(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が固着される基板と、
前記電子部品が固着される部分を囲む枠体であって、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの金属と、銅（Ｃｕ）と、を含む接合部を介して前記基板に接合された枠体と、
前記基板と、前記枠体と、の間に設けられたフィードスルー端子であって、前記基板および前記枠体に前記接合部を介して接合されたフィードスルー端子と、
を備え、
前記接合部は、７５０℃以上の融点を有し、
前記接合部において、前記金属の含有量は、前記基板および前記枠体の少なくともいずれか一方の側に向けて減少し、同じ方向に前記銅の含有量は、増加するパッケージ。
【請求項２】
前記接合部は、前記基板側、および、前記枠体側の少なくともいずれか一方に設けられた銅を含む層を有する請求項１記載の部材のパッケージ。
【請求項３】
前記接合部は、金（Ａｕ）および白金（Ｐｔ）の少なくともいずれかを含有する請求項１または２に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記基板は、銅または銅合金からなり、
前記枠体は、鉄（Ｆｅ）を含む合金からなる請求項１〜３のいずれか１つに記載のパッケージ。
【請求項５】
前記基板および前記枠体の少なくともいずれかは、セラミック材を含む請求項１〜３のいずれか１つに記載のパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、部材の接合構造およびその接合方法、パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子に代表される電子部品は、それを支持する基板上にボンディングされ、実装基板などに装着される。また、電子部品の多くは、その信頼性を向上させるために、基板を含むパッケージの内部に気密封止される。そして、基板およびパッケージには、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であることが求められる。このため、基板やパッケージを構成する複数の部材は、例えば、電子部品のボンディング温度よりも融点が高い銀ロウを用いて接合される。
【０００３】
しかしながら、基板やパッケージは、信号の入出力や電源の供給に用いられる回路要素や、電子部品の熱を外部に放出する放熱要素などを含む複合体である。そして、銀ロウを用いた高温下の組み立てにより、素材の異なる部材の線膨張係数の違いに起因する反りや歪みを生じる。これらの反りや歪みは、電子部品の特性を劣化させ、信頼度を低下させる要因となる。そこで、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であり、反りや歪みを抑制できる部材の接合構造およびその接合方法が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１３２４１号公報
【特許文献２】特開２００５−３２８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
実施形態は、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であり、反りや歪みを抑制できる部材の接合構造、接合方法およびそれを用いたパッケージを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るパッケージは、電子部品が固着される基板と、前記電子部品が固着される部分を囲む枠体であって、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの金属と、銅（Ｃｕ）と、を含む接合部を介して前記基板に接合された枠体と、前記基板と、前記枠体と、の間に設けられたフィードスルー端子であって、前記基板および前記枠体に前記接合部を介して接合されたフィードスルー端子と、を備える。前記接合部は、７５０℃以上の融点を有し、前記接合部において、前記金属の含有量は、前記基板および前記枠体の少なくともいずれか一方の側に向けて減少し、同じ方向に前記銅の含有量は、増加する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係るパッケージを示す模式図である。
【図２】第１の実施形態に係るパッケージの製造過程を示す模式図である。
【図３】第１の実施形態に係る接合構造を示す模式図である。
【図４】第１の実施形態に係る接合構造の第１の変形例を示す模式図である。
【図５】第１の実施形態に係る接合構造の第２の変形例を示す模式図である。
【図６】第１の実施形態に係る接合構造の第３の変形例を示す模式図である。
【図７】第１の実施形態に係るパッケージの別の側面を示す模式図である。
【図８】第２の実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。
【図９】銅−錫２元素平衡状態図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。
【０００９】
〔第１の実施形態〕  
図１は、第１の実施形態に係るパッケージ１０を示す模式図である。図１（ａ）は、パッケージ１０の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＩｂ−Ｉｂ線に沿った断面図である。パッケージ１０は、例えば、半導体素子、光半導体素子、圧電素子などの電子部品をその内部に収容する。
【００１０】
図１（ａ）に示すパッケージ１０は、基板３と、枠体５と、フィードスルー端子（Feed through terminal）端子７と、を備える。基板３は、電子部品およびその周辺の回路要素を固着する部品載置部１２と、実装基板にネジ固定するためのフランジ部１４と、を有する。枠体５は、部品載置部１２を囲み、フランジ部１４と部品載置部１２との境界を画する。
【００１１】
フィードスルー端子７は、基板３と枠体５との間に設けられ、パッケージ内部に気密封止された電子部品と外部回路とを電気的に接続するために設けられる。パッケージ１０では、２つのフィードスルー端子７が設けられ、それぞれに外部回路に接続するリード９が接続される。
【００１２】
図１（ｂ）に示すように、基板３と枠体５とは、接合部１３を介して接続される。例えば、電力増幅用のパワーＦＥＴ(Field Effect Transistor)を収容するパッケージでは、放熱性が重視される。このため、基板３には、銅（Ｃｕ）、もしくは、銅とモリブデン（Ｍｏ）の合金など、熱伝導の高い金属が用いられる。一方、枠体５には、剛性が求められ、例えば、鉄（Ｆｅ）にニッケル（Ｎｉ）およびコバルト（Ｃｏ）を配合した合金であるコバール（KOVAL）材を用いる。
【００１３】
半導体素子などの電子部品は、例えば、金錫（ＡｕＳｎ）半田を用いて基板３の表面３ａ（部品載置部１２）にボンディングされる。この工程において、パッケージ１０は、概ね２８０〜３００℃に加熱される。したがって、接合部１３の再溶融温度は、３００℃以上であることが望ましい。また、ボンディング温度と、接合部１３の再溶融温度（融点）と、の間の温度差が大きいほど安定である。
【００１４】
例えば、銀ロウの融点は、７８０℃以上であり、電子部品のボンディング温度に対して安定である。このため、接合材として銀ロウが広く用いられてきた。しかしながら、基板３と枠体５とを銀ロウを用いて接合する場合、銀ロウの融点が高温であるがゆえに、その冷却過程において、例えば、銅合金からなる基板３と、コバールからなる枠体５と、の間の線熱膨張率の違いに起因する反りまたは歪みが大きくなる。
【００１５】
これにより、例えば、半導体素子を収容したパッケージ１０を実装基板に装着した場合、基板３の裏面３ｂと、実装基板と、の間に隙間が生じ放熱性が低下する。また、基板３および枠体５のいずれかにセラミックを用いた場合には、その部分に割れが生じることもある。
【００１６】
これに対し、本実施形態では、例えば、銅と錫の液相拡散により、接合部１３を形成する。銅と錫の液相拡散は、２５０〜３００℃の温度範囲で生じ、銀ロウよりも低い温度で接合部１３を形成することが可能である。これにより、基板３および枠体５の反りや歪みを抑制することができる。そして、銅と錫の液相拡散により形成される化合物の融点は、例えば、７５０℃であり、銀ロウとほぼ同じである。したがって、電子部品のボンディング温度やその動作温度に対して安定である。
【００１７】
次に、図２〜図６を参照して、接合部１３の形成過程およびその構造について詳細に説明する。図２は、パッケージ１０の製造過程を模式的に示す断面図である。図３〜図６は、接合部１３の形成過程およびその構造を模式的に示している。
【００１８】
パッケージ１０の製造過程では、まず、第１の部材である基板３と、第２の部材である枠体５と、を準備する。図２（ａ）に示すように、枠体５の接合面５ａには、第１の接合金属層２１が設けられている。接合金属層２１は、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの低融点金属を含有する。一方、基板３の表面３ａには、銅を含む第２の接合金属層２３が設けられている。基板３が、銅板もしくは銅を主成分とする銅合金であれば、接合金属層２３を省略しても良い。
【００１９】
続いて、図２（ｂ）に示すように、基板３の銅を含む表面と、枠体５に形成された接合金属層２１の表面と、を接触させる。そして、基板３と枠体５との間に荷重を加えて密着させた状態で加熱し、２５０〜３００℃の温度範囲に保持する。これにより、接合金属層２１に含まれる低融点金属が溶融し、液相状態の接合金属層２１から基板３の銅を含む表面に低融点金属が拡散する。すなわち、図２（ｂ）に示す例では、低融点金属を接合金属層２３に拡散させる。ここで言う銅を含む表面とは、接合金属層２３の表面、もしくは、銅を含む基板３の表面を意味する。
【００２０】
接合金属層２１は、例えば、真空蒸着、スパッタ法、もしくは、メッキ法を用いて形成することができる。一方、接合金属層２３は、例えば、基板３の表面に銅をスパッタし、堆積した銅層を所定の形状にパターニングすることにより形成することができる。また、接合金属層２１と枠体５との間、および、接合金属層２３と基板３との間に、それぞれの接着を強化するための、例えば、チタンまたはニッケルなどを含む接着層を設けても良い。
【００２１】
図３は、基板３と枠体５との間の接合構造を模式的に示す部分断面図である。図３（ａ）に示すように、接合金属層２１の表面と、接合金属層２３の表面と、を接触させ、荷重を加えて密着させる。
【００２２】
次に、基板３を加熱して接合金属層２１および接合金属層２３の温度を、例えば、２５０℃〜３００℃の範囲に保持する。これにより、図３（ｂ）に示すように、接合金属層２１に含まれる低融点金属が接合金属層２３に拡散し、拡散領域２３ａが形成される。
【００２３】
さらに、２５０℃〜３００℃の温度において、所定時間、密着状態を維持することにより、図３（ｃ）に示すように、接合金属層２１と接合金属層２３とが融合した接合部１３を形成する。これにより、基板３と枠体５とが、接合部１３を介して接合される。好ましくは、低融点金属の全てを接合金属層２３に拡散させ、その固相が残らないようにする。
【００２４】
接合部１３は、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの低融点金属と、銅（Ｃｕ）と、を含む。そして、基板３の側に向けて低融点金属が減少し、基板３の側において銅の割合が増加する。
【００２５】
例えば、接合金属層２１は、厚さ４μｍの錫からなり、接合金属層２３は、厚さ４μｍのＣｕ層である。そして、接合金属層２１と接合金属層２３とを接触させ、２５０℃の温度において約３０分間保持する。これにより、Ｃｕ層にＳｎが拡散した接合部１３を形成することができる。
【００２６】
図９に、銅−錫２元素平衡状態図を示す。縦軸は温度（℃）、横軸は錫の重量百分率（ｗｔ％）である。接合金属層２１および接合金属層２３の温度を錫の融点２３２℃よりも高い２５０℃にすると錫は液相状態となり、錫が固相の銅に拡散される。同時に、銅も錫の側に拡散する。この結果、銅と錫とは、錫が略１５ｗｔ％以下となるα固溶体を含む固溶体層を形成する。すなわち、接合金属層２１は、銅と錫のα固溶体を含む。
【００２７】
例えば、固溶体が、９０ｗｔ％の銅と、１０ｗｔ％の錫と、を含む組成（破線）であれば、略３３０〜８２０℃の温度範囲において、相変化を生じることなく、高い接合強度を得ることができる。また、上記の温度範囲で形成される固溶体は、Ｃｕ６Ｓｎ５の金属間化合物（η層）やＣｕ３Ｓｎの金属間化合物（ε層）を含まないので、衝撃等に耐性を有する接合が形成される。
【００２８】
接合金属層２１および２３の厚さは、接合時間および接合強度を勘案して設定する。例えば、接合金属層２１の厚さが薄いと、接合面の平坦性不足を補いきれずボイドが生じ接合強度が弱くなる場合がある。一方、厚すぎると接合に長時間を要し製造効率が低下する。例えば、接合金属層２１の厚さは、１０μｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
〔第１の変形例〕
図４は、実施形態の第１の変形例に係る接合構造を模式的に示す部分断面図である。図４（ａ）に示すように、本変形例では、接合金属層２１と、枠体５と、の間に接合金属層２５が設けられている点で、図３に示す接合構造と相違する。接合金属層２５は、銅を含む金属である。また、接合金属層２５と枠体５との間に、例えば、チタンまたはニッケルなどを含む接着層を設けても良い。
【００３０】
図４（ｂ）に示すように、接合金属層２１の表面と、接合金属層２３の表面と、を接触させ、例えば、２５０℃〜３００℃の範囲に保持する。これにより、接合金属層２１の表面から基板３の側に低融点金属が拡散した領域２３ａと、接合金属層２１の裏面から枠体５の側に低融点金属が拡散した領域２５ａと、が形成される。
【００３１】
そして、図４（ｃ）に示すように、接合金属層２１と、接合金属層２３および２５と、が融合した接合部１３を形成することができる。接合部１３では、低融点金属が高い割合で含まれた領域が基板３と枠体５との間の中間位置に形成され、低融点金属は、基板３および枠体５の両方の側に向けて減少し、基板３および枠体５の両方の側に向けて銅の割合が増加する。
【００３２】
図４（ｃ）に模式的に示すように、接合金属層２１に含まれる低融点金属が完全に拡散して接合金属層２３および接合金属層２５が一体化することが好ましいが、基板３の側に設けられた銅を含む第１の層と、枠体５の側に設けられた銅を含む第２の層と、を有する接合構造であっても良い。
【００３３】
〔第２の変形例〕
図５は、実施形態の第２の変形例に係る接合構造を模式的に示す部分断面図である。図５（ａ）に示すように、本変形例では、基板３１の表面に接合金属層２３が設けられず、接合金属層２１と枠体５との間に接合金属層２５が設けられている点で、図３に示す接合構造と相違する。基板３１は、例えば、銅板、もしくは、銅を主成分とする合金からなる。
【００３４】
図５（ｂ）に示すように、接合金属層２１の表面と、基板３１の表面と、を接触させ、例えば、２５０℃〜３００℃の範囲に保持する。これにより、接合金属層２１の表面から基板３１に低融点金属が拡散した領域３１ａと、接合金属層２１の裏面から枠体５の側に低融点金属が拡散した領域２５ａと、が形成される。
【００３５】
そして、図５（ｃ）に示すように、接合金属層２１と、基板３１および接合金属層２５と、が融合した接合部１３を形成することができる。ここで言う接合部１３は、低融点金属が基板３１に拡散した領域３１ａを含む。そして、接合部１３には、基板３１と枠体５との間の中間位置に低融点金属が高い割合で含まれる領域が形成される。低融点金属は、基板３１および枠体５の両方の側に向けて減少し、基板３および枠体５の両方の側に向けて銅の割合が増加する。
【００３６】
本変形例において、枠体５の側に設けられる接合金属層２５を省略することも可能である。その場合、接合部１３は、基板３１の側に形成された拡散領域３１ａを含み、低融点金属が、枠体５から基板３１の方向に減少し、同じ方向に銅の割合が増加する。
【００３７】
〔第３の変形例〕
図６は、実施形態の第３の変形例に係る接合構造を模式的に示す部分断面図である。図６（ａ）に示すように、本変形例では、接合金属層２１と、枠体５と、の間に接合金属層２５が設けられる。さらに、基板３の銅を含む表面（接合金属層２３の表面）、および、接合金属層２１の表面に、保護金属層３３および３５が設けられた点で、図３に示す接合構造と相違する。
【００３８】
接合金属層２１に含まれる低融点金属、および、接合金属層２３に含まれる銅は、酸化され易い金属である。そして、接合金属層２１の表面、および、接合金属層２３の表面に酸化層が形成されると、接合金属層２１から接合金属層２３への低融点金属の拡散が阻害される。このため、接合金属層２１および接合金属層２３のそれぞれの表面に保護金属層を形成することが望ましい。
【００３９】
保護金属層３３および３５には、例えば、金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ）を用いることができる。そして、接合金属層２１の表面に設けられた保護金属層３５と、接合金属層２３の表面に設けられた保護金属層３３と、を接触させ、例えば、２５０℃〜３００℃の範囲に保持する。
【００４０】
上記の温度範囲において、接合金属層２１に含まれる低融点金属が溶融すると、保護金属層３３および３５は、その液相中に取り込まれる。そして、図６（ｂ）に示すように、接合金属層２１の表面から基板３に低融点金属が拡散した領域３１ａと、接合金属層２１の裏面から枠体５の側に低融点金属が拡散した領域２５ａと、が形成される。
【００４１】
さらに、接合金属層２１を介して接合金属層２３と接合金属層２５とを密着させた状態を保持することにより、接合金属層２１と、接合金属層２３および接合金属層２５と、を融合させた接合部１３を形成することができる（図４（ｃ）参照）。
【００４２】
接合部１３は、基板３と枠体５との間の中間位置に低融点金属を高い割合で含み、低融点金属は、基板３および枠体５の両方の側に向けて減少し、基板３および枠体５の両方の側に向けて銅の割合が増加する。さらに、接合部１３は、保護金属層３３および３５が取り込まれた金（Ａｕ）および白金（Ｐｔ）の少なくともいずれかを含有する。
【００４３】
図７は、第１の実施形態に係るパッケージ１０の別の側面を示す模式図である。図７（ａ）は、パッケージ１０の平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）におけるＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ線に沿った断面図である。すなわち、図７（ｂ）は、フィードスルー端子７を含む断面を示している。フィードスルー端子７は、部品載置部１２に固着された電子部品に信号を入力し、また、信号を出力させる。
【００４４】
図７（ａ）に示すように、フィードスルー端子７では、第１の絶縁材７ａの上にストリップライン７ｂが設けられ、そのストリップライン７ｂにリード９が接続される。第１の絶縁材７ａは、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などのセラミックを用いて形成される。また、ストリップライン７ｂの特性インピーダンスを５０Ωとして外部回路に整合させる。これにより、電子部品と外部回路との間における高周波信号の伝送損失を低減することができる。
【００４５】
さらに、図７（ｂ）に示すように、フィードスルー端子７は、第１の絶縁材７ａの上に、ストリップライン７ｂを挟んで設けられた第２の絶縁材７ｃを有する。第２の絶縁材７ｃは、ストリップライン７ｂと枠体５との間を電気的に絶縁する。
【００４６】
そして、上記の構造のフィードスルー端子７を、基板３と枠体５との間に固定するため、基板３とフィードスルー端子７との間を接合部１３ａを介して接続し、枠体５とフィードスルー端子７との間を接合部１３ｂを介して接合する。すなわち、図７（ｂ）に示すように、フィードスルー端子７の第１の絶縁材７ａと、基板３と、の間は、接合部１３ａを介して接合され、第２の絶縁材７ｃと、枠体５と、の間は、接合部１３ｂを介して接合される。
【００４７】
さらに、フィードスルー端子７におけるストリップライン７ｂと、リード９と、の接続においても、同じ接続構造を用いることができる。
【００４８】
接合部１３ａおよび１３ｂは、それぞれ、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの低融点金属と、銅（Ｃｕ）と、を含む。そして、接合部１３ａでは、第１の絶縁材７ａおよび基板３の少なくともいずれかの側に向けて低融点金属が減少し、銅の割合が増加する。また、接合部１３ｂでは、第２の絶縁材７ｃおよび枠体５の少なくともいずれかの側に向けて低融点金属が減少し、銅の割合が増加する。
【００４９】
上記の通り、実施形態に示す部材の接合構造では、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のうちの少なくとも１つの低融点金属を、銅を含む接合金属層に拡散させた接合部を用いる。これにより、反りもしくは歪みを抑制したパッケージを実現することができる。
【００５０】
低融点金属を拡散させる温度は、上記の２５０℃〜３００℃の範囲に限られる訳ではなく、低融点金属の種類により異なる。例えば、インジウムを拡散させる場合は、より低温の範囲で実施することが可能であり、亜鉛の場合は、より高温の範囲で拡散させることができる。
【００５１】
また、上記の実施形態では、電子部品を収容するパッケージを例に説明したが、これに限られる訳ではない。例えば、ストリップラインを有する部材等を基板の上に接合した構造の所謂キャリアなどにも適用することができる。
【００５２】
さらに、第１の部材および第２の部材の少なくともいずれかは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミ（ＡｌＮ）などのセラミック材を含む部材であっても良い。
【００５３】
〔第２の実施形態〕  
図８は、第２の実施形態に係る半導体装置１００を示す模式図である。図８（ａ）は、半導体装置１００の平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示すＶＩＩＩｂ‐ＶＩＩＩｂ線に沿った断面図である。
【００５４】
半導体装置１００は、前述のパッケージ１０に、高周波信号を増幅するパワートランジスタ４１を収容した例である。このようなパワートランジスタには、例えば、ＧａＮまたはＳｉＣなどを材料とするＨＦＥＴ（Hetero Junction Field Effect Transistor）、シリコンを材料とするＬＤＭＯＳＦＥＴ（Lateral Double Diffuse MOS Transistor）などがある。いずれも電力増幅素子であり、大量の発熱を伴って動作する。したがって、これらを収容するパッケージ１０の基板３には、放熱性の良い銅板もしくは銅合金が用いられる。
【００５５】
図８（ａ）に示すように、パッケージ１０の部品載置部１２には、トランジスタ４１と、２つの回路基板４３と、が載置される。回路基板４３の表面には導電パターン４３ａが形成され、それぞれトランジスタ４１の複数のゲート電極、および、複数ドレイン電極（もしくはソース電極）と、ストリップライン７ｂと、の間を電気的に接続する。回路基板４３には、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いる。
【００５６】
図８（ｂ）に示すように、トランジスタ４１と、回路基板４３とは、基板３の上にボンディングされる。これらのボンディングには、例えば、ＡｕＳｎ半田を用いる。これにより、トランジスタ４１と基板３との間を電気的に接続し放熱性を向上させる。例えば、トランジスタ４１は、基板３を介して接地される。
【００５７】
さらに、枠体５の上に蓋４９が固着され、トランジスタ４１を気密封止する。パッケージ１０の内部には、例えば、窒素ガスが封入されトランジスタ４１の動作を安定させ、信頼性を向上させる。蓋４９は、例えば、ＡｕＳｎを用いて枠体５に半田付けされる。
【００５８】
前述したように、パッケージ１０では、基板３と枠体５との間、および、フィードスルー端子７と、基板３および枠体５と、の間が、例えば、錫および銅の液相拡散より接合されている。これにより、銀ロウ付けよりも低温工程となるので、基板３および枠体５の反りもしくは歪みが抑制される。そして、基板３の裏面を実装基板もしくはヒートシンクに密着させ、トランジスタ４１の発熱を効率よく放散させることができる。これにより、トランジスタの動作を安定させ、信頼度を向上させることができる。
【００５９】
さらに、ＧａＮやＳｉＣなどのワイドギャップ半導体を材料とするトランジスタでは、その動作温度は６００℃に達する。このような場合でも、例えば、銅に錫を拡散させた接合部の融点は動作温度を上回り、半導体装置を安定して動作させることが可能である。
【００６０】
本実施形態に係るパッケージ１０は、上記のトランジスタに限らず、ＬＥＤやレーザなどの光半導体素子、および、ＳＡＷフィルターなどの圧電素子を収容、または、載置することができる。
【００６１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６２】
３、３１・・・基板、  ３ａ・・・表面、  ３ｂ・・・裏面、  ５・・・枠体、  ５ａ・・・接合面、  ７・・・フィードスルー端子、  ７ａ・・・第１の絶縁材、  ７ｂ・・・ストリップライン、  ７ｃ・・・第２の絶縁材、  ９・・・リード、  １０・・・パッケージ、  １２・・・部品載置部、  １３、１３ａ、１３ｂ・・・接合部、  １４・・・フランジ部、  ２１、２３、２５・・・接合金属層、  ２３ａ、２５ａ、３１ａ・・・拡散領域、  ３３、３５・・・保護金属層、  ４１・・・トランジスタ、  ４３・・・回路基板、  ４３ａ・・・導電パターン、  ４９・・・蓋、  １００ 半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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