(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、特定方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第１積層膜を形成する第１形成工程と、前記第１積層膜を残存させる領域以外の領域の前記第１積層膜を前記基板から除去する除去工程と、前記第１積層膜を除去した基板上に、反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記特定方向と異なる方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第２積層膜を形成する第２形成工程と、を具備することを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項２】
前記第１の強磁性膜の成膜時に、前記強磁性固定層の磁化を固定する方向に磁場を印加することを特徴とする請求項１記載の磁気センサの製造方法。
【請求項３】
前記除去工程及び前記第２形成工程を繰り返して行い、各積層膜における強磁性固定層の磁化方向を異ならせることを特徴とする請求項１記載の磁気センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子）を用いた磁気センサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ステッピングモータなどのロータの回転方向や回転角度を検出するための磁気エンコーダ用の磁気センサとして、巨大磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ（Giant  Magneto  Resistive）素子）を用いた磁気センサが用いられている。このような磁気センサにおいて、３６０°のセンサ稼動能力を発生させるために、各々９０°ずつ着磁方向が異なる構成を有するものが開示されている（特許文献１）。【０００３】
特許文献１に開示されている磁気センサは、図６に示すように、基板１０１上に、特定の方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子１０２ａを形成し、その上に絶縁膜１０３を形成することにより第１層を設け、同様にして、磁気抵抗効果素子１０２ｂ及び絶縁膜１０３を形成して第２層を設け、磁気抵抗効果素子１０２ｃ及び絶縁膜１０３を形成して第３層を設け、磁気抵抗効果素子１０２ｄ及び絶縁膜１０３を形成して第４層を設けてなるものである。この場合において、磁気抵抗効果素子１０２ａ〜１０２ｄは、それぞれ９０°ずつ着磁方向が異なっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１８０６０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された磁気センサにおいては、各層で磁気抵抗効果素子を素子形成する必要がある。また、磁気抵抗効果素子１０２ａ〜１０２ｄが絶縁膜１０３を介して積層する場合、積層を重ねることで徐々に段差が発生するため、フォトレジストの塗布状態に影響を及ぼす。このため、フォトレジストの塗布状態に影響を及ぼさないようにするためには、平面視において、各磁気抵抗効果素子を離して設ける必要があり、近接して磁気抵抗効果素子を作り込むことができず、素子の小型化に制約がある。また、磁気センサにおいて各磁気抵抗効果素子１０２ａ〜１０２ｄの高さ方向の位置がそれぞれ異なっているので、例えば、図６において、磁気センサに対して紙面上方に磁気部品が配置されるとすると、磁気部品から各磁気抵抗効果素子１０２ａ〜１０２ｄまでの距離がそれぞれ異なってしまい、感度軸の違いによる感度差が生じてしまう恐れがある。さらに、磁気センサにおいて各磁気抵抗効果素子１０２ａ〜１０２ｄの高さ方向の位置がそれぞれ異なっているので、配線の引き回しが難しく、コンタクトホールの形成などの追加プロセスも必要となり、製造プロセスが複雑になるという問題がある。【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、感度軸の違いによる感度差がない磁気センサを簡単に得ることができる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の磁気センサの製造方法は、基板上に、反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、特定方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第１積層膜を形成する第１形成工程と、前記第１積層膜を残存させる領域以外の領域の前記第１積層膜を前記基板から除去する除去工程と、前記第１積層膜を除去した基板上に、反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記特定方向と異なる方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第２積層膜を形成する第２形成工程と、を具備することを特徴とする。【００１３】
この方法によれば、磁気抵抗効果素子の作り込みにおいて段差が生じないので、配線形成が容易であり、配線の厚さを厚くしたり、スルーホール形成などの追加の工程が不要となる。このため、感度軸方向がそれぞれ異なる複数の磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けてなる磁気センサを簡易に製造することができる。【００１４】
本発明の磁気センサの製造方法においては、前記第１の強磁性膜の成膜時に、前記強磁性固定層の磁化を固定する方向に磁場を印加することが好ましい。【００１５】
本発明の磁気センサの製造方法においては、前記除去工程及び前記第２形成工程を繰り返して行い、各積層膜における強磁性固定層の磁化方向を異ならせることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の磁気センサの製造方法によれば、感度軸の違いによる感度差がない磁気センサを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気センサを示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る磁気センサの磁気抵抗効果素子の膜構成を示す図である。
【図３】第１の強磁性膜（Ｐｉｎ１）の膜厚と保磁力Ｈｃ及びΔＭＲとの間の関係を示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る磁気センサの製造工程を説明するための図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る磁気センサの製造工程を説明するための図である。
【図６】従来の磁気センサを説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る磁気センサを示す図である。この磁気センサ１は、例えば、図１に示すように、矢印方向に回転可能な磁石の磁界を検出するために使用される（磁気エンコーダ）。
【００１９】
図１に示す磁気センサ１は、４つの磁気抵抗効果素子１ａ〜１ｄを含んで構成されている。磁気抵抗効果素子１ａは、図１の紙面向かって右側から左側に向かう方向を感度軸方向としており、磁気抵抗効果素子１ｂは、図１の紙面向かって下側から上側に向かう方向を感度軸方向としており、磁気抵抗効果素子１ｃは、図１の紙面向かって上側から下側に向かう方向を感度軸方向としており、磁気抵抗効果素子１ｄは、図１の紙面向かって左側から右側に向かう方向を感度軸方向としている。また、これらの磁気抵抗効果素子１ａ〜１ｄは、すべて同一の基板１１上に直接形成されており、高さ方向における位置がほぼ同じである。すなわち、これらの磁気抵抗効果素子１ａ〜１ｄは、基板１１上に同じ高さで並設されている。なお、図１において、参照符号１ｅは電極パッドを示す。
【００２０】
磁気抵抗効果素子としては、その長手方向が互いに平行になるように配置された複数の帯状の長尺パターン（ストライプ）が折り返してなる形状（ミアンダ形状）を有するＧＭＲ素子であることが好ましい。このミアンダ形状において、感度軸方向（Ｐｉｎ方向）は矢印方向である。
【００２１】
磁気抵抗効果素子の膜構成は、例えば、図２に示すものである。すなわち、磁気抵抗効果素子は、図２に示すように、基板１１に設けられた積層膜構造を有する。なお、図２においては、説明を簡単にするために、基板１１には磁気抵抗効果素子以外の下地層などは省略して図示している。磁気抵抗効果素子は、シード層１２、第１の強磁性膜１３、反平行結合膜１４、第２の強磁性膜１５、非磁性中間層１６、軟磁性自由層（フリー磁性層）１７、及び保護層１８を含む。
【００２２】
シード層１２は、ＮｉＦｅＣｒあるいはＣｒなどで構成される。保護層１８は、Ｔａ，Ｒｕなどで構成される。なお、上記積層構造において、基板１１とシード層１２との間に、例えば、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１つの元素などの非磁性材料で構成される下地層を設けても良い。
【００２３】
この磁気抵抗効果素子においては、反平行結合膜１４を介して第１の強磁性膜１３と第２の強磁性膜１５とを反強磁性的に結合させており、いわゆるセルフピン止め型の強磁性固定層（ＳＦＰ：Synthetic  Ferri  Pinned層）が構成されている。
【００２４】
この強磁性固定層において、反平行結合膜１４の厚さを０．３ｎｍ〜０．４５ｎｍ、もしくは、０．７５ｎｍ〜０．９５ｎｍにすることにより、第１の強磁性膜１３と第２の強磁性膜１５との間に強い反強磁性結合をもたらすことができる。
【００２５】
また、第１の強磁性膜１３の磁化量（Ｍｓ・ｔ）と第２の強磁性膜１５の磁化量（Ｍｓ・ｔ）が実質的に同じである。すなわち、第１の強磁性膜１３と第２の強磁性膜１５間で磁化量の差が実質的にゼロである。このため、ＳＦＰ層の実効的な異方性磁界が大きい。したがって、反強磁性材料を用いなくても、強磁性固定層（Ｐｉｎ層）の磁化安定性を十分に確保できる。これは、第１の強磁性膜の膜厚をｔ１とし、第２の強磁性膜の膜厚をｔ２とし、両層の磁化及び誘導磁気異方性定数をそれぞれＭｓ,Ｋとすると、ＳＦＰ層の実効的な異方性磁界が次式（１）で示されるためである。
式（１）
eff  Ｈｋ＝２（Ｋ・ｔ１＋Ｋ・ｔ２）／（Ｍｓ・ｔ１−Ｍｓ・ｔ２）
したがって、上述の磁気センサに用いる磁気抵抗効果素子は、反強磁性層を有しない積層膜構成を有する。
【００２６】
第１の強磁性膜１３のキュリー温度（Ｔｃ）と第２の強磁性膜１５のキュリー温度（Ｔｃ）とは、略同じである。これにより、高温環境においても両膜１３，１５の磁化量（Ｍｓ・ｔ）差が略ゼロとなり、高い磁化安定性を維持することができる。
【００２７】
第１の強磁性膜１３を構成する材料は、大きい保磁力を有することが好ましい。ここで、第１の強磁性膜（Ｐｉｎ１）の膜厚と保磁力Ｈｃ及びΔＭＲとの間の関係について調べた。その結果を図３に示す。第１の強磁性膜の特性を確認するための膜構成を、基板／ＮｉＦｅＣｒ（シード層：４ｎｍ）／Ｆｅ６０Ｃｏ４０（第１の強磁性膜：Ｘ）／Ｒｕ（反平行結合膜：０．４ｎｍ）／Ｃｕ（非磁性中間層：２ｎｍ）／Ｔａ（保護層：５ｎｍ）とし、ΔＭＲを確認するための膜構成を、ＮｉＦｅＣｒ（シード層：４ｎｍ）／Ｆｅ６０Ｃｏ４０（第１の強磁性膜：Ｘ）／Ｒｕ（反平行結合膜：０．４ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０（第２の強磁性膜：最適化）／Ｃｕ（非磁性中間層：２ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０（軟磁性自由層：１ｎｍ）／ＮｉＦｅ（軟磁性自由層：２ｎｍ）／Ｔａ（保護層：５ｎｍ）とした。
【００２８】
図３から分かるように、第１の強磁性膜１３の厚さを増加させると、第１の強磁性膜１３の保磁力が増加し、その結果ΔＭＲが増加して飽和安定する。
【００２９】
また、第２の強磁性膜１５を構成する材料は、小さい保磁力、５０Ｏｅ以下の保磁力を有することが好ましい。また、第２の強磁性膜１５を構成する材料は、非磁性中間層を構成する材料の結晶構造と同じ結晶構造であることが好ましい。例えば、非磁性中間層を構成する材料がＣｕである場合には、第２の強磁性膜１５を構成する材料は、面心立方格子（ｆｃｃ）の結晶構造を持つことが好ましい。このように設定することにより、保磁力の大きい第１の強磁性膜１３の磁化方向が優先される。
【００３０】
第１の強磁性膜１３は、４０原子％〜８０原子％のＦｅを含むＣｏＦｅ合金で構成されていることが好ましい。これは、この組成範囲のＣｏＦｅ合金が、大きな保磁力を有し、外部磁場に対して磁化を安定に維持できるからである。また、第２の強磁性膜１５は、０原子％〜４０原子％のＦｅを含むＣｏＦｅ合金で構成されていることが好ましい。これは、この組成範囲のＣｏＦｅ合金が小さな保磁力を有し、第１の強磁性膜１３が優先的に磁化する方向に対して反平行方向（１８０°異なる方向）に磁化し易くなるためである。この結果、上記式（１）で示すＨｋをより大きくすることが可能となる。また、第２の強磁性膜１５をこの組成範囲に限定することで、磁気抵抗効果素子の抵抗変化率を大きくすることができる。
【００３１】
第１の強磁性膜１３及び第２の強磁性膜１５は、その成膜中にミアンダ形状のストライプ幅方向に磁場が印加され、成膜後の第１の強磁性膜１３及び第２の強磁性膜１５に誘導磁気異方性が付与されることが好ましい。これにより、両膜１３，１５はストライプ幅方向に反平行に磁化することになる。また、第１の強磁性膜１３及び第２の強磁性膜１５の磁化方向（磁化を固定する方向）は、第１の強磁性膜１３の成膜時の磁場印加方向で決まるため、第１の強磁性膜１３の成膜時の磁場印加方向を変えることにより、同一基板上に磁化方向が異なる強磁性固定層を持つ複数の磁気抵抗効果素子を形成することが可能である。
【００３２】
ここで、強磁性固定層の磁化を固定するための磁場は、例えば、６０Ｏｅ以上であることが望ましい。特に、基板内の素子特性ばらつきを低減させるために、±１ｄｅｇ以内の磁場角度分布を有する永久磁石あるいは電磁石を用いることが望ましい。
【００３３】
強磁性固定層の反平行結合膜１４は、Ｒｕなどにより構成される。また、軟磁性自由層（フリー層）１７は、ＣｏＦｅ合金、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金などの磁性材料で構成される。また、非磁性中間層１６は、Ｃｕなどにより構成される。また、軟磁性自由層１７は、その成膜中にミアンダ形状のストライプ長手方向に磁場が印加され、成膜後の軟磁性自由層１７には誘導磁気異方性が付与されることが好ましい。これにより、磁気抵抗効果素子においては、ストライプ幅方向の外部磁場に対して線形的に抵抗変化し、ヒステリシスを小さくすることができる。このような磁気抵抗効果素子においては、強磁性固定層、非磁性中間層及び軟磁性自由層により、スピンバルブ構成を採っている。
【００３４】
上述の磁気センサで用いる磁気抵抗効果素子の膜構成の例としては、例えば、ＮｉＦｅＣｒ（シード層：４ｎｍ）／Ｆｅ６０Ｃｏ４０（第１の強磁性膜：２．１ｎｍ）／Ｒｕ（反平行結合膜：０．４ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０（第２の強磁性膜：２ｎｍ）／Ｃｕ（非磁性中間層：２．２ｎｍ）／Ｃｏ９０Ｆｅ１０（軟磁性自由層：１ｎｍ）／Ｎｉ８２Ｆｅ１８（軟磁性自由層：４ｎｍ）／Ｔａ（保護層：５ｎｍ）である。
【００３５】
上述した磁気センサによれば、感度軸方向がそれぞれ異なる複数の磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けることができる。このため、各磁気抵抗効果素子間で高さ方向の位置（基板からの磁気抵抗効果素子の高さ方向の位置）が変わらない。このため、図１に示すように、磁気センサ１を磁石２に対して対向配置させたときに、各磁気抵抗効果素子１ａ〜１ｄと磁石２との間の距離が変わらない。その結果、感度軸の違いによる感度差がない状態を実現することができる。さらに、本発明に係る磁気センサにおいては、磁気抵抗効果素子の作り込みにおいて段差が生じないので、段差を許容するための磁気抵抗効果素子間のスペースを確保する必要が無く、より小型化を図ることが可能となる。
【００３６】
反強磁性膜で固定磁性層の磁化を固定するタイプの磁気抵抗効果素子を用いる場合、反強磁性材料のブロッキング温度（交換結合磁界が消失する温度）がおよそ３００℃〜４００℃であり、この温度に向けて交換結合磁界が徐々に低下していくため、高温になるほど固定磁性層の特性が不安定となる。本発明に係る磁気センサでは、反強磁性膜を用いていないため、固定磁性層の特性は主に固定磁性層を構成する強磁性材料のキュリー温度に依存する。一般に、ＣｏＦｅなどの強磁性材料のキュリー温度は反強磁性材料のブロッキング温度よりもはるかに高い。したがって、第１の強磁性膜と第２の強磁性膜の強磁性材料のキュリー温度を一致させて高温領域においても磁化量（Ｍｓ・ｔ）差をゼロに保つことにより、高い磁化安定性を維持することができる。
【００３７】
また、反強磁性膜で固定磁性層の磁化を固定するタイプの磁気抵抗効果素子を用いる場合、アニール時の印加磁場方向に交換結合磁界を発生させるため、第１の強磁性膜の磁化量（Ｍｓ・ｔ）と第２の強磁性膜の磁化量（Ｍｓ・ｔ）とで意図的に差を付ける必要がある。これは、磁化量差がゼロの場合、第１の強磁性膜及び第２の強磁性膜が共に飽和する磁界が、アニール時に印加できる磁場（〜１５ｋＯｅ）を超えてしまい、その結果、アニール後の第１の強磁性膜及び第２の強磁性膜の磁化分散が大きくなって、ΔＲ／Ｒの劣化を引き起こすためである。また、ΔＲ／Ｒをより大きくするため、第１の強磁性膜よりも第２の強磁性膜の膜厚を厚く（磁化量を大きく）する場合が多い。一般に、第２の強磁性膜の方が第１の強磁性膜より磁化量が多い場合、素子側壁において第２の強磁性膜から軟磁性自由層へ印加される還流磁界が大きくなり、出力のアシンメトリへ与える影響が大きくなる。また、この還流磁界は温度依存が大きいため、アシンメトリの温度依存も大きくなる。本発明に係る磁気センサにおいては、磁気抵抗効果素子の第１の強磁性膜と第２の強磁性膜の磁化量差がゼロであるため、このような問題を解決することもできる。
【００３８】
また、本発明に係る磁気センサの磁気抵抗効果素子は反強磁性材料を含まないため、材料コストや、製造コストを抑制することもできる。
【００３９】
本発明の磁気センサの製造方法においては、基板上に、反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、特定方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第１積層膜を形成し（第１形成工程）、前記第１積層膜を残存させる領域以外の領域の前記第１積層膜を前記基板から除去し（除去工程）、前記第１積層膜を除去した基板上に、反平行結合膜を介して第１の強磁性膜と第２の強磁性膜とを反強磁性的に結合させてなるセルフピン止め型の強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層とを有し、前記特定方向と異なる方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子の第２積層膜を形成する（第２形成工程）。これにより、強磁性固定層の磁化方向が異なる磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けることができる。また、上記除去工程及び第２形成工程を繰り返して行うことにより、強磁性固定層の磁化方向が異なる複数の磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けることができる。
【００４０】
図４（ａ）〜（ｃ）及び図５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る磁気センサにおける磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための図である。まず、図４（ａ）に示すように、基板１１上に、シード層１２ａ、第１の強磁性膜１３ａ、反平行結合膜１４ａ、第２の強磁性膜１５ａ、非磁性中間層１６ａ、軟磁性自由層（フリー磁性層）１７ａ、及び保護層１８ａを順次形成する。第１の強磁性膜１３ａ及び第２の強磁性膜１５ａの成膜中には、ミアンダ形状のストライプ幅方向に磁場を印加する。図４において、第１の強磁性膜１３ａについては、印加磁場方向は紙面奥側から手前側に向かう方向であり、第２の強磁性膜１５ａについては、印加磁場方向は紙面手前側から奥側に向かう方向である。ただし、第２の強磁性膜１５ａについては、必ずしもこの方向に磁場を印加する必要はない。第１の強磁性膜１３ａと同じ方向でも、無磁場でも良い。これは、反平行結合膜１４ａを介して交換結合が働き、第１の強磁性膜１３ａと反平行結合膜１４ａに必ず磁化方向が決まるからである。この場合、反平行結合膜１４ａの膜厚最適化と第１の強磁性膜１３ａ及び第２の強磁性膜１５ａのＭｓ・ｔの一致が重要となる。また、軟磁性自由層（フリー磁性層）１７ａの成膜中には、ミアンダ形状のストライプ長手方向に磁場を印加する。
【００４１】
次いで、図４（ｂ）に示すように、保護層１８ａ上にレジスト層２０を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、磁気抵抗効果素子１ａ側の領域上にレジスト層２０を残存させる。次いで、図４（ｃ）に示すように、イオンミリングなどにより、露出した積層膜を除去して、磁気抵抗効果素子１ｂ，１ｃ，１ｄを設ける領域の基板１１を露出させる。
【００４２】
次いで、図５（ａ）に示すように、露出した基板１１上に、シード層１２ｂ、第１の強磁性膜１３ｂ、反平行結合膜１４ｂ、第２の強磁性膜１５ｂ、非磁性中間層１６ｂ、軟磁性自由層（フリー磁性層）１７ｂ、及び保護層１８ｂを順次形成する。第１の強磁性膜１３ｂ及び第２の強磁性膜１５ｂの成膜中には、ミアンダ形状のストライプ幅方向に磁場を印加する。図４において、第１の強磁性膜１３ｂについては、印加磁場方向は紙面奥側から手前側に向かう方向であり、第２の強磁性膜１５ｂについては、印加磁場方向は紙面手前側から奥側に向かう方向である。また、軟磁性自由層（フリー磁性層）１７ｂの成膜中には、ミアンダ形状のストライプ長手方向に磁場を印加する。
【００４３】
次いで、保護層１８ａ，１８ｂ上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、磁気抵抗効果素子１ａ，１ｂ側の領域上にレジスト層を残存させる。次いで、イオンミリングなどにより、露出した積層膜を除去して、磁気抵抗効果素子１ｃ，１ｄを設ける領域の基板１１を露出させる。同様にして、磁気抵抗効果素子１ｃ，１ｄを設ける領域にシード層〜保護層を形成する。このようにして、基板１１上に、図１に示すようは配置で、磁気抵抗効果素子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを形成する。
【００４４】
次いで、図５（ｂ）に示すように、保護層１８ａ，１８ｂ上にレジスト層２０を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、磁気抵抗効果素子１ａ，１ｂの形成領域上にレジスト層２０を残存させる。次いで、図５（ｃ）に示すように、イオンミリングなどにより、露出した積層膜を除去して、磁気抵抗効果素子１ａ，１ｂを形成する。
【００４５】
このような磁気センサの方法によれば、磁気抵抗効果素子の作り込みにおいて段差が生じないので、配線形成が容易であり、配線の厚さを厚くしたり、スルーホール形成などの追加の工程が不要となる。このため、感度軸方向がそれぞれ異なる複数の磁気抵抗効果素子を同一基板上に近接して設けてなる磁気センサを簡易に製造することができる。
【００４６】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態における材料、各素子の接続関係、厚さ、大きさなどは適宜変更して実施することが可能である。その他、本発明は、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、磁気エンコーダなどの磁気センサに適用することが可能である。【００４８】
本出願は、２０１０年３月１２日出願の特願２０１０−０５６１５８に基づく。この内容は、全てここに含めておく。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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