(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板にＣｕストライクめっき層を形成する工程と、
前記Ｃｕストライクめっき層上にＡｇストライクめっき層を形成する工程と、
前記Ａｇストライクめっき層上の所定の領域に貴金属部分めっき層を形成する工程と、
前記Ａｇストライクめっき層の一部を剥離してＣｕストライクめっき層の一部を露出させる工程と、
前記Ｃｕストライクめっき層の一部を露出させる工程により露出された領域に粗化面を形成する工程と、
前記貴金属部分めっき層の余剰金属及び前記貴金属部分めっき層の形成されていない領域の前記Ａｇストライクめっき層を除去する工程と、
を備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項２】
Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板にＣｕストライクめっき層を形成する工程と、
前記Ｃｕストライクめっき層上にＡｇストライクめっき層を形成する工程と、
前記Ａｇストライクめっき層の一部を剥離してＣｕストライクめっき層の一部を露出させる工程と、
前記Ｃｕストライクめっき層の一部を露出させる工程により露出された領域に粗化面を形成する工程と、
前記Ａｇストライクめっき層上の所定の領域に貴金属部分めっき層を形成する工程と、
前記貴金属部分めっき層の余剰金属及び前記貴金属部分めっき層の形成されていない領域の前記Ａｇストライクめっき層を除去する工程と、
を備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の位置に半導体素子を載置した後に樹脂封止を行い、半導体パッケージを製造するためのリードフレームの製造方法、特に、封止樹脂と接触する領域に粗化面を形成するリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を用いた半導体パッケージの大多数は、モールドされたプラスチックパッケージを外郭としている。これは、プラスチックパッケージが小型、軽量であり、低コストで大量生産することができるためである。
【０００３】
そのような半導体パッケージの製造方法としては、Ｃｕ等の金属板から形成されるリードフレームの所定の位置にＩＣやＬＳＩといった半導体素子を載置し、その半導体素子とリードフレームの端子とをワイヤボンディングによって電気的に接続し、熱硬化性樹脂等によって樹脂封止を行う方法が知られている。
【０００４】
そして、そのような半導体パッケージの製造に用いられるリードフレームとしては、半導体パッケージ製造後に行われるリフローはんだ等の際に封止樹脂との界面に剥がれが生じないように、封止樹脂と接触する領域に粗化面が形成されたものが知られている（特許文献１参照。）。
【０００５】
そのようなリードフレームの製造方法及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの製造方法の従来例を、図９及び図１０を用いて説明する。
【０００６】
図９は、リードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。図１０は、図９に示した製造方法を示すフローチャートである。
【０００７】
まず、図９（ａ）に示すように、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板１の上面及び下面に、Ａｇめっき層２’を形成する（図１０のステップＳ０１）。
【０００８】
次に、図９（ｂ）に示すように、治具Ｊにより、粗化面を形成しない領域をマスキングするようにして金属板１を保持する。そして、図９（ｃ）に示すように、マスキングされていない領域のＡｇめっき層２’を剥離する（図１０のステップＳ０２）
【０００９】
次に、図９（ｄ）に示すように、金属板１を治具Ｊからはずす。そして、図９（ｅ）に示すように、Ａｇめっき層２’をマスキング部材として、金属板１のＡｇめっき層２’がない領域に粗化面を形成する（図１０のステップＳ０３）。
【００１０】
次に、図９（ｆ）に示すように、金属板１の上面及び下面の全領域に対し、Ａｇめっき層２’の剥離処理を行う（図１０のステップＳ０４）。
【００１１】
次に、図９（ｇ）に示すように、金属板１の所定の領域に、Ａｇ等による貴金属部分めっき層３を形成する（図１０のステップＳ０５）。
【００１２】
次に、図９（ｈ）に示すように、金属板１の上面及び下面の全領域に対し、貴金属部分めっき層３を形成する際に付着した余剰金属等を除去するための剥離処理を行う（図１０のステップＳ０６）。
【００１３】
次に、図９（ｉ）に示すように、金属板１に対して切断や打ち抜き（プレス）、エッチング等の加工を行い（図１０のステップＳ０７）、リードフレームを形成する。
【００１４】
その後、図９（ｊ）に示すように、リードフレームの貴金属部分めっき層３が形成されている領域の一つに半導体素子４を載置するとともに、その他の領域に形成された貴金属部分めっき層３と半導体素子４の端子とをボンディングワイヤ５を用いてワイヤボンディングして電気的に接続する。そして、図９（ｋ）に示すように、封止樹脂６を用いて樹脂封止を行い（図１０のステップＳ０８）、半導体パッケージを形成する。このとき、形成した粗化面は封止樹脂６の内側になる。
【００１５】
このようにして形成された半導体パッケージは、リードフレームの封止樹脂との界面に微細な凹凸のある粗化面が形成されているため、アンカー効果等により、リードフレームと封止樹脂との密着性が非常に高くなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００７−１８０２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
このように、特許文献１に記載されているような製造方法においては、粗化面を形成する際のマスキング部材として使用したＡｇめっき層２’を一度全て除去する工程（図１０のステップＳ０４）を経た後に、半導体素子４の載置やワイヤボンディングのための下地処理として改めて貴金属部分めっき層３を形成（図１０のステップＳ０５）し、その後さらに余剰金属の除去処理（図１０のステップＳ０６）を行っている。
【００１８】
そのため、工程が煩雑になるとともに、剥離や除去に用いる電力や薬液のコストが増加してしまい生産性が低下してしまうという問題があった。
【００１９】
また、貴金属部分めっき層３を形成する前に、金属板１に対して下地処理を行っていないため、貴金属部分めっき層３と金属板１との密着性を十分に高めることができず、ひいては、半導体素子４とリードフレームとの密着性が不十分になってしまうという問題があった。
【００２０】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、生産性が高く、めっき層や封止樹脂との密着性が高いリードフレームの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記の目的を達成するために、本発明のリードフレームの製造方法は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板にＣｕストライクめっき層を形成する工程と、前記Ｃｕストライクめっき層上にＡｇストライクめっき層を形成する工程と、前記Ａｇストライクめっき層上の所定の領域に貴金属部分めっき層を形成する工程と、前記Ａｇストライクめっき層の一部を剥離してＣｕストライクめっき層の一部を露出させる工程と、前記Ｃｕストライクめっき層の一部を露出させる工程により露出された領域に粗化面を形成する工程と、前記貴金属部分めっき層の余剰金属及び前記貴金属部分めっき層の形成されていない領域の前記Ａｇストライクめっき層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２２】
また、上記の目的を達成するために、本発明のリードフレームの製造方法は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板にＣｕストライクめっき層を形成する工程と、前記Ｃｕストライクめっき層上にＡｇストライクめっき層を形成する工程と、前記Ａｇストライクめっき層の一部を剥離してＣｕストライクめっき層の一部を露出させる工程と、前記Ｃｕストライクめっき層の一部を露出させる工程により露出された領域に粗化面を形成する工程と、前記Ａｇストライクめっき層上の所定の領域に貴金属部分めっき層を形成する工程と、前記貴金属部分めっき層の余剰金属及び前記貴金属部分めっき層の形成されていない領域の前記Ａｇストライクめっき層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、生産性が高く、めっき層や封止樹脂との密着性が高いリードフレームの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施例１に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図２】図１に示した製造方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施例２に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図４】図３に示した製造方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施例３に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図６】図５に示した製造方法を示すフローチャートである。
【図７】本発明の実施例４に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図８】図７に示した製造方法を示すフローチャートである。
【図９】従来例に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図１０】図９に示した製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、本発明のリードフレームの製造方法及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの製造方法の実施例について図面を参照しながら説明する。なお、各工程の説明及び図面は単純化したものである。また、使用する材料や薬液、めっきの厚さ等は、あくまでも本発明の態様の一例に過ぎず、本発明は例示される態様に限定されるものではない。
【実施例１】
【００２６】
以下に、図１及び図２を用いて、実施例に係るリードフレームの製造方法及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの製造方法について説明する。
【００２７】
図１は、この実施例１に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。図２は、図１に示した製造方法を示すフローチャートである。
【００２８】
また、図中の符号のうち、１は金属板、１’はＣｕストライクめっき層、２はＡｇストライクめっき層、３は貴金属部分めっき層、４は半導体素子、５はボンディングワイヤ、６は封止樹脂、Ｊは治具を示している。
【００２９】
まず、図１（ａ）に示すように、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板１の上面及び下面の全領域に、電解めっきによって、１層からなるＣｕストライクめっき層１’（めっき厚さ約０．０１〜１．００μｍ）を形成する（図２のステップＳ１１）。
【００３０】
なお、Ｃｕストライクめっき層１’を形成する際に使用するＣｕストライクめっき浴としては、シアン化第一銅(ＣｕＣＮ)とシアン化カリウム(ＫＣＮ)を主成分として構成されるものが好ましい。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示すように、Ｃｕストライクめっき層１’の上に、電解めっきによって、１層からなるＡｇストライクめっき層２（めっき厚さ約０．０３〜１．００μｍ（なお、好ましくは、めっき厚さ約０．０５〜０．５μｍ））を形成する（図２のステップＳ１２）。
【００３２】
なお、Ａｇストライクめっき層２を形成する際に使用するＡｇストライクめっき浴としては、シアン化銀（ＡｇＣＮ）とシアン化カリウム（ＫＣＮ）を主成分として構成されるものが好ましい。
【００３３】
次に、図１（ｃ）に示すように、Ａｇストライクめっき層２上の所定の領域に、電解めっきによって、１層からなるＡｇ等による貴金属部分めっき層３（めっき厚さ約１．００〜１０．００μｍ）を形成する（図２のステップＳ１３）。
【００３４】
なお、貴金属部分めっき層３を形成する際に使用する貴金属部分めっき浴としては、シアン化銀カリウム（ＫＡｇ（ＣＮ）2）とシアン化カリウム（ＫＣＮ）を主成分として構成されるものが好ましい。
【００３５】
次に、図１（ｄ）に示すように、治具Ｊにより、貴金属部分めっき層３が形成されている領域及び粗化面を形成しない領域がマスキングされるように、金属板１を上下から挟み込んで保持する。そして、図１（ｅ）に示すように、マスキングされていない領域のＡｇストライクめっき層２を、電解剥離法によって剥離する（図２のステップＳ１４）。
【００３６】
なお、治具Ｊには、金属板１を適正な位置へと導くため、不図示のガイドピンと不図示の凸型の部品と凹型の部品からなる位置合わせ部材が設けられている。治具Ｊは、そのガイドピンに沿って内部に金属板１を導くとともに、その位置合わせ部材によって相対的な位置精度を確保しつつ金属板１を保持するように構成されている。
【００３７】
そして、そのような治具Ｊによって金属板１を保持した状態で、治具Ｊごと金属板１を電解剥離液に接触させることにより、粗化面を形成する領域のＡｇストライクめっき層２のみを局所的に剥離することができる。
【００３８】
なお、金属板１及び治具Ｊを電解剥離液に接触させる方法としては、浸漬でも良いが噴流が望ましい。これは、噴流であれば電解剥離効率が良くなり処理速度が高くなり、さらに生産性を向上させることができるからである。また、電解剥離液としては、Ａｇのみを優先的及び支配的に剥離するもの、例えば、ヒダントインを主成分とする電解剥離液であれば良い。
【００３９】
次に、図１（ｆ）に示すように、金属板１を治具Ｊからはずす。そして、図１（ｇ）に示すように、Ａｇストライクめっき層２及び貴金属部分めっき層３をマスキング部材として、金属板１のＡｇストライクめっき層２がない領域のＣｕストライクめっき層１’を除去するとともに、その領域に粗化面を形成する（図２のステップＳ１５）。
【００４０】
なお、粗化面は、金属板１に粗化液を接触させて形成する。その粗化液としては、金属板１を形成する金属系素材と反応してエッチングを抑制する有機化合物（例えば、銅と反応するベンゾトリアゾール等）を含むものが好ましい。本実施例においては、ベンゾトリアゾール、過酸化水素及び硫酸を粗化液の主成分としている。そのような有機化合物を含む粗化液であれば、その有機化合物が金属板１を形成する金属系素材と反応することによってエッチングが抑制されるため、金属板１の粗化液と接触した領域に微細な凹凸形状、すなわち、粗化面を容易に形成することができるからである。また、この際に形成する粗化面の表面粗さは、算術平均粗さＲａ＝０．２００〜０．６００μｍ程度となるようにすることが好ましい。なお、市販されているリードフレーム用の金属板１の表面粗さは、ほとんどが算術平均粗さＲａ＝０．１２５〜０．１５０μｍ程度あるいはそれ以下である。
【００４１】
次に、図１（ｈ）に示すように、金属板１の全領域に対し、貴金属部分めっき層３を形成する際に付着した余剰金属、（例えば、貴金属部分めっき層３を形成した際の側面モレ等）と貴金属部分めっき層３の形成されていない領域のＡｇストライクめっき層２を除去するための剥離処理を行う（図２のステップＳ１６）。
【００４２】
なお、この剥離処理は、具体的には、貴金属部分めっき層３の形成されていない領域のＡｇストライクめっき層２が全て除去されるまで、金属板１を電解剥離液に接触させることによって行う。このような処理を行えば、Ａｇストライクめっき層２と貴金属部分めっき層３の膜厚差によって、貴金属部分めっき層３とその下に形成されているＡｇストライクめっき層２のみを、金属板１に残すことができる。
【００４３】
次に、図１（ｉ）に示すように、金属板１に対して切断や打ち抜き（プレス）、エッチング等の加工を行い（図２のステップＳ１７）、リードフレームを形成する。
【００４４】
その後、図１（ｊ）に示すように、リードフレームの貴金属部分めっき層３が形成されている領域の一つに半導体素子４を載置するとともに、その他の領域に形成された貴金属部分めっき層３と半導体素子４の端子とをボンディングワイヤ５を用いてワイヤボンディングして電気的に接続する。そして、図１（ｋ）に示すように、封止樹脂６を用いて樹脂封止を行い（図２のステップＳ１８）、半導体パッケージを形成する。このとき、形成した粗化面は封止樹脂６の内側になる。
【００４５】
上記のように、本実施例の製造方法においては、金属板１の全領域に対する剥離処理は、粗化面を形成した後に行う、余剰金属及び不要となったＡｇストライクめっき層２の除去のための剥離処理（図２のステップＳ１６）のみとなっている。つまり、本実施例の製造方法では、従来の製造方法において行われていたマスキング部材として用いたＡｇストライクめっき層の除去のための剥離処理（図１０６のステップＳ０４）が必要ない。その結果、従来の製造方法に比べて、本実施例の製造方法では、めっきに用いる金属素材や剥離のための薬剤、電力を削減することができ、生産性を向上させることができる。
【００４６】
また、本実施例の製造方法においては、Ｃｕストライクめっき層１’がＡｇストライクめっき層２の下地めっきの役割を果たし、また、Ａｇストライクめっき層２が貴金属部分めっき層３の下地めっきの役割を果たしている。そのため、本実施例の製造方法によって製造されたリードフレームは、従来の製造方法によって製造されたリードフレームよりも、各めっき層の密着性が向上している。
【実施例２】
【００４７】
以下に、図３及び図４を用いて、実施例２に係るリードフレームの製造方法及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの製造方法について説明する。なお、本実施例の製造方法における材料やめっき、各工程を施す方法等のうち、実施例１の製造方法におけるものと同様のものについては、同一の符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。
【００４８】
図３は、この実施例に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。図４は、図３に示した製造方法を示すフローチャートである。
【００４９】
また、図中の符号のうち、１は金属板、１’はＣｕストライクめっき層、２はＡｇストライクめっき層、３は貴金属部分めっき層、４は半導体素子、５はボンディングワイヤ、６は封止樹脂、Ｊは治具を示している。
【００５０】
まず、図３（ａ）に示すように、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板１の上面及び下面の全領域に、電解めっきによって、１層からなるＣｕストライクめっき層１’（めっき厚さ約０．０１〜１．００μｍ）を形成する（図４のステップＳ２１）。
【００５１】
次に、図３（ｂ）に示すように、Ｃｕストライクめっき層１’の上に、電解めっきによって、１層からなるＡｇストライクめっき層２（めっき厚さ約０．０３〜１．００μｍ（なお、好ましくは、めっき厚さ約０．０５〜０．５μｍ））を形成する（図４のステップＳ２２）。
【００５２】
次に、図３（ｃ）に示すように、治具Ｊにより、粗化面を形成しない領域がマスキングされるように、金属板１を上下から挟み込んで保持する。そして、図３（ｄ）に示すように、マスキングされていない領域のＡｇストライクめっき層２を、電解剥離法によって剥離する（図４のステップＳ２３）
【００５３】
次に、図３（ｅ）に示すように、金属板１を治具Ｊからはずす。そして、図３（ｆ）に示すように、Ａｇストライクめっき層２をマスキング部材として、金属板１のＡｇストライクめっき層２がない領域のＣｕストライクめっき層１’を除去するとともに、その領域に粗化面を形成する（図４のステップＳ２４）。
【００５４】
次に、図３（ｇ）に示すように、Ａｇストライクめっき層２上に、電解めっきによって、１層からなるＡｇ等による貴金属部分めっき層３（めっき厚さ約１．００〜１０．００μｍ）を形成する（図４のステップＳ２５）。
【００５５】
次に、図３（ｈ）に示すように、金属板１の全領域に対し、貴金属部分めっき層３を形成する際に付着した余剰金属（例えば、貴金属部分めっき層３を形成した際の側面モレ等）と貴金属部分めっき層３の形成されていない領域のＡｇストライクめっき層２を除去するための剥離処理を行う（図４のステップＳ２６）。
【００５６】
次に、図３（ｉ）に示すように、金属板１に対して切断や打ち抜き（プレス）、エッチング等の加工を行い（図４のステップＳ２７）、リードフレームを形成する。
【００５７】
その後、図３（ｊ）に示すように、リードフレームの貴金属部分めっき層３が形成されている領域の一つに半導体素子４を載置するとともに、その他の領域に形成された貴金属部分めっき層３と半導体素子４の端子とをボンディングワイヤ５を用いてワイヤボンディングして電気的に接続する。そして、図３（ｋ）に示すように、封止樹脂６を用いて樹脂封止を行い（図４のステップＳ２８）、半導体パッケージを形成する。このとき、形成した粗化面は封止樹脂６の内側になる。
【００５８】
このような本実施例の製造方法においても、実施例１の製造方法と同じように、従来の製造方法に比べて、めっきに用いる金属素材や剥離のための薬剤、電力を削減することができるので、生産性を向上させることができる。また、本実施例の製造方法によって製造されたリードフレームは、従来の製造方法によって製造されたリードフレームよりも、各めっき層の密着性が向上している。
【実施例３】
【００５９】
以下に、図５及び図６を用いて、実施例３に係るリードフレームの製造方法及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの製造方法について説明する。なお、本実施例の製造方法における材料やめっき、各工程を施す方法等のうち、実施例１、２の製造方法におけるものと同様のものについては、同一の符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。
【００６０】
図５は、この実施例に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。図６は、図５に示した製造方法を示すフローチャートである。
【００６１】
また、図中の符号のうち、１は金属板、１’はＣｕストライクめっき層、２はＡｇストライクめっき層、３は貴金属部分めっき層、４は半導体素子、５はボンディングワイヤ、６は封止樹脂、Ｊは治具を示している。
【００６２】
まず、図５（ａ）に示すように、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板１に対して切断や打ち抜き（プレス）、エッチング等の加工を行う（図６のステップＳ３１）。
【００６３】
次に、図５（ｂ）に示すように、金属板１の上面、下面及び側面の全領域に、電解めっきによって、１層からなるＣｕストライクめっき層１’（めっき厚さ約０．０１〜１．００μｍ）を形成する（図６のステップＳ３２）。
【００６４】
次に、図５（ｃ）に示すように、Ｃｕストライクめっき層１’の上に、電解めっきによって、１層からなるＡｇストライクめっき層２（めっき厚さ約０．０３〜１．００μｍ（なお、好ましくは、めっき厚さ約０．０５〜０．５μｍ））を形成する（図６のステップＳ３３）。
【００６５】
次に、図５（ｄ）に示すように、Ａｇストライクめっき層２上の所定の領域に、電解めっきによって、１層からなるＡｇ等による貴金属部分めっき層３（めっき厚さ約１．００〜１０．００μｍ）を形成する（図６のステップＳ３４）。
【００６６】
次に、図５（ｅ）に示すように、治具Ｊにより、貴金属部分めっき層３が形成されている領域及び粗化面を形成しない領域がマスキングされるように、金属板１を上下から挟み込んで保持する。そして、図５（ｆ）に示すように、マスキングされていない領域のＡｇストライクめっき層２を、電解剥離法によって剥離する（図６のステップＳ３５）
【００６７】
次に、図５（ｇ）に示すように、金属板１を治具Ｊからはずす。そして、図５（ｈ）に示すように、Ａｇストライクめっき層２及び貴金属部分めっき層３をマスキング部材として、金属板１のＡｇストライクめっき層２がない領域のＣｕストライクめっき層１’を除去するとともに、その領域に粗化面を形成する（図６のステップＳ３６）。
【００６８】
次に、図５（ｉ）に示すように、金属板１の全領域に対し、貴金属部分めっき層３を形成する際に付着した余剰金属（例えば、貴金属部分めっき層３を形成した際の側面モレ等）と貴金属部分めっき層３の形成されていない領域のＡｇストライクめっき層２を除去するための剥離処理を行い（図６のステップＳ３７）、リードフレームを形成する。
【００６９】
その後、図５（ｊ）に示すように、リードフレームの貴金属部分めっき層３が形成されている領域の一つに半導体素子４を載置するとともに、その他の領域に形成された貴金属部分めっき層３と半導体素子４の端子とをボンディングワイヤ５を用いてワイヤボンディングして電気的に接続する。そして、図５（ｋ）に示すように、封止樹脂６を用いて樹脂封止を行い（図６のステップＳ３８）、半導体パッケージを形成する。このとき、形成した粗化面は封止樹脂６の内側になる。
【００７０】
このような本実施例の製造方法においても、実施例１、２の製造方法と同じように、従来の製造方法に比べて、めっきに用いる金属素材や剥離のための薬剤、電力を削減することができるので、生産性を向上させることができる。また、本実施例の製造方法によって製造されたリードフレームは、従来の製造方法によって製造されたリードフレームよりも、各めっき層の密着性が向上している。さらに、本実施例の製造方法によって製造されたリードフレームは、樹脂封止される領域の金属板の側面にも粗化面が形成されることになるため、実施例１、２の製造方法によって製造されたリードフレームよりも、封止樹脂との密着性がさらに向上する。
【実施例４】
【００７１】
以下に、図７及び図８を用いて、実施例４に係るリードフレームの製造方法及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの製造方法について説明する。なお、本実施例の製造方法における材料やめっき、各工程を施す方法等のうち、実施例１〜３の製造方法におけるものと同様のものについては、同一の符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。
【００７２】
図７は、この実施例に係るリードフレーム及び半導体パッケージの製造方法を工程順に示す概略断面図である。図８は、図７に示した製造方法を示すフローチャートである。
【００７３】
また、図中の符号のうち、１は金属板、１’はＣｕストライクめっき層、２はＡｇストライクめっき層、３は貴金属部分めっき層、４は半導体素子、５はボンディングワイヤ、６は封止樹脂、Ｊは治具を示している。
【００７４】
まず、図７（ａ）に示すように、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板１に対して切断や打ち抜き（プレス）、エッチング等の加工を行う（図８のステップＳ４１）。
【００７５】
次に、図７（ｂ）に示すように、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属板１の上面、下面及び側面の全領域に、電解めっきによって、１層からなるＣｕストライクめっき層１’（めっき厚さ約０．０１〜１．００μｍ）を形成する（図８のステップＳ４２）。
【００７６】
次に、図７（ｃ）に示すように、Ｃｕストライクめっき層１’の上に、電解めっきによって、１層からなるＡｇストライクめっき層２（めっき厚さ約０．０３〜１．００μｍ（なお、好ましくは、めっき厚さ約０．０５〜０．５μｍ））を形成する（図８のステップＳ４３）。
【００７７】
次に、図７（ｄ）に示すように、治具Ｊにより、粗化面を形成しない領域がマスキングされるように、金属板１を上下から挟み込んで保持する。そして、図７（ｅ）に示すように、マスキングされていない領域のＡｇストライクめっき層２を、電解剥離法によって剥離する（図８のステップＳ４４）
【００７８】
次に、図７（ｆ）に示すように、金属板１を治具Ｊからはずす。そして、図７（ｇ）に示すように、Ａｇストライクめっき層２をマスキング部材として、金属板１のＡｇストライクめっき層２がない領域のＣｕストライクめっき層１’を除去するとともに、その領域に粗化面を形成する（図８のステップＳ４５）。
【００７９】
次に、図７（ｈ）に示すように、Ａｇストライクめっき層２上に、電解めっきによって、１層からなるＡｇ等による貴金属部分めっき層３（めっき厚さ約１．００〜１０．００μｍ）を形成する（図８のステップＳ４６）。
【００８０】
次に、図７（ｉ）に示すように、金属板１の全領域に対し、貴金属部分めっき層３を形成する際に付着した余剰金属（例えば、貴金属部分めっき層３を形成した際の側面モレ等）と貴金属部分めっき層３の形成されていない領域のＡｇストライクめっき層２を除去するための剥離処理を行い（図８のステップＳ４７）、リードフレームを形成する。
【００８１】
その後、図７（ｊ）に示すように、リードフレームの貴金属部分めっき層３が形成されている領域の一つに半導体素子４を載置するとともに、その他の領域に形成された貴金属部分めっき層３と半導体素子４の端子とをボンディングワイヤ５を用いてワイヤボンディングして電気的に接続する。そして、図７（ｋ）に示すように、封止樹脂６を用いて樹脂封止を行い（図８のステップＳ４８）、半導体パッケージを形成する。このとき、形成した粗化面は封止樹脂６の内側になる。
【００８２】
このような本実施例の製造方法においても、実施例１〜３の製造方法と同じように、従来の製造方法に比べて、めっきに用いる金属素材や剥離のための薬剤、電力を削減することができるので、生産性を向上させることができる。また、本実施例の製造方法によって製造されたリードフレームは、従来の製造方法によって製造されたリードフレームよりも、各めっき層の密着性が向上している。さらに、本実施例の製造方法によって製造されたリードフレームは、樹脂封止される領域の金属板の側面にも粗化面が形成されることになるため、実施例３の製造方法と同じように、実施例１、２の製造方法によって製造されたリードフレームよりも、封止樹脂との密着性がさらに向上する。
【００８３】
なお、上記各実施例では、粗化処理及びＡｇストライクめっき層２の下地処理のためのストライクめっき層として、Ｃｕストライクめっき層１’を形成しているが、他の金属系素材を用いてそのストライクめっき層を形成しても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、リードフレーム及びそのリードフレームを用いた半導体パッケージの生産性や品質の向上に極めて有用である。
【符号の説明】
【００８５】
１            金属板
１’          Ｃｕストライクめっき層
２            Ａｇストライクめっき層
２’          Ａｇめっき層
３            貴金属部分めっき層
４            半導体素子
５            ボンディングワイヤ
６            封止樹脂
Ｊ            治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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