(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造を有し、前記第２導電型層から光を取り出す半導体発光素子であって、
前記第１導電型層に接続されるように前記第２導電型層上に位置し、第１の台座電極および前記第１の台座電極から面内方向に延在する線状の第１の補助電極を含む第１の電極と、
前記第２導電型層に接続されるように前記第２導電型層上に位置し、第２の台座電極および前記第２の台座電極から面内方向に延在する線状の第２の補助電極を含む第２の電極と、
を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は、絶縁層を介して配置され、前記第１の補助電極と前記第２の補助電極の少なくとも一部が、前記絶縁層を介して前記光の取り出し方向において重なる、
半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１の補助電極と前記第２の補助電極の少なくとも一部は、互いに延伸方向が一致するように重なる、
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１の電極は前記第２の電極の上層に形成され、
前記第１の補助電極は前記第２の補助電極と重なる部分から面内方向に突き出た第１の突出部を含み、
前記第１の突出部と前記第１導電型層が電気的に接続される、
請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２の電極は前記第１の電極の上層に形成され、
前記第２の補助電極は、前記第１の補助電極と重なる部分から面内方向に突き出た第２の突出部を含み、
前記第２の突出部と前記第２導電型層が電気的に接続される、
請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１の補助電極の前記発光層側の面を含む部分と前記第２の補助電極の前記発光層側の面を含む部分は異なる材料からなり、
前記第１の補助電極と前記第２の補助電極のうちの下層に位置する方の前記面を含む部分は、上層に位置する方の前記面を含む部分よりも、前記発光層から発せられる光に対する反射率が高い、
請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１の補助電極と第２の補助電極の重なる領域において、前記第１の補助電極と前記第２の補助電極のうち上層に位置する方の幅が、下層に位置する方の幅以下である、
請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体発光素子として、基板上にｎ型半導体層とｐ型半導体層に挟まれた発光層を有し、発光層から発せられる光を基板の反対側から取り出すものが知られている。また、このような半導体発光素子において、半導体層へ電流を均一に拡散させるために、台座電極から延長される補助電極を備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３４５４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の半導体発光素子では、発光層から発せられた光の一部が補助電極により遮られるため、光取り出し効率が低下するという問題がある。
【０００５】
したがって、本発明の目的は、補助電極を有する半導体発光素子において、光取り出し効率の低下を抑えることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記目的を達成するため、を第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造を有し、前記第２導電型層から光を取り出す半導体発光素子であって、前記第１導電型層に接続されるように前記第２導電型層上に位置し、第１の台座電極および前記第１の台座電極から面内方向に延在する線状の第１の補助電極を含む第１の電極と、前記第２導電型層に接続されるように前記第２導電型層上に位置し、第２の台座電極および前記第２の台座電極から面内方向に延在する線状の第２の補助電極を含む第２の電極と、を有し、前記第１の電極と前記第２の電極は、絶縁層を介して配置され、前記第１の補助電極と前記第２の補助電極の少なくとも一部が、前記絶縁層を介して前記光の取り出し方向において重なる、半導体発光素子を提供する。
【０００７】
上記半導体発光素子において、前記第１の補助電極と前記第２の補助電極の少なくとも一部は、互いの延伸方向がほぼ一致するように重なることが好ましい。
【０００８】
上記半導体発光素子において、前記第１の電極は前記第２の電極の上層に形成され、前記第１の補助電極は前記第２の補助電極と重なる部分から面内方向に突き出た第１の突出部を含み、前記第１の突出部と前記第１導電型層が電気的に接続されてもよい。
【０００９】
上記半導体発光素子において、前記第２の電極は前記第１の電極の上層に形成され、前記第２の補助電極は前記第１の補助電極と重なる部分から面内方向に突き出た第２の突出部を含み、前記第２の突出部と前記第２導電型層が電気的に接続されてもよい。
【００１０】
上記半導体発光素子において、前記第１の補助電極の前記発光層側の面を含む部分と前記第２の補助電極の前記発光層側の面を含む部分は異なる材料からなり、前記第１の補助電極と前記第２の補助電極のうちの下層に位置する方の前記面を含む部分は、上層に位置する方の前記面を含む部分よりも、前記発光層から発せられる光に対する反射率が高くてもよい。
【００１１】
上記半導体発光素子において、前記第１の補助電極と第２の補助電極の重なる領域において、前記第１の補助電極と前記第２の補助電極のうちの上層に位置する方の幅が、下層に位置する方の幅以下であってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、補助電極を有する半導体発光素子において、光取り出し効率の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子の分解斜視図である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係るｐ電極とｎ電極の配置関係を示す模式平面図である。
【図３】図３は、図２（ａ）の線分Ａ−Ａに沿った半導体発光素子の垂直断面図である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、第１の実施の形態の変形例に係る半導体発光素子のｐ電極とｎ電極の配置関係を示す模式平面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施の形態の変形例に係る半導体発光素子のｐ電極とｎ電極の配置関係を示す模式平面図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、第１の実施の形態の変形例に係る半導体発光素子のｐ電極とｎ電極の配置関係を示す模式平面図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施例に係るｐ電極とｎ電極の配置関係を示す模式平面図である。
【図８】図８は、図７（ａ）の線分Ｂ−Ｂに沿った半導体発光素子の垂直断面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施の形態の変形例に係るｐ電極とｎ電極の配置関係を示す模式平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素子１の分解斜視図である。図１において、半導体発光素子１は層ごとに分解されて示される。
【００１５】
半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１、ｐ型半導体層１３、およびそれらに挟まれた発光層１２からなる半導体構造を有し、発光層１２のｐ型半導体層１３側から光を取り出すタイプ（フェイスアップ型）の発光素子である。ｎ型半導体層１１は、基板１０上に形成される。ｐ型半導体層１３上には透明電極１４が形成される。また、発光素子１は、発光層１２のｐ型半導体層１３側にｐ型半導体層１３に接続されるように形成されたｐ電極２０と、発光層１２のｐ型半導体層１３側にｎ型半導体層１１に接続されるように形成されたｎ電極３０を有する。
【００１６】
ｎ型半導体層１１、発光層１２、およびｐ型半導体層１３は、それぞれIII族窒化物化合物半導体からなる層である。III族窒化物化合物半導体として、例えば、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の四元系のIII族窒化物化合物半導体を用いることができる。
【００１７】
ｎ型半導体層１１は、例えば、ｎ型コンタクト層、ｎ型ＥＳＤ層、およびｎ型クラッド層からなる積層構造を有し、それらの各層は所定量のｎ型ドーパント（例えば、Ｓｉ）をドーピングしたｎ−ＧａＮからなる。
【００１８】
発光層１２は、複数の井戸層と複数の障壁層とを含んで形成される多重量子井戸構造を有する。井戸層は例えばＩｎＧａＮから、障壁層は例えばＧａＮ若しくはＡｌＧａＮ等から形成される。
【００１９】
ｐ型半導体層１３は、例えば、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層からなる積層構造を有し、それらの各層は所定量のｐ型ドーパント（例えば、Ｍｇ）をドーピングしたｐ−ＧａＮから形成される。
【００２０】
ｎ型半導体層１１、発光層１２、およびｐ型半導体層１３は、例えば、有機金属化学気相成長法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD）、分子線エピタキシー法（Molecular Beam Epitaxy : MBE）、またはハライド気相エピタキシー法（Halide Vapor Phase Epitaxy : HVPE）により基板１０上に結晶を成長させることにより形成される。
【００２１】
基板１０は、例えば、サファイア基板である。
【００２２】
透明電極１４は、ｐ電極２０から流れる電流をｐ型半導体層１３へ均等に拡散させる機能を有する。透明電極１４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から形成される。透明電極１４は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、またはＣＶＤ法を用いて形成される。
【００２３】
ｐ型半導体層１３には、ｐ貫通電極２１および透明電極１４を介してｐ電極２０が接続される。また、透明電極１４、ｐ型半導体層１３、および発光層１２の一部が除去されることにより露出したｎ型半導体層１１の露出部分に、ｎ貫通電極３１を介してｎ電極３０が接続される。本実施の形態では、ｎ電極３０がｐ電極２０の上層に形成される。
【００２４】
複数のｐ貫通電極２１が透明電極１４上の広い領域に渡って形成されるため、透明電極１４に電流を均一に拡散させることができる。また、複数のｎ貫通電極３１がｎ型半導体層１１上の広い領域に渡って形成されるため、ｎ型半導体層１１に電流を均一に拡散させることができる。
【００２５】
ｐ電極２０、ｎ電極３０、ｐ貫通電極２１、およびｎ貫通電極３１は、半導体構造上の絶縁層４０中に形成される。ｐ電極２０およびｎ電極３０を介してｎ型半導体層１１およびｐ型半導体層１３に電圧を印加することにより、発光層１２から光が発せられる。
【００２６】
ｐ電極２０およびｎ電極３０は、例えば、Ｔｉ膜上にＡｕ膜を積層した構造、Ｎｉ膜上にＡｕ膜を積層した構造、またはＡｌ膜上にＡｕ膜を積層した構造を有する。ｐ電極２０およびｎ電極３０は、スパッタリング法等により形成することができる。
【００２７】
ｐ電極２０は、ボンディングワイヤ等を接続するための台座電極２０ａ、台座電極２０ａから面内方向に延在する線状の補助電極２０ｂを含む。ｐ貫通電極２１は、補助電極２０ｂに接続される。
【００２８】
ｎ電極３０は、ボンディングワイヤ等を接続するための台座電極３０ａ、台座電極３０ａから面内方向に延在する線状の補助電極３０ｂを含む。さらに、本実施の形態では、補助電極３０ｂは面内方向に突き出た突出部３０ｃを有する。ｎ貫通電極３１は、補助電極３０ｂの突出部３０ｃに接続される。
【００２９】
本実施の形態では、ｐ電極２０がｎ電極３０の下層に位置する。そのため、補助電極２０ｂの底面（発光層１２側の面）を含む部分は、補助電極３０ｂの底面（発光層１２側の面）を含む部分よりも、発光層１２から発せられる光に対する反射率が高くてもよい。例えば、ｐ電極２０がＡｌ膜上にＡｕ膜を積層した構造を有し、ｎ電極３０がＴｉ膜上にＡｕ膜を積層した構造を有する場合、補助電極２０ｂの底面を含む部分であるＡｌ膜は、補助電極３０ｂの底面を含む部分であるＴｉ膜よりも反射率が高い。なお、この場合、補助電極２０ｂの底面を含む部分と補助電極３０ｂの底面を含む部分は異なる材料からなる。
【００３０】
図２（ａ）、（ｂ）は、ｐ電極２０とｎ電極３０の配置関係を示す模式平面図である。ここで、図２（ａ）は、ｎ電極３０およびｎ貫通電極３１の位置を実線、ｐ電極２０の位置を点線で示している。また、図２（ｂ）は、ｐ電極２０およびｐ貫通電極２１の位置を実線、ｎ電極３０の位置を点線で示している。なお、図２（ａ）、（ｂ）においては、その他の部材の図示は省略する。また、図３は、図２（ａ）の線分Ａ−Ａに沿った半導体発光素子１の垂直断面図である。
【００３１】
図１〜３に示されるように、ｐ電極２０の補助電極２０ｂとｎ電極３０の補助電極３０ｂの少なくとも一部は、絶縁層４０を介して発光層１２の厚さ方向（図２の紙面に垂直な方向、図３中の垂直方向）に重なる。すなわち、補助電極２０ｂと補助電極３０ｂの少なくとも一部は、平面視で重なる。これにより、補助電極２０ｂと補助電極３０ｂの占める発光層１２上の面積を減らすことができる。このため、発光層１２から発せられる光を遮る領域が減少し、半導体発光素子１の光取り出し効率の低下を抑えることができる。
【００３２】
また、効率よく補助電極２０ｂと補助電極３０ｂの占める発光層１２上の面積を減らすため、図１〜３に示されるように、ｐ電極２０の補助電極２０ｂとｎ電極３０の補助電極３０ｂの少なくとも一部は、互いの延伸方向がほぼ一致するように重なることが好ましい。
【００３３】
また、補助電極２０ｂと補助電極３０ｂの幅が等しい場合、重なる領域において幅方向の位置が一致することが好ましいが、重なりがあれば幅方向にずれてもよい。また、本実施の形態では、ｎ電極３０がｐ電極２０の上層に位置する。そのため、少なくとも補助電極２０ｂと補助電極３０ｂの重なる領域において、補助電極３０ｂの幅は補助電極２０ｂの幅以下でもよい。
【００３４】
なお、補助電極３０ｂの補助電極２０ｂと重なる部分からも突出部３０ｃが突き出ており、ｎ貫通電極３１は、突出部３０ｃに接続されるため、補助電極３０ｂ下の補助電極２０ｂと接触することはない。また、図１〜３においては、突出部３０ｃは素子の内側に向かって突き出ているが、外側に向かって突き出ていてもよく、また、場所ごとに異なる方向に突き出ていてもよい。さらに、突出部３０ｃを形成する代わりに、補助電極２０ｂのｎ貫通電極３１下の部分の形状をｎ貫通電極３１を迂回して避けるようなものにしてもよい。
【００３５】
なお、ｐ貫通電極２１は形成されなくてもよい。この場合、ｐ電極２０は、透明電極１４上に直接形成される。
【００３６】
絶縁層４０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の絶縁材料からなる。また、絶縁層４０の材料として、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、若しくはポリイミド等の電気絶縁性を有する樹脂材料を用いることができる。絶縁層４０は、真空蒸着法、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition : CVD）等により形成される。
【００３７】
図４（ａ）、（ｂ）は、変形例に係る半導体発光素子１のｐ電極２０とｎ電極３０の配置関係を示す模式平面図である。ここで、図４（ａ）は、ｎ電極３０およびｎ貫通電極３１の位置を実線、ｐ電極２０およびｐ貫通電極２１の位置を点線で示している。また、図４（ｂ）は、ｐ電極２０およびｐ貫通電極２１の位置を実線、ｎ電極３０およびｎ貫通電極３１の位置を点線で示している。なお、図４（ａ）、（ｂ）においては、その他の部材の図示は省略する。
【００３８】
この変形例においては、ｐ電極２０の補助電極２０ｂは突出部２０ｃを有する。この場合、ｐ貫通電極２１は突出部２０ｃに接続される。突出部２０ｃの突き出る方向は、突出部３０ｃと同様に、特定の方向に限定されないが、図４（ａ）の鎖線に示されるように、突出部２０ｃと突出部３０ｃの突き出る方向が逆であり、ｎ貫通電極３１とｐ貫通電極２１が平面視で正六角形の頂点に配置されることが好ましい。
【００３９】
また、ｐ電極２０とｎ電極３０の平面形状は、図１〜４に示したものに限られない。図５、６は、それぞれｐ電極２０とｎ電極３０の平面形状の一例を表す。
【００４０】
図５（ａ）〜（ｃ）は、変形例に係るｐ電極２０とｎ電極３０の配置関係を示す模式平面図である。ここで、図５（ａ）は、ｎ電極３０およびｎ貫通電極３１の位置を実線、ｐ電極２０を点線で示している。図５（ｂ）は、ｎ貫通電極３１および線状電極３２の位置を実線、ｐ電極２０を点線で示している。また、図５（ｃ）は、ｐ電極２０およびｐ貫通電極２１の位置を実線、ｎ電極３０の位置を点線で示している。なお、図５（ａ）〜（ｃ）においては、その他の部材の図示は省略する。
【００４１】
この変形例においては、ｎ貫通電極３１に接続される線状電極３２が形成される。線状電極３２は、ｎ型半導体層１１上に形成される線状の電極であり、ｎ型半導体層１１に電流を均一に拡散させる機能を有する。ｎ電極３０は、ｎ貫通電極３１および線状電極３２を介してｎ型半導体層１１に接続される。ｐ電極２０は、ｐ貫通電極２１を介して透明電極１４に接続される。この変形例においても、ｎ電極３０の補助電極３０ｂとｐ電極２０の補助電極２０ｂの一部が、絶縁層４０を介して発光層１２の厚さ方向に重なる。
【００４２】
図６（ａ）、（ｂ）は、変形例に係るｐ電極２０とｎ電極３０の配置関係を示す模式平面図である。ここで、図６（ａ）は、ｎ電極３０およびｎ貫通電極３１の位置を実線、ｐ電極２０を点線で示している。また、図６（ｂ）は、ｐ電極２０およびｐ貫通電極２１の位置を実線、ｎ電極３０の位置を点線で示している。なお、図６（ａ）、（ｂ）においては、その他の部材の図示は省略する。
【００４３】
ｎ電極３０は、ｎ貫通電極３１を介してｎ型半導体層１１に接続される。ｐ電極２０は、ｐ貫通電極２１を介して透明電極１４に接続される。この変形例においても、ｎ電極３０の補助電極３０ｂとｐ電極２０の補助電極２０ｂの一部が、絶縁層４０を介して発光層１２の厚さ方向に重なる。
【００４４】
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態の半導体発光素子２は、ｐ電極がｎ電極の上層に形成される点において第１の実施の形態と異なる。なお、半導体構造等、第１の実施の形態と同様の点については、説明を省略または簡略化する。
【００４５】
図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施例に係るｐ電極５０とｎ電極６０の配置関係を示す模式平面図である。ここで、図７（ａ）は、ｐ電極５０およびｐ貫通電極５１の位置を実線、ｎ電極６０の位置を点線で示している。また、図７（ｂ）は、ｎ電極６０およびｎ貫通電極６１の位置を実線、ｐ電極５０の位置を点線で示している。なお、図７（ａ）、（ｂ）においては、その他の部材の図示は省略する。また、図８は、図７（ａ）の線分Ｂ−Ｂに沿った半導体発光素子２の垂直断面図である。
【００４６】
ｐ型半導体層１３には、ｐ貫通電極５１および透明電極１４を介してｐ電極５０が接続される。また、透明電極１４、ｐ型半導体層１３、および発光層１２の一部が除去されることにより露出したｎ型半導体層１１の露出部分に、ｎ貫通電極６１を介してｎ電極６０が接続される。
【００４７】
本実施の形態では、ｐ電極５０がｎ電極６０の上層に形成される。ｐ電極５０は、ボンディングワイヤ等を接続するための台座電極５０ａ、台座電極５０ａから面内方向に延在する線状の補助電極５０ｂを含む。さらに、本実施の形態では、補助電極５０ｂは面内方向に突き出た突出部５０ｃを有する。ｐ貫通電極５１は、補助電極５０ｂの突出部５０ｃに接続される。
【００４８】
ｎ電極６０は、ボンディングワイヤ等を接続するための台座電極６０ａ、台座電極６０ａから面内方向に延在する線状の補助電極６０ｂを含む。ｎ貫通電極６１は、補助電極６０ｂに接続される。
【００４９】
本実施の形態では、ｎ電極６０がｐ電極５０の下層に位置する。そのため、補助電極６０ｂの底面を含む部分は、補助電極５０ｂの底面を含む部分よりも、発光層１２から発せられる光に対する反射率が高くてもよい。なお、この場合、補助電極２０ｂの底面を含む部分と補助電極３０ｂの底面を含む部分は異なる材料からなる。また、少なくとも補助電極５０ｂと補助電極６０ｂの重なる領域において、補助電極５０ｂの幅は、補助電極６０ｂの幅以下でもよい。
【００５０】
図７、８に示されるように、ｐ電極５０の補助電極５０ｂとｎ電極６０の補助電極６０ｂの少なくとも一部は、絶縁層４０を介して発光層１２の厚さ方向に重なる。これにより、補助電極５０ｂと補助電極６０ｂの占める発光層１２上の面積を減らすことができる。このため、発光層１２から発せられる光を遮る領域が減少し、半導体発光素子２の光取り出し効率の低下を抑えることができる。
【００５１】
また、ｐ電極５０とｎ電極６０の平面形状は、図７、８に示したものに限られない。図９は、ｐ電極５０とｎ電極６０の平面形状の一例を表す。
【００５２】
図９（ａ）〜（ｃ）は、変形例に係るｐ電極５０とｎ電極６０の配置関係を示す模式平面図である。ここで、図９（ａ）は、ｐ電極５０およびｐ貫通電極５１の位置を実線、ｎ電極６０の位置を点線で示している。図９（ｂ）は、ｎ電極６０およびｎ貫通電極６１の位置を実線、ｐ電極５０を点線で示している。また、図９（ｃ）は、ｎ貫通電極６１および線状電極６２の位置を実線、ｐ電極５０を点線で示している。なお、図９（ａ）〜（ｃ）においては、その他の部材の図示は省略する。
【００５３】
この変形例においては、ｎ貫通電極６１に接続される線状電極６２が形成される。線状電極６２は、ｎ型半導体層１１上に形成される線状の電極であり、ｎ型半導体層１１に電流を均一に拡散させる機能を有する。ｎ電極６０は、ｎ貫通電極６１および線状電極６２を介してｎ型半導体層１１に接続される。ｐ電極５０は、ｐ貫通電極５１を介して透明電極１４に接続される。この変形例においても、ｎ電極６０の補助電極６０ｂとｐ電極５０の補助電極５０ｂの一部が、絶縁層４０を介して発光層１２の厚さ方向に重なる。
【００５４】
なお、上記の第１および第２の実施の形態においては、半導体積層構造のｎ型の層とｐ型の層が逆であってもよい。すなわち、ｎ型半導体層１１の代わりにｐ型半導体層が形成され、ｐ型半導体層１３の代わりにｎ型半導体層が形成されてもよい。
【００５５】
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。また、発明の主旨を逸脱しない範囲内において上記実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることができる。
【００５６】
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【符号の説明】
【００５７】
１          半導体発光素子
２          半導体発光素子
１１        ｎ型半導体層
１２        発光層
１３        ｐ型半導体層
２０        ｐ電極
２０ａ      台座電極
２０ｂ      補助電極
２０ｃ      突出部
３０        ｎ電極
３０ａ      台座電極
３０ｂ      補助電極
３０ｃ      突出部
４０        絶縁層
【図１】
0005605189.tif 000002
【図２】
0005605189.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005605189.tif 000005
【図５】
0005605189.tif 000006
【図６】
0005605189.tif 000007
【図７】
0005605189.tif 000008
【図８】
0005605189.tif 000009
【図９】
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