(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録ヘッドの主磁極層を形成するプロセスにおいて磁性材料の成膜に用いる型枠形状を形成する方法であって、
（ａ）耐ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）層と絶縁層とを基板上に連続して成膜するステップと、
（ｂ）前記絶縁層上に第１のフォトレジスト層を塗布してパターニングすることにより、前記絶縁層の一部を露出させる矩形形状の開口を前記第１のフォトレジスト層に形成するステップと、
（ｃ）エッチングガスとしてＢＣｌ3 （三塩化ボロンガス）、Ｃｌ2 （塩素ガス）およびフッ化炭素ガスを用いて第１のＲＩＥプロセスを行い、前記絶縁層を貫通して前記耐ＲＩＥ層まで達するように前記第１のフォトレジスト層の前記矩形形状を転写することにより、ＡＢＳ（エアベアリング）予定面と垂直な方向に配置された２つの長辺と、最上部が底部よりも広くなるように所定角度で傾斜した側壁と、主磁極層における記録磁極のトラック幅に対応する幅とを有する矩形溝を前記絶縁層に形成するステップと、
（ｄ）前記第１のフォトレジスト層を除去するステップと、
（ｅ）前記絶縁層上に第２のフォトレジスト層を塗布してパターニングすることにより、前記第２のフォトレジスト層のうち前記矩形溝に部分的に重なり前記ＡＢＳ予定面とは反対側の矩形溝端部を含む領域に、主磁極層のヨークと記録磁極との隣接点であって前記矩形溝上に位置するネック遷移予定点と前記ＡＢＳ予定面との間の集束点に集束すると共に前記記録磁極の隣りの前記ヨークを画定する２辺、を含む複数辺を有するヨーク形状の開口を形成するステップと、
（ｆ）エッチングガスとしてＢＣｌ3 およびＣｌ2 を用いて第２のＲＩＥプロセスを行い、前記絶縁層を貫通して前記耐ＲＩＥ層まで達するように前記ヨーク形状を転写することにより、垂直な側壁を有するヨーク状開口を前記絶縁層に形成すると同時に前記矩形溝を囲む領域のうち前記ヨーク状開口に露出した部分を除去し、前記矩形溝における前記２つの長辺のそれぞれに沿ったネック遷移点において前記ヨーク状開口が前記矩形溝に隣接するようにするステップと、
（ｇ）前記第２のフォトレジスト層を除去するステップと
を含み、
前記第２のＲＩＥプロセスにより、前記矩形溝の側壁が前記ヨーク状開口部の垂直な側壁の傾斜よりも緩い傾斜を有するような負のベベル角差分（negative differential bevel angle ；ｄＢＡ）構造をもった型枠形状を前記絶縁層に形成する
ことを特徴とする成膜用型枠の形成方法。
【請求項２】
前記耐ＲＩＥ層を、Ｒｕ（ルテニウム）、ＮｉＣｒ（ニッケルクロム）またはＮｉＰｄ（ニッケルパラジウム）によって２０ｎｍないし２００ｎｍの厚さに形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜用型枠の形成方法。
【請求項３】
前記絶縁層を、酸化アルミニウムまたは酸化シリコンによって前記主磁極層と同じ厚さに形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜用型枠の形成方法。
【請求項４】
前記第１のフォトレジスト層の前記開口部を、前記ＡＢＳ予定面から前記集束点とは反対方向に０．２μｍないし１０μｍの距離まで延在すると共に前記集束点から前記ＡＢＳ予定面とは反対方向に０．２μｍないし１０μｍの距離まで延在するように形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜用型枠の形成方法。
【請求項５】
垂直磁気記録ヘッドにおける、記録磁極およびヨークを含む主磁極層を形成する方法であって、
（ａ）耐ＲＩＥ層と絶縁層とを基板上に連続して成膜するステップと、
（ｂ）エッチングガスとしてＢＣｌ3 、Ｃｌ2 およびフッ化炭素ガスを用いて第１のフォトレジストパターニング・エッチングシーケンスを行うことにより、最上部と、底部と、ＡＢＳ予定面と垂直な方向に配置された２つの長辺と、最上部開口面積が底部開口面積よりも大きくなるように所定角度で傾斜した側壁と、主磁極層における記録磁極のトラック幅に対応する幅とを有し、前記耐ＲＩＥ層の一部を露出させる矩形溝を前記絶縁層に形成するステップと、
（ｃ）エッチングガスとしてＢＣｌ3 およびＣｌ2 を用いて第２のフォトレジストパターニング・エッチングシーケンスを行うことにより、垂直な側壁を有する複数の辺または１つの連続曲線からなるヨーク状開口を前記絶縁層に形成すると同時に、前記矩形溝を囲む領域のうち前記ＡＢＳ予定面とは反対側の端部を含む領域を除去して前記耐ＲＩＥ層の一部を露出させ、前記矩形溝における２つの長辺のそれぞれに沿ったネック遷移点において前記ヨーク状開口が前記矩形溝に隣接するようにするステップと、
（ｄ）前記矩形溝および前記ヨーク状開口にシード層を成膜したのち、電気めっきによって前記シード層上に磁性材料を成長させることにより、前記矩形溝および前記ヨーク状開口に磁性材料を埋め込むステップと
を含み、
前記第２のフォトレジストパターニング・エッチングシーケンスにより、前記矩形溝の側壁が前記ヨーク状開口の垂直な側壁の傾斜よりも緩い傾斜を有するような負のベベル角差分構造を有する型枠形状を前記絶縁層に形成する
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法。
【請求項６】
前記耐ＲＩＥ層を、Ｒｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＰｄによって２０ｎｍないし２００ｎｍの厚さに形成する
ことを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法。
【請求項７】
前記絶縁層を、酸化アルミニウム、酸化シリコンまたは他の誘電体によって形成する
ことを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法。
【請求項８】
前記第１のフォトレジストパターニング・エッチングシーケンスは、
前記絶縁層上に第１のフォトレジスト層を塗布してパターニングすることにより、矩形形状の開口を前記第１のフォトレジスト層に形成するステップと、
ＢＣｌ3 、Ｃｌ2 およびフッ化炭素ガスを用いた第１のＲＩＥプロセスを行い、前記絶縁層を貫通するように前記第１のフォトレジスト層の前記矩形形状を前記絶縁層に転写することにより、前記矩形溝を形成するステップと、
前記第１のフォトレジスト層を除去するステップと
を含むことを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法。
【請求項９】
前記第２のフォトレジストパターニング・エッチングシーケンスは、
（ａ）前記矩形溝を有する前記絶縁層上に前記第２のフォトレジスト層を塗布するステップと、
（ｂ）前記第２のフォトレジスト層をパターニングすることにより、前記第２のフォトレジスト層のうち前記矩形溝に部分的に重なり前記ＡＢＳ予定面とは反対側の矩形溝端部を含む領域に、主磁極層のヨークと記録磁極との隣接点であって前記矩形溝上に位置するネック遷移予定点と前記ＡＢＳ予定面との間の集束点に集束すると共に前記記録磁極の隣りの前記ヨークを画定する２辺、を含む複数辺を有するヨーク形状の開口を形成するステップと、
（ｃ）エッチングガスとしてＢＣｌ3 とＣｌ2 とを用いた第２のＲＩＥプロセスを行い、前記絶縁層を貫通して前記耐ＲＩＥ層まで達するように前記ヨーク形状を前記絶縁層に転写するステップと、
（ｄ）前記第２のフォトレジスト層を除去するステップと
を含むことを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法。
【請求項１０】
前記第１のフォトレジストパターニング・エッチングシーケンスにより、前記矩形溝を、前記ＡＢＳ予定面から前記集束点とは反対方向に０．２μｍないし１０μｍの距離まで延在すると共に前記集束点から前記ＡＢＳ予定面とは反対方向に０．２μｍないし１０μｍの距離まで延在するように形成する
ことを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法。
【請求項１１】
前記矩形溝は、ベベル角が５度ないし２０度である側壁を有する
ことを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法。
【請求項１２】
垂直な側壁を有するヨークと、
２つの端部と、傾斜した角度の側壁をもつ２つの辺とを有し、前記２つの端部のうち、ＡＢＳ面側の端部である磁極先端部で終端する一方、前記ＡＢＳ面とは反対側の端部であるネック部において前記ヨークと隣接する記録磁極と
を含み、絶縁層内に、前記ヨークの側壁および前記記録磁極の側壁の双方が前記絶縁層に隣接するように形成された主磁極層と、
耐ＲＩＥ層と
を備え、
前記主磁極層は、前記記録磁極の側壁が前記ヨークの垂直な側壁の傾斜よりも緩い傾斜を有するような負のベベル角差分構造を有し、
前記記録磁極および前記ヨークの双方は、前記耐ＲＩＥ層に隣接している
ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１３】
前記耐ＲＩＥ層は、Ｒｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＰｄによって２０ｎｍないし２００ｎｍの厚さに形成されている
ことを特徴とする請求項１２に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１４】
前記記録磁極の側壁の傾斜角は、５度ないし２０度である
ことを特徴とする請求項１２に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１５】
前記絶縁層は、酸化アルミニウム、酸化シリコンまたは他の誘電体からなる
ことを特徴とする請求項１２に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１６】
前記記録磁極および前記ヨークは、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ（コバルト鉄）、ＣｏＮｉＦｅ（コバルトニッケル鉄）またはＮｉＦｅ（ニッケル鉄）からなり、０．１μｍないし１０μｍの厚さを有する
ことを特徴とする請求項１２に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主磁極層を備えた垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッド、およびそのような主磁極層の形成方法、ならびにそれに適した成膜用型枠の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録技術は、長手磁気記録装置（ＬＭＲ）で実現されるレベルよりも高い記録密度を達成し得る程度にまで発展しており、ＬＭＲの後継技術として、次世代およびそれ以降の磁気データ記憶装置に用いられるものと思われる。軟磁性の下地層と組み合わせられた単磁極記録ヘッドには、ＬＭＲヘッドよりも高い記録磁場が得られるという特有の利点がある。
【０００３】
図９は、従来の垂直磁気記録（ＰＭＲ）ヘッドの断面構造を表すものである。このＰＭＲヘッドは、主磁極層１０と、磁束リターン磁極（対向磁極）８とを備えている。主磁極層１０は、エアベアリング面（ＡＢＳ面）５に記録磁極先端部１０ｔを有する記録磁極を含む。磁束リターン磁極８は、トレーリングシールド（trailing shield）７を介して主磁極層１０に磁気的に結合している。コイル６によって発生した磁束は、記録磁極先端部１０ｔを通って磁気記録媒体４に入り、磁束リターン磁極８を通って記録ヘッドに戻る。記録磁極は、ＡＢＳ面５での記録磁極先端部１０ｔの磁界によって記録媒体４の磁化が切り換わる（スイッチする）程度にまで磁束を集中させることができるようになっている。トレーリングシールド７は、ダウントラック方向における磁界勾配を増加させるために設けられている。
【０００４】
図１０は、従来の一般的なＰＭＲヘッドの主磁極層１０を表すものである。この主磁極層１０は、ヨーク１０ｍと呼ばれる大きく幅の広い部分と、記録磁極１０ｐと呼ばれる幅の狭い矩形部１０ｐとを有している。記録磁極１０ｐは、ＡＢＳ面５から、ＡＢＳ面５と平行な面３まで、ネックハイト（ＮＨ）距離ｙにわたって延在し、ネック１２においてヨーク１０ｍと交差している。主磁極層１０は、記録磁極１０ｐの長手方向の矩形の一辺を延長した線１１から角度θで外側に広がっている。ＰＭＲ技術は、スキューに関連した記録エラーを抑圧すべく、ＡＢＳ面において傾斜した形状を有する記録磁極１０ｐを必要とする。主磁極層１０の最上表面は辺１０ｔを有し、底部表面は辺１０ｂを有する。すなわち、辺１０ｔによって輪郭が形成されている最上表面は、辺１０ｂによって輪郭が形成されている底部表面よりも大きな表面積を有し、平面視したときに辺１０ｔは辺１０ｂに重なっていない。
【０００５】
製造工程において、ヨーク１０ｍおよび記録磁極１０ｐを含む主磁極層１０は、次のようにして形成される。まず、絶縁層の上にフォトレジスト層（不図示）を形成しこれをパターニングしたのち、エッチング工程によって絶縁層にフォトレジスト層のパターンを転写する。これにより、絶縁層に型枠が形成される。次に、電気めっき法を用いて、絶縁層に形成された型枠空間内を磁性材料によって満たすことにより、主磁極層１０を成膜する。最後に、ラッピング工程により、ヨーク１０ｍとは反対側の記録磁極１０ｐの端部を除去し、ＡＢＳ面５−５を画定する。
【０００６】
ＰＭＲ技術によって高い面記録密度を達成する上でＰＭＲヘッドデザイン上重要なのは、ダウントラックおよびクロストラック方向の両方において、高い強度の磁界と大きな磁界勾配とが得られることである。実際には、これらの２つの要求性能は、全体性能のバランスをとる上で、しばしばトレードオフの関係となる。１つのアプローチとして、例えばネックハイト（ＮＨ）やフレア角（flare angle）θの値を修正する等のような、主磁極層の幾何学的形状を最適化する方法がある。ネックハイトＮＨを短くしたり、フレア角θを大きくすれば、記録磁界強度を効率的に増加させることができる。しかしながら、ネックハイトをあまりにも短くすると、製造中に、ミーティング・プロセス公差（meeting process tolerance）問題を招くことになる。また、フレア角θをあまりにも大きくすると、フリンジ磁界（fringe field）が大きくなることから、隣接トラック消去量を増加させる原因となる。今日市販されているＰＭＲヘッド製品では、ネックハイト（ＮＨ）が一般的に０．１μｍよりも大きく、フレア角θが４５度よりも小さく保たれている。
【０００７】
ヨーク１０ｍと記録磁極１０ｐとを含んだ傾斜した主磁極をパターン形成するために、いくつかの異なる技術が薄膜ヘッド業界で採用されている。そのような技術には、大きい角度でのチルトイオンミリング技術や、傾斜した側壁を有するフォトレジストを用いた電気めっき法、さらには、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によってエッチングされた傾斜した酸化アルミニウム型枠を用いた電気めっき法等がある。最適な性能を得るために記録磁極１０ｐは傾斜した側壁を必要とする一方、ヨーク１０ｍは傾斜した側壁を必要としない。しかしながら、主磁極層の製造に際して、記録磁極とヨークとは同じプロセス条件下に置かれる。その結果、記録磁極１０ｐの側壁とヨーク１０ｍの側壁とは、同じベベル角（ＢＡ）を有するようになる。
【０００８】
従来技術を検索したところ、次のような文献が見つかった。
【０００９】
特許文献１および特許文献２には、内側に傾斜した側壁を有する、記録磁極、ヨークおよびネック部分を備えた磁気磁極層が記載されている。
【００１０】
特許文献３には、第１のスリットパターンと第２のスリットパターンとを用いた２段階エッチングシーケンスにより、酸化アルミニウム製の型枠を形成することが開示されている。この型枠を用いて形成した主磁極層は、より大きな磁気ボリュームを有するので、オーバーライト特性を向上させることができることが記載されている。
【００１１】
特許文献４には、まずヨーク底部と記録磁極とを成膜したのち、ヨーク底部の上にヨーク上部を形成するようにした主磁極層の形成プロセスが開示されている。
【００１２】
特許文献５には、電気めっき処理における電極として機能する基板上に磁極エンケージング（encasing）層を形成するようにした主磁極層の形成方法が記載されている。そこには、ＢＣｌ３、Ｃｌ２およびＣＦ４の混合ガスを用いて磁極エンケージング層をエッチングすることにより、５度ないし１２度のベベル角を有する溝が形成するという記載がある。
【００１３】
特許文献６には、ヨーク形成予定領域にＴａ層を形成したのち、基板上に酸化アルミニウムを成膜することにより、ＰＭＲ記録ヘッド製造用の改良された型枠を形成することが記載されている。研磨後において、酸化アルミニウム層はＴａ層と同一平面を形成するようになる。そして、型枠開口部を形成するエッチング工程によって、酸化アルミニウム層における開口部の磁極領域に傾斜側壁が形成され、Ｔａ層における開口部のヨーク領域に垂直側壁が形成されるようになっている。
【００１４】
【特許文献１】米国出願公開２００１／００２８５３１号
【特許文献２】米国特許第７，１９０，５５３号
【特許文献３】米国出願公開２００７／００１４０４８号
【特許文献４】米国出願公開２００６／０００２０２１号
【特許文献５】米国出願公開２００６／００７７５９０号
【特許文献６】米国出願公開２００６／０２７６０３９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
図１１は、図１０に示した主磁極層１０を斜めから見た状態を示す立体構造を表すものである。ベベル角αは、通常、５度ないし１２度程度に設定されており、ヨーク１０ｍおよび記録磁極１０ｐの外周全体ならびにネック１２に形成されている。主磁極層１０は、複数の辺（すなわち、側壁最上部１０ｔと側壁底部１０ｂとの間で傾斜している側壁１０ｓ）を備えている。ＡＢＳ面には、記録磁極先端部１０ｒが形成されている。側壁底部１０に対する側壁最上部１０ｔのオーバーハング量ｇは、ベベル角αと主磁極層１０の厚さｆとの積に等しい。このようなベベル角デザインでは、ＡＢＳの後ろ側、特にネック１２に隣接した（元々、傾斜面を必要としていない）ヨーク１０ｍの磁性材料の容積が常に小さくなってしまう。その結果、主磁極層１０の記録性能が著しく低下してしまう。ネック１２近傍における磁性材料の容積が最も重要だからである。
【００１６】
図１２は、側壁２１ｓを有する酸化アルミニウム層２１ａを平面視にて表したものである。この図は、通常のフォトレジストパターニングに続いて基板２０を露出させるまでＲＩＥプロセスを行ったのちの状態（電気めっきによって主磁極層を成膜する前の状態）を示す。ここで注意すべきことは、側壁の最上部２１ｔは面２２−２２の近傍において外側に（上下方向軸から離れるように）広がり始めているが、側壁の底部２１ｂは面２３−２３の近傍において外側に広がり始めていることである。理想的には、側壁の最上部２１ｔも底部２１ｂも、共に、面２３−２３の近傍において上下方向軸から逸れ始めるのがよい。
【００１７】
しかしながら、ＲＩＥプロセスの性質から、ベベル角は、記録磁極１０ｐが形成される予定の狭い開口領域２０ｎでは、より小さくなる（より急峻な側面２１ｓとなる）一方、ヨーク１０ｍが形成される領域の広い開口領域２０に隣接した部分では、より大きくなる（より緩い側面２１ｓとなる）。したがって、平面視したときに、側壁２１は、広い開口領域２０の近傍では広くなる一方、狭い開口領域２０ｎでは狭くなる。この問題は、ヨーク１０ｍの方が記録磁極１０ｐよりも大きなテーパ角αをもつようにアンダーカットされることを意味する「正のベベル角差分ｄＢＡ(differential bevel angle)」と呼ばれる。その結果、ネック１２に隣接するヨーク１０ｍの磁性材料の容積は、ヨーク１０ｍの側壁が垂直である場合と比べて著しく低下してしまう。したがって、記録磁極１０ｐとヨーク１０ｍとが隣接するネック遷移点の近傍における側壁がほぼ垂直になるようにすることができる主磁極層の形成方法が求められている。
【００１８】
ＰＭＲ製造工程のための他の要求として、できるだけシャープなネック遷移点を形成することがあげられる。図１３は、基板２４上に主磁極層の形状がパターン形成されたフォトレジスト層２５の平面視状態を、ネック遷移点近傍の湾曲箇所を拡大して表したものである。マスクデザインは、ネックにおける辺２５ａと辺２５ｂとの交点が鋭角となるように形成されているが、光学的近接効果のためにネックコーナー２５ｂは丸みを帯びて形成される。コーナーが丸みを帯びる問題はフォトリソグラフィにおいてよく知られている。
【００１９】
そのようなコーナー部の丸みを低減するのによく用いられる技術として、ＯＰＣ（光学的近接補正）と呼ばれる一般的な技術がある。この技術は、フォトマスク形状におけるコーナー近傍に、ハンマーヘッド(hammer heads)またはセリフ（serifs）と呼ばれる副解像形状（sub-resolution features）を追加することを含むものである。しかしながら、この技術によっても、コーナー部のシャープさ（解像度）は、露光波長λに依存することから、ネック遷移点は完全にはシャープにならない。なお、先進のリソグラフィ装置の露光波長λは現在のところ１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレーザの場合）が限界である。
【００２０】
ネック領域においてコーナーが丸みを帯びることは、主磁極層の寸法制御に重大な問題を与える。例えば、近年のより高い面記録密度のデザインにおいては、ＡＢＳ予定面５−５とネック１２における面３−３との間のネックハイトＮＨの距離ｙ（図１０）が益々減少してきているが、ネック１２におけるコーナーが丸みを帯びると、面３−３がＡＢＳ面に近づいてしまい、ＡＢＳ位置誤差を許容する余裕がより少なくなる。ましてや、ＡＢＳ面が面３−３と平行ではなく面３−３に対して角度をもって形成された場合には、ネック近傍の丸みを帯びたコーナーにまですぐに切削（スライダのＡＢＳ研磨）範囲が及んでしまうので、ネックハイト距離ｙが影響を受ける。すなわち、スライダ研磨プロセスによって引き起こされるＡＢＳ位置誤差によって、さらにネックハイト距離ｙの寸法誤差が生ずる。
【００２１】
このように、従来の垂直磁気記録ヘッドでは、主磁極層におけるネック位置に隣接するヨークの側壁が傾斜していることに起因して、ヨークの磁気ボリュームが、ヨーク側壁が垂直な場合と比べて著しく低下してしまい、記録性能を向上させることが困難になるという問題があった。また、垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層のネック領域においてコーナーが丸みを帯びてしまうことにより、主磁極層の寸法コントロールに問題があった。
【００２２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、垂直磁気記録ヘッドの主磁極層におけるネック遷移点近傍のヨーク部分の側壁が垂直になるような主磁極層型枠形状を形成することが可能な成膜用型枠の形成方法、およびそのような成膜用型枠を用いて実現される垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法、ならびにそれにより形成される垂直磁気記録ヘッドを提供することにある。
【００２３】
また、本発明の第２の目的は、主磁極層の記録磁極部分とヨーク部分との間のネック遷移領域の長さをほぼゼロにまで短縮して主磁極層の製造時における寸法制御性を向上させることにより、主磁極層の記録性能を向上させることができる垂直磁気記録ヘッド、およびそのような垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法、ならびにそのような主磁極層を形成するための成膜用型枠の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の上記目的は、絶縁層に主磁極層（ＭＰ）形成用の型枠形状を形成するに当たって、記録磁極に対応する形状を形成する工程とヨークに対応する形状を形成する工程とを分離するという、改良された垂直磁気記録ヘッド用主磁極層の製造方法によって達成される。
【００２５】
垂直磁気記録ヘッド用主磁極層の製造方法は次の通りである。まず第１のステップにおいて、例えばＲｕ（ルテニウム）等の耐ＲＩＥ層を基板上に成膜する。この耐ＲＩＥ層は、その後のＲＩＥプロセスにおいて、この上に積層される絶縁層と比較して高いエッチング選択性を有するものである。次に、耐ＲＩＥ層の上に、所望の主磁極層の厚さを有する絶縁層を成膜する。続いて、絶縁層の上に第１のフォトレジスト層を塗布し、第１のマスク（レチクル）を用いて露光および現像を経るパターニングを行うことより、第１のフォトレジスト層に、所定の幅を有する溝状の矩形形状を形成する。ここで、所定の幅とは、その後に形成される主磁極における磁極部分の設計値に基づくものである。矩形形状は、長手方向に沿った１つの方向にＡＢＳ予定位置を越えた位置まで延びると共に、それとは反対方向にヨーク形成予定位置まで延びなければならない。矩形の長さを０．４μｍ〜２０μｍ程度に設定すれば、ほぼ無限長のストリップとして扱えるので、簡単なフォトリソグラフィ技術を用いることができ、像のコントラストと最終形状のコントロールの向上が可能である。
【００２６】
パターニングされた第１のフォトレジスト層は、第１のＲＩＥプロセスにおいてエッチングマスクとして用いる。この第１のＲＩＥプロセスにより、第１のフォトレジスト層の矩形形状が、絶縁層を貫通して耐ＲＩＥ層まで達するように転写される。塩素、ＢＣｌ３およびフッ化炭素ガスを適切に混合したガスを用いてＲＩＥを行うことにより、所定のベベル角（ＢＡ）の側壁をもった矩形溝を絶縁層に形成することができる。すなわち、矩形溝の底部の開口部は、矩形溝の最上部の開口部よりも小さくなっている。第１のフォトレジスト層を除去すると、平面視において一定幅の側壁を有する矩形溝がパターン形成された絶縁層が残る。この一定幅は、ベベル角ＢＡと絶縁層の厚さによって決まる。なお、平面視とは、基板と垂直な方向から基板の方向を見た状態をいう。以下、同様である。
【００２７】
次に、パターニングされた絶縁層の上に第２のフォトレジスト層を塗布し、第２のマスク（レチクル）を通してパターン露光を行ったのち現像することにより、絶縁層の矩形溝に部分的にオーバーラップしたヨーク状開口部を第２のフォトレジスト層に形成する。１つの実施の形態として、ヨーク状開口部を、５つの辺を有する形状として形成可能である。この場合、それらの辺のうち、ＡＢＳ予定面に対して垂直な２つの平行な辺は、ＡＢＳ予定面とは反対側の端部において、ヨーク後端を示す第３の辺に連結している。第４の辺および第５の辺は、第１の辺および第３の辺のＡＢＳ予定面側の端部からそれぞれ延在し、ヨーク形状が矩形溝と交差するネックの近傍における矩形溝上の集束点において集束する。こうして、矩形溝の一部と絶縁層の一部が第３の辺と集束点との間の領域において露出する一方、矩形溝の残りの部分は第２のフォトレジスト層によって覆われたままとなる。
【００２８】
次に、第２のＲＩＥプロセスを行うことにより、第２のフォトレジスト層のヨーク状開口部を、露出した絶縁層の領域に、耐ＲＩＥ層まで達するように転写する。結果として、矩形溝のうちの露出部分を取り囲む領域の絶縁層は除去され、この領域がヨーク開口部の一部になる。第２のＲＩＥプロセスでは、第１のＲＩＥプロセスとは異なるエッチング化学剤（etch chemistry）を選択する。これにより、絶縁層の垂直な側壁がヨーク開口部に形成される。そのようなエッチング化学剤としては、例えばＢＣｌ３と塩素とを適切に混合したガスを用いることができる。耐ＲＩＥ層における小さな部分は、２回のＲＩＥプロセスに曝されるが、耐ＲＩＥ層の構成材料は絶縁層と比較して十分高い選択性（エッチング耐性）を有しているので、耐ＲＩＥ層の露出した表面はほぼ平坦に保たれる。
【００２９】
その後、第２のフォトレジスト層を除去すると、絶縁層には、ほぼ垂直な側壁を含むヨーク開口部と、傾斜した側壁を含む磁極開口部とが残る。これらの２つの開口部は、２つのネック遷移点で互いに隣接している。次に、公知のシーケンスによってこれらの開口部に磁性材料を充填することにより、主磁極層を形成する。このシーケンスは、例えば、ヨーク開口部および磁極開口部の内部の耐ＲＩＥ層の上にシード層を成膜するステップと、電気めっきを行い、磁性材料によって開口部を埋め込むステップとを含む。この結果、傾斜した側壁を有する記録磁極と、ほぼ垂直な側壁を有するヨークとを備えた主磁極層が形成される。
【００３０】
また、本発明の垂直磁気記録ヘッドは、垂直な側壁を有するヨークと、２つの端部および傾斜した角度の側壁をもつ２つの辺を有し、２つの端部のうちＡＢＳ面側の端部である磁極先端部で終端する一方、ＡＢＳ面とは反対側の端部であるネック部においてヨークと隣接する記録磁極とを備えた主磁極層を、絶縁層内に、ヨークの側壁および記録磁極の側壁の双方が絶縁層に隣接するように形成したものである。この垂直磁気記録ヘッドでは、ヨークがほぼ垂直な側壁を有する一方、記録磁極が傾斜した側壁を有する。このため、ネック遷移点に最も近いヨークにおける磁性材料の容積が最大化されると共に、ヨークと記録磁極との連結部分であるネック遷移部分が丸みを帯びることがなく、よりシャープになる。
【００３１】
なお、本出願は、本出願人による米国特許出願公開２００７／００１４０４８号に関連したものであり、これを全体として参照し組み込んでいる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３３】
本発明は、傾斜した側壁を有する記録磁極部と、ほぼ垂直な側壁を有するヨーク部とを備えたＰＭＲ記録用の主磁極に関するものである。ヨーク部の側壁をほぼ垂直にしているのは、ネック遷移点に隣接するヨークにおける磁性材料の容積を最大化するためである。本実施の形態で説明するヨークは、５つの辺（側縁部）を有する平面構造を備えたものとして記載されているが、本発明は、この実施の形態に限定されることはなく、他のヨーク形状を包含することができ、例えば、多角形状の側縁部や、連続的にカーブした単一の側縁部を包含していてもよい。図面における各要素は、必ずしも一定縮尺で描かれたものではないことを了解されたい。
【００３４】
本実施の形態について説明する前に、まず比較例について説明する。
【００３５】
図７は、２つのマスクを用いた方法（２マスク法）により、ベベル角差分（ｄＢＡ）が最小限になるように形成された比較例としての主磁極成膜用型枠（モールド）の平面構造を表すものである。この図７から、ヨーク形状および狭い記録磁極開口部において、絶縁層側壁の幅がほぼ等しくなっていることがわかる。
【００３６】
本発明者らは、現在、米国出願公開２００７／００１４０４８号で述べたような主磁極層の製造技術を用いている。この技術は、従来の主磁極成膜用型枠に特徴的であった正のｄＢＡの発生（上述）を抑制するために、２段階のパターニング工程を含んでいる。第１のフォトレジスト層は、Ｙ字形が形成されるようにパターニングされる。このＹ字形は、Ｙ字形の下側部分の記録磁極開口部と、Ｙ字形の上側部分のヨーク開口部の一部となる２つの細いスリットとを画定するものである。このようなパターンをもった第１のフォトレジスト層を用いて下層側の絶縁層をエッチングすると、それぞれが外側壁と内側壁とを有する２つのスリットがＹ字形の上側部分に当たる位置に形成され、Ｙ字形の下側部分に当たる位置に記録磁極開口が形成される（第１のパターン）。Ｙ字形の上側部分を構成する２つのスリット（ヨークスリット）の線幅は、Ｙ字形の下側部分を構成する記録磁極の線幅に近いので、第１のエッチング工程を行ったのちにおける記録磁極形状の側壁のベベル角は、ヨークスリットの側壁のベベル角に近くなる。
【００３７】
第１のフォトレジスト層を除去したのち、第２のフォトレジスト層を絶縁層上に塗布してパターニングすることにより、Ｙ字形の上側部分の２つの狭いスリットの間の領域を包含する、より大きなヨーク開口部が形成される。続いて、第２のエッチング工程を行うと、絶縁層にヨーク開口部が転写される。このとき、上記の第１のパターンのうち、２つのスリットにおける“外側”の側壁はそのまま保存されて残るが、“内側”の側壁に当たる部分は、第２のパターンの開口部分とオーバーラップしているので、除去される。このような２マスク法により、ＲＩＥプロセスのｄＢＡはほとんど小さくなり、例えば、傾斜したフォトレジストパターンを用いたイオンミリングや電気めっき等の他のプロセス方法によるｄＢＡと同等になる。この方法によって形成された酸化アルミニウムの型枠は、図７に示されるようになる。その詳細は後述する。ヨークの側壁には傾斜角がまだ存在しているので、ヨークにおけるベベル角を最小化して略ゼロにすることにより、ネック遷移部分に近接するヨークの磁性材料の容積を最大化するという点において、さらなる改善の余地がある。
【００３８】
これに対して、本実施の形態は、ｄＢＡが負の値となる（すなわち、主磁極層のヨークの側壁が記録磁極部の側壁よりも急峻になる）ようにする方法を開示するものである。この方法では、２段階のマスク工程を含み、絶縁層におけるヨーク開口部の形成工程と、記録磁極開口部の形成工程とを別工程にしている。
【００３９】
図１〜図６および図８を参照して、本実施の形態に係る垂直除去記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法を説明する。ここで、図１および図４は各工程における断面構造を示し、図２、図３、図５および図６は各工程における平面構造を示し、図８は完成した主磁極層の斜視構造を示す。なお、本実施の形態に係る垂直除去記録ヘッドおよび成膜用型枠の形成方法は、この垂直除去記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法によって具現化されるので、以下、併せて説明する。ここでは、垂直磁気記録ヘッドの全体構成は、図９に示したものと同じであるので、その説明を省略する。
【００４０】
まず図１に示したように、基板２９上に、耐ＲＩＥ層３０、絶縁層３１およびフォトレジスト層５０を連続的に形成する。基板２９は、例えば、ＡｌＴｉＣで構成可能である。まず、例えばスパッタまたは物理気相成長（ＰＶＤ）法によって、基板２９上に耐ＲＩＥ層３０を２０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さに成膜する。耐ＲＩＥ層３０は、Ｒｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＰｂ等の物質を含むのが好ましい。これらの物質は、次に行われるＢＣｌ３、塩素およびフッ化炭素ガスを用いたＲＩＥエッチングの間、酸化アルミニウム等の絶縁性物質に比べてより高いエッチング選択性を有するからである。耐ＲＩＥ層３０は、次に行われる電気めっきプロセスにおいて耐ＲＩＥ層３０上の一部にシード層（seed layer）および主磁極層を成膜する際の電極としても機能する。
【００４１】
次に、耐ＲＩＥ層３０の上に、絶縁層３１を形成する。この絶縁層３１には、のちに主磁極層を成膜するための型枠が形成される。絶縁層３１は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）または酸化シリコンからなり、耐ＲＩＥ層３０を成膜するときと同じツールであるＰＶＤまたはスパッタリング装置によって成膜可能である。絶縁層３１はまた、従来から知られている他の誘電体物質によっても形成可能であり、後工程で成膜される主磁極層に要求される厚さと同等の厚さを有する。続いて、一般的な工程によって、絶縁層３１上に第１のフォトレジスト層５０を塗布する。
【００４２】
次に、図２に示したように、第１のフォトレジスト層５０をパターニングして、絶縁層３１が露出した矩形の開口部を形成する。なお、図２は、図１に示した第１のフォトレジスト層５０をパターニングしたあとの状態を表している。この第１のフォトレジスト層５０の矩形の開口部は、主磁極層の記録磁極部分に対応する領域に形成する。この開口部の長さｃは約０．４μｍ〜２０μｍであり、幅ｗは主磁極層における記録磁極部分のトラック幅に対応したものになっている。面３２−３２は、主磁極層の形成ののちに、ラッピング工程でＡＢＳ面が形成される予定箇所（ＡＢＳ予定面）を示している。第１のフォトレジスト層５０における開口部は、ＡＢＳ予定面３２−３２よりも図の下方に０．２μｍ〜１０μｍの距離ｄだけ延ばすように形成すべきである。さらに、開口部は、ヨークの下側部分における２つの辺３３同士が交わる点（集束点３８ｆ）よりも上方に約０．２μｍ〜１０μｍの距離ｂだけ延長すべきである。なお、ここで作製しようとしているヨーク形状は複数の辺を有するが、図２では、単に、ヨークのうち磁極に隣接した部分を画定する２つの辺のみを示している。
【００４３】
ヨークが、連続する曲線形状を有するものである場合には、その連続する曲線形状のうち、磁極に隣接するヨーク前端部分を画定する２つの断面３３同士が集束点３８ｆで交わるようにする。２つの断面３３が第１のフォトレジスト層５０の開口端と交わる２つの交点はネック遷移点５５として規定される。集束点３８ｆは、ネック遷移点５５とＡＢＳ予定面３２−３２の間に位置する。ＡＢＳ予定面３２−３２とネック遷移点５５との間の距離はネックハイト（ＮＨ）を表し、例えば０．０４μｍ程度の小さい値に設定される。長さがｃである矩形の開口部は、ほぼ無限長のストリップとして取り扱うことができ、光学的近接補正法（optical proximity corrections）に比べて、より簡単なフォトリソグラフィ法が可能になるので、像コントラストが向上され、角の丸みが抑制される。
【００４４】
次に、図３に示したように、第１のＲＩＥプロセスによって、第１のフォトレジスト層５０における開口部を下層の絶縁層３１に転写する。ＲＩＥプロセスのエッチング化学物質としては、ＢＣｌ３、Ｃｌ２および１以上のフッ化炭素ガスを、絶縁層３１の側壁３１ｓに斜面を発生させ得るような適切な比率で混合したものを用いる。この側壁３１ｓに形成される斜面によって、主磁極層の記録磁極部分における最終的なベベル角（ＢＡ）が決定される。１つの実施例におけるＲＩＥ条件としては、例えば、ＲＦパワーを１０〜２００Ｗとし、ＢＣｌ３の流量レートを０．０１〜０．２ｓｌｍ（standard liter per minute）、Ｃｌ２の流量レートを０．０１〜０．２ｓｌｍ、およびＣＦ４（４フッ化炭素）の流量レートを０．０１〜０．２ｓｌｍとし、温度を２０℃〜９０℃とすることが可能である。フッ化炭素の流量レートを少なくすると、より小さなベベル角αが得られ、側壁３１ｓの傾斜が大きくなる。平面視すると、側壁３１ｓの最上部３１ｔは、側壁３１ｓの底部３１ｂに重なっていない。言い換えると、第１のＲＩＥプロセスによって露出した耐ＲＩＥ層３０の領域は、第１のフォトレジスト層５０の開口部の領域よりも小さくなる。
【００４５】
図４は、図３に示した開口部の面３５における矢視断面を表すものである。この図４は、耐ＲＩＥ層３０に達したところでＲＩＥプロセスが停止した状態を表している。第１のフォトレジスト層５０の開口部３６の幅ｗ１は、第１のＲＩＥプロセスを行っている間のエッチングバイアスにより、図２に示したパターニング後における開口部の初期幅ｗよりも僅かに大きいかまたは小さくなることがある。側壁３１ｓの幅ｗ２は、絶縁層３１の厚さｎとベベル角αとの積に比例している。ベベル角αは、約５度〜２０度の範囲内であるのが好ましい。開口部３６の下方には、絶縁層３１の矩形溝３７が存在する。第１のＲＩＥプロセスの後、第１のフォトレジスト層５０を一般的な方法によって除去する。
【００４６】
次に、矩形溝３７が形成された絶縁層３１上に、第２のフォトレジスト層５１を塗布したのち、これをパターニングすることにより、図５に示したように、絶縁層３１における矩形溝３７の開口部と部分的にオーバーラップしたヨーク開口部を第２のフォトレジスト層５１に形成する。第２のフォトレジスト層５１のヨーク開口部のパターンは、主磁極層におけるヨークに相当する形状を有する。矩形溝３７のうち、のちに磁性材料が充填されて主磁極層の磁極部分となる部分は、その後に行われる第２のＲＩＥプロセスにおいて保護手段となる第２のフォトレジスト層５１によって覆われる。具体的な実施例では、ヨーク開口部の形状は３８ａ〜３８ｅで示した５つの辺を有する。但し、上記したように、ヨーク開口部の形状は、当業者であれば想到し得るようなポリゴン形状や連続曲線形状等の他のヨーク形状であってもよい。
【００４７】
図５に示した例では、第１の辺３８ａおよび第３の辺３８ｃがｙ軸方向に沿って形成され、矩形溝３７の長い辺とほぼ平行、かつＡＢＳに対して垂直になっている。第１の辺３８ａと第２の辺３８ｃとの間の距離ｋは５μｍ〜５０μｍ程度である。第２の辺３８ｂは、ｘ軸方向に沿って形成され、ＡＢＳ予定面とは反対側の端部で第１の辺３８ａおよび第３の辺３８ｃに接続している。第２の辺３８ｂは、ヨークの後端部（ＡＢＳ予定面から最も遠くにある部分）が形成される位置に対応した位置に配置される。第４の辺３８ｄは、第３の辺３８ｃの他方（第２の辺３８ｂとは反対側）の端部から延び、第５の辺３８ｅは、第１の辺３８ａの他方（第２の辺３８ｂとは反対側）の端部から延びている。第４の辺３８ｄおよび第５の辺３８ｅは集束点３８ｆで集束し、ここで終端している。この集束点３８ｆは矩形溝３７の上に位置するが、好ましくは、矩形溝の２つの側壁間における耐ＲＩＥ層３０の上方であって、主磁極層におけるヨークと記録磁極との連結点であるネック遷移予定点の近傍に位置するようにする。このように、第の１〜５の辺３８ａ〜３８ｅによって画定された開口部は、絶縁層３１の一部と、矩形溝３７の一部と、矩形溝３７の露出部分に隣接した側壁３１ｓとを露出させている。集束点３８ｆと第２の辺３８ｂとの間のｙ軸方向に沿った距離は、例えば２μｍ〜２０μｍ程度である。
【００４８】
次に、図６に示したように、第２のＲＩＥプロセスによって、第２のフォトレジスト層５１におけるヨーク開口部を、絶縁層３１に、これを貫通してＲＩＥレジスト層３０まで達するように転写する。このエッチングプロセスでは、傾斜した側壁は絶縁層に形成しないようにする。例えば、第２のＲＩＥプロセスは、ＢＣｌ３の流量レートを０．０１〜０．２ｓｌｍ、Ｃｌ２の流量レートを０．０１〜０．２ｓｌｍ、ＲＦパワーを１０〜２００Ｗに設定して行う。この第２のＲＩＥプロセスにより、第の１〜５辺３８ａ〜３８ｅによって画定された開口部内に露出した絶縁層３１が除去される。第２のＲＩＥプロセスは、耐ＲＩＥ層３０に達したところで終了する。耐ＲＩＥ層３０の一部（矩形溝３７の内側の露出している部分）は、第１のＲＩＥプロセスおよび第２のＲＩＥプロセスの両方においてエッチングに曝されるが、耐ＲＩＥ層３０のために選択された材料のエッチング耐性は十分に高いので、ヨーク開口部における耐ＲＩＥ層３０の表面はほぼ平坦になる。鍵となる特徴は、平面視した場合において、本質的に、耐ＲＩＥ層３０のうち露出したヨーク対応部分３０ｍに隣接する側壁３１ｓの幅が露出された磁極対応部分３０ｐに隣接する側壁３１ｓの幅よりも狭くなるということである。それゆえ、側壁３１ｓは、第１〜５の辺３８ａ〜３８ｅにより囲まれたパターンであるヨーク予定部分で本質的に垂直になる一方、側壁３１ｓは、主磁極層の記録磁極になる予定の幅狭パターン部分ではベベル角（ＢＡ）がαとなるように傾斜する。
【００４９】
上記の図７に示したように、本発明者らは既に、別の２マスク法により、ｄＢＡがほぼゼロの型枠を絶縁層に形成する技術を実施している。この技術によれば、平面視した場合において、本質的に、ヨーク対応部分３０ｍに隣接する側壁３１ｓが、磁極対応部分３０ｐに隣接する側壁３１ｓと等しい幅を持っている。但し、ヨーク開口部に隣接する側壁３１ｓは、まだかなり大きなベベル角（ＢＡ）を有しているので、ベベル角をほぼゼロになるように最小化し、側壁角をほぼ９０度にするためのさらなる改良が望まれている。そこで、本実施の形態では、図６に示したように、ネック遷移点５５に隣接するヨークの磁性材料の容積が最大となるように主磁極層を形成することが可能な型枠を絶縁層３１内に形成するようにしている。
【００５０】
図８は、本実施の形態の方法によって形成された主磁極層（ＭＰ）４０を表すものである。この図では、主磁極層４０におけるヨーク４０ｍおよび記録磁極４０ｐの側壁４０ｓを明確に示すために、周囲にある絶縁層３１を取り除いた状態を表している。具体的な実施例として、主磁極層４０は例えば次のように形成可能である。
【００５１】
まず、露出した耐ＲＩＥ層３０（図６）の上にシード層（seed layer）を成膜する。次に、電気めっき法を用いることにより、絶縁層３１（酸化アルミニウム層）の開口部内部を満たすように磁性材料を成膜する。磁性材料としては高い飽和磁束密度（Ｂｓ）を有するＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＣｏまたはＮｉＦｅが採用可能であり、例えば約０．１〜１０μｍのめっき厚さに形成する。次に、化学機械研磨（ＣＭＰ）法またはエッチング技術等を用いることにより、主磁極層４０の表面を平坦化すると共に、絶縁層３１上の磁性材料を除去する。必要に応じて、第２のフォトレジストを除去して電気めっきを行う前に、ＴａまたはＲｕ等の非磁性層を絶縁層の上に成膜するようにしてもよい。この非磁性層は、電気めっき工程に続く平坦化プロセスにおいて、ＣＭＰストッパまたはエッチングストッパとしてする機能する。
【００５２】
上述したように、記録磁極４０ｐは、最適性能に必要なベベル角αをもつアンダーカットを有するにもかかわらず、ヨーク４０ｍには、ほぼ垂直な側壁４０ｓが形成される。
【００５３】
主磁極層４０における、従来技術を超える重要な第１の利点は、本質的に垂直な側壁４０ｓをヨークに形成することにより、ネック遷移点５５に最も近いヨーク４０ｍにおける磁性材料の容積が最大化されるということである。
【００５４】
本実施の形態における主磁極層４０の第２の利点は、ネック遷移領域のサイズが、従来の主磁極層と比較して十分に小さくなるということである。言い換えると、ヨーク４０ｍと記録磁極４０ｐとの間の接合（ネック遷移）部分は、既に実施したもの（図７）に比べて、よりシャープになる（丸みがなくなる）。この形状は、平面視したときにヨーク側壁が記録磁極の側壁よりも狭い幅を有するという負のｄＢＡ構造によって実現されている。
【００５５】
上記したように、図１２および図７には、それぞれ、ｄＢＡが大きい正の値をとる場合と本質的にゼロの値をとる場合とが示されている。これらの図から分かるように、側壁最上部が直線から逸れ始める地点を含む面と側壁底部が直線から逸れ始める地点を含む面との距離は、図１２に示した値ｈから図７に示したより小さな値へと劇的に縮小される。具体的には、面３８−３８と面３９−３９との間（図７）は、面２２−２２と面２３−２３との間（図１２）よりも近くなる。ネック遷移点５５は、図７の場合の方がより良く画定されていることから、ＡＢＳ予定面５６−５６に関わるＡＢＳ配置誤差によってネック遷移領域にまで研削（ＡＢＳ研磨）が及んでしまい、ネック近傍でのトラック幅の寸法制御が適切に行われなくなる、という確率は実質的に低くなる。事実上、ｈが小さくなれば、記録磁極とネックとの間が急激に遷移することになる。
【００５６】
同様に、本実施の形態のようにｄＢＡの値をゼロから負の値へとさらに修正することにより、ネック遷移点がさらにシャープになる。したがって、ｄＢＡが負の値をもつ図６のような型枠形状にすれば、側壁最上部が主磁極層４０のｙ軸方向から逸れ始める位置を含む面と、側壁底部がｙ軸方向から逸れ始める位置を含む面とは、実質上、ネック遷移点５５においてオーバーラップすることになる（図８）。その結果、初期の主磁極層構造において悪影響を与えていたＡＢＳ位置決め誤差とは無関係に、主磁極、特にトラック幅の寸法をコントロールすることができる。
【００５７】
プロセスの複雑さの観点においても、本実施の形態は、本発明者らが現在実施している「２マスク法」による製造シーケンスと比較して、付加的なプロセスステップを何ら必要としない。ここに説明した方法は、何ら追加の設備投資を行うことなく、現在の製造工程フローに組み入れることができる。
【００５８】
以上、好ましい実施の形態について本発明を説明したが、本発明の趣旨と範囲から逸脱しない範囲で、形状や詳細な部分に種々の変更を行うことが可能である。例えば、図８等において例示した主磁極層の詳細部の形状、サイズおよび材質等は、上記には限定されず、適宜最適なものを採用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッドにおける主磁極層の形成方法の一工程を表すものであり、基板上に連続的に耐ＲＩＥ層、絶縁層およびフォトレジスト層が形成された状態を示す断面図である。
【図２】図１に続く工程を表すものであり、フォトレジスト層のパターン化された状態を示す平面図である。
【図３】図２に続く工程を表す平面図である。
【図４】図３に示した矩形開口部の断面図である。
【図５】図３および図４に続く工程を表すものであり、第２のフォトレジスト層を形成してパターニングした状態を示す平面図である。
【図６】図５に続く工程を表すものであり、絶縁層に型枠が形成された状態を示す平面図である。
【図７】比較例に係る主磁極層形成用型枠の構成を示す平面図である。
【図８】絶縁層を取り除いた状態での主磁極層の斜視図である。
【図９】垂直磁気記録ヘッドの断面図である。
【図１０】従来の垂直磁気記録ヘッドの主磁極層を表す平面図である。
【図１１】図１０に示した主磁極層の斜視図である。
【図１２】従来の主磁極層形成方法によって形成された主磁極層形成用型枠の平面図である。
【図１３】従来の主磁極層形成方法の一工程におけるフォトレジスト層の平面図である。
【符号の説明】
【００６０】
２９…基板、３０…耐ＲＩＥ層、３０ｍ…ヨーク対応部分、３０ｐ…磁極対応部分、３１…絶縁膜、３１ｂ…底部、３１ｓ…側壁、３１ｔ…最上部、３２，５６…ＡＢＳ予定面、３３…辺（断面）、３６…開口部、３７…矩形溝、３５，３８，３９…面、３８ａ…第１の辺、３８ｂ…第２の辺、３８ｃ…第３の辺、３８ｄ…第４の辺、３８ｅ…第５の辺、３８ｆ…集束点、４０…主磁極層、４０ｍ…ヨーク、４０ｐ…記録磁極、４０ｓ…側壁、５０…第１のフォトレジスト層、５１…第２のフォトレジスト層、５５…ネック遷移点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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