(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内にて、互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板に供給する供給サイクルを複数回実行することにより、反応生成物の複数の層を積層して薄膜を形成する成膜装置であって、
前記容器内に回転可能に設けられ、基板が載置される基板載置領域を第１の面に含む回転テーブルと、
前記回転テーブルの前記第１の面へ第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、
前記第１の反応ガス供給部から前記回転テーブルの回転方向に沿って離間し、前記回転テーブルの前記第１の面へ第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、
前記第１の反応ガス供給部と前記第２の反応ガス供給部との間に設けられ、前記第１の反応ガスと前記第２の反応ガスとを分離する分離ガスを供給する分離ガス供給部と、
前記容器内を排気するための排気口と、
板部材を含み、前記板部材は、前記第１の反応ガス供給部及び前記第２の反応ガス供給部のうちの少なくとも一方の反応ガス供給部をカバーする基部と、該基部の両端部から前記第１の面に平行に伸びる整流板とを有するように設けられ、当該反応ガス供給部と前記回転テーブルの前記第１の面との間の空間を含む第１の空間と、該第１の空間よりも前記分離ガスが流れ易い第２の空間とを画成し、前記板部材と前記回転テーブルの前記第１の面との間に前記第１の空間が画成され、前記板部材の上方に前記第２の空間が画成されるように、前記基部にカバーされる前記反応ガス供給部及び前記整流板が前記第１の面に近接して配置される空間画成部材と
を備える成膜装置。
【請求項２】
前記整流板の前記回転テーブルの上面からの第１の距離は、
前記基部から該基部が配置される領域の天井面までの第２の距離よりも小さい、
請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記第１の距離は０．５ｍｍ〜４ｍｍの範囲内であり、
前記第２の距離は１０ｍｍ〜１００ｍｍの範囲内である、
請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
排気により前記第２の空間へ前記分離ガスを流れ易くする排気部を更に備える、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記排気部が、前記容器の天井部を通して前記容器内に気密に導入される第１の排気ノズルを含む、請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記排気部が、前記空間画成部材が設けられる前記第１及び第２の反応ガス供給部の少なくとも一方に沿って設けられる第２の排気ノズルを含む、請求項４に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記第２の排気ノズルが前記容器の側部を通して設けられる、請求項６に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記排気部が、
前記板部材の上面の少なくとも一部との間にガス流路を形成するガス流路形成部材と、
前記容器の天井部を通して前記容器内に気密に導入されて前記ガス流路と連通する第３の排気ノズルと
を含む、請求項４に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記分離ガス供給部が、前記回転テーブルに対して、前記第１の反応ガス及び前記第２の反応ガスが侵入するのを抑制できる程度の高さを有する天井面を提供する分離領域に配置される、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容器内にて、互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板に供給する供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスにおける成膜手法として、基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）等の表面に真空下で第１の反応ガスを吸着させた後、供給するガスを第２の反応ガスに切り替えて、ウエハ表面での両ガスの反応により１層または複数層の原子層や分子層を形成し、このサイクルを多数回行うことにより、基板上への成膜を行うプロセスが知られている。このプロセスは、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）やＭＬＤ（Molecular Layer Deposition）などと呼ばれており（以下、ＡＬＤと呼ぶ）、サイクル数に応じて膜厚を高精度にコントロールすることができると共に、膜質の面内均一性も良好な点で、半導体デバイスの薄膜化に対応できる有効な手法として期待されている。
【０００３】
このような成膜方法として、真空容器の上部中央にガスシャワーヘッドを備えた枚葉式の成膜装置を用いて、基板の上方から反応ガスを供給し、未反応の反応ガス及び反応副生成物を処理容器の底部から排気する方法が検討されている。ところが、この成膜方法においては、第１の反応ガスから第２の反応ガスに切り替える際、及びこの逆の切り替えを行う際に、比較的長い時間がかかるパージガスによるガス置換が行われ、またサイクル数も例えば数百回にもなることから、堆積時間が長くなるという問題がある。このため、高スループットで処理できる装置、手法が要望されている。
【０００４】
こうした背景から例えば特許文献１には、ウエハ支持部材（または回転テーブル）の上に回転方向に沿って４枚のウエハを等角度間隔に配置し、ウエハ支持部材と対向するように第１の反応ガス吐出ノズル及び第２の反応ガス吐出ノズルを回転方向に沿って等角度間隔に配置し、かつこれらノズルの間に分離ガスノズルを配置し、ウエハ支持部材を水平回転させて成膜処理を行う装置が提案されている。
【０００５】
このような回転テーブル式のＡＬＤ装置によれば、第１の反応ガスと第２の反応ガスの切り替えと、パージガスによる置換とが不要のため、高いスループットを実現することが可能である。その一方で、第１の反応ガスと第２の反応ガスとが真空容器内に同時に供給されることから、真空容器内で両反応ガスが互いに混合し反応するのを抑制する方策が必要となる。特許文献１では、専ら分離ガスノズルから分離ガスを供給することにより、第１の反応ガスと第２の反応ガスを分離しようとしている。
【０００６】
しかし、分離ガスを用いる場合には、分離ガスによって反応ガスが希釈されてしまい、十分な成膜速度を維持するためには、反応ガスを大量に供給しなければならない事態ともなる。
【０００７】
下記の特許文献２は、回転基板ホルダ（回転テーブル）の上方に画成される比較的平坦なギャップ領域に前駆物質（反応ガス）を導入し、この領域における前駆物質の流動を抑制するとともに、この領域の両側に設けられた吸気ゾーンから上向きに前駆物質を排気することで、分離ガス（パージガス）による前駆物質の希釈を防止することができる成膜装置を開示している。
【０００８】
しかし、そのような領域に前駆物質を閉じ込めるようにすると、前駆物質によっては、熱分解が生じ、反応生成物がその領域に堆積してしまうことが懸念される。反応生成物の堆積は、パーティクル源となるため、歩留まりの低下といった問題が生じ得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−２５４１８１号公報
【特許文献２】特表２００８−５１６４２８号公報（又は、米国特許出願公開第２００６／００７３２７６号公報）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記の事情に照らして為され、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの混合を抑制するために使用される分離ガスによって第１の反応ガス及び第２の反応ガスが希釈されるのを低減して、成膜速度の低下を抑えることができる成膜装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、容器内にて、互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板に供給する供給サイクルを複数回実行することにより、反応生成物の複数の層を積層して薄膜を形成する成膜装置であって、前記容器内に回転可能に設けられ、基板が載置される基板載置領域を第１の面に含む回転テーブルと、前記回転テーブルの前記第１の面へ第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、前記第１の反応ガス供給部から前記回転テーブルの回転方向に沿って離間し、前記回転テーブルの前記第１の面へ第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、前記第１の反応ガス供給部と前記第２の反応ガス供給部との間に設けられ、前記第１の反応ガスと前記第２の反応ガスとを分離する分離ガスを供給する分離ガス供給部と、前記容器内を排気するための排気口と、板部材を含み、前記板部材は、前記第１の反応ガス供給部及び前記第２の反応ガス供給部のうちの少なくとも一方の反応ガス供給部をカバーする基部と、該基部の両端部から前記第１の面に平行に伸びる整流板とを有するように設けられ、当該反応ガス供給部と前記回転テーブルの前記第１の面との間の空間を含む第１の空間と、該第１の空間よりも前記分離ガスが流れ易い第２の空間とを画成し、前記板部材と前記回転テーブルの前記第１の面との間に前記第１の空間が画成され、前記板部材の上方に前記第２の空間が画成されるように、前記基部にカバーされる前記反応ガス供給部及び前記整流板が前記第１の面に近接して配置される空間画成部材とを備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の実施形態によれば、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの混合を抑制するために使用される分離ガスによって第１の反応ガス及び第２の反応ガスが希釈されるのを低減して、成膜速度の低下を抑えることができる成膜装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態による成膜装置の断面図である。
【図２】図１の成膜装置の内部の概略構成に示す斜視図である。
【図３】図１の成膜装置の横断平面図である。
【図４】図１の成膜装置における処理領域及び分離領域の一例を示す縦断面図である。
【図５】反応ガスノズル及びノズルカバーの構成図である。
【図６】図１の成膜装置の他の断面図である。
【図７】反応ガスノズルを示す断面図である。
【図８】分離ガスあるいはパージガスのフローパターンを示す説明図である。
【図９】図１の成膜装置の一部破断斜視図である。
【図１０】図１の成膜装置の真空容器内のガスフローパターンを示す説明図である。
【図１１】分離領域に用いられる凸状部の寸法を例示する説明図である。
【図１２】図１の成膜装置の回転テーブル上のガスの流れを示す説明図である。
【図１３】ノズルカバーにより規制されたガスの詳細な流れを示す説明図である。
【図１４】ノズルカバーの変形例を示す斜視図及び縦断面図である。
【図１５】ノズルカバーの整流板の他の形状を示す上面図である。
【図１６】ガスノズルの変形例を示す斜視図及び縦断面図である。
【図１７】図１６のガスノズルを示す断面図及び破断斜視図である。
【図１８】ガスノズルの他の変形例を示す断面図及び斜視図である。
【図１９】本発明の実施形態による成膜装置に用いられる排気ノズルを示す説明図である。
【図２０】本発明の実施形態による成膜装置に用いられる排気ノズルの他の例を示す説明図である。
【図２１】本発明の実施形態による成膜装置に用いられる排気ノズルの別の例を示す説明図である。
【図２２】本発明の実施形態による成膜装置における反応ガスノズルの他の配置例を示す平面図である。
【図２３】本発明の実施形態による成膜装置における凸状部の他の例を示す平面図である。
【図２４】本発明の実施形態による成膜装置の変形例を示す模式図である。
【図２５】本発明の他の実施形態による成膜装置を示す断面図である。
【図２６】本発明の実施形態による成膜装置を含む基板処理装置を示す模式図である。
【図２７】本発明の実施形態による成膜装置の効果を評価するために行ったシミュレーションにおけるモデルである。
【図２８】シミュレーションの結果を示すグラフである。
【図２９】シミュレーションの他の結果を示すグラフである。
【図３０】本発明の実施形態による成膜装置においてウエハに堆積した膜も膜厚に関するシミュレーションを行った範囲とその結果を示す説明図である。
【図３１】本発明の実施形態による成膜装置の真空容器内のガス濃度分布について行ったシミュレーションの結果を示すグラフである。
【図３２】本発明の実施形態による成膜装置の真空容器内のガス濃度分布について行ったシミュレーションの他の結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な厚さや寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきものである。
【００１５】
本発明の実施形態による成膜装置は、図１（図３のＩ−Ｉ線に沿った断面図）及び図２に示すように、概ね円形の平面形状を有する扁平な真空容器１と、この真空容器１内に設けられ、真空容器１の中心に回転中心を有する回転テーブル２と、を備えている。真空容器１は天板１１が容器本体１２から分離できるように構成されている。天板１１は、例えばＯリングなどの封止部材１３を介して容器本体１２に取り付けられ、これにより真空容器１が気密に密閉される。一方、天板１１を容器本体１２から分離する必要があるときは、図示しない駆動機構により上方に持ち上げられる。天板１１及び容器本体１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）で作製することができる。
【００１６】
図１を参照すると、回転テーブル２は、中央に円形の開口部を有しており、開口部の周りで円筒形状のコア部２１により上下から挟まれて保持されている。コア部２１は、鉛直方向に伸びる回転軸２２の上端に固定されている。回転軸２２は容器本体１２の底面部１４を貫通し、その下端が当該回転軸２２を鉛直軸回りに回転させる駆動部２３に取り付けられている。この構成により、回転テーブル２はその中心を軸に回転することができる。なお、回転軸２２及び駆動部２３は、上面が開口した筒状のケース体２０内に収納されている。このケース体２０はその上面に設けられたフランジ部分を介して真空容器１の底面部１４の下面に気密に取り付けられており、これにより、ケース体２０の内部雰囲気が外部雰囲気から隔離されている。
【００１７】
図２及び図３に示すように、回転テーブル２の上面に、それぞれウエハＷが載置される複数（図示の例では５つ）の円形凹部状の載置部２４が形成されている。ただし、図３ではウエハＷを１枚のみを示している。載置部２４は、回転テーブル２上に互いに約７２°の角度間隔で配置されている。
【００１８】
図４（ａ）を参照すると、載置部２４と載置部２４に載置されたウエハＷとの断面が示されている。この図に示すように、載置部２４は、ウエハＷの直径よりも僅かに（例えば４ｍｍ）大きい直径と、ウエハＷの厚さに等しい深さとを有している。載置部２４の深さとウエハＷの厚さがほぼ等しいため、ウエハＷが載置部２４に載置されたとき、ウエハＷの表面は、回転テーブル２の載置部２４を除く領域の表面とほぼ同じ高さにある。仮に、ウエハＷとその領域との間に比較的大きい段差があると、その段差によりガスの流れに乱流が生じ、ウエハＷ上での膜厚均一性が影響を受ける。この影響を低減するため、２つの表面がほぼ同じ高さにある。「ほぼ同じ高さ」は、ここでは高さの差が約５ｍｍ以下であって良いが、加工精度が許す範囲でできるだけゼロに近いと好ましい。
【００１９】
凹部２４の底面には３つの貫通孔（図示せず）が形成されており、これらの貫通孔を通して３本の昇降ピン（後述する図９を参照）が上下動することができる。昇降ピンは、ウエハＷの裏面を支えて当該ウエハＷを昇降させ、ウエハＷの搬送機構１０との間で受け渡しを行う。
【００２０】
図２及び図３を再び参照すると、回転テーブル２の上方には、第１の反応ガスノズル３１、第２の反応ガスノズル３２、及び分離ガスノズル４１，４２が設けられ、これらは、所定の角度間隔で半径方向に延在している。図示の例では、上から見て、第２の反応ガスノズル３２、分離ガスノズル４１、第１の反応ガスノズル３１、及び分離ガスノズル４２がこの順に時計回りに配置されている。これらのガスノズル３１，３２，４１，４２は、容器本体１２の周壁部を貫通し、ガス導入ポート３１ａ，３２ａ，４１ａ，４２ａである端部を容器本体１２の外周壁に取り付けることにより、支持されている。図示の例では、ガスノズル３１，３２，４１，４２は、真空容器１の周壁部から真空容器１内へ導入されているが、真空容器１の中心部から、具体的には環状の突出部５（後述）から導入しても良い。この場合、突出部５の外周面と天板１１の外表面とに開口するＬ字型の導管を設け、真空容器１内でＬ字型の導管の一方の開口にガスノズル３１（３２，４１，４２）を接続し、真空容器１の外部でＬ字型の導管の他方の開口にガス導入ポート３１ａ（３２ａ、４１ａ、４２ａ）を接続することができる。
【００２１】
図示を省略するが、反応ガスノズル３１は、第１の反応ガスであるビスターシャルブチルアモノシラン（ＢＴＢＡＳ）のガス供給源に接続され、反応ガスノズル３２は、第２の反応ガスであるオゾン（Ｏ３）のガス供給源に接続されている。
【００２２】
反応ガスノズル３１、３２には、回転テーブル２の表面に向けて反応ガスを吐出するための吐出孔３３がノズルの長さ方向に間隔を置いて配列されている。本実施形態においては、吐出孔３３は、約０．５ｍｍの口径を有し、反応ガスノズル３１，３２の長さ方向に沿って約１０ｍｍの間隔で配列されている。また、以下の説明において、反応ガスノズル３１の下方の領域を、ＢＴＢＡＳガスをウエハに吸着させるための処理領域Ｐ１といい、反応ガスノズル３２の下方の領域を、Ｏ３ガスをウエハに吸着させるための処理領域Ｐ２という場合がある。
【００２３】
図２及び図３に示すように、反応ガスノズル３１，３２には、ノズルカバー３４が設けられている。以下、図５を参照しながら、ノズルカバー３４について説明する。ノズルカバー３４は、反応ガスノズル３１，３２の長手方向に沿って延び、コ字型の断面形状を有する基部３５を有している。基部３５は、反応ガスノズル３１，３２を覆うように配置されている。基部３５の上記長手方向に延びる２つの開口端の一方には、整流板３６Ａが取り付けられ、他方には、整流板３６Ｂが取り付けられている。本実施形態においては、整流板３６Ａ，３６Ｂは回転テーブル２の上面と平行に取り付けられている。また、本実施形態においては、図２及び３に示すように、回転テーブル２の回転方向に対して反応ガスノズル３１，３２の上流側に整流板３６Ａが配置され、下流側に整流板３６Ｂが配置されている。
【００２４】
図５（ｂ）に明瞭に示されるように、整流板３６Ａ，３６Ｂは、反応ガスノズル３１，３２の中心軸に対して左右対称に形成されている。また、整流板３６Ａ，３６Ｂの回転テーブル２の回転方向に沿った長さは、回転テーブル２の外周部に向かうほど長くなっており、このため、ノズルカバー３４は、概ね扇形状の平面形状を有している。ここで、図５（ｂ）に点線で示す扇の開き角度は、後述する凸状部４（分離領域Ｄ）のサイズをも考慮して決定されるが、例えば５°以上９０°未満であると好ましく、具体的には例えば８°以上１０°未満であると更に好ましい。
【００２５】
なお、本実施形態においては、反応ガスノズル３１，３２の両方にノズルカバー３４が設けられているが、使用する反応ガスの種類等によっては、いずれか一方にのみ設けても良い。
【００２６】
一方、分離ガスノズル４１，４２は、チッ素ガス（Ｎ２）のガス供給源（図示せず）に接続されている。分離ガスノズル４１、４２は、回転テーブル２の表面に向けて分離ガスを吐出するための吐出孔４０を有している。吐出孔４０は、長さ方向に所定の間隔で配置されている。本実施形態においては、吐出孔４０は、約０．５ｍｍの口径を有し、分離ガスノズル４１、４２の長さ方向に沿って約１０ｍｍの間隔で配列されている。なお、分離ガスとしてはＮ２ガスに限られず、成膜に影響を与えないガスであれば、ガスの種類に関しては特に限定されるものではない。
【００２７】
分離ガスノズル４１、４２は、第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２とを分離するよう構成される分離領域Ｄに設けられている。各分離領域Ｄにおいては、真空容器１の天板１１に、図２〜図４に示すように、凸状部４が設けられている。凸状部４は、ほぼ扇形の上面形状を有しており、その頂部は真空容器１の中心に位置し、円弧は容器本体１２の内周壁の近傍に沿って位置している。
【００２８】
また、凸状部４は、凸状部４が二分割されるように半径方向に延びる溝部４３を有している。溝部４３には分離ガスノズル４１（４２）が収容されている。分離ガスノズル４１（４２）の中心軸と扇形の凸状部４の一方の辺との間の距離は、分離ガスノズル４１（４２）の中心軸と扇形の凸状部４の他方の辺との間の距離とほぼ等しい。なお、溝部４３は、本実施形態では、凸状部４を二等分するように形成されるが、他の実施形態においては、例えば、凸状部４における回転テーブル２の回転方向上流側が広くなるように溝部４３を形成しても良い。
【００２９】
上記の構成によれば、図４（ａ）に示すように、分離ガスノズル４１（４２）の両側には平坦な低い天井面４４（第１の天井面）があり、低い天井面４４の両側方には高い天井面４５（第２の天井面）がある。凸状部４（天井面４４）は、第１及び第２の反応ガスが凸状部４と回転テーブル２との間に侵入するのを阻止して混合するのを阻止するための狭隘な空間である分離空間を形成する。回転テーブル２の回転方向に沿って反応ガスノズル３２から凸状部４に向かって流れるＯ３ガスが当該分離空間へ侵入するのが阻止され、また回転テーブル２の回転方向と反対方向に沿って反応ガスノズル３１から凸状部４に向かって流れるＢＴＢＡＳガスが当該空間へ侵入するのが阻止される。換言すると、低い天井面４４の回転テーブル２の上面から測った高さｈ１（図４（ａ））は、分離空間への反応ガスの侵入を阻止できる程度に設定される。好ましくは、高さｈ１は例えば０．５ｍｍ〜４ｍｍであって良い。また、凸状部４の溝部４３に収容される分離ガスノズル４２（４１）の下端から回転テーブル２の表面までの高さｈ２（図４（ａ））も同様に０．５ｍｍ〜４ｍｍであって良い。
【００３０】
「ガスが侵入するのが阻止される」とは、分離ガスノズル４１（４２）から吐出した分離ガスであるＮ２ガスが第１の天井面４４と回転テーブル２の表面との間に拡散して、この例では当該第１の天井面４４に隣接する第２の天井面４５の下方側の空間に吹き出し、これにより第２の天井面４５の下方側空間からのガスが侵入できなくなることを意味する。そして「ガスが侵入できなくなる」とは、第２の天井面４５の下方側空間から凸状部４の下方側空間に全く入り込むことができない場合のみを意味するのではなく、反応ガスの一部が侵入しても、その反応ガスが分離ガスノズル４１に向かって更に進むことができず、よって、混ざり合うことができないことも意味する。すなわち、このような作用が得られる限り、分離領域Ｄは、第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２とを分離することとなる。また、ウエハに吸着したガスについては当然に分離領域Ｄ内を通過することができる。したがって、ガスの侵入阻止は、気相中のガスを意味している。
【００３１】
図１、図２、及び図３を参照すると、コア部２１を取り囲むように天板１１の下面に取り付けられた環状の突出部５が設けられている。突出部５は、コア部２１よりも外側の領域において回転テーブル２と対向している。また、突出部５は、凸状部４と一体に形成され、凸状部４の下面と突出部５の下面とは一の平面を形成している。すなわち、突出部５の下面の回転テーブル２からの高さは、凸状部４の下面（天井面４４）の高さｈ１と等しい。ただし、突出部５と凸状部４は、必ずしも一体でなくても良く、別体であっても良い。なお、図２及び図３は、凸状部４を真空容器１内に残したまま天板１１を取り外した真空容器１の内部構成を示している。
【００３２】
この実施形態では、ウエハＷは３００ｍｍの直径を有しており、これに応じて、凸状部４は、回転中心から１４０ｍｍ離れた、突出部５との境界部位においては、例えば１４６ｍｍの周方向長さ（即ち、回転テーブル２と同心円の円弧の長さ）を有し、ウエハの載置領域（即ち、凹部２４）の最も外側部位においては、例えば５０２ｍｍの周方向長さが有している。なお、溝部４３に収容される分離ガスノズル４１（４２）の中心軸から両外端まで測った周方向長さは２４６ｍｍである。
【００３３】
図６は、図３のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図の約半分を示し、ここには凸状部４と、凸状部４と一体に形成された突出部５が図示されている。図６を参照すると、凸状部４は、その外縁においてＬ字状に屈曲する屈曲部４６を有している。凸状部４は天板１１に取り付けられ天板１１とともに容器本体１２から分離され得るため、屈曲部４６と回転テーブル２との間及び屈曲部４６と容器本体１２との間に僅かな隙間があるが、屈曲部４６は、回転テーブル２と容器本体１２との間の空間を概ね埋めており、反応ガスノズル３１ａからの第１の反応ガス（ＢＴＢＡＳ）と反応ガスノズル３２ａからの第２の反応ガス（オゾン）とがこの隙間を通して混合するのを阻止する。屈曲部４６と容器本体１２との間の隙間、及び屈曲部４６と回転テーブル２との間の隙間は、例えば、回転テーブル２から凸状部４の天井面４４までの高さｈ１とほぼ同一であって良い。図示の例において、屈曲部４６の回転テーブル２の外周面に面する側壁が、分離領域Ｄの内周壁を構成している。
【００３４】
一方、凸状部４が配置されていない領域（分離領域Ｄ以外の領域）において、容器本体１２の内周壁は、図３に示すように、外方側に窪み、排気領域６が形成されている。この排気領域６の底部には、図３及び図８に示すように、例えば排気口６１，６２が設けられている。これら排気口６１，６２は各々排気管６３を介して真空排気装置である例えば共通の真空ポンプ６４に接続されている。なお、図３に示すように、排気管６３には圧力調整器６５が設けられ、真空容器１内の圧力が調整される。複数の圧力調整器６５は、対応する排気口６１，６２に対して設けてもよい。
【００３５】
なお、排気口６１，６２は、排気領域６の底部（真空容器１の底部１４）に限らず、真空容器の容器本体１２の側周壁に設けても良い。また、排気口６１，６２は、回転テーブル２の外側において天板１１に設けても良い。ただし、天板１１に排気口６１，６２を設ける場合、真空容器１内のガスが上方へ流れるため、真空容器１内のパーティクルが巻き上げられて、ウエハＷが汚染されるおそれがある。このため、排気口６１，６２は、図示のように底部に設けるか、容器本体１２の側周壁に設けると好ましい。また、排気口６１，６２を底部に設ければ、排気管６３、圧力調整器６５、及び真空ポンプ６４を真空容器１の下方に設置することができるため、成膜装置のフットプリントを縮小する点で有利である。
【００３６】
図１、及び図６から９に示すように、回転テーブル２と容器本体１２の底部１４との間の空間には、加熱部としての環状のヒータユニット７が設けられ、これにより、回転テーブル２上のウエハＷが、回転テーブル２を介して所定の温度に加熱される。また、カバー部材７１が、回転テーブル２の下方において回転テーブル２の外周の近くに、ヒータユニット７を取り囲むように設けられるため、ヒータユニット７が置かれている空間がヒータユニット７の外側の領域から区画されている。カバー部材７１は上端にフランジ部７１ａ（図６）を有し、フランジ部７１ａは、カバー部材７１内にガスが流入することを防止するため、回転テーブル２の下面とフランジ部との間に僅かな間隙が維持されるように配置される。ヒータユニット７が収容される領域には、この領域をパージするため、複数のパージガス供給管７３が、容器本体１２の底部を貫通するように所定の角度間隔をおいて接続されている。
【００３７】
図１を再び参照すると、底部１４は、環状のヒータユニット７の内側に隆起部を有している。隆起部の上面は、回転テーブル２及びコア部２１に接近しており、隆起部の上面と回転テーブル２の裏面との間、及び隆起部の上面とコア部２１の裏面との間に僅かな隙間を残している。また、底部１４は、回転軸２２が通り抜ける中心孔を有している。この中心孔の内径は、回転軸２２の直径よりも僅かに大きく、フランジ部２０ａを通してケース体２０と連通する隙間を残している。パージガス供給管７２がフランジ部２０ａの上部に接続されている。
【００３８】
このような構成により、図８に示すように、回転軸２２と底部１４の中心孔との間の隙間、コア部２１と底部１４の隆起部との間の隙間、及び底部１４の隆起部と回転テーブル２の裏面との間の隙間を通して、パージガス供給管７２からヒータユニット７の下の空間へＮ２ガスが流れる。また、パージガス供給管７３からヒータユニット７の下の空間へＮ２ガスが流れる。そして、これらのＮ２ガスは、カバー部材７１のフランジ部７１ａと回転テーブル２の裏面との間の隙間を通して排気口６１へ流れ込む。このように流れるＮ２ガスは、第１（第２）の反応ガスが回転テーブル２の下方の空間を回流して第２（第１）の反応ガスと混合するのを防止する分離ガスとして働く。
【００３９】
さらに、図８に示すように、真空容器１の天板１１の中心部には分離ガス供給管５１が接続されており、これにより、天板１１とコア部２１との間の空間５２に分離ガスであるＮ２ガスが供給される。この空間５２に供給された分離ガスは、突出部５と回転テーブル２との狭い隙間５０を通して、回転テーブル２の表面に沿って流れ、排気領域６に到達する。この空間５２と隙間５０は分離ガスが満たされているので、回転テーブル２の中心部を介して反応ガス（ＢＴＢＡＳ、Ｏ３）が混合することがない。即ち、本実施形態の成膜装置は、第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２とを分離するために回転テーブル２の回転中心部と真空容器１とにより画成され、分離ガスを回転テーブル２の上面に向けて吐出する吐出孔を有するように構成される中心領域Ｃが設けられている。なお、図示の例では、吐出孔は突出部５と回転テーブル２との狭い隙間５０に相当する。
【００４０】
図２、図３及び図９を参照すると、容器本体１２の側壁には、搬送口１５が形成されている。ウエハＷは、搬送口１５を通して搬送アーム１０により真空容器１の中へ（図９）、又は真空容器１から外へと搬送される。この搬送口１５にはゲートバルブ（図示せず）が設けられ、これにより搬送口１５が開閉される。
【００４１】
また、この実施形態による成膜装置には、図３に示すように、装置全体の動作のコントロールを行うための制御部１００が設けられている。この制御部１００は、例えばコンピュータで構成されるプロセスコントローラ１００ａと、ユーザインタフェース部１００ｂと、メモリ装置１００ｃとを有する。ユーザインタフェース部１００ｂは、成膜装置の動作状況を表示するディスプレイや、成膜装置の操作者がプロセスレシピを選択したり、プロセス管理者がプロセスレシピのパラメータを変更したりするためのキーボードやタッチパネル（図示せず）などを有する。
【００４２】
メモリ装置１００ｃは、プロセスコントローラ１００ａに種々のプロセスを実施させる制御プログラム、プロセスレシピ、及び各種プロセスにおけるパラメータなどを記憶している。また、これらのプログラムには、例えば後述するクリーニング方法を行わせるためのステップ群を有しているものがある。これらの制御プログラムやプロセスレシピは、ユーザインタフェース部１００ｂからの指示に従って、プロセスコントローラ１００ａにより読み出されて実行される。また、これらのプログラムは、コンピュータ可読記憶媒体１００ｄに格納され、これらに対応した入出力装置（図示せず）を通してメモリ装置１００ｃにインストールしてよい。コンピュータ可読記憶媒体１００ｄは、ハードディスク、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ、フレキシブルディスク、半導体メモリなどであってよい。また、プログラムは通信回線を通してメモリ装置１００ｃへダウンロードしてもよい。
【００４３】
次に、本実施形態の成膜装置の動作（成膜方法）について説明する。まず、載置部２４が搬送口１５に整列するように回転テーブル２が回転して、ゲートバルブ（図示せず）を開く。次に、搬送アーム１０により搬送口１５を介してウエハＷを真空容器１内へ搬入される。ウエハＷは、昇降ピン１６により受け取られ、搬送アーム１０が容器１から引き抜かれた後に、昇降機構（図示せず）により駆動される昇降ピン１６によって載置部２４へと下げられる。上記一連の動作が５回繰り返されて、５枚のウエハＷが対応する凹部２４に載置される。
【００４４】
続いて、真空容器１内が、真空ポンプ６４及び圧力調整器６５により、予め設定した圧力に維持される。回転テーブル２が上から見て時計回りに回転を開始する。回転テーブル２は、ヒータユニット７により前もって所定の温度（例えば３００℃）に加熱されており、ウエハＷがこの回転テーブル２に載置されることで加熱される。ウエハＷが加熱され、所定の温度に維持されたことが温度センサ（図示せず）により確認された後、第１の反応ガス（ＢＴＢＡＳ）が第１の反応ガスノズル３１を通して第１の処理領域Ｐ１へ供給され、第２の反応ガス（Ｏ３）が第２の反応ガスノズル３２を通して第２の処理領域Ｐ２へ供給される。加えて、分離ガスノズル４１，４２から分離ガス（Ｎ２）が供給される。さらに、中心領域Ｃ、すなわち、突出部５と回転テーブル２との間から回転テーブル２の表面に沿ってＮ２ガスが吐出される。また、分離ガス供給管５１、パージガス供給管７２，７２からもＮ２ガスが供給される。
【００４５】
ウエハＷが第１の反応ガスノズル３１の下方の第１の処理領域Ｐ１を通過するときに、ウエハＷの表面にＢＴＢＡＳ分子が吸着し、第２の反応ガスノズル３２の下方の第２の処理領域Ｐ２と通過するときに、ウエハＷの表面にＯ３分子が吸着され、Ｏ３によりＢＴＢＡＳ分子が酸化される。したがって、ウエハＷが回転テーブル２の回転により、領域Ｐ１、Ｐ２の両方を一回通過すると、ウエハＷの表面に酸化シリコンの一分子層が形成される。次いで、ウエハＷが領域Ｐ１、Ｐ２を交互に複数回通過し、所定の膜厚を有する酸化シリコン膜がウエハＷの表面に堆積される。所定の膜厚を有する酸化シリコン膜が堆積された後、ＢＴＢＡＳガスとオゾンガスを停止し、回転テーブル２の回転を停止する。そして、ウエハＷは搬入動作と逆の動作により順次搬送アーム１０により容器１から搬出される。
【００４６】
次に、図１０を参照しながら、真空容器１内のガスのフローパターンを説明する。 
反応ガスノズル３１から回転テーブル２に向けて吐出されるＢＴＢＡＳガスの一部は、回転テーブル２の回転方向と同じ方向に向かって回転テーブル２の表面に沿って流れる。しかし、このようなＢＴＢＡＳガスは、反応ガスノズル３１に対して回転テーブル２の回転方向下流側に位置する凸状部４の天井面４４（図４（ｂ））と回転テーブル２との間の分離空間には、実質的に流れ込むことができない。これは、部分的には、天井面４４の回転テーブル２からの高さｈ１がガスの侵入を阻止できる程度に低いためである。しかも、凸状部４は、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えば、ウエハ中心ＷＯが通る経路に対応する円弧の長さＬがウエハＷの直径の約１／１０〜約１／１、好ましくは約１／６以上となるように設計することができるため、この分離空間に流れ込もうとするＢＴＢＡＳガスにとっては、かなりの奥行きがある。このような狭隘な奥行きの長い分離空間は、ガスに対して相当の抵抗を提供するため、ＢＴＢＡＳガスは、仮に流れ込んだとしても、分離空間の奥深くまで到達することは困難である。さらに、この凸状部４の中央に設けられている分離ガスノズル４２から供給される分離ガス（Ｎ２ガス）もＢＴＢＡＳガスの侵入を妨げる。
【００４７】
加えて、排気領域６の底部には、反応ガスノズル３１と、反応ガスノズル３１に対して回転テーブル２の回転方向下流側に位置する分離領域Ｄとの間に排気口６１が配置されているため、この分離領域Ｄへ向かって流れるＢＴＢＡＳガスの大部分は分離領域Ｄに到達する前に排気口６１により吸引される。したがって、その分離領域Ｄにおける凸状部４と回転テーブル２との間の分離空間に流れ込もうとするＢＴＢＡＳガスの量を低減することができる。すなわち、このように配置される排気口６１は、ＢＴＢＡＳガスとＯ３ガスとの分離に寄与している。
【００４８】
一方、反応ガスノズル３２から回転テーブル２に向けて吐出されるＯ３ガスの一部は、回転テーブル２の回転方向と反対の方向に向かって回転テーブル２の表面に沿って流れ得るが、このようなＯ３ガスは、反応ガスノズル３２に対して回転テーブル２の回転方向の上流側に位置する分離領域Ｄにおける凸状部４と回転テーブル２との間の分離空間へ実質的に流れ込むことができない。これは、上述のとおり、凸状部４によって、狭隘な奥行きの長い分離空間が形成されているためであり、この分離領域Ｄの分離ガスノズル４２から分離ガスが供給されているためである。
【００４９】
すなわち、反応ガスノズル３１から供給されるＢＴＢＡＳガスと、反応ガスノズル３２から供給されるＯ３ガスは、これらのガスノズル３１，３２の間に設けられる分離領域Ｄによって確実に分離され、気相中で互いに混合することがない。
【００５０】
以上の説明は、反応ガスノズル３１に対して回転テーブル２の回転方向上流側に位置するもう一方の分離領域Ｄについても成り立つ。
【００５１】
上記のように、本発明の実施形態による成膜装置においては、分離領域Ｄにおいて回転テーブル２からの凸状部４の下面（低い天井面４４）の高さｈ１（図４（ａ））が、回転テーブル２と凸状部４との間の分離空間に反応ガスが流れこまない程度に狭く設定され、しかも、低い天井面４４は一定の面積を有しているため、この分離空間に反応ガスが流れ込み難く、また、仮にわずかな量の反応ガスが流れ込んだとしても、凸状部４の奥深くまで流れることができない。このため、反応ガスどうしが気相中で混合するのを大幅に低減することができる。
【００５２】
これに加えて、凸状部４の溝部４３に配置される分離ガスノズル４１（４２）から供給される分離ガスによって、反応ガスが仮に回転テーブル２と凸状部４との間の分離空間に流れ込んだとしても、分離ガスにより押し戻され、反応ガスどうしが気相中で混合するのを一層低減することができる。
【００５３】
このような分離ガスは、反応ガスの混合を抑制する上で効果的である。しかし、分離ガスは、その供給量にも依るが、天井面４４と回転テーブル２との間の分離空間から高い天井面４５で区画される、処理領域Ｐ１，Ｐ２を含む空間へ流れ出て、反応ガスノズル３１，３２から回転テーブル２に向けて供給される反応ガスを希釈し、反応ガスのウエハＷへの吸着効率を低下させる場合がある。本発明の実施形態による成膜装置によれば、以下のようにして、このような反応ガスの希釈が低減される。
【００５４】
図１２は、真空容器１の容器本体１２の外周に沿って、容器本体１２の側周壁を通して真空容器１の内部を観察した図である。また、図１３は、図１２における反応ガスノズル３１の周辺を拡大して示す図である。図１２に示すように分離領域Ｄの分離ガスノズル４１から供給される分離ガスは、凸状部４と回転テーブル２との間の分離空間を通して、第１の処理領域Ｐ１を含む、高い天井面４５の下の空間４８へ流出し、図１３に示すように、反応ガスノズル３１に向かって流れる。図示のとおり、反応ガスノズル３１には、整流板３６Ａ，３６Ｂを含むノズルカバー３４が取り付けられている。整流板３６Ａ，３６Ｂは、回転テーブル２の上面と平行に近接して設けられ、これにより、整流板３６Ａ，３６Ｂの下方の第１の空間と、上方の第２の空間Ｒとが画成されている。ここで、例えば高い天井面４５の回転テーブル２の上面からの高さ１５ｍｍ〜１５０ｍｍに対して、整流板３６Ａの回転テーブル２の上面からの高さｈ４は例えば０．５ｍｍ〜４ｍｍであって良く、ノズルカバー３４の基部３５と高い天井面４５との間隔ｈ５は例えば１０ｍｍ〜１００ｍｍであって良い。このような構成においては、分離領域Ｄから反応ガスノズル３１へ向かって流れる分離ガスは、主に第２の空間Ｒ（整流板３６Ａ，３６Ｂの上方の空間）を流れて、排気口６１から排気されることになる。したがって、反応ガスノズル３１から回転テーブル２の上面へ供給されるＢＴＢＡＳガスは、分離ガスによって大幅に希釈されることなく、回転テーブル２の載置部２４に載置されるウエハＷの上面に高い濃度で到達することができ、ＢＴＢＡＳガス分子の吸着効率を高くすることができる。
【００５５】
ウエハＷが処理領域Ｐ１を通過する際に、仮に、そのウエハＷにたとえば酸化シリコンの一分子層の相当するＢＴＢＡＳガスの分子数の半分の分子数しか吸着させることができない場合には、２回転しなければ一分子層に相当する膜厚を有する酸化シリコン層を堆積することができない。しかし、本実施形態によれば、反応ガスの吸着率を高くすることができるため、１回転で一分子層に相当する膜厚を有する酸化シリコン層を堆積することが可能となる。また、回転テーブル２の回転速度を高くしても、一分子層に相当するＢＴＢＡＳガスを吸着させることも可能となる。すなわち、本実施形態によれば、プロセススループットの低下を回避することができる。また、反応ガスが希釈されないため、吸着せずに流出するＢＴＢＡＳガスを減少することができ、その結果、反応ガスの利用効率を高めることができるから、製造コストを低減できる。以上より、本実施形態によれば、反応ガスの吸着効率や利用効率を高くすることができ、プロセススループットの向上、製造コストの低減が実現される。
【００５６】
また、整流板３６Ａは、回転テーブル２の回転方向に沿って一定の長さ（ガス流路長）を有しているため、その長さ方向に対してはガスが流れ難くなり、第１の空間への分離ガスの侵入の抑制に寄与する。なお、回転テーブル２の回転による遠心効果のため、分離ガスは回転テーブル２の外縁近傍において大きなガス流速を有し得るから、外縁近傍においては第１の空間への分離ガスの侵入抑制効果が低下するとも思われる。しかし、図５（ａ）に示すように、整流板３６Ａは、回転テーブル２の外縁部に向かうに従って幅が広くなるため、分離ガスの侵入抑制効果の低下を相殺することができる。
【００５７】
なお、第１の空間への分離ガスの侵入は完全に防止することは難しく、反応ガスを大きく希釈しない程度の僅かな量の分離ガスが第１の空間へ侵入し得る。このような分離ガスは、例えばＢＴＢＡＳガスがＯ３ガスによって酸化されることにより生成される副生成物をパージする効果を有している点で好ましいとも言うことができる。
【００５８】
また、分離ガスを第１の空間へ流れ込み難くする観点からは、ノズルカバー３４には整流板３６Ａのみを設けても良いが、反応ガスノズル３１（３２）に対して回転テーブル２の回転方向下流側に配置される整流板３６Ｂは、反応ガスノズル３１からのＢＴＢＡＳガスを回転テーブル２の上面近傍に留めるように働く点で好ましい。すなわち、整流板３６Ｂが無い場合には、反応ガスノズル３１からのＢＴＢＡＳガスは、第２の空間Ｒを流れる分離ガスに誘引されて回転テーブル２から離れる方向へ流れることになり得るが、整流板３６Ｂは、このような流れを抑止することができる。このため、ＢＴＢＡＳガスの利用効率を高くすることができる。また、整流板３６Ｂは、反応ガスノズル３１に対して回転テーブル２の回転方向下流側に位置する分離領域Ｄ（図１３では左側の分離領域Ｄ）からの分離ガスに対し、分離ガスを第１の空間へ流れ難くする効果も有している。
【００５９】
以上、反応ガスノズル３１と、これに取り付けられているノズルカバー３４とについて説明したが、本実施形態においては、反応ガスノズル３２にもノズルカバー３４が取り付けられている。このため、反応ガスノズル３２からのＯ３ガスもまた分離ガスによって希釈されるのが抑制されて、Ｏ３ガスの吸着効率や利用効率が向上する。
【００６０】
なお、反応ガスノズル３２は、図２，３及び１０に示すように、反応ガスノズル３２に対して回転テーブル２の回転方向上流側の分離領域Ｄに近接して配置されている。酸化ガスであるＯ３ガスが、ＢＴＢＡＳガス分子が吸着したウエハＷの表面に吸着し、かつ、ＢＴＢＡＳガス分子と表面反応するのには、吸着のみの場合に比べて長い時間を要する。すなわち、反応ガスノズル３２の図示のとおりの配置は、Ｏ３ガスの吸着及びＢＴＢＡＳガスとの表面反応からＢＴＢＡＳガスの再度の吸着までの時間を長くする上で好ましい。
【００６１】
以下、ノズルカバー３４の変形例について図１４から図１８を参照しながら説明する。図１４（ａ）及び１４（ｂ）に示すように、基部３５（図５）を用いずに、整流板３７Ａ，３７Ｂを反応ガスノズル３１，３２に対して直接に取り付けても良い。この場合であっても、整流板３７Ａ，３７Ｂは、回転テーブル２の上面から高さｈ４（図１３）離れて配置することができるため、上述のノズルカバー３４と同様の効果が得られる。この例においても、整流板３７Ａ，３７Ｂは、図５に示した整流板３６Ａ，３６Ｂと同様に、上方から見てほぼ扇形状をなしていると好ましい。
【００６２】
また、整流板３６Ａ，３６Ｂ，３７Ａ，３７Ｂは、必ずしも回転テーブル２と平行でなくても良い。例えば、回転テーブル２（ウエハＷ）からの高さｈ４が維持されて、反応ガスノズル３１，３２の上方の第２の空間へ分離ガスを流れ易くすることができる限り、図１４（ｃ）に示すように、整流板３７Ａ，３７Ｂは反応ガスノズル３１の上部から回転テーブル２へ向かうように傾斜していても良い。図示の整流板３７Ａは、分離ガスを第２の空間Ｒへガイドすることができる点でも好ましい。
【００６３】
また、整流板３７Ａ，３７Ｂは、整流板３６Ａ，３６Ｂと同様、図１５（ａ）に示すように、ほぼ扇状の形状を有していると好ましいが、堆積条件によっては、これに限られない。例えば、図１５（ｂ）に示すように、整流板３６Ａ，３６Ｂは、回転テーブル２の中心に向かう方向に幅が広くなるような扇形状を有していて良く、図１５（ｃ）に示すように、回転テーブル２の中心に向かう方向に幅が狭くなり、再び広くなるような扇形状を有していて良い。さらに、整流板３６Ａ，３６Ｂは、図１５（ｄ）に示すように長方形であっても良く、図１５（ｅ）に示すように、幅が一定の部分と、回転テーブル２の中心に向かう方向に幅が狭くなる部分とを有していても良い。
【００６４】
続いて、ノズルカバーの更なる変形例について、図１６から図１８を参照しながら説明する。これらの変形例は、ノズルカバーと一体化された反応ガスノズル、またはノズルカバーの機能を有する反応ガスノズルとも言うことができる。
【００６５】
図１６（ａ）を参照すると、反応ガスノズル３２１は、方形管により構成され、一方の側壁に例えば内径０．５ｍｍを有する反応ガス流出孔３２３を有している。図１６（ｂ）に示すように、反応ガスノズル３２１の長手方向に沿って複数の反応ガス流出孔３２３が例えば５ｍｍ間隔で形成されている。また、反応ガス流出孔３２３が形成された側壁には、隙間調整部材３２４を介して案内板３２５が取り付けられている。図１６（ｂ）及び図１７（ａ）を参照すると、隙間調整部材３２４は、逆コ字形状の平行板で構成され、複数の反応ガス流出孔３２３から流出するガスの流通を妨げないように配置されている。したがって、図１６（ａ）に明瞭に示されるように、反応ガス流出孔３２３が形成された側壁、隙間調整部材３２４、及び案内板３２５により、下向きに開口するガス吐出口３２８を有する反応ガス流路３２６が画成されている。なお、隙間調整部材３２４の厚さは、例えば約０．３ｍｍであって良く、これにより、反応ガス流路３２６もまた約０．３ｍｍの幅を有するスリット状の形状を有することとなる。
【００６６】
また、図１６（ｂ）に示すように、反応ガスノズル３２１には、真空容器１の容器本体１２の側周壁（例えば図２を参照）を貫通するガス導入管３２７が接続されている。これにより、反応ガス（例えばＢＴＢＡＳガス）はガス導入管３２７を通して反応ガスノズル３２１へ供給され、複数の反応ガス流出孔３２３からガス流路３２６を通して、ガス吐出口３２８から回転テーブル２に向けて供給される。なお、反応ガスは、反応ガスノズル３２１から反応ガス流出孔３２３を通してガス流路３２６へ到達するときに、案内板３２５に吹き付けられるため、図１６（ｂ）の複数の矢印で示すように、反応ガスノズル３２１の長手方向に広がることとなる。このため、ガス流路３２６内において、ガス濃度が均一化される。すなわち、この変形例は、ウエハＷに堆積される膜の膜厚を均一化できる点で好ましい。
【００６７】
案内板３２５の下端には整流板３６Ａが取り付けられており、反応ガスノズル３２１の反応ガス流出孔３２３が形成されていない側壁の下端には、整流板３６Ｂが取り付けられている。図１７（ｂ）に示すように、整流板３６Ａ，３６Ｂは、この変形例のノズルカバー（反応ガスノズル）がほぼ扇形の平面形状を有するように形成されている。そして、反応ガスノズル３２１は、第１の空間（整流板３６Ａ，３６Ｂ及び反応ガスノズル３２１の下方の空間）においてよりも、反応ガスノズル３２１の上方の第２の空間においてガスが流れ易くなるように、ガス導入管３２７によって支持され得るため、上述のノズルカバー３４が有する効果と同様の効果を発揮することができる。
【００６８】
なお、上記の構成を有する反応ガスノズル３２１は、第２の反応ガス（例えばＯ３ガス）を回転テーブル２の表面に向けて供給するために使用されて良い。
【００６９】
次に、図１８を参照しながら、別の変形例を説明する。図１８（ａ）及び（ｂ）を参照すると、この例の反応ガスノズル３２１は反応ガスノズル３１，３２と同様に円筒管により構成されている。また、反応ガスノズル３２１は、反応ガスノズル３１，３２と同様に、真空容器１の容器本体（図１）の側周壁を貫通するように設けられている。さらに、反応ガスノズル３２１は、反応ガスノズル３１，３２と同様に、約０．５ｍｍの内径を有し、例えば１０ｍｍの間隔で反応ガスノズル３２１の長手方向に配列される複数の吐出孔３２３を有している。ただし、反応ガスノズル３２１は、複数の突出孔３２３が回転テーブル２の上面に対して所定の角度で開口している点で、反応ガスノズル３１，３２と異なる。また、反応ガスノズル３２１の上端部には案内板３２５が取り付けられている。案内板３２５は、反応ガスノズル３２１の円筒の曲率よりも大きい曲率を有しており、曲率の相違により、反応ガスノズル３２１と案内板３２５との間にはガス流路３１６が形成されている。図示しないガス供給源から反応ガスノズル３２１へ供給された反応ガスは、吐出孔３２３から吐出されて案内板３２５に衝突することにより、反応ガスノズル３２１の長手方向に均一化され、ガス流路３１６を通って回転テーブル２上に載置されるウエハＷ（図１３）に到達する。
【００７０】
また、案内板３２５の下端部には回転テーブル２の回転方向上流側に延びる整流板３７Ａが設けられ、反応ガスノズル３２１の下端部には回転テーブル２の回転方向下流側に延びる整流板３７Ｂが設けられている。
【００７１】
このように構成される反応ガスノズル３２１は、整流板３７Ａ，３７Ｂが回転テーブル２の上面に近接して、ガスが流れ難い第１の空間と、反応ガスノズル３２１の上方において、第１の空間よりもガスが流れやすい第２の空間とを画成するように配置される。したがって、この構成によっても、上述の効果が発揮される。
【００７２】
次に、本発明の実施形態による成膜装置に設けられる、上述の第２の空間へ分離ガスを流れ易くするための排気ノズルについて、図１９から図２１までを参照しながら説明する。図１９から図２１は、真空容器１の容器本体１２の側周壁を通して観察した２つの凸状部４とその間の反応ガスノズル３１とを主に示す図である。これらの図において排気口６１は省略している。
【００７３】
図１９（ａ）を参照すると、真空容器１（図１）の天板１１と、回転テーブル２と、２つの凸状部４とにより実質的に囲まれた空間４８に設けられた反応ガスノズル３１と、反応ガスノズル３１に取り付けられたノズルカバー３４とが示されている。ここで、ノズルカバー３４の整流板３６Ａの上方に、排気ノズル９１が配置されている。排気ノズル９１は、反応ガスノズル３１と同様に、真空容器１の容器本体１２（図２）の側周壁を貫通して真空容器内に導入されており、回転テーブル２の半径方向に延びている。また、排気ノズル９１には、複数の排気孔９１ｈが形成されている。図示の例では、複数の排気孔９１ｈは排気ノズル９１の外周面に沿って約９０°の角度間隔で形成されており、また、排気ノズル９１の長手方向に沿って所定の間隔で配列されている。排気孔９１ｈの内径及び長手方向の配列間隔は、例えば、予備実験やコンピュータシミュレーションの結果に基づいて決定して良い。さらに、排気ノズル９１の先端部（真空容器１内のコア部２１（図１）に近い端部）は封止されており、排気ノズル９１の基端部は、真空容器１内を排気するための排気管６３と接続されている。これにより、空間４８内のガスが排気ノズル９１により排気孔９１ｈを通して排気される。
【００７４】
以上の構成により、排気ノズル９１の周囲は空間４８の他の領域に比べて低圧化され、これにより、ノズルカバー３４の下方の第１の空間よりも、上方の第２の空間へガスが流れ易くなる。したがって、分離ガスは第２の空間へ導かれ、第１の空間における反応ガス（例えばＢＴＢＡＳガス）が希釈されるのが抑制される。すなわち、排気ノズル９１によりノズルカバー３４により発揮される効果が増強される。
【００７５】
また、図１９（ｂ）に示すように、整流板３６Ｂの上方に追加の排気ノズル９１を設けても良い。これにより、反応ガスノズル３１に対して回転テーブル２の回転方向下流側の凸状部４から空間４８へ流出する分離ガスをノズルカバー３４の上方の第２の空間に導いて、反応ガスの希釈をより確実に抑制することが可能となる。
【００７６】
さらに、図１９（ｃ）に示すように、排気ノズル９１は、ノズルカバー３４の基部３５の上方に配置されても良い。これによっても、第２の空間が低圧化され、分離ガスが第２の空間へ導かれ易くなる。
【００７７】
次に図２０を参照すると、真空容器１（図１）の天板１１を貫通し、ノズルカバー３４の整流板３６Ａの上方に開口する排気ノズル９２が示されている。排気ノズル９２は、真空容器１の外部において、真空容器１内を排気するための排気管６３と接続されている。これにより、ノズルカバー３４の上方の第２の空間が低圧化され、分離ガスが第２の空間へ導かれ易くなる。したがって、分離ガスは第２の空間に導かれ、その結果、第１の空間における反応ガスの希釈が抑制される。
【００７８】
また、排気ノズル９２は、ノズルカバー３４の基部３５の上方に開口するように配置されても良い。これによっても、第２の空間へガスを流れ易くすることができる。なお、図２０（ａ）及び（ｂ）において、複数本の排気ノズル９２が天板１１の半径方向に所定の間隔で設けられても良い。また、排気ノズル９２は、天板１１に対して垂直に設けられる必要はなく、たとえば、回転テーブル２の好ましくは回転方向上流側に向けて傾斜していても良い。また、天板１１に対して垂直に導入された後に、好ましくは回転方向上流側に向けて屈曲しても良い。その屈曲角度は、たとえば０°より大きく９０°以下であって良い。
【００７９】
なお、排気ノズル９１，９２を用いる場合には、ノズルカバー３４は無くても良い。これは、反応ガスノズル３１，３２の下方の空間よりもガスが流れ易い空間を創出し得るからである。ただし、反応ガスノズル３１，３２からの反応ガスをも誘引するおそれがあるため、排気ノズル９１，９２とノズルカバー３４の併用がより好ましい。
【００８０】
続けて、図２１（ａ）を参照すると、ノズルカバー３４の整流板３６Ａの上方の空間を区画する区画壁９４と、区画壁９４の上面部において区画壁９４の内部空間（低圧領域）と連通し、真空容器１（図１）の天板１１を貫通して真空容器１の外部まで延びる排気ノズル９３とが図示されている。区画壁９４は、図示の例では、ノズルカバー３４の基部３５の上端部と連続するように取り付けられ、下向きにＬ字状に屈曲して、整流板３６Ａとの間にスリット９４Ｓを形成している。また、排気ノズル９３は、真空容器１の外部において、真空容器１内を排気するための排気管６３に接続されており、これにより、区画壁９４の内部空間を排気することができる。このため、区画壁９４のスリット９４Ｓの外側周辺の圧力を低くすることができ、ガスが流れ易い空間が形成される。したがって、分離ガスはその空間へと導かれ、整流板３６Ａ，３６Ｂの下方の第１の空間において、反応ガスが分離ガスにより希釈されるのが抑制され、反応ガスの吸着効率や利用効率を向上することができる。
【００８１】
また、図２１（ｂ）に示すように、区画壁９４は逆コ字型の形状を有しても良く、ノズルカバー３４の基部３５から離間して、基部３５の両側壁との間にスリット９４１，９４２が形成されるように配置されても良い。この場合、排気ノズル３３は、区画壁９４の上面部を通して区画壁９４の内部空間に連通する。図示の例によれば、反応ガスノズル３１に対して回転テーブル２の回転方向上流側の分離領域Ｄ（凸状部４）から空間４８へ流出する分離ガスについては、スリット９４１が、ガスが流れ易い第２の空間を創出し、反応ガスノズル３１に対して回転テーブル２の回転方向下流側の分離領域Ｄ（凸状部４）から空間４８へ流出する分離ガスについては、スリット９４２が、ガスが流れ易い第２の空間を創出することができる。このような構成によっても、整流板３６Ａ，３６Ｂの下方の第１の空間において、反応ガスが分離ガスにより希釈されるのが抑制され、反応ガスの吸着効率や利用効率を向上することができる。
【００８２】
なお、排気ノズル９１，９２，９３は、真空容器１内を排気する排気管６３に接続するのではなく、別途の排気装置に接続されても良い。
【００８３】
ここで、反応ガスノズル３１，３２及びノズルカバー３４と分離領域Ｄとに関するレイアウトの他の例について説明する。図２２を参照すると、第２の反応ガスノズル３２は、搬送口１５よりも回転テーブル２の回転方向下流側に位置している。このようなレイアウトであっても上述の効果と同様の効果が得られる。
【００８４】
また、分離領域Ｄは、凸状部４となるべき扇形プレートに溝部４３を形成して、分離ガス供給ノズル４１（４２）を溝部４３に配置することにより形成されるが、図２３に示すように、２つの扇形プレートが分離ガス供給ノズル４１（４２）の両側に配置されるように、これら２つの扇形プレートを天板１１の下面にネジで取り付けるようにして形成しても良い。この場合、扇型の凸状部４と分離ガスノズル４１（または４２）との距離や扇型の凸状部４の大きさなどは、分離ガスの吐出流量や反応ガスの吐出流量などを考慮して分離領域Ｄが有効な分離作用が発揮できるように設定される。
【００８５】
なお、２本の反応ガスノズル３１，３２に限らず、３本以上の反応ガスノズルを設けても良い。例えば３種類以上の反応ガスを順番に基板上に供給する場合には、第１の反応ガスノズル、分離ガスノズル、第２の反応ガスノズル、分離ガスノズル、第３の反応ガスノズル及び分離ガスノズルの順番で真空容器１の周方向に各ガスノズルを配置し、各分離ガスノズルを含む分離領域を既述の実施形態のように構成すればよい。第１〜第３の各反応ガスノズルには既述のノズルカバー３４を設けることができる。
【００８６】
成膜パラメータは、例えば以下のとおりであって良い。回転テーブル２の回転速度は、３００ｍｍ径のウエハＷを被処理基板とする場合例えば１ｒｐｍ〜５００ｒｐｍ、プロセス圧力は例えば１０６７Ｐａ（８Ｔｏｒｒ）、ウエハＷの加熱温度は例えば３５０℃、ＢＴＢＡＳガス及びＯ３ガスの流量は例えば夫々１００ｓｃｃｍ及び１００００ｓｃｃｍ、分離ガスノズル４１，４２からのＮ２ガスの流量は例えば２００００ｓｃｃｍ、真空容器１の中心部の分離ガス供給管５１からのＮ２ガスの流量は例えば５０００ｓｃｃｍである。また１枚のウエハに対する反応ガス供給のサイクル数、即ちウエハが処理領域Ｐ１，Ｐ２の各々を通過する回数は目標膜厚に応じて変わるが、多数回例えば６０００回である。
【００８７】
なお、上記のように、Ｏ３ガスの流量に比べてＢＴＢＡＳガスの流量がかなり少ない場合は、図２４に示すように、ＢＴＢＡＳガスを供給する反応ガスノズル３１の上方の天井面４５は、Ｏ３ガスを供給する反応ガスノズル３２の上方の天井面４５よりも低くしても良い。これにより、図２４に示す空間４９において、ＢＴＢＡＳガスの濃度が極度に低くなるのを防止することができる。また、この場合であっても、ノズルカバー３４は、回転テーブル２の上面からの整流板３６Ａ，３６Ｂまでの高さｈ４に比べて、天井面４５とノズルカバー３４の基部３５の上端との間の間隔ｈ３（図２４）が十分に大きくなるように配置されることは言うまでもない。具体的な例としては、空間４９における回転テーブル２の上面から天井面４５までの間隔ｈ３'を１５ｍｍ〜１００ｍｍとした場合、回転テーブル２の上面からの整流板３６Ａ，３６Ｂまでの高さｈ４は０．５ｍｍ〜４ｍｍであって良く、基部３５の上端との間の間隔ｈ３は１０ｍｍ〜７０ｍｍであって良い。
【００８８】
上記の実施形態では、サセプタ２を回転する回転シャフト２２は、真空容器１の中央部に位置している。また、コア部２１と天板１１との間の空間５２は、反応ガスが中央部を通して混合するのを防止するため、分離ガスでパージされている。しかし、真空容器１は、他の実施形態において図１９のように構成されても良い。図１９を参照すると、容器本体１２の底部１４は、中央開口を有し、ここには収容ケース８０が気密に取り付けられている。また、天板１１は、中央凹部８０ａを有している。支柱８１が収容ケース８０の底面に載置され、支柱８１の状端部は中央凹部８０ａの底面にまで到達している。支柱８１は、第１の反応ガス供給ノズル３１から吐出される第１の反応ガス（ＢＴＢＡＳ）と第２の反応ガス供給ノズル３２から吐出される第２の反応ガス（Ｏ３）とが真空容器１の中央部を通して互いに混合するのを防止する。
【００８９】
また、回転スリーブ８２が、支柱８１を同軸状に囲むように設けられている。回転スリーブ８２は、支柱８１の外面に取り付けられた軸受け８６，８８と、収容ケース８０の内側面に取り付けられた軸受け８７とにより支持されている。さらに、回転スリーブ８２は、その外面にギヤ部８５が取り付けられている。また、環状のサセプタ２の内周面が回転スリーブ８２の外面に取り付けられている。駆動部８３が収容ケース８０に収容されており、駆動部８３から延びるシャフトにギヤ８４が取り付けられている。ギヤ８４はギヤ部８５と噛み合う。このような構成により、回転スリーブ８２ひいてはサセプタ２が駆動部８３により回転される。
【００９０】
パージガス供給管７４が収容ケース８０の底に接続され、収容ケース８０へパージガスが供給される。これにより、反応ガスが収容ケース８０内へ流れ込むのを防止するために、収容ケース８０の内部空間を真空容器１の内部空間よりも高い圧力に維持することができる。したがって、収容ケース８０内での成膜が起こらず、メンテナンスの頻度を低減できる。また、パージガス供給管７５が、真空容器１の上外面から凹部８０ａの内壁まで至る導管７５ａにそれぞれ接続され、回転スリーブ８２の上端部に向けてパージガスが供給される。このパージガスのため、ＢＴＢＡＳガスとＯ３ガスは、凹部８０ａの内壁と回転スリーブ８２の外面との間の空間を通して混合することができない。図１９には、２つのパージガス供給管７５と導管７５ａが図示されているが、供給管７５と導管７５ａの数は、ＢＴＢＡＳガスとＯ３ガスとの混合が凹部８０ａの内壁と回転スリーブ８２の外面との間の空間近傍において確実に防止されるように決定されて良い。
【００９１】
図１９に示す、本発明の他の実施形態による成膜装置では、凹部８０ａの側面と回転スリーブ８２の上端部との間の空間は、分離ガスを吐出する吐出孔に相当し、そしてこの分離ガス吐出孔、回転スリーブ８２及び支柱８１により、真空容器１の中心部に位置する中心領域が構成される。
【００９２】
このような構成を有する、本発明の他の実施形態による成膜装置においても、反応ガスノズル３１，３２の少なくとも一方には、ノズルカバー３４が設けられている。このため、この成膜装置においても上述の効果が発揮される。
【００９３】
また、本発明の実施形態による成膜装置（変形例を含む）は、基板処理装置に組み込むことができ、その一例が図２６に模式的に示されている。基板処理装置は、搬送アーム１０３が設けられた大気搬送室１０２と、雰囲気を真空と大気圧との間で切り替え可能なロードロック室（準備室）１０５と、２つの搬送アーム１０７ａ、１０７ｂが設けられた搬送室１０６と、本発明の実施形態にかかる成膜装置１０８，１０９とを含む。また、この処理装置は、たとえばＦＯＵＰなどのウエハカセット１０１が載置されるカセットステージ（図示せず）を含んでいる。ウエハカセット１０１は、カセットステージの一つに運ばれ、カセットステージと大気搬送室１０２との間の搬入出ポートに接続される。次いで、開閉機構（図示せず）によりウエハカセット（ＦＯＵＰ）１０１の蓋が開けられて、搬送アーム１０３からウエハカセット１０１からウエハが取り出される。次に、ウエハはロードロック室１０４（１０５）へ搬送される。ロードロック室１０４（１０５）が排気された後、ロードロック室１０４（１０５）内のウエハは、搬送アーム１０７ａ（１０７ｂ）により、真空搬送室１０６を通して成膜装置１０８，１０９へ搬送される。成膜装置１０８，１０９では、上述の方法でウエハ上に膜が堆積される。基板処理装置は、同時に５枚のウエハを主要可能な２つの成膜装置１０８，１０９を有しているため、高いスループットで分子層成膜を行うことができる。
【００９４】
なお、本発明の実施形態による成膜装置において使用し得る反応ガスとしては、上述の例の他に、ＤＣＳ[ジクロロシラン]、ＨＣＤ[ヘキサクロロジシラン]、ＴＭＡ[トリメチルアルミニウム]、３ＤＭＡＳ[トリスジメチルアミノシラン]、ＴＥＭＡＺ[テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム]、ＴＥＭＨＦ[テトラキスエチルメチルアミノハフニウム]、Ｓｒ（ＴＨＤ）２[ストロンチウムビステトラメチルヘプタンジオナト]、Ｔｉ（ＭＰＤ）（ＴＨＤ）２[チタニウムメチルペンタンジオナトビステトラメチルヘプタンジオナト]、モノアミノシランなどを挙げることができる。
【００９５】
（評価試験１）
本実施形態の効果を確認するためにコンピュータによるシミュレーションを行った。このシミュレーションのモデルとして、図２７に示すように、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）を参照しながら説明した整流板３７Ａ，３７Ｂが取り付けられた反応ガスノズル３１，３２を採用した。ここで、整流板３７Ａ，３７Ｂの外形線の延長線のなす角θ１は１０°とした。また、反応ガス濃度は、図２７（ｂ）において点線を付した円弧Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３に沿って求めた。円弧Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３は、それぞれ、回転テーブル２の中心点Ｐから周縁に向かって１６０ｍｍ、３１０ｍｍ、４６０ｍｍ離れている。また、領域Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３の長さは、図中鎖線で示す反応ガスノズル３１の長さ方向を基準軸とした場合に、この基準軸から±３０°の範囲に対応している。また、回転テーブル２の回転速度は１２０ｒｐｍとした。
【００９６】
比較のため、整流板３７Ａ，３７Ｂが取り付けられていない反応ガスノズルを用いたシミュレーションも行った。反応ガス濃度を求めた領域、及び回転テーブル２の回転速度は上記と同様である。
【００９７】
図２８（ａ）から（ｃ）に、領域Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３における夫々の測定結果を示す。各グラフの縦軸は測定位置における反応ガスのガス濃度（％）を示し、各グラフの横軸は測定位置を示している。なお、横軸は、基準軸から変位角を示し、回転方向上流側に向かう方向を＋側とし、下流側に向かう方向を−側としている。各グラフにおいて、実線は整流板３７Ａ，３７Ｂを設けた場合の結果を示し、点線は整流板３７Ａ，３７Ｂを設けていない場合の結果を示している。また、各グラフにおいて、２本の一点鎖線は、領域Ｕ１では基準軸を中心に＋７．３°〜−７．３°の範囲を示し、領域Ｕ２では基準軸を中心に＋６．２°〜−６．２°の範囲を示し、領域Ｕ３では基準軸を中心に＋５．８°〜−５．８°の範囲を示している。
【００９８】
各グラフから明らかなように、いずれの測定領域においても反応ガスノズル３の回転方向の下流側の領域について、扇板３７Ａ，３７Ｂを設けた場合には扇板３７Ａ，３７Ｂを設けない場合に比べて反応ガスの濃度が上昇している。従ってこの評価試験１から本実施形態の効果が証明された。
【００９９】
（評価試験２）
次に、回転テーブル２の回転速度を２４０ｒｐｍに変更した以外は、評価試験１と同じ条件でシミュレーションを行った。図２９（ａ）から（ｃ）には、それぞれ、領域Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３におけるガスの濃度分布を示す。これらのグラフに示されるように、いずれの測定領域においても反応ガスノズル３１の回転方向の下流側の領域について、整流板３７Ａ，３７Ｂを設けることで反応ガスの濃度が上昇している。従って、この評価試験２の結果から上記のように整流板３７Ａ，３７Ｂを設けることにより、回転テーブル２の回転速度が高くなっても有効に処理領域のガス濃度を上昇させることができることが分かった。
【０１００】
（評価試験３）
本発明の実施形態による成膜装置を用いて酸化シリコン膜を堆積する場合の酸化シリコン膜の膜厚分布を調べた。具体的には、図３０（ａ）に鎖線で示すように、回転テーブル２の中心Ｐから周縁部へ向かう半径に沿った膜厚分布を調べた。また、ノズルカバー３４が取り付けられた第１及び第２の反応ガスノズル３１，３２と、ノズルカバー３４が取り付けられていない第１及び第２の反応ガスノズル３１，３２とについて検討した。なお、回転テーブル２の回転速度は２４０ｒｐｍとし、回転テーブル２の温度は３５０℃とした。
【０１０１】
図３０（ｂ）は上記の各測定結果を示したグラフであり、縦軸は一回転当たりの堆積膜厚（堆積後の膜厚を回転テーブル２の総回転数で割り算した値）を示し、横軸は膜厚の測定位置を示している。回転テーブル２の中心Ｐを原点（０ｍｍ）とし、回転テーブル２の周縁側の端部を３００ｍｍとしている。そして、グラフ中の実線は、整流板３６Ａ，３６Ｂを設けた場合の測定結果を示し、点線は整流板３６Ａ，３６Ｂを設けなかった場合の測定結果を示している。
【０１０２】
このグラフからノズルカバー３４を設けることでウエハＷの面内の各部で１回転当たりに成膜できる膜厚を大きくすることが分かる。従って回転テーブル２の回転速度を更に上昇させても正常に成膜を行うことができるので、スループットを高くすることができる。なお、整流板３６Ａ，３６Ｂを設けることで、若干膜厚の面内均一性が低下しているが、反応ガスノズル３１，３２の吐出口３３の形状や間隔などを調整することで、その面内均一性の低下は防ぐことができると考えられる。
【０１０３】
（評価試験４）
続いて、整流板３６Ａ，３６Ｂではなく、整流板３７Ａ，３７Ｂを設けた反応ガスノズル３１と、設けていない反応ガスノズル３１について、評価試験１と同じ条件で、反応ガスの濃度についてのシミュレーションを行った。
【０１０４】
図３１（ａ）は整流板３７Ａ，３７Ｂを設けていない場合における反応ガスの濃度分布を示し、図３１（ｂ）は整流板３７Ａ，３７Ｂを設けた場合における反応ガスの濃度分布を示している。図３１（ａ）と図３１（ｂ）との比較から明らかなように整流板３７Ａ，３７Ｂを設けた場合には、設けない場合に比べてその反応ガスノズル３１の周囲に高いガス濃度雰囲気が形成されている。従って、本発明の実施形態による成膜装置の効果が証明された。
【０１０５】
（評価試験５）
最後に、回転テーブル２の回転速度を２４０ｒｐｍに変更した以外は、評価試験４と同じ条件でシミュレーションを行った。図３２（ａ）は、整流板３７Ａ，３７Ｂを設けていない場合の結果を示し、図３２（ｂ）は、整流板３７Ａ，３７Ｂを設けた場合の結果を指名している。図３１（ａ）と図３１（ｂ）との比較から明らかなように整流板３７Ａ，３７Ｂを設けることで反応ガスノズル３１の周囲の反応ガスの濃度が上昇している。この結果から、回転テーブル２の回転数を上昇させても反応ガスノズル３１の周囲に高いガスの濃度雰囲気を形成できることが分かる。以上より、本発明の実施形態による成膜装置の効果が証明された。
【０１０６】
以上、本発明を実施形態により説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１０７】
Ｗ・・・ウエハ、１・・・真空容器、２・・・回転テーブル、２１・・・コア部、２４・・・凹部（基板載置領域）、３１・・・第１の反応ガスノズル、３２・・・第２の反応ガスノズル、３４・・・ノズルカバー、３６Ａ，３６Ｂ，３７Ａ，３７Ｂ・・・整流板、Ｐ１・・・第１の処理領域、Ｐ２・・・第２の処理領域、Ｄ・・・分離領域、Ｃ・・・中心領域、４１，４２・・・分離ガスノズル、４・・・凸状部、５１・・・分離ガス供給管、６１，６２・・・排気口、６３・・・排気管、６５・・・圧力調整器、７・・・ヒータユニット、７２，７３・・・パージガス供給管、８１・・・分離ガス供給管。
【図１】
0005553588.tif 000002
【図２】
0005553588.tif 000003
【図３】
0005553588.tif 000004
【図４】
0005553588.tif 000005
【図５】
0005553588.tif 000006
【図６】
0005553588.tif 000007
【図７】
0005553588.tif 000008
【図８】
0005553588.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0005553588.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0005553588.tif 000017
【図１７】
0005553588.tif 000018
【図１８】
0005553588.tif 000019
【図１９】
0005553588.tif 000020
【図２０】
0005553588.tif 000021
【図２１】
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【図２２】
0005553588.tif 000023
【図２３】
0005553588.tif 000024
【図２４】
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【図２５】
0005553588.tif 000026
【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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