(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度差１００℃以上の使用環境で使用され、温度変化に伴って応力が変化したとき、圧電効果により出力変動が発生する磁気検出素子であって、
第１チップ、第２チップ、及び、ダイリードがインサート樹脂成形され、
磁気検出素子が熱膨張または熱収縮するとき歪みの生じにくい中央面を基準平面として有し、
前記第１チップ、前記第２チップ、及び、前記ダイリードを埋め込んで形成されるモールド樹脂層と、
前記基準平面に厚さ方向の中心が一致するように配置される板状のダイリードと、
前記基準平面に対し一方の側で前記ダイリードに搭載され、電源端子、出力端子、及び、グランド端子を有し、磁気を検出して電気信号を出力する第１チップと、
前記基準平面に対し面対称の位置に他方の側で前記ダイリードに搭載され、電源端子、出力端子、及び、グランド端子を有し、磁気を検出して電気信号を出力する第２チップと、
前記基準平面上の前記ダイリードの外側に配置され、前記第１チップおよび前記第２チップの電源端子、出力端子、及び、グランド端子に対応して電気的に接続される導電性の複数のリードと、
を備え、
前記複数のリードは、いずれも前記ダイリードと分離して形成され、
前記第１チップおよび前記第２チップの電源端子、出力端子、及び、グランド端子と、当該各端子に対応する前記リードとは、いずれもワイヤボンディングにより電気的に接続されており、
前記第１チップの電源端子および前記第２チップの電源端子は、当該電源端子に対応する前記リードを共用し、且つ、前記第１チップのグランド端子および前記第２チップのグランド端子は、当該グランド端子に対応する前記リードを共用することを特徴とする磁気検出素子。
【請求項２】
前記複数のリードは、前記第１チップおよび前記第２チップに対して一方の側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気検出素子。
【請求項３】
回転体の回転角度を検出する回転角度検出装置であって、
その回転体と一体に回転する磁石と、
前記磁石が発生する磁界の変化を検出する請求項１または２に記載の磁気検出素子と、
を備えることを特徴とする回転角度検出装置。
【請求項４】
直線移動体のストローク量を検出するストローク量検出装置であって、
その直線移動体と一体に直線移動する磁石と、
前記磁石が発生する磁界の変化を検出する請求項１または２に記載の磁気検出素子と、
を備えることを特徴とするストローク量検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージとして基板やターミナル等に装着される磁気検出装置、および、これを用いて回転体の回転角度を検出する回転角度装置、ならびに、これを用いて直線移動体のストローク量を検出するストローク量検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、磁石と磁気検出素子を用いて回転体の回転角度を検出する回転角度検出装置が開示されている。この装置では、磁気検出素子として、ホール素子および増幅回路等を集積した半導体チップを樹脂でモールドして半導体パッケージとしたホールＩＣが用いられている。半導体パッケージ内部で、チップはリードフレーム上に装着され、チップの入力端子、出力端子、アース端子は、それぞれ、ワイヤボンディング等によりリードフレームに電気的に接続されている。
【０００３】
特許文献２に、回転角度検出装置の温度特性補正方法が開示されている。ホールＩＣは、補正手段としてのＤＳＰ、記憶媒体としてのＥＥＰＲＯＭを有しており、ＤＳＰは、磁束密度に応じて、ＥＥＰＲＯＭに記憶されている温度特性補正値を用いて補正を実行する。これにより温度変化に対する出力変動が低減される。
【０００４】
また、特許文献３に、半導体チップの熱応力の低減を図った半導体パッケージが開示されている。この半導体パッケージは、モールド樹脂層の中に、（１）基板、（２）チップ、に加えて、（３）ダミーチップ、（４）金属層が、この順に積層して埋め込まれている。ここで、（１）基板と（４）金属層、及び、（２）チップと（３）ダミーチップは、それぞれ熱膨張率が近似する材料で作られるため、半導体パッケージ全体として熱応力バランスがとれ、反り、変形などが低減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２９８３６４号公報
【特許文献２】特開２００７−１５５５１６号公報
【特許文献３】特開２００４−３６３１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、磁気検出素子のチップはリード上に装着され、チップとリードとの熱膨張係数の差により低温時、高温時に、チップにかかる応力が変化する。すると、磁気検出素子の圧電効果（ピエゾ効果）により、チップへの印加応力に比例した出力変動が発生するため、検出誤差が生じる。
特に磁気検出素子が自動車用に用いられる場合、使用環境として−４０℃〜１５０℃ほどの広い温度範囲を想定する必要があるため、一般の電子機器等に使用される場合に比べて、この検出誤差は無視できないほどのものとなる。
【０００７】
そこで、特許文献２のように、磁気検出素子ごとに回路内で温度特性を補正することが必要とされる。しかし、複雑な補正回路を要し、また、補正するための工数が発生するという課題がある。この課題は、回転角度検出装置に限らず、直線移動体のストローク量を検出するストローク量検出装置においても同様である。
【０００８】
また、特許文献３の半導体パッケージは、単独のパッケージとしては熱応力バランスがとれるとしても、基板がプリント基板などに固定された場合には、温度変化による基板の伸縮が制限されるのに対して最上層の金属層は自由に伸縮するため、基板と金属層の間にあるチップには歪が発生するという課題がある。
さらに、ダミーチップと金属層を含む４層の構成部品からなるため、部品点数が増え、コストがアップするという課題がある。
【０００９】
本発明は上記の問題に鑑みなされたものであり、部品点数を増加することなく、熱膨張または熱収縮による応力を低減することにより、圧電効果によって生ずる出力変動に伴う検出誤差を低減できる磁気検出素子を提供することを目的とする。
また、この磁気検出素子を用いることにより、圧電効果の影響を補償するための温度特性補正手段を必要としない回転角度検出装置ならびにストローク量検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の磁気検出素子は、温度差１００℃以上の使用環境で使用され、温度変化に伴って応力が変化したとき、圧電効果により出力変動が発生する。この磁気検出素子は、熱膨張または熱収縮するとき歪みの生じにくい中央面を「基準平面」として有する。具体的には、例えば磁気検出素子が直方体形状であれば、その厚さ方向の中心を通る平面が基準平面となる。以下の構成により、磁気検出素子が熱膨張または熱収縮するとき、基準平面では歪みが生じにくい。
磁気検出素子は、（ａ）〜（ｄ）の構成要素を含むことを特徴とする。ここで、「：」以下は、その構成要素を説明する。
（ａ）モールド樹脂層：第１チップ、第２チップ、及び、ダイリードを埋め込んで形成される。具体的には、第１チップ、第２チップ、及び、ダイリードがインサート樹脂成形される。
（ｂ）ダイリード：厚さ方向の中心が基準平面に一致するように配置される。
（ｃ−１）第１チップ：基準平面に対し一方の側でダイリードに搭載される。電源端子、出力端子、及び、グランド端子を有し、磁気を検出して電気信号を出力する。
（ｃ−２）第２チップ：基準平面に対し面対称の位置に他方の側でダイリードに搭載される。電源端子、出力端子、及び、グランド端子を有し、磁気を検出して電気信号を出力する。
（ｄ）複数のリード：基準平面上のダイリードの外側に配置される。第１チップおよび第２チップの電源端子、出力端子、及び、グランド端子に対応して電気的に接続される。導電性である。
【００１１】
上記の構成により、ダイリードとリードは基準平面上に、第１チップと第２チップとは基準平面の上下に対称に配置されるため、それら構成部品の熱膨張または熱収縮は、基準平面の上下で同等程度に生じ、磁気検出素子全体として厚さ方向の反りを抑制できる。よって、チップに印加される応力を低減でき、圧電効果によって生ずる出力変動に伴う検出誤差を低減できる。
【００１２】
また、特許文献３では、熱応力低減を目的として１つのチップに対し４層の構成部品を用いたのに対し、本発明は、２つのチップに対してダイリードを含めた３層で構成される。そのため部品点数が少なくコストを抑えられ、しかも１個の磁気検出素子で２出力が得られる。２出力が得られることで、２系統の磁気検出機能を集約して備えることもできるし、あるいは、一方のチップを故障時のバックアップとして用いることも可能である。
【００１５】
また、複数のリードは、いずれもダイリードと分離して形成される。第１チップおよび第２チップの電源端子、出力端子、及び、グランド端子と、当該各端子に対応するリードとは、いずれもワイヤボンディングにより電気的に接続される。
【００１６】
この構成では、ダイリードの機能はチップを搭載することのみであり、導電性であるか非導電性であるかは問わない。１チップにつき３組の端子とリードは、一律にワイヤボンディングにより接続されるため、構成が単純となる。
【００１９】
さらに、第１チップの電源端子および第２チップの電源端子は、当該電源端子に対応するリードを共用し、且つ、第１チップのグランド端子および第２チップのグランド端子は、当該グランド端子に対応するリードを共用する。
この構成では、第１チップと第２チップとが電源端子およびグランド端子に対応するリードを共用するため、リード本数を削減できる。
【００２０】
請求項２に記載の磁気検出素子では、複数のリードは、第１チップおよび第２チップに対して一方の側に配置されている。すべてのリードをパッケージの一方の側に配置することにより、パッケージを立てた形態でのスルーホールタイプの装着に適する。この場合、素子実装面積を低減でき、搭載性が向上する。
【００２１】
請求項３に記載の回転角度検出装置は、回転体と一体に回転する磁石と、磁石が発生する磁界の変化を検出する請求項１または２に記載の磁気検出素子とを備え、回転体の回転角度を検出する。
請求項４に記載のストローク量検出装置は、直線移動体と一体に直線移動する磁石と、磁石が発生する磁界の変化を検出する請求項１または２に記載の磁気検出素子とを備え、直線移動体のストローク量を検出する。
【００２２】
回転角度検出装置ならびにストローク量検出装置に本発明の磁気検出素子を用いることにより、圧電効果の影響を補償するための温度特性補正手段を必要とすることなく、検出精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態の磁気検出素子の厚さ方向の断面模式図である。
【図２】（ａ）：図１のＡ矢視図である。（ｂ）：図１のＢ矢視図である。
【図３】本発明の第２実施形態の磁気検出素子の厚さ方向の断面模式図である。
【図４】（ａ）：図３のＤ矢視図である。（ｂ）：図３のＥ矢視図である。
【図５】（ａ）：本発明の第２実施形態の磁気検出素子を基板に実装した状態を示す模式図である。（ｂ）：本発明の第２実施形態の磁気検出素子をターミナルに溶接した状態を示す模式図である。
【図６】本発明の第３実施形態の磁気検出素子の厚さ方向の断面模式図である。
【図７】（ａ）：図６のＧ矢視図である。（ｂ）：図６のＨ矢視図である。
【図８】（ａ）：本発明の第３実施形態の磁気検出素子をスルーホールタイプとして使用した状態を示す模式図である。（ｂ）：本発明の第３実施形態の磁気検出素子をターミナルに溶接した状態を示す模式図である。
【図９】（ａ）：比較例の磁気検出素子の厚さ方向の断面図である。（ｂ）：（ａ）の高温時の熱膨張による応力を示す説明図である。（ｃ）：（ａ）の低温時の熱収縮による応力を示す説明図である。
【図１０】（ａ）本発明の第２実施形態の磁気検出素子を使用した第４実施形態の回転角検出装置の平面図である。（ｂ）：（ａ）のＪ−Ｊ断面図である。
【図１１】（ａ）本発明の第３実施形態の磁気検出素子を使用した第５実施形態の回転角検出装置の平面図である。（ｂ）：（ａ）のＫ−Ｋ断面図である。
【図１２】（ａ）本発明の第２実施形態の磁気検出素子を使用した第６実施形態の回転角検出装置の平面図である。（ｂ）：（ａ）のＬ−Ｌ断面図である。
【図１３】（ａ）本発明の第３実施形態の磁気検出素子を使用した第７実施形態の回転角検出装置の平面図である。（ｂ）：（ａ）のＭ−Ｍ断面図である。
【図１４】（ａ）本発明の第２実施形態の磁気検出素子を使用した第８実施形態のストローク量検出装置の平面図である。（ｂ）：（ａ）のＰ−Ｐ断面図である。
【図１５】（ａ）本発明の第３実施形態の磁気検出素子を使用した第９実施形態のストローク量検出装置の平面図である。（ｂ）：（ａ）のＱ−Ｑ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の第１〜第９実施形態のうち、第３実施形態の磁気検出素子が「請求項１、２に係る発明を実施するための形態」に相当し、第５、第７実施形態の回転角度検出装置が「請求項３に係る発明を実施するための形態」に相当し、第９実施形態のストローク量検出装置が「請求項４に係る発明を実施するための形態」に相当する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態の磁気検出素子１１の厚さ方向の断面模式図であり、図２（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。図２（ａ）は、図１のＡ矢視図であり、図２（ｂ）は、図１のＢ矢視図である。
磁気検出素子１１は、幅Ｘ、奥行Ｙ、厚さＺの直方体形状である。厚さＺは、幅Ｘ、奥行Ｙよりも短い。厚さＺ方向の中心を通る平面を「基準平面Ｓ」とする。基準平面Ｓは、厚さＺ方向の一端面から（Ｚ／２）だけ平行にオフセットした平面である。
ダイリード５１は、厚さ方向の中心が基準平面Ｓに一致するように配置される。ダイリード５１の上側には第１チップ２０１が、ダイリード５１の下側には第２チップ２０２が搭載され、モールド樹脂層１５に埋め込まれている。
第１チップ２０１、第２チップは、具体的には、ホール素子および増幅回路等を集積した半導体チップである。ホール素子は、または磁気抵抗素子であってもよい。
【００２５】
ダイリード５１は銅板から形成され、導電性である。また、第１チップ２０１および第２チップ２０２にて、グランド端子としてのグランド面２１が、ダイリード５１との接触面である底面に露出して形成される。グランド面２１とダイリード５１とは導電性接着剤２２で貼り合わされて電気的に接続される。導電性接着剤２２は、例えば銀などの金属粒子を混入したペースト状の接着剤である。
【００２６】
また、ダイリード５１はグランドリードと一体に形成されている。すなわち、一枚の銅板から、グランドリード部分を含めた形状でダイリード５１が切り出されて製作される。このようにすることで、樹脂モールディングの際、モールドされないグランドリード部分を支持してダイリード５１を位置決めすることができ、製造上都合がよい。
【００２７】
その他のリード、すなわち、第１電源リード４１１、第１出力リード４２１、第２電源リード４１２、及び、第２出力リード４２２は、ダイリード５１と分離して基準平面Ｓ上に配置される。
第１チップ２０１の電源端子３１、出力端子３２は、それぞれ、第１電源リード４１１、第１出力リード４２１にボンディングワイヤ５５で結線されている。また、第２チップ２０２の電源端子３１、出力端子３２は、それぞれ、第２電源リード４１２、第２出力リード４２２にボンディングワイヤ５５で結線されている。
【００２８】
上記の構成により、ダイリード５１と各リードは基準平面Ｓ上に、第１チップ２０１と第２チップ２０２とは基準平面Ｓの上下に対称に配置されるため、それら構成部品の熱膨張または熱収縮は、基準平面Ｓの上下で同等程度に生じ、磁気検出素子１１全体として厚さＺ方向の反りを抑制できる。よって、チップ２０１、２０２に印加される応力を低減でき、圧電効果によって生ずる出力変動に伴う検出誤差を低減できる。
【００２９】
また、２つのチップ２０１、２０２に対してダイリード５１を含めた３層で構成されるため、部品点数が少なくコストを抑えられ、しかも１個の磁気検出素子１１で２出力が得られる。２出力が得られることで、２系統の磁気検出機能を集約して備えることもできるし、あるいは、一方のチップを故障時のバックアップとして用いることも可能である。
【００３０】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態の磁気検出素子１１の厚さ方向の断面模式図であり、図４（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。図４（ａ）は、図３のＤ矢視図であり、図４（ｂ）は、図３のＥ矢視図である。
第１実施形態同様、磁気検出素子１１は、幅Ｘ、奥行Ｙ、厚さＺの直方体形状である。厚さＺは、幅Ｘ、奥行Ｙよりも短い。ダイリード５２は、厚さ方向の中心が基準平面Ｓに一致するように配置される。ダイリード５２の上側には第１チップ２０１が、ダイリード５２の下側には第２チップ２０２が搭載され、モールド樹脂層１５に埋め込まれている。
よって、第２実施形態でも、構成部品の熱膨張または熱収縮は、基準平面Ｓの上下で同等程度に生じ、磁気検出素子１１全体として厚さＺ方向の反りを抑制できる。よって、チップ２０１、２０２に印加される応力を低減でき、圧電効果によって生ずる出力変動に伴う検出誤差を低減できる。
【００３１】
第１実施形態と異なり、ダイリード５２は導電性であっても非導電性であってもよい。第１チップ２０１および第２チップ２０２は、ダイリード５２と接触面では通電しない。
また、すべてのリード、すなわち、第１電源リード４１１、第１出力リード４２１、第１グランドリード４３１、第２電源リード４１２、第２出力リード４２２、及び、第２グランドリード４３２は、ダイリード５２と分離して基準平面Ｓ上に配置される。
第１チップ２０１の電源端子３１、出力端子３２、グランド端子３３は、それぞれ、第１電源リード４１１、第１出力リード４２１、及び、第１グランドリード４３１にボンディングワイヤ５５で結線されている。また、第２チップ２０２の電源端子３１、出力端子３２、グランド端子３３は、それぞれ、第２電源リード４１２、第２出力リード４２２、及び、第２グランドリード４３２にボンディングワイヤ５５で結線されている。
このように、第１チップ２０１と第２チップ２０２とは完全に独立して電気接続されるため、一方が故障しても他方に影響しない。すなわちフェール性に優れる。
【００３２】
また、第１チップ２０１用の３本のリード４１１、４２１、４３１は図の右側に、第２チップ２０２用の３本のリード４１２、４２２、４３２は図の左側に配置されている。これらすべてのリードは、基準平面Ｓに直角方向に、図の下側に曲げられている。
図５（ａ）は、第２実施形態の磁気検出素子１１を基板１２に実装した状態を示す模式図である。下側に曲げられた各リードが基板１２の表面にハンダ付けされて、磁気検出素子１１が基板１２に実装される。また、図５（ｂ）は、第２実施形態の磁気検出素子１１をターミナル１３に溶接した状態を示す模式図である。ここで「溶接」とは電気溶接のことをいい、図中、リードとターミナルとの接合部の「＊」印は溶接箇所を示す。これらのようにハンダ付けまたは溶接した場合、２つのチップ２０１、２０２が重なって装着されるため、実質的な素子実装面積を低減でき、搭載性が向上する。
【００３３】
（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態の磁気検出素子１１の厚さ方向の断面模式図であり、図７（ａ）のＩ−Ｉ断面図である。図７（ａ）は、図６のＧ矢視図であり、図７（ｂ）は、図６のＨ矢視図である。
第１実施形態同様、磁気検出素子１１は、幅Ｘ、奥行Ｙ、厚さＺの直方体形状である。厚さＺは、幅Ｘ、奥行Ｙよりも短い。ダイリード５２は、厚さ方向の中心が基準平面Ｓに一致するように配置される。ダイリード５２の上側には第１チップ２０１が、ダイリード５２の下側には第２チップ２０２が搭載され、モールド樹脂層１５に埋め込まれている。
よって、第３実施形態でも、構成部品の熱膨張または熱収縮は、基準平面Ｓの上下で同等程度に生じ、磁気検出素子１１全体として厚さＺ方向の反りを抑制できる。よって、チップ２０１、２０２に印加される応力を低減でき、圧電効果によって生ずる出力変動に伴う検出誤差を低減できる。
また、第２実施形態同様、第１チップ２０１および第２チップ２０２は、ダイリード５２と接触面では通電せず、すべてのリードは、ダイリード５２と分離して基準平面Ｓ上に配置される。
【００３４】
第２実施形態と異なり、第１チップ２０１の電源端子３１と第２チップ２０２の電源端子３１は、共通のコモン電源リード４１０に、第１チップ２０１のグランド端子３３と第２チップ２０２のグランド端子３３は、共通のコモングランドリード４３０にボンディングワイヤ５５で結線されている。
なお出力端子については、第２実施形態同様、第１チップ２０１の出力端子３２は第１出力リード４２１に、第２チップ２０２の出力端子３２は第２出力リード４２２に、それぞれ、ボンディングワイヤ５５で結線されている。
このように、第１チップ２０１と第２チップ２０２とがリードを一部共用するため、リード本数を削減できる。
【００３５】
また、４本リード４１０、４２１、４２２、４３０は、すべて図の右側に配置されており、第２実施形態よりも長く、まっすぐ伸びている。
図８（ａ）は、第３実施形態の磁気検出素子１１をスルーホールタイプとして基板１２に装着した状態を示す模式図である。各リードが基板１２の穴を通り、根元をハンダ付けされて、磁気検出素子１１を立てた形態で基板１２に装着される。また、図８（ｂ）は、第３実施形態の磁気検出素子１１をターミナル１３に溶接した状態を示す模式図である。図５（ｂ）と同様、リードとターミナルとの接合部の「＊」印は溶接箇所を示す。これらのようにハンダ付けまたは溶接した場合も素子実装面積を低減でき、搭載性が向上する。
【００３６】
（比較例）
ここで、チップがリードの片側に配置されたパッケージを比較例として説明する。
図９（ａ）は、常温時の磁気検出素子６１の厚さ方向の断面図である。チップ６２はリード６３に装着され、モールド樹脂層６５に埋め込まれてパッケージとなっている。リード６３の長さはＬ0である。なお、ワイヤボンディングの図示は省略されている。
チップ６２の主材質はシリコン（Ｓｉ）、リード６３の材質は銅（Ｃｕ）、モールド樹脂層６５の材質はエポキシ樹脂である。それらの材質の熱膨張係数は下記のようである。
Ｓｉ：          ４．５×１０-6（１／Ｋ）
Ｃｕ：        １８    ×１０-6（１／Ｋ）
エポキシ樹脂：  ９    ×１０-6（１／Ｋ）
【００３７】
図９（ｂ）は、高温時の熱膨張による応力を示す説明図である。リード６３の長さは熱膨張によりＬ０よりΔＬ１だけ伸びてＬ１となる。例えば、リード６３が１０ｍｍで温度差が１００℃のときは約０．０２ｍｍ伸びることになる。リード６３の伸びに対して、チップ６２の伸びが小さいため、磁気検出素子６１は、図に示すように上側が凹状に反る。この際、チップ６２に対し、引っ張られる方向の応力σｘ１が印加される。
【００３８】
図９（ｃ）は、低温時の熱収縮による応力を示す説明図である。リード６３の長さは熱膨張によりＬ０よりΔＬ２だけ縮んでＬ２となる。リード６３の縮みに対して、チップ６２の縮みが小さいため、磁気検出素子６１は、図に示すように上側が凸状に反る。この際、チップ６２に対し、圧縮される方向の応力σｘ２が印加される。
このようにチップ６２に応力が印加されると、圧電効果（ピエゾ効果）により、印加応力に比例した出力変動が発生するため、検出誤差が生じる。
【００３９】
（回転角度検出装置の第４、第５実施形態）
図１０（ａ）は、本発明の第２実施形態の磁気検出素子を使用した第４実施形態の回転角度検出装置の平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＪ−Ｊ断面図である。第２実施形態の代わりに第１実施形態の磁気検出素子を使用した場合も同様に示される。
図１１（ａ）は、本発明の第３実施形態の磁気検出素子を使用した第５実施形態の回転角度検出装置の平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＫ−Ｋ断面図である。
【００４０】
回転角度検出装置９０は、例えば吸気量を調節するスロットル装置等の検出対象である回転体の回転角度を検出する装置である。回転角度検出装置９０は、ロータコア９１、永久磁石９２、及び、磁気検出素子１１からなる。円筒状のロータコア９１は、検出対象である回転体とともに回転する。ロータコア９１の径方向反対側には２個の永久磁石９２が取り付けられ、ロータコア９１と一体に回転する。磁気検出素子１１は、ロータコア９１の内周側に設置され、ロータコア９１の回転に伴う永久磁石９２の磁界の変化を検出することにより、回転体の回転角度を検出する。
【００４１】
従来は、回転角度検出装置９０の環境温度が大きく変化した場合、熱応力が磁気検出素子内のチップに印加され、圧電効果によって出力変動が発生していたため、温度特性補正手段を用いる必要があった。
それに対し、本発明の磁気検出素子１１は熱応力が低減でき、圧電効果によって生ずる出力変動を低減できるため、これを使用した回転角度検出装置９０では、温度特性補正手段を用いる必要がなくなる。したがって複雑な補正回路や補正のための工数をなくすることができる。
【００４２】
なお、第４実施形態では回転角度検出装置の径方向に磁気検出素子１１の設置スペースを要するのに対し、第５実施形態では回転角度検出装置の軸方向に設置スペースを要する。したがって、実施形態の選択に際しては回転角度検出装置のサイズや形状なども考慮される。
【００４３】
（回転角度検出装置の第６、第７実施形態）
図１２（ａ）は、本発明の第２実施形態の磁気検出素子を使用した第６実施形態の回転角度検出装置の平面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＬ−Ｌ断面図である。第２実施形態の代わりに第１実施形態の磁気検出素子を使用した場合も同様に示される。
図１３（ａ）は、本発明の第３実施形態の磁気検出素子を使用した第７実施形態の回転角度検出装置の平面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＭ−Ｍ断面図である。
回転角度検出装置９５において、永久磁石９６は、磁気検出素子１１の直上に配置され図１２（ａ）または図１３（ａ）の紙面と平行な平面内で、図示しないリンク手段によって検出対象である回転体とともに回転する。磁気検出素子１１は、永久磁石９６の磁界の変化を検出することにより、回転体の回転角度を検出する。
この場合も、第４、第５実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４４】
（ストローク量検出装置の第８、第９実施形態）
図１４（ａ）は、本発明の第２実施形態の磁気検出素子を使用した第８実施形態のストローク量検出装置の平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＰ−Ｐ断面図である。第２実施形態の代わりに第１実施形態の磁気検出素子を使用した場合も同様に示される。
図１５（ａ）は、本発明の第３実施形態の磁気検出素子を使用した第９実施形態のストローク量検出装置の平面図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＱ−Ｑ断面図である。
【００４５】
ストローク量検出装置９７は、検出対象である直線移動体のストローク量を検出する装置である。ストローク量検出装置９７において、永久磁石９６は、磁気検出素子１１の直上に配置され、図１４（ａ）または、図１５（ａ）の紙面と平行な平面内で、図示しないリンク手段によって検出対象である直線移動体とともに直線移動する。磁気検出素子１１は、永久磁石９６の磁界の変化を検出することにより、直線移動体のストロークを検出する。
【００４６】
ストローク量検出装置９７においても、本発明の磁気検出素子１１は熱応力が低減でき、圧電効果によって生ずる出力変動を低減できるため、回転角度検出装置９０、９５同様、これを使用することにより温度特性補正手段を用いる必要をなくすることができる。
【００４７】
以上、本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。
例えば、磁気検出素子１１の形状は直方体に限定されず、基準平面に対称な形状であればよい。
【符号の説明】
【００４８】
１１：磁気検出素子、１２：基板、１３：ターミナル、１５：モールド樹脂層、２０１：第１チップ、２０２：第２チップ、２１：グランド面（グランド端子）、２２：導電性接着剤、３１：電源端子、３２：出力端子、３３：グランド端子、４１０：コモン電源リード、４１１：第１電源リード、４１２：第２電源リード、４２１：第１出力リード、４２２：第２出力リード、４３０：コモングランドリード、４３１：第１グランドリード、４３２：第２グランドリード、５１、５２：ダイリード、５５：ボンディングワイヤ、９０、９５：回転角検出装置、９１：ロータコア、９２、９６：永久磁石、９７：ストローク量検出装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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