(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（３０）上に形成され、複数のアッテネータ（２１〜２６）を一の方向に並べて組み合わせることにより所定のステップ値で減衰量を可変可能なステップアッテネータ（２０）において、
前記各アッテネータに対して信号の入力又は出力を行う信号線路（１〜７）と、
前記基板上に配置され、前記複数のアッテネータを予め定められた個数ごとに収容する複数の収容室（４０ａ〜４０ｄ）を有するシールドケース（４０）と、を備え、
前記信号線路は、
前記基板の表面に形成された表面信号線路（１、３、７）と、
前記基板の内層に形成された内層信号線路（３２ａ、３２ｂ）と、を備え、
前記シールドケースは、前記各収容室を仕切る第１及び第２の仕切壁（４１〜４５）を備え、
前記第１の仕切壁（４１）は、前記基板の表面に接触する第１の接触部（４１ｂ）及び前記第１の接触部の一部を開口して前記表面信号線路を通す開口部（４１ａ）を備え、
前記第２の仕切壁（４２）は、前記内層信号線路を前記基板の表面に投影した投影領域の一部を含む前記基板の表面領域に接触する第２の接触部（４２ａ）を備え、
前記信号の入力側から出力側に沿って、前記第１の仕切壁と前記第２の仕切壁とが交互に少なくとも１組設けられていることを特徴とするステップアッテネータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力信号の減衰量をステップ状に変化させるステップアッテネータ及びそれを備えた信号発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のステップアッテネータを備えた信号発生装置としては、例えば、特許文献１に記載のものが知られている。
【０００３】
特許文献１記載の信号発生装置は、信号を発生する信号源と、信号源からの信号を所定レベルに補正するレベル補正部と、レベル補正部からの信号を所定のレベルに減衰して出力するステップアッテネータと、を備え、試験者が指定した無線周波数及び信号レベルを有する試験信号を出力できるようになっている。
【０００４】
前述の構成において、ステップアッテネータは、複数のアッテネータセクションが直列に選択的に接続され、各アッテネータセクションの減衰量の組み合わせにより、減衰量をステップ可変できるようになっている。一般に、従来のステップアッテネータは、高周波信号に対する入出力間のアイソレーション（遮断性）を高めるため、各アッテネータセクションが金属製のシールドケースで覆われた構成を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２４９６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の信号発生装置では、キロヘルツからギガヘルツまでの広範囲な周波数の試験信号を発生する必要があるが、広範囲な周波数を対象としてステップアッテネータの最大減衰量を増加させることは困難であるという課題があり、出力信号レベルのダイナミックレンジをさらに広範囲に可変可能にするために、さらなるアイソレーションの改善が求められていた。
【０００７】
本発明は、前述の事情に鑑みてなされたものであり、入出力間のアイソレーションを従来のものよりも高めることができるステップアッテネータ及びそれを備えた信号発生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に係るステップアッテネータは、基板（３０）上に形成され、複数のアッテネータ（２１〜２６）を一の方向に並べて組み合わせることにより所定のステップ値で減衰量を可変可能なステップアッテネータ（２０）において、前記各アッテネータに対して信号の入力又は出力を行う信号線路（１〜７）と、前記基板上に配置され、前記複数のアッテネータを予め定められた個数ごとに収容する複数の収容室（４０ａ〜４０ｄ）を有するシールドケース（４０）と、を備え、前記信号線路は、前記基板の表面に形成された表面信号線路（１、３、７）と、前記基板の内層に形成された内層信号線路（３２ａ、３２ｂ）と、を備え、前記シールドケースは、前記各収容室を仕切る第１及び第２の仕切壁（４１〜４５）を備え、前記第１の仕切壁（４１）は、前記基板の表面に接触する第１の接触部（４１ｂ）及び前記第１の接触部の一部を開口して前記表面信号線路を通す開口部（４１ａ）を備え、前記第２の仕切壁（４２）は、前記内層信号線路を前記基板の表面に投影した投影領域の一部を含む前記基板の表面領域に接触する第２の接触部（４２ａ）を備え、前記信号の入力側から出力側に沿って、前記第１の仕切壁と前記第２の仕切壁とが交互に少なくとも１組設けられている構成を有している。
【０００９】
この構成により、本発明の請求項１に係るステップアッテネータは、第１及び第２の仕切壁を備えることにより、入出力間のアイソレーションを従来のものよりも高めることができる。また、この構成により、本発明の請求項１に係るステップアッテネータは、第２の仕切壁が位置する基板の内層に設けられた、表面信号線路に接続された内層信号線路間のアイソレーションを高めることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、入出力間のアイソレーションを従来のものよりも高めることができるという効果を有するステップアッテネータ及びそれを備えた信号発生装置を提供することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る信号発生装置の一実施形態におけるブロック構成図である。
【図２】本発明に係る信号発生装置の一実施形態において、ステップＡＴＴ２０を多層基板３０上に実装した状態を模式的に示す図である。
【図３】本発明に係る信号発生装置の一実施形態において、ステップＡＴＴ２０をシールドケース４０で覆った状態を示す図である。
【図４】本発明に係る信号発生装置の一実施形態において、仕切壁４１の構成を示す斜視図である。
【図５】本発明に係る信号発生装置の一実施形態において、仕切壁４２の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明に係る信号発生装置の一実施形態において、アイソレーション特性について従来のもの（破線）と本発明に係るもの（実線）とを比較した実験データを示すグラフである。
【図７】本発明に係る信号発生装置の一実施形態において、第１の他の態様に係るステップＡＴＴを示す図である。
【図８】本発明に係る信号発生装置の一実施形態において、第２の他の態様に係るステップＡＴＴを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明に係るステップアッテネータを信号発生装置に適用した例を挙げて説明する。
【００１９】
まず、本発明に係る信号発生装置の一実施形態における構成について説明する。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態における信号発生装置１０は、波形データ記憶部１１、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）１２及び１３、直交変調器１４、局部発振器１５、自動レベル制御回路（ＡＬＣ）１７、操作部１８、設定部１９、ステップアッテネータ（ステップＡＴＴ）２０を備えている。
【００２１】
波形データ記憶部１１は、被試験装置を試験するための複数の試験信号データとして、デジタル値のベースバンドの波形データを記憶している。試験者は、操作部１８を操作し、設定部１９を介して、波形データ記憶部１１に記憶された試験信号データを選択して出力できるようになっている。試験信号データは、Ｉ相成分（同相成分）及びＱ相成分（直交成分）のベースバンドの波形データを含む。波形データは、例えば、図示しないＤＳＰ（Digital Signal Processor）によって生成される。なお、波形データ記憶部１１は、本発明に係るベースバンド信号出力手段を構成する。
【００２２】
ＤＡＣ１２及び１３は、それぞれ、波形データ記憶部１１が出力するＩ相成分及びＱ相成分のデジタル値のベースバンド信号波形データをアナログ値に変換して直交変調器１４に出力するようになっている。
【００２３】
局部発振器１５は、設定部１９からの設定信号に基づいた局部発振周波数の局部発振信号を生成し、直交変調器１４に出力するようになっている。この局部発振器１５は、本発明に係る局部発振信号生成手段を構成する。
【００２４】
直交変調器１４は、乗算器１４ａ及び１４ｂ、９０度移相器１４ｃ、加算器１４ｄを備え、ＤＡＣ１２からのＩ相成分及びＤＡＣ１３からのＱ相成分と、局部発振器１５から入力した局部発振信号とを乗算することにより直交変調及び周波数変換を行って無線周波数の信号（ＲＦ信号）を生成してＡＬＣ１７に出力するようになっている。この直交変調器１４は、本発明に係る無線周波数信号生成手段を構成する。
【００２５】
ＡＬＣ１７は、直交変調器１４の出力信号の電力レベルを所定の電力レベルに調整してステップＡＴＴ２０に出力するようになっている。ＡＬＣ１７が設定する電力レベルは、設定部１９からの設定信号によって設定されるようになっている。ＡＬＣ１７は、出力信号レベルを例えば０．１ｄＢ単位で調整できるものである。このＡＬＣ１７は、本発明に係る信号レベル設定手段を構成する。
【００２６】
操作部１８は、試験者が試験条件及び試験手順に関する設定等を行うために操作するものであり、例えば、キーボード、ダイヤル又はマウスのような入力デバイス、これらを制御する制御回路等で構成される。試験者が設定する試験条件としては、例えば、波形データ記憶部１１に記憶された波形データ、ステップＡＴＴ２０が出力するＲＦ試験信号の出力レベル及び無線周波数等がある。
【００２７】
設定部１９は、例えばマイクロコンピュータによって構成されており、装置全体の制御を行うようになっている。また、設定部１９は、試験者が操作部１８を操作して設定した各試験条件に基づき、各試験条件を設定する設定信号を波形データ記憶部１１、局部発振器１５、ＡＬＣ１７、ステップＡＴＴ２０にそれぞれ出力し、各試験条件を設定するようになっている。
【００２８】
ここで、ＡＬＣ１７に対する設定としては、例えば、ユーザが信号発生装置１０の出力レベルを−４０．２ｄＢｍに設定した場合、設定部１９は、ステップＡＴＴ２０の減衰量を３０ｄＢに設定し、ＡＬＣ１７に対し、出力信号レベルを−１０．２ｄＢｍに設定するための制御信号を出力する。
【００２９】
ステップＡＴＴ２０は、複数のＡＴＴ部２１〜２６を備え、入力したＲＦ信号のレベルを所定の減衰量のステップで減衰することができるＡＴＴである。このステップＡＴＴ２０の減衰量は、設定部１９からの設定信号によって設定されるようになっている。このステップＡＴＴ２０の詳細な構成について図２を用いて説明する。
【００３０】
図２は、ステップＡＴＴ２０を多層基板３０上に実装した状態を模式的に示している。なお、ステップＡＴＴ２０は、後述するようにシールドケースで覆われているが、図２では、シールドケースを取り外した状態を示している。
【００３１】
図２（ａ）に示すように、ステップＡＴＴ２０は、４つのセクションＳ１〜Ｓ４を有している。セクションＳ１〜Ｓ３は、それぞれ、ＡＴＴ部２１〜２３を含む。セクションＳ４は、直列に接続された３つのＡＴＴ部２４〜２６を含む。なお、図２（ａ）に記載した記号"Ａ"はＡＴＴを表している。
【００３２】
ＡＴＴ部２１は、２つの切替スイッチ（ＳＷ）２１ａ及び２１ｃと、減衰量が４０ｄＢのＡＴＴ２１ｂとを備えている。図２（ｂ）に示すように、切替ＳＷ２１ａ及び２１ｃは、ＡＴＴ２１ｂを選択する減衰状態と、ＡＴＴ２１ｂをバイパスする表面信号線路３１ａを選択するバイパス状態とを切り替えるようになっている。すなわち、切替ＳＷ２１ａ及び２１ｃは、ＡＴＴ部２１の減衰量を４０ｄＢ又は０ｄＢに切り替えることができる。切替ＳＷ２１ａ及び２１ｃによる減衰量の切り替えは、設定部１９からの設定信号に基づいて行われるようになっている。同様に、ＡＴＴ部２２〜２６においても各切替ＳＷにより、減衰状態とバイパス状態とを切り替えることができるようになっている。
【００３３】
ＡＴＴ部２１の切替ＳＷ２１ａには、多層基板３０の表面に形成された表面信号線路１が接続されている。
【００３４】
ＡＴＴ部２１と２２との間には、多層基板３０の内層信号線路（後述）を経由した表面信号線路が形成されている。すなわち、ＡＴＴ部２１のＳＷ２１ｃと、ＡＴＴ部２２のＳＷ２２ａとの間は、多層基板３０の表面に形成された表面信号線路２ａ及び２ｄと、内層信号線路（図示省略）と、表面信号線路２ａ及び２ｄのそれぞれと内層信号線路とを接続する層間信号線路２ｂ及び２ｃとで接続されている。ここで、層間信号線路２ｂ及び２ｃは、例えば、ドリル加工やレーザ加工により形成したスルーホールやビアホールにパネルメッキを行って形成される。
【００３５】
ＡＴＴ部２２と２３との間は、多層基板３０の表面に形成された表面信号線路３で接続されている。
【００３６】
ＡＴＴ部２３と２４との間は、前述したＡＴＴ部２１と２２との間と同様に形成されており、多層基板３０の表面に形成された表面信号線路４ａ及び４ｄ、内層信号線路、表面信号線路４ａ及び４ｄのそれぞれと内層信号線路とを接続する層間信号線路４ｂ及び４ｃとで接続されている。
【００３７】
ＡＴＴ部２４と２５との間、ＡＴＴ部２５と２６との間は、それぞれ、多層基板３０の表面に形成された表面信号線路５及び６が接続されている。ＡＴＴ部２６の切替ＳＷ２６ｃには、多層基板３０の表面に形成された表面信号線路７が接続されている。
【００３８】
次に、図３に基づき、ステップＡＴＴ２０をシールドケース４０で覆った構成について説明する。図３（ａ）はシールドケース４０の断面図を含むステップＡＴＴ２０の平面図であり、図３（ｂ）はシールドケース４０で覆ったステップＡＴＴ２０の断面図である。
【００３９】
多層基板３０は、表面に形成され前述の表面信号線路５及び６を構成する表面金属層３１、前述の内層信号線路を構成する第１金属内層３２、接地される第２金属内層３３を有する。
【００４０】
シールドケース４０は、仕切壁４１〜４５と、側面壁４６及び４７と、上面壁４８と、これらの各壁によって形成された収容室４０ａ〜４０ｄと、を備えている。このシールドケース４０は、例えばアルミダイキャストで一体成型されて形成される。ただし、シールドケース４０は、プレス加工技術による打ち抜きや折り曲げ加工、溶着等の工程により形成されたものでもよい。
【００４１】
仕切壁４１、４３及び４５と、仕切壁４２及び４４とは、互いに異なる形状を有している。ここで、仕切壁４１、４３及び４５は、それぞれ、本発明に係る第１の仕切壁を構成する。また、仕切壁４２及び４４は、それぞれ、本発明に係る第２の仕切壁を構成する。
【００４２】
仕切壁４１は、図４に示すように、開口部４１ａ、接触部４１ｂを有する。開口部４１ａは、多層基板３０の表面に接触する接触部４１ｂの一部を開口して形成され、表面信号線路１を通すようになっている。この開口部４１ａは、使用周波数に対して表面信号線路１と仕切壁４１との電磁的結合を抑制するため、幅寸法Ｗ及び高さ寸応Ｈが極力小さくなるよう設定されている。なお、接触部４１ｂは、本発明に係る第１の接触部を構成する。
【００４３】
仕切壁４３及び４５も、図示を省略したが、仕切壁４１と同様な構成を有している。なお、図４に示した例では、仕切壁４１が表面信号線路１と直交するよう配置されているが、これに限定されず、仕切壁４１と表面信号線路１とが任意の角度で交差する構成であってもよい。
【００４４】
仕切壁４２は、図５に示すように、多層基板３０の表面に接触する接触部４２ａを有する。表面信号線路２ａは、層間信号線路２ｂ及び２ｃと、内層信号線路３２ａとを介し、表面信号線路２ｄに接続されている。図示のように、仕切壁４２の接触部４２ａは、内層信号線路３２ａを多層基板３０の表面に投影した投影領域の一部を含む多層基板３０の表面領域に接触するようになっている。なお、接触部４２ａは、本発明に係る第２の接触部を構成する。
【００４５】
仕切壁４４も、図示を省略したが、仕切壁４２と同様な構成を有している。なお、図５に示した例では、仕切壁４２が内層信号線路３２ａと直交するよう配置されているが、これに限定されず、仕切壁４２と内層信号線路３２ａとが任意の角度で交差する構成であってもよい。
【００４６】
図３に戻り、ＡＴＴ部２１〜２６について説明する。ＡＴＴ部２１〜２６に含まれる各ＡＴＴの減衰量は異なっており、ＡＴＴ２１ｂは４０ｄＢ、ＡＴＴ２２ｂは２０ｄＢ、ＡＴＴ２３ｂは４０ｄＢ、ＡＴＴ２４ｂは５ｄＢ、ＡＴＴ２５ｂは１０ｄＢ、ＡＴＴ２６ｂは５ｄＢの減衰量を有する。この構成により、ステップＡＴＴ２０は、０ｄＢから１２０ｄＢまでの減衰量を５ｄＢステップで設定することができる。
【００４７】
ここで、本実施形態では、基準減衰量を２０ｄＢとして定め、この基準減衰量に基づいてＡＴＴ部２１〜２６を収容室４０ａ〜４０ｄに収容する構成としている。すなわち、２０ｄＢ以上の減衰量を有するＡＴＴ部２１〜２３は、それぞれ、収容室４０ａ〜４０ｃに収容されている。また、２０ｄＢ未満の減衰量を有するＡＴＴ部２４〜２６は、１つの収容室４０ｄに収容されている。基準減衰量は、実験又はシミュレーションにより予め求めておく。この構成により、ステップＡＴＴ２０は、入出力間における信号漏洩の影響を受けにくい複数のＡＴＴ部２４〜２６を１つの収容室４０ｄに収容できるので、仕切壁の個数を削減でき、シールドケース４０の構造を単純化することができる。
【００４８】
また、ＡＴＴ部２１〜２６のうち、最大の減衰量４０ｄＢを有するＡＴＴ部２１及び２３の間には、これらよりも減衰量の小さいＡＴＴ部２２を設けている。これは、減衰量が比較的大きなＡＴＴはできるだけ離した方が、ステップＡＴＴ２０の減衰特性が安定する傾向にあるからである。したがって、減衰量が比較的大きく、互いに隣接させないことが好ましいＡＴＴ部を実験又はシミュレーションにより予め求めておくのが望ましい。
【００４９】
さらに、ステップＡＴＴ２０には、入力側から出力側に向かって仕切壁４１、４２、４３、４４及び４５が順次設けられている。すなわち、ステップＡＴＴ２０には、仕切壁４１、４３、４５（第１の仕切壁）と、仕切壁４２、４４（第２の仕切壁）とが交互に設けられている。この構成により、ステップＡＴＴ２０は、全ての仕切壁を第１の仕切壁で形成したもの、又は第２の仕切壁で形成したものよりも入出力間のアイソレーションを高めることができる。
【００５０】
なお、図３に示した例では、仕切壁４１及び４２と、仕切壁４３及び４４とで、第１の仕切壁と第２の仕切壁との組を２組含むが、ステップＡＴＴ２０の構成に応じて第１の仕切壁と第２の仕切壁との組数を増減するのが望ましい。
【００５１】
次に、本実施形態におけるステップＡＴＴ２０のアイソレーション特性について図６を用いて説明する。図６は、１００ＭＨｚから６０００ＭＨｚまでの周波数範囲でのアイソレーション特性について、従来のステップＡＴＴの（破線）と、本実施形態におけるステップＡＴＴ２０（実線）とを比較した実験結果を示したものである。この実験では、各ＡＴＴ部２１〜２６を機能させない状態とし、アイソレーション測定の入力信号として信号レベルが０ｄＢｍの連続波を用いた。
【００５２】
図６に示すように、従来のステップＡＴＴのアイソレーションは−１１３ｄＢ以下である。論理上、アイソレーションと同等の減衰量を得ることはできず、−１１３ｄＢ程度のアイソレーションであれば最大の減衰量が−８０ｄＢ程度のステップＡＴＴとなる。
【００５３】
これに対し、本実施形態におけるステップＡＴＴ２０のアイソレーションは−１５０ｄＢ以下を確保できており、従来のものより４０ｄＢも改善されている。このステップＡＴＴ２０は、最大の減衰量が−１２０ｄＢのステップＡＴＴとして実用可能である。
【００５４】
次に、本実施形態における信号発生装置１０の動作について図１に示したブロック構成図を用いて説明する。
【００５５】
試験者が操作部１８を操作することにより、試験者が所望する試験条件が入力され、設定部１９によって試験条件が各部に設定される。具体的には、設定部１９は、波形データ記憶部１１に波形データを指定する信号を、局部発振器１５に局部発振周波数を指定する信号をそれぞれ出力する。また、設定部１９は、ＡＬＣ１７に出力信号の電力レベルを指定する信号を、ステップＡＴＴ２０に減衰量を指定する信号をそれぞれ出力する。
【００５６】
波形データ記憶部１１は、試験者が指定した、Ｉ相成分及びＱ相成分のベースバンドの波形データを、それぞれ、ＤＡＣ１２及び１３に出力する。
【００５７】
ＤＡＣ１２及び１３は、それぞれ、Ｉ相成分及びＱ相成分のベースバンドの波形データをアナログの波形データに変換し、直交変調器１４に出力する。
【００５８】
直交変調器１４は、ＤＡＣ１２及び１３からベースバンド信号と、局部発振器１５から局部発振信号とを入力し、直交変調信号と局部発振信号とを乗算することにより、直交変調及び周波数変換を行ってＲＦ信号を生成し、生成したＲＦ信号をＡＬＣ１７に出力する。
【００５９】
ＡＬＣ１７は、入力したＲＦ信号のレベルを、例えば−１０ｄＢｍに設定するレベル制御を行って、ステップＡＴＴ２０に出力する。
【００６０】
ステップＡＴＴ２０は、設定部１９が設定した減衰量でＲＦ信号を減衰し、ＲＦ試験信号として出力する。出力先の試験対象は、例えば、移動体通信の端末や基地局、あるいはそれらに用いられるデバイスなどである。
【００６１】
以上のように、本実施形態における信号発生装置１０は、仕切壁４１、４３及び４５と、仕切壁４２及び４４とを備え、仕切壁４１、４３及び４５の位置では信号線路を多層基板３０の表面上で通し、仕切壁４２及び４４の位置では信号線路を多層基板３０の内層側で通す構成としたので、入出力間のアイソレーションを従来のものよりも高めることができる。
【００６２】
次に、ステップＡＴＴの他の態様について２つの例を挙げて説明する。
【００６３】
第１の他の態様に係るステップＡＴＴは、図７に示すように、多層基板５０上に形成されている。多層基板５０は、表面に形成された表面金属層５１、内層信号線路を構成する第１金属内層５２及び第２金属内層５３、接地される第３金属内層５４を有する。
【００６４】
図示のように、仕切壁４２の位置では、多層基板５０内で第１金属内層５２に形成された内層信号線路５２ａが層間信号線路２ｂ及び２ｃに接続されている。また、仕切壁４４の位置では、多層基板５０内で第２金属内層５３に形成された内層信号線路５３ａが層間信号線路３ｂ及び３ｃに接続されている。この構成のステップＡＴＴは、内層信号線路５２ａと内層信号線路５３ａとを異なる層に形成することにより、これらの内層信号線路間のアイソレーションが改善されるので、前述のステップＡＴＴ２０と同様に、従来のものよりもアイソレーションを大幅に改善することができる。
【００６５】
第２の他の態様に係るステップＡＴＴは、図８に示すように、多層基板６０上に形成されている。多層基板６０は、表面に形成された表面金属層６１、内層信号線路を構成する第１金属内層６２、第２金属内層６３及び第３金属内層６４、接地される第４金属内層６５を有する。
【００６６】
図示のように、この例ではステップＡＴＴが５つの仕切壁４２を備えている。内層信号線路を構成する金属内層が、順次、信号の入力側から第１金属内層６２、第２金属内層６３、第３金属内層６４となっている。この構成のステップＡＴＴは、隣り合う内層信号線路を異なる層に形成することにより、これらの内層信号線路間のアイソレーションを改善するとともに、開口部を有する仕切壁４１を用いないので、特に、多層基板３０の表面側におけるアイソレーションを大幅に改善することができる。
【００６７】
なお、前述の実施形態において、図３に示したように、ＡＴＴ部２１〜２６を直線上に一列に接続した例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、複数のＡＴＴ部を平面状に配置する構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
以上のように、本発明に係るステップアッテネータ及びそれを備えた信号発生装置は、入出力間のアイソレーションを従来のものよりも高めることができるという効果を有し、入力信号の減衰量をステップ状に変化させるステップアッテネータ及びそれを備えた信号発生装置として有用である。
【符号の説明】
【００６９】
１、２ａ、２ｄ、３、４ａ、４ｄ、５〜７、３１ａ  表面信号線路
１ａ、１ｂ、２ｂ、２ｃ、３ｂ、３ｃ、４ｂ、４ｃ、７ａ、７ｂ  層間信号線路
１０  信号発生装置
１１  波形データ記憶部（ベースバンド信号出力手段）
１２、１３  ＤＡＣ
１４  直交変調器（無線周波数信号生成手段）
１５  局部発振器（局部発振信号生成手段）
１７  ＡＬＣ（信号レベル設定手段）
１８  操作部
１９  設定部
２０  ステップＡＴＴ
２１〜２６  ＡＴＴ部
２１ａ、２１ｃ、２２ａ、２６ｃ  切替ＳＷ
２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ、２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ  ＡＴＴ
３０、５０、６０  多層基板
３１、５１、６１  表面金属層
３２、５２、６２  第１金属内層
３２ａ、３２ｂ  内層信号線路
３３、５３、６３  第２金属内層
４０  シールドケース
４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ  収容室
４１、４３、４５  仕切壁（第１の仕切壁）
４１ａ、４３ａ  開口部
４１ｂ  接触部（第１の接触部）
４２、４４  仕切壁（第２の仕切壁）
４２ａ  接触部（第２の接触部）
４６、４７  側面壁
４８  上面壁
５２ａ、５３ａ、６２ａ、６３ａ、６４ａ、６２ｂ、６３ｂ  内層信号線路
５４、６４  第３金属内層
６５  第４金属内層
【図１】
0005588425.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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