(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成された駆動素子、該駆動素子を覆うパッシベーション膜および上記駆動素子を構成する金属層と同一層で形成された第１のコンタクト部を含む回路部と、
該回路部上に形成された平坦化絶縁層と、
該平坦化絶縁層上に形成され、複数の第１電極および補助配線を含む導電層と、
上記複数の第１電極間を絶縁し、該第１電極の一部が露出する開口が形成された開口規定絶縁層と、
上記複数の第１電極の各露出部分において、上記第１電極と、発光層を含む有機層と、共通の第２電極とが、この順で積層されて形成された複数の発光素子と、
上記駆動素子と接続された上記複数の発光素子が配置された表示領域を囲む位置で、上記平坦化絶縁層および上記パッシベーション膜が除去された分離部と、
を有し、
上記分離部において、上記第１のコンタクト部の一部が上記平坦化絶縁層および上記パッシベーション膜によって被覆されずに露出する露出面を有し、該露出面の少なくとも一部と上記平坦化絶縁層の上記分離部の形成面とにわたり上記補助配線が形成され、さらに該補助配線上に上記第２の電極が形成され、
上記分離部の内側の全領域では、上記平坦化絶縁層と上記第２電極との間および上記平坦化絶縁層と上記有機層との間に、上記導電層および上記開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかが介在され、
上記分離部の内側と上記表示領域の外側との間の領域では、上記平坦化絶縁層と上記第２電極との間に、上記補助配線および上記開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかが介在され、下記式で規定される開口規定絶縁層の被覆率が３０％以上１００％以下である表示装置。
（式）
（開口規定絶縁層の被覆率）＝｛（開口規定絶縁層の被覆面積）／（分離部と表示領域の外側との間の領域）｝×１００％
【請求項２】
上記回路部は、上記駆動素子を構成する金属層と同一層で形成され、上記補助配線および上記第２電極との間を電気的に接続する第２のコンタクト部を有し、
上記平坦化絶縁層には、上記平坦化絶縁層上に形成された上記補助配線を下方の層に導出する開口が、上記第２のコンタクト部上に形成され、
上記平坦化絶縁層による開口の内壁面が、上記補助配線および上記開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかによって覆われた
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
上記平坦化絶縁層による開口の内壁面が、上記開口規定絶縁層によって覆われた請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
基板上に駆動素子、該駆動素子を覆い、且つ、下記分離部に対応する部分が除去されたパッシベーション膜および上記駆動素子を構成する金属層と同一層で形成された第１のコンタクト部を含む回路部を形成する工程と、
上記回路部上に平坦化絶縁層を形成する工程と、
上記駆動素子と接続される複数の発光素子が形成される表示領域の外側の領域に、上記表示領域を囲む位置で平坦化絶縁層を除去し分離部を形成する工程と、
上記平坦化絶縁層上に複数の第１電極および補助配線を含む導電層を形成する工程と、
上記第１電極間を絶縁し、上記第１電極の一部が露出する開口を有する開口規定絶縁層を形成する工程と、
上記複数の第１電極間の各露出部分において、上記第１電極と、発光層を含む有機層と、共通の第２電極とをこの順で積層し、複数の発光素子を形成する工程と
を有する表示装置の製造方法であって、
上記分離部において、上記第１のコンタクト部の一部が上記平坦化絶縁層および上記パッシベーション膜によって被覆されずに露出する露出面を有し、該露出面の少なくとも一部と上記平坦化絶縁層の上記分離部の形成面とにわたり上記補助配線を形成し、さらに該補助配線上に上記第２の電極を形成し、
上記分離部の内側の全領域では、上記平坦化絶縁層と上記第２電極との間および上記平坦化絶縁層と上記有機層との間に、上記導電層および上記開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかを介在させるように、上記導電層、上記開口規定絶縁層および上記複数の発光素子を形成し、
上記分離部の内側と上記表示領域の外側との間の領域では、上記平坦化絶縁層と上記第２電極との間に、上記補助配線および上記開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかを介在させ、下記式で規定される開口規定絶縁層の被覆率が３０％以上１００％以下となるように、上記補助配線および上記開口規定絶縁層を形成する表示装置の製造方法。
（式）
（開口規定絶縁層の被覆率）＝｛（開口規定絶縁層の被覆面積）／（分離部と表示領域の外側との間の領域）｝×１００％
【請求項５】
上記回路部を形成する工程において、
上記駆動素子を構成する金属層と同一層で、上記補助配線および上記第２電極との間を電気的に接続する第２のコンタクト部を形成し、
上記平坦化絶縁層を形成する工程において、
上記平坦化絶縁層上に形成される補助配線を下方の層に導出するための開口を、上記第２のコンタクト部上に形成し、
上記導電層を形成する工程および上記開口規定絶縁層を形成する工程において、
上記平坦化絶縁層による開口の内壁面を、上記補助配線および上記開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかによって覆うように、上記補助配線および上記開口規定絶縁層を形成する請求項４記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
上記開口規定絶縁層を形成する工程において、
上記平坦化絶縁層による開口の内壁面を覆うように、上記開口規定絶縁層を形成する請求項５記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた自発光型の表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬディスプレイが注目されている。有機ＥＬディスプレイは、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型ディスプレイで、バックライトが不要であることに加え、優れた色再現性や高コントラスト、動画に適した応答性、広視野角などの優れた特徴を有している。
【０００３】
一方、有機ＥＬディスプレイでは、吸湿によって有機ＥＬ素子の有機層の劣化が生じ、有機ＥＬ素子の発光輝度が低下する、発光が不安定になる等の問題がある。
【０００４】
有機ＥＬディスプレイでは、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ；Thin Film Transister）を配置して、画素を構成する有機ＥＬ素子を制御するアクティブマトリックス方式が提案されている。
【０００５】
このアクティブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイでは、ＴＦＴの上方に位置する層として、平坦面を有する有機絶縁膜を形成し、この有機絶縁膜の平坦面に、マトリックス状に複数の有機ＥＬ素子を形成する。この有機絶縁膜は、水分を浸透しやすい性質を有し、この有機絶縁膜より、有機ＥＬ素子が配置される表示領域Ｐに水分が拡散すると、有機ＥＬ素子が劣化し、表示不良等の問題が生じる。
【０００６】
そこで、表示領域Ｐへの水分の拡散を防止するための種々の技術が提案されている。例えば、特許文献１では、表示領域の周囲を囲むように形成された分離部を設ける技術が提案されている。この技術では、分離部によって、周辺領域に残存する水分が表示領域に浸入することを防止できる。例えば、特許文献２では、周辺領域に配置された下部電極に、第１絶縁膜に達する孔を設けることによって、第１絶縁膜に含まれる水分などを放出する技術が提案されている。
【０００７】
ところで、封止パネル側から光を取り出す、トップエミッション構造の有機ＥＬディスプレイでは、光取り出し側の電極（上部電極）は、各有機ＥＬ素子に共通の電極であると共に、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性の導電材料により構成されている。
【０００８】
ところが、このような光透過性の導電材料は通常の金属材料などと比べ、抵抗率が２〜３桁程度高くなっている。よって、上部電極へ印加された電圧が面内で不均一になるため、各有機ＥＬ素子間の発光輝度に位置ばらつきが生じ、表示品質が低下してしまう問題があった。
【０００９】
この問題に対応するため、例えば特許文献３では、アノード電極と同一層にカソード電極と接続するための電源補助配線を形成する技術が提案されている。この技術では、第１電極と同一層の電源補助配線を、表示領域外で接続し、表示領域内においてもカソード電極と電源補助配線とを接続することでカソード電圧を安定化している。
【００１０】
特許文献３の技術では、アノード電極の反射率を高くするために、アノード電極材料にＡｌＮｄ合金を用い、カソード電極に光透過性を持つＭｇＡｇ合金を用いる。しかしながら、ＡｌＮｄ合金はその表面に自然酸化膜を生成し易い。このため、カソード電極とアノード電極と同一材料の電源補助配線との接触抵抗が大きくなってしまい、カソード電極と電源補助配線との接続が電気的に不安定になってしまう問題があった。
【００１１】
この問題に対応するため、例えば特許文献４では、カソード電極が１度ＴＦＴを用いて構成される回路の信号線や電源線を形成する第２の金属層であるＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ多層膜に接触し、Ｔｉを介して補助配線であるＡｌＮｄ合金に接続する技術が提案されている。
【００１２】
すなわち、この技術は、図２８に示すように、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ多層膜から構成されるコンタクトパッド２２５とＡｌＮｄ合金から構成される補助配線２１４とを電気的接続する。また、ＭｇＡｇ合金から構成されるカソード電極２１８とコンタクトパッド２２５とを電気的に接続する。これにより、補助配線２１４とカソード電極２１８とをコンタクトパッド２２５を介して電気的に接続する。
【００１３】
この接続構造を形成するために、平坦化絶縁膜２１３には、補助配線２１４を下方の層に導出するための開口が形成される。開口規定絶縁膜２１６には、カソード電極２１８を下方の層に導出するための開口が形成される。また、この開口の内壁面に沿って形成されるカソード電極２１８の段切れを防止するため、平坦化絶縁膜２１３による開口の径より、開口規定絶縁膜２１６による開口の径の方を大きく形成している。これにより、平坦化絶縁膜２１３の平坦面の一部は、開口規定絶縁膜２１６によって覆われない露出面を有する。カソード電極２１８は、この露出面および平坦化絶縁膜２１３による開口の内壁面に沿って形成されている。
【００１４】
この開口規定絶縁膜２１６および平坦化絶縁膜２１３を構成する材料には、例えば、特許文献５〜特許文献６に記載されているように、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミドなどの感光性樹脂を用いる。この感光性樹脂を塗布した後、開口形成部分を露光し、露光部分を剥離液により除去することで、開口規定絶縁膜２１６による開口および平坦化絶縁膜２１３による開口を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００６−０５４１１１号公報
【特許文献２】特開２００５−２６６６６７号公報
【特許文献３】特開２００４−２０７２１７号公報
【特許文献４】ＷＯ２００７／１４８５４０号パンフレット
【特許文献５】特開２００２−１１６７１５号公報
【特許文献６】特開２００１−１６０４８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、水分は周辺領域の有機絶縁膜のみならず、表示領域内の有機絶縁膜にも残存しているため、周辺領域の有機絶縁膜に残存する水分が表示領域へ浸入することを防止するだけでは十分ではない。このため、特許文献１に記載の技術では、表示領域内の有機絶縁膜に残存する水分を起因として、ダークスポット、カソード電極の変質等が生じ、長期信頼性を得ることができない問題があった。
【００１７】
特許文献２に記載の技術では、ベーク処理を行う際には有効であるが、周辺領域の水分を十分に除去することができず、長期的な信頼性を得ることができなかった。
【００１８】
特許文献４に記載の技術では、平坦化絶縁膜２１３による開口の内壁面および平坦化絶縁膜２１３による平坦面の露出面と、カソード電極２１８とが直接接触する構造を有する。したがって、平坦化絶縁膜２１３に残存する水分がカソード電極２１８まで浸透することや平坦化絶縁膜２１３からのデガスによって、カソード電極２１８が劣化し、この結果、表示特性が低下してしまう。
【００１９】
さらに特許文献４に記載の技術では、開口規定絶縁膜２１６の開口を形成する際、感光性樹脂の露光部分を剥離する時に、この剥離部分に対応する位置にある平坦化絶縁膜２１３による開口の内壁面がダメージを受け、平坦化絶縁膜２１３による開口の内壁面に凹凸が生じてしまう。
【００２０】
特許文献４に記載の技術では、凹凸が生じた内壁面に沿って、カソード電極２１８が形成されており、この凹凸の影響で、カソード電極２１８が断線してしまうおそれがある。カソード電極２１８が断線すると、その周辺の数個の画素が電圧降下を起こし、シェーディングとして視認されてしまう。
【００２１】
したがって、この発明の目的は、有機絶縁膜に残存する水分の拡散や平坦化絶縁膜からのデガスによる表示特性の劣化を抑制できる表示装置および表示装置の製造方法を提供することにある。
【００２２】
また、この発明の他の目的は、電極の断線を抑制することで、表示特性の劣化を抑制できる表示装置および表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上述した課題を解決するために、第１の発明は、基板と、基板上に形成された駆動素子、駆動素子を覆うパッシベーション膜および駆動素子を構成する金属層と同一層で形成された第１のコンタクト部を含む回路部と、回路部上に形成された平坦化絶縁層と、平坦化絶縁層上に形成され、複数の第１電極および補助配線を含む導電層と、複数の第１電極間を絶縁し、第１電極の一部が露出する開口が形成された開口規定絶縁層と、複数の第１電極の各露出部分において、第１電極と、発光層を含む有機層と、共通の第２電極とが、この順で積層されて形成された複数の発光素子と、駆動素子と接続された複数の発光素子が配置された表示領域を囲む位置に、平坦化絶縁層およびパッシベーション膜が除去された分離部を有し、分離部において、第１のコンタクト部の一部が平坦化絶縁層および上記パッシベーション膜によって被覆されずに露出する露出面を有し、露出面の少なくとも一部と平坦化絶縁層の分離部の形成面とにわたり補助配線が形成され、さらに補助配線上に第２の電極が形成され、分離部の内側の全領域では、平坦化絶縁層と第２電極との間および平坦化絶縁層と有機層との間に、導電層および開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかが介在され、分離部の内側と表示領域の外側との間の領域では、平坦化絶縁層と第２電極との間に、補助配線および開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかが介在され、下記式で規定される開口規定絶縁層の被覆率が３０％以上１００％以下である表示装置である。
（式）
（開口規定絶縁層の被覆率）＝｛（開口規定絶縁層の被覆面積）／（分離部と表示領域の外側との間の領域）｝×１００％
【００２４】
第１の発明において、典型的には、駆動素子を構成する金属層と同一層で形成され、補助配線および第２電極との間を電気的に接続するコンタクト部を有し、平坦化絶縁層には、平坦化絶縁層上に形成された補助配線を下方の層に導出する開口が、コンタクト部上に形成され、平坦化絶縁層による開口の内壁面が、補助配線および開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかによって覆われた表示装置であることが好ましい。
【００２５】
第２の発明は、基板上に駆動素子、駆動素子を覆い、且つ、下記分離部に対応する部分が除去されたパッシベーション膜および駆動素子を構成する金属層と同一層で形成された第１のコンタクト部を含む回路部を形成する工程と、回路部上に平坦化絶縁層を形成する工程と、駆動素子と接続される複数の発光素子が形成される表示領域の外側の領域に、表示領域を囲む位置で平坦化絶縁層を除去し分離部を形成する工程と、平坦化絶縁層上に複数の第１電極および補助配線を含む導電層を形成する工程と、第１電極間を絶縁し、第１電極の一部が露出する開口を有する開口規定絶縁層を形成する工程と、複数の第１電極間の各露出部分において、第１電極と、発光層を含む有機層と、共通の第２電極とをこの順で積層し、複数の発光素子を形成する工程とを有する表示装置の製造方法であって、分離部において、第１のコンタクト部の一部が平坦化絶縁層およびパッシベーション膜によって被覆されずに露出する露出面を有し、露出面の少なくとも一部と平坦化絶縁層の分離部の形成面とにわたり補助配線を形成し、さらに補助配線上に第２の電極を形成し、導電層を形成する工程、開口規定絶縁層を形成する工程および発光素子を形成する工程において、分離部の内側の全領域では、平坦化絶縁層と第２電極との間および平坦化絶縁層と有機層との間に、導電層および開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかを介在させるように、導電層、開口規定絶縁層および複数の発光素子を形成し、分離部の内側と表示領域の外側との間の領域では、平坦化絶縁層と第２電極との間に、補助配線および開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかを介在させ、下記式で規定される開口規定絶縁層の被覆率が３０％以上１００％以下となるように、補助配線および開口規定絶縁層を形成する表示装置の製造方法である。
（式）
（開口規定絶縁層の被覆率）＝｛（開口規定絶縁層の被覆面積）／（分離部と表示領域の外側との間の領域）｝×１００％
【００２６】
第２の発明において、典型的には、回路部を形成する工程において、駆動素子を構成する金属層と同一層で、補助配線および第２電極との間を電気的に接続するコンタクト部を形成し、平坦化絶縁層を形成する工程において、平坦化絶縁層上に形成される補助配線を下方の層に導出するための開口を、コンタクト部上に形成し、導電層を形成する工程および開口規定絶縁層を形成する工程において、平坦化絶縁層による開口の内壁面を、補助配線および開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかによって覆うように、補助配線および開口規定絶縁層を形成することが好ましい。
【００２７】
第１の発明および第２の発明では、分離部の内側の全領域では、平坦化絶縁層と第２電極との間および平坦化絶縁層と有機層との間に、導電層および開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかが介在する構成を有する。この構成により、平坦化絶縁層に残存する水分の拡散や平坦化絶縁層からのデガスによる表示特性の劣化を抑制することができる。
【００２８】
第１の発明および第２の発明において、典型的には、駆動素子を構成する金属層と同一層で形成され、補助配線および第２電極との間を電気的に接続するコンタクト部を有し、平坦化絶縁層には、平坦化絶縁層上に形成された補助配線を下方の層に導出する開口が、コンタクト部上に形成され、平坦化絶縁層による開口の内壁面が、補助配線および開口規定絶縁層のうちの少なくとも何れかによって覆われた構成にする。この構成により、電極の断線を抑制し、表示特性の劣化を抑制できる。
【発明の効果】
【００２９】
この発明によれば、平坦化絶縁層に残存する水分の拡散や平坦化絶縁層からのデガスによる表示特性の劣化を抑制できる。また、この発明によれば、電極の断線を抑制し、表示特性の劣化を抑制できる
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】この発明の第１の実施の形態による表示装置の構成例を示す平面図である。
【図２】表示領域の構成例を示す平面図である。
【図３】第１電極および補助配線等の構成を示す平面図である
【図４】接続コンタクトの構成例を示す断面図である。
【図５】表示領域の構成例を示す断面図である。
【図６】表示領域の構成例を示す拡大断面図である。
【図７】コンタクト配置部の構成例を示す平面図である。
【図８】コンタクト配置部の構成例を示す断面図である。
【図９】従来のコンタクト配置部の構成例を示す平面図である。
【図１０】従来のコンタクト配置部の構成例を示す断面図である。
【図１１】従来のコンタクト配置部の第２電極の断線状態を示す断面図である。
【図１２】表示領域および周辺領域の構成例を示す断面図である。
【図１３】分離部の構成例を示す断面図である。
【図１４】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】コンタクト配置部の構成例を示す平面図である。
【図１９】コンタクト配置部の構成例を示す断面図である。
【図２０】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２１】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２２】コンタクト配置部の構成例を示す平面図である。
【図２３】コンタクト配置部の構成例を示す断面図である。
【図２４】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２５】表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２６】分離部の構成例を説明するための断面図である。
【図２７】試験例の結果をまとめグラフである。
【図２８】従来のコンタクト配置部の構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。以下に説明する実施の形態は、この発明の具体的な例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発明の範囲は、以下の説明において、特にこの発明を限定する旨の記載がない限り、実施の形態に限定されないものとする。なお、説明は、以下の順序で行い、実施の形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１．第１の実施の形態（表示装置の第１の例）
２．第２の実施の形態（表示装置の第２の例）
３．第３の実施の形態（表示装置の第３の例）
４．第４の実施の形態（表示装置の第４の例）
５．他の実施の形態（変形例）
【００３２】
１．第１の実施の形態
＜表示装置の構成＞
この発明の第１の実施の形態による表示装置の構成について説明する。図１は、この発明の第１の実施の形態による表示装置の構成を示す平面図である。この表示装置は、マトリックス状に配置された有機ＥＬ素子のそれぞれにスイッチング素子としてＴＦＴを接続し、ＴＦＴによって、各有機ＥＬ素子の発光を制御するアクティブマトリックス型の表示装置である。
【００３３】
図１において、２点鎖線で囲まれる表示領域Ｐは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色を発光する有機ＥＬ素子がマトリック状に配列される領域である。１つの有機ＥＬ素子は、１つの副画素を構成する。Ｒ発光する有機ＥＬ素子がＲ副画素を構成し、Ｇ発光する有機ＥＬ素子がＧ副画素を構成し、Ｂ発光する有機ＥＬ素子がＢ副画素を構成する。Ｒ副画素、Ｇ副画素およびＢ副画素は１つの画素を構成する。
【００３４】
表示領域Ｐを囲むようにして設けられた周辺領域Ｑは、有機ＥＬ素子に走査信号やデータ信号を送る駆動回路などが設けられている領域である。
【００３５】
周辺領域Ｑの内部または端部にＴＦＴの上方の層に設けられる平坦化絶縁膜を分断する分離部９１が、表示領域Ｐを囲むようにして設けられている。この分離部９１によって、平坦化絶縁膜は、分離部９１より内側領域の平坦化絶縁膜１３と、外側の領域の平坦化絶縁膜とに分断される。この分離部９１によって、分離部９１の外側の領域の平坦化絶縁膜の水分が、平坦化絶縁膜を介して表示領域Ｐに浸入することを抑制できる。
【００３６】
＜表示領域＞
表示領域Ｐのより詳細な構成について説明する。図２は、図１において点線で囲まれる、表示領域Ｐの一部の領域９０を拡大した平面図である。また、図３Ａは、第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂの構成を示す平面図である。図３Ｂは、ＴＦＴを含む回路の構成を示す平面図である。
【００３７】
図２に示す開口３１は、平坦化絶縁膜上の開口規定絶縁膜に形成された開口である。この開口３１において露出する第１電極１４ａに、有機層１７と第２電極１８とを積層し有機ＥＬ素子２１が形成される。表示領域Ｐでは、Ｒ発光する有機ＥＬ素子２１Ｒ、Ｇ発光する有機ＥＬ素子２１Ｇ、およびＢ発光する有機ＥＬ素子２１Ｂが並置されている。
【００３８】
図３Ａに示すように、補助配線１４ｂは、第１電極１４ａと同一の金属層に形成され、有機ＥＬ素子２１Ｒを構成する第１電極１４ａの周囲を囲むように格子状に設けられている。この格子状に設けられた補助配線１４ｂ同士は、表示領域Ｐにわたり互いに連結され、表示領域全体に均等に形成されている。第１電極１４ａと補助配線１４ｂとは、開口規定絶縁膜で区画されることによって、電気的に絶縁されている。
【００３９】
この補助配線１４ｂは、図２に示すコンタクト配置部５０に設けられたコンタクトパッドに接続され、補助配線１４ｂと第２電極とが、コンタクトパッドを介して電気的に接続される。補助配線１４ｂは表示領域全体に均等に形成されており、補助配線１４ｂと第２電極１８とが電気的に接続されることで、第２電極１８の面内での電位のばらつきを抑制することが可能となる。なお、コンタクト配置部５０の詳細な構造については後述する。
【００４０】
図３Ｂに示すように、ＴＦＴを含む回路が構成される。この回路は、ＴＦＴによって構成される駆動トランジスタ４１ａおよび書き込みトランジスタ４１ｂ、並びに、蓄積容量２９、走査線２５ａ、信号線２５ｂ、電源制御線２５ｃなどから構成される。接続コンタクト４８ａ〜４８ｆで、駆動トランジスタ４１ａおよび書き込みトランジスタ４１ｂのゲート電極等を構成する第１の金属層２３’と、走査線２５ａ、信号線２５ｂおよび電源制御線２５ｃ等を構成する第２の金属層２５とが電気的に接続される。
【００４１】
また、接続コンタクト２８で、第２の金属層２５と第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂを構成する第３の金属層とが電気的に接続される。すなわち、図４（図２の線ｂ−ｂ’に沿った断面図）に示すように、ゲート絶縁膜２２上に形成された第２の金属層２５は、パッシベーション膜２６および平坦化絶縁膜１３によって被覆されない露出面を一部に有する。この露出面と、平坦化絶縁膜１３の上層に形成された第１電極１４ａ（第３の金属層）とが、平坦化絶縁膜１３に形成された開口を介して、接続される。
【００４２】
図５は、図２（平面図）において、線ａ−ａ’に沿った断面を示す。図５に示すように、基板１１上に、ＴＦＴを含む回路が形成される回路形成層１２を有し、この回路形成層１２上に、平坦化絶縁膜１３が形成されている。平坦化絶縁膜１３上には、マトリックス状に配置された第１電極１４ａと、第１電極１４ａの周囲に設けられた補助配線１４ｂとが形成されている。第１電極１４ａ上の開口規定絶縁膜１６は、マトリックス状に配置された第１電極１４ａに対応した開口３１を有する。この開口３１から露出する第１電極１４ａに、有機層１７と第２電極１８とが積層されて有機ＥＬ素子２１を構成する。
【００４３】
表示領域Ｐでは、保護層１９および封止基板２０を除くと、平坦化絶縁膜１３の上層は、第１電極１４ａ／有機層１７／第２電極１８の積層構造を有する。また、補助配線１４ｂ／開口規定絶縁膜１６／第２電極１８、補助配線１４ｂ／開口規定絶縁膜１６／有機層１７／第２電極１８の積層構造を有する。また、開口規定絶縁膜１６／第２電極１８（図示省略）、開口規定絶縁膜１６／有機層１７／第２電極１８の積層構造を有する。
【００４４】
すなわち、表示領域Ｐでは、有機層１７と平坦化絶縁膜１３との間には、第１電極１４ａまたは開口規定絶縁膜１６が介在する構造とされている。また、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３との間には、第１電極１４ａおよび第１電極１４ａ上に積層される有機層１７が介在する構造とされている。また、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３との間には、補助配線１４ｂおよび補助配線１４ｂ上に積層される開口規定絶縁膜１６が介在する構造とされている。また、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３との間には、補助配線１４ｂおよび補助配線１４ｂ上に積層される開口規定絶縁膜１６、および開口規定絶縁膜１６上に積層される有機層１７が介在する構造とされている。また、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３との間には、開口規定絶縁膜１６が介在する構造とされている。また、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３との間には、開口規定絶縁膜１６および開口規定絶縁膜１６上に積層される有機層１７が介在する構造とされている。これらの構造により、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分が有機層１７および第２電極１８まで拡散することを抑制し、有機層１７および第２電極１８の劣化を抑制できる。また、平坦化絶縁膜１３からのデガスによる有機層１７および第２電極１８の劣化を抑制できる。
【００４５】
図６は、図５における領域Ｓの拡大断面図である。図６に示すように、平坦化絶縁膜１３上に、第１電極１４ａが形成されている。上述したように、この第１電極１４ａは、マトリックス状に形成されている。また、開口規定絶縁膜１６は、第１電極１４ａの位置に対応した開口３１を有するように形成されている。この開口３１において、開口規定絶縁膜１６から露出する第１電極１４ａ上に、有機層１７と、第２電極１８とがこの順で積層され、有機ＥＬ素子２１が形成されている。
【００４６】
[第１電極]
第１電極１４ａは、有機層１７に含まれる発光層（図示省略）に正孔を注入する電極（アノード電極）であり、平坦化絶縁膜１３上にマトリックス状にパターニングされている。第１電極１４ａは、発光層からの光を反射して上方へ導くための反射電極として機能している。第１電極１４ａの材料としては、反射率の高い材料である、例えば、Ａｌ、ＡｌＮｄ合金またはＡｌＣｅなどのＡｌを主成分とする合金などにより構成される。なお、このような第１電極の材料は、表面が酸化されやすい性質（表面酸化性）を有している。
【００４７】
［有機層］
有機層１７は、図示を省略するが、例えば第１電極１４ａ側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層の順に積層された構造を有する。正孔注入層は、第１電極１４ａから正孔をスムーズに受け入れるために設けられる層である。正孔輸送層は、正孔を発光層にスムーズに移動させるために設けられる層である。電子輸送層は、第２電極１８から電子を受け取って発光層まで輸送する層である。有機層１７の各層を構成する材料には、それぞれの機能に適した有機材料を適宜用いる。
【００４８】
有機ＥＬ素子２１では、第１電極１４ａと第２電極１８との間に、必要な電圧−電流を加えると、第１電極１４ａから正孔が第２電極１８から電子が発光層に注入され、発光層で正孔と電子とが再結合することにより発光する。有機ＥＬ素子２１での発光は、有機層１７を構成する材料に応じた色を発光する。
【００４９】
[第２電極]
第２電極１８は、発光層に電子を注入する電極（カソード電極）である。第２電極１８は、複数の有機ＥＬ素子２１間で連結しており、各有機ＥＬ素子２１の共通の電極となっている。第２電極１８は、発光層からの光を透過して上方へ射出するため、透明または半透明の電極となっている。第２電極１８の材料としては、透明材料、半透明性材料を用いる。このような材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明材料、または半透明材料であるＭｇＡｇ合金やＣｕ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌなどが挙げられる。
【００５０】
[平坦化絶縁膜]
平坦化絶縁膜１３は、層構造を平坦化してその上に有機ＥＬ素子２１を形成するためのものである。平坦化絶縁膜１３は、例えば、感光性のポリイミド樹脂、ポリベンズオキサゾール樹脂、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレンまたはアクリル樹脂などの絶縁材料により構成される。
【００５１】
[開口規定絶縁膜]
開口規定絶縁膜１６は、例えば、平坦化絶縁膜１３と同様、感光性のポリイミド樹脂、ポリベンズオキサゾール樹脂、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレンまたはアクリル樹脂などの絶縁材料により構成される。この開口規定絶縁膜１６は、第１電極と第２電極との絶縁性を確保し、有機ＥＬ素子が形成される領域を規定するために設けられている。
【００５２】
開口規定絶縁膜１６と平坦化絶縁膜１３の材料は、同じ材料であっても異なる材料であってもよい。なお、製造工程等を鑑みると、開口規定絶縁膜１６は、水分やガスなどが十分に抜けているが、平坦化絶縁膜１３は、水分やガスなどが十分に抜けきれていないと考えられる。したがって、開口規定絶縁膜１６は、水分やガスなどにより劣化する第２電極１８や有機層１７と接触していても問題ないが、平坦化絶縁膜１３は、第２電極や有機層と接触することを避けなければならない。
【００５３】
[補助配線]
補助配線１４ｂは、上述のように、第１電極１４ａの周囲に形成されており、抵抗の高い透過性の第２電極１８における電極電圧の面内不均一性を抑制するためのものである。この補助配線１４ｂは、第２電極１８よりも低抵抗となるように（例えば、抵抗率の低い材料により）構成される。なお、補助配線１４ｂは、第１電極１４ａと同一金属層で形成される。
【００５４】
[回路形成層]
回路形成層１２には、有機ＥＬ素子２１を発光駆動させるための駆動素子であるＴＦＴが形成される。ＴＦＴ４１は、例えば、ＣＶＤ法やスパッタ法による成膜とフォトリソグラフィによるパターン形成とを繰り返すことにより形成される。
【００５５】
ＴＦＴ４１は、駆動トランジスタ４１ａや書き込み用トランジスタ４１ｂを構成する。ＴＦＴ４１は、モリブデンなどで構成されるゲート電極２３と、ゲート絶縁膜２２と、μｃ−Ｓｉ膜３６およびｎ+−Ｓｉ膜３７で構成された半導体層３８と、エッチングストッパ２４と、第２の金属層２５と、パッシベーション膜２６とから構成される。
【００５６】
（第２の金属層）
第２の金属層２５は、ＴＦＴ４１のソース電極およびドレイン電極を構成すると共に、信号線２５ｂなどの配線としても機能している。この第２の金属層２５は、コンタクト配置部５０に配置されるコンタクトパッドと同一の材料で構成される。具体的には、第２の金属層２５は、例えば表面が酸化されにくく、第２電極１８との間で良好な接続（望ましくは、オーミック接続）をとれる導電性材料により構成される。また、第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂを構成する材料に対して、高いエッチング選択比を示す材料であることが望ましい。第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂをエッチングする際に、コンタクトパッドも一緒にエッチングされないようにするためである。
【００５７】
より具体的には、例えば、Ｔｉ、窒化チタン、タングステン、クロム、金、白金、銅、ＩＴＯ、ＩＺＯもしくは銀またはこれらの金属材料を主成分とする合金などが挙げられる。また、第２の金属層２５をＴｉ／Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｔｉ／（ＡｌＳｉ合金）、Ｔｉ／（ＡｌＳｉＣｕ合金）またはＴｉ／（ＡｌＣｅ（セリウム）合金）などのＴｉを最上層とする多層膜によって、構成するようにしてもよい。第２の金属層２５の構成材料は、第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂの構成材料やエッチング方法などによって適宜選択される。
【００５８】
（パッシベーション膜）
パッシベーション膜２６は、ＴＦＴ４１を保護するためのものであり、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮのうちの少なくとも１種からなる絶縁材料により構成される。
【００５９】
[保護層]
保護層１９は、透明誘電体からなるパッシベーション膜で構成される。保護層１９の材料としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮなどを用いることができる。
【００６０】
[封止基板]
封止基板２０は、保護層１９上に形成された接着層（図示省略）に対して接着され、有機ＥＬ素子２１を封止する。封止基板２０は、例えばガラスなどの透明な材料で構成される。
【００６１】
＜コンタクト配置部＞
コンタクト配置部５０について説明する。図７は、コンタクト配置部５０を上面から見た平面図である。
【００６２】
図７において、点線６１で囲まれる領域（内側の点線と外側の点線との間の領域）が補助配線１４ｂが形成されている領域を示す。線６２で囲まれる領域が、パッシベーション膜２６の除去部分である。線６３で囲まれる領域が、平坦化絶縁膜１３の除去部分である。線６４で囲まれる領域が、開口規定絶縁膜１６の除去部分である。太線６５で囲まれる領域が、コンタクトパッド５１が形成された領域である。
【００６３】
図８は、図７において、線II−線II’に沿った断面図である。図８に示すように、基板１１上に、ゲート絶縁膜２２が積層されており、ゲート絶縁膜２２の一部の領域に、第２の金属層２５と同一層のコンタクトパッド５１が形成されている。コンタクトパッド５１は、例えば第２の金属層２５と同一材料、同一の厚さで形成されている。なお、コンタクトパッド５１の形成領域は、図７に示す太線６５で囲まれる領域に対応する。
【００６４】
パッシベーション膜２６には、コンタクトパッド５１の一部が露出する開口が形成されている。なお、この開口の形成領域は、図７に示す、線６２で囲まれる領域に対応する。平坦化絶縁膜１３には、平坦化絶縁膜１３上に形成された補助配線１４ｂとコンタクトパッド５１とを接続するための開口が形成されている。なお、この開口は、図７における線６３で囲まれる領域に対応する。補助配線１４ｂは、この平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面の一部に沿って、コンタクトパッド５１の上面まで形成されている。
【００６５】
また、開口規定絶縁膜１６は、この補助配線１４ｂに沿って形成されるか、または、補助配線１４ｂが形成されていない、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に沿って、コンタクトパッド５１の上面まで形成されている。これにより、開口規定絶縁膜１６は、開口規定絶縁膜１６上に形成された第２電極１８をコンタクトパッド５１に接続するための開口を形成する。第２電極１８は、この開口を形成する面およびコンタクトパッド５１の上面にわたり、一様に形成されている。
【００６６】
コンタクト配置部５０では、補助配線１４ｂとコンタクトパッド５１とが電気的に接続される。また、第２電極１８とコンタクトパッド５１とが電気的に接続される。また、補助配線１４ｂと第２電極１８とがコンタクトパッド５１を介して電気的に接続される。これにより、補助配線１４ｂと第２電極１８との間が、第２電極１８との間で良好な接続（好ましくはオーミック接続）をとれるコンタクトパッド５１を介して電気的に接続される。したがって、酸化され易い材料で構成された補助配線１４ｂの表面が酸化した場合でも、第２電極１８と補助配線１４ｂとの間の接続抵抗の増大が回避される。
【００６７】
コンタクト配置部５０では、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に沿って、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６がこの順で積層された構造で形成されるか、または、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に沿って、開口規定絶縁膜１６が形成されている。すなわち、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面は、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２つの層または開口規定絶縁膜１６の１つの層によって覆われている。これにより、平坦化絶縁膜１３と第２電極とが直接接触することを避けることができ、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによって第２電極１８や有機層１７が劣化することを抑制できる。
【００６８】
また、このコンタクト配置部５０の構造では、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に凹凸が形成されても、この内壁面と第２電極１８との間に、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２層または開口規定絶縁膜１６の１層が介在する。
【００６９】
これにより、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面の凹凸の影響を緩和することができるので、第２電極１８の断線を抑制できる。すなわち、以下に説明する従来のコンタクト配置部５０の構造で生じていた問題点を解消できる。以下では、この発明の理解を容易にするため、コンタクト配置部５０の従来構造およびその問題点について説明する。
【００７０】
[コンタクト配置部の従来構造およびその問題点]
コンタクト配置部５０の従来構造について説明する。図９は、コンタクト配置部５０を上面から見た平面図である。
【００７１】
図９において、点線７１で囲まれる領域（内側の点線と外側の点線との間の領域）が補助配線１４ｂが形成されている領域を示す。線７２で囲まれる領域が、パッシベーション膜２６の除去部分である。線７３で囲まれる領域が、平坦化絶縁膜１３の除去部分である。線７４で囲まれる領域が、開口規定絶縁膜１６の除去部分である。太線７５で囲まれる領域が、コンタクトパッド５１が形成された領域である。
【００７２】
図１０に示すように、開口規定絶縁膜１６には、上層に設けられた第２電極１８を、下方の層に配置されるコンタクトパッド５１に接続するための開口が形成されている。開口規定絶縁膜１６による開口（図９では線７４で囲まれる領域に対応）の径は、平坦化絶縁膜１３による開口（図９では線７３で囲まれる領域に対応）の径より、大きくなるように設定されている。これにより平坦化絶縁膜１３の平坦面の一部は、開口規定絶縁膜１６によって、覆われない露出面を有する。この露出面の一部および平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面の一部に沿って、コンタクトパッド５１の上面の一部まで補助配線１４ｂが形成されている。
【００７３】
開口規定絶縁膜１６による開口の内壁面、補助配線１４ｂ、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面、平坦化絶縁膜１３の平坦面の露出面によって、平坦化絶縁膜１３上に設けられた第２電極１８を、コンタクトパッド５１に接続するための開口を形成する。第２電極１８は、この開口を形成する面、およびコンタクトパッド５１の上面にわたり、一様に形成されている。
【００７４】
これにより、コンタクト配置部５０では、補助配線１４ｂとコンタクトパッド５１とが電気的に接続される。第２電極１８とコンタクトパッド５１とが電気的に接続される。また、補助配線１４ｂと第２電極１８とがコンタクトパッド５１を介して電気的に接続される。
【００７５】
この従来構造では、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面は、開口規定絶縁膜１６による開口を形成する工程において、ダメージを受け、凹凸が生じてしまう。すなわち、開口規定絶縁膜１６となる感光性樹脂を平坦化絶縁膜１３上に塗布した後、開口に対応する露光部分を剥離する際に、剥離液の影響で、剥離する部分に対応した位置にある平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に凹凸が生じてしまう。平坦化絶縁膜１３に開口の内壁面に凹凸が生じてしまうと、凹凸の影響で、図１１の矢印ａに示す部分のように凹凸が生じた開口の内壁面に形成された第２電極１８が断線してしまう
【００７６】
これに対して、上述した本願発明のコンタクト配置部５０の構造では、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面を、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６、または開口規定絶縁膜１６で覆う。これにより、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面と第２電極１８との間に、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２層、または開口規定絶縁膜の１層を介在するようにしている。したがって、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面の凹凸が影響して、第２電極１８が断線することを抑制できる。
【００７７】
＜周辺領域＞
次に、周辺領域Ｑの構成について説明する。図１２は、図１におけるIII−III’線に沿った断面図である。表示領域Ｐと周辺領域Ｑとの間に設けられた分離部９１が、平坦化絶縁膜１３を、表示領域Ｐ側の平坦化絶縁膜１３と周辺領域Ｑ側の平坦化絶縁膜１３とに分断している。これにより、周辺領域Ｑの平坦化絶縁膜１３が、表示領域Ｐ側の平坦化絶縁膜１３から隔離されているので、周辺領域Ｑに存在する水分が、平坦化絶縁膜１３を介して、表示領域Ｐに浸入することを防止できる。
【００７８】
周辺領域Ｑには、有機ＥＬ素子２１に走査信号やデータ信号を送る駆動回路が回路形成層１２に形成されている。また、有機ＥＬ素子２１と同様の構成、すなわち、第１電極１４ａ、有機層１７および第２電極１８がこの順で積層された構造を有する周辺画素領域ｂなどが形成されている。なお、この周辺画素領域ｂは、有機ＥＬ素子２１と同様の構成を有するが、実際には発光しない。この周辺画素領域ｂは、分離部９１の内側の周辺領域Ｑに形成されていてもよい。
【００７９】
２点鎖線で囲まれる、表示領域Ｐの外側と分離部９１の内側との間の領域Ｔ（分離部９１の内側の周辺領域Ｔと適宜称する）では、回路形成層１２上に、平坦化絶縁膜１３が形成されている。また、平坦化絶縁膜１３上には、補助配線１４ｂが形成されている。また、補助配線１４ｂ上には、第２電極１８が形成されている。また、平坦化絶縁膜１３の補助配線１４ｂが形成されていない面上に、開口規定絶縁膜１６が形成されている。そして、この開口規定絶縁膜１６上に、第２電極１８が形成されている。
【００８０】
すなわち、平坦化絶縁膜１３と第２電極１８との間に、補助配線１４ｂの１層が介在する構造とされている。また、平坦化絶縁膜１３と第２電極１８との間に開口規定絶縁膜１６の１層が介在する構造とされている。また、平坦化絶縁膜１３と第２電極１８との間に、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２層が介在する構造とされている。これにより、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３とが直接接触しないので、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによって、第２電極が劣化することを抑制できる。
【００８１】
また、この分離部９１の内側の周辺領域Ｔでは、開口規定絶縁膜１６の面積を、以下のように設定する。すなわち、下記（式１）で定まる開口規定絶縁膜１６の被覆率を、３０％以上１００％以下とする。
【００８２】
（式１）
（開口規定絶縁膜の被覆率）＝｛（分離部の内側の周辺領域Ｔの開口規定絶縁膜の面積／分離部の内側の周辺領域Ｔの面積）｝×１００（％）
【００８３】
このように開口規定絶縁膜１６を設定しないと、平坦化絶縁膜１３に残存する水分の浸入や平坦化絶縁膜１３からのデガスなどによって、表示領域Ｐ内の有機層１７を構成する有機材料が劣化することや、第２電極１８を構成する材料が変質することを、十分に抑制できないからである。
【００８４】
＜分離部＞
分離部の構成について詳細に説明する。図１３は、図１２に示す領域ｐを拡大した断面図である。図１３に示すように、分離部９１において、第２の金属層２５と同一層のコンタクトパッド５１は、平坦化絶縁膜１３およびパッシベーション膜２６によって被覆されずに一部が露出する露出面を有する。この露出面と平坦化絶縁膜１３の分離部９１の形成面にわたり、補助配線１４ｂが形成されている。さらに、この補助配線１４ｂ上に、第２電極１８が形成されている。
【００８５】
この分離部９１で、表示領域Ｐの平坦化絶縁膜１３を、分離部９１の外側の平坦化絶縁膜１３から隔離することによって、分離部９１の外側の周辺領域Ｑの平坦化絶縁膜１３に残存する水分が、表示領域Ｐに浸入することを抑制できる。
【００８６】
＜表示装置の製造方法＞
この発明の第１の実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。表示装置の製造方法の説明では、有機ＥＬ素子２１が形成される領域の形成過程を示す図１４、図１６およびコンタクト配置部５０の形成過程を示す図１５、図１７を参照して説明する。
【００８７】
まず、図１４Ａに示すように、基板１１上に、ＣＶＤ法やスパッタ法による成膜とフォトリソグラフィによるパターン形成とを繰り返すことにより、ゲート電極２３と、エッチングストッパ２４と、半導体層３８と、第２の金属層２５とを形成する。また、コンタクト配置部５０では、図１５Ａに示すように、ゲート絶縁膜２２上に、第２の金属層２５と同一層のコンタクトパッド５１を形成する。
【００８８】
次に、図１４Ｂに示すように、ＴＦＴ４１を覆うパッシベーション膜２６を、ＣＶＤ法により形成する。また、コンタクト配置部５０では、図１５Ｂに示すように、フォトリソグラフィにより、パッシベーション膜２６の一部を除去することで、コンタクトパッド５１の上面の一部が露出する開口を形成する。
【００８９】
次に、図１４Ｃに示すように、パッシベーション膜２６上に、スピンコート法により、平坦化絶縁膜１３となる感光性樹脂を塗布する。また、コンタクト配置部５０では、図１５Ｃに示すように、フォトリソグラフィにより、コンタクトパッド５１が露出するように平坦化絶縁膜１３に、開口を形成し、その後焼成を行う。また、このとき、同時に、フォトリソグラフィにより、分離部９１に対応する部分が除去され、平坦化絶縁膜１３を、表示領域Ｐ側の平坦化絶縁膜１３と周辺領域Ｑ側の平坦化絶縁膜１３とに分断する分離部９１を形成する（図示省略）。
【００９０】
次に、図１６Ｄに示すように、第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂをスパッタリングにより形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、所定形状にパターニングする。また、コンタクト配置部５０では、図１７Ｄに示すように、補助配線１４ｂが、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面の一部に沿って、コンタクトパッド５１の上面の一部まで、形成されるようにパターニングされる。
【００９１】
次に、図１６Ｅに示すように、スピンコート法により、開口規定絶縁膜１６となる感光性樹脂を第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂ上に塗布した後、フォトリソグラフィにより、第１電極１４ａに対応した位置に開口を形成し、その後焼成を行う。また、コンタクト配置部５０では、図１７Ｅに示すように、フォトリソグラフィにより、開口規定絶縁膜１６が、補助配線１４ｂ上に沿ってコンタクトパッド５１の上面の一部まで形成される。また、開口規定絶縁膜１６が、平坦化絶縁膜１３上に沿って、コンタクトパッド５１の一部まで形成される。
【００９２】
次に、図１６Ｆに示すように、真空蒸着法により、開口規定絶縁膜１６の開口から露出する第１電極１４ａ上に有機層１７を形成する。有機層１７は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層をこの順で成膜する。（図示省略）この際、発光層は各発光色に対応した材料を成膜する。また、同じ図１６Ｆに示すように、第２電極１８を、真空蒸着法により、有機層１７および開口規定絶縁膜１６上に一様に形成する。また、コンタクト配置部５０では、図１７Ｆに示すように、第２電極１８を、開口規定絶縁膜１６上およびコンタクトパッド５１の上面にわたり、一様に形成する。
【００９３】
図示は省略するが、その後、第２電極１８上に真空蒸着法により保護層１９を形成し、さらに、保護層１９上に紫外線硬化型樹脂をスピンコーティングすることにより接着層を形成し、封止基板２０を保護層１９に対して接着層を介して接着する。以上により、表示装置を得ることができる。
【００９４】
＜効果＞
この発明の第１の実施の形態による表示装置では、分離部９１の内側の領域が、以下の構造とされている。すなわち、平坦化絶縁膜１３と第２電極１８との間に、補助配線１４ｂの１層が介在する構造とされている。また、平坦化絶縁膜１３と第２電極１８との間に、第１電極１４ａおよび有機層１７の２層が介在する構造とされている。また、平坦化絶縁膜１３と第２電極１８との間に、開口規定絶縁膜１６が１層、第１電極１４ａ若しくは補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２層が介在する構造とされている。これにより、第２電極１８と平坦化絶縁膜１３とが直接接触しないので、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによって、第２電極が劣化することを抑制できる。
【００９５】
この発明の第１の実施の形態による表示装置では、分離部９１の内側の領域が、以下の構造とされている。すなわち、平坦化絶縁膜１３と有機層１７と間に第１電極１４ａの１層が介在する構造とされている。これにより、有機層１７と平坦化絶縁膜１３とが直接接触しないので、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによって、有機層１７が劣化することを抑制できる。また、表示領域Ｐでは、保護層１９および封止基板２０を除くと、平坦化絶縁膜１３の上層は、第１電極１４ａ／有機層１７／第２電極１８、補助配線１４ｂ／開口規定絶縁膜１６／有機層１７／第２電極１８の積層構造を有する。また、開口規定絶縁膜１６／第２電極１８、開口規定絶縁膜１６／有機層１７／第２電極１８の積層構造を有する。
【００９６】
この発明の第１の実施の形態による表示装置では、コンタクト配置部５０において、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面を、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２層または開口規定絶縁膜１６の１層で覆うようにしている。これにより、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分や平坦化絶縁膜からのデガスによる、有機層１７および第２電極１８の劣化を抑制できる。
【００９７】
この発明の第１の実施の形態による表示装置では、コンタクト配置部５０において、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面と、第２電極１８との間に、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２層または開口規定絶縁膜１６の１層を介在するようにしている。したがって、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面の凹凸が影響して、第２電極１８が断線することを抑制できる。
【００９８】
２．第２の実施の形態
＜表示装置＞
この発明の第２の実施の形態による表示装置について説明する。この発明の第２の実施の形態による表示装置では、コンタクト配置部５０の構成が異なる点以外は、第１の実施の形態と同様である。したがって、以下では、コンタクト配置部５０の構成について詳細に説明し、その他の構成については説明を省略する。
【００９９】
＜コンタクト配置部＞
コンタクト配置部５０について説明する。図１８は、コンタクト配置部５０を上面から見た平面図である。図１８において、点線８１で囲まれる領域（内側の点線と外側の点線との間の領域）が補助配線１４ｂが形成されている領域を示す。線８２で囲まれる領域が、パッシベーション膜２６の除去部分である。線８３で囲まれる領域が、平坦化絶縁膜１３の除去部分である。線８４で囲まれる領域が、開口規定絶縁膜１６の除去部分である。太線８５で囲まれる領域が、コンタクトパッド５１が形成された領域である。
【０１００】
図１９は、線Ｖ−Ｖ’に沿った断面図である。図１９に示すように、基板１１上にゲート絶縁膜２２が積層されており、ゲート絶縁膜２２の一部の領域に、第２の金属層２５と同一層のコンタクトパッド５１が形成されている。コンタクトパッド５１は、例えば第２の金属層２５と同一材料、同一の厚さで形成されている。なお、コンタクトパッド５１の形成領域は、太線８５で囲まれる領域に対応する。
【０１０１】
パッシベーション膜２６には、コンタクトパッド５１の一部が露出するような開口が形成されている。なお、この開口の形成領域は、図１８における線８２で囲まれる領域に対応する。
【０１０２】
平坦化絶縁膜１３には、平坦化絶縁膜１３上に形成された補助配線１４ｂとコンタクトパッド５１とを接続するための開口が形成されている。なお、この開口の形成領域は、図１８における線８３で囲まれる領域に対応する。補助配線１４ｂは、この平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に沿って、コンタクトパッド５１の上面まで形成されている。
【０１０３】
開口規定絶縁膜１６は、この補助配線１４ｂに沿って、コンタクトパッド５１の上面まで形成されている。これにより、開口規定絶縁膜１６は、開口規定絶縁膜１６上に形成された第２電極１８をコンタクトパッド５１に接続するための開口を形成する。なお、この開口の形成領域は、図１８における線８４で囲まれる領域に対応する。第２電極１８は、この開口を形成する面およびコンタクトパッド５１の上面にわたり、一様に形成されている。
【０１０４】
これにより、コンタクト配置部５０では、補助配線１４ｂとコンタクトパッド５１とが電気的に接続される。第２電極１８とコンタクトパッド５１が電気的に接続される。また、補助配線１４ｂと第２電極１８とがコンタクトパッド５１を介して電気的に接続される
【０１０５】
このコンタクト配置部５０の構造では、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面上には、補助配線１４ｂと開口規定絶縁膜１６とがこの順で積層された構造で形成される。すなわち、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面は、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜の２層で覆われている。これにより、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによって、第２電極１８や有機層１７が劣化することを抑制できる。
【０１０６】
また、このコンタクト配置部５０の構造では、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に凹凸が生じても、この内壁面と第２電極１８との間に補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２層が介在しているので、凹凸の影響を受けず第２電極１８が断線することを抑制できる。
【０１０７】
＜表示装置の製造方法＞
上述の表示装置の製造方法について説明する。なお、コンタクト配置部５０の構成が異なる以外は、第１の実施の形態による表示装置と同様であるので、以下では、コンタクト配置部５０の形成工程を中心に説明し、その他の説明は省略する。
【０１０８】
まず、基板１１上に、ＣＶＤ法やスパッタ法による成膜とフォトリソグラフィによるパターン形成とを繰り返すことにより、ゲート電極２３と、エッチングストッパ２４と、半導体層３８と、第２の金属層２５とを形成する。また、コンタクト配置部５０では、図２０Ａに示すように、ゲート絶縁膜２２上に、第２の金属層２５と同一層のコンタクトパッド５１を形成する。
【０１０９】
次に、ＴＦＴ４１を覆うパッシベーション膜２６を、ＣＶＤ法により形成する。また、コンタクト配置部５０では、図２０Ｂに示すように、フォトリソグラフィにより、パッシベーション膜２６の一部を除去することで、コンタクトパッド５１の上面の一部が露出する開口を形成する。
【０１１０】
次に、パッシベーション膜２６上に、スピンコート法により、平坦化絶縁膜１３となる感光性樹脂を塗布する。また、コンタクト配置部５０では、図２０Ｃに示すように、フォトリソグラフィにより、コンタクトパッド５１が露出するように平坦化絶縁膜１３に、開口を形成し、その後焼成を行う。また、このとき、同時に、フォトリソグラフィにより、分離部９１に対応する部分が除去され、平坦化絶縁膜１３を、表示領域Ｐ側の平坦化絶縁膜１３と周辺領域Ｑ側の平坦化絶縁膜１３とに分断する分離部９１を形成する（図示省略）。
【０１１１】
次に、第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂをスパッタリングにより形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、所定形状にパターニングする。また、コンタクト配置部５０では、図２１Ｄに示すように、補助配線１４ｂが、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に沿って、コンタクトパッド５１の上面の一部まで、形成されるようにパターニングされる。
【０１１２】
次に、スピンコート法により、開口規定絶縁膜１６となる感光性樹脂を第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂ上に塗布した後、フォトリソグラフィにより、第１電極１４ａに対応した位置に開口を形成し、その後焼成を行う。また、コンタクト配置部５０では、図２１Ｅに示すように、フォトリソグラフィにより、開口規定絶縁膜１６が補助配線１４ｂ上に沿ってコンタクトパッド５１の上面の一部まで形成される。
【０１１３】
次に、真空蒸着法により、開口規定絶縁膜１６の開口から露出する第１電極１４ａ上に有機層１７を形成する。有機層１７は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層をこの順で成膜する。（図示省略）この際、発光層は各発光色に対応した材料を成膜する。また、第２電極１８を、真空蒸着法により、有機層１７および開口規定絶縁膜１６上に一様に形成する。また、コンタクト配置部５０では、図２１Ｆに示すように、第２電極１８を、開口規定絶縁膜１６上およびコンタクトパッドの上面にわたり、一様に形成する。
【０１１４】
その後、第２電極１８上に真空蒸着法により保護層１９を形成し、さらに、保護層１９上に紫外線硬化型樹脂をスピンコーティングすることにより接着層を形成し、封止基板２０を保護層１９に対して接着層を介して接着する。以上により、表示装置を得ることができる。
【０１１５】
＜効果＞
この発明の第２の実施の形態による表示装置では、コンタクト配置部５０において、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面を、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２層で覆うことによって、平坦化絶縁膜１３に残存する水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによる、有機層１７および第２電極１８の劣化を抑制できる。
【０１１６】
この発明の第２の実施の形態による表示装置では、コンタクト配置部５０において、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面と、第２電極１８との間に、補助配線１４ｂおよび開口規定絶縁膜１６の２層を介在するようにしている。したがって、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面の凹凸が影響して、第２電極１８が断線することを抑制できる。
【０１１７】
その他、この発明の第２の実施の形態による表示装置は、第１の実施の形態と同様、平坦化絶縁膜１３に残存する水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによる、有機層１７を構成する有機材料の劣化、第２電極１８を構成する材料の変質を抑制することができる。
【０１１８】
３．第３の実施の形態
＜表示装置の構成＞
この発明の第３の実施の形態による表示装置について説明する。この発明の第３の実施の形態による表示装置では、コンタクト配置部５０の構成が異なる点以外は、第１の実施の形態と同様である。したがって、以下では、コンタクト配置部５０の構成について詳細に説明し、その他の構成については説明を省略する。
【０１１９】
＜コンタクト配置部＞
コンタクト配置部５０について説明する。図２２は、コンタクト配置部５０を上面から見た平面図である。図２２において、点線１０１で囲まれる領域（内側の点線と外側の点線との間の領域）が補助配線１４ｂが形成されている領域を示す。線１０２で囲まれる領域が、パッシベーション膜の除去部分である。線１０３で囲まれる領域が、平坦化絶縁膜１３の除去部分である。線１０４で囲まれる領域が、開口規定絶縁膜１６の除去部分である。太線１０５で囲まれる領域が、コンタクトパッド５１が形成された領域である。
【０１２０】
図２３は、線VI−VI’に沿った断面図である。図２３に示すように、基板１１上にゲート絶縁膜２２が積層されており、ゲート絶縁膜２２の一部の領域に、第２の金属層２５と同一層のコンタクトパッド５１が形成されている。コンタクトパッド５１は、第２の金属層２５と同一材料、同一の厚さで形成されている。なお、コンタクトパッドの形成領域は、図２２における太線１０５で囲まれる領域に対応する。パッシベーション膜２６には、コンタクトパッド５１の一部が露出するような開口が形成されている。なお、この開口の形成領域は、図２２における線１０２で囲まれる領域に対応する。
【０１２１】
平坦化絶縁膜１３には、上層に設けられた補助配線１４ｂを下方の層に配置されるコンタクトパッド５１に接続するための開口が形成されている。開口規定絶縁膜１６には、上層に設けられた第２電極１８を、下方の層に配置されるコンタクトパッド５１に接続するための開口が形成されている。開口規定絶縁膜１６による開口（図２２において線１０４で囲まれる領域に対応）の径は、平坦化絶縁膜１３による開口（図２２において線１０３で囲まれる領域に対応）の径より、大きくなるように設定されている。これにより平坦化絶縁膜１３の平坦面の一部は、開口規定絶縁膜１６によって、覆われない露出面を有する。この露出面の一部および平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に沿って、コンタクトパッド５１の上面の一部まで補助配線１４ｂが形成されている。
【０１２２】
開口規定絶縁膜１６による開口の内壁面および補助配線１４ｂによって、平坦化絶縁膜１３上に設けられた第２電極１８を、コンタクトパッド５１に接続するための開口を形成する。第２電極１８は、この開口を形成する面およびコンタクトパッド５１の上面にわたり、一様に形成されている。
【０１２３】
これにより、コンタクト配置部５０では、補助配線１４ｂとコンタクトパッド５１とが電気的に接続される。補助配線１４ｂと第２電極１８とが電気的に接続される。第２電極１８とコンタクトパッド５１とが電気的に接続される。また、補助配線１４ｂと第２電極１８とがコンタクトパッド５１を介して電気的に接続される。
【０１２４】
このコンタクト配置部５０の構造では、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面、平坦化絶縁膜１３の平坦面の露出面上には、補助配線１４ｂが形成される。すなわち、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面および平坦化絶縁膜１３の平坦面の露出面は、補助配線１４ｂで覆われている。これにより、平坦化絶縁膜１３に含まれる水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによって、第２電極１８や有機層１７が劣化することを抑制できる。
【０１２５】
また、このコンタクト配置部５０の構造では、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に凹凸が生じても、第２電極１８との間に補助配線１４ｂが介在しているので、凹凸の影響を受けず第２電極１８が断線することを抑制できる。
【０１２６】
＜表示装置の製造方法＞
上述の表示装置の製造方法について説明する。なお、コンタクト配置部５０の構成が異なる以外は、第１の実施の形態による表示装置と同様であるので、以下では、コンタクト配置部５０の形成工程を中心に説明し、その他の説明は省略する。
【０１２７】
まず、基板１１上に、ＣＶＤ法やスパッタ法による成膜とフォトリソグラフィによるパターン形成とを繰り返すことにより、ゲート電極２３と、エッチングストッパ２４と、半導体層３８と、第２の金属層２５とを形成する。また、コンタクト配置部５０では、図２４Ａに示すように、ゲート絶縁膜２２上に、第２の金属層２５と同一層のコンタクトパッド５１を形成する。
【０１２８】
次に、ＴＦＴ４１を覆うパッシベーション膜２６を、ＣＶＤ法により形成する。また、コンタクト配置部５０では、図２４Ｂに示すように、フォトリソグラフィにより、パッシベーション膜２６の一部を除去することで、コンタクトパッド５１の上面の一部が露出する開口を形成する。
【０１２９】
次に、パッシベーション膜２６上に、スピンコート法により、平坦化絶縁膜１３となる感光性樹脂を塗布する。また、コンタクト配置部５０では、図２４Ｃに示すように、フォトリソグラフィにより、コンタクトパッド５１が露出するように平坦化絶縁膜１３に、開口を形成しその後焼成する。また、このとき、同時に、フォトリソグラフィにより、分離部９１に対応する部分が除去され、平坦化絶縁膜１３を、表示領域Ｐ側の平坦化絶縁膜１３と周辺領域Ｑ側の平坦化絶縁膜１３とに分断する分離部９１を形成する（図示省略）。
【０１３０】
次に、第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂをスパッタリングにより形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、所定形状にパターニングする。また、コンタクト配置部５０では、図２５Ｄに示すように、補助配線１４ｂが、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面に沿って、コンタクトパッド５１の上面の一部まで、形成されるようにパターニングされる。
【０１３１】
次に、スピンコート法により、開口規定絶縁膜１６となる感光性樹脂を第１電極１４ａおよび補助配線１４ｂ上に塗布した後、フォトリソグラフィにより、第１電極１４ａに対応した位置に開口を形成しその後焼成する。また、コンタクト配置部５０では、図２５Ｅに示すように、開口規定絶縁膜１６となる感光性樹脂を塗布した後、フォトリソグラフィにより、平坦化絶縁膜１３による開口の径より大きな開口を有する開口規定絶縁膜１６を形成する。
【０１３２】
次に、真空蒸着法により、開口規定絶縁膜１６の開口から露出する第１電極１４ａ上に有機層１７を形成する。有機層１７は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層をこの順で成膜する。（図示省略）この際、発光層は各発光色に対応した材料を成膜する。また、第２電極１８を、真空蒸着法により、有機層１７および開口規定絶縁膜１６上に一様に形成する。また、コンタクト配置部５０では、図２５Ｆに示すように、第２電極１８を、開口規定絶縁膜１６、補助配線１４ｂおよびコンタクトパッド５１の上面にわたり、一様に形成する。
【０１３３】
その後、第２電極１８上に真空蒸着法により保護層１９を形成し、さらに、保護層１９上に紫外線硬化型樹脂をスピンコーティングすることにより接着層を形成し、封止基板２０を保護層１９に対して接着層を介して接着する。以上により、表示装置を得ることができる。
【０１３４】
＜効果＞
この発明の第３の実施の形態による表示装置では、コンタクト配置部５０において、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面を、補助配線１４ｂで覆うことによって、平坦化絶縁膜１３に残存する水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによる、有機層１７および第２電極１８の劣化を抑制できる。
【０１３５】
この発明の第３の実施の形態による表示装置では、コンタクト配置部５０において、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面と、第２電極１８との間に、補助配線１４ｂを介在するようにしている。したがって、平坦化絶縁膜１３による開口の内壁面の凹凸が影響して、第２電極１８が断線することを抑制できる。
【０１３６】
その他、この発明の第３の実施の形態による表示装置は、第１の実施の形態と同様、平坦化絶縁膜１３に残存する水分や平坦化絶縁膜１３からのデガスによる、有機層１７を構成する有機材料の劣化、第２電極１８を構成する材料の変質を抑制することができる。
【０１３７】
＜４．第４の実施の形態＞
この発明の第４の実施の形態による表示装置について説明する。この発明の第４の実施の形態による表示装置は、分離部９１の構成以外は、第１の実施の形態による表示装置の構造と同様である。したがって、以下では、分離部９１の構成について説明し、その他の説明は省略するものとする。
【０１３８】
＜分離部の構成＞
分離部９１の構成について詳細に説明する。図２６は、分離部９１の構成を示す拡大断面である。分離部９１において、第２の金属層２５と同一層のコンタクト部５２は、平坦化絶縁膜１３およびパッシベーション膜２６によって被覆されずに露出する露出面を有する。このコンタクト部の露出面の一部と平坦化絶縁膜の分離部９１の形成面にわたり、補助配線１４ｂが形成されている。さらに、コンタクト部５２の補助配線１４ｂが形成されていない露出面と、補助配線１４ｂ上にわたり、第２電極１８が形成されている。これにより、第２電極１８と補助配線１４ｂとの間が、第２電極１８との間で良好な接続（好ましくはオーミック接続）をとれるコンタクト部５２を介して電気的に接続される。
【０１３９】
＜効果＞
この発明の第４の実施の形態による表示装置では、第１の実施の形態と同様の効果を有する。
【実施例】
【０１４０】
以下の試験によって、分離部９１の内側の周辺領域Ｔの開口規定絶縁膜１６の被覆率について検討を行った。なお、この発明は、以下の試験例で作製される有機ＥＬパネルに限定されるものではない。
【０１４１】
＜試験例１＞
まず、図１に示す構成の有機ＥＬパネルを作製した。まず、ガラス基板上に、ＣＶＤ法やスパッタ法による成膜とフォトリソグラフィによるパターン形成とを繰り返し、ＴＦＴ４１を形成した。次に、このＴＦＴ４１を覆うようにパッシベーション膜２６を形成した。
【０１４２】
次に、パッシベーション膜２６上に、スピンコート法により、感光性樹脂であるポリイミドを塗布して平坦化絶縁膜１３を形成した。また、フォトリソグラフィにより、分離部９１に対応する部分を除去し、平坦化絶縁膜１３を表示領域Ｐ側の平坦化絶縁膜１３と周辺領域Ｑ側の平坦化絶縁膜１３とに分断する分離部９１を形成した。次に、第１電極１４ａ（アノード電極）、補助配線１４ｂであるＡｌＮｄをスパッタリングにより、平坦化絶縁膜１３上に形成した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第１電極１４ａ、補助配線１４ｂを所定の形状にパターニングした。
【０１４３】
次に、第１電極１４ａおよび平坦化絶縁膜１３上に、開口規定絶縁膜１６となる感光性樹脂（ポリイミド）をスピンコート法により、塗布した後、フォトリソグラフィにより、第１電極１４ａの位置に対応した開口を形成した。なお、このとき、分離部９１の内側と表示領域Ｐの外側との間の周辺領域Ｔにおいて、この周辺領域Ｔの面積に対する開口規定絶縁膜１６の被覆面積（上記の（式１）で定まる開口規定絶縁膜の被覆率）が、６０％となるようにした。
【０１４４】
次に、この開口から露出する第１電極上１４ａに、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光色に対応した下記材料で構成された有機層１７を、真空蒸着法を用いて、順次パターン形成した。
【０１４５】
[有機層１７（Ｒ発光）]
正孔注入層    ４,４,４’’−トリス（３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、膜厚１５０ｎｍ
正孔輸送層    ビス[（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル]アミノスチリル]ベンジジン（α−ＮＰＤ）、膜厚１５０ｎｍ
発光層        ８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）〔２,６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１,５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）４０体積％混合〕、膜厚５５ｎｍ
電子輸送層    ８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、膜厚１５０ｎｍ
【０１４６】
[有機層１７（Ｇ発光）]
正孔注入層    ４,４,４’’−トリス（３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、膜厚１５０ｎｍ
正孔輸送層    ビス[（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル]アミノスチリル]ベンジジン（α−ＮＰＤ）、膜厚１５０ｎｍ
発光層        ８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）〔クマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）４０体積％混合〕、膜厚５５ｎｍ
電子輸送層    ８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、膜厚１５０ｎｍ
【０１４７】
[有機層（Ｂ発光）]
正孔注入層    ４,４,４’’−トリス（３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、膜厚１５０ｎｍ
正孔輸送層    ビス[（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル]アミノスチリル]ベンジジン（α−ＮＰＤ）、膜厚１５０ｎｍ
発光層        スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）、膜厚１５０ｎｍ
電子輸送層    ８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、膜厚１５０ｎｍ
【０１４８】
次に、ＭｇおよびＡｇで構成された第２電極１８（カソード電極）を、真空蒸着法により、有機層１７上および開口規定絶縁膜１６上に一様に形成した。その後、真空蒸着法により、保護層１９としてＳｉＯ2膜を、有機層１７および第２電極全体をカバーするように形成した。以上の工程により、有機ＥＬパネルを作製した。
【０１４９】
＜高温保存試験＞
作製した有機ＥＬパネルを７０℃の乾燥雰囲気の恒温層内で１０００時間保持した後、有機ＥＬパネルを駆動させて、輝度計測し、以下の基準に基づき不良発生を判定した。
不良発生の判断基準：初期に比べ効率が８０％以下を不良と判定
上記の判定を有機ＥＬパネル１サンプルについて行い、｛（不良発生したサンプル数）／（１サンプル）｝×１００％を不良発生率として算出した。
【０１５０】
＜試験例２＞
開口規定絶縁膜の被覆率を４０％に設定した点以外は、試験例１と同様にして有機ＥＬパネルを作製し、３サンプルについて同様の高温保存試験を行った。
【０１５１】
＜試験例３＞
開口規定絶縁膜の被覆率を３０％に設定した点以外は、試験例１と同様にして有機ＥＬパネルを作製し、３サンプルについて同様の高温保存試験を行った。
【０１５２】
＜試験例４＞
開口規定絶縁膜の被覆率を２５％に設定した点以外は、試験例１と同様にして有機ＥＬパネルを作製し、４サンプルについて同様の高温保存試験を行った。
【０１５３】
＜試験例５＞
開口規定絶縁膜の被覆率を２０％に設定した点以外は、試験例１と同様にして有機ＥＬパネルを作製し、３サンプルについて同様の高温保存試験を行った。
【０１５４】
＜試験例６＞
開口規定絶縁膜の被覆率を１０％に設定した点以外は、試験例１と同様にして有機ＥＬパネルを作製し、２サンプルについて同様の高温保存試験を行った。
【０１５５】
図２７に試験例１〜試験例６の試験結果をまとめグラフを示す。図２７に示すように、開口規定絶縁膜の被覆率を３０％以上にすると不良発生率が０％だった。一方、開口規定絶縁膜の被覆率を、３０％未満にすると不良が発生し、この３０％未満から被覆率が減少するにつれて、不良発生率が急激に増加していくことがわかった。
【０１５６】
５．他の実施の形態（変形例）
この発明の実施の形態について、具体的に説明したが、この発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０１５７】
例えば、上述の実施の形態において挙げた数値、構造、形状、材料等はあくまでも例にすぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、形状、材料等を用いてもよい。
【０１５８】
また、必要に応じて、第１の実施の形態〜第４の実施の形態を組み合わせて表示装置を構成することも可能である。例えば、第１の実施の形態の構成および第２の実施の形態の構成の両方のコンタクト配置部５０を設けた表示装置などを構成してもよい。
【０１５９】
例えば、第１の実施の形態〜第４の実施の形態では、有機層１７の構成を、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層として説明したが、これに限定されるものではない。例えば、必要に応じて、適宜、有機層を構成する層の種類、層数を増加したり、減少してもよい。
【０１６０】
また、例えば、第１の実施の形態〜第４の実施の形態では、ＴＦＴ４１を、μｃ−Ｓｉ膜３６およびｎ+−Ｓｉ膜３７を用いて形成しているが、ＴＦＴ４１をＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いて形成するようにしてもよい。
【０１６１】
また、例えば、第１の実施の形態〜第４の実施の形態では、有機層１７を構成する各層を真空蒸着法などの成膜法で形成する例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、有機層を構成する各層を印刷法、転写法で形成するようにしてもよい。
【０１６２】
例えば、第１の実施の形態〜第４の実施の形態では、有機ＥＬ素子の劣化を抑制するため、第２電極を形成した後保護膜を形成し、保護膜に対してガラスなどの封止基板を接着することによって、封止する例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、保護膜は真空蒸着法によって形成し、封止基板接着の際、保護膜とガラスなどの間に窒素を充填するなどして、封止するようにしてもよい。
【０１６３】
第１の実施の形態〜第４の実施の形態では、分離部９１に、補助配線１４ｂ、第２電極１８を配置した構成について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば、分離部９１に、第１電極１４ａ、開口規定絶縁膜１６を配置した構成であってもよい。また、平坦化絶縁膜１３の分離部９１を形成する面と、第２電極１８とが直接接触しない構成であれば、他の構成によって、分離部９１に第２電極１８が配置されていてもよい。また、平坦化絶縁膜１３の分離部９１を形成する面と、有機層１７とが接触しない構成であれば、分離部９１に有機層１７を配置することも可能であるが、有機層１７は分離部９１に配置しない方がよい。
【０１６４】
また、例えば、有機ＥＬ素子２１を白色光を発光する有機ＥＬ素子で構成して、光の取り出し側にカラーフィルタを形成して、白色光からＲ、Ｇ、Ｂの光を取り出す方式としてもよい。
【符号の説明】
【０１６５】
１１・・・基板
１２・・・回路形成層
１３・・・平坦化絶縁膜
１４ａ・・・第１電極
１４ｂ・・・補助配線
１６・・・開口規定絶縁膜
１７・・・有機層
１８・・・第２電極
１９・・・保護層
２０・・・封止基板
２１・・・有機ＥＬ素子
２２・・・ゲート絶縁膜
２３・・・ゲート電極
２４・・・エッチングストッパ
２６・・・パッシベーション膜
５０・・・コンタクト配置部
５１・・・コンタクトパッド
５２・・・コンタクト部
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図３】
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