(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器と、
基板を保持するスピンチャックを有し、前記容器内で前記基板を保持し回転させる基板回転機構と、
前記基板回転機構に保持された前記基板上に、該基板の表面を処理するための処理液を供給する処理液供給機構と、
前記処理液が付着した容器を洗浄する容器洗浄を行う際に、前記処理液で処理する処理基板に代え、容器洗浄に用いる容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する基板供給機構と、
前記容器洗浄基板を常温に制御するための基板温度制御機構と
を備えることを特徴とする基板処理装置において、
前記基板温度制御機構は、
前記容器洗浄基板を載置する容器洗浄基板ホルダと、
前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を常温に制御するための第１の基板温度制御機構と、
前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する直前に前記容器洗浄基板を常温より低い温度に制御するための第２の基板温度制御機構と
を備え、
前記容器洗浄基板ホルダは、該容器洗浄基板ホルダの上面の形状が前記スピンチャックの前記基板と接する部分の形状と略等しく、前記容器洗浄を行う際に前記第１の基板温度制御機構又は前記第２の基板温度制御機構を用いて該上面に載置した前記容器洗浄基板の中心部の温度を優先して制御する、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記上面の形状は、略円形の形状であり、
前記略円形の直径は、前記スピンチャックの前記基板と接する部分の直径と略等しい、
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記容器洗浄基板ホルダは、前記第１の温度制御手段を用いて前記容器洗浄基板を常温に制御した後、前記基板保持機構に前記容器洗浄基板を供給する直前に、前記第２の温度制御手段を用いて前記容器洗浄基板を常温より低い温度に制御する、
ことを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の基板温度制御機構は、水を用い、
前記第２の基板温度制御機構は、ペルチエ素子を用いる、
ことを特徴とする請求項１乃至３何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
容器と、基板を保持するスピンチャックを有し、前記容器内で前記基板を保持し回転させる基板回転機構と、前記基板回転機構に保持された前記基板上に、該基板の表面を処理するための処理液を供給する処理液供給機構と、前記処理液が付着した容器を洗浄する容器洗浄を行う際に、前記処理液で処理する処理基板に代え、容器洗浄に用いる容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する基板供給機構と、前記容器洗浄基板を常温に制御するための基板温度制御機構とを備え、
前記基板温度制御機構は、前記容器洗浄基板を載置する容器洗浄基板ホルダと、前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を常温に制御するための第１の基板温度制御機構と、前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する直前に前記容器洗浄基板を常温より低い温度に制御するための第２の基板温度制御機構とを備える基板処理装置であって、
前記容器洗浄基板ホルダは、該容器洗浄基板ホルダの上面の形状が前記スピンチャックの前記基板と接する部分の形状と略等しく、前記容器洗浄を行う際に前記第１の基板温度制御機構又は前記第２の基板温度制御機構を用いて該上面に載置した前記容器洗浄基板の中心部の温度を優先して制御する前記基板処理装置の洗浄方法において、
前記基板供給機構を用いて、基板の表面を処理する前記容器内に設けられた前記基板回転機構に、前記容器を洗浄するための前記容器洗浄基板を供給する工程と、
前記処理液供給機構を用いて、前記容器洗浄基板に前記容器の洗浄を行うための容器洗浄溶剤を供給する工程と、
前記基板回転機構を用いて、前記容器洗浄基板を回転させ、回転遠心力によって前記容器洗浄基板に供給された前記容器洗浄溶剤を飛散させ、飛散した前記容器洗浄溶剤によって前記容器を洗浄する工程とを含み、
前記容器洗浄基板を供給する工程は、前記第１の温度制御手段を用いて前記容器洗浄基板を常温に制御した後、前記基板保持機構に前記容器洗浄基板を供給する直前に、前記第２の温度制御手段を用いて該容器洗浄基板ホルダの上面に載置した前記容器洗浄基板の中心部を常温より低い温度に制御する、
ことを特徴とする基板処理装置の洗浄方法。
【請求項６】
前記第１の温度制御手段は、水であり、
前記第２の温度制御手段は、ペルチエ素子であることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置の洗浄方法。
【請求項７】
前記容器洗浄基板の前記基板保持機構に保持される部分の温度を直接制御することを特徴とする請求項５又は６に記載の基板処理装置の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及びその洗浄方法に係り、特に半導体ウェハ等の被処理基板上にフォトレジスト液の塗布を行う基板処理装置及びその洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体装置や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィ技術によって所望の回路を形成する。このフォトリソグラフィ技術においては、ウェハ等の基板の表面にレジスト液を塗布し、これを所定のパターンに露光し、さらに現像処理することにより基板上に所定パターンのレジスト膜を形成する。次いで、その所定パターンのレジスト膜をマスクとしてエッチング処理を行うことにより所定パターンの回路を形成する。
【０００３】
現在、ウェハにレジスト液を塗布するための方法としては、スピンコーティング法が主流をなしている。このスピンコーティング法では、ウェハの中心部にレジスト液を滴下した後、ウェハを高速で回転させることによってレジスト液を回転遠心力によってウェハ全体に拡散させ、ウェハの全面に亘って略均一に塗布する。そして、このとき、余剰のレジスト液は回転遠心力によってウェハの縁部から飛散して除去される。このため、スピンコーティング法においては、カップ状の容器内でウェハを回転させ、このウェハから飛散するレジスト液を受け止めるようにしている。この方法では、この容器の内側にウェハから飛散したレジスト液が付着するため、必要に応じてこの容器を洗浄する必要がある。
【０００４】
容器の内側に付着した処理液を洗浄する技術として、容器の洗浄に用いる専用の基板（以下、容器洗浄基板という）を、洗浄すべき容器内に搬入してスピンチャック上に保持させ、高速で回転させる。次いで、高速回転する容器洗浄基板の上面又は下面に容器洗浄専用の洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルを対向させ、容器洗浄基板の上面又は下面に洗浄液を供給する。これにより、供給された洗浄液を洗浄基板の回転遠心力によって洗浄基板の縁部から飛散させ、容器の内側部分に噴き付けて容器の洗浄を行う（例えば、特許文献１乃至３参照）。
【０００５】
更に、上記のような容器を洗浄する技術は、装置がオンライン化され、露光装置等の半導体装置やＬＣＤ等の製造プロセスにおける他の装置と合わせて一括管理されるのが通常である昨今では、自動洗浄機能として必須になりつつある。即ち、基板の処理を行う基板処理工程の間に、定期的に容器を自動洗浄する工程を行うのである（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平７−６６１１６号公報
【特許文献１】特開平１０−１４４５９９号公報
【特許文献２】特開２０００−３１５６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記の技術を用いて基板処理装置の容器の洗浄を行う場合、次のような問題があった。
【０００７】
上記のような基板処理装置においては、フォトレジスト塗布前後の基板表面に所定の処理を行うため、幾つかの熱板（ホットプレート）が備えられている。これらの熱板（ホットプレート）は、１３０〜２５０℃程度の温度に温度制御されているため、基板処理装置内部の温度を上昇させ、同じく基板処理装置の内部に格納されている容器洗浄基板の温度を上昇させる。この温度が上昇した状態の容器洗浄基板を用いて容器の洗浄を行うと、容器洗浄基板を保持するスピンチャックへ熱が伝導され、スピンチャックの温度が上昇する。
【０００８】
或いは、容器洗浄時の容器洗浄基板の回転時間が通常のフォトレジストの塗布工程における回転時間より長いため、容器洗浄の際に下部のモータからの発熱によってもスピンチャックの温度が上昇する。
【０００９】
このようにスピンチャックの温度が上昇すると、容器洗浄工程の後、容器洗浄基板に代え、通常の基板をスピンチャックに保持し、フォトレジスト液の塗布工程を行う際に、基板の温度が上昇するため、フォトレジスト液の乾燥速度が増大し、フォトレジスト膜の膜厚が増大するという問題があった。特にスピンチャックの直上の部分に相当する基板の中心部において、温度の上昇が著しいため、基板中心部におけるフォトレジスト膜の膜厚が基板の周縁部におけるフォトレジスト膜の膜厚に比べ厚くなるという問題があった。このようなフォトレジスト膜の膜厚の変動は、その後露光、現像を行って形成されるフォトレジスト膜のパターンの線幅の変動の原因となる。
【００１０】
一方、上述したスピンチャックの温度の上昇を防止し、フォトレジスト膜の膜厚が不均一になるのを防止するためには、容器洗浄工程の後、通常の基板にフォトレジスト液の塗布工程を行うまでの間に、スピンチャックの温度が常温に戻るまでの６００秒程度の時間待ち（以下、なまし時間）を行う必要があった。そのため、なまし時間の分だけ処理時間が長くなるという問題があった。
【００１１】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板の処理を行う容器を洗浄する容器洗浄工程を行う際に、容器洗浄工程に要する時間を短縮すると共に、容器洗浄工程終了後の通常の基板の処理再開時のフォトレジスト膜の膜厚の変動を抑えることのできる基板処理装置及びその洗浄方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１３】
第１の発明は、容器と、基板を保持するスピンチャックを有し、前記容器内で前記基板を保持し回転させる基板回転機構と、前記基板回転機構に保持された前記基板上に、該基板の表面を処理するための処理液を供給する処理液供給機構と、前記処理液が付着した容器を洗浄する容器洗浄を行う際に、前記処理液で処理する処理基板に代え、容器洗浄に用いる容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する基板供給機構と、前記容器洗浄基板を常温に制御するための基板温度制御機構とを備えることを特徴とする基板処理装置において、前記基板温度制御機構は、前記容器洗浄基板を載置する容器洗浄基板ホルダと、前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を常温に制御するための第１の基板温度制御機構と、前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する直前に前記容器洗浄基板を常温より低い温度に制御するための第２の基板温度制御機構とを備え、前記容器洗浄基板ホルダは、該容器洗浄基板ホルダの上面の形状が前記スピンチャックの前記基板と接する部分の形状と略等しく、前記容器洗浄を行う際に前記第１の基板温度制御機構又は前記第２の基板温度制御機構を用いて該上面に載置した前記容器洗浄基板の中心部の温度を優先して制御する、ことを特徴とする。
【００１４】
第２の発明は、第１の発明に係る基板処理装置において、前記上面の形状は、略円形の形状であり、前記略円形の直径は、前記スピンチャックの前記基板と接する部分の直径と略等しい、ことを特徴とする。
【００１５】
第３の発明は、第１又は第２の発明に係る基板処理装置において、前記容器洗浄基板ホルダは、前記第１の温度制御手段を用いて前記容器洗浄基板を常温に制御した後、前記基板保持機構に前記容器洗浄基板を供給する直前に、前記第２の温度制御手段を用いて前記容器洗浄基板を常温より低い温度に制御する、ことを特徴とする。
【００１６】
第４の発明は、第１乃至第３何れか一つの発明に係る基板処理装置において、前記第１の基板温度制御機構は、水を用い、前記第２の基板温度制御機構は、ペルチエ素子を用いる、ことを特徴とする。
【００１７】
第５の発明は、容器と、基板を保持するスピンチャックを有し、前記容器内で前記基板を保持し回転させる基板回転機構と、前記基板回転機構に保持された前記基板上に、該基板の表面を処理するための処理液を供給する処理液供給機構と、前記処理液が付着した容器を洗浄する容器洗浄を行う際に、前記処理液で処理する処理基板に代え、容器洗浄に用いる容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する基板供給機構と、前記容器洗浄基板を常温に制御するための基板温度制御機構とを備え、前記基板温度制御機構は、前記容器洗浄基板を載置する容器洗浄基板ホルダと、前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を常温に制御するための第１の基板温度制御機構と、前記容器洗浄基板ホルダの内部に、前記容器洗浄基板を前記基板回転機構上に供給する直前に前記容器洗浄基板を常温より低い温度に制御するための第２の基板温度制御機構とを備える基板処理装置であって、前記容器洗浄基板ホルダは、該容器洗浄基板ホルダの上面の形状が前記スピンチャックの前記基板と接する部分の形状と略等しく、前記容器洗浄を行う際に前記第１の基板温度制御機構又は前記第２の基板温度制御機構を用いて該上面に載置した前記容器洗浄基板の中心部の温度を優先して制御する前記基板処理装置の洗浄方法において、前記基板供給機構を用いて、基板の表面を処理する前記容器内に設けられた前記基板回転機構に、前記容器を洗浄するための前記容器洗浄基板を供給する工程と、前記処理液供給機構を用いて、前記容器洗浄基板に前記容器の洗浄を行うための容器洗浄溶剤を供給する工程と、前記基板回転機構を用いて、前記容器洗浄基板を回転させ、回転遠心力によって前記容器洗浄基板に供給された前記容器洗浄溶剤を飛散させ、飛散した前記容器洗浄溶剤によって前記容器を洗浄する工程とを含み、前記容器洗浄基板を供給する工程は、前記第１の温度制御手段を用いて前記容器洗浄基板を常温に制御した後、前記基板保持機構に前記容器洗浄基板を供給する直前に、前記第２の温度制御手段を用いて該容器洗浄基板ホルダの上面に載置した前記容器洗浄基板の中心部を常温より低い温度に制御する、ことを特徴とする。
【００１８】
第６の発明は、第５の発明に係る基板処理装置の洗浄方法において、前記第１の温度制御手段は、水であり、前記第２の温度制御手段は、ペルチエ素子であることを特徴とする。
【００１９】
第７の発明は、第５又は第６の発明に係る基板処理装置の洗浄方法において、前記容器洗浄基板の前記基板保持機構に保持される部分の温度を直接制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、基板の処理を行う容器を洗浄する容器洗浄工程を行う際に、容器洗浄工程に要する時間を短縮すると共に、容器洗浄工程終了後の通常の基板の処理再開時のフォトレジスト膜の膜厚の変動を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
（レジスト液塗布装置）
始めに、図１及び図２を参照し、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明する。
【００２２】
図１は、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置を示す概略構成図である。レジスト液塗布装置は、ベース２と、ベース２に保持され上面にウェハＷを保持するスピンチャック機構３と、ベース２に固定されスピンチャック機構３の周囲を覆うカップ状の容器４と、スピンチャック機構３の上方に対向可能に設けられ、ウェハＷ上に処理液としてのレジスト液を滴下するレジスト液吐出ノズル５と、スピンチャック機構３の上方に対向可能に設けられ、ウェハＷ又は容器洗浄基板９４に溶剤としてのシンナーを供給する溶剤吐出ノズル６とを有する。
【００２３】
また、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置は、メインアーム機構７を有する。メインアーム機構７は、スピンチャック機構３に対し、レジスト液の塗布処理を行うウェハＷと後述する容器洗浄基板とを選択的に供給する。
【００２４】
次に、各機構について詳しく説明する。
【００２５】
まず、スピンチャック機構３は、スピンチャック９と、スピンチャック９を回転駆動するためのサーボモータよりなるモータ１０とを有する。スピンチャック９は、その上面に真空チャック溝１１を有し、真空チャック溝１１は、スピンチャック９を通してバキューム装置１２に接続されている。
【００２６】
従って、バキューム装置１２を作動させることによってウェハＷ（又は容器洗浄基板）をスピンチャック９上に吸着保持することができ、且つ、モータ１０を作動させることで吸着保持したウェハＷ（又は容器洗浄基板）を回転させることができるようになっている。
【００２７】
スピンチャック９の上面には、微細な突起１４が散設されており、吸着保持されたウェハＷとスピンチャック９との間に所定の隙間を生じさせるように構成される。これにより、ウェハＷ周辺の雰囲気制御された気体が、ウェハＷの下面側部分にも流通するようになっている。なお、突起１４の高さは、突起１４の間を流通する気流によりスピンチャック９上にウェハＷを確実に吸着保持することができる寸法に調節されている。
【００２８】
モータ１０及びバキューム装置１２は中央制御装置１５に接続されており、スピンチャック機構３は、中央制御装置１５からの指令によって作動するようになっている。
【００２９】
ベース２には、ウェハＷ（又は容器洗浄基板）の裏面に向けて溶剤としてのシンナーを噴射する溶剤噴射ノズル１６が設けられる。溶剤噴射ノズル１６は、制御弁１８を介して溶剤供給源１９に接続される。また、ベース２の周縁部には、複数の排液管１７が設けられ、ベース２上で受けた不要なレジスト液又は溶剤を排出できるように構成されている。
【００３０】
容器４は、ベース２に取付けられた内カップ２０と、内カップ２０の外側を覆うように設けられた外カップ２１とよりなる。内カップ２０は、径方向外側に向かってしだいに高さが低くなるように傾斜し、不要な排出気液をこの方向に導く傾斜部２２と、傾斜部２２に連結され略垂直に下方向に延出された分離板２３を有する。外カップ２１は、内カップ２０の傾斜部２２及び分離板２３を外側から囲むように設けられ、分離板２３と共に断面略Ｕ字状の気液流路２８を形成する外側壁部２４と、外側壁部２４の内側に配置され、Ｕ字状の気液流路２８を通過した排出気体を容器４の下方向へ排出する排気口２５とを有する。また、Ｕ字状の気液流路２８の底面には、排液口２６が設けられる。
【００３１】
このような構成によれば、分離板２３によって液体と気体とが分離され、液体は、気液流路２８の底面に設けられた排液口２６から排出され、気体は、排気口２５から排出される。なお、排気口２５に接続された排気管２９の途中にはオートダンパ３０が設けられ、容器４内の雰囲気の排気／停止を中央制御装置１５の指令により切り換えるように制御される。
【００３２】
レジスト液吐出ノズル５は、スピンチャック機構３及び容器４の直上に対向可能に設けられたアーム３２に保持される。レジスト液吐出ノズル５は、ホルダ３３を介してアーム３２に着脱自在に取付けられ、後で説明するように交換可能に構成される。
【００３３】
レジスト液吐出ノズル５は、図示しない温度制御機構によって温度制御される供給管３５を介し、レジスト液供給タンク３６に接続される。供給管３５の中途部には、レジスト液供給用のバルブ３７及びポンプ３８（例えばベローズポンプ）が設けられる。バルブ３７、ポンプ３８は、例えばエア源３９から供給されるエアにより作動するようになっている。エア源３９は、中央制御装置１５からの指令に基づいて動作することによって、レジスト液供給タンク３６からレジスト液を吸い上げ、レジスト液吐出ノズル５を通じてウェハＷ上に滴下するようになっている。
【００３４】
図２は、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置の上面図である。図２に示されるように、レジスト液吐出ノズル５を保持したアーム３２は、Ｙ駆動機構５４によってＹ方向位置決め駆動可能に保持される。Ｙ駆動機構５４は、Ｙ方向に沿って容器４の外側まで延出されたＹレール５５を有し、レジスト液吐出ノズル５をウェハＷに対向する位置とノズル待機部５６との間で駆動できるようになっている。
【００３５】
ノズル待機部５６には、ホルダ３３'に保持された３つのレジスト液吐出ノズル５'が収納される。各レジスト液吐出ノズル５'は、それぞれ異なる種類のレジスト液を収納する図示しないレジスト液タンクに接続されており、アーム３２に保持されているレジスト液吐出ノズル５と交換できるようになっている。従って、本実施の形態では、４種類のレジスト液を選択的に供給できるように構成されている。また、ノズル待機部５６は、各レジスト液吐出ノズル５をＸ方向に駆動してアーム３２の先端部に対向位置決めできるように構成される。
【００３６】
更に、レジスト液塗布装置は、図２の５７に示されるように、サイドリンスノズル５７を有する。サイドリンスノズル５７は、ウェハＷの周縁部のみに溶剤を供給し、不要なレジスト液膜を溶解して除去する。
（容器洗浄用溶剤供給システム）
次に、図３を参照し、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置の容器洗浄に関連する部分を説明する。
【００３７】
図３は、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置の容器洗浄用の溶剤供給システムの制御系統を説明するための図である。
【００３８】
溶剤供給システムは、容器洗浄用の溶剤供給システムであり、中央制御装置１５と、中央制御装置１５が制御するモータ１０、バキューム装置１２、オートダンパ３０、エア源３９等よりなる。
【００３９】
中央制御装置１５は、データ格納部４５と、容器洗浄条件４７に応じて溶剤供給系（エア源等）を制御する溶剤供給系制御部４８と、排気やダウンフロー等によりスピンチャック機構３周辺の雰囲気を制御する雰囲気制御部４９と、ウェハＷの回転駆動系（スピンチャック機構等）を制御するウェハ駆動系制御部５０とを有する。
【００４０】
データ格納部４５は、プリウェット条件４６、容器洗浄条件４７、等の予め用意された各種の制御データを含む。このうち、容器洗浄条件４７は、例えば、供給する溶剤の供給量、供給速度、雰囲気、ウェハ回転速度等の条件の制御データを含む。溶剤供給系制御部４８が、例えば、容器洗浄条件４７に基づいた制御を行う場合、エア源３９を通して制御弁１８を制御することによって、例えば溶剤の供給時間又は供給速度を、容器洗浄条件４７に適したものに制御する。本実施の形態のように、溶剤がＮ２ガス加圧により供給される場合、溶剤の単位時間当たりの供給量が一定であるから、制御弁１８の開度、開時間、又はその両方を制御することによって、容器洗浄条件４７に対応した溶剤の供給を行うことができる。
【００４１】
また、雰囲気制御部４９は、容器洗浄条件４７に基づいた制御を行う場合、図示しないダウンフロー発生装置（ＤＦ）、オートダンパ３０及びバキューム装置１２を制御し、溶剤洗浄基板周辺の雰囲気（温度、湿度等）を容器洗浄条件４７に適したものにする。
【００４２】
更に、ウェハ駆動系制御部５０は、容器洗浄条件４７に基づいた制御を行う場合、モータ１０を制御し、ウェハＷの回転数を容器洗浄条件４７に適したものにする。
【００４３】
なお、中央制御装置１５には、ディスプレイ５１及びタッチパネルやキーボード等の入力部５２が接続されており、容器洗浄条件４７を表示できると共に、容器洗浄条件４７の内容を変更及び更新できるように構成されている。従って、例えば、設定した条件では容器の洗浄が十分でない場合、供給する溶剤の量を増加させたり、ウェハＷの回転数を高速にしたりする等の変更を行うことができる。
【００４４】
なお、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置は、容器洗浄用の溶剤供給システムに加え、図示しないプリウェット用の溶剤供給システム、レジスト液用の溶剤供給システム及びサイドリンスノズル用の溶剤供給システムを有し、これらの溶剤供給システムも、容器洗浄用の溶剤供給システムと同様な構成にすることができる。
（容器洗浄基板格納ユニット及び容器洗浄基板）
次に、図２、図４乃至図８を参照し、容器洗浄基板格納ユニット及び容器洗浄基板について説明する。
【００４５】
図４は、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板格納ユニットを模式的に示す斜視図である。図５は、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板格納ユニットを模式的に示す正面図である。図６は、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板ホルダ及び容器洗浄基板ホルダに載置される容器洗浄基板を模式的に示す断面図である。図７（ａ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）は、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板の斜視図、上面図及び側面図である。図８は、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板を用いて容器洗浄を行う場合の溶剤の流れを模式的に示す断面図である。
【００４６】
レジスト液塗布装置は、図２にＷＰで示されるように、容器洗浄基板９４を収容する容器洗浄基板格納ユニットＷＰを有する。容器洗浄基板格納ユニットＷＰは、図４及び図５に示されるように、ユニットプレート９１、架台９２、容器洗浄基板ホルダ９３よりなる。容器洗浄基板格納ユニットＷＰは、図４及び図５に示されるように、２段構造となっており、下段にユニットプレート９１が配置され、架台９２を介して上段に容器洗浄基板ホルダ９３が配置される。
【００４７】
容器洗浄基板ホルダ９３は、図４に示されるように、架台９２の平面視において中央部に略円形の形状を有して設けられ、図５に示されるように、架台９２の上面より突出して設けられる。容器洗浄基板ホルダ９３は、レジスト液塗布装置において、後述する通常のレジスト液塗布工程が行われる際、使用されない容器洗浄基板９４が載置され、収納されると共に、容器洗浄基板９４と熱的に接触することによって、容器洗浄基板９４を温度制御するためのものである。容器洗浄基板９４は、架台９２の上面より突出して設けられる容器洗浄基板ホルダ９３の上面に、容器洗浄基板９４の中心部が載置されるように、収納される。そのため、容器洗浄基板９４の下面の部分であって容器洗浄基板ホルダ９３に当接される部分以外の部分と、架台９２の上面との間には、容器洗浄基板ホルダ９３が架台９２の上面より突出する高さと等しい隙間が生ずる。従って、架台９２の上面に載置して収納される容器洗浄基板９４は、図４に示されるようなメインアーム機構７が上述した隙間を移動する動作を伴うことによって、容器洗浄基板９４を容易に容器洗浄基板ホルダ９３に載置したり、又は容器洗浄基板ホルダ９３より搬出したりすることができる。なお、容器洗浄基板ホルダ９３は、本発明における基板温度制御機構に相当する。
【００４８】
容器洗浄基板ホルダ９３は、図６に示されるように、内部に恒温水を通流するための恒温水配管９５を有する。恒温水配管９５は、外部からの恒温水入口及び外部への恒温水出口を伴って、容器洗浄基板ホルダ９３の内部を還流するように設けられる。恒温水は、容器洗浄基板ホルダ９３を常温に保持すると共に、容器洗浄基板ホルダ９３の上に載置され収納される容器洗浄基板９４を常温に保持するためのものである。恒温水の温度は、常温であれば、特に限定されるものではないが、例えば２３℃とすることができる。なお、恒温水配管９５は、本発明における第１の基板温度制御機構に相当し、恒温水は、本発明における第１の温度制御手段に相当する。
【００４９】
また、容器洗浄基板ホルダ９３は、図６に示されるように、内部にペルチエ素子９６を有する。ペルチエ素子９６は、外部に設けられる温調器と電気的に接続され、温調器は、中央制御装置と電気的に接続される。ペルチエ素子９６は、その両端に電圧を印加することによって、端子間で熱を移動させ、片方の端子において冷熱を発生させるものであり、公知のものを用いることができる。ペルチエ素子９６は、本実施の形態では、容器洗浄基板ホルダ９３を所定の温度に保持すると共に、容器洗浄基板ホルダ９３の上に載置され収納される容器洗浄基板９４を所定に温度に制御するためのものである。但し、ペルチエ素子９６は、常温より低い温度に制御することが容易に可能であるため、恒温水によって常温に制御された容器洗浄基板９４を、常温より低い温度に制御することができる。ここでいう常温より低い温度とは、特に限定されるものではないが、例えば常温を２３℃とした場合、常温より０．５℃低い２２．５℃とすることができる。なお、ペルチエ素子９６は、本発明における第２の基板温度制御機構及び第２の温度制御手段に相当する。
【００５０】
容器洗浄基板ホルダ９３の材質は、ある程度熱伝導する材質であればよく、特に限定されるものではないが、例えばＳＵＳを用いることができる。恒温水配管９５の材質は、特に限定されるものではなく、容器洗浄基板ホルダ９３の外部において、例えばＳＵＳ管を用いることができ、容器洗浄基板ホルダ９３の内部において、容器洗浄基板ホルダ９３に穿設された配管、又は容器洗浄基板ホルダ９３の内部の空間に配設されると共にそれ自身と容器洗浄基板ホルダ９３本体との隙間が熱伝導の良好な樹脂等で充填された配管を、用いることができる。
【００５１】
また、容器洗浄基板ホルダ９３の直径は、スピンチャック９の直径と略等しい。後述するように、容器洗浄工程終了直後の基板のレジスト液塗布工程において、温度の上昇に伴ってレジスト膜厚が増大するのは、主にスピンチャック９に保持される部分である。即ち、容器洗浄基板９４の下面全体を冷却する必要はなく、容器洗浄基板９４の下面の部分であってスピンチャック９に保持される部分を冷却すれば十分である。従って、容器洗浄基板ホルダ９３の直径は、スピンチャック９の直径と略等しくすることができ、例えば１００ｍｍとすることができる。
【００５２】
容器洗浄基板ホルダ９３の直径をスピンチャック９の直径と略等しくすることにより、容器洗浄基板９４の中心部を優先して温度制御することができるため、恒温水の通流量、ペルチエ素子９６の消費電力を低減することができる。
【００５３】
更に、容器洗浄基板格納ユニットＷＰに収納された容器洗浄基板９４は、メインアーム機構７によって搬送路６０内を搬送され、容器洗浄時にはウェハＷに代え、スピンチャック９上に移載されるようになっている。
【００５４】
容器洗浄基板９４は、容器洗浄基板ホルダ９３の上に載置された状態で保管される。容器洗浄基板９４は、メインアーム機構７によって容器洗浄基板格納ユニットＷＰとレジスト液塗布装置との間を搬送される。このように、容器洗浄基板９４は、レジスト液塗布装置の容器４の外部に設けられるので、レジスト液塗布装置自体は大型化することがない。
【００５５】
なお、容器洗浄基板９４の下面には、容器洗浄基板ホルダ９３が嵌合するように凹部を形成することもでき、そのような凹部を設けることにより、レジスト液塗布装置内で、容器洗浄基板９４を、位置ずれさせることなく、確実に収納することができる。
【００５６】
次に、容器洗浄基板９４を、図７（ａ）乃至図７（ｃ）を参照して説明する。
【００５７】
容器洗浄基板９４は、円板状の形状を有する。容器洗浄基板９４は、熱伝導率がウェハＷの熱伝導率と略同じ材質で形成される。容器洗浄基板９４は、中心部９４ａと、中心部の周縁部であってウェハＷの厚さと略同等の厚さを有し、中心部９４ａと当接する部分にウェハＷより厚い係止部を有する周縁部９４ｂとよりなる。中心部９４ａ及び周縁部９４ｂは、中心部９４ａとして例えばポリアセタール（ＰＯＭ）、周縁部９４ｂとして例えばエポキシ樹脂を用いることができる。但し、容器洗浄基板９４の材質は、その熱伝導率や密度がウェハＷとさほど異ならない材質であれば、特に限定されるものではなく、その他にも、例えば中心部９４ａとしてポリプロピレン（ＰＰ）、周縁部９４ｂとして例えばポリエチレン（ＰＥ）を用いることができる。
【００５８】
次に、本実施の形態に係るレジスト塗布装置に容器洗浄基板９４が搬入され、容器洗浄が行われる様子を、図８を参照して説明する。
【００５９】
図８に示されるように、容器洗浄基板９４は、ウェハＷと同様にスピンチャック９上に吸着保持されて回転駆動される。そして、溶剤吐出ノズル６から容器洗浄条件に基づいて制御された溶剤が吐出されると、この溶剤を回転遠心力によって径方向外側に案内する。径方向外側に案内される溶剤は、容器洗浄基板９４の下面の縁部から略水平方向に飛散させられる（Ｃ）。容器洗浄基板９４の下面の周縁部から悲惨した溶剤は、容器４（外カップ２１）の内面に直接噴き付けられ、容器４に付着しているレジスト液を溶解して洗浄する。
（レジスト液塗布工程及び第１の容器洗浄工程）
次に、図８、図９、図１０乃至図１３を参照しながら、本実施の形態における第１の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程について説明する。
【００６０】
図９は、本実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、第１の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程のフローチャートである。図１０は、図９のフローチャートに含まれる工程のうち、容器洗浄工程に含まれる各工程を、図９のフローチャートのステップと照合しながら時間軸に沿って示すタイムチャートである。図１１（ａ）〜（ｄ）は、図９のフローチャートに含まれる各工程におけるレジスト液塗布装置の動作状態を示す図である。図１２は、容器洗浄工程の後、レジスト液塗布工程を再開した際の最初の３枚のウェハのレジスト膜の膜厚分布を測定した結果を示す図である。図１３は、比較のために、第２の基板温度制御機構を用いず、第１の基板温度制御機構だけで温度制御を行った場合に、容器洗浄工程の後、レジスト液塗布工程を再開した際の最初の３枚のウェハのレジスト膜の膜厚分布を測定した結果を示す図である。
（１）予備工程（ステップＳ１）
先ず、オペレータは、図３に示される入力部５２を通じて塗布すべきレジスト液を選択する等、各種の設定を行う。この設定に基づいて、待機ユニット５６からピックアップされるレジスト液吐出ノズル５（レジスト液供給系統）の種類が決定される。
【００６１】
また、第１の基板温度制御機構をＯＮにする（ステップＳ１）。即ち、容器洗浄基板ホルダ９３に恒温水を通水し、容器洗浄基板ホルダ９３及び容器洗浄基板ホルダ９３に載置され収容されている容器洗浄基板９４の温度を常温に制御する。
（２）プリウェット工程（ステップＳ２〜Ｓ６、図１１（ａ））
まず、メインアーム機構７によりウェハＷをスピンチャック９上に載置させる（ステップＳ２）。一方、中央制御装置１５は、データ格納部４５からプリウェット条件４６を取出す（ステップＳ３）。次に、溶剤吐出ノズル６をウェハＷの中心部上に移動させ対向させる（ステップＳ４）。溶剤吐出ノズル６に接続された図示しない制御弁は、塗布するレジスト液に対応したプリウェット条件に基づいて制御され、ウェハＷ上に例えば２ｍｌの溶剤を供給する（ステップＳ５、図１１（ａ））。
【００６２】
次いで、ウェハＷの回転を停止し、例えばプリウェット条件に基づいて２０００ｒｐｍで回転させながら遠心力により溶剤を拡散し、溶剤膜を形成する（ステップＳ６）。このようなプリウェット処理によれば、ウェハＷに直接レジスト液を塗布する場合に比べてレジスト液が滑りやすく即ち拡散しやすくなる。このため少量のレジストであってもウェハＷ全体にレジスト液を拡散することができるので、レジスト液の消費量を大幅に低減することができる。
（３）レジスト液塗布工程（ステップＳ７〜Ｓ１１、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ））
以上のプリウェット工程が終了すると、レジスト液吐出ノズル５をウェハＷの中心部上に移動させてウェハに対向させ（ステップＳ７）、例えばウェハＷを約４０００ｒｐｍで回転させながら所定のレジスト液を滴下する（ステップＳ８、図１１（ｂ））。その後一旦ウェハＷの回転数を例えば１５００ｒｐｍまで低下させてレジスト膜に作用する遠心力を低減してレジスト膜がウェハＷの周縁部において厚くなるのを防止する（ステップＳ９）。次いで、再びウェハＷの回転数を例えば３０００ｒｐｍに上昇させてレジスト膜を乾燥させる（ステップＳ１０）。
【００６３】
ウェハＷの上面にレジスト膜が形成されたならば、ウェハＷの周縁部の不要なレジスト膜の除去を行う（ステップＳ１１）。即ち、図１１（ｃ）に示されるように、ウェハＷを回転させながら、ウェハＷの上面の周縁部にサイドリンスノズル５７を対向させ、このサイドリンスノズル５７から供給された溶剤によってウェハＷの周縁部の不要なレジスト膜を溶解除去する。サイドリンスノズル５７は、先端が先細形状に形成され、溶剤の供給位置精度が高くなるように構成される。これにより、不要なレジスト膜を少ない用材でより効果的に除去することができ、基板処理のスループットを向上させることができる。
【００６４】
なお、上記のレジスト液塗布処理工程中は、図示しない温湿度調整器により、常時、温度はクリーンルーム内の設定気温と同一の温度例えば２３℃、湿度は常に４０％を保つように雰囲気調整される。これにより、ウェハＷ毎の膜厚ばらつきの発生を抑制することができる。
【００６５】
不要なレジスト膜が除去されたならば、ウェハＷを高回転で回転させて溶剤を振り切る。このことで、一連のレジスト液塗布工程を終了する。処理の終了したウェハはメインアーム機構７によって搬出され、次の処理ユニット（後で説明するポストベークユニット）へ搬送される。
（４）第１の判定工程（ステップＳ１２及びＳ１３）
次に、ステップＳ１２で容器洗浄に備え、第２の基板温度制御機構であるペルチエ素子９６をＯＮにするかを判断する。この判断は、例えば、前回の容器洗浄工程の後、Ｓ７〜Ｓ１１のレジスト液塗布工程の処理を行ったウェハＷの処理枚数が何枚になったか、又は前回の容器洗浄工程の後、経過時間がどのくらいになったか、に基づいて判定を行う。
【００６６】
処理枚数又は経過時間が、ステップＳ１２で第２の基板温度制御機構をＯＮにすると判断するための所定の枚数又は時間に達していない場合は、図９及び図１０に示されるように、ステップＳ２〜Ｓ１１の工程を継続し、ウェハＷに対するレジスト液塗布工程を行う。また、処理枚数又は経過時間が、ステップＳ１２で第２の基板温度制御機構をＯＮにすると判断するための所定の枚数又は時間に達した場合は、図９及び図１０に示されるように、第２の基板温度制御機構、即ち本実施の形態においては、ペルチエ素子９６をＯＮにし（ステップＳ１３）、第２の判定工程へ進む。
（５）第２の判定工程（ステップＳ１４）
次に、ステップＳ１４で容器洗浄を開始するかを判断する。この判断は、例えば、ステップＳ１２における第１の判定工程の後、Ｓ７〜Ｓ１１のレジスト液塗布工程の処理を行ったウェハＷの処理枚数が何枚になったか、又は経過時間がどのくらいになったか、に基づいて判定を行う。
【００６７】
処理枚数又は経過時間が、ステップＳ１４で容器洗浄を行うと判断するための所定の枚数又は時間に達していない場合は、図９及び図１０に示されるように、ステップＳ２〜Ｓ１１の工程を継続し、Ｓ１２及びＳ１３においては、第２の基板温度制御機構がＯＮであり、容器洗浄基板９３が常温より低い温度に制御されていることを確認する。
（６）容器洗浄工程（ステップＳ１５〜Ｓ２０、図１１（ｄ））
一方、処理枚数又は経過時間が、ステップＳ１４で容器洗浄を開始すると判断するための所定の枚数又は時間に達した場合は、図９及び図１０に示されるように、ステップＳ１５〜Ｓ２０を実行する。
【００６８】
容器洗浄工程においては、まず、ペルチエ素子９６（第２の基板温度制御機構）をＯＦＦにし、容器洗浄基板格納ユニットＷＰから容器洗浄基板９４を取出し、メインアーム機構７によって容器洗浄基板９４を搬送する（ステップＳ１５）。ここで搬送される容器洗浄基板９４は、常温より低い温度に制御されている。
【００６９】
また、容器洗浄基板９４が搬送されると同時に、中央制御装置１５がデータ格納部４５から使用したレジスト液に応じた容器洗浄条件を取出す（ステップＳ１６）。
【００７０】
搬送された容器洗浄基板９４は、メインアーム機構７によってスピンチャック９上に載置される。そして、中央制御装置１５は、容器洗浄条件に基づいてモータ１０を作動させ、容器洗浄基板９４を例えば２０００ｒｐｍで回転させる。次いで、制御弁４４が容器洗浄条件に基づいて制御され、容器洗浄基板９４に向けて例えば毎分６０ｍｌの溶剤を、所定時間供給する（ステップＳ１７〜ステップＳ１８、図１１（ｄ））。
【００７１】
ここで、本実施の形態で行われる容器洗浄工程における、モータの回転速度及び回転時間の一例を表１に示す。
【００７２】
【表１】
0005448373.tif 000002
これにより、図８、図１１（ｄ）に示されるように、容器洗浄基板９４の縁部から溶剤が飛散し、容器４（外カップ２１）の内側に直接吹付けられ、付着したレジスト液を溶解し、除去する。なお、溶剤の噴き付け位置は、容器洗浄基板９４の回転数すなわち遠心力によって変化する。例えば、回転数を低くすることで、外カップ２１の低い位置に直接溶剤を噴き付けることができる。
【００７３】
なお、容器洗浄基板９４の回転数を２０００ｒｐｍまで徐々に上げていくことで、外カップ２１の低い位置から洗浄を開始し次第に高い位置に溶剤の噴き付け位置を移動させることもできる。
【００７４】
容器４の洗浄が終了したならば、溶剤の吐出を停止させ、溶剤を振り切ることで、容器洗浄工程を終了する（ステップＳ１９）。使用した容器洗浄基板９４は、スピンチャック９上から搬出され、容器洗浄基板格納ユニットＷＰに収納される（ステップＳ２０）。
（７）終了工程（ステップＳ２１）
その後、レジスト液塗布工程を再開する場合は、図１０及び図１１に示されるように、ステップＳ２に戻る。また、容器洗浄工程も含めたレジスト液塗布工程を終了する場合は、容器洗浄基板格納ユニットＷＰの恒温水（第１の基板温度制御機構）の通水を停止する（ステップＳ２１）。
【００７５】
ここで、容器洗浄工程の後、レジスト液塗布工程を再開した際の１枚目〜３枚目のウェハのレジスト膜の膜厚分布を行った結果を図１２に示す。ウェハ全体に亘り、膜厚は１３３１〜１３３７ｎｍの範囲内である。
【００７６】
一方、比較のために、第２の基板温度制御機構であるペルチエ素子を用いず、第１の基板温度制御機構である恒温水だけで温度制御を行った場合に、容器洗浄工程の後、レジスト液塗布工程を再開した際の１枚目〜３枚目のウェハのレジスト膜の膜厚分布を測定した結果を図１３に示す。容器洗浄工程の後、１枚目のウェハにおいては、周辺の部分において膜厚が１３２７〜１３３５ｎｍの範囲内にあるのと異なり、中心より半径５０ｍｍ以内の部分、即ちスピンチャック９に保持される部分においては、１３３５〜１３４５ｎｍと膜厚が増大し、周縁部よりも中心部において膜厚が厚くなっている。２枚目、３枚目とレジスト塗布の処理を行うことにより、徐々に中心部での厚さが減少し、通常の膜厚分布に近づく。
【００７７】
従って、第２の基板温度制御機構を併用しない場合には、洗浄後３枚のレジスト液塗布工程の処理を行う時間の分だけ、スピンチャック９が冷却するのを待機時間が必要となる。即ち、容器洗浄工程終了後、レジスト液塗布工程再開までの間に、約１０分の待ち時間が必要となる。この待ち時間を挿入した容器洗浄工程の回転速度及び回転時間を含めた条件を表２に示す。容器洗浄工程は、容器洗浄の約４８０秒（８分）に加え、６００秒（１０分）の待ち時間が付加されるため、合計１８分になる。
【００７８】
【表２】
0005448373.tif 000003
以上、第１の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程を行う場合、第１の温度制御手段である恒温水を用いて容器洗浄基板９４を常温に制御しつつ、スピンチャック９に容器洗浄基板９４を供給する直前に、第２の温度制御手段であるペルチエ素子９６を用いて容器洗浄基板９４を常温より低い温度に制御することにより、容器洗浄基板９４を常温に制御する場合よりも、容器洗浄工程におけるスピンチャック９の温度上昇を抑制することができ、従来必要だった６００秒（１０分）程度の待機時間が不要となり、容器洗浄工程を短縮することができる。よって、次回塗布工程処理の再開も早くなり、生産性が向上する。
（レジスト液塗布工程及び第２の容器洗浄工程）
次に、図１４及び図１５を参照しながら、本実施の形態における第２の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程について説明する。
【００７９】
図１４は、第２の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程のフローチャートである。図１５は、図１４のフローチャートに含まれる工程のうち、容器洗浄工程に含まれる各工程を、図１４のフローチャートのステップと照合しながら時間軸に沿って示すタイムチャートである。
【００８０】
第１の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程のステップＳ１３において、第２の基板温度制御機構をＯＮにするところ、第２の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程のステップＳ１３においては、第２の基板温度制御機構をＯＮにすると共に、第１の基板温度制御機構をＯＦＦにする。
（１）予備工程（ステップＳ１）
先ず、オペレータは、図３に示される入力部５２を通じて塗布すべきレジスト液を選択する等、各種の設定を行うものであり、第１の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程と同一である。
【００８１】
また、第１の基板温度制御機構をＯＮにする（ステップＳ１）。即ち、容器洗浄基板ホルダ９３に恒温水を通水し、容器洗浄基板ホルダ９３及び容器洗浄基板ホルダ９３に載置され収容されている容器洗浄基板９４の温度を常温に制御するのも第１の容器洗浄工程を含む予備工程と同一である。
（２）プリウェット工程（ステップＳ２〜Ｓ６、図１１（ａ））
この工程は、第１の容器洗浄工程を含むプリウェット工程と同一である。
（３）レジスト液塗布工程（ステップＳ７〜Ｓ１１、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ））
この工程も、第１の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程と同一である。
（４）第１の判定工程（ステップＳ１２及Ｓ１３）
次に、ステップＳ１２で容器洗浄に備え、第２の基板温度制御機構をＯＮにするかを判断すると共に、第１の基板温度制御機構をＯＦＦにするかを判断する。この判断は、例えば、前回の容器洗浄工程の後、Ｓ７〜Ｓ１１のレジスト液塗布工程の処理を行ったウェハＷの処理枚数が何枚になったか、又は前回の容器洗浄工程の後、経過時間がどのくらいになったか、に基づいて判定を行う。
【００８２】
処理枚数又は経過時間が、ステップＳ１２で第２の基板温度制御機構をＯＮにすると共に第１の基板温度制御機構をＯＦＦにすると判断するための所定の枚数又は時間に達していない場合は、図１４及び図１５に示されるように、ステップＳ１で第１の基板温度制御機構がＯＮであることを確認した後、ステップＳ２〜Ｓ１１の工程を継続し、ウェハＷに対するレジスト液塗布工程を行う。また、処理枚数又は経過時間が、ステップＳ１２で第２の基板温度制御機構をＯＮにすると共に第１の基板温度制御機構をＯＦＦにすると判断するための所定の枚数又は時間に達した場合は、図１４及び図１５に示されるように、第２の基板温度制御機構、即ち本実施の形態においては、ペルチエ素子９６をＯＮにすると共に第１の基板温度制御機構、即ち本実施の形態においては、冷却水をＯＦＦにし（ステップＳ１３）、第２の判定工程へ進む。
（５）第２の判定工程（ステップＳ１４）
次に、ステップＳ１４で容器洗浄を開始するかを判断する。この判断は、例えば、ステップＳ１２における第１の判定工程の後、Ｓ７〜Ｓ１１のレジスト液塗布工程の処理を行ったウェハＷの処理枚数が何枚になったか、又は経過時間がどのくらいになったか、に基づいて判定を行う。
【００８３】
処理枚数又は経過時間が、ステップＳ１４で容器洗浄を行うと判断するための所定の回数に達していない場合は、ステップＳ１で第１の基板温度制御機構がＯＮであることを確認した後、ステップＳ２〜Ｓ１１の工程を継続し、また、Ｓ１２及びＳ１３においては、第２の基板温度制御機構がＯＮであると共に第１の基板温度制御機構がＯＦＦであり、容器洗浄基板９４が常温より低い温度に制御されていることを確認する。
（６）容器洗浄工程（ステップＳ１５〜Ｓ２０、図１１（ｄ））
一方、処理枚数又は経過時間が、ステップＳ１４で容器洗浄を開始すると判断するための所定の枚数又は時間に達した場合は、図１４及び図１５に示されるように、ステップＳ１５〜Ｓ２０を実行する。
【００８４】
容器洗浄工程においては、まず、ペルチエ素子９６（第２の基板温度制御機構）をＯＦＦにし、容器洗浄基板格納ユニットＷＰから容器洗浄基板９４を取出し、メインアーム機構７によって容器洗浄基板９４を搬送する（ステップＳ１５）。ここで搬送される容器洗浄基板９４は、常温より低い温度に制御されている。
【００８５】
その後、中央制御装置１５がデータ格納部４５から使用したレジスト液に応じた容器洗浄条件を取出し（ステップＳ１６）、容器洗浄基板９４をスピンチャック９上に載置させた後、容器洗浄基板９４を例えば２０００ｒｐｍで回転させ、容器洗浄基板９４に向けて溶剤を、所定時間供給し（ステップＳ１７、図１１（ｄ））、容器を洗浄し（ステップＳ１８）、溶剤の吐出を停止させ、溶剤を振り切り（ステップＳ１９）、使用した容器洗浄基板９４を、スピンチャック９上から容器洗浄基板格納ユニットＷＰに格納する（ステップＳ２０）のは、第１の容器洗浄工程と同一である。
（７）終了工程（ステップＳ２１）
その後、レジスト液塗布工程を再開する場合は、図１４及び図１５に示されるように、ステップＳ１に戻り、第１の温度制御機構をＯＮし、恒温水の通流を再開する。また、容器洗浄工程も含めたレジスト液塗布工程を終了する場合は、容器洗浄基板格納ユニットＷＰの恒温水（第１の基板温度制御機構）の通水を停止する（ステップＳ２１）。
【００８６】
第２の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程を行う場合も、第１の温度制御手段である恒温水を用いて容器洗浄基板９４を常温に制御した後、スピンチャック９に容器洗浄基板９４を供給する直前に、第２の温度制御手段であるペルチエ素子９６を用いて容器洗浄基板９４を常温より低い温度に制御することにより、従来必要だった６００秒程度の待機時間が不要となり、容器洗浄工程を短縮することができる。
【００８７】
更に、第２の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程においては、第１の基板温度制御機構を停止して第２の基板温度制御機構だけを動作させて容器洗浄基板９４の温度を常温より低い温度に制御するため、第１の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程に比べ、容器洗浄基板９４の温度を常温より低い温度に早く到達させることができる。
（第１の実施の形態の第１の変形例）
次に、図１６を参照し、本発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明する。
【００８８】
図１６は、本変形例に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板ホルダ及び容器洗浄基板ホルダに載置される容器洗浄基板を模式的に示す断面図である。ただし、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の変形例、実施の形態についても同様）。
【００８９】
本変形例に係るレジスト液塗布装置は、容器洗浄基板ホルダがペルチエ素子だけを用いる点で、第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置と相違する。
【００９０】
図１６を参照するに、第１の実施の形態において、第１の基板温度制御機構が第１の温度制御手段として恒温水を用い、第２の基板温度制御機構が第２の温度制御手段としてペルチエ素子を用いるのと相違し、本変形例においては、第１の温度制御手段及び第２の温度制御手段として共にペルチエ素子を用いる。
【００９１】
容器洗浄基板ホルダ９３は、図１６に示されるように、第１の基板温度制御機構及び第２の基板温度制御機構として、夫々第１のペルチエ素子９６ａ及び第２のペルチエ素子９６ｂを備える。第１のペルチエ素子９６ａは、容器洗浄基板９４を、例えば２３℃の常温に保持するために用いられる。第２のペルチエ素子９６ｂは、第１のペルチエ素子９６ａによって常温に制御された容器洗浄基板９４を、常温より低い温度である例えば２２．５℃に制御するために用いられる。
【００９２】
第１の基板温度制御機構及び第２の基板温度制御機構を用いて容器洗浄基板９４を温度制御する工程は、第１の実施の方法において、図９及び図１０を用いて説明された第１の容器洗浄工程のステップＳ１３、又は図１４及び図１５を用いて説明された第２の容器洗浄工程のステップＳ１３における温度制御の工程と同一である。即ち、容器洗浄基板９４を容器４に搬送する直前に常温より低い温度に制御する際、第２のペルチエ素子９６ｂを動作させる間、第１のペルチエ素子９６ａを共に動作させてもよく、第１のペルチエ素子９６ａを動作させなくてもよい。第２のペルチエ素子９６ｂを動作させる間、第１のペルチエ素子９６ａを動作させなかった場合は、容器洗浄工程が終了した後に、第１のペルチエ素子９６ａの動作を再び開始する。
【００９３】
このような容器洗浄基板の温度制御を行うことによって、スピンチャック９の温度を常温に制御することができるため、スピンチャック９の第１の実施の形態と同様の効果を有する。
【００９４】
なお、本変形例において、２つのペルチエ素子を用いるが、出力を２段階に調節できるのであれば、２つのペルチエ素子を用いる必要はなく、１つのペルチエ素子を用いて構成することができる。
（第１の実施の形態の第２の変形例）
次に、図１７を参照し、本発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明する。
【００９５】
図１７は、本変形例に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板ホルダ及び容器洗浄基板ホルダに載置される容器洗浄基板を模式的に示す断面図である。
【００９６】
本変形例に係るレジスト液塗布装置は、容器洗浄基板ホルダが水だけを用いる点で、第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置と相違する。
【００９７】
図１７を参照するに、第１の実施の形態において、第１の基板温度制御機構が第１の温度制御手段として恒温水を用い、第２の基板温度制御機構が第２の温度制御手段としてペルチエ素子を用いるのと相違し、本変形例においては、第１の温度制御手段として恒温水を用い、第２の温度制御手段として冷却水を用いる。
【００９８】
容器洗浄基板ホルダ９３は、図１７に示されるように、第１の基板温度制御機構及び第２の基板温度制御機構として、夫々恒温水配管９５ａ及び冷却水配管９５ｂを備え、第１の温度制御手段として恒温水を用い、第２の温度制御手段として冷却水を用いる。恒温水は、容器洗浄基板９４を、例えば２３℃の常温に保持するために用いられる。冷却水配管９５ｂは、恒温水によって常温に制御された容器洗浄基板９４を、常温より低い温度である例えば２２．５℃に制御することができる。
【００９９】
第１の基板温度制御機構及び第２の基板温度制御機構を用いて容器洗浄基板９４を温度制御する工程は、第１の実施の方法において、図９及び図１０を用いて説明された第１の容器洗浄工程のステップＳ１３、又は図１４及び図１５を用いて説明された第２の容器洗浄工程のステップＳ１３における温度制御の工程と同一である。即ち、容器洗浄基板９４を容器４に搬送する直前に常温より低い温度に制御する際、冷却水配管９５ｂを通流させる間、恒温水配管９５ａを共に通流させてもよく、恒温水配管９５ａを通流させなくてもよい。冷却水配管９５ｂを通流させる間、恒温水配管９５ａを通流させなかった場合は、容器洗浄工程が終了した後に、恒温水配管９５ａの通流を再び開始する。
【０１００】
このような容器洗浄基板の温度制御を行うことによって、スピンチャック９の温度を常温に制御することができるため、スピンチャック９の第１の実施の形態と同様の効果を有する。
【０１０１】
なお、本変形例において、恒温水配管９５ａ及び冷却水配管９５ｂという２径統の水配管を用いるが、温度を常温及び常温より低い温度の２段階に調節できるのであれば、独立した２つの水配管を用いる必要はなく、例えば１系統の冷却水配管を用い、流量を２段階に切り換えることによっても構成することができる。
（第１の実施の形態の第３の変形例）
次に、図２、図１８乃至図２０を参照し、本発明の第１の実施の形態の第３の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明する。
【０１０２】
図１８は、本変形例に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板格納ユニットを模式的に示す斜視図である。図１９は、本変形例に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板格納ユニットを模式的に示す正面図である。図２０は、本変形例に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、クーリングプレート及びクーリングプレートに載置される容器洗浄基板を模式的に示す断面図である。
【０１０３】
本変形例に係るレジスト液塗布装置は、容器基板ホルダに代え、クーリングプレートが容器洗浄基板の温度制御を行う点で、第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置と相違する。
【０１０４】
レジスト液塗布装置は、図２にＷＰで示されるように、容器洗浄基板９４を収容する容器洗浄基板格納ユニットＷＰを有する。容器洗浄基板格納ユニットＷＰは、図１８及び図１９に示されるように、クーリングプレート９１ａよりなる。なお、図１８中、符号Ｐは、クーリングプレート９１ａに対して半導体ウェハＷを搬入出するためのピンである。
【０１０５】
クーリングプレート９１ａは、図１９に示されるように、半導体ウェハＷ全体が載置されることができる上面を有する。クーリングプレート９１ａは、レジスト液塗布装置において、通常のレジスト液塗布工程が行われる際、使用されない容器洗浄基板９４が載置され、収納されると共に、容器洗浄基板９４と熱的に接触することによって、容器洗浄基板９４を温度制御するためのものである。なお、クーリングプレート９１ａは、本発明における容器洗浄基板温度制御機構に相当する。
【０１０６】
クーリングプレート９１ａは、図２０に示されるように、内部に恒温水を内部に恒温水を通流するための恒温水配管９５ｃを有する。恒温水配管９５ｃは、外部からの恒温水入口及び外部への恒温水出口を伴って、クーリングプレート９１ａの内部を還流するように設けられる。恒温水は、クーリングプレート９１ａを常温に保持すると共に、クーリングプレート９１ａの上に載置され収納される容器洗浄基板９４を常温に保持するためのものである。恒温水の温度は、常温であれば、特に限定されるものではないが、例えば２３℃とすることができる。
【０１０７】
また、クーリングプレート９１ａは、図６に示されるように、内部にペルチエ素子９６ｃを有する。ペルチエ素子９６ｃは、外部に設けられる温調器と電気的に接続され、温調器は、中央制御装置と電気的に接続される。ペルチエ素子９６ｃは、その両端に電圧を印加することによって、端子間で熱を移動させ、片方の端子において冷熱を発生させるものであり、公知のものを用いることができる。ペルチエ素子９６ｃは、本実施の形態では、クーリングプレート９１ａを所定の温度に保持すると共に、クーリングプレート９１ａの上に載置され収納される容器洗浄基板９４を所定に温度に制御するためのものである。但し、ペルチエ素子９６ｃは、常温より低い温度に制御することが容易に可能であるため、恒温水によって常温に制御された容器洗浄基板９４を、常温より低い温度に制御することができる。ここでいう常温より低い温度とは、特に限定されるものではないが、例えば常温を２３℃とした場合、常温より０．５℃低い２２．５℃とすることができる。
【０１０８】
第１の基板温度制御機構及び第２の基板温度制御機構を用いて容器洗浄基板９４を温度制御する工程は、第１の実施の方法において、図９及び図１０を用いて説明された第１の容器洗浄工程又は図１４及び図１５を用いて説明された第２の容器洗浄工程における温度制御の工程と同一である。
【０１０９】
クーリングプレート９１ａの材質は、ある程度熱伝導する材質であればよく、特に限定されるものではないが、例えばＳＵＳ又はアルミニウムを用いることができる。恒温水配管９５ｃの材質は、特に限定されるものではなく、クーリングプレート９１ａの外部において、例えばＳＵＳ管を用いることができ、クーリングプレート９１ａの内部において、クーリングプレート９１ａに穿設された配管、又はクーリングプレート９１ａの内部の空間に配設されると共にそれ自身とクーリングプレート９１ａ本体との隙間が熱伝導の良好な樹脂等で充填された配管を、用いることができる。
【０１１０】
また、クーリングプレート９１ａは、容器洗浄基板９４の全体を冷却することができるように、その平面視における縦横の長さは、容器洗浄基板９４の直径よりも大きい。
【０１１１】
このような容器洗浄基板の温度制御を行うことによって、スピンチャック９の温度を常温に制御することができるため、スピンチャック９の第１の実施の形態と同様の効果を有する。
（第２の実施の形態）
次に、図２１乃至図２３を参照し、本発明の第２の実施の形態に係る塗布現像処理システムについて説明する。
【０１１２】
図２１は、本実施の形態に係る塗布現像システムの構成を模式的に示す上面図である。図２２は、本実施の形態に係る塗布現像システムの構成を模式的に示す背面図である。図２３は、本実施の形態に係る塗布現像システムの構成を模式的に示す正面図である。
【０１１３】
本実施の形態に係る塗布現像処理システムは、本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置を塗布装置に適用し、レジスト液塗布装置で塗布したレジストを装置から分離して設けられた露光装置で露光処理を行った後の基板の現像処理を行う現像装置と組合せて構成される処理システムである。
【０１１４】
図２１に示されるように、本実施の形態に係る塗布現像処理システムは、ウェハＷが収容されたカセットＣＲからウェハＷを順次取出すカセット部７０と、カセット部７０によって取出されたウェハＷに対しレジスト液塗布及び現像のプロセス処理を行うプロセス処理部７１と、レジスト液が塗布されたウェハＷを図示しない露光装置に受け渡すインタフェース部７２とを備える。
【０１１５】
カセット部７０には、カセットＣＲを位置決め保持するための４つの突起部８０ａと、突起部８０ａによって保持されたカセットＣＲ内からウェハＷを取出す第１のサブアーム機構８１とが設けられる。第１のサブアーム機構８１は、ウェハＷを取出したならば、θ方向に回転して向きを変え、ウェハＷをプロセス処理部７１に設けられたメインアーム機構７に受け渡すことができるようになっている。
【０１１６】
カセット部７０とプロセス処理部７１間でのウェハＷの受け渡しは、第３の処理ユニット群Ｇ３を介して行われる。第３の処理ユニット群Ｇ３は、図２２に示されるように、複数のプロセス処理ユニットを縦型に積み上げて構成したものである。即ち、処理ユニット群Ｇ３は、ウェハＷを冷却処理するクーリングユニット（ＣＯＬ）、容器洗浄基板９４を収容する容器洗浄基板格納ユニット（ＷＰ）、ウェハＷに対するレジスト液の定着性を高める疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウェハＷの位置合わせをするアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウェハＷを待機させておくためのエクステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行う２つのプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、及び露光処理後の加熱処理を行う２つのポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を順次下から上へと積み上げて構成される。
【０１１７】
ウェハＷのメインアーム機構７への受け渡しは、エクステンションユニット（ＥＸＴ）及びアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介して行われる。
【０１１８】
また、図２１に示されるように、このメインアーム機構７の周囲には、第３の処理ユニット群Ｇ３を含む第１〜第５の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５がこのメインアーム機構７を囲むように設けられる。第３の処理ユニット群Ｇ３と同様に、他の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ４、Ｇ５も各種の処理ユニットを上下方向に積み上げ的に構成される。
【０１１９】
本実施の形態に係る塗布現像処理システムにおいて、レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）は、図２３に示されるように、第１、第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２に設けられる。レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）は、本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置が用いられる。また、第１、第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２は、レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）と現像処理装置（ＤＥＶ）とを上下方向に積み上げ構成したものである。
【０１２０】
なお、図２３に８２、８３、８４で示されるのは、図示しない温湿度調整器により温度及び湿度を調整されたダウンフローＤＦを通すためのフィルタである。これにより、カセット部７０、プロセス処理部７１及びインタフェース部７２の各ステーションには、フィルタ８２〜８４によって塵芥が除去されて清浄化された空気のダウンフローＤＦが形成される。
【０１２１】
一方、メインアーム機構７は、図２２に示されるように、上下方向に延接された筒状のガイド８９と、ガイド８９に沿って上下駆動されるメインアーム８８とを備える。また、メインアーム８８は、平面方向に回転し、かつ進退駆動されるように構成される。従って、メインアーム８８を、上下方向に駆動することで、ウェハＷを各処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせることができるようになっている。
【０１２２】
即ち、カセット部７０から第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してウェハＷを受け取ったメインアーム機構７は、先ず、ウェハＷを第３の処理ユニット群Ｇ３のアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入し、疎水化処理を行う。次いで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）からウェハＷを搬出し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却処理する。
【０１２３】
冷却処理されたウェハＷは、メインアーム機構７によって第１の処理ユニット群Ｇ１（又は第２の処理ユニット群Ｇ２）のレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めされ、搬入される。これにより、ウェハＷをレジスト液塗布装置に対してロードすることができる。
【０１２４】
前述したように、レジスト液が塗布されたウェハＷは、メインアーム機構７によってレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）からアンロードされ、第４の処理ユニット群Ｇ４を介してインタフェース部７２に受け渡される。
【０１２５】
第４の処理ユニット群Ｇ４は、図２２に示されるように、クーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、２つのプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、及び２つのポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を下から上へと順次積み上げて構成したものである。
【０１２６】
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から取出されたウェハＷは、先ず、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）に挿入され、レジスト液から溶剤（シンナー）を飛ばして乾燥される。
【０１２７】
次に、ウェハＷは、クーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、エクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してインタフェース部７２に設けられた第２のサブアーム機構７４に受け渡される。
【０１２８】
ウェハＷを受け取った第２のサブアーム機構７４は、受け取ったウェハＷを順次カセットＣＲ内に収納する。インタフェース部７２は、ウェハＷをカセットＣＲに収納した状態で図示しない露光装置に受け渡し、露光処理後のウェハＷが収納されたカセットＣＲを受け取る。
【０１２９】
露光処理された後のウェハＷは、露光処理される前と逆の第４の処理ユニット群Ｇ４を介してメインアーム機構７に受け渡され、メインアーム機構７は、露光後のウェハＷを必要であればポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）に挿入した後、現像装置（ＤＥＶ）に挿入し現像処理を行わせる。現像処理後のウェハＷは、いずれかのベーキングユニットに搬送され、加熱乾燥された後、第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセット部７０に排出される。
【０１３０】
なお、第５の処理ユニット群Ｇ５は、選択的に設けられるもので、本実施の形態では、第４の処理ユニット群Ｇ４と同様に構成される。また、第５の処理ユニット群Ｇ５は、レール７５によって移動可能に保持され、メインアーム機構７及び第１〜第４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス処理を容易に行い得るようになっている。
【０１３１】
なお、容器洗浄基板９４は、容器洗浄時に、容器洗浄基板格納ユニットＷＰから取出されてレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）に供給されるようになっている。
【０１３２】
また、中央制御装置１５に接続された表示部５１及びタッチパネル５２は、図２３に示されるように、カセット部７０の側方に配置される。
【０１３３】
本実施の形態に係る塗布現像システムは、図２１〜図２３に示されるように、第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置を適用した塗布現像ユニットであり、複数のウェハの並行処理が容易に行われるため、ウェハＷの塗布現像処理工程を効率的に行うことができる。また、各処理ユニットが上下に積み上げ式に構成されているため、装置の設置面積を減少させることができる。
【０１３４】
次に、本実施の形態に係る塗布現像システムの処理動作について説明する。
【０１３５】
まず、カセット部７０において、第１のサブアーム機構８１が未処理のウェハＷを収容しているカセットＣＲにアクセスし、カセットＣＲから１枚のウェハＷを取出す。ウェハＷのアライメントを行った後、第１のサブアーム機構８１は、第３の処理ユニット群Ｇ３に属するアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）に半導体ウェハＷを搬入する。
【０１３６】
アドヒージョン処理が終了した半導体ウェハは、いずれかのクーリングユニット（ＣＯＰ）内で冷却された後、レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）にて、スピンコートによりレジスト液を塗布される。この場合、メインアーム機構７によってスピンチャック９上に搬送され、スピンチャック９に保持された半導体ウェハＷは、モータ１０により回転され、レジスト液吐出ノズル５から滴下されたレジスト液が半導体ウェハＷの表面全体に広がり、塗布動作が終了する。
【０１３７】
このようなレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）の容器４を洗浄する場合、容器洗浄基板格納ユニットＷＰの容器洗浄基板ホルダ９３に保持されている容器洗浄基板９４をメインアーム機構７によってレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）に搬送し、容器洗浄基板９４をスピンチャック９に取付ける。そして、洗浄吐出ノズル１６からの洗浄液を回転している容器洗浄基板９４に供給し、その際の遠心力で外カップ２１に洗浄液を供給する。
【０１３８】
レジスト塗布の後、いずれかのプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）内でプリベークが実施され、クーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、図示しない周辺露光装置による周辺露光が実施される。その後、半導体ウェハＷは隣接する露光装置に搬送され、全面露光が実施される。
【０１３９】
露光処理が終了すると、インタフェース部７２の第２のサブアーム機構７４がウェハＷを受け取り、受け取ったウェハＷをプロセス処理部７１の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）へ搬入する。そして、メインアーム機構７がウェハＷを受け取り、現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入し、現像処理を行う。
【０１４０】
現像工程が終了すると、いずれかのポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）によりポストベークが実施される。その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却され、さらにプロセス処理部７１の載置台に載置される。そして第１のサブアーム機構８１がウェハＷを受け取り、カセット部７０の処理済みウェハ収容用のカセットＣＲの所定のウェハ収容溝に入れる。これにより一連の処理が完了する。
【０１４１】
以上のような塗布現像システムにおいても、塗布現像システムに含まれるレジスト液塗布装置において、容器洗浄基板が、基板保持機構に保持される直前に、第１の基板温度制御機構及び第２の基板温度制御機構を用いて常温より低い温度に制御されるために、スピンチャックを昇温させることがなく、容器洗浄工程後の待ち時間を短縮することができ、塗布現像システムを用いた全体の工程に要する時間を短縮することができる。
【０１４２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、回転処理装置としてレジスト塗布ユニット、現像ユニットの場合を示したが、これに限るものではない。また、上記実施の形態では、被処理体を半導体ウェハとしたが、半導体ウェハに限らず、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等種々のものに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置を示す概略構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置の上面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置の容器洗浄用の溶剤供給システムの制御系統を説明するための図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板格納ユニットを模式的に示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板格納ユニットを模式的に示す正面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板ホルダ及び容器洗浄基板ホルダに載置される容器洗浄基板を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板の斜視図、上面図及び側面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板を用いて容器洗浄を行う場合の溶剤の流れを模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、第１の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程のフローチャートである。
【図１０】図９のフローチャートに含まれる工程のうち、容器洗浄工程に含まれる各工程を、図９のフローチャートのステップと照合しながら時間軸に沿って示すタイムチャートである。
【図１１】図９のフローチャートに含まれる各工程におけるレジスト液塗布装置の動作状態を示す図である。
【図１２】容器洗浄工程の後、レジスト液塗布工程を再開した際の最初の３枚のウェハのレジスト膜の膜厚分布を測定した結果を示す図である。
【図１３】第２の基板温度制御機構を用いず、第１の基板温度制御機構だけで温度制御を行った場合に、容器洗浄工程の後、レジスト液塗布工程を再開した際の最初の３枚のウェハのレジスト膜の膜厚分布を測定した結果を示す図である。
【図１４】第２の容器洗浄工程を含むレジスト液塗布工程のフローチャートである。
【図１５】図１４のフローチャートに含まれる工程のうち、容器洗浄工程に含まれる各工程を、図１４のフローチャートのステップと照合しながら時間軸に沿って示すタイムチャートである。
【図１６】本発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板ホルダ及び容器洗浄基板ホルダに載置される容器洗浄基板を模式的に示す断面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板ホルダ及び容器洗浄基板ホルダに載置される容器洗浄基板を模式的に示す断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態の第３の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板格納ユニットを模式的に示す斜視図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態の第３の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、容器洗浄基板格納ユニットを模式的に示す正面図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態の第３の変形例に係るレジスト液塗布装置を説明するための図であり、クーリングプレート及びクーリングプレートに載置される容器洗浄基板を模式的に示す断面図である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態に係る塗布現像システムの構成を模式的に示す上面図である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る塗布現像システムの構成を模式的に示す背面図である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態に係る塗布現像システムの構成を模式的に示す正面図である。
【符号の説明】
【０１４４】
Ｗ  ウェハ
Ｇ１〜Ｇ５  第１〜第５の処理ユニット群
ＤＦ  ダウンフロー
ＷＰ  基板洗浄格納ユニット
２  ベース
３  スピンチャック機構
４  容器
５  レジスト液吐出ノズル
６  溶剤吐出ノズル
７  メインアーム機構
９  スピンチャック
１０  モータ
１１  真空チャック溝
１２  バキューム装置
１４  突起
１５  中央制御装置
１６  溶剤噴射ノズル
１７  排液管
１８  制御弁
１９  溶剤供給源
２０  内カップ
２１  外カップ
２２  傾斜部
２３  分離板
２４  外側壁部
２５  排気口
２６  排液口
２８  気液流路
２９  排気管
３０  オートダンパ
３２  アーム
３３  ホルダ
３５  供給管
３６  レジスト液供給タンク
３７  バルブ
３８  ポンプ
３９  エア源
４５  データ格納部
４６  プリウェット条件
４７  容器洗浄条件
４８  溶剤供給系制御部
４９  雰囲気制御部
５０  ウェハ駆動系制御部
５１  ディスプレイ
５２  入力部
５４  Ｙ駆動機構
５５  Ｙレール
５６  ノズル待機部
５７  サイドリンスノズル
７０  カセット部
７１  プロセス処理部
７２  インタフェース部
９１  ユニットプレート
９１ａ  クーリングプレート
９２  架台
９３  容器洗浄基板ホルダ
９４  容器洗浄基板
９４ａ  中心部
９４ｂ  周縁部
９５、９５ａ、９５ｃ  恒温水配管
９５ｂ  冷却水配管
９６、９６ａ〜９６ｃ  ペルチエ素子
【図１】
0005448373.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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