(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有し、該第１面に開口する凹部を備える基材と、
該基材の第１面上及び該凹部の壁面上に形成されている下部電極と、該下部電極上に形成されている誘電体層と、該誘電体層上に形成されている上部電極とから成るコンデンサ部と、
前記凹部の内部であって、前記上部電極により形成されている空間に充填され、頂部が凹んでいる樹脂充填材と、
前記基材の第１面上に形成され、前記樹脂充填剤の頂部と接している絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される導体部と、
前記下部電極及び前記上部電極のいずれか一方と前記導体部とを接続するビア導体と、を有する電子部品であって、
前記導体部は、前記凹部を覆うように設けられており、
前記コンデンサ部は、記凹部の開口周縁において略Ｒ状の厚肉部を有する電子部品。
【請求項２】
前記導体部は、前記ビア導体のランドである請求項１の電子部品。
【請求項３】
前記ビア導体は、前記基材のうち前記凹部が形成されていない領域に位置する下部電極又
は上部電極に接続されている請求項１の電子部品。
【請求項４】
前記樹脂充填材と前記絶縁層とは同一材料である請求項１の電子部品。
【請求項５】
前記絶縁層は感光性樹脂からなる請求項１の電子部品。
【請求項６】
前記基材は、シリコン、ガラス及びセラミックのいずれか１つから成る請求項１の電子部品。
【請求項７】
第１面を有し、該第１面に開口する凹部を備える基材と、
該基材の第１面上及び該凹部の壁面上に形成されている下部電極と、該下部電極上に形成されている誘電体層と、該誘電体層上に形成されている上部電極とから成るコンデンサ部と、
前記凹部の内部であって、前記上部電極により形成されている空間に充填されている樹脂充填材と、
前記基材の第１面上に形成されている絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される導体部と、
前記下部電極及び前記上部電極のいずれか一方と前記導体部とを接続するビア導体と、を有する電子部品であって、
前記導体部は、前記凹部を覆うように設けられており、
前記コンデンサ部は、記凹部の開口周縁において略Ｒ状の厚肉部を有し、
前記下部電極は、前記凹部の開口周縁において段差部を有する電子部品。
【請求項８】
電子部品の製造方法であって、
第１面を有する基材に凹部を形成することと、
前記凹部を含む基材の表面に、下部電極と誘電体層と上部電極とを順次形成し、前記凹部の開口周縁において略Ｒ状の厚肉部を形成することでコンデンサ部を設けることと、
前記凹部内において、前記上部電極で形成される空間内に樹脂充填材を充填することと、前記コンデンサ部を覆うように前記基材上に絶縁層を形成することと、
前記絶縁層をマスクとして前記誘電体層を除去することと、
前記絶縁層上に導体部を形成することと、
前記絶縁層の内部に、前記下部電極及び前記上部電極のいずれか一方と前記導体部とを接続するビア導体を形成することと、
を有し、
前記凹部を覆うように前記導体部を設ける電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電子部品の製造方法であって、
前記樹脂充填材と前記絶縁層とは同一材料である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板に内蔵するためのコンデンサ部を備える電子部品、及び、該電子部品を内蔵するプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体素子とボード基板との間に介装される電子部品の製造方法が開示されている。該電子部品の製造方法は、
（１）無機基板に信号ビア用の導電体を埋め込む工程と：
（２）無機基板の主面上において、埋め込まれた信号ビア用の導電体を被覆して接合するように、結合コンデンサを形成する工程と：
（３）結合コンデンサへ電気的に接続されるように、能動素子側信号パッドを形成する工程と：
（４）ボード基板へ電気的に接続されるように、ボード側信号パッドを形成する工程とから成る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２２７１７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の電子部品では、無機基板の主面上に、下部電極、誘電体膜、上部電極の順で堆積させ、所定のエッチングによりコンデンサを形成するプロセスに関して、無機基板を用いることで、高温工程で比誘電率の大きい誘電体膜を堆積させることが可能である。しかしながら、コンデンサの容量を決定する対向電極面積を大きくするのに限界があり、大容量のコンデンサを形成するのは困難であった。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、高い容量を備え、好適な接続信頼性を確保し得る電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の電子部品は、第１面を有し、該第１面に開口する凹部を備える基材と、
該基材の第１面上及び該凹部の壁面上に形成されている下部電極と、該下部電極上に形成されている誘電体層と、該誘電体層上に形成されている上部電極とから成るコンデンサ部と、
前記凹部の内部であって、前記上部電極により形成されている空間に充填され、頂部が凹んでいる樹脂充填材と、
前記基材の第１面上に形成され、前記樹脂充填剤の頂部と接している絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される導体部と、
前記下部電極及び前記上部電極のいずれか一方と前記導体部とを接続するビア導体と、
を有する電子部品であって、
前記導体部は、前記凹部を覆うように設けられてけられており、
前記コンデンサ部は、記凹部の開口周縁において略Ｒ状の厚肉部を有することを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１の電子部品では、下部電極と誘電体層と上部電極とから成るコンデンサ部が、基材の凹部の壁面上に形成されているため、電極間の実質的な対向面積を広げることができ、高い容量を得ることができる。また、凹部の内部に樹脂充填材が充填されているため、例えば凹部の側壁で生じる応力を可撓性の有る樹脂充填材で吸収することができ、凹部（トレンチ）を狭い間隔で設け容量の増大を図っても、凹部の側壁へクラックが入ることが無い。
さらに、凹部内の樹脂充填材を覆うように導体部を設けることで、樹脂充填材の熱膨張が抑えられ、例えばビア導体に対する応力が緩和され、ビア導体の断線などが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るＳｉコンデンサの平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のｂ−ｂ断面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）中の一部を拡大して示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、図１（Ａ）中の−電極パッドを示し、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のｂ’−ｂ’断面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）中の一部を拡大して示す断面図であり、図２（Ｄ）は、図２（Ｃ）中の一部を拡大して示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、図１（Ａ）中の＋電極パッドを示し、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のｂ’’−ｂ’’断面図であり、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）中の一部を拡大して示す断面図であり、図３（Ｄ）は、図３（Ｃ）中の一部を拡大して示す断面図である。
【図４】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図５】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図６】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図７】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図８】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図９】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図１０】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図１１】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図１２】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図１３】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図１４】第１実施形態に係るＳｉコンデンサの製造工程図である。
【図１５】図１５（Ａ）は第１実施形態のプリント配線板の断面図であり、図１５（Ｂ）はＩＣチップを実装したプリント配線板の断面図である。
【図１６】図１６（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板の断面図であり、図１６（Ｂ）はＩＣチップを実装したプリント配線板の断面図である。
【図１７】第３実施形態の電子装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係る電子部品を構成するコンデンサ部品について図１〜図３を参照して説明する。
図１（Ａ）は、コンデンサ部品１０の平面図である。コンデンサ部品１０は、主に基材と、基材上に形成されているコンデンサ部とを有する。基材としては、平坦性に優れるシリコン、ガラス及びセラミックのいずれか１つが好ましい。
コンデンサ部品１０の上面には、複数の開口１４ａを有する絶縁層１４が形成されている。開口１４ａからは電極パッド１２Ｐ及び電極パッド１２Ｍがそれぞれ露出している。本実施形態では、電極パッド１２Ｍが下部電極に接続し、電極パッド１２Ｐが上部電極に接続している。これら電極パッド１２Ｐ及び電極パッド１２Ｍは、マトリクス状に、交互に配置されている。電極パッド間のピッチＰは５００μｍに設定されている。
【００１２】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のｂ−ｂ断面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）中の一部を拡大して示す断面図である。
基板２０の第１面（上面）側には、凹部３０が形成され、該凹部３０内にコンデンサ部４０が形成されている。例えば、基板２０の厚さＳ１は３００μｍに、凹部３０の深さＴＤは７０μｍに設定されている。Ｓｉ基板２０の上面に電極パッド１２Ｐ及び電極パッド１２Ｍが設けられている。電極パッド１２Ｐ及び電極パッド１２Ｍの外径Ｄ１は２００μｍに形成され、ビア導体６０Ｄ、６０Ｕの径Ｄ２は５０μｍに設定されている。
【００１３】
図２（Ａ）は、図１（Ａ）中の電極パッド１２Ｍを示し、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のｂ’−ｂ’断面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）中の一部を拡大して示す断面図であり、図２（Ｄ）は、図２（Ｃ）中の一部を拡大して示す断面図である。図２（Ｄ）では、凹部３０の上部のみを示すが、図１３、図１４中に凹部の全体構成が開示されている。
【００１４】
図２（Ｃ）に示すように、凹部を含む基板の第１面上には絶縁層５０が形成されている。絶縁層５０上に電極パッド１２Ｍが形成されている。電極パッド１２Ｍは、ビア導体６０Ｄを介して下部電極と接続されている。より詳しくは、凹部が形成されていない領域（基板の平面部分）に位置する下部電極に接続されている。そして、電極パッド１２Ｍは、複数の凹部内の樹脂充填材を覆うように形成されている。なお、絶縁層５０は厚さＩＤ１０μｍに、電極パッド１２Ｍのランド部５８は厚さＣＤ１０μｍに形成されている。
【００１５】
図２（Ｄ）に示すように、コンデンサ部４０は、基板２０の第１面（上面）上及び凹部３０の壁面に形成されている。コンデンサ部４０は、ＴiＮ／Ｗ／ＴiＮから成る下部電極４２と、ＡｌＯ／ＺｒＳｉＯから成る誘電体層４４と、ＴiＮ／Ｗから成る上部電極４６とから構成されている。ここで、トレンチ３０内では、コンデンサ部４０の下部電極４２がＴiＮから成り、上部電極４６はＴiＮ／Ｔiから成る。凹部内において、上部電極で形成される空間には樹脂充填剤５２が充填されている。そして、基板上には、コンデンサ部４０を覆うように絶縁層５０が設けられている。絶縁層５０には、下部電極を露出させる開口５０ａが形成されている。この開口５０ａの内部にはビア導体６０Ｄが設けられており、このビア導体６０Ｄを介して電極パッド１２Ｍと下部電極が接続されている。このとき、ビア導体６０Ｄと上部電極４６とは絶縁されている。すなわち、ビア導体６０Ｄと上部電極４６との間には絶縁層５０が存在する。
【００１６】
図３（Ａ）は、図１（Ａ）中の電極パッド１２Ｐを示し、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のｂ’’−ｂ’’断面図であり、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）中の一部を拡大して示す断面図であり、図３（Ｄ）は、図３（Ｃ）中の一部を拡大して示す断面図である。図３（Ｄ）では、凹部３０の上部のみを示すが、図１３、図１４中に凹部の全体構成が開示されている。
【００１７】
図３（Ｃ）に示すように、電極パッド１２Ｐは絶縁層５０上に形成されている。電極パッド１２Ｍは、ビア導体６０Ｕを介して上部電極と接続されている。より詳しくは、凹部が形成されていない領域（基板の平面部分）に位置する上部電極に接続されている。そして、電極パッド１２Ｍは、複数の凹部内の樹脂充填材を覆うように形成されている。
図３（Ｄ）に示すように、絶縁層５０の内部には上部電極を露出させる開口５０ｂが形成されている。この開口５０ｂの内部にはビア導体６０Ｕが設けられており、このビア導体６０Ｕを介して電極パッド１２Ｐと上部電極が接続されている。
【００１８】
第１実施形態のコンデンサ部品１０では、下部電極４２と誘電体層４４と上部電極４６とから成るコンデンサ部４０が、基板２０の表面（第１面）に加え、凹部３０の壁面上にも形成されているため、電極間の実質的な対向面積を広げることができ、高い容量を得ることができる。また、凹部３０の内部に樹脂充填材５２が充填されているため、凹部３０の側壁で生じる応力を樹脂充填材５２で吸収することができ、凹部を狭い間隔で設け容量の増大を図っても、凹部３０の側壁に生じるクラックを抑制することができると推測される。
【００１９】
第１実施形態のコンデンサ１０では、基板２０上に樹脂製の絶縁層５０を備えるため、プリント配線板の内部に収容された際に、基板２０で生じた応力を絶縁層５０で緩和することができる。
【００２０】
第１実施形態のコンデンサ１０では、電極パッド１２Ｐ及び電極パッド１２Ｍのランド部５８が樹脂絶縁層５０を介して、複数の凹部３０を覆っている。このため、トレンチ３０内部の樹脂充填剤５２が熱膨張する際に、上部のランド部５８により膨張が抑えられる。その結果、例えば絶縁層５０の熱膨張によりビア導体６０Ｕ、６０Ｄへ加わる応力が緩和され、ビア導体の断線などを抑制することが可能になると推測される。
【００２１】
引き続き、コンデンサ部品１０の製造工程について、図４〜図１４を参照して説明する。（１）厚み約３００μｍのＳｉウエハー２０を用意する（図４（Ａ））。
（２）スパッタリング法により、Ｓｉウエハー２０上に厚み１０nmのＴｉＮ膜を形成する（図１（Ｂ））。
（３）引き続き、スパッタリング法により、ＴｉＮ膜上に厚み１００nmのＷ膜を形成する（図４（Ｃ））。
【００２２】
（４）Ｗ膜上にＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いるプラズマＣＶＤでＳｉＯ2から成るハードマスク７０を形成する（図５（Ａ））。
（５）ハードマスク７０上にポジレジストを塗布し、露光、現像（ＴＭＡＨ）で所定パターンのレジスト層７２を形成する（図５（Ｂ））。
（６）ＲＩＥ（反応イオンエッチング）により、レジスト層７２非形成部のハードマスク７０に開口部７０ａを形成し（図５（Ｃ））、Ｗ膜を露出させる。ハードマスク７０上のレジスト層を除去する（図５（Ｄ））。
【００２３】
（７）エッチングにより、ハードマスク７０の開口部７０ａから露出されるＷ膜を除去し、Ｗ膜の開口Ｗ−ａを形成する（図６（Ａ））。そして、ハードマスク７０を剥離する（図６（Ｂ））。
（８）Ｗ層の上に開口７４ａを備えるレジスト７４を形成する（図６（Ｃ））。この際に、開口Ｗ−ａが埋まるように、ＴｉＮ層上まで延在させてレジスト７４の開口７４ａを形成する。
（９）レジスト７４の開口７４ａから露出されたＴｉＮ層をエッチングにより除去する（図６（Ｄ））。そして、レジスト７４を除去する（図７（Ａ））。ここで、ＴｉＮ膜の端部ＴｉＮ−ａは、Ｗ膜の開口Ｗ−ａよりも内側へ延在している。すなわち、ＴｉＮ膜及びＷ膜を有する下部電極は段差状に形成される。これにより、下部電極のエッジ部分の表面積が大きくなり、そこに集中する応力が緩和される。その結果、後述する誘電体層の内部へ発生するクラックが抑制されると推測される。
【００２４】
（１０）Ｗ膜上にＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いるプラズマＣＶＤでＳｉＯ2から成る開口７６ａを有するスペーサ７６を形成する（図７（Ｂ））。ここで、開口７６ａは、ＴｉＮ膜の端部ＴｉＮ−ａより内側に形成される。
（１１）Ｓｉエッチングにより、Ｓｉウエハー２０にトレンチ３０を形成する（図７（Ｃ））。凹部３０の全体を図１３に示す。そして、フッ酸を用いるエッチングによりスペーサ７６を除去する（図７（Ｄ））。
【００２５】
（１２）Ｓｉウエハー２０上面及びトレンチ３０内に、既にＳｉウエハー２０上に形成されたＴｉＮ膜、Ｗ層上に、更にＣＶＤで厚さ３０nmのＴiＮ膜を形成し、ＴｉＮ／Ｗ／ＴiＮから成る下部電極４２を完成する。引き続き、下部電極４２上にＡＬＤ（Atomic Layer Deposition:原子層蒸着プロセス）で厚さ１２nmのＺｒＳｉＯ膜を形成し、次に、ＡＬＤで厚さ１nmのＡｌＯ膜を形成し、ＺｒＳｉＯ／ＡｌＯからなる誘電体層４４を完成する。また更に、誘電体層４４上にＣＶＤで厚さ２０nmのＴiＮ膜を形成し、ＣＶＤで厚さ１０nmのＴi膜を形成する（図８（Ａ））。
【００２６】
（１３）スパッタリングにより既に形成されたＴiＮ膜、Ｔi膜上に厚さ１００nmのＷ層を形成し、これにより、ＴiＮ／Ｔi／Ｗから成る上部電極４６を形成し、コンデンサ部４０を完成する（図８（Ｂ））。なお、図２（Ｄ）を参照して上述したように、コンデンサ部４０は、Ｓｉウエハー２０上面では、下部電極４２がＴiＮ／Ｗ／ＴiＮら成り、上部電極４６がＴiＮ／Ｔi／Ｗから成るとから成る。そして、トレンチ３０内では、コンデンサ部４０の下部電極４２がＴiＮから成り、上部電極４６はＴiＮ／Ｔiから成る。ここで、Ｓｉウエハー２０の第１面上とトレンチ３０とのエッジ部に、上部電極の最外層であるＷ層を厚く設けることで、該エッジ部にアールを形成する。これにより、後述する樹脂充填剤、絶縁層での応力集中を防ぐ。
【００２７】
（１４）トレンチ３０内に樹脂充填剤５２を充填する（図８（Ｃ））。ここでは、感光性樹脂（例えばＪＳＲ（株）社製  商品名「ＷＰＲ」）を塗布し、露光、現像後に、熱硬化することにより樹脂充填剤５２を充填する。
【００２８】
（１５）レジスト液を塗布し、露光、現像（ＴＭＡＨ）することで、開口７８ａを備えるレジスト７８を形成する（図９（Ａ））。
【００２９】
（１６）Ｈ2Ｏ2＋ＫＯＨ液を用いるウエットエッチングで、レジスト７８の開口７８ａ内の上部電極４６を構成するＴiＮ／Ｔi／Ｗ膜を除去し、誘電体層４４を露出させる（図９（Ｂ））。そして、レジスト７８を除去する（図１０（Ａ））。
【００３０】
（１７）電極パッド１２Ｍ形成用開口５０ａ、電極パッド１２Ｐ形成用開口５０ｂを備える絶縁膜５０を形成する（図１０（Ｂ））。ここでは、樹脂充填材と同じ感光性樹脂を塗布し、露光、現像後に、熱硬化する。
【００３１】
（１８）ウエットエッチング、希ＨＦ処理で、開口５０ａから露出する誘電体層４４を除去する（図１１（Ａ））。ここで、第１実施形態では、絶縁層５０がエッチングレジストの役割を果たす。
【００３２】
（１９）ＴｉＮ／Ｔi／Ｃｕスパッタにより、ＴｉＮ（１５nm）／Ｔi（３０nm）／Ｃｕ（６０nm）のシード層５４を、絶縁層５０の表面及び開口５０ａ、５０ｂ内に形成する（図１１（Ｂ））。
【００３３】
（２０）所定パターンのめっきレジスト５５を形成し、シード層５４を介して通電し、めっきレジスト５５の非形成部に電解銅めっき膜５６を形成する（図１２）。
【００３４】
（２１）めっきレジストを薬液で除去し、めっきレジスト下のシード層５４をエッチングで溶解することで、ビア導体６０Ｕ、６０Ｄ及びランド部５８（電極パッド）を形成する（図１４）。これにより、コンデンサ部品１０が完成する。ここで、絶縁層５０の上に、図１（Ｂ）を参照して上述したように、絶縁膜１４（例えばソルダーレジスト膜）を形成することも好適である。
【００３５】
第１実施形態のコンデンサ部品１０を内蔵する第１実施形態のプリント配線板について、図１５を参照して説明する。なお図１５は、コンデンサ部品１０をコア基板１３０の内部に収容した例を開示する。
図１５（Ａ）は、第１実施形態のプリント配線板の断面図を示す。Ｓｉコンデンサ１０を収容するコア基板１３０は、プリプレグを積層して形成される。例えば、ガラス繊維やアラミド繊維の布あるいは不織布に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フッ素材脂（ポリテトラフルオロエチレン等）等を含浸させてＢステージとしたプリプレグを積層して、次いで、加熱プレスして一体化することにより形成される。
【００３６】
コア基板１３０の上面及び下面上には回路パターン１３４が形成される。コア基板１３０の上層には、回路パターン１５８及びビア導体１６０を備える層間樹脂絶縁層１３２が積層されている。層間樹脂絶縁層は、芯材を備えない熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体を用いることができる。そして、コア基板１３０の表裏の回路パターン１５８を接続するスルーホール導体１３６を有する。
【００３７】
層間樹脂絶縁層１３２の上層には、回路パターン１５８及びビア導体１６０を備える層間樹脂絶縁層１５０が形成されている。更に、層間樹脂絶縁層１５０の上層には、回路パターン１５８及びビア導体１６０を備える層間樹脂絶縁層２５０が形成されている。層間樹脂絶縁層２５０の上層にはソルダーレジスト層７０が形成され、上面側のソルダーレジスト層７０の開口７１には半田バンプ１７６が形成されている。
【００３８】
図１５（Ｂ）は、該プリント配線板にＩＣチップ３００が実装された状態を示す。ＩＣチップ３００は、パッド３０２を介して半田バンプ１７６に実装される。
【００３９】
第１実施形態のプリント配線板では、実装されるＩＣチップ３００の直下位置に高容量のコンデンサ部を備えるＳｉコンデンサ１０が収容されるため、ＩＣチップとコンデンサ部との距離を近づけることができ、ＩＣチップへの電力供給を強化できる。このため、高周波のＩＣチップで、瞬時的に消費電力が増えても、供給電圧が低下することが無くなり、ＩＣチップが適性な動作を継続できる。
この場合、コンデンサ部品の内部にスルーホール導体を設けることが好ましい。これによれば、そのスルーホール導体を介してＩＣチップへ電圧を供給することが可能となり、電圧供給回路の短縮が図られる。
【００４０】
[第２実施形態]
Ｓｉコンデンサ１０を内蔵する第２実施形態のプリント配線板について、図１６を参照して説明する。なお図１６は、コンデンサ部品１０を層間樹脂絶縁層の内部に収容した例を開示する。
図１６（Ａ）は、第２実施形態のプリント配線板の断面図を示す。コア基板１３０の上面及び下面上には回路パターン１３４が形成され、回路パターン１５８及びビア導体１６０を備える層間樹脂絶縁層１３２が積層されている。そして、コア基板１３０、及び、上面の層間樹脂絶縁層１３２、下面の層間樹脂絶縁層１３２を挿通するようにスルーホール１３６が形成されている。上面側の層間樹脂絶縁層１３２の上層には、開口１５０ａにＳｉコンデンサ１０を収容する層間樹脂絶縁層１５０が形成されている。該上側層間樹脂絶縁層１５０には、回路パターン１５８及びビア導体１６０が形成されている。同様に、下面側の層間樹脂絶縁層１５０にも回路パターン１５８及びビア導体１６０が形成されている。更に、層間樹脂絶縁層１５０の上層には、回路パターン１５８及びビア導体１６０を備える層間樹脂絶縁層２５０が形成されている。層間樹脂絶縁層２５０の上層にはソルダーレジスト層７０が形成され、上面側のソルダーレジスト層７０の開口７１には半田バンプ１７６が形成されている。
【００４１】
図１６（Ｂ）は、該プリント配線板にＩＣチップ３００が実装された状態を示す。ＩＣチップ３００は、パッド３０２を介して半田バンプ１７６に実装される。
【００４２】
第２実施形態のプリント配線板では、実装されるＩＣチップ３００の直下位置に高容量のコンデンサ部を備えるＳｉコンデンサ１０が収容されるため、ＩＣチップとコンデンサ部との距離を近づけることができ、ＩＣチップへの電力供給を強化できる。このため、高周波のＩＣチップで、瞬時的に消費電力が増えても、供給電圧が低下することが無くなり、ＩＣチップが適性な動作を継続できる。
【００４３】
[第３実施形態]
本実施形態においては、プリント配線板とＩＣチップとの間に介在するインターポーザとして電子部品を用いる。詳細は図１７を参照して説明する。
第３実施形態の電子部品としてのインターポーザ１０は、基板の上面（第１面）と下面（第２面）とを接続するスルーホール導体６２を有し、下面側には半田バンプ７６Ｄが形成されている。このスルーホール導体６２により、Ｓｉコンデンサ１０の第１面側と第２面側とを最短で接続することができる。
【００４４】
インターポーザ１０の上面には、層間樹脂絶縁層１５０，２５０，３５０と、回路パターン３５８とが交互に設けられ、層間の回路パターンがビア導体３６０を介して接続されている。最上層の回路パターン３５８には、半田バンプ７６Ｕが配置され、該半田バンプ７６Ｕを介して、図中左側にＣＰＵチップ３１０が実装され、図中右側にメモリーユニット３２０が実装されている。該メモリーユニット３２０は、メモリチップ３２２，３２４，３２６から成る。
【００４５】
第３実施形態においては、高容量のコンデンサ部４０を備えるインターポーザ１０の直上にＩＣチップ３１０が実装されるため、ＩＣチップ３１０とコンデンサ部４０との距離を近づけることができ、ＩＣチップへの電力供給を強化できる。このため、高周波のＩＣチップで、瞬時的に消費電力が増えても、供給電圧が低下することが無くなり、ＩＣチップが適性な動作を継続できる。
【符号の説明】
【００４６】
１０  Ｓｉコンデンサ
１２Ｐ、１２Ｍ  電極パッド
２０  Ｓｉ基板
３０  トレンチ（凹部）
４０  コンデンサ部
４２  下部電極
４４  誘電体層
４６  上部電極
５０  絶縁層
５２  樹脂充填剤
５８  ランド部
６０Ｄ、６０Ｕ  ビア導体部
１３０  コア基板
１３２  層間樹脂絶縁層
１５８  回路パターン
１６０  ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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