(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に光半導体素子が熱電冷却素子を介して載置される載置部を有する基体と、
前記上側主面に前記載置部を取り囲むように接合された、側壁を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取り付け部を有する枠体と、
該枠体の内側に突出する平板状の突出部を有するとともに、該突出部の上面に前記熱電冷却素子のリード線と電気的に接続される第１の配線導体層および前記光半導体素子に電気的に接続される第２の配線導体層を有する、前記枠体の前記取り付け部に取り付けられた入出力端子と、を備え、
該入出力端子は、前記枠体の内側の前記第１の配線導体層の形成部内に、前記突出部を上下に貫通して設けられた、平面視して前記突出部の側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有する、前記熱電冷却素子のリード線が挿入される切り欠き部を有しており、
前記切り欠き部は、該切り欠き部の内壁面と前記突出部の側面とがなす角部が、Ｃ面またはＲ面の形状に面取りされていることを特徴とする素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の素子収納用パッケージであって、
前記切り欠き部は、前記逆テーパー形状部よりも前記枠体側に前記熱電冷却素子の前記リード線を収容する収容部を有していることを特徴とする素子収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の素子収納用パッケージと、
前記リード線を前記入出力端子の前記切り欠き部に挿入して前記第１の配線導体層に電気的に接続され、前記載置部に載置された前記熱電冷却素子と、
該熱電冷却素子の上面に載置され、前記入出力端子の前記第２の配線導体層に電気的に接続された前記光半導体素子と、
前記枠体の上面に接合された蓋体と、
を備えたことを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、光半導体素子などを収納するための素子収納用パッケージに用いられる素子収納用パッケージおよびこれを備えた電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子収納用パッケージにおいて、入出力端子への熱電冷却素子の接続は、熱電冷却素子に接続されているリード線が入出力端子に設けられた切り欠き部に半田等を介して接合されているものがある。このような素子収納用パッケージとしては、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１８３２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記素子収納用パッケージは、素子収納用パッケージ本体が小型集積化するに伴い、入出力端子に設けられる切り欠き部の幅も狭くなり、熱電冷却素子のリード線が切り欠き部に挿入しにくいという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、入出力端子の切り欠き部への挿入性を向上することができる素子収納用パッケージおよびこれを備えた電子装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明における素子収納用パッケージは、上側主面に光半導
体素子が熱電冷却素子を介して載置される載置部を有する基体と、前記上側主面に前記載置部を取り囲むように接合された、側壁を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子の取り付け部を有する枠体と、該枠体の内側に突出する平板状の突出部を有するとともに、該突出部の上面に前記熱電冷却素子のリード線と電気的に接続される第１の配線導体層および前記光半導体素子に電気的に接続される第２の配線導体層を有する、前記枠体の前記取り付け部に取り付けられた入出力端子と、を備え、該入出力端子は、前記枠体の内側の前記第１の配線導体層の形成部内に、前記突出部を上下に貫通して設けられた、平面視して前記突出部の側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有する、前記熱電冷却素子のリード線が挿入される切り欠き部を有しており、前記切り欠き部は、該切り欠き部の内壁面と前記突出部の側面とがなす角部が、Ｃ面またはＲ面の形状に面取りされていることを特徴とするものである。
【０００７】
また、上記目的を達成するために本発明における電子装置は、本発明に係る素子収納用パッケージと、前記リード線を前記入出力端子の前記切り欠き部に挿入して前記第１の配線導体層に電気的に接続され、前記載置部に載置された前記熱電冷却素子と、該熱電冷却素子の上面に載置され、前記入出力端子の前記第２の配線導体層に電気的に接続された前記光半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体と、を備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置は、入出力端子の切り欠き部への挿入性を向上することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態に係る素子収納用パッケージの斜視図である。
【図２】本実施形態に係る素子収納用パッケージの入出力端子の拡大斜視図である。
【図３】図１に示す素子収納用パッケージの入出力端子の切り欠き部の拡大平面図である。
【図４】本実施形態に係る素子収納用パッケージおよびこれを備えた電子装置の斜視図である。
【図５】本実施形態の変形例１に係る素子収納用パッケージの入出力端子の切り欠き部であって、（Ａ）は切り欠き部の拡大平面図、（Ｂ）は切り欠き部の拡大斜視図である。
【図６】本実施形態の変形例２に係る素子収納用パッケージの入出力端子の切り欠き部であって、（Ａ）は切り欠き部の拡大平面図、（Ｂ）は切り欠き部の拡大斜視図である。
【図７】本実施形態の変形例３に係る素子収納用パッケージの入出力端子の切り欠き部の拡大図である。
【図８】本実施形態の変形例４に係る素子収納用パッケージの入出力端子の切り欠き部であって、（Ａ）は切り欠き部の拡大平面図、（Ｂ）は切り欠き部の他の例の拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態に係る素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
＜実施形態＞
＜素子収納用パッケージの構成、および電子装置の構成＞
本実施形態に係る素子収納用パッケージは、図１乃至図４に示すように、上側主面に光半導体素子９が熱電冷却素子８を介して載置される載置部１ａを有する基体１と、上側主面に載置部１ａを取り囲むように接合された、側壁を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子３の取り付け部を有する枠体２と、枠体２の内側に突出する平板状の突出部３ｂを有するとともに、該突出部３ｂの上面に熱電冷却素子８のリード線８ａと電気的に接続される第１の配線導体層３ｄおよび光半導体素子９に電気的に接続される第２の配線導体層３ｅを有する、枠体２の取り付け部２ａに取り付けられた入出力端子３と、を備え、入出力端子３は、枠体２の内側の第１の配線導体層３ｅの形成部内に、突出部３ｂを上下に貫通して設けられた、平面視して突出部３ｂの側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有する、熱電冷却素子８のリード線８ａが挿入される切り欠き部３ｆを有している。
【００１２】
基体１は、平面視したとき、矩形状に形成された板状の部材である。基体１は、上側主面に、例えば、光半導体レーザ、フォトダイオード等の光半導体素子９がペルチェ素子等の熱電冷却素子８を間に介して載置される載置部１ａを有している。基体１は、例えば、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属材料から成る。
【００１３】
基体１は、例えば、それらの金属材料を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定の形状にして製作される。
【００１４】
なお、基体１は、基体１の外表面に耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性が良い金属、具体的には、厚さ０．５μｍ以上９μｍ以下のＮｉ層と厚さ０．５μｍ以上５μｍ以下のＡｕ層を順次、メッキ形成法によりメッキ層を被着させておくのがよい。メッキ層は基体１が酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、基体１の上側主面の光半導体素子９の
下部に配置される熱電冷却素子８を強固に接着固定することができる。
【００１５】
枠体２は、基体１の上側主面に載置部１ａを取り囲むように接合され、枠体２の内側に光半導体素子９を収容するための空所を形成している。枠体２は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属材料から成る。枠体２は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金のインゴットを周知のプレス加工により所定の枠状となすことによって製作される。
【００１６】
また、枠体２は、枠体２の側壁を貫通してまたは切り欠いて形成された入出力端子３の取り付け部２ａが設けられている。なお、入出力端子３については後述する。
【００１７】
また、枠体２には、内部に収容する光半導体素子９との間で光信号を授受するための光ファイバ１０が挿通固定される筒状の光ファイバ固定部材７が設けられている。また、光ファイバ固定部材７は、枠体２を貫通して、銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して接合される。この光ファイバ固定部材７は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属から成り、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金のインゴットを周知のプレス加工することにより所定の筒状にして製作される。
【００１８】
また、光ファイバ固定部材７は、光ファイバ１０を挿通可能な貫通孔を有する筒体であり、外部より貫通孔に光ファイバ１０の一端を挿通するとともに光ファイバ１０を半田等の接着剤やレーザ溶接により固定し、これにより光ファイバ１０を介して内部に収容する光半導体素子９と外部との光信号の授受が可能となる。
【００１９】
入出力端子３は、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅを有する平坦部３ａ、および平坦部３ａの上面に第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅを挟んで接合された立壁部３ｃから構成される。また、平坦部３ａは、枠体２の内外に突出する突出部３ｂを有している。
【００２０】
また、枠体２の内側の第１の配線導体層３ｄは、熱電冷却素子８のリード線８ａと電気的に接続され、枠体２の内側の第２の配線導体層３ｅは、光半導体素子９と電気的に接続される。また、第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅは、同一材料で構成されることが好ましい。入出力端子３は、枠体２の取り付け部２ａに銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して取り付けられる。なお、入出力端子３は、入出力端子３と枠体２の取り付け部２ａとの接合部にメタライズ層が形成されている。
【００２１】
入出力端子３は、例えば、アルミナ質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスまたはムライト質セラミックス等のセラミック材料から成る。また、第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅは、タングステン、モリブデンまたはマンガン等で形成されている。
【００２２】
第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅは、平坦部３ａの上面に、光半導体パッケージの内外を導出するように、例えば、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合してなる金属ペーストをセラミックグリーンシートに予め周知のスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによって入出力端子３の上面に形成される。そして、熱電冷却素子８および光半導体素子９と外部電気回路基板とを電気的に接続する。
【００２３】
入出力端子３は、図２または図３に示すように、切り欠き部３ｆが、枠体２の内側の第
１の配線導体層３ｄの形成部内の平坦部３ａに上下に貫通して設けられるとともに、平面視して突出部３ｂの側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有している。そして、切り欠き部３ｆは、熱電冷却素子８のリード線８ａが挿入され、入出力端子３と熱電冷却素子８のリード線８ａとの接続部となる。すなわち、切り欠き部３ｆは、平坦部３ａの突出部３ｂの枠体２の内側に位置する第１の配線導体層３ｄの上下を貫通して設けられるとともに平面視して突出部３ｂの側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有している。
【００２４】
また、切り欠き部３ｆの内壁面は、第１の配線導体層３ｄと電気的に接続されるように第１の配線導体層３ｄから切り欠き部３ｆの内壁面にかけてメタライズ層が形成されている。すなわち、第１の配線導体層３ｄが切り欠き部３ｆの内壁面にかけて延出されている。切り欠き部３ｆの内壁面の全面に第１の配線導体層３ｄが延出されているので、第１の配線導体層３ｄと熱電冷却素子８のリード線８ａとの接合が切り欠き部３ｆの内壁面の広い面積で行われるため、接合面積を大きくすることができる。したがって、両者の接合を強固とするとともに接触抵抗を均一で小さなものとすることができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００２５】
また、熱電冷却素子８を駆動するための電力を十分に供給することができ、熱電冷却素子８および光半導体素子９の動作を安定化させることができる。また、熱電冷却素子８で光半導体素子９を冷却しつつ光半導体素子９に光を励起させた場合、熱電冷却素子８による光半導体素子９の温度もほぼ均一となり、光半導体素子９の励起する光の波長を常に一定として光通信を正確に行なうことができる。
【００２６】
なお、第１の配線導体層３ｄの切り欠き部３ｆへの延出は、金属ペーストを使用して入出力端子３の平坦部３ａに第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅを形成する際に、金属ペーストの一部を切り欠き部３ｆの内壁面に塗布することによって形成される。なお、第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅは、メッキ形成方法によって、ニッケルメッキ層、金メッキ層が形成される。
【００２７】
なお、切欠き部３ｆは、入出力端子３の平坦部３ａとなるセラミックグリーンシートに予め突出部３ｂの側面に向かって漸次広がるようなテーパー形状に打ち抜き加工を施すことによって、熱電冷却素子８のリード線８ａが接続される入出力端子３の部位に形成される。
【００２８】
外部リード端子４は、外部電気回路と入出力端子３との高周波信号の入出力を行うものである。すなわち、外部リード端子４は、光半導体素子９および熱電冷却素子８の電極を外部電気回路に電気的に接続する作用をなし、外部リード端子４を外部電気回路に接続することによって熱電冷却素子８および光半導体素子９は、リード線８ａ、第１の配線導体層３ｄ、第２の配線導体層３ｅおよび外部リード端子を介して外部電気回路に接続されることになる。外部リード端子４は、枠体２の外側の入出力端子３の第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅに銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して接合される。
【００２９】
また、外部リード端子４は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属材料から成る。これらの金属のインゴットを周知の圧延加工法や打ち抜き加工法、エッチング加工法等の金属加工法を採用することによって、所定の形状となるように製作される。
【００３０】
入出力端子３は、入出力端子３の枠体２の内側の第２の配線導体層３ｅに、光半導体素子９と第２の配線導体層３ｅとを電気的に接続するためにボンディングワイヤで接合され
る。
【００３１】
シールリング５は、枠体２の上面に銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材で接合され、シールリング５の上面に蓋体６をシーム溶接等により接合するための接合媒体として機能する。鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属材料から成る。なお、蓋体６は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属材料から成る。蓋体６が、基体１と枠体２と入出力端子３とシールリング５とからなる内部に光半導体素子を気密に封止することになる。なお、蓋体６は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金または鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等のインゴットを周知のプレス加工により所定の形状となすことによって製作される。
【００３２】
図４に示すように、基体１の上側主面の載置部１ａに光半導体素子９が熱電冷却素子８を間に介して接着固定される。そして、光半導体素子７の電極がボンディングワイヤ等を介して第２の配線導体層３ｅに接続されるとともに、熱電冷却素子８の電極に接続されたリード線８ａが入出力端子３の切り欠き部３ｆに挿入されて第１の配線導体層３ｄに半田等を介して電気的に接続される。次に、枠体２の上面にシールリング５を介して蓋体６をシーム溶接等の溶接法で接合し、基体１と枠体２と入出力端子３とシールリング５および蓋体６の内部に光半導体素子９及び熱電冷却素子８が気密に収納されて電子装置となる。
【００３３】
また、枠体２の光ファイバ固定部材７に光ファイバ１０一端を挿通させるとともにこれを半田等の接着剤やレーザ溶接によって接合し、光ファイバ１０を枠体２に固定する。この電子装置において、光ファイバは電子装置が外部電気回路基板等に搭載された後に設けることもできる。または、製品として電子装置自体に設けておくこともできる。そして、光ファイバ１０を介して内部に収容する光半導体素子７と外部との光信号の授受が可能となる。
【００３４】
本実施形態によれば、入出力端子３が、平坦部３ａの突出部３ｂの枠体２の内側に位置する第１の配線導体層３ｄに上下に貫通して設けられるとともに平面視して突出部３ｂの側面に向かって漸次広がる逆テーパー形状部を有する切り欠き部３ｆを有しているので、切り欠き部３ｆに熱電冷却素子８のリード線８ａの一端を挿入する際に容易に挿入することができ、熱電冷却素子８のリード線８ａの挿入性を向上することができる。結果として、リード線８ａを正確に、かつ容易に所定の位置に挿入することができ、リード線８ａを第１の配線導体層３ｄに正確かつ容易に電気的に接続させることができる。
【００３５】
また、切り欠き部３ｆは、逆テーパー形状部を有しているので、熱電冷却素子８のリード線８ａを半田等で接続する際に、逆テーパー形状部で半田溜まりが設けられ、半田の体積が増加して接続強度を向上させることができる。すなわち、外力に対する強度が向上し、熱電冷却素子８のリード線８ａの外れを抑制することができる。
【００３６】
＜素子収納用パッケージ、および電子装置の製造方法＞
ここで、素子収納用パッケージ、およびこれを備えた電子装置の製造方法を説明する。
【００３７】
基体１は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。また、枠体２は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。また、蓋体６は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周
知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。
【００３８】
また、入出力端子３は、平坦部３ａと平坦部３ａの上面に接合される立壁部３ｄから形成される。入出力端子３が、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合、平坦部３ａおよび立壁部３ｄのグリーンシートは、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、溶剤、分散剤等を混合添加してペースト状とし、ドクターブレード法やカレンダーロール法等によって形成される。
【００３９】
そして、平板形状のグリーンシートに金型を用いた打ち抜きを施すことによってそれぞれの形状に合わせて製作される。なお、切り欠き部３ｆは、入出力端子３の平坦部３ａとなるセラミックグリーンシートに予め枠体の内側に向かって漸次広がる逆テーパー形状となるように打ち抜き加工を施すことによって製作される。
【００４０】
平坦部３ａは、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の高融点金属粉末に有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加してなる導電ペーストを、平坦部３ａの上面の所定位置にスクリーン印刷法等によって印刷塗布して、第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅとなる金属ペースト層が形成される。また、平坦部３ａおよび立壁部３ｃは、枠体２との接合部に該当する位置に導金属ペーストを印刷塗布してメタライズ層が形成される。また、入出力端子３の取り付け部２ａが切り欠いて設けられている場合には、平坦部３ａおよび立壁部３ｃは、枠体２およびシールリング５との接合部に該当する位置にメタライズ層が形成される。
【００４１】
さらに、グリーンシート状態の平坦部３ａ上に、グリーンシート状態の立壁部３ｃを積層して、約１６００℃の温度で同時に焼成することにより、焼成後に、平坦部３ａと立壁部３ｃが一体化されて、入出力端子３が製作される。
【００４２】
また、電解メッキ又は無電解メッキ等のメッキ形成方法によって、第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅ上、およびメタライズ層上に厚さ１．０μｍ以上３．０μｍ以下のニッケルメッキ層が形成される。
【００４３】
外部リード端子４は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。そして、入出力端子３の第１の配線導体層３ｄおよび第２の配線導体層３ｅの枠体２の外側に銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して接合される。
【００４４】
シールリング５は、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金を型枠に鋳込んで作製したインゴットを周知の切削加工や打ち抜き加工等の金属加工法を用いて所定形状にして製作される。
【００４５】
基体１と枠体２と入出力端子３とシールリング５が銀（Ａｇ）ロウまたは銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）ロウ等のロウ材を介して接合されることによって素子収納用パッケージが製作される。
【００４６】
また、素子収納用パッケージから露出してニッケルメッキ層が形成されている第１の配線導体層３ｄ、第２の配線導体層３ｅおよびメタライズ層は、電解メッキ又は無電解メッキ等のメッキ形成方法によって、更に、厚さ０．５μｍ以上３．０μｍ以下のニッケルメッキ層、厚さ０．５μｍ以上３．０μｍ以下の金メッキ層が形成される。
【００４７】
ここで、電子装置の製造方法について説明する。
【００４８】
電子装置は、素子収納用パッケージの基体１の載置部１ａに熱電冷却素子８を、例えば、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田または金（Ａｕ）−ゲルマニウム(Ｇｅ)半田等の材料で接着固定する。そして、熱電冷却素子８上に光半導体素子９を金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等を介して接着固定する。熱電冷却素子８のリード線８ａが入出力端子３の切り欠き部３ｆに、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等を介して電気的に接続される。次に、シールリング５の上面に蓋体６をシーム溶接等の溶接法によって接合し、基体１と枠体２と入出力端子３とシールリング５および蓋体６の内部に光半導体素子９及び熱電冷却素子８を気密に収容して電子装置とする。
【００４９】
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る素子収納用パッケージのうち、本実施形態に係る素子収納用パッケージと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００５０】
＜変形例１＞
本実施形態に係る変形例の素子収納用パッケージでは、図５に示すように、入出力端子３の切り欠き部３ｆは、入出力端子３の切り欠き部３ｆの内壁面と突出部３ｂと側面とがなす角部が、Ｒ面の形状に面取りされてもよい。すなわち、切り欠き部３ｆは、切り欠き部３ｆの開口部の角部にＲ面取り部３ｇが形成されている。
【００５１】
入出力端子３の切り欠き部３ｆの角部がＲ面の形状に面取りされているので、切り欠き部３ｆに熱電冷却素子８のリード線８ａを滑らかに挿入することができ、切り欠き部３ｆの角部でリード線８ａが傷ついて断線するのを抑制することができる。なお、Ｒ面の曲率半径は、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定することが好ましい。なお、Ｒ面の形状の面取りは、Ｒ面をグリーンシートに、打ち抜き加工によって形成しておく。なお、平坦部３ａは、Ｒ面形状に打ち抜き加工したグリーンシートを積層して製作される。
【００５２】
＜変形例２＞
さらに、図６に示すように、入出力端子３の切り欠き部３ｆは、入出力端子３の切り欠き部３ｆの内壁面と突出部３ｂと側面とがなす角部が、Ｃ面の形状に面取りされてもよい。すなわち、切り欠き部３は、切り欠き部３ｆの開口部の角部にＣ面取り部３ｈが形成されている。
【００５３】
入出力端子３の切り欠き部３ｆの角部がＣ面の形状に面取りされているので、切り欠き部３ｆに熱電冷却素子８のリード線８ａを滑らかに挿入することができ、切り欠き部３ｆの角部でリード線８ａが傷ついて断線するのを抑制することができる。なお、Ｃ面は、図６（ａ）に示すように、Ｘは、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下、Ｙは、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定することが好ましい。なお、Ｃ面の形状の面取りは、Ｃ面をグリーンシートに、打ち抜き加工によって形成しておく。なお、平坦部３ａは、Ｃ面形状に打ち抜き加工したグリーンシートを積層して製作される。
【００５４】
＜変形例３＞
本実施形態に係る変形例の素子収納用パッケージでは、図７に示すように、切り欠き部３ｆは、切り欠き部３ｆの逆テーパー形状部よりも枠体側に熱電冷却素子８のリード線８ａを収容する収容部を有していてもよい。すなわち、平面視して切り欠き部３ｆの内部に幅狭のくびれ部を有し、くびれ部よりも枠体側にくびれ部の開口幅よりも広い開口幅を有する熱電冷却素子８のリード線８ａを収容する収容部１１を有している。
【００５５】
入出力端子３の切り欠き部３ｆは、熱電冷却素子８のリード線８ａを収容する収容部１１を有し、幅狭に形成されているくびれ部が設けられているので、収容部１１の内部にリード線８ａが引っ掛かる部分が形成され、収容部１１の内部に挿入されたリード線８ａが収容部１１から外れるのを抑制することができる。結果として、切り欠き部３ｆは、リード線８ａの保持性を向上することができる。
【００５６】
また、切り欠き部３ｆは、熱電冷却素子８のリード線８ａの保持性が向上されるので、リード線８ａを半田等によって配線導体層３ｅに電気的に接続させる場合に、リード線８ａを切り欠き部３ｆの内部に押え付けることなく、リード線８ａを接続することができるので生産性を向上させることができる。
【００５７】
＜変形例４＞
さらに、図８に示すように、収容部１１は、切り欠き部３ｆの逆テーパー形状部よりも枠体２側に両側に広がるように設けてもよい。すなわち、切り欠き部３ｆは、平面視して切り欠き部３ｆの内部に幅狭のくびれ部を有し、くびれ部よりも枠体２側にくびれ部の開口幅よりも広い開口幅を有するとともに、幅狭に形成されているくびれ部から両側に広がるような収容部１１を有している。
【００５８】
収容部１１が、幅狭に形成されているくびれ部から両側に広がって設けられているので、収容部１１の内部にリード線８ａが引っ掛かる部分がくびれ部の両側に形成され、収容部１１の内部に挿入された熱電冷却素子８のリード線８ａが収容部１１から外れるのを抑制することができる。結果として、切り欠き部３ｆは、リード線８ａの保持性をさらに向上することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１  基体
１ａ  載置部
２  枠体
２ａ取り付け部
３  入出力端子
３ａ  平坦部
３ｂ  突出部
３ｃ  立壁部
３ｄ  第１の配線導体層
３ｅ  第２の配線導体層
３ｆ  切り欠き部
３ｇ  Ｒ面取り部
３ｈ  Ｃ面取り部
４  外部リード端子
５  シールリング
６  蓋体
７  光ファイバ固定部材
８  熱電冷却素子
８ａ  リード線
９  光半導体素子
１０  光ファイバ
１１  収容部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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