(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物：
【化１】
0005588789.tif 000050
前記化学式１中、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して炭素数６ないし６０の置換または非置換のアリール基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロアリール基、または炭素数６ないし６０の置換または非置換の縮合多環基を示し、
Ｘ１は、炭素数６ないし３０の置換または非置換のアリーレン基、炭素数４ないし３０の置換または非置換のヘテロアリーレン基、または炭素数６ないし３０の置換または非置換の縮合多環基を示し、
Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立して水素、重水素、炭素数１ないし５０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１ないし５０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６ないし６０の置換または非置換のアリール基、炭素数３ないし５０の置換または非置換の炭素環基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロアリール基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロ環基、炭素数６ないし６０の置換または非置換の縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基またはカルボキシル基を示す。
【請求項２】
前記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物が、
下記化学式２ないし６で表される化合物のうちから選択される１つである、請求項１に記載のヘテロアリールアミン化合物：
【化２】
0005588789.tif 000051
【化３】
0005588789.tif 000052
【化４】
0005588789.tif 000053
【化５】
0005588789.tif 000054
【化６】
0005588789.tif 000055
前記化学式２ないし６中、Ａｒ１ないしＡｒ１０は、互いに独立して炭素数６ないし６０の置換または非置換のアリール基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロアリール基、または炭素数６ないし６０の置換または非置換の縮合多環基を示し、
Ｘ１、Ｘ２、及びＸ３は、互いに独立して炭素数６ないし３０の置換または非置換のアリーレン基、炭素数４ないし３０の置換または非置換のヘテロアリーレン基、または炭素数６ないし３０の置換または非置換の縮合多環基を示し、
Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立して水素、重水素、炭素数１ないし５０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１ないし５０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６ないし６０の置換または非置換のアリール基、炭素数３ないし５０の置換または非置換の炭素環基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロアリール基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロ環基、炭素数６ないし６０の置換または非置換の縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基またはカルボキシル基を示す。
【請求項３】
前記化学式２ないし６で、Ｘ１、Ｘ２、及びＸ３が互いに独立して下記構造式で表される２価の有機基のうちから選択される１つである、請求項２に記載のヘテロアリールアミン化合物：
【化７】
0005588789.tif 000056
【請求項４】
前記化学式２ないし６で、Ａｒ１ないしＡｒ１０が互いに独立して下記構造式で表される１価の有機基のうちから選択される１つである、請求項２または３に記載のヘテロアリールアミン化合物：
【化８】
0005588789.tif 000057
【請求項５】
前記化学式２ないし６で、Ｒ１ないしＲ３は、互いに独立してフェニル基、４−フルオロフェニル基、ナフタレン基またはビフェニル基である、請求項２ないし４のいずれか１項に記載のヘテロアリールアミン化合物。
【請求項６】
前記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物が下記化学式で表される化合物のうちから選択される１つである、請求項１に記載のヘテロアリールアミン化合物：
【化９】
0005588789.tif 000058
【請求項７】
第１電極、第２電極及び前記第１電極と前記第２電極との間に介在された有機膜を備える有機発光素子であって、
前記有機膜の少なくとも１層が請求項１ないし６のいずれか１項に記載のヘテロアリールアミン化合物を含む、有機発光素子。
【請求項８】
前記有機膜が、
正孔注入層または正孔輸送層を含む、請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項９】
前記有機膜が、
正孔注入能及び正孔輸送能を共に有する単一膜または発光層を含む、請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
前記有機膜が発光層を含み、
前記発光層が前記ヘテロアリールアミン化合物を蛍光または燐光有機発光素子のホストとして使う、請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
前記有機膜が正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、
前記正孔注入層または正孔輸送層が前記ヘテロアリールアミン化合物を含み、
前記発光層がアントラセン化合物またはスチリル化合物を含む、請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記有機膜が正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、
前記正孔注入層または正孔輸送層が前記ヘテロアリールアミン化合物を含み、
前記発光層がアリールアミン化合物を含む、請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項１３】
前記有機膜が正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、
前記正孔注入層または正孔輸送層が前記ヘテロアリールアミン化合物を含み、
前記発光層が緑色発光層、青色発光層、赤色発光層及び白色発光層を含み、前記緑色発光層、前記青色発光層、前記赤色発光層及び前記白色発光層のうち少なくとも１つの発光層は燐光化合物を含む、請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項１４】
前記有機膜が正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択される１つ以上の層を含む、請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項１５】
第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極の構造、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極の構造、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有する、請求項１４に記載の有機発光素子。
【請求項１６】
一層または複数層を前記ヘテロアリールアミン化合物を使用した湿式工程で形成した、請求項７ないし１５のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項１７】
請求項７ないし１６のいずれか１項に記載の有機発光素子を備え、
前記有機発光素子の第１電極が薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結された、平板表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なヘテロアリールアミン化合物及びそれを用いた有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光装置は、自発光型表示素子であって、視野角が広く、コントラストに優れ、かつ応答時間が速いという長所を有しているために、大きな注目を浴びている。この電界発光素子の種類は、発光層に無機化合物を使用する無機電界発光素子と有機化合物を使用する有機発光電界（ＥＬ）素子とに大別される。その中でも、特に有機電界発光素子は、無機電界発光素子に比べて、輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れて多色化が可能であるという点で多くの研究がなされている。有機電界発光素子は、一般的にアノード／有機発光層／カソードの積層構造を有し、アノードと発光層との間に正孔注入層及び／または正孔輸送層をさらに積層し、及び／または発光層とカソードとの間に電子注入層をさらに積層してもよい。例えば、アノード／正孔輸送層／有機発光層／カソードの構造、アノード／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／カソードの構造などを有する。
【０００３】
正孔輸送層の形成材料として、ポリフェニル化合物またはアントラセン誘導体がよく知られている（特許文献１、特許文献２）。ところが、従来の正孔注入層及び／または正孔輸送層の形成材料からなる有機電界発光素子は、寿命、効率及び消費電力特性面で満足できるほどのレベルには至っておらず、改善の余地が多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６，５９６，４１５号明細書
【特許文献２】米国特許第６，４６５，１１５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的としては、電気的な安定性と高い電荷輸送能とを有し、ガラス転移温度が高く、結晶化を防止できる材料として、赤色、緑色、青色、白色などのあらゆるカラーの蛍光及び燐光有機発光素子に適した有機膜の形成材料及びその製造方法を提供することである。
【０００６】
本発明の他の目的としては、上記した有機膜を備えて、保存時、及び駆動時の耐久性に優れ、高効率、低電圧及び高輝度特性を示す有機発光素子及びこれを備えた平板表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によって、下記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を提供する。
【０００８】
【化１】
0005588789.tif 000002
【０００９】
前記化学式１中、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して炭素数６ないし６０の置換または非置換のアリール基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロアリール基、または炭素数６ないし６０の置換または非置換の縮合多環基を示し、
Ｘ１は、炭素数６ないし３０の置換または非置換のアリーレン基、炭素数４ないし３０の置換または非置換のヘテロアリーレン基、または炭素数６ないし３０の置換または非置換の縮合多環基を示し、
Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立して水素、重水素、炭素数１ないし５０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１ないし５０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６ないし６０の置換または非置換のアリール基、炭素数３ないし５０の置換または非置換の炭素環基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロアリール基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロ環基、炭素数６ないし６０の置換または非置換の縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基またはカルボキシル基を示す。
【００１０】
本発明の他の側面によって、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に介在された有機膜を備える有機発光素子であって、前記有機膜のうち少なくとも１層が上記ヘテロアリールアミン化合物を含む、有機発光素子を提供する。
【００１１】
上記有機発光素子において、前記有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入能及び正孔輸送能を共に有する単一膜、または発光層でありうる。
【００１２】
上記有機発光素子において、一層または複数層を前記ヘテロアリールアミン化合物を使用した湿式工程で形成することができる。
【００１３】
前記本発明のさらに他の側面によって、上記した有機発光素子を備え、前記有機発光素子の第１電極が薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結されたことを特徴とする平板表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一実施形態による化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物によれば、電気的特性及び電荷輸送能に優れて、正孔注入特性及び正孔伝達特性に優れた正孔注入材料及び／または正孔輸送材料として有用であり、さらに発光層ホスト材料として使用することもできる。
【００１５】
上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を含む有機膜を採用すれば、効率、駆動電圧、輝度及び寿命特性が改善された有機発光素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光素子の概略的な構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の一実施形態によれば、下記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を提供することができ、この化合物は、有機発光素子の有機膜形成材料として使用可能である。
【００１８】
【化２】
0005588789.tif 000003
【００１９】
上記化学式１中、Ａｒ１及びＡｒ２は、互いに独立して炭素数６ないし６０の置換または非置換のアリール基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロアリール基、または炭素数６ないし６０の置換または非置換の縮合多環基を示し、
Ｘ１は、炭素数６ないし３０の置換または非置換のアリーレン基、炭素数４ないし３０の置換または非置換のヘテロアリーレン基、または炭素数６ないし３０の置換または非置換の縮合多環基を示し、
Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立して水素、重水素、炭素数１ないし５０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１ないし５０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６ないし６０の置換または非置換のアリール基、炭素数３ないし５０の置換または非置換の炭素環基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロアリール基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロ環基、炭素数６ないし６０の置換または非置換の縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基またはカルボキシル基を示す。
【００２０】
上記化学式１で、Ｘ１は、リンカーであって、その具体例として下記化学式で表される２価の有機基のうちから選択される１つを使用することができる。
【００２１】
【化３】
0005588789.tif 000004
【００２２】
上記化学式１で、リンカーであるＸ１がインドールのフェニル部分に結合された位置によって化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物の具体的な適用分野が異なる。
【００２３】
上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物は、保存時及び駆動時に耐久性が高く、フルオレン基などの置換基を導入して、フィルム状態の分子膜状態が改善され、これを有機膜の形成材料として利用すれば、有機発光素子の特性を向上させることができる。
【００２４】
本発明の一実施形態によれば、上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物は、下記化学式２ないし６で表される化合物のうちから選択される１つでありうる。
【００２５】
【化４】
0005588789.tif 000005
【００２６】
【化５】
0005588789.tif 000006
【００２７】
【化６】
0005588789.tif 000007
【００２８】
【化７】
0005588789.tif 000008
【００２９】
【化８】
0005588789.tif 000009
【００３０】
上記化学式２ないし６中、Ａｒ１ないしＡｒ１０は、互いに独立して炭素数６ないし６０の置換または非置換のアリール基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロアリール基、または炭素数６ないし６０の置換または非置換の縮合多環基を示し、
Ｘ１、Ｘ２、及びＸ３は、互いに独立して炭素数６ないし３０の置換または非置換のアリーレン基、炭素数４ないし３０の置換または非置換のヘテロアリーレン基、または炭素数６ないし３０の置換または非置換の縮合多環基を示し、
Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立して水素、重水素、炭素数１ないし５０の置換または非置換のアルキル基、炭素数１ないし５０の置換または非置換のアルコキシ基、炭素数６ないし６０の置換または非置換のアリール基、炭素数３ないし５０の置換または非置換の炭素環基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロアリール基、炭素数４ないし６０の置換または非置換のヘテロ環基、炭素数６ないし６０の置換または非置換の縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基またはカルボキシル基を示す。
【００３１】
上記化学式１ないし６で、特に化学式２ないし６で、Ｒ１ないしＲ３は、互いに独立してアリール基であることが好ましく、具体的には、フェニル基、４−フルオロフェニル基、ナフタレン基またはビフェニル基でありうる。
【００３２】
上記化学式１ないし６で、特に化学式２ないし６で、Ｘ１、Ｘ２、及びＸ３は下記構造式で表される２価の有機基のうちから選択される１つであってもよい。
【００３３】
【化９】
0005588789.tif 000010
【００３４】
また、上記化学式１ないし６で、特に化学式２ないし６で、Ａｒ１ないしＡｒ１０は、互いに独立して下記構造式で表される１価の有機基のうちから選択される１つであってもよい。
【００３５】
【化１０】
0005588789.tif 000011
0005588789.tif 000012
0005588789.tif 000013
【００３６】
上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物は、有機膜の形成材料、特に正孔注入材料、正孔輸送材料及び／または発光材料としての機能を有する。
【００３７】
また、化学式１の分子内にインドール基を含む化合物は、インドール基の導入でガラス転移温度（Ｔｇ）や融点が高い。したがって、電界発光時の有機膜のうち、有機膜の間、または有機膜と金属電極との間で発生するジュール熱に対する耐熱性及び高温環境下での耐性が増加する。このようなヘテロアリールアミン化合物を用いて製造された有機発光素子は、保存時及び駆動時の耐久性が高い。
【００３８】
上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物の例として、下記化合物を挙げることができるが、これに限定されない。
【００３９】
【化１１】
0005588789.tif 000014
【００４０】
【化１２】
0005588789.tif 000015
【００４１】
【化１３】
0005588789.tif 000016
【００４２】
【化１４】
0005588789.tif 000017
【００４３】
【化１５】
0005588789.tif 000018
【００４４】
【化１６】
0005588789.tif 000019
【００４５】
【化１７】
0005588789.tif 000020
【００４６】
【化１８】
0005588789.tif 000021
【００４７】
特に、上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物は、化合物１、化合物２、化合物８、化合物２９、化合物３２、化合物５８、化合物８１、化合物８４、または化合物９９であることが好ましい。
【００４８】
【化１９】
0005588789.tif 000022
【００４９】
以下、本発明の化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物の合成過程の一例を説明する。
【００５０】
まず、下記化学式７のアミン化合物にベンゾフェノンヒドラゾン、ナトリウムブトキシド、パラジウムジアセテート及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルを添加及び混合し、これを熱処理して下記化学式８の化合物を得る。
【００５１】
【化２０】
0005588789.tif 000023
【００５２】
上記化学式７中、Ｘ１、Ａｒ１、Ａｒ２は、上記化学式１で定義された通りであり、Ｙはハロゲン原子であって、例えば、臭素、ヨウ素または塩素である。
【００５３】
【化２１】
0005588789.tif 000024
【００５４】
上記化学式８中、Ｘ１、Ａｒ１、Ａｒ２は上記化学式１で定義された通りである。
【００５５】
上記ベンゾフェノンヒドラゾンの含量は、化学式７のアミン化合物１モルに対して、１．０５ないし１．２モルであり、上記ナトリウムブトキシドの含量は、化学式７のアミン化合物１モルに対して、１．２ないし１．５モルである。そして、パラジウムジアセテート及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルは、それぞれ化学式７のアミン化合物１モルを基準として０．０２ないし０．０５モルであることが好ましい。
【００５６】
上記熱処理温度は、８０ないし１００℃であることが好ましい。もし、熱処理温度がこの範囲を超えれば、化学式８の化合物の収率が減少することがある。
【００５７】
次に、上記化学式８の化合物にｐ−トルエンスルホン酸モノハイドレート、ベンジルフェニルケトン及び溶媒を付加し、これを熱処理する。
【００５８】
この反応が完結されれば、反応生成物を収集して、本発明による化学式１で表されるアミン化合物を得る。
【００５９】
この反応のための熱処理温度は、６０ないし１００℃であることが好ましい。もし、熱処理温度がこの範囲を超えれば、化学式１のヘテロアリールアミン化合物の収率が減少することがある。
【００６０】
上記ｐ−トルエンスルホン酸モノハイドレートの含量は、化学式８の化合物１モルに対して、１．５ないし２．０モルであり、ベンジルフェニルケトンの含量は、化学式８の化合物１モルに対して、１．５ないし２．０モルであることが好ましい。
【００６１】
また、本発明は、第１電極、第２電極、及び第１電極と第２電極との間に介在された有機膜を備える有機発光素子であって、有機膜のうち少なくとも１層が上記した化学式１のヘテロアリールアミン化合物を含む。
【００６２】
上記化学式１のヘテロアリールアミン化合物を含む有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層、または正孔注入能及び正孔輸送能を共に有する単一膜を含んでもよく、好ましくは、正孔輸送層として使われる。また、上記化学式１のヘテロアリールアミン化合物は蛍光または燐光有機発光素子のホストとしても使われうる。
【００６３】
一方、上記第１電極をアノードとし、上記第２電極をカソードとしてもよいが、これと反対の場合も、もちろん可能である。
【００６４】
本発明の有機発光素子は、図１に示された第１電極のアノード、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、第２電極のカソードの構造の背面発光装置だけでなく、前面発光装置など多様な構造の有機発光装置の構造にも利用可能であり、必要によって、１層または２層の中間層をさらに形成することも可能である。
【００６５】
具体的に、本発明の一実施形態による有機発光素子は、第１電極／正孔注入層／発光層／第２電極の構造、第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極の構造、または第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有することができる。または、上記有機発光装置は、第１電極／正孔注入能及び正孔輸送能を共に有する単一膜／発光層／電子輸送層／第２電極の構造、または第１電極／正孔注入能及び正孔輸送能を共に有する単一膜／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極の構造を有することができる。
【００６６】
上記化学式１のヘテロアリールアミン化合物は、正孔注入特性及び正孔伝達特性に優れた正孔注入／輸送材料として、特に正孔輸送材料として有用であり、その他に青色、緑色、赤色の蛍光及び燐光素子のホスト材料として使われうる。
【００６７】
本発明の一実施形態による有機発光素子は、有機膜が正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、正孔注入層または正孔輸送層が上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を含み、発光層がアリールアミン化合物を含むことができる。
【００６８】
本発明の他の一実施形態による有機発光素子は、有機膜として正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、記正孔注入層または正孔輸送層が上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を含み、発光層がスチリル化合物を含むことができる。
【００６９】
本発明の他の一実施形態による有機発光素子は、有機膜として、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を含み、正孔注入層または正孔輸送層が上記化学式１のヘテロアリールアミン化合物を含み、発光層が緑色発光層、青色発光層、赤色発光層及び白色発光層を含み、緑色発光層、青色発光層、赤色発光層及び白色発光層のうち少なくとも１つの発光層は燐光化合物を含む。
【００７０】
また、本発明のさらに他の実施形態によれば、上記した有機発光素子の１つ以上の層が上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を用いて湿式工程で形成される。
【００７１】
本発明による有機発光装置の製造方法は、既知の多様な方法を使用して製造されるので、本明細書では省略する。
【００７２】
図１を参照して、本発明の一実施形態による有機発光素子及びその製造方法について説明する。
【００７３】
まず、第１電極の上部に有機膜を形成する。
【００７４】
上記第１電極は、伝導性に優れた金属、例えば、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）−アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−酸化インジウムスズ（Ａｌ−ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いて反射電極として使用することができる。また、前述した伝導性に優れた金属を用いて透明電極として使用することができる等、多様な変形例が可能である。上記第１電極は、アノードであってもよいが、カソードでもよい。
【００７５】
上記有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層、バッファ層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択される１つ以上が積層された構造でありうる。
【００７６】
図１には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子輸送層が順次に積層された構造を有する有機膜が図示されている。
【００７７】
正孔注入層は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）のようなよく知られた多様な方法を用いて形成しうる。
【００７８】
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、一般的に蒸着温度１００ないし５００℃、真空度１０−８ないし１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１ないし１００Å／ｓｅｃの範囲で適切に選択される。
【００７９】
スピンコーティング法によって、正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、約２０００ｒｐｍないし５０００ｒｐｍのコーティング速度で、コーティング後に溶媒除去のための熱処理温度を約８０℃ないし２００℃の温度範囲として適切に選択される。
【００８０】
上記正孔注入層物質としては、上記した化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物を利用することができる。または、よく知られた正孔注入材料をも使用でき、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）、ＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンファースルホン酸）またはＰＡＮＩ／ＰＳＳ（ポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート））などを使用しうるが、これらに限定されない。
【００８１】
【化２２】
0005588789.tif 000025
【００８２】
上記正孔注入層の厚さは、約１００Åないし１００００Å、好ましくは、１００Åないし１０００Åでありうる。上記正孔注入層の厚さがこの範囲を満足させるならば、駆動電圧の上昇なしに優秀な正孔特性を確保することができる。
【００８３】
次に、上記正孔注入層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を用いて正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成しうる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【００８４】
上記正孔輸送層をなす物質は、上記した化学式１のヘテロアリールアミン化合物を利用しうる。
【００８５】
本発明の一実施形態によれば、上記化学式１のヘテロアリールアミン化合物が発光層または正孔注入層形成材料として使われる場合には、正孔輸送層はよく知られた正孔輸送物質のうちから選択される物質を用いて形成しうる。
【００８６】
上記正孔輸送物質の具体例として、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ＮＰＢ、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）などの芳香族縮合環を有するアミン誘導体などを使用しうるが、これに限定されない。
【００８７】
【化２３】
0005588789.tif 000026
【００８８】
上記正孔輸送層の厚さは、約５０Åないし１０００Å、好ましくは、１００Åないし６００Åでありうる。
【００８９】
上記正孔輸送層の厚さが、この範囲である場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに良好な正孔輸送特性が確保されうる。
【００９０】
上記正孔輸送層の上部には、電子ブロッキング層が選択的に形成されてもよい。上記電子ブロッキング層は、電子の正孔輸送層への移動を阻止する役割を行うものであって、例えば、下記化学式で表される化合物（ＴＡＴＴ）を含むことができる：
【００９１】
【化２４】
0005588789.tif 000027
【００９２】
上記電子ブロッキング層の厚さは、５０ないし２００Åでありうる。上記電子阻止層の厚さがこの範囲である時、実質的な駆動電圧の上昇なしに電子ブロッキング特性が良好である。
【００９３】
次いで、上記電子ブロッキング層の上部に発光層を形成する。この際、上記発光層は、上記した化学式１のヘテロアリールアミン化合物を利用しうる。
【００９４】
上記発光層は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を用いて形成する。
【００９５】
上記発光層を真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【００９６】
もし、本発明の化学式１のヘテロアリールアミン化合物が正孔注入層または正孔輸送層の形成時に使われるならば、発光層の形成時、有機発光素子で一般的に使われる発光材料を使用可能である。
【００９７】
上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物は、ホストまたはドープ剤として使われうる。上記化学式１で表されるヘテロアリールアミン化合物以外に、発光層は、よく知られた多様な発光物質を用いて形成可能であり、例えば、既知のホスト及びドープ剤を用いて形成することもできる。上記ドープ剤の場合、既知の蛍光ドープ剤及び既知の燐光ドープ剤をいずれも使用しうる。
【００９８】
例えば、ホストとしては、Ａｌｑ３、ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、またはＤＳＡ（ジスチリルアリーレン）などを使用しうるが、これに限定されない。
【００９９】
一方、よく知られた赤色ドープ剤として、ＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＤＣＪＴＢなどを利用しうるが、これに限定されない。
【０１００】
【化２５】
0005588789.tif 000028
【０１０１】
また、よく知られた緑色ドープ剤として、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３、Ｃ５４５Ｔなどを利用しうるが、これらに限定されない。
【０１０２】
【化２６】
0005588789.tif 000029
【０１０３】
一方、よく知られた青色ドープ剤として、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、４，４’−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）などを利用しうるが、これらに限定されない。
【０１０４】
【化２７】
0005588789.tif 000030
【０１０５】
上記ドープ剤の含量は、発光層形成材料１００質量部（すなわち、ホストとドープ剤の総質量は１００質量部とする）を基準として、０．１ないし２０質量部、特に０．５〜１２質量部であることが好ましい。ドープ剤の含量がこの範囲を満足させるならば、濃度消光現象が実質的に防止されうる。
【０１０６】
上記発光層の厚さは、約１００Åないし１０００Å、好ましくは、２００Åないし６００Åでありうる。上記発光層の厚さがこの範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに優秀な発光特性を得る。
【０１０７】
発光層が燐光ドープ剤を含む場合、三重項励起子または正孔の電子輸送層への拡散現象を防止するために、上記した正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）を発光層の上部に形成しうる（図１には、図示せず）。この際、使用可能な正孔ブロッキング層物質は、特に制限されず、よく知られた正孔ブロッキング層物質のうちから任意に選択して利用しうる。例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ビス（２−メチル−８−キノラト）−（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（Ｂａｌｑ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、トリス（Ｎ−アリールベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）などを利用しうるが、これに限定されない。
【０１０８】
上記正孔ブロッキング層の厚さは、約５０Åないし１０００Å、好ましくは、１００Åないし３００Åでありうる。上記正孔阻止層の厚さが５０Å未満である場合、正孔阻止特性が低下し、上記正孔阻止層の厚さが１０００Åを超える場合、駆動電圧が上昇することがあるからである。
【０１０９】
次いで、電子輸送層（ＥＴＬ）を真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を用いて形成する。真空蒸着法及びスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【０１１０】
上記正孔ブロッキング層の上部に真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法のような多様な方法を用いて電子輸送層（ＥＴＬ）を形成しうる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって電子輸送層を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。電子輸送物質は、特に制限されず、その例としては、キノリン誘導体、特にトリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＴＡＺ、Ｂａｌｑのような既知の材料を使用することができるが、これらに限定されない。
【０１１１】
【化２８】
0005588789.tif 000031
【０１１２】
上記電子輸送層の厚さは、約１００Åないし１０００Å、好ましくは、１００Åないし５００Åでありうる。上記電子輸送層の厚さがこの範囲を満足させる場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに優秀な電子輸送特性を得る。
【０１１３】
また、電子輸送層の上部に陰極から電子の注入を容易にする機能を有する物質の電子注入層（ＥＩＬ）が積層されうる。
【０１１４】
上記電子注入層の形成材料としては、ＢａＦ２、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｌｉｑなどの物質を利用しうるが、これらに限定されない。
【０１１５】
【化２９】
0005588789.tif 000032
【０１１６】
上記電子注入層の蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲で選択される。
【０１１７】
上記電子注入層の厚さは、約１Åないし１００Å、好ましくは、５Åないし９０Åでありうる。上記電子注入層の厚さがこの範囲を満足させる場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに優秀な電子注入特性を得る。
【０１１８】
最後に、電子注入層の上部に真空蒸着法やスパッタリング法などの方法を用いて第２電極を形成しうる。上記第２電極は、カソードであってによいがアノードでもよい。上記第２電極形成用の物質としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物及びそれらの混合物を使用しうる。具体例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などを挙げられる。また、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯを使用した透明カソードを使用することもできる。
【０１１９】
また、本発明の一実施形態による有機発光素子の１つ以上の層は、上記化学式１のヘテロアリールアミン化合物を使用して蒸着方法で形成されてもよく、または化学式１のヘテロアリールアミン化合物の溶液をコーティングする湿式方法でも形成されてもよい。
【０１２０】
本発明の有機発光素子は、多様な平板表示装置、例えば、パッシブマトリックス有機発光表示装置及びアクティブマトリックス有機発光表示装置に使用することができる。特にアクティブマトリックス有機発光表示装置に使用する場合、基板側に備えられた第１電極は、画素電極として薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結されうる。また、上記有機発光素子は、両面に画面を表示可能な平板表示装置に使用することもできる。
【０１２１】
以下、本発明の化学式１で使われた基について説明する。
【０１２２】
上記化学式１で、炭素数１ないし５０の非置換のアルキル基は、直鎖型及び分枝型であって、その非制限的な例としては、メチル、エチル、プロフピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、ｉｓｏ−アミル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノナニル、またはドデシルなどを挙げることができ、上記アルキル基のうち、１つ以上の水素原子は、重水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン、ヒドラゾン、カルボキシル基やその塩、スルホン酸基やその塩、燐酸やその塩、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ２−Ｃ１０アルケニル基、Ｃ２−Ｃ１０アルキニル基、Ｃ６−Ｃ１６アリール基、またはＣ４−Ｃ１６ヘテロアリール基で置換されうる。
【０１２３】
上記化学式１で、炭素数３ないし５０の非置換の炭素環基は、炭素数３ないし５０の環状のアルキル基を意味し、上記炭素環基のうち、１つ以上の水素原子は、前述したＣ１−Ｃ５０アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【０１２４】
上記化学式１で、炭素数４ないし６０の非置換のヘテロ環基は、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳのうちから選択される１、２または３個のヘテロ原子を含む炭素数４ないし６０の環状のアルキル基を意味し、上記ヘテロ環基のうち、１つ以上の水素原子は、前述したＣ１−Ｃ５０アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【０１２５】
上記化学式１で、炭素数１ないし５０の非置換のアルコキシ基は、−ＯＡ（ここで、Ａは前述した非置換のＣ１−Ｃ５０アルキル基である）の構造を有する基であって、その非制限的な例として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基などを挙げられる。これらアルコキシ基のうち、少なくとも１つ以上の水素原子は、前述したアルキル基の場合と同じ置換基で置換可能である。
【０１２６】
上記化学式１中、炭素数６ないし６０の非置換のアリール基は１つ以上の環を含む炭素感芳香族系を意味し、２以上の環を有する場合、互いに結合されてもよく、または単一結合などを通じて連結されてもよい。アリールという用語は、フェニル、ナフチル、アントラセニルのような芳香族系を含む。また、上記アリール基のうち、１つ以上の水素原子は、前述したＣ１−Ｃ５０アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【０１２７】
置換または非置換のＣ６−Ｃ３０アリール基の例としては、フェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルフェニル基（例えば、エチルフェニル基）、ハロフェニル基（例えば、ｏ−、ｍ−及びｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基）、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ビフェニル基、ハロビフェニル基、シアノビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルキルビフェニル基、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシビフェニル基、ｏ−、ｍ−、及びｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−及びｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α，α−ジメチルベンゼン）フェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）アミノフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、ハロナフチル基（例えば、フルオロナフチル基）、Ｃ１−Ｃ１０アルキルナフチル基（例えば、メチルナフチル基）、Ｃ１−Ｃ１０アルコキシナフチル基（例えば、メトキシナフチル基）、シアノナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基などを挙げられるが、これらに限定されない。
【０１２８】
上記化学式１中、炭素数４ないし６０の非置換のヘテロアリール基は、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳのうちから選択される１、２または３個のヘテロ原子を含み、２以上の環を有する場合、これらは互いに結合されてもよく、または単一結合などを通じて連結されてもよい。非置換のＣ４−Ｃ６０ヘテロアリール基の例としては、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、カルバゾリル基、インドリル基、キノリニル基、またはイソキノリニル基などを挙げられるが、これらに限定されない。
【０１２９】
また、上記ヘテロアリール基のうち、１つ以上の水素原子は、前述したＣ１−Ｃ５０アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。
【０１３０】
上記化学式１中、炭素数６ないし６０の非置換の縮合多環基は、１つ以上の芳香族環及び／または１つ以上の非芳香族環が互いに結合された２以上の環を含む置換基を示し、前述したアリール基またはヘテロアリール基の例のうちいくつかは上記縮合多環基に含まれうる。
【実施例】
【０１３１】
以下、本発明を下記実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明は下記実施例にのみ限定されない。
【０１３２】
（合成例１：中間体１の合成）
２−ブロモビフェニルを７ｇ（３０ｍｍｏｌ）、４−アミノビフェニルを７．６２ｇ（４５ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを４．３ｇ（４５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を０．５５ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、そしてＰ（ｔ−Ｂｕ）３を０．１２ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を、トルエン１００ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。この反応が完了した後、常温に冷却させ、これを蒸溜水とジエチルエテール１００ｍＬとで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、中間体１を８．７７ｇ（収率９１％）収得した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳ（高分解能質量分析法）を使用して確認した。
Ｃ２４Ｈ１９Ｎ計算値：３２１．１５１７；実測値３２１．１５１９
【０１３３】
（合成例２：中間体２の合成）
上記中間体１の合成方法において、２−ブロモビフェニルの代わりに、２−ブロモ−９，９’−ジメチルフルオレンを使用した他は同様の方法で、中間体２を８７％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ２７Ｈ２３Ｎ計算値：３６１．１８３０；実測値３６１．１８３５
【０１３４】
（合成例３：中間体３の合成）
上記中間体２の合成方法において、４−アミノビフェニルの代わりに、２−アミノ−９，９’−ジメチルフルオレンを使用した他は同様の方法で、中間体３を８５％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。Ｃ３０Ｈ２７Ｎ計算値：４０１．２１４３；実測値４０１．２１４８
【０１３５】
（合成例４：中間体４の合成）
上記中間体１の合成方法において、２−ブロモビフェニルの代わりに、３−ヨード−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールを使用した他は同様の方法で、中間体４を８１％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３０Ｈ２２Ｎ２計算値：４１０．１７８３；実測値４１０．１７８７
【０１３６】
（合成例５：中間体５の合成）
上記中間体２の合成方法において、４−アミノビフェニルの代わりに、３−ヨード−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾールを使用した他は同様の方法で、中間体３を８０％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３３Ｈ２６Ｎ２計算値：４５０．２０９６；実測値４５０．２１００
【０１３７】
【化３０】
0005588789.tif 000033
【０１３８】
（合成例６：中間体６の合成）
１−ブロモ−４−ナフタレンボロン酸を５ｇ（２０ｍｍｏｌ）、１，４−ジヨードベンゼンを６．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を１．０４ｇ（０．９ｍｍｏｌ）、そしてＫ２ＣＯ３を５．５ｇ（４０ｍｍｏｌ）を、１００ｍＬのＴＨＦ／Ｈ２Ｏ（２：１）混合溶液に溶かして８０℃で５時間攪拌した。反応液をジエチルエテール６００ｍｌで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をジクロロメタンとノルマルヘキサンとで再結晶して中間体６を６．５ｇ（収率７９％）合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ１６Ｈ１０ＢｒＩ計算値：４０７．９０１１；実測値４０７．９０１５
【０１３９】
（合成例７：中間体７の合成）
１−ブロモ−４−ナフタレンボロン酸を５ｇ（２０ｍｍｏｌ）、２，７−ジヨード−９，９’−ジメチルフルオレンを８．９２ｇ（２０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を１．０４ｇ（０．９ｍｍｏｌ）、そしてＫ２ＣＯ３を５．５ｇ（４０ｍｍｏｌ）を、１００ｍＬのＴＨＦ／Ｈ２Ｏ（２：１）混合溶液に溶かして８０℃で５時間攪拌した。反応液をジエチルエテール６００ｍｌで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をジクロロメタンとノルマルヘキサンとで再結晶して、中間体７を７．９ｇ（収率７５％）合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ２５Ｈ１８ＢｒＩ計算値：５２３．９６３７；実測値５２３．９６４２
【０１４０】
【化３１】
0005588789.tif 000034
【０１４１】
（合成例８：中間体８の合成）
ナフタレン−２−フェニルアミンを４．３８ｇ（２０ｍｍｏｌ）、中間体６を１２．３ｇ（３０ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを２．８８ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を０．３６ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、そしてＰ（ｔ−Ｂｕ）３を０．０８ｇ（０．４ｍｍｏｌ）を、トルエン１００ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。この反応が完了した後、常温に冷却させ、これを蒸溜水とジエチルエテール１００ｍＬとで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、中間体８を８．８ｇ（収率８８％）収得した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ３２Ｈ２２ＢｒＮ計算値：４９９．０９３６；実測値４９９．０９４０
【０１４２】
（合成例９：中間体９の合成）
上記中間体１を６．４３ｇ（２０ｍｍｏｌ）、中間体６を１２．３ｇ（３０ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを２．８８ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を０．３６ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、そしてＰ（ｔ−Ｂｕ）３を０．０８ｇ（０．４ｍｍｏｌ）を、トルエン１００ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。この反応が完了した後、常温に冷却させ、これを蒸溜水とジエチルエテール１００ｍＬとで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、中間体９を７．７ｇ（収率６４％）収得した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４０Ｈ２８ＢｒＮ計算値：６０１．１４０５；実測値６０１．１４０９
【０１４３】
（合成例１０：中間体１０の合成）
上記中間体９の合成方法において、中間体１の代わりに、中間体２を使用した他は同様の方法で、中間体１０を６１％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４３Ｈ３２ＢｒＮ計算値：６４１．１７１８；実測値６４１．１７２２
【０１４４】
（合成例１１：中間体１１の合成）
上記中間体９の合成方法において、中間体１の代わりに、中間体３を使用した他は同様の方法で、中間体１１を５８％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４６Ｈ３６ＢｒＮ計算値：６８１．２０３１；実測値６８１．２０３５
【０１４５】
（合成例１２：中間体１２の合成）
上記中間体９の合成方法において、中間体１の代わりに、中間体４を使用した他は同様の方法で、中間体１２を６３％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４６Ｈ３１ＢｒＮ２計算値：６９０．１６７１；実測値６９０．１６７５
【０１４６】
（合成例１３：中間体１３の合成）
上記中間体９の合成方法において、中間体１の代わりに、中間体５を使用した他は同様の方法で、中間体１３を６０％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４９Ｈ３５ＢｒＮ２計算値：７３０．１９８４；実測値７３０．１９８８
【０１４７】
【化３２】
0005588789.tif 000035
【０１４８】
（合成例１４：中間体１４の合成）
上記中間体１を６．４３ｇ（２０ｍｍｏｌ）、中間体７を１５．７ｇ（３０ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを２．８８ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を０．３６ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、そしてＰ（ｔ−Ｂｕ）３を０．０８ｇ（０．４ｍｍｏｌ）を、トルエン１００ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。この反応が完了した後、常温に冷却させ、これを蒸溜水とジエチルエテール１００ｍＬとで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して中間体１４を８．９１ｇ（収率６２％）収得した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４９Ｈ３６ＢｒＮ計算値：７１７．２０３１；実測値７１７．２０３５
【０１４９】
（合成例１５：中間体１５の合成）
１−ブロモ−４−ナフタレンボロン酸を１５．０５ｇ（６０ｍｍｏｌ）、Ｔｒｉｓ−４−ブロモフェニルアミンを１２．５ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を１．７３ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、そしてＫ２ＣＯ３を６．２２ｇ（４５ｍｍｏｌ）を、１００ｍＬのＴＨＦ／Ｈ２Ｏ（２：１）混合溶液に溶かして８０℃で５時間攪拌した。反応液をジエチルエテール６００ｍｌで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をジクロロメタンとノルマルヘキサンとで再結晶して、中間体１５を４．４７ｇ（収率５２％）合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４８Ｈ３０Ｂｒ３Ｎ計算値：８５６．９９２８；実測値８５６．９９３２
【０１５０】
【化３３】
0005588789.tif 000036
【０１５１】
（合成例１６：中間体１６の合成）
中間体８を１０ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ベンゾフェノンヒドラゾンを５．１ｇ（２６ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを２．８８ｇ（３０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）２を０．０９ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、そして、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルを０．１９ｇ（０．４ｍｍｏｌ）を、トルエン６０ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。常温に冷却させた反応物に蒸溜水を加えて、ジエチルエテール１００ｍＬで２回、ジクロロメタン１００ｍＬで１回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過した後、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して中間体１６を１１．２ｇ（収率９１％）得た。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４５Ｈ３３Ｎ３計算値：６１５．２６７４；実測値６１５．２６７８
【０１５２】
（合成例１７：中間体１７の合成）
中間体１６を６．１５ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸モノハイドレートを３．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）、そしてベンジルフェニルケトンを２．９４ｇ（１５ｍｍｏｌ）の混合物にエタノール４０ｍＬとトルエン６０ｍＬを加えた後、１１０℃で２４時間攪拌した。常温に冷却させた反応物に蒸溜水を加えてジエチルエテール１００ｍＬで２回、ジクロロメタン１００ｍＬで２回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過した後、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、中間体１７を４．４１ｇ（収率７２％）得た。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳを使用して確認した。
Ｃ４６Ｈ３２Ｎ２計算値：６１２．２５６５；実測値６１２．２５６９
【０１５３】
【化３４】
0005588789.tif 000037
【０１５４】
（合成例１８：化合物１の合成）
上記中間体１７を３．０６ｇ（５ｍｍｏｌ）、ブロモベンゼンを０．９４ｇ（６ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａを１．４４ｇ（１５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３を１８３ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、そしてＰ（ｔ−Ｂｕ）を３４０ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）を、トルエン３０ｍＬに溶かした後、９０℃で３時間攪拌した。この反応が完了した後、常温に冷却させ、これを蒸溜水とジエチルエテール４０ｍＬとで３回抽出した。集められた有機膜を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発して得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して化合物１を２．６５ｇ（収率７７％）得た。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲ（核磁気共鳴分析法）とを使用して確認した。
Ｃ５２Ｈ３６Ｎ２計算値：６８８．２８７８；実測値６８８．２８８２；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．４９（ｄ、１Ｈ）、８．２３−８．２１（ｍ、２Ｈ）、７．８５（ｄ、１Ｈ）、７．７１−７．２５（ｍ、２４Ｈ）、７．１５（ｄｄ、２Ｈ）、６．８２（ｄｔ、１Ｈ）、６．５６（ｄｄ、２Ｈ）、６．３３（ｄ、１Ｈ）、６．１７（ｄ、２Ｈ）
【０１５５】
（合成例１９：化合物２の合成）
【０１５６】
【化３５】
0005588789.tif 000038
【０１５７】
上記化合物１の合成方法において、中間体８の代わりに、中間体９を反応させて中間体１８と中間体１９とを順次に合成し、中間体１９をブロモベンゼンと反応させた他は同様の方法で、化合物２を７０％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６０Ｈ４２Ｎ２計算値：７９０．３３４８；実測値７９０．３３５２；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２５−８．１９（ｍ、２Ｈ）、７．７８−７．７２（ｍ、３Ｈ）、７．７０−７．６３（ｍ、６Ｈ）、７．５８−７．２４（ｍ、２５Ｈ）、７．１６−７．１１（ｄｄ、２Ｈ）、６．８７−６．８１（ｍ、４Ｈ）
【０１５８】
（合成例２０：化合物８の合成）
【０１５９】
【化３６】
0005588789.tif 000039
【０１６０】
上記化合物２の合成方法において、中間体１９を１−ブロモナフタレンと反応させた他は同様の方法で、化合物８を７２％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６４Ｈ４４Ｎ２計算値８４０．３５０４；実測値８４０．３５０８；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．４４（ｄ、１Ｈ）、８．２５−８．１９（ｍ、２Ｈ）、７．７８−７．７２（ｍ、３Ｈ）、７．７０−７．６１（ｍ、６Ｈ）、７．５５（ｔ、２Ｈ）、７．４８−７．２５（ｍ、２７Ｈ）、６．４８−６．４１（ｍ、３Ｈ）
【０１６１】
（合成例２１：化合物２９の合成）
【０１６２】
【化３７】
0005588789.tif 000040
【０１６３】
上記化合物１の合成方法において、中間体８の代わりに、中間体１０を反応させて中間体２０と中間体２１をを合成し、中間体２１を４−ブロモビフェニルと反応させた他は同様の方法で、化合物２９を７０％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６９Ｈ５０Ｎ２計算値９０６．３９７４；実測値９０６．３９７８；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２５−８．２１（ｍ、２Ｈ）、７．９８（ｄ、１Ｈ）、７．７６（ｄ、２Ｈ）、７．７０−７．６２（ｍ、４Ｈ）、７．６０−７．５３（ｍ、５Ｈ）、７．４７−７．２０（ｍ、２１Ｈ）、７．０５（ｄ、１Ｈ）、６．９５（ｔ、１Ｈ）、６．７９（ｄ、２Ｈ）、６．６４−６．５９（ｍ、４Ｈ）、６．５３（ｄ、１Ｈ）、１．９６（ｓ、６Ｈ）
【０１６４】
（合成例２２：化合物３２の合成）
【０１６５】
【化３８】
0005588789.tif 000041
【０１６６】
上記化合物１の合成方法において、中間体８の代わりに、中間体１４を反応させて中間体２２と中間体２３とを合成し、中間体２３をブロモベンゼンと反応させた他は同様の方法で、化合物３２を６５％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６９Ｈ５０Ｎ２計算値９０６．３９７４；実測値９０６．３９７８；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２５−８．１８（ｍ、２Ｈ）、７．７６−７．７２（ｍ、３Ｈ）、７．６９−７．６２（ｍ、４Ｈ）、７．６０−７．２５（ｍ、２２Ｈ）、７．２２（ｓ、１Ｈ）、７．１３−７．０３（ｍ、６Ｈ）、６．９６（ｄ、１Ｈ）、６．８３（ｄ、４Ｈ）、６．７３（ｄ、１Ｈ）、１．９８（ｓ、６Ｈ）
【０１６７】
（合成例２３：化合物５８の合成）
【０１６８】
【化３９】
0005588789.tif 000042
【０１６９】
上記化合物１の合成方法において、中間体８の代わりに、中間体１１を反応させて中間体２４きて２５を合成し、中間体２５をブロモベンゼンと反応させた他は同様の方法で、化合物５８を６９％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６６Ｈ５０Ｎ２計算値８７０．３９７４；実測値８７０．３９７８；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２４−８．２１（ｍ、２Ｈ）、７．９８（ｄ、２Ｈ）、７．７２−７．６５（ｍ、４Ｈ）、７．６０−７．２０（ｍ、２０Ｈ）、７．１３（ｄ、２Ｈ）、７．０６（ｄ、２Ｈ）、６．９５（ｔ、２Ｈ）、６．７８（ｄ、２Ｈ）、６．７２（ｄ、２Ｈ）、１．９７（ｓ、１２Ｈ）
【０１７０】
（合成例２４：化合物８１の合成）
【０１７１】
【化４０】
0005588789.tif 000043
【０１７２】
上記化合物１の合成方法において、中間体８の代わりに、中間体１５を反応させて中間体２６と２７を合成し、中間体２７をブロモベンゼンと反応させた他は同様の方法で、化合物８１を７３％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ１０４Ｈ７２Ｎ４計算値１４２４．５７５７；実測値１４２４．５７６１；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２５−８．２０（ｍ、３Ｈ）、７．７２−７．６５（ｍ、３Ｈ）、７．５５（ｔ、３Ｈ）、７．５２−７．２５（ｍ、５７Ｈ）、７．１１−７．０５（ｍ、３Ｈ）、６．９３（ｄ、３Ｈ）
【０１７３】
（合成例２５：化合物８４の合成）
【０１７４】
【化４１】
0005588789.tif 000044
【０１７５】
上記化合物１の合成方法において、中間体８の代わりに、中間体１２を反応させて中間体２８と２９を合成し、中間体２９をブロモベンゼンと反応させた他は同様の方法で、、化合物８４を７１％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６６Ｈ４５Ｎ３計算値８７９．３６１３；実測値８７９．３６１７；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２５−８．２０（ｍ、２Ｈ）、７．９３（ｄ、１Ｈ）、７．７６（ｄ、２Ｈ）、７．７１−７．６４（ｍ、４Ｈ）、７．６９−７．２５（ｍ、３０Ｈ）、７．０５（ｄ、２Ｈ）、６．８６−６．７９（ｍ、４Ｈ）
【０１７６】
（合成例２６：化合物９９の合成）
【０１７７】
【化４２】
0005588789.tif 000045
【０１７８】
上記化合物１の合成方法において、中間体８の代わりに、中間体１３を反応させて中間体３０と３１を合成し、中間体３１をブロモベンゼンと反応させた他は同様の方法で、、化合物９９を６２％の収率で合成した。生成された化合物は、ＨＲ−ＭＳとＮＭＲとを使用して確認した。
Ｃ６９Ｈ４９Ｎ３計算値９１９．３９２６；実測値９１９．３９３０；
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）８．２４−８．２０（ｍ、２Ｈ）、７．９８（ｄ、１Ｈ）、７．９３（ｄ、１Ｈ）、７．７１−７．６５（ｍ、２Ｈ）、７．６０−７．２０（ｍ、３０Ｈ）、７．１４（ｄ、１Ｈ）、７．０５（ｄ、２Ｈ）、６．９５（ｔ、１Ｈ）、６．７９（ｄ、２Ｈ）、６．７２（ｄ、１Ｈ）、１．９５（ｓ、６Ｈ）
【０１７９】
（実施例１）
アノードは、コーニング１５Ω／ｃｍ２（１２００Å）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ０．７ｍｍの大きさに切って、イソプロピルアルコールと純水とを用いて、各５分間超音波洗浄した後、３０分間紫外線を照射してオゾンに露出させて洗浄して作製し、真空蒸着装置に、このガラス基板を設置した。
【０１８０】
上記ガラス基板の上部に、まず正孔注入層として下記化学式で表される２−ＴＮＡＴＡを真空蒸着して６００Å厚さに形成した後、引き続き、正孔輸送層の形成材料として化合物１を３００Åの厚さに真空蒸着して正孔輸送層を形成した。
【０１８１】
【化４３】
0005588789.tif 000046
【０１８２】
上記正孔輸送層の上部に既知の緑色蛍光ホストであるＡｌｑ３と緑色蛍光ドープ剤であるＣ５４５Ｔを質量比９８：２で同時蒸着して３００Åの厚さに発光層を形成した。
【０１８３】
次いで、上記発光層の上部に電子輸送層としてＡｌｑ３を３００Åの厚さに蒸着した後、この電子輸送層の上部にハロゲン化アルカリ金属であるＬｉＦを電子注入層として１０Åの厚さに蒸着し、Ａｌを３０００Åの厚さに真空蒸着してＬｉＦ／Ａｌ電極（カソード）を形成することによって有機発光素子を製造した。
【０１８４】
（実施例２ないし９）
実施例２ないし９では、正孔輸送層形成材料として化合物２、化合物８、化合物２９、化合物３２、化合物５８、化合物８１、化合物８４及び化合物９９を各々使用したことを除いては、実施例１と同様の方法によって有機発光素子を作製した。
【０１８５】
（比較例１）
正孔輸送層の形成時、上記化合物１の代わりに、既知の物質である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（以下、ＮＰＢ）を用いたことを除いては、実施例１と同様にして有機発光素子を作製した。
【０１８６】
【化４４】
0005588789.tif 000047
【０１８７】
上記実施例１ないし９及び比較例１によって作製された有機発光素子の電流密度５０ｍＡ／ｃｍ２での駆動電圧、輝度、色座標及び発光効率を測定し、その結果を下記表１に示す。
【０１８８】
【表１】
0005588789.tif 000048
【０１８９】
本実施例１ないし９による化学式１のヘテロアリールアミン化合物の構造を有するアミン系化合物を正孔輸送材料として有機発光装置に使用した結果、いずれも既知の物質であるＮＰＢと比較して駆動電圧が１Ｖ以上低くなり、効率が大幅に向上した優秀なＩ−Ｖ−Ｌ特性を示した。特に、寿命改善効果が卓越であって、実施例１ないし９の場合、比較例１に比べて寿命が１００％以上向上した結果を示した。
【０１９０】
上記実施例１ないし９及び比較例１によって作製された有機発光素子の半減寿命を測定し、その結果を下記表２に示す。
【０１９１】
【表２】
0005588789.tif 000049
【０１９２】
上記表２から分かるように、実施例１ないし９の有機発光素子は、比較例１の場合と比較して半減寿命が向上した。
【０１９３】
以上、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野の当業者ならば、特許請求の範囲に記載の本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させうるということを理解できるであろう。
【図１】
0005588789.tif 000059