ１よりも裏面側にデバイス形成後に除去されるゲッタリング領域Ｗ２を形成する。
このゲッタリング領域Ｗ２は、ウェーハの厚さ方向の中央部における酸素析出物密度のピークに対応する。
デバイス領域Ｗ１は、表面ＷＳ１から１００〜２００μｍ、好ましくは１４０〜１６０μｍ、より好ましくは１５０μｍ程度の厚みを有し、ＲＴＡ処理工程でウェーハ中に注入された空孔が析出熱処理工程によって外方拡散および格子間シリコンとの結合によってほぼ消滅しているとみなせる程度に低減している。このため、デバイス工程における熱処理での酸素析出が抑制可能な領域となっている。
【００９９】
ここで、（ｐ１）ウェーハとしては、図７Ｂに示すように、ウェーハＷ全面の表面ＷＳ１側に厚さ方向寸法が１００〜２００μｍであるＩＧＢＴ用デバイスの形成されるデバイス領域Ｗ１および該デバイス領域Ｗ１よりも裏面側にデバイス形成後に除去されるゲッタリング領域Ｗ２，Ｗ３を形成する。
このゲッタリング領域Ｗ２，Ｗ３は、ウェーハ厚み方向中央部位置で、空孔濃度が厚み方向にほぼ均一状態に高濃度に分布した中央領域Ｗ２と、ウェーハＷ裏面ＷＳ２側でデバイス領域Ｗ１とほぼ同様の状態である裏面側領域Ｗ３とからなる。
デバイス領域Ｗ１は、表面ＷＳ１から１００〜２００μｍ、好ましくは１４０〜１６０μｍ、より好ましくは１５０μｍ程度の厚みを有し、空孔制御熱処理工程Ｓ０４の熱処理により、空孔が外方拡散および格子間シリコンとの結合によってほぼ消滅しているとみなせる程度に低減している。このため、後工程における熱処理での酸素析出が抑制可能な状態となっている。
ゲッタリング領域のうち、中央領域Ｗ２では、空孔の高濃度状態が維持され、後工程における熱処理での酸素析出が充分可能な状態となっている。
裏面側領域Ｗ３では、デバイス領域と同様の状態となっている。
【０１００】
このようにして、本実施形態のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハを製造できる。
【０１０１】
ここで、（ｐ１）ウェーハとしては、ＤＺ層が薄く、メモリー等のデバイスに必要な近接ゲッタリング（ＩＧ）効果を有するウェーハを製造できる。
【０１０２】
また、（ｐ２）ウェーハとしては、表面付近とバルク中心部に析出してきるため、ウェーハ表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの基板等が製造できる。
また、（ｐ３）ウェーハとしては、ＤＺ層が薄く、メモリー等のデバイスに必要な近接ゲッタリング（ＩＧ）効果を有するウェーハを製造できる。
（ｐ４）表面付近とバルク中心部に析出してきるため、ウェーハ表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの基板等が製造できる。
【０１０３】
上記の（ｐ１）ウェーハ製造方法によれば、水素ガス換算分圧で４０Ｐａ以上４００Ｐａ以下の範囲となる水素原子含有物質を導入することで、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度の許容幅を広げることができ、これにより結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されたウェーハを容易に製造できる。また、引き上げ後のシリコン単結晶に中性子照射を行ってリンをドープするか、もしくはシリコン融液にリン等のｎ型ドーパントを添加することで、ウェーハの面内における抵抗率のバラツキを５％以下にすることができる。また抵抗率のバラツキの低減は、シリコン融液にリンとリンよりも偏析係数の小さなｐ型ドーパントを添加することでも達成できる。
また、シリコン融液に窒素を添加することで、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度の許容幅を更に広げることができ、ウェーハのＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が容易になる。
【０１０４】
（ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハ）
以上のようにして製造されたシリコン単結晶ウェーハは、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下となっている。また、抵抗率自体は４８Ω・ｃｍ〜５２Ω・ｃｍ程度となる。更にシリコン単結晶ウェーハには、５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素がドープされている。
更に本実施形態のシリコン単結晶ウェーハにおいては、破壊電界８ＭＶ／ｃｍでのＴＺＤＢの合格率が９０％以上であり、４５０℃で１時間の熱処理を行った場合に析出する酸素ドナーの濃度が９．８×１０１２個／ｃｍ−３以下であり、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の二段階熱処理を行った場合に生じるＢＭＤの密度が５×１０７個／ｃｍ−３以下であり、前記二段階熱処理を行った場合における再結合ライフタイムが１００μ秒以上となっている。
更にまた、本実施形態のシリコン単結晶ウェーハにおいては、ウェーハ表面における０．１μｍ以上のＬＰＤ密度が０．１個／ｃｍ２以下であり、ライトエッチング欠陥密度が１×１０３個／ｃｍ２以下になっている。更にまた、本実施形態のシリコン単結晶ウェーハには、裏面側に５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の多結晶シリコン層が形成されており、ウェーハの表面の周縁部には表面側面取り部が形成され、ウェーハの裏面の周縁部には裏面側面取り部が形成されることもできる。
【０１０５】
（ＩＧＢＴ用の製造工程）
ＩＧＢＴ用の製造工程としては、本実施形態のＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハＷに対して、表３に示すような熱処理条件とされるＩＧＢＴ用デバイスプロセスＳＤ１により、図７Ｃに示すように、デバイス領域Ｗ１にデバイスＤを形成する。
なお図において、デバイスＤは模式的に記載している。
【０１０６】
【表３】
0005605468.tif 000004
【０１０７】
デバイス形成後、バックグラインド工程ＳＤ２により、図７Ｄに示すように、研磨等の手法によりウェーハＷ裏面側を薄厚化してバックグラインド領域Ｗ２，Ｗ３を除去する。
その後、チップ毎への切断、裏面処理等のデバイス仕上げ工程ＳＤ３により、図５に示すＩＧＢＴ素子が完成することとなる。
【０１０８】
本実施形態の（ｐ１）ウェーハであるＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハＷにおいては、空孔制御熱処理工程Ｓ０４によって、ウェーハＷ中の空孔分布が制御されており、デバイス領域Ｗ１とバックグラインド領域Ｗ２，Ｗ３を有しているので、ＩＧＢＴ用デバイスプロセスＳＤ１を経た後でも、表面ＷＳ１から１００〜２００μｍ、好ましくは１４０〜１６０μｍ、より好ましくは１５０μｍ程度であるデバイス領域Ｗ１では酸素析出が起きず、２０ｎｍ以上のＢＭＤ（酸素析出物）密度が５×１０３個／ｃｍ３以上の高密度に形成されることがなく、ＢＭＤ密度を１×１０３個／ｃｍ３以下とすることができ、ＩＧＢＴ特性を劣化させることがない。
同時に、表面ＷＳ１から１５０μｍ以上または２００μｍ以上の深さでデバイス領域Ｗ１に隣接するバックグラインド領域Ｗ２においては、ＩＧＢＴ用デバイスプロセスＳＤ１を経た後で、酸素析出が起きてＢＭＤ（酸素析出物）密度が５×１０４個／ｃｍ３以上１×１０７個／ｃｍ３以下となり、ＢＭＤのゲッタリング（ＩＧ）効果によってＩＧＢＴ用デバイスプロセスＳＤ１の最中に、デバイス領域Ｗ１を金属汚染から保護することができる。
しかも、バックグラインド領域Ｗ２，Ｗ３は、バックグラインド工程ＳＤ２により除去されるため、完成したＩＧＢＴ素子には厚み方向（エミッタ−コレクタ方向）にはその全域にわたってＢＭＤが含まれないため、ＢＭＤによるＩＧＢＴ特性の劣化を生じさせない  さらに、本実施形態においては、ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハは、デバイス工程における初期からバックグラインド領域がゲッタリング（ＩＧ）能を有するので、ウェーハ裏面ＷＳ２へのポリシリコン膜形成処理などのＥＧ処理を省略して製造コストを低減することができる。
【０１０９】
（メモリー用デバイスの製造工程）
メモリー用デバイスの製造工程としては、本実施形態の（ｐ１）あるいは（ｐ２）ウェーハＷに対して、ＩＧＢＴ用デバイスプロセスと同様あるいはこれと異なるメモリー用デバイスプロセスＳＭ１により、ＤＺ層であるデバイス領域にデバイスを形成する。
その後、チップ毎への切断、裏面処理等のデバイス仕上げ工程ＳＭ３により、メモリー用などのデバイス素子が完成することとなる。
【０１１０】
本実施形態の（ｐ１）ウェーハとされるＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハによれば、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されているので、ＩＧＢＴ製造工程におけるウェーハ表面でのゲート酸化膜の形成時に、ＣＯＰ欠陥がゲート酸化膜に取り込まれることがなく、ＧＯＩを劣化させることがない。
さらに、ＯＳＦ領域が排除されて、ＯＳＦの密度が１０個／ｃｍ２以上である領域が存在しないので、ＩＧＢＴ製造工程におけるウェーハ表面でのゲート酸化膜の形成時に、ＣＯＰ欠陥がゲート酸化膜に取り込まれることがなく、ＧＯＩを劣化させることがない。また、集積回路におけるリーク電流を防止できる。さらに、良品率を９０％以上とすることができる。
【０１１１】
更に、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥、転位クラスタ、およびＯＳＦ領域が排除されることで、ウェーハを縦方向に使う素子であるＩＧＢＴ用のウェーハとして好適に用いることができる。即ち、ＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されているため、ウェーハのバルクの品質が優れたものとなり、ＩＧＢＴ用ウェーハとして重要な特性である再結合ライフタイムを向上させることができる。
更に、格子間酸素濃度が８．５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下なので、ウェーハの熱処理後に発生する酸素ドナーの濃度を９．８×１０１２個／ｃｍ３以下に抑えることができ、熱処理前後でのウェーハの抵抗率の変化を防ぐことができ、シリコン単結晶ウェーハの品質を安定にできる。
【０１１２】
一方、（ｐ２）、（ｐ３）および（ｐ４）の酸素析出物密度の分布を有するウェーハは、（ｐ１）の酸素析出物密度の分布を有するウェーハと比較して、デバイス領域（ＤＺ層）の厚みが薄いので、メモリー等の一般のデバイスに好適である。また、ウェーハの厚さ方向の表面付近において酸素析出物の密度が高いため、近接ゲッタリング効果が得られ、デバイス工程における熱処理が低温で行われる場合でも、デバイス形成領域が重金属で汚染されることが防止できる。さらに、（ｐ２）は、ウェーハの厚さ方向の中央部分においても酸素析出物の密度が高く、（ｐ４）は表層部分を除くウェーハの厚さ方向の全域において酸素析出物の密度が高いため、何れも、（ｐ３）に比べてＩＧ効果が高くなる。
【０１１３】
また、本発明のシリコン単結晶ウェーハによれば、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下なので、シリコン単結晶ウェーハの品質を安定にできる。
更に、シリコン単結晶に、上記の範囲とされる窒素がドープされることによって、ＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が容易になる。窒素のドープ量が上記の範囲未満ではＣＯＰ欠陥および転位クラスタの排除が完全になされない虞があり、上記の範囲を超えると、窒化物が生成してシリコン単結晶が育成できなくなる。
また、ＴＺＤＢの合格率が９０％以上であり、４５０℃で１時間の熱処理を行った場合に発生する酸素ドナーの濃度が９．８×１０１２個／ｃｍ３以下であり、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の二段階熱処理を行った場合に析出するＢＭＤの密度が５×１０７個／ｃｍ３以下であり、二段階熱処理を行った場合における再結合ライフタイムが１００μ秒以上であるので、ＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハに求められる特性を満たすことができる。
【０１１４】
本実施形態によれば、空孔制御熱処理工程Ｓ０４における条件のみを設定すること、つまり、空孔注入ＲＴＡ条件は同一で、後の熱処理条件のうち、１ステップ目の熱処理を７００℃以上１０００℃未満の温度で実施することで、注入した表層近傍の空孔を安定化させ、後のデバイスプロセスで表層に析出核を形成し、所望のＢＭＤ密度分布、ＤＺ層厚みを有したウェーハを得ることが可能となり、近接ゲッタリング（ＩＧ）効果が必要なシリコン単結晶ウェーハあるいは表層から１００μｍ程度までに析出物が存在しないＤＺ層が必要なＩＧＢＴ用などに適応可能な厚み方向全域にわたって無欠陥となるシリコン単結晶ウェーハＷの作成が可能となる。これにより、大幅な製造プロセス時間の短縮を図ることができ、製造コストを下げることができる。
【実施例】
【０１１５】
（実験例１）ウェーハ深さ方向のＢＭＤ分布の調査
Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を含まないφ３００ｍｍシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハで、ウェーハ中心部の酸素濃度が１１．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３［ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−１９７９］のウェーハを、アルゴンとアンモニアの混合ガス雰囲気中に１２００℃１０秒間の条件でＲＴＡ処理を施した。その後、ウェーハ深さ方向のＢＭＤ密度を計測するため、窒素雰囲気中で６００〜９００℃で０．２５〜８時間の第１熱処理と、１０００〜１１００℃で１０〜２０時間の第２熱処理から成る析出熱処理を実施した。また、１０００〜１１００℃については、１段階のみの析出熱処理を実施した。これらの析出熱処理を実施した後で、ライトエッチング液に３分間浸透させ、光学顕微鏡を用いてエッチングによって顕在化したピットを計測した。析出熱処理は横型炉を用いて実施し、炉温度が設定値に到達した後、サンプルを炉に直接投入し、所定時間が経過した後、炉からサンプルを取り出した。６００℃、７００℃、８００℃および９００℃の各温度で第１熱処理を行い、次に１０００℃で１６時間の第２熱処理を行ったウェーハの厚さ方向の酸素析出物密度の分布、また、１０００℃で１６時間および１１００℃で１６時間の１段階熱処理を行ったウェーハの厚さ方向の酸素析出物密度の分布であるＢＭＤ密度結果を図９〜１４に示す。また、析出熱処理水準を表４に示す。
【０１１６】
【表４】
0005605468.tif 000005
【０１１７】
図９に示すように、６００℃で４時間および８時間の第１熱処理を行い、次に１０００℃で１６時間の第２熱処理を行った場合には、ウェーハの厚さ方向の中央部のみに酸素析出物が析出する分布（ｐ１）が得られる。本発明では、ＲＴＡ処理で注入された空孔から成長した酸素析出核から酸素析出物が形成されることを促進する目的で、６００〜９００℃での第１熱処理と１０００℃での第２熱処理を行う。しかし、第１熱処理の温度が６００℃の場合はＲＴＡ処理工程で注入された空孔が酸素析出核にならないため、１０００℃で１６時間の第２熱処理が支配的になる結果、（ｐ１）の分布が得られると考えられる。即ち、１０００℃の熱処理温度では、ウェーハ表面近傍の空孔および格子間酸素が外方拡散して、ウェーハ表面近傍では酸素析出物が形成されない。酸素析出物が形成されないと、酸素析出物の生成を抑制する格子間シリコン原子が、数１式に基いて、ウェーハの厚さ方向中央部に放出されない。
【０１１８】
２Ｓｉｓ  ＋  ２Ｏｉ  →  ＳｉＯ２  ＋  ＳｉＩ    （数１）
ただし、Ｓｉｓ：格子位置シリコン原子、ＳｉＩ：格子間シリコン原子、Ｏｉ：格子間酸素
【０１１９】
一方、ウェーハの厚さ方向中央部においては空孔が外方拡散せずに酸素析出核となり、さらに酸素析出核周囲に酸素析出物が形成される。しかも、ウェーハ中央部に向かって格子間シリコンが放出されないため、ウェーハ中央部における酸素析出物の密度が増加する結果、（ｐ１）分布が得られると考えられる。
【０１２０】
図１０に示すように、７００℃で４時間の第１熱処理を行い次に１０００℃で１６時間の第２熱処理を行った場合は、６００℃の第１熱処理の場合と同じ理由により、ウェーハの厚さ方向の中央部のみに酸素析出物が析出する分布（ｐ１）が得られる。一方、７００℃で８時間の第１熱処理を行い次に１０００℃で１６時間の第２熱処理を行った場合には、ウェーハの表面付近と厚さ方向の中央部に酸素析出物が析出する分布（ｐ２）が得られる。７００℃で８時間の第１熱処理を行った場合は、ＲＴＡ処理工程で注入された空孔が酸素析出核になり、さらに、１０００℃で１６時間の第２熱処理によって酸素析出核周囲に酸素析出物が形成されることが促進される結果、ＲＴＡ処理で注入された空孔濃度がウェーハ表面近傍で高い分布に対応して、ウェーハ表面近傍における酸素析出物密度が高くなると考えられる。しかし、７００℃で８時間の第１熱処理では表面近傍の空孔の一部が酸素析出核となり、酸素析出核とならない空孔は１０００℃で１６時間の第２熱処理によって外方拡散する結果、７００℃で４時間の第１熱処理の場合と同じ理由で、ウェーハ中央部において酸素析出物の密度が高くなる。以上から、７００℃で８時間の第１熱処理を行い次に１０００℃で１６時間の第２熱処理を行った場合には、ｐ２分布が得られると考えられる。
【０１２１】
図１１に示すように、８００℃で１時間または２時間の第１熱処理を行い次に１０００℃で１６時間の第２熱処理を行った場合は、ウェーハ表面付近のみに酸素析出物が析出する分布（ｐ３）が得られる。
８００℃で１時間または２時間の第１熱処理によって、ＲＴＡ処理工程で注入された空孔が酸素析出核となることが促進され、さらに、１０００℃で１６時間の第２熱処理によって、酸素析出核周囲に酸素析出物の形成が促進される。このため、ＲＴＡ処理によって注入された空孔の濃度が高いウェーハ表面近傍では酸素析出物が安定して生成する。ウェーハ表面近傍での酸素析出物の成長に伴い、数１に従って格子間シリコンがウェーハの厚さ方向中央部に放出され、格子間シリコンが放出されたウェーハの厚さ方向中央部は酸素析出物の生成が抑制される。この結果、酸素析出物密度の分布は、空孔濃度の分布に対応したｐ３分布が得られると考えられる。
【０１２２】
次に、８００℃で４時間の第１熱処理を行い、続いて１０００℃で１６時間の第２熱処理を行った場合には、ウェーハの表面付近と厚さ方向中央部に酸素析出物が析出する分布（ｐ２）が得られる。８００℃で４時間の熱処理によって、ウェーハ表面近傍の空孔および格子間酸素の一部が外方拡散する。このため、図９において説明したように１０００℃の熱処理によって（ｐ１）分布が得られる理由と同じ理由でウェーハの厚さ方向中央部にも酸素析出物が析出し、この結果、（ｐ２）分布が得られると考えられる。
さらに、８００℃で８時間の第１熱処理を行い次に１０００℃で１６時間の第２熱処理を行った場合には、ウェーハ表面付近から厚さ方向中央部にわたって酸素析出物が均一に析出する分布（ｐ４）が得られる。８００℃で８時間の熱処理によって、ウェーハ表面から外方拡散する空孔および格子間酸素の濃度が８００℃で４時間の熱処理の場合よりも高くなる結果、ウェーハ表層部と中央部において空孔濃度の分布の差がなくなり、空孔濃度の分布に対応して酸素析出物密度がウェーハ表面付近から厚さ方向中央部にわたって均一になるためと考えられる。
【０１２３】
図１２に示すとおり、９００℃で１時間〜８時間の第１熱処理を行い次に１０００℃で１６時間の第２熱処理を行った場合は、次のような酸素析出物密度の分布が得られる。
９００℃で１時間の第１熱処理によって、ｐ３領域が得られる（８００℃で１時間および２時間の第１熱処理の場合と同じ理由による）。
９００℃で２時間の第１熱処理によって、ｐ２領域が得られる（８００℃で４時間の第１熱処理の場合と同じ理由による）。
９００℃で４時間および８時間の第１熱処理によって、ｐ４領域が得られる（８００℃で８時間の第１熱処理の場合と同じ理由による）。
なお、図１３は、９００℃で０．２５時間、０．５時間または１時間の第１熱処理を行い次に１０００℃で１６時間の第２熱処理を行った場合のウェーハの厚さ方向の酸素析出物密度の分布を示すが、９００℃で１時間以下の第１熱処理を行った場合は、ｐ３分布が得られることがわかる。
【０１２４】
図１４は、１０００℃で１６時間および１１００℃で１６時間の１段階熱処理を行った場合のウェーハの厚さ方向の酸素析出物密度の分布を示す。１０００℃で１６時間の１段階熱処理の場合は、図６において説明したとおり（ｐ１）分布が得られる。一方、１１００℃で１６時間の１段階熱処理の場合は、格子間酸素およびＲＴＡ処理で注入された空孔が外方拡散する結果、ウェーハの厚さ方向の全域で空孔濃度が減少して空孔濃度分布がほぼ均一になる。このため、酸素析出物密度の分布は、ウェーハの厚さ方向の全域において、低い濃度レベルで均一になると考えられる。この結果から、析出熱処理の最高温度は１０５０℃に抑制する方がよいことがわかる。
【０１２５】
図９〜図１４の結果を基に、析出熱処理温度および析出熱処理時間と酸素析出物密度の分布との関係を示した図面が図１である。図１において、塗りつぶしの点は、６００℃〜９００℃の温度で１時間〜８時間の第１熱処理を行い次に１０００℃で１６時間の第２熱処理を行った場合の、ウェーハの厚さ方向における酸素析出分布をｐ１〜ｐ４の範囲で示した図面である。また、白抜きの点は、１０００℃で１６時間および１１００℃で１６時間の１段階熱処理を行った場合のウェーハの厚さ方向における酸素析出分布をｐ１〜ｐ４の範囲で示した図面である。
図１から、ＩＧＢＴ用に適したウェーハを製造する場合にはｐ１の範囲に相当する熱処理温度および熱処理時間を、また、メモリー等の一般のデバイスに適したウェーハを製造する場合にはｐ２、ｐ３またはｐ４の範囲に相当する熱処理温度および熱処理時間を選択して析出熱処理を行えばよいことがわかる。
【０１２６】
図９から図１４の結果から、空孔注入後の第２熱処理で表層空孔を安定化させ析出させたい場合は、７００℃では８ｈｒ以上の熱処理、８００℃では１ｈｒ以上、９００℃では１５ｍｉｎ以上の熱処理で表層析出が確保できることがわかった。また図１３に示すように、１０００℃の温度では表層析出が生じずバルク中心部のみに析出が生じ、また１１００℃の温度ではウェーハ深さ方向にすべて析出が生じないことがわかった。したがい、表層近傍の析出を確保したい場合は、７００℃以上１０００℃未満の温度で１５ｍｉｎ以上４８０ｍｉｎ以下の時間を熱処理すれば良い。４８０ｍｉｎを越えてしまうと、表層で核形成が生じるため、ＤＺ層がなくなりデバイスプロセスで析出物が表層に突き抜けてしまうといった問題が生じてしまう。
さらに図１３で示すように、表層空孔の安定性は１０００℃の温度で失われてしまう。１１００℃以上の温度ではウェーハ深さ方向に析出が生じないため、バルクの空孔も熱安定性が失われてしまうため、第２熱処理を１０００℃以上１０５０℃以下の温度条件とすることにより、バルク中心部の析出が確保でき、表層に析出が生じないため、幅広いＤＺ厚みが確保できる。
【０１２７】
（実験例２）ＤＺ深さの調査
次に劈開したウェーハのＢＭＤ密度分布をもとに各々のウェーハでＤＺ層を計測した。計測に用いたサンプル水準は、９００℃Ｘｈｒ＋１０００℃１６ｈｒのサンプル（６水準）と１０００℃１６ｈｒのサンプルである。ここでは表層から析出物１点目までの距離を面内で３箇所計測し、平均値を算出した。結果を図１５に示す。
図１５の結果から、９００℃１５ｍｉｎ，３０ｍｉｎではＤＺ幅が１３ｕｍ以上、１ｈｒ，２ｈｒでは９ｕｍ以上、８ｈｒでは２ｕｍ以上確保できていることがわかる。すなわちＤＺ層厚みは９００℃の熱処理時間に依存し、処理時間が長くなるほど、ＤＺ層厚みが薄くなる。一方、１０００℃１６ｈｒの場合はバルク中心部にのみ析出するが故に、ＤＺ層厚みが１５０ｕｍ以上を確保することができる。以上の結果から、所望のＤＺ層厚みを得たいのであれば、熱処理時間を制御すれば良いことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１２８】
引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、ＥＧ処理が必要でなく、ＩＧＢＴ用ウェーハとしての充分な厚さのＤＺ層を有しかつＩＧ能を有するとともに、抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能であるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを提供できる。
【符号の説明】
【０１２９】
３…シリコン融液
６…シリコン単結晶
Ｔ…種結晶
【図１】
0005605468.tif 000006
【図２】
0005605468.tif 000007
【図３】
0005605468.tif 000008
【図４】
0005605468.tif 000009
【図５Ａ】
0005605468.tif 000010
【図５Ｂ】
0005605468.tif 000011
【図５Ｃ】
0005605468.tif 000012
【図６】
0005605468.tif 000013
【図７Ａ】
0005605468.tif 000014
【図７Ｂ】
0005605468.tif 000015
【図７Ｃ】
0005605468.tif 000016
【図７Ｄ】
0005605468.tif 000017
【図８】
0005605468.tif 000018
【図９】
0005605468.tif 000019
【図１０】
0005605468.tif 000020
【図１１】
0005605468.tif 000021
【図１２】
0005605468.tif 000022
【図１３】
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【図１４】
0005605468.tif 000024
【図１５】
0005605468.tif 000025
【図１６】
0005605468.tif 000026