(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上表面、前記上表面に向かい合う下表面、複数のキャビティおよび複数のスルーホールを有し、前記キャビティが前記下表面に設置され、前記スルーホールが前記絶縁基板を通過してそれぞれ前記キャビティに連通し、複数のバイアを定義する絶縁基板を提供することと、
前記バイア内に、前記バイアを充填して複数の導電ポストを定義する導電材料を形成することと、
前記絶縁基板の前記上表面に、前記絶縁基板の前記上表面から相対的に離れた頂面および前記頂面から前記導電ポストに延伸した複数のブラインドバイアを有する絶縁層を形成することと、
前記絶縁層の前記頂面に、前記ブラインドバイアを充填し、前記導電ポストに接続されるとともに、前記絶縁層の前記頂面の一部を露出するパターン化回路層を形成することと、
前記パターン化回路層の上に、前記パターン化回路層および前記絶縁層の前記頂面の前記露出した部分を覆い、前記パターン化回路層の一部を露出して複数のパッドを定義する複数の開口を有するソルダマスク層を形成することと
を含むパッケージキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁基板の材料が、ＡＢＦ樹脂、高分子材料、シリコン充填剤またはエポキシ樹脂を含む請求項１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁基板の前記キャビティの形成方法が、レーザ穴あけまたは射出成形を含む請求項１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁基板の前記スルーホールの形成方法が、レーザ穴あけを含む請求項１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項５】
前記バイア内に前記導電材料を形成するステップが、
無電解メッキプロセスを行って、前記絶縁基板の前記上表面と前記下表面、および前記バイアの中に前記導電材料を形成し、前記導電材料が、前記絶縁基板の前記上表面と前記下表面を覆うとともに、前記バイアを充填することと、
前記絶縁基板の前記上表面と前記下表面の前記導電材料の一部を除去して、前記絶縁基板の前記上表面と前記下表面を露出し、前記導電ポストを定義することと
を含む請求項１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項６】
前記各導電ポストが、互いに向かい合う第１表面および第２表面を有し、前記各導電ポストの前記第１表面および前記絶縁基板の前記上表面が同一平面上にあり、前記各導電ポストの前記第２表面および前記絶縁基板の前記下表面が同一平面上にある請求項１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層の形成方法が、熱圧着法を含む請求項１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層の材料が、ＡＢＦ樹脂、高分子材料、シリコン充填剤またはエポキシ樹脂を含む請求項１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層の前記ブラインドバイアの形成方法が、レーザ穴あけを含む請求項１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項１０】
前記パターン化回路層の形成方法が、無電解メッキまたはセミアディティブプロセスを含む請求項１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項１１】
前記ソルダマスク層を形成した後に、前記パッドの上に表面処理層を形成すること
をさらに含む請求項１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項１２】
前記表面処理層が、電気メッキされた金層、電気メッキされた銀層、還元された金層、還元された銀層、電気メッキされたニッケル‐パラジウム‐金層、ニッケル‐パラジウム‐金層またはＯＳＰ層を含む請求項１１に記載のパッケージキャリアの製造方法。
【請求項１３】
発熱体を積載するのに適したパッケージキャリアであって、
上表面、前記上表面に向かい合う下表面、複数のキャビティおよび複数のスルーホールを有し、前記キャビティが前記下表面に設置され、前記スルーホールが前記絶縁基板を通過してそれぞれ前記キャビティに連通し、複数のバイアを定義する絶縁基板と、
前記バイアの中にそれぞれ配置され、互いに向かい合う第１表面および第２表面を有し、それぞれの前記第１表面および前記絶縁基板の前記上表面が同一表面上にあり、それぞれの前記第２表面および前記絶縁基板の前記下表面が同一表面上にある複数の導電ポストと、
前記絶縁基板の前記上表面に配置され、前記絶縁基板の前記上表面から相対的に離れた頂面および前記頂面から前記導電ポストに延伸した複数のブラインドバイアを有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記頂面に配置され、前記絶縁層の前記頂面の一部を露出するとともに、前記ブラインドバイアを充填し、前記導電ポストに接続されたパターン化回路層と、
前記パターン化回路層の上に配置され、前記パターン化回路層および前記絶縁層の前記頂面の前記露出した部分を覆うとともに、前記パターン化回路層の一部を露出して複数のパッドを定義する複数の開口を有するソルダマスク層と
を含む、前記発熱体が前記パッドの上に配置されたパッケージキャリア。
【請求項１４】
前記パッドの上に配置された表面処理層をさらに含む請求項１３に記載のパッケージキャリア。
【請求項１５】
前記表面処理層が、電気メッキされた金層、電気メッキされた銀層、還元された金層、還元された銀層、電気メッキされたニッケル‐パラジウム‐金層、ニッケル‐パラジウム‐金層またはＯＳＰ層を含む請求項１４に記載のパッケージキャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ構造およびその製造方法に関するものであり、特に、パッケージキャリアおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップパッケージの目的は、露出したチップを保護すること、チップ内の接触密度を減らすこと、そして、チップに対し優れた熱放散を提供することである。チップのキャリア（carrier）として用いられるリードフレーム（leadframe）は、通常、従来のワイヤボンディング（wire bonding）技術において使用される。チップ内の接触密度が次第に増加するにつれ、リードフレームは高接触密度に対する現要求を満たすことができないため、好適な接触密度を達成することのできるパッケージキャリア（package carrier）に置き換えられる。また、チップは、導線やバンプ（bump）等の導電性媒体によってパッケージキャリアに実装される。
【０００３】
現在一般的に使用されている発光ダイオード（light-emitting diode, LED）パッケージ構造を例にすると、ＬＥＤチップは、使用前に実装されなければならず、ＬＥＤチップは、発光時に大量の熱を生成する。そのため、ＬＥＤチップによって生成された熱が放散されず、ＬＥＤパッケージ構造内に蓄積され続けた場合、ＬＥＤパッケージ構造の温度は、上昇し続ける。これにより、ＬＥＤチップが過熱されるため、輝度の減衰が生じ、動作寿命を短縮するか、あるいは、ひどい場合には永久損傷が生じる。
【０００４】
集積回路の集積レベルが増えるにつれ、ＬＥＤチップとパッケージキャリア間の熱膨張係数のミスマッチ（mismatch）によって、熱応力（thermal stress）と反り（warpage）の現象がますますひどくなり、ＬＥＤチップとパッケージキャリア間の信頼度（reliability）を低下させる。そのため、現パッケージ技術は、光取り出し効率の向上だけでなく、パッケージ構造の熱応力を減らして、パッケージ構造の動作寿命と信頼度を増やすことにも焦点を当てている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、パッケージキャリアが発熱体（heating element）を積載した時の熱膨張差を効果的に減らし、使用信頼度を増やすパッケージキャリアを提供する。
【０００６】
本発明は、上述したパッケージキャリアを製造するためのパッケージキャリアの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、パッケージキャリアの製造方法を提供する。この製造方法は、以下のステップを含む。絶縁基板を提供する。絶縁基板は、上表面と、上表面に向かい合う下表面と、複数のキャビティと、複数のスルーホールとを有する。キャビティは、下表面に設置され、スルーホールは、絶縁基板を通過してそれぞれキャビティに連通し、複数のバイアを定義する。導電材料は、バイア内に形成され、導電材料は、バイアを充填して、複数の導電ポスト（conductive post）を定義する。絶縁基板の上表面に、絶縁層を形成する。絶縁層は、絶縁基板の上表面から相対的に離れた頂面（top surface）と、頂面から導電ポストに延伸した複数のブラインドバイアとを有する。絶縁層の頂面に、パターン化回路層を形成する。パターン化回路層は、ブラインドバイアを充填し、導電ポストに接続される。パターン化回路層は、絶縁層の頂面の一部を露出する。パターン化回路層の上に、ソルダマスク層を形成する。ソルダマスク層は、パターン化回路層および絶縁層の頂面の露出した部分を覆う。ソルダマスク層は、複数の開口を有し、開口は、パターン化回路層の一部を露出することによって、複数のパッドを定義する。
【０００８】
本発明の１つの実施形態中、絶縁基板の材料は、ＡＢＦ（味の素ビルドアップフィルム）樹脂、高分子材料（polymeric material）、シリコン充填剤（silicon filler）またはエポキシ樹脂を含む。
【０００９】
本発明の１つの実施形態中、絶縁基板のキャビティの形成方法は、レーザ穴あけ（laser drilling）または射出成形（injection molding）を含む。
【００１０】
本発明の１つの実施形態中、絶縁基板のスルーホールの形成方法は、レーザ穴あけを含む。
【００１１】
本発明の１つの実施形態中、バイアに導電材料を形成するステップは、無電解メッキ（electroless plating）プロセスを行って、絶縁基板の上表面と下表面、およびバイアの中に導電材料を形成し、導電材料が、絶縁基板の上表面と下表面を覆うとともに、バイアを充填することと、絶縁基板の上表面と下表面の導電材料の一部を除去して、絶縁基板の上表面と下表面を露出することにより、導電ポストを定義することとを含む。
【００１２】
本発明の１つの実施形態中、各導電ポストは、互いに向かい合う第１表面および第２表面を有する。各導電ポストの第１表面および絶縁基板の上表面は、同一平面上にあり、各導電ポストの第２表面および絶縁基板の下表面は、同一平面上にある。
【００１３】
本発明の１つの実施形態中、絶縁層の形成方法は、熱圧着法（thermal compression bonding）を含む。
【００１４】
本発明の１つの実施形態中、絶縁層の材料は、ＡＢＦ樹脂、高分子材料、シリコン充填剤またはエポキシ樹脂を含む。
【００１５】
本発明の１つの実施形態中、絶縁層のブラインドバイアの形成方法は、レーザ穴あけを含む。
【００１６】
本発明の１つの実施形態中、パターン化回路層の形成方法は、無電解メッキまたはセミアディティブ（semi-additive）プロセスを含む。
【００１７】
本発明の１つの実施形態中、製造方法は、さらに、ソルダマスク層を形成した後に、パッドの上に表面処理層を形成することを含む。
【００１８】
本発明の１つの実施形態中、表面処理層は、電気メッキされた金層、電気メッキされた銀層、還元された（reduced）金層、還元された銀層、電気メッキされたニッケル‐パラジウム‐金層、ニッケル‐パラジウム‐金層またはＯＳＰ（organic solderability preservative）層を含む。
【００１９】
本発明は、発熱体を積載するのに適したパッケージキャリアを提供する。パッケージキャリアは、絶縁基板と、複数の導電ポストと、絶縁層と、パターン化回路層と、ソルダマスク層とを含む。絶縁基板は、上表面と、上表面に向かい合う下表面と、複数のキャビティと、複数のスルーホールとを有する。キャビティは、下表面に設置され、スルーホールは、絶縁基板を通過してそれぞれキャビティに連通し、複数のバイアを定義する。導電ポストは、それぞれバイアの中に配置され、各導電ポストは、互いに向かい合う第１表面および第２表面を有する。各導電ポストの第１表面および絶縁基板の上表面は、同一表面上にあり、各導電ポストの第２表面および絶縁基板の下表面は、同一表面上にある。絶縁層は、絶縁基板の上表面に配置される。絶縁層は、絶縁基板の上表面から相対的に離れた頂面と、頂面から導電ポストに延伸した複数のブラインドバイアとを有する。パターン化回路層は、絶縁層の頂面に配置され、絶縁層の頂面の一部を露出する。パターン化回路層は、ブラインドバイアを充填し、導電ポストに接続される。ソルダマスク層は、パターン化回路層の上に形成される。ソルダマスク層は、パターン化回路層および絶縁層の頂面の露出した部分を覆う。ソルダマスク層は、複数の開口を有し、開口は、パターン化回路層の一部を露出することによって、複数のパッドを定義し、パッドの上に、発熱体が配置される。
【００２０】
本発明の１つの実施形態中、パッケージキャリアは、さらに、パッドの上に配置された表面処理層を含む。
【００２１】
本発明の１つの実施形態中、表面処理層は、電気メッキされた金層、電気メッキされた銀層、還元された金層、還元された銀層、電気メッキされたニッケル‐パラジウム‐金層、ニッケル‐パラジウム‐金層またはＯＳＰ層を含む。
【発明の効果】
【００２２】
以上に基づき、本発明のパッケージキャリアは、理想的な熱膨張係数を有する絶縁基板をコア（core）として使用する。そのため、パッケージキャリアが後に発熱体（例えば、チップ）のパッケージに使用された時、パッケージキャリアとパッケージキャリアに積載された発熱体との間の熱膨張係数の差が効果的に減少し、発熱体と絶縁基板の間の熱膨張係数の差が大きすぎることによって両者間の応力が増えるのを防ぐとともに、発熱体の剥離および損傷を効果的に防ぎ、それによって、パッケージキャリアの使用信頼度を向上させる。
【００２３】
本発明の上記および他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】本発明の１つの実施形態に係るパッケージキャリアの製造方法の概略的断面図である。
【図１Ｂ】本発明の１つの実施形態に係るパッケージキャリアの製造方法の概略的断面図である。
【図１Ｃ】本発明の１つの実施形態に係るパッケージキャリアの製造方法の概略的断面図である。
【図１Ｄ】本発明の１つの実施形態に係るパッケージキャリアの製造方法の概略的断面図である。
【図１Ｅ】本発明の１つの実施形態に係るパッケージキャリアの製造方法の概略的断面図である。
【図１Ｆ】本発明の１つの実施形態に係るパッケージキャリアの製造方法の概略的断面図である。
【図１Ｇ】本発明の１つの実施形態に係るパッケージキャリアの製造方法の概略的断面図である。
【図１Ｈ】本発明の１つの実施形態に係るパッケージキャリアの製造方法の概略的断面図である。
【図２】発熱体を積載した図１Ｈのパッケージキャリアの概略的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１Ａ〜図１Ｈは、本発明の１つの実施形態に係るパッケージキャリアの製造方法の概略的断面図である。本発明のパッケージキャリアの製造方法は、図１Ａを参照すると、まず、絶縁基板１１０を提供する。絶縁基板１１０は、上表面１１２と、上表面１１２に向かい合う下表面１１４と、複数のキャビティ１１６とを有し、キャビティ１１６は、絶縁基板１１０の下表面１１４に設置される。ここで、絶縁基板１１０のキャビティ１１６の形成方法は、例えば、レーザ穴あけまたは射出成形である。また、絶縁基板１１０の材料は、例えば、ＡＢＦ樹脂、高分子材料、シリコン充填剤またはエポキシ樹脂である。
【００２６】
それから、図１Ｂを参照すると、絶縁基板１１０の上表面１１２に、絶縁基板１１０を通過してそれぞれキャビティ１１６に連通するスルーホール１１８を形成する。ここで、各スルーホール１１８とそれに対応するキャビティ１１６は、バイアＴを定義し、各スルーホール１１８の直径は、実質的に、各キャビティ１１６の直径よりも小さい。また、スルーホール１１８の形成方法は、例えば、レーザ穴あけである。
【００２７】
それから、図１Ｃを参照すると、無電解メッキプロセスを行い、上表面１１２と下表面１１４、および絶縁基板１１０のバイアＴ内に導電材料１２０を形成する。導電材料１２０は、絶縁基板１１０の上表面１１２および下表面１１４を覆い、バイアＴを充填する。導電材料１２０は、例えば、銅である。
【００２８】
それから、図１Ｄを参照すると、絶縁基板１１０の上表面１１２および下表面１１４の導電材料１２０の一部を除去して、絶縁基板１１０の上表面１１２および下表面１１４を露出することにより、複数の導電ポスト１２０ａを定義する。ここで、各導電ポスト１２０ａは、互いに向かい合う第１表面１２２および第２表面１２４を有する。各導電ポスト１２０ａの第１表面１２２および絶縁基板１１０の上表面１１２は、実質的に、同一表面上にあり、各導電ポスト１２０ａの第２表面１２４および絶縁基板１１０の下表面１１４は、実質的に、同一表面上にある。
【００２９】
それから、図１Ｅを参照すると、絶縁基板１１０の上表面１１２に、絶縁層１３０を形成する。絶縁層１３０は、絶縁基板１１０の上表面１１２から相対的に離れた頂面１３２を有する。ここで、絶縁層１３０の形成方法は、例えば、熱圧着法である。また、絶縁層１３０の材料は、例えば、ＡＢＦ樹脂、高分子材料、シリコン充填剤またはエポキシ樹脂である。
【００３０】
それから、図１Ｆを参照すると、絶縁層１３０の頂面１３２から導電ポスト１２０ａに延伸したブラインドバイアＢを形成する。ブラインドバイアＢは、それぞれ導電ポスト１２０ａの第１表面１２２を露出する。ここで、絶縁層１３０のブラインドバイアＢの形成方法は、例えば、レーザ穴あけである。
【００３１】
それから、図１Ｇを参照すると、絶縁層１３０の頂面１３２に、パターン化回路層１４０を形成する。パターン化回路層１４０は、ブラインドバイアＢを充填し、導電ポスト１２０ａに構造的かつ電気的に接続され、パターン化回路層１４０は、絶縁層１３０の頂面１３２の一部を露出する。ここで、パターン化回路層１４０の形成方法は、例えば、無電解メッキまたはセミアディティブプロセスであるが、本発明はこれに限定されない。
【００３２】
最後に、図１Ｈを参照すると、パターン化回路層１４０の上に、ソルダマスク層１５０を形成する。ソルダマスク層１５０は、パターン化回路層１４０および絶縁層１３０の頂面１３２の露出した部分を覆う。ここで、ソルダマスク層１５０は、複数の開口１５２を有し、開口１５２は、パターン化回路層１４０の一部を露出して、複数のパッド１４２を定義する。また、本実施形態のパッケージキャリアの製造方法は、さらに、パッド１４２の上に表面処理層１６０を形成することを含み、表面処理層１６０は、例えば、電気メッキされた金層、電気メッキされた銀層、還元された金層、還元された銀層、電気メッキされたニッケル‐パラジウム‐金層、ニッケル‐パラジウム‐金層またはＯＳＰ層である。ここで、表面処理層１６０の形成方法は、例えば、電解メッキまたは無電解メッキであるが、本発明はこれに限定されない。ここまでで、パッケージキャリア１００の製造が完了する。
【００３３】
構造に関し、図１Ｈを参照すると、本実施形態のパッケージキャリア１００は、絶縁基板１１０と、導電ポスト１２０ａと、絶縁層１３０と、パターン化回路層１４０と、ソルダマスク層１５０とを含む。絶縁基板１１０は、上表面１１２と、上表面１１２に向かい合う下表面１１４と、複数のキャビティ１１６と、複数のスルーホール１１８とを有し、各スルーホール１１８の直径は、実質的に、各キャビティ１１６の直径よりも小さい。キャビティ１１６は、下表面１１４に設置され、スルーホール１１８は、絶縁基板１１０を通過してそれぞれキャビティ１１６に連通し、バイアＴを定義する。導電ポスト１２０ａは、それぞれバイアＴ内に配置され、各導電ポスト１２０ａは、互いに向かい合う第１表面１２２および第２表面１２４を有する。各導電ポスト１２０ａの第１表面１２２および絶縁基板１１０の上表面１１２は、実質的に、同一平面上にあり、各導電ポスト１２０ａの第２表面１２４および絶縁基板１１０の下表面１１４は、実質的に、同一平面上にある。絶縁層１３０は、絶縁基板１１０の上表面１１２に配置される。絶縁層１３０は、絶縁基板１１０の上表面１１２から相対的に離れた頂面１３２と、頂面１３２から導電ポスト１２０ａに延伸したブラインドバイアＢとを有する。パターン化回路層１４０は、絶縁層１３０の頂面１３２に形成され、絶縁層１３０の頂面１３２の一部を露出する。パターン化回路層１４０は、ブラインドバイアＢを充填し、導電ポスト１２０ａに接続される。ソルダマスク層１５０は、パターン化回路層１４０の上に配置され、ソルダマスク層１５０は、パターン化回路層１４０および絶縁層１３０の頂面１３２の露出した部分を覆う。ソルダマスク層１５０は、複数の開口１５２を有し、開口１５２は、パターン化回路層１４０の一部を露出して、パッド１４２を定義する。また、本実施形態のパッケージキャリア１００は、さらに、パッド１４２の上に配置された表面処理層１６０を含んでもよく、表面処理層１６０は、例えば、電気メッキされた金層、電気メッキされた銀層、還元された金層、還元された銀層、電気メッキされたニッケル‐パラジウム‐金層、ニッケル‐パラジウム‐金層またはＯＳＰ層である。
【００３４】
本実施形態は、理想的な熱膨張係数（例えば、後に使用される発熱体の熱膨張係数に類似する）を有する絶縁基板１１０をパッケージキャリア１００のコアとして使用するため、パッケージキャリア１００が後に発熱体（図示せず）のパッケージに使用された時、パッケージキャリア１００とパッケージキャリア１００に積載された発熱体との間の熱膨張係数の差を効果的に減らし、発熱体と絶縁基板１１０の間の熱膨張係数の差が大きすぎることによって両者間の応力が増えるのを防ぐとともに、発熱体の剥離および損傷を効果的に防ぎ、それによって、パッケージキャリア１００の使用信頼度を向上させる。また、本実施形態のパターン化回路層１４０は、無電解メッキまたはセミアディティブプロセスによって形成されるため、パターン化回路層１４０の幅を微細回路の規格に合わせることができる。
【００３５】
図２は、発熱体を積載した図１Ｈのパッケージキャリアの概略的断面図である。本実施形態において、パッケージキャリア１００は、発熱体２００を積載するのに適しており、発熱体２００は、ソルダマスク層１５０の開口１５２によって露出したパッド１４２上の表面処理層１６０の上に配置される。発熱体２００は、例えば、電子チップまたは光電素子であるが、本発明はこれに限定されない。例えば、電子チップは、シングルチップ（グラフィックチップ、メモリチップ、または半導体チップ等）またはチップモジュール等の集積回路チップであってもよい。光電素子は、例えば、ＬＥＤ、レーザダイオードまたは気体放電光源（gas-discharge light source）である。ここで、発熱体２００は、ＬＥＤを例として用いる。
【００３６】
詳しく説明すると、発熱体２００（例えば、半導体チップ）は、フリップチップボンディング（flip chip bonding）により、表面処理層１６０に電気接続される。本実施形態は、理想的な熱膨張係数を有する絶縁基板１１０をパッケージキャリア１００のコアとして使用するため、パッケージキャリア１００と発熱体２００の間の熱膨張係数の差が徐々に減少する。これにより、発熱体２００と絶縁基板１１０の間の熱膨張係数の差が大きすぎることによって両者間の応力が増えるのを防ぐとともに、発熱体２００の剥離および損傷を効果的に防ぎ、それによって、パッケージキャリア１００の使用信頼度を向上させることができる。さらに、発熱体２００がパッケージキャリア１００の上に配置された時、発熱体２００によって生成された熱は、表面処理層１６０、パターン化回路層１４０および導電ポスト１２０ａを介して、急速に外側に伝達する。これにより、本実施形態のパッケージキャリア１００は、発熱体２００によって生成された熱を効果的に放散し、それによって、発熱体２００の使用効率と動作寿命を向上させる。また、本実施形態のパッケージキャリア１００は、絶縁基板１１０の下表面１１４に複数のソルダボール２１０を配置してもよく、このソルダボール２１０を介してパッケージキャリア１００を外部回路（図示せず）に電気接続して、パッケージキャリア１００の応用性を効果的に向上させてもよい。
【００３７】
以上のように、本発明のパッケージキャリアは、理想的な熱膨張係数を有する絶縁基板をコアとして使用する。そのため、パッケージキャリアが後に発熱体（例えば、チップ）のパッケージに使用された時、パッケージキャリアとパッケージキャリアに積載された発熱体との間の熱膨張係数の差を効果的に減らし、発熱体と絶縁基板の間の熱膨張係数の差が大きすぎることによって両者間の応力が増えるのを防ぐとともに、発熱体の剥離および損傷を効果的に防ぎ、それによって、パッケージキャリアの使用信頼度を向上させる。
【００３８】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、少なくとも１つの発熱体を実装するために使用されるパッケージキャリアおよびその製造方法に関する。
【符号の説明】
【００４０】
１００    パッケージキャリア
１１０    絶縁基板
１１２    上表面
１１４    下表面
１１６    キャビティ
１１８    スルーホール
１２０    導電材料
１２０ａ    導電ポスト
１２２    第１表面
１２４    第２表面
１３０    絶縁層
１３２    頂面
１４０    パターン化回路層
１４２    パッド
１５０    ソルダマスク層
１５２    開口
１６０    表面処理層
２００    発熱体
２１０    ソルダボール
Ｂ    ブラインドバイア
Ｔ    バイア
【図１Ａ】
0005509353.tif 000002
【図１Ｂ】
0005509353.tif 000003
【図１Ｃ】
0005509353.tif 000004
【図１Ｄ】
0005509353.tif 000005
【図１Ｅ】
0005509353.tif 000006
【図１Ｆ】
0005509353.tif 000007
【図１Ｇ】
0005509353.tif 000008
【図１Ｈ】
0005509353.tif 000009
【図２】
0005509353.tif 000010