(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターンを発生させる方法であって、
第１の特徴部を第１のマスクパターンに追加して第２のマスクパターンを生成する段階、
を含み、
前記第１の特徴部の大部分が、所定値よりも大きいサイズ特性を有し、該第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う前記第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離され、かつ該第１の特徴部は、少なくとも部分的に該第１のマスクパターンと該ターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加され、
前記第２のマスクパターンに基づいて第３のマスクパターンを発生させる段階、
を更に含み、
フォトマスクが、前記第３のマスクパターンに対応し、
前記第１の費用関数は、像平面でのターゲットパターンと、フォトリソグラフィ処理における像平面での第１のマスクパターンに対応する別のフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含み、そして、
前記サイズ特性は、フォトリソグラフィ処理におけるフォトマスクの製造機能に基づいて判断される、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記位置は、前記勾配の極値に対応することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の特徴部の所定の特徴部が、前記第１のマスクパターン内の所定の領域にわたる勾配の平均値に基づいて位置決めされることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記サイズ特性は、前記フォトリソグラフィ処理における前記フォトマスクの製造機能に基づいて判断されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記サイズ特性は、前記フォトリソグラフィ処理に用いられる光の波長を該フォトリソグラフィ処理における光路の開口数で割算した比の数分の１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記サイズ特性は、少なくとも２０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の特徴部を追加する段階の前に前記第１のマスクパターンを焦点ぼけにする段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のマスクパターンと前記ターゲットパターンとに対応する第２の費用関数が、前記第１の費用関数とは異なる重み付けを含み、
前記第２の費用関数の前記重み付けは、縁部から遠い位置で増大する、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の費用関数は、像平面での前記ターゲットパターンと、前記フォトリソグラフィ処理における該像平面での前記第２のマスクパターンに対応する別のフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の特徴部を追加する段階の前に前記第１のマスクパターンにおけるコントラストを高める段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の特徴部は、分解能以下補助特徴部を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の費用関数は、前記像平面での前記ターゲットパターンと、前記フォトリソグラフィ処理における該像平面での前記第１のマスクパターンに対応する別のフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第３のマスクパターンは、前記像平面での前記ターゲットパターンに対する第３の費用関数を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第３の費用関数は、前記像平面での前記ターゲットパターンと、前記フォトリソグラフィ処理における該像平面での前記フォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の特徴部は、前記第３のマスクパターンを発生させる前記段階中の収束を加速することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記収束は、前記第３のマスクパターンに対応する前記フォトマスクの製造可能性に基づいていることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第３のマスクパターンを発生させる前記段階は、前記フォトリソグラフィ処理における物体平面での前記ターゲットパターンの投影を含む逆リソグラフィ計算を伴うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第３のマスクパターン内の取り囲んだ等高線の面積をほぼ維持する直線投影を実施する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の特徴部を追加する段階は、前記第１の費用関数の第１の合計値に対して前記第２のマスクパターンに対応する前記第２の費用関数の第２の合計値を増大させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記第３のマスクパターンに対応する第３の費用関数が、前記第２の合計値よりも小さい第３の合計値を有することを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１のマスクパターンを受け取る段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１のマスクパターンを判断する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
コンピュータシステムとの併用のためのコンピュータプログラム製品であって、
コンピュータ可読記憶媒体と、
フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターンを発生させるために該コンピュータ可読記憶媒体に組み込まれたコンピュータプログラム機構と、
を含み、
前記コンピュータプログラム機構は、
第１の特徴部を第１のマスクパターンに追加して第２のマスクパターンを生成するための命令、
を含み、
前記第１の特徴部の大部分が、所定値よりも大きいサイズ特性を有し、該第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う前記第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離され、かつ該第１の特徴部は、少なくとも部分的に該第１のマスクパターンと該ターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加され、
前記コンピュータプログラム機構は、
前記第２のマスクパターンに基づいて前記第３のマスクパターンを発生させるための命令、
を更に含み、
前記フォトマスクは、前記第３のマスクパターンに対応し、
前記第１の費用関数は、像平面でのターゲットパターンと、フォトリソグラフィ処理における像平面での第１のマスクパターンに対応する別のフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含み、そして、
前記サイズ特性は、フォトリソグラフィ処理におけるフォトマスクの製造機能に基づいて判断される、
ことを特徴とする製品。
【請求項２４】
コンピュータシステムであって、
少なくとも１つのプロセッサと、
少なくとも１つのメモリと、
前記メモリに記憶され、かつ前記プロセッサによって実行されるように構成された、フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターンを発生させるためのものである少なくとも１つのプログラムモジュールと、
を含み、
少なくとも前記プログラムモジュールの機構が、
第１の特徴部を第１のマスクパターンに追加して第２のマスクパターンを生成するための命令、
を含み、
前記第１の特徴部の大部分が、所定値よりも大きいサイズ特性を有し、該第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う該第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離され、かつ該第１の特徴部は、少なくとも部分的に該第１のマスクパターンと該ターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加され、
少なくとも前記プログラムモジュールの機構が、
前記第２のマスクパターンに基づいて前記第３のマスクパターンを発生させるための命令、
を更に含み、
前記フォトマスクは、前記第３のマスクパターンに対応し、
前記第１の費用関数は、像平面でのターゲットパターンと、フォトリソグラフィ処理における像平面での第１のマスクパターンに対応する別のフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含み、そして、
前記サイズ特性は、フォトリソグラフィ処理におけるフォトマスクの製造機能に基づいて判断される、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２５】
コンピュータシステムであって、
計算するための手段と、
記憶するための手段と、
少なくとも前記記憶するための手段に記憶され、かつ少なくとも前記計算するための手段によって実行されるように構成された、少なくともプログラムモジュールが、フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターンを発生させるためのものである少なくとも１つのプログラムモジュール機構と、
を含み、
少なくとも前記プログラムモジュール機構は、
第１の特徴部を第１のマスクパターンに追加して第２のマスクパターンを生成するための命令、
を含み、
前記第１の特徴部の大部分が、所定値よりも大きいサイズ特性を有し、該第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う該第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離され、かつ該第１の特徴部は、少なくとも部分的に該第１のマスクパターンと該ターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加され、
少なくとも前記プログラムモジュール機構は、
前記第２のマスクパターンに基づいて前記第３のマスクパターンを発生させるための命令、
を更に含み、
前記フォトマスクは、前記第３のマスクパターンに対応し、
前記第１の費用関数は、像平面でのターゲットパターンと、フォトリソグラフィ処理における像平面での第１のマスクパターンに対応する別のフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含み、そして、
前記サイズ特性は、フォトリソグラフィ処理におけるフォトマスクの製造機能に基づいて判断される、
ことを特徴とするシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
相互参照
本出願は、２００７年９月１４日出願の米国特許仮出願第６０／９７２，６９２号、及び２００８年９月に出願された第１２／２０７，９０４号の恩典を請求し、これらの出願は、本明細書にこの引用によって組み込まれている。
【０００２】
本発明は、書込デバイスを用いるマスクレスリソグラフィ処理のための書込パターン、及びフォトマスクを用いるフォトリソグラフィ処理のためのマスクパターンを判断するためのシステム及び技術に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ処理は、「集積回路（ＩＣ）」及び「マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）」を製造するための必須技術を代表するものである。リソグラフィ技術は、パターン、幾何学形状、特徴部、形状などを集積回路ダイ、半導体ウェーハ又はチップ上に形成するのに用いられ、パターンは、典型的には、パターンを構成する様々な領域の境界を一般的に取り囲み、封入し、及び／又は定める１組の等高、線、境界、縁部、曲線等によって形成される。
【０００４】
１つの既存のリソグラフィ技術は、フォトマスクによって形成される像が集積回路ダイ又は半導体ウェーハ上に焼き付けられるフォトリソグラフィである。更に、別の既存のリソグラフィ技術は、書込デバイスが集積回路ダイ又は半導体ウェーハ上に書込パターンを直接焼き付けて、それによってフォトマスクの必要性が排除されるマスクレスリソグラフィである。残念ながら、書込パターンを判断し、又はフォトマスクを設計及び製造することが益々困難になっている。
【０００５】
特に、集積回路ダイ及び半導体ウェーハ上の特徴部の密度の増加の要求は、回路設計に伴う最小寸法の低下をもたらしている。これらの傾向は、計算時間、処理要件、及び経費への相応の影響と共に書込パターン及び／又はマスクパターン（フォトマスクがこれに対応する）を判断するのに必要な計算の複雑度を大きく増大させている。
【０００６】
更に、光の波動性に起因して、寸法がフォトリソグラフィ処理に用いられる光の波長と同等のサイズに近づくと、得られるウェーハパターンは、対応するフォトマスクパターンから偏位し、望ましくない歪曲及びアーチファクトが伴ってくる。既存の技術（「光学近接補正」又はＯＰＣ及び「分解能改善技術」又はＲＥＴのような）を用いてマスクパターンを事前に歪曲し、フォトリソグラフィ処理における分解能及び／又は処理ウィンドウ（すなわち、満足できる処理量をもたらす処理条件の範囲）が改善される。
【０００７】
これらの技術は、ウェーハパターンがより正確に焼き付けられることを保証することができるが、事前歪曲マスクパターンを判断することは益々困難であり、それによって計算の複雑度及びそれに関連する問題が悪化する。例えば、事前歪曲マスクパターンを計算する段階は、より高い次元の解空間における複数の潜在的な解（極小値のような）の存在によって複雑化する場合がある。更に、これらの解のうちの多くのものは、類似のウェーハパターンを発生させることができるが、他のものに比べて解のうちの一部に対応するフォトマスクを製造する方が容易である場合がある。その結果、適切な事前歪曲マスクパターンを識別する段階は、時間を消費して高価になると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許仮出願第６０／９７２，６９２号
【特許文献２】米国特許仮出願第１２／２０７，９０４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、必要なものは、以上の問題なしに書込パターン及びマスクパターンの判断を容易にする方法及び装置である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態は、フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターンを発生させる方法を提供する。本方法の実行中に、第１の特徴部が第１のマスクパターンに追加されて第２のマスクパターンが生成される。第１の特徴部の大部分は、所定値よりも大きいサイズ特性を有し、第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離されることに注意されたい。更に、第１の特徴部は、少なくとも部分的に第１のマスクパターンとターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加される。次に、第２のマスクパターンに基づいて第３のマスクパターンが発生され、ここで、フォトマスクは、第３のマスクパターンに対応する。
【００１１】
一部の実施形態では、第１の特徴部は、分解能以下補助特徴部を含む。
【００１２】
一部の実施形態では、上述の位置は、極大値のような勾配における極値に対応する。更に、第１の特徴部における所定の特徴部は、第１のマスクパターン内の所定の領域にわたる勾配の平均値に基づいて位置決めすることができる。一部の実施形態では、第１の特徴部は、１つ又はそれよりも多くの所定の規則に基づいて位置決めされる。
【００１３】
一部の実施形態では、サイズ特性は、フォトリソグラフィ処理におけるフォトマスクの製造機能に基づいて判断される。更に、サイズ特性は、フォトリソグラフィ処理に用いられる光の波長をフォトリソグラフィ処理における光路の開口数で割算した比の数分の１とすることができる。例えば、サイズ特性は、少なくとも２０ｎｍとすることができる。
【００１４】
一部の実施形態では、第１のマスクパターンは、第１の特徴部を追加する段階の前に焦点ぼけにされる。更に、第１の特徴部を追加する段階の前に、第１のマスクパターンにおけるコントラストを高めることができる。
【００１５】
一部の実施形態では、第３のマスクパターン内の取り囲んだ等高線の面積をほぼ維持する直線投影が実施される。
【００１６】
一部の実施形態では、第１の費用関数は、像平面でのターゲットパターンと、フォトリソグラフィ処理における像平面での第１のマスクパターンに対応する別のフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含む。
【００１７】
一部の実施形態では、第２のマスクパターンとターゲットパターンとに対応する第２の費用関数は、第１の費用関数とは異なる重みを含み、第２の費用関数の重みは、縁部から遠い位置で増大する。例えば、第２の費用関数は、像平面でのターゲットパターンと、フォトリソグラフィ処理における像平面での第２のマスクパターンに対応する別のフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含むことができる。
【００１８】
一部の実施形態では、第３のマスクパターンは、像平面でのターゲットパターンに関連する第３の費用関数を有する。この第３の費用関数は、像平面でのターゲットパターンと、フォトリソグラフィ処理における像平面でのフォトマスクの投影との間の差のマグニチュードを含む。
【００１９】
第１の特徴部は、第３のマスクパターンの発生段階中に収束を加速することができることに注意されたい。一部の実施形態では、収束は、第３のマスクパターンに対応する第３の費用関数の合計値に基づいている。更に、収束は、第３のマスクパターンに対応するフォトマスクの製造可能性に基づくとすることができる。
【００２０】
一部の実施形態では、第３のマスクを発生させる段階は、第３の費用関数の勾配を計算する段階を含む。更に、第３のマスクを発生させる段階は、光学近接補正及び／又は逆リソグラフィ計算（これは、フォトリソグラフィ処理におけるターゲットパターンの物体平面での投影を含む）を伴う場合がある。
【００２１】
一部の実施形態では、第１の特徴部を追加する段階は、第１の費用関数の第１の合計値と比較して第２の費用関数の第２の合計値を増大させる。更に、第３のマスクパターンに対応する第３の費用関数は、第２の合計値よりも小さい第３の合計値を有することができる。
【００２２】
一部の実施形態では、第１のマスクパターンが最初に受け取られ、及び／又は判断される。
【００２３】
別の実施形態は、上述の作動のうちの少なくとも一部に対応する命令を実行するように構成されたコンピュータシステムを提供する。
【００２４】
別の実施形態は、コンピュータシステムとの併用のためのコンピュータプログラム製品を提供する。
【００２５】
別の実施形態は、半導体ウェーハを提供する。この半導体ウェーハは、フォトマスクを用いるフォトリソグラフィ処理において製造される。
【００２６】
別の実施形態は、フォトマスクを提供する。
【００２７】
別の実施形態は、マスクパターンに対応する情報を含むコンピュータ可読メモリに記憶されたデータファイルを提供する。
【００２８】
別の実施形態は、マスクレスリソグラフィ処理において用いられる書込パターン（マスクパターンの代わりに）を発生させるために上述の作動のうちの少なくとも一部が用いられる方法を提供する。
【００２９】
別の実施形態は、書込パターンに対応する情報を含むコンピュータ可読メモリに記憶されたデータファイルを提供する。
【００３０】
別の実施形態は、フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターン（又はマスクレスリソグラフィ処理において用いられる書込パターン）を発生させる方法を提供する。本方法の実行中に、第１の特徴部が第１のマスクパターンに追加されて第２のマスクパターンが生成される。第１の特徴部の大部分は単一の矩形であり、第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離されることに注意されたい。更に、第１の特徴部は、少なくとも部分的に第１のマスクパターンとターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加される。次に、第２のマスクパターンに基づいて第３のマスクパターンが発生され、ここで、フォトマスクは、第３のマスクパターンに対応する。
【００３１】
別の実施形態は、フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターン（又はマスクレスリソグラフィ処理において用いられる書込パターン）を発生させる方法を提供する。本方法の実行中に、第１のマスクパターンがフィルタリングされ、このフィルタリングは、第１のマスクパターンを焦点ぼけにする段階を含む。次に、第１の特徴部が第１のマスクパターンに追加されて第２のマスクパターンが生成される。第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離されることに注意されたい。更に、第１の特徴部は、少なくとも部分的に第１のマスクパターンとターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加される。
【００３２】
別の実施形態は、フォトリソグラフィ処理においてフォトマスク上に用いられる第３のマスクパターン（又はマスクレスリソグラフィ処理において用いられる書込パターン）を発生させる方法を提供する。本方法の実行中に、第１の特徴部が第１のマスクパターンに追加されて第２のマスクパターンが生成される。第１の特徴部は、ターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う第１のマスクパターン内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離されることに注意されたい。更に、第１の特徴部は、少なくとも部分的に第１のマスクパターンとターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加される。次に、第２のマスクパターンに基づいて第３のマスクパターンが発生され、ここで、発生段階は、第１の特徴部の位置及び形状を進展させる段階を伴い、フォトマスクは、第３のマスクパターンに対応する。
【００３３】
一部の実施形態では、進展段階は、像に基づくもの及び／又は勾配流に基づくものである。更に、進展段階は、光学近接補正及び／又はサイドローブ抑制計算を伴う場合がある。例えば、サイドローブ抑制計算中に、像平面での推定パターンが、現在のマスクパターンに対応する現在のフォトマスクを用いて判断され、現在のマスクパターンは、サイドローブ焼き付けが除去されるように修正される。
【００３４】
引用による組み込み
本明細書で言及する全ての文献、特許、及び特許出願は、各個々の文献、特許、又は特許出願が引用によって組み込まれるように具体的かつ個々に示される場合と同程度に引用によって本明細書に組み込まれている。
【００３５】
図面全体を通じて類似の参照番号が対応する部分を指すことに注意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態によるマスクパターン及び／又は書込パターンの反復判断を示すブロック図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態によるマスクパターン及び／又は書込パターンの判断を示すブロック図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態によるマスクパターン及び／又は書込パターンの判断を示すブロック図である。
【図３】本発明の実施形態によるマスクパターン及び／又は書込パターンを判断する間の付加的な特徴部の配置を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施形態によるマスクパターン及び／又は書込パターンを発生させるための処理を示す流れ図である。
【図５】本発明の実施形態によるマスクパターン及び／又は書込パターンを発生させるコンピュータシステムを示すブロック図である。
【図６】本発明の実施形態によるデータ構造を示すブロック図である。
【図７】本発明の実施形態によるデータ構造を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下の説明は、あらゆる当業者が本発明を作成し、用いることを可能にするために示し、特定の用途及びその要件に関連して提供するものである。当業者には、開示する実施形態に対する様々な修正が直ちに明らかになり、本明細書に定める一般原理は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく他の実施形態及び用途に適用することができる。従って、本発明は、図示の実施形態に限定することを意図したものではなく、本明細書に開示する原理及び特徴と矛盾しない最も広い範囲に対応されるものである。
【００３８】
コンピュータシステム、方法、コンピュータプログラム製品（すなわち、ソフトウエア）、及びコンピュータシステムにおける使用のためのデータ構造又はファイルの実施形態を説明する。これらのシステム、処理、及び／又はデータ構造は、フォトマスクを生成するのに用いられるマスクパターンを判断するか又は発生させるのに用いることができ、フォトマスクは、フォトリソグラフィ処理中に集積回路ダイ及び／又は半導体ウェーハ（以後、半導体ウェーハと呼ぶ）を製造するのに用いられる。更に、一部の実施形態では、これらのシステム、処理、及び／又はデータ構造は、マスクレスリソグラフィ処理（直接書込デバイスを用いる処理等）中に半導体ウェーハを製造するのに用いられる書込パターンを判断するか又は発生させるのに用いられる。特に、フォトマスクは、半導体ウェーハ上に設計のターゲットパターン（集積回路内の設計層等）に対応する空中像を投影するか又はパターンを焼き付ける（以後、焼き付けパターンと呼ぶ）上に用いることができる。代替的に、書込デバイス（レーザ書込器又は電子ビーム書込器等）は、パターンを半導体ウェーハ上に書き込む上で書込パターンを用いることができる。以下に続く解説では、具体例としてマスクパターンの判断又は発生段階を用いる。
【００３９】
一部の実施形態では、マスクパターンは、発生段階中に複数の潜在的な解（多次元空間内の極小値等）からの所定の解への収束を加速するように修正される。この解は、フォトリソグラフィ処理に用いられる光路内の像平面に焼き付けパターンを生成するフォトマスクに対応する場合があり、この焼き付けパターン内の構造、形状、又は線（以後、特徴部と呼ぶ）は、ターゲットパターンに対する設計公差（±１０％等）内に位置決めすることができる。更に、一部の実施形態では、所定の解は、他の解よりも複雑度が低く、高い処理量を有し、及び／又は低費用を有するフォトマスクに対応する。
【００４０】
特に、発生処理の開始時及び／又は途中で１つ又はそれよりも多くの付加的な特徴部をマスクパターンに追加することができる（すなわち、マスクパターンの初期バージョンに追加することができ、マスクパターンの改訂バージョンが生成される）。これらの付加的な特徴部は、最小サイズよりも大きいとすることができ、最小間隔を有することができ、最小幅を有することができ、単一の矩形とすることができ（例えば、付加的な特徴部の大部分は、単一の矩形とすることができる）、ターゲットパターン内の望ましい特徴部と重なり合うマスクパターン内の他の特徴から位相幾何学的に分離されるとすることができ（すなわち、接続されないか又は重ね合わない）、及び／又はマスクパターン内の他の特徴部のうちの１つ又はそれよりも多くの縁部に近いとすることができる。例えば、付加的な特徴部は、分解能以下補助特徴部（ＳＲＡＦ）を含むことができる。これらの付加的な特徴部は、焼き付けパターンを改善することができる（例えば、ターゲットパターンに対する誤差を低減することにより）。
【００４１】
一部の実施形態では、付加的な特徴部は、焼き付けパターンの初期バージョン（マスクパターンの初期バージョンに対応するフォトマスクに関連する）とターゲットパターンとに対応する初期費用関数の勾配（ｎが実数の時、焼き付けパターンとターゲットパターンの間の差のマグニチュードの重み付け合計をｎ乗したもの等）、及び／又は所定の規則（「光学近接補正」又はＯＰＣに用いられるもの等）に基づいて判断される位置に追加される。例えば、一部の付加的な特徴部は、勾配に基づく位置に追加することができ、他の付加的な特徴部は、ＯＰＣに基づく位置に追加することができる。付加的な特徴部を追加した後（かつ発生段階を継続する前）に、修正済み費用関数（マスクパターンの改訂バージョンに関連する）を初期費用関数と比較して増大することができることに注意されたい。
【００４２】
ここで、マスクパターン及び／又は書込パターンを判断するか又は発生させるためのシステム又は技術の実施形態を説明する。図１は、マスクパターン及び／又は書込パターンの反復判断の実施形態１００を示すブロック図を示している。この図には、ターゲットパターン内の望ましい特徴部１１２は、対応するマスクパターン内の一連の特徴部１１４と共に距離１１０の関数として例示している。一連の特徴部１１４は、マスクパターンの判断段階又は発生段階中に反復的に進展すること（特徴部１１４−１から特徴部１１４−５へと）に注意されたい。
【００４３】
望ましい特徴部１１２に対してより良好な対応性を有するか又は改善されたフォトマスク（例えば、製造することがより容易又はより廉価なもの）に対応する像平面での焼き付けパターンを生じるマスクパターンを判断するために、付加的な特徴部１１６をマスクパターンに追加することができる。これらの付加的な特徴部は、マスクパターンの判断段階の開始時及び／又は段階中に追加することができる。更に、付加的な特徴部１１６を追加した後に、マスクパターンの判断段階又は発生段階を開始及び／又は続行することができる。これらのその後の計算中に、付加的な特徴部１１６のうちの１つ又はそれよりも多くの位置及び／又は形状は進展させることができる。
【００４４】
付加的な特徴部１１６の最終位置及び／又は形状は、付加的な特徴部１１６と直接に重ね合わせるもの以外の焼き付け像の属性（局所及び／又は非局所性）を改善することができる。特に、付加的な特徴部１１６は、直接焼き付けられる空中像内に対応する特徴部を生じない場合がある。代替的に、付加的な特徴部１１６は、確実に焼き付けられる特徴部（特徴部１１２等）を修正することができる。従って、例示的な実施形態では、付加的な特徴部１１６は、ＳＲＡＦを含むことができる。
【００４５】
付加的な特徴部１１６は、様々な特性を有することができることに注意されたい。特に、付加的な特徴部１１６は、フォトリソグラフィ処理におけるフォトマスクの製造機能に基づく１つ又はそれよりも多くの最小特性（最小サイズ、間隔、及び／又は幅）を有することができる。これに関して、λがフォトリソグラフィ処理に用いられる光の波長であり、ＮＡがフォトリソグラフィ処理における光路の開口数である時に、最小特性は、λ／ＮＡの数分の１とすることができる。一部の例示的な実施形態では、最小サイズは、少なくとも２０ｎｍである。
【００４６】
更に、付加的な特徴部１１６は、反復計算の途中部分における特徴部１１４のうちの１つ（例えば、特徴部１１４−３）の縁部のようなマスクパターン内の特徴部の縁部に近いものとすることができる。更に、付加的な特徴部１１６は、特徴部１１４−３のようなマスクパターン内の他の特徴部から位相幾何学的に分離されたものとすることができる。例示的な実施形態では、付加的な特徴部１１６のうちの１つ又はそれよりも多くは、最初に単一の矩形のような単純な形状を有する。上述のように、付加的な特徴部１１６の初期形状及び／又は位置は、その後の計算中に進展させることができる。
【００４７】
得られるマスクパターンは、フォトリソグラフィ処理に用いられるフォトマスクを生成するのに用いることができる。一部の実施形態では、この処理における光源は、１つ又はそれよりも多くのランプ（ｉ線、ｇ線、１９３ｎｍ波長、２４８ｎｍ波長、液浸、及び／又は空気、水、又は別の流体又は気体におけるいずれか他の光学リソグラフィ波長を含む）、レーザ、及び／又は電子ビーム源を含む。更に、これらの光源は、軸外照明、双極照明、四重極照明、クエーサー照明、インコヒーレント照明、コヒーレント照明、及び／又はいずれか任意の照明パターンを供給するように構成することができる。
【００４８】
一部の実施形態では、図１に例示しているマスクパターン及び／又は書込パターン（並びに下記に説明する実施形態）は、より少ない特徴部又は付加的な特徴部を含むことができる２つ又はそれよりも多くの特徴部を単一の構成要素へと組み合わせることができ、及び／又は１つ又はそれよりも多くの特徴部の位置を変更することができることに注意されたい。
【００４９】
図２Ａは、マスクパターン及び／又は書込パターンの判断の実施形態２００を示すブロック図を示している。判断中に、マスクパターン内の特徴部は、費用関数の勾配２１０（マスクパターンに関連する）の基準レベル２１２のような１つ又はそれよりも多くの閾値又は基準レベルを超える部分に対応する場合がある。マスクパターンの異なる部分は、異なる基準レベルを有することができることに注意されたい。所定の特徴部は、縁部２１４を有することができることにも注意されたい。
【００５０】
勾配２１０は、最大値及び最小値のような複数の極値を含む。これらの極値は、反復計算中に進展させることができる（実施形態２００における矢印で例示しているように）。その結果、極値のうちの一部は、最終的に基準レベル２１２を超えることができ、それによってマスクパターン内に新しい特徴部が生成される。これを新しい特徴部２６２が勾配２６０の極値において発生するマスクパターン及び／又は書込パターンの判断の実施形態２５０を示すブロック図２Ｂに示す。
【００５１】
この反復処理結果を加速するために、そのような特徴部が計算のその後の反復において発生する可能性がある位置、又は発生される（改善された焼き付けパターン及び／又はフォトマスクを発生させるために）位置における勾配に基づいて、付加的な特徴部をマスクパターンに追加することができる。一部の実施形態では、付加的な特徴部は、費用関数の勾配の極大値（付加的な特徴部の追加前のマスクパターンの初期バージョンに関連する）に対応するか又はマスクパターン内の所定の領域にわたる費用関数の勾配の平均値に対応する位置に追加される（これを図３を参照して下記に解説する）。
【００５２】
マスクパターンの判断中に、様々な費用関数を用いることができる。例えば、付加的な特徴部の追加前の第１の費用関数は、ターゲットパターンと推定焼き付けパターン（マスクパターンの初期バージョンに対応する第１のフォトマスクによって生成される）の間の差のマグニチュードを含むことができる。
【００５３】
一部の実施形態では、付加的な特徴部を追加する前に、どこに付加的な特徴部が配置されるか、及び／又はこれらの付加的な特徴部がどのような形状を有するべきかを識別するのに役立てるための１つ又はそれよりも多くの操作が実施される。例えば、付加的な特徴部を追加する前にマスクパターンを焦点ぼけにすることができ、及び／又はマスクパターンにおけるコントラストを高めることができる。
【００５４】
一部の実施形態では、付加的な特徴部は、第２の費用関数に基づいて判断される。この第２の費用関数は、第１の費用関数を判断する時に用いられるものと同じ重み及び／又は異なる重みを用いることができ、これらの重みは、コントラストを高めることができる（図２Ａの縁部２１４の配置におけるマスクパターンにおける誤差に対する感度を高める費用関数及び／又は重みとは対照的に）。一部の例示的な実施形態では、マスクパターンの初期バージョンにおける縁部（図２Ａの縁部２１４−１のような）から遠く離れた位置（縁部から１０〜４０ｎｍのような）で重みを増大することができる（例えば、１００×）。更に、一部の実施形態では、第２の費用関数を判断する時に、ターゲットパターンのマージンを増幅することができる（例えば、５％から４０％へと）。
【００５５】
付加的な特徴部を追加した後に、第１の費用関数を判断する時に用いられた重みをマスクパターンの改訂バージョンに関連する第３の費用関数を判断するのに用いることができる。この費用関数の合計値は、第１の費用関数におけるものと比較して増大させることができることに注意されたい。
【００５６】
更に、マスクパターンの発生段階は、解に達するまで継続することができる（すなわち、マスクパターンの最終バージョンへの収束を発生させる段階）。マスクパターンの発生段階のこの部分中に、付加的な特徴部の位置及び／又は形状を進展させることができる。従って、マスクパターンの最終バージョンに関連する第４の費用関数は、第３の費用関数におけるものよりも小さい合計値を有することができる。一部の実施形態では、マスクパターンの発生段階中の収束は、第４の費用関数の合計値、及び／又はマスクパターンの最終バージョンに対応するフォトマスクの製造可能性に基づくことに注意されたい。
【００５７】
一部の実施形態では、マスクパターンの最終バージョンの発生段階は、ＯＰＣ及び／又は逆リソグラフィ計算（フォトリソグラフィ処理における物体平面でのターゲットパターンの投影を計算することによってマスクパターンが判断される）を伴っている。例えば、少なくとも一部の付加的な特徴部は、所定の規則（ＯＰＣに用いられるもののような）に基づいて追加することができる。更に、一部の実施形態では、付加的な特徴部は、逆リソグラフィ計算の開始時及び／又は計算中に追加される。
【００５８】
一部の実施形態では、マスクパターンの発生段階は、像に基づくもの及び／又は勾配流に基づくものである。更に、マスクパターンの発生段階は、サイドローブ抑制計算を伴う場合がある。例えば、サイドローブ抑制計算中に、像平面での推定焼き付けパターンが判断され、マスクパターンの現バージョンは、サイドローブ焼き付けを除去するように修正される（すなわち、付加的な特徴部の位置及び／又は形状を進展させることによって付加的な特徴部のサイドローブに関連する望ましくない焼き付けを除去する）。
【００５９】
一部の実施形態では、マスクパターンの発生段階中の計算は、ある一定のリソグラフィ処理モデルを用いて推定による発展したウェーハパターンを判断する段階を含む。このモデルは、フォトレジストモデルを含むことができる。
【００６０】
上述のように、付加的な特徴部を追加する前のマスクパターンの初期バージョンは、一連の反復計算の中間結果とすることができる。しかし、一部の実施形態では、マスクパターンの初期バージョンは、別の計算プログラム、又はマスクパターンの改善バージョンを判断するか又は発生させることを望む第三者のような別の供給源から受け取られる。
【００６１】
同じく上述のように、マスクパターンの初期、修正、及び／又は最終バージョンの発生段階は、ターゲットパターンに基づいている。一部の実施形態では、ターゲットパターンの初期フォーマットをこれらの計算の前に変換することができる。例えば、ターゲットパターンは、階層表現（ＧＤＳＩＩ及び／又はＯＡＳＩＳのような）からピクセルに基づく表現、又は元のフォーマットよりも少ないレベルしか持たないフォーマットのような第２のフォーマットへと変換することができる。従って、一部の実施形態では、初期フォーマット及び／又は第２のフォーマットは、ピクセルに基づくフォーマット（すなわち、空間的に離散した）のデータパターン（ビットマップ及び／又はグレースケール像のような）、バイナリパターン、及び／又は連続階調パターンを含むことができる。更に、書込パターン及び／又はマスクパターンが発生された後に、書込パターン及び／又はマスクパターンのフォーマットは、ターゲットパターンの元のフォーマットに変換し戻すことができる。
【００６２】
図３は、マスクパターン及び／又は書込パターンの判断中の付加的な特徴部３１４の配置の実施形態３００を示すブロック図を示している。付加的な特徴部３１４は、最初はマスクパターン内の既存の特徴部３１０から平均距離３１６の位置に位置決めされることに注意されたい。同じく付加的な特徴部３１４が単一の矩形であること（少なくとも最初は）にも注意されたい。
【００６３】
一部の実施形態では、付加的な特徴部（付加的な特徴部３１４等）の位置は、マスクパターン内のある一定の領域にわたる勾配の値に基づいている（極値のような局所的な値とは対照的に）。例えば、マスクパターン内の所定の領域にわたる勾配の平均値（勾配等高線３１２によって例示しているもの等）を用いることができる。付加的な特徴部３１４を縁部に対して平行に示しているが、他の実施形態では、マスクパターン平面内で任意の向きに配置することができること（例えば、特徴部３１０の対角線に沿って）に注意されたい。
【００６４】
次に、書込パターン及び／又はマスクパターンを発生させるための処理の実施形態を説明する。図４は、マスクパターン及び／又は書込パターンを発生させるための処理４００を示す流れ図を示している。この処理中に、コンピュータシステムは、第１のマスクパターン（又は第１の書込パターン）を任意的に判断し（４１０）、及び／又は第１のマスクパターン（又は第１の書込パターン）を任意的にフィルタリングする（４１２）。このフィルタリング段階（４１２）は、第１のマスクパターン（又は第１の書込パターン）を焦点はずれにし、及び／又はそのコントラストを高める。
【００６５】
次に、コンピュータシステムは、第１の特徴部を第１のマスクパターン（又は第１の書込パターン）に追加して、第２のマスクパターン（又は第２の書込パターン）を生成する（４１４）。第１の特徴部のうちの大部分は、フォトリソグラフィ処理における像平面においてターゲットパターン内の第３の特徴部と重なり合う第１のマスクパターン（又は第１の書込パターン）内の第２の特徴部から位相幾何学的に分離されることに注意されたい。しかし、第１の特徴部は、少なくとも部分的に第１のマスクパターン（又は第１の書込パターン）とターゲットパターンとに依存する第１の費用関数の勾配に基づいて判断される位置に追加される。
【００６６】
次に、コンピュータシステムは、第２のマスクパターン（又は第２の書込パターン）に基づいて第３のマスクパターン（又は第３の書込パターン）を発生し（４１６）、ここで、フォトマスクは、第３のマスクパターンに対応する。
【００６７】
処理４００の一部の実施形態では、付加的な作動又はより少ない作動が存在してもよいように作動の順序を変更することができ、及び／又は２つ又はそれよりも多くの作動を単一の作動へと組み合わせることができることに注意されたい。例えば、発生段階（４１６）の最中及び／又はその後に、第３のマスクパターン内の取り囲んだ等高線区域をほぼ維持する直線投影（場合によってはマンハッタン化オペレーションと呼ぶ）を実施することができる。
【００６８】
次に、１つ又はそれよりも多くの書込パターン及び／又はマスクパターンを判断するか又は発生させるのに用いることができる逆計算（逆リソグラフィ計算等）の実施形態を説明する。この逆計算は、誤差関数（場合によっては費用関数又はハミルトン関数とも呼ぶ）の最小化に基づくとすることができる。計算の各反復中に、誤差関数は、書込パターン又はマスクパターンに関連する空中像又は焼き付けパターンがリソグラフィ処理中に光学系における光路を通じて投影される時に生じる推定ウェーハパターン間の差の関数とすることができる。一部の実施形態では、様々な処理条件又は複数の露光に対応するもののような複数の像を用いることができる。
【００６９】
費用関数を判断する時に順計算を用いることができる。以下に続く解説では、リソグラフィ処理における光源に関連する照明パターンによるコヒーレント照明を仮定する。更に、フォトマスク上に生じる電界（マスクパターンに関連する）、又は書込デバイスによって与えられる（書込パターンに基づいて）電界は、ほぼ一定である。フォトリソグラフィを例示的に用いると、フォトマスクの一部の領域（バイナリマスクパターンにおける「０」に対応するもの等）は、光を光学系の像平面にある半導体ウェーハへと反射し、それに対して他の領域（バイナリマスクパターンにおける「１」に対応するもの等）は、光を半導体ウェーハへと反射しないことに注意されたい。その結果、フォトマスク（以後、像パターンと呼ぶ）での反射の後のスカラー電界Ｅは、次式として表すことができる。
【００７０】
【数１】
0005593477.tif 000002
【００７１】
ここで、
【００７２】
【数２】
0005593477.tif 000003
【００７３】
は、（ｘ、ｙ）平面上の点である。（より一般的には、電界は、範囲｛−１，１｝内のグレースケール値を含むことができ、又はフォトマスクの特徴部に対応する任意の複素数を含むことができる。それに伴ってクロムオンガラスのフォトマスク、及び減衰位相シフト材料、強位相シフト材料、他の材料等といったクロムオンガラス以外の様々な種類のフォトマスクが、本発明の範囲にある。）像パターンのこの表現は、半導体ウェーハへと反射される光を示す正の領域と、半導体ウェーハへと反射される光の不在を示す負の領域とを有する関数φ（レベルセット関数と呼ぶ）を用いて書き直すことができることに注意されたい。（より一般的には、レベルセット関数は、２つ又はそれよりも多くのレベルを有することができ、所定のマスクパターン又は書込パターンを１つ又はそれよりも多くのレベルセット関数によって表すことができる。）更に、レベルセット関数は、フォトマスクの特徴部の境界線又は等高線ではゼロに等しいとすることができる。従って、フォトマスク（従って、マスクパターン）に関連する電界Ｅは、このレベルセット関数の関数として次式のように書き直すことができる。
【００７４】
【数３】
0005593477.tif 000004
【００７５】
ここで、
【００７６】
【数４】
0005593477.tif 000005
【００７７】
は、次式の透過又は反射関数である。
【００７８】
【数５】
0005593477.tif 000006
【００７９】
理想的な回折限定レンズは、ローパスフィルタとして作用するので、上式を光学系における光路内の実際の光学系への近似式として用いることができる（全く完全にではないがほぼ完全に）。数学的には、レンズの作用は、次式で表すことができる。
【００８０】
【数６】
0005593477.tif 000007
【００８１】
ここで、
【００８２】
【数７】
0005593477.tif 000008
【００８３】
は、ウェーハ上の電界分布を示し、ｆは、フーリエ変換を示し、ｆ-1は、逆フーリエ変換を示し、
【００８４】
【数８】
0005593477.tif 000009
【００８５】
は、レンズの開口数によって判断される閾値よりも大きい周波数に対してはゼロであり、他の場合は１である瞳カットオフ関数を示している。従って、瞳関数は、次式になる。
【００８６】
【数９】
0005593477.tif 000010
【００８７】
ここで、ｋx、ｋy及びｋmaxは、フーリエ空間における周波数座標を表している。従って、半導体ウェーハ上の強度パターンは、単純に電界の二乗である。
【００８８】
【数１０】
0005593477.tif 000011
【００８９】
これらの２つの式を組み合わせると、次式が見出される。
【００９０】
【数１１】
0005593477.tif 000012
【００９１】
この式は、半導体ウェーハにおける強度パターンに関する自己完結式である。
【００９２】
上述したものは、その比較的な単純さから例として選択した本発明の範囲内に用いることができる順方向計算の一実施形態に過ぎないことに注意されたい。より精巧な順方向モデルも同様に本発明の範囲に収まる。そのようなモデルは、様々な照明条件（例えば、軸外、インコヒーレント）、フォトマスクと相互作用する光場の実際の電磁気、光場の偏光、レンズの実際の特性（収差等）、及び／又は電磁場がリソグラフィ処理中に光学系における光路を通して伝播する間の電磁場のベクトル性を限定ではなく例として考慮している。
【００９３】
一部の実施形態では、逆計算の各反復中に、マスクパターン及び／又は書込パターンに対応するレベルセット関数は、次式に従って更新される。
【００９４】
【数１２】
0005593477.tif 000013
【００９５】
ここで、φi+1は、レベルセット関数の更新バージョンであり、φiは、レベルセット関数の現バージョンであり、Δｔは、計算における段階サイズであり、∇（Ｈ）は、誤差関数の勾配又は導関数である。∇（Ｈ）は、次式になることに注意されたい。
【００９６】
【数１３】
0005593477.tif 000014
【００９７】
すなわち、この式は、費用関数Ｈのフレシェ微分である。更に、一部の実施形態では、∇（Ｈ）は、φを変更することによってＨを最小化又は最適化するのに最も急勾配な降下の方向である。更に、一部の実施形態では、φiを更新する時に１次及び／又は３次のルンゲ−クッタ法が用いられる。他の実施形態では、共役勾配技術、レーベンバーグ−マルカート技術、準ニュートン技術、及び／又はシンプレックス技術を用いることができる。
【００９８】
逆計算の一部の実施形態では、「模擬アニーリング」の少なくとも一部の態様を利用することができる。特に、誤差関数Ｈは、計算が進展する中で一部の反復中に増大することを許すことができる。このようにして、多次元空間における広域最小値を判断することができる。この多次元空間のサイズは、量子化レベル数のマスクパターン又は書込パターン内のピクセル数乗に比例することに注意されたい。一部の例示的な実施形態では、これらのパターン又は像は、少なくとも百万ピクセル（例えば、１０２４×１０２４）を有する。
【００９９】
一部の実施形態では、逆計算は、少なくとも一部が独立した及び／又は同時に処理される一連の重ね合った作業単位に分割される。これらの作業単位は、マスクパターン又は書込パターン内の特徴部又は構造（例えば、繰返し構造）に基づくものとすることができる。
【０１００】
一部の実施形態では、逆計算は、１００回、１０００回、又は１０，０００回反復実行され、これらの時点で最適解が判断される。他の実施形態では、計算は、振動挙動、ターゲットパターンと焼き付けパターン又は発展済みウェーハパターンの推定との間の相対及び／又は絶対差、誤差関数Ｈへの最新の変更、及び／又は誤差関数Ｈへの変更履歴のような収束基準に基づいて停止される。例えば、相対差は、１％よりも小さいとすることができ、及び／又は絶対差は、１００ｎｍの臨界寸法において１０ｎｍとすることができる。
【０１０１】
次に、マスクパターン及び／又は書込パターンの判断又は発生を実施するコンピュータシステムの実施形態を説明する。図５は、本発明の実施形態に従ってマスクパターン及び／又は書込パターンを発生させるコンピュータシステム５００を示すブロック図を示している。コンピュータシステム５００は、複数のプロセッサ５１０又はプロセッサコア、通信インタフェース５１２，ユーザインタフェース５１４，及びこれらの構成要素を互いに結合する１つ又はそれよりも多くの信号線５２２を含む。処理ユニット５１０は、並行処理及び／又はマルチスレッド作動をサポートし、通信インタフェース５１２は、持続的な通信接続を有することができ、１つ又はそれよりも多くの信号線５２２は、通信バスを構成することに注意されたい。更に、ユーザインタフェース５１４は、ディスプレイ５１６、キーボード５１８、及び／又はマウスのようなポインタ５２０を含むことができる。
【０１０２】
コンピュータシステム５００内のメモリ５２４は、揮発性メモリ及び／又は不揮発性メモリを含むことができる。より具体的には、メモリ５２４は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ、１つ又はそれよりも多くのスマートカード、１つ又はそれよりも多くの磁気ディスク記憶デバイス、及び／又は１つ又はそれよりも多くの光学記憶デバイスを含むことができる。メモリ５２４は、ハードウエア依存のタスクを実行するための様々な基本発明のシステムサービスを処理するための手順（又は１組の命令）を含むオペレーティングシステム５２６を記憶する。また、メモリ５２４は、通信モジュール５２８内に通信手順（又は１組の命令）を記憶することができる。通信手順は、コンピュータシステム５００に対して遠隔的に位置したコンピュータ、デバイス、及び／又はサーバを含む１つ又はそれよりも多くのコンピュータ、デバイス、及び／又はサーバと通信を行うために用いることができる。
【０１０３】
また、メモリ５２４は、パターン計算モジュール５３０（又は１組の命令）、フィルタリングモジュール５３２（又は１組の命令）、特徴部モジュール５３４（又は１組の命令）、及び／又はサイドローブ抑制モジュール５４４（又は１組の命令）を含む１つ又はそれよりも多くのプログラムモジュール（又は１組の命令）を含むことができる。更に、メモリ５２４は、任意的な設計５３６、ターゲットパターン５３８、製造基準５４０、任意的な特徴部規則５４２（ＯＰＣ規則等）、マスクパターン及び／又は書込パターン５４６、及び／又は勾配５５０を含むことができる。更に、マスクパターン及び／又は書込パターン５４６は、１つ又はそれよりも多くのパターン５４８を含むことができ、勾配５５０は、１つ又はそれよりも多くのパターン５５２を有する勾配を含むことができる。
【０１０４】
メモリ５２４内の様々なモジュール内にある命令は、高レベルの手続き型言語、オブジェクト指向プログラミング言語、及び／又はアセンブリ又はマシン言語に実施することができる。プログラミング言語は、処理ユニット５１０によって実行されるように編集又は解釈され、すなわち、そのように構成可能又は構成することができる。
【０１０５】
コンピュータシステム５００は、いくつかの個別の構成要素を有するように例示されているが、図５は、本明細書に説明している実施形態の構造的な概略図ではなく、コンピュータシステム５００に存在することができる様々な特徴部の機能的な説明図であるように考えられているものである。実際には、当業者には認識されるように、コンピュータシステム５００の機能は、多数のサーバ又はコンピュータにわたって分散させることができ、様々なサーバ又はコンピュータ群が機能の特定の部分集合を実行する。一部の実施形態では、コンピュータシステム５００の機能の一部又は全てを１つ又はそれよりも多くのＡＳＩＣ、及び／又は１つ又はそれよりも多くのデジタル信号プロセッサＤＳＰに実施することができる。
【０１０６】
コンピュータシステム５００は、より少ない構成要素又は付加的な構成要素を含むことができ、２つ又はそれよりも多くの構成要素を単一の構成要素へと組み合わせることができ、及び／又は１つ又はそれよりも多くの構成要素の位置を変更することができることに注意されたい。一部の実施形態では、コンピュータシステム５００の機能は、当業技術で公知のようにハードウエア内に多めに、ソフトウエア内に少なめに、又はハードウエア内に少なめに、ソフトウエア内に多めに実施することができる。
【０１０７】
次に、コンピュータシステム５００内に用いることができるデータ構造の実施形態を説明する。図６は、本発明の実施形態によるデータ構造６００を示すブロック図を示している。このデータ構造は、マスクパターン及び／又は書込パターン（パターン６１０のような）の１つ又はそれよりも多くのバージョンに関連する情報を含むことができる。特に、所定のパターン（パターン６１０−１のような）は、ピクセル６１２及び関係する値６１４を含むことができる。
【０１０８】
図７は、データ構造７００を示すブロック図を示している。このデータ構造は、ピクセル７１２及び関係する値７１４を含むパターン（パターン６１０のような）の勾配７１０に関連する情報を含むことができる。
【０１０９】
データ構造６００及び／又はデータ構造７００の一部の実施形態では、より少ない構成要素又は付加的な構成要素が存在してもよく、２つ又はそれよりも多くの構成要素を単一の構成要素へと組み合わせることができ、及び／又は１つ又はそれよりも多くの構成要素の位置を変更することができることに注意されたい。
【０１１０】
本発明の実施形態の以上の説明は、単に例示及び説明の目的で示したものである。これらの説明は、網羅的であること又は本発明を開示した形態に限定することを意図したものではない。従って、当業者には、多くの修正及び変更が明らかになるであろう。更に、上述の開示内容は、本発明を限定することを意図したものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって定められる。
【符号の説明】
【０１１１】
４００  マスクパターン及び／又は書込パターンを発生させるための処理
４１０  第１のマスクパターン（又は第１の書込パターン）を判断する段階
４１２  第１のマスクパターン（又は第１の書込パターン）をフィルタリングする段階
【図１】
0005593477.tif 000015
【図２Ａ】
0005593477.tif 000016
【図２Ｂ】
0005593477.tif 000017
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0005593477.tif 000021
【図７】
0005593477.tif 000022