(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物：
【化１】
0005588788.tif 000042
前記化学式１中、Ａｒ１及びＡｒ２は互いに独立して、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基を示し、
Ｘ１は置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリーレン基、置換または非置換のＣ４−Ｃ３０ヘテロアリーレン基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ３０縮合多環基を示し、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は互いに独立して、水素、重水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルコキシ基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルコキシカルボニル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０アリールオキシ基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０アリールチオ基、−Ｎ（Ｒ）（Ｒ’）（ここで、Ｒ及びＲ’は互いに独立して、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、あるいは置換または非置換のＣ６−Ｃ５０アリール基である）、置換または非置換のＣ３−Ｃ５０炭素環、置換または非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基またはカルボキシル基を示す。
【請求項２】
前記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物が、
下記化学式２ないし６で表される化合物のうちから選択される１つである、請求項１に記載のヘテロアリールアミン化合物：
【化２】
0005588788.tif 000043
【化３】
0005588788.tif 000044
【化４】
0005588788.tif 000045
【化５】
0005588788.tif 000046
【化６】
0005588788.tif 000047
前記化学式２ないし６中、Ａｒ１ないしＡｒ１０は互いに独立して、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基を示し、
Ｘ１ないしＸ３は互いに独立して、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリーレン基、置換または非置換のＣ４−Ｃ３０ヘテロアリーレン基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ３０縮合多環基を示し、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は互いに独立して、水素、重水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルコキシ基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルコキシカルボニル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０アリールオキシ基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０アリールチオ基、−Ｎ（Ｒ）（Ｒ’）（ここで、Ｒ及びＲ’は互いに独立して、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、あるいは置換または非置換のＣ６−Ｃ５０アリール基である）、置換または非置換のＣ３−Ｃ５０炭素環、置換または非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基またはカルボキシル基を示す。
【請求項３】
前記化学式２ないし６でＸ１ないしＸ３が互いに独立して、
フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、クォーターフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントリレン基、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、チオフェニレン基、１−フェニルチオフェニレン基、１，４−ジフェニルチオフェニレン基、ベンズチオフェニレン基、１−フェニルベンゾチオフェニレン基、１，８−ジフェニルベンゾチオフェニレン基、フリレン基、１−フェニルジベンゾチオフェニレン基、１，８−ジフェニルチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、１−フェニルジベンゾフラニレン基、１，８−ジフェニルジベンゾフラニレン基、またはベンゾチアゾリレン基である、請求項２に記載のヘテロアリールアミン化合物。
【請求項４】
前記化学式２ないし６でＡｒ１ないしＡｒ１０は互いに独立して、
フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基及びフルオレニル基から選択される１環ないし３環のアリール基またはカルバゾリル基、または前記１環ないし３環のアリール基またはカルバゾリル基にＣ１−Ｃ５アルキル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシ基、シアノ基、アミノ基、フェノキシ基、フェニル基及びハロゲン原子からなる群から選択される１つないし３つが置換された１環ないし３環のアリール基またはカルバゾリル基である、請求項２に記載のヘテロアリールアミン化合物。
【請求項５】
前記化学式２ないし６でＸ１ないしＸ３が互いに独立して、
下記構造式で表される２価の有機基のうちの１つである、請求項２に記載のヘテロアリールアミン化合物：
【化７】
0005588788.tif 000048
【請求項６】
前記化学式２ないし６でＡｒ１ないしＡｒ１０が互いに独立して、
下記構造式で表される１価の有機基のうちの１つである、請求項２に記載のヘテロアリールアミン化合物：
【化８】
0005588788.tif 000049
。
【請求項７】
前記化学式２ないし６でＲ１ないしＲ３は互いに独立して、
フェニル基、４−フルオロフェニル基、ナフチル基またはビフェニル基である、請求項２に記載のヘテロアリールアミン化合物。
【請求項８】
前記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物が、
下記化学式で表される化合物のうちから選択される、請求項１に記載のヘテロアリールアミン化合物：
【化９】
0005588788.tif 000050
。
【請求項９】
第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極との間に介在された有機膜を備える有機発光素子であって、
前記有機膜のうち少なくとも１層が請求項１ないし８のうちいずれか１項に記載のヘテロアリールアミン化合物を含む、有機発光素子。
【請求項１０】
前記有機膜が、正孔注入層または正孔輸送層を含む、請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
前記有機膜が、正孔注入機能及び正孔輸送機能を共に有する単一膜または発光層を含む、請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記有機膜が発光層を含み、前記発光層が前記ヘテロアリールアミン化合物を蛍光または燐光有機発光素子のホストとして含む、請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１３】
前記有機膜が正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、
前記正孔注入層または前記正孔輸送層が前記ヘテロアリールアミン化合物を含み、
前記発光層がアントラセン化合物、Ｃ４−Ｃ６０アリールヘテロ環またはスチリル化合物を含む、請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１４】
前記有機膜が正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、
前記正孔注入層または前記正孔輸送層が前記ヘテロアリールアミン化合物を含み、
前記発光層が緑色発光層、青色発光層、赤色発光層及び白色発光層を含み、前記緑色発光層、青色発光層、赤色発光層及び白色発光層のうち少なくとも１つの発光層が燐光化合物を含む、請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１５】
前記有機膜が正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択される１つ以上の層を含む、請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１６】
第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極の構造、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極の構造、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有する、請求項１５に記載の有機発光素子。
【請求項１７】
一層または複数層を前記ヘテロアリールアミン化合物を使用した湿式工程で形成した、請求項９ないし１６のうちいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１８】
請求項９ないし１７のうちいずれか１項に記載の有機発光素子を備え、前記有機発光素子の第１電極が薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結された、平板表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な構造を有するヘテロアリールアミン化合物及びそれを用いた有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光装置は、自発光型表示素子であって、視野角が広く、コントラストに優れ、かつ応答時間が速いという長所を有しているために、大きな注目を集めている。この有機電界発光素子の種類は、発光層に無機化合物を使用する無機電界発光素子と有機化合物を使用する有機電界発光素子とに大別される。その中でも、特に有機電界発光素子は、無機電界発光素子に比べて、輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れて、多色化が可能であるという点で多くの研究がなされている。有機電界発光素子は、一般的にアノード／有機発光層／カソードの積層構造を有する。アノードと発光層との間にさらに正孔注入層及び／または正孔輸送層を積層し、及び／または発光層とカソードとの間にさらに電子輸送層を積層してもよい。すなわち、アノード／正孔輸送層／有機発光層／カソードの構造、またはアノード／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／カソードの構造などを有する。
【０００３】
正孔輸送層の形成材料としてポリフェニル化合物またはアントラセン誘導体がよく知られている（特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
ところで、これまで知られた正孔注入層及び／または正孔輸送層の形成材料からなる有機電界発光素子は寿命、効率及び消費電力特性が、満足できるほどのレベルには至っておらず、改善の余地が多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６，５９６，４１５号明細書
【特許文献２】米国特許第６，４６５，１１５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、電気的な安定性と高い電荷輸送能を有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止しうる材料であって、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光及び燐光有機発光素子に適した有機膜形成材料及びその製造方法を提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、上記有機膜形成材料を含む有機膜を備えて高効率、低電圧及び高輝度特性を示す有機発光素子及びそれを備えた平板表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、下記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を提供する。
【０００９】
【化１】
0005588788.tif 000002
【００１０】
前記化学式１中、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基を示し、
Ｘ１は置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリーレン基、置換または非置換のＣ４−Ｃ３０ヘテロアリーレン基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ３０縮合多環基を示し、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して水素、重水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルコキシ基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルコキシカルボニル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０アリールオキシ基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０アリールチオ基、−Ｎ（Ｒ）（Ｒ’）は（ここで、Ｒ、Ｒ’は互いに独立して、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、あるいは置換または非置換のＣ６−Ｃ５０アリール基である）、置換または非置換のＣ３−Ｃ５０炭素環、置換または非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基またはカルボキシル基を示す。
【００１１】
本発明の他の側面によれば、第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極との間に介在された有機膜を備える有機発光素子であって、前記有機膜のうち少なくとも１層が上記ヘテロアリールアミン化合物を含むことを特徴とする有機発光素子が提供される。
【００１２】
上記有機発光素子において、一層または複数層を上記ヘテロアリールアミン化合物を使用した湿式工程で形成することができる。
【００１３】
本発明のさらに他の側面によれば、上記有機発光素子を備え、前記有機発光素子の第１電極が薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結されたことを特徴とする平板表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物は、電気的特性及び電荷輸送能力に優れ、赤色、緑色、青色、白色など、あらゆるカラーの蛍光と燐光素子に適した正孔注入特性及び正孔輸送特性に優れた正孔注入材料及び／または正孔輸送材料として有用であり、さらに発光層材料としても使用することができる。
【００１５】
上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を含む有機膜を採用すれば、高効率、低駆動電圧、高輝度の有機発光素子を製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光素子の概略的な構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明によれば、下記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を提供し、この化合物は、有機発光素子の有機膜形成材料として使用可能である。
【００１８】
【化２】
0005588788.tif 000003
【００１９】
上記化学式１中、Ａｒ１及びＡｒ２は互いに独立して置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基を示し、
Ｘ１は置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリーレン基（好ましくは、Ｃ６−Ｃ１８アリーレン基）、置換または非置換のＣ４−Ｃ３０ヘテロアリーレン基（好ましくは、Ｃ５−Ｃ２０ヘテロアリーレン基）、または置換または非置換のＣ６−Ｃ３０縮合多環基を示し、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して水素、重水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルコキシ基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルコキシカルボニル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０アリールオキシ基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０アリールチオ基、−Ｎ（Ｒ）（Ｒ’）は（ここで、Ｒ、Ｒ’は互いに独立して、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、あるいは置換または非置換のＣ６−Ｃ５０アリール基である）、置換または非置換のＣ３−Ｃ５０炭素環、置換または非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基またはカルボキシル基を示す。
【００２０】
上記Ｘ１で表されるアリーレン基及びヘテロアリーレン基の例としては、これに限定されないが、フェニレン基、１−ナフチレン基、２−ナフチレン基、１−アントリレン基、２−アントリレン基、９−アントリレン基、１−フェナントリレン基、２−フェナントリレン基、３−フェナントリレン基、４−フェナントリレン基、９−フェナントリレン基、１−ナフタセニレン基、２−ナフタセニレン基、９−ナフタセニレン基、１−ピレニレン基、２−ピレニレン基、４−ピレニレン基、２−ビフェニレン基、３−ビフェニレン基、４−ビフェニレン基、ｐ−ターフェニル−４−イレン基、ｐ−ターフェニル−３−イレン基、ｐ−ターフェニル−２−イレン基、ｍ−ターフェニル−４−イレン基、ｍ−ターフェニル−３−イレン基、ｍ−ターフェニル−２−イレン基、ｏ−トリレン基、ｍ−トリレン基、ｐ−トリレン基、ｐ−ｔ−ブチルフェニレン基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニレン基、３−メチル−２−ナフチレン基、４−メチル−１−ナフチレン基、４−メチル−１−アントリレン基、４’−メチルビフェニレン基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イレン基、フルオランテニレン基、フルオレニレン基、１−ピローレン基、２−ピローレン基、３−ピローレン基、ピラジニレン基、２−ピリジニレン基、３−ピリジニレン基、４−ピリジニレン基、１−インドリレン基、２−インドリレン基、３−インドリレン基、４−インドリレン基、５−インドリレン基、６−インドリレン基、７−インドリレン基、１−イソインドリレン基、２−イソインドリレン基、３−イソインドリレン基、４−イソインドリレン基、５−イソインドリレン基、６−イソインドリレン基、７−イソインドリレン基、２−フリレン基、３−フリレン基、２−ベンゾフラニレン基、３−ベンゾフラニレン基、４−ベンゾフラニレン基、５−ベンゾフラニレン基、６−ベンゾフラニレン基、７−ベンゾフラニレン基、１−イソベンゾフラニレン基、３−イソベンゾフラニレン基、４−イソベンゾフラニレン基、５−イソベンゾフラニレン基、６−イソベンゾフラニレン基、７−イソベンゾフラニレン基、キノリレン基、３−キノリレン基、４−キノリレン基、５−キノリレン基、６−キノリレン基、７−キノリレン基、８−キノリレン基、１−イソキノリレン基、３−イソキノリレン基、４−イソキノリレン基、５−イソキノリレン基、６−イソキノリレン基、７−イソキノリレン基、８−イソキノリレン基、２−キノキサリニレン基、５−キノキサリニレン基、６−キノキサリニレン基、１−カルバゾリレン基、２−カルバゾリレン基、３−カルバゾリレン基、４−カルバゾリレン基、９−カルバゾリレン基、１−フェナントリジニレン基、２−フェナントリジニレン基、３−フェナントリジニレン基、４−フェナントリジニレン基、６−フェナントリジニレン基、７−フェナントリジニレン基、８−フェナントリジニレン基、９−フェナントリジニレン基、１０−フェナントリジニレン基、１−アクリジニレン基、２−アクリジニレン基、３−アクリジニレン基、４−アクリジニレン基、９−アクリジニレン基、１，７−フェナントロリン−２−イレン基、１，７−フェナントロリン−３−イレン基、１，７−フェナントロリン−４−イレン基、１，７−フェナントロリン−５−イレン基、１，７−フェナントロリン−６−イレン基、１，７−フェナントロリン−８−イレン基、１，７−フェナントロリン−９−イレン基、１，７−フェナントロリン−１０−イレン基、１，８−フェナントロリン−２−イレン基、１，８−フェナントロリン−３−イレン基、１，８−フェナントロリン−４−イレン基、１，８−フェナントロリン−５−イレン基、１，８−フェナントロリン−６−イレン基、１，８−フェナントロリン−７−イレン基、１，８−フェナントロリン−９−イレン基、１，８−フェナントロリン−１０−イレン基、１，９−フェナントロリン−２−イレン基、１，９−フェナントロリン−３−イレン基、１，９−フェナントロリン−４−イレン基、１，９−フェナントロリン−５−イレン基、１，９−フェナントロリン−６−イレン基、１，９−フェナントロリン−７−イレン基、１，９−フェナントロリン−８−イレン基、１，９−フェナントロリン−１０−イレン基、１，１０−フェナントロリン−２−イレン基、１，１０−フェナントロリン−３−イレン基、１，１０−フェナントロリン−４−イレン基、１，１０−フェナントロリン−５−イレン基、２，９−フェナントロリン−１−イレン基、２，９−フェナントロリン−３−イレン基、２，９−フェナントロリン−４−イレン基、２，９−フェナントロリン−５−イレン基、２，９−フェナントロリン−６−イレン基、２，９−フェナントロリン−７−イレン基、２，９−フェナントロリン−８−イレン基、２，９−フェナントロリン−１０−イレン基、２，８−フェナントロリン−１−イレン基、２，８−フェナントロリン−３−イレン基、２，８−フェナントロリン−４−イレン基、２，８−フェナントロリン−５−イレン基、２，８−フェナントロリン−６−イレン基、２，８−フェナントロリン−７−イレン基、２，８−フェナントロリン−９−イレン基、２，８−フェナントロリン−１０−イレン基、２，７−フェナントロリン−１−イレン基、２，７−フェナントロリン−３−イレン基、２，７−フェナントロリン−４−イレン基、２，７−フェナントロリン−５−イレン基、２，７−フェナントロリン−６−イレン基、２，７−フェナントロリン−８−イレン基、２，７−フェナントロリン−９−イレン基、２，７−フェナントロリン−１０−イレン基、１−フェナジニレン基、２−フェナジニレン基、１−フェノチアジニレン基、２−フェノチアジニレン基、３−フェノチアジニレン基、４−フェノチアジニレン基、１０−フェノチアジニレン基、１−フェノキサジニレン基、２−フェノキサジニレン基、３−フェノキサジニレン基、４−フェノキサジニレン基、１０−フェノキサジニレン基、２−オキサゾリレン基、４−オキサゾリレン基、５−オキサゾリレン基、２−オキサジアゾリレン基、５−オキサジアゾリレン基、３−フラザニレン基、２−チエニレン基、３−チエニレン基、２−メチルピロール−１−イレン基、２−メチルピロール−３−イレン基、２−メチルピロール−４−イレン基、２−メチルピロール−５−イレン基、３−メチルピロール−１−イレン基、３−メチルピロール−２−イレン基、３−メチルピロール−４−イレン基、３−メチルピロール−５−イレン基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イレン基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イレン基、２−メチル−１−インドリレン基、４−メチル−１−インドリレン基、２−メチル−３−インドリレン基、４−メチル−３−インドリレン基、２−ｔ−ブチル−１−インドリレン基、４−ｔ−ブチル−１−インドリレン基、２−ｔ−ブチル−３−インドリレン基、４−ｔ−ブチル−３−インドリレン基などを挙げることができる。
【００２１】
Ｘ１で表されるアリーレン基の例としては、これに限定されないが、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、クォーターフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントリレン基、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基などを挙げることができる。好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニル基、フェナントリレン基またはフルオレニレン基である。
【００２２】
Ｘ１で表されるヘテロアリーレン基の例としては、これに限定されないが、チオフェニレン基、１−フェニルチオフェニレン基、１，４−ジフェニルチオフェニレン基、ベンズチオフェニレン基、１−フェニルベンゾチオフェニレン基、１，８−ジフェニルベンゾチオフェニレン基、フリレン基、１−フェニルジベンゾチオフェニレン基、１，８−ジフェニルチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、１−フェニルジベンゾフラニレン基、１，８−ジフェニルジベンゾフラニレン基、またはベンゾチアゾリレン基などを挙げることができる。好ましくは、ヘテロアリーレン基は、１−フェニルチオフェニリル基、１−フェニルベンゾチオフェニリル基、１−フェニルジベンゾフラニル基、またはベンゾチアゾリル基である。
【００２３】
上記化学式１で、Ｘ１は、リンカーであって、正孔注入及び正孔輸送の材料としてヘテロアリールアミン化合物が使われる場合、電圧印加時に形成されるラジカル陽イオンを、このようなリンカーが安定化させる効果があって、素子の長寿命化に寄与する。これと異なって、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、ＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡのように１つのベンゼン環で、上記Ｘ１のようなリンカーなしにベンゼンのｐａｒａ位置に２つの窒素原子が直接置換されている場合には、寿命特性が満足するほどにはならない。このようなリンカーの具体例として、下記化学式で表される２価の有機基のうちの１つを使用することができるが、これらに限定されない。
【００２４】
【化３】
0005588788.tif 000004
【００２５】
上記化学式で、Ａｒ１ないしＡｒ２は、各々独立して芳香族環を形成する６ないし６０（好ましくは、６ないし１８）の炭素原子を有する置換または非置換のアリール基、または芳香族環を形成する４ないし６０（好ましくは、５ないし２０）の炭素原子を有する置換または非置換ヘテロアリール基を示す。
【００２６】
Ａｒ１またはＡｒ２で表されるアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、またはｍ−ターフェニル−２−イル基を挙げることができる。
【００２７】
Ａｒ１またはＡｒ２で表されるヘテロアリール基の例としては、チオフェニル基、１−フェニルチオフェニル基、１，４−ジフェニルチオフェニル基、ベンズチオフェニル基、１−フェニルベンゾチオフェニル基、１，８−ジフェニルベンゾチオフェニル基、フリル基、１−フェニルジベンゾチオフェニル基、１，８−ジフェニルチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、１−フェニルジベンゾフラニル基、１，８−ジフェニルジベンゾフラニル基、またはベンゾチアゾリル基を挙げることができる。
【００２８】
上記化学式１で、Ｒ１は、例えば、芳香族環を形成する６ないし６０（好ましくは、６ないし１８）の炭素原子を有する置換または非置換アリール基でありうる。
【００２９】
Ｒ１により表されるアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、４−ビフェニリル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニリル基、または４’’−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル４−イル基を挙げることができる。好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−ビフェニリル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基であり、特に、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基及びフェナントリル基である。
【００３０】
上記化学式１で、Ｒ２またはＲ３は、水素原子、重水素、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０（好ましくは、Ｃ６−Ｃ３０）アリール基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０（好ましくは、Ｃ１−Ｃ２０）アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０（好ましくは、Ｃ１−Ｃ２０）アルコキシ基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０（好ましくは、Ｃ１−Ｃ２０）アルコキシカルボニル基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０（好ましくは、Ｃ６−Ｃ２０）アリールオキシ基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０（好ましくは、Ｃ６−Ｃ２０）アリールチオ基、−Ｎ（Ｒ）（Ｒ’）（ここで、Ｒ、Ｒ’は互いに独立して、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、あるいは置換または非置換のＣ６−Ｃ５０アリール基である）、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基またはカルボキシル基でありうる。
【００３１】
上記化学式１で、Ｒ２またはＲ３は、インドール骨格の２−または３−位置に連結された芳香族環を形成する６ないし６０炭素原子を有する置換または非置換のアリール基に対応する。
【００３２】
Ｒ２またはＲ３で表されるアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニル基、４’’−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオレニル基などを挙げることができる。好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−ビフェニル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−トリル基またはフルオレニル基である。
【００３３】
Ｒ２またはＲ３で表されるアリールオキシ基の例としては、フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−ビフェニルオキシ基、ｐ−ターフェニル−４−イルオキシ基、ｐ−トリルオキシ基などを挙げることができる。好ましくは、フェニルオキシ基及び２−ナフチルオキシ基である。
【００３４】
Ｒ２またはＲ３で表されるアリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、４−ビフェニルチオ基、ｐ−ターフェニル−４−イルチオ基、ｐ−トリルチオ基などを挙げることができる。好ましくは、フェニルチオ基及び２−ナフチルチオ基である。
【００３５】
Ｒ２またはＲ３で表されるアルコキシカルボニル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基などを挙げることができる。好ましくは、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基である。
【００３６】
Ｒ２またはＲ３で表されるアリール基で置換されたアミノ基において、アリール基の例としては、Ｒ１で表されるアリール基での説明と同じ例を挙げることができる。
【００３７】
上記化学式で、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などを挙げることができる。
【００３８】
前述した各基はさらに置換されてもよく、２つ以上の置換基が存在する場合、互いに同一でもよく、異なってもよい。また、可能であれば、これらは互いに連結されて環を形成してもよい。
【００３９】
Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の各基についての置換基の例としては、これに限定されないが、アルキル基（例えば、１ないし２０炭素原子、望ましくは、１ないし１２炭素原子、さらに望ましくは、１ないし８炭素原子を有するアルキル基；その例としては、メチル、エチル、イソ−プロフピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどを含む）；アルケニル基（例えば、２ないし２０炭素原子、望ましくは、２ないし１２炭素原子、さらに望ましくは、２ないし８炭素原子を有するアルケニル基；その例としては、ビニル、アリール、２−ブテニル、３−ペンテニルなどを含む）；アルキニル基（例えば、２ないし２０炭素原子、望ましくは、２ないし１２炭素原子、さらに望ましくは、２ないし８炭素原子を有するアルキニル基；その例としては、３−ペンチニルなどを含む）；アミノ基（例えば、０ないし２０炭素原子、望ましくは、０ないし１２炭素原子、さらに望ましくは、０ないし６炭素原子を有するアミノ基；その例としては、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノなどを含む）；アルコキシ基（例えば、１ないし２０炭素原子、望ましくは、１ないし１２炭素原子、さらに望ましくは、１ないし８炭素原子を有するアルキル基；その例としては、メトキシ、エトキシ、ブトキシなどを含む）；アリールオキシ基（例えば、６ないし２０炭素原子、望ましくは、６ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、６ないし１２炭素原子を有するアリールオキシ基；その例としては、フェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどを含む）；アシル基（例えば、１ないし２０炭素原子、望ましくは、１ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、１ないし１２炭素原子を有するアシル基；その例としては、アセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどを含む）；アルコキシカルボニル基（例えば、２ないし２０炭素原子、望ましくは、２ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、２ないし１２炭素原子を有するアルコキシカルボニル基；その例としては、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどを含む）；アリールオキシカルボニル基（例えば、７ないし２０炭素原子、望ましくは、７ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、７ないし１０炭素原子を有するアリールオキシカルボニル基；その例としては、フェニルオキシカルボニルなどを含む）；アシルオキシ基（例えば、２ないし２０炭素原子、望ましくは、２ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、２ないし１０炭素原子を有するアシルオキシ基；その例としては、アセトキシ、ベンゾイルオキシなどを含む）；アシルアミノ基（例えば、２ないし２０炭素原子、望ましくは、２ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、２ないし１０炭素原子を有するアシルアミノ基；その例としては、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどを含む）；アルコキシカルボニルアミノ基（例えば、２ないし２０炭素原子、望ましくは、２ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、２ないし１２炭素原子を有するアルコキシカルボニルアミノ基；その例としては、メトキシカルボニルアミノなどを含む）；アリールオキシカルボニルアミノ基（例えば、７ないし２０炭素原子、望ましくは、７ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、７ないし１２炭素原子を有するアリールオキシカルボニルアミノ基；その例としては、フェニルオキシカルボニルアミノなどを含む）；スルホニルアミノ基（例えば、１ないし２０炭素原子、望ましくは、１ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、１ないし１２炭素原子を有するスルホニルアミノ基；その例としては、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどを含む）；スルファモイル基（例えば、０ないし２０炭素原子、望ましくは、０ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、０ないし１２炭素原子を有するスルファモイル基；その例としては、スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどを含む）；カルバモイル基（例えば、１ないし２０炭素原子、望ましくは、１ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、１ないし１２炭素原子を有するカルバモイル基；その例としては、カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどを含む）；アルキルチオ基（例えば、１ないし２０炭素原子、望ましくは、１ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、１ないし１２炭素原子を有するアルキルチオ基；その例としては、メチルチオ、エチルチオなどを含む）；アリールチオ基（例えば、６ないし２０炭素原子、望ましくは、６ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、６ないし１２炭素原子を有するアリールチオ基；その例としては、フェニルチオなどを含む）；スルホニル基（例えば、１ないし２０炭素原子、望ましくは、１ないし１６炭素原子、望ましくは、１ないし１２炭素原子を有するスルホニル基；その例としては、メシル、トシルなどを含む）；スルフィニル基（例えば、１ないし２０炭素原子、望ましくは、１ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、１ないし１２炭素原子を有するスルフィニル基；その例としては、メタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどを含む）；ウレイド基（例えば、１ないし２０炭素原子、望ましくは、１ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、１ないし１２炭素原子を有するウレイド基；その例としては、ウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどを含む）；燐酸アミド基（例えば、１ないし２０炭素原子、望ましくは、１ないし１６炭素原子、さらに望ましくは、１ないし１２炭素原子を有する燐酸アミド基；その例としては、ジエチル燐酸アミド、フェニル燐酸アミドなどを含む）；ヒドロキシル基；メルカプト基；ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子）；シアノ基；スルホ基；カルボキシル基；ニトロ基；ヒドロキサム酸基；スルフィノ基；ヒドラジノ基；イミノ基；ヘテロ環基（例えば、１ないし３０炭素原子、望ましくは、１ないし１５炭素原子を有するヘテロ環基；ヘテロ原子の例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子；ヘテロ環基の具体例は、イミダゾリル、ピリジル、キニリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリルなどを含む）；シリル基（例えば、３ないし４０炭素原子、望ましくは、３ないし３０炭素原子、さらに望ましくは、３ないし２４炭素原子を有するシリル基；その例としては、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどを含む）；などを挙げることができる。これら置換体は、さらに置換されてもよい。また、二つ以上の置換体がある場合、これらの置換体が互いに同一でもよく、異なってもよい。また、可能であれば、互いに連結されて環を形成してもよい。
【００４０】
本発明の一実施形態によれば、上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物は、下記化学式２ないし６で表される化合物でありうる。
【００４１】
【化４】
0005588788.tif 000005
【００４２】
【化５】
0005588788.tif 000006
【００４３】
【化６】
0005588788.tif 000007
【００４４】
【化７】
0005588788.tif 000008
【００４５】
【化８】
0005588788.tif 000009
【００４６】
上記化学式２ないし６中Ａｒ１ないしＡｒ１０は、互いに独立して、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基、置換または非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基を示し、
Ｘ１ないしＸ３は、互いに独立して、置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリーレン基、置換または非置換のＣ４−Ｃ３０ヘテロアリーレン基、または置換または非置換のＣ６−Ｃ３０縮合多環基を示し、
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して、水素、重水素、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルコキシ基、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルコキシカルボニル基、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０アリールオキシ基、置換または非置換のＣ５−Ｃ５０アリールチオ基、−Ｎ（Ｒ）（Ｒ’）（ここで、Ｒ及びＲ’は互いに独立して、置換または非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基、あるいは置換または非置換のＣ６−Ｃ５０アリール基である）、置換または非置換のＣ３−Ｃ５０炭素環、置換または非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基、置換または非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基またはカルボキシル基を示す。
【００４７】
一実施形態によれば、上記化学式２ないし６でＡｒ１ないしＡｒ１０は、互いに独立して、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基及びフルオレニル基から選択される１環ないし３環のアリール基またはカルバゾリル基、またはこれらの１環ないし３環のアリール環またはカルバゾリル基にＣ１−Ｃ５アルキル基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシ基、シアノ基、アミノ基、フェノキシ基、フェニル基及びハロゲン原子からなる群から選択される１つないし３つが置換された１環ないし３環のアリール基またはカルバゾリル基でありうる。
【００４８】
Ｘ１ないしＸ３で表されるアリーレン基の例としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、クォーターフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントリレン基、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基を挙げることができる。好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニル基、フェナントリレン基またはフルオレニレン基である。
【００４９】
そしてＸ１ないしＸ３で表されるヘテロアリーレン基の例としては、チオフェニレン基、１−フェニルチオフェニレン基、１，４−ジフェニルチオフェニレン基、ベンズチオフェニレン基、１−フェニルベンゾチオフェニレン基、１，８−ジフェニルベンゾチオフェニレン基、フリレン基、１−フェニルジベンゾチオフェニレン基、１，８−ジフェニルチオフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、１−フェニルジベンゾフラニレン基、１，８−ジフェニルジベンゾフラニレン基、またはベンゾチアゾリレン基を挙げることができる。好ましくは、ヘテロアリーレン基は１−フェニルチオフェニレン基、１−フェニルベンゾチオフェニレン基、１−フェニルジベンゾフラレン基、またはベンゾチアゾリレン基である。
【００５０】
上記化学式１ないし６で、特に化学式２ないし６でＲ１ないしＲ３は、互いに独立して、アリール基であり、具体的には、フェニル基、４−フルオロフェニル基、ナフチル基またはビフェニル基でありうる。
【００５１】
上記化学式１ないし６で、特に化学式２ないし６でＸ１ないしＸ３は互いに独立して、下記構造式で表される２価の有機基のうちの１つであってもよいが、これらに限定されない。
【００５２】
【化９】
0005588788.tif 000010
【００５３】
また、上記化学式１ないし６で、特に化学式２ないし６でＡｒ１ないしＡｒ１０は、互いに独立して、下記構造式で表される１価の有機基のうちの１つであってもよいが、これに限定されない。
【００５４】
【化１０】
0005588788.tif 000011
【００５５】
上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物は、有機膜形成材料、特に正孔注入材料、正孔輸送材料及び／または発光材料としての機能を有する。
【００５６】
また、化学式１の分子内ヘテロ環を含むヘテロアリールアミン化合物は、ヘテロ環基の導入でガラス転移温度（Ｔｇ）や融点が高い。したがって、電界発光時における有機膜内、有機膜の間、及び有機膜と金属電極との間で発生するジュール熱に対して耐熱性及び高温環境下での耐性が増加する。このようなヘテロアリールアミン化合物を利用して製造された有機発光素子は、保存時及び駆動時の耐久性が高い。
【００５７】
上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物の例として下記化合物を挙げることができる。
【００５８】
【化１１】
0005588788.tif 000012
【００５９】
【化１２】
0005588788.tif 000013
【００６０】
【化１３】
0005588788.tif 000014
【００６１】
【化１４】
0005588788.tif 000015
【００６２】
【化１５】
0005588788.tif 000016
【００６３】
【化１６】
0005588788.tif 000017
【００６４】
【化１７】
0005588788.tif 000018
【００６５】
【化１８】
0005588788.tif 000019
【００６６】
【化１９】
0005588788.tif 000020
【００６７】
特に上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物は、化合物１、化合物２、化合物８、化合物２９、化合物３２、化合物５２、化合物５８または化合物９９であることが好ましい。
【００６８】
以下、本発明の化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物の合成過程を説明する。
【００６９】
まず、下記化学式７のヘテロアリールアミン化合物にベンゾフェノンヒドラゾン、ナトリウムブトキシド、パラジウムジアセテート及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルを付加及び混合し、これを熱処理して、下記化学式８の化合物を得る。
【００７０】
【化２０】
0005588788.tif 000021
【００７１】
上記式中、Ｘ１、Ａｒ１、Ａｒ２は、化学式１で定義された通りであり、Ｙは、ハロゲン原子であって、具体的には臭素、ヨウ素または塩素である。
【００７２】
【化２１】
0005588788.tif 000022
【００７３】
上記式中、Ｘ１、Ａｒ１、Ａｒ２は、化学式１で定義された通りである。
【００７４】
上記ベンゾフェノンヒドラゾンの含量は、化学式７のヘテロアリールアミン化合物１モルに対して、１．０５ないし１．２モルであり、上記ナトリウムブトキシドの含量は、化学式７のヘテロアリールアミン化合物１モルに対して、１．２ないし１．５モルであることが好ましい。そして、パラジウムジアセテート及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルは、各々化学式７のヘテロアリールアミン化合物１モルを基準として０．０２ないし０．０５モル及び０．０２ないし０．０５モルであることが好ましい。
【００７５】
上記熱処理温度は、８０ないし１００℃であることが好ましい。熱処理温度がこの範囲内であれば、化学式８の化合物の収率が高くなる。
【００７６】
次に、化学式８の化合物にｐ−トルエンスルホン酸一水和物、ベンジルフェニルケトン及び溶媒を付加し、これを熱処理する。
【００７７】
この反応が完結されれば、反応生成物を得て、本発明による化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を得ることができる。
【００７８】
この反応のための熱処理温度は、６０ないし１００℃であることが好ましい。熱処理温度がこの範囲内であれば、化学式１のヘテロアリールアミン化合物の収率が優秀である。
【００７９】
上記ｐ−トルエンスルホン酸一水和物の含量は、化学式８の化合物１モルに対して、１．５ないし２．０モルであり、ベンジルフェニルケトンの含量は、化学式８の化合物１モルに対して、１．５ないし２．０モルであることが好ましい。
【００８０】
本発明はまた、第１電極、第２電極、及び第１電極と第２電極との間に形成された有機膜を備え、有機膜のうち少なくとも１層が上記した化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を含む有機発光素子を提供する。
【００８１】
上記ヘテロアリールアミン化合物は、単独または混合物の成分として含まれることができる。
【００８２】
上記化学式１で表される化合物を含む有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層、または正孔注入機能及び正孔輸送機能を共に有する単一膜でありうる。または、上記化学式１で表される化合物を含む有機膜は発光層でありうる。この際、上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物は、青色、緑色または赤色の蛍光または燐光材料のホスト材料として使用することができる。
【００８３】
例えば、上記化学式１で表される化合物を含む有機膜は、正孔注入層または正孔輸送層である。
【００８４】
本発明の一実施形態によれば、上記有機膜は正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、正孔注入層または正孔輸送層が上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を含み、発光層がアントラセン化合物を含むことができる。
【００８５】
本発明の他の一実施形態によれば、上記有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、正孔注入層または正孔輸送層が上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を含み、発光層がＣ４−Ｃ６０アリールヘテロ環またはスチリル化合物を含むことができる。
【００８６】
一方、上記第１電極はアノードであり、上記第２電極はカソードであるが、これと反対の場合ももちろん可能である。
【００８７】
上記した有機発光素子は、必要によって、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層のうち１つ以上の層を備えることができ、必要によっては、上記有機膜を２層の有機膜で形成することもできる。
【００８８】
例えば、本発明による有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極の構造、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極の構造、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有することができる。または、有機発光素子は、第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を共に有する単一膜／発光層／電子輸送層／第２電極の構造、または第１電極／正孔注入機能及び正孔輸送機能を共に有する単一膜／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有することができる。
【００８９】
本発明による有機発光素子は、前面発光型、背面発光型など多様な構造で適用可能である。
【００９０】
以下、本発明による有機発光素子の製造方法を図１に示す有機発光素子を参照して説明する。図１の有機発光素子は、基板、第１電極（アノード）、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び第２電極（カソード）を備えている。
【００９１】
まず基板上に大きい仕事関数を有する第１電極用物質を蒸着法またはスパッタリング法により形成して第１電極を形成する。
【００９２】
上記第１電極は、アノードまたはカソードでありうる。ここで、基板としては、通常の有機発光素子で使われる基板を使用することができるが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板であることが好ましい。第１電極用物質としては、伝導性に優れた酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）などを利用し、透明電極または反射電極として形成することができる。
【００９３】
次いで、上記第１電極上に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を利用して正孔注入層（ＨＩＬ）を形成することができる。
【００９４】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性などによって異なるが、一般的に蒸着温度１００ないし５００℃、真空度１０−８ないし１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１ないし１００Å／ｓｅｃ、膜厚は、通常１０Åないし５μｍの範囲で適切に選択される。
【００９５】
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、約２０００ｒｐｍないし５０００ｒｐｍのコーティング速度で、コーティング後、溶媒除去のための熱処理温度は、約８０℃ないし２００℃の温度範囲で適切に選択される。
【００９６】
上記正孔注入層物質としては、上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を利用することができる。または、既知の正孔注入材料を使用することもでき、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、スターバスト型アミン誘導体類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）、ＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンファースルホン酸）またはＰＡＮＩ／ＰＳＳ（（ポリアニリン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））などを使用することができるが、これらに限定されない。
【００９７】
【化２２】
0005588788.tif 000023
【００９８】
上記正孔注入層の厚さは、約１００Åないし１００００Å、好ましくは、１００Åないし１０００Åでありうる。上記正孔注入層の厚さがこの範囲を満足させるならば、駆動電圧の上昇なしに優秀な正孔特性を確保することができる。
【００９９】
次いで、上記正孔注入層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を利用して正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成しうる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【０１００】
上記正孔輸送層物質は、上記した化学式１のヘテロアリールアミン化合物でありうる。
【０１０１】
本発明の一実施形態によれば、上記化学式１のヘテロアリールアミン化合物が発光層または正孔注入層形成材料として使われる場合には、正孔輸送層が既知の正孔輸送物質のうちから選択される物質を利用して形成しうる。
【０１０２】
既知の正孔輸送物質の具体例として、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ＮＰＢ、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１、１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）などの芳香族縮合環を有する通常のアミン誘導体などを使用することができる。
【０１０３】
【化２３】
0005588788.tif 000024
【０１０４】
上記正孔輸送層の厚さは、約５０Åないし１０００Å、好ましくは、１００Åないし６００Åでありうる。上記正孔輸送層の厚さがこの範囲であるとき、実質的な駆動電圧の上昇なしに良好な正孔輸送特性を確保しうる。
【０１０５】
上記正孔輸送層の上部には、電子ブロッキング層を選択的に形成することもできる。上記電子ブロッキング層は、電子の正孔輸送層への移動を阻止する役割をするものであって、例えば、下記化学式で表される化合物（ＴＡＴＴ）を含むことができる：
【０１０６】
【化２４】
0005588788.tif 000025
【０１０７】
上記電子ブロッキング層の厚さは、５０ないし２００Åでありうる。上記電子ブロッキング層の厚さがこの範囲であるとき、実質的な駆動電圧の上昇なしに電子ブロッキング特性が良好である。
【０１０８】
次いで、上記結果物上に発光層を形成する。この際、発光層（ＥＭＬ）は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような方法を利用して形成しうる。真空蒸着法及びスピンコーティング法により発光層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【０１０９】
上記発光層は、本発明による化学式１のヘテロアリールアミン化合物を利用して形成しうる。ここで、化学式１のヘテロアリールアミン化合物は、発光層のホストとして使用することができる。
【０１１０】
もし、本発明の化学式１のヘテロアリールアミン化合物が、正孔注入層または正孔輸送層の形成時に使われるならば、本発明による有機発光素子の発光層形成時に有機発光素子で一般的に使われる発光材料を使用可能である。
【０１１１】
上記一般的に使われる発光材料としては、既知のホスト及びドープ剤を利用して形成することもできる。上記ドープ剤の場合、既知の蛍光ドープ剤及び既知の燐光ドープ剤をいずれも使用しうる。
【０１１２】
例えば、ホストとしては、Ａｌｑ３、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、ＰＶＫ（ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール））、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、またはＤＳＡ（ジスチリルアリーレン）などを使用することができ、その他にもアリールアミン化合物、対称または非対称の構造を有するアントラセン化合物、スチリルアントラセン化合物、対称または非対称の構造を有するピレン化合物、スピロフルオレン化合物、フルオレン化合物などを使用しうるが、これらに限定されない。
【０１１３】
ドープ剤として蛍光ドープ剤または燐光ドープ剤をいずれも使用しうるが、上記蛍光ドープ剤としては、スチリル化合物、アリールアミン化合物、スチリルアミン化合物、アミノピレン化合物などを使用することができる。そして、上記燐光ドープ剤としては、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙはフェニルピリジンの略語である）（緑色）、ＰｔＯＥＰ（白金（ＩＩ）オクタエチルポルフィリン）、下記化学式で表される化合物Ａ、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、ＵＤＣ社の赤色燐光ドープ剤のＲＤ６１、またはＩｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｒｅなどを中心金属として有する金属錯体化合物を使用しうるが、これらに限定されない。
【０１１４】
【化２５】
0005588788.tif 000026
【０１１５】
ドープ剤について説明すれば、既知の赤色ドープ剤としてＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＤＣＪＴＢなどを利用しうるが、これらに限定されない。
【０１１６】
【化２６】
0005588788.tif 000027
【０１１７】
また、既知の緑色ドープ剤として、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３、Ｃ５４５Ｔなどを利用しうるが、これらに限定されない。
【０１１８】
【化２７】
0005588788.tif 000028
【０１１９】
一方、既知の青色ドープ剤として、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン、４，４’−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）などを利用しうるが、これらに限定されない。
【０１２０】
【化２８】
0005588788.tif 000029
【０１２１】
上記ドープ剤の含量は、発光層の形成材料１００質量部（すなわち、ホストとドープ剤の総質量は１００質量部とする）を基準として０．１ないし２０質量部、特に０．５〜１２質量部であることが好ましい。ドープ剤の含量がこの範囲を満足させるならば、濃度消光現象を実質的に防止することができる。
【０１２２】
上記発光層の厚さは、約１００Åないし１０００Å、好ましくは、２００Åないし６００Åでありうる。上記発光層の厚さがこの範囲であるとき、駆動電圧の上昇なしに発光特性が優秀である。
【０１２３】
発光層が燐光ドープ剤を含む場合、三重項励起子または正孔の電子輸送層への拡散現象を防止するために、正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）を発光層の上部に形成することができる（図１には、図示せず）。このとき、使用可能な正孔ブロッキング層物質は、特に制限されず、既知の正孔ブロッキング層物質のうちから任意に選択して利用しうる。例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ビス（２−メチル−８−キノラト）−（ｐ−フェニルフェノラト）−アルミニウム（Ｂａｌｑ）、バトクプロイン（ＢＣＰ）、トリス（Ｎ−アリールベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）などを利用しうる。
【０１２４】
上記正孔ブロッキング層の厚さは、約５０Åないし１０００Å、好ましくは、１００Åないし３００Åでありうる。上記正孔ブロッキング層の厚さが、この範囲であるとき、駆動電圧の上昇なしに正孔阻止特性が優秀である。
【０１２５】
次いで、電子輸送層（ＥＴＬ）を真空蒸着法、スピンコーティング法、またはキャスト法などの多様な方法を利用して形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【０１２６】
上記電子輸送層物質は、特に限定されず、既知の電子輸送層の形成材料のうちから任意に選択されうる。電子輸送物質は、特に制限されず、その例としては、キノリン誘導体、特にトリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＴＡＺ、Ｂａｌｑのような既知の材料をも使用できるが、これらに限定されない。
【０１２７】
【化２９】
0005588788.tif 000030
【０１２８】
上記電子輸送層の厚さは、約１００Åないし１０００Å、好ましくは１００Åないし５００Åでありうる。上記電子輸送層の厚さが、この範囲を満足させる場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに優秀な電子輸送特性を得る。
【０１２９】
また電子輸送層の上部に、カソードから電子の注入を容易にする機能を有する物質である電子注入層（ＥＩＬ）が積層されうる。
【０１３０】
上記電子注入層の形成材料としては、ＢａＦ２、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｌｉｑなどの物質を利用しうるが、これらに限定されない。
【０１３１】
【化３０】
0005588788.tif 000031
【０１３２】
上記電子注入層の蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【０１３３】
上記電子注入層の厚さは、約１Åないし１００Å、好ましくは、５Åないし９０Åでありうる。上記電子注入層の厚さが、この範囲を満足させる場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに優秀な電子注入特性が得られる。
【０１３４】
最後に、電子注入層の上部に真空蒸着法やスパッタリング法などの方法を利用して、第２電極を形成しうる。上記第２電極は、カソードまたはアノードとして使用することができる。上記第２電極形成用の物質としては、小さい仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を使用しうる。具体例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）を挙げることができる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯを使用した透明カソードを使用することもできる。
【０１３５】
本発明による有機発光素子は、多様な形態の平板表示装置、例えば、パッシブマトリックス有機発光表示装置及びアクティブマトリックス有機発光表示装置に使用することができる。特に、アクティブマトリックス有機発光表示装置に使用する場合、基板側に備えられた第１電極は、画素電極として薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結されうる。また、上記有機発光素子は、両面に画面を表示する平板表示装置に使用することができる。
【０１３６】
また、本発明の一実施形態による有機発光素子の１つ以上の層は、上記化学式１のヘテロアリールアミン化合物を使用して蒸着方法で形成されるか、または化学式１のヘテロアリールアミン化合物の溶液をコーティングする湿式方法でも形成しうる。
【０１３７】
以下、本発明の化合物１、２、８、２９、３２、５２、５８、及び９９の合成例及び実施例を具体的に例示するが、本発明は下記の実施例に限定されない。
【０１３８】
以下、本発明の化学式で使用される置換基について説明する。
【０１３９】
上記化学式１で、非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基は、直鎖型及び分枝型であり、その非制限的な例としては、メチル、エチル、プロフピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、ｉｓｏ−アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノナニル、ドデシルなどがあり、アルキル基のうち、１つ以上の水素原子は、重水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン、ヒドラゾン、カルボキシル基、スルホン酸基、燐酸、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ２−Ｃ１０アルケニル基、Ｃ２−Ｃ１０アルキニル基、Ｃ６−Ｃ１６アリール基、またはＣ４−Ｃ１６ヘテロアリール基で置換されうる。
【０１４０】
上記化学式１で、非置換のＣ３−Ｃ５０炭素環は、炭素数３ないし５０の環状のアルキル基を意味し、炭素環基のうち、１つ以上の水素原子は、前述したＣ１−Ｃ５０アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【０１４１】
上記化学式１で、非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロ環は、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳのうちから選択される１、２または３個のヘテロ原子を含む炭素数４ないし６０の環状のアルキル基を意味し、ヘテロ環基のうち、１つ以上の水素原子は、前述したＣ１−Ｃ５０アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【０１４２】
上記化学式１で、炭素数１ないし５０の非置換のアルコキシ基は、−ＯＡ（ここで、Ａは前述したような非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基である）の構造を有する基であって、その非制限的な例として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基などを挙げることができる。これらアルコキシ基のうち、少なくとも１つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基で置換可能である。
【０１４３】
上記化学式１中、非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基は、１つ以上の環を含む炭素環芳香族系を意味し、２以上の環を有する場合、互いに結合されるか、単一結合などを通じて連結されうる。アリールという用語は、フェニル、ナフチル、アントラセニルのような芳香族系を含む。また、アリール基のうち、１つ以上の水素原子は、前述したＣ１−Ｃ５０アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【０１４４】
置換または非置換のＣ６−Ｃ６０アリール基の例としては、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルフェニル基（例えば、エチルフェニル基）、ハロフェニル基（例えば、ｏ−、ｍ−及びｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基）、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ｏ−、ｍ−及びｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−及びｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、ハロナフチル基（例えば、フルオロナフチル基）、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基（例えば、メチルナフチル基）、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基（例えば、メトキシナフチル基）、シアノナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基などを挙げることができるが、これに限定されない。
【０１４５】
上記化学式１中、炭素数４ないし６０の非置換のヘテロアリール基は、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳのうちから選択される１、２または３個のヘテロ原子を含み、２以上の環を有する場合、これらは互いに結合されるか、単一結合などを通じて連結されうる。非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基の例としては、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、カルバゾリル基、インドリル基、キノリニル基、イソキノリニル基などを挙げることができる。また、上記ヘテロアリール基のうち、１つ以上の水素原子は前述したＣ１−Ｃ５０アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【０１４６】
上記化学式１中、非置換のＣ６−Ｃ６０縮合多環基は、１つ以上の芳香族環及び／または１つ以上の非芳香族環が互いに結合された２以上の環を含む置換基を示すものであって、上記したアリール基またはヘテロアリール基の例のうち、いくつかは、縮合多環基に含まれうる。
【実施例】
【０１４７】
以下、本発明の合成例及び実施例について詳細に説明するが、本発明は下記合成例及び実施例にのみ限定されない。
【０１４８】
（合成例１：中間体１の合成）
２−ブロモビフェニルを７ｇ（３０ｍｍｏｌ）、４−アミノビフェニルを７．６２ｇ（４５ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを４．３ｇ（４５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を０．５５ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３を０．１２ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を、トルエン１００ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。この反応が完了した後、常温に冷却させ、これを蒸溜水とジエチルエテール１００ｍＬで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して中間体１を８．７７ｇ（収率９１％）収得した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳ（高分解能質量分析法）を使用して確認した。
Ｃ２４Ｈ１９Ｎ計算値：３２１．１５１７；実測値３２１．１５１９
【０１４９】
（合成例２：中間体２の合成）
上記中間体１の合成方法において、２−ブロモビフェニルの代わりに、２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを使用した他は同様の方法で、中間体２を８７％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ２７Ｈ２３Ｎ計算値：３６１．１８３０；実測値３６１．１８３４
【０１５０】
（合成例３：中間体３の合成）
上記中間体２の合成方法において、４−アミノビフェニルの代わりに、２−アミノ−９，９−ジメチルフルオレンを使用した他は同様の方法で、中間体３を８５％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３０Ｈ２７Ｎ計算値：４０１．２１４３；実測値４０１．２１４７
【０１５１】
（合成例４：中間体４の合成）
上記中間体３の合成方法において、２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンの代わりに、３−ヨード−９−フェニルカルバゾールを使用した他は同様の方法で、中間体４を９０％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３３Ｈ２６Ｎ２計算値：４５０．２０９６；実測値４５０．２１００
【０１５２】
【化３１】
0005588788.tif 000032
【０１５３】
（合成例５：中間体５の合成）
２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレンを２２．３ｇ（５０ｍｍｏｌ）、中間体１を３．２１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを２．８８ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を０．２８ｇ（０．３ｍｍｏｌ）、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３を０．６ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を、トルエン１００ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。この反応が完了した後、常温に冷却させ、これを蒸溜水とジエチルエテール１００ｍＬで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して中間体５３ｇ（収率４７％）を収得した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３９Ｈ３０ＩＮ計算値：６３９．１４２３；実測値６３９．１４２７
【０１５４】
（合成例６：中間体６の合成）
上記中間体５の合成方法において、２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレンの代わりに、２，７−ジヨードフェナントレンを使用し、中間体１の代わりに、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミンを使用した他は同様の方法で中間体６を５２％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３０Ｈ２０ＩＮ計算値：５２１．０６４０；実測値５２１．０６４４
【０１５５】
（合成例７：中間体７の合成）
上記中間体５の合成方法において、２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレンの代わりに、１−ブロモ−４−ヨードベンゼンを１−ナフチル−フェニルアミンと反応させた他は同様の方法で、中間体７を６４％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ２２Ｈ１６ＢｒＮ計算値：３７３．０４６６；実測値３７３．０４７０
【０１５６】
（合成例８：中間体８の合成）
上記中間体５の合成方法において、２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレンの代わりに、１−ブロモ−４−ヨードベンゼンを使用した他は同様の方法で、中間体８を６５％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３０Ｈ２２ＢｒＮ計算値４７５．０９３６；実測値４７５．０９４０
【０１５７】
（合成例９：中間体９の合成）
上記中間体５の合成方法において、２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレンの代わりに、１−ブロモ−４−ヨードベンゼンを使用し、中間体１の代わりに、中間体２を使用した他は同様の方法で、中間体９を６２％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３３Ｈ２６ＢｒＮ計算値５１５．１２４９；実測値５１５．１２５３
【０１５８】
（合成例１０：中間体１０の合成）
上記中間体５の合成方法において、２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレンの代わりに、１−ブロモ−４−ヨードベンゼンを使用し、中間体１の代わりに、中間体３を使用した他は同様の方法で、中間体１０を６７％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３６Ｈ３０ＢｒＮ計算値５５５．１５６２；実測値５５５．１５６６
【０１５９】
（合成例１１：中間体１１の合成）
上記中間体５の合成方法において、２，７−ジヨード−９，９−ジメチルフルオレンの代わりに、１−ブロモ−４−ヨードベンゼンを使用し、中間体１の代わりに、中間体４を使用した他は同様の方法で中間体１１を６５％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３９Ｈ２９ＢｒＮ２計算値６０４．１５１４；実測値６０４．１５１８
【０１６０】
【化３２】
0005588788.tif 000033
【０１６１】
（合成例１２：中間体１２の合成）
５−ブロモ−１−ナフチルボロン酸を５．０１ｇ（２０ｍｍｏｌ）、中間体７を１１．２２ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を１．１５ｇ（１ｍｍｏｌ）、ＮａＯＨを１．６ｇ（４０ｍｍｏｌ）を、ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ（２／１）の混合溶液６０ｍＬに溶かした後、８０℃で３時間攪拌した。この反応が完了した後、常温に冷却させ、これを蒸溜水とジエチルエテール１００ｍＬで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、中間体１２を６．５１ｇ（収率６５％）を収得した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３２Ｈ２２ＢｒＮ計算値４９９．０９３６；実測値４９９．０９４０
【０１６２】
（合成例１３：中間体１３の合成）
上記中間体１２の合成方法において、中間体７の代わりに、中間体８を使用した他は同様の方法で、中間体１３を６７％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４０Ｈ２８ＢｒＮ計算値６０１．１４０５；実測値６０１．１４０９
【０１６３】
（合成例１４：中間体１４の合成）
上記中間体１２の合成方法において、中間体７の代わりに、中間体９を使用した他は同様の方法で、中間体１４を６３％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４３Ｈ３２ＢｒＮ計算値６４１．１７１８；実測値６４１．１７２２
【０１６４】
（合成例１５：中間体１５の合成）
上記中間体１２の合成方法において、中間体７の代わりに、中間体５を使用した他は同様の方法で、中間体１５を６７％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４９Ｈ３６ＢｒＮ計算値７１７．２０３１；実測値７１７．２０３５
【０１６５】
（合成例１６：中間体１６の合成）
上記中間体１２の合成方法において、中間体７の代わりに、中間体６を使用した他は同様の方法で、中間体１６を７０％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４０Ｈ２６ＢｒＮ計算値５９９．１２４９；実測値５９９．１２５３
【０１６６】
（合成例１７：中間体１７の合成）
上記中間体１２の合成方法において、中間体７の代わりに、中間体１０を使用した他は同様の方法で、中間体１７を６５％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４６Ｈ３６ＢｒＮ計算値６８１．２０３１；実測値６８１．２０３５
【０１６７】
（合成例１８：中間体１８の合成）
上記中間体１２の合成方法において、中間体７の代わりに、中間体１１を使用した他は同様の方法で、中間体１８を７０％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４９Ｈ３５ＢｒＮ２計算値７３０．１９８４；実測値７３０．１９８８
【０１６８】
【化３３】
0005588788.tif 000034
【０１６９】
（合成例１９：中間体１９の合成）
中間体１２を１０．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ベンゾフェノンヒドラゾンを５．１ｇ（２６ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを４２．８８ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）２を０．０９ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルを０．１９ｇ（０．４ｍｍｏｌ）を、トルエン６０ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。常温に冷却させた反応物に蒸溜水を加えて、ジエチルエテール１００ｍＬで２回、ジクロロメタン１００ｍＬで１回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過した後、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して中間体１９を１０．９６ｇ（収率８９％）得た。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４５Ｈ３３Ｎ３計算値６１５．２６７４；実測値６１５．２６７８
【０１７０】
（合成例２０：中間体２０の合成）
上記中間体１９の合成方法において、中間体１２の代わりに、中間体１３を使用した他は同様の方法で、中間体２０を９２％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ５３Ｈ３９Ｎ３計算値７１７．３１４４；実測値７１７．３１４８
【０１７１】
（合成例２１：中間体２１の合成）
上記中間体１９の合成方法において、中間体１２の代わりに、中間体１４を使用した他は同様の方法で、中間体２１を９０％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ５６Ｈ４３Ｎ３計算値７５７．３４５７；実測値７５７．３４６１
【０１７２】
（合成例２２：中間体２２の合成）
上記中間体１９の合成方法において、中間体１２の代わりに、中間体１５を使用した他は同様の方法で、中間体２２を８８％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ６２Ｈ４７Ｎ３計算値８３３．３７７０；実測値８３３．３７７４
【０１７３】
（合成例２３：中間体２３の合成）
上記中間体１９の合成方法において、中間体１２の代わりに、中間体１６を使用した他は同様の方法で、中間体２３を８５％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ５３Ｈ３７Ｎ３計算値７１５．２９８７；実測値７１５．２９９１
【０１７４】
（合成例２４：中間体２４の合成）
上記中間体１９の合成方法において、中間体１２の代わりに、中間体１７を使用した他は同様の方法で、中間体２４を８６％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ５９Ｈ４７Ｎ３計算値７９７．３７７０；実測値７９７．３７７４
【０１７５】
（合成例２５：中間体２５の合成）
上記中間体１９の合成方法において、中間体１２の代わりに、中間体１８を使用した他は同様の方法で、中間体２５を８９％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ６２Ｈ４６Ｎ４計算値８４６．３７２２；実測値８４６．３７２６
【０１７６】
【化３４】
0005588788.tif 000035
【０１７７】
（合成例２６：中間体２６の合成）
中間体１９を１２．３１ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物を７．６ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ベンジルフェニルケトンを１５．７０ｇ（８０ｍｍｏｌ）に、エタノール２０ｍＬとトルエン８０ｍＬとを加えた後、１１０℃で２４時間攪拌した。常温に冷却させた反応物に蒸溜水を加えてジエチルエテール１００ｍＬで２回、ジクロロメタン１００ｍＬで２回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過した後、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して中間体２６を７．９６ｇ（収率６５％）得た。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４６Ｈ３２Ｎ２計算値６１２．２５６５；実測値６１２．２５６９
【０１７８】
（合成例２７：中間体２７の合成）
上記中間体２６の合成方法において、中間体１９の代わりに、中間体２０を使用した他は同様の方法で、中間体２７を６６％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ５４Ｈ３８Ｎ２計算値７１４．３０３５；実測値７１４．３０３９
【０１７９】
（合成例２８：中間体２８の合成）
上記中間体２６の合成方法において、中間体１９の代わりに、中間体２１を使用した他は同様の方法で、中間体２８を６６％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ５７Ｈ４２Ｎ２計算値７５４．３３４８；実測値７５４．３３５２
【０１８０】
（合成例２９：中間体２９の合成）
上記中間体２６の合成方法において、中間体１９の代わりに、中間体２２を使用した他は同様の方法で、中間体２９を６３％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ６３Ｈ４６Ｎ２計算値８３０．３６６１；実測値８３０．３６６５
【０１８１】
（合成例３０：中間体３０の合成）
上記中間体２６の合成方法において、中間体１９の代わりに、中間体２３を使用した他は同様の方法で、中間体３０を６８％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ５４Ｈ３６Ｎ２計算値７１２．２８７８；実測値７１２．２８８２
【０１８２】
（合成例３１：中間体３１の合成）
上記中間体２６の合成方法において、中間体１９の代わりに、中間体２４を使用した他は同様の方法で、中間体３１を６６％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ６０Ｈ４６Ｎ２計算値７９４．３６６１；実測値７９４．３６６５
【０１８３】
（合成例３２：中間体３２の合成）
上記中間体２６の合成方法において、中間体１９の代わりに、中間体２５を使用した他は同様の方法で、中間体３２を７２％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ６３Ｈ４５Ｎ３計算値８４３．３６１３；実測値８４３．３６１７
【０１８４】
【化３５】
0005588788.tif 000036
【０１８５】
（合成例３３：化合物１の合成）
中間体２６を６．１２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ブロモベンゼンを１．８８ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを２．９ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を３６６ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）、そしてＰ（ｔ−Ｂｕ）３を８０ｍｇ（０．４ｍｍｏｌ）を、トルエン６０ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。この反応が完了した後、常温に冷却させ、これを蒸溜水とジエチルエテール５０ｍＬで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して化合物１を５．７２ｇ（収率８３％）得た。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲ（核磁気共鳴分析法）とを使用して確認した。
Ｃ５２Ｈ３６Ｎ２計算値６８８．２８７８；実測値６８８．２８８２；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．７５（ｄ、１Ｈ）、８．５０（ｄ、１Ｈ）、８．４６（ｄ、１Ｈ）、８．１２（ｄ、１Ｈ）、７．８８（ｄ、１Ｈ）、７．８５（ｄ、１Ｈ）、７．６２−７．２５（ｍ、２２Ｈ）、７．０５（ｄ、２Ｈ）、６．８３（ｄ、１Ｈ）、６．６０（ｄ、２Ｈ）、６．３３（ｄ、１Ｈ）、６．２８（ｄ、２Ｈ）中間体
【０１８６】
【化３６】
0005588788.tif 000037
【０１８７】
（合成例３４：化合物２の合成）
上記化合物１の合成方法において、中間体２６の代わりに、中間体２７を使用した他は同様の方法で、化合物２を８３％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６０Ｈ４２Ｎ２計算値７９０．３３４８；実測値７９０．３３５２；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．７５（ｄ、１Ｈ）、８．４６（ｄ、１Ｈ）、８．１２（ｄ、１Ｈ）、７．８８（ｄ、１Ｈ）、７．７５（ｄ、２Ｈ）、７．６７−７．２５（ｄ、３０Ｈ）、７．０９−７．０１（ｍ、２Ｈ）、６．９７−６．９０（ｄ、４Ｈ）
【０１８８】
（合成例３５：化合物８の合成）
上記化合物２の合成方法において、ブロモベンゼンの代わりに、１−ブロモナフタレニル使用した他は同様の方法で、化合物８を８１％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６４Ｈ４４Ｎ２計算値８４０．３５０４；実測値８４０．３５０８；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．７４（ｄ、１Ｈ）、８．４６（ｄ、１Ｈ）、８．４３（ｄ、１Ｈ）、８．１２（ｄ、１Ｈ）、７．８８（ｄ、１Ｈ）、７．７６−７．６２（ｍ、８Ｈ）、７．５５（ｔ、２Ｈ）、７．４９（ｄ、２Ｈ）、７．４４−７．２４（ｍ、２１Ｈ）、７．０４（ｔ、６Ｈ）
【０１８９】
（合成例３６：化合物２９の合成）
上記化合物１の合成方法において、中間体２６の代わりに、中間体２８を使用した他は同様の方法で、化合物２９を８０％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６９Ｈ５０Ｎ２計算値９０６．３９７４；実測値９０６．３９７８；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．７５（ｄ、１Ｈ）、８．４６（ｄ、１Ｈ）、８．１２（ｄ、１Ｈ）、７．９９（ｄ、１Ｈ）、７．８７（ｄ、１Ｈ）、７．７５（ｄ、２Ｈ）、７．７０−７．５３（ｍ、８Ｈ）、７．５０（ｄ、２Ｈ）、７．４３−７．２０（ｍ、１８Ｈ）、７．１５（ｄ、１Ｈ）、７．０５（ｔ、１Ｈ）、６．８９（ｄ、２Ｈ）、６．７２（ｔ、４Ｈ）、６．５４（ｄｄ、１Ｈ）、１．９２（ｓ、６Ｈ）
【０１９０】
（合成例３７：化合物３２の合成）
上記化合物１の合成方法において、中間体２６の代わりに、中間体２９を使用した他は同様の方法で、化合物３２を７８％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６９Ｈ５０Ｎ計算値９０６．３９７４；実測値９０６．３９７４；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．７７（ｄ、１Ｈ）、８．４４（ｄ、１Ｈ）、８．１１（ｄ、１Ｈ）、７．７６（ｄ、２Ｈ）、７．７１−７．２４（ｍ、２９Ｈ）、７．１５（ｄ、２Ｈ）、７．１１（ｄ、１Ｈ）、７．０８−７．０１（ｍ、３Ｈ）、６．８５−６．８２（ｍ、３Ｈ）、６．７４（ｄｄ、１Ｈ）、１．９２（ｓ、６Ｈ）
【０１９１】
（合成例３８：化合物５２の合成）
上記化合物１の合成方法において、中間体２６の代わりに、中間体３０を使用した他は同様の方法で、化合物５２を７９％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６０Ｈ４０Ｎ２計算値７８８．３１９１；実測値７８８．３１９５；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．７２（ｄ、１Ｈ）、８．６０（ｄ、１Ｈ）、８．５４−８．４５（ｍ、４Ｈ）、８．１２（ｄ、１Ｈ）、８．０６（ｓ、１Ｈ）、７．８５（ｄ、１Ｈ）、７．８１（ｄ、１Ｈ）、７．７５（ｄ、１Ｈ）、７．６３−７．２４（ｍ、２２Ｈ）、７．１６（ｄ、１Ｈ）、７．０５（ｄ、２Ｈ）、６．８２（ｔ、１Ｈ）、６．６２（ｄ、１Ｈ）、６．５６（ｄ、２Ｈ）
【０１９２】
（合成例３９：化合物５８の合成）
上記化合物１の合成方法において、中間体２６の代わりに、中間体３１を使用した他は同様の方法で、化合物５８を７８％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６６Ｈ５０Ｎ２計算値８７０．３９７４；実測値８７０．３９７８；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．７１（ｄ、１Ｈ）、８．４６（ｄ、１Ｈ）、８．１２（ｄ、１Ｈ）、７．９７（ｄ、２Ｈ）、７．８８（ｄ、１Ｈ）、７．６８（ｄ、２Ｈ）、７．６４−７．２１（ｍ、２０Ｈ）、７．１２（ｄ、２Ｈ）、７．０８−７．０２（ｍ、２Ｈ）、６．９５（ｔ、２Ｈ）、６．８９（ｄ、２Ｈ）、６．８２（ｄｄ、２Ｈ）、１．９６（ｓ、１２Ｈ）
【０１９３】
（合成例４０：化合物９９の合成）
上記化合物１の合成方法において、中間体２６の代わりに、中間体３２を使用した他は同様の方法で、化合物９９を８２％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６９Ｈ４９Ｎ３計算値９１９．３９２６；実測値９１９．３９３０；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．６５（ｄ、１Ｈ）、８．３６（ｄ、１Ｈ）、８．０２（ｄ、１Ｈ）、７．９７（ｄ、１Ｈ）、７．９２（ｄ、１Ｈ）、７．８５（ｄ、１Ｈ）、７．６８（ｄ、１Ｈ）、７．６４−７．２１（ｍ、２９Ｈ）、７．１４（ｄ、１Ｈ）、７．０６（ｄ、２Ｈ）、６．９５（ｔ、１Ｈ）、６．８１（ｄ、２Ｈ）、６．７５（ｄ、１Ｈ）、１．９４（ｓ、６Ｈ）
【０１９４】
（実施例１）
アノードは、コーニング（ｃｏｒｎｉｎｇ）１５Ωｃｍ２（１２００Å）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍの大きさに切って、イソプロピルアルコールと純水とを用いて各５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射してオゾンに露出させて洗浄して作製し、真空蒸着装置にこのガラス基板を設置した。
【０１９５】
上記基板の上部に、まず正孔注入層として２−ＴＮＡＴＡを真空蒸着して６００Å厚さに形成した後、引き続き正孔輸送性化合物として化合物１を３００Åの厚さに真空蒸着して正孔輸送層を形成した。
【０１９６】
【化３７】
0005588788.tif 000038
【０１９７】
上記正孔輸送層の上部に、既知の緑色蛍光ホストであるＡｌｑ３と既知の緑色蛍光ドープ剤であるＣ５４５Ｔを質量比９８：２で同時蒸着して３００Åの厚さで発光層を形成した。
【０１９８】
次いで、上記発光層の上部にＡｌｑ３を電子輸送層として３００Å厚さに蒸着し、ＬｉＦを電子注入層として１０Å厚さに蒸着し、Ａｌを３０００Åの厚さに真空蒸着して、ＬｉＦ／Ａｌ電極（カソード電極）を形成することによって、有機発光素子を製造した。
【０１９９】
（実施例２）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに、化合物２を用いたことを除いては、実施例１と同様に有機発光素子を製作した。
【０２００】
（実施例３）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに、化合物８を用いたことを除いては、実施例１と同様に有機発光素子を製作した。
【０２０１】
（実施例４）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに、化合物２９を用いたことを除いては、実施例１と同様に有機発光素子を製作した。
【０２０２】
（実施例５）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに、化合物３２を用いたことを除いては、実施例１と同様に有機発光素子を製作した。
【０２０３】
（実施例６）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに、化合物５２を用いたことを除いては、実施例１と同様に有機発光素子を製作した。
【０２０４】
（実施例７）
正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに、化合物５８を用いたことを除いては、実施例１と同様に有機発光素子を製作した。
【０２０５】
（実施例８）
上記実施例１で正孔輸送層の形成時、化合物１の代わりに、化合物９９を用いたことを除いては、実施例１と同様に有機発光素子を製作した。
【０２０６】
（比較例１）
正孔輸送層の形成時、上記化合物１の代わりに、既知の物質である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）を用いたことを除いては、実施例１と同様に有機発光素子を製作した。
【０２０７】
【化３８】
0005588788.tif 000039
【０２０８】
上記実施例１ないし８及び比較例１によって製作された有機発光素子について、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２での駆動電圧、輝度、色座標及び発光効率を測定し、その結果を下記表１に示した。
【０２０９】
【表１】
0005588788.tif 000040
【０２１０】
上記表１から分かるように、本発明による化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を正孔輸送材料として用いた有機発光素子は、ＮＰＢを使用した場合と比較して駆動電圧が１Ｖ以上低くなり、効率が大幅向上した優秀なＩ−Ｖ−Ｌ特性を示した。特に、寿命改善効果が卓越し、実施例１ないし８の場合、比較例１に比べて寿命が１００％以上向上した結果を示した。
【０２１１】
上記実施例１ないし８及び比較例１によって製作された有機発光素子の半減寿命を電流密度１００ｍＡ／ｃｍ２で測定し、その結果を下記表２に示した。
【０２１２】
【表２】
0005588788.tif 000041
【０２１３】
上記表２から分かるように、実施例１ないし８の有機発光素子は、比較例１の場合と比較して、半減寿命が向上した。
【０２１４】
以上本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野の当業者ならば、下記の特許請求の範囲に記載の本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させうるということを理解できるであろう。
【図１】
0005588788.tif 000051