(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離方法であって、
上記接着剤を溶解する溶解工程と、
上記溶解工程後、上記支持基板の周縁部を保持部材により保持した状態で、上記保持部材を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動工程と、
上記空隙から剥離部材を挿入し、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過させる通過工程とを含むことを特徴とする分離方法。
【請求項２】
上記通過工程では、上記剥離部材によって、上記周縁部と上記ウエーハとの間の全領域を掃引することを特徴とする請求項１に記載の分離方法。
【請求項３】
上記移動工程では、上記周縁部と上記ウエーハとの間の空隙が上記剥離部材の高さ以上になるまで上記保持部材を移動させることを特徴とする請求項１又は２に記載の分離方法。
【請求項４】
上記通過工程では、上記剥離部材を、上記ウエーハと当該剥離部材との間の距離が、上記支持基板と当該剥離部材との間の距離よりも大きい位置に配置して通過させることを特徴とする請求項３に記載の分離方法。
【請求項５】
上記剥離部材の形状は、糸状又はブレード形状であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の分離方法。
【請求項６】
上記支持基板には複数の貫通孔が設けられており、
上記溶解工程では、上記貫通孔から溶解液を注入して上記接着剤を溶解することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の分離方法。
【請求項７】
接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離装置であって、
上記支持基板と上記ウエーハとの間に上記接着剤を溶解する溶解液を注入する注入手段と、
上記支持基板の周縁部を保持する保持手段と、
上記周縁部を保持した状態で、上記保持手段を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動手段と、
上記空隙から挿入され、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過することによって上記支持基板と上記ウエーハとを剥離する剥離手段とを備えていることを特徴とする分離装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着された支持基板とウエーハとを分離する分離方法、及び分離装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、デジタルＡＶ機器及びＩＣカード等の高機能化に伴い、搭載される半導体シリコンチップの小型化、薄型化及び高集積化への要求が高まっている。
【０００３】
薄型のチップは、例えば、高純度シリコン単結晶等をスライスしてウエーハとした後、ウエーハ表面にＩＣ等の所定の回路パターンをエッチング形成して集積回路を組み込み、このウエーハの裏面を研削機によって研削して所定の厚さにする。研削後、ウエーハをダイシングすることによってチップ化されている。このとき、ウエーハの厚さは、一般に１００〜６００μｍ程度であり、貫通電極を形成する場合にはさらに研削し、厚さ５０〜１００μｍ程度にしている。
【０００４】
このように、半導体チップの製造では、ウエーハの厚さが薄いためにウエーハ自体の強度が低く、ウエーハに形成された回路パターンには凹凸があるため、研削工程又はダイシング工程への搬送時に外力が加わると破損し易い。また、研削工程では、ウエーハを研削することによって生じた研磨屑の除去、又は研磨時に発生した熱の除去のため、精製水を用いてウエーハの裏面を洗浄しながら研削処理している。このとき、ウエーハの回路パターン面を保護すると共に、ウエーハ自体の破損を防止するため、ウエーハに支持基板（以下、「プレート」又は「支持体」ともいう）を接着させてから各加工処理を行なっている。
【０００５】
また、この支持基板は、ウエーハの各加工処理の終了後に取り外す必要がある。そこで、これまでに、ウエーハから支持基板を剥離する様々な方法が用いられている。
【０００６】
例えば、特許文献１には、プレートに貼り付けられたウエーハを剥離するウエーハ剥離装置が開示されている。このウエーハ剥離装置では、まず、ウエーハが貼り付けられたプレートを傾斜状態で支持する。このウエーハの周縁にスクレーパを近づけ、当該周縁にスクレーパの刃先面を当接する。その後、スクレーパの刃先面における他の部分がウエーハの周縁における他の部分に接するように移動させることにより、ウエーハをプレートから剥離させる。
【０００７】
また、特許文献２においても、支持体に接着されたウエーハを剥離する方法が開示されている。この方法では、ウエーハと支持体とが接着されている両面粘着シートの層にブレードを水平方向から挿入し、奥まで差し込む。これにより、両面粘着シートの一部が分断され、ウエーハと支持体との間に剥離界面（剥離の起点）が生じる。この状態において、ウエーハの上面に貼着されたダイシングテープに配置されたアームを上昇させて、ウエーハを上方へ付勢しながらブレードを上下に振動させると、剥離界面へ振動エネルギが付加されて剥離が進行する。
【０００８】
一方、シリコンウエーハ等のウエーハを貼り合わせて形成した接着ウエーハが知られており、耐放射線強度及び高速動作等を要求するＬＳＩに応用されている。この接着ウエーハの作製において、貼り合わせたウエーハの境界に気泡が混入した場合は不良品として扱われるため、その対策として、例えば、接着ウエーハをそれぞれ剥離して再利用する技術が特許文献３に開示されている。
【０００９】
特許文献３の接着ウエーハの剥離方法では、まず、２つのシリコンウエーハ同士が接着された接着ウエーハを、固定剥離治具の挿入部が嵌合するように吸着テーブルに載置して固定する。次に、先端に挿入部を有する可動剥離治具を接着ウエーハに向けて移動させ、接着ウエーハの接着面に可動剥離治具を挿入する。このとき、可動剥離治具の押圧力により接着ウエーハの片側から接着面内に挿入部が挿入され、接着ウエーハの上側ウエーハを下側ウエーハから剥離する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−１１１８２４号公報（１９９９年４月２３日公開）
【特許文献２】特開２００６−３２５０６号公報（２００６年２月２日公開）
【特許文献３】特開平７−２４０３５５号公報（１９９５年９月１２日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、特許文献１〜３に開示されている技術では、支持基板とウエーハとの間（もしくはウエーハ同士の間）に挿入部材を挿入するという操作は、あくまで剥離のきっかけを与えるにすぎず、サイズのより大きなウエーハを扱った場合、容易に分離することができない。
【００１２】
例えば、特許文献１に開示されているウエーハ剥離装置では、ウエーハの周縁部に直接スクレーパの刃先面を当接させて、ウエーハとプレートとの間に該刃先面の一部を入り込ませている。そのため、ウエーハとスクレーパとの界面の幅がスクレーパの刃先面よりも大きくなければ、ウエーハの周縁部がスクレーパの刃先面によって傷つくことがある。また、スクレーパの刃先面によって直接剥離されるのはウエーハの周縁部に留まり、ウエーハの中心付近の領域にまで達するものではない。よって、さらにサイズの大きなウエーハを取り扱った場合、単にウエーハの周縁部にスクレーパの刃先面を挿入しただけでは、ウエーハをプレートから剥離できないおそれがある。
【００１３】
また、特許文献２に開示されている方法において、両面粘着シートの一部を分断させて剥離界面を生じさせているが、これはあくまで剥離の起点を形成したにすぎない。つまり、ウエーハと支持体とを実質的に分離させているのは、アームを上昇させてウエーハを持ち上げると同時に、ブレードを振動させて剥離を進行させることによる。この方法では、十分に接着面が剥離されていない場合、ウエーハを持ち上げるときにウエーハが撓むことがある。この撓みはウエーハのサイズが大きくなるほど生じ易く、アームからウエーハが外れて落下することがあり、撓み自体によりウエーハが損傷するという問題もある。
【００１４】
また、特許文献３では、結合力の弱い水素結合のみにより接着されたシリコンウエーハ同士を剥離するものであり、ウエーハと支持基板とを接着した形態に当該技術を用いたとしても、固定剥離治具及び可動剥離治具の挿入部をウエーハの周縁部に挿入することのみでウエーハ同士を剥離させる方法では、上記特許文献１と同様の問題が生じる。
【００１５】
ところで、ウエーハと支持基板との接着体の剥離方式として、支持基板に予め形成された貫通孔から溶解液を注入して接着剤を溶解し、支持基板を引き上げて剥離する方式も考えられる。図２は、本発明者らが考えた剥離方式の一つを説明する概略工程図である。
【００１６】
この方式では、支持基板２１とウエーハ２２とが接着剤により接着された接着体において、まず、支持基板２１に形成された複数の貫通孔から溶解液を注入し、接着剤が半ば溶解した後、支持基板２１の端部をクランプ２６によって数箇所保持する（図２の（ａ））。次に、支持基板２１を保持した状態のクランプ２６を上昇させ、接着層２３から支持基板２１を剥離させることにより（図２の（ｂ））、支持基板２１が撓みにより外周部から剥離が進行する（図２の（ｃ））。これにより、ウエーハ２２から支持基板２１を完全に剥離させる（図２の（ｄ））。しかし、この剥離方式では、ウエーハを支持基板から剥離させる際、支持基板又はウエーハに損傷を与えるおそれがある。
【００１７】
つまり、図２に示す剥離方式では、クランプ２６を上昇させて支持基板２１を撓ませて剥離を進行させる。しかし、ウエーハ２２のサイズを大きくするに伴い、ウエーハ２２を支持する支持基板２１も大きくする必要があり、この場合、支持基板２１の撓み量も増加する。その結果、支持基板２１がクランプ２６から外れたり、撓みにより支持基板２１自体が破損したりしてしまうことがある。
【００１８】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、支持基板及びウエーハを破損させることなく、これらを分離することができる分離方法及び分離装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明に係る分離方法は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離方法であって、上記接着剤を溶解する溶解工程と、上記溶解工程後、上記支持基板の周縁部を保持部材により保持した状態で、上記保持部材を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動工程と、上記空隙から剥離部材を挿入し、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過させる通過工程とを含む。
【００２０】
また、本発明に係る分離装置は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離装置であって、上記支持基板と上記ウエーハとの間に上記接着剤を溶解する溶解液を注入する注入手段と、上記支持基板の周縁部を保持する保持手段と、上記周縁部を保持した状態で、上記保持手段を上記ウエーハから離れる方向に移動させ、上記周縁部と上記ウエーハとの間に空隙を形成する移動手段と、上記空隙から挿入され、上記支持基板と上記ウエーハとの間を通過することによって上記支持基板と上記ウエーハとを剥離する剥離手段とを備えている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、支持基板及びウエーハを破損させることなく分離することができる分離方法及び分離装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の分離方法の一実施形態を説明する概略工程図である。
【図２】本発明者らが考えた剥離方式の一つを説明する概略工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明に係る分離方法の一実施形態について以下に説明する。なお、本発明の範囲はこれらの説明に拘束されることはなく、以下の例示以外についても、本発明の趣旨を損なわない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００２４】
〔１．分離方法〕
本発明に係る分離方法は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離方法であって、接着剤を溶解する溶解工程と、該溶解工程後、支持基板の周縁部を保持部材により保持した状態で、該保持部材をウエーハから離れる方向に移動させ、周縁部とウエーハとの間に空隙を形成する移動工程と、該空隙から剥離部材を挿入し、支持基板とウエーハとの間を通過させる通過工程とを含む。
【００２５】
支持基板は、例えばウエーハに研磨等の加工を施すときに、該ウエーハを保護するために支持可能な基板である。支持基板としては、可撓性を有するものであれば特に限定されず、当業者に公知の基板を用いればよい。可撓性を有する支持基板の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アルミナ、炭化珪素、アルミニウム、樹脂、ステンレス、又は鉄−ニッケル合金等の金属類等が挙げられる。
【００２６】
支持基板の形状は、ウエーハの形状に応じて適宜設計すればよいが、複数の貫通孔が形成されていることが好ましい。例えば、支持基板の両面にそれぞれ開口面を有している複数の貫通孔が形成されていれば、溶解工程において当該貫通孔から溶解液を注入し、接着剤を容易に溶解することができる。なお、支持基板における貫通孔の形成方法は、当業者に公知の方法を用いればよい。
【００２７】
ウエーハは、例えばその表面に回路パターンが形成されており、当該回路パターンの形成面が支持基板と接着され得る。ウエーハとしては、当業者が利用可能な公知のウエーハを用いればよく、その材料には、例えば、石英、シリコン、サファイヤ、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）等の化合物半導体が挙げられる。
【００２８】
また、本発明の分離方法により支持基板とウエーハとを分離するにあたって、支持基板とウエーハとは、接着剤により互いに接着されている。すなわち、支持基板とウエーハとの界面には接着剤が塗布され、接着層が形成され得る。
【００２９】
接着剤としては、例えばアクリル系樹脂、炭化水素系樹脂（ポリシクロオレフィン樹脂、テルペン樹脂、石油樹脂等）、又はノボラックタイプのフェノール樹脂系材料を含有してなる接着剤組成物等、有機溶剤に対して可溶性を示す接着剤を用いることが好ましく、これらを単独で用いても組み合わせて用いてもよい。
【００３０】
溶解工程は、支持基板とウエーハとを接着している接着剤を溶解する工程である。ここでいう「溶解」とは、上記界面に塗布されている接着剤の少なくとも一部が溶解されればよく、接着剤の全て（全部）が溶解されなくてもよい。
【００３１】
接着剤の溶解方法は、例えば、支持基板に複数の貫通孔が設けられている場合、当該貫通孔から溶解液を注入して接着剤を溶解することが好ましい。すなわち、この方法では、溶解液を接着剤に直接接触させることが可能であるため、接着剤をより確実に溶解させることができる。
【００３２】
溶解液としては、接着剤に用いられる従来公知の溶剤を使用すればよく、そのような溶剤としては、例えば、ｐ−メンタン、ｄ−リモネン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；並びに乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類、又はこれらの混合物などを挙げることができる。これらの溶解液のいずれを用いるかは、使用する接着剤に応じて適宜選択すればよい。また、溶解液の温度、又は注入量等の種々の条件は、例えば、溶解液又は接着剤の種類等により適宜選択すればよい。
【００３３】
移動工程は、支持基板を移動させることによって、支持基板とウエーハとの間に空隙を形成する工程である。具体的には、溶解工程において接着剤の少なくとも一部が溶解された後、まず、支持基板の周縁部を保持部材により保持し、この状態で保持部材をウエーハから離れる方向に移動させて、支持基板の周縁部とウエーハとの間に空隙を形成する。
【００３４】
保持部材としては、支持基板の周縁部を保持することができると共に、移動可能な部材であればよく、例えば、クランプ又は吸着パッド等が挙げられる。また、保持部材によって保持される位置は、支持基板を持ち上げることが可能な位置であれば特に限定されるものではなく、例えば対向する２箇所もしくは均等間隔に配置された３箇所、又はそれ以上の箇所を保持してもよい。
【００３５】
また、保持部材をウエーハから離れる方向に移動させるとは、ウエーハに対して支持基板が接着されている側へ保持部材を移動させることが意図される。例えば、支持基板がウエーハの上面に接着されている場合、保持部材を上方へ移動させれば、ウエーハから離れる方向に移動させることになる。
【００３６】
なお、ここでいう「移動」は、あくまで支持基板の周縁部とウエーハとの間に空隙が形成される程度の移動であればよく、その範囲は特に限定されないが、周縁部とウエーハとの間の空隙が、後述する剥離部材の高さ以上になるまで保持部材を移動させることが好ましい。つまり、移動工程において形成される空隙は、通過工程において剥離部材を挿入させることが可能な幅であればよい。よって、この時点で保持部材を移動させるのは、剥離部材が挿入可能な必要最低限の範囲での移動であればよいため、例えば保持部材を上昇させたとしても、支持基板が大きく撓むことはない。
【００３７】
通過工程は、移動工程において形成された空隙から剥離部材を挿入し、支持基板とウエーハとの間を通過させる工程である。すなわち、通過工程では、支持基板とウエーハとの間を、剥離部材を通過させることによって、支持基板とウエーハとの間の接着を剥がし、これらを分離させる。
【００３８】
剥離部材は、望ましくは移動工程において形成された空隙の幅よりも小さく、その形状としては、例えば、糸状、三角形、長方形、薄刃形状等が挙げられるが、なかでも糸状又は薄刃形状であることが好ましい。剥離部材が糸状であれば、保持部材を移動させる量が少なくてよいので、空隙を形成する際の支持基板の撓みを抑えることができる。剥離部材としては、例えば、ワイヤ等を用いることができる。また、剥離部材が薄刃形状であれば、ブレード等を用いることができる。これらの材質としては、樹脂、金属、ガラス、アルミナ又はゴム系等を用いることができる。
【００３９】
剥離部材の通過とは、空隙から挿入した剥離部材を、当該空隙が形成されている周縁部とは異なる他の周縁部から取り出すように移動させればよいが、特に、支持基板の周縁部とウエーハとの間の全領域を掃引することが好ましい。これにより、接着剤が塗布されている全ての領域を剥離部材によって剥離することができるので、支持基板とウエーハとを容易に分離することができる。
【００４０】
通過のさせ方は、特に限定されるものではなく、例えば、一箇所の空隙から対向する空隙まで一方向に通過させればよい。また、例えば支持基板の直径よりも大きい糸状の剥離部材を用いた場合、剥離部材の一端を固定し、他端が弧を描くように動かすことによって通過させてもよい。さらに、複数の剥離部材を通過させてもよく、この場合、２つの剥離部材を周縁部における互いに異なる位置から挿入させて、中心で合わせるように移動させてもよい。
【００４１】
さらに、通過工程では、剥離部材を、ウエーハと剥離部材との間の距離が、支持基板と剥離部材との間の距離よりも大きい位置に配置して通過させることが好ましい。つまり、剥離部材をウエーハよりも支持基板に近い位置で通過させることにより、剥離部材がウエーハに接触せず、ウエーハの表面に形成された回路パターンを傷つけることがない。この場合、支持基板を破損させないために、剥離部材を支持基板に接触させずに通過させることがより好ましい。これにより、ウエーハ及び支持基板の両者とも剥離部材による損傷を与えることがない。
【００４２】
このように、本発明の分離方法では、ウエーハではなく支持基板を移動させることによって分離するので、ウエーハに損傷を与えるおそれが低い。また、単に支持基板を移動させて分離するのではなく、剥離部材によって接着面を剥離させて分離する。すなわち、保持部材を移動させて支持基板の周縁部とウエーハとの間に空隙を形成してから、当該空隙から剥離部材を挿入して通過させる。
【００４３】
よって、サイズの大きなウエーハを扱った場合であっても、支持基板が大きく撓むことがないため、支持基板が保持部材から外れるおそれを低減することができると共に、撓みによる支持基板自体の破損も防ぐことができる。したがって、支持基板及びウエーハを破損させることなく、これらを分離することができる。
【００４４】
なお、本発明の分離方法は、本発明の分離装置によって実行され得る。
【００４５】
〔２．分離装置〕
本発明の分離装置は、接着剤により接着された、可撓性を有する支持基板とウエーハとを分離する分離装置であって、支持基板とウエーハとの間に接着剤を溶解する溶解液を注入する注入手段と、支持基板の周縁部を保持する保持手段と、周縁部を保持した状態で、保持手段をウエーハから離れる方向に移動させ、周縁部とウエーハとの間に空隙を形成する移動手段と、空隙から挿入され、支持基板とウエーハとの間を通過することによって支持基板とウエーハとを剥離する剥離手段とを備えている。
【００４６】
注入手段は、支持基板とウエーハとの間に溶解液を注入する。注入手段としては特に限定されるものではなく、例えば、溶解液を供給するための供給孔、及び供給した溶解液を吸引するための吸引孔が設けられた基板を注入手段とすることができる。すなわち、このような構造を有する注入手段では、支持基板に設けられた貫通孔と対向する面において、中心に供給孔を、中心から最も離れた位置に吸引孔をそれぞれ設けて、溶解液を供給しつつ、吸引すればよい。注入手段の別の構成例としては、注入手段の外周に凸部を設けることにより、溶解液の飛散を物理的に抑制することができる。また、注入手段には、接着剤への溶解液の浸透を促進するため、超音波発生器が取り付けられていてもよい。
【００４７】
保持手段は、支持基板の周縁部を保持する。保持手段としては、例えば、クランプが挙げられる。保持手段は、支持基板の周縁部の端部を把持し、ウエーハから支持基板を剥離できるものであればよい。保持手段は、支持基板の外周側端部を把持するようになっていればよいが、特に、支持基板の外周側端部に面取り部位を設けている場合、当該面取り部位を把持するようになっていることが好ましい。つまり、ウエーハを支持する支持基板としては、通常、ガラスプレート等が用いられるが、このようなプレートの外周側端部はＲ形状に面取りされていることがある。保持手段は、この面取り部位を把持することによって、より確実に支持基板を把持することができる。
【００４８】
移動手段は、支持基板の周縁部を保持している保持手段を、ウエーハから離れる方向に移動させる。なお、保持手段と移動手段とは別々の部材であってもよいし、これらの機能を兼ね備えた同一の部材であってもよい。
【００４９】
剥離手段は、支持基板とウエーハとの間を通過して支持基板とウエーハとを剥離する。剥離手段としては、例えば、ワイヤ又はブレード等を用いることができ、その材質としては、樹脂、金属、ガラス、アルミナ又はゴム系等を用いることができる。
【００５０】
本発明の分離装置によれば、サイズの大きなウエーハを扱った場合であっても、支持基板が大きく撓むことなくウエーハと支持基板とを分離することができるため、支持基板及びウエーハを破損させることなく、これらを分離することができる。
【００５１】
〔３．分離方法の流れ〕
本実施形態に係る分離方法の具体的な手順の一例について、図１に基づいて以下に説明する。図１は、本発明の分離方法の一実施形態を説明する概略工程図である。なお、以下に示す分離装置は、保持台４、クランプ（保持手段，移動手段）６、及びワイヤ（剥離手段）７を備えており、接着剤によって支持基板１と接着されたウエーハ２が、ダイシングテープ５上の保持台４に保持されている。また、支持基板１には複数の貫通孔が設けられている。
【００５２】
まず、図示しない注入手段が支持基板１に設けられた複数の貫通孔に溶解液を注入する。これにより、接着層３の少なくとも一部が溶解された後、クランプ６によって支持基板１を保持する（図１の（ａ））。ここでは、クランプ６は対向する２箇所の周縁部を保持しているが、これに限定されるものではない。
【００５３】
次に、支持基板１を保持した状態のクランプ６を上昇させて、支持基板１の周縁部を持ち上げる（図１の（ｂ））。これにより、支持基板１の周縁部とウエーハとの間には接着層３を介して空隙が形成されるので、この空隙からワイヤ７を挿入し、反対側の空隙へ向けてワイヤ７を通過させる（図１の（ｃ）中、左向きの矢印方向）。このワイヤ７が反対側の空隙まで完全に通過することにより（図１の（ｄ））、支持基板１をウエーハ２から分離することができる。
【００５４】
また、ワイヤ７の通過後、接着層３から剥離された支持基板１をクランプ６によりさらに持ち上げて、支持基板１をウエーハ２から完全に離す。以上により、支持基板及びウエーハを破損させることなく、これらを分離することができる。
【００５５】
以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。さらに、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、本明細書中に記載された文献の全てが参考として援用される。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００５７】
本実施例では、支持基板としては、ウエーハと同等もしくは若干大きいガラス基板を使用し、ウエーハとしては、直径３００ｍｍのシリコンウエーハを使用した。また、支持基板とウエーハとを接着する接着剤には、アクリル系接着剤を使用し、溶解液としてはＰＧＭＥＡ（propyleneglycol monomethyl ether acetate）を使用した。
【００５８】
なお、本実施例において用いた分離装置の構成は図１に示す分離装置と同様であるため、説明の便宜上、同一の部材には同一の番号を付して説明する。
【００５９】
まず、支持基板１に設けられた複数の貫通孔に溶解液を注入した後、クランプ６によって支持基板１を保持し、クランプ６を上昇させた。このとき、クランプ６によって保持されている支持基板１の周縁部は持ち上げられているが、その周辺は持ち上げられていない。この状態からさらにクランプ６を上昇させて、支持基板１の周縁部全体を持ち上げた。これにより、周縁部全体とウエーハ２との間に空隙が形成された。
【００６０】
次に、形成された空隙からワイヤ７を挿入した。なお、ワイヤ７としては、樹脂ワイヤを用いた。このとき、保持台４上に配置されたウエーハ２を傷つけないように、ワイヤ７が支持基板１に近い側を通過するように配置した。このワイヤ７を、支持基板１とウエーハ２との間を通過させた。これにより、支持基板１とウエーハ２との間の接着は全て剥がれた。その後、クランプ６によって支持基板１を持ち上げ、ウエーハ２から完全に分離させた。
【００６１】
以上のように、本実施例の分離方法によれば、直径３００ｍｍの支持基板を用いても、支持基板を持ち上げた際の撓み量を最小限に抑えて、ウエーハから支持基板を剥離させて分離することができた。したがって、支持基板がクランプから外れてしまうことがなく、撓みによる支持基板の破損は起こらなかった。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、携帯電話、デジタルＡＶ機器及びＩＣカード等に搭載される半導体チップの製造に利用することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１  支持基板
２  ウエーハ
３  接着層
４  保持台
６  クランプ（保持部材）
７  ワイヤ（剥離部材）
【図１】
0005448860.tif 000002
【図２】
0005448860.tif 000003